(57)【要約】【課題】高効率の半導体光電素子を提供する。【解決手段】活性層と、活性層上下に設けられる上部及び下部ウェーブガイド層と、前記活性層及びウェーブガイド層によるサンドウィッチの上下に設けられる上部及び下部クラッド層と、前記積層を支持する基板を具備し、  前記活性層及びこの上下の各ウェーブガイド層間に、各々に対応するウェーブガイド層に比べてエネルギーギャップが小さく、活性層に比べてはエネルギーギャップが大きい光制限層が設けられている半導体光電素子。これにより、モード漏れの減少及び抑制が可能であり、かつ光制限ファクターが増加する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と、
活性層上下に設けられる上部及び下部ウェーブガイド層と、
前記活性層及びウェーブガイド層によるサンドウィッチの上下に設けられる上部及び下部クラッド層と、
前記活性層と上部及び下部ウェーブガイド層と上部及び下部クラッド層とからなる積層を支持する基板を具備し、
前記活性層及びこの上下の各ウェーブガイド層間に、各々に対応するウェーブガイド層に比べてエネルギーギャップが小さく、活性層に比べてはエネルギーギャップが大きい光制限層が設けられていることを特徴とする半導体光電素子。
【請求項２】
前記上部ウェーブガイド層とその下部の上部光制限層間に電子遮断層が介在されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体光電素子。
【請求項３】
前記基板は、Ｓｉ、サファイア、ＳｉＣまたはＧａＮで形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体光電素子。
【請求項４】
基板上に積層される前記各層は、窒化物系であることを特徴とする請求項１ないし３のうちいずれか１項に記載の半導体光電素子。
【請求項５】
前記上部及び下部ウェーブガイド層は、ｐ−ＧａＮ及びｎ−ＧａＮで形成され、
前記上部及び下部クラッド層は、各々ｐ−ＡｌＧａＮ／ｐ−ＧａＮ及びｎ−ＡｌＧａＮ／ｎ−ＧａＮ、またはｐ−ＡｌＧａＮ及びｎ−ＡｌＧａＮで形成され、
前記活性層は、ＡｌＩｎＧａＮ（ＡｌｖＩｎｘＧａ１−ｘ−ｖＮ／ＡｌｗＩｎｙＧａ１−ｙ−ｗＮ、０≦（ｖ，ｗ，ｘ，ｙ）≦１、０≦｛（ｘ＋ｖ），（ｙ＋ｗ）｝≦１、ｙ≦ｘ、ｖ≦ｗ）で形成されることを特徴とする請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の半導体光電素子。
【請求項６】
前記上部ウェーブガイド層とその下部の上部光制限層間にｐ−ＡｌＧａＮ電子遮断層が介在されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体光電素子。
【請求項７】
前記光制限層は、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦（ｘ，ｙ）≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で形成されることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体光電素子。
【請求項８】
前記光制限層にはＳｉまたはＭｇがドーピングされていることを特徴とする請求項７に記載の半導体光電素子。
【請求項９】
光制限層の厚さは、１００ないし５００Å範囲内の値を有することを特徴とする請求項７または８に記載の半導体光電素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体光電素子に係り、詳細には高い光効率を有する半導体光電素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な窒化物系列の化合物半導体光電素子の一つである半導体レーザー素子は、図１に図示されたようにサファイア基板１をベースとし、発光及び受光のための活性層５、活性層５に電子を供給するためのｎ型積層２、３、４、活性層５に正孔を供給するためのｐ型積層６、７、８を含む。
【０００３】
具体的に、光ガイドのために活性層５の両側にｐウェーブガイド層（Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  Ｌａｙｅｒ；光を導波する層または光ガイド層ともいう。）７及びｎウェーブガイド層４が設けられる。そして、電子と正孔及び光を拘束するために、ｐウェーブガイド層７の上部及びｎウェーブガイド層４の下部にｐクラッド層８及びｎクラッド層３が各々設けられている。そして、ｐウェーブガイド層７と活性層５間には正孔の通過だけを許容する電子遮断層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｌｏｃｋｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ；ＥＢＬ）６が設けられる。一方、基板１とｎクラッド層３間にはｎ−ＧａＮコンタクト層２が設けられ、ｐクラッド層８上にはｐ−ＧａＮコンタクト層９が設けられる。
【０００４】
このような窒化物系の発光素子の場合、大部分サファイアを基板素材として利用する。一般的に、窒化物系レーザーダイオードにおいて活性層で形成される光をガイドするためのウェーブガイド層がＧａＮで形成され、また、電子と光とを同時に拘束するためにクラッド層はＡｌｘＧａ１−ｘＮで形成される。
【０００５】
ＡｌｘＧａ１−ｘＮは、ＧａＮに比べてエネルギーギャップが大きくて、活性層であるＩｎＧａＮとの屈折率差がウェーブガイドであるＧａＮに比べてさらに大きい。
【０００６】
クラッド層として使用するＡｌＧａＮ層は、ウェーブガイド層及びｎ型コンタクト層（ｎ−ｔｙｐｅ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｌａｙｅｒ）として使われるＧａＮと大きい格子定数及び熱膨張係数の差を表し、これによりクラックを形成する。したがって、これによってクラッド層物質であるＡｌｘＧａ１−ｘＮでＡｌの組成比及び厚さが制限されている。他の研究グループでの研究結果によれば、クラッド層のＡｌの制限された組成比率はＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子の場合に約１４％であり、制限厚さは１μｍ、バルクＡｌＧａＮの場合に８％、１μｍと報告された。このように制限されたクラッド層の厚さ及びＡｌ組成比に起因して基板方向への漏れモード（ｍｏｄｅ  ｌｅａｋａｇｅ）が発生、すなわち、光制限ファクター（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  Ｆａｃｔｏｒ；ＯＣＦ）が減少する。
【０００７】
漏れモードは、光拘束係数を減らして光利得の減少をもたらすことによってレーザーの発振開始電流を高めてレーザーのファーフィールドパターン（ｆａｒ−ｆｉｅｌｄ  ｐａｔｔｅｒｎ；遠視野像）に悪影響を与える。減少したＯＣＦは、レーザー素子の発振開始電流を高め、内部量子効率を減少させて発振されたレーザーのファーフィールドパターンに悪影響を与える。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、光制限ファクターを効果的に増大させて耐久性及び信頼性が向上した半導体光電素子を提供するところにその目的がある。
【０００９】
また本発明は、光利得の増加によりレーザーの発振開始電流が減少し、したがって、動作入力パワーが減少した高効率の半導体光電素子を提供するところにその他の目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために本発明によれば、活性層と、活性層上下に設けられる上部及び下部ウェーブガイド層と、前記活性層及びウェーブガイド層によるサンドウィッチの上下に設けられる上部及び下部クラッド層と、前記積層を支持する基板を具備し、前記活性層及びこの上下の各ウェーブガイド層間に、各々に対応するウェーブガイド層に比べてエネルギーギャップが小さく、活性層に比べてはエネルギーギャップが大きい光制限層（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  Ｌａｙｅｒ；ＯＣＬ）が設けられていることを特徴とする半導体光電素子が提供される。
【００１１】
前記本発明の半導体光電素子において、前記基板はＳｉ、サファイア、ＳｉＣまたはＧａＮで形成される。
【００１２】
このような本発明は窒化物半導体光電素子に適用されることが望ましい。したがって、前記上部及び下部ウェーブガイド層はｐ−ＧａＮ及びｎ−ＧａＮで形成され、前記上部及び下部クラッド層は各々ｐ−ＡｌＧａＮ／ｐ−ＧａＮ及びｎ−ＡｌＧａＮ／ｎ−ＧａＮ、またはｐ−ＡｌＧａＮ及びｎ−ＡｌＧａＮで形成され、前記活性層はＡｌＩｎＧａＮ（ＡｌｖＩｎｘＧａ１−ｘ−ｖＮ／ＡｌｗＩｎｙＧａ１−ｙ−ｗＮ、０≦（ｖ，ｗ，ｘ，ｙ）≦１、０≦｛（ｘ＋ｖ），（ｙ＋ｗ）｝≦１、ｙ≦ｘ、ｖ≦ｗ）で形成される。ここで、０≦（ｖ，ｗ，ｘ，ｙ）≦１とは、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１のことである。また、０≦｛（ｘ＋ｖ），（ｙ＋ｗ）｝≦１とは、０≦ｘ＋ｖ≦１、０≦ｙ＋ｗ≦１のことである。
【００１３】
前記上部クラッド層の上部及び下部クラッド層の下部には各々ｐ−ＧａＮコンタクト層及びｎ−ＧａＮコンタクト層が設けられる。また、前記活性層はＡｌｖＩｎｘＧａ１−ｘ−ｖＮ／ＡｌｗＩｎｙＧａ１−ｙ−ｗＮ（０≦（ｖ，ｗ，ｘ，ｙ）≦１、０≦｛（ｘ＋ｖ），（ｙ＋ｗ）｝≦１、ｙ≦ｘ、ｖ≦ｗ）の多重量子井戸または単一量子井戸で形成できる。すなわち、前記活性層はＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、そしてＡｌＩｎＧａＮのうちいずれか一つの物質で形成できる。
【００１４】
一方、本発明の望ましい実施例によれば、前記ＯＣＬはＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ≦１）で形成され、ここにはＳｉまたはＭｇがドーピングされうる。Ｓｉはｎ型ドーパントであり、Ｍｇはｐ型ドーパントである。このようなＯＣＬの望ましい厚さは１００ないし５００Å範囲内の値を有する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による半導体光電素子の特徴を要約すれば次の通りである。
【００１６】
１）ｎクラッド層のＡｌ組成比の増加なしにモード漏れの減少及び抑制が可能であり、かつ最大１６％ＯＣＦの増加が可能である。
【００１７】
２）ＡｌＧａＮ  ＥＢＬと活性層であるＩｎＧａＮとの格子定数の差によるストレスの効果的な減少が可能である。
【００１８】
３）レーザー素子の場合にしきい値電流を最大４０％程度減少させうる。
【００１９】
４）素子の作動電流及び電圧が減少する。
【００２０】
５）動作入力パワーの減少により寿命が延びる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】一般的な窒化物系半導体レーザー素子の積層構造を示す断面図である。
【図２】本発明による半導体レーザー素子の積層構造を示す断面図である。
【図３】図２に図示された本発明による半導体レーザー素子の結晶層別エネルギーギャップを示すグラフである。
【図４Ａ】相異なるＡｌ組成比を有するｎクラッド層によるモードプロファイルに対するＯＣＦのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図４Ｂ】相異なるＡｌ組成比を有するｎクラッド層によるモードプロファイルに対するＯＣＦのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図４Ｃ】相異なるＡｌ組成比を有するｎクラッド層によるモードプロファイルに対するＯＣＦのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図４Ｄ】相異なるＡｌ組成比を有するｎクラッド層によるモードプロファイルに対するＯＣＦのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図５Ａ】ｎクラッド層でのＡｌ組成比（１０％、１３．５％、１５％）別本発明によって適用されるＯＣＬの厚さ変化によるＯＣＦの変化を示すシミュレーション結果である。
【図５Ｂ】ｎクラッド層でのＡｌ組成比（１０％、１３．５％、１５％）別本発明によって適用されるＯＣＬの厚さ変化によるＯＣＦの変化を示すシミュレーション結果である。
【図５Ｃ】ｎクラッド層でのＡｌ組成比（１０％、１３．５％、１５％）別本発明によって適用されるＯＣＬの厚さ変化によるＯＣＦの変化を示すシミュレーション結果である。
【図５Ｄ】本発明によってＯＣＬを適用した場合及びＯＣＬを適用していない場合において、ｎクラッド層の組成比（１０％、１３．５％、１５％）別ＯＣＦの変化を示すグラフである。
【図５Ｅ】図５Ｄの条件で最大ＯＣＦに対応するＯＣＬ厚さ下のＯＣＦの増加率を示すグラフである。
【図６】本発明によってＯＣＬが適用されたレーザーダイオード及びＯＣＬが適用されていない従来レーザーダイオードの発振開始電流の変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明で提案された半導体光電素子はクラックが発生しない最大のＡｌ組成比を有するクラッド層の構造下で光ファクター制限値の増加により光利得を増加させるために活性層とその上下のウェーブガイド層間にこれらそれぞれのエネルギーギャップ間の値を有するＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦（ｘ，ｙ）≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）  ＯＣＬが挿入された構造を有する。
【００２３】
このような本発明の半導体光電素子は後述するが、内部量子効率が増大してレーザー発振開始電流及び動作入力パワーが減少する利点を有する。発振開始電流及び動作入力パワーの減少は発振効率増加及び寿命の延長効果をもたらす。
【００２４】
このような本発明の半導体光電素子は特に窒化物系列の光電素子、例えば発光または受光素子などの電子素子に適用できる。
【００２５】
図２は、本発明による光電素子の一例であって半導体レーザー素子の概略断面図であり、図３は、図２に図示された素子で各結晶層（基板上に積層される各層＝各結晶層）のエネルギーギャップを示すグラフである。
【００２６】
図２を参照すれば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＮまたはサファイアよりなる基板１０の表面にＳｉドーピングされたＧａＮコンタクト層２０が形成される。前記コンタクト層２０上にはＩｎＧａＮ活性層５０を主要構成要素として含む電子発光層が設けられている。
【００２７】
前記活性層５０はエネルギーギャップが相異なるＡｌｖＩｎｘＧａ１−ｘ−ｖＮとＡｌｗＩｎｙＧａ１−ｙ−ｗＮ（０≦（ｖ，ｗ，ｘ，ｙ）≦１、０≦｛（ｘ＋ｖ），（ｙ＋ｗ）｝≦１、ｙ≦ｘ、ｖ≦ｗ）による単一量子井戸（ウェル）または多重量子井戸（ウェル）構造を有する。すなわち、前記活性層はＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮそしてＡｌＩｎＧａＮのうちいずれか一つの物質で形成できる。
【００２８】
前記活性層５０の上下には本発明を特徴づけるＯＣＬ  ４５、５５が形成されている。このＯＣＬ  ４５、５５は、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦（ｘ，ｙ）≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で形成できる。例えば、下部ＯＣＬ  ４５はｎ型またはドーピングされていないＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、ＡｌｘＧａ１−ｘＮまたはＩｎｙＧａ１−ｙＮで形成され、上部ＯＣＬ  ５５はｐ、ｎ型またはドーピングされていないＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、ＡｌｘＧａ１−ｘＮまたはＩｎｙＧａ１−ｙＮで形成される。このようなＯＣＬ  ４５、５５のエネルギーギャップは図３に図示されたように活性層に比べて同じかまたは大きく、そして後述する上下部ウェーブガイド層ｎＷＧ、ｐＷＧに比べて同じかまたは小さい。
【００２９】
図２に図示されたように前記ウェーブガイド層７０、４０は、各々ｐ型及びｎ−ＧａＮで各々形成される。このようなウェーブガイド層７０、４０は前述したように前記ＯＣＬに比べて大きいエネルギーギャップを有する。一方、前記下部ウェーブガイド層４０の下部にはｎ−ＡｌＧａＮ／ｎ−ＧａＮ、ｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ｎ−ＧａＮまたはｎ−ＡｌＧａＮクラッド層３０及びｎ−ＧａＮコンタクト層２０が順次に設けられている。
【００３０】
一方、前記上部ＯＣＬ  ５５と上部ウェーブガイド７０間にはｐ−ＡｌＧａＮ  ＥＢＬ  ６０が介在されている。図３に図示されたようにＥＢＬ  ６０のエネルギーギャップが他の結晶層に比べて最も大きくて、したがって、電子の移動を防止して正孔だけ通過させる。
【００３１】
前記ｐ−ＧａＮ上部ウェーブガイド層７０上にはｐ−ＡｌＧａＮ／ｐ−ＧａＮ、ｐ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ｐ−ＧａＮまたはｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８０及びｐ−ＧａＮ上部コンタクト層９０が形成されている。
【００３２】
前記のようにＯＣＬ  ４５、５５が活性層の両側に設けられる本発明によれば、制限されたＡｌ組成比及びＡｌＧａＮクラッド層の厚さ下でもＯＣＦを増加させて素子の発振電流及び内部量子効率が向上する。
【００３３】
このような本発明によれば、従来の光電素子に存在したウェーブガイド層に、本発明によりこれより狭いエネルギーギャップを有するＯＣＬをさらに適用することによってウェーブガイド層及びＯＣＬによる二重ＯＣＬが活性層５０の両側に設けられる。
【００３４】
図４Ａないし図４Ｄは、相異なるＡｌ組成比を有するｎクラッド層３０によるモードプロファイルに対するＯＣＦのシミュレーション結果を示す。
【００３５】
図４Ａはｐクラッド層及びｎクラッド層のＡｌ組成比が同一に１０％である素子に対する結果を示し、図４Ｂはｐクラッド層及びｎクラッド層のＡｌ組成比が各々１０％及び１５％である素子に対する結果を示す。
【００３６】
図４Ａ、図４Ｂのシミュレーション結果によれば、図４Ａに図示されたように、ｎクラッド層のＡｌ組成比が１０％である場合に基板方向にモード漏れ（図中の０．５μｍ辺りの位置のグラフの山の部分）が見られる一方、図４Ｂに図示されたように、ｎクラッド層のＡｌ組成比が１５％である場合に基板方向へのモード漏れが見られないだけでなくＯＣＦも増加することが分かる。
【００３７】
図４Ｃ、図４Ｄは各々ｎクラッド層のＡｌ組成比が１０％及び１５％であり、ｐクラッド層のＡｌ組成比は同一に１０％に設定して、１４０Å厚さのＩｎｚＧａ１−ｚＮ  ＯＣＬを活性層の両側に挿入させた状態でのシミュレーション結果を示す。
【００３８】
図４Ｃ、図４Ｄのシミュレーション結果は本発明によりＯＣＬを適用することによってＯＣＦが増加することを示す。図４Ｃを参照すれば、基板側へのモード漏れが起きているが、活性化領域で図４Ａのシミュレーション結果に比べて半値幅が減少することが分かる（すなわち、図４Ａと図４Ｂを比較すると、２．２５μｍ付近において図４Ｂの山の中間部が図４Ａの山の中間部に比べて狭いことがわかる）。このような半値幅の減少は光制限がさらに効果的に発生することを示す。図４Ｄを参照すれば、図４Ｃに図示された結果のための条件のうちｎクラッド層でのＡｌ組成比を１５％に調節した時、基板側でのモード漏れはもちろん半値幅がさらに減少してＯＣＦが非常に多く増加することが分かる。
【００３９】
図５Ａないし図５Ｃは、ｎクラッド層でのＡｌ組成比（１０％、１３．５％、１５％）別ＯＣＬの厚さ変化によるＯＣＦの変化を示したシミュレーション結果である。
【００４０】
図５Ａないし図５Ｃを通じて、ｎクラッド層のＡｌ組成比が１０％である場合にＩｎｚＧａ１−ｚＮ  ＯＣＬの厚さが１４０Å、１３．５％Ａｌ組成比である場合に３５０Å、Ａｌ組成比が１５％に増加した場合にＩｎｚＧａ１−ｚＮ  ＯＣＬの厚さが４２０Åである時に最大のＯＣＦ結果を表すことが分かる。なお、図５のシミュレーションでは、活性層上下にＯＣＬが設けられている構造のものであるが、図５に示した厚さの値は各ＯＣＬの厚さである。
【００４１】
図５Ａを参照すれば、ｎクラッド層及びｐクラッド層のＡｌ組成比が共に１０％である場合、ＯＣＬの厚さが約１４０Åである時に約１．５の最大のＯＣＦが現れる。
【００４２】
図５Ｂを参照すれば、ｎクラッド層のＡｌ組成比が１３．５％であり、ｐクラッド層のＡｌ組成比が共に１０％である場合、ＯＣＬの厚さが約３５０Åである時に約２．３の最大のＯＣＦが現れる。
【００４３】
また、図５Ｃを参照すれば、ｎクラッド層のＡｌ組成比が１５％でありｐクラッド層のＡｌ組成比が共に１０％である場合、ＯＣＬの厚さが約４２０Åである時に約２．４以上に最大のＯＣＦが現れる。
【００４４】
図５Ｄは、ＯＣＬを適用した場合及びＯＣＬを適用していない場合において、ｎクラッド層のＡｌ組成比（１０％、１３．５％、１５％）別ＯＣＦの変化を示す。図５Ｄによれば、本発明によってＯＣＬを適用した場合がそうでない場合に比べて高いＯＣＦを示し、そしてＡｌ組成比が増加するほど本発明によってＯＣＬを適用した場合がさらに高い割合でＯＣＦが増加することが分かる。
【００４５】
図５Ｅは、上の条件で最大ＯＣＦに対応するＯＣＬ厚さ変化によるＯＣＦの増加率を示す。
【００４６】
図５Ａないし図５Ｅによれば、ｎクラッド層内のＡｌ組成比が増加するにつれてＯＣＦが増加し、そしてその最適化したＯＣＬの厚さが厚くなることが分かる。本発明による光電素子は結論的にｎクラッド層のＡｌ組成比の増加なしにも最大１６％のＯＣＦ値を向上させうることが分かる。
【００４７】
上の結果に基づいて観察した結果、ＯＣＬの厚さは１００Åから５００Å範囲内に調節されることが望ましい。
【００４８】
図６は前記シミュレーション結果に基づいてクラックのないｎクラッド層のＡｌ組成比が１４％である場合に対してＩｎｚＧａ１−ｚＮ  ＯＣＬの適用如何によるレーザー発振開始電流の変化を示したものである。図６を通じて、ＩｎｚＧａ１−ｚＮ  ＯＣＬが挿入された場合にシミュレーション結果と同一にＯＣＬがない従来のレーザーダイオード素子に比べて発振開始電流が７２ｍＡから４６ｍＡに約４０％減少することが分かる。これはＯＣＬの挿入によりＯＣＦ値が増加し、これにより光拘束係数（ｏｐｔｉｃａｌ  ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）及び光利得（ｏｐｔｉｃａｌ  ｇａｉｎ）の増加をもたらすだけでなくクラッド層と活性層間に緩衝層としてのＯＣＬが挿入されることによってレーザーの発振開始電流が低くなると推定される。
【００４９】
本技術分野の当業者に、本発明の精神を離脱せずに前述した望ましい実施例を考慮した多くの変化及び修正は容易かつ自明であり、本発明の範囲は添付された特許請求の範囲によってさらに明確に指摘される。本願の技術内容の開示及び発表は単に例示に過ぎず、特許請求の範囲によってより詳細に指摘された本発明の範囲を制限するものと理解されてはならない。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
以上のような本発明の光電素子は窒化物系発光素子及び受光素子に適用できる。すなわち、本発明の他の光電素子は窒化物系で製作された発光素子の白色、青色、緑色ＬＥＤ、紫外線、紫色、青色、緑色ＬＤ及び受光素子、電子素子などあらゆる素子に適用できる。
【符号の説明】
【００５１】
１０  基板、
２０  ｎ−ＧａＮコンタクト層、
３０  ＡｌＧａＮ／ｎ−ＧａＮまたはｎ−ＡｌＧａＮクラッド層、
４０、７０  ウェーブガイド層、
４５、５５  ＯＣＬ、
５０  活性層、
６０  ｐ−ＡｌＧａＮ  ＥＢＬ、
８０  ＡｌＧａＮ／ｐ−ＧａＮまたはｐ−ＡｌＧａＮクラッド層、
９０  ｐ−ＧａＮ上部コンタクト層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６】
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