(57)【要約】【課題】上下の半導体パッケージ間の接続検査を容易にし、高い信頼性を得る。【解決手段】第１半導体パッケージ１００の上に第２半導体パッケージ２００を実装した半導体モジュールにおいて、第１半導体パッケージ１００は、上面にパッド１５を有し、下面に外部との接続端子２が形成され、パッド１５と接続端子２とを電気的に接続するビア１８を有しており、第２半導体パッケージ２００の第２基板２５の面に垂直方向からのＸ線透過平面において、ビア１８の領域は、パッド１５の領域または接続端子２の領域と重なり、パッド１５の領域と接続端子２の領域は重なり、パッド１５の中心位置は、接続端子２の領域外であることを特徴とする。【選択図】図６
2011155247.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板の一方の面に第１半導体チップと基板間接続用のパッドを有し、前記第１基板の他方の面に外部との接続端子が形成され、前記パッドと前記接続端子とを電気的に接続するビアを有する第１半導体パッケージと、
第２基板の一方の面に第２半導体チップを有し、前記第２基板の他方の面に前記パッドに接続される基板間接合部を有する第２半導体パッケージを有し、
前記第２基板の面に垂直方向からのＸ線透過平面において、前記ビアの領域は、前記パッドの領域、または、前記接続端子の領域と重なり、前記パッドの領域と前記接続端子の領域は重なり、前記パッドの中心位置は、前記接続端子の領域外である
半導体モジュール。
【請求項２】
第１基板の一方の面に第１半導体チップと基板間接続用のパッドを有し、前記第１基板の他方の面に外部との接続端子が形成され、前記パッドと前記接続端子とを電気的に接続するビアを有する第１半導体パッケージと、
第２基板の一方の面に第２半導体チップを有し、前記第２基板の他方の面に前記パッドに接続される基板間接合部を有する第２半導体パッケージを有し、
前記第２基板の面に垂直方向からのＸ線透過平面において、前記ビアは、前記パッド、または、前記接続端子の領域と重なり、前記パッドの領域と前記接続端子の領域は重なり、前記接続端子の中心位置は、前記パッドの領域外である
半導体モジュール。
【請求項３】
第１基板の一方の面に第１半導体チップと基板間接続用のパッドを有し、前記第１基板の他方の面に外部との接続端子が形成され、前記パッドと前記接続端子とを電気的に接続するビアを有する第１半導体パッケージと、
第２基板の一方の面に第２半導体チップを有し、前記第２基板の他方の面に前記パッドに接続される基板間接合部を有する第２半導体パッケージを有し、
前記第２基板の面に垂直方向からのＸ線透過平面において、前記ビアは、前記パッド、または、前記接続端子の領域と重なり、前記パッドの領域と前記接続端子の領域は重なり、前記パッドの中心位置は、前記接続端子の領域外であり、前記接続端子の中心位置は、前記パッドの領域外である
半導体モジュール。
【請求項４】
複数の前記基板間接合部と複数の前記接続端子は、互いの全体が一定の距離だけずれている
請求項１から請求項３の何れかに記載の半導体モジュール。
【請求項５】
複数の前記基板間接合部と複数の前記接続端子とは、同じ方向へずれている
請求項１から請求項４の何れかに記載の半導体モジュール。
【請求項６】
第１基板の一方の面に第１半導体チップと基板間接続用のパッドを有し、前記第１基板の他方の面に外部との接続端子が形成され、前記パッドと前記接続端子とを電気的に接続するビアを有する第１半導体パッケージと、
第２基板の一方の面に第２半導体チップを有し、前記第２基板の他方の面に前記パッドに接続される基板間接合部を有する第２半導体パッケージを有し、
前記第１基板の内部には、前記第２基板の面に垂直方向から見て、前記パッドと前記接続端子とに含まれ、前記パッドと前記接続端子とを電気的に接続するビアが形成されており、前記第２基板の面に垂直方向からのＸ線透過平面において、前記ビアは、前記パッド、または、前記接続端子の領域と重なり、前記基板間接合部の中心は、前記接続端子の中心とずれており、さらに、前記接続端子の領域は前記基板間接合部の領域内に含まれている
半導体モジュール。
【請求項７】
前記接続端子の領域と、前記基板間接合部の領域とは、外接する
請求項６記載の半導体モジュール。
【請求項８】
前記第２基板の前記パッドは、前記基板間接合部が接続される部分を露出させてその周りが絶縁膜によって被覆されており、前記第２基板の面に垂直方向からのＸ線透過平面において、前記基板間接合部の領域と、前記絶縁膜の領域から露出した前記パッドの領域とは外接する
請求項６または請求項７記載の半導体モジュール。
【請求項９】
前記基板間接合部の領域と前記接続端子の領域との形状が異なる
請求項１〜請求項８の何れかに記載の半導体モジュール。
【請求項１０】
前記基板間接合部の領域と前記接続端子の領域との大きさが同じである
請求項１〜請求項９の何れかに記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体パッケージを積層して構成された半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やデジタルカメラ等の各種電子機器の小型化、高機能化の要請に伴い、電子部品においては特に複数個の半導体装置及びチップを積層、一体化してなる半導体モジュール（Package on Package、ＰｏＰ）が開発されている。ＰｏＰの実装においては、一層の高密度化による上下パッケージの接続歩留まりや高機能化に伴う検査感度の向上が問題となってきており、それらに対して品質そのものの向上による検査歩留まりの改善が求められてきている。
【０００３】
従来の半導体モジュールとしては特許文献１に示す積層構造が知られている。
図１７（ａ）（ｂ）は特許文献１を示す。
半導体パッケージ１００の上に半導体パッケージ２００が積層して実装されている。半導体パッケージ１００の下面には接続端子２が配置されている。半導体パッケージ１００の上面には接続端子１が配置されている。正常な製品では、接続端子１は半導体パッケージ１００の上面に形成されている接続パッド３の上に接合されている。また、接続端子１の接続面の形状と接続端子２の形状が、いずれも円形の類似形状で、かつ、接続パッド３は円形である。ここで、接続端子１，２はお互いの配置が全体として考慮されずに、半導体パッケージ１００，２００のそれぞれの配置が個別に最適化されており、半導体モジュールを上部から観察した透過画像とした場合には、お互いの大部分が重なり合った位置に配置されている。
【０００４】
また、半導体パッケージを実装したプリント基板同士を積層する例として、特許文献２に示すものが知られている。図１８（ａ）（ｂ）（ｃ）は特許文献２を示す。
図１８（ａ）の例では、プリント基板１００ａ，１００ｂが積層されている。上部のプリント基板１００ｂの電極パッド３０ｂには、溶融して固化したボール電極１０ｂを介して半導体パッケージ１ｂが実装されている。下部のプリント基板１００ａの電極パッド３０ａには、溶融して固化したボール電極１０ａを介して半導体パッケージ１ａが実装されている。
【０００５】
図１８（ｂ）は電極パッド３０ｂの平面図を示し、図１８（ｃ）は電極パッド３０ａの平面図を示している。このように電極パッド３０ａ，３０ｂは、積層状態のプリント基板１００ａ，１００ｂを上部から観察した透過画像とした場合に、その一部が重ならないように、面方向に凸部を設け、かつ逆方向に配置している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３６３１２６号公報
【特許文献２】特開２００８−２９４０１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
通常、上下の半導体パッケージ間の接続判定には電気検査が用いられる。つまり、単品検査に加え、上下間の接続状態および電気保証を行うために上下接続された積層完成品状態で再検査を実施するのが一般的である。
【０００８】
その検査においては、図１７（ａ）に示す半導体モジュールを検査装置のソケットに挿入し、上部からの荷重をかけることにより半導体パッケージ１００の接続端子２と前記ソケットの側のプローブとを接触させ、半導体モジュールの内部配線を通じて半導体パッケージ１００と半導体パッケージ２００の接続部の導通の判定を行っている。
【０００９】
しかし、このような電気検査では半導体パッケージ１００と半導体パッケージ２００との間の接合状態が、確実な接合ではなくて、単に接触しているかどうかが微妙な場合には、上記検査時の荷重により半導体パッケージ１００と半導体パッケージ２００の接続部の導通の接触が一時的に取られる状態が発生して、「電気的にＯＫ」と判定されて検査をパスしてしまう場合がある。
【００１０】
そのため、上下の接続端子においては単に接触しているだけでなく、上下がきちんと物理的に接合して接続が維持されているかどうかの判定には、非接触の透過検査としてＸ線検査や超音波探傷法（ＳＡＴ  Scanning Acoustic Tomograph ）が用いられている。
【００１１】
しかしながら、このような透過検査は、目視判定では非常に時間がかかり、自動判定でも閾値の設定が困難であったりして、接合有無の不良判定が非常に困難である。
具体的には、図１７（ａ）（ｂ）に示した特許文献１においては、接続端子１および最下部の接続端子２が鉛直方向においてボール形状であり、それらについて位置規定がなく、大部分が重なった位置にある。そのため、上部からＸ線透過させた画像では、図１７（ｂ）に示したように接続端子１と接続端子２が共に同一の円形状で、これが重なって見えるため、上下間の接合状態が確認できない。
【００１２】
さらに、上下間において接続端子の未接合状態や非接触状態では、接続端子１が接続パッド３の表面に広くに濡れ広がらないため、接続面と異なるサイズの円形状が見られるはずである。しかしその場合も、透過検査時には最下部の外部接続用端子と大部分が重なるために形状が確認できず、接合状態との区別がつかない。
【００１３】
また、図１８（ａ）（ｂ）（ｃ）に示した特許文献２においては、プリント基板の電極パッド３０ａ，３０ｂに平面的な凸部を設け、それが上下の透視画像で重ならないように配置している。しかしながら、ボール電極１０ａ，１０ｂを溶融させると、このボール電極１０ａ，１０ｂが凸形状の電極パッド３０ａ，３０ｂに合わせて変形するため、溶融固化したボール電極１０ａ，１０ｂによる接続端子の形状が左右対称でない歪んだ状態になる。
【００１４】
そのため、接合後には、形状のバランスが悪いために使用動作時の環境変化、温度変化によって、一定方向の応力集中を受けやすく、均等に応力が分散しないために信頼性の低下が懸念される。
【００１５】
本発明は、非破壊検査での接合部の良否判定を容易に行え、また確実に行うことができる半導体モジュールを提供することを目的とする。また、端子の形状として、基本の円形状や対称性を保ったまま品質及び信頼性を向上させることができる半導体モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の半導体モジュールは、第１基板の一方の面に第１半導体チップと基板間接続用のパッドを有し、前記第１基板の他方の面に外部との接続端子が形成され、前記パッドと前記接続端子とを電気的に接続するビアを有する第１半導体パッケージと、第２基板の一方の面に第２半導体チップを有し、前記第２基板の他方の面に前記パッドに接続される基板間接合部を有する第２半導体パッケージを有し、前記第２基板の面に垂直方向からのＸ線透過平面において、前記ビアの領域は、前記パッドの領域、または、前記接続端子の領域と重なり、前記パッドの領域と前記接続端子の領域は重なり、前記パッドの中心位置は、前記接続端子の領域外であることを特徴とする。
【００１７】
また本発明の半導体モジュールは、第１基板の一方の面に第１半導体チップと基板間接続用のパッドを有し、前記第１基板の他方の面に外部との接続端子が形成され、前記パッドと前記接続端子とを電気的に接続するビアを有する第１半導体パッケージと、第２基板の一方の面に第２半導体チップを有し、前記第２基板の他方の面に前記パッドに接続される基板間接合部を有する第２半導体パッケージを有し、前記第２基板の面に垂直方向からのＸ線透過平面において、前記ビアは、前記パッド、または、前記接続端子の領域と重なり、前記パッドの領域と前記接続端子の領域は重なり、前記接続端子の中心位置は、前記パッドの領域外であることを特徴とする。
【００１８】
また本発明の半導体モジュールは、第１基板の一方の面に第１半導体チップと基板間接続用のパッドを有し、前記第１基板の他方の面に外部との接続端子が形成され、前記パッドと前記接続端子とを電気的に接続するビアを有する第１半導体パッケージと、第２基板の一方の面に第２半導体チップを有し、前記第２基板の他方の面に前記パッドに接続される基板間接合部を有する第２半導体パッケージを有し、前記第２基板の面に垂直方向からのＸ線透過平面において、前記ビアは、前記パッド、または、前記接続端子の領域と重なり、前記パッドの領域と前記接続端子の領域は重なり、前記パッドの中心位置は、前記接続端子の領域外であり、前記接続端子の中心位置は、前記パッドの領域外であることを特徴とする。
【００１９】
また本発明の半導体モジュールは、第１基板の一方の面に第１半導体チップと基板間接続用のパッドを有し、前記第１基板の他方の面に外部との接続端子が形成され、前記パッドと前記接続端子とを電気的に接続するビアを有する第１半導体パッケージと、第２基板の一方の面に第２半導体チップを有し、前記第２基板の他方の面に前記パッドに接続される基板間接合部を有する第２半導体パッケージを有し、前記第１基板の内部には、前記第２基板の面に垂直方向から見て、前記パッドと前記接続端子とに含まれ、前記パッドと前記接続端子とを電気的に接続するビアが形成されており、前記第２基板の面に垂直方向からのＸ線透過平面において、前記ビアは、前記パッド、または、前記接続端子の領域と重なり、前記基板間接合部の中心は、前記接続端子の中心とずれており、さらに、前記接続端子の領域は前記基板間接合部の領域内に含まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
この構成によれば、下側の第１半導体パッケージと上側の第２半導体パッケージとの接合部の検査について、接合状態の良否、不良有無を容易に判定することができ、検査を確実にすることができるので、品質、信頼性の高い半導体モジュールとして供給できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】半導体モジュールの一般的な基本構造を示す断面図
【図２】（ａ）図１の半導体モジュールに使用する上側の半導体パッケージの断面図、（ｂ）図１の半導体モジュールに使用する下側の半導体パッケージの断面図
【図３】本発明の実施の形態における半導体モジュールに使用する下側の半導体パッケージの断面図
【図４】本発明の実施の形態における基板１１の投影状態の平面図
【図５】（ａ）図３の要部拡大図、（ｂ）図４要部拡大図
【図６】本発明の実施の形態における半導体モジュールの一部未接合の場合の断面図
【図７】図６に示した半導体モジュールを鉛直方向から透過させて見た平面図
【図８】本発明の実施の形態における開口部の配置関係を示す拡大平面図
【図９】本発明の別の実施の形態における下側の半導体パッケージを鉛直方向から透過させて見た平面図
【図１０】（ａ）（ｂ）本発明の実施の形態における半導体モジュールの端子拡大図
【図１１】本発明の別の実施の形態における半導体モジュールに使用する上側の半導体パッケージの断面図
【図１２】図１１に示した下側の半導体パッケージを使用した半導体モジュールの断面図
【図１３】図１２に示した半導体モジュールを鉛直方向から透過させて見た平面図
【図１４】図１２に示した半導体モジュールの未接合個所と正常接合個所を鉛直方向から透過させて見た拡大平面図
【図１５】本発明の別の具体例を示す要部の拡大断面図とその平面図
【図１６】本発明の別の具体例を示す要部の拡大断面図とその平面図
【図１７】（ａ）特許文献１に記載された半導体モジュールの断面図と（ｂ）半導体モジュールを上から透視した平面図
【図１８】（ａ）特許文献２に記載された半導体モジュールの断面図と（ｂ）電極パッド３０ｂの平面図と（ｃ）電極パッド３０ａの平面図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の実施の形態の説明に先立って、半導体モジュールの一般的な基本構造を図１と図２に基づいて説明する。なお、端子、電極及び配線等の個数および形状については省略又は図示しやすい個数および形状等としている。以下の全ての図において同様の省略などを行っている。
【００２３】
−  基本構造  −
図１は半導体モジュールの一般的な基本構造を示す。
半導体パッケージ１００の上に、半導体パッケージ２００が積層して実装されている。半導体パッケージ１００の基板１１の上面には半導体チップ１２が実装され、半導体パッケージ２００の基板２５の上面には半導体チップ２２が実装されている。
【００２４】
半導体パッケージ２００は、具体的には、汎用的な積層用メモリー装置等であって、メモリー等の半導体チップ２２を基板２５に搭載、互いの電極同士をワイヤーボンドやフリップチップ工法を用いて電気接続し、場合によっては半導体チップ２２を被覆するように樹脂で封止されている。
【００２５】
図２（ａ）は半導体パッケージ２００を示し、図２（ｂ）は半導体パッケージ１００を示している。半導体パッケージ２００の底部には、半導体パッケージ１００との接合用に基板間接合部３０が形成されている。この基板間接合部３０は、ＳｎＰｂ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＣｕ、ＳｕＢｉなどの半田材料を接合金属とした半田ボールが一般的である。
【００２６】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態の半導体モジュールは、図３に示した半導体パッケージ１００の上に、図２（ａ）に示した半導体パッケージ２００が積層して実装されている。
【００２７】
半導体パッケージ１００は、基板１１と、基板１１の上面に実装された半導体チップ１２とにより構成されている。基板１１の下面には外部接続用の接続端子２が取り付けられている。
【００２８】
半導体パッケージ１００の詳細を図３に示す。
半導体チップ１２は、平面形状が方形状のチップ基板の中央部に半導体素子が形成された集積回路形成領域（図示せず）が設けられ、その外側に複数のチップ端子２３が配置されている。チップ端子２３は、集積回路の配線の形成に使用される金属と同一の金属により形成されており、アルミニウム、銅、またはアルミニウムと銅との積層材料等で形成される。半導体チップ１２の表面は、チップ端子２３が形成されている領域を除き、ポリイミド等の絶縁膜（図示せず）で覆われている。チップ端子２３には、突起電極２４がワイヤバンプ方式またはめっき方式等の公知の方法により形成されている。突起電極２４は、半田、金、銅、およびニッケル等のいずれかからなる単体または２つ以上からなる積層体であればよく、形状は球状又は柱状のバンプであればよい。チップ端子２３は集積回路形成領域内に配置されていてもよい。
【００２９】
基板１１は、アラミド樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはセラミック等により形成された多層配線構造を有している。基板１１の上面には、半導体チップ１２に設けられた前記突起電極２４と対応する位置に複数の基板間接続用のパッド１５が形成されている。基板１１の下面には、複数の基板間接続用のパッド１７が形成されている。各パッド１７の上をソルダーレジスト又はポリイミド等のような絶縁膜２１が一部を被覆して、絶縁膜２１によって被覆されずに露出した部分が、外部接続用の複数の開口部４となっている。この開口部４によって露出したパッド１７の箇所に、接続端子２が取り付けられている。
【００３０】
半導体チップ１２は、前記基板１１にフリップチップ実装されており、前記突起電極２４が導電性接着材１４によりパッド１５に電気的に接続されている。さらに、半導体チップ１２と基板１１の接続補強のため、アンダーフィル樹脂１６がその間を埋めている。アンダーフィル樹脂１６の代わりに、非導電性樹脂フィルムの硬化収縮により接続する方法等を用いて、半導体チップ１２と基板１１との接続を行ってもよい。
【００３１】
基板１１の下面で、パッド１７の一部には、外部基板（図示せず）と電気的に接続できる外部接続用の接続端子２が、格子状に複数配置されている。この接続端子２の材料としては、ＳｎＰｂ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＣｕ、ＳｕＢｉといった半田材料、または金、銅またはニッケル等からなるボール形状のものを搭載し、融点以上にリフロー加熱することで前記外部基板に溶融接合することができる。また、接続端子２としては、表面層に金属蒸着などを行って導電性を付与した樹脂性のボール形状のものを搭載して構成することもできる。
【００３２】
基板１１の上面において、半導体チップ１２の保持領域の外側部分には、各パッド１５の上をソルダーレジスト又はポリイミド等のような絶縁膜２０が一部を被覆して、絶縁膜２０によって被覆されずに露出した部分が、半導体パッケージ２００と接続するための基板間接続用の複数の開口部３となっている。
【００３３】
この開口部３によって露出したパッド１５の箇所に、半導体パッケージ２００の底部に形成された基板間接合部３０が接続される。パッド１５の基板間接合部３０との接続箇所は酸化を防止するために、ニッケル、金めっき等のめっきによる表面処理を施している。
【００３４】
さらに、基板１１には、パッド１５とパッド１７とを電気的に接続するビア１８が設けられている。このビア１８は、基板１１の厚み方向に平行に、基板１１の平面に垂直方向に設けられている。ビア１８は、基板１１の上面から見てパッド１５とパッド１７との交差している領域の内側に形成されていることが望ましい。そうすれば、基板１１の上方からＸ線検査で透過画像を測定した場合、ビア１８の像は、上記交差領域に含まれ、検査に影響しないので、検査しやすい。
【００３５】
この結果、パッド１５とパッド１７が基板１１に対して垂直で短いビア１８によって接続されるため、放熱性がよくなるだけでなく、最短距離で配線できるので電気特性が良好である。さらに、ビルドアップ方式の多層配線をとらなくてよいので、製造が容易である。また、等長で配線できるので、高速信号の場合の配線間の特性ばらつきも低減できる。
【００３６】
−  基板間接合部３０と接続端子２の関係  −
図４は、半導体パッケージ１００の基板１１の接続端子２に加え、開口部３から露出したパッド１５の投影図を示している。図５（ａ）は図３の要部拡大図、図５（ｂ）図４の要部拡大図を示している。
【００３７】
ここで、開口部３から露出したパッド１５や接続端子２の平面形状は円形状であるが、開口部３から露出したパッド１５の中心Ｓ１５は、前記一方の面を水平方向とした場合の鉛直方向から透過させて見た場合に、接続端子２に隠れていない。例えば、開口部３から露出したパッド１５と接続端子２との中心間距離を接続端子２の半径よりも大きくする。また、開口部３から露出したパッド１５のサイズは接続端子２より大きくてよい。
【００３８】
この実施の形態では、開口部３から露出したパッド１５と、接続端子２の位置関係と大きさに特徴があって、これによって、半導体パッケージ１００と半導体パッケージ２００の接続状態を、以下に説明のように前記非接触の透過検査によって簡易に検出できる。
【００３９】
このように構成された図３に示す半導体パッケージ１００の上面に図２（ａ）に示した半導体パッケージ２００を載置し、基板間接合部３０の材料の融点以上のリフロー加熱によって溶融し凝固することによって、半導体パッケージ１００の側の開口部３から露出したパッド１５に、基板間接合部３０の下端が半田接合されて基板間接合部３０を介して半導体パッケージ１００が半導体パッケージ２００に電気接続される。
【００４０】
溶融された基板間接合部３０は、開口部３から露出したパッド１５の形状に沿った形で濡れ広がって凝固することで、基板間接合部３０の底面の形状が開口部３の形状とほぼ同一の形状となる。
【００４１】
このように正常な接合状態の場合には、開口部３が基板間接合部３０の凝固した成分で満たされるので、半導体モジュールを上部方向からＸ線透過装置等により透過観察した場合には、基板間接合部３０の底面が開口部分である開口部３から露出したパッド１５の全体に広がっている。しかも、上部方向から透過させた状態で見ても、開口部３から露出したパッド１５の中心Ｓ１５は、図４に示したように接続端子２に隠れていない。そのため、基板間接合部３０の接合面の半径を透過試験によって確認できる。
【００４２】
これに対して図６と図７には、半導体モジュールの一部に未接合がある場合を示す。
図６の左側に示す基板間接合部３０Ａのように濡れ不良が発生した接合不良個所Ｐが生じていると、基板間接合部３０Ａの底面が、開口部３から露出したパッド１５の全体に広がらないため、元の基板間接合部３０Ａの形状に近いサイズの円形状の底面を形成する。この接合不良の半導体モジュールを上部方向からＸ線透過装置等により透過観察した場合には、基板１１は樹脂材料で透過しやすく、かつ、パッド１５などは厚み自体も１０μｍ〜２０μｍと薄いために透過画像として鮮明には写らずに、それよりも相対的に厚い、例えば１００μｍ以上の厚さを持つ基板間接合部３０の未接合の端子画像が円形状として、上記の正常に接合した場合の円サイズとは異なった小さなサイズで図７のように映し出される。
【００４３】
図６と図７から分かるように、正常な接合箇所（基板間接合部３０）については、基板間接合部３０が溶融して広がった円のサイズ、つまり、開口部３から露出したパッド１５のサイズとして確認できる。これに対して、未接合箇所は元の基板間接合部３０Ａのサイズに近く、パッド１５のサイズよりも小さなサイズに確認できる。
【００４４】
このように接合不良個所Ｐについては、正常な接合箇所よりも小さいサイズの円形状に確認できるため、半導体パッケージ１００と半導体パッケージ２００の接続状態を簡易に検出できる。
【００４５】
よって、図３に示した構造の半導体パッケージ１００を下側の半導体パッケージとして使用して半導体モジュールを組み立てることによって、簡単な検査工程だけで高信頼性の半導体モジュールを実現できる。
【００４６】
−  接続端子２と開口部３から露出したパッド１５の位置関係  −
上記のように、開口部３から露出したパッド１５の中心Ｓ１５は、接続端子２に隠れていないため、基板間接合部３０の接合面の半径を透過試験によって確認できる点について、詳しく説明する。
【００４７】
図８（ａ）（ｂ）は、パッド１５の中心Ｓ１５が接続端子２に隠れていない本実施例を示す。図８（ｃ）（ｄ）には、本実施例と異なり、パッド１５の中心Ｓ１５が接続端子２に重なっている場合を示している。
【００４８】
このように、開口部３から露出したパッド１５を示す黒丸の円中心Ｓ１５が接続端子２に隠れていない図８（ａ）（ｂ）の場合には、図８（ａ）のパッド１５の方が、図８（ｂ）のパッド１５のサイズよりも小さいと目視で容易に認識できる。
【００４９】
これに対して図８（ｃ）（ｄ）では、開口部３から露出したパッド１５の円中心が、接続端子２に重なっていてパッド１５の円の半径が認識できないため、図８（ｃ）のパッド１５の方が、図８（ｄ）のパッド１５のサイズよりも小さいと目視ですぐに判別できない。
【００５０】
つまり、パッド１５の上に濡れ広がった基板間接合部３０の大きさを判定するためには、開口部３から露出したパッド１５の中心は、基板１１の表面に平行な方向（水平方向）に対して、接続端子２に重ならないことがよい。
【００５１】
なお、上記の実施の形態で開口部３から露出したパッド１５の形状は接続端子２の形状と異なるようにしてもよい。図９は接続端子２の形状が円形の場合に、開口部３から露出したパッド１５の形状が多角形の四角形の場合を示している。
【００５２】
なお、接続端子２と開口部３から露出したパッド１５とはいくらでも離れてもよいというわけでなく、図１で説明したように接続端子２と開口部３から露出したパッド１５とはビア１８が接続されているので、基板１１の上面から見て少なくとも一部が重なっている必要がある。
【００５３】
なお、基板間接合部３０と接続端子２とは、互いにその全体を一定の距離だけずらしているとよい。さらには、基板間接合部３０と接続端子２とは、同じ方向へずらしているのがよい。一定の距離とは、例えば、基板間接合部３０と接続端子２の互いの全体が同じ距離だけずれている状態である。
【００５４】
さらに、開口部３から露出したパッド１５の中心は、基板１１の表面に平行な方向（水平方向）において接続端子２に含まれず、かつ、接続端子２の中心は、基板１１の表面に平行な方向（水平方向）において、開口部３から露出したパッド１５に含まれないことでもよい。これらの事項は、本発明の他の例でも同じく有効である。
【００５５】
−  大きさ  −
図１０（ａ）（ｂ）は、接続端子２と開口部３から露出したパッド１５とが、同じ大きさである例である。
【００５６】
基板間接合部３０と開口部３から露出したパッド１５との正常な接合状態では、図１０（ａ）に示したように、接続端子２と、基板間接合部３０とで、同じサイズの円形状が見ることができる。一方、基板間接合部３０と開口部３から露出したパッド１５との接合不良状態では、図１０（ｂ）に示すように、異なるサイズが２つの円となる。両者の比較で、単に開口部分である基板間接合部３０の中心位置が見えやすいという理由だけでなく、周囲の接続端子２との相対的な違いによっても目立ちやすくなり、一目でわかるようにできる。
【００５７】
（実施の形態２）
−  基板間接合部３０と接続端子２との関係  −
図１１から図１４には、本実施の形態の変形例として、半導体モジュールの下側の半導体パッケージ１００の断面図、半導体モジュールの断面図、透過検査した平面図、接合不良状態の検出例、正常な接合状態の検出例を示す。
【００５８】
図１１のように開口部３から露出したパッド１５の径の中心と、接続端子２の中心とをずらし、さらに接続端子２を、開口部３から露出したパッド１５に対して隠れる（含む）ようにしてもよい。
【００５９】
基板間接合部３０は、予め溶融前に下側の半導体パッケージ上に搭載した状態において、上部透過して見た時に、接続端子２からはみ出すようにしておく。
また、図１２の積層状態において、基板間接合部３０の径は、接続端子２の径よりも小さくなるようにしておくことによって、正常な接合状態では、接続端子２が基板間接合部３０に隠れるため、上部からの透過検査では、基板間接合部３０のはんだ等が溶融して広がった基板間接合部３０の形状のみが確認できる。
【００６０】
これに対して、図１２の断面、図１３の平面図中に示す未接合である基板間接合部３０Ａの時には、例えば、基板間接合部３０Ａのはんだが、開口部３から露出したパッド１５の全体へ濡れ広がらないので、上部からの透過検査では、双方の円形状の一部だけが重なった画像が検出できる。以上の２つの画像の例を拡大して図１４（ａ），図１４（ｂ）に示す。
【００６１】
図１４（ａ）のように、未接合時は、２つの円の一部だけが重なった像が見られるのに対して、図１４（ｂ）のように、正常な接合状態は、接続端子２が基板間接合部３０に隠れて１つの円を成す。よって接合未接合の差異が一目にわかる。
【００６２】
図１４（ａ），図１４（ｂ）をさらに説明する。
図１４（ａ）に示した未接合の場合は、開口部３から露出したパッド１５の内側に、基板間接合部３０と接続端子２が位置する。これに対して、この正常な接合の場合は、図１４（ｂ）に示すように、開口部３から露出したパッド１５の外周部に、接続端子２が位置している。
【００６３】
このように未接合の場合に、基板間接合部３０と接続端子２が離れて観察できるとわかりやすい。基板間接合部３０と接続端子２の方向は、一直線上に両者が存在するとよりよい。特に、開口部３から露出したパッド１５の外周部に、基板間接合部３０と接続端子２が外接していると、さらにわかりやすい。
【００６４】
よって、Ｘ線等による上部からの透過検査においては、未接合の場合には、基板間接合部３０の径のサイズに近い径が観察でき、接合時には基板間接合部３０の径とは異なり、開口部３から露出したパッド１５のサイズの外形を観察できることによって、未接合／接合の別を明確に区別できる。
【００６５】
特に、積層した場合は、接合時には単一の円形状、未接合時には２つの円形状の重なりというように異なる形状を観察できるために、その対比で接合有無がさらに簡単に判別できる。
【００６６】
なお、接続端子２は、開口部３から露出したパッド１５の外周部に位置していれば、より重なりがよくわかる。
なお、基板間接合部３０は、開口部３から露出したパッド１５の外周部に位置していれば、より重なりがわかりやすくなる。
【００６７】
さらに、接続端子２は、開口部３から露出したパッド１５に外周部に位置し、かつ、基板間接合部３０は、開口部３から露出したパッド１５に外周部に位置していれば、さらに、重なりがわかりやすくなる。
【００６８】
全体を通じて、接続端子２と、基板間接合部３０との位置関係を示してきたが、基板全体としての位置関係である。一部のみ除外的に、上記位置関係をとらない場合があってもよいが、全体として、上記の位置関係であればよい。
【００６９】
また、各実施の形態のパッド１５は、基板間接続部３０との半田付け予定寸法よりも幅広であるため、パッド１５の上を絶縁膜２０によって覆い、前記半田付け予定寸法の分だけ絶縁膜２０に開口部３を形成して一部のパッド１５を露出させて基板間接続部３０と半田付け接合したが、図１５（ａ）（ｂ）に示すように、基板１１の上の基板間接続部３０との半田付け接合予定位置に、前記半田付け予定寸法のパッド１５が独立して形成した場合には、その部分の絶縁膜２０は必要でない。このように前記半田付け予定寸法のパッド１５が独立して形成した場合には、パッド１５は基板１１の内部で接続端子２ならびにその他の電気回路に接続されている。図１６（ａ）（ｂ）に示すように、パッド１５の周りに絶縁膜２０を設けて構成しても同様である。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明は、小型デバイス、携帯電話やデジタルスチールカメラ、ビデオカメラ等の各種の小型の電子機器の信頼性の向上に寄与する。
【符号の説明】
【００７１】
１００    半導体パッケージ（第１半導体パッケージ）
２００    半導体パッケージ（第２半導体パッケージ）
２      接続端子
３，４      絶縁膜２０の開口部
１１    基板（第１基板）
１２    半導体チップ（第１半導体チップ）
１４    導電性接着材
１５    パッド
１６    アンダーフィル樹脂
１７    パッド
１８    ビア
２０    絶縁膜
２２    半導体チップ（第２半導体チップ）
２３    チップ端子
２４    突起電極
２５    基板（第２基板）
３０，３０Ａ    基板間接合部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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