(57)【要約】【課題】凹凸パターンの形成面に汚れや傷付きが生じる事態を回避する。【解決手段】エネルギー線硬化型の樹脂材料１７を塗布すると共にＡ１凹凸パターン４０ａが形成されたＡスタンパー３０ＡをＡ面１０ａに貼り付け、Ｂ１凹凸パターン４０ｂが形成されたＢスタンパー３０ＢをＢ面１０ｂに貼り付けるスタンパー貼付け処理と、エネルギー線を照射して材料１７を硬化させる樹脂材料硬化処理と、材料１７からスタンパー３０Ａ，３０Ｂを剥離するスタンパー剥離処理とを実行して、凹凸パターン４０ａ，４０ｂと凹凸位置関係が反転するＡ２凹凸パターン５０ａおよびＢ２凹凸パターン５０ｂを両材料１７に形成する際に、材料１７の硬化率がＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂにおいて相違するように、エネルギー線の照射量、照射するエネルギー線の種類、および塗布する材料１７の種類のうちの少なくとも１つをＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂにおいて相違させる。【選択図】図５
2011000804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー線硬化型の樹脂材料を基材のＡ面およびＢ面に塗布すると共にＡ１凹凸パターンが形成されたＡスタンパーを当該Ａ面に貼り付け、かつＢ１凹凸パターンが形成されたＢスタンパーを当該Ｂ面に貼り付けるスタンパー貼付け処理と、前記Ａ面および前記Ｂ面にエネルギー線を照射して前記樹脂材料を硬化させる樹脂材料硬化処理と、前記Ａ面において硬化させた前記樹脂材料から前記Ａスタンパーを剥離すると共に前記Ｂ面において硬化させた前記樹脂材料から前記Ｂスタンパーを剥離するスタンパー剥離処理とを実行して、前記Ａ面において硬化させた前記樹脂材料に前記Ａ１凹凸パターンと凹凸位置関係が反転するＡ２凹凸パターンを当該Ａ面に形成すると共に前記Ｂ面において硬化させた前記樹脂材料に前記Ｂ１凹凸パターンと凹凸位置関係が反転するＢ２凹凸パターンを当該Ｂ面に形成する際に、前記Ａ面において硬化させた前記樹脂材料の前記スタンパー剥離処理前の硬化率と前記Ｂ面において硬化させた前記樹脂材料の当該スタンパー剥離処理前の硬化率とが相違するように、前記樹脂材料硬化処理時における前記樹脂材料に対する前記エネルギー線の照射量、前記樹脂材料硬化処理時に前記樹脂材料に対して照射する前記エネルギー線の種類、および前記スタンパー貼付け処理時に塗布する前記樹脂材料の種類のうちの少なくとも１つを前記Ａ面および前記Ｂ面において相違させて前記Ａ２凹凸パターンおよび前記Ｂ２凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法。
【請求項２】
前記エネルギー線の照射時間、前記エネルギー線の照射パワー、および前記エネルギー線の照射源と前記基材との間の距離のうちの少なくとも１つを前記Ａ面および前記Ｂ面において相違させて当該エネルギー線の照射量を当該Ａ面および当該Ｂ面において相違させる請求項１記載の凹凸パターン形成方法。
【請求項３】
前記エネルギー線の照射源の種類を前記Ａ面および前記Ｂ面において相違させて当該エネルギー線の種類を当該Ａ面および当該Ｂ面において相違させる請求項１または２記載の凹凸パターン形成方法。
【請求項４】
含有している重合開始剤の種類、および当該重合開始剤の含有量の少なくとも一方が相違する前記樹脂材料を使用して前記スタンパー貼付け処理時に塗布する当該樹脂材料の種類を前記Ａ面および前記Ｂ面において相違させる請求項１から３のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法。
【請求項５】
前記スタンパー剥離処理の後に、少なくとも前記硬化率が低い前記樹脂材料に前記エネルギー線を照射する請求項１から４のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法によって形成した前記Ａ２凹凸パターンおよび前記Ｂ２凹凸パターンを用いて情報記録媒体を製造する情報記録媒体製造方法。
【請求項７】
エネルギー線硬化型の樹脂材料がＡ面およびＢ面に塗布されると共にＡスタンパーが当該Ａ面に貼り付けられ、かつＢスタンパーが当該Ｂ面に貼り付けられた基材にエネルギー線を照射して当該樹脂材料を硬化させる樹脂材料硬化処理を実行する樹脂材料硬化処理装置であって、
Ａ照射源を備えて前記Ａ面に前記エネルギー線を照射するＡ照射装置と、Ｂ照射源を備えて前記Ｂ面に前記エネルギー線を照射するＢ照射装置とを備え、当該両照射装置は、前記Ａ面において硬化させた前記樹脂材料の硬化率と前記Ｂ面において硬化させた当該樹脂材料の硬化率とが相違するように、前記樹脂材料硬化処理時における前記Ａ照射源と前記Ａ面との間の距離Ａ、および当該樹脂材料硬化処理時における前記Ｂ照射源と前記Ｂ面との間の距離Ｂが互いに相違する状態で配設されると共に、前記樹脂材料硬化処理時において、前記樹脂材料に対する前記エネルギー線の照射量を前記Ａ面および前記Ｂ面において相違させて当該エネルギー線を照射する樹脂材料硬化処理装置。
【請求項８】
エネルギー線硬化型の樹脂材料がＡ面およびＢ面に塗布されると共にＡスタンパーが当該Ａ面に貼り付けられ、かつＢスタンパーが当該Ｂ面に貼り付けられた基材にエネルギー線を照射して当該樹脂材料を硬化させる樹脂材料硬化処理を実行する樹脂材料硬化処理装置であって、
Ａ照射源を備えて前記Ａ面に前記エネルギー線を照射するＡ照射装置と、Ｂ照射源を備えて前記Ｂ面に前記エネルギー線を照射するＢ照射装置とを備え、当該両照射装置は、前記Ａ面において硬化させた前記樹脂材料の硬化率と前記Ｂ面において硬化させた当該樹脂材料の硬化率とが相違するように、互いに種類が相違する照射源で前記Ａ照射源および前記Ｂ照射源が構成されると共に、前記樹脂材料硬化処理時において、前記樹脂材料に対して照射する前記エネルギー線の種類を前記Ａ面および前記Ｂ面において相違させて当該エネルギー線を照射する樹脂材料硬化処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材のＡ面およびＢ面に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法、形成した凹凸パターンを用いて情報記録媒体を製造する情報記録媒体製造方法、並びに、凹凸パターンの形成時に樹脂材料を硬化させる樹脂材料硬化処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特開２００５−１５３０９１号公報には、シリコンウエハ上にポリスチレン樹脂膜が形成された基板にスタンパーを押し付けた後に剥離することによって、基板の一面にスタンパーの凹凸パターンを転写する転写装置（転写方法：凹凸パターン形成方法）が開示されている。この転写装置は、基板に対してスタンパーを押し付けるための位置合わせユニットおよび加圧ユニットや、基板からスタンパーを剥離する剥離ユニットなどを備えている。この転写装置を用いた凹凸パターンの転写処理に際しては、まず、位置合わせユニットによって互いに位置合わせした状態で密着させたスタンパーおよび基板を加圧ユニットまで搬送し、真空チャンバ内で所定温度まで加熱しつつ基板およびスタンパーを加圧（押し付け）する。続いて、加圧が完了した基板およびスタンパーを冷却した後に、その状態の基板およびスタンパーを剥離ユニットまで搬送して、吸着ステージおよび吸着ヘッドの間にセットする。
【０００３】
次いで、基板の裏面（スタンパーに貼り付いている面の反対側の面）を吸着するようにして、吸着ステージに基板を固定すると共に、吸着ステージに配設された剥離用楔の先端を基板とスタンパーとの界面に挿入する。続いて、ヘッド支持板を下降させてスタンパーの裏面（基板に貼り付いている面の反対側の面）に吸着ヘッドを当接させ、その状態において、スタンパーの裏面を吸着するようにして、吸着ヘッド（ヘッド支持板）にスタンパーを固定すると共に、ヘッド支持板に配設された剥離用楔の先端を基板とスタンパーとの界面に挿入する。この状態において、吸着ステージに対してヘッド支持板を１〜１０度程傾けることによって、吸着ステージに固定されている基板からヘッド支持板に固定されているスタンパーを剥離する。これにより、スタンパーの凹凸パターンが基板に転写されて、一連の転写処理が完了する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１５３０９１号公報（第１１−１３頁、第６図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、従来の転写装置には、以下の問題点がある。すなわち、従来の転写装置では、基板からスタンパーを剥離する際に、基板の裏面を吸着するようにして吸着ステージに基板を固定すると共に、スタンパーの裏面を吸着するようにして吸着ヘッド（ヘッド支持板）にスタンパーを固定した状態において、吸着ステージおよび吸着ヘッドを相互に離間させることによって基板からスタンパーを剥離する構成が採用されている。一方、出願人は、基材の表裏両面に凹凸パターンによってサーボパターンやデータトラックパターンを形成したパターンド媒体（ディスクリートトラック媒体）を開発している。このパターンド媒体の製造時（凹凸パターンの形成時）に上記の転写装置におけるスタンパー剥離ユニットと同様の構成を採用した装置を用いて中間体からスタンパーを剥離したときには、中間体における凹凸パターンの形成面（スタンパーの凹凸パターンを転写した面）に油脂や塵埃が付着したり（以下、このような状態を「汚れが生じる」ともいう）、中間体が落下して凹凸パターンの形成面に傷付きが生じたりするという問題が生じる。
【０００６】
具体的には、パターンド媒体の製造に際しては、まず、パターンド媒体を製造するための中間体１０ｘ（図５参照）におけるＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂに例えば紫外線硬化型の樹脂材料１７を塗布した後に、凹凸パターン形成用のスタンパー３０Ａ，３０Ｂ（図５参照）をＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂにそれぞれ押し付けた状態において樹脂材料１７に紫外線を照射して硬化させる。次いで、複数の吸着パッド８２を有するスタンパー保持部７２ａ，７２ｂを備えたスタンパー剥離装置８（図６参照）を用いて、中間体１０ｘのＡ面１０ａからスタンパー３０Ａを剥離する。この際には、図６に示すように、まず、各吸着パッド８２によってスタンパー３０Ａの裏面（同図における下面）を吸着するようにしてスタンパー保持部７２ａにスタンパー３０Ａを保持させると共に、各吸着パッド８２によってスタンパー３０Ｂの裏面（同図における上面）を吸着するようにしてスタンパー保持部７２ｂにスタンパー３０Ｂを保持させる。次いで、一例として、スタンパー保持部７２ａに対してスタンパー保持部７２ｂを矢印Ｂの向きで移動（上昇）させる。
【０００７】
この際には、複数の吸着パッド８２によってスタンパー３０Ａ，３０Ｂの裏面が吸着されて保持されているため、中間体１０ｘから引き剥がそうとする向きの力が、両スタンパー３０Ａ，３０Ｂの全域に対して加わる。したがって、図１５に実線で示すように、スタンパー３０Ｂに中間体１０ｘが密着した状態を維持しつつ、その中間体１０ｘからスタンパー３０Ａを剥離しようとしているにも拘わらず、同図に一点鎖線で示すように、スタンパー３０Ａに中間体１０ｘが密着したまま中間体１０ｘがスタンパー３０Ｂから剥離してしまうことがある。このため、一連の工程を自動化したときには、実際には、中間体１０ｘが密着した状態であるにも拘わらず、中間体１０ｘからの剥離が完了したとしてスタンパー３０Ａが所定の処理完了位置に積み重ねられてしまい、この際に、スタンパー３０Ａに密着している中間体１０ｘにおける凹凸パターンの形成面に汚れや傷付きが生じるおそれがある。また、同図に破線で示すように、中間体１０ｘからスタンパー３０Ａ，３０Ｂの双方が剥離するおそれもあり、このような状態では、両スタンパー３０Ａ，３０Ｂから剥離した中間体１０ｘが、スタンパー剥離装置８から脱落して、凹凸パターンの形成面に汚れや傷付きが生じることとなる。
【０００８】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、凹凸パターンの形成面に汚れや傷付きが生じる事態を回避し得る凹凸パターン形成方法および樹脂材料硬化処理装置、並びに、形成した凹凸パターンを用いて情報記録媒体を製造する情報記録媒体製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく本発明に係る凹凸パターン形成方法は、エネルギー線硬化型の樹脂材料を基材のＡ面およびＢ面に塗布すると共にＡ１凹凸パターンが形成されたＡスタンパーを当該Ａ面に貼り付け、かつＢ１凹凸パターンが形成されたＢスタンパーを当該Ｂ面に貼り付けるスタンパー貼付け処理と、前記Ａ面および前記Ｂ面にエネルギー線を照射して前記樹脂材料を硬化させる樹脂材料硬化処理と、前記Ａ面において硬化させた前記樹脂材料から前記Ａスタンパーを剥離すると共に前記Ｂ面において硬化させた前記樹脂材料から前記Ｂスタンパーを剥離するスタンパー剥離処理とを実行して、前記Ａ面において硬化させた前記樹脂材料に前記Ａ１凹凸パターンと凹凸位置関係が反転するＡ２凹凸パターンを当該Ａ面に形成すると共に前記Ｂ面において硬化させた前記樹脂材料に前記Ｂ１凹凸パターンと凹凸位置関係が反転するＢ２凹凸パターンを当該Ｂ面に形成する際に、前記Ａ面において硬化させた前記樹脂材料の前記スタンパー剥離処理前の硬化率と前記Ｂ面において硬化させた前記樹脂材料の当該スタンパー剥離処理前の硬化率とが相違するように、前記樹脂材料硬化処理時における前記樹脂材料に対する前記エネルギー線の照射量、前記樹脂材料硬化処理時に前記樹脂材料に対して照射する前記エネルギー線の種類、および前記スタンパー貼付け処理時に塗布する前記樹脂材料の種類のうちの少なくとも１つを前記Ａ面および前記Ｂ面において相違させて前記Ａ２凹凸パターンおよび前記Ｂ２凹凸パターンを形成する。
【００１０】
なお、「樹脂材料に対して照射するエネルギー線の種類を相違させる」との処理は、「樹脂材料の硬化反応に寄与する波長成分を含む波長領域のスペクトルが互いに相違するエネルギー線を照射する」との処理を意味する。
【００１１】
この場合、本発明に係る凹凸パターン形成方法は、前記エネルギー線の照射時間、前記エネルギー線の照射パワー、および前記エネルギー線の照射源と前記基材との間の距離のうちの少なくとも１つを前記Ａ面および前記Ｂ面において相違させて当該エネルギー線の照射量を当該Ａ面および当該Ｂ面において相違させる。
【００１２】
また、本発明に係る凹凸パターン形成方法は、前記エネルギー線の照射源の種類を前記Ａ面および前記Ｂ面において相違させて当該エネルギー線の種類を当該Ａ面および当該Ｂ面において相違させる。
【００１３】
また、本発明に係る凹凸パターン形成方法は、含有している重合開始剤の種類、および当該重合開始剤の含有量の少なくとも一方が相違する前記樹脂材料を使用して前記スタンパー貼付け処理時に塗布する当該樹脂材料の種類を前記Ａ面および前記Ｂ面において相違させる。
【００１４】
さらに、本発明に係る凹凸パターン形成方法は、前記スタンパー剥離処理の後に、少なくとも前記硬化率が低い前記樹脂材料に前記エネルギー線を照射する。
【００１５】
また、本発明に係る情報記録媒体製造方法は、上記のいずれかの凹凸パターン形成方法によって形成した前記Ａ２凹凸パターンおよび前記Ｂ２凹凸パターンを用いて情報記録媒体を製造する。
【００１６】
また、本発明に係る樹脂材料硬化処理装置は、エネルギー線硬化型の樹脂材料がＡ面およびＢ面に塗布されると共にＡスタンパーが当該Ａ面に貼り付けられ、かつＢスタンパーが当該Ｂ面に貼り付けられた基材にエネルギー線を照射して当該樹脂材料を硬化させる樹脂材料硬化処理を実行する樹脂材料硬化処理装置であって、Ａ照射源を備えて前記Ａ面に前記エネルギー線を照射するＡ照射装置と、Ｂ照射源を備えて前記Ｂ面に前記エネルギー線を照射するＢ照射装置とを備え、当該両照射装置は、前記Ａ面において硬化させた前記樹脂材料の硬化率と前記Ｂ面において硬化させた当該樹脂材料の硬化率とが相違するように、前記樹脂材料硬化処理時における前記Ａ照射源と前記Ａ面との間の距離Ａ、および当該樹脂材料硬化処理時における前記Ｂ照射源と前記Ｂ面との間の距離Ｂが互いに相違する状態で配設されると共に、前記樹脂材料硬化処理時において、前記樹脂材料に対する前記エネルギー線の照射量を前記Ａ面および前記Ｂ面において相違させて当該エネルギー線を照射する。
【００１７】
また、本発明に係る樹脂材料硬化処理装置は、エネルギー線硬化型の樹脂材料がＡ面およびＢ面に塗布されると共にＡスタンパーが当該Ａ面に貼り付けられ、かつＢスタンパーが当該Ｂ面に貼り付けられた基材にエネルギー線を照射して当該樹脂材料を硬化させる樹脂材料硬化処理を実行する樹脂材料硬化処理装置であって、Ａ照射源を備えて前記Ａ面に前記エネルギー線を照射するＡ照射装置と、Ｂ照射源を備えて前記Ｂ面に前記エネルギー線を照射するＢ照射装置とを備え、当該両照射装置は、前記Ａ面において硬化させた前記樹脂材料の硬化率と前記Ｂ面において硬化させた当該樹脂材料の硬化率とが相違するように、互いに種類が相違する照射源で前記Ａ照射源および前記Ｂ照射源が構成されると共に、前記樹脂材料硬化処理時において、前記樹脂材料に対して照射する前記エネルギー線の種類を前記Ａ面および前記Ｂ面において相違させて当該エネルギー線を照射する。
【００１８】
この場合、「種類が相違する照射源」には、「樹脂材料の硬化反応に寄与する波長成分を含む波長領域のスペクトルが互いに相違するエネルギー線を放射するエネルギー線源を備えて互いに種類が相違するエネルギー線を樹脂材料に対して照射可能に構成された照射源」だけでなく、「同種のスペクトルのエネルギー線を放射するエネルギー線源と、放射されたエネルギー線のスペクトルを異ならせるフィルタとを備え、エネルギー線源から放射したエネルギー線のスペクトルをフィルタによって変化させることによって互いに種類が相違するエネルギー線を樹脂材料に対して照射可能に構成された照射源」がこれに含まれる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る凹凸パターン形成方法では、基材のＡ面において硬化させた樹脂材料（基材のＡ面とＡスタンパーとの間の樹脂材料）のスタンパー剥離処理前の硬化率と、基材のＢ面において硬化させた樹脂材料（基材のＢ面とＢスタンパーとの間の樹脂材料）のスタンパー剥離処理前の硬化率とが相違するように、樹脂材料硬化処理時における樹脂材料に対するエネルギー線の照射量、樹脂材料硬化処理時に樹脂材料に対して照射するエネルギー線の種類、およびスタンパー貼付け処理時に塗布する樹脂材料の種類のうちの少なくとも１つをＡ面およびＢ面において相違させて、Ａ面において硬化させた樹脂材料にＡスタンパーのＡ１凹凸パターンと凹凸位置関係が反転するＡ２凹凸パターンを形成すると共に、Ｂ面において硬化させた樹脂材料にＢスタンパーのＢ１凹凸パターンと凹凸位置関係が反転するＢ２凹凸パターンを形成する。
【００２０】
したがって、本発明に係る凹凸パターン形成方法によれば、先にスタンパーを剥離すべき面（例えばＡ面）の側に形成する樹脂材料の層の硬化率を、後にスタンパーを剥離すべき面（この例では、Ｂ面）の側に形成する樹脂材料の層の硬化率よりも低くすることで、スタンパー剥離処理時において、後に剥離すべきスタンパー（この例では、Ｂスタンパー）が先に剥離すべきスタンパー（この例では、Ａスタンパー）よりも先に基材から剥離する事態を招くことなく、ＡスタンパーおよびＢスタンパーを所望の順序で基材から剥離することができる。これにより、この凹凸パターン形成方法によれば、スタンパー剥離処理時において、先に剥離すべきＡスタンパーに基材が貼り付いたままＡスタンパーと共に処理完了位置に搬送されて積み重ねられたり、ＡスタンパーおよびＢスタンパーの双方が基材から同時に剥離して基材が脱落したりする事態を回避することができるため、基材におけるＡ２凹凸パターンおよびＢ２凹凸パターンの形成面に汚れや傷付きが生じる事態を回避することができる。
【００２１】
また、本発明に係る凹凸パターン形成方法によれば、エネルギー線の照射時間、エネルギー線の照射パワー、およびエネルギー線の照射源と基材との間の距離のうちの少なくとも１つをＡ面およびＢ面において相違させてエネルギー線の照射量をＡ面およびＢ面において相違させることにより、先にスタンパーを剥離すべき面（一例として、Ａ面）の側に形成する樹脂材料の層の硬化率を、後にスタンパーを剥離すべき面（この例では、Ｂ面）の側に形成する樹脂材料の層の硬化率よりも確実かつ容易に低くすることができるという第１の効果を奏することができる。これにより、この凹凸パターン形成方法によれば、先に剥離すべきスタンパー（この例では、Ａスタンパー）を、後に剥離すべきスタンパー（この例では、Ｂスタンパー）よりも先に確実に剥離することができるため、基材におけるＡ２凹凸パターンおよびＢ２凹凸パターンの形成面に汚れや傷付きが生じる事態を確実に回避することができるという第２の効果を奏することができる。
【００２２】
また、本発明に係る凹凸パターン形成方法によれば、エネルギー線の照射源の種類をＡ面およびＢ面において相違させてエネルギー線の種類をＡ面およびＢ面において相違させることにより、上記の凹凸パターン形成方法と同様にして、上記の第１の効果および第２の効果を奏することができる。
【００２３】
また、本発明に係る凹凸パターン形成方法によれば、含有している重合開始剤の種類、および重合開始剤の含有量の少なくとも一方が相違する樹脂材料を使用してスタンパー貼付け処理時に塗布する樹脂材料の種類をＡ面およびＢ面において相違させることにより、上記の凹凸パターン形成方法と同様にして、上記の第１の効果および第２の効果を奏することができる。
【００２４】
さらに、本発明に係る凹凸パターン形成方法によれば、スタンパー剥離処理の後に、少なくとも硬化率が低い樹脂材料にエネルギー線を照射することにより、先にスタンパーを剥離した面（一例として、Ａ面）の側の樹脂材料の層、および後にスタンパーを剥離した面（この例では、Ｂ面）の側の樹脂材料の層の双方において、エッチング処理等を好適に実施し得る十分な硬化率のＡ２凹凸パターンおよびＢ２凹凸パターンを得ることができる。
【００２５】
また、本発明に係る情報記録媒体製造方法によれば、上記のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法によって形成したＡ２凹凸パターンおよびＢ２凹凸パターンを用いて情報記録媒体を製造することにより、汚れや傷付きが生じることなく、Ａ２凹凸パターンおよびＢ２凹凸パターンが高精度で形成されているため、このＡ２凹凸パターンおよびＢ２凹凸パターンに対応して情報記録媒体に凹凸パターンを高精度で形成することができる。
【００２６】
また、本発明に係る樹脂材料硬化処理装置によれば、Ａ面において硬化させた樹脂材料（基材のＡ面とＡスタンパーとの間の樹脂材料）の硬化率と、Ｂ面において硬化させた樹脂材料（基材のＢ面とＢスタンパーとの間の樹脂材料）の硬化率とが相違するように、樹脂材料硬化処理時におけるＡ照射源とＡ面との間の距離Ａ、および樹脂材料硬化処理時におけるＢ照射源とＢ面との間の距離Ｂが互いに相違する状態でＡ照射装置およびＢ照射装置が配設されると共に、樹脂材料硬化処理時において、樹脂材料に対するエネルギー線の照射量をＡ面およびＢ面において相違させてエネルギー線を照射して樹脂材料を硬化させる樹脂材料硬化処理を実行することにより、先にスタンパーを剥離すべき面（一例として、Ａ面）の側に形成する樹脂材料の層の硬化率を、後にスタンパーを剥離すべき面（この例では、Ｂ面）の側に形成する樹脂材料の層の硬化率よりも低くすることで、後に剥離すべきスタンパー（この例では、Ｂスタンパー）が先に剥離すべきスタンパー（この例では、Ａスタンパー）よりも先に基材から剥離する事態を招くことなく、ＡスタンパーおよびＢスタンパーを所望の順序で基材から剥離することができる。これにより、この樹脂材料硬化処理装置によれば、スタンパー剥離処理時において、先に剥離すべきＡスタンパーに基材が貼り付いたままＡスタンパーと共に処理完了位置に搬送されて積み重ねられたり、ＡスタンパーおよびＢスタンパーが基材から同時に剥離して基材が脱落したりする事態を回避することができるため、基材におけるＡ２凹凸パターンおよびＢ２凹凸パターンの形成面に汚れや傷付きが生じる事態を回避することができる。
【００２７】
また、本発明に係る樹脂材料硬化処理装置によれば、Ａ面において硬化させた樹脂材料（基材のＡ面とＡスタンパーとの間の樹脂材料）の硬化率と、Ｂ面において硬化させた樹脂材料（基材のＢ面とＢスタンパーとの間の樹脂材料）の硬化率とが相違するように、Ａ照射装置のＡ照射源とＢ照射装置のＢ照射源とが、互いに種類が相違する照射源で構成されると共に、樹脂材料硬化処理時において、樹脂材料に対して照射するエネルギー線の種類をＡ面およびＢ面において相違させてエネルギー線を照射して樹脂材料を硬化させる樹脂材料硬化処理を実行することにより、上記の樹脂材料硬化処理装置と同様の効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】磁気記録媒体製造システム１の構成を示す構成図である。
【図２】紫外線照射装置７の構成を示す構成図である。
【図３】スタンパー剥離装置８の構成を示す構成図である。
【図４】磁気ディスク１０の断面図である。
【図５】磁気ディスク１０を製造するための中間体１０ｘおよびスタンパー３０Ａ，３０Ｂの断面図である。
【図６】スタンパー保持部７２ａによってスタンパー３０Ａを保持すると共にスタンパー保持部７２ｂによってスタンパー３０Ｂを保持した状態のスタンパー剥離装置８、中間体１０ｘおよびスタンパー３０Ａ，３０Ｂの断面図である。
【図７】スタンパー保持部７２ａに対してスタンパー保持部７２ｂを離間させることで中間体１０ｘからスタンパー３０Ａを剥離した状態のスタンパー剥離装置８、中間体１０ｘおよびスタンパー３０Ａ，３０Ｂの断面図である。
【図８】スタンパー剥離装置８の中間体保持部７３を下側（中間体１０ｘにおけるＡ面１０ａの側）から見た平面図である。
【図９】スタンパー保持部７２ｂによってスタンパー３０Ｂを保持すると共に中間体保持部７３によって中間体１０ｘを保持した状態のスタンパー剥離装置８、中間体１０ｘおよびスタンパー３０Ｂの断面図である。
【図１０】中間体１０ｘからのスタンパー３０Ｂの剥離が完了した状態のスタンパー剥離装置８、中間体１０ｘおよびスタンパー３０Ｂの断面図である。
【図１１】実施例１〜７の各試料の樹脂材料の層の硬化率と、スタンパーの剥離結果との関係について説明するための説明図である。
【図１２】比較例１〜７の各試料の樹脂材料の層の硬化率と、スタンパーの剥離結果との関係について説明するための説明図である。
【図１３】図１１，１２における「硬化率」の算出方法について説明するための説明図である。
【図１４】剥離抵抗測定装置８ｚの構成を示す構成図である。
【図１５】スタンパー保持部７２ａに対してスタンパー保持部７２ｂを離間させた状態のスタンパー剥離装置８、中間体１０ｘおよびスタンパー３０Ａ，３０Ｂの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る凹凸パターン形成方法、情報記録媒体製造方法および樹脂材料硬化処理装置の実施の形態について説明する。
【００３０】
最初に、磁気記録媒体製造システム１の構成について、図面を参照して説明する。
【００３１】
図１に示す磁気記録媒体製造システム１は、図４に示す磁気ディスク１０（情報記録媒体の一例）を製造可能に構成された製造システムであって、マスクパターン形成システム２およびエッチング装置３を備えている。この場合、磁気ディスク１０は、図示しない制御装置、磁気ヘッドおよびモータ等と共に筐体内に収容されてハードディスクドライブ（記録再生装置）を構成するディスクリートトラック媒体（パターンド媒体の一例）であって、後述するように、図５に示す中間体１０ｘおよびスタンパー３０Ａ，３０Ｂを使用して製造される。また、磁気ディスク１０は、図４に示すように、軟磁性層１２、中間層１３および磁性層１４がガラス基板１１のＡ面１１ａおよびＢ面１１ｂにこの順でそれぞれ形成されて、一例として、垂直記録方式による記録データの記録が可能に構成されている。なお、本明細書において参照する各図では、本発明についての理解を容易とするために、各層の厚みの比率を実際の比率とは相違する比率で図示している。
【００３２】
この磁気ディスク１０では、一例として、突端部側が磁性材料（磁性層１４）で形成された複数の凸部２１と、隣り合う凸部２１の間の凹部２２とが形成されて、データトラックパターンやサーボパターンを構成する凹凸パターン２０ａ，２０ｂが形成されている。さらに、凹凸パターン２０ａ，２０ｂの各凹部２２内には、ＳｉＯ２、Ｃ（炭素）、Ｓｉ、Ｇｅ、非磁性金属材料および樹脂材料等の非磁性材料１５が埋め込まれ、これにより、磁気ディスク１０の表裏両面がそれぞれ平坦化されている。また、この磁気ディスク１０では、各凹部２２内に埋め込まれた（隣り合う凸部２１，２１の間に埋め込まれた）非磁性材料１５、および磁性層１４（凸部２１）の表面を覆うようにして、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等によって保護層１６（ＤＬＣ膜）が形成されている。さらに、保護層１６の表面には、磁気ヘッドおよび磁気ディスク１０の双方の傷付きを回避するための潤滑剤（一例として、フッ素系の潤滑剤）が塗布されている。
【００３３】
また、この磁気ディスク１０を製造するための中間体１０ｘ（「基材」の一例）は、図５に示すように、軟磁性層１２、中間層１３および磁性層１４がガラス基板１１のＡ面１１ａおよびＢ面１１ｂにこの順でそれぞれ形成されて、直径が４８ｍｍ程度で、全体としての厚みが０．６ｍｍ程度となるように形成されている。また、図８に示すように、中間体１０ｘの中心部には、完成状態においてモータの回転軸を挿通させるための中心孔Ｈが形成されている。
【００３４】
ガラス基板１１は、ガラス板を表面研磨して円板状に形成されている。なお、中間体１０ｘ（磁気ディスク１０）に使用する基板は、ガラス基板に限定されず、アルミニウムやセラミックなどの各種非磁性材料で円板状に形成した基材を使用することができる。軟磁性層１２は、ＣｏＦｅＮｂ合金などの軟磁性材料をスパッタリングすることによって厚みが３０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の薄膜状に形成されている。中間層１３は、磁性層１４を形成するための下地層として機能する層であって、Ｒｕ、ＣｒおよびＣｏＣｒ非磁性合金などの中間層形成用材料をスパッタリングすることによって厚みが２０〜４０ｎｍ程度の薄膜状に形成されている。磁性層１４は、前述した凹凸パターン２０ａ，２０ｂ（凸部２１の先端部側）を構成する層であって、例えばＣｏＣｒＰｔ合金をスパッタリングして形成した厚み１０〜３０ｎｍ程度の層に対してエッチング処理を実行することによって中間層１３に達する深さの各凹部２２が形成されている。
【００３５】
この中間体１０ｘは、後述するようにして、樹脂材料１７の塗布、スタンパー３０Ａ，３０Ｂの貼り付け、樹脂材料１７の層への紫外線の照射（樹脂材料１７の層の硬化処理）、およびスタンパー３０Ａ，３０Ｂの剥離がこの順で実行されることにより、図５に破線で示すように、磁性層１４に上記の各凹部２２を形成するための凹凸パターン５０ａ（マスクパターン：「Ａ２凹凸パターン」の一例）および凹凸パターン５０ｂ（マスクパターン：「Ｂ２凹凸パターン」の一例）が形成されたマスク層（樹脂材料１７の層）が形成される。この場合、樹脂材料１７の層は、紫外線硬化型の樹脂材料（「エネルギー線硬化型の樹脂材料」の一例：例えば、アクリル樹脂）によって厚みが１０ｎｍ〜８０ｎｍ程度の薄膜状に形成される。
【００３６】
スタンパー３０Ａは、Ａスタンパーに相当し、一例として、光透過性を有する樹脂材料によって、直径８０ｍｍ程度で厚み０．６ｍｍ程度の円板状に形成されている。このスタンパー３０Ａは、図５に示すように、磁気ディスク１０における凹凸パターン２０ａの各凹部２２に対応する複数の凸部４１と、凹凸パターン２０ａの各凸部２１に対応する複数の凹部４２とが形成されて、凹凸パターン２０ａとは凹凸位置関係が反転する凹凸パターン４０ａ（「Ａ１凹凸パターン」の一例）が形成されている。また、スタンパー３０Ｂは、Ｂスタンパーに相当し、上記のスタンパー３０Ａと同様にして、一例として、光透過性を有する樹脂材料によって、直径８０ｍｍ程度で厚み０．６ｍｍ程度の円板状に形成されている。このスタンパー３０Ｂは、磁気ディスク１０における凹凸パターン２０ｂの各凹部２２に対応する複数の凸部４１と、凹凸パターン２０ｂの各凸部２１に対応する複数の凹部４２とが形成されて、凹凸パターン２０ｂとは凹凸位置関係が反転する凹凸パターン４０ｂ（「Ｂ１凹凸パターン」の一例）が形成されている。この場合、スタンパー３０Ａ，３０Ｂは、一例として、公知の製造方法に従って製造した金属スタンパーを用いた射出成形によって形成されている。なお、金属スタンパーの製造方法や、射出成形による樹脂スタンパー（スタンパー３０Ａ，３０Ｂ）の製造方法については公知のため、その説明を省略する。
【００３７】
一方、マスクパターン形成システム２は、ナノインプリント法（インプリント処理）によって中間体１０ｘのＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂに上記の凹凸パターン５０ａ，５０ｂ（エッチング処理用のマスクパターン）を形成するシステムであって、図１に示すように、樹脂材料塗布装置５、スタンパー貼付け装置６、紫外線照射装置７およびスタンパー剥離装置８を備えて構成されている。樹脂材料塗布装置５は、スタンパー貼付け装置６と相俟って「スタンパー貼付け処理」を実行する装置であって、一例として、スピンコート法によって中間体１０ｘのＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂに樹脂材料１７をそれぞれ塗布する。スタンパー貼付け装置６は、樹脂材料塗布装置５による樹脂材料１７の塗布処理が完了した中間体１０ｘのＡ面１０ａにスタンパー３０Ａを貼り付けると共にＢ面１０ｂにスタンパー３０Ｂを貼り付ける。
【００３８】
紫外線照射装置７は、「樹脂材料硬化処理装置」の一例であって、スタンパー３０Ａ，３０Ｂの貼り付けが完了した中間体１０ｘ（以下の説明においては、中間体１０ｘおよびスタンパー３０Ａ，３０Ｂが一体化したものを積層体１００ともいう）に紫外線（「エネルギー線」の一例）を照射することにより、スタンパー３０Ａ，３０Ｂを透過した紫外線によって樹脂材料１７の層を硬化させる（「樹脂材料硬化処理」の実行）。具体的には、図２に示すように、紫外線照射装置７は、搬送装置６１、光源６２ａ，６２ｂおよび制御部６３を備えて構成されている。
【００３９】
搬送装置６１は、制御部６３の制御に従って上記の積層体１００を光源６２ａ，６２ｂによる紫外線Ｂａ，Ｂｂの照射処理位置に搬送する。光源６２ａは、「Ａ照射源」に相当し、この紫外線照射装置７では、一例として、高圧水銀ランプを備えて構成されて、搬送装置６１によって照射処理位置に搬送された積層体１００における中間体１０ｘのＡ面１０ａ（Ａ面１０ａに塗布された樹脂材料１７の層）に対してスタンパー３０Ａを透過させて紫外線Ｂａを含む光（以下、「紫外線Ｂａを含む光」について、単に「紫外線Ｂａ」ともいう）を照射する。光源６２ｂは、「Ｂ照射源」に相当し、上記の光源６２ａと同様にして高圧水銀ランプを備えて構成されて、搬送装置６１によって照射処理位置に搬送された積層体１００における中間体１０ｘのＢ面１０ｂ（Ｂ面１０ｂに塗布された樹脂材料１７の層）に対してスタンパー３０Ｂを透過させて紫外線Ｂｂを含む光（以下、「紫外線Ｂｂを含む光」について、単に「紫外線Ｂｂ」ともいう）を照射する。
【００４０】
この場合、この紫外線照射装置７では、「Ａ照射装置」および「Ｂ照射装置」が一体的に構成されて積層体１００の両面に対して紫外線Ｂａ，Ｂｂを同時に照射することができるように構成されている。また、この紫外線照射装置７では、照射処理位置に搬送された積層体１００と光源６２ａとの間の距離Ｌａ（積層体１００における中間体１０ｘのＡ面１０ａと光源６２ａとの間の距離：「距離Ａ」）が、照射処理位置に搬送された積層体１００と光源６２ｂとの間の距離Ｌｂ（積層体１００における中間体１０ｘのＢ面１０ｂと光源６２ｂとの間の距離：「距離Ｂ」）よりも長くなるように光源６２ａ，６２ｂが取り付けられている。具体的には、この紫外線照射装置７では、一例として、上記の距離Ｌａが９０ｍｍで、上記の距離Ｌｂが６０ｍｍとなるように光源６２ａ，６２ｂがそれぞれ配置されている（「距離Ａおよび距離Ｂが互いに相違する状態で配設され」との状態の一例）。この結果、後述するようにしてＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂに向けて同じ出力で点灯させた光源６２ａ，６２ｂから紫外線Ｂａ，Ｂｂを同じ時間に亘って照射したときに、Ｂ面１０ｂに塗布されている樹脂材料１７の層に対する紫外線Ｂｂの照射量よりも、Ａ面１０ａに塗布されている樹脂材料１７の層に対する紫外線Ｂａの照射量の方が少量となる。制御部６３は、搬送装置６１による積層体１００の搬送、および光源６２ａ，６２ｂの点灯／消灯を制御する。
【００４１】
スタンパー剥離装置８は、中間体１０ｘからスタンパー３０Ａ，３０Ｂを剥離するスタンパー剥離処理を実行する。このスタンパー剥離装置８は、図３に示すように、移動機構７１、スタンパー保持部７２ａ，７２ｂ、中間体保持部７３および制御部７４を備えている。移動機構７１は、制御部７４の制御に従って、スタンパー保持部７２ａに対してスタンパー保持部７２ｂを離間させることにより、スタンパー３０Ｂに貼り付いている中間体１０ｘのＡ面１０ａからスタンパー保持部７２ａによって保持されているスタンパー３０Ａを剥離する。なお、以下の説明においては、スタンパー３０Ａが剥離したもの（スタンパー３０ＢがＢ面１０ｂに貼り付いて中間体１０ｘおよびスタンパー３０Ｂが一体化しているもの）を積層体１００ａともいう。また、移動機構７１は、制御部７４の制御に従って、中間体保持部７３に対してスタンパー保持部７２ｂを離間させることにより、中間体保持部７３によって保持されている中間体１０ｘのＢ面１０ｂからスタンパー３０Ｂを剥離する。
【００４２】
スタンパー保持部７２ａ，７２ｂは、図６，７に示すように、ベース部８１に複数の吸着パッド８２が配設されて、各吸着パッド８２によってスタンパー３０Ａ，３０Ｂの裏面に接して（スタンパー３０Ａ，３０Ｂの裏面を吸着して）スタンパー３０Ａ，３０Ｂを保持する。なお、各吸着パッド８２は、図示しないエアポンプに接続されて、このエアポンプが作動することによってスタンパー３０Ａ，３０Ｂを吸着するように構成されている。中間体保持部７３は、図８に示すように、積層体１００ａの中間体１０ｘからスタンパー３０Ｂを剥離する際に、中間体１０ｘを挟持するようにして保持可能に構成されている。具体的には、中間体保持部７３は、中間体１０ｘの外周面（中間体１０ｘの厚み方向に沿った面の一例）に４カ所で接して中間体１０ｘを挟持するための４つの保持用爪部９２と、この保持用爪部９２を矢印Ａの向き（中間体１０ｘの中心部（中心孔Ｈ）に向かう向き）およびその反対向きに移動させる移動機構（アクチュエータ等：図示せず）とを備えている。この場合、図８に示すように、各保持用爪部９２の接触面９２ａは、中間体１０ｘの外形に合わせて平面視円弧状となるように湾曲させられている。
【００４３】
制御部７４は、スタンパー剥離装置８を総括的に制御する。具体的には、制御部７４は、上記のエアポンプを制御して両スタンパー保持部７２ａ，７２ｂにスタンパー３０Ａ，３０Ｂを保持させる（吸着させる）と共に、図７に示すように、移動機構７１を制御してスタンパー保持部７２ｂを移動させることで中間体１０ｘからスタンパー３０Ａを剥離する。また、制御部７４は、中間体保持部７３の移動機構を制御して、保持用爪部９２を移動させて中間体１０ｘを保持させると共に、図１０に示すように、移動機構７１を制御してスタンパー保持部７２ｂを移動させることで中間体１０ｘからスタンパー３０Ｂを剥離する。この場合、このスタンパー剥離装置８では、制御部７４が、各保持用爪部９２の接触面９２ａ（中間体１０ｘに接する面）を中間体１０ｘの外周面に対して予め規定された一定の接触圧で接触させて、その接触圧が一定となるように上記の移動機構による各保持用爪部９２の移動量を調整する構成が採用されている。
【００４４】
一方、エッチング装置３は、スタンパー剥離装置８によってスタンパー３０Ａ，３０Ｂの剥離処理が完了した中間体１０ｘ（両樹脂材料１７の層にマスクパターンとしての凹凸パターン５０ａ，５０ｂが形成された中間体１０ｘ）を対象とする酸素プラズマ処理を実行することによって、マスクパターンにおける各凹部の底面に残存する樹脂材料（残渣）を除去してマスクパターンにおける凹部の底面において樹脂材料１７から磁性層１４の表面を露出させた後に、残渣の取り除きが完了した中間体１０ｘを対象とするエッチング処理を実行することによって、両磁性層１４に凹凸パターン２０ａ，２０ｂをそれぞれ形成する。なお、磁気記録媒体製造システム１は、実際には、エッチング装置３によって磁性層１４に凹凸パターン２０ａ，２０ｂが形成された中間体１０ｘに非磁性材料１５の層を形成する装置、非磁性材料１５のエッチングして中間体１０ｘの表面を平坦化する装置、および保護層１６を形成する装置などの各種装置を備えているが、これらについての図示を省略する。
【００４５】
次に、磁気記録媒体製造システム１による磁気ディスク１０の製造方法について、主として、マスクパターン形成システム２によるマスクパターン（凹凸パターン５０ａ，５０ｂ）の形成処理を中心にして説明する。
【００４６】
磁気ディスク１０の製造に際しては、まず、マスクパターン形成システム２によって中間体１０ｘのＡ面１０ａ（Ａ面１０ａに形成した樹脂材料１７の層）およびＢ面１０ｂ（Ｂ面１０ｂに形成した樹脂材料１７の層）にスタンパー３０Ａ，３０Ｂの凹凸パターン４０ａ，４０ｂを転写してエッチング処理用のマスクパターン（凹凸パターン５０ａ，５０ｂ：図５参照）を形成する。なお、中間体１０ｘやスタンパー３０Ａ，３０Ｂの製造は既に完了しているものとする。
【００４７】
このマスクパターンの形成に際しては、まず、樹脂材料塗布装置５およびスタンパー貼付け装置６を使用して中間体１０ｘのＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂにスタンパー３０Ａ，３０Ｂをそれぞれ貼り付けるスタンパー貼付け処理を実行する。具体的には、図５に一点鎖線で示すように、樹脂材料塗布装置５によって中間体１０ｘのＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂに樹脂材料１７をスピンコートする。次いで、スタンパー貼付け装置６によって中間体１０ｘにスタンパー３０Ａ，３０Ｂを貼り付ける。この際に、スタンパー貼付け装置６は、一例として、スタンパー３０Ａの裏面を吸着してスタンパー３０Ａを保持すると共に、中間体１０ｘのＡ面１０ａに塗布した樹脂材料１７の層に凹凸パターン４０ａの形成面を密着させるようにして中間体１０ｘにスタンパー３０Ａを貼り付ける。また、スタンパー貼付け装置６は、スタンパー３０Ｂの裏面を吸着してスタンパー３０Ｂを保持すると共に、中間体１０ｘのＢ面１０ｂに塗布した樹脂材料１７の層に凹凸パターン４０ｂの形成面を密着させるようにして中間体１０ｘにスタンパー３０Ｂを貼り付ける。これにより、中間体１０ｘおよびスタンパー３０Ａ，３０Ｂが樹脂材料１７の層を挟んで密着した状態となり、スタンパー貼付け処理が完了する。
【００４８】
次いで、スタンパー３０Ａ，３０Ｂの貼り付けが完了した中間体１０ｘに対して紫外線照射処理を実行することにより、中間体１０ｘとスタンパー３０Ａとの間の樹脂材料１７の層（Ａ面１０ａに塗布した樹脂材料１７の層）、および中間体１０ｘとスタンパー３０Ｂとの間の樹脂材料１７の層（Ｂ面１０ｂに塗布した樹脂材料１７の層）をそれぞれ硬化させる（樹脂材料硬化処理の実行）。具体的には、スタンパー３０Ａ，３０Ｂの貼り付けが完了した中間体１０ｘを紫外線照射装置７の搬送装置６１にセットした状態において紫外線照射処理（樹脂材料硬化処理）を開始させる。この際には、制御部６３が搬送装置６１を制御して中間体１０ｘを照射処理位置（中間体１０ｘのＡ面１０ａが光源６２ａと対向し、中間体１０ｘのＢ面１０ｂが光源６２ｂと対向する位置）に移動させる。また、制御部６３は、光源６２ａ，６２ｂを制御して中間体１０ｘに対して紫外線Ｂａ，Ｂｂを照射させる。この際に、スタンパー３０Ａ，３０Ｂが光透過性を有する材料で形成されているため、光源６２ａから放射された紫外線Ｂａがスタンパー３０Ａを透過して中間体１０ｘのＡ面１０ａとスタンパー３０Ａとの間の樹脂材料１７の層に照射されると共に、光源６２ｂから放射された紫外線Ｂｂがスタンパー３０Ｂを透過して中間体１０ｘのＢ面１０ｂとスタンパー３０Ｂとの間の樹脂材料１７の層に照射される。
【００４９】
また、前述したように、この紫外線照射装置７では、上記の照射処理位置に配置された状態の中間体１０ｘにおけるＡ面１０ａと光源６２ａとの間の距離Ｌａが、Ｂ面１０ｂと光源６２ｂとの間の距離Ｌｂよりも長くなるように（距離Ｌｂが距離Ｌａよりも短くなるように）光源６２ａ，６２ｂが取り付けられている。したがって、同じ出力で点灯させた光源６２ａ，６２ｂから中間体１０ｘに対して同じ時間に亘って紫外線Ｂａ，Ｂｂを照射したときに、Ａ面１０ａとスタンパー３０Ａとの間の樹脂材料１７の層に対して照射された（Ａ面１０ａとスタンパー３０Ａとの間の樹脂材料１７の層が受光した）紫外線Ｂａの量（以下、この量を「照射量」ともいう）が、Ｂ面１０ｂとスタンパー３０Ｂとの間の樹脂材料１７の層に対する紫外線Ｂｂの照射量よりも少量となる。したがって、Ａ面１０ａとスタンパー３０Ａとの間の樹脂材料１７の層、およびＢ面１０ｂとスタンパー３０Ｂとの間の樹脂材料１７の層において、紫外線Ｂａ，Ｂｂの照射量に応じた重合反応が生じる結果、Ａ面１０ａとスタンパー３０Ａとの間の樹脂材料１７の層の硬化率がＢ面１０ｂとスタンパー３０Ｂとの間の樹脂材料１７の層の硬化率よりも低い状態で両樹脂材料１７の層が硬化させられる。
【００５０】
これにより、スタンパー３０Ａにおける凹凸パターン４０ａの各凸部４１が中間体１０ｘのＡ面１０ａにおいて樹脂材料１７の層に押し込まれた状態で樹脂材料１７の層が硬化すると共に、スタンパー３０Ｂにおける凹凸パターン４０ｂの各凸部４１が中間体１０ｘのＢ面１０ｂにおいて樹脂材料１７の層に押し込まれた状態で樹脂材料１７の層が硬化し、スタンパー３０Ａ，３０Ｂが中間体１０ｘと一体化して積層体１００が製造される。以上により、紫外線照射処理（樹脂材料硬化処理）が完了する。
【００５１】
次いで、積層体１００の中間体１０ｘからスタンパー３０Ａ，３０Ｂをそれぞれ剥離するスタンパー剥離処理を実行する。具体的には、処理の開始を指示されたときに、制御部７４は、スタンパー保持部７２ａにおける各吸着パッド８２を積層体１００におけるスタンパー３０Ａの裏面（中間体１０ｘのＡ面１０ａに貼り付いている面の反対側の面）に当接させると共に、エアポンプを制御してスタンパー３０Ａを各吸着パッド８２に吸着させる（スタンパー３０Ａを保持させる）。また、制御部７４は、移動機構７１を制御してスタンパー保持部７２ａによって保持されている積層体１００に向けてスタンパー保持部７２ｂを移動（この例では、下降）させ、スタンパー保持部７２ｂにおける各吸着パッド８２を積層体１００におけるスタンパー３０Ｂの裏面（中間体１０ｘのＢ面１０ｂに貼り付いている面の反対側の面）に当接させると共に、エアポンプを制御してスタンパー３０Ｂを各吸着パッド８２に吸着させる（スタンパー３０Ｂを保持させる）。これにより、図６に示すように、スタンパー保持部７２ａ，７２ｂによるスタンパー３０Ａ，３０Ｂの保持が完了する。なお、スタンパー３０Ａ，３０Ｂの保持順序に関しては、スタンパー保持部７２ｂによってスタンパー３０Ｂを保持した後にスタンパー保持部７２ａによってスタンパー３０Ａを保持してもよい。
【００５２】
続いて、制御部７４は、スタンパー保持部７２ａ，７２ｂによってスタンパー３０Ａ，３０Ｂを保持させた状態を維持しつつ、移動機構７１を制御してスタンパー保持部７２ｂを矢印Ｂの向き（スタンパー保持部７２ａから離間する向き）に移動させる（スタンパー保持部７２ｂを上昇させる）。この場合、このスタンパー剥離処理の前工程で実行した樹脂材料硬化処理時には、中間体１０ｘにおけるＡ面１０ａ側の樹脂材料１７の層に対する紫外線Ｂａの照射量をＢ面１０ｂ側の樹脂材料１７の層に対する紫外線Ｂｂの照射量よりも少量とすることによってＡ面１０ａ側の樹脂材料１７の層の硬化率がＢ面１０ｂ側の樹脂材料１７の層の硬化率よりも低い状態となっている。したがって、スタンパー３０Ａ，３０Ｂをそれぞれ剥離させようとする力が積層体１００に対して同時に加えられたときには、図７に示すように、硬化率が高いＢ面１０ｂ側の樹脂材料１７の層からスタンパー３０Ｂが剥離することなく、硬化率が低いＡ面１０ａ側の樹脂材料１７の層からスタンパー３０Ａが剥離する。これにより、スタンパー３０Ｂに貼り付いた状態の中間体１０ｘ（積層体１００）からのスタンパー３０Ａの剥離処理が完了する。なお、積層体１００（中間体１０ｘ）からの剥離が完了したスタンパー３０Ａは、図示しない搬送機構によってスタンパー保持部７２ａによる保持位置から処理完了位置に搬送される。
【００５３】
次いで、制御部７４は、スタンパー保持部７２ｂにスタンパー３０Ｂ（積層体１００ａ）を保持させた状態を維持しつつ、移動機構７１を制御して、スタンパー保持部７２ｂを中間体保持部７３の上方まで移動させる。この際に、中間体保持部７３の各保持用爪部９２は、図８に破線で示す位置に移動させられている。続いて、制御部７４は、移動機構７１を制御することにより、各保持用爪部９２における接触面９２ａと中間体１０ｘの外周面とが対向する位置までスタンパー保持部７２を下降させる。次いで、制御部７４は、中間体保持部７３における各移動機構を制御することにより、各保持用爪部９２を図８に示す矢印Ａの向き（中間体１０ｘに対してその側方から接近する向き）でそれぞれ移動させる。この際には、図９に示すように、各保持用爪部９２における接触面９２ａが中間体１０ｘの外周面（中間体１０ｘにおける厚み方向に沿った面）に対して予め規定された接触圧で接触させられて（４カ所で接して）、中間体１０ｘが各保持用爪部９２によって挟持されるようにして保持される。これにより、中間体保持部７３による中間体１０ｘの保持が完了する。この場合、中間体保持部７３がＡ面１０ａに触れることなく中間体１０ｘを保持するため、以後の剥離処理中に中間体１０ｘのＡ面１０ａに汚れや傷付きが生じる事態が回避される。
【００５４】
次いで、制御部７４は、移動機構７１を制御してスタンパー保持部７２ｂを図９に示す矢印Ｂの向き（中間体保持部７３から離間する向き）に移動させる（スタンパー保持部７２ｂを上昇させる）。この際には、スタンパー保持部７２ｂによって保持されたスタンパー３０Ｂが矢印Ｂの向きに移動するのに伴って、中間体保持部７３によって保持されている中間体１０ｘからスタンパー３０Ｂが剥離する。これにより、図１０に示すように、中間体１０ｘからのスタンパー３０Ｂの剥離処理が完了する。なお、中間体１０ｘからの剥離が完了したスタンパー３０Ｂは、移動機構７１によって処理完了位置に搬送される。
【００５５】
このスタンパー３０Ａ，３０Ｂの剥離処理が完了した状態においては、中間体１０ｘのＡ面１０ａにスタンパー３０Ａの凹凸パターン４０ａ（「Ａ１凹凸パターン」の一例）と凹凸位置関係が反転したマスクパターン（中間体１０ｘにおけるＡ面１０ａ側の磁性層１４をエッチング処理するためのエッチング処理用の凹凸パターン：「Ａ２凹凸パターン」の一例）が形成されると共に、中間体１０ｘのＢ面１０ｂにスタンパー３０Ｂの凹凸パターン４０ｂ（「Ｂ１凹凸パターン」の一例）と凹凸位置関係が反転したマスクパターン（中間体１０ｘにおけるＢ面１０ｂ側の磁性層１４をエッチング処理するためのエッチング処理用の凹凸パターン：「Ｂ２凹凸パターン」の一例）が形成される。具体的には、図５に示すように、スタンパー３０Ａにおける凹凸パターン４０ａの各凸部４１に対応する複数の凹部５２および凹凸パターン４０ａの各凹部４２に対応する複数の凸部５１が中間体１０ｘにおけるＡ面１０ａ側の樹脂材料１７の層に形成されると共に、スタンパー３０Ｂにおける凹凸パターン４０ｂの各凸部４１に対応する複数の凹部５２および凹凸パターン４０ｂの各凹部４２に対応する複数の凸部５１が中間体１０ｘにおけるＢ面１０ｂ側の樹脂材料１７の層に形成される。
【００５６】
次いで、スタンパー３０Ａ，３０Ｂの剥離が完了した中間体１０ｘを紫外線照射装置７による照射処理位置に搬送し、一例として、中間体１０ｘにおけるＡ面１０ａの側の樹脂材料１７の層に対して紫外線Ｂａを再び照射する。これにより、Ｂ面１０ｂの側の樹脂材料１７の層よりも紫外線の照射量を少量としたことに起因してＢ面１０ｂの側の樹脂材料１７の層よりも硬化率が低い状態となっていたＡ面１０ａの側の樹脂材料１７の層が十分に硬化する。なお、スタンパー剥離処理後に実行する紫外線の照射に関しては、Ａ面１０ａの側の樹脂材料１７の層に対してだけでなく、Ａ面１０ａの側の樹脂材料１７の層およびＢ面１０ｂの側の樹脂材料１７の層の双方に対して実行してもよい。以上により、マスクパターン形成システム２によるマスクパターン（凹凸パターン）の形成処理が完了する。
【００５７】
次いで、マスクパターン形成システム２によって形成した上記のマスクパターンを用いてエッチング装置３によって中間体１０ｘをエッチング処理を開始する。具体的には、まず、中間体１０ｘのＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂ（両樹脂材料１７の層）に対して例えば酸素プラズマ処理を実行することにより、両樹脂材料１７の層に形成された凹凸パターン５０ａ，５０ｂ（マスクパターン）における各凹部５２の底面に残存する樹脂材料１７（残渣）を除去して、凹凸パターン５０ａ，５０ｂにおける凹部５２の底面において樹脂材料１７の層から磁性層１４を露出させる。
【００５８】
次いで、凹凸パターン５０ａ，５０ｂ（マスクパターン）が形成された両樹脂材料１７の層（凹凸パターン５０ａ，５０ｂにおける各凸部５１）をマスクとして用いて両磁性層１４に対するエッチング処理を実行する。この際には、凹凸パターン５０ａ，５０ｂにおける各凹部５２に対応して複数の凹部２２が磁性層１４に形成されると共に、凹凸パターン５０ａ，５０ｂにおける各凸部５１に対応して複数の凸部２１が磁性層１４に形成される。これにより、複数の凸部２１および複数の凹部２２を有する凹凸パターン２０ａ，２０ｂによってデータトラックパターンおよびサーボパターンが中間層１３の上（磁性層１４）に形成される。続いて、各凸部２１の上に残存している樹脂材料１７の層をエッチング処理によって選択的に除去して各凸部２１の突端面（磁性層１４の表面）を露出させる。次いで、非磁性材料１５としてのＳｉＯ２をスパッタリングすることにより、凹凸パターン２０ａ，２０ｂの形成面を非磁性材料１５でそれぞれ覆って非磁性材料１５の層（図示せず）を形成する。
【００５９】
続いて、磁性層１４の上（各凸部２１の上および各凹部２２の上）の非磁性材料１５の層に対してイオンビームエッチング処理を実行する。この際には、一例として、各凸部２１における突端面が非磁性材料１５から露出するまでイオンビームエッチング処理を継続する。これにより、中間体１０ｘの表面が平坦化される。次いで、中間体１０ｘの表面を覆うようにしてＣＶＤ法によってダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）の薄膜を成膜することによって保護層１６を形成する。この後、保護層１６の表面にフッ素系の潤滑剤を平均厚さが例えば２ｎｍ程度となるように塗布することにより、図４に示すように、磁気ディスク１０が完成する。
【００６０】
このように、このマスクパターン形成システム２による凹凸パターン形成方法では、中間体１０ｘのＡ面１０ａにおいて硬化させた樹脂材料１７の層（中間体１０ｘのＡ面１０ａとスタンパー３０Ａとの間の樹脂材料１７の層）のスタンパー剥離処理前の硬化率と、中間体１０ｘのＢ面１０ｂにおいて硬化させた樹脂材料１７の層（中間体１０ｘのＢ面１０ｂとスタンパー３０Ｂとの間の樹脂材料１７の層）のスタンパー剥離処理前の硬化率とが相違するように、樹脂材料硬化処理時における樹脂材料１７の層に対する紫外線Ｂａ，Ｂｂの照射量、樹脂材料硬化処理時に樹脂材料１７の層に対して照射する紫外線Ｂａ，Ｂｂの種類、およびスタンパー貼付け処理時に塗布する樹脂材料１７の種類のうちの少なくとも１つ（この例では、樹脂材料１７の層に対する紫外線Ｂａ，Ｂｂの照射量）をＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂにおいて相違させて、Ａ面１０ａにおいて硬化させた樹脂材料１７の層にスタンパー３０Ａの凹凸パターン４０ａと凹凸位置関係が反転する凹凸パターン５０ａを形成すると共に、Ｂ面１０ｂにおいて硬化させた樹脂材料１７の層にスタンパー３０Ｂの凹凸パターン４０ｂと凹凸位置関係が反転する凹凸パターン５０ｂを形成する。
【００６１】
したがって、このマスクパターン形成システム２による凹凸パターン形成方法によれば、先にスタンパーを剥離すべき面（この例では、スタンパー３０Ａを貼り付けたＡ面１０ａ）の側に形成する樹脂材料１７の層の硬化率を、後にスタンパーを剥離すべき面（この例では、スタンパー３０Ｂを貼り付けたＢ面１０ｂ）の側に形成する樹脂材料１７の層の硬化率よりも低くすることで、スタンパー剥離処理時において、後に剥離すべきスタンパー３０Ｂが先に剥離すべきスタンパー３０Ａよりも先に中間体１０ｘから剥離する事態を招くことなく、スタンパー３０Ａ，３０Ｂを所望の順序で中間体１０ｘから剥離することができる。これにより、このマスクパターン形成システム２による凹凸パターン形成方法によれば、スタンパー剥離処理時において、先に剥離すべきスタンパー３０Ａに中間体１０ｘが貼り付いたままスタンパー３０Ａと共に処理完了位置に搬送されて積み重ねられたり、スタンパー３０Ａ，３０Ｂの双方が中間体１０ｘから同時に剥離して中間体１０ｘが脱落したりする事態を回避することができるため、中間体１０ｘにおける凹凸パターン５０ａ，５０ｂの形成面に汚れや傷付きが生じる事態を回避することができる。
【００６２】
また、このマスクパターン形成システム２による凹凸パターン形成方法によれば、紫外線Ｂａ，Ｂｂの照射時間、紫外線Ｂａ，Ｂｂの照射パワー、および紫外線Ｂａ，Ｂｂの照射源（光源６２ａ，６２ｂ）と中間体１０ｘとの間の距離のうちの少なくとも１つ（この例では、光源６２ａ，６２ｂと中間体１０ｘとの間の距離Ｌａ，Ｌｂ）をＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂにおいて相違させて紫外線Ｂａ，Ｂｂの照射量をＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂにおいて相違させることにより、先にスタンパーを剥離すべき面（この例では、スタンパー３０Ａを貼り付けたＡ面１０ａ）の側に形成する樹脂材料１７の層の硬化率を、後にスタンパーを剥離すべき面（この例では、スタンパー３０Ｂを貼り付けたＢ面１０ｂ）の側に形成する樹脂材料１７の層の硬化率よりも確実かつ容易に低くすることができる。これにより、このマスクパターン形成システム２による凹凸パターン形成方法によれば、先に剥離すべきスタンパー３０Ａを、後に剥離すべきスタンパー３０Ｂよりも先に確実に剥離することができるため、中間体１０ｘにおける凹凸パターン５０ａ，５０ｂの形成面に汚れや傷付きが生じる事態を確実に回避することができる。
【００６３】
さらに、このマスクパターン形成システム２による凹凸パターン形成方法によれば、スタンパー剥離処理の後に、硬化率が低い樹脂材料１７の層（この例では、中間体１０ｘにおけるＡ面１０ａ側の樹脂材料１７の層）に紫外線Ｂａを照射することにより、先にスタンパー３０Ａを剥離したＡ面１０ａ側の樹脂材料１７の層、および後にスタンパー３０Ｂを剥離したＢ面１０ｂ側の樹脂材料１７の層の双方において、エッチング処理を好適に実施し得る十分な硬化率の凹凸パターン５０ａ，５０ｂ（マスクパターン）を得ることができる。
【００６４】
また、このマスクパターン形成システム２における紫外線照射装置７によれば、Ａ面１０ａにおいて硬化させた樹脂材料１７の層（中間体１０ｘのＡ面１０ａとスタンパー３０Ａとの間の樹脂材料１７の層）の硬化率と、Ｂ面１０ｂにおいて硬化させた樹脂材料１７の層（中間体１０ｘのＢ面１０ｂとスタンパー３０Ｂとの間の樹脂材料１７の層）の硬化率とが相違するように、樹脂材料硬化処理時におけるＡ照射源とＡ面１０ａとの間の距離Ｌａ、および樹脂材料硬化処理時におけるＢ照射源とＢ面１０ｂとの間の距離Ｌｂが互いに相違する状態で光源６２ａ，６２ｂが配設されると共に、樹脂材料硬化処理時において、樹脂材料１７の層に対する紫外線Ｂａ，Ｂｂの照射量をＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂにおいて相違させて紫外線Ｂａ，Ｂｂを照射して樹脂材料１７の層を硬化させる樹脂材料硬化処理を実行することにより、先にスタンパーを剥離すべき面（この例では、スタンパー３０Ａを貼り付けたＡ面１０ａ）の側に形成する樹脂材料１７の層の硬化率を、後にスタンパーを剥離すべき面（この例では、スタンパー３０Ｂを貼り付けたＢ面１０ｂ）の側に形成する樹脂材料１７の層の硬化率よりも低くすることで、後に剥離すべきスタンパー３０Ｂが先に剥離すべきスタンパー３０Ａよりも先に中間体１０ｘから剥離する事態を招くことなく、スタンパー３０Ａ，３０Ｂを所望の順序で中間体１０ｘから剥離することができる。これにより、この紫外線照射装置７によれば、スタンパー剥離装置８によるスタンパー剥離処理時において、先に剥離すべきスタンパー３０Ａに中間体１０ｘが貼り付いたままスタンパー３０Ａと共に処理完了位置に搬送されて積み重ねられたり、スタンパー３０Ａ，３０Ｂの双方が中間体１０ｘから同時に剥離して中間体１０ｘが脱落したりする事態を回避することができるため、中間体１０ｘにおける凹凸パターン５０ａ，５０ｂの形成面に汚れや傷付きが生じる事態を回避することができる。
【００６５】
また、この磁気記録媒体製造システム１による情報記録媒体製造方法によれば、マスクパターン形成システム２による凹凸パターン形成方法によって形成した凹凸パターン５０ａおよび凹凸パターン５０ｂを用いて磁気ディスク１０を製造することにより、汚れや傷付きが生じることなく、凹凸パターン５０ａ，５０ｂが高精度で形成されているため、この凹凸パターン５０ａ，５０ｂに対応して磁気ディスク１０に凹凸パターン２０ａ，２０ｂを高精度で形成することができる。
【００６６】
次いで、樹脂材料硬化処理時における樹脂材料に対するエネルギー線の照射量、樹脂材料硬化処理時に樹脂材料に対して照射するエネルギー線の種類、およびスタンパー貼付け処理時に塗布する樹脂材料の種類と、スタンパー剥離処理前の樹脂材料の硬化率と、スタンパー剥離処理時におけるＡスタンパーおよびＢスタンパーの剥離結果との関係について、実施例および比較例を挙げて説明する。
【００６７】
前述した磁気ディスク１０の製造に際しては、中間体１０ｘのＡ面１０ａと光源６２ａとの間の距離Ｌａが中間体１０ｘのＢ面１０ｂと光源６２ｂとの間の距離Ｌｂよりも長くなるように光源６２ａ，６２ｂを配設した紫外線照射装置７を用いて樹脂材料硬化処理を実行することにより、Ａ面１０ａ側の樹脂材料１７に対する紫外線Ｂａの照射量がＢ面１０ｂ側の樹脂材料１７に対する紫外線Ｂｂの照射量よりも少量となるように紫外線Ｂａ，Ｂｂを照射して樹脂材料硬化処理の完了時点（スタンパー剥離処理の開始前）におけるＡ面１０ａ側の樹脂材料１７の層の硬化率がＢ面１０ｂ側の樹脂材料１７の層の硬化率よりも低くなるようにしている。これにより、上記したように、磁気ディスク１０の製造に際しては、スタンパー剥離処理時に中間体１０ｘ（積層体１００）からスタンパー３０Ａを剥離する際に、スタンパー３０Ａの剥離が完了する前にスタンパー３０Ｂが中間体１０ｘから剥離する事態が回避されている。
【００６８】
一方、出願人は、上記の磁気ディスク１０の製造方法において採用した凹凸パターン形成方法（「エネルギー線の照射源と基材との間の距離」をＡ面およびＢ面において相違させることによって「樹脂材料硬化処理時における樹脂材料に対するエネルギー線の照射量」をＡ面およびＢ面において相違させてＡ２凹凸パターンおよびＢ２凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法）だけでなく、「エネルギー線の照射時間」または「エネルギー線の照射パワー」をＡ面およびＢ面において相違させることによって「樹脂材料硬化処理時における樹脂材料に対するエネルギー線の照射量」をＡ面およびＢ面において相違させてＡ２凹凸パターンおよびＢ２凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法、「樹脂材料硬化処理時に樹脂材料に対して照射するエネルギー線の種類」をＡ面およびＢ面において相違させてＡ２凹凸パターンおよびＢ２凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法、および「スタンパー貼付け処理時に塗布する樹脂材料の種類」をＡ面およびＢ面において相違させてＡ２凹凸パターンおよびＢ２凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法などを採用した場合においても、Ａスタンパー（上記のスタンパー３０Ａに相当）の剥離が完了する前にＢスタンパー（上記のスタンパー３０Ｂに相当）が基板（上記の中間体１０ｘに相当）から剥離する事態を好適に回避できるのを見出した。
【００６９】
［実施例１］
スタンパー貼付け処理、樹脂材料硬化処理およびスタンパー剥離処理をこの順で実行して基材のＡ面およびＢ面にマスクパターンとしての凹凸パターンを形成した。この場合、スタンパー貼付け処理時には、アクリルオリゴマー、アクリルモノマーおよび重合開始剤を含んだ樹脂材料を基材のＡ面およびＢ面に塗布した。この際に、重合開始剤としては、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製の「ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７」を使用し、その含有量は、Ａ面に塗布する樹脂材料およびＢ面に塗布する樹脂材料の双方とも０．１ｗｔ％とした（以下、この樹脂材料を「樹脂Ａ」ともいう）。また、樹脂材料硬化処理時には、基材のＡ面およびＢ面の双方に対してウシオ電機社製の高圧水銀ランプ「ＵＶＬ−５６０１Ｈ４−Ｏ」（以下、このランプを「ランプＡ」ともいう）を使用して紫外線を含む光を照射した（以下、「紫外線を含む光の照射」について、単に「紫外線の照射」ともいう）。この場合、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＡ面との間の距離を９０ｍｍとし、基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＢ面との間の距離を６０ｍｍとした状態において、両ランプＡを５．６ｋＷの出力で点灯させ、Ａ面およびＢ面の双方に対して１秒間に亘って紫外線を照射して、Ａ面側の樹脂材料（Ａ面とＡスタンパーとの間の樹脂材料の層）、およびＢ面側の樹脂材料（Ｂ面とＢスタンパーとの間の樹脂材料の層）をそれぞれ硬化させた。
【００７０】
［実施例２］
樹脂材料硬化処理時において、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＡの出力を１．６ｋＷとし、基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡの出力を５．６ｋＷとすると共に、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＡ面との間の距離、および基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＢ面との間の距離の双方を９０ｍｍとした。また、その他の条件は［実施例１］と同様とした。
【００７１】
［実施例３］
樹脂材料硬化処理時において、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＡの出力を１．６ｋＷとし、基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡの出力を５．６ｋＷとした。また、その他の条件は［実施例１］と同様とした。
【００７２】
［実施例４］
樹脂材料硬化処理時において、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＡ面との間の距離、および基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＢ面との間の距離の双方を９０ｍｍとし、基材のＡ面に対して１秒間に亘って紫外線を照射すると共に、基材のＢ面に対して２秒間に亘って紫外線を照射した。また、その他の条件は［実施例１］と同様とした。
【００７３】
［実施例５］
樹脂材料硬化処理時において、基材のＡ面に対してウシオ電機社製のメタルハライドランプ「ＵＶＬ−５６０１Ｍ４−Ｏ」（以下、このランプを「ランプＢ」ともいう）を使用して紫外線を照射すると共に、基材のＢ面に対してランプＡを使用して紫外線を照射した（「樹脂材料の硬化反応に寄与する波長成分を含む波長領域のスペクトルが互いに相違するエネルギー線を放射するエネルギー線源を備えて互いに種類が相違するエネルギー線を樹脂材料に対して照射可能に構成されたＡ照射源およびＢ照射源を有する構成の一例）。この場合、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＢと基材のＡ面との間の距離、および基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＢ面との間の距離の双方を６０ｍｍとした。また、その他の条件は［実施例１］と同様とした。
【００７４】
［実施例６］
スタンパー貼付け処理時において基材のＡ面に塗布する樹脂材料の種類を相違させた。具体的には、基材のＡ面に塗布する樹脂材料に含ませる重合開始剤の量を０．１ｗｔ％とし（Ａ面に塗布する樹脂材料として樹脂Ａを使用し）、Ｂ面に塗布する樹脂材料に含ませる重合開始剤（前述したチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製の「ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７」）の量を０．２ｗｔ％とした（以下、０．２ｗｔ％の重合開始剤を含ませた樹脂材料を「樹脂Ｂ」ともいう）。また、樹脂材料硬化処理時において、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＡ面との間の距離、および基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＢ面との間の距離の双方を９０ｍｍとした。また、その他の条件は［実施例１］と同様とした（スタンパー貼付け処理時に塗布する樹脂材料の種類をＡ面およびＢ面において相違させる方法の一例であって、主成分（ベースとなる樹脂）の種類が同じで、重合開始剤の含有量が相違する樹脂材料を塗布する方法の例）。
【００７５】
［実施例７］
スタンパー貼付け処理時において基材のＡ面に塗布する樹脂材料の種類を相違させた。具体的には、基材のＡ面に塗布する樹脂材料として、［実施例１］と同じアクリルオリゴマー、アクリルモノマーに、重合開始剤としてのチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製の「ＩＲＧＡＣＵＲＥ６５１」を０．１ｗｔ％含ませた樹脂材料（以下、この樹脂材料を「樹脂Ｃ」ともいう）を使用し、基材のＢ面に塗布する樹脂材料として樹脂Ａを使用した。なお、樹脂Ａに含ませた重合開始剤の吸収ピークの波長が３０４ｎｍ付近であるのに対し、樹脂Ｂに含ませた重合開始剤の吸収ピークの波長が３４０ｎｍ付近となる。また、樹脂材料硬化処理時において、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＡ面との間の距離、および基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＢ面との間の距離の双方を９０ｍｍとした。また、その他の条件は［実施例１］と同様とした（スタンパー貼付け処理時に塗布する樹脂材料の種類をＡ面およびＢ面において相違させる方法の一例であって、主成分（ベースとなる樹脂）の種類が同じで、重合開始剤の種類が相違する（吸収ピークの波長が相違する）樹脂材料を塗布する方法の例）。
【００７６】
［比較例１］
樹脂材料硬化処理時において、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＡ面との間の距離、および基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＢ面との間の距離の双方を９０ｍｍとした。また、その他の条件は［実施例１］と同様とした。
【００７７】
［比較例２］
樹脂材料硬化処理時において、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＡ面との間の距離、および基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＢ面との間の距離の双方を６０ｍｍとした。また、その他の条件は［実施例１］と同様とした。
【００７８】
［比較例３］
樹脂材料硬化処理時において、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＡ面との間の距離、および基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＢ面との間の距離の双方を９０ｍｍとすると共に、両ランプＡの出力をそれぞれ１．６ｋＷとした。また、その他の条件は［実施例１］と同様とした。
【００７９】
［比較例４］
樹脂材料硬化処理時において、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＡ面との間の距離、および基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＢ面との間の距離の双方を９０ｍｍとし、Ａ面およびＢ面の双方に対して２秒間に亘って紫外線を照射した。また、その他の条件は［実施例１］と同様とした。
【００８０】
［比較例５］
樹脂材料硬化処理時において、基材のＡ面およびＢ面の双方に対してランプＢを用いて紫外線を照射した。この場合、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＢと基材のＡ面との間の距離、および基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＢと基材のＢ面との間の距離の双方を６０ｍｍとした。また、その他の条件は［実施例１］と同様とした。
【００８１】
［比較例６］
スタンパー貼付け処理時において、基材のＡ面に塗布する樹脂材料、およびＢ面に塗布する樹脂材料としてそれぞれ樹脂Ｂを使用した。また、樹脂材料硬化処理時において、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＡ面との間の距離、および基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＢ面との間の距離の双方を９０ｍｍとした。また、その他の条件は［実施例１］と同様とした。
【００８２】
［比較例７］
スタンパー貼付け処理時において、基材のＡ面に塗布する樹脂材料、およびＢ面に塗布する樹脂材料としてそれぞれ樹脂Ｃを使用した。また、樹脂材料硬化処理時において、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＡ面との間の距離、および基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡと基材のＢ面との間の距離の双方を９０ｍｍとした。また、その他の条件は［実施例１］と同様とした。
【００８３】
上記の実施例１〜７および比較例１〜７について、樹脂材料硬化処理時におけるランプＡ（または、ランプＢ）の照度（ｍＷ／ｃｍ２）、樹脂材料硬化処理時において樹脂材料の層に照射された紫外線の光量（ｍＪ／ｃｍ２）、樹脂材料硬化処理後の樹脂材料の硬化率（％）、スタンパー剥離処理時におけるＡスタンパーおよびＢスタンパーの剥離抵抗（ｋｇｆ）、および、基材からＡスタンパーが先に剥離したか否かの剥離結果を図１１，１２に示す。
【００８４】
なお、照度（ｍＷ／ｃｍ２）、および光量（ｍＪ／ｃｍ２）については、ＥＩＴ社製の「Ｍｉｃｒｏ  Ｃｕｒｅ」を使用して測定した。さらに、硬化率（％）については、バイオラッド（ＢＩＯ−ＲＡＤ）社製のＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光光度計）（ＦＴＳ−６０００）を用いたＡＴＲ法（全反射法）によって、樹脂材料の重合に寄与する２重結合に起因するピーク位置（一例として、ビニル基Ｃ−Ｈ面内変角振動に起因するピーク位置：波数＝１４１０ｃｍ−１付近）における吸光度を測定し、測定した吸光度の紫外線の照射の前後におけるピーク強度の残存比に基づいて算出した。
【００８５】
この場合、この種の測定装置を用いた吸光度の測定時には、測定処理の都度、ある程度の測定誤差が生じることがある。このため、図１３に示すように、１枚の試料において紫外線照射前に測定した吸光度（破線）と、紫外線照射後に測定した吸光度（実線）とで、樹脂材料の硬化反応には直接的には関係のない結合に起因する吸光度のピーク位置（紫外線の照射前後において原理的には吸光度が殆ど変化することのないピーク位置：一例として、「Ｃ＝Ｏ」伸縮振動に起因するピーク位置：波数＝１７３０ｃｍ−１付近におけるピーク位置）における吸光度の値が互いに相違する値として測定されることがある。なお、同図では、一例として、実施例１の試料におけるＡ面についての紫外線照射前後の測定値を図示している。この場合、この種の樹脂材料では、紫外線照射前後（硬化処理前後）において、ピーク位置自体も僅かに変化することがある。具体的には、実施例１の試料では、例えば紫外線照射前（硬化処理前）の「Ｃ＝Ｏ」伸縮振動に起因するピーク位置が１７２８ｃｍ−１であるのに対し、紫外線照射後（硬化処理後）の「Ｃ＝Ｏ」伸縮振動に起因するピーク位置が１７３３ｃｍ−１となる。
【００８６】
したがって、ピーク強度の残存比の算出に使用する吸光度については、測定処理毎の測定誤差の影響や、紫外線照射前後（硬化処理前後）におけるピーク位置自体の変化の影響を排除するために、測定処理によって得られた測定値における波数＝１７３０ｃｍ−１付近におけるピーク強度（吸光度）からバックグラウンドノイズを差し引いた値と、波数＝１４１０ｃｍ−１付近におけるピーク強度（吸光度）からバックグラウンドノイズを差し引いた値とに基づいて規格化した値を用いた。具体的には、各測定処理毎に、「波数＝１４１０ｃｍ−１付近におけるピーク強度（吸光度）からバックグラウンドノイズを差し引いた値」を「波数＝１７３０ｃｍ−１付近におけるピーク強度（吸光度）からバックグラウンドノイズを差し引いた値」で除した値を「ピーク強度の残存比の算出に使用する吸光度」として算出した。
【００８７】
また、上記の「ピーク強度の残存比」は、「紫外線の照射後（硬化処理後）のピーク強度（規格化後の「波数＝１４１０ｃｍ−１付近」における値）」を「紫外線の照射前（硬化処理前）のピーク強度（規格化後の「波数＝１４１０ｃｍ−１付近」における値）」で除して算出した。さらに、硬化率（％）は、紫外線の照射前（硬化処理前）の硬化率を０％とする比率であって、「（１−残存比）×１００」との式に基づいて算出した。具体的には、実施例１の試料におけるＡ面については、「紫外線の照射後のピーク強度」が「０．０３６９９９」で、「紫外線の照射前のピーク強度」が「０．３１８５４３」であるため、「ピーク強度の残存比」が「０．０３６９９９／０．３１８５４３≒０．１１６１５１」と算出される。したがって、実施例１の試料におけるＡ面の「硬化率（％）」は、「（１−０．１１６１５１）×１００≒８８．４」と算出される。
【００８８】
また、剥離抵抗（ｋｇｆ）については、実施例１〜７および比較例１〜７の各条件と同様の条件下で、各実施例および各比較例毎にＡ面側の樹脂材料の層およびＢ面側の樹脂材料の層をそれそれ形成した剥離抵抗測定用の試料を製作し、各剥離抵抗測定用の試料について、図１４に示す剥離抵抗測定装置８ｚを使用して測定した。この場合、剥離抵抗測定装置８ｚは、一例として、前述した磁気記録媒体製造システム１（マスクパターン形成システム２）におけるスタンパー剥離装置８のスタンパー保持部７２ｂおよび中間体保持部７３と同様の構成によって各試料の基材およびスタンパーを保持する構成が採用されている。したがって、スタンパー剥離装置８におけるスタンパー保持部７２ｂおよび中間体保持部７３と同様の構成要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。この剥離抵抗測定装置８ｚは、各試料の基材を中間体保持部７３によって保持すると共に、各試料のスタンパーをスタンパー保持部７２ｂによって保持し、その状態において、スタンパー保持部７２ｂのベース部８１に連結されたフォースゲージ８７を移動機構７１ｚによって引っ張るようにして移動させることにより、このフォースゲージ８７によって剥離抵抗（剥離に要する引っ張り力）を測定する構成が採用されている。この場合、移動機構７１ｚは、フォースゲージ８７を直動させるリニアガイド８６と、動力源としてのモータ８５とを備えている。
【００８９】
さらに、剥離結果については、各実施例および各比較例毎に１０枚の試料を製作し、これらの試料についてスタンパー剥離処理を実行して、Ａスタンパーが先に剥離した試料の枚数、Ｂスタンパーが先に剥離した試料の枚数、およびＡＢ両スタンパーが同時に剥離した試料の枚数を調査した。その調査結果を図１１，１２に示す。
【００９０】
図１１に示すように、前述した磁気ディスク１０の製造時に凹凸パターン５０ａ，５０ｂを形成した方法と同様の方法で凹凸パターンを形成した実施例１の試料（「エネルギー線の照射源と基材との間の距離」をＡ面およびＢ面において相違させてエネルギー線の照射量をＡ面およびＢ面において相違させる方法によって凹凸パターンを形成した例）では、Ｂ面側の樹脂材料の層の硬化率が９３．４％となったのに対し、Ａ面側の樹脂材料の層の硬化率が８８．４％となり、Ａ面側の樹脂材料の層がＢ面側の樹脂材料の層よりも５．０％だけ硬化率が低い状態となった。この結果、Ａ面側の樹脂材料の層からＡスタンパーを剥離する際の剥離抵抗が、Ｂ面側の樹脂材料の層からＢスタンパーを剥離する際の剥離抵抗よりも０．９ｋｇｆだけ小さな値となり、結果として、１０枚の試料のすべてにおいて、Ｂスタンパーよりも先にＡスタンパーが剥離した。
【００９１】
一方、実施例２の試料（「エネルギー線の照射パワー」をＡ面およびＢ面において相違させてエネルギー線の照射量をＡ面およびＢ面において相違させる方法によって凹凸パターンを形成した例）では、樹脂材料硬化処理時において基材のＡ面とランプＡとの間の距離、および基材のＢ面とランプＡとの間の距離を互いに等しい９０ｍｍとしているが、この実施例２の試料では、基材のＡ面に対して紫外線を照射するランプＡの出力を基材のＢ面に対して紫外線を照射するランプＡの出力よりも小さくしたことで、Ａ面側の樹脂材料の層に照射された紫外線の光量がＢ面側の樹脂材料の層に照射された紫外線の光量よりも少量となっている。このため、実施例２の試料では、Ｂ面側の樹脂材料の層の硬化率が８８．４％となったのに対し、Ａ面側の樹脂材料の層の硬化率が８４．１％となり、Ａ面側の樹脂材料の層がＢ面側の樹脂材料の層よりも４．３％だけ硬化率が低い状態となった。この結果、Ａ面側の樹脂材料の層からＡスタンパーを剥離する際の剥離抵抗が、Ｂ面側の樹脂材料の層からＢスタンパーを剥離する際の剥離抵抗よりも０．６ｋｇｆだけ小さな値となり、結果として、１０枚の試料のすべてにおいて、Ｂスタンパーよりも先にＡスタンパーが剥離した。
【００９２】
また、実施例３の試料（「エネルギー線の照射源と基材との間の距離」および「エネルギー線の照射パワー」の双方をＡ面およびＢ面において相違させてエネルギー線の照射量をＡ面およびＢ面において相違させる方法によって凹凸パターンを形成した例）では、Ｂ面側の樹脂材料の層の硬化率が９３．４％となったのに対し、Ａ面側の樹脂材料の層の硬化率が８４．１％となり、Ａ面側の樹脂材料の層がＢ面側の樹脂材料の層よりも９．３％だけ硬化率が低い状態となった。この結果、Ａ面側の樹脂材料の層からＡスタンパーを剥離する際の剥離抵抗が、Ｂ面側の樹脂材料の層からＢスタンパーを剥離する際の剥離抵抗よりも１．５ｋｇｆだけ小さな値となり、結果として、１０枚の試料のすべてにおいて、Ｂスタンパーよりも先にＡスタンパーが剥離した。
【００９３】
また、実施例４の試料（「エネルギー線の照射時間」をＡ面およびＢ面において相違させてエネルギー線の照射量をＡ面およびＢ面において相違させる方法によって凹凸パターンを形成した例）では、樹脂材料硬化処理時においてＡ面側の樹脂材料の層に照射された紫外線の光量がＢ面側の樹脂材料の層に照射された紫外線の光量よりも少量（この例では、１／２）となっている。このため、実施例４の試料では、Ｂ面側の樹脂材料の層の硬化率が９３．７％となったのに対し、Ａ面側の樹脂材料の層の硬化率が８８．４％となり、Ａ面側の樹脂材料の層がＢ面側の樹脂材料の層よりも５．３％だけ硬化率が低い状態となった。この結果、Ａ面側の樹脂材料の層からＡスタンパーを剥離する際の剥離抵抗が、Ｂ面側の樹脂材料の層からＢスタンパーを剥離する際の剥離抵抗よりも１．０ｋｇｆだけ小さな値となり、結果として、１０枚の試料のすべてにおいて、Ｂスタンパーよりも先にＡスタンパーが剥離した。
【００９４】
さらに、実施例５の試料（「エネルギー線の照射源の種類」をＡ面およびＢ面において相違させて照射するエネルギー線の種類をＡ面およびＢ面において相違させる方法によって凹凸パターンを形成した例）では、樹脂材料硬化処理時においてランプＢによってＡ面側の樹脂材料の層に照射された紫外線の光量と、ランプＡによってＢ面側の樹脂材料の層に照射された紫外線の光量とがほぼ同量となっている。この場合、この実施例５の試料では、Ａ面およびＢ面に対する紫外線照射時の光量がほぼ同量あったが、ランプＢから放射される光の波長成分とランプＡから放射される光の波長成分との相違に起因してランプＢから放射される光による樹脂材料の硬化反応の進行がランプＡから放射される光による樹脂材料の硬化反応の進行よりも遅く、これに起因して、Ｂ面側の樹脂材料の層の硬化率が９３．４％となったのに対し、Ａ面側の樹脂材料の層の硬化率が８６．８％となり、Ａ面側の樹脂材料の層がＢ面側の樹脂材料の層よりも６．６％だけ硬化率が低い状態となった。この結果、Ａ面側の樹脂材料の層からＡスタンパーを剥離する際の剥離抵抗が、Ｂ面側の樹脂材料の層からＢスタンパーを剥離する際の剥離抵抗よりも１．３ｋｇｆだけ小さな値となり、結果として、１０枚の試料のすべてにおいて、Ｂスタンパーよりも先にＡスタンパーが剥離した。
【００９５】
なお、Ａ面およびＢ面の双方に同種のエネルギー線を放射するエネルギー線源（例えば、上記の「ランプＡ」）を配設すると共に、一例として、Ａ面側に配設したエネルギー線源と試料との間に、樹脂材料の硬化反応に寄与する波長成分を減衰させるフィルタを配設することにより、試料のＡ面側およびＢ面側に互いに種類が相違するエネルギー線（例えば紫外線）を照射することもできる（同種のエネルギー線を放射するエネルギー線源と、放射されたエネルギー線の種類を異ならせるフィルタとを備え、エネルギー線源から放射したエネルギー線のスペクトルをフィルタによって変化させることによって互いに種類が相違するエネルギー線を樹脂材料に対して照射可能に構成されたＡ照射源およびＢ照射源を有する構成の一例）。このような構成の装置を使用した場合においても、Ａ面側のＡ照射源（エネルギー線源およびフィルタ）から放射されるエネルギー線において樹脂材料の硬化反応に寄与する波長成分がフィルタによって減衰されているため、上記の実施例５の試料と同様にして、Ｂ面側の樹脂材料の硬化反応の進行がＡ面側の樹脂材料の硬化反応の進行よりも遅くなる結果、Ａ面側の樹脂材料の層の硬化率がＢ面側の樹脂材料の層の硬化率よりも低い状態となる。この結果、Ａ面側の樹脂材料の層からＡスタンパーを剥離する際の剥離抵抗が、Ｂ面側の樹脂材料の層からＢスタンパーを剥離する際の剥離抵抗よりも小さな値となり、結果として、Ｂスタンパーよりも先にＡスタンパーが剥離することが出願人によって確認されている。
【００９６】
また、実施例６の試料（主成分（ベースとなる樹脂）が同じで、重合開始剤の含有量をＡ面およびＢ面において相違させてスタンパー貼付け処理時に塗布する樹脂材料の種類をＡ面およびＢ面において相違させる方法によって凹凸パターンを形成した例）では、樹脂材料硬化処理時においてＡ面側の樹脂材料の層およびＢ面側の樹脂材料の層に対して照射した紫外線の光量がＡ面およびＢ面の双方において同量であるが、この実施例６の試料では、重合開始剤の含有量が多いＢ面側の樹脂材料（樹脂Ｂ）の層の硬化率が９２．７％となったのに対し、重合開始剤の含有量が少ないＡ面側の樹脂材料（樹脂Ａ）の層の硬化率が８８．４％となり、Ａ面側の樹脂材料の層がＢ面側の樹脂材料の層よりも４．３％だけ硬化率が低い状態となった。この結果、Ａ面側の樹脂材料の層からＡスタンパーを剥離する際の剥離抵抗が、Ｂ面側の樹脂材料の層からＢスタンパーを剥離する際の剥離抵抗よりも０．６ｋｇｆだけ小さな値となり、結果として、１０枚の試料のすべてにおいて、Ｂスタンパーよりも先にＡスタンパーが剥離した。
【００９７】
また、実施例７の試料（主成分（ベースとなる樹脂）が同じで、含ませる重合開始剤の種類をＡ面およびＢ面において相違させてスタンパー貼付け処理時に塗布する樹脂材料の種類をＡ面およびＢ面において相違させる方法によって凹凸パターンを形成した例）では、樹脂材料硬化処理時においてＡ面側の樹脂材料の層およびＢ面側の樹脂材料の層に対して照射した紫外線の光量がＡ面およびＢ面の双方において同量であるが、この実施例７の試料では、Ｂ面側の樹脂材料（樹脂Ａ）の層の硬化率が８８．４％となったのに対し、Ａ面側の樹脂材料（樹脂Ｃ）の層の硬化率が８３．２％となり、Ａ面側の樹脂材料の層がＢ面側の樹脂材料の層よりも５．２％だけ硬化率が低い状態となった。この結果、Ａ面側の樹脂材料の層からＡスタンパーを剥離する際の剥離抵抗が、Ｂ面側の樹脂材料の層からＢスタンパーを剥離する際の剥離抵抗よりも０．７ｋｇｆだけ小さな値となり、結果として、１０枚の試料のすべてにおいて、Ｂスタンパーよりも先にＡスタンパーが剥離した。
【００９８】
これに対して、図１２に示すように、樹脂材料硬化処理時におけるランプの種類、ランプ出力、およびランプと基材との間の距離や、スタンパー貼付け処理時に塗布する樹脂材料の種類（樹脂材料に含まれている重合開始剤の量、または、重合開始剤の種類）がＡ面およびＢ面の双方において互いに等しくなるように凹凸パターンを形成した比較例１〜７の試料では、樹脂材料硬化処理後の両樹脂材料の層の硬化率や、スタンパー剥離処理時におけるＡＢ両スタンパーの剥離抵抗が基材のＡ面およびＢ面において互いに等しい値となった。このため、同図に示すように、比較例１〜７の試料では、１０枚の試料のうちの４〜６枚においてＢスタンパーよりもＡスタンパーの方が先に剥離し、１０枚の試料のうちの３〜５枚においてＡスタンパーよりもＢスタンパーの方が先に剥離すると共に、比較例１〜４，６では、数枚の試料においてＡＢ両スタンパーが基材から同時に剥離して基材が落下する事態を招いた。このように、比較例１〜７の試料では、ＡＢ両スタンパーのいずれが先に剥離するかの剥離結果にばらつきが生じた。
【００９９】
上記実施例１〜４のように、樹脂材料硬化処理時における樹脂材料に対するエネルギー線の照射量をＡ面およびＢ面において相違させることでＡ面において硬化させた樹脂材料のスタンパー剥離処理前の硬化率とＢ面において硬化させた樹脂材料のスタンパー剥離処理前の硬化率とを相違させる方法、上記実施例５のように、樹脂材料硬化処理時に樹脂材料に対して照射するエネルギー線の種類をＡ面およびＢ面において相違させることでＡ面において硬化させた樹脂材料のスタンパー剥離処理前の硬化率とＢ面において硬化させた樹脂材料のスタンパー剥離処理前の硬化率とを相違させる方法、または、上記実施例６，７のように、スタンパー貼付け処理時に塗布する樹脂材料の種類（この例では、重合開始剤の含有量、または、含ませる重合開始剤の種類）をＡ面およびＢ面において相違させることでＡ面において硬化させた樹脂材料のスタンパー剥離処理前の硬化率とＢ面において硬化させた樹脂材料のスタンパー剥離処理前の硬化率とを相違させる方法を採用することにより、スタンパー剥離処理時におけるスタンパーの剥離抵抗がＡ面およびＢ面において相違する状態となるのが理解できる。また、上記の各方法によってスタンパーの剥離抵抗がＡ面およびＢ面において相違する状態となることで、先に剥離すべきスタンパー（この例ではＡスタンパー）を先に剥離することができるのが理解できる。
【０１００】
このように、紫外線の照射源と基材との間の距離をＡ面およびＢ面において相違させることで紫外線の照射量をＡ面およびＢ面において相違させた実施例１，３の試料における凹凸パターン形成方法、紫外線の照射パワーをＡ面およびＢ面において相違させることで紫外線の照射量をＡ面およびＢ面において相違させた実施例２，３の試料における凹凸パターン形成方法、紫外線の照射時間をＡ面およびＢ面において相違させることで紫外線の照射量をＡ面およびＢ面において相違させた実施例４の試料における凹凸パターン形成方法によれば、先にスタンパーを剥離すべき面（この例では、Ａ面）の側に形成する樹脂材料の層の硬化率を、後にスタンパーを剥離すべき面（この例では、Ｂ面）の側に形成する樹脂材料の層の硬化率よりも確実かつ容易に低くすることができるという第１の効果を奏することができる。これにより、この実施例１〜４の試料における凹凸パターン形成方法によれば、先に剥離すべきスタンパーを、後に剥離すべきスタンパーよりも先に確実に剥離することができるため、基材における凹凸パターンの形成面に汚れや傷付きが生じる事態を確実に回避することができるという第２の効果を奏することができる。
【０１０１】
また、紫外線の照射源の種類をＡ面およびＢ面において相違させることで紫外線の種類をＡ面およびＢ面において相違させた実施例５の試料における凹凸パターン形成方法によれば、実施例１〜４の試料における凹凸パターン形成方法と同様にして、上記の第１の効果および第２の効果を奏することができる。
【０１０２】
また、含有している重合開始剤の種類をＡ面およびＢ面において相違させることでスタンパー貼付け処理時に塗布する樹脂材料の種類をＡ面およびＢ面において相違させた実施例７の試料における凹凸パターン形成方法、および重合開始剤の含有量をＡ面およびＢ面において相違させることでスタンパー貼付け処理時に塗布する樹脂材料の種類をＡ面およびＢ面において相違させた実施例６の試料における凹凸パターン形成方法によれば、実施例１〜５の試料における凹凸パターン形成方法と同様にして、上記の第１の効果および第２の効果を奏することができる。
【０１０３】
また、実施例１，３の試料の製作時に使用した紫外線照射装置（樹脂材料硬化処理装置）によれば、Ａ面において硬化させた樹脂材料の層の硬化率と、Ｂ面において硬化させた樹脂材料の層の硬化率とが相違するように、樹脂材料硬化処理時におけるＡ照射源とＡ面との間の距離（この例では、９０ｍｍ）、および樹脂材料硬化処理時におけるＢ照射源とＢ面との間の距離（この例では、６０ｍｍ）が互いに相違する状態で光源が配設されると共に、樹脂材料硬化処理時において、樹脂材料の層に対する紫外線の照射量をＡ面およびＢ面において相違させて紫外線を照射して両樹脂材料の層を硬化させる樹脂材料硬化処理を実行することにより、先にスタンパーを剥離すべき面（この例では、Ａ面）の側に形成する樹脂材料の層の硬化率を、後にスタンパーを剥離すべき面（この例では、Ｂ面）の側に形成する樹脂材料の層の硬化率よりも低くすることで、後に剥離すべきスタンパーが先に剥離すべきスタンパーよりも先に基材から剥離する事態を招くことなく、両スタンパーを所望の順序で基材から剥離することができる。これにより、この紫外線照射装置（樹脂材料硬化処理装置）によれば、スタンパー剥離処理時において、先に剥離すべきスタンパーに基材が貼り付いたままスタンパーと共に処理完了位置に搬送されて積み重ねられたり、両スタンパーが基材から同時に剥離して基材が脱落したりする事態を回避することができるため、基材における凹凸パターンの形成面に汚れや傷付きが生じる事態を回避することができる。
【０１０４】
また、実施例５の試料の製作時に使用した紫外線照射装置（樹脂材料硬化処理装置）によれば、Ａ面において硬化させた樹脂材料の層の硬化率と、Ｂ面において硬化させた樹脂材料の層の硬化率とが相違するように、Ａ照射装置のＡ照射源（ランプＡ）とＢ照射装置のＢ照射源（ランプＢ）とが、互いに種類が相違する照射源で構成されると共に、樹脂材料硬化処理時において、樹脂材料に対して照射する紫外線の種類をＡ面およびＢ面において相違させて紫外線を照射して両樹脂材料の層を硬化させる樹脂材料硬化処理を実行することにより、実施例１，３の試料の製作時に使用した紫外線照射装置（樹脂材料硬化処理装置）と同様の効果を奏することができる。
【０１０５】
なお、中間体１０ｘのＡ面１０ａに紫外線Ｂａを照射するための光源６２ａと中間体１０ｘのＢ面１０ｂに紫外線Ｂｂを照射するための光源６２ｂとが対向配置されてＡ面１０ａおよびＢ面１０ｂに対して紫外線Ｂａ，Ｂｂを同時に照射する構成の紫外線照射装置７を使用して樹脂層硬化処理を実行する例について説明したが、樹脂材料硬化処理の方法、および樹脂材料硬化処理装置の構成はこれに限定されない。例えば、基材のＡ面に対してエネルギー線を照射するＡ照射装置と、基材のＢ面に対してエネルギー線を照射するＢ照射装置とを別個に配置した（光源６２ａと光源６２ｂとを対向させずに配置した）樹脂材料硬化処理装置（上記のマスクパターン形成システム２における紫外線照射装置７に対応する装置：図示せず）を用いて、Ａ面およびＢ面に対して別個に（時間的に同時ではなく、ずれた時点で）エネルギー線を照射することができる。具体的には、一例として、光源６２ａと光源６２ｂとを中間体１０ｘの搬送方向においてずらして配置することができる。
【０１０６】
この場合、Ａ照射装置およびＢ照射装置を別個に配置した樹脂材料硬化処理装置による樹脂層硬化処理時において、エネルギー線の照射時間をＡ面およびＢ面において相違させてエネルギー線の照射量をＡ面およびＢ面において相違させるには、Ａ照射装置およびＢ照射装置の各照射源を点灯させた状態において基材がＡ照射装置内を通過する時間（すなわち、通過速度であり照射時間でもある）と基材がＢ照射装置内を通過する時間（すなわち、通過速度であり照射時間でもある）とを相違させる構成を採用することができる。また、Ａ照射源とＢ照射源とを対向配置した樹脂材料硬化処理装置、および、Ａ照射源とＢ照射源とを別個に配置した樹脂材料硬化処理装置のいずれかにおいて、エネルギー線の照射時間をＡ面およびＢ面において相違させてエネルギー線の照射量をＡ面およびＢ面において相違させるために、Ａ照射源と基材との間、およびＢ照射源と基材との間にエネルギー線の通過を規制するシャッターなどの規制部材を設け、この規制部材の開閉タイミングを制御することによって、Ａ面に対するエネルギー線の照射時間とＢ面に対するエネルギー線の照射時間とを相違させることもできる。
【０１０７】
また、前述したマスクパターン形成システム２におけるスタンパー剥離装置８では、積層体１００（中間体１０ｘ）からスタンパー３０Ａを剥離する際に移動機構７１およびスタンパー保持部７２ａ，７２ｂを使用し、中間体１０ｘからスタンパー３０Ｂを剥離する際に移動機構７１、スタンパー保持部７２ｂおよび中間体保持部７３を使用する構成（スタンパー３０Ａ，３０Ｂの剥離に際して移動機構７１およびスタンパー保持部７２ｂを共用する構成）を採用しているが、スタンパー３０Ａの剥離処理時、およびスタンパー３０Ｂの剥離処理時において、別個独立したスタンパー保持部と移動機構（上記の例におけるスタンパー保持部７２ｂおよび移動機構７１）をそれぞれ使用する構成を採用することもできる。
【０１０８】
さらに、金属スタンパーを用いた射出成形によって樹脂材料で形成した樹脂スタンパー（スタンパー３０Ａ，３０Ｂ）を使用する例について説明したが、ＡスタンパーおよびＢスタンパーの構成は、これに限定されるものではない。具体的には、基材に塗布した樹脂材料を硬化させるためのエネルギー線を透過することができればよく、一例として、石英によって平板状に形成したスタンパーをＡスタンパーおよびＢスタンパーとして使用することができる。また、マスクパターン形成システム２によって形成した凹凸パターン５０ａ，５０ｂ（マスクパターン）をマスクとして用いて磁性層１４をエッチング処理して磁気ディスク１０を製造する方法について説明したが、情報記録媒体（磁気ディスク）の製造方法はこれに限定されない。具体的には、一例として、中間体１０ｘと樹脂材料１７の層との間に金属マスク形成用の金属材料層を予め形成しておき、上記の凹凸パターン５０ａ，５０ｂを用いてこの金属材料層に対してエッチング処理を実行して中間体１０ｘにおける磁性層１４の上（金属材料層）に凹凸パターン（金属マスクパターン）を形成し、この金属マスクパターンをマスクとして用いたエッチング処理を実行して上記の磁気ディスク１０と同様の磁気ディスクを製造することもできる。
【０１０９】
さらに、基材、ＡスタンパーおよびＢスタンパーは、平面視形状が円形のものに限定されず、各種平面視形状の基材、ＡスタンパーおよびＢスタンパーを用いて凹凸パターンを形成することができる。また、樹脂材料硬化処理時に照射するエネルギー線は、紫外線に限定されず、紫外線以外の放射線等の電磁波や、電子線等の粒子線がこれに含まれる。加えて、凹凸パターン形成方法、情報記録媒体製造方法および樹脂材料硬化処理装置は、磁気ディスク１０のような磁気記録媒体の製造時に実行するための方法および装置に限定されるものではなく、光ディスクおよび光磁気ディスクや半導体素子の製造に際して上記の方法および装置を適用することができる。
【符号の説明】
【０１１０】
１  磁気記録媒体製造システム
２  マスクパターン形成システム
３  エッチング装置
５  樹脂材料塗布装置
６  スタンパー貼付け装置
７  紫外線照射装置
８  スタンパー剥離装置
１０  磁気ディスク
１０ａ  Ａ面
１０ｂ  Ｂ面
１０ｘ  中間体
１１ａ  Ａ面
１１ｂ  Ｂ面
１７  樹脂材料
２０ａ，２０ｂ，４０ａ，４０ｂ，５０ａ，５０ｂ  凹凸パターン
２１，４１，５１  凸部
２２、４２，５２  凹部
３０Ａ，３０Ｂ  スタンパー
６１  搬送装置
６２ａ，６２ｂ  光源
６３  制御部
７１  移動機構
７２ａ，７２ｂ  スタンパー保持部
７３  中間体保持部
７４  制御部
１００，１００ａ  積層体
Ｂａ，Ｂｂ  紫外線
Ｌａ，Ｌｂ  距離
【図１】
2011000804.tif 000003
【図２】
2011000804.tif 000004
【図３】
2011000804.tif 000005
【図４】
2011000804.tif 000006
【図５】
2011000804.tif 000007
【図６】
2011000804.tif 000008
【図７】
2011000804.tif 000009
【図８】
2011000804.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2011000804.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2011000804.tif 000016
【図１５】
2011000804.tif 000017