(57)【要約】【課題】回路層の分離を最小化するとともにリードタイムを減らし、製造コストを節減することができるプリント基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁部材１３０の一面に含浸された回路パターン１５０；回路パターン１５０と連結されるように絶縁部材１３０に形成され、絶縁部材１３０の外部に突出するように形成されたバンプパッド１５２；絶縁部材１３０の一面に積層されたビルドアップ絶縁層１６２に回路パターン１５０と連結されるビアを含む回路層１６４が形成されたビルドアップ層；及びビルドアップ層に積層されたソルダレジスト層１７０；を含む。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁部材の一面に含浸された回路パターン；
前記回路パターンと連結されるように前記絶縁部材に形成され、前記絶縁部材の外部に突出するように形成されたバンプパッド；
前記絶縁部材の一面に積層されたビルドアップ絶縁層に前記回路パターンと連結されるビアを含む回路層が形成されたビルドアップ層；及び
前記ビルドアップ層に積層されたソルダレジスト層；
を含むことを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
前記絶縁部材が、厚さ方向の一部に形成されたパターン用トレンチを含み、前記回路パターンは前記パターン用トレンチの内部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記バンプパッドが、下側が前記絶縁部材の内部に含浸された状態で、上側が前記絶縁部材から突出するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項４】
前記バンプパッドが、メッキ層であることを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項５】
前記絶縁部材の外部に突出した前記バンプパッドの表面には、表面処理層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項６】
前記ソルダレジスト層には、前記回路層中のパッド部を露出させるオープン部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項７】
（Ａ）キャリアに離型層及び絶縁部材を順次積層し、インプリンティング工法によって前記絶縁部材にパターン用トレンチを加工し、前記絶縁部材と前記離型層を貫通するバンプパッド用トレンチを加工する段階；
（Ｂ）前記パターン用トレンチ及び前記バンプパッド用トレンチにメッキ工程を施して回路パターン及びバンプパッドを形成する段階；
（Ｃ）前記絶縁部材にビルドアップ絶縁層を積層し、層間連結のためのビアを含む回路層を形成する段階；及び
（Ｄ）前記ビルドアップ絶縁層にソルダレジスト層を形成し、前記キャリアと前記離型層を除去する段階；
を含むことを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記（Ａ）段階で、前記パターン用トレンチが、厚方向の絶縁部材の一部に形成されることを特徴とする請求項７に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記（Ａ）段階で、前記離型層及び前記絶縁部材が、前記キャリアの一面または両面に塗布されることを特徴とする請求項７に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記離型層が、樹脂材質で形成されることを特徴とする請求項７に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１１】
前記（Ｂ）段階が、
（Ｂ１）前記パターン用トレンチ及び前記バンプパッド用トレンチの内壁とともに前記絶縁部材の表面に無電解メッキ層を形成する段階；
（Ｂ２）前記パターン用トレンチ及び前記バンプパッド用トレンチの内部に電解メッキ層を形成する段階；及び
（Ｂ３）前記絶縁部材の上部に形成された前記無電解メッキ層及び前記電解メッキ層を除去する段階；
を含むことを特徴とする請求項７に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１２】
前記（Ｄ）段階が、
（Ｄ１）前記ビルドアップ絶縁層にソルダレジスト層を形成する段階；
（Ｄ２）前記ソルダレジスト層に前記回路層中のパッド部を露出させるオープン部を加工する段階；
（Ｄ３）前記キャリアを除去する段階；
（Ｄ４）前記バンプパッドの露出面に表面処理層を形成する段階；及び
（Ｄ５）前記離型層を除去する段階；
を含むことを特徴とする請求項７に記載のプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップの高密度化及び信号伝達速度の高速化に対応するための技術とし、半導体チップをプリント基板に直接実装する技術に対する要求が増大している。これに応じて、半導体チップの高密度化に対応することが可能な高密度及び高信頼性のプリント基板の開発が要求されている。
【０００３】
高密度及び高信頼性のプリント基板に対する要求仕様は半導体チップの仕様に密接に関連しているが、回路の微細化、高度な電気特性、高速信号伝達構造、高信頼性、高機能性などの多大な課題がある。このような要求仕様に対応した微細回路パターン及びマイクロビアホールを形成することができるプリント基板製造技術が要求されている。
【０００４】
通常、プリント基板の回路パターンを形成する方法は、サブトラクティブ法（ｓｕｂｒａｃｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、フールアディティブ法（ｆｕｌｌ ａｄｄｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、及びセミアディティブ法（ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）などがある。このような方法のうち、回路パターンの微細化が可能なセミアディティブ法が現在注目を浴びている。
【０００５】
図１〜図６は、従来の一例によるセミアディティブ法で回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図であり、これを参照して回路パターンの形成方法を説明すれば次のようである。
【０００６】
まず、図１に示すように、一面に金属層１４が形成された絶縁層１２にビアホール１６を加工する。
【０００７】
ついで、図２に示すように、ビアホール１６の内壁を含み絶縁層１２上に無電解メッキ層１８を形成する。この際、無電解メッキ層１８は以後に行われる電解メッキ工程の前処理工程の役目をする。電解メッキ層２４を形成するためには、一定厚さ以上（例えば、１μｍ以上）の無電解メッキ層１８を形成しなければならない。
【０００８】
ついで、図３に示すように、ドライフィルム２０を積層し、回路パターン形成領域を露出させる開口部２２を持つようにパターニングする。
【０００９】
ついで、図４に示すように、ビアホール１６を含み開口部２２に電解メッキ層２４を形成する。
【００１０】
ついで、図５に示すように、ドライフィルム２０を除去する。
【００１１】
最後に、図６に示すように、フラッシュエッチング（ｆｌａｓｈ ｅｔｃｈｉｎｇ）、クィックエッチング（ｑｕｉｃｋ ｅｔｃｈｉｎｇ）などによって、電解メッキ層２４が形成されない無電解メッキ層１８を除去することで、ビア２６を含む回路パターン２８を形成する。
【００１２】
しかしながら、従来のセミアディティブ法で形成された回路パターン２８は、絶縁層１２上に陽刻部の形状に形成されているから、絶縁層１２から分離される問題点があった。特に、次第に回路パターン２８が微細化していくにつれて絶縁層１２と回路パターン２８間の接着面積が減少して接着力が弱化し、回路パターン２８の分離が酷くなり、多層構造を有するプリント基板において、最外層に形成された回路パターン２８の分離はプリント基板の信頼性を格段に低下させる問題点があった。
【００１３】
近年には、このような限界を克服するために新工法が提案されている。その一つとして、絶縁層上にレーザーでトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）を形成し、メッキ、研磨、エッチングの工程によって回路パターンを製造するＬＰＰ法（Ｌａｓｅｒ Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）が注目を浴びている。
【００１４】
図７〜図１０は、従来の他の例によるＬＰＰ法で回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図であり、これを参照して回路パターン形成方法を説明すれば次のようである。
【００１５】
まず、図７に示すように、一面に金属層５４が形成された絶縁層５２に回路パターン用トレンチ５６ａ及びビア用トレンチ５６ｂを含むトレンチ５６をレーザーで加工する。
【００１６】
ついで、図８に示すように、トレンチ５６の内壁を含み絶縁層５２上に無電解メッキ層５８を形成する。
【００１７】
ついで、図９に示すように、無電解メッキ層５８上に電解メッキ層６０を形成する。
【００１８】
最後に、図１０に示すように、エッチング工程またはグラインディング工程によって、絶縁層５２の上部に突出した無電解メッキ層５８及び電解メッキ層６０を除去してビア６２を含む埋込型回路パターン６４を形成する。
【００１９】
しかしながら、ＬＰＰ工法でプリント基板を製作する場合、回路パターン６４が埋め込まれた構造を持つので分離される問題を予防することができる利点はあるが、トレンチ５６が形成される領域とそうではない領域の間で発生するメッキ偏差を減らすために付加の研磨工程を行わなければならなく、層別にトレンチ加工工程及び研磨工程を行わなければならないため、リードタイム（ｌｅａｄ ｔｉｍｅ）が長くなる問題点があった。また、トレンチ加工に使用する装備が高価なものであるから、製造コストが増加する問題点があった。よって、多層プリント基板の製作においてＬＰＰ工法を全面的に適用するのには困難であった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
したがって、本発明は前記のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、ビルドアップ工法を適用するに際して、最外層の回路層は製造工程の単純なインプリンティング工法によって含浸構造を持つように形成することにより、回路層の分離を最小化するとともにリードタイムを減らし、製造コストを節減することができるプリント基板及びその製造方法を提供することである。
【００２１】
本発明の他の目的は、微細なピッチを持ち、均一な直径及び高さを持つバンプパッドを備えたプリント基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明によれば、絶縁部材の一面に含浸された回路パターン；前記回路パターンと連結されるように前記絶縁部材に形成され、前記絶縁部材の外部に突出するように形成されたバンプパッド；前記絶縁部材の一面に積層されたビルドアップ絶縁層に前記回路パターンと連結されるビアを含む回路層が形成されたビルドアップ層；及び前記ビルドアップ層に積層されたソルダレジスト層；を含むことを特徴とするプリント基板が提供される。
【００２３】
前記絶縁部材は、厚さ方向の一部に形成されたパターン用トレンチを含み、前記回路パターンは前記パターン用トレンチの内部に形成されることができる。
【００２４】
前記バンプパッドは、下側が前記絶縁部材の内部に含浸された状態で、上側が前記絶縁部材から突出するように形成されることができる。
【００２５】
前記バンプパッドは、メッキ層であってもよい。
【００２６】
前記絶縁部材の外部に突出した前記バンプパッドの表面には、表面処理層が形成されることができる。
【００２７】
前記ソルダレジスト層には、前記回路層中のパッド部を露出させるオープン部が形成されることができる。
【００２８】
また、本発明によれば、（Ａ）キャリアに離型層及び絶縁部材を順次積層し、インプリンティング工法によって前記絶縁部材にパターン用トレンチを加工し、前記絶縁部材と前記離型層を貫通するバンプパッド用トレンチを加工する段階；（Ｂ）前記パターン用トレンチ及び前記バンプパッド用トレンチにメッキ工程を施して回路パターン及びバンプパッドを形成する段階；（Ｃ）前記絶縁部材にビルドアップ絶縁層を積層し、層間連結のためのビアを含む回路層を形成する段階；及び（Ｄ）前記ビルドアップ絶縁層にソルダレジスト層を形成し、前記キャリアと前記離型層を除去する段階；を含むプリント基板の製造方法が提供される。
【００２９】
前記（Ａ）段階で、前記パターン用トレンチは厚方向の絶縁部材の一部に形成されることができる。
【００３０】
前記（Ａ）段階で、前記離型層及び前記絶縁部材は前記キャリアの一面または両面に塗布されることができる。
【００３１】
前記離型層は、樹脂材質で形成されることができる。
【００３２】
前記（Ｂ）段階は、（Ｂ１）前記パターン用トレンチ及び前記バンプパッド用トレンチの内壁とともに前記絶縁部材の表面に無電解メッキ層を形成する段階；（Ｂ２）前記パターン用トレンチ及び前記バンプパッド用トレンチの内部に電解メッキ層を形成する段階；及び（Ｂ３）前記絶縁部材の上部に形成された前記無電解メッキ層及び前記電解メッキ層を除去する段階；を含むことができる。
【００３３】
前記（Ｄ）段階は、（Ｄ１）前記ビルドアップ絶縁層にソルダレジスト層を形成する段階；（Ｄ２）前記ソルダレジスト層に前記回路層中のパッド部を露出させるオープン部を加工する段階；（Ｄ３）前記キャリアを除去する段階；（Ｄ４）前記バンプパッドの露出面に表面処理層を形成する段階；及び（Ｄ５）前記離型層を除去する段階；を含むことができる。
【００３４】
本発明の特徴及び利点は添付図面に基づいた以降の詳細な説明からより明らかになるであろう。
【００３５】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に使用された用語や単語は通常的で辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者がその自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、ビルドアップ工法を適用するに際し、最外層の回路層は製造工程の単純なインプリンティング工法によって含浸構造を持つように形成することで、回路層の分離を最小化するとともにリードタイムを減らして製造コストを節減することができることになる。一方、ビルドアップ工法とインプリンティング工法を一緒に適用することでインプリンティング工法の全面的適用による層間不整合問題を防止することができる。
【００３７】
また、本発明によれば、電気伝達特性に優れた柱状のバンプパッドを含むので、プリント基板に実装される電子部品との電気的な接続が良好になり、バンプパッドが一定の直径を持つので、微細ピッチの具現が可能になる。
【００３８】
更に、本発明によれば、離型層にトレンチを加工し、その内部にメッキ層を形成した後、離型層を除去する簡単な方法によって、絶縁部材の外部に突出する柱状のバンプパッドを具現することができる。この際、離型層の厚さ調節によって所望高さのバンプパッドを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】従来の一例によるセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法の工程（１）を示す工程断面図である。
【図２】従来の一例によるセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法の工程（２）を示す工程断面図である。
【図３】従来の一例によるセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法の工程（３）を示す工程断面図である。
【図４】従来の一例によるセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法の工程（４）を示す工程断面図である。
【図５】従来の一例によるセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法の工程（５）を示す工程断面図である。
【図６】従来の一例によるセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法の工程（６）を示す工程断面図である。
【図７】従来の他の例によるＬＰＰ工法によって回路パターンを形成する方法の工程（１）を示す工程断面図である。
【図８】従来の他の例によるＬＰＰ工法によって回路パターンを形成する方法の工程（２）を示す工程断面図である。
【図９】従来の他の例によるＬＰＰ工法によって回路パターンを形成する方法の工程（３）を示す工程断面図である。
【図１０】従来の他の例によるＬＰＰ工法によって回路パターンを形成する方法の工程（４）を示す工程断面図である。
【図１１】本発明の好適な実施例によるプリント基板の断面図である。
【図１２】図１１に示すプリント基板の製造方法の工程（１）を示す工程断面図である。
【図１３】図１１に示すプリント基板の製造方法の工程（２）を示す工程断面図である。
【図１４】図１１に示すプリント基板の製造方法の工程（３）を示す工程断面図である。
【図１５】図１１に示すプリント基板の製造方法の工程（４）を示す工程断面図である。
【図１６】図１１に示すプリント基板の製造方法の工程（５）を示す工程断面図である。
【図１７】図１１に示すプリント基板の製造方法の工程（６）を示す工程断面図である。
【図１８】図１１に示すプリント基板の製造方法の工程（７）を示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
本発明の目的、利点及び特徴は添付図面を参照する以下の詳細な説明及び好適な実施例からもっと明らかになろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際して、同じ構成要素には、たとえ異なる図面に表示されていても、できるだけ同一符号を付けることにする。また、本発明の説明において、関連の公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不必要にあいまいにすることができると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。
【００４１】
以下、添付図面に基づいて本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００４２】
（プリント基板の構造）
図１１は、本発明の好適な実施例によるプリント基板の断面図である。以下、同図を参照して本実施例によるプリント基板１００について説明する。
【００４３】
図１１に示すように、本実施例によるプリント基板１００は、絶縁部材１３０の一面に含浸された回路パターン１５０、前記回路パターン１５０と連結されて絶縁部材１３０の外部に突出するように前記絶縁部材１３０に形成されたバンプパッド１５２、ビルドアップ層１６０、及びソルダレジスト層１７０を含んでなるものである。
【００４４】
ここで、回路パターン１５０は、絶縁部材１３０の一面に含浸された構造、つまり絶縁部材１３０の一面と同一の表面高さを持つように埋め込まれた構造を持つ。この際、回路パターン１５０は、絶縁部材１３０の一面から厚さ方向の一部分にだけ形成されたパターン用トレンチ１２２の内部にメッキ工程によって形成される。
【００４５】
バンプパッド１５２は、回路パターン１５０と連結されて前記絶縁部材１３０の外部に突出するように前記絶縁部材１３０に形成される。ここで、バンプパッド１５２は、下側が前記絶縁部材１３０の内部に含浸された状態にあり、上側が前記絶縁部材１３０から突出するように形成された状態を持つ。すなわち、バンプパッド１５２は、同一高さのポスト構造を持つことになる。この際、バンプパッド１５２は、メッキ層で形成される。一方、絶縁部材１３０の外部に突出したバンプパッド１５２の表面には、酸化／腐食防止と外部接続端子との接着力向上のために、表面処理層１５４が形成されることが好ましい。
【００４６】
ビルドアップ層１６０は、回路パターン１５０が含浸された絶縁部材１３０の一面にビルドアップ絶縁層１６２が積層され、前記ビルドアップ絶縁層１６２に層間連結のためのビアを含む回路層１６４が形成された構造を持つ。ここで、回路層１６４はビルドアップ層１６０の表面から突出する構造を持つことになる。
【００４７】
ソルダレジスト層１７０は、最外層ビルドアップ絶縁層１６２に形成された回路層１６４を外部から保護するためのもので、ビルドアップ絶縁層１６２の上部に積層される。この際、ソルダレジスト層１７０には、最外層の回路層１６４中のパッド部を露出させるオープン部１７２が形成される。
【００４８】
（プリント基板の製造方法）
図１２〜図１８は、図１１に示すプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。以下、これを参照して本実施例によるプリント基板の製造方法について説明する。
【００４９】
まず、図１２に示すように、製造過程中にプリント基板が歪むことを防止するための支持体機能をするキャリア１１０に離型層１２０及び絶縁部材１３０を順次積層する。
【００５０】
ここで、離型層１２０は、その上部に積層される絶縁部材１３０からの分離が容易な材質で形成され、後続のインプリンティング工程によってトレンチ加工できるように樹脂材質で形成される。
【００５１】
本実施例において、離型層１２０及び絶縁部材１３０は、形成しようとするバンプパッド１５２の高さを考慮して所定厚さに積層される。
【００５２】
一方、離型層１２０及び絶縁部材１３０は、キャリア１１０の一面または両面に積層できる。以下では、一例として、キャリア１１０の両面に絶縁部材１３０が積層され、追加の工程が進むものを図示及び説明する。
【００５３】
ついで、図１３に示すように、絶縁部材１３０にパターン用トレンチ１４０を加工し、絶縁部材１３０と離型層１２０にこれらを貫通するバンプパッド用トレンチ１４２を加工する。
【００５４】
この際、パターン用トレンチ１４０は、回路パターン１５０が形成されるサイズ及び厚さを考慮して、厚さ方向に絶縁部材１３０の一部分を除去することで形成され、バンプパッド用トレンチ１４２は絶縁部材１３０と離型層１２０を貫通するように形成される。
【００５５】
ここで、パターン用トレンチ１４０及びバンプパッド用トレンチ１４２は、加工時間及び加工費用を節減するために、インプリンティング工法によって形成される。すなわち、トレンチ状に対応する形状を持つインプリントモールド（ｉｍｐｒｉｎｔ ｍｏｌｄ）で絶縁部材１３０、または絶縁部材１３０と離型層１２０をインプリントすることで形成される。
【００５６】
ついで、図１４に示すように、パターン用トレンチ１４０及びバンプパッド用トレンチ１４２の内部にメッキ工程を施して回路パターン１５０及びバンプパッド１５２を形成する。この際、回路パターン１５０及びバンプパッド１５２は、パターン用トレンチ及びバンプパッド用トレンチ１４２の内壁とともに絶縁部材１３０の表面に無電解メッキ層を形成した後、前記無電解メッキ層のうちパターン用トレンチ１４０及びバンプパッド用トレンチ１４２の内部に電解メッキ層を形成することで形成される。ここで、パターン用トレンチ１４０及びバンプパッド用トレンチ１４２の内部にメッキ層を形成する過程で、絶縁部材１３０の上部に形成される無電解メッキ層及び電解メッキ層は、回路パターン１５０が絶縁部材１３０の一面と同一の表面高さを持つように（含浸構造）、機械的及び／または化学的研磨工程によって除去されることが好ましい。
【００５７】
ついで、図１５に示すように、回路パターン１５０が形成された絶縁部材１３０にビルドアップ絶縁層１６２を積層し、層間連結のためのビアを含む回路層１６４を形成する。すなわち、ビルドアップ工程によってビルドアップ層１６０を形成する。この際、回路層１６４は、例えばビルドアップ絶縁層１６２にビアホールを加工し、前記ビアホールの内部とともに前記ビルドアップ絶縁層１６２の上部にメッキ層を形成した後、前記メッキ層をパターニングすることで形成される。この際、絶縁部材１３０の直上に積層されるビルドアップ絶縁層１６２に形成される回路層１６４はビアを介して回路パターン１５０と連結される。
【００５８】
ついで、図１６に示すように、ビルドアップ絶縁層１６２にソルダレジスト層１７０を形成し、前記ビルドアップ絶縁層の最外層の回路層１６４中のパッド部を露出させるオープン部１７２を加工した後、キャリア１１０を除去する。ここで、ソルダレジスト層１７０はビルドアップ絶縁層１６２の最外層に形成された回路層１６４を保護するために最外層ビルドアップ絶縁層１６２に形成され、外部との連結端子の役目をするパッド部は、例えばレーザーダイレクトアブレーション（ｌａｓｅｒ ｄｉｒｅｃｔ ａｂｌａｔｉｏｎ；ＬＤＡ）工程によってソルダレジスト層１７０に形成されたオープン部１７２を通じて外部に露出される。
【００５９】
ついで、図１７に示すように、バンプパッド１５２の露出面に表面処理層１５４を形成する。この際、表面処理層１５４は露出されたバンプパッド１５２の腐食／酸化を防止し、外部接続端子との接着力を増大させるためのもので、必要によって選択的に形成可能である。例えば、表面処理層１５４はニッケル（Ｎｉ）メッキ層またはニッケル合金メッキ層で形成されるか、または前記ニッケルメッキ層または前記ニッケル合金メッキ層上にパラジウム（Ｐｄ）メッキ層または金（Ａｕ）メッキ層が形成されるか、あるいは前記パラジウムメッキ層及び前記金メッキ層が順次形成された構造を持ち、薄く形成される。
【００６０】
最後に、図１８に示すように、離型層１２０を除去する。この際、離型層１２０を除去すれば、バンプパッド１５２の少なくとも一部が絶縁部材１３０の外部に突出することになる。
【００６１】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもので、本発明によるプリント基板及びその製造方法はこれに限定されなく、本発明の技術的思想内で当該分野の通常の知識を持った者によって多様な変形及び改良が可能であろう。本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかに決まるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、半導体チップの高密度化に対応することが可能な高密度及び高信頼性のプリント基板に適用可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１１０    キャリア
１２０    離型層
１３０    絶縁部材
１４０    パターン用トレンチ
１４２    バンプパッド用トレンチ
１５０    回路パターン
１５２    バンプパッド
１５４    表面処理層
１６２    ビルドアップ絶縁層
１６４    回路層
１７０    ソルダレジスト層
１７２    オープン部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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