(57)【要約】      （修正有）【課題】任意のパターン上の粒子を検出する高速方法を提供する。【解決手段】カメラ３０がマスクＭＡからの放射を検出して像を形成するが、像の焦点面ＦＰはマスクＭＡの前にある。マスクＭＡ上にある任意の粒子Ｄは合焦される。しかし、マスクＭＡ上のパターンは焦点がずれる。これにより、したがって、任意のパターンを有するマスクＭＡ上の粒子Ｄの存在および位置を検出することができる。カメラ３０の焦点深度は小さく、焦点面ＦＰは、パターニングデバイスの表面から焦点深度の２倍よりも遠くにない。【選択図】図４
2011129911.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ放射ビームを調整する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するサポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
前記パターニングデバイスからの放射を検出して像を形成するディテクタであって、前記ディテクタは焦点深度を有し、前記像は物体焦点面と光学的に共役である、ディテクタと、
を含み、
前記物体焦点面は、前記パターニングデバイスの表面の前にあり、かつ、前記パターニングデバイスの前記表面から前記焦点深度の０．５〜２倍分離れている、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記ディテクタは、＞０．６の開口数を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
検出される前記放射は、４５０〜５００ｎｍの範囲内の波長を有する、請求項１または請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記パターニングデバイスは、反射型パターニングデバイスである、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記ディテクタの前記焦点面の位置は、変更可能である、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
４５０〜５００ｎｍの範囲内の波長を有する放射で、前記パターニングデバイスを照射する放射源をさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
ＥＵＶリソグラフィ装置内のパターニングデバイス上の粒子を検出する方法であって、
前記パターニングデバイスからの放射をディテクタを用いて検出して像を形成することを含み、前記像は物体焦点面と光学的に共役であり、前記ディテクタは焦点深度を有し、
前記物体焦点面は、前記パターニングデバイスの表面の前にあり、かつ、前記パターニングの前記表面から前記焦点深度の０．５〜２倍分離れている、方法。
【請求項８】
前記パターニングデバイスからの放射を検出して第２の像を形成することをさらに含み、前記第２の像の前記焦点面は、前記パターニングデバイスの前記表面である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１および第２の像を比較することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記パターニングデバイスからの放射を検出して第３の像を形成することをさらに含み、前記第３の像の前記焦点面は、前記第１の焦点面とは異なり、かつ、前記パターニングデバイスの前記表面と、前記パターニングデバイスから離れた前記放射ビームの焦点深度との間にある、請求項７から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ディテクタは、４５０〜５００ｎｍの範囲内の波長を有する放射を検出するように構成される、請求項７から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記パターニングデバイスは、反射型パターニングデバイスである、請求項７から１１のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置およびデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００３】
[0003]  リソグラフィは、ＩＣおよび他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは小型ＩＣまたは他のデバイスおよび／または構造を製造可能にするためのより重大な要素になりつつある。
【０００４】
[0004]  パターンプリンティングの限界の理論推定値は、式（１）：
【数１】
2011129911.tif 000003
に示されるような解像度についてのレイリー（Rayleigh）基準によって与えられうる。
【０００５】
[0005]  ここで、λは用いられる放射の波長であり、ＮＡはパターンをプリントするために用いられる投影システムの開口数であり、ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれる、プロセスに依存する調節係数であり、ＣＤはプリントされたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンション）である。式（１）から、フィーチャの最小プリント可能サイズの縮小は、３つの方法、すなわち、露光波長λを短くすること、開口数ＮＡを大きくすること、またはｋ１の値を小さくすることによって得られることが分かる。
【０００６】
[0006]  露光波長を短くする、したがって最小プリント可能なサイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、１０〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。１０ｎｍ未満、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有するＥＵＶ放射を用いることもさらに提案されている。このような放射は、極限紫外線または軟Ｘ線と呼ばれる。可能な放射源には、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングによって与えられるシンクロトロン放射に基づいた放射源が含まれる。
【０００７】
[0007]  ＥＵＶ放射はプラズマを用いて生成されうる。ＥＵＶ放射を生成する放射システムは、プラズマを与えるために燃料を励起するレーザと、プラズマを包含する放射源コレクタモジュールとを含みうる。プラズマは、例えば好適な物質（例えばスズ）の粒子、または、Ｘｅガス若しくはＬｉ蒸気といった好適なガス若しくは蒸気のストリームといった燃料にレーザビームを向けることによって生成されうる。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射である出力放射を放出し、この放射は、放射コレクタを用いて受け取られる。放射コレクタは、放射を受けて放射をビームに集束するミラー付き法線入射放射コレクタであってよい。放射源コレクタモジュールは、プラズマを支持するための真空環境を与えるように構成された囲い構造またはチャンバを含みうる。このような放射システムは、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。
【０００８】
[0008]  リソグラフィ装置は、一般的に、マスクを保護するためにペリクルを用いて動作させられるが、ＥＵＶリソグラフィ装置では、放射ビームの吸収を回避するためにペリクルは用いられない。これにより、マスクは、有機および無機粒子による汚染の影響を受け易くなる。特に、システム内のデブリ粒子は、ＥＵＶ放射を発生させるために用いられるプラズマ源を発生源としうる。結果として得られるパターニングされたデバイスにおける欠陥を回避するために、マスクには汚染物質がないことを確実にする必要があり、従来ではこれは検査によって達成されていた。パターンは任意であるので、プリントされたパターンは通常別のプリントされたパターンと比較される。パターンの検査は低速で１マスクあたり最大４時間かかり、したがって高価である。さらに、粒子が、デバイス上のパターンと同様に放射を散乱させうるので、きれいなマスクから散乱された光と汚れたマスクから散乱された光との比較検討がなされない場合には、任意のパターンによって散乱された放射とパターン上の粒子によって散乱された放射とを区別することが困難である。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  任意のパターン上の粒子を検出する高速方法を提供することが望ましい。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様では、照明システムと、サポートと、基板テーブルと、投影システムと、ディテクタとを含むリソグラフィ装置が提供される。照明システムは、ＥＵＶ放射ビームを調整するように構成される。サポートは、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構成される。基板テーブルは、基板を保持するように構成される。投影システムは、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成される。ディテクタは、パターニングデバイスからの放射を検出して像を形成するように構成される。ディテクタは焦点深度を有し、像は物体焦点面と光学的に共役である。物体焦点面は、パターニングデバイスの表面の前にあり、かつ、パターニングデバイスの表面から焦点深度の０．５〜２倍分離れている。
【００１１】
[0011]  本発明のさらなる態様では、ＥＵＶリソグラフィ装置内のパターニングデバイス上の粒子を検出する方法が提供される。この方法は、以下のステップを（任意の順番で）含む。パターニングデバイスからの放射をディテクタを用いて検出して像を形成すること。像は物体焦点面と光学的に共役であり、ディテクタは焦点深度を有する。物体焦点面は、パターニングデバイスの表面の前にあり、かつ、パターニングの表面から焦点深度の０．５〜２倍分離れている。
【００１２】
[0012]  本発明のさらなる特徴および利点、ならびに本発明の様々な実施形態の構造および動作を、添付図面を参照して以下に詳細に記載する。なお、本発明は、本明細書に記載される具体的な実施形態に限定されない。かかる実施形態は本明細書において例示のために提示したに過ぎない。さらなる実施形態が、本明細書に含まれる教示内容に基づいて当業者には明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
[0013]  本願に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付図面は、本発明を例示し、以下の記載と共に、本発明の原理をさらに説明しかつ当業者が本発明を行いかつ利用することを可能にするものである。
【図１】[0014]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0015]  図２は、図１の装置のより詳細な図である。
【図３】[0016]  図３は、図１および図２の装置の放射源コレクタモジュールのより詳細な図である。
【図４】[0017]  図４は、粒子およびパターニングデバイスの断面である。
【図５】[0018]  図５は、本発明の一実施形態による方法を用いて検出された像を示す。
【００１４】
[0019]  本発明の特徴および利点は、図面とともに以下の詳細な記載からより明らかとなろう。図中、同様の参照文字は全体に亘って対応する要素を特定する。図中、同様の参照番号は、一般に、同一の、機能的に同様の、および／または構造的に同様の要素を示す。さらに、ある要素が最初に登場した図面は、対応する参照番号の最左の数字によって示される。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
[0020]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１以上の実施形態を開示する。開示された実施形態は本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は開示された実施形態に限定されない。本発明は本明細書に添付された特許請求の範囲によって定義される。
【００１６】
[0021]  記載された実施形態、および、明細書中における「一実施形態」、「実施形態」、「例示的な実施形態」等への言及は、記載された実施形態が特定の特徴、構造、または特性を有しうることを示すが、必ずしもすべての実施形態がその特徴、構造、または特性を含まなくてもよい。さらに、このような語句は、必ずしも同じ実施形態を指しているわけではない。また、特定の特徴、構造、または特性が一実施形態に関連して記載された場合、明示的な記載の有無に関わらず、その特徴、構造、または特性を他の実施形態に関連して作用させることは当業者の知識内であると理解される。
【００１７】
[0022]  本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはこれらの任意の組合せで実施されてよい。本発明の実施形態は、また、１以上のプロセッサによって読出しおよび実行されうる、機械可読媒体上に記憶された命令として実施されてもよい。機械可読媒体は、機械（例えばコンピュータデバイス）によって読出し可能な形態で情報を記憶および伝送するための任意の機構を含みうる。例えば、機械可読媒体には、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光学、音響、または他の形態の伝播信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）等が含まれる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令が、本明細書においては、特定の動作を行うように記載する場合もある。しかし、そのような記載は便宜上に過ぎず、また、そのような動作は、実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスによるものであることは理解されるべきである。
【００１８】
[0023]  しかし、このような実施形態をより詳細に記載する前に、本発明の実施形態が実施されうる例示的な環境を提示することが有益であろう。
【００１９】
[0024]  図１は、本発明の一実施形態による放射源コレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば反射投影システム）ＰＳを含む。
【００２０】
[0025]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２１】
[0026]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００２２】
[0027]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。
【００２３】
[0028]  パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。
【００２４】
[0029]  投影システムは、照明システムと同様に、使われている露光放射にまたは真空の使用といった他の要素に適切な屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、若しくはその他のタイプの光コンポーネント、またはこれらの任意の組合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含んでよい。ＥＵＶ放射には真空を用いることが望ましい。これは、他のガスでは放射を吸収し過ぎてしまうからである。したがって、真空環境が、真空壁および真空ポンプを用いることでビーム路全体に与えられうる。
【００２５】
[0030]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば反射型マスクを採用しているもの）である。
【００２６】
[0031]  リソグラフィ装置は、２（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２以上のマスクテーブル）ＷＴを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち、予備工程を１以上のテーブル上で実行しつつ、別の１以上の基板テーブルを露光用に使うことができる。
【００２７】
[0032]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源コレクタモジュールＳＯから極端紫外線ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法には、必ずしも次に限定されないが、物質を、ＥＵＶ域における１以上の輝線を有する、例えばキセノン、リチウム、またはスズといった少なくとも1つの元素を有するプラズマ状態に変換することが含まれる。多くの場合、レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる１つのこのような方法において、必要なプラズマは、必要な輝線を放出する元素を有する物質の小滴、ストリーム、またはクラスタといった燃料をレーザビームで照射することによって生成することができる。放射源コレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを与える、図１には図示しないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射である出力放射を放出し、出力放射は、放射源コレクタモジュール内に配置される放射コレクタを用いて受け取られる。レーザと放射源コレクタモジュールは、例えば、ＣＯ２レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを与える場合は、別個の構成要素であってよい。
【００２８】
[0033]  その場合、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、レーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば、放射源が、多くの場合、ＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。
【００２９】
[0034]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセットフィールド（facetted field）および瞳ミラーデバイスといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３０】
[0035]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢの焦点を合わせる。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされてもよい。
【００３１】
[0036]  例示のリソグラフィ装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００３２】
[0037]  １．ステップモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００３３】
[0038]  ２．スキャンモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
【００３４】
[0039]  ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、一般に、パルス放射源が採用され、また、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３５】
[0040]  上述の使用モードの組み合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用してよい。
【００３６】
[0041]  図２は、放射源コレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、および投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示す。放射源コレクタモジュールＳＯは、放射源コレクタモジュールＳＯの囲い構造２２０内に真空環境が維持されるように構成される。ＥＵＶ放射を放出するプラズマ２１０が、放電生成プラズマ源によって形成されうる。ＥＵＶ放射は、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、またはＳｎ蒸気であるガスまたは蒸気によって生成されうる。このガスまたは蒸気中で非常に高温のプラズマ２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ域における放射が放出される。非常に高温のプラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを引き起こす放電によって生成される。例えば１０Ｐａの分圧にあるＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または任意の他の好適なガスまたは蒸気が、放射の効率のよい発生には必要でありうる。一実施形態では、励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが与えられてＥＵＶ放射が生成される。
【００３７】
[0042]  高温のプラズマ２１０によって放出される放射は、放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へと光学ガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（一部の場合では、汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれる）を介して渡される。この光学ガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０は、放射源チャンバ２１１における開口内にまたはその背後に位置決めされる。汚染物質トラップ２３０はチャネル構造を含んでもよい。汚染物質トラップ２３０はさらに、ガスバリア、または、ガスバリアとチャネル構造の組合せを含んでもよい。汚染物質トラップまたは汚染物質バリア２３０はさらに、本明細書では、当技術分野において知られているようにチャネル構造を少なくとも含むものとして示される。
【００３８】
[0043]  コレクタチャンバ２１１は、いわゆるかすめ入射コレクタでありうる放射コレクタＣＯを含みうる。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ面２５１と、下流放射コレクタ面２５２とを有する。コレクタＣＯを通過する放射は、格子スペクトルフィルタ２４０から反射されて仮想放射源点ＩＦに合焦される。仮想放射源点ＩＦは、一般に、中間集光点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールは、この中間集光点ＩＦが囲い構造２２０における開口２２１においてまたはその付近に位置付けられるように構成される。仮想放射源点ＩＦは、放射を放出するプラズマ２１０の像である。
【００３９】
[0044]  続いて、放射は照明システムＩＬを通過し、照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおける放射ビーム２１の所望の角分布と、パターニングデバイスＭＡにおける所望の放射強度の均一性とを与えるように構成されたファセットフィールドミラーデバイス２２およびファセット瞳ミラーデバイス２４を含みうる。サポート構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１が反射した後、パターン付きビーム２６が形成され、このパターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射要素２８、３０を介して、ウェーハステージまたは基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。
【００４０】
[0045]  一般に、照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳ内には図示するよりも多くの要素があってよい。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置の型に応じて任意選択的にあってもよい。さらに、図示するものよりも多くのミラーがあってもよく、例えば、図２に示す以外に投影システムＰＳ内には１〜６個の追加の反射要素があってよい。
【００４１】
[0046]  図２に示すコレクタ光学部品ＣＯは、コレクタ（またはコレクタミラー）のほんの一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４、および２５５を有するネスト状のコレクタとして示される。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４、および２５５は、光軸Ｏの周りに軸対象に配置され、このタイプのコレクタ光学部品ＣＯは、多くの場合、ＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマ源と組合せて用いられることが好適である。
【００４２】
[0047]  あるいは、放射源コレクタモジュールＳＯは、図３に示すようにＬＰＰ放射システムの一部であってもよい。レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、またはリチウム（Ｌｉ）といった燃料内にレーザエネルギーを堆積するように構成され、それにより、数十ｅＶの電子温度を有する、高度にイオン化されたプラズマ２１０が生成される。これらのイオンの脱励起および再結合中に生成されるエネルギー放射が、プラズマから放出され、略法線入射コレクタ光学部品ＣＯによって受け取られ、かつ、囲い構造２２０における開口２２１上に合焦される。
【００４３】
[0048]  本発明の一実施形態では、マスクＭＡからの放射は、カメラ３０を用いて検出されて像が形成される。しかし、図４に示すように、像の（物体）焦点面ＦＰは、マスクＭＡの表面の前にある。したがって、任意の粒子Ｄが検出される。パターンも検出されるが、パターンは、焦点が外れているので背景ノイズの一部を形成する一方で、粒子Ｄの少なくとも一部が合焦している。この結果は図５から分かるが、図５では、粒子Ｄは明るい点として示されるが、パターンは単に背景ノイズとして示される。フィルタを適用することによって背景パターンの影響を最小限にすることも可能でありうる。最良の結果のためには、焦点面はマスクの表面の前にあり、マスクの表面から約焦点深度（depth of field）分離れているべきであり、焦点深度は０．５λ／ＮＡ２である。焦点面は、好適にはマスクの表面から焦点深度の０．５〜２倍分離れ、より好適にはマスクの表面から焦点深度の０．５〜１倍分離れている。
【００４４】
[0049]  可能な限り感度を高くする技術では、焦点深度は最小限にされるべきである。したがって、開口数は可能な限り大きく、かつ、検出される放射の波長は可能な限り短く、好適には４５０〜５００ｎｍであるべきである。４００〜５００ｎｍの放射を用いて１μｍの粒子を検出するためには、開口数は、＞０．６であるべきである。同様の放射を用いて０．５μｍの粒子を検出するためには、開口数は、＞０．９であるべきである。
【００４５】
[0050]  より鮮明なマスクの像を得るためには、マスクは、４５０〜５００ｎｍの範囲内の放射を放出することが好適である放射源３５を用いて照明されうる。
【００４６】
[0051]  マスクＭＡは、２つの異なるモードでスキャンされうる。第一に、焦点面は、マスクから固定距離に維持されうる。第二に、マスクに対する焦点面の位置を様々に移動させうる。これは、カメラの光学コンポーネントを調節することによって、カメラの位置を調節することによって、またはマスクの位置を調節することによって達成されうる。したがって、幾つかの像が得られてかつ比較して、粒子の位置を決定することができる。第２の方法は、様々なサイズの粒子および小さい粒子を検出しうるという利点を有する。
【００４７】
[0052]  図５に示す像のクイック目視検査によって、任意の粒子の位置が示される。あるいは、例えば最小強度閾値を用いて像を判断するあらゆる方法を用いてもよい。マスクＭＡがきれいな場合は、製造が続行され、埃粒子が検出される場合は、マスクはクリーニングされる。本発明は、埃粒子を検出する迅速かつ安価な方法を提供する。さらに、用いられる装置は、リソグラフィ装置に組み込むことが比較的安価でかつ簡単である。
【００４８】
[0053]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００４９】
[0054]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００５０】
[0055]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００５１】
[0056]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。上述の記載は、限定ではなく例示を目的としている。したがって、当業者には以下に記載する特許請求の範囲から逸脱することなく記載した発明に変更を加えてもよいことは明らかであろう。
【００５２】
[0057]  結論
発明の概要及び要約の項目は、発明者が想定するような本発明の１つ又は複数の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明および請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。
【００５３】
[0058]  本発明は、特定の機能とそれらの関係の実施を説明する機能構成単位を用いて記載されている。これらの機能構成単位の境界は、記載の便宜上、本明細書では任意に定義されている。特定の機能とそれらの関係が適切に実行される限り別の境界を定義してもよい。
【００５４】
[0059]  特定の実施形態の上述の記載は、したがって、当該技術分野における知識を適用することによって他者が、不必要な実験なく、本発明の全般的な概念から逸脱することなく係る特定の実施形態を様々な用途のために容易に変更および／または適応することができるように本発明の一般的性質を十分に明らかにしたものである。したがって、このような適応および変更は、本明細書に提示した教示内容および指導内容に基づいて、開示された実施形態の等価物の意味および範囲内であることを意図するものである。本明細書における表現または用語は、説明のためであって限定のためではなく、したがって、本明細書のかかる表現または用語は、本教示内容および指導内容を鑑みて当業者によって解釈されるべきものであることを理解すべきである。
【００５５】
[0060]  本発明の範囲は、上述の例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、むしろ、後続の特許請求の範囲およびその等価物に従ってのみ定義されるべきである。
【００５６】
[0061]  本願における請求項は、親出願または他の関連出願における請求項とは異なる。したがって、出願人は、親出願および本願に関連する任意の先行出願においてなされた請求項の範囲の放棄を撤回する。したがって、審査官は、以前の放棄および回避すべき対象とされた引用文献を再度検討することが賢明である。さらに、審査官は、本出願でなされた任意の放棄は、親出願と対照して深読みするまたは対抗して読まれるべきではないことも注意されたい。
【図１】
2011129911.tif 000004
【図２】
2011129911.tif 000005
【図３】
2011129911.tif 000006
【図４】
2011129911.tif 000007
【図５】
2011129911.tif 000008
【外国語明細書】
2011129911000001.pdf