(57)【要約】【課題】樹脂封止の工程にてエアベントに封止樹脂が充填されることにより発生する不具合を解消する回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の回路装置の製造方法では、モールド金型のエアベント６０に重畳する領域のリードフレーム１０の上面に凹状部２２を設けている。この様にすることで、凹状部２２の深さに応じてエアベント６０の断面積が広くなるので、キャビティ５８に供給される封止樹脂３６は良好にエアベント６０まで充填されることとなる。結果的に、封止樹脂３６によるエアベント６０の閉塞が抑制され、キャビティ５６全域に封止樹脂３６を充填させることが可能となる。【選択図】図６
2011035142.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイランドと複数のリードから成るユニットがマトリックス状に配置されて構成されるブロックと、前記ブロックを囲む支持部とから成り、前記ブロックの一側辺に沿う前記支持部の主面に凹状部が形成されたリードフレームを用意する工程と、
前記各ユニットの前記アイランドに回路素子を固着すると共に、前記回路素子と前記リードとを電気的に接続する工程と、
モールド金型のキャビティに前記ブロックを収納させ、前記キャビティにゲートから封止樹脂を注入し、前記封止樹脂の注入に伴い前記キャビティ内部の空気をエアベントを経由して外部に放出させることで、前記ブロックに含まれる前記各ユニットを樹脂封止する工程と、
前記ユニットの境界にて前記封止樹脂を切断して分離する工程と、を備え、
前記樹脂封止する工程では、前記凹状部が設けられた領域の前記リードフレームの主面が、前記モールド金型のエアベントに面することを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項２】
前記キャビティから前記エアベントに移動した前記封止樹脂の一部を、前記凹状部に充填させることを特徴とする請求項１記載の回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記エアベントは、前記キャビティの一側辺に沿って複数個が設けられ、
複数個の前記エアベントの各々に対応して、前記リードフレームの主面に前記凹状部が設けられることを特徴とする請求項２記載の回路装置の製造方法。
【請求項４】
１つの前記エアベントに対応して、前記リードフレームの主面に前記凹状部を溝状に複数個設けることを特徴とする請求項３記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一枚のリードフレームから多数個の回路装置を効率的に製造することを可能とする回路装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は年々大容量化されており、これに伴って各種信号線となるリード端子数も増加の傾向にある。そして、この傾向に伴ってリード端子が４方向より導出されるＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置およびＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が使用されるようになってきている。その一方で、半導体装置では、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。そのため、実装面積の低減を求められる半導体装置では、樹脂封止体裏面からリードを露出させ、その実装面積をチップサイズと同等あるいはわずかに大きくするＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型のパッケージが利用されている。
【０００３】
従来の樹脂封止金型内で封止シートを介して樹脂モールドを行う半導体装置の製造方法では、半導体素子が固着されたリードフレームの対向面全体に封止シートを貼り付け、封止シートの貼り付けられたリードフレームを樹脂封止金型内に設置し、樹脂モールドを行う技術が知られている（例えば、特許文献１。）。
【０００４】
以下に、図９から図１１を参照として、従来の樹脂封止金型内で封止シートを介して樹脂モールドを行う半導体装置の製造方法に関し簡単に説明する。図９は封止シートを貼り付けたリードフレームを説明するための断面図であり、図１０はリードフレームを樹脂封止金型に設置した状況を説明するための断面図であり、図１１は樹脂パッケージ形成後の状況を説明するための断面図である。
【０００５】
図９に示すように、先ず、リードフレーム１０１に少なくとも信号接続用端子１０２、半導体チップ１０４を搭載するダイパッド１０３から成る搭載部を複数形成する。そして、リードフレーム１０１の裏面に封止シート１０６を貼り合わせた後、ダイパッド１０３の上面に接着剤により半導体チップ１０４を接合する。その後、ダイパッド１０３上に接合された半導体チップ１０４と信号接続用端子１０２とを金属細線１０５により電気的に接続する。
【０００６】
図１０に示すように、次に、封止シート１０６を貼り合わせ、半導体チップ１０４を接合したリードフレーム１０１を上金型１０７及び下金型１０８から成る樹脂封止金型のキャビティ１０９内に設置する。このとき、リードフレーム１０１及び封止シート１０６の端部を上金型１０７及び下金型１０８で狭持することで、キャビティ１０９を構成する。そして、図示していないが、樹脂封止金型に設けられた樹脂注入ゲートから封止樹脂を注入し、樹脂モールドを行う。
【０００７】
図１１に示すように、次に、樹脂封止金型内を封止樹脂で充填し、樹脂パッケージ１１０を形成した後、共通の樹脂パッケージ１１０が形成されたリードフレーム１０１を樹脂封止金型から離型する。その後、図示していないが、共通の樹脂パッケージ１１０を、ダイシングにより個々の搭載部毎に切断し、半導体装置が完成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−１７２５４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記した製造方法では、エアベント１１２に封止樹脂１１４が充填されることにより、以下のような問題が発生していた。
【００１０】
具体的には、図１０を参照して、金型のキャビティ１０９に注入された封止樹脂１１４は太線の矢印で示す方向に移動し、封止樹脂１１４の一部はキャビティ１０９を通過した後にエアベント１１２に充填される。従って、キャビティ１０９に注入された封止樹脂１１４が硬化された後に、上金型１０７および下金型１０８からリードフレーム１０１を取り出すと、エアベント１１２に相当する部分の封止樹脂１１４がリードフレーム１０１の上面に付着した状態となる。そして、エアベント１１２に充填された封止樹脂１１４は、リードフレーム１０１の上面に面的に付着しているのみであるので、この部分の封止樹脂１１４とリードフレーム１０１との密着強度は低い。このことから、リードフレーム１０１を搬送する工程等にて、エアベント１１２に充填された封止樹脂１１４がリードフレーム１０１から離脱することとなり、作業環境が汚染される等の問題が発生する。
【００１１】
更に、封止樹脂１１４が進行する方向に対するエアベント１１２の断面積が非常に狭いので、液状または半固形状の封止樹脂１１４がエアベント１１２に詰まってしまう場合がある。この様になると、エアベント１１２付近のキャビティ１０９に、封止樹脂１１４が行き渡らずボイドが発生してしまう。
【００１２】
本発明は、上述した問題を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、樹脂封止の工程にてエアベントに封止樹脂が充填されることにより発生する不具合を解消する回路装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の回路装置の製造方法は、アイランドと複数のリードから成るユニットがマトリックス状に配置されて構成されるブロックと、前記ブロックを囲む支持部とから成り、前記ブロックの一側辺に沿う前記支持部の主面に凹状部が形成されたリードフレームを用意する工程と、前記各ユニットの前記アイランドに回路素子を固着すると共に、前記回路素子と前記リードとを電気的に接続する工程と、モールド金型のキャビティに前記ブロックを収納させ、前記キャビティにゲートから封止樹脂を注入し、前記封止樹脂の注入に伴い前記キャビティ内部の空気をエアベントを経由して外部に放出させることで、前記ブロックに含まれる前記各ユニットを樹脂封止する工程と、前記ユニットの境界にて前記封止樹脂を切断して分離する工程と、を備え、前記樹脂封止する工程では、前記凹状部が設けられた領域の前記リードフレームの主面が、前記モールド金型のエアベントに面することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、リードフレームのブロックの周囲に支持部を設け、ブロックの一側辺に沿う支持部の上面を部分的に窪ませて凹状部を形成している。そして、樹脂封止の工程では、この凹状部がエアベントと重畳するように、リードフレームはモールド金型に配置される。この様にすることで、エアベントと凹状部とが重畳させることにより、封止樹脂が注入される方向に対するエアベントの断面が大きくなり、エアベントにおける封止樹脂の流通が良好になる。従って、エアベントでの封止樹脂の閉塞およびキャビティの内部におけるボイドの発生が抑制される。
【００１５】
更に、エアベントに入り込む封止樹脂の一部は、リードフレームの上面に設けた凹状部に嵌合する。従って、エアベントに充填された封止樹脂は凹状部に強固に密着しているので、リードフレームの搬送の工程等に於ける封止樹脂の離脱が防止される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の回路装置の製造方法で用いられるリードフレームを示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は拡大された平面図である。
【図２】本発明の回路装置の製造方法で用いられるリードフレームを示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は凹状部が設けられる領域を拡大して示す平面図である。
【図３】本発明の回路装置の製造方法で用いられるリードフレームを示す図である。
【図４】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を示す平面図である。
【図８】本発明の回路装置の製造方法により製造される回路装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は斜視図である。
【図９】背景技術の回路装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】背景技術の回路装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】背景技術の回路装置の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、図を参照して、本発明の回路装置の製造方法を説明する。
【００１８】
図１から図３を参照して、先ず、本発明の回路装置の製造方法に用いられるリードフレーム１０の構成を説明する。ここで、図１の各図は、リードフレーム１０を全体的に示す平面図である。図２の各図は、リードフレーム１０に設けられる凹状部２２を詳細に示す図である。また、図３はブロック１２に含まれるユニット２６の構成を示す平面図である。
【００１９】
図１（Ａ）を参照して、リードフレーム１０は、例えば厚みが０．２ｍｍ程度の銅等の金属から成る導電箔に対して、エッチング加工またはパンチング加工を施して所定の形状に成形されている。また、リードフレーム１０は短冊型の形状を呈し、平面的なサイズは例えば縦×横＝６０ｍｍ×１４０ｍｍ程度である。更に、リードフレーム１０の表面は、例えばニッケル、パラジューム、金をこの順番で順次積層させたメッキ膜により被覆されている。
【００２０】
リードフレーム１０には、多数個のユニット２６から成るブロック１２が複数個離間して配置されている。ここでは、リードフレーム１０の長手方向に沿って一列に５個のブロック１２が配置されているが、配置されるブロック１２の個数は１つ又は２つでも良いし、６個以上の多数個でも良い。
【００２１】
ブロック１２の周辺部には、ブロック１２が形成されない残余の領域である第１支持部１４と第２支持部１６が設けられており、これらでリードフレーム１０を全体的に支持する支持部が構成されている。第１支持部１４は、複数個のブロック１２を全体的に囲むようにリードフレーム１０の周辺部に枠状に形成されている。第２支持部１６は、ブロック１２同士の間で、第１支持部１４の内側側辺を連結するように延在している。
【００２２】
図１（Ｂ）を参照して、リードフレーム１０に設けられるブロック１２の構成を詳細に説明する。ブロック１２の内部には、マトリックス状に複数のユニット２６が配置されている。ここで、ユニット２６とは、１つの回路装置を構成する単位要素である。この図を参照すると、１つのブロック１２に、５行×５列で２５個のユニット２６が設けられているが、更に多数個のユニット２６をブロック１２に設けることも可能である。
【００２３】
図１（Ｂ）を参照して、リードフレーム１０の上面に設けられる凹状部２２に関して説明する。この図では、リードフレーム１０に設けられる２つのブロックを示し、右側のブロック１２には、後の樹脂封止の工程にして使用されるモールド金型のキャビティ５６等を重畳して示している。
【００２４】
この図を参照して、紙面上にて上側のブロック１２の側辺に沿って、第１支持部１４の上面に複数個の凹状部２２が形成されている。右側に示すブロック１２を参照すると、ブロック１２がキャビティ５６により覆われ、ブロック１２の下側の側辺に沿ってゲート５８が設けられ、ブロック１２の上側の側辺に沿ってエアベント６０が配置されている。ここで、キャビティ５６とはブロック１２を樹脂封止するために金型により形成される空間であり、ゲート５８はキャビティ５６に注入される液状の封止樹脂が流通する経路である。エアベント６０はゲート５８から封止樹脂が注入されるに伴い、キャビティ５６内部の空気が外部に放出される経路である。ここで、エアベント６０は、封止樹脂をキャビティ５６の内部に均一に充填するために、キャビティ５６の紙面上に於ける上側の側辺に沿って、複数個が等間隔に設けられている。
【００２５】
凹状部２２は、上記した各エアベント６０に対応して設けられている。即ち、１つのエアベント６０が重畳する第１支持部１４（リードフレーム１０）の上面に、複数個の溝から成る凹状部２２が形成されている。この様にすることで、樹脂封止の工程にてエアベント６０の閉塞が抑制される等の効果が奏されるが、この事項に関しては図６を参照して後述する。
【００２６】
図２を参照して、リードフレーム１０に設けられる凹状部２２を詳述する。図２（Ａ）は凹状部２２が形成される部分のリードフレーム１０を拡大して示す平面図であり、図２（Ｂ）は凹状部２２の他の構成を示す平面図である。
【００２７】
図２（Ａ）を参照して、ここでは、紙面上にて縦方向に細長く伸びる複数個の凹状部２２が示されている。また、この図では、後の樹脂封止の工程にて封止樹脂が注入される方向を、点線の矢印で示している。このことから、この図に示す凹状部２２の長手方向は、封止樹脂の流れに対して平行に配置されている。これらの凹状部２２は、ブロック１２に含まれるユニット２６を形成する工程に於いて、ユニット２６と同時にエッチングにより形成される。また、凹状部２２は、リードフレーム１０を貫通するものではなく、リードフレーム１０の材料である導電箔を厚み方向に半分程度にハーフエッチングすることにより溝状に形成される。
【００２８】
凹状部２２の具体的な大きさは次の通りである。先ず、凹状部２２の縦方向（長手方向）の長さＬ１は、一例として１．６ｍｍ以上１．７ｍｍ以下である。また、凹状部２２の横方向（短手方向）の長さＬ２は、一例として０．１２ｍｍ以上０．５０ｍｍ以下である。ここでは複数個の凹状部２２が、紙面上にて横方向に等間隔で整列しており、凹状部２２同士が離間する長さＬ３は、一例として０．１５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。更にここでは、４個の凹状部２２が１つのエアベント６０（図１（Ｂ）参照）に対応して設けられているが、配置される凹状部２２の個数は任意（例えば３個以上７個以下）である。
【００２９】
図２（Ｂ）の平面図では、紙面上にて横方向に細長く伸びる凹状部２２が示されている。即ちここでは、紙面上にて上方向を向く封止樹脂の流れ（矢印で示す方向）に対して、凹状部２２の長手方向は直交している。この図に示す凹状部２２の横方向（長手方向）の幅Ｌ４は、一例として２．６ｍｍ以上２．８ｍｍ以下である。また、凹状部２２の縦方向（短手方向）の幅Ｌ５は、一例として０．１２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。更に、凹状部２２同士が離間する長さＬ６は、一例として０．１５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。更に、ここでは４つの凹状部２２が配置されているが、配置される凹状部２２の個数はこれ以外でも良く、例えば２個以上６個以下でも良い。
【００３０】
更に、上記した凹状部２２の深さは、凹状部２２が等方性で進行するウェットエッチングにより形成されることを考慮すると、凹状部２２の幅（図２（Ａ）に示すＬ２、図２（Ｂ）に示すＬ５）と同様となる。
【００３１】
更にまた、上記の説明では、凹状部２２は細長い溝としてリードフレーム１０の上面に形成されていたが、凹状部２２の形状は溝状以外でも良く、ドット状、円形状、正方形等の四角形形状等でも良い。
【００３２】
図３を参照して、上記したブロック１２に含まれるユニットの構成を説明する。ユニット２６は、上述したように１つの回路装置を構成する単位要素であり、ここでは、１つのアイランド２８と、このアイランド２８の四方を囲むように配置された複数個のリード３０から構成されている。
【００３３】
各ユニット２６同士の間には、格子状にタイバー３２が形成されている。そして、各ユニット２６のリード３０は、タイバー３２から連続してユニット２６の内側に延出している。更に、アイランド２８は、吊りリードを経由してタイバー３２に連結されている。
【００３４】
また、各タイバー３２の位置は、分割線１８、２０に正確に対応している。従って、製造工程に於いて、分割線１８、２０にてダイシングを行うと、タイバー３２は除去される。この図では、ブロック１２（図１（Ｂ）参照）の内部に設けられた各ユニット２６同士の間に規定される分割線を点線にて示している。ここでは、ユニット２６がマトリックス状に配置されているので、分割線は格子状に規定されている。分割線２０は紙面上にて縦方向に規定されており、分割線１８は紙面上にて横方向に規定されている。
【００３５】
更に、上記した除去を確実に行うために、タイバー３２は細く形成されており、その幅Ｗ２は例えば０．２ｍｍ程度である。即ち、タイバー３２の幅Ｗ２は、後述する各ユニット２６を分離する工程にて使用されるダイシングブレードの幅よりも狭く形成される。
【００３６】
図４を参照して、次に、リードフレーム１０の所定の箇所に半導体素子４４を固着する。図４（Ａ）は本工程に於ける１つのユニット２６を示す平面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図である。
【００３７】
本工程では、このリードフレーム１０の各ブロック１２（図１（Ｂ）参照）に対して、半導体素子４４のダイボンディングおよびワイヤボンディングを行う。本工程では、図１（Ａ）に示すリードフレーム１０に配置された全てのブロックに対して、一括してダイボンディングおよびワイヤボンディングを行っている。
【００３８】
図４（Ａ）を参照して、先ず、半田等の導電性接着材またはエポキシ樹脂等の絶縁性の接着材を介して、アイランド２８の上面に半導体素子４４を実装する。そして、半導体素子４４の上面に設けられた電極とリード３０とを、金属細線４６を経由して接続する。
【００３９】
図４（Ｂ）を参照して、本工程では、リードフレーム１０の下面は、ほぼ全面的に接着シート４８の上面に貼着させている。接着シート４８は、上面に薄く接着樹脂が塗布された樹脂製のシートであり、その材料としては例えばポリイミドまたはＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）が採用される。リードフレーム１０の裏面を接着シート４８に接着させる理由は、次工程の樹脂封止の工程に於いて、リードフレーム１０の裏面に封止樹脂が回り込むことを防止するためである。
【００４０】
図５および図６を参照して、次に、図４に示したアイランド２８、リード３０、金属細線４６および半導体素子４４が被覆されるように封止樹脂３６を形成する。
【００４１】
図５（Ａ）を参照して、本工程では、上金型５２および下金型５４から構成されるモールド金型５０を使用して樹脂封止を行う。本工程では、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドまたはポリエチレン等の熱可塑性樹脂を使用するインジェクションモールドが採用される。
【００４２】
金型５０は、上金型５２と下金型５４とからなり、ブロック１２の周辺部に対応する領域にゲート５８が設けられており、ゲート５８に対向するブロック１２の周辺部にエアベント６０が形成されている。
【００４３】
図５（Ｂ）を参照して、更に、ランナー６６を経由してキャビティ５６と連通するポッド６４が設けられている。ここでは、１つのキャビティ５６に対して２つのポッド６４がランナー６６を経由して設けられている。また、１つのランナーは複数個のゲート５８を経由してキャビティ５６と連通している。更に、キャビティ５６の上側の側辺には、複数個（ここでは４個）のエアベント６０が等間隔で設けられている。ここで、上記したキャビティ５６、ゲート５８、ランナー６６およびエアベント６０は、上金型５２と下金型５４との間隙として構成される。
【００４４】
上記構成の金型５０を用いた樹脂封止の方法は次の通りである。
【００４５】
先ず、金型５０の下金型５４の上面にリードフレーム１０を載置する。ここで、金型５０に設けたエアベント６０と、リードフレーム１０に設けた凹状部２２が重畳するように、金型５０に対してリードフレーム１０が配置される（図５（Ｂ）参照）。また、リードフレーム１０の裏面に接着シート４８が貼着された場合は、接着シート４８の下面が下金型５４の上面に載置される（図５（Ａ）参照）。リードフレーム１０が載置された後に、上金型５２を下方に下降させて、上金型５２を下金型５４に当接させる。このことにより、リードフレーム１０の残余部（図１（Ａ）に示す第１支持部１４および第２支持部１６）が、上金型５２および下金型５４で押圧されて固定される。結果的に、ブロック１２は個別にキャビティ５６に収納される。
【００４６】
次に、円筒状を呈する固形の封止樹脂から成るタブレットをポッド６４に収納し、このタブレットを加熱溶融した後に加圧する。この様にすると、液状又は半固形状の状態の封止樹脂は、ランナー６６およびゲート５８を流動した後にキャビティ５６に注入される（図５（Ｂ）参照）。キャビティ５６に封止樹脂が注入されるに伴い、キャビティ５６の内部の空気がエアベント６０を経由して外部に放出される。ことにより、キャビティ５６の内部に配置されたブロック１２に含まれる各ユニットが封止樹脂により樹脂封止される。具体的には、図４（Ｂ）を参照して、各ユニット２６に含まれる半導体素子４４、金属細線４６、アイランド２８およびリード３０が、封止樹脂により被覆される。尚、封止樹脂の注入は、封止樹脂をキャビティ５６の内部に確実に充填するために、エアベント６０にも充填されるまで行われる。
【００４７】
各キャビティ５６への封止樹脂の注入が終了した後は、封止樹脂を加熱硬化させ、上金型５２と下金型５４とを離型し、各ブロック１２が個別に樹脂封止されたリードフレーム１０を金型５０から取り出す。
【００４８】
図６を参照して、リードフレーム１０の上面に設けられた凹状部２２の樹脂封止工程に於ける役割を説明する。図６（Ａ）は樹脂封止工程の詳細を示す拡大断面図であり、図６（Ｂ）は本工程を終了した後のリードフレーム１０を示す平面図である。更に、図６（Ｃ）は本工程が終了した後のリードフレーム１０を示す断面図である。
【００４９】
図６（Ａ）を参照して、この図では、キャビティ５６に注入される封止樹脂３６の流れを太線の矢印にて示している。上記したように、本工程では、キャビティ５６に完全に充填されると共に、エアベント６０にも充填されるように、封止樹脂３６の注入は行われる。従って、封止樹脂３６の一部は、この図にて太線の矢印で示されているように、キャビティ５６からエアベント６０に流動する。
【００５０】
ここで、エアベント６０とキャビティ５６とが連続する部分では、上金型５２下面とリードフレーム１０上面との間隙は狭くなっており、この部分の幅Ｌ１０は例えば１００μｍ以上５００μｍ以下程度である。また、この部分のエアベント６０では、上金型５２の下面はリードフレーム１０の上面に対して平行な平坦面を呈している。従って、上記したように、液状又は半固形状の樹脂がこの部分にて閉塞することにより、キャビティ５６内部の空気がエアベント６０を経由して外部に抜けず、キャビティ５６の内部に充分に封止樹脂３６が充填されずにボイドが発生する恐れがある。また、封止樹脂３６は、高温とされた金型により加熱硬化しつつ、キャビティ５６の内部を流動するので、エアベント６０に到達する封止樹脂３６は半固形状の場合もある。この場合は封止樹脂３６がエアベント６０で閉塞してしまう恐れが大きくなる。
【００５１】
この様な不具合を解消するために、本形態では、エアベント６０と重なる領域のリードフレーム１０の上面に凹状部２２を配置している。この様にすることで、リードフレーム１０を窪ませた凹状部２２がエアベントの一部として機能する。換言すると、キャビティ５６内部の空気および封止樹脂３６が通過する経路であるエアベント６０の断面積が広くなる。例えば、エアベント６０の領域で上金型５２下面とリードフレーム１０上面との距離Ｌ１０が５００μｍで、凹状部２２の深さが５００μｍ以上であれば、凹状部２２が設けられた部分ではエアベント６０の縦方向の長さが２倍以上となることとなる。従って、エアベント６０を封止樹脂３６が良好に流通するようになり、エアベント６０での封止樹脂３６の閉塞が抑止されるので、キャビティ５６の内部全域に封止樹脂３６が充填される。
【００５２】
図６（Ｂ）に、本工程の樹脂封止が終了して金型から取り出されたリードフレーム１０を示す。ここでは、リードフレーム１０に配置されたブロック１２を被覆するように、リードフレーム１０の上面に封止樹脂３６が密着している。更に、上記工程にてエアベント６０に充填された封止樹脂３６Ａも、ブロック１２を被覆する封止樹脂３６と一体で、リードフレーム１０の上面に密着している。更に、各封止樹脂３６Ａは、凹状部２２が形成された部分のリードフレーム１０の上面に密着している。
【００５３】
図６（Ｃ）を参照すると、上記したエアベント６０に充填されることで形成された封止樹脂３６Ａは、リードフレーム１０の上面に密着するだけではなく、凹状部２２にも充填されて嵌合している。このことにより、凹状部２２に充填された封止樹脂３６Ａにアンカー効果が発生するので、封止樹脂３６Ａのリードフレーム１０からの離脱が抑制される。
【００５４】
ここで、エアベントに充填された封止樹脂３６Ａは、リードフレーム１０に含まれるリードやアイランド等と密着していないので、リードフレーム１０との密着強度が強固でない。また、各封止樹脂３６Ａと、ブロック１２を被覆する封止樹脂３６とは、一体的に形成されているものの両者の接続箇所の強度は弱い。このことから、何ら対策を施さなければ、封止樹脂３６Ａは簡単にリードフレーム１０から離脱して、作業環境が汚染される恐れがある。本形態では、リードフレーム１０の上面を窪ませて設けた凹状部２２に封止樹脂３６Ａの一部を嵌合させることで、封止樹脂３６Ａの離脱を防止している。
【００５５】
尚、エアベントに充填された封止樹脂３６Ａおよびランナーに充填された封止樹脂３６Ｂは、本工程が終了した後に、機械的手法によりリードフレーム１０から分離されても良い。更に、本工程が修了した後に、リードフレーム１０の下面から接着シート４８が除去されても良い。
【００５６】
図７を参照して、次に、上記した各ブロック１２のユニットを個別に分離する。
【００５７】
図７を参照して、先ず本工程では、樹脂封止が終了したリードフレーム１０をダイシングシート４２に貼着する。ダイシングシート４２は、上面に接着層が形成された樹脂シートであり、ステンレス等の金属を円環状に形成した金属枠３８により周囲が支持されている。
【００５８】
このような構成のダイシングシート４２の上面にリードフレーム１０が貼着される。ここで、リードフレーム１０は、封止樹脂３６が形成された面が貼着されても良いし、封止樹脂３６が形成された面とは対向する面が貼着されても良い。
【００５９】
ダイシングシート４２にリードフレーム１０を貼着させた後は、高速で回転するダイシングブレード４０を使用して、リードフレーム１０に形成された各ブロック１２を一括してダイシングする。本工程では、各ブロック１２の封止樹脂３６をダイシングすると共に、金属から成るリードフレーム１０の外枠（支持部）もダイシングにより分割している。本工程のダイシングは、各ブロック１２の封止樹脂３６およびリードフレーム１０が完全に分離される深さで行われる。具体的には、図３に示す分割線１８、２０に沿って、各ユニット２６が分離されるように本工程のダイシングは行われる。
【００６０】
ここで、上記説明ではリードフレーム１０が各ブロックの封止樹脂３６と共にダイシングシート４２に貼着されたが、各ブロック１２の封止樹脂３６のみをダイシングシート４２に貼着してもよい。この場合は、先ず、リードフレーム１０から各ブロック１２の封止樹脂３６が分離される。そして、各ブロック１２の封止樹脂３６の主面をダイシングシート４２に貼着した後に、ダイシングブレード４０により各ブロック１２をユニット毎に分離して個別の半導体装置が得られる。
【００６１】
以上の工程により、半導体素子が樹脂パッケージされた回路装置が製造される。
【００６２】
図８を参照して、次に、上記工程により製造される回路装置６２の構成を説明する。図８（Ａ）は実装される状態の回路装置６２を上方から見た斜視図であり、図８（Ｂ）はその状態の回路装置６２を下方から見た斜視図である。
【００６３】
図８（Ａ）を参照して、回路装置６２の外形形状は薄型の６面体であり、具体的な大きさの一例としては、縦×横×厚み＝５ｍｍ×５ｍｍ×０．４ｍｍ程度である。回路装置６２の外面の大部分は封止樹脂３６から構成される。そして、封止樹脂３６の側面にはリード３０の端部が露出しており、封止樹脂３６の側面とリード３０の露出面とは同一平面上に位置する。
【００６４】
図８（Ｂ）を参照すると、回路装置６２の上面（実装される面）の中央部には、アイランド２８が露出しており、このアイランド２８の四方を囲む位置に複数のリード３０が露出している。製造方法の説明にて上記したように、アイランド２８は半導体素子が実装される部位であり、リード３０は金属細線を介して半導体素子の電極と電気的に接続される。
【００６５】
更に、上記した構成の回路装置６２が基板等の実装面に面実装されるときは、リフロー工程により実装される。具体的には、図８（Ｂ）を参照して、封止樹脂３６の下面に露出するリード３０に半田クリームを付着させた後に、回路装置６２を実装面に載置し、半田クリームを加熱して溶融させる。このことにより、半田を介してリード３０の露出面が、実装面上の導電路に固着すると共に電気的に接続される。
【符号の説明】
【００６６】
１０      リードフレーム
１２      ブロック
１４      第１支持部
１６      第２支持部
１８      分割線
２０      分割線
２２      凹状部
２６      ユニット
２８      アイランド
３０      リード
３２      タイバー
３６，３６Ａ，３６Ｂ      封止樹脂
３８      金属枠
４０      ダイシングブレード
４２      ダイシングシート
４４      半導体素子
４６      金属細線
４８      接着シート
５０      金型
５２      上金型
５４      下金型
５６      キャビティ
５８      ゲート
６０      エアベント
６２      回路装置
６４      ポッド
６６      ランナー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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