(57)【要約】【課題】本発明の目的の一つは、薄膜素子群１１０を製造元基板１００から転写先基板２００に転写する際に、製造元基板１００が割れて仕舞う事を防止する事が出来る、薄膜素子群の転写方法を提供する事にある。【解決手段】本発明の一態様としての薄膜素子群の転写方法は、薄膜素子群１１０が形成された製造元基板１００の周辺部、及び転写先基板２００の周辺部の少なくとも一方に凹凸部７９０を有する撥水領域１３０を生成する表面処理工程と、製造元基板１００の製造元基板表面及び転写先基板２００の製造元基板表面の少なくとも一方に水溶性接着剤１６０を塗布する接着剤塗布工程と、製造元基板１００の製造元基板表面と転写先基板２００の転写先基板とを対向させて貼り合わせる基板配置工程と、水溶性接着剤１６０を硬化させる接着剤硬化工程と、製造元基板１００を転写先基板２００から剥離させる事に依って、薄膜素子群１１０を転写先基板２００に転写する基板剥離工程と、を有する事を特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造元基板表面の薄膜素子形成領域に形成された薄膜素子群を転写先基板表面に転写する薄膜素子群の転写方法に於いて、
前記製造元基板の周辺部及び前記転写先基板の周辺部の少なくとも一方に凹凸部を有する撥水領域を生成する表面処理工程と、
前記製造元基板表面及び前記転写先基板表面の少なくとも一方に水溶性接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、
前記製造元基板表面と前記転写先基板表面とを前記水溶性接着剤を介して対向させて配置する基板配置工程と、
前記水溶性接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、
前記製造元基板を前記転写先基板から剥離させる事に依って、前記薄膜素子群を前記転写先基板に転写する基板剥離工程と、を有することを特徴とする薄膜素子群の転写方法。
【請求項２】
前記凹凸部の凸部は有機材料によって柱状に形成される
請求項１に記載の薄膜素子群の転写方法。
【請求項３】
前記凹凸部の凹部は有機材料に穴状に形成された開口部である
請求項１に記載の薄膜素子群の転写方法。
【請求項４】
前記凹凸部の凹部は、該凹部が形成される前記製造元基板または前記転写先基板において該凹部に近接する端部と平行な溝状に形成された開口部である
請求項１に記載の薄膜素子群の転写方法。
【請求項５】
前記撥水領域形成工程において、前記撥水領域は、前記製造元基板に形成された有機絶縁層をエッチングすることで形成され、
前記有機絶縁層は、前記薄膜素子形成領域にも形成されている
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の薄膜素子群の転写方法。
【請求項６】
平面視で前記薄膜素子形成領域と前記撥水領域との間に位置するように、前記製造元基板の表面または前記転写先基板の表面にシール剤領域を形成するシール剤領域形成工程をさらに有する
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の薄膜素子群の転写方法。
【請求項７】
前記シール剤領域形成工程の後に、前記シール剤領域に囲み手段を形成する囲み手段形成工程を有し、
前記接着剤塗布工程では、前記囲み手段によって囲まれた、前記薄膜素子形成領域を含む領域に前記水溶性接着剤を塗布する
請求項６に記載の薄膜素子群の転写方法。
【請求項８】
前記シール剤領域が親水性を有する
請求項６または７に記載の薄膜素子群の転写方法。
【請求項９】
前記撥水領域及び前記シール剤領域がいずれも前記製造元基板に形成される
請求項６乃至８のいずれか１項に記載の薄膜素子群の転写方法。
【請求項１０】
前記シール剤領域が平坦である
請求項６乃至９のいずれか１項に記載の薄膜素子群の転写方法。
【請求項１１】
前記シール剤領域では、前記製造元基板上に形成された無機絶縁層が露出している
請求項６乃至１０のいずれか１項に記載の薄膜素子群の転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜素子群の転写方法に関し、取り分け薄膜素子群をそれらが製造された製造元基板から別の転写先基板へと転写する事に依り、薄膜素子群から成る回路基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気泳動表示装置（ＥＰＤ）や液晶表示装置（ＬＣＤ）、電子発光（エレクトロルミネッセンス：ＥＬ）表示装置の様な薄膜半導体装置が用いられる半導体回路は、電子装置の落下等の衝撃に依る破損防止や柔軟性の向上、或いは軽量化の目的で、プラスチック基板等に形成される場合がある。プラスチック等を基板として使用する薄膜回路基板は、ガラス基板から成る製造元基板上に薄膜素子群である薄膜半導体回路（ＴＦＴ回路）を形成し、この薄膜素子群を転写先基板であるプラスチック基板等へ転写する方法が用いられる。
【０００３】
従来は斯うした回路基板を製造する際に、薄膜素子群が形成された製造元基板と転写先基板との間に接着剤を充填して硬化接着させ、その後、製造元基板から転写先基板へと薄膜素子群を転写して居た。当該方法は特許文献１（特開２００１−５１２９６号公報）や特許文献２（特開２００４−３２７８３６号公報）等に記載されて居る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−５１２９６号公報
【特許文献２】特開２００４−３２７８３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら従来の方法では、製造元基板から転写先基板を剥離して薄膜素子群を転写先基板に転写する際に、製造元基板乃至は転写先基板が割れて、薄膜素子群を転写先基板に転写出来ない不良が頻発していた。
【０００６】
其処で本発明は上述の課題を鑑み、その目的の一つは、薄膜素子群を製造元基板から転写先基板に転写する際に、製造元基板乃至は転写先基板が割れる不良を低減する薄膜素子群の転写方法を提供する事にある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
斯かる課題を解決する為に、本発明の一態様としての薄膜素子群の転写方法は、製造元基板表面の薄膜素子形成領域に形成された薄膜素子群を転写先基板表面に転写する薄膜素子群の転写方法に於いて、前記製造元基板の周辺部及び前記転写先基板の周辺部の少なくとも一方に凹凸部を有する撥水領域を生成する表面処理工程と、前記製造元基板表面及び前記転写先基板表面の少なくとも一方に水溶性接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、前記製造元基板表面と前記転写先基板表面とを前記水溶性接着剤を介して対向させて配置する基板配置工程と、前記水溶性接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、前記製造元基板を前記転写先基板から剥離させる事に依って、前記薄膜素子群を前記転写先基板に転写する基板剥離工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
従来の薄膜素子群の転写方法では、製造元基板から転写先基板へと薄膜素子群を転写する際に、接着剤を製造元基板のほぼ全面に塗布した後に接着剤を硬化させて製造元基板と転写先基板とを接着させ、次いで製造元基板と転写先基板とを剥離する方法が用いられて居た。しかしながら本願発明者らが調査した所、上記従来の方法では、製造元基板と転写先基板との間に充填された接着剤が製造元基板の剥離可能領域外をも転写先基板と接着し、更には余分な接着剤が製造元基板の端面（エッジ部）と転写先基板の端面（エッジ部）を覆って硬化して居た。製造元基板の端面と転写先基板の端面とを覆った状態や剥離可能領域外で接着剤が硬化すると、製造元基板が転写先基板から剥離しにくくなる。その結果、剥離時に製造元基板乃至は転写先基板に意図せぬ余分な力が加わって、基板が割れる不良を誘発する事が判明した。
【０００９】
これに対し、上記本発明の一形態の方法に依れば、製造元基板の端面周辺部及び転写先基板の端面周辺部の少なくとも一方に凹凸部を有する撥水領域を設ける。当該凹凸部は撥水性を有するため、当該撥水領域には水溶性接着剤が付着しづらくなる。これに依って、仮令水溶性接着剤が余ったり、漏れたりしても、製造元基板の端面及びその周辺部と転写先基板の端面及びその周辺部とは接着しなくなる。或いは接着力がその部位では著しく弱くなる。その為に製造元基板を転写先基板から剥離する際に、製造元基板乃至は転写先基板が割れる不良を著しく低減させることが出来る。
【００１０】
また、撥水性材料を塗布するなどして撥水領域を形成する方法と比較すると、凹凸部を有する撥水領域を形成する方法は、薄膜素子群を形成する工程と同時に撥水領域を形成することが出来るという点で好ましい。
【００１１】
また、前記凹凸部の凸部は有機材料によって柱状に形成されてもよい。これによれば、優れた撥水効果を有する撥水領域を形成することが出来る。
【００１２】
または、前記凹凸部の凹部は有機材料に穴状に形成された開口部であってもよい。これによれば、加工前の有機材料領域に穴状の開口部を形成するという比較的容易な製造プロセスによって一定の撥水効果を有する撥水領域を形成することが出来る。
【００１３】
また、前記凹凸部の凹部は、該凹部が形成される前記製造元基板または前記転写先基板において該凹部に近接する端部と平行な溝状に形成された開口部であってもよい。
【００１４】
これによれば、加工前の製造元基板または転写先版の周辺部に溝状の開口部を形成するという比較的容易な製造プロセスによって、一定の撥水効果を有する撥水領域を形成することが出来る。
【００１５】
また、前記撥水領域形成工程において、前記撥水領域は、前記製造元基板に形成された有機絶縁層をエッチングすることで形成され、前記有機絶縁層は、前記薄膜素子の構成要素として利用されているのが好ましい。
【００１６】
これによれば、薄膜素子形成領域に有機絶縁層からなる構成要素を形成する工程において、撥水領域における有機絶縁層を同時に形成することが可能となり、製造工程を増加させることなく撥水領域を有する製造元基板に生成することが出来る。
【００１７】
また、平面視で前記薄膜素子形成領域と前記撥水領域との間に位置するように、前記製造元基板の表面または前記転写先基板の表面にシール剤領域を形成するシール剤領域形成工程をさらに有することが好ましい。
【００１８】
また、前記シール剤領域形成工程の後に、前記シール剤領域に囲み手段を形成する囲み手段形成工程を有し、前記接着剤塗布工程では、前記囲み手段によって囲まれた、前記薄膜素子形成領域を含む領域に前記水溶性接着剤を塗布することが好ましい。
【００１９】
これによれば、製造元基板表面及び転写先基板表面の少なくとも一方に水溶性接着剤を塗布する接着剤塗布工程に於いて、水溶性接着剤が製造元基板と転写先基板との間から漏れ出る不良を低減出来る。
【００２０】
また、前記シール剤領域が親水性を有することが好ましい。これによれば、シール剤領域に囲み手段を形成しやすくなる。
【００２１】
また、前記撥水領域及び前記シール剤領域がいずれも前記製造元基板に形成されることが好ましい。
【００２２】
また、前記シール剤領域が平坦であることが好ましい。これによれば、シール剤領域に囲み手段をより形成しやすくなる。
【００２３】
また、前記シール剤領域では、前記製造元基板上に形成された無機絶縁層が露出していることが好ましい。
【００２４】
これによれば、親水性を有する無機絶縁層の特性を生かしてシール剤領域を形成することが出来る。この場合、シール剤領域を形成するために特別な工程を増加する必要がなく、従来の製造工程によってシール剤領域を容易に形成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】撥水処理を施した製造元基板を示す図。
【図２】凹凸部を有する撥水領域が形成された製造元基板の断面図。
【図３】凹凸部の第１の構成例における平面図。
【図４】凹凸部の第２の構成例における平面図。
【図５】凹凸部の第３の構成例における平面図。
【図６】撥水処理を施した転写先基板を示す図。
【図７】囲み手段を形成された製造元基板を示す図。
【図８】囲み手段の内側に水溶性接着剤を塗布した状態の製造元基板を示す図。
【図９】製造元基板と転写先基板とを貼り合わせた状態を示す図。
【図１０】製造元基板と転写先基板とに紫外線を照射し水溶性接着剤を硬化させる工程を示す図。
【図１１】製造元基板と転写先基板とを剥離させる工程を示す図。
【図１２】転写先基板と第二転写先基板とを貼り合わせた状態を示す図。
【図１３】転写先基板と第二転写先基板とを剥離した状態を示す図。
【図１４】第二転写先基板上の水溶性接着剤及び囲み手段を除去した状態を示す図。
【図１５】本実施形態の一作用を示す第１の図。
【図１６】本実施形態の一作用を示す第２の図。
【図１７】本実施形態の一作用を示す第３の図。
【図１８】本実施形態の一作用を示す第４の図。
【図１９】実施例１における転写元基板の断面図。
【図２０】実施例２における転写元基板の断面図。
【図２１】変形例１における転写元基板の平面図。
【図２２】変形例２における転写元基板の平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明に係る実施形態を、以下の構成に従って、図面を参照しながら具体的に説明する。但し、以下の実施形態はあくまで本発明の一例に過ぎず、本発明の技術的範囲を限定するものではない。尚、各図面に於いて、同一の部品には同一の符号を付しており、その説明を省略する場合がある。
１．定義
２．実施形態
（１）表面処理工程（撥水処理及び親水処理）
（２）囲い込み手段形成工程（囲み手段の形成）
（３）接着剤塗布工程（水溶性接着剤の塗布）
（４）基板設置工程並びに基板配置工程（製造元基板と転写先基板との貼り合わせ）
（５）接着剤硬化工程（水溶性接着剤の硬化）
（６）基板剥離工程（製造元基板と転写先基板との剥離）
（７）第二接着工程（転写先基板と第二転写先基板との貼り合わせ）
（８）第二転写工程（転写先基板と第二転写先基板との剥離）
（９）接着剤除去工程（水溶性接着剤の除去）
（１０）まとめ
３．凹凸部を有する撥水領域の形成方法に関する実施例１
４．凹凸部を有する撥水領域の形成方法に関する実施例２
５．実施例３
６．実施例４
【００２７】
＜１．定義＞
まず、本明細書に於ける用語を以下の通り定義する。
【００２８】
「塗布」：「塗布」するとは、所定の物質に塗る事のみならず、所定の物質上の所定の領域に供給し、又は所定の物質と物質との間に介在させたり充填したりする事を含む。
「製造元基板表面」：製造元基板の面の内で、転写先基板に転写する薄膜素子群が形成された面を指す。
「転写先基板表面」：転写先基板の面の内で、製造元基板から薄膜素子群が転写される面を指す。
【００２９】
＜２．実施形態＞
本発明の一形態である本実施形態は、薄膜素子群の転写方法に関し、取り分け製造元基板表面に形成された薄膜素子群を転写先基板へと転写する事に依り回路基板を製造する方法に関する。中でも特徴的な工程の一つは、製造元基板と転写先基板との両者又は一方の周辺部に対して撥水処理を施す工程であり、特に撥水処理を施すために凹凸部を設けることにある。以下では、当該工程を含む薄膜素子群の転写方法について工程毎に説明する。
【００３０】
＜（１）表面処理工程（撥水処理及び親水処理）＞
まず、図１乃至図６を参照しながら、製造元基板及び転写先基板に対して行う撥水処理及び親水処理の工程について説明する。此処では撥水処理と親水処理の両者を行う例を示すが、接着剤塗布工程時に水溶性接着剤が十分に基板表面に濡れ広がれば必ずしも親水処理を行う必要はない。要するに表面処理工程で撥水処理は必須であるが、親水処理は任意である。又、以下では撥水処理を施した後に親水処理を施す例を示すが、無論反対に親水処理を施した後に撥水処理を施しても良い。更に以下の例では製造元基板と転写先基板の双方に対して表面処理を施すが、表面処理工程はどちらか一方の基板だけに施してもその効果は認められる。
【００３１】
なお、薄膜素子群１１０は、転写先基板２００を最終製品に組み込まれる回路基板の最終的な基板として転写する場合と、転写先基板２００に仮転写した後に第二転写先基板に再度転写する場合とがある。本実施形態では、薄膜素子群１１０を転写先基板２００に仮転写した後、第二転写先基板に再度転写する方法を例に挙げて説明する。薄膜素子群１１０を最終的に第二転写先基板に転写する場合、転写先基板２００はいわば一時的に転写されるだけの基板であるため、必ずしも可撓性や衝撃に対する耐性が高い必要はない。一方で薄膜素子群１１０を最終的に転写先基板２００に転写する場合、転写先基板２００はその用途に合わせて可撓性を有する物であったり、衝撃に対する高い耐性を有する物であったりする。可撓性を有する転写先基板２００の例としてはプラスチック基板や薄い金属基板、或いは繊維、紙、布等が挙げられる。
【００３２】
図１は、撥水処理が施された製造元基板１００を示す図であり、上図は製造元基板表面（上方）から見た平面図、下図は平面図のａ１−ａ２に於ける断面図である。図１に示す様に、製造元基板１００上には薄膜素子群１１０、撥水領域１３０、及びシール剤領域１４０が形成されており、製造元基板１００と薄膜素子群１１０との間には剥離層１２０が形成されて居る。以下、薄膜素子群１１０が形成された領域を指して薄膜素子形成領域１１０ということがある。撥水領域１３０は製造元基板１００の端部に沿った所定の領域に形成される。シール剤領域１４０は、平面視で撥水領域１３０と薄膜素子形成領域１１０との間に形成される。製造元基板１００はガラス等からなる。薄膜素子群１１０は、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダイオード、薄膜抵抗や薄膜コンデンサなどから成る半導体回路である。剥離層１２０は所定のエネルギー付与に依って剥離する特性を有する材料から形成されて居る。剥離する特性とは、一定の強度の光やエネルギーを提供する事に依り、剥離層１２０を構成する材料の原子間又は分子間の結合力が消失ししたり、或いは剥離層と薄膜素子群との界面乃至は剥離層と製造元基板との界面での密着力が低下したり、剥離層自体がアブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）を生じたりした結果、剥離を引き起こす性質である。剥離層１２０の組成としては、例えばアモルファス（非晶質）シリコン（ａ−Ｓｉ）等が用いられる。シール剤領域１４０は親水性を有する平坦部であり、後述の囲い込み手段形成工程において囲み手段が形成される。
【００３３】
製造元基板１００の周辺部には有機樹脂からなる凹凸部を設けて撥水領域１３０とする。又撥水領域の内側には平坦で親水性となっているシール剤領域１４０を設ける。平坦とはシール剤領域下に下層の配線交差や下層の段差が無い状態を言う。シール剤領域１４０の幅は１ｍｍ以上５ｍｍ以下とする。１ｍｍ以上有れば、シール剤領域上に、後に囲み手段を容易に形成できる。シール剤領域は段差や配線交差がない平坦な領域である為に下層にトランジスタなどを形成できない不活用領域となるので、５ｍｍ以下ならば活用領域（半導体回路等が形成される領域）の面積を最大に取れる。撥水領域は、図１に示すように、製造元基板表面に於ける端面（側面部）から所定の範囲を含むものとする。周辺部を為す所定の範囲とは、製造元基板表面に於いて、端面から最低１ｍｍ以上の幅を有する領域で有る事が好ましい。撥水領域１３０となる周辺部が余りに狭いと、水溶性接着剤１６０（後述）が漏れた際に接着させない効果が弱くなる為である。一方で、撥水領域１３０の範囲が広くなり過ぎると薄膜素子群１１０から成る回路部の面積が小さくなるので、端面からの距離を５ｍｍ未満とする事が好ましい。以下、凹凸部を有する撥水領域の形成方法について具体的に説明する。
【００３４】
図２は、図１におけるｂ１−ｂ２の断面図であって、凹凸部を有する撥水領域１３０が形成された製造元基板１００の一構成例の断面図である。図２に示すように、製造元基板１００上には剥離層１２０が形成され、その上には、絶縁層として第１絶縁層（下地絶縁膜）７００、第２絶縁層（ゲート絶縁膜）７１０、及び第３絶縁層（第一層間絶縁膜）７２０が形成されている。第１絶縁層７００、第２絶縁層７１０、及び第３絶縁層７２０は、いずれも無機材料である酸化硅素または窒化硅素などにより形成される。第１絶縁層７００の上には半導体層７３０が形成される。半導体層７３０に接続されるように、導電体からなるソース・ドレイン電極７５０が形成される。半導体層７３０の上には、第２絶縁層７１０を挟んでゲート電極７４０が形成される。第３絶縁層７２０の上には、例えばアクリル樹脂などの有機材料からなる有機絶縁層７６０が形成される。有機絶縁層７６０は第二層間絶縁膜として半導体回路内で機能している。導電配線層７７０はソース・ドレイン電極７５０に接続されるように、導電材料によって形成される。シール剤領域１４０には、有機絶縁層７６０の上に親水層７８０が形成される。親水層７８０の上には囲み手段１５０が形成される。撥水領域１３０には、有機材料による凹凸部７９０が形成される。
【００３５】
親水層７８０は、導電配線層７７０と同じ、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの無機導電材料によって形成される。有機材料で形成された有機絶縁層７６０は撥水性を有しているが、シール剤領域１４０は既に説明したように親水性を有する必要がある。後述する囲み手段が水溶性接着剤や水溶性粘着剤にて形成されるので、親水性を有する事で囲み手段が断線する不具合を防げるからである。そこで、有機絶縁層７６０の上に親水性材料である無機導電材料からなる親水層７８０を形成することで、親水性を有するシール剤領域１４０を構成する。
【００３６】
ここで、親水層７８０は必ずしも導電配線層７７０と同じ材料によって形成される必要はないが、これらを同じ材料で形成することが好ましい。この場合、親水層７８０を設けてシール剤領域１４０を形成するために特別な工程を増加する必要がなく、従来の製造工程によってシール剤領域１４０を容易に形成することが可能である。
【００３７】
凹凸部７９０の形成は、薄膜素子群を製造する工程の一部と同時に行われる。具体的には、凹凸部７９０を有する撥水領域１３０は、例えば製造元基板１００に形成された有機絶縁層７６０をエッチング加工することで作成される。有機絶縁層７６０には、コンタクトホールを開口される必要があり、このコンタクトホール開口時に同じ工程にて凹凸部撥水領域７９０を形成するのである。要するに凹凸部７９０は、第３絶縁層７２０の上に有機材料からなる凹凸部を形成するように形成される。
【００３８】
このように凹凸部７９０を形成すれば、薄膜素子形成領域１１０に有機絶縁層７６０を形成する工程において、撥水領域１３０における有機絶縁層を同時に形成することが可能となり、製造工程を増加させることなく撥水領域１３０を有する製造元基板または転写先基板を生成することが出来る。
【００３９】
図３乃至図５は撥水領域１３０となる凹凸部７９０を製造元基板１００の上面部から平面視した図であり、それぞれ凹凸部７９０の第１構成例、第２構成例、及び第３構成例となって居る。何れの図に於いても斜線を付した部分は有機物の凸部８００を指し、斜線を付していない部分は凹部８１０を示して居る。以下、凸部８００の幅をaで表し、凹部８１０の幅をｂにて表す。
【００４０】
第１構成例である図３では、凹凸部７９０の凸部が有機材料にて柱状に形成される。又、第２構成例である図４では、凹凸部７９０の凹部８１０が有機材料に穴状に形成された開口部と成っている。更に、第３構成例である図５では、凹凸部７９０の凸部８００も凹部８１０も線状に形成されている。線状に形成された凹凸部７９０は此等に近接する、製造元基板乃至は転写先基板の端部と平行とされる。即ち凸部８００は該凸部８００が形成される製造元基板１００または転写先基板２００において該凸部８００に近接する端部と平行な壁状に形成されている。要するに線状の凸部の壁８００は製造元基板の最近接端部（一番近いエッジ）と平行に築かれている。斯うする事で線状の凹凸部７９０を横断する方向（図５の左右方向）に撥水性が発現する。
【００４１】
有機層微小凹凸領域７９０は空隙（凹部）の割合が大きく、有機物領域（凸部）の側面上部と表面とを含む総表面積が広い方が、撥水性は向上する。又、液が凹部底面に達しない程に凹部が狭くて深ければ、ピン留め効果が働いて撥水性は更に向上する。従って理想的にはa：ｂ＝１：１で、aもｂもその絶対値が小さい程、撥水性は顕著となる。従って露光装置の最小分解能にて凹凸部を形成するのが好ましい。現実的には有機物凸部の幅ａ（正方形ならば一辺の長さ、円形ならば直径）やピッチａ＋ｂは１μｍから１００μｍとする。１μｍ以上有れば、通常の露光装置やエッチングで容易に加工が出来る上に、著しく優れた撥水性を示す。反対に１００μｍ以下ならば確実に撥水性が発現し、万が一に水溶性接着剤が漏れた際にも接着力を弱めて、剥離不良を低減する。ピン留め効果を利用して凸部に球状の水溶性接着剤が乗った場合、接触角９０℃の半球だとa/2となるので、概ねその球の直径はa程度となる。従って接着剤の厚み、即ち製造元基板と転写先基板との距離がaよりも大きければ、製造元基板と転写先基板は決して凹凸部７９０では決して接着されなくなる。従って、aの値は接着剤の厚みよりも小さい事が望まれる。微小凹凸領域の深さ（柱や壁の高さ、或いは穴の深さ）は薄膜素子形成領域で使用されている有機層間絶縁膜や有機補強剤の最適厚みに定められ、理想は５００ｎｍから５μｍであるが、液が凹部の底に達せぬ様にaよりも大きいことが望まれる。ａとｂとの割合は、０．５＜ｂ／ａ＜２程度であるが、理想に近づけるべく０．９＜ｂ／ａ＜１．１とする。例えば、凸部８００の長さ及び幅ａを０．９μｍ、隣り合う凸部間の距離ｂを１．１μｍなどとし、凸部８００の高さは０．９μｍ以上とすることが好ましい。
【００４２】
このように構成すれば、凹凸部７９０の上部の液滴は凸部８００の上に乗るような状態となり、それぞれの液滴は互いに接することなく独立する状態となる。よって、凹凸部７９０を有する撥水領域を非常に優れた撥水性を有するものとすることが出来る。
【００４３】
製造元基板１００に対する表面処理工程では基板周辺部の撥水処理の他に基板中央部に親水処理を施しても良い。基板表面で撥水処理が施されない領域が親水処理領域となる。前述の如く薄膜素子群形成工程中に有機樹脂凹凸に依る撥水領域を形成した後に、基板表面全体に親水処理を施しても良い。親水処理は水滴接触角が４０°以下になる程度に行う事が水溶性接着剤との適度な親和性を示すのに好ましく、水滴接触角が１５°未満の超親水処理を行う事は、水溶性接着剤との更に良好な親和性を示すので、より好ましい。親水処理は従来から知られる様々な方法により行う事も可能であるし、以下の様な方法を用いてもよい。製造元基板１００及び転写先基板２００がガラスである場合、最も簡単な親水処理方法は純水洗浄で有り、製造元基板１００の表面に付着した油脂成分を洗い流す。この時に石鹸等の界面活性剤を利用すると、より効果的である。又、製造元基板に形成された薄膜素子群１１０の表面には金属や酸化ケイ素膜、有機樹脂等様々な物質が現れる。この様な物質に対して効果的な親水処理方法は、酸素プラズマやオゾン照射と云った酸化処理である。更には酸素プラズマ中に水素を導入したり、或いは酸素プラズマ中に水蒸気を導入したり、不活性ガスプラズマ中に水蒸気を導入するなどの水プラズマ処理も効果的である。此等の親水処理に依って、基板表面に酸化膜を介して水酸基を誘起出来き、水に対する表面エネルギーを減少させると共に水溶性接着剤の接着力を増す。尚、上記の様にガラス基板を洗浄すると水滴接触角が２５°程度になり、酸化処理や水プラズマ処理を行うと水滴接触角が１５°未満の超親水性となる。
【００４４】
図６は撥水処理を施した転写先基板２００を示す図であり、上図は平面図、下図は断面図である。転写先基板２００と製造元基板１００とは其々その面積が異なっている。どちらが大きくても構わないが、本例では転写先基板２００を製造元基板１００よりも大きくしてある。勿論反対に転写先基板２００が製造元基板１００より小さくても良い。基板が大きい小さいとは面積の大小を表すと同時に辺の長短も意味し、より具体的には、重ね合わせたときに大きい基板が小さい基板を包含し得る関係に有る事を意味する。製造元基板１００と転写先基板２００とを異なった大きさにすると、後の基板配置工程時に小さい方の基板を下にする事で、万が一水溶性接着剤が溢れたとしても、溢れた水溶性接着剤が上側の大きい方の基板の裏面に回り込んで両基板を接着する不良をなくせる。基板配置工程時に小さい方の基板を下にするので、本願では接着剤塗布工程時には小さい方の基板表面に水溶性接着剤を塗布し、その後に大きい方の基板を上から小さい方の基板を包含する形で配置する。先に述べた通り、製造元基板１００と転写先基板２００とでどちらを大きくしても構わない。製造元基板１００を転写先基板２００よりも小さくすると、製造元基板１００を下にし、これに水溶性接着剤を塗布した後により大きい転写先基板２００を乗せる事になる。製造元基板１００には剥離層１２０が設けられて居るので紫外光は透過しない。これに対して転写先基板２００には紫外光透過性の基板を使用出来るので、紫外光透過性の転写先基板２００が上に来ると、後の接着剤硬化工程にて上側から紫外光を照射出来る。斯くして水溶性接着剤を挟持する二枚の基板を反転させる必要が無くなり、上方から紫外光を照射するので、水溶性接着剤に市販されている紫外線硬化型水溶性接着剤を使用する事が可能となる。又、基板配置工程にて両基板を重ね合わせた状態でそのまま紫外光を照射するので、両基板がずれたり、或いはずれた拍子に水溶性接着剤が漏れ出たりする不具合を解消できる。反対に製造元基板１００を転写先基板２００よりも大きくすると、転写先基板２００を下にし、これに水溶性接着剤を塗布する事になる。製造元基板１００表面には薄膜素子群１１０が設けられて居て様々な材質が表面に出ているが、転写先基板２００は表面が均質な基板を使用出来る。斯うすると転写先基板２００表面は均質なので水溶性接着剤も均質に広がり、接着不良を低減する効果が現れる。
【００４５】
転写先基板２００に対する表面処理も、撥水処理と親水処理との両者を行って良い。此処では撥水処理と親水処理との双方を行う方法を説明する。転写先基板２００に対する撥水処理は、該転写先基板２００の周辺部に対して行われる。此処で、転写先基板２００に於ける周辺部を除いた非周辺部は、製造元基板１００の表面に於ける撥水領域１３０を除いた非周辺部とほぼ等しい面積を有し、ほぼ等しい辺長と成っている。即ち水溶性接着剤で接着される領域が両基板でほぼ等しくなる様に撥水領域を設ける。ほぼ等しいとは製造上の誤差を除いて、製造元基板１００の非周辺部と転写先基板２００の周辺部を除いた領域とが同一辺長同一面積に成る様に撥水領域を作成している事を意味する。前述の如く本例では転写先基板２００を製造元基板１００よりも大きくしているので、転写先基板２００に於ける周辺部２３０の幅は、製造元基板１００に於ける撥水領域１３０の幅よりも広くなり、その結果として両基板で親水性の非周辺部の面積はほぼ同一となる。尚、此処でいう「幅」とは、基板に於ける端面から非周辺部までの距離を指す。
【００４６】
ここで、転写先基板２００に対する撥水処理は、以下に示す方法を用いることができる。
【００４７】
第１の例は撥水処理領域にフッ素プラズマを照射する方法で有る。即ち、親水処理が為された領域（以下「非周辺部」という）をフォトレジストで覆い、その後にフッ素を含んだ物質を用いたプラズマ処理を行う。フッ素プラズマ処理に用いるフッ素を含んだ物質としては、四フッ化メタン（ＣＦ４）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、フッ化水素（ＨＦ）、フッ素ガス（Ｆ２）等が挙げられる。取り分け安全上からも扱い易い四フッ化メタン（ＣＦ４）の使用が好ましい。プラズマ処理後はフォトレジストを除去する。
【００４８】
第２の例は撥水処理領域に撥水性物質を塗布する方法である。具体的には撥水処理を行う箇所に油脂又はワックスを塗布する。油脂とは、高級脂肪酸と一価又は二価の高級アルコールとのエステルを指すが、これと類似した性質を示す中性脂肪や高級脂肪酸、炭化水素等をも含む。より具体的な油脂の例としては、脂肪酸（化１）とグリセリン（化２）とのエステルであるトリアシルグリセロース（化３）等が挙げられる。
【化１】
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【化２】
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【化３】
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【００４９】
又、油脂の他にも、アルキルケテンダイマー・ワックス（化４）やジアルキルケトン・ワックス（化５）等のワックスが使用される。
【化４】
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【化５】
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【００５０】
此処で、Ｒ及びＲ１からＲ７は、炭素数が１０から３０程度の直鎖又は分岐鎖を有するアルキル基（ＣｎＨ２ｎ＋１、ｎ＝１０〜３１）、又は炭素数が１０から３０程度の直鎖又は分岐鎖を有するアルケニル基（ＣｎＨ２ｎ−１、ｎ＝１０〜３１）を指す。良好な撥水性を示すにはＲ及びＲ１からＲ７は飽和化合物が好まし居ため、アルケニル基よりもアルキル基の方が好ましい。又、Ｒ及びＲ１からＲ７に含まれる水素原子の一部又は全部をフッ素原子で置換してもよい。
【００５１】
より好ましい油脂としては、Ｒ１からＲ３が炭素数１１−１７の直鎖アルキルで、ラウリン酸（ＣＨ３−（ＣＨ２）１０−ＣＯＯＨ）のグリセリド（Ｃ３Ｈ５（ＯＣＯＣ１１Ｈ２３）３、飽和アルキル基の炭素数ｎ＝１１）、ミリスチン酸（ＣＨ３−（ＣＨ２）１２−ＣＯＯＨ）のグリセリド（Ｃ３Ｈ５（ＯＣＯＣ１３Ｈ２７）３、飽和アルキル基の炭素数ｎ＝１３）、パルミチン酸（ＣＨ３−（ＣＨ２）１４−ＣＯＯＨ）のグリセリド（トリパルミチン、Ｃ３Ｈ５（ＯＣＯＣ１５Ｈ３１）３、飽和アルキル基の炭素数ｎ＝１５）、ステアリン酸（ＣＨ３−（ＣＨ２）１６−ＣＯＯＨ）のグリセリド（トリステアリン、Ｃ３Ｈ５（ＯＣＯＣ１７Ｈ３５）３、飽和アルキル基の炭素数ｎ＝１７）が挙げられる。
【００５２】
ワックスとしては、Ｒ４からＲ７が炭素数１１−１７の直鎖アルキルがより好ましい。ケテンダイマーとしては、ミリスチルケテンダイマー、パルミチルケテンダイマー、ステアリンケテンダイマー、又はベヘニルケテンダイマーが特に好ましい。ジアルキルケトンとしては、パルミトン、又はステアロンが特に好ましい。又、石油から製造され、炭素数２０〜３０程度の直鎖状のパラフィン系炭化水素（ノルマル・パラフィン）を主成分とするパラフィンワックス等も使用出来る。
【００５３】
第３の例は製造元基板と同様に撥水処理領域に有機物に依る微少凹凸領域を設ける方法である。即ち、仮転写基板表面全面に有機樹脂層を塗布した後にフォト工程とエッチング工程とを用いて有機物微少凹凸領域を設ける方法である。
【００５４】
此処まで撥水処理領域を製造元基板と転写先基板の双方に形成して来たが、撥水処理は製造元基板１００又は転写先基板２００の何れか一方にのみ行ってもよい。撥水処理をどちらかの基板に施せば、後の工程で仮令水溶性接着剤１６０が溢れ出ても撥水処理領域で水溶性接着剤１６０は接着せず（或いは接着力が著しく弱まり）、製造元基板１００と転写先基板２００との剥離が容易となる。撥水処理を転写先基板２００のみに対して行った場合、製造元基板１００に形成された薄膜素子群１１０が撥水処理に依って汚染される事が無いとの利点が見られる。理想は製造元基板１００と転写先基板２００との双方に撥水処理を行う事で、此に依り、後の工程にて製造元基板１００と転写先基板２００との剥離をより容易に、より確実に行える様になる。
【００５５】
＜（２）囲い込み手段形成工程（囲み手段の形成）＞
次に製造元基板１００と転写先基板２００とを比較して、面積の小さい方の基板表面におけるシール剤領域１４０に囲み手段１５０を形成する。此処では先と同様に製造元基板１００の方が転写先基板２００よりも小さい例を説明する。即ち製造元基板に囲み手段１５０を形成する例を説明する。
【００５６】
図７は囲み手段１５０が形成された製造元基板１００を示す図であり、上図は製造元基板表面（上方）から見た平面図、下図は断面図である。図７に示す様に、囲み手段１５０は、平面視に於いて製造元基板１００の撥水領域１３０より内側のシール剤領域１４０に薄膜素子群１１０を囲む様に形成される。該囲み手段１５０は、図２に示した断面図においては親水層７８０上に形成される。この際に囲み手段１５０は、囲み手段１５０から撥水領域１３０迄の距離が１ｍｍ以上且つ５ｍｍ以下と成るべく、形成される。囲み手段１５０を撥水領域１３０から１ｍｍ以上の距離をもって形成すれば、製造元基板１００と転写先基板２００とを貼り合わせる際に接着剤で形成された囲み手段１５０が圧迫されて広がっても、当該囲み手段１５０が撥水処理された撥水領域１３０迄は広がらない。撥水領域１３０では囲み手段１５０を形成する接着剤の塗れ性が悪いので、囲み手段１５０がとぎれ、その結果、囲み手段として機能しなくなる不具合が発生し得る。囲み手段１５０が撥水領域１３０から１ｍｍ以上離れて形成されれば、この不具合を防止出来る。又、囲み手段１５０を撥水領域１３０から５ｍｍ以下の距離を以て形成すると、薄膜素子形成領域１１０を広く取れ、生産性向上の視点より好ましい。斯うした囲み手段１５０は囲み用接着剤に依って形成され、その粘度が５０００ｃｐｓ以上且つ５００００ｃｐｓ以下で有ることが望ましい。此処での接着剤とは粘着剤やシール剤、或いは水溶性接着剤を意味する。この範囲の粘度を有する囲み用接着剤によれば、幅が０．５ｍｍ〜２ｍｍ、高さが０．３ｍｍ〜２ｍｍの囲み手段１５０を、シール剤領域１４０に安定的に形成できる。尚、囲み手段１５０を形成する接着剤と、水溶性接着剤１６０とは互いに異なる接着剤で、相溶しない材質同士とするのが好ましい。
【００５７】
＜（３）接着剤塗布工程（水溶性接着剤の塗布）＞
次に、囲み手段１５０が形成された基板表面で、囲み手段１５０の内側に水溶性接着剤１６０を塗布する。
【００５８】
図８は、製造元基板１００と転写先基板２００で小さい方の基板（今の例では製造元基板１００）がステージ３００上に設置され、その小さい方の基板表面の囲み手段１５０の内側に水溶性接着剤１６０を塗布（充填）した状態を示して居る。水溶性接着剤１６０を塗布するに際して、製造元基板１００はステージ３００上に設置される。そして、図に示す様に、水溶性接着剤１６０が囲み手段１５０の内側の親水性領域である薄膜素子形成領域１１０に、囲み手段１５０から外側に漏れない様に塗布される。水溶性接着剤１６０は、粘度が１ｃｐｓ以上且つ５０ｃｐｓ以下の低粘度水溶性接着剤である事が好ましい。粘度が５０ｃｐｓ以下の低粘度水溶性接着剤を用いれば、親水処理された製造元基板１００または転写先基板２００の表面で水溶性接着剤１６０が綺麗に濡れ広がり、製造元基板１００と転写先基板２００とを欠陥無く、均一且つ強力に接着する。又、接着剤で最も粘度が低い物は１ｃｐｓ程度なので、１ｃｐｓ以上で有れば、接着剤の選択肢が広がり、様々な種類の接着剤から最適な接着剤を選択する事が可能となる。接着剤塗布工程後に、次工程（基板配置工程）にて製造元基板１００と転写先基板２００とを貼り合わせるが、此等二工程（接着剤塗布工程と基板配置工程）は同一ステージ３００上で行うのが好ましい。同一ステージ上で行うと水溶性接着剤１６０が塗布された小さい方の基板を移動させる必要がないので、該水溶性接着剤１６０が囲み手段を乗り越えて流れ出す不良をなくせるからである。
【００５９】
＜（４）基板設置工程並びに基板配置工程（製造元基板と転写先基板との貼り合わせ）＞
製造元基板１００と転写先基板２００とを貼り合わせるには、水溶性接着剤１６０が塗布された小さい方の基板を、貼り合わせが為される装置のステージ３００上に設置する。これが基板設置工程である。そして、製造元基板１００と転写先基板２００とを貼り合わせる基板配置工程を行う。基板配置工程が行われるステージ３００は基板を設置する設置面を有して居り、その設置面の面積は製造元基板１００と転写先基板２００とで面積の小さい方の基板よりも更に小さい。此処で云う面積が小さいとは、面積値が小さいと同時に基板の各辺と対応するステージの各辺とを比較して、総ての辺に於いてステージの辺の方が短く、その結果、設置面を小さい方の基板が完全に覆う事を意味する。具体的には、通常は製造元基板１００も転写先基板２００も長方形乃至は正方形の四角形基板を用い、ステージ３００も長方形乃至は正方形の四角形又は円形の設置面を有する。基板もステージも四角形の場合、ステージの短辺を小さい方の基板の短辺よりも２ｍｍ（基板を乗せた際に片側１ｍｍ）から１０ｍｍ（基板を乗せた際に片側５ｍｍ）短くし、ステージの長辺を小さい方の基板の長辺よりも２ｍｍ（基板を乗せた際に片側１ｍｍ）から１０ｍｍ（基板を乗せた際に片側５ｍｍ）短くする。又、ステージが円形の場合、ステージの直径を小さい方の基板の短辺よりも２ｍｍ（基板を乗せた際に片側１ｍｍ）から１０ｍｍ（基板を乗せた際に片側５ｍｍ）短くする。斯うすると、後に図１７及び図１８を用いて詳述するが、仮令水溶性接着剤１６０が漏れ出しても、漏れ出した水溶性接着剤１６０はステージ上に留まらないで下方に滴るので、製造元基板１００と転写先基板２００とを端面部（エッジ部）で接着する事が無くなり、剥離工程時の基板割れ不良を低減するからで有る。
【００６０】
基板設置工程は基板配置工程に先立って行われねばならず、その直前に為されても良いが、より好ましいのは囲い込み手段形成工程前に為される事である。即ち水溶性接着剤１６０が塗布された基板を基板配置工程が行われるステージ３００に設置しても良いが、より好ましいのは基板設置工程後に囲い込み手段形成工程と接着剤塗布工程及び基板配置工程とを同一のステージ３００上で連続して行う事である。斯うすると、水溶性接着剤１６０が塗布された基板を移動させる必要が無くなるので、前述の如く、水溶性接着剤１６０が囲み手段１５０を乗り越えて流れ出す不良をなくせる。理想は基板設置工程後に囲い込み手段形成工程、接着剤塗布工程、基板配置工程、及びその次の接着剤硬化工程をすべて同一ステージ３００上で行う事である。此に依り、囲み手段形成から接着剤硬化迄の間、基板は全く移動しないので、基板移動に伴う水溶性接着剤流出不良を完全になくせる様になる。
【００６１】
図９は基板配置工程直後の状態を示し、製造元基板１００と転写先基板２００とが貼り合わされて居る。製造元基板１００及び転写先基板２００は、平面視に於いて、大きい方の基板（今の例では転写先基板２００）が小さい方の基板（今の例では製造元基板１００）の全面を覆い重ねる様に貼り合わせる。此等の基板を貼り合わせる際には、まず雰囲気を真空とし、低粘度の水溶性接着剤１６０から気泡を除去する。気泡部分は接着不良となり、後の基板剥離工程にて転写不良となる。従って此の脱泡処理に依り、気泡に起因する転写不良を削減する。気泡を効率的に除去するには１００Ｐａ以下の真空度で１秒以上維持する。１００Ｐａ以上の低真空では気泡が残って仕舞うためである。５０ｃｐｓ以下の低粘度水溶性接着剤を大気中で充填させた場合、１００Ｐａ以下の真空になる間に脱泡が進むので、１秒程度と云ったほんの僅かな時間だけ１００Ｐａ以下にすれば良い。大気から１００Ｐａ迄の真空引きは５秒から１２０秒の間に行う。５秒未満で真空引きを行うと水溶性接着剤１６０が飛び散って仕舞い、１２０秒以上掛かると水溶性接着剤の組成が目に見えて変わると共に接着材量も著しく減少する為に、接着品質を確保出来ないからで有る。接着品質を確保し、接着剤量を設計通りに保つには、１００Ｐａ以下の真空度に維持する期間を真空引き開始から１２０秒以下とする。具体的に最適な条件は大気から２０秒から２５秒掛けて５０Ｐａから６０Ｐａの真空とし、この真空度にて２０秒から４０秒維持する方法である。この様にして水溶性接着剤１６０から気泡を除去したら、真空中にて小さい方の基板（今の例では製造元基板１００）上に大きい方の基板（今の例では転写先基板２００）を乗せ、次いで雰囲気を大気に戻す。
【００６２】
＜（５）接着剤硬化工程（水溶性接着剤の硬化）＞
次に、図１０に示す様に、貼り合わされた製造元基板１００と転写先基板２００とに紫外線４００を照射し、水溶性接着剤１６０を硬化させる。尚、水溶性接着剤１６０を硬化させるには、水溶性接着剤１６０の特性に合わせた何らかのエネルギーを供給すれば良く、供給エネルギー形態は必ずしも紫外光照射で無くても良い。例えば水溶性接着剤１６０が熱硬化型であれば、熱エネルギーを供給する。
【００６３】
＜（６）基板剥離工程（製造元基板と転写先基板との剥離）＞
次に、図１１に示す様に、製造元基板１００側からレーザー光５００を照射し、剥離層１２０にて製造元基板１００と転写先基板２００とを剥離させる。この工程後に薄膜素子群１１０は、硬化した水溶性接着剤１６０を介在して、転写先基板２００に転写される。
【００６４】
本実施形態では基板剥離工程後に薄膜素子群を転写先基板２００から第二転写先基板に再度転写し、第二転写先基板を最終製品に組み込まれる回路基板とするが、無論、転写先基板２００を最終的な基板としても良い。転写先基板２００を最終的な基板とする場合、回路基板の製造工程は、当該製造元基板１００と転写先基板２００とを剥離する工程で終了となる。
【００６５】
＜（７）第二接着工程（転写先基板と第二転写先基板との貼り合わせ）＞
次に、転写先基板２００と第二転写先基板６００とを貼り合わせる。
【００６６】
図１２は転写先基板２００と第二転写先基板６００とを貼り合わせた状態を示して居る。転写先基板２００と第二転写先基板６００とを貼り合わせる際、薄膜素子群１１０が転写された転写先基板２００と第二転写先基板６００とを対向させ、非水溶性接着剤（図示せず）を介在させて貼り合わせる。尚、本実施形態に於いて、第二転写先基板６００は最終製品に組み込まれる回路基板の最終的な基板であるため、製造された回路基板としての所望の材料により形成される。例えば、可撓性を有する基板を有する回路基板を製造する場合には、可撓性を有するプラスチック等を基板として用いる。
【００６７】
＜（８）第二転写工程（転写先基板と第二転写先基板との剥離）＞
次に、図１３に示す様に、転写先基板２００と第二転写先基板６００とを剥離する。転写先基板２００と第二転写先基板６００とを剥離する当該工程は、上記の製造元基板１００と転写先基板２００とを剥離する工程の様に、転写先基板２００に予め剥離層を設けておき、転写先基板２００側からレーザー光等を照射する方法を用いてもよい。又、水溶性接着剤１６０を水に溶解させるなど、それ以外の従来の方法を用いてもよい。
【００６８】
＜（９）接着剤除去工程（水溶性接着剤の除去）＞
最後に、図１４に示す様に、第二転写先基板６００上に残存した水溶性接着剤１６０及び囲み手段１５０を除去する。水溶性接着剤１６０及び囲み手段１５０の除去は、純水等で洗い流す方法を用いてもよいし、その他従来の方法を用いてもよい。
【００６９】
以上の工程を経て、図１４に示す様に、第二転写先基板６００に薄膜素子群１１０を転写し、所望の回路基板を製造する事が可能となる。
【００７０】
＜（１０）まとめ＞
以上の様に、本実施形態に於ける薄膜素子群の転写方法に依れば、製造元基板１００の周辺部、及び転写先基板２００の周辺部の双方又は一方に撥水処理を行う事で、当該部分に水溶性接着剤１６０が付着しづらくなる。特に、製造元基板１００の有機物微少凹凸撥水領域は薄膜素子群を形成する工程と同時に形成されるので工程増加は一切無く、且つ転写歩留まりが向上する点で非常に好ましい。ここで、仮に、製造元基板１００及び転写先基板２００のいずれに対しても全く撥水処理を行わず、かつステージ３００が製造元基板１００及び転写先基板２００よりも大きい場合、以下の様な状態となる。即ち、図１５に示す様に、製造元基板１００の端面と転写先基板２００の端面とを覆う様に水溶性接着剤１６０が付着する。この状態のまま、紫外線４００を照射して水溶性接着剤１６０を硬化すると、図１６に示す様に、製造元基板１００の端面と転写先基板２００の端面とを覆ったまま水溶性接着剤１６０が硬化して仕舞う。この状態で製造元基板１００と転写先基板２００とを剥離しようとして力を加えると、製造元基板１００乃至は転写先基板が割れて仕舞う。しかし、上記本実施形態に於ける薄膜素子群の転写方法を用いる事で、製造元基板１００の周辺部と転写先基板２００の端面とに水溶性接着剤１６０が付着する事を防ぎ、併せて端面部での接着剤硬化を防止出来る。斯くして製造元基板１００を転写先基板２００から剥離する際に、製造元基板１００乃至は転写先基板が割れる不良を防止出来るので有る。撥水処理をどちらか一方の基板周辺部のみに対して施した場合、仮令水溶性接着剤１６０が溢れ出でも、撥水処理領域では接着しない（接着力が著しく弱くなる）。これに依って、製造元基板１００と転写先基板２００との剥離が容易となる。撥水処理を転写先基板２００のみに対して行った場合、製造元基板１００に形成された薄膜素子群１１０が撥水処理に依って汚染される事を避ける事が出来る。但し、製造元基板１００と転写先基板２００との双方に撥水処理を行う事が、製造元基板１００と転写先基板２００との剥離をより確実に行う事が出来るため、更に好ましい。
【００７１】
又、本実施形態に於ける方法では、製造元基板１００の面積と転写先基板２００の面積とが異なっている。そして此等の基板を貼り合わせる際に、平面視に於いて、大きい方の基板が小さい方の基板の全面に覆い重なる様に貼り合わせている。これに依って基板配置工程時に仮令此等の間から漏れ出ても、水溶性接着剤１６０が上側の大きい方の基板裏面に回り込む不良を防げ、故に両基板が基板端部にて接着される不具合を解消している。
【００７２】
又、本実施形態に於ける方法では、製造元基板１００に水溶性接着剤１６０を塗布する前に、平面視に於いて、製造元基板１００の撥水領域１３０より内側のシール剤領域１４０に、薄膜素子群１１０を囲む囲み手段１５０を形成しその内側に低粘度水溶性接着剤を充填している。これに依って、水溶性接着剤１６０が製造元基板１００と転写先基板２００との間から漏れ出る不良を削減して居る。
【００７３】
又、囲み手段１５０を形成するシール剤と土手の内側に充填する水溶性接着剤１６０は共に水溶性で、熱乃至は光により硬化する。これらのシール剤及び水溶性接着剤としては、例えばポリビニルピロリドンを含んだアクリレート系の接着剤が使用でき、シール剤の粘度は５０００ｃｐｓ（５Ｐａｓ）から５００００ｃｐｓ（５０ｐａｓ）、囲み手段の内側の領域に充填する水溶性接着剤の粘度は１ｃｐｓ（１ｍＰａｓ）から５０ｃｐｓ（５０ｍＰａｓ）とする。シール剤の粘度がこの範囲内ならば、親水性のシール剤領域内に幅が０．５ｍｍ〜２ｍｍ、高さが０．３ｍｍ〜２ｍｍの土手を安定的に形成できる。水溶性接着剤の粘度が上記の範囲内に有れば、アクリルや酸化硅素膜、インジウム錫酸化膜など様々な材質が存在する薄膜素子形成領域１１０でも水溶性接着剤１６０は綺麗に濡れ広がる。
【００７４】
又、接着剤は、水溶性接着剤１６０と相溶しないものとする事が好ましい。これに依れば、水溶性接着剤１６０が囲み手段１５０を形成する接着剤と相溶する事に依って、囲み手段１５０が破壊される事を防止する事が出来る。
【００７５】
又、囲み手段１５０は、撥水領域１３０から１ｍｍ以上且つ５ｍｍ以下の距離をもって形成する事が好ましい。この様に囲み手段１５０を撥水領域１３０から１ｍｍ以上の距離をもって形成すれば、製造元基板１００と転写先基板２００とを貼り合わせる際に接着剤で形成された囲み手段１５０が圧迫され広がった場合で有っても、当該囲み手段１５０が撥水領域１３０にまで広がる事を防止する事が出来る。即ち、接着剤で形成された囲み手段１５０が撥水処理された撥水領域１３０まで広がり、当該囲み手段１５０と製造元基板１００との接着力が弱まり、囲み手段１５０として機能しなくなる事を防止する事が出来る。又、囲み手段１５０を撥水領域１３０から５ｍｍ以下の距離をもって形成すると、デバイス領域を広く取る事ができ、生産性が向上するので好ましい。
【００７６】
又、本実施形態に於いては、少なくとも製造元基板１００と転写先基板２００とを貼り合わせる際に、平面視に於いて小さい方の基板よりも更に小さい面積の設置面を有するステージ３００上に、小さい方の基板を設置する。これに依って、ステージ３００上に設置した小さい方の基板と大きい方の基板とを貼り合わせる際に、仮令両基板間から水溶性接着剤が漏れ出ても、ステージ３００と小さい方の基板との間やその周辺に留まる不具合を解消出来る。図１７と図１８はこれを説明した図で、ステージ３００上に設置した小さい方の基板（今の例では製造元基板１００）と大きい方の基板（今の例では転写先基板２００）とを貼り合わせた際に、万が一水溶性接着剤１６０が漏れ出た際の状態を示して居る。図１７に示す様に、万が一水溶性接着剤が漏れ出しても、本願構成ではステージ３００が両基板より小さい面積を有している為に、水溶性接着剤１６０はステージ３００上に溜まる事なく漏れ落ちる。水溶性接着剤１６０が滴り落ちた後に紫外線４００を照射して水溶性接着剤１６０を硬化させるので、製造元基板１００と転写先基板２００と漏れた接着剤により端面部で接着される事を防止する事が出来るので有る（図１８）。尚、仮令水溶性接着剤が漏れても、周辺部は撥水処理されているので、この領域も接着せず、基板剥離が容易に且つ安定的に為される。更に基板設置工程後に囲い込み手段形成工程を行い、接着剤塗布工程、基板配置工程、接着剤塗布工程を同じステージ３００上で行えば、基板を移動させる事に依り水溶性接着剤１６０が流れ出す事を防止出来るため好ましい。
【００７７】
又、本実施形態では、薄膜素子群１１０が転写された転写先基板２００の転写先基板と、第二転写先基板６００の転写先基板とを対向させて、接着剤を介在させて貼り合わせる。そして、転写先基板２００を第二転写先基板６００から剥離させる事に依って、薄膜素子群１１０を第二転写先基板６００に転写し、その後、水溶性接着剤１６０を除去する。これに依って、薄膜素子群１１０を、製造元基板１００から第二転写先基板６００に転写する事が可能となる。
【００７８】
又、本実施形態では、撥水処理を行う際に、製造元基板１００の周辺部及び転写先基板２００の周辺部の双方に撥水処理を行う。これに依って、より効果的に、製造元基板１００を転写先基板２００から剥離する際に、製造元基板１００が割れて仕舞う事を防止する事が可能となる。
【００７９】
又、本実施形態では更に、製造元基板１００の製造元基板表面に於ける撥水領域外の非周辺部に親水処理を行い、転写先基板２００の転写先基板に於ける撥水領域外の非周辺部に親水処理を行う。これに依って、水溶性接着剤１６０に依って、製造元基板１００と転写先基板２００とを容易に貼り合わせる事が可能となる。
【００８０】
又、本実施形態では、製造元基板１００の製造元基板表面に於ける撥水領域１３０が、製造元基板１００の端面から１ｍｍ以上且つ５ｍｍ以下の範囲に設けられている。これに依って、製造元基板１００上の薄膜素子群１１０を形成可能な面積を大きくしながら、撥水処理の効果を得る事が可能となる。尚、撥水領域１３０が余りに狭いと、水溶性接着剤１６０が漏れた際に接着出来ない様にした効果がなくなるため、製造元基板１００の製造元基板表面に於ける撥水領域１３０は、製造元基板１００の端面から１ｍｍ以上とする事が好ましい。一方で、撥水領域１３０の範囲が広くなりすぎると製造元基板表面積が小さくなるので、５ｍｍ未満とする事が好ましい。
【００８１】
なお、表面処理工程において、より好ましくは、シール剤領域１４０の表面の水に対する接触角が１５°未満となるよう構成するために、シール剤領域形成工程を設ける。囲み手段１５０を形成するシール剤がポリビニンピロリドンを含んだ水溶性接着剤であるために、水に対する接触角が１５°未満と高い親水性であれば、該囲み手段１５０の内側に塗布する接着剤がはじけて、囲み手段１５０を細めたり決壊させたりすることを防止出来る。
【００８２】
又、シール剤領域１４０は、薄膜素子形成領域１１０及び撥水領域１３０よりも高い親水性を有することが好ましい。この場合、親水性が高い順に、シール剤領域１４０、薄膜素子形成領域１１０、撥水領域１３０、となる。こうすることで、囲み手段１５０は水溶性接着剤で形成されるため、囲み手段形成時に囲み手段１５０を形成するシール剤はシール剤領域１４０に形成され、製造元基板１００と転写先基板２００（後述）とを貼り合わせる際に該シール剤が内側に広がる傾向が強くなる。従って製造元基板１００または転写先基板２００の外周部での接着がなくなり、容易に薄膜素子群１１０を転写することが可能となる。より好ましくは、平面視においてシール剤領域１４０のすぐ外側に凹凸部を有する撥水領域を形成する。
【００８３】
又、シール剤領域１４０に配線の形成などに起因する段差がなく平坦であれば、段差で囲み手段が細くなったり決壊したりすることを防止出来るためさらに好ましい。
【００８４】
＜３．凹凸部を有する撥水領域の形成方法に関する実施例１＞
次に、凹凸部を有する撥水領域１３０の形成方法に関する実施例１について具体的に説明する。なお、本実施例においては上記実施形態で図２乃至図５を参照しながら説明した凹凸部を有する撥水領域の形成方法と共通する構成及び機能については同一の符号を付してその説明を省略することがある。
【００８５】
図１９は、撥水領域１３０及び囲み手段１５０が形成された製造元基板１００の一構成例の断面図である。当該断面図は、図１におけるｂ１−ｂ２における断面図である。図２を用いて説明した上記実施形態と比較すると、シール剤領域１４０の構成が異なる。すなわち、本実施例では、シール剤領域１４０では有機絶縁層７６０が除去され、製造元基板１００上に形成された無機材料からなる第３絶縁層７２０が露出して、当該第３絶縁層７２０上に囲み手段１５０が形成される。ここで、例えば、有機絶縁層７６０及び凹凸部７９０の層の高さは数百ｎｍから数μｍであり、囲み手段１５０の高さは数百μｍから数ｍｍである。
【００８６】
これによれば、第３絶縁層７２０は酸化硅素や窒化硅素のような親水性を有する無機材料で構成されているので、当該第３絶縁層７２０の特徴を生かして親水性を有するシール剤領域１４０を形成することが出来る。この場合、シール剤領域１４０を形成するために特別な工程を増加する必要がなく、従来の製造工程によってシール剤領域１４０を容易に形成することが可能である。
【００８７】
なお、本実施例においても、上記実施形態における凹凸部を有する撥水領域の形成方法と同様に、図３乃至図５で説明したような様々な形状の凹凸部を有する撥水領域１３０を形成することが出来る。
【００８８】
＜４．凹凸部を有する撥水領域の形成方法に関する実施例２＞
次に、凹凸部を有する撥水領域１３０の形成方法に関する実施例２について具体的に説明する。なお、本実施例においては上記実施形態における凹凸部を有する撥水領域の形成方法と共通する構成及び機能については同一の符号を付してその説明を省略することがある。
【００８９】
図２０は、撥水領域１３０及び囲み手段１５０が形成された製造元基板１００の一構成例の断面図である。当該断面図は、図１におけるｂ１−ｂ２における断面図である。図２を用いて説明した上記実施形態と比較すると、以下の点で相違する。すなわち、薄膜素子形成領域１１０の外周部分に、有機絶縁層７６０から第１絶縁層７００にわたって開口するように分離領域９００が形成されている。また、分離領域９００の内側であって有機絶縁層７６０の上には有機材料によって補強部９１０が形成されている。さらに、凹凸部７９０は有機絶縁層７６０と同層に形成されるのではなく、有機絶縁層７６０の上に、有機材料によって形成されている。
【００９０】
ここで示したように、凹凸部７９０は必ずしも有機絶縁層７６０と同層に、当該有機絶縁層７６０を形成する工程と同時に形成する必要はなく、有機絶縁層７６０の上層に、有機材料により形成してもよい。本実施例３のように、凹凸部７９０を有機絶縁層７６０の上層に形成する場合、当該凹凸部７９０を形成する層が最上層になるので、水溶性接着剤を綺麗にはじくことが可能となる。また、いずれの構成においても凹凸部７９０は製造元基板１００の最表面に位置するよう構成される。
【００９１】
本実施例では分離領域９００及び補強部９１０が形成されている。これによって、特に後述のようにひとつの基板上に形成された薄膜素子群１１０が複数の半導体回路部を含み、それぞれの半導体回路部を分離して利用するような場合に分離箇所で発生しうる亀裂やノッチを防止することが可能となる。
【００９２】
また、補強部９１０と凹凸部７９０とを同工程で同じ有機材料を用いて形成することが可能であり、凹凸部７９０を形成するために新たな工程を追加する必要が無くなる。
【００９３】
なお、ここでは第３絶縁層７２０上には絶縁層として有機絶縁層７６０が形成されているが、有機材料ではなく無機材料からなる第４絶縁層が形成されていてもよい。この場合であっても、既に述べたように凹凸部７９０は撥水性を有する有機材料によって形成することが可能であるためである。
【００９４】
ただし、本実施例のように有機絶縁層７６０の上に有機材料からなる凹凸部７９０を形成すると、凹凸部７９０における凹部の底面が撥水性を有する有機材料で構成されることとなる。このように構成すれば、仮に水溶性接着剤が該凹部に漏れ入った場合であっても凹部の底面で接着することが無く、より効果的な撥水性を発揮することが出来る。
【００９５】
なお、本実施例においても、上記実施形態における凹凸部を有する撥水領域の形成方法と同様に図３乃至図５で説明したような様々な形状の凹凸部を有する撥水領域１３０を形成することが出来る。
【００９６】
＜５．実施例３＞
ここで、マザーガラスと製造元基板との関係を説明する。ＴＦＴに代用される薄膜素子群をマザーガラス上に形成する時と、此等薄膜素子群を転写する時とで、基板サイズが同じとは限らない。転写工程は通常の薄膜素子群製造工程よりも難しいので、薄膜素子群を製造する際のガラス（此をマザーガラスと称する）よりも転写する際の製造元基板の方が小さい場合がある。此処ではまず、薄膜素子形成工程時のマザーガラスと転写工程時の製造元基板１００とが同一サイズの例を図２１を用いて説明する。
【００９７】
図２１は、マザーガラスと製造元基板１００とが同サイズで、製造元基板１００上に複数の半導体回路部１０００（例えば液晶パネル用のアクティブマトリックス基板など）が含まれている。半導体回路部１０００はそれぞれが独立した機能を有するものであり、例えばそれぞれがＴＦＴパネルなどとして用いられる。半導体回路部を取り囲むようにシール剤領域１４０が形成され、更にその外側には基板端部まで撥水領域１３０が形成されている。転写工程時にはシール剤領域に囲み手段１５０が形成され、囲み手段１５０の内側領域全面に水溶性接着剤が充填される。これらの半導体回路部１０００は、既に説明した工程を経て最終的な基板である転写先基板２００または第二転写先基板６００に転写された後、図２１に示す分離線１０１０により分離される。当該分離線１０１０に沿って、例えば上記実施例２で示した分離領域９００が形成されている。この場合、分離領域９００で囲まれた領域の外周部分には補強部９１０が形成されており、補強部と同じ有機樹脂材料を用いて微少凹凸領域７９０が作られる。
【００９８】
＜６．実施例４＞
図２２は、マザーガラスよりも製造元基板が小さい例で、一枚のマザーガラス上に複数の製造元基板１００が形成されている例を示す図である。図２２に示すように、マザーガラス上には複数の（この例では４つの）製造元基板１００が形成されており、それぞれの製造元基板１００が薄膜素子群１１０、撥水領域１３０、及びシール剤領域１４０を備える。この場合、転写工程に先立ち、複数の製造元基板１００を分離させる工程を設ける必要がある。分離された製造元基板１００はそれぞれが薄膜素子群１１０、撥水領域１３０、及びシール剤領域１４０を備える必要がある。本実施例４では４つの製造元基板１００が切り出される。そこで、マザーガラス上における周辺部及び切断部となる領域（中央の十字型の部分）に撥水領域１３０を形成し、その切断部となる撥水領域内で製造元基板を分離する。斯うすると、分離後のそれぞれの製造元基板１００の周辺部に撥水領域１３０が形成される事になる。
【００９９】
なお、本実施例４では囲み手段１５０を形成した後に製造元基板１００を分離する例を示しているため、図２２には囲み手段１５０が形成されている。このように囲み手段１５０を形成した後に製造元基板１００を分離する場合、大判処理となるため生産効率が高くなる。一方で製造元基板１００を分離した後に囲み手段１５０を形成することも可能である。この場合、製造元基板１００を分離する際に分離部分で発生しうる分離屑が囲み手段１５０上に乗ることがなくなり、歩留りを高くすることが出来る。
【符号の説明】
【０１００】
１００……製造元基板、１１０……薄膜素子群・薄膜素子形成領域、１２０……剥離層、１３０……撥水領域、１４０……シール剤領域、１５０……囲み手段、１６０……水溶性接着剤、２００……転写先基板、２３０……周辺部、３００……ステージ、４００……紫外線、５００……レーザー光、６００……第二転写先基板、７００……第１絶縁層、７１０……第２絶縁層、７２０……第３絶縁層、７３０……半導体層、７４０……ゲート電極、７５０……ソース・ドレイン電極、７６０……有機絶縁層、７７０……導電配線層、７８０……親水層、７９０……凹凸部、８００……凸部、８１０……凹部、９００……分離領域、９１０……補強部、１０００……半導体回路部、１０１０……分離線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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