(57)【要約】【課題】高精細化されたプラズマディスプレイパネルにおいても、書込み期間における異常放電の発生を抑えて書込み動作を安定にし、画像表示品質を向上させる。【解決手段】下降する初期化用下り傾斜電圧を走査電極に印加する初期化期間と、書込み期間と、サブフィールド毎に設定された輝度重みに応じた回数の維持パルスを表示電極対に交互に印加する維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設け、初期化期間に、初期化用下り傾斜電圧よりも時間的に遅く発生する調整用下り傾斜電圧を、初期化用下り傾斜電圧の最低電圧と調整用下り傾斜電圧の最低電圧との位相を互いに揃えて維持電極に印加し、輝度重みの小さいサブフィールドでは、輝度重みの大きいサブフィールドよりも、初期化用下り傾斜電圧の最低電圧Ｖｉ４および調整用下り傾斜電圧の最低電圧Ｖｉ５を低くする。【選択図】図７
2011022259.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、下降する初期化用下り傾斜電圧を前記走査電極に印加する初期化期間と、書込み期間と、サブフィールド毎に設定された輝度重みに応じた回数の維持パルスを前記表示電極対に交互に印加する維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調表示するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記初期化期間に、前記初期化用下り傾斜電圧よりも時間的に遅く発生する調整用下り傾斜電圧を、前記初期化用下り傾斜電圧の最低電圧と前記調整用下り傾斜電圧の最低電圧との位相を互いに揃えて前記維持電極に印加し、
輝度重みの小さいサブフィールドでは、輝度重みの大きいサブフィールドよりも、前記初期化用下り傾斜電圧の最低電圧および前記調整用下り傾斜電圧の最低電圧を低くすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２】
輝度重みが昇順または降順になるように各サブフィールドを並べたときに隣り合う複数のサブフィールドで１つのグループを構成し、
輝度重みの平均値が小さいグループに属するサブフィールドでは、輝度重みの平均値が大きいグループに属するサブフィールドよりも、前記初期化用下り傾斜電圧の最低電圧および前記調整用下り傾斜電圧の最低電圧を低くすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項３】
前記初期化用下り傾斜電圧とあらかじめ設定した比較電圧とを比較し、前記初期化用下り傾斜電圧が前記比較電圧に到達してから前記調整用下り傾斜電圧を発生するまでの時間を変更することで、前記調整用下り傾斜電圧の最低電圧を制御することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項４】
前記調整用下り傾斜電圧を前記維持電極に印加する期間は、前記維持電極を駆動する維持電極駆動回路から前記維持電極を電気的に切り離して前記維持電極をハイインピーダンス状態とし、前記走査電極に印加される前記初期化用下り傾斜電圧を、前記走査電極と前記維持電極との間の寄生容量を介して前記維持電極に印加することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項５】
前記初期化用下り傾斜電圧とあらかじめ設定した比較電圧とを比較し、前記初期化用下り傾斜電圧が前記比較電圧に到達してから前記維持電極を前記ハイインピーダンス状態にするまでの時間を変更することで、前記調整用下り傾斜電圧の最低電圧を制御するとともに、輝度重みの小さいサブフィールドでは、輝度重みの大きいサブフィールドよりも、前記時間を短くすることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項６】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備え、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設け、前記維持期間にサブフィールド毎に設定された輝度重みに応じた回数の維持パルスを前記表示電極対に交互に印加するプラズマディスプレイパネルと、
前記初期化期間には下降する初期化用下り傾斜電圧を発生し、前記維持期間には前記維持パルスを発生して前記走査電極に印加する走査電極駆動回路と、
前記維持期間に前記維持パルスを発生して前記維持電極に印加する維持電極駆動回路と、を備え、
前記維持電極駆動回路は、
前記初期化期間に、前記初期化用下り傾斜電圧よりも時間的に遅く発生する調整用下り傾斜電圧を、前記初期化用下り傾斜電圧の最低電圧と前記調整用下り傾斜電圧の最低電圧との位相を互いに揃えて前記維持電極に印加するとともに、輝度重みの小さいサブフィールドでは、輝度重みの大きいサブフィールドよりも前記調整用下り傾斜電圧の最低電圧を低くし、
前記走査電極駆動回路は、
輝度重みの小さいサブフィールドでは、輝度重みの大きいサブフィールドよりも前記初期化用下り傾斜電圧の最低電圧を低くすることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記走査電極駆動回路は、前記初期化用下り傾斜電圧とあらかじめ設定した比較電圧とを比較する比較回路を有し、
前記維持電極駆動回路は、前記比較回路における比較結果にもとづき前記調整用下り傾斜電圧を発生することを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記維持電極駆動回路は、
前記調整用下り傾斜電圧を発生する期間は、
前記維持電極駆動回路から前記維持電極を電気的に切り離して前記維持電極をハイインピーダンス状態とすることを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成されている。そして、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極が形成され、それらデータ電極を覆うように誘電体層が形成され、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁が形成されている。そして、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封されている。密封された内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入され、表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００３】
パネルを駆動する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている。サブフィールド法では、１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドで各放電セルを発光または非発光にすることにより階調表示を行う。各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。
【０００４】
初期化期間では、各走査電極に初期化波形を印加し、各放電セルで初期化放電を発生させる。それにより、各放電セルにおいて、続く書込み動作のために必要な壁電荷を形成するとともに、書込み放電を安定して発生させるためのプライミング粒子（書込み放電を発生させるための励起粒子）を発生させる。
【０００５】
書込み期間では、走査電極に走査パルスを印加するとともに、データ電極には表示すべき画像信号にもとづき書込みパルスを印加して表示を行うべき放電セルに書込み放電を発生させ壁電荷を形成する（以下、この動作を「書込み」とも記す）。
【０００６】
維持期間では、サブフィールド毎に定められた数の維持パルスを走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に印加する。それにより、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を発生させ、その放電セルの蛍光体層を発光させる。これにより、各放電セルを、サブフィールド毎に定められた輝度重みに応じた輝度で発光させる。このようにしてパネルの各放電セルを画像信号の階調値に応じた輝度で発光させて画像表示を行う。
【０００７】
また、サブフィールド法の１つとして、緩やかに変化する電圧波形を用いて初期化放電を行い、さらに維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行うことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させた駆動方法が開示されている。
【０００８】
具体的には、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては全ての放電セルに初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては直前の維持期間で維持放電を行った放電セルにのみ初期化放電を発生させる選択初期化動作を行う。このように駆動することにより、画像の表示に関係のない発光によって変化する黒表示領域の輝度（以下、「黒輝度」と略記する）は全セル初期化動作における微弱発光だけとなり、コントラストの高い画像表示が可能となる（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
また、初期化期間に、緩やかな傾斜で電圧が上昇する部分と緩やかな傾斜で電圧が下降する部分とを有する初期化波形を放電セルに印加する技術が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−２４２２２４号公報
【特許文献２】特開２００４−３７８８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
近年、パネルの高精細化にともない放電セルのさらなる微細化が進んでいる。この微細化された放電セルでは、初期化放電によって放電セル内に形成された壁電荷が、隣接する放電セルに発生する書込み放電や維持放電の影響を受けて変化しやすいことが確認されている。
【００１２】
そのため、書込み放電を発生させるべきでないサブフィールドで誤った書込み放電が発生（以下、「誤書込み」とも記す）したり、書込み放電を発生させるべきサブフィールドで書込み放電が発生しない（以下、「不灯」とも記す）等の異常放電が発生することがあり、画像表示品質を劣化させる一因となっている。
【００１３】
本発明はこのような課題に鑑みなされたものであり、高精細化されたパネルにおいても、書込み期間における異常放電の発生を抑えて書込み動作を安定にし、画像表示品質を向上させることができるパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明のパネルの駆動方法は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルを、下降する初期化用下り傾斜電圧を走査電極に印加する初期化期間と、書込み期間と、サブフィールド毎に設定された輝度重みに応じた回数の維持パルスを表示電極対に交互に印加する維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調表示するパネルの駆動方法であって、初期化期間に、初期化用下り傾斜電圧よりも時間的に遅く発生する調整用下り傾斜電圧を、初期化用下り傾斜電圧の最低電圧と調整用下り傾斜電圧の最低電圧との位相を互いに揃えて維持電極に印加し、輝度重みの小さいサブフィールドでは、輝度重みの大きいサブフィールドよりも、初期化用下り傾斜電圧の最低電圧および調整用下り傾斜電圧の最低電圧を低くすることを特徴とする。
【００１５】
これにより、高精細化されたパネルを用いたプラズマディスプレイ装置においても、書込み期間における異常放電の発生を抑えて書込み動作を安定にし、画像表示品質を向上させることが可能となる。
【００１６】
また、このパネルの駆動方法においては、輝度重みが昇順または降順になるように各サブフィールドを並べたときに隣り合う複数のサブフィールドで１つのグループを構成し、輝度重みの平均値が小さいグループに属するサブフィールドでは、輝度重みの平均値が大きいグループに属するサブフィールドよりも、初期化用下り傾斜電圧の最低電圧および調整用下り傾斜電圧の最低電圧を低くする構成であってもよい。これによっても、高精細化されたパネルを用いたプラズマディスプレイ装置において、書込み期間における異常放電の発生を抑えて書込み動作を安定にし、画像表示品質を向上させることが可能となる。
【００１７】
また、このパネルの駆動方法においては、初期化用下り傾斜電圧とあらかじめ設定した比較電圧とを比較し、初期化用下り傾斜電圧が比較電圧に到達してから調整用下り傾斜電圧を発生するまでの時間を変更することで、調整用下り傾斜電圧の最低電圧を制御する構成であってもよい。これにより調整用下り傾斜電圧の最低電圧を精度良く制御することが可能となる。
【００１８】
また、このパネルの駆動方法においては、調整用下り傾斜電圧を維持電極に印加する期間は、維持電極を駆動する維持電極駆動回路から維持電極を電気的に切り離して維持電極をハイインピーダンス状態とし、走査電極に印加される初期化用下り傾斜電圧を、走査電極と維持電極との間の寄生容量を介して維持電極に印加する構成であってもよい。これにより、調整用下り傾斜電圧を発生させるための回路を設けずとも、調整用下り傾斜電圧を維持電極に印加することが可能となる。
【００１９】
また、このパネルの駆動方法においては、初期化用下り傾斜電圧とあらかじめ設定した比較電圧とを比較し、初期化用下り傾斜電圧が比較電圧に到達してから維持電極をハイインピーダンス状態にするまでの時間を変更することで、調整用下り傾斜電圧の最低電圧を制御するとともに、輝度重みの小さいサブフィールドでは、輝度重みの大きいサブフィールドよりも、その時間を短くする構成であってもよい。これにより、調整用下り傾斜電圧を発生させるための回路を設けずに、調整用下り傾斜電圧を維持電極に印加することが可能となり、調整用下り傾斜電圧の最低電圧を精度良く制御することが可能となる。
【００２０】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備え、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設け、維持期間にサブフィールド毎に設定された輝度重みに応じた回数の維持パルスを表示電極対に交互に印加するパネルと、初期化期間には下降する初期化用下り傾斜電圧を発生し、維持期間には維持パルスを発生して走査電極に印加する走査電極駆動回路と、維持期間に維持パルスを発生して維持電極に印加する維持電極駆動回路と、を備え、維持電極駆動回路は、初期化期間に、初期化用下り傾斜電圧よりも時間的に遅く発生する調整用下り傾斜電圧を、初期化用下り傾斜電圧の最低電圧と調整用下り傾斜電圧の最低電圧との位相を互いに揃えて維持電極に印加するとともに、輝度重みの小さいサブフィールドでは、輝度重みの大きいサブフィールドよりも調整用下り傾斜電圧の最低電圧を低くし、走査電極駆動回路は、輝度重みの小さいサブフィールドでは、輝度重みの大きいサブフィールドよりも初期化用下り傾斜電圧の最低電圧を低くすることを特徴とする。
【００２１】
これにより、高精細化されたパネルを用いたプラズマディスプレイ装置においても、書込み期間における異常放電の発生を抑えて書込み動作を安定にし、画像表示品質を向上させることが可能となる。
【００２２】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置において、走査電極駆動回路は、初期化用下り傾斜電圧とあらかじめ設定した比較電圧とを比較する比較回路を有し、維持電極駆動回路は、比較回路における比較結果にもとづき調整用下り傾斜電圧を発生する構成であってもよい。これにより調整用下り傾斜電圧を精度良く発生することが可能となる。
【００２３】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置において、維持電極駆動回路は、調整用下り傾斜電圧を発生する期間は、維持電極駆動回路から維持電極を電気的に切り離して維持電極をハイインピーダンス状態とする構成であってもよい。これにより、走査電極に印加される初期化用下り傾斜電圧を、走査電極と維持電極との間の寄生容量（電極間容量）を介して維持電極に印加することができるので、調整用下り傾斜電圧を発生させるための回路を設けずとも、調整用下り傾斜電圧を維持電極に印加することが可能となる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、高精細化されたパネルにおいても、書込み期間における異常放電の発生を抑えて書込み動作を安定にし、画像表示品質を向上させることができるパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施の形態におけるパネルの構造を示す分解斜視図である。
【図２】同パネルの電極配列図である。
【図３】同パネルの各電極に印加する駆動電圧波形図である。
【図４】本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。
【図５】同プラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の一構成例を示す回路図である。
【図６】同プラズマディスプレイ装置の維持電極駆動回路の一構成例を示す回路図である。
【図７】本発明の一実施の形態における初期化期間に走査電極および維持電極に印加する駆動電圧波形を概略的に示す波形図である。
【図８】消去放電後に放電セル内に残存する不要な壁電荷とサブフィールドとの関係を概略的に示す図である。
【図９】電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧の上限とサブフィールドとの関係を示す特性図である。
【図１０】維持放電を安定に発生できる維持パルス電圧Ｖｓの上限とサブフィールドとの関係を示す特性図である。
【図１１】維持プライミング移動によって放電セル内に蓄積される不要な壁電荷とサブフィールドとの関係を概略的に示す図である。
【図１２】電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧の上限とサブフィールドとの関係を示す特性図である。
【図１３】図９に示した特性図と図１２に示した特性図とを重ね合わせた図である。
【図１４】書込み放電を安定に発生できる走査パルス（振幅）の下限とサブフィールドとの関係を示す特性図である。
【図１５】本発明の一実施の形態における電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧および電圧ＶｅＨｚの設定例を示す図である。
【図１６】本発明の一実施の形態における全セル初期化サブフィールドの初期化期間の走査電極駆動回路および維持電極駆動回路の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００２７】
（実施の形態）
図１は、本発明の一実施の形態におけるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。また、保護層２６は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主成分とする材料から形成されている。
【００２８】
背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００２９】
これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置されている。そして、その外周部はガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして、内部の放電空間には、ネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。なお、本実施の形態では、発光効率を向上させるためにキセノン分圧を約１０％とした放電ガスを用いている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００３０】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。また、放電ガスの混合比率も上述した数値に限られるわけではなく、その他の混合比率であってもよい。
【００３１】
図２は、本発明の一実施の形態におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。そして、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の表示領域となる。
【００３２】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について説明する。なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、１フィールドを時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドに輝度重みをそれぞれ設定し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御するサブフィールド法によって階調表示を行うものとする。
【００３３】
このサブフィールド法では、例えば、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、時間的に後のサブフィールドほど輝度重みが大きくなるように、各サブフィールドはそれぞれ（１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８）の輝度重みを有する構成とすることができる。また、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては全ての放電セルに初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行い（以下、全セル初期化動作を行うサブフィールドを「全セル初期化サブフィールド」と呼称する）、他のサブフィールドの初期化期間においては維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を発生させる選択初期化動作を行う（以下、選択初期化動作を行うサブフィールドを「選択初期化サブフィールド」と呼称する）ことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させることが可能である。
【００３４】
そして、本実施の形態では、第１ＳＦの初期化期間では全セル初期化動作を行い、第２ＳＦ〜第８ＳＦの初期化期間では選択初期化動作を行うものとする。これにより、画像の表示に関係のない発光は第１ＳＦにおける全セル初期化動作の放電にともなう発光のみとなる。したがって、維持放電を発生させない黒表示領域の輝度である黒輝度は全セル初期化動作における微弱発光だけとなって、コントラストの高い画像表示が可能となる。また、各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４のそれぞれに印加する。
【００３５】
しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【００３６】
図３は、本発明の一実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図３には、書込み期間において最初に走査を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において最後に走査を行う走査電極ＳＣｎ（例えば、走査電極ＳＣ１０８０）、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍの駆動波形を示す。
【００３７】
また、図３には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形、すなわち全セル初期化サブフィールドである第１サブフィールド（第１ＳＦ）と、選択初期化サブフィールドである第２サブフィールド（第２ＳＦ）とを示す。なお、他のサブフィールドにおける駆動電圧波形は、維持期間における維持パルスの発生数が異なる以外は第２ＳＦの駆動電圧波形とほぼ同様である。また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中から画像データ（サブフィールド毎の発光・非発光を示すデータ）にもとづき選択された電極を表す。
【００３８】
まず、全セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。
【００３９】
第１ＳＦの初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにはそれぞれ０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、電圧Ｖｉ１を印加する。このとき、電圧Ｖｉ１は、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧未満の電圧にする。さらに電圧Ｖｉ１から、電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに（例えば、約１．３Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する傾斜電圧Ｌ１（以下、「上りランプ電圧Ｌ１」と呼称する）を印加する。このとき、電圧Ｖｉ２は維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧を超える電圧にする。
【００４０】
この上りランプ電圧Ｌ１が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上部には正の壁電圧が蓄積される。この電極上部の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００４１】
初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅを印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧未満となる電圧Ｖｉ３から放電開始電圧を超える負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに（例えば、約−２．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降する初期化用下り傾斜電圧Ｌ２（以下、「下りランプ電圧Ｌ２」と呼称する）を印加する。
【００４２】
この間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。
【００４３】
なお、本実施の形態では、下りランプ電圧Ｌ２を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加している途中で、電圧Ｖｅから電圧Ｖｉ５に向かって下降する調整用下り傾斜電圧である下りランプ電圧Ｌ５を維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する。すなわち、下りランプ電圧Ｌ５を下りランプ電圧Ｌ２よりも時間的に遅く発生し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する。このとき、下りランプ電圧Ｌ２の最低電圧（電圧Ｖｉ４）と、下りランプ電圧Ｌ５の最低電圧（電圧Ｖｉ５）との位相が互いに揃うように下りランプ電圧Ｌ５を発生する。
【００４４】
下りランプ電圧Ｌ２を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加することで走査電極２２−維持電極２３間の電位差は徐々に拡大していく。これにより、走査電極２２−維持電極２３間に発生した微弱な初期化放電は持続される。しかし、この初期化放電の持続時間が過剰になると、壁電荷が過剰に調整され、続く書込み期間で正常な書込み動作を行えなくなる。このとき、下りランプ電圧Ｌ５を維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加すると、走査電極２２−維持電極２３間の電位差の拡大が緩和され、走査電極２２−維持電極２３間に発生した初期化放電が抑制される。本実施の形態では、このようにして初期化放電を調整し、初期化放電による壁電荷の調整が過剰になることを防止している。
【００４５】
以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。
【００４６】
続く書込み期間では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに対しては負の走査パルス電圧Ｖａを順次印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対しては発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加して、各放電セルに選択的に書込み放電を発生させる。
【００４７】
具体的には、まず維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｃｃ（電圧Ｖｃｃ＝電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｃ）を印加する。
【００４８】
そして、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（電圧Ｖｄ−電圧Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加しているため、維持電極ＳＵ１上と走査電極ＳＣ１上との電圧差は、外部印加電圧の差である（電圧Ｖｅ−電圧Ｖａ）に維持電極ＳＵ１上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Ｖｅを、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態にすることができる。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電を発生させることができる。こうして、発光させるべき放電セルに書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００４９】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。
【００５０】
続く維持期間では、輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。
【００５１】
この維持期間では、まず走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにベース電位となる接地電位、すなわち０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。
【００５２】
そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【００５３】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎにはベース電位となる０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので、再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され、走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに、輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを交互に印加することで、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して発生する。
【００５４】
そして、維持期間における維持パルスの発生後に、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加したまま、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、０（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｅｒｓに向かって緩やかに（例えば、約１０Ｖ／μｓｅｃ）上昇する傾斜電圧Ｌ３（以下、「消去ランプ電圧Ｌ３」と呼称する）を印加する。これにより、維持放電を起こした放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間で、微弱な放電が発生する。この微弱な放電は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへの印加電圧が上昇する期間、持続して発生する。そして、上昇する電圧があらかじめ定めた電圧Ｖｅｒｓに到達したら、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する電圧をベース電位となる０（Ｖ）まで下降させる。
【００５５】
このとき、この微弱な放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差を緩和するように、維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に蓄積されていく。したがって、維持放電が発生した放電セルにおいて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上と維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上との間の壁電圧は、走査電極ＳＣｉに印加した電圧と放電開始電圧の差、すなわち（電圧Ｖｅｒｓ−放電開始電圧）の程度まで弱められる。これにより、維持放電が発生した放電セルにおいて、データ電極Ｄｋ上の正の壁電荷を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の、壁電圧の一部または全部が消去される。すなわち、消去ランプ電圧Ｌ３によって発生する放電は、維持放電が発生した放電セル内に蓄積された不要な壁電荷を消去する「消去放電」として働く（以下、消去ランプ電圧Ｌ３によって発生させる放電を「消去放電」と呼称する）。
【００５６】
その後、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを０（Ｖ）に戻し、維持期間における維持動作が終了する。
【００５７】
第２ＳＦの初期化期間では、第１ＳＦにおける初期化期間の前半部を省略した駆動電圧波形を各電極に印加する。すなわち、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに０（Ｖ）をそれぞれ印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには放電開始電圧未満となる電圧（例えば、０（Ｖ））から放電開始電圧を超える負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに（例えば、約−２．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降する初期化用下り傾斜電圧Ｌ４（以下、「下りランプ電圧Ｌ４」と呼称する）を印加する。
【００５８】
これにより直前のサブフィールド（図３では、第１ＳＦ）の維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上部および維持電極ＳＵｉ上部の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）上部の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。一方、直前のサブフィールドの維持期間で維持放電を起こさなかった放電セルでは初期化放電は発生しない。このように第２ＳＦにおける初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して初期化放電を行う選択初期化動作となる。
【００５９】
なお、第２ＳＦの初期化期間においても、第１ＳＦの初期化期間と同様に、下りランプ電圧Ｌ４を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加している途中で、下りランプ電圧Ｌ４の最低電圧（電圧Ｖｉ４）と、下りランプ電圧Ｌ５の最低電圧（電圧Ｖｉ５）との位相が互いに揃うように下りランプ電圧Ｌ５を発生して、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加し、初期化放電を調整している。
【００６０】
第２ＳＦの書込み期間では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対して第１ＳＦの書込み期間と同様の駆動波形を印加する。第２ＳＦの維持期間では、第１ＳＦの維持期間と同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとにあらかじめ定められた数の維持パルスを交互に印加する。
【００６１】
また、第３ＳＦ以降のサブフィールドでは、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対して、維持期間における維持パルスの発生数が異なる以外は第２ＳＦと同様の駆動波形を印加する。
【００６２】
以上が、パネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【００６３】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図４は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００６４】
画像信号処理回路４１は、入力された画像信号ｓｉｇにもとづき各放電セルに１フィールドで表現される階調値を割り当て、各放電セルに割り当てられた階調値をサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。
【００６５】
タイミング発生回路４５は、水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖ、および後述する比較回路５７における比較結果にもとづき各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロック（画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３および維持電極駆動回路４４）へ供給する。
【００６６】
データ電極駆動回路４２は、画像データを構成するサブフィールド毎のデータを各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する信号に変換し、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍを駆動する。
【００６７】
走査電極駆動回路４３は、初期化期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する初期化波形を発生する初期化波形発生回路、維持期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスを発生する維持パルス発生回路、複数の走査電極駆動ＩＣ（以下、「走査ＩＣ」と略記する）を備え書込み期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する走査パルスを発生する走査パルス発生回路を有する。そして、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎをそれぞれ駆動する。また、下りランプ電圧Ｌ２、下りランプ電圧Ｌ４とあらかじめ設定した比較電圧Ｖｏとを比較し、その比較結果をタイミング発生回路４５に出力する比較回路５７を有する。
【００６８】
維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路および電圧Ｖｅを発生する回路を備え、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを駆動する。
【００６９】
図５は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１の走査電極駆動回路４３の一構成例を示す回路図である。走査電極駆動回路４３は、維持パルスを発生する維持パルス発生回路５０、初期化波形を発生する初期化波形発生回路５１、走査パルスを発生する走査パルス発生回路５２を備え、走査パルス発生回路５２の各出力端子はパネル１０の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに接続されている。なお、本実施の形態では、走査パルス発生回路５２に入力される電圧を「基準電位Ａ」と記す。また、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作を「オン」、遮断させる動作を「オフ」と表記し、スイッチング素子をオンにする信号を「Ｈｉ」、オフにする信号を「Ｌｏ」と表記する。
【００７０】
また、図５には、負の電圧Ｖａを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５４）が動作しているときに、その回路から、維持パルス発生回路５０および電圧Ｖｒを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５３）、電圧Ｖｅｒｓを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５５）を電気的に分離するためのスイッチング素子Ｑ４を用いた分離回路を示している。また、電圧Ｖｒを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５３）が動作しているときに、その回路から、電圧Ｖｒよりも低い電圧の電圧Ｖｅｒｓを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５５）を電気的に分離するためのスイッチング素子Ｑ６を用いた分離回路を示している。
【００７１】
維持パルス発生回路５０は、後述する維持パルス発生回路８０と同様に、一般に用いられている電力回収回路（図示せず）とクランプ回路（図示せず）とを備え、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき内部に備えた各スイッチング素子を切換えて維持パルスを発生する。なお、図５では、タイミング信号の信号経路の詳細は省略する。
【００７２】
初期化波形発生回路５１は、ミラー積分回路５３、ミラー積分回路５４、ミラー積分回路５５を有する。なお、ミラー積分回路５３は上りランプ電圧Ｌ１を、ミラー積分回路５５は消去ランプ電圧Ｌ３を、ミラー積分回路５４は下りランプ電圧Ｌ２および下りランプ電圧Ｌ４をそれぞれ発生する傾斜電圧発生回路である。また、図５では、ミラー積分回路５３の入力端子を入力端子ＩＮ１、ミラー積分回路５５の入力端子を入力端子ＩＮ３、ミラー積分回路５４の入力端子を入力端子ＩＮ２としている。
【００７３】
ミラー積分回路５３は、スイッチング素子Ｑ１とコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とを有し、初期化動作時に、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき走査電極駆動回路４３の基準電位Ａを電圧Ｖｉ２までランプ状に緩やかに（例えば、１．３Ｖ／μｓｅｃで）上昇させて上りランプ電圧Ｌ１を発生する。
【００７４】
ミラー積分回路５５は、スイッチング素子Ｑ３とコンデンサＣ３と抵抗Ｒ３とを有し、維持期間の最後に、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき基準電位Ａを上りランプ電圧Ｌ１よりも急峻な勾配（例えば、１０Ｖ／μｓｅｃ）で電圧Ｖｅｒｓまで上昇させて消去ランプ電圧Ｌ３を発生する。
【００７５】
ミラー積分回路５４は、スイッチング素子Ｑ２とコンデンサＣ２と抵抗Ｒ２とを有し、初期化動作時に、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき基準電位Ａを電圧Ｖｉ４までランプ状に緩やかに（例えば、−２．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降させて下りランプ電圧Ｌ２および下りランプ電圧Ｌ４を発生する。
【００７６】
なお、本実施の形態では、実用的であり比較的構成が簡単なＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたミラー積分回路を用いて初期化波形発生回路５１を構成する例を示しているが、本実施の形態は何らこの構成に限定されるものではない。基準電位Ａをランプ状に上昇または下降させることができる回路であればどのような回路を用いてもよく、例えば、ミラー積分回路に代えてＲＣ積分回路を用いた構成であってもよい。
【００７７】
走査パルス発生回路５２は、ｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに走査パルスを印加するためのスイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎおよびスイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎを備えている。スイッチング素子ＱＨｊ（ｊ＝１〜ｎ）の一方の端子とスイッチング素子ＱＬｊの一方の端子とは互いに接続されており、その接続箇所が走査パルス発生回路５２の出力端子となって、走査電極ＳＣｊに接続されている。
【００７８】
スイッチング素子ＱＨｊの他方の端子は高電圧側の入力端子ＩＮｂとなっており、基準電位Ａに電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃに接続されている。また、スイッチング素子ＱＬｊの他方の端子は低電圧側の入力端子ＩＮａとなっており、基準電位Ａに接続されている。なお、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、複数の素子が集積化されてＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）になっている。このＩＣが走査電極２２に走査パルスを出力する走査ＩＣであり、走査パルス発生回路５２には複数の走査ＩＣが用いられている。
【００７９】
また、走査パルス発生回路５２は、書込み期間において基準電位Ａを負の電圧Ｖａに接続するスイッチング素子Ｑ５と、電圧Ｖｓｃを発生し基準電位Ａに電圧Ｖｓｃを重畳する電源ＶＳＣと、基準電位Ａに電圧Ｖｓｃを重畳して発生させた電圧Ｖｃを入力端子ＩＮｂに印加するためのダイオードＤ３１、コンデンサＣ３１と、２つの入力端子に入力される入力信号の大小を比較する比較器ＣＰ１と、電圧Ｖｓｅｔ２を発生して電圧Ｖａに重畳する電源と、電圧Ｖｓｅｔ３を発生して電圧Ｖａに重畳する電源と、比較器ＣＰ１の一方の入力端子に電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ２を印加するためのスイッチング素子ＳＷ２と、比較器ＣＰ１の一方の入力端子に電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ３を印加するためのスイッチング素子ＳＷ３とを備えている。なお、比較器ＣＰ１の他方の入力端子は基準電位Ａに接続され、比較器ＣＰ１の出力信号はスイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎの制御に用いられる。
【００８０】
このように構成された走査パルス発生回路５２では、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号、各放電セルのサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データおよび比較器ＣＰ１における比較結果にもとづき、入力端子ＩＮａ、入力端子ＩＮｂの２つの入力端子に入力される信号のいずれかを出力する。
【００８１】
例えば、書込み期間においては、スイッチング素子Ｑ５をオンにして基準電位Ａを負の電圧Ｖａに接続し、入力端子ＩＮａには負の電圧Ｖａを、入力端子ＩＮｂには電圧Ｖａに電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃ、すなわち電圧Ｖｃｃを印加する。そして、走査パルスを印加する走査電極ＳＣｉに対しては、スイッチング素子ＱＨｉをオフ、スイッチング素子ＱＬｉをオンにして、スイッチング素子ＱＬｉを経由して走査電極ＳＣｉに負の走査パルス電圧Ｖａを印加し、走査パルスを印加しない走査電極ＳＣｈ（ｈは、１〜ｎのうちｉを除いたもの）に対しては、スイッチング素子ＱＬｈをオフ、スイッチング素子ＱＨｈをオンにして、スイッチング素子ＱＨｈを経由して走査電極ＳＣｈに電圧Ｖｃｃを印加する。
【００８２】
さらに、走査パルス発生回路５２は、基準電位Ａとあらかじめ設定した比較電圧Ｖｏとを比較する比較回路５７を備えている。比較回路５７は、初期化期間において下りランプ電圧Ｌ２または下りランプ電圧Ｌ４と比較電圧Ｖｏとを比較し、下りランプ電圧Ｌ２または下りランプ電圧Ｌ４が比較電圧Ｖｏに到達したことを表す信号をタイミング発生回路４５に出力する。
【００８３】
なお、走査パルス発生回路５２は、初期化期間においては初期化波形発生回路５１で発生した電圧波形を、維持期間においては、維持パルス発生回路５０で発生した電圧波形を出力するように、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号によって各スイッチング素子が制御されるものとする。なお、図５では、タイミング信号の信号経路の詳細は省略する。また、走査パルス発生回路５２の初期化期間における動作の詳細は後述する。
【００８４】
図６は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１の維持電極駆動回路４４の一構成例を示す回路図である。なお、図６にはパネル１０の電極間容量（走査電極２２と維持電極２３との間の寄生容量）をＣｐとして示し、走査電極駆動回路４３の回路図の詳細は省略している。
【００８５】
維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路８０を備えている。維持パルス発生回路８０は、電力回収回路８１およびクランプ回路８２を備え、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに接続されている。なお、書込み期間、維持期間のいずれにおいても、全ての維持電極２３に一斉に同じ駆動電圧を印加すればよく、走査電極２２のように個別に維持電極２３を駆動する必要がないため、維持電極駆動回路４４の出力電圧は全ての維持電極２３に並列に印加されている。
【００８６】
電力回収回路８１は、電力回収用のコンデンサＣ２０、スイッチング素子Ｑ２１、スイッチング素子Ｑ２２、逆流防止用のダイオードＤ２１、逆流防止用のダイオードＤ２２、共振用のインダクタＬ２０を有している。そして、電極間容量ＣｐとインダクタＬ２０とをＬＣ共振させて維持パルスの立ち上がりおよび立ち下がりを行う。
【００８７】
クランプ回路８２は、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを電圧Ｖｓにクランプするためのスイッチング素子Ｑ２３、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを接地電位（０（Ｖ））にクランプするためのスイッチング素子Ｑ２４を有している。
【００８８】
そして、維持パルス発生回路８０は、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号により各スイッチング素子のオン・オフを切換えて維持パルスを発生する。
【００８９】
例えば、維持パルスを立ち上げる際には、スイッチング素子Ｑ２１をオンにして電極間容量ＣｐとインダクタＬ２０とをＬＣ共振させ、電力回収用のコンデンサＣ２０からスイッチング素子Ｑ２１、ダイオードＤ２１、インダクタＬ２０を通して維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電力を供給する。そして、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎの電圧が電圧Ｖｓに近づいた時点で、スイッチング素子Ｑ２３をオンにして、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを電圧Ｖｓにクランプする。
【００９０】
逆に、維持パルスを立ち下げる際には、スイッチング素子Ｑ２２をオンにして電極間容量ＣｐとインダクタＬ２０とをＬＣ共振させ、電極間容量ＣｐからインダクタＬ２０、ダイオードＤ２２、スイッチング素子Ｑ２２を通して電力回収用のコンデンサＣ２０に電力を回収する。そして、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎの電圧が０（Ｖ）に近づいた時点で、スイッチング素子Ｑ２４をオンにして、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを０（Ｖ）にクランプする。
【００９１】
また、維持電極駆動回路４４は、電圧Ｖｅを発生する電源ＶＥと、電圧Ｖｅを維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加するためのスイッチング素子Ｑ２６、スイッチング素子Ｑ２７と、逆流防止用のダイオードＤ３０とを有する。そして、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづいてスイッチング素子Ｑ２６、スイッチング素子Ｑ２７をオンにし、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加する。
【００９２】
なお、図６では、タイミング信号の信号経路の詳細は省略する。また、各スイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の一般に知られた素子を用いて構成することができる。
【００９３】
なお、維持電極駆動回路４４においては、全てのスイッチング素子をオフにすることで維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを維持電極駆動回路４４から電気的に切り離し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎをハイインピーダンス状態にすることができる。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加される電圧を、電極間容量Ｃｐを介して維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加することができる。
【００９４】
次に、本実施の形態における初期化期間に行う書込み動作を安定化する手法について説明する。
【００９５】
本実施の形態では、上述したように、全セル初期化サブフィールドにおいては下りランプ電圧Ｌ２を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加している途中で、選択初期化サブフィールドにおいては下りランプ電圧Ｌ４を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加している途中で、電圧Ｖｅから電圧Ｖｉ５に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ５を、下りランプ電圧Ｌ２または下りランプ電圧Ｌ４の最低電圧（電圧Ｖｉ４）と、下りランプ電圧Ｌ５の最低電圧（電圧Ｖｉ５）との位相が互いに揃うように発生して維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加し、初期化放電を調整している。
【００９６】
このとき、本実施の形態では、輝度重みの小さいサブフィールドにおいては、輝度重みの大きいサブフィールドよりも、下りランプ電圧Ｌ２、下りランプ電圧Ｌ４の最低電圧（電圧Ｖｉ４）、および下りランプ電圧Ｌ５の最低電圧（電圧Ｖｉ５）を低くする構成としている。
【００９７】
図７は、本発明の一実施の形態における初期化期間に走査電極２２および維持電極２３に印加する駆動電圧波形を概略的に示す波形図である。なお、図７には、選択初期化サブフィールドにおける初期化動作、すなわち、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに下りランプ電圧Ｌ４を印加するときの動作を示すが、全セル初期化サブフィールドにおける動作も同様である。
【００９８】
本実施の形態においては、輝度重みの小さいサブフィールドでは、輝度重みの大きいサブフィールドよりも、下りランプ電圧Ｌ４の最低電圧である電圧Ｖｉ４を低くしている。例えば、輝度重みの小さいサブフィールドにおいて下りランプ電圧Ｌ４を、図７に破線で示すように、走査パルス電圧Ｖａと電圧Ｖｉ４との差電圧を電圧Ｖｓｅｔ２（すなわち、電圧Ｖｉ４＝電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ２）にして発生するときには、輝度重みの大きいサブフィールドでは、下りランプ電圧Ｌ４を、図７に実線で示すように、走査パルス電圧Ｖａと電圧Ｖｉ４との差電圧を電圧Ｖｓｅｔ２よりも大きい電圧Ｖｓｅｔ３（すなわち、電圧Ｖｉ４＝電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ３）にして発生する。
【００９９】
また、本実施の形態においては、輝度重みの小さいサブフィールドでは、輝度重みの大きいサブフィールドよりも、下りランプ電圧Ｌ５の最低電圧である電圧Ｖｉ５を低くしている。例えば、輝度重みの小さいサブフィールドにおいて下りランプ電圧Ｌ５を、図７に破線で示すように、電圧Ｖｅと電圧Ｖｉ５との差電圧（以下、この差電圧を「電圧ＶｅＨｚ」と記す）を電圧ＶｅＨｚ２（すなわち、電圧Ｖｉ５＝電圧Ｖｅ−電圧ＶｅＨｚ２）にして発生するときには、輝度重みの大きいサブフィールドでは、下りランプ電圧Ｌ５を、図７に実線で示すように、電圧ＶｅＨｚを、電圧ＶｅＨｚ２よりも低い電圧ＶｅＨｚ３（すなわち、電圧Ｖｉ５＝電圧Ｖｅ−電圧ＶｅＨｚ３）にして発生する。
【０１００】
なお、いずれの場合も、下りランプ電圧Ｌ４の最低電圧と下りランプ電圧Ｌ５の最低電圧との位相が互いに揃うように下りランプ電圧Ｌ５を発生するものとする。これは、走査電極２２−維持電極２３間に不要な電位差が発生しないようにするためである。
【０１０１】
本実施の形態では、これにより書込み動作の安定化を図っている。これは、次のような理由による。
【０１０２】
まず、輝度重みの小さいサブフィールドにおいて、下りランプ電圧Ｌ４の最低電圧（電圧Ｖｉ４）を低くし、下りランプ電圧Ｌ５の最低電圧（電圧Ｖｉ５）を低くすることが望ましい理由について説明する。なお、以下の説明においては、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、第１ＳＦから第８ＳＦまでの各サブフィールドはそれぞれ（１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８）の輝度重みを有するものとする。
【０１０３】
図８は、消去放電後に放電セル内に残存する不要な壁電荷とサブフィールドとの関係を概略的に示す図である。図８において、縦軸は消去放電後に放電セル内に残存する不要な壁電荷の量を表し、横軸はサブフィールドを表す。
【０１０４】
維持期間において、維持期間の初期に発生する維持放電は放電強度が比較的弱く、維持放電を繰り返すことで徐々に放電強度が上がっていくことが確認されている。これは、維持期間の初期には放電セル内のプライミング粒子が少なく、維持放電を繰り返すことで徐々にプライミング粒子が増えていき、放電が強く発生するようになるためと考えられる。
【０１０５】
したがって、輝度重みが小さく、維持パルスの発生数が少ないサブフィールドでは、維持放電の放電強度が十分に上がらないうちに維持期間が終了し、放電セル内にプライミング粒子が十分に発生しないまま消去ランプ電圧Ｌ３による消去放電が発生する可能性がある。
【０１０６】
このとき、プライミング粒子が十分でないまま消去放電が発生すると、消去放電も不十分な放電となって十分に消去動作が行われず（以下、「消去不良」と呼称する）、放電セル内に不要な壁電荷が残存したままとなる。
【０１０７】
その結果、図８に示すように、輝度重みの小さいサブフィールドでは、消去ランプ電圧Ｌ３による消去動作後に放電セル内に残存する不要な壁電荷が、輝度重みの大きいサブフィールドと比較して多くなりやすい。
【０１０８】
そして、消去不良により放電セル内に残存する不要な壁電荷が多くなるほど、続くサブフィールドでは、書込み放電を発生させるべきでない放電セルで誤った書込み放電が発生する「誤書込み」が発生しやすくなる。
【０１０９】
このとき、下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）の最低電圧である電圧Ｖｉ４を低くすれば、下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）による初期化放電の持続時間を延長できる。これにより、初期化放電によって調整される壁電荷の量を増加させ、消去不良により放電セル内に残存する不要な壁電荷を調整できるので、「誤書込み」を低減することができる。逆に、電圧Ｖｉ４を高くすると、下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）による初期化放電の持続時間は短縮されるので、初期化放電によって調整される壁電荷の量は減少し、「誤書込み」が増加するおそれがある。
【０１１０】
一方、初期化動作終了後の放電セル内の電圧状態は、初期動作終了時に走査電極２２に印加されている電圧、すなわち、電圧Ｖｉ４にもとづき形成される。このため、書込み期間において走査電極２２に走査パルス電圧Ｖａを印加するときには、初期化動作終了時に形成された放電セル内の電圧に、電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧が加算されることになる。
【０１１１】
したがって、電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧が大きくなるほど（走査パルス電圧Ｖａを一定にする場合には、電圧Ｖｉ４を高くするほど）、書込み動作時に放電セルに加算される電圧は高くなり、書込み放電は発生しやすくなる。逆に、電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧が小さくなるほど（走査パルス電圧Ｖａを一定にする場合には、電圧Ｖｉ４を低くするほど）、書込み動作時に放電セルに加算される電圧は低くなり、書込み放電は発生しにくくなる。
【０１１２】
すなわち、電圧Ｖｉ４を低くすると「誤書込み」は低減されるが、一方で書込み放電は発生しにくくなり、逆に、電圧Ｖｉ４を高くすると、書込み放電は発生しやすくなるが、一方で「誤書込み」が増加する可能性が高くなるので、これらのことを考慮して電圧Ｖｉ４を設定することが望ましい。
【０１１３】
図９は、電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧の上限とサブフィールドとの関係を示す特性図である。図９において、縦軸は、消去不良に起因する「誤書込み」に関して、安定に書込み放電を発生させることができる電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧の上限を表す。また、横軸はサブフィールドを表す。なお、図９に示す特性の測定時には、走査パルス電圧Ｖａは一定の電圧に維持し、下りランプ電圧Ｌ４の勾配を維持したまま電圧Ｖｉ４を変更して実験を行った。
【０１１４】
図９に示すように、消去不良に起因する「誤書込み」に関して、安定に書込み放電を発生させることができる電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧の上限は、輝度重みの小さいサブフィールドほど低くなる。これは、上述したように、輝度重みの小さいサブフィールドでは、消去不良に起因して放電セル内に残存する不要な壁電荷が、輝度重みの大きいサブフィールドと比較して多くなりやすいため、電圧Ｖｉ４を低くして、すなわち、電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧を小さくして、下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）による初期化放電の持続時間を十分に確保することが望ましいことを表している。
【０１１５】
しかしながら、電圧Ｖｉ４を低くして、下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）による初期化放電の持続時間を延長すると、書込み放電が発生していないにもかかわらず誤った維持放電が発生する「維持誤放電」が発生しやすくなることが確認されている。これは、走査電極２２−維持電極２３間に発生する初期化放電が、維持放電に使用される壁電荷の調整を行っており、電圧Ｖｉ４を低くして初期化動作が延長されると、維持放電に使用される壁電荷が過剰に調整されるためと考えられる。
【０１１６】
このとき、電圧ＶｅＨｚを大きくして下りランプ電圧Ｌ５の発生時間を延長し、下りランプ電圧Ｌ５によって初期化放電を抑制する時間を延長することで、「維持誤放電」が低減されることが確認された。
【０１１７】
図１０は、維持放電を安定に発生できる維持パルス電圧Ｖｓの上限とサブフィールドとの関係を示す特性図である。図１０において、縦軸は維持放電を安定に発生できる維持パルス電圧Ｖｓの上限を表し、維持パルス電圧Ｖｓをこの上限よりも高い電圧に設定すると「維持誤放電」が発生しやすくなることを表している。すなわち、図１０に示す維持パルス電圧Ｖｓの上限は、数値が高いほど「維持誤放電」が発生しにくいことを表している。また、横軸はサブフィールドを表す。
【０１１８】
また、図１０には、電圧ＶｅＨｚを１５（Ｖ）に設定したときの特性を破線で示し、電圧ＶｅＨｚを２０（Ｖ）に設定したときの特性を実線で示す。
【０１１９】
そして、図１０に示すように、全てのサブフィールドにおいて、電圧ＶｅＨｚを大きくすることで、維持放電を安定に発生できる維持パルス電圧Ｖｓの上限を高められることが確認された。すなわち、電圧Ｖｉ５を低くして下りランプ電圧Ｌ５の発生時間を延長することで「維持誤放電」を低減することが可能となる。
【０１２０】
これは、上述したように、下りランプ電圧Ｌ５を維持電極２３に印加すると、走査電極２２−維持電極２３間に発生する初期化放電が抑制されるため、電圧ＶｅＨｚを大きくして下りランプ電圧Ｌ５を維持電極２３に印加する時間を延長することで、維持放電に使用される壁電荷が過剰に調整されるのを抑制できるためと考えられる。
【０１２１】
これらのことから、輝度重みの小さいサブフィールドにおいて発生しやすい消去不良に起因する「誤書込み」の低減に関しては、下りランプ電圧Ｌ４の最低電圧（電圧Ｖｉ４）を低くすることが有効であり、電圧Ｖｉ４を低くして下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）による初期化放電の持続時間を延長することで発生しやすい「維持誤放電」の低減に関しては下りランプ電圧Ｌ５の最低電圧（電圧Ｖｉ５）を低くすることが有効であると考えられる。
【０１２２】
次に、輝度重みの大きいサブフィールドにおいて、下りランプ電圧Ｌ４の最低電圧（電圧Ｖｉ４）および下りランプ電圧Ｌ５の最低電圧（電圧Ｖｉ５）を、輝度重みの小さいサブフィールドよりも高くすることが望ましい理由について説明する。
【０１２３】
非点灯の放電セル（以下、「非点灯セル」と略記する）と、点灯する放電セル（以下、「点灯セル」と略記する）とが隣接するとき、点灯セルの維持放電で発生したプライミング粒子の一部が、非点灯セルに移動することがある。この現象を、以下、「維持プライミング移動」と呼称する。この維持プライミング移動によって非点灯セル内に移動するプライミング粒子の量は、維持放電の発生回数に応じて増加する。
【０１２４】
また、維持プライミング移動によって非点灯セル内に移動するプライミング粒子は、非点灯セル内に不要な壁電荷として蓄積される。したがって、維持プライミング移動により非点灯セル内に蓄積される不要な壁電荷は、輝度重みの小さいサブフィールドよりも輝度重みの大きいサブフィールドの方で多くなりやすい。
【０１２５】
図１１は、維持プライミング移動によって放電セル内に蓄積される不要な壁電荷とサブフィールドとの関係を概略的に示す図である。図１１において、縦軸は放電セル内に蓄積する不要な壁電荷の量を表し、横軸はサブフィールドを表す。
【０１２６】
なお、図１１には、図８に示した消去放電後に放電セル内に残存する不要な壁電荷を破線で示し、その壁電荷に維持プライミング移動による不要な壁電荷がさらに蓄積された結果を実線で示す。
【０１２７】
図１１に破線で示すように、消去放電後に放電セル内に残存する不要な壁電荷は、輝度重みが小さいサブフィールドよりも輝度重みが大きいサブフィールドで減少する。しかし、その減少量は、輝度重みが大きくなるにつれて、徐々に飽和していく。
【０１２８】
一方、維持プライミング移動によって非点灯セル内に蓄積される不要な壁電荷は、維持放電の発生回数に応じて増えるため、輝度重みが小さいサブフィールドよりも輝度重みが大きいサブフィールドで増加し、その増加量は、輝度重みが大きくなるにつれて大きくなっていく。
【０１２９】
したがって、図１１に実線で示すように、消去放電後に放電セル内に残存する壁電荷に、維持プライミング移動による不要な壁電荷が加わることで放電セル内に蓄積される不要な壁電荷は、輝度重みが小さいサブフィールドよりも輝度重みが大きいサブフィールドで増加する。そして、この不要な壁電荷が増加するほど、「誤書込み」が発生しやすくなる。
【０１３０】
このように、輝度重みが大きいサブフィールドでは、輝度重みが小さいサブフィールドとは異なる理由、すなわち維持プライミング移動に起因する「誤書込み」が発生しやすい。
【０１３１】
このとき、電圧ＶｅＨｚを小さくして下りランプ電圧Ｌ５の発生時間を短縮し、下りランプ電圧Ｌ５によって初期化放電を抑制する時間を短縮することで、維持プライミング移動に起因する「誤書込み」が低減されることが確認された。
【０１３２】
図１２は、電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧の上限とサブフィールドとの関係を示す特性図である。図１２において、縦軸は、維持プライミング移動に起因する「誤書込み」に関して、安定に書込み放電を発生させることができる電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧の上限を表す。また、横軸はサブフィールドを表す。なお、図１２に示す特性の測定時には、走査パルス電圧Ｖａは一定の電圧に維持し、下りランプ電圧Ｌ４の勾配を維持したまま電圧Ｖｉ４を変更して実験を行った。また、電圧Ｖｅは一定の電圧に維持し、下りランプ電圧Ｌ５の勾配を維持したまま電圧ＶｅＨｚを変更して実験を行った。
【０１３３】
また、図１２には、電圧ＶｅＨｚを２０（Ｖ）に設定したときの特性を破線で示し、電圧ＶｅＨｚを１５（Ｖ）に設定したときの特性を実線で示す。
【０１３４】
図１２に示すように、維持プライミング移動に起因する「誤書込み」に関して、安定に書込み放電を発生させることができる電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧の上限は、輝度重みの大きいサブフィールドほど低くなる。これは、図１１に示したように、輝度重みの大きいサブフィールドでは、維持プライミング移動に起因して放電セル内に発生する不要な壁電荷が、輝度重みの小さいサブフィールドと比較して多くなりやすいため、電圧Ｖｉ４を低くして、すなわち、電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧を小さくして、下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）による初期化放電の持続時間を十分に確保することが望ましいことを表している。
【０１３５】
そして、図１２に示すように、全てのサブフィールドにおいて、電圧ＶｅＨｚを小さくすることで、維持プライミング移動に起因する「誤書込み」に関して、安定に書込み放電を発生させることができる電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧の上限を高められることが確認された。すなわち、電圧Ｖｉ５を高くして下りランプ電圧Ｌ５の発生時間を短縮することで、維持プライミング移動に起因する「誤書込み」を低減することが可能となる。
【０１３６】
これは、上述したように、下りランプ電圧Ｌ５を維持電極２３に印加すると、下りランプＬ４による初期化動作が抑制されるため、電圧Ｖｉ５を高くして下りランプ電圧Ｌ５を維持電極２３に印加する時間を短縮し、下りランプＬ４による初期化動作の持続時間を延長することで、維持プライミング移動に起因して放電セル内に発生する不要な壁電荷をより多く調整できるためと考えられる。
【０１３７】
これらのことから、輝度重みの大きいサブフィールドで発生しやすい維持プライミング移動に起因する「誤書込み」の低減に関しては、下りランプ電圧Ｌ５の最低電圧（電圧Ｖｉ５）を高く（すなわち、電圧ＶｅＨｚを小さく）することが有効であると考えられる。
【０１３８】
なお、本実施の形態において、図９では、輝度重みの小さいサブフィールドで発生しやすい消去不良に起因する「誤書込み」に関しては、電圧Ｖｉ４を低くして下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）による初期化放電の持続時間を十分に確保することが有効であると説明した。また、図１２では、輝度重みの大きいサブフィールドで発生しやすい維持プライミング移動に起因する「誤書込み」に関しても、電圧Ｖｉ４を低くして下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）による初期化放電の持続時間を十分に確保することが有効であると説明した。
【０１３９】
このような場合、図９に示した特性と図１２に示した特性とを比較して、電圧Ｖｉ４を設定することが望ましい。
【０１４０】
図１３は、図９に示した特性図と図１２に示した特性図とを重ね合わせた図である。なお、図１３には、図９に示した特性を実線で示し、図１２に示した電圧ＶｅＨｚを１５（Ｖ）に設定したときの特性を破線で示す。
【０１４１】
図１３に示すように、図９に示した特性と図１２に示した特性とを比較すると、電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧の上限は、第１ＳＦ〜第５ＳＦでは図９に示した特性（実線で示す特性）の方が低く、第６ＳＦ〜第８ＳＦでは図１２に示した特性（破線で示す特性）の方が低い。また、第１ＳＦ〜第５ＳＦで実線で示す特性の方が、第６ＳＦ〜第８ＳＦで破線で示す特性よりも低い。
【０１４２】
一方、パネル１０の駆動に要する時間を短縮するためには、電圧Ｖｉ４を上げて下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）の発生時間を短縮することが望ましい。
【０１４３】
このことから、図１３に示す比較結果においては、第１ＳＦ〜第５ＳＦでは図９に示した特性（実線で示す特性）にもとづいて電圧Ｖｉ４を設定し、第６ＳＦ〜第８ＳＦでは図１２に示した特性（破線で示す特性）にもとづいて電圧Ｖｉ４を設定することが望ましい。
【０１４４】
すなわち、本実施の形態においては、輝度重みの小さいサブフィールド（例えば、第１ＳＦ〜第５ＳＦ）では、輝度重みの大きいサブフィールド（例えば、第６ＳＦ〜第８ＳＦ）よりも、下りランプ電圧Ｌ４の最低電圧である電圧Ｖｉ４を低く設定することが望ましい。
【０１４５】
一方、輝度重みの大きいサブフィールドでは、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス（振幅）が増加することが確認されている。
【０１４６】
図１４は、書込み放電を安定に発生できる走査パルス（振幅）の下限とサブフィールドとの関係を示す特性図である。図１４において、縦軸は書込み放電を安定に発生できる走査パルス（振幅）の下限を表し、走査パルス（振幅）をこの下限よりも小さい数値に設定すると書込み放電を発生させるべき放電セルで書込み放電が発生しない「不灯」が発生しやすくなることを表している。すなわち、図１４に示す走査パルス（振幅）の下限は、数値が低いほど「不灯」が発生しにくく、数値が高いほど「不灯」が発生しやすいことを表している。また、横軸はサブフィールドを表す。
【０１４７】
また、図１４には、電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧（以下、単に「差電圧」とも記す）を２０（Ｖ）に設定したときの特性を破線で示し、差電圧を２０（Ｖ）に設定したときの特性を実線で示す。
【０１４８】
図１４に示すように、書込み放電を安定に発生させるために必要な走査パルス（振幅）は、輝度重みの大きいサブフィールドほど高くなる。すなわち、図１４に示す特性図は、輝度重みの大きいサブフィールドほど「不灯」が発生しやすいことを表している。
【０１４９】
そして、図１４に示すように、全てのサブフィールドにおいて、電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧を大きくすることで、書込み放電を安定に発生させるために必要な走査パルス（振幅）を下げられることが確認された。すなわち、電圧Ｖｉ４を高くして下りランプ電圧Ｌ４の発生時間を短縮することで「不灯」を低減することが可能となる。
【０１５０】
これは、次のような理由によると思われる。
【０１５１】
維持期間では、維持放電によって放電セル内にプライミング粒子が発生する。そのプライミング粒子の一部は壁電荷と結びつき、壁電荷を中和して壁電荷を減少させる。維持放電によって放電セル内に発生するプライミング粒子の量は、維持放電の発生回数に応じて変化するため、輝度重みの大きいサブフィールドほど、より多くのプライミング粒子が発生する。そのため、輝度重みの大きいサブフィールドほど、より多くの壁電荷がプライミング粒子によって減少する。
【０１５２】
そして、壁電荷が減少するほど、続くサブフィールドにおける書込み動作時に、書込み放電を安定に発生させるために必要な走査パルス（振幅）は大きくなる。これが、本実施の形態において、書込み放電を安定に発生させるために必要な走査パルス（振幅）が、輝度重みの大きいサブフィールドほど高くなる理由と考えられる。
【０１５３】
また、下りランプ電圧Ｌ４による初期化動作では壁電荷の調整を行っているため、プライミング粒子によってより多くの壁電荷が減少した放電セルでは、下りランプ電圧Ｌ４による初期化動作を短縮し、壁電荷の調整量を減少することが望ましい。これが、電圧Ｖｉ４を高くして下りランプ電圧Ｌ４の発生時間を短縮することで、書込み放電を安定に発生させるために必要な走査パルス（振幅）を下げられる理由と考えられる。
【０１５４】
また、図１４において、電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧を２０（Ｖ）に設定したときの特性と、差電圧を２２（Ｖ）に設定したときの特性と比較すると、差電圧を２２（Ｖ）に設定したときの第６ＳＦ〜第８ＳＦの走査パルス（振幅）の下限よりも、差電圧を２０（Ｖ）に設定したときの第１ＳＦ〜第５ＳＦの走査パルス（振幅）の下限の方が小さい。このことから、図１４に示す特性においては、第１ＳＦ〜第５ＳＦでは電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧は２０（Ｖ）であってもよく、高サブフィールドでは２２（Ｖ）であることが望ましい。
【０１５５】
また、図１３に示したように、輝度重みの小さいサブフィールド（例えば、第１ＳＦ〜第５ＳＦ）では、輝度重みの大きいサブフィールド（例えば、第６ＳＦ〜第８ＳＦ）よりも、電圧Ｖｉ４を低く設定することが望ましい。
【０１５６】
これらのことから、本実施の形態の形態においては、輝度重みの小さいサブフィールドにおいては、輝度重みの大きいサブフィールドよりも下りランプ電圧Ｌ４の最低電圧（電圧Ｖｉ４）を低く設定するものとする。これにより、輝度重みの小さいサブフィールドで発生しやすい消去不良に起因する「誤書込み」を低減するとともに、輝度重みの大きいサブフィールドで発生しやすい維持プライミング移動に起因する「誤書込み」を低減することができる。
【０１５７】
また、輝度重みの小さいサブフィールドにおいては、輝度重みの大きいサブフィールドよりも下りランプ電圧Ｌ５の最低電圧（電圧Ｖｉ５）を低く設定するものとする。これにより、輝度重みの小さいサブフィールドにおいては、電圧Ｖｉ４を低くして下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）による初期化放電の持続時間を延長することで発生しやすい「維持誤放電」を低減するとともに、輝度重みの大きいサブフィールドで発生しやすい維持プライミング移動に起因する「誤書込み」を低減するものとする。
【０１５８】
図１５は、本発明の一実施の形態における電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧および電圧ＶｅＨｚの設定例を示す図である。
【０１５９】
図１５に示すように、本実施の形態では、輝度重みの大きいサブフィールド（例えば、第６ＳＦ〜第８ＳＦ）では、電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧を２２（Ｖ）に設定し、輝度重みの小さいサブフィールド（例えば、第１ＳＦ〜第５ＳＦ）では、輝度重みの大きいサブフィールドよりも電圧Ｖｉ４を２（Ｖ）低くして電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧を２０（Ｖ）に設定する。
【０１６０】
また、輝度重みの大きいサブフィールド（例えば、第６ＳＦ〜第８ＳＦ）では、電圧ＶｅＨｚを１５（Ｖ）に設定し、輝度重みの小さいサブフィールド（例えば、第１ＳＦ〜第５ＳＦ）では、輝度重みの大きいサブフィールドよりも電圧Ｖｉ５を５（Ｖ）低くして電圧ＶｅＨｚを２０（Ｖ）に設定する。
【０１６１】
なお、ここに示した数値は本発明の一実施例を示したものに過ぎず、本発明は何らこの数値に限定されるものではない。各数値は、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に応じて最適に設定することが望ましい。
【０１６２】
なお、本実施の形態では、輝度重みが昇順または降順になるように各サブフィールドを並べたときに隣り合う複数のサブフィールドで１つのグループを構成している。上述した例では、第１ＳＦ〜第５ＳＦを１つのグループとし、第６ＳＦ〜第８ＳＦを１つのグループとしている。そして、輝度重みの平均値が小さいグループに属するサブフィールド（例えば、第１ＳＦ〜第５ＳＦ）では、輝度重みの平均値が大きいグループに属するサブフィールド（例えば、第６ＳＦ〜第８ＳＦ）よりも、電圧Ｖｉ４および電圧Ｖｉ５を低く設定している。しかし、本発明は、グループ分けが何ら２グループに限定されるものではなく、３グループ、あるいはそれ以上にグループ分けしてもよく、あるいは、各サブフィールド毎に電圧Ｖｉ４および電圧Ｖｉ５を変更する構成であってもよい。
【０１６３】
また、本実施の形態に示したように、時間的に後のサブフィールドほど輝度重みが大きくなるように各サブフィールドの輝度重みを設定した構成では、１つのグループが時間的に連続したサブフィールドで構成されることになる。しかし、時間的に後のサブフィールドほど輝度重みが大きくなるように輝度重みが設定されていない場合、例えば、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドにそれぞれ（１、４、１６、６４、２、８、３２、１２８）の輝度重みを設定する構成では、１つのグループが時間的に連続したサブフィールドでは構成されない。例えば、輝度重み（１、４、１６、２、８）の第１ＳＦ、第２ＳＦ、第３ＳＦ、第５ＳＦ、第６ＳＦで１つのグループを構成し、輝度重み（６４、３２、１２８）の第４ＳＦ、第７ＳＦ、第８ＳＦで１つのグループを構成する。このように、本実施の形態では、輝度重みが昇順または降順になるように各サブフィールドを並べたときに隣り合う複数のサブフィールドで１つのグループを構成するものとする。
【０１６４】
なお、図１５に示した例では、電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧Ｖａとの差電圧が、第１ＳＦ〜第５ＳＦでは２０（Ｖ）、第６ＳＦ〜第８ＳＦでは２２（Ｖ）と、その差が２（Ｖ）であるのに対し、電圧ＶｅＨｚは、第１ＳＦ〜第５ＳＦでは２０（Ｖ）、第６ＳＦ〜第８ＳＦでは１５（Ｖ）と、その差は５（Ｖ）である。したがって、第１ＳＦ〜第５ＳＦでは、第６ＳＦ〜第８ＳＦと比較して、電圧Ｖｉ４を２（Ｖ）下げるのに対し、電圧Ｖｉ５は５（Ｖ）下げなければならない。この場合、第１ＳＦ〜第５ＳＦと第６ＳＦ〜第８ＳＦとで下りランプ電圧Ｌ５の発生タイミングを同じにすると、電圧Ｖｉ５も２（Ｖ）しか下がらないことになる。
【０１６５】
そこで、本実施の形態では、図７に示したように、下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）とあらかじめ設定した比較電圧Ｖｏとを比較し、下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）が比較電圧Ｖｏに到達してから下りランプ電圧Ｌ５を発生するまでの時間を変更することで、電圧Ｖｉ５を制御するものとする。例えば、図７に示す例では、電圧Ｖｉ５を電圧Ｖｅ−電圧ＶｅＨｚ２にするときには、下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）が比較電圧Ｖｏに到達してから時間Ｔ４１の後に下りランプ電圧Ｌ５を発生する。また、電圧Ｖｉ５を電圧Ｖｅ−電圧ＶｅＨｚ３にするときには、下りランプ電圧Ｌ４（または、下りランプ電圧Ｌ２）が比較電圧Ｖｏに到達してから、時間Ｔ４１よりも長い時間Ｔ４２の後に下りランプ電圧Ｌ５を発生する。本実施の形態では、このような制御を行うことで、下りランプ電圧Ｌ５の最低電圧を任意の電圧に精度良く設定することが可能となる。
【０１６６】
次に、全セル初期化サブフィールドの初期化期間において、上りランプ電圧Ｌ１、下りランプ電圧Ｌ２および下りランプ電圧Ｌ５を発生させる動作を、図１６を用いて説明する。
【０１６７】
図１６は、本発明の一実施の形態における全セル初期化サブフィールドの初期化期間の走査電極駆動回路４３および維持電極駆動回路４４の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。なお、選択初期化サブフィールドにおいて下りランプ電圧Ｌ４を発生させるときの走査電極駆動回路４３の動作については説明を省略するが、下りランプ電圧Ｌ４を発生させる動作は、図１６に示す下りランプ電圧Ｌ２を発生させる動作と同様であるものとする。
【０１６８】
また、図１６では、初期化期間を期間Ｔ１〜期間Ｔ４で示す４つの期間に分割し、それぞれの期間について説明する。また、以下、電圧Ｖｉ１は電圧Ｖｓｃに等しいものとし、電圧Ｖｉ２は電圧Ｖｓｃ＋電圧Ｖｒに等しいものとし、電圧Ｖｉ３は維持パルスを発生させるときに用いる電圧Ｖｓに等しいものとし、電圧Ｖｉ４は負の電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ２（または電圧Ｖｓｅｔ３）に等しいものとし、電圧Ｖｉ５は電圧Ｖｅ−電圧ＶｅＨｚ２（または電圧ＶｅＨｚ３）に等しいものとして説明する。また、図面にはスイッチング素子をオンさせる信号を「Ｈｉ」、オフさせる信号を「Ｌｏ」と表記する。
【０１６９】
なお、図１６には、電圧Ｖｓが電圧Ｖｓｃよりも高い電圧値に設定された例を示しているが、電圧Ｖｓと電圧Ｖｓｃとは互いに等しい電圧値であってもよく、あるいは、電圧Ｖｓの方が電圧Ｖｓｃより低い電圧値であってもかまわない。
【０１７０】
まず、期間Ｔ１に入る前に維持パルス発生回路５０のクランプ回路を動作させて基準電位Ａを０（Ｖ）にしておき、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオフ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオンにして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに基準電位Ａ、すなわち０（Ｖ）を印加する。
【０１７１】
また、維持パルス発生回路８０では、クランプ回路８２のスイッチング素子Ｑ２４をオンにし、それ以外のスイッチング素子をオフにして、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに０（Ｖ）を印加する。
【０１７２】
（期間Ｔ１）
期間Ｔ１では、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオンにし、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオフにする。これにより、基準電位Ａ（このとき、０（Ｖ））に電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃ（すなわち、電圧Ｖｃ＝電圧Ｖｓｃ）を、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【０１７３】
（期間Ｔ２）
期間Ｔ２では、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、期間Ｔ１と同じ状態を維持する。
【０１７４】
そして、上りランプ電圧Ｌ１を発生するミラー積分回路５３の入力端子ＩＮ１を「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮ１に、所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサＣ１に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１のソース電圧がランプ状に上昇し、基準電位Ａが０（Ｖ）からランプ状に上昇し始める。この電圧上昇は、入力端子ＩＮ１を「Ｈｉ」にしている期間、もしくは、基準電位Ａが電圧Ｖｒに到達するまで継続させることができる。
【０１７５】
このとき、上りランプ電圧Ｌ１の勾配が所望の値（例えば、１．３Ｖ／μｓｅｃ）になるように、入力端子ＩＮ１に入力する定電流を発生させる。走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、このランプ状に上昇する電圧に電圧Ｖｓｃが重畳された電圧、すなわち電圧Ｖｉ１（本実施の形態では、電圧Ｖｓｃに等しい）から電圧Ｖｉ２（本実施の形態では、電圧Ｖｓｃ＋電圧Ｖｒに等しい）に向かって上昇する上りランプ電圧Ｌ１が印加される。
【０１７６】
また、この間、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎは、期間Ｔ１と同様に０（Ｖ）に維持する。
【０１７７】
（期間Ｔ３）
期間Ｔ３では入力端子ＩＮ１を「Ｌｏ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ１への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路５３の動作を停止する。また、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオフ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオンにして、基準電位Ａを走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。合わせて、維持パルス発生回路５０のクランプ回路を動作させて基準電位Ａを電圧Ｖｓにする。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧は電圧Ｖｉ３（本実施の形態では、電圧Ｖｓに等しい）まで低下する。
【０１７８】
また、維持パルス発生回路８０のスイッチング素子Ｑ２４をオフにし、スイッチング素子Ｑ２６、スイッチング素子Ｑ２７をオンにして、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加する。
【０１７９】
（期間Ｔ４）
期間Ｔ４では、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、期間Ｔ３と同じ状態を維持する。
【０１８０】
そして、下りランプ電圧Ｌ２を発生するミラー積分回路５４の入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮ２に、所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサＣ２に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ２のドレイン電圧がランプ状に下降し始め、走査電極駆動回路４３の出力電圧も、負の電圧Ｖｉ４に向かってランプ状に下降し始める。このとき、下りランプ電圧Ｌ２の勾配が所望の値（例えば、−２．５Ｖ／μｓｅｃ）になるように、入力端子ＩＮ２に入力する定電流を発生させる。
【０１８１】
なお、本実施の形態では、電圧Ｖｉ４を電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ２、またはそれよりも電圧値が高い電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ３にして下りランプ電圧Ｌ２を発生している。電圧Ｖｉ４を電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ２にするとき（図１５に示した例では、第１ＳＦ〜第５ＳＦ）には、スイッチング素子ＳＷ２をオン、スイッチング素子ＳＷ３をオフにして比較器ＣＰ１の一方の端子に電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ２を印加する。電圧Ｖｉ４を電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ３にするとき（図１５に示した例では、第６ＳＦ〜第８ＳＦ）には、スイッチング素子ＳＷ２をオフ、スイッチング素子ＳＷ３をオンにして比較器ＣＰ１の一方の端子に電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ３を印加する。こうして、比較器ＣＰ１で、基準電位Ａ、すなわち初期化波形発生回路５１から出力される下りランプ電圧Ｌ２（第２ＳＦ〜第８ＳＦでは、下りランプ電圧Ｌ４）と、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ２を重畳した電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ２、または電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ３を重畳した電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ３との比較を行う。
【０１８２】
これにより、比較器ＣＰ１における比較結果は、下りランプ電圧Ｌ２（または、下りランプ電圧Ｌ４）が電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ２に到達する時刻ｔ４６、または電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｅｔ３に到達する時刻ｔ４５に「Ｌｏ」から「Ｈｉ」に切換わる（図示せず）。そして、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、比較器ＣＰ１における比較結果にもとづき動作が切換わり、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加される電圧は、時刻ｔ４５、または時刻ｔ４６で、入力端子ＩＮａに入力される電圧から入力端子ＩＮｂに入力される電圧に切換わって、それまでの緩やかな電圧下降が急峻な電圧上昇に切換わる。
【０１８３】
そして、走査電極駆動回路４３の出力電圧が負の電圧Ｖｉ４（本実施の形態では、電圧Ｖａに等しい）に到達した以降に、入力端子ＩＮ２を「Ｌｏ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ２への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路５４の動作を停止する。
【０１８４】
このようにして、電圧Ｖｉ３（本実施の形態では、電圧Ｖｓに等しい）から負の電圧Ｖｉ４に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ２を発生させ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【０１８５】
一方、本実施の形態では、下りランプ電圧Ｌ５を、下りランプ電圧Ｌ２（または下りランプ電圧Ｌ４）よりも時間的に遅く発生し、かつ下りランプ電圧Ｌ２（または下りランプ電圧Ｌ４）の最低電圧である電圧Ｖｉ４と下りランプ電圧Ｌ５の最低電圧である電圧Ｖｉ５との位相を互いに揃えて、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する。
【０１８６】
比較回路５７では、基準電位Ａ、すなわち初期化波形発生回路５１から出力される下りランプ電圧Ｌ２（第２ＳＦ〜第８ＳＦでは、下りランプ電圧Ｌ４）と、あらかじめ設定された比較電圧Ｖｏとが比較される。タイミング発生回路４５は、その比較結果を受け、下りランプ電圧Ｌ２（または、下りランプ電圧Ｌ４）が比較電圧Ｖｏに到達する時刻ｔ４０から所定の時間が経過した後に、例えば、電圧Ｖｉ５を電圧Ｖｅ−電圧ＶｅＨｚ２にするサブフィールド（図１５に示した例では、第１ＳＦ〜第５ＳＦ）では、時刻ｔ４０から時間Ｔ４１が経過した時刻ｔ４１で、電圧Ｖｉ５を電圧Ｖｅ−電圧ＶｅＨｚ３にするサブフィールド（図１５に示した例では、第６ＳＦ〜第８ＳＦ）では、時刻ｔ４０から時間Ｔ４２が経過した時刻ｔ４２で、維持電極駆動回路４４の全てのスイッチング素子をオフにする。
【０１８７】
これにより、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎは維持電極駆動回路４４から電気的に切り離されてハイインピーダンス状態となり、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加される下りランプ電圧Ｌ２（または、下りランプ電圧Ｌ４）が、表示電極対２４間に形成される寄生容量である電極間容量Ｃｐを介して維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加される。本実施の形態では、このようにして、電圧Ｖｅから電圧ＶｅＨｚ２（または、電圧ＶｅＨｚ３）まで降下し、下りランプ電圧Ｌ２（または、下りランプ電圧Ｌ４）と位相が揃った下りランプ電圧Ｌ５を発生させ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する。
【０１８８】
そして、下りランプ電圧Ｌ２（または、下りランプ電圧Ｌ４）の印加終了後の時刻ｔ４７で再びスイッチング素子Ｑ２６、スイッチング素子Ｑ２７をオンにして、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加し、続く書込み期間に備える。する。
【０１８９】
このようにして、本実施の形態では、電圧Ｖｉ４まで下降する下りランプ電圧Ｌ２（または、下りランプ電圧Ｌ４）を発生して走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加し、電圧Ｖｉ５まで下降する下りランプ電圧Ｌ５を発生して維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する。
【０１９０】
なお、下りランプ電圧Ｌ２（または、下りランプ電圧Ｌ４）および下りランプ電圧Ｌ５は、図１６に示したように、電圧Ｖｉ４、電圧Ｖｉ５に到達した後、直ちに上昇させる構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が電圧Ｖｉ４、電圧Ｖｉ５に到達したら、その後、その電圧を一定期間維持する構成であってもよい。
【０１９１】
以上説明したように、本実施の形態によれば、初期化期間に、初期化用下り傾斜電圧である下りランプ電圧Ｌ２（または、下りランプ電圧Ｌ４）よりも時間的に遅く発生する調整用下り傾斜電圧である下りランプ電圧Ｌ５を、下りランプ電圧Ｌ２（または、下りランプ電圧Ｌ４）の最低電圧である電圧Ｖｉ４と下りランプ電圧Ｌ５の最低電圧である電圧Ｖｉ５との位相を互いに揃えて維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加し、輝度重みの小さいサブフィールドでは、輝度重みの大きいサブフィールドよりも、電圧Ｖｉ４および電圧Ｖｉ５を低くするものとする。これにより、「誤書込み」や「不灯」等の書込み期間における異常放電の発生を低減して書込み動作を安定にするとともに維持期間における「維持誤放電」の発生を低減して、プラズマディスプレイ装置１における画像表示品質を向上させることができる。
【０１９２】
なお、本実施の形態では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに接続される維持電極駆動回路４４内の全てのスイッチング素子をオフにし、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを維持電極駆動回路４４から電気的に切り離してハイインピーダンス状態とすることで、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加される下りランプ電圧Ｌ２（または、下りランプ電圧Ｌ４）を、電極間容量Ｃｐを介して、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、下りランプ電圧Ｌ５を発生する回路を維持電極駆動回路４４内に設け、この回路を動作させて下りランプ電圧Ｌ５を維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する構成であってもかまわない。
【０１９３】
なお、本実施の形態では、維持パルス電圧Ｖａを一定とし、電圧Ｖｉ４を変更する構成を説明したが、例えば、電圧Ｖｉ４を一定とし電圧Ｖａを変更することで電圧Ｖｉ４と電圧Ｖａとの差電圧を変更する構成としてもよい。
【０１９４】
なお、図３に示した駆動電圧波形は本発明における一実施例を示したものに過ぎず、本発明は、何らこれらの駆動電圧波形に限定されるものではない。また、図１６に示したタイミングチャートも本発明における一実施例を示したものに過ぎず、本発明は、何らこのタイミングチャートに限定されるものではない。
【０１９５】
また、本発明における実施の形態は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを第１の走査電極群と第２の走査電極群とに分割し、書込み期間を、第１の走査電極群に属する走査電極のそれぞれに走査パルスを印加する第１の書込み期間と、第２の走査電極群に属する走査電極のそれぞれに走査パルスを印加する第２の書込み期間とで構成する、いわゆる２相駆動によるパネルの駆動方法にも適用させることができ、上述と同様の効果を得ることができる。
【０１９６】
なお、本発明における実施の形態は、走査電極と走査電極とが隣り合い、維持電極と維持電極とが隣り合う電極構造、すなわち前面板２１に設けられる電極の配列が、「・・・、走査電極、走査電極、維持電極、維持電極、走査電極、走査電極、・・・」となる電極構造のパネルにおいても有効である。
【０１９７】
なお、本発明は、サブフィールド構成（サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重み等）が実施の形態で示した構成に何ら限定されるものではない。また、サブフィールド構成を画像信号等にもとづいて変更する構成であってもよい。また、本発明における実施の形態において示した具体的な各数値、例えば、上りランプ電圧Ｌ１、下りランプ電圧Ｌ２、下りランプ電圧Ｌ４、下りランプ電圧Ｌ５、消去ランプ電圧Ｌ３の各傾斜電圧の勾配等は、表示電極対数１０８０の５０インチのパネルの特性にもとづき設定したものであって、単に実施の形態の一例を示したものに過ぎない。本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて最適に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。
【産業上の利用可能性】
【０１９８】
本発明は、高精細化されたパネルにおいても、書込み期間における異常放電の発生を抑えて書込み動作を安定にし、画像表示品質を向上させることができるので、パネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置として有用である。
【符号の説明】
【０１９９】
１    プラズマディスプレイ装置
１０    パネル
２１    （ガラス製の）前面板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
２５，３３    誘電体層
２６    保護層
３１    背面板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
４１    画像信号処理回路
４２    データ電極駆動回路
４３    走査電極駆動回路
４４    維持電極駆動回路
４５    タイミング発生回路
５３，５４，５５    ミラー積分回路
５７    比較回路
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ２１，Ｑ２２，Ｑ２３，Ｑ２４，Ｑ２６，Ｑ２７，ＳＷ２，ＳＷ３，ＱＨ１〜ＱＨｎ，ＱＬ１〜ＱＬｎ    スイッチング素子
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ２０，Ｃ３１    コンデンサ
ＣＰ１    比較器
Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ３０，Ｄ３１    ダイオード
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３    抵抗
Ｌ１    上りランプ電圧
Ｌ２，Ｌ４，Ｌ５    下りランプ電圧
Ｌ３    消去ランプ電圧
Ｌ２０    インダクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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