(57)【要約】【課題】投影システムの最終要素と基板との間の空間に液体を維持する流体ハンドリングシステムを提供する。【解決手段】液浸流体を封じ込める空間と流体ハンドリング構造の外部領域との間の境界に、第１の列に配置された複数の開口と、第２の列のアパーチャを有する第１のガスナイフデバイスと、第３の列の１つ又は複数の開口と、第４の列のアパーチャを有する第２のガスナイフデバイスとを有するリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造が提供される。【選択図】図８
2011071511.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造が、液浸流体を封じ込める空間と前記流体ハンドリング構造の外部領域との境界に、
使用時に、基板及び／又は前記基板を支持する基板テーブルへ向けて誘導される第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口と、
第２の列の細長いアパーチャを有する第１のガスナイフデバイスと、
第３の列の細長い開口又は複数の開口と、
第４の列の細長いアパーチャを有する第２のガスナイフデバイスと、
を連続して有する流体ハンドリング構造。
【請求項２】
前記第１の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの少なくとも１つと、前記第３の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの少なくとも１つが、ガス及び／又は液体を前記流体ハンドリング構造内へ通過させる入口である、請求項１に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
【請求項３】
前記第１の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも１つが、使用時に、加圧源に接続され、前記流体ハンドリング構造が、前記加圧源に接続されるか又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記第１の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも１つを通過して前記流体ハンドリング構造へ流入するガスの流量が、前記ガスナイフを形成する前記第２の列のアパーチャから流出するガスの流量以上であるように、前記コントローラが前記加圧源を制御する、請求項２に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
【請求項４】
前記第３の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも１つが、使用時に、加圧源に接続され、前記流体ハンドリング構造が、前記加圧源に接続されるか又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記第３の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも１つを通過するガスの流量が前記ガスナイフを形成する前記第４の列のアパーチャから流出するガスの流量以上であるように、前記コントローラが前記加圧源を制御する、請求項２又は３に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
【請求項５】
前記第２及び第４の列のアパーチャが、使用時に、ガス供給源に接続され、前記流体ハンドリング構造が、前記ガス供給源に接続されるか又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記ガスナイフを形成する前記第４の列のアパーチャから流出するガスの流量が前記ガスナイフを形成する前記第２の列のアパーチャから流出するガスのフローよりも大きいように、前記コントローラが前記ガス供給源を制御する、前記請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
【請求項６】
使用時に、前記基板及び／又は前記基板テーブルの上面に一般に平行になる下面を有し、前記第１乃至第４の列の開口及びアパーチャが前記下面に形成される、前記請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
【請求項７】
使用時に、前記基板及び／又は基板テーブルの前記上面からの前記第１の列の前記細長い開口又は複数の開口に隣接する前記下面の区域の離隔距離が、前記基板及び／又は基板テーブルの前記上面からの前記第４列のアパーチャに隣接する前記下面の区域の離隔距離より大きい、請求項６に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
【請求項８】
前記流体ハンドリング構造の前記下面が、（ｉ）前記第２の列の前記アパーチャと前記第３の列の前記細長い開口又は複数の開口との間で連続し、（ｉｉ）前記第２の列の前記アパーチャと前記凹部との間で開口又はアパーチャを含まずに連続し、（ｉｉｉ）前記第３の列の前記細長い開口又は複数の開口と前記凹部との間で開口又はアパーチャを含まずに連続する、請求項６又は７に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
【請求項９】
前記流体ハンドリング構造が、前記第２及び第３の列の間の第５の列に配置された前記下面の凹部を有する、請求項６又は７に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
【請求項１０】
前記凹部が、ガス導管によって前記流体ハンドリング構造の外部領域に接続された少なくとも１つの開口を備える、請求項９に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
【請求項１１】
ガス導管によって前記流体ハンドリング構造の前記外部領域に接続された前記第２及び第３の列の間に配置された少なくとも１つの開口をさらに備える、前記請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
【請求項１２】
使用時に、前記液浸流体のメニスカスが前記開口によってピン止めされる前記第１の列の複数の開口を備える、前記請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
【請求項１３】
リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造が、液浸流体を封じ込める空間と前記流体ハンドリング構造の外部領域との境界に、
使用時に、基板及び／又は前記基板を支持する基板テーブルへ向けて誘導される第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口と、
第２の列の細長い開口又は複数の開口と、
第３の列の細長いアパーチャを有するガスナイフデバイスと、
を連続して有する流体ハンドリング構造。
【請求項１４】
前記請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造を備えるリソグラフィ装置。
【請求項１５】
投影システムの最終要素と基板及び／又は前記基板を支持する基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、
前記投影システムの前記最終要素と前記基板及び／又は基板テーブルとの間から第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口を通して液浸液を回収するステップと、
第１のガスナイフを形成する第２の列のアパーチャを通してガスを供給することで前記第１の列の前記細長い開口又は複数の開口へ向けて液浸液を押し出すステップと、
第３の列の細長い開口又は複数の開口を通してガスと残留液浸液とを抽出するステップと、
第２のガスナイフを形成する第４の列のアパーチャを通してガスを供給することで前記第３の列の前記細長い開口又は複数の開口へ向けて残留液浸液を押し出すステップと、
を含み、
前記第１、第２、第３及び第４の列が、流体ハンドリング構造内の、液浸液が提供される空間と前記流体ハンドリング構造の外部領域との境界に連続して配置されるデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。
【０００４】
[0004]  基板又は基板と基板テーブルを液体の浴槽に浸漬することは（例えば、米国特許第４，５０９，８５２号を参照）、液浸システム構成の一形式である。この構成では、大きな液体の塊がスキャン露光中に加速する必要がある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[0005]  液浸装置では、液浸液は、流体ハンドリングシステム又は装置、例えば流体ハンドリング構造によって取り扱われる。流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、従って、流体供給システムである。流体ハンドリングシステムは、流体を閉じ込めることができ、それによって流体閉じ込めシステムになり得る。流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを提供することができ、それによってバリア部材になり得る。流体ハンドリングシステムは、例えば、液体のハンドリングを助けるために、流体（ガスなど）の流れを生成又は使用することができる。液浸液は、液浸流体として使用することができる。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムであってもよい。
【０００６】
[0006]  提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。このタイプの構成を局所液浸システム構成と呼ぶことができる。
【０００７】
[0007]  別の構成は、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号に開示された液浸液が閉じ込められないオールウェット構成である。このようなシステムでは、液浸液は閉じ込められない。基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を供給する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１１９８０９号に記載されている。すべての位置で基板を覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。
【０００８】
[0008]  それぞれが参照により全体を本明細書に組み込むものとする欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを有する。第１の位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第２の位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
[0009]  基板を投影システムの下でできるだけ高速で移動することが望ましい。このために、流体ハンドリングシステム、特に局所区域流体ハンドリングシステムは、大幅な液体の損失を伴わずに高いスキャンを可能にするように設計されなければならない。
【００１０】
[0010]  例えば、投影システムの最終要素と基板との間の空間に液体を維持する流体ハンドリングシステムを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
[0011]  一態様によれば、リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、該流体ハンドリング構造が、液浸流体を封じ込めるように構成された空間と流体ハンドリング構造の外部領域との境界に、
使用時に、基板及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルへ向けて誘導される第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口と、
第２の列の細長いアパーチャを有する第１のガスナイフデバイスと、
第３の列の細長い開口又は複数の開口と、
第４の列の細長いアパーチャを有する第２のガスナイフデバイスと、
を連続して有するリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造が提供される。
【００１２】
[0012]  一態様によれば、リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、該流体ハンドリング構造が、液浸流体を封じ込めるように構成された空間と流体ハンドリング構造の外部領域との境界に、
使用時に、基板及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルへ向けて誘導される第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口と、
第２の列の細長い開口又は複数の開口と、
第３の列の細長いアパーチャを有するガスナイフデバイスと、
を連続して有するリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造が提供される。
【００１３】
[0013]  一態様によれば、上記の流体ハンドリング構造を備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１４】
[0014]  一態様によれば、
投影システムの最終要素と基板及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、
投影システムの最終要素と基板及び／又は基板テーブルとの間から第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口を通して液浸液を回収するステップと、
第１のガスナイフを形成する第２の列のアパーチャを通してガスを供給することで第１の列の細長い開口又は複数の開口へ向けて液浸液を押し出すステップと、
第３の列の細長い開口又は複数の開口を通してガスと残留液浸液とを抽出するステップと、
第２のガスナイフを形成する第４の列のアパーチャを通してガスを供給することで第３の列の細長い開口又は複数の開口へ向けて残留液浸液を押し出すステップと、
を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１５】
[0015]  一態様によれば、
投影システムの最終要素と基板及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、
投影システムの最終要素と基板及び／又は基板テーブルとの間から第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口を通して液浸液を回収するステップと、
第２の列の細長い開口又は複数の開口を通してガスと残留液浸液とを抽出するステップと、
ガスナイフを形成する第３の列の開口を通してガスを供給することで第２の列の細長い開口又は複数の開口へ向けて残留液浸液を押し出すステップと、
を含み、
第１、第２及び第３の列が、流体ハンドリング構造内の液浸液が提供される空間と流体ハンドリング構造の外部領域との境界に連続して配置されるデバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
[0016]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【図１】[0017]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。
【図３】[0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。
【図４】[0019]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。
【図５】[0020]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。
【図６】[0021]本発明のある実施形態によるメニスカスピニングシステムの概略平面図である。
【図７】[0022]本発明のある実施形態で使用するメニスカスピニングシステムの一部の図６の線ＶＩＩ−ＶＩＩに沿った流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に垂直な平面内の断面図である。
【図８】[0023]本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造の一部の流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に垂直な平面内の断面図である。
【図９】[0024]本発明の別の実施形態による流体ハンドリング構造の一部の流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に垂直な平面内の断面図である。
【図１０】[0025]本発明の別の実施形態による流体ハンドリング構造の一部の流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に垂直な平面内の断面図である。
【図１１】[0026]本発明の別の実施形態による流体ハンドリング構造の一部の流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に垂直な平面内の断面図である。
【図１２】[0027]本発明の別の実施形態による流体ハンドリング構造の一部の流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に垂直な平面内の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
[0028]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１８】
[0029]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１９】
[0030]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計、及び他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２０】
[0031]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００２１】
[0032]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２２】
[0033]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００２３】
[0034]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２４】
[0035]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００２５】
[0036]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２６】
[0037]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを含んでいてもよい。通常、少なくともイルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２７】
[0038]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２８】
[0039]  図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００２９】
[0040]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３０】
[0041]  投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、３つの一般的なカテゴリに分類できる。これらは、浴槽タイプの構成と、いわゆる局所液浸システムと、オールウェット液浸システムである。浴槽タイプの構成では、実質的に基板Ｗの全体と、任意選択で基板テーブルＷＴの一部が液体の浴槽に浸される。
【００３１】
[0042]  局所液浸システムは、液体が基板の局所区域のみに提供される液体供給システムを使用する。液体によって充填された空間は基板の上面よりも平面視で小さい。液体が充填した容積又は空間は、基板Ｗがその区域の下を移動する間、投影システムＰＳに対して実質的に静止している。図２〜図５は、そのようなシステムで使用することができる様々な供給デバイスを示す。
【００３２】
[0043]  オールウェット構成では、液体は閉じ込められない。基板上面の全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。液浸液は、投影システムと投影システムに対向する対向面（そのような対向面は基板及び／又は基板テーブルの表面であってもよい）の領域に、又はその領域内に供給することができる。（下記の）図２〜図５の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、封止特徴部は存在せず、活性化されず、通常より有効でなく、又はその他の点で液体を局所領域にのみ封止する効果がない。
【００３３】
[0044]  図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。図２及び図３に示すように、液体は、矢印により示したように、少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給される。液体は、矢印により示したように、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。すなわち、基板が要素の下で−Ｘ方向にスキャンされるにつれて、液体は要素の＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示す。矢印は、液体のフローの方向を示す。図２では、液体は、最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、必ずしもそうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口のさまざまな向き及び数が可能であり、一例が図３に示され、ここでは、矢印により示したように、両側に出口を有する４組の入口が、最終要素の周囲に規則的パターンで提供される。液体供給及び液体回収デバイス内の矢印は、液体のフローの方向を示す。
【００３４】
[0045]  局所液体供給システムを備える液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にあるプレートに配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。入口と複数の出口のどの組合せを使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（入口と複数の出口の他の組合せは動作しない）。流体のフローの方向と基板Ｗの方向は図４に矢印で示されていることに留意されたい。
【００３５】
[0046]  提案されている別の構成は、液体供給システムに液体閉じ込め構造を提供する構成である。液体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。そのような構成を図５に示す。矢印はフローの方向を示す。
【００３６】
[0047]  図５は、投影システムＰＳの最終要素と対向面（例えば、基板テーブルＷＴ又は基板Ｗ）との間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造１２を備えた局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造を概略的に示す。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルＷＴの表面も意味することに留意されたい。別のオブジェクト、例えば、投影システムに対する基板の移動という場合、明示的に断りのない限り、同じオブジェクトに対する基板テーブルの移動を意味する場合を含む。）液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗの表面との間には封止が形成される。封止は、ガスシール（ガスシールを備えたそのようなシステムは、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている）又は流体シールなどの非接触封止でよい。
【００３７】
[0048]  液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１内に閉じ込められるように、基板Ｗへのガスシール１６などの非接触封止を投影システムＰＳのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下に位置しそれを取り囲む液体閉じ込め構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムＰＳの下の空間１１、及び液体入口１３によって液体閉じ込め構造１２内に流し込まれる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素から上に少し延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、液体閉じ込め構造１２は、上端で、投影システムＰＳ又はその最終要素の形状にぴったりと一致する、例えば円形又は他の任意の好適な形状の内周を有する。底部で、内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。
【００３８】
[0049]  液体は、使用時に、液体閉じ込め構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシール１６は、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、Ｎ２又はその他の不活性ガスによって形成される。ガスシール１６内のガスは、入口１５を介して液体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間のギャップに加圧下で提供される。ガスは、出口１４を介して抽出される。内側に液体を閉じ込める高速のガスのフローが存在するように、ガス入口１５上の過圧、出口１４上の真空レベル及びギャップの幾何構造が配置されている。液体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間の液体上のガスの力で、液体は空間１１内に封じ込められる。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的であっても又は不連続的であってもよい。ガスのフローは、液体を空間１１内に封じ込める効果がある。そのようなシステムは、参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。別の実施形態では、液体閉じ込め構造１２はガスシールを有さない。
【００３９】
[0050]  本発明のある実施形態は、メニスカスがある地点を超えて進むことを実質的に防止する流体ハンドリング構造で使用する特定のタイプの抽出器に関する。すなわち、本発明のある実施形態は、例えば液体メニスカスの形の液体の縁部を投影システムの最終要素と基板及び／又は基板テーブルとの間の空間１１内の実質的に所定位置にピン止めするメニスカスピニングデバイスに関する。メニスカスピニング構成は、例えば、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開第２００８／０２１２０４６号に記載されたいわゆる気体抵抗抽出器原理に依拠する。そのシステムでは、抽出器の孔を角が付いた形状に配置することができる。それぞれの角は、投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの相対運動の方向、例えば、ステップ及びスキャン方向に整列している。これは、２つの出口が相対運動の方向に垂直に整列している場合と比較して相対運動の方向に所与の速度で２つの出口の間のメニスカスにかかる力が低減する助けとなる。しかし、本発明のある実施形態は、平面視で任意の形状を有する流体ハンドリング構造又は任意の形状に配置された抽出開口などのコンポーネントを有する流体ハンドリング構造に適用することができる。そのような形状は、非限定的に列挙すると、楕円形（円形など）、直線形（例えば正方形などの矩形、又は菱形などの平行四辺形）あるいは４つより多い角を有する角のある形（例えば４つ以上の尖った先がある星印）を含んでいてもよい。
【００４０】
[0051]  本発明のある実施形態が関連するＵＳ２００８／０２１２０４６号のシステムの変形形態では、開口が配置された角がある形状の幾何学構造によって、鋭角の角（約６０°〜９０°の範囲、望ましくは７５°〜９０°の範囲、最も望ましくは７５°〜８５°の範囲から選択した）が存在し、それぞれの角が相対運動の両方の好ましい方向、例えば、スキャン及びステップ方向に整列する。これによって、各々の整列した角の方向の速度が増大する。これは、スキャン方向の不安定なメニスカスのために液滴の形成が低減されるためである。角がスキャン及びステップ方向の両方に整列する場合、それらの方向で増加した速度が達成することができる。望ましくは、スキャン及びステップ方向の移動の速度は実質的に等しい。
【００４１】
[0052]  図６は、本発明のある実施形態で使用する流体ハンドリング構造の一部のメニスカスピニングフィーチャの概略平面図を示す。例えば図５のメニスカスピニング構成１４、１５、１６に取って代わることができるメニスカスピニングデバイスのフィーチャが示されている。図６のメニスカスピニングデバイスは、第１の列又はピニング列に配置された複数の離散的な開口５０を含む。これらの開口５０の各々は円形として示されているが、これはそうでなくてもよい。実際、開口５０のうちの１つ以上は、円形、正方形、矩形、楕円形、三角形、細長いスリットなどのうちの１つ以上であってもよい。各々の開口は、平面視で、０．２ｍｍより大きい長さ寸法（すなわち、１つの開口から隣接する開口への方向の）、望ましくは０．５ｍｍ又は１ｍｍより大きい、ある実施形態では、０．１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲から選択された、ある実施形態では、０．２５ｍｍ〜２ｍｍの範囲から選択された長さ寸法を有する。ある実施形態では、長さ寸法は、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲から選択され、望ましくは０．２ｍｍ〜０．３ｍｍの範囲から選択される。ある実施形態では、各開口の幅は、０．１ｍｍ〜２ｍｍの範囲から選択される。ある実施形態では、各開口の幅は、０．２ｍｍ〜１ｍｍの範囲から選択される。ある実施形態では、各開口の幅は、０．３５ｍｍ〜０．７５ｍｍの範囲から選択され、望ましくは約０．５ｍｍである。
【００４２】
[0053]  図６のメニスカスピニングデバイスの開口５０の各々は、別々の圧力源に接続されていてもよい。代替的に又は追加的に、複数の開口５０の各々は、それ自体が加圧下に保持された共通のチャンバ又はマニホールド（環状であってもよい）に接続されていてもよい。こうして、各々の又は複数の開口５０での均一な加圧が達成できる。開口５０は真空源に接続されていてもよく、及び／又は流体ハンドリング構造又はシステム（又は閉じ込め構造、バリア部材もしくは液体供給システム）を取り囲む雰囲気の圧力を増大させて所望の圧力差を生成してもよい。
【００４３】
[0054]  図６の実施形態では、開口は流体抽出開口である。開口５０は、ガス及び／又は液体を流体ハンドリング構造内に通過させる入口である。すなわち、開口は空間１１の出口と考えてもよい。これを以下に詳述する。
【００４４】
[0055]  開口５０は、流体ハンドリング構造１２の表面に形成されている。その表面は、使用時に基板及び／又は基板テーブルに対向する。一実施形態では、開口は、流体ハンドリング構造の平坦な面にある。別の実施形態では、基板に対向する流体ハンドリング構造の表面に隆起があってもよい。その実施形態では、開口は隆起にあってもよい。ある実施形態では、開口５０は、針又は管によって画定されていてもよい。針、例えば、隣接する針のいくつかの本体を結合してもよい。針を結合して単一の本体を形成することができる。単一の本体は、角がある形状をしていてもよい。
【００４５】
[0056]  図７から分かるように、開口５０は、例えば管又は細長い通路５５の端部であってもよい。望ましくは、開口は、使用時に開口が基板Ｗに対向するように配置される。開口５０の縁（すなわち、表面の出口）は、基板Ｗの上面に実質的に平行である。使用時に、開口は、基板Ｗ及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルＷＴの方を向いている。これを考える別の方法は、開口５０が接続された通路５５の長軸が基板Ｗの上面に実質的に垂直である（垂直から＋／−４５°以内、望ましくは３５°、２５°又は１５°以内）ということである。
【００４６】
[0057]  各開口５０は、液体とガスとの混合物を抽出するように設計されている。液体は空間１１から抽出されるが、ガスは液体への開口５０の反対側の雰囲気から抽出される。これによって、矢印１００で示すガスフローが生成され、このガスフローは、図６に示すように、開口５０の間の実質的に所定位置にメニスカス９０をピン止めする効果がある。ガスフローは、運動量ブロック、ガスフローに誘発された圧力勾配及び／又は液体上のガスフローの抵抗（せん断力）によって閉じ込められた液体を維持するのに役立つ。
【００４７】
[0058]  開口５０は、流体ハンドリング構造が液体を供給する空間を取り囲む。すなわち、開口５０は、基板及び／又は基板テーブルに対向する流体ハンドリング構造の表面の周囲に分散していてもよい。開口は、その空間の周囲に実質的に連続的に離間していてもよい（ある実施形態では、隣接する開口のいくつかの間の間隔は同じでよいが、隣接する開口５０の間の間隔は異なっていてもよい）。ある実施形態では、液体は角があってもよい形状の周囲に沿って抽出されてもよい。液体は、実質的に形状に突き当たる地点で抽出される。これは、開口５０が（形状内の）空間の周囲に沿って形成されているために達成される。こうして、液体を空間１１内に閉じ込めることができる。動作中に、開口５０によってメニスカスをピン止めできる。
【００４８】
[0059]  図６から分かるように、開口５０は、平面視で、角がある形状（すなわち、角５２がある形状）を形成するように配置してもよい。図６の例では、形状は、湾曲した縁部又は辺５４を備えた菱形（例えば、正方形）のような四辺形である。縁部５４は、負の半径を有していてもよい。縁部５４は、角がある形状の中心に向かって、例えば、角５２から離れた縁部５４の一部に沿って湾曲していてもよい。しかし、相対運動の方向に対する縁部５４のすべての地点の角度の平均値を湾曲のない直線で表される平均角度線と呼んでもよい。
【００４９】
[0060]  形状の主軸１１０、１２０は、投影システムの下の基板Ｗの主移動方向に整列していてもよい。これによって、開口５０が移動方向が円形などの形状の軸に整列していない形状に配置された場合と比較して最大スキャン速度が確実に高速になる。これは、主軸が相対運動の方向に整列している場合に２つの開口５０の間のメニスカスにかかる力が低減するためである。例えば、低減は、ｃｏｓθ倍であってもよい。「θ」は、基板Ｗが動いている方向に対して２つの開口５０を結ぶ線がなす角度である。
【００５０】
[0061]  正方形の形状を使用することでステップ及びスキャン方向の移動が実質的に等しい最大速度で実行される。これは、形状の角５２の各々をスキャン及びステップ方向１１０、１２０に整列させることで達成することができる。一方の方向、例えば、スキャン方向の移動は、他方の方向、例えば、ステップ方向の移動よりも高速であることが好ましい。したがって、形状は菱形であってもよい。そのような構成では、菱形の主軸は、スキャン方向に整列していてもよい。菱形の形状では、角の各々は鋭角であってもよいが、例えば、ステップ方向の相対運動方向に対して菱形の２つの隣接する辺（又は縁部）の平均角度線がなす角度は、鈍角、すなわち、９０°より大きくてもよい（例えば、９０°〜１２０°の範囲から選択した、ある実施形態では９０°〜１０５°の範囲から選択した、ある実施形態では８５°〜１０５°の範囲から選択した角度であってもよい）。
【００５１】
[0062]  開口５０の形状の主軸を基板の主移動方向（普通はスキャン方向）に整列させ、別の軸を基板の他方の主移動方向（普通はステップ方向）に整列させることでスループットを最適化することができる。θが９０°と異なるいかなる構成も少なくとも１つの移動方向に利点となることが理解されよう。したがって、主移動方向との主軸の正確な整列は重要でない。
【００５２】
[0063]  負の半径を備えた縁部を提供する利点は角をより鋭利にできるという点である。７５°〜８５°の範囲から選択した角度又はそれよりも小さい角度が、スキャン方向に整列した角５２とステップ方向に整列した角５２の両方について達成可能である。このフィーチャがなかったら、両方の方向に整列した角５２が同じ角度を有するために、それらの角度は９０°を有さなければならないであろう。角に９０°未満の角度を与えたい場合、相対運動方向に整列した９０°未満の角を選択しなければならないであろう。その他の角は９０°より大きい角度を有するであろう。
【００５３】
[0064]  開口は星形に配置してもよい。星型のある実施形態では、縁部は湾曲する代わりに直線的である。縁部はある地点、例えば、２つの角５２の間の直線の半径方向内向きの中間の角で接合していてもよい。この構成は、開口を結ぶ線によって画定された２つの隣接する角５２の間の縁部が滑らかである構成と同程度に高い相対速度でメニスカスをピン止めすることができない場合がある。開口５０によって画定されたそのような線は角がある形状を画定することができ、連続的であり、連続して変化する方向を有している。星形の実施形態では、形状の辺に沿った中間の角はメニスカスをピン止めできる。角が鋭利になるほど、メニスカスをピン止めする力は角に集中する。鋭利な角では、ピニング力は形状の縁部の短い長さに集中する。鋭い角、例えば、より大きい曲率半径を備えた角よりも滑らかな曲線を備えた角はより長い長さを有し、角の長い曲線に沿って、すなわち、角の周囲にピニング力を分散させる。したがって、基板と流体ハンドリング構造との間のある相対速度で、両方の角に加わる有効メニスカスピニング力は同じである。しかし、縁部の画定された長さでは、鋭い角の有効ピニング力は滑らかに湾曲する角よりも大きい。鋭い角にピン止めされたメニスカスは、基板と流体ハンドリング構造との間の相対速度が小さい場合に、滑らかに湾曲する角によってピン止めされたメニスカスよりも不安定である。
【００５４】
[0065]  図７は、開口５０が流体ハンドリング構造の下面５１に提供されていることを示す。しかし、これはそうでなくてもよく、開口５０は流体ハンドリング構造の下面の突起に設けてもよい。矢印１００は、流体ハンドリング構造の外部から開口５０に関連する通路５５へのガスのフローを示す。矢印１５０は、空間から開口５０への液体の通過を示す。通路５５と開口５０とは、望ましくは２相抽出（すなわち、ガスと液体）が環状フローモードで実行されるように設計されることが望ましい。環状ガスフローでは、ガスは実質的に通路５５の中心を通過してもよく、液体は実質的に通路５５の壁面に沿って通過してもよい。その結果、脈動の発生が抑えられた滑らかなフローが得られる。
【００５５】
[0066]  開口５０の半径方向内向きのメニスカスピニングフィーチャはなくてもよい。メニスカスは、開口５０へのガスフローによって誘発された抵抗力によって開口５０の間にピン止めされる。約１５ｍ／ｓ、望ましくは２０ｍ／ｓより大きい気体抵抗速度で十分である。基板からの液体の蒸発量を低減して液体のはねと熱膨張／収縮効果の両方を低減することができる。
【００５６】
[0067]  複数の離散的な針（各々が開口５０と通路５５とを含んでいてもよい）、例えば、各々が１ｍｍの直径を備え３．９ｍｍだけ離間した少なくとも３６本の針で有効にメニスカスをピン止めできる。ある実施形態では、１１２の開口５０が存在する。開口５０は、一辺の長さが０．５ｍｍ、０．３ｍｍ、０．２ｍｍ又は０．１ｍｍの正方形であってもよい。
【００５７】
[0068]  流体ハンドリング構造の底面のその他の幾何学構造も可能である。例えば、米国特許出願ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示された構造のいずれかを本発明のある実施形態で使用することができる。
【００５８】
[0069]  図６から分かるように、開口５０の外側に細長いアパーチャ６１（スリット状であってもよい）が提供される。細長いアパーチャ６１は、第１の列に配置された開口５０よりも液浸流体を含む空間から遠くにあってもよい。アパーチャ６１は、開口５０が配置された第１の列に実質的に平行であってもよい。細長いアパーチャは、第２の列又はナイフ列を形成してもよい。第２の列は、開口５０によって形成された形状の周囲を取り囲んでいてもよい。ある実施形態では、細長いアパーチャは、連続的で第１の列によって形成された形状を完全に取り囲んでいてもよい。使用時に、アパーチャ６１は過剰圧力源に接続される。アパーチャ６１から流出するガスは、開口５０によって形成されたメニスカスピニングシステムを取り囲むガスナイフ６０を形成してもよい。このガスナイフの機能を以下に説明する。ある実施形態では、細長いアパーチャは、形状の一辺５４に沿って複数の離散的なアパーチャ（細長くてもよい）を含む。複数のアパーチャは、直列に配置されていてもよい。
【００５９】
[0070]  ある実施形態では、液体ハンドリングデバイスは上記の通りであるが、ガスナイフ６０を含まない。そのような実施形態では、基板テーブルＷＴが移動して液浸液のメニスカスが親液性の領域、すなわち、比較的疎液性が小さい（すなわち、基板又は基板テーブルの表面の他の部分よりも液浸液に対して小さい接触角を有する）領域を横断すると、液浸液は疎液性が小さい領域上に膜となって拡散する場合がある。水がある場合、疎液性とは疎水性を指し、親液性があるとは親水性があるという意味である。
【００６０】
[0071]  膜の形成は、液体メニスカスと基板又は基板テーブルとの相対運動の速度（「スキャン速度」）が臨界速度よりも大きいか否かによって変わる。開口５０によってピン止めされたメニスカスに関して、臨界速度は、流体ハンドリング構造１２とその上部でメニスカスがもはや安定していない基板及び／又は基板テーブルに対向する表面との間の相対速度である。臨界速度は、対向面の特性によって変わる。一般に対向面の接触角が大きいほど、臨界速度は大きい。膜の形成が開始すると、基板が移動したとしても膜は成長を続け、メニスカスは、より大きい接触角で区域を覆う。接触角がより大きいそのような区域では、臨界速度はより大きい。基板がメニスカスが以前に接触していた区域の臨界速度で（すなわち、より小さい接触角で）移動する場合、スキャン速度は現在の臨界スキャン速度より小さくてもよい。
【００６１】
[0072]  短い遅延後のいくつかの例では、膜は望ましくない大きい液滴に分解する。場合によっては、基板テーブルのその後の移動によって液滴はメニスカスと衝突し、それによって液浸液内に泡が生成されることがある。比較的小さい疎液性（例えば、水がある場合には疎水性）を有する領域は、基板の縁部、基板テーブル上の除去可能なフィーチャ（例えば、ステッカー）、位置決めフィーチャ（例えば、エンコーダ格子又はアライメントマーク）及び／又はセンサ（例えば、ドーズセンサ、画像センサ又はスポットセンサ）を含んでいてもよい。ある実施形態では、コーティング又は表面処理の段階的変化によって比較的小さい疎液性（例えば、水がある場合には疎水性）を有する領域が形成される場合がある。コーティング又は表面処理を提供してそれが提供される表面の疎液性（例えば、水がある場合には疎水性）を増大させることができる。
【００６２】
[0073]  ある実施形態では、ガスナイフ６０は、基板又は基板テーブル上に残されたあらゆる液膜の厚さを低減する機能を果たしてもよい。膜の厚さを低減することで膜が液滴に分解する可能性が低減する。追加的に又は代替的に、ガスナイフ６０からのガスフローは、液体を開口５０へ向けて駆動し、抽出することができる。
【００６３】
[0074]  ある実施形態では、ガスナイフ６０は膜の形成を低減する作用をする。これを達成するために、ガスナイフアパーチャ６１の中心線とメニスカスピニング開口５０との間の距離が１．５ｍｍ〜４ｍｍ、望ましくは２ｍｍ〜３ｍｍの範囲から選択されることが望ましい。（ある実施形態では、ガスナイフアパーチャ６１は複数のアパーチャ６１を有する）。アパーチャ６１が配置された第２の列は一般に開口５０が形成された第１の列に続くため、隣接するアパーチャ６１と開口５０との間の距離は上記範囲内である。第２の列は開口５０の列に平行であってもよいが、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００９年９月３日出願の米国特許出願ＵＳ６１／２３９，５５５号に記載されるように、これはそうでなくてもよい。
【００６４】
[0075]  隣接するアパーチャ６１（第２の列に沿って複数のアパーチャが存在する）と隣接する開口５０との間に一定の離間距離を維持することが望ましい。ある実施形態では、アパーチャ６１と開口５０の中心線の全長にわたってこれが実施されることが望ましい。ある実施形態では、一定の離間距離は、流体ハンドリングデバイスの１つ又は複数の角の領域内にあってもよい。
【００６５】
[0076]  ガスナイフは、開口５０の間の空間全体に圧力勾配を生成する程度に開口５０に十分に近いことが望ましい。液体の層（すなわち、液膜）、又は液滴が例えば流体ハンドリング構造１２の下に堆積する停滞域が存在しないことが望ましい。ある実施形態では、開口５０を通過するガスの流量を、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００９年９月３日出願の米国特許出願ＵＳ６１／２３９，５５５号及び米国特許出願公開ＵＳ２００７−００３０４６４号に記載の細長いアパーチャ６１を通過するガスの流量に結合してもよい。したがって、ガスの流量は、アパーチャ６１から開口５０へ実質的に内向きに誘導される。開口５０とアパーチャ６１とを通過するガスの流量が同じ場合、流量は「平衡がとれている」と呼ぶことができる。平衡がとれたガスのフローは、残液、例えば膜の厚さを最小限にするので望ましい。
【００６６】
[0077]  本明細書の別の箇所に記載するように、開口５０を配置して、例えば、平行四辺形、菱形、矩形、正方形、又は円などの楕円形を含む四辺形を非限定的に含む任意の閉じた形状を形成することができる。いずれの場合も、ガスナイフ６０のアパーチャ６１は、開口５０が形成する形状と実質的に同様の形状を有していてもよい。開口５０が形成する形状の縁部とアパーチャ６１が形成する形状との間の離間距離は上記範囲内である。ある実施形態では、離間距離は望ましくは一定である。
【００６７】
[0078]  図８は、本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造の一部の概略断面図を示す。液体が封じ込められた空間１１と流体ハンドリング構造の外側の領域との境界、例えば、流体ハンドリング構造の外側の周囲雰囲気内で、上記の方法で複数の開口５０とアパーチャ６１とを配置することができる。空間から流体ハンドリング構造へ液体を抽出する際に使用する第１の列に複数の開口５０を配置することができる。第２の列にアパーチャ６１を提供して配置し、ガスナイフデバイスを形成することができる。ガスナイフから流出するガスは、第１の列の開口５０へ向けて液体を押し出す。本発明のある実施形態では、空間から流体ハンドリング構造へ液体を抽出する際に使用する複数の開口５０の代わりに第１の列に細長い開口を提供してもよい。
【００６８】
[0079]  第１及び第２の列よりも液浸液から離れた場所に第３の列、又は液滴列内に１つ又は複数の開口７１を提供してもよい。第２のガスナイフデバイスが第４の列、又は液滴ナイフ列に配置されたアパーチャ７２によって形成される。（ある実施形態では、アパーチャ７２は複数のアパーチャ７２を有する）。第４の列は、液浸液を封じ込める空間１１から第３の列よりも遠い場所に配置されている。第２のガスナイフデバイスを通過するガスフローは主として内向きに誘導されるので、その大半は開口７１を通過する。ある実施形態では、１つ又は複数の開口７１と第２のガスナイフのアパーチャ７２とを通過するガスフローは平衡がとれている。
【００６９】
[0080]  この実施形態の流体ハンドリング構造は、第１の複数の開口５０と連携して動作する第１のガスナイフデバイスを含む。この組合せは、液浸液の主要な抽出を実行する。
【００７０】
[0081]  流体ハンドリング構造は、開口７１の第３の列と協働する第２のガスナイフデバイスを有する。１つ又は複数の開口と関連するガスナイフの追加の組合せの提供は予想外に有益であることが分かっている。
【００７１】
[0082]  単一のガスナイフデバイスと開口の単一の関連する列とを備えた図７に示すような構成では、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの表面上に残液が残されることがある。残液は、液膜又は複数の液滴の形であり得る。しばらくすると、膜は複数の液滴に分解することがある。液滴はより大きい液滴に成長し、容認できないほど大きくなることがある。本明細書で説明するように、対向面の一部に対してスキャン速度が臨界スキャン速度を超えると、残液が残されることがある。これは、例えば、表面の臨界スキャン速度を超えた連続する接触角を備えた面に対してスキャン速度が増大した時に発生することがある。スキャン速度が一定であっても、接触角が変化してその部分の臨界スキャン速度が減少しスキャン速度が臨界スキャン速度を超えた場合に、表面の一部の場所に残液が残されることがある。そのような部分は例えば、液体メニスカスが縁部を横断する瞬間などのフィーチャの縁部、例えば、基板、シャッター部材、センサ又はセンサターゲットの縁部であってもよい。
【００７２】
[0083]  大気圧への結合、例えば、大気に結合し、ガスナイフデバイスと開口５０、７１との間に位置する空間によってガスナイフデバイスが開口５０、７１の列から分離される構成では別の問題が発生する可能性がある。液体は、ガスナイフデバイスと開口との間に蓄積し、大きい液滴を形成することがある。投影システムＰＳと流体ハンドリング構造とに対する基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴからの移動方向が変化すると、そのような大きい液滴が液浸液の前進するメニスカスと衝突することがある。液滴のメニスカスとの衝突によってガスが混入し、小さいか又はより大きい泡が形成されることがある。さらに、衝突によって引き起こされるメニスカスの擾乱も泡を形成することがある。泡の形成は望ましくない。本明細書に記載する一構成は、上記の又はその他の問題の１つ以上を低減する助けとなる。
【００７３】
[0084]  流体ハンドリング構造内に２つのガスナイフデバイスと抽出のための関連する開口とを提供することで、異なっていてもよい各々の組合せの特定の目的のために各々の組合せの工程制御パラメータの設計及び／又は設定を選択することができる。第１のガスナイフを形成する第２の列のアパーチャ６１からのガスの流量は、第２のガスナイフデバイスを形成する第４の列のアパーチャ７２からのガスの流量より少なくてもよい。
【００７４】
[0085]  ある実施形態では、第１のガスナイフデバイスのガスの流量は比較的少なくてもよいことが望ましい場合がある。これは、上記のように、第１の列の複数の開口５０が２相で、大量の液体を備えるからである。第２の列のアパーチャ６１と第１の列の複数の開口５０とを通過する流量が不安定な２相流体制の場合、例えば、流量が多すぎる結果となり、２相流は力が変動し、例えば振動することがあり、望ましくない。他方、フロー体制が安定しているほど、例えば、第２の列のアパーチャ６１及び／又は第１の列の複数の開口５０を通過する流量が少ないほど、投影システムＰＳと流体ハンドリング構造に対する基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの所与の移動速度でガスナイフデバイスを通過する液浸液の漏れは大きくなる。したがって、単一のガスナイフ構成内のガスの流量は、本質的にこれら２つの矛盾する要求の妥協点であった。
【００７５】
[0086]  流体ハンドリング構造に第２のガスナイフデバイスと関連する抽出とを提供することで、有益なことに、第１のガスナイフデバイスでより小さい流量を使用することができる。第２のガスナイフデバイスを用いて第１のガスナイフデバイスを超える液滴を除去することができる。さらに、第４の列のアパーチャ７２と第３の列の１つ又は複数の開口７１とを通過するガスの流量は比較的多くてもよい。これは、フローの大部分がガスであることによる。有益なことに、この増大した流量によって、基板Ｗ及び／又は基板ＷＴの表面からの液滴の除去性能が向上する。
【００７６】
[0087]  一構成では、第２の列のアパーチャ６１から流出して第１のガスナイフデバイスを形成するガスの流量は、毎分１００リットル以下、望ましくは毎分７５リットル以下、望ましくは毎分約５０リットル以下である。特定の構成では、第４の列のアパーチャ７２から流出して第２のガスナイフデバイスを形成するガスの流量は毎分６０リットル以上、望ましくは毎分１００リットル以上、望ましくは毎分約１２５リットル以上である。
【００７７】
[0088]  ある実施形態では、第２の列のアパーチャ６１を通過するガスの流量を制御するコントローラ６３が提供される。ある実施形態では、コントローラ６３は、第１の列の開口５０を通過するガスの流量も制御することができる。コントローラ６３は、過剰圧力源６４（例えば、ポンプ）及び／又は加圧源６５（例えば、ポンプ、できれば過剰圧力を提供するポンプと同じポンプ）を制御することができる。コントローラ６３は、所望の流量を達成するために１つ又は複数の好適なフロー制御弁に接続することができる。コントローラは、抽出された流量を測定するための１つ又は複数の開口５０に関連する１つ又は複数の２相流量計、供給されたガスの流量を測定するためのアパーチャ６１に関連する流量計、又はその両方に接続することができる。２相流量計の好適な構成は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００９年６月３０日出願の米国特許出願ＵＳ６１／２１３，６５７号に記載されている。
【００７８】
[0089]  アパーチャ７２を通過するガスの流量を制御するコントローラ７３（コントローラ６３と同じであってもよい）が提供される。コントローラ７３は、１つ又は複数の開口７１を通過するガスの流量も制御する。コントローラ７３は、過剰圧力源７４（例えば、ポンプ）及び／又は加圧源７５（例えば、ポンプ、できれば過剰圧力を提供するポンプと同じポンプ）を制御することができる。所望の流量を提供するために、コントローラ７３に接続されコントローラ７３によって制御される１つ又は複数の好適な制御弁があってもよい。コントローラは、１つ又は複数の開口７１を通過するフローを測定するように配置された１つ又は複数の２相流量計、アパーチャ７２を通過するフローを測定するように配置された１つ又は複数の流量計、又はその両方によって供給されるフロー測定値に基づいて値を制御することができる。そのような構成は、第１及び第２の列に関連するフローコンポーネントの構成と同様であってもよい。
【００７９】
[0090]  対応するガスナイフのガスの流量に比例して開口５０、７１を通過するガスフローを制御するようにコントローラ６３、７３の一方又は両方を構成することができる。ある実施形態では、ガスナイフを通過するガスの流量は、対応する開口５０、７１を通過する総流量とは最大２０％又は最大１０％だけ異なっている。ある実施形態では、開口５０、７１を通過するガスの流量を制御して対応する１つ又は複数のアパーチャ６１、７２を通過するガスのフローに合わせることができる。ある実施形態では、１つ又は複数のアパーチャ６１、７２、又はガスナイフを通過するガスの流量は、対応する開口５０、７１を通過するガスの流量と実質的に同じであってもよい。
【００８０】
[0091]  開口５０、７１を通過するガスの流量を調整してそれぞれのガスナイフのガスの流量に合わせる処理は、ガスナイフから流出するガスの実質的に全体が対応する開口５０、７１に流入するということを意味する。ガスのフローは内向きか、メニスカスへ向かうか、又は残液源へ向かってよい。分離されたガスナイフは実質的に対称の圧力ピークを生成し、両方の方向のガスのフローはそのピークから離れている。しかし、ある実施形態では、ガスナイフの一方又は両方に対してガスのフローは平衡がとれているため、ガスナイフがガスナイフの１つ又は複数のアパーチャ６１、７２とそれに対応する開口５０、７１との間に圧力勾配を形成することができる。ガスナイフのいずれからも外側に向かう（図７及び図８では右側に向かう）、すなわち、液浸液を封じ込める空間から遠ざかるガスのフローはほとんど又は全くない。
【００８１】
[0092]  ある実施形態では、コントローラ６３、７３は、必要に応じて活動状態になるように、一方又は両方のガスナイフの起動を制御することができる。言い換えれば、適当な所定の条件下で一方又は両方のガスナイフをオフにすることができる。例えば、スキャン速度が安全には臨界速度より下の時にガスナイフをオフにでき、スキャン速度が現在メニスカスの下にあるか又はメニスカスに接近している表面でスキャン速度が臨界速度を超えたか超えそうである時にガスナイフはオンにされる。例えば、基板の中央部分が流体ハンドリング構造１２の下で移動している場合、ガスナイフの一方又は両方をオフにすることができる。基板のこの部分上で接触角は一定であり、この部分の臨界スキャン速度は十分に高いので超えられることはない。空間のメニスカスが例えば基板、センサ、シャッター部材又はセンサのターゲットの縁部を超える前、その瞬間、及び／又はその後に、ガスナイフデバイスの一方又は両方が動作可能であってもよい。
【００８２】
[0093]  リソグラフィ装置の一構成では、特に内部ガスナイフは装置の予想される動作モードのいずれについても必要でない。したがって、ある実施形態では、内部ガスナイフを省略してもよい。そのような実施形態では、図１２に示すように、第２の列のアパーチャ６１を省略できる。過剰圧力源６４は不要であってもよい。装置のこの変形形態は、他の実施形態及び本明細書に記載する変形形態と組み合わせて適用可能であることを理解されたい。
【００８３】
[0094]  １つ又は複数の開口７１及びアパーチャ７２が配置された第３及び第４の列は、一般に、１つ又は複数の開口５０とアパーチャ６１が形成された第１及び第２の列に続いてもよい。ある実施形態では、１つ又は複数の開口７１が形成する形状は、１つ又は複数の開口５０が形成する形状とは異なる。第３及び第４の列、例えばある実施形態では、第１〜第４の列は平行で、列の間に一定の離間距離があることが望ましい。
【００８４】
[0095]  ある実施形態では、第２の列のアパーチャ６１の幅、すなわち、第１〜第４の列を横断する方向のアパーチャ６１の幅は、４０〜７５μｍの範囲から選択され、望ましくは約５０μｍである。
【００８５】
[0096]  ある実施形態では、第２のガスナイフデバイスを形成するための第４の列のアパーチャ７２は、第２の列のアパーチャ６１に関連して説明した同じフィーチャを有していてもよい。第１のガスナイフデバイスのアパーチャ６１と同様、アパーチャ７２は、単一のスリット又は複数の細長いアパーチャとして形成されていてもよい。ある実施形態では、第４の列のアパーチャ７２の幅、すなわち、第１〜第４の列を横断する方向のアパーチャ７２の幅は２０μｍ〜５０μｍの範囲から選択され、望ましくは３０μｍである。
【００８６】
[0097]  第３の列の１つ又は複数の開口７１は、単一の細長いスリット又は複数の細長い開口として形成されてもよい。ある実施形態では、第３の列の１つ又は複数の開口７１の幅、すなわち、第１〜第４の列を横断する方向の１つ又は複数の開口７１の幅は１００μｍ〜２００μｍの範囲から選択され、望ましくは１５０μｍである。あるいは、第３の列の１つ又は複数の開口７１は第１の列の１つ又は複数の開口５０と同様に配置してもよい。
【００８７】
[0098]  ある実施形態では、流体ハンドリング構造の下面５１は、下面の外側部分５１ａが第４の列のアパーチャ７２から少なくとも２ｍｍ、望ましくは少なくとも５ｍｍ離れて延在するように配置されてもよい。流体ハンドリング構造の下面５１のこの外側部分５１ａは、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの表面と組み合わせてダンパーとして機能し、第３の列の１つ又は複数の開口７１から流出するガスフローを低減することができる。したがって、そのような構成は、例えば流体ハンドリング構造から流出する液滴の形態の、特に比較的高速のスキャン速度の液体の漏れを低減することができる。
【００８８】
[0099]  図８に示す実施形態では、流体ハンドリング構造の下面５１に凹部８０が提供される。凹部８０を第２及び第３の列の間の第５の列又は凹部列内に提供してもよい。ある実施形態では、凹部８０は、第１〜第４の列のいずれにも平行に、望ましくは少なくとも第２の列、第３の列又はその両方に平行になるように配置される。
【００８９】
[00100]  凹部８０はガス導管８２によって大気、周囲雰囲気などの大気に、例えば、流体ハンドリング構造の外部領域に接続された１つ又は複数の開口８１を含むことができる。凹部８０は、望ましくは外部雰囲気に接続された時に、第２のガスナイフデバイスと第３の列の関連する１つ又は複数の開口７１から第１のガスナイフデバイスと第１の列の関連する１つ又は複数の開口５０を分離する機能を果たしてもよい。凹部８０は、いずれの側のコンポーネントの動作を分離する。したがって、凹部の半径方向内向きのフィーチャは、半径方向外向きのフィーチャから分離される。
【００９０】
[00101]  一般に、凹部８０の容積は、第１及び第２のガスナイフを分離する所望の機能を提供できるのに十分な大きさでなければならないことを理解されたい。しかし、凹部８０の容積が大きければ大きいほど、液体が凹部内に蓄積する可能性は大きく、及び／又は凹部８０内に蓄積する液体の量は大きい。そのような液体の蓄積は、大きい液滴が形成されてそれが後に基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの表面上に放出されるため、望ましくない。代替的に又は追加的に、凹部８０内に蓄積する液体はスキャン方向が変化するとメニスカスと衝突し、上記の１つ又は複数の問題を引き起こすことがある。
【００９１】
[00102]  凹部８０のサイズの選択は妥協の産物である。ある実施形態では、流体ハンドリング構造の下面５１に対する凹部８０の深さＤ１は０．２５ｍｍ〜０．７５ｍｍの範囲から選択され、望ましくは約０．５ｍｍである。ある実施形態では、凹部８０の幅、すなわち、第１〜第５の列の横断方向の凹部８０の幅は、１ｍｍ〜１５ｍｍの範囲から、望ましくは１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲から、望ましくは２ｍｍ〜３ｍｍの範囲から選択されてもよい。
【００９２】
[00103]  ある実施形態では、凹部８０のサイズは、主として第１及び第２のガスナイフを分離する所望の機能を確保するために選択してもよい。例えば、凹部８０のサイズは上記の例より大きくてもよい。そのような実施形態では、凹部内の液体の蓄積を低減する、又は凹部内に蓄積した液体の影響を緩和する追加の手段、あるいはその両方を講じてもよい。
【００９３】
[00104]  凹部８０の両側に、流体ハンドリング構造の下面５１のそれぞれの部分５１ｂ、５１ｃがあってもよい。それぞれの部分５１ｂ、５１ｃはそれぞれ、第３の列の１つ又は複数の開口７１と第２の列のアパーチャ６１の縁部から凹部８０の縁部を分離してもよい。（アパーチャ６１と１つ又は複数の開口７１の上記縁部は第２及び第３の列ではないことに留意されたい。何故ならば、列は開口の断面の中心を通過するからである。したがって、縁部は列から離れている。）凹部８０の両側の流体ハンドリング構造の下面５１の部分５１ｂ、５１ｃは、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの表面と組み合わせて、それぞれのダンパーとして機能することができる。そのようなダンパーは、第１及び第２のガスナイフから流出したガスフローが確実にそれぞれの開口５０、７１へ向かって流れるための助けとなる。
【００９４】
[00105]  凹部８０の両側の流体ハンドリング構造の下面５１の部分５１ｂ、５１ｃのサイズの選択は妥協の産物である。流体ハンドリング構造の下面５１の部分５１ｂ、５１ｃのサイズが必要に応じてダンパーとして機能することができるだけの十分な大きさであることを確実にする必要がある。第２の列と第４の列との間の総距離が所与のしきい値より大きいことを確実にする必要がある。これは、第２と第３の列の間の距離が液膜９０が確実に液滴に分解できる程度に大きい必要があるからである。少なくとも所与のしきい値と同じ大きさの第２と第３の列の間の距離を有することで、第３の列の１つ又は複数の開口７１を通して基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの表面から液滴を除去する作業が容易になる。しかし、第２の列のアパーチャ６１の縁部と第３の列の１つ又は複数の開口７１の縁部との間の離間距離が大きいほど液体の蓄積の可能性は大きく、及び／又は凹部の下に蓄積する液体の量は大きくなる。その結果、例えば上記の困難が引き起こされる。
【００９５】
[00106]  ある実施形態では、凹部８０と第１のガスナイフデバイスとの間の流体ハンドリング構造の下面の部分５１ｃの幅は少なくとも１ｍｍ、望ましくは少なくとも２ｍｍであってもよい。部分５１ｃの幅は、第１〜第５の列の横断方向の凹部８０の最も近い縁部からの第２の列のアパーチャ６１の縁部の間の離間距離であってもよい。流体ハンドリング構造の下面５１の部分５１ｃは連続的で、第１のガスナイフデバイスと凹部８０との間にアパーチャ又は開口を含まない構成であってもよい。
【００９６】
[00107]  ある実施形態では、凹部８０と第３の列の１つ又は複数の開口７１との間の流体ハンドリング構造の下面５１の部分５１ｂの幅は少なくとも１ｍｍ、望ましくは少なくとも２ｍｍであってもよい。部分５１ｂの幅は、第１〜第５の列の横断方向の１つ又は複数の開口７１の縁部と凹部８０の最も近い縁部との間の離間距離であってもよい。流体ハンドリング構造の下面５１の部分５１ｂは連続的で、第３の列の１つ又は複数の開口７１と凹部８０との間に開口又はアパーチャを含まない構成であってもよい。
【００９７】
[00108]  凹部８０内の液体の蓄積を低減するのを助けるために、凹部に鋭い縁部がない形状を与えてもよい。表面は滑らかに角を丸めてもよい。液体が容易に蓄積するので鋭い縁部は望ましくない。例えば、凹部８０の形状は、凹部の表面の周囲の任意の地点の最小曲率半径が少なくとも０．１ｍｍ、望ましくは０．２ｍｍより大きくなるように構成されてもよい。
【００９８】
[00109]  ある実施形態では、凹部８０のサイズと凹部の両側の流体ハンドリング構造の下面５１の部分５０ｂ、５１ｃのサイズは、流体ハンドリング構造のこれらの部分の総幅が２ｍｍ〜２０ｍｍの範囲から、望ましくは４ｍｍ〜１６ｍｍの範囲から選択されるように選択される。凹部８０のサイズと部分５１ｂ、５１ｃのサイズは、第２の列のアパーチャ６１と第３の列の１つ又は複数の開口７１との間の離間距離であってもよい。
【００９９】
[00110]  ある実施形態では、流体ハンドリング構造は、ガス導管によって周囲雰囲気などの大気に、例えば、流体ハンドリング構造の外部領域に接続された１つ又は複数の開口を流体ハンドリング構造の下面５１に含んでいてもよい。例えば、大気に接続されたそのような開口を上記のような凹部を含まない実施形態に提供してもよい。そのような構成を用いて第２のガスナイフと第３の列の関連する１つ又は複数の開口７１から第１のガスナイフと第１の列の関連する１つ又は複数の開口５０を分離することができる。
【０１００】
[00111]  上記のように、流体ハンドリング構造の下面５１上、特に第２の列のアパーチャ６１と第３の列の１つ又は複数の開口７１との間の液体の蓄積は望ましくない。投影システムと流体ハンドリング構造に対する基板Ｗ及び基板テーブルＷＴの相対運動の方向が変化すると蓄積した液体が問題を引き起こすことがある。ある実施形態では、本明細書に記載する流体ハンドリング構造を含むリソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴとその上に保持した基板Ｗとを移動させるように構成されたポジショナＰＷのアクチュエータシステムを制御するように配置されたコントローラＰＷＣを含んでいてもよい。
【０１０１】
[00112]  コントローラＰＷＣは、投影システムＰＳに対する基板テーブルＷＴの速度が特定の速度を超えた場合に上記の蓄積した液体によって引き起こされる問題を低減する手段が講じられるように構成可能である。速度は、例えば対向面の一部に対する第１のガスナイフデバイスの臨界速度に対応させて、又はこの臨界速度よりもわずかに下になるように選択することができる。臨界速度は、ガスナイフを通した、例えば半径方向外向きの液浸液の漏れが所与の量を超える投影システムＰＳに対する基板テーブルＷＴの速度として考えることができる。そのような臨界速度は、ガスナイフデバイスの構成、ガスナイフデバイスのガスの流量及び／又はその地点での基板及び／又は基板テーブルＷＴの表面の性質によって変化することがあることを理解されたい。
【０１０２】
[00113]  投影システムＰＳに対する基板テーブルＷＴの速度は、所与の速度より大きくてもよい。場合によって、投影システムに対する基板テーブルの移動方向を変える必要がある。ある実施形態では、速度が所与の速度より上で基板テーブルの移動方向を変える必要がある場合に、コントローラＰＷＣが最初に投影システムＰＳに対する基板テーブルの移動速度を所与の速度より下に低減するようにコントローラＰＷＣが構成される。次にコントローラＰＷＣは、方向転換を開始することができる。したがって、例えば、第１のガスナイフデバイスの臨界速度より上で方向が変化することはなく、第１及び第２のガスナイフデバイスの間に蓄積した液浸液によって引き起こされる問題は最小限にされるか又は低減される。
【０１０３】
[00114]  図８に示すような流体ハンドリング構造１２を使用することで、７０μｍよりも大きい液滴を基板上に残すことなく投影システムＰＳに対する基板テーブルＷＴの１ｍ／ｓのスキャン速度が可能になる。これとは対照的に、一列の開口と同様のスキャン速度で動作する関連するガスナイフデバイスを含む構成では最大３００μｍの液滴が基板Ｗ上に残されることがある。したがって、本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造の性能は、メニスカスが例えば基板の縁部などにあるフィーチャの縁部を横断する、及び／又は親液性の領域（親液性の領域は水に関しては親水性の領域であってもよい）を横断する場所の以前の構成と比較して改良されている。本発明のある実施形態を適用することで、液浸液の損失の低減及び／又は擾乱力の原因の低減の助けとなり得る。
【０１０４】
[00115]  図９は、本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造を示す。図示のように、この実施形態の流体ハンドリング構造は、図８に示す流体ハンドリング構造と同様である。しかし、この実施形態では、大気に接続された凹部は提供されない。その代わりに、流体ハンドリング構造の下面５１は、第１のガスナイフデバイスを形成するアパーチャ６１と第３の列の１つ又は複数の開口７１との間で連続している。言い換えれば、この領域では、流体ハンドリング構造１２の下面５１に開口又はアパーチャは存在しない。
【０１０５】
[00116]  この実施形態では、第２の列のアパーチャ６１を通過するガスフローは、第１の列の１つ又は複数の開口５０を通過するガスフローと平衡がとれていてもよい。第４の列のアパーチャ７２を通過するガスフローは、第３の列の１つ又は複数の開口７１を通過するガスフローと平衡がとれていてもよい。したがって、これらの構成を下面５１から半径方向内向きに、且つ半径方向外向きに分離する必要はない。したがって、有益なことに、図８の凹部は必要なく、第２の列のアパーチャ６１と第３の列の１つ又は複数の開口７１との間の空間に液体が蓄積する可能性が低減するか、又はこの領域に蓄積する液体の量が低減する。この例では、第２の列のアパーチャ６１と第３の列の１つ又は複数の開口７１との間の離間距離は１ｍｍ〜４ｍｍの範囲から選択することができ、例えば、２ｍｍであってもよい。
【０１０６】
[00117]  図１０は、本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造を示す。図示のように、この実施形態の流体ハンドリング構造は、図８に示す流体ハンドリング構造と同様である。分かりやすくするため、各実施形態の相違点について以下に説明する。図８に示す実施形態に関連して上述した変形形態も図１０に示す実施形態に適用可能であることを理解されたい。
【０１０７】
[00118]  図１０に示すように、流体ハンドリング構造１２の下面１５１は、使用時に、下面１５１の異なる部分１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃと基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離が同じでないように配置することができる。図示の実施形態では、第１の列の１つ又は複数の開口５０及び第２の列のアパーチャ６１の領域の下面１５１の部分１５１ｃと基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間に離間距離Ｄ２がある。第３の列の１つ又は複数の開口７１に隣接する下面の部分１５１ａ、１５１ｂ及び第４の列のアパーチャ７２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間に離間距離Ｄ３があってもよい。離間距離Ｄ２は、離間距離Ｄ３より大きくてもよい。これは、流体ハンドリング構造の下面５１が一般に平面である図８に示す実施形態とは対照的である。下面は、第１〜第４の列に開口５０、７１とアパーチャ６１、７２が提供されている以外は平面であってもよい。したがって、図８の実施形態では、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面からの第１〜第４の列の開口５０、７１及びアパーチャ６１、７２の周囲の下面５１の各々の部分の離間距離は実質的に同じである。
【０１０８】
[00119]  様々な要因が流体ハンドリング構造１２の下面１５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の最適な離間距離に影響するので、そのような構成は有益である。例えば、第１の列の１つ又は複数の開口５０の周囲の流体ハンドリング構造の下面１５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離はできるだけ大きいことが望ましい。これによって、液滴がメニスカスに衝突した時の泡の形成の可能性が低減されるか又は最小化される。この状況は、例えば、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴのスキャン方向の変化の間に発生することがある。
【０１０９】
[00120]  しかし、第２のガスナイフを形成するための第４の列のアパーチャ７２の周囲の流体ハンドリング構造１２の下面１５１の離間距離を最小限にすることが望ましい。例えば、離間距離が小さいほど、必要な流量は少なく、及び／又は有効な乾燥を提供するためにアパーチャ７２はより広くなる。
【０１１０】
[00121]  したがって、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面からの第１の列の周囲の下面１５１の離間距離が基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面からの第４の列の周囲の下面１５１の離間距離と異なるように、流体ハンドリング構造１２の下面１５１を配置してもよい。したがって、下面１５１のすべての部分と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の単一又は実質的に一定の離間距離を選択するのではなく、流体ハンドリング構造の両方の部分の性能を向上させることが可能である。２つの矛盾する要件の間で妥協する必要を回避することができる。
【０１１１】
[00122]  ある実施形態では、本発明の実施形態のいずれかの流体ハンドリング構造１２の下面５１、１５１、２５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離は、５０μｍ〜２５０μｍの範囲から選択することができる。
【０１１２】
[00123]  図１０に示すようなある実施形態では、第１の列の１つ又は複数の開口５０の周囲の下面１５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離Ｄ２は、１３０μｍ〜２５０μｍの範囲、又は１８０μｍ〜２５０μｍの範囲から選択することができ、又は約２３０μｍであってもよい。図１０に示すようなある実施形態では、第２のガスナイフを形成するための第４の列のアパーチャ７２に隣接する下面１５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離Ｄ３は、５０μｍ〜１８０μｍの範囲から選択することができ、又は約１３０μｍであってもよい。
【０１１３】
[00124]  しかし、流体ハンドリング構造の下面１５１の異なる部分と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の最適な離間距離は、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面の性質に依存することがある。例えば、関連する要因は、非限定的に列挙すると、液体との後退接触角、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴのスキャン速度及び／又はガスナイフのうちの少なくとも１つのガスナイフの流量であってもよい。
【０１１４】
[00125]  本明細書に記載するように、第１の列の１つ又は複数の開口５０の周囲の下面１５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離Ｄ２を最大限にすることが望ましい。しかし、最大実用離間距離があってもよいことをさらに理解されたい。使用可能な最大実用離間距離を超えると、液体の漏れが過剰になることがある。
【０１１５】
[00126]  図１０に示すように、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面からの第２の列のアパーチャ６１（第１のガスナイフを形成するための）の周囲の流体ハンドリング構造１２の下面１５１の離間距離は、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面からの第１の列の１つ又は複数の開口５０の周囲の下面１５１の離間距離と同じであってもよい。しかし、これはそうでなくてもよいことを理解されたい。図１０に示すように、第４の列のアパーチャ７２（第２のガスナイフを形成するための）に隣接する流体ハンドリング構造１２の下面１５１の離間距離は、第３の列の１つ又は複数の開口７１に隣接する流体ハンドリング構造１２の下面１５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離と同じであってもよい。したがって、そのような構成によって、第３の列の１つ又は複数の開口７１に隣接する流体ハンドリング構造１２の下面１５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離を最小限にすることができる。これは、抽出が可能な限り有効であることを確実にする助けとなる。しかし、これはそうでなくてもよい。
【０１１６】
[00127]  図１１は、本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造１２を示す。図示のように、流体ハンドリング構造１２は、図９に示す流体ハンドリング構造１２と同様である。この実施形態の流体ハンドリング構造は凹部８０を含まない。しかし、この実施形態の流体ハンドリング構造と図９に示す実施形態との間には、図１０及び図１２に示す流体ハンドリング構造の相違点と同様の相違点がある。
【０１１７】
[00128]  流体ハンドリング構造１２の下面２５１の異なる部分２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃは、少なくとも１つの部分が使用時に基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面からの異なる離間距離を有するように配置することができる。１つ又は複数の開口５０に隣接する流体ハンドリング構造１２の下面２５１と対向面の上面との間の離間距離Ｄ２は、アパーチャ７２に隣接する流体ハンドリング構造１２の下面２５１と対向面の上面との間の離間距離Ｄ３より大きくてもよい。例えば図９及び図１０に示す実施形態に関連して本明細書に記載する各々の変形形態は、図１１に示す実施形態に適用される。
【０１１８】
[00129]  図１１に示す実施形態では、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面と下面２５１との間の離間距離が、アパーチャ６１と１つ又は複数の開口７１との間の区域内で変化するように流体ハンドリング構造１２の下面２５１を配置してもよい。下面２５１と対向面との間の離間距離は、第２及び第３の列で異なる場合がある。第２の列から第３の列へ離間距離は変化する、例えば、減少することがある。しかし、一般に、離間距離の変化は、１つ又は複数の開口５１とアパーチャ７２との間の任意の又はすべての区域で提供することができる。下面２５１と対向面との間の離間距離は、第１及び第４の列の間で変化する、例えば、減少することがある。
【０１１９】
[00130]  いずれにせよ、上記のように、流体ハンドリング構造１２の下面２５１は液体が蓄積する鋭い角がないように配置することができる。下面は、第１及び第２の列の間、第２及び第３の列の間、第３及び第４の列の間、及び隣接する列の間の表面の組合せの間で実質的に連続していてもよい。したがって、上述のように、流体ハンドリング構造の下面２５１は、表面の任意の地点の最小曲率半径が少なくとも０．１ｍｍ、望ましくは０．２ｍｍを超えるように配置することができる。
【０１２０】
[00131]  以上、２相抽出器として動作する１つ又は複数の開口５０、７１の使用について説明してきたが、本明細書に記載する変形形態のいずれかに基づくある実施形態では、第１又は第４の列の１つ又は複数の開口を、例えば参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に記載されているような多孔質部材又はマイクロシーブと置き換えることができる。各々の多孔質部材は動作して液体を単相、又は２相の流体フローで抽出することができる。ある実施形態では、ガスフローは、半径方向内向きに誘導されてもよく、多孔質部材を通して抽出する代わりに、ガス供給アパーチャと多孔質部材との間にあるガス抽出開口によって抽出してもよい。そのような実施形態では、ガスフローは、ガスナイフデバイスによって対向面上に残された残液を低減する助けとなる。したがって、本発明のある実施形態はそのような構成で実施することができ、少なくとも図８及び図９に関連して説明した実施形態によって達成されるのと同様の利益を達成する。
【０１２１】
[00132]  上記任意のフィーチャを任意の他のフィーチャと一緒に使用することができ、本出願が対処とするのは明示された組合せに限定されないことを理解されたい。
【０１２２】
[00133]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１２３】
[00134]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。
【０１２４】
[00135]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。
【０１２５】
[00136]  １つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。
【０１２６】
[00137]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸流体を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
【０１２７】
[00138]  本明細書で想定するような液体供給システムは広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体開口を含む１つ又は複数の流体開口、１つ又は複数の気体開口あるいは１つ又は複数の２相流用の開口の組合せを含んでよい。これらの開口は、各々、液浸空間への入口（又は流体ハンドリング構造からの出口）あるいは液浸空間からの出口（又は流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。ある実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。ある実施形態では、液浸液は水であってもよい。
【０１２８】
[00139]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、以下の特徴の１つ以上を含むことができる。
[00140]（特徴１）  リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造が液浸流体を封じ込めるように構成された空間と前記流体ハンドリング構造の外部領域との境界に、
使用時に、基板及び／又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルへ向けて誘導される第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口と、
第２の列の細長いアパーチャを有する第１のガスナイフデバイスと、
第３の列の細長い開口又は複数の開口と、
第４の列の細長いアパーチャを有する第２のガスナイフデバイスと、
を連続して有する流体ハンドリング構造。
[00141]（特徴２）  前記第１の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの少なくとも１つと、前記第３の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの少なくとも１つが、ガス及び／又は液体を前記流体ハンドリング構造内へ通過させる入口である、特徴１に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00142]（特徴３）  前記第１の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも１つが、使用時に、加圧源に接続され、前記流体ハンドリング構造が、前記加圧源に接続されるか又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記第１の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも１つを通過して前記流体ハンドリング構造へ流入するガスの流量が、前記ガスナイフを形成する前記第２の列のアパーチャから流出するガスの流量以上であるように、前記コントローラが前記加圧源を制御するように構成される、特徴２に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00143]（特徴４）  前記第３の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも１つが、使用時に、加圧源に接続され、前記流体ハンドリング構造が前記加圧源に接続されるか又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記第３の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも１つを通過するガスの流量が前記ガスナイフを形成する前記第４の列のアパーチャから流出するガスの流量以上であるように、前記コントローラが前記加圧源を制御するように構成される、特徴２又は３に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00144]（特徴５）  前記第２及び第４の列のアパーチャが、使用時に、ガス供給源に接続され、前記流体ハンドリング構造が前記ガス供給源に接続されるか又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記ガスナイフを形成する前記第４の列のアパーチャから流出するガスの流量が前記ガスナイフを形成する前記第２の列のアパーチャから流出するガスのフローよりも大きいように、前記コントローラが前記ガス供給源を制御するように構成される、前記特徴のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00145]（特徴６）  前記ガス供給装置に接続されるか又は接続可能である前記コントローラが、所定の条件下で、ガスが前記第２の列又は前記第４の列のアパーチャに供給されないように構成される、特徴５に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00146]（特徴７）  前記ガスナイフを形成する前記第２の列のアパーチャから流出するガスの流量が毎分１００リットル以下、又は毎分７５リットル以下、又は毎分５０リットル以下である、特徴５に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00147]（特徴８）  前記ガスナイフを形成する前記第４の列のアパーチャから流出するガスの流量が、毎分６０リットル以上、又は毎分１００リットル以上である、特徴５、６又は７に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00148]（特徴９）  使用時に、前記基板及び／又は前記基板テーブルの上面に一般に平行になる下面を有し、前記第１〜第４の列の開口及びアパーチャが前記下面に形成される、前記特徴のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00149]（特徴１０）  使用時に、前記基板及び／又は基板テーブルの前記上面からの前記下面の任意の部分の離間距離が、５０μｍ〜２５０μｍの範囲から選択される、特徴９に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00150]（特徴１１）  使用時に、前記基板及び／又は基板テーブルの前記上面からの前記第１〜第４の列の開口及びアパーチャに隣接する前記下面の区域の離間距離が実質的に同じである、特徴１０に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00151]（特徴１２）  使用時に、前記基板及び／又は基板テーブルの前記上面からの前記第１の列の前記細長い開口又は複数の開口に隣接する前記下面の区域の離隔距離が、前記基板及び／又は基板テーブルの前記上面からの前記第４列のアパーチャに隣接する前記下面の区域の離隔距離より大きい、特徴１０に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00152]（特徴１３）  使用時に、前記基板及び／又は基板テーブルの前記上面からの前記第１の列の前記細長い開口又は複数の開口に隣接する前記下面の区域の離間距離が、１３０μｍ〜２５０μｍの範囲から選択される、又は１８０μｍ〜２５０μｍの範囲から選択される、又は望ましくは２３０μｍである、特徴１２に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00153]（特徴１４）  使用時に、前記基板及び／又は基板テーブルの上面からの前記第４の列のアパーチャに隣接する前記下面の区域の離間距離が、５０μｍ〜１８０μｍの範囲から選択される、又は望ましくは１３０μｍである、特徴１２又は１３に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00154]（特徴１５）  前記流体ハンドリング構造の前記下面が、前記第２の列の前記アパーチャと前記第３の列の前記細長い開口又は複数の開口との間で連続する、特徴９から１４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00155]（特徴１６）  前記流体ハンドリング構造が、前記第２及び第３の列の間の第５の列に配置された前記下面の凹部を有する、特徴９から１４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00156]（特徴１７）  前記凹部が、ガス導管によって前記流体ハンドリング構造の外部領域に接続された少なくとも１つの開口を備える、特徴１６に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00157]（特徴１８）  前記凹部の深さが、０．２５ｍｍ〜０．７５ｍｍの範囲から選択される、又は望ましくは０．５ｍｍである、特徴１６又は１７に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00158]（特徴１９）  前記第１〜第５の列を横断する方向の前記凹部の幅が、１ｍｍ〜１５ｍｍの範囲、又は１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲、又は２ｍｍ〜３ｍｍの範囲から選択される、特徴１６から１８のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00159]（特徴２０）  前記第１〜第５の列を横断する方向の前記凹部の最も近い縁部からの前記第２の列のアパーチャの縁部の離間距離が、少なくとも１ｍｍ、又は少なくとも２ｍｍである、特徴１６から１９のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00160]（特徴２１）  前記流体ハンドリング構造の前記下面が、前記第２の列のアパーチャと前記凹部との間で開口又はアパーチャを含まずに連続する、特徴１６から２０のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00161]（特徴２２）  前記第１〜第５の列を横断する方向の前記凹部の最も近い縁部からの前記第３の列の前記細長い開口又は複数の開口の縁部の離間距離が、少なくとも１ｍｍ、又は少なくとも２ｍｍである、特徴１６から２１のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00162]（特徴２３）  前記流体ハンドリング構造の前記下面が、前記第３の列の前記細長い開口又は複数の開口と前記凹部との間で開口又はアパーチャを含まずに連続する、特徴１６から２２のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00163]（特徴２４）  前記下面の任意の地点の最小曲率半径が、０．１ｍｍより大きいか又は０．２ｍｍより大きくなるように、前記下面の形状が構成される、特徴１６から２３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00164]（特徴２５）  ガス導管によって前記流体ハンドリング構造の前記外部領域に接続された前記第２及び第３の列の間に配置された少なくとも１つの開口をさらに備える、特徴１から１４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00165]（特徴２６）  前記第２の列のアパーチャと前記第３の列の細長い開口又は複数の開口との間の離間距離が、２ｍｍ〜２０ｍｍの範囲から選択される、又は４ｍｍ〜１６ｍｍの範囲から選択される、前記特徴のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00166]（特徴２７）  前記第２の列のアパーチャの縁部からの前記第１の列の細長い開口又は複数の開口の縁部の離間距離が、１ｍｍ〜５ｍｍの範囲、又は１．５ｍｍ〜４ｍｍの範囲、又は２ｍｍ〜３ｍｍの範囲から選択される、前記特徴のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00167]（特徴２８）  使用時に、前記液浸流体のメニスカスが前記開口によってピン止めされるように構成された前記第１の列の複数の開口を備える、前記特徴のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00168]（特徴２９）  前記第１の列の開口の断面が円形である、特徴２８に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00169]（特徴３０）  前記第１の列の開口の直径が、０．３５ｍｍ〜０．７５ｍｍの範囲から選択される、又は望ましくは０．５ｍｍである、特徴２９に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00170]（特徴３１）  前記第１〜第４の列を横断する方向の前記第２の列のアパーチャの幅が、４０μｍ〜７５μｍの範囲から選択される、又は望ましくは５０μｍである、前記特徴のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00171]（特徴３２）  前記第１〜第４の列を横断する方向の前記第３の列の細長い開口又は複数の開口の幅が、１００μｍ〜２００μｍの範囲から選択される、又は望ましくは１５０μｍである、前記特徴のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00172]（特徴３３）  前記第１〜第４の列を横断する方向の前記第４の列のアパーチャの幅が、２０μｍ〜５０μｍの範囲から選択される、又は望ましくは３０μｍである、前記特徴のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00173]（特徴３４）  前記下面が、液浸流体を封じ込めるように構成された空間から遠ざかる方向に前記第４の列のアパーチャの縁部から少なくとも２ｍｍ、又は少なくとも５ｍｍ延在する、特徴９から３３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00174]（特徴３５）  前記第１〜第４の列が、液浸流体を封じ込めるように構成された空間を連続的に取り囲む、前記特徴のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00175]（特徴３６）  前記第１のガスナイフデバイスの細長いアパーチャが、複数のアパーチャを含み、及び／又は前記第２のガスナイフデバイスの細長いアパーチャが、複数のアパーチャを含む、前記特徴のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00176]（特徴３７）  リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造が、液浸流体を封じ込めるように構成された空間と前記流体ハンドリング構造の外部領域との境界に、
使用時に、基板及び／又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルへ向けて誘導される第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口と、
第２の列の細長い開口又は複数の開口と、
第３の列の細長いアパーチャを有するガスナイフデバイスと、
を連続して有する流体ハンドリング構造。
[00177]（特徴３８）  前記特徴のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造を備えるリソグラフィ装置。
[00178]（特徴３９）  基板を支持するように構成された基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分にパターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムに対して前記基板テーブルを移動させるように構成されたアクチュエータシステムと、
前記アクチュエータシステムを制御するように構成されたコントローラと、
をさらに備える、特徴３８に記載のリソグラフィ装置。
[00179]（特徴４０）  前記投影システムに対する前記基板テーブルの速度が、液浸流体の漏れがしきい値を超え、前記投影システムに対する前記基板テーブルの移動方向を変更する必要がある第１のガスナイフデバイスの臨界速度を超えた場合、前記コントローラが前記投影システムに対する前記基板テーブルの速度を臨界速度より下に低減してから方向転換を開始するようにコントローラが構成される、特徴３９に記載のリソグラフィ装置。
[00180]（特徴４１）  投影システムの最終要素と基板及び／又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、
前記投影システムの前記最終要素と前記基板及び／又は前記基板テーブルとの間から第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口を通して液浸液を回収するステップと、
第１のガスナイフを形成する第２の列のアパーチャを通してガスを供給することで前記第１の列の細長い開口又は複数の開口へ向けて液浸液を押し出すステップと、
第３の列の細長い開口又は複数の開口を通してガスと残留液浸液とを抽出するステップと、
第２のガスナイフを形成する第４の列のアパーチャを通してガスを供給することで前記第３の列の細長い開口又は複数の開口へ向けて残留液浸液を押し出すステップと、
を含み、
前記第１、第２、第３及び第４の列が、流体ハンドリング構造内の、液浸液が提供される空間と前記流体ハンドリング構造の外部領域との境界に連続して配置されるデバイス製造方法。
[00181]（特徴４２）  前記基板及び／又は基板テーブルが、前記投影システムに対して第１の方向に液浸流体の漏れがしきい値を超える前記第１のガスナイフの臨界速度よりも大きい速度で移動し、前記投影システムに対する前記基板及び／又は基板テーブルの速度が、前記第１のガスナイフの臨界速度より下に低減してから前記基板及び／又は基板テーブルの移動の前記第１の方向と異なる第２の方向への転換が開始される、特徴４１に記載のデバイス製造方法。
[00182]（特徴４３）  前記第１〜第４の列の開口及びアパーチャが、前記流体ハンドリング構造の下面に提供され、
前記流体ハンドリング構造が、前記第２及び第３の列の間の第５の列に配置された凹部を前記下面に含む、特徴４１又は４２に記載のデバイス製造方法。
[00183]（特徴４４）  前記流体ハンドリング構造の外部領域と前記第２及び第３の列の間の少なくとも１つの開口との間にガスが流れるための導管を提供するステップをさらに含む、特徴４１から４３のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
[00184]（特徴４５）  投影システムの最終要素と基板及び／又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、
前記投影システムの最終要素と前記基板及び／又は基板テーブルとの間から第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口を通して液浸液を回収するステップと、
第２の列の細長い開口又は複数の開口を通してガスと残留液浸液とを抽出するステップと、
ガスナイフを形成する第３の列のアパーチャを通してガスを供給することで前記第２の列の細長い開口又は複数の開口へ向けて残留液浸液を押し出すステップと、
を含み、
前記第１、第２及び第３の列が、流体ハンドリング構造内の、前記液浸液が提供される空間と前記流体ハンドリング構造の外部領域との境界に連続して配置されるデバイス製造方法。
【０１２９】
[00185]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
2011071511.tif 000003
【図２】
2011071511.tif 000004
【図３】
2011071511.tif 000005
【図４】
2011071511.tif 000006
【図５】
2011071511.tif 000007
【図６】
2011071511.tif 000008
【図７】
2011071511.tif 000009
【図８】
2011071511.tif 000010
【図９】
2011071511.tif 000011
【図１０】
2011071511.tif 000012
【図１１】
2011071511.tif 000013
【図１２】
2011071511.tif 000014
【外国語明細書】
2011071511000001.pdf