(57)【要約】【課題】熱応力によって、流量の検出精度が低下することが抑制された流量センサを提供する。【解決手段】被検出流体の流量を測定するセンシング部を備えたセンサ部と、被検出流体が流れる流路内に、センサ部を設けるためのホルダと、センサ部をホルダに接着固定する接着部と、を備える流量センサであって、ホルダにおける、接着部が設けられた部位の剛性が、ホルダにおける、接着部が設けられていない部位の剛性と比べて、低い。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出流体の流量を測定するセンシング部を備えたセンサ部と、
前記被検出流体が流れる流路内に、前記センサ部を設けるためのホルダと、
前記センサ部を前記ホルダに接着固定する少なくとも１つの接着部と、を備える流量センサであって、
前記ホルダにおける、前記接着部が設けられた部位の少なくとも１つの剛性が、前記ホルダにおける、前記接着部が設けられていない部位の剛性と比べて、低いことを特徴とする流量センサ。
【請求項２】
前記ホルダにおける、前記接着部が設けられた部位の少なくとも一部の厚さが、前記ホルダにおける、前記接着部が設けられていない部位の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の流量センサ。
【請求項３】
前記ホルダにおける、前記接着部が設けられた部位の一部に、貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の流量センサ。
【請求項４】
前記接着部は、接着シートであることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の流量センサ。
【請求項５】
前記ホルダは、前記接着部が設けられる底部と、該底部の縁に沿って形成された、前記センサ部の周囲を囲む側壁部と、を有し、
前記センサ部は、半導体基板を有し、
前記センシング部は、前記半導体基板における前記底部との対向面の裏面側に形成されており、
前記半導体基板における前記センシング部の形成面と、前記側壁部の上面とが、平行となっていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の流量センサ。
【請求項６】
前記半導体基板における前記センシング部の形成面と、前記側壁部の上面とが、面一となっていることを特徴とする請求項５に記載の流量センサ。
【請求項７】
前記接着部と前記側壁部との間に、空間があることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の流量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検出流体の流量を測定するセンシング部を備えたセンサ部と、被検出流体が流れる流路内に、センサ部を設けるためのホルダと、センサ部をホルダに接着固定する接着部と、を備える流量センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１に示されるように、板状の検出素子と、該検出素子を所定の位置に設置するための収納部と、検出素子と収納部とを固着するためのダイボンド部と、を備える流量センサが提案されている。検出素子における被検出流体に晒される表面には、金属薄膜より成る発熱抵抗体と温度計測用抵抗体とが形成されており、被検出流体による発熱抵抗体の温度変化によって生じる、発熱抵抗体の抵抗変化に基づいて、流量が検出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３５５５０１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記したように、特許文献１に示される流量センサは、収納部、ダイボンド部、及び検出素子によって構成されるが、それぞれの形成材料は異なる。そのため、収納部とダイボンド部との線膨張係数差に起因する熱応力が、収納部とダイボンド部とで発生し、ダイボンド部と検出素子との線膨張係数差に起因する熱応力が、ダイボンド部と検出素子とで発生する。この熱応力が、検出素子に印加されると、ピエゾ効果によって、検出素子に形成された発熱抵抗体の抵抗が変動して、流量の検出精度が低下する虞がある。
【０００５】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、熱応力によって、流量の検出精度が低下することが抑制された流量センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記した目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、被検出流体の流量を測定するセンシング部を備えたセンサ部と、被検出流体が流れる流路内に、センサ部を設けるためのホルダと、センサ部をホルダに接着固定する少なくとも１つの接着部と、を備える流量センサであって、ホルダにおける、接着部が設けられた部位の少なくとも１つの剛性が、ホルダにおける、接着部が設けられていない部位の剛性と比べて、低いことを特徴とする。
【０００７】
このように本発明によれば、ホルダにおける、接着部が設けられた部位の少なくとも１つの剛性が、ホルダにおける、接着部が設けられていない部位の剛性と比べて、低くなっている。これによれば、ホルダと接着部との線膨張係数差に起因する熱応力が接着部で発生し、接着部とセンサ部との線膨張係数差に起因する熱応力がセンサ部で発生したとしても、ホルダにおける接着部が設けられた部位が、その熱応力によって変形し易くなっているので、センサ部に印加される熱応力が小さくなる。この結果、熱応力によって、流量の検出精度が低下することが抑制される。
【０００８】
なお、請求項１に記載したように、ホルダにおける、接着部が設けられた部位の剛性が、ホルダにおける、接着部が設けられていない部位の剛性と比べて低い構成としては、例えば、請求項２又は請求項３に記載の構成を採用することができる。請求項２では、ホルダにおける、接着部が設けられた部位の少なくとも一部の厚さが、ホルダにおける、接着部が設けられていない部位の厚さよりも薄い構成となっており、請求項３では、ホルダにおける、接着部が設けられた部位の一部に、貫通孔が形成された構成となっている。
【０００９】
請求項４に記載のように、接着部としては、接着シートを採用することができる。これによれば、例えば、請求項３に記載のように、ホルダにおける、接着部が設けられた部位の一部に、貫通孔が形成された構成においても、接着部が、貫通孔から落ちることが抑制される。また、接着部が、液状の接着剤が固化して成る構成とは異なり、接着部の形成時に、接着剤が塗れ広がることが抑制される。これにより、予期していない部位が接着部によって機械的に接続されることが抑制される。
【００１０】
請求項５に記載のように、ホルダは、接着部が設けられる底部と、該底部の縁に沿って形成された、センサ部の周囲を囲む側壁部と、を有し、センサ部は、半導体基板を有し、センシング部は、半導体基板における底部との対向面の裏面側に形成されており、半導体基板におけるセンシング部の形成面と、側壁部の上面とが、平行となっている構成が好ましい。
【００１１】
例えば、接着部が被検出流体に含まれる水分を吸収して膨張すると、センサ部の底部に対する設置角度が変化して、センサ部に当たる被検出流体の角度が変化する。その結果、センシング部の近くで乱流が発生し、流量の検出精度が低下する虞がある。
【００１２】
これに対して、請求項５に記載の発明では、接着部が、被検出流体に含まれる水分によって膨張した場合においても、ホルダにおける接着部が設けられた部位が、その膨張に応じて変形し易くなっているので、センサ部のホルダに対する設置角度が変化することが抑制される。この結果、センサ部と側壁部との平行性が規定され、センシング部の近くで乱流が発生することが抑制される。
【００１３】
請求項６に記載のように、半導体基板におけるセンシング部の形成面と、側壁部の上面とが、面一となった構成が好ましい。例えば、半導体基板の形成面が、側壁部の上面よりも低い場合、形成面に被検出流体が流れ難くなる、という不具合が生じる。これとは反対に、半導体基板の形成面が、側壁部の上面よりも高い場合、半導体基板の側壁に、被検出流体が衝突し、センシング部の近くで乱流が発生する、という不具合が生じる。これらに対して、本発明では、半導体基板の形成面と側壁部の上面とが面一となっているので、上記した不具合が生じることが抑制される。
【００１４】
請求項７に記載のように、接着部と側壁部との間に、空間がある構成が良い。これによれば、接着部が、側壁部の方へ膨張することができるので、接着部の膨張によって、センサ部のホルダに対する設置角度が変動することが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態に係る流量センサの概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】第２実施形態に係る流量センサの概略構成を示す断面図である。
【図４】図３に示す貫通孔の配置を説明するための平面図である。
【図５】流量センサの変形例を示す断面図である。
【図６】流量センサの変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る流量センサの概略構成を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。なお、図１に示す白抜き矢印は、被検出流体の流れ方向を示しており、紙面上方が上流に相当し、紙面下方側が下流に相当する。また、図１においては、後述するメンブレン１２を破線で示し、後述する設置部３５を一点鎖線で示している。更に、図２においては、後述する本体部３１と整流部３２との境を、破線で示している。
【００１７】
図１に示すように、流量センサ１００は、要部として、被検出流体の流量を測定するセンサ部１０と、被検出流体が流れる流路内にセンサ部１０を設けるホルダ３０と、センサ部１０をホルダ３０に接着固定する接着部５０と、を有する。図２に示すように、センサ部１０の半導体基板１１が、接着部５０の固定部５１と規定部５２とを介して、ホルダ３０の整流部３２の底部３３に接着固定されている。そして、半導体基板１１の周囲が、整流部３２の側壁部３４によって囲まれて、半導体基板１１の一面１１ａと、側壁部３４の上面３４ａとが、面一となっている。
【００１８】
センサ部１０は、半導体基板１１と、該半導体基板１１の一面１１ａに形成されたセンシング部（図示略）と、を有する。センシング部は、金属薄膜から成る発熱抵抗体（図示略）と温度計測用抵抗体（図示略）とを有する。被検出流体によって、発熱抵抗体の温度が変化すると、それに伴って発熱抵抗体の抵抗も変化する。被検出流体の流量と温度の変化量とは比例し、温度の変化量と抵抗の変化量とは比例の関係にある。したがって、発熱抵抗体の抵抗変化を測定することで、流量を検出することができる。なお、一面１１ａが、特許請求の範囲に記載の形成面に相当する。
【００１９】
図１及び図２に示すように、半導体基板１１には、一面１１ａの裏面１１ｂが局所的に凹んで、局所的に厚さが薄くなったメンブレン１２が形成されている。メンブレン１２の一面１１ａ側に、上記したセンシング部が形成されており、このメンブレン１２によって、センシング部と半導体基板１１とが熱的に分離され、半導体基板１１の熱によって、発熱抵抗体や温度計測用抵抗体の温度（抵抗）が変動することが抑制されている。なお、上記したメンブレン１２は、半導体基板１１における接着部５０が接着される端部１３とは反対側の端部１４の一部を、異方性エッチングによって、裏面１１ｂから一面１１ａに向かって、部分的に除去することで形成される。
【００２０】
ホルダ３０は、本体部３１と、整流部３２と、を有する。本実施形態では、本体部３１と整流部３２とが、射出成形によって一体に形成されており、本体部３１から突き出した整流部３２が、流路内に配置されている。整流部３２は、底部３３と、底部３３におけるセンサ部１０が接着固定される上面３３ａの縁に沿って、センサ部１０の周囲を囲むように形成された側壁部３４と、を有する。
【００２１】
底部３３は平板状を成し、底部３３における接着部５０が設けられる設置部３５は、上面３３ａの裏面である下面３３ｂが局所的に凹んで、局所的に厚さが薄くなっている。これにより、設置部３５の剛性が、底部３３の他の部位よりも小さくなっており、底部３３の他の部位と比べて変形し易くなっている。
【００２２】
側壁部３４は環状を成し、側壁部３４の内側に、センサ部１０が設けられている。側壁部３４は、直方形状の４つの壁部によって構成されており、側壁部３４の上流側の壁部が、主として、センシング部に、流れの乱れた被検出流体が流れることを抑制する機能を果たす。
【００２３】
例えば、整流部３２が、上記した底部３３のみを有する場合、半導体基板１１における上流側の側面に被検出流体が衝突する。すると、その衝突によって、半導体基板１１の上流側で被検出流体の流れが乱れる。その流れの乱れた被検出流体がセンシング部に流れると、流量の検出精度が低下する虞がある。
【００２４】
これに対して、本実施形態で示したように、整流部３２が、底部３３と側壁部３４とを有する場合、側壁部３４における上流側の壁部に被検出流体が衝突する。すると、その衝突によって、側壁部３４の上流側の壁部で被検出流体の流れが乱れる。このように、整流部３２が、側壁部３４を有する場合においても、被検出流体の流れは乱れる。しかしながら、その流れの乱れる位置とセンシング部との距離が、側壁部３４の上流側の壁部の幅と、側壁部３４と半導体基板１１との間の隙間分、整流部３２が底部３３のみを有する構成よりも長くなる。その結果、側壁部３４の上流側の壁部で流れが乱れた被検出流体がセンシング部に到達するまでに、半導体基板１１の一面１１ａと面一とされた側壁部３４の上面３４ａで整流される。これにより、流れの乱れた被検出流体がセンシング部に流れることが抑制される。
【００２５】
接着部５０は、センサ部１０（半導体基板１１）をホルダ３０（底部３３）に接着固定するための固定部５１と、側壁部３４の上面３４ａと半導体基板１１の一面１１ａとの平行性（面一）を規定するための規定部５２と、を有する。固定部５１及び規定部５２それぞれは、平面形状が矩形とされた接着シートであり、半導体基板１１におけるメンブレン１２が形成された端部１４とは反対側の端部１３と、設置部３５との間に設けられている。固定部５１と規定部５２とは、所定距離離れて設けられており、これによって、半導体基板１１が、複数点で設置部３５に接着固定されている。また、図１に示すように、接着部５０（固定部５１及び規定部５２それぞれ）は、側壁部３４と接触しておらず、接着部５０と側壁部３４との間には、空間が形成されている。
【００２６】
次に、本実施形態に係る流量センサ１００の作用効果を説明する。上記したように、ホルダ３０の設置部３５は、局所的に厚さが薄くなっており、設置部３５の剛性が、底部３３の他の部位よりも小さくなっている。これにより、設置部３５が、底部３３の他の部位と比べて変形し易くなっている。これによれば、ホルダ３０と接着部５０との線膨張係数差に起因する熱応力が接着部５０で発生し、接着部５０とセンサ部１０（半導体基板１１）との線膨張係数差に起因する熱応力がセンサ部１０で発生したとしても、設置部３５が、その熱応力によって変形し易くなっているので、センサ部１０に印加される熱応力が小さくなる。この結果、熱応力によるピエゾ効果によって、センシング部の発熱抵抗体の抵抗が変動して、流量の検出精度が低下することが抑制される。
【００２７】
また、接着部５０が、被検出流体に含まれる水分によって膨張した場合においても、設置部３５が、その膨張に応じて変形し易くなっているので、センサ部１０のホルダ３０（底部３３）に対する設置角度が変化することが抑制される。すなわち、半導体基板１１の一面１１ａと側壁部３４の上面３４ａとの面一性が損なわれることが抑制される。この結果、面一性が損なわれたことによって、センシング部を流れる被検出流体の流れが乱れて、流量の検出精度が低下することが抑制される。
【００２８】
以上のようにして、線膨張係数差に起因する熱応力や、被検出流体の水分による接着部５０の膨張によって、流量の検出精度が低下することが抑制される。
【００２９】
本実施形態では、接着部５０が、固定部５１と、規定部５２と、を有し、これらによって、半導体基板１１が、複数点で設置部３５に接着固定されている。これによれば、線膨張係数差に起因する熱応力や、被検出流体の水分による接着部５０の膨張によって、センサ部１０のホルダ３０（底部３３）に対する設置角度が変化しようとした場合においても、センサ部１０が、複数点で設置部３５に接着固定されているので、半導体基板１１の一面１１ａと側壁部３４の上面３４ａとの面一性が損なわれることが抑制される。
【００３０】
本実施形態では、接着部５０（固定部５１及び規定部５２それぞれ）は、側壁部３４と接触しておらず、接着部５０と側壁部３４との間には、空間が形成されている。これによれば、接着部５０が、側壁部３４の方向へ自由に膨張することができるので、接着部５０における側壁部３４の方向への膨張によって、センサ部１０のホルダ３０に対する設置角度が変動すること、及び、半導体基板１１の一面１１ａと側壁部３４の上面３４ａとの面一性が損なわれることが抑制される。
【００３１】
なお、固定部５１及び規定部５２それぞれの体積は、等しい構成が好ましい。これによれば、固定部５１及び規定部５２それぞれの体積の膨張度合いが等しくなるので、半導体基板１１の一面１１ａと側壁部３４の上面３４ａとの平行性を保つことができる。
【００３２】
本実施形態では、接着部５０（固定部５１及び規定部５２それぞれ）が、接着シートである。これによれば、接着部５０が、液状の接着剤が固化されてなる構成とは異なり、接着部５０の形成時に、接着剤が塗れ広がることで、予期していない部位が接着部５０によって接続されることが抑制される。
【００３３】
本実施形態では、固定部５１及び規定部５２それぞれが、半導体基板１１におけるメンブレン１２が形成された端部１４とは反対側の端部１３と、設置部３５との間に設けられている。これによれば、固定部５１及び規定部５２それぞれが、半導体基板１１におけるメンブレン１２が形成された端部１４と、設置部３５との間に設けられた構成とは異なり、固定部５１及び規定部５２によって、メンブレン１２の近くを流れる被検出流体の流れを乱すことが抑制される。
【００３４】
なお、本実施形態では、規定部５２が、接着部５０の一部に含まれ、規定部５２によって、センサ部１０とホルダ３０とが接着固定される例を示した。しかしながら、規定部５２が、接着部５０の一部に含まれない構成を採用することもできる。例えば、規定部５２が、ホルダ３０に含まれる構成を採用することもできる。すなわち、規定部５２が、本体部３１と整流部３２と共に、射出成形によって一体に形成されても良い。この場合、規定部５２は、センサ部１０とホルダ３０とを機械的に接続する機能は果たさないが、接着部５０（固定部５１）と共に、センサ部１０を支持する機能を果たす。これによれば、固定部５１と規定部５２とによって、半導体基板１１が、複数点で設置部３５に支持されるので、線膨張係数差に起因する熱応力や、被検出流体の水分による接着部５０の膨張によって、半導体基板１１の一面１１ａと側壁部３４の上面３４ａとの面一性が損なわれることが抑制される。なお、この変形例の場合、規定部５２を、底部３３における設置部３５以外の部位に形成しても良い。
【００３５】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を、図３及び図４に基づいて説明する。図３は、第２実施形態に係る流量センサの概略構成を示す断面図であり、第１実施形態で示した図２に対応している。図４は、図３に示す貫通孔の配置を説明するための平面図である。なお、図４においては、貫通孔３６の配置を説明するために、センサ部１０と接着部５０とを省略している。
【００３６】
第２実施形態に係る流量センサ１００は、第１実施形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、第１実施形態に示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。
【００３７】
第１実施形態では、ホルダ３０の設置部３５が、局所的に厚さが薄くなっており、設置部３５の剛性が、底部３３の他の部位よりも小さくなっている例を示した。これに対し、本実施形態では、第１実施形態に係る流量センサ１００の設置部３５に、貫通孔３６が形成された点を特徴とする。この貫通孔３６は、図３及び図４に示すように、平面形状が矩形を成し、複数の貫通孔３６が、設置部３５に等間隔で形成されている。
【００３８】
これによれば、被検出流体に含まれる水分を吸収して膨張した接着部５０の一部が、貫通孔３６に入り込むので、接着部５０の膨張によって、センサ部１０のホルダ３０に対する設置角度が変化すること、すなわち、半導体基板１１の一面１１ａと側壁部３４の上面３４ａとの面一性が損なわれることが、第１実施形態で示した構成と比べてより効果的に抑制される。
【００３９】
また、設置部３５に貫通孔３６が形成されているので、設置部３５の剛性が、第１実施形態で示した構成と比べて、より小さくなっている。このように、設置部３５が、底部３３の他の部位と比べてより変形し易くなっているので、センサ部１０に印加される熱応力がより小さくなる。この結果、熱応力によるピエゾ効果によって、センシング部の発熱抵抗体の抵抗が変動して、流量の検出精度が低下することがより効果的に抑制される。
【００４０】
なお、本実施形態においても、固定部５１（接着部５０）が、接着シートとなっている。これによれば、本実施形態で示したように、設置部３５に貫通孔３６が形成された構成においても、接着部５０が、液状の接着剤が固化されてなる構成とは異なり、接着部５０が貫通孔３６から抜け落ちることが抑制される。
【００４１】
上記したように、本実施形態では、厚さが局所的に薄くなった設置部３５に、貫通孔３６が形成された例を示した。しかしながら、図５に示すように、設置部３５の厚さが底部３３の他の部位の厚さと同一の構成において、設置部３５に貫通孔３６が形成された構成を採用することもできる。これにおいても、被検出流体に含まれる水分を吸収して膨張した接着部５０の一部が、貫通孔３６に入り込むので、接着部５０の膨張によって、センサ部１０のホルダ３０に対する設置角度が変化することが抑制される。図５は、流量センサの変形例を示す断面図である。
【００４２】
また、図６に示すように、設置部３５の厚さが底部３３の他の部位の厚さと同一の構成において、設置部３５に、未貫通の貫通孔、すなわち、溝部３７が形成された構成を採用することもできる。図６では、溝部３７が、底部３３における上面３３ａが局所的に凹むように形成されている。これによれば、被検出流体に含まれる水分を吸収して接着部５０が膨張したとしても、その膨張した接着部５０の一部が溝部３７に入り込むので、接着部５０の膨張によって、センサ部１０のホルダ３０に対する設置角度が変化することが抑制される。更に言えば、接着部５０が、底部３３から外部に露出していないので、底部３３側の接着部５０に、被検出流体が接触することが抑制される。これにより、被検出流体に含まれる水分が接着部５０に吸収されることが抑制されるので、接着部５０が膨張することが抑制される。この結果、接着部５０の膨張によって、センサ部１０のホルダ３０に対する設置角度が変化することが抑制される。図６は、流量センサの変形例を示す断面図である。
【００４３】
なお、図２に示すように、第１実施形態に記載の構成においても、接着部５０が、底部３３から外部に露出していない。したがって、第１実施形態に記載の構成においても、底部３３側の接着部５０に、被検出流体が接触することが抑制される。これにより、被検出流体に含まれる水分が接着部５０に吸収されることが抑制されるので、接着部５０が膨張することが抑制される。この結果、接着部５０の膨張によって、センサ部１０のホルダ３０に対する設置角度が変化することが抑制される。
【００４４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００４５】
各実施形態では、設置部３５が１つの例を示した。しかしながら、設置部３５は、複数でも良い。
【００４６】
各実施形態では、設置部３５の形状を工夫することで、設置部３５の剛性が、底部３３の他の部位よりも小さい例を示した。しかしながら、例えば、ホルダ３０を、形成材料固有の剛性が異なる２種類の樹脂を２色成形して、ホルダ３０における、設置部３５の形成材料固有の剛性が、底部３３の他の部位の形成材料固有の剛性よりも低い構成とすることで、設置部３５の剛性が、底部３３の他の部位よりも小さい構成を実現することもできる。これによっても、線膨張係数差に起因する熱応力や、被検出流体の水分による接着部５０の膨張によって、流量の検出精度が低下することが抑制される。なお、この変形例において、各実施形態やその変形例で示したように、設置部３５の形状を工夫することで、設置部３５の剛性を更に低下して、底部３３の他の部位と比べてより変形し易くしてもよい。
【００４７】
各実施形態では、半導体基板１１の一面１１ａと、側壁部３４の上面３４ａとが、面一となっている例を示した。しかしながら、接着部５０の膨張による、一面１１ａの上下動を考慮して、一面１１ａにおける底部３３の上面３３ａからの高さが、上面３４ａにおける底部３３の上面３３ａからの高さよりも若干低い構成を採用しても良い。これによれば、接着部５０の膨張によって、一面１１ａにおける底部３３からの高さが、上面３４ａにおける底部３３からの高さよりも高くなることが抑制される。したがって、半導体基板１１の上流側の側面に被検出流体が衝突し、その衝突によって流れの乱れた被検出流体がセンシング部に流れることが抑制される。なお、この変形例においても、一面１１ａと上面３４ａとが平行となっている。
【００４８】
各実施形態では、固定部５１（接着部５０）が、接着シートである例を示した。しかしながら、接着部５０としては、上記例に限定されず、例えば、濡れ性が低下された接着剤を用いて形成しても良い。この接着剤の主な構成材料としては、エポキシ樹脂を採用することができる。
【００４９】
第１実施形態では、規定部５２の平面形状が、矩形である例を示した。しかしながら、規定部５２の形状としては、上記例に限定されず、例えば、円柱状を採用することができる。
【００５０】
また、この規定部５２を、第１実施形態に係る流量センサ１００のみが有する例を示した。しかしながら、規定部５２を、第２実施形態に係る流量センサ１００及びその変形例に示される流量センサ１００が有しても良い。
【符号の説明】
【００５１】
１０・・・センサ部
１１・・・半導体基板
１２・・・メンブレン
３０・・・ホルダ
３２・・・整流部
３３・・・底部
３４・・・側壁部
３５・・・設置部
３６・・・貫通孔
３７・・・溝部
５０・・・接着部
５１・・・固定部
５２・・・基底部
１００・・・流量センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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