(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマクリーニング装置におけるプラズマクリーニング処理に適したオブジェクトを提供する。【解決手段】プラズマクリーニング装置におけるプラズマクリーニング処理に適したオブジェクトを提供する。このオブジェクトは、第１外表面領域と、第２外表面領域とを含む。オブジェクトは、第２外表面領域を覆うように該オブジェクトと接続可能な取り外し可能カバーと協働するように構成および配置される。取り外し可能カバーと接続されたオブジェクトは、プラズマクリーニング装置内でクリーニングされるよう適合されている。クリーニングの際、プラズマクリーニング装置は第２外表面領域に存在する粒子にさらされず、プラズマクリーニング装置内で第１外表面領域がクリーニングされる。【選択図】図２
2011146702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマクリーニング装置におけるプラズマクリーニング処理に適したオブジェクトであって、
第１外表面領域と、
第２外表面領域とを備え、
本オブジェクトは、第２外表面領域を覆うように該オブジェクトと接続可能な取り外し可能カバーと協働するように構成および配置されており、
前記取り外し可能カバーと接続された本オブジェクトは、前記プラズマクリーニング装置内でクリーニングされるよう適合されており、該プラズマクリーニング装置が第２外表面領域に存在する粒子にさらされず、該プラズマクリーニング装置内で第１外表面領域がクリーニングされるように適合されていることを特徴とするオブジェクト。
【請求項２】
第１外表面領域は第１の汚染レベル状態にあり、
第２外表面領域は第２の汚染レベル状態にあり、
第２の汚染レベルは、第１の汚染レベルよりも汚染レベルが高いことを特徴とする請求項１に記載のオブジェクト。
【請求項３】
前記オブジェクトは、リソグラフィ装置内の基板ハンドラであることを特徴とする請求項１に記載のオブジェクト。
【請求項４】
前記オブジェクトは、パターニングデバイスハンドラであることを特徴とする請求項１に記載のオブジェクト。
【請求項５】
前記カバーを前記オブジェクトに固定するように構成されているファスナーを備えることを特徴とする請求項１に記載のオブジェクト。
【請求項６】
放射ビームにパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するように適合されているパターニングデバイスサポートと、
基板を支持するように構成されている基板テーブルと、
パターン付与された放射ビームを基板に投影するように構成されている投影系と、
プラズマクリーニング装置におけるプラズマクリーニング処理に適したオブジェクトであって、
第１外表面領域と、
第２外表面領域とを備えるオブジェクトとを備え、
前記オブジェクトは、第２外表面領域を覆うように該オブジェクトと接続可能な取り外し可能カバーと協働するように構成および配置されており、
前記取り外し可能カバーと接続された前記オブジェクトは前記プラズマクリーニング装置内でクリーニングされるよう適合されており、該プラズマクリーニング装置が第２外表面領域に存在する粒子にさらされず、該プラズマクリーニング装置内で第１外表面領域がクリーニングされるように適合されていることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項７】
第１外表面領域は第１の汚染レベル状態にあり、
第２外表面領域は第２の汚染レベル状態にあり、
第２の汚染レベルは、第１の汚染レベルよりも汚染レベルが高いことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記オブジェクトは、リソグラフィ装置内の基板ハンドラであることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記オブジェクトは、パターニングデバイスハンドラであることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記カバーを、前記オブジェクトに固定するように構成されているファスナーを備えることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項１１】
プラズマクリーニング装置におけるプラズマクリーニング処理に適したオブジェクトであって、
第１外表面領域と、
第２外表面領域と、
第２外表面領域を覆うように構成されている取り外し可能カバーとを備え、
本オブジェクトは、前記プラズマクリーニング装置内でクリーニングされるよう適合されており、該プラズマクリーニング装置が第２外表面領域に存在する粒子にさらされず、該プラズマクリーニング装置内で第１外表面領域がクリーニングされるように適合されていることを特徴とするオブジェクト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置、およびリソグラフィ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板の目標部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられうる。このような場合、例えばマスクまたはレチクルと称されるパターニングデバイスが、集積回路の各層に回路パターンを形成するために使用されうる。このパターンが基板（例えばシリコンウェーハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイからなる）目標部分に転写されうる。パターンの転写は典型的には、基板に形成された放射感応性材料（レジスト）層への像形成により行われる。一般に一枚の基板にはネットワーク状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的にパターン形成されることになる。従来のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとが含まれる。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（スキャン方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をスキャン方向に平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。また、パターンを基板にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
プラズマクリーニング処理は、ガス種から生成される高エネルギープラズマを利用して、オブジェクトの表面領域から、粒子、不純物、汚染物質を取り除くために用いられうる。空気と水素／窒素などのような混合物ガスのみならず、例えばアルゴンおよび酸素などのガスが用いられうる。そのような高エネルギープラズマは、低圧ガス相をイオン化することで生成されうる。高エネルギーのイオン化ガス種は、クリーニングされるべきオブジェクトの表面領域の不純物および汚染物質と反応し、多くの場合、ガス生成物を生成する。これらガス生成物は、真空システムによって除去可能である。高エネルギー種はまた、表面領域と衝突することにより、その表面領域の不純物や汚染物質を叩き出し、その表面領域をクリーニングする。異なる汚染レベルを有するオブジェクトをクリーニングする際、従来のプラズマクリーニング処理では、そのオブジェクトのサブアセンブリやパッキング材を別個に手作業でクリーニングする必要があり、高レベルの洗浄度を達成することができない可能性がある。さらに、例えば、オブジェクトの外側の表面領域に存在する潤滑剤やオイルのような炭化水素が、プラズマクリーニング装置自体への汚染物質を生成するかもしれない。さらに、プラズマクリーニング処理が実行された後に、オブジェクトやパッキング材を全体として組み立てる間に汚染される危険も残る。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一態様は、プラズマクリーニング装置におけるプラズマクリーニング処理に適した、例えばロボットのようなオブジェクトに関する。このオブジェクトは、第１の汚染レベル状態にある第１外表面領域と、第２の汚染レベル状態にある第２外表面領域とを有する。ここで、第２の汚染レベルは、第１の汚染レベルよりも高い。
【０００５】
本発明の一態様によると、プラズマクリーニング処理に対する改良された適合性を有するオブジェクトが提供される。この目的のために、オブジェクトは、取り外し可能カバーと協働するように構成され、配置される。取り外し可能カバーは、第２外表面領域を覆うために、オブジェクトと接続可能である。また、取り外し可能カバーと接続されたオブジェクトは、プラズマクリーニング装置が第２外表面領域の粒子にさらされず、プラズマクリーニング装置内で第１外表面領域がクリーニングされるように、プラズマクリーニング装置内でクリーニングされうる。
【０００６】
これにより、第２外表面領域から粒子、不純物、および汚染物質が除去されることを実質的に防止できるという技術的効果が得られる。この結果、プラズマクリーニング装置自体が汚染される危険が低減するという効果、さらに、オブジェクト自体の清浄度が向上するという効果が得られる。このようなタイプのオブジェクトのさらなる利点は、プラズマクリーニング処理の前にオブジェクトの全てのサブアセンブリおよびパッキング材を、別個に手作業でクリーニングすること、そして、クリーニング処理の後に、これらのサブアセンブリを、再び組み立てることはもはや不要である点である。この結果として、オブジェクトの解体、クリーニング、組み立てのサイクル全体の時間を大幅に低減することができる。さらなる利点は、オブジェクトの処理に必要なステップを減らすことにより、オブジェクトに新たな汚染が生じる危険を大幅に低減できることである。
【０００７】
以下に、本発明の実施形態を付属の図面を参照して説明する。これらは例示に過ぎない。各図面において対応する参照符号は対応する部分を指し示す。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。
【図２】プラズマクリーニング装置内に設置された本発明の一実施形態に係るオブジェクトを模式的に示す図である。
【図３】プラズマクリーニング装置内に設置された本発明の一実施形態に係るオブジェクトを模式的に示す図である。
【図４】プラズマクリーニング処理中の本発明の一実施形態に係るオブジェクトを模式的に示す図である。
【図５】プラズマクリーニング処理のための準備中の本発明の一実施形態に係るオブジェクトを模式的に示す図である。
【図６】プラズマクリーニング処理中の本発明の一実施形態に係るオブジェクトを模式的に示す図である。
【図７】プラズマクリーニング処理のための準備中の本発明の一実施形態に係るオブジェクトを模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。
この装置は、
放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するよう構成されている照明光学系（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスクテーブル）ＭＡを支持するよう構成され、所定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第１ポジショナＰＭに接続されているパターニングデバイスサポートまたはサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジストでコーティングされたウェーハ）Ｗを保持するよう構成され、所定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第２ポジショナＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイを含む）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影系（例えば屈折投影レンズ系）ＰＳと、を含む。
【００１０】
照明系は、放射の方向や形状の調整またはその他の制御をするよう構成されている各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子またはその他の各種光学素子を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
【００１１】
パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスの向きやリソグラフィ装置の構成、あるいはパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートにおいてはパターニングデバイスを保持するために、機械的固定、真空固定、静電固定、または他の固定用技術を用いることができる。パターニングデバイスサポートは例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスを例えば投影系に対して所望の位置に位置決めできるようにしてもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなすことができる。
【００１２】
本明細書では「パターニングデバイス」という用語は、例えば基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよいことに留意されたい。例えば仮に放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。
【００１３】
パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルなどがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。
【００１４】
本明細書では「投影系」という用語は、使用される露光放射あるいは液浸や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる型式の投影系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影系には例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。本明細書において、「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影系」と同義に用いられ得る。
【００１５】
ここに説明されるのは、（例えば透過型マスクを用いる）透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、（例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを用いる）反射型のリソグラフィ装置を用いてもよい。
【００１６】
リソグラフィ装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を備える型式のものであってもよい。このような多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されてもよく、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に他の１以上のテーブルで準備工程が実行されてもよい。
【００１７】
リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が液体で覆われる型式の装置であってもよい。この液体は比較的高い屈折率を有する液体であり、例えば水である。この液体によって、投影系と基板との間の空間が満たされる。液浸液は、例えば投影系とマスクとの間などのリソグラフィ装置内部の他の空間に適用されてもよい。液浸技術は投影系の開口数を増大させるための周知の手法である。ここで使用される「液浸」という用語は、基板等の構造物が液体に浸されていなければならないことを意味するのではなく、露光中に投影系と基板との間に液体が存在するということを単に意味するにすぎない。
【００１８】
図１に示されるようにイルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされず、放射ビームは光源ＳＯからイルミネータＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用のミラーおよび／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が例えば水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置と一体に構成されていてもよい。光源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系（放射システム）と総称されうる。
【００１９】
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを含んでもよい。一般にはアジャスタＡＤにより、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径および／または内径の大きさ（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他の要素を含んでもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性および強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられてもよい。
【００２０】
放射ビームＢは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを通過した放射ビームＢは投影系ＰＳに進入する。投影系ＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに投影する。第２ポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。基板テーブルＷＴは例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを順次位置決めするように移動される。同様に、第１ポジショナＰＭと他の位置センサ（図１において明示せず）とにより放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリからマスクを機械的に取得した後や露光走査中に行われる。一般にパターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）およびショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を構成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールにより実現される。ステッパでは（スキャナとは逆に）、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２１】
図示の装置は例えば次のうちの少なくとも１つのモードで使用され得る。
【００２２】
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射（すなわち単一静的露光）で目標部分Ｃに投影される間、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルがＸおよび／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写される目標部分Ｃのサイズを制限することになる。
【００２３】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間（すなわち単一動的露光の間）、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期して走査される。パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性および像反転特性により定められてもよい。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分の（非走査方向の）幅を制限し、スキャン移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。
【００２４】
３．別のモードにおいては、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームＰＢに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２５】
上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。
【００２６】
図２は、オブジェクト（ＯＢＪ）が中に設置されたプラズマクリーニング装置（ＰＣＤ）の模式図である。オブジェクト（ＯＢＪ）は、第１の汚染レベル状態にある第１外表面領域（ＳＲＦ１）と、第１の汚染レベルよりも高い第２の汚染レベル状態にある第２外表面領域（ＳＲＦ２）とを有する。オブジェクト（ＯＢＪ）は、取り外し可能カバー（ＣＶＲ）と協働するように構成され、配置される。このようなオブジェクト（ＯＢＪ）は、例えば、ウェーハ（Ｗ）をリソグラフィ装置内へ、および、装置外へと運ぶように構成され、配置されるウェーハハンドラ（ＷＨ）であってもよい。また、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡをリソグラフィ装置内へ、および、装置外へと運ぶように構成されるレチクルハンドラ（ＲＨ）であってもよい。ただし、これに制限されるものではない。このようなオブジェクト（ＯＢＪ）は、また、他の技術分野（例えば製薬業界のような分野）においても用いられうることが、理解されるであろう。
【００２７】
本発明のある実施形態においては、取り外し可能カバー（ＣＶＲ）は、オブジェクト（ＯＢＪ）と接続可能であってもよい。この結果、取り外し可能カバー（ＣＶＲ）は第２外表面領域（ＳＲＦ２）を覆うことになる。このような実施形態において、取り外し可能カバー（ＣＶＲ）と接続されたオブジェクト（ＯＢＪ）は、プラズマクリーニング装置（ＰＣＤ）内で、クリーニングされうる。そして、クリーニングの際に、プラズマクリーニング装置（ＰＣＤ）が第２外表面領域（ＳＲＦ２）の粒子にさらされず、プラズマクリーニング装置（ＰＣＤ）内で第１外表面領域（ＳＲＦ１）がプラズマクリーニング装置を汚染することなくクリーニングされるようにすることができる。
【００２８】
図３は、本発明のある実施形態を示す模式図である。この実施形態において、取り外し可能カバー（ＣＶＲ）は、第１カバー部分（ＣＶＲ１）と、第２カバー部分（ＣＶＲ２）とを含む。
オブジェクト（ＯＢＪ）は、例えばボルトなどの第１固定エレメントあるいはファスナー（ＦＸ１）を用いて、第１カバー部分（ＣＶＲ１）に接続されてもよい。その結果、オブジェクト（ＯＢＪ）と第１カバー（ＣＶＲ１）との間の第１ギャップ（ＧＰ１）が閉鎖される。第１固定エレメントあるいはファスナー（ＦＸ１）の固定後、第２外表面領域（ＳＲＦ２）は第１カバー部分（ＣＶＲ１）によって覆われ、閉鎖された環境が得られる。
【００２９】
図４は、第１外表面領域（ＳＲＦ１）が、プラズマクリーニング装置（ＰＣＤ）内でクリーニングされる方法を模式的に示す図である。図４において、プラズマクリーニング装置（ＰＣＤ）内に設置されうるポジショナＭＮＳは、オブジェクト（ＯＢＪ）と、第１カバー部分（ＣＶＲ１）とに対して、第２カバー部分（ＣＶＲ２）の位置を定める。プラズマクリーニング装置（ＰＣＤ）内で生成された高エネルギープラズマは、クリーニング処理用の第２ギャップ（ＧＰ２）から、オブジェクト（ＯＢＪ）の第１外表面領域（ＳＲＦ１）に到達することができ、オブジェクト（ＯＢＪ）のプラズマクリーニング処理を行うことができる。さらに、本実施例によると、第１カバー部分（ＣＶＲ１）の外側表面領域と、第２カバー部分（ＣＶＲ２）の内側および外側表面領域もまた、プラズマクリーニング工程の間にクリーニングされる。第２外表面領域（ＳＲＦ２）の不純物と汚染物質には高エネルギープラズマは到達せず、したがって、第２外表面領域（ＳＲＦ２）の不純物と汚染物質は閉鎖された環境（ＣＥＮＶ）内に留まることになる。その結果、第２外表面領域（ＳＲＦ２）上の粒子はプラズマクリーニング装置（ＰＣＤ）を汚染しない。プラズマクリーニング処理の後、第２カバー（ＣＶＲ２）が第２固定エレメントすなわちファスナー（ＦＸ２）を用いて第１カバー部分（ＣＶＲ１）に接続されてもよい。これに伴って、第１カバー（ＣＶＲ１）と第２カバー（ＣＶＲ２）との間の第２ギャップ（ＧＰ２）が閉鎖される。カバー（ＣＶＲ）を閉じた後、オブジェクト（ＯＢＪ）を含むカバー（ＣＶＲ）は、オブジェクト（ＯＢＪ）の取り付けのために例えばクリーンルーム等へと移送することが可能な状態となる。
【００３０】
図５は、本発明のある実施形態を示す模式図である。この実施形態において、取り外し可能カバー（ＣＶＲ）は、第１カバー部分（ＣＶＲ１）と、第２カバー部分（ＣＶＲ２）とを含む。オブジェクト（ＯＢＪ）と第１カバー（ＣＶＲ１）との間の第１ギャップ（ＧＰ１）を閉じて、閉鎖された環境を得るために、オブジェクト（ＯＢＪ）は、例えばボルトなどの第１固定エレメント（ＦＸ１）を用いて第１カバー部分（ＣＶＲ１）に接続されてもよい。第１固定エレメントあるいはファスナー（ＦＸ１）の固定後、第２外表面領域（ＳＲＦ２）は第１カバー部分（ＣＶＲ１）によって覆われた状態となる。第２カバー（ＣＶＲ２）は、第２固定エレメント（ＦＸ２）を用いて第１カバー部分（ＣＶＲ１）と接続されてもよい。これに伴って、第１カバー（ＣＶＲ１）と第２カバー（ＣＶＲ２）との間の第２ギャップ（ＧＰ２）が閉じられる。第２カバー部分（ＣＶＲ２）はさらに、インレット開口（ＩＮ）、および、アウトレット開口（ＯＵＴ）を含んでもよい。
【００３１】
図６は、プラズマクリーニング処理の間、プラズマクリーニング装置（ＰＣＤ）によって生成された高エネルギープラズマが、インレット開口（ＩＮ）を通ってオブジェクト（ＯＢＪ）に供給される様子を模式的に示す図である。オブジェクト（ＯＢＪ）の第１外表面領域（ＳＲＦ１）に存在する粒子、不純物、および、汚染物質と反応するイオンガス種を含む高エネルギープラズマは、アウトレット開口（ＯＵＴ）を通って真空システム（ＶＡＣ）によって取り除かれてもよい。本実施形態において、プラズマクリーニング装置（ＰＣＤ）と真空システム（ＶＡＣ）とは、単一の装置内に閉じられた構成であってもよいが、これらはまた、別個の独立した装置であってもよい。さらに、プラズマクリーニング装置（ＰＣＤ）および／または真空システム（ＶＡＣ）が、第２カバー部分（ＣＶＲ２）の一部を形成してもよいが、これらはまた、第２カバー部分（ＣＶＲ２）の近傍に設置される別個の機器であってもよい。
【００３２】
プラズマクリーニング装置（ＰＣＤ）内で生成された高エネルギープラズマは、インレット開口（ＩＮ）から、オブジェクト（ＯＢＪ）の第１外表面領域（ＳＲＦ１）に到達することができ、オブジェクト（ＯＢＪ）のプラズマクリーニング処理を行うことができる。さらに、本実施例においては、第２カバー部分（ＣＶＲ２）の内側表面領域もまた、プラズマクリーニング処理の間に、クリーニングされる。
これにより、全体としてクリーニングされる表面領域がより小さくなり、高エネルギープラズマは適切な表面領域により直接的に適用され、高エネルギープラズマの所要量も少なくて済む。また本実施形態において、第２外表面領域（ＳＲＦ２）の粒子、不純物、および汚染物質には高エネルギープラズマが到達しないことになる。したがって、第２外表面領域（ＳＲＦ２）の粒子、不純物、および汚染物質は閉鎖された環境（ＣＥＮＶ）内に留まることになる。
【００３３】
図７は、さらに別の実施形態を示す模式図である。この実施形態において、取り外し可能カバー（ＣＶＲ）は、第１カバー部分（ＣＶＲ１）を含む。オブジェクト（ＯＢＪ）が、例えばボルトなどの第１固定エレメントあるいはファスナー（ＦＸ１）を用いて第１カバー部分（ＣＶＲ１）と直接、接続されるように、オブジェクト（ＯＢＪ）は、例えばフランジ（ＦＬＮ）を含んで構成され、配置される。オブジェクト（ＯＢＪ）が第１カバー部分（ＣＶＲ１）と接続されると、オブジェクト（ＯＢＪ）と第１カバー（ＣＶＲ１）との間の第１ギャップ（ＧＰ１）が閉鎖される。さらに、第１カバー部分（ＣＶＲ１）は、先に詳述したように、インレット開口（ＩＮ）と、アウトレット開口（ＯＵＴ）とを含んでもよい。オブジェクト（ＯＢＪ）のプラズマクリーニング処理は、図５および図６によって説明した処理と同様であるが、フランジ（ＦＬＮ）を有するオブジェクト（ＯＢＪ）によって、第２カバー部分（ＣＶＲ２）の必要性が低減される。このような実施形態は、第１外表面領域（ＳＲＦ１）にはプラズマクリーニング処理が必要であるが、例えば第２外表面領域（ＳＲＦ２）の汚染レベルは、主要なリスクとはならないような場合に、用いられるだろう。
【００３４】
本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であることを理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本明細書において言及される基板は、露光前または露光後においてトラック（典型的にはレジスト層を基板に形成し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、および／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよい。したがって、本明細書における基板という用語は、既に処理されている多数の処理層を含む基板を意味するものであってもよい。
【００３５】
ここでは特に光リソグラフィを本発明に係る実施形態に適用したものを例として説明しているが、本発明は例えばインプリントリソグラフィなど文脈が許す限り他にも適用可能であり、光リソグラフィに限られるものではない。インプリントリソグラフィでは、パターニング用デバイスのトポグラフィが基板に生成されるパターンを決める。パターニング用デバイスのトポグラフィが基板に塗布されているレジスト層に押し付けられ、電磁放射や熱、圧力、あるいはこれらの組み合わせによってレジストが硬化される。レジストが硬化されてから、パターニング用デバイスは、パターンが生成されたレジストから外される。
【００３６】
本明細書において「放射」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）、および極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば５乃至２０ｎｍの範囲に含まれる波長を有する）、さらにはイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を示す。
【００３７】
「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子を含む１つまたは各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。
【００３８】
本発明の種々の実施例を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではない。したがって、本発明の請求項の範囲から逸脱することなく本発明に種々の変更を加えることが可能であることは、当業者には明らかであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【外国語明細書】
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