(57)【要約】【課題】プラズマ処理装置における優先度の高い制御機器に対する制御をＣＰＵの能力を集中させて行うことができるようにする。【解決手段】プラズマ処理装置を構成するプロセスモジュールは、全体の処理動作を制御するモジュールコントローラ113と、試料を処理するための複数の制御機器305〜319と、モジュールコントローラからの指示に従って複数の制御機器に制御信号を送信する入出力基板201とを備える。モジュールコントローラ113は、ＣＰＵの負荷率を監視し、その負荷率を取得し、ＣＰＵ負荷率に基づいて前記複数の制御機器のそれぞれに対する制御周期を計算、変更し、制御周期に従って、複数の制御機器のそれぞれに制御信号を送信して制御を行わせる。【選択図】図４
2011129755.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ等の試料を処理する処理室を有する複数のプロセスモジュールを備えるプラズマ処理装置において、
前記プロセスモジュールのそれぞれは、該プロセスモジュールの全体の処理動作を制御するモジュールコントローラと、前記試料を処理するための複数の制御機器と、前記モジュールコントローラからの指示に従って前記複数の制御機器のそれぞれに制御信号を送信する入出力インタフェースとを備え、
前記モジュールコントローラは、ＣＰＵと、ＩＯ制御周期変更部と、ＣＰＵ負荷監視部と、ＩＯ制御部とを備え、
前記ＣＰＵ負荷監視部は、前記ＣＰＵの負荷率を監視し、その負荷率を取得して前記ＩＯ制御周期変更部に通知し、
前記ＩＯ制御周期変更部は、前記ＣＰＵ負荷監視部から受け取ったＣＰＵ負荷率に基づいて前記複数の制御機器のそれぞれに対する制御周期を計算、変更し、前記ＩＯ制御部に連絡し、
前記ＩＯ制御部は、前記入出力インタフェースに対して、前記ＩＯ制御周期変更部から連絡された制御周期を送信し、
前記入出力インタフェースは、前記ＩＯ制御部から受け取った制御周期に従って、前記複数の制御機器のそれぞれに制御信号を送信して制御を行わせることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
半導体ウエハ等の試料を処理する処理室を有する複数のプロセスモジュールを備えるプラズマ処理装置の制御方法において、
前記プロセスモジュールのそれぞれは、該プロセスモジュールの全体の処理動作を制御するモジュールコントローラと、前記試料を処理するための複数の制御機器と、前記モジュールコントローラからの指示に従って前記複数の制御機器のそれぞれに制御信号を送信する入出力インタフェースとを備え、
前記モジュールコントローラは、ＣＰＵと、ＩＯ制御周期変更部と、ＣＰＵ負荷監視部と、ＩＯ制御部とを備え、
前記ＣＰＵ負荷監視部は、前記ＣＰＵの負荷率を監視し、その負荷率を取得して前記ＩＯ制御周期変更部に通知し、
前記ＩＯ制御周期変更部は、前記ＣＰＵ負荷監視部から受け取ったＣＰＵ負荷率に基づいて前記複数の制御機器のそれぞれに対する制御周期を計算、変更し、前記ＩＯ制御部に連絡し、
前記ＩＯ制御部は、前記入出力インタフェースに対して、前記ＩＯ制御周期変更部から連絡された制御周期を送信し、
前記入出力インタフェースは、前記ＩＯ制御部から受け取った制御周期に従って、前記複数の制御機器のそれぞれに制御信号を送信して制御を行わせることを特徴とするプラズマ処理装置の制御方法。
【請求項３】
前記複数の制御機器は、それぞれに制御の優先度が付与されており、前記ＩＯ制御周期変更部は、前記ＣＰＵ負荷監視部から受け取ったＣＰＵ負荷率が所定の閾値を超えるまで、優先度の高い制御機器の順に、制御周期を短くすることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置の制御方法。
【請求項４】
前記複数の制御機器は、それぞれに制御の優先度が付与されており、前記ＩＯ制御周期変更部は、前記ＣＰＵ負荷監視部から受け取ったＣＰＵ負荷率が所定の閾値を超える場合、優先度の低い制御機器の順に、制御周期を長くすることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置の制御方法。
【請求項５】
前記複数の制御機器は、それぞれに制御の優先度が付与されており、前記ＩＯ制御周期変更部は、前記ＣＰＵ負荷監視部から受け取ったＣＰＵ負荷率が所定の閾値を超えるまで、優先度の高い制御機器の順に、制御周期を短くしていき、ＣＰＵ負荷率が所定の閾値を超える場合、優先度の低い制御機器の順に、制御周期を長くしていくことを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置の制御方法。
【請求項６】
前記制御機器の優先度は、前記モジュールコントローラの上位に接続されるユーザインタフェース装置の指示により付与されることを特徴とする請求項３、４または５記載のプラズマ処理装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置及びその制御方法に係り、特に、複数の処理室を有して、各処理室内で半導体ウエハ等の試料を処理するプラズマ処理装置及びその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置の制御方法に関する従来技術として、例えば、特許文献１等に記載された技術が知られている。この従来技術は、プラズマ処理装置を構成するモジュールにおけるモジュールコントローラから各制御機器のモニタ信号をスキャンし、そのモニタ信号を制御信号にフィードバックして制御機器に対して各種の制御を行うというものである。そして、この従来技術は、モニタ信号のスキャン及び制御機器に対する制御信号出力の設定周期として、予め定めた一定の周期としたものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−６６８５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、エッチング工程の微細化に伴い、プラズマ処理装置における制御精度の向上が求められており、制御精度を向上させるために、プラズマ処理装置の制御周期を上げることが要求されている。
【０００５】
しかし、前述した従来技術は、モニタ信号のスキャン及び制御信号出力の設定周期等の制御周期を一定にして、プラズマ制御装置の制御を行っており、制御周期を上げる（１周期の時間を短くする）ことにより、制御精度を向上させエッチング等の加工精度を向上させるという点について考慮が不十分であり、高い加工精度を得ることが困難であるという問題点を有している。
【０００６】
本発明の目的は、前述した従来技術の問題点を解決し、高い加工精度が求められるプラズマ処理装置の制御機器に対する制御精度を向上させたプラズマ処理装置及びその制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば前記目的は、半導体ウエハ等の試料を処理する処理室を有する複数のプロセスモジュールを備えるプラズマ処理装置において、前記プロセスモジュールのそれぞれは、該プロセスモジュールの全体の処理動作を制御するモジュールコントローラと、前記試料を処理するための複数の制御機器と、前記モジュールコントローラからの指示に従って前記複数の制御機器のそれぞれに制御信号を送信する入出力インタフェースとを備え、前記モジュールコントローラは、ＣＰＵと、ＩＯ制御周期変更部と、ＣＰＵ負荷監視部と、ＩＯ制御部とを備え、前記ＣＰＵ負荷監視部は、前記ＣＰＵの負荷率を監視し、その負荷率を取得して前記ＩＯ制御周期変更部に通知し、前記ＩＯ制御周期変更部は、前記ＣＰＵ負荷監視部から受け取ったＣＰＵ負荷率に基づいて前記複数の制御機器のそれぞれに対する制御周期を計算、変更し、前記ＩＯ制御部に連絡し、前記ＩＯ制御部は、前記入出力インタフェースに対して、前記ＩＯ制御周期変更部から連絡された制御周期を送信し、前記入出力インタフェースは、前記ＩＯ制御部から受け取った制御周期に従って、前記複数の制御機器のそれぞれに制御信号を送信して制御を行わせることにより達成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、優先度の高い制御機器に対する制御をＣＰＵの能力を集中させて行うことができ、高精度が求められる制御機器の制御精度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置全体の構成の概略を示す図である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置の動作に要する信号の送受信の概要についてを説明するブロック図である。
【図３】図１に示す本発明の実施形態によるプラズマ処理装置のプロセスモジュールの１つの構成を側面からの見た断面図である。
【図４】図３に示すプラズマ処理装置のプロセスモジュール内部における制御信号の送受信について説明する図である。
【図５】モジュールコントローラの機能構成を示すブロック図である。
【図６】入出力基板の機能構成を示すブロック図である。
【図７】制御周期を変更する処理について説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明によるプラズマ処理装置及びその制御方法の実施形態を図面により詳細に説明する。
【００１１】
図１は本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置全体の構成の概略を示す図である。
【００１２】
図１に示す本発明の実施形態によるプラズマ処理装置は、大きく分けて、搬送モジュール１０１とプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４とを備えて構成される。搬送モジュール１０１は、試料の搬送を行うモジュールであり、大気圧下で試料の搬送を行う大気搬送部１０３と、大気圧から減圧された圧力下で試料の搬送を行う真空搬送部１０２とから構成され、モジュールコントローラ１１３−０により制御される。プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４は、真空圧下で試料の処理等を行うモジュールである。これらの各モジュール１１０−１〜１１０−４は、モジュールコントローラ１１３−１〜１１３−４によって制御され、モジュールコントローラ１１３−１〜１１３−４は、ユーザインタフェース装置１１１、ホスト１１２と信号線１１５によって接続されている。
【００１３】
前述において、大気搬送部１０３は、内部に大気側搬送ロボット１０９を備えた略直方体形状の筐体１０６を有し、この筐体１０６の前面側（図右側）に取付けられ、処理用またはクリーニング用の試料が収納されているカセットがその上に載せられる複数のカセット台１０７−１〜１０７−３を備えて構成されている。
【００１４】
真空搬送部１０２は、平面形状が略多角形状（図示例では５角形状）の真空搬送容器１０４と、真空搬送容器１０４と大気搬送部１０３との間に配置され試料を大気側と真空側との間でやりとりする２つのロック室１０５、１０５’を備えて構成されている。この真空搬送部１０２は、減圧されて高い真空度の圧力に維持可能である。
【００１５】
真空搬送容器１０４内には搬送室が構成されており、この搬送室には、ロック室１０５、１０５’とプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４内に構成されている処理室との間で、真空下で試料を搬送する真空搬送ロボット１０８がその中央に配置されている。この真空搬送ロボット１０８は、そのアーム上に試料を載せて、プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の処理室内に配置された試料台上と何れかのロック室１０５、１０５’内の試料台との間で、試料の搬入、搬出を行う。これらプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の処理室及びロック室１０５、１０５’と真空搬送容器１０４内の搬送室との間には、それぞれ気密に閉塞、開放可能なバルブにより連通する通路が設けられていて、バルブにより開閉される。
【００１６】
次に、前述したように構成されるプラズマ処理装置により、試料に対する処理を行う際の試料の搬送過程の概要を説明する。
【００１７】
カセット台１０７−１〜１０７−３の何れかの上に載せられたカセット内に収納された複数の半導体ウエハ等の試料に対する処理は、プラズマ処理装置の動作を調節するユーザインタフェース装置１１１が判断し、または、プラズマ処理装置が設置される製造ラインのホスト１１２等からの指令を受けて開始される。
【００１８】
処理が開始されると、ロック室１０５、１０５’の一方が、大気側搬送ロボット１０９により搬送された試料を収納した状態でバルブが閉塞されて密封され、所定の圧力まで減圧される。その後、真空搬送容器１０４の搬送室に面した側のバルブが開放されてロック室と真空搬送容器１０４の搬送室とが連通され、真空搬送ロボット１０８のアームがロック室内に伸張して、内部の試料を真空搬送容器１０４側に搬出する。そして、真空搬送ロボット１０８のアーム上に載せられた試料は、カセットから取り出される際に予め定められたプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の何れかの真空にされた処理室内に搬入される。
【００１９】
試料がプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の何れかの処理室に搬送された後、この処理室と真空搬送容器１０４の搬送室との間を開放、遮蔽するバルブが閉じられて処理室が封止される。その後、処理室内に処理用のガスが導入されプラズマが処理室内に形成されて試料が処理される。
【００２０】
試料の処理が終了したことが検出されると、処理室と真空搬送容器１０４の搬送室との間を開放、遮蔽する前述のバルブが開放され、真空搬送ロボット１０８により、処理室内に搬入された場合と逆に、処理済みの試料がロック室１０５へ向けて搬出される。ロック室１０５、１０５’の何れかに試料が搬送されると、この試料が搬送されたロック室と真空搬送容器１０４の搬送室とを連通する通路を開閉するバルブが閉じられて真空搬送容器１０４の処理室の内部が密封され、ロック室内の圧力が大気圧まで上昇させられる。
【００２１】
この後、試料が搬送されたロック室と筐体１０６との間のバルブが開放されて、ロック室と筐体１０６とが連通され、大気側搬送ロボット１０９によりロック室１０５から元のカセットに処理済みの試料が搬送され、カセット内の元の位置に戻される。
【００２２】
図２は図１に示すプラズマ処理装置の動作に要する信号の送受信の概要についてを説明するブロック図である。
【００２３】
図２に示すように、ホスト１１２と、ユーザインタフェース装置１１１と、搬送モジュール１０１のモジュールコントローラ１１３−０及びプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の各モジュールコントローラ１１３−１〜１１３−４と、入出力基板２０１−０〜２０１−４とによりネットワークが構成されており、ホスト１１２とユーザインタフェース装置１１１とモジュールコントローラ１１３−０〜１１３−４とは信号線１１５により接続され、モジュールコントローラ１１３−０〜１１３−４と入出力基板２０１−０〜２０１−４とは信号線２０２により接続されている。
【００２４】
前述において、信号線１１５及び信号線２０２は、どちらも同様のＬＡＮケーブルで接続されているが、信号線１１５上における通信はＴＣＰ／ＩＰを用いて行われ、信号線２０２上における通信はＰＲＯＦＩＮＥＴを用いて行われる。なお、信号線２０２上の通信は、ＰＲＯＦＩＮＥＴに限らず、高速・大容量通信が可能なネットワークプロトコルを用いることができれば種類は問わない。
【００２５】
ホスト１１２は、プラズマ処理装置を用いる半導体製造ラインを管理するもので、ユーザインタフェース装置１１１に処理の開始を指示する。
【００２６】
ユーザインタフェース装置１１１は、図１に示すプラズマ処理装置を操作するためのもので、ディスプレイ等のデータの表示手段と、キーボード、マウス等の入力手段とを備えている。ユーザインタフェース装置１１１は、ホスト１１２からの指示あるいは自身が操作されることにより、プラズマ処理装置による処理の開始が指示されると、指示された処理の開始を各モジュールコントローラ１１３−０〜１１３−４に通知し、処理条件その他のデータを送信する。
【００２７】
ユーザインタフェース装置１１１は、ホスト１１２から処理の開始が指示されるか、あるいは、ユーザインタフェース装置１１１自身が操作されることにより、プラズマ処理装置での処理を開始させる場合、搬送モジュール１０１のモジュールコントローラ１１３−０へ試料の搬送指示、及び、試料を処理するプロセスモジュールがプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４のうちのどれかを通知すると共に、試料を処理するプロセスモジュールのモジュールコントローラへ処理条件データを送信する。
【００２８】
搬送モジュール１０１のモジュールコントローラ１１３−０は、ユーザインタフェース装置１１１からの指示に従って大気搬送部１０３及び真空搬送部１０２の制御を行い、試料を、その試料の処理を行うプロセスモジュールへ搬送する。
【００２９】
プロセスモジュール１１０−１〜１１０−３の内の試料の処理を行う１つのプロセスモジュールのモジュールコントローラは、そのプロセスモジュール内への試料の搬入完了後、ユーザインタフェース装置１１１から受信した処理条件に従って、入出力基板２０１へ各制御機器への制御信号を送信する。入出力基板２０１は、制御機器に対する入出力インタフェース機能を有するものであり、受信した制御信号を対応した制御機器へ送信して、試料に対する処理を行わせる。
【００３０】
図３は図１に示す本発明の実施形態によるプラズマ処理装置のプロセスモジュールの１つの構成を側面からの見た断面図である。図３には、図１のプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の内、真空搬送容器１０４の後ろ側（図１左側）に配置された２つのプロセスモジュールの内の１つの構成を例として示しており、本発明の実施形態においては、これら２つのプロセスモジュールは、試料の表面の膜をプラズマを用いてエッチング処理するエッチング処理モジュールであるとしている。
【００３１】
図３に示しているように、プロセスモジュールは、真空容器ユニット３０１と、ガス供給ユニット３０２と、真空容器ユニット３０１の上部に配置されたプラズマ形成ユニット３０３と、真空容器ユニット３０１の下部に配置された排気ユニット３０４とを備えて構成されている。
【００３２】
前述において、真空容器ユニット３０１は、その内部で試料を処理する処理室３１４と、試料を載置する試料台３１５と、試料台３１５を上下に移動させる駆動機構３１６とを備え、プラズマ形成ユニット３０３及びガス供給ユニット３０２により発生したプラズマにより、試料に対してエッチング処理を行うことができるように構成されている。
【００３３】
また、ガス供給ユニット３０２は、ガス供給源３０５と、ガス流量を一定に保つための流量制御機器３０６と、ガス供給源３０５から流れるガスを遮断するバルブ３０７と、ガス供給源３０５からガスを流すガス導入ライン３０８と、ガス導入ライン３０８を２系統に分流するための分流器３０９と、分流器３０９によって２系統に分岐されたガスを流すためのガスライン３２０−１、３２０−２と、ガスライン３２０−１、３２０−２に流れるガスを遮断するためのバルブ３１０−１、３１０−２とから構成されており、エッチング処理中、流量制御機器３０６に流量を、分流器３０９に分流比を設定し、第１ガス導入ライン３２０−１及び第２ガス導入ライン３２０−２を介してプロセスガスを処理室３１４へ導入している。
【００３４】
プラズマ形成ユニット３０３は、マイクロ波発生源３１１と、マイクロ波を導入するアンテナ３１２と、磁場を発生するソレノイドコイル３１３とから構成され、アンテナ３１２によって導入されたマイクロ波とソレノイドコイル３１３による磁界との作用によって、ガス供給ユニット３０２から導入されたガスにエネルギーを与え、これにより、プラズマを形成する機能を有している。
【００３５】
排気ユニット３０４は、前述のガスライン３２０−１、３２０−２を排気するための排気ライン３２１−１、３２１−２及び排気ライン３２１−１、３２１−２を遮断するためのバルブ３１７−１、３１７−２と、処理室３１４を排気するための処理室排気ライン３２２及び処理室排気ライン３２２を遮断するための処理室排気バルブ３１８と、排気ポンプ３１９とから構成されており、排気ポンプ３１９、排気バルブ３１７−１、３１７−２及び処理室排気バルブ３１８を駆動することにより、ガスライン３２０−１、３２０−２及び処理室３１４を真空状態にすることができる。
【００３６】
そして、前述の各ユニットの動作を制御する各制御機器は、すでに説明したように、入出力基板２０１から伝達される信号によって制御される。また、入出力基板２０１と制御機器との間は、制御機器に応じた回線３００（ＬＡＮ、シリアル回線等）によって接続されている。
【００３７】
図４は図３に示すプラズマ処理装置のプロセスモジュール内部における制御信号の送受信について説明する図である。
【００３８】
真空容器ユニット３０１、ガス導入ユニット３０２、プラズマ形成ユニット３０３、排気ユニット３０４は、これらのユニットを備えているプラズマ処理装置のモジュールコントローラ１１３によって制御される。そして、前述の各ユニットは、それぞれ複数の制御機器３０５−１〜３０７−１、３０９−１、３１０−１、３１０−２、３１１−１〜３１３−１、３１５−１、３１６−１、３１７−１、３１７−２、３１８−１、３１９−１を持ち、これらの制御機器に信号を伝達するため、入出力基板２０１がモジュールコントローラ１１３と制御機器との間に設けられている。
【００３９】
そして、モジュールコントローラ１１３と各ユニットの入出力基板２０１との間は、スター型に接続され、ユニット内に入出力基板２０１が複数接続される場合、それらは、デイジーチェーン接続される。
【００４０】
モジュールコントローラ１１３は、前述したユーザインタフェース装置１１１から通知されるエッチング条件その他のデータから、対象となる制御機器に応じた回線用フォーマットによる制御信号を作成し、対象となる制御機器に接続されている入出力基板２０１に前述したＰＲＯＦＩＮＥＴ回線を介して伝達すると共に、入出力基板２０１から伝達される制御機器それぞれのモニタ信号を受信し、制御信号へのフィードバック及びユーザインタフェース装置１１１へのモニタ信号の送信を行う。
【００４１】
入出力基板２０１は、モジュールコントローラ１１３から受信した制御信号を対象となる制御機器に対して分配して送信すると共に、接続されている制御機器からのモニタ信号を受信し、モジュールコントローラ１１３へ送信する。
【００４２】
図５はモジュールコントローラ１１３の機能構成を示すブロック図、図６は入出力基板２０１の機能構成を示すブロック図であり、次に、図５及び図６を参照してモジュールコントローラ１１３及び入出力基板２０１での処理について説明する。
【００４３】
モジュールコントローラ１１３は、図５に示すように、プログラムにより構成され、モジュールコントローラ１１３が備える図示しないＣＰＵによって実行されることにより、それぞれの機能が構築されるＩＯ制御周期変更部５０１、ＣＰＵ負荷監視部５０２、ＩＯ制御部５０３、通信制御部５０４を備えて構成されている。
【００４４】
ＩＯ制御周期変更部５０１は、ＣＰＵ負荷監視部５０２からＣＰＵの負荷率を受け取り、後述する手順によって制御機器の制御周期を計算、変更し、ＩＯ制御部５０３及び通信制御部５０４を介して入出力基板２０１に制御機器に対する制御周期を連絡する。
【００４５】
ＣＰＵ負荷監視部５０２は、常時、モジュールコントローラ１１３が備えるＣＰＵの負荷率を監視してＩＯ制御周期変更部５０１に連絡する。
【００４６】
ＩＯ制御部５０３は、ＩＯ制御周期変更部５０１から連絡された周期に従って入出力基板２０１から通信制御部５０４を介して連絡されたモニタ信号をユーザインタフェース装置１１１に連絡すると共に、モニタ信号を制御信号にフィードバックして制御信号を計算し、通信制御部５０４を介して入出力基板２０１へ連絡する。
【００４７】
通信制御部５０４は、入出力基板２０１から受信したモニタ信号をＩＯ制御部５０３に連絡すると共に、ＩＯ制御部５０３から連絡された制御信号及びＩＯ制御周期変更部５０１から連絡されたそれぞれの制御機器に対する制御周期を入出力基板２０１へ送信する。
【００４８】
入出力基板２０１は、図６に示すように、プログラムにより構成され、入出力基板２０１が備える図示しないＣＰＵによって実行されることにより、それぞれの機能が構築される通信制御部６０１、制御周期変更部６０２、ＩＯ制御部６０３、複数のインタフェース制御部６０４−０〜６０４−２を備えて構成されている。
【００４９】
通信制御部６０１は、モジュールコントローラ１１３から受信した各制御機器に対する制御周期を制御周期変更部６０２に連絡し、制御機器への制御信号をＩＯ制御部６０３に連絡すると共に、ＩＯ制御部６０３から連絡されたモニタ信号をモジュールコントローラ１１３に送信する。
【００５０】
制御周期変更部６０２は、通信制御部６０１から連絡された制御周期を各制御機器に割り振り、制御周期をＩＯ制御部６０３に連絡する。
【００５１】
ＩＯ制御部６０３は、制御周期変更部６０２から連絡された周期に基づき、通信制御部６０１から連絡された制御機器への制御信号をインタフェース制御部６０４−０〜６０４−２に割り振ると共に、インタフェース制御部６０４−０〜６０４−２から連絡されたモニタ信号を通信制御部６０１へ連絡する。
【００５２】
インタフェース制御部６０４−０〜６０４−２のそれぞれは、ＩＯ制御部６０３から連絡された制御信号をインタフェースポートを介して制御機器へと伝達すると共に、インタフェースポートを介して制御機器から伝達されたモニタ信号をＩＯ制御部６０３へ連絡する。
【００５３】
図７は制御周期を変更する処理について説明する図であり、次に、制御機器の制御周期を変更する方法及び手順について説明する。なお、ここでは、制御機器のそれぞれに対して優先度がパラメータとして付与され、制御周期の上限及び下限も同様にパラメータとして設定されているものとする。図７（ａ）〜図７（ｆ）の各図は、横軸に制御機器の優先度（右にいくほど高い優先度となる）を示し、縦軸に制御周期（上にいくほど周期が短い）を示している。なお、制御機器の優先度は、ユーザインタフェース装置からの管理者等による指示により付与される。
【００５４】
図７（ａ）はエッチング処理が行われていない状態での制御周期を示している。この場合、全ての制御機器は制御周期が長い低速（下限）で制御されている。
【００５５】
図７（ｂ）はエッチング処理の開始及び処理条件の切り替わり時の制御周期を示している。制御機器は、アクティブ（その処理で操作される）と非アクティブ（その処理で操作されない）とに分けられ、優先度によりソートされる。ここに示す例の場合、アクティブな制御機器は上限と下限との中間の周期で制御され、非アクティブな制御機器は下限の周期で制御されている。
【００５６】
図７（ｃ）はエッチング処理の開始後、１サイクル後の制御周期を示している。この例では、エッチング処理が開始されると、アクティブにされている制御機器のうちの最も優先度の高い制御機器の制御周期が１段階上げられた周期となり、その周期で最も優先度の高い制御機器の制御が行われる。
【００５７】
図７（ｄ）はエッチング開始後２サイクル後の状態を示している。この例では、図７（ｃ）に示している状態からさらに１サイクルを経過したときに、最も優先度の高い制御機器及び２番目に優先度の高い制御機器の制御周期を１段階上げることとしている。このため、最も優先度の高い制御機器の制御周期が２段階上げられた周期となり、その周期で最も優先度の高い制御機器の制御が行われる。また、２番目に優先度の高い制御機器の制御周期が１段階上げられた周期となり、その周期で２番目に優先度の高い制御機器の制御が行われる。
【００５８】
図７（ｅ）は図７（ｄ）の状態からＣＰＵ負荷率が９０％を超えた場合の状態を示している。この例では、ＣＰＵの負荷率が９０％を超えた場合、アクティブにされている制御機器の内の最も優先度の低い制御機器の制御周期を１段階下げることとしている。また、前述のように制御周期を１段階下げてもＣＰＵ負荷率が９０％を超えていた場合、周期を上げる場合と同様に、最も優先度の低い制御機器及び２番目に優先度の低い制御機器の制御周期をさらに１段階下げることとしている。ここで、基準となるＣＰＵの負荷率９０％は、異常が発生した際の異常処理を行うために必要なＣＰＵの負荷が１０％必要であるとして設定したものである。
【００５９】
前述したように、本発明の実施形態では、１サイクル毎に優先度の高いものから段階的に制御周期を上げていき、ＣＰＵ負荷率が９０％を超えた場合、優先度の低いものから段階的に周期を下げていくこととしている。
【００６０】
図７（ｆ）はエッチング開始後ｎサイクル後の状態を示している。この例では、最も優先度の高い制御機器の制御周期が上限に達した状態となっている。この状態でＣＰＵの負荷率が８０〜９０％となっている場合、本発明の実施形態では、制御周期の変更は行わない。そして、本発明の実施形態では、ＣＰＵの負荷率が８０％未満あるいは９０％以上となった場合、ＣＰＵの負荷率が８０％〜９０％となるように制御周期の変更を行う。
【００６１】
前述した本発明の実施形態は、制御周期が上限に達したときを周期変更の終了条件とすることとするが、実際の終了条件は、最高優先度の制御機器の制御周期が上限になるか、最低優先度の制御機器の制御周期が下限になり、かつ、ＣＰＵの負荷率が８０％〜９０％となったときであるとする。
【００６２】
前述したように、本発明の実施形態は、処理が開始された以降、ＣＰＵの負荷率を常時監視し、ＣＰＵの負荷率が８０％〜９０％の範囲を超えた場合に、ＣＰＵの負荷率が８０％〜９０％になるように、前述で説明した手順に従って制御周期を変更する。
【００６３】
前述した本発明の実施形態によれば、制御機器の制御以外の処理負荷がどのような状態であっても、ＣＰＵの処理能力を最大限使用し、最適なパフォーマンスを得ることを可能とすることができる。
【符号の説明】
【００６４】
１０１  搬送モジュール
１０２  真空搬送部
１０３  大気搬送部
１０４  真空搬送容器
１０５  ロック室
１０６  筐体
１０７−１〜１０７−３  カセット台
１０８  真空搬送ロボット
１０９  大気搬送ロボット
１１０−１〜１１０−４  プロセスモジュール
１１１  ユーザインタフェース装置
１１２  ホスト
１１３−０〜１１３−４  モジュールコントローラ
１１５、２０２、３００  信号線
２０１−０〜２０１−４  入出力基板
３０１  真空容器ユニット
３０２  ガス供給ユニット
３０３  プラズマ形成ユニット
３０４  排気ユニット
３０５  ガス供給源
３０６  流量制御器
３０７  ガス遮断バルブ
３０８  ガス導入ライン
３０９  分流器
３１０−１、３１０−２  ガス導入バルブ
３１１  マイクロ波発生源
３１２  アンテナ
３１３  ソレノイドコイル
３１４  処理室
３１５  試料台
３１６  試料台駆動機構
３１７−１、３１７−２  ガスライン排気バルブ
３１８  処理室排気バルブ
３１９  排気ポンプ
３２０−１、３２０−２  ガス導入ライン
３２１−１、３２１−２  ガス排気ライン
３２２  処理室排気ライン
５０１、６０２  制御周期変更部
５０２  ＣＰＵ負荷監視部
５０３、６０３  ＩＯ制御部
５０４、６０１  通信制御部
６０４−０〜６０４−２  インタフェース制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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