(57)【要約】【課題】偏波モード分散を低減させた光ファイパテープ心線を提供すること。【解決手段】本発明にかかる光ファイバテープ心線１０は、複数の光ファイバ２０を並列させ、光ファイバ２０の周囲を被覆により一体化した光ファイバテープ心線において、光ファイバテープ心線１０の長手方向と垂直な断面において、被覆１４は、隣り合う光ファイバ２０間に対応する外表面にスリットＳを備える。これにより、水平方向の応力を分断して水平方向と垂直方向との応力差を低減し、偏波モード分散を低減する。【選択図】図１
2011022477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光ファイバを並列させ、前記光ファイバの周囲を被覆により一体化した光ファイバテープ心線であって、
前記光ファイバテープ心線の長手方向と垂直な断面において、前記被覆は、隣り合う前記光ファイバ間に対応する外表面に溝を備えることを特徴とする光ファイバテープ心線。
【請求項２】
前記光ファイバテープ心線の前記断面において、前記光ファイバの中心を通り、かつ、光ファイバの並列方向と垂直な線上において前記被覆の厚さｔが２〔μｍ〕≦ｔ≦２０〔μｍ〕であって、
前記溝の前記線上における前記光ファイバの外表面位置と同じ高さから最深部までの深さＬ〔μｍ〕および前記光ファイバの表面位置と同じ高さから前記深さＬの０．７倍の深さにおける前記溝の幅ｗ〔μｍ〕は、
0.0021ｗ2−0.525ｗ＋53.73≦Ｌ≦0.0057ｗ2−1.256ｗ＋99.25
の関係を満たすとともに、２５〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕、５〔μｍ〕≦ｗ≦８０〔μｍ〕であることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバテープ心線。
【請求項３】
前記深さＬ〔μｍ〕は、４０〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕の範囲内にあり、前記幅ｗ〔μｍ〕は、５〔μｍ〕≦ｗ≦６０〔μｍ〕の範囲内にあることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバテープ心線。
【請求項４】
前記深さＬ〔μｍ〕は、４５〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕の範囲内にあり、前記幅ｗ〔μｍ〕は、５〔μｍ〕≦ｗ≦２０〔μｍ〕の範囲内にあることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバテープ心線。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の光ファイバを並列させ、光ファイバの周囲を被覆により一体化した光ファイバテープ心線に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のインターネット利用者の増加を一因とする通信量の急増にともない、光ファイバ通信における速度の高速化が求められている。このような４０Ｇｂｐｓ以上の高速通信を行なう長距離伝送では、伝送路である光ファイバ中に生じる偏波モード分散（ＰＭＤ：Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｍｏｄｅ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ）による信号劣化が大きな問題となる。このＰＭＤの発生する原因のひとつは、光ファイバに加えられる不均一な応力であることが知られている。
【０００３】
ここで、従来の光ファイバテープ心線について説明する。図２９および図３０は、従来の光ファイバテープ心線の長手方向と垂直な断面を示す断面図である。以降の図では、横方向を光ファイバの並列方向（水平方向）とし、縦方向を光ファイバの並列方向と垂直な方向（垂直方向）として説明する。図２９に示すように、従来の光ファイバテープ心線１００は、複数の光ファイバ１０４を互いの側面が接する（ｋ＝０）ように配置して、その上に一括して被覆１０５を形成したものがある（例えば、特許文献１〜３参照）。また、図３０に示す光ファイバテープ心線１０１のように、複数の光ファイバ１０４の側面を所定間ｋだけ隔離させて配置し、それらの上に被覆１０５を形成したものも提案されている（例えば、特許文献４〜７参照）。
【０００４】
このような光ファイバテープ心線１００，１０１においては、複数の光ファイバを一括被覆してテープ状に形成することから被覆１０５が、垂直方向よりも水平方向に多く存在することになるため、１本の光ファイバに対して垂直方向よりも水平方向に大きな応力が生じる。この結果、水平方向の応力と垂直方向の応力との応力差が生じ、ＰＭＤが大きくなるという問題があった。なお、被覆１０５により生じる応力は、たとえば、被覆１０５を押出被覆した後に該被覆１０５が硬化する際の硬化収縮等により生じるものである。また、光ファイバテープ心線１００、１０１のうち、被覆１０５が光ファイバ１０４の側面にのみに存在する光ファイバ（両端以外の光ファイバ）は、特に水平方向と垂直方向の応力差が生じやすくＰＭＤが大きくなりやすい。
【０００５】
光ファイバテープ心線１０１のように、光ファイバ１０４間に間隔を離して被覆材を入れて緩衝材の役目をさせ、水平方向と垂直方向の応力差を小さくすることでＰＭＤの悪化を抑制することができるが、細いケーブルに多くの光ファイバを実装するためには、光ファイバテープ心線の大きさは小さい方が好ましく、この方法でＰＭＤを減少するのには限界があった。
【０００６】
そこで、図３１に示す光ファイバテープ心線１１０のように、隣り合う光ファイバ１１１の間のくぼみに応じて被覆１１２に凹部１１６を形成することによって、ＰＭＤを低減した光ファイバテープ心線が提案されている（例えば、特許文献８参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−３１１７２６号公報
【特許文献２】特開２０００−２４１６８５号公報
【特許文献３】特開２００２−３４１２０１号公報
【特許文献４】特開平５−８０２３８号公報
【特許文献５】特開２００１−２０８９４４号公報
【特許文献６】特開２００２−２５０８５０号公報
【特許文献７】特開平４−２６８５２２号公報
【特許文献８】特許第３６６４２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
光ファイバ通信におけるさらなる高速化、高密度化に伴い、さらなるＰＭＤの低減が望まれてきている。図３１に示す光ファイバテープ心線１１０においても、なお水平方向と垂直方向に存在する被覆の量に差があり、ＰＭＤの低減は不十分であった。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、偏波モード分散を低減させた光ファイパテープ心線を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる光ファイバテープ心線は、  複数の光ファイバを並列させ、前記光ファイバの周囲を被覆により一体化した光ファイバテープ心線であって、前記光ファイバテープ心線の長手方向と垂直な断面において、前記被覆は、隣り合う前記光ファイバ間に対応する外表面に溝を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、この発明にかかる光ファイバテープ心線は、前記光ファイバテープ心線の前記断面において、前記光ファイバの中心を通り、かつ、光ファイバの並列方向と垂直な線上において前記被覆の厚さｔが２〔μｍ〕≦ｔ≦２０〔μｍ〕であって、前記溝の前記線上における前記光ファイバの外表面位置と同じ高さから最深部までの深さＬ〔μｍ〕および前記光ファイバの表面位置と同じ高さから前記深さＬの０．７倍の深さにおける前記溝の幅ｗ〔μｍ〕は、0.0021ｗ2−0.525ｗ＋53.73≦Ｌ≦0.0057ｗ2−1.256ｗ＋99.25の関係を満たすとともに、２５〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕、５〔μｍ〕≦ｗ≦８０〔μｍ〕であることを特徴とする。
【００１２】
また、この発明にかかる光ファイバテープ心線は、前記深さＬ〔μｍ〕は、４０〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕の範囲内にあり、前記幅ｗ〔μｍ〕は、５〔μｍ〕≦ｗ≦６０〔μｍ〕の範囲内にあることを特徴とする。
【００１３】
また、この発明にかかる光ファイバテープ心線は、前記深さＬ〔μｍ〕は、４５〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕の範囲内にあり、前記幅ｗ〔μｍ〕は、５〔μｍ〕≦ｗ≦２０〔μｍ〕の範囲内にあることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、複数の光ファイバの周囲を被覆により一体化した光ファイバテープ心線において、被覆は、表面が水平となるように形成されるとともに隣り合う光ファイバ間に対応する表面領域に溝を有するため、水平方向の応力を分断して水平方向と垂直方向との応力差を低減することができ、偏波モード分散を低減することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、実施の形態１にかかる光ファイバテープ心線の断面図である。
【図２】図２は、図１に示す領域Ａの拡大図である。
【図３】図３は、内側ファイバにおける水平方向の応力、垂直方向の応力とスリット深さとの関係を示す図である。
【図４】図４は、外側ファイバにおける水平方向の応力、垂直方向の応力とスリット深さとの関係を示す図である。
【図５】図５は、図３および図４に示す内側ファイバおよび外側ファイバにおける水平方向と垂直方向の応力差と、スリット深さとの関係を示す図である。
【図６】図６は、図５の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図７】図７は、被覆の厚さを２０〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を２０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図８−１】図８−１は、被覆の厚さを２０〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を５〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図８−２】図８−２は、被覆の厚さを２０〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を１０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図８−３】図８−３は、被覆の厚さを２０〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を４０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図８−４】図８−４は、被覆の厚さを２０〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を６０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図８−５】図８−５は、被覆の厚さを２０〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を８０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図９−１】図９−１は、被覆の厚さを１５〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を５〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図９−２】図９−２は、被覆の厚さを１５〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を２０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図９−３】図９−３は、被覆の厚さを１５〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を４０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図９−４】図９−４は、被覆の厚さを１５〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を６０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図９−５】図９−５は、被覆の厚さを１５〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を８０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１０−１】図１０−１は、被覆の厚さを１０〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を５〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１０−２】図１０−２は、被覆の厚さを１０〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を１０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１０−３】図１０−３は、被覆の厚さを１０〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を２０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１０−４】図１０−４は、被覆の厚さを１０〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を４０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１０−５】図１０−５は、被覆の厚さを１０〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を６０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１０−６】図１０−６は、被覆の厚さを１０〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を８０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１１−１】図１１−１は、被覆の厚さを５〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を５〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１１−２】図１１−２は、被覆の厚さを５〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を１０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１１−３】図１１−３は、被覆の厚さを５〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を２０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１１−４】図１１−４は、被覆の厚さを５〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を４０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１１−５】図１１−５は、被覆の厚さを５〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を６０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１１−６】図１１−６は、被覆の厚さを５〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を８０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１２−１】図１２−１は、被覆の厚さを２〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を５〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１２−２】図１２−２は、被覆の厚さを２〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を１０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１２−３】図１２−３は、被覆の厚さを２〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を２０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１２−４】図１２−４は、被覆の厚さを２〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を４０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１２−５】図１２−５は、被覆の厚さを２〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を６０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１２−６】図１２−６は、被覆の厚さを２〔μｍ〕、各スリットのスリット幅を８０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図１３】図１３は、応力差が最も０に近い値となるスリット幅とスリット深さとの組み合わせをそれぞれ対応づけて示す図である。
【図１４】図１４は、実施の形態１におけるスリット幅とスリット深さとの組み合わせの範囲を示す図である。
【図１５】図１５は、実施の形態１におけるスリット幅とスリット深さとの組み合わせの他の範囲を示す図である。
【図１６】図１６は、実施の形態１におけるスリット幅とスリット深さとの組み合わせの他の範囲を示す図である。
【図１７】図１７は、実施の形態２にかかる光ファイバテープ心線の断面図である。
【図１８】図１８は、図１７における領域Ｂの拡大図である。
【図１９】図１９は、被覆の水平方向の厚さが２０〔μｍ〕であって垂直方向の厚さが１２．５〔μｍ〕であって、各スリットのスリット幅を２０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図２０−１】図２０−１は、被覆の水平方向の厚さが２０〔μｍ〕であって垂直方向の厚さが１２．５〔μｍ〕であって各スリットのスリット幅を５〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図２０−２】図２０−２は、被覆の水平方向の厚さが２０〔μｍ〕であって垂直方向の厚さが１２．５〔μｍ〕であって各スリットのスリット幅を１０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図２０−３】図２０−３は、被覆の水平方向の厚さｘ２０〔μｍ〕であって垂直方向の厚さが１２．５〔μｍ〕であって各スリットのスリット幅を４０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図２０−４】図２０−４は、被覆の水平方向の厚さｘ２０〔μｍ〕であって垂直方向の厚さが１２．５〔μｍ〕であって各スリットのスリット幅を６０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図２０−５】図２０−５は、被覆の水平方向の厚さｘ２０〔μｍ〕であって垂直方向の厚さが１２．５〔μｍ〕であって各スリットのスリット幅を８０〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図２１】図２１は、被覆の水平方向の厚さｘが２０〔μｍ〕であって垂直方向の厚さｙが１２．５〔μｍ〕であって各スリットのスリット幅を２０〔μｍ〕としスリットＳ２のスリット深さＬ２を４７．５〔μｍ〕とした場合の光ファイバの位置と、水平方向と垂直方向の応力差を示す図である。
【図２２】図２２は、実施の形態１，２にかかる光ファイバテープ心線の他の例の断面図である。
【図２３】図２３は、実施の形態１，２にかかる光ファイバテープ心線の他の例の断面図である。
【図２４】図２４は、実施の形態１，２にかかる光ファイバテープ心線の他の例の断面図である。
【図２５】図２５は、実施の形態１，２にかかる光ファイバテープ心線の他の例の断面図である。
【図２６】図２６は、実施の形態１，２にかかる光ファイバテープ心線の他の例の断面図である。
【図２７】図２７は、実施の形態１，２にかかる光ファイバテープ心線の他の例の断面図である。
【図２８】図２８は、実施の形態１，２にかかる光ファイバテープ心線の他の例の断面図である。
【図２９】図２９は、従来の光ファイバテープ心線断面図である。
【図３０】図３０は、従来の光ファイバテープ心線断面図である。
【図３１】図３１は、従来の光ファイバテープ心線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明にかかる実施の形態である光ファイバテープ心線について説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、各層の厚みと幅との関係、各層の比率などは、現実と異なることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
【００１７】
（実施の形態１）
まず、実施の形態にかかる光ファイバテープ心線について説明する。図１は、本実施の形態１にかかる光ファイバテープ心線の長手方向と垂直な断面の断面図である。なお、図１、図２、および図１７、図１８においては、４本の光ファイバ２０の並列方向をｘ方向、すなわち、水平方向とし、光ファイバ２０の並列方向と垂直な方向をｙ方向、すなわち垂直方向として説明する。
【００１８】
図１に示すように、本実施の形態１にかかる光ファイバテープ心線１０は、二以上の光ファイバ２０を並列し、これら並列した光ファイバ２０の外周の全体を被覆１４で覆い一体化したものである。なお、図１では、一例として４本の光ファイバ２０を用いた光ファイバテープ心線１０を例示している。
【００１９】
光ファイバ２０は、石英製のガラス光ファイバと、該ガラス光ファイバの外周を覆う被覆層からなる。被覆層は軟質のプライマリ１２と、該プライマリ１２の上に被覆された硬質のセカンダリ１３によって形成される。プライマリ１２、セカンダリ１３としては、紫外線硬化型樹脂が一般的に用いられる。各光ファイバ２０は、所定間隔で一列に配置される。
【００２０】
被覆１４は、紫外線硬化型樹脂からなる。また、被覆１４は、紫外線硬化型樹脂のほか、熱可塑性樹脂膜または熱硬化性樹脂を用いて形成してもよい。
【００２１】
被覆１４は、光ファイバ２０の長手方向と垂直な断面において、隣り合う前記光ファイバ間に対応する外表面にスリットＳを備える。図１に示す例においては、４本の光ファイバ２０が並列配置されていることから、各光ファイバ２０間の上部表面および下部表面のそれぞれに３箇所にスリットＳが設けられている。
【００２２】
このようにすることで、被覆１４の水平方向の連続性を断ち切ることができ、一括被覆時に被覆１４の硬化収縮があっても、水平方向の応力Ｓｘを従来における水平方向の応力Ｓｘ０よりも格段に低くできる。これにより、水平方向と垂直方向の応力差を小さくすることができ、ＰＭＤを低減することができる。
【００２３】
次に、光ファイバテープ心線１０のスリットＳの形状によって光ファイバテープ心線１０の水平方向の応力および垂直方向の応力がどのように変化するかを解析した。なお、本明細書において、図１の領域Ａの拡大図である図２に示すように、被覆１４の厚さをｔ〔μｍ〕とは、光ファイバの中心を通る垂直方向の直線上における被覆１４の厚さ（垂直方向の厚さ）とする。また、スリット深さＬ〔μｍ〕とは、スリットの光ファイバの中心を通る垂直方向の直線上における前記光ファイバの外表面位置と同じ高さから最深部までの深さとする。さらに、スリット幅ｗ〔μｍ〕とは、スリット深さＬの０．７倍の深さにおける幅とする。
【００２４】
なお、実施の形態１においては、両端に位置する光ファイバ２０の光ファイバ２０の中心を通る水平方向の直線上における被覆１４の厚さ（水平方向の厚さ）も、上記被覆１４の垂直方向の厚さｔ〔μｍ〕と同じ厚さｔで被覆１４が形成されている。
【００２５】
実際に、光ファイバテープ心線１０の被覆１４表面にスリットＳを形成する場合、切り込み部分の角が丸くなったり変形したりすることが多いため、スリット幅が深さ方向に対してほぼ安定して同じ幅になるスリットＳ深さＬの０．７倍の深さにおける幅をスリット幅ｗ〔μｍ〕としている。また、光ファイバテープ心線１０の内側２本の光ファイバ２０を内側ファイバとし、その両端の光ファイバ２０を外側ファイバと称する。
【００２６】
また、解析においては、ガラス光ファイバ１１、プライマリ１２、セカンダリ１３および被覆１４のヤング率、ポアソン比、収縮率および外径として、表１に示す各数値を用いている。各応力の単位は、ＭＰａである。なお、光ファイバの種類としては、ＩＴＵ−Ｔ（国際電気通信連合）Ｇ．６５２準拠のＳＭＦファイバを用いた。
【００２７】
【表１】
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【００２８】
まず、被覆１４の厚さｔを１５〔μｍ〕、各スリットＳのスリット幅ｗを１０〔μｍ〕とし、スリット深さＬを３５〜７５〔μｍ〕に変化させた場合の水平方向応力Ｓｘおよび垂直方向応力Ｓｙを解析した。結果を図３、図４に示す。図３は、内側ファイバにおける水平方向応力Ｓｘ、垂直方向応力Ｓｙとスリット深さＬとの関係を示す図であり、図４は、外側ファイバにおける水平方向応力Ｓｘ、垂直方向応力Ｓｙとスリット深さＬとの関係を示す図である。なお、縦軸の応力においては、負の方向は圧縮方向に対応し、正の方向は引っ張り方向に対応する。
【００２９】
図３、図４に示すように、内側ファイバおよび外側ファイバのいずれにも圧縮応力がかかっている。また、内側ファイバおよび外側ファイバのいずれにおいても、スリット深さＬが深くなるにしたがって、水平方向応力Ｓｘが引っ張り方向に進み、相対的に垂直方向応力Ｓｙが圧縮方向に進む。さらにスリット深さＬを深くすると、水平方向応力Ｓｘと垂直方向応力Ｓｙとが交差した後も、そのまま、水平方向応力Ｓｘは引っ張り方向に進み、垂直方向応力Ｓｙは圧縮方向に進む。そして、内側ファイバおよび外側ファイバのそれぞれの水平方向応力Ｓｘと垂直方向応力Ｓｙが交差するスリット深さＬでは、各々の光ファイバ２０の水平方向応力Ｓｘと垂直方向応力Ｓｙとの応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が理論上０になる。
【００３０】
図５に、図３および図４に示す内側ファイバおよび外側ファイバにおける各応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と、スリット深さＬとの関係を示す。なお、図６および以降の図７〜図１２−６、図１９〜図２０−５、図２１におけるファイバ位置は、図１の左から数えた場合の位置番号に対応し、内側ファイバはファイバ位置「２」，「３」となり、外側ファイバはファイバ位置「１」，「４」となる。  
【００３１】
ここで、理想的にＰＭＤが０になるスリット深さＬは、内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と、外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）との交点が０になる場合である。しかしながら、実際には、内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と、外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）との交点が完全に０になることはほとんどない。このため、内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と、外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）との絶対値が最も０に近い値で等しくなるときに、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を最小にでき、被覆１４の硬化収縮に起因するＰＭＤを最小とすることができる。
【００３２】
図５に示す場合においては、スリット深さがＬ＝５５．８〔μｍ〕である場合に、内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と、外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）との絶対値が最も０に近い値で等しくなる。
【００３３】
実際に、図５に示す各スリット深さごとに各光ファイバ位置の応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を解析した。図６は、各ファイバ位置における応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を示し、図６（１）は、スリット深さＬ＝３５〔μｍ〕である場合であり、図６（２）は、スリット深さＬ＝４５〔μｍ〕である場合であり、図６（３）は、スリット深さＬ＝５０〔μｍ〕である場合であり、図６（４）は、スリット深さＬ＝５５〔μｍ〕である場合であり、図６（５）は、スリット深さＬ＝６０〔μｍ〕である場合であり、図６（６）は、スリット深さＬ＝６５〔μｍ〕である場合である。
【００３４】
図６（１）〜（６）に示すように、内側ファイバと外側ファイバの応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）は、スリット深さＬが深くなるにしたがって、符号がマイナスからプラスに変化することから、内側ファイバと外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値が最も０に近い値で等しくなるスリット深さがある。そして、図５で説明したように、内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と、外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）との絶対値が最も０に近い値で等しくなる付近のスリット深さがＬ＝５５〔μｍ〕の場合には、いずれの位置の光ファイバ２０においても、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）がほぼ０に近い値となり、被覆１４の硬化収縮に起因するＰＭＤを確実に最小化することができる。したがって、被覆１４の厚さｔが１５〔μｍ〕であって、各スリットＳのスリット幅ｗを１０〔μｍ〕とした場合においては、スリット深さをＬ＝５５〔μｍ〕に設定することが好ましい。
【００３５】
図３〜図６においては、被覆１４の厚さｔが１５〔μｍ〕であって、各スリットＳのスリット幅ｗを１０〔μｍ〕とした場合におけるスリット深さＬを検討したが、もちろんこれに限らず、被覆１４の厚さｔが１５〔μｍ〕と異なる厚さである場合も同様に、スリットＳのスリット深さＬおよびスリット幅ｗを設定すればよい。
【００３６】
たとえば、被覆１４の厚さｔが２０〔μｍ〕であって、各スリットＳのスリット幅ｗを２０〔μｍ〕とした場合について検討する。図７は、被覆１４の厚さｔが２０〔μｍ〕であって、各スリットＳのスリット幅ｗを２０〔μｍ〕とした場合の応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を示す図であり、図７（ａ）は、スリット深さＬを２５〜６０〔μｍ〕に変化させた場合における各ファイバ位置の応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を示し、図７（ｂ）は、内側ファイバおよび外側ファイバにおける各応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）とスリット深さＬとの関係を示す。この場合には、図７（ｂ）に示すように、スリット深さＬが４４〔μｍ〕の場合に、内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値がほぼ０に近い値で等しくなり、図７（ａ）に示すように、このスリット深さＬに最も近い深さであるＬ＝４５〔μｍ〕で、いずれの位置の光ファイバ２０においても、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）がほぼ０に近い値となった。
【００３７】
また、被覆１４の厚さｔが２０〔μｍ〕であって、スリット幅を別の値とした場合についても、同様に解析することができる。図８−１は、各スリットＳのスリット幅ｗを５〔μｍ〕、図８−２は、スリット幅ｗを１０〔μｍ〕、図８−３は、スリット幅ｗを４０〔μｍ〕、図８−４は、スリット幅ｗを６０〔μｍ〕、図８−５は、スリット幅ｗを８０〔μｍ〕とした場合を示す。そして、図８−１〜図８−５の各（ａ）図は、各スリット深さＬにおける各ファイバ位置における応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を示し、各（ｂ）図は、内側ファイバおよび外側ファイバにおける各応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）とスリット深さＬとの関係を示す。
【００３８】
図８−１〜図８−５に示すように、各スリットＳのスリット幅ｗを５〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが５１．５〔μｍ〕、スリット幅ｗを１０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが４８．３〔μｍ〕、スリット幅ｗを４０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが３６．２〔μｍ〕、スリット幅ｗを６０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが２９．８〔μｍ〕、スリット幅ｗを８０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが２５．１〔μｍ〕の場合に内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値がほぼ０に近い値で等しくなった。このように、各スリット幅ｗごとに、それぞれ応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）がほぼ０に近い値となるスリット深さＬを求めることができる。
【００３９】
また、図９−１〜図９−５に示すように、被覆１４の厚さｔを１５〔μｍ〕とした場合についても、各スリット幅ｗについて、それぞれ応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）がほぼ０に近い値となるスリット深さＬを求めた。なお、前述した図３〜図６において、スリット幅ｗが１０〔μｍ〕である場合には、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）がほぼ０に近い値となるスリット深さＬとして５５．８〔μｍ〕が得られているため、それ以外のスリット幅ｗとした場合について検討する。図９−１は、各スリットＳのスリット幅ｗを５〔μｍ〕とした場合に対応し、図９−２は、各スリットＳのスリット幅ｗを２０〔μｍ〕とした場合に対応し、図９−３は、各スリットＳのスリット幅ｗを４０〔μｍ〕とした場合に対応し、図９−４は、各スリットＳのスリット幅ｗを６０〔μｍ〕とした場合に対応し、図９−５は、各スリットＳのスリット幅ｗを８０〔μｍ〕とした場合に対応する。そして、図９−１〜図９−５の各（ａ）図は、各スリット深さＬにおける各ファイバ位置における応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を示し、各（ｂ）図は、内側ファイバおよび外側ファイバにおける各応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）とスリット深さＬとの関係を示す。
【００４０】
その結果、図９−１〜図９−５に示すように、各スリットＳのスリット幅ｗを５〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが５８．４〔μｍ〕、スリットＳのスリット幅ｗを２０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが４９．８〔μｍ〕、スリットＳのスリット幅ｗを４０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが４１．５〔μｍ〕、スリット幅ｗを６０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが３３．９〔μｍ〕、スリット幅ｗを８０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが２８．４〔μｍ〕で、内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値が最も０に近い値で等しくなり、いずれの位置の光ファイバ２０においても、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となった。
【００４１】
また、図１０−１〜図１０−６に示すように、被覆１４の厚さｔを１０〔μｍ〕とした場合についても、各スリット幅ｗについて、それぞれ応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となるスリット深さＬを求めた。図１０−１は、各スリットＳのスリット幅ｗを５〔μｍ〕とした場合に対応し、図１０−２は、各スリットＳのスリット幅ｗを１０〔μｍ〕とした場合に対応し、図１０−３は、各スリットＳのスリット幅ｗを２０〔μｍ〕とした場合に対応し、図１０−４は、各スリットＳのスリット幅ｗを４０〔μｍ〕とした場合に対応し、図１０−５は、各スリットＳのスリット幅ｗを６０〔μｍ〕とした場合に対応し、図１０−６は、各スリットＳのスリット幅ｗを８０〔μｍ〕とした場合に対応する。そして、図１０−１〜図１０−６の各（ａ）図は、各スリット深さＬにおける各ファイバ位置における応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を示し、各（ｂ）図は、内側ファイバおよび外側ファイバにおける各応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）とスリット深さＬとの関係を示す。
【００４２】
図１０−１〜図１０−６に示すように、各スリットＳのスリット幅ｗを５〔μｍ〕とした場合は、スリット深さＬが６８．２〔μｍ〕、スリット幅ｗを１０〔μｍ〕とした場合は、スリット深さＬが６５．１〔μｍ〕、スリット幅ｗを２０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが５８．９〔μｍ〕、スリット幅ｗを４０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが４８．１〔μｍ〕、スリット幅ｗを６０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが３９．２〔μｍ〕、スリット幅ｗを８０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが３３．２〔μｍ〕で、内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値が最も０に近い値で等しくなり、いずれの位置の光ファイバ２０においても、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となった。
【００４３】
また、図１１−１〜図１１−６に示すように、被覆１４の厚さｔを５〔μｍ〕とした場合についても、各スリット幅ｗについて、それぞれ応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）がほぼ０に近い値となるスリット深さＬを求めた。図１１−１は、各スリットＳのスリット幅ｗを５〔μｍ〕とした場合に対応し、図１１−２は、各スリットＳのスリット幅ｗを１０〔μｍ〕とした場合に対応し、図１１−３は、各スリットＳのスリット幅ｗを２０〔μｍ〕とした場合に対応し、図１１−４は、各スリットＳのスリット幅ｗを４０〔μｍ〕とした場合に対応し、図１１−５は、各スリットＳのスリット幅ｗを６０〔μｍ〕とした場合に対応し、図１１−６は、各スリットＳのスリット幅ｗを８０〔μｍ〕とした場合に対応する。そして、図１１−１〜図１１−６の各（ａ）図は、各スリット深さＬにおける各ファイバ位置における応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を示し、各（ｂ）図は、内側ファイバおよび外側ファイバにおける各応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）とスリット深さＬとの関係を示す。なお、被覆１４の厚さｔを５〔μｍ〕とした場合には、光ファイバテープ心線１０の構造上、スリット幅ｗが広くなり、さらにスリット深さＬが深くなると光ファイバのセカンダリ１３にスリットＳが食い込んでしまう。このため、セカンダリ１３にスリットＳが食い込まないようなスリット深さＬにおいて、応力差が最小となるスリット幅ｗとスリット深さＬを求めた。
【００４４】
図１１−１〜図１１−６に示すように、各スリットＳのスリット幅ｗを５〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが８１．５〔μｍ〕、スリット幅ｗを１０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが７７．２〔μｍ〕、スリット幅ｗを２０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが６９．１〔μｍ〕、スリット幅ｗを４０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが５５．９〔μｍ〕、スリット幅ｗを６０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが４４．８〔μｍ〕で、内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値が最も０に近い値で等しくなり、いずれの位置の光ファイバ２０においても、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となった。なお、スリット幅ｗを８０〔μｍ〕の場合には、スリット深さＬが３５．５〔μｍ〕以上で、セカンダリ１３にスリットが食い込んでしまうため、それまでの範囲で、内側ファイバまたは外側ファイバの応力差の絶対値が最もゼロに近い値（絶対値の最小値）をとるときの、スリット深さＬが応力差の最小値となる。したがってこの場合にはスリット深さＬ３５．３〔μｍ〕である。
【００４５】
また、図１２−１〜図１２−６に示すように、被覆１４の厚さｔを２〔μｍ〕とした場合についても、各スリット幅ｗについて、それぞれ応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）がほぼ０に近い値となるスリット深さＬを求めた。図１２−１は、各スリットＳのスリット幅ｗを５〔μｍ〕とした場合に対応し、図１２−２は、各スリットＳのスリット幅ｗを１０〔μｍ〕とした場合に対応し、図１２−３は、各スリットＳのスリット幅ｗを２０〔μｍ〕とした場合に対応し、図１２−４は、各スリットＳのスリット幅ｗを４０〔μｍ〕とした場合に対応し、図１２−５は、各スリットＳのスリット幅ｗを６０〔μｍ〕とした場合に対応し、図１２−６は、各スリットＳのスリット幅ｗを８０〔μｍ〕とした場合に対応する。そして、図１２−１〜図１２−６の各（ａ）図は、各スリット深さＬにおける各ファイバ位置における応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を示し、各（ｂ）図は、内側ファイバおよび外側ファイバにおける各応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）とスリット深さＬとの関係を示す。なお、スリット幅ｗを４０〔μｍ〕以上において、被覆１４の厚さｔを２〔μｍ〕とした場合も同様に、セカンダリ１３にスリットＳが食い込まないようなスリット深さＬにおいて、応力差が最小となるスリット幅ｗとスリット深さＬを求めた。また、被覆１４の厚さは、薄くなる傾向にあるが、その機能を保つためには２〔μｍ〕程度の厚さが最小値であると考えられる。
【００４６】
図１２−１〜図１２−６に示すように、各スリットＳのスリット幅ｗを２〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが９３．５〔μｍ〕、スリット幅ｗを１０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが８７〔μｍ〕、スリット幅ｗを２０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが７６．２〔μｍ〕で、内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値が最も０に近い値で等しくなり、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となった。一方、スリット幅ｗ４０〔μｍ〕以上では、上述したようにスリット深さによってはセカンダリ１３にスリットが食い込んでしまうため、その深さ以上にはスリットを入れられない。したがってスリットがセカンダリ１３に食い込まない範囲で、内側ファイバまたは外側ファイバの応力差の絶対値が最もゼロに近い値（絶対値の最小値）をとるときの、スリット深さＬが応力差の最小値となる。したがって、スリット幅ｗを４０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが５８〔μｍ〕、スリット幅ｗを６０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが４３〔μｍ〕、スリット幅ｗを８０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが２８〔μｍ〕となる。
【００４７】
スリットＳは、被覆１４の水平方向の圧縮応力を確実に分断できる程度の大きさで切り込まれた形状を有する必要がある。上記のように、被覆１４の厚さｔに応じて、各スリット幅ｗに対し、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となるスリット深さＬを求め、求めたスリット幅ｗおよびスリット深さＬでスリットＳを形成すればよい。そして、内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値が最も０に近い値で等しくなるスリット幅ｗおよびスリット深さＬでスリットＳを形成することによって、水平方向応力と垂直方向応力の差を、０．０５ＭＰａ以下の比較的小さな値とすることができる。また、被覆の厚さによっては、セカンダリ１３にスリットが食い込んでしまう場合があるため、スリットが食い込まない範囲で、内側ファイバまたは外側ファイバの応力差の絶対値が最もゼロに近い値（絶対値の最小値）をとるときのスリット深さＬが、応力差の最小値となる。これは、図１１−６および図１２−４〜６の場合に相当し、最小となる応力差は０．０３〜０．２ＭＰａと範囲は広いが、これらのスリット形状では最小となる。
【００４８】
さらに、上記の結果をもとに、各被覆１４の厚さｔごとに、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となる各スリット幅ｗおよび各スリット深さＬの関係を求めた。図１３は、各被覆１４の厚さｔごとに、図３〜図１２−６において求めた応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となるスリット幅ｗとスリット深さＬとの組み合わせをそれぞれ対応づけて示したものであり、横軸に応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となるスリット幅ｗを示し、縦軸に応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となるスリット深さＬを示す。
【００４９】
図１３に示すように、被覆１４の厚さｔが２〜２０〔μｍ〕のいずれの厚さであっても、スリット幅ｗが広くなるにしたがって、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となるスリット深さＬは浅くなっていき、スリット幅ｗが狭くなるにしたがって、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となるスリット深さＬは深くなる。なお、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となるスリット幅ｗとスリット深さＬとの関係を示す図１３では、曲線Ｌ２は被覆１４の厚さｔが２〔μｍ〕、曲線Ｌ５は被覆１４の厚さｔが５〔μｍ〕、曲線Ｌ１０は被覆１４の厚さｔが１０〔μｍ〕、曲線Ｌ１５は被覆１４の厚さｔが１５〔μｍ〕、曲線Ｌ２０は被覆１４の厚さｔが２０〔μｍ〕である場合に対応する。
【００５０】
図１３に示すように、同じスリット幅ｗである場合には、被覆１４の厚さｔが厚くなるにしたがって、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となるスリット深さＬは、浅くなる。したがって、被覆１４の厚さｔが薄い場合には、被覆１４の厚さｔが厚い場合よりも、深さの深いスリットＳを形成する必要がある。
【００５１】
また、被覆１４の厚さｔが５〔μｍ〕であってスリット幅ｗが８０〔μｍ〕の場合と被覆厚さｔが２〔μｍ〕であってスリット幅ｗが４０〔μｍ〕以上である場合は、上述したようにセカンダリ１３への食い込みが生じるため、スリットが食い込まない範囲で、内側ファイバまたは外側ファイバの応力差の絶対値が最もゼロに近い値をとるときのスリット深さＬが、応力差の最小値となる。図１３では、被覆１４の厚さｔが２〔μｍ〕では被覆厚さが薄く、スリット幅が大きくなるとセカンダリ１３に食い込むスリット深さが浅くなってくるため、被覆１４の厚さｔが５〔μｍ〕である場合よりもスリット深さが浅く制限される。このため、図１３に示すスリット幅ｗとスリット深さＬとの各関係のうち、スリット幅ｗとスリット深さＬとの組み合わせの上限は、被覆１４の厚さｔが２〔μｍ〕である場合と厚さｔが５〔μｍ〕である場合の上限値を組み合わせたものになる。したがって、図１４に示すように、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となるスリット幅ｗとスリット深さＬとの組み合わせの上限は、曲線Ｌ２と曲線Ｌ５のそれぞれ上限値を組み合わせた曲線Ｌ１となる。
【００５２】
また、被覆１４は、薄くなる傾向にあり、２０〔μｍ〕の厚さを最大値とした。この場合、図１４に示すように、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となるスリット幅ｗとスリット深さＬとの組み合わせの下限は、被覆１４の厚さｔが２０〔μｍ〕である場合に対応する曲線Ｌ２０となる。
【００５３】
これより、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となるスリット幅ｗとスリット深さＬとの組み合わせは、曲線Ｌ１と曲線Ｌ２０とを境界とした領域Ａ１となる。つぎに、この領域Ａ１について詳細に説明する。
【００５４】
まず、領域Ａ１の上限を示す曲線Ｌ１について、近似式を求めた。この曲線Ｌ１に対応する近似式は、以下の（１）式となる。
Ｌ＝0.0057ｗ2−1.256ｗ＋99.25                                      ・・・（１）
【００５５】
そして、領域Ａ１の下限を示す曲線Ｌ２０についても、同様に近似式を求めた。この曲線Ｌ２０に対応する近似式は、以下の（２）式となる。
Ｌ＝0.0021ｗ2−0.525ｗ＋53.73                                      ・・・（２）
【００５６】
すなわち、領域Ａ１は、曲線Ｌ１を上限とし、曲線Ｌ２０を下限とする以下の（３）式で表される。
0.0021ｗ2−0.525ｗ＋53.73≦Ｌ≦0.0057ｗ2−1.256ｗ＋99.25            ・・・（３）
【００５７】
上記（３）式においては、上述したように、被覆１４の厚さｔが２〔μｍ〕≦ｔ≦２０〔μｍ〕である場合に適用可能である。
【００５８】
そして、図３〜図１２における結果より、スリット深さＬの範囲は、２５〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕となり、スリット幅ｗの範囲は、５〔μｍ〕≦ｗ≦８０〔μｍ〕となる。したがって、被覆１４の厚さｔ、スリット深さＬおよびスリット幅ｗが、２〔μｍ〕≦ｔ≦２０〔μｍ〕、２５〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕および５〔μｍ〕≦ｗ≦８０〔μｍ〕であって、上述した（３）式を満たすようにスリット幅ｗとスリット幅Ｌを設定することによって、コア部における水平方向応力Ｓｘと垂直方向応力Ｓｙとの応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となり、ＰＭＤも低減することができる。
【００５９】
実際に、２〔μｍ〕≦ｔ≦２０〔μｍ〕、２５〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕および５〔μｍ〕≦ｗ≦８０〔μｍ〕および（３）式を満たすスリット深さＬおよびスリット幅ｗを選択した光ファイバテープ心線１０を作成し、ＰＭＤを評価した。表２に、実際に作成した各光ファイバテープ心線の各寸法と、ＰＭＤを示す。
【００６０】
【表２】
2011022477.tif 000004
【００６１】
表２に示す番号１〜２０に示す光ファイバテープ心線のうち、番号１〜１８は領域Ａ１内に位置している。すなわち、番号１〜１８の光ファイバテープ心線は、上述した（３）式を満たすスリット深さＬおよびスリット幅ｗの組み合わせでスリットＳを形成している。また、番号１９，２０は、領域Ａ１の下限よりも下方に位置している。すなわち、番号１９，２０の条件で作成された光ファイバテープ心線は、上述した（３）式を満たさないスリット深さＬおよびスリット幅ｗの組み合わせでスリットを形成している。
【００６２】
ＰＭＤの測定には光偏波アナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製８５０９Ｂ）を使用し、ジョーンズマトリックス法で測定した。表２中における各記号のうち、◎印は、ＰＭＤが０．０５〔ｐｓ／ｋｍ１／２〕以下であり、○印は、０．０５〔ｐｓ／ｋｍ１／２〕＜ＰＭＤ≦０．１〔ｐｓ／ｋｍ１／２〕であり、△は、０．１〔ｐｓ／ｋｍ１／２〕＜ＰＭＤ≦０．２〔ｐｓ／ｋｍ１／２〕である場合を示す。
【００６３】
表２に示すように、上述した（３）式を満たすように図１４の領域Ａ１内のスリット深さＬおよびスリット幅ｗの組み合わせでスリットＳが形成された番号１〜１８の光ファイバテープ心線は、いずれにおいてもＰＭＤが０．０５〔ｐｓ／ｋｍ１／２〕以下を示し、非常に良好なＰＭＤ特性を示した。これは、上述したように、（３）式を満たすように図１４の領域Ａ１内のスリット深さＬおよびスリット幅ｗの組み合わせでスリットＳを形成することによって、解析上、水平方向応力と垂直方向応力の差を０．０５ＭＰａ以下にまで低減できるため、ＰＭＤも低減することができたものと考えられる。
【００６４】
また、比較のために番号１９，２０に示す条件で作成した光ファイバテープ心線は、表２に示すように、いずれもＰＭＤが０．１〔ｐｓ／ｋｍ１／２〕よりも大きな値を示していた。これは、（３）式を満たさないスリット深さＬおよびスリット幅ｗの組み合わせでスリットＳが形成されているため、水平方向応力と垂直方向応力の差が大きくなってしまい、この結果、ＰＭＤも大きくなってしまったものと考えられる。
【００６５】
このように、本実施の形態１においては、被覆１４の光ファイバ２０間に対応する表面領域にスリットＳを設けることによって、水平方向の圧縮応力を分断して水平方向と垂直方向との応力差を低減することができることから、偏波モード分散を低減することが可能になる。
【００６６】
さらに、被覆１４の厚さｔ、スリット深さＬおよびスリット幅ｗが、２〔μｍ〕≦ｔ≦２０〔μｍ〕、２５〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕および５〔μｍ〕≦ｗ≦８０〔μｍ〕であって、上述した（３）式を満たすようにスリット幅ｗとスリット幅Ｌを設定することによって、コア部における水平方向応力Ｓｘと垂直方向応力Ｓｙとの応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を最も０に近い値にすることができ、ＰＭＤも格段に低減することができる。
【００６７】
さらに、本実施の形態１にかかる光ファイバテープ心線１０に対し、光ファイバテープ心線１０から光ファイバ２０を１本分離し、取出す際の難易性（単心分離性）を評価した。この単心分離性は、分離工具（たとえば本願出願人による特開２００６−３０６８４号公報参照。）を用い、光ファイバテープ心線から光ファイバ素線を分離する場合に要した時間の長さにより判定した。使用する分離工具には、光ファイバテープ心線１０を押圧するヤスリ部と、このヤスリ部に隣接して設けられ光ファイバテープ心線１０を押圧する複数の小突起が立設された凹凸部とを有する一対のアームを、アームの根元部に設けられている支点で回動自在に軸支し、かつ両アームを板バネあるいはコイルバネで両アームが互いに開く方向に付勢してある。そして、分離工具は、バネの付勢力に逆らって一対のアームを閉じることで光ファイバテープ心線をヤスリ部や凹凸部で押圧するようになっている。
【００６８】
このような構成の分離工具のヤスリ部で光ファイバテープ心線を擦り、さらに凹凸部で擦ることでそれぞれの光ファイバ素線に単心分離した場合に要した時間により単心分離性を判定した。なお、光ファイバテープ心線１０としては、テープ被覆の厚さｔが１０μｍのものを用いた。
【００６９】
ここで、単心分離にかかる処理時間が３０秒以内である場合は、作業性よく光ファイバテープ心線１０を単心分離できる。上述した（３）式を満たすスリット幅ｗとスリット深さＬの組み合わせのうち、３０秒以内で単心分離できたのは、スリット深さＬが４０〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕の範囲内にあり、スリット幅ｗ〔μｍ〕が、５〔μｍ〕≦ｗ≦６０〔μｍ〕の図１５の領域Ａ２に示す範囲内にあるものであった。したがって、被覆１４の厚さｔが２〔μｍ〕≦ｔ≦２０〔μｍ〕である場合には、各スリットの条件を、上記（３）式を満たすスリット幅ｗとスリット深さＬの組み合わせとするとともに、スリット深さＬを４０〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕の範囲内とし、スリット幅ｗ〔μｍ〕を５〔μｍ〕≦ｗ≦６０〔μｍ〕の範囲内とすることによって、作業性よく光ファイバテープ心線１０を単心分離できる。
【００７０】
さらに、単心分離にかかる処理時間が１０秒以内である場合は、さらに作業性よく光ファイバテープ心線１０を単心分離できる。上述した（３）式を満たすスリット幅ｗとスリット深さＬの組み合わせのうち、実際に１０秒以内で単心分離できたのは、スリット深さＬが４５〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕の範囲内にあり、スリット幅ｗ〔μｍ〕が、５〔μｍ〕≦ｗ≦２０〔μｍ〕の図１６の領域Ａ３の範囲内にある場合であった。したがって、被覆１４の厚さｔが２〔μｍ〕≦ｔ≦２０〔μｍ〕である場合には、各スリットの条件を、上記（３）式を満たすスリット幅ｗとスリット深さＬの組み合わせとするとともに、スリット深さＬを４５〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕の範囲内とし、スリット幅ｗ〔μｍ〕を５〔μｍ〕≦ｗ≦２０〔μｍ〕の範囲内とすることによって、さらに作業性よく光ファイバテープ心線１０を単心分離できる。
【００７１】
なお、図１４の領域Ａ１の範囲内に位置するスリット幅ｗとスリット深さＬの組み合わせでスリットＳを形成した場合、実際にスロット型の光ファイバケーブルを製造する際に、光ファイバテープ心線をスロットに実装しても光ファイバテープ心線が破壊することはなかった。
【００７２】
（実施の形態２）
つぎに、実施の形態２について説明する。実施の形態２においては、水平方向および垂直方向においてそれぞれ異なる厚さで被覆１４が形成される場合について説明する。図１７は、実施の形態２にかかる光ファイバテープ心線の断面図である。図１７は、図１と同様に、光ファイバテープ心線における光ファイバの延伸方向に垂直な面で切断した断面図である。また、図１８は、図１７における領域Ｂを拡大した図である。
【００７３】
また、図１７および図１８に示すように、本実施の形態２にかかる光ファイバテープ心線２１０では、両端のスリットをスリットＳ１とし、両端以外の内側のスリットをスリットＳ２として説明する。そして、スリットＳ１のスリット深さをＬ１としスリット幅をｗ１とする。また、スリットＳ２のスリット深さをＬ２としスリット幅をｗ２とする。
【００７４】
本実施の形態２においても、実施の形態１と同様に、光ファイバテープ心線２１０のスリットＳ１，Ｓ２の形状によって光ファイバテープ心線２１０の水平方向応力Ｓｘ、垂直方向応力Ｓｙがどのように変化するかを解析した。本実施の形態２においては、実施の形態１と同様に、ガラス光ファイバ１１、プライマリ１２、セカンダリ１３および被覆１４のヤング率、ポアソン比、収縮率および外径として、表１に示す各数値を用いている。なお、光ファイバの種類としては、実施の形態１と同様に、ＩＴＵ−Ｔ  Ｇ．６５２準拠のＳＭＦファイバを用いた。
【００７５】
図１９は、本実施の形態２における解析結果を示す図であり、被覆１４の厚さのうち水平方向の厚さｔｘが２０〔μｍ〕であって垂直方向の厚さｔｙが１２．５〔μｍ〕である場合の内側ファイバおよび外側ファイバにおける各応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と、スリット深さＬ１，Ｌ２との関係を示す図であり、各スリットＳ１，Ｓ２のスリット幅ｗを２０〔μｍ〕とした場合に対応する。図１９においては、スリットＳ１，Ｓ２のスリット深さＬ１，Ｌ２は同じ深さとして解析を行なっている。そして、図１９（ａ）は、スリット深さＬ１，Ｌ２を３７．５〜６７．５〔μｍ〕に変化させた場合における各ファイバ位置における応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を示し、図１９（ｂ）は、内側ファイバおよび外側ファイバにおける各応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）とスリット深さＬとの関係を示す。
【００７６】
図１９（ａ）に示すように、被覆１４の厚さが水平方向と垂直方向とで異なる場合についても応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）がスリット深さＬの変化で符号の正負が反転することから、内側ファイバと外側ファイバの応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値が最も０に近い値で等しくなるスリット深さがあることがわかる。
【００７７】
そして、図１９（ｂ）に示すように、内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値が最も０に近い値で等しくなるスリット深さＬは、Ｌ＝５７．５μｍであった。そして、図１９（ａ）に示すように、このスリット深さＬ＝５７．５〔μｍ〕でスリットＳ１，Ｓ２を形成した場合、いずれの位置の光ファイバ２０においても、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が０．０４ＭＰａと最も０に近い値となった。
【００７８】
また、被覆１４の厚さのうち水平方向の厚さｔｘが２０〔μｍ〕であって垂直方向の厚さｔｙが１２．５〔μｍ〕である場合については、スリット幅を変化させた場合についても解析を行った。結果を図２０−１〜図２０−５に示す。図２０−１は、各スリットＳのスリット幅ｗを５〔μｍ〕とした場合に対応し、図２０−２は、各スリットＳのスリット幅ｗを１０〔μｍ〕とした場合に対応し、図２０−３は、各スリットＳのスリット幅ｗを４０〔μｍ〕とした場合に対応し、図２０−４は、各スリットＳのスリット幅ｗを６０〔μｍ〕とした場合に対応し、図２０−５は、各スリットＳのスリット幅ｗを８０〔μｍ〕とした場合に対応する。そして、図２０−１〜図２０−５の各（ａ）図は、各スリット深さＬ１，Ｌ２における各ファイバ位置における応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を示し、各（ｂ）図は、内側ファイバおよび外側ファイバにおける各応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）とスリット深さＬとの関係を示す。なお、図２０−１〜図２０−５においては、スリットＳ１，Ｓ２のスリット深さＬ１，Ｌ２は同じ深さとして解析を行なっている。
【００７９】
図２０−１〜図２０−５に示すように、各スリットＳのスリット幅ｗを５〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが６６〔μｍ〕、スリット幅ｗを１０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが６３〔μｍ〕、スリット幅ｗを４０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが４６．８〔μｍ〕、スリット幅ｗを６０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが３８．６〔μｍ〕、スリット幅ｗを８０〔μｍ〕とした場合には、スリット深さＬが３４．５〔μｍ〕の場合に内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値が最も０に近い値で等しくなり、いずれの位置の光ファイバ２０においても、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となった。このように、各スリット幅ｗについて、それぞれ応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となるスリット深さＬを求めることができる。
【００８０】
そして、実際に、被覆１４の厚さのうち水平方向の厚さｔｘが２０〔μｍ〕であって垂直方向の厚さｔｙが１２．５〔μｍ〕である場合であって、上記結果で求めた応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となる各スリット幅ｗおよび各スリット深さＬの組み合わせでスリットＳ１，Ｓ２を形成した光ファイバテープ心線２１０を作製し、ＰＭＤを評価した。表３の番号Ａ〜Ｅに、実際に作成した各光ファイバテープ心線の各寸法と、ＰＭＤの評価結果とを示す。また、表３中におけるＰＭＤ欄の各記号は、表２と同様に、◎印は、ＰＭＤが０．０５〔ｐｓ／ｋｍ１／２〕以下であり、○印は、０．０５〔ｐｓ／ｋｍ１／２〕＜ＰＭＤ≦０．１〔ｐｓ／ｋｍ１／２〕である場合を示す。また、表３に示すように、スリットＳ１，Ｓ２は、スリット位置によらず同一のスリット深さＬで形成した。
【００８１】
【表３】
2011022477.tif 000005
【００８２】
表３に示すように、上述した図１９および図２０−１〜図２０−５において求めた各スリット幅ｗおよび各スリット深さＬの組み合わせでスリットＳ１，Ｓ２を形成した光ファイバテープ心線２１０は、いずれにおいても、ＰＭＤが０．１〔ｐｓ／ｋｍ１／２〕以下を示し、良好な特性を示した。水平方向応力と垂直方向応力の差を０．０５ＭＰａ以下にまで低減したため、ＰＭＤも低減することができたものと考えられる。
【００８３】
なお、表３の番号Ａ〜Ｅの各スリット幅ｗおよび各スリット深さＬの組み合わせは、本実施の形態１において求められた（３）式を満たすスリット深さＬおよびスリット幅ｗの組み合わせである。
【００８４】
このように、被覆１４の厚さが水平方向と垂直方向とで異なる本実施の形態２にかかる光ファイバテープ心線２１０においても、実施の形態１と同様に、被覆１４の厚さｔ、スリット深さＬおよびスリット幅ｗが、２〔μｍ〕≦ｔ≦２０〔μｍ〕、２５〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕および５〔μｍ〕≦ｗ≦８０〔μｍ〕であって、上述した（３）式を満たすようにスリット幅ｗとスリット幅Ｌを設定することによって、水平方向の応力Ｓｘと垂直方向の応力Ｓｙとの応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を最も０に近い値にすることができる。このため、実施の形態２においても、ＰＭＤを低減することができる。
【００８５】
また、上記では、スリットＳ１，Ｓ２のスリット深さＬ１，Ｌ２を同じ深さとした場合について説明したが、以降の説明では、スリット深さＬ１，Ｌ２をそれぞれ異なる深さに変えて各スリットＳ１，Ｓ２を形成する場合のスリット深さＬとスリット幅ｗの組み合わせについて検討する。
【００８６】
実際に、被覆１４の厚さのうち水平方向の厚さｔｘが２０〔μｍ〕であって垂直方向の厚さｔｙが１２．５〔μｍ〕である場合であって、スリットＳ１，Ｓ２のスリット幅ｗ１，ｗ２をそれぞれ２０〔μｍ〕とし、内側に位置するスリットＳ２のスリット深さＬ２を４７．５〔μｍ〕とした場合における応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と、外側に位置するスリットＳ１のスリット深さＬ１との関係を示す。図２１（ａ）は、スリット深さＬ１を４８．５〜６７．５〔μｍ〕に変化させた場合における各ファイバ位置における応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）を示し、図２１（ｂ）は、内側ファイバおよび外側ファイバにおける各応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）とスリット深さＬ１との関係を示す。応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）がスリット深さＬの変化で符号の正負が反転することから、内側ファイバと外側ファイバの応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値が最も０に近い値で等しくなるスリット深さがある。
【００８７】
図２１（ｂ）に示すように、スリットＳ１，Ｓ２のスリット深さＬ１，Ｌ２を異なる深さとすることによって、内側ファイバにおける各応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と外側ファイバにおける各応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）との差は小さくなっている。そして、図２１（ｂ）に示すように、内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値が最も０に近い値で等しくなるのは、スリット深さＬ１が６１〔μｍ〕の場合である。そして、この場合の応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値は、０．０１ＭＰａと非常に小さな値となる。したがって、最も０に近い値で等しくなる内側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）と外側ファイバにおける応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）の絶対値は、スリット深さＬ１，Ｌ２がいずれも同じ深さである場合には図１９（ｂ）に示すように０．０４ＭＰａが限界であったのに対し、スリットＳ１，Ｓ２のスリット深さＬ１，Ｌ２を異なる深さとすることによって、０．０１ＭＰａにまで低くすることができる。そして、図２１（ａ）に示すように、図２１（ｂ）で求めたＬ１＝６１〔μｍ〕でスリットＳ１を形成した場合、いずれの位置の光ファイバ２０においても、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となった。
【００８８】
さらに、上記図２１（ａ），（ｂ）で求めた応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）が最も０に近い値となる条件とほぼ同じ条件でスリットＳ１，Ｓ２を形成した光ファイバテープ心線２１０を作成し、ＰＭＤの評価を行なった。すなわち、表３の番号Ｚに示すように、外側のスリットＳ１のスリット深さＬ１を６０〔μｍ〕とし、内側のスリットＳ２のスリット深さＬ２を４８〔μｍ〕とし、スリットＳ１，Ｓ２のスリット幅ｗ１，ｗ２をともに２０〔μｍ〕としたスリットＳ１，Ｓ２を形成した。そして、この条件でスリットＳ１，Ｓ２を形成した光ファイバテープ心線２１０のＰＭＤを測定した結果を、表３の番号Ｚに対応する欄に示す。
【００８９】
この場合、表３の番号Ｚに対応するＰＭＤ結果に示すように、ＰＭＤが０．０５〔ｐｓ／ｋｍ１／２〕以下を示し、非常に良好であった。また、表３の番号Ｚに示すスリットＳ１のスリット幅ｗ１およびスリット深さＬ１の組み合わせは、前述した領域Ａ１の範囲内に位置する。
【００９０】
このように、被覆１４の厚さが水平方向と垂直方向とで異なる場合においては、被覆１４の厚さｔ、スリット深さＬおよびスリット幅ｗが、２〔μｍ〕≦ｔ≦２０〔μｍ〕、２５〔μｍ〕≦Ｌ≦９５〔μｍ〕および５〔μｍ〕≦ｗ≦８０〔μｍ〕であって、上述した（３）式を満たすようにスリット幅ｗとスリット深さＬを設定し、さらに、各スリットＳ１，Ｓ２に応じてスリット幅およびスリット深さをそれぞれ設定することによって、水平方向応力Ｓｘと垂直方向応力Ｓｙとの応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）をほぼ０に近い値にすることができ、ＰＭＤをさらに低減することができる。
【００９１】
また、本実施の形態１，２においては、４本の光ファイバ２０を用いた光ファイバテープ心線１０，２１０について説明したが、もちろん、図２２に示すように、２本の光ファイバ２０を用いた光ファイバテープ心線１０ａにも適用可能である。この場合、図２２に示すように、各光ファイバ２０間に、上述した（３）式を満たすスリット幅ｗおよびスリット深さＬの組み合わせでスリットＳを形成すればよい。
【００９２】
また、本実施の形態１，２については、図２３に示すように、図２２に示す２本の光ファイバテープ心線１０ａを一括被覆した光ファイバテープ心線１０ｂに対しても適用可能である。この場合も同様に、上述した（３）式を満たすスリット幅ｗおよびスリット深さＬの組み合わせで、光ファイバテープ心線１０ａ間にスリットＳｂを形成すればよい。また、本実施の形態１，２については、図２４に示すように、図１に示す２本の光ファイバテープ心線１０を一括被覆した光ファイバテープ心線１０ｃに対しても適用可能である。この場合も同様に、上述した（３）式を満たすスリット幅ｗおよびスリット深さＬの組み合わせで、光ファイバテープ心線１０間にスリットＳｃを形成すればよい。また、本実施の形態１，２については、図２５に示すように、図２３に示す２本の光ファイバテープ心線１０ｂを一括被覆した光ファイバテープ心線１０ｄに対しても適用可能である。この場合も同様に、上述した（３）式を満たすスリット幅ｗおよびスリット深さＬの組み合わせで、光ファイバテープ心線１０ｂ間にスリットＳｄを形成すればよい。
【００９３】
また、図２６の光ファイバテープ心線１０ｅに示すように、２本の光ファイバテープ心線を一括被覆した後に、光ファイバテープ心線を形成する内部の被覆、および、２本の光ファイバテープ心線を被覆する外部の被覆の双方に一括してスリットＳｅを形成してもよい。また、図２７の光ファイバテープ心線１０ｆに示すように、複数回にわたって光ファイバテープ心線を一括被覆することによって形成した光ファイバテープ心線に対し、各スリットの位置に応じて、応力差（Ｓｘ−Ｓｙ）がいずれのファイバ位置においてもほぼ０となるようにそれぞれ異なる組み合わせのスリット幅やスリット深さで各スリットＳｆ１〜Ｓｆ３を形成してもよい。
【００９４】
もちろん、図２８の光ファイバテープ心線１０ｇに示すように、各光ファイバ間に形成するスリットは、スリットＳのように光ファイバ間に単数のみ形成する場合に限らず、スリットＳｇ１，Ｓｇ２のように光ファイバ間に二以上形成してもよい。
【符号の説明】
【００９５】
１０，２１０  光ファイバテープ心線
１１  クラッド
１２  プライマリ
１３  セカンダリ
１４  被覆
２０  光ファイバ
Ｓ，Ｓ１，Ｓ２  スリット
【図１】
2011022477.tif 000006
【図２】
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【図３】
2011022477.tif 000008
【図４】
2011022477.tif 000009
【図５】
2011022477.tif 000010
【図６】
2011022477.tif 000011
【図７】
2011022477.tif 000012
【図８−１】
2011022477.tif 000013
【図８−２】
2011022477.tif 000014
【図８−３】
2011022477.tif 000015
【図８−４】
2011022477.tif 000016
【図８−５】
2011022477.tif 000017
【図９−１】
2011022477.tif 000018
【図９−２】
2011022477.tif 000019
【図９−３】
2011022477.tif 000020
【図９−４】
2011022477.tif 000021
【図９−５】
2011022477.tif 000022
【図１０−１】
2011022477.tif 000023
【図１０−２】
2011022477.tif 000024
【図１０−３】
2011022477.tif 000025
【図１０−４】
2011022477.tif 000026
【図１０−５】
2011022477.tif 000027
【図１０−６】
2011022477.tif 000028
【図１１−１】
2011022477.tif 000029
【図１１−２】
2011022477.tif 000030
【図１１−３】
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【図１１−４】
2011022477.tif 000032
【図１１−５】
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【図１１−６】
2011022477.tif 000034
【図１２−１】
2011022477.tif 000035
【図１２−２】
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【図１２−３】
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【図１２−４】
2011022477.tif 000038
【図１２−５】
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【図１２−６】
2011022477.tif 000040
【図１３】
2011022477.tif 000041
【図１４】
2011022477.tif 000042
【図１５】
2011022477.tif 000043
【図１６】
2011022477.tif 000044
【図１７】
2011022477.tif 000045
【図１８】
2011022477.tif 000046
【図１９】
2011022477.tif 000047
【図２０−１】
2011022477.tif 000048
【図２０−２】
2011022477.tif 000049
【図２０−３】
2011022477.tif 000050
【図２０−４】
2011022477.tif 000051
【図２０−５】
2011022477.tif 000052
【図２１】
2011022477.tif 000053
【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
2011022477.tif 000061
【図３０】
2011022477.tif 000062
【図３１】
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