(57)【要約】      （修正有）【課題】デバイスの電極群の高さに差が生じている場合であっても、リフロー時にパッケージ基板と接合しないバンプが発生することのない、プローブカード及び被検査装置のテスト方法を提供する。【解決手段】主面及び裏面を有し、前記裏面が被検査装置２に設けられた複数の被検査装置電極２１に押し付けられる、コンタクトカード５と、テスト時に、前記コンタクトカードに対して前記被検査装置側に向かう弾性力を与える、弾性部材１０とを具備する。前記コンタクトカードは、前記弾性部材により前記被検査装置側に弾性的に押し付けられたときに、前記複数の被検査装置電極の高さが一様に揃えられるような剛性を有している。【選択図】図３
2011038930.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面及び裏面を有し、前記裏面が被検査装置に設けられた複数の被検査装置電極に押し付けられる、コンタクトカードと、
テスト時に、前記コンタクトカードに対して前記被検査装置側に向かう弾性力を与える、弾性部材と、
を具備し、
前記コンタクトカードは、前記弾性部材により前記被検査装置側に弾性的に押し付けられたときに、前記複数の被検査装置電極の高さが一様に揃えられるような剛性を有している
プローブカード。
【請求項２】
請求項１に記載されたプローブカードであって、
更に、
主面及び裏面を有し、前記被検査装置のテストを行うテスタと主面側で電気的に接続される、拡張基板
を具備し、
前記弾性部材は、前記コンタクトカードと前記拡張基板とを電気的に接続するように、前記コンタクトカードの主面と前記拡張カードの裏面との間に設けられている
プローブカード。
【請求項３】
請求項２に記載されたプローブカードであって、
前記コンタクトカードは、
裏面に設けられ、前記複数の被検査装置電極に対応する位置に配置された、複数のコンタクトカード裏面電極と、
主面に設けられ、それぞれが前記複数のコンタクトカード裏面電極それぞれと電気的に接続される、複数のコンタクトカード主面電極とを備え、
前記拡張基板は、
裏面に設けられ、前記コンタクトカード主面電極に対応する位置に配置された、複数の拡張基板裏面電極と、
主面に設けられ、それぞれが前記複数の拡張基板裏面電極それぞれと電気的に接続される、複数の拡張基板主面電極を備え、
前記弾性部材は、それぞれが前記各コンタクト主面電極と前記各拡張基板裏面電極とを電気的に接続する、複数の弾性ピンを備えている
プローブカード。
【請求項４】
請求項３に記載されたプローブカードであって、
前記複数の拡張基板主面電極は、前記複数の拡張基板裏面電極よりも疎に配置されている
プローブカード。
【請求項５】
請求項３又は４に記載されたプローブカードであって、
前記複数のコンタクト裏面電極は、
前記複数の被検査装置電極のうちの信号電極群と接触する、コンタクト裏面信号電極群と、
前記複数の被検査装置電極のうちの電源・ＧＮＤ電極と接触する、コンタクト裏面電源・ＧＮＤ電極群とを備え、
前記複数のコンタクト主面電極は、
前記コンタクト裏面信号電極群と電気的に接続される、コンタクト主面信号電極群と、
前記コンタクト裏面電源・ＧＮＤ電極群と電気的に接続される、コンタクト主面電源・ＧＮＤ電極群とを備え、
前記コンタクト主面信号電極群は、前記コンタクト裏面信号電極群と対応する位置に配置されており、
コンタクト主面電源・ＧＮＤ電極群は、前記コンタクト裏面電源・ＧＮＤ電極群とは別の位置に配置されている
プローブカード。
【請求項６】
請求項５に記載されたプローブカードであって、
前記コンタクトカードは、更に、内部に設けられた電源・ＧＮＤ配線層を備えており、
前記コンタクト主面電源・ＧＮＤ電極群は、前記電源・ＧＮＤ配線層を介して、前記コンタクト裏面電源・ＧＮＤ電極群と電気的に接続されている
プローブカード。
【請求項７】
コンタクトカードの裏面を、被検査装置に設けられた複数の被検査装置電極に押し付けるステップと、
前記押し付けるステップの後に、前記コンタクトカードを介して前記被検査装置の電気的特性を検査するステップと、
を具備し、
前記押し付けるステップは、前記コンタクトカードに対して前記被検査装置側に向かう弾性力を与え、これによって前記複数の被検査装置電極の高さが一様に揃えるステップを備えている
被検査装置のテスト方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカード及び被検査装置のテスト方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの高密度化に伴い、１チップあたりの電極数が増大している。これにより、フリップチップ型の半導体デバイスに対する要求が高まっている。フリップチップ型の半導体デバイスは、電極群が、チップの周辺のみでなく、チップ全面にアレイ状に配置されたデバイスである。このようなデバイスを製造する場合、半導体製造プロセスにより、半導体ウェハ上に電極群（ニッケル、銅など）が形成される。そして、各電極上に、印刷、蒸着、又はメッキ工程などによって、半田バンプが形成される。その後、半導体ウェハがダイシングされ、複数の半導体チップが得られる。各半導体チップは、リフローによって半田バンプを溶融させることにより、パッケージ基板上に実装される。パッケージ上に半導体チップが実装された状態で、製品として出荷される。
【０００３】
一方で、半導体デバイスは、ウェハの状態において、所望の動作が実現されるか否かのテストが行われる。具体的には、ＬＳＩテスタによって、被検査装置である半導体デバイスに対し、電気信号を印加する。そして、デバイスからＬＳＩテスタ側に返信されてきた信号が所望のものであるかを判断する。テスト時には、テスタとデバイスとの間を電気的に接続するために、プローブカードと呼ばれる治工具が用いられる。
【０００４】
プローブカードは、基板部分と、基板部分に取り付けられたプローブ部分とを備えている。テスト時には、プローブ部分が、デバイスの電極群に押し付けられ、デバイスとプローブカードとの間の電気的接続が確保される。この際、プローブ部分とデバイスの電極群とが確実に接触していることが望まれる。
【０００５】
関連技術として、特許文献１（特開２００３−２４０８０１号公報）に記載された垂直型プローブカードが挙げられる。図１は、その垂直型プローブカードを示す概略断面図である。この垂直型プローブカードには、測定対象物である半導体集積回路１００の導電パッドに垂直に接触する接触子１０１と、この接触子１０１と下端端子部を介して機械的に接続された接続部１０２を備えている。接続部１０２は、複数の屈曲部を有する板バネである。この発明によれば、板バネによって、プローブと導電パッドとの間の接触圧を確保することができる。
【０００６】
別の関連技術として、特許文献２（特開平９−１５３５２８号公報）に記載されたプローブカードデバイスが挙げられる。図２は、そのプローブカードデバイスを示す概略構成図である。このプローブカードデバイスは、半導体ウェハ１０１に接触させられるプローブカード１０３と、押え部材１０４とを備えている。プローブカード１０３には、接触バンプ群が設けられており、接触バンプ群によって半導体ウェハ１０１に接触する。押え部材１０４は、プローブカード１０３を半導体ウェハ側に押すような押圧を加える。ここで、押え部材１０４には、エラストマが設けられている。エラストマには、溝が設けられおり、この溝によって接触バンプ群に対応する独立した押圧エリアが形成される。この発明によれば、プローブカード１０３が半導体ウェハの表面プロファイルに対応して変形するので、プローブカード１０３が半導体ウェハ１０１の表面プロファイルに追従した状態で押圧力が付与される。これにより、半導体ウェハとプローブカードとを確実に接触させることができる。
【０００７】
その他に、本発明者が知りえた関連技術としては、特許文献３（特開２０００−１８０５０６号公報）及び特許文献４（特開平８−２０１４２７号公報）が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−２４０８０１号公報
【特許文献２】特開平９−１５３５２８号公報
【特許文献３】特開２０００−１８０５０６号公報
【特許文献４】特開平８−２０１４２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
プローブ部分をデバイスの電極（半田バンプ）群に押し付ける際に、プローブ部分からデバイスの電極群に荷重が加わる。このときの荷重は、例えば、１つの半田バンプに対して５ｇｆ〜１５ｇｆ程度である。半田バンプは、この荷重により、潰されることがある。半田バンプが潰される量は、半田バンプの組成にも依存するが、鉛を主成分とする高融点半田バンプの場合、１０ｕｍ前後である。
【００１０】
ここで、既述の特許文献１や特許文献２に記載されるように、弾性的にプローブ部分をデバイスの電極群に押し当てたときには、プローブ部分に含まれる各プローブが独立してデバイスの電極群を押すことになる。そのため、デバイスの電極群が荷重によって潰される量は、一様ではなくなる。その結果、デバイスの電極群の高さに差が生じてしまう。
【００１１】
デバイスの電極群の高さに差が生じている場合、リフロー時にパッケージ基板と接合しないバンプが発生することがある、という問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係るプローブカードは、主面及び裏面を有し、前記裏面が被検査装置に設けられた複数の被検査装置電極に押し付けられる、コンタクトカードと、テスト時に、前記コンタクトカードに対して前記被検査装置側に向かう弾性力を与える、弾性部材とを具備する。前記コンタクトカードは、前記弾性部材により前記被検査装置側に弾性的に押し付けられたときに、前記複数の被検査装置電極の高さが一様に揃えられるような剛性を有している。
【００１３】
この発明によれば、弾性部材によってコンタクトカードが被検査装置に対して弾性的に押し付けられるので、コンタクトカードと被検査装置とを、確実に且つ被検査装置電極を損傷することなく、接触させることができる。また、コンタクトカードが剛性を有していることにより、複数の被検査装置電極の高さを一様に揃えることができる。
【００１４】
本発明に係る被検査装置のテスト方法は、コンタクトカードの裏面を、被検査装置に設けられた複数の被検査装置電極に押し付けるステップと、前記押し付けるステップの後に、前記コンタクトカードを介して前記被検査装置の電気的特性を検査するステップとを具備する。前記押し付けるステップは、前記コンタクトカードに対して前記被検査装置側に向かう弾性力を与え、これによって前記複数の被検査装置電極の高さが一様に揃えるステップを備えている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、デバイスの電極群の高さに差が生じてしまうことを防止できる、プローブカード、及び被検査装置のテスト方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】垂直型プローブカードを示す概略断面図である。
【図２】プローブカードデバイスを示す概略構成図である。
【図３】プローブカードを示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。図３は、本実施形態に係るプローブカード１を示す概略断面図である。このプローブカード１は、半田バンプ群２１が形成された半導体ウェハ２（被検査装置）と、半導体ウェハ２の電気的特性を検査するＬＳＩテスタ（図示せず）とを電気的に接続するために用いられる。
【００１８】
図３に示されるように、プローブカード１は、コンタクトカード５と、拡張基板４と、基板３と、ハウジング部１６と、複数の弾性ピン１０（１０−１〜１０−３）とを備えている。
【００１９】
基板３は、ＬＳＩテスタ（図示せず）と電気的に接続される部分である。基板３の裏面には、基板電極群２０が形成されている。また、図示していないが、基板３には、配線群が設けられており、基板電極群２０は、この配線群を介してＬＳＩテスタと接続されている。
【００２０】
基板３としては、通常、ガラスエポキシ製基板や、ポリミド樹脂製基板などが用いられる。このような基板の上には、狭ピッチで電極群を形成することが難しい。一方、半導体ウェハ２に形成される半田バンプ２１の数は、１００００を超える場合もある。また、半田バンプ２１同士の間隔は、１２５ｕｍ〜２５０ｕｍ程度である。従って、基板電極群２０は、半導体ウェハの半田バンプ群２１よりも、広いピッチで（疎に）配置されている。
【００２１】
基板３の裏面には、拡張基板４を支持するために、押え部６が取り付けられている。押え部６は、基板３の裏面の外周部から、拡張基板４の端部を覆うように延びている。
【００２２】
拡張基板４は、広いピッチで配置された基板電極群２０を、狭ピッチで配置された半田バンプ群２１に対応させる為に設けられている。拡張基板４としては、例えば、セラミックス基板などを用いることができる。拡張基板４は、主面及び裏面を有している。拡張基板の主面には、基板電極群２０に接触する拡張基板主面電極群１９が形成されている。一方、拡張基板の裏面には、拡張基板裏面電極群１８（１８−１〜１８−３）が形成されている。拡張基板裏面電極群１８は、概ね、半田バンプ群２１に対応するピッチで配置されている。但し、拡張基板裏面電極群１８のうちの電源電極（１８−２）及びＧＮＤ電極（１８−３）については、半田バンプ群２１とは対応していない。拡張基板主面電極群１９と拡張基板裏面電極群１８とは、拡張基板４内に形成された配線群を介して、電気的に接続されている。
【００２３】
ハウジング部１６は、このプローブカード１の内部を保護するために取り付けられている。ハウジング部１６は、筒状であり、押え部６から半導体ウェハ２側に向かって延びている。ハウジング部１６は、ベアリング１５を介して押え部６に取り付けられており、押え部６に対して上下方向（基板３と半導体体ウェハ２とを結ぶ方向）に移動可能である。
【００２４】
コンタクトカード５は、半導体ウェハ２と接触するカードである。コンタクトカード５は、剛性を有している。コンタクトカード５は、拡張基板４と半導体ウェハ２との間に配置される。このコンタクトカード５は、主面及び裏面を有している。コンタクトカード５の主面には、コンタクトカード主面電極群８（８−１〜８−３）が形成されている。コンタクトカード５の裏面には、コンタクトカード裏面電極群７（７−１〜７−３）が形成されている。
【００２５】
コンタクトカード主面電極群８は、拡張基板裏面電極群１８に対応する位置に形成されている。一方、コンタクトカード裏面電極群７は、半導体ウェハ２の半田バンプ群２１に接触する部分であり、半田バンプ群２１と対応する位置に形成されている。コンタクトカード裏面電極群７に含まれる電極の数は、半田バンプ群２１に含まれる半田バンプの数と一致している。すなわち、コンタクトカード裏面電極７は、全ての半田バンプに接触するように形成されている。
【００２６】
コンタクトカード５は、ハウジング部１６の下端部に取り付けられている。ここで、ハウジング部１６の下端部には、位置決めピン１７が設けられている。そして、コンタクトカード５には、位置決め用の穴が取り付けられている。位置決めピン１７をコンタクトカード５の位置決め用の穴に嵌めることで、コンタクトカード５を高精度に所定の位置に固定することが可能である。
【００２７】
ハウジング部１６内には、横方向に向かって延びるガイド板１１が取り付けられている。このガイド板１1は、複数の弾性ピン１０を固定する為に取り付けられている。
【００２８】
複数の弾性ピン１０は、コンタクトカード５と拡張基板４とを電気的に接続するために設けられている。複数の弾性ピン１０は、上下方向に向かって伸びている。複数の弾性ピン１０のそれぞれは、一端で拡張基板裏面電極１８に接し、他端でコンタクトカード主面電極８に接している。各弾性ピン１０は、バネ性（弾性）を有している。
【００２９】
続いて、プローブカード１を用いて半導体ウェハ２の電気的検査を行う際の動作方法について説明する。
【００３０】
まず、図示しないプローバにプローブカード１を取り付け、ＬＳＩテスタとプローブカード１とを電気的に接続する。続いて、半導体ウェハ２をプローバステージ（図示せず）上に置く。そして、半田バンプ群２１とコンタクトカード裏面電極群７とが対向するように、半導体ウェハ２とプローブカード１との相対位置を調整する。
【００３１】
その後、プローバステージを上昇させることにより、半田バンプ群２１をコンタクトカード裏面電極群７に押し付ける。このとき、コンタクトカード５は、ハウジング部１６とともに、上方に持ち上げられる。これにより、半田バンプ群２１は、コンタクトカード５、弾性ピン１０、拡張基板６、及び基板３を介して、ＬＳＩテスタと電気的に接続される。その後、ＬＳＩテスタによって半導体ウェハ２の電気的特性が検査される。
【００３２】
ここで、弾性ピン群１０がバネ性を有しているため、半田バンプ群２１に対しては、コンタクトカード５から弾性的な力が加わる。加わる力が弾性的であるため、半田バンプ群２１の一部に過度の荷重が加わることが防止され、半田バンプ群２１が損傷することが防止される。
【００３３】
半田バンプ群２１の損傷は防止されるが、荷重により、半田バンプ群２１の頂点が潰され、高さが低くなることがある。ここで、コンタクトカード５が、半田バンプ群２１の各バンプに対して独立に荷重をくわえる場合には、半田バンプ群２１の高さが一様ではなくなることがある。しかし、本実施形態では、コンタクトカード５が剛性を有している。そのため、コンタクトカード裏面電極群７の高さは同じ高さに揃えられる。その結果、半田バンプ群２１の高さが一様に揃えられる。すなわち、むしろ各半田バンプ２１の頂点が押し潰されるため、半田バンプ群２１の高さが一様に揃えられる。これにより、パッケージ基板上に半導体チップを実装する際のリフロー時などに、未接合の半田バンプが生じてしまうことが防止される。
【００３４】
また、本実施形態では、コンタクトカード裏面電極群７が、半田バンプ群２１に含まれる全てのバンプに対して接触する。通常、テスト時には、半導体ウェハ２の半田バンプ群２１の全てに対して電気信号を与える必要はない。そのため、テスト時には、必要な半田バンプにだけ、プローブカード１を接触させることが考えられる。しかし、この場合には、プローブカード１と接触した半田バンプ２１と接触しない半田バンプ２１とで、高さに差が生じてしまう。これに対して、本実施形態によれば、全ての半田バンプ２１がプローブカード１に接触するため、全ての半田バンプ２１の高さを揃えることができる。また、半田バンプ２１に対して針（プローブ）を接触させる場合、半田バンプ群２１の高さを揃えるために、半田バンプ２１の全バンプに対してプローブを接触させなければならない。しかし、一般にプローブは高価である。これに対して、本実施形態によれば、コンタクトカード５の裏面電極群７が半田バンプ２１群に接触するため、安価にプローブカード５を作成できる。
【００３５】
本実施形態では、上述の半田バンプ２１の高さを揃えるための工夫の他にも、プローブカード１を安価に製造するための工夫が施されている。以下に、この点について詳細に説明する。
【００３６】
まず、コンタクトカード５の構成について詳細に説明する。
【００３７】
コンタクトカード５の裏面に設けられたコンタクトカード裏面電極群７は、コンタクトカード裏面信号電極群７−１と、コンタクトカード裏面電源電極群７−２と、コンタクトカード裏面ＧＮＤ電極群７−３とを備えている。コンタクトカード裏面信号電極群７−１は、半田バンプ群２１のうちの信号電極と接触する電極群である。コンタクトカード裏面電源電極群７−２は、半田バンプ群２１のうちの電源電極と接触する電極群である。コンタクトカード裏面ＧＮＤ電極群７−３は、半田バンプ群２１のうちのＧＮＤ電極と接触する電極群である。
【００３８】
一方、コンタクトカード５の主面に設けられたコンタクトカード主面電極群８は、コンタクトカード主面信号電極群８−１と、コンタクトカード主面電源電極８−２と、コンタクトカード主面ＧＮＤ電極８−３とを備えている。
【００３９】
コンタクトカード主面信号電極群８−１は、コンタクトカード裏面信号電極群７−１に対応する位置に形成されており、スルーホール群９を介して、コンタクトカード裏面信号電極群７−１と接続されている。
【００４０】
一方、コンタクトカード主面電源電極８−２及びコンタクトカード主面ＧＮＤ電極８−３は、それぞれ、コンタクトカード裏面電源電極群７−２及びコンタクトカード裏面ＧＮＤ電極群７−３とは別の位置に設けられている。具体的には、コンタクトカード主面電源電極群８−２及びコンタクトカード主面ＧＮＤ電極群８−３は、コンタクトカード主面信号電極群８−１が形成されたエリアよりも外側に設けられている。そして、一つのコンタクトカード主面電源電極８−２に対して、コンタクトカード裏面電源電極群７−２に含まれる複数の電極が接続されている。同様に、一つのコンタクトカード主面ＧＮＤ電極８−３に対して、コンタクトカード裏面ＧＮＤ電極群７−３に含まれる複数の電極が接続されている。具体的には、コンタクトカード５内には、電源配線層１３及びＧＮＤ配線層１２が設けられている。コンタクトカード主面電源電極８−２及びコンタクトカード主面ＧＮＤ電極８−３は、それぞれ、電源配線層１３及びＧＮＤ配線層１２を介して、コンタクトカード裏面電源電極群７−２及びコンタクトカード裏面ＧＮＤ電極群７−３に接続されている。
【００４１】
すなわち、コンタクトカード５において、信号電極群は主面と裏面とで同じ位置に形成されている。一方、裏面に設けられた複数の電源電極及び複数のＧＮＤ電極は、それぞれ、主面側でひとつの電極にまとめられている。
【００４２】
上述のように、電源配線層１３及びＧＮＤ配線層１２を設けるだけであれば、コンタクトカード５を安価に製造することができる。
【００４３】
また、本実施形態では、コンタクトカード５内に電源配線層１３及びＧＮＤ配線層１２が形成されているため、バイパスコンデンサ１４をプローブカード１の内部に配置することが可能となっている。すなわち、コンタクトカード５の主面に、バイパスコンデンサ１４が搭載されている。バイパスコンデンサ１４は、一端がコンタクトカード主面電源電極８−２に接続され、他端がコンタクトカード主面ＧＮＤ電極８−３に接続されている。このバイパスコンデンサ１４により、テスト時に、プローブカード１の内部配線に生じるノイズ等を低減することができる。
【００４４】
続いて、拡張基板３について詳細に説明する。
【００４５】
拡張基板裏面電極群１８は、拡張基板裏面信号電極群１８−１と、拡張基板裏面電源電極１８−２と、拡張基板裏面ＧＮＤ電極１８−３とを含んでいる。ここで、電源及びＧＮＤは、コンタクトカード５において、それぞれ一つの電極にまとめられている。そのため、拡張基板裏面電源電極１８−２と拡張基板裏面ＧＮＤ電極１８−３とは、それぞれ、一つでよい。そのため、拡張基板裏面電極群１８に含まれる電極の数を減らすことができ、製造時の難易度を下げることが可能となっている。
【００４６】
また、拡張基板裏面電極群１８は、拡張基板３の内部に形成された配線層を介して、拡張基板主面電極群１９に接続されている。この際、配線層は、拡張基板裏面信号電極群１８−２が拡張基板主面電極群１９のうちの所定の電極と接続されるように、形成される。すなわち、配線層は、裏面の信号電極群のピッチが主面で拡張されるように、形成されている。ここで、電源電極とＧＮＤ電極については、既にコンタクトカード５側で一つにまとめられている。そのため、拡張基板３では、電源電極及びＧＮＤ電極については、内部配線により展開したり、一つにまとめたりする必要はない。裏面と主面とを結ぶ配線層が複雑である場合には、拡張基板３を多層化するなどの必要があるが、本実施形態では、配線層を単純化することができるので、拡張基板３を安価に製造することが可能となっている。
【００４７】
続いて、複数の弾性ピン１０について説明する。複数の弾性ピン１０は、拡張基板３とコンタクトカード５の信号電極群同士を接続する信号弾性ピン群１０−１と、電源電極同士を接続する電源弾性ピン１０−２と、ＧＮＤ電極同士を接続するＧＮＤ弾性ピン１０−３とを有している。ここで、電源弾性ピン１０−２及びＧＮＤ弾性ピン１０−３は、信号弾性ピン１０−１が設けられたエリアの外側に配置される。そのため、信号弾性ピン１０−１は、半田バンプ２１と同一のピッチで配置される必要があるものの、電源弾性ピン１０−２及びＧＮＤ弾性ピン１０−３は、信号弾性ピン群１０−１とは離れた場所に配置される。すなわち、コンタクトカード５において電源電極及びＧＮＤ電極が一つにまとめられているため、複数の弾性ピン１０が配置しやすくなっている。これにより、電源弾性ピン１０−２及びＧＮＤ弾性ピン１０−３として、太いピンを用いることができ、電流容量を大きく保つことが可能となる。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態によれば、半田バンプ群２１の高さを一様に揃えることができる。
【００４９】
また、本実施形態によれば、コンタクトカード５において電源配線及びＧＮＤ配線を展開しているために、拡張基板３を安価に製造することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１  プローブカード
２  半導体ウェハ
３  基板
４  拡張基板
５  コンタクトカード
６  押さえ部
７  コンタクトカード裏面電極
７−１  コンタクトカード裏面信号電極
７−２  コンタクトカード裏面電源電極
７−３  コンタクトカード裏面ＧＮＤ電極
８  コンタクトカード主面電極
８−１  コンタクトカード主面信号電極
８−２  コンタクトカード主面電源電極
８−３  コンタクトカード主面ＧＮＤ電極
９  スルーホール
１０  弾性ピン
１０−１  弾性ピン（信号）
１０−２  弾性ピン（電源）
１０−３  弾性ピン（ＧＮＤ）
１１  ガイド板
１２  ＧＮＤ配線層
１３  ＶＤＤ配線層
１４  バイパスコンデンサ
１５  ベアリング
１６  ハウジング部
１７  位置決めピン
１８  拡張基板裏面電極
１８−１  拡張基板裏面電極（信号）
１８−２  拡張基板裏面電極（電源）
１８−３  拡張基板裏面電極（ＧＮＤ）
１９  拡張基板主面電極
２０  基板電極
２１  ウェハ電極（被検査装置電極）
１００  半導体ウェハ
１０１  接触子
１０２  板バネ
１０３  プローブカード
１０４  押さえ部材
【図１】
2011038930.tif 000003
【図２】
2011038930.tif 000004
【図３】
2011038930.tif 000005