(57)【要約】【課題】  部品内蔵基板において、内蔵された電子部品の下側の封止樹脂層に隙間が形成されないようにし、はんだフラッシュ現象の発生を防ぐ。【解決手段】  平面上に隣接して配置された第１のランド電極３ａおよび第２のランド電極３ｂと、第１のランド電極３ａに第１の導電性接合材４ａを介して接合される第１の端子電極１ａと、第２のランド電極３ｂに第２の導電性接合剤４ｂを介して接合される第２の端子電極１ｂを備えた電子部品１と、封止樹脂層５とを含んで部品内蔵基板を構成し、第１の導電性接合材４ａの接合高さを、第２の導電性接合材４ｂの接合高さよりも高くして、電子部品１が傾斜をもって実装されるようにした。【選択図】        図１
2011146510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面上に隣接して配置された第１のランド電極および第２のランド電極と、
前記第１のランド電極に対向し、当該第１のランド電極に第１の導電性接合材を介して接合される第１の端子電極、および、前記第２のランド電極に対向し、当該第２のランド電極に第２の導電性接合材を介して接合される第２の端子電極を備えた電子部品と、
前記電子部品を覆うように設けられ、前記平面側の第１の主面と、当該第１の主面と反対側の第２の主面とを有する封止樹脂層とを含んで構成される部品内蔵基板であって、
前記第１の導電性接合材の接合高さが、前記第２の導電性接合材の接合高さよりも高く、これよって、前記電子部品が、前記平面に対して傾斜をもって実装されていることを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項２】
１個または２個以上の第１のランド電極からなる第１のランド電極群と、
前記第１のランド電極群と対向して配置され、１個または２個以上の第２のランド電極からなる第２のランド電極群と、
前記第１のランド電極に対向し、当該第１のランド電極に、それぞれ第１の導電性接合材を介して接合される第１の端子電極、および、前記第２のランド電極に対向し、当該第２のランド電極に、それぞれ第２の導電性接合材を介して接合される第２の端子電極を備えた電子部品と、
前記電子部品を覆うように設けられ、前記平面側の第１の主面と、当該第１の主面と反対側の第２の主面とを有する封止樹脂層とを含んで構成される部品内蔵基板であって、
前記第１のランド電極と前記第２のランド電極との合計個数は３個以上であり、
かつ、前記第１の導電性接合材の接合高さが、前記第２の導電性接合材の接合高さよりも高く、これよって、前記電子部品が、傾斜をもって実装されていることを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項３】
前記第１の導電性接合材は、その一部が、前記封止樹脂層の第２の主面に露出しており、この第１の導電性接合材により、前記封止樹脂層の前記第１の主面と前記第２の主面とが電気的に導通されていることを特徴とする、請求項１または２に記載された部品内蔵基板。
【請求項４】
前記第１の導電性接合材および前記第２の導電性接合材が、主としてはんだで構成されていることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された部品内蔵基板。
【請求項５】
前記第１のランド電極の面積が前記第２のランド電極の面積よりも小さいことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載された部品内蔵基板。
【請求項６】
前記第１の導電性接合材の量が前記第２の導電性接合材の量よりも多いことを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された部品内蔵基板。
【請求項７】
前記第１の導電性接合材が、前記第１のランド電極上に設けられ、前記はんだの融点では溶融しない導電性土台部を有することを特徴とする、請求項６に記載された部品内蔵基板。
【請求項８】
前記導電性土台部が、前記はんだの溶融温度よりも高い融点をもつ高融点はんだにより構成されていることを特徴とする、請求項７に記載された部品内蔵基板。
【請求項９】
前記導電性土台部が、金属粉末およびバインダ樹脂を含んだ導電性ペーストを硬化あるいは焼成したもので構成されていることを特徴とする、請求項７に記載された部品内蔵基板。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載された部品内蔵基板と、前記部品内蔵基板の少なくとも一方の主面に実装された電子部品とを備える電子回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、部品内蔵基板に関し、さらに詳しくは、ランド電極と、内蔵される電子部品の端子電極との接合構造に改良を加えた部品内蔵基板に関する。
【０００２】
また、本発明は、上記の部品内蔵基板を用いた電子回路モジュールに関する。
【背景技術】
【０００３】
近時、電子機器の小型化にともない、電子部品の基板への高密度実装が求められている。そして、この要求に応えるものとして、電子部品を封止樹脂層に内蔵した部品内蔵基板が広く利用されている。
【０００４】
そのような部品内蔵基板として、特許文献１（特開２００５−３９１５８公報）や特許文献２（特開２００９−８１４２３号公報）に開示されたものがある。
【０００５】
図１３に、特許文献１に開示された部品内蔵基板７００を示す。部品内蔵基板７００は、電子部品２０１の端子電極２０１ａ、２０１ｂが、ランド電極２０３ａ、２０３ｂに、はんだ２０４ａ、２０４ｂを用いて接合されている。そして、電子部品２０１の周囲には、封止樹脂層２０５が設けられている。封止樹脂層２０５には、封止樹脂層２０５の両主面間の電気的な導通をとるために、別途、導電性ビア２０６が形成されている。なお、封止樹脂層２０５を構成する樹脂には、強度を向上させたり、熱膨張係数を調整したりするために、フィラーが含有されている。
【０００６】
この部品内蔵基板７００は、たとえば、次の工程により製造される。まず、樹脂フィルムなどのキャリア（図示せず）上に銅箔などからなるランド電極２０３ａ、２０３ｂを形成する。次に、ランド電極２０３ａ、２０３ｂに電子部品２０１の端子電極２０１ａ、２０１ｂを、はんだ２０４ａ、２０４ｂにより接合する。次に、電子部品２０１を覆うように、キャリア上に、加熱されて半溶融状態となった熱硬化性樹脂を配置し、全体を加圧し、さらに加熱して熱硬化性樹脂を硬化させて封止樹脂層２０５を形成する。最後に、キャリアを取り除くことにより、部品内蔵基板７００が完成する。なお、導電性ビア２０６は、半溶融状態の熱硬化性樹脂に予め設けておくことにより、封止樹脂層２０５中に形成される。
【０００７】
次に、図１４に、特許文献２に開示された部品内蔵基板８００を示す。部品内蔵基板８００は、電子部品３０１の端子電極３０１ａ、３０１ｂが、ベース基板３０２上に形成されたランド電極３０３ａ、３０３ｂに、はんだ３０４ａ、３０４ｂを用いて接合されている。そして、電子部品３０１の周囲には、封止樹脂層３０５が設けられている。封止樹脂層３０５には、上側主面から内蔵された電子部品３０１の端子電極３０１ａ、３０１ｂに向けて、それぞれ、導電性ビア３０６が形成され、封止樹脂層３０５の両主面間の電気的な導通は、電子部品３０１の端子電極３０１ａ、３０１ｂと、導電性ビア３０６とを経由しておこなわれる。なお、封止樹脂層３０５を構成する樹脂にも、フィラーが含有されている。
【０００８】
この部品内蔵基板８００は、上述した特許文献１に記載された部品内蔵基板７００の製造工程と類似した工程で製造される。ただし、導電性ビア３０６は、封止樹脂層３０５を硬化させた後に、封止樹脂層３０５にレーザー加工で孔を形成し、その孔内にめっきを施すなどの方法により形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−３９１５８公報
【特許文献２】特開２００９−８１４２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述した特許文献１や特許文献２に開示された従来の部品内蔵基板には、内蔵された電子部品の下側に、封止樹脂層を形成する樹脂が十分に回り込まず、封止樹脂層に隙間が発生してしまう場合があった。すなわち、図１３に示す特許文献１に開示された部品内蔵基板７００では、電子部品２０１の底面と封止樹脂層２０５の下側表面との間に充填された封止樹脂層２０５、図１４に示す特許文献２に開示された部品内蔵基板８００では、電子部品３０１の底面とコア基板３０２の上側表面との間に充填された封止樹脂層３０５が十分に回り込まないことにより、隙間が発生してしまう場合があった。
【００１１】
この隙間は、内蔵された電子部品２０１（３０１）の底面と、ランド電極２０３ａ、２０３ｂ（３０３ａ、３０３ｂ）の配置面（ランド電極自体の下側の面）との間隔がもともと小さいことや、封止樹脂層２０５（３０５）を形成する樹脂にフィラーが含有されており、そのフィラーが樹脂の回り込みを妨げることなどが原因になって発生するものである。
【００１２】
そして、電子部品２０１（３０１）の下側の封止樹脂層２０５（３０５）に隙間が発生すると、この部品内蔵基板７００（８００）、あるいはこの電子部品内蔵基板の表面にさらに電子部品を実装して形成した電子回路モジュールを、さらに大きな電子機器の基板などに実装する際に、加熱されると、内蔵された電子部品２０１（３０１）を実装するのに用いたはんだ２０４ａ、２０４ｂ（３０４ａ、３０４ｂ）が再溶融し、膨張して行き場をなくし、封止樹脂層２０５（３０５）の隙間に入り込み、内蔵された電子部品２０１（３０１）の端子電極２０１ａ、２０１ｂ（３０１ａ、３０１ｂ）間などを短絡させてしまうことがあった。この現象は、はんだフラッシュ現象とよばれ、その部品内蔵基板ないし電子回路モジュール、ひいてはこれらを用いた電子機器の正常な機能を損なうものであり、極めて重大な問題となっていた。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、上述した従来の部品内蔵基板の有する課題を解決するためになされたものであり、その手段として、本発明の部品内蔵基板は、平面上に隣接して配置された第１のランド電極および第２のランド電極と、第１のランド電極に対向し、その第１のランド電極に第１の導電性接合材を介して接合される第１の端子電極、および、第２のランド電極に対向し、その第２のランド電極に第２の導電性接合剤を介して接合される第２の端子電極を備えた電子部品と、その電子部品を覆うように設けられ、前記平面側の第１の主面と、第１の主面と反対側の第２の主面とを有する封止樹脂層とを含んで構成し、第１の導電性接合材の接合高さを、第２の導電性接合材の接合高さよりも高くして、電子部品が、前記平面に対して傾斜をもって実装されるようにした。
【００１４】
なお、上記は、両端に１対の端子電極を備えた電子部品を内蔵させた場合であるが、本発明の部品内蔵基板は、たとえば、３個の端子電極、４個の端子電極、５個の端子電極、６個の端子電極を有するような、３個以上の端子電極を有するいわゆる多端子の電子部品を内蔵させて構成することもできる。
【００１５】
一方、本発明の電子回路モジュールは、上述した本発明の部品内蔵基板と、その少なくとも一方の主面に実装された電子部品とを備えて構成するようにした。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の部品内蔵基板は、第１のランド電極および第２のランド電極が配置された平面に対し、電子部品が傾斜をもって実装されているため、電子部品の下側に、封止樹脂層を構成する樹脂が回り込みやすく、電子部品の下側の封止樹脂層に隙間が発生することがない。すなわち、電子部品の下側の隙間が傾斜をもつため、封止樹脂層を形成する樹脂は、隙間の大きな部分から隙間の小さな部分に容易に回り込むことが可能である。これは、樹脂にフィラーが含有されている場合であっても同様である。この結果、本発明の部品内蔵基板は、電子部品の下側の封止樹脂層に隙間が発生することがない。
【００１７】
したがって、本発明の部品内蔵基板、あるいはその部品内蔵基板を用いて形成した本発明の電子回路モジュールは、さらに大きな電子機器の基板などに実装される際に、加熱されても、はんだフラッシュ現象が発生することがなく、信頼性の高いものになる。
【００１８】
なお、本発明の部品内蔵基板においては、第１の導電性接合材の一部を、封止樹脂層の第２の主面から露出させ、この第１の導電性接合材により、封止樹脂層の第１の主面と第２の主面とを電気的に導通させるようにしても良い。この場合には、図１３に示す特許文献１に開示された従来の部品内蔵基板７００のように、封止樹脂層２０５の両主面間に導電性ビア２０６を形成したり、図１４に示す特許文献２に開示された従来の部品内蔵基板８００のように、封止樹脂層３０５の上側主面と電子部品３０１の端子電極３０１ａ、３０１ｂとの間に導電性ビア３０６を形成する必要がなく、製造工程の大幅な簡略化をはかることができる。また、導電性ビアを形成するためのスペースが必要ないため、部品内蔵基板の小型化や薄型化をはかったり、あるいは、内蔵される電子部品の数を増やしたりすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施形態にかかる部品内蔵基板１００を示す断面図である。
【図２】図１に示す部品内蔵基板１００を製造するために実施される工程を示す断面図である。
【図３】図１に示す部品内蔵基板１００を製造するために実施される工程を示す断面図である。
【図４】図１に示す部品内蔵基板１００を製造するために実施される工程を示す断面図である。
【図５】第２の実施形態にかかる部品内蔵基板２００を示す断面図である。
【図６】図５に示す部品内蔵基板２００を製造するために実施される工程を示す断面図である。
【図７】図５に示す部品内蔵基板２００を製造するために実施される工程を示す断面図である。
【図８】図５に示す部品内蔵基板２００を製造するために実施される工程を示す断面図である。
【図９】第３の実施形態にかかる部品内蔵基板３００を製造するために実施される工程を示す断面図である
【図１０】第４の実施形態にかかる部品内蔵基板４００を製造するために実施される工程を示す断面図である
【図１１】第５の実施形態にかかる部品内蔵基板５００を示し、図１１（Ａ）は正面図、図１１（Ｂ）は側面図である。ただし、図１１（Ａ）、（Ｂ）のいずれも、部品内蔵基板５００から封止樹脂層を削除した内部の状態を示している。
【図１２】第６の実施形態にかかる電子回路モジュール６００を示す断面図である。
【図１３】従来の部品内蔵基板７００を示す断面図である。
【図１４】別の従来の部品内蔵基板８００を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を用いて、本発明を実施するための形態について説明する。
【００２１】
［第１実施形態］
図１に、本発明の第１実施形態にかかる部品内蔵基板１００を示す。なお、図１は断面図である。
【００２２】
部品内蔵基板１００は電子部品１を備える。電子部品１は、その両端部に端子電極１ａ、１ｂを有する。電子部品１の種類は任意であるが、たとえば、コンデンサ、抵抗、コイルなどが用いられる。なお、端子電極１ａ、１ｂは、電子部品１の両端部にキャップ状に形成されるのではなく、それぞれ、電子部品１の各端部近傍の底面に部分的に形成されたものであっても良い。
【００２３】
電子部品１の端子電極１ａは、ランド電極３ａに、第１の導電性接合材４ａによって接合され、電子部品１の端子電極１ｂは、ランド電極３ｂに、第２の導電性接合材４ｂによって接合されている。
【００２４】
ランド電極３ａ、３ｂは、上側主面が粗化面となった金属箔を部分的に平滑化して形成されている。そして、ランド電極３ａは、ランド電極３ｂよりも小さく形成されている。ランド電極３ａ、３ｂを形成する金属箔としては、たとえば、銅箔が用いられる。ただし、金属箔の種類は任意であり、銀箔、ニッケル箔などであっても良い。
【００２５】
第１の導電性接合材４ａ、第２の導電性接合材４ｂとしては、たとえば、      Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだが用いられる。ただし、第１の導電性接合材４ａ、第２の導電性接合材４ｂの材料はこれには限られず、他の組成からなるはんだや、はんだ以外の材料であっても良い。
【００２６】
第１の導電性接合材４ａの接合高さＨ1は、第２の導電性接合材４ｂの接合高さＨ2よりも大きい。なお、導電性接合材の接合高さとは、ランド電極の中央部分における、ランド電極と導電性接合材との接合面から、電子部品の端子電極と導電性接合材との接合面までの、高さ方向の距離をいう。
【００２７】
第１の導電性接合材４ａの接合高さＨ1が、第２の導電性接合材４ｂの接合高さＨ2よりも大きいのは、ランド電極３ａが、ランド電極３ｂよりも小さく形成されていることに起因する。すなわち、同じ量の導電性接合材（たとえばはんだ）を使用した場合、接合されるランド電極が小さいほど、表面張力により導電性接合材が盛り上がり、電子部品の端子電極が持ち上げられて、接合高さが大きくなる。なお、ランド電極の大きさが同じ場合は、導電性接合材の量が多いほど、接合高さが大きくなる。
【００２８】
本実施形態においては、第１の導電性接合材４ａの接合高Ｈ1さが、第２の導電性接合材４ｂの接合高さＨ2よりも大きいため、電子部品１は、ランド電極３ａ、３ｂが配置された面に対して、傾斜をもって実装されている。
【００２９】
電子部品１の周囲には、フィラーが含有された樹脂により、封止樹脂層５が形成されている。上述のとおり、電子部品１は傾斜をもって実装されているため、電子部品１の下側にも樹脂が回り込みやすく、電子部品１の下側の封止樹脂層５に隙間が発生することはない。なお、封止樹脂層５の上側主面には、第１の導電性接合材４ａの先端が露出している。
【００３０】
封止樹脂層５の上側主面には電極７が、下側主面には電極８が形成されている。なお、電極８は、ランド電極３ａ、３ｂを形成した金属箔の、残りの部分から形成されている。電極７には、ランド電極３ａ、３ｂを形成した金属箔と同様に、銅箔、銀箔、ニッケル箔などを用いることができる。電極７、８は、他の電極との接続をなす接続電極、他の電子部品を実装するためのランド電極、この部品内蔵基板１００を他の大きな基板に実装するための端子電極などに使用される。
【００３１】
電極７は、封止樹脂層５の上側主面に露出した第１の導電性接合材４ａと接続されている。本実施形態においては、封止樹脂層５の両主面間の導通を、第１の導電性接合材４ａを経由しておこなっており、従来のように、封止樹脂層５に、別途、導電性ビアを形成する必要がなく、製造工程の大幅な簡略化、および部品内蔵基板内のスペースの有効利用がなされている。
【００３２】
次に、この部品内蔵基板１００の製造方法の一例を、図２（Ａ）〜図４（Ｊ）を参照しながら説明する。なお、図２（Ａ）〜図４（Ｊ）の各図は、部品内蔵基板１００を製造するために実施される各工程を示す断面図である。
【００３３】
まず、上側主面が粗化面となった金属箔９を用意し、金属箔９の上側主面の全体にフォトレジスト膜１０を形成し、露光、現像をおこなって、図２（Ａ）に示すように、フォトレジスト膜１０に、所定の位置に、所定の形状、大きさからなる、小さな開口１０ａと大きな開口１０ｂを設ける。金属箔９としては、たとえば、厚さ１８μｍの電解銅箔を用いることができる。
【００３４】
次に、図２（Ｂ）に示すように、開口１０ａ、開口１０ｂから露出した金属箔９の上側主面を、化学的処理により、ソフトエッチングして、小さなランド電極３ａと大きなランド電極３ｂを形成する。化学的処理には、たとえば、過酸化水素／硫酸系エッチング液を用いることができる。導電性接合材であるはんだは、加熱されて溶融した場合、金属箔９の粗化面上には濡れ広がらないが、ソフトエッチングされたランド電極３ａ，３ｂ上には濡れ広がる。
【００３５】
次に、図２（Ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１０を除去する。
【００３６】
次に、図２（Ｄ）に示すように、金属箔９に形成された各ランド電極３ａ，３ｂ上に、等量の、導電性接合材であるはんだペースト１１を印刷する。
【００３７】
次に、図３（Ｅ）に示すように、はんだペースト１１上に、端子電極１ａ、１ｂを有する電子部品１を配置する。
【００３８】
次に、全体を最高温度２５０℃に設定されたリフロー炉に通し、図３（Ｆ）に示すように、はんだペースト１１を溶融させ、さらに冷却して固化させて、電子部品１の端子電極１ａを第１の導電性接合材４ａによりランド電極３ａに、電子部品１の端子電極１ｂを第２の導電性接合材４ｂによりランド電極３ｂに、それぞれ接合する。そして、第１の導電性接合材４ａの接合高さが、第２の導電性接合材４ｂの接合高さよりも大きいため、電子部品１は、図面上、左右いずれかに傾いて実装される。ただし、図面上、右から２つ目の電子部品１は、端子電極１ａ、１ｂが、いずれも小さなランド電極３ａに接合されているため、左右いずれにも傾かず、全体が浮き上がった状態で実装される。この電子部品１と金属箔９との間隔も、従来よりは広くなる。
【００３９】
次に、図３（Ｇ）に示すように、加熱されて半溶融状になった熱硬化性の樹脂を、電子部品１を覆うように配置し、加圧し、さらに加熱して硬化させ、封止樹脂層５を形成する。熱硬化性の樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂などを用いることができる。なお、樹脂にはフィラーが含有されているが、電子部品１が傾斜して実装されている、あるいは電子部品１が浮き上がった状態で実装されているため、電子部品１の下側には容易に樹脂が回り込む。したがって、電子部品１の下側の封止樹脂層５には、隙間が発生しない。
【００４０】
次に、図３（Ｈ）に示すように、封止樹脂層５の上側主面を研磨して、第１の導電性接合材４ａの先端を、封止樹脂層５の上側主面に露出させる。
【００４１】
次に、図４（Ｉ）に示すように、封止樹脂層５の上側主面に、金属層１２を形成する。金属層１２は、たとえば、無電解Ｃｕめっき後に電解めっきをおこなうことにより形成することができる。この結果、封止樹脂層５の上面に露出した導電性接合材４ａの先端と、金属層１２とは、電気的に接続される。
【００４２】
最後に、図４（Ｊ）に示すように、金属層１２を所定の形状にパターンニングして電極７を形成し、金属箔９を所定の形状にパターンニングして電極８を形成し、部品内蔵基板１００は完成する。
【００４３】
［第２実施形態］
図５に、本発明の第２実施形態にかかる部品内蔵基板２００を示す。なお、図５は断面図である。
【００４４】
部品内蔵基板２００は、コア基板２を備える。コア基板２の材質としては、樹脂、セラミックなどを用いることができる。
【００４５】
コア基板２の上側主面には、同じ面積からなるランド電極１３ａおよび１３ｂが形成されている。そして、ランド電極１３ａ上には、さらに、所定の開口を有するはんだレジスト２０が形成されている。一方、ランド電極１３ｂには、レジストは形成されていない。この結果、ランド電極１３ａのはんだレジスト２０の開口部からの露出面積は、ランド電極１３ｂの面積よりも、小さくなっている。
【００４６】
なお、はんだレジスト２０は、上記のようにランド電極１３ａ上に開口を設けて形成するのに加えて、コア基板２の上側主面の、ランド電極１３ａおよび１３ｂ以外の領域に形成するようにしてもよい。そのようにすれば、ランド電極１３ａ、１３ｂ上にはんだペーストを印刷する際に、印刷位置が多少ずれてしまっても、正しい位置に、次に説明する第１の導電性接合材１４ａおよび第２の導電性接合材１４ｂを配置することができる。
【００４７】
部品内蔵基板２００は、両端に端子電極１１ａ、１１ｂを有する電子部品１１を備える。そして、電子部品１１の端子電極１１ａは、ランド電極１３ａに、第１の導電性接合材１４ａによって接合され、電子部品１１の端子電極１１ｂは、ランド電極１３ｂに、第２の導電性接合材１４ｂによって接合されている。
【００４８】
第１の導電性接合材１４ａ、第２の導電性接合材１４ｂとしては、たとえば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだが用いられる。
【００４９】
第１の導電性接合材１４ａの接合高さＨ1は、第２の導電性接合材１４ｂの接合高さＨ2よりも大きい。この結果、電子部品１１は、ランド電極１３ａ、１３ｂが配置された面に対して、傾斜をもって実装される。
【００５０】
電子部品１の周囲には、フィラーが含有された樹脂により、封止樹脂層１５が形成されている。電子部品１１は傾斜をもって実装されているため、電子部品１１の下側にも樹脂が回り込みやすい。
【００５１】
封止樹脂層１５の上側主面には電極１７が形成されている。なお、図示しないが、コア基板２の下側主面にも、所定の電極が形成されている。
【００５２】
次に、この部品内蔵基板２００の製造方法の一例を、図６（Ａ）〜図８（Ｉ）を参照しながら説明する。なお、図６（Ａ）〜図８（Ｉ）の各図は、部品内蔵基板２００を製造するために実施される各工程を示す断面図である。
【００５３】
まず、コア基板２を用意し、コア基板２の上側主面前面に金属箔を貼り、さらに金属箔をパターニングして、図６（Ａ）に示すように、ランド電極１３ａ、１３ｂを形成する。
【００５４】
次に、図６（Ｂ）に示すように、ランド電極１３ａ上に、所定の開口を有するはんだレジスト２０を形成する。はんだレジスト２０の形成方法としては、たとえば、フォトリソグラフィーや、スクリーン印刷を用いることができる。
【００５５】
次に、図６（Ｃ）に示すように、ランド電極１３ａおよびはんだレジスト２０の上と、ランド電極１３ｂの上に、等量の、導電性接合材であるはんだペースト２１を印刷する。
【００５６】
次に、図７（Ｄ）に示すように、はんだペースト２１上に、端子電極２１ａ、２１ｂを有する電子部品１１を配置する。
【００５７】
次に、全体を最高温度２８０℃に設定されたリフロー炉に通し、図７（Ｅ）に示すように、はんだペースト１１を溶融させ、さらに冷却して固化させて、電子部品１１の端子電極１１ａを第１の導電性接合材１４ａによりランド電極１３ａに、電子部品１１の端子電極１１ｂを第２の導電性接合材１４ｂによりランド電極１３ｂに、それぞれ接合する。なお、リフロー炉が２８０℃に達した際には、はんだペースト１１の実温は、２６０℃程度になる。
【００５８】
次に、図７（Ｆ）に示すように、加熱されて半溶融状になった熱硬化性の樹脂を、電子部品１１を覆うように配置し、加圧し、さらに加熱して硬化させ、封止樹脂層１５を形成する。
【００５９】
次に、図８（Ｇ）に示すように、封止樹脂層１５の上側主面を研磨して、第１の導電性接合材１４ａの先端を、封止樹脂層１５の上側主面に露出させる。
【００６０】
次に、図８（Ｈ）に示すように、封止樹脂層５の上側主面に、金属箔２２を貼着させる。
【００６１】
最後に、図８（Ｉ）に示すように、金属箔２２を所定の形状にパターンニングして電極１７を形成し、部品内蔵基板２００は完成する。
【００６２】
［第３実施形態］
図９を参照して、本発明の第３実施形態にかかる部品内蔵基板３００について説明する。なお、ここでは、部品内蔵基板３００を製造するために実施される工程を示すことにより、部品内蔵基板３００の構造を明らかにする。なお、以下において、特に、材質や形成方法について説明しない場合は、第１実施形態や第２実施形態において説明したものと同じ、あるいは類似した材料、形成方法を用いる。図９（Ａ）、図９（Ｂ）は、それぞれ、部品内蔵基板３００を製造するために実施される一つの工程を示す断面図である。
【００６３】
第３の実施形態においては、図９（Ａ）に示すように、コア基板５２の上側主面に、同じ面積からなるランド電極５３ａ、５３ｂを形成する。
【００６４】
次に、ランド電極５３ａ上に、導電性土台部として、高温はんだ６１ａを印刷する。
【００６５】
次に、ランド電極５３ａ上に印刷された高温はんだ６１ａ上、およびランド電極５３ｂ上に、それぞれ、低温はんだ６１ｂを印刷する。
【００６６】
次に、低温はんだ６１ｂ上に、端子電極５１ａ、５１ｂを有する電子部品５１を配置する。
【００６７】
次に、全体を、低温はんだ６１ｂは溶融するが、高温はんだ６１ａは溶融しない温度に設定されたリフロー炉に通し、図９（Ｂ）に示すように、低温はんだ６１ｂを溶融させ、さらに冷却して固化させて、電子部品５１の端子電極５１ａを第１の導電性接合材５４ａによりランド電極５３ａに、電子部品５１の端子電極５１ｂを第２の導電性接合材５４ｂによりランド電極５３ｂに、それぞれ接合する。
【００６８】
なお、第１の導電性接合材５４ａは、溶融しなかった高温はんだ６１ａと、低温はんだ６１ｂが溶融し、冷却されて固化したものとで構成される。一方、第２の導電性接合材５４ｂは、低温はんだ６１ｂが溶融し、冷却されて固化したものにより構成される。
【００６９】
第１の導電性接合材５４ａの接合高さＨ1は、第２の導電性接合材５４ｂの接合高さＨ2よりも大きい。これは、第１の導電性接合材５４ａが、下部に、導電性土台部として、溶融しなかった高温はんだ６１ａを含むためである。この結果、電子部品５１は、ランド電極５３ａ、５３ｂが配置された面に対して、傾斜をもって実装される。
【００７０】
そして、電子部品５１が実装されたコア基板５２上に、封止樹脂層（図示せず）を形成し、さらに、コア基板５２の下側主面と、封止樹脂層の上側主面に、必要に応じて電極（図示せず）を形成して、第３実施形態にかかる部品内蔵基板３００は完成する。なお、この場合、低温はんだ６１ｂの量を調整することにより、第１導電性接合材５４ａの高さを調整し、その上端を封止樹脂層の上側主面に露出させ、封止樹脂層の上側主面に形成された電極と導通させることにより、その封止樹脂層の上側主面に形成された電極と、ランド電極５３ａとの導通を、第１導電性接合材５４ａを経由しておこなうようにする。
【００７１】
［第４実施形態］
図１０を参照して、本発明の第４実施形態にかかる部品内蔵基板４００について説明する。なお、ここでは、部品内蔵基板４００を製造するために実施される工程を示すことにより、部品内蔵基板４００の構造を明らかにする。なお、以下において、特に、材質や形成方法について説明しない場合は、第１実施形態などにおいて説明したものと同じ、あるいは類似した材料、形成方法を用いる。図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）は、それぞれ、部品内蔵基板４００を製造するために実施される一つの工程を示す断面図である。
【００７２】
第４の実施形態においては、図１０（Ａ）に示すように、コア基板７２の上側主面に、同じ面積からなるランド電極７３ａ、７３ｂを形成する。
【００７３】
次に、ランド電極７３ａ上に、導電性土台部として、導電性厚膜８１ａを形成する。導電性厚膜８１ａは、金属粉末およびバインダ樹脂を含んだ導電性ペーストを印刷し、硬化させる、あるいは焼付けるなどの方法により形成する。導電性ペーストには、たとえばＡｇ−エポキシ系導電性ペーストなどを用いることができる。
【００７４】
次に、ランド電極７３ａ上に印刷された導電性厚膜８１ａ上、およびランド電極７３ｂ上に、それぞれ、はんだ８１ｂを印刷する。
【００７５】
次に、はんだ８１ｂ上に、端子電極７１ａ、７１ｂを有する電子部品７１を配置する。
【００７６】
次に、全体を、はんだ８１ｂが溶融する温度に設定されたリフロー炉に通し、図１０（Ｂ）に示すように、はんだ８１ｂを溶融させ、さらに冷却して固化させて、電子部品７１の端子電極７１ａを第１の導電性接合材７４ａによりランド電極７３ａに、電子部品７１の端子電極７１ｂを第２の導電性接合材７４ｂによりランド電極７３ｂに、それぞれ接合する。
【００７７】
なお、第１の導電性接合材７４ａは、導電性厚膜８１ａと、はんだ８１ｂが溶融し、冷却されて固化したものとで構成される。一方、第２の導電性接合材７４ｂは、はんだ８１ｂが溶融し、冷却されて固化したものにより構成される。
【００７８】
第１の導電性接合材７４ａの接合高さＨ1は、第２の導電性接合材７４ｂの接合高さＨ2よりも大きい。これは、第１の導電性接合材７４ａが、下部に、導電性土台部として、導電性厚膜８１ａを含むためである。
【００７９】
そして、電子部品７１が実装されたコア基板７２上に、封止樹脂層（図示せず）を形成し、さらに、コア基板７２の下側主面と、封止樹脂層の上側主面に、必要に応じて電極（図示せず）を形成して、第４実施形態にかかる部品内蔵基板４００は完成する。なお、この場合、低温はんだ８１ｂの量を調整することにより、第１導電性接合材７４ａの高さを調整し、その上端を封止樹脂層の上側主面に露出させ、封止樹脂層の上側主面に形成された電極と導通させることにより、その封止樹脂層の上側主面に形成された電極と、ランド電極７３ａとの導通を、第１導電性接合材７４ａを経由しておこなうようにする。
【００８０】
［第５実施形態］
図１１（Ａ）、（Ｂ）に、本発明の第５実施形態にかかる部品内蔵基板５００を示す。図１１（Ａ）は正面図、図１１（Ｂ）は側面図である。ただし、図１１（Ａ）、（Ｂ）のいずれも、部品内蔵基板５００から封止樹脂層を削除した内部の状態を示している。
【００８１】
上述した第１〜４実施形態においては、いずれも、部品内蔵基板に内蔵される電子部品として、両端に１対の端子電極を有する、いわゆる２端子の電子部品を用いたが、第５実施形態においては、６端子の電子部品を用いた。
【００８２】
図に示すように、部品内蔵基板５００は、対向する２辺にそれぞれ、３個の第１の端子電極９１ａと、３個の第２の端子電極９１ｂを有する電子部品９１を備える。
【００８３】
一方、コア基板８２には、３個の第１のランド電極８３ａからなる第１のランド電極群と、３個の第２のランド電極８３ｂからなる第２のランド電極群とが、対向して形成されている。
【００８４】
そして、電子部品９１の端子電極９１ａが第１の導電性接合材８４ａによってランド電極８３ａに接合され、端子電極９１ｂが第２の導電性接合材８４ｂによってランド電極８３ｂに接合されている。なお、本実施形態においては、第１のランド電極８３ａと第２のランド電極８３ｂの大きさは同じであるが、第１の導電性接合材８４ａの量を第２の導電性接合材８４ｂの量より多くしているため、第１の導電性接合材８４ａの接合高さＨ1が第２の導電性接合材８４ｂの接合高さＨ2よりも大きくなり、電子部品９１は傾斜をもって実装されている。
【００８５】
図１１（Ａ）、（Ｂ）においては、部品内蔵基板５００から封止樹脂層を削除した内部の状態を示しているが、部品内蔵基板５００においても、電子部品９１が傾斜をもって実装されているため、電子部品９１の下側に隙間なく封止樹脂が充填される。
【００８６】
なお、本実施形態は、３個以上の端子電極を有する、いわゆる多端子の電子部品を内蔵させた例であり、内蔵される電子部品の端子電極の個数は、電子部品９１のように６端子には限られず、これに代えて、３端子、４端子、５端子、あるいは７端子以上の端子電極を有する電子部品を内蔵させることもできる。たとえば、３端子の電子部品であれば、１辺に１個の端子電極を有し、対向するもう１辺に２個の端子電極を有する構成になる。
【００８７】
なお、端子電極は、電子部品の底面を囲む辺にまたがって形成されている必要はなく、辺の近傍の電子部品の底面に形成されていても良い。
【００８８】
また、上記の端子電極は、第１の端子電極と、第２の端子電極とにグルーピングされるが、第１の端子電極、あるいは第２の端子電極にグリーピングされる端子電極が３個以上ある場合であっても、それらは厳密に一列に並んでいる必要はなく、多少ずれた位置に配置されていても良い。また、電子部品は、第１の端子電極と第２の端子電極のいずれにもグルーピングされない、第３の端子電極を備えていても良い。なお、電子部品のこれらの端子電極の配置位置に対応して、第１のランド電極と第２のランド電極とが配置される。
【００８９】
［第６実施形態］
図１２に、本発明の第６の実施形態にかかる電子回路モジュール６００を示す。なお、図１２は断面図である。
【００９０】
電子回路モジュール６００は、図１および図４（Ｊ）に示した、第１の実施形態にかかる部品内蔵基板１００に、さらに電子部品１１１を実装し、必要な電子回路を構成したものである。封止樹脂層５の上側主面に形成された電極７に、電子部品１１１が実装されている。
【符号の説明】
【００９１】
１、１１、５１、７１、９１、１１１：電子部品
１ａ、１１ａ、５１ａ、７１ａ、９１ａ：第１の端子電極
１ｂ、１１ｂ、５１ｂ、７１ｂ、９１ｂ：第２の端子電極
２、５２、７２、８２：コア基板
３ａ、１３ａ、５３ａ、７３ａ、８３ａ：第１のランド電極
３ｂ、１３ｂ、５３ｂ、７３ｂ、８３ｂ：第２のランド電極
４ａ、１４ａ、５１ａ、７４ａ、８４ａ：第１の導電性接合材
４ｂ、１４ｂ、５１ｂ、７４ｂ、８４ｂ：第２の導電性接合材
５、１５：封止樹脂層
１００、２００、３００、４００、５００：部品内蔵基板
６００：電子回路モジュール
【図１】
2011146510.tif 000003
【図２】
2011146510.tif 000004
【図３】
2011146510.tif 000005
【図４】
2011146510.tif 000006
【図５】
2011146510.tif 000007
【図６】
2011146510.tif 000008
【図７】
2011146510.tif 000009
【図８】
2011146510.tif 000010
【図９】
2011146510.tif 000011
【図１０】
2011146510.tif 000012
【図１１】
2011146510.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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