(57)【要約】【課題】基板の変形等が生じても、基板間のギャップを精度よく保持しつつ、柱状スペーサのずれを信頼性よく防止し、青輝点あるいは微少輝点の発生を回避した液晶表示装置の提供。【解決手段】液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板を備え、  前記第１基板の前記液晶側の面に、少なくとも薄膜トランジスタを被って形成される有機保護膜と前記液晶と接触して形成される配向膜とを含む積層体が形成され、  前記第２基板の前記液晶側の面に、高さの大きな第１柱状スペーサと高さの小さい第２柱状スペーサが形成され、  前記積層体は前記有機保護膜を貫通して形成される孔が形成され、  前記第１柱状スペーサは、その頂部が前記積層体の前記孔の内部に位置づけられて形成され、  前記第２柱状スペーサは、その頂部が前記積層体に孔が形成されていない箇所に形成され、  前記第１柱状スペーサと前記第２柱状スペーサのそれぞれの頂部は、前記前記第１基板と第２基板の無加重状態で、前記積層体に接触して形成されている。【選択図】図１
2011022535.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板を備え、
前記第１基板の前記液晶側の面に、少なくとも薄膜トランジスタを被って形成される有機保護膜と前記液晶と接触して形成される配向膜とを含む積層体が形成され、
前記第２基板の前記液晶側の面に、高さの大きな第１柱状スペーサと高さの小さい第２柱状スペーサが形成され、
前記積層体は前記有機保護膜を貫通して形成される孔が形成され、
前記第１柱状スペーサは、その頂部が前記積層体の前記孔の内部に位置づけられて形成され、
前記第２柱状スペーサは、その頂部が前記積層体に孔が形成されていない箇所に形成され、
前記第１柱状スペーサと前記第２柱状スペーサのそれぞれの頂部は、前記前記第１基板と第２基板の無加重状態で、前記積層体に接触して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１基板の前記積層体は、前記薄膜トランジスタを制御するゲート信号線を被って形成され、前記第１柱状スペーサは、平面的に観て、前記ゲート信号線の形成領域内に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記積層体は画素電極との間で電界を発生させる対向電極を含み、前記積層体の前記孔の底部にはコモン信号線が露出され、
前記対向電極は前記孔の部分において前記コモン信号線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１基板の前記積層体は、前記薄膜トランジスタを制御するゲート信号線を被って形成され、
前記コモン信号線は、絶縁膜を介して前記ゲート信号線に重畳して形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１基板の前記積層体は、前記薄膜トランジスタを制御するゲート信号線を被って形成され、
第２基板の液晶側の面には、平面的に観て、少なくとも前記ゲート信号線を被って遮光膜が形成され、前記第１柱状スペーサは前記遮光膜の形成領域の一部に重畳されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２柱状スペーサは前記遮光膜の形成領域の一部に重畳されて形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記積層体は画素電極とこの画素電極との間で電界を発生させる対向電極を含み、
前記対向電極は、前記画素電極の上層に絶縁膜を介して前記画素電極に重畳して配置されるとともに、
前記画素電極は平面状電極をなし、前記対向電極は複数の線状電極をなすことを特徴する請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記配向膜は、前記対向電極の上層に前記対向電極をも被って形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、液晶を挟持して対向配置される一対の基板の間にいわゆる柱状スペーサを備える液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される一対の基板の表示領域にマトリックス状に配置された多数の画素を有して構成されている。これら各画素は、それぞれ独立に電界を発生させることができ、この電界によって当該画素を透過する光の量を制御するようになっている。
【０００３】
このため、各画素において、液晶の層厚を均一にする必要があり、表示領域内の一対の基板の間には柱状スペーサを形成することにより、前記各基板のギャップの均一化を図るようになっている。
【０００４】
柱状スペーサは、一対の基板のうち一方の基板の液晶側の面に形成した樹脂膜をフォトリソグラフィ技術による選択エッチングによって形成され、所定の高さおよび所定の箇所に形成できるメリットを有する。この場合、柱状スペーサは、実質的な画素領域となる領域を回避し、たとえば隣接する画素の間に配置されるゲート信号線の形成領域に形成することが通常となっている。
【０００５】
なお、本願に関連する文献としては、たとえば下記特許文献１、２、３がある。特許文献１には、柱状スペーサの頂部が当接される一方の基板の被当接部に段差からなる係止部が設けられていることが開示されている。特許文献２には、柱状スペーサの頂部が当接される一方の基板の被当接部にコンタクトからなる孔が設けられていることが開示されている。特許文献３には、高さの異なる２種の柱状スペーサが備えられ、一方の柱状スペーサは通常の状態で適正なギャップを維持する高さを有し、他方の柱状スペーサは通常の状態では他方の基板と接触せず過剰な加重を受けた際に接触する高さを有する旨が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−１０９３６７号公報
【特許文献２】特開２００４−２０５５４９号公報
【特許文献３】特開２００３−１２１８５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図５は、表示領域内の一対の基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に柱状スペーサＳＯＣが形成された液晶表示装置の断面図である。なお、図５は、本発明の実施例を示す図１と対応づけて描いた図となっている。このため、図５に関する説明は概略的に示すが、より詳細な構成については図１の説明を参照されたい。
【０００８】
図５において、基板ＳＵＢ１はいわゆるＴＦＴ基板と称され、その液晶ＬＣ側の面には、所定のパターンの絶縁層、半導体層、金属層が所定の順序で積層されることによって、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴを備える電子回路が構成されている。そして、このような積層体の表面には配向膜ＯＲＩが形成されている。この配向膜ＯＲＩは、液晶ＬＣと接触し、液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決定させるようになっている。基板ＳＵＢ２にはその液晶ＬＣ側の面に柱状スペーサＳＯＣが形成されている。この柱状スペーサＳＯＣは、実質的な画素領域となる領域を回避し、たとえば隣接する画素の間に配置されるゲート信号線ＧＬに重畳するようにして形成されている。画素の開口率が柱状スペーサによって低減されるのを回避せんがためである。また、柱状スペーサＳＯＣの頂部は、前記配向膜ＯＲＩを介してたとえばコモン信号線ＣＬ上に位置づけられるようになっている。コモン信号線ＣＬを柱状スペーサＳＯＣの台座として機能させるためである。
【０００９】
図５に示した構成は、たとえば基板の変形等によって、基板ＳＵＢ２が基板ＳＵＢ１に対してたとえば図中矢印α方向へずれる場合が生じる。この場合、柱状スペーサＳＯＣは図中点線で示すように変位し、その頂部は台座から外れ配向膜ＯＲＩの表面をこすってしまうことになる。この場合、配向膜ＯＲＩのこすれが生じた部分において、配向の乱れが生じ、いわゆる青輝点の発生をもたらすことになってしまい、また、配向膜に削れが生じてしまった場合には、いわゆる微少輝点の発生をもたらすことになってしまう。
【００１０】
本発明の目的は、基板の変形等が生じても、基板間のギャップを精度よく保持しつつ、柱状スペーサのずれを信頼性よく防止し、青輝点あるいは微少輝点の発生を回避した液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の液晶表示装置は、まず、第１基板側に薄膜トランジスタを被って形成される有機絶縁膜からなる保護膜が形成されているものを対象とし、この保護膜に形成した孔内に第２基板に形成された第１柱状スペーサの頂部が配置されるようにした。この場合、第１柱状スペーサの高さは比較的大きくなり、ギャップ精度が不十分となる可能性を有することから、保護膜の前記孔が形成されていない箇所において高さの低い第２柱状スペーサを配置させるようにした。第１柱状スペーサによって第１基板と第２基板のずれを抑制できることから、第２柱状スペーサの変位も少なくなり、配向膜へのこすれの範囲を小さくできる。したがって、青輝点あるいは微少輝点の発生を回避できる。
【００１２】
本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。
【００１３】
（１）本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板を備え、
前記第１基板の前記液晶側の面に、少なくとも薄膜トランジスタを被って形成される有機保護膜と前記液晶と接触して形成される配向膜とを含む積層体が形成され、
前記第２基板の前記液晶側の面に、高さの大きな第１柱状スペーサと高さの小さい第２柱状スペーサが形成され、
前記積層体は前記有機保護膜を貫通して形成される孔が形成され、
前記第１柱状スペーサは、その頂部が前記積層体の前記孔の内部に位置づけられて形成され、
前記第２柱状スペーサは、その頂部が前記積層体に孔が形成されていない箇所に形成され、
前記第１柱状スペーサと前記第２柱状スペーサのそれぞれの頂部は、前記前記第１基板と第２基板の無加重状態で、前記積層体に接触して形成されていることを特徴とする。
【００１４】
（２）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記第１基板の前記積層体は、前記薄膜トランジスタを制御するゲート信号線を被って形成され、前記第１柱状スペーサは、平面的に観て、前記ゲート信号線の形成領域内に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
（３）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記積層体は画素電極との間で電界を発生させる対向電極を含み、前記積層体の前記孔の底部にはコモン信号線が露出され、
前記対向電極は前記孔の部分において前記コモン信号線と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１６】
（４）本発明の液晶表示装置は、（３）において、前記第１基板の前記積層体は、前記薄膜トランジスタを制御するゲート信号線を被って形成され、
前記コモン信号線は、絶縁膜を介して前記ゲート信号線に重畳して形成されていることを特徴とする。
【００１７】
（５）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記第１基板の前記積層体は、前記薄膜トランジスタを制御するゲート信号線を被って形成され、
第２基板の液晶側の面には、平面的に観て、少なくとも前記ゲート信号線を被って遮光膜が形成され、前記第１柱状スペーサは前記遮光膜の形成領域の一部に重畳されて形成されていることを特徴とする。
【００１８】
（６）本発明の液晶表示装置は、（５）において、前記第２柱状スペーサは前記遮光膜の形成領域の一部に重畳されて形成されていることを特徴とする。
【００１９】
（７）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記積層体は画素電極とこの画素電極との間で電界を発生させる対向電極を含み、
前記対向電極は、前記画素電極の上層に絶縁膜を介して前記画素電極に重畳して配置されるとともに、
前記画素電極は平面状電極をなし、前記対向電極は複数の線状電極をなすことを特徴する。
【００２０】
（８）本発明の液晶表示装置は、（７）において、前記配向膜は、前記対向電極の上層に前記対向電極をも被って形成されていることを特徴とする。
【００２１】
なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図３のI−I線における断面図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の表示部における等価回路を示す図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の画素の構成を示す平面図である。
【図４】図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】従来の液晶表示装置の不都合を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【実施例１】
【００２５】
（表示領域における等価回路）
図２は、液晶表示装置の液晶を挟持して対向配置される基板ＳＵＢ１、基板ＳＵＢ２のうち、いわゆるＴＦＴ基板と称される基板ＳＵＢ１の液晶側の面の表示領域（表示部）ＡＲに形成される等価回路を示している。このような等価回路を有する液晶表示装置は、基板ＳＵＢ１側に画素電極ＰＸと対向電極ＣＴを有し、これら画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間に発生する電界は基板ＳＵＢ１の面と平行な成分をもち、いわゆるＩＰＳ（In Plane Switching）方式と称される。しかし、この発明はこの方式の液晶表示装置に限定されることはない。また、図２は等価回路であるが、実際の幾何学的配置に対応づけて描画している。
【００２６】
図２において、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成され、図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。一対の隣接するゲート信号線ＧＬと一対の隣接するドレイン信号線ＤＬとで囲まれる領域は画素領域を構成するようになっている。各画素領域には、ゲート信号線ＧＬからの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを通してドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、この画素電極ＰＸとの間に電界を生じせしめる対向電極ＣＴが形成されている。対向電極ＣＴはゲート信号線ＧＬと隣接して配置されるコモン信号線ＣＬに電気的に接続されており、このコモン信号線ＣＬを通して前記映像信号に対して基準となる基準信号が供給されるようになっている。
【００２７】
このように構成された表示部ＡＲにおいて、ゲート信号線ＧＬに走査信号を供給し前記ゲート信号線ＧＬに接続される薄膜トランジスタＴＦＴをオンすることにより、図中ｘ方向に並列される各画素からなる画素群を選択するようになる。この場合、この選択のタイミングに合わせて、各ドレイン信号線ＤＬに映像信号を供給することにより、前記画素群の各画素に所定の輝度を得ることができるようになる。その後は、図中ｙ方向に配列される各画素群を順次選択し、上述した動作を行うことにより、表示部ＡＲに画像を得ることができる。
【００２８】
（画素の構成）
図３は、上述した各画素のうち図中ｙ方向に隣接する２個の画素（たとえば図２において一点鎖線枠Ａ内の画素）を示した平面図である。図３は基板ＳＵＢ１の液晶側から観た平面図となっている。また、図１は図３のI−I線における断面図、図４は図３のIV−IV線における断面図となっている。なお、図１は基板ＳＩＵＢ１とともに基板ＳＵＢ２をも描画した断面図となっている。
【００２９】
図３において、基板ＳＵＢ１（図１、図４参照）の液晶側の面（表面）に、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成されている。このゲート信号線ＧＬは、後述のドレイン信号線ＤＬとともに各画素の領域を画するようにして形成される。基板ＳＵＢ１の表面にはゲート信号線ＧＬをも被ってたとえばシリコン酸化膜からなる絶縁膜ＧＩ（図１、図４参照）が形成されている。この絶縁膜ＧＩは後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するようになっている。
【００３０】
絶縁膜ＧＩ上であってゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにして島状の半導体層ＡＳが形成されている。この半導体層ＡＳはたとえばアモルファスシリコンからなっている。しかし、これに限定されることはなく、たとえばポリシリコン等であってもよい。この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となるもので、この上面に互いに対向配置されるドレイン電極ＤＴ、ソース電極ＳＴが形成されることによって、前記ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とするＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）型トランジスタが構成される。
【００３１】
絶縁膜ＧＩ上には、図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、このドレイン信号線ＤＬの一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在され、この延在部を薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴとして構成している。また、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴはドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。ソース電極ＳＴは半導体層ＡＳの形成領域を超えて画素領域側に延在され、この延在端には面積の比較的大きなパッド部ＰＤが形成されている。このパッド部ＰＤは後述の画素電極ＰＸと電気的に接続される箇所となっている。
【００３２】
基板ＳＵＢ１の表面には、薄膜トランジスタＴＦＴをも被ってたとえばシリコン窒化膜からなる第１保護膜ＰＡＳ１（図１、図４参照）が形成されている。この第１保護膜ＰＡＳ１は後述の第２保護膜ＰＡＳ２とともに、薄膜トランジスタＴＦＴが液晶と直接に接触するのを回避し、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止するようにしている。後述するスルーホールＴＨ２において、第１保護膜ＰＡＳ１の表面には、前記ゲート信号線ＧＬに重畳するようにしてコモン信号線ＣＬが形成されている。また、コモン信号線ＣＬは薄膜トランジスタＴＦＴ上において、層間絶縁膜ＩＮの上で且つ対向電極ＣＴと接触して形成されている。このコモン信号線ＣＬは後述の対向電極ＣＴと電気的に接続される信号線として形成され、電気的抵抗の小さい材料で構成されている。
【００３３】
基板ＳＵＢ１の表面にはコモン信号線ＣＬをも被ってたとえば樹脂等からなる第２保護膜（有機保護膜）ＰＡＳ２（図１、図４参照）が形成されている。この第２保護膜ＰＡＳ２は、その表面を平坦化させる効果も奏するようにして形成することから、他の絶縁膜（絶縁膜ＧＩ、第１保護膜ＰＡＳ１、後述の層間絶縁膜ＩＮ）と比較して膜厚が大きく形成されるようになる。第２保護膜ＰＡＳ２の表面には、画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは、各画素の領域内に面状の電極として形成され、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜で構成されている。そして、この画素電極ＰＸは、第２保護膜ＰＡＳ２、第１保護膜ＰＡＳ１に形成されたコンタクトホールＴＨ１を通して前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴ（正確にはパッド部ＰＤ）に電気的に接続されている。
【００３４】
基板ＳＵＢ１の表面には画素電極ＰＸをも被って層間絶縁膜ＩＮが形成され、この層間絶縁膜ＩＮの表面には対向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは、表示領域ＡＲの全域に形成されたたとえばＩＴＯからなる透明導電膜において、画素ごとに複数の開口ＯＰが形成されることによって、複数の線状の電極を形成するようになっている。図３に示す線状の複数の対向電極ＣＴは図中ｘ方向に対してθ°の角度を有して延在されている。いわゆるマルチドメイン方式を採用し、視野角の相違によって色の違いが生じるのを防止せんとするためである。このため、対向電極ＣＴの複数の線状の各電極は図中ｘ方向あるいはｙ方向に延在するようにして形成してもよい。
【００３５】
ここで、図１に示すように、ゲート信号線ＧＬが形成された領域の一部において、層間絶縁膜ＩＮ、第２保護膜ＰＡＳ２にスルーホールＴＨ２が形成され、このスルーホールＴＨ２にコモン信号線ＣＬの一部が露出されるようになっている。そして、層間絶縁膜ＩＮ上に形成されている対向電極ＣＴはスルーホールＴＨ２を通して前記コモン信号線ＣＬに電気的に接続されるようになっている。ここで、スルーホールＴＨ２は比較的大きな径を有するように形成されている。後に詳述するように、このスルーホールＴＨ２内には基板ＳＵＢ２に形成された第１柱状スペーサＳＯＣ１の頂部が位置づけられるようになるからである。
【００３６】
基板ＳＵＢ１の表面には対向電極ＣＴをも被って配向膜ＯＲＩが形成されている。この配向膜ＯＲＩは液晶ＬＣと直接に接触する膜で、液晶ＬＣの分子の初期配向を決定するようになっている。この配向膜ＯＲＩは、たとえば柱状スペーサによって、こすれが生じた場合、配向の乱れが生じ、いわゆる青輝点の発生をもたらし、また、配向膜に削れが生じてしまった場合、いわゆる微少輝点の発生をもたらすことになることは上述した通りである。
【００３７】
このように構成された基板ＳＵＢ１に液晶ＬＣを挟持して対向配置される基板ＳＵＢ２は、図１に示すように、第１柱状スペーサＳＯＣ１、第２柱状スペーサＳＯＣ２が形成されている。この場合、第１柱状スペーサＳＯＣ１は高さが大きく、第２柱状スペーサＳＯＣ２は高さが小さく形成されている。なお、基板ＳＵＢ１の液晶ＬＣ側の面には、図１に示すブラックマトリックス（遮光膜）ＢＭの他に、カラーフィルタ、平坦化膜、配向膜が順次形成され、前記第１柱状スペーサＳＯＣ１、第２柱状スペーサＳＯＣ２は前記平坦化膜の表面に形成されるのが通常となっている。しかし、図１においては、カラーフィルタ、平坦化膜、配向膜を省略して示している。
【００３８】
第１柱状スペーサＳＯＣ１は、その頂部が基板ＳＵＢ１側のスルーホールＴＨ２内に位置づけられるようにして形成されている。スルーホールＴＨ２は、膜厚の大きな第２保護膜ＰＡＳにも形成されていることから、その深さが大きくなり、したがって、第１柱状スペーサＳＯＣ１の高さも大きく、スルーホールＴＨ２内に埋設される長さも大きくなる。このことから、たとえ、基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２に変形が生じても、第１柱状スペーサＳＯＣ１は図１に示した状態を維持でき、基板ＳＵＢ１に対してずれてしまうことを信頼性よく防止できる。このため、配向膜ＯＲＩが第１柱状スペーサＳＯＣ１によってこすれたり（青輝点発生の原因）、あるいは削れたり（微少輝点発生の原因）することを回避できるようになる。
【００３９】
そして、第２柱状スペーサＳＯＣ２は、たとえば前記スルーホールＴＨ２の近傍であって前記スルーホールＴＨ２が形成されていない箇所に形成されている。このため、第２柱状スペーサＳＯＣ２は、第１柱状スペーサＳＯＣ１と比較して高さが小さく形成されている。第１柱状スペーサＳＯＣ１は高さが大きいため、製造において高さばらつきが生じ易くなってしまう。このため、第１柱状スペーサＳＯＣ１とは別個に第２柱状スペーサＳＯＣ２を形成し、この第２柱状スペーサＳＯＣ２によって基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２のギャップを信頼性よく確保するようにしている。このことから、第１柱状スペーサＳＯＣ１、第２柱状スペーサＳＯＣ２は、基板ＳＵＢ１、基板ＳＵＢ２の無加重状態で、いずれの頂部も第１基板ＳＵＢ１上の積層体に当接するように、高さが設定されるようになっている。すなわち図１に示すように、第１柱状スペーサＳＯＣ１の頂部はコモン信号線ＣＬ上の配向膜ＯＲＩに当接し、第２柱状スペーサＳＯＣ２の頂部は層間絶縁膜ＩＮ上に配向膜ＯＲＩに当接するようになっている。なお、第１柱状スペーサＳＯＣ１が製造ばらつきによって高さが大きくなってしまった場合、第２柱状スペーサＳＯＣ２の頂部が基板ＳＵＢ１側に当接しなくなる憂いがあるが、第１柱状スペーサＳＯＣ１をスルーホールＴＨ２内に押し込むことによって、第１柱状スペーサＳＯＣ１、第２柱状スペーサＳＯＣ２のいずれの頂部も第１基板ＳＵＢ１上の積層体に当接させることができる。
【００４０】
ここで、第２柱状スペーサＳＯＣ２は、実質的な画素領域に近い箇所で配向膜ＯＲＩに当接して配置されている。しかし、基板ＳＵＢ１に対して基板ＳＵＢ２は第１柱状スペーサＳＯＣ１によってずれが生じ難くなっており、第２柱状スペーサＳＯＣ２も変位し難くなっている。このため、配向膜ＯＲＩは第２柱状スペーサＳＯＣ２によってもこすれたり（青輝点発生の原因）、あるいは削れたり（微少輝点発生の原因）することを回避できるようになる。
【００４１】
第１柱状スペーサＳＯＣ１、第２柱状スペーサＳＯＣ２は、基板ＳＵＢ２において、ブラックマトリックスＢＭが形成された領域に形成されている。前記ブラックマトリックスＢＭは、図３において、一点鎖線で示すように、たとえばゲート信号線ＧＬの形成領域を充分に被って形成されている。
【００４２】
なお、基板ＳＵＢ２に形成される柱状スペーサは、上述のように高さの異なる第１柱状スペーサＳＯＣ１、第２柱状スペーサＳＯＣ２を設けるようにしたものである。この場合、いわゆるハーフトーン露光を用いたフォトリソグラフィ技術による選択エッチングによって、一回の工程で前記第１柱状スペーサＳＯＣ１、第２柱状スペーサＳＯＣ２を形成することができる。したがって、このようにして第１柱状スペーサＳＯＣ１、第２柱状スペーサＳＯＣ２を形成するようにしてもよい。
【実施例２】
【００４３】
上述した実施例１では、基板ＳＵＢ１側にゲート信号線ＧＬと重畳したコモン信号線ＣＬを備え、このコモン信号線ＣＬによって第１柱状スペーサＳＯＣ１の台座を構成するようにしたものである。
【００４４】
しかし、前記コモン信号線ＣＬは必ずしもゲート信号線ＧＬと重畳させて形成する必要はなく、平面的に観た場合、ゲート信号線ＧＬと近接するようにして形成するようにしてもよい。また、コモン信号線ＣＬは必ずしも基板ＳＵＢ１において形成されていない構成であってもよい。このような場合であっても、第１柱状スペーサＳＯＣ１はゲート信号線ＧＬの形成された領域に形成することができ、前記ゲート信号線ＧＬを第１柱状スペーサＳＯＣ１の台座として形成することができる。また、台座は特に意識して形成する必要もない。
【実施例３】
【００４５】
上述した実施例１では、第２柱状スペーサＳＯＣ２を第１柱状スペーサＳＯＣ１に近接させて形成したものである。しかし、これに限定されることはなく、第２柱状スペーサＳＯＣ２は第１柱状スペーサＳＯＣ１から比較的遠くに配置させるようにしてもよい。このようにした場合でも、第２柱状スペーサＳＯＣ２の効果を充分に発揮できるからである。
【００４６】
また、上述した実施例１では、第２柱状スペーサＳＯＣ２をゲート信号線ＧＬの形成領域から外し、画素領域に近接するようにして配置するようにしている。しかし、これに限定されることはなく、ゲート信号線ＧＬの形成領域内（ただしスルーホールＴＨ２の形成領域は外す）に形成するようにしてもよい。このようにした場合、第２柱状スペーサＳＯＣ２は実質的な画素領域から離間して配置されることになり、第２柱状スペーサＳＯＣ２による弊害を確実に回避できる効果を奏する。
【実施例４】
【００４７】
上述した実施例１では、層間絶縁膜ＩＮの下層側に画素電極ＰＸが形成され、層間絶縁膜ＩＮの上層側に対向電極ＣＴが形成された構造としたものである。しかし、層間絶縁膜ＩＮの下層側に対向電極ＣＴが形成され、層間絶縁膜ＩＮの上層側に画素電極ＰＸが形成された構造とするようにしてもよい。この場合において、対向電極ＣＴは面状の電極として構成され、画素電極ＰＸは複数の線状の電極として構成される。
【実施例５】
【００４８】
上述した実施例１では、いわゆるＩＰＳ方式による液晶表示装置を例として挙げたものである。しかし、これに限定されることはなく、たとえば、ＶＡ（Vertical Alignment）方式、あるいはＴＮ（Twisted Nematic）方式による液晶表示装置にも適用することができる。
【００４９】
以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。
【符号の説明】
【００５０】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……基板、ＡＲ……表示領域（表示部）、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＣＬ……コモン信号線、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＤＴ……ドレイン電極、ＳＴ……ソース電極、ＰＤ……パッド部、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……対向電極、ＧＩ……絶縁膜、ＰＡＳ１……無機保護膜、ＰＡＳ２……有機保護膜、ＩＮ……層間絶縁膜、ＴＨ１、ＴＨ２……スルーホール、ＯＲＩ……配向膜、ＬＣ……液晶、ＢＭ……ブラックマトリックス（遮光膜）、ＳＯＣ……柱状スペーサ、ＳＯＣ１……第１柱状スペーサ、ＳＯＣ２……第２柱状スペーサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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