(57)【要約】【課題】酸化物半導体層と多結晶シリコン半導体層を共に用い得る有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板本体と、基板本体上に形成された第１ゲート電極及び第２半導体層と、第１ゲート電極及び第２半導体層の上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介在して第１ゲート電極及び第２半導体層上にそれぞれ形成された第１半導体層及び第２ゲート電極と、第１半導体層と少なくとも一部が相接して重畳した複数のエッチングストッパ層と、複数のエッチングストッパ層をそれぞれ露出する複数のコンタクトホールを有し、第１半導体層及び第２ゲート電極上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成され、複数のエッチングストッパ層を通じて第１半導体層とそれぞれ直接的／間接的に接続された第１ソース電極及び第１ドレイン電極と、層間絶縁膜上に形成され、第２半導体層と接続された第２ソース電極及び第２ドレイン電極とを含む。【選択図】図３
2011048339.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体と、
前記基板本体上に形成された第１ゲート電極及び第２半導体層と、
前記第１ゲート電極及び前記第２半導体層の上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介在して前記第１ゲート電極及び前記第２半導体層上にそれぞれ形成された第１半導体層及び第２ゲート電極と、
前記第１半導体層と少なくとも一部が相接して重畳した複数のエッチングストッパ層と、
前記複数のエッチングストッパ層をそれぞれ露出する複数のコンタクトホールを有し、前記第１半導体層及び前記第２ゲート電極上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記複数のエッチングストッパ層を通じて前記第１半導体層とそれぞれ直接的及び／又は間接的に接続された第１ソース電極及び第１ドレイン電極と、
前記層間絶縁膜上に形成されて前記第２半導体層と接続された第２ソース電極及び第２ドレイン電極と、
を含む有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１半導体層は酸化物半導体層である、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１半導体層は、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び錫（Ｓｎ）のいずれか一つ以上の元素と酸素（Ｏ）とを含む、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記エッチングストッパ層は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、及びタンタル（Ｔａ）のいずれか一つの金属や、一つ以上の金属を含む合金で形成される、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記エッチングストッパ層は、前記第１半導体層の外郭に位置する、請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第２半導体層は、前記第２ゲート電極と重畳したチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に形成されたソース領域及びドレイン領域とに区分される、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第２半導体層の前記チャネル領域は、不純物がドーピングされない多結晶シリコン層であり、
前記第２半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、不純物がドーピングされた多結晶シリコン層である、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１ゲート電極は、第２半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域と同一に形成される、請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記不純物はＰ型不純物である、請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記層間絶縁膜と前記ゲート絶縁膜とは、共に前記第２半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一部をそれぞれ露出する追加のコンタクトホールをさらに含む、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記エッチングストッパ層は、前記第１半導体層の一部領域のすぐ上に形成される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記第２ゲート電極は、前記第１半導体層と同一物質で形成された第１電極層と、前記エッチングストッパ層と同一物質で形成された第２電極層とを含む、請求項１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記エッチングストッパ層の一部が前記第１半導体層のすぐ下に位置する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記第２ゲート電極は、前記エッチングストッパ層と同一物質で形成される、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
基板本体上に多結晶シリコン層で作られた第１ゲート電極中間体及び第２半導体層中間体を形成する段階と、
前記第１ゲート電極中間体及び前記第２半導体層中間体上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体層と金属層とを順次に形成する段階と、
前記酸化物半導体層と前記金属層とをパターニングして、第２ゲート電極、第１半導体層、及び前記第１半導体層の一部領域のすぐ上に形成された複数のエッチングストッパ層を形成する段階と、
前記第１ゲート電極中間体及び前記第２半導体層中間体に、不純物をドーピングして、第１ゲート電極及び第２半導体層を形成する段階と、
前記第２ゲート電極、前記第１半導体層、及び前記エッチングストッパ層上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜をエッチングして前記複数のエッチングストッパ層をそれぞれ露出する第１ソースコンタクトホール及び第１ドレインコンタクトホールと、前記層間絶縁膜と前記ゲート絶縁膜を共にエッチングして前記第２半導体層の一部を露出する第２ソースコンタクトホール及び第２ドレインコンタクトホールとを形成する段階と、
を含む有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２ゲート電極は、前記酸化物半導体層と前記金属層とが積層された二重層の構造を有し、
前記第１半導体層は前記酸化物半導体層で作られ、前記エッチングストッパ層は前記金属層で作られる、請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
基板本体上に多結晶シリコン層で作られた第１ゲート電極中間体及び第２半導体層中間体を形成する段階と、
前記第１ゲート電極中間体及び前記第２半導体層中間体の上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に金属層を形成した後、パターニングして、第２ゲート電極と複数のエッチングストッパ層を形成する段階と、
前記第１ゲート電極中間体及び前記第２半導体層中間体に不純物をドーピングして、第１ゲート電極及び第２半導体層を形成する段階と、
前記複数のエッチングストッパ上に酸化物半導体層を形成した後、パターニングして、前記複数のエッチングストッパと一部が重畳した前記第１半導体層を形成する段階と、
前記第２ゲート電極、前記エッチングストッパ層、及び前記第１半導体層上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜をエッチングして前記複数のエッチングストッパ層をそれぞれ露出する第１ソースコンタクトホール及び第１ドレインコンタクトホールと、前記層間絶縁膜と前記ゲート絶縁膜を共にエッチングして前記第２半導体層の一部を露出する第２ソースコンタクトホール及び第２ドレインコンタクトホールとを形成する段階と、
を含む有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記層間絶縁膜上に、第１ソース電極、第１ドレイン電極、第２ソース電極、及び第２ドレイン電極を形成する段階をさらに含み、
前記第１ソース電極及び前記第１ドレイン電極はそれぞれ、前記第１ソースコンタクトホール、前記第１ドレインコンタクトホール、及び前記エッチングストッパ層を通じて前記第１半導体層と直接的及び／又は間接的に接続され、
前記第２ソース電極及び前記第２ドレイン電極はそれぞれ、前記第２ソースコンタクトホール及び前記第２ドレインコンタクトホールを通じて前記第２半導体層と接続される、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１半導体層は、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び錫（Ｓｎ）のいずれか一つ以上の元素と酸素（Ｏ）とを含む、請求項１８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記エッチングストッパ層は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、及びタンタル（Ｔａ）のいずれか一つの金属や、一つ以上の金属を含む合金で形成される、請求項１８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記エッチングストッパ層は、前記第１半導体層の外郭に位置する、請求項２０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第２半導体層は、前記第２ゲート電極と重畳したチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に形成されたソース領域及びドレイン領域とに区分される、請求項１８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記第２半導体層の前記チャネル領域は、不純物がドーピングされない多結晶シリコン層であり、
前記第２半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、不純物がドーピングされた多結晶シリコン層である、請求項２２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第１ゲート電極は、第２半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域と同一に形成される、請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記不純物はＰ型不純物である、請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関し、より詳しくは、酸化物半導体層と多結晶シリコン半導体層とを共に用いた有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）は、光を放出する有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）を有して画像を表わす自発光型表示装置である。有機発光表示装置は、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙａｙ）とは異なって別途の光源を要しないので、相対的に厚さと重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度、及び高い反応速度などの高品品特性を表すので、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。
【０００３】
最近では、酸化物薄膜トランジスタ（ｏｘｉｄｅ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備えた有機発光表示装置が特に注目されている。酸化物薄膜トランジスタとは、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタをいう。酸化物薄膜トランジスタは、非晶質シリコンを用いた薄膜トランジスタと比較して、相対的に高い電子移動度と信頼性を有するだけでなく、総合的に優れた性能を有する。また、酸化物薄膜トランジスタを備えた有機発光表示装置は、透明な表示装置の実現が有利である。
【０００４】
しかし、酸化物薄膜トランジスタは、多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタと比較して優れた均一性を有するが、電荷移動度が多少落ちる。したがって、有機発光表示装置が酸化物薄膜トランジスタだけを用いる場合、全体的な性能向上に限界があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、相対的に単純な構造を有して安定的に酸化物半導体層と多結晶シリコン半導体層とを共に用いることができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態による有機発光表示装置は、基板本体と、前記基板本体上に形成された第１ゲート電極及び第２半導体層と、前記第１ゲート電極及び前記第２半導体層の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介在して前記第１ゲート電極及び前記第２半導体層上にそれぞれ形成された第１半導体層及び第２ゲート電極と、前記第１半導体層と少なくとも一部が相接して重畳した複数のエッチングストッパ層（ｅｔｃｈｉｎｇ  ｓｔｏｐｐｅｒ  ｌａｙｅｒ）と、前記複数のエッチングストッパ層をそれぞれ露出する複数のコンタクトホールを有し、前記第１半導体層及び前記第２ゲート電極上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記複数のエッチングストッパ層を通じて前記第１半導体層とそれぞれ直接的及び／又は間接的に接続された第１ソース電極及び第１ドレイン電極と、前記層間絶縁膜上に形成されて前記第２半導体層と接続された第２ソース電極及び第２ドレイン電極とを含む。
【０００７】
前記第１半導体層は、酸化物半導体層とすることができる。
【０００８】
前記第１半導体層は、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び錫（Ｓｎ）のいずれか一つ以上の元素と酸素（Ｏ）とを含むことができる。
【０００９】
前記エッチングストッパ層は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、及びタンタル（Ｔａ）のいずれか一つの金属や、一つ以上の金属を含む合金で形成できる。
【００１０】
前記エッチングストッパ層は、前記第１半導体層の外郭に位置することができる。
【００１１】
前記第２半導体層は、前記第２ゲート電極と重畳したチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に形成されたソース領域及びドレイン領域とに区分できる。
【００１２】
前記第２半導体層の前記チャネル領域は、不純物がドーピングされない多結晶シリコン層であり、前記第２半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、不純物がドーピングされた多結晶シリコン層とすることができる。
【００１３】
前記第１ゲート電極は、第２半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域と同一に形成できる。
【００１４】
前記不純物は、Ｐ型不純物とすることができる。
【００１５】
前記層間絶縁膜と前記ゲート絶縁膜は、共に前記第２半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一部をそれぞれ露出する追加のコンタクトホールをさらに含むことができる。
【００１６】
前記有機発光表示装置において、前記エッチングストッパ層は前記第１半導体層の一部領域のすぐ上に形成できる。
【００１７】
前記第２ゲート電極は、前記第１半導体層と同一物質で形成された第１電極層と、前記エッチングストッパ層と同一物質で形成された第２電極層とを含むことができる。
【００１８】
前記有機発光表示装置において、前記エッチングストッパ層の一部は前記第１半導体層のすぐ下に位置できる。
【００１９】
前記第２ゲート電極は、前記エッチングストッパ層と同一物質で形成できる。
【００２０】
また、本発明の実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、基板本体上に多結晶シリコン層で作られた第１ゲート電極中間体及び第２半導体層中間体を形成する段階と、前記第１ゲート電極中間体及び前記第２半導体層中間体上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体層と金属層を順次に形成する段階と、前記酸化物半導体層と前記金属層をパターニングして、第２ゲート電極、第１半導体層、及び前記第１半導体層の一部領域のすぐ上に形成された複数のエッチングストッパ層を形成する段階と、前記第１ゲート電極中間体及び前記第２半導体層中間体に不純物をドーピングして第１ゲート電極及び第２半導体層を形成する段階と、前記第２ゲート電極、前記第１半導体層、及び前記エッチングストッパ層上に層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜をエッチングして前記複数のエッチングストッパ層をそれぞれ露出する第１ソースコンタクトホール及び第１ドレインコンタクトホールと、前記層間絶縁膜と前記ゲート絶縁膜とを共にエッチングして前記第２半導体層の一部を露出する第２ソースコンタクトホール及び第２ドレインコンタクトホールとを形成する段階とを含む。
【００２１】
前記第２ゲート電極は、前記酸化物半導体層と前記金属層とが積層された二重層の構造を有し、前記第１半導体層は前記酸化物半導体層で作られ、前記エッチングストッパ層は前記金属層で作られる。
【００２２】
また、本発明の実施形態による他の有機発光表示装置の製造方法は、基板本体上に多結晶シリコン層で作られた第１ゲート電極中間体及び第２半導体層中間体を形成する段階と、前記第１ゲート電極中間体及び前記第２半導体層中間体上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に金属層を形成した後、パターニングして、第２ゲート電極と複数のエッチングストッパ層を形成する段階と、前記第１ゲート電極中間体及び前記第２半導体層中間体に不純物をドーピングして第１ゲート電極及び第２半導体層を形成する段階と、前記複数のエッチングストッパ層上に酸化物半導体層を形成した後、パターニングして、前記複数のエッチングストッパ層と一部が重畳した前記第１半導体層を形成する段階と、前記第２ゲート電極、前記エッチングストッパ層、及び前記第１半導体層上に層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜をエッチングして前記複数のエッチングストッパ層をそれぞれ露出する第１ソースコンタクトホール及び第１ドレインコンタクトホールと、前記層間絶縁膜と前記ゲート絶縁膜とを共にエッチングして前記第２半導体層の一部を露出する第２ソースコンタクトホール及び第２ドレインコンタクトホールとを形成する段階とを含む。
【００２３】
前記有機発光表示装置の製造方法において、前記層間絶縁膜上に、第１ソース電極、第１ドレイン電極、第２ソース電極、及び第２ドレイン電極を形成する段階をさらに含み、前記第１ソース電極及び前記第１ドレイン電極はそれぞれ、前記第１ソースコンタクトホール、前記第１ドレインコンタクトホール、及び前記エッチングストッパ層を通じて前記第１半導体層と直接的及び／又は間接的に接続され、前記第２ソース電極及び前記第２ドレイン電極はそれぞれ、前記第２ソースコンタクトホール及び前記第２ドレインコンタクトホールを通じて前記第２半導体層と接続されることができる。
【００２４】
前記第１半導体層は、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び錫（Ｓｎ）のいずれか一つ以上の元素と酸素（Ｏ）とを含むことができる。
【００２５】
前記エッチングストッパ層は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、及びタンタル（Ｔａ）のいずれか一つの金属や一つ以上の金属を含む合金で形成されることができる。
【００２６】
前記エッチングストッパ層は、前記第１半導体層の外郭に位置することができる。
【００２７】
前記第２半導体層は、前記第２ゲート電極と重畳したチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に形成されたソース領域及びドレイン領域とに区分されることができる。
【００２８】
前記第２半導体層の前記チャネル領域は、不純物がドーピングされない多結晶シリコン層であり、前記第２半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、不純物がドーピングされた多結晶シリコン層であり得る。
【００２９】
前記第１ゲート電極は、第２半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域と同一に形成できる。
【００３０】
前記不純物はＰ型不純物であり得る。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の実施形態によれば、有機発光表示装置は、相対的に単純な構造を有して安定的に酸化物半導体層と多結晶シリコン半導体層とを共に用いることができる。
【００３２】
また、前記有機発光表示装置を効果的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の構造を概略的に示す平面図である。
【図２】図１の有機発光表示装置が有する画素回路を示す回路図である。
【図３】図１の有機発光表示装置に使用された薄膜トランジスタを拡大図示した部分断面図である。
【図４】図３の薄膜トランジスタの製造過程を順次に示す断面図である。
【図５】図３の薄膜トランジスタの製造過程を順次に示す断面図である。
【図６】図３の薄膜トランジスタの製造過程を順次に示す断面図である。
【図７】図３の薄膜トランジスタの製造過程を順次に示す断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態による有機発光表示装置に使用された薄膜トランジスタを拡大図示した部分断面図である。
【図９】図８の薄膜トランジスタの製造過程を順次に示す断面図である。
【図１０】図８の薄膜トランジスタの製造過程を順次に示す断面図である。
【図１１】図８の薄膜トランジスタの製造過程を順次に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、添付した図面を参照しながら、本発明の種々の実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は、種々の相異する形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限られない。
【００３５】
また、種々の実施形態において、同一の構成を有する構成要素に対しては同一の符号を付けて代表的に第１実施形態で説明し、その他の第２実施形態では第１実施形態とは異なる構成についてのみ説明する。
【００３６】
本発明を明確に説明するために、説明上不必要な部分は省略し、明細書の全体にわたって同一または類似する構成要素に対しては同一の参照符号を付ける。
【００３７】
また、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で表したので、本発明が必ずしも図示したものに限定されることではない。
【００３８】
図面において、種々の層及び領域を明確に表すために厚さを拡大して示した。図面において、説明の便宜のために一部の層及び領域の厚さを誇張して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分“の上”または“上”にあるとする時、これは他の部分の“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。
【００３９】
以下、図１乃至図３を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
【００４０】
図１に示したように、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０１は、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＡとに区分された基板本体１１１を含む。基板本体１１１の表示領域ＤＡには多数の画素ＰＥ（図２に図示）が形成されて画像を表わし、非表示領域ＮＡには種々の駆動回路が形成される。
【００４１】
図２に示したように、本発明の第１実施形態では、一つの画素ＰＥが、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）７０、二つの薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）１０、２０、及び一つの蓄電素子（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）８０を備えた２Ｔｒ−１Ｃａｐ構造を有する。しかし、本発明の第１実施形態がこれに限定されることではない。したがって、有機発光表示装置１０１は、一つの画素ＰＥに、三つ以上の薄膜トランジスタと、二つ以上の蓄電素子とを具備してもよく、別途の配線がさらに形成されて多様な構造を有するように形成することも可能である。このように、追加的に形成される薄膜トランジスタ及び蓄電素子は補償回路の構成になることができる。
【００４２】
補償回路は、各画素ＰＥに形成された有機発光素子７０の均一性を向上させ、画質に偏差が生じることを抑制する。一般に、補償回路は４個〜８個の薄膜トランジスタを含む。
【００４３】
また、基板本体１１１の非表示領域ＮＡ上に形成された駆動回路も、追加の薄膜トランジスタを含むことができる。
【００４４】
有機発光素子７０は、正孔注入電極のアノード（ａｎｏｄｅ）電極と、電子注入電極のカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）電極、及びアノード電極とカソード電極との間に配置された有機発光層を含む。
【００４５】
本発明の第１実施形態による二つの薄膜トランジスタは、第１薄膜トランジスタ１０と第２薄膜トランジスタ２０とを含む。
【００４６】
第１薄膜トランジスタ１０及び第２薄膜トランジスタ２０のそれぞれは、ゲート電極、半導体層、ソース電極、及びドレイン電極を含む。第１薄膜トランジスタ１０の半導体層は酸化物半導体層であり、第２薄膜トランジスタ２０の半導体層は多結晶シリコン半導体層である。つまり、第１薄膜トランジスタ１０は酸化物薄膜トランジスタであり、第２薄膜トランジスタ２０は多結晶シリコン薄膜トランジスタである。
【００４７】
第１薄膜トランジスタ１０は有機発光素子７０と接続され、第２薄膜トランジスタはスキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬに接続される。
【００４８】
第２薄膜トランジスタ２０は、発光させようとする画素ＰＥを選択するスイッチング素子に使用される。第２薄膜トランジスタ２０のゲート電極はスキャンラインＳＬと接続され、第２薄膜トランジスタ２０のソース電極はデータラインＤＬと接続される。第２薄膜トランジスタ２０は、スキャンラインＳＬに入力されるスイッチング電圧によってデータラインＤＬから入力されるデータ電圧を、第１薄膜トランジスタ１０に伝達する。
【００４９】
蓄電素子８０は、第２薄膜トランジスタ２０と共通電源ラインＶＤＤに接続され、第２薄膜トランジスタ２０から伝送された電圧と共通電源ラインＶＤＤに供給される電圧との差に相当する電圧を貯蔵する。
【００５０】
第１薄膜トランジスタ１０は、選択された画素ＰＥ内の有機発光素子７０を発光させるための駆動電源を供給する。第１薄膜トランジスタ１０のゲート電極は、第２薄膜トランジスタ２０のドレイン電極と接続された蓄電素子８０のいずれか一つの蓄電板と接続される。そして、第１薄膜トランジスタ１０のソース電極及び蓄電素子８０の他の一つの蓄電板はそれぞれ共通電源ラインＶＤＤと接続される。また、第１薄膜トランジスタ１０のドレイン電極は有機発光素子７０のアノード電極と接続される。このように、第１薄膜トランジスタ１０は、共通電源ラインＶＤＤと蓄電素子８０に接続され、蓄電素子８０に貯蔵された電圧としきい電圧との差の自乗に比例する出力電流ＩＯＥＬＤを有機発光素子７０に供給する。有機発光素子７０は、第１薄膜トランジスタ１０から供給された出力電流ＩＯＬＥＤによって発光する。
【００５１】
このような画素ＰＥの構成は、上述したことに限定されず、多様に変形可能である。
【００５２】
図３に示したように、第１薄膜トランジスタ１０は、第１ゲート電極１２１、第１半導体層１４１、第１ソース電極１６３、及び第１ドレイン電極１６４を含む。第２薄膜トランジスタ２０は、第２ゲート電極１４５、第２半導体層１２５、第２ソース電極１６５、及び第２ドレイン電極１６６を含む。ここで、第１半導体層１４１は酸化物半導体層であり、第２半導体層１２５は多結晶シリコン半導体層である。また、第１薄膜トランジスタ１０は第１半導体層１４１と少なくとも一部が相接して重畳した複数のエッチングストッパ層（ｅｔｃｈｉｎｇ  ｓｔｏｐｐｅｒ  ｌａｙｅｒ）１４３、１４４を含む。
【００５３】
以下、図３を参照して、本発明の第１実施形態による第１薄膜トランジスタ１０及び第２薄膜トランジスタ２０の構造について積層順序を中心に詳細に説明する。
【００５４】
基板本体１１１は、ガラス、石英、セラミック、及びプラスチックなどからなる絶縁性基板で形成できる。しかし、本発明の第１実施形態がこれらに限定されることではなく、基板本体１１１をステンレス鋼などからなる金属性基板で形成することも可能である。
【００５５】
基板本体１１１上にはバッファ層１１５が形成される。バッファ層１１５は、多様な無機膜及び有機膜のいずれか一つ以上の膜で形成することができる。バッファ層１１５は、不純元素または水分のような不必要な成分の浸透を防止すると同時に、表面を平坦化する役割を果たす。しかし、バッファ層１１５は必ずしも必要な構成ではなく、基板本体１１１の種類及び工程条件によって省略可能である。
【００５６】
バッファ層１１５の上には、第１ゲート電極１２１と第２半導体層１２５が形成される。
【００５７】
第２半導体層１２５は、チャネル領域１２６と、チャネル領域１２６の両側にそれぞれ形成されたソース領域１２８及びドレイン領域１２７とに区分される。第２半導体層１２５のチャネル領域１２６は、不純物がドーピングされない多結晶シリコン層、つまり、真性半導体である。第２半導体層１２５のソース領域１２８及びドレイン領域１２７は、不純物がドーピングされた多結晶シリコン層である。この時、第２半導体層１２５のソース領域１２８及びドレイン領域１２７にドーピングされる不純物はＰ型不純物である。一例として、ホウ素（Ｂ）イオンのような物質がＰ型不純物として使用される。しかし、本発明の第１実施形態が上述したことに限定されることではない。したがって、ドーピングされる不純物をＮ型不純物とすることも可能である。この場合、リン（Ｐ）イオンのような物質がＮ型不純物として使用できる。
【００５８】
第１ゲート電極１２１は、第２半導体層１２５のソース領域１２８及びドレイン領域１２７と同一に形成される。つまり、第１ゲート電極１２１は、不純物がドーピングされた多結晶シリコン層で形成される。第１ゲート電極１２１は、第２半導体層１２５のソース領域１２８及びドレイン領域１２７が形成される時、同一層に共に形成される。
【００５９】
第１ゲート電極１２１及び第２半導体層１２５上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで形成されたゲート絶縁膜１３０が形成される。しかし、本発明の第１実施形態において、ゲート絶縁膜１３０の材料が上述したものに限定されることではない。
【００６０】
ゲート絶縁膜１３０上には、第２ゲート電極１４５と第１半導体層１４１が形成される。また、第１半導体層１４１の一部領域のすぐ上に複数のエッチングストッパ層１４３、１４４が形成される。
【００６１】
第１半導体層１４１は少なくとも一部領域が第１ゲート電極１２１と重畳する。第１半導体層１４１は酸化物半導体層で形成される。第１半導体層１４１は、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び錫（Ｓｎ）のいずれか一つ以上の元素と酸素（Ｏ）とを含む酸化物で形成される。例えば、第１半導体層１４１は、ＩｎＺｎＯ、ＩｎＧａＯ、ＩｎＳｎＯ、ＺｎＳｎＯ、ＧａＳｎＯ、ＧａＺｎＯ、及びＧａＩｎＺｎＯなどの混合酸化物で作られる。
【００６２】
酸化物半導体を使用する第１薄膜トランジスタ１０は、水素化非晶質シリコンを使用する薄膜トランジスタに比べて、電荷の有効移動度（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ  ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が２〜１００倍程度大きく、オン／オフ電流比が１０５〜１０８の値を有する。つまり、酸化物半導体を使用した第１薄膜トランジスタ１０は相対的に優れた半導体の特性を有する。また、酸化物半導体の場合、バンドギャップ（ｂａｎｄ  ｇａｐ）が約３．０ｅＶ〜３．５ｅＶであるので、可視光に対して光電流の漏れが発生しない。したがって、第１薄膜トランジスタ１０の瞬間残像を防止することができる。また、第１薄膜トランジスタ１０の特性を向上させるために、第１半導体層１４１に周期律表上の３族、４族、５族または遷移元素を追加的に含ませることができる。
【００６３】
エッチングストッパ層１４３、１４４は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、及びタンタル（Ｔａ）のいずれか一つの金属や一つ以上の金属を含む合金などで形成される。
【００６４】
第２ゲート電極１４５は、第２半導体層１２５のチャネル領域１２６と重畳するように形成される。第２ゲート電極１４５は、第２半導体層１２５を形成する過程で、第２半導体層１２５のソース領域１２８とドレイン領域１２７に不純物をドーピングする時、チャネル領域１２６には不純物がドーピングされることを遮断する役割を果たす。第２ゲート電極１４５は、第１半導体層１４１と同一物質、つまり、酸化物半導体層に形成された第１電極層１４５１と、第１電極層１４５１の上にエッチングストッパ層１４４と同一物質、つまり、金属層で形成された第２電極層１４５４とを含む。このように、第２電極層１４５１は第１半導体層１４１と共に形成され、第２電極層１４５４はエッチングストッパ層１４４と共に形成される。
【００６５】
第１半導体層１４１、エッチングストッパ層１４３、１４４、及び第２ゲート電極１４５上には層間絶縁膜１５０が形成される。層間絶縁膜１５０は、複数のエッチングストッパ層１４３、１４４をそれぞれ露出する第１ソースコンタクトホール１５３と第１ドレインコンタクトホール１５４とを有する。また、層間絶縁膜１５０とゲート絶縁膜１３０は、共に第２半導体層１２５のソース領域１２８及びドレイン領域１２７の一部をそれぞれ露出する第２ソースコンタクトホール１５５と第２ドレインコンタクトホール１５６とを有する。層間絶縁膜１５０は、ゲート絶縁膜１３０と同様に窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで形成されるが、これに限定されることではない。
【００６６】
層間絶縁膜１５０上には、第１ソース電極１６３、第１ドレイン電極１６４、第２ソース電極１６５、及び第２ドレイン電極１６６が形成される。
【００６７】
第１ソース電極１６３及び第１ドレイン電極１６４は、第１ソースコンタクトホール１５３及び第１ドレインコンタクトホール１５４を通じて複数のエッチングストッパ層１４３、１４４とそれぞれ接触し、互いに離隔する。第１ソース電極１６３及び第１ドレイン電極１６４はそれぞれ、エッチングストッパ層１４３、１４４を通じて第１半導体層１４１と間接的に接続される。
【００６８】
第２ソース電極１６５及び第２ドレイン電極１６６は、第２ソースコンタクトホール１５５及び第２ドレイン電極１５６を通じて第２半導体層１２５のソース領域１２８及びドレイン領域１２７とそれぞれ接触し、互いに離隔する。
【００６９】
コンタクトホール１５３、１５４、１５５、１５６は、同一のエッチング工程により、層間絶縁膜１５０または層間絶縁膜１５０とゲート絶縁膜１３０とを共にエッチングして形成される。具体的に、第２ソースコンタクトホール１５５及び第２ドレインコンタクトホール１５６は層間絶縁膜１５０とゲート絶縁膜１３０とを共にエッチングして形成される反面、第１ソースコンタクトホール１５３及び第１ドレインコンタクトホール１５４は層間絶縁膜１５０だけをエッチングして形成される。したがって、第２ソースコンタクトホール１５５及び第２ドレインコンタクトホール１５６を完成するために、ゲート絶縁膜１３０をエッチングする過程で、第１ソースコンタクトホール１５３及び第２ドレインコンタクトホール１５４を完成した後にも続けてエッチング液に露出する。そのため、第１ソースコンタクトホール１５３及び第２ドレインコンタクトホール１５４が過度に深くなったり、周辺の他の構成が損傷したりする恐れがある。しかし、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０１においては、別途の追加工程を経ずに第２ゲート電極１４５を形成する過程で同時に形成されたエッチングストッパ層１４３、１４４は、第１ソースコンタクトホール１５３及び第１ドレインコンタクトホール１５４が安定的に形成されるように助ける。つまり、複数のエッチングストッパ層１４３、１４４を通じて各コンタクトホール１５３、１５４、１５５、１５６を形成するためのエッチング環境を効果的に制御することができる。
【００７０】
エッチングストッパ層１４３、１４４は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで形成された層間絶縁膜１５０及びゲート絶縁膜１３０と、相対的にエッチング選択比の異なる金属層とで形成される。
【００７１】
また、複数のエッチングストッパ１４３、１４４は第１ゲート電極１２１の外郭に位置する。
【００７２】
このような構成により、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０１は、相対的に単純な構造を有して安定的に酸化物薄膜トランジスタの第１薄膜トランジスタ１０と多結晶シリコン薄膜トランジスタの第２薄膜トランジスタ２０とを共に用いて、全体的な性能を効率的に向上させることができる。
【００７３】
つまり、有機発光表示装置１０１の全体的な構造を単純化させて、第１薄膜トランジスタ１０１のエッチングストッパ層１４３、１４４と第２薄膜トランジスタ２０の第２ゲート電極１４５とを共に形成し、第１薄膜トランジスタ１０の第１ゲート電極１２１と第２薄膜トランジスタ２０の第２半導体層１２５とを共に形成することができる。また、エッチングストッパ層１４３、１４４を通じて安定的に有機発光表示装置１０１を形成することができる。
【００７４】
また、有機発光素子７０と直接接続して有機発光素子７０を駆動する第１薄膜トランジスタ１０としては、均一性が相対的に優れた酸化物薄膜トランジスタを使用し、非表示領域ＮＡの駆動回路や画素ＰＥのスイッチングまたは補償回路などに使用される第２薄膜トランジスタ２０は、電子移動度が相対的に優れた多結晶シリコン薄膜トランジスタを使用することができる。
【００７５】
したがって、有機発光表示装置１０１は、均一性及び電子移動度のような薄膜トランジスタの性能向上と共に、安定性及び生産性の両方を向上させることができる。
【００７６】
また、Ｎ型で形成された第１薄膜トランジスタ１０と、Ｐ型で形成された第２薄膜トランジスタ２０とを組み合わせて駆動回路に使用されるＣＭＯＳ薄膜トランジスタを形成することもできる。
【００７７】
以下、図４乃至図７を参照して、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０１の製造方法について、第１薄膜トランジスタ１０及び第２薄膜トランジスタ２０の形成過程を中心に説明する。
【００７８】
まず、図４に示したように、基板本体１１１上に多結晶シリコン層を形成する。多結晶シリコン層は、まず、非晶質シリコン層を形成し、これを結晶化させる方法で形成することができる。非晶質シリコン層を結晶化させる方法としては当該技術分野の当業者に公知の多様な方法が用いられる。例えば、非晶質シリコン層は、熱、レーザー、ジュール熱、電場、または触媒金属などを利用して結晶化させることができる。多結晶シリコン層をパターニングして、第１ゲート電極中間体２２１及び第２半導体層中間体２２５を形成する。
【００７９】
次に、図５に示したように、第１ゲート電極中間体２２１と第２半導体層中間体２２５上にゲート絶縁膜１３０を形成する。ゲート絶縁膜１３０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで形成できる。
【００８０】
次に、ゲート絶縁膜１３０上に酸化物半導体層１４０１と金属層１４０２を順次に蒸着する。この時、酸化物半導体層１４０１と金属層１４０２は真空雰囲気で連続的に蒸着される。このように、酸化物半導体層１４０１が蒸着された以後、金属層１４０２を蒸着する前に、追加的に経る工程を最少化することにより、酸化物半導体層１４０１が不必要に損傷することを防止することができる。
【００８１】
酸化物半導体層１４０１または金属層１４０２は、酸化物半導体または金属をスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）または蒸発法（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）などのような物理的気相蒸着（ｐｈｙｓｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＶＤ）法など当該技術分野の当業者に公知の多様な方法によって蒸着される。
【００８２】
次に、図６に示したように、積層された酸化物半導体層１４０１及び金属層１４０２をエッチング工程によってパターニングし、第２ゲート電極１４５、第１半導体層１４１、及び複数のエッチングストッパ層１４３、１４４を形成する。この時、エッチング工程は二重露光またはハーフトーン（ｈａｌｆｔｏｎｅ）露光工程を含むことができる。
【００８３】
第１半導体層１４１は、少なくとも一部が第１ゲート電極中間体２２１と重畳するように形成され、複数のエッチングストッパ１４３、１４４はそれぞれ、第１半導体層１４１の一部領域上に形成される。また、複数のエッチングストッパ１４３、１４４は、第１ゲート電極中間体２２１の外郭に位置するように形成される。この時、複数のエッチングストッパ１４３、１４４は、第１ゲート電極中間体２２１とはできるたけ重畳しないことが好ましい。これは、金属層１４０２で形成されたエッチングストッパ層１４３、１４４は、第１ゲート電極中間体２２１に不純物がドーピングされることを遮断することができるためである。
【００８４】
第２ゲート電極１４５は、第２半導体層中間体２２５の一部と重畳するように形成される。また、第２ゲート電極１４５は、酸化物半導体層１４０１がパターニングされた第１電極層１４５１と、金属層１４０２がパターニングされた第２電極層１４５４とを含む。
【００８５】
次に、第１ゲート電極中間体２２１及び第２半導体層中間体２２５に不純物をドーピングして、第１ゲート電極１２１及び第２半導体層１２５を形成する。この時、不純物は、第１半導体層１４１を透過して第１ゲート電極中間体２２１にドーピングされる。反面、上述ように、不純物は、エッチングストッパ層１４３、１４４をほぼ透過できない。
【００８６】
第２半導体層１２５は、第２ゲート電極１４５によって不純物ドーピングが遮断されたチャネル領域１２６と、不純物がドーピングされてチャネル領域１２６の両側に形成されたソース領域１２８及びドレイン領域１２７とに区分される。第１ゲート電極１２１は、第２半導体層１２５のソース領域１２８及びドレイン領域１２７と同様に、不純物がドーピングされた多結晶シリコン層で形成される。図６において矢印は、不純物がドーピングされることを示す。
【００８７】
このように、本発明の第１実施形態では、導電性を有する不純物がドーピングされた多結晶シリコン層を第１ゲート電極１２１として使用することで、有機発光表示装置１０１の全体的な構造を簡素化させることができる。つまり、第１ゲート電極１２１と第２半導体層１２５をそれぞれ別途に形成せずに、第２半導体層１２５を形成する過程で第１ゲート電極１２１を共に形成して、有機発光表示装置の全体的な製造工程を単純化させることができる。
【００８８】
次に、図７に示したように、第１半導体層１４１、エッチングストッパ層１４３、１４４、及び第２ゲート電極１４５上に層間絶縁膜１５０を形成する。そして、層間絶縁膜１５０をエッチングして、複数のエッチングストッパ層１４３、１４４の一部をそれぞれ露出する第１ソースコンタクトホール１５３と第１ドレインコンタクトホール１５４を形成する。また、層間絶縁膜１５０とゲート絶縁膜１３０とを共にエッチングして、第２半導体層１２５のソース領域１２８及びドレイン領域１２７の一部をそれぞれ露出する第２ソースコンタクトホール１５５と第２ドレインコンタクトホール１５６を形成する。
【００８９】
次に、先に図３に示したように、層間絶縁膜１５０上に、第１ソース電極１６３、第１ドレイン電極１６４、第２ソース電極１６５、及び第２ドレイン電極１６６を形成する。
【００９０】
第１ソース電極１６３及び第１ドレイン電極１６４はそれぞれ、第１ソースコンタクトホール１５３、第１ドレインコンタクトホール１５４、及びエッチングストッパ層１４３、１４４を通じて第１半導体層１４１と間接的に接続される。つまり、本発明の第１実施形態で、エッチングストッパ層１４３、１４４は、第１ソース電極１６３及び第１ドレイン電極１６４と第１半導体層１４１との間に配置され、これらを電気的に接続させる。
【００９１】
第２ソース電極１６５及び第２ドレイン電極１６６はそれぞれ、第２ソースコンタクトホール１５５と第２ドレインコンタクトホール１５６を通じて第２半導体層１２５のソース領域１２８及びドレイン領域１２７と接続される。
【００９２】
以上のような製造方法により、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０１を効果的に製造することができる。
【００９３】
一般に、多結晶シリコン薄膜トランジスタと酸化物薄膜トランジスタとを共に用いる場合、多結晶シリコン薄膜トランジスタと酸化物薄膜トランジスタの構造及び用いられる材料が互いに異なって製造工程が複雑になる。
【００９４】
しかし、本発明の第１実施形態によれば、酸化物薄膜トランジスタの第１薄膜トランジスタ１０と、多結晶シリコン薄膜トランジスタの第２薄膜トランジスタ２０とを効果的に形成することができる。
【００９５】
具体的に、第１薄膜トランジスタ１０の第１ゲート電極１２１と、第２薄膜トランジスタ２０の第２半導体層１２５とを、同一層に同時に形成することができるので、有機発光表示装置１０１の全体的な製造工程を単純化させることができる。
【００９６】
以下、図８を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。
【００９７】
図８に示したように、本発明の第２実施形態による有機発光表示装置１０２は、エッチングストッパ層２４３、２４４の一部が第１薄膜トランジスタ１０の第１半導体層２４１のすぐ下に位置する。また、複数のエッチングストッパ２４３、２４４は第１ゲート電極１２１の外郭に位置する。
【００９８】
層間絶縁膜１５０の第１ソースコンタクトホール１５３及び第１ドレインコンタクトホール１５４はそれぞれ、複数のエッチングストッパ層２４３、２４４の一部を露出する。つまり、第１半導体層２４１と重畳しない複数のエッチングストッパ層２４３、２４４の一部が、第１ソースコンタクトホール１５３及び第１ドレインコンタクトホール１５４を通じて露出する。そして、第１ソース電極１６３及び第１ドレイン電極１６４はそれぞれ、第１ソースコンタクトホール１５３、第１ドレインコンタクトホール１５４、及び複数のエッチングストッパ層２４３、２４４を通じて第１半導体層２４１と接続される。
【００９９】
エッチングストッパ層２４３、２４４は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、及びタンタル（Ｔａ）のいずれか一つの金属や、一つ以上の金属を含む合金などで形成される。つまり、エッチングストッパ層２４３、２４４は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで形成された層間絶縁膜１５０及びゲート絶縁膜１３０と、相対的にエッチング選択比の異なる金属層で形成される。
【０１００】
また、第２ゲート電極２４５は、複数のエッチングストッパ層２４３、２４４と同一層に同一材料で同時に形成される。
【０１０１】
このように、本発明の第２実施形態によるエッチングストッパ層２４３、２４４も、第１ソースコンタクトホール１５３及び第１ドレインコンタクトホール１５４が安定的に形成されるように助ける。つまり、複数のエッチングストッパ層２４３、２４４は、第１ソースコンタクトホール１５３及び第１ドレインコンタクトホール１５４が過度に深くなったり、第１ソースコンタクトホール１５３及び第１ドレインコンタクトホール１５４の周辺の構成が損傷したりすることを防止できる。
【０１０２】
したがって、本発明の第２実施形態による有機発光表示装置１０２も、相対的に単純な構造を有して安定的に酸化物薄膜トランジスタの第１薄膜トランジスタ１０と多結晶シリコン薄膜トランジスタの第２薄膜トランジスタ２０とを共に用いて、全体的な性能を効率的に向上させることができる。
【０１０３】
以下、図９〜図１１を参照して、本発明の第２実施形態による有機発光表示装置１０２の製造方法について、第１実施形態との差異点を中心に説明する。
【０１０４】
図９に示したように、基板本体１１１上にバッファ層１１５を形成し、バッファ層１１５上に第１ゲート電極中間体と第２半導体層中間体とを形成する。そして、第１ゲート電極中間体と第２半導体層中間体上にゲート絶縁膜１３０を形成する。
【０１０５】
次に、ゲート絶縁膜１３０上に金属層を蒸着した後、これをパターニングして、第２ゲート電極２４５と複数のエッチングストッパ層２４３、２４４とを形成する。第２ゲート電極２４５は第２半導体層中間体の一部と重畳するように形成される。複数のエッチングストッパ２４３、２４４は第１ゲート電極中間体の外郭に形成され、第１ゲート電極中間体とはできるたけ重畳しないことが好ましい。
【０１０６】
次に、第１ゲート電極中間体及び第２半導体層中間体に不純物をドーピングして、第１ゲート電極１２１及び第２半導体層１２５を形成する。この時、不純物はエッチングストッパ層２４３、２４４をほぼ透過できない。
【０１０７】
第２半導体層１２５は、第２ゲート電極２４５によって不純物のドーピングが遮断されたチャネル領域１２６と、不純物がドーピングされてチャネル領域１２６の両側に形成されたソース領域１２８及びドレイン領域１２７とに区分される。第１ゲート電極１２１は、第２半導体層１２５のソース領域１２８及びドレイン領域１２７と同様に、不純物がドーピングされた多結晶シリコン層で形成される。図９において矢印は、不純物がドーピングされることを示す。
【０１０８】
次に、図１０に示したように、複数のエッチングストッパ２４３、２４４の上に酸化物半導体層を形成した後、これをパターニングして、第１半導体層２４１を形成する。第１半導体層２４１は、ゲート絶縁膜１３０を介在して第１ゲート電極１２１上に位置し、複数のエッチングストッパ２４３、２４４のすぐ上に一部が重畳する。
【０１０９】
次に、図１１に示したように、第１半導体層２４１、エッチングストッパ層２４３、２４４、及び第２ゲート電極２４５上に層間絶縁膜１５０を形成する。そして、層間絶縁膜１５０をエッチングして、複数のエッチングストッパ層２４３、２４４の一部をそれぞれ露出する第１ソースコンタクトホール１５３と第１ドレインコンタクトホール１５４を形成する。また、層間絶縁膜１５０とゲート絶縁膜１３０とを共にエッチングして、第２半導体層１２５のソース領域１２８及びドレイン領域１２７の一部をそれぞれ露出する第２ソースコンタクトホール１５５と第２ドレインコンタクトホール１５６を形成する。
【０１１０】
次に、先に図３に示したように、層間絶縁膜１５０上に、第１ソース電極１６３、第１ドレイン電極１６４、第２ソース電極１６５、及び第２ドレイン電極１６６を形成する。
【０１１１】
第１ソース電極１６３及び第１ドレイン電極１６４はそれぞれ、第１ソースコンタクトホール１５３、第１ドレインコンタクトホール１５４、及びエッチングストッパ層２４３、２４４を通じて第１半導体層１４１と直接的及び／又は間接的に接続される。つまり、本発明の第２実施形態で、第１ソース電極１６３及び第２ドレイン電極１６４は、エッチングストッパ層２４３、２４４を経て第１半導体層２４１と接続するか、または第１半導体層２４１と直接接続される。
【０１１２】
第２ソース電極１６５及び第２ドレイン電極１６６はそれぞれ、第２ソースコンタクトホール１５５と第２ドレインコンタクトホール１５６を通じて第２半導体層１２５のソース領域１２８及びドレイン領域１２７と接続される。
【０１１３】
以上のような製造方法により、本発明の第２実施形態による有機発光表示装置１０２を効果的に製造することができる。
【０１１４】
本発明を上述のように好ましい実施形態を通じて説明したが、本発明はこれらに限定されず、次に記載する特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り、種々の修正及び変形が可能であることを本発明が属する技術分野における者であれば簡単に理解できる。
【符号の説明】
【０１１５】
１０  第１薄膜トランジスタ
２０  第２薄膜トランジスタ
１２１  第１ゲート電極
１２５  第２半導体層
１４１  第１半導体層
１４３、１４４  エッチングストッパ層
１４５  第２ゲート電極
１６３  第１ソース電極
１６４  第１ドレイン電極
１６５  第２ソース電極
１６６  第２ドレイン電極
【図１】
2011048339.tif 000003
【図２】
2011048339.tif 000004
【図３】
2011048339.tif 000005
【図４】
2011048339.tif 000006
【図５】
2011048339.tif 000007
【図６】
2011048339.tif 000008
【図７】
2011048339.tif 000009
【図８】
2011048339.tif 000010
【図９】
2011048339.tif 000011
【図１０】
2011048339.tif 000012
【図１１】
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