(57)【要約】【課題】耐久性に優れるとともに、発光効率が高く動作安定性に優れた有機電界発光素子及びその設計方法を提供すること。【解決手段】ラマンシフトが８００ｃｍ−１〜１，２００ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、層の状態で測定した前記最大ラマンピークと、該層の形成材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとの波数差が大きくとも２ｃｍ−１である発光層を含むことを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラマンシフトが８００ｃｍ−１〜１，２００ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、層の状態で測定した前記ラマンピークと、該層の形成材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとのピーク波数差が大きくとも２ｃｍ−１である発光層を含むことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
発光層が、ホスト材料として下記一般式（１）で示されるカルバゾール化合物を含む請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化１６】
2011035172.tif 000042
（ただし、前記一般式（１）中、Ｒ１は、水素、アルキル基、アルケニル基、置換又は無置換の芳香族、置換又は無置換の複素環化合物のいずれかを表す。Ｒ２〜Ｒ９は、水素、重水素、ハロゲン原子、置換又は無置換の芳香族、及び置換又は無置換の複素環基のいずれかを表す。）
【請求項３】
発光層が、ゲスト材料として白金錯体を含む請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
発光層が、ゲスト材料としてイリジウム錯体を含む請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
ラマンシフトが８００ｃｍ−１〜１，２００ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、層の状態で測定した前記ラマンピークと、該層の形成材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとのピーク波数差が大きくとも２ｃｍ−１となるように蒸着時におけるホスト蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の最大温度と最低温度との差が２℃以下で蒸着することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項６】
ラマンシフトが８００ｃｍ−１〜１，２００ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、層の状態で測定した前記ラマンピークと、該層の形成材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとのピーク波数差が大きくとも２ｃｍ−１となるように蒸着時におけるホスト蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の最大温度と最低温度との差が２℃以下、かつ、蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の温度変化速度が、０．２℃／ｓ以下で蒸着することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、自発光、高速応答などの特長を持ち、フラットパネルディスプレイへの適用が期待されており、特に、正孔輸送性の有機薄膜（正孔輸送層）と電子輸送性の有機薄膜（電子輸送層）とを積層した２層型（積層型）のものが報告されて以来、１０Ｖ以下の低電圧で発光する大面積発光素子として関心を集めている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子において、本格的な実用化に向けて、発光効率、耐久性及び動作安定性に課題があるとされ、種々の検討がなされている（例えば、特許文献１〜３参照）。
しかしながら、発光材料の選択、製造方法の改良を含む既存の観点からは、前記課題を解決するための抜本的な手段が見出されていない状況である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１３０６４６号公報
【特許文献２】特開２００１−１６７８９０号公報
【特許文献３】特開２００９−１０３５２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、耐久性に優れるとともに、発光効率が高く動作安定性に優れた有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、下記の知見を得た。即ち、発光層のラマンシフトが、８００ｃｍ−１〜１，２００ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、該発光層の形成材料を結晶状態で測定したラマンピークとの波数差が大きくとも２ｃｍ−１で以下である有機電界発光素子は、有機電解発光素子の熱安定性向上、効率向上、電圧低減の効果があることを見出した。ラマンピークとの波数差が大きくとも２ｃｍ−１で以下であることは、発光層の分子配列が結晶状態に近い規則性を持つこと、すなわち、発光層内のＬＵＭＯ準位、ＨＯＭＯ準位の分散、位置依存性が小さいことを意味する。ＬＵＭＯ準位、ＨＯＭＯ準位の分散性、位置依存性の抑制することで、熱安定性の向上、キャリア移動度の上昇による駆動電圧低減、効率向上の効果を実現できることを知見した。
【０００７】
本発明は、本発明者らの前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞  ラマンシフトが８００ｃｍ−１〜１，２００ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、層の状態で測定した前記ラマンピークと、該層の形成材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとのピーク波数差が大きくとも２ｃｍ−１である発光層を含むことを特徴とする有機電界発光素子である。
＜２＞  発光層が、ホスト材料として下記一般式（１）で示されるカルバゾール化合物を含む前記＜１＞に記載の有機電界発光素子である。
【化１】
2011035172.tif 000002
（ただし、前記一般式（１）中、Ｒ１は、水素、アルキル基、アルケニル基、置換又は無置換の芳香族、置換又は無置換の複素環化合物のいずれかを表す。Ｒ２〜Ｒ９は、水素、重水素、ハロゲン原子、置換又は無置換の芳香族、及び置換又は無置換の複素環基のいずれかを表す。）
＜３＞  発光層が、ゲスト材料として白金錯体を含む前記＜２＞に記載の有機電界発光素子である。
＜４＞  発光層が、ゲスト材料としてイリジウム錯体を含む前記＜２＞に記載の有機電界発光素子である。
＜５＞  ラマンシフトが８００ｃｍ−１〜１，２００ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、層の状態で測定した前記ラマンピークと、該層の形成材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとのピーク波数差が大きくとも２ｃｍ−１となるように蒸着時におけるホスト蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の最大温度と最低温度との差が２℃以下で蒸着することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。
＜６＞  ラマンシフトが８００ｃｍ−１〜１，２００ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、層の状態で測定した前記ラマンピークと、該層の形成材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとのピーク波数差が大きくとも２ｃｍ−１となるように蒸着時におけるホスト蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の最大温度と最低温度との差が２℃以下、かつ、蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の温度変化速度が、０．２℃／ｓ以下で蒸着することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、従来の前記諸問題を解決することができ、前記目的を達成することができ、耐久性に優れるとともに、発光効率が高く動作安定性に優れた有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の有機電界発光素子の構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（有機電界発光素子）
本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層を有してなり、更に必要に応じてその他の構成を有してなる。
【００１１】
＜発光層＞
前記発光層は、ラマンシフトが８００ｃｍ−１〜１，２００ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、層の状態で測定した前記ラマンピークと、該層の形成材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとのピーク波数差を大きくとも２ｃｍ−１とする。
【００１２】
前記発光層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、２ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、発光効率の観点から、３ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍが更に好ましい。また、前記発光層は１層であっても２層以上であってもよい。
【００１３】
前記発光層としては、形成される前記発光層の前記ラマンシフトが８００ｃｍ−１〜１，２００ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有する材料であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、少なくとも、ホスト材料及びゲスト材料を含むことが好ましい。
【００１４】
−ホスト材料−
前記ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、下記一般式（１）で示されるカルバゾール化合物を含むことが好ましい。
【化２】
2011035172.tif 000003
（ただし、前記一般式（１）中、Ｒ１は、水素、アルキル基、アルケニル基、置換又は無置換の芳香族、置換又は無置換の複素環化合物のいずれかを表し、Ｒ２〜Ｒ９は、水素、重水素、ハロゲン原子、置換又は無置換の芳香族、及び置換又は無置換の複素環基のいずれかを表す。）
【００１５】
Ｒ１〜Ｒ８で表される置換基としては特に限定されないが、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、水素原子などが挙げられる。これらの置換基は、更に他の置換基によって置換されてもよく、また、これらの置換基同士が結合し、環を形成していてもよい。
【００１６】
ここで、アルキル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル、１−アダマンチル、トリフルオロメチルなどが挙げられる。
【００１７】
また、アルケニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、１−プロペニル、１−イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。
【００１８】
また、アルキニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばエチニル、プロパルギル、１−プロピニル、３−ペンチニルなどが挙げられる。
【００１９】
また、アリール基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｏ−メチルフェニル、ｍ−メチルフェニル、ｐ−メチルフェニル、２，６−キシリル、ｐ−クメニル、メシチル、ナフチル、アントラニル、などが挙げられる。
【００２０】
また、ヘテロアリール基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ピラジル、ピリミジル、トリアジニル、キノリル、イソキノリニル、ピロリル、インドリル、フリル、チエニル、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニルなどが挙げられる。
【００２１】
また、アミノ基としては、好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。
【００２２】
また、アルコキシ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。
【００２３】
また、アリールオキシ基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。
【００２４】
また、ヘテロ環オキシ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。
【００２５】
また、アシル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。
【００２６】
また、アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。
【００２７】
また、アリールオキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。
【００２８】
また、アシルオキシ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。
【００２９】
また、アシルアミノ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。
【００３０】
また、アルコキシカルボニルアミノ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。
【００３１】
また、アリールオキシカルボニルアミノ基としては、好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。
【００３２】
また、スルホニルアミノ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。
【００３３】
また、スルファモイル基としては、好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。
【００３４】
また、カルバモイル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。
【００３５】
また、アルキルチオ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。
【００３６】
また、アリールチオ基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。
【００３７】
また、ヘテロ環チオ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。
【００３８】
また、スルホニル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル、トリフルオロメタンスルホニルなどが挙げられる。
【００３９】
また、スルフィニル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。
【００４０】
また、ウレイド基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。
【００４１】
また、リン酸アミド基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。
【００４２】
また、ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
【００４３】
また、ヘテロ環基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えば、ピペリジル、モルホリノ、ピロリジルなどが挙げられる。
【００４４】
また、シリル基としては、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ジメチル‐ｔｅｒｔ−ブチルシリル、ジメチルフェニルシリル、ジフェニル‐ｔｅｒｔ−ブチルシリル、トリフェニルシリル、トリ−１−ナフチルシリル、トリ−２−ナフチルシリルなどが挙げられる。
【００４５】
また、シリルオキシ基としては、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。
【００４６】
Ｒ１〜Ｒ８の置換基として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン基、シアノ基、シリル基であり、より好ましくは重水素原子、アルキル基、ヘテロアリール基、ハロゲン基、シアノ基、シリル基であり、特に好ましくは重水素原子、アルキル基、ヘテロアリール基、シリル基である。これらの置換基は、更に他の置換基によって置換されてもよく、また、これらの置換基同士が結合し、環を形成していてもよい。
【００４７】
Ｒ１〜Ｒ８のアルキル基として好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、tｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、シクロプロピル、シクロペンチル、
シクロヘキシル、1−アダマンチル、トリフルオロメチルであり、より好ましくはメチル
、イソプロピル、tｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、1−アダマンチル、トリフルオロメチルであり、特に好ましくはtｅｒｔ−ブチル、シクロヘキシル、1−アダマンチル、トリフルオロメチルである。これらの置換基は、更に他の置換基によって置換されてもよく、また、これらの置換基同士が結合し、環を形成していてもよい。
【００４８】
Ｒ１〜Ｒ８のヘテロアリール基として好ましくはイミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、キノリル、イソキノリニル、ピロリル、インドリル、フリル、チエニル、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニルであり、より好ましくはイミダゾリル、ピラゾリル、キノリル、インドリル、フリル、チエニル、ベンズイミダゾリル、カルバゾリル、アゼピニルであり、特に好ましくはインドリル、フリル、チエニル、ベンズイミダゾリル、カルバゾリル、アゼピニルである。これらの置換基は、更に他の置換基によって置換されてもよく、縮環構造を形成していてもよく、また、これらの置換基同士が結合し、環を形成していてもよい。
【００４９】
Ｒ１〜Ｒ８のシリル基として好ましくはトリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、メチルジフェニルシリル、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、ジメチルフェニルシリル、ジフェニル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、トリフェニルシリルであり、より好ましくはトリメチルシリル、トリイソプロピルシリル、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、ジフェニル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、トリフェニルシリルであり、特に好ましくはトリメチルシリル、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、トリフェニルシリルである。これらの置換基は、更に他の置換基によって置換されてもよく、また、これらの置換基同士が結合し、環を形成していてもよい。
【００５０】
Ｒ２、Ｒ７の置換基として特に好ましいのは、アルキル基、アリール基、シリル基、水素原子であり、より好ましいのは、アルキル基、シリル基、重水素原子であり、特に好ましいのは、ｔｅｒｔ−ブチル基、アダマンチル基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基、重水素原子である。
【００５１】
Ｒ３、Ｒ６の置換基として特に好ましいのは、アルキル基、アリール基、シリル基、重水素原子であり、より好ましいのは、アルキル基、シリル基、重水素原子であり、特に好ましいのは、ｔｅｒｔ−ブチル基、アダマンチル基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基、重水素原子である。
【００５２】
Ｒ１〜Ｒ８からなる置換基の組み合わせの具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【化３】
2011035172.tif 000004
【００５３】
【化４】
2011035172.tif 000005
【００５４】
【化５】
2011035172.tif 000006
ただし、上記ｈ−２１及びｈ−２２で示される化合物において、ｍ及びｎは、モル比を表し、ｍは、１〜１００までの整数であり、ｎは、０〜９９までの整数である。
【００５５】
前記ホスト材料の含有量としては、前記発光層を形成する全化合物質量に対して、１０質量％〜９９質量％であることが好ましく、２０質量％〜９５質量％がより好ましく、５０質量％〜９０質量％が更に好ましい。
【００５６】
前記燐光発光性ドーパントとしては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。
前記遷移金属原子としては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、及び白金が好ましく、レニウム、イリジウム、及び白金がより好ましく、イリジウム、白金が特に好ましい。
ランタノイド原子としては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテシウムが挙げられる。中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
【００５７】
錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，  Ｐｅｒｇａｍｏｎ  Ｐｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」  Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
配位子としては、ハロゲン配位子（塩素配位子が好ましい）、芳香族炭素環配位子（例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、ナフチルアニオンなどが挙げられ、炭素数５〜３０が好ましく、炭素数６〜３０がより好ましく、炭素数６〜２０がさらにより好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなどが挙げられ、炭素数５〜３０が好ましく、炭素数６〜３０がより好ましく、炭素数６〜２０がさらに好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなどが挙げられる）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子などが挙げられ、炭素数２〜３０が好ましく、炭素数２〜２０がより好ましく、炭素数２〜１６が特に好ましい）、アルコラト配位子（例えば、フェノラト配位子などが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数６〜２０がさらに好ましい）、シリルオキシ配位子（例えば、トリメチルシリルオキシ配位子、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリルオキシ配位子、トリフェニルシリルオキシ配位子などが挙げられ、炭素数３〜４０が好ましく、炭素数３〜３０がより好ましく、炭素数３〜２０が特に好ましい）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子、リン配位子（例えば、トリフェニルフォスフィン配位子などが挙げられ、炭素数３〜４０が好ましく、炭素数３〜３０がより好ましく、炭素数３〜２０がさらに好ましく、炭素数６〜２０が特に好ましい）、チオラト配位子（例えば、フェニルチオラト配位子などが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数６〜２０がさらに好ましい）、フォスフィンオキシド配位子（例えば、トリフェニルフォスフィンオキシド配位子などが挙げられ、炭素数３〜３０が好ましく、炭素数８〜３０がより好ましく、炭素数１８〜３０が特に好ましくい）が好ましく、含窒素ヘテロ環配位子がより好ましい。
上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
【００５８】
これらの中でも、発光性ドーパントとしては、例えば、ＵＳ６３０３２３８Ｂ１号公報、ＵＳ６０９７１４７号公報、ＷＯ００／５７６７６号公報、ＷＯ００／７０６５５号公報、ＷＯ０１／０８２３０号公報、ＷＯ０１／３９２３４Ａ２号公報、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１号公報、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２号公報、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１号公報、ＷＯ０２／４４１８９Ａ１号公報、ＷＯ０５／１９３７３Ａ２号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、特開２００３−１３３０７４号公報、特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００３−１２３９８２号公報、特開２００２−１７０６８４号公報、ＥＰ１２１１２５７号公報、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００１−２９８４７０号公報、特開２００２−１７３６７４号公報、特開２００２−２０３６７８号公報、特開２００２−２０３６７９号公報、特開２００４−３５７７９１号公報、特開２００６−２５６９９９号公報、特開２００７−１９４６２号公報、特開２００７−８４６３５号公報、特開２００７−９６２５９号公報等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられる。中でも、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、Ｃｅ錯体が好ましく、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｒｅ錯体がより好ましい。中でも、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｒｅ錯体が、さらにより好ましい。さらに、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｒｅ錯体が特に好ましい。
【００５９】
前記蛍光発光性ドーパントとしては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物（アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、またはペンタセンなど）、８−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、およびこれらの誘導体などが挙げられる。
【００６０】
前記ゲスト材料の含有量は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．５質量％〜３０質量％であることが好ましく、０．５質量％〜２５質量％がより好ましく、５質量％〜２０質量％が更に好ましい。
前記含有量が、０．５質量％未満であると、発光効率が小さくなることがあり、３０質量％を超えると、前記ゲスト材料自身の会合により、発光効率が低下することがある。
【００６１】
＜＜イリジウム錯体＞＞
前記イリジウム錯体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、好ましいイリジウム錯体として、ＷＯ２００７／０９５１１８号公報、ＷＯ２００６／１２１８１１号公報、ＷＯ２００８/１０９８２４号公報、ＵＳ７２７９２３２号公報、ＷＯ２００６／０１４５９９号公報、ＷＯ２００８／１１７８８９号公報、特開２００１−３４５１８３号公報、ＷＯ２００３／０３３６１７号公報に記載のイリジウム錯体があげられるが、これらに限定される物ではない。
【００６２】
＜＜白金錯体＞＞
前記白金錯体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、好ましい白金錯体として、ＷＯ２００５/０４２５５０号公報、ＷＯ２００５/０４２４４４号公報、特開２００５−３１０７３３号公報、特開２００６−０９３５４２号公報に記載の白金錯体があげられるがこれらに限定されるものではない。
【００６３】
前記発光層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、蒸着法により形成されることが好ましい。
前記蒸着法においては、特に制限はないが、Ｔ基板、ΔＴホスト、ΔＴゲスト、ΔＴ基板、ｄＴホスト／ｄｔ、ｄＴゲスト／ｄｔ、及びｄＴ基板／ｄｔの蒸着条件に基づき、前記ホスト材料、前記ゲスト材料とを蒸着させて形成することが好ましい。
ここで、前記Ｔ基板、前記ΔＴホスト、前記ΔＴゲスト、前記ΔＴ基板、前記ｄＴホスト／ｄｔ、前記ｄＴゲスト／ｄｔ、及び前記ｄＴ基板／ｄｔは、それぞれ以下の内容を示す。
Ｔ基板：蒸着時の設定基板温度（℃）
ΔＴホスト：蒸着時のホスト蒸着源の最大温度と最低温度との差（℃）
ΔＴゲスト：蒸着時のゲスト蒸着源の最大温度と最低温度との差（℃）
ΔＴ基板：蒸着時の基板の最大温度と最低温度との差（℃）
ｄＴホスト／ｄｔ：蒸着中のホスト温度変化速度の最大値（℃／ｓ）
ｄＴゲスト／ｄｔ：蒸着中のゲスト温度変化速度の最大値（℃／ｓ）
ｄＴ基板／ｄｔ：蒸着中の基板の温度変化速度の最大値（℃／ｓ）
【００６４】
前記Ｔ基板としては、特に制限はなく、材料に応じて適宜選択することができるが、ガラス転移温度（Ｔｇ）に対し、（Ｔｇ）−５０℃以上より高く、（Ｔｇ）−２０℃以下であることが好ましい。
前記ΔＴホストとしては、特に制限はないが、２℃以下が好ましく、１℃以下がより好ましく０．５℃以下が特に好ましい。
前記ΔＴゲストとしては、特に制限はないが、２℃以下が好ましく、１℃以下がより好ましく０．５℃以下が特に好ましい。
前記ΔＴ基板としては、特に制限はないが、２℃以下が好ましく、１℃以下がより好ましく０．５℃以下が特に好ましい。
前記ｄＴホスト／ｄｔとしては、特に制限はないが、０．２℃／s以下が好ましく、０．１℃／s以下がより好ましく０．０５℃／ｓ以下が特に好ましい。
前記ｄＴゲスト／ｄｔとしては、特に制限はないが、０．２℃／ｓ以下が好ましく、０．１℃／ｓ以下がより好ましく０．０５℃／ｓ以下が特に好ましい。
前記ｄＴ基板／ｄｔとしては、特に制限はないが、０．２℃／ｓ以下が好ましく、０．１℃／ｓ以下がより好ましく０．０５℃／ｓ以下が特に好ましい。
前記Ｔ基板、前記ΔＴホスト、前記ΔＴゲスト、前記ΔＴ基板、前記ｄＴホスト／ｄｔ、前記ｄＴゲスト／ｄｔ、及び前記ｄＴ基板／ｄｔが、前記好ましい数値範囲であると、素子の耐久性、発光効率、及び動作安定性を顕著に向上させることができる。
【００６５】
前記その他の層としては、電子輸送層、電子注入層、更に必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、などが挙げられる。
【００６６】
＜正孔注入層、正孔輸送層＞
前記正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。該正孔注入層及び正孔輸送層は、単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
これらの層に用いられる正孔注入材料、又は正孔輸送材料としては、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
前記正孔注入材料又は正孔輸送材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６７】
前記正孔注入層、及び正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。
前記電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
前記無機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモン等のハロゲン化金属；五酸化バナジウム、三酸化モリブデン等の金属酸化物、などが挙げられる。
前記有機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基等を有する化合物；キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレン、などが挙げられる。
これらの電子受容性ドーパントは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
前記電子受容性ドーパントの使用量は、特に制限はなく、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料又は正孔注入材料に対して０．０１質量％〜５０質量％が好ましく、０．０５質量％〜３０質量％がより好ましく、０．１質量％〜３０質量％が更に好ましい。
【００６８】
前記正孔注入層及び正孔輸送層は、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布法、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。
前記正孔注入層及び正孔輸送層の厚さは、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜２５０ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍが更に好ましい。
【００６９】
＜電子注入層、電子輸送層＞
前記電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
【００７０】
前記電子注入層あるいは電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。前記電子注入層、あるいは電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、およびＹｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
この他にも、特開平６−２１２１５３号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、特開２００３−６８４６８号公報、特開２００３−２２９２７８号公報、特開２００４−３４２６１４号公報等に記載の材料を用いることが出来る。
【００７１】
前記電子供与性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して０．１質量％〜９９質量％であることが好ましく、１．０質量％〜８０質量％であることがさらに好ましく、２．０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。
【００７２】
前記電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
前記電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのがさらに好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのがさらに好ましい。
前記電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００７３】
＜正孔ブロック層、電子ブロック層＞
前記正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が陰極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記正孔ブロック層を構成する化合物としては、例えばＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、などが挙げられる。
前記電子ブロック層を構成する化合物としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが利用できる。
【００７４】
前記電子ブロック層及び正孔ブロック層は、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布法、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。
前記正孔ブロック層及び電子ブロック層の厚さは、１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、１ｎｍ〜５０ｎｍであるのがより好ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔ブロック層及び電子ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００７５】
＜電極＞
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極、即ち陽極と陰極とを含む。前記有機電界発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましい。通常、陽極は有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、陰極は有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよい。
前記電極としては、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
前記電極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物等が好適に挙げられる。
【００７６】
−陽極−
前記陽極を構成する材料としては、例えば、アンチモン、フッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル等の金属；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物；ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、又はこれらとＩＴＯとの積層物、などが挙げられる。これらの中でも、導電性金属酸化物が好ましく、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが特に好ましい。
【００７７】
−陰極−
前記陰極を構成する材料としては、例えば、アルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）を意味する。
【００７８】
前記電極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば印刷方式、コーティング方式等の湿式方式；真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式；ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などが挙げられる。これらの中でも、前記電極を構成する材料との適性を考慮し、適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料としてＩＴＯを選択する場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って形成することができる。陰極の材料として金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って形成することができる。
【００７９】
なお、前記電極を形成する際にパターニングを行う場合は、フォトリソグラフィー等による化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザー等による物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００８０】
＜基板＞
本発明の有機電界発光素子は、基板上に設けられていることが好ましく、電極と基板とが直接接する形で設けられていてもよいし、中間層を介在する形で設けられていてもよい。
前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス（無アルカリガラス、ソーダライムガラス等）等の無機材料；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料、などが挙げられる。
【００８１】
前記基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。基板は透明でも不透明でもよく、透明な場合は無色透明でも有色透明でもよい。
【００８２】
前記基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
前記透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、例えば窒化珪素、酸化珪素等の無機物などが挙げられる。
前記透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
【００８３】
−その他の構成−
前記その他の構成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、保護層、封止容器、樹脂封止層、封止接着剤などを挙げることができる。
前記保護層、前記封止容器、前記樹脂封止層、前記封止接着剤などの内容としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、特開２００９−１５２５７２号公報等に記載の事項を適用することができる。
【００８４】
図１は、本発明の有機電界発光素子の層構成の一例を示す概略図である。有機ＥＬ素子１０は、ガラス基板１上に形成された陽極２（例えばＩＴＯ電極）と、正孔注入層３と、正孔輸送層４と、発光層５と、電子輸送層６と、電子注入層７と、陰極８（例えばＡｌ−Ｌｉ電極）とをこの順に積層してなる層構成を有する。なお、陽極２（例えばＩＴＯ電極）と陰極８（例えばＡｌ−Ｌｉ電極）とは電源を介して互いに接続されている。
【００８５】
−駆動−
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によりアクティブマトリックスへ適用することができる。薄膜トランジスタの活性層としてアモルファスシリコン、高温ポリシリコン、低温ポリシリコン、微結晶シリコン、酸化物半導体、有機半導体、カーボンナノチューブ等を適用することができる。
本発明の有機電界発光素子は、例えば国際公開２００５／０８８７２６号パンフレット、特開２００６−１６５５２９号公報、米国特許出願公開２００８／０２３７５９８号明細書などに記載の薄膜トランジスタを適用することができる。
【００８６】
本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板、ＩＴＯ層、有機層の屈折率を制御する、基板、ＩＴＯ層、有機層の厚みを制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
本発明の有機電界発光素子からの光取り出し方式は、トップエミッション方式であってもボトムエミッション方式であってもよい。
【００８７】
本発明の有機電界発光素子は、共振器構造を有してもよい。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明又は半透明電極、発光層、及び金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、２つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長を得るのに最適な値となるよう調整される。第１の態様の場合の計算式は、特開平９−１８０８８３号公報に記載されている。第２の態様の場合の計算式は、特開２００４−１２７７９５号公報に記載されている。
【００８８】
−用途−
本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
前記有機ＥＬディスプレイをフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３〜３７ページに記載されているように、色の３原色（青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ））に対応する光をそれぞれ発光する有機ＥＬ素子を基板上に配置する３色発光法、白色発光用の有機電界発光素子による白色発光をカラーフィルターを通して３原色に分ける白色法、青色発光用の有機電界発光素子による青色発光を蛍光色素層を通して赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）に変換する色変換法、などが知られている。
【００８９】
（有機電界発光素子の製造方法）
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、ラマンシフトが８００ｃｍ−１〜１，２００ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、層の状態で測定した前記ラマンピークと、該層の形成材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとのピーク波数差が大きくとも２ｃｍ−１となるように蒸着時におけるホスト蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の最大温度と最低温度との差が２℃以下で蒸着する。
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、ラマンシフトが８００ｃｍ−１〜１，２００ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、層の状態で測定した前記ラマンピークと、該層の形成材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとのピーク波数差が大きくとも２ｃｍ−１となるように蒸着時におけるホスト蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の最大温度と最低温度との差が２℃以下、かつ、蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の温度変化速度が、０．２℃／ｓ以下で蒸着する。
熱安定性試験：前記有機電界発光素子を、温度制御可能な恒温層に入れる。該恒温層の温度を４０℃から２℃／分の速度で１００℃まで上昇させた後、２℃／分の速度で４０℃まで下降させるサイクルを１サイクルとして、該サイクルを１０サイクル実施し、１０サイクルの実施前後における、電流０．５ｍＡ通電時の前記ΔＶと前記ΔＬとを測定する。
前記有機電界発光素子の製造方法の具体的な製造方法については、本発明の前記有機電界発光素子の説明に記載の事項を適用することができる。
【実施例】
【００９０】
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９１】
[製造例１]
厚み０．５ｍｍ、２．５ｃｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を厚みが１００ｎｍとなるようにスパッタ法により設けた。次に、このＩＴＯ付きガラス基板を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。
次に、陽極（ＩＴＯ）上に、正孔注入層として２−ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”−Ｔｒｉｓ(Ｎ−(２−ｎａｐｈｔｙｌ)−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ−ａｍｉｎｏ)−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）を厚み１２０ｎｍに蒸着した。
次に、ＩＴＯ付きガラス基板上に、正孔輸送層として、α−ＮＰＤ(Ｂｉｓ[Ｎ−(１−ｎａｐｈｔｈｙｌ)−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ]ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ)を真空蒸着法により、厚み７ｎｍに形成した。次に、正孔輸送層上に、第二の正孔輸送層として下記構造式で表されるアミン化合物１を厚み３ｎｍに蒸着した。
【化６】
2011035172.tif 000007
【００９２】
次に、第二の正孔輸送層上に、発光層を表１−１に示す実施例、比較例の条件ごとにホスト材料とゲスト材料とを蒸着することにより厚み１００ｎｍ〜５００ｎｍで形成した。
なお、発光層形成は、表１に示すＴ基板、ΔＴホスト、ΔＴゲスト、ΔＴ基板、ｄＴホスト／ｄｔ、ｄＴゲスト／ｄｔ、及びｄＴ基板／ｄｔの蒸着条件で行い、実施例については、これらの蒸着条件を設定条件から微調整して行った。
【００９３】
ここで、Ｔ基板、ΔＴホスト、ΔＴゲスト、ΔＴ基板、ｄＴホスト／ｄｔ、ｄＴゲスト／ｄｔ、及びｄＴ基板／ｄｔは、それぞれ以下の内容を示す。
Ｔ基板：蒸着時の設定基板（ガラス基板）温度（℃）
ΔＴホスト：蒸着時のホスト蒸着源の最大温度と最低温度との差（℃）
ΔＴゲスト：蒸着時のゲスト蒸着源の最大温度と最低温度との差（℃）
ΔＴ基板：蒸着時の基板の最大温度と最低温度との差（℃）
ｄＴホスト／ｄｔ：蒸着中のホスト温度変化速度の最大値（℃／ｓ）
ｄＴゲスト／ｄｔ：蒸着中のゲスト温度変化速度の最大値（℃／ｓ）
ｄＴ基板／ｄｔ：蒸着中の基板の温度変化速度の最大値（℃／ｓ）
蒸着時の、Ｔ基板、Ｔホスト(蒸着時のホスト蒸着源の温度)、Ｔゲスト(蒸着時のゲスト蒸着源の温度)は、熱伝対温度計用いて常時モニターし、ΔＴホスト、ΔＴゲスト、ΔＴ基板、ｄＴホスト／ｄｔ、ｄＴゲスト／ｄｔ、及びｄＴ基板／ｄｔは、計測したデータを元に算出した。
【００９４】
次に、発光層上に、陰極としてパターニングしたマスク（発光領域が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、金属アルミニウム(Ａｌ)を厚み１００ｎｍとなるように蒸着した。
以上により、比較例１、及び実施例１−１〜１−３における有機電界発光素子を製造した。
【００９５】
【表１−１】
2011035172.tif 000008
【００９６】
ただし、表１−１中のホスト材料Ｈ−１及びゲスト材料Ｇ−１は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ホスト材料Ｈ−１−
【化７】
2011035172.tif 000009
【００９７】
−ゲスト材料Ｇ−１−
【化８】
2011035172.tif 000010
【００９８】
（測定方法及び評価方法）
−ラマンピーク及びピーク波長差の測定方法−
ラマン装置（東京インスツルメンツ社製分光装置、Ｎａｎｏｆｉｎｄｅｒ３０）を用い、励起光をＨｅ−Ｎｅレーザー（波長６３２．８ｎｍ）、回折格子を格子周波数１，８００本／ｍｍ、中心波長６７５ｎｍの条件とし、ラマンピーク及びピーク波長差の測定を行った。  測定データの波数間隔を０．５ｃｍ−１とし、ラマンピークの読取りは、スペクトル解析ソフトウェアを用いて実測ピークをガウス関数にフィッティングし、点間隔を０．０３ｃｍ−１に補間して行った。
発光層の形成に用いるホスト材料の結晶状態の確認は、市販の粉末Ｘ線回折装置（リガク社製、ＲＩＮＴ２５００）で行った。蒸着前の粉末状態において明確なＸ線回折ピークが観測される場合は、粉末状態を結晶状態とみなし、粉末でＸ線回折ピークが観測されない場合は、別途多結晶を調整した。なお、結晶の最大ラマンピークは、前記ラマン装置を用いて、結晶に照射される励起レーザー光のスポットを約直径約１μｍに絞って測定している。
なお、有機電界発光素子におけるラマンピーク測定は、表に示す実施例、比較例におけるとは別に、前記ＩＴＯ付きガラス基板上に、前記ホスト材料と前記ゲスト材料とを蒸着することにより厚み１００ｎｍ〜５００ｎｍで発光層を有機層として単膜で形成し、該発光層上に前記Ａｌを蒸着して形成したものを用いた。結果を下記表１−２に示す。
【００９９】
（発光効率の測定方法）
有機電界発光表示装置（ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製ソースメジャーユニット２４００型）を用いて、直流電圧を各素子に印加し、発光させた。その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は、浜松ホトニクス株式会社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。これらの数値をもとに、電流密度が２．５ｍＡ／ｃｍ２の時の発光効率を外部量子効率として輝度換算法により算出した。該算出値を基に、比較例の外部量子効率を１００としたときの、実施例における有機電界発光素子の外部量子効率を相対的に評価した。結果を下記表１−２に示す。
【０１００】
−動作安定性の測定方法−
有機電界発光素子の動作安定性（駆動電圧安定性、輝度安定性）を評価するため、下記のように熱ショックの試験を行った。
有機電界発光素子に対する熱ショックの試験は、有機電界発光素子を、温度制御可能な恒温層に入れ、該恒温層の温度を４０℃から２℃／分の速度で１００℃まで上昇させた後、すぐさま２℃／分の速度で４０℃まで下降させるサイクルを１サイクルとして、該サイクルを１０サイクル実施し、１０サイクルの実施前後における、電流０．５ｍＡ通電時の電圧変化(ΔＶ)、輝度変化(ΔL)を測定することで行った。結果を下記表１−２に示す。
【０１０１】
【表１−２】
2011035172.tif 000011
【０１０２】
（製造例２）
発光層の形成条件を下記表２−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例２及び実施例２における有機電界発光素子を製造した。
【０１０３】
【表２−１】
2011035172.tif 000012
【０１０４】
ただし、表２−１中のゲスト材料Ｇ−２は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ゲスト材料Ｇ−２−
【化９】
2011035172.tif 000013
【０１０５】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例２及び実施例２における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表２−２に示す。
【０１０６】
【表２−２】
2011035172.tif 000014
【０１０７】
（製造例３）
発光層の形成条件を下記表３−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例３及び実施例３における有機電界発光素子を製造した。
【０１０８】
【表３−１】
2011035172.tif 000015
【０１０９】
ただし、表３−１中のゲスト材料Ｇ−３は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ゲスト材料Ｇ−３−
【化１０】
2011035172.tif 000016
【０１１０】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例３及び実施例３における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表３−２に示す。
【０１１１】
【表３−２】
2011035172.tif 000017
【０１１２】
（製造例４）
発光層の形成条件を下記表４−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例４及び実施例４における有機電界発光素子を製造した。
【０１１３】
【表４−１】
2011035172.tif 000018
【０１１４】
ただし、表４−１中のゲスト材料Ｇ−４は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ゲスト材料Ｇ−４−
【化１１】
2011035172.tif 000019
【０１１５】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例４及び実施例４における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表４−２に示す。
【０１１６】
【表４−２】
2011035172.tif 000020
【０１１７】
（製造例５）
発光層の形成条件を下記表５−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例５及び実施例５における有機電界発光素子を製造した。
【０１１８】
【表５−１】
2011035172.tif 000021
【０１１９】
ただし、表５−１中のホスト材料Ｈ−２は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ホスト材料Ｈ−２−
【化１２】
2011035172.tif 000022
【０１２０】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例５及び実施例５における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表５−２に示す。
【０１２１】
【表５−２】
2011035172.tif 000023
【０１２２】
（製造例６）
発光層の形成条件を下記表６−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例６及び実施例６における有機電界発光素子を製造した。
【０１２３】
【表６−１】
2011035172.tif 000024
ただし、表６−１中のゲスト材料Ｇ−５は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ゲスト材料Ｇ−５−
2011035172.tif 000025
【０１２４】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例６及び実施例６における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表６−２に示す。
【０１２５】
【表６−２】
2011035172.tif 000026
【０１２６】
（製造例７）
発光層の形成条件を下記表７−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例７及び実施例７における有機電界発光素子を製造した。
【０１２７】
【表７−１】
2011035172.tif 000027
ただし、表７−１中のゲスト材料Ｇ−６は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ゲスト材料Ｇ−６−
2011035172.tif 000028
【０１２８】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例７及び実施例７における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表７−２に示す。
【０１２９】
【表７−２】
2011035172.tif 000029
【０１３０】
（製造例８）
発光層の形成条件を下記表８−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例８及び実施例８における有機電界発光素子を製造した。
【０１３１】
【表８−１】
2011035172.tif 000030
ただし、表８−１中のゲスト材料Ｇ−７は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ゲスト材料Ｇ−７−
2011035172.tif 000031
【０１３２】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例８及び実施例８における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表８−２に示す。
【０１３３】
【表８−２】
2011035172.tif 000032
【０１３４】
（製造例９）
発光層の形成条件を下記表９−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例９及び実施例９における有機電界発光素子を製造した。
【０１３５】
【表９−１】
2011035172.tif 000033
【０１３６】
ただし、表９−１中のゲスト材料Ｇ−８は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ゲスト材料Ｇ−８−
【化１３】
2011035172.tif 000034
【０１３７】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例９及び実施例９における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表９−２に示す。
【０１３８】
【表９−２】
2011035172.tif 000035
【０１３９】
（製造例１０）
発光層の形成条件を下記表１０−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例１０及び実施例１０における有機電界発光素子を製造した。
【０１４０】
【表１０−１】
2011035172.tif 000036
【０１４１】
ただし、表１０−１中のホスト材料Ｈ−３は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ホスト材料Ｈ−３−
【化１４】
2011035172.tif 000037
【０１４２】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例１０及び実施例１０における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表１０−２に示す。
【０１４３】
【表１０−２】
2011035172.tif 000038
【０１４４】
（製造例１１）
発光層の形成条件を下記表１１−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例１１及び実施例１１における有機電界発光素子を製造した。
【０１４５】
【表１１−１】
2011035172.tif 000039
ただし、表１１−１中のゲスト材料Ｇ−９は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ゲスト材料Ｇ−９−
【化１５】
2011035172.tif 000040
【０１４６】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例１１及び実施例１１における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表１１−２に示す。
【０１４７】
【表１１−２】
2011035172.tif 000041
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本発明の有機電界発光素子は、耐久性に優れるとともに、発光効率が高く動作安定性に優れることから、例えば表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信などに好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１４９】
１      基板
２      陽極
３      正孔注入層
４      正孔輸送層
５      発光層
６      電子輸送層
７      電子注入層
８      陰極
１０      有機電界発光素子
【図１】
2011035172.tif 000043
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月23日(2010.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１，０００．４ｃｍ−１〜１，２８３ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、層の状態で測定した前記ラマンピークと、該層の形成材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとのピーク波数差が大きくとも２ｃｍ−１である発光層を含み、前記発光層が、ゲスト材料として白金錯体を含むことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
発光層が、ホスト材料として下記一般式（１）で示されるカルバゾール化合物を含む請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化１】
2011035172.tif 000044
（ただし、前記一般式（１）中、Ｒ１は、フェニル基を表し、前記フェニル基は、置換されていてもよい。Ｒ２〜Ｒ９は、水素を表す。）
【請求項３】
蒸着により形成される発光層を含む有機電界発光素子の製造方法であって、
１，０００．４ｃｍ−１〜１，２８３ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、前記発光層の状態で測定した前記ラマンピークと、該層の形成材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとのピーク波数差が大きくとも２ｃｍ−１となるように蒸着時におけるホスト蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の最大温度と最低温度との差が２℃以下で蒸着することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項４】
蒸着により形成される発光層を含む有機電界発光素子の製造方法であって、
１，０００．４ｃｍ−１〜１，２８３ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、前記発光層の状態で測定した前記ラマンピークと、該層の形成材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとのピーク波数差が大きくとも２ｃｍ−１となるように蒸着時におけるホスト蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の最大温度と最低温度との差が２℃以下、かつ、ホスト蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の温度変化速度が、０．２℃／ｓ以下で蒸着することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
Ｒ２〜Ｒ９で表される置換基としては特に限定されないが、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、水素原子などが挙げられる。これらの置換基は、更に他の置換基によって置換されてもよく、また、これらの置換基同士が結合し、環を形成していてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
Ｒ２〜Ｒ９の置換基として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン基、シアノ基、シリル基であり、より好ましくは重水素原子、アルキル基、ヘテロアリール基、ハロゲン基、シアノ基、シリル基であり、特に好ましくは重水素原子、アルキル基、ヘテロアリール基、シリル基である。これらの置換基は、更に他の置換基によって置換されてもよく、また、これらの置換基同士が結合し、環を形成していてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
Ｒ２〜Ｒ９のアルキル基として好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、1−アダマンチル、トリフルオロメチルであり、より好ましくはメチル、イソプロピル、tｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、1−アダマンチル、トリフルオロメチルであり、特に好ましくはｔｅｒｔ−ブチル、シクロヘキシル、1−アダマンチル、トリフルオロメチルである。これらの置換基は、更に他の置換基によって置換されてもよく、また、これらの置換基同士が結合し、環を形成していてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
Ｒ２〜Ｒ９のヘテロアリール基として好ましくはイミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、キノリル、イソキノリニル、ピロリル、インドリル、フリル、チエニル、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニルであり、より好ましくはイミダゾリル、ピラゾリル、キノリル、インドリル、フリル、チエニル、ベンズイミダゾリル、カルバゾリル、アゼピニルであり、特に好ましくはインドリル、フリル、チエニル、ベンズイミダゾリル、カルバゾリル、アゼピニルである。これらの置換基は、更に他の置換基によって置換されてもよく、縮環構造を形成していてもよく、また、これらの置換基同士が結合し、環を形成していてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
Ｒ２〜Ｒ９のシリル基として好ましくはトリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、メチルジフェニルシリル、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、ジメチルフェニルシリル、ジフェニル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、トリフェニルシリルであり、より好ましくはトリメチルシリル、トリイソプロピルシリル、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、ジフェニル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、トリフェニルシリルであり、特に好ましくはトリメチルシリル、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、トリフェニルシリルである。これらの置換基は、更に他の置換基によって置換されてもよく、また、これらの置換基同士が結合し、環を形成していてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
Ｒ２〜Ｒ９からなる置換基の組み合わせの具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【化３】
2011035172.tif 000045
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
【化５】
2011035172.tif 000046
ただし、上記ｈ−２１及びｈ−２２で示される化合物において、ｍ及びｎは、モル比を表し、ｍは、１〜１００までの整数であり、ｎは、０〜９９までの整数である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
（製造例４）
発光層の形成条件を下記表４−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例４及び参考例４における有機電界発光素子を製造した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
【表４−１】
2011035172.tif 000047
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例４及び参考例４における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表４−２に示す。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
2011035172.tif 000048
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
（製造例６）
発光層の形成条件を下記表６−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例６及び参考例６における有機電界発光素子を製造した。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
【表６−１】
2011035172.tif 000049
ただし、表６−１中のゲスト材料Ｇ−５は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ゲスト材料Ｇ−５−
【化１３】
2011035172.tif 000050
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例６及び参考例６における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表６−２に示す。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
【表６−２】
2011035172.tif 000051
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
（製造例７）
発光層の形成条件を下記表７−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例７及び参考例７における有機電界発光素子を製造した。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
【表７−１】
2011035172.tif 000052
ただし、表７−１中のゲスト材料Ｇ−６は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ゲスト材料Ｇ−６−
【化１４】
2011035172.tif 000053
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例７及び参考例７における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表７−２に示す。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
【表７−２】
2011035172.tif 000054
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
（製造例８）
発光層の形成条件を下記表８−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例８及び参考例８における有機電界発光素子を製造した。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
【表８−１】
2011035172.tif 000055
ただし、表８−１中のゲスト材料Ｇ−７は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ゲスト材料Ｇ−７−
【化１５】
2011035172.tif 000056
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例８及び参考例８における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表８−２に示す。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
【表８−２】
2011035172.tif 000057
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
（製造例９）
発光層の形成条件を下記表９−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例９及び参考例９における有機電界発光素子を製造した。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
【表９−１】
2011035172.tif 000058
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例９及び参考例９における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表９−２に示す。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
【表９−２】
2011035172.tif 000059
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
（製造例１１）
発光層の形成条件を下記表１１−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例１１及び参考例１１における有機電界発光素子を製造した。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
【表１１−１】
2011035172.tif 000060
ただし、表１１−１中のゲスト材料Ｇ−９は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ゲスト材料Ｇ−９−
【化１５】
2011035172.tif 000061
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例１１及び参考例１１における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表１１−２に示す。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
【表１１−２】
2011035172.tif 000062
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月5日(2010.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着により形成される発光層を含む有機電界発光素子の製造方法であって、
前記発光層のホスト材料が１，０００．４ｃｍ−１〜１，２８３ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、前記発光層の状態で測定した前記ラマンピークと、該発光層のホスト材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとのピーク波数差が大きくとも２ｃｍ−１となるように蒸着時におけるホスト蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の最大温度と最低温度との差が２℃以下で蒸着することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２】
蒸着により形成される発光層を含む有機電界発光素子の製造方法であって、
前記発光層のホスト材料が１，０００．４ｃｍ−１〜１，２８３ｃｍ−１の範囲にラマンピークを有し、前記発光層の状態で測定した前記ラマンピークと、該発光層のホスト材料を結晶状態で測定した前記ラマンピークとのピーク波数差が大きくとも２ｃｍ−１となるように蒸着時におけるホスト蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の最大温度と最低温度との差が２℃以下、かつ、ホスト蒸着源、ゲスト蒸着源及び基板の温度変化速度が、０．２℃／ｓ以下で蒸着することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
（製造例４）
発光層の形成条件を下記表４−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例４及び実施例４における有機電界発光素子を製造した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
【表４−１】
2011035172.tif 000063
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例４及び実施例４における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表４−２に示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
【表４−２】
2011035172.tif 000064
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
（製造例７）
発光層の形成条件を下記表７−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例７及び実施例７における有機電界発光素子を製造した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
【表７−１】
2011035172.tif 000065
ただし、表７−１中のゲスト材料Ｇ−６は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ゲスト材料Ｇ−６−
2011035172.tif 000066
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例７及び実施例７における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表７−２に示す。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
【表７−２】
2011035172.tif 000067
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
（製造例９）
発光層の形成条件を下記表９−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例９及び実施例９における有機電界発光素子を製造した。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
【表９−１】
2011035172.tif 000068
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例９及び実施例９における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表９−２に示す。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
【表９−２】
2011035172.tif 000069
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
（製造例１１）
発光層の形成条件を下記表１１−１に示す条件としたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例１１及び実施例１１における有機電界発光素子を製造した。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
【表１１−１】
2011035172.tif 000070
ただし、表１１−１中のゲスト材料Ｇ−９は、下記構造式で表される化合物を示す。
−ゲスト材料Ｇ−９−
【化１５】
2011035172.tif 000071
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
製造例１において示した測定方法及び評価方法により、比較例１１及び実施例１１における有機電界発光素子の諸特性の測定及び評価を行った。結果を下記表１１−２に示す。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
【表１１−２】
2011035172.tif 000072