(57)【要約】【課題】研磨前の複数のウエハ間に厚さのバラツキがあっても、研磨の途中でウエハの残り厚さを測定することなく、研磨後のウエハ残り厚さを所定の設定厚さにバラツキを小さく自動的に調整できる研磨工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１の一方の主面に所要の半導体機能領域を形成する工程と、前記半導体機能に影響を及ぼさない領域に、半導体特性に必要な前記半導体基板厚さを前記一方の主面からの所定の深さとして、該所定の深さに前記半導体基板１に対して被研磨量比率の異なる材料を埋め込む工程と、前記半導体基板１の他方の主面から所定の研磨速度で研磨し、前記材料が露出した半導体基板の研磨を実質的に停滞させ、全半導体基板で前記材料が露出した時点で研磨を終了させる研磨工程を含む半導体装置の製造方法。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の主面に所要の半導体機能領域を形成する工程と、前記半導体基板の前記半導体機能に影響を及ぼさない領域に、前記半導体特性に必要な前記半導体基板厚さを前記一方の主面からの所定の深さとして、該所定の深さに前記半導体基板に比べて被研磨量の小さい材料を埋め込む工程と、前記半導体基板の他方の主面から所定の研磨速度で研磨し、前記材料が露出した時点で研磨を終了させる研磨工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体機能に影響を及ぼさない領域がダイシングライン内に設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ダイシングラインが格子状のラインであり、該格子状のライン内に前記半導体機能に影響を及ぼさない領域が選択的に形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体機能に影響を及ぼさない領域が格子状の線状に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記材料が絶縁膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁膜がシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記所定の深さに埋め込まれる前記絶縁膜が、前記半導体基板の一方の主面から形成されるトレンチ底部に埋め込まれる絶縁膜であることを特徴とする請求項５または６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記所定の深さに埋め込まれる前記シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜が、前記半導体基板の一方の主面から所定の深さに酸素または窒素をイオン注入し、熱処理することにより形成されるシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記研磨工程で使用される研磨方法にケミカル・メカニカル・ポリッシング研磨方法が含まれることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ケミカル・メカニカル・ポリッシング研磨方法で使用される研磨パッドの径が前記半導体基板の径より小さいことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板を裏面から正確な厚さに研磨する精密研磨方法を含む半導体装置の製造方法の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板（以降、半導体ウエハまたは単にウエハとする）に半導体装置を形成するために必要な処理を施すウエハプロセスでは、耐圧によって必要なウエハの厚さは変わる。たとえば、耐圧６００Ｖ以下ではウエハ厚は１００μｍ以下となるので、最終的なウエハ厚さを最初の投入ウエハ厚とすると、最終的なウエハ厚が、１００μｍ以下、極端には５０μｍ以下などの薄いウエハの場合、ウエハの割れや欠けの比率が極端に増加し、歩留まりが低下する。そこで、最初の投入ウエハ厚を、ウエハの割れや欠けが実質的に生じ難い程度の厚さにし、一方の側の主面に施すウエハプロセスをほとんど終了させた後、裏面側を研磨して最終的なウエハ厚にしてから裏面側に必要なプロセスを施す半導体装置の製造方法とすることが多い。
【０００３】
このような半導体装置の製造方法では、一方の主面（表面）側に半導体素子を製造するために必要な半導体機能領域を形成し、この主面と反対側の主面（裏面）から研磨研削（特許文献１）やウェットエッチングを施すことにより、ウエハの厚さを所要の最終的な厚さに薄くする製造方法が知られている。ウエハの裏面研磨プロセスでは一般にメカニカル研磨であるグラインダーによる研磨だけでは表面にダメージが残り易く、半導体特性に悪影響を及ぼすため、ケミカル研磨であるエッチングと両方を組み合わせるプロセスとすることが一般的である。
【０００４】
前述の半導体ウエハの研磨プロセスに関する特許文献１では研磨量の制御方法、すなわち、研磨量を検出して研磨を終了させるタイミングの決定方法については触れていないが、通常は研磨やエッチングのレートから時間で調整するか、またはウエハ厚さを研磨中にリアルタイムで測定することによって研磨の終了点を検出している。どちらの方法でもウエハ厚の測定が必要になるので、それぞれの方法にマッチングする厚さ測定装置が必要になる。特にエッチングでは、エッチングが進むとともに生じる液組成変化および液温変化に伴い、エッチングレートが随時変化するため、ウエハ厚測定は必須である。そこで、エッチング時のウエハの厚さの管理に関しては、前述のように初期状態のウエハ厚を測定した後、推定研磨レートからの時間管理かまたはリアルタイムでウエハ厚を測定する方法が採られる。
【０００５】
ウエハ厚測定は、本来は全数検査が基本である。時間的な負荷を考慮して抜き取り検査とする場合もあるが、原則は、研磨およびエッチング後、ウエハ厚測定し、ウエハ厚が規格より厚いウエハは、ウエハ厚が規格内の値になるまで、追加エッチングを繰り返す作業をウエハ毎に全ウエハについて確認する必要がある。このようなウエハの研磨量の制御方法は、一般的に製造工程としては煩雑で、手間のかかる作業になり易い。
【０００６】
前述の煩雑で、手間のかかる作業という意味では、前記エッチングに代えてＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）研磨をした場合も同様である。
【０００７】
一方、面内で均一な膜厚を有するＳＯＩ層を得るために、シリコン基板に所定の深さのトレンチを形成する。このトレンチ面をＳｉＯ2膜で埋め込んだ後、表面に酸化膜を有する別の第１支持基板に貼り合わせる。前記シリコン基板の反トレンチ側の面（裏面）から前記ＳｉＯ2膜に達するまで研磨する。その後、ポリシリコン膜を介してさらに別の第２支持基板に貼り付けて前記第１支持基板側から研磨してＳｉＯ2膜を露出させて均一な膜厚のＳＯＩ層を得る製造方法が知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平５−３０５５６０号公報
【特許文献２】特開平７−２３１０３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、前述の研磨やエッチングおよびＣＭＰ研磨における問題は、いずれも裏面の当初の面を基準にして研磨し、残りウエハ厚を調整していることである。ところが、研磨前のウエハ厚が一定ならば、この方法でも問題は無いが、多くの場合、ウエハの厚さには、通常、厚さのバラツキを許容する規格が設けられている。たとえば厚さの規格を５００±１５μｍとすると、実際のウエハ間では最大３０μｍくらいの厚さのバラツキが存在することになる。これはウエハの製造コスト面を考慮すると止むを得ないことである。しかし、前述のように、裏面の当初の面を基準にしてウエハを研磨する方法で、正確な研磨後のウエハ厚を得ようとすると、前記±１５μｍのバラツキが問題となる。
【００１０】
たとえば、従来例として、裏面研磨前で、２枚のウエハ１と２の間で、厚さのバラツキが２０μｍである場合、すなわち、ウエハ２の厚さをウエハ１の厚さ＋２０μｍとする（図１）。次に、ウエハ１とウエハ２を接着テープ４を介して回転軸７を有するウエハホルダー６にそれぞれ貼り付け、ウエハ周辺に保持リングを嵌め込み、面方向にウエハが動かないようにする（図２）。ウエハの反対面に、回転テーブル９に取り付けたＣＭＰ研磨用の研磨パッド８をそれぞれ押し当ててウエハ１とウエハ２を同じ条件でＣＭＰ研磨する。スラリー状の研磨液は回転軸１０の内側に設けられたスラリー供給孔１１を通して供給される（図３）。実際には最初に図示しないグラインダー（砥石）研磨を行い、その後に、前述のＣＭＰ研磨を実施してウエハ１を所定の厚さにする（図４）。この研磨段階ではウエハ２もウエハ１とは当初の面からの研磨量は同じであるが、ウエハ２は当初のウエハ厚さが厚いので、残り厚さを見ると、まだ研磨量が不足している。ウエハ２を所定の厚さに研磨した状態を図５に示す。この研磨段階では、ウエハ１の方は２０μｍ過剰に研磨されていることになる。すなわち、両方のウエハ共、同じ研磨時間では同じだけ研磨されるため、いずれの時間で研磨作業をストップしても最初に存在した厚さの違い（２０μｍ）はそのまま研磨後にも残ることになる。前述の図１〜図５では、それぞれ（ａ）はウエハ１の研磨プロセスを示し、（ｂ）はウエハ２の研磨プロセスを示す。
【００１１】
一方、ウエハ毎に厚さを測定して所定の厚さに到達したウエハの研磨をストップし、研磨不足のウエハは研磨を続け、全ウエハが所定の厚さに到達した時点で研磨工程を終了させる方法は、前述のように煩雑な作業を必要とする。
【００１２】
本発明は、以上述べた点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、研磨前の複数のウエハ間に厚さのバラツキがあっても、研磨の途中でウエハの残り厚さを測定することなく、研磨後のウエハ残り厚さを所定の設定厚さにバラツキを小さく自動的に調整できる研磨工程を含む半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、本発明の目的を達成するために、半導体基板の一方の主面に所要の半導体機能領域を形成する工程と、前記半導体基板の前記半導体機能に影響を及ぼさない領域に、前記半導体特性に必要な前記半導体基板厚さを前記一方の主面からの所定の深さとして、該所定の深さに前記半導体基板に比べて被研磨量の小さい材料を埋め込む工程と、前記半導体基板の他方の主面から所定の研磨速度で研磨し、前記材料が最初に露出した時点で半導体基板の研磨を停滞させ、前記半導体基板のあらかじめ定めた領域で前記材料が露出した時点で研磨を終了させる研磨工程を含む半導体装置の製造方法とする。
【００１４】
本発明では、前記半導体機能に影響を及ぼさない領域がダイシングライン内に設けられている半導体装置の製造方法とすることが好ましい。
本発明では、ダイシングラインが格子状のラインであり、該格子状のライン内に前記半導体機能に影響を及ぼさない領域が選択的に形成されている半導体装置の製造方法とすることも好ましい。
【００１５】
本発明では、前記半導体機能に影響を及ぼさない領域が格子状の線状に形成されている半導体装置の製造方法とすることもできる。
本発明では、前記材料が絶縁膜である半導体装置の製造方法とすることが望ましい。
【００１６】
本発明では、前記絶縁膜がシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である半導体装置の製造方法とすることがより望ましい。
本発明では、前記所定の深さに埋め込まれる前記絶縁膜が、前記半導体基板の一方の主面から形成されるトレンチ底部に埋め込まれる絶縁膜である半導体装置の製造方法とする。
【００１７】
本発明では、前記所定の深さに埋め込まれる前記シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜が、前記半導体基板の一方の主面から所定の深さに酸素または窒素をイオン注入し、熱処理することにより形成されるシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である半導体装置の製造方法とする。
【００１８】
本発明では、前記研磨工程で使用される研磨方法にケミカル・メカニカル・ポリッシング研磨方法が含まれる半導体装置の製造方法とすることが望ましい。
本発明では、前記ケミカル・メカニカル・ポリッシング研磨方法で使用される研磨パッドの径を前記半導体基板の径より小さくすることも好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、研磨前のウエハ間に厚さのバラツキがあっても、研磨の途中でウエハの残り厚さを測定することなく、研磨後のウエハ残り厚さを所定の設定厚さにバラツキを小さく自動的に調整できる研磨工程を含む半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】ウエハ１、ウエハ２の断面図である。
【図２】従来の研磨方法にかかるウエハをウエハホルダーに貼り付けた状態の断面図である。
【図３】従来のウエハホルダーに貼り付けたウエハにＣＭＰ研磨用の研磨パッドを押し当てた状態を示す断面図である。
【図４】従来のウエハホルダーに貼り付けたウエハをＣＭＰ研磨により所定の量を研磨した状態を示す断面図である（その１）。
【図５】従来のウエハホルダーに貼り付けたウエハをＣＭＰ研磨により所定の量を研磨した状態を示す断面図である（その２）。
【図６】本発明にかかり、ウエハ１、ウエハ２に研磨終了点の自動検出手段を埋め込んだことを示す断面図である。
【図７】本発明にかかる研磨方法によりウエハをウエハホルダーに貼り付けた状態の断面図である。
【図８】本発明にかかる研磨方法により、ウエハホルダーに貼り付けたウエハをＣＭＰ研磨により所定の量を研磨した状態を示す断面図である。
【図９】本発明にかかる研磨方法により、ウエハホルダーに貼り付けたウエハをＣＭＰ研磨により所定の量を研磨した状態を示す断面図である。
【図１０】ウエハ１とウエハ２のウエハの厚さの差（バラツキ）を研磨前後での比較を示すグラフ図である。
【図１１】ウエハにイオン注入の状態を示す断面図である。
【図１２】ウエハにイオン注入後に、熱処理を加えて絶縁物を埋め込んだことを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下にこの発明の実施形態を説明する。
半導体基板の一方の主面には、所要の半導体機能領域を形成する。例えば、半導体素子としてＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を形成する場合は、一方の主面に、エミッタ領域,ゲート酸化膜などを形成する。また、他方の面から研削・研磨して、半導体基板の厚さを半導体素子の耐圧に応じた厚さに減厚する。たとえば、耐圧６００Ｖ以下ではウエハ厚は１００μｍ以下となる。
【００２２】
このように、減厚後の半導体基板の厚さを規定する為に半導体基板の、半導体素子の主構造を形成する側の面にトレンチを形成する。トレンチの形成時期は前記半導体素子の主構造の形成前であっても後であってもよいが、形成前にトレンチを形成して絶縁膜を埋め込んでおく方が好ましい。本発明に係わる半導体素子は、半導体基板の表面側にＭＯＳ構造、Ａｌ電極などの作成工程後、裏面研磨して半導体の耐圧に対応するような厚さに減厚し、表面側のＡｌ電極の耐熱性を考慮した温度以下で処理できるように裏面側に必要な半導体層の形成および金属電極膜形成を行う製造方法によって作成されるデバイスが好ましい。
【００２３】
本発明の半導体装置の製造方法に係わり、半導体基板の一方の主面（表面とする）に形成される前記トレンチの深さは、半導体素子の耐圧すなわち、減厚後の半導体基板の所望の厚さによって変わる。たとえば、耐圧６００Ｖならばトレンチ深さを１００μｍ、耐圧１２００Ｖならば、トレンチ深さを１２０μｍとする。
【００２４】
トレンチの少なくとも底部に酸化膜または窒化膜などの絶縁膜で埋め込む。この絶縁膜が、半導体基板の表面とは反対側の面（裏面）側からの研磨のストッパー層となる。
トレンチ内部は少なくとも底部に絶縁膜が埋め込まれていればよく、全部絶縁膜で埋めないで、底部以外はポリシリコンなどを埋めこむ方がウエハのそり防止の観点では好ましい。トレンチに絶縁膜が埋め込まれた状態で、トレンチ形成面と同じ面に半導体素子の主構造を形成する。その後、反対側の面（裏面）を研磨する。裏面研磨が進み、前述のようにして埋め込まれた絶縁膜が露出すると研磨速度が自動的に変化して実質的に研磨が進まなくなる。ウエハの所定の深さに研磨終了点を検出するための絶縁膜を埋め込む方法として、前述のトレンチ法の他に、酸素または窒素をイオン注入することにより、前記所定の深さに打ち込み熱処理して、研磨終了点の自動検出手段となるシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜としてもよい。
【００２５】
ウエハの半導体素子の主構造を形成する側の面にトレンチを形成する場所は、ウエハの一方の主面に繰り返しパターンで形成される格子状の区画内に形成される半導体素子の半導体特性に影響を及ぼさないところであれば、どこでもよいが、たとえば、格子状に形成されるダイシングライン領域内が好ましい。ダイシングライン領域内に５μｍ〜１０μｍ程度の幅で格子状の線状にトレンチを形成してもよいが、ウエハの材料と熱膨張係数の異なる酸化膜や窒化膜を埋め込むのであるから、研磨終了点の自動検出に有効な範囲を限度に埋め込む量は少ないほどよい。たとえば、線状ではなく、ドット状でもよい。ドットの場合は少なくとも、ウエハの外周部に４箇所、ウエハの中央部に１箇所程度が研磨終了の自動検出機能の観点から必要である。
【００２６】
酸素のイオン注入の場合には、５０ＭｅＶの加速電圧で注入をすれば表面から１００μｍの深さに酸素をイオン注入することができる。６０ＭｅＶの加速電圧で注入すれば１２０μｍ、１００ＭｅＶで２００μｍの深さにまで酸素注入はできる。
【００２７】
酸素のイオン注入の場合は、ウエハの一方の表面に、半導体素子の主構造を形成する前に、酸素のイオン注入を行い、９００℃で３０分程度拡散しておくのがよいが、前述の半導体素子の主構造を形成する際に拡散ドライブなどで熱処理工程が加わるのであれば、前記９００℃で３０分の熱処理工程は不要となる。ただし、酸素のイオン注入では、特殊な加速器で高加速のイオン注入を実現する必要があり、生産設備が高価という難点はあるが、入れてしまえば、面内での深さのバラツキはトレンチの深さのバラツキより少ないという利点がある。
【実施例１】
【００２８】
図１に示すように、共に半導体基板の厚さの規格として許容範囲内ではあるが、半導体基板（ウエハ）１（図１（ａ））の厚さに比べて、半導体基板（ウエハ）２（図１（ｂ））は２０μｍ厚いとする。ウエハ１とウエハ２のそれぞれの一方の主面に深さ１００μｍのトレンチを幅１０μｍで格子状の線状に形成し酸化膜３を埋め込んだ後、図示しない半導体素子の主構造を形成する（図６）。次に、ウエハ１とウエハ２の研磨しない側の面（トレンチ面）をウエハホルダー６に向けて接着テープ４を介してそれぞれ張り付ける（図７）。ウエハホルダー６にウエハを貼り付ける際には、ウエハが研磨時に面方向にずれないように、ウエハ１または２とウエハホルダー６の面方向の間隙を埋める保持リング５を嵌めることが望ましい。ウエハホルダー６は回転軸７を有し、図示しない回転機構を備えている。
【００２９】
ウエハ１またはウエハ２の裏面をグラインダー（砥石）でメカニカル研磨した後に、さらに続けてＣＭＰ研磨で研磨する。ＣＭＰ研磨はトレンチの存在する面とは反対側の面から研磨パッド８とテーブル９を図示しない回転機構により回転させながら押し付ける方法とする。研磨パッド８の径をウエハ径より小さくし、ウエハの中心に、研磨パッド８を押し付けるためのテーブル９の回転軸１０を同軸に合わせる。スラリーを回転軸１０の軸孔に設けたスラリー供給孔１１に供給しながら回転研磨する。このように研磨パッド８の径をウエハ径より、たとえば、１ｍｍ〜３ｍｍ程度小さくすることで、ウエハを薄膜化しても、ウエハの最外周に厚膜部分を残して薄膜ウエハを強度的に補強することができる。
【００３０】
ＣＭＰ研磨面に供給するスラリーはＳｉと酸化膜に対して研磨選択比を持つ材料（たとえば、フジミインコーポレーテッド社のＰＬＡＮＥＲＴＩ−６１０４）とする。研磨面がＳｉのみのときは、この研磨面はＣＭＰ研磨によって均等に徐々に研磨されてウエハ１は薄くなっていく。
【００３１】
ウエハ１は研磨により薄くなると、埋め込まれたストッパー酸化膜３に到達する（図８（ａ））。ストッパー酸化膜３が露出した時点で、ウエハ１の研磨が実質的に止まり、それ以上はほとんど研磨されない（図８（ａ））。
【００３２】
一方、同じ時間研磨を行っても、投入時の厚さが違うウエハ２（ウエハ１よりも２０μｍ厚い）は、まだ、ストッパー酸化膜３まで到達していない（図８（ｂ））。ウエハ２においてはストッパー酸化膜３が露出するまでさらに研磨が進む。
【００３３】
ウエハ２においても、研磨により薄くなると、埋め込まれたストッパー酸化膜３に到達する。ストッパー酸化膜３が露出した時点で、ウエハ２の研磨が実質的に止まり、それ以上はほとんど研磨されない。
【００３４】
このように、投入時の基板の厚さが異なっていても、ストッパー酸化膜３が露出した時点で、研磨を停止することができる。
ストッパー酸化膜は、半導体基板の所望の厚さの基準となる表面から形成されたトレンチの底部に形成されている。半導体基板の表面から形成するトレンチの深さは、減厚前の半導体基板間の厚さばらつきに比べると、高精度に制御が可能である。例えば、減厚前の半導体基板間に３０μｍ程度のバラツキがあるのに対し、半導体基板の表面から形成するトレンチの深さのバラツキは１μｍ以下に制御することができる。
【００３５】
その結果、図９に示すように、ウエハ１（図９（ａ））とウエハ２（図９（ｂ））間に研磨前の厚さにバラツキがあっても、それぞれストッパー酸化膜３が露出するまで研磨を継続することによって、ウエハの研磨時間が自動的に調整されて、研磨工程の終了後にはウエハ１とウエハ２の厚さをほぼ同じにすることができる（図９）。
【００３６】
このストッパー酸化膜３は研磨面とは反体側の表面からの深さで調整されているため、面内でのＳｉ残り厚さバラツキは非常に少ない。つまり、トレンチの深さ（ストッパー酸化膜３の半導体基板表面からの深さ）によって、減厚後の半導体基板の厚さを規定できるため、研磨中あるいは研磨後の半導体基板の厚さの測定も不要となる。さらには、研磨中あるいは研磨後の半導体基板の厚さの測定のための装置も不要になる。
【００３７】
図１０に薄いウエハ１と厚いウエハ２との差（厚さのバラツキ分の差）の推移を示す。図１０によれば、従来の研磨方法では、当初のウエハ厚さの差である２０μｍが最後まで残るが、本発明に研磨方法によれば、当初のウエハ厚さの差が２０μｍであったものが、ストッパー酸化膜に到達してからは、差が減少して、最終的には１μｍ程度の差になることが分かる。
【実施例２】
【００３８】
ウエハの一方の主面に半導体素子の主構造を形成する工程の前に、同じ面に酸素を５０ＭｅＶの加速電圧で、１００μｍの深さにイオン注入し（図１１）、続いて熱処理（１５００℃１２０分）を行って埋め込みシリコン酸化膜を形成して、ストッパー酸化膜とする（図１２）。その後は、前述の実施例１（図６〜図８）までを参照）と同様に、研磨しない側の表面をウエハホルダーに貼り付ける。
【００３９】
イオン注入した面の反対面から研磨パッドとテーブルを回転させながら押し付けてＣＭＰ研磨を行う。この研磨パッドとテーブルの径は実施例１と同様にウエハ径より小さくすることが好ましい。この研磨面にスラリーを供給する。酸素をイオン注入したときのスラリーはＳｉと酸化膜とで研磨選択比を持つ材料を主成分とし、窒素をイオン注入したときは、Ｓｉと窒化膜とで研磨選択比がある材料を主成分として用いる。
【００４０】
そうすると、研磨面がＳｉのみのときはＣＭＰ研磨によって、均等に研磨されてウエハは薄くなっていく。しかし、ストッパーである酸化膜または窒化膜が露出するとそこで研磨は止まり、それ以上研磨されることは無くなり、実施例１のトレンチに埋め込んだ酸化膜や窒化膜と同様のストッパー効果を示す。酸素または窒素のイオン注入によりストッパー絶縁膜を形成してＣＭＰ研磨の際の研磨終了点を自動検出する方法は、前述の実施例１で述べたトレンチ底部に埋め込んだ絶縁膜で研磨終了点を自動検出する方法より、イオン注入の深さのバラツキがトレンチの深さのバラツキより小さいので、研磨後の厚さのバラツキが小さくなる特徴がある。
【００４１】
以上説明した、実施例によれば、研磨によりウエハを薄膜化する際に、ウエハ厚さを測定することなく、所定のウエハ厚さに精密に研磨することができる。また、研磨の際に使用する研磨パッドの直径をウエハ径より小さくし、研磨パッドの回転軸をウエハの中心に合わせて研磨することにより、ウエハの最外周に研磨されない厚い部分を残すことにより、薄膜化されたウエハを強度的に補強するリブ（丘）とすることができるので好ましい。
【００４２】
ウエハの最外周に厚い部分として残すリブの幅は２μｍ〜５μｍ程度が好ましい。このリブの部分はウエハを最終的にダイシングによりチップに分割する際に邪魔になるので、リブ部分のみ、円周状に切り落としてもよい。切り落とす方法としては、通常のブレードダイシングでもよいし、レーザーダイシングなどを用いてもよい。または、リブ部分をウエハの最外周から径を短縮する方向に研削により削り落とすこともできる。さらに、再度、リブが突出しているウエハの裏面側からＣＭＰ研磨により、リブ部分のみ削り落とすこともできる。
【符号の説明】
【００４３】
１      ウエハ、半導体基板
２      ウエハ、半導体基板
３      ストッパー酸化膜
４      接着テープ
５      保持リング
６      ウエハホルダー
７      回転軸
８      研磨パッド
９      テーブル
１０    回転軸
１１    スラリー供給孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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