(57)【要約】【課題】  半導体素子への静電気による電気的な損傷が抑えられる半導体素子移送用治具を提供する。【解決手段】  基板５の主面に、回路素子６と、回路素子６と導通する電極パッド７と、電極パッド７を露出するように回路素子６を覆う絶縁部材８と、を備える半導体素子４を、固着テープ９から引き離して移送するための半導体素子移送用治具であって、半導体素子４の、絶縁部材８が配されている側を吸着保持する保持手段１２を備え、保持手段１２が静電気拡散性材料を用いて形成されている。保持手段１２を形成する静電気拡散性材料が、樹脂またはセラミックである。【選択図】図１
2011155135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面に、回路素子と、該回路素子と導通する電極パッドと、該電極パッドを露出するように該回路素子を覆う絶縁部材と、を備える半導体素子を、固着テープから引き離して移送するための半導体素子移送用治具であって、
前記半導体素子の、前記絶縁部材が配されている側を吸着保持する保持手段を備え、
前記保持手段が静電気拡散性材料を用いて形成されていることを特徴とする半導体素子移送用治具。
【請求項２】
前記静電気拡散性材料が樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子移送用治具。
【請求項３】
前記静電気拡散性材料がセラミックであることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子移送用治具。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体素子移送用治具と、前記半導体素子移送用治具を移動させる手段と、複数の前記半導体素子が固着されたテープを固定する手段と、を備えた半導体素子移送装置。
【請求項５】
基板の主面に、回路素子と、該回路素子と導通する電極パッドと、該電極パッドを露出するように該回路素子を覆う絶縁部材と、を備える半導体素子を、静電気拡散性材料からなる保持手段を有する半導体素子移送用治具を用いて、固着テープから引き離して移送する半導体素子移送方法であって、
前記保持手段を前記絶縁部材に接触させる工程と、
前記固着テープの、前記半導体素子が固着されている側とは反対の側に配置された押出しピンを前記半導体素子の側へ移動させて前記半導体素子の押出しを行い、前記押出しピンの移動に同期して前記保持手段を移動させると同時に、前記保持手段に前記半導体素子の前記絶縁部材が配設されている側を吸着保持させる工程と、
前記半導体素子を吸着保持させた状態で前記保持手段を移送する工程と、を有することを特徴とする半導体素子移送方法。
【請求項６】
前記半導体素子を吸着保持させた状態で前記保持手段を移送する工程は、前記半導体素子にイオナイズドエアーを吹き付けて半導体素子の除電を行うことを含む、請求項５に記載の半導体素子移送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を保持し所定の位置へ移送するための半導体素子移送用治具及び半導体素子移送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、回路素子や該回路素子と導通する電極パッドなどの形成が終了した半導体ウエハは、例えば次のような工程を経て、半導体素子に個片化されて所定の位置に移送される。
【０００３】
まず、半導体ウエハの回路素子が形成されている面とは反対の面に、固着テープを貼り付け、さらに該半導体ウエハをダイシングリングに装着する。その後、ダイシングブレードによって半導体ウエハを切断して、個片化された複数の半導体素子を形成する。次に、半導体素子移送用治具を用いて半導体素子を固着テープから引き剥がし、所定の位置に移送させる。
【０００４】
半導体素子移送用治具及び該移送用治具を用いた半導体素子移送方法を詳細に説明すると、以下のようになる。
【０００５】
図３は、従来の半導体素子の移送用治具における模式断面図である。図３に示すように、半導体素子移送用治具（以下、移送用治具１と称す）は、継手部２と、導電材料で形成された保持手段３と、を有する。
【０００６】
また、半導体素子４は、基板５の上に、回路素子６及び回路素子６と導通する電極パッド７が配設されている。半導体素子４がインクジェットヘッド等の吐出素子であれば、図３に示すように、回路素子６の主面に樹脂材料からなる絶縁部材８が、さらに設けられている。絶縁部材８は、例えばインクの流路を形成している。
【０００７】
図４は、従来における、移送用治具１を用いた半導体素子４の移送方法を説明するための模式断面図である。図５（ａ）は、保持手段３と電極パッド７とが近接した状態にあるときの模式断面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）におけるＡ部を拡大したときの図である。
【０００８】
半導体素子４を移送するには、図４に示すように、まず移送用治具１を移動させて保持手段３を絶縁部材８に接触させる。続いて、固着テープ９を挟んで半導体素子４が配置されている側とは反対の側に配置されている押出しピン１０を用いて半導体素子４を押出す。押出しピン１０による半導体素子４の押出しと同時に、半導体素子４を保持手段３に保持させ、さらに保持手段３を固着テープ９から引き離すことで、半導体素子４が固着テープ９から引き剥がされる。
【０００９】
このとき、図４に示すように、半導体素子４と固着テープ９との間で剥離による静電気が発生し、半導体素子４に電荷１１が溜まった状態になる。図５に示すように、保持手段３が半導体素子４の導体部（例えば電極パッド７）に近接した位置にあると、半導体素子４に滞留した電荷１１が電極パッド７を介して気中放電を起こすことがある。気中放電による電荷１１の移動速度は速いため、静電気によって半導体素子４は電気的な損傷を受ける。具体的には、電荷１１の移動経路である回路素子６や回路素子６と電極パッド７とを導通する配線などに、より大きな電気的な損傷を与える。
【００１０】
そこで、静電気による半導体素子４への損傷を抑制する半導体素子移送用治具や半導体素子移送方法が、特許文献１によって開示されている。特許文献１に開示されている移送用治具では、導電材料を含む保持手段３が、電極パッド７と接触する部分に設けられている。電極パッド７と保持手段３とを接触させることによって半導体素子４が短絡している状態となるため、半導体素子４を固着テープ９から引き剥がす際に発生する気中放電が起きず、静電気による半導体素子４への電気的な損傷が抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平９−２０５１２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１で開示されている半導体素子移送用治具では、電極パッド７と保持手段３とを接触させなければならない。したがって、電極パッド７の露出する面積が小さい場合、保持手段３の取付け位置や、電極パッド７と保持手段３との位置関係に高い精度が必要になる。
【００１３】
特に、近年では、半導体素子４の小型化に伴い、電極パッド７の露出する面積がさらに小さくなっており、保持手段３の位置精度の向上のため、生産コストの増加や生産性の低下となっている。
【００１４】
また、保持手段３と電極パッド７とが接触せずに、近接した状態で押出しピン１０によって半導体素子４が固着テープ９から引き剥がされると、保持手段３と電極パッド７との間で気中放電が発生する。したがって、半導体素子４に電気的な損傷を与えることになる。
【００１５】
そこで、本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものである。つまり、本発明の目的は、半導体素子への静電気による電気的な損傷が抑えられる半導体素子移送用治具及び半導体素子移送方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明は、基板の主面に、回路素子と、該回路素子と導通する電極パッドと、該電極パッドを露出するように該回路素子を覆う絶縁部材と、を備える半導体素子を、固着テープから引き離して移送するための半導体素子移送用治具であって、
半導体素子の、絶縁部材が配されている側を吸着保持する保持手段を備え、
保持手段が静電気拡散性材料を用いて形成されていることを特徴とする。
【００１７】
また、基板の主面に、回路素子と、該回路素子と導通する電極パッドと、該電極パッドを露出するように該回路素子を覆う絶縁部材と、を備える半導体素子を、静電気拡散性材料からなる保持手段を有する半導体素子移送用治具を用いて、固着テープから引き離して移送する半導体素子移送方法であって、
保持手段を絶縁部材に接触させる工程と、
固着テープの、半導体素子が固着されている側とは反対の側に配置された押出しピンを半導体素子の側へ移動させて半導体素子の押出しを行い、押出しピンの移動に同期して保持手段を移動させると同時に、保持手段に半導体素子の絶縁部材が配設されている側を吸着保持させる工程と、
半導体素子を吸着保持させた状態で保持手段を移送する工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、半導体素子の移送時において、半導体素子への静電気による電気的な損傷が抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の半導体素子移送用治具の模式断面図。
【図２】本発明の半導体素子移送用治具を用いた半導体素子の移送方法を説明する図。
【図３】従来の半導体素子移送用治具の模式断面図。
【図４】従来の半導体素子移送用治具を用いた半導体素子の移送方法を説明する図。
【図５】保持手段と電極パッドとが近接した状態にあるときの模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を、図に基づいて説明する。
【００２１】
図１は、本発明の実施形態における半導体素子移送用治具（以下、移送用治具１と称す）の模式断面図である。半導体素子４がダイシングで使用した固着テープ９に固着された状態となっている。通常、半導体ウエハを切断して個片化された半導体素子４が得られるため、固着テープ９には複数の半導体素子４が固着されている。
【００２２】
図１に示すように、移送用治具１は、半導体素子４に接触させて半導体素子４を保持するための保持手段１２を備える。保持手段１２は、継手部２を用いて不図示の移送用治具１を移動させる手段と連結されている。保持手段１２は、該手段によって鉛直方向及び水平方向に移動することができる。また、継手部２の末端は電気的に接地されている。
【００２３】
保持手段１２は、内部に中空部を有する構造になっている。保持手段１２の半導体素子４が接触する位置には孔１３が形成されており、孔１３によって保持手段１２の中空部が保持手段１２の外側と連通している。さらに、孔１３は半導体素子４と接触したときに密閉される。したがって、不図示の真空吸引装置を用いて保持手段１２の中空部の真空吸引を行うことによって、保持手段１２に半導体素子４が吸着保持される。
【００２４】
また、保持手段１２は静電気拡散性材料を用いて形成されている。静電気拡散性材料としては、樹脂やセラミックなどが用いられる。例えば、樹脂としてはファイバーカーボンを混入したＰＥＥＫ（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ）材であり、セラミックとしては導電性が付与されたジルコニアが挙げられる。樹脂やセラミックで形成されることによって、保持手段１２の体積抵抗率は、１０5〜１０7Ω・ｃｍ程度になっている。
【００２５】
一方、半導体素子４には、基板５の主面に回路素子６及び回路素子６と導通する電極パッド７が配設されている。基板５の一の面が固着テープ９に固着されており、該一の面とは反対の面に回路素子６及び電極パッド７が配設されている。
【００２６】
さらに、固着テープ９は、不図示の固着テープ９を固定する手段、例えばダイシングリングに固定されている。
【００２７】
半導体素子４がインクジェットヘッド等の吐出素子であれば、電極パッド７を露出するように回路素子６を覆う絶縁部材８がさらに設けられている。絶縁部材８は、例えば樹脂によって形成される。インクジェットヘッドのような吐出素子では、絶縁部材８はインク流路を形成する。
【００２８】
半導体素子４を接着固定する固着テープ９としては、基材テープの上に紫外線照射型の粘着層が塗布されたものが用いられている。半導体素子４を固着テープ９から引き剥がす際には、予め紫外線を固着テープ９に照射し、固着テープ９の粘着層を硬化させることによって、固着テープ９の接着力を低下させることができる。したがって、半導体素子４を固着テープ９から引き剥がすときの力を軽減することができる。
【００２９】
次に、本実施形態における移送用治具１を用いた半導体素子移送方法について説明する。半導体素子４は、移送用治具１と、移送用治具１を移動させる手段と、固着テープ９を固定させる手段と、を備える半導体素子移送装置を用いて移送される。図２（ａ）から（ｄ）は、半導体素子４の移送方法を説明するための断面模式図である。
【００３０】
まず、図２（ａ）に示すように、半導体素子４を固着テープ９から引き剥がすための押出しピン１０を、固着テープ９を挟んで半導体素子４が配置されている側とは反対の側に配置する。また、移送用治具１と押出しピン１０とで半導体素子４を挟み込むように、移送用治具１を配置する。
【００３１】
次に、図２（ｂ）に示すように、移送用治具１を半導体素子４に向かって移動させ、保持手段１２と絶縁部材８とを接触させる。その後、図２（ｃ）に示すように、押出しピン１０を半導体素子４に向かって移動させ、半導体素子４を押し出すことによって、半導体素子４を固着テープ９から引き剥がす。
【００３２】
このときに、押出しピン１０の移動に同期して移送用治具１を移動させる。半導体素子４が固着テープ９から引き剥がされると同時に保持手段１２の中空部の真空吸引を行い、保持手段１２と半導体素子４との吸着保持を行う。押出しピン１０が半導体素子４を固着テープ９から引き剥がしたあと、さらに移送用治具１を移動させることによって、図２（ｄ）に示すように、半導体素子４は移送用治具１に吸着保持されたまま固着テープ９から完全に引き剥がされる。
【００３３】
ここで、半導体素子４を固着テープ９から引き剥がす際に、半導体素子４に発生する静電気について説明する。半導体素子４を固着テープ９から引き剥がすことによって、半導体素子４に静電気が発生し、半導体素子４に電荷が滞留する。
【００３４】
このときに、保持手段１２の取り付け誤差や、移送用治具１と絶縁部材８との位置精度の低下によっては、電極パッド７と保持手段１２とが近接し、半導体素子４に滞留している電荷が電極パッド７を介して保持手段１２へ移動することがある。本実施形態では、該電荷の移動先である保持手段１２が静電気拡散材料でなるために体積抵抗率が高い。このため、電荷の動きは遅く、半導体素子４の内部での急激な電荷の移動は起こらない。したがって、電荷の移動によって、半導体素子４はほとんど電気的な損傷を受けない。
【００３５】
また、移送用治具１で半導体素子４を移送している最中にイオナイズドエアーを半導体素子４に吹き付けることによって、半導体素子４に残った電荷が消失され、半導体素子４を除電することができる。したがって、半導体素子４が移送先に移送した後においても、半導体素子４の電荷の移動がなくなり、半導体素子４が電気的な損傷をほとんど受けなくなる。
【００３６】
以上のように、保持手段１２を静電気拡散性材料にて形成することにより、半導体素子４の移送時において、電極パッド７と保持手段１２とを接触させることなく、半導体素子４への静電気による電気的な損傷が抑えられる。電極パッド７と保持手段１２とを接触させるための高い位置精度も必要としないため、生産コストの増加や生産性の低下を抑制することができる。
【００３７】
また、従来では、半導体素子４を固着テープ９から引き剥がすときの静電気の発生を抑制するために、半導体素子４を固着テープ９から引き剥がす速度を小さくする手法もとられていた。しかしながら、半導体素子４を固着テープ９から引き剥がす時間が増加するため、生産性低下の要因となっていた。
【００３８】
これに対して本発明では、半導体素子４に静電気が発生しても、半導体素子４の内部で急激な電荷の移動は起こらない。したがって、半導体素子４を固着テープ９から引き剥がす速度を大きくすることができ、生産性の向上と、静電気による半導体素子４への電気的な損傷の抑制と、を両立させることができる。
【符号の説明】
【００３９】
１      移送用治具
２      継手部
３      保持手段（導電材料）
４      半導体素子
５      基板
６      回路素子
７      電極パッド
８      絶縁部材
９      固着テープ
１０    押出しピン
１２    保持手段（静電気拡散性材料）
【図１】
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【図２】
2011155135.tif 000004
【図３】
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【図４】
2011155135.tif 000006
【図５】
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