(57)【要約】【課題】高周波信号の伝送特性の向上を図ることが可能なフラットケーブルを提供する。【解決手段】フラットケーブル１０は、第１の絶縁体３０と、第１の絶縁体３０に積層された導電体２０と、導電体２０の少なくとも一方の端部を露出させた状態で、導電体２０に積層された第２の絶縁体４０と、第１の絶縁体３０、又は、第１の絶縁体３０と第２の絶縁体４０の両方、を介して導電体２０に積層され、導電体２０を電気的に遮へいするシールド５０,６０と、を備えたフラットケーブルであって、導電体２０が露出した端末部１２における第１の絶縁体３０の厚さＨ２と、第２の絶縁体４０が積層された本体部１１における第１の絶縁体３０の厚さＨ１と、が相違している。【選択図】  図２
2011146270.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体に積層された導電体と、
前記導電体の少なくとも一方の端部を露出させた状態で、前記導電体に積層された第２の絶縁体と、
前記第１の絶縁体、又は、前記第１の絶縁体と前記第２の絶縁体の両方、を介して前記導電体に積層され、前記導電体を電気的に遮へいするシールドと、を備えたフラットケーブルであって、
前記導電体が露出した端末部における前記第１の絶縁体の厚さと、前記第２の絶縁体が積層された本体部における前記第１の絶縁体の厚さと、が相違していることを特徴とするフラットケーブル。
【請求項２】
請求項１記載のフラットケーブルであって、
前記端末部における前記第１の絶縁体の厚さは、前記本体部における前記第１の絶縁体の厚さよりも相対的に薄いことを特徴とするフラットケーブル。
【請求項３】
請求項１又は２記載のフラットケーブルであって、
前記第１の絶縁体は、一以上の絶縁層を有し、
前記端末部における前記絶縁層の数は、前記本体部における前記絶縁層の数と相違していることを特徴とするフラットケーブル。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかに記載のフラットケーブルであって、
前記端末部のインピーダンスは、前記本体部のインピーダンスと実質的に同一であることを特徴とするフラットケーブル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号の伝送に用いられるフラットケーブルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高周波回路に接続され、高周波信号を伝送するフレキシブルフラットケーブルとして、導体を両側から絶縁体を介して金属層で挟み込んだものが知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
このフレキシブルフラットケーブルでは、絶縁層の誘電率を調整することで、フレキシブルフラットケーブルのインピーダンスを、高周波回路のインピーダンスに整合させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３１０３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のフレキシブルフラットケーブルでは、高周波回路とのインピーダンス整合についてのみ検討され、フレキシブルフラットケーブル内におけるインピーダンス整合については検討されていない。このため、このフレキシブルフラットケーブルは、高周波信号の伝送特性に劣る場合があった。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、フラットケーブルにおける高周波信号の伝送特性の向上を図ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るフラットケーブルは、第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体に積層された導電体と、前記導電体の少なくとも一方の端部を露出させた状態で、前記導電体に積層された第２の絶縁体と、前記第１の絶縁体、又は、前記第１の絶縁体と前記第２の絶縁体の両方、を介して前記導電体に積層され、前記導電体を電気的に遮へいするシールドと、を備えたフラットケーブルであって、前記導電体が露出した端末部における前記第１の絶縁体の厚さと、前記第２の絶縁体が積層された本体部における前記第１の絶縁体の厚さと、が相違していることを特徴とする。
【０００８】
上記発明において、前記端末部における前記第１の絶縁体の厚さは、前記本体部における前記第１の絶縁体の厚さよりも相対的に薄くてもよい。
【０００９】
上記発明において、前記第１の絶縁体は、一以上の絶縁層を有し、前記端末部における前記絶縁層の数は、前記本体部における前記絶縁層の数と相違していてもよい。
【００１０】
上記発明において、前記端末部のインピーダンスは、前記本体部のインピーダンスと実質的に同一であってもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、端末部における第１の絶縁体の厚さが、本体部における第１の絶縁体の厚さと相違しているので、フラットケーブル内におけるインピーダンスが整合し、フラットケーブルにおける高周波信号の伝送特性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態におけるフラットケーブルの斜視図である。
【図２】図２は、図１のII−II線に沿った断面図である。
【図３】図３は、図２のIII部の拡大断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態の作用を説明するフラットケーブルの概略断面図である。
【図５】図５は、本発明の第１実施形態におけるフラットケーブルの変形例を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の第２実施形態におけるフラットケーブルの断面図である。
【図７】図７は、図６のVII部の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１４】
<<第１実施形態>>
図１は本実施形態におけるフラットケーブルの斜視図、図２は図１のII−II線に沿った断面図、図３は図２のIII部の拡大断面図である。
【００１５】
本実施形態におけるフレキシブルフラットケーブル（FFC:Flexible Flat Cable）１０は、例えば液晶テレビやプラズマテレビ等の画像インターフェースや内部配線として、高周波信号を伝送するケーブルである。
【００１６】
また、このフラットケーブル１０は、図２及び図３に示すように、導電体２０と、第１の絶縁体３０と、第２の絶縁体４０と、第１のシールド５０と、第２のシールド６０と、を備えている。このフラットケーブル１０は、中央に位置する本体部１１において、第１及び第２の絶縁体３０,４０と第１及び第２のシールド５０,６０によって導電体２０が両側から被覆されているのに対し、本体部１１の端に位置する端末部１２では、導電体２０が第２の絶縁体４０と第２のシールド６０から露出している。
【００１７】
導電体２０は、図１に示すように、例えばフラットケーブル１０の長手方向に沿った平角軟銅線から構成されている。本実施形態では、６つの導電体２０がフラットケーブル１０の短手方向において所定のピッチで配列されている。なお、導電体２０の数は、特に限定されない。
【００１８】
導電体２０は、図２及び図３に示すように、図中下側の第１の主面２１と、図中上側の第２の主面２２と、を有している。第１の主面２１には、本体部１１から端末部１２に亘って第１の絶縁体３０（後述）が積層されているのに対し、第２の主面２２には、本体部１１のみに第２の絶縁体４０（後述）が積層されている。すなわち、フラットケーブル１０の端末部１２では、導電体２０の両端部２０ａ,２０ｂが第２の絶縁体４０から露出し、フラットケーブル１０が他の電子機器と電気的に接続できるようになっている。
【００１９】
第１の絶縁体３０は、図２及び図３に示すように、導電体２０の第１の主面２１に積層されている。この第１の絶縁体３０は、第１の接着層３１と、第１の絶縁層３２と、第２の接着層３３と、第２の絶縁層３４と、第３の接着層３５と、を有している。
【００２０】
第１の接着層３１は、導電体２０と第１の絶縁層３２（後述）とを接着しており、導電体２０の第１の主面２１において、フラットケーブル１０の全体（本体部１１及び端末部１２）に亘って積層されている。第１の接着層３１は、例えばポリエステル（polyester）からなる熱可塑性の接着剤で構成されている。なお、本実施形態において、第１の接着層３１の厚さをｈ１とする。
【００２１】
第１の絶縁層３２は、導電体２０を保護しており、導電体２０の第１の主面２１において、第１の接着層３１を介して、フラットケーブル１０の全体に亘って積層されている。この第１の絶縁層３２は、例えばポリエチレンテレフタレート(PET：polyethylene terephthalate)等の可撓性及び絶縁性を有する材料で構成されたフィルムである。なお、本実施形態において、第１の絶縁層３２の厚さをｈ２とする。
【００２２】
第２の接着層３３は、第１の絶縁層３２と第２の絶縁層３４(後述)とを接着している。第２の接着層３３は、本体部１１における第１の絶縁層３２のみに積層されているのに対し、端末部１２における第１の絶縁層３２には積層されていない。第２の接着層３３は、第１の接着層３１と同様に、例えばポリエステルからなる接着剤で構成されている。なお、本実施形態において、第２の接着層３３の厚さをｈ３とする。
【００２３】
第２の絶縁層３４は、図２及び図３に示すように、第２の接着層３３を介して、本体部１１における第１の絶縁層３２に積層されている。なお、この第２の絶縁層３４は、端末部１２における第１の絶縁層３２には積層されていない。この第２の絶縁層３４は、第１の絶縁層３２と同様に、例えばポリエチレンテレフタレート等の可撓性及び絶縁性を有する材料で構成されたフィルムである。なお、本実施形態において、第２の絶縁層３４の厚さをｈ４とする。
【００２４】
第３の接着層３５は、図２及び図３に示すように、本体部１１において第２の絶縁層３４と第１のシールド５０（後述）とを接着し、端末部１２において第１の絶縁層３２と第１のシールド５０とを接着している。この第３の接着層３５は、本体部１１における第２の絶縁層３４から端末部１２における第１の絶縁層３２に亘って積層されている。第３の接着層３５は、例えばポリエステルからなる熱可塑性の接着剤で構成されている。なお、本実施形態において、第３の接着層３５の厚さをｈ５とする。
【００２５】
以上のように、第１の絶縁体３０は、本体部１１においては、２層の絶縁層３２,３４と、３層の接着層３１,３３,３５と、を有しているのに対し、端末部１２においては、１層の絶縁層３２と、２層の接着層３１,３５を有している。このため、第１の絶縁体３０では、本体部１１における第１の厚さＨ１（Ｈ１＝ｈ１＋ｈ２＋ｈ３＋ｈ４+ｈ５）に対して、端末部１２における第２の厚さＨ２（Ｈ２＝ｈ１＋ｈ２+ｈ５）が相対的に薄くなっている（Ｈ２＜Ｈ１）。
【００２６】
第２の絶縁体４０は、図２及び図３に示すように、導電体２０の両端部２０ａ,２０ｂを露出させた状態で、導電体２０の第２の主面２２に積層されている。すなわち、第２の絶縁体４０は、フラットケーブル１０の本体部１１のみに積層されている。なお、特に図示しないが、第２の絶縁体４０を、導電体２０の一方の端部２０ａ,２０ｂのみを露出させた状態で、導電体２０の第２の主面２２に積層させてもよい。
【００２７】
この第２の絶縁体４０は、第４の接着層４１と、第３の絶縁層４２と、第５の接着層４３と、を有している。
【００２８】
第４の接着層４１は、図２及び図３に示すように、フラットケーブル１０の本体部１１において、導電体２０と第３の絶縁層４２（後述）とを接着している。第４の接着層４１は、例えばポリエステルからなる熱可塑性の接着剤で構成されている。
【００２９】
第３の絶縁層４２は、第２の主面２２側から導電体２０を保護している。第３の絶縁層４２は、例えばポリエチレンテレフタレート等の可撓性及び絶縁性を有する材料で構成されたフィルムである。
【００３０】
第５の接着層４３は、図２及び図３に示すように、第３の絶縁層４２と第２のシールド６０（後述）とを接着している。この第５の接着層４３は、例えばポリエステルからなる熱可塑性の接着剤で構成されている。
【００３１】
ここで、第２の絶縁体４０の厚さＨ０は、第４の接着層４１の厚さと、第３の絶縁層４２の厚さと、第５の接着層４３の厚さと、を加算した厚さであり、第１の絶縁体３０の第１の厚さＨ１と実質的に同一となっている（Ｈ０≒Ｈ１）。
【００３２】
第１のシールド５０は、図２及び図３に示すように、導電体２０を電気的に遮へいしており、第１の絶縁体３０を介して導電体２０に積層されている。なお、第１のシールド５０は、第１の主面２１側から導電体２０の全体（本体部１１と端末部１２の全て）を電気的に遮へいするように、第１の絶縁体３０の全体（本体部１１と端末部１２の全て）に亘って積層されている。この第１のシールド５０は、テープ状となっており、第１のシールド導電層５１と、第１のシールド絶縁層５２と、を有している。
【００３３】
第１のシールド導電層５１は、図２及び図３に示すように、第１の絶縁体３０の第３の接着層３５に積層されている。この第１のシールド導電層５１は、例えばアルミニウム箔、銅箔や錫メッキ等の導電性を有する材料で構成されている。
【００３４】
第１のシールド絶縁層５２は、第１のシールド導電層５１に積層されている。この第１のシールド絶縁層５２は、例えばポリエチレンテレフタレート等の可撓性及び絶縁性を有する材料で構成されている。
【００３５】
このように、本実施形態におけるフラットケーブル１０では、端末部１２を含むフラットケーブル１０の全体に亘って第１のシールド５０が積層されているので、導電体２０が発生するノイズによる電磁障害（EMI:electromagnetic interference）を抑制することができる。
【００３６】
第２のシールド６０は、図２及び図３に示すように、本体部１１における導電体２０を電気的に遮へいしており、第２の絶縁体４０を介して導電体２０に積層されている。この第２のシールド６０は、テープ状となっており、第２のシールド導電層６１と、第２のシールド絶縁層６２と、を有している。
【００３７】
第２のシールド導電層６１は、図２及び図３に示すように、第２の絶縁体４０の第５の接着層４３に積層されている。この第２のシールド導電層６１は、例えばアルミニウム箔、銅箔や錫メッキ等の導電性を有する材料で構成されている。
【００３８】
第２のシールド絶縁層６２は、第２のシールド導電層６１に積層されている。この第２のシールド絶縁層６２は、例えばポリエチレンテレフタレート等の可撓性及び絶縁性を有する材料で構成されている。
【００３９】
次に、本実施形態におけるフラットケーブル１０の作用について説明する。
【００４０】
図４は本実施形態の作用を説明するフラットケーブルの概略断面図、図５は本実施形態におけるフラットケーブルの変形例を示す断面図である。
【００４１】
フラットケーブル１０の本体部１１では、図４に示すように、導電体２０が第１及び第２の主面２１,２２から第１及び第２の絶縁体３０,４０を介して第１及び第２のシールド５０,６０で挟み込まれており、伝送線路の構造がストリップラインとなっている。一方、フラットケーブル１０の端末部１２では、同図に示すように、導電体２０が第２の絶縁体４０及び第２のシールド６０から露出しており、伝送線路の構造がマイクロストリップラインとなっている。ここで、ストリップライン（本体部１１）のインピーダンスＺ１については、下記（１）式で求めることができ、マイクロストリップライン（端末部１２）のインピーダンスＺ２については、下記（２）式で求めることができる。
【００４２】
【数１】
2011146270.tif 000003
【数２】
2011146270.tif 000004
なお、上記（１）式及び（２）式において、Ｈ１は本体部１１における第１の絶縁体３０の第１の厚さであり、Ｈ２は端末部１２における第１の絶縁体３０の第２の厚さであり、Ｔは導電体２０（例えば平角軟銅線）の厚さであり、Ｗは導電体２０（例えば平角軟銅線）の幅であり、Ｅｒは第１及び第２の絶縁体３０,４０の比誘電率である。
【００４３】
ここで、例えばインピーダンスが５０Ωの高周波回路にフラットケーブル１０を接続させる場合には、第１の接着層３１の厚さｈ１の一例として２０μｍ、第１の絶縁層３２の厚さｈ２の一例として１４２μｍ、第２の接着層３３の厚さｈ３の一例として２５μｍ、第２の絶縁層３４の厚さｈ４の一例として１３０μｍ、第３の接着層３５の厚さｈ５の一例として３μｍを挙げることができる。この場合には、第１の絶縁体３０の第１の厚さＨ１（Ｈ１＝ｈ１＋ｈ２＋ｈ３＋ｈ４+ｈ５）は３２０μｍとなり、第１の絶縁体３０の第２の厚さＨ２（Ｈ２＝ｈ１＋ｈ２+ｈ５）は１６５μｍとなる。
【００４４】
なお、第４の接着層４１の厚さの一例として２０μｍ、第３の絶縁層４２の厚さの一例として２９７μｍ、第５の接着層４３の厚さの一例として３μｍを挙げることができる。この場合には、第２の絶縁体４０の厚さＨ０は、３２０μｍとなり、第１の絶縁体３０の第１の厚さＨ１と同一となる（Ｈ０＝Ｈ１）。
【００４５】
また、導電体２０の厚さＴの一例として３５μｍ、導電体２０の幅Ｗの一例として３００μｍ、第１及び第２の絶縁体３０,４０の比誘電率Ｅｒの一例として３．４を挙げることができる。この場合における本体部１１のインピーダンスＺ１は、上記（１）式より５０．１Ωとなり、端末部１２のインピーダンスＺ２は、上記（２）式より５０．７Ωとなる。このように、上記一例におけるフラットケーブル１０では、高周波回路とフラットケーブル１０全体のインピーダンスが整合していると共に、フラットケーブル１０内のインピーダンスＺ１,Ｚ２が実質的に同一となっており（Ｚ１≒Ｚ２）、高周波信号に対する伝送特性に優れている。
【００４６】
ここで仮に、端末部１２における第１の絶縁体３０の第２の厚さＨ２を、３２０μｍとし（例えば、端末部１２にも第２の接着層３３と第２の絶縁層３４とを積層する。）、本体部１１における第１の絶縁体３０の第１の厚さＨ１と同一とすると、端末部１２のインピーダンスＺ２´は、約７７Ωとなり、高周波回路のインピーダンス（５０Ω）や本体部１１のインピーダンスＺ１（５０．１Ω）と大きく相違してしまう。
【００４７】
これに対し、本実施形態におけるフラットケーブル１０では、図３に示すように、端末部１２における第１の絶縁体３０の第２の厚さＨ２が、本体部１１における第１の絶縁体３０の第１の厚さＨ１よりも相対的に薄くなっているので、端末部１２のインピーダンスＺ２を、本体部１１と端末部１２における第１の絶縁体３０の厚さＨ１,Ｈ２が同一である場合の端末部１２のインピーダンスＺ２´よりも小さくすることができ、フラットケーブル１０内におけるインピーダンスＺ１,Ｚ２を整合させることができる。これにより、フラットケーブル１０の高周波信号に対する伝送特性を向上させることができる。
【００４８】
また、本実施形態におけるフラットケーブル１０では、端末部１２における第１の絶縁体３０には１層の絶縁層３２が積層され、本体部１１における第１の絶縁体３０には２層の絶縁層３２,３４が積層さている。また、この第１の絶縁体３０には、これらの絶縁層３２,３４を積層するために接着層３１,３３,３５が積層されている。すなわち、端末部１２における第１の絶縁体３０が３層で構成されているのに対し、本体部１１における第１の絶縁体３０は５層で構成されている。
これにより、第２の厚さＨ２が第１の厚さＨ１よりも薄くなり、インピーダンスＺ１,Ｚ２が整合している。
【００４９】
本実施形態では、このようにフラットケーブル１０内のインピーダンスＺ１,Ｚ２の整合に際して、本体部１１と端末部１２とで絶縁層の数を相違させればよく、インピーダンスＺ１,Ｚ２の整合が容易である。
【００５０】
なお、本実施形態におけるフラットケーブル１０では、端末部１２における第１の絶縁体３０に１層の絶縁層３２が積層され、本体部１１における第１の絶縁体３０に２層の絶縁層３２,３４が積層されているが、特に限定されず、端末部１２における第１の絶縁体３０の絶縁層と、第１の絶縁体３０の本体部１１における絶縁層と、をそれぞれ２層以上としてもよい。例えば、端末部１２における第１の絶縁体３０に２層の絶縁層を積層し、本体部１１における第１の絶縁体３０に３層或いは４層以上の絶縁層を積層してもよい。
【００５１】
また、本実施形態におけるフラットケーブル１０では、第１の絶縁体３０において、端末部１２の絶縁層の数を、本体部１１の絶縁層の数よりも相対的に少なくしているが、特に限定されず、端末部１２の絶縁層の数を、本体部１１の絶縁層の数よりも相対的に多くし、端末部１２の第２の厚さＨ２を、本体部１１の第１の厚さＨ１よりも相対的に厚くしてもよい。
【００５２】
また、本実施形態では、第１及び第２の絶縁体３０,４０の両方に第１及び第２のシールド５０,６０が積層されているが、特に限定されず、図５に示すように、第１の絶縁体３０のみに第１のシールド５０を積層してもよい。
【００５３】
このように、第２のシールド６０が積層されていない構成であっても、本体部１１に第２の絶縁体４０が積層されていることで、本体部１１と端末部１２とにおいて、インピーダンスＺ１,Ｚ２が不整合となる場合がある。このような場合に、第１の絶縁体３０において、第２の厚さＨ２を第１の厚さＨ１よりも相対的に薄くすることで、フラットケーブル１０内のインピーダンスＺ１,Ｚ２の整合を図ることができ、高周波信号に対する伝送特性を向上させることができる。
【００５４】
<<第２実施形態>>
次に、第２実施形態について説明する。
【００５５】
図６は本実施形態におけるフラットケーブルの断面図、図７は図６のVII部の拡大断面図である。
【００５６】
本実施形態におけるフラットケーブル１０ａは、第１の絶縁体７０の構成において第１実施形態と相違するが、それ以外の構成は、第１実施形態と同様である。以下に、第１実施形態と相違する点についてのみ説明し、第１実施形態と同様の構成である部分については同一の符号を付して説明を省略する。
【００５７】
本実施形態における第１の絶縁体７０は、第６の接着層７１と、第４の絶縁層７２と、第７の接着層７３と、を有している。
【００５８】
第６の接着層７１は、導電体２０と第４の絶縁層７２（後述）を接着しており、導電体２０の第１の主面２１において、フラットケーブル１０ａの全体（本体部１１及び端末部１２）に亘って積層されている。この第６の接着層７１は、例えばポリエステルからなる熱可塑性の接着剤で構成されている。なお、本実施形態において、第６の接着層７１の厚さをｈ６とする。
【００５９】
第４の絶縁層７２は、第６の接着層７１に積層されている。この第４の絶縁層７２は、例えばポリエチレンテレフタレート等の可撓性及び絶縁性を有する材料で構成されている。
【００６０】
この第４の絶縁層７２は、端末部１２における厚さｈ８が本体部１１における厚さｈ７よりも相対的に薄くなっている（ｈ８＜ｈ７）。このような第４の絶縁層７２は、例えば、第４の絶縁層７２となる材料の塗布（積層）に際して、端末部１２の塗布回数を本体部１１の塗布回数よりも相対的に少なくすることで形成することができる。
【００６１】
第７の接着層７３は、第４の絶縁層７２と第１のシールド５０とを接着しており、第４の絶縁体７２の全体（本体部１１及び端末部１２）に亘って積層されている。この第７の接着層７３は、例えばポリエステルからなる熱可塑性の接着剤で構成されている。なお、本実施形態において、第７の接着層７３の厚さをｈ９とする。
【００６２】
以上のように、本実施形態におけるフラットケーブル１０ａでは、端末部１２における第１の絶縁体７０の第４の厚さＨ４（Ｈ４＝ｈ６＋ｈ８+ｈ９）が、本体部１１における第１の絶縁体７０の第３の厚さＨ３（Ｈ３＝ｈ６＋ｈ７+ｈ９）よりも相対的に薄くなっている（Ｈ４＜Ｈ３）。
【００６３】
ここで、本実施形態においても、第１実施形態と同様に、フラットケーブル１０ａの本体部１１がストリップラインとなっており、フラットケーブル１０ａの端末部１２がマイクロストリップラインとなっている。また、本体部１１（ストリップライン）のインピーダンスＺ３については、下記（３）式で求めることができ、端末部１２（マイクロストリップライン）のインピーダンスＺ４については、下記（４）式で求めることができる。
【００６４】
【数３】
2011146270.tif 000005
【数４】
2011146270.tif 000006
なお、上記（３）式及び（４）式において、Ｈ３は本体部１１における第１の絶縁体７０の第３の厚さであり、Ｈ４は端末部１２における第１の絶縁体７０の第４の厚さである。
【００６５】
ここで、例えばインピーダンスが５０Ωの高周波回路にフラットケーブル１０ａを接続させる場合には、第６の接着層７１の厚さｈ６の一例として２０μｍ、本体部１１における第４の絶縁層７２の厚さｈ７の一例として２９７μｍ、端末部１２における第４の絶縁層７２の厚さｈ８の一例として１４２μｍ、第７の接着層７３の厚さｈ９の一例として３μｍをあげることができる。このような場合には、本体部１１における第１の絶縁体７０の第３の厚さＨ３が３２０μｍとなり、端末部１２における第１の絶縁体７０の第４の厚さＨ４が１６５μｍとなる。
【００６６】
また、上記（３）式及び（４）式により、本体部１１のインピーダンスＺ３は５０．１Ωとなり、端末部１２のインピーダンスＺ４は５０．７Ωとなる。このように、上記一例におけるフラットケーブル１０では、高周波回路とフラットケーブル１０ａ全体のインピーダンスが整合していると共に、インピーダンスＺ３,Ｚ４が実質的に同一となっており（Ｚ３≒Ｚ４）、高周波信号に対する伝送特性に優れている。
【００６７】
このように、本実施形態においても、端末部１２における第２の絶縁体７０の第４の厚さＨ４が、本体部１１における第２の絶縁体７０第３の厚さＨ３よりも相対的に薄くなっていることで、インピーダンスＺ３,Ｚ４の整合を図ることができ、フラットケーブル１０ａの高周波信号に対する伝送特性が向上する。
【００６８】
なお、本実施形態では、第４の絶縁層７２の厚さｈ７,ｈ８が、本体部１１と端末部１２とで相違しているが、第６の接着層７１の厚さを、本体部１１と端末部１２とで相違させてもよい。例えば、端末部１２における第６の接着層７１の厚さが、本体部１１における第６の接着層７１の厚さよりも相対的に薄くなっていてもよい。このようにして、端末部１２における第１の絶縁体７０の第４の厚さＨ４を、本体部１１における第１の絶縁体７０の第３の厚さＨ３よりも相対的に薄くしてもよい。
【００６９】
なお、以上に説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【００７０】
１０,１０ａ…フラットケーブル
１１…本体部
１２…端末部
２０…導電体
３０,４０,７０…絶縁体
３２,３４,４２,７２…絶縁層
３１,３３,３５,４１,４３,７１,７３…接着層
５０,６０…シールド
５１,６１…シールド導電層
５２,６２…シールド絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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