(57)【要約】【課題】多層配線基板の導電接続部材を簡易な手順で形成する。【解決手段】多層配線基板１０２は、絶縁膜１１２中に形成され、他面側で露出して形成された複数のビア１１４を含む配線層１１０と、他面とは反対側の一面側に形成された絶縁膜１３２中に形成された複数のビア１３８とを含む配線層１３０とが積層された構成を有する。多層配線基板１０２において、配線層１３０に形成された複数のビア１３８は、それぞれ、ビア１１４のいずれかと直接または他の導電材料を介して接続されており、複数のビア１１４は、ビア１３８のいずれかと直接または他の導電材料を介して接続されるが、当該接続されたビア１３８との間で電流経路を構成しないダミー導電接続部材（ビア１１４ｃ、ビア１１４ｄ）を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
他面側に形成された第１の絶縁膜と、当該第１の絶縁膜中に形成され、前記他面側で露出して形成された複数の第１の導電接続部材とを含む第１の配線層と、前記他面とは反対側の一面側に形成された第２の絶縁膜と、当該第２の絶縁膜中に形成された複数の第２の導電接続部材とを含む第２の配線層とが積層された多層配線基板と、
前記多層配線基板の前記一面に搭載され、前記複数の第２の導電接続部材のいずれかと電気的に接続された第１の電子部品と、
を含み、
前記多層配線基板において、前記第２の配線層に形成された前記複数の第２の導電接続部材は、それぞれ、前記第１の配線層に形成された前記複数の第１の導電接続部材のいずれかと直接または他の導電材料を介して接続されており、
前記第１の配線層に形成された前記複数の第１の導電接続部材はダミー導電接続部材を含み、当該ダミー導電接続部材は、前記第２の配線層に形成された前記第２の導電接続部材のいずれかと直接または他の導電材料を介して接続されるが、当該接続された前記第２の導電接続部材との間で電流経路を構成しない電子装置。
【請求項２】
請求項１に記載された電子装置において、
前記多層配線基板の前記一面に形成され、前記複数の第２の導電接続部材のいずれかを介して前記第２の導電接続部材と電気的に接続された他の第１の部材をさらに含み、
前記複数の第２の導電接続部材と前記他の第１の部材とを電気的に接続する前記第２の導電接続部材は、前記ダミー導電接続部材とも直接または他の導電材料を介して接続された電子装置。
【請求項３】
請求項２に記載された電子装置において、
前記他の第１の部材は、第２の電子部品である電子装置。
【請求項４】
請求項１から３いずれかに記載された電子装置において、
前記多層配線基板の前記他面に搭載され、前記複数の第１の導電接続部材のいずれかと電気的に接続された第３の電子部品をさらに含み、
前記ダミー導電接続部材は、前記多層配線基板の前記他面において、前記第３の電子部品と重なる領域内に露出して形成された電子装置。
【請求項５】
請求項４に記載された電子装置において、
前記第３の電子部品は、半導体チップであって、
前記第３の電子部品と前記複数の第１の導電接続部材のいずれかとを接続するバンプと、当該バンプを埋め込むアンダーフィルとをさらに含み、
前記ダミー導電接続部材は、前記多層配線基板の前記他面において、前記アンダーフィルが形成された領域内に露出して形成された電子装置。
【請求項６】
請求項５に記載された電子装置において、
前記ダミー導電接続部材の前記多層配線基板の前記他面における露出面が、前記アンダーフィルと接触して形成された電子装置。
【請求項７】
請求項５に記載された電子装置において、
前記多層配線基板の前記他面において、前記ダミー導電接続部材に接続して設けられるとともに他の部材に電気的に接続されていないバンプをさらに含む電子装置。
【請求項８】
請求項１から６いずれかに記載された電子装置において、
前記ダミー導電接続部材の前記多層配線基板の前記他面における露出面が、絶縁材料と接触して形成された電子装置。
【請求項９】
請求項１から８いずれかに記載された電子装置において、
前記複数の第２の導電接続部材は、ビアである電子装置。
【請求項１０】
請求項１から９いずれかに記載された電子装置において、
前記複数の第２の導電接続部材は、銅膜とスズおよび銀の合金膜との積層構造、またはニッケル膜とスズおよび銀の合金膜との積層構造により構成されたビアである電子装置。
【請求項１１】
給電層上に形成され、それぞれ前記給電層に電気的に接続された複数の第３の導電接続部材上に、第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜に、それぞれ少なくとも一の前記複数の第３の導電接続部材を露出させる複数の開口部を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜中の前記複数の開口部内に、前記給電層から給電を行う電解めっき法により、複数の第４の導電接続部材を形成して、当該複数の第４の導電接続部材と前記第３の絶縁膜とを含む第３の配線層を形成する工程と、
前記第３の配線層上に第４の電子部品を搭載して、前記複数の第４の導電接続部材のいずれかと当該第４の電子部品とを電気的に接続する工程と、
前記給電層を除去する工程と、
を含み、
前記複数の第４の導電接続部材と前記給電層との間には、前記複数の第４の導電接続部材を形成する際に、前記給電層からの給電を行う目的のために設けられたダミー導電接続部材が設けられている電子装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子装置の製造方法において、
前記給電層を除去する工程において、当該給電層を除去した面に、前記ダミー導電接続部材を露出させる電子装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の電子装置の製造方法において、
前記複数の第４の導電接続部材が、前記ダミー導電接続部材を含む電子装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１から１３いずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記電子装置は、前記給電層と接し、第４の絶縁膜と、当該第４の絶縁膜中に形成され、それぞれ給電層に電気的に接続された複数の第５の導電接続部材とを含む第４の配線層を含み、少なくとも前記複数の第５の導電接続部材は、前記ダミー導電接続部材を含む電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１（特開２０００−２９９４０４号公報）には、コア基板の両面または片面に配線パターンが形成され、コア基板を貫通させて形成された導体部に配線パターンが電気的に接続された多層配線基板において、コア基板が、めっきにより形成されたビア柱と導体コア部とからなる導体部と、該ビア柱と導体コア部を電気的に絶縁する絶縁体部とからなる構成が記載されている。ビア柱と導体コア部は、無電解銅めっきまたはスパッタリング等により導体層を形成した後に、レジストパターンを形成し、導体層をめっき給電層とした電解銅めっきを施すことにより形成される。コア基板に配線パターンを形成した後、導体基板を除去することによって多層配線基板が得られる。
【０００３】
特許文献２（特開２００１−３０８５３２号公報）には、片面銅張り積層基板の樹脂層側から銅箔表面まで穴加工する工程と、銅箔を給電層とする電解めっきにより、樹脂層に形成された穴の充填を行う工程と、穴の充填面を平坦化する工程と、樹脂層の表面を粗らす工程と、樹脂層上に導電パターンを形成する工程と、導電パターンの形成された樹脂層上にビルドアップ樹脂層を形成する工程と、ビルドアップ樹脂層を充填面の表面まで穴加工する工程と、銅箔を給電層とする電解めっきにより、ビルドアップ樹脂層に形成された穴の充填を行う工程とを備えたプリント配線板の製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２９９４０４号公報
【特許文献２】特開２００１−３０８５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載の技術では、電解めっきを行う度に、スパッタリングや無電解めっきにより、電解めっきの給電層となる膜を形成する必要があり、製造コストが高くなるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
他面側に形成された第１の絶縁膜と、当該第１の絶縁膜中に形成され、前記他面側で露出して形成された複数の第１の導電接続部材とを含む第１の配線層と、前記他面とは反対側の一面側に形成された第２の絶縁膜と、当該第２の絶縁膜中に形成された複数の第２の導電接続部材とを含む第２の配線層とが積層された多層配線基板と、
前記多層配線基板の前記一面に搭載され、前記複数の第２の導電接続部材のいずれかと電気的に接続された第１の電子部品と、
を含み、
前記多層配線基板において、前記第２の配線層に形成された前記複数の第２の導電接続部材は、それぞれ、前記第１の配線層に形成された前記複数の第１の導電接続部材のいずれかと直接または他の導電材料を介して接続されており、
前記第１の配線層に形成された前記複数の第１の導電接続部材はダミー導電接続部材を含み、当該ダミー導電接続部材は、前記第２の配線層に形成された前記第２の導電接続部材のいずれかと直接または他の導電材料を介して接続されるが、当該接続された前記第２の導電接続部材との間で電流経路を構成しない電子装置が提供される。
【０００７】
本発明によれば、
給電層上に形成され、それぞれ給電層に電気的に接続された複数の第３の導電接続部材上に、第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜に、それぞれ少なくとも一の前記複数の第３の導電接続部材を露出させる複数の開口部を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜中の前記複数の開口部内に、前記給電層から給電を行う電解めっき法により、複数の第４の導電接続部材を形成して、当該複数の第４の導電接続部材と前記第３の絶縁膜とを含む第３の配線層を形成する工程と、
前記第３の配線層上に第４の電子部品を搭載して、前記複数の第４の導電接続部材のいずれかと当該第４の電子部品とを電気的に接続する工程と、
前記給電層を除去する工程と、
を含み、
前記複数の第４の導電接続部材と前記給電層との間には、前記複数の第４の導電接続部材を形成する際に、前記給電層からの給電を行う目的のために設けられたダミー導電接続部材が設けられている電子装置の製造方法が提供される。
【０００８】
この構成によれば、ダミー導電接続部材を設けることにより、複数の第２の導電接続部材や複数の第４の導電接続部材を、給電層から給電を行う電解めっき法により形成することができる構成となっている。これにより、電解めっきを行う度に、スパッタリングや無電解めっきにより、電解めっきの給電層となる膜を形成する必要がないので、簡易な手順で複数の第２の導電接続部材および複数の第４の導電接続部材を形成することができる。
【０００９】
なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を方法、装置などの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、多層配線基板の導電接続部材を簡易な手順で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態における電子装置の構成の一例を示す断面図である。
【図２】図２に示した電子装置の各ビアおよび各配線パターンの接続状態を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態における電子装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における電子装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図５】本発明の実施の形態における電子装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態における電子装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図７】本発明の実施の形態における電子装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図８】本発明の実施の形態における電子装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図９】本発明の実施の形態における電子装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態における電子装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態における電子装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態における電子装置の構成の他の例を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態における電子装置の構成の他の例を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態における電子装置の構成の他の例を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態における電子装置の構成の他の例を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態における電子装置の製造手順の他の例を示す工程断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態における電子装置の製造手順の他の例を示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様の構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１３】
図１は、本実施の形態における電子装置１００の構成を示す断面図である。
電子装置１００は、多層配線基板１０２と、多層配線基板１０２の一面に搭載された電子部品１４６（第１の電子部品、第４の電子部品）および電子部品１５２（第２の電子部品）と、多層配線基板１０２の他面に搭載された電子部品１６０（第３の電子部品）とを含む。
【００１４】
電子部品１４６、電子部品１５２、および電子部品１６０は、たとえばＬＳＩ等の半導体チップや抵抗等の受動部品等とすることができる。本実施の形態においては、電子部品１４６、電子部品１５２、および電子部品１６０がそれぞれ半導体チップである場合を例として説明する。また、本実施の形態において、電子部品１４６、電子部品１５２、および電子部品１６０は、それぞれ、フリップチップ接続により、多層配線基板１０２に搭載されている。電子装置１００は、ＳｉＰやＰｏＰ等とすることができる。
【００１５】
多層配線基板１０２は、他面側（図中下）からこの順で積層された配線層１１０（第１の配線層、第４の配線層）と、配線層１２０と、配線層１３０（第２の配線層、第３の配線層）とを含む。配線層１３０は、多層配線基板１０２の一面側に形成されている。
【００１６】
配線層１１０は、絶縁膜１１２（第１の絶縁膜、第４の絶縁膜）と、絶縁膜１１２中に形成された複数のビア１１４（１１４ｃおよび１１４ｄを含む。）（第１の導電接続部材、第５の導電接続部材）とを含む。複数のビア１１４は、多層配線基板１０２の他面に露出する構成となっている。配線層１２０は、絶縁膜１２２と、絶縁膜１２２中に形成された配線パターン１２３および複数のビア１２８とを含む。配線パターン１２３は、スパッタ配線膜１２４およびめっき配線膜１２６により構成される。配線層１３０は、絶縁膜１３２（第２の絶縁膜、第３の絶縁膜）と、絶縁膜１３２中に形成された配線パターン１３３（第３の導電接続部材）および複数のビア１３８（第２の導電接続部材、第４の導電接続部材）とを含む。配線パターン１３３は、スパッタ配線膜１３４およびめっき配線膜１３６を含む。
【００１７】
絶縁膜１１２、絶縁膜１２２、および絶縁膜１３２は、たとえばポリイミド膜により構成することができる。また、本実施の形態において、絶縁膜１１２および絶縁膜１３２は、ソルダーレジスト層とすることができる。
【００１８】
各配線パターンおよびビアは、たとえば銅やニッケル等により構成することができる。また、配線層１３０において、電子部品１４６等の電子部品、接続端子等の他の部材と接続されるビア１３８は、他の部材と接続される側に、たとえばスズおよび銀の合金等の半田材料が設けられた構成とすることができる。たとえば、各ビア１３８は、図中下から銅膜とスズおよび銀の合金膜との積層構造や、ニッケル膜とスズおよび銀の合金膜との積層構造等により構成することができる。また、各ビア１３８は、表面にさらに金が形成された構成とすることもできる。
【００１９】
電子部品１４６は、バンプ１４２を介して配線層１３０の複数のビア１３８のいずれかと電気的に接続されている。電子部品１４６と多層配線基板１０２との間には、バンプ１４２を埋め込むようにアンダーフィル１４４が設けられている。電子部品１４６は、アンダーフィル１４４により多層配線基板１０２に接着されている。
【００２０】
また、電子部品１５２も同様にバンプ１４８を介して配線層１３０の複数のビア１３８のいずれかと電気的に接続されている。電子部品１５２と多層配線基板１０２との間には、バンプ１４８を埋め込むようにアンダーフィル１５０が設けられている。電子部品１５２は、アンダーフィル１５０により多層配線基板１０２に接着されている。バンプ１４２およびバンプ１４８は、半田材料により構成することができる。
【００２１】
接続端子１４０は、電子部品１５２の裏面への接続端子である。多層配線基板１０２の一面において、電子部品１４６、電子部品１５２および接続端子１４０は、封止樹脂１５４により封止されている。封止樹脂１５４は、たとえばエポキシ樹脂とすることができる。本実施の形態において、電子部品１４６および電子部品１５２が封止樹脂１５４で封止されるので、アンダーフィル１４４およびアンダーフィル１５０は設けない構成としてもよい。
【００２２】
多層配線基板１０２の他面には、それぞれ配線層１１０の複数のビア１１４のいずれかと接続された半田ボール１６２および半田ボール１６４が設けられている。電子部品１６０は、バンプ１５６を介して配線層１１０の複数のビア１１４のいずれかと接続されている。電子部品１６０と多層配線基板１０２との間には、バンプ１５６を埋め込むようにアンダーフィル１５８が設けられている。電子部品１６０は、アンダーフィル１５８により多層配線基板１０２に接着されている。
【００２３】
本実施の形態において、多層配線基板１０２において、配線層１３０に形成された複数のビア１３８は、それぞれ、配線層１１０に形成された複数のビア１１４のいずれかと他の導電材料を介して接続されている。また、配線層１１０に形成された複数のビア１１４は、配線層１３０に形成された複数のビア１３８のいずれかと他の導電材料を介して接続されるが、当該接続されたビア１３８との間で電流経路を構成しないダミービア（ダミー導電接続部材）を含む。ここで、ダミー導電接続部材は、他の配線や電子部品等のシリコン面と接続されていない構成とすることができる。
【００２４】
図２は、図１に示した電子装置１００と同じ構成を示す断面図である。
ここで、説明のために、一部を除いて各構成要素のハッチングを白抜きにしている。また、各配線層中のビアおよび配線パターンに符号を付して区別している。また、互いに電気的に接続され、電流経路を構成する箇所を矢印（破線）で示している。
【００２５】
たとえば、配線層１３０のビア１３８ａおよび配線パターン１３３ａ、配線層１２０のビア１２８ａおよび配線パターン１２３ａ、および配線層１１０のビア１１４ａは、バンプ１４２を介して電子部品１４６と半田ボール１６２とを接続する電流経路を構成する。
【００２６】
また、配線層１３０のビア１３８ｂおよび配線パターン１３３ｂ、配線層１２０のビア１２８ｂおよび配線パターン１２３ｂ、配線層１１０のビア１１４ｂは、バンプ１４２およびバンプ１５６をそれぞれ介して電子部品１４６と電子部品１６０とを接続する電流経路を構成する。
【００２７】
また、配線層１３０のビア１３８ｃ、配線パターン１３３ｃ、およびビア１３８ｄは、バンプ１４２およびバンプ１４８をそれぞれ介して電子部品１４６と電子部品１５２とを接続する電流経路を構成する。
【００２８】
また、配線層１３０のビア１３８ｅ、配線パターン１３３ｄの一部、およびビア１３８ｆは、バンプ１４８を介して電子部品１５２と接続端子１４０とを接続する電流経路を構成する。
【００２９】
また、配線層１１０のビア１１４ｅ、配線層１２０の配線パターン１２３ｅ、およびビア１１４ｆは、バンプ１５６を介して電子部品１６０と半田ボール１６４とを接続する電流経路を構成する。
【００３０】
一方、図中ハッチングを付した配線層１２０のビア１２８ｃおよび配線パターン１２３ｃ、ならびに配線層１１０のビア１１４ｃは、配線層１３０のビア１３８ｃ、配線パターン１３３ｃ、およびビア１３８ｄとの間で電流経路を構成しない。同様に、図中ハッチングを付した配線層１３０の配線パターン１３３ｄの残りの一部、配線層１２０のビア１２８ｄおよび配線パターン１２３ｄ、配線層１１０のビア１１４ｄは、配線層１３０のビア１３８ｅ、配線パターン１３３ｄの一部、およびビア１３８ｆとの間で電流経路を構成しない。つまり、これらは、ダミー導電接続部材である。
【００３１】
なお、本実施の形態において、ダミー導電接続部材の多層配線基板１０２の他面における露出面は、絶縁材料と接触して形成することができる。これにより、多層配線基板１０２の他面側でのダミー導電接続部材のショート等を防ぐことができる。本実施の形態において、絶縁材料は、アンダーフィル１５８とすることができる。
【００３２】
また、本実施の形態において、ダミー導電接続部材は、多層配線基板１０２の他面において、電子部品１６０と重なる領域内に露出して形成することができる。つまり、本実施の形態において、多層配線基板１０２の他面において露出するダミー導電接続部材であるビア１１４ｃおよびビア１１４ｄは、電子部品１６０と重なる領域内に露出して形成することができる。ここで、電子部品１６０と重なる領域は、アンダーフィル１５８が形成された領域とすることができる。本実施の形態において、ダミー導電接続部材であるビア１１４ｃおよびビア１１４ｄは、露出面でアンダーフィル１５８と接触した構成とすることができる。
【００３３】
次に、本実施の形態における電子装置１００の製造手順を説明する。図３から図１１は、本実施の形態における電子装置１００の製造手順を示す工程断面図である。
【００３４】
まず、支持体１９０上に給電層１９２を形成する。給電層１９２は、たとえば銅膜等により構成することができる。支持体１９０は、たとえばシリコン等により構成することができる。給電層１９２は、スパッタリングにより形成することができる。
【００３５】
つづいて、給電層１９２上に、開口部１７０を有する絶縁膜１１２を形成する（図３（ａ））。
【００３６】
次いで、給電層１９２から給電を行う電解めっき法により、複数のビア１１４（ビア１１４ａ、ビア１１４ｂ、ビア１１４ｃ、ビア１１４ｄ、ビア１１４ｅ、およびビア１１４ｆ）を形成する。これにより、配線層１１０が形成される（図３（ｂ））。
【００３７】
この後、配線層１１０上にスパッタリングによりスパッタ配線膜１２４を形成する（図４（ａ））。つづいて、スパッタ配線膜１２４上に、開口部１７４を有するレジスト膜１７２を形成する（図４（ｂ））。
【００３８】
つづいて、スパッタ配線膜１２４から給電を行う電解めっき法により、めっき配線膜１２６を形成する（図５（ａ））。次いで、レジスト膜１７２を除去する（図５（ｂ））。
【００３９】
その後、スパッタ配線膜１２４およびめっき配線膜１２６上に、開口部１７５を有するレジスト膜１７３を形成する（図６（ａ））。スパッタ配線膜１２４から給電を行う電解めっき法により、複数のビア１２８（ビア１２８ａ、ビア１２８ｂ、ビア１２８ｃ、およびビア１２８ｄ）を形成する（図６（ｂ））。
【００４０】
次いで、レジスト膜１７３を除去し、めっき配線膜１２６をマスクとしてスパッタ配線膜１２４をエッチングする。これにより、配線パターン１２３（配線パターン１２３ａ、配線パターン１２３ｂ、配線パターン１２３ｃ、配線パターン１２３ｄ、および配線パターン１２３ｅ）が形成される（図７（ａ））。
【００４１】
つづいて、複数の配線パターン１２３および複数のビア１２８上の全面に、これらを覆うように絶縁膜１２２を形成する。次いで、絶縁膜１２２の表面を削り、表面を平坦化するとともに複数のビア１２８を露出させる。これにより、配線層１２０が形成される（図７（ｂ））。
【００４２】
次いで、配線層１２０の配線パターン１２３と同様にして、配線層１２０上に配線パターン１３３（配線パターン１３３ａ、配線パターン１３３ｂ、配線パターン１３３ｃ、および配線パターン１３３ｄ）を形成し、その後配線パターン１３３上に絶縁膜１３２を形成する（図８（ａ））。
【００４３】
この後、絶縁膜１３２に、複数の開口部１７８を形成する（図８（ｂ））。開口部１７８は、絶縁膜１３２上に、開口部を有するレジスト膜（不図示）を形成して、当該レジスト膜をマスクとして絶縁膜１３２をエッチングすることにより形成することができる。
【００４４】
つづいて、開口部１７８内に、給電層１９２から給電を行う電解めっき法により、複数のビア１３８（ビア１３８ａ、ビア１３８ｂ、ビア１３８ｃ、ビア１３８ｄ、ビア１３８ｅ、およびビア１３８ｆ）を形成する。本実施の形態において、これらの複数のビア１３８は、たとえば銅膜とスズおよび銀の合金膜との積層構造や、ニッケル膜とスズおよび銀の合金膜との積層構造により構成することができる。また、複数のビア１３８の表面には金めっき膜を形成することもできる。これにより、配線層１３０が形成される（図９）。
【００４５】
次に、配線層１３０上の全面に、ビア１３８ｆ上で開口する開口部１３９を有するレジスト膜１８０を形成する。その後、開口部１３９内に、給電層１９２から給電を行う電解めっき法により、接続端子１４０を形成する。
【００４６】
この後、レジスト膜１８０を除去し、多層配線基板１０２の一面に電子部品１４６および電子部品１５２を以下の手順で搭載する。まず、電子部品１４６および電子部品１５２をハンダ等のバンプ１４２およびバンプ１４８で実装する。次いで、電子部品１４６および電子部品１５２と多層配線基板１０２との間にそれぞれアンダーフィル１４４およびアンダーフィル１５０を設ける。これにより、バンプ１４２およびバンプ１４８をそれぞれアンダーフィル１４４およびアンダーフィル１５０で覆う。つづいて、電子部品１４６、電子部品１５２、および接続端子１４０を封止樹脂１５４で封止する（図１１）。
【００４７】
この後、たとえば研削等により支持体１９０を除去し、次いでエッチング等により、給電層１９２を除去して、多層配線基板１０２の他面側に、複数のビア１１４を露出させる。この後、多層配線基板１０２の裏面に電子部品１６０を搭載する。まず、電子部品１６０をハンダ等のバンプ１５６で実装する。次いで、電子部品１６０と多層配線基板１０２との間にアンダーフィル１５８を設ける。これにより、バンプ１５６をアンダーフィル１５８で覆う。また、半田ボール１６２および半田ボール１６４を実装する。これにより、図１に示した構成の電子装置１００が得られる。
【００４８】
また、他の例として、配線層１２０も配線層１３０と同様の手順で形成することもできる。以下、図１６および図１７を参照して説明する。図１６および図１７は、本実施の形態における電子装置１００の製造手順の他の例を示す工程断面図である。
図５を参照して説明した手順の後、めっき配線膜１２６をマスクとしてスパッタ配線膜１２４をエッチングする。これにより、配線パターン１２３（配線パターン１２３ａ、配線パターン１２３ｂ、配線パターン１２３ｃ、配線パターン１２３ｄ、および配線パターン１２３ｅ）が形成される（図１６（ａ））。
【００４９】
つづいて、配線層１１０上の全面に、配線パターン１２３を覆うように絶縁膜１２２を形成する（図１６（ｂ））。この後、絶縁膜１２２に、開口部１７６を形成する（図１７（ａ））。開口部１７６は、絶縁膜１２２上に、開口部を有するレジスト膜（不図示）を形成して、当該レジスト膜をマスクとして絶縁膜１２２をエッチングすることにより形成することができる。
【００５０】
つづいて、開口部１７６内に、給電層１９２から給電を行う電解めっき法により、複数のビア１２８（ビア１２８ａ、ビア１２８ｂ、ビア１２８ｃ、およびビア１２８ｄ）を形成する。これにより、配線層１２０が形成される（図１７（ｂ））。この後、図８から図１１を参照して説明したのと同様の手順で、図１に示した電子装置１００を得ることができる。
【００５１】
以上のように、本実施の形態において、回路の設計上は支持体上の給電層に接続しないような、多層配線基板１０２の一面側に搭載された電子部品１４６と電子部品１５２との接続、または電子部品１５２と接続端子１４０との接続を行うためのビア１３８も、多層配線基板１０２の他面側の配線層１１０のビア１１４と、導電材料を介して接続された構成となっている。これにより、以下のような効果が得られる。
【００５２】
本実施の形態における電子装置１００の製造手順によれば、ダミー導電接続部材を設け、配線層１３０の各ビア１３８が配線パターン１２３、ビア１２８、および配線パターン１３３等の導電材料を介していずれかのビア１１４と接続されるような構成となっている。そのため、各ビア１３８を、給電層１９２から給電を行う電解めっき法により形成することができる。ここで、給電層１９２から給電が行えない場合、電解めっきを行う度に、スパッタリングや無電解めっきにより、電解めっきのための給電層を新たに形成する必要がある。しかし、本実施の形態における電子装置１００の製造手順によれば、このような電解めっきのための給電層を新たに形成する必要がなく、簡易な手順でビア１３８を形成することができる。
【００５３】
また、本実施の形態における電子装置１００の製造手順によれば、最上層の絶縁膜１３２は、ビア１３８を形成する前に形成されている。そのため、絶縁膜１３２の表面を平坦にすることができる。これにより、電子部品１４６や電子部品１５２を搭載する配線層１３０の表面を平坦化することができ、アンダーフィル１４４やアンダーフィル１５０を形成する際のアンダーフィルボイドを減少することができ、電子装置１００の電気特性を良好にすることができる。
【００５４】
さらに、本実施の形態において、ダミー導電接続部材のうち、多層配線基板１０２の他面側に露出するダミービア（ビア１１４）が、電子部品１６０と重なる領域に露出するようにしている。また、多層配線基板１０２の他面側に露出するダミービア（ビア１１４）が、アンダーフィル１５８で埋め込まれた構成となっている。これにより、多層配線基板１０２の他面側でのダミー導電接続部材のショート等を防ぐことができる。
【００５５】
また、このようなダミー導電接続部材を設けることにより、多層配線基板１０２の裏面側に設けられた電子部品１６０と、多層配線基板１０２の表面側に設けられた電子部品１４６および電子部品１５２との間の放熱パスとすることができる。これにより、電子装置１００の放熱性を向上することができる。
【００５６】
また、たとえば、多層配線基板１０２の一面側の配線層１３０についても、図７（ｂ）を参照して説明した配線層１２０の形成手順と同様に、ビア１２８を形成して絶縁膜１２２を形成した後、絶縁膜１２２表面を平坦化するようにすれば、配線層１３０の表面も平坦にすることができると考えられる。しかし、多層配線基板１０２の最表面のビア１３８は、電子部品１４６等の半導体チップと接続されるため、抵抗を低くするために、たとえば表面に金等が形成されることがある。このような場合、上記のような絶縁膜の平坦化を行うと、ビア１３８表面に形成した金が削られてしまうおそれがある。しかし、本実施の形態において、給電層１９２から給電を行う電解めっき法を用いることにより、絶縁膜１３２を形成した後にビア１３８を形成することができるので、平坦化処理を行うことなく、配線層１３０表面を平坦にすることができる。
【００５７】
次に、本実施の形態における電子装置１００の他の例を説明する。
図１２に示した電子装置１００は、電子部品１５２を含まない点で、図１に示した電子装置１００の構成と異なる。このような構成においても、配線層１３０には、たとえば電子部品１４６に接続された複数のバンプ１４２を接続するための電流経路や、電子部品１４６と接続端子１４０とを接続するための電流経路が設けられている。また、配線層１１０および配線層１２０には、これらの電流経路と接続されたダミー導電接続部材が設けられている。ここで、図中破線で囲んだ箇所は、電流経路を構成しないダミー導電接続部材に対応する。
【００５８】
図１３に示した電子装置１００は、多層配線基板１０２の他面において、ダミー導電接続部材（ビア１１４ｃおよびビア１１４ｄ）に接続して設けられるとともに他の部材に電気的に接続されていないバンプ１５６ｂおよびバンプ１５６ｃが設けられた点で、図１２に示した電子装置１００の構成と異なる。この場合も、バンプ１５６ｂおよびバンプ１５６ｃは、電子部品１６０と重なる領域に設けられ、アンダーフィル１５８により埋め込まれた構成とすることができる。ここで、バンプ１５６ｂおよびバンプ１５６ｃは、電子部品１６０とは電気的に接続されていない。また、図１に示した構成の電子装置１００においても、ビア１１４ｃおよびビア１１４ｄにそれぞれ接続されるとともに、電子部品１６０とは電気的に接続されていないバンプを設けた構成とすることができる。
【００５９】
図１４に示した電子装置１００は、接続端子１４０を含まず、配線層１３０および配線層１２０にダミー導電接続部材が含まれない点で、図１２に示した電子装置１００と異なる。ここでも、図中破線で囲んだ箇所は、電流経路を構成しないダミー導電接続部材に対応する。この例では、ダミー導電接続部材は、配線層１１０にのみ設けられている。
【００６０】
図１５に示した電子装置１００は、電子部品１６０を含まない点で、図１に示した電子装置１００の構成と異なる。ここで、図中破線で囲んだ箇所は、電流経路を構成しないダミー導電接続部材に対応する。図示していないが、このような構成においても、ダミー導電接続部材の多層配線基板１０２の他面における露出面は、絶縁材料と接触して形成することができる。たとえば、多層配線基板１０２の他面側に露出したビア１１４ｇおよびビア１１４ｈの露出面には、絶縁材料を設けた構成とすることができる。
【００６１】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００６２】
以上の実施の形態においては、電子部品１４６等の電子部品がフリップチップ接続される例を示したが、電子部品が半導体チップの場合、たとえばワイヤボンディングにより、多層配線基板１０２と電気的に接続する構成とすることもできる。
【００６３】
また、以上の実施の形態においては、多層配線基板１０２が３層の配線層を含む構成を示したが、多層配線基板１０２は、２層以上であれば、任意の数の配線層を含むことができる。
【符号の説明】
【００６４】
１００ 電子装置
１０２ 多層配線基板
１１０ 配線層
１１２ 絶縁膜
１１４、１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄ、１１４ｅ、１１４ｆ、１１４ｇ、１１４ｈ ビア
１２０ 配線層
１２２ 絶縁膜
１２３、１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ、１２３ｄ、１２３ｅ 配線パターン
１２４ スパッタ配線膜
１２６ 配線膜
１２８、１２８ａ、１２８ｂ、１２８ｃ、１２８ｄ ビア
１３０ 配線層
１３２ 絶縁膜
１３３、１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄ 配線パターン
１３４ スパッタ配線膜
１３６ めっき配線膜
１３８、１３８ａ、１３８ｂ、１３８ｃ、１３８ｄ、１３８ｅ、１３８ｆ ビア
１３９ 開口部
１４０ 接続端子
１４２ バンプ
１４４ アンダーフィル
１４６ 電子部品
１４８ バンプ
１５０ アンダーフィル
１５２ 電子部品
１５４ 封止樹脂
１５６、１５６ｂ、１５６ｃ バンプ
１５８ アンダーフィル
１６０ 電子部品
１６２ 半田ボール
１６４ 半田ボール
１７０ 開口部
１７２ レジスト膜
１７３ レジスト膜
１７４ 開口部
１７５ 開口部
１７６ 開口部
１７８ 開口部
１８０ レジスト膜
１９０ 支持体
１９２ 給電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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