(57)【要約】【課題】ターゲットへの再付着を低減させて、異常放電およびダストを防止すると共に、成膜速度の低下を抑制する。【解決手段】希ガスを含むスパッタリングガスを真空チャンバ１内へ２ヶ所以上の場所から導入し、ターゲット２の周囲から導入するスパッタリングガスの分子量を、基板５１の周囲から導入するいずれのスパッタリングガスの分子量と比べて大きくすると共に、ターゲット２の周囲に、スパッタリングガスをプラズマ化する導入ガス用プラズマ源１３を設ける。このようにすることにより、分子量の大きいスパッタリングガスを優先的にイオン化することによりスパッタリング能力を高めることができる。これによりターゲット２への再付着を低減させると共に、成膜レートが低減することを抑制することが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ内にターゲットと被処理物を設置し、希ガスを含む複数種類のスパッタリングガスを前記真空チャンバ内に少なくとも２ヶ所から導入し、プラズマを発生させて前記被処理物に対して成膜を行うスパッタリング方法において、
前記ターゲットの周囲から導入する前記スパッタリングガスの中で最も流量の多いガスの分子量が、前記被処理物の周囲から導入する前記スパッタリングガスの中で最も大きいこと
を特徴とするスパッタリング方法。
【請求項２】
前記ターゲットの周囲から導入する前記スパッタリングガスの中で最も流量の多いガスがＡｒあるいはＸｅの単体ガスであり、
前記被処理物の周囲から導入する前記スパッタリングガスがＨｅあるいはＮｅの単体ガス、またはそれらの混合ガスであること
を特徴とする請求項１に記載のスパッタリング方法。
【請求項３】
前記ターゲットの周囲から導入するｎ−１種類の前記スパッタリングガスをＡ１乃至Ａｎ−１、前記被処理物の周囲から導入する前記スパッタリングガスをＢとし、前記ターゲットと前記被処理物との距離をＬ（ｍｍ）、前記ガスＡ１乃至Ａｎ−１の分圧をそれぞれＰ１，Ｐ２，Ｐ３，・・・，Ｐｎ−１（Ｐａ）、前記ガスＢの分圧をＰｎ（Ｐａ）、前記ガスＡの分子量をＭ１，Ｍ２，Ｍ３，‥‥Ｍｎ−１、前記ガスＢの分子量をＭｎ、前記ターゲットの分子量をＭTとしたときに、下式（数１）の関係を満たすこと
を特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリング方法。
【数１】
2011241459.tif 000004
【請求項４】
その内部にターゲットと被処理物とが設置された真空チャンバと、希ガスを含むスパッタリングガスを前記真空チャンバ内に少なくとも２ヶ所から導入するガス導入装置と、前記真空チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ源と、を備えるスパッタリング装置において、
前記ガス導入装置が、前記ターゲットの周囲から導入する前記スパッタリングガスの中で最も分子量の大きいガスの流量が、前記被処理物の周囲から導入する前記スパッタリングガスの中で最も多くなるようにガスを導入するものであること
を特徴とするスパッタリング装置。
【請求項５】
前記真空チャンバに設置した排気口と前記ターゲットとの距離が、前記排気口と前記被処理物との距離よりも短いこと
を特徴とする請求項４に記載のスパッタリング装置。
【請求項６】
前記ターゲットの周囲に前記スパッタリングガスをプラズマ化する手段を設けたこと
を特徴とする請求項４または５に記載のスパッタリング装置。
【請求項７】
前記ターゲットの周囲から導入するｎ−１種類の前記スパッタリングガスをＡ１乃至Ａｎ−１、前記被処理物の周囲から導入する前記スパッタリングガスをＢとし、前記ターゲットと前記被処理物との距離をＬ（ｍｍ）、前記ガスＡ１乃至Ａｎ−１の分圧をそれぞれＰ１，Ｐ２，Ｐ３，・・・，Ｐｎ−１（Ｐａ）、前記ガスＢの分圧をＰｎ（Ｐａ）、前記ガスＡの分子量をＭ１，Ｍ２，Ｍ３，‥‥Ｍｎ−１、前記ガスＢの分子量をＭｎ、前記ターゲットの分子量をＭTとしたときに、上式（数１）の関係を満たすこと
を特徴とする請求項４から６いずれか１項に記載のスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング方法および装置に係り、特にターゲット表面への再付着によるダスト発生を防止する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
真空中でプラズマを発生させて基板に成膜を行う技術として、スパッタリング技術がある。このスパッタリング技術は、スパッタ粒子が高エネルギーをもって基板に到達するために、基板との付着力を高くすることができ、緻密な膜を形成できるという利点がある。このため電子部品や光学薄膜などの多くの製品の量産に用いられている。
【０００３】
また、スパッタリング技術では、原材料からなるターゲットの裏面に磁気回路を設置してターゲット表面に磁気トンネルを形成し、この磁力線によって電子を捕捉することにより電離確率を高め、高密度プラズマを作ることによって高速に成膜を行うことが可能である。
【０００４】
しかし、局所的にプラズマを発生させるためターゲット材料の一部が選択的に侵食され、実際にスパッタリングによって放出される材料は１０〜２０％程度しかない。また、ターゲット全面が侵食されないために、表面には再付着による膜成長が生じる。この膜は生産中に剥離し、基板に付着して欠陥を生じる原因となる。
【０００５】
この問題を解決する方法として、例えば、特許文献１に記載された技術のように磁気回路を回転したり、特許文献２に記載された技術のように磁石を揺動したりすることによって、プラズマ生成領域を時間的に移動させる方法、あるいは電磁石などによってプラズマを移動させる方法などが試みられてきたが、装置の可動部が増えることから機構が複雑になり、設備コストも高くなりがちであった。
【０００６】
一方、磁気回路を固定したままでプラズマが発生する領域を拡大する手段としては、ターゲット面に対して垂直方向に磁化された磁極と、水平方向に磁化された磁極との組み合わせからなる磁気回路によって、侵食領域を拡大させるようにした特許文献３に記載された技術がある。
【０００７】
また、特許文献４には、磁石を冷却水ジャケットの外に配置して、侵食が困難であるターゲット中心にまで効果的にエロージョン(Erosion)を拡大する方法が提案されている。この配置によれば、比較的原子量が大きいＮｂやＴａにおいてエロージョン範囲を大きく拡大することができる。
【０００８】
しかし、例えばＳｉなどの軽元素の場合、スパッタリングガスのＡｒ原子との衝突で散乱されやすく、ターゲットに戻ってくる量が増える。プラズマが広がってターゲット表面をスパッタリングしても、再付着する粒子の量が増えることから、再付着膜が成長してエロージョン領域は狭くなる。
【０００９】
このため、Ｓｉのような軽元素においても広いエロージョン領域を実現し、ダストの発生を抑制できるスパッタ装置を実現することが必要である。
【００１０】
磁気回路に対する工夫以外にエロージョンを拡大するためには、スパッタ粒子の散乱を抑制する方法がある。これには、通常用いられるスパッタリングガスであるＡｒの一部に替えて、原子量の小さいＨｅやＮｅを用いることが考えられる。
【００１１】
図６を参照して従来のスパッタリング装置における一般的なガス導入方法について説明する。
【００１２】
図６において、１は真空チャンバ、２はターゲット、３はバッキングプレート、４は高電圧印加電源である。ターゲット２と対向する位置に基板５１が設置される。６１はターゲット側に導入するガスに関するガス導入装置、６３はガス供給口である。７は排気装置、８は排気口、９はバルブ、１０はアースシールド、１１は磁気回路である。
【００１３】
通常、スパッタリング用のガスは、ガス導入装置６１を用いてターゲット２の周囲から導入される。分子量の小さいＨｅやＮｅはＡｒに比べてターゲットをスパッタリングする能力が低く、ターゲット２の表面をスパッタリングするイオンの一部がＨｅやＮｅのイオンになることから、成膜レートが低下してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特公平３−５０８３２号公報
【特許文献２】特公昭６１−３００２７号公報
【特許文献３】特許第３４７３９５４号公報
【特許文献４】特開２００９−１４９９７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、前記従来の課題を解決するものであり、効果的にスパッタリングガスを電離させ、イオンによるスパッタリングを支援することによって成膜レートの低減を防ぐと共に、ターゲットのエロージョン領域を拡大し、ダストの発生を抑制することができるスパッタリング方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明にかかるスパッタリング方法および装置は、真空チャンバ内にターゲットと被処理物を設置し、希ガスを含む複数種類のスパッタリングガスを前記真空チャンバ内に少なくとも２ヶ所から導入し、プラズマを発生させて前記被処理物に対して成膜を行い、前記ターゲットの周囲から導入する前記スパッタリングガスの中で最も流量の多いガスの分子量が、前記被処理物の周囲から導入する前記スパッタリングガスの中で最も大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、効果的にスパッタリングガスを電離させ、イオンによるスパッタリングを支援することによって、成膜レートの低減を防ぐと共に、ターゲットのエロージョン領域を拡大し、ダストの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１におけるスパッタリング装置の正面概略図
【図２】本発明の実施の形態１におけるターゲットとプラズマ源の位置関係を示す平面図
【図３】本発明の実勢の形態１における基板とガス導入口の位置関係を示す平面図
【図４】本発明の実施の形態２におけるスパッタリング装置の正面概略図
【図５】本発明の実施の形態１と２との変形例におけるガス導入部部分を示す正面図
【図６】従来のスパッタリング装置の正面概略図
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１におけるスパッタリング装置の正面概略図である。
【００２１】
図１において、１は真空チャンバ、２はターゲット、３はバッキングプレート、４は高電圧印加電源である。高電圧印加電源４としては、直流電源の他に高周波電源、あるいはパルス電源、これらの重畳体であってもよい。
【００２２】
ターゲット２と対向する位置に、被処理物としての基板５１が搭載される基板ホルダ５２が設置されている。６１はターゲット２側にガスを導入する第１ガス導入装置、６２は基板５１側にガスを導入する第２ガス導入装置である。
【００２３】
さらに、７は排気装置、８は排気口、９はバルブ、１０はアースシールド、１１は磁気回路、１２は導入ガスをプラズマ化するための導入ガスプラズマ化用電源である。また、１３は導入ガス用プラズマ源であって、導入ガスプラズマ化用電源１２から電力が供給されてガスを電離する。導入ガス用プラズマ源１３は、平行平板電極によるものの他に、誘導結合型、あるいはホロカソード，マイクロ波によるＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマなども利用することができる。
【００２４】
導入ガス用プラズマ源１３はターゲット２の周囲に設置されている。そして、ターゲット２を平面方向に（図１の紙面上方向から）見た場合、図２に示すように、第１ガス導入装置６１から第１ガス供給口６３を通して導入ガス用プラズマ源１３に向かってガスが供給される。また、基板５１側のガスは、図３に示すように、第２ガス導入装置６２から第２ガス供給口６４を通して基板５１の周囲に導入される。
【００２５】
なお、本実施の形態においては矩形ターゲットの場合について示しているが、特に、この矩形ターゲットに限られるものではなく、丸型ターゲットなどのターゲット形状の場合も同様の効果が得られる。
【００２６】
図１に示す実施の形態１において、排気口８からの排気により真空チャンバ１内部を高真空とした後、両ガス導入装置６１，６２から一定流量の制御されたスパッタリングガスを導入する。本実施の形態１におけるスパッタリングガスとしては２種類以上の元素を用いる。以下、ターゲット２側にＡｒガス、基板５１側にＨｅガスと酸素ガスを供給し、ターゲット２としてＳｉを用いた例について説明する。
【００２７】
第１ガス導入装置６１からＡｒガスを５．０sccmを導入する。また、第２ガス導入装置６２からはＨｅガス８．０sccmと酸素ガス２０scccmとの混合ガスを導入する。各ガスは、それぞれガス供給口６３，６４を通して真空チャンバ１内に導入される。
【００２８】
ターゲット２をスパッタリングするイオンのうち、Ａｒイオンの比率を高めるためには、ターゲット２近傍における電子とＡｒガスの衝突確率を高めることが必要である。両ガス導入口６３，６４から導入されたガスはいずれ混合されるが、ターゲット２側からＡｒガスを導入することによってターゲット２近傍のＡｒ密度を高めることができ、Ａｒガスのイオン化率を高めることができる。さらに、排気口８を基板５１よりもターゲット２に近い位置に設置することにより、イオン化効率をより高めることができる。
【００２９】
ガス導入後、バルブ９の開度を調整して、チャンバ全圧を０．１３Ｐａに調整した後、ターゲット２およびバッキングプレート３に負のバイアス電圧を印加することにより、ターゲット２の表面にプラズマを発生させる。また、導入ガスプラズマ化用電源１２によりＡｒガスのプラズマ化を強化することにより、Ａｒイオンの量を増やすことができる。
【００３０】
なお、本実施の形態１においては、ガス供給口６３からはＡｒガスのみ、６４からはＨｅガスと酸素ガスとの混合ガスを導入する例について説明したが、これらの組み合わせのみに限るものではない。例えば、第１ガス供給口６３からＡｒガスとＨｅガスとの混合ガスを導入し、第２ガス供給口６４からＡｒガス，Ｈｅガス，酸素ガスの混合ガスを導入するようにしてもよい。
【００３１】
ただし、Ａｒイオンによるスパッタリングを優位にするためには、第１ガス供給口６３から導入するスパッタリングガスとしての希ガスのうちで、最も重い元素（この場合Ａｒ）の流量が最も多くなるように設定することが好ましい。より好ましくは、第１ガス供給口６３から導入するガスのうちで最も重い元素の流量が５０％以上にするとよい。また，第２ガス供給口６４から導入するガスは、最も軽い元素（この場合Ｈｅ）の流量が最も多くなるように設定することが好ましい。このように設定することで、ターゲット２をスパッタリングするイオンのうち、Ａｒイオンによるスパッタリングを優位にすることができる。
【００３２】
従来では、図６に示すように、ＡｒガスとＨｅガスとの導入は、共に、ガス導入装置６１を通して行われ、同じ位置から導入される。また、Ａｒガスのみを事前に電離させてチャンバに導入することは行われていなかった。この場合、ターゲット２の中心部分の再付着領域を減少させるようにすると、成膜レートの大きく低下する。
【００３３】
一方、本実施の形態１によれば、ターゲット２の中心の再付着領域を減少させながら成膜レートの低減を抑制することができる。これは、Ａｒイオンが減少することを抑制し、ターゲット２の表面からスパッタリングする効果が高まったためと考えることができる。
【００３４】
このように、実施の形態１によれば、ターゲット２近傍にＡｒガスを多く存在させて電離確率を高めることにより、スパッタリング能力の高いＡｒイオンの減少を抑制してスパッタリングレートを確保することができるため、成膜レートの低下を抑制することが可能になる。
【００３５】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２として、ターゲット側のガス導入部にプラズマ源を設置しない場合について、図４を参照しながら説明する。
【００３６】
図４は本発明の実施の形態２におけるスパッタ装置の正面概略図である。なお、以下の説明において、図１と同じ構成要素については、同じ符号を用いて、詳しい説明は省略する。
【００３７】
図４において、ターゲット２側から導入するＡｒガスは、第１ガス導入装置６１から供給され、バッキングプレート３とアースシールド１０の間を通ってターゲット２の表面に到達する。一方、Ｈｅガスおよび酸素ガスが、第２ガス導入装置６２から基板５１の周囲に供給される。分子量の大きいＡｒガスをターゲット２近傍から供給することによって、Ａｒガスによるスパッタ効果を高めることができる。
【００３８】
また、このとき排気口８からターゲット２までの距離を、ターゲット２から被処理物である基板５１との距離よりも短くすると、より効果が高まると考えられる。
【００３９】
ここで第２ガス供給口６４の形状は、均一な供給を実現するために基板５１の周囲から供給することが好ましく、例えば、図５に示すように、小さな穴を周囲に穿設したガス導入リング１４を基板５１の周囲に配置することが考えられる。この場合、ガス導入リング１４として、例えば直径６ｍｍ程度のＳＵＳ配管を用い、基板５１に向かう面に１．０ｍｍ程度の穴を数ヶ所開けることにより、基板５１に向かって均等にガスを供給することができる。
【００４０】
なお、本実施の形態２の構成は前述の実施の形態１と比較して、Ａｒガスの選択的電離の効果は低いものと推察されるが、ターゲット２−基板５１間の距離Ｌと各ガスの分圧とを指標にして、下式（数１）の式を満足する範囲において、ターゲット２の中心部の再付着領域が著しく減少することが分った。
【００４１】
ここで、ターゲットの周囲から導入するｎ−１種類のスパッタリングガスをＡ１乃至Ａｎ−１、被処理物の周囲から導入するスパッタリングガスをＢとし、ターゲットと被処理物との距離をＬ（ｍｍ）、ガスＡ１乃至Ａｎ−１の分圧をそれぞれＰ１，Ｐ２，Ｐ３，・・・，Ｐｎ−１（Ｐａ）、ガスＢの分圧をＰｎ（Ｐａ）、ガスＡの分子量をＭ１，Ｍ２，Ｍ３，‥‥Ｍｎ−１、ガスＢの分子量をＭｎ、ターゲットの分子量をＭTとしたときに、下記（数１）を満足する。
【００４２】
【数１】
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【００４３】
ターゲット２から飛び出したスパッタ粒子は途中のガスと衝突し散乱する。この散乱程度は、ガスの数密度を反映する圧力と、スパッタ粒子の飛行距離であるターゲット２−基板５１間の距離Ｌとの積で特徴付けられる。また、衝突によって受ける角度変化は、それぞれの粒子の質量数の比で決まる。
【００４４】
実施の形態２において、ターゲット２−基板５１間の距離Ｌは１１０ｍｍに設定した。ここで、第１ガス導入装置６１からＡｒガスを５．０sccmを導入し、第２ガス導入装置６２からはＨｅガス８．０sccmと酸素ガス２０sccmとの混合ガスを導入し、スパッタリングを行った。そして総圧力を０．１３Ｐａに保ちながら、Ｈｅガスの流量を減らしていき、このＨｅガスを減らした分の流量だけＡｒガスの流量を増やすことにより、ガスの総流量を一定とした。Ａｒガスの増加に伴いＡｒイオンの数は増えて成膜レートは向上するが、一方で再付着が増加する。
【００４５】
ターゲット２の表面の観察の結果、ターゲット２の中心部の再付着が生じる境界が前記（数１）の式の左辺の値が略１６．０であった。このことから、前記（数１）の式の左辺の値が１６．０より小さく、より好ましくは１６．０に近い値に設定することにより、再付着を防止し、かつレートの低減を抑制することができると考えられる。
【００４６】
以上のように、実施の形態２によれば、スパッタリング能力の高いＡｒガスを電離しやすくすると共にターゲット２への再付着量を抑制し、スパッタリングレートを確保することができるため、成膜レート低下を抑制することが可能になる。
【００４７】
以上説明したように、本発明者らは、Ａｒガス以外に原子量の小さい希ガスを混入させて成膜を行っても、成膜レート低下を抑制することができる構成を見出したのである。以下、本発明をその特徴ごとに説明する。
【００４８】
本発明に係るスパッタリング方法は、真空チャンバ１内にターゲット２と被処理物である基板５１を設置し、希ガスを含むスパッタリングガスを真空チャンバ１内に２ヶ所以上の場所から導入し、プラズマを発生させて成膜を行うスパッタリング方法であって、スパッタリングガスのうちターゲット２の周囲から導入するスパッタリングガスのうちで最も流量の多いスパッタリングガスの分子量を、基板５１の周囲から導入するいずれのスパッタリングガスの分子量と比べても大きいことを特徴とし、これにより、スパッタリング能力の高い分子量の大きいガスを電離しやすくすることができるため、ターゲット２のエロージョン領域を拡大し、成膜レートの低下を抑制することが可能になる。
【００４９】
また、本発明に係るスパッタリング方法は、ターゲット２の周囲から導入するスパッタリングガスのうちで最も流量の多いガスがＡｒあるいはＸｅの単体ガスであり、基板５１の周囲から導入するスパッタリングガスがＨｅ、Ｎｅの単体ガスあるいは混合ガスであることを特徴とし、これにより、スパッタリング能力の高い分子量の大きいガスを電離しやすくすることができるため、ターゲット２のエロージョン領域を拡大し、成膜レートの低下を抑制することが可能になる。
【００５０】
また、本発明に係るスパッタリング方法は、スパッタリングガスのうちターゲット２の周囲から導入するｎ−１種類のガスをＡ１からＡｎ−１とし、基板５１の周囲から導入するガスをＢとしたとき、ターゲット２と基板５１の距離をＬ（ｍｍ）、ガスＡ１からＡｎ−１の分圧をＰ１，Ｐ２，Ｐ３，‥‥Ｐｎ−１（Ｐａ）、ガスＢ分圧をＰｎ（Ｐａ）、ガスＡの分子量をＭ１，Ｍ２，Ｍ３，‥‥Ｍｎ−１、ガスＢの分子量をＭｎ、ターゲット材料の分子量をＭTとしたときに、前記（数１）の式の関係を満たすことを特徴とし、これにより、スパッタリング能力の高い分子量の大きいガスを電離しやすくし、かつターゲット２から飛び出した材料粒子が散乱を受けることを抑制できるため、ターゲット２のエロージョン領域を拡大し、成膜レートの低下を抑制することが可能になる。
【００５１】
さらに、本発明に係るスパッタリング装置は、真空チャンバ１内にターゲット２と基板５１を設置し、希ガスを含むスパッタリングガスを真空チャンバ１内に２ヶ所以上の場所から導入し、プラズマを発生させて成膜を行うスパッタリング装置において、ターゲット２の周囲から導入するスパッタリングガスのうちで最も流量の多いガスの分子量が、基板５１の周囲から導入するいずれのスパッタリングガスの分子量と比べても大きく、かつ真空チャンバ１に設置した排気口８とターゲット２との距離が、排気口８と基板５１との距離よりも短いことを特徴とし、これにより、スパッタリング能力の高い分子量の大きいガスを電離しやすくすることができるため、ターゲット２のエロージョン領域を拡大し、成膜レートの低下を抑制することが可能になる。
【００５２】
また、本発明に係るスパッタリング装置は、真空チャンバ１内にターゲット２と基板５１を設置し、希ガスを含むスパッタリングガスを真空チャンバ１内に２ヶ所以上の場所から導入し、プラズマを発生させて成膜を行うスパッタリング装置において、ターゲットの周囲から導入するスパッタリングガスのうちで最も流量の多いガスの分子量が、基板５１の周囲から導入するいずれのスパッタリングガスの分子量と比べて大きく、かつターゲット２の周囲にはスパッタリングガスをプラズマ化する手段を設けたことを特徴とし、これにより、スパッタリング能力の高い分子量の大きいガスを電離しやすくすることができるため、ターゲット２のエロージョン領域を拡大し、成膜レートの低下を抑制することが可能になる。
【００５３】
また、本発明に係るスパッタリング装置は、真空チャンバ１内にターゲット２と基板５１を設置し、希ガスを含むスパッタリングガスを真空チャンバ１内に２ヶ所以上の場所から導入し、プラズマを発生させて成膜を行うスパッタリング装置において、スパッタリングガスのうちターゲット２の周囲から導入するｎ−１種類のガスをＡ１からＡｎ−１とし、基板５１の周囲から導入するガスをＢとしたとき、ターゲット２と基板５１の距離をＬ（ｍｍ）、ガスＡ１からＡｎ−１の分圧をＰ１，Ｐ２，Ｐ３，‥‥Ｐｎ−１（Ｐａ）、ガスＢ分圧をＰｎ（Ｐａ）、ガスＡの分子量をＭ１，Ｍ２，Ｍ３，‥‥Ｍｎ−１、ガスＢの分子量をＭｎ、ターゲット材料の分子量をＭTとしたときに、前記（数１）の式の関係を満たすことを特徴とし、これにより、ターゲット２のエロージョン領域を拡大し、成膜レートの低下を抑制することが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、軽元素材料からなるターゲットを用いたスパッタリングにおいてもターゲット表面への再付着を防ぎ、かつ成膜速度の低下を抑制することが可能である。これにより、ターゲット表面における異常放電やダスト発生を低減させ、品質の良い薄膜を作製することができる。このためスパッタリング方法および装置として有用である。
【符号の説明】
【００５５】
１  真空チャンバ
２  ターゲット
３  バッキングプレート
４  高電圧印加電源
７  排気装置
８  排気口
９  バルブ
１０  アースシールド
１１  磁気回路
１２  導入ガスプラズマ化用電源
１３  導入ガス用プラズマ源
１４  ガス導入リング
５１  基板
５２  基板ホルダ
６１  第１ガス導入装置
６２  第２ガス導入装置
６３  第１ガス供給口
６４  第２ガス供給口
【図１】
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【図２】
2011241459.tif 000006
【図３】
2011241459.tif 000007
【図４】
2011241459.tif 000008
【図５】
2011241459.tif 000009
【図６】
2011241459.tif 000010