(57)【要約】【課題】プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、照射範囲の制御可能な光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるラズマエッチング方法及び装置を提供する。【解決手段】プロセスチャンバの内部にプロセスガスを一定の流量で導入し、前記プロセスチャンバの内部の圧力を一定に保ち、電源により前記プロセスチャンバの内部に存在するガスを励起しプラズマを発生させ、被エッチング材をプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法において、前記プロセスチャンバの内部にガス分子の光解離をさらに誘起する光を光源から前記プロセスチャンバの内部に導入し、前記光は、前記光源と、チャンバへの導入口の間に備えられた光学系により、照射範囲を拡大、または縮小されることを特徴とするプラズマエッチング方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスチャンバの内部にプロセスガスを一定の流量で導入し、
前記プロセスチャンバの内部の圧力を一定に保ち、
電源により前記プロセスチャンバの内部に存在するガスを励起しプラズマを発生させ、
被エッチング材をプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法において、
前記プロセスチャンバの内部にガス分子の光解離をさらに誘起する光を光源から前記プロセスチャンバの内部に導入し、
前記光は、前記光源と、チャンバへの導入口の間に備えられた光学系により、照射範囲を拡大、または縮小される
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
前記光学系が、１つ以上のレンズを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項３】
前記光学系が、１つ以上の球面反射板を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項４】
前記光源はレーザ光を放射することを特徴とする請求項２または請求項３に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項５】
前記光源は波長可変な光を放射することを特徴とする請求項２または請求項３に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項６】
前記光源は波長可変なレーザ光を放射することを特徴とする請求項４に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項７】
前記電源はパルス制御でき、前記光源はパルスレーザであることを特徴とする請求項４または請求項６に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項８】
プロセスチャンバの内部にプロセスガスを一定の流量で導入するガス導入手段と、
前記プロセスチャンバの内部の圧力を一定に保つ圧力保持手段と、
電源により前記プロセスチャンバの内部に存在するガスを励起しプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
被エッチング材を前記プラズマによりエッチングするエッチング手段と、
前記プロセスチャンバの内部にガス分子の光解離をさらに誘起する光を光源から前記プロセスチャンバの内部に導入する光導入手段と、
前記光源と、チャンバへの導入口の間に、前記光の照射範囲を拡大、または縮小する光学系と
を具備することを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項９】
前記光学系が、１つ以上のレンズを含むことを特徴とする請請求項８に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１０】
前記光学系が、１つ以上の球面反射板を含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１１】
前記光源はレーザ光を放射することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１２】
前記光源は波長可変な光を放射することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１３】
前記光源は波長可変なレーザ光を放射することを特徴とする請求項１１に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１４】
前記ガスを励起し前記プラズマを発生させる前記電源はパルス制御でき、かつ、前記光源はパルスレーザであることを特徴とする請求項１１または請求項１３に記載のプラズマエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造及びＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）製造等におけるプラズマエッチング方法及び装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマエッチング方法及び装置は、基板上に微細な凹凸形状を形成するために用いられる。気体分子を電力などの印加により励起することで生成することのできるプラズマ中には、中性分子のほか、ラジカルと呼ばれる反応性の高い状態にある原子、もしくは分子や、中性分子が電離して生じる電子や、正イオンなどが存在する。
【０００３】
プラズマ中のラジカルや正イオンと基板表面物質とが化学反応などを起こすことで、基板表面から反応を生じた部分が脱離する。以下、これをエッチング反応と記す。
【０００４】
基板上に樹脂などによる保護膜に覆われた部分と、基板表面が露出している部分を形成し、基板表面物質とエッチング反応を生じる物質を含むプラズマに晒した後、保護膜を除去すれば、エッチング反応により表面物質の一部が脱離した部分と、保護膜により保護されていた部分からなる、基板上の凹凸形状が形成できる。
【０００５】
プラズマを発生させる際には、ある一定の圧力に保たれた空間に対し、外力を印加し、空間内の中性分子を電離させ、さらに発生した電子を加速するなどして、電離、解離、イオン化などを繰り返し発生させる必要がある。
【０００６】
この時、印加する外力が非常に強ければ、電離して発生する電子のエネルギーは非常に大きくなるため、空間内に存在する中性分子は電子との衝突を繰り返すことにより、細分化される。したがって、エッチング反応手段を考慮した上で、チャンバ内に封入するガス種や、外部から印加する力を制御することが重要となる。
【０００７】
また、プラズマを用いたエッチングでは、数百ミクロンの高さの溝を形成する場合がある。その代表例として、ＭＥＭＳ製造プロセス等に用いられる、ケイ素基板の深堀エッチング技術がある。ケイ素はフッ素原子と非常に反応性が高く、そのためフッ素の供給源として代表的なＳＦ６をプロセスガスとして選択し、プラズマエッチングをすると、非常に高速でエッチングが進行することが知られている。
【０００８】
しかしながら、ＳＦ６ガスプラズマによるケイ素のエッチングは、自発的なエッチング反応の進行が支配的であり、エッチングが等方的に進行してしまうことから、ＳＦ６ガスのみでのプロセスでは、高アスペクト比の形状を形成するのが困難である。
【０００９】
そこで、フッ素によるエッチングステップ（以下エッチングステップと記述）と、重合体による凹凸形状の側壁保護（以下デポジッションステップと記述）を繰り返し行うことで、等方的なエッチングの進行を防ぎ、非常に深い溝を形成するプロセスが発案された（特許文献１参照）。
【００１０】
現在、ケイ素の異方性深堀エッチングとして代表的な方法は、ボッシュ法と呼ばれる方法であり、エッチングステップにＳＦ６を、デポジッションステップにＣＨＦ３やＣ４Ｆ８をそれぞれメインプロセスガスとして採用している。
【００１１】
しかしながら、ボッシュ法においては、エッチングステップ、及びデポジッションステップを短時間で繰り返し、そのたびにプロセスガスを入れ換えなくてはならず、そのためプラズマが不安定な時間が多く、制御が困難であるという問題がある。
【００１２】
また、このようなボッシュ法にかかわらず、基板表面と反応するラジカル種やイオン種を効率的に生成することが、他のラジカル種、イオン種の生成反応と競合してしまい、困難になってしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特表平７−５０３８１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、基板のエッチングに対して効果的なラジカル種又はイオン種の密度を制御することにより、エッチングに対して有効なプラズマを生成して効果的なエッチング加工を行うことができるプラズマエッチング方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の請求項１に係る発明は、プロセスチャンバの内部にプロセスガスを一定の流量で導入し、前記プロセスチャンバの内部の圧力を一定に保ち、電源により前記プロセスチャンバの内部に存在するガスを励起しプラズマを発生させ、被エッチング材をプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法において、前記プロセスチャンバの内部にガス分子の光解離をさらに誘起する光を光源から前記プロセスチャンバの内部に導入し、前記光は、前記光源と、チャンバへの導入口の間に備えられた光学系により、照射範囲を拡大、または縮小されることを特徴とするプラズマエッチング方法としたものである。
【００１６】
本発明の請求項２に係る発明は、前記光学系が、１つ以上のレンズを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマエッチング方法としたものである。
【００１７】
本発明の請求項３に係る発明は、前記光学系が、１つ以上の球面反射板を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマエッチング方法としたものである。
【００１８】
本発明の請求項４に係る発明は、前記光源はレーザ光を放射することを特徴とする請求項２または請求項３に記載のプラズマエッチング方法としたものである。
【００１９】
本発明の請求項５に係る発明は、前記光源は波長可変な光を放射することを特徴とする請求項２または請求項３に記載のプラズマエッチング方法としたものである。
【００２０】
本発明の請求項６に係る発明は、前記光源は波長可変なレーザ光を放射することを特徴とする請求項４に記載のプラズマエッチング方法としたものである。
【００２１】
本発明の請求項７に係る発明は、前記電源はパルス制御でき、前記光源はパルスレーザであることを特徴とする請求項４または請求項６に記載のプラズマエッチング方法としたものである。
【００２２】
本発明の請求項８に係る発明は、プロセスチャンバの内部にプロセスガスを一定の流量で導入するガス導入手段と、前記プロセスチャンバの内部の圧力を一定に保つ圧力保持手段と、電源により前記プロセスチャンバの内部に存在するガスを励起しプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、被エッチング材を前記プラズマによりエッチングするエッチング手段と、前記プロセスチャンバの内部にガス分子の光解離をさらに誘起する光を光源から前記プロセスチャンバの内部に導入する光導入手段と、前記光源と、チャンバへの導入口の間に、前記光の照射範囲を拡大、または縮小する光学系とを具備することを特徴とするプラズマエッチング装置としたものである。
【００２３】
本発明の請求項９に係る発明は、前記光学系が、１つ以上のレンズを含むことを特徴とする請請求項８に記載のプラズマエッチング装置としたものである。
【００２４】
本発明の請求項１０に係る発明は、前記光学系が、１つ以上の球面反射板を含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマエッチング装置としたものである。
【００２５】
本発明の請求項１１に係る発明は、前記光源はレーザ光を放射することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のプラズマエッチング装置としたものである。
【００２６】
本発明の請求項１２に係る発明は、前記光源は波長可変な光を放射することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のプラズマエッチング装置としたものである。
【００２７】
本発明の請求項１３に係る発明は、前記光源は波長可変なレーザ光を放射することを特徴とする請求項１１に記載のプラズマエッチング装置としたものである。
【００２８】
本発明の請求項１４に係る発明は、前記ガスを励起し前記プラズマを発生させる前記電源はパルス制御でき、かつ、前記光源はパルスレーザであることを特徴とする請求項１１または請求項１３に記載のプラズマエッチング装置としたものである。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、プロセスチャンバの内部にガス分子の光解離をさらに誘起する光をプロセスチャンバの設計に応じた照射範囲を定めたのち、プロセスチャンバ内部に導入するため、基板のエッチングに対して効果的なラジカル種又はイオン種の密度をプロセスチャンバの設計に応じた範囲で制御することにより、エッチングに対して有効なプラズマを生成して効果的なエッチング加工を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施の形態１に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。
【図２】本発明の実施の形態２に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。
【図３】本発明の実施の形態３に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。
【図４】本発明の実施の形態４に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。
【図５】本発明の実施の形態５に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。
【図６】本発明の実施の形態６に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。
【図７】本発明の実施例１を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の一実施形態について、図面を用いながら説明する。また、以下に示す本発明の一実施形態は、外部アンテナ方式で、プロセスチャンバの上部に誘導コイルが設置された誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置に本発明を適用した場合である。本発明は、分子の電子、振動励起を誘起する光の光軸を遮ることの無い構造することで、側壁に誘導コイルを設置した装置、及び、内部アンテナ式のＩＣＰ型エッチング装置にも、適用できる。また、本発明は、他のプラズマ源を持つエッチング装置に関しても同様に光軸を遮ることの無い構造にすることにより適用可能である。
【００３２】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。本発明の実施の形態１に係るプラズマエッチング装置は、外部アンテナ式のＩＣＰエッチング装置であり、プロセスチャンバ１の上部に配置されている誘電コイル２を具備し、誘電コイル２の周辺を覆う絶縁層３を具備している。また、プロセスチャンバ１の内部には、バイアス電極４が配置されている。バイアス電極４の上には、エッチングを行う被エッチング材である基板１００が設置される。
【００３３】
また、プラズマエッチング装置は、プロセスチャンバ１の外部に配置されている誘電コイル電源７及びバイアス電源８を具備している。誘電コイル電源７は、誘電コイル２に接続されており、誘電コイル２に所定の電力を与える。バイアス電源８は、バイアス電極４に接続されており、バイアス電極４に所定のバイアス電圧を与える。
【００３４】
プロセスチャンバ１の側壁には、２つの窓９が対向するように形成されている。一方の窓９の外には、光源１０が配置されており、これらの間には光源１０側から凹レンズ３１、凸レンズ３２の順でレンズが設置されている。光源１０から放射された光は凹レンズ３１を透過することで照射範囲が拡大され、凸レンズ３２を透過することで照射範囲が一定となり、一方の窓９からプロセスチャンバ１の内部に導入され、かつ、他方の窓９から導出される。
【００３５】
また、プラズマエッチング装置は、ガス導入ライン５及び排気手段６を具備している。ガス導入ライン５からプロセスチャンバ１へプロセスガスが一定流量で導入され、排気手段６で排気速度を調節することにより、プロセスチャンバ１の内の圧力を制御する。ガス導入ライン５から導入するガスは、単一分子からなるガスでも混合ガスでもよいが、光源１０からの光によって、光解離が誘起される分子が含まれている。
【００３６】
ガス導入ライン５は、プロセスチャンバ１の内部にプロセスガスを一定の流量で導入するガス導入手段を構成している。また、ガス導入ライン５及び排気手段６は、プロセスチャンバの内部の圧力を一定に保つ圧力保持手段を構成している。
【００３７】
プロセスチャンバ１の内部の圧力が一定になったところで、誘導コイル電源７により誘導コイル２に所定の電力を与え、かつ、バイアス電源８によりバイアス電極４に所定のバイアス電圧を印加し、プラズマを発生させる。
【００３８】
この段階で、光源１０からの光をプロセスチャンバ１に導入し、プラズマ中に存在する中性分子を光解離させる。光解離した分子はラジカルとして基板１００と反応又はプラズマ内で励起し、イオン化して基板１００と反応又は衝突することで、エッチングを進行させる。必要に応じ、プロセスチャンバ１を通過した光は、対向の窓９の外部の設置した光遮断機構１１にて遮断される。
【００３９】
このように、プロセスチャンバ１に導入される光を調節することにより、基板のエッチングに対して効果的なラジカル種又はイオン種の密度をプロセスチャンバの設計に応じた範囲で制御することができ、エッチングに対して有効なプラズマを生成して効果的なエッチング加工を行うことができる。
【００４０】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２を図面に基づいて説明する。図２は本発明の実施の形態２に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。本発明の実施の形態２においては、本発明の実施の形態１と同じ構成要素には同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００４１】
図２に示すように、本発明の実施の形態２に係るプラズマエッチング装置は、光源としてレーザ光源１２を具備している。
【００４２】
図２で示したように、レーザ光源１２は、高い指向性を有しているため、凹レンズ３１により拡散させた後、凸レンズ３２により再び高い指向性へと戻すことで、光源１２より放射したレーザ光の照射範囲は拡大される。さらに、レーザ光源から放射されたレーザ光は高い光子密度を有しているため、広範囲に渡り光解離の効率を上げることが可能となる。
【００４３】
一般的に光解離は、分子に光が入射し、解離性ポテンシャルへと励起した場合に生じる。この解離性ポテンシャルへの励起は、分子の基底状態から直接遷移するものの他に、一度準安定な電子励起状態へと遷移し、この電子状態のポテンシャルと解離性ポテンシャルが交差することによる前期解離がある。したがって、様々な分子種を用いる場合、効率的に光解離させるには、光解離に用いる光源は波長可変であることが必要である。特定の分子のみ光解離を生じさせる場合で、固体レーザや半導体レーザ又は気体レーザなどの既存の特定の波長光源を用いて光解離が可能であるならば、出力の範囲が広いため、有利である場合もある。レーザ光源１２は、パルス制御することにより、１パルス時間内の光子密度を上げることができ、効率的に光解離を行うことができる。また、光解離反応により生成するラジカル種の中には、非常に寿命が短く、ナノ秒、ピコ秒スケールで再結合してしまうものもあるが、本実施形態によれば、こうしたラジカル種についてもエッチングに対して効率的に作用させることができる。
【００４４】
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３を図面に基づいて説明する。図３は本発明の実施の形態３に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。本発明の実施の形態３においては、本発明の実施の形態１と同じ構成要素には同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００４５】
図３に示すように、本発明の実施の形態３に係るプラズマエッチング装置は、光源としてパルスレーザ光源１３を具備し、電源として誘導コイルパルス電源１４を具備している。
【００４６】
パルスレーザ光源１３と誘導コイルパルス電源１４とは、パルスレーザ光源１３のパルスと誘導コイルパルス電源１４のパルスをパルスジェネレータ１５により同期させることで、光解離により生成したラジカル種をエッチングに対して効率的に作用させることが可能となる。レーザ光源１３からの光のプロセスチャンバ１への導入、遮断の切り換えにより、光解離反応の発生も容易に切り換えることが可能である。
【００４７】
図３のプラズマエッチング装置を用いて説明する。光解離により生成されるラジカル種をエッチングに作用させたい場合には、パルスレーザ光源１３から発振したレーザ光は、凹レンズ３１、凸レンズ３２において照射範囲を拡大され、窓９からプロセスチャンバ１へ導入される。反対に、光解離により生成されるラジカル種をエッチングに作用させたくない場合は、パルスレーザ光源１３からの発振は止められるか、又は、パルスレーザ光源１３と窓９の間で発振されたレーザ光を遮断すればよい。
【００４８】
この手法を用いることにより、これまでプロセスチャンバ１へ導入するガス種を切り換えることにより行ってきたエッチングステップと、デポジッションプロセスとの繰返しによる基板１００の深堀エッチングは、ガス種を切り換えることなく、光の導入又は遮断による切り換えにより可能となる。
【００４９】
プロセスガスとして、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８、Ｉ２が選択され、ケイ素の深堀エッチングが行われる場合を説明する。
【００５０】
ケイ素はフッ素に対して非常に高い反応性を示し、そのため、ＳＦ６プラズマのみのエッチングでは等方的にエッチングが進行し、垂直な形状を形成するのは困難となる。一方、Ｃ４Ｆ８は、プラズマ中でＣとＦからなる重合体を形成しやすく、この重合体が保護膜となり、フッ素によるパターン側壁へのエッチングを阻害する。
【００５１】
したがって、ケイ素の深堀エッチングを実施するには、ＳＦ６とＣ４Ｆ８が混在する空間内において、フッ素によるエッチングステップが支配的となるのか、ＣとＦからなる重合体によるデポジッションステップが支配的となるのかを、制御することができれば、側壁へのエッチングを抑制し、垂直な形状を形成することが可能となる。
【００５２】
次に、Ｉ２ガスの混合について説明する。ヨウ素原子は、非常に高いフッ素吸着性をもつ原子として知られており、ＩＦ５やＩＦ７という構造を持った化合物を形成する。
【００５３】
したがって、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８、Ｉ２の混合ガスによるプラズマ放電を行い、フッ素によるエッチングステップが十分進行するように制御されたプラズマにおいて、Ｉ２の光解離を促進するレーザ光を照射することにより、ヨウ素原子によるフッ素の吸着が進行し、エッチングの進行が抑制される。
【００５４】
一方で、Ｃ４Ｆ８のプラズマ中での挙動は、ＣＦ２などの化合物を重合前駆体とする重合体形成が支配的であり、安定した化合物を形成することにより、ヨウ素原子によるフッ素吸着性の影響を無視することができる。
【００５５】
ＣとＦからなる重合体形成におけるレーザ光の照射の影響が無視できるのであれば、結果としてレーザ光を照射している間はＣとＦとからなる重合体によるデポジッションステップが支配的となる。
【００５６】
エッチングステップとデポジッションステップとをより明確に切り換えるために、誘導コイルパルス電源１４が用いられ、プラズマ放電の際の印加電力がパルス制御される。
【００５７】
ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８、Ｉ２の混合ガスがガス導入ライン５からプロセスチャンバ１へと導入され、パルスジェネレータ１５から発振される信号により、パルス制御された電力が誘導コイルパルス電源１４から印加されプラズマを発生させる。
【００５８】
パルスジェネレータ１５は、誘導コイルパルス電源１４のパルスとパルスレーザ光源１３から発振するレーザ光を同期させ、プロセスチャンバ１にパルスレーザ光を導入する。プロセスチャンバ１に導入するパルスレーザ光波長は、Ｉ２の光解離を誘起する波長に設定される。
【００５９】
パルスジェネレータ１５は、誘導コイルパルス電源１４のパルスとパルスレーザ光源１３から発振するレーザ光の遅延時間を制御することで、プラズマ放電によるフッ素原子発生の時間と、レーザ光照射によるヨウ素原子発生の時間を調節することができる。
【００６０】
エッチングする基板１００がプロセスチャンバ１の内部に挿入され、プラズマエッチングが実施される。エッチングステップの間には、レーザ光はプロセスチャンバ１に導入する前で遮断し、デポジッションステップの間には、レーザ光をプロセスチャンバ１に導入する。
【００６１】
以上の動作により、ガス種を切り換えずに、エッチングステップとデポジッションステップの繰返しによる基板１００の深堀エッチングを実施することができる。
【００６２】
（実施の形態４）
図４は本発明の実施の形態１に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。本発明の実施の形態４に係るプラズマエッチング装置は、外部アンテナ式のＩＣＰエッチング装置であり、プロセスチャンバ１の上部に配置されている誘電コイル２を具備し、誘電コイル２の周辺を覆う絶縁層３を具備している。また、プロセスチャンバ１の内部には、バイアス電極４が配置されている。バイアス電極４の上には、エッチングを行う被エッチング材である基板１００が設置される。
【００６３】
また、プラズマエッチング装置は、プロセスチャンバ１の外部に配置されている誘電コイル電源７及びバイアス電源８を具備している。誘電コイル電源７は、誘電コイル２に接続されており、誘電コイル２に所定の電力を与える。バイアス電源８は、バイアス電極４に接続されており、バイアス電極４に所定のバイアス電圧を与える。
【００６４】
プロセスチャンバ１の側壁には、２つの窓９が対向するように形成されている。一方の窓９の外には、光源１０が配置されており、これらの間には光源１０側から凸面反射板３３、凹面反射板３４の順で球面反射板が設置されている。光源１０から放射された光は凸面反射板３３の表面で反射されることで照射範囲が拡大され、凹面反射板３４表面で反射されることで照射範囲が一定となり、一方の窓９からプロセスチャンバ１の内部に導入され、かつ、他方の窓９から導出される。
【００６５】
また、プラズマエッチング装置は、ガス導入ライン５及び排気手段６を具備している。ガス導入ライン５からプロセスチャンバ１へプロセスガスが一定流量で導入され、排気手段６で排気速度を調節することにより、プロセスチャンバ１の内の圧力を制御する。ガス導入ライン５から導入するガスは、単一分子からなるガスでも混合ガスでもよいが、光源１０からの光によって、光解離が誘起される分子が含まれている。
【００６６】
ガス導入ライン５は、プロセスチャンバ１の内部にプロセスガスを一定の流量で導入するガス導入手段を構成している。また、ガス導入ライン５及び排気手段６は、プロセスチャンバの内部の圧力を一定に保つ圧力保持手段を構成している。
【００６７】
プロセスチャンバ１の内部の圧力が一定になったところで、誘導コイル電源７により誘導コイル２に所定の電力を与え、かつ、バイアス電源８によりバイアス電極４に所定のバイアス電圧を印加し、プラズマを発生させる。
【００６８】
この段階で、光源１０からの光をプロセスチャンバ１に導入し、プラズマ中に存在する中性分子を光解離させる。光解離した分子はラジカルとして基板１００と反応又はプラズマ内で励起し、イオン化して基板１００と反応又は衝突することで、エッチングを進行させる。
【００６９】
必要に応じ、プロセスチャンバ１を通過した光は、対向の窓９の外部の設置した光遮断機構１１にて遮断される。
【００７０】
（実施の形態５）
次に、本発明の実施の形態５を図面に基づいて説明する。図５は本発明の実施の形態５に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。本発明の実施の形態５においては、本発明の実施の形態４と同じ構成要素には同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００７１】
図５に示すように、本発明の実施の形態５に係るプラズマエッチング装置は、光源としてレーザ光源１２を具備している。
【００７２】
図２で示したように、レーザ光源１２は、高い指向性を有しているため、凸面反射板３３により拡散させた後、凹面反射板３４により再び高い指向性へと戻すことで、光源１２より放射したレーザ光の照射範囲は拡大される。さらに、レーザ光源から放射されたレーザ光は高い光子密度を有しているため、広範囲に渡り光解離の効率を上げることが可能となる。一般的に光解離は、分子に光が入射し、解離性ポテンシャルへと励起した場合に生じる。この解離性ポテンシャルへの励起は、分子の基底状態から直接遷移するものの他に、一度準安定な電子励起状態へと遷移し、この電子状態のポテンシャルと解離性ポテンシャルが交差することによる前期解離がある。
【００７３】
したがって、様々な分子種を用いる場合、効率的に光解離させるには、光解離に用いる光源は波長可変であることが必要である。特定の分子のみ光解離を生じさせる場合で、固体レーザや半導体レーザ又は気体レーザなどの既存の特定の波長光源を用いて光解離が可能であるならば、出力の範囲が広いため、有利である場合もある。レーザ光源１２は、パルス制御することにより、１パルス時間内の光子密度を上げることができ、効率的に光解離を行うことができる。また、光解離反応により生成するラジカル種の中には、非常に寿命が短く、ナノ秒、ピコ秒スケールで再結合してしまうものもあるが、本実施形態によれば、こうしたラジカル種についてもエッチングに対して効率的に作用させることができる。
【００７４】
（実施の形態６）
次に、本発明の実施の形態６を図面に基づいて説明する。図６は本発明の実施の形態６に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。本発明の実施の形態６においては、本発明の実施の形態４と同じ構成要素には同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００７５】
図６に示すように、本発明の実施の形態６に係るプラズマエッチング装置は、光源としてパルスレーザ光源１３を具備し、電源として誘導コイルパルス電源１４を具備している。
【００７６】
パルスレーザ光源１３と誘導コイルパルス電源１４とは、パルスレーザ光源１３のパルスと誘導コイルパルス電源１４のパルスをパルスジェネレータ１５により同期させ、光解離により生成したラジカルをエッチングに対して効率的に作用させることが可能となる。レーザ光源１３からの光のプロセスチャンバ１への導入、遮断の切り換えにより、光解離反応の発生も容易に切り換えることが可能である。
【００７７】
図３のプラズマエッチング装置を用いて説明する。光解離により生成されるラジカル種をエッチングに作用させたい場合には、パルスレーザ光源１３から発振したレーザ光は、凹面反射板３３、凸面反射板３４において照射範囲を拡大され、窓９からプロセスチャンバ１へ導入される。反対に、光解離により生成されるラジカル種をエッチングに作用させたくない場合は、パルスレーザ光源１３からの発振は止められるか、又は、パルスレーザ光源１３と窓９の間で発振されたレーザ光を遮断すればよい。
【００７８】
この手法を用いることにより、これまでプロセスチャンバ１へ導入するガス種を切り換えることにより行ってきたエッチングステップと、デポジッションプロセスとの繰返しによる基板１００の深堀エッチングは、ガス種を切り換えることなく、光の導入又は遮断による切り換えにより可能となる。
【００７９】
プロセスガスとして、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８、Ｉ２が選択され、ケイ素の深堀エッチングが行われる場合を説明する。
【００８０】
ケイ素はフッ素に対して非常に高い反応性を示し、そのため、ＳＦ６プラズマのみのエッチングでは等方的にエッチングが進行し、垂直な形状を形成するのは困難となる。一方、Ｃ４Ｆ８は、プラズマ中でＣとＦからなる重合体を形成しやすく、この重合体が保護膜となり、フッ素によるパターン側壁へのエッチングを阻害する。
【００８１】
したがって、ケイ素の深堀エッチングを実施するには、ＳＦ６とＣ４Ｆ８が混在する空間内において、フッ素によるエッチングステップが支配的となるのか、ＣとＦからなる重合体によるデポジッションステップが支配的となるのかを、制御することができれば、側壁へのエッチングを抑制し、垂直な形状を形成することが可能となる。
【００８２】
次に、Ｉ２ガスの混合について説明する。ヨウ素原子は、非常に高いフッ素吸着性をもつ原子として知られており、ＩＦ５やＩＦ７という構造を持った化合物を形成する。
【００８３】
したがって、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８、Ｉ２の混合ガスによるプラズマ放電を行い、フッ素によるエッチングステップが十分進行するように制御されたプラズマにおいて、Ｉ２の光解離を促進するレーザ光を照射することにより、ヨウ素原子によるフッ素の吸着が進行し、エッチングの進行が抑制される。
【００８４】
一方で、Ｃ４Ｆ８のプラズマ中での挙動は、ＣＦ２などの化合物を重合前駆体とする重合体形成が支配的であり、安定した化合物を形成することにより、ヨウ素原子によるフッ素吸着性の影響を無視することができる。
【００８５】
ＣとＦからなる重合体形成におけるレーザ光の照射の影響が無視できるのであれば、結果としてレーザ光を照射している間はＣとＦとからなる重合体によるデポジッションステップが支配的となる。
【００８６】
エッチングステップとデポジッションステップとをより明確に切り換えるために、誘導コイルパルス電源１４が用いられ、プラズマ放電の際の印加電力がパルス制御される。
【００８７】
ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８、Ｉ２の混合ガスがガス導入ライン５からプロセスチャンバ１へと導入され、パルスジェネレータ１５から発振される信号により、パルス制御された電力が誘導コイルパルス電源１４から印加されプラズマを発生させる。
【００８８】
パルスジェネレータ１５は、誘導コイルパルス電源１４のパルスとパルスレーザ光源１３から発振するレーザ光を同期させ、プロセスチャンバ１にパルスレーザ光を導入する。プロセスチャンバ１に導入するパルスレーザ光波長は、Ｉ２の光解離を誘起する波長に設定される。
【００８９】
パルスジェネレータ１５は、誘導コイルパルス電源１４のパルスとパルスレーザ光源１３から発振するレーザ光の遅延時間を制御することで、プラズマ放電によるフッ素原子発生の時間と、レーザ光照射によるヨウ素原子発生の時間を調節することができる。
【００９０】
エッチングする基板１００がプロセスチャンバ１の内部に挿入され、プラズマエッチングが実施される。エッチングステップの間には、レーザ光はプロセスチャンバ１に導入する前で遮断し、デポジッションステップの間には、レーザ光をプロセスチャンバ１に導入する。
【００９１】
以上の動作により、ガス種を切り換えずに、エッチングステップとデポジッションステップの繰返しによる基板１００の深堀エッチングを実施することができる。
【実施例】
【００９２】
（実施例１）
次に、本発明の実施例１を図面に基づいて説明する。図７は、本発明の実施例１を示す概略図である。本発明の実施例１においては、本発明の実施の形態３と同じ構成要素には同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００９３】
本発明の実施例１に係るプラズマエッチング装置は、誘導結合型プラズマ発生装置２０、プロセスチャンバ１、誘電コイル２、絶縁層３、ガス導入ライン５、排気手段６、電極２１、石英窓２２、Ｎｄ：ＹＭＧレーザ２３、色素レーザ２４、ダンパ２５、パルスジェネレータ１５、プラズマ発光分光装置２６及びＩＣＰコイル電源２９、石英凹レンズ３５、石英凸レンズ３６を具備している。Ｎｄ：ＹＡＧレーザ２３は、パルス制御可能なものである。また石英窓２２の直径は１００ｍｍである
【００９４】
プロセスガスとしてＳＦ６、Ｏ２、Ｉ２が選択され、これらがプロセスチャンバ１に導入され、プラズマ放電させた場合について解説する。プラズマ放電はパルス制御可能な外部アンテナ式の誘導結合型（ＩＣＰ）プラズマ発生装置２１が用いられた。
【００９５】
ＳＦ６を３５ｓｃｃｍの流量とし、Ｏ２を５ｓｃｃｍの流量とし、Ｉ２を１０ｓｃｃｍの流量とし、これらの混合ガスがガス導入管５からプロセスチャンバ１へと導入され、排気機構６を調節することで、プロセスチャンバ１の内圧力が１０ｍＴｏｒｒにされた。
【００９６】
パルスジェネレータ１５から遅延時間無く同期した１０ＭＨｚの信号がＩＣＰコイル電源２９及びＮｄ：ＹＡＧレーザ２３に送られた。誘電コイル２に３５０Ｗが印加され、プラズマを発生させた。プラズマ発光分光装置２６によりプラズマ発光分光スペクトルを観測したところ、観測された複数のピークから７０４ｎｍにフッ素原子に起因するピークが確認された。
【００９７】
Ｎｄ：ＹＡＧレーザ２３の第三高調波を励起源とし、クマリン系の色素を用いた色素レーザ２４からレーザ光が繰り返し周波数１０ＭＨｚで発振された。色素レーザ２４から発振されたレーザビームの直径は約５ｍｍであり、これを石英凹レンズ３５及び石英凸レンズ３６によりレーザビームの直径約９５ｍｍまで拡大し、石英窓２２からプロセスチャンバ１の内部へレーザ光が導入された。
【００９８】
４５０−５１０ｎｍでレーザ光の波長を掃引したところ、７０４ｎｍのフッ素原子起因のピーク強度の減少が確認され、その後、波長が４５１ｎｍに固定された。
【００９９】
ＩＣＰコイル電源２９に電力印加するためのパルス信号と、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ２３の発振のパルス信号との遅延時間が、７０４ｎｍのピーク強度が最も減少する時間に調節された。
【０１００】
以上から、プロセスチャンバ１へ４５１ｎｍのレーザ光が導入されることにより、プラズマ中に存在するフッ素原子の密度が抑制されることに成功した。
【０１０１】
これにより、本発明によりエッチングに対して有効なプラズマを生成して効果的なエッチング加工を行うことができることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
ＭＥＭＳ製造プロセスなどにおけるＳｉの深堀エッチングプロセスにおいて、光源からの光の照射の有無によりエッチングステップ、及びデポジッションステップの切り換えが可能となることり、またその光の照射範囲を自在に制御することにより、効率的且つ安定なエッチングプロセスを実現できる。
【符号の説明】
【０１０３】
１  プロセスチャンバ
２  誘導コイル
３  絶縁層
４  バイアス電極
５  ガス導入ライン
６  排気手段
７  誘導コイル電源
８  バイアス電源
９  窓
１０  光源
１１  光遮断手段
１２  レーザ光源
１３  パルスレーザ光源
１４  誘導コイルパルス電源
１５  パルスジェネレータ
２０  電極
２１  誘導結合型プラズマ発生装置
２２  石英窓
２３  Ｎｄ：ＹＭＧレーザ
２４  色素レーザ
２５  ダンパ
２６  プラズマ発光分光装置
２９  ＩＣＰコイル電源
３１  凹レンズ
３２  凸レンズ
３３  凸面反射板
３４  凹面反射板
３５  石英凹レンズ
３６  石英凸レンズ
１００  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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