(57)【要約】【課題】  従来技術による銅ポリイミド積層フィルムにおいては不十分であった、常態密着力、熱負荷後の耐熱密着力、さらには細線パターン後、無電解スズめっきを施したものに熱負荷を加えたものの密着力を改善することを目的とする。【解決手段】  ポリイミドフィルム上に、ニッケルとクロムの合金からなるシード層および銅薄膜層がそれぞれスパッタ法によりこの順に形成され、さらにその上にめっき法により銅層が積層されてなる銅ポリイミド積層フィルムにおいて、ポリイミドフィルムの厚みが３７〜３９μｍ、Ｌ値が７５〜８５であり、常態での銅層とポリイミドフィルム間の密着力Ｔ１が銅層の厚み８μｍに換算して５．５〜６．５Ｎ／ｃｍである銅ポリイミド積層フィルムとする。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミドフィルム上に、ニッケルとクロムの合金からなるシード層および銅薄膜層がそれぞれスパッタ法によりこの順に形成され、さらにその上にめっき法により銅層が積層されてなる銅ポリイミド積層フィルムにおいて、ポリイミドフィルムの厚みが３７〜３９μｍ、Ｌ値が７５〜８５であり、常態での銅層とポリイミドフィルム間の常態密着力Ｔ１が銅層の厚み８μｍに換算して５．５〜６．５Ｎ／ｃｍである銅ポリイミド積層フィルム。
【請求項２】
常態密着力Ｔ１と１５０℃１６８時間加熱後の耐熱密着力Ｔ２との比率Ｔ２／Ｔ１が０．６以上である請求項１に記載の銅ポリイミド積層フィルム。
【請求項３】
前記銅層の厚みの５倍の線幅で細線パターンをエッチング法で作製し、該細線パターンに無電解めっき法で０．５μｍ厚みのスズをめっきした後、１５０℃１６８時間加熱後の細線耐熱密着力Ｔ３と前記Ｔ２との比率Ｔ３／Ｔ２が０．７以上である請求項１または２に記載の銅ポリイミド積層フィルム。
【請求項４】
前記ポリイミドフィルムが、ピロメリット酸二無水物および３，３’−４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物からなる芳香族テトラカルボン酸無水物と、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルおよびパラフェニレンジアミンからなる芳香族ジアミンとを主成分とする請求項１〜３いずれか記載の銅ポリイミド積層フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブルプリント基板、ＴＡＢテープ、ＣＯＦテープなどの電子部品の基材として好適に用いることができる銅ポリイミド積層フィルムに関する。特に基材との密着性および熱負荷後の密着性に優れ、電子機器の小型化に対応したファインパターンのリード線を形成した場合も、無電解めっきを行った後での熱負荷後の密着性にも優れることから、信頼性の高いパターン形成が可能な銅ポリイミド積層フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ポリイミドフィルムに接着剤層を介して銅箔を貼り合せた３層構造のフレキシブルプリント配線用基板が知られている。この３層構造タイプのフレキシブルプリント配線用基板は、用いられる接着剤の耐熱性が基材フィルムより劣るため、高温での加工工程での変形や剥離といった問題が発生することがあり、また用いられる銅箔の厚さが通常１０μｍ以上であるため、ピッチの狭い高密度配線用のパターニングが難しいという欠点もあった。
【０００３】
一方、ポリイミドフィルム上に接着剤を用いることなく、湿式めっき法や乾式めっき法（例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法など）により、銅層を形成させた２層構造タイプのフレキシブルプリント配線用基板も知られている。この２層構造タイプのフレキシブルプリント配線用基板は、銅層を１０μｍよりも薄くすることができるため高密度配線が可能であるが、銅層と基材フィルム間の密着力が不十分であることから、高密度配線用のパターンを形成した場合、リード線が細くなることで基材フィルムから剥がれやすいという問題があった。また、熱負荷後の密着力も更に低下し、特にパターン形成後スズ、ニッケル、はんだ、または金などの無電解めっき処理を行ない、熱処理を行うと、リード線と基材フィルムとの密着力が大きく低下してしまうという欠点があった。
【０００４】
これらの問題を解決するために、ポリイミドフィルムの改質層厚みを制御する方法や（特許文献１）や、ポリイミドフィルム表面の表面粗さと窒素量を規定したものが提案されている（特許文献２）。しかしかかる従来の技術によっても、銅層とポリイミドフィルム間の密着力が不十分となることがあり、さらに熱負荷後の密着力や、無電解めっきを行った後の熱負荷後の密着力が不十分なケースがあった。  
【０００５】
一方、後述するように、本発明においてポリイミドフィルムのＬ値が密着力に重要な役割を果たすことが判った。ポリイミドフィルムのＬ値についてはフィルムの打ち抜き性のための検討（特許文献３）や、銅箔との積層体の寸法安定性の為の検討（特許文献４）、幅方向のＬ値のばらつきを抑えることによる品質安定化およびこれを用いた場合の加工品の収率、生産性を向上させる検討（特許文献５）が行われてきたが、金属との密着性に着目した検討は行われてきていなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３３４８９０号公報
【特許文献２】特開２００８−７８２７６号公報
【特許文献３】特開２００４−１０７６５９号公報
【特許文献４】特開平１０−７７３５３号公報
【特許文献５】特開２００６−２７４１３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、かかる従来技術による銅ポリイミド積層フィルムにおいては不十分であった、常態密着力、熱負荷後の密着力、さらには細線パターン後、無電解スズめっきを施したものに熱負荷を加えたものの密着力を改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を解決するため、本発明は、ポリイミドフィルム上に、ニッケルとクロムの合金からなるシード層および銅薄膜層がそれぞれスパッタ法によりこの順に形成され、さらにその上にめっき法により銅層が積層されてなる銅ポリイミド積層フィルムにおいて、ポリイミドフィルムの厚みが３７〜３９μｍ、Ｌ値が７５〜８５であり、常態での銅層とポリイミドフィルム間の密着力Ｔ１が銅層の厚み８μｍに換算して５．５〜６．５Ｎ／ｃｍである銅ポリイミド積層フィルムとする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、基材との密着性および熱負荷後の密着性に優れ、電子機器の小型化に対応したファインパターンのリードを形成した場合も、無電解めっきを行った後での熱負荷後の密着性にも優れる。従って、配線パターンの細線の密着力が安定し、電子機器用基板として加工する際の熱負荷による密着力の低下も少ないことから機器の安定性、歩留まりを向上させることが出来る。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の銅ポリイミド積層フィルムについて詳述する。
【００１１】
本発明で用いられる基材としてのポリイミドフィルムは、芳香族テトラカルボン酸無水物と芳香族ジアミンとを原料とし、これらを有機溶媒中で重合させることにより得られたポリアミック酸をフィルム状にキャストし、イミド化して固化させる過程で２軸延伸したポリイミドフィルムを指す。  芳香族テトラカルボン酸は、ピロメリット酸、３，３’４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，３’，３，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，３，６，７−ナフタレンジカルボン酸、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル、ピリジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸などから選ばれるものであり、芳香族ジアミンは、パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、ベンチジン、パラキシリレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、１，５−ジアミノナフタレン、３，３’−ジメトキシベンチジン、１，４−ビス（３−メチル−５−アミノフェニル）ベンゼンなどから選ばれる。
【００１２】
これらの中で、芳香族テトラカルボン酸無水物としては、ピロメリット酸二無水物、３，３'４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物からなり、芳香族ジアミンは、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルとパラフェニレンジアミンからなる組み合わせが、延伸性やポリイミドフィルムとしての機械的安定性のために好ましく選択される。
【００１３】
ポリアミック酸溶液からポリイミドフィルムを製造するために、環化触媒および脱水剤を添加したポリアミック酸溶液をスリット状口金から支持体上に流延してフィルム状に成形し、支持体上でイミド化を一部進行させて自己支持性を有するゲルフィルムとした後、支持体より剥離し、加熱乾燥し、熱処理を行う。
【００１４】
上記ゲルフィルムは、支持体からの熱および、または熱風や電気ヒータなどの熱源からの熱により３０〜２００℃、好ましくは４０〜１５０℃に加熱されて閉環反応し、有機溶媒などの揮発分を乾燥させることにより自己支持性を有するようになり、支持体から剥離することが出来る。
【００１５】
上記支持体から剥離されたゲルフィルムは長手方向に延伸される。延伸は、１４０℃以下の温度で１．１〜１．５倍程度の倍率で実施される。
【００１６】
長手方向に延伸されたゲルフィルムは、テンター装置に導入され、クリップに幅方向両端部を把持されて、テンタークリップと共に走行しながら、幅方向へ延伸され、有機溶媒等の揮発成分を乾燥させた後、熱処理されて二軸配向ポリイミドフィルムとなる。
上記の乾燥ゾーンで乾燥したフィルムは、熱風、赤外線ヒーターなどで１５秒から１０分加熱される。
【００１７】
次いで、熱風および、または電気ヒーターなどにより、２５０〜４５０℃の温度で１５秒から２０分熱処理を行う。
【００１８】
ここで、本発明におけるポリイミドフィルムのＬ値は、上記熱処理の最高加熱温度を設定するによって調整することができる。具体的には、最高加熱温度は３００〜４５０℃の範囲で設定されるが、最高加熱温度を上げるに従いＬ値は低下し、最高加熱温度を調整することで目的とするＬ値のポリイミドフィルムを作成することができる。
【００１９】
本発明におけるポリイミドフィルムは、設計上は３８μｍの厚みのものであり、厚みの分布を考慮して実際の厚みは３７〜３９μｍとなる。
【００２０】
本発明におけるポリイミドフィルムのＬ値は、７５〜８５であることが必要であり、好ましくは７７〜８５である。本発明におけるＬ値とは、ハンター表色式によるもので標準Ｃ光源による表式は以下の通りである。
【００２１】
Ｌ値＝１０Ｙ1/2
ａ＝１７．５（１．０２Ｘ−Ｙ）／Ｙ1/2
ｂ＝７．０（Ｙ−０．８４７Ｚ）／Ｙ1/2
ここでのＸＹＺは、ＣＩＥ（国際照明委員会）で１９３１年に採択した等色関数に基づくＸＹＺ三色表色系での物体色の三刺激値である。
【００２２】
Ｌ値が８５を越えると、密着力は良くても、スパッタ加工時のターゲット周辺からの輻射熱や、金属の凝集熱による熱負けが顕著となり、製品としての品位、収率を大きく落とすことになり使用できない。またＬ値が７５未満であると、常態密着力を発現するためのポリイミドフィルム表面の表面処理強度が高くなり、加熱負荷後の密着力が不足や、パターン形成後無電解めっきを行った後の加熱負荷後の密着力が大きく低下する。
【００２３】
本発明の銅ポリイミド積層フィルムは、上記ポリイミドフィルム上に、ニッケルとクロムの合金からなるシード層および銅薄膜層がそれぞれスパッタ法によりこの順に形成される。ニッケルとクロムの合金からなるシード層は、目的としたニッケルとクロムの重量比率のターゲットを用い、スパッタ法により形成する。シード層のニッケルの重量比率は７０〜９６ｗｔ％、クロムの割合はこれに対応し３０〜４ｗｔ％のものが好ましく用いることが出来る。ニッケルの重量比率７０ｗｔ％未満であると、銅ポリイミド積層フィルムにエッチング法で配線パターンを形成する際にシード層の除去が困難となり、ニッケルの重量比率が９６ｗｔ％を越えると、スパッタ加工時のターゲットの磁性が強くなり、工業的に有効なマグネトロンスパッタを行う際に、マグネトロン放電に必要な磁界がターゲット表面上で得られず、スパッタ加工そのものが困難となる。
【００２４】
ニッケルとクロムの合金からなるシード層の厚みは、５〜５０ｎｍが好ましい。５ｎｍ未満では熱負荷後の密着力が不十分となることがあり、５０ｎｍ以上では、エッチング法で配線パターンを形成する際にシード層の除去が困難となるため好ましくない。より好ましくは、８〜３０ｎｍである。
スパッタ法によりシード層を形成する前にポリイミドフィルムの表面をプラズマ処理することが、常態密着力を安定させるために好ましい。プラズマ処理は予めスパッタの工程の前に実施しておいても良いが、スパッタを行う真空槽内で、スパッタを行う直前に実施する方が生産性の点から好ましい。
【００２５】
上記スパッタ法で作成したニッケルとクロムの合金からなるシード層上に、さらに銅薄膜層をスパッタ法により積層する。スパッタによる銅薄膜層の厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは３０ｎｍ以上、さらに好ましくは４０ｎｍ以上である。膜厚が１０ｎｍよりも薄い場合は、次の銅めっき工程で銅薄膜が溶出しやすくなることから好ましくなく、上限については特に制限はないが生産性の観点および厚く積層するとスパッタ工程での熱負けが発生しやすくなることから、２００ｎｍ程度を上限とすればよく、好ましくは１２０ｎｍ以下とする。
【００２６】
前記銅薄膜層の上に、電解あるいは無電解めっきによってさらに銅層を形成する。銅めっき工程は、密着性を向上させるための脱脂および銅めっきの工程からなる。
【００２７】
電解めっきのための電流密度は０．２〜１０Ａ／ｄｍ2が好適で、０．５〜５Ａ／ｄｍ2がより好適である。
【００２８】
形成される銅層の厚みは、３〜２０μｍとすることが好ましく、４〜１２μｍがより好適である。厚みが３μｍ未満では、配線パターンとした際の細線の抵抗値が高くなりやすく、厚さが２０μｍを超えると膜形成に時間がかかり経済性が劣るほか、エッチング加工時に回路パターンの端部エッチングが進行しやすく、また、折り曲げによる断線の恐れがあるなど品質面でも好ましくない。目的とする回路の電流密度によっても異なるが、加工作業性、品質の面から厚さは６〜１０μｍ程度がより好適である。
【００２９】
めっきの条件は、めっき浴の組成、電流密度、浴温、撹拌条件などにより異なるが、特に制限はない。めっき浴は、硫酸銅浴、ピロリン酸銅浴、シアン化銅浴などが好ましいが、これらに限られるものではない。
【００３０】
本発明の銅ポリイミド積層フィルムは銅層とポリイミドフィルムからなる基材とが、シード層および銅薄膜層を介して積層されたものであり、常態での銅層とポリイミドフィルムとの常態密着力Ｔ１は、銅層の厚み８μｍ換算で５．５〜６．５Ｎ／ｃｍであることが必要である。常態密着力が５．５Ｎ／ｃｍ以上であれば、配線パターン形成後の細線の機械的安定性が十分得られる。一方、常態密着力が６．５Ｎ／ｃｍを越えると、熱負荷後の密着力が大きく低下する。
【００３１】
密着力はポリイミドフィルム面に対して銅層を直角方向に引っ張って剥離する時の引っ張り強度であり、いわゆる９０度ピールと呼ばれる方法によるが、密着力は銅層の厚みにより左右され、銅層の厚みが大きくなると密着力が大きくなるため、密着力を比較するには標準の厚みを設定することが必要である。標準の厚みを８μｍとし、その前後の厚みのものは経験的に８μｍの厚みに換算する式に当てはめて計算を行い比較評価する。
【００３２】
常態密着力Ｔ１を５．５〜６．５Ｎ／ｃｍとすることは、特定のＬ値を有するポリイミドフィルムに対して最適のプラズマ処理強度を選択することで達成でき、Ｌ値の小さいポリイミドフィルムに対してはより高いプラズマ処理強度で処理することで目的とするＴ１を達成することができる。プラズマ処理強度は１０〜１０００Ｗｍｉｎ／ｍ２の範囲で選択される。
【００３３】
本発明の銅ポリイミド積層フィルムは、常態での密着力Ｔ１と１５０℃１６８時間加熱後の耐熱密着力Ｔ２との比率Ｔ２／Ｔ１を０．６以上とすることで、更に好ましい特性を得ることができる。
【００３４】
Ｔ２／Ｔ１が０．６以上ということは、１５０℃１６８時間加熱後の耐熱密着力Ｔ２が初期の常態密着力Ｔ１に対し６０％以上をキープするということであり、電子機器用フレキシブル基板などに加工される際の熱負荷に対し、一定以上の密着力をキープし、機械的な安定性を確保できるということである。より好ましくはＴ２／Ｔ１が０．６５以上であり、もっとも好ましくは０．７以上である。
【００３５】
Ｔ２／Ｔ１を目的とする０．６以上とするにはプラズマ処理強度を強くしすぎないことが肝要であり、好ましくは２００Ｗｍｉｎ／ｍ２以下のプラズマ処理強度で処理することが好ましく、より好ましくは１００Ｗｍｉｎ／ｍ２以下である。
【００３６】
また、本発明の銅ポリイミド積層フィルムは、銅層の厚みの５倍の線幅で細線パターンをエッチング法で作製し、該細線パターンに無電解めっき法で０．５μｍ厚みのスズをめっきした後、１５０℃１６８時間加熱後の細線耐熱密着力Ｔ３と前記Ｔ２との比率Ｔ３／Ｔ２が０．７以上であることが好ましく、より好ましくは０．８５以上である。本発明の銅ポリイミド積層フィルムは配線パターンを形成後、素子との電気的な接続の行うためのはんだとの密着性を良くするために、配線パターンの銅層上に無電解めっき法によりスズがめっきされる。この状態で熱負荷がかかると配線パターンの端部にめっきされたスズが拡散しポリイミドとシード層間に潜り込むことで密着力が更に低下することが知られている。Ｔ３／Ｔ２を０．７以上とすることで、この現象による密着力低下の割合を低減し、より高い機械的安定性を確保できる。
【００３７】
Ｔ３／Ｔ２を０．７以上とするにはポリイミドフィルムのＬ値の選択が重要であり、Ｌ値を７７以上とすることが好ましい。
【００３８】
さらにＴ３／Ｔ１、すなわち（Ｔ３／Ｔ２）×（Ｔ２／Ｔ１）は０．４以上であることが常態密着力と細線密着力の差が小さく、好ましい。より好ましくは０．３以上である。
【００３９】
かくして得られた銅ポリイミド積層フィルムは、特に電子機器用基板として有効に使用される。
【実施例】
【００４０】
以下、実施例によって本発明の銅ポリイミド積層フィルムについて詳述する。
【００４１】
実施例中の各特性値の測定は次の測定法により行なった。
【００４２】
（１）常態密着力Ｔ１（Ｎ／ｃｍ）
ＪＩＳ−Ｃ６４７１−１９９５の８．１項「銅はくのひきはがし強さ」方法Ａに従い、９０度剥離による密着力の評価を行った。銅ポリイミド積層フィルムの銅面側にドライフィルムレジスト（ＬＦ１６１５：日立化成製、１５μｍ）の片面の離型フィルムを剥がし、加圧ローラー式貼り合わせ機（ラミパッカーＬＬＰ６５０：ＦＵＪＩＰＬＡ製）によりロール温度１１０℃で貼合し、マスクパターンを合わせてパターン側から紫外線を照射して露光する。ドライフィルムレジストの未露光部を炭酸水素ナトリウム水溶液で溶解させてレジストパターンを現像する。さらに塩化第２鉄水溶液に浸けて露出した銅層を溶解させ水洗の後、１０％水酸化ナトリウム水溶液でレジストを溶解除去する。
【００４３】
このように作成した０．８ｍｍ幅の銅パターンをジャーマンホイールタイプの治具に貼り付け、銅箔部分をテンシロン（ＲＴＣ−１１５０Ａ：オリエンテック製）のクロスヘッドにセットし、１０ｃｍ／ｍｉｎの引っ張り速度で剥離した際の引っ張り強度を測定した。
【００４４】
なお、銅層の厚みを電子マイクロメータ（ＭＨ−１５Ｍ／ＴＣ−１０１：Ｎｉｋｏｎ製）により上述エッチング後の銅層の段差を測定し、その厚みｔが７〜９．５μｍの範囲については測定した密着力の値Ｔ（Ｎ／ｃｍ）を用いて、経験式Ｔ＋０．５×（８．０−ｔ）により８μｍ厚みに換算した密着力を算出した。
【００４５】
（２）耐熱密着力Ｔ２（Ｎ／ｃｍ）
ＪＩＳ−Ｃ６４７１−１９９５の８．１項「銅はくのひきはがし強さ」方法Ａに従い、９０度剥離による密着力の評価を行った。銅ポリイミド積層フィルムの銅面側にドライフィルムレジスト（ＬＦ１６１５：日立化成製、１５μｍ）の片面の離型フィルムを剥がし、加圧ローラー式貼り合わせ機（ラミパッカーＬＬＰ６５０：ＦＵＪＩＰＬＡ製）によりロール温度１１０℃で貼合し、マスクパターンを合わせてパターン側から紫外線を照射して露光する。ドライフィルムレジストの未露光部を炭酸水素ナトリウム水溶液で溶解させてレジストパターンを現像する。さらに塩化第２鉄水溶液に浸けて露出した銅薄膜層を溶解させ水洗の後、１０％水酸化ナトリウム水溶液でレジストを溶解除去する。このように０．８ｍｍ幅の銅層パターンを形成した後、熱風オーブン（ＳＴ−１１０：ＥＳＰＥＣ製）で１５０℃、１６８時間の熱処理を行った後、９０度剥離により耐熱密着力Ｔ２を測定した。
【００４６】
（３）細線耐熱密着力Ｔ３（Ｎ／ｃｍ）
線幅４０μｍ、ラインスペース４０μｍ、ラインの長さ２０ｍｍ×２０本の印刷パターンで密着力測定用の細線パターンを形成した。銅ポリイミド積層フィルムの銅面側にドライフィルムレジスト（ＬＦ１６１５：日立化成製、１５μｍ）の片面の離型フィルムを剥がし、加圧ローラー式貼り合わせ機（ラミパッカーＬＬＰ６５０：ＦＵＪＩＰＬＡ製）によりロール温度１１０℃で貼合し、マスクパターンを合わせてパターン側から紫外線を照射して露光する。ドライフィルムレジストの未露光部を炭酸水素ナトリウム水溶液で溶解させてレジストパターンを現像する。さらに塩化第２鉄水溶液に浸けて露出した銅薄膜層を溶解させ水洗の後、１０％水酸化ナトリウム水溶液でレジストを溶解除去する。このように形成した銅層の４０μｍのパターン間には、ニッケルとクロム合金のシード層が残っており、このニッケルとクロム合金のシード層を除去するために、４％硫酸水溶液に３０秒浸漬し、水洗後、エッチング液（アデカリムーバー：ＡＤＥＫＡ製）で５０℃、４０秒エッチングを行った。その上に無電解めっき法でスズのめっきを行った。無電解めっきの条件は以下の通りである。
【００４７】
１）前処理：４％硫酸水溶液に３０秒浸漬
２）水洗
３）スズめっき：ティンポジットＬＴ−３４Ｇ（ローム・アンド・ハース電子材料（株）製）を６５℃に保温し、４分間浸漬する。約０．５μｍのめっき厚みとする。
【００４８】
４）水洗
レーザー顕微鏡（キーエンス製ＶＫ−５７１０）で銅の線幅が３８〜４２μｍの間にあることを確認した。  さらに熱風オーブンで１５０℃、１６８時間の熱処理を行った後９０度剥離強度の測定を行った。  この際、テンシロンのクロスヘッドの移動量に対応してサンプル位置が水平方向に移動するサンプルホルダーを使用した（ＪＩＳＣ６４７１−１９９５  ８．１．２項図２に例示）。レーザー顕微鏡で測定した線幅で校正し、細線耐熱密着力Ｔ３を算出した。
【００４９】
（４）Ｌ値
分光光度計（島津製作所製ＵＶ−３１００ＰＣ）を用いてポリイミドフィルムの透過スペクトルの測定を実施し、得られたスペクトルからＵＶＰＣカラー測定ソフトウェアを用い、Ｃ光源、視野角２度でのハンター法によるＬ値を計算した。なお、ポリイミドフィルムの厚みは、前述の電子マイクロメータにより３７〜３９μｍの間にあることを確認した。
【００５０】
（５）熱負け
スパッタ加工時、ポリイミドフィルムがスパッタ領域のプラズマやターゲットからの熱や、堆積物の凝集熱により熱負けが発生するためフィルムの平面性を評価した。熱負けが全く認められなかったものをＡとした。中程度のものをＢ、悪いものをＣとした。熱負けの悪いものは、ポリイミドフィルムの長手方向に連続するスジが発生し、蛍光灯などの照明を反射させるとスジの部分で反射映像がクランク状にゆがんで見えることから判定できる。
【００５１】
（６）総合評価
細線耐熱密着力Ｔ３と常態密着力の比Ｔ３／Ｔ１を計算し（＝Ｔ２／Ｔ１×Ｔ３／Ｔ２）、この値が０．４以上のものを総合評価Ａとした。０．３〜０．４のものを総合評価Ｂとした。熱負けが発生するか、上記の値が０．３未満のものを総合評価Ｃとした。
【００５２】
（実施例１）
ピロメリット酸二無水物および３，３’−４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物からなる芳香族テトラカルボン酸無水物と、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルとパラフェニレンジアミンからなる芳香族ジアミンを主成分とする“カプトン”１５０ＥＮ−Ｃ（東レ・デュポン製）の製膜時の熱処理温度を調整し、Ｌ値を８１．５としたポリイミドフィルムを用い、窒素ガス雰囲気下、５×１０−３Ｐａの圧力で９０Ｗｍｉｎ／ｍ２の処理強度でＲＦプラズマ処理を行った。この処理面上に、ニッケル／クロムの合金（ニッケル８０ｗｔ％／クロム２０ｗｔ％）のターゲットを用い、２５ｎｍのニッケル／クロム合金のシード層および銅薄膜層を８０ｎｍスパッタ法により積層した。フィルムの実際の厚みは３８．３μｍであった。
【００５３】
その後、スパッタ層上に厚さ８μｍ狙いの電解銅めっきを行い銅層を形成した。実際の銅層の厚みは銅層エッチング後のポリイミドフィルムとの段差で電子マイクロメータにより測定し、厚み換算による密着力を換算式により求めた。
【００５４】
常態密着力Ｔ１は６．３Ｎ／ｃｍと良好であり、１５０℃１６８時間加熱後の耐熱密着力Ｔ２も４．２Ｎ／ｃｍであり、Ｔ２／Ｔ１は０．６７と良好であった。また、４０μｍの線幅にエッチングし、無電解めっきによりスズをめっきし、１５０℃１６８時間の熱処理を行った結果は３．３Ｎ／ｃｍであり、Ｔ３／Ｔ２は０．７９と良好であった。
【００５５】
（実施例２〜４）
Ｌ値を８４．６（実施例２）、７７．３（実施例３）、７５．７（実施例４）としたポリイミドフィルム“カプトン”１５０ＥＮ−Ｃを用い、それぞれ窒素ガス雰囲気下、５×１０−３Ｐａの圧力で９０Ｗｍｉｎ／ｍ２の処理強度でＲＦプラズマ処理を行った。この処理面上に実施例１と同様に２５ｎｍのニッケル／クロム合金のシード層および銅層を８０ｎｍスパッタ法により積層し、電解めっきにより銅めっきを施し銅層を形成した。結果を表にまとめる。Ｌ値に応じて常態密着力の値は異なるが、５．５〜６．５Ｎ／ｃｍの範囲にあって良好であり、Ｔ２／Ｔ１もいずれも０．６５程度で良好であった。
【００５６】
また、Ｔ３／Ｔ２は実施例２、３では０．７以上の良好な値を示したが、実施例４であるＬ値が低めの場合には０．６１と若干低めの値となった。
【００５７】
（実施例５〜７）
Ｌ値を８１．５とし、プラズマ処理強度を５０（実施例５）、７０（実施例６）、１５０Ｗｍｉｎ／ｍ２（実施例７）としたもので検討を行った。それぞれの常態密着力はプラズマ処理強度に応じて５．５、５．９、６．５Ｎ／ｃｍと向上し良好な結果となった。Ｔ２／Ｔ１も０．６以上であり、Ｔ３／Ｔ２も０．８程度で良好な結果となった。
【００５８】
（実施例８〜１０）
Ｌ値を８４．６（実施例８）、７７．３（実施例９）、７５．７（実施例１０）としたもので、それぞれプラズマ処理強度を７０、１５０、２５０Ｗｍｉｎ／ｍ２とした。いずれも常態密着力は６．３Ｎ／ｃｍであり良好であった。耐熱密着力は、実施例１０で低めのＬ値のもので強いプラズマ処理を行った場合に、Ｔ２／Ｔ１が０．５６と低めの値となった。実施例１０では、Ｔ３／Ｔ２も０．６０と低めの値となった。
【００５９】
（実施例１１、１２）
実施例１１は、Ｌ値を８４．６とし、プラズマ処理を３０Ｗｍｉｎ／ｍ２と弱くして、常態密着力５．５Ｎ／ｃｍを得た。Ｔ２／Ｔ１が０．８０、Ｔ３／Ｔ２も０．９１と高い値であり、熱負荷後の耐熱密着力の低下が小さい良好な結果となった。
【００６０】
実施例１２は、反対に７５．７の低めのＬ値のもので４００Ｗｍｉｎ／ｍ２と強いプラズマ処理を行って常態密着力を６．５Ｎ／ｃｍとした。Ｔ２／Ｔ１が０．５１、Ｔ３／Ｔ２が０．６１と低めの値となり、熱負荷後の耐熱密着力の低下が大きい結果となった。
【００６１】
（比較例１）
Ｌ値が８４．６のもので２５０Ｗｍｉｎ／ｍ２の強めのプラズマ処理を行った結果、常態密着力が６．６Ｎ／ｃｍと高い値となったが、Ｔ２／Ｔ１が０．５５と大きく低下し、Ｔ３／Ｔ２も０．６９と不十分なものであった。スパッタ時熱負けが発生し、わずかにフィルムの平面性が悪化した。
【００６２】
（比較例２、３）
Ｌ値が８６．１のものを用い、プラズマ処理強度を７０Ｗｍｉｎ／ｍ２として６．５Ｎ／ｃｍの常態密着力のものと、プラズマ処理なしで５．５Ｎ／ｃｍのものを得た。Ｔ２／Ｔ１、Ｔ３／Ｔ２いずれも良好な値となったが、スパッタ加工時に熱負けによる平面性の悪化が発生し、高精度でのパターン加工に耐えないものとなった。
【００６３】
（比較例４、５）
Ｌ値が７３．５と低いものを用いた場合、６．５Ｎ／ｃｍとするにはプラズマ処理強度が９００Ｗｍｉｎ／ｍ２、５．５Ｎ／ｃｍでも２５０Ｗｍｉｎ／ｍ２と高い値が必要であった。Ｔ２／Ｔ１および、Ｔ３／Ｔ２共に非常に低い値となり不十分な結果であった。
【００６４】
（比較例６）
Ｌ値が７５．７のものでプラズマ処理強度を９００Ｗｍｉｎ／ｍ２としたものは、６．６Ｎ／ｃｍの常態密着力となるが、やはりＴ２／Ｔ１、Ｔ３／Ｔ２とも不満足なものとなった。
【００６５】
上記の実施例、比較例を表１にまとめる。
【００６６】
【表１】
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