(57)【要約】【課題】水晶振動子、およびセラミック振動子にて、従来の方法では信号の波形歪みが生じ、また、最適な振幅にすることが困難である。そこで、波形歪みを改善し、最適な振幅にすることができる濾波装置を提供する。【解決手段】電気信号を発振し所望の周波数を生成する発振部（１１）と、発振部（１１）によって発振された電気信号を濾過し緩衝信号を生成する第１濾波部（１２）と、第１濾波部（１２）に直列に接続し電気信号を生成する半導体部（９）と、半導体部（９）によって生成された電気信号を濾過し緩衝信号を生成する第２濾波部（１３）と、を有し、第２濾波部（１３）は、発振部（１１）と直列に接続する濾波装置。【選択図】図１
2011155558.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気信号を発振し所望の周波数を生成する発振部と、
前記発振部によって発振された電気信号を濾過し緩衝信号を生成する第１濾波部と、
を有し、
前記第１濾波部は、半導体部に直列に接続することを特徴とする濾波装置。
【請求項２】
電気信号を生成する半導体部と、
前記半導体部によって生成された電気信号を濾過し、緩衝信号を生成する第２濾波部と、
を有し、
前記第２濾波部は、発振部と直列に接続することを特徴とする濾波装置。
【請求項３】
電気信号を発振し所望の周波数を生成する発振部と、
前記発振部によって発振された電気信号を濾過し緩衝信号を生成する第１濾波部と、
前記第１濾波部に直列に接続し電気信号を生成する半導体部と、
前記半導体部によって生成された電気信号を濾過し緩衝信号を生成する第２濾波部と、
を有し、
前記第２濾波部は、前記発振部と直列に接続することを特徴とする濾波装置。
【請求項４】
第１濾波部は、発振部の高調波信号を低下させることを特徴とする請求項１記載の濾波装置。
【請求項５】
第２濾波部は、半導体部の高調波信号を低下させることを特徴とする請求項２記載の濾波装置。
【請求項６】
第１濾波部は、抵抗、インダクタ、およびコンデンサのうち、少なくとも２種類を含むことを特徴とする請求項１記載の濾波装置。
【請求項７】
第２濾波部は、抵抗、インダクタ、およびコンデンサのうち、少なくとも２種類を含むことを特徴とする請求項２記載の濾波装置。
【請求項８】
第１濾波部は、前記発振器の振幅レベルを変化させることを特徴とする請求項１記載の濾波装置。
【請求項９】
第２濾波部は、前記半導体部の振幅レベルを変化させることを特徴とする請求項２記載の濾波装置。
【請求項１０】
第１濾波部は、低歪みとなる緩衝信号１を生成することを特徴とする請求項１記載の濾波装置。
【請求項１１】
第２濾波部は、低歪みとなる緩衝信号２を生成することを特徴とする請求項２記載の濾波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動子を含む発振回路の技術に関し、さらに詳しくは濾波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶を用いた振動子、またはセラミック素材を用いた振動子において、発振回路を内蔵した半導体からの信号を水晶振動子、またはセラミック振動子へ入力した場合に、水晶振動子、またはセラミック振動子から一定周波数で信号が出力され、再度半導体に入力される。この一連の動作によって、安定した周波数の信号源として、幅広い機器に用いられている。この場合、低歪みで且つ安定した振幅が必要とされる。特に近年、ＥＭＣという観点からも、水晶振動子、またはセラミック振動子から輻射される高調波スプリアスレベルが問題となる。もし水晶振動子、またはセラミック振動子から半導体へ、または半導体から水晶振動子、またはセラミック振動子へ信号を入力する際、波形歪みが大きく、高調波スプリアスレベルが大きいとした場合に、不要輻射として自由空間中に放射されてしまう問題が生ずる。これを防ぐ為に、水晶振動子、またはセラミック振動子を用いた回路には低歪みとなる回路接続、並びに低レベルな不要輻射確保の為に高調波減衰を可能とするフィルタが必要とされている。
【０００３】
従来の水晶振動子、またはセラミック振動子で用いている歪み改善は、振動子の入出力部直近に、並列コンデンサが設けられており、容量値を変化させる事で波形歪みを是正している。また、入出力部直近の並列コンデンサの後には直列抵抗が設けられ、更には入出力部に跨るように並列抵抗も、波形振幅を調整する為に設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−５２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の水晶振動子、またはセラミック振動子で用いている方法では、信号の振幅を変えることしかできず、波形歪みを抑えることができない。その為、歪みによる高調波が自由空間中に不要に放射されてしまい、ＥＭＣ特性を劣化させている問題点がある。また、大きく歪む信号波形の場合、それを入力する半導体のラッチミスなどの問題も発生する。
【０００６】
本発明は、前記従来の問題を解決し、水晶振動子、またはセラミック振動子の出力部および半導体の入力部にてフィルタを設け、又は、半導体の出力部および水晶振動子の入力部にて更にフィルタを設けることにより、信号の振幅を最適にし、且つ波形の歪みを低減させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した目的を達成する為に、本発明の濾波装置は、水晶振動子、またはセラミック振動子で発振された電気信号１を濾過して緩衝信号１を生成する第１濾波部を有し、第１濾波部は、半導体部に直列に接続することを特徴としている。
【０００８】
また、本発明の濾波装置は、前記半導体部で生成された電気信号２を濾過して緩衝信号２を生成する第２濾波部を有し、第２濾波部は、前記発振部と直列に接続することを特徴としている。
【０００９】
本発明の濾波装置によれば、前記緩衝信号１と、さらに前記緩衝信号２から生じる不要輻射レベルが、低下する。
【００１０】
また、本発明の濾波装置は、前記第１濾波部が、抵抗、インダクタ、およびコンデンサのうち、少なくとも２種類を含むことを特徴としている。
【００１１】
また、本発明の濾波装置は、前記第２濾波部が、抵抗、インダクタ、およびコンデンサのうち、少なくとも２種類を含むことを特徴としている。
【００１２】
また、本発明の濾波装置は、前記第１濾波部が、前記発振器の振幅レベルを変化させることを特徴としている。
【００１３】
また、本発明の濾波装置は、前記第２濾波部が、前記半導体部の振幅レベルを変化させることを特徴としている。
【００１４】
本発明の濾波装置によれば、前記第１濾波部は、低歪みとなる前記緩衝信号１を生成することができる。
【００１５】
また、本発明の濾波装置によれば、前記第２濾波部は、低歪みとなる前記緩衝信号２を生成することができる。
【００１６】
また、本発明の濾波装置は、第１濾波部が、π型フィルタとなっており、並列接続のコンデンサと、後段には直列接続のインダクタ、またその後段には並列接続のコンデンサで接続されている。並びに第２濾波部も同様にπ型フィルタとなっており、並列接続のコンデンサと、後段には直列接続の抵抗、またその後段には並列接続のコンデンサで接続されている。
【００１７】
なお、第１濾波部および第２濾波部は、Ｔ型フィルタでも実現することができる。
【００１８】
また、第１濾波部および第２濾波部は、逆Ｌ型フィルタでも実現することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る濾波装置によれば、第１濾波部の後段で接続される、半導体部のインピーダンスがもたらす振幅異常や波形歪みを抑えることもできる。また、発振部後段にて接続された第１濾波部により、前段の発振部出力で生じる負性抵抗特性による負荷変動を、抑えることができる。
【００２０】
更に、半導体部後段にて接続された第２濾波部により、前段の半導体部出力のインピーダンスがもたらす振幅異常や波形歪みを、抑えることができる。第２濾波部の後段で接続される、発振部入力で生じる負性抵抗特性による負荷変動を、抑えることができる。
【００２１】
ここで、弟１濾波部または弟２濾波部のどちらか１つの対策のみでも、振幅適正作用および歪み低減作用の効果はある。しかし、第１濾波部を入れるだけで、第２濾波部を抵抗のみとした場合、半導体部後段の抵抗からの出力、即ち、発振部の入力での振幅は不適切、且つ波形歪みが生じたままであり、第２濾波部を入れるだけで、第１濾波部を抵抗のみとした場合、発振部後段の抵抗からの出力、即ち、半導体部の入力での振幅は不適切、且つ波形歪みが生じたままである。両方の濾波部を入れることにより、更に発振部の入出力で生じる負性抵抗特性による負荷変動を抑えることができ、且つ半導体部の入出力で生じるインピーダンスとの整合により、振幅レベルを最適化でき、またフィルタ効果による高調波抑制も可能となる。
【００２２】
高調波抑制を行うことにより、不要輻射も低減でき、自由空間中に放射することは無くなる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態１における濾波装置の回路図
【図２】本発明の実施形態１の変形例１における濾波装置の回路図
【図３】本発明の実施形態１の変形例２における濾波装置の回路図
【図４】本発明の実施形態１の変形例３における濾波装置の回路図
【図５】本発明の実施形態１の変形例４における濾波装置の回路図
【図６】本発明の実施形態１の変形例５における濾波装置の回路図
【図７】本発明の実施形態１の変形例６における濾波装置の回路図
【図８】本発明の実施形態２における濾波装置の回路図
【図９】本発明の実施形態２の変形例１における濾波装置の回路図
【図１０】本発明の実施形態２の変形例２における濾波装置の回路図
【図１１】本発明の実施形態３における濾波装置の回路図
【図１２】本発明の実施形態３の変形例１における濾波装置の回路図
【図１３】本発明の実施形態３の変形例２における濾波装置の回路図
【図１４】本発明の実施形態３の変形例３における濾波装置の回路図
【図１５】本発明の実施形態３の変形例４における濾波装置の回路図
【図１６】従来方法による回路での測定結果１を示す図
【図１７】本発明の実施形態１における濾波装置を用いた測定結果２を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を実施する為の最良の形態に関する幾つかの例について、図面を参照しながら説明する。なお図面において、実質的に同一の構成、動作、および効果を表す要素については、同一の符号を付す。また以下において記述される数字は、すべて本発明を具体的に説明する為に例示するものであり、本発明は例示された数字に制限されない。更に、構成要素間の接続関係は、本発明を具体的に説明する為に例示するものであり、本発明の機能を実現する接続関係はこれに限定されない。
【００２５】
（実施形態１）
図１は本発明の実施形態１の濾波装置の回路構成図であり、実施形態１に係る濾波装置は、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。第１濾波部（１２）は、並列接続のコンデンサ（３）と、後段には直列接続のインダクタ（５）、またその後段には並列接続のコンデンサ（４）で構成されている。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。第２濾波部（１３）は、並列接続のコンデンサ（６）と、後段には直列接続の抵抗（８）、またその後段には並列接続のコンデンサ（７）で構成されている。また、発振部（１１）内のコンデンサ（１）と、第１濾波部（１２）内のコンデンサ（３）を、合成容量とした場合、且つ発振部（１１）内のコンデンサ（２）と、第２濾波部（１３）内のコンデンサ（７）を、合成容量とした場合も、同様にフィルタ効果による高調波抑制が可能である。
【００２６】
発振部（１１）の後段で直列接続される第１濾波部（１２）は、発振部（１１）にて生じる負性抵抗特性による負荷変動を抑えることができ、且つ第１濾波部（１２）の後段に直列接続される半導体部（９）の入力で生じるインピーダンスとの整合により、振幅レベルを最適化でき、またフィルタ効果による高調波抑制が可能となる。
【００２７】
次に、図１の構成を別の観点から説明する。発振部（１１）は、振動子（１０）で所望の周波数を生成し、出力部コンデンサ（１）と入力部コンデンサ（２）で構成される。出力部コンデンサ（１）は、電気信号１（Ａ）の波形歪みを低減させる為に、入力部コンデンサ（２）は、緩衝信号２（Ｄ）の波形歪みを更に低減させる為に設けている。出力部コンデンサ（１）で生成された電気信号１（Ａ）は、第１濾波部（１２）における並列接続されたコンデンサ（３）に入力し、充電される。その後、直列接続されたインダクタ（５）を通過して、並列接続されたコンデンサ（４）に充電される。この第１濾波部における一連の動作より、ローパスフィルタが成り立ち、コンデンサ（３）、インダクタ（５）、コンデンサ（４）の定数によって、カットオフ周波数が決まるので、通過させる電気信号１（Ａ）の高調波を制限、または調整でき、高調波成分を減衰することが可能となる。
【００２８】
第１濾波部（１２）の出力部にて前段の発振部（１１）より生じる負荷変動を抑えることができ、また第１濾波部（１２）と後段の半導体部（９）にてインピーダンスマッチングが取れた場合、緩衝信号１（Ｂ）の振幅は減衰することが無く、且つ波形歪みも生じることが無い。その結果、第１濾波部（１２）から出力される緩衝信号１（Ｂ）は、高調波成分に抑制が掛かったものとなり、その後段の半導体部（９）に入力される。
【００２９】
更に、半導体部（９）は、内部で所望の周波数を生成し、電気信号２（Ｃ）として出力される。半導体部（９）の後段には、第２濾波部（１３）が設けられており、半導体部（９）から出力された電気信号２（Ｃ）は、第２濾波部（１３）における並列接続されたコンデンサ（６）に入力し、充電される。その後、直列接続された抵抗（８）を通過して、並列接続されたコンデンサ（７）に充電される。この第２濾波部（１３）における一連の動作より、ローパスフィルタが成り立ち、コンデンサ（６）、抵抗（８）、コンデンサ（７）の定数によって、カットオフ周波数が変化するので、通過させる電気信号２（Ｃ）の高調波を制限、または調整でき、高調波成分を減衰することが可能となる。更に、第２濾波部（１３）の出力部にて後段の発振部（１１）より生じる負荷変動を抑えることができ、第２濾波部（１３）と前段の半導体部（９）にてインピーダンスマッチングが取れた場合、緩衝信号２（Ｄ）の振幅は減衰することが無い。その緩衝信号２（Ｄ）は、発振部（１１）に設けられている入力部コンデンサ（２）により、波形歪みを更に低減させ、振動子（１０）に入力される。
【００３０】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【００３１】
（実施形態１の変形例１）
実施形態１の変形例１では、実施形態１と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、実施形態１と同等であるので、説明を省略する。図２は実施形態１に係る濾波装置の変形例１の回路構成図である。
【００３２】
本変形例に係る濾波装置には、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。第１濾波部（１２）は、並列接続のコンデンサ（３）と、後段には直列接続のインダクタ（５）、またその後段には並列接続のコンデンサ（４）で構成されている。また、発振部（１１）内のコンデンサ（１）と、第１濾波部（１２）内のコンデンサ（３）を、合成容量とした場合、且つ発振部（１１）内のコンデンサ（２）と、第２濾波部（１３）内のコンデンサ（７）を、合成容量とした場合も、同様にフィルタ効果による高調波抑制が可能である。
【００３３】
発振部（１１）の後段で直列接続される第１濾波部（１２）は、発振部（１１）にて生じる負性抵抗特性による負荷変動を抑えることができ、且つ第１濾波部（１２）の後段に直列接続される半導体部（９）の入力で生じるインピーダンスとの整合により、振幅レベルを最適化でき、またフィルタ効果による高調波抑制が可能となる。
【００３４】
更に、半導体部（９）は、内部で所望の周波数を生成し、電気信号２（Ｃ）として出力される。半導体部（９）の後段には、第２濾波部（１３）が設けられており、半導体部（９）から出力された電気信号２（Ｃ）は、第２濾波部（１３）における並列接続されたコンデンサ（６）に入力し、充電される。その後、直列接続されたインダクタ（１８）を通過して、並列接続されたコンデンサ（７）に充電される。この第２濾波部における一連の動作より、ローパスフィルタが成り立ち、コンデンサ（６）、インダクタ（１８）、コンデンサ（７）の定数によって、カットオフ周波数が決まるので、通過させる電気信号２（Ｃ）の高調波を制限、または調整でき、高調波成分を減衰することが可能となる。更に、第２濾波部（１３）の出力部にて後段の発振部（１１）より生じる負荷変動を抑えることができ、第２濾波部（１３）と前段の半導体部（９）にてインピーダンスマッチングが取れた場合、緩衝信号２（Ｄ）の振幅は減衰することが無い。その緩衝信号２（Ｄ）は、発振部（１１）に設けられている入力部コンデンサ（２）により、波形歪みを更に低減させ、振動子（１０）に入力される。
【００３５】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【００３６】
（実施形態１の変形例２）
実施形態１の変形例２では、実施形態１の変形例１と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、実施形態１と同等であるので、説明を省略する。図３は実施形態１に係る濾波装置の変形例２の回路構成図である。
【００３７】
本変形例に係る濾波装置には、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。第１濾波部は、並列接続のコンデンサ（３）と、後段には直列接続の抵抗（１５）、またその後段には並列接続のコンデンサ（４）で構成されている。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。また、発振部（１１）内のコンデンサ（１）と、第１濾波部（１２）内のコンデンサ（３）を、合成容量とした場合、且つ発振部（１１）内のコンデンサ（２）と、第２濾波部（１３）内のコンデンサ（７）を、合成容量とした場合も、同様にフィルタ効果による高調波抑制が可能である。
【００３８】
発振部（１１）の後段で直列接続される第１濾波部（１２）は、発振部（１１）にて生じる負性抵抗特性による負荷変動を抑えることができ、且つ第１濾波部（１２）の後段に直列接続される半導体部（９）の入力で生じるインピーダンスとの整合により、振幅レベルを最適化でき、またフィルタ効果による高調波抑制が可能となる。
【００３９】
更に、半導体部（９）は、内部で所望の周波数を生成し、電気信号２（Ｃ）として出力される。半導体部（９）の後段には、第２濾波部（１３）が設けられており、半導体部（９）から出力された電気信号２（Ｃ）は、第２濾波部（１３）における並列接続されたコンデンサ（６）に入力し、充電される。その後、直列接続されたインダクタ（１８）を通過して、並列接続されたコンデンサ（７）に充電される。この第２濾波部における一連の動作より、ローパスフィルタが成り立ち、コンデンサ（６）、インダクタ（１８）、コンデンサ（７）の定数によって、カットオフ周波数が決まるので、通過させる電気信号２（Ｃ）の高調波を制限、または調整でき、高調波成分を減衰することが可能となる。更に、第２濾波部（１３）の出力部にて後段の発振部（１１）より生じる負荷変動を抑えることができ、第２濾波部（１３）と前段の半導体部（９）にてインピーダンスマッチングが取れた場合、緩衝信号２（Ｄ）の振幅は減衰することが無い。その緩衝信号２（Ｄ）は、発振部（１１）に設けられている入力部コンデンサ（２）により、波形歪みを更に低減させ、振動子（１０）に入力される。
【００４０】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【００４１】
（実施形態１の変形例３）
実施形態１の変形例３では、実施形態１の変形例２と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、実施形態１と同等であるので、説明を省略する。図４は実施形態１に係る濾波装置の変形例３の回路構成図である。
【００４２】
本変形例に係る濾波装置には、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。第１濾波部は、並列接続のコンデンサ（３）と、後段には直列接続の抵抗（１５）、またその後段には並列接続のコンデンサ（４）で構成されている。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。第２濾波部（１３）は、並列接続のコンデンサ（６）と、後段には直列接続の抵抗（８）、またその後段には並列接続のコンデンサ（７）で構成されている。また、発振部（１１）内のコンデンサ（１）と、第１濾波部（１２）内のコンデンサ（３）を、合成容量とした場合、且つ発振部（１１）内のコンデンサ（２）と、第２濾波部（１３）内のコンデンサ（７）を、合成容量とした場合も、同様にフィルタ効果による高調波抑制が可能である。
【００４３】
発振部（１１）の後段で直列接続される第１濾波部（１２）は、発振部（１１）にて生じる負性抵抗特性による負荷変動を抑えることができ、且つ第１濾波部（１２）の後段に直列接続される半導体部（９）の入力で生じるインピーダンスとの整合により、振幅レベルを最適化でき、またフィルタ効果による高調波抑制が可能となる。
【００４４】
更に、半導体部（９）は、内部で所望の周波数を生成し、電気信号２（Ｃ）として出力される。半導体部（９）の後段には、第２濾波部（１３）が設けられており、半導体部（９）から出力された電気信号２（Ｃ）は、第２濾波部（１３）における並列接続されたコンデンサ（６）に入力し、充電される。その後、直列接続された抵抗（８）を通過して、並列接続されたコンデンサ（７）に充電される。この第２濾波部における一連の動作より、ローパスフィルタが成り立ち、コンデンサ（６）、抵抗（８）、コンデンサ（７）の定数によって、カットオフ周波数が決まるので、通過させる電気信号２（Ｃ）の高調波を制限、または調整でき、高調波成分を減衰することが可能となる。更に、第２濾波部（１３）の出力部にて後段の発振部（１１）より生じる負荷変動を抑えることができ、第２濾波部（１３）と前段の半導体部（９）にてインピーダンスマッチングが取れた場合、緩衝信号２（Ｄ）の振幅は減衰することが無い。その緩衝信号２（Ｄ）は、発振部（１１）に設けられている入力部コンデンサ（２）により、波形歪みを更に低減させ、振動子（１０）に入力される。
【００４５】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【００４６】
（実施形態１の変形例４）
実施形態１の変形例４では、実施形態１と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、実施形態１と同等であるので、説明を省略する。図５は実施形態１に係る濾波装置の変形例４の回路構成図である。
【００４７】
本変形例に係る濾波装置には、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。第１濾波部は、並列接続のコンデンサ（３）と、後段には直並列接続のインダクタとコンデンサ（２５）、またその後段には並列接続のコンデンサ（４）で構成されている。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。第１濾波部（１２）における直並列接続のインダクタとコンデンサ（２５）では、反共振角周波数が生成されて減衰極が発生し、更にフィルタ減衰量を大きく取ることができる。インダクタとコンデンサの位置は、上下入れ替わってもフィルタ効果に変化は無い。これは、第２濾波部（１３）も同じである。また、発振部（１１）内のコンデンサ（１）と、第１濾波部（１２）内のコンデンサ（３）を、合成容量とした場合、且つ発振部（１１）内のコンデンサ（２）と、第２濾波部（１３）内のコンデンサ（７）を、合成容量とした場合も、同様にフィルタ効果による高調波抑制が可能である。
【００４８】
発振部（１１）の後段で直列接続される第１濾波部（１２）は、発振部（１１）にて生じる負性抵抗特性による負荷変動を抑えることができ、且つ第１濾波部（１２）の後段に直列接続される半導体部（９）の入力で生じるインピーダンスとの整合により、振幅レベルを最適化でき、またフィルタ効果による高調波抑制が可能となる。
【００４９】
更に、半導体部（９）は、内部で所望の周波数を生成し、電気信号２（Ｃ）として出力される。半導体部（９）の後段には、第２濾波部（１３）が設けられており、半導体部（９）から出力された電気信号２（Ｃ）は、第２濾波部（１３）における並列接続されたコンデンサ（６）に入力し、充電される。その後、直並列接続されたインダクタとコンデンサ（２８）を通過して、並列接続されたコンデンサ（７）に充電される。直並列接続のインダクタとコンデンサ（２８）では、反共振角周波数が生成されて減衰極が発生し、更にフィルタ減衰量を大きく取ることができる。インダクタとコンデンサの位置は、上下入れ替わってもフィルタ効果に変化は無い。この第２濾波部における一連の動作より、ローパスフィルタが成り立ち、コンデンサ（６）、インダクタとコンデンサ（２８）、コンデンサ（７）の定数によって、カットオフ周波数が決まるので、通過させる電気信号２（Ｃ）の高調波を制限、または調整でき、高調波成分を減衰することが可能となる。更に、第２濾波部（１３）の出力部にて後段の発振部（１１）より生じる負荷変動を抑えることができ、第２濾波部（１３）と前段の半導体部（９）にてインピーダンスマッチングが取れた場合、緩衝信号２（Ｄ）の振幅は減衰することが無い。その緩衝信号２（Ｄ）は、発振部（１１）に設けられている入力部コンデンサ（２）により、波形歪みを更に低減させ、振動子（１０）に入力される。
【００５０】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【００５１】
（実施形態１の変形例５）
実施形態１の変形例５では、実施形態１と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、実施形態１と同等であるので、説明を省略する。図６は実施形態１に係る濾波装置の変形例５の回路構成図である。
【００５２】
本変形例に係る濾波装置には、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。第１濾波部（１２）は、並列接続のコンデンサ（３）と、後段には直並列接続の抵抗とコンデンサ（３５）、またその後段には並列接続のコンデンサ（４）で構成されている。直並列接続の抵抗とコンデンサ（３５）では、抵抗がコンデンサの尖鋭度を低下させ、その分減衰周波数帯域が広がることができるので、高周波の広い帯域に渡ってフィルタ減衰量を大きく取ることができる。抵抗とコンデンサの位置は、上下入れ替わってもフィルタ効果に変化は無い。これは、第２濾波部も同じである。また、発振部（１１）内のコンデンサ（１）と、第１濾波部（１２）内のコンデンサ（３）を、合成容量とした場合、且つ発振部（１１）内のコンデンサ（２）と、第２濾波部（１３）内のコンデンサ（７）を、合成容量とした場合も、同様にフィルタ効果による高調波抑制が可能である。
【００５３】
発振部（１１）の後段で直列接続される第１濾波部（１２）は、発振部（１１）にて生じる負性抵抗特性による負荷変動を抑えることができ、且つ第１濾波部（１２）の後段に直列接続される半導体部（９）の入力で生じるインピーダンスとの整合により、振幅レベルを最適化でき、またフィルタ効果による高調波抑制が可能となる。
【００５４】
更に、半導体部（９）は、内部で所望の周波数を生成し、電気信号２（Ｃ）として出力される。半導体部（９）の後段には、第２濾波部（１３）が設けられており、半導体部（９）から出力された電気信号２（Ｃ）は、第２濾波部（１３）における並列接続されたコンデンサ（６）に入力し、充電される。その後、直並列接続された抵抗とコンデンサ（３８）を通過して、並列接続されたコンデンサ（７）に充電される。直並列接続の抵抗とコンデンサ（３８）では、抵抗がコンデンサの尖鋭度を低下させ、その分減衰周波数帯域が広がることができるので、高周波の広い帯域に渡ってフィルタ減衰量を大きく取ることができる。インダクタとコンデンサの位置は、上下入れ替わってもフィルタ効果に変化は無い。この第２濾波部（１３）における一連の動作より、ローパスフィルタが成り立ち、コンデンサ（６）、抵抗とコンデンサ（３８）、コンデンサ（７）の定数によって、カットオフ周波数が決まるので、通過させる電気信号２（Ｃ）の高調波を制限、または調整でき、高調波成分を減衰することが可能となる。更に、第２濾波部（１３）の出力部にて後段の発振部（１１）より生じる負荷変動を抑えることができ、第２濾波部（１３）と前段の半導体部（９）にてインピーダンスマッチングが取れた場合、緩衝信号２（Ｄ）の振幅は減衰することが無い。その緩衝信号２（Ｄ）は、発振部（１１）に設けられている入力部コンデンサ（２）により、波形歪みを更に低減させ、振動子（１０）に入力される。
【００５５】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【００５６】
（実施形態１の変形例６）
実施形態１の変形例６では、実施形態１と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、実施形態１と同等であるので、説明を省略する。図７は実施形態１に係る濾波装置の変形例６の回路構成図である。
【００５７】
本変形例に係る濾波装置には、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。第１濾波部（１２）は、並列接続のコンデンサ（３）と、後段には直並列接続の抵抗とインダクタとコンデンサ（４５）、またその後段には並列接続のコンデンサ（４）で構成されている。直並列接続の抵抗とインダクタとコンデンサ（４５）では、インダクタとコンデンサで反共振角周波数が生成されて減衰極が発生し、更に抵抗で尖鋭度を低下させることで、フィルタ減衰量を大きく、且つ減衰周波数帯域を広げることができる。よって、高周波の広い帯域に渡ってフィルタ減衰量を大きく取ることができる。抵抗とインダクタとコンデンサの位置は、それぞれ上下入れ替わってもフィルタ効果に変化は無い。これは、第２濾波部も同じである。また、発振部（１１）内のコンデンサ（１）と、第１濾波部（１２）内のコンデンサ（３）を、合成容量とした場合、且つ発振部（１１）内のコンデンサ（２）と、第２濾波部（１３）内のコンデンサ（７）を、合成容量とした場合も、同様にフィルタ効果による高調波抑制が可能である。
【００５８】
発振部（１１）の後段で直列接続される第１濾波部（１２）は、発振部（１１）にて生じる負性抵抗特性による負荷変動を抑えることができ、且つ第１濾波部（１２）の後段に直列接続される半導体部（９）の入力で生じるインピーダンスとの整合により、振幅レベルを最適化でき、またフィルタ効果による高調波抑制が可能となる。
【００５９】
更に、半導体部（９）は、内部で所望の周波数を生成し、電気信号２（Ｃ）として出力される。半導体部（９）の後段には、第２濾波部（１３）が設けられており、半導体部（９）から出力された電気信号２（Ｃ）は、第２濾波部（１３）における並列接続されたコンデンサ（６）に入力し、充電される。その後、直並列接続された抵抗とインダクタとコンデンサ（４８）を通過して、並列接続されたコンデンサ（７）に充電される。直並列接続の抵抗とインダクタとコンデンサ（４８）では、インダクタとコンデンサで反共振角周波数が生成されて減衰極が発生し、更に抵抗で尖鋭度を低下させることで、フィルタ減衰量を大きく、且つ減衰周波数帯域を広げることができる。よって、高周波の広い帯域に渡ってフィルタ減衰量を大きく取ることができる。抵抗とインダクタとコンデンサの位置は、それぞれ上下入れ替わってもフィルタ効果に変化は無い。この第２濾波部（１３）における一連の動作より、ローパスフィルタが成り立ち、コンデンサ（６）、抵抗とインダクタとコンデンサ（４８）、コンデンサ（７）の定数によって、カットオフ周波数が決まるので、通過させる電気信号２（Ｃ）の高調波を制限、または調整でき、高調波成分を減衰することが可能となる。更に、第２濾波部（１３）の出力部にて後段の発振部（１１）より生じる負荷変動を抑えることができ、第２濾波部（１３）と前段の半導体部（９）にてインピーダンスマッチングが取れた場合、緩衝信号２（Ｄ）の振幅は減衰することが無い。その緩衝信号２（Ｄ）は、発振部（１１）に設けられている入力部コンデンサ（２）により、波形歪みを更に低減させ、振動子（１０）に入力される。
【００６０】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【００６１】
実施形態１の変形例４、変形例５、変形例６において、第１濾波部（１２）および第２濾波部（１３）の組み合わせパターンが入れ替わっても、同じ効果が期待できる。
【００６２】
（実施形態２）
実施形態２では、上述した実施形態と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、上述した実施形態と同等であるので、説明を省略する。図８は実施形態２に係る濾波装置の回路構成図である。
【００６３】
本実施形態に係る濾波装置には、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。第１濾波部（１２）は、Ｔ型フィルタで構成されている。第２濾波部（１３）も、同様にＴ型フィルタで構成されている。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。
【００６４】
次に、図８の構成を別の視点から説明する。第１濾波部（１２）は、直列接続のインダクタ（１４）と、後段には並列接続のコンデンサ（１６）、またその後段には直列接続のインダクタ（１５）で構成されている。直列接続のインダクタ（１４）と並列接続のコンデンサ（１６）にてカットオフ周波数が生じ、この時の時定数τ１が生じる。並列接続のコンデンサ（１６）で充電された電荷は、次に直列接続のインダクタ（１５）へ放電する。この時、時定数τ２が生じる。この場合、このフィルタのカットオフ周波数は、１／（２π×（τ１＋τ２））となり、ローパスフィルタを構成する。これは、第２濾波部（１３）も同じ動作原理である。
【００６５】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【００６６】
（実施形態２の変形例１）
実施形態２の変形例１では、実施形態２と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、実施形態２と同等であるので、説明を省略する。図９は実施形態２に係る濾波装置の変形例１の回路構成図である。
【００６７】
本変形例に係る濾波装置には、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。第１濾波部（１２）は、Ｔ型フィルタで構成されている。第２濾波部（１３）も、同様にＴ型フィルタで構成されている。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。
【００６８】
次に、図９の構成を別の視点から説明する。第１濾波部（１２）は、直列接続のインダクタ（１４）と、後段には並直列接続のインダクタ（２１）とコンデンサ（２２）、またその後段には直列接続のインダクタ（１５）で構成されている。直列接続のインダクタ（１４）と並直列接続のインダクタ（２１）とコンデンサ（２２）にてカットオフ周波数が生じ、この時の時定数τ３が生じる。並列接続のコンデンサ（２２）で充電された電荷は、次に並直列接続のインダクタ（２１）と直列接続のインダクタ（１５）へ放電する。この時、時定数τ４が生じる。この場合、このフィルタのカットオフ周波数は、１／（２π×（τ３＋τ４））となり、ローパスフィルタを構成する。上述した実施形態２よりも、更に時定数が高くなるので、より低い周波数領域でカットオフ周波数を確保できる。これは、第２濾波部（１３）も同じ動作原理である。
【００６９】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【００７０】
（実施形態２の変形例２）
実施形態２の変形例２では、実施形態２と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、実施形態２と同等であるので、説明を省略する。図１０は実施形態２に係る濾波装置の変形例２の回路構成図である。
【００７１】
本変形例に係る濾波装置には、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。第１濾波部（１２）は、Ｔ型フィルタで構成されている。第２濾波部（１３）も、同様にＴ型フィルタで構成されている。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。
【００７２】
次に、図１０の構成を別の視点から説明する。第１濾波部（１２）は、直列接続のインダクタ（１４）と、後段には並直列接続の抵抗（３１）とコンデンサ（２２）、またその後段には直列接続のインダクタ（１５）で構成されている。直列接続のインダクタ（１４）と並直列接続の抵抗（３１）とコンデンサ（２２）にてカットオフ周波数が生じ、この時の時定数τ５が生じる。抵抗（１５）により、インダクタ（１４）とコンデンサ（２２）で生じるフィルタのカットオフ特性を鈍らせることが可能となり、緩やかなカットオフ特性を可能とする。また、並列接続のコンデンサ（２２）で充電された電荷は、次に並直列接続の抵抗（３１）と直列接続のインダクタ（１５）へ放電する。この時、時定数τ６が生じる。同様に、この時もインダクタ（１５）とコンデンサ（２２）で生じるフィルタのカットオフ特性を鈍らせることが可能となり、緩やかなカットオフ特性を可能とする。この場合、このフィルタのカットオフ周波数は、１／（２π×（τ５＋τ６））となり、ローパスフィルタを構成する。上述した実施形態２の変形例２よりも、更に時定数が高くなるので、より低い周波数領域でカットオフ周波数を確保できる。これは、第２濾波部（１３）も同じ動作原理である。
【００７３】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【００７４】
実施形態２、および実施形態２の変形例１、変形例２において、第１濾波部（１２）および第２濾波部（１３）の組み合わせパターンが入れ替わっても、同じ効果が期待できる。
【００７５】
（実施形態３）
実施形態３では、上述した実施形態と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、上述した実施形態と同等であるので、説明を省略する。図１１は実施形態３に係る濾波装置の回路構成図である。
【００７６】
本実施形態に係る濾波装置には、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。第１濾波部（１２）は、逆Ｌ型フィルタで構成されている。第２濾波部（１３）も、同様に逆Ｌ型フィルタで構成されている。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。
【００７７】
次に、図１１の構成を別の視点から説明する。第１濾波部（１２）は、直列接続のインダクタ（５）と、後段には並列接続のコンデンサ（４）で構成されている。直列接続のインダクタ（５）と並列接続のコンデンサ（４）にてカットオフ周波数が生じ、この時の時定数τ７が生じる。並列接続のコンデンサ（１６）で充電された電荷は、次に半導体部（９）へ放電する。この場合、このフィルタのカットオフ周波数は、１／（２π×τ７）となり、ローパスフィルタを構成する。これは、第２濾波部（１３）も同じ動作原理である。
【００７８】
第１濾波部（１２）は、並列接続のコンデンサ（４）が、発振部（１１）とインダクタ（５）の間に接続されても、ローパスフィルタとしては同一の特性である。また第２濾波部（１３）でも、並列接続のコンデンサ（７）が、半導体部（９）とインダクタ（１８）の間に接続されても、ローパスフィルタとしては同一の特性である。
【００７９】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【００８０】
（実施形態３の変形例１）
実施形態３の変形例１では、上述した実施形態と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、上述した実施形態と同等であるので、説明を省略する。図１２は、実施形態３の変形例１に係る濾波装置の回路構成図である。
【００８１】
本変形例に係る濾波装置には、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。第１濾波部（１２）は、逆Ｌ型フィルタで構成されている。第２濾波部（１３）も、同様に逆Ｌ型フィルタで構成されている。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。
【００８２】
次に、図１２の構成を別の視点から説明する。第１濾波部（１２）は、直列接続の抵抗（１５）と、後段には並列接続のコンデンサ（４）で構成されている。直列接続の抵抗（１５）と並列接続のコンデンサ（４）にてカットオフ周波数が生じ、この時の時定数τ８が生じる。並列接続のコンデンサ（４）で充電された電荷は、次に半導体部（９）へ放電する。この場合、このフィルタのカットオフ周波数は、１／（２π×τ８）となり、ローパスフィルタを構成する。これは、第２濾波部（１３）も同じ動作原理である。
【００８３】
第１濾波部（１２）は、並列接続のコンデンサ（４）が、発振部（１１）とインダクタ（５）の間に接続されても、ローパスフィルタとしては同一の特性である。また第２濾波部（１３）でも、並列接続のコンデンサ（７）が、半導体部（９）と抵抗（８）の間に接続されても、ローパスフィルタとしては同一の特性である。
【００８４】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【００８５】
（実施形態３の変形例２）
実施形態３の変形例２では、上述した実施形態と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、上述した実施形態と同等であるので、説明を省略する。図１３は、実施形態３の変形例２に係る濾波装置の回路構成図である。
【００８６】
本変形例に係る濾波装置には、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。第１濾波部（１２）は、逆Ｌ型フィルタで構成されている。第２濾波部（１３）も、同様に逆Ｌ型フィルタで構成されている。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。
【００８７】
次に、図１３の構成を別の視点から説明する。第１濾波部（１２）は、直並列接続のインダクタとコンデンサ（２５）と、後段には並列接続のコンデンサ（４）で構成されている。直並列接続のインダクタとコンデンサ（２５）では、反共振角周波数が生成されて減衰極が発生し、更にフィルタ減衰量を大きく取ることができる。インダクタとコンデンサの位置は、上下入れ替わってもフィルタ効果に変化は無い。この一連の動作より、ローパスフィルタが成り立ち、インダクタとコンデンサ（２５）、コンデンサ（４）の定数によって、カットオフ周波数が決まるので、通過させる電気信号１（Ｂ）の高調波を制限、または調整でき、高調波成分を減衰することが可能となる。これは、第２濾波部（１３）も同じ動作原理である。
【００８８】
第１濾波部（１２）は、並列接続のコンデンサ（４）が、発振部（１１）と直並列接続のインダクタとコンデンサ（２５）の間に接続されても、ローパスフィルタとしては同一の特性である。また第２濾波部（１３）でも、並列接続のコンデンサ（７）が、半導体部（９）と直並列接続のインダクタとコンデンサ（２８）の間に接続されても、ローパスフィルタとしては同一の特性である。
【００８９】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【００９０】
（実施形態３の変形例３）
実施形態３の変形例３では、上述した実施形態と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、上述した実施形態と同等であるので、説明を省略する。図１４は、実施形態３の変形例３に係る濾波装置の回路構成図である。
【００９１】
本変形例に係る濾波装置には、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。第１濾波部（１２）は、逆Ｌ型フィルタで構成されている。第２濾波部（１３）も、同様に逆Ｌ型フィルタで構成されている。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。
【００９２】
次に、図１４の構成を別の視点から説明する。第１濾波部（１２）は、直並列接続の抵抗とコンデンサ（３５）と、後段には並列接続のコンデンサ（４）で構成されている。直並列接続の抵抗とコンデンサ（３５）では、抵抗がコンデンサの尖鋭度を低下させ、その分減衰周波数帯域を広げることができるので、高周波の広い帯域に渡ってフィルタ減衰量を大きく取ることができる。抵抗とコンデンサ（３５）の位置は、上下入れ替わってもフィルタ効果に変化は無い。これは、第２濾波部も同じである。抵抗とコンデンサ（３５）、コンデンサ（４）の定数によって、カットオフ周波数が決まるので、通過させる電気信号１（Ｂ）の高調波を制限、または調整でき、高調波成分を減衰することが可能となる。これは、第２濾波部（１３）も同じ動作原理である。
【００９３】
第１濾波部（１２）は、並列接続のコンデンサ（４）が、発振部（１１）と直並列接続の抵抗とコンデンサ（３５）の間に接続されても、ローパスフィルタとしては同一の特性である。また第２濾波部（１３）でも、並列接続のコンデンサ（７）が、半導体部（９）と直並列接続の抵抗とコンデンサ（３８）の間に接続されても、ローパスフィルタとしては同一の特性である。
【００９４】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【００９５】
（実施形態３の変形例４）
実施形態３の変形例４では、上述した実施形態と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、上述した実施形態と同等であるので、説明を省略する。図１５は、実施形態３の変形例３に係る濾波装置の回路構成図である。
【００９６】
本変形例に係る濾波装置には、電気信号１（Ａ）を出力する為の発振部（１１）と第１濾波部（１２）が直列接続され、その第１濾波部（１２）から緩衝信号１（Ｂ）が出力され、その後段には半導体部（９）が直列接続されて、緩衝信号１（Ｂ）が入力される。第１濾波部（１２）は、逆Ｌ型フィルタで構成されている。第２濾波部（１３）も、同様に逆Ｌ型フィルタで構成されている。また、電気信号２（Ｃ）を出力する為の半導体部（９）と第２濾波部（１３）が直列接続され、その第２濾波部（１３）から緩衝信号２（Ｄ）が出力され、その後段には発振部（１１）が直列接続されて、緩衝信号２（Ｄ）が入力される。
【００９７】
次に、図１５の構成を別の視点から説明する。第１濾波部（１２）は、直並列接続の抵抗とインダクタとコンデンサ（４５）、またその後段には並列接続のコンデンサ（４）で構成されている。直並列接続の抵抗とインダクタとコンデンサ（４５）では、インダクタとコンデンサで反共振角周波数が生成されて減衰極が発生し、更に抵抗で尖鋭度を低下させることで、フィルタ減衰量を大きく、且つ減衰周波数帯域を広げることができる。よって、高周波の広い帯域に渡ってフィルタ減衰量を大きく取ることができる。抵抗とインダクタとコンデンサの位置は、それぞれ上下入れ替わってもフィルタ効果に変化は無い。これは、第２濾波部も同じ動作原理である。
【００９８】
第１濾波部（１２）は、並列接続のコンデンサ（４）が、発振部（１１）と直並列接続の抵抗とインダクタとコンデンサ（４５）の間に接続されても、ローパスフィルタとしては同一の特性である。また第２濾波部（１３）でも、並列接続のコンデンサ（７）が、半導体部（９）と直並列接続の抵抗とインダクタとコンデンサ（４８）の間に接続されても、ローパスフィルタとしては同一の特性である。
【００９９】
第１濾波部（１２）、および第２濾波部（１３）において高調波減衰させることで、不要な高調波がカットされ、不要輻射レベル（Ｅ）が低減できる。
【０１００】
（測定結果１）
図１６は、従来の方法で測定した結果である。図１６（ａ）における半導体部（９）の電源電圧は２．５［Ｖ］であることから、半導体部（９）より出力される電気信号（Ｃ）の振幅は、２．５［Ｖｐ−ｐ］である。結果より、半導体部（９）の入力部で観た緩衝信号１（Ｂ）は過電圧であり、また０［Ｖ］より下へ入っている。これでは、半導体部（９）を破壊しかねない（図１６（ｂ）（ｃ））。また、発振部（１１）の入力部で見た緩衝信号２（Ｄ）も同様に過電圧であり、また０［Ｖ］より下へ入っている。更に、波形自体が大きく歪んでおり、輻射要因とも成り得る（図１６（ｄ）（ｅ））。輻射特性（ＥＭＣ）では、４００［ＭＨｚ］にてＳＰＥＣを超えており、３００〜５００［ＭＨｚ］にて著しく高い輻射レベルが確認される（図１６（ｆ））。
【０１０１】
（測定結果２）
図１７は、実施形態１の濾波装置を用いて測定した結果である。図１７（ａ）における半導体部（９）の電源電圧は２．５［Ｖ］であることから、半導体部（９）より出力される電気信号２（Ｃ）の振幅は、２．５［Ｖｐ−ｐ］である。結果より、半導体部（９）の入力部で観た緩衝信号１（Ｂ）は２．５［Ｖｐ−ｐ］であり、半導体部（９）の電源電圧の条件を満たした波形である（図１７（ｂ）（ｃ））。また、発振部（１１）の入力部で見た緩衝信号（Ｄ）は、上述測定結果１の波形に対して、歪みも抑えられており、過電圧となる波形ではない（図１７（ｄ）（ｅ））。上述測定結果１にて、４００［ＭＨｚ］でＳＰＥＣを超えていたのに対して、測定結果２における輻射特性（ＥＭＣ）では、測定帯域全般で輻射レベルが低下しており、特に３００〜５００［ＭＨｚ］で著しく輻射レベルが改善されている（図１７（ｆ））。周波数特性１および周波数特性２より、高周波領域で減衰量が取れるフィルタ特性となっており、緩衝信号１（Ｂ）および緩衝信号２（Ｄ）は、波形歪みが改善、且つ振幅レベルも抑制されたことが確認できる。
【０１０２】
本発明は、水晶振動子、またはセラミック振動子などの回路などに用いられ、特に低歪みや振幅抑制を余儀なくされる場合や、不要輻射を抑制させる場合に有効である。
【０１０３】
以上、実施形態におけるこれまでの説明は、すべて本発明を具体化した一例であって、本発明はこれらの例に限定されず、本発明の技術を用いて当業者が用意に構成可能な種々の例に展開可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１０４】
本発明は、濾波装置に利用できる。
【符号の説明】
【０１０５】
９  半導体部
１１  発振部
１２  第１濾波部
１３  第２濾波部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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