(57)【要約】【課題】実装の際にワイヤボンディングが不要で、かつ、オーミック抵抗が低い半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】メサ基板の第１主表面上の、活性層の両側に電流ブロック部を形成する。活性層及び電流ブロック部上に第２クラッド層及びコンタクト層を順に形成する。ウェットエッチングにより、コンタクト層、第２クラッド層及び電流ブロック部を貫通してメサ基板に至る開口を形成する。コンタクト層上に第１オーミック電極を形成する。メサ基板を裏面研磨を行うことにより第１クラッド層を形成する。第１クラッド層の第２主表面上に第２オーミック電極を形成する。開口の内壁面上に形成された絶縁膜上に、第２オーミック電極と電気的に接続される側面電極を形成すると共に、コンタクト層上に形成された絶縁膜上に、第１オーミック電極と電気的に接続される第１コンタクト電極、及び、側面電極と電気的に接続される第２コンタクト電極を形成する。【選択図】図３
2011071155.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の基板を用意する工程と、
前記基板の第１主表面上に前駆活性層及び前駆ストライプクラッド層を順次に形成する工程と、
前記前駆ストライプクラッド層及び前記前駆活性層をパターニングすることにより、それぞれストライプクラッド層及び活性層を形成すると共に、前記基板をメサエッチングすることにより、基板の第１主表面側にメサ構造部を有するメサ基板を形成する工程と、
前記基板の第１主表面上であって、前記ストライプクラッド層及び前記活性層の両側に電流ブロック部を形成する工程と、
前記ストライプクラッド層及び前記電流ブロック部上に上部第２導電型クラッド層を形成して、前記ストライプクラッド層及び前記上部第２導電型クラッド層からなる第２クラッド層を形成する工程と、
前記第２クラッド層上に、コンタクト層を形成する工程と、
ウェットエッチングにより、前記コンタクト層、前記第２クラッド層及び前記電流ブロック部を貫通して前記メサ基板に至る開口を形成する工程と、
前記開口の内壁面上と、前記コンタクト層上とに絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の一部を除去して前記コンタクト層の一部の領域を露出させ、露出した前記コンタクト層上に第１オーミック電極を形成する工程と、
前記メサ基板を第２主表面側から裏面研磨することにより第１クラッド層を形成する工程と、
前記第１クラッド層の前記第２主表面上に第２オーミック電極を形成する工程と、
前記開口の内壁面上に形成された絶縁膜上に、前記第２オーミック電極と電気的に接続される側面電極を形成すると共に、前記コンタクト層上に形成された絶縁膜上に、前記第１オーミック電極と電気的に接続される第１コンタクト電極、及び、前記側面電極と電気的に接続される第２コンタクト電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【請求項２】
前記第１オーミック電極と前記第２オーミック電極を互いに異なる材質で形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項３】
前記第１コンタクト電極、前記第２コンタクト電極及び前記側面電極を電子ビーム蒸着法で形成する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項４】
前記第１コンタクト電極、前記第２コンタクト電極及び前記側面電極をメッキ法で形成する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項５】
前記第１クラッド層を形成する工程の後、前記開口の中心を通る面で劈開する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体レーザの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザは、例えば、ｎ型基板の第１主表面側に、下部クラッド層、活性層、ｐ型の上部クラッド層及びコンタクト層を順に備えて構成される。また、ｎ型基板の第２の主表面上と、コンタクト層上に、それぞれオーミック電極が形成され、さらに、オーミック電極上に、コンタクト電極が形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
半導体レーザをキャリアに搭載する場合、上述したチップの両面にコンタクト電極が形成されている構成では、一方の面のコンタクト電極に対して、ワイヤボンディングが必要になる。ワイヤボンディングを用いると、実装基板上にボンディング用電極が必要となるため実装面積が大きくなる。さらに、ワイヤによる寄生リアクタンスの影響が大きく高速変調できないという問題がある。
【０００４】
これに対し、半導体レーザのｐ電極及びｎ電極としてのオーミック電極をチップの同一面側に設ける技術がある（例えば、特許文献２参照）。ｐ電極及びｎ電極を同一面側に設けることにより、半導体レーザをコプレーナ線路に実装する際に、ワイヤボンディングが不要になる。このため、実装面積が縮小できるとともに、ワイヤによる寄生リアクタンスが発生しないため、半導体レーザの高速変調も可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−２４６６６７号公報
【特許文献２】特開平７−１９３３１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述の従来例のオーミック電極をチップの同一面側に設ける半導体レーザでは、ｐ型用のオーミック電極と、ｎ型用のオーミック電極とが同一材料になってしまう場合がある。
【０００７】
この場合、ｐ型とｎ型の両者に対して最適な特性を示す材料の選択ができないため、オーミック抵抗が高くなってしまう。
【０００８】
一方、ｐ型とｎ型のオーミック電極を異なる材料で形成する場合、それぞれに対してフォトリソグラフィ工程が必要になるなど、製造工程が複雑になってしまう。
【０００９】
この発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、この発明の目的は、チップの裏面側のオーミック電極と表面側のコンタクト電極とを電気的に接続する貫通電極を設けることにより、実装の際にワイヤボンディングが不要で、かつ、オーミック抵抗が低い半導体レーザの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した目的を達成するために、この発明の半導体レーザの製造方法は、以下の工程を備えるのが良い。
【００１１】
先ず、第１導電型の基板を用意する。次に、基板の第１主表面上に前駆活性層及び前駆ストライプクラッド層を順次に形成する。次に、前駆ストライプクラッド層及び前駆活性層をパターニングすることにより、それぞれストライプクラッド層及び活性層を形成すると共に、基板をメサエッチングして第１主表面側にメサ構造部を有するメサ基板を形成する。次に、基板の第１主表面上の、ストライプクラッド層及び活性層の両側に電流ブロック部を形成する。次に、ストライプクラッド層及び電流ブロック部上に上部第２導電型クラッド層を形成して、ストライプクラッド層及び上部第２導電型クラッド層からなる第２クラッド層を形成する。次に、第２クラッド層上に、コンタクト層を形成する。次に、ウェットエッチングにより、コンタクト層、第２クラッド層及び電流ブロック部を貫通してメサ基板に至る開口を形成する。次に、開口の内壁面上と、コンタクト層上とに絶縁膜を形成する。次に、絶縁膜の一部を除去してコンタクト層の一部の領域を露出させ、露出したコンタクト層上に第１オーミック電極を形成する。次に、メサ基板を第２主表面側から裏面研磨することにより第１クラッド層を形成する。次に、第１クラッド層の第２主表面上に第２オーミック電極を形成する。次に、開口の内壁面上に形成された絶縁膜上に、第２オーミック電極と電気的に接続される側面電極を形成すると共に、コンタクト層上に形成された絶縁膜上に、第１オーミック電極と電気的に接続される第１コンタクト電極、及び、側面電極と電気的に接続される第２コンタクト電極を形成する。
【発明の効果】
【００１２】
この半導体レーザの製造方法によれば、開口の形成をウェットエッチングで行うため、１００μｍ程度の深さのエッチングであっても、容易に短時間でエッチングが可能である。また、ウェットエッチングで開口を形成すると、開口の断面形状は、テーパ形状になる。すなわち、チップ表面（第１主表面側）での開口が最も大きく、基板裏面（第２主表面側）に向かって、開口が徐々に狭くなる。このため、１００μｍという深さであっても、開口の側面に対するＥＢ蒸着による電極の形成が容易になる。
【００１３】
上述した方法で製造された半導体レーザによれば、ウェハの同一面側に実装の際に用いる表面電極が形成されているので、コプレーナ線路に対して、ワイヤボンディングを用いずに実装が可能となる。この結果、ワイヤに起因する寄生リアクタンスが発生しないので、半導体レーザの高速変調が期待できる。
【００１４】
また、この半導体レーザの製造方法によれば、第１オーミック電極と第２オーミック電極をそれぞれ適切な材質で容易に形成できるので、オーミック抵抗を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】半導体レーザの製造方法を説明するための工程図（１）である。
【図２】半導体レーザの製造方法を説明するための工程図（２）である。
【図３】半導体レーザの製造方法を説明するための工程図（３）である。
【図４】半導体レーザの製造方法を説明するための工程図（４）である。
【図５】半導体レーザの製造方法を説明するための工程図（５）である。
【図６】エッチングレートの特性図である。
【図７】ウェットエッチングで形成される開口の形状を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図を参照して、この発明の実施の形態について説明するが、各構成要素の形状、大きさ及び配置関係については、この発明が理解できる程度に概略的に示したものに過ぎない。また、以下、この発明の好適な構成例につき説明するが、各構成要素の材質及び数値的条件などは、単なる好適例にすぎない。従って、この発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、この発明の構成の範囲を逸脱せずにこの発明の効果を達成できる多くの変更又は変形を行うことができる。
【００１７】
（半導体レーザの製造方法）
図１〜図５を参照して、半導体レーザの製造方法について説明する。図１（Ａ）〜（Ｃ）、図２（Ａ）及び（Ｂ）、図３（Ａ）及び（Ｂ）、図４（Ａ）及び（Ｂ）並びに図５（Ａ）及び（Ｂ）は、半導体レーザの製造方法を説明するための工程図であって、各工程で得られた構造体の主要部の切断端面図で示している。
【００１８】
先ず、第１導電型（ここでは、ｎ型とする。）の基板２５として、例えば、３５０μｍ厚のｎ−ＩｎＰ基板を用意する。
【００１９】
次に、第１導電型の基板２５の第１主表面２５ａ上に、前駆活性層３５及び前駆ストライプクラッド層５５を順次に形成する。前駆活性層３５は、例えば、厚みが０．１５〜０．２０μｍのＩｎＧａＡｓＰ層として形成される。また、前駆ストライプクラッド層５５は、例えば、厚みが０．２０μｍのｐ−ＩｎＰで形成される。これら、前駆活性層３５及び前駆ストライプクラッド層５５は、従来周知の有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いた、エピタキシャル成長により形成される（図１（Ａ））。
【００２０】
次に、前駆ストライプクラッド層５５及び前駆活性層３５をパターニングすることにより、それぞれストライプクラッド層５２及び活性層３０を形成する。このとき、第１導電型の基板２５のメサエッチングを合わせて行い、基底部２３上にメサ構造部２４を有するメサ基板２６を形成する。以下の説明では、前駆ストライプクラッド層５５及び前駆活性層３５をパターニングする工程も含めてメサエッチングと称する。
【００２１】
この工程では、先ず、前駆ストライプクラッド層５５の表面上に、従来周知のＣＶＤ法により、シリコン酸化膜を３００ｎｍ程度の厚みで形成する。次に、従来周知のフォトリソグラフィ法を用いてシリコン酸化膜上に、レジストパターン（図示を省略する。）を形成する。レジストパターンの幅は、設計に応じて定められるが、例えば、２．０μｍとされる。次に、シリコン酸化膜に対して、レジストパターンをマスクとして、例えばＣＦ４ガスを用いたＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などのドライエッチングを行い、シリコン酸化膜マスク５８を形成する。その後、シリコン酸化膜マスク５８の形成に用いたレジストパターンをアッシング等の任意好適な方法で除去した後、シリコン酸化膜マスク５８を用いてメサエッチングを行う。
【００２２】
このメサエッチングは、Ｃｌ２ガスを用いたＲＩＥと、ＨＢｒ／ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの混合液を用いたウェットエッチングとで行われる。なお、ウェットエッチングに用いる混合液の容積混合比は、例えば、ＨＢｒ：ＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１５：７５：３：２００である。このＲＩＥにより、メサエッチングの深さが制御される。また、ウェットエッチングにより、メサ構造部２４、活性層３０及びストライプクラッド層５２をシリコン酸化膜マスク５８に対してオーバーエッチングすることができ、メサ構造部２４、活性層３０及びストライプクラッド層５２の幅が制御される（図１（Ｂ））。
【００２３】
メサエッチングを行った後、第１主表面２６ａ側のメサ基板２６上であって、ストライプクラッド層５２及び活性層３０の両側に電流ブロック部４０を形成する。電流ブロック部４０は、ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層４２及びｎ−ＩｎＰ電流ブロック層４４とで構成される。ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層４２及びｎ−ＩｎＰ電流ブロック層４４は、ＭＯＣＶＤ法によるエピタキシャル成長で形成される（図１（Ｃ））。
【００２４】
これらの電流ブロック層（電流狭窄層とも称する。）４２及び４４は、横方向の光閉じ込めを強くしつつ、リーク電流を低減させる。
【００２５】
次に、シリコン酸化膜マスク５８を、フッ酸（ＨＦ）を用いたウェットエッチングにより除去した後、ストライプクラッド層５２及び電流ブロック部４０上に、上部第２導電型（ここでは、ｐ型とする。）クラッド層５４を形成する。上部ｐ型クラッド層５４は、例えば、ＭＯＣＶＤ法によりｐ−ＩｎＰを３．５μｍ程度の厚みでエピタキシャル成長させることで形成される。ストライプクラッド層５２と上部ｐ型クラッド層５４とにより、第２クラッド層５０が構成される。
【００２６】
次に、第２クラッド層５０上に、コンタクト層６０を形成する。コンタクト層６０は、ＭＯＣＶＤ法によりｐ−ＩｎＧａＡｓを０．２μｍ程度の厚みでエピタキシャル成長させることで形成される（図２（Ａ））。
【００２７】
次に、コンタクト層６０の上側表面６０ａ上に、開口を形成するために用いられるシリコン酸化膜マスク５９を形成する。
【００２８】
この工程では、先ず、コンタクト層６０の表面上に、従来周知のＣＶＤ法により、シリコン酸化膜を３００ｎｍ程度の厚みで形成する。次に、従来周知のフォトリソグラフィ法を用いてシリコン酸化膜上に、レジストパターン（図示を省略する。）を形成する。次に、シリコン酸化膜に対して、レジストパターンをマスクとして、例えばＣＦ４ガスを用いたＲＩＥなどのドライエッチングを行うことにより、レジストパターンが転写されたシリコン酸化膜マスク５９を形成する。その後、シリコン酸化膜マスク５９の形成に用いたレジストパターンをアッシング等の任意好適な方法で除去する（図２（Ｂ））。
【００２９】
次に、シリコン酸化膜マスク５９を用いてウェットエッチングを行い、コンタクト層、第２クラッド層及び電流ブロック部を貫通してメサ基板に至る開口を形成する。ウェットエッチングが施される部分は、ｎ−ＩｎＰで形成されたメサ基板２６、ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層４２、ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層４４、ｐ−ＩｎＰで形成された第２クラッド層５０、ｐ−ＩｎＧａＡｓで形成されたコンタクト層６０となっている。このため、ウェットエッチングは多段階で行われる。
【００３０】
コンタクト層６０のエッチングは、例えば、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）、純水（Ｈ２Ｏ）の混合液を用いたウェットエッチングで行われる。なお、ウェットエッチングに用いる混合液の容積混合比は、例えば、Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝３：１：１である。
【００３１】
第２クラッド層５０、ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層４４、ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層４２及びメサ基板２６のエッチングは、塩酸系のエッチャントを用いて行われる。このエッチングは１００μｍ程度の深いエッチングが必要となるので、通常より高い温度でエッチングを行うのが好ましい（図３（Ａ））。深さ１００μｍ程度のエッチングにより、メサ基板２６が途中までエッチングされる。
【００３２】
図６を参照して、塩酸系のエッチャントを用いたウェットエッチングにおけるエッチングレートについて説明する。図６は、エッチングレートの特性図である。図６では、横軸に、エッチング時間（単位：分）を取って示し、縦軸に、エッチング深さ（単位：μｍ）を取って示している。ここで、エッチング深さは、レーザ顕微鏡を用いて測定された、シリコン酸化膜マスク５９の部分を含まない深さ、すなわち、コンタクト層６０の上側表面６０ａからの深さとしている。図６は、エッチャントの温度が２５℃の場合（図６中、Ｉで示す。）と、４℃の場合（図６中、ＩＩで示す。）の測定結果を示している。
【００３３】
例えば、塩酸系のエッチャントとして、容積混合比が４：１の塩酸と純水の混合液を用いると、２５℃ではエッチングレート（Ｉ）は７μｍ／ｍｉｎ程度である。従って、１５分ほどで、１００μｍのエッチングが完了する。一方、４℃ではエッチングレート（ＩＩ）は１．５μｍ／ｍｉｎ程である。この場合、深さ１００μｍのエッチングが完了するのに６０分以上必要となる。
【００３４】
この塩酸系のエッチャントを用いたエッチングには、後述するように異方性があり、レーザの幅方向にエッチングが進んでしまう。このため、シリコン酸化膜マスク５９とコンタクト層６０が、開口９５を一部覆うように残存してしまう場合がある（図３（Ｂ））。
【００３５】
そこで、再び、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）及び純水（Ｈ２Ｏ）の混合液を用いたウェットエッチングを行い、開口に張り出した、コンタクト層６０の不要な部分を除去する。
【００３６】
次に、フッ酸（ＨＦ）によりシリコン酸化膜マスク５９を除去した後、開口９５の底面９５ｂ及び内壁面９５ａ上に、絶縁膜９２を形成する。絶縁膜９２は、例えばＣＶＤ法によりシリコン酸化膜として形成される。このとき、コンタクト層６０上にも絶縁膜６４が形成される（図４（Ａ））。
【００３７】
次に、絶縁膜６４上にオーミック電極用レジストパターン（図示を省略する。）を形成する。このオーミック電極用レジストパターンには、活性層３０の上側の領域に、幅１．０μｍのストライプ状の開口が形成されている。次に、このオーミック電極用レジストパターンをマスクとしてＨＦを用いたウェットエッチングを行い、コンタクト層６０の、活性層３０の上側の領域部分を露出させる。次に、露出したコンタクト層６０上にＡｕ／ＡｕＺｎ／Ａｕを蒸着する。その後、リフトオフにより余分なＡｕ／ＡｕＺｎ／Ａｕを除去した後、熱処理を行い合金化して第１オーミック電極７０を形成する（図４（Ｂ））。
【００３８】
次に、メサ基板２６に対して第２主表面２６ｂ側から裏面研磨を行い、基底部２２とメサ構造部２４で構成される第１導電型の第１クラッド層２０を形成する。この裏面研磨は、例えば機械研磨により行われる。裏面研磨は、ウェハの厚みが１００μｍになるまで行われ、開口９５が貫通するまで行われる。なお、第１クラッド層２０を形成した後、開口９５の中心を通る面で劈開し、各チップに分離することができる。
【００３９】
次に、第１クラッド層２０の第２主表面２０ｂ上に、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを蒸着した後、熱処理を行い合金化して、第２オーミック電極７６を形成する（図５（Ａ））。
【００４０】
次に、フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成した後、Ｔｉ／Ａｕを電子ビーム（ＥＢ）蒸着し、いわゆるリフトオフを行うことにより、第１コンタクト電極８０、第２コンタクト電極８６及び側面電極９０を形成する。
【００４１】
側面電極９０は、開口９５の内壁面９５ａ上に形成された絶縁膜９２上に形成され、第２オーミック電極７６と電気的に接続される。第１コンタクト電極８０及び第２コンタクト電極８６は、コンタクト層６０上に形成された絶縁膜６４上に形成される。第１コンタクト電極８０は、第１オーミック電極７０と電気的に接続され、第２コンタクト電極８６は、側面電極９２と電気的に接続される（図５（Ｂ））。
【００４２】
以上説明した工程により、電圧を印加するための電極を同一面側に備える半導体レーザが製造される。
【００４３】
この半導体レーザの製造方法によれば、開口の形成を塩酸系のエッチャントを用いたウェットエッチングで行っている。このため、１００μｍ程度の深さのエッチングであっても、容易に短時間でエッチングが可能である。塩酸と純水の容積混合比が４：１のエッチャントを用いた場合、２５℃で、７μｍ／ｍｉｎのエッチングレートが得られるので、およそ１５分で１００μｍのエッチングが行える。例えば、通常のＣｌ２を用いるＩＣＰ−ＲＩＥ層でＩｎＰをドライエッチングする場合のエッチングレートは、１．５μｍ／ｍｉｎ程度と加工に時間がかかり、深さ１００μｍという高アスペクト比で精度良く加工を行うことは困難である。
【００４４】
また、ウェットエッチングで形成される開口９５の断面は、テーパ形状になる。すなわち、チップ表面（第１主表面側）での開口が最も広く、基板裏面（第２主表面側）に向かって、徐々に狭くなる。このため、１００μｍという深さであっても、開口の側面に対するＥＢ蒸着による電極の形成が容易になる。
【００４５】
なお、塩酸系のエッチャントを用いたウェットエッチングには、異方性があり、結晶方位によって断面形状が異なる。図７を参照して、開口の形状について説明する。
【００４６】
図７は、塩酸系のエッチャントを用いたウェットエッチングで形成される開口の形状を説明するための模式図である。図７（Ａ）は、シリコン酸化膜で形成されたマスクパターン（シリコン酸化膜マスク）５９の平面図である。図７（Ｂ）は、ウェットエッチングで形成された開口９５の平面図である。図７（Ｃ）は、図７（Ｂ）のＡ−Ａ線に対応する方向に沿って切った、切断端面を示す図である。図７（Ｄ）は、図７（Ｂ）のＢ−Ｂ線に対応する方向に沿って切った、切断端面を示す図である。なお、図７（Ｃ）及び（Ｄ）では、マスクパターンの開口の大きさを無視している。図７では、電極などの図示を省略しているが、図５（Ｂ）のＡ−Ａ線は、半導体レーザの共振方向に対応する。また、図７（Ｂ）のＢ−Ｂ線は、半導体レーザの共振方向に対して直交方向に対応する。
【００４７】
図７（Ｃ）に示す断面では、開口のテーパ角θは３３°となる。ここで、テーパ角θとは、開口９５の底部に位置する頂点９５ｃから、第１主表面９６ａ側に向かう、開口の中心線と、開口９５の内壁面９５ｂとで挟まれる角度をいう。一方、図７（Ｄ）に示す断面では、開口のテーパ角θは５７°となる。このエッチング異方性により、１００μｍの深さで開口を形成した場合のチップ表面での開口の大きさは、３００μｍ×１３０μｍ程度となり、半導体レーザの一般的なチップサイズ（３００μｍ×２５０μｍ）に対する占有面積が大きい。
【００４８】
そこで、１つのウェハに複数のレーザチップを形成し、隣り合うレーザチップの中間に開口を形成すれば、１個のレーザチップあたりのエッチングされる面積を削減することができる。この場合、開口の中心を通る面で劈開することになるが、図５（Ｂ）に示すように、裏面側に形成されたオーミック電極７６と表面側のコンタクト８６電極は側面電極９０で接続されるので、電気特性に問題はない。
【００４９】
ここでは、第１コンタクト電極、第２コンタクト電極及び側面電極を蒸着により形成する方法について説明したが、メッキ法により形成してもよい。メッキ法により、開口内を銅（Ｃｕ）などの電極材料を充填させて、開口９５内を埋め込む。この場合、開口内が空気よりも熱伝導率の高い金属材料で充填されているので、放熱性が向上し、温度特性が改善する。
【００５０】
上述した方法で製造された半導体レーザによれば、ウェハの同一面側に実装の際に用いるコンタクト電極が形成されているので、コプレーナ線路に対して、ワイヤボンディングを用いずに実装が可能となる。この結果、ワイヤに起因する寄生リアクタンスが発生しないので、半導体レーザの高速変調が期待できる。
【００５１】
また、この半導体レーザの実施形態によれば、第１オーミック電極７０がＡｕＧｅＮｉ／Ａｕで構成され、第２オーミック電極８２がＡｕＺｎ／Ａｕで構成されている。このように、第１オーミック電極と第２オーミック電極をそれぞれ適切な材質で容易に形成できるので、オーミック抵抗を低減することができる。
【符号の説明】
【００５２】
２０    第１クラッド層（下部クラッド層）
２２、２３    基底部
２４    メサ構造部
２５    基板
２６    メサ基板
３０    活性層
３５    前駆活性層
４０    電流ブロック部
４２    ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層
４４    ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層
５０    第２クラッド層（上部クラッド層）
５２    ストライプクラッド層
５４    上部第２導電型（ｐ型）クラッド層
５５    前駆ストライプクラッド層
５８、５９    シリコン酸化膜マスク
６０    コンタクト層
６４、９２    絶縁膜
７０    第１オーミック電極
７６    第２オーミック電極
８０    第１コンタクト電極
８６    第２コンタクト電極
９０    側面電極
【図１】
2011071155.tif 000003
【図２】
2011071155.tif 000004
【図３】
2011071155.tif 000005
【図４】
2011071155.tif 000006
【図５】
2011071155.tif 000007
【図６】
2011071155.tif 000008
【図７】
2011071155.tif 000009