(57)【要約】【課題】工数の低減、歩留りの向上を図ることのできる発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体積層構造の一部を除去することにより第１導電型の半導体層の表面を露出させる工程と、第２導電型の半導体層の表面にｐコンタクト電極３０を形成する工程と、露出した第１導電型の半導体層上及びｐコンタクト電極３０が形成された第２導電型の半導体層上に絶縁層５０を形成する工程と、第１露出部と第２露出部とを有するパターン２００を絶縁層５０上に形成する工程と、第１露出部及び第２露出部から外部に露出した絶縁層５０を除去することにより、第１露出部に対応する位置に第１開口部を有し、第２露出部に対応する位置に第２開口部を有する絶縁層５０を形成する工程と、パターン２００を残存させた状態で、第１開口部及び第２開口部に電極を形成する工程とを備える。【選択図】図１Ａ
2011071443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体層と、発光層と、前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層とを有する窒化物半導体積層構造の一部を除去することにより、前記第１半導体層の表面を露出させる半導体除去工程と、
前記第２半導体層の表面に透明導電層を形成する透明導電層形成工程と、
露出した前記第１半導体層上と、前記透明導電層が形成された前記第２半導体層上と、に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記第１半導体層上に前記絶縁層を露出させる第１露出部を有し、前記透明導電層上に前記絶縁層を露出させる第２露出部を有するパターンを前記絶縁層上に形成するパターン形成工程と、
前記第１露出部及び前記第２露出部を通じて前記絶縁層の露出部分を除去することにより、前記絶縁層に前記第１開口部及び前記第２開口部を形成する絶縁層除去工程と、
前記パターンを残存させた状態で、前記第１半導体層上の前記第１開口部及び前記第２半導体層上の前記第２開口部に電極を形成する電極形成工程と、を備える発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記電極形成工程後、前記パターンを除去するパターン除去工程を更に備える請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記第１露出部及び前記第２露出部は、前記パターンの厚さ方向につき、前記絶縁層側に向けて拡がるよう形成される請求項２に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子の製造方法に関する。特に、本発明は、レジストパターンをマスクとしてエッチングを実施する工程を含む発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ｎ側コンタクト層、活性層、及びｐ側コンタクト層を有する基板を準備する工程と、ｐ側コンタクト層上にｐコンタクト電極を形成する工程と、ｐコンタクト電極上にフォトレジストからなるパターンを形成する工程と、当該パターンをマスクとしてｐバッファ電極及びｎ電極を形成する工程と、当該パターンを除去する工程と、ｐバッファ電極及びｎ電極を有する基板の略全面に絶縁層を形成する工程と、ｐバッファ電極及びｎ電極上に開口を有するフォトレジストからなるパターンを絶縁層上に形成する工程と、当該開口を介して絶縁層を除去する工程とを備える製造方法により提供される発光素子が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−０４１８６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の発光素子は、フォトレジストからなるパターンを形成する工程を複数回経て製造されるので、製造コストの低減、及び製造時間の低減には限界があり、かつ、フォトレジストを除去した後のコンタミネーションによる不具合が発生する確率が高くなり、歩留りの向上には限界がある。
【０００５】
したがって、本発明の目的は、工数の低減、歩留りの向上を図ることのできる発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記目的を達成するため、第１導電型の第１半導体層と、発光層と、前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層とを有する窒化物半導体積層構造の一部を除去することにより、前記第１半導体層の表面を露出させる半導体除去工程と、前記第２半導体層の表面に透明導電層を形成する透明導電層形成工程と、露出した前記第１半導体層上と、前記透明導電層が形成された前記第２半導体層上と、に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記第１半導体層上に前記絶縁層を露出させる第１露出部を有し、前記透明導電層上に前記絶縁層を露出させる第２露出部を有するパターンを前記絶縁層上に形成するパターン形成工程と、前記第１露出部及び前記第２露出部を通じて前記絶縁層の露出部分を除去することにより、前記絶縁層に前記第１開口部及び前記第２開口部を形成する絶縁層除去工程と、前記パターンを残存させた状態で、前記第１半導体層上の前記第１開口部及び前記第２半導体層上の前記第２開口部に電極を形成する電極形成工程と、を備える発光素子の製造方法が提供される。
【０００７】
上記発光素子の製造方法において、前記電極形成工程後、前記パターンを除去するパターン除去工程を更に備えることが好ましい。
【０００８】
上記発光素子の製造方法において、前記第１露出部及び前記第２露出部は、前記パターンの厚さ方向につき、前記絶縁層側に向けて拡がるよう形成されてもよい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る発光素子の製造方法によれば、工数の低減、歩留りの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の平面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の縦断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃ（ａ）及び図１Ｃ（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の縦断面の部分拡大図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の概要図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の概要図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の概要図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程において、ｐ側露出部の部分を拡大した縦断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、ｐ側露出部を形成する工程の流れを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［第１の実施の形態］
図１Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の上面の概要を示し、図１Ｂは、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の縦断面の概要を示す。具体的に図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ線における発光素子の縦断面の概要を示す。更に、図１Ｃ（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の縦断面の一部分を拡大した概要を示す。
【００１２】
（発光素子１の構成）
本発明の第１の実施の形態に係る発光素子１は、図１Ｂに示すように、一例として、Ｃ面（０００１）を有するサファイア基板１０と、サファイア基板１０上に設けられるバッファ層２０と、バッファ層２０上に設けられるｎ側コンタクト層２２と、ｎ側コンタクト層２２上に設けられるｎ側クラッド層２４と、ｎ側クラッド層２４上に設けられる発光層２５と、発光層２５上に設けられるｐ側クラッド層２６と、ｐ側クラッド層２６上に設けられるｐ側コンタクト層２８とを含む窒化物半導体積層構造を備える。
【００１３】
また、発光素子１は、ｐ側コンタクト層２８上に設けられる透明導電層としてのｐコンタクト電極３０と、ｐコンタクト電極３０上の一部の領域に設けられるｐバッファ電極４０と、ｐ側コンタクト層２８から少なくともｎ側コンタクト層２２の表面まで除去することにより露出したｎ側コンタクト層２２上に設けられるｎ電極４２と、ｐバッファ電極４０及びｎ電極４２上を除き、ｎ側コンタクト層２２及びｐコンタクト電極３０上に設けられる絶縁層５０とを備える。本実施形態において絶縁層５０は、ｐバッファ電極４０及びｎ電極４２に実質的に重ならないように設けられる。すなわち、ｐバッファ電極４０は、絶縁層５０に設けられたｐ側開口部５２を介してｐコンタクト電極３０上に設けられ、ｎ電極４２は、絶縁層５０に設けられたｎ側開口部５４を介してｎ側コンタクト層２２上に設けられる。
【００１４】
また、図１Ａを参照すると、発光素子１の平面視にて、ｎ電極４２は一辺の中央近傍に配置され、ｐバッファ電極４０は、当該一辺の対辺の中央近傍に配置される。そして、ｐコンタクト電極３０は、平面視にて略コの字形状に形成される。すなわち、ｐコンタクト電極３０は、ｎ電極４２が配置される部分に凹部３０ｂを有しており、平面視にて凹部３０ｂの底部の両端から上記一辺に向けて延びる２つの突出部３０ａを有して形成される。ｎ電極４２は、平面視にて、２つの突出部３０ａの間に配置される。
【００１５】
また、図１Ｃの（ａ）に示すように、絶縁層５０のｎ側開口部５４は、絶縁層５０の厚さ方向につき、ｎ側コンタクト層２２側に向けて窄むように形成される（以下、このような形状を「テーパー形状」という）。すなわち、ｎ側開口部５４は、ｎ側コンタクト層２２の表面の法線方向に対し、上方向へ向かってｎ電極４２から遠ざかる方向に傾いた側面を有して形成される。そして、ｎ電極４２は、ｎ側開口部５４の下端を完全に塞ぐように、ｎ側開口部５４の側面にかかるよう形成されている。これにより、ｎ側コンタクト層２２が露出することはなく、ｎ側コンタクト層２２を的確に保護することができる。
また、図１Ｃの（ｂ）に示すように、絶縁層５０のｐ側開口部５２は、絶縁層５０の厚さ方向につき、ｐコンタクト電極３０側に向けて窄むように形成される。すなわち、ｐ側開口部５２は、ｐコンタクト電極３０の表面の法線方向に対し、上方向へ向かってｐバッファ電極４０から遠ざかる方向に傾いた側面を有して形成される。本実施形態においては、ｐバッファ電極４０はｐ側開口部５２の側面と離隔して形成されているが、ｎ電極４２と同様にｐ側開口部５２の側面にかかるよう形成することもできる。
【００１６】
（窒化物半導体積層構造）
ここで、バッファ層２０と、ｎ側コンタクト層２２と、ｎ側クラッド層２４と、発光層２５と、ｐ側クラッド層２６と、ｐ側コンタクト層２８とはそれぞれ、III族窒化物化合物半導体からなる層である。III族窒化物化合物半導体は、例えば、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の四元系のIII族窒化物化合物半導体を用いることができる。
【００１７】
本実施形態においては、バッファ層２０は、ＡｌＮから形成される。そして、ｎ側コンタクト層２２とｎ側クラッド層２４とは、所定量のｎ型ドーパント（例えば、Ｓｉ）をそれぞれドーピングしたｎ−ＧａＮからそれぞれ形成される。また、発光層２５は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮから形成される多重量子井戸構造を有する。更に、ｐ側クラッド層２６とｐ側コンタクト層２８とは、所定量のｐ型ドーパント（例えば、Ｍｇ）をドーピングしたｐ−ＧａＮからそれぞれ形成される。
【００１８】
（ｐコンタクト電極３０、ｐバッファ電極４０、ｎ電極４２）
ｐコンタクト電極３０は導電性酸化物から形成される。例えば、ｐコンタクト電極３０は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から形成することができる。また、ｐバッファ電極４０を構成する材料とｎ電極４２を構成する材料とは同一である。なお、ｐバッファ電極４０及びｎ電極４２を多層から形成する場合、それぞれの層構成は同一である。例えば、ｐバッファ電極４０及びｎ電極４２は、Ｎｉ又はＣｒと、Ａｕと、Ａｌとを含む金属材料から形成される。特にｎ側コンタクト層２２がｎ型のＧａＮから形成される場合、ｎ電極４２は、ｎ側コンタクト層２２の側から接触層としてのＮｉ層を含んで形成することができ、又はｎ側コンタクト層２２の側から接触層としてのＣｒ層を含んで形成することができる。また、特にｐコンタクト電極３０が導電性酸化物から形成される場合、ｐバッファ電極４０は、ｐコンタクト電極３０の側から接触層としてのＮｉ層を含んで形成することができ、又はｐコンタクト電極３０の側から接触層としてのＣｒ層を含んで形成することができる。具体的にｐバッファ電極４０及びｎ電極４２はそれぞれ、ｐコンタクト電極３０側又はｎ側コンタクト層２２側から、Ｎｉ層とＡｕ層とＡｌ層とを含んで形成することができる。
【００１９】
なお、ｐバッファ電極４０及びｎ電極４２の平面視における形状は、略円状、略多角形状（例えば、三角形、四角形、五角形、六角形等）にすることができ、各電極の配置、発光素子１の平面視における全面積に占める発光領域の面積（以下、「発光面積」という）の割合の向上等を考慮して、ｐバッファ電極４０及びｎ電極４２の平面視におけるサイズ及び／又は形状を適宜設定できる。
【００２０】
（絶縁層５０）
絶縁層５０は、例えば、絶縁材料である二酸化シリコン（ＳｉＯ２）から主として形成される。
【００２１】
以上のように構成された発光素子１は、青色領域の波長の光を発するフェイスアップ型の発光ダイオード（ＬＥＤ）である。例えば、発光素子１は、順電圧が３Ｖ程度で、順電流が２０ｍＡの場合に、ピーク波長が４５５ｎｍ程度の光を発する。また、発光素子１は上面視にて略四角形状に形成される。発光素子１の平面寸法は、例えば、縦寸法及び横寸法がそれぞれ略３５０μｍである。
【００２２】
なお、サファイア基板１０の上に設けられるバッファ層２０からｐ側コンタクト層２８までの各層は、例えば、有機金属化学気相成長法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition : MOCVD）、分子線エピタキシー法（Molecular Beam Epitaxy : MBE）、ハライド気相エピタキシー法（Halide Vapor Phase Epitaxy : HVPE）等によって形成することができる。ここで、バッファ層２０がＡｌＮから形成されるものを例示したが、バッファ層２０はＧａＮから形成することもできる。また、発光層２５の量子井戸構造は、多重量子井戸構造でなく、単一量子井戸構造、歪量子井戸構造にすることもできる。
【００２３】
また、絶縁層５０は、ＳｉＯ２の他、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の金属酸化物、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の窒化物、若しくはポリイミド等の電気絶縁性を有する樹脂材料から形成することもできる。
【００２４】
更に、発光素子１は、紫外領域、近紫外領域、又は緑色領域にピーク波長を有する光を発するＬＥＤであってもよいが、ＬＥＤが発する光のピーク波長の領域はこれらに限定されない。なお、他の変形例においては、発光素子１の平面寸法はこれに限られない。例えば、発光素子１の平面寸法を縦寸法及び横寸法がそれぞれ１ｍｍとなるよう設計することもでき、縦寸法と横寸法とが互いに異なるようにすることもできる。
【００２５】
（発光素子１の製造工程）
図２Ａから図２Ｃは、第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の一例を示す。具体的に、図２Ａの（ａ）は、エッチングが施された後の窒化物半導体積層構造を有する発光素子の縦断面図である。図２Ａの（ｂ）は、ｐコンタクト電極が形成された後の発光素子の縦断面図である。また、図２Ａの（ｃ）は、絶縁層５０が形成された後の発光素子の縦断面図である。
【００２６】
まず、サファイア基板１０を準備して、このサファイア基板１０の上に、ｎ型半導体層と、発光層と、ｐ型半導体層とを含む窒化物半導体積層構造を形成する。具体的には、サファイア基板１０の上に、バッファ層２０と、ｎ側コンタクト層２２と、ｎ側クラッド層２４と、発光層２５と、ｐ側クラッド層２６と、ｐ側コンタクト層２８とをこの順にエピタキシャル成長して半導体積層構造を形成する（半導体積層構造形成工程）。続いて、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いてｐ側コンタクト層２８からｎ側コンタクト層２２までの一部をエッチングして除去する（図２Ａ（ａ）、半導体除去工程）。これにより、ｎ側コンタクト層２２の表面の一部が露出する。
【００２７】
次に、ｐ側コンタクト層２８上の略全面に、透明導電層としてのｐコンタクト電極３０を形成する（図２Ａ（ｂ）、透明導電層形成工程）。例えば、露出したｎ側コンタクト層２２上と、ｐ側コンタクト層２８上とを含む全面に透明導電材料からなる層を形成した後、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いてｐコンタクト電極３０を形成する。本実施形態においてｐコンタクト電極３０はＩＴＯから形成される。ｐコンタクト電極３０は、例えば、真空蒸着法を用いて形成される。なお、ｐコンタクト電極３０は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、蒸着法、ゾルゲル法等により形成することもできる。続いて、ｎ側コンタクト層２２上、及びｐコンタクト電極３０が形成されたｐ側コンタクト層２８上の全面に絶縁層５０を真空蒸着法により形成する（図２Ａ（ｃ）、絶縁層形成工程）。絶縁層５０は、例えば、０．０５μｍ以上２．０μｍ以下の厚さを有して形成される。なお、半導体積層構造の表面の全体にｐコンタクト電極３０を形成した後、ｐコンタクト電極３０の一部と共に、ｐ側コンタクト層２８からｎ側コンタクト層２２までの一部をエッチング除去することもできる。
【００２８】
図２Ｂ（ａ）は、絶縁層上にパターンを形成した後の縦断面図であり、図２Ｂ（ｂ）は、絶縁層の一部を除去した後の縦断面図である。また、図２Ｂ（ｃ）は、電極を形成した後の縦断面図である。そして、図２Ｃは、リフトオフ後の縦断面図である。更に、図２Ｄは、図２Ｂ（ａ）のｐ側露出部の部分を拡大した縦断面図であり、図２Ｅは、ｐ側露出部の部分を形成する工程の流れの概要を示す。
【００２９】
続いて、フォトレジストによるパターン２００を絶縁層５０上にフォトリソグラフィー技術を用いて形成する（図２Ｂ（ａ）、パターン形成工程）。具体的に、図２Ｅを参照して説明する。まず、絶縁層５０が形成された基板の表面にフォトレジスト２１０をスピンコートする。なお、フォトレジスト２１０としては、例えば、露光光に対して感度が高く、露光時間が短いことによりスループットを向上させることのできるネガレジストを用いる。
【００３０】
スピンコートした後、ホットプレート上に当該基板を置き、所定の温度、所定の時間、当該基板をベークすることによりフォトレジスト中のフラックスを揮発させる（図２Ｅ（ａ）、レジスト塗布工程）。本実施形態においてフォトレジスト２１０は、使用するフォトレジストの量、スピンコートの回転速度等を調整して、例えば、２μｍ以上４μｍ以下の厚さにされる。次に、フォトレジスト２１０上にフォトマスク３００を配置して、フォトマスク３００の上方から所定の波長の光４００を予め設定した時間、照射する（図２Ｅ（ｂ）、露光工程）。なお、フォトマスク３００としては、所定形状のマスクパターン３０２を有するフォトマスク３００を用いる。これにより、光４００が照射された部分に酸が発生する。一方、光４００が照射されていない部分には酸が発生しない。
【００３１】
ここで、光４００は、フォトレジスト２１０の表面から絶縁層５０の側に向かって進行するにしたがってフォトレジスト２１０に徐々に吸収される。したがって、フォトレジスト２１０の表面における光４００の強度が最も強く、絶縁層５０近傍における光４００の強度が最も弱い。これにより、光４００によりフォトレジスト２１０中に酸が発生する反応の程度は、フォトレジスト２１０の表面が最も大きく、絶縁層５０に接する部分で最も小さい。よって、図２Ｅ（ｃ）に示すように、縦断面にて酸が発生した部分（以下、単に「露光部分２１０ｂ」という）は下方へ向かって拡がる逆テーパー形状になり、酸が発生していない部分（以下、単に「未露光部分２１０ａ」という）は下方へ向かって窄むテーパー形状になる。
【００３２】
続いて、露光後のフォトレジスト２１０に、所定の温度、所定の時間の熱処理を施す（リバーサルベーク工程）。これにより、光４００の照射で発生した酸が存在することに起因して、フォトレジスト２１０を構成する樹脂材料の架橋反応が露光部分２１０ｂにおいて進行する。次に、フォトレジスト２１０の全面に、所定の波長の光を予め設定した時間、照射する（二次露光工程）。これにより、未露光部分２１０ａを、現像液に溶出しやすくすることができる。その後、所定の現像液を用いて現像を実施することにより、未露光部分２１０ａを除去する。これにより、ｎ側露出部２０２及びｐ側露出部２０４が形成される（図２Ｂ（ａ）、図２Ｅ（ｄ）、現像工程）。
【００３３】
ここで、本実施形態においては、図２Ｄに示すように、パターン２００の縦断面におけるｐ側露出部２０４は、逆テーパー形状を呈する。そして、絶縁層５０の法線方向に対して当該側面の傾く角度は、露光工程における光４００の露光量、リバーサルベーク工程における温度及び熱処理時間、二次露光工程における光の量等を調整することにより０°を越して６０°以下になるようにする。
【００３４】
次に、パターン２００をマスクとして、絶縁層５０にエッチング（例えば、ドライエッチング）を施す。これにより、ｎ側露出部２０２及びｐ側露出部２０４から外部に露出していた絶縁層５０が除去される（図２Ｂ（ｂ）、絶縁層除去工程）。ここで、エッチングにより生じたｎ側開口部５４及びｐ側開口部５２は、ともにテーパー形状となる。
【００３５】
続いて、パターン２００を残存させた状態で、真空蒸着法を用いてｐ側開口部５２及びｎ側開口部５４に、ｐバッファ電極４０及びｎ電極４２を形成する（図２Ｂ（ｃ）、電極形成工程）。本実施形態において、ｐバッファ電極４０を構成する材料と、ｎ電極４２を構成する材料とは同一材料である。すなわち、パターン２００が形成されていない領域であるｐ側露出部２０４により露出しているｐコンタクト電極３０の表面と、ｎ側露出部２０２により露出しているｎ側コンタクト層２２の表面とに電極材料を同時に真空蒸着することにより同一材料からなるｐバッファ電極４０及びｎ電極４２を形成する。
【００３６】
次に、リフトオフ法によりパターン２００とパターン２００上に堆積した電極層４４とを除去することにより、本実施の形態に係る発光素子１が製造される（図２Ｃ、パターン除去工程）。
【００３７】
なお、ｐバッファ電極４０及びｎ電極４２を形成した後、ｐコンタクト電極３０とｐバッファ電極４０との間、及びｎ側コンタクト層２２とｎ電極４２との間のオーミック接触と密着性とを確保すべく、所定の温度、所定の雰囲気下で、所定の時間の熱処理を施すこともできる。また、ｐバッファ電極４０を構成する材料とｎ電極４２を構成する材料とを異なる材料にすることもできる。この場合、ｐバッファ電極４０とｎ電極４２とは同時ではなく、それぞれ別々に形成される。
【００３８】
また、ｎ電極４２、及びｐバッファ電極４０はそれぞれ、スパッタリング法により形成することもできる。また、絶縁層５０は、化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition : CVD）により形成することもできる。そして、以上の工程を経て形成された発光素子１は、導電性材料の配線パターンが予め形成されたセラミック等から構成される基板の所定の位置に、フリップチップボンディングにより実装される。そして、基板に実装された発光素子１を、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、又はガラス等の封止材で一体として封止することにより、発光素子１を発光装置としてパッケージ化できる。
【００３９】
なお、本実施形態においてパターン２００はネガレジストから形成したが、形成すべきｐバッファ電極４０及びｎ電極４２の平面視における形状を、例えば、数ミクロン幅程度の細線を含む形状にする場合等には、ポジレジストを用いることもできる。なお、ポジレジストを用いる場合、ポジレジストを塗布する前に絶縁層５０の表面に対して、Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ（ＨＭＤＳ）等を用いた表面改質処理を実施することが好ましい。
【００４０】
（第１の実施の形態の効果）
本実施の形態に係る発光素子１の製造方法は、絶縁層除去工程での絶縁層５０を除去するためのパターン２００と電極形成工程でのｐバッファ電極４０及びｎ電極４２を形成するためのパターン２００とを共通にしたことにより、エッチング用のパターンと電極形成用のパターンとを共通にすることができるので、発光素子１の製造工程を簡略化することができる。これにより、製造コストを低減することができる。更に、フォトマスク３００を使用する回数、及びフォトレジストの除去回数も低減できるので、コンタミネーションによる不具合の発生も低減できることから、歩留りを向上させることもできる。
【００４１】
また、本実施の形態に係る発光素子１は、ｐバッファ電極４０及びｎ電極４２に絶縁層５０が重ならないので、ｐバッファ電極４０及びｎ電極４２の平面視におけるサイズを縮小したとしても、従来と同程度のボンディングエリアを確保することができる。これにより、発光素子１の発光面積を拡大することができ、光取り出し効率を向上させることができる。
【００４２】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【符号の説明】
【００４３】
１  発光素子
１０  サファイア基板
２０  バッファ層
２２  ｎ側コンタクト層
２４  ｎ側クラッド層
２５  発光層
２６  ｐ側クラッド層
２８  ｐ側コンタクト層
３０  ｐコンタクト電極
３０ａ  突出部
３０ｂ  凹部
４０  ｐバッファ電極
４２  ｎ電極
４４  電極層
５０  絶縁層
５２、５３  ｐ側開口部
５４  ｎ側開口部
２００  パターン
２０２  ｎ側露出部
２０４  ｐ側露出部
２１０  フォトレジスト
２１０ａ  未露光部分
２１０ｂ  露光部分
３００  フォトマスク
３０２  マスクパターン
４００  光
【図１Ａ】
2011071443.tif 000003
【図１Ｂ】
2011071443.tif 000004
【図１Ｃ】
2011071443.tif 000005
【図２Ａ】
2011071443.tif 000006
【図２Ｂ】
2011071443.tif 000007
【図２Ｃ】
2011071443.tif 000008
【図２Ｄ】
2011071443.tif 000009
【図２Ｅ】
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