(57)【要約】【課題】被処理物の表面処理量を微小にする【解決手段】拡散室画成部３０の拡散室３３を漏出口３５を介して処理空間１０ａに連ねる。好ましくは、隔壁１５で拡散室３３を処理空間１０ａから隔て、かつ隔壁１５に漏出口３５を設ける。処理ガスの導入路２９の導入口２５を拡散室３３内に開口させる。好ましくは、漏出口３５を、ガス導入方向２５に沿ってまっすぐ下流側の位置Ｐからずらし、より好ましくは、隔壁１５と交差する内壁１７の一箇所が上記位置Ｐになるようにする。す。排気路４９の排気口４１を拡散室３３内に開口させる。好ましくは、排気口４１を拡散室３３における漏出口３５の側とは反対側に設ける。【選択図】図１
2011071222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理空間の被処理物に処理ガスを接触させ、被処理物の表面を処理する表面処理装置において、
前記処理空間に漏出口を介して連なる拡散室を画成する拡散室画成部と、
前記拡散室内に開口する導入口を有して、処理ガスを前記導入口から前記拡散室の内部に導入する導入路と、
前記拡散室内に開口する排気口を有して、前記拡散室内のガスを前記排気口から排出する排気路と、
を備えたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項２】
前記排気口が、前記拡散室における前記漏出口の側とは反対側に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項３】
前記導入口からの前記処理ガスの導入方向に沿って前記導入口のまっすぐ下流側には、前記拡散室の内壁の一箇所が位置し、前記漏出口が、前記一箇所からずれて配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理装置。
【請求項４】
前記拡散室画成部が、前記拡散室を前記処理空間から隔てる隔壁を含み、この隔壁に前記漏出口が形成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の表面処理装置。
【請求項５】
前記導入口からの前記処理ガスの導入方向に沿って前記導入口のまっすぐ下流側には、前記拡散室における前記隔壁と交差する内壁の一箇所が位置していることを特徴とする請求項４に記載の表面処理装置。
【請求項６】
前記被処理物を、前記隔壁に沿って、かつ前記隔壁に近接させて、前記拡散室画成部に対し相対移動させる移動機構を、更に備えたことを特徴とする請求項４又は５に記載の表面処理装置。
【請求項７】
前記漏出口を開閉する蓋と、前記被処理物の前記拡散室画成部に対する相対位置に応じて前記蓋を開閉する開閉機構とを、更に備えたことを特徴とする請求項６に記載の表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理ガスを被処理物に接触させ、被処理物の表面を処理する装置に関し、特に、処理度を極力小さくするのに適した表面処置装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等の製造において、被処理物に処理ガスを接触させて、エッチング、洗浄、表面改質、成膜等の表面処理を行なう技術は公知である（例えば特許文献１等参照）。被処理物の表面を軽くエッチングして粗面化する処理も知られている（例えば特許文献２等参照）。特許文献２では、エッチングガスをプラズマにより活性化させて被処理物に接触させ、かつ処理時間を制御することで粗面化を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１５１４９４号公報
【特許文献２】特開２００８−１０８５９０号公報（［００２９］）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の各種表面処理においては、処理の度合いを極力小さくしたい場合がある。例えば粗面化処理において、極めて微小な面粗度を得たい場合がある。しかし、処理時間の制御だけで、そのような微小な処理量を得るのは難しい。処理ガスの供給流量を小さくすることも考えられるが、流量が微小の所定値になるよう調節するのは容易でなく、僅かな調節誤差で所望の微小処理量から大きく外れてしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、処理空間の被処理物に処理ガスを接触させ、被処理物の表面を処理する表面処理装置において、
前記処理空間に漏出口を介して連なる拡散室を画成する拡散室画成部と、
前記拡散室内に開口する導入口を有して、処理ガスを前記導入口から前記拡散室の内部に導入する導入路と、
前記拡散室内に開口する排気口を有して、前記拡散室内のガスを前記排気口から排出する排気路と、
を備えたことを特徴とする。
処理ガスは、導入路を経て、導入口から拡散室に導入され、拡散室内に拡散する。この処理ガスの多くが、排気口から排気路へ排出される。処理ガスのごく一部が、漏出口から漏れ出て、処理空間に入る。これにより、被処理物に微量の処理ガスを接触させ、被処理物を微小量だけ表面処理することができる。処理ガスの漏出流量に対して導入流量及び排出流量を十分に大きくし、この導入流量及び排出流量を調節することで、漏出流量が微小になるよう容易に調節することができる。ひいては、所望の微小処理量を容易に得ることができる。
【０００６】
前記排気口が、前記拡散室における前記漏出口の側とは反対側に設けられていることが好ましい。
これによって、拡散室内の処理ガスが主に漏出口とは反対側に向かって流れるようにでき、漏出口からの漏れ流量を確実に微量にすることができる。
【０００７】
前記導入口からの前記処理ガスの導入方向に沿って前記導入口のまっすぐ下流側には、前記拡散室の内壁の一箇所が位置し、前記漏出口が、前記一箇所からずれて配置されていることが好ましい。
これによって、拡散室に導入された処理ガスが、その導入方向に沿ってまっすぐ流れて漏出口から流出するのを回避、又は抑制できる。
【０００８】
前記拡散室画成部が、前記拡散室を前記処理空間から隔てる隔壁を含み、この隔壁に前記漏出口が形成されていることをが好ましい。
これにより、拡散室の容積を広くする一方で、漏出口の開口面積を小さくでき、処理ガスの処理空間への漏出流量を抑えることができる。
【０００９】
前記導入口からの前記処理ガスの導入方向に沿って前記導入口のまっすぐ下流側には、前記拡散室における前記隔壁と交差する内壁の一箇所が位置していることが好ましい。
これによって、前記拡散室のガスが前記漏出口を介して前記処理空間に漏れ出る漏出方向が、前記導入口からの前記処理ガスの導入方向に対して交差する。よって、前記導入方向に流れる処理ガスがそのまま漏出口から流出するのを確実に回避でき、又は抑制できる。
【００１０】
前記被処理物を、前記隔壁に沿って、かつ前記隔壁に近接させて、前記拡散室画成部に対し相対移動させる移動機構を、更に備えたことが好ましい。
被処理物の相対移動により、拡散室内の処理ガスを漏出口から処理空間に引き込むことができる。したがって、導入流量及び排出流量に加えて、被処理物の相対移動速度や、被処理物と隔壁との間の距離をも調節することにより、漏出流量を調節でき、ひいては処理量が所望の微小量になるようにすることができる。
【００１１】
前記漏出口を開閉する蓋と、前記被処理物の前記拡散室画成部に対する相対位置に応じて前記蓋を開閉する開閉機構とを、更に備えていてもよい。
これにより、被処理物が処理空間内にあるとき、又は漏出口と対向しているときにだけ漏出口を開いて処理ガスが漏れ出るようにすることができる。蓋が開位置のときの漏出口の開度を調節することで、処理ガスの漏れ流量が確実に微小になるよう調節することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、被処理物の表面を微小処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る表面処理装置の概略構成を示す正面断面図である。
【図２】図１のII-II線に沿う、上記表面処理装置のノズルヘッドの側面断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る表面処理装置の概略構成を示す正面断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る表面処理装置のノズルヘッドの一部を示し、漏出口を開閉する蓋が閉位置の状態での正面断面図である。
【図５】上記第３実施形態に係る表面処理装置の開閉機構を示し、図４のV-V線に沿う側面断面図である。
【図６】上記第３実施形態に係る表面処理装置のノズルヘッドの一部を示し、上記蓋が開位置の状態での正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図１及び図２は、本発明の第１実施形態に係る表面処理装置１を示したものである。表面処理装置１は、例えばガラス基板からなる被処理物９の表面を僅かに粗面化する。図１に示すように、表面処理装置１は、処理ガス供給源２と、ノズルヘッド３と、排気手段４と、移動機構５を備えている。
【００１５】
処理ガス供給源２は、処理ガスをノズルヘッド３に供給する。処理ガスは、活性化等によって反応性を付与又は高められたうえでノズルヘッド３へ送られるようにしてもよい。反応性を付与又は高める手段としては、例えばプラズマ生成装置が挙げられる。プラズマ生成装置は、一対の電極を有している。これら電極間の空間が、電界印加によってプラズマ空間となる。処理ガスをこのプラズマ空間に導入してプラズマ化する。プラズマ化空間は、大気圧近傍であることが好ましい。ここで、大気圧近傍とは、１．０１３×１０４〜５０．６６３×１０４Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０４〜１０．６６４×１０４Ｐａが好ましく、９．３３１×１０４〜１０．３９７×１０４Ｐａがより好ましい。
【００１６】
処理ガスの成分は、処理内容に応じて適宜選択される。ガラス基板の粗面化処理の場合、処理ガスとして、例えばフッ素含有化合物を含むフッ素系処理ガスを用いる。フッ素含有化合物として、ＰＦＣ（パーフルオロカーボン）、ＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）が挙げられる。ＰＦＣとしては、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ３Ｆ８等が挙げられる。ＨＦＣとしては、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ等が挙げられる。フッ素含有化合物として、ＰＦＣ又はＨＦＣの他、ＳＦ６、ＮＦ３、ＸｅＦ２等を用いてもよい。フッ素系処理ガスが、２種以上のフッ素含有化合物を含んでいてもよく、Ｆ２を含んでいてもよい。フッ素系処理ガスには水（Ｈ２Ｏ）を添加するのが好ましい。水を添加したフッ素系処理ガスをプラズマ生成装置にてプラズマ化すると、ＨＦ、ＣＯＦ２等のフッ素系反応成分が生成される。このフッ素系反応成分がガラス基板を構成する酸化シリコンと反応を起こすことで、ガラス基板の表面を粗面化できる。
【００１７】
図１及び図２に示すように、ノズルヘッド３は、上側のヘッド本体１０と、下側の排気路画成部４０とを備えている。ヘッド本体１０は、底壁１１と、前後の端壁１２，１２と、右側の外壁１３と、左側の外壁１４と、上側の隔壁１５とを有し、前後方向（図１の紙面と直交する方向、図２の左右方向）に長い直方体の容器状になっている。ヘッド本体１０の前後方向の長さは、被処理物９の同方向の寸法より少し大きい。ヘッド本体１０の内部には、縦仕切り壁１７及び横仕切り壁１８が設けられている。図１に示すように、縦仕切り壁１７は、ヘッド本体１０の左右方向の中間部に垂直に配置されて前後方向に延び、ヘッド本体１０の内部を左右２つに仕切っている。図２に示すように、横仕切り壁１８は、ヘッド本体１０内の長手方向の中間部に垂直に配置され、ヘッド本体１０の内部を前後２つに仕切っている。したがって、これら縦横の仕切り壁１７，１８によってヘッド本体１の内部が４つに仕切られている。横仕切り壁１８は、省略してもよい。
【００１８】
図１及び図２に示すように、ヘッド本体１０の上側隔壁１５の上方に離れて、カバー部材１９が配置されている。カバー部材１９は、左右方向に上側隔壁１５とほぼ同じ幅を有し、前後方向に上側隔壁１５とほぼ同じ長さだけ延びる水平な板状になっている。前後の端壁１２，１２がそれぞれ上側隔壁１５より少し上に突出してカバー部材１９の長手方向の端部を支持している。
【００１９】
カバー部材１９と上側隔壁１５との間に処理空間１０ａが形成されている。処理空間１０ａは、左右に短く、前後方向に長く延びる空間である。処理空間１０ａの左右の両端部は開口されている。処理空間１０ａの前後の両端部は、端壁１２の上側部分によって塞がれている。
【００２０】
図１に示すように、被処理物９が、移動機構５によって白抜き矢印線ａの方向に移動され、処理空間１０ａの内部に通される。処理空間１０ａの右端の開口が被処理物９の搬入口になっている。処理空間１０ａの左端の開口が被処理物９の搬出口になっている。被処理物９は、上側隔壁１５の上面（処理空間画成面）に近接して処理空間１０ａを横切るように移動される。
【００２１】
移動機構５は、例えばコロ５１を有するローラコンベアにて構成されている。被処理物９を支持する支持手段を兼ねている。移動機構５は、ローラコンベアに限られず、移動ステージでもよく、ロボットアームでもよい。被処理物９が支持手段によって静止して支持され、ノズルヘッド３が移動手段によって移動されるようになっていてもよい。
【００２２】
処理空間１０ａの厚さ（カバー部材１９と上側隔壁１５の離間距離）は、被処理物９を挿通可能な範囲内で出来るたけ小さい。具体的には、処理空間１０ａの厚さは、１ｃｍ以下であり、例えば７ｍｍ程度である。なお、処理空間１０ａの厚さは、上記数値に限定されるものではない。
【００２３】
ヘッド本体１０には、処理ガスの導入路画成部２０及び拡散室画成部３０が組み込まれている。処理ガスの導入路画成部２０は、次のように構成されている。
図１に示すように、ヘッド本体１０の右側の外壁１３の下側部には、導入ポート２１が設けられている。導入ポート２１の内部空間が外壁１３の内面に開口している。図２に示すように、導入ポート２１は、ヘッド本体１０の長手方向に離れて２つ（複数）配置されている。処理ガス供給源２からの供給路２ａが分岐（詳細図省略）して、各導入ポート２１に連なっている。導入ポート２１は、２つに限られず、１つでもよく、３つ以上でもよい。３つ以上の導入ポート２１が、ヘッド本体１０の長手方向に互いに離れて配置されていてもよい。
【００２４】
図１に示すように、ヘッド本体１０の内部には、右外壁１３に近接して案内壁１６が設けられている。案内壁１６は、垂直をなして外壁１３と平行に前後方向へ延びている。案内壁１６の前後の端部が、それぞれ端壁１２に接合されている。案内壁１６の下端部が底壁１１に接合されている。案内壁１６の上端部は、ヘッド本体１０の上側隔壁１５より少し下に離れて位置している。案内壁１６と右外壁１３との間に、案内路２３が形成されている。案内路２３は、左右方向には薄く、前後方向に長く、かつ上下に延びている。
【００２５】
図１に示すように、案内壁１６の上端面と上側隔壁１５との間に、導入口２４が形成されている。案内路２３の上端部が導入口２４に連なっている。図２に示すように、導入口２４は、前後方向に延びている。図１において太線矢印に示すように、導入ポート２１に導入されたガスは、案内路２３を経て、導入口２４から上側隔壁１５の下面に沿って左方向（導入方向２５）へ流出する。
【００２６】
導入ポート２１の内部と、案内路２３と、導入口２４とにより、処理ガスの導入路２９が構成されている。
【００２７】
次に、拡散室画成部３０について説明する。
図１に示すように、拡散室画成部３０は、ヘッド本体１０の左右中央の縦仕切り壁１７と案内壁１６との間の部分によって構成されている。図１及び図２に示すように、底壁１１の右側部分と、前後の端壁１２，１２の右側部分と、案内壁１６とによって、拡散室３３が形成されている。拡散室３３は、前後方向に長く、かつ十分に広い容積を有する直方体状の空間になっている。図２に示すように拡散室３３は、横仕切り壁１８によって、長手方向に２つに分割されている。図１に示すように、拡散室３３の右上の隅部に導入口２４が開口している。これにより、導入路２９が拡散室３３に連なっている。拡散室３３と導入路２９との連通部（導入口２４）は、拡散室３３の長手方向のほぼ全長にわたって延びている。
【００２８】
図１に示すように、上側隔壁１５によって拡散室３３と処理空間１０ａが部分的に隔てられている。隔壁１５を挟んで拡散室３３の外側に処理空間１０ａが配置されている。更に、隔壁１５は、漏出口３５を有している。拡散室３３が、漏出口３５を介して処理空間１０ａに連ねられている。
【００２９】
詳述すると、隔壁１５の左右方向の中央部には、開口１５ｅが形成されている。開口１５ｅは、隔壁１５の長手方向（図１の紙面と直交する方向）のほぼ全長にわたって延びている。隔壁１５は、開口１５ｅを挟んで右側の板部１５ａと、左側の板部１５ｂとを有している。右側板部１５ａが、処理空間１０ａにおける搬送方向ａの上流側の部分と拡散室３３とを仕切っている。
【００３０】
開口１５ｅの左右幅方向の中央部に、縦仕切り壁１７の上縁部が臨んでいる。開口１５ｅが縦仕切り壁１７の上縁部によって、左右２つに分かれている。開口１５ｅの縦仕切り壁１７より右側の部分が、漏出口３５を構成している。拡散室３３が、漏出口３５を介して上方へ開口し、ひいては処理空間１０ａに連なっている。拡散室３３内のガスが漏出口３５から上方（漏出方向３６）へ漏出することができる。漏出方向３６は、ほぼ水平な導入方向２５に対してほぼ直角に交差している。
【００３１】
図１に示すように、処理ガス導入方向２５に沿って導入口２４のまっすぐ下流側には、拡散室３３の内壁の一箇所Ｐが位置している。この導入口対向箇所Ｐは、縦仕切り壁１７の右側面すなわち隔壁１５と交差する内壁に位置している。漏出口３５は、上記導入口対向箇所Ｐからずれて配置されている。しかも、漏出口３５は、導入口対向箇所Ｐを含む壁１７には配置されず、その壁１７と交差する壁１５に配置されている。
【００３２】
図１に示すように、縦仕切り壁１７の上縁と左側板部１５ｂとの間（開口１５ｅの縦仕切り壁１７より左側の部分）は、ガス取り込み口６１を構成している。縦仕切り壁１７より左側のヘッド本体１０の内部は、ガス取り込み室６２になっている。詳細な図示は省略するが、取り込み室６２は、横仕切り壁１８によって前後２つに分かれている。処理空間１０ａの縦仕切り壁１７より左側の部分が、取り込み口６１を介してガス取り込み室６２と連なっている。上側隔壁１５の左側板部１５ｂが、処理空間１０ａにおける搬送方向ａの下流側の部分と、ガス取り込み室６２とを仕切っている。
【００３３】
図１及び図２に示すように、ヘッド本体１０の下部に排気路画成部４０が連結されている。排気路画成部４０は、前後方向にヘッド本体１０とほぼ同じ長さだけ延びる容器状になっている。底壁１１の右側部分すなわち拡散室３３の底部には、排気口４１が形成されている。排気口４１は、前後（図１の紙面と直交する方向、図２の左右方向）に延びるスリット状になっており、かつ底壁１１を上面から下面へ貫通している。排気口４１の上端部が、拡散室３３に連なっている。排気口４１の下端部が排気路画成部４０の内部に連なっている。排気口４１は、拡散室３３における漏出口３５の側とは反対側に配置されている。導入口２４から排気口４１までの距離は、導入口２４から漏出口３５までの距離より大きい。言い換えると、漏出口３５のほうが排気口４１よりも導入口２４に近い。
【００３４】
なお、底壁１１の左側部分には、連通孔６３が形成されている。連通孔６３は、排気口４１と平行に前後に延びるスリット状になっている。ガス取り込み室６２が連通孔６３を介して排気路画成部４０の内部に連なっている。
【００３５】
図１及び図２に示すように、排気路画成部４０の内部には、２つ（複数）の水平な仕切板４３，４４が設けられている。これら仕切板４３，４４は、上下に互いに離れている。２つの仕切板４３，４４によって、排気路画成部４０の内部が上下に３つ（複数）の排気室４５，４６，４７に仕切られている。上段の仕切板４３には、多数の小孔状の連通孔４３ａが形成されている。連通孔４３ａは、左右に２列をなして前後方向に互いに間隔をおいて配置されている。上段の排気室４５と中段の排気室４６とが、連通孔４３ａを介して互いに連通している。下段の仕切板４４には、多数の小孔状の連通孔４４ａが形成されている。連通孔４４ａは、前後方向に互いに間隔をおいて１列に配置されている。各連通孔４４ａの大きさは連通孔４３ａより大きい。連通孔４４ａの数は連通孔４３ａの数より少ない。連通孔４４ａの配置間隔は連通孔４３ａの配置間隔より大きい。中段の排気室４６と下段の排気室４７とが、連通孔４４ａを介して互いに連通している。
排気路画成部４０の排気室４５〜４７の段数は、３つに限られず、１つ又は２つでもよく、４つ以上でもよい。
【００３６】
図１及び図２に示すように、排気路画成部４０の底部には２つ（複数）の排気管４８が設けられている。これら排気管４８は、排気路画成部４０の長手方向に互いに離れて配置されている。なお、排気管４８の数は、１つでもよく、３つ以上でもよい。下段の排気室４７が排気管４８の内部に連なっている。排気管４８が、互いに合流して排気手段４が接続されている。排気手段４は、排気ポンプにて構成されている。排気手段４にはスクラバ等の排ガス処理設備（図示省略）が付設されている。排気口４１、上段排気室４５、連通孔４３ａ、中段排気室４６、連通孔４４ａ、下段排気室４７、排気管４８によって、排気路４９が構成されている。
【００３７】
上記構成の表面処理装置１を用いて、被処理物９を粗面化処理する方法を説明する。
被処理物９をコンベア５に載せ、ノズルヘッド３へ向けて搬送し、処理空間１０ａの内部に挿通する。
ＨＦ等のフッ素系反応成分を含む処理ガスを処理ガス供給源２から供給路２ａを経て複数の導入ポート２１からそれぞれ案内路２３の下部に導入する。図１において、太線矢印にて示すように、処理ガスは、案内路２３内を上昇しながら前後方向（図１の紙面と直交する方向）に拡がる。案内路２３によって、処理ガスを隔壁１５の近傍まで案内できる。案内路２３の上端部を過ぎた処理ガスは、外壁１３と上側隔壁１５とで作る隅角部においてほぼ直角に曲がり、導入口２４を通って、上側隔壁１５の下面に沿う導入方向２５に沿って拡散室３３内に流入する。処理ガスは、拡散室３３内に広く拡散する。処理ガスの供給流量をある程度の大きさにすることにより、処理ガスを拡散室３３内まで確実に到達させることができ、かつ空気等の雰囲気ガスが導入路２９内に入り込んで逆流するのを防止できる。
【００３８】
処理ガス供給と併行して、排気手段４を駆動する。これにより、拡散室３３内のガス、ひいては拡散室３３に流入した処理ガスの大部分が、排気口４１へ向けて流れる。排気口４１に吸引されたガスは、排気口４１、上段排気室４５、連通孔４３ａ、中段排気室４６、連通孔４４ａ、下段排気室４７、排気管４８を順次経て排出される。広い排気室４５，４６，４７と狭い連通孔４３ａ，連通孔４４ａを交互に通過することで、排出ガス流を排気路画成部４０の長手方向（図１の紙面と直交する方向）に均一化できる。ひいては、拡散室３３内でのガス流を拡散室画成部３０の長手方向（図１の紙面と直交する方向）に均一化できる。
【００３９】
拡散室３３内に供給された処理ガスのうち一部が、漏出口３５から上方へ拡散して処理空間１０ａへ漏れ出る。拡散室３３内の処理ガスの大部分は、排気手段４の吸引によって漏出口３５とは反対側の排気口４１へ向けて流れるため、漏出口３５から漏出する処理ガス量を微量にすることができる。導入口２４からの処理ガス導入方向２５に対し漏出口３５がずれて配置されており、更にガス漏出方向３６が導入方向２５に対しほぼ直角に交差しているため、処理ガスが導入口２４から導入方向２５に沿ってまっすぐ流れてそのまま漏出口３５から流出するのを防止できる。したがって、漏出口３５からの処理ガスの漏出流量を確実に微量にすることができる。
【００４０】
この微量の漏出処理ガスが、処理空間１０ａの被処理物９の下面に接触する。これにより、処理ガス中のＨＦ等のフッ素系反応成分と被処理物９の表面分子との反応が起き、被処理物９の表面を粗面化できる。被処理物９に接触する処理ガス量が微量であるため、粗面化の度合いを極めて小さくでき、微小の面粗度（処理量）を得ることができる。
【００４１】
処理ガスの漏出流量に対して、供給源２及び排気手段４による導入流量及び排出流量を十分に大きくでき、この導入流量及び排出流量を調節することで、漏出流量が微小になるよう容易に調節することができる。ひいては、所望の微小面粗度を容易に得ることができる。また、被処理物９の移動速度によって処理時間を調節でき、ひいては処理度を調節できる。さらには、被処理物９が上側隔壁１５に近接して処理空間１０ａを横切るように移動することにより、拡散室３３内の処理ガスの一部を被処理物９の側に引き込むことができる。したがって、上記導入流量及び排出流量に加えて、移動機構５による被処理物９の移動速度や、被処理物９と隔壁１５との間の距離をも調節することにより、漏出流量を調節できる。この結果、所望の微小な処理量を得ることができる。
【００４２】
縦仕切り壁１７の上端部より左側の処理空間１０ａ内のガスは、取り込み口６１から取り込み室６２に入る。このガスには、粗面化反応後の処理済み処理ガスも含まれている。取り込み室６２内のガスは、連通孔６３を通過して上段排気室４５に入り、排気口４１からのガスと混ざる。上段排気室４５で混合されたガスが、連通孔４３ａ、中段排気室４６、連通孔４４ａ、下段排気室４７、排気管４８を順次経て排出される。
【００４３】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において、既述の形態と重複する構成に関しては、図面に同一符号を付して説明を省略する。
図３は、本発明の第２実施形態を示したものである。第２実施形態では、上側隔壁１５が、左右の板部１５ｂ，１５ａだけでなく、中央の板部１５ｃをも有している。中央板部１５ｃは、幅方向を左右に向け、図３の紙面と直交する前後方向に延びている。縦仕切り壁１７の上縁が、中央板部１５ｃの下面に突き当てられている。上側隔壁１５の右側の板部１５ａと中央板部１５ｃとの間に漏出口３５が形成されている。上側隔壁１５の左側の板部１５ｂと中央板部１５ｃとの間にガス取り込み口６１が形成されている。
【００４４】
第２実施形態では、漏出口３５の巾を第１実施形態より狭くでき、漏出口３５から漏出する処理ガスの量を第１実施形態より少なくできる。したがって、粗面化処理の度合いを一層小さくできる。
【００４５】
図４〜図６は、本発明の第３実施形態を示したものである。図４に示すように、第３実施形態のノズルヘッド３には、漏出口３５を開閉する蓋７０と、開閉機構８０が設けられている。蓋７０は、上側隔壁１５の右側の板部１５ａに一体に連なっている。板部１５ａの下面には、切り込み７１が形成されている。切り込み７１は、断面三角形状をなして上側隔壁１５の長手方向（図４の紙面と直交する方向）に真っ直ぐ延びている。板部１５ａにおける切り込み７１より左側の部分が、蓋７０として提供されている。
【００４６】
上側隔壁１５における切り込み７１の上端部の周辺の薄肉部分が、蓋７０の回動支点７２になっている。蓋７０が、支点７２を中心にして閉位置（図４）と開位置（図６）との間で回転するようになっている。
【００４７】
図４に示すように、閉位置の蓋７０は、水平になり、漏出口３５を塞いでいる。蓋７０の先端縁（支点７２側とは反対側の縁）は、下向きの斜面になっている。中央板部１５ｃの右縁は、上向きの斜面になっている。閉位置の蓋７０の先端縁が中央板部１５ｃの右縁に当接し、蓋７０が中央板部１５ｃにて支持されている。
【００４８】
図４に示すように、開位置の蓋７０は、先端が中央板部１５ｃより上に離れるように水平な上側隔壁１５に対して斜め上に傾斜している。これにより、漏出口３５が開口されている。
【００４９】
図４及び図５に示すように、開閉機構８０は、作動部材８１と、位置検出器８２と、制御部８３と、駆動部８４を備えている。
【００５０】
縦仕切り壁１７の拡散室３３側の面には、板状のベース８６が固定されている。ベース８６の表側（拡散室３３側）の面に作動部材８１が取り付けられている。図５に示すように、作動部材８１は、ほぼ水平に延びる杆部８１ｃと、この杆部８１ｃの一端（図５において左）に設けられた作用部８１ａと、杆部８１ｃの他端（図５において右）に設けられた連結部８１ｂとを一体に有する板状になっている。作用部８１ａは、杆部８１ｃの一端部から上方へ直角に突出している。連結部８１ｂは、杆部８１ｃの他端部から下方へ直角に突出している。
【００５１】
図４及び図５に示すように、杆部８１ｃの中央部が、回転軸８７を介してベース８６に連結されている。図５に示すように、杆部８１ｃは、回転軸８７を中心として、水平な位置（図５の実線）と、作用部８１ａ側の端部が上向きになるよう傾斜した位置（図５の二点鎖線）との間で回転可能になっている。図４及び図５の実線に示すように、杆部８１ｃが水平位置のとき、閉位置の蓋７０の下面に作用部８１ａの上端部が突き当たっている。図６及び図５の二点鎖線に示すように、杆部８１ｃが傾斜位置のとき、作用部８１ａが蓋７０を押し上げて開位置にし、漏出口３５が開口される。
【００５２】
位置検出器８２は、被処理物９の位置を検出する。図４に示すように、位置検出器８２は、レーザ等の検査光８２ｂを発し、非接触で物体の位置を検出する非接触センサであることが好ましい。位置検出器８２による被処理物９の位置検出は、処理空間１０ａへの入り口で行ってもよく、処理空間１０ａより被処理物９の移動方向の上流側に離れた場所で行ってもよい。漏出口３５の真上又は近傍で被処理物９の位置検出を行ってもよい。
【００５３】
制御部８３は、マイクロコンピュータ等にて構成されている。位置検出器８２の検出信号線８２ｓが制御部８３に接続されている。制御部８３からの制御信号線８３ｓが駆動部８４に接続されている。駆動部８４は、作動部材８１を回転させる駆動力を出力する。駆動部８４として、モータ、電磁アクチュエータ、流体圧アクチュエータ等を用いることができる。この実施形態では、駆動部８４の出力部が、連繋手段８５を介して連結部８１ｂに連結されている。連繋手段８５は、例えば連結ロッド又は連結ワイヤにて構成されている。ベース８６には、連繋手段８５における連結部８１ｂの近傍部分を案内する連繋ガイド８８が設けられている。
【００５４】
駆動部８４が、連繋手段８５を介して連結部８１ｂを押し引きする。これにより、作動部材８１が水平位置と傾斜位置との間で回転される。
連繋手段８５は、連結ロッドや連結ワイヤに限られず、チェーン、ベルト、ギア列等にて構成されていてもよい。駆動部８４の出力部を回転軸８７又は杆部８１ｃに直接的に接続してもよい。
【００５５】
第３実施形態では、制御部８３が位置検出器８２の検出信号に基づいて駆動部８４を動作させ、作動部材８１の姿勢を制御する。これにより、被処理物９のノズルヘッド３に対する相対位置に応じて、蓋７０を開閉操作する。以下、詳述する。
【００５６】
今、被処理物９の全体がノズルヘッド３の外部に位置しているものとする。このとき、作動部材８１が水平位置にあり、蓋７０が閉位置にあり、漏出口３５が閉塞されている。移動機構５にて被処理物９をノズルヘッド３の処理空間１０ａに向けてａ方向へ搬送しながら、位置検出器８２にて被処理物９の位置を検出する。検出信号を制御部８３に入力する。制御部８３は、入力信号に基づいて被処理物９の移動方向の先端部（図４において左端部）が処理空間１０ａに達したか否かを判断する。位置検出器８２が処理空間１０ａより被処理物９の移動方向の上流側に離れた場所で位置検出する場合、被処理物９の移動速度等を加味することで、上記判断を行うことができる。
【００５７】
被処理物９の移動方向の先端部が処理空間１０ａ内に入ったとき、制御部８３の指令によって、駆動部８４が連繋手段８５を介して連結部８１ｂを図５において左方向へ引く。これによって、作動部材８１が図５において時計まわりに回転し、傾斜位置になる。このとき、図６に示すように、作用部８１ａが蓋７０を開位置まで押し上げる。これによって、漏出口３５が開く。したがって、拡散室３３内の処理ガスが漏出口３５から処理空間１０ａへ漏れ出ることができる。この結果、被処理物９を粗面化処理することができる。処理ガスは、蓋７０の傾斜した下面に沿って被処理物９の移動方向の下流側へ向けて流れ出る。被処理物９の移動によって、処理ガスが漏れ出るのを促すことができる。蓋７０の開位置における傾斜角度を調節することによって、漏出口３５の開口度を調節でき、ひいては処理ガスの漏れ量を調節できる。
【００５８】
被処理物９の全体が処理空間を通り過ぎたとき、制御部８３の指令によって、駆動部８４が連繋手段８５を介して連結部８１ｂを図５において右方向へ押す。これによって、作動部材８１が図５において反時計まわりに回転し、水平位置になる。これに伴って、蓋７０が自重又は支点７２の周辺部の弾性復元力によって閉位置まで戻る。これによって、漏出口３５が塞がれ、処理ガスの漏出が停止される。図示は省略するが、作動部材８１を傾斜位置から水平位置にさせたとき、蓋７０が開位置から閉位置になるよう、蓋７０に対して下向き、又は図４において反時計まわりの回転力を付与するバネ等の力付与手段を設けてもよい。
【００５９】
本発明は、上記実施形態に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の改変をなすことができる。
例えば、上側隔壁１５を省略してもよい。拡散室３３の処理空間１０ａに臨む側のほぼ全面が開放されて漏出口を構成していてもよい。
案内壁１６及び案内路２３を省略し、処理ガスが導入ポート２１から拡散室３３内に直接導入されるようにしてもよい。この場合、導入ポート２１が、導入路２９の末端の導入口を構成し、かつヘッド本体１０内の縦仕切り壁１７と右外壁１３との間の空間全体が拡散室３３になる。
導入口２４が、拡散室における漏出口と同じ側（隔壁１５）に設けられていてもよい。
導入口２４が、拡散室における漏出口の側とは反対側（底板１１）に設けられていてもよい。この場合の導入口の位置は、平面視で、すなわち該導入口からの処理ガス導入方向に沿って矢視して、漏出口からずらして配置することが好ましい。
排気口４１が、拡散室における漏出口の側と交差する側部の内壁に設けられていてもよい。
排気口４１が、拡散室における漏出口と同じ側に設けられていてもよい。
排気経路６１，６２，６３を、ヘッド本体１０とは分離して別途に設けてもよい。更には、排気経路６１，６２，６３を、ノズルヘッド３から分離して別途に設けてもよい。或いは、排気経路６１，６２，６３を省略してもよい。
カバー部材１９を省略してもよい。
実施形態では、処理空間１０ａがヘッド本体１０の上側に設けられていたが、これに限定されるものではなく、処理空間が拡散室画成部の下側又は左右や前後の側部に設けられていてもよい。
第３実施形態（図４〜図６）において、蓋７０が、上側隔壁１５の右側板部１５ａとは別の部材にて構成されていてもよい。蓋７０は、回転式に限られず、スライド式であってもよい。
本発明は、粗面化に限られず、洗浄、表面改質（撥水化、親水化等）成膜等の種々の表面処理に適用できる。
本発明は、プラズマ表面処理に限られず、フッ酸ベーパ、熱ＣＶＤ等のプラズマを用いない表面処理にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、液晶表示装置や半導体装置の製造に適用可能である。
【符号の説明】
【００６１】
１      表面処理装置
２      処理ガス供給源
２ａ    供給路
３      ノズルヘッド
４      排気手段
５      移動機構
９      被処理物
１０    ヘッド本体
１０ａ  処理空間
１１    底壁
１２    端壁
１３    右外壁
１４    左外壁
１５    隔壁
１５ａ  右側板部
１５ｂ  左側板部
１５ｃ  中央側板部
１５ｅ  開口
１６    案内壁
１７    縦仕切り壁
１８    横仕切り壁
１９    カバー部材
２０    処理ガス導入路画成部
２１    導入ポート
２３    案内路
２４    導入口
２５    導入方向
２９    導入路
３０    拡散室画成部
３３    拡散室
３５    漏出口
３６    漏出方向
４０    排気路画成部
４１    排気口（排気路）
４３    仕切板
４３ａ  連通孔（排気路）
４４    仕切板
４４ａ  連通孔（排気路）
４５    上段排気室（排気路）
４６    中段排気室（排気路）
４７    下段排気室（排気路）
４８    排気管
４９    排気路
５１    コロ
６１    取り込み口
６２    ガス取り込み室
６３    連通孔
７０    蓋
７１    切り込み
７２    支点
８０    開閉機構
８１    作動部材
８１ａ  作用部
８１ｂ  連結部
８１ｃ  杆部
８２    位置検出器
８２ｂ  検査光
８２ｓ  検出信号線
８３    制御部
８３ｓ  制御信号線
８４    駆動部
８５    連繋手段
８６    ベース
８７    回転軸
８８    連繋ガイド
ａ      被処理物の移動方向
Ｐ      導入口対向箇所（拡散室の内壁の一箇所）
【図１】
2011071222.tif 000003
【図２】
2011071222.tif 000004
【図３】
2011071222.tif 000005
【図４】
2011071222.tif 000006
【図５】
2011071222.tif 000007
【図６】
2011071222.tif 000008