(57)【要約】【課題】ダイシング工程における膜ハガレや側壁デポ物の脱落を抑制し、歩留まりの低下を抑制させた固体撮像素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】表面にマイクロレンズが形成された撮像領域を含む素子形成領域を区画するスクライブライン上に、素子形成領域の側壁との間に所定の間隙設けて障壁部を形成する障壁部形成工程と、マイクロレンズ表面及び前記間隙内に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、障壁部を除去する障壁部除去工程とを有する。【選択図】図３Ｆ
2011146633.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にマイクロレンズが形成された撮像領域を含む素子形成領域を区画するスクライブライン上に、前記素子形成領域の側壁との間に所定の間隙設けて障壁部を形成する障壁部形成工程と、
前記マイクロレンズ表面及び前記間隙内に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、
前記障壁部を除去する障壁部除去工程と、
を有する固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
前記障壁部形成工程は、さらに、前記撮像領域の周囲に設けられた凹部底面のパッド領域に、当該凹部の側壁との間に所定の間隙設けて障壁部を形成する請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
前記反射防止膜形成工程は、前記障壁部上にも前記反射防止膜を形成し、その後、前記障壁部が露出するまで前記反射防止膜を除去する工程を含む請求項１又は２に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記間隙の幅を前記間隙の深さに対して０．５倍以上とした請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
前記マイクロレンズの屈折率より低く、かつ、前記反射防止膜の屈折率より高い屈折率を有する中間屈折率層を、前記マイクロレンズと前記反射防止膜との間に形成する中間屈折率層形成工程を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子の製造方法に関する。詳細には、マイクロレンズ上に反射防止膜を形成した固体撮像素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサなどの固体撮像素子においては、その小型化や画素の高密度化が進んでおり、これに伴って、撮像領域が縮小され、感度低下等の特性の劣化が課題となっている。
【０００３】
このような感度低下の対策として、撮像領域にマイクロレンズ、いわゆるオンチップレンズを設けることで、撮像領域での集光効率を高める技術が提案されている。
【０００４】
さらに、このマイクロレンズ上に反射防止膜を形成して撮像領域での集光効率をより高める技術も提案されている。マイクロレンズはアクリル樹脂やポリスチレンなどの透明樹脂により形成されており、反射率が５％程度存在する。そのため、マイクロレンズ上に反射防止膜を形成することで、マイクロレンズの表面における表面反射を抑制するのである。
【０００５】
反射防止膜の形成は、一般的にスピンコート法を用いて行われる。しかし、固体撮像素子は、基板上に複数形成される。そのため、固体撮像素子が形成される基板上には、ダイシングのためのスクライブラインが形成される。このようにスクライブラインが形成された基板上に反射防止膜を形成すると、図９に示すように、反射防止膜１０１の表面に微細な凹凸１０２が発生し、塗布ムラや画像シミが発生してしまう。
【０００６】
このような問題に対し、下記特許文献１には、段差を緩和する段差緩和構造体を、スクライブライン上に障壁部を形成する技術が記載されている。この特許文献１に記載の技術では、まず、図１０に示すように、スクライブライン上に障壁部１０３を形成する。そして、このように障壁部１０３を形成した後に、図１１に示すように、スピンコート法によって反射防止膜１０１を形成する。これにより、反射防止膜形成工程時において、従来に比べて反射防止膜を均一に塗布し、塗布ムラ、画像シミの発生を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７-１５０２６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述した障壁部は、スクライブライン上に形成することになるため、反射防止膜を形成した後に除去する必要がある。しかし、撮像領域に有機膜（カラーフィルタ材やマイクロレンズ材など）が用いられている場合、ドライエッチング法により障壁部の除去を行うと、図１２に示すように、スクライブラインに隣接する側壁１０４までエッチングされてしまう。そのため、ダイシング時の応力集中による膜ハガレや側壁デポ物（側壁付着物）の脱落による異物発生により、歩留まりが低下してしまう。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、ダイシング時の応力集中による膜ハガレや側壁デポ物の脱落を抑制し、歩留まりの低下を抑制することができる固体撮像素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そこで、上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、固体撮像素子の製造方法において、表面にマイクロレンズが形成された撮像領域を含む素子形成領域を区画するスクライブライン上に、前記素子形成領域の側壁との間に所定の間隙設けて障壁部を形成する障壁部形成工程と、前記マイクロレンズ表面及び前記間隙内に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、前記障壁部を除去する障壁部除去工程と、を有することとした。
【００１１】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記障壁部形成工程は、さらに、前記撮像領域の周囲に設けられた凹部底面のパッド領域に、当該凹部の側壁との間に所定の間隙設けて障壁部を形成することした。
【００１２】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記反射防止膜形成工程は、前記障壁部上にも前記反射防止膜を形成し、その後、前記障壁部が露出するまで前記反射防止膜を除去する工程を含むこととした。
【００１３】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項に固体撮像素子の製造方法の発明において、前記間隙の幅を前記間隙の深さに対して０．５倍以上とすることとした。
【００１４】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記マイクロレンズの屈折率より低く、かつ、前記反射防止膜の屈折率より高い屈折率を有する中間屈折率層を、前記マイクロレンズと前記反射防止膜との間に形成する中間屈折率層形成工程を有することとした。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、撮像領域の周囲に設けられたスクライブライン上に、撮像領域と所定の間隙を介して障壁部を形成し、この間隙内にも反射防止膜を形成するようにしたので、障壁部を除去するときに、撮像領域の側壁に対するサイドエッチが抑制される。これにより、ダイシング工程の応力集中により、膜ハガレや側壁デポ物の脱落による異物発生を抑制することができ、歩留まりの低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る複数の固体撮像素子が形成された半導体基板の模式的平面図である。
【図２】図１に示す固体撮像素子の構成を示す模式的断面図である。
【図３Ａ】図１に示す固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図３Ｂ】図１に示す固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図３Ｃ】図１に示す固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図３Ｄ】図１に示す固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図３Ｅ】図１に示す固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図３Ｆ】図１に示す固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図３Ｇ】図１に示す固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図４】間隙の幅と深さの関係を説明するための図である。
【図５】第１変形例に係る固体撮像素子の構成を示す断面図である。
【図６Ａ】第１変形例に係る固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図６Ｂ】第１変形例に係る固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図６Ｃ】第１変形例に係る固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図６Ｄ】第１変形例に係る固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図７】第２変形例に係る固体撮像素子の構成を示す断面図である。
【図８Ａ】第２変形例に係る固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図８Ｂ】第２変形例に係る固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図８Ｃ】第２変形例に係る固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図９】ダイシング前の従来の固体撮像素子の構成を示す断面図である。
【図１０】従来の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図１１】従来の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図１２】従来の固体撮像素子の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態に係る固体撮像素子について、図面を参照して説明する。各図において、同一の構成要素には同一の符号を付してある。なお、説明は以下の順序で行う。また、本実施形態では、本発明を裏面照射型の固体撮像素子に適用した例について説明するが、これには限定されず、例えば、本発明を表面照射型の固体撮像素子に適用することも可能である。
１．固体撮像素子の構成
２．固体撮像素子の製造方法
３．その他の固体撮像素子の構成及び製造方法
【００１８】
〔１．固体撮像素子の構成〕
まず、本実施形態に係る固体撮像素子の構成について説明する。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態に係る固体撮像素子１は、シリコン（Ｓｉ）基板などの支持基板２上に同時に複数形成されるものである。支持基板２上に形成された各固体撮像素子１は、その後、各固体撮像素子１を囲繞する凹部２０（図２参照）の底面であるスクライブライン２１に沿ってダイシングすることによって、それぞれ分離されることになる。
【００２０】
各固体撮像素子１は、素子形成領域１０に形成され、撮像領域１１、周辺回路領域１２、バッド領域であるボンディングパッド１３等から構成される。撮像領域１１は、図示しない複数の受光部がマトリクス状に配列され、各受光部において入射光に応じた信号電荷を生成して蓄積する。なお、受光部は例えばフォトダイオードから構成される。周辺回路領域１２には、図示しない垂直駆動回路、信号処理回路であるカラム回路、水平駆動回路、出力回路およびタイミングジェネレータ（ＴＧ）等の周辺回路が形成され、撮像領域１１に蓄積された信号電荷を画像信号に変換して出力する。
【００２１】
撮像領域１１の周囲には、複数のボンディングパッド１３が形成される。このボンディングパッド１３は、固体撮像素子１を駆動する駆動信号等を入出力するボンディングワイヤを接続するパッドであり、撮像領域１１の周囲に設けられた凹部１４（図２参照）の底面に形成される。
【００２２】
ここで、固体撮像素子１の断面構造について、図２を参照して説明する。同図は、図１に示すＡ−Ａ’線の断面図である。同図に示すように、撮像領域１１は、支持基板２上に、配線層３、受光部や周辺回路が形成された半導体層４、カラーフィルタ５、マイクロレンズ６、反射防止膜７などを順次積層させて形成される。なお、各受光部は、図示しない画素分離領域により電気的に分離されて形成される。また、図示しないが、半導体層４とカラーフィルタ５との間には、例えば、絶縁膜、パッシベーション膜などが積層形成される。
【００２３】
カラーフィルタ５は、例えば、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタがベイヤー配列されて構成される。このカラーフィルタは、例えば、有機系の染料を含有した樹脂により構成される。なお、カラーフィルタ５の配列は、ベイヤー配列以外にも、例えば、ストライプ配列や市松状の配列とすることができる。また、カラーフィルタ５は、原色カラーフィルタ以外にも、例えば、補色カラーフィルタを用いることができる。また、カラーフィルタ５の材料には、例えば、顔料や染料を内添した色素内添型フォトレジストを用いることができる。
【００２４】
マイクロレンズ６は、屈折率が１．６程度の透明樹脂により構成される。このマイクロレンズ６は、例えば、有機系の材料であるアクリル樹脂やポリスチレンなどの透明樹脂により構成される。
【００２５】
反射防止膜７は、例えば、約１．２〜１．４の屈折率を有するフッ素を含有したシロキサン樹脂により構成される。この反射防止膜７をマイクロレンズ６上に配置することでマイクロレンズ６の表面における入射光の表面反射が低減される。
【００２６】
本実施形態に係る固体撮像素子１では、この反射防止膜７を、さらにスクライブライン２１に隣接する素子形成領域１０の側壁８にまで被覆している。これにより、スクライブライン２１のダイシング時の応力集中による膜ハガレや側壁デポ物の脱落による異物発生を抑制して、歩留まりの低下を防止することができる。
【００２７】
すなわち、本実施形態に係る固体撮像素子１では、後述する障壁部１６の形成後に反射防止膜７を形成して反射防止膜７の塗布の均一性を向上させつつも、反射防止膜７を素子形成領域１０の側壁８にまで被覆することで膜ハガレや異物発生を抑制して歩留まりの低下を防止している。
【００２８】
固体撮像素子１は、配線層３の上部に半導体層４を形成した裏面照射型の固体撮像素子であり、図２に示すように、ボンディングパッド１３は、支持基板２表面に配置される。そのため、このボンディングパッド１３を配置するために設けられる凹部１４が深くなり、反射防止膜の表面に微細な凹凸が発生する要因となる。
【００２９】
そこで、本実施形態に係る固体撮像素子１では、後述するように、この反射防止膜７を形成する前に、ボンディングパッド１３上に障壁部１６を形成して、凹部１４の影響を低減し、反射防止膜７の塗布の均一性をさらに向上させている。
【００３０】
なお、本実施形態の固体撮像素子１では、ボンディングパッド１３やスクライブライン２１には、周辺回路領域１２が隣接しているが、一部のボンディングパッド１３やスクライブライン２１に撮像領域１１が隣接するようにした場合でも、同様の効果が得られる。
【００３１】
〔２．固体撮像素子の製造方法〕
次に、本実施形態の特徴部分である固体撮像素子１の製造方法について図３Ａ〜図３Ｇ及び図４を参照して具体的に説明する。
【００３２】
まず、図３Ａに示すように、支持基板２上に配線層３、半導体層４、カラーフィルタ５、マイクロレンズ６などが順次積層された状態のウェハを準備する。このウェハには、複数の素子形成領域１０が設けられており、半導体基板に受光部や回路領域を形成した半導体層４上に配線層３を形成した後、これらを支持基板２で支持することによって形成される。受光部は半導体層４のうち撮像領域１１に形成され、回路領域は半導体層４のうち周辺回路領域１２に形成される。受光部は、ヒ素（Ａｓ）やリン（Ｐ）等のｎ型不純物が導入されてマトリクス状にフォトダイオードが形成されており、各ダイオードは、例えばボロン（Ｂ）等のｐ型不純物を導入した画素分離領域により互いに区画される。また、回路領域では、周辺回路を構成するＭＯＳトランジスタなどが形成される。なお、支持基板２は、シリコン（Ｓｉ）基板により形成されており、その表面には、配線層３の配線に接続されたボンディングパッド１３が形成されている。
【００３３】
次に、図３Ｂに示すように、凹部１４及び凹部２０を形成する領域上に開口Ｈ１を有するレジスト層３０を、ウェハ上、すなわちマイクロレンズ６を含むカラーフィルタ５上にリソグラフィ工程により形成する。
【００３４】
次に、図３Ｃに示すように、レジスト層３０をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法によりスクライブライン２１上及びボンディングパッド１３上をエッチングし、凹部１４及び凹部２０を形成する。これにより、凹部２０の底面にスクライブライン２１が露出し、凹部１４の底面にボンディングパッド１３が露出する。
【００３５】
次に、スクライブライン２１及びボンディングパッド１３上に、障壁部２３，１６を形成する障壁部形成工程を行う。この障壁部形成工程では、図３Ｄに示すように、素子形成領域１０の側壁８及び凹部１４の側壁１５からそれぞれ所定の間隙２４，１７を介した位置に、アクリル系もしくはノボラック系の感光性樹脂からなる障壁部２３，１６を形成する。これにより、スクライブライン２１及びボンディングパッド１３によって生じる高低差が緩和される。
【００３６】
また、障壁部２３，１６は、撮像領域１１のマイクロレンズ６よりも高く形成する。これは、後述する反射防止膜形成工程において、反射防止膜７を各固体撮像素子１のマイクロレンズ６上により均一に塗布し、さらに、間隙２４，１７内に反射防止膜７を充填させやすくするためである。
【００３７】
また、間隙２４，１７の幅は、充填性を損なわない幅、すなわち、反射防止膜７を間隙２４，１７内に充填することができる幅とする。例えば、図４に示すように、間隙２４，１７の幅をＸ、間隙の深さをＹとしたときに、深さＹに対する幅Ｘの割合（幅Ｘ／深さＹのアスペクト比）が０．５以上になるようにする。例えば、１ｕｍの深さＹに対して、０．５ｕｍの幅Ｘとする。なお、間隙２４，１７は、幅Ｘ／深さＹのアスペクト比が大きすぎると、反射防止膜７をマイクロレンズ６上により均一に塗布することができなくなる恐れがある。従って、深さＹに対する幅Ｘの割合は、できるだけ０．５に近いことが好ましい。例えば、０．５〜０．７の範囲にあることが望ましい。
【００３８】
次に、反射防止膜７を形成する反射防止膜形成工程を行う。この反射防止膜形成工程では、図３Ｅに示すように、例えば、スピンコート法を用いて、シロキサン樹脂（フッ素含有）等の反射防止膜材料を、マイクロレンズ６を含むウェハ上に塗布する。これにより、マイクロレンズ６を含む素子形成領域１０及び障壁部２３，１６上、かつ、間隙２４，１７内に反射防止膜７が形成される。その後、図３Ｆに示すように、ドライエッチング法を用いて、障壁部２３，１６が露出するまで反射防止膜７を除去することで、所定の膜厚の反射防止膜７がマイクロレンズ６上に形成される。このように、マイクロレンズ６上に反射防止膜７を形成することで、撮像領域１１が外光を入射する際には、入射光がマイクロレンズ６により反射されることが抑制される。
【００３９】
次に、図３Ｇに示すように、障壁部２３，１６を除去する障壁部除去工程を行う。この障壁部除去工程においては、ドライエッチング法を用い、反射防止膜７と障壁部２３，１６の選択比がとれるエッチング条件（例えば、Ｏ2単ガス）により障壁部２３，１６の除去を行う。このとき、間隙２４内に形成された反射防止膜７は、素子形成領域１０の側壁８を保護する保護膜として機能し、凹部１４の間隙１７内に形成された反射防止膜７は凹部１４の側壁１５を保護する保護膜として機能する。そのため、素子形成領域１０の側壁８及び凹部１４の側壁１５がエッチングされることが抑制される。
【００４０】
上述した工程により、図１に示す状態の固体撮像素子１が形成される。その後、ダイシング工程において、スクライブライン２１に沿ってダイシングが行われて、各固体撮像素子１が互いに分離されて個体化される。このとき、上述のように反射防止膜７により素子形成領域１０の側壁８へのエッチングが抑制されるため、ダイシング時の応力集中による膜ハガレや側壁デポ物の脱落が低減し、歩留まりを向上させることができる。
【００４１】
以上のように、本実施形態に係る固体撮像素子１の製造方法では、反射防止膜７を形成する前にスクライブライン２１上及びボンディングパッド１３上に障壁部２３，１６が形成される。そのため、スクライブライン２１及びボンディングパッド１３によって生じる高低差が緩和され、反射防止膜７を各固体撮像素子１のマイクロレンズ６上により均一に塗布することができる。
【００４２】
しかも、素子形成領域１０の側壁８及び凹部１４の側壁１５からそれぞれ所定の間隙２４，１７を介した位置に障壁部２３，１６を形成し、間隙２４，１７に反射防止膜７を充填する。これにより、素子形成領域１０の側壁８及び凹部１４の間隙２４，１７が反射防止膜７により保護され、エッチングされることが抑制される。その結果、ダイシング時の応力集中による膜ハガレや側壁デポ物の脱落が低減し、歩留まりを向上させることができる。
【００４３】
［３．その他の固体撮像素子の構成及び製造方法］
以下、本実施の形態の変形例について説明する。
【００４４】
（第１変形例）
本第１変形例は、マイクロレンズ６と反射防止膜７との間に中間屈折率膜９を形成し、マイクロレンズ６の表面における入射光の反射をさらに低減するようにしたものである。なお、上述した実施形態と重複する箇所については、同一の符号を付し説明を省略する。
【００４５】
図５は、本第１変形例に係る固体撮像素子１’の断面構造を模式的に示した図である。同図に示すように、固体撮像素子１’は、マイクロレンズ６と反射防止膜７との間に、中間屈折率膜９を有している。この中間屈折率膜９はさらに、素子形成領域１０の側壁８及び凹部１４の側壁１５を覆っている。
【００４６】
中間屈折率膜９は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等の酸化膜により形成されている。この中間屈折率膜９は、マイクロレンズ６の屈折率よりも低く、かつ、反射防止膜７の屈折率よりも高い屈折率を有している。このような中間屈折率膜９を、マイクロレンズ６と反射防止膜７との間に形成することで、マイクロレンズ６の表面における入射光の表面反射が抑制される。
【００４７】
また、中間屈折率膜９を酸化膜により形成しているため、カラーフィルタ５が染料を含有した樹脂膜で形成される場合には、カラーフィルタ５を保護する保護膜としても機能する。すなわち、中間屈折率膜９がない場合には、カラーフィルタ５に含有されている染料の色素自体が励起して酸素と反応し、或いは色素からのエネルギー移動で励起した酸素分子が色素を酸化して、カラーフィルタ５の耐光性が低下する。そこで、カラーフィルタ５上に酸素遮断膜として機能させる中間屈折率膜９を形成することで、カラーフィルタ５の耐光性を向上している。
【００４８】
次に、図６Ａ〜図６Ｄを参照して上記固体撮像素子１’の製造方法について説明する。なお、固体撮像素子１’も固体撮像素子１と同様に、上述した図３Ａ〜図３Ｃに示す工程を行っており、以下においては、その後の工程について説明する。
【００４９】
まず、マイクロレンズ６上、素子形成領域１０の側壁８及び凹部１４の側壁１５に、中間屈折率膜９を形成する工程を行う。この工程は、図６Ａに示すように、例えば、ＣＶＤ法を用いてウェハ上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等の酸化膜を堆積させた後、図６Ｂに示すように、フォトリソグラフィ法を用いて、スクライブライン２１上及びボンディングパッド１３上の酸化膜を除去することによって行う。
【００５０】
次に、スクライブライン２１及びボンディングパッド１３上に、障壁部２３，１６を形成する障壁部形成工程を行う。この障壁部形成工程は、図３Ｄに示す工程と同様であり、図６Ｃに示すように、酸化膜が形成された素子形成領域１０の側壁８’及び凹部１４の側壁１５’からそれぞれ所定の間隙２４，１７を介した位置に、障壁部２３，１６を形成する。これにより、スクライブライン２１及びボンディングパッド１３によって生じる高低差が緩和される。間隙の深さＹに対する幅Ｘの割合は、固体撮像素子１の場合と同様である。
【００５１】
次に、図６Ｄに示すように、反射防止膜７を形成する工程を行う。この工程は、上述した図３Ｅに示す工程と同様の工程であるため説明を省略する。その後、図３Ｆに示す工程と同様に、ドライエッチング法により反射防止膜７を障壁部２３，１６の高さまで除去し、さらに、図３Ｇに示す工程と同様に、障壁部２３，１６を除去して、図５に示す状態にする。
【００５２】
以上のように、本変形例に係る固体撮像素子１’では、カラーフィルタ５上に酸素遮断膜として機能させる中間屈折率膜９を形成するようにしているため、カラーフィルタ５の耐光性を向上することができる。この中間屈折率膜９は、さらに側壁８，１５を覆うように形成するため、カラーフィルタ５全体を被覆することが可能となり、カラーフィルタ５の耐光性をより向上させることができる。
【００５３】
（第２変形例）
本第２変形例は、上述した第１変形例に係る固体撮像素子１’と同様に、マイクロレンズ６と反射防止膜７との間に中間屈折率膜９を形成し、マイクロレンズ６の表面における入射光の表面反射をさらに低減するようにしたものである。なお、第１変形例を含む上述の実施形態と重複する箇所については、同一の符号を付し説明を省略する。
【００５４】
図７は、本第２変形例に係る固体撮像素子１”の断面構造を模式的に示した図である。この固体撮像素子１”は、固体撮像素子１’と同様に、マイクロレンズ６と反射防止膜７との間に、中間屈折率膜９を有している。この中間屈折率膜９はさらに、素子形成領域１０の側壁８及び凹部１４の側壁１５を覆っている。
【００５５】
図８Ａ〜図８Ｃを参照して上記固体撮像素子１”の製造方法について説明する。なお、固体撮像素子１”も固体撮像素子１と同様に、上述した図３Ａ〜図３Ｃに示す工程を行っており、以下においては、その後の工程について説明する。
【００５６】
まず、図３Ｃに示す状態のウェハ上に中間屈折率膜９を形成する工程を行う。この工程は、図８Ａに示すように、例えば、ＣＶＤ法を用いてウェハ上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等の酸化膜を堆積させることによって行う。
【００５７】
次に、中間屈折率膜９が形成されたスクライブライン２１及びボンディングパッド１３に、障壁部２３，１６を形成する障壁部形成工程を行う。この障壁部形成工程は、図３Ｄに示す工程と同様であり、図８Ｂに示すように、素子形成領域１０の側壁２３’及び凹部１４の側壁１５’からそれぞれ所定の間隙２４，１７を介した位置に、障壁部２３，１６を形成する。これにより、スクライブライン２１及びボンディングパッド１３によって生じる高低差が緩和される。間隙の深さＹに対する幅Ｘの割合は、固体撮像素子１の場合と同様である。
【００５８】
次に、図８Ｃに示すように、反射防止膜７を形成する工程を行う。この工程は、上述した図３Ｅに示す工程と同様の工程であるため説明を省略する。その後、図３Ｆに示す工程と同様に、ドライエッチング法により反射防止膜７を障壁部２３，１６の高さまで除去する。さらに、図３Ｇに示す工程と同様に、障壁部２３，１６を除去し、障壁部２３，１６の直下にある反射防止膜７を除去して、図７に示す状態にする。
【００５９】
本第２変形例に係る固体撮像素子１”では、固体撮像素子１’と同様に、カラーフィルタ５の耐光性を向上することができる。しかも、選択比がとれるエッチング条件とすることで、障壁部２３，１６と同時に障壁部２３，１６の直下にある反射防止膜７も除去することができるため、工程数を削減することができる。
【００６０】
以上、本実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６１】
１，１’，１”  固体撮像素子
２  支持基板
３  配線層
４  半導体層
５  カラーフィルタ
６  マイクロレンズ
７  反射防止膜
８，１５  側壁
９  中間屈折率膜
１０  素子形成領域
１１  撮像領域
１２  周辺回路領域
１３  ボンディングパッド（パッド）
１４，２０  凹部
１６，２３  障壁部
１７，２４  間隙
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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