(57)【要約】【課題】Ｎａフラックス法において、簡便な方法によりテンプレート基板のサファイア基板を分離すること。【解決手段】ＧａとＮａの混合融液中にサファイア基板１００とＧａＮ層１０１とからなるテンプレート基板１０２を置き、混合融液の温度を８５０℃、窒素の圧力を２．５ＭＰａとして、ＧａＮ層１０１の一部をサファイア基板１００が露出するまでメルトバックし、ＧａＮ層１０１を複数の立設した柱状に残した。次に、圧力を３ＭＰａに加圧し、ＧａＮ層１０１上にＧａＮ層１０３を結晶成長させた。次に、降温によってサファイアとＧａＮとの線膨張係数差、格子定数差による応力を生じさせ、ＧａＮ層１０１にクラックを発生させた。これにより、ＧａＮ層１０３とサファイア基板１００とを分離させた。【選択図】図１
2011132110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させて、種結晶にIII 族窒化物半導体を結晶成長させるIII 族窒化物半導体の製造方法において、
前記種結晶として、サファイア基板上に気相成長方法によってｃ面を主面とする第１のIII 族窒化物半導体層を形成したテンプレート基板を用い、
III 族窒化物半導体が結晶成長しない状態で、前記テンプレート基板を前記混合融液中に保持することで、前記第１のIII 族窒化物半導体層の一部を前記サファイア基板が露出するまでメルトバックして前記第１のIII 族窒化物半導体層を複数の立設した柱状に残す第１工程と、
前記第１工程後、III 族窒化物半導体が結晶成長する状態で、前記第１のIII 族窒化物半導体層上に、前記柱状間を埋めないようにしてｃ面を主面とする第２のIII 族窒化物半導体層を成長させる第２工程と、
前記第２工程後、降温によって前記柱状に残された前記第１のIII 族窒化物半導体層にクラックを生じさせて、前記サファイア基板と前記第２のIII 族窒化物半導体層とを分離させる第３工程と、
を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。
【請求項２】
前記第２のIII 族窒化物半導体層は、０．５ｍｍ以上の厚さに成長させる、ことを特徴とする請求項１に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程におけるIII 族窒化物半導体が結晶成長しない状態は、III 族窒化物半導体が結晶成長する圧力よりも低い圧力とした状態であり、
前記第２工程におけるIII 族窒化物半導体が結晶成長する状態は、前記第１工程における圧力よりも加圧してIII 族窒化物半導体が結晶成長する圧力とした状態である、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
【請求項４】
前記第１工程における前記混合融液の温度は、前記第２工程における前記混合融液の温度と等しい、ことを特徴とする請求項３に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
【請求項５】
前記第１工程におけるIII 族窒化物半導体が結晶成長しない状態は、前記混合融液の温度をIII 族窒化物半導体が結晶成長する温度よりも高い温度とした状態であり、
前記第２工程III 族窒化物半導体が結晶成長する状態は、前記第１工程における前記混合融液の温度を降温してIII 族窒化物半導体が結晶成長する温度とした状態である、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
【請求項６】
前記第１工程における圧力は、前記第２工程における圧力と等しい、ことを特徴とする請求項５に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
【請求項７】
前記第１工程におけるIII 族窒化物半導体が結晶成長しない状態は、前記混合融液中における窒素が飽和に近い未飽和な状態であり、
前記第２工程におけるIII 族窒化物半導体が結晶成長する状態は、前記第１工程による前記第１のIII 族窒化物半導体層のメルトバックにより、前記混合融液中の窒素を過飽和とした状態である、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラックス法によるIII 族窒化物半導体の製造方法に関するものであり、特に、種結晶としてサファイア基板とIII 族窒化物半導体層とからなるテンプレート基板を用いた場合において、フラックス法により成長させたIII 族窒化物半導体層へのクラックを防止し、サファイア基板とIII 族窒化物半導体層とを分離させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮなどのIII 族窒化物半導体の製造方法として、いわゆるＮａフラックス法が知られている。これは、Ｎａ（ナトリウム）とＧａ（ガリウム）との混合融液を約８００℃、数十気圧下で窒素とを反応させて、ＧａＮを結晶成長させる方法である。
【０００３】
このＮａフラックス法では、種結晶して、たとえば、サファイア基板上にＨＶＰＥ法によってＧａＮを成長させたテンプレート基板や、ＧａＮ基板を用いる。
【０００４】
特許文献１には、種結晶としてＧａＮ基板を用い、ＮａとＧａの混合融液中に種結晶を置き、ＧａＮが結晶成長しない温度、圧力とすることで、ＧａＮ基板表面の一部をメルトバックして凹部を形成し、その後ＧａＮか結晶成長する温度、圧力としてＧａＮ基板上にＧａＮを結晶成長させることで、凹部に混合融液を充填する方法が示されている。凹部に混合融液を閉じ込めることにより、放熱性を向上させている。
【０００５】
また、特許文献２には、種結晶としてサファイア基板上にストライプ状にＧａＮ層が形成されたテンプレート基板を用い、ストライプ状のＧａＮ層上にＮａフラックス法によりＧａＮを成長させ、その後冷却によりサファイアとＧａＮとの線膨張係数差による応力を発生させて種結晶を分離させることで、良質なＧａＮ自立基板が得られることが示されている。また、ストライプ状のＧａＮ層は、ＧａＮ層の一部をサファイア基板表面が露出するまでドライエッチングすることで形成することが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１６９０２４
【特許文献２】特開２００４−２４７７１１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献２の方法では、ストライプ状にＧａＮ層を形成するドライエッチング工程と、Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶成長工程とで工程が別々に分離しているため、非常に手間のかかる方法であった。
【０００８】
そこで本発明の目的は、テンプレート基板を種結晶として用い、フラックス法によるIII 族窒化物半導体の製造方法において、簡易に良質なIII 族窒化物半導体基板を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の発明は、III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させて、種結晶にIII 族窒化物半導体を結晶成長させるIII 族窒化物半導体の製造方法において、種結晶として、サファイア基板上に気相成長方法によってｃ面を主面とする第１のIII 族窒化物半導体層を形成したテンプレート基板を用い、III 族窒化物半導体が結晶成長しない状態で、テンプレート基板を混合融液中に保持することで、第１のIII 族窒化物半導体層の一部をサファイア基板が露出するまでメルトバックして第１のIII 族窒化物半導体層を複数の立設した柱状に残す第１工程と、第１工程後、III 族窒化物半導体が結晶成長する状態で、第１のIII 族窒化物半導体層上に、柱状間を埋めないようにしてｃ面を主面とする第２のIII 族窒化物半導体層を成長させる第２工程と、第２工程後、降温によって柱状に残された第１のIII 族窒化物半導体層にクラックを生じさせて、サファイア基板と第２のIII 族窒化物半導体層とを分離させる第３工程と、を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法である。
【００１０】
ここでIII 族窒化物半導体とは、一般式Ａｌx Ｇａy Ｉｎz Ｎ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１）で表される半導体であり、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの一部を他の第１３族元素（第３Ｂ族元素）であるＢやＴｌで置換したもの、Ｎの一部を他の第１５族元素（第５Ｂ族元素）であるＰ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉで置換したものをも含むものとする。より一般的には、Ｇａを少なくとも含むＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮを示す。
【００１１】
III 族金属は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎのうち少なくとも１つであり、特にＧａのみを用い、第２のIII 族窒化物半導体層をＧａＮとすることが望ましい。また、第１のIII 族窒化物半導体層は、第２のIII 族窒化物半導体層と同一組成のIII 族窒化物半導体であることが望ましい。
【００１２】
アルカリ金属は、通常はＮａ（ナトリウム）を用いるが、Ｋ（カリウム）を用いてもよく、ＮａとＫの混合物であってもよい。さらには、Ｌｉ（リチウム）やアルカリ土類金属を混合してもよい。また、混合融液には、結晶成長させるIII 族窒化物半導体の伝導型、磁性などの物性の制御や、結晶成長の促進、雑晶の抑制、成長方向の制御、などの目的でドーパントを添加してもよい。たとえばＣ（炭素）を添加すると、雑晶の抑制や結晶成長促進の効果を得られる。また、ｎ型ドーパントしてＧｅ（ゲルマニウム）などを用いることができ、ｐ型ドーパントとしてＺｎ（亜鉛）などを用いることができる。
【００１３】
また、窒素を含む気体とは、窒素分子や、アンモニア等の窒素を構成元素として含む化合物の気体であり、それらの混合ガスでもよく、さらには希ガス等の不活性ガスを含んでいてもよい。
【００１４】
複数の立設した柱状の第１のIII 族窒化物半導体層が、サファイア基板表面において占める面積は、５０％以上１００％未満であることが望ましい。この範囲であれば、クラックがより抑制された良質な第２のIII 族窒化物半導体層を得ることができる。
【００１５】
III 族窒化物半導体が結晶成長する状態であるか、しない状態であるかは、混合融液の温度、圧力、混合融液中における窒素の飽和状態、などによって決定され、それらを制御することによって第１工程のIII 族窒化物半導体が結晶成長しない状態から第２工程のIII 族窒化物半導体が結晶成長する状態へと移行させることができる。
【００１６】
特に、第１のIII 族窒化物半導体層をメルトバックする第１工程における混合融液の温度と、フラックス法により第２のIII 族窒化物半導体層を結晶成長させる第２工程における混合融液の温度と、を等しくし、第１工程における圧力をIII 族窒化物半導体が結晶成長する圧力よりも低い圧力とし、第２工程において加圧してIII 族窒化物半導体が結晶成長する圧力とすれば、温度の制御を必要とせず、圧力の制御のみで第１工程から第２工程へと移行することができ、より製造工程の簡略化を図ることができる。
【００１７】
また、第１のIII 族窒化物半導体層をメルトバックする第１工程における圧力と、フラックス法により第２のIII 族窒化物半導体層を結晶成長させる第２工程における圧力と、を等しくし、第１工程における温度をIII 族窒化物半導体が結晶成長する温度よりも高い温度とし、第２工程において降温してIII 族窒化物半導体が結晶成長する温度とすれば、圧力の制御を必要とせず、温度の制御のみで第１工程から第２工程へと移行することができ、より製造工程の簡略化を図ることができる。
【００１８】
また、第１工程において混合融液中の窒素が飽和に近い未飽和な状態とし、その第１工程による第１のIII 族窒化物半導体層のメルトバックによって、混合融液中の窒素が過飽和な状態となることで、III 族窒化物半導体が結晶成長する状態となるようにしてもよい。この方法によれば、温度や圧力を制御せずとも第１工程から第２工程へと移行することができ、さらに製造工程を簡略化することができる。もちろん、温度や圧力を制御することで窒素が未飽和な状態から過飽和な状態へと移行させてもよい。なお、飽和に近い未飽和な状態とは、第１工程において第１のIII 族窒化物半導体層が完全にメルトバックされず、複数の立設した柱状に残った状態で、窒素が過飽和な状態となる程度に、混合融液中に窒素が融解している状態をいう。
【００１９】
第２の発明は、第１の発明において、第２のIII 族窒化物半導体層は、０．５ｍｍ以上の厚さに成長させる、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法である。
【００２０】
第３の発明は、第１工程におけるIII 族窒化物半導体が結晶成長しない状態は、III 族窒化物半導体が結晶成長する圧力よりも低い圧力とした状態であり、第２工程におけるIII 族窒化物半導体が結晶成長する状態は、第１工程における圧力よりも加圧してIII 族窒化物半導体が結晶成長する圧力とした状態である、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法である。
【００２１】
第４の発明は、第３の発明において、第１工程における混合融液の温度は、第２工程における混合融液の温度と等しい、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法である。
【００２２】
第５の発明は、第１の発明または第２の発明において、第１工程におけるIII 族窒化物半導体が結晶成長しない状態は、混合融液の温度をIII 族窒化物半導体が結晶成長する温度よりも高い温度とした状態であり、第２工程におけるIII 族窒化物半導体が結晶成長する状態は、第１工程における混合融液の温度を降温してIII 族窒化物半導体が結晶成長する温度とした状態である、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法である。
【００２３】
第６の発明は、第５の発明において、第１工程における圧力は、第２工程における圧力と等しい、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法である。
【００２４】
第７の発明は、第１の発明または第２の発明において、第１工程におけるIII 族窒化物半導体が結晶成長しない状態は、混合融液中における窒素が飽和に近い未飽和な状態であり、第２工程におけるIII 族窒化物半導体が結晶成長する状態は、第１工程による第１のIII 族窒化物半導体層のメルトバックにより、混合融液中の窒素を過飽和とした状態である、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法である。
【発明の効果】
【００２５】
第１の発明によると、フラックス法により結晶成長させたｃ面を主面とする第２のIII 族窒化物半導体層にクラックを生じさせずに、サファイア基板と第２のIII 族窒化物半導体層とを簡便に分離することができる。
【００２６】
また、第２の発明のように、本発明はフラックス法によって第２のIII 族窒化物半導体層を０．５ｍｍ以上の厚さに成長させる場合に有効である。０．５ｍｍ以上の厚さとすると、サファイアとＧａＮとの線膨張係数差、格子定数差によって生じる応力が大きくなり、ＧａＮにクラックが発生しやすくなるが、本発明を用いることでクラック抑制が効果的に働き、クラックが防止された０．５ｍｍ以上の厚さの第２のIII 族窒化物半導体層を容易に得ることができる。
【００２７】
また、第３の発明によると、圧力の制御によってIII 族窒化物半導体が結晶成長しない状態からIII 族窒化物半導体が結晶成長する状態とすることができ、特に第４の発明によると、圧力の制御のみで第１工程から第２工程へと移行することができるので、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００２８】
また、第５の発明によると、混合融液の温度の制御によってIII 族窒化物半導体が結晶成長しない状態からIII 族窒化物半導体が結晶成長する状態とすることができ、特に第６の発明によると、温度の制御のみで第１工程から第２工程へと移行することができるので、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００２９】
また、第７の発明では、混合融液中における窒素が未飽和な状態から、メルトバックによって過飽和な状態とすることで、III 族窒化物半導体が結晶成長しない状態からIII 族窒化物半導体が結晶成長する状態とすることができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】ＧａＮ結晶の製造工程について示した図。
【図２】製造装置の構成について示した図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００３２】
図１は、実施例１のＮａフラックス法によるＧａＮ結晶の製造工程について示した図であり、図２は、その製造装置の構成を示した図である。
【００３３】
まず、製造装置の構成について説明する。製造装置は、圧力容器１０と、反応容器１１と、坩堝１２と、加熱装置１３と、供給管１４、１６と、排気管１５、１７と、によって構成されている。
【００３４】
圧力容器１０は、円筒形のステンレス製であり、耐圧性を有している。また、圧力容器１０には、供給管１６、排気管１７が接続されている。圧力容器１０の内部には、反応容器１１と加熱装置１３が配置されている。反応容器１１は耐熱性を有している。反応容器１１内には、坩堝１２が配置される。坩堝１２には、ＧａとＮａを含む混合融液が保持され、混合融液中にテンプレート基板１０２が保持される。反応容器１１には、供給管１４、排気管１５が接続されており、供給管１４、排気管１５に設けられた弁（図示しない）により反応容器１１内の換気、窒素の供給、反応容器１１内の圧力の制御、を行う。また、圧力容器１０にも供給管１６より窒素が供給され、供給管１６、排気管１７の弁（図示しない）で窒素の供給量、排気量を調整することで、圧力容器１０内の圧力と反応容器１１内の圧力とがほぼ同じになるよう制御する。また、加熱装置１３により、反応容器１１内の温度を制御する。
【００３５】
なお、反応容器１１として耐圧性を有したものを使用すれば、必ずしも圧力容器１０は必要ではない。
【００３６】
次に、図１を参照に、ＧａＮ結晶の製造工程について説明する。
【００３７】
まず、サファイア基板１００上にＨＶＰＥ法によってｃ面を主面とするＧａＮ層１０１が形成されたテンプレート基板１０２を用意する（図１（ａ））。ＧａＮ層１０１の厚さは１０μｍである。
【００３８】
次に、このテンプレート基板１０２を、サファイア基板１００側が坩堝１２の底面側となるように、Ｎａ、Ｇａ、Ｃとともに坩堝１２内に配置した。ＮａやＧａは、固体の状態で坩堝１２内に配置してもよいし、液体のＮａ、Ｇａをそれぞれ坩堝１２内に入れたり、液体のＮａ、Ｇａを混合してから坩堝１２内に入れてもよい。Ｃは、ＧａＮの結晶成長促進、雑晶の抑制の目的で添加したものである。次に、加熱装置１３により加熱して坩堝１２内にＧａとＮａの混合融液を生じさせ、混合融液の温度を８５０℃とした。また、供給管１４、排気管１５により反応容器１１内に窒素を供給して、反応容器１１内の圧力を２．５ＭＰａとした。その混合融液中にテンプレート基板１０１が保持される。ここで、温度はＧａＮを結晶成長させる温度となっているが、圧力はＧａＮを結晶成長させる圧力よりも低い値となっている。そのため、ＧａＮ層１０１はメルトバックされる。メルトバックは、サファイア基板１００の表面が露出するまで行うが、ＧａＮ層１０１の一部はサファイア基板１００が露出するまではメルトバックされず、ＧａＮ層１０１が複数の立設した柱状に残される（図１（ｂ））。このような複数の立設した柱状にＧａＮ層１０１が残るのは、坩堝１２中の混合融液におけるＧａの濃度に分布が生じているために、メルトバックの速度に差が生じているからと考えられる。
【００３９】
次に、混合融液の温度を８５０℃にしたまま、供給管１４、排気管１５による窒素の供給量、排気量を調整して反応容器１１内をさらに加圧し、４ＭＰａとした。これにより温度、圧力ともにＧａＮが結晶成長する条件を満たす。この温度、圧力を１００時間維持することで、ＧａＮ層１０１上にＧａＮ層１０３を０．５ｍｍの厚さに成長させた（図１（ｃ））。ここで、ＧａＮ層１０３は、複数の立設した柱状であるＧａＮ層１０１の、柱状間１０４を埋めずに成長する。
【００４０】
これは、以下の理由によるものと考えられる。混合融液中における窒素濃度は、液面（混合融液と窒素との界面）に向かうにつれ高くなっているため、柱状のＧａＮ層１０１の混合融液に接する面のうち、柱状のＧａＮ層１０１の上面１０１ａは、他の面よりも接する混合融液の窒素濃度が高くなっている。そのため、ＧａＮは、ＧａＮ層１０１の上面１０１ａから結晶成長し始め、それを核としてテンプレート基板１０２の面方向やその面に垂直な方向へと成長していく。一端ＧａＮが結晶成長すると、その成長したＧａＮの上面が、他の面よりも接する混合融液の窒素濃度が高くなるため、ＧａＮはＧａＮ層１０１の上面１０１ａに、柱状間１０４を埋めないように成長していく。そして、それぞれの上面１０１ａから成長したＧａＮが合体していき、一連のｃ面を主面とするＧａＮ層１０３が形成される。
【００４１】
なお、ＧａＮ層１０１をメルトバックする際の混合融液の温度と、ＧａＮ層１０３を成長させる際の混合融液の温度とを等しくしているが、それぞれＧａＮがメルトバックされる範囲の温度・圧力、ＧａＮが結晶成長する範囲の温度・圧力であれば、温度は異なっていてもよい。しかし、温度を等しくすれば、ＧａＮ層１０１をメルトバックする工程からＧａＮ層１０３を成長させる工程へと移行する際に、圧力の制御のみでよく、製造工程を簡略化できる。
【００４２】
次に、加熱、加圧を停止して常温、常圧に戻し、ＧａＮ層１０３の結晶成長を終了させる。この降温時において、サファイアとＧａＮとの線膨張係数差、格子定数差によって応力が発生する。応力は主としてＧａＮ層１０１に集中し、ＧａＮ層１０１にクラックが発生する。その結果、サファイア基板１００と、ＧａＮ層１０３とが分離される（図１（ｄ））。ここで、サファイアとＧａＮとの線膨張係数差、格子定数差による応力は、ＧａＮ層１０３には集中しないため、ＧａＮ層１０３へのクラックの発生は防止される。
【００４３】
その後、ＧａＮ層１０３を取り出し、ＧａＮ層１０３に残ったＧａＮ層１０１を研磨して除去することで、クラックのない良質なＧａＮ自立基板を得ることができる。
【００４４】
なお、実施例１ではテンプレート基板のＧａＮ層１０１の厚さを１０μｍとしたが、ＧａＮ層１０１の厚さは５〜３０μｍの範囲が望ましい。５μｍよりも薄いと、ＧａＮ層１０１すべてがメルトバックされてしまうおそれがある。また、３０μｍよりも厚いと、サファイア基板１０が露出するまでメルトバックするのに時間がかかりすぎる。より望ましいＧａＮ層１０１の厚さは、１０〜３０μｍである。
【００４５】
また、実施例１では、ＧａＮ層１０３を０．５ｍｍの厚さに成長させたが、本発明はＧａＮ層１０３を０．５ｍｍ以上の厚さに成長させる場合に特に有効である。０．５ｍｍ以上の厚さとすると、サファイアとＧａＮとの線膨張係数差、格子定数差によって生じる応力が大きくなり、通常ＧａＮ層１０３にクラックが発生しやすくなるが、本発明を用いることで、クラックの発生を効果的に抑制することができるからである。
【００４６】
また、実施例１では、ＧａＮ層１０１をメルトバックする工程における混合融液の温度と、フラックス法によりＧａＮ層１０３を結晶成長させる工程における混合融液の温度と、を等しくし、ＧａＮ層１０１をメルトバックする際の圧力をＧａＮが結晶成長する圧力よりも低い圧力とし、その後、加圧してＧａＮが結晶成長する圧力とすることで、ＧａＮ層１０３を結晶成長させているが、以下の方法を用いてもよい。
【００４７】
ＧａＮ層１０１をメルトバックする工程における圧力と、フラックス法によりＧａＮ層１０３を結晶成長させる工程における圧力と、を等しくし、ＧａＮ層１０１をメルトバックする際の混合融液の温度をＧａＮが結晶成長する温度よりも高い温度とし、その後、降温してＧａＮが結晶成長する温度とすることで、ＧａＮ層１０３を結晶成長させてもよい。この方法によると、圧力の制御を必要とせず、温度の制御のみでよいため、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００４８】
また、ＧａＮ層１０１のメルトバックを開始する際に、混合融液中の窒素が飽和に近い未飽和な状態とし、その後、ＧａＮ層１０１のメルトバックによって混合融液中の窒素が過飽和な状態とすることで、ＧａＮ層１０３を結晶成長させてもよい。この方法によると、温度や圧力の制御を必要としないため、さらなる製造工程の簡略化を図ることができる。
【００４９】
また、実施例１は、ＧａＮ結晶の製造方法であったが、本発明はＧａＮ以外のIII 族窒化物半導体、たとえばＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮなどの製造にも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明により得られるIII 族窒化物半導体は、III 族窒化物半導体発光素子などを作製する際の基板として利用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１００：サファイア基板
１０１、１０３：ＧａＮ層
１０２：テンプレート基板
１０：圧力容器
１１：反応容器
１２：坩堝
１３：加熱装置
１４、１６：供給管
１５、１７：排気管
【図１】
2011132110.tif 000003
【図２】
2011132110.tif 000004