(57)【要約】【課題】ピックアップ時にクラックが発生してしまうことが防止できる、ダイアタッチメントフィルムを提供する。【解決手段】ダイアタッチメントフィルムは、主面を有するサポートフィルムと、前記主面上に前記主面と接触するように配置された粘着層とを具備する。前記主面には、凹部が形成されており、前記凹部には、前記粘着層が配置されていない。【選択図】図４
2011129677.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有するサポートフィルムと、
前記主面上に前記主面と接触するように配置された粘着層と、
を具備し、
前記主面には、凹部が形成されており、
前記凹部には、前記粘着層が配置されていない
ダイアタッチメントフィルム。
【請求項２】
請求項１に記載されたダイアタッチメントフィルムであって、
更に、
前記粘着層上に設けられたカバーフィルム
を具備する
ダイアタッチメントフィルム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載されたダイアタッチメントフィルムであて、
前記凹部は、複数形成されており、
前記複数の凹部は、格子状に伸びる線に沿って並んでいる
ダイアタッチメントフィルム。
【請求項４】
請求項１又は２に記載されたダイアタッチメントフィルムであって、
前記凹部は、溝状となるように、一方向に沿って形成されている
ダイアタッチメントフィルム。
【請求項５】
主面を有するサポートフィルムと、前記主面上に前記主面と接触するように配置された粘着層とを備え、前記主面には凹部が形成されており、前記凹部には前記粘着層が配置されていない、ダイアタッチメントフィルムを用意する工程と、
前記粘着層上に、半導体ウェハを配置する工程と、
配置された前記半導体ウェハ、及び前記粘着層を、複数の半導体チップが得られるように切断する工程と、
前記複数の半導体チップからピックアップ対象チップを選択し、前記ピックアップ対象チップを前記粘着層と共に前記サポートフィルムから離脱させる工程と、
を具備する
半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記ダイアタッチメントフィルムを用意する工程は、
前記サポートフィルムの主面に、凹部を形成する工程と、
前記凹部に前記粘着層が配置されないように、前記主面上に前記粘着層を設ける工程とを備えている
半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記凹部を形成する工程は、金型を用いて前記凹部を形成する工程を含んでいる
半導体装置の製造方法。
【請求項８】
サポートフィルムの主面に、凹部を形成する工程と、
前記主面上に粘着層を配置する工程と、
を具備し、
前記粘着層を配置する工程は、前記凹部に粘着層が配置されないように、前記主面上に前記粘着層を設ける工程を含んでいる
ダイアタッチメントフィルムの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載されたダイアタッチメントフィルムの製造方法であって、
前記凹部を形成する工程は、金型を用いて前記凹部を形成する工程を含んでいる
ダイアタッチメントフィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイアタッチメントフィルム及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器には、半導体チップが用いられる。半導体チップは、半導体ウェハをダイシングすることにより、得られる。ダイシング工程では、半導体ウェハを支持するために、ダイアタッチメントフィルム（粘接着テープ）が半導体ウェハの片面に貼り付けられる。ダイシングによって得られた半導体チップは、ピックアップされ、基板や他の半導体チップなどの支持体上に搭載される。ダイアタッチメントフィルムは、半導体チップを支持体上に搭載する際の接着剤としても用いられる。
【０００３】
ダイアタッチメントフィルムに関する技術が、特許文献１（特開２００８−１７７２６０号公報）に記載されている。この公報には、ダイシングテープからデバイスをピックアップする際に髭状の塵埃が発生しても、髭状の塵埃がダイシングテープに残存してデバイスの裏面に装着された接着フィルムに付着しないデバイスのピックアップ方法を提供する技術が開示されている。
【０００４】
他の関連技術が、特許文献２（特開２００５−３０２７９８号公報）に記載されている。この公報には、半導体チップの裏面に粘着層を貼着するボンディング用フィルムであって、サポートフィルムと、サポートフィルムの表面に微粒子に形成された接着剤が敷設された粘着層とからなることを特徴とするボンディング用フィルムが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１７７２６０号公報
【特許文献２】特開２００５−３０２７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子機器の小型化に伴い、半導体チップの厚みが薄くなってきている。その結果、ダイシング後に半導体チップをピックアップする際に、半導体チップにクラックが発生しやすくなってきている。以下に、この点について説明する。
【０００７】
図１は、ダイシング工程で半導体チップに貼り付けられるダイアタッチメントフィルム１の一例を概略的に示す、断面斜視図である。ダイアタッチメントフィルム１は、サポートフィルム２、粘着層３、及びカバーフィルム４を備えている。粘着層３は、サポートフィルム２とカバーフィルム４との間に挟まれている。図２は、サポートフィルム２を概略的に示す斜視図である。ここで、サポートフィルム２の表面は、平坦である。
【０００８】
図３Ａ乃至図３Ｅは、ダイシング工程の一例を示す概略断面図である。まず、ダイアタッチメントフィルム１を準備し、カバーフィルム４を粘着層３から剥離させる。そして、露出した粘着層３上に、環状のフレーム８を貼り付ける。更に、粘着層３上に、半導体ウェハ５を載せる。これにより、サポートフィルム２上に配置された粘着層３に、半導体ウエハ５が貼り付けられる（図３Ａ）。
【０００９】
次いで、図３Ｂに示されるように、ブレード７を用いて、半導体ウェハ５を切断する。これにより、複数の半導体チップ６が得られる。この際、粘着層３も同時に切断される。但し、サポートフィルム２は切断されないように、半導体ウェハ５及び粘着層３だけが切断される。
【００１０】
次いで、図３Ｃに示されるように、各半導体チップ６をピックアップする。具体的には、ピックアップ対象の半導体チップ６を押し上げるために、サポートフィルム２の下方に、突き上げピン９が配置される。そして、突き上げピン９により、ピックアップ対象の半導体チップ６が、サポートフィルム２側から押し上げられる。図３Ｄに示されるように、押し上げられた半導体チップ６は、ピックアップコレット１０により吸着され、サポートフィルム２から剥離する。図３Ｅには、剥離後の図が示されている。
【００１１】
ここで、粘着層３は、半導体チップ６と共に、サポートフィルム２から剥離する。しかし、サポートフィルム２と粘着層３との間の粘着力が大きい場合、図３Ｄに示されるように、サポートフィルム２が粘着層３によって引っ張られてしまうことがある。その結果、ピックアップ対象の半導体チップ６に隣接する半導体チップ６に、サポートフィルム２から力が加わってしまい、クラック６１が発生してしまうことがある、という問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
図４に示すように、本発明に係るダイアタッチメントフィルムは、主面を有するサポートフィルムと、前記主面上に前記主面と接触するように配置された粘着層とを具備する。前記主面には、凹部が形成されており、前記凹部には、前記粘着層が配置されていない。
【００１３】
この発明によれば、サポートフィルムと粘着層との間の接触面積を凹部によって調節することができる。すなわち、サポートフィルムの粘着層との間の粘着力を調整できる。その結果、ピックアップ時にサポートフィルムが粘着層に引っ張られることを防止でき、クラックが発生してしまうことを防止できる。
【００１４】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、主面を有するサポートフィルムと、前記主面上に前記主面と接触するように配置された粘着層とを備え、前記主面には凹部が形成されており、前記凹部には前記粘着層が配置されていない、ダイアタッチメントフィルムを用意する工程と、前記粘着層上に、半導体ウェハを配置する工程と、配置された前記半導体ウェハ、及び前記粘着層を、複数の半導体チップが得られるように切断する工程と、前記複数の半導体チップからピックアップ対象チップを選択し、前記ピックアップ対象チップを前記粘着層と共に前記サポートフィルムから離脱させる工程とを具備する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、その結果、ピックアップ時にクラックが発生することが防止できる、ダイアタッチメントフィルム及び半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】ダイアタッチメントフィルムの一例を概略的に示す、断面斜視図である。
【図２】サポートフィルムを概略的に示す斜視図である。
【図３Ａ】ダイシング工程（半導体ウェハ搭載）の一例を示す概略断面図である。
【図３Ｂ】ダイシング工程（ウェハ切断）の一例を示す概略断面図である。
【図３Ｃ】ダイシング工程（突き上げ・ピックアップ開始）の一例を示す概略断面図である。
【図３Ｄ】ダイシング工程（クラック発生）の一例を示す概略断面図である。
【図３Ｅ】ダイシング工程（ピックアップ終了）の一例を示す概略断面図である。
【図４】第１の実施形態に係るダイアタッチメントフィルムを示す断面斜視図である。
【図５】第１の実施形態におけるサポートフィルムを示す斜視図である。
【図６Ａ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法：ダイシング工程（半導体ウェハ搭載）を示す概略断面図である。
【図６Ｂ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法：ダイシング工程（ウェハ切断）を示す概略断面図である。
【図６Ｃ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法：ダイシング工程（突き上げ・ピックアップ開始）を示す概略断面図である。
【図６Ｄ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法：ダイシング工程（突き上げ終了）を示す概略断面図である。
【図６Ｅ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法：ダイシング工程（ピックアップ終了）を示す概略断面図である。
【図７】第２の実施形態に係るダイアタッチメントフィルムを示す断面斜視図である。
【図８】第２の実施形態におけるサポートフィルムを概略的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
【００１８】
（第１の実施形態）
図４は、本実施形態に係るダイアタッチメントフィルム１を示す断面斜視図である。
【００１９】
図４に示されるように、ダイアタッチメントフィルム１は、サポートフィルム２、粘着層３、及びカバーフィルム４を備えている。
【００２０】
サポートフィルム２は、粘着層３を支持するためのフィルムである。サポートフィルム２は、主面を有しており、主面上に粘着層３が貼り付けられている。
【００２１】
粘着層３は、半導体ウェハに貼り付けられる層であり、粘接着性を有している。粘着層３は、例えば、樹脂層である。粘着層３は、易剥離性をもたせるため、ＵＶ硬化性や光硬化性を有していてもよい。
【００２２】
カバーフィルム４は、粘着層３の表面を清浄な状態に保つために設けられている。カバーフィルム４は、粘着層３上に貼り付けられている。すなわち、粘着層３は、サポートフィルム２とカバーフィルム４とによって挟まれている。
【００２３】
ここで、本実施形態におけるダイアタッチメントフィルム１においては、サポートフィルム２の主面に、複数の凹部２１が設けられている。
【００２４】
図５は、サポートフィルム２を示す斜視図である。図５に示されるように、複数の凹部２１は、格子状（グリッド状）に伸びる線に沿うように、並んでいる。
【００２５】
各凹部２１には、粘着層３が埋められていない。すなわち、粘着層３は、凹部２１以外の部分で、主面と接している。サポートフィルム２の主面が平坦である場合と比較し、本実施形態では、粘着層３とサポートフィルム２との間の接触面積が少なくなっている。そのため、本実施形態では、粘着層３のサポートフィルム２に対する粘着力が低くなっている。
【００２６】
各凹部２１のサイズ、隣接する凹部２１間の間隔、及び主面における凹部２１の密度などは、粘着層３とサポートフィルム２との間の粘着力が所望する粘着力となるように、設定されている。
【００２７】
複数の凹部２１は、例えば、複数の凹部２１に対応する形状を有する金型を用いて、サポートフィルム２の主面を加工することにより、形成することができる。その後、凹部２１が形成されたサポートフィルム２上に粘着層３を配置し、更に粘着層３上にカバーフィルム４を配置することによって、ダイアタッチメントフィルム１が得られる。
【００２８】
上述のダイアタッチメントフィルム１は、半導体装置の製造工程において用いられる。以下に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図６Ａ乃至図６Ｅは、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。尚、説明を簡単にするために、図６Ａ乃至図６Ｅにおいて、凹部２１の図示は省略されている。
【００２９】
まず、ダイアタッチメントフィルム１を準備し、カバーフィルム４を粘着層３から剥離させる。そして、露出した粘着層３に、環状のフレーム８が貼り付けられる。これにより、粘着層３及びサポートフィルム２が、フレーム８によって固定される。その後、図６Ａに示されるように、半導体ウェハ５が、粘着層３上に貼り付けられる。粘着層３として光硬化性やＵＶ硬化性を有するものを用いた場合には、半導体ウェハ５が粘着層３に貼り付けられた後、粘着層３に光やＵＶが照射されることもある。
【００３０】
次いで、図６Ｂに示されるように、ブレード７を用いて、半導体ウェハ５を切断する。これにより、複数の半導体チップ６が得られる。尚、切断時には、粘着層３も半導体ウェハ５と共に切断される。ただし、サポートフィルム２が切断されないように、粘着層３及び半導体ウェハ５だけが切断される。
【００３１】
次いで、図６Ｃに示されるように、複数の半導体チップ６の中からピックアップ対象の半導体チップ６が選択される。そして、突き上げピン９により、選択されたが半導体チップ６をサポートフィルム２側から半導体チップ６側へ向かって押し上げられる。更に、押し上げられた半導体チップ６は、ピックアップコレット１０に吸着される。
【００３２】
次いで、図６Ｄに示されるように、ピックアップコレット１０により、半導体チップ６がサポートフィルム２から剥離させられる。この際、粘着層３は、半導体チップ６と共に持ち上げられ、サポートフィルム２から剥離する。
【００３３】
ここで、本実施形態では、凹部２１により、サポートフィルム２と粘着層３との間の粘着力の大きさが適切な大きさに調節されている。従って、粘着層３は、サポートフィルム２から円滑に剥離する。そのため、ピックアップ対象の半導体チップ６に隣接する半導体チップ６に対し、サポートフィルム２から力が加わることはなく、クラックが発生することもない。尚、図６Ｅには、剥離後の図が示されている。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態によれば、サポートフィルム２の主面に凹部２１が形成されている。サポートフィルム２と粘着層３との間の粘着力は、温度、湿度、粘着層３に対する光照射量、製造してからの経過時間、等により、ばらつく。しかし、凹部２１のサイズや間隔などを調節することにより、サポートフィルム２と粘着層３との間の粘着力を所望する大きさに調節することができる。そのため、ピックアップ時に、サポートフィルム２が粘着層３により持ち上げられてしまうことが防止され、クラックの発生を回避できる。
【００３５】
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。図７は、本実施形態に係るダイアタッチメントフィルム１を示す斜視断面図である。また、図８は、サポートフィルム２を概略的に示す斜視図である。本実施形態では、第１の実施形態と比較して、凹部２１の形状が工夫されている。その他の点については、第１の実施形態と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【００３６】
図７及び図８に示されるように、複数の凹部２１の各々は、一方向に沿って伸びている。すなわち、各凹部２１は、溝状である。第１の実施形態と同様に、凹部２１には、粘着層３は充填されていない。
【００３７】
本実施形態では、第１の実施形態に対して、凹部２１が溝状である点で変更されている。このような構成により、サポートフィルム２と粘着層３との間の粘着力を下げる、という効果をさらに高めることができる。そのため、ピックアップ時に、粘着層３をサポートフィルム２から確実に剥離させることができ、クラックの発生を確実に防止できる。また、この構成により、凹部２１を形成するために用いる金型等を容易に製作することができる。
【００３８】
以上、本発明について、第１の実施形態及び第２の実施形態を用いて説明した。但し、これらの実施形態は、矛盾のない範囲内で組み合わせて用いられてもよい。また、本発明の範囲は、第１及び第２の実施形態に限定されるものではなく、当業者にとって自明な範囲内で適宜変更することも可能である。例えば、凹部２１の形状及び配列などは、既述の実施形態で例示した形状及び配列に限定されるものではなく、他の形状や配列が用いられてもよい。
【符号の説明】
【００３９】
１  ダイアタッチメントフィルム
２  サポートフィルム
３  粘着層
４  カバーフィルム
５  半導体ウェハ
６  半導体チップ
７  ブレード
８  フレーム
９  突き上げピン
１０  ピックアップコレット
２１  凹部
６１  クラック
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2011129677.tif 000006
【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４】
2011129677.tif 000010
【図５】
2011129677.tif 000011
【図６Ａ】
2011129677.tif 000012
【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
2011129677.tif 000015
【図６Ｅ】
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【図７】
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【図８】
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