(57)【要約】【課題】チャンバ内でガラス基板が割れたときにガラス破片を速やかに回収することができる基板処理方法を提供すること。【解決手段】  本発明の基板処理方法は、チャンバ内に配置されたガラス基板に表面処理を施す基板処理方法であって、上方が開口された凹状の基板保持ケース２０にガラス基板１０を収容した状態でチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケース２０に収容した状態でガラス基板１０に表面処理を施すことを特徴とする。【選択図】図１
2011146599.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内に配置されたガラス基板に表面処理を施す基板処理方法であって、
上方が開口された凹状の基板保持ケースにガラス基板を収容した状態でチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケースに収容した状態で前記ガラス基板に表面処理を施すことを特徴とする、基板処理方法。
【請求項２】
前記表面処理は、プラズマを用いた表面処理である、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記ガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板である、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
ガラス基板をチャンバ内に搬送するために用いられる凹状の基板保持ケースであって、
上方が開口され、ガラス基板が裁置されるケース底面と、
前記ケース底面に裁置されたガラス基板に対して、該ガラス基板の周りを取り囲むように前記ケース底面から立ち上がったケース壁面と
を備え、
前記ケース底面には、該ケース底面に裁置されたガラス基板を持ち上げるための基板持上部が形成されている、基板保持ケース。
【請求項５】
前記基板持上部として、リフトピンが挿入される貫通孔を有する、請求項４に記載の基板保持ケース。
【請求項６】
前記リフトピンは、前記貫通孔に挿入された状態で前記ケース底面に埋め込まれている、請求項５に記載の基板保持ケース。
【請求項７】
前記リフトピンは、軸部と、該軸部よりも外形が大きい頭部とから構成され、
前記貫通孔には、前記頭部と係合する段差が設けられている、請求項６に記載の基板保持ケース。
【請求項８】
前記ケース壁面の上面と、前記ガラス基板の上面とは同一平面上に位置している、請求項４から７の何れか一つに記載の基板保持ケース。
【請求項９】
チャンバ内に配置されたガラス基板にプラズマを用いて表面処理を施す基板処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された下部電極と、
前記下部電極に対向する上部電極と、
前記下部電極の上面に取り付けられ、内部にガラス基板が収容される凹状の基板保持ケースと
を備えた、基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板保持ケースは、前記下部電極から脱着可能に取り付けられている、請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記下部電極の上面には、前記基板保持ケースが収容される凹部が形成されている、請求項９または１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記ガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板である、請求項９から１１の何れか一つに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板保持ケースに関し、特に該基板保持ケースを利用した基板処理方法、及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の製造技術に用いられる製造プロセスにおいては、ガラス基板の表面に薄膜を形成する工程と、この薄膜を所定のパターンにするパターニング処理を行う工程とが数多く実行される。成膜工程においては、スパッタ法、蒸着法、気相成長（ＣＶＤ）法などの成膜プロセスが実行される。例えば、気相成長（ＣＶＤ）法では、まず、ガラス基板をチャンバに入れ、一定の圧力に減圧する。そして、チャンバ内に原料となるガスを流しつつ、必要な反応エネルギー（熱やプラズマ等）を与えて反応生成物を堆積させることによって、ガラス基板の表面に薄膜を形成している。なお、このチャンバ内は、上記原料ガスが導入される一方で、排気装置によって排気されているので、常時一定の圧力に保持されている。この種の液晶表示装置の製造技術に関する先行文献としては、特許文献１等が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１３３１８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述した成膜工程に用いられるガラス基板は、種々の処理工程（例えば、切断・面取り工程、熱処理・研磨工程など）を経て製造されている。そのため、種々の処理中に、あるいはハンドリング中に、ガラス基板の周縁部または該周縁部以外の表面部に欠けや亀裂などのクラック（傷）が生じる場合がある。このようなクラックが生じたガラス基板を上述した成膜工程に供すると、成膜処理中に受ける温度変化等によって、クラックを起点としてガラス基板が割れる場合がある。
【０００５】
ガラス基板が割れると、その破片がチャンバ内に散乱する。したがって、この場合は、装置を停止して、チャンバのメンテナンス（ガラス破片の回収・清掃等）を行なわなければならない。しかしながら、チャンバのメンテナンスを行うためには、チャンバの温度を下げ、さらにチャンバの内部を大気開放する必要があるため、多大な復旧時間を要する。かかるメンテナンス中は成膜装置を稼働できないので、成膜工程のスループットが大幅に低下する要因にもなってしまう。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、チャンバ内でガラス基板が割れたときにガラス破片を速やかに回収することができる基板処理方法を提供することにある。また、他の目的は、そのような基板処理方法を好ましく実現し得る基板処理装置および基板保持ケースを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る基板処理方法は、チャンバ内に配置されたガラス基板に所定の表面処理を施す方法である。この基板処理方法は、上方が開口された凹状の基板保持ケースにガラス基板を収容した状態でチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケースに収容した状態でガラス基板に表面処理を施すことを特徴とする。
ここに開示される好ましい一態様では、上記表面処理は、プラズマを用いた表面処理である。
ここに開示される好ましい一態様では、上記ガラス基板は、フラットパネルディスプレイ（例えば液晶パネル）用のガラス基板である。
【０００８】
また、本発明は、上記基板処理方法を好ましく実現し得る基板保持ケースを提供する。即ち、この基板保持ケースは、ガラス基板をチャンバ内に搬送するために用いられる凹状の基板保持ケースであって、上方が開口され、ガラス基板が裁置されるケース底面と、上記ケース底面に裁置されたガラス基板に対して、該ガラス基板の周りを取り囲むように上記ケース底面から立ち上がったケース壁面とを備え、上記ケース底面には、該ケース底面に裁置されたガラス基板を持ち上げるための基板持上部が形成されている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記基板持上部として、リフトピンが移動自在に挿入される貫通孔を有する。
ここに開示される好ましい一態様では、上記リフトピンは、上記貫通孔に挿入された状態で上記ケース底面に埋め込まれている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記リフトピンは、軸部と、該軸部よりも外形が大きい頭部とから構成され、上記貫通孔には、上記頭部と係合する段差が設けられている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記ケース壁面の上面と、上記ガラス基板の上面とは同一平面上に位置している。
【０００９】
また、本発明は、上記基板処理方法を好ましく実現し得る基板処理装置を提供する。即ち、この基板処理装置は、チャンバ内に配置されたガラス基板にプラズマを用いて表面処理を施すものであり、チャンバと、上記チャンバ内に配置された下部電極と、上記下部電極に対向する上部電極と、上記下部電極の上面に取り付けられ、内部にガラス基板が収容される凹状の基板保持ケースとを備える。
ここに開示される好ましい一態様では、上記基板保持ケースは、上記下部電極から脱着可能に取り付けられている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記下部電極の上面には、上記基板保持ケースが収容される凹部が形成されている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記ガラス基板は、フラットパネルディスプレイ（例えば液晶パネル）用のガラス基板である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る基板処理方法によれば、上方が開口された凹状の基板保持ケースにガラス基板を収容した状態でチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケースに収容した状態でガラス基板に表面処理を施すので、ガラス基板の搬送中に、あるいは表面処理中に、ガラス基板が割れたとしても、その破片がチャンバ内に飛散せず、基板保持ケースの内部に閉じ込められる。そのため、基板保持ケースを取り出すだけでガラス破片を回収でき、チャンバのメンテナンス（ガラス破片の回収・清掃等）を行わなくてもよい。したがって、基板処理装置を効率よく稼働させることができ、チャンバのメンテナンス時に装置を停止することによってもたらされるスループットの低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板保持ケースの構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板保持ケースの構成を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る基板保持ケースの構成を模式的に示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る基板保持ケースからガラス基板を取り出す工程を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る基板保持ケースにガラス基板を収容する工程を模式的に示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る基板保持ケースを下部電極に取り付ける工程を模式的に示す断面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る基板保持ケースの構成を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のために、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。なお、各図における寸法関係（長さ、幅、厚さ等）は実際の寸法関係を反映するものではない。
【００１３】
図１および図２に、本実施形態に係る基板保持ケース２０の一例を示す。図１は、基板保持ケース２０の構成を模式的に示す斜視図であり、図２は、基板保持ケース２０の側面構成を示す断面模式図である。
【００１４】
本実施形態に係る基板処理方法は、チャンバ内に配置されたガラス基板に表面処理を施す方法である。この基板処理方法では、図１に示すように、上方が開口された凹状の基板保持ケース２０にガラス基板１０を収容する。そして、図２に示すように、ガラス基板１０を基板保持ケース２０ごとチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケース２０に収容した状態でガラス基板１０に表面処理９４を施す。ガラス基板１０に施す表面処理９４としては特に限定されず、薄膜形成（成膜）処理やドライエッチング処理等の典型的な表面処理技術を適宜採用し得る。この実施形態では、ガラス基板１０にプラズマを用いた成膜処理（プラズマＣＶＤ）を実行する。
【００１５】
さらに、本実施形態に係る基板保持ケース２０について説明する。この基板保持ケース２０は、図１に示すように、ガラス基板１０が裁置されるケース底面２６と、該ケース底面２６から立ち上がった壁面２２とを備える。ケース底面２６の上方には、開口部２４が設けられ、該開口部２４を介してガラス基板１０がケース底面２６に裁置される。この開口部２４からは、ガラス基板１０の上面（ガラス基板の被処理面）１２を露出させることができる。
【００１６】
ケース壁面２２は、ケース底面２６から略垂直に立ち上がった面であり、ケース底面２６に裁置されたガラス基板１０に対して、該ガラス基板１０の周りを取り囲むように配置されている。本実施形態のケース壁面２２は、上面から見て、ロの字型の形状を有しており、その中央部分にガラス基板１０が配置される。このようにガラス基板１０の周りをケース壁面２２で取り囲むことによって、ガラス基板１０が割れたとしても、その破片が周辺に飛散せず、基板保持ケース２０の内部に閉じ込められる。なお、基板保持ケース２０を構成する材料としては、割れ欠けし難く、比較的耐熱性を有するものが好ましく、そのような材料としては、例えばアルミニウム等の比較的軽量な金属、テフロン等の比較的高い温度での耐熱性を有する樹脂材料などが例示される。
【００１７】
さらに、本実施形態の基板保持ケース２０のその他の特徴について説明する。本実施形態の構成では、図２に示すように、基板保持ケース２０にガラス基板１０を収容した状態において、ケース壁面２２の上面２２ａと、ガラス基板１０の上面１２とが同一平面上（または実質的に同一平面）に位置している。換言すると、ケース壁面２２の高さ（ケース底面２６からの高さ）とガラス基板１０の厚み（板厚）とが略同じサイズとなっている。
【００１８】
ここで、ケース壁面２２をガラス基板１０の上面１２よりも高くすると、ガラス基板１０の上面１２の周縁（エッジ）部分がケース壁面２２によって隠れるため、ガラス基板１０に均一な表面処理を行うことができない場合が起こり得る。したがって、均一な表面処理を行う観点からは、ケース壁面２２がガラス基板１０の上面１２を超えないように形成されていることが好ましい。その一方で、ケース壁面２２をガラス基板１０の上面１２よりも低くしすぎると、ガラス破片がケース壁面２２を飛び超え、周辺に飛散する可能性が生じ得る。したがって、ガラス破片の飛散防止の観点からは、ケース壁面２２がガラス基板１０の上面１２よりも低くなりすぎないように形成されていることが好ましい。例えば、図３に示すように、ケース壁面２２とガラス基板１０の上面１２との高低差ｈが、ガラス基板１０の厚みの１／２以下となるように形成されていることが好ましい。ここに開示される技術によれば、通常は、ケース壁面２２の上面２２ａと、ガラス基板１０の上面１２とが実質的に同一平面上に位置していることが適当である。これにより、ガラス破片の飛散を防ぎつつ、ガラス基板１０に均一な表面処理を施すことができる。
【００１９】
また、本実施形態の構成では、ケース底面２６には、該ケース底面２６に裁置されたガラス基板１０を持ち上げるための基板持上部３０が形成されている。この基板持上部３０は、基板保持ケース２０にガラス基板１０を収容するときに使用される。また、基板持上部３０は、基板保持ケース２０からガラス基板１０を取り出すときに使用される。この実施形態では、基板持上部３０として、リフトピンが挿入される貫通孔３２を有する。この貫通孔３２は、図４（ａ）に示すように、リフトピン３４の外径よりも少しだけ大きな内径を有し、リフトピン３４が下方から移動（スライド）自在に挿入されるように形成されている。本実施形態の貫通孔３２は、図１に示すように、ケース底面２６の複数箇所（この例ではケース底面２６の中央部および周辺角部の５箇所）に設けられ、それぞれの貫通孔３２にリフトピン３４が下方から挿入されるようになっている。なお、リフトピン３４を構成する材料としては、静電気破壊による欠陥の発生を防ぐために少なくとも表面が絶縁性を示す材料を用いることが好ましい。たとえば、セラミック等の絶縁材料や、あるいはＡｌ（アルミニウム），ＳＵＳ（ステンレス）等の金属基材の表面を絶縁材料で被覆したものを用いることができる。
【００２０】
図４（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態のリフトピン３４を用いてガラス基板１０を基板保持ケース２０から取り出す工程を説明するための断面図である。
【００２１】
ガラス基板１０を基板保持ケース２０から取り出す場合には、まず、図４（ａ）に示すように、リフトピン３４をケース底面２６の貫通孔３２に下方から挿入し、図４（ｂ）に示すように、リフトピンの先端３６をガラス基板１０の下面１４に当接する。そして、図４（ｃ）に示すように、リフトピン３４の先端３６でガラス基板１０を下方から支持しながら、リフトピン３４をケース底面２６から突出させて上昇させ、ガラス基板１０を所定位置まで持ち上げる。そして、所定位置まで持ち上げたガラス基板１０を適当な搬送手段（図示せず）に受け渡すことにより、ガラス基板１０が基板保持ケース２０から取り出される。なお、ガラス基板１０を基板保持ケース２０に収容する場合は、上述した説明と逆の手順で行うとよい。
【００２２】
続いて、本実施形態に係る基板処理装置１００について説明する。図５は、基板処理装置１００の構成を模式的に示す図である。この基板処理装置１００は、チャンバ９０内に配置されたガラス基板１０にプラズマを用いて表面処理（ここでは成膜処理）を施す装置である。本実施形態の基板処理装置１００は、チャンバ９０と、チャンバ９０内に配置された下部電極６０と、下部電極６０に対向する上部電極７０と、下部電極６０の上面６２に取り付けられた凹状の基板保持ケース２０とから構成されている。
【００２３】
基板保持ケース２０は、下部電極６０から脱着可能に取り付けられている。即ち、基板保持ケース２０は、内部にガラス基板１０を収容した状態でチャンバ９０内に搬送され、下部電極６０の所定位置に設置されるようになっている。また、基板保持ケース２０は、表面処理の完了後、下部電極６０の所定位置から取り外され、内部にガラス基板１０を収容した状態でチャンバ９０の外部に搬送されるようになっている。なお、この実施形態では、下部電極６０の上面６２に凹部６４が設けられ、該凹部６４に基板保持ケース２０が収容される。凹部６４の底面６８には、基板保持ケース２０を持ち上げるためのリフトピン８４が取り付けられている。なお、本実施形態のガラス基板１０は、液晶パネル用のガラス基板（例えば、アレイ基板）である。
【００２４】
図５に示した基板処理装置１００は、平行平板型プラズマ成膜装置であり、チャンバ９０内には、上部電極７０と下部電極６０とが対向して配置されている。この例では、上部電極７０は高周波電源に接続されており、一方、下部電極６０はグランドに接続されている。また、チャンバ９０内には、原料ガスの導入口９２が配置されている。チャンバ内に導入される原料ガスは、ガラス基板１０の上に形成される薄膜の種類に応じて適宜好適なものが選択される。原料ガスは、水素ガスや窒素ガス等のキャリヤガスを含んでもよい。
【００２５】
基板処理装置（成膜装置）１００の動作時には、下部電極６０と上部電極７０との間に導入口９２から原料ガスが導入され、また、下部電極６０と上部電極７０との間には、高周波電圧が印可されてプラズマが形成される。なお、チャンバ９０内は、上記原料ガスが導入される一方で、図示しない排気装置によって排気されているので、常時一定の圧力に保持されている。
【００２６】
上記基板処理装置（成膜装置）１００を用いてガラス基板１０に表面処理を施す場合には、まず、チャンバ９０の外側で基板保持ケース２０にガラス基板１０を収容する。即ち、図６（ａ）に示すように、適当な搬送手段（図示せず）を用いてガラス基板１０を基板保持ケース２０の上方まで搬送する。次いで、図６（ｂ）に示すように、リフトピン３４をケース底面２６の貫通孔３２に下方から挿入し、該リフトピンの先端３６をガラス基板１０の下面１４に当接する。そして、リフトピン３４の先端３６でガラス基板１０を下方から支持しながらリフトピン３４を下降させ、図６（ｃ）に示すように、リフトピン３４をケース底面２６に没入させる。これにより、ガラス基板１０だけがケース底面２６に裁置され、ガラス基板１０が基板保持ケース２０に収容される。
【００２７】
このようにしてガラス基板１０を基板保持ケース２０に収容したら、次に、ガラス基板１０を基板保持ケース２０ごとチャンバ９０内に搬送し、基板保持ケース２０を下部電極６０に設置する。具体的には、図７（ａ）に示すように、適当な搬送手段（図示せず）を用いて基板保持ケース２０を下部電極６０の上方まで搬送する。次いで、図７（ｂ）に示すように、凹部６４の底面のリフトピン８４を上昇させ、該リフトピン８４の先端を基板保持ケース２０の下面に当接する。そして、リフトピン８４の先端で基板保持ケース２０を下方から支持しながらリフトピン８４を下降させ、図７（ｃ）に示すように、リフトピン８４を凹部６４の底面に没入させる。これにより、基板保持ケース２０だけが凹部６４の底面に裁置され、基板保持ケース２０が下部電極６０に取り付けられる。
【００２８】
このようにして基板保持ケース２０を下部電極６０に取り付けたら、基板処理装置（成膜装置）１００を動作させ、ガラス基板１０に成膜処理を実行する。かかる成膜処理は、ガラス基板１０を基板保持ケース２０に収容した状態で行われる。成膜処理が完了したら、基板保持ケース２０を下部電極６０から取り外し、ガラス基板１０を基板保持ケース２０ごとチャンバ９０の外部へと搬送する。なお、基板保持ケース２０を下部電極６０から取り外す工程は、上述した説明と逆の手順で行うとよい。このようにして、ガラス基板に成膜処理を施すことができる。
【００２９】
本実施形態の構成によれば、上方が開口された凹状の基板保持ケース２０にガラス基板１０を収容した状態でチャンバ９０内に搬送し、かつ、該基板保持ケース２０に収容した状態でガラス基板１０に表面処理を施すので、図７（ａ）〜（ｃ）に示すようなガラス基板１０の搬送中に、あるいは表面処理中に、ガラス基板１０が割れたとしても、その破片がチャンバ９０内に飛散せず、基板保持ケース１０の内部に閉じ込められる。そのため、基板保持ケース２０を取り出すだけでガラス破片を回収でき、チャンバ９０のメンテナンス（ガラス破片の回収・清掃等）を行わなくてもよい。したがって、基板処理装置１００を効率よく稼働させることができ、チャンバ９０のメンテナンス時に基板処理装置１００を停止することによってもたらされる表面処理工程のスループットの低下を抑えることができる。
【００３０】
また、本実施形態の構成では、基板保持ケース２０は、図１及び図２に示すように、ガラス基板１０が裁置されるケース底面２６と、ケース底面２６に裁置されたガラス基板１０に対して、該ガラス基板１０の周りを取り囲むようにケース底面２６から立ち上がったケース壁面２２とを備えている。そして、ケース壁面２２の上面２２ａとガラス基板１０の上面１２とが同一平面上に位置している。この場合、ケース壁面２２によってガラス破片の飛散を防ぎつつ、ガラス基板１０の上面１２に均一な表面処理を施すことができる。
【００３１】
さらに、本実施形態の構成では、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、ケース底面２６には、該ケース底面２６に裁置されたガラス基板１０を持ち上げるための基板持上部３０（リフトピン３４が移動自在に挿入される貫通孔３２）が形成されている。基板持上部３０を用いることによって、ガラス基板１０を基板保持ケース２０に収容する作業およびガラス基板１０を基板保持ケース２０から取り外す作業を安定して行うことができる。したがって、かかる作業時の不良の発生を防止し、歩留まりの低下を抑えることが可能となる。
【００３２】
さらに、本実施形態の構成では、図１に示すように、ケース底面２６には、リフトピン３４が挿入される貫通孔３２が複数箇所（ケース底面２６の中央部および周辺角部の５箇所）に設けられ、それぞれの貫通孔３２に挿入されたリフトピン３４がガラス基板１０の中央部および周辺角部の５箇所を支持するように配置されている。この場合、リフトピン３４でガラス基板１０を持ち上げたときに、ガラス基板１０が大きく撓むのを抑制することができ、かかる作業時の不良の発生をより効果的に防止することができる。
【００３３】
なお、ここに開示される技術の好ましい適用対象として、大型で、かつ薄板なガラス基板が挙げられる。例えば、４０インチ以上で、１．０ｍｍ以下の板厚を有するガラス基板が好ましく例示される。このような大型で、かつ薄板なガラス基板は、非常に破損しやすく、搬送中に僅かな撓みが生じただけでも破損する可能性があるため、本発明の構成を採用することによる技術的価値が高い。特に限定するものではないが、本実施形態のガラス基板１０のサイズを例示すると、縦７３０ｍｍ×横９２０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍ程度である。
【００３４】
以上、本発明を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の改変が可能である。
【００３５】
例えば、本実施形態のガラス基板１０は、液晶パネル用のガラス基板であるが、ガラス基板１０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が作製されるアレイ基板であってもよいし、カラーフィルタ（ＣＦ）が形成されるＣＦ基板であってもよい。加えて、液晶パネル用のガラス基板１０に限らず、ＰＤＰ、有機ＥＬパネル、その他フラットパネルディスプレイまたは電子デバイスを製作する上での薄型のガラス基板であってもよい。
【００３６】
また、本実施形態では、ガラス基板１０にプラズマを用いた成膜処理を行っているが、これに限定されず、例えば、スパッタを用いた成膜処理であってもよいし、蒸着法による成膜処理であってもよい。さらに、上述した成膜処理に限らず、例えば、エッチング処理（プラズマを用いたドライエッチング等）などの表面処理であっても構わない。本発明の方法は、チャンバ内でガラス基板に施される種々の表面処理技術に対して広く適用することができる。
【００３７】
さらに、基板保持ケース２０の構成は上述したものに限らず、他の形態に変更することも可能である。図８（ａ）及び（ｂ）を参照しながら、本実施形態の基板保持ケース２０の改変例を説明する。図８（ａ）及びおよび図８（ｂ）は、ケース底面１２６に形成された貫通孔１３２と、該貫通孔１３２に挿入されたリフトピン１３４の断面構成を示している。
【００３８】
図８（ａ）に示した例では、リフトピン１３４は、貫通孔１３２に挿入された状態でケース底面１２６に埋め込まれている。そして、図８（ｂ）に示すように、貫通孔１３２の下方から別のリフトピン１３５を挿入し、ケース底面１２６に埋め込まれたリフトピン１３４を上方に押し上げることによって、リフトピン１３４がケース底面１２６から突出するようになっている。この構成を用いれば、貫通孔１３２がリフトピン１３４、１３５によって常に塞がれるため、ガラス基板が割れたときに、その破片が貫通孔１３２を通じてケース外部に流出することを防止することができる。
【００３９】
また、図８（ａ）に示した例では、リフトピン１３４は、軸部１３４ｂと、該軸部１３４ｂよりも外形が大きい頭部１３４ａとから構成されている。そして、貫通孔１３２には、リフトピン１３４の頭部１３４ａと係合する段差１３２ａが設けられている。この構成を用いれば、ガラス基板が割れたときに、その破片が貫通孔１３２とリフトピン１３４の頭部１３４ａとの僅かな隙間に入り込んだとしても、貫通孔１３２の段差１３２ａによってガラス破片の更なる侵入が阻止される。したがって、ガラス破片のケース外部への流出をより効果的に防ぐことができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明によれば、チャンバ内でガラス基板が割れたときにガラス破片を速やかに回収することができる基板処理方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００４１】
１０    ガラス基板
１２    上面
１４    下面
２０    基板保持ケース
２２    ケース壁面
２２ａ  上面
２４    開口部
２６    ケース底面
３０    基板持上部
３２    貫通孔
３４    リフトピン
３６    先端
６０    下部電極
６２    上面
６４    凹部
６８    底面
７０    上部電極
８４    リフトピン
９０    チャンバ
９２    原料ガス導入口
１００  基板処理装置
【図１】
2011146599.tif 000003
【図２】
2011146599.tif 000004
【図３】
2011146599.tif 000005
【図４】
2011146599.tif 000006
【図５】
2011146599.tif 000007
【図６】
2011146599.tif 000008
【図７】
2011146599.tif 000009
【図８】
2011146599.tif 000010