(57)【要約】【課題】回路配線を構成する金属配線などの膜が基材から剥離されることを抑制することができる膜形成方法、膜形成用基板、回路配線形成方法、及び回路配線形成用基板を提供する。【解決手段】膜形成方法は、膜基板に膜を形成する膜形成方法であって、仮設突起を膜基板の膜形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、仮設突起に対して膜形成面と反対側から接触すると共に仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を、膜形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、仮設突起における係止部に覆われていた部分が除去された領域の少なくとも一部を含む領域に、膜を形成する膜形成工程と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜基板に膜を形成する膜形成方法であって、
仮設突起を前記膜基板の膜形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、
前記仮設突起に対して前記膜形成面と反対側から接触すると共に前記仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を、前記膜形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、
前記仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、
前記仮設突起における前記係止部に覆われていた部分が除去された領域の少なくとも一部を含む領域に、前記膜を形成する膜形成工程と、を有することを特徴とする膜形成方法。
【請求項２】
前記仮設突起形成工程に先んじて実施する下地層形成工程をさらに有し、
前記下地層形成工程は、下地層を形成する材料を含む下地層材料液状体を前記膜形成面に配置する材料液状体配置工程と、
配置された前記下地層材料液状体を半硬化させる下地層半硬化工程と、を有することを特徴とする、請求項１に記載の膜形成方法。
【請求項３】
前記係止突起を前記下地層と共に硬化又は半硬化させる係止突起硬化工程をさらに有することを特徴とする、請求項２に記載の膜形成方法。
【請求項４】
前記係止突起形成工程では、前記下地層を構成する材料と同じ材料からなる前記係止突起を形成することを特徴とする、請求項２又は３に記載の膜形成方法。
【請求項５】
前記仮設突起形成工程は、前記仮設突起を形成する材料を含む仮設突起材料機能液をインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて配置する工程を含むことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の膜形成方法。
【請求項６】
前記仮設突起形成工程では、前記係止突起を形成する材料を含む係止突起材料機能液に対して撥液性を有する前記仮設突起を形成することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の膜形成方法。
【請求項７】
前記係止突起形成工程は、前記係止突起を形成する材料を含む係止突起材料機能液をインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて配置する工程を含むことを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の膜形成方法。
【請求項８】
前記仮設突起形成工程では、前記仮設突起を、前記膜の形状に応じて配設することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の膜形成方法。
【請求項９】
前記係止突起形成工程では、前記係止突起を、前記膜の形状に沿った位置に互い連接させて形成することを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の膜形成方法。
【請求項１０】
前記膜形成工程は、前記膜を形成する材料を含む膜材料機能液をインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて配置する工程を含むことを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の膜形成方法。
【請求項１１】
膜を形成するための膜形成用基板であって、
前記膜が配設される膜形成面に立設されており、前記膜形成面に配設された前記膜の一部に、前記膜形成面の反対側から接触する係止部を有する係止突起を備えることを特徴とする膜形成用基板。
【請求項１２】
仮設突起を前記膜形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、前記仮設突起に対して前記膜形成面と反対側から接触すると共に前記仮設突起の一部を覆う前記係止部を有する前記係止突起を、前記膜形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、前記仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、を有する膜形成方法を用いて形成されたことを特徴とする、請求項１１に記載の膜形成用基板。
【請求項１３】
前記膜形成面に配設された下地層をさらに備え、前記係止突起は前記下地層を介して前記膜形成面上に立設されており、前記係止突起と前記下地層とは同じ材料で形成されていることを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の膜形成用基板。
【請求項１４】
前記係止突起は、前記膜の形状に沿った位置に互い連接して形成されていることを特徴とする、請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の膜形成用基板。
【請求項１５】
回路基板における回路配線を形成する回路配線形成方法であって、
仮設突起を前記回路基板の回路形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、
前記仮設突起に対して前記回路形成面と反対側から接触すると共に前記仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を、前記回路形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、
前記仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、
前記仮設突起における前記係止部に覆われていた部分が除去された領域の少なくとも一部を含む領域に、前記回路配線を構成する回路配線膜を形成する配線膜形成工程と、を有することを特徴とする回路配線形成方法。
【請求項１６】
前記仮設突起形成工程に先んじて実施する下地層形成工程をさらに有し、
前記下地層形成工程は、下地層を形成する材料を含む下地層材料液状体を前記回路形成面に配置する材料液状体配置工程と、
配置された前記下地層材料液状体を半硬化させる下地層半硬化工程と、を有することを特徴とする、請求項１５に記載の回路配線形成方法。
【請求項１７】
前記係止突起を前記下地層と共に硬化又は半硬化させる係止突起硬化工程をさらに有することを特徴とする、請求項１６に記載の回路配線形成方法。
【請求項１８】
前記係止突起形成工程では、前記下地層を構成する材料と同じ材料からなる前記係止突起を形成することを特徴とする、請求項１６又は１７に記載の回路配線形成方法。
【請求項１９】
前記係止突起形成工程では、前記係止突起を、前記回路配線の形状に沿った位置に互い連接させて形成することを特徴とする、請求項１５乃至１８のいずれか一項に記載の回路配線形成方法。
【請求項２０】
回路配線を形成するための回路配線形成用基板であって、
前記回路配線を構成する回路配線膜が配設される回路形成面に立設されており、前記回路形成面に配設された前記回路配線膜の一部に、前記回路形成面の反対側から接触する係止部を有する係止突起を備えることを特徴とする回路配線形成用基板。
【請求項２１】
仮設突起を前記回路形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、前記仮設突起に対して前記回路形成面と反対側から接触すると共に前記仮設突起の一部を覆う前記係止部を有する前記係止突起を、前記回路形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、前記仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、を有する回路配線形成用基板の形成方法を用いて形成されたことを特徴とする、請求項２０に記載の回路配線形成用基板。
【請求項２２】
前記回路形成面に配設された下地層をさらに備え、前記係止突起は前記下地層を介して前記回路形成面上に立設されており、前記係止突起と前記下地層とは同じ材料で形成されていることを特徴とする、請求項２０又は２１に記載の回路配線形成用基板。
【請求項２３】
前記係止突起は、前記回路配線の形状に沿った位置に互い連接して形成されていることを特徴とする、請求項２０乃至２２のいずれか一項に記載の回路配線形成用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に膜を形成する膜形成方法、膜を形成する基材である膜形成用基板、回路基板に回路配線を形成する回路配線形成方法、及び回路配線を形成する基材である回路配線形成用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基材上に機能を有する機能膜が形成されており、当該機能膜が機能することで機能を果たす装置が用いられている。回路基板は、基材上に回路配線膜などが所定の形状に形成されて、所定の機能を有する回路基板が形成される。そのような回路基板に半導体装置を実装して使用することが行われている。近年、半導体装置の高性能化及び小型化がめざましく、半導体装置を実装する回路基板も小型化及び高性能化が求められている。小型化のため、例えばＣＳＰ（Chip  Scale  Package）といわれる超小型のパッケージングが提供されている。ＣＳＰ技術を用いて製造された半導体ユニットは、実装面積を半導体チップの面積と同程度にできるため、高密度実装を実現するものとなっている。
半導体ユニットにおいて、半導体チップは配線パターンが形成された配線基板上に実装される。半導体チップの実装方法としては、半導体チップの能動面を基板側に向けて実装するフェースダウン実装や、半導体チップの能動面を表側にして実装するフェースアップ実装が知られている。フェースダウン実装では、半導体チップの電極構造に合わせた専用の基板を用意する必要があり、コストアップを招き易い。また、接続用のバンプ電極等を形成する等、余分な処理が必要になる。フェースアップ実装では、ワイヤーボンディングによって、半導体チップの電極端子と配線基板の配線パターンとを１本ずつ接続する必要があり、端子の数が増えた場合に対応できなくなる。また、ワイヤーボンディングでは、ワイヤーの長さに制限があるため、汎用基板を用いることができない。さらに、ワイヤーボンディングを行なうときの機械的なストレスによって不良が発生する場合がある。
【０００３】
特許文献１には、フェースアップ実装で、半導体チップの能動面からチップが搭載された基板面にいたる斜面を設け、当該斜面上に能動面の電極端子から基板面に形成された回路配線にいたる有機絶縁層を設け、当該絶縁層の上に電極端子と回路配線とを接続する配線パターンを形成することによって、電子素子を配線基板に実装する際の機械的ストレスを低減し、接続信頼性の高い実装構造を低コストで実現することのできる電子素子の実装方法、電子装置の製造方法、回路基板、電子機器が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１４７６５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、半導体装置は、その高速化や微細化が進むにつれて各部における発熱量を増大させる傾向にある。特許文献１に開示されたような方法を用いて半導体装置を実装した装置においては、金属配線や絶縁性のスロープにおいても、半導体装置の発熱量の増大に伴って、その変形量や変形頻度を増加させる傾向にある。発熱による熱変形が材料によって異なり一様でないことに起因して、接合部に、接合を剥がすような力が作用する場合がある。特許文献１に開示された方法や回路基板においては、金属配線と基材（有機絶縁層）との接続強度がこれらの力に対して必ずしも充分ではないという課題があった。金属配線と電極端子又は回路配線との接合部が剥離されると、いわゆる断線が発生する。金属配線が基材（有機絶縁層）から剥離されると、金属配線が単独では強度が小さいため、金属配線自体の断線などが起きる可能性が高くなる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例にかかる膜形成方法は、膜基板に膜を形成する膜形成方法であって、仮設突起を前記膜基板の膜形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、前記仮設突起に対して前記膜形成面と反対側から接触すると共に前記仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を、前記膜形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、前記仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、前記仮設突起における前記係止部に覆われていた部分が除去された領域の少なくとも一部を含む領域に、前記膜を形成する膜形成工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本適用例にかかる膜形成方法によれば、膜は仮設突起における係止部に覆われていた部分が除去された領域の少なくとも一部を含む領域に形成される。これにより、膜には、膜形成面の反対側が係止部に覆われた部分が存在する。このため、膜が膜形成面から離れる方向に移動することは係止部によって規制されることから、膜が膜基板の膜形成面から剥離することを、係止突起によって抑制することができる。
仮設突起を形成し、仮設突起に接触し仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を形成し、仮設突起を除去し、除去した位置に膜を形成することで、膜の一部を覆う係止部を有する係止突起を容易に形成することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例にかかる膜形成方法は、前記仮設突起形成工程に先んじて実施する下地層形成工程をさらに有し、前記下地層形成工程は、下地層を形成する材料を含む下地層材料液状体を前記膜形成面に配置する材料液状体配置工程と、配置された前記下地層材料液状体を半硬化させる下地層半硬化工程と、を有することが好ましい。
【００１０】
この膜形成方法によれば、係止突起は、下地層形成工程において形成された下地層の上に形成される。下地層の材料を適切に選ぶことによって、係止突起の膜形成面への接続強度を向上させることができる。
下地層の半硬化は、下地層材料液状体が流動しない程度に硬化させる工程である。半硬化した下地層の上に形成された部材と下地層とは、接触する部分において接続されているが、半硬化状態の下地層を硬化（本硬化）させることで、部材と下地層との接続強度を向上させることができる。したがって、半硬化した下地層上に係止突起を形成し、下地層を硬化（本硬化）させることで、接続強度を向上させて、係止突起の耐剥がれ強度を向上させることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例にかかる膜形成方法は、前記係止突起を前記下地層と共に硬化又は半硬化させる係止突起硬化工程をさらに有することが好ましい。
【００１２】
この膜形成方法によれば、係止突起を下地層と共に硬化させる。互いに接触する部分において接続されている部材は、接続された状態において硬化されると接続部の耐剥がれ強度が向上する。膜形成面上には下地層が形成されており、下地層が形成されている場合、膜形成面に立設された係止突起は、下地層に接続された状態で膜形成面の上に立設されている。係止突起と下地層とを一緒に硬化させることで、係止突起と下地層との接続強度を向上させることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例にかかる膜形成方法は、前記係止突起形成工程では、前記下地層を構成する材料と同じ材料からなる前記係止突起を形成することが好ましい。
【００１４】
この膜形成方法によれば、係止突起と下地層とは同じ材料を用いて形成される。同じ材料から成り、完全に硬化されていない状態の部材どうしが接触した状態で硬化されると、接触部の明確な境界がなくなり、略一体となる。同じ材料から成る係止突起と下地層とを一緒に硬化させることで略一体化させて、係止突起の耐剥がれ強度を向上させることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例にかかる膜形成方法は、前記仮設突起形成工程が、前記仮設突起を形成する材料を含む仮設突起材料機能液をインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて配置する工程を含むことが好ましい。
【００１６】
この膜形成方法によれば、インクジェット方式の吐出装置を用いて、仮設突起材料機能液を配置する。インクジェット方式の吐出装置は、任意の量の液状体を任意の位置に、精度よく配置することができる。このため、膜形成面上の適切な位置に高い位置精度で仮設突起材料機能液を配置することができる。また、配置するべき適切な配置量の仮設突起材料機能液を、ほとんど過不足なく配置することで、適切な大きさの仮設突起を形成することができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例にかかる膜形成方法は、前記仮設突起形成工程では、前記係止突起を形成する材料を含む係止突起材料機能液に対して撥液性を有する前記仮設突起を形成することが好ましい。
【００１８】
この膜形成方法によれば、係止突起材料機能液は係止部などを形成するために仮設突起に接触するように配置されるが、仮設突起は係止突起材料機能液に対して撥液性を有しており、仮設突起と係止突起材料機能液とはなじみ難いため、接触部分の接続強度を小さくすることができる。これにより、仮設突起除去工程において仮設突起を除去する際に、仮設突起と係止突起とを分離し易くすることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例にかかる膜形成方法は、前記係止突起形成工程が、前記係止突起を形成する材料を含む係止突起材料機能液をインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて配置する工程を含むことが好ましい。
【００２０】
この膜形成方法によれば、インクジェット方式の吐出装置を用いて、係止突起材料機能液を配置する。インクジェット方式の吐出装置は、任意の量の液状体を任意の位置に、精度よく配置することができる。このため、膜形成面上の適切な位置に高い位置精度で係止突起材料機能液を配置することができる。また、配置するべき適切な配置量の係止突起材料機能液を、ほとんど過不足なく配置することで、適切な大きさの係止突起を形成することができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例にかかる膜形成方法は、前記仮設突起形成工程では、前記仮設突起を、前記膜の形状に応じて配設することが好ましい。
【００２２】
この膜形成方法によれば、膜の形状に応じて仮設突起が配設され、仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起が形成され、膜の一部は当該係止部に覆われる位置に形成される。膜の一部が係止部に覆われる位置に形成されることで、係止突起は膜が剥離することを抑制する機能を有する。仮設突起を膜の形状に対応した位置に配置することで、係止突起の剥離抑制の機能を適切に発揮させることができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例にかかる膜形成方法は、前記係止突起形成工程では、前記係止突起を、前記膜の形状に沿った位置に互い連接させて形成することが好ましい。
【００２４】
この膜形成方法によれば、係止突起が膜の形状に沿って連接して形成されることで、膜の形状と略同形状で、係止突起に囲まれた領域が形成される。膜形成工程において膜の材料を配設する際に、係止突起が堤防のように機能して、膜の材料が膜を形成する領域の外に濡れ広がることを抑制することができる。
【００２５】
［適用例１０］上記適用例にかかる膜形成方法は、前記膜形成工程が、前記膜を形成する材料を含む膜材料機能液をインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて配置する工程を含むことが好ましい。
【００２６】
この膜形成方法によれば、インクジェット方式の吐出装置を用いて、膜材料機能液を配置する。インクジェット方式の吐出装置は、任意の量の液状体を任意の位置に、精度よく配置することができる。このため、膜形成面上の適切な位置に高い位置精度で膜材料機能液を配置することができる。また、配置するべき適切な配置量の膜材料機能液を、ほとんど過不足なく配置することができる。
【００２７】
［適用例１１］本適用例にかかる膜形成用基板は、膜を形成するための膜形成用基板であって、前記膜が配設される膜形成面に立設されており、前記膜形成面に配設された前記膜の一部に、前記膜形成面の反対側から接触する係止部を有する係止突起を備えることを特徴とする。
【００２８】
本適用例にかかる膜形成用基板によれば、膜形成面に配設された膜には、係止突起の係止部が膜形成面の反対側から接触する。これにより、膜が膜形成面から離れる方向に移動することは係止部によって規制されることから、膜が膜形成用基板の膜形成面から剥離することを、係止突起によって抑制することができる。
【００２９】
［適用例１２］上記適用例にかかる膜形成用基板は、仮設突起を前記膜形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、前記仮設突起に対して前記膜形成面と反対側から接触すると共に前記仮設突起の一部を覆う前記係止部を有する前記係止突起を、前記膜形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、前記仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、を有する膜形成方法を用いて形成されたことが好ましい。
【００３０】
この膜形成用基板によれば、仮設突起を形成し、仮設突起に接触し仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を形成し、仮設突起を除去し、除去した位置に膜を形成することで、膜の一部を覆う係止部を有する係止突起を容易に形成することができる。
【００３１】
［適用例１３］上記適用例にかかる膜形成用基板は、前記膜形成面に配設された下地層をさらに備え、前記係止突起は前記下地層を介して前記膜形成面上に立設されており、前記係止突起と前記下地層とは同じ材料で形成されていることが好ましい。
【００３２】
この膜形成用基板によれば、係止突起は下地層の上に形成されている。下地層の材料を適切に選ぶことによって、係止突起の膜形成面への接続強度を向上させることができる。また、係止突起と下地層とは同じ材料を用いて形成されている。同じ材料から成り、完全に硬化されていない状態の部材どうしが接触した状態で硬化されると、接触部の明確な境界がなくなり、略一体となる。下地層及び係止突起を形成する際に、同じ材料から成る下地層と係止突起とを一緒に硬化させることで一体化させて、係止突起の耐剥がれ強度を向上させることができる。
【００３３】
［適用例１４］上記適用例にかかる膜形成用基板は、前記係止突起が、前記膜の形状に沿った位置に互い連接して形成されていることが好ましい。
【００３４】
この膜形成用基板によれば、係止突起が膜の形状に沿って連接して形成されることで、膜の形状と略同形状で、係止突起に囲まれた領域が形成される。膜を形成する過程において膜の材料を配設する際に、係止突起が堤防のように機能して、膜の材料が膜を形成する領域の外に濡れ広がることを抑制することができる。
【００３５】
［適用例１５］本適用例にかかる回路配線形成方法は、回路基板における回路配線を形成する回路配線形成方法であって、仮設突起を前記回路基板の回路形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、前記仮設突起に対して前記回路形成面と反対側から接触すると共に前記仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を、前記回路形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、前記仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、前記仮設突起における前記係止部に覆われていた部分が除去された領域の少なくとも一部を含む領域に、前記回路配線を構成する回路配線膜を形成する配線膜形成工程と、を有することを特徴とする。
【００３６】
本適用例にかかる回路配線形成方法によれば、回路配線膜は仮設突起における係止部に覆われていた部分が除去された領域の少なくとも一部を含む領域に形成される。これにより、回路配線膜には、回路形成面の反対側が係止部に覆われた部分が存在する。このため、回路配線膜が回路形成面から離れる方向に移動することは係止部によって規制されることから、回路配線膜が回路基板の回路形成面から剥離することを、係止突起によって抑制することができる。
仮設突起を形成し、仮設突起に接触し仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を形成し、仮設突起を除去し、除去した位置に回路配線膜を形成することで、回路配線膜の一部を覆う係止部を有する係止突起を容易に形成することができる。
【００３７】
［適用例１６］上記適用例にかかる回路配線形成方法は、前記仮設突起形成工程に先んじて実施する下地層形成工程をさらに有し、前記下地層形成工程は、下地層を形成する材料を含む下地層材料液状体を前記回路形成面に配置する材料液状体配置工程と、配置された前記下地層材料液状体を半硬化させる下地層半硬化工程と、を有することが好ましい。
【００３８】
この回路配線形成方法によれば、係止突起は、下地層形成工程において形成された下地層の上に形成される。下地層の材料を適切に選ぶことによって、係止突起の回路形成面への接続強度を向上させることができる。
下地層の半硬化は、下地層材料液状体が流動しない程度に硬化させる工程である。半硬化した下地層上に形成された部材と下地層とは、接触する部分において接続されているが、半硬化状態の下地層を硬化（本硬化）させることで、部材と下地層との接続強度を向上させることができる。したがって、半硬化した下地層上に係止突起を形成し、下地層を硬化（本硬化）させることで、接続強度を向上させて、係止突起の耐剥がれ強度を向上させることができる。
【００３９】
［適用例１７］上記適用例にかかる回路配線形成方法は、前記係止突起を前記下地層と共に硬化又は半硬化させる係止突起硬化工程をさらに有することが好ましい。
【００４０】
この回路配線形成方法によれば、係止突起を下地層と共に硬化させる。互いに接触する部分において接続されている部材は、接続された状態において硬化されると接続部の耐剥がれ強度が向上する。回路形成面上には下地層が形成されており、下地層が形成されている場合、回路形成面に立設された係止突起は、下地層に接続された状態で回路形成面の上に立設されている。係止突起と下地層とを一緒に硬化させることで、係止突起と下地層との接続強度を向上させることができる。
【００４１】
［適用例１８］上記適用例にかかる回路配線形成方法は、前記係止突起形成工程では、前記下地層を構成する材料と同じ材料からなる前記係止突起を形成することが好ましい。
【００４２】
この回路配線形成方法によれば、係止突起と下地層とは同じ材料を用いて形成される。同じ材料から成り、完全に硬化されていない状態の部材どうしが接触した状態で硬化されると、接触部の明確な境界がなくなり、略一体となる。同じ材料から成る係止突起と下地層とを一緒に硬化させることで略一体化させて、係止突起の耐剥がれ強度を向上させることができる。
【００４３】
［適用例１９］上記適用例にかかる回路配線形成方法は、前記係止突起形成工程では、前記係止突起を、前記回路配線の形状に沿った位置に互い連接させて形成することが好ましい。
【００４４】
この回路配線形成方法によれば、係止突起が回路配線の形状に沿って連接して形成されることで、回路配線の形状と略同形状で、係止突起に囲まれた領域が形成される。配線膜形成工程において回路配線膜の材料を配設する際に、係止突起が堤防のように機能して、回路配線膜の材料が回路配線膜を形成する領域の外に濡れ広がることを抑制することができる。
【００４５】
［適用例２０］本適用例にかかる回路配線形成用基板は、回路配線を形成するための回路配線形成用基板であって、前記回路配線を構成する回路配線膜が配設される回路形成面に立設されており、前記回路形成面に配設された前記回路配線膜の一部に、前記回路形成面の反対側から接触する係止部を有する係止突起を備えることを特徴とする。
【００４６】
本適用例にかかる回路配線形成用基板によれば、回路形成面に配設された回路配線膜には、係止突起の係止部が回路形成面の反対側から接触する。これにより、回路配線膜が回路形成面から離れる方向に移動することは係止部によって規制されることから、回路配線膜が回路形成面から剥離することを、係止突起によって抑制することができる。
【００４７】
［適用例２１］上記適用例にかかる回路配線形成用基板は、仮設突起を前記回路形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、前記仮設突起に対して前記回路形成面と反対側から接触すると共に前記仮設突起の一部を覆う前記係止部を有する前記係止突起を、前記回路形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、前記仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、を有する回路配線形成用基板の形成方法を用いて形成されたことが好ましい。
【００４８】
この回路配線形成用基板によれば、仮設突起を形成し、仮設突起に接触し仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を形成し、仮設突起を除去し、除去した位置に回路配線膜を形成することで、回路配線膜の一部を覆う係止部を有する係止突起を容易に形成することができる。
【００４９】
［適用例２２］上記適用例にかかる回路配線形成用基板は、前記回路形成面に配設された下地層をさらに備え、前記係止突起は前記下地層を介して前記回路形成面上に立設されており、前記係止突起と前記下地層とは同じ材料で形成されていることが好ましい。
【００５０】
この回路配線形成用基板によれば、係止突起は下地層の上に形成されている。下地層の材料を適切に選ぶことによって、係止突起の回路形成面への接続強度を向上させることができる。また、係止突起と下地層とは同じ材料を用いて形成されている。同じ材料から成り、完全に硬化されていない状態の部材どうしが接触した状態で硬化されると、接触部の明確な境界がなくなり、略一体となる。下地層及び係止突起を形成する際に、同じ材料から成る下地層と係止突起とを一緒に硬化させることで略一体化させて、係止突起の耐剥がれ強度を向上させることができる。
【００５１】
［適用例２３］上記適用例にかかる回路配線形成用基板は、前記係止突起は、前記回路配線の形状に沿った位置に互い連接して形成されていることが好ましい。
【００５２】
この回路配線形成用基板によれば、係止突起が回路配線の形状に沿って連接して形成されることで、回路配線の形状と略同形状で、係止突起に囲まれた領域が形成される。回路配線を形成する過程において回路配線の材料を配設する際に、係止突起が堤防のように機能して、回路配線の材料が回路配線を形成する領域の外に濡れ広がることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】（ａ）は、電子装置全体の概略構成を示す平面図。（ｂ）は、電子装置が備える接続配線及び係止突起の配置を示す平面図。（ｃ）は、電子装置が備える接続配線及び係止突起の断面形状を示す断面図。
【図２】配線形成工程の各工程を示すフローチャート。
【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）、及び（ｈ）は、配線形成工程の各工程における配線係止突起などの断面形状を示す説明図。（ｃ）、（ｅ）、（ｇ）、及び（ｉ）は、配線形成工程の各工程における配線係止突起などの平面形状を示す説明図。
【図４】（ａ）、（ｃ）、（ｅ）、及び（ｇ）は、配線形成工程の各工程における膜係止突起などの断面形状を示す説明図。（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）、及び（ｈ）は、配線形成工程の各工程における膜係止突起などの平面形状を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００５４】
以下、膜形成方法、膜形成用基板、回路配線形成方法、及び回路配線形成用基板について、図面を参照して説明する。本実施形態は、半導体装置をチップ実装して形成する電子装置を構成する回路形成用基板、及び半導体装置の電極端子と基板面に形成された回路配線とを接続する接続配線を形成する工程を例にして説明する。なお、以下の説明において参照する図面では、図示の便宜上、部材又は部分の縦横の縮尺を実際のものとは異なるように表す場合がある。
【００５５】
＜電子装置＞
最初に、電子装置１について、図１を参照して説明する。図１は、電子装置の概略構成を示す説明図である。図１（ａ）は、電子装置全体の概略構成を示す平面図であり、図１（ｂ）は、電子装置が備える接続配線及び係止突起の配置を示す平面図であり、図１（ｃ）は、電子装置が備える接続配線及び係止突起の断面形状を示す断面図である。
【００５６】
図１に示すように、電子装置１は、半導体装置１０と、回路形成用基板２０と、接続配線３０と、配線封止層４０とを備えている。回路形成用基板２０に半導体装置１０が実装され、接続配線３０によって回路形成用基板２０と半導体装置１０とが電気的に接続されており、接続配線３０が配線封止層４０によって覆われている。なお、配線封止層４０に覆われた構成要素を判りやすくするために、図１（ａ）では、配線封止層４０の外形形状のみを二点鎖線で示しており、図１（ｂ）では、配線封止層４０を省略している。
【００５７】
半導体装置１０は、能動面１４に形成された電極端子１２を備えており、半導体装置１０は、電極端子１２を介して他の素子などと電気的に接続される。半導体装置１０は、略方形のチップであり、能動面１４の各辺に沿って電極端子１２が配設されている。
回路形成用基板２０は、回路基板２１と、斜面部材２６と、配線係止突起３２と、下地層３３と、膜係止突起４２と、下地層４３と、を備えている。回路形成用基板２０が、膜形成用基板又は回路配線形成用基板に相当する。配線係止突起３２と膜係止突起４２とが係止突起に相当する。
【００５８】
回路基板２１は基板体２２を備え、基板体２２は略方形の多層基板であって、半導体実装面２２１に回路端子２３及び回路配線２４が形成されている。半導体装置１０が、基板体２２の半導体実装面２２１に設定された略方形の実装領域２２２に、能動面１４の反対側の面を接して固定されている。回路端子２３は、実装領域２２２の外側に実装領域２２２の辺に沿って配設されている。
固定された半導体装置１０の周囲には端面に接して斜面部材２６が形成されており、斜面部材２６の斜面２６１の一端は能動面１４に接しており、他の一端は半導体実装面２２１に接している。半導体装置１０の能動面１４の各辺に沿って配設された電極端子１２の列と、実装領域２２２の辺に沿って配設された回路端子２３の列とは、斜面部材２６を挟んで位置している。
【００５９】
接続配線３０は、一端が電極端子１２に接続されており、他の一端が回路端子２３に接続されており、電極端子１２と回路端子２３とを電気的に接続している。接続配線３０は、能動面１４、能動面１４と斜面２６１の接続部、斜面２６１、斜面２６１と半導体実装面２２１の接続部、及び半導体実装面２２１の上を経由して引き回されて、電極端子１２から回路端子２３に至っている。能動面１４や斜面２６１や半導体実装面２２１が、膜形成面又は回路形成面に相当する。接続配線３０が、膜又は回路配線に相当する。
【００６０】
接続配線３０の傍らには、複数の配線係止突起３２が配設されている。複数の配線係止突起３２は、長い略長方形形状である接続配線３０の形状に合わせて、略長方形形状の長辺に沿って、接続配線３０の両側に配設されている。
配線係止突起３２は、平面上に置かれた略半球形状を有し、図１（ｃ）に示すように、球面と平面とが接する角部の一部を含む一部分が欠かれている。欠かれた部分を、係止空間３２３（図３（ｆ）参照）と表記する。係止空間３２３は、配線係止突起３２と同じ平面上に平面部が在る半球の一部の形状を有しており、係止空間３２３を構成する配線係止突起３２の壁面は略球面である。配線係止突起３２における係止空間３２３を形成する部分を係止部３２２と表記し、他の部分を基体部３２１と表記する。係止空間３２３には、接続配線３０の一部分が入りこんでいる。配線係止突起３２は、基体部３２１の平面部分が、下地層３３を介して、能動面１４や斜面２６１や半導体実装面２２１に固定されて、当該面上に立設されている。
【００６１】
配線封止層４０は、接続配線３０及び接続配線３０の周辺を覆う状態で配設されている。膜係止突起４２は、能動面１４や斜面２６１や半導体実装面２２１などに配設されており、図１（ｃ）に示すように、配線封止層４０に覆われている。膜係止突起４２は、略長方形形状を有する配線封止層４０の各辺に沿って、配線封止層４０の外周縁近くに配設されている。
膜係止突起４２は、平面上に置かれた略半球形状を有し、球面と平面とが接する角部の一部を含む一部分が、２個所欠かれている。欠かれた部分を、係止空間４２３（図４（ｅ）参照）と表記する。係止空間４２３は、膜係止突起４２と同じ平面上に平面部が在る半球の一部の形状を有しており、係止空間４２３を構成する膜係止突起４２の壁面は略球面である。膜係止突起４２における係止空間４２３を形成する部分を係止部４２２と表記し、他の部分を基体部４２１と表記する。係止空間４２３には、配線封止層４０の一部分が入りこんでいる。膜係止突起４２は、基体部４２１の平面部分が、下地層４３を介して、能動面１４や斜面２６１や半導体実装面２２１に固定されて、当該面上に立設されている。配線封止層４０が、膜に相当する。
【００６２】
＜配線形成工程＞
次に、接続配線３０及び接続配線３０を覆う配線封止層４０を形成する配線形成工程について、図２、図３、及び図４を参照して説明する。図２は、配線形成工程の各工程を示すフローチャートである。図３は、配線形成工程の各工程における配線係止突起などの形状を示す説明図であり、図４は、配線形成工程の各工程における膜係止突起などの形状を示す説明図である。図３（ａ）、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）、及び（ｈ）は、配線形成工程の各工程における配線係止突起などの断面形状を示す説明図であり、図３（ｃ）、（ｅ）、（ｇ）、及び（ｉ）は、配線形成工程の各工程における配線係止突起などの平面形状を示す説明図である。図４（ａ）、（ｃ）、（ｅ）、及び（ｇ）は、配線形成工程の各工程における膜係止突起などの断面形状を示す説明図であり、図４（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）、及び（ｈ）は、配線形成工程の各工程における膜係止突起などの平面形状を示す説明図である。
なお、図３（ｃ）、（ｅ）、（ｇ）、（ｉ）、及び図４（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）、（ｈ）は、平面形状を示す説明図であるが、構成部材を判りやすくするために、断面図である図３（ａ）、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）、（ｈ）、及び図４（ａ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｇ）において各構成部材に施したハッチングと同じハッチングを、下地層３３及び下地層４３以外の構成部材において、同じ構成部材に施してある。
【００６３】
最初に、図２のステップＳ２１では、図３（ａ）に示すように、下地層３３の材料を含む下地層機能液３３ａを配置することで、下地層３３の材料を配置する。図３（ａ）には、斜面部材２６の斜面２６１上に下地層３３を形成する例を示している。
次に、図２のステップＳ２２では、下地層３３を半硬化させる。すなわち、配置した下地層機能液３３ａを半硬化させて、半硬化した下地層３３を形成する。なお、下地層３３は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、下地層３３と表記する。
【００６４】
次に、図２のステップＳ２３では、図３（ｂ）及び（ｃ）に示したように、下地層３３の上に仮設突起３５の材料を含む仮設突起機能液３５ａを配置することで、仮設突起３５の材料を配置する。
仮設突起機能液３５ａは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、仮設突起機能液３５ａの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。下地層３３の上に着弾した仮設突起機能液３５ａの液滴は、略半球形状となる。
一回に吐出する仮設突起機能液３５ａの量、すなわち液滴の大きさを調整することで、着弾した液滴が形成する略半球形状の大きさを調整する。仮設突起機能液３５ａの粘度、及び仮設突起機能液３５ａの下地層３３に対する濡れ性の程度を調整することによって、略半球形状の形状を調整する。
【００６５】
次に、図２のステップＳ２４では、仮設突起３５を半硬化させる。すなわち、仮設突起機能液３５ａを半硬化させて、半硬化した仮設突起３５を形成する。仮設突起３５は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、仮設突起３５と表記する。
【００６６】
次に、図２のステップＳ２５では、図３（ｄ）及び（ｅ）に示したように、配線係止突起３２の材料を含む配線突起機能液３２ａを配置することで、配線係止突起３２の材料を配置する。配線係止突起３２と下地層３３との接続強度を高くするために、配線係止突起３２の材料は、下地層３３の材料と共通であることが好ましい。
一方、配線係止突起３２と仮設突起３５との接続強度が高くなることを抑制するために、仮設突起３５の材料は、配線突起機能液３２ａに対して撥液性を有する材料を選択する。
【００６７】
配線突起機能液３２ａは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、配線突起機能液３２ａの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。所定の位置は、下地層３３の上であって、一部が仮設突起３５に乗り上げる位置である。下地層３３及び仮設突起３５の上に着弾した配線突起機能液３２ａの液滴は、仮設突起３５の一部が存在する部分が欠けた略半球形状となる。上述した仮設突起機能液３５ａと同様に、一回に吐出する配線突起機能液３２ａの量、すなわち液滴の大きさを調整することで、着弾した液滴が形成する略半球形状の大きさを調整する。配線突起機能液３２ａの粘度、及び配線突起機能液３２ａの下地層３３に対する濡れ性の程度を調整することによって、略半球形状の形状を調整する。
【００６８】
次に、図２のステップＳ２６では、配線係止突起３２を半硬化させる。すなわち、配線突起機能液３２ａを半硬化させて、半硬化した配線係止突起３２を形成する。配線係止突起３２は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、配線係止突起３２と表記する。
上述したように、配線係止突起３２の材料を下地層３３の材料と共通にした場合、配線係止突起３２を半硬化させることで、半硬化状態の下地層３３を硬化させて、本硬化した状態にすることもできる。
【００６９】
次に、図２のステップＳ２７では、仮設突起３５を除去する。仮設突起３５の除去は、仮設突起３５を溶解可能な液体で洗浄することによって実施する。仮設突起３５を除去することによって、図３（ｆ）及び（ｇ）に示したように、下地層３３の面と係止部３２２に囲まれて形成された係止空間３２３に在った仮設突起３５の一部分が取り除かれて、係止空間３２３が空間となる。
【００７０】
次に、図２のステップＳ２８では、接続配線３０を構成する金属配線膜の材料を含む金属配線機能液を配置することで、接続配線３０を構成する材料を配置する。
金属配線機能液は、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、金属配線機能液の液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。所定の位置は、金属配線機能液の液滴で、接続配線３０の形状を描画する位置である。金属配線機能液は例えば銅などの金属微粒子を分散させた液状体であり、着弾した位置からわずかに濡れ広がることで、係止空間３２３にも浸入する。
【００７１】
次に、図２のステップＳ２９では、接続配線３０を硬化させる。すなわち、金属配線機能液を硬化させて、硬化した接続配線３０を形成する。接続配線３０は、ここでは半硬化させて、後工程で本硬化させてもよい。接続配線３０は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、接続配線３０と表記する。
接続配線３０を硬化させる工程を実施することで、図３（ｈ）及び（ｉ）に示したように、接続配線３０が形成される。係止空間３２３に浸入した金属配線機能液が硬化した部分も接続配線３０の一部を構成しており、当該部分を被係止部３０３と表記する。被係止部３０３は、下地層３３の面と係止部３２２とに挟まれた位置に在り、係止部３２２によって、下地層３３から離れる方向への移動を規制されている。
【００７２】
次に、図２のステップＳ３０では、膜係止突起４２を形成する位置を含む領域に、下地層４３の材料を含む下地層機能液４３ａを配置することで、下地層４３の材料を配置する。
次に、ステップＳ３１では、下地層４３を半硬化させる。すなわち、配置した下地層機能液４３ａを半硬化させて、半硬化した下地層４３を形成する。なお、下地層４３は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、下地層４３と表記する。
【００７３】
次に、ステップＳ３２では、図４（ａ）及び（ｂ）に示したように、下地層４３の上に仮設突起４５の材料を含む仮設突起機能液４５ａを配置することで、仮設突起４５の材料を配置する。
仮設突起機能液４５ａは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、仮設突起機能液４５ａの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。下地層４３の上に着弾した仮設突起機能液４５ａの液滴は、略半球形状となる。
一回に吐出する仮設突起機能液４５ａの量、すなわち液滴の大きさを調整することで、略半球形状の大きさを調整する。仮設突起機能液４５ａの粘度、及び仮設突起機能液４５ａの下地層４３に対する濡れ性の程度を調整することによって、略半球形状の形状を調整する。
図１を参照して説明したように、膜係止突起４２は係止空間４２３を形成する係止部４２２を２個備えている。１個の膜係止突起４２に２個の係止部４２２を形成するために、１個の膜係止突起４２に対応して、略半球形状の仮設突起機能液４５ａを、２個配設する。仮設突起機能液４５ａの２個の略半球は、膜係止突起４２の大きさに対応した間隔を隔てて配置する。
【００７４】
次に、図２のステップＳ３３では、仮設突起４５を半硬化させる。すなわち、仮設突起機能液４５ａを半硬化させて、半硬化した仮設突起４５を形成する。仮設突起４５は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、仮設突起４５と表記する。
【００７５】
次に、ステップＳ３４では、図４（ｃ）及び（ｄ）に示したように、膜係止突起４２の材料を含む膜突起機能液４２ａを配置することで、膜係止突起４２の材料を配置する。膜係止突起４２と下地層４３との接続強度を高くするために、膜係止突起４２の材料は、下地層４３の材料と共通であることが好ましい。
一方、膜係止突起４２と仮設突起４５との接続強度が高くなることを抑制するために、仮設突起４５の材料は、膜突起機能液４２ａに対して撥液性を有する材料を選択する。
【００７６】
膜突起機能液４２ａは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、膜突起機能液４２ａの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。所定の位置は、下地層４３の上における、２個の仮設突起４５の略半球の間であって、膜突起機能液４２ａの半球の両側の一部がそれぞれ仮設突起４５に乗り上げる位置である。下地層４３及び仮設突起４５の上に着弾した膜突起機能液４２ａの液滴は、２個所の仮設突起４５の一部が存在する部分が欠けた略半球形状となる。上述した仮設突起機能液４５ａと同様に、一回に吐出する膜突起機能液４２ａの量、すなわち液滴の大きさを調整することで、着弾した液滴が形成する略半球形状の大きさを調整する。膜突起機能液４２ａの粘度、及び膜突起機能液４２ａの下地層４３に対する濡れ性の程度を調整することによって、略半球形状の形状を調整する。
【００７７】
次に、図２のステップＳ３５では、膜係止突起４２を半硬化させる。すなわち、膜突起機能液４２ａを半硬化させて、半硬化した膜係止突起４２を形成する。膜係止突起４２は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、膜係止突起４２と表記する。
上述したように、膜係止突起４２の材料を下地層４３の材料と共通にした場合、膜係止突起４２を半硬化させることで、半硬化状態の下地層４３を硬化させて、本硬化した状態にすることもできる。
【００７８】
次に、ステップＳ３６では、仮設突起４５を除去する。仮設突起４５の除去は、仮設突起４５を溶解可能な液体で洗浄することによって実施する。仮設突起４５を除去することによって、図４（ｅ）及び（ｆ）に示したように、下地層４３の面と係止部４２２に囲まれて形成された係止空間４２３に在った仮設突起４５の一部分が取り除かれて、係止空間４２３が空間となる。
【００７９】
次に、図２のステップＳ３７では、配線封止層４０を構成する材料を含む封止層機能液を配置することで、配線封止層４０を構成する材料を配置する。
封止層機能液は、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、封止層機能液の液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。所定の位置は、封止層機能液の液滴で、配線封止層４０の形状を描画する位置である。封止層機能液は例えばエポキシ樹脂などの溶液であり、着弾した位置からわずかに濡れ広がることで、係止空間４２３にも浸入する。
【００８０】
次に、ステップＳ３８では、配線封止層４０を硬化させる。すなわち、封止層機能液を硬化させて、硬化した配線封止層４０を形成する。配線封止層４０は、ここでは半硬化させて、後工程で本硬化させてもよい。配線封止層４０は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、配線封止層４０と表記する。
配線封止層４０を硬化させる工程を実施することで、図４（ｇ）及び（ｈ）に示したように、配線封止層４０が形成される。係止空間４２３に浸入した封止層機能液が硬化した部分も配線封止層４０の一部を構成しており、当該部分を被係止部４０３と表記する。被係止部４０３は、下地層４３の面と係止部４２２とに挟まれた位置に在り、係止部４２２によって、下地層４３から離れる方向への移動を規制されている。
ステップＳ３８を実施して、接続配線３０及び接続配線３０を覆う配線封止層４０を形成する配線形成工程を終了する。
【００８１】
以下、実施形態による効果を記載する。本実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）接続配線３０の一部である被係止部３０３は、下地層３３の面と係止部３２２とに挟まれた位置に在り、係止部３２２によって、下地層３３から離れる方向への移動を規制されている。これにより、接続配線３０が下地層３３から剥離することを抑制することができる。
下地層３３は接続配線３０のような導通機能などの特性を有することは不要であり、能動面１４や斜面２６１や半導体実装面２２１に対する耐剥離強度が高い材料を選ぶ自由度が接続配線３０より高いため、能動面１４や斜面２６１や半導体実装面２２１に対する耐剥離強度が接続配線３０より高い膜を形成することができる。これにより、接続配線３０が、能動面１４、斜面２６１、又は半導体実装面２２１から剥離することを抑制することができる。
【００８２】
（２）仮設突起３５を形成し、一部が仮設突起３５の一部を覆うように配線突起機能液３２ａを配設し、仮設突起３５を除去して配線係止突起３２を形成する。仮設突起３５を除去することで、配線係止突起３２の係止空間３２３が形成され、接続配線３０の被係止部３０３の下地層３３から離れる方向への移動を規制する係止部３２２を容易に形成することができる。
【００８３】
（３）仮設突起機能液３５ａは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、仮設突起機能液３５ａの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。仮設突起機能液３５ａを液滴として吐出することで、略半球形状を容易に形成することができる。
【００８４】
（４）仮設突起機能液３５ａは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、仮設突起機能液３５ａの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。インクジェット方式の液滴吐出装置は、任意の量の仮設突起機能液３５ａを任意の位置に、精度よく配置することができる。このため、仮設突起３５を形成するべき適切な位置に高い位置精度で仮設突起機能液３５ａを配置することができる。また、配置するべき適切な配置量の仮設突起機能液３５ａを、ほとんど過不足なく配置して、適切な大きさの仮設突起３５を形成することができる。
【００８５】
（５）仮設突起３５の材料は、配線突起機能液３２ａに対して撥液性を有する材料が選択されている。このため、配線突起機能液３２ａと仮設突起３５とはなじみ難いことから、配線突起機能液３２ａは仮設突起３５と接触するように配設されるが、接触部分の接続強度を小さくすることができる。これにより、仮設突起３５を除去する工程において、仮設突起３５と配線係止突起３２とを分離し易くすることができる。
【００８６】
（６）配線係止突起３２の材料は、下地層３３の材料と共通にすることができる。配線係止突起３２の材料と下地層３３の材料とを共通にすることで、配線係止突起３２と下地層３３とを略同時に硬化させることが可能となり、略同時に硬化させることによって、配線係止突起３２と下地層３３とを略一体にして配線係止突起３２と下地層３３との接続強度を高くすることができる。
【００８７】
（７）配線係止突起３２の材料を含む配線突起機能液３２ａは、半硬化状態の下地層３３の上に配設される。配線突起機能液３２ａが配置された後に下地層３３を本硬化させることで、本硬化した下地層３３上に配線突起機能液３２ａを配設する場合にくらべて、配線係止突起３２と下地層３３との接続強度を向上させることができる。
【００８８】
（８）配線突起機能液３２ａは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、配線突起機能液３２ａの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。インクジェット方式の液滴吐出装置は、任意の量の配線突起機能液３２ａを任意の位置に、精度よく配置することができる。このため、配線係止突起３２を形成するべき適切な位置に高い位置精度で配線突起機能液３２ａを配置することができる。また、配置するべき適切な配置量の配線突起機能液３２ａを、ほとんど過不足なく配置して、適切な大きさの配線係止突起３２を形成することができる。
【００８９】
（９）配線封止層４０の一部を構成する被係止部４０３は、下地層４３の面と係止部４２２とに挟まれた位置に在り、係止部４２２によって、下地層４３から離れる方向への移動を規制されている。これにより、配線封止層４０が下地層４３から剥離することを抑制することができる。
下地層４３は配線封止層４０のような耐擦性などの特性を有することは不要であり、能動面１４や斜面２６１や半導体実装面２２１に対する耐剥離強度が高い材料を選ぶ自由度が配線封止層４０より高いため、能動面１４や斜面２６１や半導体実装面２２１に対する耐剥離強度が配線封止層４０より高い膜を形成することができる。これにより、配線封止層４０が、能動面１４、斜面２６１、又は半導体実装面２２１から剥離することを抑制することができる。
【００９０】
（１０）仮設突起４５を形成し、一部が仮設突起４５の一部を覆うように膜突起機能液４２ａを配設し、仮設突起４５を除去して膜係止突起４２を形成する。仮設突起４５を除去することで、膜係止突起４２の係止空間４２３が形成され、配線封止層４０の被係止部４０３の下地層４３から離れる方向への移動を規制する係止部４２２を容易に形成することができる。
【００９１】
（１１）仮設突起機能液４５ａは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、仮設突起機能液４５ａの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。仮設突起機能液４５ａを液滴として吐出することで、略半球形状を容易に形成することができる。
【００９２】
（１２）仮設突起機能液４５ａは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、仮設突起機能液４５ａの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。インクジェット方式の液滴吐出装置は、任意の量の仮設突起機能液４５ａを任意の位置に、精度よく配置することができる。このため、仮設突起４５を形成するべき適切な位置に高い位置精度で仮設突起機能液４５ａを配置することができる。また、配置するべき適切な配置量の仮設突起機能液４５ａを、ほとんど過不足なく配置して、適切な大きさの仮設突起４５を形成することができる。
【００９３】
（１３）仮設突起４５の材料は、膜突起機能液４２ａに対して撥液性を有する材料が選択されている。このため、膜突起機能液４２ａと仮設突起４５とはなじみ難いことから、膜突起機能液４２ａは仮設突起４５と接触するように配設されるが、接触部分の接続強度を小さくすることができる。これにより、仮設突起４５を除去する工程において、仮設突起４５と膜係止突起４２とを分離し易くすることができる。
【００９４】
（１４）膜係止突起４２の材料は、下地層４３の材料と共通にすることができる。膜係止突起４２の材料と下地層４３の材料とを共通にすることで、膜係止突起４２と下地層４３とを略同時に硬化させることが可能となり、略同時に硬化させることによって、膜係止突起４２と下地層４３とを略一体にして膜係止突起４２と下地層４３との接続強度を高くすることができる。
【００９５】
（１５）膜係止突起４２の材料を含む膜突起機能液４２ａは、半硬化状態の下地層４３の上に配設される。膜突起機能液４２ａが配置された後に下地層４３を本硬化させることで、本硬化した下地層４３上に膜突起機能液４２ａを配設する場合にくらべて、膜係止突起４２と下地層４３との接続強度を向上させることができる。
【００９６】
（１６）膜突起機能液４２ａは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、膜突起機能液４２ａの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。インクジェット方式の液滴吐出装置は、任意の量の膜突起機能液４２ａを任意の位置に、精度よく配置することができる。このため、膜係止突起４２を形成するべき適切な位置に高い位置精度で膜突起機能液４２ａを配置することができる。また、配置するべき適切な配置量の膜突起機能液４２ａを、ほとんど過不足なく配置して、適切な大きさの膜係止突起４２を形成することができる。
【００９７】
（１７）膜係止突起４２は、略長方形形状を有する配線封止層４０の各辺に沿って、配線封止層４０の外周縁近くに配設されている。膜係止突起４２によって、配線封止層４０の各辺の外周縁における耐剥離強度を向上させることで、配線封止層４０の耐剥離強度を効率よく向上させることができる。
【００９８】
以上、添付図面を参照しながら好適な実施形態について説明したが、好適な実施形態は、前記実施形態に限らない。実施形態は、要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であり、以下のように実施することもできる。
【００９９】
（変形例１）前記実施形態においては、配線係止突起３２は、間隔を隔てて配設されていたが、配線係止突起３２のように、接続配線３０のような膜の外周に配設する係止突起は、互いに連接させて配設してもよい。膜を形成する前に形成する係止突起を連接させて配設することで、膜を形成するために膜を形成する材料を含む膜材料機能液を配置する際に、膜材料機能液の流出を抑制することができる。流出を抑制することができることで、濡れ広がり易い膜材料機能液や、粘度が低い膜材料機能液であっても、適切な形状の膜を形成することが容易になるため、濡れ広がり易い膜材料機能液や粘度が低い膜材料機能液を膜材料機能液として、採用することができる。
【０１００】
（変形例２）前記実施形態においては、インクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、仮設突起機能液３５ａ、配線突起機能液３２ａ、金属配線機能液、仮設突起機能液４５ａ、膜突起機能液４２ａ、及び封止層機能液をそれぞれ配設していたが、これらの機能液を配設するためにインクジェット方式の液滴吐出装置を用いることは必須ではない。インクジェット方式とは異なる方式の液滴吐出装置を用いてもよいし、液滴吐出装置とは異なる装置を用いて機能液を配置してもよい。
【０１０１】
（変形例３）前記実施形態においては、配線係止突起３２は接続配線３０の脇に沿って並ぶ状態で配設されており、膜係止突起４２は配線封止層４０に覆われる状態に形成されていた。しかし、配線係止突起３２のように回路配線膜に対応する係止突起が回路配線膜に並んで配設されることも、膜係止突起４２のように導通性を有しない膜に対応する係止突起が膜に覆われる状態に形成されことも必須ではない。係止突起は、膜に並んで配設されてもよいし、膜に覆われる状態に配設されてもよい。
【０１０２】
（変形例４）前記実施形態においては、配線係止突起３２は１個の係止部３２２を備えており、膜係止突起４２は２個の係止部４２２を備えていたが、係止突起が備える係止部の数は、１個又は２個に限らない、係止突起が備える係止部の数はいくつであってもよい。
【０１０３】
（変形例５）前記実施形態においては、係止空間３２３や係止空間４２３は、壁面が１個の球面からなる空間であったが、係止部によって形成される空間の壁面が単独の球面であることは必須ではない。係止部によって形成される空間の壁面は、例えば複数の球面が連なった形状など、係止突起が立設された面との間に膜の一部を存在させる空間を形成できる形状であれば、どのような形状であってもよい。
【０１０４】
（変形例６）前記実施形態においては、ステップＳ２６は配線係止突起３２を半硬化させる工程であり、ステップＳ３５は膜係止突起４２を半硬化させる工程であったが、膜を形成する工程や回路配線を形成する工程において係止突起を硬化させる工程が、係止突起を半硬化させる工程であることは必須ではない。係止突起を本硬化してもよい。膜を形成する工程において本硬化させることで、本硬化させるための別工程が不要であり、工程数の増加を抑制することができる。なお、膜を形成する工程において半硬化させて、別途本硬化させることで、膜を形成する工程の工程時間を短縮することができる。
【０１０５】
（変形例７）前記実施形態においては、接続配線３０は、金属材料からなる金属配線であったが、回路配線が金属膜であることは必須ではない。回路配線は、良好な導電性が得られればどのような材料で構成してもよい。
【０１０６】
（変形例８）前記実施形態においては、半導体装置１０をチップ実装して形成する電子装置１を構成する回路形成用基板２０、及び半導体装置１０の電極端子１２と回路基板２１に形成された回路端子２３とを接続する接続配線３０及び接続配線３０を覆う配線封止層４０を形成する配線形成工程を例に説明した。しかし、形成する回路配線は、半導体装置と回路基板とを接続する接続配線に限らない。回路配線は、回路基板上に形成されるどのような回路配線であってもよいし、回路配線に接続された端子などであってもよい。回路配線形成用基板は、半導体実装用基板以外の回路基板であってもよい。膜は、回路配線や配線封止層以外の膜であってもよい。膜形成用基板は、回路基板とは異なり、回路配線とは異なる膜を形成するための基板であってもよい。
【０１０７】
（変形例９）前記実施形態においては、仮設突起３５の材料は、配線突起機能液３２ａに対して撥液性を有する材料を選択しており、仮設突起４５の材料は、膜突起機能液４２ａに対して撥液性を有する材料を選択していたが、係止突起を形成する材料を含む係止突起材料機能液に対して撥液性を有する仮設突起を形成するために、仮設突起の材料として、係止突起材料機能液に対して撥液性を有する材料を用いることは必須ではない。形成された仮設突起に対して、係止突起材料機能液に対して撥液性となるように処理する工程を実施することによって、仮設突起を係止突起材料機能液に対して撥液性にしてもよい。
形成された仮設突起に対して、係止突起材料機能液に対して撥液性となるように処理する工程を実施することによって、仮設突起３５の材料として配線突起機能液３２ａに対して撥液性を有する材料を選択する場合と同様に、仮設突起３５を除去する工程において、仮設突起３５と配線係止突起３２とを分離し易くすることができる。
さらに、仮設突起が係止突起材料機能液に対して撥液性を有することも必須ではない。係止突起が形成された後で、仮設突起の除去が容易に実施できれば、仮設突起は、係止突起材料機能液に対して撥液性でなくてもよい。
【０１０８】
（変形例１０）前記実施形態においては、下地層３３を形成する工程と、下地層４３を形成する工程とをそれぞれ実施していたが、下地層３３を形成する際に同時に下地層４３を形成してもよい。前記実施形態のように下地層を形成する工程が複数あるような場合には、同時に形成できる下地層は同一の工程で形成することによって、工程に要する時間を低減することができる。
【０１０９】
（変形例１１）前記実施形態においては、仮設突起３５を形成し配線係止突起３２を形成する工程と、仮設突起４５を形成し膜係止突起４２を形成する工程とをそれぞれ実施していたが、仮設突起３５を形成する際に同時に仮設突起４５を形成し、配線係止突起３２を形成する際に同時に膜係止突起４２を形成してもよい。前記実施形態のように係止突起を形成する工程が複数あるような場合には、同時に形成できる仮設突起や係止突起は同一の工程で形成することによって、工程に要する時間を低減することができる。
【符号の説明】
【０１１０】
１…電子装置、１０…半導体装置、１２…電極端子、１４…能動面、２０…回路形成用基板、２１…回路基板、２３…回路端子、２４…回路配線、２６…斜面部材、３０…接続配線、３２…配線係止突起、３２ａ…配線突起機能液、３３…下地層、３３ａ…下地層機能液、３５…仮設突起、３５ａ…仮設突起機能液、４０…配線封止層、４２…膜係止突起、４２ａ…膜突起機能液、４３…下地層、４３ａ…下地層機能液、４５…仮設突起、４５ａ…仮設突起機能液、２２１…半導体実装面、２６１…斜面、３０３…被係止部、３２１…基体部、３２２…係止部、３２３…係止空間、４０３…被係止部、４２１…基体部、４２２…係止部、４２３…係止空間。
【図１】
2011155173.tif 000003
【図２】
2011155173.tif 000004
【図３】
2011155173.tif 000005
【図４】
2011155173.tif 000006