(57)【要約】【課題】複数の給電部を設け、それぞれの給電部からの少なくとも反射電力情報に基づいて、マイクロ波発生手段の発生電力を高効率に加熱室に供給する動作周波数を選択する。【解決手段】半導体素子を用いて構成したマイクロ波発生手段１０、被加熱物を収納する加熱室１００内にマイクロ波を供給する複数の給電部２０ａ〜２０ｄ、マイクロ波発生手段と給電部との間に設けた電力検出部１８ａ〜１８ｄ、電力検出部の信号に基づきマイクロ波発生手段を制御する制御手段２１を有し、制御手段は、規定の周波数帯域に亘ってマイクロ波発生手段を動作させ電力検出部が検出した個々の周波数に対する供給量と反射量に基づき対象周波数を含む連続した３個の周波数における供給量と反射量の平均値を割り当てることで、極小値を呈する周波数を高精度かつ安定抽出し高効率動作を実現できる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数可変機能を有するマイクロ波発生手段と、被加熱物を収納する加熱室と、前記マイクロ波発生手段が発生したマイクロ波を前記加熱室に供給する複数の給電部と、前記給電部とマイクロ波発生手段との間にそれぞれ配備し前記加熱室に供給するマイクロ波供給量と前記加熱室から前記マイクロ波発生手段側に反射するマイクロ波反射量との少なくともマイクロ波反射量を検出する電力検出部と、前記それぞれの電力検出部が検出した信号に基づいて前記マイクロ波発生手段の動作を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記マイクロ波発生手段の動作周波数を決定するにあたって、規定の周波数帯域に亘ってマイクロ波発生手段を動作させて、個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量を検出し、個々の周波数に対するマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量の値として、その周波数を含む連続した少なくとも３個の周波数におけるマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量の平均値を割り当てることとしたマイクロ波処理装置。
【請求項２】
制御手段が、周波数可変開始の周波数および次の周波数におけるマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量は、検出した値を用いることとした請求項１に記載のマイクロ波処理装置。
【請求項３】
制御手段が、規定の周波数帯域に亘って変化させる周波数値および周波数増分値を整数値とした請求項１に記載のマイクロ波処理装置。
【請求項４】
制御手段が、前記加熱室に被加熱物を収納しない状態において規定の周波数帯域に亘ってマイクロ波発生手段を動作し、個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波反射量の総和、または個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波供給量の総和に対するマイクロ波反射量の総和の比率が周波数変化に対して極小値を呈する周波数の値を基準周波数の群として記憶することとした請求項１に記載のマイクロ波処理装置。
【請求項５】
制御手段が、前記マイクロ波発生手段の動作を開始させる指令を受けると、前記被加熱物の有り無しに係わらず前記マイクロ波発生手段の動作周波数を選択するために、規定の周波数帯域に亘って前記マイクロ波発生手段を動作させて前記加熱室にマイクロ波を供給し、個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波反射量の総和、または個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波供給量の総和に対するマイクロ波反射量信号の総和の比率が極小を呈する周波数を抽出し、その抽出した周波数を記憶した基準周波数の群と照合し、基準周波数の群とは異なる周波数が存在し、かつ反射量総和または比率が最小値を呈する周波数を前記マイクロ波発生手段の動作周波数に決定し動作を開始させることとした請求項１に記載のマイクロ波処理装置。
【請求項６】
制御手段が、基準周波数の群として、規定の周波数帯域に亘って変化させる周波数増分値を前記基準周波数のそれぞれにプラスマイナスした周波数を含めることとした請求項４または５に記載のマイクロ波処理装置。
【請求項７】
制御手段が、最小値を呈する比率の周波数が複数存在する場合、周波数の値が低い方の周波数を動作周波数に決定することとした請求項５に記載のマイクロ波処理装置。
【請求項８】
制御手段が、抽出した周波数のすべてが記憶した基準周波数の群と合致した場合、マイクロ波発生手段の動作開始を中止することとした請求項５に記載のマイクロ波処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、周波数可変機能を有するマイクロ波発生手段を用いて被加熱物を加熱処理するマイクロ波処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のマイクロ波処理装置は、一般には電子レンジに代表されるようにマイクロ波発生手段にマグネトロンと称される真空管を用いている。
【０００３】
電子レンジに用いられているマグネトロンは、自身の構造によって発振周波数が決定され、その決定された周波数を故意に可変することはできない。マグネトロンに周波数可変機能を付帯させる技術は存在するが、高価であり、一般大衆向けの製品に搭載することは難しい。
【０００４】
近年の半導体技術の進歩により、マグネトロンの性能に匹敵あるいはその性能を凌駕するマイクロ波発生手段の実用化が可能になってきた。そして半導体素子を用いたマイクロ波発生手段は、広帯域の周波数に対応したマイクロ波を容易に出力させることができる。
【０００５】
また、被加熱物はマイクロ波処理に伴ってその性状が変化するため、被加熱物を収納する加熱室に供給したマイクロ波は、被加熱物への吸収度合が変化して加熱室からマイクロ波発生手段側にマイクロ波が反射する現象を呈する。この反射電力は半導体素子内で熱消費することから半導体素子の熱破壊を抑制する意味で、反射電力の制御は重要な課題である。
【０００６】
この反射電力を利用してマイクロ波発生手段を制御するものとしては、マグネトロンと加熱室とを結合する導波管に入反射方向成分を検出する手段を設け、検出信号が所定の変化を受けてマグネトロンの駆動を制御するものがある（例えば、特許文献１）。
【０００７】
また加熱室に供給する入射電力と反射電力を測定するセンサーと加熱室内のマイクロ波レベルを検出する手段を設け、これらの検出信号に基づいて被加熱物の熱容量を求めてマイクロ波発生手段の発生電力を制御するものがある（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平０４−２４５１９０号公報
【特許文献２】特開昭５５−０４９６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、半導体素子を用いるマイクロ波発生手段は、マグネトロンのような大電力を供給するには複数の半導体素子を並列動作させる必要がある。そして並列動作による出力を効率よく被加熱物に供給するには、被加熱物を収納する加熱室内空間で並列動作の電力を空間合成させる方法が損失を最も低減できる方法である。
【００１０】
この方法によれば、複数のアンテナを付設し、各アンテナからマイクロ波を加熱室に供給させる構成を採り、各アンテナを介して加熱室内で消費されないマイクロ波がマイクロ波発生手段側に反射する。この反射する電力を最も低減させるには、マイクロ波発生手段の動作周波数を精度よく選択する必要がある。従来の技術は、この点に関して具体的な開
示がされていない。
【００１１】
本発明は、複数の給電部を設け、それぞれの給電部からの少なくとも反射電力情報に基づいて、マイクロ波発生手段の発生電力を高効率に加熱室に供給できるマイクロ波発生手段の動作周波数を選択するマイクロ波処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記従来の課題を解決するために、本発明のマイクロ波処理装置は、周波数可変機能を有するマイクロ波発生手段と、被加熱物を収納する加熱室と、マイクロ波発生手段が発生したマイクロ波を加熱室に供給する複数の給電部と、給電部とマイクロ波発生手段との間にそれぞれ配備し加熱室に供給するマイクロ波供給量と加熱室から前記マイクロ波発生手段側に反射するマイクロ波反射量との少なくともマイクロ波反射量を検出する電力検出部と、それぞれの電力検出部が検出した信号に基づいてマイクロ波発生手段の動作を制御する制御手段とを備え、制御手段は、マイクロ波発生手段の動作周波数を決定するにあたって、規定の周波数帯域に亘ってマイクロ波発生手段を動作させて、個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量を検出し、個々の周波数に対するマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量の値として、その周波数を含む連続した少なくとも３個の周波数におけるマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量の平均値を割り当てるものである。
【００１３】
本発明によれば、個々の周波数におけるマイクロ波供給量とマイクロ波反射量の値を隣接する周波数との間で安定な値として取り込むことができる。そして、個々の周波数の平均値の特性に基づいて、極小値や最小値を呈する周波数の選択演算を安定かつ高精度に行うことができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のマイクロ波処理装置によれば、複数の給電部を設け、それぞれの給電部からの少なくとも反射電力情報に基づいて、マイクロ波発生手段の発生電力を高効率に加熱室に供給できるマイクロ波発生手段の動作周波数を選択できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態１におけるマイクロ波処理装置の一部切欠き実態構成図
【図２】図１のマイクロ波処理装置のブロック構成図
【図３】図１のマイクロ波処理装置の給電部の配置構成図
【図４】図１のマイクロ波処理装置の無負荷時のマイクロ波供給量に対するマイクロ波反射量の比率の周波数特性例を示す図
【図５】図１のマイクロ波処理装置の無負荷時のマイクロ波反射量の周波数特性例を示す図
【図６】図１のマイクロ波処理装置の初期設定に係わる制御フローチャート
【図７】図１のマイクロ波処理装置の負荷時のマイクロ波供給量に対するマイクロ波反射量の比率の周波数特性例を示す図
【図８】図１のマイクロ波処理装置の負荷時のマイクロ波反射量の周波数特性例を示す図
【図９】図１のマイクロ波処理装置の制御フローチャート
【図１０】図１のマイクロ波処理装置の制御フローチャート
【発明を実施するための形態】
【００１６】
第１の発明は、周波数可変機能を有するマイクロ波発生手段と、被加熱物を収納する加熱室と、マイクロ波発生手段が発生したマイクロ波を加熱室に供給する複数の給電部と、給電部とマイクロ波発生手段との間にそれぞれ配備し加熱室に供給するマイクロ波供給量
と加熱室から前記マイクロ波発生手段側に反射するマイクロ波反射量との少なくともマイクロ波反射量を検出する電力検出部と、それぞれの電力検出部が検出した信号に基づいてマイクロ波発生手段の動作を制御する制御手段とを備え、制御手段は、マイクロ波発生手段の動作周波数を決定するにあたって、規定の周波数帯域に亘ってマイクロ波発生手段を動作させて、個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量を検出し、個々の周波数に対するマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量の値として、その周波数を含む連続した少なくとも３個の周波数におけるマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量の平均値を割り当てるものである。
【００１７】
これにより、個々の周波数におけるマイクロ波供給量とマイクロ波反射量の値を隣接する周波数との間で安定な値として取り込むことができる。そして、個々の周波数の平均値の特性に基づいて、極小値や最小値を呈する周波数の選択演算を安定かつ高精度に行うことができる。
【００１８】
第２の発明は、特に第１の発明において、制御手段が、周波数可変開始の周波数および次の周波数におけるマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量は、検出した値を用いるものである。
【００１９】
これにより、平均値処理が困難な可変開始周波数および次の周波数の処理を明確に規定したことで個々の周波数の平均値の特性に基づく演算処理結果の不適さ、例えば、可変開始周波数および次の周波数が、マイクロ波反射量が最小値となった場合、最小値の周波数としてこれらの周波数を選択してもなんらの問題は生じないという処理ができる。
【００２０】
第３の発明は、特に第１の発明において、制御手段が、規定の周波数帯域に亘って変化させる周波数値および周波数増分値を整数値としたものである。これにより、可変周波数の総数を少なくし検出処理時間を短くできる。そのため、動作周波数を決定する工程を加熱動作期間内のどのタイミングでも自由に付与させることができる。
【００２１】
第４の発明は、特に第１の発明において、制御手段が、前記加熱室に被加熱物を収納しない状態において規定の周波数帯域に亘ってマイクロ波発生手段を動作し、個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波反射量の総和、または個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波供給量の総和に対するマイクロ波反射量の総和の比率が周波数変化に対して極小値を呈する周波数の値を基準周波数の群として記憶するものである。これにより、加熱室内の被加熱物の存在有無判定の精度を高めることができる。
【００２２】
第５の発明は、特に第１の発明において、制御手段が、前記マイクロ波発生手段の動作を開始させる指令を受けると、前記被加熱物の有り無しに係わらず前記マイクロ波発生手段の動作周波数を選択するために、規定の周波数帯域に亘って前記マイクロ波発生手段を動作させて前記加熱室にマイクロ波を供給し、個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波反射量の総和、または個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波供給量の総和に対するマイクロ波反射量信号の総和の比率が極小を呈する周波数を抽出し、その抽出した周波数を記憶した基準周波数の群と照合し、基準周波数の群とは異なる周波数が存在し、かつ反射量総和または比率が最小値を呈する周波数を前記マイクロ波発生手段の動作周波数に決定し動作を開始させるものである。
【００２３】
これにより、加熱室内への被加熱物の収納を確実に確認し、高効率な周波数で動作させることで、電力浪費を解消する装置を提供できる。
【００２４】
第６の発明は、特に第４または５の発明において、制御手段が、基準周波数の群として
、規定の周波数帯域に亘って変化させる周波数増分値を前記基準周波数のそれぞれにプラスマイナスした周波数を含めるものである。これにより、加熱室内の状態の経年変化、例えば加熱室壁面への食品カスの付着に伴って被加熱物がない状態でもマイクロ波供給量やマイクロ波反射量が変化するが、これらの状態変化分を考慮して被加熱物の有無判定を高精度に実行させることができる。
【００２５】
第７の発明は、特に第５の発明において、制御手段が、最小値を呈する比率の周波数が複数存在する場合、周波数の値が低い方の周波数を動作周波数に決定するものである。これにより、比較処理を簡便にし、周波数決定処理全体を高速化できる。
【００２６】
第８の発明は、特に第５の発明において、制御手段が、抽出した周波数のすべてが記憶した基準周波数の群と合致した場合、マイクロ波発生手段の動作開始を中止するものである。これにより、反射するマイクロ波電力によってマイクロ波発生手段の構成部品が熱破壊することを抑制できる。
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、この実施の形態によって本発明が限定されるものではない。
【００２８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の第１の実施の形態におけるマイクロ波処理装置の一部切欠きを有する実態構成図、図２は、本発明の第１の実施の形態におけるマイクロ波処理装置のブロック構成図、図３は本発明の第１の実施の形態におけるマイクロ波処理装置の給電部の構成を示す図である。
【００２９】
図１〜図３において、マイクロ波発生手段１０は半導体素子を用いて構成した発振部１１、発振部１１の出力を４分配する２段構成からなる３つの電力分配部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、そして電力分配部１２ｂ、１２ｃのそれぞれの出力を後段の半導体素子を用いて構成した初段増幅部１３ａ〜１３ｄに導くマイクロ波伝送路１４ａ〜１４ｄ、初段増幅部１３ａ〜１３ｄのそれぞれの出力をさらに増幅する半導体素子を用いて構成した主増幅部１５ａ〜１５ｄ、主増幅部１５ａ〜１５ｄの出力をマイクロ波発生手段１０の出力部１６ａ〜１６ｄに導くマイクロ波伝送路１７ａ〜１７ｄ、マイクロ波伝送路１７ａ〜１７ｄに挿入した電力検出部１８ａ〜１８ｄ、電力分配部１２ａの出力と電力分配部１２ｂ、１２ｃの入力との間に挿入した位相可変部１９ａ、１９ｂとで構成している。
【００３０】
また、本発明のマイクロ波処理装置は、被加熱物を収納する略直方体構造からなる加熱室１００を有し、加熱室１００は金属材料からなる左壁面１０１、右壁面１０２、底壁面１０３、上壁面１０４、奥壁面１０５および被加熱物を収納するために開閉する開閉扉１０６から構成し、供給されるマイクロ波を内部に閉じ込めるように構成している。
【００３１】
そして、マイクロ波発生手段１０の４つの出力が伝送されそのマイクロ波を加熱室１００内に放射供給する複数の給電部２０ａ〜２０ｄが加熱室１００を構成する底壁面１０３に配置されている。この複数の給電部２０ａ〜２０ｄは底壁面１０３の略中央Ｃ０を点対称として底壁面１０３にそれぞれ配置している。
【００３２】
初段増幅部１３ａ〜１３ｄおよび主増幅部１５ａ〜１５ｄは、低誘電損失材料から構成した誘電体基板の片面に形成した導電体パターンにて回路を構成し、各増幅部の増幅素子である半導体素子を良好に動作させるべく各半導体素子の入力側と出力側にそれぞれ整合回路を配している。
【００３３】
マイクロ波伝送路１４ａ〜１４ｄ、１７ａ〜１７ｄは、誘電体基板の片面に設けた導電
体パターンによって特性インピーダンスが略５０Ωの伝送回路を形成している。電力分配部１２ａ、１２ｂ、１２ｃは、ウイルキンソン型の電力２分配構成としている。この構成を採ることで、初段増幅部１３ａ〜１３ｄの入力端に伝送するマイクロ波の位相は理想的には同位相としている。
【００３４】
そして、電力分配部１２ａと電力分配部１２ｂ、１２ｃとの間にそれぞれ設けた位相可変部１９ａ、１９ｂは、反射型位相回路とし可変容量ダイオードを組み込んだ回路構成としている。
【００３５】
この反射型位相回路の特性は、マイクロ波処理装置に利用する周波数帯域の中心周波数の伝送に対して、可変容量ダイオードに印加する電圧を変えることで位相遅れを最大で１８０°以上になるように可変容量ダイオード選定および印加電圧可変範囲を設定している。
【００３６】
この位相可変部１９ａ、１９ｂを動作制御することで、マイクロ波発生手段１０の出力部１６ａ、１６ｂと出力部１６ｃ、１６ｄとの間の位相差は、最大で３６０°変化させることができる。
【００３７】
また、電力検出部１８ａ〜１８ｄは、マイクロ波発生手段１０から加熱室１００側に伝送するマイクロ波電力（以下、マイクロ波供給量）および加熱室１００側からマイクロ波発生手段１０側に伝送するいわゆる反射波の電力（以下、マイクロ波反射量）のうち少なくともマイクロ波反射量を検出するものであり、電力結合度を例えば約４０ｄＢとし、マイクロ波伝送路１７ａ〜１７ｄを伝送するマイクロ波供給量あるいはマイクロ波反射量の約１／１００００の電力量を抽出する。
【００３８】
この電力信号はそれぞれ、検波ダイオード（不図示）で整流化しコンデンサ（不図示）で平滑処理し、その出力信号を制御手段２１に入力させている。また制御手段２１の初期設定動作を実行した時に得られる基準周波数の群の値は、記憶部２１ａに記憶させる。
【００３９】
制御手段２１は、使用者が直接入力する被加熱物の加熱条件（矢印２２）とそれぞれの電力検出部１８ａ〜１８ｄからの検出情報（矢印２３）、さらには加熱中に被加熱物の加熱状態を検知する各種センサーから得られる加熱情報に基づいて、マイクロ波発生手段１０の構成要素である発振部１１の発振周波数および発振出力の制御、位相可変部１９ａ、１９ｂへの印加電圧の制御を行い、加熱室１００内に収納された被加熱物を最適に加熱する。
【００４０】
また、マイクロ波発生手段１０には半導体素子の発熱を放熱させる放熱手段（不図示）を配する。なお、加熱室１００内には、底壁面１０３に設けた給電部２０ａ〜２０ｄを覆うとともに被加熱物を収納載置する低誘電損失材料からなる載置皿２４を配する。
【００４１】
以上のように構成されたマイクロ波処理装置について、以下その動作、作用を説明する。本装置の使用に先立って、加熱室に負荷を収納しない状態にて初期設定を実行する。
【００４２】
この実行にあたり、加熱室１００内に被加熱物が収納されていないことを確認し、操作部（不図示）から初期設定実行キーを押す。この信号を受けた制御手段２１の制御出力信号によりマイクロ波発生手段１０が動作を開始する。制御手段２１は、駆動電源（不図示）を動作させて初段増幅部１３ａ〜１３ｄおよび主増幅部１５ａ〜１５ｄに電力を供給する。その後、発振部１１に駆動電力と発振周波数が２４００ＭＨｚに設定する信号を供給し、発振が開始する。
【００４３】
なお、この段階での位相可変部１９ａ、１９ｂへの印加電圧は予め規定している。例えば位相可変部１９ａ、１９ｂの両方ともに位相遅延無しとするか、一方の位相可変部のみを略１８０度の位相遅延に設定する。
【００４４】
発振部１１を動作させると、その出力は電力分配部１２ａにて略１／２分配され、後続の電力分配器１２ｂ、１２ｃにてさらに略１／２分配され、４つのマイクロ波電力信号となり、後続の初段増幅部１３ａ〜１３ｄ、主増幅部１５ａ〜１５ｄを経て出力部１６ａ〜１６ｄにそれぞれ出力される。
【００４５】
そして、それぞれの出力は給電部２０ａ〜２０ｄに伝送され加熱室１００内に放射される。このとき、位相可変部１９ａ、１９ｂの両方ともに位相遅延無しとした場合は、給電部２０ａ〜２０ｄから放射されるマイクロ波信号の位相は、同位相である。なお、位相可変部１９ａ、１９ｂに印加する電圧に応じて、給電部２０ａ、２０ｂと給電部２０ｃ、２０ｄとの間の位相差が決定される。
【００４６】
この初期設定において、各主増幅部１５ａ〜１５ｄはそれぞれ定格出力の１／１０相当のマイクロ波電力、例えば２０Ｗ、のマイクロ波電力を出力する。
【００４７】
加熱室１００内に供給されるマイクロ波電力は、加熱室壁面や加熱室内に実装されている誘電部材に一部が吸収され、また加熱室の共振状態に応じて加熱室１００の電気的特性が決定されるので、マイクロ波発生手段１０の出力インピーダンスと加熱室１００のインピーダンスとに基づいて、加熱室１００側からマイクロ波発生手段１０側に伝送する反射電力が生じる。
【００４８】
電力検出部１８ａ〜１８ｄは、少なくともマイクロ波発生手段１０側に伝送する反射電力と結合し、そのマイクロ波反射量に比例した信号を検出するものである。制御手段２１は、初期設定において発振部１１に対して予め規定した周波数帯域の全域に亘って周波数を、整数値を採る増分周波数値にてステップ可変させて加熱室の初期特性に対応する基準周波数を抽出する。
【００４９】
図４は本発明のマイクロ波処理装置の無負荷時のマイクロ波供給量に対するマイクロ波反射量の比率の周波数特性例、図５は同じく無負荷時のマイクロ波反射量の周波数特性例を示す。それぞれの図において、白抜きの特性が個々の周波数において直接的に得られたマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量の値に基づく特性を示し、黒塗りの特性が平均化処理を実行した特性を示す。
【００５０】
この平均化処理は、個々の周波数に対するマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量の値として、その周波数を含む連続した３個の周波数におけるマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量の平均値を対象の周波数の値として割り当てる。
【００５１】
具体的には、周波数可変開始の周波数である２４００ＭＨｚおよび次の周波数である２４０１ＭＨｚにおけるマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量は、検出した値を用い、２４０２ＭＨｚ以降２５００ＭＨｚに至る各周波数においては、対象周波数とその一つ前および二つ前の周波数において検出されたマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量の平均値処理をした値を対象周波数の値とする。
【００５２】
例えば、２４０２ＭＨｚの値は、２４００ＭＨｚ、２４０１ＭＨｚおよび２４０２ＭＨｚのそれぞれの周波数において検出した３つの値の平均値とする。
【００５３】
初期設定の制御フローチャートを図６に示す。加熱室１００内に被加熱物の収納がなく
操作部（図示省略）から初期設定開始キーが押圧されて加熱開始信号が発生する（図５のステップＳ１０１）。加熱開始信号が入力された制御手段２１においては、制御出力信号を生成して、マイクロ波発生手段１０の総合出力を第１の出力電力、例えば１００Ｗ未満の電力、に設定して動作を開始させる（ステップＳ１０２）。このとき制御手段２１は、所定の駆動電源電圧を初段増幅部１３ａ〜１３ｄおよび主増幅部１５ａ〜１５ｄに供給する。
【００５４】
また、制御手段２１は、発振部１１の初期の発振周波数を、２４００ＭＨｚに設定する制御信号を出力し、発振部１１の発振動作を開始させる。このように、マイクロ波発生手段１０は、初期段階において、２４００ＭＨｚで１００Ｗ未満のマイクロ波電力を第１の出力電力として出力する。
【００５５】
次に、ステップＳ１０３では、発振部１１の発振周波数を初期の２４００ＭＨｚから１ＭＨｚピッチ（例えば、１０ミリ秒で１ＭＨｚ）で高い周波数の方へ変化させ、周波数可変範囲の上限である２５００ＭＨｚまで変化させる。この周波数可変動作において、電力検出部１８ａ〜１８ｄから得られるマイクロ波伝送量Ｐｆとマイクロ波反射量Ｐｒとの値をそれぞれ記憶する。
【００５６】
そして、個々の周波数に対するマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量の値として、前述した平均化処理を実行しステップＳ１０４に進む。
【００５７】
ステップＳ１０４では、平均化処理をした個々の周波数におけるマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量に基づいてマイクロ波反射量の比率あるいはマイクロ波反射量のみの周波数変化特性において極小値を示す周波数（例えば、図４における周波数ｆＡ１、ｆＡ２、ｆＡ３、ｆＡ４あるいは図５における周波数ｆＢ１、ｆＢ２、ｆＢ３、ｆＢ４）を抽出処理し、ステップＳ１０５に進む。
【００５８】
ステップＳ１０５では、ステップ１０４で抽出した各周波数にプラス１ＭＨｚした周波数とマイナス１ＭＨｚした周波数を含め、基準周波数の群として記憶部２１ａに記憶させて、初期設定フローを終了する。
【００５９】
つぎに加熱室に収納した被加熱物の加熱実行における動作について説明する。被加熱物を加熱室１００に収納し、その加熱条件を操作部（不図示）から入力し、加熱開始キーを押す。加熱開始信号を受けた制御手段２１の制御出力信号によりマイクロ波発生手段１０が動作を開始する。制御手段２１は、駆動電源（不図示）を動作させて初段増幅部１３ａ〜１３ｄおよび主増幅部１５ａ〜１５ｄに電力を供給する。
【００６０】
その後、発振部１１に駆動電力と発振周波数が２４００ＭＨｚに設定する信号を供給し、発振が開始する。なお、この段階での位相可変部１９ａ、１９ｂへの印加電圧は予め規定している。例えば位相可変部１９ａ、１９ｂの両方ともに位相遅延無しとするか、一方の位相可変部のみを略１８０度の位相遅延に設定する。
【００６１】
発振部１１を動作させると、その出力は電力分配部１２ａにて略１／２分配され、後続の電力分配器１２ｂ、１２ｃにてさらに略１／２分配され、４つのマイクロ波電力信号となり、後続の初段増幅部１３ａ〜１３ｄ、主増幅部１５ａ〜１５ｄを経て出力部１６ａ〜１６ｄにそれぞれ出力される。
【００６２】
そして、それぞれの出力は給電部２０ａ〜２０ｄに伝送され加熱室１００内に放射される。このとき、位相可変部１９ａ、１９ｂの両方ともに位相遅延無しとした場合は、給電部２０ａ〜２０ｄから放射されるマイクロ波信号の位相は、同位相である。
【００６３】
なお、位相可変部１９ａ、１９ｂに印加する電圧に応じて、給電部２０ａ、２０ｂと給電部２０ｃ、２０ｄとの間の位相差が決定される。
【００６４】
被加熱物の加熱開始前段階において、各主増幅部１５ａ〜１５ｄはそれぞれ定格出力の１／１０相当のマイクロ波電力、例えば２０Ｗ、のマイクロ波電力を出力する。
【００６５】
加熱室１００内に供給されるマイクロ波電力が被加熱物に１００％吸収されると加熱室１００からの反射電力は無しになるが、被加熱物の種類・形状・量が被加熱物を含む加熱室１００の電気的特性を決定し、マイクロ波発生手段１０の出力インピーダンスと加熱室１００のインピーダンスとに基づいて、加熱室１００側からマイクロ波発生手段１０側に伝送する反射電力が生じる。
【００６６】
電力検出部１８ａ〜１８ｄは、少なくともマイクロ波発生手段１０側に伝送する反射電力と結合し、そのマイクロ波反射量に比例した信号を検出するものである。制御手段２１は、被加熱物の加熱開始前に発振部１１に対して予め規定した周波数帯域の全域に亘って周波数をステップ可変させて被加熱物の本加熱時に使用する周波数を選択する。
【００６７】
この周波数選択に対して、制御手段２１は、発振部の発振周波数を初期の２４００ＭＨｚから１ＭＨｚピッチ（例えば、１０ミリ秒で１ＭＨｚ）で周波数可変範囲の上限である２５００ＭＨｚまで変化させる。この周波数可変の中で得られたマイクロ波供給量とマイクロ波反射量の平均化処理を実行後の個々の周波数におけるマイクロ波供給量値とマイクロ波反射量値に基づき、マイクロ波供給量値に対するマイクロ波反射量値の比率が極小となる周波数を抽出する。
【００６８】
そして抽出した周波数群を予め記憶させた基準周波数群と照合し、一致しない周波数が存在する場合、被加熱物が収納されていると判定し、抽出した周波数の中で比率が最小となる周波数をマイクロ波発生手段の動作周波数として決定する。
【００６９】
そして、発振部１１の周波数をその決定した周波数に制御するとともに発振出力を入力された加熱条件に対応した出力が得られるように制御する。この出力を受けて被加熱物の本加熱時には、各主増幅部１５ａ〜１５ｄはそれぞれ２００Ｗ前後のマイクロ波電力を出力する。それぞれの出力は給電部２０ａ〜２０ｄに伝送され加熱室１００内に放射される。
【００７０】
複数の給電部２０ａ〜２０ｄは、底壁面１０３の略中央Ｃ０を点対称として配置している。被加熱物が略中央Ｃ０の上方に相当する載置皿２４上に収納配置される場合、加熱室１００内に供給されたマイクロ波に対して給電部２０ａ〜２０ｄが受け取り電力検出部１８ａ〜１８ｄで検出されるマイクロ波反射量はほぼ等量である。
【００７１】
なお、本加熱開始時に電力検出部１８ａ〜１８ｄで検出されるマイクロ波反射量が大きく異なっている場合、制御手段２１は被加熱物が底壁面１０３の略中央Ｃ０の上方に相当する載置皿２４上からかなり外れて収納配置されていると判定することができ、収納配置をやり直すように使用者に報知させてもよい。
【００７２】
そして、被加熱物を本加熱中にそれぞれの電力検出部１８ａ〜１８ｄが検出するマイクロ波反射量の時間的増減変化特性において、少なくとも一つの電力検出部のマイクロ波反射量の時間的増減変化に基づいて被加熱物の加熱分布状態を推定し、すべての電力検出部のマイクロ波反射量の時間的増減変化に基づいて被加熱物の昇温状態を推定してマイクロ波発生手段の発振周波数の更新と動作停止の制御を行うものである。
【００７３】
次に、以上のように構成された本発明に係る実施の形態１のマイクロ波処理装置の動作について図７および図８を参照して説明する。
【００７４】
図７は、実施の形態１のマイクロ波処理装置における電力検出部１８ａ〜１８ｄの検出信号に基づいて演算した個々の周波数におけるマイクロ波供給量の総和に対するマイクロ波反射量の総和の比率の一例を示す特性図であり、図８は、同じ装置においてマイクロ波反射量の総和の一例を示す特性図である。
【００７５】
それぞれの図において、白抜きの特性が個々の周波数において直接的に得られたマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量の値に基づく特性を示し、黒塗りの特性が平均化処理を実行した特性を示す。
【００７６】
極小を呈する周波数として抽出される周波数は、図７においては、ｆ１１、ｆ１２、ｆ１３およびｆ１４、図８においてはｆ２１、ｆ２２、ｆ２３およびｆ２４である。
【００７７】
またそれぞれの図中に基準周波数ｆＡ１、ｆＡ２、ｆＡ３およびｆＡ４、またｆＢ１、ｆＢ２、ｆＢ３およびｆＢ４（なお、それぞれ基準周波数に対しプラスマイナス１ＭＨｚの周波数は省略）を付記した。
【００７８】
図７と図８との抽出された周波数を基準周波数と比較し、抽出した周波数群の中に基準周波数とは異なる周波数が存在することから、被加熱物が存在すると判定する。
【００７９】
また、図７において比率が最小値をとる周波数はｆ１４、図８において反射量が最小値をとる周波数はｆ２４である。そして制御手段２１は、マイクロ波供給量の総和に対するマイクロ波反射量の総和の比率を用いた制御処理を用いる場合には周波数ｆ１４を、またマイクロ波反射量の総和を用いる制御処理を用いる場合には周波数ｆ２４を被加熱物の本加熱動作における周波数に選定する。
【００８０】
なお、抽出された周波数の群をそれぞれ比較すると、ｆ１３に対応するｆ２３は周波数の値が６ＭＨｚずれた結果となっている。検知信号のパラメータの選択としては、簡易構成がマイクロ波反射量に基づくもの、高精度な構成が比率に基づくものと位置づけされる。
【００８１】
以下に、本発明に係る実施の形態１のマイクロ波処理装置の詳細な制御例について図９および図１０のフローチャートを用いて説明する。
【００８２】
被加熱物が加熱室１００内に収納されて載置皿２４上に載置され、（被加熱物が収納されていなくても）加熱条件が操作部（図示省略）において設定され、加熱開始キーが押圧されて加熱開始信号が発生する（図９のステップＳ１１１）。加熱開始信号が入力された制御手段２１においては、制御出力信号を生成して、マイクロ波発生手段１０を第１の出力電力、例えば１００Ｗ未満の電力、に設定して動作を開始させる（ステップＳ１１２）。
【００８３】
このとき制御手段２１は、所定の駆動電源電圧を初段増幅部１３ａ〜１３ｄおよび主増幅部１５ａ〜１５ｄに供給する。また、制御手段２１は、発振部１１の初期の発振周波数を、２４００ＭＨｚに設定する制御信号を出力し、発振部１１の発振動作を開始させる。このように、マイクロ波発生手段１０は、初期段階において、２４００ＭＨｚで１００Ｗ未満のマイクロ波電力を第１の出力電力として出力する。
【００８４】
次に、ステップＳ１１３では、発振部１１の発振周波数を初期の２４００ＭＨｚから１ＭＨｚピッチ（例えば、１０ミリ秒で１ＭＨｚ）で高い周波数の方へ変化させ、周波数可変範囲の上限である２５００ＭＨｚまで変化させる。この周波数可変動作において、電力検出部１８ａ〜１８ｄから得られるマイクロ波伝送量とマイクロ波反射量を取り込み前述した平均化処理をして、ステップＳ１１４に進む。
【００８５】
ステップＳ１１４では、平均化処理をした各周波数のマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量に基づき、マイクロ波供給量に対するマイクロ波反射量の比率の周波数特性において極小値を示す周波数（例えば、図７における周波数ｆ１１、ｆ１２、ｆ１３およびｆ１４）を抽出処理し、ステップＳ１１５に進む。
【００８６】
ステップＳ１１５では、ステップＳ１１４で抽出した周波数の群を予め記憶させた基準周波数の群と照合し、ステップＳ１１６に進む。
【００８７】
ステップＳ１１６では、抽出した周波数群が基準周波数の群に対して一致しない周波数があるかどうかを判定し、一致しない抽出周波数が存在する場合は、ステップＳ１１７に進む。一致しない抽出周波数が存在しない場合、ステップＳ１１８に進み、被加熱物がなしと判定してマイクロ波発生手段の動作を停止し加熱動作を中止する。
【００８８】
ステップＳ１１７では、抽出した周波数の群の中で比率が最小となる周波数、図７中のｆ１４を選択し、ステップＳ１１９に進む。
【００８９】
ステップＳ１１９では、マイクロ波発生手段１０が定格出力である第２の出力電力を発生するように、発振部１１の出力電力が制御される。なお、制御手段２１は、第２の出力電力設定にあたっては、マイクロ波処理装置の仕様に応じて、初段増幅部１３ａ〜１３ｄおよび主増幅部１５ａ〜１５ｄの両方の駆動電圧を制御してもよく、主増幅部１５ａ〜１５ｄの駆動電圧のみを制御する構成としてもよい。
【００９０】
次に、ステップＳ１２０において設定された第２の出力電力で本格加熱動作が開始される。本格加熱動作を開始すると、ステップＳ１２１に進み、本格加熱の時間の積算を開始し、ステップＳ１２２に進む。ステップＳ１２２においてその時刻における各電力検出部が検出するマイクロ波伝送量およびマイクロ波反射量に相当する検出信号を制御手段２１が取り込み、ステップＳ１２３に進む。
【００９１】
ステップＳ１２３では、各電力検出部１８ａ〜１８ｄが検出するマイクロ波反射量のいずれか一つが規定値（各電力検出部においてマイクロ波伝送量に対するマイクロ波反射量の比率が２５％に相当する値）以下にあるかどうかを判定する。各電力検出部のマイクロ波反射量がこの規定値を超過していない場合にはステップＳ１２４に進み、超過している場合にはステップＳ２０１に進む。
【００９２】
ステップＳ１２４では、それぞれの電力検出部が検出するマイクロ波反射量の時間的変化を比較して被加熱物の加熱進捗状態を判定する。この判定は、４つの個々の電力検出部のマイクロ波反射量の時間的増減変化に基づいて判定する。
【００９３】
４つの個々のマイクロ波反射量の時間的増減変化が逆傾向ではない（ほぼ同一傾向）にあるか、いずれか一つが逆傾向の増減変化にあるかの判定結果に基づき、同一傾向の場合はステップＳ１２５に進み、逆傾向の場合はステップＳ１１２に進む。
【００９４】
ステップＳ１１２に戻りステップＳ１１５までの一連のステップにて本格加熱時に使用する周波数の更新処理を行った後、ステップＳ１１６、ステップＳ１１７およびステップ
Ｓ１１９を経てステップＳ１２０に進み、本格加熱を再開する。
【００９５】
ステップＳ１２４において同一傾向の判定によりステップＳ１２５に進む。ステップＳ１２５においてマイクロ波反射量の単位時間当りの変化が顕著である判定を受けると、ステップＳ１２６に進む。
【００９６】
ステップＳ１２６では、被加熱物の加熱終了までの各種の条件処理を実行する。例えば、制御手段２１は、被加熱物の温度が略６０℃〜７０℃に到達していると判定する。
【００９７】
そして、現時点までの加熱経過時間や投入されたマイクロ波電力の実質値に基づき、被加熱物の仕上げ温度に到達するまでの時間を算出し加熱を継続する。
【００９８】
また、この仕上がり温度到達までの時間中に電力検出部が検出したそれぞれのマイクロ波反射量のいずれか一つが前述した規定値（５０Ｗ）を超過した場合はその時点で加熱を終了する条件も付帯させている。そしてステップＳ１２７に進み、上述した加熱終了条件のひとつを満たすことで加熱を終了する。
【００９９】
次に、ステップＳ１２３にてマイクロ波反射量が規定値を超えた場合のステップＳ２０１以降の制御内容を説明する。
【０１００】
ステップＳ２０１では、制御手段２１が発振部１１の初期の発振周波数を、２４００ＭＨｚに、またマイクロ波発生手段１０のマイクロ波電力を第１の出力電力設定する制御信号を出力し、ステップＳ２０２に進む。
【０１０１】
ステップＳ２０２では、発振部１１の発振周波数を初期の２４００ＭＨｚから１ＭＨｚピッチ（例えば、１０ミリ秒で１ＭＨｚ）で高い周波数の方へ変化させ、周波数可変範囲の上限である２５００ＭＨｚまで変化させる。この周波数可変動作において、電力検出部１８ａ〜１８ｄから得られるマイクロ波伝送量とマイクロ波反射量をそれぞれ記憶し、ステップＳ２０３に進む。
【０１０２】
ステップＳ２０３では、電力検出部１８ａ〜１８ｄから得たマイクロ波反射量の周波数特性曲線において極小値を示す新たな周波数群を抽出処理し、ステップＳ２０４に進む。ステップＳ２０４では、マイクロ波反射量が最小の周波数を選択し、加熱する周波数を更新してステップＳ２０５に進む。
【０１０３】
ステップＳ２０５では、マイクロ波発生手段１０が定格出力である第２の出力電力を発生するように、発振部１１の出力電力が制御され、ステップＳ２０６に進む。
【０１０４】
ステップＳ２０６では、更新された加熱周波数でもって第２の出力電力で本格加熱動作が開始され、ステップＳ２０７に進む。
【０１０５】
ステップＳ２０７では、電力検出部１８ａ〜１８ｄがそれぞれ検出するマイクロ波反射量が規定値以下、例えば各給電部へ伝送されるマイクロ波伝送量に対するマイクロ波反射量の比率が２５％に相当する値（マイクロ波伝送量が２００Ｗの場合、規定値は５０Ｗ）以下にあるかどうかを判定する。マイクロ波反射量がこの規定値を超過していない場合にはステップＳ１１９に戻り、規定値を超過している場合にはステップＳ２０８に進む。
【０１０６】
ステップＳ２０８では発振部１１の出力の低減を行う。この低減方法は、例えば第２の出力電力を１００％とした時に、９０％、７５％、５０％に相当する出力電力を生じるように発振部１１の出力を低減していく。各電力検出部が検出するマイクロ波反射量のすべ
てが前記規定値以下になるまで発振部１１の出力低減を実行し規定値以下になった時点で、ステップＳ１１９に戻る。
【０１０７】
なお、第２の出力電力設定に対し制御手段２１は、初段増幅部１３ａ〜１３ｄおよび主増幅部１５ａ〜１５ｄの両方の駆動電圧を制御してもよく、主増幅部１５ａ〜１５ｄの駆動電圧のみを制御する構成としてもよい。
【０１０８】
この方法は、ステップＳ２０８の第２の出力電力から出力電力を低減させる場合にも展開してよい。すなわち、初段増幅部１３ａ〜１３ｄおよび／または主増幅部１５ａ〜１５ｄの駆動電圧を低減制御してマイクロ波発生手段１０の出力電力を低減しステップＳ２０７に戻り、各電力検出部が検出するマイクロ波反射量のすべてが前記規定値以下になるまで駆動電圧低減調整を実行し規定値以下になると、ステップＳ１１９に戻る制御を採用しても良い。
【０１０９】
なお、ステップＳ１１４およびステップＳ１１５において、マイクロ波伝送量とマイクロ波反射量の両方の値に基づくマイクロ波反射量の比率の代わりにマイクロ波反射量のみを用いた処理を行ってもよい。
【０１１０】
以上のように本発明のマイクロ波処理装置によれば、制御手段は、マイクロ波発生手段の動作周波数を決定するにあたって、規定の周波数帯域に亘ってマイクロ波発生手段を動作させて、個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量を検出し、個々の周波数に対するマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量の値として、その周波数を含む連続した少なくとも３個の周波数におけるマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量の平均値を割り当てることにより、個々の周波数におけるマイクロ波供給量とマイクロ波反射量の値を隣接する周波数との間で安定な値として取り込むことができる。そして、個々の周波数の平均値の特性に基づいて、極小値や最小値を呈する周波数の選択演算を安定かつ高精度に行うことができる。
【０１１１】
また制御手段は、周波数可変開始の周波数および次の周波数におけるマイクロ波供給量およびマイクロ波反射量は、検出した値を用いることにより平均値処理が困難な可変開始周波数および次の周波数の処理を明確に規定したことで個々の周波数の平均値の特性に基づく演算処理結果の不適さ、例えば、可変開始周波数および次の周波数が、マイクロ波反射量が最小値となった場合、最小値の周波数としてこれらの周波数を選択してもなんらの問題は生じないという処理ができる。
【０１１２】
また制御手段は、規定の周波数帯域に亘って変化させる周波数値および周波数増分値を整数値としたことにより可変周波数の総数を少なくし検出処理時間を短くできる。そのため、動作周波数を決定する工程を加熱動作期間内のどのタイミングでも自由に付与させることができる。
【０１１３】
さらに制御手段は、前記加熱室に被加熱物を収納しない状態において規定の周波数帯域に亘ってマイクロ波発生手段を動作し、個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波反射量の総和、または個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波供給量の総和に対するマイクロ波反射量の総和の比率が周波数変化に対して極小値を呈する周波数の値を基準周波数の群として記憶することにより加熱室内の被加熱物の存在有無判定の精度を高めることができる。
【０１１４】
また制御手段は、前記マイクロ波発生手段の動作を開始させる指令を受けると、前記被加熱物の有り無しに係わらず前記マイクロ波発生手段の動作周波数を選択するために、規定の周波数帯域に亘って前記マイクロ波発生手段を動作させて前記加熱室にマイクロ波を
供給し、個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波反射量の総和、または個々の周波数に対して得られるそれぞれの電力検出部のマイクロ波供給量の総和に対するマイクロ波反射量信号の総和の比率が極小を呈する周波数を抽出し、その抽出した周波数を記憶した基準周波数の群と照合し、基準周波数の群とは異なる周波数が存在し、かつ反射量総和または比率が最小値を呈する周波数を前記マイクロ波発生手段の動作周波数に決定し動作を開始させることにより、加熱室内への被加熱物の収納を確実に確認し、高効率な周波数で動作させることで、電力浪費を解消する装置を提供できる。
【０１１５】
また制御手段は、基準周波数の群として、規定の周波数帯域に亘って変化させる周波数増分値を前記基準周波数のそれぞれにプラスマイナスした周波数を含めることにより、加熱室内の状態の経年変化、例えば加熱室壁面への食品カスの付着に伴って被加熱物がない状態でもマイクロ波供給量やマイクロ波反射量が変化するが、これらの状態変化分を考慮して被加熱物の有無判定を高精度に実行させることができる。
【０１１６】
また制御手段は、抽出した周波数のすべてが記憶した基準周波数の群と合致した場合、マイクロ波発生手段の動作開始を中止することにより反射するマイクロ波電力によってマイクロ波発生手段の構成部品が熱破壊することを抑制できる。
【０１１７】
なお、制御手段は、最小値を呈する比率の周波数が複数存在する場合、周波数の値が低い方の周波数を動作周波数に決定させる。これにより比較処理を簡便にし、周波数決定処理全体を高速化できる。
【０１１８】
またなお、本実施例では給電部の個数が４個の場合を示したが、給電部の個数はこの数に限定されるものでなく、給電部間の位相差制御機能を発揮させる場合であれば、２個以上の任意の個数で利用できる。
【０１１９】
また、連続する３つの周波数は、対象とする周波数を中央周波数として設定させても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
以上のように、本発明にかかるマイクロ波処理装置は、複数の給電部を設け、それぞれの給電部からの少なくとも反射電力情報に基づいて、マイクロ波発生手段の発生電力を高効率に加熱室に供給できるマイクロ波発生手段の動作周波数を選択できるので、電子レンジで代表されるような誘電加熱を利用した加熱装置や生ゴミ処理機、半導体製造装置あるいは乾燥装置などの用途にも適用できる。
【符号の説明】
【０１２１】
１０  マイクロ波発生手段
１１  発振部（周波数可変機能を有する）
１８ａ〜１８ｄ  電力検出部
２０ａ〜２０ｄ  給電部
２１  制御手段
２１ａ  記憶部
１００  加熱室
１２  スイッチング制御部
１３  駆動回路部
１４  電流検出部
１４ａ  抵抗体
１４ｂ  ツェナダイオード
１４ｃ  ホトカプラ（発光側）
【図１】
2011129341.tif 000003
【図２】
2011129341.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011129341.tif 000009
【図８】
2011129341.tif 000010
【図９】
2011129341.tif 000011
【図１０】
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