(57)【要約】【課題】半導体基板上に形成された膜の応力による反りの発生を軽減し、薄型化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置１Ａ（１）は、一面側に半導体デバイスが配された半導体基板１０と、前記半導体基板の一面側において、前記半導体デバイスと整合する領域に配された絶縁層１１及び再配線層１２を有する半導体パッケージ構造体と、前記半導体基板の一面側において、少なくとも前記半導体パッケージ構造体を覆うように配された補強層２０と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面側に半導体デバイスが配された半導体基板と、
前記半導体基板の一面側において、前記半導体デバイスと整合する領域に配された絶縁層及び再配線層を有する半導体パッケージ構造体と、
前記半導体基板の一面側において、少なくとも前記半導体パッケージ構造体を覆うように配された補強層と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記補強層が、前記半導体基板の内部応力を打ち消す方向に働く内部応力を有すること、を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記補強層が、Ｓｉ，ＳｉＯ，ＳｉＯ２  ，ＳｉＮ，ＳｉＣ，ガラス，石英，又はサファイアから選択される１つであること、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
一面側に半導体デバイスが配された半導体基板と、
前記半導体基板の一面側において、前記半導体デバイスと整合する領域に配された絶縁層及び再配線層を有する半導体パッケージ構造体と、
前記半導体基板の一面側において、少なくとも前記半導体パッケージ構造体を覆うように配された補強層と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記補強層を、基板接合技術を用いて形成すること、を特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、より詳細には、後述する「ウエハレベルＣＳＰ」において半導体基板上に配された膜の応力に影響されることなく、薄型化が図れる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等のモバイル機器は、より小型化、軽量化が求められており、近年急速に普及している半導体パッケージ構造として、例えばＣＳＰ（チップスケールパッケージ）と呼ばれるパッケージ構造がある。これは、回路を形成したシリコンウエハを切断し、個々の半導体チップに対して個別にパッケージ工程を施しパッケージを完成するものである。
【０００３】
これに対し、一般に「ウエハレベルＣＳＰ」と呼ばれる製法においては、このシリコンウエハ上に、絶縁層、再配線層、封止層を形成し、はんだバンプを形成する。そして最終工程においてウエハを所定のチップ寸法に切断することでパッケージ構造を具備した半導体チップを得る。ウエハ全面にこれらの回路を形成し、最終工程においてウエハをダイシングすることから、切断したチップと同じ面積のパッケージを施された半導体チップを得ることができる（例えば非特許文献１参照）。
【０００４】
一方、半導体チップを薄くする技術として、ウエハ裏面側を研削するバックグラインド（ＢＧ）法があるが、薄くしたウエハは大きく反ってしまうため、取り扱いが困難であった。そこで、所謂ＤＢＧ（Dicing Before Grinding）法が提案されている。ＤＢＧ法は、半導体ウエハ表面から半導体チップの仕上げ厚程度まで切り溝を入れる先ダイシング工程、回路面を保護するテープを貼り付ける工程、ウエハ裏面側を半導体チップ仕上げ厚まで研削することで、チップの個片化を施すバックグラインド（ＢＧ）工程、個片化したチップをフレーム上のテープにマウントする転写工程からなる。
【０００５】
ＤＢＧ法の特徴として、裏面研削し薄くしたウエハを扱うことがないので、搬送時の破損や加工品質の低下が軽減できること、通常のダイシング法に比べて、半導体チップ裏面に生じるチッピングが少ないことから、半導体チップの抗折強度が向上すること、等が挙げられる（例えば特許文献１参照）。これらウエハレベルＣＳＰ構造やＤＢＧ法などの薄型加工法を適用することで、半導体パッケージとして究極の小型化、薄型化が実現する（例えば特許文献２参照）。
【０００６】
図９に、従来のウエハレベルＣＳＰの代表的な構造を示す。この半導体装置１００は、一面１１０ａ側に電極１０２が形成された半導体基板１１０と、半導体基板１１０上に配され、前記電極１０２の少なくとも一部を露出する開口部１１１ａを有する絶縁樹脂層１１１と、絶縁樹脂層１１１上に配され、前記電極１０２と電気的に接続された導電部１１２と、絶縁樹脂層２１１及び導電部１１２を覆うように配され、導電部１１２を露出する開口部１１３ａを有する封止樹脂層１１３と、前記開口部１１３ａから露出した導電部１１２上に配されたはんだバンプ１１４と、を備えている。
【０００７】
しかしながら、このようなウエハレベルＣＳＰにおいて、半導体パッケージを薄くしていくと、回路面側（一面１１０ａ側）に形成された膜の引張応力により、半導体基板に対して、回路面側に凹型の反りが発生する。特に、ウエハレベルＣＳＰ構造からなる半導体パッケージにおいては、回路面側に形成された絶縁樹脂層や封止樹脂層が厚く、膜の引張応力が大きいため、ベアチップに比べてチップ回路面側への凹型の反りが顕著になる。
【０００８】
そこで、図１０に示すように、半導体基板１１０の裏面１１０ｂ側に逆応力発生層１２０を設け、回路面側に発生する反りを軽減させる構造も提案されている（例えば特許文献３参照)。
しかしながら、この技術では、逆応力発生層１２０の厚さだけ半導体パッケージの厚みが増すため、薄型半導体パッケージを実現する妨げとなっていた。
【０００９】
また、図１１に示すように、半導体基板１１０の一面１１０ａ側の外周域に厚型部１２１を設けけた構造も提案されている(例えば特許文献４参照)。
しかしながら、この構造では、厚型部の領域が狭いため、反り軽減効果が限定的にしか得られない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許第３６１２３１７号公報
【特許文献２】特開２００４−１１９４６８号公報
【特許文献３】特開２００３−３７０３０号公報
【特許文献４】特開２００２−２９９１９６号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】日経マイクロデバイス１998年9月号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、半導体基板上に形成された膜の応力による反りの発生を軽減し、薄型化が可能な半導体装置を提供することを第一の目的とする。
また、本発明は、薄型化が可能な半導体装置を簡便な方法で製造できる半導体装置の製造方法を提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の請求項１に記載の半導体装置は、一面側に半導体デバイスが配された半導体基板と、前記半導体基板の一面側において、前記半導体デバイスと整合する領域に配された絶縁層及び再配線層を有する半導体パッケージ構造体と、前記半導体基板の一面側において、少なくとも前記半導体パッケージ構造体を覆うように配された補強層と、を備えたことを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の半導体装置は、請求項１において、前記補強層が、前記半導体基板の内部応力を打ち消す方向に働く内部応力を有すること、を特徴とする。
本発明の請求項３に記載の半導体装置は、請求項１又は請求項２において、前記補強層が、Ｓｉ，ＳｉＯ，ＳｉＯ２  ，ＳｉＮ，ＳｉＣ，ガラス，石英，又はサファイアから選択される１つであること、を特徴とする。
本発明の請求項４に記載の半導体装置の製造方法は、一面側に半導体デバイスが配された半導体基板と、前記半導体基板の一面側において、前記半導体デバイスと整合する領域に配された絶縁層及び再配線層を有する半導体パッケージ構造体と、前記半導体基板の一面側において、少なくとも前記半導体パッケージ構造体を覆うように配された補強層と、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記補強層を、基板接合技術を用いて形成すること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、半導体基板の一面側において、少なくとも半導体パッケージ構造体を覆うように配された補強層を備えているので、半導体基板上に形成された膜の応力による反りの発生を軽減することができる。これにより本発明では、薄型化が可能な半導体装置を提供することが可能である。
また、本発明の半導体装置の製造方法では、補強層を、基板接合技術を用いて形成しているので、一般的な半導体成膜技術が使えるため、容易に補強層を形成することができる。これにより本発明の半導体装置の製造方法では、薄型化が可能な半導体装置を簡便な方法で製造することが可能である。なお、本発明における基板接合技術とは、補強層を、半導体パッケージ構造体上に、Ｓｉを含有した補強基板を貼り合わせることによって形成する技術を意味する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る半導体装置の一例（第一実施形態）を模式的に示す断面図。
【図２】図１に示した半導体装置を模式的に示す斜視図。
【図３】図１に示した半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図４】図３に続く工程を順に示す断面図。
【図５】本発明に係る半導体装置の他の一例（第一実施形態）を模式的に示す断面図。
【図６】図５に示した半導体装置を模式的に示す斜視図。
【図７】本発明に係る半導体装置の他の一例（第二実施形態）を模式的に示す断面図。
【図８】図７に示した半導体装置を模式的に示す斜視図。
【図９】従来の半導体装置の一例を模式的に示す断面図。
【図１０】図９に示した半導体装置の一例を模式的に示す斜視図。
【図１１】図９に示した半導体装置の他の一例を模式的に示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る半導体装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
＜第一実施形態＞
図１及び図２は、本発明の半導体装置の一構成例を模式的に示す図であり、図１は断面図、図２は斜視図である。
この半導体装置１Ａ（１）は、一面１０ａ側に電極２が形成された半導体基板１０と、半導体パッケージ構造体として、半導体基板１０上に配され、前記電極２の少なくとも一部を露出する開口部１１ａを有する絶縁樹脂層１１と、前記絶縁樹脂層（「絶縁層」とも呼ぶ）１１上に配され、前記電極２と電気的に接続された導電部（「再配線層」とも呼ぶ）１２と、前記絶縁樹脂層１１及び前記導電部１２を覆うように配され、導電部１２を露出する開口部１３ａを有する封止樹脂層１３と、前記開口部１３ａから露出した導電部１２上に配されたはんだバンプ１４と、を備えている。
本実施形態の半導体パッケージ構造体は、半導体基板１０の一面１０ａの全体を覆って形成されている。
【００１８】
そして本実施形態の半導体装置１Ａ（１）は、前記半導体基板１０の一面１０ａ側において、封止樹脂層１３の上面を覆うように配された補強層２０を備えたことを特徴とする。
本発明では、半導体基板１０の一面１０ａ側において、封止樹脂層１３の上面を覆うように配された補強層２０を備えているので、半導体基板１０上に形成された膜の応力による反りの発生を軽減することができる。これにより本発明の半導体装置１では、薄型化が可能となる。
【００１９】
半導体基板１０は、例えばシリコンやガリウム砥素等からなり、少なくとも表層が絶縁部（図示せず）をなす基材の一面１０ａ上に、例えば電極２としてＡｌパッドが設けられている。
【００２０】
絶縁樹脂層１１は、前記半導体基板１０上に配され、前記電極２の少なくとも一部を露出する開口部１１ａを有する。
絶縁樹脂層１１は、絶縁性が高く、耐熱性・耐薬品性に優れ、機械的強度が強いものがよく、加えて熱膨張係数（Coefficient of thermal expansion、CTE） が５〜１００ｐｐｍ／℃であり、かつ、ヤング率（Young's Modulus） が０．１〜５ＧＰａのものが好ましい。具体的には、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ＡＢＳ（アクリロニトリル、ブタジエン、スチレン共重合合成）樹脂、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール）樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂等などが挙げられる。
【００２１】
導電部１２は、前記絶縁樹脂層１１上に配され、開口部１１ａを通じて前記電極２と電気的に接続されている。
導電部１２は、電極２とはんだバンプ１４とを電気的に接続する再配線層である。導電部１２の一端部は、絶縁樹脂層１１の開口部１１ａを通じて電極２と電気的に接続されている。また、導電部１２の他端部は、はんだバンプ１４と電気的に接続されている。
【００２２】
導電部１２は電気導電性に優れ、耐熱性の高い材料からなる。このような材料としては、例えば銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、チタンタングステン合金（ＴｉＷ）などが挙げられる。あるいはこれらを主成分とした合金、あるいはこれらの積層構造でもかまわない。その中でも、電気抵抗率が低く、比較的安価な銅が好ましい。また、導電部１２の厚さは１〜２０μｍであることが好ましい。
【００２３】
封止樹脂層１３は、絶縁樹脂層１１及び導電部１２を覆うように配され、導電部１２を露出する開口部１３ａを有する。
封止樹脂層１３は、絶縁性が高く、耐熱性・耐薬品性に優れ、機械的強度が強いものがよく、加えて熱膨張係数が５〜１００ｐｐｍ／℃であり、かつ、ヤング率が０．１〜５ＧＰａのものが好ましい。このような材料としては、例えば具体的には、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ＡＢＳ（アクリロニトリル、ブタジエン、スチレン共重合合成）樹脂、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール）樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂等などが挙げられる。また、封止樹脂層１３の厚みは５〜１００μｍであることが好ましい。
【００２４】
はんだバンプ１４は、はんだからなり、前記開口部１３ａから露出した前記導電部１２上に配される。はんだは鉛を含む組成であっても、含まない組成であってもかまわない。鉛を含まない組成としては、錫を主成分として、銀、銅、インジウム、亜鉛、ビスマスの元素のうち少なくともひとつを含む組成が好ましい。
【００２５】
そして本実施形態の半導体装置１Ａ（１）では、半導体基板１０の一面１０ａ側に配された補強層２０を備えている。この補強層２０は、封止樹脂層１３の上面を覆うように配されている。また、封止樹脂層１３の開口部１３ａと整合する位置に、導電部１２を露出する貫通孔２２を有している。
封止樹脂層１３の上面を覆うように配された補強層２０の存在により、絶縁樹脂層、および封止樹脂層の膜応力から一面１０ａ側（回路面側）に（凹型に）発生する反りを抑えることが可能である。
さらに、補強層２０が封止樹脂層１３の上面に形成されていることにより、半導体パッケージ構造体を、接触、紫外線、湿度などの外部ダメージら防御することができ、半導体装置の長寿命化に貢献する。
【００２６】
なお、補強層２０の存在により、半導体基板１０の厚みは増すが、はんだバンプ１４よりも補強層２０の厚さが薄ければ、半導体パッケージ全体の厚みは増さないため、薄型の半導体パッケージ構造を実現することができる。
具体的には例えば、補強層２０の厚さは、５μｍ〜８０μｍであることが望ましい。補強層２０が薄いと、反りの発生を十分に抑えることが困難である。一方、補強層２０が厚すぎると、半導体装置１の薄型化の妨げになる。
【００２７】
補強層２０は、Ｓｉ，ＳｉＯ，ＳｉＯ２  ，ＳｉＮ，ＳｉＣ，ガラス，石英，又はサファイアから選択される１つからなる。補強層２０をこのような材料から構成することで、一般的な半導体成膜技術が使えるため、補強層２０を容易に形成することができる。
【００２８】
補強層２０の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、ＣＶＤ法、エピタキシャル成長法、ＭＢＥ法などが挙げられる。その他、前記材料からなる基板（補強基板）を貼り合わせる工法によっても形成することが可能である。
補強層２０を形成するのは、はんだバンプ１４の形成前、はんだバンプ１４の形成後、のいずれの段階においても実施可能である。
【００２９】
この補強層２０は、半導体基板１０の内部応力を打ち消す方向に働く内部応力を有することが好ましい。補強層２０が、半導体基板１０の内部応力を打ち消す方向に働く内部応力を有することで、反りを効果的に軽減することができる。具体的には例えば、半導体基板１０の中心部から外周部に向かう方向に引張り応力が発生するような形で形成したものであることが好ましい。
【００３０】
以下、このような半導体装置の製造方法について説明する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、前記補強層２０を、基板接合技術を用いて形成すること、を特徴とする。
本実施形態の半導体装置の製造方法では、補強層２０を、基板接合技術を用いて形成しているので、一般的な半導体成膜技術が使えるため、容易に補強層２０を形成することができる。これにより本実施形態では、薄型化が可能な半導体装置を簡便な方法で製造することが可能である。また、本実施形態では、半導体パッケージ構造体の両側を基板（半導体基板と補強層）で挟んだ構造となるため、両側の基板を一括で薄化加工することが可能となり、生産効率を向上することができる。
以下、工程順に説明する。
【００３１】
まず、図３（ａ）に示すように、半導体基板の一面１０ａ側に、電極２と、電極２の少なくとも一部を露出する開口部１１ａを有する絶縁樹脂層１１と、前記絶縁樹脂層１１上に配され、前記電極２と電気的に接続された導電部１２とを形成する。
【００３２】
一方、図３（ｂ）に示すように、シリコン（Ｓｉ）等からなる基板（補強基板２１）の一面２１ａ側に、開口部１３ａを有する封止樹脂層１３を形成する。
次に、図３（ｃ）に示すように、補強基板２１に貫通孔２２を形成する。貫通孔２２は、封止樹脂層１３の開口部１３ａと整合する位置に形成され、半導体基板１０と補強基板２１とを貼り合わせた際、導電部１３が露出するように配される。
【００３３】
次に、図３（ｄ）に示すように、半導体基板１０の絶縁樹脂層１１及び導電部１２と、補強基板２１上の封止樹脂層１３とが接触するように、半導体基板１０と補強基板２１とを貼り合わせる。このとき、導電部１２が露出するように位置合わせをし、貼り合わせる。
次に、図４（ａ）に示すように、補強基板２１の他面２１ｂ側を研削して薄くする。このとき、補強基板２１の仕上げ厚さとしては、５μｍ〜８０μｍとすることが好ましい。
【００３４】
次に、図４（ｂ）に示すように、補強基板２１上にはんだバンプ１４を形成する。補強基板２１の貫通孔２２及び封止樹脂層１３の開口部１３ａから露出した導電部１２上に、はんだバンプ１４を形成する。
最後に、図４（ｃ）に示すように、ＤＢＧ工法等を用いて、半導体基板１０の他面１０ｂ側を研削することで薄くし、同時に個片化を行う。
【００３５】
以上のようにして得られた半導体装置１Ａ（１）は、半導体基板１０の一面１０ａ側において、封止樹脂層１３の上面を覆うように配された補強層２０を備えているので、半導体基板１０上に形成された膜の応力による反りの発生を軽減することができ、薄型化が可能なものとなる。
【００３６】
＜第二実施形態＞
次に、本発明の半導体装置の第二実施形態について説明する。なお、以下の説明では、上述した第一実施形態と異なる部分について主に説明し、共通する部分についてはその説明を省略する。
【００３７】
図５及び図６は、本実施形態に係る半導体装置１Ｂ（１）の一構成例を模式的に示す図であり、図５は断面図、図６は斜視図である。
上述した第一実施形態では、半導体パッケージ構造体が、半導体基板１０の一面１０ａの全体を覆って形成されており、補強層２０は、半導体パッケージ構造体の封止樹脂層１３上の全体を覆うように配されていたが、本実施形態では、半導体パッケージ構造体は、半導体基板１０の一面１０ａの外縁部を除いた領域に形成されており、補強層２０は、半導体基板１０の一面１０ａ及び封止樹脂層１３の上面を覆うように連続的に形成されている。これにより、絶縁樹脂層、および封止樹脂層の膜応力から一面１０ａ側（回路面側）に（凹型に）発生する反りを抑えることが可能である。また、補強層２０が封止樹脂層１３の上面のみならず、絶縁樹脂層１１の側面および封止樹脂層１３の側面までも覆うように形成されているので、第一実施形態と比べ、接触、紫外線、あるいは温度などの外部ダメージから防御できる能力を一段と高いものとすることができるので、半導体装置の長寿命化が図れる。
【００３８】
上述した補強層２０は、例えば、以下の手順により作製することができる。
（１）半導体基板１０の一面１０ａ上、および封止樹脂層１３上に、真空蒸着法、ＣＶＤ
法、エピタキシャル成長法、ＭＢＥ法などの成膜法を用いて、後に補強層２０となる部材Ａを層状に形成する。
（２）部材Ａ上にレジスト層をパターン形成する。後に補強層２０をなす領域と整合する位置にレジスト層を残す。
（３）残したレジスト層をマスクとして用い、部材Ａに対してエッチング処理を施す。その際、エッチング方法としてはプラズマエッチングが好適であり、例えば、フッ素を含む反応性ガスを使用することができる。
（４）部材Ａをエッチング処理した後、レジスト層を除去することにより本発明に係る補強層２０が得られる。
【００３９】
実際に、厚さ５０μｍの半導体基板と、半導体基板の一面側上に、厚さ２０μｍの補強層を形成した場合とで、半導体基板の反り量の違いを調べた。補強層を形成しない場合は、反り量が４５μｍであったのに対し、補強層を形成した場合は、反り量が２５μｍであり、半導体基板の反りをおよそ半分に抑えることができた。このように、本発明によれば、半導体基板の反りを著しく軽減することができる。
【００４０】
＜第三実施形態＞
次に、本発明の半導体装置の第二実施形態について説明する。なお、以下の説明では、上述した第一実施形態と異なる部分について主に説明し、共通する部分についてはその説明を省略する。
【００４１】
図７及び図８は、本実施形態に係る半導体装置１Ｃ（１）の一構成例を模式的に示す図であり、図７は断面図、図８は斜視図である。
上述した第一実施形態では、半導体パッケージ構造体が、半導体基板１０の一面１０ａの全体を覆って形成されており、補強層２０は、封止樹脂層１３の上面を覆うように配されていることを特徴とする。
これに対して、本実施形態では、半導体パッケージ構造体は、半導体基板１０の一面１０ａの全体を覆って形成されており、かつ、補強層２０は、半導体パッケージ構造体の外縁部を除いた領域における封止樹脂層１３の上面を覆うように形成されている。これにより半導体基板１０の反りを軽減することができるとともに、ダイシング工程において、ダイシングブレードが補強層２０を切削しないため、ダイシングを容易に行うことが可能となる。
【００４２】
上述した補強層２０は、例えば、以下の手順により作製することができる。
（１）半導体基板１０の一面１０ａ上、および封止樹脂層１３上に、真空蒸着法、ＣＶＤ
法、エピタキシャル成長法、ＭＢＥ法などの成膜法を用いて、後に補強層２０となる部材Ａを層状に形成する。
（２）部材Ａ上にレジスト層をパターン形成する。後に補強層２０をなす領域と整合する位置にレジスト層を残す。
（３）残したレジスト層をマスクとして用い、部材Ａに対してエッチング処理を施す。その際、エッチング方法としてはプラズマエッチングが好適であり、例えば、フッ素を含む反応性ガスを使用することができる。
（４）部材Ａをエッチング処理した後、レジスト層を除去することにより本発明に係る補強層２０が得られる。
【００４３】
以上説明してきたように、本発明によれば、半導体基板の反りを著しく軽減することができる。実際に、厚さ５０μｍの半導体基板の一面側上に、厚さ２０μｍの補強層を形成したところ、補強層を形成しない場合に比べて、半導体基板の反りをおよそ半分に抑えることができた。
【００４４】
以上、本発明の半導体装置及びその製造方法について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に広く適用可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ（１）  半導体装置、２  電極、１０  半導体基板、１１  絶縁樹脂層（絶縁層）、１２  導電部（再配線層）、１３  封止樹脂層、１４  はんだバンプ、２０  補強層、２１  補強基板、２２  貫通孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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