(57)【要約】【課題】２電極ＭＺ変調器を用いた多値変調を実行する場合に、ＤＣバイアスを安定化制御することにより、光伝送信号品質を安定化させることができる多値光送信器を得る。【解決手段】入力データ系列に応じて設定される第１変調データおよび第２変調データをＤ／Ａ変換して第１多値信号および第２多値信号をそれぞれ生成するＤ／Ａコンバータ１１ａ、１１ｂと、第１多値信号および第２多値信号に応じて光源１３からの光をそれぞれ変調する位相変調器１４ａ、１４ｂを含み、位相変調器１４ａからの光信号と位相変調器１４ｂからの光信号とを合成して、光多値信号を出力する２電極ＭＺ変調器１４と、光多値信号の平均パワーを検出する光出力パワーモニタ１６と、平均パワーが最大となるように、２電極ＭＺ変調器１４に対するＤＣバイアスを制御するＤＣバイアス制御手段とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された電気信号である入力データ系列を光多値信号に変換して出力する多値光送信器であって、
前記入力データ系列に応じて設定される第１変調データをＤ／Ａ変換して第１多値信号を生成する第１Ｄ／Ａコンバータと、
前記入力データ系列に応じて設定される第２変調データをＤ／Ａ変換して第２多値信号を生成する第２Ｄ／Ａコンバータと、
前記第１多値信号に応じて光源からの光を変調する第１位相変調器、および前記第２多値信号に応じて前記光源からの光を変調する第２位相変調器を含み、前記第１位相変調器からの光信号と前記第２位相変調器からの光信号とを合成して、前記光多値信号を出力する２電極ＭＺ変調器と、
前記光多値信号の平均パワーを検出するパワーモニタ手段と、
前記平均パワーが最大となるように、前記２電極ＭＺ変調器の動作点を決定するＤＣバイアスを制御するＤＣバイアス制御手段と、
を備えたことを特徴とする多値光送信器。
【請求項２】
前記第１多値信号および前記第２多値信号は、それぞれ４値以上の電圧レベルを有する
ことを特徴とする請求項１に記載の多値光送信器。
【請求項３】
前記ＤＣバイアス制御手段は、
前記ＤＣバイアスに重畳されるディザ信号であって、前記第１多値信号および前記第２多値信号のシンボルレートに比べて十分に低い周波数のディザ信号を出力する発振器と、
前記パワーモニタ手段で検出された信号に含まれるディザ周波数成分が最小になるように前記ＤＣバイアスを制御するＤＣバイアス制御部と、
を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多値光送信器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電気信号を光信号に変換して送信する多値光送信器に関する。
【背景技術】
【０００２】
波長多重（ＷＤＭ：Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ）光通信システムの大容量化を実現するには、１波長あたりの伝送レートを上げることが有用である。ここで、変調方式を変えることなく光伝送路に送出するシンボルレートを上げた場合には、許容残留分散量がシンボルレートの２乗に反比例するので、光伝送路の波長分散耐力が低下するという問題があった。また、電気信号処理を高速に実行することが必要となり、アナログ電気部品のコストが増加するという問題もあった。
【０００３】
そのため、近年では、シンボルレートを上げることなく、１シンボルあたりの信号多重度を上げることで、システムの大容量化を実現するための研究が盛んに行われている。
信号多重度を上げる方式として、例えば、１シンボルに２値（多重度２）を割り当てることで伝送容量を２倍にするＱＰＳＫ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｋｅｙｉｎｇ）方式や、１シンボルに４値（多重度４）を割り当てることで伝送容量を４倍にする１６ＱＡＭ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）方式、１６ＡＰＳＫ（Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｋｅｙｉｎｇ）方式等の多値変調方式が知られている。
【０００４】
通常、これらの多値変調を実行する場合には、光変調器としてＩ／Ｑ変調器が用いられる。Ｉ／Ｑ変調器は、直交する光電界成分（Ｉチャンネル、Ｑチャンネル）を独立して生成可能な光変調器であり、マッハツェンダー（ＭＺ：Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ）変調器を並列接続した特殊な構成をとるものである。
【０００５】
例えば、ＱＰＳＫを実行する場合には、ＭＺ変調器を２個並列に接続したＤｕａｌ  Ｐａｒａｌｌｅｌ  ＭＺ変調器（ＤＰＭＺＭ：Ｄｕａｌ  Ｐａｒａｌｌｅｌ  ＭＺ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）が用いられる（例えば、特許文献１参照）。
また、１６ＱＡＭを実行する場合には、ＤＰＭＺＭや、ＤＰＭＺＭをさらに２個並列に接続したＱｕａｄ  Ｐａｒａｌｌｅｌ  ＭＺ変調器（ＱＰＭＺＭ：Ｑｕａｄ  Ｐａｒａｌｌｅｌ  ＭＺ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）が用いられる（例えば、非特許文献１参照）。
【０００６】
ここで、特許文献１および非特許文献１の何れの変調器を用いる場合であっても、ＭＺ変調器の数が増えることによって、コストが増加するとともに、バイアス制御箇所が増加するという問題点があった。
そこで、位相変調器を２個並列に接続した２電極ＭＺ変調器（ＤＤＭＺＭ：Ｄｕａｌ  Ｄｒｉｖｅ  ＭＺＭ）を用いて多値変調を実現することが考えられている（例えば、非特許文献２、非特許文献３参照）。
【０００７】
２電極ＭＺ変調器は、プッシュプル型光変調器として、通常の光送受信器に広く適用されている光部品なので、コストの低減を図ることができる。また、ＭＺ変調器を一度通過するだけの構成なので、光の挿入損失低減を図ることができる。
【０００８】
次に、図５を参照しながら、２電極ＭＺ変調器を用いてＱＰＳＫを実行する場合について考える。２電極ＭＺ変調器を用いたＱＰＳＫについては、これまでに、図５（ａ）に示した信号点配置をとる方式（３値駆動）が実証されている（例えば、非特許文献３参照）。
図５（ａ）は、２倍オーバサンプリングで２電極ＭＺ変調器を駆動した場合の光電界の複素平面上の遷移の軌跡を示しており、図中の黒丸がＱＰＳＫの信号点に対応する。
【０００９】
なお、２電極ＭＺ変調器の特徴である低挿入損失を生かすためには、３値駆動よりも、４値の電気信号による変調器の駆動の方が有利である。４値駆動を行うことにより、３値駆動の場合と比較して、２電極ＭＺ変調器での損失が約３ｄＢ改善する（例えば、非特許文献２参照）。
２電極ＭＺ変調器を用いて４値駆動のＱＰＳＫを実行した場合における光電界の複素平面上の遷移の軌跡を、図５（ｂ）に示す。
【００１０】
ここで、２電極ＭＺ変調器を光変調器として用いる場合、通常のＯＯＫ（Ｏｎ−Ｏｆｆ  Ｋｅｙｉｎｇ）伝送を実行するときと同様に、多値変調を実行するときにおいても、光伝送信号品質を安定化させるためには、２電極ＭＺ変調器の動作点を決定するＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）バイアスの安定化が不可欠となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特表２００４−５１６７４３号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Ｔ．Ｓａｋａｍｏｔｏ，ｅｔ  ａｌ．，“５０−Ｇｂ／ｓ  １６  ＱＡＭ  ｂｙ  ａ  ｑｕａｄ−ｐａｒａｌｌｅｌ  Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ  ｍｏｄｕｌａｔｏｒ”，ＥＣＯＣ２００７，ＰＤ２．８，２００７
【非特許文献２】Ｋ−Ｐ．Ｈｏ，ｅｔ  ａｌ．，“Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ａｒｂｉｔｒａｒｙ  Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｓｉｇｎａｌｓ  Ｕｓｉｎｇ  Ｏｎｅ  Ｄｕａｌ−Ｄｒｉｖｅ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ”，ＩＥＥＥ  Ｊ．Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．２，Ｆｅｂｒｕａｒｙ  ２００５，ｐｐ．７６４−７７０
【非特許文献３】Ｄ．Ｊ．Ｋｒａｕｓｅ，ｅｔ  ａｌ．，“Ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ２０−Ｇｂ／ｓ  ＤＱＰＳＫ  Ｗｉｔｈ  ａ  Ｓｉｎｇｌｅ  Ｄｕａｌ−Ｄｒｉｖｅ  Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ”，ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．２０，Ｎｏ．１６，Ａｕｇｕｓｔ  １５，２００８，ｐｐ．１３６３−１３６５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、従来技術には、以下のような課題がある。
上述したように、２電極ＭＺ変調器を光変調器として用いる場合には、２電極ＭＺ変調器の動作点を決定するＤＣバイアスの安定化が不可欠となるが、これまで、２電極ＭＺ変調器を用いた４値以上のＱＰＳＫに対するＤＣバイアスの安定化制御技術については、開示されていないという問題があった。
【００１４】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、２電極ＭＺ変調器を用いた多値変調（特に、４値以上）を実行する場合に、ＤＣバイアスを安定化制御することにより、光伝送信号品質を安定化させることができる多値光送信器を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明に係る多値光送信器は、入力された電気信号である入力データ系列を光多値信号に変換して出力する多値光送信器であって、入力データ系列に応じて設定される第１変調データをＤ／Ａ変換して第１多値信号を生成する第１Ｄ／Ａコンバータと、入力データ系列に応じて設定される第２変調データをＤ／Ａ変換して第２多値信号を生成する第２Ｄ／Ａコンバータと、第１多値信号に応じて光源からの光を変調する第１位相変調器、および第２多値信号に応じて光源からの光を変調する第２位相変調器を含み、第１位相変調器からの光信号と第２位相変調器からの光信号とを合成して、光多値信号を出力する２電極ＭＺ変調器と、光多値信号の平均パワーを検出するパワーモニタ手段と、平均パワーが最大となるように、２電極ＭＺ変調器に対するＤＣバイアスを制御するＤＣバイアス制御手段と、を備えたものである。
【発明の効果】
【００１６】
この発明に係る多値光送信器によれば、ＤＣバイアス制御手段は、２電極ＭＺ変調器から出力された光多値信号の平均パワーが最大となるように、２電極ＭＺ変調器に対するＤＣバイアスを制御する。
これにより、ＤＣバイアスの最適値からのずれが補償され、ＤＣバイアスを安定化させることができる。
そのため、２電極ＭＺ変調器を用いた多値変調を実行する場合に、ＤＣバイアスを安定化制御することにより、光伝送信号品質を安定化させることができる多値光送信器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】この発明の実施の形態１に係る多値光送信器を示すブロック構成図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る多値光送信器の動作原理を示す説明図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係る多値光送信器の動作原理を示す別の説明図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係る多値光送信器のＤＣバイアス制御手段を示すブロック構成図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、２電極ＭＺ変調器を用いてＱＰＳＫを実行する場合の信号点配置を、３値駆動および４値駆動について示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、この発明の多値光送信器の好適な実施の形態につき図面を用いて説明するが、各図において同一、または相当する部分については、同一符号を付して説明する。
なお、以下の実施の形態では、２電極ＭＺ変調器を用いて４値駆動のＱＰＳＫを実行する場合を例に挙げて説明する。
【００１９】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係る多値光送信器を示すブロック構成図である。
図１において、この多値光送信器は、２つのＤ／Ａコンバータ１１ａ、１１ｂ（第１、第２Ｄ／Ａコンバータ）、２つの電気増幅器１２ａ、１２ｂ、光源１３、２電極ＭＺ変調器１４（ＤＤＭＺＭ）、光タップカプラ１５、光出力パワーモニタ１６（パワーモニタ手段）、発振器１７、ＤＣバイアス制御部１８および加算器１９を備えている。
【００２０】
２電極ＭＺ変調器１４は、２つの位相変調器１４ａ、１４ｂ（第１、第２位相変調器）と、バイアス用の電極１４ｃとを有している。また、２電極ＭＺ変調器１４には、第１信号入力端子、第２信号入力端子およびＤＣバイアス印加端子が設けられており、それぞれ位相変調器１４ａ、位相変調器１４ｂおよび電極１４ｃと接続されている。また、発振器１７、ＤＣバイアス制御部１８および加算器１９でＤＣバイアス制御手段が構成されている。
【００２１】
以下、この多値光送信器の各部位の機能について説明する。
まず、多値光送信器に入力された入力データ系列は、並列展開されて図示しないルックアップテーブル（ＬＵＴ：Ｌｏｏｋ−Ｕｐ  Ｔａｂｌｅ）に入力される。ＬＵＴは、並列展開された入力データ系列に応じたＤ／Ａ（Ｄｉｇｉｔａｌ／Ａｎａｌｏｇ）コンバータ１１ａ、１１ｂの設定値（第１変調データ、第２変調データ）を出力する。
【００２２】
Ｄ／Ａコンバータ１１ａ、１１ｂは、ＬＵＴから出力された設定値をＤ／Ａ変換し、それぞれ第１多値信号および第２多値信号を生成する。電気増幅器１２ａ、１２ｂは、Ｄ／Ａコンバータ１１ａ、１１ｂからの第１多値信号および第２多値信号を、それぞれ光変調に必要な電圧振幅まで増幅し、第１駆動電気信号Ｖ１（ｔ）および第２駆動電気信号Ｖ２（ｔ）を生成して、２電極ＭＺ変調器１４の第１信号入力端子および第２信号入力端子に出力する。
【００２３】
ここで、第１多値信号および第２多値信号は、ともに４値のアナログ電圧をとる。ＱＰＳＫを実行する場合、第１および第２駆動電気信号（Ｖ１（ｔ），Ｖ２（ｔ））として、（３／４×Ｖπ，−１／４×Ｖπ）、（１／４×Ｖπ，−３／４×Ｖπ）、（５／４×Ｖπ，１／４×Ｖπ）、（−１／４×Ｖπ，−５／４×Ｖπ）の４組の電圧が得られるように、Ｄ／Ａコンバータ１１ａ、１１ｂの設定を行うことにより、２電極ＭＺ変調器１４の出力としてＱＰＳＫの信号を得ることができる。なお、Ｖπは、２電極ＭＺ変調器１４の半波長電圧を示している。
【００２４】
２電極ＭＺ変調器１４は、電気増幅器１２ａ、１２ｂからの第１駆動電気信号Ｖ１（ｔ）および第２駆動電気信号Ｖ２（ｔ）で位相変調器１４ａ、１４ｂを駆動して、光源１３からの連続（ＣＷ：Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−ｗａｖｅ）光を変調し、変調光信号を出力する。このとき、Ｄ／Ａコンバータ１１ａ、１１ｂが、上述した４組の電圧が得られるように設定されているので、２電極ＭＺ変調器１４から出力される変調光信号として、光多値信号を得ることができる。
【００２５】
また、２電極ＭＺ変調器１４は、ＤＣバイアス印加端子に入力されるバイアス信号によって電極１４ｃに印加されるバイアス電圧により、動作点が決定される。２電極ＭＺ変調器１４に入力されるバイアス信号の詳細な説明については、後述する。
光タップカプラ１５は、２電極ＭＺ変調器１４から出力される光多値信号の一部を分岐し、分岐した光多値信号を光出力パワーモニタ１６に出力する。
【００２６】
光出力パワーモニタ１６は、例えば光検出器（ＰＤ：Ｐｈｏｔｏ−Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）による光パワーと電流との変換、トランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ：Ｔｒａｎｓ−Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）による電流と電圧との変換等の各機能による光・電気変換機能、およびコンデンサ等によるＡＣ結合機能を有し、所望の周波数帯域の光多値信号の平均パワーをモニタ電圧として検出し、電圧信号に変換されたモニタ信号として出力する。
【００２７】
発振器１７は、周波数ｆ０の低速ディザ信号を出力する。なお、低速ディザ信号の周波数ｆ０は、光伝送信号品質に影響を与えないように、伝送のシンボルレートに比べて、十分に低い値に設定されている。
ＤＣバイアス制御部１８は、光出力パワーモニタ１６からのモニタ信号と、発振器１７からの低速ディザ信号とを入力する。また、ＤＣバイアス制御部１８は、例えばロックイン検出により、モニタ信号に含まれるディザ周波数（ｆ０）成分の大きさおよび位相（または符号）を検出してフィードバック制御を実行し、バイアス制御信号を出力する。
【００２８】
加算器１９は、ＤＣバイアス制御部１８からのバイアス制御信号に対して、発振器１７からの低速ディザ信号を重畳し、バイアス信号を生成する。加算器１９で生成されたこのバイアス信号が、２電極ＭＺ変調器１４のＤＣバイアス印加端子に入力される。
【００２９】
ここで、ＤＣバイアス制御部１８によるフィードバック制御において、モニタ信号に含まれるディザ周波数成分が最小値となるようにＤＣバイアスを制御することにより、２電極ＭＺ変調器１４を用いて４値駆動の（４値の多値信号による）ＱＰＳＫを実行する場合のＤＣバイアスを安定化させることができる。
【００３０】
以下、図２および図３を参照しながら、モニタ信号に含まれるディザ周波数成分が最小値となるようにＤＣバイアスを制御することによって、ＤＣバイアスを安定化させることができる原理について説明する。
図２は、２電極ＭＺ変調器１４を用いて４値駆動のＱＰＳＫを実行した場合において、ＤＣバイアスが最適値からずれた際に生じる信号点の変化を示す説明図である。
図２において、黒丸はＤＣバイアスが最適値である場合の信号点を示しており、白丸はＤＣバイアスが最適値からずれた場合の信号点をそれぞれ示している。
【００３１】
ＤＣバイアスが最適値からずれてくると、信号点の配置される円周の半径が、ＤＣバイアスが最適値である場合に信号点が配置される円周の半径よりも小さくなる。また、ＤＣバイアスが最適値からずれてくると、ＤＣバイアスが最適値である場合の信号点に対して、信号点が回転する。
原点から信号点までの距離が短くなることは、光多値信号の平均パワーが小さくなることと等価なので、２電極ＭＺ変調器１４からの光多値信号の平均パワーを検出することにより、ＤＣバイアスの最適値からのずれを検出することができる。
【００３２】
図３は、ＤＣバイアスの最適値からのずれに対する光多値信号の平均パワーの変化を示す説明図である。
図３において、光多値信号の平均パワーが最大となる点が、ＤＣバイアスの最適状態と一致する。
【００３３】
ここで、ＤＣバイアスに低速のディザ信号（周波数ｆ０）を印加した場合を考えると、ＤＣバイアスの最適状態では、ディザ周波数の２倍の周波数（２×ｆ０）を持つ成分が最大となり、ディザ周波数（ｆ０）成分は最小となる。また、ＤＣバイアスが最適値からずれてくると、ずれの向きによっては、ディザ周波数成分の位相が反転することが分かる。
【００３４】
そのため、ロックイン検出によって、モニタ信号に含まれるディザ周波数成分の大きさおよび位相を検出し、このディザ周波数成分の大きさおよび位相が最小値となるようにＤＣバイアスをフィードバック制御することにより、ＤＣバイアスを安定化させることができる。
【００３５】
続いて、図４を参照しながら、ロックイン検出によってモニタ信号に含まれるディザ周波数成分の大きさおよび位相を検出する場合の、ＤＣバイアス制御部１８の処理について説明する。
図４は、図１のＤＣバイアス制御部１８を、光出力パワーモニタ１６、発振器１７および加算器１９とともに示すブロック構成図である。
【００３６】
図４において、ＤＣバイアス制御部１８は、移相器２１、ミキサ２２、ローパスフィルタ２３（ＬＰＦ：Ｌｏｗ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）、オフセット設定手段２４および加算器２５を有している。
以下、通常のロックイン検出を実行するものとして、ＤＣバイアス制御部１８の各部位の機能について説明する。
【００３７】
移相器２１は、モニタ信号に含まれるディザ周波数成分の信号との相対位相が０度（同相）または１８０度（逆相）となるように、発振器１７からの低速ディザ信号の位相を変化させる。なお、移相器は、低速ディザ信号の位相を反転させる機能のみを有するものであってもよい。
ミキサ２２は、光出力パワーモニタ１６からのモニタ信号と、移相器２１からの移相後の低速ディザ信号とを掛け合わせる。ＬＰＦ２３は、ミキサ２２の出力信号から、ＤＣ成分のみを誤差信号として抽出する。
【００３８】
ここで、モニタ信号にディザ周波数成分が含まれている場合には、ミキサ２２の出力信号にディザ周波数成分の大きさに応じたＤＣ成分が発生するので、ＬＰＦ２３通過後のＤＣ成分の大きさから、ディザ周波数成分の大きさを検出することができる。また、モニタ信号に含まれるディザ周波数成分の位相は、ＬＰＦ２３通過後のＤＣ成分の符号で判別することができる。
そのため、ＬＰＦ２３通過後のＤＣ成分を誤差信号として用いることにより、ＤＣバイアスのフィードバック制御を実行することができる。
【００３９】
オフセット設定手段２４は、ＬＰＦ２３からの誤差信号に重畳するためのオフセット信号を出力する。加算器２５は、ＬＰＦ２３からの誤差信号に対して、オフセット設定手段２４からのオフセット信号を重畳し、バイアス制御信号を生成する。
【００４０】
例えば、モニタ信号に含まれるディザ周波数成分がゼロとなる点を制御目標とする場合、誤差信号であるＬＰＦ２３通過後のＤＣ成分が、ゼロとなるように制御が実行される。このとき、誤差信号がゼロになる点と、ＤＣバイアスの０Ｖとは通常一致しないので、オフセット設定手段２４からのオフセット信号をＬＰＦ２３からの誤差信号に重畳することにより、誤差信号がゼロとなる場合であっても、制御目標を維持するために必要となるＤＣバイアスの値を設定することができる。
【００４１】
以上のように、実施の形態１によれば、ＤＣバイアス制御手段は、２電極ＭＺ変調器から出力された光多値信号の平均パワーが最大となるように、２電極ＭＺ変調器に対するＤＣバイアスを制御する。
これにより、ＤＣバイアスの最適値からのずれが補償され、ＤＣバイアスを安定化させることができる。
そのため、構成が簡素な２電極ＭＺ変調器を用いた多値変調を実行する場合に、ＤＣバイアスを安定化制御することにより、光伝送信号品質を安定化させることができる多値光送信器を得ることができる。
【００４２】
また、発振器は、ＤＣバイアスに重畳されるディザ信号であって、第１多値信号および第２多値信号のシンボルレートに比べて十分に低い周波数のディザ信号を出力し、ＤＣバイアス制御部は、パワーモニタ手段で検出された信号に含まれるディザ周波数成分が最小になるようにＤＣバイアスを制御する。
そのため、簡素な構成でＤＣバイアスを制御することができる。
【００４３】
なお、上記実施の形態１では、２電極ＭＺ変調器を用いて４値駆動のＱＰＳＫを実行する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、これに限定されず、２電極ＭＺ変調器を用いて４値以外の電圧レベルを持つ第１多値信号および第２多値信号による多値変調を実行する場合であって、ＤＣバイアスの最適値において光多値信号の平均パワーが最大となるときには、何れの多値変調であっても本願の多値光送信器を適用することができる。
【００４４】
また、上記実施の形態１では、ＤＣバイアス制御部１８が移相器２１、ミキサ２２、ＬＰＦ２３、オフセット設定手段２４および加算器２５を有し、アナログ処理によってフィードバック制御を実行し、バイアス制御信号を出力すると説明した。しかしながら、これに限定されず、ＤＣバイアス制御部は、Ａ／ＤコンバータおよびＤ／Ａコンバータと、マイクロプロセッサ、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）またはＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等とを用いたデジタル処理によってフィードバック制御を実行し、バイアス制御信号を出力してもよい。
この場合も、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００４５】
また、上記実施の形態１では、ＤＣバイアスを、ＤＣバイアス印加端子に印加すると説明した。しかしながら、これに限定されず、第１駆動電気信号Ｖ１（ｔ）および第２駆動電気信号Ｖ２（ｔ）に対して、Ｂｉａｓ−Ｔｅｅ等の部品を用いてＤＣバイアスを印加してもよい。
この場合も、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
また、上記実施の形態１では、光タップカプラ１５および光出力パワーモニタ１６が２電極ＭＺ変調器１４の外部に設けられていると説明した。しかしながら、これに限定されず、光タップカプラ１５および光出力パワーモニタ１６の機能を２電極ＭＺ変調器１４に内蔵し、内蔵されたこれらの機能を用いてもよい。
この場合も、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１１ａ、１１ｂ  Ｄ／Ａコンバータ（第１、第２Ｄ／Ａコンバータ）、１３  光源、１４  ２電極ＭＺ変調器、１４ａ、１４ｂ  位相変調器（第１、第２位相変調器）、１６  光出力パワーモニタ（パワーモニタ手段）、１７  発振器、１８  ＤＣバイアス制御部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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