(57)【要約】【課題】残留する気泡を流出するための開口を回路基板に形成するので、回路基板の加工または設計を行う者でないと採用ができない。【解決手段】接続パッド３と、接続パッド３に接続された外部接続用電極２１を有する半導体基板１１は、その中央部に、半導体基板１１を厚さ方向に貫通して半導体装置１０の主面１０ａ側に達する貫通孔１４が形成されている。回路基板３１の接続端子３２は、半田ボール２３により半導体装置１０の外部接続用電極２１に接続されている。半導体装置１０と回路基板３１との間の隙間Ｓに充填された封止用樹脂２８は、貫通孔１４内にも充填されている。【選択図】      図１
2011129680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の少なくとも対向する一辺の各辺に沿って配列された複数の接続パッドと、
それぞれが、前記接続パッドに接続された複数の外部接続用電極と、
を具備してなり、前記半導体基板の中央部に、前記半導体基板の裏面から前記半導体基板を厚さ方向に貫通して前記外部接続用電極の間に表出する貫通孔が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、前記半導体基板の主面上に絶縁膜が形成され、前記貫通孔は前記絶縁膜を貫通していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、前記絶縁膜は、無機絶縁膜と前記無機絶縁膜上に形成された有機絶縁膜を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記絶縁膜上に一端が前記絶縁膜に形成された開口部を介して前記接続パッドに接続され、他端に外部接続用電極が形成された配線が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、前記半導体基板上における前記外部接続用電極の周囲に上部封止膜が形成され、前記貫通孔は前記上部封止膜に形成された内部貫通孔と前記半導体基板と前記絶縁膜に形成された外部貫通孔を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、前記内部貫通孔は前記外部貫通孔よりも大きい平面サイズを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体基板上に、複数の接続パッドと、前記接続パッドに接続された複数の外部接続用電極が形成され、前記半導体基板の中央部に、前記半導体基板の裏面から前記半導体基板を厚さ方向に貫通して前記半導体基板の主面側に連通する貫通孔が形成された半導体装置と、
前記半導体装置の外部接続用電極に接続された複数の接続端子を有する回路基板と、
前記半導体装置と前記回路基板間に設けられた封止用樹脂と、
を具備することを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、前記各外部接続用電極と前記各接続端子間に半田ボールが介在されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項９】
請求項７または８のいずれか１項に記載半導体装置の実装構造において、前記半導体装置は前記外部接続用電極の周囲に設けられた上部封止膜を有し、前記封止用樹脂は、前記上部封止膜と前記回路基板間に設けられていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置の実装構造において、前記半導体装置は、前記半導体基板上に絶縁膜を有し、前記上部封止膜は前記絶縁膜上に形成され、前記貫通孔は、前記半導体基板および前記絶縁膜を貫通する外部貫通孔と、前記上部封止膜に設けられた内部貫通孔を含むことを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の実装構造において、前記絶縁膜は、無機絶縁膜と前記無機絶縁膜上に形成された有機絶縁膜を含むことを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置の実装構造において、前記封止用樹脂は前記貫通孔内に充填されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１３】
主面側に複数の接続パッドが設けられ、中央部に外部貫通孔が形成された半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板に、前記各接続パッドに接続される複数の外部接続用電極を形成する工程と、
前記半導体基板上に前記外部接続用電極の周囲を覆う上部封止膜を形成する工程と、
前記上部封止膜に前記外部貫通孔に連通する内部貫通孔を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、前記外部貫通孔を形成する工程は、前記半導体基板および前記絶縁膜に外部貫通孔を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体装置の製造方法において、前記外部貫通孔を形成した後、前記絶縁膜上に前記外部貫通孔を塞ぐ上部封止膜止め部材を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の外部接続用電極を形成する工程と、前記上部封止膜止め部材を形成する工程とは、同時に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記外部接続用電極と前記上部封止膜止め部材とは、電解めっきにより形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至１８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記上部封止膜止め部材を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１３乃至１９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を準備する工程と、
前記半導体装置の前記各外部接続用電極に接続される複数の接続端子を有する回路基板を準備する工程と、
前記各外部接続用電極と前記各接続端子を半田ボールにより接続する工程と、
前記半導体装置の周囲から封止用樹脂を供給し、前記半導体装置と前記回路基板間に前記封止用樹脂を流入する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の半導体装置の実装方法において、前記半導体装置の周囲から封止用樹脂を供給する工程は、前記半導体装置の全周囲から前記封止用樹脂を供給し、前記半導体装置と前記回路基板間に滞留する空気を前記貫通孔から流出し、少なくとも前記貫通孔内の一部に前記封止用樹脂を流入することを特徴とする半導体装置の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置、半導体装置の実装構造、半導体装置の製造方法および半導体装置の実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置と回路基板とを実装する場合、フェースダウンボンディング（フリップチップボンディングともいう）した後、半導体装置と回路基板との隙間にアンダーフィル材を充填する方法が知られている。アンダーフィル材は、半導体装置を衝撃や外部環境から保護すること、半導体装置と回路基板との熱膨張係数の差に起因して生じる接続電極の応力集中を緩和すること等を目的として形成される。
【０００３】
このため、アンダーフィル材は、半導体装置の外部接続用電極と回路基板との隙間だけでなく、半導体基板の周囲全側面を覆うように形成することが効果的である。この方法としては、ディスペンサ装置のノズルにより半導体装置の四方向からアンダーフィル材を供給する方法が一般的である。アンダーフィル材は、毛細管現象により半導体装置の外部接続用電極と回路基板の隙間に充填される。
【０００４】
しかし、アンダーフィル材を半導体装置の周囲全側面から供給すると、半導体装置の中央部に滞留している空気が逃げ場を失い、アンダーフィル材に気泡となって残留する。残留した気泡（ボイド）は、水分を含んでいるので、電極部の腐食、リーク電流の発生、あるいは加熱時膨張して圧力が懸かり破壊される、など種々の不良原因となる。また、回路基板の外部接続用電極と半田ボールの接合部に隣接して発生すると、接着効果が弱くなるという問題がある。さらに、半田端子と隣の半田端子との間に気泡がある場合、熱によって半田が膨張し、隣の半田端子とショートしてしまうことがある。また、両面基板の一方の面にチップ部品が実装し終わっていても、アンダーフィル材に穴が開いており、その穴が半田端子から外に繋がっている場合、他方の面の半田をリフローするために加熱すると、一方の面の半田が溶融して吹き出てくる場合がある。そこで、回路基板の半導体装置の中央部に対応する領域に空気抜きの貫通孔を形成しておき、滞留している空気を外部に流出するようにした方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−２０４２７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
引用文献１に記載の方法では、回路基板に空気抜きの貫通孔を形成するため、予め回路基板に貫通孔を形成する領域を設けておく必要がある。したがって、回路基板の加工を任意に行うことが可能であるか、回路基板を設計する者でない限り採用することできない。また、回路基板の加工または設計を行う者であっても、回路基板が多層配線基板などの場合等、回路基板に貫通孔を形成することが困難であることもある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の半導体装置に係る発明は、半導体基板と、前記半導体基板の少なくとも対向する一辺の各辺に沿って配列された複数の接続パッドと、それぞれが、前記接続パッドに接続された複数の外部接続用電極と、を具備してなり、前記半導体基板の中央部に、前記半導体基板の裏面から前記半導体基板を厚さ方向に貫通して前記外部接続用電極の間に表出する貫通孔が形成されていることを特徴とする。
請求項２に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１に記載の半導体装置において、前記半導体基板の主面上に絶縁膜が形成され、前記貫通孔は前記絶縁膜を貫通していることを特徴とする。
請求項３に記載の半導体装置に係る発明は、請求項２に記載の半導体装置において、前記絶縁膜は、無機絶縁膜と前記無機絶縁膜上に形成された有機絶縁膜を含むことを特徴とする。
請求項４に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記絶縁膜上に一端が前記絶縁膜に形成された開口部を介して前記接続パッドに接続され、他端に外部接続用電極が形成された配線が形成されていることを特徴とする。
請求項５に記載の半導体装置に係る発明は、請求項４に記載の半導体装置において、前記半導体基板上における前記外部接続用電極の周囲に上部封止膜が形成され、前記貫通孔は前記上部封止膜に形成された内部貫通孔と前記半導体基板と前記絶縁膜に形成された外部貫通孔を含むことを特徴とする。
請求項６に記載の半導体装置に係る発明は、請求項５に記載の半導体装置において、前記内部貫通孔は前記外部貫通孔よりも大きい平面サイズを有することを特徴とする。
請求項７に記載の半導体装置の実装構造に係る発明は、半導体基板上に、複数の接続パッドと、前記接続パッドに接続された複数の外部接続用電極が形成され、前記半導体基板の中央部に、前記半導体基板の裏面から前記半導体基板を厚さ方向に貫通して前記半導体基板の主面側に連通する貫通孔が形成された半導体装置と、前記半導体装置の外部接続用電極に接続された複数の接続端子を有する回路基板と、前記半導体装置と前記回路基板間に設けられた封止用樹脂と、を具備することを特徴とする。
請求項８に記載の半導体装置の実装構造に係る発明は、請求項７に記載の半導体装置において、前記各外部接続用電極と前記各接続端子間に半田ボールが介在されていることを特徴とする。
請求項９に記載の半導体装置の実装構造に係る発明は、請求項７または８のいずれか１項に記載半導体装置の実装構造において、前記半導体装置は前記外部接続用電極の周囲に設けられた上部封止膜を有し、前記封止用樹脂は、前記上部封止膜と前記回路基板間に設けられていることを特徴とする。
請求項１０に記載の半導体装置の実装構造に係る発明は、請求項９に記載の半導体装置の実装構造において、前記半導体装置は、前記半導体基板上に絶縁膜を有し、前記上部封止膜は前記絶縁膜上に形成され、前記貫通孔は、前記半導体基板および前記絶縁膜を貫通する外部貫通孔と、前記上部封止膜に設けられた内部貫通孔を含むことを特徴とする。
請求項１１に記載の半導体装置の実装構造に係る発明は、請求項１０に記載の半導体装置の実装構造において、前記絶縁膜は、無機絶縁膜と前記無機絶縁膜上に形成された有機絶縁膜を含むことを特徴とする。
請求項１２に記載の半導体装置の実装構造に係る発明は、請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置の実装構造において、前記封止用樹脂は前記貫通孔内に充填されていることを特徴とする。
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、主面側に複数の接続パッドが設けられ、中央部に外部貫通孔が形成された半導体基板を準備する工程と、前記半導体基板に、前記各接続パッドに接続される複数の外部接続用電極を形成する工程と、前記半導体基板上に前記外部接続用電極の周囲を覆う上部封止膜を形成する工程と、前記上部封止膜に前記外部貫通孔に連通する内部貫通孔を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項１５に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、前記外部貫通孔を形成する工程は、前記半導体基板および前記絶縁膜に外部貫通孔を形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項１６に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１５に記載の半導体装置の製造方法において、前記外部貫通孔を形成した後、前記絶縁膜上に前記外部貫通孔を塞ぐ上部封止膜止め部材を形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項１７に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１６に記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の外部接続用電極を形成する工程と、前記上部封止膜止め部材を形成する工程とは、同時に行うことを特徴とする。
請求項１８に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１６または１７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記外部接続用電極と前記上部封止膜止め部材とは、電解めっきにより形成することを特徴とする。
請求項１９に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１６乃至１８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記上部封止膜止め部材を除去する工程を含むことを特徴とする。
請求項２０に記載の半導体装置の実装方法に係る発明は、請求項１３乃至１９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を準備する工程と、前記半導体装置の前記各外部接続用電極に接続される複数の接続端子を有する回路基板を準備する工程と、前記各外部接続用電極と前記各接続端子を半田ボールにより接続する工程と、前記半導体装置の周囲から封止用樹脂を供給し、前記半導体装置と前記回路基板間に前記封止用樹脂を流入する工程と、を含むことを特徴とする。
請求項２１に記載の半導体装置の実装方法に係る発明は、請求項２０に記載の半導体装置の実装方法において、前記半導体装置の周囲から封止用樹脂を供給する工程は、前記半導体装置の全周囲から前記封止用樹脂を供給し、前記半導体装置と前記回路基板間に滞留する空気を前記貫通孔から流出し、少なくとも前記貫通孔内の一部に前記封止用樹脂を流入することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
半導体基板の裏面から半導体基板を厚さ方向に貫通する貫通孔を設けたので、半導体基板の周囲から封止用樹脂を供給した場合、半導体基板の外部接続用電極と回路基板間に滞留する空気は半導体基板の貫通孔から流出される。回路基板には、何ら加工をする必要がないので、封止用樹脂が必要な半導体装置に自由に採用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の半導体装置の実装構造の実施形態１を示す拡大断面図。
【図２】図１の半導体装置が含まれる半導体ウエハの平面図。
【図３】図１に図示された半導体装置の拡大平面図。
【図４】図１に図示された半導体装置の実装構造を形成する製造工程を説明するための断面図。
【図５】図４に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図６】図５に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図７】図６に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図８】図７に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図９】図８に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図１０】図９に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図１１】図１０に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図１２】図１１に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図１３】図１２に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図１４】図１３に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図１５】図１４に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図１６】図１５に図示された状態を上方からみた平面図。
【図１７】図１５に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図１８】図１７に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図１９】本発明の半導体装置の製造方法の実施形態２を説明するための拡大断面図。
【図２０】図１９に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図２１】図２０に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図２２】図２１に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図２３】図２２に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図２４】図２３に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図２５】図２４に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図２６】本発明の半導体装置の製造方法の実施形態３を説明するための拡大断面図。
【図２７】図２６に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図２８】図２７に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図２９】図２８に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図３０】図２９に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【図３１】図３０に続く製造工程を説明するための拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（実施形態１）
以下、この発明の半導体装置の実装構造および半導体装置の実装方法について説明する。
図１は、この発明の実施形態１に係る半導体装置の実装構造の拡大断面図であり、図２は、図１に図示された半導体装置が含まれる半導体ウエハの平面図であり、図３は、図１に図示された半導体装置の半田ボール側からみた平面図である。
【００１１】
半導体装置の実装構造は、半導体装置１０、回路基板３１および封止用樹脂２８を備えている。回路基板３１には、銅等の配線材料で形成された多数の接続端子３２が配列されている。半導体装置１０には、接続端子３２に対応する多数の外部接続用電極２１が形成されている。回路基板３１の接続端子３２と半導体装置１０の外部接続用電極２１は、半田ボール２３によって接合されている。
回路基板３１の上面３１ａと半導体装置１０の表面１０ａとの隙間Ｓ、および半導体装置１０の全周側面には封止用樹脂２８が充填されている。この構造の詳細については、後述する。
【００１２】
図２は、ダイシングによって半導体装置１０を得る前の半導体ウエハ１の平面図を示す。半導体装置１０は、半導体ウエハ１上に行方向および列方向に、マトリクス状に配列されて形成される。半導体装置１０は、後述する最終工程、すなわち、半田ボール２３を形成した後、半導体ウエハ１をダイシングライン２で切断することにより、同時に多数個が得られる。
【００１３】
図３は、図２に二点鎖線で図示された半導体装置形成領域Ａ、すなわち、一対の行方向のダイシングライン２と一対の列方向のダイシングライン２により囲まれた領域内の拡大平面図を示す。
半導体装置形成領域Ａ内には、四つの側辺の各側辺に沿って接続パッド３が配列され、接続パッド３が配列された領域の内側には多数の外部接続用電極２１が配列されている。外部接続用電極２１は、通常は、半導体装置形成領域Ａの周側辺から中心に向かう環状に配列されるが、これとは異なるように配列されることもある。
【００１４】
各外部接続用電極２１と接続パッド３とは配線６により接続されている。図示はしないが、各配線６の外部接続用電極２１に対応する部分には、外部接続用電極２１の直径とほぼ同一サイズか、僅かに大きいサイズのパッド部が形成されており、各外部接続用電極２１は、配線６のパッド部上に形成される。
【００１５】
図３は、半導体装置１０を表面１０ａ側からみた平面図である。図１における半導体装置１０の断面図は、図３のＩ−Ｉ線に沿って切断した図である。以下、図１を参照して半導体装置１０の詳細について説明をするが、図面を明確化するために、半導体装置形成領域Ａ内の各側辺近傍にそれぞれ１個の外部接続用電極２１が形成されているものとして説明する
【００１６】
半導体装置１０は、例えば、シリコン基板などの半導体基板１１を有する。半導体基板１１の主面（図１では下面）側には、図示はしないが、集積回路が形成されている。半導体基板１１の主面上には、集積回路に接続された複数の接続パッド３が形成されている。接続パッド３は、図３に図示されるように、矩形形状を有する半導体基板１１の各辺に沿って配列されており、例えば、アルミニウム系金属で形成されている。また、半導体基板１１の主面上には、接続パッド３の中央部を露出する開口部を有する第１の絶縁膜４が形成されている。第１の絶縁膜４は、酸化シリコン、窒化シリコンなどの無機材料で形成されており、その周側面は、半導体基板１１の側面から少し引っ込んだ位置にある。
【００１７】
第１の絶縁膜４上（図１では下方）に、第２の絶縁膜５が形成されている。第２の絶縁膜５は、ポリイミド系樹脂、ＰＢＯ（Poly-p-Phenylene-Benzobisoxazole；ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール）系樹脂等の有機樹脂材料によって形成されている。或いは、ポリイミド系樹脂、ＰＢＯ（Poly-p-Phenylene-Benzobisoxazole；ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール）系樹脂、ノボラック系樹脂等の有機樹脂材料をベース部材とし、例えばポジ型のジアゾナフトキン化合物を、Ｎ−メチルピロリドンまたはγ−ブチルラクトン等の溶媒で溶解させて形成した、感光性材料が結合された樹脂を用いてもよい。第２の絶縁膜５にも、接続パッド３の中央部を露出する開口部が形成されている。第２の絶縁膜５の周側面は、第１の絶縁膜４の周側面より少し少し引っ込んだ位置にある。
【００１８】
第２の絶縁膜５上（図１では下方）には、一端側が第１の絶縁膜４の開口部および第２の絶縁膜５の開口部を介して接続パッド３に接続された配線６が形成されている。配線６は、下地金属層７と、下地金属層７上（図１では下方）に形成された上部金属層８の二層構造を有する。
下地金属層７および上部金属層８は銅系金属により形成することができる。配線６は、二層構造に限らず、三層以上の積層構造とすることもできる。その場合には、例えば、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）またはチタンとタングステンの合金などからなる金属層を１層以上介在させる。
【００１９】
配線６の他端側には外部接続用電極２１が形成されている。外部接続用電極２１は、図３に図示されるように、マトリックス状に配列されており、例えば、直径１５０〜２５０μｍ、高さ５０〜１２０μｍの円柱形状を有し、銅系金属などにより形成されている。外部接続用電極２１のピッチは、直径の２倍である。
第２の絶縁膜５上（図１では下方）における外部接続用電極２１の周囲にはポリイミド系樹脂またはエポキシ系樹脂からなる上部封止膜１２が形成されている。上部封止膜１２の各側面は、半導体基板１１の各側面と同一面に位置している。上部封止膜１２は第１の絶縁膜４および第２の絶縁膜５の周囲における半導体基板１１上にも形成され、第１の絶縁膜４および第２の絶縁膜５の周側面を覆っている。
【００２０】
外部接続用電極２１の上面（図１では下面）は上部封止膜１２の上面（図１では下面）とほぼ同一面か、もしくは上部封止膜１２の上面よりも僅かに低く形成されている。
外部接続用電極２１の上面には半田ボール２３が接合されている。半田ボール２３は、外部接続用電極２１の直径より大きい外形（直径）を有している。例えば、外部接続用電極２１の直径が１５０〜２５０μｍの場合、半田ボール２３の直径は２００〜３００μｍ程度である。半田ボール２３の材料は、Ｓｎ−Ｐｂ系合金などのようにＰｂを含むものの他、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ系合金のような鉛フリー半田を用いることができる。
【００２１】
半導体装置１０には半導体基板１１の裏面１１ａから表面１０ａに貫通する貫通孔１４が形成されている。貫通孔１４は、半導体基板１１、第１の絶縁膜４および第２の絶縁膜５を貫通する外部貫通孔１５と、上部封止膜１２に形成され外部貫通孔１５に連通する内部貫通孔１６とからなる。内部貫通孔１６は外部貫通孔１５よりも大きい平面サイズを有する。
【００２２】
上記構造の半導体装置１０は、図１に図示されるように、表面１０ａ側を下方に向けた状態で、半田ボール２３により回路基板３１上に形成された接続端子３２に接合されている。
そして、回路基板３１と半導体装置１０の表面１０ａとの間における接続端子３２と半田ボール２３の周囲には封止用樹脂２８が充填されている。封止用樹脂２８は、半導体装置１０の全周側面にも形成されている。半導体装置１０の全周側面に形成された封止用樹脂２８は、半導体基板１１の裏面１１ａ側から回路基板３１に近づくにしたがって半導体装置１０の周囲に広がる方向に傾斜する傾斜状に形成されている。また、封止用樹脂２８は、外部貫通孔１５と内部貫通孔１６にも充填されている。図１に図示された構造では、半導体装置１０と回路基板３１との間に滞留する空気は、封止用樹脂２８により貫通孔１４から押し出されるため、封止用樹脂２８内に気泡となった残留することを防止することができる。
次に、この発明の半導体装置の実装方法について説明する。
【００２３】
先ず、半導体装置１０を形成する方法について、図面と共に説明する。
図４〜図１３は、図１〜３に図示された半導体装置の実装構造を形成する方法を説明するための図であり、図１と同一部分における断面図を示す。
先ず、図４に図示されるように、各半導体形成領域Ａ内の主面１ａ側に集積回路（図示せず）を有する半導体ウエハ１を準備する。半導体ウエハ１の各半導体形成領域Ａ内には、４つの辺のそれぞれに沿う接続パッド３が形成されている。また、半導体ウエハ１の全面は、接続パッド３の中央部を露出する開口４ａが形成された第１の絶縁膜４により覆われている。第１の絶縁膜４は、酸化シリコンまたは窒化シリコン等の無機絶縁膜で形成されている。第１の絶縁膜４の周縁部４ｂは、図４に図示されるように、ダイシングストリート２を露出するサイズとなっている。
【００２４】
次に、第１の絶縁膜４から露出する接続パッド３の上面を含み、第１の絶縁膜４の上面全体に第２の絶縁膜５を形成する。第２の絶縁膜５は、ポリイミド系樹脂、ＰＢＯ系樹脂等の有機樹脂膜からなり、スピンコーティング法等により成膜され、乾燥される。そして、第２の絶縁膜５に、フォトリソグラフィ法により、第１の絶縁膜４の開口４ａと同一の位置にほぼ同じサイズの開口５ａを設ける（図５参照）。
【００２５】
次に、第２の絶縁膜５から露出する接続パッド３の上面を含み、第２の絶縁膜５上全面にポジ型のフォトレジスト膜４１を塗布し、このフォトレジスト膜４１の外部貫通孔１５（図１参照）に対応する部分に、フォトリソグラフィ法により開口４１ａを形成する。この場合、フォトレジスト膜４１は、開口４１ａに対応する部分のみが透光性を有するマスクを用いて露光し、現像する。そして、フォトレジスト膜４１をマスクとして、第２の絶縁膜５、第１の絶縁膜４および半導体ウエハ１を、順次、エッチング液によりエッチングして、外部貫通孔１５を形成する。第２の絶縁膜５、第１の絶縁膜４および半導体ウエハ１に外部貫通孔１５を形成する方法として、レーザビームを照射して除去する方法、あるいはドリルによる機械加工等、他の方法を用いることもできる。
【００２６】
次に、図６に示すように、フォトレジスト膜４１の周縁部４１ｂが第１の絶縁膜４の周縁部４ｂよりも内側になるようにフォトレジスト膜４１をパターニングする。この状態を図６に示す。この場合、フォトレジスト膜４１の周縁部４１ｂの周囲が透光性を有するマスクを用いてフォトレジスト膜４１を露光し、現像することにより、フォトレジスト膜を形成し直すことなく、開口４１ａを形成したフォトレジスト膜４１をそのまま使用することができる。
【００２７】
次に、フォトレジスト膜４１の周縁部４１ｂ外周の第２の絶縁膜５をエッチングにより除去して、第１の絶縁膜４の周縁部４ｂを露出する。そして、スパッタ法等により全面に銅等の導電性金属層からなる下地金属層７Ａを成膜する（図７参照）。この場合、下地金属層７Ａは、第２の絶縁膜５の外部貫通孔１５に対応する領域には形成されない。
【００２８】
次に、全面にドライフォトレジストからなる第１のフォトマスク４２を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により第１のフォトマスク４２をパターニングし、この第１のフォトマスク４２に、配線６に対応する開口４２ａおよび外部貫通孔１６（図１参照）に対応する開口４２ｂを形成する。次に、下地金属層７Ａを電流路として電解めっきを行い、開口４２ａ内に上部金属層８を形成し、開口４２ｂ内に、上部パッド２４を形成する。この状態を図８に図示する。
【００２９】
次に、ドライフォトレジストからなる第２のフォトマスク４３を形成する。そして、この第２のフォトマスク４３に、フォトリソグラフィ法により、外部接続用電極２１に対応する開口４３ａおよび内部貫通孔１６に対応する開口４３ｂを形成する。次に、下地金属層７Ａを電流路として電解めっきを行い、外部接続用電極２１および柱状の上部封止膜止め用電極（上部封止膜止め部材）２５を形成する。この状態を図９に示す。ここで、上部パッド２４の中央部は、外部貫通孔１５に対面しているが、電解めっきは等方位的に成長するため、上部封止膜止め用電極２５は外部貫通孔１５を塞ぐように形成される。なお、上部パッド２４を形成せず、上部封止膜止め用電極２５を、直接、下地金属層７Ａ上に形成するようしてもよい。
【００３０】
次に、図１０に図示するように、第２のフォトマスク４３を剥離する。そして、上部金属層８および上部封止膜止め用電極２５をマスクとして、下地金属層７Ａをエッチング液によりエッチングする。これにより、下地金属層７および上部金属層８からなる配線６が形成される。また、上部封止膜止め用電極２５下には、上部封止膜止め用電極２５と同一平面形状の上部パッド２４と下地金属層が形成される。
【００３１】
次に、図１０に図示する状態の半導体ウエハ１上全面にポリイミド系樹脂またはエポキシ系樹脂からなる上部封止膜１２Ａを塗布する。上部封止膜１２Ａは、液状の樹脂をスピンコーティング法またはポッティング法等により外部接続用電極２１の上面および上部封止膜止め用電極２５の上面を覆うように外部接続用電極２１および上部封止膜止め用電極２５の高さより厚く塗布する。この状態を図１１に図示する。図１１において、上部封止膜止め用電極２５は第２の絶縁膜５上に外部貫通孔１５の上面を覆って形成されているため、液状の上部封止膜１２Ａは外部貫通孔１５から漏れることはない。
【００３２】
次に、上部封止膜１２Ａを乾燥した後、上部封止膜１２Ａを研磨して外部接続用電極２１の上面および上部封止膜止め用電極２５の上面を表出する。外部接続用電極２１および上部封止膜止め用電極２５の各上端部を上部封止膜１２Ａと共に研磨してもよい。これにより、図１２に図示されるように、外部接続用電極２１の上面および上部封止膜止め用電極２５の上面と面一な上部封止膜１２が形成される。この状態を図１２に示す。
【００３３】
次に、上部封止膜止め用電極２５を除去する。除去する方法としは、外部貫通孔１５からピンを挿入して上部封止膜止め用電極２５を押し上げればよい。金属製の下地金属層７と絶縁性樹脂からなる第２の絶縁膜５との結合力は小さいので、下地金属層７、上部パッド２４と一体になった部封止膜止め用電極２５を第２の絶縁膜５から容易に剥離することができる。
上部封止膜止め用電極２５を除去する他の方法として、エッチング液によりエッチング、またはドリルによる機械加工等を用いることができる。
【００３４】
次に、各外部接続用電極２１の上面に半田ボール２３を搭載し、リフローにより半田ボール２３を外部接続用電極２１に接合する。この状態を図１３に示す。半田ボール２３を搭載する前に、各外部接続用電極２１の上面を数μｍ程度エッチングして、各外部接続用電極２１の上面を上部封止膜１２の上面より低くしてもよい。
そして、ダイシングライン２に沿って、上部封止膜１２および半導体ウエハ１を切断することにより、図１に図示される如く、半導体基板１１を有する半導体装置１０を、複数個、同時に得ることができる。
【００３５】
次に、このようにして得られた半導体装置１０を実装する方法について、図１４〜図１８を参照して説明する。
先ず、外部接続用電極２１、換言すれば、半田ボール２３に対応する位置に接続端子３２が形成された回路基板３１を準備する。そして、半導体装置１０の半田ボール２３を各接続端子３２に位置決めして、載置する。
そして、リフロー炉に搬入して、半田ボール２３と接続端子３２を接合する。この状態を図１４に示す。
【００３６】
次に、図１５および図１６に図示するように、半導体装置１０の全周側面から、液状の封止用樹脂２８を供給する。封止用樹脂２８としては、例えば、常温で粘度４００ｃＰ以下のエポキシ樹脂などの低粘度の液状樹脂を用いる。また、封止用樹脂２８を供給する方法としては、ディスペンサ法またはポッティング法による。
封止用樹脂２８の粘度を低下するために加熱してもよい。ただし、封止用樹脂２８のガラス転移点以上には加熱しない。供給する封止用樹脂２８の厚さは、半導体装置１０の厚さと同程度かあるいは少し厚い程度とする。
【００３７】
低粘度の液状の封止用樹脂２８を供給すると、図１７に図示されるように、封止用樹脂２８は、毛細管現象により、回路基板３１の上面３１ａと半導体装置１０の表面１０ａの隙間Ｓに流入していき、半田ボール２３と接続端子３２の周囲に充填される。
この場合、封止用樹脂２８は、半導体装置の１０の周囲から中央部に向かって流入していく。従って、回路基板３１の上面３１ａと半導体装置１０の表面１０ａに滞留している空気は、半導体装置１０の周囲から中央部に向かって次第に押し込まれる。
【００３８】
しかし、半導体装置１０には、内部貫通孔１６および外部貫通孔１５からなる貫通孔１４が形成されているため、中央部に押し込まれた空気は、この貫通孔１４から、半導体装置１０の外部に出て行く。
また、封止用樹脂２８は、毛細管現象により、回路基板３１の上面３１ａと半導体装置１０の表面１０ａの隙間Ｓから、さらに、内部貫通孔１６内および外部貫通孔１５内に上昇し、各貫通孔内に充填される。
【００３９】
封止用樹脂２８は半導体装置１０の厚さとほぼ同じ厚さで供給されるので、封止用樹脂２８が供給される半導体装置１０の各側面１０ｂには、回路基板３１の上面３１ａから半導体基板１１の裏面１１ａに達する厚さに封止用樹脂２８が付着する。この状態を図１８に示す。
【００４０】
封止用樹脂２８は粘度が低いので、図１に図示されるように、半導体基板１１の裏面１１ａ側が薄く回路基板３１の上面３１ａ側が厚い傾斜状に形成される。
次に、液状の封止用樹脂２８をガラス転位点よりも高い温度で加熱して硬化させる。ガラス転移点Ｔｇ＝９７℃の場合、加熱温度を例えば１２０℃程度にすると、半導体基板１１と上部封止膜１２の熱膨張係数の差に起因して半導体基板１１の主面側に発生する応力集中を緩和する効果が生じる。このように、封止用樹脂２８を形成することにより、回路基板３１と半導体装置１０との間に生じる応力集中と共に内部の応力集中によるクラックの発生を防止する効果が得られる。
【００４１】
以上の如く、本発明の実施形態１によれば、半導体装置１０に、回路基板３１の上面３１ａと半導体装置１０の表面１０ａとの間に滞留する空気を流出する貫通孔１４が形成される。このため、半導体装置１０の周囲全側面から封止用樹脂２８が供給されても、貫通孔１４から空気が流出する。したがって、封止用樹脂１８中に気泡となって残留することを防止することができ、また、これにより、電極部の腐食、リーク電流の発生など種々の不良の発生を防止するという効果を奏する。
【００４２】
また、半導体ウエハ１上に液状の上部封止膜１２を塗布する前に、半導体ウエハ１に形成された外部貫通孔１５を塞ぐ上部封止膜止め用電極２５を形成したので、上部封止膜１２が上部貫通孔１５から漏れ出るのを防止することができる。このため、漏れ出る上部封止膜２８の処理をする手間が不要となり、生産性を向上することができる。
【００４３】
しかも、上部封止膜止め用電極２５は、外部接続用電極２１と同一の工程で形成するので、上部封止膜止め用電極２５の形成に関して、通常の生産性を維持することができる。
また、上部封止膜止め用電極２５を除去する工程も、ピンなどで押し出して第２の絶縁膜５から剥離するだけの簡単な作業で済む。
なお、第１実施形態においては、半導体装置１０を形成する方法として、図８に示す工程において、ドレイフォトレジストからなる第１のフォトマスク４２を用いるものであった。しかし、第１のフォトマスク４２として、液状のフォトレジストを用いることができる。次に、その方法を、実施形態２として示す。
【００４４】
（実施形態２）
図１９〜図２５は、本発明の半導体装置の製造方法の実施形態２に関する各工程における拡大断面図である。
実施形態１における図４および図５に示す工程と同様に半導体ウエハ１上に接続パッド３、第１の絶縁膜４および第２の絶縁膜５を形成する。
【００４５】
次に、図１９に図示するように、接続パッド３の上面および第２の絶縁膜５の上面全面に下地金属層７Ａをスパッタ法等により成膜する。
次に、下地金属層７Ａの上面全面に液状のフォトレジストからなる第１のフォトマスク４５をスピンコート法等により成膜する。この状態を図２０に示す。
【００４６】
次に、図２１に示すように第１のフォトマスク４５に、フォトリソグラフィ法により、配線６に対応する開口４５ａおよび外部貫通孔１５に対応する開口４５ｂを形成する。
次に、図２２に図示するように第１のフォトマスク４５の開口４５ｂに対応する下地金属層７、第２の絶縁膜５、第１の絶縁膜４および半導体ウエハ１をエッチングして外部貫通孔１５を形成する。
【００４７】
次に、図２３に示すように、下地金属層７Ａを電流路として電解めっきを行い、第１のフォトマスク４５の開口４５ａ内における下地金属層７Ａ上に上部金属層８を形成する。ここでは、第１のフォトマスク４５の開口４５ｂ内における下地金属膜７Ａは除去されているので、開口４５ｂ内には上部金属層は形成されない。
そして、第１のフォトマスク４５を剥離すると、図２４に図示されるように下地金属層７Ａ上に上部金属層８が形成され、中央部に外部貫通孔１５が形成された半導体装置が形成される。
【００４８】
実施形態２の図２４に図示された状態を、実施形態１の図８に図示された状態と対比すると、図２４においては、下地金属層７Ａにおける外部貫通孔１５の周囲に上部パッド２４が形成されていない点で図８に図示される実施形態１の場合と相違する。
【００４９】
次に、図２５に示すように、ドライフォトレジストからなる第２のフォトマスク４３を形成し、フォトリソグラフィ法により、上部金属層８に対応する開口４３ａおよび内部貫通孔１６に対応する開口４３ｂを形成する。そして、下地金属層７Ａを電流路として電解めっきにより、第２のフォトマスク４３の開口４３ａ内における上部金属層８上に外部接続用電極２１を、第２のフォトマスク４３の開口４３ｂ内における下地金属層７Ａ上に上部封止膜止め用電極２５を形成する。
【００５０】
実施形態２の図２５に図示された状態を、実施形態１の図９に図示された状態と対比すると、上部封止膜止め用電極２５が、図２５では下地金属層７Ａ上に形成されているに比し、図９では下地金属層７Ａ上に形成された上部パッド２４上に形成されている点で相違する。
以下、実施形態１の図１０〜図１３に示された方法と同様に半導体装置１０を形成するが、上述した如く実施形態２では、上部封止膜止め用電極２５が下地金属層７Ａ上に形成されている点が相違するだけであるので、この点のみを指摘して説明を省略する。
【００５１】
実施形態１および２では、上部封止膜１２が半導体装置１０の上部貫通孔１５から漏れ出るのを防止する部材を導電性金属材料で形成する方法で説明した。しかし、上部封止膜１２の流出防止部材を、フォトレジスト等の絶縁材料で形成することができる。その一例を実施形態３として以下に説明する。
【００５２】
（実施形態３）
図２６〜図３１は、本発明の半導体装置の製造方法を示す実施形態３に係る拡大断面図である。
実施形態１における図４〜図７に図示された工程を経た後、下地金属層７Ａの上面全面にドライフォトレジストからなる第１のフォトマスク４６を形成する。そして、第１のフォトマスク４６に上部金属層８に対応する開口４６ａを形成する。この場合、図２６に図示するように、実施形態１の図８に図示された場合と異なり、第１のフォトマスク４６には、上部金属層８に対応する開口４６ａのみが形成され、上部貫通孔１５に対応する部分には開口は形成されない。
【００５３】
そして、下地金属層７Ａを電流路として電解めっきにより第１のフォトマスク４６の開口４６ａ内における下地金属層７Ａ上に上部金属層８を形成する。次に、第１のフォトマスク４６を除去し、図２７に図示するように、ポジ型のドライフォトレジストよりなる第２のフォトマスク４７を形成する。
第２のフォトマスク４７に対しても、外部接続用電極２１に対応する開口４７ａを形成するが、外部貫通孔１５に対応する部分には開口は形成しない。そして、下地金属層７Ａを電流路として電解めっきにより第２のフォトマスク４７の開口４７ａ内における下地金属層７Ａ上に外部接続用電極２１を形成する。
【００５４】
この場合、第２のフォトマスク４７は、ポジ型のフォトレジストであるので、外部接続用電極２１に対応する部分、すなわち、開口４７ａが形成される部分のみが露光され、他の部分は未露光である。
次に、第２のフォトマスク４７の内部貫通孔１６を形成する部分以外の部分を露光し、現像により、露光した部分を除去する。これにより、図２８に図示されるように、上部貫通孔１５直上およびその周囲の下地金属層７Ａ上に第２のフォトマスク４７の残部からなる上部封止膜止め部（上部封止膜止め部材）４７ｂが形成される。
【００５５】
そして、上部金属層８および上部封止膜止め部４７ｂをマスクとして、下地金属層７Ａをエッチングする。これにより、上部金属層８と下地金属層７からなる配線６が形成される。また、上部封止膜止め部４７ｂ下に下地金属層７Ａの一部が残る。
【００５６】
次に、図２９に図示する状態の半導体ウエハ１上全面にポリイミド系樹脂またはエポキシ系樹脂からなる上部封止膜１２Ａを塗布する。上部封止膜１２Ａは、液状の有機樹脂をスピンコーティング法またはポッティング法等により外部接続用電極２１の上面および外部封止膜止め部４７ｂの上面を覆うように外部接続用電極２１および外部封止膜止め部４７ｂの高さより厚く塗布する。この状態では、外部貫通孔１５の内面側には外部封止膜止め部４７ｂが形成されているため、液状の上部封止膜１２Ａは外部貫通孔１５から漏れ出ることはない。
【００５７】
次に、上部封止膜１２Ａを乾燥した後、上部封止膜１２Ａを研磨して外部接続用電極２１の上面および外部封止膜止め部４７ｂの上面を表出する。外部接続用電極２１および外部封止膜止め部４７ｂの各上端部を上部封止膜１２Ａと共に研磨してもよい。これにより、図３０に図示されるように、外部接続用電極２１の上面および外部封止膜止め部４７ｂの上面と面一な上部封止膜１２が形成される。
【００５８】
次に、外部封止膜止め部４７ｂをエッチング液によるエッチングまたはレーザを照射して除去する。この場合、外部封止膜止め部４７ｂ下に形成されている下地金属層７Ａの一部は、中央部に内部貫通孔１５が形成されているので、除去する必要はない。但し、異物となる可能性があれば除去してもよい。これにより、図３１に図示されるように、上部封止膜１２に、外部貫通孔１５に連通する内部貫通孔１６が形成される。
以下、実施形態１の場合と同様に、各外部接続用電極２１上に半田ボール２３を形成し、ダイシングライン２で切断することにより、個々に分離された半導体装置１０を多数個、同時に得ることができる。
形成された半導体装置１０は、図１４〜図１８に図示されるような方法により、回路基板３１上に実装することができる。
【００５９】
しかして、実施形態３により形成された半導体装置１０も、回路基板３１の上面３１ａと半導体装置１０の表面１０ａとの隙間に滞留する空気を流出する貫通孔１４を有する。このため、半導体装置１０の全周側面から封止用樹脂２８が供給されても、貫通孔１４から空気が流出し、封止用樹脂２８中に気泡となって残留することを防止することができる。これにより、電極部の腐食、リーク電流の発生など種々の不良の発生を防止するという効果を奏する。
【００６０】
また、半導体ウエハ１上に液状の上部封止膜２８を塗布する前に、半導体ウエハ１に形成された外部貫通孔１５を塞ぐ上部封止膜止め部４７ａを形成したので、上部封止膜２８が上部貫通孔１５から漏れ出るのを防止することができる。このため、漏れ出る上部封止膜２８の処理をする手間が不要となり、生産性を向上することができる。
【００６１】
なお、上記各実施形態において、半田ボール２３は、回路基板１３に実装する前に半導体装置１０に設けておく場合で説明した。しかし、半田ボール２３は、回路基板３１の接続端子３２上に形成しておいてもよい。また、外部接続用電極２１と接続端子３２を接合する導電部材は、半田ボールに限らず、導電性接着剤あるいは異方導電性接着剤等他の導電部材の場合にも適用が可能である。
【００６２】
半導体装置１０は、外部接続用電極２１と接続パッド３とを接続する配線６を有するものであったが、配線６がボンディングワイヤの場合、または配線６を有しておらず、接続パッド３上に直接外部接続用電極２１が形成された半導体装置に対しても適用が可能である。配線６下の絶縁膜として、無機絶縁膜からなる第１の絶縁膜４および第１の絶縁膜４上に有機樹脂からなる第２の絶縁膜５を有するものとして説明したが、配線６下の絶縁膜は１層であってもよい。
【００６３】
その他、本発明の半導体装置は、発明の趣旨の範囲内において、種々、変形して構成することが可能であり、要は、半導体基板と、半導体基板の少なくとも対向する一辺の各辺に沿って配列された複数の接続パッドと、それぞれが、接続パッドに接続された複数の外部接続用電極と、を具備してなり、半導体基板の中央部に、半導体基板の裏面から半導体基板を厚さ方向に貫通して外部接続用電極の間に表出する貫通孔が形成されているものであればよい。
本発明の半導体装置の実装構造は、半導体基板上に、複数の接続パッドと、接続パッドに接続された複数の外部接続用電極が形成され、半導体基板の中央部に、半導体基板の裏面から半導体基板を厚さ方向に貫通して半導体基板の主面側に連通する貫通孔が形成された半導体装置と、半導体装置の外部接続用電極に接続された複数の接続端子を有する回路基板と、半導体装置と前記回路基板間に設けられた封止用樹脂と、を具備するものであればよい。
本発明の半導体装置の製造方法は、主面側に複数の接続パッドが設けられ、中央部に外部貫通孔が形成された半導体基板を準備する工程と、半導体基板に、各接続パッドに接続される複数の外部接続用電極を形成する工程と、半導体基板上に外部接続用電極の周囲を覆う上部封止膜を形成する工程と、上部封止膜に外部貫通孔に連通する内部貫通孔を形成する工程と、を含むものであればよい。
本発明の半導体装置の実装方法は、上記半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を準備する工程と、半導体装置の各外部接続用電極に接続される複数の接続端子を有する回路基板を準備する工程と、各外部接続用電極と各接続端子を半田ボールにより接続する工程と、半導体装置の周囲から封止用樹脂を供給し、半導体装置と回路基板間に封止用樹脂を流入する工程と、を含むものであればよい。
【符号の説明】
【００６４】
１        半導体ウエハ
３        接続パッド
４        第１の絶縁膜
５        第２の絶縁膜
６        配線
７、７Ａ  下地金属層
８        上部金属層
１０      半導体装置
１１      半導体基板
１２      上部封止膜
１４      貫通孔
１５      外部貫通孔
１６      内部貫通孔
２１      外部接続用電極
２３      半田ボール
２８      封止用樹脂
３１      回路基板
３２      接続端子
【図１】
2011129680.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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