(57)【要約】【課題】より明瞭な観察又は分析を可能にする試料、試料作製方法及び試料作製装置を提供すること。【解決手段】試料作製方法は、第１面１０ａが上方を向き、コンタクトを有する試料２０を、第１面１０ａが側方ないし下方を向くように試料２０の向きを変える回転工程と、試料２０に対して、コンタクトの短手方向から集束イオンビームを照射する照射工程とを含む。照射工程において、回転工程により上面を向いた第２面１０ｂに対して集束イオンビームを照射し、コンタクトの延在方向に沿うように試料２０に薄膜領域２０ａを形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトを有する試料に対して、前記コンタクトの短手方向から集束イオンビームを照射する照射工程を含むことを特徴とする試料作製方法。
【請求項２】
前記照射工程の前に、
第１面が上方を向いている前記試料を、前記第１面が側方ないし下方を向くように前記試料の向きを変える回転工程をさらに含み、
前記照射工程において、前記回転工程により上面を向いた第２面に対して前記集束イオンビームを照射し、前記コンタクトの延在方向に沿うように前記試料に薄膜領域を形成することを特徴とする請求項１に記載の試料作製方法。
【請求項３】
前記回転工程の前に、
絶縁層と、前記絶縁層を貫通し、前記第１面方向に延在する前記コンタクトと、を有する半導体素子を切削し、前記試料を切り出す第１切削工程をさらに含み、
前記回転工程の後、かつ前記照射工程の前に、
前記試料にダミー基板を接合する接合工程と、
少なくとも前記薄膜領域を形成する部分を薄化するように前記試料を切削すると共に、前記試料を前記ダミー基板から切り離す第２切削工程と、
前記試料を保持機構に取り付ける取付工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の試料作製方法。
【請求項４】
前記半導体素子は、前記絶縁層に対して前記第１面とは反対側に形成された基板をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の試料作製方法。
【請求項５】
前記半導体素子は、前記コンタクトに対して前記第１面側に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に対して前記第１面側に形成された金属膜と、をさらに有することを特徴とする請求項３又は４に記載の試料作製方法。
【請求項６】
被観察体又は試料を切削する切削機構と、
前記切削機構によって前記被観察体から切り出した試料を所定の方向に所定量回転させる回転機構と、
前記回転機構によって回転させた前記試料を保持する保持機構と、を備えることを特徴とする試料作製装置。
【請求項７】
前記回転機構によって回転させた前記試料に、ダミー基板を前記試料に接合する接合機構と、さらに備え、
前記切削機構は、前記ダミー基板に接合された前記試料の少なくとも一部を薄化するように前記試料を切削することを特徴とする請求項６に記載の試料作製装置。
【請求項８】
前記回転機構は、前記試料の上面が側方ないし下方を向くように前記試料を回転させることを特徴とする請求項６又は７に記載の試料作製装置。
【請求項９】
前記被観察体の切削から、前記試料を前記保持機構に保持させるまでを所定の条件に基づいて自動的に実施することを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の試料作製装置。
【請求項１０】
半導体素子を切削し、試料を切り出す第１切削工程と、
第１面が上方を向いている前記試料を、前記第１面が側方ないし下方を向くように前記試料の向きを変える回転工程と、
前記試料にダミー基板を接合する接合工程と、
前記試料の少なくとも一部を薄化するように前記試料を切削すると共に、前記試料を前記ダミー基板から切り離す第２切削工程と、
前記試料を保持機構に取り付ける取付工程と、
を含む工程を自動的に実施することを特徴とする試料作製装置。
【請求項１１】
絶縁層と、
前記絶縁層を貫通するコンタクトと、
少なくとも一部が薄膜化され、前記絶縁層及び前記コンタクトを含む薄膜領域と、を備え、
前記コンタクトは、前記薄膜領域に沿うと共に、前記薄膜領域を上側にしたときに側方を向くように延在していることを特徴とする試料。
【請求項１２】
前記薄膜領域は、前記絶縁層に隣接して、前記コンタクトの延在方向の一方の側に形成された基板をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の試料。
【請求項１３】
前記薄膜領域は、前記コンタクトに接して形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に対して前記コンタクトとは反対側に、前記絶縁膜に接して形成された金属膜と、をさらに含み、
前記コンタクト、前記絶縁膜及び前記金属膜は、側方に向かって配列していることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の試料。
【請求項１４】
前記薄膜領域は、集束イオンビームを前記コンタクトの短手方向から照射することによって形成されたことを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の試料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種装置で観察又は分析するための試料、該試料を作製する方法及び該試料を作製する装置に関する。特に、本発明は、例えば透過型電子顕微鏡やエネルギー分散型Ｘ線分光装置で半導体素子の一部を観察又は分析するための試料、試料作製方法及び試料作製装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子における不良箇所や欠陥は、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；Transmission Electron Microscope）を用いて観察される。そこで、ＴＥＭで観察するための半導体素子の試料は、集束イオンビーム（ＦＩＢ；Focused Ion Beam）を用いて作製することができる。
【０００３】
図７に、半導体素子のＴＥＭ観察用試料を作製する背景技術に係る試料作製方法を説明するための概略工程図を示す。図８に、図７（ａ）又は図７（ｂ）の状態における半導体素子又は試料の概略部分断面図を示す。観察対象となる半導体素子５０は、半導体基板５４と、半導体基板５４上に形成された絶縁層５５と、半導体基板５４上に形成されたコンタクト５６を有する。コンタクト５６は、上面である第１面５０ａ方向に向かって延在している。
【０００４】
背景技術に係る試料作製方法を説明する。まず、半導体素子５０を切削線５２で切断し（図７（ａ））、ターゲット領域５１を含むように試料６０を切り出す（図７（ｂ））。図７において、ターゲット領域５１は、半導体素子５０及び試料６０の面上にチェック柄で図示してある。次に、試料６０を点線６２で切削し、ターゲット領域５１を薄化する（図７（ｃ）。次に、試料６０をＣリング等の保持機構（キャリア）７２に、半導体素子５０の第１面５０ａを上にして貼り付ける（図７（ｄ））。次に、ターゲット領域５１をＴＥＭ観察できるように、ターゲット領域５１をＦＩＢによって０．１μｍ〜０．２μｍ程度に薄膜化又は薄片化する（図７（ｅ））。背景技術においては、このように作製した試料６０を用いてターゲット領域５１の断面構造をＴＥＭによって観察する。
【０００５】
特許文献１には、ＴＥＭ観察用の試料作製方法が開示されている。特許文献１に記載の試料作製方法は、半導体基板の厚さ方向の一方側の部分のうち、平面から見て観察対象部分を含む所定領域を除く領域を厚さ方向に所定寸法削り取ることによって観察対象部分を含む凸状部を半導体基板の厚さ方向の一方側に形成する第１工程と、半導体基板をその厚さ方向にエッチングすることによって観察対象部分を含む凸状部の部分を透過型電子顕微鏡で観察可能な程度に薄膜化する第２工程と、を含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３９９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以下の分析は、本発明の観点から与えられる。
【０００８】
図７に示す工程においては、特許文献１に記載の試料作製方法と同様にして、試料６０は、半導体素子５０の上面５０ａ側からＦＩＢによってエッチングされている。すなわち、ＦＩＢによるエッチングは、コンタクト５６側からコンタクト５６の延在方向（矢印方向）に沿って行われることになる。図９に、背景技術に係る試料作製方法によって作製した試料のＴＥＭ写真を示す。図９に示す矢印は、ＦＩＢ処理方向を示している。コンタクト５６がタングステン（Ｗ）のように絶縁層５５より硬い金属である場合、コンタクト５６が存在する箇所は、エッチングレートが遅くなるので、その下の半導体基板５４にはカーテニング５７が発生してしまう。ここで、カーテニング（加工筋ともいう）とは、コンタクト５７下方の部分が十分にエッチングされずに厚く残ってしまうことをいう。図９において、半導体基板５４に存在する筋状の黒い領域がカーテニング５７であり、他の領域より厚い領域であることを示している。すなわち、図９は、ターゲット領域５１における半導体基板５４の厚さにばらつきが生じていることを示している。カーテニング５７が発生すると、ＴＥＭ像においては黒くなってしまうので、ターゲット領域５１を観察しにくくなる弊害が生じる。また、エネルギー分散型Ｘ線分光分析（ＥＤＳ；Energy-Dispersive X-ray Spectroscopy）においては、濃度はターゲット領域５１の厚さに依存することになるので、濃度プロファイルを測定すると、カーテニング５７によって厚くなった領域は、実際よりもその濃度が濃くみえてしまう。
【０００９】
また、半導体素子がＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）構造を有する場合に、金属から絶縁膜方向にＦＩＢエッチングしても絶縁膜の観察像がぼやけてしまう。図１０に、ＭＩＭ構造の概略部分断面図を示す。図１１に、背景技術に係る試料作製方法によって作製した試料において、金属から絶縁膜方向にＦＩＢエッチングしたＭＩＭ構造のＴＥＭ写真を示す。図１０に示すＭＩＭ構造は、例えばタングステンからなる下部電極としてのコンタクト５６と、コンタクト５６上に形成された容量絶縁膜５９と、容量絶縁膜５９上に形成された上部電極としての金属膜５８と、を有する。このとき、ＦＩＢエッチングが金属膜５８から容量絶縁膜５９方向（矢印方向）に行われると、金属膜５８のエッチングレートが遅いため、図１１に示すように、容量絶縁膜５９をＴＥＭ観察することができなくなってしまう。
【００１０】
さらに、ＦＩＢエッチングによって薄膜化されたターゲット領域においては、ビーム上流側から下流側に向けてターゲット領域の厚さが厚くなってしまう。すなわち、図７及び図８に示す形態においては、ターゲット領域５１は、半導体素子５０の上面５０ａから半導体基板５４に向けて厚くなるようにテーパ化してしまう。このため、ＥＤＳによって、絶縁層５５から半導体基板５４方向（コンタクト５６延在方向）に異なる数点における濃度プロファイルを比較しようとしても、厚さが異なるので、正確な比較を実施することができない。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１視点によれば、コンタクトを有する試料に対して、コンタクトの短手方向から集束イオンビームを照射する照射工程を含む試料作製方法が提供される。
【００１２】
本発明の第２視点によれば、被観察体又は試料を切削する切削機構と、切削機構によって被観察体から切り出した試料を所定の方向に所定量回転させる回転機構と、回転機構によって回転させた試料を保持する保持機構と、を備える試料作製装置が提供される。
【００１３】
本発明の第２視点によれば、半導体素子を切削し、試料を切り出す第１切削工程と、第１面が上方を向いている試料を、第１面が側方ないし下方を向くように試料の向きを変える回転工程と、試料にダミー基板を接合する接合工程と、試料の少なくとも一部を薄化するように試料を切削すると共に、試料をダミー基板から切り離す第２切削工程と、試料を保持機構に取り付ける取付工程と、を含む工程を自動的に実施する試料作製装置が提供される。
【００１４】
本発明の第３視点によれば、絶縁層と、絶縁層を貫通するコンタクトと、少なくとも一部が薄膜化され、絶縁層及びコンタクトを含む薄膜領域と、を備える試料が提供される。コンタクトは、薄膜領域に沿うと共に、薄膜領域を上側にしたときに側方を向くように延在している。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、以下の効果のうち少なくとも１つを有する。
【００１６】
本発明によれば、コンタクトの短手方向（例えば延在方向とは垂直方向）からエッチングすることにより、エッチングレートを一定にすることができる。これにより、カーテニングの発生を抑制することができる。また、金属下又は金属間の構造をより明瞭に観察又は分析可能な試料を得ることができる。さらに、コンタクトの延在方向における濃度プロファイルをより正確に比較できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の試料作製方法の一実施形態を説明するための概略工程図。
【図２】図１（ａ）又は図１（ｂ）の状態における半導体素子又は試料の概略部分断面図。
【図３】図１（ｆ）の状態における試料の概略部分断面図。
【図４】図１（ａ）又は図１（ｂ）の状態における半導体素子又は試料におけるＭＩＭ構造の概略部分断面図
【図５】図１（ｆ）又は図１（ｇ）の状態におけるＦＩＢ処理する際のＭＩＭ構造の概略断面図。
【図６】本発明の試料作製方法によって作成した試料のＴＥＭ写真。
【図７】半導体素子のＴＥＭ観察用試料を作製する背景技術に係る試料作製方法を説明するための概略工程図。
【図８】図７（ａ）又は図７（ｂ）の状態における半導体素子又は試料の概略部分断面図。
【図９】背景技術に係る試料作製方法によって作製した試料のＴＥＭ写真。
【図１０】ＭＩＭ構造の概略部分断面図。
【図１１】背景技術に係る試料作製方法によって作製した試料において、金属から絶縁膜方向にＦＩＢエッチングしたＭＩＭ構造のＴＥＭ写真。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
上記各視点の好ましい形態を以下に記載する。
【００１９】
上記第１視点の好ましい形態によれば、試料作製方法は、照射工程の前に、第１面が上方を向いている試料を、第１面が側方ないし下方を向くように試料の向きを変える回転工程をさらに含む。照射工程において、回転工程により上面を向いた第２面に対して集束イオンビームを照射し、コンタクトの延在方向に沿うように試料に薄膜領域を形成する。
【００２０】
上記第１視点の好ましい形態によれば、試料作製方法は、回転工程の前に、絶縁層と、絶縁層を貫通し、第１面方向に延在するコンタクトと、を有する半導体素子を切削し、試料を切り出す第１切削工程をさらに含む。試料作製方法は、回転工程の後、かつ照射工程の前に、試料にダミー基板を接合する接合工程と、少なくとも薄膜領域を形成する部分を薄化するように試料を切削すると共に、試料をダミー基板から切り離す第２切削工程と、試料を保持機構に取り付ける取付工程と、をさらに含む。
【００２１】
上記第１視点の好ましい形態によれば、半導体素子は、絶縁層に対して第１面とは反対側に形成された基板をさらに有する。
【００２２】
上記第１視点の好ましい形態によれば、半導体素子は、コンタクトに対して第１面側に形成された絶縁膜と、絶縁膜に対して第１面側に形成された金属膜と、をさらに有する。
【００２３】
上記第２視点の好ましい形態によれば、試料作製装置は、回転機構によって回転させた試料に、ダミー基板を試料に接合する接合機構と、さらに備える。切削機構は、ダミー基板に接合された試料の少なくとも一部を薄化するように試料を切削する。
【００２４】
上記第２視点の好ましい形態によれば、回転機構は、試料の上面が側方ないし下方を向くように試料を回転させる。
【００２５】
上記第２視点の好ましい形態によれば、試料作製装置は、被観察体の切削から、試料を保持機構に保持させるまでを所定の条件に基づいて自動的に実施する。
【００２６】
上記第３視点の好ましい形態によれば、薄膜領域は、絶縁層に隣接して、コンタクトの延在方向の一方の側に形成された基板をさらに含む。
【００２７】
上記第３視点の好ましい形態によれば、薄膜領域は、コンタクトに接して形成された絶縁膜と、絶縁膜に対してコンタクトとは反対側に、絶縁膜に接して形成された金属膜と、をさらに含む。コンタクト、絶縁膜及び金属膜は、側方に向かって配列している。
【００２８】
上記第３視点の好ましい形態によれば、薄膜領域は、集束イオンビームをコンタクトの短手方向から照射することによって形成される。
【００２９】
本発明の試料作製方法の一形態について説明する。図１に、本発明の試料作製方法の一実施形態を説明するための概略工程図を示す。図１に示す形態においては、被観察体１０は半導体素子である。図２に、図１（ａ）又は図１（ｂ）の状態における半導体素子又は試料の概略部分断面図を示す。半導体素子１０は、半導体基板１４と、半導体基板１４上に形成された絶縁層１５と、半導体基板１４上に形成され、絶縁層１５を貫通するコンタクト１６と、を有する。コンタクト１６は、半導体基板１４から、上面である第１面１０ａに向かって延在している。
【００３０】
まず、半導体素子１０を切削線１２で切削機構（例えばダイサー）で切断し（図１（ａ））、ターゲット領域１１を含むように試料２０を切り出す（図１（ｂ）；第１切削工程）。図１において、ターゲット領域１１は、半導体素子１０及び試料２０の面にチェック柄で図示してある。このとき、試料２０における第１面１０ａは上向き（上面）となっている。また、試料２０におけるターゲット領域１１の位置は、後のＦＩＢ処理により観察箇所をＴＥＭ観察できるように、試料２０の側面方向に面する切断面のうちの１つの面である第２面１０ｂ寄りとなるようにする。
【００３１】
次に、少なくとも第１面１０ａが上面とならないように、好ましくは、少なくとも第２面１０ｂが上面となるように、試料２０を回転させる（図１（ｃ）；回転工程）。これにより、ターゲット領域１１は、試料２０の上側に配置される。また、第１面１０ａは横向き（側面）となる。図１（ｂ）から図１（ｃ）において試料２０は９０°回転させているが、例えば、試料２０は、第１面１０ａが上方を向いた図１（ｂ）の状態から、例えば９０°〜２７０°回転させるような向きにしてもよい。この場合、後の照射工程において、コンタクトによってエッチングレートは影響を受けず、カーテニングの発生を抑制することができる。
【００３２】
次に、試料２０を切削するため、試料２０をダミー基板３１の側面に接合する（図１（ｄ）；接合工程）。図１（ｄ）に示す形態においては、ダミー基板３１は、第１面１０ａとは反対側の面、すなわち半導体基板１４側の面に貼り付けている。ダミー基板３１としては、例えば、半導体基板１４と同じ材料（例えばＳｉ）等を使用することができる。
【００３３】
次に、ＦＩＢ処理によりターゲット領域１１をＴＥＭ観察用薄膜処理できるように、例えば点線で示す切削線２２に沿って、切削機構（例えばダイサー）で試料２０を薄化する。例えば、ターゲット領域１１を含む部分がＴＥＭの電子透過方向に対して例えば２０μｍ〜３０μｍ厚となるように試料２０を切削機構で切削する。次に、試料２０をダミー基板３１から切り取る（図１（ｅ）；第２切削工程）。次に、試料２０をＣリング等の保持機構（キャリア）３２に貼り付ける（図１（ｆ）；取付工程）。このとき、第２面１０ｂは、上向きにすると共に、ＴＥＭの電子透過方向と第１面１０ａの延在方向とが同方向（平行）となるようにする。コンタクト１６は、キャリア３２に対して側方に向かって延在している。また、ターゲット領域１１をＦＩＢ処理できる位置に試料２０を配置する。
【００３４】
図３に、図１（ｆ）の状態における試料２０の概略部分断面図を示す。次に、ターゲット領域１１をＴＥＭ観察できるように、第２面１０ｂから（図３に示す矢印方向から）ＦＩＢ処理して、ターゲット領域１１に例えば０．１μｍ〜０．２μｍ厚の薄膜領域２０ａを形成する（図１（ｇ）；照射工程）。このとき、ＦＩＢ処理は、図１（ａ）に示す半導体素子１０の側面方向から施すことになる。すなわち、コンタクト１６の短手方向からＦＩＢを照射することになる。なお、本発明において、寸法は、Å単位であれば、例えばＴＥＭや走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；Scanning Electron Microscope）によって測定することができ、ｎｍやμｍ単位であれば、例えばエリプソメータを用いて測定することができる。
【００３５】
これにより、試料２０の薄膜領域２０ａは、薄膜化された半導体基板１４、絶縁層１５及びコンタクト１６を有すると共に、コンタクト１６に沿うように形成される。コンタクト１６は、薄膜領域２０ａを上側にしたときに側方を向くように延在している。
【００３６】
本発明の試料作製方法においては、半導体素子１０の側面方向からＦＩＢ処理を施すことになる。これにより、絶縁層１５及びコンタクト１６におけるエッチングレートを一定にすることができる。また、薄膜領域２０ａにおける半導体基板１４にカーテニングが発生することを防止することができる。
【００３７】
また、本発明の試料作製方法によれば、コンタクト１６の延在方向に沿った薄膜領域２０ａの厚さを一定にすることができる。これにより、例えば、薄膜領域２０ａにおけるコンタクト１６の延在方向に沿った異なる数点の濃度プロファイル比較をより正確に実施できるようになる。
【００３８】
半導体素子１０は、ＭＩＭ構造を有するものであってもよい。図４に、図１（ａ）又は図１（ｂ）の状態における半導体素子１０又は試料２０におけるＭＩＭ構造の概略部分断面図を示す。例えば、図１（ａ）に示す向きにおいて、半導体素子１０は、図３に示すように、下部電極としてのコンタクト１６と、コンタクト１６上方に上部電極としての金属膜１８と、コンタクト１６と金属膜１８との間に配された絶縁膜１９と、を有してもよい。図５に、図１（ｆ）又は図１（ｇ）の状態におけるＦＩＢ処理する際のＭＩＭ構造の概略断面図を示す。この場合、図１（ｆ）又は図１（ｇ）に示す状態においては、ＭＩＭ構造は、図５に示すように、コンタクト１６、絶縁膜１９及び金属膜１８は、側方（第１面１０ａ）に向かって順に配列することになる。したがって、ＦＩＢ処理は、図５に示す矢印方向から施すことになるので、絶縁膜１９は、金属膜１８のエッチングレートに影響されること無く、エッチングされることになる。これにより、絶縁膜１９をより明瞭に観察又は分析することができるようになる。
【００３９】
次に、本発明の試料作製装置の一実施形態について説明する。試料作製装置は、図１（ａ）及び図１（ｄ）に示す工程において、被観察体である半導体素子１０や試料２０を切削する切削機構（例えばダイサー）と、図１（ｂ）に示す工程において、試料２０を所定の方向に所定量（例えば９０°〜２７０°）回転させる回転機構と、図１（ｄ）に示す工程において、試料２０にダミー基板３１を接合する接合機構と、図１（ｆ）及び図１（ｇ）において試料２０を保持する保持機構（キャリア）３２と、を備える。試料作製装置は、図１（ａ）〜図１（ｆ）に示す工程を所定の条件に基づいて自動的に実施することができると好ましい。
【００４０】
回転機構としては、例えば、試料２０を挟持して、試料２０を所定方向に所定角度回転させる機構を適用することができる。
【００４１】
上記各機構により、試料作製装置は、第１切削工程と、回転工程と、接合工程と、第２切削工程と、取付工程と、を含む工程を自動的に実施する。
【００４２】
本発明の試料作製方法によって得られた試料は、半導体基板にカーテニングを有していない。ＭＩＭ構造における絶縁膜は、金属のエッチングレートの遅さによる影響を受けずにエッチングされている。これにより、本発明の試料によれば、より明瞭な観察又は分析を実施することができるようになる。
【００４３】
なお、本発明において、コンタクトとは、絶縁層を貫通する金属配線であればよく、例えばビア、スルーホールと呼ばれるものも含むものとする。また、本発明におけるコンタクトの材料は、特に限定されるものではないが、本発明は、コンタクトが絶縁層よりも硬い材料のときに有用であり、例えばタングステンのようにより硬い金属を用いる場合に特に有用である。
【実施例】
【００４４】
図６に、本発明の試料作製方法によって作成した試料のＴＥＭ写真を示す。試料２０は、上述の実施形態と同様に、半導体基板１４と、絶縁層１５と、コンタクト１６と、を有する。図６に示す矢印は、ＦＩＢ処理の方向を示している。背景技術係る試料作製方法によれば、図９に示すように、半導体基板５４にはカーテニングが発生することになるが、本発明の試料作製方法によれば、図６に示すように、半導体基板１４にはカーテニングは確認されていない。これにより、本発明によれば、試料をより明確に観察又は分析することが可能となる。
【００４５】
本発明の試料、試料作製方法及び試料作製装置は、上記実施形態に基づいて説明されているが、上記実施形態に限定されることなく、本発明の範囲内において、かつ本発明の基本的技術思想に基づいて、上記実施形態に対し種々の変形、変更及び改良を含むことができることはいうまでもない。また、本発明の請求の範囲の枠内において、種々の開示要素の多様な組み合わせ・置換ないし選択が可能である。
【００４６】
本発明のさらなる課題、目的及び展開形態は、請求の範囲を含む本発明の全開示事項からも明らかにされる。
【符号の説明】
【００４７】
１０          被観察体（半導体素子）
１０ａ        第１面
１０ｂ        第２面
１１          ターゲット領域
１２          切削線
１４          半導体基板
１５          絶縁層
１６          コンタクト
１８          金属膜
１９          絶縁膜
２０          試料
２０ａ        薄膜領域
２２          切削線
３１          ダミー基板
３２          保持機構
５０          被観察体（半導体素子）
５０ａ        第１面
５０ｂ        第２面
５１          ターゲット領域
５２          切削線
５４          半導体基板
５５          絶縁層
５６          コンタクト
５７          カーテニング
５８          金属膜
５９          容量絶縁膜
６０          試料
６２          切削線
７２          保持機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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