(57)【要約】【課題】本発明は、グラウンド層と電気的に接続された柱状部材とシールドケースとの間の電気的接続信頼性を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】配線基板１１に設けられたパッド２８と対向する第１の端面６１Ａ、第１の端面６１Ａを構成する第１の端部１５Ａ、シールドケース１９と対向する第２の端面６１Ｂ、第２の端面６１Ｂを構成する第２の端部１５Ｂ、及び第１及び第２の端面６１Ａ，６１Ｂを貫通する貫通孔６２を備え、金属材料により構成された柱状部材１５と、柱状部材１５の第１の端部１５Ａとパッド２８とを接合する第１の導電性ペースト１３と、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとシールドケース１９とを接合する第２の導電性ペースト１８と、を設けた。【選択図】図３
2011035269.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体と、該基板本体の第１の面に設けられた接続パッドと、前記基板本体の第１の面に設けられたパッドと、前記基板本体の第１の面の反対側に位置する前記基板本体の第２の面に設けられた第１及び第２の外部接続用パッドと、前記基板本体に設けられたグラウンド層と、前記基板本体に内設され、前記接続パッドと前記第１の外部接続用パッドとを電気的に接続する第１の配線パターンと、前記基板本体に内設され、前記パッドと前記第２の外部接続用パッドとを電気的に接続すると共に、前記グラウンド層と接続された第２の配線パターンと、を有する配線基板と、
前記接続パッドに実装された電子部品と、
前記接続パッド及び前記パッドが配置された側の前記配線基板に設けられ、前記電子部品を封止する封止樹脂と、
前記封止樹脂を囲むように配置されたシールドケースと、
前記パッドと対向する部分の前記封止樹脂を貫通するように配置され、前記パッドと対向する第１の端面と、該第１の端面を構成する第１の端部と、前記シールドケースと対向する第２の端面と、該第２の端面を構成する第２の端部と、を有すると共に、金属材料により構成された柱状部材と、
前記パッドと前記第１の端面との間に配置され、前記柱状部材の第１の端部と前記パッドとを接合する第１の導電性ペーストと、
前記第２の端面と前記シールドケースとの間に配置され、前記柱状部材の第２の端部と前記シールドケースとを接合する第２の導電性ペーストと、
を備えた半導体装置であって、
前記柱状部材は、前記第１の端面及び前記第２の端面を貫通する貫通孔を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属材料の融点は、前記第１及び第２の導電性ペーストの融点よりも高いことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記貫通孔には、前記第１及び第２の導電性ペーストが存在することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記柱状部材の第２の端面は、前記柱状部材の第２の端面側に配置された前記封止樹脂の面に対して略面一とされていることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記柱状部材の形状は、円柱又は四角柱であることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板を形成する配線基板形成工程と、
前記パッドに前記第１の導電性ペーストを形成する第１の導電性ペースト形成工程と、
前記貫通孔が形成された前記柱状部材を準備する柱状部材準備工程と、
前記貫通孔が形成された前記柱状部材の第１の端部と前記第１の導電性ペーストとを接触させ、次いで、前記第１の導電性ペーストを溶融させ、その後、前記第１の導電性ペーストを硬化させることで、前記パッドと前記柱状部材の第１の端部とを接合させる第１の接合工程と、
前記接続パッドに前記電子部品を実装する電子部品実装工程と、
前記柱状部材が接合され、前記電子部品が実装された前記配線基板に、前記貫通孔が形成された前記柱状部材の第２の端面を露出するように、前記封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程と、
前記封止樹脂形成工程後に、前記柱状部材の第２の端面に、前記第２の導電性ペーストを形成する第２の導電性ペースト形成工程と、
前記第２の導電性ペーストと前記シールドケースとを接触させ、次いで、前記第２の導電性ペーストを溶融させ、その後、前記第２の導電性ペーストを硬化させることで、前記柱状部材の第２の端部と前記シールドケースとを接合させる第２の接合工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、特に、シールドケースと配線基板に設けられたパッドとの間に配置され、導電性ペーストを介して、シールドケースとパッドとを電気的に接続する柱状部材を備えた半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、シールドケースと配線基板に設けられたパッドとの間に配置され、導電性ペーストを介して、シールドケースとパッドとを電気的に接続する柱状部材を備えた半導体装置がある（図１参照）。
【０００３】
図１は、従来の半導体装置の断面図である。
【０００４】
図１を参照するに、従来の半導体装置２００は、配線基板２０１と、電子部品２０２と、封止樹脂２０３と、シールドケース２０５と、柱状部材２０６と、導電性ペースト２０７，２０８と、外部接続端子２１１，２１２を有する。
【０００５】
配線基板２０１は、基板本体２１５と、接続パッド２１６と、パッド２１７と、ソルダーレジスト層２１８，２２２と、外部接続用パッド２１９，２２１と、グラウンド層２２３と、配線パターン２２４，２２５とを有する。
【０００６】
基板本体２１５は、複数の絶縁層２２６〜２２８が積層された構成とされている。接続パッド２１６は、最上層に配置された絶縁層２２８の上面２２８Ａに設けられている。パッド２１７は、絶縁層２２８の上面２２８Ａに設けられている。
【０００７】
ソルダーレジスト層２１８は、絶縁層２２８の上面２２８Ａに設けられている。ソルダーレジスト層２１８は、接続パッド２１６を露出する開口部２１８Ａと、パッド２１７を露出する開口部２１８Ｂとを有する。
【０００８】
外部接続用パッド２１９，２２１は、最下層に配置された絶縁層２２６の下面２２６Ａに設けられている。
【０００９】
ソルダーレジスト層２２２は、絶縁層２２６の下面２２６Ａに設けられている。ソルダーレジスト層２２２は、外部接続用パッド２１９を露出する開口部２２２Ａと、外部接続用パッド２２１を露出する開口部２２２Ｂとを有する。グラウンド層２２３は、絶縁層２２７の下面２２７Ａに設けられている。
【００１０】
配線パターン２２４は、基板本体２１５に内設されており、複数のビア及び配線により構成されている。配線パターン２２４は、接続パッド２１６及び外部接続用パッド２１９と接続されている。これにより、配線パターン２２４は、接続パッド２１６と外部接続用パッド２１９とを電気的に接続している。
【００１１】
配線パターン２２５は、ビア２３１，２３２，２３４と、配線２３３とを有する。ビア２３１は、絶縁層２２８に設けられ、パッド２１７と接続されている。ビア２３２は、絶縁層２２７を貫通すると共に、グラウンド層２２３と接続されている。配線２３３は、ビア２３１，２３２と接続されている。ビア２３４は、グラウンド層２２３と外部接続用パッド２２１との間に配置された絶縁層２２６を貫通すると共に、グラウンド層２２３及び外部接続用パッド２２１と接続されている。これにより、配線パターン２２５は、グラウンド電位とされると共に、パッド２１７と外部接続用パッド２２１とを電気的に接続している。
【００１２】
電子部品２０２は、接続パッド２１６に実装されている。封止樹脂２０３は、ソルダーレジスト層２１８に設けられており、接続パッド２１６に実装された電子部品２０２を封止している。
【００１３】
シールドケース２０５は、封止樹脂２０３を囲むような形状とされており、封止樹脂２０３と対向するように配置されている。
【００１４】
柱状部材２０６は、パッド２１７と対向する部分の封止樹脂２０３を貫通している。柱状部材２０６は、パッド２１７と対向する第１の端面２０６Ａと、封止樹脂２０３の面２０３Ａから露出され、シールドケース２０５と対向する第２の端面２０６Ｂ（第１の端面２０６Ａの反対側に位置する柱状部材２０６の面）とを有する。
【００１５】
柱状部材２０６は、第１の端面２０６Ａとパッド２１７との間に配置された導電性ペースト２０７を介して、パッド２１７と電気的に接続されると共に、第２の端面２０６Ｂとシールドケース２０５との間に配置された導電性ペースト２０８を介して、シールドケース２０５と電気的に接続されている。
【００１６】
導電性ペースト２０７は、柱状部材２０６の第１の端面２０６Ａとパッド２１７との間に配置されており、柱状部材２０６とパッド２１７とを接合している。
【００１７】
導電性ペースト２０８は、柱状部材２０６の第２の端面２０６Ｂとシールドケース２０５との間に配置されており、柱状部材２０６とシールドケース２０５とを接合している。導電性ペースト２０７，２０８としては、例えば、はんだを用いることができる。
【００１８】
上記構成とされた従来の半導体装置２００では、柱状部材２０６の第２の端面２０６Ｂに形成された導電性ペースト２０８とシールドケース２０５とを接触させ、次いで、導電性ペースト２０８を溶融させ、その後、溶融した導電性ペースト２０８を硬化させることで、シールドケース２０５と柱状部材２０６とを接合させる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１９】
【特許文献１】特開２００６−１９０７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
図２は、従来の半導体装置の問題点を説明するための断面図である。図２において、従来の半導体装置２００と同一構成部分には同一符号を付す。
【００２１】
しかしながら、従来の半導体装置２００では、柱状部材２０６の第２の端面２０６Ｂに形成された導電性ペースト２０８とシールドケース２０５とを接触させ、次いで、導電性ペースト２０８を溶融させ、その後、溶融した導電性ペースト２０８を硬化させることで、シールドケース２０５と柱状部材２０６とを接合させていた。
【００２２】
そのため、図２に示すように、柱状部材２０６の第２の端面２０６Ｂに形成される導電性ペースト２０８の量が多い場合、導電性ペースト２０８を溶融させた際に導電性ペースト２０８がシールドケース２０５に対して放射状に広がるため、グラウンド層２２３と電気的に接続された柱状部材２０６とシールドケース２０５とを電気的に接続することができない（言い換えれば、柱状部材２０６とシールドケース２０５との間の電気的接続がオープンになってしまう）という問題があった。
【００２３】
なお、柱状部材２０６の第２の端面２０６Ｂに形成する導電性ペースト２０８の量を少なくした場合、柱状部材２０６とシールドケース２０５との間の電気的接続信頼性が低下してしまうという問題が発生する。
【００２４】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、グラウンド層と電気的に接続された柱状部材とシールドケースとの間の電気的接続信頼性を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明の一観点によれば、基板本体と、該基板本体の第１の面に設けられた接続パッドと、前記基板本体の第１の面に設けられたパッドと、前記基板本体の第１の面の反対側に位置する前記基板本体の第２の面に設けられた第１及び第２の外部接続用パッドと、前記基板本体に設けられたグラウンド層と、前記基板本体に内設され、前記接続パッドと前記第１の外部接続用パッドとを電気的に接続する第１の配線パターンと、前記基板本体に内設され、前記パッドと前記第２の外部接続用パッドとを電気的に接続すると共に、前記グラウンド層と接続された第２の配線パターンと、を有する配線基板と、
前記接続パッドに実装された電子部品と、
前記接続パッド及び前記パッドが配置された側の前記配線基板に設けられ、前記電子部品を封止する封止樹脂と、
前記封止樹脂を囲むように配置されたシールドケースと、
前記パッドと対向する部分の前記封止樹脂を貫通するように配置され、前記パッドと対向する第１の端面と、該第１の端面を構成する第１の端部と、前記シールドケースと対向する第２の端面と、該第２の端面を構成する第２の端部と、を有すると共に、金属材料により構成された柱状部材と、
前記パッドと前記第１の端面との間に配置され、前記柱状部材の第１の端部と前記パッドとを接合する第１の導電性ペーストと、
前記第２の端面と前記シールドケースとの間に配置され、前記柱状部材の第２の端部と前記シールドケースとを接合する第２の導電性ペーストと、
を備えた半導体装置であって、
前記柱状部材は、前記第１の端面及び前記第２の端面を貫通する貫通孔を有することを特徴とする半導体装置が提供される。
【００２６】
本発明によれば、パッドと対向する部分の封止樹脂を貫通するように配置され、パッドと対向する第１の端面と、第１の端面を構成する第１の端部と、シールドケースと対向する第２の端面と、第２の端面を構成する第２の端部と、を有すると共に、金属材料により構成された柱状部材を設け、第２の導電性ペーストにより柱状部材の第２の端部とシールドケースとを接合させることにより、第２の導電性ペーストを溶融させて、シールドケースと柱状部材とを接合させる際、柱状部材の第２の端部とシールドケースとの接合に不要な溶融された第２の導電性ペーストを貫通孔に逃がす（移動させる）ことが可能となる。
【００２７】
つまり、柱状部材の第２の端面とシールドケースとの間に配置される溶融した第２の導電性ペーストの量を少なくすることが可能となる。
【００２８】
これにより、第２の導電性ペーストがシールドケースに対して放射状に広がることがなくなるため、グラウンド層と電気的に接続された柱状部材とシールドケースとの間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【００２９】
また、第１の導電性ペーストにより、貫通孔が形成された柱状部材の第１の端部とパッドとを接合させることで、柱状部材の第１の端部とパッドとを接合させる際に不要な溶融された第１の導電性ペーストを貫通孔に逃がす（移動させる）ことができる。
【００３０】
また、請求項１ないし５のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板を形成する配線基板形成工程と、
前記パッドに前記第１の導電性ペーストを形成する第１の導電性ペースト形成工程と、
前記貫通孔が形成された前記柱状部材を準備する柱状部材準備工程と、
前記貫通孔が形成された前記柱状部材の第１の端部と前記第１の導電性ペーストとを接触させ、次いで、前記第１の導電性ペーストを溶融させ、その後、前記第１の導電性ペーストを硬化させることで、前記パッドと前記柱状部材の第１の端部とを接合させる第１の接合工程と、
前記接続パッドに前記電子部品を実装する電子部品実装工程と、
前記柱状部材が接合され、前記電子部品が実装された前記配線基板に、前記貫通孔が形成された前記柱状部材の第２の端面を露出するように、前記封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程と、
前記封止樹脂形成工程後に、前記柱状部材の第２の端面に、前記第２の導電性ペーストを形成する第２の導電性ペースト形成工程と、
前記第２の導電性ペーストと前記シールドケースとを接触させ、次いで、前記第２の導電性ペーストを溶融させ、その後、前記第２の導電性ペーストを硬化させることで、前記柱状部材の第２の端部と前記シールドケースとを接合させる第２の接合工程と、を含んでもよい。
【００３１】
本発明によれば、封止樹脂形成工程後に、柱状部材の第２の端面に第２の導電性ペーストを形成し、次いで、第２の導電性ペーストとシールドケースとを接触させ、次いで、第２の導電性ペーストを溶融させ、その後、第２の導電性ペーストを硬化させることで、柱状部材の第２の端部とシールドケースとを接合させることにより、柱状部材の第２の端部とシールドケースとの接合に不要な溶融された第２の導電性ペーストを貫通孔に逃がして（移動させて）、柱状部材の第２の端面とシールドケースとの間に配置される溶融した第２の導電性ペーストの量を少なくすることが可能となる。
【００３２】
これにより、第２の導電性ペーストがシールドケースに対して放射状に広がることがなくなるため、グラウンド層と電気的に接続された柱状部材とシールドケースとの間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【００３３】
また、第１の導電性ペーストを溶融させた状態で、貫通孔が形成された柱状部材の第１の端部と第１の導電性ペーストとを接触させ、第１の導電性ペーストを硬化させることで、第１の導電性ペーストの量の多い場合、柱状部材の第１の端部とパッドとを接合させる際に不要な溶融された第１の導電性ペーストを貫通孔に逃がす（移動させる）ことができる。
【００３４】
また、貫通孔が形成された柱状部材の第１の端部と第１の導電性ペーストとを接触させ、次いで、第１の導電性ペーストを溶融させ、その後、第１の導電性ペーストを硬化させることで、パッドと前記柱状部材の第１の端部とを接合させることにより、柱状部材の第１の端部とパッドとを接合させる際に不要な溶融された第１の導電性ペーストを貫通孔に逃がす（移動させる）ことができる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、グラウンド層と電気的に接続された柱状部材とシールドケースとの間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】従来の半導体装置の断面図である。
【図２】従来の半導体装置の問題点を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図４】図３に示す柱状部材の斜視図である。
【図５】他の柱状部材に斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図８】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図９】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図１４】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その９）である。
【図１５】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１０）である。
【図１６】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１１）である。
【図１７】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１２）である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００３８】
（実施の形態）
図３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【００３９】
図３を参照するに、本実施の形態の半導体装置１０は、配線基板１１と、電子部品１２と、第１の導電性ペースト１３と、柱状部材１５と、封止樹脂１６と、第２の導電性ペースト１８と、シールドケース１９と、外部接続端子２２，２３とを有する。
【００４０】
配線基板１１は、基板本体２６と、接続パッド２７と、パッド２８と、ソルダーレジスト層３１，３６と、第１の外部接続用パッド３３と、第２の外部接続用パッド３４と、グラウンド層３７と、第１の配線パターン４１と、第２の配線パターン４２とを有する。
【００４１】
基板本体２６は、複数の絶縁層４５〜４７が積層された構成とされている。絶縁層４５は、絶縁層４６と絶縁層４７との間に設けられている。絶縁層４５の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やガラスエポキシ樹脂等を用いることができる。
【００４２】
絶縁層４６は、絶縁層４５の面４５Ａに設けられている。絶縁層４６の材料としては、例えば、エポキシ樹脂を用いることができる。絶縁層４７は、絶縁層４５の面４５Ｂ（絶縁層４５の面４５Ａの反対側に位置する絶縁層４５の面）に設けられている。絶縁層４７の材料としては、例えば、エポキシ樹脂を用いることができる。
【００４３】
なお、上記複数の絶縁層４５〜４７の代わりに、積層された複数のセラミックを用いて、基板本体２６を構成してもよい。
【００４４】
接続パッド２７は、電子部品１２の実装領域に対応する部分の絶縁層４６の面４６Ａ（基板本体２６の第１の面）に設けられている。接続パッド２７は、電子部品１２が実装される接続面２７Ａを有する。
【００４５】
パッド２８は、接続パッド２７の形成領域よりも外側に位置する部分の絶縁層４６の面４６Ａに設けられている。パッド２８は、第１の導電性ペースト１３が形成される導電性ペースト形成面２８Ａを有する。
【００４６】
ソルダーレジスト層３１は、絶縁層４６の面４６Ａ（絶縁層４５と接触する絶縁層４６の面の反対側に位置する絶縁層４６の面）に設けられている。ソルダーレジスト層３１は、接続面２７Ａを露出する開口部３１Ａと、導電性ペースト形成面２８Ａを露出する開口部３１Ｂとを有する。
【００４７】
第１の外部接続用パッド３３は、絶縁層４７の面４７Ａ（絶縁層４５と接触する絶縁層４７の面の反対側に位置する絶縁層４７の面（基板本体の第２の面））に設けられている。第１の外部接続用パッド３３は、外部接続端子２２が配設される端子接続面３３Ａを有する。
【００４８】
第２の外部接続用パッド３４は、絶縁層４７の面４７Ａに設けられている。第２の外部接続用パッド３４は、外部接続端子２３が配設される端子接続面３４Ａを有する。
【００４９】
ソルダーレジスト層３６は、絶縁層４７の面４７Ａに設けられている。ソルダーレジスト層３６は、端子接続面３３Ａを露出する開口部３６Ａと、端子接続面３４Ａを露出する開口部３６Ｂとを有する。
【００５０】
グラウンド層３７は、絶縁層４５の面４５Ｂに設けられている。グラウンド層３７は、グラウンド電位とされた金属層である。グラウンド層３７の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００５１】
第１の配線パターン４１は、ビア５１，５４，５５と、配線５２，５３とを有する。ビア５１は、絶縁層４５を貫通している。配線５２は、絶縁層４５の面４５Ａに設けられている。配線５２は、配線５２の一部が接続パッド２７と対向するように配置されている。配線５２は、ビア５１の上端と接続されている。
【００５２】
配線５３は、配線５３の一部が第１の外部接続用パッド３３と対向するように、絶縁層４５の面４５Ｂに設けられている。配線５３は、ビア５１の下端と接続されている。配線５３は、ビア５１を介して、配線５２と電気的に接続されている。
【００５３】
ビア５４は、接続パッド２７と配線５２との間に位置する部分の絶縁層４６を貫通している。ビア５４の上端は、接続パッド２７と接続されており、ビア５４の下端は、配線５２と接続されている。これにより、ビア５４は、接続パッド２７と配線５２とを電気的に接続している。
【００５４】
ビア５５は、配線５３と第１の外部接続用パッド３３との間に位置する部分の絶縁層４７を貫通するように配置されている。ビア５５の上端は、配線５３と接続されており、ビア５５の下端は、第１の外部接続用パッド３３と接続されている。これにより、ビア５５は、配線５３と第１の外部接続用パッド３３とを電気的に接続している。
【００５５】
上記構成とされた第１の配線パターン４１は、接続パッド２７と第１の外部接続用パッド３３とを電気的に接続している。第１の配線パターン４１の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００５６】
第２の配線パターン４２は、ビア５７，５９，６１と、配線５８とを有する。ビア５７は、ビア５１の形成領域よりも外側に位置する部分の絶縁層４５を貫通するように配置されている。ビア５７の下端は、グラウンド層３７と接続されている。これにより、第２の配線パターン４２は、グラウンド電位とされている。
【００５７】
配線５８は、配線５８の一部がパッド２８と対向するように、絶縁層４５の面４５Ａに設けられている。配線５８は、ビア５７の上端と接続されている。
【００５８】
ビア５９は、パッド２８と配線５８との間に位置する部分の絶縁層４６を貫通するように配置されている。ビア５９の上端は、パッド２８と接続されており、ビア５９の下端は、配線５８と接続されている。これにより、ビア５９は、パッド２８と配線５８とを電気的に接続されている。
【００５９】
ビア６１は、グラウンド層３７と第２の外部接続用パッド３４との間に位置する部分の絶縁層４７を貫通するように配置されている。ビア６１の上端は、グラウンド層３７と接続されている。これにより、ビア６１は、グラウンド層３７を介して、ビア５７と接続されている。ビア６１の下端は、第２の外部接続用パッド３４と接続されている。これにより、ビア６１は、グラウンド層３７と第２の外部接続用パッド３４とを電気的に接続している。
【００６０】
上記構成とされた第２の配線パターン４２は、グラウンド層３７と接続されると共に、パッド２８と第２の外部接続用パッド３４とを電気的に接続している。第２の配線パターン４２の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００６１】
電子部品１２は、導電性ペースト２４及びバンプ２５を介して、接続パッド２７に実装されている。電子部品１２としては、例えば、半導体チップ、チップコンデンサ、チップ抵抗等を用いることができる。導電性ペースト２４としては、例えば、はんだ（例えば、融点が２２０度）やＡｇペースト等の導電ペーストを用いることができる。バンプ２５としては、例えば、Ａｕバンプを用いることができる。
【００６２】
なお、図３では、１つの電子部品１２（この場合、半導体チップ）が配線基板１１に実装された構成とされた半導体装置１０を図示しているが、実際には、配線基板１１には、図示していない複数の電子部品（例えば、半導体チップ、チップコンデンサ、チップ抵抗等）が実装されている。
【００６３】
第１の導電性ペースト１３は、パッド２８の導電性ペースト形成面２８Ａと柱状部材１５の第１の端部１５Ａとの間に設けられている。第１の導電性ペースト１３は、柱状部材１５の第１の端部１５Ａとパッド２８とを接合することで、パッド２８に柱状部材１５の第１の端部１５Ａを固定するためのものである。第１の導電性ペースト１３のうち、柱状部材１５の第１の端部１５Ａとパッド２８との接合に不要な第１の導電性ペースト１３（言い換えれば、余分な第１の導電性ペースト１３）は、柱状部材１５の第１の端部１５Ａに位置する部分の貫通部６２に収容されている。第１の導電性ペースト１３としては、例えば、はんだ（例えば、融点が２２０度）やＡｇペースト等を用いることができる。
【００６４】
図４は、図３に示す柱状部材の斜視図である。
【００６５】
図３及び図４を参照するに、柱状部材１５は、対向配置されたパッド２８と第シールドケース１９との間に配置されている。柱状部材１５は、柱状部材本体６１と、貫通孔６２と、第１の端部１５Ａと、第２の端部１５Ｂとを有する。
【００６６】
柱状部材本体６１は、円柱形状とされており、第１の端面６１Ａと、第２の端面６１Ｂとを有する。第１の端面６１Ａは、平坦な面とされている。第１の端面６１Ａは、パッド２８の導電性ペースト形成面２８Ａと対向するように配置されている。
【００６７】
第２の端面６１Ｂは、平坦な面とされている。第２の端面６１Ｂは、第１の端面６１Ａの反対側に配置されている。第２の端面６１Ｂは、シールドケース１９と対向するように配置されている。
【００６８】
柱状部材本体６１の半径Ｒ１は、例えば、０．６ｍｍとすることができる。柱状部材本体６１の高さＨ１は、柱状部材本体６１の第１の端面６１Ａが配線基板１１に実装された電子部品１２よりも上方に配置されるような高さとされている。柱状部材本体６１の高さＨ１は、例えば、０．６ｍｍとすることができる。
【００６９】
柱状部材本体６１は、例えば、第１及び第２の導電性ペースト１３，１８よりも融点の高い金属材料により構成するとよい。
【００７０】
第１及び第２の導電性ペースト１８，１９として、例えば、融点が２２０度のはんだやＡｇペーストを用いる場合、柱状部材本体６１を構成する金属材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００７１】
貫通孔６２は、柱状部材本体６１の第１及び第２の端面６１Ａ，６１Ｂの中央を貫通するように形成されている。貫通孔６２の直径Ｒ２は、例えば、２００μｍとすることができる。貫通孔６２は、例えば、柱状部材本体６１をレーザ加工することで形成する。
【００７２】
柱状部材１５の第１の端部１５Ａは、貫通孔６２が形成された第１の端面６１Ａを構成する部分の柱状部材１５のことである。言い換えれば、柱状部材１５の第１の端部１５Ａは、第１の導電性ペースト１３と接触する部分の柱状部材１５のことである。柱状部材１５の第１の端部１５Ａは、導電性ペースト形成面２８Ａに設けられた第１の導電性ペースト１３を介して、パッド２８と接合されている。これにより、柱状部材１５は、第１の導電性ペースト１３を介して、配線基板１１と電気的に接続されている。
【００７３】
柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとは、貫通孔６２が形成された第２の端面６１Ｂを構成する部分の柱状部材１５のことである。言い換えれば、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂは、第２の導電性ペースト１８と接触する部分の柱状部材１５のことである。柱状部材１５の第２の端部１５Ｂは、柱状部材本体６１の第２の端面６１Ｂに設けられた第２の導電性ペースト１８を介して、シールドケース１９と接合されている。これにより、柱状部材１５は、シールドケース１９と電気的に接続されている。
【００７４】
上記構成とされた柱状部材１５は、第１及び第２の導電性ペースト１３，１８、ビア５７，５９、及び配線５８を介して、シールドケース１９とグラウンド層３７とを電気的に接続している。これにより、シールドケース１９は、グラウンド電位とされている。
【００７５】
このように、パッド２８と対向する部分の封止樹脂１６を貫通するように配置され、パッド２８と対向する第１の端面６１Ａと、第１の端面６１Ａを構成する第１の端部１５Ａと、シールドケース１９と対向する第２の端面６１Ｂと、第２の端面６１Ｂを構成する第２の端部１５Ｂと、を有すると共に、金属材料により構成された柱状部材１５を設け、第２の導電性ペースト１８により柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとシールドケース１９とを接合させることにより、第２の導電性ペースト１８を溶融させて、シールドケース１９と柱状部材１５とを接合させる際、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとシールドケース１９との接合に不要な溶融された第２の導電性ペースト１８を貫通孔６２に逃がす（移動させる）ことが可能となる。
【００７６】
つまり、柱状部材１５の第２の端面１５Ｂとシールドケース１９との間に配置される溶融した第２の導電性ペースト１８の量を少なくすることが可能となる。
【００７７】
これにより、溶融した第２の導電性ペースト１８がシールドケース１９に対して放射状に広がることがなくなるため、グラウンド層３７と電気的に接続された柱状部材１５とシールドケース１９との間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【００７８】
また、第１の導電性ペースト１３の量が多い場合、柱状部材１５の第１の端部１５Ａとパッド２８とを接合させる際に不要な溶融された第１の導電性ペースト１３を貫通孔６２に逃がす（移動させる）ことができる。
【００７９】
封止樹脂１６は、電子部品１２と、柱状部材１５の側面とを封止するように、ソルダーレジスト層３１上に設けられている。封止樹脂１６の上面１６Ａは、柱状部材本体６１の第２の端面６１Ｂを露出している。封止樹脂１６の上面１６Ａは、柱状部材本体６１の第２の端面６１Ｂに対して略面一となるように配置されている。封止樹脂１６としては、例えば、モールド樹脂を用いることができる。この場合、モールド樹脂の材料としては、例えば、エポキシ樹脂を用いることができる。
【００８０】
第２の導電性ペースト１８は、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとシールドケース１９との間に設けられている。第２の導電性ペースト１８は、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとシールドケース１９とを接合させることで、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂにシールドケース１９を固定するためのものである。
【００８１】
第２の導電性ペースト１８のうち、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとシールドケース１９との接合に不要な第２の導電性ペースト１８（言い換えれば、余分な第２の導電性ペースト１８）は、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂに対応する部分の貫通部６２に収容されている。第２の導電性ペースト１８としては、例えば、はんだ（例えば、融点が２２０度）やＡｇペースト等を用いることができる。
【００８２】
シールドケース１９は、封止樹脂１６（具体的には、封止樹脂１６の上面１６Ａ及び側面１６Ｂ）を囲むように配置されている。シールドケース１９は、悪影響を及ぼす電磁波を遮断するための部材である。シールドケース１９の材料としては、例えば、羊白（nickel silver）を用いることができる。羊白は、展延性や耐食性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｚｎ合金である。シールドケース１９の材料として羊白を用いた場合、シールドケース１９の厚さは、例えば、０．０５〜０．２ｍｍとすることができる。
【００８３】
外部接続端子２２は、第１の外部接続用パッド３３の端子接続面３３Ａに設けられている。外部接続端子２３は、第２の外部接続用パッド３４の端子接続面３４Ａに設けられている。外部接続端子２２，２３は、半導体装置１０をマザーボード等の実装基板（図示せず）に実装する際、実装基板に設けられたパッド（図示せず）と接続される端子である。
【００８４】
本実施の形態の半導体装置によれば、パッド２８と対向する部分の封止樹脂１６を貫通するように配置され、パッド２８と対向する第１の端面６１Ａと、第１の端面６１Ａを構成する第１の端部１５Ａと、シールドケース１９と対向する第２の端面６１Ｂと、第２の端面６１Ｂを構成する第２の端部１５Ｂと、を有すると共に、金属材料により構成された柱状部材１５を設け、第２の導電性ペースト１８により柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとシールドケース１９とを接合させることにより、第２の導電性ペースト１８を溶融させて、シールドケース１９と柱状部材１５とを接合させる際、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとシールドケース１９との接合に不要な溶融された第２の導電性ペースト１８を貫通孔６２に逃がして、柱状部材１５の第２の端面１５Ｂとシールドケース１９との間に配置される溶融した第２の導電性ペースト１８の量を少なくすることが可能となる。
【００８５】
これにより、溶融した第２の導電性ペースト１８がシールドケース１９に対して放射状に広がることがなくなるため、グラウンド層３７と電気的に接続された柱状部材１５とシールドケース１９との間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【００８６】
また、第１の導電性ペースト１３の量が多い場合、柱状部材１５の第１の端部１５Ａとパッド２８とを接合させる際に不要な溶融された第１の導電性ペースト１３を貫通孔６２に逃がす（移動させる）ことができる。
【００８７】
図５は、他の柱状部材に斜視図である。図５において、図４に示す柱状部材１５と同一構成部分には同一符号を付す。
【００８８】
なお、本実施の形態では、円柱形状とされた柱状部材１５、第１の導電性ペースト１３、及び第２の導電性ペースト１８を介して、グラウンド層３７と電気的に接続されたパッド２８とシールドケース１９とを電気的に接続する場合を例に挙げて説明したが、柱状部材１５の形状は、円柱に限定されない。
【００８９】
例えば、図５に示す柱状部材１５の代わりに、図５に示すように、パッド２８と対向する第１の端面６６Ａ、及びシールドケース１９と対向する第２の端面６６Ｂを有すると共に、四角柱とされた柱状部材本体６６と、第１及び第２の端面６６Ａ，６６Ｂの中央を貫通する貫通孔６２とを備えた柱状部材６５（四角柱とされた柱状部材）を設けてもよい。この場合、本実施の形態の半導体装置１０と同様な効果を得ることができる。
【００９０】
柱状部材本体６６の幅Ｗ１，Ｗ２は、例えば、０．６ｍｍとすることができる。第１及び第２の導電性ペースト１８，１９として、例えば、融点が２２０度のはんだやＡｇペーストを用いる場合、柱状部材本体６６を構成する金属材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００９１】
図６〜図１７は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図６〜図１７において、本実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には、同一符号を付す。
【００９２】
図６〜図１７を参照して、本実施の形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。
【００９３】
始めに、図６に示す工程では、周知の手法により、複数の配線基板１１が一体的に構成された配線基板群７１を形成する（配線基板形成工程）。
【００９４】
配線基板群７１は、板状とされている。配線基板群７１は、切断位置Ａにおいて切断されることにより、個片化された複数の配線基板１１となる。
【００９５】
次いで、図７に示す工程では、パッド２８の導電性ペースト形成面２８Ａに第１の導電性ペースト１３を形成する（第１の導電性ペースト形成工程）と共に、接続パッド２７の接続面２７Ａに導電性ペースト２４を形成する。
【００９６】
第１の導電性ペースト１３及び導電性ペースト２４としては、例えば、はんだやＡｇペースト等を用いることができる。第１の導電性ペースト１３及び導電性ペースト２４として同じ材料を用いる場合には、第１の導電性ペースト１３及び導電性ペースト２４は、
同時に形成する。具体的には、第１の導電性ペースト１３及び導電性ペースト２４は、例えば、印刷法により形成することができる。
【００９７】
次いで、図８に示す工程では、第１及び第２の端面６１Ａ，６１Ｂを有する柱状部材本体６１、柱状部材本体６１に設けられ、第１及び第２の端面６１Ａ，６１Ｂを貫通する貫通孔６２、第１の端面６１Ａを構成する第１の端部１５Ａ、及び第２の端面６１Ｂを構成する第２の端部１５Ｂを有した柱状部材１５を複数形成する（柱状部材準備工程）。
【００９８】
柱状部材本体６１は、円柱形状とされている。柱状部材本体６１の半径Ｒ１は、例えば、０．６ｍｍとすることができる。柱状部材本体６１の高さＨ１は、柱状部材本体６１の第１の端面６１Ａが配線基板１１に実装された電子部品１２よりも上方に配置されるような高さとされている。柱状部材本体６１の高さＨ１は、例えば、０．６ｍｍとすることができる。柱状部材本体６１は、例えば、第１及び第２の導電性ペースト１３，１８よりも融点の高い金属材料により構成するとよい。
【００９９】
第１及び第２の導電性ペースト１８，１９として、例えば、融点が２２０度のはんだやＡｇペーストを用いる場合、柱状部材本体６１を構成する金属材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。貫通孔６２の直径Ｒ２は、例えば、２００μｍとすることができる。貫通孔６２は、例えば、柱状部材本体６１をレーザ加工することで形成する。
【０１００】
次いで、図９に示す工程では、貫通孔６２が形成された柱状部材１５の第１の端部１５Ａと第１の導電性ペースト１３とを接触させると共に、電子部品１２に設けられたバンプ２５と導電性ペースト２４とを接触させ、次いで、加熱により第１の導電性ペースト１３及び導電性ペースト２４を溶融させ、その後、第１の導電性ペースト１３及び導電性ペースト２４を硬化させることで、パッド２８と柱状部材１５の第１の端部１５Ａとを接合させる（第１の接合工程）と共に、電子部品１２を接続パッド２７に実装させる（電子部品実装工程）。
【０１０１】
このように、貫通孔６２が形成された柱状部材１５の第１の端部１５Ａ（第１の端面６１Ａの含む）と第１の導電性ペースト１３とを接触させ、次いで、加熱により第１の導電性ペースト１３を溶融させ、その後、第１の導電性ペースト１３を硬化させることで、パッド２８と柱状部材１５の第１の端部１５Ａとを接合させることにより、パッド２８と第１の端面６１Ａとの間に配置された第１の導電性ペースト１３の量の多い場合、柱状部材１５の第１の端部１５Ａとパッド２８とを接合させる際に不要な第１の導電性ペースト１３（余分な第１の導電性ペースト１３）を貫通孔６２に逃がす（移動させる）ことができる。
【０１０２】
また、パッド２８と柱状部材１５の第１の端部１５Ａとを接合させる第１の接合工程と、電子部品１２を接続パッド２７に実装させる電子部品実装工程とを同時に行うことで、第１の接合工程と電子部品実装工程とを別々の工程で処理した場合と比較して、製造工程数を減らすことが可能となるため、半導体装置１０の製造コストを低減できる。
【０１０３】
次いで、図１０に示す工程では、柱状部材１５が接合されると共に、電子部品１２が実装された配線基板群７１の上面側（言い換えれば、柱状部材１５が接合されると共に、電子部品１２が実装され、一体化された複数の配線基板１１の上面側）に、貫通孔６２が形成された柱状部材１５の第２の端面１５Ｂを露出するように、封止樹脂１６を形成する（封止樹脂形成工程）。
【０１０４】
具体的には、下部金型７３の面７３Ａに、図９に示す構造体を載置（具体的には、ソルダーレジスト層３６と下部金型７３の面７３Ａとが接触するように載置）し、下部金型７３の面７３Ａと対向する上部金型７５の面７５Ａに貼り付けられた離型フィルム７６と柱状部材本体６１の第２の端面６１Ｂとを接触させた後、離型フィルム７６と配線基板群７１との間を充填する封止樹脂１６を形成する。
【０１０５】
これにより、封止樹脂１６により、配線基板群７１に実装された複数の電子部品１２、及び配線基板群７１と接合された複数の柱状部材１５の側面が封止される。
【０１０６】
また、離型フィルム７６と柱状部材本体６１の第２の端面６１Ｂとを接触させた後、離型フィルム７６と配線基板群７１との間を充填する封止樹脂１６を形成することで、柱状部材１５の貫通孔６２に封止樹脂１６が形成されることを防止できると共に、封止樹脂１６の上面１６Ａから柱状部材本体６１の第２の端面６１Ｂを露出させることができる。
【０１０７】
離型フィルム７６としては、例えば、フッ素系の離型剤を用いることができる。離型フィルム７６の厚さは、例えば、５０μｍとすることができる。
【０１０８】
封止樹脂１６としては、例えば、モールド樹脂を用いることができる。モールド樹脂の材料としては、例えば、エポキシ樹脂を用いることができる。
【０１０９】
次いで、図１１に示す工程では、図１０に示す下部金型７３及び離型フィルム７６が形成された上部金型７５から、封止樹脂１６が形成された配線基板群７１を取り出す。
【０１１０】
次いで、図１２に示す工程では、第１の外部接続用パッド３３の端子接続面３３Ａに外部接続端子２２を形成すると共に、第２の外部接続用パッド３４の端子接続面３４Ａに外部接続端子２３を形成する。外部接続端子２２，２３としては、例えば、はんだボールを用いることができる。
【０１１１】
次いで、図１３に示す工程では、図１２に示す構造体を切断位置Ａに沿って切断することで、電子部品１２、柱状部材１５、及び封止樹脂１６が形成された複数の配線基板１１を個片化する。具体的には、図１２に示す構造体を、例えば、ダイサーにより切断する。
【０１１２】
次いで、図１４に示す工程では、個片化された配線基板１１に設けられた封止樹脂１６の上面１６Ａ及び柱状部材本体６１の第２の端面６１Ｂに、貫通部７８を有した印刷用マスク７７を載置する。
【０１１３】
このとき、貫通部７８が、第２の端面６１Ｂ側に配置された貫通孔６２の端部全体を露出するように、印刷用マスク７７を載置する。
【０１１４】
印刷用マスク７７の材料としては、例えば、ＳＵＳ等の金属を用いることができる。印刷用マスク７７の厚さは、例えば、３０μｍとすることができる。
【０１１５】
貫通部７８の直径Ｒ３は、印刷用マスク７７を配置する際の位置ずれを考慮（印刷用マスク７７を載置する装置の性能を考慮）して、貫通孔６２の直径Ｒ２よりも大きくするとよい。具体的には、貫通孔６２の直径Ｒ２が２００μｍの場合、貫通部７８の直径Ｒ３は、例えば、２５０μｍとすることができる。
【０１１６】
次いで、図１５に示す工程では、貫通孔６２の一部、及び貫通部７８を充填するように、柱状部材本体６１の第２の端面６１Ｂに第２の導電性ペースト１８を形成する。これにより、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂに第２の導電性ペースト１８が形成される。
【０１１７】
具体的には、第２の導電性ペースト１８は、例えば、印刷法により形成する。第２の導電性ペースト１８としては、例えば、はんだ（融点は、例えば、２２０度）やＡｇペースト等を用いることができる。
【０１１８】
次いで、図１６に示す工程では、図１５に示す印刷用マスク７７を除去する。なお、図１４〜図１６に示す工程が、「第２の導電性ペースト形成工程」に相当する工程である。
【０１１９】
次いで、図１７に示す工程では、第２の導電性ペースト１８とシールドケース１９とを接触させ、次いで、第２の導電性ペースト１８を溶融させ、その後、第２の導電性ペースト１８を硬化させることで、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとシールドケース１９とを接合させる（第２の接合工程）。
【０１２０】
これにより、本実施の形態の半導体装置１０が製造される。また、シールドケース１９は、第１及び第２の導電性ペースト１３，１８、柱状部材１５、及び第２の配線パターン４２を介して、グラウンド層３７と電気的に接続される。つまり、シールドケース１９は、グラウンド電位とされる。
【０１２１】
上記第２の接合工程では、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂに形成された第２の導電性ペースト１８とシールドケース１９とを接触させ、次いで、第２の導電性ペースト１８を溶融させ、その後、第２の導電性ペースト１８を硬化させることで、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとシールドケース１９とを接合させることにより、第２の導電性ペースト１８の量が多い場合、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとシールドケース１９との接合に不要な溶融された第２の導電性ペースト１８（余分な第２の導電性ペースト１８）を貫通孔６２に逃がして（移動させて）、柱状部材本体６１の第２の端面６１Ｂとシールドケース１９との間に配置される溶融した第２の導電性ペースト１８の量を少なくすることが可能となる。
【０１２２】
これにより、溶融した第２の導電性ペースト１８がシールドケース１９に対して放射状に広がることがなくなるため、グラウンド層３７と電気的に接続された柱状部材１５とシールドケース１９との間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【０１２３】
シールドケース１９と封止樹脂１６の上面１６Ａとの隙間は、例えば、５０μｍとすることができる。シールドケース１９の材料としては、例えば、羊白（nickel silver）を用いることができる。羊白は、展延性や耐食性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｚｎ合金である。シールドケース１９の材料として羊白を用いた場合、シールドケース１９の厚さは、例えば、０．０５〜０．２ｍｍとすることができる。
【０１２４】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、貫通孔６２を有する柱状部材１５の第２の端部１５Ｂに形成された第２の導電性ペースト１８とシールドケース１９とを接触させ、次いで、第２の導電性ペースト１８を溶融させ、その後、第２の導電性ペースト１８を硬化させることで、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとシールドケース１９とを接合させることにより、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとシールドケース１９との接合に不要な溶融された第２の導電性ペースト１８（余分な第２の導電性ペースト１８）を貫通孔６２に逃がして（移動させて）、柱状部材本体６１の第２の端面６１Ｂとシールドケース１９との間に配置される第２の導電性ペースト１８の量を少なくすることが可能となる。これにより、溶融した第２の導電性ペースト１８がシールドケース１９に対して放射状に広がることがなくなるため、グラウンド層３７と電気的に接続された柱状部材１５とシールドケース１９との間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【０１２５】
なお、本実施の形態の半導体装置１０の製造方法では、円柱状の柱状部材１５を用いた場合を例に挙げて説明したが、図８に示す柱状部材準備工程において、柱状部材１５の代わりに、図５に示す柱状部材６５を準備し、その後、図９〜図１７に示す工程と同様な処理を行うことで、半導体装置を製造してもよい。このような製造方法により製造された半導体装置は、本実施の形態の半導体装置１０の製造方法と同様な効果を得ることができる。
【０１２６】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０１２７】
例えば、本実施の形態では、ＢＧＡ（Ball Grid Array）タイプの半導体装置１０に、貫通孔６２を有した柱状部材１５，６５を適用した場合を例に挙げて説明したが、貫通孔６２を有した柱状部材１５，６５は、例えば、半導体装置１０の構成から外部接続端子２２，２３の構成を除いたＬＧＡ（Land Grid Array）タイプの半導体装置に適用してもよい。この場合、本実施の形態の半導体装置１０と同様な効果を得ることができる。また、ＬＧＡタイプの半導体装置を製造する場合、先に説明した図１２に示す工程が不要となる。
【符号の説明】
【０１２８】
１０  半導体装置
１１  配線基板
１２  電子部品
１３  第１の導電性ペースト
１５，６５  柱状部材
１５Ａ  第１の端部
１５Ｂ  第２の端部
１６  封止樹脂
１６Ａ  上面
１６Ｂ  側面
１８  第２の導電性ペースト
１９  シールドケース
２２，２３  外部接続端子
２４  導電性ペースト
２５  バンプ
２６  基板本体
２７  接続パッド
２７Ａ  接続面
２８  パッド
２８Ａ  導電性ペースト形成面
３１，３６  ソルダーレジスト層
３１Ａ，３１Ｂ，３６Ａ，３６Ｂ  開口部
３３，３４  第１の外部接続用パッド
３３Ａ，３４Ａ  端子接続面
３７  グラウンド層
４１  第１の配線パターン
４２  第２の配線パターン
４５〜４７  絶縁層
４５Ａ，４５Ｂ，４６Ａ，４７Ａ，７３Ａ，７５Ａ  面
５１，５４，５５，５７，５９，６１  ビア
５２，５３，５８  配線
６１，６６  柱状部材本体
６１Ａ，６６Ａ  第１の端面
６１Ｂ，６６Ｂ  第２の端面
６２  貫通孔
７１  配線基板群
７３  下部金型
７５  上部金型
７６  離型フィルム
７７  印刷用マスク
７８  貫通部
Ａ  切断位置
Ｈ１  高さ
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３  半径
Ｗ１，Ｗ２  幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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