(57)【要約】      （修正有）【課題】素子間の溝のカバレッジを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】素子間に溝を有する基板をサセプタへ載置するステップと、前記基板の前記溝に第一高周波電力をプラズマ生成部に供給し、第一成膜レートによって第一酸化膜を形成する第一酸化膜形成ステップと、前記第一高周波電力より低い第二高周波電力を前記プラズマ生成部に供給し、前記第一成膜レートより遅い第二成膜レートによって、前記第一酸化膜に第二酸化膜を形成する第二酸化膜形成ステップとを有する半導体装置の製造方法。【選択図】図５
2011071353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子間に溝を有する基板をサセプタへ載置するステップと、
前記基板の前記溝に第一成膜レートによって第一酸化膜を形成する第一酸化膜形成ステップと、
前記第一成膜レートより遅い第二成膜レートによって前記第一酸化膜に第二酸化膜を形成する第二酸化膜形成ステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第一酸化膜形成ステップでは、第一高周波電力をプラズマ生成部に供給し、
前記第二酸化膜形成ステップでは、前記第一高周波電力より低い第二高周波電力を前記プラズマ生成部に供給する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
例えば、半導体装置（以下、ＩＣという）の製造方法において、ＩＣを作り込む半導体ウエハ（以下、ウエハという）に酸化処理や窒化処理を施すのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法において、ウエハに酸化処理や窒化処理を施すのに、ＭＭＴ（Modified Magnetron Typed）装置が使用されている。ＭＭＴ装置は、電界と磁界により高密度プラズマを生成できる変形マグネトロン型プラズマ源（Modified Magnetron Typed Plasma Source）を用いてウエハ等の基板をプラズマ処理する基板処理装置である。ＭＭＴ装置は、酸化処理や窒化処理の均一性に優れているので、酸化窒化装置として使用される。
このようなＭＭＴ装置として、ウエハを支持するサセプタを可変インピーダンスを介して設置するように構成されており、ウエハ表面を酸化処理または窒化処理する際に、可変インピーダンスを調整して、ウエハの調整電位に応じてウエハに入射するイオンのエネルギーを制御することにより、膜厚や膜厚面内均一性を広範囲に制御するようにしたもの、が提案されている。例えば、特許文献１参照。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−４７９５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、アイソレーション構造（トランジスタを電気的に分離する構造）としては、シャロートレンチアイソレーション構造（以下、ＳＴＩ構造という）が採用されている。ＳＴＩ構造はウエハに形成した溝の内部に酸化シリコン膜等の絶縁膜を堆積した後に、溝外部の酸化シリコン膜を研磨もしくはエッチング等により除去することにより形成し、デバイスの分離を行っている。
ＳＴＩ構造を利用した場合には、溝の内部に生じたドライエッチング時のダメージを回復し、また、溝の内部に埋め込まれる酸化シリコン膜とウエハとの界面に生じる界面準位を低減するために、溝の内部に薄い酸化膜を形成する。この酸化膜は、側壁と底面とにできる限り同じ膜厚の酸化膜を形成する必要がある。つまり、カバレッジ（Coverage）が良好であることが要求されている。カバレッジが悪いと埋め込み酸化膜が不均一となったり、後の工程でアニール等の熱で酸化膜が異常成長したりして、特性を悪化させる。
【０００５】
本発明の目的は、カバレッジを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
素子間に溝を有する基板をサセプタへ載置するステップと、
前記基板の前記溝に第一成膜レートによって第一酸化膜を形成する第一酸化膜形成ステップと、
前記第一成膜レートより遅い第二成膜レートによって前記第一酸化膜に第二酸化膜を形成する第二酸化膜形成ステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本製造方法によれば、短時間でカバレッジの良い酸化膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態が実施されるＭＭＴ装置を示す概略構成図である。
【図２】比較例による酸化膜厚増加の時系列を示すグラフである。
【図３】本発明の一実施形態である第一ステップによる酸化膜厚増加の時系列を示すグラフである。
【図４】その第二ステップによる酸化膜厚増加の時系列を示すグラフである。
【図５】切り替えのシーケンスを示すタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態を図面に即して説明する。
【００１０】
本実施形態において、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハ等の基板をプラズマ処理する基板処理装置であるＭＭＴ装置、によって実施される。
このＭＭＴ装置は、気密性を確保した処理室に基板を設置し、シャワーヘッドを介して反応ガスを処理室に導入し、処理室をある一定の圧力に保ち、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成するとともに磁界を形成し、マグネトロン放電を起こす。放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより、長寿命となって電離生成率を高めるので、高密度プラズマを生成することができる。このように、反応ガスを励起分解させて、基板表面を酸化または窒化等の拡散処理をしたり、基板表面に薄膜を形成したり、基板表面をエッチングする等、基板へ各種のプラズマ処理を施すことができる。
【００１１】
図１はＭＭＴ装置の概略構成図を示している。
ＭＭＴ装置は処理容器２０３を有する。処理容器２０３は第１容器であるドーム型の上側容器２１０と第２容器である碗型の下側容器２１１とにより形成され、上側容器２１０は下側容器２１１の上に被せられている。上側容器２１０は酸化アルミニウムまたは石英等の非金属材料で形成されており、下側容器２１１はアルミニウムで形成されている。
また、後述するヒータ一体型の基板保持具（基板保持手段）であるサセプタ２１７を窒化アルミニウムや、セラミックスまたは石英等の非金属材料で構成することによって、処理の際に膜中に取り込まれる金属汚染を低減している。
【００１２】
シャワーヘッド２３６は処理室２０１の上部に設けられ、キャップ状の蓋体２３３と、ガス導入口２３４と、バッファ室２３７と、開口２３８と、遮蔽プレート２４０と、ガス吹出口２３９とを備えている。バッファ室２３７はガス導入口２３４より導入されたガスを分散するための分散空間として設けられる。
【００１３】
ガス導入口２３４にはガスを供給するガス供給管２３２が接続されており、ガス供給管２３２は開閉弁であるバルブ２４３ａ、流量制御器（流量制御手段）であるマスフローコントローラ２４１を介して図中省略の反応ガス２３０のガスボンベに繋がっている。シャワーヘッド２３６から反応ガス２３０が処理室２０１に供給され、また、サセプタ２１７の周囲から処理室２０１の底方向へ基板処理後のガスが流れるように、下側容器２１１の側壁にはガスを排気するガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５にはガスを排気するガス排気管２３１が接続されており、ガス排気管２３１は、圧力調整器であるＡＰＣ２４２、開閉弁であるバルブ２４３ｂを介して排気装置である真空ポンプ２４６に接続されている。
【００１４】
ＭＭＴ装置は、供給される反応ガス２３０を励起させる放電機構（放電手段）として、筒状例えば円筒状に形成された第１電極である筒状電極２１５を有する。筒状電極２１５は処理容器２０３（上側容器２１０）の外周に設置されて処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４を囲んでいる。筒状電極２１５にはインピーダンスの整合を行う整合器２７２を介して高周波電力を印加する高周波電源２７３が接続されている。
【００１５】
筒状電極２１５の外表面の上下端近傍には筒状磁石２１６が配置されている。筒状磁石２１６は筒状例えば円筒状に形成された筒状の永久磁石であり、磁界形成機構（磁界形成手段）になっている。上下の筒状磁石２１６、２１６は、処理室２０１の半径方向に沿った両端（内周端と外周端）に磁極を持ち、上下の筒状磁石２１６、２１６の磁極の向きが逆向きに設定されている。したがって、内周部の磁極同士が異極となっており、筒状電極２１５の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。
【００１６】
処理室２０１の底側中央には、基板であるウエハ２００を保持するための基板保持具（基板保持手段）としてサセプタ２１７が配置されている。例えば、サセプタ２１７は窒化アルミニウムやセラミックスまたは石英等の非金属材料で形成されており、内部に加熱機構（加熱手段）としてのヒータ２１７ｂが一体的に埋め込まれて、ウエハ２００を加熱できるようになっている。ヒータ２１７ｂは電力が印加されてウエハ２００を５００℃程度にまで加熱できるようになっている。
【００１７】
サセプタ２１７の内部には、インピーダンスを変化させるための電極である第２電極も装備されており、この第２電極がインピーダンス可変機構２７４を介して接地されている。インピーダンス可変機構２７４はコイルや可変コンデンサから構成され、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、電極およびサセプタ２１７を介してウエハ２００の電位を制御できるようになっている。
【００１８】
ウエハ２００をマグネトロン型プラズマ源でのマグネトロン放電により処理するための処理炉２０２は、少なくとも処理室２０１、処理容器２０３、サセプタ２１７、筒状電極２１５、筒状磁石２１６、シャワーヘッド２３６およびガス排気口２３５から構成されており、処理室２０１でウエハ２００をプラズマ処理することが可能となっている。
【００１９】
筒状電極２１５および筒状磁石２１６の周囲には遮蔽板２２３が設けられている。遮蔽板２２３は筒状電極２１５および筒状磁石２１６で形成される電界や磁界を外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、電界や磁界を有効に遮蔽する。
【００２０】
サセプタ２１７は下側容器２１１と絶縁され、サセプタ２１７を昇降させるサセプタ昇降機構（昇降手段）２６８が設けられている。サセプタ２１７には貫通孔２１７ａが設けられ、下側容器２１１底面にはウエハ２００を突上げるためのウエハ突上げピン２６６が少なくとも３箇所に設けられている。貫通孔２１７ａおよびウエハ突上げピン２６６は、サセプタ昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられた時には、ウエハ突上げピン２６６がサセプタ２１７と非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるような位置関係となるよう、それぞれ配置されている。
【００２１】
下側容器２１１の側壁には仕切弁となるゲートバルブ２４４が設けられている。ゲートバルブ２４４が開いている時には、図中省略の搬送機構（搬送手段）により処理室２０１に対してウエハ２００を搬入したり搬出することができる。ゲートバルブ２４４は閉まっている時には処理室２０１を気密に閉じる。
【００２２】
ＭＭＴ装置は制御部（制御手段）としてのコントローラ１２１を有する。コントローラ１２１は信号線Ａを通じてＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、真空ポンプ２４６を、信号線Ｂを通じてサセプタ昇降機構２６８を、信号線Ｃを通じてゲートバルブ２４４を、信号線Ｄを通じて整合器２７２、高周波電源２７３を、信号線Ｅを通じてマスフローコントローラ２４１、バルブ２４３ａを、さらに、図示しない信号線を通じてサセプタに埋め込まれたヒータ２１７ｂやインピーダンス可変機構２７４を、それぞれ制御するよう構成されている。
【００２３】
次に、以上の構成に係るＭＭＴ装置を用いて、ＩＣの製造方法の一工程として、ウエハ２００表面に対し、または、ウエハ２００上に形成された下地膜の表面に対し所定のプラズマ処理を施す方法について説明する。
なお、以下の説明において、ＭＭＴ装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。
【００２４】
ウエハ２００は処理炉２０２を構成する処理室２０１の外部からウエハを搬送する図中省略の搬送機構によって処理室２０１に搬入され、サセプタ２１７上に搬送される。
この搬送動作の詳細は次の通りである。
サセプタ２１７が基板搬送位置まで下降し、ウエハ突上げピン２６６の先端がサセプタ２１７の貫通孔２１７ａを通過する。このとき、サセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけウエハ突き上げピン２６６が突き出された状態となる。次に、下側容器２１１に設けられたゲートバルブ２４４が開かれ、図中省略の搬送機構によってウエハ２００をウエハ突上げピン２６６の先端に載置する。搬送機構が処理室２０１の外へ退避すると、ゲートバルブ２４４が閉じられる。サセプタ２１７がサセプタ昇降機構２６８により上昇すると、サセプタ２１７上面にウエハ２００を載置することができ、ウエハ２００を処理する位置までさらに上昇する。
【００２５】
サセプタ２１７に埋め込まれたヒータ２１７ｂは予め加熱されており、搬入されたウエハ２００を所定のウエハ処理温度に加熱する。
真空ポンプ２４６およびＡＰＣ２４２は処理室２０１の圧力を所定圧力に維持する。
【００２６】
ウエハ２００の温度が処理温度に達し、安定化したら、ガス導入口２３４から遮蔽プレート２４０のガス吹出口２３９を介して、反応ガスを処理室２０１に配置されているウエハ２００の上面（処理面）に向けて導入する。このときのガス流量は予め設定された範囲内の所定流量とする。同時に、筒状電極２１５に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を印加する。印加する電力は所定出力値を投入する。このとき、インピーダンス可変機構２７４は予め所望のインピーダンス値となるように制御しておく。インピーダンス可変機構２７４はコイルおよび可変コンデンサで構成されており、この可変コンデンサの容量を変化させることで、インピーダンスを変化させ、また、サセプタ電圧の電圧差を変化させる。
【００２７】
筒状磁石２１６、２１６の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウエハ２００の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域２２４に高密度プラズマが生成される。そして、生成された高密度プラズマにより、サセプタ２１７上のウエハ２００の表面にプラズマ処理が施される。プラズマ処理が終わったウエハ２００は、図示略の搬送機構を用いて、基板搬入と逆の手順で処理室２０１外へ搬送される。
【００２８】
以下、本発明の特徴であるカバレッジを向上させる酸化膜形成方法を説明する。
【００２９】
ＳＴＩ構造の溝に酸化膜を形成する場合、処理条件を変化させずに一定で実施することが、一般的である。
しかし、成膜レート（成膜速度）が早ければカバレッジ特性が悪くなり、また、カバレッジ特性がよければ成膜レートが遅くなることが、発明者の実験によって明らかにされた。したがって、良好なカバレッジおよび高い成膜レートを満足させる成膜条件を選ぶのは、非常に困難である。
本発明の最大の特徴は、酸化膜を形成するのに複数の成膜条件に分けて成膜を行うことである。例えば、第一ステップの処理条件としては、成膜レートは早いが、カバレッジが悪い成膜条件を選択し、第二ステップの処理条件としては、成膜レートは遅いが、カバレッジは良い成膜条件を選択する。これにより、第一ステップによってある程度まで成膜した後に、第二ステップにて成膜すれば、短時間で良好なカバレッジ特性を有する酸化膜を形成することができる。
【００３０】
以下、本発明の特徴であるＳＴＩ構造の溝に形成する酸化膜のカバレッジを向上させる酸化膜形成方法を、図２以降を用いて詳細に説明する。
図２は、横軸を成膜時間（任意単位）とし、縦軸を溝底面（以下、単に底面という）および溝側壁（以下、単に側壁という）の酸化膜厚（任意単位) として、第一ステップ（ＳＴＥＰ１）および第二ステップ（ＳＴＥＰ２）の時間に対する酸化膜厚を示したグラフである。
第一ステップの成膜条件は、酸化膜厚の成膜レートは早いが、底面と側壁との膜厚差が大きい成膜条件（以下、第一成膜条件という）である。第二ステップの成膜条件は、酸化膜厚の成膜レートは遅いが、底面と側壁との膜厚差が小さい成膜条件（以下、第二成膜条件という）である。
ここで、側壁および底面の必須酸化膜厚Ｔは、図２において「２０（以下、２０厚という）」と、仮定する。
第一成膜条件で溝に酸化膜を形成すると、図２の横軸の目盛り（以下、単に目盛りという）の「１目盛」にて、側壁の膜厚は「２０厚」になる。このときの底面の膜厚は、「３０厚」となってしまうため、側壁と底面で「１０厚」も、膜厚差が生じてしまう。
一方、第二成膜条件で溝に酸化膜を形成すると、側壁の膜厚は「６目盛り」にて「２０厚」となり、底面の膜厚も約「２２厚」程度に抑えられる。しかし、「２０厚」までに、「６目盛り」と、非常に長時間かかってしまう。
【００３１】
そこで、本実施形態に係る酸化膜形成方法においては、図３に示されているように、まず、第一ステップにおいて、第一成膜条件によって必要値の「２０厚」の手前まで酸化膜を形成する（図３の縦線Ａ参照）。このとき、理想的には、底面の膜厚が第二成膜条件において、サチレーションする程度まで成膜されている（図３の矢印Ｂ参照）ことが好ましい。このとき、側壁の膜厚は、まだ成長過程である（図３の矢印Ｃ参照）。
【００３２】
次に、図３および図４に示されているように、第二ステップにおいて、第二成膜条件によって追加で酸化膜を形成し、側壁の酸化膜を目的の膜厚まで形成する（図４の矢印Ｄ参照）。このとき、既に、底面の酸化膜はサチレーションしているため、それ以上急速に酸化膜は成長しない（図４の矢印Ｅ参照）。
一方で、側壁はまだ成長過程にあるため、酸化膜がさらに成長する。既に、膜厚が第一ステップによって形成されているため、「２０厚」に到達するまでに、約「２目盛り」だけ必要となる。
つまり、側壁の酸化膜厚を「２０厚」とするのに、一定の成膜条件のみの比較例の成膜では、「６目盛り」も要していたのを、第一ステップの「１目盛り」＋第二ステップの「２目盛り」、合計「３目盛り」で成膜することができる。
【００３３】
具体的な処理条件による側壁および底面の酸化膜の膜厚（カバレッジ）を次に示す。
まず、比較例として、一つのステップで処理する場合であって、高い成膜レートと良好なカバレッジができるだけ実現可能な成膜条件と、その時の側壁および底面の酸化膜の膜厚は、次のようになる。
［成膜条件］
ヒータ温度：９００℃、水素（Ｈ2 ）／酸素（Ｏ2 ）：０．９５／０．０５ＳＬＭ、圧力：１５０Ｐａ、高周波電力：８００Ｗ、処理時間：９０秒、サセプタ電圧：２０Ｖ。
［カバレッジ］
側壁の酸化膜厚：１８．５Å、底面の酸化膜厚：２４．６Å、側壁／底面＝０．７５。  このように、成膜条件が一定の下で酸化膜を形成した場合には、底面に形成される酸化膜厚に対して、側壁には、０．７５倍の酸化膜しか形成されない。
【００３４】
以下の二つの成膜条件にて、第一ステップの後に、第二ステップを成膜する２段階で酸化膜を形成した場合は、次のようになる。
［第一ステップの成膜条件］
ヒータ温度：９００℃、水素／酸素：０．９５／０．０５ＳＬＭ、圧力：１５０Ｐａ、高周波電力：８００Ｗ、処理時間：２２秒、サセプタ電圧：１３０Ｖ。
［第二ステップの成膜条件］
ヒータ温度：９００℃、水素／酸素：０．９５／０．０５ＳＬＭ、圧力：１５０Ｐａ、高周波電力：３５０Ｗ、処理時間：６８秒、サセプタ電圧：２０Ｖ。
［カバレッジ］
側壁の酸化膜厚：２２．１Å、底面の酸化膜厚：２５．１Å、側壁／底面＝０．８８。  このように、以上の二つの成膜条件にて、第一ステップの後に第二ステップを成膜する２段階で酸化膜を形成した場合は、側壁には底面に対して０．８８倍の酸化膜を形成することができる。
この数値は、一定の成膜条件で成膜した比較例の０．７５倍より良好なカバレッジであり、成膜時間は合計９０（６８＋２２）秒と、比較例と同じ時間である。
【００３５】
なお、図５は第一ステップ（ＳＴＥＰ１）と第二ステップ（ＳＴＥＰ２）の切り替えのシーケンスを示している。
高周波電力は高周波電源の出力を制御することで、プラズマ放電を維持したまま瞬時に切り替えることが可能である。ＲＦパワーを瞬時に下げることで、プラズマの量を減らすことが可能となり、成膜レートを低くすることができる。
また、サセプタ電圧についてはサセプタに接続された可変コンデンサで容量を変更することで、放電を維持したまま変更することが可能である。
【００３６】
例えば、第一ステップでは、可変コンデンサによって第一容量に調整してサセプタの第一電圧差（Ｖｐｐ）とし、第二ステップでは、可変コンデンサによって第二容量に調整して第一電圧差より低い第二電圧差とする。
このように、電圧差を低くすることで、成膜レートを下げることができる。また、電圧差の切り替えは可変コンデンサで実施することができるので、素早く切り替えることができ、カバレッジを均一にすることができる。ちなみに、素早く切り替えできない場合、カバレッジの悪い状態が続くので、結果的にカバレッジが悪くなる。
【００３７】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００３８】
例えば、成膜レートを低くする方法として、圧力、流量、ウエハ温度等を変化させてもよい。但し、これらを変化させる場合、目標の条件になるまで時間がかかることから、前述したように、ＲＦパワーや電圧の変化によって、成膜レートを低くすることが望ましい。
【００３９】
また、前記実施形態では、ＲＦパワーおよび電圧の両方を変化させたが、それに限るものではなく、ＲＦパワー、電圧それぞれを変化させるようにしてもよい。
【００４０】
前記実施形態では、ＭＭＴ装置について説明したが、本発明はこれ以外の基板処理装置全般に適用することができる。
【００４１】
本発明の好ましい態様を付記する。
（１）素子間に溝を有する基板をサセプタへ載置するステップと、
前記基板の前記溝に第一成膜レートによって第一酸化膜を形成する第一酸化膜形成ステップと、
前記第一成膜レートより遅い第二成膜レートによって前記第一酸化膜に第二酸化膜を形成する第二酸化膜形成ステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
効果：短時間でカバレッジの良い酸化膜を形成することができる。
（２）前記第一酸化膜形成ステップでは、第一高周波電力をプラズマ生成部に供給し、
前記第二酸化膜形成ステップでは、前記第一高周波電力より低い第二高周波電力を前記プラズマ生成部に供給する、前記（１）に記載の半導体装置の製造方法。
効果：高周波電力を低くすることで、成膜レートを下げることができる。また、高周波電力の切り替えは電気的に実施することができるので、素早く切り替えることができ、カバレッジを均一にすることが可能となる。ちなみに、素早く切り替えできない場合、カバレッジの悪い状態が続くので、結果的にカバレッジが悪くなる。
（３）前記第一酸化膜形成ステップでは、第一電気容量（可変コンデンサ調整）にて前記サセプタの第一電圧差（Ｖｐｐ）とし、
前記第二酸化膜形成ステップでは、前記第二電気容量（可変コンデンサ調整）にて前記第一電圧差より低い第二電圧差とする、前記（１）に記載の半導体装置の製造方法。
効果：電圧差を低くすることで、成膜レートを下げることができる。また、電圧差の切り替えは可変コンデンサで実施することができるので、素早く切り替えることができ、カバレッジを均一にすることが可能となる。ちなみに、素早く切り替えできない場合、カバレッジの悪い状態が続くので、結果的にカバレッジが悪くなる。
（４）基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられ、前記基板を載置するサセプタと、
前記処理室に処理ガスを供給するガス供給部と、
高周波電力を供給することで、前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ状態にするプラズマ生成部と、
素子間に溝を有する基板を前記サセプタに載置し、
前記基板の前記溝に第一成膜レートによって第一酸化膜を形成し、前記第一成膜レートより遅い第二成膜レートによって前記第一酸化膜に第二酸化膜を形成するよう制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【符号の説明】
【００４２】
１２１    コントローラ
２００    ウエハ（基板）
２１７    サセプタ
２２４    プラズマ生成領域
２３２    ガス供給管（ガス供給部）
【図１】
2011071353.tif 000003
【図２】
2011071353.tif 000004
【図３】
2011071353.tif 000005
【図４】
2011071353.tif 000006
【図５】
2011071353.tif 000007