(57)【要約】【課題】前面ガラス板のコストを削減すると共に最前面がフラットな構成を実現することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】前面基板２０の透明基材２１の寸法を後面基板１０よりも大きくし、透明基材２１と後面基板１０とが重なり合う第１領域と、透明基材２１が後面基板１０よりもはみ出した第２領域とを設ける。第１領域には、第１遮光層、駆動素子および液晶表示素子をこの順に設けて有効画面を形成する。有効画面端部から第２領域には、第２遮光層および端子部を設け、端子部に接続された接続部材４０を前面基板２０の外形よりも内側に収める。前面基板２０の外側に更にガラス板を追加する必要がなくなり、前面基板２０それ自体を表示装置１の最前面として用いることが可能となる。【選択図】図１
2011257638.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
後面基板と、
前記後面基板よりも寸法の大きな透明基材を有し、前記透明基材の背面に、前記透明基材と前記後面基板とが重なり合う第１領域および前記透明基材が前記後面基板よりもはみ出した第２領域を有し、前記第１領域には第１遮光層，駆動素子および表示素子がこの順に設けられ、前記第２領域には第２遮光層および前記駆動素子に接続された端子部がこの順に設けられた前面基板と、
前記端子部に接続されると共に前記前面基板の外形よりも内側に収められた接続部材と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記第１領域には前記駆動素子に接続された走査線および信号線が互いに交差する方向に設けられ、前記第１遮光層は、前記走査線および前記信号線のうち少なくとも前記走査線の下に設けられている
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記前面基板の背面の全体を覆うと共に前記後面基板および前記接続部材を収容する筐体を備えた
請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記前面基板および前記後面基板と共に照明部を備えた液晶表示装置である
請求項３記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テレビジョン装置または情報端末などに好適な表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の液晶表示装置は、例えば特許文献１，２に記載されたように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ；Thin Film Transistor）および絵素電極を有するＴＦＴ基板と、カラーフィルタ，ブラックマトリクスおよび透明電極を有する対向基板とを対向配置し、対向基板側を最前面とした構成を有している。対向基板の周縁部はベゼル（側面筐体）といわれる枠縁状の部材で遮蔽されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６１−１４３７９１号公報（第１図）
【特許文献２】特開昭６１−１４３７８９号公報（第６図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、特にテレビジョン装置などの表示装置について、ベゼル（側面筐体）を廃止し、最前面がフラットな構成が主流になりつつある。しかしながら、従来のように対向基板側を最前面とした表示装置において最前面をフラットにするためには、対向基板の外側に更に前面ガラス板を設ける必要があり、そのための部材コストおよび製造コストが増加してしまっていた。
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、前面ガラス板のコストを削減すると共に最前面がフラットな構成を実現することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による表示装置は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の構成要素を備えたものである。
（Ａ）後面基板
（Ｂ）後面基板よりも寸法の大きな透明基材を有し、透明基材の背面に、透明基材と後面基板とが重なり合う第１領域および透明基材が後面基板よりもはみ出した第２領域を有し、第１領域には第１遮光層，駆動素子および表示素子がこの順に設けられ、第２領域には第２遮光層および駆動素子に接続された端子部がこの順に設けられた前面基板
（Ｃ）端子部に接続されると共に前面基板の外形よりも内側に収められた接続部材
【０００７】
本発明の表示装置では、前面基板の透明基材の寸法が後面基板よりも大きく、透明基材と後面基板とが重なり合う第１領域と、透明基材が後面基板よりもはみ出した第２領域とが設けられている。第１領域には第１遮光層，駆動素子および表示素子がこの順に設けられているので、第１遮光層により外光が吸収され、外光反射によるコントラスト低下が抑えられる。第２領域には第２遮光層および端子部がこの順に設けられ、端子部に接続された接続部材が前面基板の外形よりも内側に収められているので、接続部材が前面基板の外形から外側にはみ出すことがなくなると共に、第２遮光層により内部構造が遮蔽され、従来のベゼル（側面筐体）が不要となる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の表示装置によれば、前面基板の透明基材の寸法を後面基板よりも大きくし、透明基材と後面基板とが重なり合う第１領域と、透明基材が後面基板よりもはみ出した第２領域とを設け、第１領域には第１遮光層，駆動素子および表示素子をこの順に設ける一方、第２領域には第２遮光層および端子部を設け、この端子部に接続された接続部材を前面基板の外形よりも内側に収めるようにしたので、前面基板の外側に更にガラス板を追加する必要がなくなり、前面基板それ自体を表示装置の最前面として用いることが可能となる。よって、従来のような前面ガラス板のコストを削減すると共に最前面がフラットな構造を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の全体構成を概略的に表す断面図である。
【図２】図１に示した前面基板を、後面基板の側から見た構成を表す平面図である。
【図３】図１の変形例を表す断面図である。
【図４】図１に示した後面基板の構成を表す平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【図６】前面基板の第１領域の構成を表す平面図である
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図である。
【図８】図７に示した第１遮光層の設けられている領域を説明するための平面図である。
【図９】前面基板の第２領域の構成を表す断面図である。
【図１０】図１に示した前面基板，後面基板および照明部の保持方法を説明するための斜視図である。
【図１１】従来の表示装置の全体構成を表す断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の前面基板の第１領域の構成を表す平面図である。
【図１３】図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（第１遮光層を単独のフォトリソグラフィ工程により形成した例）
２．第２の実施の形態（第１遮光層をゲート電極兼走査線と同一のフォトリソグラフィ工程により形成した例）
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の全体構成を表したものである。この表示装置１は、例えばテレビジョン装置または情報端末として用いられるものであり、後面基板１０および前面基板２０と共に照明部（ＢＬＵ；バックライトユニット）３０を備えた液晶表示装置である。前面基板２０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ；Thin Film Transistor）および絵素電極を有する、いわゆるＴＦＴ基板であり、後面基板１０は、透明電極を有する、いわゆる対向基板である。すなわち、この表示装置１では、ＴＦＴ基板としての前面基板２０が、視聴者からみて最前面に配置されている。
【００１２】
図２は、前面基板２０を後面基板１０および照明部３０の側から見た平面構成を表したものである。前面基板２０は、ガラス基板などよりなる透明基材２１を有している。この透明基材２１は、後面基板１０よりも寸法が大きくなっており、透明基材２１の背面には、透明基材２１と後面基板１０とが重なり合うと共に有効画面２０Ｃを有する第１領域２０Ａと、第１領域２０Ａ端部から透明基材２１が後面基板１０よりもはみ出した第２領域２０Ｂ（図２において網掛けを施した領域）とが設けられている。第２領域２０Ｂは、例えば、透明基材２１の周縁部に、第１領域２０Ａを囲む枠状に設けられている。第２領域２０Ｂの幅は、従来のベゼルに相当する幅、例えば３０ｍｍ程度であることが望ましい。
【００１３】
第１領域２０Ａは画像または映像が表示される有効画面２０Ｃを有している。この有効画面２０Ｃには、透明基材２１上に、後述する第１遮光層，駆動素子としてのＴＦＴおよび液晶表示素子が透明基材２１側からこの順に設けられている。
【００１４】
第２領域２０Ｂには、透明基材２１上に、後述する第２遮光層と、ＴＦＴに接続された端子部２２とが透明基材２１側からこの順に設けられている。端子部２２は、例えば、第１領域２０Ａ内の有効画面２０Ｃ端部から第２領域２０Ｂにわたって設けられており、第２領域２０Ｂ内で複数本ずつ束ねられて実装用パッドを構成している。なお、透明基材２１の左右辺のゲートドライバが接続される端子部２２については、ドライバ回路をＣＯＧ（Chip on Glass）で透明基材２１上に作りこみ、端子部２２を実装しない場合もある。
【００１５】
端子部２２は、図１に示したように、例えばＣＯＦ（Chip On Film）よりなる接続部材４０を介して、ドライバ回路基板４１および後面基板１０の背面の制御回路基板４２に接続されている。この接続部材４０は、前面基板２０の外形よりも内側に収められて実装されている。具体的には、接続部材４０は、図１に示したように内向きに反らせた逆反り形でもよいし、図３に示したように折り曲げた逆反り形でもよい。このような接続部材４０の形状は、例えば、端子部２２への貼り付け方やＣＯＦの材料の選定などにより調整することが可能である。いずれの場合も、端子部２２とのボンディングの信頼性を確保するため、接続部材４０を予め十分に逆反りさせて、ストレスを緩和しておくことが望ましい。
【００１６】
前面基板２０の背面の全体は筐体５０で覆われており、この筐体５０および前面基板２０で囲まれた空間に、後面基板１０，照明部３０，接続部材４０，ドライバ回路基板４１および制御回路基板４２が収容されている。
【００１７】
以下、第１領域２０Ａおよび第２領域２０Ｂを構成する後面基板１０および前面基板２０の具体的な構成について説明する。
【００１８】
図４は、後面基板１０の一部を拡大して表したものであり、図５はその断面構成を表したものである。後面基板１０は、ガラス基板などよりなる後面基材１１の前面基板２０側に、カラーフィルタ１２，オーバーコート層１３および透明電極１４をこの順に有している。カラーフィルタ１２としては、赤色フィルタ１２Ｒ，緑色フィルタ１２Ｇおよび青色フィルタ１２Ｂが順に配置されている。これら赤色フィルタ１２Ｒ，緑色フィルタ１２Ｇおよび青色フィルタ１２Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。赤色フィルタ１２Ｒ，緑色フィルタ１２Ｇおよび青色フィルタ１２Ｂは、後述する第１遮光層２３Ａの幅よりも、前面基板２０と後面基板１０との貼り合わせずれを考慮した範囲で間隔をあけてもよく、あるいはオーバーラップしていてもよい。オーバーコート層１３は、カラーフィルタ１２が設けられた後面基材１１の表面の平坦性を高めるためのものであり、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂などにより構成されている。透明電極１４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料により構成されている。
【００１９】
また、カラーフィルタ１２は後面基板１０上ではなく、前面基板２０上に設けられていてもよい。この場合、後面基板１０にオーバーコート層１３は不要となり、製造コストを低減することが可能となる。
【００２０】
図６は、前面基板２０の第１領域２０Ａの構成の一例を表したものである。第１領域２０Ａは、マトリクス状に配置された複数の画素Ｐ１を有しているが、図６では例えば二つの画素Ｐ１を表している。画素Ｐ１は、例えば、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２と、一つのサブ画素（以下、サブ画素Ａという。）を構成する絵素電極ＰＸ１と、もう一つのサブ画素（以下、サブ画素Ｂという。）を構成する絵素電極ＰＸ２と、容量素子Ｃｓ１，Ｃｓ２とを有している。なお、画素Ｐ１は他の構成を有していてもよいことは言うまでもない。
【００２１】
ＴＦＴ１，ＴＦＴ２は、サブ画素Ａ，Ｂに対して、映像信号を供給するためのスイッチング素子としての機能を有するものであり、例えばＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor-Field Effect Transistor ）により構成され、３つの電極、ゲート、ソースおよびドレインを有している。ＴＦＴ１，ＴＦＴ２のゲート電極６１は、左右方向に延在するゲート電極兼走査線（走査線）ＧＬに接続されている。このゲート電極兼走査線ＧＬには、上下方向に延在する二本のソース配線（信号線）ＳＬ１，ＳＬ２が交差（例えば直交）している。ＴＦＴ１のソース電極６２Ｓはソース配線ＳＬ１に接続され、ドレイン電極６２Ｄは絵素電極ＰＸ１に接続されると共に、容量素子Ｃｓ１の中間電極６３にコンタクトホール６４を介して接続されている。ＴＦＴ２のソース電極６２Ｓはソース配線ＳＬ２に接続され、ドレイン電極６２Ｄは絵素電極ＰＸ２に接続されると共に、容量素子Ｃｓ２の中間電極６３にコンタクトホール６４を介して接続されている。
【００２２】
絵素電極ＰＸ１，ＰＸ２は、後面基板１０上の透明電極１４と共に、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２を介して供給される信号電圧に応じて表示のための動作を行う液晶表示素子を構成するものである。
【００２３】
容量素子Ｃｓ１，Ｃｓ２は、上述した中間電極６３と、容量素子主配線ＣＬとの間に構成され、両端間に電位差を発生させるものである。容量素子主配線ＣＬは、例えば、ゲート電極兼走査線ＧＬに平行すなわち左右方向に延在している。
【００２４】
図７は、このようなＴＦＴ１，容量素子Ｃｓ１および絵素電極ＰＸ１の断面構成の一例を表している。なお、ＴＦＴ２，容量素子Ｃｓ２および絵素電極ＰＸ２も同様に構成されているので、その説明は省略する。第１領域２０Ａには、透明基材２１上に、第１遮光層２３Ａ、オーバーコート層２４、ＴＦＴ１および容量素子Ｃｓ１、保護膜（パッシべーション膜）６５、オーバーコート層６６、並びに絵素電極ＰＸ１がこの順に設けられている。
【００２５】
第１遮光層２３Ａは、透明基材２１の表面すなわち最下層に設けられており、前面基板２０側から入射する外光を吸収し、外光反射によるコントラスト低下を抑えることが可能となっている。第１遮光層２３Ａの構成材料としては、従来のブラックマトリクスと同様の材料、例えば黒色に着色した感光性樹脂、またはクロム（Ｃｒ）などの低反射積層膜のいずれでもよい。
【００２６】
第１遮光層２３Ａは、各画素Ｐ１の外形に沿って格子状に設けられていることが好ましく、具体的には、図８に網掛けを施して示したように、ゲート電極兼走査線ＧＬ、ソース配線ＳＬ１，ＳＬ２、容量素子主配線ＣＬおよびドレイン電極６２Ｄの下層にあたる位置に設けられていることが好ましい。前面基板２０側から入射した外光がそれらの配線により反射されてしまうのを確実に抑えることが可能となるからである。
【００２７】
図７に示したオーバーコート層２４は、必要に応じて設けられるものであり、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂などにより構成されている。各ゲート電極兼走査線ＧＬは電気的に独立させる必要があるが、第１遮光層２３Ａの構成材料が導電性を有する場合、あるいはゲート電極兼走査線ＧＬを十分に電気的に独立させることが難しい場合には、層間絶縁膜としてオーバーコート層２４を設ける必要がある。更に、第１遮光層を樹脂により構成した場合には、アウトガスやイオン溶出を抑えるため、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などのキャッピング膜（図示せず）を設ける必要が生じたり、特に黒色の感光樹脂の場合、膜厚が厚くなったりするので、平坦化膜としてオーバーコート層２４を設ける必要がある。
【００２８】
図７に示したＴＦＴ１は、例えば、ゲート電極６１および容量素子主配線ＣＬ，ゲート絶縁膜７１，ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）層７２，ｎ＋ａ−Ｓｉ層７３，並びにソース電極６２Ｓおよびドレイン電極６２Ｄをこの順に有している。パッシべーション膜６５は例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）により構成されている。オーバーコート層６６は、例えば樹脂材料により構成されている。絵素電極ＰＸ１は、例えばＩＴＯにより構成され、コンタクトホール６７を介してドレイン電極６２Ｄに接続されている。
【００２９】
図９は、第２領域２０Ｂの断面構成を表したものである。第２領域２０Ｂには、透明基材２１上に、第２遮光層２３Ｂ，オーバーコート層２４および端子部２２がこの順に設けられている。先に述べたように、ここでのオーバーコート層２４は必要に応じて設けられる。第２遮光層２３Ｂは、第１領域２０Ａの周辺を黒色に着色して内部構造を隠すためのものであり、例えば、第２領域２０Ｂの全体にわたって額縁状に設けられている。つまり、第２遮光層２３Ｂは、従来のベゼル（側面筐体）に相当する機能を有するものである。従って、第２遮光層２３Ｂを設けると共に接続部材４０を前面基板２０の外形よりも内側に収めることにより、従来のベゼル（側面筐体）を不要とし、前面基板２０それ自体を表示装置１の最前面として、最前面がフラットなデザインを実現することが可能となる。第２遮光層２３Ｂの構成材料としては、第１遮光層２３Ａと同様の材料、例えば黒色に着色した樹脂、またはクロム（Ｃｒ）などの低反射積層膜のいずれでもよい。
【００３０】
この表示装置１は、例えば次のようにして製造することが可能である。
【００３１】
まず、図７，図２および図９に示したように、ガラス基板などよりなる透明基材２１を用意し、この透明基材２１の第１領域２０Ａに第１遮光層２３Ａを形成すると共に、第２領域２０Ｂに第２遮光層２３Ｂを形成する。第１遮光層２３Ａおよび第２遮光層２３Ｂは、例えば黒色に着色した樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ工程によりパターニングし、焼成することにより形成してもよいし、あるいはクロム（Ｃｒ）などの低反射積層膜を形成してもよい。
【００３２】
第１遮光層２３Ａは、各画素Ｐ１の輪郭に沿って格子状に設けることが好ましく、具体的には、図８に示したように、ゲート電極兼走査線ＧＬ、ソース配線ＳＬ１，ＳＬ２、容量素子主配線ＣＬおよびドレイン電極６２Ｄの下層にあたる位置に設けることが好ましい。前面基板２０側から入射した外光がそれらの配線により反射されてしまうのを確実に抑えることが可能となるからである。
【００３３】
次いで、同じく図７および図９に示したように、第１遮光層２３Ａおよび第２遮光層２３Ｂを形成した透明基材２１の全面に、必要に応じて、上述した材料よりなるオーバーコート層２４を形成する。
【００３４】
続いて、同じく図７に示したように、オーバーコート層２４の上に、ゲート電極６１を含むゲート電極兼走査線ＧＬおよび容量素子主配線ＣＬを形成する。そののち、ゲート絶縁膜７１，ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）層７２，ｎ＋ａ−Ｓｉ層７３，ソース電極６２Ｓおよびドレイン電極６２Ｄ，中間電極６３並びにソース配線ＳＬ１，ＳＬ２を順に形成する。これにより、第１領域２０ＡにＴＦＴ１，ＴＦＴ２および容量素子Ｃｓ１，Ｃｓ２が形成される。また、ゲート電極兼走査線ＧＬ、ソース配線ＳＬ１，ＳＬ２、容量素子主配線ＣＬは、必要に応じて第２領域２０Ｂまで延長し、端子部２２を形成する。
【００３５】
ＴＦＴ１，ＴＦＴ２および容量素子Ｃｓ１，Ｃｓ２を形成したのち、全面にパッシべーション膜６５，オーバーコート層６６を形成し、パッシべーション膜６５およびオーバーコート層６６にコンタクトホール６７を設ける。そののち、オーバーコート層６６の上に絵素電極ＰＸ１，ＰＸ２を形成し、絵素電極ＰＸ１，ＰＸ２をコンタクトホール６７を介してドレイン電極６２Ｄに接続する。これにより図７ないし図９に示した前面基板２０が形成される。
【００３６】
また、図４および図５に示したように、ガラス基板などよりなる後面基材１１を用意し、この後面基材１１にカラーフィルタ１２，オーバーコート層１３および透明電極１４を順に形成することにより、後面基板１０を形成する。
【００３７】
前面基板２０および後面基板１０を形成したのち、それぞれポリイミド等からなる配向膜（図示せず）を形成し、液晶（図示せず）を滴下法等により挟み込み、図１および図２に示したように、後面基板１０を前面基板２０の第１領域２０Ａに重ね合わせて周囲を封止する。その後、後面基板１０の背面側と前面基板２０の前面側に偏光板（図示せず）を貼りつける。そして、予め、図１または図３に示した形状に成形された接続部材４０を熱圧着し、同様に接続部材４０の反対側にドライバ回路基板４１を熱圧着する。このとき、接続部材４０を、前面基板２０の外形よりも内側に収める。続いて、後面基板１０の背面に照明部３０を配設し、制御回路基板４２を照明部３０の背面に実装する。
【００３８】
そののち、図１に示したように、前面基板２０の背面の全体に筐体５０を被せ、後面基板１０，照明部３０，接続部材４０，ドライバ回路基板４１および制御回路基板４２を筐体５０内に収容する。筐体５０の固定方法としては、例えば図１０に示したように、前面基板２０の透明基材２１の背面周縁部に、通し孔２５Ａを有する断面Ｌ字形の金具２５を設けておき、この金具２５に筐体５０等を固定するようにすることが望ましい。なお、図１０では、透明基材２１の四隅のみに金具２５を設けている場合を表しているが、金具２５を、透明基材２１の辺に沿って延在させるようにしてもよい。以上により、図１ないし図９に示した表示装置１が完成する。
【００３９】
なお、前面基板２０の外側には、偏光板（図示せず）を全面に貼り付けることにより、一体感をもたせることが望ましい。
【００４０】
この表示装置１では、前面基板２０の透明基材２１の寸法が後面基板１０よりも大きく、透明基材２１と後面基板１０とが重なり合うと共に有効画面２０Ｃを有する第１領域２０Ａには第１遮光層２３Ａ、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２、絵素電極ＰＸ１，ＰＸ２および透明電極１４よりなる液晶表示素子がこの順に設けられているので、前面基板２０側から入射した外光は第１遮光層２３Ａにより吸収され、外光反射によるコントラスト低下が抑えられる。一方、第１領域２０Ａ端部から透明基材２１が後面基板１０よりもはみ出した第２領域２０Ｂには第２遮光層２３Ｂおよび端子部２２がこの順に設けられ、端子部２２に接続された接続部材４０が前面基板２０の外形よりも内側に収められているので、接続部材４０が前面基板２０の外形から外側にはみ出すことがなくなると共に、第２遮光層２３Ｂにより内部構造が遮蔽され、従来のベゼル（側面筐体）が不要となる。
【００４１】
これに対して、従来の表示装置では、例えば図１１に示したように、対向基板１１０側を最前面とした構成を有している。これは、対向基板１１０の比較的簡略な製造工程に比べて、ＴＦＴ基板１２０は成膜・パターン形成等の工程が複雑で、歩留まりがあまりよくなかったので、少しでも工程を分離し、対向基板１１０側にブラックマトリクスやカラーフィルタを設けるようにしていたからである。しかしながら、現在ではＴＦＴ基板の歩留まりは十分に高くなっており、本実施の形態のようにＴＦＴ基板としての前面基板２０に第１遮光層２３Ａおよび第２遮光層２３Ｂを設けることによって歩留まりが極端に低下するおそれはない。
【００４２】
また、従来の表示装置では、接続部材１４０は、一般に、ＴＦＴ基板１２０の外形よりも外側にはみ出して、背面へ緩やかに反った形状とされている。そのため、ベゼル１５０の幅もある程度大きくする必要があった。一方、本実施の形態では、接続部材４０が前面基板２０の外形よりも内側に収められているので、額縁となる第２領域２０Ｂを狭くすることが可能となる。
【００４３】
このように本実施の形態では、前面基板２０の透明基材２１の寸法を後面基板１０よりも大きくし、透明基材２１と後面基板１０とが重なり合うと共に有効画面２０Ｃを有する第１領域２０Ａには第１遮光層２３Ａ、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２および液晶表示素子をこの順に設ける一方、第１領域２０Ａ端部から透明基材２１が後面基板１０よりもはみ出した第２領域２０Ｂには第２遮光層２３Ｂおよび端子部２２を設け、端子部２２に接続された接続部材４０を前面基板２０の外形よりも内側に収めるようにしたので、前面基板２０の外側に更にガラス板を追加する必要がなくなり、前面基板２０それ自体を表示装置１の最前面として用いることが可能となる。よって、従来のような前面ガラス板の部材コストおよび製造コストを削減すると共に最前面がフラットな構造を実現することが可能となる。更に、最前面がフラットな構造とすることにより、高級感や光沢感などがもたらされ、デザイン的な価値を高めることも可能となる。加えて、前面ガラスにより前面基板２０および後面基板１０からなる表示パネルを封じ込める必要はなく、表示パネルの温度上昇を回避し、温度上昇に伴う輝度低下や信頼性問題などを回避することが可能となる。
【００４４】
（第２の実施の形態）
図１２および図１３は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の前面基板の第１領域の構成を表したものであり、図１２は第１領域において第１遮光層の設けられている領域を表し、図１３はその断面構成を表したものである。本実施の形態は、第１遮光層２３Ａをクロム（Ｃｒ）の低反射積層膜により構成すると共に、第１遮光層２３Ａとゲート電極兼走査線ＧＬ等の配線とを直接積層することにより、それらを同一工程でパターニング可能としたものである。このことを除いては、この表示装置１は第１の実施の形態と同様の構成・作用および効果を有し、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００４５】
本実施の形態では、図１２に網掛けを施して示したように、第１遮光層２３Ａは、ゲート電極兼走査線ＧＬの直下と、容量素子主配線ＣＬの直下と、ドレイン電極６２Ｄのうちゲート電極兼走査線ＧＬとの交差位置を除く部分の直下と、およびソース配線ＳＬ１，ＳＬ２のうちゲート電極兼走査線ＧＬまたは容量素子主配線ＣＬとの交差位置を除く部分の直下とに設けられている。オーバーコート層２４は設けられていない。これにより、本実施の形態では、第１遮光層２３Ａと、ゲート電極兼走査線ＧＬ，容量素子主配線ＣＬ等の配線とを同一工程でパターニング可能となり、マスク枚数の削減によるコスト削減を図ることが可能となっている。なお、本実施の形態では、第１遮光層２３Ａが、第１の実施の形態のような画素Ｐ１の外形に沿った完全な格子状にはならないので、外光反射は若干増える可能性があるが、ソース配線ＳＬ２，ＳＬ２により照明部３０からの光の遮光は可能である。
【００４６】
この表示装置１は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００４７】
まず、図１２および図１３に示したように、透明基材２１の表面にクロム（Ｃｒ）の積層膜を形成し、続けてゲート電極兼走査線ＧＬ等の配線材料となる金属膜を形成する。次いで、レジスト塗布・露光・現像によりマスクを形成し、このマスクを用いて金属膜をエッチングすることによりゲート電極兼走査線ＧＬ，容量素子主配線ＣＬ等の配線を形成し、連続してクロム（Ｃｒ）の積層膜をエッチングすることにより第１遮光膜２３Ａを形成する。
【００４８】
続いて、第１の実施の形態と同様にして、ゲート絶縁膜７１以降を形成し、前面基板２０を形成する。また、第１の実施の形態と同様にして後面基板１０を形成し、配向膜形成、液晶滴下を経て、後面基板１０を前面基板２０の第１領域２０Ａに重ね合わせて周囲を封止する。接続部材４０等の熱圧着を行い、接続部材４０を前面基板２０の外形よりも内側に収めて実装し、照明部３０を配置し、前面基板２０の背面全体に筐体５０を被せる。以上により、図１２および図１３に示した表示装置１が完成する。
【００４９】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、カラーフィルタ１２を後面基板１０に設ける場合について説明したが、カラーフィルタは前面基板２０側に設けることも可能である。また、上記実施の形態では、照明部３０を後面基板１０の背面に設ける場合について説明したが、照明部３０は、後面基板１０の側面に設けるタイプでもよい。
【００５０】
更に、上記実施の形態では、前面基板２０および後面基板１０と共に照明部３０を備えた液晶表示装置を例として説明したが、本発明は有機ＥＬ表示装置，プラズマ表示装置など他の表示装置にも適用可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１…表示装置、１０…後面基板、１１…後面基材、１２…カラーフィルタ、１３…オーバーコート層、１４…透明電極、２０…前面基板、２０Ａ…第１領域、２０Ｂ…第２領域、２１…透明基材、２２…端子部、２３Ａ…第１遮光層、２３Ｂ…第２遮光層、２４…オーバーコート層、２５…金具、３０…照明部、４０…接続部材、４１…ドライバ回路基板、４２…制御回路基板、５０…筐体、６１…ゲート電極、６２Ｓ…ソース電極、６２Ｄ…ドレイン電極、６３…中間電極、６４…コンタクトホール、７１…ゲート絶縁膜、７２…ａ−Ｓｉ層、７３…ｎ＋ａ−Ｓｉ層、ＧＬ…ゲート電極兼走査線、ＳＬ１，ＳＬ２…ソース配線、ＣＬ…容量素子主配線、Ｐ１…画素、ＰＸ１，ＰＸ２…絵素電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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