(57)【要約】【課題】基板を曲折する箇所に於ける機械的強度が確保された回路装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】回路装置１０Ａは、曲折領域１４にて曲折された回路基板１２と、回路基板の上面に形成された所定形状の導電パターン１６と、導電パターン１６に電気的に接続された半導体素子１８等の回路素子と、を主要に備えている。そして、曲折領域１４には、回路基板１２を除去して設けた第１曲折部１４Ａと、第１曲折部１４Ａよりも厚い第２曲折部１４Ｂとが含まれている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
曲折領域にて曲折された回路基板と、前記回路基板の主面に形成された導電パターンと、前記導電パターンに電気的に接続された回路素子とを備え、
前記曲折領域は、前記回路基板を厚み方向に除去して設けた第１曲折部と、前記第１曲折部よりも厚い第２曲折部とを含むことを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記第２曲折部は、複数個が離間して配置されることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記回路基板は、前記曲折領域を境界として隣接する第１実装領域と第２実装領域とを含み、
第１実装領域に実装された第１回路素子と、前記第２実装領域に実装された第２回路素子とは、前記第２曲折部に設けた接続パターンを経由して接続されることを特徴とする請求項２に記載の回路装置。
【請求項４】
前記第１曲折部では、前記回路基板の主面から溝が設けられることを特徴とする請求項３に記載の回路装置。
【請求項５】
前記第２曲折部は、前記第１曲折部よりも浅い溝が設けられることで、前記第１曲折部よりも前記回路基板の残りの厚み部分が厚く形成されることを特徴とする請求項４に記載の回路装置。
【請求項６】
前記溝は、Ｖ字型の断面形状を備えることを特徴とする請求項５に記載の回路装置。
【請求項７】
前記第１曲折部では、前記回路基板を溝状に貫通したスリットが設けられることを特徴とする請求項６に記載の回路装置。
【請求項８】
前記回路基板は金属から成る基板であり、前記回路基板の主面を被覆する絶縁層の表面に前記導電パターンが形成されることを特徴とする請求項７に記載の回路装置。
【請求項９】
厚み方向に除去して設けた第１曲折部と、前記第１曲折部よりも厚い第２曲折部を含む曲折領域を有し、主面に導電パターンが形成された回路基板を用意する工程と、
前記導電パターンに回路素子を電気的に接続する工程と、
前記曲折領域にて前記回路基板を曲折する工程と、を備えることを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項１０】
前記回路基板を用意する工程では、前記曲折領域に沿って前記回路基板を溝状に除去することで、前記第１曲折部を形成することを特徴とする請求項９に記載の回路装置の製造方法。
【請求項１１】
前記回路基板を用意する工程では、前記導電パターンが設けられる主面に対向する主面から前記曲折領域を溝状に除去することを特徴とする請求項１０に記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置およびその製造方法に関し、特に、曲折された回路基板の主面に複数個の回路素子が組み組まれた回路装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１１を参照して、背景技術にかかる回路装置１００の構成を説明する（特許文献１および特許文献２を参照。）。
【０００３】
回路装置１００は、曲折部１１３にて曲折された金属基板１１２と、金属基板１１２の上面に実装された半導体素子等から成る回路素子１２０とを備えている。
【０００４】
金属基板１１２は、厚みが１．５ｍｍ程度のアルミニウムから成る基板であり、長手方向の途中部分に２つの屈折部１１３が設けられている。更に、金属基板１１２は、曲折部１１３を境として、複数個のモジュール部１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｃに分割されている。ここで、各モジュール部は平坦に形成されている。各曲折部１１３では、金属基板１１２の下面から曲折用の溝を形成し、この溝に沿って金属基板１１２が曲折されている。
【０００５】
金属基板１１２の上面は全面的に絶縁層１２４により被覆されており、この絶縁層１１４の上面に所定形状の導電パターン１１４が形成されている。更に、金属基板１１２の上面の所定箇所に回路素子１２０が固着されており、回路素子１２０と導電パターン１１４とは金属細線１１６を経由して接続されている。
【０００６】
この様な構成を備える回路装置１００は、曲折部１１３にて金属基板１１２が曲折されているので、回路装置１００が内蔵されるセットに即した形状とすることが出来る。例えば、回路装置１００の形状を、自動車等の車両の角部に備え付けられた照明装置の内部構造や、回転する遊戯具の内部構造に即した形状とすることが出来る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−５９９０９号公報
【特許文献２】特開２００９−８１１９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記した構成の回路装置１００では、曲折部１１３全体にわたり連続して溝を形成していたので、曲折部１１３に於ける金属基板１１２の強度が弱くなる問題があった。この様になると、曲折部１１３にて金属基板１１２が分離してしまう恐れがある。
【０００９】
更には、曲折部１１３を設けるために、金属基板１１２の上面から曲折用の溝を設けると、金属基板１１２の上面に形成された導電パターンは曲折部１１３にて分断されてしまう。この様になると、導電パターンにより、隣接する各モジュール部同士が接続されないので、金属細線等の接続手段を別途用意する必要があり、コスト高を招く。
【００１０】
本発明は、上述した問題を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、回路基板を曲折する箇所に於ける機械的強度が確保された回路装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の回路装置は、曲折領域にて曲折された回路基板と、前記回路基板の主面に形成された導電パターンと、前記導電パターンに電気的に接続された回路素子とを備え、前記曲折領域は、前記回路基板を厚み方向に除去して設けた第１曲折部と、前記第１曲折部よりも厚い第２曲折部とを含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明の回路装置の製造方法は、厚み方向に除去して設けた第１曲折部と、前記第１曲折部よりも厚い第２曲折部を含む曲折領域を有し、主面に導電パターンが形成された回路基板を用意する工程と、前記導電パターンに回路素子を電気的に接続する工程と、前記曲折領域にて前記回路基板を曲折する工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、回路素子が組み込まれる基板を曲折領域にて曲折している。そして、基板の曲折領域には、基板を厚み方向に除去して設けた第１曲折部と、この第１曲折部よりも厚い第２曲折部が設けられている。この様にすることで、曲折領域にて基板を曲折しても、厚い第２曲折部により曲折領域の機械的強度が確保されるので、曲折された状態の基板が曲折領域にて分離してしまうことが防止される。
【００１４】
更に、比較的厚い第２曲折部を曲折領域に複数個設けることで、曲折領域の機械的強度を更に強くすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は一部分を示す斜視図であり、（Ｃ）は第１曲折部を示す断面図であり、（Ｄ）は第２曲折部を示す断面図である。
【図２】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は第１曲折部の他の形態を示す断面図である。
【図３】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は第２曲折部の他の形態を示す断面図である。
【図４】本発明の他の形態の回路装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は第１曲折部を示す断面図であり、（Ｃ）は第２曲折部を示す断面図である。
【図５】本発明の他の形態の回路装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は基板を曲折する前の状態を示す平面図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）および（Ｃ）は断面図である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を示す平面図である。
【図８】本発明の回路装置の製造方法を示す平面図である。
【図９】本発明の回路装置の製造方法を示す平面図である。
【図１０】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）および（Ｃ）は断面図である。
【図１１】背景技術の回路装置の製造方法を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１を参照して、本形態の回路装置１０Ａの構成を説明する。図１（Ａ）は回路装置１０Ａの斜視図であり、図１（Ｂ）は曲折領域１４を部分的に示す斜視図であり、（Ｃ）は曲折領域１４に含まれる第１曲折部１４Ａを示す断面図であり、（Ｄ）は第２曲折部１４Ｂを示す断面図である。
【００１７】
本形態の回路装置１０Ａは、曲折領域１４にて曲折された回路基板１２と、回路基板の上面に形成された所定形状の導電パターン１６と、導電パターン１６に電気的に接続された半導体素子１８等の回路素子とを主要に備えている。そして、曲折領域１４には、回路基板１２を除去して設けた第１曲折部１４Ａと、第１曲折部１４Ａよりも厚い第２曲折部１４Ｂとが含まれている。
【００１８】
回路基板１２は、アルミニウムまたは銅等の金属からなり、厚みは例えば１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の範囲である。図１（Ａ）を参照して、回路基板１２は、曲折領域１４を境界にして曲折されており、実装領域１１Ａと実装領域１１Ｂとから構成されている。実装領域１１Ａは紙面上にて垂直に配置されており、実装領域１１Ｂは水平に配置されている。ここでは、実装領域１１Ａと実装領域１１Ｂとは直交するように曲折されているが、両者の角度は任意である。また、回路基板１２の材料は金属以外の材料も採用可能であり、例えば、ガラスエポキシ等の樹脂材料やセラミック等が回路基板１２の材料として採用されても良い。
【００１９】
回路基板１２の上面は、粒状のシリカ等のフィラーが添加されたエポキシ樹脂等の樹脂材料から成る絶縁層２４（図１（Ｃ）参照）により被覆されており、この絶縁層２４の上面に所定形状の導電パターン１６が形成されている。
【００２０】
ここでは、一例として、実装領域１１Ｂに複数個の発光素子２０（ＬＥＤ）が実装され、この発光素子２０に電力を供給する制御回路が実装領域１１Ａに組み込まれている。
【００２１】
実装領域１１Ａには、ＬＳＩである半導体素子１８や、抵抗やコンデンサであるチップ素子が固着されている。実装領域１１Ａに形成される導電パターン１６は、半導体素子１８等が接続されるパッドや、このパッド同士を接続する配線を構成している。更に、実装領域１１Ａの上側側辺に沿って、外部との接続端子となる複数のパッドが設けられても良い。尚、実装領域１１Ａ、１１Ｂは平坦に形成されている。
【００２２】
実装領域１１Ｂには、ここでは、導電パターンにより互いに接続された複数個の発光素子２０が配置されている。発光素子２０としては、ＬＥＤが樹脂封止されたパッケージでも良いし、パッケージ化されていないベアのＬＥＤチップが実装領域１１Ｂの上面に直に固着されても良い。
【００２３】
ここで、上記説明では実装領域１１Ａおよび実装領域１１Ｂの両方に回路素子が実装されたが、どちらか一方のみに回路素子が実装され、他方には回路素子が配置されなくても良い。この場合は、回路素子が実装されない領域は放熱に寄与する領域として作用する。例えば、実装領域１１Ａに回路素子を実装して実装領域１１Ｂに実装しなければ、実装領域１１Ａに実装された回路素子から発生した熱の一部は、曲折領域１４および実装領域１１Ｂを経由して外部に良好に放熱される。即ち、実装領域１１Ｂはヒートシンクとして機能する。また、実装領域１１Ａおよび実装領域１１Ｂの両方に発光素子が配置されても良い。
【００２４】
更に、上記説明では、両実装領域１１Ａ、１１Ｂの上面（内側を向く面）に、絶縁層２４、導電パターン１６および回路素子が配置されていたが、両実装領域１１Ａ、１１Ｂの下面または両面にこれらが配置されても良い。
【００２５】
曲折領域１４は、実装領域１１Ａと実装領域１１Ｂとの境界に配置された領域であり、曲折領域１４を境界として回路基板１２は所定角度に曲折されている。ここでは、曲折領域１４にて回路基板１２は直角に曲折されているが、この角度θ１（図１（Ｃ）参照）は任意である。即ち、角度θ１は鋭角でも良いし鈍角でも良い。更に、曲折領域１４では、回路基板１２の曲折を容易とするために、回路基板１２を厚み方向に部分的に除去している。
【００２６】
図１（Ｂ）を参照して、曲折領域１４は、第１曲折部１４Ａと第２曲折部１４Ｂとを備えている。ここでは、一例として、曲折領域１４の左端部、中央部および右端部に３つの第１曲折部１４Ａが設けられ、第１曲折部１４Ａ同士の間に２つの第２曲折部１４Ｂが配置されている。
【００２７】
図１（Ｃ）を参照して、第１曲折部１４Ａでは、回路基板１２の下面からＶ字状の溝を設け、この溝が設けられた箇所にて回路基板１２を曲折している。従って、第１曲折部１４Ａでは、溝が設けられていない厚み部分により、実装領域１１Ａと実装領域１１Ｂとが連続している。この回路基板１２が連結されている部分の厚みＬ１は、回路基板１２の厚みが１．５ｍｍであれば、例えば０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。
【００２８】
図１（Ｄ）を参照して、第２曲折部１４Ｂでは、第１曲折部１４Ａよりも浅い溝が設けられており、この浅い溝の部分にて回路基板１２が曲折されている。従って、第１曲折部１４Ａにおける回路基板１２の厚みＬ２は、第１曲折部１４Ａよりも厚くなる。具体的には、第２曲折部１４Ｂにおける回路基板１２の厚みＬ２は、例えば０．６ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。ここでは、離間した２個の第２曲折部１４Ｂが設けられているが、設けられる第２曲折部１４Ｂの個数は１個でも良いし３個以上でも良い。
【００２９】
上記した曲折領域１４に形成される溝は、刃先がＶ字形状のカットソーを用いて、回路基板１２を下面から研削加工することにより形成される。その際に、カットソーを一時的に回路基板１２から離間する方向に移動させることにより、第２曲折部１４Ｂは第１曲折部１４Ａよりも厚く成る。
【００３０】
更に、図１（Ｂ）および図１（Ｄ）を参照して、第２曲折部１４Ｂにおける回路基板１２の上面には、接続パターン２２が設けられている。接続パターン２２は、実装領域１１Ａに配置された回路素子と、実装領域１１Ｂに配置された回路素子とを電気的に接続する役割を有する。本形態では、一例として、実装領域１１Ｂの上面に配置された発光素子２０が、接続パターン２２を経由して、実装領域１１Ａに組み込まれた制御回路により制御される。
【００３１】
上記した構成の回路装置１０Ａは、自動車の角部に備え付けられた照明装置の内部や、回転する遊戯具の内部等に備えられる。
【００３２】
本形態のポイントは、曲折領域１４に、第１曲折部１４Ａと、第１曲折部１４Ａよりも厚い第２曲折部１４Ｂを設けたことにある。この様にすることで、厚い第２曲折部１４Ｂにて、実装領域１１Ａと実装領域１１Ｂとが強固に連結されるので、使用状況下にて実装領域１１Ａと実装領域１１Ｂとが分離してしまうことが防止される。
【００３３】
更に本形態では、複数個の第２曲折部１４Ｂを曲折領域１４に設けているので、このことにより曲折領域１４の機械的強度が更に向上される。
【００３４】
また、曲折領域１４の大部分（半分以上）は、深い溝が形成される領域である第１曲折部１４Ａであるので、曲折加工の容易さが確保されつつ、第２曲折部１４Ｂにより曲折領域１４の機械的強度が確保されている。
【００３５】
更にまた、本形態では、厚い第２曲折部１４Ｂの上面に接続パターン２２を設けている。具体的には、基板の残りの厚み部分が薄い第１曲折部１４Ａは、使用状況下で作用する外力により破断してしまう恐れがある。従って、この部分に接続パターン２２を設けると、第１曲折部１４Ａの基板部分と共に接続パターン２２が破断する恐れがある。一方、厚い第２曲折部１４Ｂは、外部の衝撃により破断する恐れが小さい。従って、第２曲折部１４Ｂの上面に接続パターン２２を設けることにより、衝撃等の外力により接続パターン２２が破断してしまうことが防止される。
【００３６】
ここで、図１（Ｃ）および図１（Ｄ）を参照すると、第１曲折部１４Ａおよび第２曲折部１４Ｂに設けられる溝は、回路基板１２の下面（外側を向く面）から設けられていたが、この溝を上面（内側を向く面）から設けることも可能であり、両面から曲折用の溝を設けることも可能である。
【００３７】
ここで、回路基板１２の構成は変更することが可能である。即ち、薄い可撓性に優れる樹脂基板の上面に導電パターンが形成されたフレキシブルシートを用意し、このフレキシブルシートを回路基板１２の上面に貼着しても良い。更に、図１（Ｄ）に示す第２曲折部１４Ｂの領域で、フレキシブルシートを回路基板に貼着せずに浮いた状態とする。この様にすることで、第２曲折部１４Ｂにて回路基板を折り曲げても、この折り曲げに伴う応力がフレキシブルシートに伝わらないので、折り曲げに伴う導電パターンの断線が抑制される。
【００３８】
図２を参照して、第１曲折部１４Ａの他の形状を説明する。
【００３９】
図２（Ａ）を参照して、ここでは、回路基板１２の下面から四角形状の溝を形成し、この溝が形成された箇所で回路基板１２を曲折させることにより第１曲折部１４Ａが形成されている。第１曲折部１４Ａに、断面が四角形状の溝を設けることにより、この部位に於ける回路基板１２の曲折が容易になる。第１曲折部１４Ａに形成される溝の形状はこれ以外でも良く、例えばＵ字型でもよい。また、第１曲折部１４Ａにおける回路基板１２の厚みＬ１は、上記と同様でよい。
【００４０】
図２（Ｂ）を参照すると、ここでは、回路基板１２を貫通するスリットを設け、このスリットが設けられた箇所にて回路基板１２を曲折することで第１曲折部１４Ａが形成されている。図からも明らかなように、第１曲折部１４Ａでは、実装領域１１Ａと実装領域１１Ｂとが連続せず分離された状態となっている。この場合は、図１（Ｂ）を参照して、第２曲折部１４Ｂにより、実装領域１１Ａと実装領域１１Ｂとが連結される。この様に、第１曲折部１４Ａをスリット状に除去することで、この箇所にて回路基板１２を容易に曲折することが出来る。
【００４１】
図３を参照して、第２曲折部１４Ｂの他の形状を説明する。
【００４２】
図３（Ａ）を参照して、この図に示す第２曲折部１４Ｂでは、断面が四角形状の浅い溝が設けられた箇所にて回路基板１２が曲折されている。第２曲折部１４Ｂに於ける回路基板１２の厚みＬ２は、上記と同様でよい。また、第２曲折部１４Ｂにおける回路基板１２の上面には、実装領域１１Ａから実装領域１１Ｂまで連続して接続パターン２２が形成されている。
【００４３】
図３（Ｂ）を参照して、ここでは、図３（Ａ）に示すような溝が設けられない箇所にて、回路基板１２を曲折することにより第２曲折部１４Ｂが形成されている。この場合は、図１（Ｂ）に示す第１曲折部１４Ａの下面のみに曲折用の溝が設けられる。この様にすることで、第２曲折部１４Ｂの機械的強度が更に向上される。
【００４４】
図４を参照して、他の形態の回路装置１０Ｂの構成を説明する。この回路装置１０Ｂの構成は図１に示した回路装置１０Ａと基本的に同様であり、相違点は、回路基板１２の下面（外側を向く面）に導電パターンおよび回路素子を配置したことにある。図４（Ａ）は回路装置１０Ｂを示す斜視図であり、図４（Ｂ）は曲折領域１４に含まれる第１曲折部１４Ａを示す断面図であり、図４（Ｃ）は第２曲折部１４Ｂを示す断面図である。
【００４５】
上記したように回路装置１０Ｂでは、回路基板１２の外側を向く主面を絶縁層２４により被覆し、この絶縁層２４の表面に導電パターン１６を形成している。そして、導電パターン１６の所定箇所に半導体素子１８や発光素子２０を接続している。この様にすることで、外側に向かって発光素子２０から発光された光を進行させることが出来る。
【００４６】
図４（Ｂ）を参照すると、第１曲折部１４Ａでは、回路基板１２の下面から溝を形成し、この溝が形成された部分にて回路基板１２を曲折することにより、第１曲折部１４Ａが形成されている。
【００４７】
図４（Ｃ）を参照して、ここでは、第２曲折部１４Ｂには分離用の溝は形成されずに回路基板１２が曲折されている。そして、第２曲折部１４Ｂの表面には、実装領域１１Ａから実装領域１１Ｂまで連続する接続パターン２２が形成されている。この接続パターン２２には、実装領域１１Ａに配置された半導体素子１８と、実装領域１１Ｂに配置された発光素子２０とが電気的に接続される。第２曲折部１４Ｂに曲折用の溝を設けないことにより、第２曲折部１４Ｂの外側の面に、接続パターン２２を設けることが可能となる。
【００４８】
図５を参照して、更なる他の形態の回路装置１０Ｃを説明する。回路装置１０Ｃの基本的な構成は上記した回路装置１０Ａ等と同様であり、回路装置１０Ｃでは回路基板１２を曲折加工することにより全体として６角柱の形状が実現されている。図５（Ａ）は回路装置１０Ｃを示す斜視図であり、図５（Ｂ）は曲折領域１４にて回路基板１２を曲折する前の状態の回路基板１２を示す平面図である。尚、ここでは図示されていないが、実際は、各実装領域１１Ａ等には導電パターンおよび回路素子が配置されており、これらは上記した接続パターンにより接続される。
【００４９】
回路装置１０Ｃは、中央部に配置された正六角形形状の実装領域１１Ａと、実装領域１１Ａの側辺と連続する矩形形状の６つの実装領域１１Ｂ−１１Ｇとを備えている。図５（Ｂ）に示す実装領域１１Ａの側辺である曲折領域１４にて、各実装領域１１Ｂ−１１Ｇを直角に曲折することにより、図５（Ａ）に示す形状が得られる。ここで、各曲折領域１４には、図１（Ｂ）等に示すような第１曲折部１４Ａと第２曲折部１４Ｂが含まれる。
【００５０】
ここで、回路装置１０Ｃの形状としては六角柱形状が採用されているが、回路装置１０Ｃの形状としては、直方体形状その他の多角柱状や円柱形状が採用されても良い。
【００５１】
図６から図１０を参照して、上記した構成の回路装置の製造方法を説明する。
【００５２】
図６を参照して、先ず、分離用の溝が形成された基板３０を用意する。図６（Ａ）は本工程で用意される基板３０を示す平面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図であり、図６（Ｃ）は図６（Ａ）のＣ−Ｃ’線に於ける断面図である。尚、図６（Ａ）では図示していないが、基板領域４４の上面には所定形状の導電パターン１６が形成されている。
【００５３】
図６（Ａ）を参照して、基板３０は、中央部に配置されて上記した回路基板１２となる基板領域４４Ａ、４４Ｂと、これらの基板領域を囲む枠状の支持部（第１支持部３２−第４支持部３８）とから構成されている。
【００５４】
基板３０は、アルミニウムまたは銅を主材料とする金属から成る基板であり、厚みは上記したように１．０ｍｍ以上２．０以下程度である。図６（Ｂ）を参照して、基板３０の上面は絶縁層２４により被覆され、この絶縁層２４の表面に所定形状の導電パターン１６が形成されている。尚、基板３０の材料としては、金属以外の材料（例えばセラミック等）を採用することも可能である。尚、ここでは２つの基板領域４４Ａ、４４Ｂが隣接されているが、更に多数個の基板領域をマトリックス状に配置しても良い。
【００５５】
第１支持部３２、第２支持部３４、第３支持部３６および第４支持部３８は、基板領域４４Ａ、４４Ｂを囲むように枠状に構成されている。これらの支持部は、回路基板を構成しない基板３０の残余部分であり、製造工程に於いて各基板領域４４Ａ等を一体に保持する役割を有する。
【００５６】
基板３０には、第１溝４０Ａ−４０Ｄと、第２溝４２Ａ−４２Ｂが形成されている。第１溝４０Ａ−４０Ｄは、基板３０を分離するための溝であり、第２溝４２Ａ、４２Ｂは、基板領域４４を曲折するための溝である。これらの溝は、カットソーによる研削加工により形成される。
【００５７】
第１溝４０Ａ−４０Ｅは、基板領域４４と支持部との間または基板領域４４同士の間に設けられている。具体的には、基板領域４４と第１支持部３２−第４支持部３８との間には、第１溝４０Ａ−４０Ｄが設けられている。更に、基板領域４４Ａと基板領域４４Ｂとの間には第１溝４０Ｅが設けられている。後の工程にて基板３０から各基板領域４４を分離する際には、この第１分離溝第１溝４０Ａ−４０Ｅを境にして基板３０は分離される。また、第１溝４０Ａ−４０Ｅは、基板３０の厚みよりも浅く、基板３０を下面から研削加工することにより形成される。
【００５８】
図６（Ａ）を参照して、第２溝４２Ａは、基板領域４４Ａの内部に設けられた溝であり、後の工程にて基板領域４４Ａを曲折するために設けられている。第２溝４２Ａは、図１に示した第１曲折部１４Ａおよび第２曲折部１４Ｂに対応した深さに形成されている。
【００５９】
図６（Ｂ）を参照して、第１曲折部１４Ａに対応する第２溝４２Ａは、後の工程にて基板の曲折を容易にするために、比較的に深く形成される。一例として、基板３０の厚みＬ１０が１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であれば、第２溝４２Ａの深さＬ１１は、１．０ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に形成される。
【００６０】
図６（Ｃ）を参照して、第２曲折部１４Ｂに相当する箇所の第２溝４２Ａは、第１曲折部１４Ａに相当する箇所に設けられるものよりも浅く形成される。具体的には、この図に示す第２溝４２Ａの深さＬ１２は、例えば０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。
【００６１】
上記した各溝は、刃先がＶ字型の断面形状のカットソーにて、基板３０を下面から研削加工することで形成される。また、図６（Ｃ）に示した浅い第２溝４２Ａは、一時的にカットソーを基板３０から離間することで形成される。
【００６２】
ここで、上記した第１溝４０Ａ−４０Ｅおよび第２溝４２Ａ−４２Ｂは、基板３０の下面から形成されても良いし、上面から形成されても良いし、上面および下面の両方から形成されても良い。
【００６３】
また、基板領域４４Ｂに形成される第２溝４２Ｂの形状も、上記した第２溝４２Ａと同様である。
【００６４】
更に、基板３０に形成される第２溝４２Ａの形状は上記した形状以外の形状でも良い。即ち、第２曲折部１４Ｂに於ける基板３０の残りの厚さが、第１曲折部１４Ａよりも厚くなれば良い。例えば、図２（Ａ）に示すような形状の第１曲折部１４Ａを設ける場合は、刃先が平坦なカットソーによる研削加工により断面が四角形状の第２溝４２Ａが形成される。また、図２（Ｂ）に示す構造の第１曲折部１４Ａが形成される場合は、図６（Ａ）に示す第１曲折部１４Ａの領域を貫通するスリットが設けられる。更に、図３（Ａ）に示す形状の第２曲折部１４Ｂを形成する場合は図２（Ａ）の場合と同様に、刃先が平坦なカットソーによる研削加工が行われる。また、図３（Ｂ）に示す第２曲折部１４Ｂを形成する場合は、図６（Ａ）を参照して、第１曲折部１４Ａのみに第２溝４２Ａを設ける。
【００６５】
図７を参照して、基板３０に設けられる基板領域４４Ａの中央部には、曲折用の第２溝４２Ａが形成されている。換言すると第２溝４２Ａ（曲折領域１４）を境界として、基板領域４４Ａは実装領域１１Ａと１１Ｂに区分されている。また、上記したように、曲折領域１４は、曲折を容易にするための深い第２溝４２Ａが設けられる第１曲折部１４Ａと、第１曲折部１４Ａよりも浅い第２溝４２Ａが設けられる第２曲折部１４Ｂとを備えている。
【００６６】
本形態では、第２溝４２Ａが浅く形成される第２曲折部１４Ｂの上面に、接続パターン２２を形成している。接続パターン２２は、実装領域１１Ａに設けられた導電パターン１６と、実装領域１１Ｂに設けられた導電パターン１６とを連続するように形成されている。ここで、接続パターン２２に替えて後に工程にて形成される金属細線を用いることも可能である。
【００６７】
図８を参照して、次に、基板領域４４Ａの各導電パターン１６に、回路素子を電気的に接続する。ここでは、ＬＳＩである半導体素子１８や発光素子２０が、導電パターン１６に接続されている。これらの回路素子の接続は、半田等の導電性固着材または金属細線を用いて行われる。
【００６８】
図９を参照して、次に、基板領域４４Ａ、４４Ｂを基板３０から分離する。即ち、先工程にて設けた第１溝４０Ａ−４０Ｅに沿って、基板３０を分離する。基板３０の分離は、第１溝４０Ａ−４０Ｅに沿って基板３０を複数回曲折させることで行っても良いし、ダイシング等の他の切断手段により行っても良い。
【００６９】
具体的には、第１溝４０Ａおよび第１溝４０Ｂに沿って規定された切断線４６に沿って、第１支持部３２および第２支持部３４を分離する。次に、第１溝４０Ｃおよび第１溝４０Ｄに沿って規定された切断線４８に沿って、第３支持部３６および第４支持部３８を分離する。このことにより、各基板領域４４Ａを支持するための支持部が除去される。更に、基板領域４４Ａと基板領域４４Ｂとの間に設けられた切断線５０（第１溝４０Ｅ）に沿って、両基板を分離する。
【００７０】
図１０を参照して、次に、基板領域４４Ａに対して曲折加工を行う。図１０（Ａ）は本工程を示す平面図であり、図１０（Ｂ）は第１曲折部１４Ａを示す断面図であり、図１０（Ｃ）は第２曲折部１４Ｂを示す断面図である。
【００７１】
図１０（Ａ）を参照して、本工程では、実装領域１１Ａと実装領域１１Ｂとの間の曲折領域１４にて基板領域４４Ａを曲折する。曲折する際には、曲折用の治具が、実装された半導体素子に触れないように、各実装領域１１Ａ、１１Ｂの側辺を固定した状態で曲折加工が行われる。
【００７２】
図１０（Ｂ）および図１０（Ｃ）を参照して、本工程では、実装領域１１Ａと実装領域１１Ｂとの成す角θ１が９０°となるように曲折加工が行われる。ここで、曲折される角度θ１はこの角度以外でも良く、鋭角でも良いし鈍角でも良い。本工程では、曲折領域１４の第１曲折部１４Ａにて深い溝が形成されているので、曲折領域１４にて容易に基板を曲折することが出来る。更に、曲折領域１４に部分的に厚い第２曲折部１４Ｂを設けているので、曲折後に於いてもこの第２曲折部１４Ｂにより曲折領域１４の機械的強度が確保される。
【００７３】
以上の工程が終了した後は、リード等の外部接続手段を導電パターンに接続する工程、回路素子等を封止樹脂等の封止手段により封止する工程等を経て図１等に示す回路装置１０Ａが製造される。
【符号の説明】
【００７４】
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ      回路装置
１１Ａ、１１Ｂ実装領域
１２   回路基板
１４   曲折領域
１４Ａ 第１曲折部
１４Ｂ 第２曲折部
１６   導電パターン
１８   半導体素子
２０   発光素子
２２   接続パターン
２４   絶縁層
３０   基板
３２   第１支持部
３４   第２支持部
３６   第３支持部
３８   第４支持部
４０、４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、４０Ｄ、４０Ｅ     第１溝
４２、４２Ａ、４２Ｂ 第２溝
４４、４４Ａ、４４Ｂ 基板領域
４６   切断線
４８   切断線
５０   切断線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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