(57)【要約】【課題】貼合せ熱処理の際に生じていた貼合せ界面の結晶欠陥を低減するとともに、ウェーハに生じる反りを低減し得る、貼合せＳＯＩウェーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の貼合せＳＯＩウェーハの製造方法は、活性層用ウェーハの厚さを支持用ウェーハの厚さより小さくなるように厚み調整し、活性層用ウェーハの全面に形成された酸化膜の厚さが支持用ウェーハの全面に形成された酸化膜の厚さより小さくなるようにそれぞれ酸化膜を形成し、活性層用ウェーハを支持用ウェーハに酸化膜を介して重ね合せ、重ね合せウェーハを熱処理して貼合せて、２枚のウェーハの間に介在する酸化膜を埋込み酸化膜層にし、活性層用ウェーハを減肉化処理して貼合せＳＯＩウェーハを製造する。【選択図】図１
2011071193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持用ウェーハの上に埋込み酸化膜層を介してＳＯＩ層が形成された貼合せＳＯＩウェーハにおいて、
前記支持用ウェーハの裏面に形成された酸化膜の厚さが０．４５〜６μｍの範囲内にあって、前記埋込み酸化膜層の厚さと前記支持用ウェーハ裏面酸化膜の厚さとの厚み差が１μｍ以下であり、前記ＳＯＩ層にスリップ転位が存在しない貼合せＳＯＩウェーハ。
【請求項２】
活性層用ウェーハの全面に酸化膜を形成し、このウェーハを支持するための支持用ウェーハの全面に酸化膜を形成し、前記活性層用ウェーハを前記支持用ウェーハに前記酸化膜を介して重ね合せ、前記２枚の重ね合せウェーハを熱処理して貼合せ、これにより２枚の重ね合せたウェーハの間に介在する酸化膜を埋込み酸化膜層にし、その後、前記活性層用ウェーハに減肉化処理を施すことにより、前記支持用ウェーハの上に前記埋込み酸化膜層を介してＳＯＩ層を形成した貼合せＳＯＩウェーハを製造する方法であって、
前記貼合せ熱処理前において、前記活性層用ウェーハの厚さが前記支持用ウェーハの厚さより小さく、かつ前記活性層用ウェーハの全面に形成する酸化膜の厚さが前記支持用ウェーハの全面に形成する酸化膜の厚さより小さい
ことを特徴とする貼合せＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項３】
支持用ウェーハの裏面に形成された酸化膜の厚さが０．４５〜６μｍの範囲内にあって、埋込み酸化膜層の厚さと前記支持用ウェーハ裏面酸化膜の厚さとの厚み差が１μｍ以下である請求項２記載の貼合せＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項４】
支持用ウェーハの厚さが３２５〜７２５μｍの範囲内にあるとき、活性層用ウェーハの厚さが前記支持用ウェーハの厚さより小さい３００〜７００μｍの範囲内である請求項２又は３記載の貼合せＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項５】
埋込み酸化膜層の厚さが０．５〜７μｍである請求項２記載の貼合せＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項６】
埋込み酸化膜層の厚さが０．５〜７μｍであり、かつウェーハに生じる反りが１００μｍ以下である請求項１記載の貼合せＳＯＩウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、埋込み酸化膜層厚さが大きい高耐圧デバイスに適した貼合せＳＯＩ（Silicon On Insulater）ウェーハ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＳＯＩウェーハは、シリコン単結晶を支持基板とし、埋込み酸化膜（Buried Oxide；以下、ＢＯＸという。）層を介して活性層となる単結晶シリコン層（以下、ＳＯＩ層という。）が形成された構造を有する。そして、ＢＯＸ層の誘電体分離によって素子間が電気的に分離されることを活かして高耐圧デバイスへの応用がなされている。特に、自動車エレクトロニクスやフラットパネルディスプレイ、モーター制御や電源など多くの分野において、より高耐圧なデバイスに対応したＳＯＩウェーハへの需要がある。
【０００３】
一般的に、より高耐圧なデバイスへ適応するためには素子間の電気抵抗を大きくすればよい。即ち、素子間の電気分離に用いられているＢＯＸ層を厚くすることによって高耐圧に対応したＳＯＩウェーハがこれまで作製されてきた。
【０００４】
ＳＯＩウェーハの製造方法としては、薄膜化される活性層用ウェーハと、支持用ウェーハを貼合せて形成する貼合せ法や、ウェーハ表面より酸素イオンを注入してウェーハ表面から所定の深さの領域にＢＯＸ層を形成するＳＩＭＯＸ（Separation by Implanted Oxygen）法などがある。
【０００５】
このうち、貼合せ法によるＳＯＩウェーハの製造方法は、図７に示すように、先ず、活性層用ウェーハ１と支持用ウェーハ２を用意し、いずれか一方或いは双方のウェーハに熱酸化による酸化膜１ａ，２ａを形成する。図７では、双方のウェーハに酸化膜を形成している。次に、２枚のウェーハ１，２を重ね合せて加圧することによって２枚のウェーハ１，２を酸化膜１ａ，２ａを介して接着する。重ね合せウェーハ３は水素結合によって接着されているに過ぎず、接着強度が弱いため、酸化雰囲気中、１１００〜１２５０℃の温度で貼合せ熱処理を施して、接着強度を高める。これにより重ね合せたウェーハの間に介在する酸化膜１ａ，２ａをＢＯＸ層５とする。更に、熱処理後の重ね合せウェーハ４の活性層用ウェーハを研削、研磨によって所望する厚さになるように減肉化処理を施してＳＯＩ層６とし、更にテラス研磨を施すことにより貼合せＳＯＩウェーハ７が製造される。
【０００６】
前述した高耐圧デバイス向けＳＯＩウェーハを製造する際には、上記の熱酸化時間を長くしてＢＯＸ層を厚く形成することによって対応してきたが、ＢＯＸ厚さが２μｍ以上と、ＢＯＸ層が厚いＳＯＩウェーハ（以下、厚ＢＯＸ−ＳＯＩウェーハという。）を製造する際に、活性層用ウェーハに形成する酸化膜厚さと支持用ウェーハに形成する酸化膜厚さの厚み差が大きくなると、貼合せ熱処理の際に、重ね合せた２枚のウェーハの断面の周端領域にスリップと呼ばれる結晶欠陥が生じていた（例えば、特許文献１参照。）。このため、厚ＢＯＸ−ＳＯＩウェーハの製造では、活性層用ウェーハに形成する酸化膜の厚さと支持用ウェーハに形成する酸化膜の厚さの厚み差を小さくする、具体的には２μｍ以下にする必要があった。
【０００７】
また、この貼合せ熱処理時に生じるスリップの発生を大幅に抑えるために、２枚のウェーハを重ね合せ、活性層用ウェーハを所望のＳＯＩ層厚さにまで薄膜化した後、貼合せ熱処理することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−９３７８８号公報（請求項１，２、段落［０００６］〜段落［０００８］、図１）
【特許文献２】特開平５−１０９６７８号公報（請求項１、段落［０００７］，段落［００１２］〜段落［００２０］、図１〜図６）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１に記載の方法で厚ＢＯＸ−ＳＯＩウェーハを作製した場合、必然的にＢＯＸ層厚さと支持用ウェーハ裏面の酸化膜厚さに厚み差が生じるため、結果として、得られるＳＯＩウェーハには、この厚み差に起因して反りが増大していた。この反りが１００μｍ以上になると、半導体製造工程における露光不良や吸着不良の原因となる。
【００１０】
また、上記特許文献２に記載の方法では、所望のＳＯＩ層厚さになるまで薄膜化した後に貼合せ熱処理すると、薄膜化によって活性層用ウェーハ自体の強度が弱くなっているため、活性層用ウェーハが熱応力により割れてしまうおそれがあった。更に、２枚のウェーハを単に重ね合せただけの接着強度が弱い状態で面取り加工や、研削加工及び研磨加工によって所望のＳＯＩ層厚さになるまで薄膜化が行われるため、加工処理中に、重ね合せた２枚のウェーハが接着面で剥がれてしまい、加工そのものができないことが予想される。
【００１１】
本発明の目的は、貼合せ熱処理の際に生じていた貼合せ界面の結晶欠陥を低減するとともに、ウェーハに生じる反りを低減し得る、貼合せＳＯＩウェーハ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の観点は、支持用ウェーハの上にＢＯＸ層を介してＳＯＩ層が形成された貼合せＳＯＩウェーハにおいて、支持用ウェーハの裏面に形成された酸化膜の厚さが０．４５〜６μｍの範囲内にあって、ＢＯＸ層の厚さと支持用ウェーハ裏面酸化膜の厚さとの厚み差が１μｍ以下であり、かつＳＯＩ層にスリップ転位が存在しないことを特徴とする。
【００１３】
本発明の第２の観点は、図１に示すように、活性層用ウェーハ１１の全面に酸化膜１１ｂを形成し、このウェーハ１１を支持するための支持用ウェーハ１２の全面に酸化膜１２ａを形成し、活性層用ウェーハ１１を支持用ウェーハ１２に酸化膜１１ｂ，１２ａを介して重ね合せ、２枚の重ね合せウェーハ１３を熱処理して貼合せ、これにより２枚の重ね合せたウェーハ１４の間に介在する酸化膜１１ｂ，１２ａをＢＯＸ層１５にし、その後、活性層用ウェーハ１１に減肉化処理を施すことにより、支持用ウェーハ１２の上にＢＯＸ層１５を介してＳＯＩ層１６を形成した貼合せＳＯＩウェーハ１７を製造する方法であって、貼合せ熱処理前において、活性層用ウェーハ１１の厚さが支持用ウェーハ１２の厚さより小さく、かつ活性層用ウェーハ１１の全面に形成する酸化膜１１ｂの厚さが支持用ウェーハ１２の全面に形成する酸化膜１２ａの厚さより小さいことを特徴とする。
【００１４】
本発明の第３の観点は、第２の観点に基づく発明であって、更に支持用ウェーハの裏面に形成された酸化膜の厚さが０．４５〜６μｍの範囲内にあって、ＢＯＸ層の厚さと支持用ウェーハ裏面酸化膜の厚さとの厚み差が１μｍ以下であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第４の観点は、第２又は第３の観点に基づく発明であって、更に支持用ウェーハの厚さが３２５〜７２５μｍの範囲内にあるとき、活性層用ウェーハの厚さが支持用ウェーハの厚さより小さい３００〜７００μｍの範囲内であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第５の観点は、第２の観点に基づく発明であって、更にＢＯＸ層の厚さが０．５〜７μｍであることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第６の観点は、第１の観点に基づく発明であって、更にＢＯＸ層の厚さが０．５〜７μｍμｍであり、かつウェーハに生じる反りが１００μｍ以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の貼合せＳＯＩウェーハの製造方法では、活性層用ウェーハの厚さを支持用ウェーハの厚さより小さくなるように厚み調整することで、貼合せ熱処理の際に重ね合せウェーハの厚み方向の温度差が少なくなり、熱応力が低下するため、貼合せ熱処理の際に生じていた貼合せ界面の結晶欠陥を低減することができ、活性層用ウェーハに形成する酸化膜の厚さを支持用ウェーハに形成する酸化膜の厚さより小さくすることで、ＢＯＸ層と支持側ウェーハの裏面酸化膜との体積膨張差が小さくなるため、得られるＳＯＩウェーハに生じる反りを、１００μｍ以下にまで低減することができる。
【００１９】
また、本発明の貼合せＳＯＩウェーハは、貼合せ界面の結晶欠陥が低減されているため、耐圧特性の低下を解決することができ、また、反りが低減されているため、半導体製造工程における露光不良や吸着不良を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る貼合せＳＯＩウェーハの製造方法における製造工程図である。
【図２】本発明に係る貼合せＳＯＩウェーハの製造方法における予備的減肉化処理を施した製造工程図である。
【図３】本発明に係る貼合せＳＯＩウェーハの製造方法における予備的減肉化処理を施した別の形態を示す製造工程図である。
【図４】本発明に係る貼合せＳＯＩウェーハの製造方法における予備的減肉化処理を施した更に別の形態を示す製造工程図である。
【図５】比較例１の貼合せ熱処理を終えた後の重ね合せウェーハの活性層用ウェーハの貼合せ界面におけるＳＰ１結果を示す図である。
【図６】実施例１の貼合せ熱処理を終えた後の重ね合せウェーハの活性層用ウェーハの貼合せ界面におけるＳＰ１結果を示す図である。
【図７】従来の貼合せＳＯＩウェーハの製造工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
【００２２】
本発明の貼合せＳＯＩウェーハの製造方法では、先ず、図１に示すように、活性層用ウェーハ１１及びこのウェーハを支持するための支持用ウェーハ１２を用意する。活性層用ウェーハ１１及び支持用ウェーハ１２は、ともに直径が２００ｍｍの鏡面加工されたウェーハが好ましい。支持用ウェーハ１２の厚さは３２５〜７２５μｍの範囲内が好適である。また、貼合せ熱処理時におけるウェーハの厚み方向の温度差を小さくするために、貼合せ熱処理時前の活性層用ウェーハ１１の厚さは支持用ウェーハ１２の厚みよりも小さくすることが有効となる。このため、活性層用ウェーハ１１を製造する段階において、事前に支持用ウェーハの厚みよりも厚みを小さく製造した厚み調整ウェーハ１１ａを活性層用ウェーハ１１として用いてもよいし、活性層用ウェーハ１１として支持用ウェーハ１２と同程度の厚さのものを用いる場合には、図２〜図４に示すように、この活性層用ウェーハ１１に対し、支持用ウェーハ１２の厚さより小さくなるように予備的な減肉化処理を施せばよい。この予備的な減肉化処理は、所望の減肉化量のうちの大部分を砥石などを用いた研削加工によって行い、残部を、研磨布などを用いた鏡面仕上げ加工によって行うことが好ましい。また、図２に示すように、予備的減肉化処理した後に酸化膜形成、２枚のウェーハを重ね合せ、貼合せ熱処理の順としてもよいし、図３や図４に示すように、２枚のウェーハを重ね合せる前又は重ね合せた状態で、この予備的減肉化処理を行ってもよい。
【００２３】
なお、０．３〜２５０μｍといった所望のＳＯＩ層となるまで厚みを薄くしたものを活性層用ウェーハ１１に使用した場合には、その後に行う貼合せ熱処理時に活性層用ウェーハ１１が割れてしまうおそれがあることから、活性層用ウェーハ１１ａの厚さを支持用ウェーハ１２の厚さより小さい３００〜７００μｍの範囲内にすることが望ましい。従来生じていたスリップ欠陥は、２枚のウェーハを重ね合せた後に施す貼合せ熱処理の際に、ウェーハの厚み方向の温度差が大きく、熱応力が増大することによるものと考えられる。一方、貼合せ熱処理時前の活性層用ウェーハ１１の厚さを支持用ウェーハ１２の厚さより小さくなるように加工することで、貼合せ熱処理の際に重ね合せウェーハの厚み方向の温度差が少なくなり、熱応力が低下するため、後に続く貼合せ熱処理の際に生じていた貼合せ界面の結晶欠陥を低減することができる。
【００２４】
続いて、厚み調整した活性層用ウェーハ１１ａと支持用ウェーハ１２をＳＣ−１洗浄、純水リンス及びフッ酸有機酸洗浄をこの順に行い、各ウェーハ表面を清浄化させる。
【００２５】
次に、厚み調整した活性層用ウェーハ１１ａの全面に酸化膜１１ｂを形成し、支持用ウェーハ１２の全面に酸化膜１２ａを形成する。ここで厚み調整した活性層用ウェーハ１１ａの全面に形成された酸化膜１１ｂの厚さを、支持用ウェーハ１２の全面に形成された酸化膜１２ａの厚さより小さくすることで、ＳＯＩウェーハのＢＯＸ層と支持側ウェーハの裏面酸化膜との体積膨張差が小さくなるため、得られるＳＯＩウェーハに生じる反りを、１００μｍ以下にまで低減することができる。また、２枚のウェーハ１１ａ，１２に形成する酸化膜１１ｂ，１２ａは、最終的に得られるＳＯＩウェーハのＢＯＸ層の厚さが０．５〜７μｍとなるようにそれぞれの厚さが調整される。また、支持用ウェーハ１２の裏面に形成された酸化膜１２ａの厚さが０．４５〜６μｍの範囲内にあって、ＢＯＸ層の厚さと支持用ウェーハ裏面酸化膜１２ａの厚さとの厚み差が１μｍ以下となるように、２枚のウェーハ１１ａ，１２に形成する酸化膜１１ｂ，１２ａの厚さをそれぞれ調整することが好ましい。各ウェーハへの酸化膜形成は、水素及び酸素混合ガス雰囲気下で熱処理を行うことが好適である。なお、いずれか一方のウェーハのみに酸化膜を形成し、他方のウェーハには酸化膜を形成しない場合、スリップの発生を低減することができず、また、貼合せ界面にある汚染が活性層に拡散していく不具合を生じる。
【００２６】
続いて、全面に酸化膜を形成した２枚のウェーハ１１ａ，１２をＳＣ−１洗浄、純水リンス及びフッ酸有機酸洗浄をこの順に行い、各ウェーハ表面を水素終端させる。その後に、表面を水素終端させた２枚のウェーハ１１ａ，１２を重ねて重石を乗せて加圧することによって２枚のウェーハ１１ａ，１２を酸化膜１１ｂ，１２ａを介して接着する。
【００２７】
次に、貼合せ熱処理することにより、水素結合によって接着されていた重ね合せウェーハ１３の接着強度を高める。貼合せ熱処理は、水素及び酸素混合ガス雰囲気中、１２００℃の温度で６０〜１８０分間保持することにより行われる。なお、重ね合せた２枚のウェーハ１１ａ，１２の間に介在する酸化膜１１ｂ，１２ａはＢＯＸ層１５になる。
【００２８】
次に、貼合せ熱処理を施した重ね合せウェーハ１４の活性層用ウェーハ側をその厚さが０．３〜２５０μｍのＳＯＩ層とになるように減肉化処理を施す。減肉化処理は平面研削、鏡面研磨により行われる。これにより、支持用ウェーハ１２の上にＢＯＸ層１５を介してＳＯＩ層１６が形成される。
【００２９】
更に、ＢＯＸ層１５及びＳＯＩ層１６の周端にテラス研磨を施すことにより、裏面に酸化膜１２ａが形成された支持用ウェーハ１２の上にＢＯＸ層１５を介してＳＯＩ層１６が形成された貼合せＳＯＩウェーハ１７が得られる。
【００３０】
本発明の貼合せＳＯＩウェーハは、支持用ウェーハ１２の裏面に形成された酸化膜１２ａの厚さが０．４５〜６μｍの範囲内にあって、ＢＯＸ層１５の厚さと支持用ウェーハ１２の裏面に形成された酸化膜１２ａの厚さとの厚み差が１μｍ以下であり、ＳＯＩ層にスリップ転位が存在しないことを特徴とする。また、ＢＯＸ層１５の厚さが０．５〜７μｍであり、かつウェーハに生じる反りが１００μｍ以下である。貼合せ界面の結晶欠陥が低減されているため、耐圧特性の低下を解決することができ、また、反りが１００μｍ以下にまで低減されているため、半導体製造工程における露光不良や吸着不良を低減できる。
【００３１】
なお、ウェーハの厚みは静電容量測定により測定し、ＢＯＸ層、酸化膜の厚さは反射率分光法により測定し、スリップ転位は貼合せ界面にレーザー光を照射しその散乱光の解析により測定し、また、ウェーハに生じる反りは非接触式の静電容量測定により測定する。
【実施例】
【００３２】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
【００３３】
＜実施例１＞
先ず、活性層用ウェーハ及び支持用ウェーハとして、ともに厚さが７２５μｍ、直径が２００ｍｍの鏡面加工されたウェーハを用意した。次いで、予備的減肉化処理として、活性層用ウェーハに対し、砥石を用いて研削加工を行い、ウェーハ厚さを６５０μｍになるまで薄くし、続いて、研削加工後のウェーハに対し、研摩布を用いて鏡面仕上げ加工を行い、ウェーハ厚さを６４０μｍにまで厚さ調整した。そして、薄く加工した活性層用ウェーハと支持用ウェーハをＳＣ−１洗浄、純水リンス及びフッ酸有機酸洗浄をこの順に行い、ウェーハ表面を清浄化させた。次に、２枚のウェーハを水素及び酸素混合ガス雰囲気下で熱処理を行い、活性層用ウェーハには厚さ１μｍの酸化膜を、支持用ウェーハには厚さ５μｍの酸化膜をそれぞれ形成した。そして、２枚のウェーハをＳＣ−１洗浄、純水リンス及びフッ酸有機酸洗浄をこの順に行い、表面を水素終端させた後に、２枚のウェーハを重ね合せて接着した。次に、水素及び酸素混合ガス雰囲気中、１２００℃の温度で重ね合せウェーハに貼合せ熱処理を施した。貼合せ熱処理を施した重ね合せウェーハの活性層用ウェーハ側を平面研削によって活性層用ウェーハの厚さが１５μｍのＳＯＩ層となるように減肉化処理を施し、更に、テラス研磨を施し、貼合せＳＯＩウェーハを得た。
【００３４】
＜実施例２＞
予備的減肉化処理で厚さ調整して活性層用ウェーハ厚さを７００μｍとした以外は実施例１と同様にして貼合せＳＯＩウェーハを得た。
【００３５】
＜実施例３＞
活性層用ウェーハ及び支持用ウェーハとして、ともに厚さが３２５μｍ、直径が２００ｍｍの鏡面加工されたウェーハを用意し、予備的減肉化処理で厚さ調整して活性層用ウェーハ厚さを３００μｍとし、支持用ウェーハに厚さ４μｍの酸化膜を形成した以外は実施例１と同様にして貼合せＳＯＩウェーハを得た。
【００３６】
＜比較例１＞
活性層用ウェーハに予備的減肉化処理を施さない以外は実施例１と同様にして貼合せＳＯＩウェーハを得た。
【００３７】
＜比較例２＞
活性層用ウェーハに予備的減肉化処理を施さず、活性層用ウェーハ及び支持用ウェーハにそれぞれ厚さ３μｍの酸化膜を形成した以外は実施例１と同様にして貼合せＳＯＩウェーハを得た。
【００３８】
＜比較例３＞
活性層用ウェーハに予備的減肉化処理を施さず、活性層用ウェーハに厚さ２μｍの酸化膜を、支持用ウェーハに厚さ４μｍの酸化膜を形成した以外は実施例１と同様にして貼合せＳＯＩウェーハを得た。
【００３９】
＜比較例４＞
活性層用ウェーハ及び支持用ウェーハにそれぞれ厚さ３μｍの酸化膜を形成した以外は実施例１と同様にして貼合せＳＯＩウェーハを得た。
【００４０】
＜比較例５＞
支持用ウェーハとして、厚さが６４０μｍ、直径が２００ｍｍの鏡面加工されたウェーハを用意し、活性層用ウェーハに予備的減肉化処理を施さず、活性層用ウェーハ及び支持用ウェーハにそれぞれ厚さ３μｍの酸化膜を形成した以外は実施例１と同様にして貼合せＳＯＩウェーハを得た。
【００４１】
＜比較例６＞
支持用ウェーハのみに厚さ６μｍの酸化膜を形成した以外は実施例１と同様にして貼合せＳＯＩウェーハを得た。
【００４２】
＜比較例７＞
活性層用ウェーハのみに厚さ３μｍの酸化膜を形成した以外は実施例１と同様にして貼合せＳＯＩウェーハを得た。
【００４３】
＜比較例８＞
活性層用ウェーハに厚さ２μｍの酸化膜を、支持用ウェーハに厚さ１μｍの酸化膜を形成した以外は実施例１と同様にして貼合せＳＯＩウェーハを得た。
【００４４】
＜比較例９＞
支持用ウェーハとして、厚さが６４０μｍ、直径が２００ｍｍの鏡面加工されたウェーハを用意し、予備的減肉化処理で厚さ調整して活性層用ウェーハ厚さを７００μｍとし、活性層用ウェーハに厚さ２μｍの酸化膜を、支持用ウェーハに厚さ４μｍの酸化膜を形成した以外は実施例１と同様にして貼合せＳＯＩウェーハを得た。
【００４５】
＜比較試験及び評価１＞
実施例１〜３及び比較例１〜９で貼合せ熱処理を終えた後の重ね合せウェーハを用意し、この重ね合せウェーハをＢＯＸ層のところで剥離し、フッ酸洗浄で酸化膜を除去した活性層用ウェーハの貼合せ界面を表面検査装置（ＳＰ１）にてスリップ観察した。スリップ発生の有無を次の表１に示した。なお、スリップが発生したものについては、そのスリップ発生長さの合計長さの値を表内に示した。
【００４６】
また、図５に比較例１の予備的減肉化処理を施していない活性層用ウェーハの貼合せ界面におけるＳＰ１画像を、図６に実施例１の予備的減肉化処理を施して厚さ６４０μｍにまで加工した活性層用ウェーハの貼合せ界面におけるＳＰ１画像をそれぞれ示す。
【００４７】
＜比較試験及び評価２＞
実施例１〜３及び比較例１〜９でそれぞれ得られた貼合せＳＯＩウェーハについて、平坦度測定装置（ＡＤＥ９５００）にて反りを示すｗａｒｐを測定した。その結果を次の表１にそれぞれ示す。
【００４８】
【表１】
2011071193.tif 000003
図５の予備的減肉化処理を施していない比較例１の活性層用ウェーハでは、結晶方位に沿ったスリップが確認されたのに対して、図６の予備的減肉化処理を施した実施例１の活性層用ウェーハではスリップが全く発生していないことが確認された。この結果から、予備的減肉化処理によって活性層用ウェーハの厚さを支持用ウェーハの厚さより小さくなるように加工し、貼合せ熱処理時におけるウェーハの厚み方向の温度差を少なくすることで、熱応力が低下するため、貼合せ界面の結晶欠陥が低減されることが判る。
【００４９】
また、表１より明らかなように、ＢＯＸ層厚さと支持用ウェーハ裏面酸化膜厚さとの厚み差が大きくなる比較例２〜５及び７〜９では得られるＳＯＩウェーハに生じる反りが増大していた。更に、一方のウェーハにしか酸化膜が形成されていない比較例６及び７でも貼合せ界面にスリップが発生していた。一方、実施例１〜３では、貼合せ界面にスリップがなく、得られるＳＯＩウェーハに生じる反りも１００μｍ以下と低減されていた。
【００５０】
なお、各実施例及び各比較例とも、貼合せ熱処理後の活性層用ウェーハ側を減肉化処理（平面研削）して所定厚みのＳＯＩ層を形成した後に、テラス研磨を施した例を例示したが、貼合せ熱処理後の活性層用ウェーハにテラス研磨を施した後に、活性層用ウェーハ側を減肉化処理（平面研削）して所定厚みのＳＯＩ層を形成するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１１  活性層用ウェーハ
１１ａ  厚み調整した活性層用ウェーハ
１１ｂ  酸化膜
１２  支持用ウェーハ
１２ａ  酸化膜
１３  重ね合せウェーハ
１４  熱処理後の重ね合せウェーハ
１５  埋込み酸化膜層
１６  ＳＯＩ層
１７  ＳＯＩウェーハ
【図１】
2011071193.tif 000004
【図２】
2011071193.tif 000005
【図３】
2011071193.tif 000006
【図４】
2011071193.tif 000007
【図７】
2011071193.tif 000008
【図５】
2011071193.tif 000009
【図６】
2011071193.tif 000010