(57)【要約】【課題】撮像画像の画像品質を向上可能であって、製造歩留まりを向上する。【解決手段】遮光部３００と画素トランジスタＰＴｒのゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇを形成する工程の実施前に、その形成領域を含む領域を被覆するように、遮光性の導電材料（ポリシリコン）を成膜して、ポリシリコン膜４００を形成する。そして、そのポリシリコン膜４００についてパターン加工することによって、遮光部３００と各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇとの両者を同時に形成する。ここでは、遮光部３００と各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇとが互いに連結されるように形成される。【選択図】図３
2011035154.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の撮像面に複数の光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、
前記撮像面において前記複数の光電変換部を分離する素子分離部として、前記複数の光電変換部の間に不純物拡散領域を形成する素子分離部形成工程と、
前記撮像面において前記素子分離部へ入射する光を遮光する遮光部を、前記素子分離部の上方に形成する遮光部形成工程と、
前記複数の光電変換部にて生成された信号電荷を読出してデータ信号として出力する複数の画素トランジスタのゲート電極を、前記撮像面に形成するゲート電極形成工程と
を具備し、
前記遮光部形成工程と前記ゲート電極形成工程との実施前に、前記撮像面において前記遮光部を形成する部分と前記画素トランジスタのゲート電極を形成する部分とを含む領域を被覆するように、遮光性の導電材料を成膜することによって、導電膜を形成する導電膜形成工程
をさらに有し、
前記遮光部形成工程と前記ゲート電極形成工程とにおいては、前記導電膜についてパターン加工することによって、前記遮光部と前記ゲート電極との両者を同時に形成する、
固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記遮光部形成工程においては、前記複数の光電変換部の間において前記遮光部が延在する部分を含むように、前記遮光部を形成する、
請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記遮光部形成工程と前記ゲート電極形成工程とにおいては、前記遮光部と前記ゲート電極とが互いに連結されるように、前記遮光部と前記ゲート電極とを形成する、
請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記素子分離部形成工程は、
前記不純物拡散領域の上方に位置するように絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程
を有し、
前記遮光部形成工程においては、前記絶縁膜の上面に接するように前記遮光部を形成する、
請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記ゲート電極形成工程においては、前記光電変換部から信号電荷をフローティングディフュージョンへ読み出す転送トランジスタのゲート電極を、前記ゲート電極として形成し、
前記遮光部形成工程においては、前記転送トランジスタのゲート電極に連結されるように、前記遮光部を形成する、
請求項４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記ゲート電極形成工程においては、前記フローティングディフュージョンに電気的に接続される増幅トランジスタのゲート電極を、前記ゲート電極として形成し、
前記遮光部形成工程においては、前記増幅トランジスタのゲート電極に連結されるように、前記遮光部を形成する、
請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記ゲート電極形成工程においては、選択トランジスタのゲート電極を、前記ゲート電極として形成し、
前記遮光部形成工程においては、前記選択トランジスタのゲート電極に連結されるように、前記遮光部を形成する、
請求項６に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記ゲート電極形成工程においては、リセットトランジスタのゲート電極を、前記ゲート電極として形成し、
前記遮光部形成工程においては、前記リセットトランジスタのゲート電極に連結されるように、前記遮光部を形成する、
請求項７に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記遮光部形成工程と前記ゲート電極形成工程とにおいては、前記遮光部と前記ゲート電極とが互いに分離されるように、前記遮光部と前記ゲート電極とを形成する、
請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記導電膜形成工程では、前記導電膜としてポリシリコン膜を形成する、
請求項１から９のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板の撮像面に複数の光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、
前記撮像面において前記複数の光電変換部を分離する素子分離部として、前記複数の光電変換部の間に不純物拡散領域を形成する素子分離部形成工程と、
前記撮像面において前記素子分離部へ入射する光を遮光する遮光部を、前記素子分離部の上方に形成する遮光部形成工程と
を具備し、
前記遮光部形成工程においては、前記撮像面に形成された前記素子分離部の平面形状に対応して延在する部分を含むように、前記遮光部を形成する、
固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体基板において撮像面に形成されている複数の光電変換部と、
前記撮像面において前記複数の光電変換部を分離するように不純物拡散領域が形成されている素子分離部と、
前記撮像面において前記素子分離部へ入射する光を遮光する遮光部と、
前記撮像面に形成されており、前記複数の光電変換部にて生成された信号電荷を読出してデータ信号として出力する複数の画素トランジスタと
を有し、
前記遮光部は、前記複数の光電変換部の間において延在する延在部分を含み、当該遮光部の延在部分と前記画素トランジスタのゲート電極とが互いに連結されるように形成されている、
固体撮像装置。
【請求項１３】
前記画素トランジスタのゲート電極と前記遮光部とのそれぞれは、ポリシリコンを用いて形成されている、
請求項１２に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
半導体基板において撮像面に形成されている複数の光電変換部と、
前記撮像面において前記複数の光電変換部を分離するように不純物拡散領域が形成されている素子分離部と、
前記撮像面において前記素子分離部へ入射する光を遮光する遮光部と、
前記撮像面に形成されており、前記複数の光電変換部にて生成された信号電荷を読出してデータ信号として出力する複数の画素トランジスタと
を有し、
前記遮光部は、前記複数の光電変換部の間において延在する延在部分を含み、当該遮光部の延在部分と前記画素トランジスタのゲート電極とが互いに連結されるように形成されている、
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどの電子機器は、固体撮像装置を含む。たとえば、固体撮像装置として、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｃｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型イメージセンサ、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型イメージセンサを含む。
【０００３】
固体撮像装置においては、複数の画素が形成されている撮像領域が、半導体基板に設けられている。複数の画素のそれぞれにおいては、光電変換部が設けられている。光電変換部は、たとえば、フォトダイオードであり、外付けの光学系を介して入射する光を受光面で受光し光電変換することによって、信号電荷を生成する。
【０００４】
固体撮像装置のうち、ＣＭＯＳ型イメージセンサは、光電変換部のほかに、複数のトランジスタを含むように、画素が構成されている。複数のトランジスタは、光電変換部にて生成された信号電荷を読み出して、信号線へ電気信号として出力するように、複数のトランジスタが画素トランジスタとして構成されている。たとえば、転送トランジスタ，リセットトランジスタ，増幅トランジスタ，選択トランジスタの４つのトランジスタを、画素トランジスタとして、半導体基板の表面に設けている。そして、画素トランジスタを構成する複数のトランジスタに電気的に接続する配線を、半導体基板の表面に設けている。
【０００５】
ＣＭＯＳ型イメージセンサでは、画素サイズを縮小化するために、複数の光電変換部が、上記の画素トランジスタを共有するように、画素を構成することが提案されている。たとえば、２つ、または、４つの光電変換部が１つの画素トランジスタ群を共有する技術が提案されている（たとえば、特許文献１〜３参照）。
【０００６】
また、半導体基板において、配線や画素トランジスタを設けた表面側に対して反対側の裏面側から光を受光する裏面照射型が提案されている（たとえば、特許文献４参照）。
【０００７】
上記においては、複数の画素間を分離するように素子分離部が基板に設けられている。たとえば、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）領域が素子分離部として半導体基板に設けられている。この他に、不純物拡散領域が素子分離部として半導体基板に設けられている。たとえば、ＥＤＩ分離方式のように、半導体基板中に不純物拡散領域を形成し、その上に厚い絶縁膜をさらに設ける方法が、提案されている（たとえば、特許文献４〜６参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−１７２９５０号公報
【特許文献２】特開２００６−１５７９５３号公報
【特許文献３】特開２００６−５４２７６号公報
【特許文献４】特開２００５−３４７３２５号公報
【特許文献５】特開２００６−９３３１９号公報
【特許文献６】特開２００６−２１６５７７号公報
【特許文献７】特開２００９−８８４４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、素子分離部として半導体基板に設けられた不純物拡散領域に、高エネルギーな短波長の光が入射した場合には、暗電流の発生によって、撮像画像の画像品質が低下する場合がある。これは、短波長の光によって、その領域のＳｉ−Ｈ結合が分離され、界面準位が増加することに起因する。
【００１０】
図１４は、入射光の波長と、暗電流の発生との関係を示す図である。
【００１１】
図１４に示すように、入射光の波長が短くなるに伴って、白傷画像になり、暗電流の発生が大きくなることが判る。特に、波長が４１０ｎｍ以下の光が入射したときには、暗電流の発生が顕著になって、画像品質低下の不具合の発生が顕在化する。
【００１２】
この他に、固体撮像装置においては、製造効率を向上し、コストダウンを実現することが要求されている。
【００１３】
したがって、本発明は、撮像画像の画像品質を向上可能であって、製造歩留まりを向上可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の撮像面に複数の光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、前記撮像面において前記複数の光電変換部を分離する素子分離部として、前記複数の光電変換部の間に不純物拡散領域を形成する素子分離部形成工程と、前記撮像面において前記素子分離部へ入射する光を遮光する遮光部を、前記素子分離部の上方に形成する遮光部形成工程と、前記複数の光電変換部にて生成された信号電荷を読出してデータ信号として出力する複数の画素トランジスタのゲート電極を、前記撮像面に形成するゲート電極形成工程とを具備し、前記遮光部形成工程と前記ゲート電極形成工程との実施前に、前記撮像面において前記遮光部を形成する部分と前記画素トランジスタのゲート電極を形成する部分とを含む領域を被覆するように、遮光性の導電材料を成膜することによって、導電膜を形成する導電膜形成工程をさらに有し、前記遮光部形成工程と前記ゲート電極形成工程とにおいては、前記導電膜についてパターン加工することによって、前記遮光部と前記ゲート電極との両者を同時に形成する。
【００１５】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の撮像面に複数の光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、前記撮像面において前記複数の光電変換部を分離する素子分離部として、前記複数の光電変換部の間に不純物拡散領域を形成する素子分離部形成工程と、前記撮像面において前記素子分離部へ入射する光を遮光する遮光部を、前記素子分離部の上方に形成する遮光部形成工程とを具備し、前記遮光部形成工程においては、前記撮像面に形成された前記素子分離部の平面形状に対応して延在する部分を含むように、前記遮光部を形成する。
【００１６】
本発明の固体撮像装置は、半導体基板において撮像面に形成されている複数の光電変換部と、前記撮像面において前記複数の光電変換部を分離するように不純物拡散領域が形成されている素子分離部と、前記撮像面において前記素子分離部へ入射する光を遮光する遮光部と、前記撮像面に形成されており、前記複数の光電変換部にて生成された信号電荷を読出してデータ信号として出力する複数の画素トランジスタとを有し、前記遮光部は、前記複数の光電変換部の間において延在する延在部分を含み、当該遮光部の延在部分と前記画素トランジスタのゲート電極とが互いに連結されるように形成されている。
【００１７】
本発明の固体撮像装置は、半導体基板において撮像面に形成されている複数の光電変換部と、前記撮像面において前記複数の光電変換部を分離するように不純物拡散領域が形成されている素子分離部と、前記撮像面において前記素子分離部へ入射する光を遮光する遮光部と、前記撮像面に形成されており、前記複数の光電変換部にて生成された信号電荷を読出してデータ信号として出力する複数の画素トランジスタとを有し、前記遮光部は、前記複数の光電変換部の間において延在する延在部分を含み、当該遮光部の延在部分と前記画素トランジスタのゲート電極とが互いに連結されるように形成されている。
【００１８】
本発明においては、遮光部と画素トランジスタのゲート電極を形成する工程の実施前に、その形成領域を含む領域を被覆するように、遮光性の導電材料を成膜して、導電膜を形成する。そして、その導電膜についてパターン加工することによって、遮光部と各ゲート電極の両者を同時に形成する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、撮像画像の画像品質を向上可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態１において、カメラ４０の構成を示す構成図である。
【図２】図２は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の全体構成を示す図である。
【図３】図３は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の要部を示す図である。
【図４】図４は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の要部を示す図である。
【図５】図５は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の要部を示す図である。
【図６】図５は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の要部を示す図である。
【図７】図７は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図８】図８は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図９】図９は、本発明にかかる実施形態１において、遮光部３００が設けられた部分を拡大して示す図である。
【図１０】図１０は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置１ｂの要部を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置１ｃの要部を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置１ｃを製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明にかかる実施形態において、素子分離部の変形例を示す断面図である。
【図１４】図１４は、入射光の波長と、暗電流の発生との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２２】
なお、説明は、下記の順序で行う。
１．実施形態１（遮光部とゲート電極とが同層であって、一体的に形成されている場合）
２．実施形態２（遮光部とゲート電極とが同層だが、一体的に形成されていない場合）
３．実施形態３（遮光部とゲート電極とが別の層から形成されている場合）
４．その他
【００２３】
＜１．実施形態１＞
（Ａ）装置構成
（Ａ−１）カメラの要部構成
図１は、本発明にかかる実施形態１において、カメラ４０の構成を示す構成図である。
【００２４】
図１に示すように、カメラ４０は、固体撮像装置１と、光学系４２と、制御部４３と、信号処理回路４４とを有する。各部について、順次、説明する。
【００２５】
固体撮像装置１は、光学系４２を介して入射する光（被写体像）Ｈを撮像面Ｐｓで受光して光電変換することによって、信号電荷を生成する。ここでは、固体撮像装置１は、制御部４３から出力される制御信号に基づいて駆動する。具体的には、信号電荷を読み出して、ローデータとして出力する。
【００２６】
光学系４２は、結像レンズや絞りなどの光学部材を含み、入射する被写体像による光Ｈを、固体撮像装置１の撮像面Ｐｓへ集光するように配置されている。
【００２７】
制御部４３は、各種の制御信号を固体撮像装置１と信号処理回路４４とに出力し、固体撮像装置１と信号処理回路４４とを制御して駆動させる。
【００２８】
信号処理回路４４は、固体撮像装置１から出力されたローデータについて信号処理を実施することによって、被写体像についてデジタル画像を生成するように構成されている。
【００２９】
（Ａ−２）固体撮像装置の要部構成
固体撮像装置１の全体構成について説明する。
【００３０】
図２は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の全体構成を示す図である。
【００３１】
本実施形態の固体撮像装置１は、図２に示すように、基板１０１を含む。この基板１０１は、たとえば、シリコンからなる半導体基板であり、図２に示すように、基板１０１の面においては、撮像領域ＰＡと、周辺領域ＳＡとが設けられている。
【００３２】
撮像領域ＰＡは、図２に示すように、矩形形状であり、複数の画素Ｐが水平方向ｘと垂直方向ｙとのそれぞれに、配置されている。つまり、画素Ｐがマトリクス状に並んでいる。そして、撮像領域ＰＡにおいては、その中心が、図１に示した光学系４２の光軸に対応するように配置されている。なお、撮像領域ＰＡは、図１に示した撮像面Ｐｓに相当する。
【００３３】
撮像領域ＰＡにおいて、画素Ｐは、入射光を受光して信号電荷を生成する。そして、その生成した信号電荷が画素トランジスタによって読み出されて出力される。つまり、本実施形態の固体撮像装置１は、画素Ｐがエリア配列されたＣＭＯＳ型イメージセンサである。各画素Ｐの詳細な構成について後述する。
【００３４】
周辺領域ＳＡは、図２に示すように、撮像領域ＰＡの周囲に位置している。そして、この周辺領域ＳＡにおいては、周辺回路が設けられている。
【００３５】
具体的には、図２に示すように、垂直駆動回路１３と、カラム回路１４と、水平駆動回路１５と、外部出力回路１７と、タイミングジェネレータ（ＴＧ）１８と、シャッター駆動回路１９とが、周辺回路として設けられている。
【００３６】
垂直駆動回路１３は、図２に示すように、周辺領域ＳＡにおいて、撮像領域ＰＡの側部に設けられており、撮像領域ＰＡの画素Ｐを行単位で選択して駆動させるように構成されている。
【００３７】
カラム回路１４は、図２に示すように、周辺領域ＳＡにおいて、撮像領域ＰＡの下端部に設けられており、列単位で画素Ｐから出力される信号について信号処理を実施する。ここでは、カラム回路１４は、ＣＤＳ（Ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ；相関二重サンプリング）回路（図示なし）を含み、固定パターンノイズを除去する信号処理を実施する。
【００３８】
水平駆動回路１５は、図２に示すように、カラム回路１４に電気的に接続されている。水平駆動回路１５は、たとえば、シフトレジスタを含み、カラム回路１４にて画素Ｐの列ごとに保持されている信号を、順次、外部出力回路１７へ出力させる。
【００３９】
外部出力回路１７は、図２に示すように、カラム回路１４に電気的に接続されており、カラム回路１４から出力された信号について信号処理を実施後、外部へ出力する。外部出力回路１７は、ＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｇａｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路１７ａとＡＤＣ回路１７ｂとを含む。外部出力回路１７においては、ＡＧＣ回路１７ａが信号にゲインをかけた後に、ＡＤＣ回路１７ｂがアナログ信号からデジタル信号へ変換して、外部へ出力する。
【００４０】
タイミングジェネレータ１８は、図２に示すように、垂直駆動回路１３、カラム回路１４、水平駆動回路１５，外部出力回路１７，シャッター駆動回路１９のそれぞれに電気的に接続されている。タイミングジェネレータ１８は、各種のタイミング信号を生成し、垂直駆動回路１３、カラム回路１４、水平駆動回路１５，外部出力回路１７，シャッター駆動回路１９に出力することで、各部について駆動制御を行う。
【００４１】
シャッター駆動回路１９は、画素Ｐを行単位で選択して、画素Ｐにおける露光時間を調整するように構成されている。
【００４２】
（Ａ−３）固体撮像装置の詳細構成
本実施形態にかかる固体撮像装置１の詳細内容について説明する。
【００４３】
図３〜図６は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の要部を示す図である。
【００４４】
ここで、図３は、撮像領域ＰＡの上面を示している。図４は、撮像領域ＰＡの断面を示している。図４においては、図３に示すＡ１−Ａ２部分の断面を示している。また、図５は、撮像領域ＰＡに設けられた画素Ｐの回路構成を示している。図６は、複数の画素Ｐの共有単位を示している。
【００４５】
図３，図４，図５に示すように、固体撮像装置１は、フォトダイオード２１と、画素トランジスタＰＴｒと、素子分離部ＰＳと、遮光部３００とを含む。ここで、画素トランジスタＰＴｒは、図３，図５に示すように、転送トランジスタ２２と、増幅トランジスタ２３と、選択トランジスタ２４と、リセットトランジスタ２５とを含み、フォトダイオード２１から信号電荷を読み出すように構成されている。
【００４６】
固体撮像装置を構成する各部について順次説明する。
【００４７】
（Ａ−３−１）フォトダイオード２１について
固体撮像装置１において、フォトダイオード２１は、図３に示すように、複数が撮像面（ｘｙ面）に配置されている。複数のフォトダイオード２１は、複数の画素Ｐの配列に対応するように、水平方向ｘと、この水平方向ｘに対して直交する垂直方向ｙとのそれぞれに等間隔で並んでいる。ここでは、各フォトダイオード２１は、撮像面（ｘｙ面）において、素子分離部ＰＳによって区画された領域のそれぞれに形成されている。
【００４８】
また、図４に示すように、フォトダイオード２１は、基板１０１に設けられている。このフォトダイオード２１は、入射光（被写体像）を受光し光電変換することによって信号電荷を生成して蓄積するように構成されている。
【００４９】
たとえば、フォトダイオード２１は、ｎ型のシリコン半導体である基板１０１内に設けられたｐウェル（図示なし）に、ｎ型電荷蓄積領域（図示なし）が形成されることで構成される。また、さらに、暗電流抑制のために、基板１０１の表面に、ｐ型のアキュミュレーション層（図示なし）を含むように構成される。つまり、フォトダイオード２１は、いわゆるＨＡＤ（Ｈａｌｌ  Ａｃｕｍｕｌａｔｅｄ  Ｄｉｏｄｅ）構造で形成されている。
【００５０】
そして、各フォトダイオード２１は、図５に示すように、その蓄積した信号電荷が、転送トランジスタ２２によってフローティングディフュージョンＦＤへ転送されるように構成されている。
【００５１】
本実施形態においては、図３および図４に示すように、各フォトダイオード２１のそれぞれには、転送トランジスタ２２が隣接するように設けられている。また、フォトダイオード２１は、一対で、１つのフローティングディフュージョンＦＤを挟むように設けられている。ここでは、水平方向ｘおよび垂直方向ｙのそれぞれに対して傾斜した傾斜方向に並ぶ２つのフォトダイオード２１が、１つのフローティングディフュージョンＦＤを挟むように設けられている。
【００５２】
そして、図５に示すように、４つのフォトダイオード２１が、増幅トランジスタ２３と選択トランジスタ２４とリセットトランジスタ２５の１つの組を共有するように構成されている。
【００５３】
具体的には、図５に示すように、４つのフォトダイオード２１（２１Ａ＿１，２１Ａ＿２，２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２）に対応して、４つの転送トランジスタ２２（２２Ａ＿１，２２Ａ＿２，２２Ｂ＿１，２２Ｂ＿２）が一対で設けられている。
【００５４】
そして、図５に示すように、たとえば、一対（２つ）のフォトダイオード２１（２１Ａ＿１と２１Ａ＿２、または、２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２）が、１つのフローティングディフュージョンＦＤ（ＦＤＡ、または、ＦＤＢ）に対して設けられている。
そして、図５に示すように、４つのフォトダイオード２１（２１Ａ＿１，２１Ａ＿２，２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２）に対して、増幅トランジスタ２３と選択トランジスタ２４とリセットトランジスタ２５とのそれぞれが１つずつ設けられている。
【００５５】
たとえば、図６に示すように、傾斜方向に並ぶフォトダイオード２１の２つの組（２１Ａ＿１と２１Ａ＿２との組，２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２との組）が、垂直方向ｙに並んでおり、この４つのフォトダイオード２１が、各素子２３，２４，２５を共有している。そして、各フォトダイオード２１の間に、配線ＨＴが延在しており、各部を電気的に接続している。
【００５６】
（Ａ−３−２）画素トランジスタＰＴｒについて
固体撮像装置１において、画素トランジスタＰＴｒは、図３に示すように、撮像面（ｘｙ面）において、複数の画素Ｐを区画する素子分離部ＰＳに形成されている。この画素トランジスタＰＴｒは、転送トランジスタ２２と、増幅トランジスタ２３と、選択トランジスタ２４と、リセットトランジスタ２５とを含み、フォトダイオード２１にて生成された信号電荷を読出してデータ信号として出力するように構成されている。
【００５７】
転送トランジスタ２２と増幅トランジスタ２３と選択トランジスタ２４とリセットトランジスタ２５とのそれぞれは、たとえば、ＮチャネルのＭＯＳトランジスタとして構成されている。
【００５８】
ここでは、各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇが、たとえば、ポリシリコンを用いて形成されている。各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇは、上記の他に、シリサイド，ポリサイド，サリサイドを用いて形成しても、好適である。
【００５９】
また、基板１０１の素子分離部ＰＳに、各トランジスタ２２，２３，２４，２５の活性化領域が形成されている。
【００６０】
各トランジスタ２２，２３，２４，２５の詳細について、下記より、順次、説明する。
【００６１】
画素トランジスタＰＴｒにおいて、転送トランジスタ２２は、図３に示すように、複数の画素Ｐに対応するように、複数が形成されている。ここでは、各転送トランジスタ２２は、撮像面（ｘｙ面）において水平方向ｘと垂直方向ｙとに対して傾斜する傾斜方向に並ぶ複数の画素Ｐの間に設けられたフローティングディフュージョンＦＤを、２つの転送トランジスタ２２が挟むように形成されている。
【００６２】
また、図３および図４に示すように、転送トランジスタ２２は、ゲート電極（転送ゲート）２２Ｇが、基板１０１の表面に、ゲート絶縁膜（図示なし）を介して設けられている。転送トランジスタ２２において、ゲート電極２２Ｇは、図４に示すように、基板１０１の表面に設けられた、フローティングディフュージョンＦＤに隣接するように設けられている。ここでは、一対のゲート電極２２Ｇが、１つのフローティングディフュージョンＦＤを挟むように形成されている。
【００６３】
そして、図５に示すように、転送トランジスタ２２は、フォトダイオード２１にて生成された信号電荷を、増幅トランジスタ２３のゲートへ電気信号として出力するように構成されている。
【００６４】
本実施形態においては、図５に示すように、複数の転送トランジスタ２２のそれぞれは、
各フォトダイオード２１のカソードに一方の端子が電気的に接続されている。そして、複数の転送トランジスタ２２のそれぞれは、他方の端子が、１つのフローティングディフュージョンＦＤに電気的に接続されている。具体的には、一対の転送トランジスタの組（２２Ａ＿１，２２Ａ＿２）が、フローティングディフュージョンＦＤＡに電気的に接続されている。また、他の一対の転送トランジスタの組（２２Ｂ＿１，２２Ｂ＿２）が、他のフローティングディフュージョンＦＤＢに電気的に接続されている。そして、各転送トランジスタ２２は、転送線２６からゲートに転送信号が与えられることによって、フォトダイオード２１において蓄積された信号電荷を、フローティングディフュージョンＦＤに出力信号として、順次転送する。
【００６５】
画素トランジスタＰＴｒにおいて、増幅トランジスタ２３は、図３に示すように、垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間に設けられている。ここでは、増幅トランジスタ２３は、水平方向において一対のソース・ドレインがチャネルを挟むように設けられている。そして、増幅トランジスタ２３は、２つが、水平方向ｘにおいて隣接して並ぶように配置されている。
【００６６】
この増幅トランジスタ２３は、図５に示すように、転送トランジスタ２２から出力された電気信号を増幅して出力するように構成されている。
【００６７】
具体的には、増幅トランジスタ２３は、図５に示すように、ゲートが、フローティングディフュージョンＦＤに接続されている。また、増幅トランジスタ２３は、ドレインが電源電位供給線Ｖｄｄに接続され、ソースが選択トランジスタ２４に接続されている。増幅トランジスタ２３は、選択トランジスタ２４がオン状態になるように選択されたときには、定電流源（図示なし）から定電流が供給されて、ソースフォロアとして動作する。このため、増幅トランジスタ２３では、選択トランジスタ２４に選択信号が供給されることによって、フローティングディフュージョンＦＤから出力された出力信号が増幅される。
【００６８】
画素トランジスタＰＴｒにおいて、選択トランジスタ２４は、図３に示すように、垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間に設けられている。ここでは、選択トランジスタ２４は、水平方向において一対のソース・ドレインがチャネルを挟むように設けられている。また、選択トランジスタ２４は、垂直方向ｙにて増幅トランジスタ２３が配置された同じ位置において、２つが、水平方向ｘにおいて並ぶように配置されている。具体的には、その水平方向ｘに並ぶ２つの選択トランジスタ２４は、その水平方向ｘに並ぶ２つの増幅トランジスタ２３を挟むように設けられている。
【００６９】
この選択トランジスタ２４は、図５に示すように、選択信号が入力された際に、増幅トランジスタ２３によって出力された電気信号を、垂直信号線２７へ出力するように構成されている。
【００７０】
具体的には、選択トランジスタ２４は、図５に示すように、選択信号が供給されるアドレス線２８にゲートが接続されている。選択トランジスタ２４は、選択信号が供給された際にはオン状態になり、上記のように増幅トランジスタ２３によって増幅された出力信号を、垂直信号線２７に出力する。
【００７１】
画素トランジスタＰＴｒにおいて、リセットトランジスタ２５は、図３に示すように、垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間に設けられている。ここでは、リセットトランジスタ２５は、水平方向において一対のソース・ドレインがチャネルを挟むように設けられている。また、リセットトランジスタ２５は、垂直方向ｘにて増幅トランジスタ２３と選択トランジスタ２４とが配置された位置とは異なる位置において、２つが、水平方向ｘにおいて並ぶように配置されている。
【００７２】
このリセットトランジスタ２５は、図５に示すように、増幅トランジスタ２３のゲート電位をリセットするように構成されている。
【００７３】
具体的には、リセットトランジスタ２５は、図５に示すように、リセット信号が供給されるリセット線２９にゲートが接続されている。また、リセットトランジスタ２５は、ドレインが電源電位供給線Ｖｄｄに接続され、ソースがフローティングディフュージョンＦＤに接続されている。そして、リセットトランジスタ２５は、リセット線２９からリセット信号がゲートに供給された際に、フローティングディフュージョンＦＤを介して、増幅トランジスタ２３のゲート電位を、電源電位にリセットする。
【００７４】
本実施形態では、上記の増幅トランジスタ２３と選択トランジスタ２４とリセットトランジスタ２５とのそれぞれは、図５および図６に示すように、複数のフォトダイオード２１からなる組によって、共有されるように構成されている。たとえば、図５および図６に示すように、４つのフォトダイオード２１（２１Ａ＿１，２１Ａ＿２，２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２）からなる１組に対して、増幅トランジスタ２３と選択トランジスタ２４とリセットトランジスタ２５とのそれぞれが１つずつ設けられている。
【００７５】
（Ａ−３−３）素子分離部ＰＳについて
固体撮像装置１において、素子分離部ＰＳは、図３に示すように、水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐの間、および、垂直方向に並ぶ複数の画素Ｐの間に介在しており、各画素Ｐを分離するように構成されている。
【００７６】
ここでは、素子分離部ＰＳは、図４に示すように、不純物拡散領域２０１と、絶縁膜２０２とを含み、各画素Ｐのフォトダイオード２１の間を分離している。つまり、素子分離部ＰＳは、ＥＤＩ方式に対応するように形成されている。
【００７７】
具体的には、素子分離部ＰＳにおいて、不純物拡散領域２０１は、図４に示すように、基板１０１の表面から深さ方向へ形成されている。たとえば、不純物拡散領域２０１は、シリコン半導体である基板１０１に設けられたｐ型半導体領域に、ｐ型の不純物を更にイオン注入することによって形成される。
【００７８】
また、素子分離部ＰＳにおいて、絶縁膜２０２は、図４に示すように、不純物拡散領域２０１の上方に形成されている。ここでは、絶縁膜２０２は、断面において、不純物拡散領域２０１よりも幅が広くなるように形成されている。たとえば、絶縁膜２０２は、シリコン酸化膜によって、膜厚が１００ｎｍになるように形成される。
【００７９】
（Ａ−３−４）遮光部３００について
固体撮像装置１において、遮光部３００は、図３に示すように、素子分離部ＰＳへ入射する光を遮光するように、素子分離部ＰＳの上方において、遮光材料を用いて形成されている。ここでは、遮光部３００は、図４に示すように、素子分離部ＰＳの上方に設けられている。
【００８０】
具体的には、遮光部３００は、図４に示すように、素子分離部ＰＳを構成する絶縁膜２０２の上面に接するように、直接形成されている。たとえば、遮光部３００は、各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇと同様に、ポリシリコンを用いて形成されている。この他に、遮光部３００は、各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇと同様に、シリサイド，ポリサイド，サリサイドのように光を吸収する材料を用いて形成しても、好適である。
【００８１】
本実施形態においては、図３に示すように、遮光部３００は、水平方向ｘへ延在する部分３００ｘと、垂直方向ｙへ延在する部分３００ｙとを含む。
【００８２】
遮光部３００において水平方向ｘへ延在する部分３００ｘは、図３に示すように、素子分離部ＰＳにおいて垂直方向ｙよりも水平方向ｘへ長く延在する部分に対応するように、複数が形成されている。ここでは、この水平方向ｘへ延在する部分３００ｘは、垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間に設けられている。また、この部分３００ｘは、複数の増幅トランジスタ２３のゲート電極２５Ｇの間に設けられている。また、この延在部分３００ｘは、複数の選択トランジスタ２４のゲート電極２４Ｇの間に設けられている。また、この延在部分３００ｘは、複数のリセットトランジスタ２５のゲート電極２５Ｇの間に設けられている。
【００８３】
そして、遮光部３００において垂直方向ｙへ延在する部分３００ｙは、図３に示すように、素子分離部ＰＳにおいて水平方向ｘよりも垂直方向ｙへ長く延在する部分に対応するように、複数が形成されている。ここでは、この垂直方向ｙへ延在する部分３００ｙは、水平方向ｘに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間に設けられている。
【００８４】
それぞれの延在部分３００ｘ,３００ｙは、たとえば、ポリシリコンであり、図３に示すように、各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇと同層で形成されている。つまり、詳細については後述するが、各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇと遮光部３００とを含む領域を被覆するように形成された導電膜についてパターン加工を実施することで、各延在部分３００ｘ,３００ｙが形成されている。
【００８５】
また、それぞれの延在部分３００ｘ,３００ｙは、各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇと一体になるように形成されている。つまり、延在部分３００ｘ,３００ｙが各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇに連結されるように形成されている。
【００８６】
（Ａ−３−５）その他
なお、図４では、図示を省略しているが、基板１０１の表面には、配線層（図示なし）が設けられている。この配線層においては、各素子に電気的に接続された配線（図示なし）が層間絶縁層（図示なし）内において、多層に形成されている。
【００８７】
各配線は、図５にて示した、転送線２６，アドレス線２８，垂直信号線２７，リセット線２９などの配線として機能するように形成されている。図６に示すように、この配線層（図示なし）の配線ＨＴは、金属材料で形成されており、たとえば、複数のフォトダイオード２１の間において延在するように設けられている。また、各配線ＨＴは、たとえば、水平方向ｙに並ぶ各フォトダイオード２１を軸にして対称になるように設けられており、上記のように、各部を電気的に接続している。
【００８８】
この他に、基板１０１においては、オンチップレンズ（図示なし）とカラーフィルタ（図示なし）等の光学部材が、画素Ｐに対応して設けられている。たとえば、基板１０１の裏面側から入射する裏面照射型である場合には、基板１０１の裏面側に、オンチップレンズや、カラーフィルタ等の光学部材が設けられる。このため、オンチップレンズ，カラーフィルタなどの光学部材を順次介して入射する光を、フォトダイオード２１が受光するように構成されている。
【００８９】
（Ｂ）製造方法
以下より、上記の固体撮像装置１を製造する製造方法の要部について説明する。
【００９０】
図７と図８は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。ここでは、図７と図８は、図４と同様に、撮像領域ＰＡの断面を示している。
【００９１】
（Ｂ−１）素子分離部ＰＳとフォトダイオード２１の形成
まず、図７に示すように、素子分離部ＰＳとフォトダイオード２１とを形成する。
【００９２】
ここでは、図７に示すように、素子分離部ＰＳが不純物拡散領域２０１と絶縁膜２０２とを含むように、素子分離部ＰＳの形成を実施する。
【００９３】
不純物拡散領域２０１については、図７に示すように、基板１０１の表面から深さ方向へ延在するように形成する。具体的には、ｎ型のシリコン半導体である基板１０１に設けられたｐウェル（ｐ−）において不純物拡散領域２０１を形成する部分に、ｐ型の不純物を更にイオン注入する。たとえば、ｐウェル（ｐ−）よりも不純物濃度が高くなるように、ｐ型不純物（ボロンなど）が１×１０１１〜１×１０１４ｃｍ−２のドーズ量でイオン注入されたｐ型拡散領域（ｐ）を、不純物拡散領域２０１として形成する。
【００９４】
そして、絶縁膜２０２については、図７に示すように、不純物拡散領域２０１の上方に位置するように形成する。ここでは、絶縁膜２０２の断面が、不純物拡散領域２０１の断面の幅よりも広くなるように、絶縁膜２０２を形成する。たとえば、シリコン酸化物を用いて、絶縁膜２０２を形成する。
【００９５】
また、フォトダイオード２１については、たとえば、フォトダイオード２１は、ｎ型のシリコン半導体である基板１０１内に設けられたｐウェル（図示なし）に、ｎ型電荷蓄積領域を設けることで形成する。たとえば、１×１０１２ｃｍ−２のドーズ量でイオン注入を実施して、ｎ型電荷蓄積領域を設ける。そして、さらに、基板１０１の表面に、高濃度のｐ型アキュミュレーション層（図示なし）を形成する。たとえば、５×１０１７ｃｍ−３になるように、この高濃度のｐ型アキュミュレーション層を設ける。
【００９６】
この他に、各画素トランジスタＰＴｒのチャネル形成領域に、適宜、イオン注入を実施して、閾値の調整を実施する。また、基板１０１の表面について熱酸化処理を実施することで、各画素トランジスタＰＴｒを形成する部分を含む領域に、シリコン酸化膜（図示なし）をゲート絶縁膜として形成する。
【００９７】
（Ｂ−２）ポリシリコン膜４００の形成
つぎに、図８に示すように、ポリシリコン膜４００を形成する。
【００９８】
ここでは、図８に示すように、基板１０１の表面において、各画素トランジスタＰＴｒのゲート電極（２２Ｇなど，図３，図４参照）と、遮光部３００（図３，図４参照）を形成する部分を含む領域を被覆するように、ポリシリコン膜４００を形成する。
【００９９】
（Ｂ−３）ゲート電極（２２Ｇなど），遮光部３００等の形成
つぎに、図３および図４に示したように、ゲート電極（２２Ｇなど）や遮光部３００等の各部を形成する。
【０１００】
ここでは、図４に示すように、図８に示したポリシリコン膜４００についてパターン加工することによって、ゲート電極（２２Ｇなど）と遮光部３００とを形成する。たとえば、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストパターン（図示なし）をポリシリコン膜４００上に形成後、そのレジストパターンをマスクとして用いて、ポリシリコン膜４００についてエッチング処理を実施することで、上記のパターン加工を行う。
【０１０１】
各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇについては、図３に示すように、複数形成する。
【０１０２】
また、遮光部３００についても、図３に示すように、複数形成する。
【０１０３】
具体的には、図３に示すように、水平方向ｘへ延在する部分３００ｘと、垂直方向ｙへ延在する部分３００ｙとを含ように、遮光部３００を形成する。たとえば、転送トランジスタ２２のゲート電極２２Ｇに連結されるように、垂直方向ｙへ延在する部分３００ｙを、遮光部３００として形成する。また、増幅トランジスタ２３のゲート電極２３Ｇに連結されるように、水平方向ｘへ延在する部分３００ｘを、遮光部３００として形成する。また、選択トランジスタ２４のゲート電極２４Ｇに連結されるように、水平方向ｘへ延在する部分３００ｘを、遮光部３００として形成する。また、リセットトランジスタ２５のゲート電極２５Ｇに連結されるように、水平方向ｘへ延在する部分３００ｘを、遮光部３００として形成する。
【０１０４】
これらの遮光部３００は、図４に示すように、素子分離部ＰＳを構成する絶縁膜２０２の上面に形成される。
【０１０５】
そして、各画素トランジスタＰＴｒのソース・ドレイン領域（フローティングディフュージョンＦＤを含む）を形成する。具体的には、基板１０１にｎ型不純物をイオン注入することで、各画素トランジスタＰＴｒのソース・ドレイン領域を形成する。このようにすることによって、画素トランジスタＰＴｒを設ける。
【０１０６】
具体的には、上記の画素トランジスタＰＴｒのうち、転送トランジスタ２２については、図３に示したように、複数の画素Ｐのそれぞれに対応するように複数形成する。ここでは、図３に示すように、水平方向ｘと垂直方向ｙに対して傾斜する方向に並ぶ複数の画素Ｐの間に設けられ、それらから信号電荷が読み出されるフローティングディフュージョンＦＤを複数のゲート２２Ｇが挟むように、各転送トランジスタ２２を形成する。
【０１０７】
また、増幅トランジスタ２３と選択トランジスタ２４とリセットトランジスタ２５とのそれぞれについては、図４，図５に示したように、複数の画素Ｐが１つを共有するように、複数形成する。
【０１０８】
この後、配線層（図示なし）やオンチップレンズ等の各部の形成を実施し、固体撮像装置１を完成させる。
【０１０９】
（Ｃ）まとめ
以上のように、本実施形態では、遮光部３００と画素トランジスタＰＴｒのゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇを形成する工程の実施前に、その形成領域を含む領域を被覆するように、遮光性の導電材料（ポリシリコン）を成膜する。これにより、ポリシリコン膜４００が形成される。そして、そのポリシリコン膜４００についてパターン加工することによって、遮光部３００と各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇとの両者を同時に形成する。ここでは、遮光部３００と各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇとが互いに連結されるように形成される。
【０１１０】
このように、本実施形態では、ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇの材料を用いて、遮光部３００を形成しているので、工程数の増加を防止可能であり、製造効率を向上させることができる。
【０１１１】
また、本実施形態においては、遮光部３００が素子分離部ＰＳを構成する絶縁膜２０２の上面に直接設けられている。このため、素子分離部ＰＳの不純物拡散領域２０１へ入射する光を効果的に遮光することができる。
【０１１２】
図９は、本発明にかかる実施形態１において、遮光部３００が設けられた部分を拡大して示す図である。図９において、（Ａ）は、本実施形態の場合において、素子分離部ＰＳへ光が入射する様子を示している。これに対して、（Ｂ）は、遮光部３００Ｊが、本実施形態と異なり、絶縁膜２０２から離れて設けられた場合において、光が入射する様子を示している。
【０１１３】
図９（Ａ）に示すように、本実施形態においては、不純物拡散領域２０１へ入射する光を、遮光部３００が絶縁膜２０２の上面で効果的に遮光することができる。一方で、図９（Ｂ）に示すように、遮光部３００Ｊが絶縁膜２０２から離れた場合には、遮光部３００Ｊと絶縁膜２０２との間から光が絶縁膜２０２の上面に入射する。このため、不純物拡散領域２０１へ入射する光を効果的に遮光することができない。
【０１１４】
よって、本実施形態においては、不純物拡散領域において暗電流が発生することを防止可能であるので、撮像画像の画像品質を向上させることができる。
【０１１５】
したがって、本実施形態は、撮像画像の画像品質を向上可能であって、製造歩留まりを向上することができる。
【０１１６】
また、本実施形態においては、ポリシリコンを用いて遮光部３００Ｊを形成している。ポリシリコンは、他の材料に比べて、短波長の光を吸収する割合が高い。シリサイド，ポリサイド，サリサイドを用いて遮光部３００Ｊを形成した場合においても、同様である。このため、本実施形態では、上記の効果を、より効果的に奏することができる。
【０１１７】
＜２．実施形態２＞
（Ａ）装置構成など
図１０は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置１ｂの要部を示す図である。
【０１１８】
ここで、図１０は、図３と同様に、撮像領域ＰＡの上面の一部を拡大して示している。
【０１１９】
図１０に示すように、本実施形態においては、遮光部３００Ｂが、実施形態１と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、一部の記載を省略する。
【０１２０】
遮光部３００Ｂは、図１０に示すように、実施形態１の場合と同様に、素子分離部ＰＳに形成されている。また、遮光部３００Ｂは、水平方向ｘへ延在する部分３００ｘと、垂直方向ｙへ延在する部分３００ｙとを含み、各延在部分３００ｘ,３００ｙは、実施形態１と同様に、各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇと同層に形成されている。
【０１２１】
しかし、本実施形態では、それぞれの延在部分３００ｘ,３００ｙは、実施形態１と異なり、図１０に示すように、各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇと一体になるように形成されていない。つまり、延在部分３００ｘ,３００ｙは、各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇから分離するように、パターン加工されている。
【０１２２】
この遮光部３００Ｃは、実施形態１の場合と同様に、ポリシリコン膜４００（図８参照）についてパターン加工することによって、各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇと同時に形成される。
【０１２３】
（Ｂ）まとめ
以上のように、本実施形態は、実施形態１の場合と同様に、各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇと同時に形成される。また、本実施形態においては、実施形態１と同様に、遮光部３００Ｂが素子分離部ＰＳを構成する絶縁膜２０２の上面に直接設けられている。
【０１２４】
したがって、本実施形態は、実施形態１の場合と同様に、撮像画像の画像品質を向上可能であって、製造歩留まりを向上することができる。
【０１２５】
＜３．実施形態３＞
（Ａ）装置構成
図１１は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置１ｃの要部を示す図である。
【０１２６】
ここで、図１１は、図３と同様に、撮像領域ＰＡの上面の一部を拡大して示している。図１１においては、２点鎖線で輪郭を示した部分は、実線で輪郭を示した部分よりも、上層に位置することを意味する。
【０１２７】
図１１に示すように、本実施形態においては、遮光部３００Ｃが、実施形態１と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、一部の記載を省略する。
【０１２８】
遮光部３００Ｃは、図１１に示すように、実施形態１の場合と同様に、素子分離部ＰＳに形成されている。また、遮光部３００Ｃは、水平方向ｘへ延在する部分３００ｘｃと、垂直方向ｙへ延在する部分３００ｙｃとを含む。
【０１２９】
しかし、本実施形態においては、実施形態１の場合と異なり、遮光部３００Ｃは、各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇと同層に形成されておらず、各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇと別の層として形成されている。
【０１３０】
また、遮光部３００Ｃは、水平方向ｘと垂直方向ｙとに対して傾斜した傾斜方向に延在する部分３００ｘｙをさらに含み、各延在部分３００ｘｃ，３００ｙｃ，３００ｘｙが、素子分離部ＰＳの平面形状に対応するように形成されている。
【０１３１】
具体的には、遮光部３００Ｃは、撮像面（ｘｙ面）において、フォトダイオード２１の周辺を囲うように、各延在部分３００ｘｃ，３００ｙｃ，３００ｘｙが形成されている。
【０１３２】
また、遮光部３００Ｃは、転送トランジスタ２２と増幅トランジスタ２３と選択トランジスタ２４とリセットトランジスタ２５とのそれぞれの周辺を囲うように、各延在部分３００ｘｃ，３００ｙｃ，３００ｘｙが形成されている。
【０１３３】
さらに、遮光部３００Ｃは、転送トランジスタ２２と増幅トランジスタ２３と選択トランジスタ２４とリセットトランジスタ２５の上方において、電極に電気的に接続されるコンタクトが設けられた部分を除いた部分を被覆するように形成されている。たとえば、各トランジスタ２２，２３，２４，２５のゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇが、チャネル形成領域から素子分離部ＰＳ上へ延在する部分の上方を被覆するように、遮光部３００Ｃが形成されている。また、増幅トランジスタ２３と選択トランジスタ２４のソース・ドレイン領域の上方を被覆するように、遮光部３００Ｃが形成されている。この部分においては、ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇなどの端子部分と、遮光部３００Ｃとの間に、層間絶縁膜（図示なし）が介在するように、形成されている。
【０１３４】
（Ｂ）製造方法
以下より、上記の固体撮像装置１ｃを製造する製造方法の要部について説明する。
【０１３５】
図１２は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置１ｃを製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。ここでは、図１２は、図４と同様に、撮像領域ＰＡの断面を示している。
【０１３６】
（Ｂ−１）ゲート電極（２２Ｇなど）の形成
実施形態１にて図８で示したようにポリシリコン膜４００を形成した後に、図１２（Ａ）に示すように、ゲート電極（２２Ｇなど）を形成する。
【０１３７】
ここでは、実施形態１の場合と同様にして、図８に示したポリシリコン膜４００についてパターン加工することによって、図１１に示すように、ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇを形成する。
【０１３８】
つまり、この工程では、ポリシリコン膜４００を遮光部３００Ｃへパターン加工しない。
【０１３９】
この後、実施形態１と同様にして、各画素トランジスタＰＴｒのソース・ドレイン領域（フローティングディフュージョンＦＤを含む）を形成する。これにより、画素トランジスタＰＴｒが形成される。
【０１４０】
そして、各部を被覆するように、層間絶縁膜（図示なし）を、基板１０１の表面に形成する。
【０１４１】
（Ｂ−２）遮光部３００Ｃの形成
つぎに、図１２（Ｂ）に示すように、遮光部３００Ｃを形成する。
【０１４２】
ここでは、上記と同様に、遮光部３００Ｃを形成する部分を含む領域を被覆するように、たとえば、ポリシリコン膜（図示なし）を成膜後、そのポリシリコン膜（図示なし）についてパターン加工を実施することで、遮光部３００Ｃを形成する。
【０１４３】
これにより、図１２に示すように、断面においては、素子分離部ＰＳを構成する絶縁膜２０２の上面に、遮光部３００Ｃが形成される。
【０１４４】
また、図１１に示すように、平面形状については、各延在部分３００ｘｃ，３００ｙｃ，３００ｘｙが素子分離部ＰＳの対応するように、遮光部３００Ｃが形成される。
【０１４５】
この後、配線層（図示なし）やオンチップレンズ等の各部の形成を実施し、固体撮像装置１ｃを完成させる。
【０１４６】
（Ｂ）まとめ
以上のように、本実施形態においては、撮像面（ｘｙ面）に形成された素子分離部ＰＳの平面形状に対応して延在する部分を含むように、遮光部３００Ｃが形成される。また、本実施形態においては、実施形態１と同様に、遮光部３００Ｃが素子分離部ＰＳを構成する絶縁膜２０２の上面に直接設けられている。
【０１４７】
したがって、本実施形態は、実施形態１の場合と同様に、撮像画像の画像品質を向上可能であって、製造歩留まりを向上することができる。
【０１４８】
＜４．その他＞
本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。
【０１４９】
たとえば、素子分離部については、上記の実施形態に示した構成以外の構成に、本発明を適用しても良い。
【０１５０】
図１３は、本発明にかかる実施形態において、素子分離部ＰＳの変形例を示す断面図である。
【０１５１】
図１３（Ａ）に示すように、素子分離部ＰＳに含まれる絶縁膜２０２Ｓを一部が基板１０１に埋め込まれるように設ける場合において、その絶縁膜２０２Ｓの上面に遮光部３００を形成しても良い（特開２００６−９３３１９号などを参照）。
【０１５２】
また、図１３（Ｂ）に示すように、絶縁膜２０２Ｓの下面に、不純物拡散領域２０１とは別に、不純物拡散領域２０３を形成しても良い。この場合には、絶縁膜２０２Ｓの幅と同様な幅で、不純物拡散領域２０３を形成しても良い（特開２００６−９３３１９号などを参照）。
【０１５３】
また、上記の実施形態においては、カメラに本発明を適用する場合について説明したが、これに限定されない。スキャナーやコピー機などのように、固体撮像装置を備える他の電子機器に、本発明を適用しても良い。
【０１５４】
また、上記の実施形態においては、複数のフォトダイオードの間において、画素トランジスタなどを共有するように構成される場合に、本発明を適用する場合について説明したが、これに限定されない。フォトダイオードのそれぞれに一組の画素トランジスタを設ける場合に、本発明を適用してもよい。
【０１５５】
上記では、２つのフォトダイオードの間において、１つのフローティングディフュージョンを共有する構成について示したが、これに限定されない。３つ以上のフォトダイオードの間において１つのフローティングディフュージョンを共有する構成の場合に、本発明を適用しても良い。
【０１５６】
また、画素トランジスタとして、転送トランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタ、リセットトランジスタの４種類を設ける場合について記載したが、これに限定されない。
【０１５７】
なお、上記の実施形態において、１，１ｂ，１ｃは、本発明の固体撮像装置に相当する。また、上記の実施形態において、フォトダイオード２１は、本発明の光電変換素子に相当する。また、上記の実施形態において、転送トランジスタ２２は、本発明の転送トランジスタに相当する。また、上記の実施形態において、ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇは、本発明のゲート電極に相当する。また、上記の実施形態において、増幅トランジスタ２３は、本発明の増幅トランジスタに相当する。また、上記の実施形態において、選択トランジスタ２４は、本発明の選択トランジスタに相当する。また、上記の実施形態において、リセットトランジスタ２５は、本発明のリセットトランジスタに相当する。また、上記の実施形態において、カメラ４０は、本発明の電子機器に相当する。また、上記の実施形態において、基板１０１は、本発明の半導体基板に相当する。また、上記の実施形態において、不純物拡散領域２０１，２０３は、本発明の不純物拡散領域に相当する。また、上記の実施形態において、絶縁膜２０２は、本発明の絶縁膜に相当する。また、上記の実施形態において、遮光部３００，３００Ｂ，３００Ｃは、本発明の遮光部に相当する。また、上記の実施形態において、ポリシリコン膜４００は、本発明の導電膜に相当する。また、上記の実施形態において、フローティングディフュージョンＦＤは、本発明のフローティングディフュージョンに相当する。また、上記の実施形態において、素子分離部ＰＳは、本発明の素子分離部に相当する。また、上記の実施形態において、画素トランジスタＰＴｒは、本発明の画素トランジスタに相当する。また、上記の実施形態において、撮像面Ｐｓは、本発明の撮像面に相当する。
【符号の説明】
【０１５８】
１，１ｂ，１ｃ：固体撮像装置、１３：垂直駆動回路、１４：カラム回路、１５：水平駆動回路、１７：外部出力回路、１７ａ：ＡＧＣ回路、１７ｂ：ＡＤＣ回路、１８：タイミングジェネレータ、１９：シャッター駆動回路、２１：フォトダイオード、２２：転送トランジスタ、２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇ：ゲート電極、２３：増幅トランジスタ、２４：選択トランジスタ、２５：リセットトランジスタ、２６：転送線、２７：垂直信号線、２８：アドレス線、２９：リセット線、４０：カメラ、４２：光学系、４３：制御部、４４：信号処理回路、１０１：基板、２０１：不純物拡散領域、２０２：絶縁膜、２０３：不純物拡散領域、３００，３００Ｂ，３００Ｃ：遮光部、４００：ポリシリコン膜、ＦＤ：フローティングディフュージョン、Ｐ：画素、ＰＡ：撮像領域、ＰＳ：素子分離部、ＰＴｒ：画素トランジスタ、Ｐｓ：撮像面、ＳＡ：周辺領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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