(57)【要約】【課題】発光効率の低下を防ぎながら小型化することができるＬＥＤモジュール用配線基板、ＬＥＤモジュール及び製造方法を提供する。【解決手段】配線基板１００のＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１６を実装された主面において、ＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１６に給電する配線パターン１０２の回路接続に必要な領域以外の領域をルチル反射層３００にて被覆する。また、外部電源から受電する受電端子１０４、１０５とＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１５との間の配線長に応じて、配線パターン１０２の配線幅が異ならせることによって、ＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１５間で配線抵抗が揃えられている。更に、受電端子１０４、１０５は、平面視において矩形形状の配線基板１００の同じ辺寄りに配されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＬＥＤを実装するためのＬＥＤモジュール用配線基板であって、
基板本体と、
前記基板本体のＬＥＤ実装予定面に配設され、外部から受電するための受電端子を複数有する配線パターンと、
無機反射材料からなる反射層と、を備え、
平面視において略矩形形状であり、
前記受電端子は、平面視において何れも前記基板本体上の同じ辺寄りに偏在させて配設されており、
前記配線パターンは、ＬＥＤ間で受電端子からの配線抵抗が揃うように、ＬＥＤまでの配線長に応じて配線幅が調整されており、
前記反射層は、前記配線パターンのうち回路素子を接続されるランドと受電端子との領域以外の領域を被覆している
ことを特徴とするＬＥＤモジュール用配線基板。
【請求項２】
前記無機反射材料は、酸化チタン、酸化亜鉛及びアルミナの何れかである
ことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤモジュール用配線基板。
【請求項３】
前記反射層は、前記無機反射材料とガラスフリットとを混練したペーストをスクリーン印刷した後、焼成することによって形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤモジュール用配線基板。
【請求項４】
前記配線パターンは、
ＡｇとＡｇ−Ｐｄとの何れかからなり、
回路接続に必要な領域表面に金メッキが施されている
ことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤモジュール用配線基板。
【請求項５】
前記基板本体は、セラミックスと樹脂との何れかからなる
ことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤモジュール用配線基板。
【請求項６】
ＬＥＤを被覆する蛍光体層を備えるＬＥＤモジュールに用いられる場合には、
前記反射層は、更に、前記配線パターンを除くＬＥＤ実装予定主面のうち、前記蛍光体層にて被覆されるべき部分を被覆する
ことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤモジュール用配線基板。
【請求項７】
前記配線パターンは、ＬＥＤから受電端子までの配線長が長いほど配線幅を狭くすることによって、ＬＥＤ間で配線抵抗が揃えられている
ことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤモジュール用配線基板。
【請求項８】
請求項１に記載のＬＥＤモジュール用配線基板を備える
ことを特徴とするＬＥＤモジュール。
【請求項９】
請求項１に記載のＬＥＤモジュール用配線基板の製造方法であって、
基板本体のＬＥＤ実装予定面上に複数のＬＥＤモジュールの配線パターンを形成する工程と、
前記無機反射材料とガラスフリットとを混練したペーストを前記基板本体上にスクリーン印刷した後、焼成する工程と、
前記配線パターンのうち回路接続に必要な領域を金メッキする工程と、
前記基板本体の個々のＬＥＤモジュールに対応する部分を切り離す工程と、を含む
ことを特徴とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤモジュール用配線基板、ＬＥＤモジュール及びＬＥＤモジュール用配線基板の製造方法に関し、特に、ＬＥＤ光源の発光効率と小型化とを両立させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、青色ＬＥＤ（Light Emitting Diode）と蛍光体の組み合わせによる白色ＬＥＤの発光効率の向上にともない、長寿命、小型、コンパクトさといった特徴を生かしながら、既存光源を代替するＬＥＤ光源が求められている。
このような要請に対して、例えば、多様な用途に適用することができる小型のＬＥＤモジュールが開発されている。このようなＬＥＤモジュールを用いれば、ＬＥＤの長所を生かしつつ、既存の光源を代替することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−７１２２７号公報
【非特許文献１】上野 康晴、緒方俊文、森川 誠、向健二、内藤 浩幸、斎藤毅、「白色LED光源「LUGA」の開発」、松下テクニカルジャーナル、Vol.53, No.2, Jan 2008.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このようなＬＥＤモジュールに対する小型化の要請は高く、更なる小型化が強く求められている。
しかしながら、ＬＥＤモジュールを小型化する際に、ＬＥＤチップに給電するための配線の小型化すると、配線抵抗が増大して発光効率が低下するおそれがある。また、１個のＬＥＤモジュールに複数のＬＥＤを実装する場合には、配線長の差異に起因して光量がばらつくおそれもある。さりとて、配線幅を大きくすると基板全体の反射率が低下するので、ＬＥＤモジュールの発光効率が低下してしまう。
【０００５】
本発明は、上述のような問題に鑑みて為されたものであって、光量ばらつきを抑え、発光効率の低下を防ぎ、かつ、小型化することができるＬＥＤモジュール用配線基板、ＬＥＤモジュール及び製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係るＬＥＤモジュール用配線基板は、複数のＬＥＤを実装するためのＬＥＤモジュール用配線基板であって、基板本体と、前記基板本体のＬＥＤ実装予定面に配設され、外部から受電するための受電端子を複数有する配線パターンと、無機反射材料からなる反射層と、を備え、平面視において略矩形形状であり、前記受電端子は、平面視において何れも前記基板本体上の同じ辺寄りに偏在させて配設されており、前記配線パターンは、ＬＥＤ間で受電端子からの配線抵抗が揃うように、ＬＥＤまでの配線長に応じて配線幅が調整されており、前記反射層は、前記配線パターンのうち回路素子を接続されるランドと受電端子との領域以外の領域を被覆していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
このようにすれば、複数のＬＥＤ間の光量ばらつきを抑えると共に、反射層によって発光効率の低下を防ぎ、更に、受電端子を基板の同じ辺寄りに配設することによってＬＥＤモジュールを小型化することができる。なお、本明細書において、略矩形形状とは矩形形状の他、面取りされた矩形形状も含む。
この場合において、前記無機反射材料を酸化チタン、酸化亜鉛及びアルミナの何れかにすれば、高い反射率を得ることができるので、優れた発光効率を達成することができる。
【０００８】
また、前記反射層を前記無機反射材料とガラスフリットとを混練したペーストをスクリーン印刷した後、焼成することによって形成しても良いし、また、前記配線パターンがＡｇとＡｇ−Ｐｄとの何れかからなり、回路接続に必要な領域表面に金メッキを施せば、なお好適である。
更に、前記基板本体はセラミックスと樹脂との何れかからなるとしても良いし、また、ＬＥＤを被覆する蛍光体層を備えるＬＥＤモジュールに用いられる場合には、前記反射層が、更に、前記配線パターンを除くＬＥＤ実装予定主面のうち、前記蛍光体層にて被覆されるべき部分を被覆すれば、更に発光効率を高めることができる。
【０００９】
また、前記配線パターンは、ＬＥＤから受電端子までの配線長が長いほど配線幅を狭くすることによって、ＬＥＤ間で配線抵抗が揃えられていることを特徴とする。これによって光量のばらつきを抑えることができる。
本発明に係るＬＥＤモジュールは、本発明に係るＬＥＤモジュール用配線基板を備えることを特徴とする。このようにすれば、複数のＬＥＤ間の光量ばらつきを抑え、発光効率の低下を防ぎ、更に、小型化を達成することできる。
【００１０】
本発明に係るＬＥＤモジュール用配線基板の製造方法は、基板本体のＬＥＤ実装予定面上に複数のＬＥＤモジュールの配線パターンを形成する工程と、前記無機反射材料とガラスフリットとを混練したペーストを前記基板本体上にスクリーン印刷した後、焼成する工程と、前記配線パターンのうち回路接続に必要な領域を金メッキする工程と、前記基板本体の個々のＬＥＤモジュールに対応する部分を切り離す工程と、を含むことを特徴とする。このようにすれば、本発明に係るＬＥＤモジュール用配線基板を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係るＬＥＤモジュールの概略構成を示す外観斜視図である。
【図２】ＬＥＤモジュール１の回路図である。
【図３】配線基板１００の構成を示す平面図である。
【図４】配線パターン１０２の配線長さと配線幅との関係を説明する図である。
【図５】配線基板１００の構成を示す断面図である。
【図６】ＳＭＤ実装の場合における配線基板１００の構成を示す断面図である。
【図７】ルチル反射層３００とセラミック基板１０１との表面反射率特性を示すグラフである。
【図８】配線基板１００の製造工程を示す工程フロー図である。
【図９】セラミック基板１０１上に配線ペーストを結着して配線パターン１０２を形成した配線基板１００を示す平面図である。
【図１０】各工程完了後の配線基板１００の状態を示す断面図であって、（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ工程１〜３を完了後の状態を示す。
【図１１】工程２完了後の配線基板１００を示す平面図である。
【図１２】工程３完了後の配線基板１００を示す平面図である。
【図１３】工程４における配線基板１００の切り離し位置を示す平面図である。
【図１４】本発明の変形例に係るＬＥＤモジュールの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に係るＬＥＤモジュール用配線基板、ＬＥＤモジュール及び製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
［１］  ＬＥＤモジュールの構成
まず、本実施の形態に係るＬＥＤモジュールの構成について説明する。
図１は、本実施の形態に係るＬＥＤモジュールの概略構成を示す外観斜視図である。図１に示されるように、ＬＥＤモジュール１は、平面視において矩形形状のアルミナ製のセラミック基板１０１に配線パターン１０２が形成されてなるプリント配線基板（以下、単に「配線基板」という。）１００を有している。
【００１３】
配線基板１００には、青色ＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１６がベアチップ形態でワイヤボンディング実装されている。ＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１６は、配線パターン１０２によって、４個ずつが直列に接続されて４つのＬＥＤユニットを成し４つのＬＥＤユニットが並列に接続される、いわゆる４直４並列に接続されている。
実装されたＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１６を覆うように蛍光体層１０３が形成されている。蛍光体層１０３は、例えば、シリコーンなどの透光性樹脂に、（Ｂａ、Ｓｒ）2ＳｉＯ4:Ｅｕ2+やＹ3（Ａｌ、Ｇａ）5Ｏ12:Ｃｅ3+の黄緑色蛍光体粉末とＳｒ2Ｓｉ5Ｎ8:Ｅｕ2+や（Ｃａ、Ｓｒ）Ｓ:Ｅｕ2+などの赤色蛍光体粉末などを分散させたものからなる。
【００１４】
また、配線パターン１０２は、ＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１６に供給する電力を外部電源から受電するための受電端子として、アノード端子１０４とカソード端子１０５を有している。アノード端子１０４とカソード端子１０５とは、平面視において矩形形状のセラミック基板１０１の同じ辺寄りに配設されている。このようにすれば、アノード端子１０４とカソード端子１０５とを互いに別の辺寄りに配設する場合と比較して、セラミック基板１０１の面積を小さくすることができる。
【００１５】
外部電源（図示省略）からの電力がアノード端子１０４、カソード端子１０５を介して供給されると、ＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１６は青色発光する。ＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１６から放出される青色光は、蛍光体層１０３で一部が吸収され黄緑色光や赤色光に変換される。青色光と黄緑色光と赤色光は合成されて白色光となり、蛍光体層１０３から放出される。
【００１６】
また、セラミック基板１０１は、その四隅に、ＬＥＤモジュール１を放熱部材（不図示）に取り付けるための取付け孔１０６ａ〜１０６ｄを有している。ＬＥＤモジュール１は、取付け孔１０６ａ〜１０６ｄを介し、ねじ等の締結部材によって、放熱部材に取り付けられる。そして、ＬＥＤモジュール１の点灯中は、ＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１６で発生する熱の一部が、セラミック基板１０１の背面から放熱部材へと放熱されることとなる。
【００１７】
図２は、ＬＥＤモジュール１の回路図である。
図２に示されるように、ＬＥＤチップＤ１〜Ｄ４、ＬＥＤチップＤ５〜Ｄ８、ＬＥＤチップＤ９〜Ｄ１２、ＬＥＤチップＤ１３〜Ｄ１６がそれぞれ直列に接続されている。ここで、直列接続されたＬＥＤチップＤ１〜Ｄ４、Ｄ５〜Ｄ８、Ｄ９〜Ｄ１２及びＤ１３〜Ｄ１６をそれぞれＬＥＤユニットＡ１〜Ａ４と称することとすると、４つのＬＥＤチップ列Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４は、互いに並列に接続されている。このような回路構成を有するＬＥＤモジュール１は、アノード端子１０４とカソード端子１０５とに接続された定電流電源（例えば、800mA）２００によって駆動される。
【００１８】
［２］  配線基板１００の構成
次に、配線基板１００の構成について説明する。
図３は、配線基板１００の構成を示す平面図である。図３に示されるように、セラミック基板１０１上には、配線パターン１０２が形成されている。配線パターン１０２はＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１６を接続する等の理由から、金メッキ（３０１）された金メッキ部分を有している。また、配線パターン１０２の金メッキ部分以外の部分はルチル反射層３００にて被覆されている。
【００１９】
図４は配線パターン１０２の配線長さと配線幅との関係を説明する図である。図４に示されるように、配線基板１００においては、ＬＥＤユニットＡ１〜Ａ４の間の光量ばらつきを抑えるために、配線パターン１０２はＬＥＤユニットＡ１〜Ａ４の間で配線幅ｗ１〜ｗ４が異なっている。
配線パターン１０２は、アノード端子１０４やカソード端子１０５からＬＥＤユニットＡ１に向かう単位主配線１０２ｍの幅がｗ０、長さがＬ、電気抵抗値がＲとなっている。また、上下主配線１０２ｍ間の配線長は２Ｌである。ＬＥＤユニットＡ１〜Ａ４の枝配線１０２ａ〜１０２ｄの配線長は何れも２Ｌである。ＬＥＤユニットＡ１〜Ａ４の枝配線１０２ａ〜１０２ｄの配線幅ｗ１〜ｗ４は互いに異なっており、
【００２０】
【数１】
2011129646.tif 000003
【００２１】
となっている。
アノード端子１０４やカソード端子１０５からの配線長はＬＥＤユニット毎に異なるので、その配線抵抗もＬＥＤユニット毎に異なる。配線抵抗が異なるとＬＥＤユニット毎に印加電圧が異なってしまい、ＬＥＤチップの光量がばらついてしまう。このため、配線基板１００においては、ＬＥＤユニット毎に主配線から引き出す枝配線１０２ａ〜１０２ｄの配線幅を異ならせることによって、取出し端子からみたＬＥＤユニット毎の配線抵抗値を何れも９Ｒに揃えている。
【００２２】
図５は、配線基板１００の構成を示す断面図である。図５に示されるように、セラミック基板１０１上には、配線パターン１０２が形成されている。配線パターン１０２は一部、金メッキ（３０１）された金メッキ部分を有している。ＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１６は金ワイヤ３０２にて金メッキ部分に電気的に接続されている。金ワイヤ３０２は金メッキ部分に、例えば、超音波を用いて接合される。配線パターン１０２の金メッキ部分以外の部分はルチル反射層３００にて被覆されている。
【００２３】
なお、ＬＥＤチップをワイヤボンディング実装するのに代えてＳＭＤ（Surface Mount Device）実装しても良い。図６は、ＳＭＤ実装の場合における配線基板１００の構成を示す断面図である。図６に示されるように、ＳＭＤ実装の場合にはＬＥＤパッケージ６００が半田６０１にて配線パターン１０２上に実装され、配線パターン１０２の他の部分はルチル反射層３００にて被覆される。
【００２４】
図３に戻って、ルチル反射層３００は、配線基板１００の表側主面の配線パターン１０２の金メッキ部分と取付け孔１０６ａ〜１０６ｄとを除くほぼ全面を被覆している。ルチル反射層３００は、二酸化チタン（ＴｉＯ2）からなっている。図７は、ルチル反射層３００とセラミック基板１０１との表面反射率特性を示すグラフであって、グラフ中、７０１はルチル反射層３００の反射率特性を示し、７０２はセラミック基板１０１の反射率特性を示している。図７に示されるように、波長４２０ｎｍ以上の光に対して、ルチル反射膜２００はセラミック基板１０１よりも概ね１０％高い反射率特性を示す。
【００２５】
また、反射膜２００を用いれば、有機バインダ（樹脂）に反射材を混入して形成した反射膜よりも高い反射率特性を実現することができる。
更に、反射膜に銀を用いる場合には、銀の黒化を防止するために反射膜を保護層（ガラス）にて被覆する必要があるが、ルチルは黒化しないので、保護層を設ける必要もないという点で優れている。
【００２６】
以上のような構成を備えれば、ＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１６の光量のばらつきを抑えると同時に、ルチル反射層３００にてＬＥＤモジュール１の前方へ光を反射するので、高い発光効率を得ることができる。また、配線基板１００を多層化させることなく配線パターン１０２を被覆するので、材料コスト並びに製造コストを低減することができる。
［３］  配線基板１００の製造工程
次に、配線基板１００の製造工程について説明する。
【００２７】
図８は、配線基板１００の製造工程を示す工程フロー図である。図８に示されるように、セラミック基板１０１の表側の主面にスクリーン印刷によって、複数の配線基板１００に対応する配線ペースト（例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｂ、Ａｇ−Ｐｔ等）を印刷した後、乾燥、焼成して配線ペーストを結着する（工程１）。なお、工程条件は、例えば、スクリーン印刷工程の加工速度が６０シート／時間、乾燥工程が１５０℃で３０分、焼成工程が８５０℃で焼成炉内に１時間である。
【００２８】
図９は、セラミック基板１０１上に配線ペーストを結着して配線パターン１０２を形成した配線基板１００を示す平面図である。図９に示されるように、工程１を経た直後においては、配線パターン１０２が完全に露出した状態にある。
図１０は、各工程完了後の配線基板１００の状態を示す断面図であって、（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ工程１〜３を完了後の状態を示す。図１０（ａ）に示されるように、工程１完了後には、セラミック基板１０１上に配線パターン１０２が形成されている。
【００２９】
次に、反射材ペーストがセラミック基板１０１上にスクリーン印刷され、乾燥後、焼成される（図８、工程２）。工程条件は、例えば、スクリーン印刷工程の加工速度が６０シート／時間、乾燥工程が１５０℃で３０分、焼成工程が７００℃で焼成炉内に１時間である。また、工程２で用いる反射材ペーストは、ルチル（二酸化チタンＴｉＯ2の正方晶）とガラスフリットとを混練したものである。
【００３０】
このように、ガラスフリットを結着剤として用いれば、樹脂を用いる場合よりも、高い耐熱性や信頼性を得ることができる。また、ガラスフリットは樹脂よりも変色し難いので、変色に起因する反射率の低下を回避することができる。
また、反射材ペーストの焼成温度が配線パターン１０２の焼成温度よりも低いので、反射材ペーストの焼成によって配線パターンが損なわれることはない。
【００３１】
図１１は、工程２完了後の配線基板１００を示す平面図である。図１１に示されるように、工程２完了後には、配線パターン１０２が回路接続に必要な領域、すなわち、ＬＥＤを電気的に接続したり（ランド）、給電用の配線を接続したりするために必要な領域を残してルチル反射層３００によって被覆されている。
また、配線基板１００のＬＥＤの実装を予定する主面（以下、「ＬＥＤ実装予定主面」という。）のうち配線パターン１０２以外の領域も、蛍光体層１０３が形成される領域を含んで、広くルチル反射層３００にて被覆されている。セラミック基板１０１は光透過性を有するので、可能な限り広くルチル反射層３００にて被覆することによって、セラミック基板１０１の裏面側へ透過させることなく、反射して光の取出し効率を向上させることができる（図１０（ｂ））。
【００３２】
次に、金ワイヤボンディングによって配線パターン１０２に回路素子を接続するために、配線パターン１０２の回路接続に必要な領域に金メッキが施される（工程３）。その結果、配線パターン１０２はルチル反射層３００と金メッキ３０１とに被覆され、露出部分が無くなる。Ａｇ系の配線パターンは黒化し易いところ、このように被覆すれば、黒化による反射率の低下を免れることができる（図１２、図１０（ｃ））。
【００３３】
そして、個々の配線基板１００に分割するために、セラミック基板１０１に切断溝が形成された後、切り離される（工程４、図１３）。このように、複数の配線基板１００の形成（工程１〜３）をまとめて行うことによって、配線基板１００の生産効率が向上する。切り離された配線基板１００は品質検査を受ける。
［４］  変形例
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することができる。
【００３４】
（１）  上記実施の形態においては、ＬＥＤチップを１６個用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、１６個以外でも良い。しかしながら、受電端子からＬＥＤチップまでの配線長に応じて配線幅を異ならせるという本発明の特徴に鑑みれば、複数のＬＥＤチップが実装されているのが望ましい。
また、複数のＬＥＤチップの相互接続に関して、上記においては、４直４並列の場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、直列接続されるＬＥＤチップの個数や、並列接続される回路数は上に限定されない。
【００３５】
（２）  上記実施の形態においては、ＬＥＤチップとして青色ＬＥＤチップを用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、青色以外ＬＥＤチップを用いても良い。また、複数のＬＥＤチップすべてが同色である必要はなく、異なる発光色のＬＥＤチップを組み合わせても良い。ＬＥＤチップの発光色に関わらず本発明の効果を得ることができる。
【００３６】
（３）  上記実施の形態においては特に言及しなかったが、配線基板のＬＥＤ実装予定主面に占める配線パターンの面積の割合が２０％を超える場合には、Ａｇを含む配線パターンの経時黒化による光取出し効率の低下が特に著しくなる。このため、上記実施の形態において述べたように配線パターンの回路接続に必要な領域以外の領域を反射層にて被覆すれば、光取出し効率の著しい低下を抑えることができるので、特に有効である。
【００３７】
（４）  上記実施の形態においては、反射層の材料としてルチルを用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、ルチル以外の酸化チタンを用いても良い。また、酸化チタンに代えて熱伝導率の高い酸化亜鉛を用いれば、高い放熱効果を得ることができる。
なお、酸化チタンは屈折率が大きいので高い隠ぺい力を有しており、下地色を隠すことができる。このため、配線基板のＬＥＤ実装予定主面における配線パターンと配線パターン以外の部分とで反射層の反射率に差が生じるの防止することができる。
【００３８】
（５）  上記実施の形態においては、セラミック基板を用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、樹脂基板を用いても同様の効果を得ることができる。
（６）  上記実施の形態においては、配線基板が矩形形状をとる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、矩形以外の形状をとっても良い。なお、矩形以外の形状をとる場合であっても、受電端子、すなわちカソード端子とアノード端子とを近接配置することによって、基板サイズの小型化を図ることができる。
【００３９】
（７）  上記実施の形態においては、枝配線の配線幅を調整することによってＬＥＤチップ毎の配線抵抗を揃える場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、配線幅の調整位置が枝配線であるか否かに関わらず本発明の効果は同じである。また、配線パターンも上記実施の形態の配線パターンには限定されないのは勿論であり、配線基板の形状に合わせて適当な敗戦パターンとするのが望ましい。
【００４０】
（８）  上記実施の形態においては、配線基板にＬＥＤチップのみを実装する場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、ＬＥＤチップ以外の回路素子を実装しても良い。ＬＥＤチップ以外の回路素子を実装した場合であっても、本発明の効果は同じである。
（９）  上記実施に形態においては、ＬＥＤモジュールの用途について特に言及しなかったが、ＬＥＤモジュールの形状は用途に応じて変更しても良い。
【００４１】
図１４は直観蛍光灯を代替するＬＥＤランプに適用されるＬＥＤモジュールの構成を示す平面図である。図１４に示されるように、ＬＥＤモジュール１４は、セラミック基板１４００上に配線パターン１４０２が形成されてなり、配線パターン１４０２のランドにはＬＥＤチップＤ２０〜Ｄ３０が金ワイヤにて電気的に接続されている。なお、ランドや金ワイヤ、取付け孔については図示を省略した。
【００４２】
また、配線パターン１４０２は、両端が金メッキを施された受電端子１４０３、１４０４になっており、受電端子１４０３、１４０４以外の部分がルチル反射層１４０１にて被覆されている。また、ルチル反射層１４０１はセラミック基板１４００主面の配線パターン１４０２以外の部分も被覆している。
配線パターン１４０２は、主配線１４０２ｍと枝配線１４０２ａ〜１４０２ｋからなっている。また、枝配線１４０２ａ〜１４０２ｋは受電端子１４０３、１４０４からの配線長が長いほど配線幅が広くなっており、ＬＥＤチップＤ２０〜Ｄ３０の間で印加電圧が揃っているので、光量ばらつきが抑えられる。
【００４３】
また、ルチル反射層１４０１によってＬＥＤチップＤ２０〜Ｄ３０の出射光を照明方向へ向けて反射するので発光効率の低下を防ぐことができる。更に、受電端子１４０３、１４０４がセラミック基板１４００の同じ辺寄りに配設されているので、ＬＥＤモジュール１４を全体として小型化することができる。
（１０）  上記実施の形態においては、ＬＥＤモジュールが取付け孔にて放熱部材に取着される場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、ネジ止め以外の方法、例えば、接着等によってＬＥＤモジュールを放熱部材に取着しても良い。また、放熱部材として放熱以外の用途を兼ねる部材を用いても良い。本発明は、ＬＥＤモジュールの取着方法や取着先に関わらず効果を奏することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明に係るＬＥＤモジュール用配線基板、ＬＥＤモジュール及びＬＥＤモジュール用配線基板の製造方法は、ＬＥＤ光源の発光効率と小型化とを両立させる技術として有用である。
【符号の説明】
【００４５】
１、１４………………ＬＥＤモジュール
１０１、１４００……セラミック基板
１０２…………………配線パターン
１００…………………プリント配線基板
１０３…………………蛍光体層
１０４…………………アノード端子
１０５…………………カソード端子
１０６ａ〜１０６ｄ…取付け孔
２００…………………定電流電源
３０１…………………金メッキ
３００…………………ルチル反射層
６００…………………ＬＥＤパッケージ
６０１…………………半田
７０１…………………ルチル反射膜２００の反射率特性
７０２…………………セラミック基板１０１の反射率特性
Ａ１〜Ａ４……………ＬＥＤユニット
Ｄ１〜Ｄ１６…………青色ＬＥＤチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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