(57)【要約】【課題】ウエハ上におけるフレアや３Ｄ効果による影響を無くすことができ、ウエハ上の露光量を精度良く検出する。【解決手段】ＥＵＶ光でマスク上のパターンをウエハ上に転写したときの露光量をモニタするための露光量モニタ方法であって、露光量に応じてウエハ上に転写されるパターンの寸法が変化するモニタパターンを有する反射型マスクを用い、ＥＵＶ光の照射によりマスク上のモニタパターンをウエハ上に転写し（Ｓ１）、ウエハ上に転写されたモニタパターンの線幅を実測し（Ｓ２）、マスク上でのＥＵＶ光の入射角度に応じたウエハ上でのモニタパターンの線幅を予め計算しておき（Ｓ３）、実測されたモニタパターンの線幅を計算された入射角度に応じた線幅に基づいて補正し（Ｓ４）、補正された線幅からウエハ上のモニタパターンの露光量を求める（Ｓ５）。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光量に応じてウエハ上に転写されるパターンの寸法が変化するモニタパターンを有する反射型マスクを用い、ＥＵＶ光の照射によりマスク上のモニタパターンをウエハ上に転写する工程と、
前記ウエハ上に転写されたモニタパターンの線幅を実測する工程と、
前記マスクの反射領域面積及び前記モニタパターンの配置方向に応じて前記ウエハ上に生じるフレア強度分布を計算する工程と、
前記実測された前記モニタパターンの線幅を前記計算されたフレア強度分布に基づいて補正する工程と、
前記補正された線幅から前記ウエハ上のモニタパターンでの露光量を求める工程と、
を含むことを特徴とする露光量モニタ方法。
【請求項２】
露光量に応じてウエハ上に転写されるパターンの寸法が変化するモニタパターンを有する反射型マスクを用い、ＥＵＶ光の照射によりマスク上のモニタパターンをウエハ上に転写する工程と、
前記ウエハ上に転写されたモニタパターンの線幅を実測する工程と、
前記マスク上での前記ＥＵＶ光の入射角度に応じた前記ウエハ上でのモニタパターンの線幅を予め計算する工程と、
前記実測された前記モニタパターンの線幅を前記計算された入射角度に応じた線幅に基づいて補正する工程と、
前記補正された線幅から前記ウエハ上のモニタパターンの露光量を求める工程と、
を含むことを特徴とする露光量モニタ方法。
【請求項３】
前記モニタパターンを前記マスク上の複数箇所に設けておき、前記ウエハ上に転写される複数のモニタパターンでの露光量を求めることにより、前記ウエハ上の露光量分布を求めることを特徴とする請求項１又は２に記載の露光量モニタ方法。
【請求項４】
前記モニタパターンは、幅の異なるラインパターンが、露光に用いるＥＵＶ光の照明条件で解像しない一定ピッチで一方向に沿って配置され、且つＥＵＶ光に対する反射の光学強度が中心位置に関して対照的に外側で小さくなるように配置されていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の露光量モニタ方法。
【請求項５】
前記モニタパターンは、一方向に沿った第１群と、一方向とは直交する方向に沿った第２群を有することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の露光量モニタ方法。
【請求項６】
露光量に応じてウエハ上に転写されるパターンの寸法が変化するモニタパターンを有する反射型の露光量モニタ用マスクを作製する方法であって、
ＥＵＶ光を反射する基板上にＥＵＶ光を吸収する吸収体からなるモニタパターンを複数箇所に配置し、且つＥＵＶ光の照射により前記モニタパターンを転写する際の前記マスク上での前記ＥＵＶ光の入射角度に対して、各々のモニタパターンが同じ角度となるように配置することを特徴とする露光量モニタ用マスクの作製方法。
【請求項７】
前記モニタパターンを電子ビーム描画により前記基板上に描画し、且つ前記基板上に前記モニタパターンを描画する際に、前記モニタパターン形状に開口したステンシルマスクを用い、描画位置に応じて該ステンシルマスクを回転させることを特徴とする請求項６記載の露光量モニタ用マスクの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶ光でマスク上のパターンをウエハ上に転写したときの露光量をモニタするための露光量モニタ方法、及びこの方法に用いる露光量モニタ用マスクの作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化に伴い、回路パターンの線幅は益々縮小化している。このような縮小化要求に対してリソグラフィ技術では、レジストの露光に用いる光の波長をより短波長にすることで対応している。パターン幅３０ｎｍ以下の世代からは、極短紫外光（ＥＵＶ：Extreme Ultra Violet）と呼ばれる１３．５ｎｍを中心とした波長領域の露光光を用いることが検討されている。ＥＵＶ光を用いれば、従来は達成できなかったパターン幅，パターンピッチの縮小化にも対応可能と考えられている。
【０００３】
微細パターン露光においては、露光量のきめ細かな監視及び調整が必須である。電子顕微鏡を用いた露光後寸法測定による監視よりも簡易な露光量監視方法として、投影レンズによる結像時に像の大きさが露光量に応じて変化する光強度分布を作り出し、その像が転写されたレジストパターンサイズをＣＣＤ画像により測長する手法が用いられてきた（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかし、ＥＵＶ露光においては、使用波長の短さや多層膜ミラーを用いた光学系構造により、従来のエキシマレーザー露光よりも露光フレアの影響が大きくなることが実証されている。そのため、露光量モニタ用マスクを用いて結像したパターンは、露光光強度のみを反映した寸法ではなく、フレア影響が加味された寸法として測定される。さらに、ＥＵＶ露光で用いられる反射型マスクでは、マスク３Ｄ効果の影響が大きく、モニタパターンもマスク３Ｄ効果の影響を受け、同じ露光量が照射されていてもスリット内で異なる寸法として測定されてしまう問題がある。
【０００５】
上記の理由から、ＥＵＶ露光においてはウエハ上の露光量を精度良く検出することは困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３０３７８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、フレアや３Ｄ効果による影響を無くし、ウエハ上の露光量を精度良く検出することができる露光量モニタ方法及びこの方法に用いる露光量モニタ用マスクの作製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係わる露光量モニタ方法は、露光量に応じてウエハ上に転写されるパターンの寸法が変化するモニタパターンを有する反射型マスクを用い、ＥＵＶ光の照射によりマスク上のモニタパターンをウエハ上に転写する工程と、前記ウエハ上に転写されたモニタパターンの線幅を実測する工程と、前記マスクの反射領域面積及び前記モニタパターンの配置方向に応じて前記ウエハ上に生じるフレア強度分布を計算する工程と、前記実測された前記モニタパターンの線幅を前記計算されたフレア強度分布に基づいて補正する工程と、前記補正された線幅から前記ウエハ上のモニタパターンでの露光量を求める工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の別の一態様に係わる露光量モニタ方法は、露光量に応じてウエハ上に転写されるパターンの寸法が変化するモニタパターンを有する反射型マスクを用い、ＥＵＶ光の照射によりマスク上のモニタパターンをウエハ上に転写する工程と、前記ウエハ上に転写されたモニタパターンの線幅を実測する工程と、前記マスク上での前記ＥＵＶ光の入射角度に応じた前記ウエハ上でのモニタパターンの線幅を予め計算する工程と、前記実測された前記モニタパターンの線幅を前記計算された入射角度に応じた線幅に基づいて補正する工程と、前記補正された線幅から前記ウエハ上のモニタパターンの露光量を求める工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ウエハ上におけるフレアや３Ｄ効果による影響を無くすことができ、ウエハ上の露光量を精度良く検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に用いられる露光量モニタパターンの形状と検出原理を説明するための図。
【図２】マスクパターンに対するＥＵＶ露光光の入射イメージを示す図。
【図３】露光ショットに対する露光スリットの位置関係、及び転写パターン寸法のスリット内位置依存を示す図（水平パターン）。
【図４】露光ショットに対する露光スリットの位置関係、及び転写パターン寸法のスリット内位置依存を示す図（垂直パターン）。
【図５】スリット内各位置における露光量モニタパターン配置とウエハ上寸法の計算結果を示す図。
【図６】第１の実施形態に係わる露光量モニタ方法を説明するためのフローチャート。
【図７】マスク上のモニタパターンの配置例を示す図。
【図８】第１の実施形態で使用された補正前モニタパターン寸法と、補正に用いられたシミュレーション結果と、補正後モニタパターン寸法を示す図。
【図９】第２の実施形態で用いられるスリット内露光量モニタパターン配置と露光量モニタパターン寸法分布を示す図。
【図１０】第３の実施形態に係わる露光モニタ方法を説明するためのフローチャート。
【図１１】第３の実施形態で露光したチップのマスクデータからパターン密度を計算した結果を示す図。
【図１２】パターン密度分布からフレア強度分布を計算した結果を示す図。
【図１３】図１１，１２の (1)〜(12)の位置に配置された露光量モニタパターンを用いて露光量を測定した結果を示す図。
【図１４】図１３で測定された露光量から、図１２で計算されたフレア強度分布で予測される露光量かさ上げ分を差し引き補正した結果を示す図。
【図１５】第４の実施形態を説明するためのもので、露光量モニタパターンを用いて測定したショット内露光量分布を示す図。
【図１６】図１５の状態で露光した際の露光スリット形状とショット内でのスリットの動きを表した図。
【図１７】図１５で測定された結果を元に調整されたスリット形状を示す図。
【図１８】図１７のスリットを用いて露光した結果のショット内露光量分布を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
まず、実施形態を説明する前に、本発明の基本原理について説明する。
【００１３】
露光量モニタの原理は、露光量に応じてウエハ上の寸法が変化するモニタパターンをマスクに形成しておき、このモニタパターンをウエハ上に転写する。そして、ウエハ上に形成されたモニタパターンの寸法を検出することにより露光量をモニタするというものである。
【００１４】
モニタパターンは、幅の異なるラインパターンを、露光に用いるＥＵＶ光の照明条件で解像しない一定ピッチで一方向に沿って配置し、且つＥＵＶ光に対する反射の光学強度が中心位置に関して対照的に外側で小さくなるように配置したものである。より具体的には、多層膜からなる反射型のマスク基板上に光吸収体からなるパターンを一方向に沿って一定ピッチで配置する。光吸収体からなるパターンは、一方向と直交する方向に長い矩形パターンとする。さらに、矩形状のパターンは、中心部の所定距離を除いて配置され、中心部から離れるに従って幅が徐々に広くなっている。
【００１５】
ここで、中心部を除く矩形状のパターンのピッチＰは、測定対象となる露光機の使用波長λ、開口数ＮＡ、絞り量σから、
Ｐ≦λ／ＮＡ（１＋σ）…（１）
として決定される。このピッチ以下のパターンでは、図１に示すように、マスク１１からの回折光が投影レンズ１２の瞳の外に出るため、ウエハ１３上には０次光のみが到達することとなる。その結果として、フォーカスの影響を受けず、露光光の強度のみを測定することができる。
【００１６】
しかしながら、ＥＵＶ露光においては、使用波長の短さや多層膜ミラーを用いた光学系構造により、エキシマレーザー露光よりも露光フレアの影響が大きくなることが実証されている。そのため、露光量モニタ用マスクを用いて結像したパターンは、露光光強度のみを反映した寸法ではなく、フレアの影響が加味された寸法として測定される。
【００１７】
さらに、ＥＵＶ露光で用いられる反射型マスクでは、マスク３Ｄ効果の影響が大きい。一つには、図２（ａ）（ｂ）に示すように、マスクパターン方向に対するＥＵＶ光入射方向、及びマスクに対して斜めに入射することによるシャドーウイング（Shadowing）効果がある。なお、図２中の２１は多層膜構造からなるマスク基板、２２はマスクパターンである。ＥＵＶ露光では更に点光源であるため、露光領域の位置に対応してシャドーウイング効果の影響度合いが異なる。
【００１８】
ＥＵＶ露光では、円弧型の露光領域（スリット）をショット長手方向にスキャンしてショット全体を露光する仕組みになっているが、スリットに沿ってシャドーウイング効果が異なり、結果としてスリット方向の寸法分布が発生してしまう。即ち、図３（ａ）に示すように、ショットに対して水平なパターン３１に対しては、図３（ｂ）に示すように、入射角度が大きくなるとＣＤ値が小さくなってしまう。さらに、図４（ａ）に示すように、ショットに対して垂直なパターン４１に対しては、図４（ｂ）に示すように、入射角度が大きくなるとＣＤ値が大きくなってしまう。なお、図中の３２，４２はＥＵＶ光、３３，４３は露光スリットを示している。
【００１９】
また、露光モニタパターンもマスク３Ｄ効果の影響を受け、同じ露光量が照射されていてもスリット内で異なる寸法として測定されてしまう。即ち、図５（ａ）に示すように、モニタパターンが水平パターンか垂直パターンかによりマスク３Ｄ効果の影響が異なり、図５（ｂ）に示すように、ＥＵＶ入射角度が０に対し、平行パターンはモニタパターン寸法が小さくなり、垂直パターンはモニタ寸法が大きくなる。なお、図中の５１ａはショットに対して平行なモニタパターン、５１ｂはショットに対して垂直なモニタパターン、５２はＥＵＶ光、５３は露光スリットを示している。
【００２０】
そこで以下の実施形態では、フレア及びマスク３Ｄ効果の影響を予め求めて差し引くことで、露光光強度のみを測定する方法を提案する。また、マスク３Ｄ効果の影響を受けない露光モニタパターンのマスク内配置も併せて提案する。以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
図６は、本発明の第１の実施形態に係わる露光量モニタ方法を説明するためのフローチャートである。
【００２２】
まず、露光量モニタ用マスクにＥＵＶ光を照射し、その反射光を投影レンズ等を介してウエハ上に導くと共に結像させることにより、ウエハ上のレジストにモニタパターンを転写する（ステップＳ１）。ここで、露光量モニタ用マスクには、図７に示すように、例えばウエハ上の１チップに相当する大きさのマスク基板６１内の複数箇所にそれぞれモニタパターン６２が形成されている。モニタパターン６２は、前記図１に示すように、一方向に沿って幅の異なるラインパターンを同一ピッチで配置したものである。
【００２３】
次いで、露光されたウエハに対し、現像処理を施してレジストパターンを形成した後、ＣＣＤ等の撮像装置を用いてレジストパターン（ウエハ上のモニタパターン）の寸法を検出する（ステップＳ２）。これにより、図８（ａ）に示す特性が得られる。即ち、ＥＵＶ入射角度に応じたモニタパターン寸法（線幅）が得られる。
【００２４】
一方、マスク上でのＥＵＶ光の入射角度に応じたウエハ上でのモニタパターンの線幅を予め計算する（ステップＳ３）。これにより、図８（ｂ）に示す特性が得られる。図８（ｂ）は、シミュレーションにより求めたスリット内位置に応じた露光モニタ寸法であり、マスク３Ｄ効果による影響を含むためにスリット内位置に依存して寸法が変化している。そして、この結果をテーブル化し、補正データとする。
【００２５】
次いで、Ｓ２で実測されたモニタパターンの線幅を、Ｓ３で求めた補正データを基に補正する（ステップＳ４）。これにより、図８（ｃ）に示す特性が得られる。即ち、マスク３Ｄ効果の影響を補正したモニタパターン寸法が得られる。
【００２６】
次いで、Ｓ４で補正された線幅からウエハ上の露光量分布を計算する（ステップＳ５）。ここで、線幅と露光量との関係を予め求めてテーブル化しておけば、線幅から露光量を求めることができ、複数箇所のモニタパターンの線幅から露光量分布を求めることができる。
【００２７】
このように本実施形態によれば、スリット内各位置でマスク３Ｄ効果による寸法差を予め求めておき、実測線幅に対して補正を行うことにより、スリットに沿った各位置での露光光強度のみに応じたモニタ寸法を正確に測定することができる。従って、マスク３Ｄ効果による影響を排除してウエハ上の露光量分布を正確に測定することができる。
【００２８】
（第２の実施形態）
本実施形態では、モニタパターンの実測寸法を補正する代わりに、モニタパターンの配置を工夫している。
【００２９】
図９（ａ）は本実施形態で用いられるスリット内露光量モニタパターン配置を示し、図９（ｂ）は露光量モニタパターン寸法分布を示している。なお、図中の９１ａはショットに対して平行なモニタパターン、９１ｂはショットに対して垂直なモニタパターン、９２はＥＵＶ光、９３は露光スリットである。
【００３０】
従来、露光量モニタパターンは、前記図５（ａ）に示すように、マスク座標軸に対して水平又は垂直に配置されている。この場合、点光源から入射したＥＵＶ光はマスク上の露光量モニタパターンに対し、スリット位置に応じて異なる角度で入射することになる。その結果、スリット内の位置毎に露光量モニタパターンに対する入射光角度が異なり、反映されるウエハ上でのパターン寸法が前記図５（ｂ）のグラフのように分布する。
【００３１】
この分布を改善するために本実施形態では、図９（ａ）のようにスリット内の各位置でのＥＵＶ光入射角度に応じた角度にパターンを回転させて配置した。この場合、露光量モニタパターン内のパターン方向に対するＥＵＶ光の入射光はスリット内を通じて一定となる。このため、図９（ｂ）に示すように、同一の露光量に対してはスリット内位置に拘わらず、ウエハ上で同一の寸法を返すことができる。
【００３２】
マスクにモニタパターンを作製する際には、一般に電子ビーム描画装置を用いるが、本実施形態では、電子ビーム描画装置を用いてマスク上にモニタパターンを描画する際に、モニタパターンの方向をＥＵＶ光の照射方向に合わせた。具体的には、ＥＵＶ光の照射によりモニタパターンをウエハ上に転写する際のマスク上でのＥＵＶ光の入射角度に対し、全てのモニタパターンが同じ角度（例えば、パターン配置位置に対するスリット方向に対して平行又は垂直）となるように配置する。
【００３３】
ＥＵＶ入射角度に応じてモニタパターンを回転させるには、モニタパターン形状に開口したステンシルマスクを作製し、描画位置に応じてこのステンシルマスクを回転させるようにしても良いし、モニタパターンの描画データに回転情報を付与しても良い。
【００３４】
このように本実施形態によれば、露光モニタパターンをスリット内位置に応じたＥＵＶ光入射方向に合わせ回転させて配置することにより、スリットに沿った各位置での露光光強度のみに応じたモニタ寸法を正しく測定することができた。従って、先の第１の実施形態と同様に、ウエハ上の露光量分布を正確に測定することができる。
【００３５】
（第３の実施形態）
図１０は、本発明の第３の実施形態に係わる露光量モニタ方法を説明するためのフローチャートである。
【００３６】
まず、第１の実施形態と同様に、露光量モニタ用マスクにＥＵＶ光を照射し、その反射光をレンズ等を介してウエハ上に導くと共に結像させることにより、ウエハ上にモニタパターンを転写する（ステップＳ１）。ここで、露光量モニタ用マスクは、第１の実施形態と同様に、複数箇所にモニタパターンを配置したものである。
【００３７】
次いで、露光されたウエハに対し、現像処理を施してレジストパターンを形成した後、ＣＣＤ等の撮像装置を用いてモニタパターンの寸法を検出する（ステップＳ２）。
【００３８】
一方、マスクの反射領域面積及びモニタパターンの配置方向に応じてウエハ上に生じるフレア強度分布を計算する（ステップＳ３）。そして、この結果をテーブル化し、補正データとする。
【００３９】
次いで、実測されたモニタパターンの線幅を予め計算されたフレア強度分布で補正する（ステップＳ４）。これにより、露光フレアの影響を無くしたモニタパターン寸法が得られる。
【００４０】
次いで、補正された線幅からウエハ上の露光量分布を計算する（ステップＳ５）。線幅と露光量との関係を予め求めてテーブル化しておけば、線幅から露光量を求めることができ、更に複数箇所のモニタパターンの線幅から露光量分布を求めることができる。
【００４１】
ここで、本実施形態におけるフレア強度分布の計算は、次のようにして行った。
【００４２】
本実施形態で露光したチップのマスクデータからパターン密度を計算した結果を、図１１に示す。マスクでの反射部領域の密度分布を５％刻みで表している。パターン密度の大きな領域ほどウエハ上でＥＵＶ光が多く当たる領域である。このパターン密度分布からフレア強度分布を計算した結果が、図１２である。パターン密度が高く、照射光が多い領域ではフレア強度が高く、５％近くのフレアが発生することになる。
【００４３】
図１１及び図１２の (1)〜(12)の位置に配置された露光量モニタパターンを用いて露光量を測定した結果を、図１３に示す。これは、図１２で計算されたフレアの影響を受けた結果の露光量であり、装置の実効露光量分布ではない。そこで、図１３で測定された露光量から、図１２で計算されたフレア強度分布で予測される露光量かさ上げ分を差し引き補正した。結果を、図１４に示す。図１４で表された露光量分布が、フレアに影響されていない装置の実効的露光量である。
【００４４】
このように本実施形態によれば、周辺パターンによってモニタパターンに与えられるフレアによる寸法差を予め求めておき、実測値に対して補正を行うことにより、露光フレアの影響を加味したモニタ寸法を正確に測定することができる。従って、先の実施形態と同様に、ウエハ上の露光量分布を正確に測定することができる。
【００４５】
（第４の実施形態）
本実施形態では、先の第１〜第３の実施形態で測定されたウエハ上の露光量分布に基づき、露光量分布を均一化する方法について説明する。
【００４６】
第１〜第３の実施形態で用いられた露光量モニタ方法でショット内全面の露光量分布を測定した結果が、図１５のようになったとする。ショット内の中央で最も露光量が高く、左右の端部では低く観測されている。これは、露光装置のスリット内露光量分布が不均一なためである。
【００４７】
露光装置のスリットのイメージを図１６（ａ）に、スリットがショット内をスキャンしてショット全体を露光するイメージを図１６（ｂ）に示す。図中の１６２はＥＵＶ光、１６３は露光スリットである。スリット中央部の露光量が端部に比べて高い分布を持っているため、スキャン後の露光量分布が図１５のように不均一になってしまったと考えられる。
【００４８】
そこで、図１５で測定された露光量分布を元に、スリット形状を図１７のように機械的に変形させて露光を行った。図１５で測定されたように露光量の高い部分を形成するスリット１７３の幅を狭め、スキャンしたときに積算される露光量を少なくすることが狙いである。
【００４９】
図１７のように、図１５の測定露光量分布を元に中央部の幅を狭めたスリット１７３を用いて露光し、露光量分布を再度測定した結果が、図１８である。図１８から分かるように、図１５に比べると露光量分布の差が極めて小さくなっている。即ち、ショット内の露光量の均一性を向上させることができた。
【００５０】
このように本実施形態においては、第１〜第３の実施形態の露光量モニタ方法を用いて測定した露光量分布を元に露光装置のスリット形状を補正することにより、ショット内の露光量均一性を向上させることができる。従って、この露光装置を用いた転写パターンの寸法精度向上に寄与することができる。
【００５１】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。露光量モニタ用マスクの構造は前記図１及び図２に示す構造に何ら限定されるものではなく、露光量に応じてウエハ上に転写されるパターンの寸法が変化する構造であればよい。さらに、ウエハ上のモニタパターンを実測するにはＣＤＤ撮像装置に限るものではなく、ウエハ上のモニタパターンの寸法を測定できるものであればよい。
【００５２】
また、実施形態ではフレアの補正、マスク３Ｄ効果の補正等、を独立して行ったが、これらを組み合わせて行うようにしても良い。つまり、各実施形態を効果的に組み合わせて用いることも可能である。
【００５３】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１１…マスク
１２…投影レンズ
１３…ウエハ
２１，６１…マスク基板
２２…マスクパターン
３１…水平パターン
３２，４２，５２，９２，１６２…ＥＵＶ光
３３，４３，５３，９３，１６３，１７３…露光スリット
４１…垂直パターン
５１ａ，５１ｂ，６２，９１ａ，９１ｂ…モニタパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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