(57)【要約】【課題】２つのパッケージを積層するＰＯＰタイプの半導体装置が備える、上側に搭載される半導体パッケージにおいて、このものに生じる反りの大きさが低減された半導体パッケージ、および、かかる半導体パッケージが他の半導体パッケージ上に搭載され、これら半導体パッケージ同士を電気的に接続する半田バンプにおけるクラックの発生が低減された信頼性の高い半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明の半導体パッケージは、インターポーザー１２（基板）と、このインターポーザー１２上に設置された半導体素子１５と、インターポーザー１２と半導体素子１５とを接着する接着層１４と、半導体素子１５をインターポーザー１２ごと覆うように設けられたモールド部（封止部）１６とを有し、接着層１４の常温における弾性率が１０００ＭＰａ超、１００００ＭＰａ以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に設置された半導体素子と、前記基板と前記半導体素子とを接着する接着層と、前記半導体素子を前記基板ごと覆うように設けられた封止部とを有し、
前記接着層の常温における弾性率が１０００ＭＰａ超、１００００ＭＰａ以下であることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記接着層は、２６０℃における弾性率が３０〜１０００ＭＰａである請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記接着層は、充填材と熱硬化性樹脂とを含有する樹脂組成物の硬化物を主材料として構成される請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記基板は、常温における弾性率が２１〜４０ＧＰａである請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記基板は、その面内方向の熱膨張係数が１５ｐｐｍ以下である請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記基板は、その厚さが８０〜３００μｍである請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記基板は、その面積が１００〜２２５ｍｍ２である請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記基板は、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板またはこれらの基板の積層体である請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記封止部は、その熱膨張係数α１が８〜３０ｐｐｍ以下である請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記封止部は、その熱膨張係数α２が３０〜１００ｐｐｍ以下である請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記封止部は、その厚さが２００〜９００μｍである請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記封止部は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物の硬化物を主材料として構成される請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記基板の厚さをＡとし前記封止部の厚さをＢとしたとき、Ｂ／Ａは、１．０〜７．０である請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項１４】
他の半導体パッケージ上に、重ねて搭載されるものである請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項１５】
前記基板の前記半導体素子と反対側の面に接合された半田バンプを有し、該半田バンプは、前記他の半導体パッケージが有する電極パッドに電気的に接続される請求項１４に記載の半導体パッケージ。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の半導体パッケージが、前記他の半導体パッケージ上に、重ねて搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージおよび半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のエレクトロニクス産業の著しい発展に伴い、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩへと、半導体素子における回路の集積度は急激に増大している。このため、半導体素子の大きさも、従来長辺が数ｍｍ程度だったものが１０数ｍｍへと飛躍的に増大している。また、半導体素子の高速化のため外部と電気的に接合するピンの数も２００ピンを越えるようになってきている。
【０００３】
また、半導体装置の実装においても、より高密度化、より薄型化が一段と加速され、その結果、半導体製品自体もＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等に代表される従来型のパッケージだけでなく、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等の面実装タイプのパッケージが出現し、パッケージのより薄型化が進んでいる。
【０００４】
さらに、パッケージが占有する面積を増加させずに、半導体装置の高密度化を図るために、２つ以上のパッケージを積層するＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ  Ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
このＰＯＰタイプの半導体装置５３０は、例えば、以下のようにして製造される。
まず、図３（ａ）に示すような、配線パターン５１３およびバンプ５１１が設けられたインターポーザー（基板）５１２と、接着層５１４を介してインターポーザー５１２上に設けられた半導体素子５１５と、半導体素子５１５およびインターポーザー５１２のほぼ全体を覆うように設けられたモールド部５１６とを備えるパッケージ（半導体パッケージ）５１０を用意する。この時、半導体素子５１５と配線パターン５１３はワイヤー５１７で電気的に接続されている。
【０００６】
次に、図３（ｂ）に示すような、配線パターン５２３およびバンプ５２１が設けられたインターポーザー（基板）５２２と、接着層５２４を介してインターポーザー５２２上に設けられた半導体素子５２５と、半導体素子５２５およびインターポーザー５２２の一部を覆うように設けられたモールド部５２６とを備えるパッケージ（半導体パッケージ）５２０を用意する。この時、半導体素子５２５とインターポーザー５２２はワイヤー５２７で電気的に接続されている。
【０００７】
次に、パッケージ５１０を上側に、パッケージ５２０を下側に配置した状態で、配線パターン５２３が有する電極パッドと、バンプ５１１とを接続して、パッケージ５１０とパッケージ５２０とを電気的に接続することにより、これら同士が積層されたＰＯＰタイプの半導体装置５３０が製造される（図３（ｃ）参照。）。
【０００８】
以上のように、半導体装置５３０は、互いに異なる機能を有する半導体素子５１５および半導体素子５２５をそれぞれ備えるパッケージ５１０およびパッケージ５２０を積層することにより得られるため、パッケージ（半導体素子）の組み合わせの自由度が高く、汎用性が高いといった利点を有するため、近年、広く用いられている。
【０００９】
ここで、上述したような半導体装置５３０の製造方法では、前記電極パッドとバンプ５１１とを接続するために、バンプ５１１を溶融・固化する半田リフロー工程において、パッケージ５１０およびパッケージ５２０を、２６０℃程度の高温下に晒す必要がある。
【００１０】
また、かかる高温下に晒されるパッケージ５１０およびパッケージ５２０は、図３に示すように、バンプ５１１およびバンプ５２１をそれぞれ下側にして配置したとき、常温下ではその中央部を下側に縁部を上側にして反りが生じものは、高温下ではその中央部を上側に縁部を下側にして反りが生じる性質を有している。これに対して、常温下ではその中央部を上側に縁部を下側にして反りが生じものは、高温下ではその中央部を下側に縁部を上側にして反りが生じる性質を有している。
【００１１】
そのため、パッケージ５１０として、常温下ではその中央部を下側に縁部を上側にして反りが生じ、高温下ではその中央部を上側に縁部を下側にして反りが生じるものを選択し、パッケージ５２０として、常温下ではその中央部を上側に縁部を下側にして反りが生じ、高温下ではその中央部を下側に縁部を上側にして反りが生じるものを選択した場合には、以下のような問題が生じる。
【００１２】
すなわち、かかるパッケージ５１０およびパッケージ５２０を選択した場合、半田リフロー工程において、パッケージ５１０、５２０を２６０℃程度の高温下に晒した際に、電極パッドとバンプ５１１とは、互いに近付く位置に存在することとなるが、バンプ５１１の溶融の後にパッケージ５１０、５２０を常温下に戻すと、電極パッドとバンプ５１１とは、互いに離れる方向に再び反ろうとするため、電極パッドに固着されたバンプ５１１に応力が掛かり、これに起因して、バンプ５１１にクラックが生じるという問題がある。
【００１３】
さらに、パッケージ５１０として、常温下ではその中央部を上側に縁部を下側にして反りが生じ、高温下ではその中央部を下側に縁部を上側にして反りが生じるものを選択し、パッケージ５２０として、常温下ではその中央部を下側に縁部を上側にして反りが生じ、高温下ではその中央部を上側に縁部を下側にして反りが生じるものを選択した場合には、以下のような問題が生じる。
【００１４】
すなわち、かかるパッケージ５１０およびパッケージ５２０を選択した場合、半田リフロー工程において、パッケージ５１０、５２０を２６０℃程度の高温下に晒した際に、電極パッドとバンプ５１１とは、互いに離間する位置に存在することとなるが、バンプ５１１の溶融の後にパッケージ５１０、５２０を常温下に戻すと、電極パッドとバンプ５１１とは、互いに近づく方向に再び反ろうとするため、電極パッドに固着されたバンプ５１１に応力が掛かり、これに起因して、バンプ５１１にクラックが生じるという問題がある。
【００１５】
また、かかる高温下に晒されるパッケージ５１０は、通常、インターポーザー５１２のほぼ全体がモールド部５１６で被覆されていることに起因して、図３（ａ）に示すように、バンプ５１１を下側にして配置したとき、常温下ではその中央部を下側に縁部を上側にして反りが生じ、高温下ではその中央部を上側に縁部を下側にして反りが生じる性質を有している。
【００１６】
これとは逆に、パッケージ５２０は、通常、インターポーザー５２２の縁部がモールド部５２６から露出していることに起因して、図３（ｂ）に示すように、バンプ５２１を下側にして配置したとき、常温下ではその中央部を上側に縁部を下側にして反りが生じ、高温下ではその中央部を下側に縁部を上側にして反りが生じる性質を有している。
【００１７】
したがって、半田リフロー工程において、パッケージ５１０、５２０を２６０℃程度の高温下に晒した際に、電極パッドとバンプ５１１とは、互いに近付く位置に存在することとなるが、バンプ５１１の溶融の後にパッケージ５１０、５２０を常温下に戻すと、電極パッドとバンプ５１１とは、互いに離れる方向に再び反ろうとするため、電極パッドに固着されたバンプ５１１に応力が掛かり、これに起因して、バンプ５１１にクラックが生じるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開２００７−３２４５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明の目的は、２つのパッケージを積層するＰＯＰタイプの半導体装置が備える、上側に搭載される半導体パッケージにおいて、このものに生じる反りの大きさが低減された半導体パッケージ、および、かかる半導体パッケージが他の半導体パッケージ上に搭載され、これら半導体パッケージ同士を電気的に接続する半田バンプにおけるクラックの発生が低減された信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
このような目的は、下記（１）〜（１６）に記載の本発明により達成される。
（１）  基板と、該基板上に設置された半導体素子と、前記基板と前記半導体素子とを接着する接着層と、前記半導体素子を前記基板ごと覆うように設けられた封止部とを有し、
前記接着層の常温における弾性率が１０００ＭＰａ超、１００００ＭＰａ以下であることを特徴とする半導体パッケージ。
【００２１】
（２）  前記接着層は、２６０℃における弾性率が３０〜１０００ＭＰａである上記（１）に記載の半導体パッケージ。
【００２２】
（３）  前記接着層は、充填材と熱硬化性樹脂とを含有する樹脂組成物の硬化物を主材料として構成される上記（１）または（２）に記載の半導体パッケージ。
【００２３】
（４）  前記基板は、常温における弾性率が２１〜４０ＧＰａである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【００２４】
（５）  前記基板は、その面内方向の熱膨張係数が１５ｐｐｍ以下である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【００２５】
（６）  前記基板は、その厚さが８０〜３００μｍである上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【００２６】
（７）  前記基板は、その面積が１００〜２２５ｍｍ２である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【００２７】
（８）  前記基板は、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板またはこれらの基板の積層体である上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【００２８】
（９）  前記封止部は、その熱膨張係数α１が８〜３０ｐｐｍ以下である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【００２９】
（１０）  前記封止部は、その熱膨張係数α２が３０〜１００ｐｐｍ以下である上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【００３０】
（１１）  前記封止部は、その厚さが２００〜９００μｍである上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【００３１】
（１２）  前記封止部は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物の硬化物を主材料として構成される上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【００３２】
（１３）  前記基板の厚さをＡとし前記封止部の厚さをＢとしたとき、Ｂ／Ａは、１．０〜７．０である上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【００３３】
（１４）  他の半導体パッケージ上に、重ねて搭載されるものである上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【００３４】
（１５）  前記基板の前記半導体素子と反対側の面に接合された半田バンプを有し、該半田バンプは、前記他の半導体パッケージが有する電極パッドに電気的に接続される上記（１４）に記載の半導体パッケージ。
【００３５】
（１６）  上記（１４）または（１５）に記載の半導体パッケージが、前記他の半導体パッケージ上に、重ねて搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、２つのパッケージを積層するＰＯＰタイプの半導体装置が備える上側に搭載される半導体パッケージは、このものに生じる反りの大きさが低減されたものとなる。その結果、かかる半導体パッケージが上側に搭載された半導体装置の製造時に、２つのパッケージ同士を電気的に接続するためのバンプにおいて、クラックが生じてしまうのを的確に防止または抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】ＰＯＰタイプの半導体装置の一例を示す縦断面図である。
【図２】評価に用いるパッケージを示す縦断面図である。
【図３】ＰＯＰタイプの半導体装置を製造する方法を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の半導体パッケージおよび半導体装置を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３９】
以下では、本発明の半導体パッケージを説明するのに先立って、まず、本発明の半導体パッケージを備える半導体装置（本発明の半導体装置）について説明する。
【００４０】
図１は、ＰＯＰタイプの半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００４１】
図１に示す半導体装置３０は、ＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ  Ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの半導体装置であり、パッケージ（他の半導体パッケージ）２０と、このパッケージ２０上に、重ねて搭載されたパッケージ（半導体パッケージ）１０とを有している。
【００４２】
本実施形態では、パッケージ（他の半導体パッケージ）２０は、所定パターンに形成された配線パターン２３を備えるインターポーザー２２と、インターポーザー２２上に配置された半導体素子２５と、半導体素子２５を封止するモールド部２６と、複数の導電性を有するバンプ（半田バンプ）２１とを有している。
【００４３】
インターポーザー２２は、半導体素子２５を支持する基板であり、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。
【００４４】
インターポーザー２２の上面（一方の面）側には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される配線パターン２３が、所定形状で設けられており、この配線パターン２３は、後述するパッケージ１０が有するバンプ１１と電気的に接続される電極パッド（図示せず）を備えている。
【００４５】
また、インターポーザー２２には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。
【００４６】
各バンプ２１は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が配線パターン２３の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー２２の下面（他の面）から突出している。
【００４７】
バンプ２１のインターポーザー２２から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。
【００４８】
このバンプ２１は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。
【００４９】
インターポーザー２２上には、配線パターン２３の一部を覆うように、接着層２４が設けられ、この接着層２４を介して半導体素子２５がインターポーザー２２上に設置されている。
【００５０】
また、半導体素子２５は、図示しない電極パッドを有しており、この電極パッドと配線パターン２３とが、ワイヤー２７で電気的に接続されている。これにより、半導体素子２５と配線パターン２３とが電気的に接続されている。
【００５１】
このワイヤー２７の材質は、特に限定されないが、ワイヤー２７は、例えば、Ａｕ線やＡｌ線で構成することができる。
【００５２】
そして、配線パターン２３の縁部が露出するように、インターポーザー２２の一部およびインターポーザー２２の上面側に設けられた各部材は、モールド部２６により封止されている。結果として、配線パターン２３（インターポーザー２２）の縁部が露出することから、配線パターン２３が備える電極パッドがモールド部２６から露出している。
【００５３】
パッケージ（本発明の半導体パッケージ）１０は、本実施形態では、パッケージ２０上に搭載（積層）されており、所定パターンに形成された配線パターン１３を備えるインターポーザー（基板）１２と、インターポーザー１２上に設置（配置）された半導体素子１５と、インターポーザー１２と半導体素子１５とを接着する接着層１4と、半導体素子１５をインターポーザー１２ごと覆うように設けられたモールド部（封止部）１６と、複数の導電性を有するバンプ（端子）１１とを有している。
【００５４】
インターポーザー１２は、半導体素子１５を支持する基板であり、その平面視形状は、インターポーザー２２と同様に、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。
【００５５】
インターポーザー１２の上面（半導体素子１５が搭載される面）側には、配線パターン１３が、所定形状で設けられている。
【００５６】
また、インターポーザー１２には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。
【００５７】
各バンプ１１は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が配線パターン１３の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー１２の下面（半導体素子１５と反対側の面）に突出して接合されている。
【００５８】
バンプ１１のインターポーザー１２から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。
【００５９】
インターポーザー１２上には、配線パターン１３の一部を覆うように、接着層１４が設けられ、この接着層１４を介して半導体素子１５がインターポーザー１２上のほぼ中央に設置されている。
【００６０】
また、半導体素子１５は、図示しない電極パッドを有しており、この電極パッドと配線パターン１３とが、ワイヤー１７で電気的に接続されている。これにより、半導体素子１５と配線パターン１３とが電気的に接続されている。
【００６１】
そして、配線パターン１３のほぼ全体すなわちインターポーザー１２のほぼ全体が被覆されるように、インターポーザー１２およびインターポーザー１２の上面側に設けられた各部材（配線パターン１３、半導体素子１５）は、モールド部（封止部）１６により封止されている。これにより、モールド部１６で、半導体素子１５がインターポーザー１２ごと覆われることとなる。
【００６２】
半導体装置３０では、上記のような構成をなすパッケージ１０およびパッケージ２０が、パッケージ２０が上側となるように、パッケージ１０上に重ねて搭載されている。
【００６３】
より具体的には、本実施形態では、インターポーザー２２の縁部がモールド部２６で被覆されることなく露出する構成のパッケージ１０、および、インターポーザー１２のほぼ全体（全面）が被覆された構成のパッケージ２０において、パッケージ２０がパッケージ１０上に重ねて搭載されることにより、パッケージ１０が備えるバンプ１１とパッケージ２０が備える電極パッドとが電気的に接続されて、半導体素子１５と半導体素子２５とが接続される。
【００６４】
かかる構成の半導体装置３０は、互いに異なる機能を有する半導体素子１５および半導体素子２５をそれぞれ備えるパッケージ１０およびパッケージ２０が積層されており、例えば、半導体素子１５、２５として、ロジックＩＣ、メモリおよび受発光素子等のうちの任意の２種を組み合わせて選択できるため、パッケージ（半導体素子）の組み合わせの自由度が高く、汎用性が高いといった利点を有する。
【００６５】
以上のような半導体装置３０は、例えば、公知の方法を用いて、パッケージ１０およびパッケージ２０をそれぞれ用意し、パッケージ１０を上側に、パッケージ２０を下側に配置した状態で、配線パターン２３が有する電極パッドと、バンプ１１とを接続することにより製造される。
【００６６】
このような半導体装置３０の製造方法において、パッケージ２０の電極パッドとパッケージ１０のバンプ１１との接続は、パッケージ１０およびパッケージ２０を、２６０℃程度の高温下に晒した後、常温下に冷却して、バンプ１１を溶融・固化する半田リフロー工程により行われる。
【００６７】
ここで、パッケージ１０およびパッケージ２０の双方に、前述したような反りが生じる状態、すなわち高温下と常温下で互いに反対方向に反りが生じる状態で、半田リフロー工程により配線パターン２３が有する電極パッドとバンプ１１とを接続すると、バンプ１１に応力が掛かり、これに起因して、バンプ１１にクラックが生じるという問題があった。
【００６８】
本発明者は、かかる問題点に鑑み鋭意検討を重ねた結果、２つのパッケージ１０、２０に生じる反りを低減させること、特に、これらの中でも、パッケージ１０に生じる反りを低減させることにより、バンプ１１におけるクラックの発生を的確に抑制または防止し得ることが判ってきた。
【００６９】
そして、本発明者は、さらに検討を重ねた結果、パッケージ１０に生じる反りが、主として接着層１４の弾性率と相関関係を有することを見出し、より詳しくは、接着層１４を低弾性なものとすることにより、パッケージ１０に生じる反りの大きさを小さくし得ることを見出した。
【００７０】
具体的には、接着層１４の常温（２５℃）における弾性率を、１０００ＭＰａ超、１００００ＭＰａ以下のものとすることにより、パッケージ１０に生じる反りの大きさを的確に小さくでき、結果として、バンプ１１におけるクラックの発生を的確に抑制または防止し得ること見出し、本発明を完成するに至った。
【００７１】
なお、本発明では、接着層１４の常温（２５℃）における弾性率は、１０００ＭＰａ超、１００００ＭＰａ以下の大きさとされるが、２０００〜７０００ＭＰａ程度のであるのが好ましい。接着層１４の常温における弾性率をかかる範囲内に設定することにより、接着層１４で半導体素子１５を固定するとともに、パッケージ１０に生じる反りの大きさを確実に小さくすることができる。
【００７２】
また、接着層１４の温度２６０℃における弾性率は、３０〜１０００ＭＰａ程度であるのが好ましく、５０〜７００ＭＰａ程度のであるのがより好ましい。
【００７３】
ここで、接着層１４は、充填材と熱硬化性樹脂とを含有する樹脂組成物の硬化物により構成され、本発明では、接着層１４の常温における弾性率が１０００ＭＰａ超、１００００ＭＰａ以下の大きさとなるように樹脂組成物の種類が適宜選択される。
【００７４】
具体的には、樹脂組成物としては、充填材と熱硬化性樹脂とを含有し、さらに、硬化触媒を含有するものが好適に選択される。樹脂組成物中に、硬化触媒を含有する構成とすることにより、接着層１４の常温における弾性率を、比較的容易に１０００ＭＰａ超、１００００ＭＰａ以下の大きさに設定することができるとともに、熱硬化性樹脂の重合反応を確実に促進させることができる。
【００７５】
充填材としては、銀粉、金粉、銅粉、アルミニウム粉、ニッケル粉、パラジウム粉等の導電性金属粉、溶融シリカ、結晶シリカ、窒化珪素、アルミナ、窒化アルミ、タルク、チタニア、アルミニウムナイトライド、ボロンナイトライド等の無機粉末、ポリエチレン粉末、ポリアクリル酸エステル粉末、ポリテトラフルオロエチレン粉末、ポリアミド粉末、ポリウレタン粉末、ポリシロキサン粉末等の高分子粉末が使用可能である。樹脂組成物を使用する際にはノズルを使用して吐出する場合があるので、ノズル詰まりを防ぐために平均粒径は３０μｍ以下が好ましく、ナトリウム、塩素といったイオン性の不純物が少ないことが好ましい。特に導電性、熱伝導性が要求される場合には銀粉を使用することが好ましい。通常電子材料用として市販されている銀粉であれば、還元粉、アトマイズ粉等が入手可能で、好ましい粒径としては平均粒径が１μｍ以上、３０μｍ以下である。これ以下では樹脂組成物の粘度が高くなりすぎ、これ以上では上述のようにディスペンス時にノズル詰まりの原因となるからであり、電子材料用以外の銀粉ではイオン性不純物の量が多い場合があるので注意が必要である。形状はフレーク状、球状等特に限定されないが、好ましくはフレーク状のものを使用し、通常、樹脂組成物中６０重量％以上、９５重量％以下が好ましく、７０重量％以上、９０重量％以下が特に好ましい。銀粉の割合がこれより少ない場合には導電性が悪化し、これより多い場合には樹脂組成物の粘度が高くなりすぎるためである。
【００７６】
また、導電性や熱伝導性が要求されない場合は、シリカを使用することが好ましい。シリカの平均粒径は０．３〜２０μｍ、最大粒径は５０μｍ程度のものが好ましい。平均粒径が０．３μｍ未満だと粘度が高くなり、２０μｍを越えると塗布又は硬化時に樹脂分が流出するのでブリードが発生するため好ましくない。最大粒径が５０μｍを越えるとディスペンサーでペーストを塗布するときに、ニードルの出口を塞ぎ長時間の連続使用ができない。又比較的粗いシリカと細かいシリカとを混合して用いることもでき、種類、形状についても各種のものを適宜混合してもよい。また、粒径が１〜１００ｎｍ程度のナノスケールシリカを添加しても良い。
【００７７】
使用するシリカは、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含有
量は１０ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００７８】
尚、シリカは、予め表面をアルコキシシラン、アシロキシシラン、シラザン、オルガノアミノシラン等のシランカップリング材等で処理したものを用いてもよい。
【００７９】
シリカの形状は、特に限定されないが、好ましくは球状のものを使用し、通常、樹脂組成物中４０重量％以上、８５重量％以下が好ましく、４５重量％以上、８０重量％以下が特に好ましい。シリカの割合がこれより少ない場合には機械特性（線膨張係数が大きくなる）が悪化し、これより多い場合には樹脂組成物の粘度が高くなりすぎるためである。
【００８０】
熱硬化性樹脂とは、加熱することで反応が進行し高分子量化するものであり硬化剤、触媒等反応に関与する成分を含むものである。好ましい熱硬化性樹脂は、１分子内にグリシジル基を２個有する化合物（Ｂ１）と１分子内にマレイミド基を２個有する化合物（Ｂ２）とを含むものである。ここで化合物（Ｂ１）、（Ｂ２）とも１分子内に官能基を２個有する必要があるが、化合物（Ｂ１）、（Ｂ２）作製時に２官能となるようにデザインされていれば、目的生成物以外に不純物として１官能又は３官能以上の成分が含まれていても差し支えないものとし、意図的に１官能又は３官能以上の成分を加えたり、意図的に１官能又は３官能以上の成分が生成するような条件を選定したりしなければ差し支えないものとする。
【００８１】
好ましい化合物（Ｂ１）は１分子内にグリシジル基を２個有していれば特に限定されないが、反応性の観点からグリシジル基は芳香族炭素原子に酸素原子を介して結合したものが好ましい。また１分子内に含まれる官能基の数は２個に限定されるが、これは１分子内に含まれる官能基の数が１個の場合には硬化物の凝集力が低下しその結果として接着力の低下の原因となるからで、３個以上の場合には硬化物の架橋密度が高くなりその結果硬化物の弾性率が高く応力吸収特性の低下の原因となるからである。好ましい化合物（Ｂ１）としてはビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビフェノール又はこれらの誘導体等の１分子内にフェノール性水酸基を２個有する化合物のジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオール、アントラセンジオール又はこれらの誘導体のジグリシジルエーテル化物が挙げられ、これらは単独でも併用しても差し支えなく脂肪族のジグリシジル化合物との併用も差し支えないが脂肪族のジグリシジル化合物は反応性が劣るため単独での使用は好ましくない。併用可能な脂肪族のグリシジル化合物としては、水素添加したビスフェノールＦ、水素添加したビスフェノールＡ、水素添加したビフェノール又はこれらの誘導体、シクロヘキサンジメタノール、シクロヘキサンジエタノール、その他シクロヘキサンのジアルキルアルコールのジグリシジルエーテル化合物が挙げられる。
その他の好ましい化合物（Ｂ１）としては硬化物の弾性率を下げる目的で分子鎖中にポリアルキレンオキサイド基を導入したジグリシジルエーテル化合物が挙げられる。ここでポリアルキレンオキサイド基を導入したジグリシジルエーテル化合物は反応性の観点からグリシジルエーテル基が芳香族炭素原子に結合したグリシジルオキシフェニル基であることが好ましい。すなわちポリアルキレンオキサイド骨格及びグリシジルオキシフェニル基を有する化合物が好ましく用いられるが、ポリアルキレンオキサイド骨格としては炭素数２〜６の直鎖状又は分岐したアルキレン基がエーテル結合により繰り返し結合したものが好ましく、より好ましくは、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリブチレンオキサイド、ポリテトラメチレンオキサイドより選ばれる少なくとも１つである。繰り返し単位の炭素数が６より多い場合には結晶化しやすくなるため低弾性率化効果が期待できない場合がある。
【００８２】
ポリアルキレンオキサイドの繰り返し数は２〜５０が好ましい。より好ましい繰り返し数は２〜１０である。繰り返し数が１に相当するアルキレングリコール残基では期待する低弾性率化効果が期待できなく、５０より多くなると液状樹脂組成物の粘度が高くなりすぎるとともに硬化性が悪化するためである。
【００８３】
分子鎖中にポリアルキレンオキサイド基を導入したジグリシジルエーテル化合物は、グリシジルオキシフェニル基を有する必要があるが、これは脂肪族と結合したグリシジルオキシ基では反応性が低く、使用できる硬化剤が例えばルイス酸、酸無水物といったものに限られてしまうためである。このような化合物は、特開２００４−１５６０２４に記載されているような方法にて得ることが可能である。すなわちビスフェノールＡとトリエチレングリコールジビニルエーテルをアセタール化反応によりエチレンオキサイドを繰り返し単位として有し両末端にフェノール性水酸基を有する化合物を得た後さらにエピクロルヒドリンと反応することで、両末端がグリシジルオキシフェニル基でポリアルキレンオキサイド骨格を有する化合物を得ることである。同様に使用するジビニルエーテルとしてポリプロピレンオキサイドのジビニルエーテル、ポリブチレンオキサイドのジビニルエーテル、ポリテトラメチレンオキサイドのジビニルエーテルを選択することで、ポリアルキレンオキサイド骨格を変更することも可能であるし、ビスフェノールＡの替わりにビスフェノールＦ、ビフェノール等のビスフェノール化合物又はその誘導体、カテコール、レゾルシノール、ハイドロキノン又はこれらの誘導体等の１分子内にフェノール性水酸基を２つ有する化合物、ナフタレンジオール、アントラセンジオール等も使用可能である。
【００８４】
本発明では１分子内にマレイミド基を２個有する化合物（Ｂ２）を用いるがこれは極性の高いマレイミド基を有することで接着性に優れる液状樹脂組成物を得ることが可能である。化合物（Ｂ２）としては１分子内にマレイミド基を２個有していれば特に限定されないが、芳香族環を含まないことが好ましい。芳香族環を含みマレイミド基を２個有する化合物は一般に結晶性が高く化合物（Ｂ１）と混合しても液状にすることが難しく、液状化できたとしても粘度の高い作業性の悪い液状樹脂組成物しか得られないからであり、また芳香族環同士の相互作用により得られた硬化物は靱性に乏しい脆いものになるからである。また１分子内に含まれる官能基の数は２個に限定されるが、これは１分子内に含まれる官能基の数が１個の場合には硬化物の凝集力が低下しその結果として接着力の低下の原因となるからで、３個以上の場合には硬化物の架橋密度が高くなりその結果硬化物の弾性率が高く応力吸収特性の低下の原因となるからである。
【００８５】
好ましい化合物（Ｂ２）としては脂肪族のアミノ酸（１分子内に１級アミノ基とカルボキシ基を有する化合物）と無水マレイン酸との反応により得られるマレイミドアミノ酸と脂肪族ジオールを反応することで得られる化合物であり、さらに好ましいのはマレイミドアミノ酸とポリアルキレンオキサイドジオールの反応により得られるものである。ポリアルキレンオキサイドジオールの炭素数は２〜６が好ましく直鎖状又は分岐したアルキレン基がエーテル結合により繰り返し結合したものが好ましい。より好ましくは、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリブチレンオキサイド、ポリテトラメチレンオキサイドより選ばれる少なくとも１つである。繰り返し単位の炭素数が６より多い場合には結晶化しやすくなるため低弾性率化効果が期待できない場合がある。
【００８６】
ポリアルキレンオキサイドの繰り返し数は２〜５０が好ましい。より好ましい繰り返し数は２〜１０である。繰り返し数が１に相当するアルキレングリコール残基では期待する低弾性率化効果が期待できなく、５０より多くなると液状樹脂組成物の粘度が高くなりすぎるとともに硬化性が悪化するためである。
【００８７】
化合物（Ｂ１）、（Ｂ２）の配合量は、それぞれ化合物（Ｂ１）＋（Ｂ２）に対して１０重量％以上９０重量％以下が好ましい。化合物（Ｂ１）、（Ｂ２）がこれより多くても少なくても化合物（Ｂ１）、（Ｂ２）を単独で硬化した場合と同様の特性しか得られず、化合物（Ｂ１）と化合物（Ｂ２）を併用して初めて得られる良好な接着性と低弾性率の両立が困難であるからである。より好ましい化合物（Ｂ１）の配合量は化合物（Ｂ１）＋（Ｂ２）に対して１５重量％以上６０重量％以下であり、化合物（Ｂ２）の配合量は化合物（Ｂ１）＋（Ｂ２）に対して４０重量％以上８５重量％以下である。
【００８８】
化合物（Ｂ１）、（Ｂ２）以外の化合物を含むことも可能であるが粘度を下げる目的でメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルカルビトール、エチルカルビトール、シクロヘキサノール、γ−ブチロラクトン等の溶剤を使用した場合には硬化反応中に揮発する必要があり硬化物注のボイドの原因、硬化物中に残存する危険性があるため使用できない。
【００８９】
好ましい化合物（Ｂ１）、（Ｂ２）以外の化合物としては、（メタ）アクリロイル基を有する化合物、ビニルエーテル基を有する化合物が挙げられる。なかでも１分子内に（メタ）アクリロイル基を２個有する化合物（Ｂ３）が好適に用いられる。これは化合物（Ｂ３）が低粘度であり化合物（Ｂ１）、（Ｂ２）との相溶性に優れるためであり、有機過酸化物等の反応触媒（反応開始剤）を使用することで化合物（Ｂ２）と速やかに反応するためである。１分子内に含まれる官能基数は２が好ましいが、これは官能基数が１の場合には硬化物の凝集力が低下し良好な接着性を維持できないためであり、３以上の場合には硬化物の弾性率が高くなりすぎ支持体との剥離の原因となることがある。
【００９０】
好ましい化合物（Ｂ３）としては、グリセリンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ジンクジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジエタノールジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジアルキルアルコールジ（メタ）アクリレート、ジメタノールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ’−メチレンビス（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−エチレンビス（メタ）アクリルアミド、１，２−ジ（メタ）アクリルアミドエチレングリコールなどが挙げられ、中でも好ましい化合物Ｂ２はエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、ジメタノールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレートである。
【００９１】
化合物（Ｂ３）の好ましい配合量は、熱硬化性樹脂（Ｂ）に対して１０重量％以上４０重量％以下である。より好ましい配合量は１５重量％以上３０重量％以下である。これより少ない場合には液状樹脂組成物の低粘度化に十分な効果がなく、これより多い場合には接着性の低下の原因となることがあるからである。
化合物（Ｂ１）の硬化剤としては、公知のエポキシ樹脂硬化剤が使用可能である。好ましいものとしてはイミダゾール類、ジシアンジアミドが挙げられ、好ましいイミダゾール類としては２−メチルイミダゾールと２，４−ジアミノ−６−ビニルトリアジンとの付加物又は２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが挙げられる。これら化合物の好ましい配合量は化合物（Ｂ１）に対して０．１重量％以上２０重量％以下である。これより少ないと硬化性が悪く、これ以上だと接着力の低下等硬化物特性が悪化するためである。より好ましい配合量は化合物（Ｂ１）に対して０．５重量％以上１０重量％以下である。またフェノール系の化合物、リン系、アミン系等の反応触媒を使用することも可能である。
【００９２】
化合物（Ｂ２）を反応させる目的で反応触媒（反応開始剤）を使用することも可能である。反応触媒（反応開始剤）としては有機過酸化物が好ましい。有機過酸化物とは、分子内に−Ｏ−Ｏ−結合を有し、加熱することにより遊離ラジカルを発生するものである。
【００９３】
例えば、ケトンパーオキサイド類、パーオキシケタール類、ハイドロパーオキサイド類、ジアルキルパーオキサイド類、ジアシルパーオキサイド類、パーオキシジカーボネート類、パーオキシエステル類等が挙げられる。好ましいものとしては、急速加熱試験（試料１ｇを電熱板の上にのせ、４℃／分で昇温した時の分解開始温度）における分解温度が４０〜１４０℃となるものが好ましい。分解温度が４０℃未満だと、液状樹脂組成物の常温における保存性が悪くなり、１４０℃を越えると硬化時間が極端に長くなるため好ましくない。
【００９４】
具体例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセトアセテートパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、ｎ−ブチル４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）バレレート、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、Ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、ｔ−ヘキシルハイドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、α、α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、イソブチリルパーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、桂皮酸パーオキサイド、ｍ−トルオイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−３−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル）パーオキシジカーボネート、ジ（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、α、α’−ビス（ネオデカノイルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３，−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルへキサノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ブチルパーオキシマレイックアシッド、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ベンゾイル���ーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシ−ｍ−トルオイルベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）イソフタレート、ｔ−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン等が挙げられる。反応触媒（反応開始剤）の配合量は化合物（Ｂ２）に対して０．１重量％以上１０重量％以下である。より好ましくは０．５重量％以上１０重量％以下である。ここで液状樹脂組成物は、通常蛍光灯等の照明下で使用されるので光重合開始剤が含まれていると使用中に反応により粘度上昇が観察されるため実質的に光重合開始剤を含有することは好ましくない。実質的にとは、粘度上昇が観察されない程度で光重合開始剤が微量に存在してもよく、好ましくは、含有しないことである。
【００９５】
樹脂組成物はカップリング剤、消泡剤、界面活性剤、酸化防止剤等の添加剤を含んでいてもよい。また、低粘度化の目的で使用される溶剤及び１官能の反応性希釈剤を実質的に含まないことが好ましい。実質的にとは、半導体装置とした時にボイドが観察されない又は硬化物の凝集力に悪影響を及ぼさない程度で微量存在してもよく、好ましくは、含有しないことである。
【００９６】
上述した液状樹脂組成物は、例えば各成分を予備混合した後、３本ロールを用いて混練した後真空下脱泡することにより製造することができる。
【００９７】
ところで、上記のように接着層１４の常温における弾性率を規定する他、本発明者の検討の結果、さらに、インターポーザー１２における弾性率、熱膨張係数、厚さおよび面積、モールド部１６における熱膨張係数α１、α２および厚さ、半導体素子１５の厚さおよび面積、ならびに、モールド部１６の厚さと半導体素子１５の厚さとの比およびモールド部１６の厚さとインターポーザー１２の厚さとの比を設定することによりパッケージ１０に生じる反りの大きさをより的確に抑制または防止することができることが判った。
【００９８】
以下、これら弾性率、熱膨張係数および厚さ等について、順次説明する。
まず、インターポーザー（基板）１２の常温（２５℃）における弾性率は、２１〜４０ＧＰａ程度であるのが好ましく、２５〜３０ＧＰａ程度のであるのがより好ましい。
【００９９】
また、インターポーザー１２の面内方向の熱膨張係数は、１５ｐｐｍ以下であるのが好ましく、６〜１２ｐｐｍ程度のであるのがより好ましい。
なお、インターポーザー（基板）１２の前記弾性率および前記熱膨張係数は、インターポーザー１２上に配線パターン１３を形成したり、その厚さ方向にビアを形成した前後では、その大きさに差が生じるため、本発明では、これらを形成する前の板状をなすインターポーザー１２で、前記弾性率および前記熱膨張係数を規定することとする。
【０１００】
インターポーザー１２の厚さは、８０〜３００μｍ程度であるのが好ましく、１３０〜２００μｍ程度のであるのがより好ましく、１００〜２５０μｍであるのがさらに好ましい。
【０１０１】
さらに、インターポーザー１２の面積は、１００〜２２５ｍｍ２程度であるのが好ましく、１５０〜２００ｍｍ２程度のであるのがより好ましい。
【０１０２】
インターポーザー１２の弾性率、熱膨張係数、厚さおよび面積を、それぞれ、前記範囲内に設定することにより、半導体素子１５を支持する基板としての機能をインターポーザー１２に発揮させることができるとともに、パッケージ１０に生じる反りの大きさをより確実に小さくすることができる。その結果、バンプ１１におけるクラックの発生がより的確に抑制または防止される。
【０１０３】
また、インターポーザー（基板）１２は、上記のような物性値（弾性率および熱膨張係数）を有するものとなるように、その種類（構成材料）が選択される。
【０１０４】
具体的には、コア材で構成されるコア基板や、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板等が好ましく用いられる。
【０１０５】
コア基板としては、例えば、主として、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂のような熱硬化性樹脂等で構成されるものが挙げられ、これらの中でも、シアネート樹脂を主材料として構成されているものが好ましく用いられる。かかる構成材料で構成されるインターポーザー１２は、優れた機械的強度を有するものであるとともに、弾性率および熱膨張係数を上述したような範囲内に比較的容易に設定することができる。
【０１０６】
シアネート樹脂としては、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得られたものが挙げられる。具体的には、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等が挙げられる。
【０１０７】
なお、エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂のようなビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂のようなノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂のようなアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂およびフルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【０１０８】
また、コア基板として、上記のような熱硬化性樹脂を用いる場合、コア基板としては、ガラス繊維織布に硬化前の熱硬化性樹脂を含浸させた後、この熱硬化性樹脂を硬化させることにより得られたものを用いるのが好ましい。これにより、インターポーザー１２（コア基板）は、より優れた機械的強度を発揮するものとなる。
【０１０９】
ビルドアップ基板としては、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物の硬化物を主材料として構成されるものが好ましく用いられる。
【０１１０】
かかる構成の樹脂組成物の中でも、熱硬化性樹脂として、下記一般式（１）で表わされる共重合体エポキシ樹脂を含むものがより好ましく用いられる。このような樹脂組成物の硬化物で構成されるインターポーザー１２は、弾性率および熱膨張係数が上述したような範囲内により容易に設定し得るとともに、優れた機械的強度を有するものである。また、このインターポーザー１２には、バンプ１１と配線パターン１３とを電気的に接続するためのビアが形成されているが、微細な形状を有するビアを形成する際の加工性にも優れる。
【０１１１】
【化１】
2011129717.tif 000003
[式中、Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を、Ｘは水素、またはエポキシ基（グリシジルエーテル基）を、Ｒ２は、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。ｎは１以上の整数であり、ｐ、ｑは０以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。]
【０１１２】
なお、前記共重合体エポキシ樹脂の縮合環芳香族炭化水素基[Ａｒ]は、下記式（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造ののうち、いずれかであるのが好ましい。
【０１１３】
【化２】
2011129717.tif 000004
[式中、Ｒ１は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。]
【０１１４】
なお、前記共重合体エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、硬化物（ビルドアップ基材）中において、３〜４２重量％程度であるのが好ましく、５〜３５重量％程度であるのがより好ましい。
【０１１５】
また、樹脂組成物中には、前記共重合体エポキシ樹脂の他に、さらに前記共重合体エポキシ樹脂とは異なる他のエポキシ樹脂を含有してもよい。他のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【０１１６】
硬化剤は、特に限定されないが、例えば、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾールのようなイミダゾール化合物、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（II）、トリスアセチルアセトナートコバルト（III）等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸、またはこの混合物が挙げられる。硬化促進剤として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用してもよい。
【０１１７】
無機充填材としては、特に限定されないが、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１８】
無機充填材の粒径は、特に限定されないが、平均粒子径が１．２μｍ以下であることが好ましく、平均粒径が０．０１〜１．０μｍ程度であるのがより好ましい。
【０１１９】
また、無機充填材の含有量は、硬化物（ビルドアップ基材）中において、０〜８５重量％程度であるのが好ましく、３０〜６５重量％程度であるのがより好ましい。
【０１２０】
また、前記樹脂組成物は、シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーを含有することが好ましい。
【０１２１】
シアネート樹脂および／またはそのプレポリマー樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
【０１２２】
前記シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーを用いることにより、インターポーザー１２の弾性率が向上することとなるため、このものの添加量を適宜設定することにより、インターポーザー１２の弾性率を目的とする範囲内に容易に設定することができる。また、シアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）は、剛直な化学構造を有するため、耐熱性に優れており、ガラス転移温度以上でも弾性率の低下が小さく、高温においても高弾性率を維持することができる。そのため、半田リフロー工程時、すなわちパッケージ１０の加熱時における反りの大きさが小さくなる。さらに、硬化反応によって水酸基などの分極率の大きな官能基が生じないため、誘電特性においても優れたものとすることができる。
【０１２３】
さらに、シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーの中でも、下記一般式（３）で表されるノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、前記効果に加えて、インターポーザー１２のガラス転移温度をさらに高くすることができるとともに、このものの難燃性をより向上させることができる。
【０１２４】
【化３】
2011129717.tif 000005
【０１２５】
シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーの含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物の５〜５０重量％であることが好ましく、さらに好ましくは１０〜４０重量％である。これにより、シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーを添加することにより得られる効果をより顕著に発揮させることができる。
【０１２６】
樹脂組成物中には、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤、例えば、レベリング剤、消泡剤、酸化防止剤、顔料、染料、消泡剤、難燃剤、紫外線吸収剤、イオン捕捉剤、非反応性希釈剤、反応性希釈剤、揺変性付与剤、増粘剤等を添加するようにしてもよい。
【０１２７】
なお、インターポーザー１２は、図１に示したような一層構成のものに限らず、多層構成のもの、例えば、複数枚の前述したコア基板およびビルドアップ基板を重ね合わせた構成の積層体であっても良い。
【０１２８】
次に、半導体素子１５は、前述したように、パッケージ１０に付与すべき機能に応じて、ロジックＩＣ、メモリおよび受発光素子等が選択されるが、その厚さおよび面積は、以下に示すような範囲内にそれぞれ設定されているのが好ましい。
【０１２９】
すなわち、半導体素子１５の厚さは、７５〜６００μｍ程度であるのが好ましく、１００〜４００μｍ程度のであるのがより好ましく、また、半導体素子の面積は、２５〜１２５ｍｍ２程度であるのが好ましく、５０〜１００ｍｍ２程度であるのがより好ましい。
【０１３０】
半導体素子１５の厚さおよび面積を上記範囲内に設定することにより、パッケージ１０に生じる反りの大きさを確実に小さくすることができる。
次に、モールド部（封止部）１６の熱膨張係数α１は、８〜３５ｐｐｍ程度であるのが好ましく、１５〜２８ｐｐｍ程度のであるのがより好ましい。さらに、モールド部１６の熱膨張係数α２は、３０〜１２０ｐｐｍ程度であるのが好ましく、４０〜１００ｐｐｍ程度のであるのがより好ましい。
【０１３１】
なお、熱膨張係数α１とは、４０℃〜８０℃の平均熱膨張係数のことを言い、熱膨張係数α２とは、２２０℃から２６０℃の平均熱膨張係数のことを言う。
【０１３２】
さらに、モールド部１６の厚さは、２００〜１０００μｍ程度であるのが好ましく、３５０〜７５０μｍ程度のであるのがより好ましい。
【０１３３】
モールド部１６の熱膨張係数α１、α２およびその厚さを、それぞれ、前記範囲内に設定することにより、モールド部１６は半導体素子１５を封止する封止材としての機能を発揮して、たとえ、本発明のように接着層１４の弾性率が１００〜１０００ＭＰａと低弾性のものであったとしても、モールド部１６とインターポーザー１２との間で優れた密着性が得られることから、モールド部１６により取り囲まれる（覆われる）半導体素子１５を確実に封止することができる。そして、かかる機能を発揮しつつ、パッケージ１０に生じる反りの大きさを確実に小さくすることができるため、バンプ１１におけるクラックの発生をより的確に抑制または防止することができる。
【０１３４】
なお、インターポーザー１２とモールド部１６との厚さの関係を規定することによっても、パッケージ１０に生じる反りの大きさを小さくすることができる。具体的には、インターポーザー１２の厚さをＡ［μｍ］とし、モールド部１６の厚さをＢ［μｍ］としたとき、Ｂ／Ａは、１．０〜７．０程度であるのが好ましく、１．５〜６．０程度であるのがより好ましい。
【０１３５】
これらＢ／Ａの関係をともに満足するように、インターポーザー１２およびモールド部１６の厚さを、それぞれ設定することにより、パッケージ１０に生じる反りの大きさをさらに小さくすることができる。
【０１３６】
さらに、モールド部１６と半導体素子１５との厚さの関係を規定することにより、パッケージ１０に生じる反りの大きさを小さくすることができる。具体的には、モールド部１６の厚さをＣ［μｍ］とし、半導体素子１５の厚さをＤ［μｍ］としたとき、Ｃ／Ｄは、１．０〜４．０程度であるのが好ましく、１．５〜３．０程度であるのがより好ましい。
【０１３７】
これらＣ／Ｄの関係をともに満足するように、モールド部１６および半導体素子１５の厚さを、それぞれ設定することにより、パッケージ１０に生じる反りの大きさをさらに小さくすることができる。
【０１３８】
かかる構成のモールド部１６は、インターポーザー１２と同様に、上記のような物性値（熱膨張係数α１、α２）を有するものとなるように、その構成材料が選択される。
【０１３９】
具体的には、モールド部１６は、例えば、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物の硬化物を主材料として構成されるものが好ましく用いられる。かかる構成材料で構成されるモールド部１６は、優れた密着性で半導体素子１５を封止できるとともに、熱膨張係数を上述したような範囲内に比較的容易に設定することができる。
【０１４０】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の３官能型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂；トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１４１】
これらの中でも、エポキシ樹脂としては、特に、下記一般式（４）で表されるものが好ましく用いられる。下記一般式（４）で表されるエポキシ樹脂は２官能であるため、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は架橋密度が低く抑えられ、熱膨張係数が低く、半田リフロー工程時、すなわちパッケージ１０の加熱時における応力緩和に適しているため、かかる工程時における反りの大きさが小さくなる。また、下記一般式（４）で表されるエポキシ樹脂は、結晶性で低分子量の樹脂であるため溶融粘度が低く、このものを含有するエポキシ樹脂組成物は流動性に優れることから、モールド部１６の成形時における金流れの発生を効果的に防止することができる。
【０１４２】
【化４】
2011129717.tif 000006
［式（４）中、Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｒ２ＣＲ２−の中から選択される基である。Ｒ１は、炭素数１〜６のアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、ａは０〜４の整数である。］
【０１４３】
これらの中でも、前記一般式（４）で表されるエポキシ樹脂は、４，４’−ジグリシドキシビフェニル、または３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジグリシドキシビフェニルおよびこれらの溶融混合物がより好ましく用いられる。これらの化合物は、作業性、実用性のバランスに優れるとともに、モールド部１６の熱膨張係数α１、α２を前述した範囲内に容易に設定することができる。
【０１４４】
また、硬化剤としては、例えば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数２〜２０の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジシクロヘキサン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルメタン、１，５−ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミノ類；アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂；ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等を含む酸無水物等；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１４５】
また、これらの中でも、モールド部１６の構成材料に用いる硬化剤としては、１分子内に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する化合物が好ましく用いられる。かかる硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。かかる化合物を選択することにより、モールド部１６の熱膨張係数α１、α２を前述した範囲内に容易に設定することができる。これらの化合物は、耐湿性、信頼性等の観点からも優れた化合物である。
【０１４６】
さらに、１分子内に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する硬化剤としては、特に、下記一般式（５）で表されるフェノール樹脂を用いるのが好ましい。下記一般式（５）で表されるフェノール樹脂は、その基本骨格がノボラック型フェノール樹脂とトリフェノールメタン型フェノール樹脂の構造をあわせもつ。ノボラック型フェノール樹脂を基本骨格として有することにより、構造面で、樹脂骨格の架橋点間距離が短く、良好な硬化性、成形性を発揮するという効果を有している。また、トリフェノールメタン型フェノール樹脂を基本骨格として有することにより、一分子中に３個以上の水酸基を有することになるため、架橋密度が高く、これを用いた樹脂組成物の硬化物を、高Ｔｇで線膨張係数が小さく、また高い強度を有するものとし得るという効果を有している。そのため、下記一般式（５）で表されるフェノール樹脂を使用した樹脂組成物は、良好な硬化性で優れた成形性を持ち、また、成形・硬化後および熱処理後の熱膨張、熱収縮が比較的小さくなるため、パッケージ１０において反り量を小さくすることができる。
【０１４７】
【化５】
2011129717.tif 000007
［式（５）中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｂは０〜３の整数、ｃは０〜４の整数、ｄは０〜３の整数である。ｍ、ｎはモル比を表し、０＜ｍ＜１、０＜ｎ＜１で、ｍ＋ｎ＝１である。］
【０１４８】
また、上記一般式（５）中のｍとｎとのモル比（ｍ／ｎ）は、１／５〜５／１であるのが好ましく、１／２〜２／１であるのがより好ましい。これにより、ノボラック型フェノール樹脂およびノボラック型フェノール樹脂の双方が含まれることにより得られる効果を相乗的に発揮させることができる。
【０１４９】
なお、前記一般式（５）で表されるフェノール樹脂の具体例としては、例えば、下記式（６）に示すものが挙げられる。
【０１５０】
【化６】
2011129717.tif 000008
［ただし、式（６）中、ｍ、ｎはモル比を表し、０＜ｍ＜１、０＜ｎ＜１で、ｍ＋ｎ＝１である。］
【０１５１】
また、無機充填材としては、例えば、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ等のシリカ；アルミナ；チタンホワイト；水酸化アルミニウム；タルク；クレー；マイカ；ガラス繊維等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、特に溶融球状シリカが好ましい。これにより、モールド部１６の熱膨張係数α１、α２を前述した範囲内に容易に設定することができる。
【０１５２】
なお、粒子形状は限りなく真球状であることが好ましい。さらに、粒子の大きさの異なるものを混合することにより無機充填量を多くすることができるが、その粒径としては、半導体素子１５の周辺への充填性を考慮すると０．０１μｍ以上、１５０μｍ以下であることが好ましい。
【０１５３】
さらに、前記樹脂組成物には、エポキシ樹脂、硬化剤および無機充填材の他に、シランカップリング剤、芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物、硬化促進剤が含まれていても良い。
【０１５４】
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。このようなシランカップリング剤が樹脂組成物に含まれることにより、エポキシ樹脂と無機充填剤との間で反応が生じるため、エポキシ樹脂と無機充填剤との界面強度を向上させることができる。
【０１５５】
エポキシシランとしては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシランおよびβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。アミノシランとしては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−６−（アミノヘキシル）３−アミノプロピルトリメトキシシランおよびＮ−（３−（トリメトキシシリルプロピル）−１，３−ベンゼンジメタナン等が挙げられる。また、ウレイドシランとしては、例えば、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等が挙げられ、メルカプトシランとしては、例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランが挙げられる。
【０１５６】
なお、シランカップリング剤は、後述する芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（以下、かかる化合物を「水酸基結合化合物」と言うこともある）との相乗効果により、樹脂組成物の粘度を下げ、流動性を向上させる効果を有するため、樹脂組成物中に水酸基結合化合物が含まれる場合には、水酸基結合化合物を添加することにより得られる効果を十分に発揮させるためにはシランカップリング剤も含まれる構成とするのが好ましい。これにより、比較的粘度が高い樹脂を多く配合した場合や、無機充填剤を多量に配合した場合においても、樹脂組成物として充分な流動性を発揮させることが出来る。
【０１５７】
また、芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（水酸基結合化合物）としては、特に限定されないが、例えば、下記一般式（７）で表される化合物、下記一般式（８）で表される化合物等が挙げられる。なお、水酸基結合化合物中には、水酸基以外の置換基を有していてもよい。
【０１５８】
【化７】
2011129717.tif 000009
［式（７）中、Ｒ６、Ｒ１０は、いずれか一方が水酸基であり、一方が水酸基の場合、他方は水素、水酸基または水酸基以外の置換基から選ばれる基である。Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９は、水素、水酸基または水酸基以外の置換基から選ばれる基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。］
【０１５９】
【化８】
2011129717.tif 000010
［式（８）中、Ｒ１１、Ｒ１７は、いずれか一方が水酸基であり、一方が水酸基の場合、他方は水素、水酸基または水酸基以外の置換基から選ばれる基である。Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６は水素、水酸基または水酸基以外の置換基から選ばれる基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。］
【０１６０】
なお、一般式（７）で表される化合物の具体例としては、例えば、下記式（９）で表されるカテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステルおよびこれらの誘導体が挙げられる。また、一般式（８）で表される化合物の具体例としては、例えば、１，２−ジヒドロキシナフタレン、下記式（１０）で表される２，３−ジヒドロキシナフタレンおよびこれらの誘導体が挙げられる。これらの化合物は１種類を単独で用いても良いし、２種以上を組み合わせて用いるようにしても良い。これらのうち、流動性と硬化性の制御のしやすさ、低揮発性の点から主骨格がナフタレン環である化合物（すなわち、１、２−ジヒドロキシナフタレン、２、３−ジヒドロキシナフタレンおよびその誘導体）がより好ましく選択される。
【０１６１】
【化９】
2011129717.tif 000011
【０１６２】
【化１０】
2011129717.tif 000012
【０１６３】
さらに、硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケンおよびその誘導体；トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン系化合物；２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート；ベンゾキノンをアダクトしたトリフェニルホスフィン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１６４】
また、前記樹脂組成物は、上記の構成材料の他に、さらに必要に応じて、カーボンブラック等の着色剤；天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸またはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等の離型剤；シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力剤；ハイドロタルサイト等のイオン捕捉剤；水酸化アルミニウム等の難燃剤；酸化防止剤等の各種添加剤を含有していてもよい。
【０１６５】
以上、本発明の半導体パッケージおよび半導体装置について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１６６】
例えば、本発明の半導体パッケージおよび半導体装置の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【実施例】
【０１６７】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．樹脂組成物の調製
まず、以下に示すように、各サンプルＮｏ．の樹脂組成物を調製した。
【０１６８】
１−１．接着層形成用の樹脂組成物の調製
［サンプルＮｏ．１Ａ〜５Ａ］
まず、熱硬化性樹脂のうち、１分子内にグリシジル基を２個有する化合物として、ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応により得られるジグリシジルビスフェノールＡ（エポキシ当量：１８０、以下化合物Ａ１）を用意した。
【０１６９】
１分子内にマレイミド基を２個有する化合物として、マレイミド化グリシンとポリテトラメチレングリコールジオールの反応物（大日本インキ化学工業社製、「型番：ルミキュアＭＩＡ−２００」、以下化合物Ｂ１）を用意した。
【０１７０】
１分子内に（メタ）アクリロイル基を２個有する化合物として、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート（共栄社化学社製、「型番：ライトエステル１，６ＨＸ」、以下化合物Ｃ１）と、ポリカーボネートジオールジメタクリレート（宇部興産社製、「型番：ＵＭ９０（１／１）ＧＭ、以下化合物Ｄ１」を用意した。
【０１７１】
硬化触媒として、２−メチルイミダゾールと２，４−ジアミノ−６−ビニルトリアジンとの付加物（四国化成社製、「型番：２ＭＺ−Ａ」、以下化合物Ｅ１）を用意した。
【０１７２】
有機過酸化物として、ジラウロイルパーオキサイド（日本油脂社製、「型番：パーロイルＬ」、以下化合物Ｆ１）と、ジクミルパーオキサイド（日本油脂社製、「型番：パークミルＤ」、以下化合物Ｇ１）を用意した。
【０１７３】
カップリング剤として、γ―グリシドキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、「型番：ＫＢＭ−４０３Ｅ」、以下化合物Ｈ１）を用意した。
充填材として、フレーク状銀粉（平均粒径：８μｍ、最大粒径：３０μｍ、以下化合物Ｉ１）と、真球状シリカ（平均粒径：１μｍ、最大粒径：３０μｍ、以下化合物Ｊ１）を用意した。
【０１７４】
次に、下記表１に示すようにして、化合物（Ａ１）〜（Ｊ１）を配合し、３本ロールを用いて混練し脱泡することにより、サンプルＮｏ．１Ａ〜５Ａの接着層形成用の樹脂組成物を得た。
【０１７５】
なお、各サンプルＮｏ．１Ａ〜５Ａとも、下記表１に示した各化合物の配合割合は、樹脂組成物中における、各化合物の重量％を表す。
【０１７６】
１−２．インターポーザー（基板）形成用の樹脂組成物の調製
［サンプルＮｏ．１Ｂ〜６Ｂ］
まず、熱硬化性樹脂として、ビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬社製、「ＮＣ−３０００」、以下化合物Ａ２）を、また、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、「ＰＴ−３０」、以下化合物Ｃ２）用意した。
【０１７７】
硬化剤として、硬化剤として、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂（日本化薬社製、「ＧＰＨ−１０３」、以下化合物Ｂ２）を用意した。
【０１７８】
無機充填材として、球状溶融シリカ（アドマテックス社製、「ＳＯ−２５Ｒ」、以下化合物Ｄ２）を用意した。
【０１７９】
カップリング剤として、γ−グリシドキシプロピルメチルトリメトキシシラン（日本ユニカー社製、「型番：Ａ−１８７」、以下化合物Ｅ２）を用意した。
【０１８０】
次に、下記表１に示すようにして、化合物（Ａ２）〜（Ｅ２）を配合し、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌することにより、サンプルＮｏ．１Ｂ〜６Ｂのインターポーザー形成用の樹脂組成物を得た。
【０１８１】
なお、各サンプルＮｏ．１Ｂ〜６Ｂとも、下記表１に示した各化合物の配合割合は、樹脂組成物中における、各化合物の重量％を表す。
【０１８２】
１−３．インターポーザー形成用のコア基板の用意
インターポーザー形成用ガラス織布として、以下のガラス織布を用意した。
【０１８３】
・ガラス織布Ｆ２  ＷＴＸ−１１６Ｅ（９４μｍ厚、日東紡績社製）
・ガラス織布Ｇ２  ＷＥＡ−１１６Ｅ（９４μｍ厚、日東紡績社製）
・ガラス織布Ｈ２  ＷＥＡ−２３１９（７７μｍ厚、日東紡績社製）
・ガラス織布Ｉ２  ＷＥＡ−３３１３（７０μｍ厚、日東紡績社製）
・ガラス織布Ｊ２  ＷＥＡ−１０７８（４６μｍ厚、日東紡績社製）
・ガラス織布Ｋ２  ＷＥＡ−１０３５（２７μｍ厚、日東紡績社製）
・ガラス織布Ｌ２  ＷＥＡ−１０３７（２４μｍ厚、日東紡績社製）
【０１８４】
１−４．モールド部形成用の樹脂組成物の調製
［サンプルＮｏ．１Ｃ〜９Ｃ］
まず、エポキシ樹脂として、ビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、「ＹＸ−４０００」、融点：１０５℃、エポキシ当量：１９０、以下化合物Ａ３）を用意した。
【０１８５】
硬化剤として、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（明和化成社製、「ＭＥＨ−７８５１ＳＳ」、軟化点：６５℃、水酸基当量：２０３、以下化合物Ｂ３）を、また、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、「ＰＲ５１４７０」、軟化点：１１０℃、水酸基当量：１０４、以下化合物Ｃ３）をそれぞれ用意した。
【０１８６】
無機充填材として、球状溶融シリカ（マイクロン社製、「型番Ｓ３０−７１」、平均粒径：２５．５μｍ、以下化合物Ｄ３）を用意した。
【０１８７】
シランカップリング剤として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、「ＫＢＭ−４０３Ｅ」、以下化合物Ｅ３）を用意した。
【０１８８】
硬化促進剤として、トリフェニルホスフィン（ケイアイ化成社製、「ＴＰＰ」、以下化合物Ｆ３）を用意した。
【０１８９】
天然ワックスとして、カルナバワックス（東亜化成社製、以下化合物Ｇ３）を用意した。
【０１９０】
着色剤として、カーボンブラック（三菱化学社製、「ＭＡ−６００」、以下化合物Ｈ３）を用意した。
【０１９１】
次に、下記表１に示すようにして、化合物（Ａ３）〜（Ｈ３）を配合し、ミキサーを用いて混合した後、表面温度が９５℃と２５℃の２軸ロールを用いて２０回混練し、得られた混練物シートを冷却後粉砕することにより、サンプルＮｏ．１Ｃ〜９Ｃのモールド部形成用の樹脂組成物を得た。
【０１９２】
なお、各サンプルＮｏ．１Ｃ〜９Ｃとも、下記表１に示した各化合物の配合割合は、樹脂組成物中における、各化合物の重量％を表す。
【０１９３】
【表１】
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【０１９４】
２．評価
図２に示すような評価用のパッケージ４０を作製し、このパッケージ４０を用いて各試験を実施し評価した。
【０１９５】
２−１．評価用のパッケージの作製
（実施例１）
−１−  まず、インターポーザー形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．１Ｂを用意し、ガラス織布Ｇ２（１枚）に含浸し、１５０℃の加熱炉で２分間乾燥して、ワニス固形分が約５０重量％のプリプレグを得た。
【０１９６】
上述のプリプレグを、両面に１８μｍの銅箔を重ねて、圧力４ＭＰａ、温度２００℃で２時間加熱加圧成形することによって、厚さ１３０μｍの両面が銅張りのインターポーザーを得た。
【０１９７】
この状態で、インターポーザー４２の常温（２５℃）の弾性率および熱膨張係数を測定したところ、それぞれ、２９ＧＰａおよび１１ｐｐｍであった。なお、インターポーザーの弾性率は、動的粘弾性測定装置（ＴＡインスツルメント、「ＤＭＡ９８３」）の共鳴周波数ズリモードで測定し、熱膨張係数は、熱機械特性測定装置（ＴＡインスツルメント）で昇温速度１０℃／分で測定した。
【０１９８】
−２−  次に、ディスペンス装置を用いて、インターポーザー上にサンプルＮｏ．１Ａの接着層形成用の樹脂組成物を供給した。
−３−  次に、半導体素子（面積８１ｍｍ２，厚さ２００μｍ）４５を用意し、この半導体素子４５を、接着層形成用の樹脂組成物上に設置した後、加熱して、接着層形成用の樹脂組成物を固化させた。これにより、接着層４４を介してインターポーザー４２上に半導体素子４５を固定した。なお、接着層形成用の樹脂組成物の加熱は、室温から１７５℃までを３０分で昇温し、さらに、１７５℃に維持した状態で１５分行った。
【０１９９】
この接着層４４の常温（２５℃）の弾性率は５５００ＭＰａ、２６０℃の弾性率は４００ＭＰａであった。
なお、接着層４４の弾性率は、長さ４０ｍｍ、厚さ２５０μｍの接着層を準備し、室温から１７５℃までを３０分で昇温し、１７５℃に維持した状態で１５分加熱を行い硬化物を作製し、動的粘弾性測定装置ＤＭＡ（セイコーインスツルメンツ社製）を用い、試験片長さ２０ｍｍ、測定温度範囲−１００℃〜３３０℃、昇温速度５℃／分、周波数１０Ｈｚの条件で測定を行った。
【０２００】
−４−  次に、半導体チップの上面の周縁部に設けられた１００箇所のパッド部とインターポーザーの上面の周縁部に設けられた１００箇所のパッド部を市販のワイヤボンダーを用いワイヤー（金線）４７により電気的接続を行った。
【０２０１】
−５−  次に、サンプルＮｏ．１Ｃのモールド部形成用の樹脂組成物を用いてトランスファー成形によりインターポーザー４２および半導体素子４５のほぼ全面を封止するようにして、厚さ３５０μｍのモールド部４６を形成した。
【０２０２】
なお、モールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、２２ｐｐｍおよび７５ｐｐｍであった。
【０２０３】
なお、モールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、トランスファー成形機を用い、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間２分で４ｍｍ×４ｍｍ×１５ｍｍの大きさに成形した試験片を１７５℃、８時間で後硬化し、熱機械分析装置（セイコー電子工業社製、「ＴＭＡ１００」）を用いて測定温度範囲０〜３２０℃、昇温速度５℃／分で測定した時のチャートより、α１、α２を決定した。
【０２０４】
−６−  次に、インターポーザー４２のモールド部４６と反対側の面に半田を主材料として構成されるバンプ４１を接続した。
【０２０５】
−７−  その後、インターポーザー４２およびモールド部４６を半導体素子４５に対応するようにして、ダイシングソーを用いてダイシングして個片化することにより、実施例１のパッケージ４０を３０個製造した。なお、個片化して得られたパッケージ４０におけるインターポーザー４２の面積は１９６ｍｍ２であった。
【０２０６】
（実施例２）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｇ２（２枚）とガラス織布Ｊ２（１枚）を用い、形成するインターポーザー４２の厚さを２８０μｍとし、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを２７５μｍのものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．２Ｃのものを用い、厚さ４５０μｍのモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例２のパッケージ４０を製造した。
【０２０７】
なお、実施例２のパッケージ４０が備えるモールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、２８ｐｐｍおよび９５ｐｐｍであった。
【０２０８】
（実施例３）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｉ２（１枚）を用い、形成するインターポーザー４２の厚さを１１０μｍとし、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを３７５μｍのものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．３Ｃのものを用い、厚さ５５０μｍのモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例３のパッケージ４０を製造した。
【０２０９】
なお、実施例３のパッケージ４０が備えるモールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、１５ｐｐｍおよび５５ｐｐｍであった。
【０２１０】
（実施例４）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｉ２（１枚）を用い、形成するインターポーザー４２の厚さを１１０μｍとし、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを１１５μｍ、面積を１００ｍｍ２のものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．３Ｃのものを用い、厚さ２４０μｍのモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例４のパッケージ４０を製造した。
【０２１１】
なお、実施例４のパッケージ４０が備えるモールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、１５ｐｐｍおよび５５ｐｐｍであった。
【０２１２】
（実施例５）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｉ２（１枚）を用い、形成するインターポーザー４２の厚さを１１０μｍとし、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを２２５μｍ、面積を１００ｍｍ２のものとしたこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例５のパッケージ４０を製造した。
【０２１３】
（実施例６）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｉ２（１枚）を用い、形成するインターポーザー４２の厚さを１１０μｍとし、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを１００μｍのものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．４Ｃのものを用いてモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例６のパッケージ４０を製造した。
【０２１４】
なお、実施例６のパッケージ４０が備えるモールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、８ｐｐｍおよび３０ｐｐｍであった。
【０２１５】
（実施例７）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｆ２（２枚）を用い、インターポーザー形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．２Ｂのものを用い、厚さ２４０μｍのインターポーザー４２を形成し、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを１１５μｍのものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．２Ｃのものを用い、厚さ２４０μｍのモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例７のパッケージ４０を製造した。
【０２１６】
なお、実施例４のパッケージ４０が備えるインターポーザー４２の弾性率および熱膨張係数は、それぞれ、３３ＧＰａおよび５ｐｐｍであり、モールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、２８ｐｐｍおよび９５ｐｐｍであった。
【０２１７】
（実施例８）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｉ２（１枚）を用い、形成するインターポーザー４２の厚さを１１０μｍとし、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを１００μｍのものとし、前記工程−５−において、厚さ２００μｍのモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例８のパッケージ４０を製造した。
【０２１８】
（実施例９）
前記工程−１−において、インターポーザー形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．３Ｂのものを用いてインターポーザー４２を形成し、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを７５μｍのものとし、前記工程−５−において、厚さ２００μｍのモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例９のパッケージ４０を製造した。
【０２１９】
なお、実施例９のパッケージ４０が備えるインターポーザー４２の弾性率および熱膨張係数は、それぞれ、２１ＧＰａおよび１５ｐｐｍであった。
【０２２０】
（実施例１０）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｈ２（２枚）を用い、形成するインターポーザー４２の厚さを２００μｍとし、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを７５μｍのものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．２Ｃのものを用い、厚さ２００μｍのモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例１０のパッケージ４０を製造した。
【０２２１】
なお、実施例１０のパッケージ４０が備えるモールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、２８ｐｐｍおよび９５ｐｐｍであった。
【０２２２】
（実施例１１）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｋ２（１枚）を用い、形成するインターポーザー４２の厚さを８０μｍとし、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを２８０μｍのものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．４Ｃのものを用い、厚さ４００μｍのモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例１１のパッケージ４０を製造した。
【０２２３】
なお、実施例１１のパッケージ４０が備えるモールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、１１ｐｐｍおよび４０ｐｐｍであった。
【０２２４】
（実施例１２）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｈ２（３枚）を用い、形成するインターポーザー４２の厚さを３００μｍとし、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを５８０μｍのものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．３Ｃのものを用い、厚さ９００μｍのモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例１２のパッケージ４０を製造した。
【０２２５】
なお、実施例１２のパッケージ４０が備えるモールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、１５ｐｐｍおよび５５ｐｐｍであった。
【０２２６】
（実施例１３）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｉ２（１枚）を用い、形成するインターポーザー４２の厚さを１１０μｍとし、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを５８０μｍのものとし、前記工程−５−において、厚さ７５０μｍのモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例１３のパッケージ４０を製造した。
【０２２７】
（実施例１４）
前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の面積を１００ｍｍ２のものとし、前記工程−７−において、個片化してパッケージ４０を得る際にインターポーザー４２の面積が２２５ｍｍ２となるようにダイシングしたこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例１４のパッケージ４０を製造した。
【０２２８】
（実施例１５）
前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の面積を２５ｍｍ２のものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．６Ｃのものを用いてモールド部４６を形成し、前記工程−７−において、個片化してパッケージ４０を得る際にインターポーザー４２の面積が１００ｍｍ２となるようにダイシングしたこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例１５のパッケージ４０を製造した。
【０２２９】
なお、実施例１５のパッケージ４０が備えるモールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、３０ｐｐｍおよび１００ｐｐｍであった。
【０２３０】
（実施例１６）
前記工程−２−において、接着層形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．２Ａのものを用いて、インターポーザー４２上に供給し、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．２Ｃのものを用いてモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例１６のパッケージ４０を製造した。
【０２３１】
なお、実施例１６のパッケージ４０が備える接着層４４の弾性率は、１００００ＭＰａであり、モールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、２８ｐｐｍおよび９５ｐｐｍであった。
【０２３２】
（実施例１７）
前記工程−２−において、接着層形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．３Ａのものを用いて、インターポーザー４２上に供給し、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．７Ｃのものを用いてモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例１７のパッケージ４０を製造した。
【０２３３】
なお、実施例１７のパッケージ４０が備える接着層４４の弾性率は、１０５０ＭＰａであり、モールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、１７ｐｐｍおよび６５ｐｐｍであった。
【０２３４】
（実施例１８）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｌ２（１枚）を用い、インターポーザー形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．２Ｂのものを用い、形成するインターポーザー４２の厚さを７０μｍとし、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを３５０μｍのものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．５Ｃのものを用いて、厚さ５５０μｍのモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例１８のパッケージ４０を製造した。
【０２３５】
なお、実施例１８のパッケージ４０が備えるモールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、１１ｐｐｍおよび４０ｐｐｍであった。
【０２３６】
（実施例１９）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｈ２（３枚）を用い、形成するインターポーザー４２の厚さを３２０μｍとし、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを１００μｍのものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．５Ｃのものを用いて、厚さ２４０μｍのモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例１９のパッケージ４０を製造した。
【０２３７】
なお、実施例１９のパッケージ４０が備えるモールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、２８ｐｐｍおよび９５ｐｐｍであった。
【０２３８】
（実施例２０）
前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを５８０μｍのものとし、前記工程−５−において、厚さ９５０μｍのモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例２０のパッケージ４０を製造した。
【０２３９】
（実施例２１）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｉ２（１枚）を用い、インターポーザー形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．３Ｂのものを用い、厚さ１１０μｍのインターポーザー４２を形成し、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを７５μｍのものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．７Ｃのものを用い、厚さ１８０μｍのモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例２１のパッケージ４０を製造した。
【０２４０】
なお、実施例２１のパッケージ４０が備えるインターポーザー４２の弾性率および熱膨張係数は、それぞれ、２１ＧＰａおよび１５ｐｐｍであり、モールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、１７ｐｐｍおよび６５ｐｐｍであった。
【０２４１】
（実施例２２）
前記工程−１−において、インターポーザー形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．３Ｂのものを用いてインターポーザー４２を形成し、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の面積を１２１ｍｍ２のものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．７Ｃのものを用いてモールド部４６を形成し、前記工程−６−において、個片化してパッケージ４０を得る際にインターポーザー４２の面積が２５６ｍｍ２となるようにダイシングしたこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例２２のパッケージ４０を製造した。
【０２４２】
なお、実施例２２のパッケージ４０が備えるインターポーザー４２の弾性率および熱膨張係数は、それぞれ、２１ＧＰａおよび１５ｐｐｍであり、モールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、１７ｐｐｍおよび６５ｐｐｍであった。
【０２４３】
（実施例２３）
前記工程−１−において、インターポーザー形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．３Ｂのものを用いてインターポーザー４２を形成し、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の面積を１６ｍｍ２のものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．７Ｃのものを用いてモールド部４６を形成し、前記工程−７−において、個片化してパッケージ４０を得る際にインターポーザー４２の面積が８１ｍｍ２となるようにダイシングしたこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例２３のパッケージ４０を製造した。
【０２４４】
なお、実施例２３のパッケージ４０が備えるインターポーザー４２の弾性率および熱膨張係数は、それぞれ、２１ＧＰａおよび１５ｐｐｍであり、モールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、１７ｐｐｍおよび６５ｐｐｍであった。
【０２４５】
（実施例２４）
前記工程−１−において、インターポーザー形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．２Ｂのものを用いてインターポーザー４２を形成し、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．５Ｃのものを用いてモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例２４のパッケージ４０を製造した。
【０２４６】
なお、実施例２４のパッケージ４０が備えるインターポーザー４２の弾性率および熱膨張係数は、それぞれ、３５ＧＰａおよび４ｐｐｍであり、モールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、１１ｐｐｍおよび４０ｐｐｍであった。
【０２４７】
（実施例２５）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｈ２（１枚）を用い、インターポーザー形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．６Ｂのものを用いてインターポーザー４２を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例２５のパッケージ４０を製造した。
【０２４８】
なお、実施例２５のパッケージ４０が備えるインターポーザー４２の弾性率および熱膨張係数は、それぞれ、１９ＧＰａおよび１７ｐｐｍであった。
【０２４９】
（実施例２６）
前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．８Ｃのものを用いてモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例２６のパッケージ４０を製造した。
【０２５０】
なお、実施例２６のパッケージ４０が備えるモールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、７ｐｐｍおよび２８ｐｐｍであった。
【０２５１】
（実施例２７）
前記工程−１−において、ガラス織布としてガラス織布Ｇ２（１枚）を用い、インターポーザー形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．３Ｂのものを用いてインターポーザー４２を形成し、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．９Ｃのものを用いてモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例２７のパッケージ４０を製造した。
【０２５２】
なお、実施例２７のパッケージ４０が備えるインターポーザー４２の弾性率および熱膨張係数は、それぞれ、２１ＧＰａおよび１５ｐｐｍであり、モールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、３２ｐｐｍおよび１０５ｐｐｍであった。
【０２５３】
（比較例１）
前記工程−２−において、接着層形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．４Ａのものを用いインターポーザー形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．３Ｂのものを用いてインターポーザー４２を形成し、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．５Ｃのものを用いてモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして比較例１のパッケージ４０を製造した。
【０２５４】
なお、比較例１のパッケージ４０が備えるモールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、１１ｐｐｍおよび４０ｐｐｍであり、インターポーザー４２の弾性率および熱膨張係数は、それぞれ、２１ＧＰａおよび１５ｐｐｍであり、接着層４４の弾性率は、１１０００ＭＰａであった。
【０２５５】
（比較例２）
前記工程−２−において、接着層形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．５Ａのものを用いて、インターポーザー４２上に供給し、前記工程−３−において、用意する半導体素子４５の厚さを２６０μｍのものとし、前記工程−５−において、モールド部形成用の樹脂組成物としてサンプルＮｏ．６Ｃのものを用いてモールド部４６を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして比較例２のパッケージ４０を製造した。
【０２５６】
なお、比較例２のパッケージ４０が備えるモールド部４６の熱膨張係数α１および熱膨張係数α２は、それぞれ、３０ｐｐｍおよび１００ｐｐｍであり、接着層４４の弾性率は、９００ＭＰａであった。
【０２５７】
２−２．評価用のパッケージにおける反りの評価
各実施例および各比較例のパッケージ４０について、それぞれ、１０個ずつ、反りの大きさを測定した。
【０２５８】
パッケージ４０の反りの測定は、温度可変レーザー三次元測定装置（ティーテック社製、「ＬＳ２００−ＭＴ１００ＭＴ５０」）を用いて行った。なお、パッケージ４０をバンプ４１が下側になるように配置したとき、中央部を下側に縁部を上側にして反りが生じている場合、プラスの反りとし、中央部を上側に縁部を下側にして反りが生じている場合、マイナスの反りとした。そして、測定された反りの平均値を、その絶対値に基づいて、以下の基準にしたがって評価した。
【０２５９】
＜反りの評価基準＞
◎◎：      ０μｍ以上、    ４０μｍ未満
◎  ：    ４０μｍ以上、    ８０μｍ未満
○  ：    ８０μｍ以上、  １００μｍ未満
△  ：  １００μｍ以上、  １４０μｍ未満
×  ：  １４０μｍ以上
【０２６０】
２−３．評価用のパッケージの下段パッケージに対する実装性の評価
まず、図１に示した、インターポーザー２２の縁部が露出するようにモールド部２６が設けられたパッケージ（下段パッケージ）２０を用意した。
【０２６１】
次に、各実施例および各比較例のパッケージ４０について、それぞれ、パッケージ２０上にリフロー処理を施すことにより実装して半導体装置を形成し、この半導体装置１０個について、パッケージ４０のパッケージ２０に対する実装性を評価した。
【０２６２】
なお、リフロー処理の条件は、２６０℃、１０秒の加熱を３回繰り返して行うこととした。
【０２６３】
また、パッケージ４０のパッケージ２０に対する実装性を評価は、フライングチェッカー装置（ＨＩＯＫＩ社製、「型番１１１６Ｘ−ＹＣ  ハイテスタ」）を用いて、１パッケージあたり１００箇所の導通試験を行い、以下の評価基準にしたがって評価した。
【０２６４】
＜実装性の評価基準＞
◎  ：すべての測定箇所（１０×１００＝１０００点）において断線箇所がなかった。
○  ：断線箇所が１〜１０箇所あった。
△  ：断線箇所が１１〜５０箇所あった。
×  ：断線箇所が５１箇所以上あった。
【０２６５】
２−４．評価用のパッケージの下段パッケージに対する接続信頼性の評価
まず、図１に示した、インターポーザー２２の縁部が露出するようにモールド部２６が設けられたパッケージ（下段パッケージ）２０を用意した。
【０２６６】
次に、各実施例および各比較例のパッケージ４０について、それぞれ、パッケージ４０のバンプ４１がパッケージ２０の電極パッドに対応するようにパッケージ２０上にリフロー処理を施すことにより実装して半導体装置を形成し、この半導体装置１０個について、パッケージ４０のパッケージ２０に対する接続信頼性を評価した。
【０２６７】
なお、リフロー処理の条件は、２６０℃、１０秒の加熱を３回繰り返して行うこととした。
【０２６８】
また、パッケージ４０のパッケージ２０に対する接続信頼性を評価は、パッケージ４０を温度サイクル試験（−５５℃、３０分⇔１２５℃、３０分）５００サイクル処理し、処理したパッケージをフライングチェッカー装置（ＨＩＯＫＩ社製、「１１１６Ｘ−ＹＣ  ハイテスタ」）を用いて、１パッケージあたり１００箇所の導通試験を行い以下の評価基準にしたがって評価した。
【０２６９】
＜実装性の評価基準＞
◎  ：すべての測定箇所（１０×１００＝１０００点）において断線箇所がなかった。
○  ：断線箇所が１〜１０箇所あった。
△  ：断線箇所が１１〜５０箇所あった。
×  ：断線箇所が５１箇所以上あった。
以上、２−２〜２−４の各評価結果を表２に示す。
【０２７０】
【表２】
2011129717.tif 000014
【０２７１】
表２から明らかなように、各実施例のパッケージ４０、すなわち、常温（２５℃）における弾性率が１０００ＭＰａ超、１００００ＭＰａ以下である接着層を備えるパッケージ４０は、各比較例のパッケージ４０と比較して、反りの大きさが小さく、１００μｍ未満に低減されており、これに起因して、バンプ１１におけるクラックの発生が効果的に抑制されていた。
【０２７２】
また、各実施例のパッケージ４０では、インターポーザー４２における弾性率、熱膨張係数、厚さおよび面積、モールド部４６における熱膨張係数α１、α２および厚さ、半導体素子４５の面積、ならびに、モールド部４６の厚さとインターポーザー４２の厚さとの比が適切な値となっているものほど、パッケージ４０に生じる反りの大きさがより小さくなっていることが明らかとなった。
【符号の説明】
【０２７３】
１０          パッケージ
１１          バンプ
１２          インターポーザー
１３          配線パターン
１４          接着層
１５          半導体素子
１６          モールド部
１７          ワイヤー
２０          パッケージ
２１          バンプ
２２          インターポーザー
２３          配線パターン
２４          接着層
２５          半導体素子
２６          モールド部
２７          ワイヤー
３０          半導体装置
４０          パッケージ
４１          バンプ
４２          インターポーザー
４４          接着層
４５          半導体素子
４６          モールド部
４７          ワイヤー
５１０        パッケージ
５１１        バンプ
５１２        インターポーザー
５１３        配線パターン
５１４        接着層
５１５        半導体素子
５１６        モールド部
５１７        ワイヤー
５２０        パッケージ
５２１        バンプ
５２２        インターポーザー
５２３        配線パターン
５２４        接着層
５２５        半導体素子
５２６        モールド部
５２７        ワイヤー
５３０        半導体装置
【図１】
2011129717.tif 000015
【図２】
2011129717.tif 000016
【図３】
2011129717.tif 000017