(57)【要約】【課題】常温時および加熱時の両方において半導体パッケージの反りを抑制することができるインターポーザ用の金属張積層板とそれを用いた半導体パッケージを提供する。【解決手段】基材のガラスクロスを含有する絶縁樹脂層と、最外面に設けられた金属箔とを少なくとも含む片面封止の半導体パッケージのインターポーザ用の金属張積層板であって、絶縁樹脂層における絶縁樹脂が熱硬化性樹脂および無機充填材を必須成分として含有し、絶縁樹脂のＤＭＡ法によるガラス転移温度が２４０〜３１０℃であり、２５０℃における金属箔を除いた部分の曲げ弾性率が１０ＧＰａ以上である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材のガラスクロスを含有する絶縁樹脂層と、最外面に設けられた金属箔とを少なくとも含む片面封止の半導体パッケージのインターポーザ用の金属張積層板であって、絶縁樹脂層における絶縁樹脂が熱硬化性樹脂および無機充填材を必須成分として含有し、絶縁樹脂のＤＭＡ法によるガラス転移温度が２４０〜３１０℃であり、２５０℃における金属箔を除いた部分の曲げ弾性率が１０ＧＰａ以上であることを特徴とする金属張積層板。
【請求項２】
絶縁樹脂層における熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の金属張積層板。
【請求項３】
絶縁樹脂層における絶縁樹脂が、樹脂１００質量部に対して１００〜３００質量部の無機充填材を含有することを特徴とする請求項１または２に記載の金属張積層板。
【請求項４】
請求項１ないし３いずれか一項に記載の金属張積層板に回路を形成したプリント配線板をインターポーザとして備え、インターポーザの半導体チップ搭載面が封止樹脂により封止されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インターポーザ用の金属張積層板とそれを用いた半導体パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラや携帯電話等のモバイル機器を代表とする最近の電子機器では小型化、薄型化、高性能化のニーズがますます高まっている。これに伴い、搭載される半導体パッケージにもさらなる薄型化や微細配線化が要求されている。
【０００３】
このような背景において、ＬＳＩ等の半導体パッケージは挿入実装から表面実装へ、周辺端子からエリア端子へ、そして単独チップから複数チップ積層へと発展し、高密度実装を可能とするＦＢＧＡ（Fine Ball Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Size Package）等に移行してきている。
【０００４】
このような表面実装型の半導体パッケージは、例えば、電子回路を構成するインターポーザの片面に半導体チップを搭載し、その反対側の面に半田ボールを接続して構成される。インターポーザにはガラスエポキシ樹脂等のリジッド基板やポリイミド樹脂等のフレキシブル基板等が用いられている（特許文献１、２参照）。
【０００５】
近年では、上記したような半導体パッケージの薄型化に伴い、インターポーザの厚みも例えば０．２ｍｍ以下と薄くなってきており、そのため剛性が低下して半導体パッケージの反りが問題となっている。半導体パッケージの反りは、マザーボード等の回路基板への実装時に接続不良が発生する要因となる。
【０００６】
この半導体パッケージの反りを低減するために、従来、封止樹脂やインターポーザにおいて各種のアプローチが行われてきたが、半導体パッケージの薄型化に伴い封止樹脂も厚みが小さくなり、封止樹脂からのアプローチだけでは実装時の反りの抑制に一定の限界がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−０３８９０６号公報
【特許文献２】特開２０００−２８６３６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、薄型化している近年の半導体パッケージにおいては、その反りの抑制において従来提案されている方法は必ずしも満足できるものではない。特に、常温時とリフロー等の加熱時の両方において半導体パッケージの反りを適切に抑制することは困難であった。
【０００９】
すなわち、封止成形後、常温では半導体チップよりもインターポーザの収縮が大きいため、インターポーザ側が凹むように反りが発生する。一方、リフロー等の加熱時には、片面フルモールドの半導体パッケージの場合、封止樹脂の熱膨張の方がインターポーザの熱膨張よりも大きくなるため、同様の反りが発生する。そしてこれらの２種類の反りを同時に抑制するのに有効な技術は未だ提案されていない。
【００１０】
本発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、常温時および加熱時の両方において半導体パッケージの反りを抑制することができるインターポーザ用の金属張積層板とそれを用いた半導体パッケージを提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記の課題を解決するために、以下のことを特徴としている。
【００１２】
第１に、本発明の金属張積層板は、基材のガラスクロスを含有する絶縁樹脂層と、最外面に設けられた金属箔とを少なくとも含む片面封止の半導体パッケージのインターポーザ用の金属張積層板であって、絶縁樹脂層における絶縁樹脂が熱硬化性樹脂および無機充填材を必須成分として含有し、絶縁樹脂のＤＭＡ法によるガラス転移温度が２４０〜３１０℃であり、２５０℃における金属箔を除いた部分の曲げ弾性率が１０ＧＰａ以上である。
【００１３】
第２に、上記第１の金属張積層板において、絶縁樹脂層における熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である。
【００１４】
第３に、上記第１または第２の金属張積層板において、絶縁樹脂層における絶縁樹脂が、樹脂１００質量部に対して１００〜３００質量部の無機充填材を含有する。
【００１５】
第４に、本発明の半導体パッケージは、上記第１ないし第３のいずれかの金属張積層板に回路を形成したプリント配線板をインターポーザとして備え、インターポーザの半導体チップ搭載面が封止樹脂により封止されている。
【発明の効果】
【００１６】
上記第１の発明によれば、絶縁樹脂層における絶縁樹脂が熱硬化性樹脂および無機充填材を必須成分として含有することで、絶縁樹脂のガラス転移温度を２４０〜３１０℃とし、２５０℃における曲げ弾性率を１０ＧＰａ以上としている。そして絶縁樹脂のガラス転移温度を２４０〜３１０℃とすることで、封止成形後において、常温でのインターポーザの収縮による半導体パッケージの反りを抑制できる。さらに、２５０℃における曲げ弾性率を１０ＧＰａ以上とすることで、リフロー等の加熱時におけるインターポーザの曲げ弾性率の加熱による低下を最小限とし、インターポーザの剛性により封止樹脂の熱膨張を抑制し、加熱時の反りを抑制できる。このように、本発明によれば、常温時および加熱時の両方において半導体パッケージの反りを抑制することができる。
【００１７】
上記第２の発明によれば、絶縁樹脂層における熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であることで、上記第１の発明の効果に加え、耐熱性や接着特性に優れ、また、ガラスクロスを基材として用い、絶縁樹脂のガラス転移温度を２４０〜３１０℃とし、２５０℃における曲げ弾性率を１０ＧＰａ以上とする構成にも適している。
【００１８】
上記第３の発明によれば、絶縁樹脂層における絶縁樹脂が、樹脂１００質量部に対して１００〜３００質量部の無機充填材を含有することで、上記第１および第２の発明の効果に加え、２５０℃における曲げ弾性率を１０ＧＰａ以上とし、また熱膨張係数を大きく低減することができ、流動特性も満足することができる。
【００１９】
上記第４の発明によれば、上記第１ないし第３の金属張積層板に回路を形成したプリント配線板をインターポーザとして備えているので、常温時および加熱時の両方において半導体パッケージの反りを抑制することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２１】
本発明の金属張積層板を作製するための樹脂組成物に用いられる樹脂は、熱硬化性樹脂および無機充填材が必須成分として配合される。熱硬化性樹脂としては、電子絶縁材料として用いることができるものであれば特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等を用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、これらの熱硬化性樹脂とともに、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂を併用することができる。
【００２２】
無機充填材としては、特に限定されないが、例えば、球状シリカ、溶融シリカ、天然シリカ、合成シリカ等のシリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ガラス粉末、タルク、焼成タルク、カオリン、焼成カオリン、クレー、焼成クレー等を用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２３】
これらの無機充填材は、シランカップリング剤等により表面処理が施されているものであってもよく、このような表面処理を施すことにより樹脂との界面強度を向上させることができる。
【００２４】
無機充填材は、例えば、平均粒径が０．０５〜３０μｍのものを用いることができる。平均粒径が小さ過ぎると流動特性等が低下する場合があり、平均粒径が大き過ぎると樹脂組成物のワニス中の異物除去のためのフィルター工程において目詰まりを起こす可能性がある。なお、平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザ回折・散乱法により測定することができ、具体的にはレーザ回折式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成してメディアン径（ｄ５０）を測定し、このメディアン径を平均粒径とすることができる。
【００２５】
無機充填材の配合量は、樹脂（熱硬化性樹脂、硬化剤、および硬化促進剤）１００質量部に対して、好ましくは１００〜３００質量部である。無機充填材の配合量をこの範囲内とすることで、２５０℃における曲げ弾性率を１０ＧＰａ以上とし、また熱膨張係数を大きく低減することができ、流動特性も満足することができる。
【００２６】
樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲内において、上記の樹脂および無機充填材に加えて他の成分を配合することができる。このような他の成分としては、例えば、プリント配線板用の樹脂組成物に従来より配合されている硬化剤、硬化促進剤、改質材、有機溶剤等が挙げられる。
【００２７】
本発明では、樹脂組成物として、耐熱性や接着特性に優れ、また、ガラスクロスを基材として用い、絶縁樹脂のガラス転移温度を２４０〜３１０℃とし、２５０℃における曲げ弾性率が１０ＧＰａ以上とする本発明の構成にも適していることから、エポキシ樹脂組成物が好ましく用いられる。
【００２８】
このエポキシ樹脂組成物に配合されるエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等の２官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂等のビフェニル型エポキシ樹脂、３官能型エポキシ樹脂、４官能型エポキシ樹脂等の多官能型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、およびこれらの臭素化タイプ等を用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２９】
エポキシ樹脂組成物には、硬化剤および、必要に応じて硬化促進剤が配合される。硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、ノボラック型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ジシアンジアミド、酸無水物、アミン類等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。硬化剤は、はんだ耐熱性等を考慮すると、例えば、エポキシ樹脂のエポキシ基１当量に対して、硬化剤の官能基が０．８〜１．２当量の範囲となるように配合することができる。
【００３０】
硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール系化合物、有機リン系化合物、第３級アミン、第４級アンモニウム塩等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３１】
このようなエポキシ樹脂組成物等の樹脂組成物は、上記に例示したような熱硬化性樹脂および無機充填材を配合し、通常は有機溶剤を配合し、さらに必要に応じて他の成分も配合し、これらを例えばミキサー、ナノミル等を用いて均一に混合することにより調製することができる。
【００３２】
そして得られた樹脂組成物を基材に含浸し、乾燥機中で例えば１００〜１８０℃で乾燥させることで、半硬化状態（Ｂ−ステージ）のプリプレグを作製することができる。
【００３３】
基材としては、ガラスクロスが用いられる。基材としてガラスクロスを用いることで、機械強度や寸法安定性が優れた金属張積層板が得られる。例えば、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｓガラス、Ｔガラス、ＮＥガラス、石英等のガラスクロスを用いることができ、開繊処理を施したものや、シランカップリング剤等で表面処理したものであってもよい。ガラスクロスの厚みは、剛性を確保する点等も考慮すると、例えば、１０〜１５０μｍのものが用いられる。
【００３４】
上記のようにして得られたプリプレグを所要枚数重ね、両面側の最外層のプリプレグに金属箔を重ね、例えば１００〜２００℃、０．５〜５．０ＭＰａ、２０〜２４０分間の条件下で加熱加圧して積層成形することにより金属張積層板を作製することができる。
【００３５】
この金属箔としては、特に限定されないが、例えば、銅箔、銀箔、アルミニウム箔、ステンレス箔等を用いることができる。金属箔の厚みは、好ましくは３〜１８μｍである。
【００３６】
また、上記の金属張積層板のように上記のプリプレグを用いて絶縁樹脂層を形成した内層回路板を用いて、この内層回路板の両外面にプリプレグを重ね、さらに金属箔を重ねて、これを加熱加圧成形することにより、多層の金属張積層板を作製することができる。内層回路板は、両外面に導体回路層を形成しこれらをスルーホール等により導通したものであり、内層回路板の導体回路の表面は黒化処理等により予め粗化処理が施されていることが絶縁樹脂層との密着性を向上させる点から好ましい。
【００３７】
以上のようにして得られる、基材のガラスクロスを含有する絶縁樹脂層と、最外面に設けられた金属箔とを少なくとも含む本発明のインターポーザ用の金属張積層板は、その厚みが好ましくは０．２ｍｍ以下、より好ましくは０．０３〜０．２ｍｍである。このように、インターポーザとして必要な特性を満足し得る範囲内において厚みを小さくした金属張積層板において、特に半導体パッケージの反りを抑制することができる。
【００３８】
本発明の金属張積層板は、絶縁樹脂層における絶縁樹脂のＤＭＡ法によるガラス転移温度が２４０〜３１０℃である。このように、インターポーザとして要求される特性を満足し得る範囲内で絶縁樹脂のガラス転移温度を高くすることで、封止成形後において、常温でのインターポーザの収縮による半導体パッケージの反りを抑制できる。
【００３９】
また、本発明の金属張積層板は、２５０℃における金属箔を除いた部分の曲げ弾性率が１０ＧＰａ以上、好ましくは１０〜３０ＧＰａであるである。このように、インターポーザとして要求される特性を満足し得る範囲内で曲げ弾性率を大きくすることで、リフロー等の加熱時において、インターポーザの剛性により封止樹脂の熱膨張を抑制し、加熱時の反りを抑制できる。
【００４０】
そして、上記のようにして作製した本発明の金属張積層板に、必要に応じてスルーホール等の形成のための穴あけやめっきを施し、両面の金属箔に回路を形成する。半導体チップの搭載面にはボンディングパッド等の端子部が設けられ、その反対面にはボールパッド等の端子部が設けられ、これらはスルーホール等により接続される。さらに必要に応じてソルダーレジストの被覆や端子めっき等を行い、プリント配線板としてインターポーザを作製することができる。
【００４１】
このインターポーザには、ＩＣチップ、ＬＳＩチップ等の半導体チップが搭載される。そして半導体チップの搭載面をエポキシ樹脂等の封止樹脂により封止し、裏面にはボールパッドにはんだボールを溶融固定することにより、半導体パッケージを作製することができる。
【００４２】
封止には、従来より封止用に用いられているエポキシ樹脂組成物を用いることができる。この封止には、トランスファ成形等の従来より用いられている成形方法を適用することができる。トランスファ成形の場合、例えば、金型温度１７０〜１８０℃、成形時間３０〜１２０秒にて成形し、その後に後硬化を行う。後硬化の条件は、特に限定されないが、例えば、１７５℃、６時間程度で行うことができる。
【００４３】
半導体パッケージとしては、表面実装型のパッケージ、例えば、ＦＢＧＡ（Fine Pitch Ball Grid Array）等のＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Size Package）等が挙げられる。
【００４４】
例えば、電極パッドを備えた半導体チップを、電極パッドを有する面を上に向けて、インターポーザにポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を主成分とするダイアタッチフィルムや導電ペースト等の接着層を介して接着する。そして半導体チップの電極パッドとインターポーザ表面のボンディングパッドとをワイヤでボンディングする。その後、半導体チップが搭載されたインターポーザの表面に封止樹脂を成形し、半導体チップやワイヤ等とともに封止樹脂で一体に封止する。
【００４５】
あるいは、インターポーザ表面の端子にバンプを介して半導体チップを搭載し、バンプ間の間隙にアンダーフィルを塗布、充填した後、加熱硬化し、その後、半導体チップ全体の封止を行う。これにより、フリップチップ実装による半導体パッケージを作製することができる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
＜実施例１＞
[プリプレグ用の樹脂組成物の調製]
樹脂組成物として、次のエポキシ樹脂組成物を調製した。エポキシ樹脂として日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ５０２Ｈ」（サリチルアルデヒド型エポキシ樹脂）を１００質量部配合し、硬化剤として明和化成（株）製「ＭＥＨ７６００Ｈ」（多官能フェノール樹脂）を５９質量部、硬化促進剤として四国化成工業（株）製「２Ｅ４ＭＺ」（２−エチル−４−メチルイミダゾール）を０．１質量部、無機充填材として（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」（球状シリカ、平均粒径：約０．５μｍ）を１７０質量部配合し、有機溶剤のＭＥＫ（メチルエチルケトン）で希釈したものを攪拌、均一化し、エポキシ樹脂組成物のワニスを得た。
[プリプレグの作製]
基材として、ガラスクロス（日東紡績株式会社製「ＷＥＡ１０７８」、厚み６０μｍ、および「ＷＥＡ１１６Ｅ」、厚み１００μｍ）を用い、このガラスクロスに上記のエポキシ樹脂組成物のワニスを室温にて含浸させ、その後、約１３０〜１７０℃で加熱することにより、ワニス中の有機溶剤を乾燥除去し、エポキシ樹脂組成物を半硬化させることによりプリプレグを作製した。プリプレグにおける樹脂量は、厚み６０μｍのガラスクロス１００質量部に対して樹脂１１０質量部、厚み１００μｍのガラスクロス１００質量部に対して樹脂１００質量部となるように調整した。
[銅張積層板の作製]
上記のようにして製造したプリプレグを１枚重ね、さらにこのプリプレグの両面に銅箔（三井金属鉱業（株）製「３ＥＣＶＬＰ１２」、厚み１２μｍ）を重ね、２００℃、３ＭＰａ、１８０分の条件で加熱加圧成形し、厚み８０μｍ（銅箔を除く厚み６０μｍ）の銅張積層板を作製した。
[半導体パッケージの作製]
銅張積層板に穴あけおよび銅めっきを行うことによりスルーホールを形成し、さらに、サブトラクティブ法により銅張積層板の両面の銅箔をパターンニングして回路を形成した。このプリント配線板に、端子以外の回路部分にソルダーレジストを塗布、硬化し、端子めっきを施し、インターポーザを作製した。
【００４７】
このインターポーザに半導体チップとして８×１１×０．０８ｍｍのチップをダイアタッチメントフィルムで接着し、インターポーザのボンディングパッドとワイヤボンディングした後、チップ搭載側の片面に封止樹脂としてパナソニック電工（株）製ＣＶ８７１０ＭＬＥを用いて成形条件１７５℃、９０秒でトランスファ成形し、その後１７５℃で６時間アフターベーキング（後硬化）し、厚み０．３０ｍｍ、幅１４×１４ｍｍの半導体パッケージを作製した。
＜実施例２＞
樹脂組成物として、次のエポキシ樹脂組成物を調製した。エポキシ樹脂として日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ５０２Ｈ」を５６質量部、東都化成（株）製「ＺＸ−１２５７」（ジシクロペンタジエン含有２官能エポキシ樹脂）を４４質量部配合し、硬化剤として明和化成（株）製「ＭＥＨ７６００Ｈ」を５０質量部、硬化促進剤として四国化成工業（株）製「２Ｅ４ＭＺ」を０．１質量部、無機充填材として（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」を２２０質量部配合し、有機溶剤のＭＥＫで希釈したものを攪拌、均一化し、エポキシ樹脂組成物のワニスを得た。
【００４８】
それ以外は実施例１と同様にしてプリプレグ、銅張積層板、および半導体パッケージを作製した。
＜実施例３＞
樹脂組成物として、次のエポキシ樹脂組成物を調製した。エポキシ樹脂として日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ５０２Ｈ」を６３質量部、ジャパンエポキシレジン（株）製「ＹＸ−４０００Ｈ」（ビフェニル型エポキシ樹脂）を３７質量部配合し、硬化剤として明和化成（株）製「ＭＥＨ７６００Ｈ」を５６質量部、硬化促進剤として四国化成工業（株）製「２Ｅ４ＭＺ」を０．１質量部、無機充填材として（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」を３００質量部配合し、有機溶剤のＭＥＫで希釈したものを攪拌、均一化し、エポキシ樹脂組成物のワニスを得た。
【００４９】
それ以外は実施例１と同様にしてプリプレグ、銅張積層板、および半導体パッケージを作製した。
＜比較例１＞
樹脂組成物として、次のエポキシ樹脂組成物を調製した。エポキシ樹脂として日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ５０２Ｈ」を５０質量部、東都化成（株）製「ＺＸ−１２５７」を５０質量部配合し、硬化剤として明和化成（株）製「ＭＥＨ７６００Ｈ」を４９質量部、硬化促進剤として四国化成工業（株）製「２Ｅ４ＭＺ」を０．１質量部、無機充填材として（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」を５０質量部配合し、有機溶剤のＭＥＫで希釈したものを攪拌、均一化し、エポキシ樹脂組成物のワニスを得た。
【００５０】
それ以外は実施例１と同様にしてプリプレグ、銅張積層板、および半導体パッケージを作製した。
＜比較例２＞
樹脂組成物として、次のエポキシ樹脂組成物を調製した。エポキシ樹脂として日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ５０２Ｈ」を１０質量部、東都化成（株）製「ＺＸ−１２５７」を９０質量部配合し、硬化剤として明和化成（株）製「ＭＥＨ７６００Ｈ」を４１質量部、硬化促進剤として四国化成工業（株）製「２Ｅ４ＭＺ」を０．１質量部、無機充填材として（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」を１４０質量部配合し、有機溶剤のＭＥＫで希釈したものを攪拌、均一化し、エポキシ樹脂組成物のワニスを得た。
【００５１】
それ以外は実施例１と同様にしてプリプレグ、銅張積層板、および半導体パッケージを作製した。
【００５２】
上記の実施例および比較例について次の測定および評価を行った。
[ガラス転移温度]
ＩＰＣ ＴＭ−６５０に準拠して昇温速度５℃／分、曲げモードの条件でガラス転移温度（ＤＭＡ法）を測定した。なお、サンプルの厚みは０．８ｍｍで厚み１００μｍのガラスクロスを８枚積層した。
[加熱時の曲げ弾性率]
銅張積層板から銅箔を除去し、このものを長さ１００ｍｍ、幅２５ｍｍに切断し、ＪＩＳ Ｃ６４８１に準じて、２５０℃の雰囲気下で曲げ弾性率の測定を行った。なお、サンプルの厚みは０．８ｍｍで厚み１００μｍのガラスクロスを８枚積層した。
[パッケージの反り]
アクロメトリックス社製シャドーモアレにより、半導体パッケージに３０〜２６０℃の熱履歴をかけたときのパッケージ反りを１０℃おきに測定し、それらの値の最大値から最小値を引いた値により評価した。
【００５３】
評価結果を表１に示す。
【００５４】
【表１】
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【００５５】
表１より、絶縁樹脂のガラス転移温度を２４０〜３１０℃とし、かつ、２５０℃における曲げ弾性率を１０ＧＰａ以上とした銅張積層板を用いた実施例１〜３では、常温および加熱時の両方において半導体パッケージの反りが抑制された。
【００５６】
これに対して、曲げ弾性率が１０ＧＰａ未満である比較例１、および絶縁樹脂のガラス転移温度が２４０℃未満である比較例２では、常温および加熱時のいずれかにおいて半導体パッケージに大きな反りが発生した。