(57)【要約】      （修正有）【課題】テープまたはフィルム状の基板に半導体チップを実装し、かつ曲げに対する強度がより高い半導体集積回路及びその製造法を提供すること。【解決手段】半導体集積回路１は、外部端子、矩形の半導体チップ２０に接続するために設けられた内部端子および内部端子と外部端子とを接続する配線５０を有する屈曲可能なテープ状の基板１０と、テープ状基板１０に電気的に接続された半導体チップ２０と、テープ状基板１０上の半導体チップ２０の長手方向を補強する補強材３０とを有し、半導体チップ２０と補強材３０とが樹脂４０により封止されたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部端子、矩形の半導体チップに接続するために設けられた内部端子および前記内部端子と前記外部端子とを接続する配線を有する屈曲可能なテープ状の基板と、
前記基板に電気的に接続された半導体チップと、
前記基板上の前記半導体チップの長手方向を補強する補強材とを有し、
前記半導体チップと前記補強材とが樹脂により封止された半導体集積回路。
【請求項２】
前記補強材は、前記半導体チップの全周に略平行な枠型である請求項１記載の半導体集積回路
【請求項３】
前記補強材は、前記半導体チップの長手方向に略平行な板状であり、前記補強材の長手方向の長さは前記半導体チップの長辺以上である請求項１又は２記載の半導体集積回路。
【請求項４】
前記補強材を当該前記補強材の長手方向と直交する断面の形状は、矩形または前記配線基板を底辺とする略三角形または略台形である請求項１乃至３のいずれか１項記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記補強材の高さは、前記半導体チップの高さ以上である請求項１乃至４のいずれか１項記載の半導体集積回路。
【請求項６】
前記補強材は、当該補強材の高さ及び前記断面の底辺の長さの関係は、
補強材の高さ＞補強材の断面の底辺の長さ
である請求項１乃至５のいずれか１項記載の半導体集積回路。
【請求項７】
前記補強材は、絶縁体または表面を絶縁加工したものである請求項１乃至５のいずれか１項記載の半導体集積回路。
【請求項８】
前記補強材は、セラミックス又は表面を絶縁加工されたステンレスからなる請求項１乃至６のいずれか１項記載の半導体集積回路。
【請求項９】
前記補強材と前記半導体チップとの隙間は０．０１乃至０．５ｍｍである請求項１乃至８のいずれか１項記載の半導体集積回路。
【請求項１０】
外部端子、半導体チップに接続するために設けられた内部端子および前記内部端子と前記外部端子とを接続する配線を有する屈曲可能なテープ状の基板に、矩形の半導体チップを電気的に接続し、
前記半導体チップの全周に平行な枠構造の補強材を設け、
前記半導体チップと前記補強材との間に、前記半導体チップの略垂直方向から樹脂を注入することにより、前記半導体チップと前記補強材との間を前記樹脂で封止して前記基板に固定する半導体集積回路の製造方法。
【請求項１１】
前記補強材と前記半導体チップとの隙間は略０．０１乃至０．５ｍｍであって、
前記補強材と前記半導体の間に前記樹脂を注入し、
毛細管現象により前記枠構造がセルフアラインメントされ、前記枠構造と前記基板と前記半導体チップとの間を前記樹脂で封止する請求項１０記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項１２】
外部端子、半導体チップに接続するために設けられた内部端子および前記内部端子と前記外部端子とを接続する配線とを有する屈曲可能なテープ状の基板に、矩形の半導体チップを電気的に接続した半導体集積回路の製造方法であって、
前記基板は、当該基板に固定された前記半導体チップの長辺又は全周に平行な補強材を有し、
前記半導体チップと前記補強材との間に樹脂を注入することにより、前記半導体チップと前記補強材との間を前記樹脂で封止する半導体集積回路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体集積回路及びその製造方法に関し、特にテープまたはフィルム状の基板に半導体チップが実装された半導体集積回路及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、テレビやパソコン用ディスプレーに使用される表示デバイスの大画面化・高精細化が進んでおり、表示デバイス用ＩＣ、特にソースドライバの出力端子数は９００を超えるようになってきている。
【０００３】
また、表示パネル外周部の非表示エリア部分の寸法がより小さいデザインの、いわゆる狭額縁仕様の表示パネルの需要も根強い。加えて、コスト競争も激しくなってきている。これらへの方策の一つとして、ドライバＩＣのチップサイズのシュリンクがある。材料面、工数面からの製造コストが抑えられるからである。
【０００４】
他方、実装形態においても、表示デバイス用ＩＣは、多くの出力を狭額縁領域に実装する必要があるため、薄い可撓性基材を使用し、屈曲可能かつ高さを抑えたＴＡＢもしくはＣＯＦ構成をとることが多い。さらに、ドライバＩＣの出力端子の狭ピッチ化に伴い、ドライバＩＣと表示装置の負荷ラインとの接続信頼性の観点からもＴＣＰ，ＣＯＦが主流となっている。
【０００５】
特に、表示デバイス用ドライバＩＣは、昨今の狭額縁仕様の表示デバイスに組み込み可能でなければならない。すなわち、多出力であって、小面積かつ十分な薄さを有することが求められている。
【０００６】
そのような条件を満たすため、チップの短辺を短くし、かつ外周長を大きくした、細長く薄いチップをフィルム状の基板に実装した半導体集積回路がある。しかし、チップを薄くすると、断面二次モーメントがより小さくなり、フィルムに実装した後の長辺方向に対する曲げ、すなわち、ドライバＩＣの回路集積面に作用する力に対して折損しやすく、極端に弱くなる。そのため、製品として可搬性・実装時の抗折強度等への配慮が必要とされている。
【０００７】
フィルム状の基板の上に半導体チップを実装したＣＯＦ（Chiop on film）型の半導体集積回路が特許文献１乃至５に記載されている。図６は、特許文献１に記載の半導体集積回路１００を示す図である。図６に示すように、半導体素子１０２はテープキャリア１０１と接続され、テープキャリア１０１と半導体素子１０２の間は絶縁性樹脂１０３で封止されている。半導体素子１０２には突起電極１０５が複数設けられている。また、テープキャリア１０１は、半導体素子１０２を接続・搭載するためのものであり、配線パターン１０７、ソルダーレジスト１０８、絶縁テープ１０９を備えている。配線パターン１０７は、部分的に厚さが異なっている。具体的には、配線パターン１０７と半導体素子１０２とが接続されている部分（接続部）のみの厚さが、それ以外の部分（非接続部）の厚さよりも薄くなっている。これにより、接続部では配線パターン１０７をファインピッチ化することが可能となり、非接続部では配線パターン１０７の機械的強度を向上させることが可能となり、半導体装置１００の強度も向上させている。
【０００８】
図７は、特許文献２に記載の半導体集積回路１１０を示す図である。半導体集積回路１１０は、ベースフィルム１１１と、半導体素子１１３と、配線パターンの半導体素子１１３との接続部１１４と、配線パターンの外部接続用コネクタ部１１５と、接着剤層１１６と、ポリイミド系絶縁フィルムからなる補補強用部材１１７と、バンプ１１８と、封止樹脂１１９とを有する。半導体集積回路１１０は、長尺のベースフィルム１の配線パターン形成面と反対の面に、厚さ１５〜４００μｍの膜厚のポリイミド系補強用部材１１７が設けられている。これにより、折り曲げ性を従来のＣＯＦと変えることなく、ＣＯＦ、ＴＣＰ（Tape carrier package）の配線パターンの外部接続用コネクタ部１１５又は半導体素子１１３との接続部等の累積ピッチの寸法精度及び強度を向上させている。
【０００９】
図８は、特許文献３に記載の半導体集積回路１３０を示す図である。基板１３１は、テープ基材１３５の表面上に配線層が形成され、この配線層の各配線パターン１３６の両端にリード部１３７とランド部１３８が設けられ、このランド部１３８が裏面側に露出するようにテープ基材１３５に開口部１３９が形成されている。この基板１３１の表面上の配線パターン１３６は、リード部１３７を除いてソルダーレジスト１４０で覆われている。
チップ１３２は、表面上に、所定の集積回路に接続された電極部１４１が設けられ、基板１３１の表面上にフェイスダウンで搭載され、金（Ａｕ）バンプなどからなる電極部１４１が基板１３１のリード部１３７に電気的に接続される。ポリイミド樹脂などからなる封止材１３３は、チップ１３２の電極部１４１と基板１４１のリード部１３７との接続部分を封止する。すず（Ｓｎ）または鉛（Ｐｂ）や鉛フリーなどのはんだボールからなる外部端子１３４は、開口部１３９を通じてランド部１３８に電気的に接続される。また、テープ基材１３５からなる基板１３１の変形を防ぐために、基板１３１の表面上に補強枠１４２が貼り付けられている。
【００１０】
これにより、チップの電極部と結線する基板のリード部がテープ基材上に固定されているので、リード曲がりによる不良を低減することが可能となり、リード曲がりによる不良を低減することができるので、半導体集積回路のパッドのピッチを狭くすることを可能としている。
【００１１】
図９は特許文献４に記載の半導体集積回路１５０の断面を示す図（Ａ）及び平面を示す図（Ｂ）である。半導体集積回路１５０は、フィルム回路１５１にその周辺部に延設されたグランドラインである配線膜１５３Ｅ、１５３ｅを設け、導電性を有する補強板１７５を用い、該グランドライン配線膜１５３Ｅおよび１５３ｅと、該導電性補強板１７５とをフィルム回路１５１周辺部で、例えば銅電ペースト１７６により電気的に接続する。必要に応じて、ヒートシンク１７７を半導体素子１５４及びフィルム回路１５１の裏面に接着する。その製造は、フィルム回路１５１に補強板１７５を接着し、その後、半導体素子１５４を補強板１７５で囲繞されたところに位置させてその各電極をフィルム回路１５１の半導体素子側端子とボンディングし、しかる後、補強板１７５、フィルム回路１５１及び半導体素子１５４の相互間を封止剤１７４で封止することにより行う。
【００１２】
これにより、半導体素子１５４を囲繞する補強板１７５をグランドラインとすることができ、延いては他と静電シールドしている。従って、半導体装置外部から半導体素子１５４内へのノイズの侵入を防止し、また、半導体素子１５４内部に発生したノイズが外部に放射されることを防止し、また、補強板１７５に接続されたグランドライン１５３ｅによって半導体素子内部におけるクロストークを防止している。
【００１３】
図１０は特許文献５に記載の半導体集積装置１８０を示す図である。特許文献５に記載の半導体集積回路１８０は、半導体集積回路１８０を実装するための支持フィルム１８１と、支持フィルム１８１上に形成されたインナーリード１８２と、支持フィルム１８１上のチップ搭載領域およびチップ封止領域の周囲に形成されたダム部１８３とを有する。この技術では、半導体チップ１８４の実装面から樹脂をポッティングすることにより、半導体チップ１８４の底面とフィルム１８１上に形成されたダム部１８３との間を樹脂１８５で封止し、またチップ１８４の側面とダム領域の側面とを樹脂１８５で封止する。ダム部を有するフィルム素材を用いることにより、インナーリードの曲がりを防止し、樹脂の吐出量を増加させることができると共に、チップ実装面への樹脂の流れ込み不足を防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００８−１７７６１８号公報
【特許文献２】特開２００１−０５３１０８号公報
【特許文献３】特開２００２−１５８３０９号公報
【特許文献４】特開平０９−２４６３１５号公報
【特許文献５】特開２００２−１１８１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
特許文献１に記載の半導体集積回路では、非接続部の配線層の厚さを接続部の配線層の厚さよりも厚くし、配線層の機械的強度を向上させている。しかしながら、接続部近傍の絶縁性樹脂の厚さを増しただけの構造では、特に、長辺両端を支点として基材側が凹、チップ表面側が凸になるような曲げを加えると、非常に折れやすく、十分な抗折強度を得られない。
【００１６】
特許文献２に記載の半導体集積回路では、補強材１１７で曲げに対する強度を補強しているが、厚さ１５〜４００μｍの膜厚のポリイミド系補強用部材１１７だけでは、十分な抗折強度を得ることは難しい。
【００１７】
特許文献３に記載の半導体集積回路では、チップ１３２、補強枠１４２の要素間が封止材１４０で満たされておらず、回路集積面に作用する力に対して、十分な抗折強度を有していない。
【００１８】
特許文献４に記載の半導体集積回路では、半導体素子１５４、補強板１７５の要素間が封止剤１７４で満たされているが、補強板１７５が半導体素子１５４に比して大きく、表示デバイス用ドライバＩＣのような長尺チップのＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）への実装には適さない。また、補強板１７５の断面形状が平たく、抗折強度を十分に向上できない。
【００１９】
特許文献５に記載の半導体集積回路は、樹脂の回り込み不足を解消するためにダム領域を形成したものであり、曲げに対する強度を向上するための工夫はされていない。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明にかかる半導体集積回路は、外部端子、矩形の半導体チップに接続するために設けられた内部端子および内部端子と外部端子とを接続する配線を有する屈曲可能なテープ状の基板と、基板に電気的に接続された半導体チップと、基板上の半導体チップの長手方向を補強する補強材とを有し、半導体チップと補強材とが樹脂により封止されたものである。これにより、半導体の長手方向への曲げに対する強度をより高めることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、テープまたはフィルム状の基板に半導体チップを実装し、かつ曲げに対する強度がより高い半導体集積回路及びその製造法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施の形態１にかかる半導体集積回路の概要を示す図である。
【図２】実施の形態１にかかる半導体集積回路の断面を示す図である。
【図３】実施の形態２にかかる半導体集積回路の概要を示す図である。
【図４】実施の形態２にかかる半導体集積回路の断面を示す図である。
【図５】実施の形態３にかかる半導体集積回路の概要を示す図である。
【図６】従来の半導体集積回路を示す図である。
【図７】従来の半導体集積回路を示す図である。
【図８】従来の半導体集積回路を示す図である。
【図９】従来の半導体集積回路を示す図である。
【図１０】従来の半導体集積回路を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
実施の形態１
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態にかかる半導体集積回路は、ＣＯＦ、又はＴＣＰと呼ばれる、テープ状、又はフィルム状のパッケージを有する半導体集積回路である。図１は、本実施の形態にかかる半導体集積回路１の概要を示す図である。半導体集積回路１は、テープ状の基板１０と、半導体チップ２０と、補強材３０とを有し、半導体チップ２０と補強材３０とは樹脂４０で封止されている。
【００２４】
本実施の形態にかかるテープ状基板１０は屈曲可能なテープ状の基板であり、外部端子（不図示）と半導体チップ２０と接続するための内部端子（不図示）と、外部端子および内部端子を接続する配線５０とを有している。
【００２５】
半導体チップ２０は、テープ状基板１０の内部端子と、半導体チップ２０の有するバンプ（不図示）を介して電気的に接続されている。
【００２６】
補強材３０は、半導体チップ２０の全周に略平行な枠型であり、半導体チップ２０との間と、テープ状基板１０との間を樹脂４０により封止されている。
【００２７】
本実施の形態にかかるテープ状基板１０は、例えば、厚さ数百μｍのポリイミド製のものである。半導体集積回路１は、屈曲可能なテープ状基板１０の上に配置されているため、このテープ状基板１０の可撓性により、外部から半導体集積回路１を曲げようとする力が加わると、他の可撓性のない基板の半導体集積回路に比べ、チップが折れやすい。本実施の形態に係る半導体集積回路１は、テープ状基板１０に接続された半導体チップ２０を、補強材３０を樹脂４０で封止することにより、曲げに対する強度を高めることができる。
【００２８】
本実施の形態に係る半導体集積回路１について、さらに説明する。本実施の形態に係る半導体集積回路１は、テープ状基板１０に半導体チップ２０を配置し、高周波・超音波等で、テープ状基板１０の内部端子と半導体チップ２０のバンプとを電気的・機械的に接続する。次に、半導体チップ２０の全周に平行な枠構造の補強材３０を置き、半導体チップ２０と補強材３０との間に、半導体チップ２０の略垂直方向から毛細管現象等を利用して樹脂４０を注入することにより、半導体チップ２０と前記補強材との間を前記樹脂で封止する。そして、熱を加えて樹脂４０を硬化させることにより、補強材３０をテープ状基板１０に固定する。
【００２９】
ここで、半導体チップ２０と、補強材３０の隙間は略０．０１乃至０．５ｍｍであることが望ましい。半導体チップ２０と、補強材３０の隙間を略０．０１乃至０．５ｍｍとすることにより、毛細管現象が生じる。したがって、補強材３０と半導体チップ２０の間に樹脂４０を注入すれば、毛細管現象により補強材３０がセルフアラインメントされ、補強材３０とテープ状基板１０と半導体チップ半導体チップ２０とそれぞれの間を樹脂４０で封止する構造となる。
【００３０】
ここで、半導体チップ２０と補強材３０の隙間は、樹脂４０の粘性により最適な間隔を決定する。一般に、半導体チップ２０をテープ状基板１０に装着した際の半導体チップ２０とテープ状基板１０との隙間が１０μｍ程度の値になる。この隙間を埋める特性を持った樹脂４０を使用する必要があるため、半導体チップ２０と、補強材３０の隙間は略０．０１乃至０．５ｍｍ程度の値になることが望ましい。しかしここでの略０．０１乃至０．５ｍｍという数値は、は補強材３０とテープ状基板１０と半導体チップ半導体チップ２０の表面の材料及び加工方法、又は樹脂４０のぬれ性により変更することができる。
【００３１】
樹脂４０の材質は、−５０℃乃至１５０℃程度の温度範囲で、熱膨張係数が半導体チップ２０の材質であるシリコンと比較的近いものが望ましい。更に、半導体チップ２０と、補強材３０とを封止するため、樹脂４０はシリコンと補強材３０に対してぬれ性がよいものであるとするとよい。
【００３２】
樹脂４０のぬれ性を調整することにより、フィレットが自然に形成され、応力集中を避けることができる。また、ぬれ性を調整することにより、補強材３０とテープ状基板１０と半導体チップ２０を一体化させることができる。ぬれ性は、補強材３０とテープ状基板１０の表面の粗さ、表面のコーティング、及び樹脂４０の材料で調整できる。
【００３３】
図２は、図１に示す半導体集積回路１を、図１のＡ−Ａ′線における断面図である。図２（ａ）乃至（ｃ）は、本実施の形態における半導体集積回路１の第１乃至第３例を示し、それぞれテープ状基板１１〜１３、半導体チップ２１〜２３、補強材３１〜３３及び樹脂４１〜４４を有している。
【００３４】
図２（ａ）は、補強材３１の断面が矩形ものである半導体集積回路１を示す図である。
図２（ｂ）は、補強材３２の断面が配線基板１２を底辺とする略三角形である半導体集積回路１を示す図である。図２（ｃ）は、補強材３３の断面が、テープ状基板１３を底面とする略台形である半導体集積回路１を示す図である。
【００３５】
半導体集積回路１は、それぞれテープ状基板１１〜１３の上に半導体チップ２１〜２３を接続した後、補強材３１〜３３を置き、毛細管現象を使用して樹脂４１〜４３により封止する。そのため、図２（ａ）乃至（ｃ）のように、半導体チップ２１〜２３とテープ状基板１１〜１３の間、および半導体チップ２１〜２３とテープ状基板１１〜１３のそれぞれの隙間を樹脂４１〜４３で封止した構造になる。
【００３６】
ここで、補強材３１〜３３の構造について説明する。図２（ｂ）に示すように、ここでは補強材３１〜３３の高さをｈ、補強材３１〜３３の断面の幅をｔとする。補強材３１〜３３の高さｈは、半導体チップと同じであってもよいが、半導体チップ２１〜２３の高さ以上であると更に望ましい。補強材３０は、少ない枠材で断面係数を効率的に増すために、曲げられる方向に厚みがある方が有利であるからである。補強材３１〜３３は、樹脂４１〜４４と一体化するために、半導体集積回路１を曲げようとする際、補強材３１〜３３の中央部分は外に広がりにくくなっている。よって、補強材３１〜３３の断面の幅ｔが小さくても曲げに対する強度を強くできる。
【００３７】
図２（ｂ）示すように、補強材３０の断面形状が、テープ状基板１０に対して垂直方向に高く、補強材３０の断面の幅ｔが補強材３０の高さｈより小さくなる。これにより、半導体チップ２０の実装構造の長尺方向の曲げ剛性を、チップの寸法を大きくせず、より効果的に高めている。
【００３８】
また、補強材３１〜３３の断面の高さは半導体チップ２１〜２３の高さより高いことが望ましいが、樹脂４１〜４３から飛び出す分の高さが大きすぎると、パッケージが大きくなってしまうので、適宜調整するようにすることが望ましい。
【００３９】
補強材３１〜３３は、導電物であっても隙間に樹脂が入り込んで絶縁できればよい。しかし、半導体チップ２１〜２３と補強材３１〜３３の熱膨張係数が異なると、熱応力が発生するので、補強材３１〜３３は、シリコンと比較的近い熱膨張係数を持ち、強度の強いものが望ましい。
【００４０】
また、補強材３１〜３３は、絶縁体かまたは表面を絶縁加工したものであることが望ましい。更に詳しくは、補強材３１〜３３は、セラミックスか又は表面を絶縁加工されたステンレス材料とすることが望ましい。これにより、パッケージの強度および熱の放熱性を高めることができる。
【００４１】
本実施の形態にかかる半導体集積回路１は、補強材３０により曲げに対する強度を強化し、さらに、樹脂４０が補強材３０と半導体チップ２０を一体化させることによって更に曲げに対する強度を大きくすることができる。これにより、半導体チップ２０長手方向に曲げ応力が加わった際、抗折強度を増すことができる。
【００４２】
言い換えれば、補強材３０の断面形状自体の曲げ剛性、補強材３０の内外両側面に充填された樹脂４０の曲げ剛性、及び補強材３０の内外両側面と樹脂４０との接着による曲げ剛性により、効果的に抗折強度を高めている。
【００４３】
よって、本実施の形態によれば、テープ状基板１０、半導体チップ２０および補強材３０を樹脂４０で封止することにより、曲げに対する強度がより高い半導体集積回路を提供することができる。
【００４４】
実施の形態２
以下、図面を用いて本実施の形態について説明する。なお、実施の形態１と同一の構成要素は同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００４５】
図３は、本実施の形態にかかる半導体集積回路２の概要を示す図である。本実施の形態にかかる半導体集積回路２は、テープ状基板１０と、半導体チップ２０と、補強材３０と、樹脂４０と、配線５０と、補強材６０とを有する。
【００４６】
半導体集積回路２は、外部端子（不図示）、半導体チップ２０に接続するために設けられた内部端子（不図示）および内部端子（不図示）と外部端子（不図示）とを接続する配線５０を有する屈曲可能なテープ状の基板１０に、矩形の半導体チップ２０を電気的に接続し、半導体チップ２０の全周に平行な枠構造の補強材６０を設け、半導体チップ２０と補強材６０との間に、半導体チップ２０の略垂直方向から樹脂を注入することにより、半導体チップ２０と補強材６０との間を樹脂６０で封止してテープ状基板１０に固定する。
【００４７】
半導体集積回路２は、まずテープ状基板１０に、補強材６０を形成する。補強材６０は強度が確保されればどのようなものでもよいが、配線５０どうしをショートしないように、テープ状基板１０との接続面には絶縁性の材質を使用する。補強材６０の形状は補強材３０と同様に半導体チップ２０の全周に略平行な枠型であるが、テープ状基板１０に補強材３０を固定する。そのため、テープ状基板１０を含めて、半導体チップ２０が入る部分はバスタブ形状となる。その後樹脂４０を注入するため、補強材３０により半導体チップ２０の周囲を補強材３０で囲む構造となり、樹脂４０の拡がりを抑えることができる。
【００４８】
本実施の形態について、さらに説明する。図４は、図３に示す半導体集積回路２を、図１のＢ−Ｂ′線における断面図である。図４（ａ）乃至（ｃ）は、それぞれテープ状基板１１〜１３、半導体チップ２１〜２３、補強材６１〜６３及び樹脂４１〜４４を有している。図４（ａ）は、補強材６１の断面が略矩形ものである半導体集積回路２を示す図である。図４（ｂ）は、補強材６２の断面が配線基板１２を底辺とする略三角形である半導体集積回路２を示す図である。図４（ｃ）は、補強材６３の断面が、テープ状基板１３を底面とする略台形である半導体集積回路３を示す図である。半導体集積回路１は、補強材３０を、半導体チップ２０を設置した後から置き、テープ状基板１０との接着は樹脂４０により行うため、補強材３０の下側にも樹脂４０が存在する。それに対し、本実施の形態における半導体集積回路２は、図３の補強材６０は半導体チップ２０の実装前にテープ状基板１０に接着してあるので、樹脂４０は補強材６０と半導体チップ２０の間にのみ存在し、補強材６０とテープ状基板１０の間に回り込むことはない。
【００４９】
これにより、樹脂４０が周りに広がることを抑えつつ、曲げに対する強度を高めた半導体集積回路を製造することができる。
【００５０】
実施の形態３
以下、図面を用いて本実施の形態について説明する。なお、実施の形態１及び２と同一の構成要素は同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００５１】
図５は本実施の形態にかかる半導体集積回路３を示す図である。本実施の形態にかかる半導体集積回路は、テープ状基板１０と、半導体チップ２０と、補強材３０と、配線５０と、補強材７０とを有する。
【００５２】
半導体集積回路３は、半導体集積回路１と比べ、半導体チップ２０の長辺方向に、略平行な板状の補強材７０を有する点が異なる。補強材７０はの長さは半導体チップ２０の長辺以上である。なお、断面の形状、材料などについては他の実施の形態における補強材と同一である。
【００５３】
半導体集積回路３は、半導体集積回路２と同様に、テープ状基板１０に補強材７０を固定した後に樹脂４０を注入する。その他の点では半導体集積回路２と同様である。
【００５４】
半導体集積回路３では、より少ない補強材７０で半導体チップ２０を補強することができる。
【００５５】
本発明によれば、チップ厚を薄くしつつ、大幅な重量増無しにＣＯＦ,ＴＡＢパッケージ製品の抗折強度（長尺方向の曲げ剛性）を確保できる。また、実装工数増が少なく、従来設備がほぼ使用できる。更に、パッケージ全体として熱容量が増加し、材質を選ぶことで放熱性も期待できる。
【００５６】
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１〜３  半導体集積回路
１０〜１３  テープ状基板
２０〜２３  半導体チップ
３０〜３３  補強材
４０〜４３  樹脂
５０  配線
６０〜６３  補強材
７０  補強材
１００  半導体集積回路
１０１  テープキャリア
１０２  半導体素子
１０３  絶縁性樹脂
１０５  突起電極
１０７  配線パターン
１０８  ソルダーレジスト
１０９  絶縁テープ
１１０  半導体集積回路
１１１  ベースフィルム
１１３  半導体素子
１１４  配線パターン半導体素子との接続部
１１５  配線パターンの外部接続用コネクタ部
１１６  接着剤層
１１７  補補強用部材
１１８  バンプ
１１９  封止樹脂
１３０  半導体集積回路
１３１  基板
１３２  チップ
１３３  封止材
１３４  外部端子
１３５  テープ基材
１３６  配線パターン
１３７  リード部
１３８  ランド部
１３９  開口部
１４０  ソルダーレジスト
１４１  電極部
１４２  補強枠
１５０  半導体集積回路
１５１  フィルム回路
１５３Ｅ  グランドライン
１５３ｅ  グランドライン
１７４  封止剤
１７５  導電性補強板
１７６  銅電ペースト
１７７  ヒートシンク
１８０  半導体集積回路
１８１  支持フィルム
１８２  インナーリード
１８３  ダム部
１８４  半導体チップ
１８５  樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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