(57)【要約】      （修正有）【課題】製造コストの増大を招くことなく異常放電が生じる可能性を低減することができ、寿命の長期化による生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】処理チャンバー内に配置され、被処理基板を載置する載置台を兼ねた下部電極と対向するように当該下部電極の上側に配置されるシャワープレート電極の構成とガス孔の配置を、処理ガスを供給するための複数のガス通路孔１８５が設けられた上側部材１８２と、前記上側部材の下側に設けられ、処理ガスを吐出するための複数のガス吐出孔１８４が設けられた下側部材１８１と、中間部材１８３と、からなる構成とし、前記ガス通路孔１８５は前記ガス吐出孔１８４より大径で、１つの前記ガス通路孔１８５に対して複数の前記ガス吐出孔１８４が連通され、かつ、平面的に見て、前記ガス通路孔１８５の外周より外側に前記ガス吐出孔１８４が配置されるようにする。【選択図】図２
2011035052.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置の処理チャンバー内に配置され、被処理基板を載置する載置台を兼ねた下部電極と対向するように当該下部電極の上側に配置されるプラズマ処理装置用電極であって、
処理ガスを供給するための複数のガス通路孔が設けられた上側部材と、
前記上側部材の下側に設けられ、処理ガスを吐出するための複数のガス吐出孔が設けられた下側部材とを具備し、
前記ガス通路孔は前記ガス吐出孔より大径で、１つの前記ガス通路孔に対して複数の前記ガス吐出孔が連通され、かつ、平面的に見て、前記ガス通路孔の外周より外側に前記ガス吐出孔が配置されている
ことを特徴とするプラズマ処理装置用電極。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置用電極であって、
前記上側部材と前記下側部材との間に中間部材が配置され、当該中間部材に、前記ガス通路孔より大径とされ、前記ガス通路孔と前記ガス吐出孔とを連通するための連通孔が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置用電極。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマ処理装置用電極であって、
前記中間部材が、樹脂に、当該樹脂より熱伝導性の高い材料を配合したものから構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置用電極。
【請求項４】
請求項３記載のプラズマ処理装置用電極であって、
前記中間部材の上面及び下面に、前記上側部材と前記下側部材とを伝熱と接着をするための接着層が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置用電極。
【請求項５】
請求項３又は４記載のプラズマ処理装置用電極であって、
前記上側部材及び前記下側部材は、前記中間部材と異なる材料から構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置用電極。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか１項記載のプラズマ処理装置用電極であって、
前記ガス吐出孔の一部又は全部が前記下側部材の上下面に対して斜めに設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置用電極。
【請求項７】
処理チャンバー内の、被処理基板を載置する載置台を兼ねた下部電極と対向するように当該下部電極の上側に配置され、
処理ガスを供給するための複数のガス通路孔が設けられた上側部材と、
前記上側部材の下側に設けられ、処理ガスを吐出するための複数のガス吐出孔が設けられた下側部材とを有し、
前記ガス通路孔は前記ガス吐出孔より大径で、１つの前記ガス通路孔に対して複数の前記ガス吐出孔が連通され、かつ、平面的に見て、前記ガス通路孔の外周より外側に前記ガス吐出孔が配置されている電極を具備した
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置の製造分野等においては、密閉可能とされた処理チャンバー内にプラズマを発生させて半導体ウエハ等の被処理基板の処理を行うプラズマ処理装置が知られている。また、このようなプラズマ処理装置として、被処理基板を載置する載置台を兼ねた下部電極と、この下部電極と対向するように配置された上部電極との間に高周波電力を印加してプラズマを発生させる容量結合型のプラズマ処理装置が知られている。さらに、このような容量結合型のプラズマ処理装置において、上部電極に設けた多数のガス吐出孔からシャワー状に処理ガスを供給する構造のものが知られている。
【０００３】
上記構成のプラズマ処理装置では、半導体ウエハ等と対向して配置される上部電極の表面は、シリコン製の電極板等によって構成される場合がある。このような場合、上部電極に設けられたガス吐出孔の表面側がプラズマによって削られ次第にその孔径が拡大する。このため、ガス吐出孔の孔径が拡大した上部電極を使用し続けると、ガス吐出孔内に飛び込んだ電子やイオンが電極の裏面側に設けられたクーリングプレートの部分にまで至り、異常放電を起こす場合がある。また、上記の電子やイオンによってガス吐出孔内のガスがイオン化し異常放電を起こす場合がある。そこで、上部電極の使用寿命を制限することによって異常放電の発生を未然に防止している。
【０００４】
また、上記のガス吐出孔内に飛び込んだ電子やイオンによる異常放電を防止するため、ガス吐出孔をラビリンス構造とすることが知られている。その一例は、夫々多数の細孔が形成された板材を積層させるようにし、かつ、これらの細孔の位置をずらすことによってラビリンス構造としたものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。また、ガス吐出板のガス吐出孔の上側に大径のねじ穴を設け、ここに偏心した位置に孔が形成された円柱状のねじを螺合させることによって、ガス吐出板のガス吐出孔と、ねじに形成された孔によってラビリンス構造を構成したものが知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−５４９１号公報
【特許文献２】特開平９−２７５０９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記したとおり、従来においては、ガス吐出孔の孔径が一定以上に拡大する前に電極板を交換して異常放電を抑制する必要があり、メンテナンスサイクルの短期化による稼働率の低下やランニングコストの増大を招くという問題があった。また、かかる問題を回避するためラビリンス構造としたものでは、構造が複雑になるため製造コストが高くなるという問題と、コンダクタンスが低くなることによってガス吐出孔内の圧力が上昇し、処理ガスの電離による異常放電が起きやすくなるという問題があった。特に、処理ガスの電離による異常放電は、高パワー化する傾向の近年におけるプロセスにおいて顕著になりつつある。
【０００７】
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、製造コストの増大を招くことなく異常放電が生じる可能性を低減することができ、寿命の長期化による生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明にかかるプラズマ処理装置用電極は、プラズマ処理装置の処理チャンバー内に配置され、被処理基板を載置する載置台を兼ねた下部電極と対向するように当該下部電極の上側に配置されるプラズマ処理装置用電極であって、処理ガスを供給するための複数のガス通路孔が設けられた上側部材と、前記上側部材の下側に設けられ、処理ガスを吐出するための複数のガス吐出孔が設けられた下側部材とを具備し、前記ガス通路孔は前記ガス吐出孔より大径で、１つの前記ガス通路孔に対して複数の前記ガス吐出孔が連通され、かつ、平面的に見て、前記ガス通路孔の外周より外側に前記ガス吐出孔が配置されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明にかかるプラズマ処理装置は、処理チャンバー内の、被処理基板を載置する載置台を兼ねた下部電極と対向するように当該下部電極の上側に配置され、処理ガスを供給するための複数のガス通路孔が設けられた上側部材と、前記上側部材の下側に設けられ、処理ガスを吐出するための複数のガス吐出孔が設けられた下側部材とを有し、前記ガス通路孔は前記ガス吐出孔より大径で、１つの前記ガス通路孔に対して複数の前記ガス吐出孔が連通され、かつ、平面的に見て、前記ガス通路孔の外周より外側に前記ガス吐出孔が配置されている電極を具備したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、製造コストの増大を招くことなく異常放電が生じる可能性を低減することができ、寿命の長期化による生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の断面概略構成を示す図。
【図２】図１のプラズマ処理装置の要部を拡大して示す図。
【図３】図１のプラズマ処理装置の要部を拡大して示す図。
【図４】図１のプラズマ処理装置の要部を拡大して示す図。
【図５】図１のプラズマ処理装置の要部を拡大して模式的に示す図。
【図６】変形例のプラズマ処理装置の要部を拡大して示す図。
【図７】従来のプラズマ処理装置の要部を拡大して示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係るプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置の構成を示すものである。プラズマエッチング装置は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理チャンバー１を有している。
【００１３】
この処理チャンバー１は、円筒状とされ、例えば表面に陽極酸化皮膜を形成されたアルミニウム等から構成されている。処理チャンバー１内には、被処理基板である半導体ウエハＷが略水平に載置される載置台２が設けられている。この載置台２は、下部電極を兼ねたものであり、例えばアルミニウム等の導電性材料で構成されており、絶縁板３を介して導体の支持台４に支持されている。また、載置台２上の外周部分には、半導体ウエハＷの周囲を囲むように、環状に形成されたフォーカスリング５が設けられている。
【００１４】
載置台２には、第１マッチングボックス１１ａを介して第１高周波電源１０ａが接続されるとともに、第２マッチングボックス１１ｂを介して第２高周波電源１０ｂが接続されている。第１高周波電源１０ａからは、所定周波数（例えば４０ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２に供給されるようになっている。一方、第２高周波電源１０ｂからは、第１高周波電源１０ａより低い所定周波数（例えば３．２ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２に供給されるようになっている。
【００１５】
載置台２の上面には、半導体ウエハＷを静電吸着するための静電チャック６が設けられている。この静電チャック６は絶縁体６ｂの間に電極６ａを介在させて構成されており、電極６ａには直流電源１２が接続されている。そして電極６ａに直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力等によって半導体ウエハＷが吸着されるよう構成されている。
【００１６】
載置台２の内部には、図示しない冷媒流路が形成されており、その中に適宜の冷媒を循環させてその温度を制御できるようになっている。また、載置台２には、半導体ウエハＷの裏面側にヘリウムガス等のバックサイドガス（裏面側伝熱ガス）を供給するためのバックサイドガス供給配管３０ａ，３０ｂが形成されており、バックサイドガス供給源３１から半導体ウエハＷの裏面側にバックサイドガスを供給できるようになっている。なお、バックサイドガス供給配管３０ａは半導体ウエハＷの中央部に、バックサイドガス供給配管３０ｂは半導体ウエハＷの周縁部にバックサイドガスを供給するためのものである。このような構成によって、半導体ウエハＷを所定の温度に制御可能となっている。また、フォーカスリング５の外側下方には排気リング１３が設けられている。排気リング１３は支持台４を通して処理チャンバー１と導通している。
【００１７】
一方、載置台２に対向してその上方には、シャワーヘッド１６が載置台２と平行に対向して設けられており、このシャワーヘッド１６は接地電位とされている。このシャワーヘッド１６の上部には、ガス導入部１６ａが設けられている。このガス導入部１６ａにはガス供給配管１５ａが接続されており、このガス供給配管１５ａの他端には、プラズマエッチング用のガス（エッチングガス）等を供給する処理ガス供給系１５が接続されている。
【００１８】
また、シャワーヘッド１６の内部には空間１７が形成されており、この空間１７の下側には、上部電極（電極板）１８が設けられ、上部電極１８の上側にはクーリングプレート１８ａが積層するように設けられている。クーリングプレート１８ａは、プラズマに晒される上部電極１８を冷却するためのものであり、内部に冷媒を循環させるための冷媒流路等が設けられている。
【００１９】
これらの上部電極１８とクーリングプレート１８ａには、ガス吐出孔等（図１には図示せず。）が設けられており、処理ガス供給系１５から供給されるガスは、ガス供給配管１５ａ、ガス導入部１６ａを介してシャワーヘッド１６内部の空間１７に至り、ガス吐出孔等から、図１に矢印で示すように半導体ウエハＷに向けて吐出される。
【００２０】
図２〜４は、上記の上部電極１８の構成を模式的に示すものである。図２，３に示すように、本実施形態では、上部電極１８は、下側部材１８１と、下側部材１８１の上側に設けられた上側部材１８２と、これらの間に設けられた中間部材１８３の３つの板状の部材から構成されている。下側部材１８１は、シリコン等から構成されている。そして、この下側部材１８１には、直径が例えば０．５ｍｍ程度とされたガス吐出孔１８４が多数形成されている。これらのガス吐出孔１８４は、６つのガス吐出孔１８４によって１つの組を形成するように設けられており、６つのガス吐出孔１８４が１つの円周上に６０°間隔で設けられている。なお、図２は、上部電極１８の構成を模式的に示すものであり、ガス吐出孔１８４等の数は、実際の数より少なく省略して記載してある。下側部材１８１は、厚さ数ミリ〜十数ミリ程度とすることが好ましく、本実施形態では７．０ｍｍとされている。
【００２１】
上側部材１８２は、シリコン等から構成されている。そして、上側部材１８２には、上記した１組の６つのガス吐出孔１８４に対して、１つずつガス通路孔１８５が設けられている。これらのガス通路孔１８５は、ガス吐出孔１８４より大径で、直径が例えば３ｍｍとされている。また、図３に示すように、ガス吐出孔１８４は、ガス通路孔１８５の外周より外側に位置するように配置されている。上側部材１８２は、厚さ数ミリ程度とすることが好ましく、本実施形態では３．０ｍｍとされている。
【００２２】
中間部材１８３は、単に樹脂系接着剤を使用すると、下側部材１８１と上側部材１８２の熱抵抗要因となり、プロセスシフトを招く要因となり得る。これを回避するため、中間部材１８３は、樹脂より熱伝導性が高い、例えばアルミナフィラーを配合した、例えば、アクリル系樹脂、またはシロキサン系樹脂等の樹脂製シートを熱媒体として入れることもできる。この中間部材１８３は、下側部材１８１と上側部材１８２との間の伝熱と接着を目的とする接着層の役目を果たしており、この中間部材１８３には、ガス通路孔１８５と６つのガス吐出孔１８４とを連通するための連通孔１８６が複数形成されている。これらの連通孔１８６の直径は、ガス通路孔１８５よりさらに大径とされ、本実施形態では、連通孔１８６の直径は１１．５０ｍｍとされている。また、中間部材１８３の厚さは、コンダクタンス確保の観点から０．５ｍｍ以上とすることが好ましく、本実施形態では、０．５２５ｍｍとされている。
【００２３】
上記のように、本実施形態では、上部電極（電極板）１８が、下側部材１８１と上側部材１８２と中間部材１８３とから構成されている。そして、下側部材１８１に設けられた複数（本実施形態では６つ）のガス吐出孔１８４が１つのガス通路孔１８５と連通するようになっており、かつ、ガス吐出孔１８４は、平面的に見て（上面又は下面から透視図として平面的にガス吐出孔１８４とガス通路孔１８５との位置関係を見た際に）、ガス通路孔１８５の外周より外側に位置するように配置されている。
【００２４】
したがって、例えば、下側部材１８１の下面側からガス吐出孔１８４内を見た時に、ガス通路孔１８５が見えない構造、つまりラビリンス構造となっている。これによって、プラズマ中の電子やイオンが、上部電極（電極板）１８より裏面側のクーリングプレート１８ａ（図１参照）の部分まで入り込み、異常放電が発生することを抑制することができる。このため、長期に亘って上部電極１８を使用し、プラズマに晒されてガス吐出孔１８４の径が次第に大きくなった場合であっても、ガス吐出孔１８４内からガス通路孔１８５内に電子やイオンが入り込む可能性が低くなり、異常放電が生じる可能性を低い状態に維持することができる。なお、図４は、上記したガス通路孔１８５、連通孔１８６、ガス吐出孔１８４によって形成されるガス流路を模式的に示したものである。
【００２５】
また、本実施形態では、上部電極１８が、下側部材１８１と上側部材１８２と中間部材１８３とを積層させた構造となっており、上側部材１８２に形成された大径のガス通路孔１８５と、中間部材１８３に形成されたさらに大径の連通孔１８６と、ガス吐出孔１８４とを位置決めするだけであるので、孔開けに高度な位置制御は必要とされない。また、必要とされるガス吐出孔１８４の数に対して、上側部材１８２等に形成する孔数は少なくなるので、孔開けに要する工程を削減することができる。このため、製造コストが増大することを抑制することができる。
【００２６】
また、細径なガス吐出孔１８４の長さを短くすることによって、コンダクタンスを向上させることができ、孔内部での処理ガスのガス圧の上昇を抑制することができる。これによって、高周波電力のパワーを高く設定した場合においても、処理ガスの電離により異常放電が生じることを抑制することができる。
【００２７】
図５に示すように、ガス通路孔１８５、連通孔１８６、ガス吐出孔１８４によって形成されるガス流路において、ガス通路孔１８５の直径ｄ１を３．０ｍｍ、長さＬ１を３．０ｍｍとし、連通孔１８６の直径ｄ２を１１．５０ｍｍ、長さＬ２を０．５２５ｍｍとし、ガス吐出孔１８４の直径ｄ３を０．５ｍｍ、長さＬ３を７．０ｍｍとし、ガス吐出孔１８４の電極全面（全体）の総数を１２６６個とした場合、クーリングプレートを含む合成したガス流路のコンダクタンスは計算値（相対値）で２４２７となった。一方、図７に示すように、直径０．５ｍｍ、長さ１０．０ｍｍの直線状のガス吐出孔１９０を、電極全面の総数で１２８３個有する従来の電極の場合、クーリングプレートを含む合成したガス流路のコンダクタンスは計算値（相対値）で１３６９である。従って、本実施形態の場合、従来に比べてコンダクタンスを２４２７／１３６９＝１．７７倍とすることができた。
【００２８】
図１に示すように、処理チャンバー１の下部には、排気ポート１９が形成されており、この排気ポート１９には排気系２０が接続されている。そして排気系２０に設けられた真空ポンプを作動させることにより処理チャンバー１内を所定の真空度まで減圧することができるようになっている。一方、処理チャンバー１の側壁には、半導体ウエハＷの搬入出口を開閉するゲートバルブ２４が設けられている。
【００２９】
一方、処理チャンバー１の周囲には、同心状に、リング磁石２１が配置されている。このリング磁石２１は、上側リング磁石２１ａと、この上側リング磁石２１ａの下側に配置された下側リング磁石２１ｂとから構成されており、載置台２とシャワーヘッド１６との間の空間に、磁場を形成するようになっている。このリング磁石２１は、図示しないモータ等の回転手段により回転可能となっている。
【００３０】
上記構成のプラズマエッチング装置は、制御部６０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部６０は、ＣＰＵを備えプラズマエッチング装置の各部を制御するプロセスコントローラ６１と、ユーザインターフェース部６２と、記憶部６３とを具備している。
【００３１】
ユーザインターフェース部６２は、工程管理者がプラズマエッチング装置を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００３２】
記憶部６３には、プラズマエッチング装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ６１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース部６２からの指示等にて任意のレシピを記憶部６３から呼び出してプロセスコントローラ６に実行させることで、プロセスコントローラ６１の制御下で、プラズマエッチング装置での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００３３】
次に、上記構成のプラズマエッチング装置で、半導体ウエハＷをプラズマエッチングする手順について説明する。まず、ゲートバルブ２４が開かれ、半導体ウエハＷが図示しない搬送ロボット等により、図示しないロードロック室を介して処理チャンバー１内に搬入され、載置台２上に載置される。この後、搬送ロボットを処理チャンバー１外に退避させ、ゲートバルブ２４を閉じる。そして、排気系２０の真空ポンプにより排気ポート１９を介して処理チャンバー１内が排気される。
【００３４】
処理チャンバー１内が所定の真空度になった後、処理チャンバー１内には処理ガス供給系１５から所定のエッチングガスが導入され、処理チャンバー１内が所定の圧力、例えば５．３２Ｐａに保持され、この状態で第１高周波電源１０ａ、第２高周波電源１０ｂから載置台２に、高周波電力が供給される。このとき、直流電源１２から静電チャック６の電極６ａに所定の直流電圧が印加され、半導体ウエハＷはクーロン力等により吸着される。
【００３５】
この場合に、上述のようにして下部電極である載置台２に高周波電力が印加されることにより、上部電極１８と下部電極である載置台２との間には電界が形成される。一方、上部電極１８と下部電極である載置台２との間には、リング磁石２１により水平磁界が形成されているから、半導体ウエハＷが存在する処理空間には電子のドリフトによりマグネトロン放電が生じ、それによって形成された処理ガスのプラズマにより、半導体ウエハＷに形成された薄膜がエッチング処理される。
【００３６】
そして、所定のエッチング処理が終了すると、高周波電力の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷが処理チャンバー１内から搬出される。
【００３７】
上記の半導体ウエハＷのエッチング処理の際、本実施形態では、前述したとおり、電子やイオンが上部電極１８より裏面側に入り込み異常放電が発生したり、処理ガスの電離により異常放電が発生することを抑制することができる。このような効果は、ある程度上部電極１８のガス吐出孔１８４の径が大きくなった状態においても維持することができるので、上部電極１８の寿命の長期化による生産性の向上を図ることができる。なお、ガス吐出孔１８４の径がある程度大きくなった場合、下側部材１８１を上下逆にして使用することもできる。また、前述したとおり、本実施形態では、製造コストの増大を招くこともない。
【００３８】
図６は、上記実施形態の変形例の構成を示すものである。この変形例では、下側部材１８1に設けられたガス吐出孔１８４が、上側の一部が斜めに傾斜して設けられた構造となっている。このように、ガス吐出孔１８４の一部又は全部を、下側部材１８１の上下面に対して垂直ではなく斜めに傾斜させれば、ガス吐出孔１８４から上部電極１８の裏面側に電子やイオン等が侵入する可能性をより低減することができる。
【００３９】
なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、下側部材１８１、上側部材１８２、中間部材１８３の３つの部材から上部電極１８を構成したが、中間部材１８３を省略し、下側部材１８１と上側部材１８２とから上部電極１８を構成することもできる。この場合、連通孔１８６は、下側部材１８１の上面か、上側部材１８２の下面に形成する。また、プラズマエッチング装置は、図１に示した平行平板型の下部２周波印加型に限らず、例えば、上部電極と下部電極に夫々高周波を印加するタイプの装置や、下部電極に１周波の高周波電力を印加するタイプ等、各種のプラズマエッチング装置やその他のプラズマ処理装置にも適用することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１……処理チャンバー、２……載置台、１０ａ……第１高周波電源、１０ｂ……第２高周波電源、１５……処理ガス供給系、１６……シャワーヘッド、１８……上部電極（電極板）、Ｗ……半導体ウエハ。
【図１】
2011035052.tif 000003
【図２】
2011035052.tif 000004
【図３】
2011035052.tif 000005
【図４】
2011035052.tif 000006
【図５】
2011035052.tif 000007
【図６】
2011035052.tif 000008
【図７】
2011035052.tif 000009