(57)【要約】【課題】撮像画像の画像品質を向上する。【解決手段】接地されているグラウンド電極２３０Ｇを、撮像面において、読出し回路２０（リセットトランジスタ２２など）と画素電極２１１Ｇとの間に介在させる。これにより、各読出し回路部２０２Ｒ，２０２Ｇ，２０２Ｂを構成するＴＦＴのチャネル形成領域に、ゲート電圧以外の不要な電圧が印加された状態になることを防止する。【選択図】図４
2011129873.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の撮像面の上方に設けられている光電変換部と、
前記撮像面において前記光電変換部の下方に設けられている読出し回路部と
を具備し
前記光電変換部は、
入射光を受光して信号電荷を生成する光電変換膜と、
前記光電変換膜を挟む第１電極および第２電極と
を含み、前記第１電極と前記光電変換膜と前記第２電極とが前記撮像面において上方に順次積層されており、
前記読出し回路部のそれぞれは、
前記第１電極に電気的に接続されており、前記光電変換部にて生成された信号電荷を読み出す読出し回路と、
接地されているグラウンド電極と
を含み、前記グラウンド電極が、前記撮像面において、前記読出し回路と前記第１電極との間に介在している
固体撮像装置。
【請求項２】
前記光電変換部は、前記基板の撮像面の上方において複数が積層するように設けられており、
前記読出し回路部は、前記撮像面において前記複数の光電変換部のそれぞれの下方に設けられている、
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記読出し回路は、光を透過するように形成されている、
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１電極と前記グラウンド電極との間に挟まれた誘電体膜
を有し、
前記第１電極と前記グラウンド電極と前記誘電体膜とによって構成されるキャパシタが、前記光電変換膜にて生成された信号電荷を蓄積するように構成されている、
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記複数の光電変換部は、
第１の波長領域の光を受光して信号電荷を生成する第１の光電変換部と、
前記第１の光電変換部を介して入射する光のうち、前記第１の波長領域と異なる第２の波長領域の光を受光して信号電荷を生成する第２の光電変換部と、
前記第２の光電変換部を介して入射する光のうち、前記第１および第２の波長領域と異なる第３の波長領域の光を受光して信号電荷を生成する第３の光電変換部と
を有し、
前記複数の読出し回路部は、
前記第１の光電変換部にて生成された信号電荷を読み出す第１の読出し回路部と、
前記第２の光電変換部にて生成された信号電荷を読み出す第２の読出し回路部と、
前記第３の光電変換部にて生成された信号電荷を読み出す第３の読出し回路部と
を有する、
請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１の光電変換部は、青色の波長領域の光を受光し、
前記第２の光電変換部は、緑色の波長領域の光を受光し、
前記第３の光電変換部は、赤色の波長領域の光を受光する、
請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
基板の撮像面の上方において光電変換部が設けられており、前記光電変換部の下方に読出し回路部が設けられている固体撮像装置を製造する工程
を具備し、
前記固体撮像装置を製造する工程は、
前記光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、
前記読出し回路部を形成する読出し回路部形成工程と
を有し、
前記光電変換部形成工程においては、前記撮像面において上方において、入射光を受光して信号電荷を生成する光電変換膜を第１電極および第２電極が挟むように、前記第１電極と前記光電変換膜と前記第２電極とを順次積層して形成し、
前記読出し回路部を形成する工程では、前記第１電極に電気的に接続されており、前記光電変換部にて生成された信号電荷を読み出す読出し回路と、前記第１電極との間において、接地されたグラウンド電極が介在するように、前記読出し回路部と前記グラウンド電極とを形成する、
固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
基板の撮像面の上方に設けられている光電変換部と、前記撮像面において前記光電変換部の下方に設けられている読出し回路部とを具備する固体撮像装置
を有し、
前記光電変換部は、
入射光を受光して信号電荷を生成する光電変換膜と、
前記光電変換膜を挟む第１電極および第２電極と
を含み、前記該第１電極と前記光電変換膜と前記第２電極とが前記撮像面において上方に順次積層されており、
前記読出し回路部は、
前記第１電極に電気的に接続されており、前記光電変換部にて生成された信号電荷を読み出す読出し回路と、
接地されているグラウンド電極と
を含み、前記グラウンド電極が、前記撮像面において、前記読出し回路と前記第１電極との間に介在している
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置およびその製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどの電子機器は、固体撮像装置を含む。たとえば、固体撮像装置として、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型イメージセンサー、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型イメージセンサーを含む。
【０００３】
固体撮像装置は、半導体基板の撮像面に、複数の画素がマトリクス状に配列されている。複数の画素のそれぞれには、光電変換部が設けられている。たとえば、フォトダイオードが光電変換部として設けられている。
【０００４】
固体撮像装置のうち、ＣＭＯＳ型イメージセンサーは、光電変換部のほかに、画素トランジスタなどの半導体素子を含むように、画素が構成されている。画素トランジスタは、光電変換部にて生成された信号電荷を読み出して、信号線へ電気信号として出力するように、複数のトランジスタが構成されている。
【０００５】
固体撮像装置において、光電変換部は、カラーフィルタ等の光学要素を介して入射する光を受光面で受光し光電変換することによって、信号電荷を生成する。
【０００６】
たとえば、赤・緑・青の３原色のカラーフィルタが各画素に対応して撮像面に沿って配置されており、その各色のカラーフィルタによって着色された各着色光を、各画素において光電変換部が受光する。つまり、赤色のカラーフィルタが上方に設けられた画素に着目すると、被写体像として入射する光のうち、緑と青の成分の光を吸収して赤色成分の光のみが赤色のカラーフィルタを透過し、その下方において、その透過した赤色光を光電変換部が受光する。
【０００７】
固体撮像装置は、小型化されると共に、画素数の増加が要求されている。このため、１つの画素のサイズが、ますます、小さくなるので、十分な光量を受光することが困難になってきており、撮像画像の画像品質の向上が容易ではない。
【０００８】
このような不具合を解消するために、「光電変換膜積層型」が提案されている。「光電変換膜積層型」は、撮像面に沿った方向に各色の光電変換部が配置されずに、各色の光を選択的に受光する光電変換部が、撮像面に対して垂直な方向に積層されている。たとえば、入射光に含まれる３原色の光のそれぞれを、順次、受光するように、有機材料の光電変換膜が、３層積層されている（たとえば、特許文献１〜４，非特許文献１参照）。
【０００９】
この「光電変換膜積層型」では、上方に設けられた光電変換膜において、入射光の一部が吸収されて、光電変換が行われる。そして、その上方に設けられた光電変換膜にて吸収されなかった光の一部が、その下方に位置する他の光電変換膜によって吸収されて、光電変換が行われる。たとえば、最上層の光電変換膜が青色の光を吸収し、中間の光電変換膜が緑色の光を吸収し、最下層の光電変換膜が赤色の光を吸収する。そして、各光電変換膜においては、光電変換が行われて信号電荷が生成される。
【００１０】
このように、「光電変換膜積層型」は、各画素位置において、一色の着色光のみではなく、複数の色の着色光のそれぞれが受光される。このため、光の利用効率を向上可能であるために、小型化を容易に実現できる。具体的には、「光電変換膜積層型」の固体撮像装置は、撮像面に沿って赤・緑・青の３原色のカラーフィルタが配置されている場合と比較して、光の利用効率が３倍になるので、１画素当たりの面積を、たとえば、１／３にすることが可能である。
【００１１】
「光電変換膜積層型」のＣＭＯＳ型イメージセンサーにおいては、各着色光を受光する各光電変換膜で生成された信号電荷を読み出すために、トランジスタなどの半導体素子が、基板の表面に、まとめて形成されている。
【００１２】
このように複数色（たとえば、３原色）分のトランジスタを、基板の表面に並べて形成しているため、これらのトランジスタが基板で占有する面積が広くなり、小型化を実現することが困難な場合がある。
【００１３】
この不具合を解消するために、複数色分のトランジスタを基板の表面にまとめて設けずに、各色の光電変換膜の直下に、電荷を読出すための読出し回路部を設けることが提案されている（たとえば、非特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００４−３３５６２６号公報
【特許文献２】特開２００５−３４７３５６号公報
【特許文献３】特開２００５−３５３６２６号公報
【特許文献４】特開２００３−２３４４６０号公報
【非特許文献】
【００１５】
【非特許文献１】井浜ら，「有機光電変換膜を積層したＣＭＯＳイメージセンサー」，ＦＵＪＩＦＩＬＭ  ＲＥＳＥＡＲＣＨ  ＆  ＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴ（Ｎｏ．５２−２００７），ｐ．３−６
【非特許文献２】太田ら，「ＣＭＯＳイメージセンサーの最新動向」，シーエムシー出版，２００７年４月，ｐ．１１９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
図８と図９は、「光電変換膜積層型」のＣＭＯＳ型イメージセンサーの概要を示す図である。図８は、断面を示しており、図９は、図８の一部を拡大して示している。
【００１７】
図８に示すように、「光電変換膜積層型」のＣＭＯＳ型イメージセンサー１Ｊは、赤色用光電変換部２０１ＲＪと、緑色用光電変換部２０１ＧＪと、青色用光電変換部２０１ＢＪとを含む。この他に、ＣＭＯＳ型イメージセンサー１Ｊは、赤色用読出し回路部２０２ＲＪと、緑色用読出し回路部２０２ＧＪと、青色用読出し回路部２０２ＢＪとを含む。
【００１８】
「光電変換膜積層型」のＣＭＯＳ型イメージセンサー１Ｊを構成する各部は、図８に示すように、基板１０１Ｊ上に設けられている。
【００１９】
具体的には、図８に示すように、赤色用読出し回路部２０２ＲＪと、赤色用光電変換部２０１ＲＪとが、半導体からなる基板１０１Ｊの上面に、順次、設けられている。そして、この上面に、緑色用読出し回路部２０２ＧＪと、緑色用光電変換部２０１ＧＪとが、順次、設けられている。そして、さらに、この上面に、青色用読出し回路部２０２ＢＪと、青色用光電変換部２０１ＢＪとが、順次、設けられている。
【００２０】
図９に示すように、緑色用光電変換部２０１ＧＪは、緑色用有機光電変換膜２１０ＧＪと、画素電極２１１ＧＪと、共通電極２１２ＧＪとを含む。
【００２１】
緑色用有機光電変換膜２１０ＧＪは、入射光に含まれる緑色成分の光を吸収して、光電変換することによって、信号電荷が生ずるように構成されている。ここでは、図９に示すように、緑色用有機光電変換膜２１０ＧＪは、緑色用読出し回路部２０２ＧＪの上面において、画素電極２１１ＧＪと共通電極２１２ＧＪとによって挟まれている。
【００２２】
そして、画素電極２１１ＧＪと共通電極２１２ＧＪとのそれぞれは、透明電極であって、光が透過するように構成されている。画素電極２１１ＧＪは、複数の画素Ｐに対応するように複数がギャップ（図示なし）を隔てて配置されている。また、共通電極２１２ＧＪは、緑色用有機光電変換膜２１０ＧＪを介して、複数の画素電極２１１ＧＪに対面するように、一体に設けられている。
【００２３】
そして、図９に示すように、緑色用読出し回路部２０２ＧＪは、ＴＦＴ２２０ＧＪを含み、ＴＦＴ２２０ＧＪが絶縁膜ＳＺ１Ｇ上に設けられている。ＴＦＴ２２０ＧＪは、半導体層２２１ＧＪとゲート絶縁膜２２２ＧＪとゲート電極２２３ＧＪとを含み、たとえば、ボトムゲート型構造になるように構成されている。ＴＦＴ２２０ＧＪにおいて、半導体層２２１ＧＪは、チャネル領域２２４ＣＧを挟むように、ソース２２４ＳＧとドレイン２２４ＤＧとが設けられている。半導体層２２１ＧＪにおいてソース２２４ＳＧには、ソース電極２２５ＳＧが接続されており、ドレイン２２４ＤＧには、ドレイン電極２２５ＤＧが接続されている。そして、ＴＦＴ２２０ＧＪは、層間絶縁膜ＳＺ２Ｇで被覆されており、コンタクトＣＴを介して、ソース電極２２５ＳＧが画素電極２１１ＧＪに電気的に接続されている。
【００２４】
上記の「光電変換膜積層型」のＣＭＯＳ型イメージセンサー１Ｊにおいて、入射光が各画素Ｐに入射したときには、各光電変換部２０１ＲＪ，２０１ＧＪ，２０１ＢＪにおいて信号電荷が、順次、生成される。
【００２５】
具体的には、青色用光電変換部２０１ＢＪでは、入射光に含まれる青色成分の光量に応じた信号電荷が生成される。緑色用光電変換部２０１ＧＪでは、入射光に含まれる緑色成分の光量に応じた信号電荷が生成される。赤色用光電変換部２０１ＲＪでは、入射光に含まれる赤色成分の光量に応じた信号電荷が生成される。
【００２６】
各光電変換部２０１ＲＪ，２０１ＧＪ，２０１ＢＪにおいては、画素電極（２１１ＧＪなど）と共通電極（２１２ＧＪなど）との間に電圧が印加され、各光電変換膜（２１０ＧＪなど）から各読出し回路部（２０２ＧＪなど）へ、信号電荷が読み出される。
【００２７】
上記のように、各光電変換部（２０１ＧＪなど）において、各光電変換膜（２１０ＧＪなど）は、画素電極（２１１ＧＪなど）と共通電極（２１２ＧＪなど）との間に、電圧が印加される。つまり、各光電変換膜（２１０ＧＪなど）は、いわゆるｐｎ接合のフォトダイオードに逆バイアス電圧が、かかった状態になる。このため、この光電変換膜（２１０ＧＪなど）に印加された電圧が、ＴＦＴ（２２０ＧＪなど）に対して悪影響を及ぼす場合がある。すなわち、各有機光電変換膜（２１０ＧＪなど）への印加電圧によって、ＴＦＴ（２２０ＧＪなど）のゲートに電圧が印加された状態と同じ状態になる場合があり、これにより、撮像画像の画像品質の低下などの不具合が生ずる場合がある。
【００２８】
上記の不具合を解消するために、層間絶縁膜ＳＺ２Ｇの膜厚を厚くして、緑色用有機光電変換膜２１０ＧＪとＴＦＴ２２０ＧＪとの間を離すことが考えられる。しかし、この場合には、全体の厚みが厚くなってしまう。
【００２９】
このため、上層側から入射した光が、その画素の有機光電変換膜で受光されずに、隣の画素の有機光電変換膜で受光されてしまう場合がある。
【００３０】
たとえば、図８の場合には、画素に入射した入射光に含まれる青色成分の光は、最上層の青色用光電変換部２０１ＢＪで正確に受光される。しかし、緑色成分および赤色成分の光は、緑色用光電変換部２０１ＧＪと赤色用光電変換部２０１ＲＪとが下層側にあるので、入射した画素で受光されずに、隣の画素において受光される場合がある。この現象は、上記においては、赤色用光電変換部２０１ＲＪが最下層に設けられているので、赤色成分の光に関して顕著に生ずる。そして、これに伴って、撮像画像の画像品質の低下などの不具合が生ずる場合がある。
【００３１】
したがって、本発明は、撮像画像の画像品質を向上可能な、固体撮像装置およびその製造方法、電子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
本発明の固体撮像装置は、基板の撮像面の上方に設けられている光電変換部と、前記撮像面において前記光電変換部の下方に設けられている読出し回路部とを具備し、前記光電変換部は、入射光を受光して信号電荷を生成する光電変換膜と、前記光電変換膜を挟む第１電極および第２電極とを含み、前記第１電極と前記光電変換膜と前記第２電極とが前記撮像面において上方に順次積層されており、前記読出し回路部のそれぞれは、前記第１電極に電気的に接続されており、前記光電変換部にて生成された信号電荷を読み出す読出し回路と、接地されているグラウンド電極とを含み、前記グラウンド電極が、前記撮像面において、前記読出し回路と前記第１電極との間に介在している。
【００３３】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板の撮像面の上方において光電変換部が設けられており、前記光電変換部の下方に読出し回路部が設けられている固体撮像装置を製造する工程を具備し、前記固体撮像装置を製造する工程は、前記光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、前記読出し回路部を形成する読出し回路部形成工程とを有し、前記光電変換部形成工程においては、前記撮像面において上方において、入射光を受光して信号電荷を生成する光電変換膜を第１電極および第２電極が挟むように、前記第１電極と前記光電変換膜と前記第２電極とを順次積層して形成し、前記読出し回路部を形成する工程では、前記第１電極に電気的に接続されており、前記光電変換部にて生成された信号電荷を読み出す読出し回路と、前記第１電極との間において、接地されたグラウンド電極が介在するように、前記読出し回路部と前記グラウンド電極とを形成する。
【００３４】
本発明の電子機器は、基板の撮像面の上方に設けられている光電変換部と、前記撮像面において前記光電変換部の下方に設けられている読出し回路部とを具備する固体撮像装置を有し、前記光電変換部は、入射光を受光して信号電荷を生成する光電変換膜と、前記光電変換膜を挟む第１電極および第２電極とを含み、前記該第１電極と前記光電変換膜と前記第２電極とが前記撮像面において上方に順次積層されており、前記読出し回路部は、前記第１電極に電気的に接続されており、前記光電変換部にて生成された信号電荷を読み出す読出し回路と、接地されているグラウンド電極とを含み、前記グラウンド電極が、前記撮像面において、前記読出し回路と前記第１電極との間に介在している。
本発明においては、各読出し回路部を構成するＴＦＴのチャネル形成領域に、ゲート電圧以外の不要な電圧が印加された状態になることを、グラウンド電極の存在によって防止できる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、製造効率等の向上が可能であって、撮像画像の画像品質を向上可能な、固体撮像装置およびその製造方法、電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態において、カメラ４０の構成を示す構成図である。
【図２】図２は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置１の全体構成を示すブロック図である。
【図３】図３は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図４】図４は、本発明にかかる実施形態において、緑色用光電変換部２０１Ｇと緑色用読出し回路部２０２Ｇとの部分を示す図である。
【図５】図５は、本発明にかかる実施形態において、緑色用光電変換部２０１Ｇと緑色用読出し回路部２０２Ｇとの部分を示す図である。
【図６】図６は、本発明にかかる実施形態において、緑色用光電変換部２０１Ｇと緑色用読出し回路部２０２Ｇとを製造する方法について示す図である。
【図７】図７は、本発明の変形例の概要を示す図である。
【図８】図８は、「光電変換膜積層型」のＣＭＯＳ型イメージセンサーの概要を示す図である。
【図９】図９は、「光電変換膜積層型」のＣＭＯＳ型イメージセンサーの概要を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００３８】
なお、説明は、下記の順序で行う。
１．実施形態１
２．その他の形態
【００３９】
＜１．実施形態１＞
（Ａ）装置構成
（Ａ−１）カメラの要部構成
図１は、本発明にかかる実施形態において、カメラ４０の構成を示す構成図である。
【００４０】
図１に示すように、カメラ４０は、固体撮像装置１と、光学系４２と、制御部４３と、信号処理回路４４とを有する。各部について、順次、説明する。
【００４１】
固体撮像装置１は、光学系４２を介して入射する光（被写体像）Ｈを撮像面ＰＳで受光して光電変換することによって、信号電荷を生成する。ここでは、固体撮像装置１は、制御部４３から出力される制御信号に基づいて駆動する。具体的には、信号電荷を読み出して、ローデータとして出力する。
【００４２】
光学系４２は、結像レンズや絞りなどの光学部材を含み、被写体像として入射する光Ｈを、固体撮像装置１の撮像面ＰＳへ集光するように配置されている。
【００４３】
制御部４３は、各種の制御信号を固体撮像装置１と信号処理回路４４とに出力し、固体撮像装置１と信号処理回路４４とを制御して駆動させる。
【００４４】
信号処理回路４４は、固体撮像装置１から出力されたローデータについて信号処理を実施することによって、被写体像についてデジタル画像を生成するように構成されている。
【００４５】
（Ａ−２）固体撮像装置の要部構成
固体撮像装置１の全体構成について説明する。
【００４６】
図２は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置１の全体構成を示すブロック図である。
【００４７】
本実施形態の固体撮像装置１は、ＣＭＯＳ型イメージセンサーであり、図２に示すように、基板１０１を含む。この基板１０１は、たとえば、シリコンからなる半導体基板であり、図２に示すように、基板１０１の面においては、撮像領域ＰＡと、周辺領域ＳＡとが設けられている。
【００４８】
撮像領域ＰＡは、図２に示すように、矩形形状であり、複数の画素Ｐが水平方向ｘと垂直方向ｙとのそれぞれに、配置されている。つまり、画素Ｐがマトリクス状に並んでいる。そして、この撮像領域ＰＡは、図１に示した撮像面ＰＳに相当する。画素Ｐの詳細については、後述する。
【００４９】
周辺領域ＳＡは、図２に示すように、撮像領域ＰＡの周囲に位置している。そして、この周辺領域ＳＡにおいては、周辺回路が設けられている。
【００５０】
具体的には、図２に示すように、垂直駆動回路１３と、カラム回路１４と、水平駆動回路１５と、外部出力回路１７と、タイミングジェネレータ１８と、シャッター駆動回路１９とが、周辺回路として設けられている。
【００５１】
垂直駆動回路１３は、図２に示すように、周辺領域ＳＡにおいて、撮像領域ＰＡの側部に設けられており、撮像領域ＰＡの画素Ｐを行単位で選択して駆動するように構成されている。
【００５２】
カラム回路１４は、図２に示すように、周辺領域ＳＡにおいて、撮像領域ＰＡの下端部に設けられており、列単位で画素Ｐから出力される信号について信号処理を実施する。ここでは、カラム回路１４は、ＣＤＳ（Ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ；相関二重サンプリング）回路（図示なし）を含み、固定パターンノイズを除去する信号処理を実施する。
【００５３】
水平駆動回路１５は、図２に示すように、カラム回路１４に電気的に接続されている。水平駆動回路１５は、たとえば、シフトレジスタを含み、カラム回路１４にて画素Ｐの列ごとに保持されている信号を、順次、外部出力回路１７へ出力させる。
【００５４】
外部出力回路１７は、図２に示すように、カラム回路１４に電気的に接続されており、カラム回路１４から出力された信号について信号処理を実施後、外部へ出力する。外部出力回路１７は、ＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｇａｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路１７ａとＡＤＣ回路１７ｂとを含む。外部出力回路１７においては、ＡＧＣ回路１７ａが信号にゲインをかけた後に、ＡＤＣ回路１７ｂがアナログ信号からデジタル信号へ変換して、外部へ出力する。
【００５５】
タイミングジェネレータ１８は、図２に示すように、垂直駆動回路１３、カラム回路１４、水平駆動回路１５，外部出力回路１７，シャッター駆動回路１９のそれぞれに電気的に接続されている。タイミングジェネレータ１８は、各種パルス信号を生成し、垂直駆動回路１３、カラム回路１４、水平駆動回路１５，外部出力回路１７，シャッター駆動回路１９に出力することで、各部について駆動制御を行う。
【００５６】
シャッター駆動回路１９は、画素Ｐを行単位で選択して、画素Ｐにおける露光時間を調整するように構成されている。
【００５７】
上記の各部は、行単位にて並ぶ複数の画素Ｐについて同時に駆動させる。
具体的には、上述した垂直駆動回路１３によって供給される選択信号によって、画素Ｐが、水平ライン（画素行）単位で垂直方向ｙに、順次、選択される。そして、タイミングジェネレータ１８から出力される各種タイミング信号によって各画素Ｐが駆動する。これにより、各画素Ｐから出力された電気信号が、垂直信号線２７を通して、画素列ごとに、カラム回路１４に読み出される。そして、カラム回路１４にて蓄積された信号が、水平駆動回路１５によって選択されて、外部出力回路１７へ、順次、出力される。
【００５８】
（Ａ−３）固体撮像装置の詳細構成
本実施形態にかかる固体撮像装置１の詳細内容について説明する。
【００５９】
図３は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置の要部を示す図である。ここで、図３は、撮像領域ＰＡの断面を示している。
【００６０】
固体撮像装置１は、図３に示すように、「光電変換膜積層型」のＣＭＯＳ型イメージセンサーであって、基板１０１の撮像面の上方において、複数の光電変換部２０１Ｒ，２０１Ｇ，２０１Ｂが積層するように設けられている。そして、基板１０１の撮像面において、これらの複数の光電変換部２０１Ｒ，２０１Ｇ，２０１Ｂのそれぞれの下方には、読出し回路部２０２Ｒ，２０２Ｇ，２０２Ｂが設けられている。
【００６１】
本実施形態において、固体撮像装置１は、赤色用光電変換部２０１Ｒと、緑色用光電変換部２０１Ｇと、青色用光電変換部２０１Ｂとを含む。この他に、固体撮像装置１は、赤色用読出し回路部２０２Ｒと、緑色用読出し回路部２０２Ｇと、青色用読出し回路部２０２Ｂとを含む。
【００６２】
図３に示すように、固体撮像装置１を構成する各部は、たとえば、シリコン半導体からなる基板１０１上に、設けられている。
【００６３】
具体的には、図３に示すように、赤色用読出し回路部２０２Ｒと、赤色用光電変換部２０１Ｒとが、基板１０１の上面に、順次、積層するように設けられている。そして、この上面に、緑色用読出し回路部２０２Ｇと、緑色用光電変換部２０１Ｇとが、順次、積層するように設けられている。そして、さらに、この上面に、青色用読出し回路部２０２Ｂと、青色用光電変換部２０１Ｂとが、順次、積層するように設けられている。
【００６４】
図４と図５は、本発明にかかる実施形態において、緑色用光電変換部２０１Ｇと緑色用読出し回路部２０２Ｇとの部分を示す図である。
【００６５】
ここで、図４は、緑色用光電変換部２０１Ｇと緑色用読出し回路部２０２Ｇとの部分を模式的に拡大して示す断面図である。また、図５は、緑色用光電変換部２０１Ｇと緑色用読出し回路部２０２Ｇの回路構成を示す画素回路図である。
【００６６】
緑色用光電変換部２０１Ｇは、図４と図５とに示すように、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇと、画素電極２１１Ｇと、共通電極２１２Ｇとを含み、画素電極２１１Ｇと緑色用有機光電変換膜２１０Ｇと共通電極２１２Ｇとが上方に順次積層されている。
【００６７】
緑色用光電変換部２０１Ｇにおいて、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇは、入射光に含まれる緑色成分の光を吸収して、光電変換することによって、信号電荷を生成するように構成されている。また、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇは、入射光に含まれる緑色成分以外の光については、透過するように構成されている。たとえば、キナクリドン類などの多環式系有機顔料を用いて、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇを形成する。
【００６８】
図４に示すように、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇは、緑色用読出し回路部２０２Ｇの上方に設けられている。そして、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇは、図４と図５とに示すように、画素電極２１１Ｇと共通電極２１２Ｇとによって挟まれている。
【００６９】
緑色用光電変換部２０１Ｇにおいて、画素電極２１１Ｇと共通電極２１２Ｇとのそれぞれは、透明電極であって、光が透過するように構成されている。たとえば、画素電極２１１Ｇと共通電極２１２Ｇは、たとえば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物を、スパッタリング法などの成膜法で成膜することで形成されている。
【００７０】
ここでは、画素電極２１１Ｇは、複数の画素Ｐに対応するように複数がギャップ（図示なし）を隔てて配置されている。
【００７１】
また、共通電極２１２Ｇは、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇを介して、複数の画素電極２１１Ｇに対面しており、撮像領域ＰＡの全体に渡って一体に設けられている。
【００７２】
そして、図５に示すように、緑色用光電変換部２０１Ｇでは、画素電極２１１Ｇが、緑色用読出し回路部２０２Ｇに電気的に接続されている。そして、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇで生成された信号電荷による電気信号が、緑色用読出し回路部２０２Ｇにより読み出される。
【００７３】
緑色用読出し回路部２０２Ｇは、図５に示すように、読出し回路２０を含む。
【００７４】
読出し回路２０は、各画素Ｐのそれぞれに設けられており、各画素Ｐにおいて、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇで生成された信号電荷を、読み出すように構成されている。たとえば、読出し回路２０は、複数の画素Ｐの境界部分に配置されている。
【００７５】
本実施形態においては、読出し回路２０は、図５に示すように、リセットトランジスタ２２と、増幅トランジスタ２３と、選択トランジスタ２４とを含み、３トランジスタ方式のＣＭＯＳ信号読出し回路として構成されている。
【００７６】
緑色用読出し回路部２０２Ｇにおいて、リセットトランジスタ２２は、増幅トランジスタ２３のゲート電位をリセットするように構成されている。
【００７７】
具体的には、リセットトランジスタ２２は、図５に示すように、行リセット信号が供給されるリセット線２９にゲートが接続されている。また、リセットトランジスタ２２は、ドレインが電源電位供給線Ｖｄｄに接続され、ソースがフローティングディフュージョンＦＤに接続されている。そして、リセットトランジスタ２２は、リセット線２９から入力される行リセット信号に基づいて、フローティングディフュージョンＦＤを介して、増幅トランジスタ２３のゲート電位を、電源電位にリセットする。
【００７８】
図４に示すように、上記のリセットトランジスタ２２は、入射光を透過するシリコン酸化物等の光透過性絶縁材料で形成された絶縁膜ＳＺ１Ｇ上に、設けられている。リセットトランジスタ２２は、半導体層２２１Ｇとゲート絶縁膜２２２Ｇとゲート電極２２３Ｇとを含み、たとえば、ボトムゲート型構造のＴＦＴとして構成されている。つまり、リセットトランジスタ２２において、半導体層２２１Ｇは、チャネル領域２２４ＣＧを挟むように、ソース２２４ＳＧとドレイン２２４ＤＧとが設けられている。半導体層２２１Ｇにおいてソース２２４ＳＧには、ソース電極２２５ＳＧが接続されており、ドレイン２２４ＤＧには、ドレイン電極２２５ＤＧが接続されている。
【００７９】
本実施形態においては、リセットトランジスタ２２は、光を透過する透明な半導体薄膜を用いた透明ＴＦＴとして設けられている。たとえば、半導体層２２１Ｇは、インジウム，ガリウム，亜鉛，酸素からなる透明なアモルファス酸化物半導体（ａ−ＩｎＧａＺｎＯ）を用いて形成されている。また、ゲート絶縁膜２２２Ｇは、シリコン酸化物を用いて形成されている。そして、ゲート電極２２３Ｇは、ＩＴＯなどのような透明な導電材料を用いて形成されている。ソース電極２２５ＳＧおよびドレイン電極２２５ＤＧも、ＩＴＯなどのような透明な導電材料を用いて形成されている。
【００８０】
そして、図４に示すように、リセットトランジスタ２２は、層間絶縁膜ＳＺ２Ｇで被覆されている。そして、リセットトランジスタ２２において、ソース電極２２５ＳＧは、層間絶縁膜ＳＺ２Ｇを貫通するコンタクトＣＴを介して、画素電極２１１Ｇに電気的に接続されている。
【００８１】
緑色用読出し回路部２０２Ｇにおいて、増幅トランジスタ２３は、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇで生成された信号電荷による電気信号を、増幅して出力するように構成されている。
【００８２】
具体的には、増幅トランジスタ２３は、図５に示すように、ゲートがフローティングディフュージョンＦＤに接続されている。また、増幅トランジスタ２３は、ドレインが電源電位供給線Ｖｄｄに接続され、ソースが選択トランジスタ２４に接続されている。
【００８３】
図４では図示を省略しているが、上記の増幅トランジスタ２３は、上記のリセットトランジスタ２２と同様に、絶縁膜ＳＺ１Ｇ上において、たとえば、ボトムゲート型構造のＴＦＴとして構成されている。そして、増幅トランジスタ２３は、上述の層間絶縁膜ＳＺ２Ｇで被覆されている。
【００８４】
緑色用読出し回路部２０２Ｇにおいて、選択トランジスタ２４は、行選択信号が入力された際に、増幅トランジスタ２３によって出力された電気信号を、垂直信号線２７へ出力するように構成されている。
【００８５】
具体的には、選択トランジスタ２４は、図５に示すように、選択信号が供給されるアドレス線２８にゲートが接続されている。選択トランジスタ２４は、選択信号が供給された際にはオン状態になり、上記のように増幅トランジスタ２３によって増幅された出力信号を、垂直信号線２７に出力する。
【００８６】
図４では図示を省略しているが、上記の選択トランジスタ２４は、リセットトランジスタ２２および増幅トランジスタ２３と同様に、絶縁膜ＳＺ１Ｇ上において、たとえば、ボトムゲート型構造のＴＦＴとして構成されている。そして、選択トランジスタ２４は、上述の層間絶縁膜ＳＺ２Ｇで被覆されている。
【００８７】
この他に、本実施形態において、緑色用読出し回路部２０２Ｇは、図４に示すように、グラウンド電極２３０Ｇを含む。
【００８８】
グラウンド電極２３０Ｇは、層間絶縁膜ＳＺ２Ｇの上面において、リセットトランジスタ２２などのＴＦＴの上面と画素電極２１１Ｇとの間に位置しており、接地されている。
【００８９】
このグラウンド電極２３０Ｇは、透明電極であって、光が透過するように構成されている。たとえば、グラウンド電極２３０Ｇは、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物を、スパッタリング法などの成膜法で成膜することで形成されている。ここでは、グラウンド電極２３０Ｇは、画素電極２１１Ｇとソース２２４ＳＧとを電気的に接続するコンタクトＣＴが貫通する部分が開口するように形成されている。
【００９０】
そして、グラウンド電極２３０Ｇは、層間絶縁膜ＳＺ３Ｇによって被覆されている。この層間絶縁膜ＳＺ３Ｇは、たとえば、シリコン酸化膜で形成されている。
【００９１】
この層間絶縁膜ＳＺ３Ｇの上面においては、図４に示すように、緑色用光電変換部２０１Ｇが設けられている。つまり、画素電極２１１Ｇ、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇ、共通電極２１２Ｇが、上方へ向かって、順次、積層して設けられている。
【００９２】
青色用光電変換部２０１Ｂ，青色用読出し回路部２０２Ｂの部分、赤色用光電変換部２０１Ｒ，赤色用読出し回路部２０２Ｒの部分についても、上記の緑色用光電変換部２０１Ｇ，緑色用読出し回路部２０２Ｇの部分と同様に構成されている。
【００９３】
つまり、青色用光電変換部２０１Ｂは、青色の波長領域の光を他の波長領域の光よりも多く受光して信号電荷を生成し、青色の波長領域の光以外の他の波長領域の光が透過するように形成されている。青色用読出し回路部２０２Ｂは、青色用光電変換部２０１Ｂにて生成された信号電荷を読み出すように形成されている。
【００９４】
そして、上記の緑色用光電変換部２０１Ｇは、青色用光電変換部２０１Ｂ，青色用読出し回路部２０２Ｂを介して入射する光のうち、緑色の波長領域の光を他の波長領域の光よりも多く受光し、他の波長領域の光が透過するように形成されている。そして、上述したように、緑色用読出し回路部２０２Ｇは、緑色用光電変換部２０１Ｇにて生成された信号電荷を読み出すように形成されている。
【００９５】
そして、赤色用光電変換部２０１Ｒは、緑色用光電変換部２０１Ｇ，緑色用読出し回路部２０２Ｇを介して入射する光のうち、赤色の波長領域の光を他の波長領域の光よりも多く受光し、他の波長領域の光が透過するように形成されている。そして、上述したように、赤色用読出し回路部２０２Ｒは、赤色用光電変換部２０１Ｒにて生成された信号電荷を読み出すように形成されている。
【００９６】
このように、本実施形態においては、複数の光電変換部２０１Ｒ，２０１Ｇ，２０１Ｂは、基板１０１の面の上方に設置されたものの方が、下方に設置されたものよりも、低い波長領域の光を受光して光電変換するように設けられている。
【００９７】
（Ａ−４）固体撮像装置の製造方法
上述した固体撮像装置１の製造方法の要部について説明する。
【００９８】
ここでは、緑色用光電変換部２０１Ｇと緑色用読出し回路部２０２Ｇとを製造する工程に関して説明する。
【００９９】
図６は、本発明にかかる実施形態において、緑色用光電変換部２０１Ｇと緑色用読出し回路部２０２Ｇとを製造する方法について示す図である。
【０１００】
まず、図６（ａ）に示すように、リセットトランジスタ２２について形成する。
【０１０１】
ここでは、絶縁膜ＳＺ１Ｇ上に、リセットトランジスタ２２を、いわゆるボトムゲート型構造であって、チャネル領域が光透過性の半導体層である透明ＴＦＴとして形成する。
【０１０２】
図６では図示を省略しているが、リセットトランジスタ２２と同様に、増幅トランジスタ２３と選択トランジスタ２４とのそれぞれを形成する。
【０１０３】
つぎに、図６（ｂ）に示すように、グラウンド電極２３０Ｇについて形成する。
【０１０４】
ここでは、上記のリセットトランジスタ２２などを被覆するように、層間絶縁膜ＳＺ２Ｇを形成後、その層間絶縁膜ＳＺ２Ｇの上面に、グラウンド電極２３０Ｇを形成する。
【０１０５】
このグラウンド電極２３０Ｇについては、図４に示したように、画素電極２１１Ｇとソース２２４ＳＧとを電気的に接続するコンタクトＣＴが貫通する部分が開口するように形成する。
【０１０６】
つぎに、図４に示すように、緑色用光電変換部２０１Ｇを形成する。
【０１０７】
ここでは、上記のグラウンド電極２３０Ｇを被覆するように、層間絶縁膜ＳＺ３Ｇを形成後、各層間絶縁膜ＳＺ３Ｇ，ＳＺ２Ｇを貫通するように、コンタクトＣＴを形成する。
【０１０８】
その後、層間絶縁膜ＳＺ３Ｇの上面に、緑色用光電変換部２０１Ｇを構成する各部を設ける。つまり、画素電極２１１Ｇ、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇ、共通電極２１２Ｇを、順次、積層して設ける。
【０１０９】
（Ａ−５）固体撮像装置の動作
上述した固体撮像装置１の動作について説明する。
【０１１０】
上記の「光電変換膜積層型」の固体撮像装置１において、入射光が各画素Ｐに入射したときには、各光電変換部２０１Ｒ，２０１Ｇ，２０１Ｂにおいて信号電荷が、順次、生成される（図１参照）。
【０１１１】
青色用光電変換部２０１Ｂでは、入射光に含まれる青色成分の光量に応じた信号電荷が生成される。緑色用光電変換部２０１Ｇでは、入射光に含まれる緑色成分の光量に応じた信号電荷が生成される。赤色用光電変換部２０１Ｒでは、入射光に含まれる赤色成分の光量に応じた信号電荷が生成される。
【０１１２】
各光電変換部２０１Ｒ，２０１Ｇ，２０１Ｂにおいては、画素電極（２１１Ｇなど）と共通電極（２１２Ｇなど）との間に電圧が印加され、各有機光電変換膜（２１０Ｒなど）から各読出し回路部（２０２Ｒなど）へ、信号電荷が読み出される。
【０１１３】
緑色用光電変換部２０１Ｇにおいて生成された信号電荷を読み出される詳細な動作について説明する（図４参照）。
【０１１４】
緑色用光電変換部２０１Ｇにて、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇは、画素電極２１１Ｇと共通電極２１２Ｇとによって電圧が印加される。そして、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇで生成された信号電荷は、コンタクトＣＴを介して、緑色用読出し回路部２０２Ｇによって読み出される。
【０１１５】
前述したように、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇに印加される電圧によって、リセットトランジスタ２２等のＴＦＴのゲートへ電圧が印加された状態と同じ状態になり、撮像画像の画像品質の低下などの不具合が生ずる場合がある。
【０１１６】
しかし、本実施形態においては、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇと、リセットトランジスタ２２等のＴＦＴとの間に、接地されたグラウンド電極２３０Ｇが設けられている。
【０１１７】
このため、本実施形態においては、このグラウンド電極２３０Ｇによって、ＴＦＴのチャネル形成領域にゲート電圧以外の不要な電圧が印加された状態になることを防止することができる。
【０１１８】
赤色用光電変換部２０１Ｒおよび赤色用読出し回路部２０２Ｒの部分、青色用光電変換部２０１Ｂおよび青色用読出し回路部２０２Ｂについても、上記の緑色用光電変換部２０１Ｇおよび緑色用読出し回路部２０２Ｇと同様な動作が実施される。そして、同様な効果を奏することができる。
【０１１９】
（Ｂ）まとめ
以上のように、本実施形態において、緑色用光電変換部２０１Ｇは、入射光を受光して信号電荷を生成する緑色用有機光電変換膜２１０Ｇと、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇを挟む画素電極２１１Ｇおよび共通電極２１２Ｇとを含む。そして、緑色用光電変換部２０１Ｇは、画素電極２１１Ｇと緑色用有機光電変換膜２１０Ｇと共通電極２１２Ｇとが撮像面において上方に順次積層されている（図４参照）。
【０１２０】
そして、緑色用読出し回路部２０２Ｇは、緑色用光電変換部２０１Ｇにて生成された信号電荷を読み出すように、画素電極２１１Ｇに電気的に接続されている読出し回路２０を含む（図４，図５参照）。この他に、緑色用読出し回路部２０２Ｇは、接地されているグラウンド電極２３０Ｇを含み、このグラウンド電極２３０Ｇが、撮像面において、読出し回路２０（リセットトランジスタ２２など）と画素電極２１１Ｇとの間に介在している（図４参照）。
【０１２１】
このため、本実施形態においては、上述したように、各読出し回路部２０２Ｒ，２０２Ｇ，２０２Ｂを構成するＴＦＴのチャネル形成領域に、ゲート電圧以外の不要な電圧が印加された状態になることを、グラウンド電極（２３０Ｇなど）の存在によって防止できる。
【０１２２】
よって、本実施形態の固体撮像装置１は、読出し回路への外部電圧の影響を抑制できるので、層間絶縁膜を厚く形成することが不要になり、色ズレの発生を抑制し、安定的な動作を実現できる。
【０１２３】
このほかに、本実施形態においては、読出し回路２０（リセットトランジスタ２２など）は、光を透過するように形成されている。
【０１２４】
このため、本実施形態においては、各光電変換部２０１Ｒ，２０１Ｇ，２０１Ｂに入射する光の量を増加させることができる。また、読出し回路２０のレイアウトの自由度を向上させることができる。
【０１２５】
したがって、本実施形態においては、撮像画像の画像品質を向上させることができる等の優れた効果を奏することができる。
【０１２６】
＜２．その他＞
本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。
【０１２７】
たとえば、図４において、画素電極２１１Ｇとグラウンド電極２３０Ｇとの間に挟まれている層間絶縁膜ＳＺ３Ｇ（誘電体膜）を薄膜化し、キャパシタとして機能するように構成してもよい。
たとえば、層間絶縁膜ＳＺ３Ｇ（誘電体膜）の膜厚を、５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度にすることが好適である。これにより、このキャパシタに、光電変換膜にて生成された信号電荷を蓄積させることができる。
【０１２８】
また、上記の実施形態においては、読出し回路２０を構成する半導体素子が、ボトムゲート構造のＴＦＴである場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、トップゲート構造のＴＦＴである場合においても、同様な効果を奏することができる。
【０１２９】
この他に、上記の実施形態では、読出し回路２０を透明ＴＦＴを用いて形成する場合について説明したが、これに限定されない。光を透過しない半導体などの材料を用いてＴＦＴを形成する場合に、本発明を適用しても良い。
図７は、本発明の変形例の概要を示す図である。図７において、（Ａ）は、上面図であり、（Ｂ）は、断面図である。図７においては、各部を模式的に示しているが、詳細な構成については、上記の各実施形態の場合と同様である。
上記のような場合には、図７に示すように、３原色の各光を受光する３種類の光電変換部２０１Ｒ，２０１Ｇ，２０１Ｂが、基板１０１の撮像面（ｘｙ面）において並ぶように構成しても良い。そして、その光電変換部２０１Ｒ，２０１Ｇ，２０１Ｂの下方に、各読出し回路部２０２Ｒ，２０２Ｇ，２０２Ｂを設けても良い。
【０１３０】
また、上記の実施形態においては、カメラに本発明を適用する場合について説明したが、これに限定されない。スキャナーやコピー機などのように、固体撮像装置を備える他の電子機器に、本発明を適用しても良い。
【０１３１】
なお、上記の実施形態において、固体撮像装置１は、本発明の固体撮像装置に相当する。また、上記の実施形態において、読出し回路２０は、本発明の読出し回路に相当する。また、上記の実施形態において、カメラ４０は、本発明の電子機器に相当する。また、上記の実施形態において、基板１０１は、本発明の基板に相当する。また、上記の実施形態において、青色用光電変換部２０１Ｂは、本発明の光電変換部，第１の光電変換部に相当する。また、上記の実施形態において、緑色用光電変換部２０１Ｇは、本発明の光電変換部，第２の光電変換部に相当する。また、上記の実施形態において、赤色用光電変換部２０１Ｒは、本発明の光電変換部，第３の光電変換部に相当する。また、上記の実施形態において、青色用読出し回路部２０２Ｂは、本発明の読出し回路部，第１の読出し回路部に相当する。また、上記の実施形態において、緑色用読出し回路部２０２Ｇは、本発明の読出し回路部，第２の読出し回路部に相当する。また、上記の実施形態において、赤色用読出し回路部２０２Ｒは、本発明の読出し回路部，第３の読出し回路部に相当する。また、上記の実施形態において、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇは、本発明の光電変換膜に相当する。また、上記の実施形態において、画素電極２１１Ｇは、本発明の第１電極に相当する。また、上記の実施形態において、共通電極２１２Ｇは、本発明の第２電極に相当する。また、上記の実施形態において、グラウンド電極２３０Ｇは、本発明のグラウンド電極に相当する。また、上記の実施形態において、撮像面ＰＳは、本発明の撮像面に相当する。また、上記の実施形態において、層間絶縁膜ＳＺ３Ｇは、本発明の誘電体膜に相当する。
【符号の説明】
【０１３２】
１：固体撮像装置、１３：垂直駆動回路、１４：カラム回路、１５：水平駆動回路、１７：外部出力回路、１７ａ：ＡＧＣ回路、１７ｂ：ＡＤＣ回路、１８：タイミングジェネレータ、１９：シャッター駆動回路、２０：読出し回路、２２：リセットトランジスタ、２３：増幅トランジスタ、２４：選択トランジスタ、２７：垂直信号線、２８：アドレス線、２９：リセット線、４０：カメラ、４２：光学系、４３：制御部、４４：信号処理回路、１０１：基板、２０１Ｂ：青色用光電変換部、２０１Ｇ：緑色用光電変換部、２０１Ｒ：赤色用光電変換部、２０２Ｒ：赤色用読出し回路部、２０２Ｂ：青色用読出し回路部、２０２Ｇ：緑色用読出し回路部、２１０Ｇ：緑色用有機光電変換膜、２１１Ｇ：画素電極、２１２Ｇ：共通電極、２２０Ｇ：ＴＦＴ、２２１Ｇ：半導体層、２２２Ｇ：ゲート絶縁膜、２２３Ｇ：ゲート電極、２２４ＣＧ：チャネル領域、２２４ＤＧ：ドレイン、２２４ＳＧ：ソース、２２５ＤＧ：ドレイン電極、２２５ＳＧ：ソース電極、２３０Ｇ：グラウンド電極、ＣＴ：コンタクト、ＦＤ：フローティングディフュージョン、Ｈ：光、Ｐ：画素、ＰＡ：撮像領域、ＰＳ：撮像面、ＳＡ：周辺領域、ＳＺ１Ｇ：絶縁膜、ＳＺ２Ｇ：層間絶縁膜、ＳＺ３Ｇ：層間絶縁膜、Ｖｄｄ：電源電位供給線、ｘ：水平方向、ｙ：垂直方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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