(57)【要約】【課題】ベースに搭載した電子部品と、ベースの電子部品を搭載する側と反対側に設けた外部電極と、ベースとを溶着させた貫通電極と、を備えた電子デバイスにおいて、電子部品と外部電極との導通を確保することを課題とする。【解決手段】ベース１０とベース１０を貫通し、研磨によって端面の絶縁性物質を除去された貫通電極２１と、貫通電極２１の一方の端面に回路パターン３０を形成し、回路パターン３０及び貫通電極２１の他方の端面に、それぞれ第２の金属膜２３及び第１の金属膜２２を形成し、第２の金属膜２３を介して設置された電子部品４０と、ベース１０の電子部品４０を設置した側と反対側に設置された外部電極６０と、ベースと接合し、ベース１０上の電子部品４０を保護するキャップ５０と、を備えた電子デバイスを提供する。【選択図】  図１
2011155506.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス、またはシリコンにより形成されたベースと、
前記ベースを貫通するとともに、両端面が研磨され、かつ前記ベースと同一平面を形成する貫通電極と、
前記貫通電極の一方の端面に形成された回路パターンと、
前記貫通電極の他方の端面を覆って形成された第１の金属膜と、
前記回路パターン上を覆って形成された第２の金属膜と、
前記第２の金属膜と電気的に接続し、かつ前記第２の金属膜上に形成された接続部と、
前記接続部と電気的に接続し、かつ前記接続部に設置された電子部品と、
前記第一の金属膜と電気的に接続した外部電極と、
前記ベースと接合されたキャップと、
を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記ベースと前記貫通電極との間に低融点ガラスを有することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記第１の金属膜又は前記第２の金属膜は、最表面の物質が金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムのいずれかの物質であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記第１の金属膜と前記第２の金属膜は同一の物質であることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記貫通電極が、鉄−ニッケル合金、コバール合金、鉄−ニッケル−クロム合金のいずれかの物質であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記電子部品が水晶振動子片であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
ベースに貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に低融点ガラスを塗布し、貫通電極を挿入して溶着する貫通電極形成工程と、
前記貫通電極と前記ベースとが平滑な同一平面を形成するまで、前記貫通電極の端面を研磨する貫通電極研磨工程と、
前記貫通電極の一方の端面に回路パターンを形成する工程と、
前記貫通電極の他方の端面に第１の金属膜を形成し、前記回路パターン上に第２の金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記回路パターンと電子部品とを電気的に接続する電子部品接続工程と、
前記貫通電極と外部電極とを電気的に接続する外部電極接続工程と、
前記ベースと凹状に加工されたキャップを接合する工程と、
を備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記貫通電極形成工程が、大径部と小径部とからなる断面Ｔ字型の金属ピンを貫通孔に挿入して溶着することを特徴とする請求項７に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記貫通電極研磨工程が、前記金属ピンの大径部と前記金属ピンを覆うように形成された酸化膜を研磨して除去することを特徴とする請求項８に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記金属膜形成工程は、前記貫通電極が鉄−ニッケル合金、コバール合金、鉄−ニッケル−クロム合金のいずれかであって、前記第１の金属膜及び第２の金属膜のうち少なくとも一方をニッケル置換型の無電解めっきによって形成することを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記金属膜形成工程は、前記第１の金属膜及び第２の金属膜のうち少なくとも一方を前記貫通電極の他方の端面又は回路パターン上に金属微粒子を塗布して焼成して形成することを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記金属膜形成工程は、前記第１の金属膜及び第２の金属膜を同一の方法を用いて同一工程で形成することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記金属膜形成工程は、前記第１の金属膜及び第２の金属膜を異なる方法を用いて別々の工程で形成することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記電子部品接続工程は、前記回路パターンと前記電子部品とを、前記第２の金属膜と、前記第２の金属膜と前記電子部品とを接続する接続部と、を介して電気的に接続することを特徴とする請求項７から１３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記外部電極接続工程は、前記貫通電極と前記外部電極とを前記第１の金属膜を介して電気的に接続することを特徴とする請求項７から１４のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１６】
請求項１から６のいずれか一つに記載の電子デバイスを用いた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動子片や圧電素子に代表される電子デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子は周波数特性に優れているため、デバイス、具体的にプリント基板実装部品の一つとして多用されている。ただし、水晶振動子の特性を安定させるには、外気の影響を遮断するため、密封容器に入れることが望ましく、このようなパッケージ構造の例は、「ガラス−セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型圧電部品」などで提案されている（特許文献１）。
【０００３】
このパッケージは、ベースに水晶片を納め、キャップを被せてなる電子デバイスにおいて、水晶片とほぼ同じ熱膨張率の材料であるセラミックとガラス粉末とを混合したものを用いて、パッケージを構成することを特徴としている。
【０００４】
しかし、このパッケージはガラス−セラミック複合体であるため、１個のベースに水晶片を載せ、キャップを被せるところの単品生産によっており、生産性が著しく低い。加えて、ガラス−セラミック複合体は加工が難しく、生産コストが嵩む。
【０００５】
これらの欠点を解消するべく、パッケージを加工容易なガラスで製造する方法が提案されており、「電子部品パッケージ」などが提案されている（特許文献２）。
【０００６】
図７を用いて従来例の概要を説明する。従来例では、ベース１１０に貫通孔を作製する工程（ａ）、貫通孔に低融点ガラスを流し込み、金属ピン１２０をはめ込む工程（ｂ）、金属ピン１２０を押し込む共に、ガラス板を凹状に加工する工程（ｃ）、電極１３０を印刷によって形成する工程（ｄ）、水晶振動子等の部品を金属ピンに搭載する工程（ｅ）、封止材１５０を介してキャップ１６０とベース１１０を封止接合する工程（ｆ）を経て、電子デバイス１００を製造する方法が提案されている。この中で（ｃ）の工程において、加熱温度をガラスの軟化点温度（約１０００℃）以上にすることで、ガラスを溶着させることで、ベース１１０に密着固定した金属ピン１２０を得ることができるため、工程（ｆ）で確実に機密性を保つことができ、低コストで製造できるというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−３０２０３４号公報
【特許文献２】特開２００３−２０９１９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述の電子デバイス１００の製造方法の工程（ｃ）において、図８に示す課題がある。図８は、工程（ｃ）の金属ピン部分の拡大図である。即ち、（ｃ−１）に示すように、金属ピン１２０が短い場合や、または、押し込み量が少ない場合には、金属ピン１２０が低融点ガラス１７０に包まれてしまう。このため、工程（ｄ）で形成する電極１３０と金属ピン１２０との電気的接続が確保できない。また、（ｃ−２）に示すように、設計通りに金属ピン１２０を押し込めても、ベース１１０が軟化点以上の温度にさらされているため、ガラスが金属ピン１２０の先端をカバーする可能性がある。さらには、（ｃ−３）に示すように、金属ピン１２０が約１０００℃の温度にさらされ、金属ピン１２０の周囲に酸化膜１８０が成長し、電極１３０と電子部品１４０とが導通しなくなるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
【００１０】
本発明の電子デバイスは、ガラス、またはシリコンにより形成されたベースと、前記ベースを貫通するとともに、両端面が研磨され、かつ前記ベースと同一平面を形成する貫通電極と、前記貫通電極の一方の端面に形成された回路パターンと、前記貫通電極の他方の端面を覆って形成された第１の金属膜と、前記回路パターン上を覆って形成された第２の金属膜と、前記第２の金属膜と電気的に接続し、かつ前記第２の金属膜上に形成された接続部と、前記接続部と電気的に接続し、かつ前記接続部に設置された電子部品と、前記第一の金属膜と電気的に接続した外部電極と、前記ベースと接合されたキャップと、を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の構成により、第１の金属膜及び第２の金属膜を形成するため、溶着時に生成した酸化膜を取り除いた後に、貫通電極表面に酸化膜の成長を防ぐことができるため、電子部品と外部電極との導通を確保できる。また、研磨時に生じる段差により、回路パターンが薄くなる部分を各金属膜によりカバーできるため、電子部品と外部電極との導通を確保できる。
【００１２】
また、本発明の電子デバイスは、前記ベースと前記貫通電極との間に低融点ガラスを有することを特徴とする。
【００１３】
また、前記第１の金属膜又は前記第２の金属膜は、最表面の物質が金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムの貴金属である電子デバイスを提供する。
【００１４】
本発明の構成により、イオン化傾向の小さい金属膜で覆うことで、より安定して外部電極が形成でき、電子部品と外部電極との導通を確保できる。
【００１５】
また、本発明の電子デバイスにおいて、前記貫通電極が、鉄−ニッケル合金、コバール合金、鉄−ニッケル−クロム合金のいずれかの物質であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の電子デバイスは、前記電子部品が水晶振動子片であることを特徴とする水晶振動子であることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の電子デバイスの製造方法は、ベースに貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に低融点ガラスを塗布し、貫通電極を挿入して溶着する貫通電極形成工程と、前記貫通電極と前記ベースとが平滑な同一平面を形成するまで、前記貫通電極の端面を研磨する工程と、前記貫通電極の一方の端面に回路パターンを形成する工程と、前記回路パターン上に第２の金属膜を形成し、前記貫通電極の他方の端面に第１の金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記回路パターンと電子部品とを電気的に接続する電子部品接続工程と、前記貫通電極と外部電極とを電気的に接続する外部電極接続工程と、前記ベースと凹状に加工されたキャップを接合する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明の製造方法により、第１の金属膜及び第２の金属膜を形成するため、溶着時に生成した酸化膜を取り除いた後に、貫通電極表面に酸化膜の成長を防ぐことができるため、電子部品と外部電極との導通を確保できる。また、研磨時に生じる段差により、回路パターンが薄くなる部分を各金属膜によりカバーできるため、電子部品と外部電極との導通を確保できる。
【００１９】
また、本発明の電子デバイスの製造方法は、前記貫通電極形成工程が、大径部と小径部からなる断面Ｔ字型の金属ピンを貫通孔に挿入して溶着することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の電子デバイスの製造方法は、前記貫通電極研磨工程が、前記金属ピンの大径部と前記金属ピンを覆うように形成された酸化膜を研磨して除去することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の電子デバイスの製造方法において、前記第１の金属膜形成工程及び前記第２の金属膜形成工程のうち少なくとも一方は、前記貫通電極が鉄−ニッケル合金、コバール合金、鉄−ニッケル−クロム合金のいずれかであって、前記第１の金属膜及び第２の金属膜のうち少なくとも一方をニッケル置換型の無電解めっきによって形成することを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の電子デバイスの製造方法において、前記金属膜形成工程は、前記第１の金属膜及び第２の金属膜を同一の方法を用いて同一工程で形成することを特徴とする。
【００２３】
また、前記金属膜形成工程は、前記第１の金属膜及び第２の金属膜を異なる方法を用いて別々の工程で形成することを特徴とする。
【００２４】
本発明の製造方法により、貫通電極、及び、回路パターンに密着層やバリア層を設けずに、直接密着性良く貴金属膜を形成することができるため、電子デバイスを構成する低融点ガラス等の部材へのダメージを最小に抑えることができる。また、少ない工程数で金属膜を形成できるため、スパッタ法による膜形成では必要なマスクが不要になり、低コストで電子部品と外部電極との導通を確保できる。
【００２５】
また、本発明の電子デバイスの製造方法において、前記第１の金属膜形成工程及び前記第２の金属膜形成工程のうち少なくとも一方は、前記貫通電極の両端面に金属微粒子を塗布して焼成して形成することを特徴とする。
本発明の製造方法により、インクジェットを用いて、金属微粒子を描画した後、焼成する方法が採用できるため、通常のスパッタ法による膜形成では必要なマスクが不要になり、低コストで電子部品と外部電極との導通を確保できる。
【００２６】
また、本発明の電子デバイスの製造方法において、前記電子部品接続工程は、前記回路パターンと前記電子部品とを、前記第２の金属膜と、前記第２の金属膜と前記電子部品とを接続する接続部と、を介して電気的に接続することを特徴とする。
【００２７】
また、本発明の電子デバイスの製造方法において、前記外部電極接続工程は、前記貫通電極と前記外部電極とを前記第１の金属膜を介して電気的に接続することを特徴とする。
【００２８】
また、本発明の電子デバイスを用いた電子機器を提供することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、ベースと貫通電極の溶着時に、貫通電極に生成してしまう酸化膜を除去した後に、貫通電極の両端面に、マスクを用いずに金属膜を形成することで、貫通電極と電子部品、及び外部電極との電気的接続を確保することができ、電子部品と外部電極との導通を安定して保ち、低コストで製造できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明に係る電子デバイスの断面図である。
【図２】本発明に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。
【図３】本発明に係る電子デバイスの貫通電極部分の拡大断面図である。
【図４】本発明に係る電子デバイスの貫通電極部分の拡大断面図である。
【図５】本発明に係る電子デバイスの貫通電極部分の拡大断面図である。
【図６】本発明に係る電子デバイスの貫通電極部分の拡大断面図である。
【図７】従来例の製造工程を示す図である。
【図８】従来例の金属ピン部の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る電子デバイスの断面図である。電子デバイス１は、ガラス製のベース１０とキャップ５０とで囲まれたパッケージ内部に電子部品４０が搭載され、電子部品４０は、回路パターン３０、第２の金属膜２３、貫通電極２１、第１の金属膜２２を介して、基板に実装される端子である外部電極６０と電気的に接続されている。ベースとしては、これに限らず、例えば、シリコン製のものでよく、圧力センサなどのＭＥＭＳデバイスの場合に用いることができる。
【００３２】
図１では、電子デバイス１は、電子部品４０として音叉型の水晶振動子片を搭載した水晶振動子である。本願発明において、電子デバイスは、これに限らず、ＡＴカット水晶振動子、半導体回路、ＬＥＤ、各種センサなど、ベース１０上に搭載可能な電子デバイスを含む。
【００３３】
貫通電極２１は、鉄−ニッケル合金、コバール合金、鉄−ニッケル−クロム合金等が望ましい。ここで、この鉄ニッケル合金には、例えば36% Ni−Fe 合金、42% Ni−Fe 合金、45% Ni−Fe 合金、47% Ni−Fe 合金、50% Ni−Fe 合金、52% Ni−Fe 合金等が使用できる。またこの鉄ニッケルクロムとしては、例えば、42Ni−6Cr−Feがあげられる。しかし、これら以外の金属でもよく、例えば、熱履歴による破壊を防ぐことができるベース１０と熱膨張係数が近いものを用いることができる。
【００３４】
第１の金属膜２２、第２の金属膜２３は、貫通電極２１などの酸化を防ぐために貫通電極などを覆って形成される。また、第１の金属膜２２、第２の金属膜２３は、最表面に金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウム等の貴金属を使用する。貴金属は、イオン化傾向が小さく、耐腐食性があるため、外部電極形成までの時間での劣化や、基板実装後の過熱時による貫通電極２１の酸化を抑えることができ、さらに、本願発明を用いた電子デバイスの信頼性を向上させることができる。
【００３５】
また、第１の金属膜２２、第２の金属膜２３は、貫通電極２１及び回路パターン３０との密着性を確保するために、最表面の貴金属の下地として、クロム、チタン等の金属膜を形成しても良い。さらに、金属拡散を防ぐために拡散防止層として下地層と貴金属膜との間にニッケル等の金属膜を形成しても良い。なお、第１の金属膜２２、第２の金属膜２３は、同一の材料を用いて形成することもできるが、異なる材料を用いて形成してもよい。
【００３６】
第１の金属膜２２、第２の金属膜２３の形成方法には、スパッタ法が一般的な方法である。また、各金属膜の形成方法にはめっき法を用いることができる。また、貫通電極２１としてニッケル成分を含むものを用いれば、第１の金属膜２２、第２の金属膜２３を形成する際に、ニッケル置換型の無電解めっきを直接用いることができる。このめっき液としては、例えば、中性置換型の無電解金めっき液などを用いるとよい。無電解めっきにより形成した第１の金属膜２２、第２の金属膜２３は、貫通電極２１との密着性が高い。また、めっきによる金属膜は貫通電極２１上、又は回路パターン３０上だけに形成することも可能なため、通常のめっきによる回路基板などの上面の処理を省くことが可能になる。なお、各金属膜は、少なくとも貫通電極２１上、回路パターン２３上に形成されていればよい。そのため、めっき法は、スパッタ法、蒸着法に比べ、製造工程の無駄がなく、低コスト化が可能になる。なお、各金属膜は同様の形成方法により形成することもできるが、異なる方法を用いて形成してもよい。
【００３７】
回路パターン３０は、ベース１０の上面にあり、回路パターン３０は導電接着剤を焼成したものでも、フォトリソ法を用いて形成した金属薄膜でもよい。
【００３８】
また、回路パターン３０の上面に形成した第２の金属膜２３と電子部品４０とを接続する接続部（図示しない）は、例えば銀ペースト等の導電接着剤を用いることができる。その場合、第２の金属膜２３と電子部品４０とは、接続部である銀ペースト等の導電接着剤を焼成して接合される。しかし、電子部品４０の構成によっては、接続部として導電接着剤を用いなくても良い。例えば、金属膜２２の最表面に金を使用した場合、電子部品４０上に形成した金バンプ（図示しない）を接続部として用いることができる。その場合、電子部品４０上に形成した金バンプとベース１０上の金属膜とを熱圧着によって接合する金−金接合などを導電接着剤の代わりに用いて接合することができる。
【００３９】
外部電極６０の材質は、スパッタ膜や蒸着膜による金属薄膜で形成する。もしくは、ベース１０が脆い場合は、基板実装時の応力を緩和する銀ペースト等の導電性接着剤で形成することもできる。
【００４０】
次に、製造方法を図２から図６を用いて説明する。図２から図６は、ウェハーレベルで作製され、最後にダイシング等で切断されて得られる電子デバイスの製造方法を示す。なお、本願発明は、これに限定されず、はじめから個別パッケージで形成されてもよい。
【００４１】
図２は、本発明に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。
【００４２】
工程（ア）は、ベース１０に貫通孔を形成する工程である。貫通孔は、サンドブラスト、レーザー加工、ドリル加工、熱プレス加工等で製造する。
【００４３】
工程（イ）は、貫通孔に図示しない低融点ガラスを塗布し、貫通電極２０を挿入し、溶着する工程である。
【００４４】
図３は、工程（イ）の貫通電極２０部分を拡大した図である。貫通電極２０は孔から落ちないようにＴ字型のものを用いる。この貫通電極２０は、例えば大径部と小径部とからなる断面Ｔ型の金属ピンを用いることができる。工程（イ）では、ガラス溶着させるためには、少なくとも低融点ガラスが溶ける温度である４００〜５００℃にする必要がある。また、低融点ガラスを用いない場合には、ベース１０のガラス軟化点温度以上（約１０００℃）にする必要がある。そのため、ベース１０及び低融点ガラス７０に覆われていない場所は、図３の（イ−１）、（イ−２）に示すように、貫通電極２０の露出した部分に酸化膜８０が生成され、導通が取れなくなる場合がある。その場合、酸化膜８０を除去する必要がある。
【００４５】
そこで、貫通電極２０のＴ字の頭部分と、図３で示したＴ字部分を覆う酸化膜８０、及び低融点ガラス７０を除去して、貫通電極２１を形成する工程である。図４は、工程（ウ）の貫通電極２１部分を拡大した図である。
【００４６】
図４は、工程（ウ）の貫通電極２０部分を拡大した図である。図４に示す工程（ウ−１）は、貫通電極２０、及びベース１０を薄く研磨する工程である。この工程により、貫通電極２０を覆う酸化膜９０、及び低融点ガラス７０がなくなり、ベース１０の両面において、貫通電極２１を介して導通が取れる状態にできる。
【００４７】
工程（エ）は、貫通電極２１の研磨面に回路パターン３０を形成する工程である。図５は、工程（エ）に貫通電極２１部分の拡大した図である。ベース１０、貫通電極２０、低融点ガラス７０を同時に研磨するため、一番軟らかい材質である低融点ガラス７０がベース１０の面よりも多めに研磨され、段差が生じる。この状態で回路パターン３０を形成するため、回路パターンが非常に薄くなる場所ができ電気抵抗が大きくなる。その場合、形成された段差による影響をカバーする必要がある。
【００４８】
そこで、工程（オ）は回路パターン３０上、及び、回路パターン３０が形成されない貫通電極２１上にそれぞれ第２の金属膜２３、及び、第１の金属膜２２を形成する工程である。第１の金属膜２２、第２の金属膜２３のうち少なくとも一方は、無電解めっきを行うことで、貫通電極２１の端面、又は回路パターン３０のみに、めっきによる第１金属膜２２、又は第２の金属膜を形成することが可能である。なお、工程（ウ）から工程（エ）までに自然酸化膜が形成されるが、めっき前に薬液洗浄することで、きれいに除去することができる。無電解めっきにより、スパッタ法による膜形成では必要なマスクが不要になり、一度に貫通電極２１と回路パターン３０に第１の金属膜２２、第２の金属膜２３を形成できる。そのため、バッチで処理でき、他の工法に比べて低コストで、量産性がよい。
【００４９】
図６は、工程（オ）の貫通電極２０部分を拡大した図である。図６の工程（オ−１）に示すように、この時点で、（エ−１）に示す段差による影響をカバーでき、導通を安定して保つことができる。なお、段差による影響をカバーできればよいため、必ずしも各金属膜は一度に形成しなくてもよい。また、各金属膜は、導通を保つことができればよいため、少なくとも貫通電極２の端面上、又は回路パターン上に覆うように形成されていればよい。
【００５０】
また、第１の金属膜２２、第２の金属膜２３のうち少なくとも一方は、金属微粒子を焼成することで形成してもよい。この方法では、金属微粒子は、インクジェット装置で塗布できるように溶液中に分散している。このとき、予め、貫通電極２１の位置をマッピングしておくことで、貫通電極２１の端面のみ、又は回路パターンのみに金属微粒子を塗布でき、塗布された金属微粒子を焼成して、第１の金属膜２２、第２の金属膜２３を形成することができる。なお、工程（ウ）から工程（エ）までに形成される自然酸化膜は、塗布前に薬液洗浄することで除去する。金属微粒子を焼成して金属膜を形成することにより、マスクが不要になり、スパッタ法に比べて低コストで製造できる。
【００５１】
また、第１の金属膜２２、第２の金属膜２３はそれぞれスパッタ法、蒸着法とフォトリソ法を組み合わせて形成してもよい。このように第１の金属膜２２、第２の金属膜２３を形成しておくことで、以降の工程で加熱等による貫通電極２１の酸化を防ぎ、導通を確保することができる。なお、第１の金属膜及び第２の金属膜は同一の方法を用いることにより、同一工程で形成することができる。また、第１の金属膜及び第２の金属膜は、異なる方法を用いて、別々の工程で形成してもよい。例えば、第１の金属膜及び第２の金属膜の一方を金属微粒子を塗布し、焼成して形成、他方をその他の方法等で形成する場合、別々の工程で形成する。
【００５２】
ここで、ベース１０がシリコンの場合、ベース１０に酸化膜を形成する。その場合、貫通電極２１、回路パターン３０は、第１の金属膜２２、第２の金属膜２３を形成しているため酸化しない。これにより、シリコンで形成したベース１０部分のみに酸化膜が形成され、回路パターンを含む接続部がショートせず、電子デバイスとして使用することが可能になる。
【００５３】
工程（カ）は、電子部品４０を設置する工程である。回路パターン３０、及び第２の金属膜２３を介して電子部品４０を設置する。第２の金属膜２３と電子部品４０とを接続する接続部（図示しない）は、例えば銀ペースト等の導電接着剤を用いることができる。その場合、第２の金属膜２３と電子部品４０とは、接続部である銀ペースト等の導電接着剤を焼成して接合される。また、電子部品４０の構成によっては、接続部として導電接着剤を用いなくても良い。例えば、金属膜２２の最表面に金を使用した場合、電子部品４０上に形成した金バンプ（図示しない）を接続部として用いることができる。その場合、電子部品４０上に形成した金バンプとベース１０上の金属膜とを熱圧着によって接合する金−金接合などを導電接着剤の代わりに用いて接合することができる。
【００５４】
工程（キ）は、ベース１０に搭載された電子部品４０を保護するため、凹上に加工したキャップ５０をベース１０と接合する工程である。キャップ５０の材質は、例えばシリコン、ガラス等を用いることができ、接合方法や、真空度やコスト等などの電子部品４０に要求される仕様を考慮して選択すればよい。例えば、電子部品４０が水晶振動子片であり、ベース１０とキャップ５０との接合後に周波数調整をする場合には、キャップ５０にはガラス製の部材を選択することが望ましい。また、接合方法として、例えば接着や陽極接合、金−金接合等を用いることができる。
【００５５】
工程（ク）は、外部電極６０を形成する工程である。外部電極６０はスパッタ法で形成する。または、外部電極６０は、導電性接着剤を印刷して焼成することで形成する。さらに、導電接着剤上にスパッタ法による金属膜を形成しても良い。
【００５６】
工程（ケ）は、パッケージを個片化する工程である。具体的には、キャップ５０の材質によって．個片化する方法は変わるが、ダイシング、またはレーザーカットによって行うことができる。
【００５７】
本発明の電子デバイスは、例えば、本発明の電子デバイスを発振子として用いた発振器又は時計、本発明の電子デバイスを計時部に備えた携帯情報機器、本発明の電子デバイスを時刻情報などの電波を受信部に備えた電波時計等の電子機器に用いることができる。
【符号の説明】
【００５８】
１      電子デバイス
１０    ベース
２０    貫通電極
２１    切削された貫通電極
２２    第１の金属膜
２３    第２の金属膜
３０    回路パターン
４０    電子部品
５０    キャップ
６０    外部電極
７０    低融点ガラス
８０    酸化膜
１００  電子デバイス
１１０  ベース
１２０  金属ピン
１３０  電極
１４０  電子部品
１５０  封止材
１６０  キャップ
１７０  低融点ガラス
１８０  酸化膜
【図１】
2011155506.tif 000003
【図２】
2011155506.tif 000004
【図３】
2011155506.tif 000005
【図４】
2011155506.tif 000006
【図５】
2011155506.tif 000007
【図６】
2011155506.tif 000008
【図７】
2011155506.tif 000009
【図８】
2011155506.tif 000010