(57)【要約】  【課題】ＥＵＶ光およびマスクパターンの検査光の波長域に対する反射率が低く、特に、マスクパターンの検査光の全波長域（１９０〜２６０ｎｍ）に対して低反射特性を示し、かつレジストとの密着性が良好な低反射層を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。  【解決手段】基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光（波長１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ）に対する低反射層と、が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、アルミニウム（Ａｌ）およびジルコニウム（Ｚｒ）のうち少なくとも一つと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも一つと、を含有することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光（波長１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ）に対する低反射層と、が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記低反射層が、アルミニウム（Ａｌ）およびジルコニウム（Ｚｒ）のうち少なくとも一つと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも一つと、を含有することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項２】
前記ＡｌおよびＺｒの合計含有率が２０〜７０ａｔ％であり、前記ＯおよびＮの合計含有率が３０〜８０ａｔ％であり、前記Ａｌ、Ｚｒ、ＯおよびＮの合計含有率が９５〜１００ａｔ％である請求項１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記低反射層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が、０．５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記低反射層表面の結晶構造が、アモルファスであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項５】
前記低反射層の膜厚が、３〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記吸収体層が、タンタル（Ｔａ）を主成分とすることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記吸収体層が、タンタル（Ｔａ）を主成分とし、ハフニウム（Ｈｆ）、珪素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、硼素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および水素（Ｈ）から選ばれる少なくとも１種類の元素を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項８】
前記吸収体層は、酸素（Ｏ）の含有率が２５ａｔ％未満であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項９】
前記吸収体層および前記低反射層の合計膜厚が、４０〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項１０】
前記反射層と前記吸収体層との間に、前記吸収体層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されており、
下記式で表されるコントラストが、６０％以上であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
（式中、Ｒ2はマスクパターンの検査光の波長（１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ）に対する保護層表面での反射率であり、Ｒ1はマスクパターンの検査光の波長（１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ）に対する低反射層表面での反射率である。）
【請求項１１】
前記保護層が、Ｒｕ、Ｒｕ化合物、ＳｉＯ2およびＣｒＮのいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１０に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項１２】
前記マスクパターンの検査光の波長（１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ）に対する、前記低反射層表面の反射率が１５％以下であることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項１３】
前記低反射層が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも一つと、を含む雰囲気中で、ＡｌおよびＺｒのうち少なくとも一つを含むターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項１４】
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層、および、マスクパターンの検査光（波長１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ）に対する低反射層をこの順に形成することによりＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを製造する方法であって、
前記低反射層が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも一つと、を含む雰囲気中で、ＡｌおよびＺｒのうち少なくとも一つを含むターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの吸収体層および低反射層にパターニングを施したＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
【請求項１６】
請求項１５に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクを用いて、被露光体に露光を行うことにより半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」という。）に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体産業において、Ｓｉ基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍ以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線をさし、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
【０００３】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用することができない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。
【０００４】
マスクブランクは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。ＥＵＶマスクブランクの場合、ガラス等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、高屈折層と低屈折層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜が通常使用される。吸収体層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、ＴａやＣｒを主成分とする材料が用いられることが多い。
【０００５】
ＥＵＶマスクブランクの吸収体層上には、マスクパターン検査光に対する低反射層が通常設けられている。マスクパターン形成後におけるパターン欠陥の有無には、深紫外光の波長域（１９０〜２６０ｎｍ）の光線が用いられることが多い。上記の波長域の光線を用いたパターン検査では、パターニング工程により低反射層および吸収体層が除去された領域と、低反射層および吸収体層が残っている領域と、の反射率差、すなわち、これらの領域の表面での反射光のコントラストによってパターン欠陥の有無が検査される。マスクパターンの検査感度を向上するためには、コントラストを大きくする必要があり、このためには、低反射層が上記の波長域に対して低反射特性であること、すなわち、上記の波長域に対する反射率が１５％以下であることが要求される。
【０００６】
特許文献１には、タンタルホウ素合金の窒化物（ＴａＢＮ）からなる吸収体層上に、タンタルホウ素合金の酸化物（ＴａＢＯ）またはタンタルホウ素合金の酸窒化物（ＴａＢＮＯ）からなる低反射層を形成することが、マスクパターンの検査光の波長域（１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ）に対する反射率が低いことから好ましいとされている。
また、特許文献２、３には、マスクパターンの検査光の波長域（１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ）に対する反射率を調整するために、吸収体層上に金属、珪素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）からなる低反射層を設けることが好ましいとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−６７９８号公報
【特許文献２】特開２００６−２２８７６７号公報
【特許文献３】特開２００８−７０７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
マスクパターンが微細化するのに伴い、パターン検査光の波長も、今後短波長化することが予測されており、最も有力な波長域は１９０〜２００ｎｍである。特許文献１では、低反射層をＴａＢＯ膜またはＴａＢＮＯ膜とした場合、現在用いられているマスクパターンの検査光の波長２５７ｎｍに対しては十分なコントラストが得られているが、前記の波長域（１９０〜２００ｎｍ）に対して、これらの膜が低反射特性を示すかという点は全く示されていない。
特許文献２では、低反射層として金属、珪素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）からなる材料（例えば、ＴａＳｉＯＮ、ＺｒＳｉＯＮなど）の酸素濃度、窒素濃度およびその膜厚を調節することにより、現在用いられているマスクパターンの検査光の波長である２５７ｎｍ、および今後使用されると予測されるマスクパターンの検査光の波長である１９３ｎｍに対して、低反射特性を得ることが可能としている。しかしながら、前記のような珪素（Ｓｉ）を含有した膜の場合、特許文献３の段落［０００３］に記載してあるような、マスクパターン用レジストとの密着性に問題が生じることが懸念される。特許文献３では、珪素含有膜とパターンを形成する際に塗布されるレジストとの密着性に関して記載されており、珪素を含有する膜の場合、レジストとの密着性が十分ではないと記載されている。すなわち前記低反射層が、珪素含有膜の場合、マスクパターン形成時に塗布されるレジストとの密着性が十分ではなく、レジストパターンの消失やレジストパターンの欠陥等の問題が生じる可能性がある。
【０００９】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、ＥＵＶマスクブランクとしての特性に優れ、さらに、パターン検査光の波長域（１９０〜２６０ｎｍ）、特に今後使用が予測されているパターン検査光の波長域（１９０〜２００ｎｍ）の反射率が低く、かつレジストとの密着性が良好である低反射層を備えたＥＵＶマスクブランクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、低反射層を特定の元素の組み合わせを含有する膜とすることで、マスクパターンの検査光の波長域（１９０〜２６０ｎｍ）に対して、低反射層特性を有し、かつレジストとの密着性も十分であることを見出した。
【００１１】
本発明は、上記の知見に基づいてなされたものであり、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光（波長１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ）に対する低反射層と、が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記低反射層が、アルミニウム（Ａｌ）およびジルコニウム（Ｚｒ）のうち少なくとも一つと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも一つと、を含有することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、「本発明のＥＵＶマスクブランク」という。）を提供する。
【００１２】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、ＡｌおよびＺｒの合計含有率が２０〜７０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が３０〜８０ａｔ％であり、前記Ａｌ、Ｚｒ、ＯおよびＮの合計含有率が９５〜１００ａｔ％であることが好ましい。
【００１３】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記低反射層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が、０．５ｎｍ以下であることが好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記低反射層表面の結晶構造が、アモルファスであることが好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記低反射層の膜厚が、３〜３０ｎｍであることが好ましい。
【００１４】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層が、タンタル（Ｔａ）を主成分とする吸収体層であることが好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層が、タンタル（Ｔａ）を主成分とし、ハフニウム（Ｈｆ）、珪素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、硼素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および水素（Ｈ）から選ばれる少なくとも１種類の元素を含んでも良い。
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層は、酸素（Ｏ）の含有率が２５ａｔ％未満であることが好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層および前記低反射層の膜厚の合計が、４０〜２００ｎｍであることが好ましい。
【００１５】
また、本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記反射層と前記吸収体層との間に、前記吸収体層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されており、
下記式で表されるコントラストが、６０％以上であることが好ましい。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
（式中、Ｒ2はマスクパターンの検査光の波長（１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ）に対する保護層表面での反射率であり、Ｒ1はマスクパターンの検査光の波長（１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ）に対する低反射層表面での反射率である。）
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、反射層と吸収体層との間に保護層が形成されている場合、前記保護層が、Ｒｕ、Ｒｕ化合物、ＳｉＯ2およびＣｒＮのいずれか１つで形成されることが好ましい。
【００１６】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記マスクパターンの検査光の波長（１９０〜２６０ｎｍ）に対する前記低反射層表面の反射率が１５％以下であることが好ましい。
【００１７】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記低反射層がヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも一つと、を含む雰囲気中で、ＡｌおよびＺｒのうち少なくとも一つを含むターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることが好ましい。
【００１８】
また、本発明は、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層、および、マスクパターンの検査光（波長１９０〜２６０ｎｍ）に対する低反射層をこの順に形成することによりＥＵＶマスクブランクを製造する方法であって、
前記低反射層が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも一つと、を含む雰囲気中で、ＡｌおよびＺｒのうち少なくとも一つを含むターゲット用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることを特徴とするＥＵＶマスクブランクの製造方法を提供する。
【００１９】
また、本発明は、上記した本発明のＥＵＶマスクブランクの吸収体層および低反射層にパターニングを施したＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク（以下、「本発明のＥＵＶマスク」という。）を提供する。
【００２０】
また、本発明は、上記したＥＵＶマスクを用いて、被露光体に露光を行うことにより半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のＥＵＶマスクブランクは、低反射層にアルミニウム（Ａｌ）あるいはジルコニウム（Ｚｒ）のうち少なくとも一つと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも一つと、を含有する膜を用いることにより、パターン検査光の波長域（１９０〜２６０ｎｍ）、特に、今後使用が予測されているパターン検査光の波長域（１９０〜２００ｎｍ）の反射率が低く、かつレジストとの密着性が良好である。結果として、より微細なパターンに対しても、高感度でのパターン検査が可能となり、レジストの消失や、レジストパターンの欠陥などの問題も生じないと期待される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクの１実施形態を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示すＥＵＶマスクブランク１の吸収体層１４および低反射層１５にパターン形成した状態を示している。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明のＥＵＶマスクブランクを説明する。
図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクの１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すマスクブランク１は、基板１１上にＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４とがこの順に形成されている。反射層１２と吸収体層１４との間には、吸収体層１４へのパターン形成時に反射層１２を保護するための保護層１３が形成されている。吸収体層１４上には、マスクパターンの検査光に対する低反射層１５が形成されている。但し、本発明のＥＵＶマスクブランク１において、図１に示す構成中、基板１１、反射層１２、吸収体層１４および低反射層１５のみが必須であり、保護層１３は任意の構成要素である。
以下、マスクブランク１の個々の構成要素について説明する。
【００２４】
基板１１は、ＥＵＶマスクブランク用の基板としての特性を満たすことが要求される。
そのため、基板１１は、低熱膨張係数（具体的には、２０℃における熱膨張係数が０±０．０５×１０-7／℃であることが好ましく、特に好ましくは０±０．０３×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板１１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板を用いることもできる。
基板１１は、表面粗さ（ｒｍｓ）０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
基板１１の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。後で示す実施例では外形約６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ約０．２５インチ（６．３ｍｍ）のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスを用いた。
基板１１の反射層１２が形成される側の表面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２５】
反射層１２は、ＥＵＶマスクブランクの反射層として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、反射層１２に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率であることである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を入射角６度で反射層１２表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。また、反射層１２の上に保護層１３や低反射層１５を設けた場合であっても、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
【００２６】
反射層１２は、高ＥＵＶ光線反射率を達成できることから、通常は高屈折層と低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が反射層１２として用いられる。反射層１２をなす多層反射膜において、高屈折率層には、Ｍｏが広く使用され、低屈折率層にはＳｉが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も用いることができる。
【００２７】
反射層１２をなす多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および反射層に要求されるＥＵＶ光線反射率に応じて適宜選択することができる。Ｍｏ／Ｓｉ反射膜を例にとると、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の反射層１２とするには、多層反射膜は膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させればよい。
【００２８】
なお、反射層１２をなす多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＳｉ／Ｍｏ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ膜を成膜し、次に、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍとなるようにＭｏ膜を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｓｉ膜およびＭｏ膜を４０〜５０周期積層させることによりＳｉ／Ｍｏ多層反射膜が成膜される。
【００２９】
反射層１２表面が酸化されるのを防止するため、反射層１２をなす多層反射膜の最上層は酸化されにくい材料の層とすることが好ましい。酸化されにくい材料の層は反射層１２のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい材料の層の具体例としては、Ｓｉ層を例示することができる。反射層１２をなす多層反射膜がＳｉ／Ｍｏ膜である場合、最上層をＳｉ層とすることによって、該最上層をキャップ層として機能させることができる。その場合キャップ層の膜厚は、９〜１３ｎｍであることが好ましい。
【００３０】
保護層１３は、エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスにより吸収体層１４にパターン形成する際に、反射層１２がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう、反射層１２を保護することを目的として設けられる。したがって保護層１３の材質としては、吸収体層１４のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収体層１４よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、たとえばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ及びこれらの窒化物、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ＣｒＮおよびＳｉＯ2が好ましく、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）が特に好ましい。
保護層１３の厚さは１〜６０ｎｍであることが好ましい。
【００３１】
保護層１３は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法によりＲｕ膜を成膜する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１×１０-2Ｐａ〜１０×１０-1Ｐａ）を使用して投入電力３０〜１５００Ｖ、成膜速度０．０２〜１ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２〜５ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
【００３２】
吸収体層１４に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収体層１４表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率が５％以下、特に３％以下、さらには１％以下であることが好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランク１においては、ＥＵＶ光の波長領域の光線を低反射層１５表面に照射した際にも、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率が５％以下、特に３％以下、さらには１％以下であることが好ましい。
【００３３】
上記の特性を達成するため、吸収体層１４は、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成される。ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料としては、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料を用いることが好ましい。本明細書において、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料と言った場合、当該材料中Ｔａを４０ａｔ％以上、好ましくは５０ａｔ％以上、より好ましくは５５ａｔ％以上含有する材料を意味する。
吸収体層１４に用いるＴａを主成分とする材料は、Ｔａ以外にハフニウム（Ｈｆ）、珪素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、硼素（Ｂ）および窒素（Ｎ）から選ばれる少なくとも一つの元素を含んでも良い。Ｔａ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、例えば、ＴａＮ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＮ、ＴａＢＳｉ、ＴａＢＳｉＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＴａＺｒ、ＴａＺｒＮなどが挙げられる。
【００３４】
ただし、吸収体層１４中には、酸素（Ｏ）を含まないことが好ましい。具体的には、吸収体層１４中のＯの含有率が２５ａｔ％未満であることが好ましい。吸収体層１４にパターン形成する際には、通常はドライエッチングプロセスが用いられ、エッチングガスとしては、塩素系ガスあるいはフッ素系ガスが通常に用いられる。エッチングプロセスにより反射層がダメージを受けるのを防止する目的で、反射層上に保護層としてＲｕまたはＲｕ化合物を含む膜が形成されている場合、保護層のダメージが少ないことから、エッチングガスとして主に塩素系ガスが使われる。しかしながら、塩素系ガスを用いてドライエッチングプロセスを実施する場合に、吸収体層１４が酸素を含有していると、エッチング速度が低下し、レジストダメージが大きくなり好ましくない。吸収体層１４中の酸素の含有率は、１５ａｔ％以下であることが好ましく、１０ａｔ％以下であることがより好ましく、５ａｔ％以下であることがさらに好ましい。さらに、後述する低反射層および吸収層の酸素含有量が、両者とも１０ａｔ％以下であることがより好ましく、特に５ａｔ％以下であることが好ましい。
【００３５】
吸収体層１４は、吸収体層１４と低反射層１５との合計膜厚が４０〜２００ｎｍとなるように膜厚を設定することが好ましく、両者の合計膜厚が５０〜２００ｎｍとなるように膜厚を設定することがより好ましい。両者の合計膜厚が５０〜１５０ｎｍとなるように膜厚を設定することがさらに好ましく、特に５０〜１００ｎｍとなるように膜厚を設定することが好ましい。
【００３６】
上記した構成の吸収体層１４は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成することができる。
例えば、吸収体層１４として、マグネトロンスパッタリング法を用いてＴａＨｆ膜を形成する場合、以下の条件で実施すればよい。
スパッタリングターゲット：ＴａＨｆ化合物ターゲット（Ｔａ＝３０〜７０ａｔ％、Ｈｆ＝７０〜３０ａｔ％）
スパッタガス：Ａｒガス等の不活性ガス（ガス圧１×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１×１０-1Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ）
成膜前真空度：１×１０-4Ｐａ以下、好ましくは１×１０-5Ｐａ以下、より好ましくは１０-6Ｐａ以下
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
また、吸収体層１４として、マグネトロンスパッタリング法を用いてＴａＮ層を形成する場合、以下の条件で実施すればよい。
スパッタリングターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：Ａｒガス等の不活性ガスで希釈したＮ2ガス（ガス圧１×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１×１０-1Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ）
成膜前真空度：１×１０-4Ｐａ以下、好ましくは１×１０-5Ｐａ以下、より好ましくは１０-6Ｐａ以下
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
【００３７】
低反射層１５はマスクパターンの検査に使用する検査光の波長に対して、低反射特性を示す膜で構成される。ＥＵＶマスクを作製する際、吸収体層にパターンを形成した後、このパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として現在は２５７ｎｍ程度の光を使用した検査機が使用されている。しかしながら、パターン幅が小さくなるに従い、検査光に使用される波長も短くなり、今後１９０〜１９９ｎｍの波長が使われることが予測される。つまり、このような波長の検査光に対する反射率の差、具体的には、吸収体層１４がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収体層１４表面と、の反射率の差、すなわち、これらの面での反射光のコントラストによって検査される。ここで、前者は反射層１２表面である。但し、反射層１２上に保護層１３が形成されている場合、保護層１３表面である。したがって、検査光の波長に対する反射層１２表面または保護層１３表面と、吸収体層１４表面と、の反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。
【００３８】
上記した構成の吸収体層１４は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低く、ＥＵＶマスクブランク１の吸収体層として優れた特性を有しているが、検査光の波長について見た場合、光線反射率が必ずしも十分低いとは言えない。この結果、検査光の波長に対する吸収体層１４表面の反射率と保護層１３表面の反射率との差が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られない可能性がある。検査時のコントラストが十分得られないと、マスクパターンの検査においてパターンの欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えないことになる。
【００３９】
本発明のＥＵＶマスクブランク１では、吸収体層１４上にマスクパターンの検査光に対する低反射層１５を形成することにより、検査時のコントラストが良好となる。なお、本発明のＥＵＶマスクブランク１の場合、反射光のコントラストは検査光の波長に対する、反射層１２表面と、低反射層１５表面と、の反射率の差である。但し、反射層１２上に保護層１３が形成されている場合、保護層１３表面と、低反射層１５表面と、の反射率の差である。
本発明のＥＵＶマスクブランク１では、吸収体層１４上に低反射層１５を形成することにより、マスクパターン検査光の波長域（１９０〜２６０ｎｍ）、特に１９０〜２００ｎｍの波長域に対して光線反射率が極めて低くなる。具体的には、１９０〜２００ｎｍの波長域の光線を低反射層１５表面に照射した際に、前記マスクパターン検査光の波長域（１９０〜２００ｎｍ）に対して、低反射層１５表面の光線反射率が１５％以下であることが好ましく、１４．５％以下であることがより好ましく、１４％以下であることがさらに好ましい。
１９０〜２００ｎｍのマスクパターンの検査光の波長域に対して低反射層１５表面の最大光線反射率が１５％以下であれば、今後最も有力な波長域において、マスクパターンの検査光の波長を問わず、検査時のコントラストが良好である。具体的には、前記マスクパターンの検査光の波長域（１９０〜２００ｎｍ）に対して、反射層１２表面における反射光（反射層１２上に保護層１３が形成されている場合は保護層１３表面における反射光）と、低反射層１５表面における反射光と、のコントラストが６０％以上となる。
【００４０】
本明細書において、コントラストは下記式を用いて求めることができる。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
ここで、Ｒ2は検査光の波長に対する反射層１２表面での反射率である。但し、反射層１２上に保護層１３が形成されている場合は保護層１３表面での反射率である。Ｒ1は検査光の波長に対する低反射層１５表面での反射率である。なお、上記Ｒ1およびＲ2は、図２に示すように、図１に示すＥＵＶマスクブランク１の吸収体層１４および低反射層１５にパターンを形成した状態で測定する。上記Ｒ2は、図２中、パターン形成によって吸収体層１４および低反射層１５が除去され、外部に露出した反射層１２表面または保護層１３表面で測定した値であり、Ｒ1はパターン形成によって除去されずに残った低反射層１５表面で測定した値である。
本発明において、上記式で表されるコントラストが６０．５％以上であることがより好ましく、６１％以上であることがさらに好ましい。
【００４１】
低反射層１５は、上記の特性を達成するため、マスクパターンの検査光の波長域に対する屈折率が吸収体層１４よりも高い材料で構成され、その結晶状態がアモルファスであることが好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランク１の低反射層１５では、アルミニウム（Ａｌ）およびジルコニウム（Ｚｒ）のうち少なくとも一つと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも一つを含有することにより上記の特性を達成する。ここで、低反射層１５は、ＡｌおよびＺｒのうち、いずれか一方のみを含有してもよく、両方を含有してもよい。また、ＯおよびＮのうち、いずれか一方のみを含有してもよく、両方を含有してもよい。
なお、低反射層１５がＡｌおよびＺｒのうち少なくとも一つと、ＯおよびＮのうち少なくとも一つを含有することにより、マスクパターン形成時に塗布されるレジストとの密着性が良好となる。
低反射層１５は、上記の元素を以下に述べる特定の比率で含有することが好ましい。
【００４２】
低反射層１５は、ＡｌおよびＺｒの合計含有率が２０〜７０ａｔ％であることが好ましく、ＯおよびＮの合計含有率が３０〜８０ａｔ％であることが好ましく、Ａｌ、Ｚｒ、ＯおよびＮの合計含有率が９５〜１００ａｔ％であることが好ましい。
ＡｌおよびＺｒの合計含有率が２０ａｔ％未満であると、低反射層１５の導電性が低下し低反射層１５に電子線描画する際にチャージアップの問題が生じる可能性がある。ＡｌおよびＺｒの合計含有率が７０ａｔ％超であると、マスクパターンの検査光の波長域に対する光線反射率を十分低くすることができない可能性がある。ＯおよびＮの合計含有率が３０ａｔ％未満であると、マスクパターンの検査光の波長域に対する光線反射率を十分低くすることができない可能性がある。ＯおよびＮの合計含有率が８０ａｔ％超であると、低反射層１５の絶縁性が増し低反射層１５に電子線描画する際にチャージアップが起こる等の問題が生じる可能性がある。Ａｌ、Ｚｒ、ＯおよびＮの合計含有率が９５ａｔ％未満だと、マスクパターンの検査光の波長域に対する光線反射率を十分低くすることができない可能性がある。
【００４３】
ＡｌおよびＺｒの合計含有率は、２５〜７０ａｔ％であることがより好ましく、２５〜６５ａｔ％であることがさらに好ましく、３０〜６５ａｔ％であることがさらに好ましく、３０〜４０ａｔ％であることが特に好ましい。また、ＯおよびＮの合計含有率は、３０〜７５ａｔ％であることがより好ましく、３５〜７５ａｔ％であることがさらに好ましく、３５〜７０ａｔ％であることがさらに好ましく、６０〜７０ａｔ％であることが特に好ましい。Ａｌ、Ｚｒ、ＯおよびＮの合計含有率は、９６〜１００ａｔ％であることがより好ましく、９７〜１００ａｔ％であることがさらに好ましく、９８〜１００ａｔ％であることが特に好ましい。
【００４４】
低反射層１５が、ＡｌおよびＺｒの両方を含有する場合、ＡｌとＺｒの組成（原子）比がＡｌ：Ｚｒ＝９：１〜１：９であることが、マスクパターンの検査光の波長域に対する光線反射率を十分低くすることができるという理由から好ましい。ＡｌとＺｒの組成比は、Ａｌ：Ｚｒ＝９：１〜２：８であることがより好ましく、Ａｌ：Ｚｒ＝９：１〜３：７であることがさらに好ましく、５：１〜１：１であることが特に好ましい。また、Ａｌの含有量は、Ｚｒの含有量よりも多いほうが光学的な点で好ましい。
【００４５】
また、低反射層１５が、ＯおよびＮの両方を含有する場合、ＯとＮの組成（原子）比がＯ：Ｎ＝９：１〜１：９であることが、マスクパターンの検査光の波長域に対する光線反射率を十分低くすることができるという理由、および、膜の平滑性が得られるという理由から好ましい。ＯとＮの組成比は、Ｏ：Ｎ＝９：１〜２：８であることがより好ましく、Ｏ：Ｎ＝９：１〜３：７であることがさらに好ましく、９：１〜４：１であることがさらに好ましい。酸素の含有量は、窒素の含有量よりも多いほうが光学的な点で好ましい。
【００４６】
また、低反射層１５は、Ａｌの含有量が１０〜５０ａｔ％であることが好ましく、１５〜４５ａｔ％であることがより好ましい。また、Ｚｒの含有量が２〜２０ａｔ％であることが好ましく、５〜１５ａｔ％であることがより好ましい。また、Ｏの含有量が３０〜８０ａｔ％であることが好ましく、４０〜７０ａｔ％であることがより好ましい。また、Ｎの含有量が２〜２５ａｔ％であることが好ましく、５〜１５ａｔ％であることがより好ましい。
【００４７】
また、低反射層１５は、Ｔａを含まないほうが好ましい。低反射層１５がＴａを含有すると、マスクパターンの検査光の波長域に対する光線反射率を十分低くできないという理由から好ましくない。低反射層１５がＴａを含有する場合、低反射層１５のＴａの含有量は、吸収体層１４のＴａの含有量よりも、４０ａｔ％以上少ないことが好ましく、６０ａｔ％以上少ないことがより好ましい。
また、低反射層１５は、ＣｒやＴｉを含まないことが好ましい。
【００４８】
上記の元素を含む低反射層１５の具体例としては、例えば、ＡｌＯ、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、ＺｒＯ、ＺｒＮ、ＺｒＯＮ、ＡｌＺｒＯ、ＡｌＺｒＮ、ＡｌＺｒＯＮ等の金属化合物膜が挙げられる。これらの中でも、ＡｌＯ、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、ＡｌＺｒＯ、ＡｌＺｒＯＮがマスクパターンの検査光の波長域に対する光線反射率を特に低くすることができるという理由から好ましく、ＡｌＺｒＯＮ、ＡｌＯＮ、ＡｌＮがより好ましく、さらにはＡｌＺｒＯＮが好ましい。
低反射層１５は、上記の金属化合物膜のいずれかの単層膜であってもよく、２以上の金属化合物膜の積層体であってもよい。また、膜の厚み方向において膜組成が変化する傾斜組成膜であってもよい。
【００４９】
低反射層１５は、上記の構成であることにより、その結晶状態はアモルファスであることが好ましい。なお、本明細書において、「結晶状態がアモルファスである」と言った場合、全く結晶構造を持たないアモルファス構造となっているもの以外に、微結晶構造のものを含む。
低反射層１５がアモルファス構造の膜または微結晶構造の膜であることにより、低反射層１５表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であることが好ましい。ここで、吸収体層１５表面の表面粗さは原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて測定することができる。低反射層１５表面の表面粗さが大きいと、低反射層１５に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、低反射層１５表面は平滑であることが要求される。
低反射層１５表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であれば、低反射層１５表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。低反射層１５表面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、低反射層１５は、最外層であることが好ましい。
【００５０】
なお、低反射層１５の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。低反射層１５の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
【００５１】
上述したように、吸収体層１４と低反射層１５との合計膜厚が４０〜２００ｎｍであることが好ましく、５０〜２００ｎｍであることがより好ましく、５０〜１５０ｎｍであることがさらに好ましく、５０〜１００ｎｍであることが特に好ましい。但し、低反射層１５の膜厚が吸収体層１４の膜厚よりも大きいと、吸収体層１４でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層１５の膜厚は吸収体層の膜厚よりも小さいことが好ましい。このため、低反射層１５の厚さは３〜３０ｎｍであることが好ましく、５〜２０ｎｍであることが好ましく、５〜１５ｎｍであることがさらに好ましい。
【００５２】
上記した構成の低反射層１５は、ＡｌおよびＺｒのうち少なくとも一つを含むターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成することができる。
ここで、ＡｌおよびＺｒのうち少なくとも１つを含有するターゲットの使用といった場合、２種類の金属ターゲット、すなわち、Ａｌターゲットと、Ｚｒターゲットと、を使用すること、および、ＡｌおよびＺｒを含む化合物ターゲットを使用することのいずれも含む。
なお、２種類の金属ターゲットの使用は、低反射層１５の構成成分を調整するのに好都合である。一方、化合物ターゲットを使用する場合、形成される低反射層１５が所望の組成となるように、ターゲット組成をあらかじめ調整することが好ましい。
上記した構成の低反射層１５は、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも一つと、を含む雰囲気中で、ＡｌおよびＺｒのうち少なくとも一つを含むターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成する。
【００５３】
上記した方法で吸収体層１４上に低反射層１５を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
低反射層１５の成膜条件：ＡｌＯ膜の場合
ターゲット：Ａｌターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％、Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％；ガス圧好ましくは１×１０-2Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
【００５４】
低反射層１５の成膜条件：ＡｌＮ膜の場合
ターゲット：Ａｌターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％；ガス圧好ましくは１×１０-2Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
【００５５】
低反射層１５の成膜条件：ＡｌＯＮ膜の場合
ターゲット：Ａｌターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％、Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％；ガス圧好ましくは１×１０-2Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
【００５６】
低反射層１５の成膜条件：ＺｒＯ膜の場合
ターゲット：Ｚｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％、Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％；ガス圧好ましくは１×１０-2Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
【００５７】
低反射層１５の成膜条件：ＺｒＮ膜の場合
ターゲット：Ｚｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％；ガス圧好ましくは１×１０-2Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
【００５８】
低反射層１５の成膜条件：ＺｒＯＮ膜の場合
ターゲット：Ｚｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％、Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％；ガス圧好ましくは１×１０-2Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
【００５９】
低反射層１５の成膜条件：ＡｌＺｒＯ膜の場合
ターゲット：ＡｌターゲットおよびＺｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％、Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％；ガス圧好ましくは１×１０-2Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
【００６０】
低反射層１５の成膜条件：ＡｌＺｒＮ膜の場合
ターゲット：ＡｌターゲットおよびＺｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％；ガス圧好ましくは１×１０-2Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
【００６１】
低反射層１５の成膜条件：ＡｌＺｒＯＮ膜の場合
ターゲット：ＡｌターゲットおよびＺｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％、Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％；ガス圧好ましくは１×１０-2Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
【００６２】
低反射層１５の成膜条件：ＡｌＺｒＯＮ膜の場合
ターゲット：ＡｌＺｒ化合物ターゲット（例：Ａｌ：Ｚｒ＝５０：５０）
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％、Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜７０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜６０ｖｏｌ％；ガス圧好ましくは１×１０-2Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
【００６３】
本発明のＥＵＶマスクブランク１は、反射層１２、保護層１３、吸収体層１４および低反射層１５以外に、ＥＵＶマスクブランクの分野において公知の機能膜を有していてもよい。このような機能膜の具体例としては、例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載されているもののように、基板の静電チャッキングを促すために、基板の裏面側に施される高誘電性コーティングが挙げられる。ここで、基板の裏面とは、図１の基板１１において、反射層１２が形成されている側とは反対側の面を指す。このような目的で基板の裏面に施す高誘電性コーティングは、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。高誘電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載の高誘電率のコーティング、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなるコーティングを適用することができる。高誘電性コーティングの厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍとすることができる。
高誘電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成することができる。
【００６４】
本発明のマスクブランクの吸収層を少なくともパターニングすることで、ＥＵＶマスクを製造することが可能となる。吸収体層のパターニング方法は特に限定されず、例えば、吸収体層上にレジストを塗布してレジストパターンを形成し、これをマスクとして吸収体層をエッチングする方法を採用できる。レジストの材料やレジストパターンの描画法は、吸収体層の材質等を考慮して適宜選択すればよい。吸収体層のエッチング方法も特に限定されず、反応性イオンエッチング等のドライエッチングまたはウエットエッチングが採用できる。吸収体層をパターニングした後、レジストを剥離液で剥離することにより、ＥＵＶマスクが得られる。
【００６５】
本発明に係るＥＵＶマスクを用いた半導体集積回路の製造方法について説明する。本発明は、ＥＵＶ光を露光用光源として用いるフォトリソグラフィ法による半導体集積回路の製造方法に適用できる。具体的には、レジストを塗布したシリコンウェハ等の基板をステージ上に配置し、反射鏡を組み合わせて構成した反射型の露光装置に上記ＥＵＶマスクを設置する。そして、ＥＵＶ光を光源から反射鏡を介してＥＵＶマスクに照射し、ＥＵＶ光をＥＵＶマスクによって反射させてレジストが塗布された基板に照射する。このパターン転写工程により、回路パターンが基板上に転写される。回路パターンが転写された基板は、現像によって感光部分または非感光部分をエッチングした後、レジストを剥離する。半導体集積回路は、このような工程を繰り返すことで製造される。
【実施例】
【００６６】
以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。
実施例１
本実施例では、図１に示すＥＵＶマスクブランク１を作製した。
成膜用の基板１１として、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系のガラス基板（外形約６インチ（約１５２ｍｍ）角、厚さが約６．３ｍｍ）を使用した。このガラス基板の熱膨張率は０．２×１０-7／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０7ｍ2／ｓ2である。このガラス基板を研磨により、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
【００６７】
基板１１の裏面側には、マグネトロンスパッタリング法を用いて厚さ１００ｎｍのＣｒ膜を成膜することによって、シート抵抗１００Ω／□の高誘電性コーティングを施した。
平板形状をした通常の静電チャックに、形成したＣｒ膜を用いて基板１１（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さ６．３ｍｍ）を固定して、該基板１１の表面上にイオンビームスパッタリング法を用いてＳｉ膜およびＭｏ膜を交互に成膜することを４０周期繰り返すことにより、合計膜厚２７２ｎｍ（（４．５ｎｍ＋２．３ｎｍ）×４０）のＳｉ／Ｍｏ多層反射膜（反射層１２）を形成した。
さらに、Ｓｉ／Ｍｏ多層反射膜（反射層１２）上に、イオンビームスパッタリング法を用いてＲｕ膜（膜厚２．５ｎｍ）と成膜することにより、保護層１３を形成した。
【００６８】
Ｓｉ膜、Ｍｏ膜およびＲｕ膜の成膜条件は以下の通りである。
Ｓｉ膜の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：４．５ｎｍ
Ｍｏ膜の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．３ｎｍ
Ｒｕ膜の成膜条件
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：５００Ｖ
成膜速度：０．０２３ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．５ｎｍ
【００６９】
次に、保護層１３上に、吸収体層１４としてＴａとＮとＨを含むＴａＮＨ膜を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成した。
吸収体層１４（ＴａＮＨ膜）は以下の方法で成膜した。膜組成は、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＥＲＫＩＮ  ＥＬＥＭＥＲ−ＰＨＩ社製）、二次イオン質量分析装置（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＨＩ−ＡＴＯＭＩＫＡ製）、ラザフォード後方散乱分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（神戸製鋼社製）を用いて測定する。吸収体層１４（ＴａＮＨ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｔａ：Ｎ：Ｈ＝５８．１：３８．５：３．４（Ｔａの含有率が５８．１ａｔ％、Ｎの含有率が３８．５ａｔ％、Ｈの含有率３．４ａｔ％）である。吸収体層におけるＯ含有率は０．０５ａｔ％以下である。
吸収体層１４（ＴａＮＨ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2とＨ2の混合ガス（Ａｒ：８９ｖｏｌ％、Ｎ2：８．３ｖｏｌ％、Ｈ2：２．７ｖｏｌ％、ガス圧：０．４６Ｐａ）
投入電力：３００Ｗ
成膜速度：１．５ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：６０ｎｍ
【００７０】
次に、吸収体層１４上に、Ａｌ、Ｚｒ、ＯおよびＮを含有する低反射層１５（ＡｌＺｒＯＮ膜）を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成することにより、基板１１上に反射層１２、保護層１３、吸収体層１４、低反射層１５がこの順で形成されたＥＵＶマスクブランク１を得た。
低反射層１５（ＡｌＺｒＯＮ膜）の成膜条件は以下の通りである。
低反射層１５（ＡｌＺｒＯＮ膜）の成膜条件
ターゲット：ＡｌターゲットおよびＺｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ａｒ：４６ｖｏｌ％、Ｏ2：８ｖｏｌ％、Ｎ2：４６ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：Ａｌターゲット１５０Ｗ、Ｚｒターゲット７５Ｗ
成膜速度：２．５ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：１０ｎｍ
【００７１】
上記の手順で得られたＥＵＶマスクブランクの低反射層１５（ＡｌＺｒＯＮ膜）に対し下記の評価（１）〜（５）を実施した。
（１）膜組成
低反射層１５（ＡｌＺｒＯＮ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＥＲＫＩＮ  ＥＬＥＭＥＲ−ＰＨＩ社製）、二次イオン質量分析装置（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＨＩ−ＡＴＯＭＩＫＡ製）、ラザフォード後方散乱分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（神戸製鋼社製）を用いて測定する。低反射層の組成比（ａｔ％）は、Ａｌ：Ｚｒ：Ｏ：Ｎ＝２１：１１：６０：８ある。
【００７２】
（２）結晶状態
吸収体層１５（ＡｌＺｒＯＮ膜）の結晶状態を、Ｘ線回折装置（Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｍｅｔｅｒ）（ＲＩＧＡＫＵ社製）で確認した。得られる回折ピークにはシャープなピークが見られないことから、低反射層１５（ＡｌＺｒＯＮ膜）の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造であることを確認した。
【００７３】
（３）表面粗さ
低反射層１５（ＡｌＺｒＯＮ膜）の表面粗さは、原子間力顕微鏡（ＳＩＩ製、ＳＰＩ−３８００）を用いて、ｄｙｎａｍｉｃ  ｆｏｒｃｅ  ｍｏｄｅで測定する。表面粗さの測定領域は１μｍ×１μｍであり、カンチレバーには、ＳＩ−ＤＦ４０（ＳＩＩ製）を用いる。
低反射層の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．１２ｎｍであった。
【００７４】
（４）パターン検査波長に対する反射特性評価（コントラスト評価）
本実施例では、保護層１３（Ｒｕ膜）まで形成した段階で、該保護層１３表面におけるマスクパターンの検査光（波長２５７ｎｍ、１９９ｎｍ、１９３ｎｍ）の反射率を分光光度計（ＨＩＴＡＣＨ  ＵＶ−４１００）を用いて測定した。また、低反射層１５（ＳｉＮ膜）を形成した後、該低反射層表面におけるマスクパターンの検査光の反射率を測定した。その結果、保護層１３層表面での波長１９９ｎｍ、１９３ｎｍに対する反射率は、それぞれ５３．６％、５５％であった。一方、低反射層１５（ＡｌＺｒＯＮ膜）表面の各波長に対する反射率は、３．２％および２．５％であり、いずれも１５％以下であった。これらの結果と上記した式を用いてコントラストを求めたところ、各波長におけるコントラストは下記のとおりであった。
波長１９９ｎｍにおけるコントラスト：８８．７％
波長１９３ｎｍにおけるコントラスト：９１．３％
マスクパターンの検査光の全ての波長域に対して、保護層１３表面と低反射層１５表面のコントラストは６０％以上であり、十分なコントラストが得られた。得られたＥＵＶマスクブランク１について、低反射層１５（ＡｌＺｒＯＮ膜）表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射してＥＵＶ光の反射率を測定する。その結果、ＥＵＶ光の反射率は０．８％である。
【００７５】
（５）レジスト密着性評価
本実施例では、低反射層１５（ＡｌＺｒＯＮ膜）まで形成した段階で、以下に示す方法でレジスト密着性を評価する。低反射層１５上に、電子線露光用化学増幅型ポジレジスト（ＦＥＰ１７１）をスピンコートにより厚さ２００ｎｍ塗布し、その後ホットプレートで１２０℃で２分間加熱して乾燥させる。その後、電子線描画装置（Ｅｌｉｏｎｉｘ社製）を用いて露光し、さらに現像液（ＴＭＡＨ：テトラメチルハイドロオキサイド）による現像処理およびリンス処理を実施することにより、１００ｎｍのラインアンドスペースを形成する。形成されたレジストパターンを確認したところ、レジストパターンの消失は無く、十分な密着性を有することが確認される。
【００７６】
実施例２
実施例２は、低反射層１５がＡｌ、ＯおよびＮを含むＡｌＯＮ膜であること以外は、実施例１と同様の手順で実施した。
低反射層１５（ＡｌＯＮ膜）の成膜条件は以下の通りである。
低反射層１５（ＡｌＯＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ａｌターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ａｒ：５０ｖｏｌ％、Ｏ2：１２．５ｖｏｌ％、Ｎ2：３７．５ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：Ａｌターゲット１５０Ｗ
成膜速度：０．５６ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：１０ｎｍ
低反射層１５（ＡｌＯＮ膜）の膜組成を実施例１と同様に調べる。低反射層１５の組成比（ａｔ％）は、Ａｌ：Ｏ：Ｎ＝３２：５６：１２である。
低反射層１５（ＡｌＯＮ膜）の結晶状態を実施例１と同様に調べた。低反射層１５の結晶状態は、アモルファス構造または微結晶構造であることを確認した。
低反射層１５（ＡｌＯＮ膜）の表面粗さを実施例１と同様に調べた。低反射層１５の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４５ｎｍであった。
得られたＥＵＶマスクブランク１に対して、実施例１と同様の手順で反射特性評価（コントラスト評価）を実施した。具体的には、低反射層１５（ＡｌＯＮ膜）表面での波長１９９ｎｍ、１９３ｎｍに対する反射率は、１１．３％および１０．５％であり、いずれも１５％以下であった。これらの結果および保護層１３表面の反射率から、上記した式を用いてコントラストを求めたところ、各波長におけるコントラストは下記のとおりであった。
波長１９９ｎｍにおけるコントラスト：６５．１％
波長１９３ｎｍにおけるコントラスト：６７．９％
マスクパターンの検査光の全ての波長域に対して、保護層１３表面と低反射層１５表面のコントラストは６０％以上であり、十分なコントラストが得られた。得られたＥＵＶマスクブランク１について、低反射層１５（ＡｌＯＮ膜）表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射してＥＵＶ光の反射率を測定する。その結果、ＥＵＶ光の反射率は０．７％である。
低反射層１５（ＡｌＯＮ膜）まで形成した段階で、レジストとの密着性を実施例１と同様に調べる。低反射層１５（ＡｌＯＮ膜）上に形成されたレジストパターンを確認したところ、レジストパターンの消失は無く、十分な密着性を有することが確認される。
【００７７】
実施例３
実施例３は、低反射層１５がＺｒ、ＯおよびＮを含むＺｒＯＮ膜であること以外は、実施例１と同様の手順で実施した。
低反射層１５（ＺｒＯＮ膜）の成膜条件は以下の通りである。
低反射層１５（ＺｒＯＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｚｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ａｒ：５０ｖｏｌ％、Ｏ2：３７．５ｖｏｌ％、Ｎ2：１２．５ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：Ｚｒターゲット１５０Ｗ
成膜速度：１．１３ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：１０ｎｍ
低反射層１５（ＺｒＯＮ膜）の膜組成を実施例１と同様に調べる。低反射層１５の組成比（ａｔ％）は、Ｚｒ：Ｏ：Ｎ＝３４：５８：８である。
低反射層１５（ＺｒＯＮ膜）の結晶状態を実施例１と同様に調べた。低反射層１５の結晶状態は、アモルファス構造または微結晶構造であることを確認した。
低反射層１５（ＺｒＯＮ膜）の表面粗さを実施例１と同様に調べた。低反射層１５の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４５ｎｍであった。
得られたＥＵＶマスクブランク１に対して、実施例１と同様の手順で反射特性評価（コントラスト評価）を実施した。具体的には、低反射層１５（ＺｒＯＮ膜）表面での波長１９９ｎｍ、１９３ｎｍに対する反射率は、１２．８％および１３．２％であり、いずれも１５％以下であった。これらの結果および保護層１３表面の反射率から、上記した式を用いてコントラストを求めたところ、各波長におけるコントラストは下記のとおりであった。
波長１９９ｎｍにおけるコントラスト：６１．４％
波長１９３ｎｍにおけるコントラスト：６１．３％
マスクパターンの検査光の全ての波長域に対して、保護層１３表面と低反射層１５表面のコントラストは６０％以上であり、十分なコントラストが得られた。得られたＥＵＶマスクブランク１について、低反射層１５（ＺｒＯＮ膜）表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射してＥＵＶ光の反射率を測定する。その結果、ＥＵＶ光の反射率は０．８％である。
低反射層１５（ＺｒＯＮ膜）まで形成した段階で、レジストとの密着性を実施例１と同様に調べる。低反射層１５（ＺｒＯＮ膜）上に形成されたレジストパターンを確認したところ、レジストパターンの消失は無く、十分な密着性を有することが確認される。
【００７８】
比較例１
比較例１は、低反射層１５がＳｉおよびＮを含むＳｉＮ膜であること以外は、実施例１と同様の手順で実施した。
低反射層１５（ＳｉＮ膜）の成膜条件は以下の通りである。
低反射層１５（ＳｉＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2混合ガス（Ａｒ：２０ｖｏｌ％、Ｎ2：８０ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：２ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：１０ｎｍ
低反射層１５（ＳｉＮ膜）の膜組成を実施例１と同様に調べる。低反射層１５の組成比（ａｔ％）は、Ｓｉ：Ｎ＝３４：６６である。
低反射層１５（ＳｉＮ膜）の結晶状態を実施例１と同様に調べた。低反射層１５の結晶状態は、アモルファス構造または微結晶構造であることを確認した。
低反射層１５（ＳｉＮ膜）の表面粗さを実施例１と同様に調べた。低反射層１５の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４５ｎｍであった。
得られたＥＵＶマスクブランク１に対して、実施例１と同様の手順で反射特性評価（コントラスト評価）を実施した。具体的には、低反射層１５（ＳｉＮ膜）表面での波長１９９ｎｍ、１９３ｎｍに対する反射率は、２．４％および２．７％であり、いずれも１５％以下であった。これらの結果および保護層１３表面の反射率から、上記した式を用いてコントラストを求めたところ、各波長におけるコントラストは下記のとおりであった。
波長１９９ｎｍにおけるコントラスト：９１．３％
波長１９３ｎｍにおけるコントラスト：９０．４％
マスクパターンの検査光の全ての波長域に対して、保護層１３表面と低反射層１５表面のコントラストは６０％以上であり、十分なコントラストが得られた。得られたＥＵＶマスクブランク１について、低反射層１５（ＳｉＮ膜）表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射してＥＵＶ光の反射率を測定する。その結果、ＥＵＶ光の反射率は０．８％である。
低反射層１５（ＳｉＮ膜）まで形成した段階で、レジストとの密着性を実施例１と同様に調べる。低反射層１５（ＳｉＮ膜）上に形成したレジストパターンは、現像工程およびリンス工程にて、パターンの消失が見られ、密着性が不十分であることが確認される。
【符号の説明】
【００７９】
１：ＥＵＶマスクブランク
１１：基板
１２：反射層（多層反射膜）
１３：保護層
１４：吸収体層
１５：低反射層
【図１】
2011035104.tif 000002
【図２】
2011035104.tif 000003