(57)【要約】【課題】電流拡散層の組成が均一な発光素子用ウェーハ、電流拡散層と電極との間のオーミックコンタクトを均一にすることが容易な発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板の上に設けられた第１クラッド層と、前記第１クラッド層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２クラッド層と、前記第２クラッド層の上に設けられ、前記発光層からの放出光を透過可能であり、ＧａＰからなる電流拡散層と、前記電流拡散層の上に設けられ、前記電流拡散層の側はＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０＜ｚ≦１）からなる表面保護層と、を備えたことを特徴とする発光素子用ウェーハが提供される。【選択図】図１
2011155197.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に設けられた第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上に設けられた発光層と、
前記発光層の上に設けられた第２クラッド層と、
前記第２クラッド層の上に設けられ、前記発光層からの放出光を透過可能であり、ＧａＰからなる電流拡散層と、
前記電流拡散層の上に設けられ、前記電流拡散層の側はＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０＜ｚ≦１）からなる表面保護層と、
を備えたことを特徴とする発光素子用ウェーハ。
【請求項２】
前記基板は、ＧａＡｓからなり、
前記発光層は、Ｉｎｔ（ＡｌｓＧａ１−ｓ）１−ｔＰ（０≦ｔ≦１、０≦ｓ≦１）またはＡｌｗＧａ１−ｗＡｓ（０≦ｗ≦１）からなることを特徴とする請求項１記載の発光素子用ウェーハ。
【請求項３】
基板の上に、第１クラッド層、発光層、第２クラッド層、前記発光層からの放出光を透過可能なＧａＰからなる電流拡散層、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０＜ｚ≦１）からなる表面保護層、をこの順序で結晶成長する工程と、
前記表面保護層を除去することにより露出し、Ｇａ、Ｐ、およびアクセプタまたはドナーとなる元素のみが存在する上面を有する前記電流拡散層に対してオーミックコンタクトを形成可能なオーミック電極を形成する工程と、
前記オーミック電極が形成されていない前記電流拡散層の上面の一部及び前記オーミック電極の一部を覆い、前記電流拡散層とは非オーミックコンタクトを形成可能なパッド電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項４】
基板と、
前記基板の上に設けられた第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上に設けられた発光層と、
前記発光層の上に設けられた第２クラッド層と、
前記第２クラッド層の上に設けられ、前記発光層からの放出光を透過可能であり、ＧａＰからなる電流拡散層と、
前記電流拡散層に対してオーミックコンタクトが可能なオーミック電極と、
前記電流拡散層の上面における前記オーミック電極の非形成領域の一部及び前記オーミック電極の一部を覆い、前記電流拡散層とは非オーミックコンタクトとなるパッド電極と、
を備え、
前記電流拡散層の前記上面には、Ｇａ、Ｐ、およびアクセプタまたはドナーとなる元素のみが存在することを特徴とする発光素子。
【請求項５】
前記電流拡散層の前記上面には、Ａｓ、Ｉｎ、およびＡｌが存在しないことを特徴とする請求項４記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子用ウェーハ、発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
可視光発光素子において発光層と上部電極との間に電流拡散層を設けると、電極から注入されたキャリアを発光層面内に広げることができる。このために、放出される光出力を高めることが容易となる。また、発光層をＩｎＧａＡｌＰ系材料とする場合、光取り出し側となる電流拡散層を可視光に対して透光性の高い材料とすると光取り出し効率を高めることができる。
【０００３】
他方、上部電極は発光層からの放出光の一部を遮る。もし、ワイヤボンディングのためのパッド電極のサイズを小さくし、パッド電極と電気的に接続された細線電極を設けて電流拡散層の面内に電流を広げると、上部電極による遮光量を低減し光取り出し効率をさらに高めることが容易となる。  
【０００４】
特許文献１には、ＧａＡｓ基板上に、アクティブ層、電流拡散層、オーミックコンタクト層などが積層された発光素子が開示されている。この例では、オーミックコンタクト層のほぼ中央部には電流阻止層が形成されている。さらに電流阻止層のほぼ中央部上に設けられたボンディングパッド部と、ボンディングパッド部から放射状に広がった細線パターン導体部と、を有する電極が形成されている。このため、電流集中による断線を防止することが容易となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３１１６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電流拡散層表面の平坦性及び組成均一性の改善が容易な発光素子用ウェーハ、及び電流拡散層と電極との間のオーミックコンタクト均一性の改善が容易な発光素子及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、基板と、前記基板の上に設けられた第１クラッド層と、前記第１クラッド層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２クラッド層と、前記第２クラッド層の上に設けられ、前記発光層からの放出光を透過可能であり、ＧａＰからなる電流拡散層と、前記電流拡散層の上に設けられ、前記電流拡散層の側はＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０＜ｚ≦１）からなる表面保護層と、を備えたことを特徴とする発光素子用ウェーハが提供される。
【０００８】
本発明の他の一態様によれば、基板の上に、第１クラッド層、発光層、第２クラッド層、前記発光層からの放出光を透過可能なＧａＰからなる電流拡散層、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０＜ｚ≦１）からなる表面保護層、をこの順序で結晶成長する工程と、前記表面保護層を除去することにより露出し、Ｇａ、Ｐ、およびアクセプタまたはドナーとなる元素のみが存在する上面を有する前記電流拡散層に対してオーミックコンタクトを形成可能なオーミック電極を形成する工程と、前記オーミック電極が形成されていない前記電流拡散層の上面の一部及び前記オーミック電極の一部を覆い、前記電流拡散層とは非オーミックコンタクトを形成可能なパッド電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする発光素子の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明のさらに他の一態様によれば、基板と、前記基板の上に設けられた第１クラッド層と、前記第１クラッド層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２クラッド層と、前記第２クラッド層の上に設けられ、前記発光層からの放出光を透過可能であり、ＧａＰからなる電流拡散層と、前記電流拡散層に対してオーミックコンタクトが可能なオーミック電極と、前記電流拡散層の上面における前記オーミック電極の非形成領域の一部及び前記オーミック電極の一部を覆い、前記電流拡散層とは非オーミックコンタクトとなるパッド電極と、を備え、前記電流拡散層の前記上面には、Ｇａ、Ｐ、およびアクセプタまたはドナーとなる元素のみが存在することを特徴とする発光素子が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
電流拡散層表面の平坦性及び組成均一性の改善が容易な発光素子用ウェーハ、及び電流拡散層と電極との間のオーミックコンタクト均一性の改善が容易な発光素子及びその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態にかかる発光素子用ウェーハの模式断面図
【図２】発光素子の製造方法の工程断面図
【図３】発光素子の製造方法の工程断面図
【図４】発光素子の製造方法の工程断面図
【図５】発光素子の模式平面図
【図６】電流拡散層の表面のＳＥＭ写真
【図７】変形例にかかる発光素子の模式平面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施形態にかかる発光素子用ウェーハの模式断面図である。
（１００）を主面とし第１導電型のＧａＡｓなどからなる基板１０の上に、第１導電型のＧａＡｓなどからなるバッファ層１２、第１導電型のＩｎＡｌＧａＰなどからなる第１クラッド層１４、発光層１６、第２導電型のＩｎＡｌＧａＰなどからなる第２クラッド層１８、第２導電型を有しＩｎ及びＡｌ組成比が変化するグレーデッド層２０、光取り出し側であり第２導電型のＧａＰからなる電流拡散層２２、及び表面保護層２４、が結晶成長法を用いてこの順に積層される。結晶成長法としては、ＭＯＣＶＤ（Metal  Organic  Chemical  Vapor Deposition）法やＭＢＥ（Molecular  Beam  Epitaxy)法を用いることができる。
【００１３】
なお、本明細書において、ＩｎＡｌＧａＰで表される材料は、Ｉｎｙ（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）なる組成式で表され、アクセプタやドナーとなる元素が含有されていてもよいものとする。また、ＡｌＧａＡｓで表される材料は、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）なる組成式で表され、アクセプタやドナーとなる元素が含有されていても良いものとする。
【００１４】
発光層１６は、ＩｎＡｌＧａＰなどからなり、井戸層及び障壁層からなるＭＱＷ（Multi-Quamtum Well)構造とすることができる。また、発光層１６は、第１または第２の導電型としても、あるいはアンドープとしてもよい。
グレーデッド層２０は、省略することができる。しかし、例えば、 その組成をＩｎＡｌＧａＰとし、電流拡散層２２に向かうに従いＩｎ及びＡｌ組成比を低減すると、ＧａＰからなる電流拡散層２２と格子定数の差が大きい第２クラッド層１８との間での結晶性を改善することができる。グレーデッド層２０の結晶成長における最後の膜がＧａＰ膜となるようにするとより好ましい。
【００１５】
電流拡散層２２をＧａＰとすると、そのバンドギャップ波長は略０．５５μｍである。このため、ＩｎＧａＡｌＰ系またはＡｌＧａＡｓ系発光層からの波長が０．５７μｍ以上の放出光を吸収することなく放出可能である。また、電流拡散層２２の厚さは、例えば、１〜５μｍとすることができる。
【００１６】
表面保護層２４は、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０＜ｚ≦１）とする。また、表面保護層２４は、第２導電型である必要はない。このようにして発光素子用ウェーハ５が完成する。
【００１７】
図２（ａ）から図２（ｄ）は、発光素子の製造方法の工程断面図である。
本図において、第１導電型をｎ型とするが、本発明はこれに限定されない。また、表面保護層２４はＡｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓからなり、その厚さを０．１μｍとするが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１８】
まず、図１に表す発光素子用ウェーハ５の表面保護層２４を、硫酸、過酸化水素水、水の混合液を用いて除去すると、図２（ａ）のように電流拡散層２２の表面が現れる。続いて、図２（ｂ）のように、電流拡散層２２の表面にＳｉＯ２のような絶縁膜３０を形成する。さらに、図２（ｃ）のように、絶縁膜３０上に、フォトリソグラフィー法を用いて、フォトレジスト膜３２をパターニングする。この場合、フォトレジスト膜３２に設けられた開口部３２ａの幅Ｗ１は、例えば３．５μｍとする。
【００１９】
続いて開口部３２ａに露出している絶縁膜３０をフッ化アンモニウム水溶液などを用いて除去すると、図２（ｄ）のように、電流拡散層２２が絶縁膜３０の開口部３０ａに露出する。
【００２０】
図３（ａ）から図３（ｃ）は、本発明の実施形態にかかる発光素子の製造方法の工程断面図である。
図３（ａ）のように、絶縁膜３０の開口部３０ａの底面に露出した電流拡散層２２の表面に、例えば厚さ５０ｎｍのＡｕ膜３３、厚さ２００ｎｍのＡｕＺｎ（Ｚｎ：３重量％）膜３４をこの順序で、例えば抵抗加熱法を用いて蒸着する。フォトレジスト膜３２を剥離し、絶縁膜３０をフッ化アンモニウム水溶液などを用いて除去する。さらに、不活性ガス雰囲気において、例えば４００℃以上、１０分間以上の熱処理を行うと、電流拡散層２２との間でオーミックコンタクトを形成可能なオーミック電極３５が完成する（図３（ｂ））。例えば、オーミック電極３５は、上方からみて中央を開口部３５ａとするような閉じた細線部とする。
【００２１】
なお、電流拡散層２２の導電型がｐ型である場合、オーミック電極３５の構成は、ＡｕＢｅ、Ｃｒ／Ａｕ、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide)などを含んでも良い。また、電流拡散層２２の導電型がｎ型である場合、オーミック電極３５の構成は、ＡｕＧｅ、ＡｕＧｅＮｉ、ＩＴＯなどを含んでもよい。
【００２２】
続いて、オーミック電極３５を埋め込むように、ＳｉＯ２のような絶縁膜４０を形成する。その上にフォトレジスト膜３８をパターニングすると、図３（ｃ）のように、フォトレジスト膜３８に開口部３８ａが形成され、絶縁膜４０が露出する。
【００２３】
図４（ａ）〜図４（ｄ）は、本発明の実施形態にかかる発光素子の製造方法の工程断面図である。
開口部３８ａに露出した絶縁膜４０を、フッ化アンモニウム水などを用いて除去すると、図４（ａ）のように、絶縁膜４０の開口部４０ａに電流拡散層２２及び細線部からなるオーミック電極３５が露出する。続いて、オーミック電極３５と電気的に接続するために細線部の一部を覆うように、かつオーミック電極３５の開口部３５ａに露出した電流拡散層２２の一部を覆うように、パッド電極４２が形成される（図４（ｂ））。パッド電極３５は、例えば、厚さ５０ｎｍのＡｕＧｅ膜（Ｇｅ：０．５重量％）、厚さ１００ｎｍのＡｕ膜、厚さ１５０ｎｍのＡｕ膜、厚さ５０ｎｍのＭｏ膜、厚さ６００ｎｍのＡｕ膜、が抵抗加熱法及び電子ビーム蒸着法などを用いてこの順序で積層される。本図では、電流拡散層２２がｐ型導電型であるので、このような構造により非オーミックコンタクトが形成できる。すなわち、パッド電極４２は、電流拡散層２２との間で非オーミックコンタクトとなるように選択する。この結果、キャリアは、非オーミックとなるパッド電極４２からの注入が抑制され、オーミック電極３５から主として注入可能となる。
【００２４】
なお、オーミック電極３５及びパッド電極４２の材質及び構成はこれらに限定されない。例えば、パッド電極４２は、オーミック電極３５とオーミックコンタクトが形成可能であり、電流拡散層２２と非オーミックコンタクトを形成する金属であれば他の構成であってもよい。
【００２５】
続いて、フォトレジスト膜３８及び絶縁膜４０を除去すると、オーミック電極３５を内部に埋め込んだパッド電極４２を、電流拡散層２２上に設けた発光素子が完成する。基板１０の裏面に、厚さ２００ｎｍのＡｕＧｅ膜（Ｇｅ：０．５重量％）からなる裏面電極４３を形成し、個々のチップに分割すると、図４（ｄ）の発光素子が完成する。
【００２６】
図５は、本実施形態にかかる発光素子の模式平面図である。
すなわち、図５のＡ−Ａ線に沿った模式断面図が図４（ｄ）に相当する。パッド電極４２は、直径ＤＰが略１００μｍの円などからなる第２の領域４２ａと、幅ＷＳが略５μｍの矩形などからなる第１の領域４２ｂと、からなる。第２の領域４２ａは、上方からみてオーミック電極３５の閉じた細線部の中央の開口部３５ａ内に設けられる。また、第１の領域４２ｂは、細線状のオーミック電極３５の一部を覆うように配置する。パッド電極４２と電流拡散層２２とは非オーミックコンタクトを形成するのでキャリアに注入が抑制され、その直下での発光は少ないので遮光量は少ない。
【００２７】
他方、細線電極３５と電流拡散層２２とはオーミックコンタクトを形成するのでキャリアが注入され、その直下近傍が発光し高い光取り出し効率が可能となる。すなわち、電流拡散層の導電型とは反対側の導電型を有する半導体層をパッド電極と電流拡散層との間に設けることなく、簡素な構造で電流拡散層へのキャリア注入を阻止できる。電流拡散層２２がＧａＰからなる場合、ＩｎＧａＡｌＰとは格子不整合を起こしやすい。本実施形態では電流阻止層を設けないので格子不整合を生じることがなく、チップの量産性を高めることが容易となる。
【００２８】
本実施形態の発光素子用ウェーハ５は、ＧａＰからなる電流拡散層２２の結晶成長後、その上面にＡｌＧａＡｓからなる表面保護層２４を結晶成長する。このような発光素子用ウェーハ５を用いる効果について、次に詳細に説明する。
【００２９】
Ｐは揮発しやすい物質であり、結晶成長後に例えば７００℃から降温する工程においてもＰ抜けを生じる。この場合、ＰＨ３雰囲気中で降温しても十分には抑制できないことがある。ＧａＰからなる電流拡散層表面近傍のＰ抜けなどによる結晶組成の不均一やこれに伴って生じた表面キャリア濃度の不均一は、オーミック電極との間のオーミックコンタクト特性を不均一にする。この結果、電気的及び光学的特性におけるバラツキが大きくなる。
【００３０】
発明者らは、ＧａＰからなる電流拡散層２２の上にＡｌＧａＡｓからなる表面保護層２４を設けると、結晶成長後の降温工程によるＰ抜けなどが抑制され、ＧａＰ電流拡散層２２の表面の結晶欠陥が低減されることを見出した。
【００３１】
図６（ａ）及び図６（ｂ）は、表面保護層を選択的にエッチングにより除去した後のＧａＰ表面のＳＥＭ（Scanning  Electron  Microscope)写真である。
図６（ａ）は厚さ０．１μｍのＡｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓからなる表面保護層２４で覆われていた場合、図６（ｂ）は厚さ０．１μｍのＧａＡｓからなる表面保護層２４で覆われていた場合、をそれぞれ表す。なお、加速電圧は１０ｋＶとしており、１．０μｍのスケールを表示している。
【００３２】
Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓからなる表面保護層２４を除去した本実施形態の発光素子ウェーハ５の場合、電流拡散層２４の表面はＰ抜けなどを生じておらず結晶欠陥が少なく均一な組成であることを示している。他方、ＧａＡｓからなる表面保護層を除去した比較例の場合、表面の凹凸が生じている。この凹凸は、Ｐ抜けなどにより結晶欠陥が増加したことによる。図６（ｂ）で観察される凹凸は、オーミック電極３５の幅が数μｍと細くする場合、オーミックコンタクト特性にバラツキを生じる大きさであると考えられる。なお、表面保護層を設けない場合にも図６（ｂ）のような凹凸を生じ、オーミックコンタクト特性が不均一であった。
【００３３】
また、（表１）は電流拡散層２２の表面のＡＥＳ（Auger Electron Spectroscopy)分析結果を表し、検出された元素を重量％で示している。
【００３４】
【表１】
2011155197.tif 000003
【００３５】
Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓからなる表面保護層２４を用いた場合、電流拡散層２２の表面ではＡｓ、Ｉｎ、およびＡｌが検知感度以下であった。また、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry)によれば、ＡｓおよびＡｌは、検出限界（１００count／sec）以下であった。他方、ＧａＡｓからなる表面保護層を用いた場合、Ａｓは相対割合で３．４wt％検出された。また、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry)によれば、Ａｓは表面から略１００ｎｍの深さまで検出された。さらに、Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐからなる表面保護層を用いた場合、Ｉｎは相対割合で１．２wt％、Ａｌは相対割合で１．０wt％検出された。また、ＳＩＭＳによれば、ＩｎとＡｌは表面から略１５０ｎｍの深さまで検出された。
【００３６】
このように、表面保護層から拡散されたＡｓ、Ｉｎ、およびＡｌは電流拡散層の表面の組成を乱し結晶性の低下を促進すると考えられる。すなわち、ＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｌＰからなる表面保護層ではＧａＰからなる電流拡散層の表面組成が不均一となることを十分には抑制できない。これに対して、本実施形態の発光素子用ウェーハ５を用いると電流拡散層２２の表面を平坦かつ均一組成とすることが容易となる。このため、電流拡散層２２とオーミック電極３５との間でバラツキの少ないオーミックコンタクトを形成できる。
【００３７】
図５の模式平面図のように、本実施形態ではオーミック電極３５の幅を、例えば数μｍと狭くすることにより、その直下の近傍領域にキャリアを効果的に注入する。このために、オーミック電極３５やパッド電極４２による遮光量を低減し光取り出し効率を高めることが容易となる。このように細線形状の電極では、電流拡散層２２の表面に図６（ｂ）のように表面に凹凸が生じるとキャリアを均一に注入することが困難である。また、（表１）のように表面近傍でＰ抜けやＡｓ拡散を生じ結晶組成が変化し均一にキャリアを注入することが困難となる。すなわち、オーミック電極３５の細線部の幅が狭くなるほど、電流拡散層２２の表面を平坦かつ均一組成とすることが好ましい。本実施形態では、チップ歩留を高め量産性の高い発光素子の製造方法が可能となる。
【００３８】
以上のように、チップの表面に対してＳＥＭによる観察やＡＥＳやＳＩＭＳによる分析を行うことにより、本実施形態にかかる発光素子用ウェーハ５を用いて製造したチップを、本実施形態のような表面保護層を備えていないウェーハを用いて製造したチップと区別することが容易となる。すなわち、本実施形態にかかる発光素子の電流拡散層２２の上面をＡＥＳやＳＩＭＳを用いて、組成分析を行うと、Ｇａ、Ｐ、アクセプタやドナーとなる元素のみが検出され、Ａｓ、Ｉｎ、およびＡｌは検出されない。このために、電流拡散層２２の上面には、Ｇａ、Ｐ、およびアクセプタやドナーとなる元素のみが存在すると考えることができる。なお、本明細書で、「Ａ元素のみが存在する」とは、Ａ元素以外は少なくとも検出限界（１００count／sec）以下であることを意味する。
【００３９】
図７は、変形例にかかる発光素子の模式平面図である。
オーミック電極３５は、パッド電極４２の第２の領域４２ａの周囲を取り囲むように設けられた円環状の細線部と、その周囲を取り囲むように設けられた直線からなる細線部と、を有している。本図において、パッド電極４２とオーミック電極３５との接続点Ｃ（破線内の領域）は８つ設けられる。発光素子の製造方法において、オーミック電極３５及びパッド電極４２の形状をこのようにすることは容易である。この結果、パッド電極４２の第２の領域４２ａにより遮光される量を低減しつつ、電流拡散層２２の面内に電流を広げ、より高い取り出し効率が可能となる。
【００４０】
本実施形態の発光素子用ウェーハ５を用いて発光素子を製造すると、発光素子用ウェーハ５の面内で特性の均一性改善が容易となる。この結果、発光素子の歩留まりを改善しチップ量産性を高めることができる。このような発光素子は、可視光波長範囲の光を放出可能であり、表示装置、照明装置、信号機などに用いることができる。特に高輝度を必要とする用途に広く用いることができる。
【００４１】
以上、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの実施形態に限定されない。本発明を構成する基板、第１クラッド層、発光層、第２クラッド層、グレーデット層、電流拡散層、表面保護層、のサイズ、材質、形状、配置などに関して当業者が設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４２】
５  発光素子用ウェーハ、１０  基板、１４  第１クラッド層、１６  発光層、１８  第２クラッド層、２０  グレーデッド層、２２  電流拡散層、２４  表面保護層、３５  オーミック電極、４２  パッド電極
【図１】
2011155197.tif 000004
【図２】
2011155197.tif 000005
【図３】
2011155197.tif 000006
【図４】
2011155197.tif 000007
【図５】
2011155197.tif 000008
【図７】
2011155197.tif 000009
【図６】
2011155197.tif 000010