(57)【要約】【課題】高密度で微細なパターンの断線を低温プロセスによって修正可能な回路基板の欠陥修正方法を提供する。【解決手段】基板１上に形成された配線３の断線箇所Ｄを含む基板１の露出面領域に、光照射によって濡れ性が変化する物質を用いた濡れ性調整層５を成膜する。次の第２工程では、濡れ性調整層５における断線個所Ｄに対応する部分、またはそれ以外の部分に光を照射する。これにより濡れ性調整層５における断線個所に対応する部分の電極形成液に対する濡れ性を、それ以外の部分よりも高くする。その後断線個所Ｄに対応する濡れ性調整層５部分上に電極形成液を供給して乾燥させる。これにより、断線個所Ｄに電極形成液を乾燥させた修正電極パターン７を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された配線の断線箇所を含む当該基板の露出面領域に、光照射によって濡れ性が変化する物質を用いた濡れ性調整層を成膜する第１工程と、
前記濡れ性調整層における前記断線個所に対応する部分またはそれ以外の部分に光を照射し、当該濡れ性調整層における当該断線個所に対応する部分の電極形成液に対する濡れ性を、それ以外の部分よりも高くする第２工程と、
前記濡れ性調整層において濡れ性を高くした前記断線個所に対応する部分に電極形成液を供給して乾燥させることにより、当該断線個所に当該電極形成液を乾燥させた修正電極パターンを形成する第３工程とを行う
回路基板の欠陥修正方法。
【請求項２】
請求項１記載の回路基板の欠陥修正方法において、
前記濡れ性調整層の成膜に用いる塗布液に対する前記基板の濡れ性は、前記配線の濡れ性よりも高く、
前記第１工程では、前記基板の露出面上に前記塗布液を選択的に塗布して前記濡れ性調整層を成膜する
回路基板の欠陥修正方法。
【請求項３】
請求項２記載の回路基板の欠陥修正方法において、
前記第１工程の前に、前記濡れ性調整層の成膜に用いる塗布液に対して、前記配線の表面を疎液化する処理を行う
回路基板の欠陥修正方法。
【請求項４】
請求項１記載の回路基板の欠陥修正方法において、
前記配線はパターン露光を伴うリソグラフィー処理を適用して形成されたものであり、
前記第２工程では、前記配線の形成におけるパターン露光と同一のパターンで前記濡れ性調整層に対して光を照射する
回路基板の欠陥修正方法。
【請求項５】
請求項１記載の回路基板の欠陥修正方法において、
前記第２工程では、前記濡れ性調整層における前記断線個所に対応する部分に光を照射し、光を照射した部分の濡れ性を未照射部分よりも高くする
回路基板の欠陥修正方法。
【請求項６】
請求項１記載の回路基板の欠陥修正方法において、
前記第２工程では、前記濡れ性調整層における前記断線個所以外の部分に光を照射し、光を照射した部分の濡れ性を未照射部分よりも低くする
回路基板の欠陥修正方法。
【請求項７】
基板上に設けられた配線と、
前記配線の断線個所を含む前記基板の露出面領域に設けられた濡れ性調整層と、
前記断線個所に対応する前記濡れ性調整層の上部に設けられた修正電極パターンとを備え、
前記濡れ性調整層における前記断線個所に対応する部分は、前記修正電極パターンの形成に用いる電極形成液に対する濡れ性が他の部分よりも高い
回路基板。
【請求項８】
請求項７記載の回路基板において、
前記配線の露出面は、前記濡れ性調整層の成膜に用いる塗布液に対して疎液化処理されている
回路基板。
【請求項９】
支持基板上に設けられた半導体層と、
前記半導体層が設けられた前記支持基板上を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた配線と、
前記配線の断線個所を含む前記絶縁膜の露出面領域に設けられた濡れ性調整層と、
前記断線個所に対応する前記濡れ性調整層の上部に設けられた修正電極パターンとを備え、
前記濡れ性調整層における前記断線個所に対応する部分は、前記修正電極パターンの形成に用いる電極形成液に対する濡れ性が他の部分よりも高い
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の欠陥修正方法、回路基板及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイなどのフラットディスプレイパネルは、近年、大型化及び高精細化が進んできている。これに伴い、これらを構成するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイの配線も、より微細なものとなり、欠陥が発生する確率が高くなってきている。
【０００３】
そうした欠陥の一つに、基板上に形成された配線のパターンが断線した「オープン欠陥」と呼ばれるものがある。このオープン欠陥を修正（リペア）する技術として、現在主に用いられている方法にレーザーＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法がある。ただし、レーザーＣＶＤ法は、真空プロセスを必要とすることや、配線の修正箇所が高温になるため半導体層などの物性への影響が懸念される。
【０００４】
そこで、他の方法として、導電性ペーストや導電性インクをインクジェットもしくはニードルによって断線箇所へ塗布する手法が提案されている。具体的には、例えば図５（Ａ）に示すように、基板５０上に形成された３本の配線５１，５２，５３のうち、真ん中の配線５２に断線によるオープン欠陥が生じていた場合は、図５（Ｂ）に示すように、配線５２の断線箇所５４にペースト、インクなどの導電性材料（液滴）を供給して欠陥修正部５５を形成することにより、オープン欠陥を修正している。
【０００５】
こうした欠陥修正技術に関して、特許文献１，２には、インクジェットによって液状の配線材料を断線箇所に吐出して欠陥を修正することが記載されている。また、特許文献３には、基板の断線箇所に導電性膜を成膜して欠陥を修正するにあたり、先端形状が平坦に形成された針（ニードル）にペーストを付着して基板修正場所に接触させることにより、基板修正場所にペーストを付着させることが記載されている。
【０００６】
以上のような配線の欠陥修正に用いられるインクジェット法、ニードルディスペンサー法などの印刷法は、前述したレーザーＣＶＤ法とは異なり、真空プロセスを必要とせず大気中で修正処理を行なうことができるという利点がある。また、印刷法は、低温で配線の欠陥を修正できるため、半導体層など、レーザーＣＶＤにより物性に影響を受けてしまう可能性があるような材料上の配線の欠陥修正にも適している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１４６６０４号公報
【特許文献２】特開平１１−２３３００９号公報
【特許文献３】特許第２９８３８７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、印刷法で配線の断線箇所に塗布されたペースト、インクなどの導電性材料は、市販されている現行の装置を用いた場合、小さくても数μｍ〜５０μｍの幅で広がってしまう。このため、ミクロンオーダーで高密度に集積された配線のパターン上においては、ある配線の断線箇所に供給した導電性材料が、それに隣接する配線まで広がり、配線間でショートする恐れがある。
こうしたことが原因で生じたショート欠陥に関しては、例えば、レーザー加工でショート部分を切除することにより修正することも可能である。ただし、層間が非常に薄い有機ＴＦＴアレイなどの場合は、レーザー照射対象の下層にあるメタルや半導体へのダメージ、切除時に発生する金属片による上層への影響等のリスクを伴う。
【０００９】
そこで本発明は、高密度で微細なパターンの断線を低温プロセスによって修正可能な回路基板の欠陥修正方法を提供すること、さらにはこの方法によって熱ストレスによる下層の変質を抑え抑えつつ欠陥の修正がなされた回路基板及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的を達成するための本発明の欠陥修正方法は、次の工程を順次行うことを特徴としている。先ず第１工程では、基板上に形成された配線の断線箇所を含む当該基板の露出面領域に、光照射によって濡れ性が変化する物質を用いた濡れ性調整層を成膜する。次の第２工程では、濡れ性調整層における前記断線個所に対応する部分、またはそれ以外の部分に光を照射する。これにより濡れ性調整層における当該断線個所に対応する部分の電極形成液に対する濡れ性を、それ以外の部分よりも高くする。その後第３工程では、断線個所に対応する濡れ性調整層部分上に電極形成液を供給して乾燥させる。これにより、断線個所に当該電極形成液を乾燥させた修正電極パターンを形成する。
【００１１】
このような方法によれば、濡れ性調整層の濡れ性を光照射によって部分的に高めるため、配線の断線個所のみを精度良好に濡れ性の高い部分とすることができる。したがって、この上部に供給された電極形成液は、配線の断線個所から広がることが無く、断線個所に対応する高精度な修正電極パターンを得ることができる。
【００１２】
また本発明は以上のような欠陥修正方法によって修正された配線を有する回路基板および半導体装置であり、配線の断線個所に対応する高精度な修正電極パターンを有するものである。
【発明の効果】
【００１３】
以上に説明したように本発明によれば、電極形成液を用いた塗布プロセスにより高精度な修正電極パターンにより配線の断線個所を修正することができる。この結果、低温プロセスを適用して、下層に対する熱的な影響を抑えて下層の膜質を維持しつつ高密度で微細な配線の断線を修正することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態の欠陥修正方法を説明する工程図（その１）である。
【図２】第１実施形態の欠陥修正方法を説明する工程図（その２）である。
【図３】第１実施形態の欠陥修正方法を説明する工程図（その３）である。
【図４】本発明の修正方法を適用して得られる半導体装置の一構成例を説明する図である。
【図５】従来例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下本発明の実施の形態を図面に基づいて、次に示す順に実施の形態を説明する。
１．第１実施形態（回路基板の欠陥修正方法の実施形態）
２．第２実施形態（欠陥修正方法を適用して得られる半導体装置の一構成例）
尚、各実施形態においては同一の構成要素に同一の符号を付し、重複する説明の一部を省略する。
【００１６】
≪第１実施形態≫
図１〜図３は、第１実施形態に係る回路基板の欠陥修正方法を示す工程図であり、平面図および平面図におけるＡ−Ａ’断面図である。ここではこれらの図にしたがって第１実施形態の欠陥修正方法を説明する。
【００１７】
図１（１）に示すように、表面が絶縁性に保たれた基板１上には、複数の配線３が配列形成されている。ここでは特に、３本の配線３が微細な間隔で配置されて部分を図示している。
【００１８】
基板１は、少なくとも表面が絶縁性に保たれていれば良く、例えば、ＰＥＳ（ポリエーテルスルフォン）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）などからなるプラスチック基板が用いられる。またステンレス（ＳＵＳ）等の金属箔を樹脂でラミネートした基板、さらにはガラス基板等を用いても良い。フレキシブルな屈曲性を得るためには、プラスチック基板や金属箔を用いた基板が適用される。
【００１９】
配線３は、導電性材料からなるもので、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属材料を用いて構成されている。これらの配線３は例えばリソグラフィー法を適用して形成されたものであることとする。このため、例えば蒸着法やスパッタ法などの適宜選択された方法によって金属材料膜を成膜し、この上部にパターン露光を伴うフォトリソグラフィー法によってレジストパターンを形成する。次にレジストパターンをマスクにして金属材料膜をパターンエッチングすることによって配線３が形成されている。また他の方法として、パターン露光を伴うフォトリソグラフィー法によってレジストパターンを形成し、この上部に金属材料膜を成膜した後、レジストパターンとその上部の金属材料膜を除去し、基板上に残した金属材料膜部分を配線３としても良い。
【００２０】
この状態において、例えば２本の配線３に挟まれた１本の配線３が断線するオープン欠陥が検出されたこととする。そこで、以下のように断線個所Ｄの欠陥修正を行う。
【００２１】
先ず図１（２）に示すように、配線３の表面の疎液化処理を行い、配線３の表面を疎液化処理面３ａとする。ここでは、次に行う濡れ性調整層の塗布成膜に用いる塗布液と配線３との接触角が、塗布液と基板１との接触角よりも大きくなるような疎液化処理を行う。例えば、塗布液として水溶液を用いる場合であれば配線３の表面を疎水化処理し、塗布液として非水溶媒溶液を用いる場合であれば配線３の表面を親水化処理する。
【００２２】
一例として、基板１の表面がポリビニルアルコールで構成され、配線３がＡｕで構成されており、さらに濡れ性調整層を形成するための塗布液として、イソプロピル基などの疎水基を有するアゾベンゼン誘導体を側鎖の持ち、塗布後の光異性化によって表面の濡れ性が変化可能なポリビニルアルコール水溶液を用いることとする。この場合であれば、配線３の表面をドデカンチオールで処理する。これにより、配線３の表面を１分子層分のドデカンチオールで修飾した疎水化処理面３ａとする。
【００２３】
次に図２（１）に示すように、配線３の断線箇所Ｄを含む基板１の露出面領域に、光照射によって濡れ性が変化する物質を用いた感光性の濡れ性調整層５を成膜する。この濡れ性調整層５は、絶縁性であり、例えば塗布液を用いた塗布成膜によって断線箇所Ｄを含む基板１の表面領域に成膜されることとする。
【００２４】
この際、上述した配線３の表面疎水化処理により、濡れ性調整層５の成膜に用いる塗布液に対する基板１の濡れ性は、配線３の濡れ性よりも高くなっている。このため、塗布成膜された濡れ性調整層５は、疎液化処理された配線３の露出面には成膜されず、基板１の露出面上にのみ成膜される。つまり、基板１の露出面上にのみ、濡れ性調整層５を形成するための塗布液が選択的に塗布されるのである。尚、印刷法を含む塗布成膜によって濡れ性調整層５を成膜した後には、乾燥処理を行うこととする。
【００２５】
ここで濡れ性調整層５の成膜範囲は、断線箇所Ｄが含まれれば基板１上の全面であっても良いし、一部であっても良い。断線箇所Ｄを含む一部分に濡れ性調整層５を成膜する場合には、少なくとも断線箇所Ｄを有する配線３の両隣の配線３にまで達する広さで濡れ性調整層５を形成する。この場合、例えば印刷法を適用して濡れ性調整層５をパターン形成する。
【００２６】
次に図２（２）に示すように、濡れ性調整層５における断線個所Ｄに対応する部分のみ、またはそれ以外の部分のみに光を照射する。これにより、次に形成する修正電極パターンの電極形成液に対しする濡れ性を、濡れ性調整層５における光照射部と未照射部とで反転させる。そして、濡れ性調整層５における断線個所Ｄに対応する分部の電極形成液に対する濡れ性が、それ以外の部分に対する濡れ性よりも高くなるようにする。
【００２７】
つまり、電極形成液に対して光照射前の濡れ性調整層５の濡れ性が低い場合には、濡れ性調整層５における断線個所Ｄに対応する部分に選択的に光を照射することで、光照射部（断線個所Ｄ）の濡れ性を他の部分よりも高くする。一方、電極形成液に対して光照射前の濡れ性調整層５の濡れ性が高い場合には、濡れ性調整層５における断線個所Ｄに対応する部分以外に選択的に光を照射することで、この部分（断線個所Ｄ以外の部分）の濡れ性を断線個所Ｄよりも低くする。
【００２８】
ここでは、例えば濡れ性調整層５が上述した光異性化によって表面の濡れ性が変化可能なポリビニルアルコール水溶液を用いて構成され、電極形成液がＡｇナノ粒子のドデカン分散液を用いて構成される場合、光照射前の濡れ性調整層５は電極形成液に対して濡れ性を有していない。このような濡れ性調整層５に対しては、断線個所Ｄに対応する部分のみに光を照射する。これにより、この濡れ性調整層５において光を照射した部分の濡れ性が反転し、断線個所Ｄに対応する部分は電極形成液に対して十分な濡れ性を有するようになる。一方、断線個所Ｄ以外の部分は電極形成液に対して濡れ性を持たない構成となる。つまり、濡れ性調整層５において断線個所Ｄに対応する部分においては、それ以外の部分より電極形成液の接触角が小さくなるのである。尚、濡れ性調整層５を塗布成膜するための塗布液に対して疎液化処理された配線３も、電極形成液に対して濡れ性を有していることが好ましい。
【００２９】
以上のような濡れ性調整層５に対する光照射は、配線３の形成におけるパターン露光と同一のパターンで照射される。この際、例えば配線３の形成におけるパターン露光と同一の露光マスクを用いるか、露光部分を反転させた露光マスクを用いる。同一の露光マスクを用いる場合であれば、特別に欠陥修正用の露光マスクを作製する必要がないため、コストの低減が図られる。また、露光部分を反転させた露光マスクを用いる場合であっても、露光マスクの設計コストを抑えることができる。また配線３の形成におけるパターン露光が描画露光である場合には、同一の描画パターンでの露光を行えば良い。この場合であっても、描画パターンの設計コストを抑えることができる。
【００３０】
以上のような濡れ性調整層５に対する光照射（パターン露光）においては、配線３上に対しても露光が行われるが、配線３上には濡れ性調整層５が設けられていない。このため、濡れ性調整層５に対しては、断線個所Ｄに対応する部分のみにパターン露光が行われることになる。尚、描画露光を行う場合であれば、断線個所Ｄを有する配線パター３の断線個所Ｄを含む部分に描画露光を行えば良い。
【００３１】
次に図３に示すように、濡れ性調整層５において電極形成液に対する濡れ性の高い断線個所Ｄに対応する部分に電極形成液を供給し、供給した電極形成液の乾燥処理を行うことによって修正電極パターン７を形成する。この電極形成液は、Ａｇナノ粒子のドデカン溶液からなり、これを乾燥処理することにより、Ａｇからなる修正電極パターン７が得られる。このような電極形成液の供給は、インクジェット法を含む印刷法によって断線個所Ｄを含む濡れ性調整層５上に対してなされることとする。
【００３２】
この際、濡れ性調整層５に対する電極形成液の濡れ性は、断線個所Ｄに対応する部分で高く、それ以外の部分で低くなっている。このため、断線個所Ｄ付近に供給された電極形成液は、断線個所Ｄに集約される。また、電極形成液が、疎液化処理された配線３に対しての濡れ性を有する場合であれば、電極形成液は濡れ性調整層５における断線個所Ｄからその両端の配線３上にも集約されることになる。これにより、修正電極パターン７が、断線個所Ｄおよびその両端の配線３上に掛けてパターン形成される。
【００３３】
尚、電極形成液を供給した後の導電性材料の固定化は、加熱焼成、光硬化、熱硬化、金属イオン還元によるバルク金属化、蒸発乾固などを適用して行うことができる。ただし、これらのうちから低温プロセスを適用することが好ましい。
【００３４】
以上により、配線３のオープン欠陥が修正電極パターン７によって欠陥修正された回路基板９が得られる。
【００３５】
このようにして得られた回路基板９は、表面がポリビニルフェノールで構成されたで絶縁性の基板１上に、Ａｕからなる複数の配線３が配列形成されたものである。各配線３の表面は疎水化処理によって１分子層分のドデカンチオールで修飾された疎水化処理面３ａとなっている。そして、２本の配線３に挟まれた１本の配線３が断線するオープン欠陥を有し、その配線３の断線個所Ｄを含む基板１の露出面領域には、イソプロピル基などの疎水基を有するアゾベンゼン誘導体を側鎖の持ち、塗布後の光異性化によって表面の濡れ性が変化可能なポリビニルアルコール水溶液からなる濡れ性調整層５が設けられている。濡れ性調整層５における断線個所Ｄに対応する部分上には、断線個所Ｄの両端の配線３上に掛けて、Ａｇからなる修正電極パターン７が設けられており、この修正電極パターン７によって断線個所Ｄのオープン欠陥の欠陥修正がなされている。
【００３６】
特に、濡れ性調整層５は、断線個所Ｄに対応する部分が修正電極パターン７を塗布形成するための電極形成液に対する濡れ性が他の部分よりも高い。このため、修正用バターン７は、断線個所Ｄに位置精度及び形状精度良好に配置されたものとなる。
【００３７】
尚、上述したように、疎水化処理面３ａは１分子層分のドデカンチオールで配線３の表面を修飾した面であって、配線３と修正電極パターン７との電気的接続が疎水化処理面３ａによって絶縁されることはない。
【００３８】
このような第１実施形態によれば、濡れ性調整層７の濡れ性を光照射によって部分的に高めるため、配線３の断線個所Ｄのみを精度良好に濡れ性の高い部分とすることができる。したがって、この上部に供給された電極形成液は、配線３の断線個所Ｄから広がること無く、断線個所Ｄに対応する高精度な修正電極パターン７を得ることができる。具体的には、光照射に露光マスクを用いるかまたは描画露光を行うため、μｍオーダーの微細配線のオープン欠陥の修正が可能である。
【００３９】
この結果、電極形成液を用いた印刷や塗布などの低温プロセスでありがならも、配線３の断線個所Ｄに対して高精度に修正電極パターン７を形成できるため、下層に対する熱的な影響を抑えつつ高密度で微細な配線３の欠陥修正を行うことが可能になる。
【００４０】
＜変形例＞
以上説明した第１実施形態においては、図１（２）を用いて説明したように配線３の表面を疎液化処理して疎水化処理面３ａとした後に、濡れ性調整層５を塗布成膜する手順を説明した。しかしながら、濡れ性調整層５の成膜に用いる塗布液と、元々の配線３自体との接触角が、塗布液と基板１との接触角よりも大きい場合には、配線３の疎液化処理を行う必要はなく、疎液化処理の工程を省いても良い。例えば、基板１の表面があらかじめオクタデシルトリクロロシランなどで処理されており、配線３がＡｕ、濡れ性調整層を形成するための塗布液としてヒドロキシル基などの親水基を有するアゾベンゼン誘導体を側鎖の持ち、塗布後の光異性化によって表面の濡れ性が変化可能なポリマー材料のドデカン溶液を用いる場合には、配線３の疎液化処理を行う必要はない。
【００４１】
≪第２実施形態≫
図４は、以上の欠陥修正方法を適用して得られる半導体装置の一構成例を示す平面図と、この平面図におけるＡ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ’断面図である。これらの図に示す半導体装置２１は、ボトムコンタクト・トップゲート構造の薄膜トランジスタＴｒを備えたものであり、以下のように構成されている。
【００４２】
絶縁性材料からなる支持基板２３上には、ソース電極２５ｓおよびドレイン電極２５ｄが縁部を対向配置させた状態で設けられている。さらに支持基板２３上におけるソース電極２５ｓ−ドレイン電極２５ｄ間には、半導体層２７がパターン形成されている。この半導体層２７は、例えば有機半導体材料を用いて構成されていることとする。これらのソース電極２５ｓ／ドレイン電極２５ｄおよび半導体層２７が設けられた支持基板２３上は、全面がゲート絶縁膜２９で覆われている。このゲート絶縁膜２９上に、ゲート配線３１ｇ、電源配線３１ｄ、およびその他の配線が設けられている。ゲート配線３１ｇは、ソース電極２５ｓ−ドレイン電極２５ｄ間において半導体層２７上を横切る状態で設けられている。電源配線３１ｄは、その一部がゲート配線３１ｇと平行に配線されている。
【００４３】
以上のような構成においては、支持基板２３からゲート絶縁膜２９までの層が第１実施形態における基板（１）に相当し、この上部のゲート配線３１ｇおよび電源配線３１ｄが第１実施形態における配線（３）に相当する。
【００４４】
このような構成において、例えば電源配線３１ｄ（３）の一部が断線するオープン欠陥が発見されたこととする。この場合、第１実施形態において図１（２）〜図３を用いて説明したと同様の手順を行うことにより、電源配線３１ｄ（３）の断線個所Ｄを修正電極パターン７によって修正する。
【００４５】
つまり、先ず図１（２）に示すように、必要に応じてゲート配線３１ｇおよび電源配線３１ｄ等の配線（３）の表面の疎水化処理を行った後、図２（１）に示すようにゲート絶縁膜２９で覆われた基板（１）上に電源配線３１ｄの断線箇所Ｄを含むゲート絶縁膜２９の露出面領域に、光照射によって濡れ性が変化する物質を用いた絶縁性の濡れ性調整層５を成膜する。この際、濡れ性調整層５の成膜範囲は、断線箇所Ｄが含まれれば基板１上の全面であっても良いし一部であっても良く、一部に形成する場合には印刷法を適用して濡れ性調整層５をパターン形成すること等は、第１実施形態と同様である。
【００４６】
次に図２（２）に示すように、濡れ性調整層５における断線個所Ｄに対応する部分のみ、またはそれ以外の部分のみに光を照射し、濡れ性調整層５における断線個所Ｄに対応する分部の電極形成液に対する濡れ性が、それ以外の部分に対する濡れ性よりも高くなるようにする。この際、ゲート配線３１ｇおよび電源配線３１ｄの形成におけるパターン露光と同一の露光マスクを用いるか、露光部分を反転させた露光マスクを用いか、または同一の描画パターンでの露光を行うことでコストが抑えられることも第１実施形態と同様である。
【００４７】
その後、図３に示すように、濡れ性調整層５において電極形成液に対する濡れ性の高い断線個所Ｄに対応する部分に電極形成液を供給し、供給した電極形成液の乾燥処理を行うことにより、断線個所Ｄおよびその両端の電源配線３１ｄ上に掛けて修正電極パターン７を形成する。
【００４８】
このような第２実施形態によれば、電源配線３１ｄの断線個所Ｄに対応する高精度な修正電極パターン７を得ることができる。この修正パターン７は、電極形成液を用いた印刷や塗布などの低温プロセスの適用によって形成されるため、下層に設けた有機半導体材料からなる半導体層２７に対しての熱的な影響を抑えることが可能である。この結果、この半導体装置２１は、半導体層２７の膜質が維持されたことで特性の良好な薄膜トランジスタＴｒを有し、かつ微細な配線３１ｇ，３１ｇを高密度で配置しながらもその欠陥が高精度に修正されたものとなる。
【符号の説明】
【００４９】
１…基板、３…配線、３ａ…疎液化処理面、５…濡れ性調整層、７…修正電極パターン、９…回路基板、２１…半導体装置、２３…支持基板、２７…半導体層、２９…ゲート絶縁膜、３１ｇ（３）…ゲート配線、３１ｄ（３）…電源配線、Ｄ…断線箇所
【図１】
2011071376.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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