(57)【要約】【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】  第１方向に一対の短辺を有するとともに第１方向に直交する第２方向に一対の長辺を有する略長方形状の第１電極を備えた第１基板と、第１電極に向かい合う第２電極を備えた第２基板と、第１基板と第２基板との間に保持され第１電極と第２電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、第１電極の略中央を横切り第１方向に延出した第１配向制御手段と、第１配向手段と一対の短辺との間にそれぞれ位置し第２方向に延出した第２配向制御手段と、第１方向に延出する第１配向制御手段と同一直線上及び第１電極のコーナー部の少なくとも一方に位置する第３配向制御手段と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に一対の短辺を有するとともに第１方向に直交する第２方向に一対の長辺を有する略長方形状の第１電極と、第１方向に隣接する２つの前記第１電極の間に配置され第２方向に延出した配線と、を備えた第１基板と、
前記第１電極に向かい合う第２電極を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、前記第１電極と前記第２電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、
前記第１電極の略中央を横切り第１方向に延出した第１配向制御手段と、
前記第１配向制御手段と前記一対の短辺との間にそれぞれ位置し、第２方向に延出した第２配向制御手段と、
第１方向に延出する前記第１配向制御手段と同一直線上の前記配線の上、及び、前記第１電極のコーナー部の前記配線の上少なくとも一方に位置する第３配向制御手段と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１配向制御手段は、前記第１電極に形成されたスリット、または、前記第１電極の上に配置された絶縁性突起であり、
前記第２配向制御手段は、前記第２電極に形成されたスリット、または、前記第２電極の上に配置された絶縁性突起であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第３配向制御手段は、絶縁性突起であり、前記第１基板と前記第２基板との間にギャップを形成するスペーサを含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
第１方向に一対の短辺を有するとともに第１方向に直交する第２方向に一対の長辺を有する略長方形状の第１電極を備えた第１基板と、
前記第１電極に向かい合う第２電極を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、前記第１電極と前記第２電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、
前記第１電極の略中央を横切り第１方向に延出するとともに前記第１基板と前記第２基板との間にギャップを形成する第１配向制御手段と、
前記第１配向手段と前記一対の短辺との間にそれぞれ位置し、第２方向に延出した第２配向制御手段と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１配向制御手段は、第１方向に並んだ複数の前記第１電極に跨って配置されたことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置に係り、例えば垂直配向（ＶＡ）モードを利用した液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータなどのＯＡ機器やテレビなどの表示装置として各種分野で利用されている。近年では、液晶表示装置は、携帯電話などの携帯端末機器や、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示装置としても利用されている。
【０００３】
このような液晶表示装置においては、視野角の拡大、コントラスト比の向上といった表示品位の向上が求められている。１画素内に配向方向が異なる複数のドメインを有するマルチドメイン型ＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ；ＭＶＡ）モードの液晶表示装置は、複数のドメインによって視野角が補償され、しかも、垂直配向処理の採用により配向膜表面付近の液晶分子が基板主面に対して略垂直に配向し液晶層の複屈折率がほぼ０となるため十分な黒が表示でき高いコントラスト比が得られるといった特性を有している。
【０００４】
このようなＭＶＡモードは、配向膜が液晶分子の傾斜方向を規制する訳ではない。したがって、このＭＶＡモードでは、ツイステッド・ネマティック（ＴＮ）を代表とする水平配向方式では必ずといっていいほど必要である、ラビング処理に代表される配向処理工程を必要としない。このため、プロセス的にはラビング処理による静電気やゴミの発生といった問題を解消し、配向処理後の洗浄工程も不要である。また、配向的にもプレティルトのバラツキによる表示ムラの問題も無く、プロセスの簡便化、歩留まりの向上により、低コスト化が可能という利点もある。
【０００５】
ＭＶＡモードの液晶表示装置として、例えば、特許文献１によれば、２枚の基板間に挟持された液晶層に２種以上の微小領域が共存する液晶表示装置であって、対称性の良い形状の電極の少なくとも略対称中心の位置に誘電体が存在する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２８７１５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この発明の目的は、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の一態様によれば、
第１方向に一対の短辺を有するとともに第１方向に直交する第２方向に一対の長辺を有する略長方形状の第１電極と、第１方向に隣接する２つの前記第１電極の間に配置され第２方向に延出した配線と、を備えた第１基板と、
前記第１電極に向かい合う第２電極を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、前記第１電極と前記第２電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、
前記第１電極の略中央を横切り第１方向に延出した第１配向制御手段と、
前記第１配向手段と前記一対の短辺との間にそれぞれ位置し、第２方向に延出した第２配向制御手段と、
第１方向に延出する前記第１配向制御手段と同一直線上の前記配線の上、及び、前記第１電極のコーナー部の前記配線の上少なくとも一方に位置する第３配向制御手段と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【０００９】
また、この発明の一態様によれば、
第１方向に一対の短辺を有するとともに第１方向に直交する第２方向に一対の長辺を有する略長方形状の第１電極を備えた第１基板と、
前記第１電極に向かい合う第２電極を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、前記第１電極と前記第２電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、
前記第１電極の略中央を横切り第１方向に延出するとともに前記第１基板と前記第２基板との間にギャップを形成する第１配向制御手段と、
前記第１配向手段と前記一対の短辺との間にそれぞれ位置し、第２方向に延出した第２配向制御手段と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係るＭＶＡモードの液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示装置に適用されるアレイ基板及び対向基板の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、本実施形態において第１配向制御手段及び第２配向制御手段を適用した液晶表示パネルにおける液晶分子の配向状態を模式的に示す平面図である。
【図４】図４は、図３に示した液晶表示パネルをＩＶ−ＩＶ線で切断した断面図である。
【図５】図５は、第１実施形態において第３配向制御手段を適用した液晶表示パネル構成例を示す平面図である。
【図６】図６は、第２実施形態において第３配向制御手段を適用した液晶表示パネル構成例を示す平面図である。
【図７】図７は、第３実施形態において第３配向制御手段を適用した液晶表示パネル構成例を示す平面図である。
【図８】図８は、第４実施形態における第１配向制御手段を適用した液晶表示パネルの構成例を示す平面図である。
【図９】図９は、第５実施形態における第１配向制御手段を適用した液晶表示パネルの構成例を示す平面図である。
【図１０】図１０は、比較例の液晶表示パネルの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。ここでは、各画素がバックライト光を選択的に透過して画像を表示する透過表示部として構成された透過型の液晶表示装置を例に説明する。
【００１３】
図１に示すように、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示装置であって、液晶表示パネルＬＰＮを備えている。この液晶表示パネルＬＰＮは、一対の基板、すなわち第１基板としてのアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された第２基板としての対向基板ＣＴと、を備えている。また、液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱを備えている。この液晶層ＬＱは、例えば、滴下注入法によって形成されている。これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、シール材ＳＥによって貼り合わせられている。シール材ＳＥは、例えば一連のループ状に形成されている。
【００１４】
このような液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示する表示エリアすなわちアクティブエリアＤＳＰを備えている。このアクティブエリアＤＳＰは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。つまり、アクティブエリアＤＳＰでは、ｍ個の画素ＰＸが第１方向Ｄ１に並んで行Ｈを形成し、これらの行Ｈが第２方向Ｄ２にｎ本の列Ｖを成すように配置されている。
【００１５】
アレイ基板ＡＲは、アクティブエリアＤＳＰにおいて、第１方向Ｄ１に沿ってそれぞれ延出したｎ本のゲート線Ｙ（Ｙ１〜Ｙｎ）、第２方向Ｄ２に沿ってそれぞれ延出したｍ本のソース線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｍ）、各画素ＰＸにおいてゲート線Ｙとソース線Ｘとの交差部を含む領域に配置されたｍ×ｎ個のスイッチング素子Ｗ、各画素ＰＸに配置されスイッチング素子Ｗに接続されたｍ×ｎ個の画素電極ＥＰ、ゲート線Ｙと同様に第１方向Ｄ１に沿って延出し補助容量ＣＳを構成するよう画素電極ＥＰに容量結合する補助容量線ＡＹなどを備えている。
【００１６】
ゲート線Ｙ、ソース線Ｘ、及び、補助容量線ＡＹは、例えばアルミニウム、モリブデン、タングステン、チタンなどの低抵抗な導電材料によって形成されている。
【００１７】
各スイッチング素子Ｗは、例えば、ｎチャネル薄膜トランジスタによって構成されている。スイッチング素子Ｗのゲート電極ＷＧは、ゲート線Ｙに電気的に接続されている（あるいは、ゲート電極ＷＧはゲート線Ｙと一体的に形成されている）。スイッチング素子Ｗのソース電極ＷＳは、ソース線Ｘに電気的に接続されている（あるいは、ソース電極ＷＳはソース線Ｘと一体に形成されている）。スイッチング素子Ｗのドレイン電極ＷＤは、画素電極ＥＰに電気的に接続されている。
【００１８】
画素電極ＥＰは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。
【００１９】
ｎ本のゲート線Ｙは、それぞれアクティブエリアＤＳＰの外側に引き出され、ゲートドライバＹＤに接続されている。なお、ゲートドライバＹＤを構成する少なくとも一部は、アレイ基板ＡＲに備えられていても良い。ゲートドライバＹＤは、コントローラＣＮＴによる制御に基づいてｎ本のゲート線Ｙに順次走査信号（駆動信号）を供給する。
【００２０】
また、ｍ本のソース線Ｘは、それぞれアクティブエリアＤＳＰの外側に引き出され、ソースドライバＸＤに接続されている。なお、ソースドライバＸＤを構成する少なくとも一部は、アレイ基板ＡＲに備えられていても良い。ソースドライバＸＤは、コントローラＣＮＴによる制御に基づいて各行のスイッチング素子Ｗが走査信号によってオンするタイミングでｍ本のソース線Ｘに映像信号（駆動信号）を供給する。これにより、各行の画素電極ＥＰは、対応するスイッチング素子Ｗを介して供給される映像信号に応じた画素電位にそれぞれ設定される。
【００２１】
一方、対向基板ＣＴは、アクティブエリアＤＳＰにおいて、対向電極ＥＴなどを備えている。この対向電極ＥＴは、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。この対向電極ＥＴは、複数の画素ＰＸに共通である。つまり、対向電極ＥＴは、各画素ＰＸの画素電極ＥＰと対向し、コモン電位のコモン端子ＣＯＭに電気的に接続されている。
【００２２】
図２に示すように、液晶表示パネルＬＰＮのアレイ基板ＡＲは、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板１０を用いて形成されている。このアレイ基板ＡＲは、絶縁基板１０の対向基板ＣＴに対向する側に、スイッチング素子Ｗ、画素電極ＥＰ、柱状スペーサ２１などを備えている。
【００２３】
スイッチング素子Ｗは、絶縁基板１０の上に配置された半導体層１２を備えている。この半導体層１２は、例えば、ポリシリコンやアモルファスシリコンなどによって形成可能であり、ここではポリシリコンによって形成されている。半導体層１２は、チャネル領域１２Ｃを挟んだ両側にそれぞれソース領域１２Ｓ及びドレイン領域１２Ｄを有している。この半導体層１２は、ゲート絶縁膜１４によって覆われている。このゲート絶縁膜１４は、絶縁基板１０の上にも配置されている。ゲート絶縁膜１４は、例えば、酸化シリコン及び窒化シリコンなどの無機系材料によって形成されている。
【００２４】
スイッチング素子Ｗのゲート電極ＷＧは、ゲート絶縁膜１４の上に配置され、半導体層１２のチャネル領域１２Ｃの直上に位置している。このゲート電極ＷＧは、例えば、上述したゲート線と同一材料を用いて同一工程で形成可能であり、ゲート線と一体的に形成可能である。このようなゲート電極ＷＧは、ゲート線などとともに層間絶縁膜１６によって覆われている。この層間絶縁膜１６は、ゲート絶縁膜１４の上にも配置されている。層間絶縁膜１６は、例えば、酸化シリコン及び窒化シリコンなどの無機系材料によって形成されている。
【００２５】
スイッチング素子Ｗのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、層間絶縁膜１６の上に配置されている。ソース電極ＷＳは、ゲート絶縁膜１４及び層間絶縁膜１６を貫通するコンタクトホールを通して半導体層１２のソース領域１２Ｓにコンタクトしている。ドレイン電極ＷＤは、ゲート絶縁膜１４及び層間絶縁膜１６を貫通するコンタクトホールを通して半導体層１２のドレイン領域１２Ｄにコンタクトしている。これらのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、例えば、上述したソース線と同一材料を用いて同一工程で形成可能である。また、ソース電極ＷＳは、ソース線と一体的に形成可能である。これらのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、ソース線などとともに絶縁膜１８によって覆われている。
【００２６】
この絶縁膜１８は、例えば、光透過性を有する有機系材料によって形成されている。このような絶縁膜１８は、例えば、スピンコートなどの手法によって塗布された後に硬化処理されることにより形成されている。このため、絶縁膜１８は、下地の凹凸を吸収し、その表面が概ね平坦に形成されている。これにより、垂直配向モードを実現する電界への影響が緩和される。
【００２７】
画素電極ＥＰは、アクティブエリアＤＳＰにおいて各画素ＰＸに配置されている。すなわち、この画素電極ＥＰは、絶縁膜１８の上に配置され、絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールを通してドレイン電極ＷＤと電気的に接続されている。
【００２８】
柱状スペーサ２１は、アクティブエリアＤＳＰにおいて画素ＰＸの間に配置されている。すなわち、この柱状スペーサ２１は、隣接する２つの画素電極ＥＰの間に配置されている。このような柱状スペーサ２１は、例えば、絶縁膜１８に接する底部の面積が対向基板ＣＴに向かい合う先端部の面積よりも大きいテーパー状に形成されている。
【００２９】
なお、柱状スペーサ２１の底部の一部は、画素電極ＥＰに重なっていても良いし、画素電極ＥＰに重ならないように配置されても良い。また、柱状スペーサ２１は、アクティブエリアＤＳＰにおける表示に寄与しない非表示部、例えば、図示しないソース線やゲート線、補助容量線、スイッチング素子Ｗなどの直上に配置されることが望ましい。また、この柱状スペーサ２１は、全ての画素電極間に配置する必要はない。
【００３０】
このようなアレイ基板ＡＲの対向基板ＣＴと対向する表面、つまり、液晶層ＬＱに接する面は、第１配向膜２０によって覆われている。この第１配向膜２０は、画素電極ＥＰ及び柱状スペーサ２１を覆っている。
【００３１】
一方、液晶表示パネルＬＰＮの対向基板ＣＴは、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板３０を用いて形成されている。この対向基板ＣＴは、絶縁基板３０のアレイ基板ＡＲに対向する側に、遮光層３１、カラーフィルタ層３４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）、対向電極ＥＴなどを備えている。
【００３２】
遮光層３１は、アクティブエリアＤＳＰにおいて画素ＰＸの間に配置されている。この遮光層３１は、黒色に着色された樹脂材料やクロム（Ｃｒ）などの遮光性の金属材料によって形成されている。このような遮光層３１は、絶縁基板３０の上に配置され、アレイ基板ＡＲに設けられたスイッチング素子Ｗや、上述したゲート線及びソース線などの各種配線に対向している。
【００３３】
カラーフィルタ層３４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、アクティブエリアＤＳＰの各画素ＰＸに配置されている。このようなカラーフィルタ層３４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、絶縁基板３０の上に配置され、その一部が遮光層３１に積層されている。
【００３４】
これらのカラーフィルタ層３４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。すなわち、カラーフィルタ層３４Ｒは、赤色に着色された樹脂材料によって形成され、赤色を表示する画素ＰＸに配置されている。また、カラーフィルタ層３４Ｇは、緑色に着色された樹脂材料によって形成され、緑色を表示する画素ＰＸに配置されている。同様に、カラーフィルタ層３４Ｂは、青色に着色された樹脂材料によって形成され、青色を表示する画素ＰＸに配置されている。
【００３５】
対向電極ＥＴは、アクティブエリアＤＳＰに配置されている。つまり、この対向電極ＥＴは、カラーフィルタ層３４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の上に延在している。アクティブエリアＤＳＰにおいては、対向電極ＥＴは、各画素ＰＸの画素電極ＥＰと対向している。
【００３６】
なお、カラーフィルタ層３４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、対向基板ＣＴ側に配置されているが、アレイ基板ＡＲ側に配置しても良い。この場合、アレイ基板ＡＲにおける絶縁膜１８などをカラーフィルタ層３４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に置き換えることが可能である。また、対向基板ＣＴには、カラーフィルタ層３４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の表面の凹凸の影響を緩和するために、カラーフィルタ層３４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）と対向電極ＥＴとの間に、透明な樹脂材料からなるオーバーコート層を配置しても良い。
【００３７】
このような対向基板ＣＴのアレイ基板ＡＲと対向する表面、つまり液晶層ＬＱに接する面は、第２配向膜３６によって覆われている。この第２配向膜３６は、対向電極ＥＴを覆っている。
【００３８】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、それぞれの第１配向膜２０及び第２配向膜３６が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲの第１配向膜２０と対向基板ＣＴの第２配向膜３６との間には、柱状スペーサ２１により、所定のセルギャップが形成されている。
【００３９】
液晶層ＬＱは、上述したセルギャップに封入されている。すなわち、液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲの画素電極ＥＰと対向基板ＣＴの対向電極ＥＴとの間に保持された液晶分子４０を含む液晶組成物によって構成されている。この液晶分子４０は、例えば、負の誘電率異方性を有している。液晶層ＬＱと画素電極ＥＰとの間には、第１配向膜２０が介在している。液晶層ＬＱと対向電極ＥＴとの間には、第２配向膜３６が介在している。
【００４０】
第１配向膜２０及び第２配向膜３６は、画素電極ＥＰと対向電極ＥＴとの間に電位差が形成されていない状態、つまり、画素電極ＥＰと対向電極ＥＴとの間に電界が形成されていない無電界時あるいはしきい値以下の電圧が印加された状態においては、それぞれ液晶分子４０を絶縁基板１０（あるいは、アレイ基板ＡＲ）の主面及び絶縁基板３０（あるいは、対向基板ＣＴ）の主面に対して略垂直に配向する特性を有している。このような第１配向膜２０及び第２配向膜３６を形成するための材料としては、基本的には垂直配向性を示す光透過性を有する薄膜であれば特に限定されない。
【００４１】
これらの第１配向膜２０及び第２配向膜３６については、ラビングに代表される配向処理工程を必要としない。このため、プロセス的にはラビングによる静電気やゴミが発生するといった問題が無く、配向処理後の洗浄工程も不要である。また、配向的にもプレティルトのバラツキによるムラの問題が無い。したがって、プロセスの簡便化、歩留まりの向上により、低コスト化が可能という利点がある。
【００４２】
また、図２に示すように、液晶表示パネルＬＰＮを照明するバックライトＢＬは、液晶表示パネルＬＰＮのアレイ基板ＡＲと対向する側に配置されている。このようなバックライトＢＬとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオードを利用したものや冷陰極管を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。
【００４３】
液晶表示パネルＬＰＮの一方の外面、つまり、アレイ基板ＡＲの外面には、第１偏光板ＰＬ１を有する第１光学素子ＯＤ１が配置されている。また、液晶表示パネルＬＰＮの他方の外面、つまり、対向基板ＣＴの外面には、第２偏光板ＰＬ２を有する第２光学素子ＯＤ２が配置されている。
【００４４】
これらの第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は、それぞれの吸収軸が互いに直交するように配置されている。なお、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板を有していてもよい。
【００４５】
この実施の形態では、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子４０は、無電界時には、第１配向膜２０及び第２配向膜３６による配向制御によって、それぞれの長軸が基板主面に対して略垂直な方向（あるいは、液晶表示パネルＬＰＮの法線方向）に略平行に配向している。このような状態においては、第１光学素子ＯＤ１を透過したバックライト光（例えば、直線偏光）は、液晶層ＬＱを透過した後、第２光学素子ＯＤ２に吸収される。したがって、液晶表示パネルＬＰＮの透過率が最低となる。つまり、黒色画面が表示される。
【００４６】
一方、画素電極ＥＰと対向電極ＥＴとの間に電界が形成された状態では、負の誘電率異方性を有する液晶分子４０は、電界に対して略直交する方向に配向する。液晶表示パネルＬＰＮの法線に対して傾斜した電界に対しては、液晶分子４０は、その長軸が基板主面に対して略平行な方向あるいは傾斜した方向に配向している。
【００４７】
このような状態においては、第１光学素子ＯＤ１を透過したバックライト光は、直線偏光となり、液晶層ＬＱを透過した際に適当な位相差が付与された後、少なくとも一部が第２光学素子ＯＤ２を透過可能となる。したがって、白色画面が表示される。
【００４８】
このようにして、ノーマリーブラックの垂直配向モードが実現される。
【００４９】
この実施の形態においては、液晶表示パネルＬＰＮは、液晶分子４０の配向を制御する複数の配向制御手段を備えている。以下に、各画素ＰＸに配置される配向制御手段の具体例について説明する。
【００５０】
図３に示すように、各画素ＰＸに配置された画素電極ＥＰは、第１方向Ｄ１に一対の短辺Ｓ１及びＳ２を有するとともに第２方向に一対の長辺Ｌ１及びＬ２を有する略長方形状に形成されている。なお、図３では、説明に必要な構成のみを図示しており、ここに示した例では、第２方向Ｄ２がソース線Ｘの延出方向に相当する場合を図示している。また、図３においては、画素電極ＥＰと対向電極ＥＴとの間に電位差が形成された場合の液晶分子４０の配向状態が図示されているが、図中の白丸及び黒丸は、液晶分子４０が略垂直つまり第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に直交する画素電極ＥＰの法線方向に配向している状態を示している。尚、黒丸及び白丸は、一般的にディスクリネーションポイントと呼ばれる場所である。また、黒丸付近の液晶の配向は、液晶の配向ベクトルがアレイ基板ＡＲの黒丸方向にすべて向いている状態である。他方、白丸付近の液晶の配向は、液晶の配向ベクトルがアレイ基板ＡＲの白丸方向に向いている配向ベクトルと、この白丸に対向する対向基板ＣＴ側の一点の方向に向いているベクトルが混在する状態である。
【００５１】
第１配向制御手段ＡＬＣ１は、画素電極ＥＰの略中央を横切り、第１方向Ｄ１に沿って直線状に延出している。図３に示した例では、この第１配向制御手段ＡＬＣ１は、画素電極ＥＰの短辺Ｓ１及びＳ２の長さよりも短い長さに形成され、一対の長辺Ｌ１及びＬ２の間に位置している。このような第１配向制御手段ＡＬＣ１は、例えば、画素電極ＥＰに形成されたスリット、あるいは、画素電極ＥＰの上に配置された絶縁性突起であり、図示しない第１配向膜によって覆われている。
【００５２】
なお、第１配向制御手段ＡＬＣ１から長辺Ｌ１までの第１方向Ｄ１に沿った距離は、第１配向制御手段ＡＬＣ１から長辺Ｌ２までの第１方向Ｄ１に沿った距離と略同等である。また、第１配向制御手段ＡＬＣ１から短辺Ｓ１までの第２方向Ｄ２に沿った距離は、第１配向制御手段ＡＬＣ１から短辺Ｓ２までの第２方向Ｄ２に沿った距離と略同等である。
【００５３】
第２配向制御手段ＡＬＣ２１は、第１配向制御手段ＡＬＣ１と画素電極ＥＰの短辺Ｓ１との間に位置している。第２配向制御手段ＡＬＣ２２は、第１配向制御手段ＡＬＣ１と画素電極ＥＰの短辺Ｓ２との間に位置している。これらの第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２は、第２方向Ｄ２に沿って直線状に延出している。このような第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２は、例えば、対向電極ＥＴに形成されたスリット、あるいは、対向電極ＥＴの上に配置された絶縁性突起であり、図示しない第２配向膜によって覆われている。
【００５４】
なお、第２配向制御手段ＡＬＣ２１から短辺Ｓ１までの第２方向Ｄ２に沿った距離は、第２配向制御手段ＡＬＣ２２から短辺Ｓ２までの第２方向Ｄ２に沿った距離と略同等である。また、第２配向制御手段ＡＬＣ２１から第１配向制御手段ＡＬＣ１までの第２方向Ｄ２に沿った距離は、第２配向制御手段ＡＬＣ２２から第１配向制御手段ＡＬＣ１までの第２方向Ｄ２に沿った距離と略同等である。さらに、第２配向制御手段ＡＬＣ２１から長辺Ｌ１までの第１方向Ｄ１に沿った距離は、第２配向制御手段ＡＬＣ２１から長辺Ｌ２までの第１方向Ｄ１に沿った距離と略同等である。同様に、第２配向制御手段ＡＬＣ２２から長辺Ｌ１までの第１方向Ｄ１に沿った距離は、第２配向制御手段ＡＬＣ２２から長辺Ｌ２までの第１方向Ｄ１に沿った距離と略同等である。
【００５５】
第１配向制御手段ＡＬＣ１及び第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２として絶縁性突起を適用する場合には、絶縁材料、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３などの無機系材料、ポリイミド、フォトレジスト樹脂、高分子液晶など有機系材料などを用いて形成可能である。絶縁性突起が無機系材料の場合には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、あるいは溶液塗布法などによって形成可能である。また、絶縁性突起が有機系材料の場合には、有機物質を溶かした溶液またはその前駆体溶液を用いて、スピンナー塗布法、スクリーン印刷塗布法、ロール塗布法などで塗布し、所定の硬化条件（加熱、光照射など）で硬化させ形成する方法、あるいは蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ＬＢ（Ｌａｎｇｕｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）法などによって形成可能である。
【００５６】
各画素ＰＸは、同一形状の画素電極ＥＰを備えているとともに、各画素電極ＥＰに対して同様の位置関係の第１配向制御手段ＡＬＣ１及び第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２を備えている。ソース線Ｘは、第２方向Ｄ２に沿って直線状に延出しており、第１方向Ｄ１に隣接する２つの画素電極ＥＰの間に配置されている。
【００５７】
図４は、画素電極ＥＰと対向電極ＥＴとの間に電位差が形成された場合の液晶分子４０の配向状態を模式的に示す第２方向Ｄ２に沿った断面図である。なお、図４では、説明に必要な構成のみを図示しており、ここに示した例では、第１配向制御手段ＡＬＣ１が画素電極ＥＰに形成されたスリットであり、第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２が対向電極ＥＴに形成されたスリットである。
【００５８】
画素電極ＥＰと対向電極ＥＴとの間には、液晶分子４０を駆動するのに必要な電界ＥＦが形成される。このときに形成される電界ＥＦは、第１配向制御手段ＡＬＣ１及び第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２が位置する部分を避けるように形成される。このため、第１配向制御手段ＡＬＣ１の近傍の電界ＥＦは、液晶表示パネルＬＰＮの法線に対して傾斜している。同様に、第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２の近傍の電界ＥＦは、液晶表示パネルＬＰＮの法線に対して傾斜している。
【００５９】
液晶分子４０は、このような電界ＥＦによって駆動され、各画素ＰＸにおいて種々の方向に配向している。各画素ＰＸの液晶分子４０の配向分布は略同等である。このため、いずれの観察方向（視角）においても、各画素ＰＸの見映えが同等となり、また、広い範囲の視角で各画素ＰＸが観察可能となり、広視野角化が可能となる。
【００６０】
ところで、液晶分子４０の配向状態は、連続的に変化している。このため、傾斜した電界ＥＦにより、互いに逆向きに傾斜配向する液晶分子４０の間には、傾斜せずに液晶表示パネルＬＰＮの法線と平行に配向する液晶分子４０が存在する。換言すると、このように傾斜しない液晶分子４０を核あるいは中心として、傾斜配向した液晶分子４０が放射状に配列している。核となる液晶分子４０は、無電界時（黒色画面表示）の配向状態と同一であり、表示に寄与することなく透過率（あるいは輝度）の低下を招く一因となる。
【００６１】
一方で、垂直配向モードを利用した液晶表示パネルＬＰＮにおいては、適用される配向膜にラビング処理が施されず、配向膜が液晶分子４０に作用する配向規制力は微弱である。特に、この配向膜の配向規制力の微弱さは、上述の液晶分子の核（ディスクリネーションポイント）となる部分で液晶分子の配向を不安定にさせる。このため、外部からの応力が液晶表示パネルＬＰＮに加わると、液晶分子４０の配向が乱れやすい。
【００６２】
例えば、ソース線Ｘの上に位置していた核が画素電極ＥＰの上に移動してきた場合には、この画素電極ＥＰを有する当該画素ＰＸの透過率が低下するとともに、当該画素ＰＸの液晶分子４０の配向分布が変化してしまう。この場合には、当該画素ＰＸの透過率と周囲の画素ＰＸの透過率との差が視認されやすくなり、外部応力が加わった痕跡が表示画面上に残ってしまうおそれがある。また、当該画素ＰＸにおける液晶分子４０の配向分布が他の画素ＰＸにおける液晶分子４０の配向分布と相違が視角によっては見映えの差として視認されやすくなり、表示品位の劣化を招くおそれがある。このような現象は、白色画面表示の際に顕著になる。
【００６３】
特に、近年では、液晶表示パネルＬＰＮとタッチパネルとを組み合わせ、タッチ操作を兼ねた表示装置としての用途が広がってきている。このため、指などで液晶表示パネルＬＰＮの画面をなぞったときに、その痕跡が残りやすい。
【００６４】
そこで、外部応力の影響に関係なく、液晶分子４０の配向状態を安定化させることが望まれている。
【００６５】
図５は、第１実施形態における液晶表示パネルＬＰＮの平面図である。
【００６６】
この図５に示した構成は、図３に示した構成と比較して、第１方向Ｄ１に延出する第１配向制御手段ＡＬＣ１と同一直線上に位置する第３配向制御手段ＡＬＣ３を追加した点で相違している。なお、図５に示した第１配向制御手段ＡＬＣ１及び第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２は、図３に示した構成と同一の位置関係にあり、スリット及び絶縁性突起のいずれであっても良い。
【００６７】
この第１実施形態においては、第３配向制御手段ＡＬＣ３は、図３において第１配向制御手段ＡＬＣ１と同一直線上の黒丸で示した核の位置に設けられている。このため、各画素ＰＸにおける液晶分子４０の配向状態は、図３に示した場合と略同一である。この第３配向制御手段ＡＬＣ３は、ソース線Ｘの上に配置されているが、一部が画素電極ＥＰに重なっていても良い。このような第３配向制御手段ＡＬＣ３は、例えば絶縁性突起であり、図示しない配向膜によって覆われている。このため、第３配向制御手段ＡＬＣ３は、その周囲の液晶分子４０を放射状に配向させる核となり、ソース線Ｘを挟んだ２つの画素ＰＸの液晶分子４０の配向を制御する。
【００６８】
なお、第３配向制御手段ＡＬＣ３の位置は、ソース線Ｘと図示しない補助容量線との交差部、あるいは、ソース線Ｘと図示しないゲート線との交差部であっても良い。
【００６９】
この第１実施形態において、第３配向制御手段ＡＬＣ３は、柱状スペーサ２１と同様に、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間にギャップを形成するスペーサとして機能する。すなわち、第３配向制御手段ＡＬＣ３は、柱状スペーサ２１と同等の高さを有する絶縁性突起である。この第３配向制御手段ＡＬＣ３は、柱状スペーサ２１と同様に、アレイ基板ＡＲに設けられ、柱状スペーサ２１と同様に樹脂材料によって形成可能であって、柱状スペーサ２１と同一工程で形成可能である。なお、アレイ基板ＡＲに複数配置されたすべての第３配向制御手段ＡＬＣ３は、柱状スペーサ２１と同等の高さである必要は無く、一部の第３配向制御手段ＡＬＣ３が柱状スペーサ２１より低い高さを有し、対向基板ＣＴから離間していても良い。
【００７０】
このような第３配向制御手段ＡＬＣ３によって、たとえ外部応力が加わったとしても、液晶分子の配向の核となる部分は移動することがない。
【００７１】
上述の図３での説明のとおり、配向分割の役割を担う第１配向制御手段ＡＬＣ１、第２配向制御手段ＡＬＣ２１、２２によって、液晶分子の配向の核となる部分が生じる。そして、この核の部分は、配向膜の配向規制力では微弱であるため不安定である。そこで、第３配向制御手段ＡＬＣ３を配向制御手段ＡＬＣ１，ＡＬＣ２１，２２によって生じる核の部分に配置することにより、液晶分子の配向規制力を強化することができる。言い換えれば、第３配向制御手段ＡＬＣ３を配置した場所は、上述の配向の核の部分が解消される。これにより、液晶分子４０の配向状態を安定化させることが可能となる。また、指でなぞった場合など外部応力が加わった際でも、液晶分子４０の配向状態が直ちにもとの状態に復元するため、外部応力が加わった痕跡が残りにくくなる。特に、第１配向制御手段ＡＬＣ１と同一直線上の核の移動に伴った表示不具合が抑制され、図３に示した構成よりも、表示品位を改善することができる。
【００７２】
図６は、第２実施形態における液晶表示パネルＬＰＮの平面図である。
【００７３】
この図６に示した構成は、図３に示した構成と比較して、画素電極ＥＰのコーナー部に位置する第３配向制御手段ＡＬＣ３を追加した点で相違している。なお、図５に示した第１配向制御手段ＡＬＣ１及び第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２は、図３に示した構成と同一の位置関係にあり、スリット及び絶縁性突起のいずれであっても良い。
【００７４】
この第２実施形態においては、第３配向制御手段ＡＬＣ３は、図３において画素電極ＥＰのコーナー部の黒丸で示した核の位置に設けられている。このため、各画素ＰＸにおける液晶分子４０の配向状態は、図３に示した場合と略同一である。ここに示した例では、第３配向制御手段ＡＬＣ３は、画素電極ＥＰの４つのコーナー部にそれぞれ配置されている。また、これらの第３配向制御手段ＡＬＣ３は、４つのコーナー部に相当するソース線Ｘの上に配置されているが、一部が画素電極ＥＰに重なっていても良い。このような第３配向制御手段ＡＬＣ３は、例えば第１実施形態と同様の絶縁性突起であり、図示しない配向膜によって覆われている。このため、第３配向制御手段ＡＬＣ３は、その周囲の液晶分子４０を放射状に配向させる核となり、周辺の４つの画素ＰＸの液晶分子４０の配向を制御する。
【００７５】
なお、第３配向制御手段ＡＬＣ３の位置は、ソース線Ｘと図示しない補助容量線との交差部、あるいは、ソース線Ｘと図示しないゲート線との交差部であっても良い。
【００７６】
このような第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、第３配向制御手段ＡＬＣ３が移動することはなく、液晶分子４０の配向状態を安定化させることが可能となる。特に、画素電極ＥＰのコーナー部の核の移動に伴った表示不具合が抑制され、図３に示した構成よりも、表示品位を改善することができる。
【００７７】
図７は、第３実施形態における液晶表示パネルＬＰＮの平面図である。
【００７８】
この図７に示した構成は、上述した第１実施形態と第２実施形態との組み合わせに相当し、図３に示した構成と比較して、第１方向Ｄ１に延出する第１配向制御手段ＡＬＣ１と同一直線上及び画素電極ＥＰのコーナー部に位置する第３配向制御手段ＡＬＣ３を追加した点で相違している。なお、図７に示した第１配向制御手段ＡＬＣ１及び第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２は、図３に示した構成と同一の位置関係にあり、スリット及び絶縁性突起のいずれであっても良い。
【００７９】
この第３実施形態においては、第３配向制御手段ＡＬＣ３は、図３において第１配向制御手段ＡＬＣ１と同一直線上及び画素電極ＥＰのコーナー部の黒丸で示した核の位置に設けられている。このため、各画素ＰＸにおける液晶分子４０の配向状態は、図３に示した場合と略同一である。ここに示した例では、第３配向制御手段ＡＬＣ３は、各画素ＰＸの周囲の６箇所にそれぞれ配置されている。このような第３配向制御手段ＡＬＣ３は、例えば第１実施形態と同様の絶縁性突起であり、図示しない配向膜によって覆われている。このため、第３配向制御手段ＡＬＣ３は、その周囲の液晶分子４０を放射状に配向させる核となる。
【００８０】
このような第３実施形態においては、第１実施形態及び第２実施形態で説明した双方の効果が得られる。
【００８１】
図８は、第４実施形態における液晶表示パネルＬＰＮの平面図である。
【００８２】
この図８に示した構成は、図３に示した構成と比較して、第３配向制御手段ＡＬＣ３を設ける代わりに、第１方向Ｄ１に延出する第１配向制御手段ＡＬＣ１が絶縁性突起である点で相違している。なお、図８に示した第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２は、図３に示した構成と同一の位置関係にあり、スリット及び絶縁性突起のいずれであっても良い。
【００８３】
この第４実施形態においては、第１配向制御手段ＡＬＣ１は、柱状スペーサ２１と同様に、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間にギャップを形成するスペーサとして機能する。すなわち、第１配向制御手段ＡＬＣ１は、柱状スペーサ２１と同等の高さを有する絶縁性突起である。この第１配向制御手段ＡＬＣ１は、柱状スペーサ２１と同様に、アレイ基板ＡＲに設けられ、柱状スペーサ２１と同様に樹脂材料によって形成可能であって、柱状スペーサ２１と同一工程で形成可能である。
【００８４】
この第４実施形態においても、各画素ＰＸにおける液晶分子４０の配向状態は、図８では省略したが、図３に示した場合と略同一である。
【００８５】
このような第１配向制御手段ＡＬＣ１は、たとえ外部応力が加わったとしても、移動することがない。これにより、液晶分子４０の配向状態を安定化させることが可能となり、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００８６】
なお、この第４実施形態においては、上述した第１実施形態のように第１配向制御手段ＡＬＣ１と同一直線上に第３配向制御手段を追加して設けても良いし、第２実施形態のように画素電極ＥＰのコーナー部に第３配向制御手段ＡＬＣ３を追加して設けても良いし、さらには、第３実施形態のように、第１配向制御手段ＡＬＣ１と同一直線上及び画素電極ＥＰのコーナー部の双方に第３配向制御手段ＡＬＣ３を追加して設けても良い。
【００８７】
図９は、第５実施形態における液晶表示パネルＬＰＮの平面図である。
【００８８】
この図９に示した構成は、図３に示した構成と比較して、第１配向制御手段ＡＬＣ１がさらに第１方向Ｄ１に延出している点で相違している。なお、図９に示した第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２は、図３に示した構成と同一の位置関係にあり、スリット及び絶縁性突起のいずれであっても良い。
【００８９】
この第５実施形態においては、第１配向制御手段ＡＬＣ１は、第４実施形態と同様に、絶縁性突起であり、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間にギャップを形成するスペーサとして機能する。この第１配向制御手段ＡＬＣ１は、図３において第１配向制御手段ＡＬＣ１と同一直線上の黒丸で示した核の位置まで延在している。つまり、第１配向制御手段ＡＬＣ１は、第１方向Ｄ１に並んだ２つの画素電極ＥＰの間のソース線Ｘと交差し、さらに第１方向Ｄ１に延出して、複数の画素電極ＥＰに跨って配置されている。
【００９０】
この第５実施形態においても、各画素ＰＸにおける液晶分子４０の配向状態は、図９では省略したが、図３に示した場合と略同一である。
【００９１】
このような第１配向制御手段ＡＬＣ１は、たとえ外部応力が加わったとしても、移動することがない。これにより、液晶分子４０の配向状態を安定化させることが可能となり、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００９２】
なお、この第５実施形態においては、第２実施形態のように画素電極ＥＰのコーナー部に第３配向制御手段ＡＬＣ３を追加して設けても良い。
【００９３】
（実施例１）
画素ピッチ５０μｍの液晶表示パネルＬＰＮを作製した。すなわち、この実施例１においては、第１配向制御手段ＡＬＣ１として画素電極ＥＰにスリットを形成し、第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２として対向電極ＥＴにスリットを形成した。第３配向制御手段ＡＬＣ３は、絶縁性突起であり、図５の第１実施形態で説明したように、第１配向制御手段ＡＬＣ１と同一直線上に設けた。この第３配向制御手段ＡＬＣ３は、透明のネガレジストを用いて形成し、その高さが概略３μｍであり、アレイ基板ＡＲに接する底面の直径φが概略１２μｍの略円錐台形状とした。アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴのそれぞれの表面には、垂直性を示す第１配向膜２０及び第２配向膜３６を１００ｎｍの厚さで形成した。これらのアレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴは、アレイ基板ＡＲの側に塗布されたシール材によって貼り合わせた。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間には、誘電率異方性が負の液晶材料が充填され、液晶層ＬＱとした。
【００９４】
このような液晶表示パネルＬＰＮに対して、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２、駆動回路などを実装してモジュールを作製した。
【００９５】
最終的に完成したモジュールで、白色画面表示をさせた状態でパネル表面を指でなぞったところ、なぞった痕跡は残らなかった。
【００９６】
（実施例２）
この実施例２では、図７の第３実施形態で説明したように、第３配向制御手段ＡＬＣ３が第１配向制御手段ＡＬＣ１と同一直線上及び画素電極ＥＰの４つのコーナー部に設けられている以外は、実施例１と同様にしてモジュールを作製した。このような実施例２においても、実施例１と同様に、完成したモジュールで白色画面を表示させた状態でパネル表面を指でなぞったところ、痕跡は残らなかった。
【００９７】
（実施例３）
この実施例３では、図８の第４実施形態で説明したように、第３配向制御手段を設ける代わりに、第１配向制御手段ＡＬＣ１をスペーサとして利用する以外は、実施例１と同様にしてモジュールを作製した。この第１配向制御手段ＡＬＣ１の形状は、概略４０μｍ×１０μｍの長方形とした。このような実施例３においても、実施例１と同様に、完成したモジュールで白色画面を表示させた状態でパネル表面を指でなぞったところ、痕跡は残らなかった。
【００９８】
（実施例４）
この第４実施例では、第１配向制御手段ＡＬＣ１、第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２、及び、第３配向制御手段ＡＬＣ３を設ける基板を実施例１とは逆にした。それ以外は実施例１と同様にしてモジュールを作製した。このような実施例４においても、実施例１と同様に、完成したモジュールで白色画面を表示させた状態でパネル表面を指でなぞったところ、痕跡は残らなかった。
【００９９】
（比較例）
比較例では、スペーサとして機能する第３配向制御手段ＡＬＣ３の配置以外は実施例１と同様にしてモジュールを作製した。図１０に示すように、第３配向制御手段ＡＬＣ３は、第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２の両脇であってそれぞれの中心がソース線の上になるように配置した。完成したモジュールで白色画面を表示させた状態でパネル表面を指でなぞってパネル表面を指でなぞったところ、その痕跡が残ったままになってしまった。
【０１００】
上述の各実施例と比較例の差異について、以下で検討する。
【０１０１】
上述の各実施例では、第３配向制御手段ＡＬＣ３の配置する場所は、配向分割のための第１配向制御手段ＡＬＣ１、第２配向制御手段ＡＬＣ２１、２２によって生じる配向の不安定な核（ディスクリネーションポイント、図３の黒丸）が存在する場所である。更に、第３配向制御手段ＡＬＣ３の設置の有無に係わらず液晶分子の配向に変化は無い。この第３配向制御手段ＡＬＣ３の設置の有無に係わらず液晶分子の配向に変化が無い条件は、ディスクリネーションポイント付近の液晶の配向ベクトルがすべてディスクリネーションポイントに向いている場所に第３配向制御手段ＡＬＣ３を設置することである。このようなディスクリネーションポイントに第３配向制御手段ＡＬＣ３を設けることによって、配向の不安定な核の場所が無くなる。この結果、パネル表面を指でなぞった場合に、痕跡は残らなくなった。
【０１０２】
他方、比較例では、第１配向制御手段ＡＬＣ１、第２配向制御手段ＡＬＣ２１、２２のみ配置した場合の液晶分子の配向と、これらに第３配向制御手段ＡＬＣ３を更に追加配置した場合の液晶分子の配向とは異なる。しかも、この第３配向制御手段ＡＬＣ３を追加配置したことによって、液晶分子の配向に新たな不安定な部分が現れる。すなわち、上述の比較例では、上記条件の設置場所以外に第３配向制御手段ＡＬＣ３を配置したため、液晶分子の配向の不安定な核を取り除くことが出来ない。したがって、パネル表面を指でなぞった場合に、依然として痕跡は残ることになる。
【０１０３】
以上説明したように、この実施の形態によれば、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することができる。
【０１０４】
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【０１０５】
例えば、上述した実施の形態では、透過型の液晶表示装置を例に説明したが、各画素が透過表示部に加えて外光を選択的に反射して画像を表示する反射表示部を有する半透過型の液晶表示装置についても、同様の構成が適用可能である。
【０１０６】
また、第１方向Ｄ１がゲート線Ｙの延出方向であって第２方向Ｄ２がソース線Ｘの延出方向である場合について説明したが、第１方向Ｄ１がソース線Ｘの延出方向であって第２方向Ｄ２がゲート線Ｙの延出方向であっても良い。
【０１０７】
また、第１基板が第１電極に相当する画素電極ＥＰを備えたアレイ基板ＡＲであって、第２基板が第２電極に相当する対向電極ＥＴを備えた対向基板ＣＴである場合について説明したが、第１基板が第１電極に相当する対向電極ＥＴを備えた対向基板ＣＴであって、第２基板が第２電極に相当する画素電極ＥＰを備えたアレイ基板ＡＲである場合についても、同様の構成が適用可能である。つまり、第１配向制御手段ＡＬＣ１は対向電極ＥＴに形成されたスリットまたは対向電極ＥＴの上に配置された絶縁性突起であり、第２配向制御手段ＡＬＣ２は画素電極ＥＰに形成されたスリットまたは画素電極ＥＰの上に配置された絶縁性突起である。また、この場合、第３配向制御手段ＡＬＣ３は、対向基板ＣＴの側に設けられた円錐台形状の絶縁性突起であり、アレイ基板ＡＲの側の配線の直上に位置している。
【０１０８】
また、第３配向制御手段ＡＬＣ３が配置される配線は、ソース線Ｘに限らず、ゲート線Ｙや補助容量線ＡＹであっても良い。また、この第３配向制御手段ＡＬＣ３は、ソース線Ｘとゲート線Ｙとの交差部、あるいは、ソース線Ｘと補助容量線ＡＹとの交差部の上に設けることが望ましい。
【０１０９】
また、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとを貼り合わせるシール材ＳＥが一連のループ状に形成され、滴下注入法により液晶材料を注入して液晶層ＬＱを形成する場合について説明したが、これに限らず、シール材ＳＥが注入口を確保するように形成され、真空注入法により液晶材料を注入した後に注入口を封止材によって封止することによって液晶層ＬＱを形成する場合についても、同様の構成が適用可能であるが、液晶材料の注入を阻害しないように第１配向制御手段ＡＬＣ１は連続した直線状ではなく断続的に形成されていることが望ましい。
【０１１０】
滴下注入方を利用して液晶層ＬＱを形成する場合には特に問題にならないが、真空注入法を利用して液晶層ＬＱを形成する場合には、液晶材料の流入を阻害しないように、柱状スペーサ２１の配置密度が高すぎないことが望ましい。このため、第３配向制御手段ＡＬＣ３のみならず、第１配向制御手段ＡＬＣ１や第２配向制御手段ＡＬＣ２１及びＡＬＣ２２が絶縁性突起である場合には、これらは密集配置しないことが望ましく、また、少なくとも一部が他方の基板から離間して絶縁性突起との間に液晶材料のパスが形成されることが望ましい。
【符号の説明】
【０１１１】
ＬＰＮ…液晶表示パネル  ＰＸ…画素
ＡＲ…アレイ基板  ＣＴ…対向基板
ＬＱ…液晶層  ４０…液晶分子
ＢＬ…バックライトユニット
Ｙ…ゲート線  Ｘ…ソース線  ＡＹ…補助容量線  Ｗ…スイッチング素子
ＥＰ…画素電極  ＥＴ…対向電極
ＡＬＣ１…第１配向制御手段
ＡＬＣ２１、ＡＬＣ２２…第２配向制御手段
ＡＬＣ３…第３配向制御手段
ＸＤ…ソースドライバ  ＹＤ…ゲートドライバ
【図１】
2011022491.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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