(57)【要約】【課題】超音波接合時のフライングリード端部への応力集中を回避し、導体層が断線することを防止すること。【解決手段】サスペンション回路基板１は、金属支持基板１２と、金属支持基板１２上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層１１と、第一絶縁層１１上に配置され、配線を構成する導体層１０と、第一絶縁層１１および導体層１０上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層１３と、を備えている。サスペンション回路基板１は、導体層１０のうち第一絶縁開口部１１Ｏに対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置で導体層１０に生じる応力を第一応力Ｆ１とし、金属支持基板開口部１２Ｏの周縁に対応する位置で導体層１０に生じる応力を第二応力Ｆ２とした場合に、Ｆ１＜Ｆ２となるように構成されている。【選択図】図６
2011146679.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、
前記金属支持基板上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に配置され、配線を構成する導体層と、
前記第一絶縁層および導体層上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層と、を備え、
前記第一絶縁層に第一絶縁開口部が設けられ、
前記金属支持基板に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に金属支持基板開口部が設けられて、前記導体層の裏面が露出され、
前記第二絶縁層に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に第二絶縁開口部が設けられて、前記導体層の表面が露出され、
前記導体層のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第一応力Ｆ１とし、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置で該導体層に生じる応力を第二応力Ｆ２とした場合に、
Ｆ１＜Ｆ２
となることを特徴とするサスペンション回路基板。
【請求項２】
前記第一絶縁開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ１とし、
前記金属支持基板開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ２とした場合に、
Ｌ１＜Ｌ２
となることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション回路基板。
【請求項３】
前記導体層の表面のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、前記第二絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第三応力Ｆ３とした場合に、
Ｆ１≦Ｆ３かつＦ１＜Ｆ２
となることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のサスペンション回路基板。
【請求項４】
前記第一絶縁開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ１とし、
前記金属支持基板開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ２とした場合に、
Ｌ２  ≧  １．３５×Ｌ１
となることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のサスペンション回路基板。
【請求項５】
前記第一絶縁開口部の前記導体層が延在する方向の長さをＬ１とし、
前記金属支持基板開口部の前記導体層が延在する方向の長さをＬ２とし、
前記第二絶縁開口部の前記導体層が延在する方向の長さをＬ３とした場合に、
Ｌ１≦Ｌ３＜Ｌ２
となることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のサスペンション回路基板。
【請求項６】
前記導体層は、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置と、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置とで同じ高さになっていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のサスペンション回路基板。
【請求項７】
前記導体層は、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置と、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置とで異なる高さになり、
前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置が前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置よりも下方に位置していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のサスペンション回路基板。
【請求項８】
前記導体層は、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置から前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置に向かって、スロープ状または階段状で延在していることを特徴とする請求項７に記載のサスペンション回路基板。
【請求項９】
超音波接合によって外部回路基板と接合可能となっていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のサスペンション回路基板。
【請求項１０】
サスペンション回路基板を備えたハードディスク用サスペンションにおいて、
前記サスペンション回路基板は、
金属支持基板と、
前記金属支持基板上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に配置され、配線回路パターンとして形成された導体層と、
前記導体層上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層と、を有し、
前記第一絶縁層に第一絶縁開口部が設けられ、
前記金属支持基板に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に、前記第一絶縁開口部よりも大きさが大きな金属支持基板開口部が設けられて、前記導体層の裏面が露出され、
前記第二絶縁層に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に第二絶縁開口部が設けられて、前記導体層の表面が露出され、
前記導体層のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第一応力Ｆ１とし、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置で該導体層に生じる応力を第二応力Ｆ２とした場合に、
Ｆ１＜Ｆ２
となるように構成されていることを特徴とするハードディスク用サスペンション。
【請求項１１】
サスペンション回路基板を備えたハードディスクドライブにおいて、
前記サスペンション回路基板は、
金属支持基板と、
前記金属支持基板上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に配置された導体層と、
前記導体層上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層と、を有し、
前記第一絶縁層に第一絶縁開口部が設けられ、
前記金属支持基板に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に、前記第一絶縁開口部よりも大きさが大きな金属支持基板開口部が設けられて、前記導体層の裏面が露出され、
前記第二絶縁層に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に第二絶縁開口部が設けられて、前記導体層の表面が露出され、
前記導体層のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第一応力Ｆ１とし、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置で該導体層に生じる応力を第二応力Ｆ２とした場合に、
Ｆ１＜Ｆ２
となるように構成されていることを特徴とするハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属支持基板と、金属支持基板上に配置されて絶縁材料からなる第一絶縁層と、第一絶縁層上に配置されて配線を構成する導体層と、第一絶縁層および導体層上に配置されて絶縁材料からなる第二絶縁層と、を備えたサスペンション回路基板と、当該サスペンション回路基板を含むハードディスク用サスペンションおよびハードディスクドライブに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、第一絶縁層の上に導体層が形成され、第一絶縁層および導体層の上に第二絶縁層が形成され、導体層の同じ位置において、第一絶縁層および第二絶縁層が開口される開口部が形成されることにより、導体層の表面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回路基板が知られている（特許文献１参照）。このうち、導体層の表面および裏面が露出した端子がフライングリードと呼ばれている。そして、このフライングリード部では、導体層の両面が露出していることから、外部回路基板端子部との超音波接合時において超音波が伝達されやすく、超音波振動による接合に適している。その反面、物理的強度が弱く、導体層に応力が集中して断線が起こりやすいという不具合がある。
【０００３】
このような不具合を防止するために、従来では、フライングリード部での導体層の強度を確保して、その導体層の断線を有効に防止することが試みられており、例えば特許文献１では、開口部の端縁部と導体層とが交差する交差部分において、開口部の端縁部における導体層を補強するための補強部が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３１９１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、従来技術と異なる発想に基づいたものであり、従来と異なる手法で導体層の断線を防止できるサスペンション回路基板を提供することを目的とする。また、本発明は、このようなサスペンション回路基板を用いたハードディスク用サスペンションおよびハードディスクドライブを提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によるサスペンション回路基板は、
金属支持基板と、
前記金属支持基板上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に配置され、配線を構成する導体層と、
前記第一絶縁層および導体層上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層と、を備え、
前記第一絶縁層に第一絶縁開口部が設けられ、
前記金属支持基板に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に金属支持基板開口部が設けられて、前記導体層の裏面が露出され、
前記第二絶縁層に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に第二絶縁開口部が設けられて、前記導体層の表面が露出され、
前記導体層のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第一応力Ｆ１とし、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置で該導体層に生じる応力を第二応力Ｆ２とした場合に、
Ｆ１＜Ｆ２
となるように構成されている。
【０００７】
本発明によるサスペンション回路基板において、
前記第一絶縁開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ１とし、
前記金属支持基板開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ２とした場合に、
Ｌ１＜Ｌ２
となるように構成されている。
【０００８】
本発明によるサスペンション回路基板において、
前記導体層の表面のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置で厚み方向に荷重を加えた際に、前記第二絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第三応力Ｆ３とした場合に、
Ｆ１＜Ｆ２  かつ  Ｆ３＜Ｆ２
となるように構成されている。
【０００９】
本発明によるサスペンション回路基板において、
前記第一絶縁開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ１とし、
前記金属支持基板開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ２とした場合に、
Ｌ２  ≧  １．３５×Ｌ１
となるように構成されている。
【００１０】
本発明によるサスペンション回路基板において、
前記第一絶縁開口部の前記導体層が延在する方向の長さをＬ１とし、
前記金属支持基板開口部の前記導体層が延在する方向の長さをＬ２とし、
前記第二絶縁開口部の前記導体層が延在する方向の長さをＬ３とした場合に、
Ｌ１≦Ｌ３＜Ｌ２
となるように構成されている。
【００１１】
本発明によるサスペンション回路基板において、
前記導体層は、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置と、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置とで同じ高さになってもよい。
【００１２】
本発明によるサスペンション回路基板において、
前記導体層は、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置と、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置とで異なる高さになり、
前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置が前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置よりも下方に位置してもよい。
【００１３】
本発明によるサスペンション回路基板において、
前記導体層は、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置から前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置に向かって、スロープ状または階段状で延在してもよい。
【００１４】
本発明によるサスペンション回路基板は、フライングリード部において、
超音波接合によって外部回路基板と接合可能である。
【００１５】
本発明によるハードディスク用サスペンションは、
サスペンション回路基板を備えたハードディスク用サスペンションであって、
前記サスペンション回路基板は、
金属支持基板と、
前記金属支持基板上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に配置され、配線回路パターンとして形成された導体層と、
前記第一絶縁層および導体層上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層と、を有し、
前記第一絶縁層に第一絶縁開口部が設けられ、
前記金属支持基板に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に、前記第一絶縁開口部よりも大きさが大きな金属支持基板開口部が設けられて、前記導体層の裏面が露出され、
前記第二絶縁層に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に第二絶縁開口部が設けられて、前記導体層の表面が露出され、
前記導体層のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第一応力Ｆ１とし、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置で該導体層に生じる応力を第二応力Ｆ２とした場合に、
Ｆ１＜Ｆ２
となるように構成されている。
【００１６】
本発明によるハードディスクドライブは、
サスペンション回路基板を備えたハードディスクドライブであって、
前記サスペンション回路基板が、
金属支持基板と、
前記金属支持基板上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に配置された導体層と、
前記第一絶縁層および導体層上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層と、を有し、
前記第一絶縁層に第一絶縁開口部が設けられ、
前記金属支持基板に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に、前記第一絶縁開口部よりも大きさが大きな金属支持基板開口部が設けられて、前記導体層の裏面が露出され、
前記第二絶縁層に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に第二絶縁開口部が設けられて、前記導体層の表面が露出され、
前記導体層のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第一応力Ｆ１とし、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置で該導体層に生じる応力を第二応力Ｆ２とした場合に、
Ｆ１＜Ｆ２
となるように構成されている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、導体層のうち第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、第一絶縁開口部の周縁に対応する位置で導体層に生じる第一応力Ｆ１が、金属支持基板開口部の周縁に対応する位置で当該導体層に生じる第二応力Ｆ２よりも小さくなるように構成されている。このため、従来のように、導体層のフライングリード部におけるデザイン変更等の断線を防止するような手法を用いることなく、導体層の第一絶縁開口部の周縁に対応する位置において、集中する応力を金属支持基板開口部の周縁側に分散させることにより、導体層が断線することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態によるサスペンション回路基板におけるフライングリード部近傍を上方から見た上方平面図（ａ）と、下方から見た下方平面図（ｂ）。
【図２】図１（ａ）のＡ１部分を斜めから見た斜視図。
【図３】図１（ａ）のIIIａ−IIIａ’、IIIｂ−IIIｂ’、IIIｃ−IIIｃ’およびIIIｄ−IIIｄ’でサスペンション回路基板を切断した横断面図。
【図４】図１（ａ）のIV−IV’でサスペンション回路基板を切断した縦断面図。
【図５】本発明の実施の形態によるサスペンション回路基板を外部回路基板に接合した態様を示した縦断面図。
【図６】本発明の実施の形態によるサスペンション回路基板のフライングリード部近傍を切断した縦断面図。
【図７】本発明の実施例で用いた解析対象物を説明するための斜視図。
【図８】本発明の実施例で用いた解析対象物の境界条件を説明するための斜視図。
【図９】本発明の実施例で用いた解析対象物の押圧状況を説明するための斜視図。
【図１０】本発明の実施例で用いた解析対象物を切断した縦断面図。
【図１１】本発明の実施例１−２と比較例１−２の態様を示した縦断面図。
【図１２】セットバック距離と導体層に生じる応力との関係を説明するために用いる解析対象物の縦断面図。
【図１３】セットバック距離と平均応力との関係を示したグラフ。
【図１４】本発明によるハードディスクドライブを示した斜視図。
【図１５】導体層の第一絶縁開口部の周縁に対応する位置と金属支持基板開口部の周縁に対応する位置とが異なる高さからなる、別の解析対象物を示した縦断面図。
【図１６】図１５（ａ）で示した別の解析対象物における、セットバック距離と平均応力またはセットバック距離と応力との関係を示したグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
実施の形態
以下、本発明に係るサスペンション回路基板、ハードディスク用サスペンションおよびハードディスクドライブの実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１乃至図１４は本発明の実施の形態を示す図である。
【００２０】
図１４に示すように、本実施の形態のハードディスクドライブ９０は、磁気ディスクＤを回転させるスピンドルモータ９２と、磁気ヘッドサスペンション８０と、磁気ヘッドサスペンション８０を駆動するアクチュエータ９１とを備えている。このうち、磁気ヘッドサスペンション８０は、磁気ヘッド８１と、サスペンション回路基板１（図５参照）を備えたハードディスク用サスペンションと、外部回路基板２０（図５参照）とを有している。
【００２１】
図１（ａ）（ｂ）−図４に示すように、サスペンション回路基板１は、金属支持基板１２と、金属支持基板１２上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層１１と、第一絶縁層１１上に配置され、配線を構成する導体層１０と、第一絶縁層１１および導体層１０上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層１３と、を備えている。金属支持基板１２の材料としては例えばステンレスを用いることができ、第一絶縁層１１および第二絶縁層１３としては例えばポリイミドを用いることができ、導体層１０としては例えば銅を用いることができるが、これらに限られることはない。
【００２２】
ここで、図１（ａ）は、後述するフライングリード部近傍を上方から見た上方平面図であり、図１（ｂ）は、フライングリード部近傍を下方から見た下方平面図である。また、図２は、図１（ａ）のＡ１部分を斜視図である。また、図３（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は各々、図１（ａ）のIIIａ−IIIａ’、IIIｂ−IIIｂ’、IIIｃ−IIIｃ’およびIIIｄ−IIIｄ’でサスペンション回路基板１を切断した断面図である。また、図４は、図１（ａ）のIV−IV’でサスペンション回路基板１を切断した断面図である。
【００２３】
また、図６に示すように、第一絶縁層１１には第一絶縁開口部１１Ｏが設けられており、第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に位置する第一絶縁層１１の二つの端部が、導体層１０である配線が延在する方向（図１（ａ）のIV−IV’が延在する方向）で互いに対向するようになっている。
【００２４】
また、図６に示すように、第二絶縁層１３には、配線が延在する方向で第一絶縁開口部１１Ｏと重複する位置に第二絶縁開口部１３Ｏが設けられている。そして、第二絶縁開口部１３Ｏの周縁に位置する第二絶縁層１３の二つの端部が、配線が延在する方向で互いに対向するようになっている。
【００２５】
また、図６に示すように、金属支持基板１２には、配線が延在する方向で第一絶縁開口部１１Ｏおよび第二絶縁開口部１３Ｏと重複する位置に金属支持基板開口部１２Ｏが設けられている。この金属支持基板１２は、枠形状からなり（図１（ｂ）参照）、第一絶縁層１１、導体層１０および第二絶縁層１３を支持している。
【００２６】
なお、上述のように第二絶縁開口部１３Ｏが設けられていることから、導体層１０の表面が露出されることとなる。他方、上述のように金属支持基板１２に配線が延在する方向で第一絶縁開口部１１Ｏと重複する位置に金属支持基板開口部１２Ｏが設けられていることから、導体層１０の裏面が露出されることとなる。そして、配線を構成する導体層１０のうち、表面と裏面の両方が露出されている部分（図６でＬ１に対応する部分）がフライングリード部を構成している。
【００２７】
フライングリード部では、導体層１０の両面が露出していることから外部回路接続端子部２１との超音波接合時において超音波が伝達されやすくなっている。このため、フライングリード部は、超音波接合によって外部回路基板２０の接合部２１と接合可能となっている（図５参照）。また、図示しないが、フライングリード１０の表面、および外部回路基板２０の接合部２１の表面には、必要により、金属めっき層が形成される。金属めっき層としては、例えば、電解めっきによって金めっき層が形成される。
【００２８】
本実施の形態では、第一絶縁開口部１１Ｏの配線が延在する方向の長さをＬ１とし、金属支持基板開口部１２Ｏの配線が延在する方向の長さをＬ２とし、第二絶縁開口部１３Ｏの配線が延在する方向の長さをＬ３とした場合に、Ｌ１≦Ｌ３＜Ｌ２となっている（図６の実線で示した態様ではＬ１＜Ｌ３＜Ｌ２となっており、図６の点線で示した態様ではＬ１≦Ｌ３＜Ｌ２となっている。）。
【００２９】
より具体的には、Ｌ１＝０．４ｍｍ〜２．０ｍｍ、Ｌ２＝０．５４ｍｍ〜４．０ｍｍ、Ｌ３＝０．４ｍｍ〜４．０ｍｍとなっている。そして、Ｌ１、Ｌ２およびＬ３の関係は、Ｌ１≦Ｌ３＜Ｌ２となっている。
【００３０】
そして、このような構成にすることで、導体層１０のうち第一絶縁開口部１１Ｏに対応する位置に厚み方向で上側から、すなわち導体層１０の金属支持基板１２の形成されていない側から垂直に荷重を加えた際に（図９および図１０参照）、第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置で導体層１０に生じる応力を第一応力Ｆ１とし、金属支持基板開口部１２Ｏの周縁に対応する位置で導体層１０に生じる応力を第二応力Ｆ２とし、第二絶縁開口部１３Ｏの周縁に対応する位置で導体層１０に生じる応力を第三応力Ｆ３とした場合にＦ１＜Ｆ２かつＦ１≦Ｆ３することができる。
【００３１】
なお、第一応力Ｆ１、第二応力Ｆ２および第三応力Ｆ３は、該当する位置で導体層１０の表裏に生じる平均応力を意味している（図１０参照）。ところで、本実施の形態において、導体層１０のうち第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置とは、第一絶縁開口部１１Ｏの周縁から鉛直方向に直線を延ばした際に当該直線と導体層１０とが交わる位置のことを意味している。同様に、導体層１０のうち金属支持基板開口部１２Ｏの周縁に対応する位置とは、金属支持基板開口部１２Ｏの周縁から鉛直方向に直線を延ばした際に当該直線と導体層１０とが交わる位置のことを意味し、導体層１０のうち第二絶縁開口部１３Ｏの周縁に対応する位置とは、第二絶縁開口部１３Ｏの周縁から鉛直方向に直線を延ばした際に当該直線と導体層１０とが交わる位置のことを意味している。
【００３２】
（実施例）
次に、本発明のサスペンション回路基板１の実施例について説明する。本願発明者らは、後述する条件のもとでシミュレーションを行った。当該シミュレーションにおける解析対象は、図７（ａ）のＡ２部分に相当する部分であり、導体層１０のフライングリード部を長手方向で半分にするとともに幅方向で半分にしたものである（図７（ｂ）参照）。
【００３３】
図８（ｃ）に示すように、解析対象の導体層１０の先端部を、Ｚ方向への変位はないものとして固定部Ｓによって固定した。また、解析対象の金属支持基板１２の底部を、本来ならば定盤に支持されていることを考慮してＹ方向で固定部Ｓによって固定し、金属支持基板１２、第一絶縁層１１、導体層１０および第二絶縁層１３の基端部を本来ならば構造物が続いていることを考慮してＺ方向で固定部Ｓによって固定した。さらに、図８（ｂ）に示すように、金属支持基板１２、第一絶縁層１１、導体層１０および第二絶縁層１３を、周期対称を考慮してＸ方向で固定部Ｓによって固定した。なお、図８（ｂ）は、解析対象を、図８（ａ）中の矢印Ｂから見た正面図であり、図８（ｃ）は、解析対象を、図８（ａ）中の矢印Ｃから見た側方図である。
【００３４】
なお、解析では、金属支持基板１２のヤング率を１５０ＧＰａ、ポアソン比を０．３とし、第一絶縁層１１のヤング率を７ＧＰａ、ポアソン比を０．３とし、第二絶縁層１３のヤング率を５ＧＰａ、ポアソン比を０．３とした。また、導体層１０のヤング率を１００ＧＰａ、降伏応力を１００ＭＰａ、ポアソン比を０．３とした。
【００３５】
以下に、実施例および比較例で用いたＭ１、Ｍ２およびＭ３と、Ｆ１、Ｆ２およびＦ３の値を「表１」で示す。
【表１】
2011146679.tif 000003
【００３６】
なお、図１１（ａ）は実施例１の態様を示した縦断面図であり、図１１（ｂ）は実施例２の態様を示した縦断面図である。また、図１１（ｃ）は比較例１の態様を示した縦断面図であり、図１１（ｄ）は比較例２の態様を示した縦断面図である。
【００３７】
ここで、実施例１においては、Ｍ３＝０となっており、Ｆ１およびＦ３は同じ位置での応力を示しているため、これらＦ１およびＦ３は等しい値からなっている（図１１（ａ）参照）。また、同様に、比較例１においても、Ｍ３＝０となっており、Ｆ１およびＦ３は同じ位置での応力を示しているため、これらＦ１およびＦ３は等しい値からなっている（図１１（ｃ）参照）。
【００３８】
ところで、本実施例でのＦ１、Ｆ２およびＦ３はそれぞれ、図９に示すように、解析対象の導体層１０の先端部を下方に３０μｍ移動させた際における、第一応力、第二応力および第三応力である。また、Ｍ１は解析対象の導体層１０の先端部と第一絶縁層１１の端部１１ｔとの間の水平距離を示し、Ｍ３は第一絶縁層１１の端部１１ｔと第二絶縁層１３の端部１３ｔとの間の水平距離を示し、Ｍ２は、第一絶縁層１１の端部１１ｔと金属支持基板１２の端部１２ｔとの間の水平距離（セットバック距離）を示している（図１０参照）。
【００３９】
そして、Ｌ１、Ｌ２およびＬ３とＭ１、Ｍ２およびＭ３との関係は、以下のようになっている。
Ｌ１／２＝Ｍ１
（Ｌ３−Ｌ１）／２＝Ｍ３
（Ｌ２−Ｌ１）／２＝Ｍ２
【００４０】
表１に示したように、実施例１−２によれば、Ｆ１≦Ｆ３＜Ｆ２とすることができ、金属支持基板１２が配置されている位置に生じる応力を小さくすることができ、かつ、フライングリード端部に生じる応力を小さくすることができる。
【００４１】
この点、実施例のように、フライングリード部とは異なる箇所、より具体的には第一絶縁層１１および第二絶縁層１３だけでなく金属支持基板１２も配置されている箇所で導体層１０に生じる応力が大きくなったとしても、導体層１０は、これら第一絶縁層１１、第二絶縁層１３および金属支持基板１２で補強されているので断線することはない。そして、このように導体層１０に生じる応力の集中をフライングリード部以外の部位に分散することで、断線の起こりやすいフライングリード端部において生ずる応力を小さくすることができ、導体層１０が断線することを防止することができる。
【００４２】
他方、比較例１−２によれば、Ｆ１≧Ｆ３＞Ｆ２となっており、断線の起こりやすいフライングリード端部において生ずる応力が大きくなってしまい、導体層１０が断線しやすくなっている。なお、従来技術では、このように断線の起こりやすいフライングリード端部で生ずる応力が大きくなってしまうことを前提としており、現に特許文献１では、開口部の端縁部と導体層とが交差する交差部分において、開口部の端縁部における導体層を補強するための補強部が形成されている。
【００４３】
ところで、実施例２で示したように、Ｌ１＜Ｌ３＜Ｌ２（Ｍ３＞０）となっている場合には、導体層１０に生じる応力を金属支持基板１２側に順次分散させることができる。このため、フライングリード部、特にフライングリード端部、に生じる応力を小さくすることができ、導体層１０が断線することをより確実に防止することができる。
【００４４】
また、実施例１および２のように、導体層１０が、第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置と、金属支持基板開口部１２Ｏの周縁に対応する位置とで同じ高さになっていること、より具体的には、導体層１０が、第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置と金属支持基板開口部１２Ｏの周縁に対応する位置の間で水平方向に直線状に延在していることが好ましい。このような構成によれば、導体層１０に局所的な応力が生じることを防止することができ、導体層１０が断線してしまうことを、より確実に防止することができるためである。
【００４５】
加えて、導体層１０は、種々の製造方法を用いることができ、例えば、セミアディティブ法により導体層を形成することも可能である。
セミアディティブ法を用いた場合においては、第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置において、導体層１０を、厚み方向にスロープ状、または階段状にステップダウン形状とすることができる。このような導体層１０の形状においては形状の変化点部分において特に応力が集中しやすく、断線が発生しやすい。よって、本発明を用いることで形状の変化点部分においても応力の集中を緩和することができ、断線を有効に防止することができる。
【００４６】
次に、第一絶縁層１１の端部１１ｔと金属支持基板１２の端部１２ｔとの間の水平距離（セットバック距離）と、導体層１０に生じる応力との関係について説明する。以下に「表２」として、セットバック距離と、導体層１０の各測定位置（図１２参照）における応力との関係を示す。なお、図１２においてＭ１は５００μｍとなっている。また、「表２」に示したデータは、解析対象の導体層１０の先端部を３０μｍ下方へ移動させた際における数値である。ところで、図１２および「表２」において、導体層１０の第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置であって第二絶縁層１３側の位置に加わる応力をＦ１ａとし、導体層１０の第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置であって金属支持基板１２側の位置に加わる応力をＦ１ｂとし、導体層１０の金属支持基板開口部１２Ｏの周縁に対応する位置であって第二絶縁層１３側の位置に加わる応力をＦ２ａとし、導体層１０の金属支持基板開口部１２Ｏの周縁に対応する位置であって金属支持基板１２側の位置に加わる応力をＦ２ｂとし、フライングリード部の第二絶縁層１３側の位置に加わる応力をＦ０ａとし、フライングリード部の金属支持基板１２側の位置に加わる応力をＦ０ｂとして示している。
【表２】
2011146679.tif 000004
【００４７】
また、Ｆ１ａおよびＦ１ｂの平均値（平均応力）をＦ１Ｍとし、Ｆ２ａおよびＦ２ｂの平均値（平均応力）をＦ２Ｍとして、セットバック距離（Ｍ２）と平均応力との関係を示したグラフを図１３で示す。
【００４８】
図１３に示したグラフから明らかなように、セットバック距離が１７５μｍのときにＦ１ＭとＦ２Ｍの大きさが入れ替わり、セットバック距離が１７５μｍより短いときにはＦ１Ｍ＞Ｆ２Ｍとなり、他方、セットバック距離が１７５μｍより短いときにはＦ１Ｍ＜Ｆ２Ｍとなる。
【００４９】
このため、Ｍ１＝５００μｍの場合にセットバック距離を１７５μｍ以上とすると、フライングリード端部に生じる応力を、第一絶縁層１１、第二絶縁層１３および金属支持基板１２が配置されている箇所での導体層１０に生じる応力よりも小さくすることができる。
【００５０】
この結果、Ｌ２／Ｌ１（＝（Ｍ１＋Ｍ２）／Ｍ１）が、（５００＋１７５）／５００＝１．３５以上となると、フライングリード端部に生じる応力を、第一絶縁層１１、第二絶縁層１３および金属支持基板１２が配置されている箇所での導体層１０に生じる応力よりも小さくすることができる。従って、Ｌ２／Ｌ１が１．３５以上となるか１．３５未満となるかで、質的に顕著な差異があるということができ、Ｌ２／Ｌ１＝１．３５という数値は、臨界的意義を有している、ということができる。
【００５１】
なお、Ｍ１＝５００μｍの場合にセットバック距離を１７５μｍ以上とすると、Ｆ１ＭとＦ２Ｍの両方が８０ＭＰａ程度より小さくなる。ここで、導体層１０として銅を用いた場合の降伏応力は概ね１００ＭＰａであるが、材質のバラツキや工程内での応力のかかり方が不均一になる可能性があることなどを考慮すると、正常な状態で導体層１０に加わる応力は８０ＭＰａ以下（降伏応力の８０％以下）となることが好ましいと考えられる。
【００５２】
ところで、セットバック距離を２００μｍ以上とすることで、フライングリード端部に生じる応力を十分に小さくすることができ、フライングリード部以外の部位に応力を分散することができるので、より好ましい。また、図１３に示すようにセットバック距離を２００μｍとすることによって、セットバック距離を２００μｍより大きくした場合と同程度の応力を低下させる効果を奏することができることから（言い換えると、２００μｍまでは効率よく応力を低下させることができることから）、セットバック距離を２００μｍとすることには技術的意義があると言える。
【００５３】
続いて、導体層１０が、第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置と、金属支持基板開口部１２Ｏの周縁に対応する位置とで異なる高さになり、第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置が金属支持基板開口部１２Ｏの周縁に対応する位置よりも下方に位置している態様を用いて説明する。なお、このような態様としては、例えば、導体層１０が、金属支持基板開口部１２Ｏの周縁に対応する位置から第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置に向かって、スロープ状（直線状）に下降して延在しているものや（図１５（ａ）参照）、階段状で下降して延在しているもの（図１５（ｂ）参照）などを挙げることができる。
【００５４】
以下では、図１５（ａ）に示すように、導体層１０が、金属支持基板開口部１２Ｏの周縁に対応する位置から第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置に向かって、スロープ状に下降して延在している解析対象物を用いた実験結果について説明する。より具体的には、図１５（ａ）に示す解析対象物における、第一絶縁層１１の端部１１ｔと金属支持基板１２の端部１２ｔとの間の水平距離（セットバック距離）と、導体層１０に生じる応力との関係の実験結果について説明する。
【００５５】
以下に「表３」として、セットバック距離と、導体層１０の各測定位置（図１５（ａ）参照）における応力との関係を示す。なお、導体層１０の先端部と第一絶縁層１１の端部１１ｔとの間の水平距離Ｍ１は５００μｍとなっている。また、「表３」に示したデータは、解析対象の導体層１０の先端部を２２μｍ下方へ移動させた際における数値である。このように２２μｍを用いたのは、導体層１０の金属支持基板開口部１２Ｏの周縁に対応する位置と導体層１０の第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置との高さの差が８μｍであることから、この８μｍを「表２」に結果を示した実験での移動量である３０μｍから引いたものである。
【００５６】
ところで、図１５（ａ）において、導体層１０の金属支持基板１２の形成されていない側から垂直に荷重を加えた際に（図９および図１０参照）、金属支持基板開口部１２Ｏの周縁に対応する位置から第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置に向かって導体層１０が下り始める位置において、当該導体層１０に生じる応力を第四応力Ｆ４として示している。そして、「表３」において、上記の導体層１０が下り始める位置であって第二絶縁層１３側の位置に加わる応力をＦ４ａとし、当該導体層１０が下り始める位置であって金属支持基板１２側の位置に加わる応力をＦ４ｂとして示している。
【００５７】
【表３】
2011146679.tif 000005
【００５８】
また、「表３」でのＦ１ａおよびＦ１ｂの平均値（平均応力）をＦ１Ｍとし、Ｆ２ａおよびＦ２ｂの平均値（平均応力）をＦ２Ｍとして、セットバック距離（Ｍ２）と平均応力Ｆ１Ｍとの関係を示したグラフと、セットバック距離（Ｍ２）と平均応力Ｆ２Ｍとの関係を示したグラフと、セットバック距離（Ｍ２）と応力Ｆ１ｂとの関係を示したグラフと、セットバック距離（Ｍ２）と応力Ｆ２ｂとの関係を示したグラフを、図１６で示す。
【００５９】
この図１６から分かるように、セットバック距離が２００μｍ以上になると、Ｆ１ｂがＦ１Ｍから分離し始め、すなわち、Ｆ１ａと比較してＦ１ｂが減少し始める。また、セットバック距離が３３０μｍ以上になると、Ｆ１ｂが８０ＭＰａ以下となり、導体層１０の第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置であって金属支持基板１２側の位置に加わる応力を８０ＭＰａ以下（降伏応力の８０％以下）とすることができる。さらに、セットバック距離が３８０μｍ以上になると、Ｆ１Ｍが８０ＭＰａ以下となり、導体層１０の第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置に加わる平均応力を８０ＭＰａ以下（降伏応力の８０％以下）とすることができる。
【００６０】
以上のことから、セットバック距離を大きくすると第一絶縁開口部１１Ｏの周縁に対応する位置で導体層１０に生じる第一応力Ｆ１（とりわけＦ１ｂ）を小さくすることができ、有益であることが理解できる。そして、セットバック距離が２００μｍである場合、セットバック距離が３３０μｍである場合およびセットバック距離が３８０μｍである場合の各々において、その前後で質的に顕著な差異があるということができる。ただし、デザイン上の制約があることから、セットバック距離は最大でも５００μｍ程度となってしまう点には留意が必要である。
【符号の説明】
【００６１】
１        サスペンション回路基板
１０      導体層
１１      第一絶縁層
１１Ｏ    第一絶縁開口部
１２      金属支持基板
１２Ｏ    金属支持基板開口部
１３      第二絶縁層
１３Ｏ    第二絶縁開口部
２０      外部回路基板
８０      磁気ヘッドサスペンション
９０      ハードディスクドライブ
【図１】
2011146679.tif 000006
【図２】
2011146679.tif 000007
【図３】
2011146679.tif 000008
【図４】
2011146679.tif 000009
【図５】
2011146679.tif 000010
【図６】
2011146679.tif 000011
【図７】
2011146679.tif 000012
【図８】
2011146679.tif 000013
【図９】
2011146679.tif 000014
【図１０】
2011146679.tif 000015
【図１１】
2011146679.tif 000016
【図１２】
2011146679.tif 000017
【図１３】
2011146679.tif 000018
【図１４】
2011146679.tif 000019
【図１５】
2011146679.tif 000020
【図１６】
2011146679.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月15日(2011.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、
前記金属支持基板上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に配置され、配線を構成する導体層と、
前記第一絶縁層および導体層上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層と、を備え、
前記第一絶縁層に第一絶縁開口部が設けられ、
前記金属支持基板に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に金属支持基板開口部が設けられて、前記導体層の裏面が露出され、
前記第二絶縁層に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に第二絶縁開口部が設けられて、前記導体層の表面が露出され、
前記第一絶縁開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ１とし、前記金属支持基板開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ２とし、前記導体層のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第一応力Ｆ１とし、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置で該導体層に生じる応力を第二応力Ｆ２とした場合に、
Ｆ１＜Ｆ２
となるようにＬ１およびＬ２が調整されていることを特徴とするサスペンション回路基板。
【請求項２】
Ｌ１＜Ｌ２
となることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション回路基板。
【請求項３】
前記第二絶縁開口部の前記導体層が延在する方向の長さをＬ３とし、前記導体層の表面のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、前記第二絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第三応力Ｆ３とした場合に、
Ｆ１≦Ｆ３かつＦ１＜Ｆ２
となるようにＬ１、Ｌ２およびＬ３が調整されていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のサスペンション回路基板。
【請求項４】
Ｌ２  ≧  １．３５×Ｌ１
となることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のサスペンション回路基板。
【請求項５】
前記第二絶縁開口部の前記導体層が延在する方向の長さをＬ３とした場合に、
Ｌ１≦Ｌ３＜Ｌ２
となることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のサスペンション回路基板。
【請求項６】
前記導体層は、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置と、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置とで同じ高さになっていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のサスペンション回路基板。
【請求項７】
前記導体層は、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置と、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置とで異なる高さになり、
前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置が前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置よりも下方に位置していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のサスペンション回路基板。
【請求項８】
前記導体層は、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置から前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置に向かって、スロープ状または階段状で延在していることを特徴とする請求項７に記載のサスペンション回路基板。
【請求項９】
超音波接合によって外部回路基板と接合可能となっていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のサスペンション回路基板。
【請求項１０】
サスペンション回路基板を備えたハードディスク用サスペンションにおいて、
前記サスペンション回路基板は、
金属支持基板と、
前記金属支持基板上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に配置され、配線回路パターンとして形成された導体層と、
前記導体層上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層と、を有し、
前記第一絶縁層に第一絶縁開口部が設けられ、
前記金属支持基板に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に、前記第一絶縁開口部よりも大きさが大きな金属支持基板開口部が設けられて、前記導体層の裏面が露出され、
前記第二絶縁層に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に第二絶縁開口部が設けられて、前記導体層の表面が露出され、
前記第一絶縁開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ１とし、前記金属支持基板開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ２とし、前記導体層のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第一応力Ｆ１とし、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置で該導体層に生じる応力を第二応力Ｆ２とした場合に、
Ｆ１＜Ｆ２
となるようにＬ１およびＬ２が調整されていることを特徴とするハードディスク用サスペンション。
【請求項１１】
サスペンション回路基板を備えたハードディスクドライブにおいて、
前記サスペンション回路基板は、
金属支持基板と、
前記金属支持基板上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に配置された導体層と、
前記導体層上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層と、を有し、
前記第一絶縁層に第一絶縁開口部が設けられ、
前記金属支持基板に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に、前記第一絶縁開口部よりも大きさが大きな金属支持基板開口部が設けられて、前記導体層の裏面が露出され、
前記第二絶縁層に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に第二絶縁開口部が設けられて、前記導体層の表面が露出され、
前記第一絶縁開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ１とし、前記金属支持基板開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ２とし、前記導体層のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第一応力Ｆ１とし、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置で該導体層に生じる応力を第二応力Ｆ２とした場合に、
Ｆ１＜Ｆ２
となるようにＬ１およびＬ２が調整されていることを特徴とするハードディスクドライブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によるサスペンション回路基板は、
金属支持基板と、
前記金属支持基板上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に配置され、配線を構成する導体層と、
前記第一絶縁層および導体層上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層と、を備え、
前記第一絶縁層に第一絶縁開口部が設けられ、
前記金属支持基板に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に金属支持基板開口部が設けられて、前記導体層の裏面が露出され、
前記第二絶縁層に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に第二絶縁開口部が設けられて、前記導体層の表面が露出され、
前記第一絶縁開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ１とし、前記金属支持基板開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ２とし、前記導体層のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第一応力Ｆ１とし、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置で該導体層に生じる応力を第二応力Ｆ２とした場合に、
Ｆ１＜Ｆ２
となるようにＬ１およびＬ２が調整されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によるサスペンション回路基板において、
Ｌ１＜Ｌ２
となるように構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によるサスペンション回路基板において、
前記第二絶縁開口部の前記導体層が延在する方向の長さをＬ３とし、前記導体層の表面のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置で厚み方向に荷重を加えた際に、前記第二絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第三応力Ｆ３とした場合に、
Ｆ１＜Ｆ２  かつ  Ｆ３＜Ｆ２
となるようにＬ１、Ｌ２およびＬ３が調整されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によるサスペンション回路基板において、
Ｌ２  ≧  １．３５×Ｌ１
となるように構成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によるサスペンション回路基板において、
前記第二絶縁開口部の前記導体層が延在する方向の長さをＬ３とした場合に、
Ｌ１≦Ｌ３＜Ｌ２
となるように構成されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によるハードディスク用サスペンションは、
サスペンション回路基板を備えたハードディスク用サスペンションであって、
前記サスペンション回路基板は、
金属支持基板と、
前記金属支持基板上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に配置され、配線回路パターンとして形成された導体層と、
前記第一絶縁層および導体層上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層と、を有し、
前記第一絶縁層に第一絶縁開口部が設けられ、
前記金属支持基板に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に、前記第一絶縁開口部よりも大きさが大きな金属支持基板開口部が設けられて、前記導体層の裏面が露出され、
前記第二絶縁層に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に第二絶縁開口部が設けられて、前記導体層の表面が露出され、
前記第一絶縁開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ１とし、前記金属支持基板開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ２とし、前記導体層のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第一応力Ｆ１とし、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置で該導体層に生じる応力を第二応力Ｆ２とした場合に、
Ｆ１＜Ｆ２
となるようにＬ１およびＬ２が調整されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によるハードディスクドライブは、
サスペンション回路基板を備えたハードディスクドライブであって、
前記サスペンション回路基板が、
金属支持基板と、
前記金属支持基板上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に配置された導体層と、
前記第一絶縁層および導体層上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層と、を有し、
前記第一絶縁層に第一絶縁開口部が設けられ、
前記金属支持基板に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に、前記第一絶縁開口部よりも大きさが大きな金属支持基板開口部が設けられて、前記導体層の裏面が露出され、
前記第二絶縁層に、前記導体層が延在する方向で前記第一絶縁開口部と重複する位置に第二絶縁開口部が設けられて、前記導体層の表面が露出され、
前記第一絶縁開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ１とし、前記金属支持基板開口部の前記導体層が延在する方向での長さをＬ２とし、前記導体層のうち前記第一絶縁開口部に対応する位置に厚み方向で荷重を加えた際に、前記第一絶縁開口部の周縁に対応する位置で前記導体層に生じる応力を第一応力Ｆ１とし、前記金属支持基板開口部の周縁に対応する位置で該導体層に生じる応力を第二応力Ｆ２とした場合に、
Ｆ１＜Ｆ２
となるようにＬ１およびＬ２が調整されている。