(57)【要約】【課題】複雑な構造のマスクを用いることなく、かつ、透過率の調整が難しくなるのを抑制しながら、深さが異なる凹部とコンタクトホールとを容易に形成することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】この液晶表示装置１００の製造方法は、平坦化膜１２を除去することにより設けられるコンタクトホール１２ａを形成するためのコンタクトホール形成用のパターンと平坦化膜１２の表面側の一部を取り除くことにより設けられる窪み部１２ｂを形成するために露光限界解像度よりも小さい幅のスリット３１ｂを有する窪み部形成用のパターンとが形成されたマスク２９を用いて、平坦化膜１２のコンタクトホール形成領域およびサブ柱状スペーサー２６ｂに対応する領域を露光することにより、平坦化膜１２にコンタクトホール１２ａとサブ柱状スペーサー２６ｂに対応する窪み部１２ｂとを形成する露光工程とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向するように配置される第１基板および第２基板のうちの、前記第１基板側に、第１スペーサーおよび第２スペーサーを形成する工程と、
前記第２基板側に感光性材料からなる絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を除去することにより設けられるコンタクトホールを形成するためのコンタクトホール形成用のパターンと、前記絶縁膜の表面側の一部を取り除くことにより設けられる窪み部を形成するために露光限界解像度よりも小さい幅の開口部を有する窪み部形成用のパターンとが形成されたマスクを用いて、前記絶縁膜のコンタクトホール形成領域および前記第２スペーサーに対応する領域をそれぞれ露光することにより、前記絶縁膜に、コンタクトホールと前記第２スペーサーに対応する窪み部とを形成する露光工程とを備える、液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板および前記第２基板には、複数の副画素が設けられており、
前記第１スペーサーおよび前記第２スペーサーを形成する工程は、前記副画素に前記第１スペーサーおよび前記第２スペーサーのうちの少なくともいずれか一方を形成する工程を含む、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記露光限界解像度よりも小さい幅の開口部を有する前記窪み部形成用のパターンは、平面的に見て、間隔を隔てて互いに略平行に並べられた複数の直線状のスリットを含む、請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記露光限界解像度よりも小さい幅の開口部を有する前記窪み部形成用のパターンは、平面的に見て、多角形形状または円形形状に形成されたスリットまたは穴を含む、請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１スペーサーの前記第１基板の表面と直交する方向の高さは、前記第２スペーサーの前記第１基板の表面と直交する方向の高さと略等しい、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２基板側に感光性材料からなる絶縁膜を形成する工程は、前記第２基板側に感光性材料からなる平坦化膜を形成する工程を含み、
前記露光工程は、前記コンタクトホール形成用のパターンと、露光限界解像度よりも小さい幅の開口部を有する前記窪み部形成用のパターンとが形成されたマスクを用いて、前記平坦化膜にコンタクトホールおよび前記第２スペーサーに対応する窪み部を形成する工程を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記露光工程は、前記平坦化膜の前記第２スペーサーに対応する前記窪み部の表面を凹凸形状に形成する工程を含み、
前記窪み部の凹凸形状の表面の凸部の頂部は、前記平坦化膜の前記コンタクトホールおよび前記窪み部以外の上面よりも低くなるように形成されている、請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２基板側に薄膜トランジスタを形成する工程をさらに備え、
前記露光工程は、前記薄膜トランジスタの形成領域の上方に位置する平坦化膜の表面に前記窪み部を形成する工程を含む、請求項６または７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記露光工程は、前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極との電気的接続をとるためのコンタクトホールの近傍に前記窪み部を形成する工程を含む、請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記露光工程は、透過領域に形成された前記絶縁膜に前記窪み部を形成する工程を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特に、絶縁膜に窪み部を形成する露光工程を備える液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、絶縁膜に窪み部を形成する露光工程を備える液晶表示装置の製造方法が知られている（たとえば、特許文献１および２参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、互いに対向するように配置される上基板（第１基板）および下基板（第２基板）のうちの上基板側に第１スペーサーおよび第２スペーサーを形成する工程と、下基板側に感光性樹脂からなる平坦化膜（絶縁膜）を形成する工程と、下基板側の平坦化膜の第２スペーサーに対向する位置に凹部（窪み部）を形成する工程とを備えた液晶表示装置の製造方法が開示されている。上記特許文献１に記載の液晶表示装置の製造方法では、平坦化膜に形成される凹部は、ハーフトーンマスクを用いてフォトリソグラフィー（露光工程）により形成されている。このハーフトーンマスクには、通常照射された光が略全て透過する透過部分と、照射された光の一部が透過する透過率の低い膜が形成されている半透過部分と、照射された光が透過しない遮光部分とが設けられている。また、ハーフトーンマスクに照射された光がハーフトーンマスクの透過部分および半透過部分を介して、平坦化膜に照射された際に、照射された光の露光強度に応じて、平坦化膜に形成される凹部の深さが決定される。なお、第１スペーサーは、上基板と下基板とを貼り合わせた際の基板間ギャップを一定に保つ機能を有している。また、第２スペーサーは、下基板側の凹部とは当接せずに、所定の間隔を隔てて配置されている。そして、上基板と下基板とに過剰な荷重が加わる場合や、低温環境下における液晶層の収縮に伴い、上基板と下基板とが液晶層側に撓んだ際に、第２スペーサーが下基板側の凹部に当接することにより、基板間ギャップが小さくなりすぎるのが抑制される。この際、第２スペーサーが凹部に当接するまでは、上基板と下基板とが液晶層側に撓むことが可能になることにより、上基板と下基板との間に封入された液晶層が収縮しやすくなり、液晶層内の負圧を小さくすることが可能である。これにより、液晶層内に気泡が発生するのを抑制するように構成されている。
【０００４】
また、上記特許文献２には、互いに対向するように配置される第１基板および第２基板のうちの第１基板側に複数の柱状構造体を形成する工程と、第２基板側に感光性の樹脂からなる絶縁層を形成する工程と、絶縁層の複数の柱状構造体のうちの少なくとも１つの柱状構造体に対向する位置に凹部（窪み部）およびコンタクトホールを同時に形成する工程とを備えた液晶表示装置の製造方法が開示されている。上記特許文献２に記載の液晶表示装置の製造方法では、絶縁層に形成される凹部およびコンタクトホールは、フォトリソグラフィー（露光工程）により形成されている。なお、凹部とコンタクトホールとの両方を同時に形成する具体的な方法に関しては記載されておらず、上記特許文献１と同様にハーフトーンマスクを用いた同時形成が考えられる。また、２種類の柱状構造体に関しては、上記特許文献１のスペーサーと同様の効果を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１７１７１５号公報
【特許文献２】特開２００８−２４２０３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１および上記特許文献２に記載の液晶表示装置の製造方法では、ハーフトーンマスクの半透過部分には、透過率の低い膜が形成されているため、その分、ハーフトーンマスクの構造が複雑化するという問題点がある。また、平坦化膜に凹部と、コンタクトホールとの両方をハーフトーンマスクを用いて同時に形成する場合には、ハーフトーンマスクの半透過部分を構成する透過率の低い膜で透過率を調整するのは困難であるため、深さがそれぞれ異なるコンタクトホールと凹部とを所望の深さに形成するのが困難であるという問題点がある。
【０００７】
また、上記特許文献１および上記特許文献２のようなハーフトーンマスクを用いないで、凹部とコンタクトホールとの両方を形成しようする場合には、コンタクトホールの形成工程と、凹部の形成工程とが必要になるので、製造工程が増加してしまうという問題点がある。
【０００８】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、複雑な構造のマスクを用いることなく、かつ、透過率の調整が難しくなるのを抑制しながら、深さがそれぞれ異なるコンタクトホールと凹部（窪み部）とを容易に形成することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供することであり、また、工程の増加を伴わないで、深さがそれぞれ異なるコンタクトホールと凹部（窪み部）とを容易に形成することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００９】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面における液晶表示装置の製造方法は、互いに対向するように配置される第１基板および第２基板のうちの、第１基板側に、第１スペーサーおよび第２スペーサーを形成する工程と、第２基板側に感光性材料からなる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を除去することにより設けられるコンタクトホールを形成するためのコンタクトホール形成用のパターンと、絶縁膜の表面側の一部を取り除くことにより設けられる窪み部を形成するために露光限界解像度よりも小さい幅の開口部を有する窪み部形成用のパターンとが形成されたマスクを用いて、絶縁膜のコンタクトホール形成領域および第２スペーサーに対応する領域をそれぞれ露光することにより、絶縁膜に、コンタクトホールと第２スペーサーに対応する窪み部とを形成する露光工程とを備える。
【００１０】
この一の局面による液晶表示装置の製造方法では、上記のように、絶縁膜を除去することにより設けられるコンタクトホールを形成するためのコンタクトホール形成用のパターンと、絶縁膜の表面側の一部を取り除くことにより設けられる窪み部を形成するために露光限界解像度よりも小さい幅の開口部を有する窪み部形成用のパターンとが形成されたマスクを用いて、絶縁膜のコンタクトホール形成領域および第２スペーサーに対応する領域をそれぞれ露光することにより、絶縁膜に、コンタクトホールと第２スペーサーに対応する窪み部とを形成する露光工程を備える。これにより、ハーフトーンマスクを使用する場合と異なり、透過率の低い膜を用いることなくマスクの開口部の幅や大きさを調整することにより、容易に、マスクの開口部（半透過部分）の透過率を調整することができる。その結果、露光工程を行った際に、コンタクトホール形成用のパターンに対応した深さのコンタクトホールと、窪み部形成用のパターンに対応した深さの窪み部が形成される。これにより、複雑な構造のマスクを用いることなく、かつ、透過率の調整が難しくなるのを抑制しながら、それぞれ深さが異なるコンタクトホールと窪み部とを容易に形成することができる。また、ハーフトーンマスクを用いないで、コンタクトホールと凹部（窪み部）との両方を形成しようする場合と比べて、コンタクトホールの形成工程と、凹部の形成工程とを同時に行うことができるので、工程の増加を伴わないで、深さがそれぞれ異なるコンタクトホールと凹部（窪み部）とを容易に同時形成することができる。
【００１１】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第１基板および第２基板には、複数の副画素が設けられており、第１スペーサーおよび第２スペーサーを形成する工程は、副画素に第１スペーサーおよび第２スペーサーのうちの少なくともいずれか一方を形成する工程を含む。このように構成すれば、第１スペーサーにより、第１基板と第２基板との間のセルギャップを規制するとともに、面押し耐性の向上を図ることができる。また、第１基板および第２基板に荷重が加えられた際、または、第１基板と第２基板との間に設けられた液晶層が低温時に収縮し、第１基板および第２基板が液晶層側に撓んだ場合に、第２スペーサーの第２基板側の表面が第２基板側の窪み部の凹部の表面に当接することによって、第１基板と第２基板との間のセルギャップを規制するとともに、低温気泡の発生の抑制を図ることができる。
【００１２】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、露光限界解像度よりも小さい幅の開口部を有する窪み部形成用のパターンは、平面的に見て、間隔を隔てて互いに略平行に並べられた複数の直線状のスリットを含む。このように構成すれば、露光工程を行った際に、絶縁膜の複数の直線状のスリットに対応する部分に凹凸形状の窪み部を容易に形成することができる。
【００１３】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、露光限界解像度よりも小さい幅の開口部を有する窪み部形成用のパターンは、平面的に見て、多角形形状または円形形状に形成されたスリットまたは穴を含む。このように構成すれば、露光工程を行った際に、絶縁膜の多角形形状または円形形状に形成されたスリットまたは穴に対応する部分に凹凸形状の窪み部を容易に形成することができる。
【００１４】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第１スペーサーの第１基板の表面と直交する方向の高さは、第２スペーサーの第１基板の表面と直交する方向の高さと略等しい。このように構成すれば、第１スペーサーと第２スペーサーとの両方を１回の露光工程により、同時に形成することができるので、製造工程数が増加するのを抑制することができる。
【００１５】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第２基板側に感光性材料からなる絶縁膜を形成する工程は、第２基板側に感光性材料からなる平坦化膜を形成する工程を含み、露光工程は、コンタクトホール形成用のパターンと、露光限界解像度よりも小さい幅の開口部を有する窪み部形成用のパターンとが形成されたマスクを用いて、平坦化膜にコンタクトホールおよび第２スペーサーに対応する窪み部を形成する工程を含む。このように構成すれば、平坦化膜にコンタクトホールと窪み部との両方を１回の露光工程により、同時に形成することができるので、製造工程数が増加するのを抑制することができる。
【００１６】
この場合、好ましくは、露光工程は、平坦化膜の第２スペーサーに対応する窪み部の表面を凹凸形状に形成する工程を含み、窪み部の凹凸形状の表面の凸部の頂部は、平坦化膜のコンタクトホールおよび窪み部以外の上面よりも低くなるように形成されている。このように構成すれば、容易に、第２スペーサーの第２基板側の表面と、窪み部の凹凸形状の表面の凸部の頂部との間に所定の間隔を設けることができる。
【００１７】
上記平坦化膜を形成する工程を備える液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第２基板側に薄膜トランジスタを形成する工程をさらに備え、露光工程は、薄膜トランジスタの形成領域の上方に位置する平坦化膜の表面に窪み部を形成する工程を含む。このように構成すれば、窪み部の上方には第２スペーサーが配置されるので、たとえば、薄膜トランジスタの形成領域に対応する領域を遮光膜により遮光する際には、薄膜トランジスタおよび第２スペーサーを同時に遮光することができる。
【００１８】
この場合、好ましくは、露光工程は、薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極との電気的接続をとるためのコンタクトホールの近傍に窪み部を形成する工程を含む。このように構成すれば、薄膜トランジスタの近傍にコンタクトホールと窪み部とを同時に形成することができる。
【００１９】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、露光工程は、透過領域に形成された絶縁膜に窪み部を形成する工程を含む。このように構成すれば、感光性材料からなる絶縁膜を用いることにより、容易に、透過領域に形成された絶縁膜に窪み部を形成することができる。これにより、透過型の液晶表示装置において、液晶層内に気泡が発生するのを抑制するための第２スペーサーを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の平面図である。
【図２】図１の２００−２００線に沿った断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するためのフロー図である。
【図４】本発明の第１実施形態によるコンタクトホール・窪み部形成工程（露光工程）に使用されるマスクの平面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による露光工程に使用されるマスクの平面図である。
【図６】図５の３００−３００線に沿った断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による露光工程を説明するための断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による画素電極形成工程を説明するための断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態による配向膜形成工程を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態による露光工程を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態による露光工程を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の平面図である。
【図１３】本発明の第２実施形態による露光工程に使用されるマスクの平面図である。
【図１４】本発明の第２実施形態による露光工程に使用されるマスクの平面図である。
【図１５】本発明の第３実施形態による露光工程に使用されるマスクの平面図である。
【図１６】本発明の第３実施形態による露光工程に使用されるマスクの平面図である。
【図１７】本発明の第４実施形態による露光工程に使用されるマスクの平面図である。
【図１８】本発明の第４実施形態による露光工程に使用されるマスクの平面図である。
【図１９】本発明の第５実施形態による露光工程に使用されるマスクの平面図である。
【図２０】本発明の第５実施形態による露光工程に使用されるマスクの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２２】
（第１実施形態）
図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００の構成について説明する。なお、第１実施形態では、縦電界モードの液晶表示装置１００に本発明を適用した場合について説明する。
【００２３】
第１実施形態による液晶表示装置１００は、図１に示すように、走査線１と、走査線１と交差するように配置される信号線２とが設けられている。また、走査線１と信号線２とが交差する位置に対応して、副画素３（副画素３ａ、３ｂおよび３ｃ）が複数設けられている。そして、複数の副画素３（副画素３ａ、３ｂおよび３ｃ）には、それぞれ、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）４が設けられている。
【００２４】
副画素３（副画素３ａ〜３ｃ）の断面構造としては、図２に示すように、ＴＦＴ基板５の表面上には、ゲート電極６が形成されている。なお、ＴＦＴ基板５は、本発明の「第２基板」の一例である。また、ゲート電極６およびＴＦＴ基板５の表面上には、ＳｉＮからなるゲート絶縁膜７ａを含む絶縁膜７が形成されている。また、ゲート電極６と絶縁膜７とを介して対向するように、半導体層８が形成されている。なお、半導体層８は、ａ−Ｓｉとｎ＋Ｓｉとからなる。半導体層８の上部には、ソース電極９およびドレイン電極１０が形成されている。そして、ゲート電極６、絶縁膜７、半導体層８、ソース電極９およびドレイン電極１０により薄膜トランジスタ４が構成されている。
【００２５】
また、ソース電極９およびドレイン電極１０を覆うように、ＳｉＮからなるパッシベーション層１１が形成されている。パッシベーション層１１の表面上には、感光性のアクリル樹脂からなる平坦化膜１２が形成されている。なお、平坦化膜１２は、本発明の「絶縁膜」の一例である。ここで、第１実施形態では、平坦化膜１２には、平坦化膜１２を完全に取り除いたコンタクトホール１２ａが形成されている。また、平坦化膜１２の副画素３ｃに対応する領域には、平坦化膜１２の厚さ方向において平坦化膜１２の表面側から一部を取り除いた窪み部１２ｂが形成されている。この窪み部１２ｂの表面は、凹凸形状（波型形状）を有している。また、平坦化膜１２の平坦面（上面）１２ｃと、窪み部１２ｂの表面の凸部の頂部１２ｄとの距離Ｌ１は、約０．５μｍである。また、窪み部１２ｂの表面の凸部の頂部１２ｄと、窪み部１２ｂの凹部の底部１２ｅとの距離Ｌ２は、約０．４μｍである。
【００２６】
また、平坦化膜１２を覆うように、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）や、ＩＺＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極からなる画素電極１３が形成されている。また、パッシベーション層１１のコンタクトホール１１ａと平坦化膜１２のコンタクトホール１２ａとを介して、画素電極１３とドレイン電極１０とが接続されている。また、画素電極１３の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜１４が形成されている。
【００２７】
また、ＴＦＴ基板５と対向するように、対向基板２１が設けられている。なお、対向基板２１は、本発明の「第１基板」の一例である。対向基板２１の表面上には、樹脂などからなるブラックマトリクス２２が形成されている。
【００２８】
また、ブラックマトリクス２２の表面上には、カラーフィルター（ＣＦ）２３が形成されている。なお、カラーフィルター２３は、図１に示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色のカラーフィルター２３からなるとともに、副画素３ａ〜３ｃ毎に設けられている。また、図２に示すように、カラーフィルター２３の表面上には、保護膜としてのオーバーコート層（ＯＣ）２４が形成されている。また、オーバーコート層２４の表面上には、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明電極からなる対向電極２５が形成されている。
【００２９】
また、第１実施形態では、副画素３ｂに対応する対向電極２５の表面上には、感光性のアクリル樹脂などからなる感光性樹脂からなるメイン柱状スペーサー（ＰＳ）２６ａが設けられている。なお、メイン柱状スペーサー２６ａは、本発明の「第１スペーサー」の一例である。また、メイン柱状スペーサー２６ａは、セルギャップ（ＴＦＴ基板５と対向基板２１との間の距離）を調整する機能を有する。
【００３０】
また、第１実施形態では、副画素３ｃに対応する対向電極２５の表面上には、メイン柱状スペーサー２６ａと同じ感光性のアクリル樹脂などからなる感光性樹脂からなるサブ柱状スペーサー２６ｂが設けられている。なお、サブ柱状スペーサー２６ｂは、本発明の「第２スペーサー」の一例である。また、サブ柱状スペーサー２６ｂは、平面的に見て、窪み部１２ｂと対向する領域に配置されている。また、副画素３ｃに形成されたサブ柱状スペーサー２６ｂの矢印Ｚ１方向の表面と、窪み部１２ｂの矢印Ｚ２方向の表面とは、所定の間隔を隔てて配置されている。
【００３１】
また、第１実施形態では、メイン柱状スペーサー２６ａおよびサブ柱状スペーサー２６ｂは、図１に示すように、平面的に見て、薄膜トランジスタ４とオーバラップするように設けられるとともに、略円形形状に形成されている。また、メイン柱状スペーサー２６ａのＺ方向の高さｈ１は、サブ柱状スペーサー２６ｂのＺ方向の高さｈ２と略等しい。また、メイン柱状スペーサー２６ａおよびサブ柱状スペーサー２６ｂの表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜２７が形成されている。また、メイン柱状スペーサー２６ａの表面上に形成された配向膜２７は、ＴＦＴ基板５側の配向膜１４に当接するように配置されている。
【００３２】
また、配向膜１４と配向膜２７との間には、液晶層２８が設けられている。また、ＴＦＴ基板５の矢印Ｚ１方向側には、バックライト４０が設けられている。バックライト４０は、ＴＦＴ基板５側から対向基板２１側（矢印Ｚ２方向側）に向かって光が出射されるように構成されている。
【００３３】
次に、図３〜図１１を参照して、本発明の第１実施形態における、液晶表示装置１００の製造プロセスについて説明する。
【００３４】
まず、図３に示すＴＦＴ基板５側におけるＴＦＴ形成工程Ｓ１では、図６に示すように、ＴＦＴ基板５の表面上に、フォトリソグラフィーおよびエッチングにより、下層から上層の順にＡｌ／Ｍｏ層からなるゲート電極６を形成する。ゲート電極６上とＴＦＴ基板５上とに、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ＳｉＮ膜からなるゲート絶縁膜７ａを含む絶縁膜７を形成する。そして、ゲート絶縁膜７ａを介してゲート電極６と平面的に見て重なるようにフォトリソグラフィーおよびエッチングにより、ａ−Ｓｉ層とｎ型の導電性を有するｎ＋Ｓｉ層との２層構造からなる半導体層８を形成する。
【００３５】
次に、半導体層８上に、ゲート電極６および半導体層８と平面的に見て重なるとともに、半導体層８に電気的に接続される、下層から上層の順にＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ層からなるソース電極９およびドレイン電極１０を形成する。これにより、薄膜トランジスタ４が形成される。
【００３６】
次に、図３のパッシベーション膜形成工程Ｓ２では、ソース電極９、ドレイン電極１０および絶縁膜７を覆うように、ＣＶＤ法により、ＳｉＮ膜からなる保護膜としてのパッシベーション膜１１を形成する。
【００３７】
次に、図３の平坦化膜形成工程Ｓ３では、パッシベーション膜１１の表面上に、塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなる平坦化膜１２を形成する。ここで、第１実施形態では、図３のコンタクトホール・窪み部形成工程（露光工程）Ｓ４では、図６に示すように、平坦化膜１２に対向するようにマスク２９を配置する。このマスク２９は、ガラス基板３０の表面上（矢印Ｚ１方向側）にクロムなどの金属からなる遮光膜３１が形成されている。また、マスク２９の遮光膜３１には、図４に示すように、コンタクトホール１２ａを形成するための矩形形状（正方形形状）の開口部３１ａ（コンタクトホール形成用のパターン）と、窪み部１２ｂを形成するための露光限界解像度よりも小さい幅の複数のスリット（窪み部形成用のパターン）３１ｂが形成されている。
【００３８】
また、第１実施形態では、スリット３１ｂは、矢印Ｙ方向に沿って延びるように直線状に形成されており、Ｘ方向に同じ間隔Ｌ４を隔てて互いに略平行に並べられている。このスリット３１ｂのＸ方向の幅Ｌ３は、約１μｍである。また、スリット３１ｂとスリット３１ｂとの間の間隔（距離）Ｌ４は、約３μｍである。また、図５に示すように、副画素３ｃでは、マスク２９のスリット３１ｂは、平面的に見て、対向基板２１側のサブ柱状スペーサー２６ｂが形成される領域とオーバラップする領域に配置される。また、副画素３ｂでは、窪み部が形成されないので、マスク２９には、スリット３１ｂが設けられていない。
【００３９】
また、マスク２９の開口部３１ａとスリット３１ｂとの開口幅を異ならせることにより、露光工程（フォトリソグラフィー）によりＵＶ照射を行った際に、開口部３１ａとスリット３１ｂとを透過する光量を異ならせることが可能である。また、第１実施形態では、スリット３１ｂの開口幅を制御することにより光量の調整を行うので、ハーフトーンマスクのように透過率の低い膜を用いて光量の調整を行う場合に比べて、光量の調整が容易である。そして、このマスク２９を用いて平坦化膜１２のコンタクトホール１２ａを形成する領域およびサブ柱状スペーサー２６ｂに対応する領域をそれぞれ露光することにより、コンタクトホール１２ａおよび窪み部１２ｂが同一工程で同時に形成される。これにより、図７に示すように、平坦化膜１２に形成されたコンタクトホール１２ａと窪み部１２ｂとの深さ（厚み）を異ならせて形成することが可能である。また、窪み部１２ｂは、コンタクトホール１２ａの近傍に形成される。
【００４０】
また、マスク２９の複数のスリット３１ｂを介して、ＵＶ照射することにより、平坦化膜１２の窪み部１２ｂの表面には、複数の凹凸が形成される。なお、平坦化膜１２は、ポジ型の膜からなる。これにより、平坦化膜１２のＵＶ照射された部分は除去され、平坦化膜１２のＵＶ照射されていない部分は除去されずにそのまま残る。
【００４１】
次に、図３の画素電極形成工程Ｓ５では、図８に示すように、平坦化膜１２の表面上に、スパッタ法により、ＩＴＯやＩＺＯなどからなる画素電極１３を形成する。このとき、第１実施形態では、画素電極１３の一部は、コンタクトホール１１ａおよび１２ａを介して、コンタクト部１０ａにおいて、ドレイン電極１０と電気的に接続される。また、画素電極１３の表面は、窪み部１２ｂの表面形状（凹凸形状）を反映した形状に形成される。
【００４２】
次に、図３の配向膜形成工程Ｓ６では、図９に示すように、画素電極１３の表面上に、塗布法により、ポリイミドからなる配向膜１４を形成する。また、配向膜１４の表面は、窪み部１２ｂの表面形状（凹凸形状）を反映した形状に形成される。
【００４３】
次に、図３に示す対向基板２１側におけるブラックマトリクス形成工程Ｓ７では、図１０に示すように、対向基板２１の表面上に、たとえば黒色の樹脂材料からなる膜を形成し、エッチングすることにより、ブラックマトリクス（ＢＭ）２２を形成する。
【００４４】
次に、図３のカラーフィルター形成工程Ｓ８では、図１０に示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）のカラーフィルター（ＣＦ）２３を、副画素３ａ〜３ｃ（図１参照）毎にフォトリソグラフィーを用いて形成する。
【００４５】
次に、図３のオーバーコート層形成工程Ｓ９では、図１０に示すように、カラーフィルター２３（およびカラーフィルター２３間のブラックマトリクス２２）の表面上を覆うように、オーバーコート層（ＯＣ）２４を形成する。なお、オーバーコート層２４は、ブラックマトリクス２２およびカラーフィルター２３の表面上の略全面を覆うように形成される。
【００４６】
次に、図３の対向電極形成工程Ｓ１０では、図１０に示すように、オーバーコート層２４の表面上に、スパッタ法により、ＩＴＯやＩＺＯなどからなる対向電極２５を形成する。なお、対向電極２５は、複数の副画素３に跨って形成される。
【００４７】
次に、図３の柱状スペーサー形成工程Ｓ１１では、図１０に示すように、対向電極２５の表面上の全面にアクリル系の感光性樹脂膜２６を形成する。なお、感光性樹脂膜２６は、ネガ型の膜からなる。また、感光性樹脂膜２６と対向するように、マスク３３を配置する。このマスク３３は、露光工程中に照射されるＵＶ光を透過させるための透過部３４を有している。また、マスク３３には、遮光膜３５が形成されている。そして、マスク３３を介して、感光性樹脂膜２６に光（ＵＶ光）を照射する。すると、図１１に示すように、遮光膜３５が形成されない領域に対応する感光性樹脂膜２６は、除去されずにそのまま残り、メイン柱状スペーサー２６ａおよびサブ柱状スペーサー２６ｂが形成される。また、遮光膜３５が形成された領域に対応する感光性樹脂膜２６は、除去される。
【００４８】
次に、図３の配向膜形成工程Ｓ１２では、図１１に示すように、メイン柱状スペーサー２６ａおよびサブ柱状スペーサー２６ｂの表面上にポリイミドなどからなる配向膜２７を形成する。これにより、液晶表示装置１００の対向基板２１側が形成される。
【００４９】
次に、図３のＴＦＴ基板５と対向基板２１との貼り合わせ工程Ｓ１３を行う。最後に、ＴＦＴ基板５と対向基板２１との間に液晶２８（図２参照）を封入する液晶封入工程Ｓ１４を行うことによって、縦電界モードの液晶表示装置１００が完成される。
【００５０】
第１実施形態では、上記のように、平坦化膜１２を除去することにより設けられるコンタクトホールを形成するためのコンタクトホール形成用のパターンと、平坦化膜１２の表面側の一部を取り除くことにより設けられる窪み部１２ｂを形成するために露光限界解像度よりも小さい幅の開口部３１ｂを有する窪み部形成用のパターンとが形成されたマスク２９を用いて、平坦化膜１２のコンタクトホール形成領域およびサブ柱状スペーサー２６ｂに対応する領域をそれぞれ露光することにより、平坦化膜１２に、コンタクトホール１２ａとサブ柱状スペーサー２６ｂに対応する窪み部１２ｂとを形成する露光工程を備える。これにより、ハーフトーンマスクを使用する場合と異なり、透過率の低い膜を用いることなくマスク２９のスリット３１ｂの幅や大きさを調整することにより、マスク２９のスリット（半透過部分）３１ｂの透過率を調整することができる。その結果、露光工程を行った際に、コンタクトホール形成用のパターンに対応した深さのコンタクトホール１２ａと、窪み部形成用のパターンに対応した深さの窪み部１２ｂが形成される。これにより、複雑な構造のマスクを用いることなく、かつ、透過率の調整が難しくなるのを抑制しながら、平坦化膜１２にそれぞれ深さが異なるコンタクトホール１２ａと、窪み部１２ｂとを容易に形成することができる。また、ハーフトーンマスクを用いないで、コンタクトホール１２ａと窪み部１２ｂとの両方を形成しようする場合と比べて、コンタクトホール１２ａの形成工程と、窪み部１２ｂの形成工程とを同時に行うことができるので、工程の増加を伴わないで、深さがそれぞれ異なるコンタクトホール１２ａと窪み部１２ｂとを容易に同時形成することができる。
【００５１】
また、第１実施形態では、上記のように、副画素３ｂにメイン柱状スペーサー２６ａ、および、副画素３ａおよび３ｃにサブ柱状スペーサー２６ｂを形成することによって、対向基板２１およびＴＦＴ基板５に荷重が加えられた際に、メイン柱状スペーサー２６ａにより、対向基板２１とＴＦＴ基板５との間のセルギャップを規制するとともに、面押し耐性の向上を図ることができる。また、対向基板２１およびＴＦＴ基板５に荷重が加えられた際、または、対向基板２１とＴＦＴ基板５との間に設けられた液晶層２８が低温時に収縮し、対向基板２１およびＴＦＴ基板５が液晶層２８側に撓んだ場合に、サブ柱状スペーサー２６ｂのＴＦＴ基板５側に形成された配向膜２７の表面がＴＦＴ基板５側の窪み部１２ｂの凹部に対応する配向膜１４の表面に当接することによって、対向基板２１とＴＦＴ基板５との間のセルギャップを規制するとともに、低温気泡の発生の抑制を図ることができる。
【００５２】
また、第１実施形態では、上記のように、露光限界解像度よりも小さい幅の開口部３１ｂを有する窪み部形成用のパターンが、平面的に見て、間隔を隔てて互いに略平行にＸ方向に並べられた複数の直線状のスリット３１ｂを含むことによって、露光工程を行った際に、平坦化膜１２の複数の直線状のスリット３１ｂに対応する部分に凹凸形状の窪み部１２ｂを容易に形成することができる。
【００５３】
また、第１実施形態では、上記のように、メイン柱状スペーサー２６ａの対向基板２１の表面と直交する方向（Ｚ方向）の高さが、サブ柱状スペーサー２６ｂの対向基板２１の表面と直交する方向（Ｚ方向）の高さと略等しいことによって、メイン柱状スペーサー２６ａとサブ柱状スペーサー２６ｂとの両方を１回の露光工程により、同時に形成することができるので、製造工程数が増加するのを抑制することができる。
【００５４】
また、第１実施形態では、上記のように、コンタクトホール形成用のパターンと、露光限界解像度よりも小さい幅の開口部３１ｂを有する窪み部形成用のパターンとが形成されたマスク２９を用いて、平坦化膜１２にコンタクトホール１２ａおよびサブ柱状スペーサー２６ｂに対応する窪み部１２ｂを形成することによって、平坦化膜１２にコンタクトホール１２ａと窪み部１２ｂとの両方を１回の露光工程により、同時に形成することができるので、製造工程数が増加するのを抑制することができる。
【００５５】
また、第１実施形態では、上記のように、窪み部１２ｂの凹凸形状の表面の凸部の頂部を、平坦化膜１２のコンタクトホール１２ａおよび窪み部１２ｂ以外の上面１２ｃよりも低くなるように形成することによって、容易に、配向膜２７のサブ柱状スペーサー２６ｂのＴＦＴ基板５側の表面に対応する部分と、配向膜１４の窪み部１２ｂの凹凸形状の表面の凸部の頂部１２ｄに対応する部分との間に所定の間隔を設けることができる。
【００５６】
また、第１実施形態では、上記のように、薄膜トランジスタ４の形成領域の上方に位置する平坦化膜１２の表面に窪み部１２ｂを形成することによって、窪み部１２ｂの上方にはサブ柱状スペーサー２６ｂが配置されるので、薄膜トランジスタ４の上方をブラックマトリクス２２により遮光する場合には、薄膜トランジスタ４およびサブ柱状スペーサー２６ｂを同時に遮光することができる。
【００５７】
また、第１実施形態では、上記のように、薄膜トランジスタ４のソース電極９／ドレイン電極１０との電気的接続をとるためのコンタクトホール１２ａの近傍に窪み部１２ｂを形成することによって、薄膜トランジスタ４の近傍にコンタクトホール１２ａと窪み部１２ｂとを１回の露光工程により同時に形成することができる。
【００５８】
また、第１実施形態では、上記のように、透過領域に形成された平坦化膜１２に窪み部１２ｂを形成することによって、感光性材料からなる平坦化膜１２を用いることにより、容易に、透過領域に形成された平坦化膜１２に窪み部１２ｂを形成することができる。これにより、透過型の液晶表示装置１００において、液晶層２８内に気泡が発生するのを抑制するためのサブ柱状スペーサー２６ｂを形成することができる。
【００５９】
（第２実施形態）
次に、図１２を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態では、１つの副画素３にメイン柱状スペーサー２６ａおよびサブ柱状スペーサー２６ｂのうちのいずれか一方が配置された上記第１実施形態と異なり、１つの副画素３にメイン柱状スペーサー２６ａおよびサブ柱状スペーサー２６ｂの両方が配置された液晶表示装置１１０について説明する。
【００６０】
第２実施形態による液晶表示装置１１０は、図１２に示すように、副画素３（副画素３ａ〜３ｃ）毎にメイン柱状スペーサー２６ａおよびサブ柱状スペーサー２６ｂが形成されている。また、副画素３（副画素３ａ〜３ｃ）のサブ柱状スペーサー２６ｂの対向するＴＦＴ基板５側には、窪み部１２ｂが形成されている。つまり、全ての副画素３に窪み部１２ｂが形成されている。なお、第２実施形態のその他の構成は、上記した第１実施形態と同様である。
【００６１】
次に、図１３および図１４を参照して、コンタクトホール・窪み部形成工程Ｓ４の露光工程に使用するマスク１２９について説明する。
【００６２】
図１３に示すように、マスク１２９は、コンタクトホール１２ａを形成するための矩形形状の開口部３１ａと、窪み部１２ｂを形成するための露光限界解像度よりも小さい幅を有する複数のスリット３１ｂが形成されている。マスク１２９には、上記した第１実施形態とは異なり、全ての副画素３（副画素３ａ〜３ｃ）に対応するように開口部３１ａおよびスリット３１ｂが形成されている。これにより、コンタクトホール・窪み部形成工程Ｓ４の露光工程が行われた際に、全ての副画素３（副画素３ａ〜３ｃ）にコンタクトホール１２ａおよび窪み部１２ｂが形成される。
【００６３】
なお、第２実施形態のその他の製造方法は、上記した第１実施形態と同様である。
【００６４】
第２実施形態では、上記のように、副画素３（３ａ〜３ｃ）にメイン柱状スペーサー２６ａおよびサブ柱状スペーサー２６ｂを形成することによって、対向基板２１とＴＦＴ基板５との間に配置されるメイン柱状スペーサー２６ａおよびサブ柱状スペーサー２６ｂの数（スペーサーの密度）を調整することができるので、対向基板２１およびＴＦＴ基板５に過剰な荷重が加わった際の面押し耐性を図るとともに、低温気泡の発生の抑制を図ることができる。
【００６５】
なお、第２実施形態のその他の効果は、上記した第１実施形態と同様である。
【００６６】
（第３実施形態）
次に、図２、図１５および図１６を参照して、本発明の第３実施形態について説明する。この第３実施形態では、間隔を隔てて互いに略平行にＸ方向に並べられた複数の直線状のスリット３１ｂが形成されたマスク３３を用いて露光工程を行った上記第１実施形態と異なり、間隔を隔てて互いに略平行にＹ方向に並べられた複数の直線状のスリット１３１が形成されたマスク２２９を用いて露光工程を行う液晶表示装置１２０の製造方法について説明する。なお、第３実施形態の構成は、上記した第１実施形態と同様である。
【００６７】
図１５に示すように、マスク２２９は、コンタクトホール１２ａ（図２参照）を形成するための矩形形状の開口部３１ａと、窪み部１２ｂ（図２参照）を形成するための露光限界解像度よりも小さい幅を有する複数のスリット１３１が形成されている。また、図１６に示すように、副画素３ｃでは、マスク２２９のスリット１３１は、平面的に見て、対向基板２１側のサブ柱状スペーサー２６ｂが形成される領域とオーバラップする領域に配置される。
【００６８】
なお、第３実施形態のその他の製造方法は、上記した第１実施形態と同様である。
【００６９】
第３実施形態では、上記のように、露光限界解像度よりも小さい幅の開口部１３１を有する窪み部形成用のパターンが、平面的に見て、間隔を隔てて互いに略平行にＹ方向に並べられた複数の直線状のスリット１３１を含むことによって、露光工程を行った際に、平坦化膜１２の複数の直線状のスリット１３１に対応する部分に凹凸形状の窪み部１２ｂを容易に形成することができる。
【００７０】
なお、第３実施形態のその他の効果は、上記した第１実施形態と同様である。
【００７１】
（第４実施形態）
次に、図２、図１７および図１８を参照して、本発明の第４実施形態について説明する。この第４実施形態では、間隔を隔てて互いに略平行にＸ方向に並べられた複数の直線状のスリット３１ｂが形成されたマスクを用いて露光工程を行った上記第１実施形態と異なり、平面的に見て、六角形形状（蜂の巣形状）に形成されたスリット２３１が形成されたマスクを用いて露光工程を行う液晶表示装置１３０の製造方法について説明する。なお、第４実施形態の構成は、上記した第１実施形態と同様である。
【００７２】
図１７に示すように、マスク３２９は、コンタクトホール１２ａ（図２参照）を形成するための矩形形状の開口部３１ａと、窪み部１２ｂ（図２参照）を形成するための露光限界解像度よりも小さい幅を有する複数のスリット２３１が形成されている。また、図１８に示すように、副画素３ｃでは、マスク３２９のスリット２３１は、平面的に見て、対向基板２１側のサブ柱状スペーサー２６ｂが形成される領域とオーバラップする領域に配置される。
【００７３】
なお、第４実施形態のその他の製造方法は、上記した第１実施形態と同様である。
【００７４】
第４実施形態では、上記のように、露光限界解像度よりも小さい幅の開口部２３１を有する窪み部形成用のパターンが、平面的に見て、六角形形状（蜂の巣形状）に形成されたスリット２３１を含むことによって、露光工程を行った際に、平坦化膜１２の六角形形状に形成されたスリット２３１に対応する部分に凹凸形状の窪み部１２ｂを容易に形成することができる。
【００７５】
なお、第４実施形態のその他の効果は、上記した第１実施形態と同様である。
【００７６】
（第５実施形態）
次に、図２、図１９および図２０を参照して、本発明の第５実施形態について説明する。この第５実施形態では、間隔を隔てて互いに略平行にＸ方向に並べられた複数の直線状のスリット３１ｂが形成されたマスクを用いて露光工程を行った上記第１実施形態と異なり、平面的に見て、円形形状に形成された開口部（穴）３３１が形成されたマスク４２９を用いて露光工程を行う液晶表示装置１４０の製造方法について説明する。なお、第５実施形態の構成は、上記した第１実施形態と同様である。
【００７７】
図１９に示すように、マスク４２９は、コンタクトホール１２ａ（図２参照）を形成するための矩形形状の開口部３１ａと、窪み部１２ｂ（図２参照）を形成するための露光限界解像度よりも小さい直径を有する複数の開口部（穴）３３１が形成されている。また、図２０に示すように、副画素３ｃでは、マスク４２９の開口部（穴）３３１は、平面的に見て、対向基板２１側のサブ柱状スペーサー２６ｂが形成される領域とオーバラップする領域に配置される。
【００７８】
なお、第５実施形態のその他の製造方法は、上記した第１実施形態と同様である。
【００７９】
第５実施形態では、上記のように、露光限界解像度よりも小さい幅の開口部３３１を有する窪み部形成用のパターンが、平面的に見て、円形形状に形成された開口部（穴）３３１を含むことによって、露光工程を行った際に、平坦化膜１２の円形形状に形成された開口部（穴）３３１に対応する部分に凹凸形状の窪み部１２ｂを容易に形成することができる。
【００８０】
なお、第５実施形態のその他の効果は、上記した第１実施形態と同様である。
【００８１】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００８２】
たとえば、上記第１〜第５実施形態では、縦電界モードの液晶表示装置を用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、縦電界モード以外の方式の液晶表示装置を用いてもよい。
【００８３】
また、上記第１〜第５実施形態では、２つの副画素毎または１つの副画素毎にそれぞれ窪み部が形成された例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、３つ以上の副画素毎に１つの窪み部を形成してもよい。
【００８４】
また、上記第１〜第５実施形態では、薄膜トランジスタの形成領域の上方に窪み部を形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、薄膜トランジスタの形成領域以外の領域に窪み部を形成してもよい。
【００８５】
また、上記第１〜第５実施形態では、窪み部形成用のパターンの一例として、直線状のスリット、六角形形状のスリットおよび円形形状に形成された穴を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、露光限界解像度よりも小さい幅の開口部であれば、三角形形状や四角形形状（正方形形状）など、直線状のスリット、六角形形状のスリットおよび円形形状に形成された穴以外の形状でもよい。
【００８６】
また、上記第１〜第５実施形態では、感光性材料からなる絶縁膜の一例として、アクリル系の感光性樹脂からなる平坦化膜を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、露光工程を行うことが可能な絶縁膜であれば、アクリル系の感光性樹脂からなる平坦化膜以外でもよい。
【００８７】
また、上記第１〜第５実施形態では、平坦化膜の材料として、ポジ型のアクリル系の感光性樹脂を用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、ネガ型のアクリル系の感光性樹脂を用いてもよい。この場合、遮光膜が形成された領域に対応する感光性樹脂膜は、除去されるとともに、コンタクトホールおよび窪み部が形成される。また、遮光膜が形成されていない領域に対応する感光性樹脂膜は、除去されずにそのまま残る。
【００８８】
また、上記第１〜第５実施形態では、メイン柱状スペーサーおよびサブ柱状スペーサーの材料として、ネガ型のアクリル系の感光性樹脂膜を用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、ポジ型のアクリル系の感光性樹脂膜を用いてもよい。この場合、遮光膜が形成された領域に対応する感光性樹脂膜は、除去されずにそのまま残り、メイン柱状スペーサーおよびサブ柱状スペーサーが形成される。また、遮光膜が形成されない領域に対応する感光性樹脂膜は、除去される。
【００８９】
また、上記第１〜第５実施形態では、赤、緑および青の３色の副画素から画素を構成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、２色または４色以上の副画素により、画素を構成してもよい。
【００９０】
また、上記第１〜第５実施形態では、開口部３１ａをコンタクトホール形成用のパターンとして適用した例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、コンタクトホール形成用のパターンである開口部３１ａは、コンタクトホールの形成のためではなく、表示領域周辺において感光性樹脂膜２６を全て（完全に）取り除きたい場合に用いてもよい。
【符号の説明】
【００９１】
３、３ａ、３ｂ、３ｃ  副画素    ４  薄膜トランジスタ    ５  ＴＦＴ基板（第２基板）    ９  ソース電極    １０  ドレイン電極    １２  平坦化膜（絶縁膜）    １２ａ  コンタクトホール    １２ｂ  窪み部    １２ｃ  平坦面（上面）    １２ｄ  頂部    ２１  対向基板（第１基板）    ２６ａ  メイン柱状スペーサー（第１スペーサー）    ２６ｂ  サブ柱状スペーサー（第２スペーサー）    ２９、１２９、２２９、３２９、４２９  マスク    ３１ｂ、１３１、２３１  スリット（開口部）    ３３１  開口部    １００、１１０、１２０、１３０、１４０  液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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