(57)【要約】      （修正有）【課題】長尺な基板を、冷却されるドラムの周面に巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、成膜を行なう場合に、基板とドラムとの密着不良を抑制することにより、熱による基板の変形を防止し、高品質な機能性フィルムを効率よく連続成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。【解決手段】成膜手段による成膜領域を規定する開口部６８ａを有するマスク６８と、マスクの開口部における基板Ｚの搬送方向の上流側の位置で、基板とドラム３６との密着状態を検出する密着検出手段と、基板とドラムとの密着状態を制御する密着制御手段とを有し、密着制御手段が密着検出手段による密着状態の検出結果に応じて、基板とドラムとの密着状態を制御する。【選択図】図１
2011202248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺な基板を円筒状のドラムの周面に巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、前記ドラムの周面に対面して配置された成膜手段によって、前記基板に成膜を行なう成膜方法であって、
前記ドラムを冷却する冷却手段と、
前記成膜手段による成膜領域を規定する開口部を有するマスクと、
前記マスクの開口部における前記基板の搬送方向の上流側の位置で、前記基板と前記ドラムとの密着状態を検出する密着検出手段と、
前記基板と前記ドラムとの密着状態を制御する密着制御手段とを有し、
前記密着制御手段が前記密着検出手段による密着状態の検出結果に応じて、前記基板と前記ドラムとの密着状態を制御することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記密着検出手段が、前記マスクの開口部の最上流位置から、前記基板の搬送方向０〜２０％の位置で、前記密着状態を検出する請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記密着検出手段が、
前記基板の表面を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段が撮像した前記基板表面の画像を解析する画像解析手段とを有する請求項１または２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記撮像手段が前記基板の幅方向の全域を撮像する請求項３に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記撮像手段がＣＣＤカメラである請求項３または４に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記密着検出手段が前記基板の凹凸を検出する赤外線センサである請求項１〜５のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項７】
前記密着制御手段が前記基板にかかる張力を制御する張力制御手段である請求項１〜６のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項８】
前記密着制御手段が前記冷却手段による冷却温度を調整することにより前記密着状態を制御する請求項１〜７のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項９】
前記マスクの開口部以外で前記基板に膜が付着することを防止する防着板を有する請求項１〜８のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記基板が樹脂フィルムである請求項１〜９のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記基板の厚さが１００μｍ以下である請求項１〜１０のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１２】
前記成膜手段による成膜が真空成膜である請求項１〜１１のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１３】
長尺な基板を円筒状のドラムに巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、前記基板に成膜を行なう成膜装置であって、
前記ドラムを冷却する冷却手段と、
前記ドラムの周面に対面して設けられる成膜手段と、
前記成膜手段による成膜領域を規定する開口部を有するマスクと、
前記マスクの開口部における、前記基板の搬送方向の上流側の位置で、前記基板と前記ドラムとの密着状態を検出する密着検出手段と、
前記密着検出手段による密着状態の検出結果に応じて、前記基板と前記ドラムとの密着状態を制御する密着制御手段とを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項１４】
前記密着検出手段が、前記マスクの開口部の最上流位置から、前記基板の搬送方向０〜２０％の位置で、前記密着状態を検出する請求項１３に記載の成膜装置。
【請求項１５】
前記密着検出手段が、
前記基板の表面を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段が撮像した前記基板表面の画像を解析する画像解析手段とを有する請求項１３または１４に記載の成膜装置。
【請求項１６】
前記撮像手段が前記基板の幅方向の全域を撮像する請求項１５に記載の成膜装置。
【請求項１７】
前記撮像手段がＣＣＤカメラである請求項１５または１６に記載の成膜装置。
【請求項１８】
前記密着検出手段が前記基板の凹凸を検出する赤外線センサである請求項１３〜１７のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項１９】
前記密着制御手段が前記冷却手段による冷却温度を調整するものである請求項１３〜１８のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項２０】
前記密着制御手段が前記基板にかかる張力を制御する張力制御手段である請求項１３〜１９のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項２１】
前記マスクの開口部以外で前記基板に膜が付着することを防止する防着板を有する請求項１３〜２０のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項２２】
前記基板が樹脂フィルムである請求項１３〜２１のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項２３】
前記基板の厚さが１００μｍ以下である請求項１３〜２２のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項２４】
前記成膜手段による成膜が真空成膜である請求項１３〜２３のいずれかに記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機能性フィルムの製造等に好適な成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、液晶ディスプレイおよび有機ＥＬディスプレイなどの表示装置、光学素子、半導体装置、または薄膜太陽電池など、各種の装置に、ガスバリアフィルム、保護フィルム、光学フィルタ、反射防止フィルム等の光学フィルムなど、各種の機能性フィルム（機能性シート）が利用されている。
また、これらの機能性フィルムの製造に、スパッタリングやプラズマＣＶＤ等の真空成膜法による成膜（薄膜形成）が利用されている。
【０００３】
真空成膜法によって、効率良く、高い生産性を確保して成膜を行なうためには、長尺な基板に連続的に成膜を行なうのが好ましい。
このような成膜を実施する成膜装置としては、長尺な基板（ウェブ状の基板）をロール状に巻回してなる供給ロールと、成膜済の基板をロール状に巻回する巻取りロールとを用いる、いわゆるロール・ツー・ロール(Roll to Roll)の成膜装置が知られている。このロール・ツー・ロールの成膜装置は、基板に成膜を行なう成膜室を通過する所定の経路で、供給ロールから巻取りロールまで長尺な基板を挿通し、供給ロールからの基板の送り出しと、巻取りロールによる成膜済基板の巻取りとを同期して行いつつ、成膜室において、搬送される基板に連続的に成膜を行なう。
また、このようなロール・ツー・ロールの成膜装置では、真空チャンバ内に円筒状のドラムを設け、この周面に対面する位置に電極や反応ガス供給手段等の成膜手段を設けると共に、ドラムの周面に基板を巻き掛けて搬送しつつ、成膜手段によって連続的に成膜を行なう装置も知られている。
【０００４】
成膜の際には、基板は成膜手段の熱により加熱されるため、熱によって伸びてシワや凹凸等が発生するおそれがある。特に、ロール・ツー・ロールにより成膜を行なう場合には、長尺な基板を搬送しつつ、連続的に成膜を行なうため、熱によって発生したシワや凹凸等が、基板の下流側にも拡大してしまうおそれもある。
また、特に、成膜手段の出力（電力）を上げて、生産性を向上させる場合や、熱に弱い基板を用いる場合には、熱による基板の変形が問題となる。
このような熱による基板の変形を抑制するために、ロール・ツー・ロールの成膜装置において、成膜時に基板を巻き掛けるドラムを冷却して、成膜中の基板を冷却することが一般的に行なわれている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、その外周面を冷却するための冷却手段を内蔵し、その外周面に基板（基材）を巻回して基板を走行させる冷却ドラムと、冷却ドラムの基板巻回部と対向して配置される成膜手段（蒸着材料保持部および加熱機構）と、成膜手段とドラムとの間に配置されるマスク支持体とを具備し、マスク支持体により成膜手段からの熱を部分的に遮蔽して、基板のピーク温度を低下させる蒸着装置が記載されている。
また、特許文献２には、その内部に冷媒が導入されたドラム（キャンロール）の外周面に基板（樹脂フィルム）の裏面を接触させて基板を搬送しながらその表面に成膜する真空成膜装置において、ドラムの外周面と基板の裏面との隙間に液体を供給することにより、基板の冷却効率を向上させることが記載されている。
また、特許文献３には、ドラム（支持体）上に樹脂層と金属薄膜層とを含む積層体を製造する方法であって、積層が進行するにしたがってドラムの温度を低くしていくことが記載されている。また、この特許文献３には、積層体の表面温度を測定し、測定された積層体の表面温度に基づいてドラムの温度を低くすることが記載されている。
【０００６】
また、特許文献４には、熱による基板の変形に関する記載はないものの、基板（被成膜物）に格子パターンを投影可能な格子パターン投影手段と、基板を撮像可能な撮像手段と、撮像された基板上の格子パターンを画像処理して基板の三次元情報を得る情報処理手段とを有する成膜装置が記載され、基板の三次元情報に基づいて基板のテンションを調整することにより、基板のシワやねじれを防止することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−１０４９７９号公報
【特許文献２】特開２００９−１４９９６３号公報
【特許文献３】特開２０００−３４８９７１号公報
【特許文献４】特開平１０−１８０３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前述のとおり、ドラムに基板を巻き掛けて搬送しつつ、成膜を行なう場合には、ドラムを冷却することにより、基板を冷却して基板の変形を防止している。そのため、基板を効率よく冷却するためには、基板とドラムとは密着する必要がある。
しかしながら、基板の成型時の歪みや、基板およびドラムの表面粗さ、および、基板とドラムとの間への異物の混入等の原因により、基板とドラムとの密着が十分でない場合がある。そのため、特許文献１に記載のように、マスク支持体により成膜手段からの熱を部分的に遮蔽しても、密着不良部分は冷却されづらいため、この部分が熱により伸びてシワになり、シワになった周辺部分がさらに密着不良を起こし、熱による変形が拡大していく。
また、熱による基板の変形を防止するために、ドラムの冷却温度を低くしすぎると、ドラム表面に水分が氷結して新たな密着不良の原因となるおそれがある。
【０００９】
また、特許文献２のようにドラムと基板との隙間に液体を供給する場合には、局所的な密着不良の部分も液体を介して基板を冷却できるものの、装置構成が複雑になるため、コストが増加する。
また、特許文献３のように基板の表面温度を測定して、これに基づいてドラムの温度を低くする場合は、密着不良が拡大して、ある程度大きな範囲で密着不良となり、基板の温度上昇が測定できた場合には、ドラムの温度を下げるように制御できる。しかしながら、密着不良が拡大した部分は製品として利用できず生産効率やコストの面で問題となる。
密着不良の初期段階の局所的な密着不良を検知して、ドラムの温度を下げるように制御すれば、密着不良が拡大することを防止することができるが、密着不良の初期段階の局所的な密着不良の部分の面積割合は、全体に対して非常に小さいため、温度を測定する方法では、局所的な密着不良は検知することが難しい。
また、搬送中の基板には、張力（テンション）がかかっているため、搬送中（成膜中）は、基板とドラムとの密着不良は微小な場合でも、成膜終了後、長尺な基板から切り出してテンションレスにしないと変形が確認できない場合もあり、このような場合も、温度を測定する方法では、検知することが難しい。
【００１０】
また、特許文献４のように撮像手段により、基板を撮像して、基板の密着不良を検知する場合は、ドラムに巻き掛けて成膜を行なう際には、成膜面側を撮像する必要があるため、堆積した膜の表面を撮像することになる。しかしながら、基板上に成膜される膜は、基板に比べて表面が粗いため、局所的な密着不良の検知の際のノイズとなる。また、局所的な密着不良の部分が膜に覆われて、検知しづらくなってしまう。また、無機膜を成膜すると、基板の剛性が上がるので、基板にテンションをかけても、一度できた密着不良を消すのが難しくなってしまう。
【００１１】
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解消し、長尺な基板を、冷却されるドラムの周面に巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、成膜を行なう場合に、基板とドラムとの密着不良を抑制することにより、熱による基板の変形を防止し、高品質な機能性フィルムを効率よく連続成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明は、長尺な基板を円筒状のドラムの周面に巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、前記ドラムの周面に対面して配置された成膜手段によって、前記基板に成膜を行なう成膜方法であって、前記ドラムを冷却する冷却手段と、前記成膜手段による成膜領域を規定する開口部を有するマスクと、前記マスクの開口部における前記基板の搬送方向の上流側の位置で、前記基板と前記ドラムとの密着状態を検出する密着検出手段と、前記基板と前記ドラムとの密着状態を制御する密着制御手段とを有し、前記密着制御手段が前記密着検出手段による密着状態の検出結果に応じて、前記基板と前記ドラムとの密着状態を制御することを特徴とする成膜方法を提供するものである。
【００１３】
また、本発明は、長尺な基板を円筒状のドラムに巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、前記基板に成膜を行なう成膜装置であって、前記ドラムを冷却する冷却手段と、前記ドラムの周面に対面して設けられる成膜手段と、前記成膜手段による成膜領域を規定する開口部を有するマスクと、前記マスクの開口部における、前記基板の搬送方向の上流側の位置で、前記基板と前記ドラムとの密着状態を検出する密着検出手段と、前記密着検出手段による密着状態の検出結果に応じて、前記基板と前記ドラムとの密着状態を制御する密着制御手段とを有することを特徴とする成膜装置を提供するものである。
【００１４】
ここで、前記密着検出手段が、前記マスクの開口部の最上流位置から、前記基板の搬送方向０〜２０％の位置で、前記密着状態を検出することが好ましい。
また、前記密着検出手段が、前記基板の表面を撮像する撮像手段と、前記撮像手段が撮像した前記基板表面の画像を解析する画像解析手段とを有することが好ましい。
また、前記撮像手段が前記基板の幅方向の全域を撮像することが好ましい。
また、前記撮像手段がＣＣＤカメラであることが好ましい。
また、前記密着検出手段が前記基板の凹凸を検出する赤外線センサであることが好ましい。
【００１５】
ここで、前記密着制御手段が前記基板にかかる張力を制御する張力制御手段であることが好ましい。
また、前記密着制御手段が前記冷却手段による冷却温度を調整することにより前記密着状態を制御することが好ましい。
【００１６】
また、前記マスクの開口部以外で前記基板に膜が付着することを防止する防着板を有することが好ましい。
また、前記基板が樹脂フィルムであることが好ましい。
また、前記基板の厚さが１００μｍ以下であることが好ましい。
また、前記成膜手段による成膜が真空成膜であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
上記構成を有する本発明によれば、長尺な基板を、冷却されるドラムの周面に巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、成膜を行なう際に、成膜手段に対面する領域における上流側の位置で、基板とドラムとの密着状態を検出して、これに応じて、前記基板と前記ドラムとの密着状態を制御するので、基板とドラムとの密着不良を抑制することができ、熱による基板の変形を防止して、高品質な機能性フィルムを効率よく連続成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の成膜装置の一例を概念的に示す図である。
【図２】図１の成膜装置の一部を概念的に示す図である。
【図３】本発明の成膜装置の他の一例を概念的に示す図である。
【図４】図３の成膜装置の一部を概念的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の成膜装置および成膜方法について、添付の図面に示される好適例を基に、詳細に説明する。
【００２０】
図１に、本発明の成膜装置の一例を概念的に示す。
図示例の成膜装置１０は、長尺な基板Ｚ（フィルム原反）を長手方向に搬送しつつ、この基板Ｚの表面に反応性スパッタリングによって目的とする機能を発現する膜を成膜（製造／形成）して、機能性フィルムを製造するものである。
また、この成膜装置１０は、長尺な基板Ｚをロール状に巻回してなる基板ロール２０から基板Ｚを送り出し、長手方向に搬送しつつ機能膜を成膜して、機能膜を成膜した基板Ｚ（すなわち、機能性フィルム）をロール状に巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール(Roll to Roll)による成膜を行なう装置である。
【００２１】
なお、本発明において、基板Ｚには、特に限定はなく、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリイミド、ポリアクリレート、ポリメタクリレートなどの有機物からなる高分子フィルム（プラスチックフィルム／樹脂フィルム）、金属フィルム等、反応性スパッタリングによる成膜が可能な長尺なフィルム状物（シート状物）が、全て利用可能である。
また、樹脂フィルム等を基材として、平坦化層、保護層、密着層、反射層、反射防止層等の各種の機能を発現するための層（膜）を成膜してなるフィルム状物を、基板として用いてもよい。
【００２２】
前述のように、図１に示す成膜装置１０は、長尺な基板Ｚを巻回してなる基板ロール２０から基板Ｚを送り出し、基板Ｚを長手方向に搬送しつつ機能膜を成膜して、再度、ロール状に巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロールによる成膜を行なう装置である。この成膜装置１０は、供給室１２と、成膜室１４と、巻取り室１６とを有する。
なお、成膜装置１０は、図示した部材以外にも、各種のセンサ、搬送ローラ対や基板Ｚの幅方向の位置を規制するガイド部材など、基板Ｚを所定の経路で搬送するための各種の部材（搬送手段）等、ロール・ツー・ロールによって反応性スパッタリングによる成膜を行なう装置が有する各種の部材を有してもよい。加えて、反応性スパッタリングによる成膜室が複数あってもよいし、反応性スパッタリング以外の蒸着やフラッシュ蒸着、プラズマＣＶＤ等の何らかの成膜を行う成膜室やプラズマ処理等の表面処理室が１つ以上連結されていてもよい。
【００２３】
供給室１２は、回転軸２４と、ガイドローラ２６と、真空排気手段２８とを有する。
長尺な基板Ｚを巻回した基板ロール２０は、供給室１２の回転軸２４に装填される。
回転軸２４に基板ロール２０が装填されると、基板Ｚは、供給室１２から、成膜室１４を通り、巻取り室１６の巻取り軸３０に至る所定の搬送経路を通される（送通される）。
成膜装置１０においては、基板ロール２０からの基板Ｚの送り出しと、巻取り室１６の巻取り軸３０における基板Ｚの巻き取りとを同期して行なって、長尺な基板Ｚを所定の搬送経路で長手方向に搬送しつつ、成膜室１４において、基板Ｚに、反応性スパッタリングによる機能膜の成膜を連続的に行なう。
【００２４】
供給室１２は、図示しない駆動源によって回転軸２４を図中時計方向に回転して、基板ロール２０から基板Ｚを送り出し、ガイドローラ２６によって所定の経路を案内して、基板Ｚを、隔壁３２に設けられたスリット３２ａから、成膜室１４に送る。
【００２５】
図示例の成膜装置１０においては、好ましい態様として、供給室１２に真空排気手段２８を、巻取り室１６に真空排気手段６０を、それぞれ設けている。これらの室に真空排気手段を設け、成膜中は、後述する成膜室１４と同じ真空度（圧力）とすることにより、隣接する室の圧力が、成膜室１４の真空度（機能膜の成膜）に影響を与えることを防止している。
真空排気手段２８には、特に限定はなく、ターボポンプ、メカニカルブースターポンプ、ドライポンプ、ロータリーポンプなどの真空ポンプ、さらには、クライオコイル等の補助手段、到達真空度や排気量の調整手段等を利用する、真空成膜装置に用いられている公知の（真空）排気手段が、各種、利用可能である。この点に関しては、後述する他の真空排気手段５０および６０も同様である。
【００２６】
なお、本発明においては、全ての室に真空排気手段を設けるのに限定はされず、処理として真空排気が不要な供給室１２および巻取り室１６には、真空排気手段は設けなくてもよい。但し、これらの室の圧力が成膜室１４の真空度に与える影響を小さくするために、スリット３２ａ等の基板Ｚが通過する部分を可能な限り小さくし、あるいは、室と室との間にサブチャンバを設け、このサブチャンバ内を減圧してもよい。
また、全室に真空排気手段を有する図示例の成膜装置１０においても、スリット３２ａ等の基板Ｚが通過する部分を可能な限り小さくするのが好ましい。
【００２７】
前述のように、基板Ｚは、ガイドローラ２６によって案内され、成膜室１４に搬送される。
成膜室１４は、基板Ｚの表面に、反応性スパッタリングによって、機能膜を成膜（形成）するものである。
図示例において、成膜室１４は、ドラム３６と、カソード３８と、ガイドローラ４０と、ピックアップローラ４２と、制御ローラ５２と、ガス供給手段４６と、高周波電源４８と、真空排気手段５０と、密着検出手段５４と、マスク６８とを有する。また、ドラム３６には温度制御手段４４が接続され、ピックアップローラ４２および制御ローラ５２には張力制御手段６２が接続されている。
【００２８】
成膜室１４のドラム３６は、中心線を中心に図中反時計方向に回転する円筒状の部材で、ガイドローラ４０によって所定の経路に案内された基板Ｚを、周面の所定領域に掛け回して、基板Ｚを後述するカソード３８に対面する所定位置に保持しつつ、長手方向に搬送する。
この搬送中に、真空排気手段５０によって排気すると共に、ガス供給手段４６から、反応ガスを導入して成膜室１４内を所定の真空度とし、さらに、高周波電源４８からカソード３８に所定の電力を投入することにより、基板Ｚの表面に、反応性スパッタリングによって成膜を行なう。
【００２９】
なお、ドラム３６は、対向電極としても作用するように、接地（アース）されてもよく、あるいは高周波電源等の電源に接続されてもよい。
また、図示例においては、ドラム３６に対面するカソード３８は、１つであるが、ドラム３６による基板Ｚの搬送方向に、複数のカソード（成膜手段）を配置してもよい。
【００３０】
本発明において、成膜する膜には、特に限定はなく、各種の公知の成膜法によって成膜可能なものであれば、製造する機能性フィルムに応じた、各種の無機物の膜が利用可能である。
また、成膜する膜の厚さにも、特に限定はなく、成膜する膜および機能性フィルムに要求される性能に応じて、必要な膜厚を、適宜、決定すればよい。
【００３１】
ここで、ドラム３６には、基板Ｚを冷却するための冷却手段が内蔵されている（図示せず）。
冷却手段には、特に限定はなく、冷媒等を循環する冷却手段、ピエゾ素子等を用いる冷却手段等、各種の冷却手段が、全て利用可能である。
また、冷却手段には、温度制御手段４４が接続され、所定の冷却温度となるように制御されている。
この点に関しては、後に詳述する。
【００３２】
冷却手段によってドラム３６を冷却することにより、ドラム３６に巻き掛けられて成膜される基板Ｚを冷却して、成膜の際の熱により加熱されて、基板Ｚが変形するのを防止する。
【００３３】
なお、本発明において、冷却手段による冷却温度には、特に限定はなく、基板Ｚの種類や成膜条件等に応じて、適宜、設定すればよい。
【００３４】
カソード３８は、ターゲットＴｇに高周波電源４８からの所定の電圧を印加するものであるとともに、ターゲットＴｇを保持するターゲットフォルダを兼ねる。
図示例においては、カソード３８は、金属製の板状部材であり、基板Ｚを成膜位置に位置させるドラム３６に対面して配置される。
カソード３８は、各種の反応性スパッタリングによる成膜装置で利用されている、公知のカソードが全て利用可能である。
【００３５】
図２は、図１に示す成膜装置１０のドラム３６、マスク６８および撮像手段６４をカソード３８側から見た概略図である。
図１および図２に示されるように、マスク６８は、基板Ｚが成膜される領域、すなわち、成膜領域を規定するためのものであると共に、成膜領域以外で基板Ｚに成膜物が付着することを防止するための防着板でもある。
マスク６８は、板状部材で、ドラム３６の周面の基板Ｚが巻き掛けられた領域全面（開口部６８ａを除く）に対応する大きさを有して、ドラム３６の周面に沿って湾曲しており、ドラム３６の周面に対向して配置されている。また、カソード３８と対面する領域に平面視略長方形状の開口部６８ａが形成されている。
マスク６８は、例えば、アルミナなどのセラミックス等の絶縁物により構成されている。
マスク６８は、各種の反応性スパッタリングによる成膜装置で利用されている、公知のマスクが全て利用可能である。
【００３６】
また、図示例においては、マスク６８は、成膜領域を規定するマスクと、基板Ｚに成膜物が付着するのを防止する防着板とを一体にした部材としたが、本発明は、これに限定はされず、マスクと防着板とを別部材としてもよい。
【００３７】
ガス供給手段４６は、成膜室１４内に反応ガスを導入するものである。ガス供給手段４６は、各種の反応性スパッタリングによる成膜装置で利用されている、公知のガス供給手段が全て利用可能である。
また、ガス供給手段４６が成膜室１４内に供給する反応ガスの種類は、特に限定はなく、各種の公知の成膜法によって成膜可能なものであれば、製造する機能性フィルムに応じた、各種の反応ガスが利用可能である。
【００３８】
高周波電源４８は、カソード３８に、電力を供給する電源である。高周波電源４８は、各種の反応性スパッタリングによる成膜装置で利用されている、公知の高周波電源が、全て利用可能である。
【００３９】
真空排気手段５０は、反応性スパッタリングによる機能膜の成膜のために、成膜室１４内を排気して、所定の成膜圧力に保つものであり、前述のように、真空成膜装置に利用されている、公知の真空排気手段である。
【００４０】
密着検出手段５４は、カソード３８と対面する領域、すなわち、成膜領域において、基板Ｚの搬送方向上流側での、基板Ｚとドラム３６との密着状態を検出するためのものである。
密着検出手段５４は、撮像手段６４と、画像解析手段６６とを有する。
【００４１】
撮像手段６４は、カソード３８と対面する領域、すなわち、成膜領域において、基板Ｚの搬送方向上流側で、基板Ｚの表面を撮像するためのものである。
図２に示すように、撮像手段６４は、マスク６８の開口部６８ａの上流側に配置され、成膜領域の上流側で、基板Ｚの幅方向（搬送方向と垂直な方向）の全体を撮像する。
撮像手段６４は、撮像した画像データを画像解析手段６６に供給する。
撮像手段６４としては、各種の公知の撮像手段が利用可能である。撮像で得られるデータや器具の汎用性、また、コスト等の点で、ＣＣＤカメラを用いることが好ましい。
【００４２】
画像解析手段６６は、撮像手段６４が撮像した画像データを解析して、基板Ｚとドラム３６との密着状態を検出するものである。
本発明において、画像解析手段６６による密着状態検出のための画像の解析方法に特に限定はない。例えば、画像解析手段６６は、基板Ｚの表面を撮像した画像データから、基板Ｚ表面の凸部を抽出して、大きさおよび高さが所定の閾値以上の凸部を、基板Ｚがドラム３６から浮き上がって、密着不良となっている部分として検出する。
【００４３】
画像解析手段６６は、画像の解析結果から、密着不良を検出したら、基板Ｚの張力を、密着不良を解消するため予め設定された所定値とするように、張力制御手段６２に指示を出す。具体的には、密着不良を検出したら、密着不良を検出した時点での張力に、予め設定された値を加えた値を所定値として、張力がこの所定値となるように、張力制御手段６２に指示を出す。
同様に、画像解析手段６６は、密着不良を検出したら、ドラム３６の温度を、密着不良を解消するため予め定めた所定値（予め設定された値だけ低くした所定値）とするように、温度制御手段４４に指示を出す。
あるいは、密着不良の状態に応じて、張力や温度調整の度合いを変更してもよい。一例として、密着不良箇所の数や大きさ等に応じて、密着不良の度合いを何段階か設定しておき、さらに、密着不良の度合いと、密着不良を解消するための基板Ｚの張力およびドラム３６の温度との関係をテーブル（ＬＵＴ）化して、画像解析手段６６に記憶しておく。画像解析手段６６は、画像の解析結果から密着不良の発生を検出したら、さらに、画像解析結果から、その度合いを検出する。次いで、前記ＬＵＴを参照して、密着不良を解消するための基板Ｚの張力およびドラム３６の温度を検出し、これに応じて基板Ｚの張力およびドラム３６の温度を検出して、これに応じて、基板Ｚの張力およびドラム３６の温度制御を行なうように張力制御手段６２および温度制御手段４４に指示を出す。
【００４４】
このように、密着検出手段５４の撮像手段６４によって、成膜領域における上流側で、基板Ｚの表面を撮像して、撮像して得られた画像データを画像解析手段６６により解析して、基板Ｚとドラム３６との密着状態を検出することにより、成膜の際の熱により膨らんで顕在化する局所的な密着不良を、密着不良が拡大する前の初期段階で検知することができる。
密着不良が拡大してから、密着不良を検知して、温度制御や張力制御により密着不良を改善する場合は、密着不良を完全に改善することは難しいが、初期段階の密着不良の検知結果を基に、温度制御手段４４によるドラム３６（基板Ｚ）の冷却温度制御や、後述する張力制御手段６２による基板Ｚの張力制御を行なうことにより、局所的な密着不良が拡大する前に、基板Ｚとドラム３６との密着状態を改善することができ、これにより、基板Ｚが熱により変形することを防止できる。
【００４５】
また、初期段階の局所的な密着不良の段階で密着状態を改善するので、成膜終了後、長尺な基板から切り出してテンションレスにしないと確認できないような弱い変形も防止することができる。
また、成膜領域における上流側で、撮像するので、膜がほとんど堆積していない状態の基板Ｚの表面を撮像することができる。そのため、密着不良の部分が膜に覆われて検知しづらくなることがなく、微小な密着不良を精度良くすることができる。また、無機膜が成膜されて基板Ｚの剛性が上がり、密着不良を改善することが難しくなることもない。
また、密着不良を確認した場合にドラム３６の冷却温度を下げるので、ドラム３６を冷却しすぎることが無く、ドラム３６表面に水分が氷結して新たな密着不良の原因となることもない。
【００４６】
また、基板Ｚとドラム３６との密着不良を防止して、基板Ｚの熱による変形を好適に防止できるので、成膜の際の投入電力を高くすることができ、生産性を向上させることができる。
【００４７】
ここで、撮像手段６４は、マスク６８の開口部６８ａに対応する領域（カソード３８と対面する領域）、すなわち、成膜領域において、基板Ｚの搬送方向の上流側０〜２０％の位置で、基板Ｚの表面を撮像することが好ましい。
これにより、より好適に密着不良を改善することができる。
【００４８】
また、図示例においては、撮像手段６４は、直接、基板Ｚの表面を撮像する構成としたが、本発明では、これに限定はされず、ミラーを介して、基板Ｚの表面を撮像する構成としてもよい。ミラーを介して、撮像を行なうことにより、撮像手段を成膜領域の近傍に配置する必要がないので、撮像手段６４に成膜物が付着することを防止できる。また、撮像手段６４が、成膜時の熱の影響を受けることも防止できる。
【００４９】
前述のように、成膜装置１０においては、密着検査手段５４と、温度制御手段４４と、張力制御手段６２とを有することにより、成膜領域における上流側の位置で、基板Ｚとドラム３６との密着状態を検出して、これに応じて、基板Ｚとドラム３６との密着状態を制御して、基板Ｚとドラム３６との密着不良を抑制して、熱による基板Ｚの変形を防止する。
【００５０】
ピックアップローラ４２は、搬送される基板Ｚを所定の経路に案内するためのものであると共に、搬送される基板Ｚにかかるテンション（張力）を測定するためのものである。
ピックアップローラ４２は、基板Ｚの搬送方向において、ドラム３６の下流側に配置されている。
ピックアップローラ４２は、基板Ｚの張力の測定結果を張力制御手段６２に送る。
【００５１】
本発明において、基板Ｚの張力を測定するためのピックアップローラ４２としては、ロードセルにより張力を検出するものや、ローラの変位を測定して張力を検出するもの等、ロール・ツー・ロールの成膜装置等に利用されている公知のピックアップローラが、各種利用可能である。
【００５２】
制御ローラ５２は、搬送される基板Ｚにかかる張力を調整するためのものである。
制御ローラ５２は、基板Ｚの搬送方向において、テンションピックアップローラ４２の下流側に配置されている。また、制御ローラ５２は、張力制御手段６２からの信号に応じて、基板Ｚの張力が所定の値となるように、基板面に略垂直な方向に移動して、基板Ｚに張力を加える。
【００５３】
図示例の成膜装置１０においては、制御ローラ５２は、成膜室１４内に配置したが、本発明は、これに限定はされず、供給室、巻取り室等に配置してもよい。
【００５４】
張力制御手段６２は、基板Ｚにかかる張力を所定の値となるように制御ローラ５２を制御すると共に、密着検出手段５４によるドラム３６と基板Ｚとの密着状態の検出結果に応じて、成膜室１４の制御ローラ５２の変位を制御して、所定の経路を搬送される基板Ｚにかかる張力を、変更するものである。
張力制御手段６２による制御により、基板Ｚは、所定の張力で、所定の経路を搬送される。
【００５５】
張力制御手段６２は、密着検出手段５４から、基板Ｚとドラム３６との密着状態の検出結果として、密着不良有りの信号が送られてきた場合に、基板Ｚにかかる張力が、密着検出手段５４から指示された張力となるように、制御ローラ５２を制御する。
【００５６】
このように、張力制御手段６２が、基板Ｚとドラム３６との密着不良に対応して、基板Ｚにかかる張力を調整することにより、基板Ｚとドラム３６との密着不良を改善することができる。これにより、基板Ｚが、冷却手段によって冷却されたドラム３６と密着するので、基板Ｚが熱により変形することを防止できる。
【００５７】
なお、本発明において、基板Ｚの張力の設定値には、特に限定はなく、基板Ｚの種類や成膜条件等に応じて、適宜、設定すればよい。
【００５８】
ここで、成膜装置１０における張力の調整の作用について説明する。
成膜装置１０においては、張力制御手段６２には、張力として、所定の値が設定されている（あるいは、オペレータが、基板Ｚの種類や成膜条件等に応じて、任意に設定可能にしてもよい）。
前述のとおり、成膜装置１０において成膜が開始されると、長尺な基板Ｚは、基板ロール２０（回転軸２４）から巻取り軸３０に至る所定の搬送経路を搬送される。
【００５９】
ピックアップローラ４２は、搬送中の基板Ｚにかかる張力を測定し、測定結果を張力制御手段６２に送る。
張力制御手段６２は、ピックアップローラ４２から送られてきた張力の測定結果を基に、基板Ｚにかかる張力が設定された値となるように、制御ローラ５２の変位量の信号を、制御ローラ５２に送る。
制御ローラ５２は、張力制御手段６２から送られてきた信号に従い、基板面に略垂直な方向に移動して、基板Ｚに加わる張力を調整して、基板Ｚにかかる張力が設定された値となるように制御する。
【００６０】
ここで、密着検出手段５４（画像解析手段６６）から、基板Ｚの張力調整の指示を受けた場合は、張力制御手段６２は、基板Ｚにかかる張力が、密着検出手段５４から、指示された張力となるように、制御ローラ５２の変位量の信号を、制御ローラ５２に送る。
張力制御手段６２は、密着検出手段５４から次の信号が送られてくるまで、基板Ｚにかかる張力が変更後の設定値となるように、制御ローラ５２を制御する。
【００６１】
温度制御手段４４は、密着検出手段５４によるドラム３６と基板Ｚとの密着状態の検出結果に応じて、ドラム３６に内蔵された冷却手段による冷却温度を制御するためのものである。
温度制御手段４４は、通常は、ドラム３６の温度（表面の温度）が予め設定された規定温度となるように、ドラム３６が内蔵する冷却手段を制御する。前述のように、密着検出手段５４（画像解析手段６６）から、温度調整の指示を受けた際には、ドラム３６の温度が、密着検出手段５４から指示された温度となるように、ドラム３６の冷却手段を制御する。
温度制御手段４４は、密着検出手段５４から次の信号が送られてくるまで、ドラム３６の温度が変更後の設定値となるように、冷却手段を制御する。
【００６２】
このように、温度制御手段４４が、基板Ｚとドラム３６との密着不良に対応して、冷却手段による冷却温度を低くすることにより、熱による基板Ｚの変形が小さくなって、基板Ｚとドラム３６との密着不良を改善することができる。これにより、基板Ｚが、冷却手段によって冷却されたドラム３６と密着するので、基板Ｚが熱により変形することを防止できる。
【００６３】
以下、成膜室１４における機能膜の成膜の作用を説明する。
前述のように、回転軸２４に基板ロール２０が装填されると、基板Ｚは、供給室１２からガイドローラ２６によって案内されて成膜室１４に至り、成膜室１４において、ガイドローラ４０に案内されて、ドラム３６の周面の所定領域に掛け回され、ピックアップローラ４２および制御ローラ５２によって案内されて、巻取り室１６の巻取り軸３０に至る所定の搬送経路を通される。
【００６４】
供給室１２から供給され、ガイドローラ４０によって所定の経路に案内された基板Ｚはドラム３６に支持／案内されつつ、所定の搬送経路を搬送される。なお、成膜室１４内は、真空排気手段５０によって所定の真空度に減圧され、また、供給室１２は真空排気手段２８によって、巻取り室１６は真空排気手段６０によって、それぞれ所定の真空度に減圧されている。
さらに、成膜室１４内には、ガス供給手段４６から反応ガスが供給される。
また、カソード３８には、スパッタリング用のターゲットＴｇが装着されている。
【００６５】
反応ガスの供給量および成膜室１４の真空度が安定したら、カソード３８には、高周波電源４８から、電力が供給される。
【００６６】
カソード３８への電力の供給によって、カソード３８を放電させて、成膜室１４内に導入された反応ガスをプラズマ化する。プラズマ内のプラスイオンは、カソード３８に保持されたターゲットＴｇをスパッタし、スパッタされたターゲットＴｇの構成元素は、ターゲットＴｇから放出され、中性あるいはイオン化された状態で、ドラム３６周面に保持された基板Ｚ上に蒸着され、成膜される。
【００６７】
ここで、成膜装置１０においては、撮像手段６４によって、成膜領域における上流側で、基板Ｚの表面を撮像して、基板Ｚとドラム３６との密着状態を検出しているので、局所的な密着不良を、密着不良が拡大する前の初期段階で検知することができる。そのため、この初期段階の密着不良の検知結果を基に、温度制御手段４４によるドラム３６（基板Ｚ）の冷却温度制御や、張力制御手段６２による基板Ｚの張力制御を行なうことにより、初期段階の局所的な密着不良が拡大する前に、基板Ｚとドラム３６との密着状態を改善することができ、これにより、基板Ｚが熱により変形することを防止できる。
【００６８】
このように、本発明は、基板Ｚとドラム３６との密着不良を抑制できるので、熱による基板の変形を防止して、高品質な機能性フィルムを効率よく連続成膜することができる。
【００６９】
なお、本発明において、基板Ｚには、特に限定はないが、基板Ｚの熱による変形を抑制するという本発明の効果が十分に発現できる等の点で、ＰＥＴ、ＰＥＮ等の樹脂フィルムを用いることが好ましく、また、１００μｍ以下の厚さの基板Ｚを用いることが好ましい。
【００７０】
機能膜を成膜された基板Ｚ（すなわち、機能性フィルム）は、ドラム３６からピックアップローラ４２に搬送され、ピックアップローラ４２および制御ローラ５２によって案内されて、成膜室１４と巻取り室１６とを隔離する隔壁５６に形成されたスリット５６ａから、巻取り室１６に搬送される。
【００７１】
図示例において、巻取り室１６は、ガイドローラ５８と、巻取り軸３０と、真空排気手段６０とを有する。
巻取り室１６に搬送された基板Ｚ（機能性フィルム）は、ガイドローラ５８に案内されて巻取り軸３０に搬送され、巻取り軸３０によってロール状に巻回され機能性フィルムロールとして、次の工程に供される。
また、先の供給室１２と同様、巻取り室１６にも真空排気手段６０が配置され、成膜中は、巻取り室１６も、成膜室１４における成膜圧力に応じた真空度に減圧される。
【００７２】
以上の例では、基板Ｚとドラム３６との密着状態を制御する手段として、ドラム３６の冷却温度を制御する温度制御手段４４と、基板Ｚの張力を制御する張力制御手段６２とを有する構成としたが、本発明は、これに限定はされず、ドラム３６の冷却温度を制御する温度制御手段４４、および、基板Ｚの張力を制御する張力制御手段６２のいずれか一方を有する構成としてもよい。
【００７３】
また、図示例においては、温度制御手段４４（張力制御手段６２）による冷却温度（張力）の変更後は、再び、密着不良が検知されるまでは、冷却温度（張力）を変更しない構成としたが、本発明は、これに限定はされず、密着不良を検知して、温度制御手段４４（張力制御手段６２）による冷却温度（張力）を変更した後、密着不良を検出した位置の基板Ｚがドラム３６から、離間した後に、冷却温度（張力）を変更前の値に戻すようにしてもよい。
【００７４】
また、図示例においては、成膜領域における上流側で撮像手段６４によって撮像された画像データを解析することにより、基板Ｚとドラム３６との密着不良を検出する構成としたが、本発明はこれに限定はされない。
例えば、成膜装置１０に加えて、成膜領域よりも上流側で基板Ｚがドラム３６に巻き掛けられた状態の位置、すなわち、マスク６８の開口部６８ａよりも上流側の位置に、基板Ｚの表面を撮像する第２撮像手段を配置し、第２撮像手段によって撮像された画像データと、撮像手段６４によって撮像された画像データとを比較して、密着不良を検出する構成としてもよい。
【００７５】
ここで、図示例の成膜装置１０においては、密着検出手段５４は、撮像手段６４と画像解析手段６６とを有する構成としたが、本発明は、これに限定はされず、基板Ｚとドラム３６との密着不良を好適に検出できればよい。
【００７６】
図３は、本発明の成膜装置の他の一例を示す概略図であり、図４は、図３に示す成膜装置１００のドラム３６周辺をカソード３８側から見た図である。なお、図３に示す成膜装置１００は、図１に示す成膜装置１０において、密着検出手段５４に代えて、密着検出手段１０２を有する以外は、同じ構成を有するので、同じ部位には、同じ符号を付し、以下の説明は異なる部位を主に行なう。
【００７７】
密着検出手段１０２は、赤外線センサ１０４と密着解析手段１０６とを有する。
赤外線センサ１０４は、カソード３８と対面する領域（マスク６８の開口部６８ａ）、すなわち、成膜領域において、基板Ｚの搬送方向上流側で、基板Ｚの表面の凸部を検出するためのものであり、赤外線出射部１０４ａと赤外線受光部１０４ｂとを有している。
【００７８】
赤外線出射部１０４ａは、ドラム３６の周面に平行で、ドラム３６の周面から所定高さｈ離間した位置に、赤外線を出射するものであり、ドラム３６の一方の側面（周面とは異なる面）から所定距離離間して配置されている。
赤外線受光部１０４ｂは、赤外線出射部１０４ａが出射した赤外線を受光するためのものであり、ドラム３６の他方の側面から所定距離離間して配置されている。
【００７９】
このように構成された赤外線センサ１０４において、赤外線出射部１０４ａは、ドラム３６の周面から所定高さｈだけ離間した位置に赤外線を出射するので、ドラム３６と基板Ｚとの密着不良がない場合（基板Ｚ表面の凸の高さがｈ以下の場合）は、赤外線出射部１０４ａから出射された赤外線は、遮られることなく、赤外線受光部１０４ｂで受光される。
これに対して、ドラム３６と基板Ｚとの密着不良がある場合（基板Ｚ表面の凸の高さがｈ以上の場合）は、赤外線出射部１０４ａから出射された赤外線は、基板Ｚの凸部に遮られる。そのため、赤外線受光部１０４ｂは、赤外線を受光しない。
赤外線出射部１０４ａは、赤外線の出射の有無の信号を密着解析手段１０６に供給し、赤外線受光部１０４ｂは、赤外線の受光の有無の信号を密着解析手段１０６に供給する。
【００８０】
密着解析手段１０６は、赤外線出射部１０４ａおよび赤外線受光部１０４ｂからの赤外線の出射／受光の有無の信号から、ドラム３６と基板Ｚとの密着不良を判断する部位である。密着解析手段１０６は、赤外線出射部１０４ａから赤外線の出射有りの信号を受け、かつ、赤外線受光部１０４ｂから赤外線の受光無しの信号を受けた場合に、ドラム３６と基板Ｚとの密着不良があると判断する。
密着解析手段１０６は、密着不良有りの場合に、密着不良を解消するための予め設定された温度および張力の所定値を、温度制御手段４４および張力制御手段６２それぞれに供給する。
【００８１】
このように、赤外線センサ１０４によって、基板Ｚの凸部を検出することで、基板Ｚの密着不良を検知する場合であっても、成膜領域において、基板Ｚの搬送方向上流側で、密着不良（基板Ｚの表面の凸部）を検知することによって、局所的な密着不良を、密着不良が拡大する前の初期段階で検知することができる。そのため、この初期段階の密着不良の検知結果を基に、温度制御手段４４によるドラム３６（基板Ｚ）の冷却温度制御や、張力制御手段６２による基板Ｚの張力制御を行なうことにより、初期段階の局所的な密着不良が拡大する前に、基板Ｚとドラム３６との密着状態を改善することができ、これにより、基板Ｚが熱により変形することを防止できる。
【００８２】
なお、赤外線出射部１０４ａが出射する赤外線のドラム３６周面からの高さｈには特に限定はなく、基板Ｚの種類や成膜条件等に応じて、密着不良を好適に検出できる値とすればよい。
【００８３】
また、成膜装置１００においては、赤外線センサ１０４を１つ配置する構成としたが、本発明はこれに限定はされず、赤外線センサを、成膜領域における基板Ｚの搬送方向上流側に、複数配置する構成としてもよい。
【００８４】
また、本発明において、成膜方法は反応性スパッタリングに限定はされず、通常のスパッタリング、プラズマＣＶＤ、蒸着等、各種の成膜方法が利用可能である。
すなわち、本発明は、長尺な基板をドラムに掛け回して搬送して、ドラムの周面に支持された基板に成膜を行なうものであれば、各種の成膜方法や成膜装置が、全て、利用可能である。
【００８５】
以上、本発明の成膜装置および成膜方法について詳細に説明したが、本発明は、上記実施例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行なってもよいのは、もちろんである。
【実施例】
【００８６】
図１に示す反応性スパッタリングによる成膜を行なう成膜装置を用いて、基板Ｚに、ＡｌＯｘ膜を形成した。
【００８７】
［実施例１］
アルミナ膜の成膜源として、反応性スパッタを行うため、アルミニウム（Ａｌ）ターゲットを用いた直流パルス式デュアルカソードを用意した。不活性ガスとしてアルゴンガス（Ａｒ）を、反応ガスとして酸素ガス（Ｏ２）を用いた。
また、ドラムとして、材質ＳＵＳで、直径８００ｍｍのドラムを用いた。
【００８８】
また、成膜室（真空チャンバ）の圧力は２．０×１０−１Ｐａとした。
また、カソードに供給される電力は、８ｋＷとした。
また、透明なアルミナ膜の成膜において、十分な成膜速度が出るよう、発光分光による酸素導入量の制御を使用した反応性スパッタリング成膜を行い、成膜する機能膜の膜厚が５０ｎｍとなるよう、搬送速度を０．４ｍ／ｍｉｎに設定した。
【００８９】
また、撮像手段６４は、成膜領域の上流側０〜２０％の位置で基板Ｚの撮像を行なった。
ドラム３６に内蔵された冷却手段による冷却温度は、成膜開始時は、２０℃とし、温度制御手段４４による制御方法は、密着不良を検出した際に、密着不良を検出した時の冷却温度よりも１℃低い温度を新たな設定温度とするようにした。また、最低温度は、５℃とした。
また、基板Ｚの張力は、成膜開始時は、４０Ｎとし、張力制御手段６２による制御方法は、密着不良を検出した際に、密着不良を検出したときの張力よりも２Ｎ高い値を新たな設定張力とするようにした。また、最大張力は、６０Ｎとした。
【００９０】
このような条件の下、成膜装置１０において、厚さ１００μｍのＰＥＮフィルム（テイジン社製  Ｑ６５）、厚さ１００、７５、５０μｍのＰＥＴフィルム（東レ社製  ルミラー）をそれぞれ、基板Ｚとして用いて、基板Ｚに機能膜の成膜を行なった。
【００９１】
４ｍ分(１０分間)の成膜終了後、基板Ｚから試料を切り出して、基板Ｚの変形を目視で検査した。４種類の基板Ｚいずれにおいても、変形が認められなかった（評価「○」）。
【００９２】
［比較例１〜２］
撮像手段６４が撮像する基板Ｚの位置を、成膜領域の中央部（上流側から３０〜５０％の位置）に変更した以外（比較例１）；
撮像手段６４が撮像する基板Ｚの位置を、成膜領域の下流部（上流側から８０〜１００％の位置）に変更した以外（比較例２）；  は、実施例１と同様にして、同様の試験を行なった。
【００９３】
［比較例３］
また、比較例３として、密着不良の検出を行なわない、すなわち、冷却温度および張力を初期値から変更しない以外は、実施例１と同様にして、同様の試験を行なった。
【００９４】
［評価］
作製した各機能性フィルムを基板Ｚから切り出して、基板Ｚの変形を目視により検査した。変形が認められなかったものを「○」、変形が認められたものを「×」と評価した。
結果を下記表１に示す。
【００９５】
【表１】
2011202248.tif 000003
【００９６】
上記表１より明らかなように、成膜領域における上流側で、密着不良を検知するという本発明の成膜装置の実施例である実施例１は、いずれの基板Ｚでも、熱による変形が無く、また、高品質な機能性フィルムが得られた。
【００９７】
これに対して、密着不良を検知しない比較例３は、いずれの基板Ｚでも、熱による変形が発生していた。また、成膜領域における中央部および下流側で、密着不良を検知する比較例１および２は、いずれも、基板Ｚの種類および厚さによっては、熱による変形が発生していた。
以上の結果より、本発明の効果は、明らかである。
【符号の説明】
【００９８】
１０、１００  成膜装置
１２    供給室
１４    成膜室
１６    巻取り室
２０    基板ロール
２４    回転軸
２６、４０、５８  ガイドローラ
２８、５０、６０  真空排気手段
３０    巻取り軸
３２、５６  隔壁
３２ａ、５６ａ  スリット
３６    ドラム
３８    カソード
４２    ピックアップローラ
４４    温度制御手段
４６    ガス供給手段
４８    高周波電源
５２    制御ローラ
５４、１０２  密着検出手段
６２    張力制御手段
６４    撮像手段
６６    画像解析手段
６８    マスク
６８ａ  開口部
１０４    赤外線センサ
１０４ａ  赤外線出射部
１０４ｂ  赤外線受光部
１０６    密着解析手段
Ｚ    基板
【図１】
2011202248.tif 000004
【図２】
2011202248.tif 000005
【図３】
2011202248.tif 000006
【図４】
2011202248.tif 000007