(57)【要約】【課題】高精度な温度補償を実現できる温度補償回路を提案する。【解決手段】バイアス回路２０は、絶対温度に関して正の線形温度特性を有するトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３の電流又は電圧の温度変化を相殺するように、絶対温度に関して負の線形温度特性を有する基準電流をベースバイアス電流としてそれぞれのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３に供給するＣＴＡＴ回路３０と、ＣＴＡＴ回路３０の温度特性とトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３の温度特性とのずれを補償するための温度特性補償回路４０を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子の電流又は電圧の温度変化を相殺するように前記回路素子に電流又は電圧を供給する温度補償機能を有する電源回路と、
前記電源回路の温度特性と前記回路素子の温度特性とのずれを補償する温度特性補償回路と、
を備える温度補償回路。
【請求項２】
請求項１に記載の温度補償回路であって、
前記温度特性補償回路は、一つ又は複数の温度補償抵抗と、温度補償機能を有しない一つ又は複数の抵抗素子と、前記一つ又は複数の温度補償抵抗と前記温度補償機能を有しない一つ又は複数の抵抗素子の中から温度に応じて選択された何れか一つを電源から前記電源回路に至る電流経路に接続するスイッチとを備える温度補償回路。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の温度補償回路を備える電力増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電源回路の温度特性と回路素子の温度特性とのずれを補償するための温度補償回路及び電力増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＦＤＭ方式（直交周波数分割多重方式）は、地上波デジタル放送、無線ＬＡＮ、電力線モデム等で用いられるデジタル変調方式の１つであり、フェージングやマルチパスの影響を受け難い高品質な通信を可能とする利点を有している。この種のデジタル変調方式に用いられる電力増幅器には、高出力化や高効率化とともに低歪み化が要求されている。一般に、トランジスタは、入力信号の増加に対して出力信号が線形的に増加する線形領域と、入力信号の増加に対して出力信号の利得圧縮が生じる飽和領域とを有する入出力特性を有しており、飽和領域での信号増幅は出力信号の歪みをもたらすことが知られている。ＯＦＤＭ方式では、多数のシンボルが多重されるため、送信信号波形はガウス分布となり、ＰＡＲ（ピーク対平均電力比）が大きくなる傾向がある。このため、ＯＦＤＭ方式に使用される電力増幅器では、トランジスタの動作出力点をそのトランジスタの飽和出力点から数ｄＢバックオフした点に設定し、トランジスタをなるべく線形領域に近い領域で動作させて、低歪み化を実現させている。
【０００３】
ところで、複数のトランジスタを多段接続してなる電力増幅器では、トランジスタの電流及び電圧が温度に応じて変化する温度特性を有しているため、温度変化に対して電力増幅器の利得を一定に保つためには、トランジスタの温度補償が重要な課題になる。例えば、正温度特性を有するトランジスタでは、温度上昇に伴って電流及び電圧が上昇するので、負温度特性を有するバイアス電源を用いることにより、トランジスタに流れる電流の温度変化をバイアス電流の温度変化で相殺し、一定のバイアス電流がトランジスタに供給されるように回路設計するのが好ましい。この種の温度補償技術に関連する文献として、例えば、特開２００４−１５９２１３号公報が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１５９１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、実際の回路設計においては、トランジスタに流れる電流の温度変化をバイアス電流の温度変化で完全に相殺する温度特性を有するバイアス電源を設計するのは困難であり、温度補償のずれが生じるため、電力増幅器の利得やＰ１ｄＢ（１ｄＢ利得圧縮点）を温度変化に対して一定に保つことが難しい。
【０００６】
そこで、本発明は高精度な温度補償を実現できる温度補償回路を提案することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明に係わる温度補償回路は、回路素子の電流又は電圧の温度変化を相殺するように回路素子に電流又は電圧を供給する温度補償機能を有する電源回路と、電源回路の温度特性と回路素子の温度特性とのずれを補償する温度特性補償回路を備える。斯かる構成によれば、電源回路から回路素子に供給される電流又は電圧の温度変化を高精度に補償することができる。
【０００８】
温度特性補償回路は、一つ又は複数の温度補償抵抗と、温度補償機能を有しない一つ又は複数の抵抗素子と、一つ又は複数の温度補償抵抗と温度補償機能を有しない一つ又は複数の抵抗素子の中から温度に応じて選択された何れか一つを電源から電源回路に至る電流経路に接続するスイッチとを備えてもよい。単一の温度補償抵抗のみでは、広範囲な温度範囲における高精度な温度補償は困難であるが、一つ又は複数の温度補償抵抗と温度補償機能を有しない一つ又は複数の抵抗素子の中から温度に応じて選択された最適な抵抗を用いて温度補償を行うことにより、精度の高い温度補償を実現できる。
【０００９】
複数の温度補償抵抗は、正温度特性を有する第一の温度補償抵抗と、負温度特性を有する第二の温度補償抵抗とを含んでもよい。これにより、電源回路の温度特性を柔軟に補償できる。
【００１０】
回路素子が温度上昇に伴って電流又は電圧が上昇する正温度特性を有する回路素子（例えばトランジスタ）である場合には、電源回路は、温度上昇に伴って電流又は電圧が低下する負温度特性を有する電源回路（例えば、ＣＴＡＴ（Complementary To Absolute Temperature）回路）が好ましい。一方、回路素子が温度上昇に伴って電流又は電圧が低下する負温度特性を有する回路素子（例えばダイオード）である場合には、電源回路は、温度上昇に伴って電流又は電圧が上昇する正温度特性を有する電源回路（例えば、ＰＴＡＴ（Proportional To Absolute Temperature）回路）が好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、電源回路の温度特性と回路素子の温度特性とのずれを高精度に補償することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係わる電力増幅器の回路構成図である。
【図２】従来のバイアス回路の回路構成図である。
【図３】従来のバイアス回路の温度特性を示すグラフである。
【図４】実施例１に係わるバイアス回路の温度特性を示すグラフである。
【図５】実施例２に係わるバイアス回路の温度特性を示すグラフである。
【図６】実施例３に係わるバイアス回路の温度特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、各図を参照しながら本発明に関わる実施形態について説明する。
図１は本実施形態に係わる電力増幅器１０の回路構成を示す。電力増幅器１０は、例えば、ＯＦＤＭ方式の無線信号を線形増幅するためのものであり、温度変化に対して利得及びＰ１ｄＢを一定に保つように回路設計されている。電力増幅器１０は、多段接続される複数のトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３と、入力端子３１とトランジスタＴｒ１の入力とをインピーダンス整合するための入力整合回路３２と、トランジスタＴｒ１の出力とトランジスタＴｒ２の入力とをインピーダンス整合するための段間整合回路３３と、トランジスタＴｒ２の出力とトランジスタＴｒ３の入力とをインピーダンス整合するための段間整合回路３４と、トランジスタＴｒ３の出力と出力端子３６とをインピーダンス整合するための出力整合回路３５と、それぞれのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３にベースバイアス電流Ｉｂ１，Ｉｂ２，Ｉｂ３を供給することにより、バイアス点を制御するバイアス回路２０を備える。
【００１４】
トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３は、無線信号を線形増幅するための増幅器であり、本実施形態では、ベース端子を入力端子とし、コレクタ端子を出力端子とするエミッタ接地バイポーラトランジスタを用いている。最前段のトランジスタＴｒ１のベース端子Ｂ１は、入力整合回路３２を介して入力端子３１から信号を受け取り、そのエミッタ端子Ｅ１は接地されており、そのコレクタ端子Ｃ１は、コレクタバイアス電源Ｖｃｃ１に接続されている。２段目のトランジスタＴｒ２のベース端子Ｂ２は、段間整合回路３３を介してコレクタ端子Ｃ１に接続されており、そのエミッタ端子Ｅ２は接地されており、そのコレクタ端子Ｃ２は、コレクタバイアス電源Ｖｃｃ２に接続されている。最終段のトランジスタＴｒ３のベース端子Ｂ３は、段間整合回路３４を介してコレクタ端子Ｃ２に接続されており、そのエミッタ端子Ｅ３は接地されており、そのコレクタ端子Ｃ３は、コレクタバイアス電源Ｖｃｃ３に接続されるとともに、出力整合回路３５を介して出力端子３６に信号を出力する。
【００１５】
バイアス回路２０は、絶対温度に関して正の線形温度特性を有するトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３の電流又は電圧の温度変化を相殺するように、絶対温度に関して負の線形温度特性を有する基準電流をベースバイアス電流としてそれぞれのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３に供給するＣＴＡＴ回路３０と、ＣＴＡＴ回路３０の温度特性とトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３の温度特性とのずれを補償するための温度特性補償回路４０を備える。温度特性補償回路４０は、ＣＴＡＴ回路３０の温度特性の負の傾きと、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３の温度特性の正の傾きとが相殺し、温度変化に依存しない一定のベースバイアス電流がトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３に供給されるように、ＣＴＡＴ回路３０の温度特性を補償する。温度特性補償回路４０の詳細については後述する。
【００１６】
ここで、バイアス回路２０の動作について説明する。バイアス回路２０の電源をオン／オフに切り替えることで、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３の動作を瞬時にオン／オフに切り替えることができる。コレクタバイアス電源Ｖｃｃ１，Ｖｃｃ２，Ｖｃｃ３がオンした状態でバイアス回路２０の電源をオフにすることで、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３に流れるバイアス電流Ｉｂ１，Ｉｂ２，Ｉｂ３をオフにすることができる。バイアス電流Ｉｂ１，Ｉｂ２，Ｉｂ３が流れなければ、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３のコレクタ電流も殆ど流れないため、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３は、ほぼオフ状態となる。但し、コレクタバイアス電源Ｖｃｃ１，Ｖｃｃ２，Ｖｃｃ３までもオフしてしまうと、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３の立ち上がりに時間を要するため、コレクタバイアス電源Ｖｃｃ１，Ｖｃｃ２，Ｖｃｃ３をオンにしたまま、バイアス回路２０の電源のオン／オフのみを制御する。つまり、コレクタバイアス電源Ｖｃｃ１，Ｖｃｃ２，Ｖｃｃ３をオンさせることで、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３を準備状態にしておき、バイアス回路２０の電源をオン／オフさせることで、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３の動作を制御する。
【００１７】
なお、説明の便宜上、単一のＣＴＡＴ回路３０から全てのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３にバイアス電流を供給する回路構成を図示しているが、単一のＣＴＡＴ回路から単一のトランジスタにバイアス電流を供給するように回路設計してもよい。高周波バイアス電流Ｉｂ１がバイアス回路２０に逆流するのを阻止するためのチョークコイルＬｂ１をバイアス回路２０とベース端子Ｂ１との間のバイアス電流経路に介挿してもよく、高周波コレクタバイアス電流がコレクタバイアス電源Ｖｃｃ１に逆流するのを阻止するためのチョークコイルＬｃ１をコレクタバイアス電源Ｖｃｃ１とコレクタ端子Ｃ１との間のバイアス電流経路に介挿してもよい。同様に、それぞれのトランジスタＴｒ２，Ｔｒ３のバイアス電流経路にチョークコイルＬｂ２，Ｌｃ２，Ｌｂ３，Ｌｃ３を介挿してもよい。
【００１８】
温度特性補償回路４０は、複数の温度補償抵抗４１，４２と、複数の温度補償抵抗４１，４２の中から温度に応じて選択された何れか一つの温度補償抵抗を電源ＶｃｃからＣＴＡＴ回路３０に至る電流経路に接続するスイッチ４３を備える。複数の温度補償抵抗４１，４２の中から温度に応じて何れか一つの温度補償抵抗を選択するための手段として、本実施形態では、温度に対応する電圧を出力する温度センサ４６の出力電圧と所定温度に対応する基準電圧４３とを比較して、その比較結果に基づいてスイッチ切り替え信号を出力する比較器４４を例示する。例えば、比較器４４は、温度センサ４６の出力電圧が基準電圧３４より小さい場合には、温度補償抵抗４１を選択すべきことを指示するスイッチ切り替え信号をスイッチ４３に出力し、温度センサ４６の出力電圧が基準電圧３４より大きい場合には、温度補償抵抗４２を選択すべきことを指示するスイッチ切り替え信号をスイッチ４３に出力する。スイッチ４３は、比較器４４から出力されるスイッチ切り替え信号に基づいて複数の温度補償抵抗４１，４２の中から何れか一つの温度補償抵抗を選択し、選択された温度補償抵抗を電源ＶｃｃからＣＴＡＴ回路３０に至る電流経路に接続する。
【００１９】
例えば、所定温度未満におけるトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３の温度特性の正の傾きが急勾配であり、且つ所定温度以上におけるトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３の温度特性の正の傾きが緩やかである場合には、所定温度未満におけるＣＴＡＴ回路３０の温度特性の負の傾きを急勾配に補正し、所定温度以上におけるＣＴＡＴ回路３０の温度特性の負の傾きを緩やかに補正する必要がある。そのためには、温度補償抵抗４１として、温度上昇に伴って抵抗値が上昇する正温度特性を有するもの（例えば、サーミスタＰＴＣ又は白金測温抵抗体など）を使用し、温度補償抵抗４２として、温度上昇に伴って抵抗値が低下する負温度特性を有するもの（例えば、サーミスタＮＴＣなど）を使用するのが好ましい。
【００２０】
ここで、図２乃至図３を参照しながら従来のバイアス回路の構成について説明する。従来のバイアス回路３１は、ベース・エミッタ間が接続されてなるトランジスタから成るＣＴＡＴ回路３０と、電源ＶｃｃとＣＴＡＴ回路３０との間に接続するバイアス抵抗３２とを備える。ＣＴＡＴ回路３０は、温度に関して適度に安定的なＤＣ基準電圧を発生するバンドギャップ基準電圧回路である。このようなバンドギャップ基準電圧回路は、実質的に一定のベース・エミッタ電圧を発生させるバイポーラトランジスタの特性を利用しており、シリコントランジスタでは、ベース・エミッタ電圧は、０．５Ｖ〜０．８Ｖの範囲にある。トランジスタのベース・エミッタに生じる電圧は、負の温度係数を有しているため、ＣＴＡＴ回路３０は、トランジスタのベース・エミッタに発生する電圧を利用した電源回路であり、バイアス抵抗３２及びトランジスタのベース・エミッタ間の電圧降下により出力電圧Ｖｏｕｔが決定する。バイアス抵抗３２を調整することで、出力電圧Ｖｏｕｔを調整できる。また、ベース・エミッタ間電圧は、負の温度係数を有しているため、出力電圧Ｖｏｕｔも負の温度係数を有する。図３に示すように、出力電圧Ｖｏｕｔの温度特性１００は、バイアス抵抗３２の温度特性によって定まり、どの温度においてもその温度変化はほぼ一定となる。従って、バイアス回路３１からバイアス電流の供給を受ける増幅器の温度特性が温度に依存して変化してしまうと、増幅器に供給されるバイアス電流の温度変化をバイアス回路３１の出力電圧Ｖｏｕｔの温度特性１００によって完全に補償することが困難になり、温度に依存してバイアス電流が変動する。これに対し、本実施形態に係わるバイアス回路２０によれば、複数の温度補償抵抗４１，４２の中から温度に応じて選択された何れか一つの温度補償抵抗を電源ＶｃｃからＣＴＡＴ回路３０に至る電流経路に切り替え接続することにより、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３の電流又は電圧の温度変化を相殺し、温度に依存しない一定のバイアス電流Ｉｂ１，Ｉｂ２，Ｉｂ３をトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３に供給することができる。
【００２１】
なお、本実施形態において、複数の温度補償抵抗は必須ではなく、何れか一つ以上の温度補償抵抗を抵抗素子（温度補償機能を有しない抵抗素子）に置き換えてもよい。言い換えれば、温度特性補償回路４０は、一つ又は複数の温度補償抵抗と、温度補償機能を有しない一つ又は複数の抵抗素子とを含み、一つ又は複数の温度補償抵抗と温度補償機能を有しない一つ又は複数の抵抗素子の中から温度に応じて選択された何れか一つを電源ＶｃｃからＣＴＡＴ回路３０に至る電流経路に接続してもよい。
【実施例１】
【００２２】
実施例１に係わる温度特性補償回路４０は、温度補償抵抗４１としてサーミスタＰＴＣを使用し、温度補償抵抗４２としてサーミスタＮＴＣを使用する。サーミスタＰＴＣは、温度上昇に伴い抵抗値が上昇する温度特性を有し、サーミスタＮＴＣは、温度上昇に伴い抵抗値が減少する温度特性を有している。基準電圧４５は、例えば、絶対温度Ｔ０に対応する電圧であり、比較器４４は、基準電圧４５と温度センサ３６の出力電圧とを比較して、絶対温度がＴ０未満である場合には、温度補償抵抗４１に切り替え接続することを指示するスイッチ切り替え信号をスイッチ４３に出力し、絶対温度がＴ０以上である場合には、温度補償抵抗４２に切り替え接続することを指示するスイッチ切り替え信号をスイッチ４３に出力する。サーミスタＰＴＣは、温度上昇に伴い抵抗値が上昇するため、絶対温度Ｔ０未満においてスイッチ４３が温度補償抵抗４１に切り替え接続すると、負温度特性を有するＣＴＡＴ回路３０を流れるバイアス電流が制限され、ＣＴＡＴ回路３０の温度特性の負の傾きが急峻になる。図４に示すように、絶対温度Ｔ０未満では、温度特性補償回路４０に接続するＣＴＡＴ回路３０の温度特性２１０は、温度特性補償回路４０に接続しないＣＴＡＴ回路の温度特性１００よりも電圧及び電流の減少が急峻になる。一方、サーミスタＮＴＣは、温度上昇に伴い抵抗値が減少するため、絶対温度Ｔ０以上においてスイッチ４３が温度補償抵抗４２に切り替え接続すると、負温度特性を有するＣＴＡＴ回路３０を流れるバイアス電流の減少が緩和され、ＣＴＡＴ回路３０の温度特性の負の傾きが緩やかになる。図４に示すように、絶対温度Ｔ０以上では、温度特性補償回路４０に接続するＣＴＡＴ回路３０の温度特性２２０は、温度特性補償回路４０に接続しないＣＴＡＴ回路の温度特性１００よりも電圧及び電流の減少が緩やかになる。実施例１に関わる温度特性補償回路４０によれば、絶対温度Ｔ０未満における温度特性の正の傾きが急勾配であり、且つ絶対温度Ｔ０以上における温度特性の正の傾きが緩やかであるトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３に対して、温度依存性のない一定のバイアス電流Ｉｂ１，Ｉｂ２，Ｉｂ３を供給できる。なお、白金測温抵抗体は、温度上昇に伴い抵抗値が上昇する温度特性を有しているため、温度補償抵抗４１として白金測温抵抗体を使用し、温度補償抵抗４２としてサーミスタＮＴＣを使用しても同様の作用効果を得ることができる。
【実施例２】
【００２３】
実施例２に係わる温度特性補償回路４０は、温度補償抵抗４１として白金測温抵抗体を使用し、温度補償抵抗４２に替えて温度補償機能を有しない抵抗素子（例えば、チップ抵抗素子、金属皮膜抵抗素子）を使用する。絶対温度Ｔ０未満におけるＣＴＡＴ回路３０の温度特性２１０が、温度特性補償回路４０に接続しないＣＴＡＴ回路の温度特性１００よりも電圧及び電流の減少が急峻になる点は実施例１と同様である。一方、抵抗器の温度特性は、従来のバイアス抵抗３２の温度特性と同様であるため、図５に示すように、絶対温度Ｔ０以上におけるＣＴＡＴ回路３０の温度特性２３０は、温度特性補償回路４０に接続しないＣＴＡＴ回路の温度特性１００と同様である。実施例２に関わる温度特性補償回路４０によれば、絶対温度Ｔ０未満における温度特性の正の傾きが急勾配であり、且つ絶対温度Ｔ０以上における温度特性の正の傾きが通常であるトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３に対して、温度依存性のない一定のバイアス電流Ｉｂ１，Ｉｂ２，Ｉｂ３を供給できる。なお、温度補償抵抗４１としてサーミスタＰＴＣを使用し、温度補償抵抗４２に替えて温度補償機能を有しない抵抗素子を使用しても同様の作用効果を得ることができる。
【実施例３】
【００２４】
実施例３に係わる温度特性補償回路４０は、温度補償抵抗４１に替えて温度補償機能を有しない抵抗素子（例えば、チップ抵抗素子、金属皮膜抵抗素子）を使用し、温度補償抵抗４２としてサーミスタＮＴＣを使用する。絶対温度Ｔ０以上におけるＣＴＡＴ回路３０の温度特性２２０が、温度特性補償回路４０に接続しないＣＴＡＴ回路の温度特性１００と同様になる点は実施例１と同様である。一方、抵抗器の温度特性は、従来のバイアス抵抗３２の温度特性と同様であるため、図６に示すように、絶対温度Ｔ０未満におけるＣＴＡＴ回路３０の温度特性２４０は、温度特性補償回路４０に接続しないＣＴＡＴ回路の温度特性１００と同様である。実施例３に関わる温度特性補償回路４０によれば、絶対温度Ｔ０未満における温度特性の正の傾きが通常配であり、且つ絶対温度Ｔ０以上における温度特性の正の傾きが緩やかであるトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３に対して、温度依存性のない一定のバイアス電流Ｉｂ１，Ｉｂ２，Ｉｂ３を供給できる。
【実施例４】
【００２５】
実施例１乃至３では、正温度特性を有するトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３にバイアス電流Ｉｂ１，Ｉｂ２，Ｉｂ３を供給するバイアス電源としてＣＴＡＴ回路３０を例示したが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、負温度特性を有するトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３にバイアス電流Ｉｂ１，Ｉｂ２，Ｉｂ３を供給するバイアス電源としてＰＴＡＴ回路を用いてもよい。また、実施例１乃至３では、温度特性補償回路４０の応用例として、電力増幅器１０のバイアス回路２０を例示したが、リファレンス電圧の温度補償回路や温度センサ等に応用してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明は、電力増幅器のバイアス回路、リファレンス電圧の温度補償回路、又は温度センサ等に応用できる。
【符号の説明】
【００２７】
１０…電力増幅器
２０…バイアス回路
３０…ＣＴＡＴ回路
４０…温度特性補償回路
４１，４２…温度補償抵抗
４３…スイッチ
４４…比較器
４５…基準電圧
４６…温度センサ
Ｔｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３…トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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