(57)【要約】【課題】平流し搬送される被処理基板に対し所定の処理を施す基板処理装置において、前記基板の被処理面に対し均一な処理を施す。【解決手段】基板搬送路３に沿って被処理基板Ｇを平流し搬送する基板搬送手段６と、前記基板搬送路の途中に設けられ、前記基板搬送手段により搬送される被処理基板に所定の処理を施す基板処理部１５と、前記基板搬送路の幅方向に延設された短冊状のダミー基板８，９と、前記ダミー基板を前記被処理基板と同じ高さで基板搬送方向に沿って移動させるダミー基板移動手段１０，１１と、前記ダミー基板移動手段の制御を行う制御手段５０とを備え、前記制御手段は、前記基板処理部において搬送される前記被処理基板に所定の処理が施される際、前記被処理基板に前記ダミー基板を近接させた状態で、前記ダミー基板移動手段により前記ダミー基板と前記被処理基板とを同期して移動させる。【選択図】図１
2011155032.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平流し搬送される被処理基板に対し所定の処理を施す基板処理装置であって、
基板搬送路に沿って被処理基板を平流し搬送する基板搬送手段と、
前記基板搬送路の途中に設けられ、前記基板搬送手段により搬送される被処理基板に所定の処理を施す基板処理部と、
前記基板搬送路の幅方向に延設された短冊状のダミー基板と、
前記ダミー基板を前記被処理基板と同じ高さで基板搬送方向に沿って移動させるダミー基板移動手段と、
前記ダミー基板移動手段の制御を行う制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記基板処理部において搬送される前記被処理基板に所定の処理が施される際、前記被処理基板に前記ダミー基板を近接させた状態で、前記ダミー基板移動手段により前記ダミー基板と前記被処理基板とを同期して移動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板搬送路において、被処理基板の前端及び後端の通過をそれぞれ検出するセンサを備え、
前記制御手段は、前記センサの検出信号に基づいて前記ダミー基板の移動を制御することを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
【請求項３】
前記ダミー基板は、基板搬送方向に並列に設けられた第一ダミー基板と、第二ダミー基板とからなり、
前記制御手段は、
前記基板処理部において搬送される前記被処理基板の前端部に所定の処理が施される際、前記被処理基板の前端側に前記第一ダミー基板を近接させた状態で、前記ダミー基板移動手段により前記第一ダミー基板と前記被処理基板とを同期して移動させ、
前記基板処理部において搬送される前記被処理基板の後端部に所定の処理が施される際、前記被処理基板の後端側に前記第二ダミー基板を近接させた状態で、前記ダミー基板移動手段により前記第二ダミー基板と前記被処理基板とを同期して移動させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された基板処理装置。
【請求項４】
前記基板搬送路において、前記基板処理部の搬入部側に設けられ、被処理基板の前端及び後端の通過をそれぞれ検出する第一のセンサと、
前記基板処理部の搬出部側に設けられ、被処理基板の前端及び後端の通過をそれぞれ検出する第二のセンサとを備え、
前記制御手段は、前記第一のセンサの検出信号に基づいて前記ダミー基板と前記被処理基板との同期移動を開始し、
前記第二のセンサの検出信号に基づいて前記ダミー基板と被処理基板との同期移動を停止することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された基板処理装置。
【請求項５】
平流し搬送される被処理基板に対し所定の処理を施す基板処理工程において、
基板搬送路に設けられたセンサにより、被処理基板の前端または後端の通過を検出し、
前記基板搬送路の幅方向に延設された短冊状のダミー基板を前記被処理基板と同じ高さに保持し、前記被処理基板に前記ダミー基板を近接させた状態で、前記ダミー基板と前記被処理基板とを同期して移動させながら、前記被処理基板に対して所定の処理を施すことを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
前記ダミー基板は、基板搬送方向に並列に設けられた第一ダミー基板と、第二ダミー基板とからなり、
前記被処理基板の前端側に前記第一ダミー基板を近接させた状態で、前記第一ダミー基板と前記被処理基板とを同期して移動させながら、前記被処理基板の前端部に前記所定の処理を施し、
前記被処理基板の後端側に前記第二ダミー基板を近接させた状態で、前記第二ダミー基板と前記被処理基板とを同期して移動させながら、前記被処理基板の後端部に前記所定の処理を施すことを特徴とする請求項５に記載された基板処理方法。
【請求項７】
前記基板処理部の搬入部側に設けられ、被処理基板の前端及び後端の通過をそれぞれ検出する第一のセンサの検出信号に基づいて、前記ダミー基板と前記被処理基板との同期移動が開始され、
前記基板処理部の搬出部側に設けられ、被処理基板の前端及び後端の通過をそれぞれ検出する第二のセンサの検出信号に基づいて、前記ダミー基板と被処理基板との同期移動が停止されることを特徴とする請求項５または請求項６に記載された基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板を平流し搬送しながら基板に所定の処理を施す基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の製造においては、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成することが行われている。
前記フォトリソグラフィ工程は、具体的には次のように行われる。
先ず、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）が塗布されレジスト膜が形成される。そして、回路パターンに対応してレジスト膜が露光され、これが現像処理される。
【０００３】
ところで近年、このフォトリソグラフィ工程では、スループット向上の目的により、被処理基板を略水平姿勢の状態で搬送（所謂、平流し搬送）しながら、その被処理面に対しレジストの塗布、乾燥、加熱、冷却処理等の各処理を施す構成が多く採用されている。
前記基板搬送の構成としては、基板を略水平姿勢の状態で所定の高さに浮上させ、基板搬送方向に搬送する浮上搬送や、基板搬送方向に配列された複数のコロにより基板搬送を行うコロ搬送等が採用されている。
【０００４】
前記基板搬送の構成のうち、浮上搬送を用いたものは、特許文献１に開示されるように例えばレジスト塗布処理装置に採用されている。その従来の構成例について図１２に基づいて説明する。
図１２のレジスト塗布処理装置２００は、被処理基板であるガラス基板Ｇ（例えばＬＣＤ用の基板）をＸ軸方向に浮上搬送するための浮上ステージ２０１と、前記ガラス基板Ｇの進行方向に対して浮上ステージ２０１の左右両側に敷設された一対のガイドレール２０２と、ガラス基板Ｇの四隅付近を下方から吸着保持し、ガイドレール２０２上をスライド移動する４つの基板キャリア２０３とを備えている。
【０００５】
浮上ステージ２０１の上面には、上方に向かって所定のガスを噴射するための多数のガス噴射口２０１ａと、吸気を行うための多数の吸気口２０１ｂとが夫々、一定間隔で交互に設けられている。そして、ガス噴射口２０１ａから噴射されるガス噴射量と吸気口２０１ｂからの吸気量との圧力負荷を一定とすることによって、ガラス基板Ｇを浮上ステージ２０１の表面から一定の高さに浮上させるように構成されている。
また、このレジスト塗布処理装置２００は、ガラス基板Ｇの左右方向（幅方向）に跨って配置され、浮上ステージ２０１上で浮上搬送されるガラス基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジストノズル２０５を備えている。
【０００６】
このように構成されたレジスト塗布処理装置２００においては、前段工程の装置から搬入されたガラス基板Ｇは、浮上ステージ２０１上に形成された気流によって所定の高さに浮上すると共に、四隅が基板キャリア２０３により吸着保持される。
ガラス基板Ｇが基板キャリア２０３に保持されると、基板キャリア２０３がレール２０２に沿ってＸ方向に移動し、浮上ステージ２０１上を基板Ｇが搬送される。
そして、基板Ｇはレジストノズル２０５の下方を通過する際、レジストノズル２０５の先端からレジスト液が吐出され、基板表面にレジスト液の塗布がなされる。
【０００７】
また、前記基板搬送の構成のうち、コロ搬送を用いたものは、例えば基板を加熱処理する加熱処理装置に採用されている。その従来の構成例について図１３（ａ）、（ｂ）に基づいて説明する。
図１３に示す加熱処理装置２５０は、複数の搬送コロ２５１が回転可能に敷設されてなる平流し搬送路２５２と、この平流し搬送路２５２の所定区間を覆うチャンバ２５３とを備える。チャンバ２５３内においては、各搬送コロ２５１の間に、下部ヒータ２５４が設けられ、天井部に上部ヒータ２５５が設けられている。また、チャンバ２５３には、平流し搬送路２５２を搬送される基板Ｇのスリット状の搬入口２５３ａと搬出口２５３ｂとが形成されている。
【０００８】
このように構成された加熱処理装置２５０においては、下部ヒータ２５４及び上部ヒータ２５５によりチャンバ２５３内が所定温度に加熱される。
そして、図１３（ａ）に示すように搬送路２５２を搬送される基板Ｇは、搬入口２５３ａからチャンバ２５３内に搬入され、図１３（ｂ）に示すように平流し搬送されながら下部ヒータ２５４及び上部ヒータ２５５によって加熱処理され、搬出口２５３ｂから搬出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−２３７４８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記のように図１２に示したレジスト塗布処理装置２００や、図１３に示した加熱処理装置２５０にあっては、被処理基板を搬送しながら処理が施されるため、処理時間を短縮し、スループットを向上することができる。
しかしながら、前記基板搬送の構成のうち、図１２に示したレジスト塗布処理装置２００にあっては、図１４（ａ）に示すように浮上ステージ２０１上を搬送される基板Ｇの先端部Ｇ１付近においては、基板前方に形成された気流Ｆ１が、基板Ｇの移動によって、基板先端の下面に瞬時に当たる（気流Ｆ２となる）こととなる。
このため、基板先端Ｇ１付近においては、急激な気流の変化によって、振動やレジスト塗布膜の乾燥差異が生じるという課題があった。
【００１１】
また、図１４（ｂ）に示すように浮上ステージ２０１上を搬送される基板Ｇの後端部Ｇ２付近においては、基板下面に当たる気流Ｆ２が、基板Ｇの移動によって、基板Ｇの後方を流れる気流Ｆ１に瞬時に切り替わることとなる。
このため、基板後端Ｇ２付近においては、基板先端Ｇ１と同様に急激な気流の変化によって、振動やレジスト塗布膜の乾燥差異が生じるいう課題があった。
即ち、基板Ｇの前後端部Ｇ１、Ｇ２において、前記振動や乾燥差異を原因とするレジスト塗布膜の斑が生じる等の不具合が生じるという課題があった。
【００１２】
また、前記基板搬送の構成のうち、図１３に示した加熱処理装置２５０にあっては、図１５（ａ）に示すようにチャンバ２５３内には、気流の乱れを抑制するために矢印で示すようなダウンフローが形成されている。
そのようなダウンフローが形成されたチャンバ２５３内に基板Ｇが搬入されると、図１５（ｂ）、（ｃ）に示すように基板Ｇの上面全体と、基板前端Ｇ１付近の下面にも気流が当たることとなる。
【００１３】
しかしながら、図１５（ｃ）に示すように基板Ｇ全体がチャンバ２５３内に収容された状態や、図１５（ｄ）に示すように基板後部をチャンバ２５３内に残す状態となっても、基板後端Ｇ２付近の下面には（ダウンフローの）気流が当たらず、基板前端Ｇ１付近での加熱量と基板後端Ｇ２付近での加熱量に差異が生じていた。
即ち、処理温度の均一性が悪化し、基板Ｇの基板面内において基板前部の配線パターンの線幅の太さが、基板後部よりも太く形成されるという課題があった。
【００１４】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、平流し搬送される被処理基板に対し所定の処理を施す基板処理装置において、前記基板の被処理面に対し均一な処理を施すことのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、平流し搬送される被処理基板に対し所定の処理を施す基板処理装置であって、基板搬送路に沿って被処理基板を平流し搬送する基板搬送手段と、前記基板搬送路の途中に設けられ、前記基板搬送手段により搬送される被処理基板に所定の処理を施す基板処理部と、前記基板搬送路の幅方向に延設された短冊状のダミー基板と、前記ダミー基板を前記被処理基板と同じ高さで基板搬送方向に沿って移動させるダミー基板移動手段と、前記ダミー基板移動手段の制御を行う制御手段とを備え、前記制御手段は、前記基板処理部において搬送される前記被処理基板に所定の処理が施される際、前記被処理基板に前記ダミー基板を近接させた状態で、前記ダミー基板移動手段により前記ダミー基板と前記被処理基板とを同期して移動させることに特徴を有する。
【００１６】
このように本発明にかかる基板処理装置においては、被処理基板を平流し搬送しながら所定の処理を施す際に、被処理基板にダミー基板を近接させ、被処理基板と同期して移動させる構成となされる。
これにより、基板搬入に伴う気流の変化による処理への悪影響は、ダミー基板上で発生することとなる。その結果、被処理基板の前部領域、及び後部領域において不具合が生じることなく、被処理面に対し均一な処理を施すことができる
【００１７】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理方法は、平流し搬送される被処理基板に対し所定の処理を施す基板処理工程において、基板搬送路に設けられたセンサにより、被処理基板の前端または後端の通過を検出し、前記基板搬送路の幅方向に延設された短冊状のダミー基板を前記被処理基板と同じ高さに保持し、前記被処理基板に前記ダミー基板を近接させた状態で、前記ダミー基板と前記被処理基板とを同期して移動させながら、前記被処理基板に対して所定の処理を施すことに特徴を有する。
【００１８】
本発明にかかる基板処理方法においては、被処理基板を平流し搬送しながら所定の処理を施す際に、被処理基板にダミー基板を近接させ、補処理基板と同期して移動させる構成となされる。
これにより、基板搬入に伴う気流の変化による処理への悪影響は、ダミー基板上で発生することとなる。その結果、被処理基板の前部領域、及び後部領域において不具合が生じることなく、被処理面に対し均一な処理を施すことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、平流し搬送される被処理基板に対し所定の処理を施す基板処理装置において、前記基板の被処理面に対し均一な処理を施すことのできる基板処理装置及び基板処理方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明にかかる第一の実施の形態の全体概略構成を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明にかかる第一の実施の形態の全体概略構成を示す断面図である。
【図３】図３は、図１の基板処理装置のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図４】図４は、図１の基板処理装置のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図５】図５は、本発明にかかる第一の実施の形態の動作を示すフローである。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は、本発明にかかる第一の実施の形態の動作を説明するための断面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明にかかる第一の実施の形態の動作を説明するための断面図である。
【図８】図８は、本発明にかかる第二の実施の形態の全体概略構成を示す平面図である。
【図９】図９は、本発明にかかる第二の実施の形態の動作を示すフローである。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は、本発明にかかる第二の実施の形態の動作を説明するための断面図である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｃ）は、本発明にかかる第二の実施の形態の動作を説明するための断面図である。
【図１２】図１２は、従来のレジスト塗布ユニットの概略構成を説明するための平面図である。
【図１３】図１３（ａ）、（ｂ）は、従来の加熱処理ユニットの概略構成を説明するための概略断面図である。
【図１４】図１４は、従来のレジスト塗布ユニットにおける課題を説明するための概略図であって、図１４（ａ）は基板先端部の側面図、図１４（ｂ）は基板後端部の側面図である。
【図１５】図１５は、従来の加熱処理ユニットにおける課題を説明するための概略図であって、図１５（ａ）〜（ｄ）は、それぞれチャンバ内の気流の流れを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の基板処理装置にかかる第一の実施形態を、図１乃至図７に基づき説明する。尚、この第一の実施形態にあっては、基板処理装置を、被処理基板であるガラス基板に対しレジスト塗布を行うレジスト塗布処理ユニットに適用し、その基板搬送の構成として浮上搬送を採用した場合を例にとって説明する。
【００２２】
この基板処理装置１は、ガラス基板Ｇを枚様式に一枚ずつ浮上搬送するための浮上搬送部２Ａと、前記浮上搬送部２Ａから基板Ｇを受け取り、コロ搬送するコロ搬送部２Ｂとを備え、基板Ｇが所謂平流し搬送されるように構成されている。
前記浮上搬送部２Ａにおいては、基板搬送方向であるＸ方向に延長された浮上ステージ３（基板搬送路）が設けられている。浮上ステージ３の上面には、図示するように多数のガス噴出口３ａとガス吸気口３ｂとがＸ方向とＹ方向に一定間隔で交互に設けられ、ガス噴出口３ａからの不活性ガスの噴出量と、ガス吸気口３ｂからの吸気量との圧力負荷を一定とすることによって、ガラス基板Ｇを浮上させている。
尚、この実施形態では、ガスの噴出及び吸気により基板Ｇを浮上させるようにしたが、それに限定されず、ガス噴出のみの構成によって基板浮上させるようにしてもよい。
【００２３】
また、前記浮上ステージ３の幅方向（Ｙ方向）の左右側方には、Ｘ方向に平行に延びる一対のガイドレール５が設けられている。この一対のガイドレール５には、ガラス基板Ｇの四隅の縁部を下方から吸着保持してガイドレール５上を移動する４つの基板キャリア６（基板搬送手段）が設けられている。これら基板キャリア６により浮上ステージ３上に浮上したガラス基板Ｇを搬送方向に沿って移動される。尚、浮上搬送部２Ａからコロ搬送部２Ｂへの基板引き渡しを円滑に行うために、ガイドレール５は、浮上ステージ３の左右側方だけでなく、コロ搬送部２Ｂの側方にまで延設されている。
【００２４】
各基板キャリア６は、図３に示すように、ガイドレール５に沿って移動可能に設けられたスライド部材６ａと、基板Ｇの下面に対し吸引・開放動作により吸着可能な吸着部材６ｂと、吸着部材６ｂを昇降移動させるシリンダ駆動部６ｃとを有する。
尚、吸着部材６ｂには、吸引ポンプ（図示せず）が接続され、基板Ｇとの接触領域の空気を吸引して真空状態に近づけることにより、基板Ｇに吸着するようになされている。
また、前記スライド部材６ａと、シリンダ駆動部６ｃと、前記吸引ポンプは、それぞれコンピュータからなる制御部５０（制御手段）によって、その駆動が制御される。
【００２５】
また、図１、図２に示すように、前記浮上ステージ３の幅方向（Ｙ方向）の左右側方において、前記ガイドレール５よりも外側には、さらに一対のガイドレール７が敷設されている。この一対のガイドレール７には、基板幅方向に細長く形成された短冊状の第一ダミー基板８を基板搬送方向に沿って移動させるための移動機構１０（ダミー基板移動手段）と、前記第一ダミー基板８と同様に短冊状に形成された第二ダミー基板９を基板搬送方向に沿って移動させるための移動機構１１（ダミー基板移動手段）とが設けられている。
【００２６】
第一ダミー基板８、第二ダミー基板９は、その長手側の長さ寸法がガラス基板Ｇの幅寸法と等しく、厚さ寸法がガラス基板Ｇの厚さ寸法と等しく形成されている。また、短手側の長さ寸法は、例えば５０〜２００ｍｍとなされている。また、第一ダミー基板８、第二ダミー基板９は、それぞれガラス基板Ｇと同じ材質により形成されている。
【００２７】
前記移動機構１０、１１は、それぞれ図４に示すように第一、第二ダミー基板８，９を左右両端から支持する支持部材１２と、この支持部材１２を昇降移動可能に支持する昇降駆動部１３と、それらをガイドレール７に沿って移動可能に保持するスライド部材１４とにより構成される。
尚、支持部材１２は、第一、第二ダミー基板８，９を、その左右両端部に対し連結固定することにより支持してもよいし、或いは、吸着パッド（図示せず）により吸着保持し、着脱自在としてもよい。
【００２８】
前記昇降駆動部１３の駆動により、前記第一、第二ダミー基板８，９は、それぞれ二段階の高さ制御がなされる。具体的には、浮上ステージ３上を搬送される基板Ｇと同じ第一の高さ位置と、それよりも所定寸法（例えば５〜１０ｍｍ）高い第二の高さ位置のいずれかに高さ位置が制御される。
ここで、第一、第二ダミー基板８，９の高さが第二の高さ位置であり、ガイドレール７上で停止しているとき、その下方を基板キャリア６によって保持された基板Ｇが移動可能となされている。
【００２９】
尚、図１、図２には、第一ダミー基板８、及び第二ダミー基板９が待機位置に配置された状態を示している。
この待機状態にあっては、第一ダミー基板８が第二ダミー基板９よりも基板進行側に配置される。また、図２に示すように第一ダミー基板８は、浮上ステージ３上を搬送されるガラス基板Ｇと同じ第一の高さ位置とされ、第二ダミー基板９は、より高い第二の高さ位置に配置されている。
また、前記昇降駆動部１３、前記スライド部材１４は、それぞれ制御部５０からの命令に従って動作するようになされている。
【００３０】
また、基板処理装置１の浮上ステージ３上には、ガラス基板Ｇにレジスト液を吐出するノズル１５（基板処理部）が設けられている。ノズル１５は、Ｙ方向に向けて例えば長い略直方体形状に形成されている。また、ノズル１５は、例えばガラス基板ＧのＹ方向の幅よりも長く形成されている。図２に示すようにノズル１５の下端部には、スリット状の吐出口１５ａが形成され、このノズル１５には，レジスト液供給源（図示せず）からレジスト液が供給されるようになされている。
【００３１】
また、図１に示すようにノズル１５の両側には、Ｘ方向に延びるガイドレール１６が形成されている。ノズル１５は、ガイドレール１６上を移動するノズルアーム１７によって保持されている。このノズル１５は、ノズルアーム１７が有する駆動機構により、ガイドレール１６に沿ってＸ方向に移動可能となされている。
また、ノズルアーム１７には、昇降機構が設けられており、ノズル１５は、所定の高さに昇降可能である。かかる構成により、図２に示すように、ノズル１５は、ガラス基板Ｇにレジスト液を吐出する吐出位置と、それより上流側にある回転ロール１８及び待機部１９との間を移動可能となされている。前記回転ロール１８は、洗浄タンク２０内に軸周りに回転可能に収容されている。
【００３２】
尚、図２に示すノズル１５の吐出口１５ａを洗浄する際には、回転ロール１８の最上部にノズル１５の吐出口１５ａを近接させる。そして、回転ロール１８を回転させながら、吐出口１５ａから回転ロール１８にレジスト液を吐出することにより、ノズル１５の吐出口１５ａにおけるレジスト液の付着状態が整えられる。これにより、ノズル１５の吐出口１５ａにおけるレジスト液の吐出状態を安定させることができる。
前記回転ロール１８のさらに上流側には，ノズル１５の待機部１９が設けられている。この待機部１９には、例えばノズル１５を洗浄する機能やノズル１５の乾燥を防止する機能が設けられている。
【００３３】
また、図１に示すように、浮上ステージ３上において、前記第一ダミー基板８，第二ダミー基板９の待機位置よりも上流側（搬入部側）の所定位置には、搬送される基板Ｇの前端及び後端（の通過）を検出するためのセンサ２５（第一のセンサ）が設けられている。
また、図１に示すノズル１５のレジスト塗布位置よりも下流（搬出部側）の所定位置には、同様に、搬送される基板Ｇの前端及び後端（の通過）を検出するためのセンサ２６（第二のセンサ）が設けられている。尚、これらセンサ２５，２６は、例えば、上方を通過する基板面に向けて光を照射し、その反射光を受光することにより検出を行う光電センサ等を用いることができる。
また、これらセンサ２５、２６による検出信号は、制御部５０に入力され、制御部５０における制御信号として用いられる。
【００３４】
また、前記のように前記浮上搬送部２Ａの後段には、コロ搬送部２Ｂが設けられている。このコロ搬送部２Ｂにおいては、ステージ３の後段に、コロ駆動部２５によって回転駆動される複数本のコロ軸２１が並列に設けられている。各コロ軸２１には、複数の搬送コロ２２が取り付けられ、これら搬送コロ２２の回転によって基板Ｇを搬送する構成となされている。
【００３５】
続いて、このように構成された基板処理装置１における基板Ｇに対するレジスト塗布処理工程について説明する。
基板処理装置１においては、図６（ａ）に示すように浮上ステージ３に新たにガラス基板Ｇが搬入されると、浮上ステージ３上に形成された不活性ガスの気流によって下方から支持され、基板キャリア６により保持される。
【００３６】
そして、制御部５０の制御により基板キャリア６が駆動され、基板搬送方向に搬送開始される（図５のステップＳ１）。
尚、図６（ａ）において、第一ダミー基板８，第二ダミー基板９は、待機状態を示している。
【００３７】
基板Ｇの搬送が開始され、基板Ｇの先端がセンサ２５により検出されると、図６（ｂ）に示すように基板Ｇの先端が第一ダミー基板８に近接した状態となる（図５のステップＳ２）。そこで制御部５０は、移動機構１０を駆動し、基板Ｇの前端側において第一ダミー基板８を基板Ｇと同期して移動させる（図５のステップＳ３）。尚、基板Ｇと第一ダミー基板８との間隔は、例えば１〜２ｍｍ程度に維持される。
【００３８】
そして、ノズル１５からはレジスト液が吐出開始され、図６（ｃ）に示すようにノズル１５の下方を移動する基板Ｇの先端から順にレジスト液が塗布される（図５のステップＳ４）。尚、ガラス基板Ｇの先端に近接した状態で同期移動する第一ダミー基板８の上にもレジスト液Ｒの塗布がなされる。
【００３９】
基板先端から後端に向けて所定距離（例えば５０ｍｍ程度）、レジスト液Ｒの塗布処理が進行し、基板Ｇの先端が、ノズル１５の下流側に配置されたセンサ２６により検出されると（図５のステップＳ５）、図７（ａ）に示すように第一ダミー基板８は上昇移動されると共に、ガイドレール７に沿った同期移動が停止される（図５のステップＳ６）。その後、浮上ステージ３上の基板Ｇは、第一ダミー基板８の下方を通過していくこととなる。
【００４０】
一方、基板Ｇの後端が、センサ２５により検出されると（図５のステップＳ７）、図７（ａ）に示すように第二ダミー基板９が下降移動され、基板Ｇと同じ高さとなされ、第二ダミー基板９が基板Ｇの後端に近接した状態で基板Ｇと同期して移動される（図５のステップＳ８）。基板Ｇと第二ダミー基板９との間隔は、例えば１〜２ｍｍ程度に維持される。
尚、本実施の形態においては、前記ステップＳ５、Ｓ６の動作は、ステップＳ７、Ｓ８の動作よりも先に行われるが、本発明にあっては、それに限定されず、基板Ｇの長さ等の諸条件に応じて、いずれが先に行われてもよいものとする。
【００４１】
そして、図７（ｂ）に示すように基板Ｇ及び第二ダミー基板９にレジスト液Ｒが塗布された後、所定距離（例えば５０ｍｍ）を搬送され、基板Ｇの後端がセンサ２６により検出されると（図５のステップＳ９）、図７（ｃ）に示すように第二ダミー基板９のガイドレール７に沿った同期移動が停止される（図５のステップＳ１０）。
また、第一のダミー基板８、第二のダミー基板９は、図７（ｄ）に示すようにガイドレール７に沿って上流側に移動し、待機位置に復帰する（図５のステップＳ１１）。
【００４２】
以上のように、本発明に係る第一の実施の形態によれば、基板Ｇを浮上ステージ３上で搬送しながらレジスト液の塗布処理を行う場合に、基板Ｇの前後にダミー基板８，９をそれぞれ近接させ、基板Ｇと同期して移動させる構成となされる。
これにより、基板搬入に伴う浮上ステージ３上の気流の急激な変化によるレジスト塗布処理における悪影響は、ダミー基板８，９上で発生することとなる。その結果、被処理基板である基板Ｇの前部領域、及び後部領域において、塗布処理に斑等が生じず、均一な塗布処理面を得ることができる。
【００４３】
続いて、本発明の基板処理装置にかかる第二の実施形態を、図８乃至図１１に基づき説明する。尚、この第二の実施形態にあっては、基板処理装置を、被処理基板であるガラス基板に対し加熱処理を行う加熱処理ユニットに適用し、その基板搬送の構成としてコロ搬送を採用した場合を例にとって説明する。
また、この第二の実施形態の説明において、前記した第一の実施の形態と同じ構成のものについては、第一の実施形態で使用した符号も使用する。
【００４４】
図８に示すように、この基板処理装置３０は、回転可能に敷設された複数のコロ３１によって基板ＧをＸ方向に向かって搬送する基板搬送路３２を具備する。図示するように、この基板搬送路３２上に、基板Ｇに対し加熱を行うヒータ部３３（基板処理部）が配置されている。
【００４５】
基板搬送路３２は、複数本のコロ軸３４が基板搬送方向（Ｘ方向）に沿って等間隔に配置され、各コロ軸３４には、それぞれ円板状のコロ３１が複数個設けられている。各コロ軸３４は、モータ等の駆動機構からなるコロ駆動装置３５に接続され、このコロ駆動装置３５の駆動に連動して一方向に回転するようになされている。尚、複数のコロ３１とコロ軸３４、及びコロ駆動部３５により基板搬送手段が構成されている。
【００４６】
前記ヒータ部３３は、基板搬送路３２の周りを覆う箱状のチャンバ３６を備えている。このチャンバ３６によって、コロ搬送される基板Ｇに対し加熱を行う加熱処理空間が形成されている。
チャンバ３６の上流側側壁には、Ｙ方向に延びるスリット状の搬入口３６ａが設けられており、この搬入口３６ａから基板搬送路３２上の基板Ｇが搬入されるようになされている。また、チャンバ３６の下流側側壁には、Ｙ方向に延びるスリット状の搬出口３６ｂが設けられており、この搬出口３６ｂから基板搬送路３２上の基板Ｇが搬出されるようになされている。
【００４７】
また、チャンバ３６内には、加熱手段として、基板搬送路２に沿って短冊状の下部面状ヒータ３７と基板Ｇと略同じ大きさの平板状の上部面状ヒータ３８（図１０，図１１参照）とを備える。このうち、下部面状ヒータ３７は、基板Ｇの下方から加熱するよう隣り合うコロ軸３４の間に敷設され、上部面状ヒータ３８は、基板Ｇの上方から加熱するようチャンバ３６の天井部に敷設されている。前記下部面状ヒータ３７及び上部面状ヒータ３８は、ヒータ駆動部（図示せず）に接続され、このヒータ駆動部から駆動電流が供給される。
【００４８】
さらにチャンバ３６内には、前記第一の実施形態と同様に、第一ダミー基板８、第二ダミー基板９、及びそれらの移動機構１０，１１が設けられている。即ち、チャンバ３６内において基板搬送路３２の左右両側に一対のガイドレール７が敷設され、そのガイドレール７に沿って第一ダミー基板８、第二ダミー基板９が移動可能となされている。前記移動機構１０，１１は、制御部５０により制御される。
尚、これら第一の実施形態と同じ符号で示すものについては、その構成について前記第一の実施形態において既に説明しているため、その詳細な説明を省略する。
【００４９】
また、図８に示すように、基板搬送路３２において、ヒータ部３３のチャンバ３６の搬入口３６ａ付近（搬入部側）には、搬送される基板Ｇの前端及び後端（の通過）を検出するためのセンサ３９（第一のセンサ）が設けられている。
また、チャンバ３６内における搬出口３６ｂ付近（搬出部側）には、同様に、搬送される基板Ｇの前端及び後端（の通過）を検出するためのセンサ４０（第二のセンサ）が設けられている。
尚、これらセンサ３９，４０は、第一の実施の形態と同様に光電センサ等を用いることができる。これらセンサ３９、４０による検出信号は、制御部５０に入力され、制御部５０における制御信号として用いられる。
【００５０】
続いて、このように構成された基板処理装置３０における基板Ｇに対する加熱処理の工程について説明する。
加熱処理が施される基板Ｇは、図１０（ａ）に示すように基板搬送路３２においてヒータ部３３の上流側からコロ搬送されて搬入される（図９のステップＳＰ１）。
尚、図１０（ａ）において、第一ダミー基板８，第二ダミー基板９は、待機状態を示している。
【００５１】
基板Ｇの前端がセンサ３９により検出されると、基板Ｇの先端が第一ダミー基板８に近接した状態となる（図９のステップＳＰ２）。そこで制御部５０は、移動機構１０を駆動し、図１０（ｂ）に示すように、基板Ｇの前方において、第一ダミー基板８を基板Ｇと同期して移動させる（図９のステップＳＰ３）。尚、基板Ｇと第一ダミー基板８との間隔は、例えば１〜２ｍｍ程度に維持される。
チャンバ３６内に搬入される基板Ｇは、図１０（ｃ）に示すように、その前端から順に下部面状ヒータ３７及び上部面状ヒータ３８によって加熱処理される（図９のステップＳＰ４）。
【００５２】
基板Ｇの搬送に伴い加熱処理が進行し、基板Ｇの後端が、センサ３９により検出されると（図９のステップＳＰ５）、図１１（ａ）に示すように第二ダミー基板９が下降移動され、基板Ｇと同じ高さとなされ、基板Ｇの後端に近接した状態で基板Ｇと同期して移動される（図９のステップＳＰ６）。尚、基板Ｇと第二ダミー基板９との間隔は、例えば１〜２ｍｍ程度に維持される。
【００５３】
一方、基板Ｇの先端が、搬出口３６ｂ付近に配置されたセンサ４０により検出されると（図９のステップＳＰ７）、図１１（ｂ）に示すように第一ダミー基板８は上昇移動されると共に、ガイドレール７に沿った移動が停止される（図９のステップＳＰ８）。ここで、基板搬送路３２上の基板Ｇは、第一ダミー基板８の下方を通過していくこととなる。
尚、本実施の形態においては、前記ステップＳＰ５、ＳＰ６の動作は、ステップＳＰ７、ＳＰ８の動作よりも先に行われるが、本発明にあっては、それに限定されず、基板Ｇやチャンバ３６の長さ等の諸条件に応じて、いずれが先に行われてもよいものとする。
【００５４】
そして、基板Ｇの後端まで加熱処理が完了し、基板Ｇの後端がセンサ４０により検出されると（図９のステップＳＰ９）、図１１（ｃ）に示すように第二ダミー基板９のガイドレール７に沿った移動が停止される（図９のステップＳＰ１０）。
また、第一のダミー基板８、第二のダミー基板９は、ガイドレール７に沿って上流側に移動し、待機位置に復帰する（図９のステップＳＰ１１）。
【００５５】
以上のように、本発明に係る第二の実施の形態によれば、基板Ｇを基板搬送路３２上で搬送しながらチャンバ３６内で加熱処理を行う場合に、基板Ｇの前後にダミー基板８，９をそれぞれ近接させ、基板Ｇと同期して移動させる構成となされる。
これにより、チャンバ３６内への基板搬入に伴う気流変化によって生じる加熱処理における悪影響は、ダミー基板８，９上で発生することとなる。その結果、被処理基板である基板Ｇの前部領域、及び後部領域において加熱温度に差異が生じることなく、基板全体の処理温度を均一とすることができる
【００５６】
尚、前記第一、第二の実施形態においては、第一のダミー基板８を基板Ｇの前端部に近接させ、第二のダミー基板９を基板Ｇの後端部に近接させる構成としたが、本発明にあっては、その構成に限定されるものではない。
例えば、前記ダミー基板８，９と同様に形成された一枚のダミー基板を備える構成としてもよい。その場合、基板Ｇの前端部に所定の処理が施される際には、基板前端部に前記ダミー基板を近接させて同期移動させ、その後、基板後端部に処理が施される際には、基板後端部に前記同一のダミー基板を近接させて同期移動させればよい。
【００５７】
また、前記第一、第二の実施の形態では、ダミー基板としてガラス基板を用いたが、これに限らず、樹脂製の板、又は金属製の板などであってもよい。
また、前記ダミー基板の撓みを抑制するため、ダミー基板の支持部材の一端又は両端にダミー基板の撓みを抑制する調整機構が設けられてもよい。
【００５８】
また、前記第一の実施の形態においては、本発明にかかる基板処理装置をレジスト塗布処理ユニットに適用し、第二の実施の形態においては、本発明にかかる基板処理装置を加熱処理ユニットに適用した場合を例にとって説明したが、本発明にかかる基板処理装置は、それらのユニットに限定されることなく、他の基板処理ユニット等においても好適に用いることができる。
【図１】
2011155032.tif 000003
【図２】
2011155032.tif 000004
【図３】
2011155032.tif 000005
【図４】
2011155032.tif 000006
【図５】
2011155032.tif 000007
【図６】
2011155032.tif 000008
【図７】
2011155032.tif 000009
【図８】
2011155032.tif 000010
【図９】
2011155032.tif 000011
【図１０】
2011155032.tif 000012
【図１１】
2011155032.tif 000013
【図１２】
2011155032.tif 000014
【図１３】
2011155032.tif 000015
【図１４】
2011155032.tif 000016
【図１５】
2011155032.tif 000017