(57)【要約】【課題】基板からの端子電極の剥離を防止することができる電子部品を提供する。【解決手段】本発明の電子部品は、基板１００と、基板１００上に積層された配線層及び絶縁樹脂層の積層構造により形成された電子素子と、基板１００上に積層された配線層Ｍ１、Ｍ２，Ｍ３の積層構造により形成された端子電極Ｔとを備え、基板面に対して鉛直に端子電極Ｔを切断した断面における、端子電極Ｔの上方縁端と上方縁端と対角方向にある下方縁端とを結ぶ仮想線上において、絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部が存在するように、端子電極Ｔが形成されている。【選択図】図４
2011129575.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
基板上に設けられた電子素子と、
前記基板上に形成された絶縁樹脂層と、
前記電子素子に接続されており、且つ、複数の配線層から構成された端子電極と、
を備え、
前記端子電極は、前記基板面に対して鉛直に前記端子電極を切断した断面において、前記端子電極の上方縁端と、前記上方縁端と対角方向にある前記端子電極の下方縁端とを結ぶ仮想線上に、前記絶縁樹脂層の一部が存在するように設けられている、
電子部品。
【請求項２】
仮想線上に存在する前記絶縁樹脂層の一部は、該絶縁樹脂層の稜線が凹状に裾広がりとなるように、前記端子電極を構成する少なくとも１つの前記配線層上に延在している、
請求項１記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関し、特に、小型薄型化に有利な薄膜プロセスにより形成された電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話や携帯端末等の移動体通信機や無線ＬＡＮ機器等に用いられる電子部品として、薄膜プロセスを用いた薄膜コンデンサ、ディレクショナル・カプラ（Directional Coupler:方向性結合器、以下単に「カプラ」と称する。）等の薄膜デバイスが用いられている。このような電子部品には、一般に、配線層の多層構造によりコンデンサやカプラ等の構成要素である電子素子が形成されるとともに、端子電極が形成される（特許文献１）。
【０００３】
さらに、上記の電子部品は、通常、外部回路が形成された配線基板（プリント配線板等）上に搭載される。その際には、電子部品の端子電極と配線基板の外部回路との間に例えばはんだバンプを介在させた状態で、それらの電子部品と配線基板の間に機械的圧力が印加され、これにより、はんだバンプを介して、端子電極と外部回路とが、電気的に及び機械的に接続又は接合される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２０１１５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような電子部品を配線基板上に搭載する工程においては、端子電極に、電子部品の配線基板面に垂直な方向の力が作用する（印加される）だけではなく、基板面に平行な方向への力も作用する（印加される）傾向にあり、その結果、基板から端子電極が剥離してしまう場合があることが判明した。
【０００６】
そこで、本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、基板からの端子電極の剥離を防止することができる電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明の電子部品は、基板と、基板上に設けられた電子素子と、基板上に形成された絶縁樹脂層と、電子素子に接続されており、且つ、複数の配線層から構成された端子電極とを備え、端子電極は、基板面に対して鉛直に端子電極を切断した断面において、端子電極の上方縁端と、上方縁端と対角方向にある端子電極の下方縁端とを結ぶ仮想線上に、絶縁樹脂層の一部が存在するように設けられている。
【０００８】
上記構成によれば、基板面に対して鉛直に端子電極を切断した断面における、端子電極の上方縁端と上方縁端と対角方向にある下方縁端とを結ぶ仮想線上において、絶縁樹脂層の一部を存在させることにより、外部から端子電極に力が印加された場合においても、仮想線上に存在する絶縁樹脂層により力が吸収ないし分散され、基板と端子電極との界面にかかる力が抑制されることから、基板からの端子電極の剥がれが抑制される。
【０００９】
このような端子電極に内在する絶縁樹脂層を形成するためには、仮想線上に存在する絶縁樹脂層の一部は、該絶縁樹脂層の稜線（基板面に対して鉛直に絶縁樹脂層を切断した断面における側（壁）面）が凹状に裾広がり（稜線（側壁面）が直線状に、単にある傾斜角を有して配線層上に到達しているのではなく、その絶縁樹脂層において配線層上に接合される裾の部分が、直線状の傾斜面から裾を引くように外側に向かって凹状に拡延されている）となるように、端子電極を構成する少なくとも１つの配線層上に延在していることが好ましい。これにより、仮想線上に絶縁樹脂層の一部を存在させつつ、その量を抑制することができる。この結果、端子電極の低抵抗化を維持しつつ、剥離のし難い端子電極を形成できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板面に対して鉛直に端子電極を切断した断面において、端子電極の上方縁端と、上方縁端と対角方向にある端子電極の下方縁端とを結ぶ仮想線上に、絶縁樹脂層の一部が存在することにより、外部から端子電極に力が印加された場合においても、仮想線上に存在する絶縁樹脂層により力を吸収ないし分散することができ、基板と端子電極との界面にかかる力を抑制することができる。これにより、基板からの端子電極の剥がれを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の電子部品の実施形態の１つであるカプラの構成を示す等価回路図である。
【図２】カプラの配線構造を概略的に示す垂直断面図である。
【図３】端子電極の配置を説明するためのカプラの平面図である。
【図４】実施例１Ａのカプラ１Ａの端子電極の拡大断面図である。
【図５】比較例１０におけるカプラ１０の端子電極の拡大断面図である。
【図６】実施例１Ｂにおけるカプラ１Ｂの端子電極の拡大断面図である。
【図７】実施例１Ｃにおけるカプラ１Ｃの端子電極の拡大断面図である。
【図８】電子部品の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】電子部品の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０】電子部品の製造方法を示す工程断面図である。
【図１１】電子部品の製造方法を示す工程断面図である。
【図１２】電子部品の製造方法を示す工程断面図である。
【図１３】電子部品の製造方法を示す工程断面図である。
【図１４】電子部品の製造方法を示す工程断面図である。
【図１５】電子部品の製造方法を示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右などの位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
【００１３】
図１は、本発明の電子部品の実施形態の１つであるカプラの構成を示す等価回路図である。カプラ１は、第１線路Ｌ１と、第１線路Ｌ１と電磁気的に結合する第２線路Ｌ２とを備えている。第１線路Ｌ１と第２線路Ｌ２との間の電磁気的な結合として、磁気結合Ｍと、容量結合Ｃ１，Ｃ２を図１に図解している。
【００１４】
このカプラ１においては、第１線路Ｌ１の一端が入力端子電極Ｔ１１に接続され、第１線路Ｌ１の他端が出力端子電極Ｔ１２に接続されている。また、第２線路Ｌ２の一端がカップリング端子電極Ｔ２１に接続され、第２線路Ｌ２の他端がアイソレーション端子電極Ｔ２２に接続されている。アイソレーション端子電極Ｔ２２は、抵抗Ｒを介して接地電位Ｇに固定される。
【００１５】
上述した線路Ｌ１〜Ｌ２の長さは、カプラ１の仕様に応じて異なり、例えば、対象となる伝送信号の１／４波長（λ／４）共振器回路となるよう設定することができる。また、線路Ｌ１〜Ｌ２の形状は、上述した電磁的な結合が形成されれば、任意の形状とすることができ、例えば、渦巻状（コイル状）、蛇行状、直線状、曲線状等の形態が挙げられる。
【００１６】
以下に、同図を参照してカプラ１の基本的な動作について説明する。信号は、入力端子電極Ｔ１１に入力され、出力端子電極Ｔ１２から出力される。入力端子電極Ｔ１１に信号が入力されると、第１線路Ｌ１には主電流ＩＭが流れる。主電流ＩＭが第１線路Ｌ１に流れると、磁気結合Ｍに基づく誘導電流ＩＬが第２線路Ｌ２において一方向に向かって流れるとともに、容量結合Ｃ１，Ｃ２に基づく変位電流ＩＣが第２線路Ｌ２において両側に向かって流れる。第２線路Ｌ２を最終的に流れる電流は、磁気結合Ｍに基づく誘導電流ＩＬと、容量結合Ｃ１，Ｃ２に基づく変位電流ＩＣの和となり、その結果、磁気結合による誘導電流の方向と一致した方向性をもつ電流がカップリング端子電極Ｔ２１に向かって流れることとなる。このように信号がカプラの入力端子電極Ｔ１１に入力され出力端子電極Ｔ１２から出力されると、当該信号の一部（電力に換算して１／１００程度）に相当する信号がカップリング端子電極Ｔ２１から出力される。
【００１７】
上記のカプラ１は、例えばパワーアンプ（ＰＡ）の出力モニタ用に使用される。この場合、カプラ１の入力端子電極Ｔ１１がパワーアンプの出力端子電極に接続され、カプラ１のカップリング端子電極Ｔ２１がＡＧＣ検波回路を介してパワーアンプの入力端子電極に接続される。これにより、パワーアンプから出力された信号がカプラ１の入力端子電極Ｔ１１に入力されると、この信号の一部に相当する信号がカプラ１のカップリング端子電極Ｔ２１から出力され、ＡＧＣ検波回路を通じてパワーアンプにフィードバック信号が入力される。この結果、パワーアンプの出力利得が一定に維持、制御される。
【００１８】
次に、本発明の電子部品の実施形態の１つであるカプラの配線構造について説明する。図２は、カプラ１（電子素子）の配線構造を概略的に示す垂直断面図である。図２に示すように、例えばアルミナ等からなる絶縁性の基板１００上に、例えば窒化シリコン膜からなる絶縁層１０１を介して配線層Ｍ１が形成されている。配線層Ｍ１により、例えばカプラの第１線路Ｌ１が形成される。配線層Ｍ１上には、絶縁樹脂層Ｉ１を介して配線層Ｍ２が形成されている。配線層Ｍ２により、例えばカプラの第２線路Ｌ２が形成される。配線層Ｍ２上には、絶縁樹脂層Ｉ２を介して配線層Ｍ３が形成されており、配線層Ｍ３上には絶縁樹脂層Ｉ３が形成されている。配線層Ｍ２により、例えば引き出し配線（接続配線）が形成される。絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部には、ビアが形成されており、配線層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３間の必要な接続が確保されている。カプラの周縁部において、配線層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３の積層体により端子電極Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２が形成される。なお、特に端子電極の機能を区別する必要がない場合には、端子電極Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２をまとめて単に端子電極Ｔと称する。絶縁樹脂層Ｉ３は、端子電極Ｔを露出するように形成されている。端子電極Ｔの表面には、めっき膜１０２が形成されている。
【００１９】
絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２及び絶縁樹脂層Ｉ３として、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂等の有機系絶縁体を使用できる。また、配線層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３として、例えば、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｎｉ，Ａｕ等を使用できる。配線層Ｍ１〜Ｍ３は、例えばスパッタリング法、蒸着法、印刷法，フォトリソグラフィ法等の方法により形成される。めっき膜１０２としては、例えば、Ｎｉ-Ｐ／Ｐｄ／Ａｕめっきが用いられる。このように、カプラ１は、基板１００上に形成された薄膜多層構造から構成されている。
【００２０】
次に、端子電極の配置について詳細に説明する。図３は、端子電極の配置を示すカプラの平面図である。図３に示すように、カプラのチップの４隅に４つの端子電極Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２が形成されている。
【００２１】
（実施例１Ａ）
図４は、本発明の実施例１Ａのカプラ１Ａの端子電極Ｔの構造の詳細を説明するための断面図である。図４は、図３のＡ−Ａ線における断面図に相当する。図４に示すように、端子電極Ｔの部位において、配線層Ｍ１の一部が形成されている。配線層Ｍ１上には絶縁樹脂層Ｉ１が形成されており、絶縁樹脂層Ｉ１には端子電極の部位における配線層Ｍ１を露出させるスルーホールＴＨ１が形成されている。スルーホールＴＨ１の内側壁は、テーパー形状となっている。また、端子電極Ｔの部位において、スルーホールＴＨ１の内部を埋めるように絶縁樹脂層Ｉ１上に配線層Ｍ２が形成されている。配線層Ｍ２上には絶縁樹脂層Ｉ２が形成されており、絶縁樹脂層Ｉ２には端子電極Ｔの部位における配線層Ｍ２を露出させるスルーホールＴＨ２が形成されている。スルーホールＴＨ２の内側壁は、テーパー形状となっている。さらに、端子電極Ｔの部位において、スルーホールＴＨ２の内部を埋めるように絶縁樹脂層Ｉ２上に配線層Ｍ３が形成されている。以上のように、端子電極Ｔは、チップ周囲に形成された配線層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３の積層構造により形成され、絶縁樹脂層Ｉ１、Ｉ２上に引き出されている。
【００２２】
実施例１Ａの構成によれば、基板面に対して鉛直に端子電極を切断した断面（図４）における、端子電極Ｔの上方縁端Ｅ１と当該上方縁端Ｅ１と対角方向にある下方縁端Ｅ２とを結ぶ仮想線ＤＬ上において、絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部が存在するように、端子電極Ｔのエリア内に絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部が基板面上の端子電極Ｔの側端部から内部に侵入している（図中、領域Ｇ１，Ｇ２参照）。実施例１Ａでは、端子電極Ｔを構成する配線層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３の積層構造に絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部を内在させることにより、外部から端子電極Ｔに力が印加された場合においても、端子電極Ｔに内在する絶縁樹脂層により力が吸収ないし分散され、基板１００と端子Ｔとの界面にかかる力が抑制されることから、基板１００からの端子電極Ｔの剥がれが抑制される。
【００２３】
本実施例における効果について、比較例を参照して異なる観点から説明する。図５は、比較例のカプラ１０の端子電極Ｔの構造を示す断面図である。図５は、図３のＡ−Ａ線における断面図に相当する。比較例では、基板面に対して鉛直に端子電極を切断した断面（図５）における、端子電極Ｔの上方縁端Ｅ１と当該上方縁端Ｅ１と対角方向にある下方縁端Ｅ２とを結ぶ仮想線ＤＬ上において、絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部が存在していない。
【００２４】
図５に示す比較例では、端子電極Ｔの上方縁端Ｅ１に外部から力Ｆが加わると、下方縁端Ｅ２を始点として上方縁端Ｅ１−下方縁端Ｅ２間の距離に比例した回転モーメントが発生する。この回転モーメントは、基板１００上に形成された端子電極Ｔの高さが高い程大きくなり、この結果、基板１００からの端子電極Ｔの剥がれが生じるものと推測される。
【００２５】
これに対して、図４に示す実施例１Ａでは、端子電極Ｔの上方縁端Ｅ１と下方縁端Ｅ２とを結ぶ対角線ＤＬ上に、端子電極Ｔとは異なる脆弱な絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２が形成されている。このため、上方縁端Ｅ１に外部から力Ｆが加わると、端子電極Ｔに発生する回転モーメントの始点となるべき部位が増えるものと推測される。図４に示す例では、端子電極Ｔの下方縁端Ｅ２に加えて、領域Ｇ１における配線層Ｍ３の部位Ｅ３と、領域Ｇ２における配線層Ｍ２の部位Ｅ４が、力Ｆに起因した回転モーメントの始点になるものと推測される。部位Ｅ３は対角線ＤＬと配線層Ｍ３との交点であり、部位Ｅ４は対角線ＤＬと配線層Ｍ２との交点である。このように、回転モーメントの始点となる部分が複数になることから、１つの始点である端子電極Ｔ３の下方縁端Ｅ２を始点とする回転モーメントは減少するものと推測される。従って、基板１００からの端子電極Ｔの剥離が防止されるものと推測される。ただし、作用はこれに限定されない。
【００２６】
図４に示す実施例１Ａでは、カプラの短手方向に沿った断面において、端子電極Ｔの上方縁端Ｅ１と下方縁端Ｅ２とを結ぶ対角線ＤＬ上に、絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部を存在させている。これにより、カプラの短手方向からの力Ｆに起因した剥離が抑制されるものと推測される。ただし、カプラの長手方向からの力Ｆに起因した剥離の防止を目的とする場合には、カプラの長手方向に沿った断面において、端子電極Ｔの上方縁端と下方縁端とを結ぶ対角線上に、絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部を存在させればよい。対象となる力Ｆの方向に応じて断面において、上述した仮想線上において絶縁樹脂層の一部を存在させることにより、基板１００からの端子電極Ｔの剥離が効果的に抑制される。
【００２７】
（実施例１Ｂ）
図６は、本発明の実施例１Ｂのカプラ１Ｂの端子電極Ｔの構造の詳細を説明するための断面図である。図６は、図３のＡ−Ａ線における断面図に相当する。実施例１Ｂにおいても、基板面に対して鉛直に端子電極を切断した断面（図６）における、端子電極Ｔの上方縁端Ｅ１と当該上方縁端Ｅ１と対角方向にある下方縁端Ｅ２とを結ぶ仮想線ＤＬ上において、絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部が存在するように、端子電極Ｔのエリア内に絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部が端子電極Ｔの内部に侵入している。実施例１では、スルーホールＴＨ１，ＴＨ２の内壁がテーパー形状であったのに対して、実施例１ＢではスルーホールＴＨ１，ＴＨ２の内壁がなだらかな曲面形状となっている。換言すれば、仮想線ＤＬ上に存在する絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部は、該絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の稜線（基板面に対して鉛直に絶縁樹脂層を切断した断面における側（壁）面）が凹状に裾広がりとなるように、端子電極Ｔを構成する少なくとも配線層Ｍ１上に延在している。すなわち、実施例１Ａのように稜線（側壁面）が直線状に、単にある傾斜角を有して配線層上に到達しているのではなく、その絶縁樹脂層において配線層上に接合される裾の部分が、直線状の傾斜面から裾を引くように外側に向かって凹状に拡延されている。
【００２８】
実施例１Ｂにおいても、実施例１Ａと同様の効果を奏することができる。さらに、実施例１Ｂでは、端子電極Ｔ上の絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の量を抑制しつつ、仮想線上に絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部を存在させることができる。この結果、端子電極Ｔの低抵抗化を維持しつつ、基板１００からの端子電極Ｔの剥離を抑制することができる。
【００２９】
（実施例１Ｃ）
図７は、本発明の実施例１Ｃのカプラ１Ｃの端子電極Ｔの構造の詳細を説明するための断面図である。図７は、図３のＡ−Ａ線における断面図に相当する。実施例１Ｃにおいても、基板面に対して鉛直に端子電極を切断した断面（図７）における、端子電極Ｔの上方縁端Ｅ１と当該上方縁端Ｅ１と対角方向にある下方縁端Ｅ２とを結ぶ仮想線ＤＬ上において、絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部が存在するように、端子電極Ｔのエリア内に絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部が端子電極Ｔの内部に侵入している。実施例１Ａでは、スルーホールＴＨ１，ＴＨ２の内壁がテーパー形状であったのに対して、実施例１Ｃでは、スルーホールＴＨ１，ＴＨ２の内壁が鉛直方向（基板１００面に対して垂直方向）に沿っている。実施例１Ｃにおいても、実施例１Ａと同様の効果を奏することができる。
【００３０】
（製造方法）
次に、上記のカプラの製造方法の一例について、図８〜図１５を参照して説明する。まず、図８に示すように、酸化アルミニウム等からなる絶縁性の基板１００上に、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコン膜からなる絶縁層１０１を形成する。
【００３１】
次に、図９に示すように、絶縁層１００上に配線層Ｍ１のパターンを形成する。例えば、絶縁層１０１の全面にスパッタリング法により薄い銅膜を形成した後、配線層Ｍ１のパターンを形成すべき領域に開口をもつレジストパターンを銅膜上に形成する。レジストパターンは、レジストの塗布、露光、現像により形成される。そして、電気めっきにより、レジストパターンの開口において露出した薄い銅膜上に銅膜を成長させて、所定の厚さをもつ銅膜を形成する。そして、レジストパターンを除去した後に、最初にスパッタリング法により形成した薄い銅膜をイオンミリング法により除去する。以上により、絶縁層１０１上に銅膜からなる配線層Ｍ１のパターンが形成される。
【００３２】
次に、図１０に示すように、絶縁層１０１及び配線層Ｍ１上に、所定の箇所に配線層Ｍ１を露出させるスルーホールＴＨ１をもつ絶縁樹脂層Ｉ１を形成する。例えば、絶縁層１０１及び配線層Ｍ１上に、感光剤を含むポリイミド等からなる感光性樹脂を塗布し、当該感光性樹脂を露光、現像、キュアすることにより、スルーホールＴＨ１をもつ絶縁樹脂層Ｉ１が形成される。なお、感光性をもたない絶縁樹脂層を形成した後に、絶縁樹脂層上にレジストパターンを形成し、絶縁樹脂層をエッチングすることにより、スルーホールを形成してもよい。
【００３３】
次に、図１１に示すように、絶縁樹脂層Ｉ１上に配線層Ｍ２のパターンを形成する。配線層Ｍ２のパターンの形成方法については、配線層Ｍ１と同様である。すなわち、絶縁樹脂層Ｉ１の全面にスパッタリング法により薄い銅膜を形成した後、配線層Ｍ２のパターンを形成すべき領域に開口をもつレジストパターンを銅膜上に形成する。レジストパターンは、レジストの塗布、露光、現像により形成される。そして、電気めっきにより、レジストパターンの開口において露出した薄い銅膜上に銅膜を成長させて、所定の厚さをもつ銅膜を形成する。そして、レジストパターンを除去した後に、最初にスパッタリング法により形成した薄い銅膜をウエットエッチング法により除去する。以上により、絶縁樹脂層Ｉ１上に銅膜からなる配線層Ｍ２のパターンが形成される。
【００３４】
次に、図１２に示すように、絶縁樹脂層Ｉ１及び配線層Ｍ２上に、所定の箇所に配線層Ｍ２を露出させるスルーホールＴＨ２をもつ絶縁樹脂層Ｉ２を形成する。例えば、絶縁樹脂層Ｉ１及び配線層Ｍ２上に、感光剤を含むポリイミド等からなる感光性樹脂を塗布し、当該感光性樹脂を露光、現像、キュアすることにより、スルーホールＴＨ２をもつ絶縁樹脂層Ｉ２が形成される。なお、感光性をもたない絶縁樹脂層を形成した後に、絶縁樹脂層上にレジストパターンを形成し、絶縁樹脂層をエッチングすることにより、スルーホールを形成してもよい。
【００３５】
次に、図１３に示すように、絶縁樹脂層Ｉ２上に配線層Ｍ３のパターンを形成する。配線層Ｍ３のパターンの形成方法については、配線層Ｍ１と同様である。すなわち、絶縁樹脂層Ｉ２の全面にスパッタリング法により薄い銅膜を形成した後、配線層Ｍ３のパターンを形成すべき領域に開口をもつレジストパターンを銅膜上に形成する。レジストパターンは、レジストの塗布、露光、現像により形成される。そして、電気めっきにより、レジストパターンの開口において露出した薄い銅膜上に銅膜を成長させて、所定の厚さをもつ銅膜を形成する。そして、レジストパターンを除去した後に、最初にスパッタリング法により形成した薄い銅膜をウエットエッチング法により除去する。以上により、絶縁樹脂層Ｉ２上に銅膜からなる配線層Ｍ３のパターンが形成される。
【００３６】
次に、図１４に示すように、絶縁樹脂層Ｉ２及び配線層Ｍ３上において、端子電極Ｔを除く部位に絶縁樹脂層Ｉ３を形成する。例えば、絶縁樹脂層Ｉ２及び配線層Ｍ３上に、感光剤を含むポリイミド等からなる感光性樹脂を塗布し、当該感光性樹脂を露光、現像、キュアすることにより、所望のパターンの絶縁樹脂層Ｉ３が形成される。なお、感光性をもたない絶縁樹脂層を形成した後に、絶縁樹脂層上にレジストパターンを形成し、絶縁樹脂層をエッチングすることにより、絶縁樹脂層のパターンを形成してもよい。
【００３７】
最後に、図１５に示すように、端子電極Ｔの表面に、Ｎｉ-Ｐ膜と、Ｐｄ膜と、Ａｕ膜を順次めっきすることにより、めっき膜１０２を形成する。なお、Ｐｄ膜は省略してよい。Ｎｉ-Ｐ膜は、はんだを構成する元素が端子電極Ｔ中に拡散することを防止するために設けられる。はんだを構成する元素が端子電極Ｔ中に拡散してしまうと、端子電極Ｔが基板１００から剥離しやすくなるためである。
【００３８】
本実施例のカプラ１は、上述した工程のうち、図１０及び図１２に示す絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の形成工程を調整することにより、作製することができる。具体的には、仮想線ＤＬ上において絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の一部を存在させるためには、端子電極Ｔの部位におけるスルーホールＴＨ１，ＴＨ２の径を調整（小さくする）すればよい。そして、感光性樹脂のキュア工程の温度、時間を調整することにより、実施例１Ａ，１Ｃに示すように、スルーホールの側壁の形状を垂直にしたり、テーパー状にすることができる。
【００３９】
実施例１Ｂに示す構造は、例えば以下のようにして製造される。１つの手法は、アニール工程を用いることである。上述したように、絶縁樹脂層Ｉ１，Ｉ２の形成工程において、感光性樹脂の塗布、露光、現像、キュアが行なわれる。キュア工程は、現像後の感光性樹脂の乾燥及び硬化を目的とするものであり、例えば、１７０℃〜２８０℃の温度で１時間〜３時間かけて行なわれる。ここで、現像後、キュア工程の前に、例えば硬化させない程度の温度でアニール（例えば１３０℃の温度で３分間）することにより、感光性樹脂が流動して、図６に示す裾広がりの形状が得られる。
【００４０】
あるいは、感光性樹脂に添加剤を導入する手法もある。感光性樹脂に配線層材料と樹脂の密着性を増加させる添加剤を導入することにより、現像時に配線層表層に樹脂を裾引くように残すことができる。このような添加剤として、例えば、シランカップリング剤、ポリマーカップリング剤（ポリカルボン酸）、重合性カップリング剤（トリアジンチオール系）、自己組織系膜（アルキルチオール系）、ポリカルボン酸系カップリング剤、チオール系カップリング剤、ジフェニルスルホン酸又はその誘導体が挙げられる。
【００４１】
以上のようにして、本発明の電子部品の一実施例であるカプラが製造される。外部回路が形成された配線基板上に上記のカプラが搭載される際には、カプラの端子電極Ｔと配線基板の外部回路との間にはんだバンプを介在させた状態で機械的圧力がカプラと配線基板の間に印加される。これにより、はんだバンプを介して端子電極と外部回路との電気的接続及び機械的接合が図られる。本実施例では、配線基板へのカプラの搭載工程において、端子電極Ｔに対して基板１００面に平行な方向への力が加わった場合であっても、基板１１００からの端子電極Ｔの剥離を防止することができる。
【００４２】
なお、上述したとおり、本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない限度において様々な変形が可能である。例えば、本発明の電子部品は、カプラ以外の薄膜コンデンサ、フィルタ等の薄膜デバイスに適用可能である。また、配線層や絶縁樹脂層の材料に限定はない。さらに、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の電子部品は、特に、小型薄型化が要求される無線通信機器、装置、モジュール、及びシステム、並びにそれらを備える設備に広く適用することが可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１…カプラ、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３…配線層、Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３…絶縁樹脂層、ＩＭ…主電流、ＩＬ…誘導電流、ＩＣ…変位電流、Ｃ１，Ｃ２…容量結合、Ｍ…磁気結合、Ｒ…抵抗、Ｇ…接地電位、Ｌ１…第１線路、Ｌ２…第２線路、Ｔ…端子電極、Ｔ１１…入力端子電極、Ｔ１２…出力端子電極、Ｔ２１…カップリング端子電極、Ｔ２２…アイソレーション端子電極、ＴＨ１，ＴＨ２…スルーホール、ＤＬ…仮想線、Ｅ１…上方縁端、Ｅ２…下方縁端、Ｅ３，Ｅ４…部位、１００…基板、１０１…絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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