(57)【要約】【課題】転写技術を用いた場合であっても、光取り出し効率の低下を抑制することの可能な発光素子およびそれを備えた表示装置を提供する。【解決手段】電極２２に接するｎ型コンタクト層２７において、少なくとも電極２１との対向領域に開口２７Ａが設けられている。ｎ型コンタクト層２７よりも外側（光射出側）には、開口２７Ａと連通する複数の開口２８Ａを有する樹脂ブロック層２８が設けられている。各開口２８Ａの深さ、すなわち、樹脂ブロック層２８の厚さは、ｎ型コンタクト層２７の厚さ（例えば、数十ｎｍ）よりも厚くなっている。【選択図】図４
2011146597.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型コンタクト層、第１導電型クラッド層、活性層、第２導電型クラッド層、第２導電型コンタクト層および樹脂ブロック層をこの順に含む半導体層と、
前記第１導電型コンタクト層に接する第１電極と、
前記第２導電型コンタクト層に接する第２電極と
を備え、
前記第２導電型コンタクト層は、少なくとも前記第１電極との対向領域に第１開口を有し、
前記樹脂ブロック層は、前記第１開口と連通する複数の第２開口を有し、
前記第１開口は、空隙を有する
発光素子。
【請求項２】
各第２開口は、第１方向に延在しており、
前記樹脂ブロック層のうち互いに隣り合う第２開口同士の間が前記第１方向に延在する棒状の梁部となっている
請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記梁部は、（１１０）面に垂直な方向に延在しており、かつ（１１１）面によって形成された傾斜面を側面に有する
請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記樹脂ブロック層の厚さは、前記第２導電型コンタクト層の厚さよりも厚くなっている
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第２導電型コンタクト層は、前記第２導電型クラッド層側の表面に、前記第２導電型クラッド層に接していない露出面を有しており、
前記第２電極は、前記露出面に接している
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項６】
支持基板上に樹脂層を介して固定された複数の発光素子を有する表示パネルと、
各発光素子を駆動する駆動部と
を備え、
前記発光素子は、
前記支持基板から遠い順に、第１導電型コンタクト層、第１導電型クラッド層、活性層、第２導電型クラッド層、第２導電型コンタクト層、および前記樹脂層に接する樹脂ブロック層をこの順に含む半導体層と、
前記第１導電型コンタクト層に接する第１電極と、
前記第２導電型コンタクト層に接する第２電極と
を備え、
前記第２導電型コンタクト層は、少なくとも前記第１電極との対向領域に第１開口を有し、
前記樹脂ブロック層は、前記第１開口と連通する複数の第２開口を有し、
前記第１開口は、空隙を有する
表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光射出面に電極を有しない発光素子およびそれを画素ごとに備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）は、液晶表示装置のバックライトや、ＬＥＤ表示装置の表示パネル、照明器具など、様々な機器に用いられるようになってきている。それに伴い、ＬＥＤの低コスト化が強く求められるようになってきている。ＬＥＤのコストを下げるためには、例えば、生産性の向上や、安価な材料の選択などが必要となる。
【０００３】
例えば、生産性を向上させるために、チップサイズを小さくして、１枚のウェハから数多くのＬＥＤを取ることが一般的に行われている。近年では、チップサイズが例えば２０μｍと極めて小さくなってきており、ＬＥＤチップ単体でのハンドリングが難しくなってきている。そのため、マウンタを用いて個々のＬＥＤチップを回路基板に実装することが現実的ではなくなってきている。
【０００４】
そこで、従来から、マウンタによる実装の代わりに、例えば、以下に説明する拡大転写が行われている（特許文献１参照）。まず、表面に接着層の設けられた支持ウェハを用意する。次に、その支持ウェハの接着層側の面を、基板上に複数のＬＥＤがマトリクス状に形成されたウェハのうちＬＥＤ側の面に接触させたのち、レーザリフトオフによって、ウェハからＬＥＤを所定の間隔ごとに剥離し、支持ウェハに転写する。これにより、ＬＥＤの配列ピッチが疎になる。次に、疎に配置されたＬＥＤの配列ピッチと等しいピッチで接続電極が形成された回路基板（ガラス基板）を用意し、支持ウェハに付着したＬＥＤを回路基板に転写する。このようにして、回路基板上にＬＥＤが実装された実装基板を作製することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２-１８２５８０号公報
【特許文献２】特開２００３-１６８７６２号公報
【特許文献３】特開２００２-１１８１２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ＬＥＤは、低コスト化だけでなく、低消費電力化および高出力化も強く求められるようになってきている。ＬＥＤの消費電力を下げたり、ＬＥＤの出力を高くしたりするためには、内部量子効率や、光取り出し効率を上げる工夫を行うことが必要となる。例えば、結晶成長に用いた基板を除去したり、ＬＥＤの光射出面に電極を設けないようにしたりすることが一般に行われている（特許文献１，２参照）。
【０００７】
しかし、上述した転写技術を用いた場合には、ＬＥＤをガラス基板に固定するために用いた接着層がＬＥＤの光射出面全体に密着し、ＬＥＤから発せられた光をガラス基板の裏面（光射出面）から取り出す効率（光取り出し効率）が低下してしまうという問題があった。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、転写技術を用いた場合であっても、光取り出し効率の低下を抑制することの可能な発光素子およびそれを備えた表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の発光素子は、第１導電型コンタクト層、第１導電型クラッド層、活性層、第２導電型クラッド層、第２導電型コンタクト層および樹脂ブロック層をこの順に含む半導体層を備えている。この発光素子は、さらに、第１導電型コンタクト層に接する第１電極と、第２導電型コンタクト層に接する第２電極とを備えている。ここで、第２導電型コンタクト層は、少なくとも第１電極との対向領域に第１開口を有している。また、樹脂ブロック層は、第１開口と連通する複数の第２開口を有しており、第１開口は、空隙を有している。
【００１０】
本発明の発光素子では、第２電極に接する第２導電型コンタクト層において、少なくとも第１電極との対向領域に第１開口が設けられており、さらに、第２導電型コンタクト層よりも外側には、第１開口と連通する複数の第２開口を有する樹脂ブロック層が設けられている。これにより、本発明の発光素子を、例えば、樹脂層を介して支持基板に固定したときに、樹脂ブロック層が、樹脂層が第１開口内に入り込み、第１開口内の空隙を全て埋め尽くすのを妨げることができる。
【００１１】
本発明の表示装置は、支持基板上に樹脂層を介して固定された複数の発光素子を有する表示パネルと、各発光素子を駆動する駆動部とを備えている。この表示装置に搭載された発光素子は、支持基板から遠い順に、第１導電型コンタクト層、第１導電型クラッド層、活性層、第２導電型クラッド層、第２導電型コンタクト層、および樹脂層に接する樹脂ブロック層を含む半導体層を有している。この発光素子は、さらに、第１導電型コンタクト層に接する第１電極と、第２導電型コンタクト層に接する第２電極とを備えている。ここで、第２導電型コンタクト層は、少なくとも第１電極との対向領域に第１開口を有している。また、樹脂ブロック層は、第１開口と連通する複数の第２開口を有しており、第１開口は、空隙を有している。
【００１２】
本発明の表示装置では、第２電極に接する第２導電型コンタクト層において、少なくとも第１電極との対向領域に第１開口が設けられており、さらに、第２導電型コンタクト層よりも外側には、第１開口と連通する複数の第２開口を有する樹脂ブロック層が設けられている。これにより、例えば、発光素子を、樹脂層を介して支持基板に固定することにより本発明の表示装置を製造したときに、樹脂ブロック層が、樹脂層が第１開口内に入り込み、第１開口内の空隙を全て埋め尽くすのを妨げ、その結果として、本発明の表示装置において第１開口に空隙が残っている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の発光素子によれば、発光素子を、樹脂層を介して支持基板に固定したときに、第２電極に接する第２導電型コンタクト層の第１開口内に空隙が形成されるようにした。これにより、発光素子の光射出面全体が樹脂層に密着することがないので、光取り出し効率の低下を抑制することができる。
【００１４】
本発明の表示装置によれば、発光素子の光射出面全体が樹脂層に密着しないようにした。これにより、光取り出し効率の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の斜視図である。
【図２】図１の画像表示領域の上面図である。
【図３】図１の発光素子の上面図および下面図である。
【図４】図３の発光素子のＡ−Ａ矢視方向の断面図である。
【図５】図３のメサ部の結晶面を表す上面図である。
【図６】図１の表示装置内における発光素子の断面図である。
【図７】図４の発光素子の製造方法の一例について説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程の一例について説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程の一例について説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程の一例について説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．表示装置および発光素子の構成
２．発光素子の製造方法
３．表示装置の効果
【００１７】
＜表示装置および発光素子の構成＞
図１は、本発明の一実施の形態に係る表示装置１の概略構成の一例を斜視的に表したものである。本実施の形態の表示装置１は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてＬＥＤが用いられたものである。この表示装置１は、例えば、図１に示したように、表示パネル１０（支持基板）および駆動ＩＣ２０（駆動部）を備えている。
【００１８】
［表示パネル１０］
表示パネル１０は、一の面内に、画像表示領域１０Ａと、画像表示領域１０Ａを取り囲む環状のフレーム領域１０Ｂとを有している。画像表示領域１０Ａには、例えば、図２に示したように、複数のデータ配線１１が垂直方向（図中の上下方向）に延在して形成されており、所定のピッチで並列配置されている。画像表示領域１０Ａには、さらに、例えば、複数のスキャン配線１２がデータ配線１１と交差する方向、具体的には、水平方向（図中の左右方向）に延在して形成されており、所定のピッチで並列配置されている。
【００１９】
データ配線１１とスキャン配線１２は、画像表示領域１０Ａにおいて、表示パネル１０の法線方向から見て互いに交差（図２では直交）している。スキャン配線１２は、例えば、最表層に形成されており、データ配線１１は、スキャン配線１２を含む最表層とは異なる層（最表層よりも下の層）内に形成されている。データ配線１１とスキャン配線１２との交差部分が表示画素１３となっており、複数の表示画素１３が画像表示領域１０Ａ内において格子状に配置されている。
【００２０】
［発光素子１４］
表示画素１３には、例えば、１または複数の発光素子１４が実装されている。なお、図２には、３つの発光素子１４で一つの表示画素１３が構成されており、一つの表示画素１３からＲＧＢ３原色の光を出力することができるようになっている場合が例示されている。発光素子１４は、例えばＬＥＤである。
【００２１】
この発光素子１４は、例えば、図３（Ａ）に示したように、当該発光素子１４に電流を注入するための一対の電極２１，２２が当該発光素子１４の上面１４Ａに設けられている。上面１４Ａに設けられた２つの電極２１，２２のうち一方の電極２１が、例えばボンディングワイヤを介して、データ配線１１に電気的に接続されている。また、上面１４Ａに設けられた２つの電極２１，２２のうち他方の電極２２が、例えばボンディングワイヤを介して、スキャン配線１２に電気的に接続されている。
【００２２】
発光素子１４は、さらに、例えば、図４に示したように、電極２１側から順に、ｐ型コンタクト層２３、ｐ型クラッド層２４、活性層２５、ｎ型クラッド層２６、ｎ型コンタクト層２７および樹脂ブロック層２８をこの順に含んで構成された半導体層２９を有している。
【００２３】
ここで、ｐ型コンタクト層２３は例えばｐ型ＧａＡｓからなり、ｐ型クラッド層２４は例えばｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなる。活性層２５は、例えば、ＧａＩｎＰからなる井戸層とＡｌＧａＩｎＰからなる障壁層とを交互に積層してなる量子井戸構造を有している。なお、活性層２５は、必要に応じて、量子井戸構造を挟み込む一対のガイド層を含んでいてもよい。なお、ガイド層は、例えばＡｌＧａＩｎＰからなる。ｎ型クラッド層２６は例えばｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなり、ｎ型コンタクト層２７は例えばｎ型ＧａＡｓからなる。樹脂ブロック層２８は、ＧａＡｓとの関係で選択ウエットエッチングの可能な材料、例えばｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなる。ｐ型クラッド層２４およびｎ型クラッド層２６は、活性層２５の屈折率よりも低い屈折率を有し、かつ活性層２５のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有している。つまり、半導体層２９は、ダブルヘテロ構造となっており、電流注入によって、活性層２５から活性層２５のバンドギャップに相当する波長の光を発する発光ダイオード（ＬＥＤ）として機能する。
【００２４】
電極２１は、例えば、パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）をｐ型コンタクト層２３上にこの順に積層したものからなる。一方、電極２２は、例えば、金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）との合金，ニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）をこの順に積層したものからなる。
【００２５】
ｎ型クラッド層２６の上部（活性層２５側の一部）、活性層２５およびｐ型クラッド層２４は、積層方向に延在する柱状のメサ部３０（凸部）となっている。メサ部３０は、例えば、図５に示したように、切頭八角錐の形状となっている。すなわち、メサ部３０は、頂面と底面とを有し、頂面と底面とが平行で、かつ頂面が底面よりも小さい、八角柱である。メサ部３０の頂面は、（００１）面である。メサ部３０の底面は、（００−１）面である。メサ部３０の８つの側面のうち、メサ部３０の長手方向に延在する一対の側面は、（１１１）面および（−１−１１）面である。メサ部３０の８つの側面のうち、メサ部３０の短手方向に延在する一対の側面は、（１−１１）面および（−１１１）面である。メサ部３０の８つの側面のうち、残りの４つの側面は、（１−２２）面、（２−１２）面、（−１２２）面、（１−２２）面である。
【００２６】
メサ部３０の裾野には、ｎ型クラッド層２６が露出している。下部クラッド層１１のうちメサ部１４の裾野に露出している部分に、開口２６Ａが形成されている。開口２６Ａの底面には、ｎ型コンタクト層２７の上面が露出している。ｎ型コンタクト層２７のうち開口２６Ａの底面に露出している面には、電極２２が接しており、ｎ型コンタクト層２７と電極２２とが互いに電気的に接続されている。一方、ｐ型コンタクト層２３の上面には、電極２１が接しており、ｐ型コンタクト層２３と電極２１とが互いに電気的に接続されている。
【００２７】
ｎ型コンタクト層２７には、例えば、図４に示したように、開口２７Ａ（第１開口）が設けられている。この開口２７Ａは、少なくとも電極２１との対向領域に設けられている。開口２７Ａは、空隙となっており、ｎ型クラッド層２６の下面２６Ｂ（ｎ型コンタクト層２７側の面）が光射出面を構成している。
【００２８】
樹脂ブロック層２８にも、例えば、図３（Ｂ）および図４に示したように、複数の開口２８Ａ（第２開口）が設けられている。各開口２８Ａは、開口２７Ａと連通しており、空隙となっている。各開口２８Ａは、例えば、（１１０）面に垂直な方向（第１方向）に延在しており、長方形状となっている。また、樹脂ブロック層２８のうち互いに隣り合う開口２８Ａ同士の間が、例えば、図３（Ｂ）および図４に示したように、（１１０）面に垂直な方向に延在する棒状の梁部２８Ｂとなっている。各梁部２８Ｂは、例えば、図４に示したように、（１１１）面、（−１−１１）面によって形成された傾斜面２８Ｃ，２８Ｄを側面に有している。
【００２９】
各開口２８Ａの深さ、すなわち、樹脂ブロック層２８の厚さは、ｎ型コンタクト層２７の厚さ（例えば、数十ｎｍ）よりも厚くなっている。また、各開口２８Ａの幅（一番狭くなっている部分の幅）は、例えば、各梁部２８Ｂの幅（一番広くなっている部分の幅）と同等の大きさか、またはそれよりも狭くなっている。
【００３０】
図６は、発光素子１４が表示パネル１０の画像表示領域１０Ａに実装されているときの、発光素子１４を含む部分の断面構成の一例を表したものである。発光素子１４は、例えば、図６に示したように、支持基板４０上に、樹脂層４１を介して固定されている。半導体層２９のうち、支持基板４０に最も近い層である樹脂ブロック層２８は樹脂層４１に接しており、樹脂層４１が樹脂ブロック層２８に設けられた各開口２８Ａ内に充填されている。しかし、樹脂層４１は、ｎ型コンタクト層２７に設けられた開口２７Ａ内には、わずかしか入り込んでおらず、開口２７Ａは、空隙を有している。つまり、ｎ型クラッド層２６のうち開口２７Ａ内に露出している面は、屈折率が１である空気に接しており、樹脂層４１には接していない。
【００３１】
発光素子１４の電極２１は、画像表示領域１０Ａ内に設けられたバンプ４２を介して、画像表示領域１０Ａの上面に露出した引出電極４３に電気的に接続されている。一方、発光素子１４の電極２２は、画像表示領域１０Ａ内に設けられたバンプ４４を介して、画像表示領域１０Ａの上面に露出した引出電極４５に電気的に接続されている。発光素子１４と、バンプ４２，４４と、引出電極４３，４５の一部は、樹脂層４６，４７によって覆われている。
【００３２】
ここで、バンプ４２，４４および引出電極４３，４５は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属からなる。樹脂層４６は、例えば、エポキシ接着剤からなり、樹脂層４７は、例えば、ＣＲＣポリイミド系材料からなる。
【００３３】
＜発光素子１４の製造方法＞
次に、本実施の形態の発光素子１４の製造方法の一例について説明する。図７から図１０は、発光素子１４の製造過程における素子の断面構成の一例を工程順に表したものである。
【００３４】
まず、半導体層２９を結晶成長させるための成長基板である基板３１を用意したのち、この基板３１上に、例えば、樹脂ブロック層２８、ｎ型コンタクト層２７、ｎ型クラッド層２６、活性層２５、ｐ型クラッド層２４およびｐ型コンタクト層２３をこの順に形成する（図７（Ａ））。次に、ｐ型コンタクト層２３上に、所定の形状のマスク（図示せず）を形成したのち、例えば、リン酸混合液（リン酸６：過酸化水素水２：水１００）を用いて、ｐ型コンタクト層２３を選択的に除去する。その後、先のマスクを除去する。
【００３５】
次に、ｐ型コンタクト層２３を含むｐ型クラッド層２４の表面上に、長手方向が[１１０]方向に対して垂直になるように長方形の短冊形マスク（図示せず）を形成したのち、例えば、塩酸を−１５℃まで冷やしたエッチング溶液を用いて、ｐ型クラッド層２４、活性層２５、ｎ型クラッド層２６、ｎ型コンタクト層２７の一部を選択的に除去する。これにより、メサ部３０が形成される（図７（Ｂ））。なお、このエッチングを複数回に分けて、行うことも可能である。
【００３６】
このとき、（１１１）面および（−１−１１）面をエッチングする速度が（１−１０）面および（−１１０）面をエッチングする速度に対して約百分の一程度となる。そのため、上記のエッチング処理において、[１１０]方向に対して垂直な方向に延在するマスクの長辺側では、（１１１）面および（−１−１１）面が露出し、エッチング速度が抑制される。したがって、上記のエッチング処理が終了したときには、メサ部３０の長手方向に延在する一対の側面は、（１１１）面および（−１−１１）面となる。これに対して、上記のエッチング処理において、[１１０]方向に対して平行な方向に延在するマスクの短辺側では、（１１１）面および（−１−１１）面がエッチング面として露出することが無い。そのため、（１１０）面に対するエッチングの反応が進行していき、エッチング速度が減速されずに、マスクの短辺領域までエッチングされて、（１−１０）面および（−１１０）面（垂直面）が形成される。この際、マスクの角においてサイドエッチングが生じ、（１−２２）面、（２−１２）面、（−１２２）面、（１−２２）面も形成される。このようにして、例えば、図５に記載の結晶面を有するメサ部３０が形成される。
【００３７】
次に、先のマスクを除去したのち、ｎ型クラッド層２６のうちメサ部３０の裾野の一部に開口２６Ａを形成し、開口２６Ａの底面にｎ型コンタクト層２７を露出させる（図７（Ｂ））。続いて、例えば蒸着などにより、ｐ型コンタクト層２３の上面に電極２１を形成するとともに、開口２６Ａの底面に露出したｎ型コンタクト層２７の表面に電極２２を形成する（図８（Ａ））。これにより、ウェハ１００が形成される。
【００３８】
次に、例えばレーザアブレーションによる剥離が可能なＣＲＣポリイミド系材料などを支持基板３２上に薄く塗布し、硬化させることにより、支持基板３２上に剥離層３３を有するウェハ２００を作成する。続いて、エポキシ系の接着剤３４を介して、ウェハ１００のメサ部３０を含む表面に、ウェハ２００を、剥離層３３側をメサ部３０に向けて貼り合わせる（図８（Ｂ））。このとき、接着剤３４に気泡が入らないように、低真空中で、ウェハ１００とウェハ２００とを互いに接着させ、さらに、加重を掛けた状態で、接着剤３４を熱硬化させる。
【００３９】
次に、互いに貼り合わせたウェハ１００およびウェハ２００において、基板３１を除去する。具体的には、所定の厚さになるまで基板３１をラッピングしたのち、例えば、アンモニア過酸化水素水を含む溶液で、基板３１の残りを完全に除去し、樹脂ブロック層２８を露出させる。続いて、露出した樹脂ブロック層２８の表面に、ストライプ状の複数の開口３５Ａを有するレジストマスク３５を作成する（図９（Ａ））。各開口３５Ａは、のちに梁部２８Ｂを形成することとなる部分に対応して配置されており、[１１０]方向に対して垂直な方向に延在している。
【００４０】
次に、例えば、塩酸を−１５℃まで冷やしたエッチング溶液を用いて、樹脂ブロック層２８を選択的に除去する。これにより、樹脂ブロック層２８に開口２８Ａおよび梁部２８Ｂが形成されるとともに、開口２８Ａの底面にｎ型コンタクト層２７が露出する。
【００４１】
このとき、メサ部３０を形成するときと同様、（１１１）面および（−１−１１）面をエッチングする速度が（１−１０）面および（−１１０）面をエッチングする速度に対して約百分の一程度となる。そのため、上記のエッチング処理において、[１１０]方向に対して垂直な方向に延在する開口３５Ａの長辺側では、（１１１）面および（−１−１１）面が露出し、エッチング速度が抑制される。したがって、上記のエッチング処理が終了したときには、梁部２８Ｂの長手方向に延在する一対の側面２８Ｃ,２８Ｄは、（１１１）面および（−１−１１）面となる。これに対して、上記のエッチング処理において、開口３５Ａの短辺側では、（１１１）面および（−１−１１）面がエッチング面として露出することが無い。そのため、（１１０）面に対するエッチングの反応が進行していき、エッチング速度が減速されずに、開口３５Ａの短辺領域までエッチングされて、（１−１０）面および（−１１０）面（垂直面）が形成される。このようにして、（１１１）面および（−１−１１）面を側面２８Ｃ,２８Ｄに有する梁部２８Ｂが形成される。
【００４２】
次に、開口２８Ａの底面に露出したｎ型コンタクト層２７の表面を、リン酸溶液に所定の時間、浸漬させて、ｎ型コンタクト層２７のうち開口２８Ａの底面に対応する部分だけでなく、ｎ型コンタクト層２７のうち梁部２８Ｂに対応する部分についても、選択的に除去する。これにより、ｎ型コンタクト層２７のうち少なくとも電極２１との対向領域に、各開口２８と連通する開口２７Ａが形成される（図１０（Ａ））。このとき、開口２７Ａおよび各開口２８Ａは、ともに、空隙となっており、梁部２８Ｂが中空に位置している。このようにして、ウェハ２００上に複数の発光素子１４が形成される。
【００４３】
次に、レジストマスク３５を除去したのち、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により、樹脂ブロック層２８、ｎ型コンタクト層２７および接着層３４を選択的に除去し、剥離層３３を露出させる（図１０（Ｂ））。これにより、ウェハ２００上に形成されている各発光素子１４が互いに分離され、チップ状となる。このようにして、本実施の形態の発光素子１４が形成される。
【００４４】
なお、その後、ウェハ２００上の各発光素子１４を、支持基板４０上に塗布された樹脂層４１に接着させたのち、剥離層３４に対してレーザを照射し、剥離層３４をアブレーションすることにより、各発光素子１４を支持基板４０上に転写することができる。このようにすることで、各発光素子１４を表示画素１３上に実装することができる。
【００４５】
＜表示装置１の効果＞
本実施の形態では、電極２２に接するｎ型コンタクト層２７において、少なくとも電極２１との対向領域に開口２７Ａが設けられており、さらに、ｎ型コンタクト層２７よりも外側（光射出側）には、開口２７Ａと連通する複数の開口２８Ａを有する樹脂ブロック層２８が設けられている。ここで、各開口２８Ａの深さ、すなわち、樹脂ブロック層２８の厚さが、ｎ型コンタクト層２７の厚さ（例えば、数十ｎｍ）よりも厚くなっている。これにより、例えば、製造過程において、発光素子１４を、樹脂層４１を介して支持基板４０に固定することにより表示装置１を製造したときに、樹脂ブロック層２８が、樹脂層４１が開口２７Ａ内に入り込み、開口２７Ａ内の空隙を全て埋め尽くすのを効果的に妨げることができる。その結果として、表示装置１において開口２７Ａ内に空隙が残っている。従って、本実施の形態では、発光素子１４の光射出面（ｎ型コンタクト層２７の下面２６Ｂ）全体が樹脂層４１に密着することがないので、光取り出し効率の低下を抑制することができる。
【００４６】
また、本実施の形態では、ｎ型コンタクト層２７の厚さが、例えば、数十ｎｍ程度と、極めて薄く、ｎ型コンタクト層２７に形成された開口２７Ａに存在する空気の体積が極めて小さい。これにより、例えば、表示装置１の製造過程において、各発光素子１４を支持基板４０上に転写したのち、何らかの熱が開口２７Ａ内の空気に加わった場合に、空気の膨張により発光素子１４が基板４０から剥離する虞をなくすることができる。
【００４７】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。
【００４８】
例えば、上記実施の形態では、垂直方向に延在する配線（データ配線１１）と、その配線を駆動する駆動ＩＣ（駆動ＩＣ２０Ａ）とに対して本発明を適用した場合について説明したが、水平方向に延在する配線（スキャン配線１２）と、その配線を駆動する駆動ＩＣ（駆動ＩＣ２０Ｂ）とに対して本発明を適用することももちろん可能である。
【００４９】
また、上記実施の形態では、本発明をＬＥＤディスプレイに適用した場合について具体的に説明していたが、他のディスプレイにも適用することはもちろん可能である。また、上記実施の形態では、本発明を単純マトリクス駆動タイプのディスプレイに適用した場合について具体的に説明していたが、アクティブマトリクス駆動タイプのディスプレイにももちろん適用することが可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１…表示装置、１０…表示パネル、１０Ａ…画像表示領域、１０Ｂ…フレーム領域、１１…データ配線、１２…スキャン配線、１３…表示画素、１４…発光素子、１４Ａ…上面、１４Ｂ，２６Ｂ…下面、２１，２２…電極、２３…ｐ型コンタクト層、２４…ｐ型クラッド層、２５…活性層、２６…ｎ型クラッド層、２６Ａ，２７Ａ，２８Ａ…開口、２７…ｎ型コンタクト層、２８…樹脂ブロック層、２８Ｂ…梁部、２８Ｃ，２８Ｄ…傾斜面、２９…半導体層、３０…メサ部、３１…基板、３２，４０…支持基板、３３…剥離層、３４…接着層、４１，４６，４７…樹脂層、４２，４４…バンプ、４３，４５…引出電極、１００，２００…ウェハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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