(57)【要約】【課題】配線不可領域の近傍にＩＣチップを実装する場合であっても、ボンディングワイヤの長さを短くでき、ボンディングワイヤの配線を簡単とすることができるＩＣチップの実装構造を提供する。【解決手段】ＩＣチップ５の表面の中央部に貼り付けられた絶縁基板７の表面にボンディング用配線パターン８が形成された配線用サブマウント９と、配線不可領域２側のＩＣチップ５の電極４ｄと配線用サブマウント９のボンディング用配線パターン８の一端８ａとを接続する第１のボンディングワイヤ１０と、ボンディング用配線パターン８の他端８ｂと基板３の配線パターン（電源パターン１２ａ又はグランドパターン１２ｂ）とを接続する第２のボンディングワイヤ１１とを備える構造である。【選択図】図１
2011035304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に電極が形成されたＩＣチップと、
配線パターンが形成され、前記ＩＣチップが実装される基板とを備え、
前記ＩＣチップ上にボンディング用配線パターンを設け、前記ＩＣチップの電極と前記ボンディング用配線パターンを第１のボンディングワイヤにより接続し、前記ボンディング用配線パターンと前記基板の配線パターンを第２のボンディングワイヤにより接続したことを特徴とするＩＣチップの実装構造。
【請求項２】
前記ボンディング用配線パターンは、絶縁基板と前記絶縁基板の表面に形成された前記ボンディング用配線パターンからなる配線用サブマウントを、前記ＩＣチップの表面に設置して設けられる請求項１に記載のＩＣチップの実装構造。
【請求項３】
前記ボンディング用配線パターンは、前記ＩＣチップの表面に直接形成して設けられる請求項１に記載のＩＣチップの実装構造。
【請求項４】
前記絶縁基板は、アルミナ又はシリコンからなる請求項２に記載のＩＣチップの実装構造。
【請求項５】
前記配線用サブマウントは、前記ＩＣチップの表面に絶縁性接着剤により貼り付けられて設置される請求項２又は４に記載のＩＣチップの実装構造。
【請求項６】
前記ボンディング用配線パターンは、一端が前記ＩＣチップの電極の近傍に形成され、他端が前記基板上に形成された配線パターンの近傍に形成される請求項１〜５のいずれかに記載のＩＣチップの実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上にＩＣチップを実装するＩＣチップの実装構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気信号と光信号の間で光電変換を行う光通信モジュールは、信号伝送用の配線パターンを表面に形成した基板と、ＩＣチップ（駆動ＩＣ又は増幅用ＩＣ）と、光素子（レーザダイオード又はフォトダイオード）とを備え、ＩＣチップと光素子を基板上に並べて配置し、基板の配線パターンとＩＣチップの電極とをボンディングワイヤで電気的に接続し、ＩＣチップの電極と光素子の電極とをボンディングワイヤで電気的に接続している。
【０００３】
例えば、図３に示すように、光通信等に用いるＩＣチップ１００は、複数の電極（信号電極１０１ａ、電源電極１０１ｂ及びグランド電極１０１ｃ）が小型パッケージ１０２の表面に形成されている。ＩＣチップ１００を基板１０３に実装する際には、これら電極１０１ａ〜１０１ｃを基板１０３上の対応する配線パターン（電源パターン１０４ａ、グランドパターン１０４ｂ、信号パターン１０４ｃ）にボンディングワイヤ１０５を用いて接続する。
【０００４】
従来、ＩＣチップ１００の電源電極１０１ｂとグランド電極１０１ｃをボンディングワイヤ１０５により、基板１０３の電源ライン（電源パターン１０４ａ、グランドパターン１０４ｂ）に電気的に接続している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１４９９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、基板の端にＩＣチップを実装する場合のように、ＩＣチップの近傍に配線不可領域がある場合、ＩＣチップの電極の近傍に配線パターンを形成することができない。この場合、電極と離れた位置に配線パターンを形成し、その配線パターンと電極とをワイヤ長の長いボンディングワイヤを用いて接続する必要が生じ、ボンディングワイヤによる配線が複雑となるという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、配線不可領域の近傍にＩＣチップを実装する場合でも、ボンディングワイヤによる配線を簡単とすることができるＩＣチップの実装構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項１の発明は、表面に電極が形成されたＩＣチップと、配線パターンが形成され、前記ＩＣチップが実装される基板とを備え、前記ＩＣチップ上にボンディング用配線パターンを設け、前記ＩＣチップの電極と前記ボンディング用配線パターンを第１のボンディングワイヤにより接続し、前記ボンディング用配線パターンと前記基板の配線パターンを第２のボンディングワイヤにより接続したＩＣチップの実装構造である。
【０００９】
請求項２の発明は、前記ボンディング用配線パターンは、絶縁基板と前記絶縁基板の表面に形成された前記ボンディング用配線パターンからなる配線用サブマウントを、前記ＩＣチップの表面に設置して設けられる請求項１に記載のＩＣチップの実装構造である。
【００１０】
請求項３の発明は、前記ボンディング用配線パターンは、前記ＩＣチップの表面に直接形成して設けられる請求項１に記載のＩＣチップの実装構造である。
【００１１】
請求項４の発明は、前記絶縁基板は、アルミナ又はシリコンからなる請求項２に記載のＩＣチップの実装構造である。
【００１２】
請求項５の発明は、前記配線用サブマウントは、前記ＩＣチップの表面に絶縁性接着剤により貼り付けられて設置される請求項２又は４に記載のＩＣチップの実装構造である。
【００１３】
請求項６の発明は、前記ボンディング用配線パターンは、一端が前記ＩＣチップの電極の近傍に形成され、他端が前記基板上に形成された配線パターンの近傍に形成される請求項１〜５のいずれかに記載のＩＣチップの実装構造である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、配線不可領域の近傍にＩＣチップを実装する場合でも、ボンディングワイヤによる配線を簡単とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施の形態に係るＩＣチップの実装構造を示す図である。
【図２】本発明の変形例を示す図である。
【図３】従来のＩＣチップの実装構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００１７】
図１は、本実施の形態に係るＩＣチップの実装構造を示す図である。
【００１８】
図１に示すように、ＩＣチップの実装構造１は、基板３と、四角形の形状を有し、その表面の辺に沿って電極（信号電極４ａ、電源電極４ｂ、グランド電極４ｃ）が形成されると共に、配線不可領域２の近傍に配置されたＩＣチップ５と、そのＩＣチップ５が配置された周囲の基板３上に形成された配線パターン（電源パターン１２ａ、グランドパターン１２ｂ、信号パターン１２ｃ）と、ＩＣチップ５の各電極４ａ〜４ｃと接続対象の配線パターンとを接続するボンディングワイヤ６とを備える構造である。
【００１９】
図１において、ＩＣチップの上側辺と下側辺にそれぞれ８個の信号電極４ａが配置されている。また、ＩＣチップの右側辺と左側辺のそれぞれに、図１上下方向に３個ずつ電源電極４ｂとグランド電極４ｃが配置されている。電源電極４ｂとグランド電極４ｃが１つずつ形成されているＩＣチップが用いられる場合もあるが、本実施の形態においては、電源電極４ｂとグランド電極４ｃが複数形成されており、それにより電源とグランドの電位を安定させて高周波特性を向上させたＩＣチップ５を用いている。なお、ＩＣチップの電極の数や配置は本実施の形態に限られるものではない。
【００２０】
配線不可領域２とは、配線パターンを形成することができない領域のことである。例えば、基板の端にＩＣチップが実装される場合におけるＩＣチップの近傍の基板の表面がない領域や、実装されたＩＣチップの近傍に他の電子部品が実装されている領域などである。
【００２１】
上述したように、従来、配線不可領域の近傍にＩＣチップを実装する場合、ＩＣチップに形成された電極の近傍に配線パターン（図１では、電源パターン１２ａ、グランドパターン１２ｂ）を形成することができず、電極と離れた位置に配線パターンを形成し、その配線パターンと電極とをワイヤ長の長いボンディングワイヤを用いて接続する必要があった。
【００２２】
本実施の形態のＩＣチップの実装構造１は、ＩＣチップ５の表面の中央部に貼り付けられて設置されたボンディング用配線パターン８を有する配線用サブマウント９と、配線不可領域２側のＩＣチップ５の電極（図１では、図示左側の電源電極４ｂ及びグランド電極４ｃ）４ｄと配線用サブマウント９のボンディング用配線パターン８の一端８ａとを接続する第１のボンディングワイヤ１０と、ボンディング用配線パターン８の他端８ｂと基板３の配線パターン（電源パターン１２ａ又はグランドパターン１２ｂ）とを接続する第２のボンディングワイヤ１１とを備える構造である。
【００２３】
配線用サブマウント９は、絶縁基板７とその表面に形成されたボンディング用配線パターン８からなる。
【００２４】
絶縁基板７は、シリコンと線膨張係数の近いアルミナ又はシリコンからなるとよい。一般にＩＣチップ５はシリコン製であり、ＩＣチップ５と絶縁基板７の線膨張係数が大きく異なる場合、ＩＣチップ５の使用に際してＩＣチップ５が熱を持ったとき、その表面から絶縁基板７が剥離する可能性があるからである。この絶縁基板７は、ＩＣチップの表面に絶縁性接着剤（絶縁性樹脂も含む）を介して貼り付けられる。
【００２５】
絶縁基板７の表面に形成されるボンディング用配線パターン８は、その一端８ａが配線不可領域２側のＩＣチップ５の電極４ｄの近傍に形成され、他端８ｂが基板３上に形成された接続対象の配線パターン（電源パターン１２ａ又はグランドパターン１２ｂ）の近傍に形成される。
【００２６】
これにより、配線不可領域２側のＩＣチップ５の電極４ｄと、接続対象の配線パターンとの間を接続する第１及び第２のボンディングワイヤ１０，１１のワイヤ長を短くすることができる。
【００２７】
このボンディング用配線パターン８は、金、銀などの高導電率材料からなる金属膜で形成されるとよい。ボンディング用配線パターン８は、例えば、絶縁基板７の表面に金属膜を形成し、これをエッチングなどによりパターンを作製して形成される。
【００２８】
以上説明したＩＣチップの実装構造１では、ＩＣチップ５の表面の中央部に貼り付けられた絶縁基板７の表面にボンディング用配線パターン８が形成された配線用サブマウント９と、配線不可領域２側のＩＣチップ５の電極４ｄと配線用サブマウント９のボンディング用配線パターン８の一端８ａとを接続する第１のボンディングワイヤ１０と、ボンディング用配線パターン８の他端８ｂと基板３の配線パターン（電源パターン１２ａ又はグランドパターン１２ｂ）とを接続する第２のボンディングワイヤ１１とを備える構造のため、配線不可領域２の近傍にＩＣチップ５を実装する場合であっても、ボンディングワイヤの長さを短くでき、ボンディングワイヤの配線を簡単とすることができる。
【００２９】
また、ＩＣチップの実装構造１では、ボンディング用配線パターン８は、その一端８ａが配線不可領域２側のＩＣチップ５の電極４ｄの近傍に形成され、他端８ｂが基板３上に形成された接続対象の配線パターンの近傍に形成される構造のため、ボンディングワイヤの長さを短くでき、ボンディングワイヤの配線を簡単とすることができる。
【００３０】
また、絶縁基板７は、アルミナ又はシリコンからなるため、ＩＣチップ５が熱を持ったときでも線膨張係数差によりＩＣチップ５の表面から絶縁基板７が剥離するのを防止できる。
【００３１】
さらに、ボンディング用配線パターン８は、金属膜で形成され、絶縁基板７は、ＩＣチップ５の表面に絶縁性接着剤を介して貼り付けられるため、簡単な構造で、しかも低コストでボンディングワイヤを短くすることができる。
【００３２】
なお、本実施の形態では、ＩＣチップの電源電極とグランド電極を配線用サブマウントのボンディング用配線パターンを介して基板の配線パターンと接続する例を示しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、信号電極などのＩＣチップの他の電極を配線用サブマウントのボンディング用配線パターンを介して基板の配線パターンと接続するようにしてもよい。
【００３３】
また、本実施の形態では、絶縁基板７と絶縁基板７の表面に形成されたボンディング用配線パターン８からなる配線用サブマウント９を、ＩＣチップ５の表面に設置したが、図２に示すように、ＩＣチップ５の表面にボンディング用配線パターン８を直接形成してもよい。
【符号の説明】
【００３４】
１  ＩＣチップの実装構造
２  配線不可領域
３  基板
４ｂ  電源電極
４ｃ  グランド電極
４ｄ  配線不可領域側の電源及びグランド電極
５  ＩＣチップ
７  絶縁基板
８  ボンディング用配線パターン
８ａ  ボンディング用配線パターンの一端
８ｂ  ボンディング用配線パターンの他端
９  配線用サブマウント
１０  第１のボンディングワイヤ
１１  第２のボンディングワイヤ
１２ａ  電源パターン
１２ｂ  グランドパターン
【図１】
2011035304.tif 000003
【図２】
2011035304.tif 000004
【図３】
2011035304.tif 000005