(57)【要約】【課題】ラミネート処理する基板の上下面の間に生じる温度差を解消または抑制してダイヤフラムの損傷発生を緩和でき、しかも、タクトタイムが短く生産性の高いラミネート装置を提供する。【解決手段】熱板２２を備えた下部チャンバ２０とダイヤフラムシート１１を備えた上部チャンバ３０とを密着させて形成された真空室内で熱板２２上に基板Ｐを載置し、熱板２２により加熱された状態でダイヤフラムシート１１に作用する大気圧の押圧を受ける基板Ｐの表面に接着充填シート材を介してフィルム状のバックシート材を貼り付けて封止処理をするラミネート処理が行われるラミネート装置１０において、上部チャンバ３０が、ラミネート処理の中断時に全開途中位置まで上昇して、ダイヤフラムシート１１から熱板２２までの距離を所定の保温距離に維持するダイヤフラム保温位置を備えている。【選択図】図１
2011129753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定温度に保持された熱板を備えた下部チャンバとダイヤフラムを備えた上部チャンバとを密着させて形成された真空室内で前記熱板上に基板を載置し、前記熱板により加熱された状態で前記ダイヤフラムに作用する大気圧の押圧を受ける前記基板の表面に接着充填シート材を介してフィルム状のバックシート材を貼り付けて封止処理をするラミネート処理が行われるラミネート装置において、
前記上部チャンバが、前記ラミネート処理の中断時に全開途中位置に停止し、前記ダイヤフラムから前記熱板までの距離Ｈを前記ダイヤフラムが所定の温度より低下しないように選定した保温距離に維持するダイヤフラム保温位置を備えていることを特徴とするラミネート装置。
【請求項２】
前記保温距離は、前記熱板の温度と前記ダイヤフラムの表面温度との間に生じる温度差を許容値以下に維持する値に設定されることを特徴とする請求項１に記載のラミネート装置。
【請求項３】
前記上部チャンバの前記ダイヤフラム保温位置への移動は、前記ラミネート処理の中断時に所定の待機時間を経過した時点で開始されることを特徴とする請求項１または２に記載のラミネート装置。
【請求項４】
前記上部チャンバの周囲で前記下部チャンバに向かって設置した放熱防止用の囲い部材を備えていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のラミネート装置。
【請求項５】
前記上部チャンバの外表面に取り付けた保温材を備えていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のラミネート装置。
【請求項６】
所定温度に保持された熱板を備えた下部チャンバとダイヤフラムを備えた上部チャンバとを密着させて形成された真空室内で前記熱板上に基板を載置し、前記熱板により加熱された状態で前記ダイヤフラムに作用する大気圧の押圧を受ける前記基板の表面に接着充填シート材を介してフィルム状のバックシート材を貼り付けて封止処理をするラミネート処理を行うラミネート方法において、
前記ラミネート処理の中断時に前記上部チャンバを全開途中位置に停止させ、前記ダイヤフラムから前記熱板までの距離Ｈを前記ダイヤフラムが所定の温度より低下しないように選定した保温距離に設定して維持するダイヤフラム保温工程を備えていることを特徴とするラミネート方法。
【請求項７】
熱板を備えた下部チャンバとダイヤフラムを備えた上部チャンバとを密着させて形成された真空室内で前記熱板上に基板を載置し、前記熱板により加熱された状態で前記ダイヤフラムに作用する大気圧の押圧を受ける前記基板の表面にフィルム状の封止材を貼り付けて封止するラミネート処理が行われるラミネート方法において、
装置起動時に、熱伝導率の高い及び／または熱膨張率の小さいダミー基板を用意し、該ダミー基板を最初に処理して前記ダイヤフラムの表面温度を昇温させる空運転が行われることを特徴とするラミネート方法。
【請求項８】
前記ダミー基板は、端部及び周辺の角部がＲ加工されていることを特徴とする請求項７に記載のラミネート方法。
【請求項９】
前記ダミー基板は、複数に分割した部材の端部間に隙間を設けて緩衝材により接合されていることを特徴とする請求項７または８に記載のラミネート方法。
【請求項１０】
所定温度に保持された熱板を備えた下部チャンバとダイヤフラムを備えた上部チャンバとを密着させて形成された真空室内で前記熱板上に基板を載置し、前記熱板により加熱された状態で前記ダイヤフラムに作用する大気圧の押圧を受ける前記基板の表面に接着充填シート材を介してフィルム状のバックシート材を貼り付けて封止処理をするラミネート処理が行われるラミネート装置において、
前記ラミネート処理時には、前記ダイヤフラムによる押圧前に前記基板を支持するとともに上下方向に可動するリフトピンで押し上げて前記基板と前記熱板との間に隙間を設けることで前記基板が前記熱板から直接加熱を受ける時間を短縮して、前記基板の加熱速度を緩やかにしたことを特徴とするラミネート装置。
【請求項１１】
所定温度に保持された熱板を備えた下部チャンバとダイヤフラムを備えた上部チャンバとを密着させて形成された真空室内で前記熱板上に基板を載置し、前記熱板により加熱された状態で前記ダイヤフラムに作用する大気圧の押圧を受ける前記基板の表面に接着充填シート材を介してフィルム状のバックシート材を貼り付けて封止処理をするラミネート処理が行われるラミネート装置において、
前記ラミネート処理時に、前記ダイヤフラムを加熱しながら押圧する前に、前記ダイヤフラムを押圧しない状態で前記基板に接触させるダイヤフラム加熱工程を設けたことを特徴とするラミネート装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池モジュール基板のラミネート装置及びラミネート方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、太陽電池の製造過程においては、太陽電池モジュール基板（以下、「基板」と呼ぶ）をラミネート装置に搬入し、基板表面に接着充填シート材を介してフィルム状のバックシート材を貼り付けて封止処理をするラミネート処理が行われている。このようなラミネート処理を行うラミネート装置は、基板をラミネートする際、搬送されてきた基板を所定の温度に保持された熱板の上に載置して加熱し、接着充填シート材の架橋を進めるとともに、基板とバックシート材とをプレス押圧してバックシート材を密着させる。このため、基板の下面側は熱板によって直接加熱されるが、基板の上面側は基板を介した伝熱によって加熱されることとなるので、基板の面内温度分布だけでなく、基板厚み方向の温度分布を生じ、ラミネート処理における課題が発生する要因の一つとなっている。
なお、ラミネート処理に使用する接着充填シート材としては、エチレン酢酸ビニル―共重合体（ＥＶＡ）や、エチレン―酢酸ビニル―トリアリルイソシアヌレート３元重合架橋物（ＥＶＡＴ）を主成分とするものが知られている。
【０００３】
太陽電池モジュールの基板をラミネート処理する封止方法に関する従来技術としては、基板の板厚方向の温度分布対策として、基板をラミネート装置に搬入する前に、ラミネート装置の上部チャンバにあるダイヤフラムを膨張させて、ラミネート用の熱板（ヒータが設けられた載置板）にダイヤフラムを直接接触させて予熱することが知られている。このような予熱を行うことにより、ダイヤフラムの温度が上昇して、基板の熱板に接する面側とダイヤフラムによってプレスされる面側との間に、大きな温度差が生じるのを防止できるようになり、従って、温度差による基板に反りが発生し、ラミネートの加圧工程でダイヤフラム内を加圧し基板をプレスする時に基板の端部を損傷させることや、基板の加熱温度が不均一になることを抑制できる。（たとえば、特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３４９３０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、ラミネート装置の加熱過程においては、基板を熱板の上に載置して、基板の下面側より加熱するので、基板の上面と下面との間に温度差が生じ、この温度差により基板に反りが生じやすくなる。特に１ｍ２を越える大面積基板においては、板厚も約３ｍｍ以上を採用することが一般的であるため、基板板の上面と下面との間の温度差による基板端部での反り量は数ｍｍ〜数１０ｍｍとなる場合がある。
また、このような反りは、基板への伝熱を不均一にするので、結果として基板面内に温度分布が形成される。このような基板面内の温度分布は、ＥＶＡが部分的に架橋不良になる原因となるため、基板裏面の密閉性に対する信頼を低下させ、あるいは、バックシートに皺が生じて製品の外観に不良を生じさせるなど、製品としての価値が損なわれてしまうことがある。
さらに、基板が大きく反ったままラミネートの加圧作業を開始すると、基板端部またはダイヤフラムが損傷する場合もあり、対策が必要とされている。
【０００６】
一方、特許文献１に記載されているように、連続運転時に膨張させたダイヤフラムを熱板に直接接触させる工程を入れると、ダイヤフラムの温度が上昇して基板上下面の間の温度差の問題は解消する方向へ向かうものの、生産タクトタイムが長くなって生産性を低下させるという問題を有している。
また、発明者らによる詳細な観察により、ラミネート装置の連続運転時においてはダイヤフラム表面温度が比較的高い（たとえば約１４０℃以上）状況を維持していることが判明した。このようなラミネート装置の運用では、特許文献１のようなダイヤフラムの予熱工程を入れずに引き続きラミネート処理を実施しても、ラミネート工程全般において基板反りの発生に起因する問題はなかった。しかし、このようなラミネート装置の運用においても、ロット間隔があいて長時間ラミネート処理を中断した後に連続運転を再開すると、ダイヤフラムに損傷が発生するという問題を生じていることも判明した。
【０００７】
この問題の要因として、ダイヤフラムの損傷の問題は、基板上面にあるダイヤフラムの温度や上部チャンバの温度など、熱板からの伝熱状態に関係があるとの予想に基づき、ラミネート工程を詳細に分析したところ、ダイヤフラムや上部チャンバの温度低下を所定の温度以下にならないように抑制することにより、ダイヤフラムの損傷発生が緩和されるという知見を得た。
すなわち、ラミネート処理を中断した場合には、この間にダイヤフラムの表面温度が下がり、基板はプレス圧のない状態で熱板と接触して加熱され始め、熱板からの熱流束により基板の上下面（表裏面）の間に温度差を生じ、この温度差による基板の反りが発生するものと推測される。従って、その後の工程で反りを生じた基板（反り基板）をプレスする際には、反り基板の端部がダイヤフラム表面に損傷を与えることがあり、基板上下面の間の温度差低減がダイヤフラムの損傷発生を緩和するために重要である。
【０００８】
このような背景から、中断後に再開されるラミネート処理において、基板上下面の間の温度差を低減してダイヤフラムの損傷発生を緩和することが必要である。しかも、たとえば上述した特許文献１に記載された従来技術のように、ダイヤフラムを熱板に接触させて予熱するための追加工程（すなわち、上チャンバ閉／ダイヤフラム内加圧膨張／上チャンバ開の動作）に要する時間を不要とし、タクトタイムが短く生産量の向上及び生産コストの削減に有効なラミネート装置の温度差解消対策が望まれる。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、特にラミネート処理の中断後に再開されるラミネート処理において、ラミネート処理する基板の上下面の間に生じる温度差を低減してダイヤフラムの損傷発生を緩和でき、しかも、タクトタイムが短く生産性の高い太陽電池モジュール基板のラミネート装置及びラミネート方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記の課題を解決するため、下記の手段を採用した。
本発明に係るラミネート装置は、所定温度に保持された熱板を備えた下部チャンバとダイヤフラムを備えた上部チャンバとを密着させて形成された真空室内で前記熱板上に基板を載置し、前記熱板により加熱された状態で前記ダイヤフラムに作用する大気圧の押圧を受ける前記基板の表面に接着充填シート材を介してフィルム状のバックシート材を貼り付けて封止処理をするラミネート処理が行われるラミネート装置において、前記上部チャンバが、前記ラミネート処理の中断時に全開途中位置に停止し、前記ダイヤフラムから前記熱板までの距離Ｈを前記ダイヤフラムが所定の温度より低下しないように選定した保温距離に維持するダイヤフラム保温位置を備えていることを特徴とするものである。
【００１０】
このようなラミネート装置によれば、前記ラミネート処理の中断時に全開途中位置に停止し、前記ダイヤフラムから前記熱板までの距離Ｈを前記ダイヤフラムが所定の温度より低下しないように選定した保温距離に維持するダイヤフラム保温位置を備えているので、ラミネート処理が長く中断するような場合であっても、全開位置より近い位置にある熱板の熱により、ダイヤフラムの表面温度が低下するのを防止し、熱板とダイヤフラムの表面温度との間に生じる温度差を抑制することができる。
【００１１】
上記の発明において、前記保温距離は、前記熱板の温度と前記ダイヤフラムの表面温度との間に生じる温度差を許容値以下に維持する値に設定されることが好ましく、これにより、熱板とダイヤフラムの表面温度との間に生じる温度差が許容値以上に大きくなることはない。この場合の許容値（許容温度差）は、基板の反り量がダイヤフラムに損傷を与えない範囲内に収まるように、諸条件を考慮し規定すればよい。
また、前記上部チャンバの前記ダイヤフラム保温位置への移動は、前記ラミネート処理の中断時に所定の待機時間、すなわち最後にラミネート処理された基板が搬出された後に所定の中断時間を経過した時点で開始されることが好ましく、これにより、ダイヤフラムの保温を待機時間のみにより管理することができる。
【００１２】
上記のラミネート装置は、前記上部チャンバの周囲で前記下部チャンバに向けって設置した放熱防止用の囲い部材を備えていることが好ましく、これにより、上部チャンバが上昇した状態でチャンバ内から外部への放熱を防止または抑制することができる。
また、上記のラミネート装置は、前記上部チャンバの外表面に取り付けた保温材を備えていることが好ましく、これにより、上部チャンバ及びダイヤフラムから外部へ放熱される熱量を低減することができる。
【００１３】
本発明のラミネート方法は、所定温度に保持された熱板を備えた下部チャンバとダイヤフラムを備えた上部チャンバとを密着させて形成された真空室内で前記熱板上に基板を載置し、前記熱板により加熱された状態で前記ダイヤフラムに作用する大気圧の押圧を受ける前記基板の表面に接着充填シート材を介してフィルム状のバックシート材を貼り付けて封止処理をするラミネート処理を行うラミネート方法において、前記ラミネート処理の中断時に前記上部チャンバを全開途中位置に停止させ、前記ダイヤフラムから前記熱板までの距離Ｈを前記ダイヤフラムが所定の温度より低下しないように選定した保温距離に設定して維持するダイヤフラム保温工程を備えていることを特徴とするものである。
【００１４】
このようなラミネート方法によれば、ラミネート処理の中断時に上部チャンバを全開途中位置に停止させ、ダイヤフラムから熱板までの距離Ｈをダイヤフラムが所定の温度より低下しないように選定した保温距離に設定して維持するダイヤフラム保温工程を備えているので、ラミネート処理が長く中断するような場合であっても、熱板の熱によりダイヤフラムの表面温度が低下するのを防止し、熱板とダイヤフラムの表面温度との間に生じる温度差を抑制することができる。
この場合の保温距離は、熱板の温度とダイヤフラムの表面温度との間に生じる温度差を許容値以下に維持する値に設定されることが好ましい。
また、上部チャンバのダイヤフラム保温位置への移動は、所定の待機時間を経過した時点で開始されることが好ましい。
【００１５】
本発明のラミネート方法は、熱板を備えた下部チャンバとダイヤフラムを備えた上部チャンバとを密着させて形成された真空室内で前記熱板上に基板を載置し、前記熱板により加熱された状態で前記ダイヤフラムに作用する大気圧の押圧を受ける前記基板の表面にフィルム状の封止材を貼り付けて封止するラミネート処理が行われるラミネート方法において、装置起動時に、熱伝導率の高い及び／または熱膨張率の小さいダミー基板を用意し、該ダミー基板を最初に処理して前記ダイヤフラムの表面温度を昇温させる空運転が行われることを特徴とするものである。
【００１６】
このようなラミネート方法によれば、装置起動時に、熱伝導率の高い及び／または熱膨張率の小さいダミー基板を用意し、該ダミー基板を最初に処理してダイヤフラムの表面温度を昇温させる空運転が行われるので、空運転中に熱板からダミー基板を介してダイヤフラムが加熱されることにより、ダイヤフラムの表面温度を連続運転時と同等の温度まで速やかに昇温させることができる。
【００１７】
上記の発明において、前記ダミー基板は、端部及び周辺の角部がＲ加工されていることが好ましく、これにより、ダミー基板に多少の反りを生じてもダイヤフラムに損傷を与えることはない。
また、上記の発明において、前記ダミー基板は、複数に分割した部材の端部間に隙間を設けて緩衝材により接合されていることが好ましく、これにより、素材の熱膨張を吸収して基板全体の反りを軽減することができる。
【００１８】
本発明のラミネート方法は、所定温度に保持された熱板を備えた下部チャンバとダイヤフラムを備えた上部チャンバとを密着させて形成された真空室内で前記熱板上に基板を載置し、前記熱板により加熱された状態で前記ダイヤフラムに作用する大気圧の押圧を受ける前記基板の表面に接着充填シート材を介してフィルム状のバックシート材を貼り付けて封止処理をするラミネート処理が行われるラミネート装置において、前記ラミネート処理時には、前記ダイヤフラムによる押圧前に前記基板を支持するとともに上下方向に可動するリフトピンで押し上げて前記基板と前記熱板との間に隙間を設けることで、前記基板が前記熱板から直接加熱を受ける時間を短縮して、前記基板の加熱速度を緩やかにしたことを特徴とするものである。
【００１９】
このようなラミネート方法によれば、ラミネート処理時には、ダイヤフラムによる押圧前に基板を支持するとともに上下方向に可動するリフトピンで押し上げて基板と熱板との間に隙間を設けることで、基板が熱板から直接加熱を受ける時間を短縮して、基板の加熱速度を緩やかにしので、加熱量が大きい直接加熱の開始と略同時にダイヤフラムによる押圧が開始されるため、基板の反りを最小限に抑えることができる。
【００２０】
本発明のラミネート方法は、所定温度に保持された熱板を備えた下部チャンバとダイヤフラムを備えた上部チャンバとを密着させて形成された真空室内で前記熱板上に基板を載置し、前記熱板により加熱された状態で前記ダイヤフラムに作用する大気圧の押圧を受ける前記基板の表面にフィルム状のバックシート材を貼り付けて封止処理するラミネート処理が行われるラミネート装置において、前記ラミネート処理時に、前記ダイヤフラムを加熱しながら押圧する前に、前記ダイヤフラムを押圧しない状態で前記基板に接触させるダイヤフラム加熱工程を設けたことを特徴とするものである。
【００２１】
このようなラミネート方法によれば、ラミネート処理時に、ダイヤフラムを加熱しながら押圧する前に、ダイヤフラムを押圧しない状態で基板に接触させるダイヤフラム加熱工程を設けたので、ダイヤフラムは基板を介して熱板の加熱を受ける。従って、ダイヤフラム加熱工程では、ダイヤフラムを損傷させることなく加熱して反りの原因となる温度差をなくすことができる。
【発明の効果】
【００２２】
上述した本発明によれば、ラミネート処理が中断した場合に生じる基板上下面の間の温度差を低減し、この温度差により生じる基板の反りとの干渉に起因してダイヤフラムが損傷することを防止または抑制できる。しかも、通常のラミネート処理を行う連続運転時においては、たとえばダイヤフラムを毎回熱板に接触させて予熱するための工程が不要であり、従って、タクトタイムが短く生産量の向上及び生産コストの削減に有効なラミネート装置及びラミネート方法となる。
すなわち、本発明によれば、ラミネート処理を行う基板の上下面の間に生じる温度差を低減し、基板の反りによるダイヤフラムの損傷発生を緩和できるとともに、タクトタイムが短く生産性の高い太陽電池モジュール基板のラミネート装置及びラミネート方法を提供するという顕著な効果が得られる。
特に１ｍ２を越える大面積基板、板厚も約３ｍｍ以上の基板を採用する場合には、基板上下面の間の温度差により生じる基板の反りは大きくなるため、より顕著な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係るラミネート装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】本発明に係るラミネート方法の一実施形態として、図１に示すラミネート装置を用いてラミネート処理を行う手順を示す工程図である。
【図３】図２に示すラミネート処理の工程に対応するタイムチャート図である。
【図４】基板裏表温度差（横軸）と基板の凸変計量（縦軸）との関係について、基板幅Ｗが異なる４種類の違いを示す図（グラフ）である。
【図５】基板搬出後の経過時間（横軸）とダイヤフラム表面温度（縦軸）との相関関係を示す図（グラフ）である。
【図６】時間（横軸）と基板温度（縦軸）及び裏表温度差（縦軸）との関係を示す図（グラフ）である。
【図７】本発明の第５の実施形態に係るラミネート装置の概要を示す図で、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図８】ダミー基板の一例を示す図で、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図９】ダミー基板の変形例を示す図で、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は（ａ）のＣ部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に係る太陽電池モジュール基板のラミネート装置及びラミネート方法の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図１に示すラミネート装置１０は、たとえば透光性基板に形成した薄膜太陽電池の製造過程において、光電変換層の形成・レーザエッチングによる集積化などにより製造された太陽電池モジュール基板（以下、「基板」と呼ぶ）Ｐに、集電用銅箔や絶縁シートなどの配置を行い、この基板の薄膜太陽電池形成側の表面にＥＶＡシート等の接着充填シートを介してフィルム状のバックシート材を貼り付けて封止処理をするラミネート処理を行うものを例示している。バックシートは、防水防湿効果が高いようにＰＥＴシート／ＡＬ箔／ＰＥＴシートの３層構造よりなる。
このラミネート装置１０は、下部チャンバ２０と、上部チャンバ３０と、上部チャンバ３０とともに上下動するダイヤフラムシート（ダイヤフラム）１１とを備えている２層真空チャンバ方式の装置である。この場合の上部チャンバ３０は、たとえば油圧または空気圧で動作するシリンダ１２等の駆動手段によって、図中に示す白抜矢印Ｙの方向に上下動するようになっている。
【００２５】
図示のラミネート装置１０は、上部チャンバ３０を下降させて下部チャンバ２０に密着させることにより、両チャンバ間に下室１３ａ及び上室１３ｂよりなる真空室１３（図２参照）の空間が形成される。このうち、一方の下室１３ａは、下部チャンバ２０とダイヤフラムシート１１とにより規定され、他方の上室１３ｂは、上部チャンバ３０とダイヤフラムシート１１とにより規定されている。すなわち、下部チャンバ２０及び上部チャンバ３０を密着させて形成される真空室１３は、ダイヤフラムシート１１により下室１３ａ及び上室１３ｂに二分割されている。なお、下部チャンバ２０の継手フランジ部２０ａと上部チャンバ３０の継手フランジ部３０ａとは、互いに密着して真空室１３を形成する際、図示しないシールリングを介して連結される。
【００２６】
下部チャンバ２０には、凹部２１が形成されている。凹部２１の底面上には、基板搬送ベルト１４で搬送した基板Ｐを載置するため、熱板２２が設置されている。なお、基板Ｐの搬送方向は、図２内に白抜矢印Ｘで示されている。
この熱板２２は、下面側に図示しない電源と接続されたヒータ２３を備え、上面側に複数のリフトピン２４を備えている。なお、熱板２２の基板載置面２２ａは、下部チャンバ２０に形成した継ぎ手フランジ部２０ａの上面（継ぎ手フランジ部３０ａとの密着面）と略同一面高さとされ、基板Ｐの搬入・搬出を容易にしている。熱板２２の下面側は図示しない支持部材により凹部２１の底面上に固定されている。
【００２７】
また、下室１３ａを形成する下部チャンバ２０には、それぞれ開放弁２５ａ，２６ａを備えた真空排気用の下部排気通路２５及び大気開放用の下部大気ベント２６の入口が開口している。なお、下部排気通路２４は図示しない真空排気ポンプに連通し、下部大気ベント２５は大気に連通している。
【００２８】
上部チャンバ３０には、下部チャンバ２０と逆向きの凹部３１が形成されている。上室１３ｂを形成する上部チャンバ３０には、それぞれ開放弁３２ａ，３３ａを備えた真空排気用の上部排気通路３２及び大気開放用の上部大気ベント３３の入口が開口している。なお、上部排気通路３２は、下部排気通路２５とは異なる真空排気ポンプ（不図示）に連通し、上部大気ベント３３は大気に連通している。
【００２９】
この結果、上部チャンバ３０を降下させて真空室１３を形成した状態では、排気通路側の開放弁２５ａ，３２ａを開とし、大気ベント側の開放弁２６ａ，３３ａを閉とすることにより、下室１３ａ及び上室１３ｂは、それぞれ下部排気通路２５及び上部排気通路３２を介して、別々の真空排気ポンプにより個別の真空排気が可能となっている。また、排気通路側の開放弁２５ａ，３２ａ及び大気ベント側の開放弁２６ａ，３３ａを開閉操作することにより、真空排気及び大気開放の切り替えが可能となっている。
【００３０】
ダイヤフラムシート１１は、周縁部が上部チャンバ３０の継手フランジ部３０ａ付近に図示しない構造を伴って上部チャンバ３０の内壁面に密着固定していて、上部チャンバ３０とダイヤフラムシート１１により密閉空間を構成できる。
また、図中の符号１５は離型シートであり、基板Ｐとダイヤフラムシート１１との間に介在させてラミネート処理を行うことにより、基板Ｐから溶出したＥＶＡがダイヤフラムシート１１に付着することを防止するとともに、ラミネート処理完了後の基板Ｐをダイヤフラムシート１１から容易に分離させることができる。
【００３１】
次に、図２に示す工程図及び図３のタイムチャート図を参照しながら、ラミネート処理の対象ワークである基板Ｐのラミネート処理工程（処理手順）を説明する。ここでラミネート装置１０の熱板２２へ搬送されてラミネート処理を行う基板Ｐは、ガラス、ガラスの片面に形成した光電変換電池膜、ＥＶＡ及びバックシートなどにより構成されている。すなわち、ラミネート装置１０に搬送される基板１０は、ガラス面を下面側として、光電変換電池膜側にＥＶＡシートを載せ、バックシートを載せたものである。
なお、図３のタイムチャート図において、ＰＵは上部チャンバ圧力（気圧）、ＰＬは下部チャンバ圧力（気圧）、Ｔｈは熱板温度（℃）、Ｔｐは基板温度（℃）、Ｔｄはダイヤフラム表面温度（℃）、Ｈｄはダイヤフラム高さ（ｍｍ）であり、横軸のＡ〜Ｇは以下に説明する工程（Ａ）〜工程（Ｇ）に対応している。
【００３２】
最初の工程（Ａ）は、基板Ｐを熱板２２まで基板搬送ベルト１４で矢印方向：Ｘへ搬送し、基板載置面２２ａ上の所定位置に載置する基板搬入の工程である。この工程（Ａ）では、上部チャンバ３０がシリンダ１２に押し上げられて下部チャンバ２０から分離した全開状態（全開位置の状態）にあり、下部排気通路２５、下部大気ベント２６、上部排気通路３２及び上部大気ベント３３は、いずれも開放弁２５ａ，２６ａ，３２ａ，３３ａが黒塗りで示す閉じられた状態にある。従って、上部チャンバ圧力ＰＵ及び下部チャンバ圧力ＰＬはいずれも１気圧（大気圧）となり、ダイヤフラム高さＨｄは、熱板２２から最も離間した最大値（この場合は３００ｍｍ）となっている。
【００３３】
また、熱板２２及び基板載置面２２ａは、熱板２２の加熱領域内で適宜複数に分割したヒータ２３へ通電することにより、所定温度（たとえばＴｈ＝１６０℃程度）まで加熱されていて、熱板２２に設置した複数の熱電対の温度計測結果にもとづいて熱板面内の温度が所定値で均一になるよう、たとえばＰＩＤ制御によりコントロールされる。
以下の説明では、開放弁２５ａ，２６ａ，３２ａ，３３ａの開閉状態について、閉状態を図中に黒塗りで示し、開状態を図中に白抜きで示す。
なお、この場合の基板搬入は、通常の連続運転時において、ラミネート処理が完了した基板搬出と同時に実施される。
【００３４】
次の工程（Ｂ）は、シリンダ１２の動作により上部チャンバ３０が全開位置から降下して下部チャンバ２０に密着した状態（真空室１３を形成した状態）となる。一方、基板Ｐは、リフトピン２４が突出して「出」の状態となるため、基板載置面２２ａ上から持ち上げられている。この工程（Ｂ）でリフトピン２４が基板Ｐを持ち上げるのは、基板Ｐが熱板２２からの加熱を直接受けず、基板Ｐへの加熱速度を緩やかにするためである。こうして基板Ｐの下面から上面に向かう熱流束を抑えるとともに基板Ｐ内部の熱伝導による温度均一化により、基板Ｐは大きな反りを生じることなく、熱板２２により予熱される。
さらに、下部排気通路２５及び上部排気通路３２の開放弁２５ａ，３２ａを開とし、下室１３ａ及び上室１３ｂの真空引きが行われる。この結果、上部チャンバ圧力ＰＵ及び下部チャンバ圧力ＰＬは、いずれも０気圧まで低下して真空室１３が形成されて、基板ＰとＥＶＡとバックシートとの間に存在する空気を脱気する。
【００３５】
次の工程（Ｃ）では、リフトピン２４を下げることにより、基板Ｐを熱板２２の基板載置面２２ａに載置している。この接触状態を所定時間（たとえば６０秒程度）継続して加熱することにより、基板Ｐ及びＥＶＡシートを予熱し、相互の熱伸縮差を小さくことができる。なお、この工程（Ｃ）では、下部排気通路２５及び上部排気通路３２の開放弁２５ａ，３２ａを開とし、上述した工程（Ｂ）から継続して下室１３ａ及び上室１３ｂの真空引きが行われているので、真空室１３が形成されている。
【００３６】
次の工程（Ｄ）では、上室１３ｂを大気開放してプレスを開始する。すなわち、上部排気通路３２の開放弁３２ａを閉じるとともに、上部大気ベント３３の開放弁３３ａを開くことにより、ダイヤフラムシート１１に大気圧が作用するので、基板Ｐの大気圧による加圧と本格昇温とが同時に実施される。換言すれば、大気圧の上室１３ｂが真空の下室１３ａより高圧になるので、その差圧によりダイヤフラムシート１１が基板Ｐを基板載置面２２ａの方向に押圧してプレスする。
このようにして加圧・昇温することにより、ＥＶＡシートは均一に加熱され、架橋状態のばらつきを抑制して、実質的に均一な熱変化をして基板ＰとＥＶＡとバックシートと一体化する。
【００３７】
次の工程（Ｅ）では、上述した工程（Ｄ）のプレスを所定時間実施した後、プレス完了として下室１３ａを大気開放する。すなわち、上部排気通路３２及び下部排気通路２５の開放弁３２ａ，２５ａをともに閉とし、かつ、上部大気ベント３３及び下部大気ベント２６の開放弁３３ａ，２６ａをともに開くことにより、上室１３ｂ及び下室１３ａがいずれも大気圧となる。この結果、上室１３ｂ及び下室１３ａの差圧がなくなってダイヤフラムシート１１によるプレス状態は終了し、基板Ｐのラミネート処理が完了する。
【００３８】
次の工程（Ｆ）では、上部チャンバ３０がシリンダ１２に押し上げられて下部チャンバ２０から分離した全開状態となり、ラミネート処理が完了した基板Ｐを基板搬送ベルト１４で搬出する。このとき、通常の連続運転時においては、ラミネート処理が完了した基板Ｐの搬出と同時に、上述した工程（Ａ）の基板搬入が実施されて処理速度を向上する。
以下、上述した工程（Ａ）〜工程（Ｆ）を繰り返すことにより、基板Ｐのラミネート処理を連続して順次実施することができる。
【００３９】
このように、ラミネート装置１０を用い、基板Ｐを連続してラミネート処理する場合には、基板Ｐの上下面の間に大きな温度差が生じて反りを生じる心配はないことを確認した。通常の連続運転時における温度差の一例を示すと、上部チャンバ３０の内部温度を代表するダイヤフラムシート１１の表面温度は１４０〜１５０℃程度であり、１６０℃程度に設定される熱板２２の温度との温度差は１０〜２０℃程度となる。この程度の温度差は、基板Ｐの上下面の間に大きな温度差が生じるに至らない。ダイヤフラムシート１１の温度は予熱等をせずに連続してラミネート処理を実施していれば維持することが可能であり、従って、ダイヤフラムシート１１への損傷もなく、安定したＥＶＡシートの架橋が行われている。
【００４０】
しかし、トラブル発生や生産計画によるロット待ち等により、ラミネート装置１０によるラミネート処理を停止して１時間以上の待機時間が生じると、このような停止時間中には熱板２２から離間したダイヤフラムシート１１がほとんど加熱を受けずに放熱する状態となり、この結果、ダイヤフラムシート１１の表面温度は、時間が経過するにつれて、たとえば５０℃程度まで低下する。
このため、ダイヤフラムシート１１の表面温度が低下した状態でラミネート処理を再開すると、上述した工程（Ｃ）においては、基板Ｐがダイヤフラムシート１１によるプレス圧のない状態で１６０℃程度の熱板２２からの加熱を受けて、熱板２２からの熱流束により基板Ｐの上下面の間に１０〜２０℃程度の温度差が生じ、この温度差によって基板Ｐに凹形の反りが発生する。すなわち、基板Ｐは熱板２２からの伝熱を得て基板Ｐの下面側の温度が上面側よりも高くなるので、下面側の熱膨張が大きくなり、従って、たとえば１４００ｍｍ×１１００ｍｍ×ｔ４ｍｍの基板Ｐの場合、周辺部は概ね５〜１０ｍｍ程度反り上がる。
【００４１】
従って、その後の工程（Ｄ）では、基板Ｐの端部が上方へ反った状態にあり、このような反りのある基板Ｐをプレスする際には、反りを生じた基板Ｐの端部がダイヤフラムシート１１の表面に損傷を与える原因となる。
そこで、ラミネート処理の中断時間において、ダイヤフラムシート１１が温度低下して熱板２２との間に生じる温度差については、以下に説明する各実施形態により低減し、ラミネート処理する基板Ｐの上下面の間に生じる温度差を最小限に抑えてダイヤフラムシート１１に発生する損傷を緩和する。
【００４２】
＜第１の実施形態＞
上述したように、上述したラミネート装置１０においては、長時間ラミネート処理を行わないと、ダイヤフラムシート１１の温度が低下していく。なお、本実施形態では、ラミネート装置１０が取り扱う基板Ｐのサイズについて、比較的大型の１４００ｍｍ×１１００ｍｍ×ｔ４ｍｍとする。
そこで、本発明者等は、このような温度低下時において、ダイヤフラムシート１１の表面温度と、ラミネート処理時にダイヤフラムシート１１に発生する損傷の有無とのデータ取得を重ねたところ、熱板２２とダイヤフラムシート１１の表面温度との温度差が関与していることが判明し、この温度差は９０℃以下ならば損傷が生じにくく、１１０℃以上であれば損傷が生じ易いとの知見を得た。
【００４３】
基板Ｐは、図４に示すように、そのサイズ（基板幅Ｗ）が大きくなると、上述した反り量（凸変形量）は益々大きくなる。
たとえば基板Ｐのサイズを１４００ｍｍ×１１００ｍｍ×ｔ４ｍｍとした場合、基板Ｐの反り量をダイヤフラムシート１１に損傷が生じない、あるいは生じにくいと考えられる値（たとえば１０ｍｍ以内）とするには、基板表裏の温度差を２０℃以下とすることが望ましい。すなわち、熱板２２とダイヤフラムシート１１の表面温度との温度差は、図４に示す特性より、明らかに小さくすることが望ましい。
このため、上記の結果から、ダイヤフラムシート２２の表面温度（規定温度）を７０℃以上に、すなわち、１６０℃の熱板２２との温度差（許容温度差）が９０℃以下となるように管理することが望ましいと考えられる。
【００４４】
そこで、連続運転の再開前には、ダイヤフラムシート１１の表面温度が低下して７０℃以下とならないようにするため、ダイヤフラムシート１１から熱板２２までの距離を、通常３００ｍｍあるところを１５０〜２００ｍｍ程度まで接近させる。これは、少し下方向へ撓んだ離型シート１５と熱板２２とが接触しない距離でもある。
この処置により、ダイヤフラムシート１１及び上部チャンバ３０の温度低下を抑え、図２に示す（Ｂ）工程の加熱時に熱板２２から基板Ｐを介してダイヤフラムシート１１側へ大きな熱流束が生じないようにすることで、連続運転再開時も予熱作業をすることなく効率的に運転を再開できる。
【００４５】
すなわち、図２に示す（Ｇ）工程のように、ラミネート処理が行われない待機時、あるいはラミネート処理の連続運転再開時における（Ａ）工程前には、シリンダ１２の動作により上部チャンバ３０を所定量だけ降下させ、ダイヤフラムシート１１から熱板２２までの距離Ｈを、上述した１５０〜２００ｍｍ程度まで接近させるダイヤフラム保温工程を実施する。換言すれば、上述した構成のラミネート装置１０は、上部チャンバ３０が、ラミネート処理の中断時に全開途中位置に停止し、ダイヤフラムシート１１から熱板２２までの距離Ｈを所定の保温距離に維持するダイヤフラム保温位置を備えている。
このようなダイヤフラム保温工程及びダイヤフラム保温位置は、たとえばラミネート処理が所定時間以上継続して行われない場合など、図示しない制御部が判断して自動的に実施してもよいし、あるいは、オペレータが判断して手動操作により実施するようにしてもよい。
【００４６】
このようなダイヤフラム保温工程は、通常のラミネート処理を行う連続運転には実施不要の工程であり、従って、ダイヤフラムシート１１を熱板２２に接触させて予熱する場合に必要となる従来技術の動作（工程）、すなわち上部チャンバ３０を閉／ダイヤフラムシート１１の膨張／上部チャンバ３０を開の動作時間を省略できる。この結果、本発明のラミネート装置１０が通常のラミネート処理に要するタクトタイムは、予熱工程を設けた従来技術と比較して、少なくとも１バッチ当たり１分以上短くなるので、生産量の向上と生産コストの削減が可能となる。
【００４７】
ところで、上述したラミネート装置１０は、上部チャンバ３０及びダイヤフラムシート１１がダイヤフラム保温位置に停止するダイヤフラム保温工程において、ダイヤフラムシート１１から熱板２２までの距離Ｈが、熱板２２の温度、基板Ｐのサイズ（縦横の寸法や厚さ）、基板Ｐやダイヤフラムシート１１等の部材により異なる比熱、基板Ｐの熱膨張率等の諸条件により定まる許容温度差を得て、この許容温度差を保つように設定されればよい。
【００４８】
＜第２の実施形態＞
上述したラミネート装置１０の運用時には、ダイヤフラムシート１１が膨張及び収縮を繰り返すため、ダイヤフラムシート１１の表面温度について、実際の温度変化（実測値）を正確に把握することは容易ではない。
そこで、図５に示すように、予め予測しておいた待機時間（横軸）と、ダイヤフラムシート１１のダイヤフラム表面温度（縦軸）との関係を把握しておくことが望ましい。図５に示すグラフは、図２の（Ｆ）工程においてラミネート処理を完了した基板Ｐの搬出完了時点（搬出後４５秒経過）を待機時間のスタート基準（０分）とし、搬出後の時間経過に伴うダイヤフラム表面温度の変化を計測したものであり、「連続運転後」及び「チャンバ接近後」の場合について示されている。
【００４９】
この場合、一方の「連続運転後」は、図２に示す（Ａ）工程の状態（上部チャンバ２０を通常の位置まで押し上げた状態）でヒータに通電しながら放置して温度変化を計測したものであり、他方の「チャンバ接近後」は、基板搬出直後に上部チャンバ２０を上述した距離Ｈとなる高さまで降下させることにより、図２に示す（Ｇ）工程のダイヤフラム保温工程を実施して温度変化を計測したものである。
図５により、待機時間が約２５経過すると、ダイヤフラム表面温度は規定の７０℃以下になる。また、上部チャンバ２０を上述した距離Ｈとなる高さまで降下させるとダイヤフラム表面温度は規定の７０℃以上に維持が可能である。従って、少なくとも待機時間３０分後にダイヤフラム保温工程を開始することで、「連続運転後」の温度変化を、一時的に規定温度である７０℃以下になるものの、その後は熱板２２からの伝熱を受けて、規定温度である７０℃以上になるよう設定される。
【００５０】
このようにすれば、上部チャンバ３０及びダイヤフラムシート１１がダイヤフラム保温位置に停止するダイヤフラム保温工程の実施を待機時間のみで管理できるので、ラミネート装置１０のオペレータが容易に判断して対応することができる。また、待機時間に応じて自動的にダイヤフラム保温工程の開始を判断し、上部チャンバ３０を自動的に降下させる制御も容易に実施できる。
なお、図５の例では、基板搬出直後にダイヤフラム保温工程を実施し、ダイヤフラム表面温度を７０℃の規定温度以上に維持しているが、ラミネート装置１０の有するサイズや熱容量や構造などの緒元に応じて異なる規定温度値の設定が必要となるのはいうまでもない。
【００５１】
＜第３の実施形態＞
上述したラミネート装置１０は、たとえばメンテナンス後等のように、一旦、熱板２２を冷却した後に、装置を立ち上げて運転を開始する場合、熱板２２の設定温度（たとえば１６０℃）まで時間をかけて加熱することになる。このとき、熱板２２より上部に位置するダイヤフラムシート１１の表面も熱板２２により加熱されてはいるが、ダイヤフラムシート１１の表面温度（規定温度）を７０℃以上にして、１６０℃の熱板２２との温度差（許容温度差）を９０℃以下とするには時間を要することとなる。
【００５２】
そこで、本実施形態では、製品となる基板Ｐと同等のダミー基板Ｐｄ（図８参照）を用意し、このダミー基板Ｐｄをラミネート処理する空運転（１バッチ）を実施する。すなわち、起動時のラミネート装置１０では、熱板２２の温度等が運転条件を満たした後、最初にダミー基板Ｐｄを搬送してラミネート処理を実施するので、ダイヤフラムシート１１の表面温度は、連続運転時と同様に、ダミー基板Ｐｄを介した加熱により速やかに温度上昇する。
この結果、メンテナンス後にラミネート装置１０を立ち上げて連続運転を開始するまでの時間を短縮し、さらに、運転開始初期の不良品発生を防止することができる。
【００５３】
ここで使用するダミー基板Ｐｄには、基板Ｐと同形状及び同寸法を有し、たとえば製品の基板Ｐと同等のガラス材のみ、ガラス材にＥＶＡシート及びバックシートを配置したものがある。特に、ガラス材等の材質としては、起動時のヒータ昇温過程でダミー基板Ｐｄに反りの発生が少なくなるように、たとえば熱膨張率が低い低ナトリウムガラスが好ましい。
一方、ガラス材に拘らず金属材でもよく、特にアルミニウム合金材は、熱伝導率が高いため表面温度差は少なく、従って、反り量は小さくなるので好適である。
【００５４】
また、ダミー基板Ｐｄは、起動後の最初にラミネート処理を行う空運転に使用されるものであるから、多少の反りが生じてもダイヤフラムシート１１に損傷を与えないような配慮をしておくことが望ましい。このため、たとえば図８（ｂ）に示すように、ダミー基板Ｐｄの角部や周囲を丸みのあるＲ形状５０に加工することが望ましい。
また、上下面の間の温度差による反り量を小さくするため、たとえば図９に示すように、基板長さの小さい複数枚（図示の例では４枚）の分割基板Ｐａに分割し、各分割基板Ｐａ間を緩衝材４０で繋いだ構成のダミー基板Ｐｄ′としてもよい。すなわち、隣接する分割基板Ｐａ間に小さな隙間Ｓを設けて緩衝材４０により接合すれば、分割基板Ｐａの素材に生じた熱膨張を隙間及び緩衝材４０が吸収して、ダミー基板Ｐｄ′全体の反りを軽減することができる。
【００５５】
＜第４の実施形態＞
この実施形態では、ラミネート装置１０のリフトピン２４を利用することにより、熱板２２の基板載置面２２ａから基板Ｐを所定量だけ持ち上げて熱板２２との間に隙間を形成するものである。すなわち、図２に示す（Ｂ）工程の状態を維持し、基板Ｐが熱板２２から直接加熱を受けないようにすることで、基板Ｐの加熱速度を緩やかにするものである。なお、図６に示すように、基板Ｐを熱板２２に接触させて直接加熱する接触伝熱時と、隙間を介して加熱する気体伝熱時との比較において、接触伝熱時は短時間で温度上昇するが、加熱初期の基板温度差（上下面間の温度差）も大きくなるので、基板の反りが大きくならないことに注意が必要である。
しかしながら、基板Ｐを熱板２２に接触させた直後から若干の時間遅れを伴って基板の反りが発生することが判明し、この状況を利用して基板Ｐへの加圧プレスのタイミングをさらに適正化することが可能である。
【００５６】
具体的に説明すると、図２に示す（Ｂ）工程の時間を延長する分だけ、続く（Ｃ）工程の時間を短縮（たとえば、６０秒程度を０〜１０秒程度に短縮）することにより、基板Ｐを熱板２２の基板載置面２２ａ上に下ろした直後に（Ｄ）工程へ進み、ダイヤフラムシート１１による加圧プレスを開始する。このため、基板Ｐの本格的な加熱は加圧プレスとともに開始されるので、反りの発生を強制的に最小限に抑えることができる。
【００５７】
この場合、基板ＰとＥＶＡシートとの温度差が課題となる。ラミネート処理後に基板Ｐの周辺へＥＶＡシートが回り込まなくなることや、皺が生じることがないように、ＥＶＡシートの寸法を通常工程による寸法よりも若干大きくなる方向へ調整しておくことが望ましい。
このようなラミネート処理を行うことにより、ＥＶＡシートによる基板Ｐのバックシートとの密着封止を均一に行うことができる。
【００５８】
＜第５の実施形態＞
この実施形態では、たとえば図７に示すラミネート装置１０Ａのように、上部チャンバ３０の周囲に囲い部材として放熱防止カバー１６を設置し、チャンバ外部への放熱を防止している。すなわち、全開位置の上部チャンバ３０と下部チャンバ２０との間に形成される間隙を低減して、ここから放散される熱を抑制するため、上部チャンバ３０の上下動を妨げない位置に放熱防止カバー１６を取り付けている。
このような放熱防止カバー１６は、上述した第１の実施形態においてダイヤフラムシート１１の表面温度を保持させる場合、ダイヤフラムシート１１からの放熱をさらに抑制するので、表面温度の低下をより一層低減することができる。従って、熱板２２からの外部放熱が低減し、熱板２２のヒータ２３に投入される電力量を削減することができる。
【００５９】
また、上述したラミネート装置１０Ａは、ダイヤフラムシート１１及び上部チャンバ３０の放熱を防止するため、上部チャンバ３０の表面に保温材１７を取り付けることが望ましい。この保温材１７は、単独でも放熱防止効果を得られるが、放熱防止カバー１６との併用により、外部放熱の防止効果はより一層向上する。
【００６０】
＜第６の実施形態＞
この実施形態では、熱板２２を備えた下部チャンバ２０と、ダイヤフラムシート１１を備えた上部チャンバ３０とを密着させて形成された真空室１３内で熱板２２上に基板Ｐを載置し、熱板２２により加熱された状態でダイヤフラムシート１１に作用する大気圧の押圧を受ける基板Ｐの表面にＥＶＡを介してフィルム状のバックシートを貼り付けて封止処理するラミネート処理を行うラミネート方法において、ラミネート処理時に、ダイヤフラムシート１１を押圧する際に基板Ｐを経由して熱板２２より加熱を受ける前に、ダイヤフラムシート１１を押圧しない状態（加圧プレスしない状態）で基板Ｐに接触させるダイヤフラム加熱工程を設けたものである。  すなわち、図２の工程（Ｃ）と工程（Ｄ）との間において、上室１３ｂ側を大気開放して加圧プレスする前に、上室１３ｂ側を微量だけ開放してダイヤフラムシート１１を基板Ｐに接触させて直接加熱を行うものである。
【００６１】
このようなラミネート方法を採用すれば、ラミネート処理時のダイヤフラム加熱工程において、ダイヤフラムシート１１は基板Ｐを強く押圧（加圧プレス）することなく、基板Ｐを介して熱板２２の加熱を受ける。従って、ダイヤフラム加熱工程では、直接加熱によりダイヤフラムシート１１が短時間で昇温するので、ダイヤフラムシート１１を損傷させることなく加熱して、反りの原因となる上下面の間の温度差をなくすことができる。
【００６２】
このように、上述した各実施形態によれば、ラミネート処理が中断した場合に基板Ｐの上下面の間に生じる温度差を低減し、この温度差により生じる基板Ｐの反りとの干渉に起因してダイヤフラムシート１１が損傷することを防止または抑制できる。しかも、通常のラミネート処理を行う連続運転時においては、たとえばダイヤフラムシート１１を毎回熱板２２に接触させて予熱するための工程が不要であり、従って、タクトタイムが短く生産量の向上及び生産コストの削減に有効なラミネート装置及びラミネート方法となる。
すなわち、本発明によれば、ラミネート処理を行う基板Ｐの上下面の間に生じる温度差を低減し、基板Ｐの反りによるダイヤフラムシート１１の損傷発生を緩和できるとともに、タクトタイムが短く生産性の高い太陽電池モジュール基板のラミネート装置及びラミネート方法を提供することができる。
【００６３】
また、上述した各実施形態によれば、基板Ｐに温度分布が形成されることを防止または抑制できるので、ＥＶＡ架橋不良な領域発生の防止、基板裏面のバックシートとの密閉性に対する信頼性向上、及び、バックシートの皺発生などの製品の外観不良低減など、製品としての価値向上にも有効である。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されることはなく、その要旨を逸脱しない範囲内において適宜変更することができる。
また、本実施形態では薄膜系太陽電池について記載しているが、薄膜系太陽電池に限ることなく、ガラス基板を用いる太陽電池のラミネート装置及びラミネート方法に適用することが可能である。
【符号の説明】
【００６４】
１０，１０Ａ    ラミネート装置
１１    ダイヤフラムシート（ダイヤフラム）
１２    シリンダ
１３    真空室
１３ａ    下室
１３ｂ    上室
１４    基板搬送ベルト
１５    離型シート
１６    放熱防止カバー（囲い部材）
１７    保温材
２０    下部チャンバ
２１，３１    凹部
２２    熱板
２２ａ    基板載置面
２３    ヒータ
２４    リフトピン
２５    下部排気通路
２５ａ，２６ａ，３２ａ，３３ａ    開放弁
２６    下部大気ベント
３０    上部チャンバ
３２    上部排気通路
３３    上部大気ベント
４０    緩衝材
Ｐ    太陽電池モジュール基板（基板）
Ｐｄ，Ｐｄ′    ダミー基板
Ｐａ    分割基板
【図１】
2011129753.tif 000003
【図２】
2011129753.tif 000004
【図３】
2011129753.tif 000005
【図４】
2011129753.tif 000006
【図５】
2011129753.tif 000007
【図６】
2011129753.tif 000008
【図７】
2011129753.tif 000009
【図８】
2011129753.tif 000010
【図９】
2011129753.tif 000011