(57)【要約】【課題】樹脂パッケージから胴体が微小長さだけ突出した形態を有する電子部品を適切に形成することができる技術を提供する。【解決手段】複数の導体に導通接続された電子素子が樹脂パッケージにより封止され、かつ樹脂パッケージから複数の導体のうちの少なくとも１つの導体が微小長さだけ突出した形態を有する電子部品を製造する方法であって、電子部品形成領域が複数設定され、かつ各電子部品形成領域毎に上記導体となるべき導体メンバ６２，６３が複数形成された製造用フレーム６を用いて電子部品を製造する方法において、各電子部品形成領域毎に半導体チップ３を実装した後に複数の導体メンバのうち少なくとも１つの導体メンバ６２，６３が突出するようにして樹脂パッケージを形成し、導体メンバ６２，６３における樹脂パッケージ５に極近接した部位において凹部６５を形成した後に導体メンバ６２，６３を切断する。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体に導通接続された電子素子が樹脂パッケージにより封止され、かつ上記樹脂パッケージから上記複数の導体のうちの少なくとも１つの導体が微小長さだけ突出した形態を有する電子部品を製造する方法であって、電子部品形成領域が複数設定され、かつ上記各電子部品形成領域毎に上記導体となるべき導体メンバが複数形成された製造用フレームを用いて電子部品を製造するとともに、上記導体メンバを電子素子と導通接続する工程と、上記電子素子を樹脂封止する樹脂パッケージング工程と、上記複数の導体メンバのうちの少なくとも１つの導体メンバに対して、第１切断体により当該導体メンバの厚み方向の中間部にまで至る凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部が形成された導体メンバに対して、上記凹部が形成された面とは反対の面から第２切断体を作用させて上記導体メンバを切断する切断工程と、を含む電子部品の製造方法において、
上記樹脂パッケージング工程においては、上記各電子部品形成領域毎に少なくとも１つの導体メンバが突出するようにし、かつ上記電子素子を個別に樹脂封止するようにして複数の樹脂パッケージが形成され、
上記凹部形成工程においては、上記導体メンバにおける上記樹脂パッケージに極近接した部位において上記凹部を形成することを特徴とする、電子部品の製造方法。
【請求項２】
上記切断工程においては、上記導体メンバにおける上記凹部よりも上記樹脂パッケージから離間した部位において上記導体メンバを切断し、上記導体の端面を段状に形成する、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
上記凹部と上記樹脂パッケージとの最短距離は、１０〜１００μｍである、請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
上記樹脂パッケージング工程においては、少なくとも１つの導体メンバが上記樹脂パッケージの下面から露出させられ、
上記凹部形成工程においては、上記導体メンバに対して上記樹脂パッケージの下面側から上記凹部が形成され、
上記切断工程においては、上記樹脂パッケージの上面側から上記第２切断体が作用させて上記導体メンバが切断される、請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
上記凹部は、断面Ｖ字状のノッチとして形成される、請求項１ないし４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
上記凹部は、上記樹脂パッケージに最も近い部位が鉛直面とされている、請求項１ないし５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
上記第１切断体および上記第２切断体は、パンチである、請求項１ないし６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、半導体素子、コンデンサ素子あるいは抵抗素子などの電子素子が樹脂パッケージにより封止され、かつ樹脂パッケージから導体が微小長さだけ突出した形態を有する電子部品を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
面実装型として構成された半導体装置の一例として、樹脂パッケージの底面から端子が露出したものがある。この半導体装置は、複数の半導体装置形成領域が設定されたフレームを用いて複数のものが同時に形成される。より具体的には、まず各半導体装置形成領域毎に半導体チップを搭載した後に個々の半導体チップに対してワイヤボンディングを行い、さらに半導体チップが樹脂封止される。次いで、隣接する半導体装置形成領域の間をパンチや回転ブレードなどの切断体を用いて切断することにより、半導体装置が得られる。
【０００３】
樹脂パッケージは、たとえば図１６に示したように複数の半導体チップ９０を一括して覆うようにして個々の半導体チップ９０を樹脂封止した後、隣接する半導体装置形成領域の間を切断体９２を用いて切断することにより形成される。この方法では、フレーム９３と同時に封止樹脂９１も切断する必要があるため、封止樹脂９１の切断により多くの切断バリが生じる。そればかりか、最終的に樹脂パッケージとなる部位以外にも樹脂封止する必要が生じて樹脂の使用量が多くなり、製造コスト的にも不利である。
【０００４】
そのため、図１７に示したように半導体装置形成領域毎に半導体チップ９０を個別に覆い、隣接する樹脂パッケージ９１Ａの間を切断体９２を用いて切断する方法も考えられる。この場合、半導体装置の小型化の観点からは、樹脂パッケージ９１Ａにより近い部位においてフレーム９３を切断する必要がある。半導体チップ９０に外力を作用させず、しかも樹脂パッケージ９１Ａからフレーム９３が剥離することなくフレーム９３を切断するためには、ダイ９４に対して図１７に仮想線で示したようにストリッパ９５でフレーム９３を押さえつける必要がある。
【０００５】
しかしながら、樹脂パッケージ９１Ａに極近接した部位においてフレーム９３を切断するためには、切断体９２と樹脂パッケージ９１Ａとの間の隙間が小さくなるため、その隙間に対応した寸法のストリッパ９５形成し、それによってフレーム９３を十分な力をもって押さえつけるのは事実上困難である。
【０００６】
また、樹脂パッケージ９１Ａに極近接した部位においてフレーム９３を切断する場合に限らず、フレーム９３の上面から下面に向けて一気に切断する方法では、図１７に拡大して示したようにフレーム９３の下面に切断バリＢが付着してしまう。このようにして切断バリが付着した半導体装置では、この半導体装置を回路基板などに実装する際にその接合部分に切断バリが混入してしまう。半導体装置は、たとえばハンダなどにより回路基板に接合されるが、接合部分に切断バリが混在していれば接合部分の強度が低下してしまうといった問題も生じる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本願発明は、このような事情のもとに考えだされたものであって、樹脂パッケージから導体が微小長さだけ突出した形態を有する電子部品を適切に形成することができる技術を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち、本願発明により提供される電子部品の製造方法では、複数の導体に導通接続された電子素子が樹脂パッケージにより封止され、かつ上記樹脂パッケージから上記複数の導体のうちの少なくとも１つの導体が微小長さだけ突出した形態を有する電子部品を製造する方法であって、電子部品形成領域が複数設定され、かつ上記各電子部品形成領域毎に上記導体となるべき導体メンバが複数形成された製造用フレームを用いて電子部品を製造するとともに、上記導体メンバを電子素子と導通接続する工程と、上記電子素子を樹脂封止する樹脂パッケージング工程と、上記複数の導体メンバのうちの少なくとも１つの導体メンバに対して、第１切断体により当該導体メンバの厚み方向の中間部にまで至る凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部が形成された導体メンバに対して、上記凹部が形成された面とは反対の面から第２切断体を作用させて上記導体メンバを切断する切断工程と、を含む電子部品の製造方法において、上記樹脂パッケージング工程においては、上記各電子部品形成領域毎に少なくとも１つの導体メンバが突出するようにし、かつ上記電子素子を個別に樹脂封止するようにして複数の樹脂パッケージが形成され、上記凹部形成工程においては、上記導体メンバにおける上記樹脂パッケージに極近接した部位において上記凹部を形成することを特徴としている。
【０００９】
この製造方法によれば、切断工程に先んじて導体メンバの一面に凹部が形成されているので、切断工程においては、凹部の内面に繋がる切断面を形成するようにして導体メンバを切断すればよい。つまり、凹部を形成しない場合に比べて、切断工程において形成すべき切断面が小さくて済む。その結果、導体メンバに対して大きな力を作用させることなく、導体メンバを切断することができるようになる。これにより、導体メンバにおける樹脂パッケージからの距離が小さい部位においても、ストリッパやカットダイなどでリードを押さえなくとも導体メンバを切断することができるようになる。すなわち、樹脂パッケージング工程において電子素子を個別に樹脂パッケージしたとしても、樹脂パッケージから導体をほとんど突出させることなく導体メンバを切断することができるようになる。電子素子を個別に樹脂パッケージしても、不具合なく導体が微小長さだけ突出した形態の電子部品を製造できるようになれば、樹脂パッケージング工程で必要な樹脂量を低減して製造コストの低減を図ることができるようになる。また、電子部品のサイズが同じであれば、樹脂パッケージからの突出量を小さくできれば、相対的に樹脂パッケージサイズを大きくできる。これにより、 導体における電子部品を搭載すべき領域を大きく確保できるようになる。
【００１０】
さらに、導体メンバを小さい力により切断できるのであれば、導体メンバを切断する際に当該導体メンバと樹脂パッケージとの間の接合面に作用する力（剥離力）を小さくして、樹脂パッケージからの導体メンバ（導体）の剥離を抑制することができるようになる。
【００１１】
好ましい実施の形態においては、上記切断工程においては、上記導体メンバにおける上記凹部よりも上記樹脂パッケージから離間した部位において上記導体メンバを切断し、上記導体の端面を段状に形成する。
【００１２】
凹部を形成した後にこれとは反対の面から第２切断体を作用させた場合には、第２切断体による切断面が凹部の内面と繋がった時点で導体メンバが切断されるのは上述した通りである。つまり、切断工程において第２切断体によって形成される切断面自体は、導体メンバの凹部形成面には至らない。したがって、切断工程において切断バリが生じた場合には、その切断バリが導体メンバの凹部形成面に付着するのではなく、導体の端面における段状の部分に付着する。
【００１３】
たとえば、樹脂パッケージング工程においては、上記複数の導体メンバのうちの少なくとも１つの導体メンバが上記樹脂パッケージの下面から露出させられ、上記凹部形成工程においては、上記導体メンバに対して上記樹脂パッケージの下面側から上記凹部が形成され、上記切断工程においては、上記樹脂パッケージの上面側から厚み方向の全体にわたって上記導体メンバが切断される。
【００１４】
このような製造方法においては、樹脂パッケージの下面から導体が露出した形態の電子部品が得られ、この電子部品では、樹脂パッケージの上面側から導体メンバを切断したとしても、導体の下面に切断バリが付着することが抑制されている。導体における樹脂パッケージから露出する面は、ハンダなどを介して回路基板などに接合される部分である。したがって、導体の下面への切断バリの付着が抑制されれば、ハンダなどの接合層内に切断バリが混入することを抑制できる。接合層内に切断バリが混在すれば、接合強度が低下することが懸念されるが、切断バリの混入が抑制できれば、所望の接合強度を確保することができるようになる。
【００１５】
なお、凹部は、たとえば断面Ｖ字状のノッチとして形成される。もちろん、凹部の断面形状は、円弧状、矩形状、あるいはＵ字状などであってもよい。ただし、凹部における樹脂パッケージよりの部位は、導体メンバの厚み方向に拡がる鉛直面とされているのが好ましい。そうすれば、切断工程においては、この工程において生じた切断バリが第２切断体を介して段状の部分に擦り付けられることとなり、第２切断体により切断バリが導体の表面にまで持ち去られることを抑制できる。その結果、切断バリを導体の端面に留めておいて、導体の表面に付着してしまうことをより確実に抑制することができるようになる。
【００１６】
また、第１および第２切断体としては、ポンチや回転ブレードが使用される。
【００１７】
本願発明のその他の利点および特徴については、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明らかとなるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本願発明の適用対象となる半導体装置の一例を示す全体斜視図である。
【図２】図１の半導体装置を下面側からみた全体斜視図である。
【図３】図１のIII−III線に沿う断面図である。
【図４】本願発明に係る製造方法で使用されるフレームを上面側から見た要部斜視図である。
【図５】本願発明に係る製造方法で使用されるフレームを下面側から見た要部斜視図である。
【図６】フレームにダイボンディングおよびワイヤボンディングを施した状態を示す要部斜視図である。
【図７】（ａ）はダイボンディング工程を説明するための要部断面図、（ｂ）はワイヤボンディング工程を説明するための要部断面図である。
【図８】（ａ）は樹脂パッケージング工程を説明するための要部断面図、（ｂ）は樹脂パッケージを形成した状態を示す要部断面図である。
【図９】樹脂パッケージを形成した状態を示す要部斜視図である。
【図１０】フレーム（導体メンバ）に凹部を形成した状態を示す要部断面図である。
【図１１】フレーム（導体メンバ）に凹部を形成した状態を裏面側から見た要部拡大斜視図である。
【図１２】凹部形成工程を説明するための要部断面図である。
【図１３】切断工程を説明するための要部断面図である。
【図１４】凹部の他の例を説明するための要部断面図である。
【図１５】本願発明の適用対象となる半導体装置の他の例を裏面側から見た全体斜視図である。
【図１６】従来のフレーム（導体メンバ）切断工程を説明するための要部断面図である。
【図１７】従来のフレーム（導体メンバ）切断工程を説明するための要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。図１ないし図３は、本願発明に係る製造方法の適用対象となる電子部品としての半導体装置の一例を示している。
【００２０】
半導体装置Ｘ１は、第１導体１、２つの第２導体２、半導体チップ３、ワイヤ４および樹脂パッケージ５を有している。
【００２１】
第１導体１は、平面視矩形状の形態を有している。第１導体１の第１面１１は平坦面とされているのに対して、第２面１２は、２つの凸部１３が設けられて凹凸状とされている。凸部１３の表面１４は平坦面とされており、この平坦面は、樹脂パッケージ５の下面５０から露出して端子面を構成している。第１導体１の端部１５は、樹脂パッケージ５から微小長さ、たとえば１０〜１００μｍだけ突出している。端部１５の端面１６は、上半部が下半部に比べて突出した段状とされている。
【００２２】
第２導体２は、直方体状とされており、第１面２０および第２面２１ともに平坦面とされている。第２面２１は、樹脂パッケージ５の下面５０から露出して端子面を構成している。第２導体２の端部２２もまた、樹脂パッケージ５から微小長さ、たとえば１０〜１００μｍだけ突出している。端部２２の端面２３もまた、上半部が下半部に比べて突出した段状とされている。
【００２３】
半導体チップ３は、図面上に表れていないが上面および下面に電極が形成されている。この半導体チップ３は、ハンダペーストや銀ペーストなどの導電性材料を用いた実装作業により第１導体１の第１面１１上に実装されている。半導体チップ３の下面には電極が形成されていることから、導電性材料を用いて第１導体１上に半導体チップ３を実装すれば、第１導体１と半導体チップ３の下面の電極とが導通する。一方、半導体チップ３の上面の電極は、ワイヤ４を介して第２導体２の第１面２０と導通接続されている。
【００２４】
樹脂パッケージ５は、半導体チップ３およびワイヤ４を封止している。この樹脂パッケージ５の下面５０からは、上述したように端子面１４，２１が露出している。これにより、半導体装置Ｘ１が回路基板などに対して面実装可能とされている。
【００２５】
以上の構成を有する半導体装置Ｘ１は、図４および図５に示したフレームを用いて製造される。なお、図４はフレームを上面側から見た要部斜視図、図５はフレームを下面側から見た要部斜視図である。
【００２６】
フレーム６は、一対のサイドメンバ６０を有し、これらのサイドメンバ６０を橋渡すようにして複数のクロスメンバ６１が設けられている。各クロスメンバ６１からは、隣接するクロスメンバ６１に向けて第１導体メンバ６２および第２導体メンバ６３が突出して形成されている。第１および第２導体メンバ６２，６３は、図１ないし図３に示した半導体装置Ｘ１における第１および第２導体１，２となるべき部分である。第１導体メンバ６３は、半導体装置Ｘ１における端子面１４を構成すべき部分が厚肉とされており、その余の部分が薄肉とされている。このようなフレーム６では、隣接するクロスメンバ６１の間の領域に形成された第１導体６２と第２導体６３のペアによって１つの半導体装置Ｘ１が形成される。つまり、当該ペアを含む領域が図４および図５に仮想線で示したように個々の半導体装置形成領域６４を構成している。
【００２７】
このようなフレーム６に対しては、まず、ダイボンディングおよびワイヤボンディングを行い、図６に示したような状態とする。
【００２８】
ダイボンディングでは、図７（ａ）に示したように、まず、下面の電極にハンダペーストなどの導電性材料が塗布された半導体チップ３を、フレーム６の第１導体メンバ６２の上面６２ａに載置する。半導体チップは、吸着コレット７０を用いて第１導体メンバ６２に載置される。その後、加熱炉においてハンダペーストなどをリフローさせることにより半導体チップ３が第１導体メンバ６２に接合される。
【００２９】
一方、ワイヤボンディングは、既存のワイヤボンダーを用いて行われる。より具体的には、図７（ｂ）に示したように、まず、ワイヤボンダーのキャピラリ７１からワイヤ４′の先端部を突出させてこれを溶融させた後、当該先端部を半導体チップ３における上面の電極に押し付ける。次いで、キャピラリ７１からワイヤ４′を引き出しつつキャピラリ７１を移動させ、キャピラリ７１によって第２導体メンバ６３の上面にワイヤ４′を押し付けて切断することによりワイヤボンディングが行われる。
【００３０】
次いで、個々の半導体チップ３を個別に覆うようにして樹脂パッケージ５を形成する。樹脂パッケージングは、図８（ａ）に示したように型締め状態において個々の半導体チップ３を個別に覆うキャビティ空間７４を形成する上金型７２および下金型７３を用いて行われる。より具体的には、キャビティ空間７４内に半導体チップ３およびワイヤ４を収容した状態でキャビティ空間７４内に熱硬化性樹脂を注入した後に熱硬化性樹脂を熱硬化させることにより行われる。その後に離型すれば、図８（ｂ）や図９に示したように、個々の半導体チップ３を個別に覆うようにしてフレーム６の上面側に樹脂パッケージ５が形成される。
【００３１】
続いて、樹脂パッケージ５に極近接した部位において、第１および第２導体メンバ６２，６３を切断することにより図１ないし図３に示したような個別の半導体装置Ｘ１が得られる。第１および第２導体メンバ６２，６３の切断は、凹部形成工程と切断工程からなる。
【００３２】
凹部形成工程においては、第１および第２導体メンバ６２，６３に対して図１０および図１１に示したような凹部６５が形成される。凹部６５は、第１および第２導体メンバ６２，６３の下面６２ａ、６３ａにおける樹脂パッケージ５に極近接した部位、たとえば樹脂パッケージ５からの最短距離が１０〜１００μｍの部位に形成される。凹部６５は、クロスメンバ６１と同方向に延びる断面Ｖ字状とされており、樹脂パッケージ５に近い部位が鉛直面６６とされている。
【００３３】
このような凹部６５は、図１２に示したようにダイ７５およびポンチ７６を用いて行われる。ダイ７５は、樹脂パッケージ５に対応した部位にこの樹脂パッケージ５を覆う得る凹部７５ａが形成されたものである。したがって、ダイ７５によってフレーム６の上面側を覆えば、樹脂パッケージ５を凹部７５ａに収容しつつフレーム６の上面を押圧することができる。一方、ポンチ７６は、複数の刃部７６ａを有するものであり、各々の刃部７６ａが片刃とされている。これらの刃部７６ａは、樹脂パッケージ５の寸法よりも若干大きな間隔を隔てて配置された２個のものが１つの組を構成しており、このような組がサイドメンバ６０（図４参照）の延びる方向に並んで複数組設けられている。
【００３４】
フレーム６に凹部６５を形成する場合には、ダイ７５をフレーム６の上面に当接させた状態で、フレーム６の下面側からポンチ７６の刃部７６ａを作用させる。このとき、フレーム６（第１および第２導体メンバ６２，６３）に対する凹部形成位置や刃部７６ａの進入の程度（凹部の深さ）を規制し、またフレーム６を確実に固定するために、ストリッパ７７を介在させた状態でパンチ７６を作用させる。こうすることにより、第１および第２導体メンバ６２，６３の下面における樹脂パッケージ５に極近接した部位に、クロスメンバ６１と同方向に延びる断面Ｖ字状の凹部６５が、第１および第２メンバ６２，６３の中間部に至る深さに形成される。
【００３５】
一方、切断工程は、ポンチや回転ブレードなどの既存の切断体を用いて行われる。図１３にはポンチ７８を用いた場合を示した。同図に示したように、ポンチ７８は、隣接する樹脂パッケージ５の間の距離よりも若干小さな厚み寸法（図の左右方向）を有している。より具体的には、凹部６５における鉛直面６６の間の距離よりも若干小さな厚み寸法を有している。切断工程では、ダイ７９上にフレーム６を載置した状態でフレーム６の上面側からポンチ７８が作用させられ、これにより第１および第２メンバ６２，６３が切断されて個々の半導体装置Ｘ１が得られる。このとき、半導体チップ３をピンＰにより軽く押圧しておくのが好ましい。
【００３６】
この製造方法によれば、先に凹部６５が形成されているので、凹部６５の内面（６６）とポンチ７８による切断面６７とが繋がれば第１および第２導体メンバ６２，６３は切断される。つまり、凹部６５が形成されていない場合に比べて、切断工程において切断すべき部位の厚みが事実上小さくされている。その結果、第１および第２導体メンバ６２，６３に対して大きな力を作用させることなく、第１および第２導体メンバ６２，６３を切断することができるようになる。これにより、第１および第２導体メンバ６２，６３における樹脂パッケージ５からの距離が小さい部位においても、フレーム６をストリッパやカットダイで押さえなくとも第１および第２導体メンバ６２，６３を切断することができるようになる。すなわち、樹脂パッケージング工程において半導体チップ３を個別に樹脂パッケージングしたとしても、樹脂パッケージ５から第１および第２導体１，２をほとんど突出させることなく第１および第２導体メンバ６２，６３を切断し、第１および第２導体１，２の突出量の極小さい半導体装置Ｘ１を提供できるようになる。
【００３７】
半導体チップ３を個別に樹脂パッケージングしても、不具合なく第１および第２導体１，２が微小長さだけ突出した形態の半導体装置Ｘ１を製造できるようになれば、複数の半導体チップ３に対して一括して樹脂封止する場合に比べて、樹脂パッケージング工程で必要な樹脂量を低減して製造コストの低減を図ることができるようになる。また、半導体装置Ｘ１のサイズが同じであれば、樹脂パッケージ５からの突出量を小さくできれば、相対的に樹脂パッケージサイズを大きくできる。これにより、 第１および第２導体１，２における半導体チップ３を搭載すべき領域を大きく確保できるようになる。
【００３８】
また、第１および第２導体メンバ１，２を小さい力により切断できるのであれば、第１および第２導体メンバ１，２を切断する際に当該導体メンバ１，２と樹脂パッケージ５との間の接合面に作用する力（剥離力）を小さくして、樹脂パッケージ５からの導体メンバ（導体）の剥離を抑制することができるようになる。これにより、歩留まりを向上させて製造コストの低減を図ることができるようになる。
【００３９】
この製造方法の切断工程においては、凹部６５の鉛直面６６の間の距離よりもポンチ７８の厚み寸法のほうが小さくされている。このため、ポンチ７８による切断面６７が鉛直面６６から位置ずれした部位に形成され、第１および第２導体１，２の端面１６，２３が段状となる。このようにして段状の端面１６，２３を形成するようにすれば、切断工程において切断バリが生じた場合には、図１３に拡大図で示したように段状の部分に切断バリＢが付着する。特に、凹部６５が鉛直面６６を有するものとすれば、ポンチ７８が鉛直面６６を通過する際に切断バリＢが鉛直面６６に対して擦り付けられて付着する。したがって、樹脂パッケージ５の上面側から第１および第２導体メンバ６２，６３を切断したとしても、第１および第２導体１，２の下面（第２面）１３，２１に切断バリＢが付着することが抑制されている。
【００４０】
第１および第２導体１，２における樹脂パッケージ５の下面５０から露出する面は、ハンダなどを介して回路基板などに接合される部分である。このため、第１および第２導体１，２の下面への切断バリＢの付着が抑制されれば、ハンダなどの接合層内に切断バリＢが混入することを抑制できる。接合層内に切断バリが混在すれば、接合強度が低下することが懸念されるが、切断バリの混入が抑制できれば、所望の接合強度を確保することができるようになる。
【００４１】
以上に説明した実施の形態では、電子部品としての半導体装置を例にとって説明したが、樹脂パッケージから導体が微小長さだけ突出した形態を有する他の電子部品、たとえば電子素子としてコンデンサ素子や抵抗素子を採用した電子部品についても本願発明を適用できる。
【００４２】
本実施の形態においては、フレームに対して鉛直面を有する断面Ｖ字状の凹部を形成していたが、この凹部の形態は特に限定されない。たとえば図１４（ａ）に示したように断面矩形状であってもよいし、同図１７（ｂ）に示したように断面Ｕ字状であってもよい。また、２つの傾斜面を有する断面Ｖ字状や円弧状などのように他の形態であってもよい。
【００４３】
図１ないし図３に示した半導体装置では、樹脂パッケージの底面から４つの端子面が露出していたが、たとえば図１５（ａ）に示したような２つの端子面１４′、２１′が露出する半導体装置Ｘ２や同図（ｂ）に示したような３つの端子面１４″、２１″が露出する半導体装置Ｘ３の他、５つ以上の端子面を有する半導体装置の製造方法としても本願発明を適用できる。
【符号の説明】
【００４４】
Ｘ１〜Ｘ３  半導体装置（電子部品）
１  第１導体
２  第２導体
３  半導体チップ（電子素子）
５  樹脂パッケージ
５０  下面（樹脂パッケージの）
６  フレーム
６２  第１導体メンバ（フレームの）
６３  第２導体メンバ（フレームの）
６５  凹部（フレームの）
６６  鉛直面（凹部の）
７６、７８  パンチ（切断体）
【図１】
2011071558.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011071558.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2011071558.tif 000012
【図１１】
2011071558.tif 000013
【図１２】
2011071558.tif 000014
【図１３】
2011071558.tif 000015
【図１４】
2011071558.tif 000016
【図１５】
2011071558.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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【手続補正書】
【提出日】平成23年2月9日(2011.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体に導通接続された電子素子が樹脂パッケージにより封止され、かつ上記樹脂パッケージから上記複数の導体のうちの少なくとも１つの導体が微小長さだけ突出した形態を有する電子部品を製造する方法であって、
電子部品形成領域が複数設定され、かつ上記各電子部品形成領域毎に上記導体となるべき導体メンバが複数形成された製造用フレームを用い、上記導体メンバを電子素子と導通接続する工程と、
上記各電子部品形成領域毎に少なくとも１つの導体メンバが突出し、かつ上記電子素子を個別に樹脂封止して上記樹脂パッケージを形成する樹脂パッケージング工程と、
上記複数の導体メンバのうちの少なくとも１つの導体メンバにおける上記樹脂パッケージから突出した部位に対して、第１切断体により当該導体メンバの厚み方向の中間部にまで至る凹部を形成する凹部形成工程と、
上記凹部が形成された導体メンバに対して、上記凹部が形成された面とは反対の面から第２切断体を作用させ、上記凹部の上記樹脂パッケージ側の内壁が露出するように上記導体メンバを切断する切断工程と、
を含むことを特徴とする、電子部品の製造方法。
【請求項２】
上記切断工程においては、上記導体の端面を段状に形成する、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
上記凹部と上記樹脂パッケージとの最短距離は、１０〜１００μｍである、請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
上記樹脂パッケージング工程においては、少なくとも１つの導体メンバが上記樹脂パッケージの下面から露出させられ、
上記凹部形成工程においては、上記導体メンバに対して上記樹脂パッケージの下面側から上記凹部が形成され、
上記切断工程においては、上記樹脂パッケージの上面側から上記第２切断体が作用させて上記導体メンバが切断される、請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
上記凹部は、断面Ｖ字状のノッチとして形成される、請求項１ないし４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
上記凹部は、上記樹脂パッケージ側の内壁が鉛直面とされている、請求項１ないし５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
上記第１切断体および上記第２切断体は、パンチである、請求項１ないし６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
複数の導体に導通接続された電子素子が樹脂パッケージにより封止され、かつ上記樹脂パッケージから上記複数の導体のうちの少なくとも１つの導体が微小長さだけ突出した形態を有する電子部品を製造する方法であって、
電子部品形成領域が複数設定され、かつ上記各電子部品形成領域毎に上記導体となるべき導体メンバが複数形成された製造用フレームを用い、上記導体メンバを電子素子と導通接続する工程と、
上記各電子部品形成領域毎に少なくとも１つの導体メンバが突出し、かつ上記電子素子を個別に樹脂封止して上記樹脂パッケージを形成する樹脂パッケージング工程と、
上記複数の導体メンバのうちの少なくとも１つの導体メンバにおける上記樹脂パッケージから突出した部位に対して、第１切断体により当該導体メンバの厚み方向の中間部にまで至る凹部を形成する凹部形成工程と、
上記凹部が形成された導体メンバに対して、上記凹部が形成された面とは反対の面から第２切断体を作用させ、当該導体メンバを、上記凹部の上記樹脂パッケージ側の内壁が露出して当該導体メンバの端面に段状部が形成されるように切断する切断工程と、
を含み、
上記切断工程においては、上記第２切断体によって切断バリを上記段状部に擦り付けることを特徴とする、電子部品の製造方法。
【請求項９】
上記切断工程においては、上記導体の端面を段状に形成する、請求項８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
上記凹部と上記樹脂パッケージとの最短距離は、１０〜１００μｍである、請求項８または９に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
上記樹脂パッケージング工程においては、少なくとも１つの導体メンバが上記樹脂パッケージの下面から露出させられ、
上記凹部形成工程においては、上記導体メンバに対して上記樹脂パッケージの下面側から上記凹部が形成され、
上記切断工程においては、上記樹脂パッケージの上面側から上記第２切断体が作用させて上記導体メンバが切断される、請求項８ないし１０のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
上記凹部は、断面Ｖ字状のノッチとして形成される、請求項８ないし１１のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】
上記凹部は、上記樹脂パッケージ側の内壁が鉛直面とされている、請求項８ないし１２のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１４】
上記第１切断体および上記第２切断体は、パンチである、請求項８ないし１３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１５】
複数の導体に導通接続された電子素子が樹脂パッケージにより封止され、かつ上記樹脂パッケージから上記複数の導体のうちの少なくとも１つの導体が突出させられている電子部品であって、
上記突出させられた導体の端面は、その厚み方向の一方側の第１部分と、他方側の第２部分とを有しているとともに、上記第１部分に対して上記第２部分が上記樹脂パッケージ側に位置ずれしていて段状部が形成されており、かつ、
上記段状部には、切断により上記第１部分が形成される際に生じるバリが付着させられていることを特徴とする、電子部品。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本願発明は、半導体素子、コンデンサ素子あるいは抵抗素子などの電子素子が樹脂パッケージにより封止され、かつ樹脂パッケージから導体が微小長さだけ突出した形態を有する電子部品を製造する方法、およびこの方法によって製造された電子部品に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本願発明により提供される電子部品の製造方法では、複数の導体に導通接続された電子素子が樹脂パッケージにより封止され、かつ上記樹脂パッケージから上記複数の導体のうちの少なくとも１つの導体が微小長さだけ突出した形態を有する電子部品を製造する方法であって、電子部品形成領域が複数設定され、かつ上記各電子部品形成領域毎に上記導体となるべき導体メンバが複数形成された製造用フレームを用い、上記導体メンバを電子素子と導通接続する工程と、上記各電子部品形成領域毎に少なくとも１つの導体メンバが突出し、かつ上記電子素子を個別に樹脂封止して上記樹脂パッケージを形成する樹脂パッケージング工程と、上記複数の導体メンバのうちの少なくとも１つの導体メンバにおける上記樹脂パッケージから突出した部位に対して、第１切断体により当該導体メンバの厚み方向の中間部にまで至る凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部が形成された導体メンバに対して、上記凹部が形成された面とは反対の面から第２切断体を作用させ、上記凹部の上記樹脂パッケージ側の内壁が露出するように上記導体メンバを切断する切断工程と、を含むことを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
好ましい実施の形態においては、上記導体の端面を段状に形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
なお、凹部は、たとえば断面Ｖ字状のノッチとして形成される。もちろん、凹部の断面形状は、円弧状、矩形状、あるいはＵ字状などであってもよい。ただし、凹部における樹脂パッケージよりの内壁は、導体メンバの厚み方向に拡がる鉛直面とされているのが好ましい。そうすれば、切断工程においては、この工程において生じた切断バリが第２切断体を介して段状の部分に擦り付けられることとなり、第２切断体により切断バリが導体の表面にまで持ち去られることを抑制できる。その結果、切断バリを導体の端面に留めておいて、導体の表面に付着してしまうことをより確実に抑制することができるようになる。