(57)【要約】【課題】動作信頼性の高い素子基板、素子基板の製造方法、素子基板の製造装置及び表示装置を提供すること。【解決手段】基板と、当該基板上に設けられ、互いのゲート幅が同一方向に揃うように形成された複数のトランジスタ素子とを備える。【選択図】図３
2011129910.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、互いのゲート幅が同一方向に揃うように形成された複数のトランジスタ素子と
を備える素子基板。
【請求項２】
前記基板は、矩形に形成され、
前記ゲート幅は、前記基板の一辺に平行に形成される
請求項１に記載の素子基板。
【請求項３】
前記基板は、長手方向及び短手方向を有し、
前記ゲート幅は、前記長手方向及び前記短手方向のうちいずれか一方に平行に形成される
請求項２に記載の素子基板。
【請求項４】
前記ゲート幅は、前記基板の伸縮に応じて形成される
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の素子基板。
【請求項５】
前記複数のトランジスタ素子の全部又は一部は、同一直線上に沿って配置されている
請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の素子基板。
【請求項６】
少なくとも２つの前記トランジスタ素子に跨って形成される半導体層を備える
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の素子基板。
【請求項７】
少なくとも２つの前記トランジスタ素子のうち、一方の前記トランジスタ素子は前記ゲート幅を規定する第１のソースドレイン電極層と第１のゲート電極層と半導体層とを有し、他方の前記トランジスタ素子は前記ゲート幅を規定する第２のソースドレイン電極層と第２のゲート電極層と前記半導体層とを有する
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の素子基板。
【請求項８】
前記複数のトランジスタ素子は、前記基板上のマトリクス状に区画された各領域にそれぞれ設けられている
請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の素子基板。
【請求項９】
前記複数のトランジスタ素子は、前記各領域で同一のパターンとなるように配置されている
請求項８に記載の素子基板。
【請求項１０】
前記複数のトランジスタ素子は、前記基板上のマトリクス状に区画された各領域のうち、少なくとも１つの該領域に設けられている
請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の素子基板。
【請求項１１】
前記ゲート幅は、搬送方向又は該搬送方向と交差する方向に形成されている
請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載の素子基板。
【請求項１２】
基板上に、複数のトランジスタ素子を形成する素子形成工程を有し、
前記素子形成工程は、前記複数のトランジスタ素子のゲート幅を互いに同一方向に形成することを含む
素子基板の製造方法。
【請求項１３】
前記素子形成工程は、
前記基板を一方向に搬送することと、
前記ゲート幅を前記一方向に交差する方向に形成することと、を含む
請求項１２に記載の素子基板の製造方法。
【請求項１４】
前記素子形成工程は、前記基板の位置合わせを行うことを含み、
前記基板の位置合わせは、前記基板上に形成された前記複数のトランジスタ素子のうち少なくとも一部を基準位置として用いる
請求項１２又は請求項１３に記載の素子基板の製造方法。
【請求項１５】
前記素子形成工程は、少なくとも２つの前記トランジスタ素子を同一直線上に形成することを含む
請求項１２から請求項１４のうちいずれか一項に記載の素子基板の製造方法。
【請求項１６】
前記素子形成工程は、前記基板の伸縮に応じて、前記ゲート幅を形成することを含む
請求項１２から請求項１５のうちいずれか一項に記載の素子基板の製造方法。
【請求項１７】
前記同一方向は、前記基板を予め所定方向に延伸させた方向、又は該所定方向と交差する方向である
請求項１２から請求項１６のうちいずれか一項に記載の素子基板の製造方法。
【請求項１８】
基板を搬送方向に搬送する搬送部と、
互いのゲート幅が同一方向に揃うように複数のトランジスタ素子を前記基板上に形成する素子形成部と、を備える
素子基板の製造装置。
【請求項１９】
前記同一方向は、前記搬送方向又は前記搬送方向と交差する方向である
請求項１８に記載の素子基板の製造装置。
【請求項２０】
前記素子形成部は、少なくとも２つの前記トランジスタ素子を同一直線上に形成する
請求項１８又は請求項１９に記載の素子基板の製造装置。
【請求項２１】
請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の素子基板を製造するための素子形成部を備える
素子基板の製造装置。
【請求項２２】
前記素子形成部は、前記基板の伸縮に応じて、前記ゲート幅を形成する
請求項１８から請求項２１のうちいずれか一項に記載の素子基板の製造装置。
【請求項２３】
複数のトランジスタ素子が形成された素子基板と、
前記素子基板上に設けられ、前記複数のトランジスタ素子に接続された表示素子と
を備え、
前記素子基板として、請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の素子基板が用いられる
表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板、素子基板の製造方法、素子基板の製造装置及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ装置などの表示装置を構成する表示素子として、例えば液晶表示素子、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子、電子ペーパに用いられる電気泳動素子などが知られている。現在、これらの表示素子として、基板表面に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）のようなトランジスタ素子を形成した後、その上にそれぞれの表示デバイスを形成する能動的素子（アクティブデバイス）が主流となってきている。薄膜トランジスタの構成として、例えばソース電極とドレイン電極との間にゲート幅と呼ばれる隙間を形成する構成が知られている。上記のような表示素子を駆動する場合、複数の薄膜トランジスタを用いる構成が知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−９２７８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、トランジスタ素子を用いる素子基板の能力を向上させるため、ゲート幅の管理が重要であると指摘されている。例えば複数の薄膜トランジスタを用いる場合、複数の薄膜トランジスタ同士の間でゲート幅を管理することになる。この場合、動作信頼性など、薄膜トランジスタ及び表示素子の特性を確保しつつゲート幅を管理する必要がある。
【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明は、動作信頼性の高い素子基板、素子基板の製造方法、素子基板の製造装置及び表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、基板と、当該基板上に設けられ、互いのゲート幅が同一方向に揃うように形成された複数のトランジスタ素子とを備える素子基板が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、基板上に、複数のトランジスタ素子を形成する素子形成工程を有し、当該素子形成工程は、複数のトランジスタ素子のゲート幅を互いに同一方向に形成することを含む素子基板の製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、基板を搬送方向に搬送する搬送部と、互いのゲート幅が同一方向に揃うように複数のトランジスタ素子を基板上に形成する素子形成部と、を備える素子基板の製造装置が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、複数のトランジスタ素子が形成された素子基板と、当該素子基板上に設けられ、複数のトランジスタ素子に接続された表示素子とを備え、素子基板として、本発明の素子基板が用いられる表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、動作信頼性の高い素子基板、素子基板の製造方法、素子基板の製造装置及び表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係る表示基板の構成を示す平面図。
【図２】本実施形態に係る表示基板の１サブ画素の構成を示す平面図。
【図３】本実施形態に係る表示基板の１サブ画素の構成を示す断面図。
【図４】本実施形態に係る表示基板の１サブ画素の等価回路図。
【図５】本実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図。
【図６】本実施形態の変形例に係る表示基板の１サブ画素についての他の構成を示す図。
【図７】本実施形態の変形例に係る１サブ画素の等価回路図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。  
図１は、本実施形態に係る表示基板１（素子基板）の構成を示す平面図である。  
図１に示すように、表示基板１は、例えばシート基板ＦＢ上に表示素子２、トランジスタ素子３、容量素子４、配線５などが設けられた構成になっている。  
シート基板ＦＢは、例えば、矩形に形成されており、長手方向及び短手方向を有するように形成されている。シート基板ＦＢは、可撓性を有するように形成されている。本実施形態における可撓性とは、例えば基板に少なくとも自重程度の所定の力を加えても線断や破断することがなく、該基板を撓めることが可能な性質をいう。また、上記可撓性は、該基板の材質、大きさ、厚さ、又は温度などの環境、等に応じて変わる。
【００１３】
シート基板ＦＢとしては、例えば耐熱性の樹脂フィルム、ステンレス鋼などを用いることができる。具体的には、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂、などの材料を用いることができる。なお、シート基板ＦＢとしては、１枚の帯状の基板を用いても構わないが、複数の単位基板を接続して帯状に形成される構成としても構わない。
【００１４】
シート基板ＦＢは、例えば２００℃程度の熱を受けても寸法が変わらないように熱膨張係数が小さい方が好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合して熱膨張係数を小さくすることができる。無機フィラーの例としては、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素などが挙げられる。
【００１５】
シート基板ＦＢ上には、隔壁ＢＡが形成されている。隔壁ＢＡは、シート基板ＦＢ上の領域を形状及び寸法がほぼ等しい複数の領域に区画する。本実施形態では、隔壁ＢＡは矩形に形成されたシート基板ＦＢの直交する２辺の方向に沿って格子状に設けられている。このため、隔壁ＢＡによって区画される複数の領域はシート基板ＦＢの直交する２辺に沿ってマトリクス状に配置されている。
【００１６】
表示素子２は、隔壁ＢＡによって区画されマトリクス状に配置された各領域内にそれぞれ設けられている。マトリクス状に区画された領域は、シート基板ＦＢの直交する２辺の延在方向に沿って配置されている。この複数の表示素子２は、赤色の光を表示する赤色表示素子２Ｒ、緑色の光を表示する緑色表示素子２Ｇ、青色の光を表示する青色表示素子２Ｂを含んでいる。本実施形態では、赤色表示素子２Ｒ、緑色表示素子２Ｇ及び青色表示素子２Ｂが一方向（例えば、区画された領域又はサブ画素２ＳＰの短手方向）にそれぞれ一列に配置されており、各表示素子２の列が他方向（例えば、区画された領域又はサブ画素２ＳＰの長手方向）に繰り返し配置された構成になっている。
【００１７】
図２は、シート基板ＦＢ上の１つのサブ画素２ＳＰの構成を示す平面図である。図３は、図２におけるＡ−Ａ´断面に沿った構成を示す図である。  
図３に示すように、サブ画素２ＳＰ内において、各表示素子２は、シート基板ＦＢの表面側から順に陽極２１、有機発光層２２、陰極２３を有しており、陽極２１と陰極２３との間に有機発光層２２が挟まれた構成となっている。
【００１８】
表示素子２は、陽極２１から有機発光層２２へ正孔を注入すると共に陰極２３から有機発光層２２へ電子を注入し、有機発光層２２において正孔と電子とを結合させ、当該結合時の発光光によって表示光を得る構成となっている。本実施形態では、陰極２３が、例えば複数の表示素子２に跨って形成される共通電極となるように形成されていることが好ましい。
【００１９】
本実施形態では、例えば有機発光層２２で発生した表示光が陰極２３側に進行する構成（いわゆるトップエミッション型）になっている。したがって、陰極２３は、表示光を透過可能な構成となっており、例えば陰極２３の材料としてＩＴＯ（Indium tin oxide）などの透明導電材料が用いられている。本実施形態では、例えば表示基板１の外部から供給される表示信号（映像信号）などに基づいて陽極２１と陰極２３との間に輝度情報に応じた電流が流されるようになっている。
【００２０】
赤色表示素子２Ｒの有機発光層２２には、例えば正孔と電子との結合時に赤色光が発生するような有機材料が用いられている。同様に、緑色表示素子２Ｇ、青色表示素子２Ｂの有機発光層２２には、例えば正孔と電子との結合時にそれぞれ緑色光、青色光が発生するような有機材料が用いられている。
【００２１】
トランジスタ素子３は、シート基板ＦＢ上のうち表示素子２の例えば下層側に形成されており、例えば１つの表示素子２に対して複数設けられている。本実施形態では、トランジスタ素子３として、例えば２つの薄膜トランジスタＴＲ１及びＴＲ２が用いられている。２つの薄膜トランジスタＴＲ１及びＴＲ２は、例えば同一構成として形成されている。本実施形態において、薄膜トランジスタＴＲ１はスイッチング素子として動作するスイッチ用トランジスタであり、薄膜トランジスタＴＲ２は表示素子２に電流を供給（制御）する駆動用トランジスタである。
【００２２】
図２及び図３に示すように、薄膜トランジスタＴＲ１及びＴＲ２は、それぞれ半導体層３０、ソース電極３１、ドレイン電極３２、ゲート電極３３を有しており、いわゆる電界効果型トランジスタを構成している。
【００２３】
薄膜トランジスタＴＲ１及びＴＲ２は、例えば隔壁ＢＡによって区画された各領域内に等しい個数ずつ設けられており、当該領域内における位置が領域毎にほぼ同一になっている。したがって、薄膜トランジスタＴＲ１及びＴＲ２は、区画された領域毎にそれぞれ等しいパターンとなるように配置されている。
【００２４】
半導体層３０は、ソース領域３０Ｓ、ドレイン領域３０Ｄ及びチャネル領域３０Ｃを有している。ソース領域３０Ｓは、ソース電極３１に接続されている。ドレイン領域３０Ｄはドレイン電極３２に接続されている。チャネル領域３０Ｃは、ソース領域３０Ｓとドレイン領域３０Ｄとの間に設けられている。
【００２５】
ソース電極３１の一方の端部３１ａ及びドレイン電極３２の一方の端部３２ａは、所定の隙間を空けて互いに向き合うように配置されている。端部３１ａ及び端部３２ａは、互いに向き合う面がほぼ平坦に形成されている。このため、ソース電極３１とドレイン電極３２との間には、一定間隔の隙間（ゲート幅３４）が形成された状態になっている。半導体層３０のチャネル領域３０Ｃは、ゲート幅３４に重なる位置に設けられている。また、このチャネル領域３０Ｃは、ゲート絶縁層３５（図３参照）を介してゲート電極３３に重なるように配置されている。
【００２６】
本実施形態では、シート基板ＦＢ上に設けられた各トランジスタ素子３は、ソース電極３１の端部３１ａとドレイン電極３２の端部３２ａとの対向する方向が揃うように形成されている。したがって、各トランジスタ素子３のゲート幅３４は一方向に揃うように形成されている。各ゲート幅３４は、例えばシート基板ＦＢの短手方向に平行に形成されている。
【００２７】
容量素子４は、隔壁ＢＡによって区画される領域毎に設けられており、上記の表示信号（又は、表示信号の輝度情報）を一時的に保持する。容量素子４は、例えばトランジスタ素子３のうち薄膜トランジスタＴＲ１のドレイン電極３２に接続されていると共に、薄膜トランジスタＴＲ２のゲート電極３３に接続されている。
【００２８】
図１及び図２に示すように、配線５は、電源供給ライン５０、ソースバスライン５１、ゲートバスライン５２及びグランド線ＧＤを有している。電源供給ライン５０は、薄膜トランジスタＴＲ２のソース電極３１に接続されている。ソースバスライン５１は、薄膜トランジスタＴＲ１のソース電極３１に接続されている。ゲートバスライン５２は、薄膜トランジスタＴＲ１のゲート電極３３に接続されている。グランド線ＧＤは、容量素子４に接続されていると共に、表示素子２の例えば陰極２３に接続されている。
【００２９】
上記の表示基板１は、例えば隣接する３つの表示素子２（赤色表示素子２Ｒ、緑色表示素子２Ｇ及び青色表示素子２Ｂが１つずつ）を組とした画素２Ｐが構成される。１つの画素２Ｐに含まれる表示素子２は、それぞれ画素２Ｐのサブ画素２ＳＰとなる。表示基板１は、サブ画素２ＳＰごとに表示が可能になっており、赤色、緑色、青色の３色の表示を調整することで、画像や文字などが表示されるようになっている。なお、１つのサブ画素２ＳＰについての回路構成は、図４に示すようになる。
【００３０】
次に、上記のように構成される表示基板１の製造装置（基板処理装置ＦＰＡ）を説明する。  
図５は、本実施形態に係る基板処理装置ＦＰＡの構成を示す図である。基板処理装置ＦＰＡは、帯状に形成されたシート基板ＦＢを長手方向に搬送させながら当該シート基板ＦＢに対して処理を行う装置である。以下、基板処理装置ＦＰＡの説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。ＸＹＺ直交座標系のうちシート基板ＦＢの搬送方向（シート基板ＦＢの長手方向）をＸ軸方向とし、当該シート基板ＦＢの搬送方向と直交する方向（シート基板ＦＢの短手方向）をＹ軸方向とし、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向をＺ軸方向とする。
【００３１】
図５に示すように、基板処理装置ＦＰＡは、シート基板ＦＢを供給する基板供給部ＳＵ、シート基板ＦＢに対して処理を行う基板処理部ＰＲ（素子形成部）、シート基板ＦＢを回収する基板回収部ＣＬ、及び、これらの各部を制御する制御部ＣＯＮＴを有している。基板処理装置ＦＰＡは、例えば工場などに設置されて用いられる。
【００３２】
基板処理装置ＦＰＡにおいて処理対象となるシート基板ＦＢのＹ方向（短手方向）の寸法は例えば１ｍ〜２ｍ程度に形成されており、Ｘ方向（長手方向）の寸法は例えば１０ｍ以上に形成されている。勿論、この寸法は一例に過ぎず、これに限られることは無い。例えばシート基板ＦＢのＹ方向の寸法が５０ｃｍ以下であっても構わないし、２ｍ以上であっても構わない。また、シート基板ＦＢのＸ方向の寸法が１０ｍ以下であっても構わない。
【００３３】
基板供給部ＳＵは、例えばロール状に巻かれたシート基板ＦＢを基板処理部ＰＲへ送り出して供給する。基板供給部ＳＵには、例えばシート基板ＦＢを巻きつける軸部や当該軸部を回転させる回転駆動源などが設けられている。この他、例えばロール状に巻かれた状態のシート基板ＦＢを覆うカバー部などが設けられた構成であっても構わない。
【００３４】
基板回収部ＣＬは、基板処理部ＰＲからのシート基板ＦＢを例えばロール状に巻きとって回収する。基板回収部ＣＬには、基板供給部ＳＵと同様に、シート基板ＦＢの巻きつけのための軸部や当該軸部を回転させる回転駆動源、回収したシート基板ＦＢを覆うカバー部などが設けられている。なお、基板処理部ＰＲにおいてシート基板ＦＢが例えばパネル状に切断される場合などには例えばシート基板ＦＢを重ねた状態に回収するなど、ロール状に巻いた状態とは異なる状態でシート基板ＦＢを回収する構成であっても構わない。
【００３５】
基板処理部ＰＲは、基板供給部ＳＵから供給されるシート基板ＦＢを基板回収部ＣＬへ搬送すると共に、搬送の過程でシート基板ＦＢの処理面Ｆｐに対して処理を行う（素子形成工程）。基板処理部ＰＲは、処理装置６０、搬送装置７０（搬送部）及びアライメント装置８０を有している。
【００３６】
処理装置６０は、シート基板ＦＢの処理面Ｆｐに対して例えば有機ＥＬ素子を形成するための各種装置を有している。このような装置としては、例えば処理面Ｆｐ上に隔壁ＢＡを形成するための隔壁形成装置、表示素子２を形成するための発光層形成装置、トランジスタ素子３の各部を形成するための半導体形成装置、電極形成装置、絶縁層形成装置、配線５を形成するための配線形成装置、容量素子４を形成するための容量素子形成装置などが挙げられる。
【００３７】
このような各部の形成装置には、例えば液滴塗布装置（例えばインクジェット型塗布装置、スピンコート型塗布装置など）、蒸着装置、スパッタリング装置などの成膜装置や、露光装置、現像装置、表面改質装置、洗浄装置などが用いられる。これらの各装置は、例えばシート基板ＦＢの搬送経路上に適宜設けられている。
【００３８】
搬送装置７０は、基板処理部ＰＲ内において例えばシート基板ＦＢを基板回収部ＣＬ側へ搬送するローラー装置Ｒを有している。ローラー装置Ｒは、シート基板ＦＢの搬送経路に沿って例えば複数設けられている。複数のローラー装置Ｒのうち少なくとも一部のローラー装置Ｒには、駆動機構（不図示）が取り付けられている。このようなローラー装置Ｒが回転することにより、シート基板ＦＢがＸ軸方向に搬送されるようになっている。複数のローラー装置Ｒのうち例えば一部のローラー装置Ｒが搬送方向と直交する方向に移動可能に設けられた構成であっても構わない。
【００３９】
アライメント装置８０は、シート基板ＦＢに対してアライメント動作を行う。アライメント装置８０は、シート基板ＦＢの位置状態を検出するアライメントカメラ８１と、当該アライメントカメラ８１の検出結果に基づいてシート基板ＦＢをＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向に微調整する駆動機構８２とを有している。駆動機構８２は、例えばローラー装置Ｒの位置を調整することでシート基板ＦＢの位置合わせをする構成とすることができる。勿論、他の構成であっても構わない。
【００４０】
上記のように構成された基板処理装置ＦＰＡは、制御部ＣＯＮＴの制御により、いわゆるロール・トゥ・ロール方式（以下、ロール方式と表記する）によって表示基板１を製造する。以下、上記構成の基板処理装置ＦＰＡを用いて表示基板１を製造する工程を説明する。
【００４１】
まず、基板供給部ＳＵに設けられるローラーに帯状のシート基板ＦＢを巻き付けた状態にする。制御部ＣＯＮＴは、この状態から基板供給部ＳＵから当該シート基板ＦＢが送り出されるようにし、送り出された当該シート基板ＦＢを基板回収部ＣＬのローラーで巻き取らせてシート基板ＦＢを搬送させる。
【００４２】
制御部ＣＯＮＴは、シート基板ＦＢが送り出されてから巻き取られるまでの間に、基板処理部ＰＲの搬送装置７０によってシート基板ＦＢを当該基板処理部ＰＲ内で適宜搬送させつつ、処理装置６０によって表示基板１の構成要素をシート基板ＦＢ上に順次形成させる。処理装置６０による処理を行わせる際、制御部ＣＯＮＴは、アライメント装置８０によってシート基板ＦＢの位置合わせを行わせる。
【００４３】
本実施形態では、処理装置６０として例えばトランジスタ素子３の各部を形成する電極形成装置を用いる場合には、制御部ＣＯＮＴは、全てのゲート幅３４がシート基板ＦＢの搬送方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）、すなわちシート基板ＦＢの短手方向に平行に揃うように当該ソース電極３１とドレイン電極３２とを形成する。
【００４４】
基板処理装置ＦＰＡあるいは基板処理部ＰＲにおいては、シート基板ＦＢを長手方向に搬送する構成になっており、シート基板ＦＢの長手方向にテンションが加わった状態で搬送される。処理装置６０による処理の際にも、シート基板ＦＢの長手方向にテンションが加わった状態で処理が行われる場合もある。シート基板ＦＢの材質によっては、当該テンションによって長手方向に伸びなどの変形が発生し、アライメント装置８０によって微調整されたシート基板ＦＢの位置に影響を及ぼす可能性がある。このようなシート基板ＦＢの変形は、極めて小さな誤差といえるため、シート基板ＦＢに形成される大部分の構成要素については影響が小さい。
【００４５】
しかしながら、ゲート幅３４などにおける上述の小さな誤差は、薄膜トランジスタＴＲ１及びＴＲ２の動作信頼性に影響するおそれがある。このため、ゲート幅３４を形成する場合、ゲート幅３４の方向が上記シート基板ＦＢの変形による誤差のより少ない短手方向に平行になるように形成することで、複数の薄膜トランジスタＴＲ１、ＴＲ２の間での動作信頼性の誤差を小さくすることができる。
【００４６】
また、制御部ＣＯＮＴは、隔壁ＢＡによって区画された領域同士の間でゲート幅３４の位置がほぼ同一の位置となるようにソース電極３１及びドレイン電極３２を形成させる。したがって、シート基板ＦＢ上には、区画された領域内ごとに同一のゲート幅３４のパターンが形成されることになる。
【００４７】
また、制御部ＣＯＮＴは、各領域に同一のパターンとして形成されるゲート幅３４のパターンの画像等を記憶している。制御部ＣＯＮＴは、アライメントカメラ８１によって検出させた各領域におけるゲート幅３４のパターン画像と記憶された画像とに基づいてシート基板ＦＢの位置合わせを行わせるようにしても構わない。この場合、制御部ＣＯＮＴは、シート基板ＦＢ上に既に形成されたゲート幅３４等を基準位置として用いるため、区画された領域内におけるゲート幅３４のパターンをより高精度に形成させることができる。
【００４８】
以上のように、本実施形態によれば、シート基板ＦＢ上に、互いのゲート幅３４が同一方向（例、所定の一方向）に揃うように形成された複数の薄膜トランジスタＴＲ１及びＴＲ２が形成されるため、当該複数の薄膜トランジスタＴＲ１、ＴＲ２同士の間での動作のバラつきが抑えられることになる。これにより、動作信頼性の高い表示基板１を提供することができる。
【００４９】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態では、シート基板ＦＢの搬送方向と直交する方向にゲート幅３４を形成する構成としたが、これに限られることは無く、例えばシート基板ＦＢの搬送方向と交差する方向であれば、シート基板ＦＢが搬送方向に変形する場合の誤差の影響を抑えることができる。また、互いのゲート幅３４は、シート基板ＦＢにおいて高い重ね精度が必要な方向に揃うように形成されてもよい。
【００５０】
また、上記実施形態では、シート基板ＦＢが長手方向に変形する場合の誤差の影響を緩和する観点から、ゲート幅３４の方向をシート基板ＦＢの搬送方向に交差する方向に形成することとしたが、これに限られることは無い。シート基板ＦＢ上に形成される全ての薄膜トランジスタのゲート幅３４の方向を、例えばシート基板ＦＢの搬送方向に平行な方向に揃えるようにしても構わない。シート基板ＦＢには、ほぼ一定のテンションが加わることになるため、シート基板ＦＢの変形は搬送方向において均一に発生すると考えられる。したがって、全ての薄膜トランジスタのゲート幅３４の方向を搬送方向に揃えることで、ゲート幅３４同士の誤差も均一に発生することになるため、少なくともゲート幅３４同士の間では誤差のバラつきが低減される。これにより、薄膜トランジスタ同士の間で能力や動作信頼性にバラつきが生じるのを低減することができることになる。このように、本実施形態では、互いのゲート幅３４を一方向に揃えることによって、アライメントにおける高精度な管理は、該一方向の管理で十分に行うことができる。
【００５１】
また、上記実施形態の観点の他、シート基板ＦＢの伸縮性に応じてゲート幅３４を形成するようにしても構わない。  
例えば、シート基板ＦＢの伸縮が相対的に発生しにくい方向にゲート幅３４を形成するようにしても構わない。このようなシート基板ＦＢの伸縮は、例えば無延伸及び２軸延伸のシート基板ＦＢを用いる場合、当該シート基板ＦＢの搬送や処理等による伸縮が含まれる。また、１軸延伸のシート基板ＦＢを用いる場合であれば、シート基板ＦＢの伸縮は、延伸されていない軸方向の伸縮や無延伸のシート基板ＦＢの使用時と同じ伸縮、更にはアライメント時におけるテンションによる伸縮、などを含む。一例として、搬送方向に延伸された１軸延伸のシート基板ＦＢを用いる場合であれば、互いのゲート幅３４は延伸された搬送方向に揃うように形成される。このように、本実施形態では、シート基板ＦＢの伸縮性に応じてゲート幅３４を形成することによって、薄膜トランジスタ同士の間で能力や動作信頼性にバラつきが生じるのを低減することができる。なお、本実施形態における延伸とは、シート基板ＦＢを所定方向に伸ばすことによって、シート基板ＦＢを構成する材料の分子が該所定方向（伸ばした方向）に配向し、シート基板ＦＢが該所定方向に伸びにくくすること、を含む。
【００５２】
また、ゲート幅３４の形成よりも前の工程において、例えばアライメントカメラ８１によりシート基板ＦＢの伸縮状態を検出する構成としても構わない。この場合、アライメントカメラ８１による検出結果でシート基板ＦＢの伸縮が認められたときには、例えば検出結果をフィードバックしてゲート幅３４の形成を行うようにしても構わない。
【００５３】
また、上記実施形態では、１つのサブ画素２ＳＰごとに表示素子２の駆動用の２つの薄膜トランジスタＴＲ１及びＴＲ２を配置する構成としたが、これに限られることは無い。例えば、表示素子２の駆動用の他に、表示素子２の輝度を調整するためのトランジスタ素子３を配置し、当該トランジスタ素子３として薄膜トランジスタを設ける構成としても構わない。
【００５４】
図６（ａ）は、表示素子２の駆動しつつ表示素子２の輝度を調整する薄膜トランジスタＴＲ１〜ＴＲ３を配置したサブ画素２ＳＰの構成を示す概略平面図である。図６（ｂ）は、薄膜トランジスタＴＲ１〜ＴＲ３を拡大して示す平面図である。  
図６（ｂ）に示すように、３つの薄膜トランジスタＴＲ１〜ＴＲ３が例えばシート基板ＦＢの長手方向に平行な同一直線上に配置されており、半導体層３０が３つの薄膜トランジスタＴＲ１〜ＴＲ３に跨って形成された構成が示されている。３つの薄膜トランジスタＴＲ１〜ＴＲ３に設けられるそれぞれのゲート幅３４は、例えばシート基板ＦＢの短手方向に揃うように形成されている。サブ画素２ＳＰをこのような構成とした場合であっても、例えば上記基板処理装置ＦＰＡによってサブ画素２ＳＰの各構成要素を形成することが可能である。
【００５５】
ここでは、３つの薄膜トランジスタＴＲ１〜ＴＲ３に設けられるそれぞれのソース電極３１の端部３１ａがシート基板ＦＢの短手方向に見て等しい位置に形成されている。同様に３つのドレイン電極３２の端部３２ａもシート基板ＦＢの短手方向に見て等しい位置に形成されている。したがって、３つの薄膜トランジスタＴＲ１〜ＴＲ３に形成されるゲート幅３４の位置は、シート基板ＦＢの短手方向に見て等しい位置に形成されることになる。この場合、各ゲート幅３４に対して設けられる半導体層３０のシート基板ＦＢの短手方向上の位置も等しくなる。このため、本実施形態では、それぞれのゲート幅３４に対して別個に半導体層３０を形成するのではなく、３つのゲート幅３４に対して共通の１つの半導体層３０を一直線状（一方向）に形成することができる。これによって、半導体層３０は基板処理部ＰＲによって容易に形成されることが可能であり、基板処理装置ＦＰＡのタクト又はスループットが向上する。なお、本実施形態におけるタクトは、単位処理領域（例えば上記の液滴塗布装置、蒸着装置、又は露光装置などが１度に処理できる領域、又はパネル１枚辺りの画面領域、パネル全面領域）あたりの処理時間である。また、本実施形態におけるスループットは、単位時間あたりに処理可能なシート基板ＦＢの分量（例えば長さ、パネル枚数、など）である。
【００５６】
なお、図６のように構成されたサブ画素２ＳＰの回路構成は、例えば図７に示すようになる。この場合、表示素子２から薄膜トランジスタＴＲ３を介して電流検出装置９０に流れる当該電流検出装置９０に検出させ、検出結果に基づいてソースバスライン５１に印加する電圧の値を調整するように駆動すれば良いことになる。
【００５７】
また、上記実施形態においては、表示素子２の例として、有機発光層２２を有する有機ＥＬ素子を挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば無機ＥＬ、液晶表示素子、電子ペーパに用いられる電気泳動素子などの他の表示素子についても、本発明の適用は可能である。また、本実施形態においては、上記の表示基板１を用いて有機ＥＬディスプレイなどの表示装置を構成することも可能である。
【符号の説明】
【００５８】
ＦＢ…シート基板  ＦＰＡ…基板処理装置  ＣＯＮＴ…制御部  １…表示基板  ＴＲ１〜ＴＲ３…薄膜トランジスタ  ２…表示素子  ２Ｐ…画素  ２ＳＰ…サブ画素  ３…トランジスタ素子  ４…容量素子  ５…配線  ３０…半導体層  ３１…ソース電極  ３１ａ…端部  ３２…ドレイン電極  ３２ａ…端部  ３３…ゲート電極  ３４…ゲート幅  ６０…処理装置  ８０…アライメント装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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