(57)【要約】【課題】基板の面内温度を均一にすることができる基板載置機構を提供すること。【解決手段】基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、基板Ｇを載置する基板載置台８６と、基板載置台８６を介して基板Ｇを加熱するヒーター８７と、基板Ｇの端部を支持し、基板Ｇを基板載置台８６に載置させる第１の位置と、基板載置台８６から上昇した第２の位置との間で昇降可能な基板昇降部材８８と、基板昇降部材８８を昇降させる昇降機構９３，９４，９５，９６，９７とを具備し、基板昇降部材８８は、第１の位置において基板載置台８６の一部として機能する。【選択図】図３
2011035199.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置する基板載置台と、
前記基板載置台を介して基板に熱または冷熱を与える熱源と、
基板の端部を支持し、基板を前記基板載置台に載置させる第１の位置と、前記基板載置台から上昇した第２の位置との間で昇降可能な基板昇降部材と、
前記基板昇降部材を昇降させる昇降機構と
を具備し、
前記基板昇降部材は、前記第１の位置において前記基板載置台の一部として機能することを特徴とする基板載置機構。
【請求項２】
前記基板昇降部材が前記第１の位置にある状態で、前記基板載置台の上面と前記基板昇降部材の基板支持部の上面とが同一高さであることを特徴とする請求項１に記載の基板載置機構。
【請求項３】
前記基板昇降部材は、基板載置台の内側に突出する突出部を有し、その突出部が基板支持部として機能することを特徴とする請求項２に記載の基板載置機構。
【請求項４】
前記基板昇降部材は多数の突出部を有する櫛形をなすことを特徴とする請求項３に記載の基板載置機構。
【請求項５】
前記昇降機構は、前記基板昇降部材に係止した状態で前記基板昇降部材を昇降させる係止部材を有し、前記基板昇降部材が前記第１の位置に位置された状態で、前記係止部材は前記基板昇降部材から離間することを特徴とする請求項３または請求項４に記載の基板載置機構。
【請求項６】
前記基板昇降部材は、前記係止部材が係止する位置に空洞を有し、前記基板昇降部材が前記第１の位置に位置された状態で、前記係止部材は前記基板昇降部材から離間し、前記空洞内に位置していることを特徴とする請求項５に記載の基板載置機構。
【請求項７】
前記基板昇降部材において、前記空洞は、前記突出部から離れた位置に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の基板載置機構。
【請求項８】
前記熱源は、前記基板載置台に設けられたヒーターを有することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板載置機構。
【請求項９】
基板を収容する容器と、
前記容器内で基板を載置する基板載置台を有する請求項１から請求項８のいずれかの基板載置機構と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板載置機構を複数有し、複数の基板を一括して処理することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段をさらに具備することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）や太陽電池等の基板を載置する基板載置機構およびそのような基板載置機構に基板を載置した状態で基板に対して所定の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＰＤや太陽電池等の基板の製造過程においては、成膜処理、エッチング処理、加熱処理のような種々の処理が行われるが、このような処理は、通常、チャンバ内に基板載置台を設け、その上に基板を載置して処理を行う基板処理装置を用いて行われる。
【０００３】
この種の基板処理装置においては、基板載置台に設けられた孔にリフトピンを挿通し、このリフトピンを突出退入させることにより基板載置台に対する基板の授受を行っている（例えば、特許文献１）。具体的には、基板を基板載置台に載置する際には、リフトピンを突出した状態として、搬送アームからリフトピン上に基板を受け取り、リフトピンを降下させて基板載置台の中に退入させることにより載置し、基板を搬出する際には、基板載置台上の基板をリフトピンを突出させることにより持ち上げ、搬送アームに受け渡す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３４４６７５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような基板処理のうち、例えば成膜処理や加熱処理では、基板載置台にヒーターを設け、基板を加熱しながら行うが、基板載置台にリフトピンを挿通する孔が形成されているため、その部分では基板が基板載置台に直接接触されておらず、基板載置台に直接接触している部分との間で与えられる熱量が異なってしまう。そのため、基板面内において温度が不均一になってしまう。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、基板の面内温度を均一にすることができる基板載置機構およびそれを用いた基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台を介して基板に熱または冷熱を与える熱源と、基板の端部を支持し、基板を前記基板載置台に載置させる第１の位置と、前記基板載置台から上昇した第２の位置との間で昇降可能な基板昇降部材と、前記基板昇降部材を昇降させる昇降機構とを具備し、前記基板昇降部材は、前記第１の位置において前記基板載置台の一部として機能することを特徴とする基板載置機構を提供する。
【０００８】
上記第１の観点において、前記基板昇降部材が前記第１の位置にある状態で、前記基板載置台の上面と前記基板昇降部材の基板支持部の上面とが同一高さであることが好ましい。また、前記基板昇降部材は、基板載置台の内側に突出する突出部を有し、その突出部が基板支持部として機能するようにすることができる。この場合に、前記基板昇降部材は多数の突出部を有する櫛形をなすものであることが好ましい。
【０００９】
前記昇降機構は、前記基板昇降部材に係止した状態で前記基板昇降部材を昇降させる係止部材を有し、前記基板昇降部材が前記第１の位置に位置された状態で、前記係止部材は前記基板昇降部材から離間するように構成することができる。この場合に、前記基板昇降部材は、前記係止部材が係止する位置に空洞を有し、前記基板昇降部材が前記第１の位置に位置された状態で、前記係止部材は前記基板昇降部材から離間し、前記空洞内に位置しているように構成することができる。前記基板昇降部材において、前記空洞は、前記突出部から離れた位置に設けることができる。
【００１０】
前記熱源としては、前記基板載置台に設けられたヒーターを用いることができる。
【００１１】
本発明の第２の観点では、基板を収容する容器と、前記容器内で基板を載置する基板載置台を有する上記第１の観点の基板載置機構とを具備することを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１２】
上記第２の観点において、前記基板載置機構を複数有し、複数の基板を一括して処理するものとすることができる。また、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段をさらに具備するものとすることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板の端部を支持して昇降し、基板を前記基板載置台に載置させる第１の位置において基板載置台の一部をなす基板昇降部材を用いたので、基板が基板載置台に載置された際に、基板の基板昇降部材に支持されている部分も、基板載置台に支持されている部分とほぼ同様に熱源からの熱または冷熱が供給され、基板の面内で温度の不均一が生じることが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係る予備加熱室（基板処理装置）が搭載された基板処理システムを概略的に示す平面図。
【図２】図１の基板処理システムの基板搬送装置を示す概略図。
【図３】図１の基板処理システムの予備加熱室（基板処理装置）を示す垂直断面図。
【図４】図１の基板処理システムの予備加熱室（基板処理装置）を示す水平断面図。
【図５】予備加熱室に用いられた基板載置機構の要部を示す断面図。
【図６】予備加熱室に用いられた基板載置機構の要部を示す平面図。
【図７】基板を基板載置台に載置する動作を説明するための概略断面図。
【図８】基板を基板載置台から搬送する動作を説明するための概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。参照する図面全てにわたり、同一の部分については同一の参照符号を付す。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板載置機構を備えた予備加熱室（基板処理装置）が搭載された基板処理システムを概略的に示す平面図である。この基板処理システム１は、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のようなＦＰＤ用ガラス基板として用いられる矩形基板に対し所定の膜を成膜する成膜システムとして構成されている。
【００１６】
図１に示すように、基板処理システム１は、共通搬送室１０と、この共通搬送室１０に接続された基板Ｇを予備加熱する予備加熱処理装置を構成する予備加熱室２０、基板Ｇに所定の膜を成膜するための成膜装置を構成する処理室３０ａ、３０ｂ、および大気側に配置された基板収容容器（図示せず）と真空に保持された共通搬送室１０との間で基板Ｇを交換するロードロック室４０と、共通搬送室１０内に設けられた、基板Ｇを搬送する基板搬送装置５０とを備えている。共通搬送室１０は平面形状が矩形状をなし、予備加熱室２０、処理室３０ａ、３０ｂ、ロードロック室４０は、共通搬送室１０の各側面に、それぞれゲートバルブ６１，６２ａ，６２ｂ，６３を介して接続されている。また、ロードロック室４０の大気側にはゲートバルブ６４が設けられている。なお、本例においては共通搬送室１０の平面形状は矩形状として構成されるが、共通搬送室１０の平面形状を多角形、例えば六角形あるいは八角形に構成し、予備加熱室、処理室あるいはロードロック室を追加した構成にしてもよい。
【００１７】
本例においては、共通搬送室１０、予備加熱室２０、処理室３０ａ、３０ｂは真空チャンバとして構成され、所定の減圧雰囲気に保持されるようになっている。また、真空予備室であるロードロック室４０は、大気側に配置された基板収容容器（図示せず）と、真空に保持された共通搬送室１０との間で基板Ｇを交換するためのものであり、大気雰囲気と減圧雰囲気との間で切り替え可能となっている。
【００１８】
この基板処理システム１は、一度に複数枚、例えば３枚の基板Ｇを高さ方向に水平に載置して処理するように構成されており、外部の基板収容容器から図示しない大気側搬送装置によりゲートバルブ６４を介してロードロック室４０に複数枚の基板Ｇが搬入され、搬入された基板Ｇはロードロック室４０からゲートバルブ６３を介して共通搬送室１０へ、この共通搬送室１０からゲートバルブ６１を介して予備加熱室２０へ、この予備加熱室２０からゲートバルブ６２ａまたは６２ｂを介して処理室３０ａまたは３０ｂへと搬送される。そして、処理室３０ａまたは３０ｂにおいて処理が終了した基板Ｇは、処理室３０ａまたは３０ｂからゲートバルブ６２ａまたは６２ｂを介して共通搬送室１０へ、この共通搬送室１０からゲートバルブ６３を介してロードロック室４０へと搬送され、処理が終了した基板Ｇがロードロック室４０から搬出される。なお、本例においては、処理室３０ａおよび処理室３０ｂは同一の成膜処理を行う処理室であるが、異なる成膜処理を行う処理室として構成してもよい。すなわち、処理室３０ａにおいて第一成膜工程を処理し、引き続き行われる第二成膜工程を処理室３０ｂにおいて連続して処理するという構成でもよい。
【００１９】
基板搬送装置５０は、共通搬送室１０と、予備加熱室２０、処理室３０ａ，３０ｂ、およびロードロック室４０との相互間で複数枚、例えば３枚の基板Ｇを一括して搬送するためのものであり、図２に示すように、垂直方向に配列された３つの基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃが旋回可能なベース部材５２上を直線走行可能に構成されており、これによる進出退避動作および旋回動作により予備加熱室２０、処理室３０ａ，３０ｂ、およびロードロック室４０にアクセス可能となっている。なお、符号５３は、ベース部材５２の旋回動作を実現するための駆動系である。
【００２０】
基板処理システム１の各構成部は、制御部（コンピュータ）７０により制御される。制御部７０はマイクロプロセッサを備えたプロセスコントローラ７１を有しており、このプロセスコントローラ７１には、オペレータが基板処理システム１を管理するためのコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理システム１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース７２と、基板処理システム１で実行される各種処理をプロセスコントローラ７１の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理システム１に所定の処理を実行させるための制御プログラムやレシピが格納された記憶部７３とが接続されている。記憶部７３は記憶媒体を有しており、レシピ等はその記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。レシピ等は、必要に応じてユーザーインターフェース７２からの指示等にて記憶部７３から読み出し、プロセスコントローラ７１に実行させることで、プロセスコントローラ７１の制御下で、基板処理システム１での所望の処理が行われる。
【００２１】
以上のように構成される基板処理システム１においては、まず、ゲートバルブ６４を開けて大気側基板搬送装置（図示せず）により複数枚、例えば３枚の未処理の基板Ｇを大気雰囲気のロードロック室４０に搬入し、ゲートバルブ６４を閉じてロードロック室４０内を減圧雰囲気とする。そして、ゲートバルブ６３を開け、基板搬送装置５０の基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを一括してロードロック室４０内に進出させ、ロードロック室４０内に搬入された未処理の基板Ｇを受け取る。次いで、基板搬送装置５０の基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを共通搬送室１０に退避させ、ゲートバルブ６３を閉じる。次いで、基板搬送装置５０のベース部材５２を旋回させ、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを予備加熱室２０に相対するようにさせる。次いで、ゲートバルブ６１を開け、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを予備加熱室２０に進出させ、未処理の基板Ｇを予備加熱室２０へ搬送する。次いで、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを共通搬送室１０に退避させ、ゲートバルブ６１を閉じた後、予備加熱室２０にて基板Ｇの予備加熱を開始する。予備加熱が終了したら、ゲートバルブ６１を開け、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを予備加熱室２０に進出させ、予備加熱済みの基板Ｇを受け取る。次いで、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを共通搬送室１０に退避させ、ゲートバルブ６１を閉じる。次いで、ベース部材５２を旋回させ、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを処理室３０ａまたは３０ｂに相対するようにさせる。次いで、ゲートバルブ６２ａまたは６２ｂを開け、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを処理室３０ａまたは３０ｂに進出させ、予備加熱済みの基板Ｇを処理室３０ａまたは３０ｂへ搬送する。次いで、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを共通搬送室１０に退避させ、ゲートバルブ６２ａまたは６２ｂを閉じ、処理室３０ａまたは３０ｂにおける処理を開始する。処理が終了したら、ゲートバルブ６２ａまたは６２ｂを開け、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを処理室３０ａまたは３０ｂに進出させ、処理済みの基板Ｇを受け取る。次いで、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを共通搬送室１０に退避させ、ゲートバルブ６２ａまたは６２ｂを閉じる。次いで、ベース部材５２を旋回させ、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃをロードロック室４０に相対するようにさせる。次いで、ゲートバルブ６３を開け、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃをロードロック室４０に進出させ、処理済みの基板Ｇをロードロック室４０へ搬送する。次いで、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを共通搬送室１０に退避させ、ゲートバルブ６３を閉じ、ロードロック室４０内を大気雰囲気にする。この後、ゲートバルブ６４を開けて大気側基板搬送装置（図示せず）により処理済みの基板Ｇをロードロック室４０から搬出する。
【００２２】
次に、予備加熱室（基板処理装置）２０について詳細に説明する。図３は予備加熱室２０を示す垂直断面図、図４はその水平断面図である。
【００２３】
予備加熱室２０は、容器８１を有し、容器８１の側壁には真空に保持された共通搬送室１０と連通可能な開口８２が設けられている。そして、開口８２はゲートバルブ６１により開閉可能となっている。
【００２４】
容器８１内には、３枚の基板Ｇを載置して加熱するための３つの基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃが垂直方向に所定の間隔をおいて配置されている。
【００２５】
基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、平面形状が基板Ｇに対応する矩形状をなし、基板Ｇが載置される金属製の基板載置台８６を有し、基板載置台８６の中にはヒーター８７が埋設されている。そして、図示しない電源からヒーター８７に給電されることによりヒーター８７が発熱し、基板載置台８６上の基板Ｇが所定温度に加熱されるようになっている。また、基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃには、基板載置台８６の上部の両方の長辺端部に、櫛形をなし基板Ｇを支持して昇降させる一対の基板昇降部材８８が基板載置台８６に載置された状態で基板載置台８６の一部をなすように設けられている。そして、基板昇降部材８８の上面と基板載置台８６の上面とは同一高さの面を構成している。なお、本例においては基板載置台８６を金属製としたが、セラミックス製としてもよい。
【００２６】
基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃの基板載置台８６は、連結部材８９により垂直に延びる複数のフレーム９０に連結されている。フレーム９０は、容器８１の底部に取り付けられている。
【００２７】
基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃの各基板昇降部材８８は、図４に示すように、２個ずつの係止棒９３に係止されるようになっており、これら係止棒９３は連結部材９４に連結されている。そして、３段に配置された基板昇降部材８８に対応する２つの連結部材９４の各々は、垂直方向に延びる２本の連結シャフト９５にそれぞれ連結されている。両側２本ずつ合計４本の連結シャフト９５は容器８１の底部を突き抜けて下方に延びており、水平に設けられた支持プレート９６に支持されている。そして、支持プレート９６は２つのシリンダ機構９７により昇降可能となっており、この支持プレート９６の昇降にともなって、基板昇降部材８８が昇降するようになっている。
【００２８】
基板昇降部材８８は、図５に示すように、係止棒９３の挿入部分に空洞８８ａが設けられており、基板昇降部材８８が上昇していない基準位置にある場合には、図５（ａ）に示すように、基板昇降部材８８が基板載置台８６に載置された状態であり、係止棒９３は基板昇降部材８８に接触せずに空洞８８ａ内に位置している。一方、基板昇降部材８８を上昇させる際には、図５（ｂ）空洞８８ａの上面に係止棒９３が係止された状態となる。また、図６に示すように、櫛形をなす基板昇降部材８８は、基板載置台８６の内側へ突出する複数の突出部８８ｂにより基板Ｇを支持するようになっており、基板Ｇを支持する面積を極力小さくするようになっている。なお、空洞８８ａは基板Ｇを支持する突出部８８ｂとは離れた位置に設けられている。
【００２９】
なお、容器８１の底部には、連結シャフト９５が挿通する孔が設けられており、それら孔には図示しないシール機構が設けられており、連結シャフト９５部は気密状態で昇降可能となっている。
【００３０】
容器８１の側面にはガス導入口１０１が形成されており、そこにガス供給配管１０２が接続されている。このガス供給配管１０２は圧力調整ガス供給源１０３に接続されている。ガス供給配管１０２にはガス流量を制御するマスフローコントローラ１０４と、その前後の開閉バルブ１０５とが設けられている。そして、圧力調整ガス供給源１０３からガス供給配管１０２を介して容器８１内にＡｒガス、Ｎ２ガス等の圧力調整ガスが供給されるようになっている。
【００３１】
容器８１の側壁下部には容器８１内を排気するための排気口１２１が設けられており、この排気口１２１には排気配管１２２が接続されている。排気配管１２２には自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）１２３と排気装置１２４が設けられており、自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）１２３により容器８１内の圧力を制御しつつ排気装置１２４により容器８１内が所定の真空雰囲気にされる。
【００３２】
そして、容器８１内を所定の減圧雰囲気にした状態で、基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃのヒーター８７に給電して基板載置台８６上の基板Ｇを所定温度に加熱して予備加熱処理が行われる。
【００３３】
このように構成される予備加熱室２０においては、まず、ゲートバルブ６１を開いて、図７（ａ）に示すように、基板搬送装置５０の基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃに支持された基板Ｇを開口８２から搬入する。そして、図７（ｂ）に示すように、シリンダ機構９７により、基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃの基板昇降部材８８を上昇させ、基板載置台８６の上方へ突出した搬送位置において、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃから基板Ｇを基板昇降部材８８の突出部８８ｂ上に受け取る。そして、基板搬送装置５０の基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを共通搬送室１０に退避させた後に、図７（ｃ）に示すように、基板Ｇを支持した基板昇降部材８８を基板載置台８６上の処理位置に降下させる。この状態では基板昇降部材８８の上面の高さが基板載置台８６の上面の高さと同じとなり、基板昇降部材８８が基板載置台８６の一部となって、基板Ｇが基板載置台８６上に載置された状態となる。このとき、係止棒９３は基板昇降部材８８に接触せずに空洞８８ａ内に位置している。
【００３４】
次に、ゲートバルブ６１を閉じた後、容器８１内を排気装置１２４により排気し、必要に応じて圧力調整ガス供給源１０３から圧力調整ガスを容器８１内に導入することにより、容器８１内を所定の減圧雰囲気とする。そして、ヒーター８７により加熱された基板載置台８６によりその上の基板Ｇを所定温度に加熱し、基板Ｇに対して予備加熱処理を施す。
【００３５】
予備加熱処理が終了した後、図８（ａ）に示すように、シリンダ機構９７により基板昇降部材８８を搬送位置まで上昇させる。これにより、基板Ｇが基板昇降部材８８に支持された状態で搬送位置まで上昇される。そして、図８（ｂ）に示すように、ゲートバルブ６１を開け、基板搬送装置５０の基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを容器８１内に進入させ、基板Ｇの下方へ挿入させる。次いで、図８（ｃ）に示すように、基板昇降部材８８を下降させ、基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃ上に基板昇降部材８８上の処理後の基板Ｇを受け渡す。その後、処理後の基板Ｇを受け取った基板支持アーム５１ａ，５１ｂ，５１ｃを共通搬送室１０内に退避させ、ゲートバルブ６１を閉じる。以上により１回の基板Ｇの予備加熱処理の動作が完了する。
【００３６】
本実施形態によれば、従来のように基板Ｇの搬送のために載置台本体に孔を設けてリフトピンを挿通するのではなく、基板Ｇの端部を支持して昇降し下降状態で基板載置台８６の一部をなす基板昇降部材８８を用いたので、基板Ｇが基板載置台８６に載置された際に、基板Ｇの基板昇降部材８８に支持されている部分も、基板載置台８６に支持されている部分とほぼ同様にヒーター８７により加熱され、基板Ｇの面内で温度の不均一が生じることが抑制される。
【００３７】
また、基板昇降部材８８は櫛形に形成され、突出部８８ｂのみで基板Ｇを支持するので、基板Ｇの基板載置台８６に支持されている部分と熱的に異なる部分を極力小さくすることができ、基板Ｇの面内温度の均一性をより高めることができる。この場合に、熱的影響を一層少なくする観点から、突出部８８ｂの幅を基板Ｇを支持可能な範囲内で極力狭くすることが好ましい。
【００３８】
さらに、基板昇降部材８８が下降して処理位置にある状態では、係止棒９３が空洞８８ａ内にあって基板昇降部材８８に接触していないので、ヒーター８７から基板昇降部材８８に供給された熱が係止棒９３連結部材９４、連結シャフト９５を介して散逸することが防止される。このため、このような熱の散逸にともなう基板昇降部材８８の温度低下が生じないので、基板Ｇの面内温度の均一性を一層高めることができる。
【００３９】
さらにまた、空洞８８ａは基板昇降部材８８において実際に基板Ｇを支持する突出部８８ｂから離れた部分に設けられているため、空洞８８ａが基板Ｇへの熱伝達に悪影響を及ぼすことがない。
【００４０】
さらにまた、３枚の基板Ｇを一括して搬送し、予備加熱室２０により一括して予備加熱処理することができるので、処理効率を高めることができる。
【００４１】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、予備加熱室２０における基板に対する予備加熱処理を施すものについて示したが、これに限らず、基板載置台を介して基板を加熱する等の基板の熱的処理をともなうものであれば適用可能である。例えば、上記実施形態の処理室３０ａ、３０ｂは基板Ｇを加熱しながら成膜処理を行うものであるから、上記予備加熱室２０の基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃと同様の構成を有する基板載置台を設け、さらに基板載置台上の基板に成膜のための処理ガスを供給する処理ガス供給手段を設けたものを用いることができる。また、加熱に限らず基板に冷熱を供給するエッチング処理等の処理においても本発明を好適に用いることができる。この場合、ヒーター８７を冷熱を供給する熱源、例えばチラーに置き換えて実施することができる。さらに、上記実施形態では３枚の基板を一括して搬送し、処理する処理システムを示したが、これに限らず１枚であってもよいし、３枚以外の複数枚であってもよく、処理システムの形態についても図１のものに限らない。さらにまた、基板載置部材として櫛形のものを用いたが、基板を支持可能な限りこれに限るものではなく、種々の形状を採用することができる。
【符号の説明】
【００４２】
１…基板処理システム
１０…共通搬送室
２０…予備加熱室（基板処理装置）
３０ａ、３０ｂ…処理室
４０…ロードロック室
５０…基板搬送装置
５１ａ，５１ｂ，５１ｃ…基板支持アーム
６１，６２ａ，６２ｂ，６３…ゲートバルブ
７０…制御部
８１…容器
８４ａ，８４ｂ，８４ｃ…基板載置機構
８６…基板載置台
８７…ヒーター（熱源）
８８…基板昇降部材
８８ａ…空洞
８８ｂ…突出部
９３…係止棒（係止部材）
９５…シャフト
９７…シリンダ機構
１０２…ガス供給配管
１０３…圧力調整ガス供給源
Ｇ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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