(57)【要約】【課題】一枚の基板１０から作製できる製品の数を増加させ、生産効率を向上させるプリント配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性基材１１の両主面に導電層１２が形成された基板１０の一方主面に、基板１０の外縁Ｐよりも外側にキャリアフィルム２０の外縁Ｑが位置するように、キャリアフィルム２０を張り付ける工程と、基板１０の他方主面に、基板１０の外縁Ｐよりも外側にレジスト層３０の外縁Ｒが位置するとともに、キャリアフィルム２０の外縁Ｑよりも内側にレジスト層３０の外縁が位置するように、レジスト層３０を形成する工程と、レジスト層３０が形成された基板の導電層１２の所定領域をエッチング処理により除去して回路パターン４１を形成する工程と、を有する。【選択図】  図５Ｂ
2011129614.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材の両主面に導電層が形成された基板の一方主面に、前記基板の外縁よりも外側にキャリアフィルムの外縁が位置するように、前記キャリアフィルムを張り付ける工程と、
前記基板の他方主面に、前記基板の外縁よりも外側にレジスト層の外縁が位置するとともに、前記キャリアフィルムの外縁よりも内側に前記レジスト層の外縁が位置するように、前記レジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層が形成された基板の導電層の所定領域をエッチング処理により除去して回路パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記エッチング処理により導電層が除去された所定領域の前記絶縁性基材をレーザで除去して層間導通穴を形成する工程をさらに有することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のプリント配線基板の製造方法において、
形成された前記層間導通穴にめっき層を形成するめっき工程をさらに有するプリント配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記めっき工程の前に、前記キャリアフィルムを前記基板から除去する工程をさらに有するプリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト形成工程を含むプリント配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性基材に銅箔を張りあわせた銅張積層板（ＣＣＬ：Copper Clad Laminated）に層間導通部分を形成する場合において、層間導通部分となる開口部の銅箔をエッチングした後に、絶縁層のみをレーザで開口させるＬＨＶ（Laser Via Hole）法が知られている。この手法において、銅箔のエッチングは、銅張積層板の主面にレジストを形成した後に、所定部分のレジストを除去し、露出した銅箔を薬液で除去するサブトラクティブ法により行われている。（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】フジクラ技法第１０７号，佐々木健紘ら著「微細両面ＦＰＣ」株式会社フジクラ，２００４年１０月，ｐ.４８〜５１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このサブトラクティブ法におけるレジスト形成工程において、レジストの外縁と銅張積層板の外縁とが揃うようにレジストを形成することは極めて難しく、さらに、銅張積層板からはみ出したレジストが導電性回路や装置に付着すると、不具合を引き起こすため、一般には、レジストの外縁が銅張積層板の外縁よりも内側に位置するように、銅張積層板よりもレジストを小さく形成している。
しかしながら、銅張積層板よりもレジストを小さく形成すると、一枚の銅張積層板から作製できる製品の数が減少し、生産効率が低下するという問題があった。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、レジストが基板や装置に付着する不具合を防止しつつも銅張積層板の全面にレジストを形成することにより、一枚の基板から作製できる製品の数を増加させ、生産効率を向上させるプリント配線基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、絶縁性基材の両主面に導電層が形成された基板の一方主面に、前記基板の外縁よりも外側にキャリアフィルムの外縁が位置するように、前記キャリアフィルムを張り付ける工程と、前記基板の他方主面に、前記基板の外縁よりも外側にレジスト層の外縁が位置するとともに、前記キャリアフィルムの外縁よりも内側に前記レジスト層の外縁が位置するように、前記レジスト層を形成する工程と、前記レジスト層が形成された基板の導電層の所定領域をエッチング処理により除去して回路パターンを形成する工程と、を有するプリント配線基板の製造方法により、上記課題を解決する。
【０００７】
上記発明において、前記エッチング処理により導電層が除去された所定領域の前記絶縁性基材をレーザで除去して層間導通穴を形成する工程をさらに備えることができる。
【０００８】
上記発明において、形成された前記層間導通穴にめっき層を形成するめっき工程をさらに備えることができる。
【０００９】
上記発明において、前記めっき工程の前に、前記キャリアフィルムを前記基板から除去する工程をさらに備えることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明では、基板の一方主面に、基板の外縁よりも外側にキャリアフィルムの外縁が位置するようにキャリアフィルムを張り付け、基板の他方主面に、基板の外縁よりも外側にレジスト層の外縁が位置するとともに、キャリアフィルムの外縁よりも内側にレジスト層の外縁が位置するようにレジスト層を形成するので、基板主面の全面にレジストを形成することができる。その結果、一枚の基板から作製できる製品の数を増加させ、生産効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造工程図（その１）である。
【図１Ｂ】図１Ａに示す基板のIB-IB線に沿う断面図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造工程図（その２）である。
【図２Ｂ】図２Ａに示す基板のIIB-IIB線に沿う断面図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造工程図（その３）である。
【図３Ｂ】図３Ａに示す基板のIIIB-IIIB線に沿う断面図である。
【図４Ａ】本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造工程図（その４）である。
【図４Ｂ】図４Ａに示す基板のIVB-IVB線に沿う断面図である。
【図５Ａ】本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造工程図（その５）である。
【図５Ｂ】図５Ａに示す基板のVB-VB線に沿う断面図である。
【図６Ａ】本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造工程図（その６）である。
【図６Ｂ】図６Ａに示す基板のVIB-VIB線に沿う断面図である。
【図７Ａ】本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造工程図（その７）である。
【図７Ｂ】図７Ａに示す基板のVIIB-VIIB線に沿う断面図である。
【図８Ａ】本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造工程図（その８）である。
【図８Ｂ】図８Ａに示す基板のVIIIB-VIIIB線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面に基づいて本発明の第１実施形態に係るプリント配線基板の製造方法を説明する。本実施形態のプリント配線基板の製造方法は、少なくともレジスト形成工程を含む。
【００１３】
ここでは、レーザビアホール（ＬＨＶ：Laser Via Hole）を備えたプリント配線基板を製造する方法を例にして説明するが、インタースティシャルビアホールなどの他の態様のビアホールを有するプリント配線基板の製造方法にも適用できる。
【００１４】
まず、図１Ａ及び図１Ｂに示す基板１０を準備する。本実施形態で用いる基板１０は、厚さが１０μm〜２５０μmの可撓性を有するポリイミド（ＰＩ）などの絶縁性基材１１の両主面に、３μｍ〜２０μｍの銅箔などの導電層１２が張り付けられている。絶縁性基材１１としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）やポリエステル（ＰＥ）のシートも用いることができる。なお、本例では、絶縁性基材１１の両主面に導電層１２が張り付けられている基板１０を用いるが、絶縁性基材１１の一方主面に導電層１２が張り付けられている基板１０を用いてもよい。
【００１５】
次に、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、キャリアフィルム２０を基板１０に貼りつける。本実施形態におけるキャリアフィルム２０は、厚さが２５μｍ〜１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルムの主面に、層厚が１０μｍ〜１００μｍの熱可塑性の粘着層が形成されているものを用いる。粘着層の粘着性の強さは適宜設定することができる。
【００１６】
本実施形態では、基板１０の一方主面（図中下側の主面）に、基板１０の外縁Ｐよりも外側にキャリアフィルム２０の外縁Ｑが位置するように、キャリアフィルム２０を基板１０に張り付ける。つまり、同図に示すように、基板１０の外縁Ｐがキャリアフィルム２０の外縁Ｑの内側に位置し、基板１０の外縁Ｐをキャリアフィルム２０の外縁Ｑが取り囲んでいる。
【００１７】
特に限定されないが、キャリアフィルムの外縁Ｑと基板１０の外縁Ｐとの距離が２mm〜２５mmとすることができる。なお、キャリアフィルム２０の外縁Ｑと基板１０の外縁Ｐとの距離は辺ごとに異なるようにしてもよい。
【００１８】
続いて、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、レジスト層３０を形成する。レジスト層３０は、感光性のドライフィルムを用いて形成してもよいし、液状ソルダレジストを用いて形成してもよい。特に限定されないが、レジスト層３０の厚さは１０μm〜１００μmとすることができる。
【００１９】
本実施形態では、基板１０の他方主面（図中上側の主面）に、基板１０の外縁Ｐよりも外側にレジスト層３０の外縁Ｒが位置するとともに、キャリアフィルム２０の外縁Ｑよりも内側にレジスト層３０の外縁Ｒが位置するように、レジスト層３０を形成する。つまり、同図に示すように、レジスト層３０の外縁Ｒがキャリアフィルム２０の外縁Ｑの内側に位置するとともに、基板１０の外縁Ｐがレジスト層３０の外縁Ｒの内側に位置する。このように形成されたレジスト層３０は基板１０を覆っており、このレジスト層３０の外縁Ｒをキャリアフィルム２０が取り囲んでいる。なお、基板１０の外縁Ｐを二点鎖線で示している。
【００２０】
本実施形態においては、レジスト層３０の外縁Ｒがキャリアフィルム３０の外縁Ｑの内側に位置するので、レジスト層３０がはみだして回路パターン４１や図外の装置などに付着することが防止できる。その結果、レジスト層３０を基板１０の全体を覆うように形成することができるので、基板１０全体を用いて回路を作成することができる。
【００２１】
特に限定されないが、レジスト層３０の外縁Ｒと基板１０の外縁Ｐとの距離を２mm〜２０mmとすることができる。なお、レジスト層３０の外縁Ｒと基板１０の外縁Ｐとの距離は辺ごとに異なるようにしてもよい。
【００２２】
次に、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、まず、層間導通穴４０を設ける位置にレーザのマスクとなる穴パターン（コンフォーマルマスク）をエッチング法で作成する。具体的に、所望の穴パターンが描画されたフォトマスクフィルムなどの部材を、基板１０の上又は下に載置し、紫外線で露光し、アルカリ性水溶液で現像処理することによりレジスト層３０の所定部分を除去する。フォトマスクフィルムは、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂製又はガラス製である。
【００２３】
次に、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、所定の薬液を用いたエッチング処理により、層間導通穴４０に対応する所定領域の導電層１２を除去する。
【００２４】
続いて、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、レジスト層３０を除去する。
【００２５】
その後、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、ＬＶＨ（Laser Via Hole）法を用いて、エッチング処理により導電層１２が除去された所定領域の絶縁性基材１１をレーザで除去して層間導通穴４０を形成する。具体的には、フォトリソグラフィー処理により導電層１２に形成した層間導通穴４０用の窓穴を、導電層１２（銅箔）をマスクとしてレーザ加工により絶縁性基材１１（ポリイミド層）の穴加工を行う。
【００２６】
後述するめっき工程を開始する前に、キャリアフィルム２０を基板１０から除去する。キャリアフィルム２０にめっき層５０が形成されるのを防止するためである。キャリアフィルム２０を除去する手法は特に限定されず、ローラにキャリアフィルム２０を巻き取りながら除去してもよい。
【００２７】
最後に、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、層間導通穴４０内部を含む基板１０の表面にめっき層５０を形成する。めっき層５０の形成手法は特に限定されず、パネルめっき法やパターンめっき法を用いることができる。
【００２８】
なお、本実施形態では、層間導通のめっき工程後に層間導通穴４０用のランドを含む所望の回路パターンの形成が通常の手法により行われる。
【００２９】
めっき形成後に回路パターンを形成する場合においても、層間導通穴４０の穴パターンを形成する場合と同様に、上述の手法に従いキャリアフィルム２０を基板に貼り付け、基板１０の外縁Ｐよりも外側にレジスト層３０の外縁Ｒが位置するとともに、キャリアフィルム２０の外縁Ｑよりも内側にレジスト層３０の外縁Ｒが位置するようにレジスト層３０を形成してもよい。
【００３０】
以上に説明した本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法によれば、基板１０の一方主面に、基板１０の外縁Ｐよりも外側にキャリアフィルム２０の外縁Ｑが位置するようにキャリアフィルム２０を張り付け、基板１０の他方主面に、基板１０の外縁Ｐよりも外側にレジスト層３０の外縁Ｒが位置するとともに、キャリアフィルム２０の外縁Ｑよりも内側にレジスト層３０の外縁Ｒが位置するようにレジスト層３０を形成するので、レジスト層３０の外縁Ｒが基板１０の外縁Ｐよりはみ出してもキャリアフィルム２０の外縁Ｑの近傍で受容でき、これにより、基板主面の全面にレジストを形成することができる。その結果、一枚の基板から作製できる製品の数を増加させ、生産効率を向上させることができる。
【００３１】
また、本実施形態のように、層間導通穴４０の形成位置に合せてエッチング処理により導電層１２の所定領域を除去し、この所定領域の絶縁性基材１１をレーザで除去して層間導通穴４０を形成する工程を有する場合には、導電層１１と絶縁性基材１２に穴をあける工程とを別々に行う必要がある。具体的には、層間導通穴４０を回路形成に先立ってフォトリソグラフィー処理による穴パターン（コンフォーマルパターン）を形成する必要があるが、フォトリソグラフィー処理において形成されたレジスト層３０がはみ出すと、基板１０や装置に付着して不具合の原因となる。本実施形態では、キャリアフィルム２０の外縁Ｑよりも内側にレジスト層３０の外縁Ｒが位置するようにレジスト層３０を形成するので、上述のとおり生産効率を向上させつつ、さらに不具合の原因となるレジスト層３０のはみ出しによる歩留まりの悪化を防止することができる。
【００３２】
ところで、従来の手法のように、レジスト層の外縁が基板の外縁よりも内側に位置するように、レジスト層を基板よりも小さく形成した場合は、レジスト層の外縁と基板の外縁の間は基板の導電層（銅箔）が露出している。この露出した導電層（銅箔）はエッチング処理で除去されるため、この領域では下層の絶縁性基材が露出している。その後、層間導通のため又は導電性皮膜の付与のためにめっき処理を行うと、露出していた絶縁性基材の表面にめっき層が形成される。絶縁性基材上に形成されためっき層は不安定であり、めっき金属が剥がれて散乱するという不都合が生じる。また、部分的に絶縁性基材が露出した状態でめっき処理を行うと、基板１０の端部などの粗部に電流が集中するため、基板の端部のめっき膜厚が厚くなり、めっき膜厚が不均一となるなどの不都合が生じる。
【００３３】
これに対し、本実施形態では、基板１０の他方主面に、基板１０の外縁Ｐよりも外側にレジスト層３０の外縁Ｒが位置するとともに、キャリアフィルム２０の外縁Ｑよりも内側にレジスト層３０の外縁Ｒが位置するようにレジスト層３０を形成するので、工程中において絶縁性基材が露出することがないため、めっき工程において均等な膜厚のめっき層５０を形成することができる。
【００３４】
また、従来の手法では、不具合の原因となるレジスト層の外縁と基板の外縁に挟まれた部分（基板）を切り落とすことが行われている。このように切り落とされるレジスト層の外縁と基板の外縁に挟まれた部分（基板）からは製品を作製することができない。その結果、一枚の基板から作製できる製品の数が減少し、生産効率を低下させていた。
【００３５】
これに対し、本実施形態では、レジスト層３０の外縁Ｒが、キャリアフィルム２０の外縁Ｑと基板１０の外縁Ｐとの間に位置するようにしたため、不具合の原因となるレジスト層３０の外縁Ｒと基板の外縁に挟まれた部分（基板）を切り落とすことなく、一枚の基板から作製できる製品の数を増加させ、生産効率を向上させることができる。
【００３６】
さらに、本実施形態では、不具合の原因となるレジスト層３０の外縁Ｒと基板１０の外縁Ｐに挟まれた部分がそもそも発生しないので、従来の手法のように、この部分をエッチングするための薬液、及びこの部分をめっきするためのめっき液の浪費を防止することができる。
【００３７】
また、本実施形態では、めっき工程の前にキャリアフィルム２０を基板１０から除去するので、キャリアフィルム２０にめっき層が形成されることによるめっき液の浪費を防止することができる。
【００３８】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【００３９】
１０…基板
１１…絶縁性基材
１２…導電層
２０…キャリアフィルム
３０…レジスト層，ドライレジスト
４０…層間導通穴
５０…めっき層
【図１Ａ】
2011129614.tif 000003
【図１Ｂ】
2011129614.tif 000004
【図２Ａ】
2011129614.tif 000005
【図２Ｂ】
2011129614.tif 000006
【図３Ａ】
2011129614.tif 000007
【図３Ｂ】
2011129614.tif 000008
【図４Ａ】
2011129614.tif 000009
【図４Ｂ】
2011129614.tif 000010
【図５Ａ】
2011129614.tif 000011
【図５Ｂ】
2011129614.tif 000012
【図６Ａ】
2011129614.tif 000013
【図６Ｂ】
2011129614.tif 000014
【図７Ａ】
2011129614.tif 000015
【図７Ｂ】
2011129614.tif 000016
【図８Ａ】
2011129614.tif 000017
【図８Ｂ】
2011129614.tif 000018