(57)【要約】【課題】配線構造が積層化された回路基板において、回路特性の劣化を防止できる製造方法を提供する。【解決手段】基板１上に下層配線パターン３を形成し、下層配線パターン３を覆う状態で絶縁膜５を形成し、この絶縁膜５に下層配線パターン３を露出する開口部５ａを形成する。絶縁膜５上に上層配線パターン７を形成し、その後下層配線パターン３と上層配線パターン７とを接続する接続材料パターン９を絶縁膜５の開口部５ａの側壁に形成する。接続材料パターン９は、例えば有機半導体材料を用いて形成する。これにより、有機半導体材料からなる接続材料パターン９の劣化を防止した回路基板１１-1が得られる。【選択図】図１
2011035037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下層配線パターンを形成する工程と、
前記下層配線パターンを覆う状態で前記基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に前記下層配線パターンを露出する開口部を形成する工程と、
前記絶縁膜上に上層配線パターンを形成する工程と、
前記下層配線パターンと前記上層配線パターンとを接続する接続材料パターンを前記絶縁膜の開口部の側壁に形成する工程を行う
回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記接続材料パターンは有機半導体材料を用いて形成する
請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記接続材料パターンは、前記下層配線パターンおよび前記上層配線パターンのうちの一方とショットキー接合され、他方とオーミック接合されることにより、ショットキーダイオードを構成している
請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記接続材料パターンの形成はインクジェット法によって行う
請求項１〜３の何れかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記上層配線パターンは、前記開口部が形成された前記絶縁膜に対して乾式スタンプ法によって形成される
請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記開口部の側壁は、開口上部に向かって開口幅が狭くなる逆テーパ形状で形成されている
請求項５記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁膜には、リソグラフィー処理によって前記開口部を形成する
請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
基板上に設けられた下層配線パターンと、
前記下層配線パターンの一部を露出する開口部を有して当該下層配線パターンが設けられた前記基板を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた上層配線パターンと、
前記上層配線パターンの側壁から前記開口部の側壁を経て当該開口部の底部に露出する前記下層配線パターン上にかけて設けられた接続材料パターンとを備えた
回路基板。
【請求項９】
前記接続材料パターンは、有機半導体材料を用いて構成された
請求項８記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板の製造方法および回路基板に関し、特には積層配線構造を有する回路基板の製造方法および回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機半導体材料を用いたデバイスの開発が盛んに行われている。有機半導体材料は、真空プロセスや熱プロセスを必要としない印刷法や塗布法を適用した成膜が可能であるため、低コストであるとともに基板にプラスチック材料を用いることができる。
【０００３】
有機半導体材料を用いたデバイスとして、例えば薄膜トランジスタを作製する場合には、例えばソース電極及びドレイン電極を含む配線パターンを形成した後、この上部にスタンプ版を用いて有機半導体層を印刷形成する（例えば下記特許文献１参照）。またソース電極及びドレイン電極を含む配線パターンが形成された基板上に絶縁性材料からなる隔壁層を形成し、隔壁層の開口内に有機半導体材料溶液を滴下して乾燥させることにより、ソース電極とドレイン電極との間に有機半導体層を形成する方法も提案されている（例えば下記特許文献２参照）。
【０００４】
ところで以上のような有機半導体材料を用いたデバイスと共に配線パターンを形成してなる回路基板においては、配線構造を積層化することによって高集積化を達成している。このような積層化が進んだ回路基板の作製においては、先ず基板上に下層配線パターンおよびデバイスを形成し、これを絶縁膜で覆い、絶縁膜に形成した接続孔を介して下層配線パターンやデバイスに接続された上層配線パターンを形成する手順が行われている。
【０００５】
また特に上下配線の接続部分の形については、下層配線パターン上にビアを印刷形成し、これらを埋め込む状態で絶縁膜を形成し、その後ビア上の絶縁膜を除去し、次で絶縁膜上にビアに接続させた上層配線パターンを形成する方法も提案されている（下記特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−６７３９０号公報
【特許文献２】公開２００８−２２７１４１号公報
【特許文献３】特開２００８−３１１６３０号公報（特に図１３〜１５および関連記載部）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した回路基板の製造方法では、上層配線パターンの形成工程が、既に形成されている下層配線パターンや有機半導体材料を用いて構成されたデバイスに対して影響を及ぼす。例えば上層配線パターンの形成に印刷法を適用した場合の焼成工程においては、デバイスを構成する有機半導体層等が劣化し、デバイス特性が低下する。
【０００８】
そこで本発明は、配線構造が積層化された回路基板において、回路特性の劣化を防止できる製造方法を提供すること、さらにはこの製造方法によって良好な回路特性を有する回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的を達成するための本発明の回路基板の製造方法は、次の手順を行う。先ず、基板上に下層配線パターンを形成し、これを覆う状態で絶縁膜を形成する。また、下層配線パターンを露出する開口部を絶縁膜に形成する。さらに、絶縁膜上に上層配線パターンを形成する。以上の後、下層配線パターンと上層配線パターンとを接続する接続材料パターンを、絶縁膜の開口部の側壁に形成する。
【００１０】
このような構成の回路基板の製造方法では、上層配線パターンを形成した後に、接続材料パターンが形成されるため、接続材料パターンに対して上層配線パターンの形成プロセスの影響が及ぼされることはない。したがって、この接続材料パターンを有機半導体材料などで構成した場合であっても、接続材料パターンの膜質を維持することが可能になり、この接続材料パターンを用いたデバイスの特性を維持することができる。
【００１１】
また本発明は以上の手順によって作製された回路基板でもある。この回路基板は、基板上に設けられた下層配線パターンと、下層配線パターンの一部を露出する開口部を有して当該下層配線パターンが設けられた基板を覆う絶縁膜と、この絶縁膜上に設けられた上層配線パターンとを備えている。そして特には、上層配線パターンの側壁から開口部の側壁を経て、当該開口部の底部に露出する下層配線パターン上にかけて、接続材料パターンが設けられている。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように本発明によれば、配線構造が積層化された構成においては、回路特性の劣化がされ良好な特性を備えた回路基板を得ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る第１実施形態の製造方法を示す断面工程図である。
【図２】本発明に係る第２実施形態の製造方法を示す断面工程図（その１）である。
【図３】本発明に係る第２実施形態の製造方法を示す断面工程図（その２）である。
【図４】第２実施形態の変形例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下本発明の実施の形態を図面に基づいて、次に示す順に実施の形態を説明する。
１．第１実施形態（ショットキーダイオードを有する回路基板の製造例）
２．第２実施形態（複数のデバイスを集積した回路基板の製造例）
３．第２実施形態の応用例（コイルの形成）
【００１５】
≪第１実施形態≫
図１は本発明に係る第１実施形態の製造方法を示す断面工程図である。以下、これらの図面に基づいて、ショットキーダイオードを備えた回路基板の作製に本発明を適用した第１実施形態を説明する。
【００１６】
まず、図１（１）に示すように、基板１上に下層配線パターン３を形成する。ここで用いる基板１は少なくとも表面が絶縁性に保たれていれば良く、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルフォン）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）等からなるプラスチック基板が用いられる。またステンレス（ＳＵＳ）等の金属箔を樹脂でラミネートした基板、さらにはガラス基板等を用いても良い。フレキシブルな屈曲性を得るためには、プラスチック基板や金属箔を用いた基板が適用される。
【００１７】
下層配線パターン３は、以降で形成する有機半導体材料を用いた接続材料パターンに対してオーミック接合する材料を用いて構成される。尚、接続材料パターンに対する接合状態は、下層配線パターン３表面の仕事関数によって制御される。
【００１８】
このような下層配線パターン３の形成は、例えば有機銀（Ａｇ）インクを用いた塗布法によって金属材料膜を成膜し、この上部にリソグラフィー法によってレジストパターンを形成し、これをマスクにして金属材料膜をパターンエッチングすることによって行われる。尚、下層配線パターン３の形成には、スクリーン印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、インクジェット法などの印刷技術を適用しても良い。
【００１９】
次に図１（２）に示すように、下層配線パターン３を覆う状態で、基板１上に絶縁膜５を形成する。ここでは例えば感光性組成物を用いて絶縁膜５を塗布成膜する。その後、リソグラフィー処理を行うことにより、下層配線パターン３を露出させる開口部５ａを絶縁膜５に形成する。この際、例えばレジスト材料の選択により、開口上部に向かって開口幅が狭くなる逆テーパ形状の側壁となるように、開口部５ａを形成する。
【００２０】
尚、絶縁膜５に対する開口部５ａの形成は、適宜の絶縁性材料を用いて絶縁膜５を成膜した後、この上部にレジストパターンを形成し、これをマスクにして絶縁膜５をパターンエッチングすることによって形成しても良い。また、適宜の絶縁性材料を用いて成膜された絶縁膜５に対して、レーザー光の照射によって開口部５ａを形成しても良い。さらには印刷用によって、予め開口部５ａを備えた絶縁膜５を形成しても良い。
【００２１】
次に図１（３）に示すように、絶縁膜５上に上層配線パターン７を形成する。ここで形成する上層配線パターン７は、次に形成する有機半導体材料を用いた接続材料パターンに対してショットキー接合する材料を用いて構成される。尚、接続材料パターンに対する接合状態は、上層配線パターン７表面の仕事関数によって制御される。
【００２２】
このような上層配線パターン７の形成は、例えば有機保護膜銀（Ａｇ）ナノコロイドインクを用いた印刷法によって行われる。この場合、特に乾式スタンプ法を適用することが好ましい。乾式スタンプ法によれば、開口部５ａの側壁に上層配線パターン７を設けることなく、絶縁膜５の上面のみに上層配線パターン７を形成することができる。特に上述したように、開口部５ａの側壁を逆テーパ形状とした場合であれば、開口部５ａの段差において上層配線パターン７が段切し易く、開口部５ａの側壁には上層配線パターン７が形成され難くなる。
【００２３】
また開口部５ａの側壁が逆テーパ形状で無い場合であっても、印刷条件、開口部５ａのアスペクト比等の条件をコントロールすることにより、開口部５ａの段差において上層配線パターン７を段切れさせ、下層配線パターン３上に上層配線パターン７が形成されないようにすることもできる。尚、上層配線パターン７は、下層配線パターン３に直接接合されなければ、開口部５ａの側壁に形成されても良い。
【００２４】
以上のような印刷法によって上層配線パターン７をパターン形成した後には、焼結処理を行うことで有機保護膜銀（Ａｇ）ナノコロイドインクの有機保護膜を除去する。この際、有機保護膜が多少残ることにより、上層配線パターン７表面の電気的特性が制御される。例えばＰＶＰ保護膜Ａｇナノ粒子では、焼結後、金属Ａｇと比べ仕事関数が増加する。また、同じＡｇという材料であっても保護膜の種類によって仕事関数を制御することができる。
【００２５】
尚、上層配線パターン７表面の電気的特性（仕事関数）は、以上のようなインクを構成する有機保護膜によって制御するほか、仕事関数に基づく材料選択、さらには上層配線パターン７の表面処理を行うことで制御しても良い。
【００２６】
次に図１（４）に示すように、上層配線パターン７が設けられた絶縁膜５の開口部５ａの側壁に、印刷法によって下層配線パターン３と上層配線パターン７とを接続する接続材料パターン９を形成する。ここでは特に、有機半導体材料を用いて接続材料パターン９を形成する。この接続材料パターン９は、開口部５ａの底面に露出する下層配線パターン３上から開口部５ａの側壁を経て、上層配線パターン７の側壁、さらには上層配線パターン７の上部にまで設けられていることが好ましい。このため、絶縁膜５上の他の上層配線パターン７に影響のない限りにおいては、開口部５ａを埋め込む状態で接続材料パターン９を設けても良い。また、絶縁膜５よりも十分に薄い膜厚の接続材料パターン９を、開口部５ａの内壁に沿って、この内壁を覆う状態で設けても良い。
【００２７】
このような接続材料パターン９の印刷形成は、例えばインクジェット法によって行われる。この場合、有機半導体材料としてＴＩＰＳペンタセン(6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)pentaceneを用い、ポリマー材料（例えばＰａＭＳ：Poly-α-methylstyrene）と混合したインクを調整し、このインクを用いてインクジェット印刷を行う。印刷後には、乾燥処理を行うことで接続材料パターン９を形成する。
【００２８】
尚、このような接続材料パターン９の形成にインクジェット法以外の印刷法を適用する場合、開口部５ａの側壁は、開口上部に向かって開口幅が広くなる順テーパ形状で形成されることが好ましい。これにより、順テーパ形状の側壁に接続材料パターン９を印刷形成し易くなる。ただし、インクジェット法であれば、開口部５ａの側壁が逆テーパ形状であっても、開口部５ａの底面角部にもインク供給がなされるため問題はない。
【００２９】
以上により、基板１上には、有機半導体材料からなる接続材料パターン９が、下層配線パターン３に対してオーミック接合され、上層配線パターン７に対してショットキー接合されたショットキーダイオードＤが形成される。以上の後には、ここでの図示は省略したが、基板１の上方に絶縁性の保護膜を形成して回路基板１１-1を完成させる。
【００３０】
以上によって得られた回路基板１１-1は、下層配線パターン３、絶縁膜５、および上層配線パターン７がこの順に積層され、絶縁膜５の開口部５ａ側壁に設けた接続材料パターン９によって上層配線パターン７と下層配線パターン３とが接続された構成となる。特に、接続材料パターン９は、上層配線パターン７の形成後に設けられたものである。このため、少なくとも上層配線パターン７の側壁から開口部５ａの側壁を経て、当該開口部５ａの底部に露出する下層配線パターン３上にかけて設けられたものとなる。また上層配線パターン７と、接続材料パターン９との接続状態を確実にするためには、上層配線パターン７の上部に接続材料パターン９が積層された構成ともなる。
【００３１】
またさらにこの回路基板１１-1において、上述した接続材料パターン９は、有機半導体材料からなり、上層配線パターン７に対してショットキー接合してショットキーダイオードＤを形成している。このショットキーダイオードは、開口部５ａの側壁を利用した縦型ダイオードとなる。
【００３２】
以上説明した第１実施形態によれば、上層配線パターン７を形成した後に、接続材料パターン９が形成されるため、接続材料パターン９に対して上層配線パターン７の形成プロセスの影響が及ぼされることがない。このため、上層配線パターン７の形成においては、印刷形成した有機保護膜銀（Ａｇ）ナノコロイドインクの焼結処理を行うが、この熱工程によって、有機半導体材料からなる接続材料パターン９が劣化することを防止できる。したがって、この接続材料パターン９を用いて構成されたショットキーダイオードＤのダイオード特性は良好なものとなり、このショットキーダイオードＤを備えた回路基板１１-1における回路特性の向上を図ることができる。
【００３３】
また、ここで得られるショットキーダイオードＤは開口部５ａの側壁を利用した縦型ダイオードとなる。このため、ダイオードＤの占有面積が縮小化され回路基板１１-1におけるさらなる高集積化が達成される。
【００３４】
尚、上述した第１実施形態においては、上層配線パターン７に対して接続材料パターン９をショットキー接合させ、下層配線パターン３に対して接続材料パターン９をオーミック接合させる構成とした。しかしながら本第１実施形態は、これと逆の接合状態で合っても良い。ただし、よりストレスの少ないプロセスで形成可能な材料を用いて上層配線パターン７を形成する方が、既に形成されている下層配線パターン３へ影響を排除できることから好ましい。
【００３５】
また上述した第１実施形態において、有機半導体材料を用いて形成した接続材料パターン９を導電性材料からなるものに変更することで、下層配線パターン３と上層配線パターン７との接続材料パターン９を接続プラグとして用いることもできる。この場合、接続材料パターン９の形成には、例えば銀（Ａｇ）ペーストを用いた印刷法を適用することができる。この場合であれば、絶縁膜５の開口部５ａの側壁は、順テーパ形状で有ることが好ましい。上層配線パターン７を形成する場合には、上層配線パターン７が下層配線パターン３に接続されても良い。また、銀（Ａｇ）ペーストからなる接続材料パターン９と、上層配線パターン７との焼結処理は、同一工程で行うことができるため、工程の簡略化が図られる。
【００３６】
さらに、有機半導体材料を用いて接続材料パターン９を形成した場合であっても、下層配線パターン３と上層配線パターン７とを同一材料で構成した場合には、接続材料パターン９部分を抵抗素子として用いることができる。
【００３７】
≪第２実施形態≫
図２および図３は本発明に係る第２実施形態の製造方法を示す断面工程図である。以下、これらの図面に基づいて集積化された回路基板の作製に本発明を適用した第２実施形態を説明する。尚、第１実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３８】
先ず図２（１）に示すように、基板１上に第１下層配線パターン３-1をパターン形成し、さらにこの上部の第１絶縁膜５-1を成膜し、これに開口部５ａを形成する。以上の工程は、第１実施形態において図１（１）および図1（２）を用いて説明したと同様に行われる。この際、第１下層配線パターン３-1は第１実施形態における下層配線パターン３であり、第１絶縁膜５-1は第１実施形態における絶縁膜５である。ただし、第１下層配線パターン３-1の構成材料が限定されることはない。また、第１絶縁膜５-1の開口部５ａは、側壁が順テーパ形状であることが好ましい。
【００３９】
次に図２（２）に示すように、第１絶縁膜５-1上に、第２下層配線パターン３-2を形成する。この第２下層配線パターン３-2は、以降で形成する有機半導体材料を用いた接続材料パターンに対してオーミック接合する材料を用いて構成される。尚、接続材料パターンに対する接合状態は、第２下層配線パターン３-2表面の仕事関数によって制御される。
【００４０】
このような第２下層配線パターン３-2の形成は、例えば有機銀（Ａｇ）インク印刷法によって行われる。この場合、特に乾式スタンプ法を適用することが好ましい。乾式スタンプ法によれば、開口部５ａの側壁に第２下層配線パターン３-2が形成されることはなく、第１絶縁膜５-1の上面のみに第２下層配線パターン３-2を形成することができる。この際、印刷条件、開口部５ａのアスペクト比等の条件をコントロールすることにより、開口部５ａの段差において第２下層配線パターン３-2を段切れさせ、第１下層配線パターン３-1上に第２下層配線パターン３-2が形成されないようにすることもできる。尚、第２下層配線パターン３-2は、第１下層配線パターン３-1に直接接合されなければ、開口部５ａの側壁に形成されても良い。
【００４１】
次に、図２（３）に示すように、第２下層配線パターン３-2を覆う状態で、第１絶縁膜５-1上に第２絶縁膜５-2を形成し、さらに第２絶縁膜５-2に開口部５ｂを形成する。この第２絶縁膜５-2および開口部５ｂの形成は、第１実施形態において図1（２）を用いて説明した絶縁膜５および開口部５ａの形成と同様に行われる。
【００４２】
ここで形成する開口部５ｂは、第１絶縁膜５-1の開口部５ａ上に配置されて底部に第１下層配線パターン３-1を露出させる位置、および底部に第２下層配線パターン３-2を露出させる位置に設けられることとする。ここでは一例として、第１下層配線パターン３-1を露出させる２個所の開口部５ｂと、第２下層配線パターン3-2を露出させる２ヶ所の開口部５ｂとを設けることとする。
【００４３】
第２下層配線パターン3-2を露出させる開口部５ｂのうちの１つは、底部に１つの第２下層配線パターン3-2のみを露出させ、もう１つは底部に２つの第２下層配線パターン３-2，３-2を露出させる。ただし、第１絶縁膜５-1の開口部５ａは、ここでは側壁順テーパ形状として形成する。
【００４４】
次に、図２（４）に示すように、第２絶縁膜５-2上に、上層配線パターン７を形成する。上層パターン７の形成は、第１実施形態において図1（３）を用いて説明した上層パターン７の形成と同様に行われる。
【００４５】
すなわち、ここで形成する上層配線パターン７は、次に形成する有機半導体材料を用いた接続材料パターンに対してショットキー接合する材料を用いて構成され、印刷法を適用して形成される。印刷法としては、例えば有機保護膜銀（Ａｇ）ナノコロイドインクを用いた乾式スタンプ法の適用が好ましい。乾式スタンプ法によれば、開口部５ｂの側壁に上層配線パターン７が形成されることはなく、第２絶縁膜５-2の上面のみに上層配線パターン７を形成することができる。この際、印刷条件、開口部５ｂのアスペクト比等の条件をコントロールすることにより、開口部５ｂの段差において上層配線パターン７を段切れさせ、第２下層配線パターン３-2上に上層配線パターン７が形成されないようにすることもできる。尚、上層配線パターン７は、下層配線パターン３-1，３-2に直接接合されなければ、開口部５ａ，５ｂの側壁に形成されても良い。
【００４６】
印刷法によって上層配線パターン７をパターン形成した後には、焼結処理を行うことで有機保護膜銀（Ａｇ）ナノコロイドインクの有機保護膜を除去する。この際、有機保護膜が多少残ることにより、上層配線パターン７表面の電気的特性が制御されＰＶＰ保護膜の場合、仕事関数が増加する。
【００４７】
次に、図３（１）に示すように、上層配線パターン７が設けられた絶縁膜５-1,５-2の開口部５ａ，５ｂの側壁に、導電性材料からなる第１接続材料パターン９ａを形成する。この第１接続材料パターン９ａは、第１下層配線パターン３-1と上層配線パターン７とを接続する位置、および第１下層配線パターン３-1と第２下層配線パターン３-2とを接続する位置に形成される。このような第１接続材料パターン９ａの形成は、例えば銀（Ａｇ）ペーストを用いたスクリーン印刷法を適用して行われる。
【００４８】
これらの第１接続材料パターン９ａは、開口部５ａ，５ｂの底面の第１下層配線パターン３-1上から開口部５ａの側壁を経て、第２下層配線パターン３-2の側壁、開口部５ｂの側壁、さらには上層配線パターン７の側壁および上部にまで達していることが好ましい。このため、第２絶縁膜５-2上の他の上層配線パターン７に影響のない限りにおいては、開口部５ａ，５ｂを埋め込む状態で第１接続材料パターン９ａを設けても良い。また、絶縁膜５-1，５-2よりも十分に薄い膜厚の第１接続材料パターン９ａを、開口部５ａの内壁に沿ってこの内壁を覆う状態で設けても良い。
【００４９】
以上のように、導電性材料からなる第１接続材料パターン９ａを行った後には、焼結処理を行う。尚、上層配線パターン７の焼結処理は、この第１接続材料パターン９ａの焼結処理と同一工程で行うことができるため、工程の簡略化が図られる。
【００５０】
次いで、図３（２）に示すように、上層配線パターン７が設けられた第２絶縁膜５-2の開口部５ｂの側壁および底面に有機半導体材料からなる第２接続材料パターン９ｂを形成する。この第２接続材料パターン９ｂの形成は、第１実施形態において図１（４）を用いて説明した接続材料パターン９の形成と同様に行われる。
【００５１】
すなわち、第２接続材料パターン９ｂは、例えばインクジェット法を適用して形成される。この第２接続材料パターン９ｂは、開口部５ｂの底面に露出する第２下層配線パターン３-2上から開口部５ｂの側壁を経て、上層配線パターン７の側壁、さらには上層配線パターン７の上部にまで設けられていることが好ましい。このため、絶縁膜５上の他の上層配線パターン７に影響のない限りにおいては、開口部５ｂを埋め込む状態で第２接続材料パターン９ｂを設けても良い。また、第２絶縁膜５-2よりも十分に薄い膜厚の第２接続材料パターン９ｂを、開口部５ｂの内壁に沿って、この内壁を覆う状態で設けても良い。
【００５２】
以上により、有機半導体材料からなる接続材料パターン９ｂが、第２下層配線パターン３-2と上層配線パターン７との間に形成された部分には、接続材料パターン９ｂと上層配線パターン７とのショットキー接合によりショットキーダイオードＤが形成される。一方、有機半導体材料からなる接続材料パターン９ｂが、２つの第２下層配線パターン３-2間に形成された部分には、接続材料パターン９ｂと第２下層配線パターン３-2とのオーミック接合により薄膜トランジスタＴｒが形成される。この薄膜トランジスタＴｒは、第１下層配線パターン３-1をゲート電極としたものとなる。
【００５３】
以上の後には、ここでの図示は省略したが、基板１の上方に絶縁性の保護膜を形成して回路基板１１-2を完成させる。
【００５４】
以上のようにして得られた回路基板１１-2は、絶縁膜５-1，５-2の開口部５ａ，５ｂ側壁に設けた接続材料パターン９ａ，９ａｂによって、上層配線パターン７と下層配線パターン３-1，３-2とが接続されていた構成となる。特に、接続材料パターン９ａ，９ｂは、上層配線パターン７の形成後に設けられたものである。このため、少なくとも上層配線パターン７の側壁から開口部５ａ，５ｂの側壁を経て、下層配線パターン３-1上にかけて設けられたものとなる。また上層配線パターン７と、接続材料パターン９ａ，９ｂとの接続状態を確実にするためには、上層配線パターン７の上部に接続材料パターン９ａ，９ｂが積層された構成ともなる。
【００５５】
またさらにこの回路基板１１-2において、上述した第２接続材料パターン９ｂは、有機半導体材料からなり、ショットキーダイオードＤおよび薄膜トランジスタＴｒを形成している。特にショットキーダイオードＤは、開口部５ｂの側壁を利用した縦型ダイオードとなる。
【００５６】
以上説明した第２実施形態によれば、上層配線パターン７を形成した後に、第２接続材料パターン９ｂが形成されるため、第２接続材料パターン９ｂに対して上層配線パターン７の形成プロセスの影響が及ぼされることがない。このため、上層配線パターン７の形成においては、印刷形成した有機保護膜銀（Ａｇ）ナノコロイドインクの焼結処理を行うが、この熱工程によって、有機半導体材料からなる第２接続材料パターン９ｂが劣化することを防止できる。したがって、この第２接続材料パターン９ｂを用いて構成されたショットキーダイオードＤのダイオード特性は良好なものとなり、このショットキーダイオードＤを備えた回路基板１１-2における回路特性の向上を図ることができる。
【００５７】
また、ここで得られるショットキーダイオードＤは開口部５ｂの側壁を利用した縦型ダイオードとなる。このため、ダイオードＤの占有面積が縮小化され回路基板１１-2におけるさらなる高集積化が達成される。
【００５８】
尚、上述した第２実施形態においては、上層配線パターン７と第２下層配線パターン３-2との間に有機半導体材料からなる第２接続材料パターン９ｂを設けてショットキーダイオードＤを形成する構成とした。しかしなら、本第１実施形態は、上層配線パターン７と第１下層配線パターン３-1との間に第２接続材料パターン９ｂを設けてショットキーダイオードＤを形成しても良い。同様に、第１下層配線パターン３-1間に第２接続材料パターン９ｂを設けて薄膜トランジスタＴｒを形成して良い。この場合であっても、上層配線パターン７の形成よりも後に、第２接続材料パターン９ｂを形成することにより、同様の効果を得ることができる。
【００５９】
また、接続配線パターン９ａ，９ｂは、第１下層配線パターン３-1と、第２下層配線パターン３-2と、上層配線パターン７をと接続する状態で設けられても良い。このような場合であっても、有機半導体材料からなる第２接続材料パターン９ｂの形成が、上層配線パターン７の形成後であれば、同様の効果を得ることができる。
【００６０】
≪第２実施形態の応用例≫
図４には、第２実施形態を応用してコイルを設けた回路基板の構成例を示す模式図である。
【００６１】
この図に示すように、第２実施形態を応用したコイルは、複数層の下層配線パターン３-1，３-2をコイル形状にして、ここでの図示を省略した絶縁膜を介して積層させる。最上層の絶縁膜上にコイル形状の上層配線パターン７を積層させる。下層配線パターン３-1，３-2および上層配線パターン７のうち、最も近接して積層された２つの配線パターンのみ露出させる開口部を絶縁膜に形成し、この開口部内に導電性材料からなる接続材料パターン９を形成することによって２つの配線パターンを接続させる。このようなコイルは、ループアンテナとして用いることができる。
【００６２】
尚、接続材料パターン９を、有機半導体材料からなるものとすることで、その部分にショットキーダイオードＤや抵抗素子を形成できるため、コイルと共にショットキーダイオードや抵抗素子を組み合わせた回路の形成も可能である。この場合、有機半導体材料からなる接続材料パターンのみを、上層配線パターン７の形成よりも後工程にすれば良く、これによって上記第２実施形態等同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００６３】
１…基板、３…下層配線パターン、３-1…第１下層配線パターン、３-2…第２下層配線パターン、５…絶縁膜、５-1…第１絶縁膜、５-2…第２絶縁膜、７…上層配線パターン、５ａ，５ｂ…開口部、９…接続材料パターン（有機半導体材料）、９ａ…第１接続材料パターン（導電性材料）、９ａ…第２接続パターン（有機半導体材料）、１１-1，１１-2…回路基板、Ｄ…ショットキーダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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