(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁基板、および、この絶縁基板を用いて白色系の発光出力を向上させた発光素子の提供。【解決手段】アルミニウム基板３３とアルミニウム基板３３の表面に設けられる絶縁層３２とを有する絶縁基板３０であって、前記絶縁層３２がアルミニウムの陽極酸化皮膜であり、前記絶縁層３２を構成する元素のうち、アルミニウムおよび酸素以外の元素の含有率が２０原子％以下であり、前記アルミニウム基板３３の表面が、平均波長５〜１００μｍの大波構造および／または平均開口径０．７〜５μｍの中波構造の形状を有する絶縁基板３０と、該絶縁基板３０の絶縁層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子２２と、該ＬＥＤ発光素子２２の上部に設けられる蛍光発光ユニット２６と、を具備する白色系ＬＥＤ発光素子１００。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、
前記絶縁層がアルミニウムの陽極酸化皮膜であり、
前記絶縁層を構成する元素のうち、アルミニウムおよび酸素以外の元素の含有率が２０原子％以下であり、
前記アルミニウム基板の表面が、平均波長５〜１００μｍの大波構造および／または平均開口径０．７〜５μｍの中波構造の形状を有する絶縁基板。
【請求項２】
請求項１に記載の絶縁基板を製造する絶縁基板の製造方法であって、
アルミニウム基板の一部に陽極酸化処理を施して、アルミニウム基板上にアルミニウムの陽極酸化被膜を形成させる工程を有し、
前記陽極酸化処理における電流密度が０．００１〜２０Ａ／ｄｍ2である絶縁基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の絶縁基板と、前記絶縁基板の前記絶縁層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、前記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に用いられる絶縁基板に関するものであり、詳しくは発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という。）に用いられる絶縁基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、白色系ＬＥＤ発光素子として、ＲＧＢのカラーフイルタを用いてカラー表示を行う表示装置を照明するＬＥＤ発光素子が一般的に知られており、なかでも、多色混合型のＬＥＤ発光素子が用いられている。
この多色混合型のＬＥＤ発光素子は、ＲＧＢの３色のＬＥＤを同時に発光させることによって白色光を発光させ、この白色光と表示装置のカラーフイルタによってカラー表示を行うものである。
【０００３】
しかし、この多色混合型のＬＥＤ発光素子は、ＲＧＢの各ＬＥＤが発光しているため、各色純度が高く演色性にも優れているが、反面、白色光を得るためにＬＥＤの数を多く必要とし、価格が高くなるという問題があった。
【０００４】
この問題を解決するＬＥＤ発光素子として、例えば、特許文献１や特許文献２等に開示されている蛍光体混色型のＬＥＤ発光素子が知られている。
ここで、図６は、特許文献１および２に開示される蛍光体混色型の白色系ＬＥＤ発光素子の一構成例を示した模式図である。図６に示すように、白色系ＬＥＤ発光素子１００は、青色ＬＥＤ１１０がＹＡＧ系の蛍光粒子１５０を混入した透明樹脂１６０でモールドされており、ＹＡＧ系の蛍光粒子１５０によって励起された光と青色ＬＥＤ１１０の残光とにより、白色系光が発光されるものである。なお、青色ＬＥＤ１１０は、外部接続用の電極１２０，１３０を有する基板１４０にフェースダウンボンディングされている。
【０００５】
また、このような従来公知の蛍光体混色型のＬＥＤ発光素子では、白色系の発光出力を高めるに、蛍光粒子が混入された透明樹脂の厚みを厚くしたり、透明樹脂の蛍光粒子含有量を増やしたりする等の手法が検討されている。
しかしながら、これらの手法を採用した場合、透明樹脂の厚みや透明樹脂の蛍光粒子含有量によっては、青色ＬＥＤからの青色光の透過性が弱くなり、かえって白色系の発光出力が低下する場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第２９９８６９６号明細書
【特許文献２】特開平１１−８７７８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は、絶縁基板、および、この絶縁基板を用いて白色系の発光出力を向上させた発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、所定の表面形状を有するアルミニウム基板上に、アルミニウムおよび酸素以外の元素の含有率が２０原子％以下としたアルミニウムの陽極酸化被膜を絶縁材料として設けることで、光源からの光の透過性を確保しつつアルミニウム基板の高い光反射性を活かすことが可能となり、白色系の発光出力が向上することを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（３）を提供する。
【０００９】
（１）アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、
上記絶縁層がアルミニウムの陽極酸化皮膜であり、
上記絶縁層を構成する元素のうち、アルミニウムおよび酸素以外の元素の含有率が２０原子％以下であり、
上記アルミニウム基板の表面が、平均波長５〜１００μｍの大波構造および／または平均開口径０．７〜５μｍの中波構造の形状を有する絶縁基板。
【００１０】
（２）上記（１）に記載の絶縁基板を製造する絶縁基板の製造方法であって、
アルミニウム基板の一部に陽極酸化処理を施して、アルミニウム基板上にアルミニウムの陽極酸化被膜を形成させる工程を有し、
上記陽極酸化処理における電流密度が０．００１〜２０Ａ／ｄｍ2である絶縁基板の製造方法。
【００１１】
（３）上記（１）に記載の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子。
【発明の効果】
【００１２】
以下に説明するように、本発明によれば、絶縁基板、および、この絶縁基板を用いて白色系の発光出力を向上させた発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の絶縁基板の作製における電気化学的粗面化処理に用いられる交番波形電流波形図の一例を示すグラフである。
【図２】図２は、本発明の絶縁基板の作製における交流を用いた電気化学的粗面化処理におけるラジアル型セルの一例を示す概略図である。
【図３】図３は、本発明の絶縁基板の作製における陽極酸化処理に用いられる陽極酸化処理装置の概略図である。
【図４】図４は、本発明の絶縁基板の作製における機械粗面化処理に用いられるブラシグレイニングの工程の概念を示す概略図である。
【図５】図５は、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の一構成例を示した模式的な断面図である。
【図６】図６は、従来の蛍光体混色型の白色系ＬＥＤ発光素子の一構成例を示した模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
〔絶縁基板〕
以下に、本発明の絶縁基板について詳細に説明する。
本発明の絶縁基板は、アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、上記絶縁層がアルミニウムの陽極酸化皮膜であり、上記絶縁層を構成する元素のうち、アルミニウムおよび酸素以外の元素の含有率が２０原子％以下であり、上記アルミニウム基板の表面が、平均波長５〜１００μｍの大波構造および／または平均開口径０．７〜５μｍの中波構造の形状を有する絶縁基板である。
次に、本発明の絶縁基板を構成するアルミニウム基板および絶縁層（アルミニウムの陽極酸化皮膜）について説明する。
【００１５】
＜アルミニウム基板＞
本発明の絶縁基板に用いられるアルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等を用いることもできる。
ここで、上記合金板に含まれてもよい異元素としては、ケイ素、鉄、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタン等が挙げられ、合金中の異元素の含有量は、１０質量％以下であるのが好ましい。
【００１６】
このように本発明の絶縁基板に用いられるアルミニウム基板は、その組成が特定されるものではなく、例えば、アルミニウムハンドブック第４版（１９９０年、軽金属協会発行）に記載されている従来公知の素材、例えば、ＪＩＳ Ａ１０５０、ＪＩＳ Ａ１１００、ＪＩＳ Ａ１０７０、Ｍｎを含むＪＩＳ Ａ３００４、国際登録合金 ３１０３Ａ等のＡｌ−Ｍｎ系アルミニウム基板を適宜利用することができる。また、引張強度を増す目的で、これらのアルミニウム合金に０．１質量％以上のマグネシウムを添加したＡｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ−Ｍｇ系合金（ＪＩＳ Ａ３００５）を用いることもできる。更に、ＺｒやＳｉを含むＡｌ−Ｚｒ系合金やＡｌ−Ｓｉ系合金を用いることもできる。更に、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金を用いることもできる。
【００１７】
ＪＩＳ１０５０材に関しては、特開昭５９−１５３８６１号、特開昭６１−５１３９５号、特開昭６２−１４６６９４号、特開昭６０−２１５７２５号、特開昭６０−２１５７２６号、特開昭６０−２１５７２７号、特開昭６０−２１６７２８号、特開昭６１−２７２３６７号、特開昭５８−１１７５９号、特開昭５８−４２４９３号、特開昭５８−２２１２５４号、特開昭６２−１４８２９５号、特開平４−２５４５４５号、特開平４−１６５０４１号、特公平３−６８９３９号、特開平３−２３４５９４号、特公平１−４７５４５号、特開昭６２−１４０８９４号、特公平１−３５９１０号および特公昭５５−２８８７４号の各公報に記載されている。
【００１８】
ＪＩＳ１０７０材に関しては、特開平７−８１２６４号、特開平７−３０５１３３号、特開平８−４９０３４号、特開平８−７３９７４号、特開平８−１０８６５９号および特開平８−９２６７９号の各公報に記載されている。
【００１９】
Ａｌ−Ｍｇ系合金に関しては、特公昭６２−５０８０号、特公昭６３−６０８２３号、特公平３−６１７５３号、特開昭６０−２０３４９６号、特開昭６０−２０３４９７号、特公平３−１１６３５号、特開昭６１−２７４９９３号、特開昭６２−２３７９４号、特開昭６３−４７３４７号、特開昭６３−４７３４８号、特開昭６３−４７３４９号、特開昭６４−１２９３号、特開昭６３−１３５２９４号、特開昭６３−８７２８８号、特公平４−７３３９２号、特公平７−１００８４４号、特開昭６２−１４９８５６号、特公平４−７３３９４号、特開昭６２−１８１１９１号、特公平５−７６５３０号、特開昭６３−３０２９４号、特公平６−３７１１６号、特開平２−２１５５９９号および特開昭６１−２０１７４７号の各公報に記載されている。
【００２０】
Ａｌ−Ｍｎ系合金に関しては、特開昭６０−２３０９５１号、特開平１−３０６２８８号、特開平２−２９３１８９号、特公昭５４−４２２８４号、特公平４−１９２９０号、特公平４−１９２９１号、特公平４−１９２９２号、特開昭６１−３５９９５号、特開昭６４−５１９９２号および特開平４−２２６３９４号の各公報、米国特許第５，００９，７２２号明細書、同第５，０２８，２７６号明細書等に記載されている。
【００２１】
Ａｌ−Ｍｎ−Ｍｇ系合金に関しては、特開昭６２−８６１４３号、特開平３−２２２７９６号、特公昭６３−６０８２４号、特開昭６０−６３３４６号、特開昭６０−６３３４７号および特開平１−２９３３５０号の各公報、欧州特許第２２３，７３７号、米国特許第４，８１８，３００号、英国特許第１，２２２，７７７号の各明細書等に記載されている。
【００２２】
Ａｌ−Ｚｒ系合金に関しては、特公昭６３−１５９７８号、特開昭６１−５１３９５号、特開昭６３−１４３２３４号および特開昭６３−１４３２３５号の各公報等に記載されている。
【００２３】
Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金に関しては、英国特許第１，４２１，７１０号明細書等に記載されている。
【００２４】
アルミニウム合金を板材とするには、例えば、下記の方法を採用することができる。
まず、所定の合金成分含有量に調整したアルミニウム合金溶湯に、常法に従い、清浄化処理を行い、鋳造する。清浄化処理には、溶湯中の水素等の不要ガスを除去するために、フラックス処理、アルゴンガス、塩素ガス等を用いる脱ガス処理、セラミックチューブフィルタ、セラミックフォームフィルタ等のいわゆるリジッドメディアフィルタや、アルミナフレーク、アルミナボール等をろ材とするフィルタや、グラスクロスフィルタ等を用いるフィルタリング処理、あるいは、脱ガス処理とフィルタリング処理を組み合わせた処理が行われる。
【００２５】
これらの清浄化処理は、溶湯中の非金属介在物、酸化物等の異物による欠陥や、溶湯に溶け込んだガスによる欠陥を防ぐために実施されることが好ましい。溶湯のフィルタリングに関しては、特開平６−５７４３２号、特開平３−１６２５３０号、特開平５−１４０６５９号、特開平４−２３１４２５号、特開平４−２７６０３１号、特開平５−３１１２６１号、特開平６−１３６４６６号の各公報等に記載されている。また、溶湯の脱ガスに関しては、特開平５−５１６５９号公報、実開平５−４９１４８号公報等に記載されている。本出願人も、特開平７−４００１７号公報において、溶湯の脱ガスに関する技術を提案している。
【００２６】
ついで、上述したように清浄化処理を施された溶湯を用いて鋳造を行う。鋳造方法に関しては、ＤＣ鋳造法に代表される固定鋳型を用いる方法と、連続鋳造法に代表される駆動鋳型を用いる方法がある。
ＤＣ鋳造においては、冷却速度が０．５〜３０℃／秒の範囲で凝固する。１℃未満であると粗大な金属間化合物が多数形成されることがある。ＤＣ鋳造を行った場合、板厚３００〜８００ｍｍの鋳塊を製造することができる。その鋳塊を、常法に従い、必要に応じて面削を行い、通常、表層の１〜３０ｍｍ、好ましくは１〜１０ｍｍを切削する。その前後において、必要に応じて、均熱化処理を行う。均熱化処理を行う場合、金属間化合物が粗大化しないように、４５０〜６２０℃で１〜４８時間の熱処理を行う。熱処理が１時間より短い場合には、均熱化処理の効果が不十分となることがある。
【００２７】
その後、熱間圧延、冷間圧延を行ってアルミニウム基板の圧延板とする。熱間圧延の開始温度は３５０〜５００℃が適当である。熱間圧延の前もしくは後、またはその途中において、中間焼鈍処理を行ってもよい。中間焼鈍処理の条件は、バッチ式焼鈍炉を用いて２８０〜６００℃で２〜２０時間、好ましくは３５０〜５００℃で２〜１０時間加熱するか、連続焼鈍炉を用いて４００〜６００℃で６分以下、好ましくは４５０〜５５０℃で２分以下加熱するかである。連続焼鈍炉を用いて１０〜２００℃／秒の昇温速度で加熱して、結晶組織を細かくすることもできる。
【００２８】
以上の工程によって、所定の厚さ、例えば、０．１〜０．５ｍｍに仕上げられたアルミニウム基板は、更にローラレベラ、テンションレベラ等の矯正装置によって平面性を改善してもよい。平面性の改善は、アルミニウム基板をシート状にカットした後に行ってもよいが、生産性を向上させるためには、連続したコイルの状態で行うことが好ましい。また、所定の板幅に加工するため、スリッタラインを通してもよい。また、アルミニウム基板同士の摩擦による傷の発生を防止するために、アルミニウム基板の表面に薄い油膜を設けてもよい。油膜には、必要に応じて、揮発性のものや、不揮発性のものが適宜用いられる。
【００２９】
一方、連続鋳造法としては、双ロール法（ハンター法）、３Ｃ法に代表される冷却ロールを用いる方法、双ベルト法（ハズレー法）、アルスイスキャスターＩＩ型に代表される冷却ベルトや冷却ブロックを用いる方法が、工業的に行われている。連続鋳造法を用いる場合には、冷却速度が１００〜１０００℃／秒の範囲で凝固する。連続鋳造法は、一般的には、ＤＣ鋳造法に比べて冷却速度が速いため、アルミマトリックスに対する合金成分固溶度を高くすることができるという特徴を有する。連続鋳造法に関しては、本出願人によって提案された技術が、特開平３−７９７９８号、特開平５−２０１１６６号、特開平５−１５６４１４号、特開平６−２６２２０３号、特開平６−１２２９４９号、特開平６−２１０４０６号、特開平６−２６３０８号の各公報等に記載されている。
【００３０】
連続鋳造を行った場合において、例えば、ハンター法等の冷却ロールを用いる方法を用いると、板厚１〜１０ｍｍの鋳造板を直接、連続鋳造することができ、熱間圧延の工程を省略することができるというメリットが得られる。また、ハズレー法等の冷却ベルトを用いる方法を用いると、板厚１０〜５０ｍｍの鋳造板を鋳造することができ、一般的に、鋳造直後に熱間圧延ロールを配置し連続的に圧延することで、板厚１〜１０ｍｍの連続鋳造圧延板が得られる。
【００３１】
これらの連続鋳造圧延板は、ＤＣ鋳造について説明したのと同様に、冷間圧延、中間焼鈍、平面性の改善、スリット等の工程を経て、所定の厚さ、例えば、０．１〜０．５ｍｍの板厚に仕上げられる。連続鋳造法を用いた場合の中間焼鈍条件および冷間圧延条件については、本出願人によって提案された技術が、特開平６−２２０５９３号、特開平６−２１０３０８号、特開平７−５４１１１号、特開平８−９２７０９号の各公報等に記載されている。
【００３２】
アルミニウム基板の結晶組織は、化学的粗面化処理や電気化学的粗面化処理を行った場合、アルミニウム基板の表面の結晶組織が面質不良の発生の原因となることがあるので、表面においてあまり粗大でないことが好ましい。アルミニウム基板の表面の結晶組織は、幅が２００μｍ以下であるのが好ましく、１００μｍ以下であるのがより好ましく、５０μｍ以下であるのが更に好ましく、また、結晶組織の長さが５０００μｍ以下であるのが好ましく、１０００μｍ以下であるのがより好ましく、５００μｍ以下であるのが更に好ましい。これらに関して、本出願人によって提案された技術が、特開平６−２１８４９５号、特開平７−３９９０６号、特開平７−１２４６０９号の各公報等に記載されている。
【００３３】
アルミニウム基板の合金成分分布は、化学的粗面化処理や電気化学的粗面化処理を行った場合、アルミニウム基板の表面の合金成分の不均一な分布に起因して面質不良が発生することがあるので、表面においてあまり不均一でないことが好ましい。これらに関して、本出願人によって提案された技術が、特開平６−４８０５８号、特開平５−３０１４７８号、特開平７−１３２６８９号の各公報等に記載されている。
【００３４】
アルミニウム基板の金属間化合物は、その金属間化合物のサイズや密度が、化学的粗面化処理や電気化学的粗面化処理に影響を与える場合がある。これらに関して、本出願人によって提案された技術が、特開平７−１３８６８７号、特開平４−２５４５４５号の各公報等に記載されている。
【００３５】
本発明においては、上記に示されるようなアルミニウム基板をその最終圧延工程等において、積層圧延、転写等により凹凸を形成させて用いることもできる。
【００３６】
本発明の絶縁基板に用いられるアルミニウム基板は、アルミニウムウェブであってもよく、枚葉状シートであってもよい。
アルミニウムウェブの場合、アルミニウムの荷姿としては、例えば、鉄製パレットにハードボードとフェルトとを敷き、製品両端に段ボールドーナツ板を当て、ポリチュ−ブで全体を包み、コイル内径部に木製ドーナツを挿入し、コイル外周部にフェルトを当て、帯鉄で絞め、その外周部に表示を行う。また、包装材としては、ポリエチレンフィルム、緩衝材としては、ニードルフェルト、ハードボードを用いることができる。この他にもいろいろな形態があるが、安定して、キズも付かず運送等が可能であればこの方法に限るものではない。
【００３７】
本発明の絶縁基板に用いられるアルミニウム基板の厚みは、０．１〜２．０ｍｍ程度であり、０．１５〜１．５ｍｍであるのが好ましく、０．２〜１．０ｍｍであるのがより好ましい。この厚さは、ユーザーの希望等により適宜変更することができる。
【００３８】
＜絶縁層（アルミニウムの陽極酸化皮膜）＞
本発明の絶縁基板を構成する絶縁層は、上記アルミニウム基板の表面に設けられる層であって、アルミニウムの陽極酸化皮膜である。
ここで、上記絶縁層は、上記アルミニウム基板とは別のアルミニウム基材の陽極酸化皮膜であってもよいが、後述する本発明の絶縁基板の製造方法に示すように、上記アルミニウム基板の一部に陽極酸化処理を施すことによりアルミニウム基板上に形成される陽極酸化皮膜であるのが好ましい。
【００３９】
本発明においては、上記絶縁層を構成する元素のうち、アルミニウムおよび酸素以外の元素（以下、「Ｘ元素」という。）の含有率は２０原子％以下である。
ここで、Ｘ元素は、後述する陽極酸化処理で用いる電解液に由来する残留イオン（酸根）を想定したものであり、電解液の種類によって異なるため特に限定されないが、硫黄、リン、クロム、炭素、ホウ素、窒素、塩素、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。
また、Ｘ元素の含有率は、ＥＤＸ（Energy Dispersive X-ray Spectrometer エネルギー分散型Ｘ線分光器）を用いて測定した値である。
【００４０】
このような絶縁層を有する本発明の絶縁基板を用いた発光素子は、従来の白色系ＬＥＤ発光素子よりも白色系の発光出力が良好となる。
これは、後述する実施例の結果から推測できるように、Ｘ元素の含有率を低くすることにより絶縁層における光の透過率が高く（具体的には、後述する実施例においては可視光透過率が７０％以上と）なり、アルミニウム基板の高い光反射性を活かすことが可能になったためと考えられる。
また、白色系の発光出力がより良好となる理由から、Ｘ元素の含有率は１０原子％以下であるのが好ましい。
【００４１】
＜表面形状＞
本発明の絶縁基板は、上述したアルミニウム基板の表面において、平均波長５〜１００μｍの大波構造および／または平均開口径０．７〜５μｍの中波構造の形状を有する。
ここで、上記大波構造および上記中波構造をいずれも有する態様は、上記大波構造と上記中波構造とが重畳した構造のことをいう。
このような形状を有すると、上述したアルミニウム基板と絶縁層との界面における可視光の吸収が抑制され、かつ、光散乱性が向上することにより、発光素子の白色系の発光出力が良好となる。
また、本発明の絶縁基板は、上述したアルミニウム基板の表面において、ＬＥＤを実装する際に設ける金属電気配線層との密着性が向上する理由から、平均開口径０．０１〜０．２μｍの小波構造が更に重畳した構造の形状を有するのが好ましい。
【００４２】
ここで、アルミニウム基板表面の大波構造の平均波長、中波構造の平均開口径および小波構造の平均開口径の測定方法は、以下の通りである。
【００４３】
（１）大波構造の平均波長
触針式粗さ計で２次元粗さ測定を行い、ＩＳＯ４２８７に規定されている平均山間隔Ｓmを５回測定し、その平均値を平均波長とする。
【００４４】
（２）中波構造の平均開口径
高分解能走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて多孔質アルミナ担体の表面を真上から倍率２０００倍で撮影し、得られた電子顕微鏡写真においてピットの周囲が環状に連なっている中波構造のピット（中波ピット）を少なくとも５０個抽出し、その直径を読み取って開口径とし、平均開口径を算出する。大波構造を重畳した構造の場合も同じ方法で測定する。
また、測定のバラツキを抑制するために、市販の画像解析ソフトによる等価円直径測定を行うこともできる。この場合、上記電子顕微鏡写真をスキャナーで取り込んでデジタル化し、ソフトウェアにより二値化した後、等価円直径を求める。
本発明者が測定したところ、目視測定の結果とデジタル処理の結果とは、ほぼ同じ値を示した。大波構造を重畳した構造の場合も同様であった。
【００４５】
（３）小波構造の平均開口径
高分解能走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて多孔質アルミナ担体の表面を真上から倍率５００００倍で撮影し、得られたＳＥＭ写真において小波構造のピット（小波ピット）を少なくとも５０個抽出し、その直径を読み取って開口径とし、平均開口径を算出する。
【００４６】
本発明においては、平均波長５〜１００μｍの大波構造は、上述した光散乱性がより向上する理由から、平均波長７〜７５μｍであるのが好ましく、平均波長１０〜５０μｍであるのがより好ましい。
また、平均開口径０．７０〜５μｍの中波構造は、上述した可視光の吸収抑制効果がより向上し、光散乱性もより向上する理由から、平均開口径０．８５〜４μｍであるのが好ましく、平均開口径１〜３μｍであるのがより好ましい。
更に、平均開口径０．０１〜０．２μｍの小波構造は、ＬＥＤを実装する際に設ける金属電気配線層との密着性がより向上する理由から、平均開口径０．０２〜０．１８μｍであるのが好ましく、平均開口径０．０３〜０．１５μｍであるのがより好ましい。
【００４７】
〔絶縁基板の製造方法〕
以下に、本発明の絶縁基板の製造方法について詳細に説明する。
本発明の絶縁基板の製造方法は、上述した本発明の絶縁基板を製造する方法であって、上記アルミニウム基板の一部に陽極酸化処理を施して、アルミニウム基板上にアルミニウムの陽極酸化被膜を形成させる工程を有し、上記陽極酸化処理における電流密度が０．００１〜２０Ａ／ｄｍ2である絶縁基板の製造方法である。
【００４８】
また、本発明の絶縁基板の製造方法は、上記アルミニウム基板に対して、陽極酸化処理以外に、粗面化処理やアルカリエッチング処理等の他の表面処理を施すことができる。
具体的には、上述した表面形状を形成させるための代表的方法として、例えば、アルミニウム基板に機械的粗面化処理、アルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理および電解液を用いた電気化学的粗面化処理を順次施す方法；アルミニウム基板に機械的粗面化処理、アルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理および異なる電解液を用いた電気化学的粗面化処理を複数回施す方法；アルミニウム基板にアルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理および電解液を用いた電気化学的粗面化処理を順次施す方法；アルミニウム基板にアルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理および異なる電解液を用いた電気化学的粗面化処理を複数回施す方法；が挙げられる。なお、これらの方法において、上記電気化学的粗面化処理の後、更に、アルカリエッチング処理および酸によるデスマット処理を施してもよい。
【００４９】
中でも、他の処理（アルカリエッチング処理等）の条件にもよるが、大波構造および中波構造が重畳した表面形状を形成させるには、機械的粗面化処理、硝酸を主体とする電解液を用いた電気化学的粗面化処理および塩酸を主体とする電解液を用いた電気化学的粗面化処理を順次施す方法が好適に挙げられる。
【００５０】
次に、これらの表面処理について説明する。
【００５１】
＜機械的粗面化処理＞
機械的粗面化処理は、電気化学的粗面化処理と比較して、より安価に、平均波長５〜１００μｍの凹凸のある表面を形成することができるため、大波構造を形成させる粗面化処理の手段として有効である。
機械的粗面化処理方法としては、例えば、アルミニウム基板の表面を金属ワイヤーでひっかくワイヤーブラシグレイン法、研磨球と研磨剤でアルミニウム表面を砂目立てするボールグレイン法、特開平６−１３５１７５号公報および特公昭５０−４００４７号公報に記載されているナイロンブラシと研磨剤で表面を砂目立てするブラシグレイン法を用いることができる。
また、凹凸面をアルミニウム基板に圧接する転写方法を用いることもできる。即ち、特開昭５５−７４８９８号、特開昭６０−３６１９５号、特開昭６０−２０３４９６号の各公報に記載されている方法のほか、転写を数回行うことを特徴とする特開平６−５５８７１号公報、表面が弾性であることを特徴とする特開平６−２４１６８号公報に記載されている方法も適用可能である。
また、放電加工、ショットブラスト、レーザ、プラズマエッチング等を用いて、微細な凹凸を食刻した転写ロールを用いて繰り返し転写を行う方法や、微細粒子を塗布した凹凸のある面を、アルミニウム基板に接面させ、その上より複数回繰り返し圧力を加え、アルミニウム基板に微細粒子の平均直径に相当する凹凸パターンを複数回繰り返し転写させる方法を用いることもできる。転写ロールへ微細な凹凸を付与する方法としては、特開平３−８６３５号、特開平３−６６４０４号、特開昭６３−６５０１７号の各公報等に記載されている公知の方法を用いることができる。また、ロール表面にダイス、バイト、レーザ等を使って２方向から微細な溝を切り、表面に角形の凹凸をつけてもよい。このロール表面には、公知のエッチング処理等を行って、形成させた角形の凹凸が丸みを帯びるような処理を行ってもよい。
また、表面の硬度を上げるために、焼き入れ、ハードクロムメッキ等を行ってもよい。
そのほかにも、機械的粗面化処理としては、特開昭６１−１６２３５１号公報、特開昭６３−１０４８８９号公報等に記載されている方法を用いることもできる。
本発明においては、生産性等を考慮して上述したそれぞれの方法を併用することもできる。これらの機械的粗面化処理は、電気化学的粗面化処理の前に行うのが好ましい。
【００５２】
以下、機械的粗面化処理として好適に用いられるブラシグレイン法について説明する。ブラシグレイン法は、一般に、円柱状の胴の表面に、ナイロン（商標）、プロピレン、塩化ビニル樹脂等の合成樹脂からなる合成樹脂毛等のブラシ毛を多数植設したローラ状ブラシを用い、回転するローラ状ブラシに研磨剤を含有するスラリー液を噴きかけながら、上記アルミニウム基板の表面の一方または両方を擦ることにより行う方法である。上記ローラ状ブラシおよびスラリー液の代わりに、表面に研磨層を設けたローラである研磨ローラを用いることもできる。ローラ状ブラシを用いる場合、曲げ弾性率が好ましくは１０，０００〜４０，０００ｋｇｆ／ｃｍ2、より好ましくは１５，０００〜３５，０００ｋｇｆ／ｃｍ2であり、かつ、毛腰の強さが好ましくは５００ｇｆ以下、より好ましくは４００ｇｆ以下であるブラシ毛を用いる。ブラシ毛の直径は、一般的には、０．２〜０．９ｍｍである。ブラシ毛の長さは、ローラ状ブラシの外径および胴の直径に応じて適宜決定することができるが、一般的には、１０〜１００ｍｍである。
【００５３】
研磨剤は公知の物を用いることができる。例えば、パミストン、ケイ砂、水酸化アルミニウム、アルミナ粉、炭化ケイ素、窒化ケイ素、火山灰、カーボランダム、金剛砂等の研磨剤；これらの混合物を用いることができる。中でも、パミストン、ケイ砂が好ましい。特に、ケイ砂は、パミストンに比べて硬く、壊れにくいので粗面化効率に優れる点で好ましい。研磨剤の平均粒径は、粗面化効率に優れ、かつ、砂目立てピッチを狭くすることができる点で、３〜５０μｍであるのが好ましく、６〜４５μｍであるのがより好ましい。研磨剤は、例えば、水中に懸濁させて、スラリー液として用いる。スラリー液には、研磨剤のほかに、増粘剤、分散剤（例えば、界面活性剤）、防腐剤等を含有させることができる。スラリー液の比重は０．５〜２であるのが好ましい。
【００５４】
機械的粗面化処理に適した装置としては、例えば、特公昭５０−４００４７号公報に記載された装置を挙げることができる。
【００５５】
＜電気化学的粗面化処理＞
電気化学的粗面化処理（以下、「電解粗面化処理」ともいう。）には、通常の交流を用いた電気化学的粗面化処理に用いられる電解液を用いることができる。中でも、塩酸または硝酸を主体とする電解液を用いるのが、上述した表面形状を得やすいので好ましい。
【００５６】
電解粗面化処理は、例えば、特公昭４８−２８１２３号公報および英国特許第８９６，５６３号明細書に記載されている電気化学的グレイン法（電解グレイン法）に従うことができる。この電解グレイン法は、正弦波形の交流電流を用いるものであるが、特開昭５２−５８６０２号公報に記載されているような特殊な波形を用いて行ってもよい。また、特開平３−７９７９９号公報に記載されている波形を用いることもできる。また、特開昭５５−１５８２９８号、特開昭５６−２８８９８号、特開昭５２−５８６０２号、特開昭５２−１５２３０２号、特開昭５４−８５８０２号、特開昭６０−１９０３９２号、特開昭５８−１２０５３１号、特開昭６３−１７６１８７号、特開平１−５８８９号、特開平１−２８０５９０号、特開平１−１１８４８９号、特開平１−１４８５９２号、特開平１−１７８４９６号、特開平１−１８８３１５号、特開平１−１５４７９７号、特開平２−２３５７９４号、特開平３−２６０１００号、特開平３−２５３６００号、特開平４−７２０７９号、特開平４−７２０９８号、特開平３−２６７４００号、特開平１−１４１０９４の各公報に記載されている方法も適用できる。また、前述のほかに、電解コンデンサーの製造方法として提案されている特殊な周波数の交番電流を用いて電解することも可能である。例えば、米国特許第４，２７６，１２９号明細書および同第４，６７６，８７９号明細書に記載されている。
【００５７】
電解槽および電源については、種々提案されているが、米国特許第４２０３６３７号明細書、特開昭５６−１２３４００号、特開昭５７−５９７７０号、特開昭５３−１２７３８号、特開昭５３−３２８２１号、特開昭５３−３２８２２号、特開昭５３−３２８２３号、特開昭５５−１２２８９６号、特開昭５５−１３２８８４号、特開昭６２−１２７５００号、特開平１−５２１００号、特開平１−５２０９８号、特開昭６０−６７７００号、特開平１−２３０８００号、特開平３−２５７１９９号の各公報等に記載されているものを用いることができる。また、特開昭５２−５８６０２号、特開昭５２−１５２３０２号、特開昭５３−１２７３８号、特開昭５３−１２７３９号、特開昭５３−３２８２１号、特開昭５３−３２８２２号、特開昭５３−３２８３３号、特開昭５３−３２８２４号、特開昭５３−３２８２５号、特開昭５４−８５８０２号、特開昭５５−１２２８９６号、特開昭５５−１３２８８４号、特公昭４８−２８１２３号、特公昭５１−７０８１号、特開昭５２−１３３８３８号、特開昭５２−１３３８４０号号、特開昭５２−１３３８４４号、特開昭５２−１３３８４５号、特開昭５３−１４９１３５号、特開昭５４−１４６２３４号の各公報等に記載されているもの等も用いることができる。
【００５８】
電解液である酸性溶液としては、硝酸、塩酸のほかに、米国特許第４，６７１，８５９号、同第４，６６１，２１９号、同第４，６１８，４０５号、同第４，６００，４８２号、同第４，５６６，９６０号、同第４，５６６，９５８号、同第４，５６６，９５９号、同第４，４１６，９７２号、同第４，３７４，７１０号、同第４，３３６，１１３号、同第４，１８４，９３２号の各明細書等に記載されている電解液を用いることもできる。
【００５９】
酸性溶液の濃度は０．５〜２．５質量％であるのが好ましいが、上記のスマット除去処理での使用を考慮すると、０．７〜２．０質量％であるのが特に好ましい。また、液温は２０〜８０℃であるのが好ましく、３０〜６０℃であるのがより好ましい。
【００６０】
塩酸または硝酸を主体とする水溶液は、濃度１〜１００ｇ／Ｌの塩酸または硝酸の水溶液に、硝酸アルミニウム、硝酸ナトリウム、硝酸アンモニウム等の硝酸イオンを有する硝酸化合物または塩化アルミニウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム等の塩酸イオンを有する塩酸化合物の少なくとも一つを１ｇ／Ｌから飽和するまでの範囲で添加して使用することができる。また、塩酸または硝酸を主体とする水溶液には、鉄、銅、マンガン、ニッケル、チタン、マグネシウム、シリカ等のアルミニウム合金中に含まれる金属が溶解していてもよい。好ましくは、塩酸または硝酸の濃度０．５〜２質量％の水溶液にアルミニウムイオンが３〜５０ｇ／Ｌとなるように、塩化アルミニウム、硝酸アルミニウム等を添加した液を用いることが好ましい。
【００６１】
更に、Ｃｕと錯体を形成しうる化合物を添加して使用することによりＣｕを多く含有するアルミニウム基板に対しても均一な砂目立てが可能になる。Ｃｕと錯体を形成しうる化合物としては、例えば、アンモニア；メチルアミン、エチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリメチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）等のアンモニアの水素原子を炭化水素基（脂肪族、芳香族等）等で置換して得られるアミン類；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム等の金属炭酸塩類が挙げられる。また、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、炭酸アンモニウム等のアンモニウム塩も挙げられる。温度は１０〜６０℃が好ましく、２０〜５０℃がより好ましい。
【００６２】
電気化学的粗面化処理に用いられる交流電源波は、特に限定されず、サイン波、矩形波、台形波、三角波等が用いられるが、矩形波または台形波が好ましく、台形波が特に好ましい。台形波とは、図１に示したものをいう。この台形波において電流がゼロからピークに達するまでの時間（ＴＰ）は１〜３ｍｓｅｃであるのが好ましい。１ｍｓｅｃ未満であると、アルミニウム基板の進行方向と垂直に発生するチャタマークという処理ムラが発生しやすい。ＴＰが３ｍｓｅｃを超えると、特に硝酸電解液を用いる場合、電解処理で自然発生的に増加するアンモニウムイオン等に代表される電解液中の微量成分の影響を受けやすくなり、均一な砂目立てが行われにくくなる。
【００６３】
台形波交流のｄｕｔｙ比は１：２〜２：１のものが使用可能であるが、特開平５−１９５３００号公報に記載されているように、アルミニウムにコンダクタロールを用いない間接給電方式においてはｄｕｔｙ比が１：１のものが好ましい。台形波交流の周波数は０．１〜１２０Ｈｚのものを用いることが可能であるが、５０〜７０Ｈｚが設備上好ましい。５０Ｈｚよりも低いと、主極のカーボン電極が溶解しやすくなり、また、７０Ｈｚよりも高いと、電源回路上のインダクタンス成分の影響を受けやすくなり、電源コストが高くなる。
【００６４】
電解槽には１個以上の交流電源を接続することができる。主極に対向するアルミニウム基板に加わる交流の陽極と陰極との電流比をコントロールし、均一な砂目立てを行うことと、主極のカーボンを溶解することとを目的として、図２に示したように、補助陽極１８を設置し、交流電流の一部を分流させることが好ましい。図２において、１１はアルミニウム基板であり、１２はラジアルドラムローラであり、１３ａおよび１３ｂは主極であり、１４は電解処理液であり、１５は電解液供給口であり、１６はスリットであり、１７は電解液通路であり、１８は補助陽極であり、１９ａおよび１９ｂはサイリスタであり、２０は交流電源であり、４０は主電解槽であり、５０は補助陽極槽である。整流素子またはスイッチング素子を介して電流値の一部を二つの主電極とは別の槽に設けた補助陽極に直流電流として分流させることにより、主極に対向するアルミニウム基板上で作用するアノード反応にあずかる電流値と、カソード反応にあずかる電流値との比を制御することができる。主極に対向するアルミニウム基板上で、陰極反応と陽極反応とにあずかる電気量の比（陰極時電気量／陽極時電気量）は、０．３〜０．９５であるのが好ましい。
【００６５】
電解槽は、縦型、フラット型、ラジアル型等の公知の表面処理に用いる電解槽が使用可能であるが、特開平５−１９５３００号公報に記載されているようなラジアル型電解槽が特に好ましい。電解槽内を通過する電解液は、アルミニウムウェブの進行方向に対してパラレルであってもカウンターであってもよい。
【００６６】
（硝酸電解）
硝酸を主体とする電解液を用いた電気化学的粗面化処理により、平均開口径０．７〜５μｍの凹凸（中波構造）を形成させることができる。ただし、電気量を比較的多くしたときは、電解反応が集中し、波長５μｍを超える凹凸も生成する。
このような表面形状を得るためには、電解反応が終了した時点でのアルミニウム基板のアノード反応にあずかる電気量の総和が、１〜１０００Ｃ／ｄｍ2であるのが好ましく、５０〜３００Ｃ／ｄｍ2であるのがより好ましい。この際の電流密度は２０〜１００Ａ／ｄｍ2であるのが好ましい。
また、例えば、高濃度、例えば、硝酸濃度１５〜３５質量％の硝酸電解液を用いて３０〜６０℃で電解を行ったり、硝酸濃度０．７〜２質量％の硝酸電解液を用いて高温、例えば、８０℃以上で電解を行ったりすることで、平均開口径０．０１〜０．２μｍの凹凸（小波構造）を形成させることもできる。
【００６７】
（塩酸電解）
塩酸はそれ自身のアルミニウム溶解力が強いため、わずかな電解を加えるだけで表面に微細な凹凸を形成させることが可能である。この微細な凹凸は、平均開口径が０．０１〜０．２μｍの小波構造であり、アルミニウム基板の表面の全面に均一に生成する。
このような表面形状を得るためには電解反応が終了した時点でのアルミニウム基板のアノード反応にあずかる電気量の総和が、１〜１００Ｃ／ｄｍ2であるのが好ましく、２０〜７０Ｃ／ｄｍ2であるのがより好ましい。この際の電流密度は２０〜５０Ａ／ｄｍ2であるのが好ましい。
【００６８】
このような塩酸を主体とする電解液での電気化学的粗面化処理では、アノード反応にあずかる電気量の総和を４００〜２０００Ｃ／ｄｍ2と大きくすることでクレーター状の大きなうねりを同時に形成することも可能である。この場合は平均波長１０〜３０μｍのクレーター状のうねりに重畳して平均開口径０．０１〜０．３μｍの微細な凹凸が全面に生成する。この場合、平均開口径０．７〜５μｍの中波構造は生成しない。
【００６９】
上記の硝酸、塩酸等の電解液中で行われる電解粗面化処理の前および／または後に、アルミニウム基板に陰極電解処理を行うことが好ましい。この陰極電解処理により、アルミニウム基板表面にスマットが生成するとともに、水素ガスが発生してより均一な電解粗面化処理が可能となる。
陰極電解処理は、酸性溶液中で陰極電気量が好ましくは３〜８０Ｃ／ｄｍ2、より好ましくは５〜３０Ｃ／ｄｍ2で行われる。陰極電気量が３Ｃ／ｄｍ2未満であると、スマット付着量が不足する場合があり、また、８０Ｃ／ｄｍ2を超えると、スマット付着量が過剰となる場合がある。電解液は、電解粗面化処理で使用する溶液と同一であっても異なっていてもよい。
【００７０】
＜アルカリエッチング処理＞
アルカリエッチング処理は、上記アルミニウム基板をアルカリ溶液に接触させることにより、表層を溶解させる処理である。
電解粗面化処理より前に行われるアルカリエッチング処理は、機械的粗面化処理を行っていない場合には、アルミニウム基板（圧延アルミ）の表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等を除去することを目的として、また、既に機械的粗面化処理を行っている場合には、機械的粗面化処理によって生成した凹凸のエッジ部分を溶解させ、急峻な凹凸を滑らかなうねりを持つ表面に変えることを目的として行われる。
【００７１】
アルカリエッチング処理の前に機械的粗面化処理を行わない場合、エッチング量は、０．１〜１０ｇ／ｍ2であるのが好ましく、１〜５ｇ／ｍ2であるのがより好ましい。エッチング量が０．１ｇ／ｍ2未満であると、表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等が残存する場合があるため、後段の電解粗面化処理において均一な凹凸生成ができずムラが発生してしまう場合がある。一方、エッチング量が１〜１０ｇ／ｍ2であると、表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等の除去が十分に行われる。上記範囲を超えるエッチング量とするのは、経済的に不利となる。
【００７２】
アルカリエッチング処理の前に機械的粗面化処理を行う場合、エッチング量は、３〜２０ｇ／ｍ2であるのが好ましく、５〜１５ｇ／ｍ2であるのがより好ましい。エッチング量が３ｇ／ｍ2未満であると、機械的粗面化処理等によって形成された凹凸を平滑化できない場合があり、後段の電解粗面化処理において均一な凹凸形成ができない場合がある。一方、エッチング量が２０ｇ／ｍ2を超えると、凹凸構造が消滅してしまう場合がある。
【００７３】
電解粗面化処理の直後に行うアルカリエッチング処理は、酸性電解液中で生成したスマットを溶解させることと、電解粗面化処理により形成された凹凸のエッジ部分を溶解させることを目的として行われる。電解粗面化処理で形成される凹凸は電解液の種類によって異なるためにその最適なエッチング量も異なるが、電解粗面化処理後に行うアルカリエッチング処理のエッチング量は、０．１〜５ｇ／ｍ2であるのが好ましい。硝酸電解液を用いた場合、塩酸電解液を用いた場合よりもエッチング量は多めに設定する必要がある。電解粗面化処理が複数回行われる場合には、それぞれの処理後に、必要に応じてアルカリエッチング処理を行うことができる。
【００７４】
アルカリ溶液に用いられるアルカリとしては、例えば、カセイアルカリ、アルカリ金属塩が挙げられる。具体的には、カセイアルカリとしては、例えば、カセイソーダ、カセイカリが挙げられる。また、アルカリ金属塩としては、例えば、タケイ酸ソーダ、ケイ酸ソーダ、メタケイ酸カリ、ケイ酸カリ等のアルカリ金属ケイ酸塩；炭酸ソーダ、炭酸カリ等のアルカリ金属炭酸塩；アルミン酸ソーダ、アルミン酸カリ等のアルカリ金属アルミン酸塩；グルコン酸ソーダ、グルコン酸カリ等のアルカリ金属アルドン酸塩；第二リン酸ソーダ、第二リン酸カリ、第三リン酸ソーダ、第三リン酸カリ等のアルカリ金属リン酸水素塩が挙げられる。中でも、エッチング速度が速い点および安価である点から、カセイアルカリの溶液、および、カセイアルカリとアルカリ金属アルミン酸塩との両者を含有する溶液が好ましい。特に、カセイソーダの水溶液が好ましい。
【００７５】
アルカリ溶液の濃度は、エッチング量に応じて決定することができるが、１〜５０質量％であるのが好ましく、１０〜３５質量％であるのがより好ましい。アルカリ溶液中にアルミニウムイオンが溶解している場合には、アルミニウムイオンの濃度は、０．０１〜１０質量％であるのが好ましく、３〜８質量％であるのがより好ましい。アルカリ溶液の温度は２０〜９０℃であるのが好ましい。処理時間は１〜１２０秒であるのが好ましい。
【００７６】
アルミニウム基板をアルカリ溶液に接触させる方法としては、例えば、アルミニウム基板をアルカリ溶液を入れた槽の中を通過させる方法、アルミニウム基板をアルカリ溶液を入れた槽の中に浸せきさせる方法、アルカリ溶液をアルミニウム基板の表面に噴きかける方法が挙げられる。
【００７７】
＜デスマット処理＞
電解粗面化処理またはアルカリエッチング処理を行った後、表面に残留する汚れ（スマット）を除去するために酸洗い（デスマット処理）が行われるのが好ましい。
用いられる酸としては、例えば、硝酸、硫酸、リン酸、クロム酸、フッ化水素酸、ホウフッ化水素酸が挙げられる。上記デスマット処理は、例えば、上記アルミニウム基板を塩酸、硝酸、硫酸等の濃度０．５〜３０質量％の酸性溶液（アルミニウムイオン０．０１〜５質量％を含有する。）に接触させることにより行う。アルミニウム基板を酸性溶液に接触させる方法としては、例えば、アルミニウム基板を酸性溶液を入れた槽の中を通過させる方法、アルミニウム基板を酸性溶液を入れた槽の中に浸せきさせる方法、酸性溶液をアルミニウム基板の表面に噴きかける方法が挙げられる。デスマット処理においては、酸性溶液として、上述した電解粗面化処理において排出される硝酸を主体とする水溶液もしくは塩酸を主体とする水溶液の廃液、または、後述する陽極酸化処理において排出される硫酸を主体とする水溶液の廃液を用いることができる。デスマット処理の液温は、２５〜９０℃であるのが好ましい。また、処理時間は、１〜１８０秒であるのが好ましい。デスマット処理に用いられる酸性溶液には、アルミニウムおよびアルミニウム合金成分が溶け込んでいてもよい。
【００７８】
＜陽極酸化処理＞
本発明の絶縁基板の製造方法においては、所望により以上のような表面処理を施したアルミニウム基板に、陽極酸化処理を施す。
陽極酸化処理を施すことにより、酸化アルミニウムからなる陽極酸化皮膜がアルミニウム基板の表面に形成され、多孔質または非孔質の絶縁層が得られる。
【００７９】
本発明においては、上記陽極酸化処理における電流密度を０．００１〜２０Ａ／ｄｍ2とする以外は、平版印刷版用支持体の製造等で行われている従来の方法で陽極酸化処理を施すことができる。
具体的には、陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
この際、少なくともアルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていても構わない。更には、第２、第３の成分が添加されていても構わない。ここでいう第２、第３の成分としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属のイオン；アンモニウムイオン等の陽イオン；硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、０〜１００００ｐｐｍ程度の濃度で含まれていてもよい。
【００８０】
また、陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、液温５〜７０℃、電圧１〜１００Ｖ、電解時間１５秒〜５０分とするのが適当であるが、電流密度を０．００１〜２０Ａ／ｄｍ2とするには、電解液の濃度０．１〜３０．０質量％とするのが好ましい。
【００８１】
本発明においては、アルミニウム基板と対極との間に直流を印加してもよく、交流を印加してもよいが、形成される陽極酸化皮膜のＸ元素の含有率を低くし、可視光透過率を向上させることができる理由から、電流密度は、０．００１〜２０Ａ／ｄｍ2であり、０．００５〜１０Ａ／ｄｍ2であるのが好ましく、０．０１〜５．０Ａ／ｄｍ2がより好ましく、０．０１〜０．４Ａ／ｄｍ2であるのが特に好ましい。
また、連続的に陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板の一部に電流が集中していわゆる「焼け」が生じないように、陽極酸化処理の開始当初は、低電流密度で電流を流し、陽極酸化処理が進行するにつれ、電流密度を増加させるのが好ましい。連続的に陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板に、電解液を介して給電する液給電方式により行うのが好ましい。
【００８２】
陽極酸化皮膜が多孔質である場合、その平均ポア径が５〜１０００ｎｍ程度であり、平均ポア密度が１×１０6〜１×１０10／ｍｍ2程度である。
【００８３】
陽極酸化皮膜の厚さは１〜２００μｍであるのが好ましい。１μｍ未満であると絶縁性に乏しく耐電圧が低下し、一方、２００μｍを超えると製造に多大な電力が必要となり、経済的に不利となる。陽極酸化皮膜の厚さは、２〜１００μｍであるのがより好ましい。
【００８４】
陽極酸化処理に用いられる電解装置としては、特開昭４８−２６６３８号、特開昭４７−１８７３９号、特公昭５８−２４５１７号の各公報等に記載されているものを用いることができる。中でも、図３に示す装置が好適に用いられる。図３は、アルミニウム基板の表面を陽極酸化処理する装置の一例を示す概略図である。陽極酸化処理装置４１０において、アルミニウム基板４１６は、図３中矢印で示すように搬送される。電解液４１８が貯溜された給電槽４１２にてアルミニウム基板４１６は給電電極４２０によって（＋）に荷電される。そして、アルミニウム基板４１６は、給電槽４１２においてローラ４２２によって上方に搬送され、ニップローラ４２４によって下方に方向変換された後、電解液４２６が貯溜された電解処理槽４１４に向けて搬送され、ローラ４２８によって水平方向に方向転換される。ついで、アルミニウム基板４１６は、電解電極４３０によって（−）に荷電されることにより、その表面に陽極酸化皮膜が形成され、電解処理槽４１４を出たアルミニウム基板４１６は後工程に搬送される。上記陽極酸化処理装置４１０において、ローラ４２２、ニップローラ４２４およびローラ４２８によって方向転換手段が構成され、アルミニウム基板４１６は、給電槽４１２と電解処理槽４１４との槽間部において、上記ローラ４２２、４２４および４２８により、山型および逆Ｕ字型に搬送される。給電電極４２０と電解電極４３０とは、直流電源４３４に接続されている。
【００８５】
図３の陽極酸化処理装置４１０の特徴は、給電槽４１２と電解処理槽４１４とを１枚の槽壁４３２で仕切り、アルミニウム基板４１６を槽間部において山型および逆Ｕ字型に搬送したことにある。これによって、槽間部におけるアルミニウム基板４１６の長さを最短にすることができる。よって、陽極酸化処理装置４１０の全体長を短くできるので、設備費を低減することができる。また、アルミニウム基板４１６を山型および逆Ｕ字型に搬送することによって、各槽４１２および４１４の槽壁４３２にアルミニウム基板４１６を通過させるための開口部を形成する必要がなくなる。よって、各槽４１２および４１４内の液面高さを必要レベルに維持するのに要する送液量を抑えることができるので、稼働費を低減することができる。
【００８６】
また、陽極酸化処理は、ある１つの処理条件で単独処理されてもよいが、陽極酸化皮膜の、場所による形状、あるいは深さ方向における形状、等のように形状を制御したい場合には、２つ以上の条件の異なる陽極酸化処理を順次組み合わせて処理してもよい。
【００８７】
＜封孔処理＞
本発明の絶縁基板の製造方法においては、必要に応じて陽極酸化皮膜が多孔質の場合、存在するマイクロポアを封じる封孔処理を行ってもよい。
封孔処理は、沸騰水処理、熱水処理、蒸気処理、ケイ酸ソーダ処理、亜硝酸塩処理、酢酸アンモニウム処理等の公知の方法に従って行うことができる。例えば、特公昭５６−１２５１８号公報、特開平４−４１９４号公報、特開平５−２０２４９６号公報、特開平５−１７９４８２号公報等に記載されている装置および方法で封孔処理を行ってもよい。
【００８８】
＜水洗処理＞
また、本発明の絶縁基板の製造方法においては、上述した各処理の工程終了後には水洗を行うのが好ましい。水洗には、純水、井水、水道水等を用いることができる。処理液の次工程への持ち込みを防ぐためにニップ装置を用いてもよい。
【００８９】
＜その他の処理＞
更に、本発明の絶縁基板の製造方法においては、必要に応じて絶縁基板の表面に種々の処理を施すことができる。
例えば、反射基板の白色性を高めるために、酸化チタン等の白色性絶縁性材料からなる無機絶縁層、白色レジスト等の有機絶縁層を設けてもよい。
また、上記白色以外にも、例えば電着処理により、酸化アルミニウムよりなる絶縁層に所望の色を着色することができる。具体的には、「陽極酸化」金属表面技術協会編．金属表面技術講座Ｂ（１９６９  ＰＰ．１９５〜２０７）、「新アルマイト理論」カロス出版（１９９７  ＰＰ．９５〜９６）等に記載されているような有色染色性のイオン種、具体的には、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ａｕイオン、Ｐｂイオン、Ａｇイオン、Ｓｅイオン、Ｓｎイオン、Ｎｉイオン、Ｃｕイオン、Ｂｉイオン、Ｍｏイオン、Ｓｂイオン、Ｃｄイオン、Ａｓイオン等を電解液に混入して、電解処理することにより、着色を施すことができる。
【００９０】
また、同様に酸化アルミニウムよりなる絶縁層に、更に絶縁性および高反射性を高めるため、例えば、特開平６−３５１７４号公報の段落［００１６]〜［００３５]に記載されているような、ゾルゲル法による層を設けることもできる。
ここで、ゾルゲル法とは、一般に金属アルコキシドからなるゾルを加水分解・重縮合反応により、流動性を失ったゲルとし、このゲルを加熱して酸化物層（セラミック層）を形成する方法である。
また、上記金属アルコキシドは、特に限定されないが、厚さが均一性の良い層を形成させる観点から、Ａｌ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｃａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｆｅ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｇａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｇｅ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｈｆ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｉｎ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｋ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｌａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｌｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｍｇ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｍｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｎａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｎｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｎ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｒ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｔａ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｔｉ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｖ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｗ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｙ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｚｎ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｚｒ（Ｏ−Ｒ）ｎ等が挙げられる（文章中Ｒは、置換基を有してもよい、鎖状、分枝状、および、環状の、炭化水素基、ｎは任意の自然数を示す。）。
中でも、絶縁層との反応性に優れ、ゾルゲル層形成性に優れた、Ｓｉ（Ｏ−Ｒ）ｎ系がより好ましい。
【００９１】
本発明においては、ゾルゲル層を形成する方法は特に限定されないが、層の厚さを制御する観点から、ゾル液を塗布して加熱する方法が好ましい。
また、ゾル液の濃度としては、０．１〜９０質量％が好ましく、１〜８０質量％がより好ましく、５〜７０質量％が特に好ましい。
また、本発明においてゾルゲル層を形成する際には、その厚さは、高反射率、絶縁性の観点から、０．０１μｍ〜２０μｍが好ましく、０．０５μｍ〜１５μｍがより好ましく、０．１μｍ〜１０μｍが特に好ましい。この範囲より厚くなると、高反射率の観点から好ましくなく、この範囲より薄くなると絶縁性の観点から好ましくない。なお、層を厚くするために、繰り返し重ねて塗布してもよい。
【００９２】
〔白色系ＬＥＤ発光素子〕
以下に、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子について詳細に説明する。
本発明の白色系ＬＥＤ発光素子は、上述した本発明の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子である。
なお、上述した本発明の絶縁基板は、使用される発光素子の形状やＬＥＤの種類等に限定はなく、種々の用途に用いることができる。
次に、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の構成を図面を用いて説明する。
【００９３】
図５は、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図である。
ここで、図５に示す白色系ＬＥＤ発光素子１００は、蛍光体混色型の白色系ＬＥＤ発光素子として構成されており、絶縁層３２とアルミニウム基板３３とを有する絶縁基板３０と、絶縁基板３０の絶縁層３２側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子２２と、青色ＬＥＤ発光素子２２の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体２６とを具備するものである。
また、図５に示すように、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子は、青色ＬＥＤ発光素子２２が樹脂２４で封止されているのが好ましい。
また、本発明においては、蛍光発光体２６として、特願２００９−１３４００７号明細書および特願２００９−１３９２６１号明細書に記載した蛍光発光ユニットを用いることができる。
【００９４】
一方、図６は、［背景技術］の欄で説明したように、公知の白色系ＬＥＤ発光素子の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図であるが、図６に示す基板１４０の代わりに本発明の絶縁基板を用いることで、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子とすることができる。
【実施例】
【００９５】
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
（実施例１〜４）
１．絶縁基板の作製
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ鋳造法で作成した。表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ０．２４ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
このアルミニウム基板を幅１０３０ｍｍにした後、以下に示す表面処理に供し、アルミニウム基板上に陽極酸化皮膜が設けられた絶縁基板を作製した。
【００９６】
表面処理は、以下の（ａ）〜（ｊ）の各種処理のうち、第１表に「○」で示されるものを第１表の左から順に連続的に施すことにより行った。
なお、各処理および水洗の後にはニップローラで液切りを行った。
【００９７】
（ａ）機械的粗面化処理
図４に示したような装置を使って、研磨剤（パミス）と水との懸濁液（比重１．１２）を研磨スラリー液としてアルミニウム基板の表面に供給しながら、回転するローラ状ナイロンブラシにより機械的粗面化処理を行った。
図４において、符号１はアルミニウム基板、符号２および４はローラ状ブラシ、符号３は研磨スラリー液、符号５、６、７および８は支持ローラである。
研磨剤の平均粒径は４０μｍ、最大粒径は１００μｍであった。ナイロンブラシの材質は６・１０ナイロン、毛長は５０ｍｍ、毛の直径は０．３ｍｍであった。ナイロンブラシはφ３００ｍｍのステンレス製の筒に穴をあけて密になるように植毛した。回転ブラシは３本使用した。ブラシ下部の２本の支持ローラ（φ２００ｍｍ）の距離は３００ｍｍであった。ブラシローラはブラシを回転させる駆動モータの負荷が、ブラシローラをアルミニウム基板に押さえつける前の負荷に対して７ｋＷプラスになるまで押さえつけた。ブラシの回転方向はアルミニウム基板の移動方向と同じであった。ブラシの回転数は２００ｒｐｍであった。
【００９８】
（ｂ）アルカリエッチング処理
アルミニウム基板をカセイソーダ濃度２．６質量％、アルミニウムイオン濃度６．５質量％、温度７０℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を行い、アルミニウム基板を６ｇ／ｍ2溶解した。その後、スプレーによる水洗を行った。
【００９９】
（ｃ）デスマット処理
温度３０℃の硝酸濃度１質量％水溶液（アルミニウムイオンを０．５質量％含む。）で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、スプレーで水洗した。デスマット処理に用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的粗面化処理を行う工程の廃液を用いた。
【０１００】
（ｄ）電気化学的粗面化処理
６０Ｈｚの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、硝酸１０．５ｇ／Ｌ水溶液（アルミニウムイオンを５ｇ／Ｌ、アンモニウムイオンを０．００７質量％含む。）、液温５０℃であった。交流電源波形は図１に示した波形であり、電流値がゼロからピークに達するまでの時間ＴＰが０．８ｍｓｅｃ、ｄｕｔｙ比１：１、台形の矩形波交流を用いて、カーボン電極を対極として電気化学的な粗面化処理を行った。補助アノードにはフェライトを用いた。使用した電解槽は図２に示すものを使用した。電流密度は電流のピーク値で３０Ａ／ｄｍ2、電気量はアルミニウム基板が陽極時の電気量の総和で２２０Ｃ／ｄｍ2であった。補助陽極には電源から流れる電流の５％を分流させた。その後、スプレーによる水洗を行った。
【０１０１】
（ｅ）アルカリエッチング処理
アルミニウム基板をカセイソーダ濃度２６質量％、アルミニウムイオン濃度６．５質量％の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を３２℃で行い、アルミニウム基板を１．０ｇ／ｍ2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。
【０１０２】
（ｆ）デスマット処理
温度３０℃の硫酸濃度１５質量％水溶液（アルミニウムイオンを４．５質量％含む。）で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、スプレーで水洗した。デスマット処理に用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的粗面化処理を行う工程の廃液を用いた。
【０１０３】
（ｇ）電気化学的粗面化処理
６０Ｈｚの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、塩酸７．５ｇ／Ｌ水溶液（アルミニウムイオンを５ｇ／Ｌ含む。）、温度３５℃であった。交流電源波形は図１に示した波形であり、電流値がゼロからピークに達するまでの時間ＴＰが０．８ｍｓｅｃ、ｄｕｔｙ比１：１、台形の矩形波交流を用いて、カーボン電極を対極として電気化学的粗面化処理を行った。補助アノードにはフェライトを用いた。使用した電解槽は図２に示すものを使用した。電流密度は電流のピーク値で２５Ａ／ｄｍ2、電気量はアルミニウム基板が陽極時の電気量の総和で５０Ｃ／ｄｍ2であった。その後、スプレーによる水洗を行った。
【０１０４】
（ｈ）アルカリエッチング処理
アルミニウム基板をカセイソーダ濃度２６質量％、アルミニウムイオン濃度６．５質量％の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を３２℃で行い、アルミニウム基板を０．１ｇ／ｍ2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。
【０１０５】
（ｉ）デスマット処理
温度６０℃の硫酸濃度２５質量％水溶液（アルミニウムイオンを０．５質量％含む。）で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、スプレーによる水洗を行った。
【０１０６】
（ｊ）陽極酸化処理
図３に示す構造の陽極酸化装置を用いて陽極酸化処理を行った。第１および第２電解部に供給した電解液条件は、硫酸濃度３０ｇ／Ｌとし、電流密度は０．７Ａ／ｄｍ2で皮膜厚１０μｍ厚の陽極酸化皮膜を形成した。その後、スプレーによる水洗を行った。最終的な酸化皮膜の厚さは１０μｍであった。
【０１０７】
（実施例５）
硫酸濃度１０ｇ／Ｌ、電流密度０．２Ａ／ｄｍ2の条件で陽極酸化処理を施した以外は、実施例３と同様の方法により皮膜厚１０μｍ厚の陽極酸化皮膜を形成した。
【０１０８】
（実施例６）
硫酸濃度１００ｇ／Ｌ、電流密度１５．０Ａ／ｄｍ2の条件で陽極酸化処理を施した以外は、実施例３と同様の方法により皮膜厚１０μｍ厚の陽極酸化皮膜を形成した。
【０１０９】
（実施例７）
リン酸濃度１５ｇ／Ｌ、電流密度０．６Ａ／ｄｍ2で陽極酸化処理を施し、上記（ｇ）電気化学的粗面化処理を施した以外は、実施例３と同様の方法により皮膜厚１０μｍ厚の陽極酸化皮膜を形成した。
【０１１０】
（比較例１）
硫酸濃度１５０ｇ／Ｌ、電流密度２２．０Ａ／ｄｍ2で陽極酸化処理を施した以外は、実施例３と同様の方法により皮膜厚１０μｍ厚の陽極酸化皮膜を形成した。
【０１１１】
（比較例２）
硫酸濃度３５０ｇ／Ｌ、電流密度３０．０Ａ／ｄｍ2で陽極酸化処理を施した以外は、実施例３と同様の方法により皮膜厚１０μｍ厚の陽極酸化皮膜を形成した。
【０１１２】
（比較例３）
機械的粗面化処理（ａ）に代えて以下に示す鏡面仕上げ処理（ａ′）を施し、アルカリエッチング処理（ｂ）〜デスマット処理（ｉ）を施さなかった以外は実施例１と同様の方法により皮膜厚１０μｍ厚の陽極酸化皮膜を形成した。
（ａ′）鏡面仕上げ処理
研磨布を用いた研磨、バフ研磨および電解研磨をこの順に行うことにより、鏡面仕上げ処理を施した。バフ研磨後には水洗を行った。
研磨布を用いた研磨は、研磨盤（Ｓｔｒｕｅｒｓ  Ａｂｒａｍｉｎ、丸本工業社製）および耐水研磨布（市販品）を用い、耐水研磨布の番手を＃２００、＃５００、＃８００、＃１０００および＃１５００の順に変更しつつ行った。
バフ研磨は、スラリー状研磨剤（ＦＭ  Ｎｏ．３（平均粒径１μｍ）およびＦＭ  Ｎｏ．４（平均粒径０．３μｍ）、いずれもフジミインコーポレーテッド社製）を用いて行った。
電解研磨は、下記組成の電解液（温度７０℃）を用いて、陽極を基板、陰極をカーボン電極とし、１３０ｍＡ／ｃｍ2の定電流で、２分間行った。電源としては、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。
＜電解液組成＞
・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬）    ６６０ｍＬ
・純水    １６０ｍＬ
・硫酸    １５０ｍＬ
・エチレングリコール    ３０ｍＬ
【０１１３】
（比較例４）
市販である三洋電機社製のＩＭＳＴ（登録商標）アルミベース基板を用いた。
【０１１４】
【表１】
2011132590.tif 000003
【０１１５】
２．アルミニウム基板の表面形状の測定
上記（ａ）〜（ｉ）処理で得られたアルミニウム基板の表面の凹凸について、下記（１）〜（３）の測定を行い、大波構造の平均波長ならびに中波構造および小波構造の平均開口径を算出した。
結果を第２表に示す。なお、第２表中、「−」は、該当する平均波長の凹凸がなかったことを示す。
【０１１６】
（１）大波構造の平均波長
触針式粗さ計（ｓｕｆｃｏｍ５７５、東京精密社製）で２次元粗さ測定を行い、ＩＳＯ４２８７に規定されている平均山間隔Ｓmを５回測定し、その平均値を平均波長とした。
２次元粗さ測定は、以下の条件で行った。
＜測定条件＞
・カットオフ値：０．８ｍｍ
・傾斜補正：ＦＬＡＴ−ＭＬ
・測定長：３ｍｍ
・縦倍率：１００００倍
・走査速度：０．３ｍｍ／ｓｅｃ
・触針先端径：２μｍ
【０１１７】
（２）中波構造の平均開口径
高分解能走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて多孔質アルミナ担体の表面を真上から倍率２０００倍で撮影し、得られたＳＥＭ写真において凹凸の周囲が環状に連なっている中波構造の凹凸を５０個抽出し、その直径を読み取って平均開口径を算出した。
【０１１８】
（３）小波構造の平均開口径
高分解能走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて多孔質アルミナ担体の表面を真上から倍率５００００倍で撮影し、得られたＳＥＭ写真において小波構造の凹凸を５０個抽出し、その直径を読み取って平均開口径を算出した。
【０１１９】
【表２】
2011132590.tif 000004
【０１２０】
３．陽極酸化処理の電解液由来の分子含有率
ＪＥＯＬ製ＳＥＭ−５５００ＥＤＡＸにより、Ａｌ、Ｏ、Ｘ（ここでＸとは陽極酸化処理時の電解液に入れた酸を構成する元素であって、実施例１〜６および比較例１〜３はＳ、実施例７はＰを示す）の各組成比を限定して測定し、絶縁層におけるＸの含有率（原子％）を求めた。結果を第３表に示す。
なお、比較例４は陽極酸化処理を施していないため、第３表中では「−」と示す。
【０１２１】
４．絶縁層の可視光透過率の測定
上述した（ａ）〜（ｉ）処理時点でのアルミニウム基板を参照サンプルとし、（ｊ）陽極酸化処理まで施した絶縁基板を測定サンプルとして、４００〜７００ｎｍの反射ＵＶスペクトル／透過率モードを、日本分光製Ｕ−ｂｅｓｔ５０で測定した。上記波長領域での最低透過率を第３表に示す。
なお、比較例４は陽極酸化処理を施していないため、第３表中では「−」と示す。
【０１２２】
５．反射率の測定
実施例１〜７および比較例１〜３で作製した絶縁基板ならびに比較例４の市販品について、Ｘ−ｒｉｔｅ社製ＳＰ−６４型積分球光度計を用いて、４００〜７００ｎｍの全反射率（ＳＰＩＮモードの全平均）および拡散反射率（ＳＰＥＸモードの全平均）を測定した。
【０１２３】
６．ＬＥＤ素子実装ユニットでの輝度評価
上記のようにして得られた実施例１〜７および比較例１〜３で作製した絶縁基板と比較例４の市販品を用いて、以下のようにして、蛍光体混色型の白色系ＬＥＤ発光素子の輝度評価を行なった。
具体的には、実施例１〜７および比較例１〜３で作製した絶縁基板と比較例４の市販品上に、図５に示すように青色ＬＥＤを設け、青色ＬＥＤの上方に青色ＬＥＤと接するように蛍光発光ユニットを設け、青色ＬＥＤを６Ｖで駆動させた際の輝度を比較した。
比較例４の反射基板を用いた輝度を１．０とした相対評価を第３表に示す。
【０１２４】
【表３】
2011132590.tif 000005
【０１２５】
第１表〜第３表に示す結果から、アルミニウムおよび酸素以外の元素の含有率が２０原子％を超える絶縁層を有する比較例１および２の絶縁基板は、絶縁層の透過率が低く、比較例４の市販品と同程度の輝度にしかならないことが分かった。
また、所定の大波構造や中波構造を表面に有しないアルミニウム基板を用いた比較例３の絶縁基板は、絶縁層の透過率は優れるものの、拡散反射率が低く、比較例４の市販品と同程度の輝度にしかならないことが分かった。
これに対し、所定の大波構造および／または中波構造を有する表面形状のアルミニウム基板上に、アルミニウムおよび酸素以外の元素の含有率が２０原子％以下とした絶縁層を有する実施例１〜７の絶縁基板を用いることにより、比較例４の市販品を用いた場合と比較して、１．３〜１．５倍の輝度が得られることが分かった。
【符号の説明】
【０１２６】
１、１１  アルミニウム基板
２、４  ローラ状ブラシ
３  研磨スラリー液
５、６、７、８  支持ローラ
１２  ラジアルドラムローラ
１３ａ、１３ｂ  主極
１４  電解処理液
１５  電解液供給口
１６  スリット
１７  電解液通路
１８  補助陽極
１９ａ、１９ｂ  サイリスタ
２０  交流電源
２２  青色ＬＥＤ
２４  樹脂
２６  蛍光発光ユニット
３０  絶縁基板
３２  絶縁層
３３  アルミニウム基板
４０  主電解槽
５０  補助陽極槽
１００  発光素子
１１０  青色ＬＥＤ
１２０、１３０  電極
１４０  基板
１５０  蛍光粒子
１６０  透明樹脂
４１０  陽極酸化処理装置
４１２  給電槽
４１４  電解処理槽
４１６  アルミニウム基板
４１８、４２６  電解液
４２０  給電電極
４２２、４２８  ローラ
４２４  ニップローラ
４３０  電解電極
４３２  槽壁
４３４  直流電源
【図１】
2011132590.tif 000006
【図２】
2011132590.tif 000007
【図３】
2011132590.tif 000008
【図４】
2011132590.tif 000009
【図５】
2011132590.tif 000010
【図６】
2011132590.tif 000011