(57)【要約】      （修正有）【課題】面取り基板のルーティング方法を提供する。【解決手段】基板４の環状周囲ゾーン上にプラズマを用いて保護材料層６を堆積するステップと、前記基板の正面４１上に前記基板の縁部４３から所定の距離に延在する保護材料リング６０を残してアクセス可能な環状周囲ゾーン４００’の境界を定めるようにプラズマを用いて前記保護材料を部分的にエッチングするステップと、基板４の前記アクセス可能な環状周囲ゾーンを有するレベルのプラズマを用いてルーティングされる前記基板を構成する材料の厚さをエッチングするステップと、プラズマを用いて保護材料リング６０を除去するステップとを含む。【選択図】図６（Ｂ）
2011155242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面取り基板（４）のルーティング方法であって、
プラズマを用いて、前記基板（４）の環状周囲ゾーン（４００）上に保護材料層（６）を堆積するステップと、
ルーティングされる前記基板（４）の正面（４１）上に、前記基板の縁部（４３）から所定の距離に延在する保護材料リング（６０）を残し、プラズマにアクセス可能な前記基板の縮小された環状周囲ゾーン（４００’）の境界を定めるように、プラズマを用いて前記保護材料（６）を部分的にエッチングするステップと、
ある厚さにわたってこの環状周囲ゾーンにある材料をエッチングするように、前記基板（４）の前記縮小されたアクセス可能な環状周囲ゾーン（４００’）のレベルに局所化された部分エッチングプラズマを発生するステップと、
プラズマを用いて、前記保護材料リング（６０）を除去するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記方法の種々のステップが、異方性プラズマを形成するためのチャンバ（５０）において実行されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ディスク形状の上側絶縁要素（５３）および２つの電極（５１、５２）を備え、「下側」と呼ばれる前記２つの電極のうちの１つの電極（５２）が、円形の外形の下側絶縁要素（５４）によって取り囲まれている異方性プラズマ形成チャンバ（５０）内に、ルーティングされる前記基板（４）を導入するステップであって、前記基板（４）が、前記基板の背面（４２）が前記下側電極（５２）および前記下側絶縁要素（５４）と接触状態になるように前記チャンバ（５）に配置されることで、プラズマにアクセスできない背面除外ゾーン（５４０）を規定し、前記上側絶縁体（５３）が、前記基板（４）の正面（４１）から距離を置いて位置付けられることで、プラズマにアクセスできない正面除外ゾーン（５３０）を規定し、前記２つの絶縁要素である前記下側絶縁要素（５４）および前記上側絶縁要素（５３）の外径が、ルーティングされる前記基板（４）の直径より小さく、前記基板の残りが前記環状周囲ゾーン（４００）を構成する、基板導入ステップと、
前記チャンバ（５０）に形成されたプラズマを用いて、前記環状周囲ゾーン（４００）に前記保護材料層（６）を堆積するステップと、
前記基板の正面（４１）に向かって前記上側絶縁体（５３）を移動させ、前記保護材料（６）の前記部分エッチングを実行するステップと、
前記上側絶縁体（５３）を適所に保持しながら、ルーティングされる前記基板（４）を構成する材料の厚さをエッチングするステップと、
前記基板の正面（４１）から離れる方向に前記上側絶縁体（５３）を移動させ、前記保護材料リング（６０）を除去するステップと、
を含むことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記保護材料（６）が、ポリマーであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記保護材料（６）が、Ｃ２Ｈ４ベースのプラズマによって得られるポリエチレンであることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記保護材料（６）をエッチングするため、または前記保護材料（６）を除去するためのプラズマが、酸素ベースのプラズマであることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ルーティングされる前記基板（４）が、シリコンからなり、前記エッチングプラズマが、ＳＦ６およびアルゴンの混合物ベースのものであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ルーティングされる前記基板（４）が、酸化シリコン層（４０）で被覆され、前記エッチングプラズマが、ＣＨＦ３および窒素の混合物ベースのものであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
ルーティングされる前記基板（４）が、酸化シリコン層（４０）で被覆されたシリコンからなり、前記酸化シリコン層（４０）のエッチング、及び、その後の前記シリコン層の厚さのエッチングが連続して実行されることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
ルーティングされる前記基板（４）が、前記基板正面（４１）に平行または実質的に平行な平面に延在する脆化ゾーン（４４）を備え、少なくとも前記面取りゾーンのすべてに対応する幅にわたって、ルーティングされる前記基板を構成する材料をエッチングするような方法で、このようにして形成された前記保護材料リング（６０）の外径が前記正面（４１）の非面取り平面ゾーン（４１０）の外径以下になるように、前記保護材料（６）の部分エッチングが実行されることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記上側絶縁体（５３）の直径が、ルーティングされる前記基板の前記正面（４１）の前記非面取り平面ゾーン（４１０）の直径以下であることを特徴とする、請求項３および請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ルーティングされる前記基板（４）が、前記基板正面（４１）に平行または実質的に平行な平面に延在する脆化ゾーン（４４）を備え、前記脆化ゾーンの厚さに対応する厚さにわたってエッチングされることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
電子工学、光学、または光電子工学の分野の応用に向けた基板の作製方法であって、
ドナー基板（４）の残り（４４２）から転写される層（４４１）の境界を定めるように、前記ドナー基板（４）内に脆化ゾーン（４４）を形成するステップと、
前記ドナー基板（４）に、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のルーティング方法を施すステップと、
分子付着により、このようにしてルーティングされた前記ドナー基板をハンドル基板（７）に接合するステップと、
前記ハンドル基板（７）へ層を転写するように、前記脆化ゾーン（４４）に沿って転写される前記層（４４１）を分離するための処理を実行するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記脆化ゾーン（４４）が、原子および／またはイオン種の注入によって形成されることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、電子工学、光学、光電子工学の分野の応用に向けた基板の作製の分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
採用されている種々の作製方法の中から、接合および層転写ステップを使用する作製方法について言及する。以下、このような方法の１つの例について記載する。
【０００３】
この方法によれば、任意に絶縁体層で覆われ封入された、第１の基板、いわゆる、「ドナー基板」に、ドナー基板内に脆化ゾーンを作成するために原子および／またはイオン種の注入が施される。この基板は、引き続き、第２の基板、いわゆる、「ハンドル」基板に分子付着によって接合され、その後、ドナー基板は、ドナー基板の材料が所望の厚さになるように、この脆化ゾーンに沿って２つの部分に分離され、任意に、絶縁体層がある場合、ハンドル基板に絶縁体層が転写される。
【０００４】
この転写後、ドナー基板は、いわゆる、「ネガティブ」な残りの基板になるのに対して、ハンドル基板は、いわゆる、「ポジティブ」な多層基板になる。
【０００５】
このような層転写方法により、特に、「シリコン・オン・インシュレータ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）」を表す略語「ＳＯＩ」で知られる基板の作製が可能であり、ドナー基板が再生可能であるかにかかわらず、競争可能なコストでこの作製を実行可能である。
【０００６】
添付した図１は、第１の層転写後に得られたネガティブの１つの例の一部（ここでは右側）の形状の断面図を略図で表す。これは、上述したような作製方法で使用可能な新しいドナー基板を形成するために、再生の必要があるネガティブである。
【０００７】
同図は、ハンドル基板と接触状態にあったものであることから、いわゆる、「正面」と呼ばれる面１０１と、反対側の、いわゆる、「背面」と呼ばれる面１０２とを有するドナー基板１０を備える、全体として参照番号１が付与されたネガティブを示す。
【０００８】
ドナー基板１０は、正面および背面上の両方の環状周囲ゾーンで面取りされている。最初、ドナー基板１０は、絶縁体層２で完全に覆われているが、基板の非面取り領域内に延在する材料層を正面１０１と脆化ゾーン１０３とに分離した後、ネガティブが非転写環状リング１０４を備えることが分かる。
【０００９】
この非転写リング１０４は、分離の境界１０５と、基板の外縁部との間、すなわち、注入された面取りゾーンの隣に延在する。この非転写リング１０４は、絶縁体の一部分２ａと、シリコンの一部分１０６とを備える。非転写リング１０４は、例えば、数百ナノメートルの厚さおよび１〜３ｍｍオーダーの幅に達するものであってもよい。この非転写リングが存在するのは、ドナー基板の面取り部分が、ハンドル基板に十分に付着せず、したがって、転写されないということに関連する。
【００１０】
従来技術により実行される再生処理は、
絶縁体２のすべて、すなわち、絶縁体２ａと、背面および縁部上にある絶縁体の両方を取り除くステップと、
段差プロファイルを除くために、シリコンの残りのリング１０６を取り除くステップと、
基板の正面側全体にわたって、少なくとも、注入によってダメージを受ける厚さに対応する厚さのシリコンを除去するステップと、
例えば、略語「ＣＭＰ」として当業者に既知の化学機械研磨を実行しながら、「鏡面研磨」と呼ばれる表面条件を回復するように、前記ネガティブの正面を研磨するステップと、
を含む。
【００１１】
このようなリサイクル処理は、例えば、欧州特許出願公開第１１５６５３１号に記載された方法により実行されてもよく、この方法は、例えば、酸浴槽でのエッチングによってネガティブを脱酸素化するステップと、ウェハの末端縁部を研削するステップと、最後に、注入表面を研磨するステップとを含む。
【００１２】
実際には、基板の正面上の材料しか除去しない機器では、通常の厚さを除去できないことが見出された。このため、ネガティブの両面研磨を実行し、ドナー基板の各面上の材料を５μｍ近く除去する機器を使用することが好ましい。
【００１３】
前述した再生処理方法には、以下のような多くの欠点がある。
【００１４】
メンテナンスが困難な高価で嵩張る機器や、研磨スラリーや研磨パッドなどの消耗品の大量消費を必要とする研磨ステップを、少なくとも２回、場合によっては、３回実行することによる高コスト。
【００１５】
再生処理方法の複雑性。
【００１６】
再生処理を実行するたびに除去される１０μｍオーダーの大量の材料。それにより、特に、複数回の再生処理サイクル後、得られる基板がすぐに非常に薄くなることで、脆くなりすぎてしまう。そのため、このような基板は、ＳＥＭＩ仕様に適合せず、したがって、特に、ハンドル基板として再利用できなくなる。
【００１７】
最後に、別の欠点として、ドナー基板からの層を分離するために実行されるアニール処理中に、注入された非接合の環状リングが少なくとも部分的に劣化することが挙げられる。これにより、ポジティブを汚染するだけでなく、これらのウェハのさまざまな処理に後々使用される機器、特に、分離後の洗浄用機器を汚染する可能性のあるパーティクルを大量に発生する気泡現象が生じる。
【００１８】
国際出願第２００５／０３８９０３号には、２つの面取りウェハの組み立てによる活性層の転写について記載されている。非接合ウェハ縁部が非制御下で破損し、他の表面上にパーティクルを誘発しないようにするために、活性層の縁部ゾーンを取り除くことが提案されている。このステップは、非常に複雑であるため、国際出願第２００５／０３８９０３号では、２つのウェハを接合する前に、ウェハの一方の周囲部分にルーティングを実行することが提案されている。
【００１９】
添付した図２は、ＳＯＩタイプのドナー基板の一部（ここでは右側）が、国際出願第２００５／０３８９０３号において記載された接合前にルーティング処理を受けた後に理論上有する形状の断面を非常に略図的に表したものである。
【００２０】
図１の要素と同一の要素は、同一の参照番号を有する。
【００２１】
図から分かるように、絶縁体２の層と、正面にわたって延在する環状周囲ゾーンにあるドナー基板１０の材料層の一部が、少なくとも面取りゾーンの幅に対応する幅にわたって、さらに、少なくとも注入ゾーンの深さに等しい厚さにわたって除去されている。脆化ゾーンで境界が定められた活性層の参照番号は１０７である。
【００２２】
この除去は、例えば、エッチングによって実行される。
【００２３】
しかしながら、ルーティングを実行するために前述した国際出願第２００５／０３８９０３号において提案された解決方法では、急峻な側縁部、すなわち、図２に表すような正面に垂直な側縁部を得ることができない。
【００２４】
詳細に言えば、プラズマを用いて酸化シリコン層、その後にシリコン層を連続してエッチングする解決方法を用いて本出願人が行ったテストによれば、得られたルーティングは、添付図３（Ａ）に表すような浅い斜面を有することが分かった。とりわけ、酸化シリコンのエッチングは、シリコンをエッチングするステップの間中、継続する。
【００２５】
さらに、図３（Ｂ）から分かるように、得られたネガティブは、酸化物層および注入されたシリコン層を含む非転写リングを保持したままであるため、ネガティブを後々再生するためのルーティング方法に期待される利点が実質的に損なわれてしまう。
【００２６】
最後に、国際出願第２００５／０３８９０３号において提案されたルーティング解決方法は、
（例えば、酸化物の）保護層を堆積し、次に、リソグラフィによって保護層の環状周囲リングを除去することによって、処理済みのポジティブ基板を保護するステップと、
前記ポジティブの保護されていない層をエッチングすることによって、ルーティングを実行するステップと、
前記保護マスクを引き続き除去するステップと、
を含む。
【００２７】
しかしながら、保護マスクを形成する追加のステップを使用すると、コスト増になり、とりわけ、汚染源となる。さらに、得られる基板の欠陥を低減することが目的であるため、接合前に不純物が混入する事態は避けることが好ましい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
本発明の目的は、従来技術の前述した欠点を解消することである。
【００２９】
特に、本発明の目的は、脆化ゾーンが設けられた面取り基板のルーティング方法を提供することであり、これにより、鋭利なルーティングされた縁部、すなわち、前記基板の平らな正面に垂直またはほぼ垂直な縁部を得ることができ、前記基板の欠陥を増大することなくこのような縁部を獲得することができる。
【００３０】
本発明の別の目的は、作製コストを上げず、マイクロ電子工学の分野で現在使用されている生産ラインに容易に組み込むことができる方法を提供することである。
【００３１】
最後に、このルーティング方法は、層転写方法においても使用可能でなければならない。
【００３２】
この目的を達成するために、本発明により、面取り基板のルーティング方法が提供される。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
本発明によれば、この方法は、以下のステップ、すなわち、
プラズマを用いて、前記基板の環状周囲ゾーン上に保護材料層を堆積するステップと、
ルーティングされる前記基板の正面上に、基板の縁部から所定の距離に延在する保護材料リングを残し、プラズマにアクセス可能な前記基板の縮小された環状周囲ゾーンの境界を定めるように、プラズマを用いて前記保護材料を部分的にエッチングするステップと、
ある厚さにわたってこのゾーンにある材料をエッチングするように、基板の前記縮小されたアクセス可能な環状周囲ゾーンのレベルに局所化された部分エッチングプラズマを発生するステップと、
プラズマを用いて、前記保護材料リングを除去するステップと、
を含む。
【００３４】
別個のまたは組み合わせたものである本発明の他の有益かつ非制限的な特性によれば、
この方法のさまざまなステップは、異方性プラズマを形成するためのチャンバにおいて実行され、
この方法は、以下のステップ、すなわち、
・ディスク形状の上側絶縁要素および２つの電極を備え、「下側」と呼ばれる２つの電極のうちの１つが、円形の外形の下側絶縁要素によって囲まれている異方性プラズマ形成チャンバ内に、ルーティングされる前記基板を導入するステップであって、前記基板が、前記基板の背面が前記下側電極および前記下側絶縁要素と接触状態になるように前記チャンバに配置されることで、プラズマにアクセスできない背面除外ゾーンを規定し、上側絶縁体が、前記基板の正面から距離を置いて位置付けられることで、プラズマにアクセスできない正面除外ゾーンを規定し、２つの絶縁要素である下側絶縁要素および上側絶縁要素の外径が、ルーティングされる基板の直径より小さく、基板の残りが前記環状周囲ゾーンを構成する、基板導入ステップと、
・前記チャンバに形成されたプラズマを用いて、前記環状周囲ゾーンに前記保護材料層を堆積するステップと、
・前記基板の正面に向かって上側絶縁体を移動させ、保護材料の前記部分エッチングを実行するステップと、
・上側絶縁体を適所に保持しながら、ルーティングされる前記基板を構成する材料の厚さをエッチングするステップと、
・前記基板の正面から離れる方向に上側絶縁体を移動させ、前記保護材料リングを除去するステップと、を含み、
前記保護材料はポリマーであり、
保護材料は、Ｃ２Ｈ４ベースのプラズマによって得られるポリエチレンであり、
保護材料をエッチングするため、またはこの保護材料を除去するためのプラズマは、酸素ベースのプラズマであり、
ルーティングされる基板はシリコンからなり、エッチングプラズマは、ＳＦ６およびアルゴンの混合物ベースのものであり、
ルーティングされる基板は、酸化シリコン層で被覆され、エッチングプラズマは、ＣＨＦ３および窒素の混合物ベースのものであり、
ルーティングされる基板は、酸化シリコン層で被覆されたシリコンでからなり、酸化シリコン層のエッチングの後に、シリコン層の厚さのエッチングが連続して実行され、
ルーティングされる基板は、基板正面に平行または実質的に平行な平面に延在する脆化ゾーンを備え、少なくとも前記面取りゾーンのすべてに対応する幅にわたって、ルーティングされる前記基板を構成する材料をエッチングするような方法で、このようにして形成された保護材料リングの外径が前記正面の非面取り平面ゾーンの外径以下になるように、保護材料の部分エッチングが実行され、
上側絶縁体の直径は、ルーティングされる基板の正面の非面取り平面ゾーンの直径以下であり、
ルーティングされる基板は、基板正面に平行または実質的に平行な平面に延在する脆化ゾーンを備え、前記脆化ゾーンの厚さに対応する厚さにわたってエッチングされる。
【００３５】
本発明はまた、電子工学、光学、または光電子工学の分野の応用に向けた基板の作製方法に関する。
【００３６】
この方法は、以下のステップ、すなわち、
・ドナー基板の残りから転写される層の境界を定めるように、ドナー基板内に脆化ゾーンを形成するステップと、
・このドナー基板に上述したようなルーティング方法を施すステップと、
・分子付着により、このようにしてルーティングされたドナー基板をハンドル基板に接合するステップと、
・前記ハンドル基板へ層を転写するように、前記脆化ゾーンに沿って転写される前記層を分離するための処理を実行するステップと、
を含む。
【００３７】
１つの変形例によれば、前記脆化ゾーンは、原子および／またはイオン種の注入によって形成される。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来技術による第１の層転写後に得られたネガティブの一部の形状の略断面図である。
【図２】従来技術による、接合前にルーティング処理を受けた後に、ＳＯＩタイプのドナー基板の一部が理論上有する形状の略断面図である。
【図３（Ａ）】従来技術により得られたルーティングの浅い傾斜を示す略断面図である。
【図３（Ｂ）】従来技術により得られたネガティブが保持する非転写リングを示す略断面図である。
【図４（Ａ）】ハンドル基板上に接合され、本発明によるルーティング方法を実行されたドナー基板の右端部の略断面図である。
【図４（Ｂ）】図４（Ａ）のドナー基板およびハンドル基板の分離ステップ後の２つの基板の略断面図である。
【図５（Ａ）】従来技術の方法による、ルーティングされた基板の酸化物の断面プロファイルと、基板の半径Ｒ（ｍｍ）との関係を表すグラフである。
【図５（Ｂ）】本発明の方法による、ルーティングされた基板の酸化物の断面プロファイルと、基板の半径Ｒ（ｍｍ）との関係を表すグラフである。
【図６（Ａ）】本発明の種々の連続ステップにおける、ルーティングされる基板および本発明のルーティング方法を実行するための設備の部分断面図である。
【図６（Ｂ）】本発明の種々の連続ステップにおける、ルーティングされる基板および本発明のルーティング方法を実行するための設備の部分断面図である。
【図６（Ｃ）】本発明の種々の連続ステップにおける、ルーティングされる基板および本発明のルーティング方法を実行するための設備の部分断面図である。
【図６（Ｄ）】本発明の種々の連続ステップにおける、ルーティングされる基板および本発明のルーティング方法を実行するための設備の部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
本発明の他の特性および利点は、例示目的であって、限定的目的ではない本発明の可能な実施形態を表す添付の図面を参照しながら、以下の記載から明らかになるであろう。
【００４０】
以下、図６（Ａ）〜図６（Ｄ）を参照しながら、本発明によるルーティング方法の好ましい実施形態について記載する。
【００４１】
最初に、図６（Ａ）を参照しながら、ルーティングされる基板について記載する。
【００４２】
図６（Ａ）は、設備に対する基板の実際の縮尺を表したものではない。同様に、基板の比率についても、説明しやすいように修正を加えている。
【００４３】
図６（Ａ）は、参照番号４で概括的に表したルーティングされる基板を示し、基板４は、正面４１と、反対側の背面４２と、横方向の側面縁部４３とを有する。
【００４４】
この基板４は、基板正面４１は、非面取り平面の中央ゾーン４１０と、面取りゾーン４１１とに分けられ、同様に、基板背面４２は、非面取り平面の中央ゾーン４２０と、面取りゾーン４２１とに分けられるように面取りされる。
【００４５】
図示された例示的な実施形態において、基板４は、全外面上を絶縁体層４０で被覆した基板４５からなる。しかしながら、この特性は必須ではない。
【００４６】
ルーティング方法は、任意のタイプの基板に適用されてもよいが、脆化ゾーンが設けられた基板のルーティングに特定の応用を有し、この基板は、接合および層転写の方法において引き続き使用されることが意図されている。
【００４７】
脆化ゾーンは、参照番号４４を有する。これにより、基板の残り４４２の正面４１まで延在する活性層４４１の境界を定めることができる。
【００４８】
有益には、この脆化ゾーン４４は、「Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ」という登録商標名で当業者に既知の技術とともに開発された注入方法による原子種および／またはイオン種を注入することによって形成される。
【００４９】
この脆化ゾーン４４はまた、多孔性層からなりうる。
【００５０】
本発明のルーティング方法は、例えば、図６（Ａ）〜図６（Ｄ）に表すもののような、プラズマを形成するためのリアクタ５内で実行されてもよい。
【００５１】
このリアクタは、チャンバ５０を備え、チャンバ５０内に、２つの絶縁要素５３、５４と、電源（図示せず）に接続された２つの電極５１、５２が設置される。
【００５２】
ルーティングされる基板４は、背面４２を介して下側電極５２および下側絶縁要素５４上に載置される。
【００５３】
下側電極５２は、円形の外形を有する下側絶縁要素５４によって取り囲まれる。電極５２は円形であり、絶縁要素５４は環状であることが好ましい。
【００５４】
さらに、上側絶縁体５３の形状はディスク状であり、上側絶縁体５３を取り囲む電極５１の形状は環状である。
【００５５】
上側絶縁要素５３は、基板４の中間平面に垂直な縦軸に沿って変位可能なモータ手段（図示せず）上に載置される。このように、モータ手段は、ルーティングされる基板４から最大限に分離された図６（Ｄ）に表す位置と、この基板４付近にもたらされた図６（Ｂ）および図６（Ｃ）に表す位置との間で変位されうる。
【００５６】
プラズマを形成するために使用されるガスは、パイプライン、この場合、例えば、参照番号５５および５６が付与されたパイプラインの２つを介して、チャンバ５０内に導入される。
【００５７】
チャンバ５０内で反応が起こる間に生成される不揮発性材料は、吸引手段およびオリフィス（図示せず）によってチャンバ５０から放出されてもよい。
【００５８】
電極５１および５２は、電極に印加される電圧を有し、この電圧効果により、チャンバ５０内に電場を生じさせ、パイプライン５５および５６に導入されたガスをプラズマに変換する。
【００５９】
チャンバ５０内に広がる温度および圧力、チャンバ５０内に導入されるガスの性質、流量、および比率、プラズマの周波数、および電極５１および５２の端子に印加される電圧（または出力）などのさまざまなパラメータは、形成されているプラズマの化学組成およびその性質、すなわち、堆積プラズマまたはエッチングプラズマに影響を及ぼす。これらのパラメータの詳細については、以下に与えられる。
【００６０】
堆積およびエッチングの両方のために形成されるプラズマは、異方性であることが好ましい。これは、言い換えれば、プラズマの作用が、プラズマに生じるラジカルによって達成されることが好ましく、任意に、プラズマのエンベロープにおいて加速されるイオンによって達成されうる。
【００６１】
基板４の背面４２が、下側電極５２および下側絶縁体５４と接触状態にあるということにより、マスクされているためにプラズマにアクセスできない参照番号５４０が付与された背面除外ゾーンを規定することができる。
【００６２】
図から分かるように、ルーティングされる基板４が、絶縁体５４と直接接触した状態にあるため、絶縁体５４の外径は、背面除外ゾーン５４０の外径と正確に対応する。
【００６３】
さらに、ルーティングされる基板４は、環状絶縁体５４に対して中心に配置されるように非常に明確に配置される。
【００６４】
さらに、上側絶縁体５３により、基板の正面４１上に、プラズマにアクセスできない、いわゆる、「正面除外」ゾーン５３０を規定することが可能である。
【００６５】
正面除外ゾーン５３０の直径は、上側絶縁体５３の直径のみに依存するのではなく、ルーティングされる基板４からの距離にも依存する。このように、絶縁体５３が基板の正面４１から離れるほど、正面除外ゾーン５３０（図６（Ａ）を参照）の直径が小さくなり、逆に、距離が近くなるほど、このゾーン５３０（図６（Ｂ）を参照）の直径は大きくなる。
【００６６】
プラズマにアクセス可能な状態にある基板４の環状周囲ゾーン、すなわち、前述したゾーン５３０および５４０の外側に延在するゾーンには、参照番号４００が付与されている。言い換えれば、環状周囲ゾーン４００は、基板の側面縁部４３と、面取りゾーン４１１および４２１と、任意に、正面４１および背面４２の周囲の一部とを備える。
【００６７】
以下、ルーティング方法の種々のステップについて記載する。
【００６８】
絶縁要素５４および下側電極５２に対して背面４２を載置させて、ルーティングされる基板４がチャンバ５内に導入された後、プラズマを形成するためのパラメータが、保護材料層６を前記アクセス可能な環状ゾーン４００に堆積するように調節される。
【００６９】
この保護材料６は、ポリマーであることが好ましい。
【００７０】
また、この保護材料６は、エチレンＣ２Ｈ４ベースのプラズマを用いて得られたポリエチレンであることが好ましい。
【００７１】
上側絶縁体５３は、引き続き、正面除外ゾーン５３０を拡張し、直径を増大するように、基板４の正面４１の方へ動かされる。絶縁体５３は、基板へのダメージや汚染を避けるために、基板の上面４１と接触状態にはならないことに留意されたい。
【００７２】
図６（Ｂ）に示すこの位置において、プラズマのパラメータは、保護材料６の部分エッチングを実行するように適応される。このエッチングは、部分的なものであるため、基板４の正面４１上の保護材料リング６０のみを残すことができる。
【００７３】
この部分エッチングは、正面除外ゾーン５３０の拡張により可能である。図６（Ａ）に表すような絶縁体５３の位置において、リング６０があるゾーンは、プラズマにアクセス可能であり、その場所に保護材料６を堆積することが可能である。逆に、絶縁体５３が下降されると、リング６０に対応する保護材料部分は、プラズマへのアクセスができず、したがって、プラズマによってエッチングされない。言い換えれば、正面除外ゾーン５３０の面積が増大すると、アクセス可能なゾーン４００の面積が減少する。縮小したアクセス可能ゾーンの参照番号は４００’である。
【００７４】
保護材料６をエッチングするためのプラズマの性質は、この材料の化学的性質に非常に明確に依存する。
【００７５】
例示的に、保護材料がポリエチレンからなる場合、エッチングは、酸素（Ｏ２）ベースのプラズマで実行される。
【００７６】
図６（Ｃ）に、次のステップを示す。図６（Ｂ）に表す位置に上側絶縁体５３を保持している間、チャンバ５０内に導入されたガスの性質は、ルーティングされる基板４を構成する材料の厚さをエッチングするように適応されたプラズマを作り出すように修正される。このエッチングは、リング６０があるため、プラズマにアクセス可能である基板の環状周囲ゾーン４００’においてのみ実行される。
【００７７】
絶縁体層４０が存在する特定の場合、特に、その絶縁体層が酸化物層である場合、エッチングプラズマは、窒素およびＣＨＦ３（トリフルオロメタン）の混合物ベースのものになる。
【００７８】
絶縁体４０が残りのアクセス可能ゾーン４００’においてすべてエッチングされると、チャンバ内に導入されたガスは、基板４５を構成する材料をエッチングするように修正される。
【００７９】
例示的に、基板４５を構成する材料がシリコンの場合、エッチングプラズマは、アルゴンおよびＳＦ６（六フッ化硫黄）の混合物および任意に窒素をベースにしたものである。
【００８０】
図６（Ｃ）に表されているように、基板外周部において正面および背面上だけでなく、側面上もルーティングされた基板４が得られる。
【００８１】
実例として、特に、層の接合および転写への応用の場合、ルーティングされた部分は、ウェハの縁部からおよそ０．５〜３ｍｍ、好ましくは、１〜２ｍｍ、理想的には、１．２ｍｍの幅にわたって延在する。ルーティングの深さは、接合後の転写の厚さに対応する。したがって、ルーティングの深さは、絶縁体層４０が存在すれば、絶縁体層４０の厚さ（典型的に、ほぼ１５００Å（１５０ｎｍ）、より一般には、１００〜４０００Å（１０ｎｍ〜４００ｎｍ）の間）に、引き続き転写される予定の基板層、すなわち、典型的に、１０００〜１００００Å（１００〜１０００ｎｍ）、好ましくは、およそ２５００Å（２５０ｎｍ）のＳＯＩを作製するために転写される基板層の厚さを足した厚さを有する。
【００８２】
最後に、図６（Ｄ）に表されているように、上側絶縁体５３は、基板４の正面４１から離れる方向に動かされ、プラズマのパラメータは、保護材料リング６０を除去可能なエッチングプラズマを作り出すように修正される。このエッチングプラズマは、一般に、図６（Ｂ）に表されたエッチングステップにおいて使用されるものと同じである。
【００８３】
堆積プラズマおよびエッチングプラズマの使用に関する上述したすべてのステップに関して、従来のプラズマ周波数は１３．５６ＭＨｚである。出力は、およそ１００〜５００Ｗである。プラズマの適用時間は、５〜４０秒の間で変動する。プラズマの出力と持続時間の組み合わせは、特に、エッチングされる厚さに効果を及ぼす。最後に、チャンバ内の圧力は、およそ数Ｔｏｒｒである（１Ｔｏｒｒは、およそ１０２Ｐａに等しい）。
【００８４】
ルーティングされる基板が脆化ゾーン４４を含む場合、絶縁体５３の直径およびその位置は、有益には、リング６０の外径が非面取り正面ゾーン４１０のものに対応するように決定される。
【００８５】
このように、基板正面の面取り部分４１１上の基板４のみをエッチングすることはできない。
【００８６】
しかしながら、保護層リング６０の外径は、図面に表されているものより小さく、すなわち、リング６０の位置は、図面の左の方へ変位される。しかしながら、これにより、非面取り正面ゾーン４１０の一部分がエッチングされ、これは経済的に有益ではない。
【００８７】
この手順により、注入を受けた正面の面取りゾーン４１１のすべてを確実に除去することができる。このようにして、上述したような後々の汚染の危険性が制限される。
【００８８】
また、基板４の材料のエッチングされた層は、正面と脆化ゾーン４４との間に延在する材料の厚さに対応することが有益である。
【００８９】
ルーティング後、図５（Ｂ）に表されているような縁部が鋭い基板が得られる。言い換えれば、図の左側にある基板の非ルーティング部分と、図の右側にあるルーティングされた部分との間の移行ゾーンＴの幅は小さい。
【００９０】
比較として、図５（Ａ）は、最初に、酸化物層に第１のプラズマエッチングを実行した後、シリコン層に第２のプラズマエッチングを実行するが、環状保護堆積物を適用しない方法による、従来技術のルーティング方法で得られる結果を示す。この場合、酸化物のエッチングが保護層によって制限されないという理由と、選択性が完全ではないことから、シリコンのエッチングが酸化物をわずかにエッチングしてしまうという理由から、エッチングの傾斜は劣化する。この場合、基板のそれぞれのルーティング部品と非ルーティング部品との間の移行ゾーンＴの幅が非常に広くなることが容易に分かる。次に、図３（Ａ）にこの状況が表されている。
【００９１】
上記に上げた例を考慮すると、本発明による方法により、この移行ゾーンＴの幅を約１０倍縮小することができることが分かる。
【００９２】
図４（Ａ）〜図４（Ｂ）は、ドナー基板４内に脆化ゾーン４４を形成した後、上述したものなどのルーティング方法を基板に施すステップを含む基板の作製方法の種々のステップを示す。
【００９３】
このルーティングされたドナー基板４は、引き続き、ハンドル基板７（図４（Ａ）を参照）に接合され、その後、前記ハンドル基板７に活性層４４１を転写する目的の別の処理を受ける（図４（Ｂ）を参照）。
【００９４】
この方法を使用することによって得られる利点は、以下の通りである。
【００９５】
得られるポジティブは、エッチングの範囲によって十分に境界が定められた活性層４４１を有する。
【００９６】
注入の深さによって決定された厚さに対応する厚さの材料をエッチングするように配慮することで、得られるネガティブは、非転写リングを有さない。このようにして、ウェハの縁部に段差が存在しない（図４の左側の部品を参照）。
【００９７】
これにより、ネガティブの再生が単純化され、「鏡面研磨された」表面状態を回復するために、注入によってダメージを受けた領域を除去するためのＣＭＰステップに限定されてもよい。
【００９８】
ステップ数および消費原材料が少ないため、再生費用も低く抑えられることから、数回の再生操作後でも、基板の厚さの点でＳＥＭＩ規格に準拠した再生後の基板が得られる。
【００９９】
最後に、これにより、破断ステップは、パーティクルの発生量が大幅に少ないステップになる。このようにして得られるＳＯＩ基板のリングは、より規則的であり（基板の幅に対してより制御されており）、ウェハの縁部で接合されたシリコンのパーティクルがない。
【０１００】
上述した方法は、「Ｂｏｓｃｈ」という名で従来技術において既知の方法との類似点をいくつか有する。しかしながら、このＢｏｓｃｈ方法は、このマスクの異方性エッチングによって、マスクを用いて基板の正面を被覆すること、電子または電気機械コンポーネントを引き続き形成することを考慮して、この正面上におよそ１マイクロメートルのパターンを形成するが、どんな場合でも、２ｍｍまたは３ｍｍの幅にわたって全ウェハの縁部をルーティングすることを含む。
【符号の説明】
【０１０１】
２…絶縁体層、４…面取り基板、５、５０…チャンバ、６…保護材料層、１０…ドナー基板、４１…基板正面、４２…基板背面、４３…基板側面縁部、４４…脆化ゾーン、５１、５２…電極、５３…上側絶縁体、５４…下側絶縁要素、６０…保護材料リング、４００…環状周囲ゾーン、４００’…縮小された環状周囲ゾーン、４１１…面取りゾーン。
【図１】
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【図２】
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【図３（Ａ）】
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【図３（Ｂ）】
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【図４（Ａ）】
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【図４（Ｂ）】
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【図５（Ａ）】
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【図５（Ｂ）】
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【図６（Ａ）】
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【図６（Ｂ）】
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【図６（Ｃ）】
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【図６（Ｄ）】
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【外国語明細書】
2011155242000001.pdf