(57)【要約】 【課題】貫通孔内に所望の処理を施すことができる処理方法および処理装置を提供すること。【解決手段】処理装置１は、内部に液体Ｌが供給されるとともに、供給された前記液体Ｌに基板２を浸積させる槽１１を備える。処理装置１は、第一供給口１１１Ａから第一排出口１１１Ｂに向かって液体Ｌを流すとともに、第二供給口１１２Ａから第二排出口１１２Ｂに向かって液体Ｌを流すと、液体Ｌが、鉛直方向上方側から下方側に向かって前記基板２の一方の基板面および他方の基板面に沿って流れるように構成され、基板２の一方の面における液体Ｌの平均流速と、他方の面における液体Ｌの平均流速とを異ならせる調整手段を有する。【選択図】 図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の基板面側から他方の基板面側にむかって貫通する貫通孔が形成された基板の前記貫通孔に液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理方法であって、
前記液体が供給される槽であり、前記基板を保持し、保持した前記基板とともに当該槽を、第一槽および第二槽に区画する隔壁を備える前記槽を用意する工程と、
前記基板を前記隔壁に保持させて、前記槽内に前記基板を設置する工程と、
前記第一槽および第二槽内に液体を供給して前記基板を前記液体に浸漬させた状態とし、前記第一槽および第二槽それぞれから前記液体を排出することで、前記液体を前記基板の一方の基板面および他方の基板面に沿って流すとともに、前記貫通孔内に前記液体を接触させる工程とを含み、
前記液体を前記基板の一方の基板面および他方の基板面に沿って流すとともに、前記貫通孔内に前記液体を接触させる前記工程において、
前記基板の一方の基板面に沿って流れる前記液体の平均流速と、前記基板の他方の基板面に沿って流れる前記液体の平均流速とが異なる基板の処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の処理方法において、
前記槽内において、前記基板は一対の基板面が鉛直方向と略平行となるように前記隔壁に保持され、
前記第一槽および前記第二槽において、前記液体を鉛直方向上側から下側にむかって流すことで、前記基板の一方の基板面および他方の基板面にそって前記液体を流す基板の処理方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板の処理方法において、
前記第一槽の第一排出口と、前記第二の槽の第二排出口との大きさとを異なる大きさとすることで、前記基板の一方の基板面に沿って流れる前記液体の平均流速と、前記基板の他方の基板面に沿って流れる前記液体の平均流速とを異なるものとする基板の処理方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の基板の処理方法において、
前記第一槽の第一排出口に接続された排液用の第一ポンプの吸引力と、前記第二の槽の第二排出口に接続された排液用の第二ポンプの吸引力とを異なるものとすることで、前記基板の一方の基板面に沿って流れる前記液体の平均流速と、前記基板の他方の基板面に沿って流れる前記液体の平均流速とを異なるものとする基板の処理方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載の基板の処理方法において、
前記第一槽内に供給された前記液体を加圧して第一槽の第一排出口から排出させるとともに、第二槽内に供給された前記液体を加圧して第二槽の第二排出口から排出させ、
前記第一槽内に供給された前記液体への加圧力と、前記第二槽に供給された前記液体への加圧力とを異なる圧力とすることで、前記基板の一方の基板面に沿って流れる前記液体の平均流速と、前記基板の他方の基板面に沿って流れる前記液体の平均流速とを異なるものとする基板の処理方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板の処理方法において、
前記液体は、めっき液であり、
前記液体を前記基板の一方の基板面および他方の基板面に沿って流すとともに、前記貫通孔内に前記液体を接触させる前記工程において、
前記基板の前記貫通孔内にめっき処理を行う基板の処理方法。
【請求項７】
基板の一方の基板面側から他方の基板面側にむかって貫通する貫通孔が形成された基板の前記貫通孔内に液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理装置において、
内部に前記液体が供給され、供給された前記液体に前記基板を浸積させるとともに、前記基板を保持し、保持した前記基板とともに槽を、第一槽および第二槽に区画する隔壁を備える槽と、
前記槽の第一槽および第二槽内にそれぞれに前記液体を供給する供給手段とを備え、
当該基板の処理装置は、前記供給手段から供給された前記液体が、前記基板の一方の基板面および他方の基板面に沿って流れるとともに、前記基板の貫通孔に接触するように構成され、
前記基板の一方の基板面に沿って流れる前記液体の平均流速と、前記基板の他方の基板面に沿って流れる前記液体の平均流速とを異ならせる調整手段を有する基板の処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板の処理装置において、
前記第一槽の液体の第一供給口および前記第二槽の液体の第二供給口は、前記隔壁で保持された前記基板よりも鉛直方向上方にあり、
前記第一槽の液体の第一排出口および前記第二槽の液体の第二排出口は、前記隔壁で保持された前記基板よりも鉛直方向下方にあり、
当該基板の処理装置は、前記第一供給口から第一排出口に向かって前記液体を流すとともに、前記第二供給口から第二排出口に向かって前記液体を流すと、前記液体が、鉛直方向上方側から下方側に向かって前記基板の一方の基板面および他方の基板面に沿って流れるように構成される基板の処理装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の基板の処理装置において、
前記調整手段は、前記第一槽の液体の第一排出口と、この第一排出口と大きさが異なる前記第二槽の液体の第二排出口とを含んで構成される基板の処理装置。
【請求項１０】
請求項７または８に記載の基板の処理装置において、
前記調整手段は、前記第一槽の第一排出口に接続された排液用の第一ポンプと、
前記第二の槽の第二排出口に接続された排液用の第二ポンプとで構成され、
前記第一ポンプの吸引力は第二ポンプの吸引力とは異なる基板の処理装置。
【請求項１１】
請求項７または８に記載の基板の処理装置において、
前記調整手段は、前記第一槽内に供給された前記液体を加圧して第一槽の第一排出口から排出させる第一加圧手段と、
第二槽内に供給された前記液体を加圧して第二槽の第二排出口から排出させる第二加圧手段とで構成され、
第一加圧手段からの前記液体に加わる加圧力と、第二加圧手段からの前記液体への加圧力とが異なる基板の処理装置。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれか一項に記載の基板の処理装置において、
前記液体は、めっき液であり、
当該処理装置は、前記基板の前記貫通孔内にめっき処理を行う装置である基板の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理方法および処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、回路基板は、以下のようにして製造されている。
基材の両面に銅箔が貼り付けられた両面銅貼積層板を用意する。この両面銅貼積層板にビアホールを形成し、さらに、ビアホールおよび両面銅貼積層板上にめっきを行う。その後、両面銅貼積層板を加工して回路を形成する（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１８６７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の基板の製造方法では、めっきを行う際に、両面銅貼積層板をめっき液に浸漬させている。しかしながら、この製造方法では、ビアホール内に所望のめっき膜を安定的に得ることが難しかった。
【０００５】
なお、このように、ビアホール内に所望の処理を実施できないという課題は、めっきを行う場合のみならず、両面銅貼積層板を水に浸して水洗する場合等にも生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、基板の一方の基板面側から他方の基板面側にむかって貫通する貫通孔が形成された基板の前記貫通孔に液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理方法であって、
前記液体が供給される槽であり、前記基板を保持し、保持した前記基板とともに当該槽を、第一槽および第二槽に区画する隔壁を備える前記槽を用意する工程と、
前記基板を前記隔壁に保持させて、前記槽内に前記基板を設置する工程と、
前記第一槽および第二槽内に液体を供給して前記基板を前記液体に浸漬させた状態とし、前記第一槽および第二槽それぞれから前記めっき液を排出することで、前記液体を前記基板の一方の基板面および他方の基板面に沿って流すとともに、前記貫通孔内に前記液体を接触させる工程とを含み、
前記液体を前記基板の一方の基板面および他方の基板面に沿って流すとともに、前記貫通孔内に前記液体を接触させる前記工程において、
前記基板の一方の基板面に沿って流れる前記液体の平均流速と、前記基板の他方の基板面に沿って流れる前記液体の平均流速とが異なる基板の処理方法が提供される。
【０００７】
この発明によれば、基板の一方の基板面に沿って流れる液体の平均流速と、基板の他方の基板面に沿って流れる液体の平均流速とが異なっている。これにより、液体が貫通孔内に引き込まれることとなる。したがって、貫通孔内を液体で確実に処理することができる。
【０００８】
また、本発明によれば、上述した処理方法を実施するための処理装置も提供できる。
すなわち、本発明によれば、
基板の一方の基板面側から他方の基板面側にむかって貫通する貫通孔が形成された基板の前記貫通孔内に液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理装置において、
内部に前記液体が供給され、供給された前記液体に前記基板を浸積させるとともに、前記基板を保持し、保持した前記基板とともに槽を、第一槽および第二槽に区画する隔壁を備える槽と、
前記槽の第一槽および第二槽内にそれぞれに前記液体を供給する供給手段とを備え、
当該基板の処理装置は、前記供給手段から供給された前記液体が、前記基板の一方の基板面および他方の基板面に沿って流れるとともに、前記基板の貫通孔に接触するように構成され、
前記基板の一方の基板面に沿って流れる前記液体の平均流速と、前記基板の他方の基板面に沿って流れる前記液体の平均流速とを異ならせる調整手段を有する基板の処理装置が提供できる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、貫通孔内に所望の処理を施すことができる処理方法および処理装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態にかかる処理装置を示す断面図である。
【図２】隔壁を示す図である。
【図３】隔壁を示す図である。
【図４】基板のめっき処理工程を示す図である。
【図５】基板のめっき処理工程を示す図である。
【図６】基板の貫通孔中に電解めっき液が入っていく様子を示す模式図である。
【図７】本発明の変形例にかかる処理装置を示す断面図である。
【図８】本発明の変形例にかかる処理装置を示す断面図である。
【図９】本発明の変形例にかかる処理装置を示す断面図である。
【図１０】本発明の変形例にかかる処理装置を示す断面図である。
【図１１】処理装置を槽の上側からみた際の断面図である。
【図１２】本発明の変形例にかかる処理装置を示す断面図である。
【図１３】本発明の変形例にかかる処理装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
はじめに、図１を参照して、本実施形態の基板の処理装置１の概要について説明する。
処理装置１は、基板２の一方の基板面側から他方の基板面側にむかって貫通する貫通孔２０１（図４参照）が形成された基板２の前記貫通孔２０１内に液体Ｌを接触させて、基板２を処理するものである。
処理装置１は、内部に前記液体Ｌが供給されるとともに、供給された前記液体Ｌに前記基板２を浸積させる槽１１を有する。槽１１内には、基板２の一対の基板面が鉛直方向と略平行となるように基板２を保持し、保持した前記基板２とともに前記槽１１を、第一槽１１１および第二槽１１２に区画する隔壁１１３が形成されている。
第一槽１１１の液体の第一供給口１１１Ａおよび前記第二槽１１２の液体の第二供給口１１２Ａは、前記隔壁１１３で保持された前記基板２よりも鉛直方向上方にあり、第一槽１１１の液体の第一排出口１１１Ｂおよび前記第二槽１１２の液体の第二排出口１１２Ｂは、前記隔壁１１３で保持された前記基板２よりも鉛直方向下方にある。
当該基板の処理装置１は、第一供給口１１１Ａから第一排出口１１１Ｂに向かって前記液体Ｌを流すとともに、前記第二供給口１１２Ａから第二排出口１１２Ｂに向かって前記液体Ｌを流すと、前記液体Ｌが、鉛直方向上方側から下方側に向かって前記基板２の一方の基板面および他方の基板面に沿って流れるように構成され、基板２の一方の基板面に沿って流れる液体Ｌの平均流速（平均線速）と、基板２の他方の基板面に沿って流れる液体Ｌの平均流速（平均線速）とを異ならせる調整手段を有する。
【００１２】
次に、処理装置１について詳細に説明する。
液体Ｌは薬液、本実施形態では、電解めっき液Ｌである。すなわち、処理装置１は、本実施形態では電解めっき装置である。
槽１１は、たとえば、硬質塩ビ槽であり、本実施形態では、直方体あるいは立方体形状である。
槽１１は、隔壁１１３を備える。この隔壁１１３は、たとえば、槽１１の底面部に立設され、基板２の一対の基板面が鉛直方向と略平行となるように基板２を保持する。そして、隔壁１１３は、保持した基板２とともに槽１１を、第一槽１１１および第二槽１１２に区画する。
ここで、図２および図３に隔壁１１３を示す。図２は、図１のｘ軸方向から見た図であり、図３は、隔壁１１３の分解図である。
本実施形態では、隔壁１１３は、一対の板材１１３Ａで構成される。板材１１３Ａの中央部には、開口１１３Ａ１が形成されており、この一方の板材１１３Ａの開口１１３Ａ１をふさぐように、基板２を配置する。そして、他方の板材１１３Ａを重ね合わせ、基板２の周縁部を板材１１３Ａで挟む。これにより、隔壁１１３に基板２が保持されることとなる。
槽１１の底面部には、隔壁１１３をはめ込むための、凹部（図示略）が形成されている。
【００１３】
図１に示すように、槽１１の側壁には、電解めっき液Ｌの第一供給口１１１Ａが形成されている。第一供給口１１１Ａから第一槽１１１内に電解めっき液Ｌが供給される。第一供給口１１１Ａは、隔壁１１３に保持された基板２よりも鉛直方向上方に位置している。そして、第一槽１１１内の電解めっき液Ｌは、基板２の基板面に沿って流れ、第一排出口１１１Ｂから排出される。
第一排出口１１１Ｂは、槽１１の底面部に形成されており、隔壁１１３に保持された基板２よりも鉛直方向下方に位置している。
ここで、第一排出口１１１Ｂは、ひとつの貫通孔であってもよく、複数あってもよい。
【００１４】
槽１１の側壁には、電解めっき液Ｌの第二供給口１１２Ａが形成されている。第二供給口１１２Ａから第二槽１１２内に電解めっき液Ｌが供給される。第二供給口１１２Ａは、隔壁１１３に保持された基板２よりも鉛直方向上方に位置している。そして、第一槽１１１内の電解めっき液Ｌは、基板２の基板面に沿って流れ、第二排出口１１２Ｂから排出される。
第二排出口１１２Ｂは、槽１１の底面部に形成されており、隔壁１１３に保持された基板２よりも鉛直方向下方に位置している。
ここで、第二排出口１１２Ｂは、ひとつの貫通孔であってもよく、複数あってもよい。
本実施形態では、第一排出口１１１Ｂは、ひとつの貫通孔で構成され、第二排出口１１２Ｂはひとつの貫通孔で構成されている。そして、第一排出口１１１Ｂの開口径は、第二排出口１１２Ｂの開口径よりも大きい。
【００１５】
なお、本実施形態では、排出口１１１Ｂ，１１２Ｂと、槽１４とは配管で接続されておらず、排出口１１１Ｂ，１１２Ｂから排出される電解めっき液Ｌは、槽１４内に自然落下する。
【００１６】
また、槽１１内には、複数の陽極１２が設置されている。本実施形態では、陽極１２は２つ設置されている。一方の陽極１２は、槽１１内に配置された基板２の一方の基板面と対向するように配置され、他方の陽極１２は、槽１１内に配置された基板２の他方の基板面と対向するように配置されている。陽極１２は、たとえば、含リン銅である。
【００１７】
処理装置１は、槽１１へ供給するための電解めっき液Lが充填された槽（調整槽）１４を備える。槽１４は、槽１１からオーバーフローした電解めっき液Lを受ける役割も果たすため、槽１４は槽１１の鉛直方向下方側に配置される。
ここで、槽１４内の電解めっき液Ｌを撹拌するために、バブリング装置（図示略）を槽１４に接続してもよい。このようにすることで、槽１４内の電解めっき液Ｌの濃度を均一なものとすることができる。
槽１４と、槽１１の第一供給口１１１Ａとは、配管１６で接続されている。配管１６および配管１６に接続されているポンプＰ１を介して電解めっき液Ｌが槽１４から槽１１へと供給される。
また、槽１４と、槽１１の第二供給口１１２Ａとは、配管１７で接続されている。配管１７および配管１７に接続されているポンプＰ２を介して電解めっき液Ｌが槽１４から槽１１へと供給される。
【００１８】
次に、処理装置１を使用した基板２の処理方法について説明する。
はじめに、図４（Ａ）に示すような基材２０を用意する。
この基材２０は、絶縁層２１と、この絶縁層２１の表裏面に貼り付けられた金属膜２２（たとえば、銅膜）とを有する。絶縁層２１の厚みは、たとえば、５μｍ以上、１００μｍ以下であり、金属膜２２の厚みは、たとえば、１μｍ以上、５０μｍ以下である。基材２０全体の厚みは、たとえば、１０μｍ以上、２００μｍ以下である。
【００１９】
次に、図４（Ｂ）に示すように、一対の金属膜２２および絶縁層２１を貫通する貫通孔２０１を形成する。次に、金属膜２２上および貫通孔２０１内部に無電解めっきを施す。これにより、基板２が得られる。
【００２０】
その後、基板２上に金属膜２２の一部を被覆するマスクＭを配置し、処理装置１を使用して、貫通孔２０１内部および金属膜２２上に電解めっきを施す（図５（Ａ）参照）。
電解めっきは以下のように行う。  
はじめに、図１に示すように、槽１４から槽１１の第一槽１１１へ、配管１６およびポンプＰ１を介して、電解めっき液Ｌを供給する。また、槽１４から第二槽１１２へ配管１７およびポンプＰ２を介して、電解めっき液Ｌを供給し、槽１１内を電解めっき液Ｌで満たしておく。
なお、槽１１からは電解めっき液Ｌがオーバーフローするとともに、槽１１内が電解めっき液Ｌで満ちるように、槽１１へ電解めっき液Ｌを供給しつづける。
その後、基板２を隔壁１１３に保持させて、基板２を槽１１内に配置し、基板２を電解めっき液Ｌ中に浸漬させる。このとき、基板２の基板面が鉛直方向と略方向となるように、基板２が槽１１内に配置される。その後、陰極（図示略）および陽極１２間を通電することで、基板２に対する電解めっきが開始される。電解めっきを行う際、槽１４から、第一槽１１１および第二槽１１２へは随時電解めっき液Lが供給される。これにより、槽１１内の電解めっき液Lは、鉛直方向上側から、鉛直方向下側に向かって、流れることとなる（矢印Ｙ１、Ｙ２参照）。鉛直方向上側から鉛直方向下側に向かって流れる電解めっき液Ｌは、基板２の一対の基板面に沿って流れ、さらには、貫通孔２０１内部にも供給される。
なお、電解めっきを行う間、基板２全体が電解めっき液Ｌ中に浸漬した状態となる。
【００２１】
ここで、本実施形態では、第一排出口１１１Ｂの開口径が、第二排出口１１２Ｂの開口径よりも大きいため、基板２の一方の基板面（第一槽１１１側の面）を流れる電解めっき液Ｌの平均流速は、他方の基板面（第二槽１１２側の面）を流れる電解めっき液Ｌの平均流速よりも速くなっている。そのため、図６の拡大断面図に示すように、一方の基板面を流れる電解めっき液Ｌと、他方の基板面を流れる電解めっきＬとの速度差が生じることで、流れが遅い側から速い側へ向かって電解めっき液Ｌが貫通孔２０１内に引き込まれ、貫通孔２０１内に電解めっきが施されることとなる。これにより、貫通孔２０１内に電解めっきが施されることとなる。したがって、第一排出口１１１Ｂ、第二排出口１１２Ｂが調整手段となる。
【００２２】
なお、基板２の基板面を流れる電解めっき液Ｌの平均流速は、第一排出口１１１Ｂから排出される電解めっき液Ｌの単位時間当たりの流量Ｖ1、第二排出口１１２Ｂから排出される電解めっき液Ｌの単位時間当たりの流量Ｖ２から、算出することができる。
まず、第一排出口１１１Ｂから排出される電解めっき液Ｌの単位時間当たりの流量Ｖ1を計測する。また、第二排出口１１２Ｂから排出される電解めっき液Ｌの単位時間当たりの流量Ｖ２を計測する。本実施形態では、槽１１の形状が直方体あるいは立方体であるため、図１１に示すように基板２と隔壁１１３と槽１１とで囲まれる面積Ｓ１でＶ１を割ることで、基板２の一方の基板面を流れる電解めっき液Ｌの平均流速を算出することができる。
同様にして、図１１に示すように基板２と隔壁１１３と槽とで囲まれる面積Ｓ２でＶ２を割ることで、基板２の他方の基板面を流れる電解めっき液Ｌの平均流速を算出することができる。
また、図１２に示すように、隔壁１１３および基板２で構成される壁面が傾斜しているような場合もある。この場合には、計算シミュレーション等により、基板２の基板面を流れる電解めっき液Ｌの平均流速を算出することが可能である。
なお、基板２の一方の基板面を流れる電解めっき液Ｌの平均流速と、基板２の他方の基板面を流れる電解めっき液Ｌの平均流速との差は、１０ｍ／ｓ以上であることが好ましい。
なお、図６の拡大断面図では、マスクＭを省略している。
また、図１１の図面では、陽極１２を省略しているが、陽極１２の厚み等を考慮して、平均流速を算出してもよい。
【００２３】
さらに、電解めっきを行う際、槽１４から第一槽１１１へは随時電解めっき液Lが供給されており、電解めっき液Ｌの槽１４から第一槽１１１への供給量は、第一槽１１１から排出される電解めっき液Ｌの量よりも多い。同様に、電解めっきを行う際、槽１４から第二槽１１２へは随時電解めっき液Lが供給されており、電解めっき液Ｌの槽１４から第二槽１１２への供給量は、第二槽１１２から排出される電解めっき液Ｌの量よりも多い。
従って、第一槽１１１、第二槽１１２の上部からは、電解めっき液Ｌがオーバーフローする。オーバーフローした電解めっき液Ｌは、矢印Ｙ３方向に流れ、槽１４で回収される。
さらに、槽１４には、第一排出口１１１Ｂ、第二排出口１１２Ｂからの電解めっき液Ｌが供給される。
槽１４内の電解めっき液Ｌは、配管１６、１７およびポンプＰ１、Ｐ２を介して再度槽１１に供給されることとなる。
なお、必要に応じて、槽１４内の電解めっき液Ｌの金属濃度等を分析し、槽１４内の電解めっき液Ｌの金属濃度等を調整してもよい。
また、配管１６から第一槽１１１内に供給される単位時間あたりの電解めっき液Ｌの量は、配管１７から第二槽１１２内に供給される単位時間あたりの電解めっき液Ｌの量と同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００２４】
以上のような電解めっきの工程により、図５（Ａ）に示すように、貫通孔２０１内にビアとなる導電体２６が形成されるとともに、金属膜２２上に電解めっきによる金属膜が形成される（金属膜２３は、金属膜２２と金属膜２２上のめっき膜を示す）。
【００２５】
次に、槽１１から電解めっきが施された基板２を取り出し、洗浄する。
その後、マスクＭが形成されていた部分の金属膜２２をフラッシュエッチングにより除去し、図５（Ｂ）に示すように、第一回路層２５、第二回路層２４を形成する。
以上の工程により、基板２に対し電解めっき処理したフレキシブル回路基板２７を得ることができる。
【００２６】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
基板２の一方の基板面（第一槽１１１側）を流れる電解めっき液Ｌの平均流速（線速）は、他方の基板面（第二槽１１２側）を流れる電解めっき液Ｌの平均流速（線速）よりも速くなっている。そのため、図６の拡大断面図に示すように、一方の基板面を流れる電解めっき液Ｌと、他方の基板面を流れる電解めっきＬとの速度差が生じることで、流れが遅い側から速い側へ向かって電解めっき液Ｌが貫通孔２０１内に引き込まれ、貫通孔２０１内に電解めっきが施されることとなる。これにより、貫通孔２０１内に電解めっきを確実に施すことができ、貫通孔２０１内のめっき膜にボイド等が発生してしまうことを抑制できる。
また、本実施形態では、基板２を槽１１内の電解めっき液Ｌ中に浸漬させた状態で、槽１１内の電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板２の基板面に沿って流している。
これにより基板２表面付近で電解めっき液Ｌが滞留してしまうことが防止され、基板２には、常に新鮮な電解めっき液Ｌが接触することとなる。これにより、基板２に対し所望のめっき膜を安定的に成膜することができる。
【００２７】
また、本実施形態では、槽１１内の電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって流している。電解めっき液Ｌが重力に従って流れることとなるので、電解めっき液Ｌをスムーズに流すことができる。また、電解めっき液Ｌを重力に従って流すことで、電解めっき液Ｌの流れが安定したものとなる。
さらに、電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって重力に従って流すことで、処理装置１の装置構成の複雑化を抑制できる。
さらに、本実施形態では、基板２を槽１１内の電解めっき液Ｌ中に浸漬させた状態で、槽１１内の電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板２の基板面に沿って流し、排出している。
これにより、電解めっき液Ｌ中に異物が混入していても、槽１１内から異物を排出することができる。そのため基板２に異物が付着することを抑制することができる。
【００２８】
また、本実施形態では、基板２はフレキシブル回路基板用の基板であり、その厚みが１０〜２００μｍと比較的薄いものとなっている。
このような基板２を電解めっきＬ中に浸漬させた場合、電解めっき液Ｌ中で基板２がふらついてしまう。そのため、基板２が陽極に近づいたり、離れたりすることで、基板２に対し所望の電解めっきを施すことが難しいことがある。
これに対し、本実施形態では、基板２を電解めっき液Ｌ中で浸漬させた状態で、電解めっき液Ｌを流している。基板２の一方の基板面側および他方の基板面側で、電解めっき液Ｌが鉛直方向上方側から、下方側に向かって流れるため、基板２が電解めっき液Ｌ中でふらつくことが防止される。これにより、基板２に対し所望の電解めっきを施すことができる。また、基板２のふらつきを防止できるので、基板２にしわが発生したり、基板２が破損してしまうことを抑制することができる。
【００２９】
さらに、本実施形態では、槽１１から電解めっき液Ｌをオーバーフローさせて電解めっきを行っている。オーバーフローさせることで、基板２が電解めっき液Ｌに浸漬した状態を確実に維持しながら電解めっきを基板２に対し施すことができる。
【００３０】
また、本実施形態では、槽１１内に基板２を一枚配置して、電解めっきを行っている。そのため、槽１１は、基板２を配置でき、基板２の基板面側で電解めっき液Ｌを流すことができる程度の大きさでよい。これにより、処理装置１の大型化を抑制することができる。
【００３１】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、第一排出口１１１Ｂの開口径を、第二排出口１１２Ｂの開口径よりも大きくし、基板２の一方の基板面（第一槽１１１側）を流れる電解めっき液Ｌの平均流速（線速）を他方の基板面（第二槽１１２側）を流れる電解めっき液Ｌの平均流速（線速）よりも速くなるようにしたが、これに限られるものではない。
たとえば、図７に示すように、第一排出口１１１Ｂに配管１８を接続し、ポンプＰ３で電解めっき液を吸引する。同様に、第二排出口１１２Ｂに配管１９を接続し、ポンプＰ４で電解めっき液を吸引する。ポンプＰ３の吸引力を、ポンプＰ４の吸引力よりも大きくすることで、基板２の一方の基板面（第一槽１１１側）を流れる電解めっき液Ｌの平均流速（線速）を他方の基板面（第二槽１１２側）を流れる電解めっき液Ｌの平均流速（線速）よりも速くしてもよい。この場合には、第一排出口１１１Ｂの大きさは、第二排出口１１２Ｂよりも大きくてもよいが、第一排出口１１１Ｂの大きさを、第二排出口１１２Ｂの大きさと同じとしてもよい。
【００３２】
さらに、図８に示すように、第一槽内の電解めっき液を上方から下方に向かって加圧して、第一排出口から排出させる第一加圧手段３１と、第二槽内の電解めっき液を上方から下方に向かって加圧して、第一排出口から排出させる第二加圧手段３２とを設け、第一加圧手段から電解めっき液に加わる圧力を、第二加圧手段から電解めっき液に加わる圧力よりも大きくすることで、基板２の一方の基板面（第一槽１１１側）を流れる電解めっき液Ｌの平均流速（線速）を他方の基板面（第二槽１１２側）を流れる電解めっき液Ｌの平均流速（線速）よりも速くしてもよい。この場合には、第一排出口１１１Ｂの大きさは、第二排出口１１２Ｂよりも大きくてもよいが、第一排出口１１１Ｂの大きさを、第二排出口１１２Ｂの大きさと同じとしてもよい。
さらに、ポンプＰ３、Ｐ４と、加圧手段３１、３２両方を備えるものとしてもよい。
【００３３】
また、前記実施形態では、電解めっき装置１であるとしたが、これに限られるものではない。図９に示すように、処理装置１の陽極を取り除き、本発明の処理装置を無電解めっき装置１Ａとしてもよい。
図９に示す処理装置１Ａは、処理装置１から陽極を取り除いた点以外は、処理装置１と同じである。槽１４、槽１１内には、無電解めっき液Ｌが充填されている。
また、図９に示す処理装置１Ａを基板表面の金属層等をエッチングするエッチング装置としてもよい。さらに、処理装置１Ａを現像装置としてもよい。基板表面の感光性樹脂層に光を照射し、未露光部分を除去するための現像液を槽１４、槽１１内に充填し、処理装置１Ａにより、基板表面の感光性樹脂層の未露光部分を除去してもよい。
さらに、処理装置１Ａを、基板に形成されたマスク等を剥離処理する剥離装置としてもよい。この場合には、マスク等を剥離するための剥離液を槽１４、槽１１内に充填すればよい。
【００３４】
また、図１０に示すように、本発明の処理装置を水洗装置１Ｂとしてもよい。水洗装置１Ｂは、処理装置１の陽極を取り除くとともに、槽１４Ａ〜１４Ｃを設けた点以外は、処理装置１と同じ構成である。
水洗装置１Ｂの槽１４Ａ内には基板洗浄前の水が充填されている。
槽１４Ａから槽１１へ水が供給され、槽１１内で水が鉛直方向上方側から下方側にむかって流れ、基板２が洗浄される。
その後、排出口１１２からは洗浄後の水が排出され槽１４Ｂに供給される。
槽１４Ｂ内の水は、槽（浄化槽）１４Ｃに供給され、槽１４Ｃ内で水が清浄化され、金属等の不純物が除される。槽１４Ｃ内で清浄化された水は、槽１４Ａに供給される。槽１４Ａに供給された水は、再度槽１１に供給されることとなる。
このような水洗装置１Ｂにおいては、基板２には常にきれいな水が接触することとなり、基板２が汚染されてしまうことを防止できる。また、貫通孔２０１内の洗浄を確実に実施することができる。
さらには、基板を水槽に単に浸漬させて水洗する方法では、一つの水槽で確実に洗浄することが難しく、水槽を複数設けて、多段階で水洗する必要がある。
これに対し、水洗装置１Ｂを使用すれば、基板２には常にきれいな水が接触するため、多段階で水洗を行う必要がなく、基板２の処理プロセスを簡略化することができる。
なお、水洗装置１Ｂにおいて、槽１４Ｂ内の水を槽１４Ｃにて清浄化せずに、廃棄してもよい。
【００３５】
さらに、前記実施形態では、槽１１内で基板２の基板面が鉛直方向と平行となるように配置したが、これに限らず、図１３に示すように、槽１１内で基板２の基板面が鉛直方向と直交するように、配置してもよい。
【符号の説明】
【００３６】
１    処理装置
１Ａ    処理装置
１Ｂ    水洗装置
２    基板
１１    槽
１２    陽極
１４    槽
１４Ａ    槽
１４Ｂ    槽
１４Ｃ    槽
１６    配管
１７    配管
１８    配管
１９    配管
２０    基材
２１    絶縁層
２２    金属膜
２３    金属膜
２４    第二回路層
２５    第一回路層
２６    導電体
２７    フレキシブル回路基板
３１    第一加圧手段
３２    第二加圧手段
１１１    第一槽
１１１Ａ    第一供給口
１１１Ｂ    第一排出口
１１２    第二槽
１１２Ａ    第二供給口
１１２Ｂ    第二排出口
１１３    隔壁
１１３Ａ    板材
１１３Ａ１    開口
２０１    貫通孔
Ｌ    電解めっき液（液体）
Ｍ    マスク
Ｐ１    ポンプ
Ｐ２    ポンプ
Ｐ３    ポンプ
Ｐ４    ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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