(57)【要約】【課題】  肉厚の薄い円筒状基体においても円筒状基体の端部変形を緩和することを可能にし、画像濃度ムラが抑制された高品質な画像が得られる電子写真感光体の製造方法を提供する。【解決手段】  円筒状基体を基体ホルダーに設置し、減圧可能な反応容器内に搬入して、前記円筒状基体の上に光導電層を形成する電子写真感光体の製造方法において、少なくとも前記円筒状基体の両端内周面側に、前記円筒状基体の内周面側から外周面方向へ力を付与するように前記円筒状基体と同じ線膨張率の材料で形成された装着部材を設けることを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状基体を基体ホルダーに設置し、減圧可能な反応容器内に搬入して、前記円筒状基体の上に光導電層を形成する電子写真感光体の製造方法において、
少なくとも前記円筒状基体の両端内周面側に、前記円筒状基体の内周面側から外周面方向へ力を付与するように前記円筒状基体と同じ線膨張率の材料で形成された装着部材を設けることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記装着部材は、補強部材及び嵌合部材からなり、前記補強部材及び前記嵌合部材を嵌合させることにより前記円筒状基体の内周面側から外周面方向へ力を付与することを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記装着部材は、補助部材をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記装着部材を外し前記円筒状基体の内周面側から外周面方向に付与していた力を解除する時の前記円筒状基体の表面温度が５０℃以下であることを特徴とする請求項１及至３の何れか一項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと称す）系電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真方式を採用した画像形成装置、いわゆる電子写真装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体を帯電するための帯電手段を有する。更に、帯電された電子写真感光体に静電潜像を形成するための露光手段と、電子写真感光体に形成された静電潜像を現像剤担持体に担持された現像剤により現像して現像像を形成するための現像手段を有する。更に、電子写真感光体に形成された現像像を転写材に転写するための転写手段を有するものが一般的である。
【０００３】
このような電子写真装置において、高画質の画像を得るためには、電子写真感光体と現像剤担持体（現像ローラーや現像スリーブ）や電子写真感光体と帯電手段（コロナ帯電器）の距離が一定に保たれていることが必要である。そして、電子写真感光体と現像剤担持体や電子写真感光体と帯電手段の距離を一定に保つためには、電子写真感光体の形状が高い外径精度（外径寸法、真円度、円筒度）を有していなければならない。
【０００４】
電子写真感光体には、一般的に円筒状基体が使用され、円筒状基体の端部には、軸または軸受部を有する端部係合部材（ギヤやドラムフランジ）が係合され、円筒状基体を回転可能にする。
したがって、電子写真感光体に用いられる円筒状基体には、外径精度が高精度であることが求められる。
【０００５】
しかしながら、ａ−Ｓｉ膜は優れた電子写真特性を有する反面、その特性をより優れたものとするために、製造時における円筒状基体の温度は加熱により室温より高い温度に設定される。通常は１００℃〜３５０℃程度の高温で作製されるため、円筒状基体とａ−Ｓｉ膜の熱膨張の差が大きくなる。
又、電気特性の向上を目的としてａ−Ｓｉ光導電層の膜厚を厚くした場合は、膜の応力が大きくなる。その結果、円筒状基体の端部を変形させるという問題があった。これは、前記熱膨張の差と膜の応力により、おもに円筒状基体の両端部が収縮して、円筒状基体端部に向かって円筒状基体の直径が減少する方向に変形するものであった。
【０００６】
一般に、円筒状基体の端部は、電子写真感光体を製造する際に円筒状基体を固定するための、或は電子写真感光体として電子写真装置内に装着する端部係合部材（ギヤやドラムフランジ）を固定するために内面加工（以下、インロー加工と称す）が施される。
このインロー加工は円筒状基体の端部の内面を中央部の内径より大きく形成し段加工切削する加工であり、円筒状基体の中央部と比較するとその肉厚が薄くなっている。
【０００７】
そのため、円筒状基体全体の肉厚を薄くすると円筒状基体の端部はインロー加工により肉厚が、更に薄くなるため変形しやすい。
こうした課題を克服する提案として、ａ−Ｓｉ膜を形成する支持体ドラムの内周面に補強材を設けることで支持体ドラムの変形を抑えてａ−Ｓｉ膜の剥れや割れを防止する技術が提案されている。（特許文献１参照）
【０００８】
特許文献１では、支持体ドラムの内周面に補強材を入れて支持体ドラムを補強するので２００℃以上の加熱に対しても変形しにくくなり、ａ−Ｓｉ膜の剥れや割れを防止できることが開示されている。
また、支持体ドラムの肉厚を薄くしても補強材の肉厚を調整することでａ−Ｓｉ膜の剥れや割れを防止することができることも開示されている。
【０００９】
また別の提案として、ａ−Ｓｉ膜を形成する支持体ドラムの両端部内周面にドラムフランジを設けることで支持体ドラムの変形を抑えてａ−Ｓｉ膜の剥れや割れを防止する技術が提案されている。（特許文献２参照）
特許文献２では、支持体ドラムの両端部内周面にドラムフランジを取り付けて支持体ドラムを補強するので２００℃以上の加熱に対しても変形しにくくなり、ａ−Ｓｉ膜の剥れや割れを防止できることが開示されている。
【００１０】
また、支持体ドラムの肉厚を薄くしても補強材の肉厚を調整することでａ−Ｓｉ膜の剥れや割れを防止することができることも開示されている。
特許文献１及び特許文献２では、表面平滑性が良好で温度制御が容易との理由から支持体ドラムにアルミニウムを使用し、補強材及びドラムフランジはアルミニウムよりも熱膨張率（線膨張率）が小さく、機械強度が大きいとの理由でステンレス鋼を用いている。
【００１１】
しかし、熱膨張率（線膨張率）が異なる金属を用いた場合、高温に加熱されることにより嵌め合い部の公差が広がる方向であり、高温になるほど補強効果は小さくなる。
このように特許文献１及び特許文献２の技術によりａ−Ｓｉ膜の剥れや割れを防止する程度の補強効果はあっても、熱膨張率（線膨張率）の差に起因した加熱時の変形に対する低減効果に関して考慮がなれていない。よって画像濃度ムラといった観点では画像均一性を損なう場合があるため加熱時の変形に関して改善する余地があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開昭６３−２３５９４７号公報
【特許文献２】特開昭６３−２３５９４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
前述した技術により、円筒状基体の端部の変形はａ−Ｓｉ膜の剥れや割れを防止することができる程度にまで改善されてきた。しかし、電子写真感光体と現像剤担持体（現像ローラーや現像スリーブ）との距離、電子写真感光体と帯電手段との距離を一定に保つための対応は未だ充分とは言えない。
画像濃度ムラを抑制した高画質感光体の確立及び円筒状基体の薄肉化によるコストダウンの観点からは改善の余地が残されている。
【００１４】
画像濃度ムラを高いレベルで抑制するためには電子写真装置での電子写真感光体と帯電器の距離変化や電子写真感光体と現像器の距離変化に起因する帯電のムラや現像のムラを改善しなければならない。
そのためには、電子写真感光体の製造時において円筒状基体の端部変形を更に抑制する技術を確立し、電子写真装置での電子写真感光体と帯電器及び現像器との距離に関して電子写真感光体の長手方向でのバラツキを抑える必要がある。
【００１５】
本発明の主たる目的は、電子写真感光体の製造時において円筒状基体の端部変形を抑制し、電子写真感光体の全領域での画像濃度ムラを高いレベルで抑制可能な電子写真感光体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上述した目的を達成するため、本発明に係る電子写真感光体の製造方法は、円筒状基体を基体ホルダーに設置し、減圧可能な反応容器内に搬入して、前記円筒状基体の上に光導電層を形成する電子写真感光体の製造方法において、
少なくとも前記円筒状基体の両端内周面側に、前記円筒状基体の内周面側から外周面方向へ力を付与するように前記円筒状基体と同じ線膨張率の材料で形成された装着部材を設けることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明によれば、円筒状基体の両端内周面側に、前記円筒状基体と同じ線膨張率の装着部材を設けるので電子写真感光体の製造時の温度変化に対しても常に同じ力を円筒状基体の内周面側から外周面方向へ付与することが可能である。
これにより、円筒状基体とａ−Ｓｉ膜の線膨張率の差やａ−Ｓｉ膜の応力に起因する円筒状基体の端部変形が緩和されるため、電子写真装置に搭載した場合でも、画像濃度ムラが抑制され優れた画像品質を得ることができる。
また円筒状基体の肉厚が薄くても円筒状基体の変形を防止することができるので製造コストを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の装着部材の構成の一例を説明するための概略図である。
【図２】本発明の装着部材を装着した成膜形態の一例を説明するための概略図である。
【図３】本発明の装着部材の装着方法の一例を説明するための概略図である。
【図４】ＣＶＤ法を利用した成膜装置の一例を説明するための概略構成図である。
【図５】実施例で用いた電子写真装置の概略構成図である。
【図６】本発明の装着部材の構成の一例を説明するための概略図である。
【図７】本発明の装着部材の構成の一例を説明するための概略図である。
【図８】本発明の装着部材の構成の一例を説明するための概略立体図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討を行った結果、ａ−Ｓｉ膜の形成時に円筒状基体の内周面側から外周面方向へ力を付与するための装着部材を設けることにより円筒状基体の端部変形が抑制可能であることを見出した。
更に、上記装着部材を円筒状基体と同じ線膨張率の材料で形成されたものとすることでａ−Ｓｉ膜形成時の温度変化に影響されることなく円筒状基体の内周面側から外周面方向へ力を安定して付与できることが確認され、本発明を完成させるに至った。
【００２０】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
図１及び図７は本発明の装着部材の構成を説明するための概略縦断面図及び嵌合部材１０３を除いた状態の上視図である。また図８は装着部材の構成を立体的に示した立体図であり、図８（ａ）は装着部材１０４、図８（ｂ）は装着部材１１４、図８（ｃ）は装着部材１２４を、それぞれ立体的に示した立体図である。
【００２１】
図１（ａ）及び図７（ａ）は円筒状基体１０１の端部内面に装着部材１０４を装着することにより内周面側から外周面方向へ力を付与する構成である。装着部材１０４は補強部材１０２及び嵌合部材１０３で構成されている。図１（ａ）は補強部材１０２に嵌合部材１０３を嵌合させる前の状態を示す図であり、図７（ａ）は補強部材１０２に嵌合部材１０３を嵌合させた状態を示す図である。
【００２２】
補強部材１０２はリング状の形状であり円周方向の一部に、最大幅１０．０ｍｍ、最小幅５．０ｍｍの台形状の切りかき部１０６が設けられている。この切りかき部１０６に嵌合部材１０３の突起部１０５を嵌合させ、補強部材１０２を周方向へ広げ、補強部材１０２の外周面を円筒状基体１０１の内周面に接触させることで、円筒状基体１０１の内周面側から外周面方向へ力を付与する構成である。
【００２３】
図１（ｂ）は補強部材１１２に嵌合部材１１３を嵌合させる前の状態を示す図であり、図７（ｂ）は補強部材１１２に嵌合部材１１３を嵌合させた状態を示す図である。
図１（ｂ）及び図７（ｂ）の補強部材１１２は、幅１．０ｍｍの切込み部１０７により上部が８個のブロックに分かれている。図７（ｂ）に示した様に補強部材１１２に嵌合部材１１３を嵌合させることで補強部材１１２が均等に広がる。これにより補強部材１１２の外周面が円筒状基体１０１の内周面側から外周面方向へ力を付与する構成である。
【００２４】
図１（ｃ）は補強部材１２２に嵌合部材１２３を嵌合させる前の状態を示す図であり、図７（ｃ）は補強部材１２２に嵌合部材１２３を嵌合させた状態を示す図である。
図１（ｃ）及び図７（ｃ）は幅１．０ｍｍの切込み部１２７により上部が８個のブロックに分かれた補強部材１２２と円筒状基体１０１の内周面の間に補助部材１０８を設けた構成であり、補助部材１０８の一部には幅１．０ｍｍの切りかき部１０９が設けられている。
【００２５】
図７（ｃ）に示した様に補強部材１２２に嵌合部材１２３を嵌合させ補強部材１２２及び、補助部材１０８が均等に広がる。これにより、補助部材１０８の外周面が円筒状基体１０１の内周面側から外周面方向へ補助部材１０８を介して力を付与するため、より均等に力を付与することができる構造である。
なお、補強部材１２２の幅１．０ｍｍの切込み部１２７と補助部材１０８の幅１．０ｍｍの切りかき部１０９とが周方向で重ならないように設置することが円筒状基体１０１の内周面側から外周面方向へ均等な力を付与する上で好ましい。
【００２６】
図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の補強部材１０２、１１２、１２２及び、補助部材１０８の外周面と円筒状基体１０１の内周面との間には一定のクリアランスが設けられている。
このクリアランスは図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す様に嵌合部材１０３、１１３、１２３を補強部材１０２、１１２、１２２に嵌合させることで補強部材１０２、１１２及び補助部材１０８の外径と円筒状基体１０１の内径とが、ほぼ等しくなるため、なくなる。
【００２７】
また装着部材１０４、１１４、１２４の補強部材１０２、１１２、１２２から嵌合部材１０３、１１３、１２３を取り外すことで、円筒状基体１０１の内周面側から外周面方向へ押し広げられていた補強部材１０２、１１２、１２２の形状が元に戻る。
これにより、円筒状基体１０１内周面とのクリアランスが元に戻る構成であるため装着部材１０４、１１４、１２４の着脱が容易であり、繰り返しの使用が可能である。
【００２８】
また、装着部材１０４、１１４、１２４は、円筒状基体１０１と同じ線膨張率の材質で構成する。ここで同じ線膨張率とは円筒状基体１０１の線膨張率に対して装着部材１０４、１１４、１２４の線膨張率が１００％以上、１１０％以下程度の場合をいう。また線膨張率は１００℃〜２００℃における平均線膨張率の値である。
これは同じ線膨張率の材質で構成することによりａ−Ｓｉ膜形成時に円筒状基体１０１が昇温により膨張した場合でも装着部材１０４、１１４、１２４は、装着時と同様の力で円筒状基体１０１の内周面側から外周面方向へ力を付与することができるためである。
【００２９】
装着部材１０４、１１４、１２４が円筒状基体１０１よりも線膨張率が大きい材質で構成すると高温で使用したときに必要以上の力が付与されるため円筒状基体１０１端部を広げる方向に変形させてしまう場合がる。
また装着部材１０４、１１４、１２４が円筒状基体１０１よりも線膨張率が小さい材質で構成すると高温で使用したときに装着部材１０４、１１４、１２４によって付与する力が弱まる方向であり変形防止に対する効果が充分に得られない場合がある。
【００３０】
上記円筒状基体１０１、装着部材１０４、１１４、１２４の材質としては、例えば、アルミニウム、ステンレス、銅、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金を用いることができる。中でも加工性や製造コストを考慮するとアルミニウムが優れており、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかに統一して用いることが好ましい。
【００３１】
また、ａ−Ｓｉ膜を形成した後に装着部材１０４、１１４、１２４の嵌合部材１０３、１１３を外し円筒状基体１０１の内周面側から外周面方向に付与していた力を解除する場合は円筒状基体１０１の表面温度に留意することが好ましい。具体的には表面温度が５０℃以下で嵌合部材１０３、１１３、１２３を外すことが好ましい。
５０℃を超える高い温度で嵌合部材１０３、１１３、１２３を外した場合には円筒状基体１０１の温度が下がる過程でａ−Ｓｉ膜の膜応力の影響を受けやすい。円筒状基体１０１の表面温度が室温に達するまでの温度変化において円筒状基体１０１とａ−Ｓｉ膜の収縮率に差が生じるため円筒状基体１０１端部が変形する場合がある。
【００３２】
一方、円筒状基体１０１が低温になりすぎると円筒状基体１０１が結露する場合があり低温でも結露しない環境に維持、コントロールする必要があるため円筒状基体１０１の表面温度が１０℃以上で嵌合部材１０３、１１３、１２３を外すことが好ましい。
図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した装着部材の構成を立体的に示した立体図である。図８（ａ）は装着部材１０４の立体図であり、図８（ｂ）は装着部材１１４の立体図であり、図８（ｃ）は装着部材１２４の立体図である。
【００３３】
図２は本発明の装着部材を装着した成膜形態を説明するための概略断面図である。
図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、ａ−Ｓｉ膜の堆積装置の反応容器内に搬入することが可能な基体ホルダー２１０に円筒状基体２０１を設置した状態の一例を示した図である。図２（ａ）は円筒状基体２０１の両端部に図１（ａ）の構成の装着部材１０４を設置した場合の一例である。図２（ｂ）は円筒状基体２０１の両端部に図１（ｂ）の構成の装着部材１１４を設置した場合の一例である。図２（ｃ）は円筒状基体２０１の両端部に図１（ｃ）の構成の装着部材１２４を設置した場合の一例である。
【００３４】
図３は本発明の装着部材の装着方法を説明するための概略断面図である。
図３（ａ）は図１（ｂ）の構成の装着部材１１４を設置した場合の装着方法を示した縦断面図である。図３（ｂ）は嵌合部材３０３の縦断面図であり、嵌合部材３０３の内周面にはＬ字形状の溝３０５が形成されている。図３（ｃ）は図３（ｂ）に示した点線Ａ、Ｂ位置での横断面図である。
【００３５】
まず、円筒状基体３０１の両端部に補強部材３０２及び嵌合部材３０３で構成された装着部材３０４を設置する。次に装着部材３０４を設置した状態の円筒状基体３０１を基体ホルダー３１０に設置する。
このとき、円筒状基体３０１の上端部側に設置した嵌合部材３０３の内周面に設けたＬ字状の溝３０５に基体ホルダー３１０の上部に設けた爪３０６を沿わせながら押し込んだ後、嵌合部材３０３を周方向に回転させ基体ホルダー３１０に固定する。
【００３６】
なお、円筒状基体３０１の下端部に設置する嵌合部材３０３はＬ字形状の溝３０５は設けないものを使用し、さらに基体ホルダー３１０の下部には爪３０６は設けていない。また基体ホルダー３１０の下端部の形状は嵌合部材３０３を兼ねる形状でもよい。
【００３７】
図６は本発明の装着部材の構成を説明するための概略縦断面図と嵌合部材６０３を除いた状態の上視図（平面図）及び立体図である。図６（ａ）は補強部材６０２に嵌合部材６０３を嵌合させる前の状態を示した図であり、図６（ｂ）は補強部材６０２に嵌合部材６０３を嵌合させた状態を示し、図６（ｃ）は装着部材６０４を立体的に表した立体図である。
両端部にインロー加工を施さない円筒状基体６０１を用いる場合は図６に示した構成の装着部材６０４を用いればよい。装着部材６０４を構成する補助部材６０８及び補強部材６０２は、それぞれ円筒状基体６０１の端面部で支持した状態で設置する。
装着部材６０４は図１（ｃ）と同様に幅１．０ｍｍの切込み部６０７により上部が８個のブロックに分かれた補強部材６０２と円筒状基体６０１の内周面との間に補助部材６０８を設けた構成である。補助部材６０８の一部には幅１．０ｍｍの切りかき部６０９が設けられ補強部材６０２に嵌合部材６０３を嵌合させることで補強部材６０２が均等に広がる。この際、円筒状基体６０１の内周面側から外周面方向へ補助部材６０８を介して力を付与するため、より均等に力を付与することができる構造である。
【００３８】
なお、補強部材６０２の幅１．０ｍｍの切込み部６０７と補助部材６０８の幅１．０ｍｍの切りかき部６０９が周方向で重ならないように設置することが円筒状基体６０１の内周面側から外周面方向へ均等な力を付与する上で好ましい。
なお、装着部材６０４は嵌合部材６０３を取り外すことで、円筒状基体６０１の内周面側から外周面方向へ押し広げられていた補強部材６０２の形状が元に戻るため円筒状基体６０１とのクリアランスが広がるので円筒状基体６０１への着脱が容易である。
また、装着部材６０４は、円筒状基体６０１と同じ線膨張率の材質で構成する。
【００３９】
次に電子写真感光体の製造方法について図４を参照して説明する。
図４に示す装置は電子写真感光体を製造することが可能な高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ装置の一例である。
この装置は大別すると、減圧可能な反応容器４１１０を有する堆積装置４１００、原料ガス供給装置４２００、および、反応容器４１１０の内部を減圧する為の排気装置（図示せず）から構成されている。
【００４０】
反応容器４１１０の内部にはアースに接続された円筒状基体４１１２、円筒状基体加熱用ヒーター４１１３、および、原料ガス導入管４１１４が設置されている。さらにカソード電極４１１１には高周波マッチングボックス４１１５を介して高周波電源４１２０が接続されている。
原料ガス供給装置４２００は、ＳｉＨ４、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＯ、Ｂ２Ｈ６の原料ガスボンベ４２２１〜４２２５、バルブ４２３１〜４２３５、圧力調整器４２６１〜４２６５、流入バルブ４２４１〜４２４５、流出バルブ４２５１〜４２５５およびマスフローコントローラ４２１１〜４２１５から構成されている。
原料ガス供給装置４２００は、補助バルブ４２６０を介して反応容器４１１０の内部の原料ガス導入管４１１４に接続されている。
【００４１】
次にこの装置を使った堆積膜の形成方法について説明する。まず、あらかじめ脱脂洗浄した円筒状基体４１１２を反応容器４１１０に基体ホルダー４１２２を介して設置する。次に、排気装置（図示せず）を運転し、反応容器４１１０の内部を排気する。真空計４１１９の表示を見ながら、反応容器４１１０の内部の圧力がたとえば１Ｐａ以下の所定の圧力になったところで、円筒状基体加熱用ヒーター４１１３に電力を供給し、円筒状基体４１１２を例えば１００℃から３５０℃の所望の温度に加熱する。このとき、ガス供給装置４２００より、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを反応容器４１１０に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。
【００４２】
次に、ガス供給装置４２００より堆積膜形成に用いるガスを反応容器４１１０に供給する。すなわち、必要に応じバルブ４２３１〜４２３５、流入バルブ４２４１〜４２４５、流出バルブ４２５１〜４２５５を開き、マスフローコントローラ４２１１〜４２１５に流量設定を行う。各マスフローコントローラの流量が安定したところで、真空計４１１９の表示を見ながらメインバルブ４１１８を操作し、反応容器４１１０の内部の圧力が所望の圧力になるように調整する。
【００４３】
所望の圧力が得られたところで高周波電源４１２０より高周波電力を印加すると同時に高周波マッチングボックス４１１５を操作し、反応容器４１１０の内部にプラズマ放電を生起する。その後、速やかに高周波電力を所望の電力に調整し、堆積膜の形成を行う。
所定の堆積膜の形成が終わったところで、高周波電力の印加を停止し、バルブ４２３１〜４２３５、流入バルブ４２４１〜４２４５、流出バルブ４２５１〜４２５５、および補助バルブ４２６０を閉じて原料ガスの供給を終える。原料ガスの供給を終えると同時に、メインバルブ４１１８を全開にして、反応容器４１１０の内部を１Ｐａ以下の圧力まで排気する。
【００４４】
以上で、堆積層の形成を終えるが、複数の堆積層を形成する場合、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すれば良い。また複数の層を連続的に形成する場合は、原料ガス流量や、圧力等を次の層条件に一定の時間で変化させて、接合領域の形成を行うこともできる。
すべての堆積膜形成が終わったのち、メインバルブ４１１８を閉じ、反応容器４１１０の内部に不活性ガスを導入し大気圧に戻した後、円筒状基体４１１２を取り出す。
【００４５】
次に、ａ−Ｓｉ系電子写真感光体を用いた電子写真装置による電子写真の形成方法を図５を用いて説明する。まず、電子写真感光体５０１を回転させ、感光体表面を主帯電器５０２により均一に帯電させる。その後、静電潜像形成手段５０６により電子写真感光体表面に露光光を照射し、電子写真感光体表面に静電潜像を形成した後、現像器５１２より供給されるトナーを用いて現像を行う。この結果、電子写真感光体表面にトナー像が形成される。そして、このトナー像を転写帯電器５０４により転写材５１０に転写し、電子写真感光体５０１から転写材５１０を分離して、トナー像を転写材５１０に定着させる。
【００４６】
一方、トナー像が転写された電子写真感光体表面に残留するトナーをクリーナー５０９により除去し、その後、除電器５０３により電子写真感光体表面の全域を露光することにより電子写真感光体中の残キャリアを除電する。この一連のプロセスを繰り返すことで連続して画像形成が行われる。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明の技術的範囲はこれらによって何ら限定されるものではない。
また、以下の実施例及び比較例では、円筒状基体の両端部の内周面には端部から長手方向に１５．０ｍｍ幅でインロー加工を施したものを使用した。尚、インロー部については１．５０ｍｍの切削量でインロー加工を実施した。
【００４８】
更に、補強部材１０２、１１２、１２２に嵌合部材１０３、１１３、１２３を嵌合させる前の状態において、円筒状基体１０１と装着部材１０４、１１４、１２４とのクリアランスは以下の通りとした。図１（ａ）、（ｂ）に示す構成の装着部材１０４、１１４を用いる際は円筒状基体１０１の内径と補強部材１０２、１１２の外径との差をクリアランスとして、直径で０．１０ｍｍとした。
【００４９】
また図１（ｃ）に示す構成の装着部材１２４を用いる際は円筒状基体１０１の内径と補助部材１０８の外径との差及び補助部材１０８の内径と補強部材１２２の外径との差をクリアランスとして、それぞれ直径で０．１０ｍｍとした。
なお、実施例及び比較例で使用したアルミニウムは５０００系のＡｌ−Ｍｇ合金であり、ステンレスはＳＵＳ３０４である。
【００５０】
［実施例１］
図４に示す、ＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマ処理装置を用いて、外径８０．００ｍｍ、長さ３５８．０ｍｍ、厚さ４．５０ｍｍの鏡面加工を施した円筒状基体の上に、表１の条件でａ−Ｓｉ膜を堆積し電子写真感光体を作製した。その際、円筒状基体の両端には図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した装着部材１０４、１１４、１２４を設け、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した基体ホルダー２１０に円筒状基体２０１を設置した。
【００５１】
なお、図１（ａ）に用いた補強部材１０２は厚さ１．５０ｍｍ、高さ１５．０ｍｍとし図１（ｂ）に用いた補強部材１１２は厚さ最小部が１．００ｍｍ、最大部が１．５０ｍｍ、高さ１５．０ｍｍとした。また図１（ｃ）に用いた補助部材１０８は厚さ０．５０ｍｍ、高さ１５．００ｍｍとし補強部材１２２は厚さ最小部が０．５０ｍｍ、最大部が１．００ｍｍ、高さ１５．０ｍｍとした。
【００５２】
本実施例では、円筒状基体１０１及び装着部材１０４、１１４、１２４の線膨張率を揃えるため同じ材質を使用し、線膨張率が２４．８×１０−６／℃のアルミニウムで構成した場合と、線膨張率が１７．３×１０−６／℃のステンレスで構成した場合の各々で電子写真感光体を作製した。
ａ−Ｓｉ膜の堆積を終了した後は、作製した電子写真感光体の表面温度が２５℃になった時点で基体ホルダー２０１から電子写真感光体を取り外した。その後、円筒度及び外径真円度の評価を行った後に図５に示した構成の電子写真装置に設置し、後述の画像濃度ムラの評価を行った。これらの結果を表２に示す。
なお、上記円筒状基体及び装着部材の寸法は、温度が２５℃での寸法である。
【００５３】
（画像濃度ムラの評価）
作製した電子写真感光体を電子写真装置（キヤノン株式会社製ｉＲ５０００）に設置し、以下の方法で画像濃度ムラを評価した。
まず電子写真感光体の長手方向中央位置での表面電位を現像位置において４００Ｖの暗部表面電位となるように帯電させ、次いで、画像露光光を照射し表面電位が２００Ｖになる様に画像露光光の光量を調整した後、現像器により現像を行いＡ３用紙に出力した。
【００５４】
出力した画像に対し電子写真感光体の１周分に相当する領域の画像濃度を画像濃度計（Ｍａｃｂｅｔｈ社製  Ｍａｃｂｅｔｈ  ＲＤ９１４）を用いて測定した。
画像濃度の測定位置は電子写真感光体の長手方向に相当する方向に７点（電子写真感光体の長手方向中央を基準として、０ｍｍ、±５０ｍｍ、±９０ｍｍ、±１３０ｍｍ）とした。この測定を電子写真感光体の周方向に４５°間隔に相当する間隔で８ヶ所の計５６点とした。
【００５５】
この、５６点での画像濃度の最大値から最小値を引いた値を画像濃度ムラとし、作製した電子写真感光体の画像濃度ムラを、後述する比較例１での画像濃度ムラの値を１００（リファレンス）とした時の相対評価で以下のような基準でランク付けを行った。
尚、この評価項目では、値が小さいほど、画像濃度ムラが抑えられ良好な結果であり、ランクＣ以上で本発明の効果が得られたと判断した。
Ａ：リファレンスに対して６０％未満
Ｂ：リファレンスに対して６０％以上、８０％未満
Ｃ：リファレンスに対して８０％以上、１００％未満
Ｄ：リファレンスに対して１００％以上
【００５６】
（円筒度の評価）
マイクロメータ（ミツトヨ社製  標準外側マイクロメータ）を用い、電子写真感光体の長手方向中央位置及び、両端から１０ｍｍ、３０ｍｍ、５０ｍｍ位置の計７点の外径寸法を測定し、外径寸法の最大値と最小値の差を算出し、円筒度の値とした。
後述する比較例１で得られた円筒度の値を１００（リファレンス）とした時の相対評価で以下のような基準でランク付けを行った。
【００５７】
尚、この評価項目では、値が小さいほど、外径寸法の変形が抑えられ円筒度が良好な結果であり、ランクＣ以上で本発明の効果が得られたと判断した。
Ａ：リファレンスに対して６０％未満
Ｂ：リファレンスに対して６０％以上、８０％未満
Ｃ：リファレンスに対して８０％以上、１００％未満
Ｄ：リファレンスに対して１００％以上
【００５８】
（外径真円度の評価）
真円度円筒形状測定機（ミツトヨ社製  ＲＯＵＮＤＴＥＳＴ  ＲＡ−４３６）を用い、電子写真感光体の中央及び、両端から１０ｍｍ、３０ｍｍ、５０ｍｍ位置の計７点について真円度を測定し、その７点の最大値を電子写真感光体の真円度とした。後述する比較例１で得られた真円度の値を１００（リファレンス）とした時の相対評価で以下のような基準でランク付けを行った。
【００５９】
尚、この評価項目では、値が小さいほど、外径真円度の悪化が抑えられ良好な結果であり、ランクＣ以上で本発明の効果が得られたと判断した。
Ａ：リファレンスに対して６０％未満
Ｂ：リファレンスに対して６０％以上、８０％未満
Ｃ：リファレンスに対して８０％以上、１００％未満
Ｄ：リファレンスに対して１００％以上
【００６０】
【表１】
2011257658.tif 000003
【００６１】
［比較例１］
円筒状基体を線膨張率が２４．８×１０−６／℃のアルミニウムとし、円筒状基体両端のインロー部に装着する補強部材を線膨張率が１７．３×１０−６／℃のステンレス製とすること以外は実施例１と同様の方法で電子写真感光体を作製した。
本比較例で使用する補強部材は、厚さ１．５０ｍｍ、高さ１５．０ｍｍのリング状とし、嵌合部材は線膨張率が２４．８×１０−６／℃の円筒状アルミニウムとした。
ａ−Ｓｉ膜を堆積した後は作製した電子写真感光体の表面温度が２５℃になった時点で基体ホルダーから電子写真感光体を取り外し、実施例１と同様にして円筒度及び外径真円度の評価を行った。その後、図５に示した構成の電子写真装置に設置し、実施例１と同様に画像画像濃度ムラの評価を行った。これらの結果を表２に示す。
【００６２】
【表２】
2011257658.tif 000004
【００６３】
表２の結果より、円筒状基体の両端内周面側に、円筒状基体と同じ線膨張率の装着部材を設けることにより円筒状基体の内周面側から外周面方向へ付与する力が良好に維持され、円筒状基体の変形、外径真円度の悪化が抑制されることが解った。これにより画像濃度ムラが良好な電子写真感光体が得られることが確認された。
また、本発明の装着部材に加え補助部材を設けることで円筒状基体の内周面側から外周面方向へ付与する力が、より均等に付与できることも解った。
【００６４】
［実施例２］
円筒状基体の肉厚を表３に示した肉厚とすること以外は、実施例１と同様の方法により電子写真感光体を作製した。その際、円筒状基体の両端には図１（ｃ）に示した装着部材１２４を設け、図２（ｃ）に示した基体ホルダー２１０に円筒状基体２０１を設置した。なお、円筒状基体１０１の内径と装着部材１２４の外径との差をクリアランスとして０．１０ｍｍに保つために装着部材１２４の寸法を円筒状基体１０１の肉厚に応じて各々変更した。
【００６５】
本実施例では、円筒状基体１０１及び装着部材１２４を線膨張率が２４．８×１０−６／℃のアルミニウムで構成し、電子写真感光体を作製した。
ａ−Ｓｉ膜を堆積した後は作製した電子写真感光体の温度が２５℃になった時点で基体ホルダー２１０から電子写真感光体を取り外し、実施例１と同様にして円筒度及び外径真円度の評価を行った。その後、図５に示した構成の電子写真装置に設置し、実施例１と同様に画像濃度ムラの評価を行った。これらの結果を表３に示す。
【００６６】
【表３】
2011257658.tif 000005
表３の結果より、円筒状基体の肉厚を薄くしても円筒状基体の変形、外径真円度の悪化が抑制され、画像濃度ムラが良好な電子写真感光体が得られることが確認された。
【００６７】
［実施例３］
表１に示した光導電層の膜厚を表４の条件に変更すること以外は、実施例１と同様の方法により電子写真感光体を作製した。その際、円筒状基体の両端には図１（ｃ）に示した装着部材１２４を設け、図２（ｃ）に示した基体ホルダー２１０に円筒状基体２０１を設置した。
本実施例では、円筒状基体１０１及び装着部材１２４を線膨張率が２４．８×１０−６／℃のアルミニウムで構成し、電子写真感光体を作製した。
ａ−Ｓｉ膜を堆積した後は作製した電子写真感光体の温度が２５℃になった時点で基体ホルダー２１０から電子写真感光体を取り外し、実施例１と同様にして円筒度及び外径真円度の評価を行った。その後、図５に示した構成の電子写真装置に設置し、実施例１と同様に画像濃度ムラの評価を行った。これらの結果を表４に示す。
【００６８】
【表４】
2011257658.tif 000006
表４の結果より、ａ−Ｓｉ膜の膜厚を厚くした場合においても円筒状基体の変形、外径真円度の悪化が抑制され、画像濃度ムラが良好な電子写真感光体が得られることが確認された。
【００６９】
［実施例４］
実施例１と同様の方法により電子写真感光体を作製した。その際、円筒状基体の両端には図１（ｃ）に示した装着部材１２４を設け、図２（ｃ）に示した基体ホルダー２１０に円筒状基体２０１を設置した。
なお、円筒状基体１０１及び装着部材１２４は線膨張率が２４．８×１０−６／℃のアルミニウムで構成し、電子写真感光体を作製した。
本実施例では、基体ホルダー２１０から電子写真感光体を取り外す温度を電子写真感光体の表面温度が表５に示した、それぞれの温度になった時点とした。次いで実施例１と同様にして円筒度及び外径真円度の評価を行った。その後、図５に示した構成の電子写真装置に設置し、実施例１と同様に画像濃度ムラの評価を行った。これらの結果を表５に示す。
【００７０】
【表５】
2011257658.tif 000007
表５の結果より、基体ホルダーから電子写真感光体を取り外す温度を５０℃以下とすることで円筒状基体の変形、外径真円度の悪化を抑制する効果が最も効果的に得られ、画像濃度ムラが良好な電子写真感光体が得られることが確認された。
【００７１】
［実施例５］
両端部にインロー部の加工を施さず、円筒状基体の肉厚を表６に示した肉厚とすること以外は、実施例１と同様の方法により電子写真感光体を作製した。その際、円筒状基体の両端には図６に示した装着部材６０４を実施例１と同様のクリアランスで設け、図２（ｃ）に示した基体ホルダー２１０に円筒状基体２０１を設置した。
本実施例では、円筒状基体６０１及び装着部材６０４を線膨張率が２４．８×１０−６／℃のアルミニウムで構成し、電子写真感光体を作製した。
【００７２】
ａ−Ｓｉ膜の堆積を終了した後は、作製した電子写真感光体の温度が２５℃になった時点で基体ホルダーから電子写真感光体を取り外し、実施例１と同様にして円筒度及び外径真円度の評価を行った。その後、図５に示した構成の電子写真装置に設置し、実施例１と同様に画像濃度ムラの評価を行った。これらの結果を表６に示す。
【００７３】
【表６】
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表６の結果より、両端部にインロー部を設けない円筒状基体においても肉厚に影響されることなく円筒状基体の変形、外径真円度の悪化が抑制され、画像濃度ムラが良好な電子写真感光体が得られることが確認された。
【００７４】
［実施例６］
実施例１と同様の方法により電子写真感光体を作製した。その際、円筒状基体の両端には図１（ｃ）に示した装着部材１２４を設け、図２（ｃ）に示した基体ホルダー２１０に円筒状基体２０１を設置した。
また円筒状基体１０１の内径と補助部材１０８の外径との差及び補助部材１０８の内径と補強部材１２２の外径との差をクリアランスとして、それぞれ直径で０．１０ｍｍとした。
【００７５】
なお、円筒状基体１０１及び装着部材１２４は線膨張率が表７に示した値のアルミニウムで構成し、電子写真感光体を作製した。但し、円筒状基体は２０００系のＡｌ−Ｃｕ合金を使用し、装着部材は５０００系のＡｌ−Ｍｇ合金を使用した。
ａ−Ｓｉ膜を堆積した後は作製した電子写真感光体の温度が２５℃になった時点で基体ホルダーから電子写真感光体を取り外し、実施例１と同様にして円筒度及び外径真円度の評価を行った。その後、図５に示した構成の電子写真装置に設置し、実施例１と同様に画像濃度ムラの評価を行った。これらの結果を表７に示す。
【００７６】
【表７】
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表７の結果より、円筒状基体に対する装着部材の線膨張率が、およそ１１０％以下程度であれば円筒状基体の変形、外径真円度の悪化を抑制する効果が効果的に得られ、画像濃度ムラが良好な電子写真感光体が得られることが確認された。
【符号の説明】
【００７７】
１０１、２０１、３０１、６０１    円筒状基体
１０２、１１２、１２２、２０２、２１２、２２２、３０２、６０２    補強部材
１０３、１１３、１２３、２０３、２１３、２２３、３０３、６０３    嵌合部材
１０４、１１４、１２４、２０４、２１４、２２４、３０４、６０４    装着部材
１０５    突起部
１０６、１０９、６０９    切りかき部
１０７、１２７、６０７    切込み部
１０８、２０８、６０８    補助部材
２１０、３１０    基体ホルダー
３０５    Ｌ字形状の溝
３０６    爪
【図１】
2011257658.tif 000010
【図２】
2011257658.tif 000011
【図３】
2011257658.tif 000012
【図４】
2011257658.tif 000013
【図５】
2011257658.tif 000014
【図６】
2011257658.tif 000015
【図７】
2011257658.tif 000016
【図８】
2011257658.tif 000017