(57)【要約】【課題】  半田材起因で発生するＩＴＯターゲット表面に発生するノジュール量を低減すると同時に、溶融した半田材がフラットパネルディスプレイ等の膜面に付着することによる製品の歩留まりの低下を防止できるＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】  酸化インジウムおよび酸化スズを含むＩＴＯからなる１以上のターゲット部材をバッキングプレート上にインジウム半田材を用いて接合して成るスパッタリングターゲットであって、ターゲット−バッキングプレート接合体から露出している前記インジウム半田材の一部または全部を融点２００℃以上の金属メッキ膜で覆ったことを特徴とするスパッタリングターゲット。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化インジウムおよび酸化スズを含むＩＴＯからなる１以上のターゲット部材をバッキングプレート上にインジウム半田材を用いて接合して成るスパッタリングターゲットであって、ターゲット−バッキングプレート接合体から露出している前記インジウム半田材の一部または全部を融点２００℃以上の金属メッキ膜で覆ったことを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
２以上のターゲット部材をバッキングプレート上にインジウム半田材を用いて接合してなるスパッタリングターゲットにおいて、ターゲット部材同士の間に形成される間隙における半田材が露出している部分を融点２００℃以上の金属メッキ膜で覆ったことを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
融点２００℃以上の金属メッキ膜が銅メッキ膜であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
バッキングプレートが銅製であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
融点２００℃以上の金属メッキ膜の厚さが、０．１μｍ以上５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電性薄膜製造の際に使用される酸化インジウムおよび酸化スズを含むスパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ）薄膜は高導電性、高透過率といった特徴を有し、更に微細加工も容易に行えることから、フラットパネルディスプレイ用表示電極、太陽電池用窓材等の広範囲な分野に渡って用いられている。このようなＩＴＯ薄膜は、大面積への成膜が容易でかつ高性能の膜が得られることからスパッタリング法で形成されている。
【０００３】
ＩＴＯターゲットをアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気中で連続してスパッタリングした場合、積算スパッタリング時間の増加と共にターゲット表面にはノジュールと呼ばれる黒色の付着物が析出する。インジウムの低級酸化物と考えられているこのノジュールは、ターゲットのエロージョン部の周囲に析出するため、スパッタリング時の異常放電の原因となりやすく、またそれ自身が異物の発生源となることが知られている。
【０００４】
その結果、連続してスパッタリングを行うと、形成された薄膜中に異物欠陥が発生し、これが液晶表示装置等のフラットパネルディスプレイの製造歩留まりを低下させる原因となっていた。特に近年、フラットパネルディスプレイの分野では、高精細化が進んでおり、このような薄膜中の異物欠陥は素子の動作不良を引き起こすため、特に解決すべき重要な課題となっていた。
【０００５】
ノジュールの発生原因は、ターゲット部材に用いられるＩＴＯ焼結体に起因するものとターゲット材とバッキングプレートの接合に用いられる半田材起因のものに大別される。焼結体起因としては、ターゲットの密度や表面状態、Ｓｎの分散性が影響しており、その対応として、ターゲットの密度を６．４ｇ／ｃｍ３以上とするとともにターゲットの表面粗さを制御することにより、ノジュールの発生を低減できることが報告されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、半田材起因には、１のターゲット部材の接合に用いられる半田材からの飛び出しだけでなく、２以上のターゲット部材を配した際のターゲット間の間隙に存在する半田材露出部分からの飛び出しの影響も近年のターゲットサイズの大型化により無視できなくなっている。
【０００７】
この半田材起因への対応としては、半田材が露出した部分の一部または全部をインジウムおよびスズからなる合金で覆うことにより、ノジュールを低減できることが報告されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
しかしながら、半田材の露出部分をインジウムおよびスズから成る合金で覆った場合には、インジウムおよびスズの合金の融点がインジウムの融点より低下するため溶融しやすく、溶融した合金が対向する位置に設置されるフラットパネルディスプレイや太陽電池等の膜面に付着し、製品の歩留まりを低下させてしまうという問題が生じていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平０８−０６０３５２号公報
【特許文献２】特開２００１−０８１５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、半田材起因で発生するＩＴＯターゲット表面に発生するノジュール量を低減すると同時に、溶融した半田材がフラットパネルディスプレイ等の膜面に付着することによる製品の歩留まりの低下を軽減できるＩＴＯスパッタリングターゲットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、インジウム半田を用いてＩＴＯ焼結体とバッキングプレートを接合するに際し、半田材が露出した部分の一部または全部を融点２００℃以上の金属で覆うことにより、前記課題を解決できることを見いだした。本発明を完成するに至った。
【００１２】
即ち、本発明は、酸化インジウムおよび酸化スズを含むＩＴＯからなる１以上のターゲット部材をバッキングプレートにインジウム半田材を用いて接合して成るスパッタリングターゲットであって、ターゲット−バッキングプレート接合体から露出している前記インジウム半田材の一部または全部を融点２００℃以上の金属メッキ膜で覆ったことを特徴とするスパッタリングターゲットに関する。
【００１３】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１４】
本発明に使用されるＩＴＯ焼結体は、特に限定されるものではないが、例えば以下の方法で製造することができる。
【００１５】
始めに、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末との混合粉末またはＩＴＯ粉末等にバインダー等を加え、プレス法または鋳込法等の成形方法により成形してＩＴＯ成形体を製造する。この際、使用する粉末の平均粒径が大きいと焼結後の密度が充分に上昇しない場合があるので、使用する粉末の平均粒径は１．５μｍ以下であることが好ましく、更に好ましくは０．１〜１．５μｍである。こうすることにより、より焼結密度の高い焼結体を得ることが可能となる。
【００１６】
また、混合粉末またはＩＴＯ粉末中の酸化スズ含有量は特に限定されないが、スパッタリング法により薄膜を製造した際に比抵抗が低下する５〜１５重量％とすることが好ましい。
【００１７】
次に得られた成形体に必要に応じて、ＣＩＰ（冷間静水圧プレス）等の圧密化処理を行う。この際ＣＩＰ圧力は充分な圧密効果を得るため２ｔｏｎ／ｃｍ２以上、好ましくは２〜３ｔｏｎ／ｃｍ２とする。ここで始めの成形を鋳込法により行った場合には、ＣＩＰ後の成形体中に残存する水分およびバインダー等の有機物を除去する目的で脱バインダー処理を施してもよい。また、始めの成形をプレス法により行った場合でも、成形時にバインダーを使用したときには、同様の脱バインダー処理を行うことが好ましい。
【００１８】
このようにして得られた成形体を焼結炉内に投入して焼結を行う。焼結方法としては、いかなる方法でも用いることができるが、生産設備のコスト等を考慮すると大気中焼結が好ましい。しかし、ＨＰ（ホットプレス）法、ＨＩＰ（熱間静水圧プレス）法および酸素加圧焼結法等の従来知られている他の焼結法を用いることができることは言うまでもない。
【００１９】
焼結条件についても適宜選択することができるが、充分な密度上昇効果を得るため、また酸化スズの蒸発を抑制するため、焼結温度が１４５０〜１６５０℃であることが好ましい。焼結時の雰囲気としては大気または純酸素雰囲気であることが好ましい。また焼結時間についても充分な密度上昇効果を得るために５時間以上、好ましくは５〜３０時間であることが好ましい。
【００２０】
本発明において、使用するＩＴＯ焼結体の密度は特に限定されないが、焼結体のポアのエッジ部での電界集中による異常放電やノジュールの発生をより抑制するため、相対密度で９９％以上とすることが好ましく、より好ましくは９９．５％以上である。
【００２１】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、ＩＴＯに付加機能を持たせることを目的としてＩＴＯ焼結体に第３の元素を添加しても有効である。第３元素としては、例えば、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ、Ｓｒ等を例示することができる。これら元素の添加量は、特に限定されるものではないが、ＩＴＯの優れた電気光学的特性を劣化させないため、（第３元素の酸化物の総和）／（ＩＴＯ＋第３元素の酸化物の総和）で０％を超え２０％以下（重量比）とすることが好ましい。
【００２２】
得られたＩＴＯ焼結体は、バッキングプレート上にインジウム半田材を用いて接合する。本発明に使用されるバッキングプレートの材質は特に限定されないが、無酸素銅及びリン青銅等が好ましい。
【００２３】
ＩＴＯ焼結体をバッキングプレート上に接合する際は、まず、ＩＴＯ焼結体とバッキングプレートとを使用するインジウム半田材の融点以上に加熱する。次に、加熱されたＩＴＯ焼結体およびバッキングプレートの接合面にインジウム半田材を塗布する。次に、インジウム半田材塗布済みのＩＴＯ焼結体とバッキングプレートの接合面同士を合わせてバッキングプレート上の所望の位置に配置した後、ターゲット−バッキングプレート接合体を室温まで冷却する。
【００２４】
次に、ターゲット−バッキングプレート接合体からインジウム半田材が露出した部分の一部または全部を金属メッキ膜で被覆する。
【００２５】
金属メッキ膜としては融点２００℃以上の金属であれば特に制限はないが、銅が好ましい。また、銅に錫、亜鉛、ニッケル、クロム、コバルト、チタン、銀、金、白金、ルテニウムから選ばれる１種または２種以上を０．０１重量％から２０重量％の範囲で添加しても良い。
【００２６】
なお、インジウム半田材が露出した部分の全部を金属メッキ膜で覆うか、必ずしも全部ではなく覆っていない部分を残すか等は、ターゲットの構造や被覆方法等に起因する覆い易さや、ターゲットとして要求される性能等に応じて決めればよい。
【００２７】
また、２以上のＩＴＯ焼結体を配して接合した場合は、必要に応じ、その間隙に存在する半田材に対しても被覆を施すとより効果的である。
【００２８】
金属メッキ膜で被覆する方法としては、電界メッキ法、無電界メッキ法および酸化還元メッキ法に大別されるが、本発明ではいずれの方法でも有効である。
【００２９】
電界メッキ法とは、インジウム半田材を電源のマイナス側に接続して陰極とし、このインジウム半田材の露出部分に、金属のメッキ液を含浸した不織布を配置し、さらに銅陽極を配置して、直流電源を用いて電解を施すことにより、インジウム半田材の露出部分に、金属メッキ膜を被覆する方法である。銅メッキ前にインジウム半田材表面の酸化膜を除去し、表面の活性化状態を高める為の手段を講じることも有効である。例えばインジウム半田材の露出部分に、水酸化ナトリウムを含浸した不織布を配し、さらに炭素電極を陽極として電解還元を行うことで、銅メッキ膜の付着力が向上する。また、銅電極や炭素電極に替えて、酸化や表面劣化の少ない酸化イリジウム電極を用いてもよい。
【００３０】
無電解メッキ法とは、無電解メッキ液用のアクチベーターを、あらかじめインジウム半田材の露出部分に一定時間付着させ、その後、無電解メッキ液を、一定時間、一定温度下にて、インジウム半田材の露出部分に付着させて、金属メッキ膜を被覆する方法である。
【００３１】
酸化還元メッキ法とは、インジウム半田材が露出している部分に、金属メッキ液を付着させ、インジウムの還元体と金属の酸化体とが、容易に電子交換して、金属が析出することにより、インジウム半田材の露出部分に、金属メッキ膜を被覆する方法である。
【００３２】
このようにして、インジウム半田材の露出部分に金属メッキ膜を被覆する。この時、金属メッキ膜を必要以上に被覆すると、金属接合材から剥離することがあるため金属メッキ膜の厚さは０．１μｍ以上５００μｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは１μｍ以上１００μｍ以下である。
【００３３】
本発明のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行う条件については特に制限はないが、スパッタリングガスとしてはアルゴンなどの不活性ガスなどに必要に応じて酸素ガスなどが加えられ、通常０．２〜１．０Ｐａにこれらのガス圧を制御しながら行うことが好ましい。スパッタリングのための電力印可方式としては、ＤＣ、ＲＦまたはこれらを組み合わせたものが使用可能であり、ターゲットに加えられる電力密度については特に制限はない。
【発明の効果】
【００３４】
ターゲット表面に発生するノジュールを低減できると同時に、半田材から飛び出した金属付着物による製品の歩留まり低下を軽減できる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施例１に記載の実施の態様を示す図である。
【図２】実施例２に記載の実施の態様を示す図である。
【図３】実施例３に記載の実施の態様を示す図である。
【図４】実施例４に記載の実施の態様を示す図である。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３７】
実施例１
常法に従い酸化スズを１０重量％含んだ相対密度が９９．７％であるＩＴＯターゲットを作製した。この焼結体を湿式加工法により１０１．６ｍｍ×１７７．８ｍｍ、厚さ６ｍｍの焼結体に加工した。
【００３８】
次に、ＩＴＯ焼結体と銅製のバッキングプレートとを１７０℃に加熱し、加熱されたＩＴＯ焼結体およびバッキングプレートの接合面にインジウム半田材を塗布した。
【００３９】
次に、インジウム半田材塗布済みのＩＴＯ焼結体とバッキングプレートの接合面同士を合わせてバッキングプレート上の所望の位置に配置した後、ターゲット−バッキングプレート接合体を室温まで冷却した。
【００４０】
次に、インジウム半田材の露出している部分に、電解メッキ法で銅メッキによる被覆を行った。
【００４１】
第１図に、電解メッキ法の一例を模式的に示す。バッキングプレート３と、直流電源１のマイナス側を接続し、バッキングプレート３に接合しているインジウム半田材４を陰極とした。ＩＴＯ焼結体２の側面とバッキングプレート３のインジウム半田材４が露出している部分の近傍には絶縁性であるカプトンテープ７でマスキングしておき、インジウム半田材４が露出している部分以外の場所に、銅メッキが被着しないようにした。インジウム半田材４が露出している部分に銅のメッキ液を含浸させた不織布５を配置し、銅板６を直流電源１のプラス側に接続し、銅板を陽極とした。
【００４２】
電流密度２Ａ／ｄｍ２で、５分間、定電流電解を行い、銅メッキ膜をインジウム半田材４に被覆した。電解メッキ膜の膜厚は、３．２μｍであった。
【００４３】
このようにして、インジウム半田材４が露出している部分に、電解メッキ法により銅メッキ膜を被覆した、ＩＴＯターゲットを得た。
【００４４】
このターゲットを以下のスパッタリング条件でスパッタリングした。
ＤＣ電力    ：３００Ｗ
スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ２
ガス圧      ：５ｍＴｏｒｒ
Ｏ２／Ａｒ  ：０．１％
以上の条件により連続的にスパッタリング試験を５０時間実施した。放電後のターゲットの外観写真の画像処理を行い、ノジュール発生量を調べた。その結果、ターゲット表面の１２％の部分にノジュールが発生したにすぎなかった。その後、１５０ｍｍ角のガラス基板上に１５０ｎｍの厚さのＩＴＯ膜を形成し、基板に付着した金属インジウムからなる異物の数を調べた。１０枚のガラス基板上で、異物は観察されなかった。
【００４５】
実施例２
実施例１と同様の方法で酸化スズを５重量％含有した相対密度が９９．４％であるＩＴＯ焼結体を得た。次に、実施例１と同じ方法でターゲット材を銅製のバッキングプレートに接合し、ＩＴＯターゲットを得た。
【００４６】
当該ＩＴＯターゲットのインジウム半田材に、本発明の無電解メッキ法を適用し、半田材の露出している部分を、銅メッキによって被覆した。第２図に、本発明の無電解メッキ法の一例を模式的に示す。ＩＴＯ焼結体２の側面とバッキングプレート３のインジウム半田材４が露出している部分の近傍には、あらかじめ絶縁性であるカプトンテープ７で、マスキングしておき、インジウム半田材４が露出している部分以外の場所に、銅メッキ膜が被着しないようにした。そして、ターゲット全体を、加熱板８で５０℃に加熱した。
【００４７】
次いで、銅無電解メッキ液のアクチベーターを含浸した不織布５を、インジウム半田材４の露出部分に１分間配置し、取り除いた後に、メッキ液を含浸した不織布５を、３分間配置して、銅メッキをインジウム半田材４が露出している部分に被覆した。得られたメッキ膜の膜厚は、２．３μｍであった。
【００４８】
得られたターゲットを実施例１と同様の方法で５０時間スパッタリングを実施した。放電後のターゲットの外観写真の画像処理を行い、ノジュール発生量を調べた。その結果、ターゲット表面の１２％の部分にノジュールが発生したにすぎなかった。その後、１５０ｍｍ角のガラス基板上に１５０ｎｍの厚さのＩＴＯ膜を形成し、基板に付着した金属インジウムからなる異物の数を調べた。１０枚のガラス基板上で、異物は観察されなかった。
【００４９】
実施例３
実施例１と同様の方法で酸化スズを１０重量％含有した相対密度が９９．８％であるＩＴＯ焼結体を得た。次に、実施例１と同じ方法でターゲット材を銅製のバッキングプレートに接合し、ＩＴＯターゲットを得た。
【００５０】
当該ＩＴＯターゲットのインジウム半田材に、本発明の酸化還元メッキ法を適用し、半田材の露出している部分を、銅メッキによって被覆した。図３に、本発明の酸化還元メッキ法の一例を模式的に示す。ＩＴＯ焼結体２の側面とバッキングプレート３のインジウム半田材４が露出している部分の近傍には、あらかじめ絶縁性であるカプトンテープ７で、マスキングしておき、インジウム半田材４が露出している部分以外の場所に、銅メッキが被着しないようにした。
【００５１】
次いで、銅メッキ液（硫酸銅水溶液）を含浸した不織布５を、インジウム半田材４が露出している部分に５分間配置し、銅メッキをインジウム半田材４が露出している部分に被覆した。得られたメッキ膜の膜厚は、０．５μｍであった。
【００５２】
得られたターゲットを実施例１と同様の方法で５０時間スパッタリングを実施した。放電後のターゲットの外観写真の画像処理を行い、ノジュール発生量を調べた。その結果、ターゲット表面の１２％の部分にノジュールが発生したにすぎなかった。その後、１５０ｍｍ角のガラス基板上に１５０ｎｍの厚さのＩＴＯ膜を形成し、基板に付着した金属インジウムからなる異物の数を調べた。１０枚のガラス基板上で、異物は観察されなかった。
【００５３】
実施例４
実施例１と同様の方法で酸化スズを１０重量％含有した相対密度が９９．８％であるＩＴＯ焼結体を２枚得た。次に、実施例１と同じ方法で２枚のターゲット材を銅製のバッキングプレートに並べて接合し、ＩＴＯターゲットを得た。分割部の幅は０．５ｍｍとした。
【００５４】
次に、インジウム半田材の露出している部分に、電解メッキ法で銅メッキによる被覆を行った。
【００５５】
第４図に、電解メッキ法の一例を模式的に示す。ターゲット部材同士の間に形成される間隙における半田材に対しては、不織布５およびカプトンテープ７を接着した薄い銅板６をターゲット上方又は側面より挿入し、メッキ処理を行なう。電流密度は２Ａ／ｄｍ２で、５分間、定電流電解を行い、銅メッキ膜をインジウム半田材４が露出している部分に被覆した。電解メッキ膜の膜厚は、３．１μｍであった。
【００５６】
ターゲット部材同士の間に形成される間隙以外の半田材露出部分に対しては、実施例１と同様の方法にてめっき処理を施し、電解メッキ膜の膜厚は、３．１μｍとなった。
【００５７】
このようにして、ターゲット部材同士の間に形成される間隙における半田材露出部分およびターゲット部材同士の間に形成される間隙以外の半田材露出部分に対してＣｕメッキ膜を被覆した、ＩＴＯターゲットを得た。
【００５８】
得られたターゲットを実施例１と同様の方法で５０時間スパッタリングを実施した。放電後のターゲットの外観写真の画像処理を行い、ノジュール発生量を調べた。その結果、ターゲット表面の１３％の部分にノジュールが発生したにすぎなかった。その後、１５０ｍｍ角のガラス基板上に１５０ｎｍの厚さのＩＴＯ膜を形成し、基板に付着した金属インジウムからなる異物の数を調べた。１０枚のガラス基板上で、異物は観察されなかった。
【００５９】
比較例１
実施例１と同じ条件で酸化スズを１０重量％含む相対密度が９９．８％であるＩＴＯ焼結体を製造した。この焼結体を湿式加工法により１０１．６ｍｍ×１７７．８ｍｍ、厚さ６ｍｍの焼結体に加工した。
【００６０】
このようにして得られた、焼結体と銅製のバッキングプレートとを１５６℃まで加熱した後、それぞれの接合面にインジウム半田を塗布した。次に、焼結体をバッキングプレートの所定の位置に配置した後、室温まで冷却し、ターゲットとした。
【００６１】
得られたターゲットを実施例１と同様の方法で５０時間スパッタリングを実施した。放電後のターゲットの外観写真の画像処理を行い、ノジュール発生量を調べた。その結果、ターゲット表面の５９％の部分にノジュールが発生した。その後、１５０ｍｍ角のガラス基板上に１５０ｎｍの厚さのＩＴＯ膜を形成し、基板に付着した金属インジウムからなる異物の数を調べた。１０枚のガラス基板上で、４個の異物が観察された。
【００６２】
比較例２
実施例１と同じ条件で酸化スズを１０重量％含む相対密度が９９．８％であるＩＴＯ焼結体を製造した。この焼結体を湿式加工法により１０１．６ｍｍ×１７７．８ｍｍ、厚さ６ｍｍの焼結体に加工した。
【００６３】
このようにして得られた、焼結体と銅製のバッキングプレートとを１５６℃まで加熱した後、それぞれの接合面にインジウム半田を塗布した。次に、焼結体をバッキングプレートの所定の位置に配置した後、室温まで冷却し、ターゲットとした。
【００６４】
次に、接合部の側面のインジウム半田材が露出した部分の全周に渡って、スズを１０重量％含有し、１４９℃まで加熱したインジウム−スズ合金（融点：約１４５℃）を塗布した後、室温まで冷却してＩＴＯターゲットを得た。
【００６５】
得られたターゲットを実施例１と同様の方法で５０時間スパッタリングを実施した。放電後のターゲットの外観写真の画像処理を行い、ノジュール発生量を調べた。その結果、ターゲット表面の１２％の部分にノジュールが発生したにすぎなかった。その後、１５０ｍｍ角のガラス基板上に１５０ｎｍの厚さのＩＴＯ膜を形成し、基板に付着した金属インジウムからなる異物の数を調べた。１０枚のガラス基板上で、８個の異物が観察された。
【００６６】
比較例３
実施例４と同じ条件にて酸化スズを１０重量％含有した相対密度が９９．８％であるＩＴＯ焼結体を２枚得た。次に、実施例１と同じ方法で２枚のターゲット材を銅製のバッキングプレートに並べて接合し、ＩＴＯターゲットを得た。分割部の幅は０．５ｍｍとした。
【００６７】
得られたターゲットを実施例１と同様の方法で５０時間スパッタリングを実施した。放電後のターゲットの外観写真の画像処理を行い、ノジュール発生量を調べた。その結果、ターゲット表面の５９％の部分にノジュールが発生した。その後、１５０ｍｍ角のガラス基板上に１５０ｎｍの厚さのＩＴＯ膜を形成し、基板に付着した金属インジウムからなる異物の数を調べた。１０枚のガラス基板上で、６個の異物が観察された。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
透明導電性薄膜を歩留りよく製造することが可能なＩＴＯスパッタリングターゲットを提供することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１  直流電源
２  ＩＴＯ焼結体
３  バッキングプレート
４  インジウム半田材
５  不織布
６  銅板
７  カプトンテープ
８  加熱板
【図１】
2011190527.tif 000002
【図２】
2011190527.tif 000003
【図３】
2011190527.tif 000004
【図４】
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