(57)【要約】      （修正有）【課題】生産性の向上を図ることのできる電気機械変換デバイスおよび電気機械変換デバイスの製造方法ならびに電気機械変換デバイスの製造に用いる半導体ウエハーを提供する。【解決手段】電気機械変換デバイスは、基板２に設けられた可動部３と、可動部３に設けられた圧電素子４と、圧電素子４と電気的に接続された第１および第２圧電素子側電極４１，４２と、を備えている。また、圧電素子４と絶縁状態で実装される信号処理回路５と、信号処理回路５と電気的に接続された第１および第２信号処理回路側電極５１，５２と、圧電素子４と信号処理回路５とを、圧電素子４の分極処理後に短絡する導電体７１，７２と、を備えている。そして、基板２の表面の周端縁には、少なくとも圧電素子４の分極処理の際に第１および第２圧電素子側電極４１，４２と接続されている第１および第２延設電極９１，９２が形成されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた可動部と、
前記可動部に設けられた圧電素子と、
前記基板の表面に設けられ、前記圧電素子と電気的に接続された第１および第２圧電素子側電極と、
前記圧電素子と絶縁状態で実装される信号処理回路と、
前記信号処理回路と電気的に接続された第１および第２信号処理回路側電極と、
前記圧電素子と前記信号処理回路とを、当該圧電素子の分極処理後に短絡する導電体と、
を備え、
前記基板の表面の周端縁には、少なくとも前記圧電素子の分極処理の際に前記第１および第２圧電素子側電極と接続されている第１および第２延設電極がそれぞれ形成されていることを特徴とする電気機械変換デバイス。
【請求項２】
前記第１および第２延設電極には、所定値以上の電流が印加されると焼断する焼断部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気機械変換デバイス。
【請求項３】
前記第１および第２延設電極には、所定値以上の熱が加えられると焼断する焼断部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気機械変換デバイス。
【請求項４】
前記可動部および前記圧電素子ならびに前記第１および第２圧電素子側電極は、互いに対向する表面で接合可能な２つの基板のうちの一方の基板に設けられており、
前記信号処理回路が前記一方の基板に前記圧電素子と絶縁状態で実装されるとともに、前記第１および第２信号処理回路側電極が当該一方の基板の表面に前記第１および第２圧電素子側電極と分離して形成されており、
他方の基板の表面における前記第１圧電素子側電極と前記第１信号処理回路側電極とに対応した部位と、前記第２圧電素子側電極と前記第２信号処理回路側電極とに対応した部位とには、前記２つの基板を前記圧電素子の分極処理後に接合した際に、前記第１および第２圧電素子側電極と前記第１および第２信号処理回路側電極とをそれぞれ短絡する第１および第２導電体が設けられていることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の電気機械変換デバイス。
【請求項５】
前記可動部および前記圧電素子ならびに前記第１および第２圧電素子側電極は、互いに対向する表面で接合可能な２つの基板のうちの一方の基板に設けられており、
前記信号処理回路が他方の基板に前記圧電素子と絶縁状態で実装されるとともに、前記第１および第２信号処理回路側電極が当該他方の基板の表面に前記第１および第２圧電素子側電極に対応した部位にそれぞれ設けられており、
前記導電体が、前記２つの基板を前記圧電素子の分極処理後に接合した際に前記圧電素子側電極と短絡する前記第１および第２信号処理回路側電極であることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の電気機械変換デバイス。
【請求項６】
前記他方の基板が光透過性を有することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の電気機械変換デバイス。
【請求項７】
請求項１〜６に記載の電気機械変換デバイスの製造方法であって、
前記可動部と、前記圧電素子と、前記第１および第２圧電素子側電極と、当該第１および第２圧電素子側電極にそれぞれ電気的に接続された第１および第２延設電極と、を有する基板形成予定部を半導体ウエハーに複数設けるとともに、当該複数の基板形成予定部のうち少なくとも２つの基板形成予定部の第１延設電極同士および第２延設電極同士をそれぞれ電気的に接続し、
前記第１延設電極と前記第２延設電極との間に電圧を印加することで各圧電素子の分極処理を行った後に、それぞれの前記圧電素子と前記信号処理回路とを前記導電体を介して短絡させることを特徴とする電気機械変換デバイスの製造方法。
【請求項８】
可動部と、当該可動部に設けられた圧電素子と、当該圧電素子と電気的に接続された第１および第２圧電素子側電極と、当該第１および第２圧電素子側電極と電気的に接続された第１および第２延設電極と、を有する基板形成予定部が複数設けられており、
前記複数の基板形成予定部のうち少なくとも２つの基板形成予定部の第１延設電極同士および第２延設電極同士がそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする半導体ウエハー。
【請求項９】
前記第１および第２延設電極には、所定値以上の電流が印加されると焼断する焼断部が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の半導体ウエハー。
【請求項１０】
前記第１および第２延設電極には、所定値以上の熱が加えられると焼断する焼断部が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の半導体ウエハー。
【請求項１１】
前記複数の基板形成予定部のうち少なくとも２つの基板形成予定部は、前記圧電素子と絶縁状態で実装される信号処理回路と、当該信号処理回路と電気的に接続され、前記第１および第２圧電素子側電極と分離形成された第１および第２信号処理回路側電極と、を有することを特徴とする請求項８〜１０のうちいずれか１項に記載の半導体ウエハー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気機械変換デバイスおよび電気機械変換デバイスの製造方法ならびに電気機械変換デバイスの製造に用いる半導体ウエハーに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、圧電素子を搭載した電気機械変換デバイスとしては、たとえば、特許文献１に開示された加速度センサがある。この加速度センサは、シリコン基板にエッチングにより形成した可動部となるカンチレバーに圧電素子を接合してあり、加速度入力により撓み変形するカンチレバーの歪量を圧電素子の電圧変化で検出して、その出力を信号処理回路で処理して取り出すようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−１８０３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、圧電素子は、たとえば、カンチレバーを成すセラミックス焼結体に半導体などの単結晶材料を接合して形成される。このような圧電セラミックス素子の振動子は、共振点で容量性のインピーダンスを持っているため、電力を有効に供給するためには高電圧を印加して分極処理する必要がある。
【０００５】
このように圧電素子を分極処理する場合、予め圧電素子に信号処理回路が接続されていると、その信号処理回路の回路素子が破損するおそれがある。そのため、圧電素子と信号処理回路とを接続した状態で分極処理する際には、信号処理回路に保護回路を設ける必要があった。このように、信号処理回路に保護回路を設けると、デバイスの生産に手間がかかってしまい、デバイスの生産性が低下してしまう。
【０００６】
そこで、本発明は、生産性の向上を図ることのできる電気機械変換デバイスおよび電気機械変換デバイスの製造方法ならびに電気機械変換デバイスの製造に用いる半導体ウエハーを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明にかかる電気機械変換デバイスは、基板に設けられた可動部と、前記可動部に設けられた圧電素子と、前記基板の表面に設けられ、前記圧電素子と電気的に接続された第１および第２圧電素子側電極と、前記圧電素子と絶縁状態で実装される信号処理回路と、前記信号処理回路と電気的に接続された第１および第２信号処理回路側電極と、前記圧電素子と前記信号処理回路とを、当該圧電素子の分極処理後に短絡する導電体と、を備え、前記基板の表面の周端縁には、少なくとも前記圧電素子の分極処理の際に前記第１および第２圧電素子側電極と接続されている第１および第２延設電極がそれぞれ形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明にかかる電気機械変換デバイスの製造方法は、請求項１〜６に記載の電気機械変換デバイスの製造方法であって、前記可動部と、前記圧電素子と、前記第１および第２圧電素子側電極と、当該第１および第２圧電素子側電極にそれぞれ電気的に接続された第１および第２延設電極と、を有する基板形成予定部を半導体ウエハーに複数設けるとともに、当該複数の基板形成予定部のうち少なくとも２つの基板形成予定部の第１延設電極同士および第２延設電極同士をそれぞれ電気的に接続し、前記第１延設電極と前記第２延設電極との間に電圧を印加することで各圧電素子の分極処理を行った後に、それぞれの前記圧電素子と前記信号処理回路とを前記導電体を介して短絡させることを特徴とする。
【０００９】
本発明にかかる半導体ウエハーは、可動部と、当該可動部に設けられた圧電素子と、当該圧電素子と電気的に接続された第１および第２圧電素子側電極と、当該第１および第２圧電素子側電極と電気的に接続された第１および第２延設電極と、を有する基板形成予定部が複数設けられており、前記複数の基板形成予定部のうち少なくとも２つの基板形成予定部の第１延設電極同士および第２延設電極同士がそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板の表面の周端縁に、少なくとも圧電素子の分極処理の際に第１および第２圧電素子側電極と接続されている第１および第２延設電極をそれぞれ形成した。そのため、複数の基板を接続させた状態で、それぞれの圧電素子の分極処理を一括して行うことができるようになり、電気機械変換デバイスの生産性の向上を図ることができる。
【００１１】
また、本発明によれば、まず、可動部と、圧電素子と、第１および第２圧電素子側電極と、当該第１および第２圧電素子側電極にそれぞれ電気的に接続された第１および第２延設電極と、を有する基板形成予定部を半導体ウエハーに複数設ける。次に、複数の基板形成予定部のうち少なくとも２つの基板形成予定部の第１延設電極同士および第２延設電極同士をそれぞれ電気的に接続する。そして、第１延設電極と第２延設電極との間に電圧を印加することで各圧電素子の分極処理を行う。その後、圧電素子と信号処理回路とを導電体を介して短絡させることで、電気機械変換デバイスを製造するようにした。したがって、複数の圧電素子の分極処理を一括して行うことができるようになり、電気機械変換デバイスの生産性の向上を図ることができる。
【００１２】
また、本発明によれば、可動部と、当該可動部に設けられた圧電素子と、当該圧電素子と電気的に接続された第１および第２圧電素子側電極と、当該第１および第２圧電素子側電極と電気的に接続された第１および第２延設電極と、を有する基板形成予定部を半導体ウエハーに複数設けた。そして、複数の基板形成予定部のうち少なくとも２つの基板形成予定部の第１延設電極同士および第２延設電極同士をそれぞれ電気的に接続させた。したがって、複数の圧電素子の分極処理を一括して行うことのできる半導体ウエハーを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態にかかる半導体ウエハーを示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態にかかる半導体ウエハーの基板形成予定部を示す拡大平面図である。
【図３】図３は、本発明の第１実施形態にかかる電気機械変換デバイスを示す図であって、（ａ）は他方の基板の対向面側から見た模式的な底面図、（ｂ）は一方の基板の対向面側から見た模式的な平面図である。
【図４】図４は、図３（ｂ）中のＡ−Ａ線に沿った模式的な要部拡大断面図である。
【図５】図５は、図３（ｂ）中のＢ−Ｂ線に沿った模式的な側断面図で、（ａ）は２つの基板を接合する前の状態、（ｂ）は２つの基板を接合した状態である。
【図６】図６は、カンチレバーの撓み変形に伴う圧電素子の動作を模式的に示す要部拡大断面図である。
【図７】図７は、圧電素子の作動に伴う機能をフローチャート形式で示す説明図である。
【図８】図８は、本発明の第１実施形態の変形例にかかる一方の基板を示す図であって、（ａ）は一方の基板の対向面側から見た模式的な平面図、（ｂ）は図８（ａ）中のＣ−Ｃ線に沿った模式的な側断面図である。
【図９】図９は、本発明の第２実施形態にかかる電気機械変換デバイスを示す図であって、（ａ）は他方の基板の対向面側から見た模式的な底面図、（ｂ）は一方の基板の対向面側から見た模式的な平面図である。
【図１０】図１０は、図９（ｂ）中のＤ−Ｄ線に沿った模式的な側断面図で、（ａ）は２つの基板を接合する前の状態、（ｂ）は２つの基板を接合した状態である。
【図１１】図１１は、本発明の第３実施形態にかかる電気機械変換デバイスを示す図であって、（ａ）は他方の基板の対向面側から見た模式的な底面図、（ｂ）は一方の基板の対向面側から見た模式的な平面図である。
【図１２】図１２は、図１１（ｂ）中のＥ−Ｅ線に沿った模式的な側断面図で、（ａ）は２つの基板を接合する前の状態、（ｂ）は２つの基板を接合した状態である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。以下では、電気機械変換デバイスとして加速度センサを例示する。また、以下の複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する。
【００１５】
（第１実施形態）
本実施形態にかかる加速度センサ１は、図３（ｂ）に示すように、シリコンで形成される構造体基板（基板）２に、入力される加速度で変位するカンチレバー（可動部）３が形成されている。カンチレバー３は、図３，５に示すように、構造体基板２にエッチング法などによって、カンチレバー３の周囲にコ字状の切除部３１を設けることにより片持ち梁状に形成される。カンチレバー３は、基部側に薄肉のビーム部３２が形成されるとともに、自由端部となる先端側に厚肉の錘部３３が形成され、加速度の入力時に錘部３３がビーム部３２の撓み変形を伴って変位するようになっている。
【００１６】
カンチレバー３のビーム部３２には、図３，４に示すように圧電素子４が設けられており、ビーム部３２の撓み変形に伴って圧電素子４で電圧が発生するようにしている。圧電素子４の圧電材料としては、ＰＺＴなどの高誘電率材料が一般的に利用されるが、これ以外にも、たとえば、ＡＩＮ、ＺｎＯおよびＦ−ＢＡＲなどの圧電特性を有する材料を圧電材料として用いることができる。
【００１７】
圧電素子４の機能としては、図６（ａ）に示すように初期状態にあるカンチレバー３に加速度が入力されて、同図（ｂ）および（ｃ）に示すようにビーム部３２に歪が生ずると、圧電素子４に圧縮応力（（ｂ）参照）や引張応力（（ｃ）参照）が発生して分極状態が変化する。すなわち、図６に示すように、加速度（または衝撃や振動）などの物理量がカンチレバー３に印加されると（ステップＳ１）、圧電素子４の分極状態が変化し（ステップＳ２）、これにより圧電素子４に電界（電荷）が発生する（ステップＳ３）。そして、発生した電荷が電圧に変換されることになり（ステップＳ４）、ひいては、入力される加速度に応じた電圧が圧電素子４から出力されることになる。
【００１８】
圧電素子４で発生した電圧変化は、構造体基板２の非変形部に実装される信号処理回路５に出力され、この信号処理回路５で処理された電気信号を取り出すことにより、入力された加速度が検知できるようになっている。信号処理回路５は、ＦＥＴなどを用いたインピーダンス変換回路や信号増幅回路として構成することができる。
【００１９】
そして、圧電素子４や信号処理回路５を設けた構造体基板２の接合側表面（表面）２ａは、シリコンやガラスなどで形成される保護基板６（図３（ａ）参照）で覆われる。
【００２０】
このように、本実施形態にかかる加速度センサ１は、少なくとも構造体基板（一方の基板）２と保護基板（他方の基板）６の２つの基板を備えており、それら構造体基板２および保護基板６は、互いに対向する接合側表面（表面）２ａ、６ａで接合可能となっている。本実施形態では、構造体基板２の接合側表面（表面）２ａの周縁部に設けられた第１および第２延設電極９１，９２の長手方向電極９１ｃ，９２ｃと、保護基板６の接合側表面（表面）６ａの周縁部に設けられた接合用媒体パターン６ｂとの接合により、構造体基板２と保護基板６とを相互に接合している（図３（ａ）、（ｂ）参照）。なお、長手方向電極９１ｃ，９２ｃ上に、別途接合用媒体パターンを設け、当該接合用媒体パターンを保護基板６の接合用媒体パターン６ｂに接合させるようにしてもよい。また、接合はＳｉ直接接合や陽極接合などの媒体を用いない接合であってもよいが、同じ構造である媒体を用いた方が位置決めし易くなる（例えば、Ａｕ−Ａｕ接合やＡｕ−Ｓｎ接合など）。
【００２１】
さらに、本実施形態では、光透過性を有する素材を用いて保護基板６を形成している。
【００２２】
構造体基板２の接合側表面（表面）２ａには、圧電素子４と電気的に接続されている第１圧電素子側電極４１および第２圧電素子側電極４２が設けられている。第１および第２圧電素子側電極４１，４２は、信号処理回路５側に向かって延びており、接合側表面（表面）２ａのカンチレバー３の変形による影響を受けない部分に設けられている。さらに、構造体基板２の接合側表面（表面）２ａには、信号処理回路５と電気的に接続されている第１信号処理回路側電極５１および第２信号処理回路側電極５２が、圧電素子４側に向かって延びるように設けられている。これらの圧電素子側電極４１，４２および信号処理回路側電極５１、５２は、基板表面工程で構造体基板２の接合側表面（表面）２ａに露出した状態で設けられている。そして、第１圧電素子側電極４１と第１信号処理回路側電極５１は、所定間隔Ｓを設けて分離した状態で対向配置されているとともに、第２圧電素子側電極４２と第２信号処理回路側電極５２は、同様に所定間隔Ｓを設けて分離した状態で対向配置されている。なお、このとき、信号処理回路５には、上述した信号処理回路側電極５１、５２を設けた側とは反対側に３本の第１・第２・第３信号取出し電極５３、５４、５５が基板表面工程によって設けられるようになっている。
【００２３】
ここで、本実施形態では、構造体基板２の接合側表面（表面）２ａの周端縁に、少なくとも圧電素子４の分極処理の際に、第１圧電素子側電極４１と接続されている第１延設電極９１が形成されている。同様に、構造体基板２の接合側表面（表面）２ａの周端縁に、少なくとも圧電素子４の分極処理の際に、第２圧電素子側電極４２と接続されている第２延設電極９２が形成されている。
【００２４】
具体的には、第１延設電極９１は、図２に示すように、第１圧電素子側電極４１に接続され、構造体基板２の短手方向一方側（図２中上側）に延在する短手方向電極９１ｂと、短手方向電極９１ｂに接続され、長手方向（図２中左右方向）の一端から他端にかけて延在する長手方向電極９１ｃと、を備えている。そして、短手方向電極９１ｂには、幅狭の焼断部９１ａが設けられている。この焼断部９１ａは、所定値以上の電流が印加されると焼断するようになっている。本実施形態では、圧電素子４の分極処理時に印加される通常の電流値では焼断されず、構造体基板２が短絡（例えば、第１圧電素子側電極４１と第２圧電素子側電極４２とが短絡）した場合に、印加される高電流によって焼断部が焼断されるように設定している。なお、レーザー照射等を施すことにより所定値以上の熱を加えた場合にも、焼断部９１ａを焼断させることができる。
【００２５】
一方、第２延設電極９２は、図２に示すように、第２圧電素子側電極４２に接続され、構造体基板２の短手方向他方側（図２中下側）に延在する短手方向電極９２ｂと、短手方向電極９２ｂに接続され、長手方向（図２中左右方向）の一端から他端にかけて延在する長手方向電極９２ｃと、を備えている。そして、短手方向電極９２ｂには、幅狭の焼断部９２ａが設けられている。この焼断部９２ａも、所定値以上の電流が印加されると焼断するようになっている。そして、圧電素子４の分極処理時に印加される通常の電流値では焼断されず、構造体基板２が短絡（例えば、第１圧電素子側電極４１と第２圧電素子側電極４２とが短絡）した場合に、印加される高電流によって焼断部が焼断されるように設定している。なお、レーザー照射等を施すことにより所定値以上の熱を加えた場合にも、焼断部９２ａを焼断させることができる。
【００２６】
なお、便宜上、図２を用いて、加速度センサ１の第１および第２延設電極９１，９２を説明したが、本実施形態では、後述するように、加速度センサ１を製造する際に焼断部９１ａ，９２ａを焼断させている。したがって、加速度センサ１を製造した状態では、図３（ｂ）に示すように、第１および第２延設電極９１，９２は、第１および第２圧電素子側電極４１，４２とは絶縁されている。このように、本実施形態では、加速度センサ１を製造する際に、焼断部９１ａ，９２ａを焼断させているが、焼断部９１ａ，９２ａを焼断させずに加速度センサ１を製造してもよい。この場合、加速度センサ１を構造体基板２の対向面側から見ると、図２のように、第１および第２延設電極９１，９２が第１および第２圧電素子側電極４１，４２とそれぞれ接続された状態になっている。
【００２７】
また、本実施形態では、圧電素子４と信号処理回路５とを、圧電素子４の分極処理後に設置される第１導体パターン（第１導電体）７１および第２導体パターン（第２導電体）７２を介して短絡するようにしている。すなわち、保護基板６の接合側表面（表面）６ａにおける、構造体基板２に設けた第１圧電素子側電極４１と第１信号処理回路側電極５１に対応した部位に、第１導体パターン７１が設けられている。また、保護基板６の接合側表面（表面）６ａにおける、第２圧電素子側電極４２と第２信号処理回路側電極５２に対応した部位に、第２導体パターン７２が設けられている。これら第１導体パターン７１および第２導体パターン７２は、構造体基板２の基板表面工程以外で形成されるものである。第１導体パターン７１および第２導体パターン７２は、保護基板６の接合側表面（表面）６ａに金属膜をパターン化して形成したものである。
【００２８】
この構造体基板２と保護基板６は、圧電素子４に高電圧を印加して行う分極処理の後に接合される。図５（ａ）は、保護基板６を構造体基板２に接合しようとする状態を示し、同図（ｂ）は、保護基板６が構造体基板２に接合された状態を示す。
【００２９】
そして、それら２つの基板２、６の接合によって、第１導体パターン７１が第１圧電素子側電極４１と第１信号処理回路側電極５１とに圧接してそれら両電極４１、５１を短絡するとともに、第２導体パターン７２が第２圧電素子側電極４２と第２信号処理回路側電極５２とに圧接してそれら両電極４２、５２を短絡するようになっている。したがって、圧電素子４と信号処理回路５とは、圧電素子４の分極処理の後に電気的に接続されることになる。
【００３０】
かかる構成の加速度センサ１は、以下の手順で製造される。
【００３１】
まず、略円板状の半導体ウエハーに、カンチレバー３を複数形成する。そして、それぞれのカンチレバー３に圧電素子４を設け、半導体ウエハーの表面に、圧電素子４と電気的に接続する第１および第２圧電素子側電極４１，４２をそれぞれ形成する。そして、信号処理回路５と電気的に接続する第１および第２信号処理回路側電極５１，５２を、第１および第２圧電素子側電極４１，４２と分離するように、半導体ウエハーの表面に形成する。すなわち、圧電素子４と絶縁するように信号処理回路５を実装する。
【００３２】
このとき、第１および第２圧電素子側電極４１，４２にそれぞれ電気的に接続された第１および第２延設電極（短手方向電極９１ｂ、９２ｂおよび長手方向電極９１ｃ、９２ｃ）９１，９２を形成するとともに、短手方向電極９１ｂ、９２ｂに焼断部９１ａ，９２ａを形成する。
【００３３】
こうして、図２に示す構造体基板形成予定部（基板形成予定部）１１０が表面１００ａに複数形成された半導体ウエハー１００を形成する。
【００３４】
この半導体ウエハー１００では、構造体基板形成予定部１１０の長手方向に並設された複数の構造体基板形成予定部１１０の第１延設電極（長手方向電極９１ｃ）９１同士がそれぞれ電気的に接続されるとともに、第２延設電極（長手方向電極９２ｃ）９２同士がそれぞれ電気的に接続されている。
【００３５】
そして、長手方向電極９１ｃ，９２ｃ同士が接続された第１および第２延設電極９１，９２が構造体基板形成予定部１１０の短手方向に並設されており、それぞれが、連結部９１ｄ，９２ｄを介して電圧印加部９１ｅ，９２ｅに接続されている。すなわち、本実施形態では、半導体ウエハー１００に形成される構造体基板形成予定部１１０のすべての第１延設電極（長手方向電極９１ｃ）９１同士および第２延設電極（長手方向電極９２ｃ）９２同士が電気的に接続されている。なお、全ての構造体基板形成予定部１１０の第１延設電極９１同士および第２延設電極９２同士を接続させる必要はなく、少なくとも２つの基板形成予定部１１０の第１延設電極９１同士および第２延設電極９２同士がそれぞれ電気的に接続されていればよい。
【００３６】
そして、第１延設電極９１の電圧印加部９１ｅと、第２延設電極９２の電圧印加部９２ｅとの間に電圧を印加することで、各圧電素子４の分極処理を行う。
【００３７】
その後、焼断部９１ａ，９２ａにレーザー照射等を施すことにより所定値以上の熱を加えて当該焼断部９１ａ，９２ａを焼断させ、第１および第２延設電極９１，９２と第１および第２圧電素子側電極４１，４２とを絶縁させる。
【００３８】
その後、圧電素子４および信号処理回路５を第１導体パターン（第１導電体）７１および第２導体パターン（第２導電体）７２を介して短絡する。
【００３９】
具体的には、半導体ウエハー１００と同様に、図示せぬウエハーに複数の構造体基板形成予定部１１０のそれぞれに対応する保護基板形成予定部を形成する。
【００４０】
そして、各保護基板形成予定部表面の接合側表面における、第１圧電素子側電極４１と第１信号処理回路側電極５１に対応した部位に、第１圧電素子側電極４１と第１信号処理回路側電極５１に跨るようにして第１導体パターン７１を設ける。同時に、各保護基板形成予定部表面の接合側表面における、第２圧電素子側電極４２と第２信号処理回路側電極５２に対応した部位に、第２導体パターン７２を設ける。さらに、各保護基板形成予定部表面の接合側表面の周縁部に接合用媒体パターン６ｂを設ける。
【００４１】
そして、この保護基板形成予定部が形成されたウエハーを、半導体ウエハー１００に接合することで、圧電素子４および信号処理回路５を第１導体パターン（第１導電体）７１および第２導体パターン（第２導電体）７２を介して短絡する。
【００４２】
最後に、保護基板形成予定部が接合した状態の構造体基板形成予定部１１０をダイシングすることで、加速度センサ１が形成される。
【００４３】
なお、本実施形態では、光透過性を有する素材を用いて保護基板６を形成しているため、焼断部９１ａ，９２ａの焼断をウエハーと半導体ウエハー１００とを接合させた後に行うことも可能である。
【００４４】
また、ウエハーおよび半導体ウエハー１００を先にダイシングして、複数の構造体基板２および保護基板６を形成した後に、構造体基板２と保護基板６とを接合させて加速度センサ１を形成するようにしてもよい。
【００４５】
以上説明したように、本実施形態では、構造体基板（基板）２の接合側表面（表面）２ａの周端縁に、少なくとも圧電素子４の分極処理の際に第１および第２圧電素子側電極４１，４２と接続されている第１および第２延設電極９１，９２をそれぞれ形成した。そのため、複数の構造体基板（基板）２を接続させた状態で、それぞれの圧電素子４の分極処理を一括して行うことができるようになり、加速度センサ（電気機械変換デバイス）１の生産性の向上を図ることができる。
【００４６】
また、本実施形態によれば、第１および第２延設電極９１，９２に、所定値以上の電流が印加されると焼断する焼断部９１ａ，９２ａを設けている。そのため、複数の構造体基板（基板）２の圧電素子４の分極処理を一括して行う際に、いずれかの構造体基板（基板）２が短絡（例えば、第１圧電素子側電極４１と第２圧電素子側電極４２とが短絡）している場合には、短絡が生じた構造体基板（基板）２に印加される高電流によって焼断部９１ａ，９２ａを焼断させることができる。その結果、短絡が生じた構造体基板（基板）２に電流が印加されなくなり、他の構造体基板（基板）２の圧電素子４の分極処理を通常通り行うことができるようになる。
【００４７】
このように、本実施形態によれば、いずれかの構造体基板（基板）２が短絡している場合であっても、当該短絡が他の構造体基板（基板）２の圧電素子４の分極処理に影響を与えてしまうのを抑制することができ、加速度センサ（電気機械変換デバイス）１の生産性が低下してしまうのを抑制することができる。
【００４８】
また、本実施形態のように、所定値以上の熱を加えて第１および第２延設電極９１，９２を焼断し、第１および第２圧電素子側電極４１，４２と第１および第２延設電極９１，９２とを絶縁させれば、加速度センサ（電気機械変換デバイス）１の絶縁信頼性を向上させることができる。
【００４９】
また、本実施形態によれば、２つの基板のうちの構造体基板（一方の基板）２に、第１および第２圧電素子側電極４１，４２と第１および第２信号処理回路側電極５１，５２とを絶縁状態で設けた。また、保護基板（他方の基板）６には、第１圧電素子側電極４１と第１信号処理回路側電極５１とに対応した部位に第１導体パターン（第１導電体）７１を設けるとともに、第２圧電素子側電極４２と第２信号処理回路側電極５２とに対応した部位に第２導体パターン（第２導電体）７２を設けた。そして、構造体基板２および保護基板６を圧電素子４の分極処理後に接合する際に、第１導体パターン（第１導電体）７１が第１圧電素子側電極４２と第１信号処理回路側電極５１とを短絡させるとともに、第２導体パターン（第２導電体）７２が第２圧電素子側電極４２と第２信号処理回路側電極５２とを短絡させるようにした。
【００５０】
このように、本実施形態によれば、分極処理を行う際には信号処理回路５が圧電素子４に接続されていないため、両者間の絶縁状態が確保され分極処理時の高電圧が信号処理回路５に印加されてしまうのを防止することができる。その結果、信号処理回路５を高電圧から保護するための保護回路が不要となり、コストパフォーマンスの向上を図りつつ加速度センサ（電気機械変換デバイス）１の小型化を達成することができる。さらに、このように構成された加速度センサ（電気機械変換デバイス）１は信号処理一体構造となるため、ノイズなどの影響を受けにくくなり、精度の高い加速度センサ（電気機械変換デバイス）１を得ることができる。
【００５１】
また、本実施形態によれば、保護基板（他方の基板）６が光透過性を有するようにした。そのため、構造体基板２と保護基板６とを接合した状態で、第１および第２延設電極９１，９２にレーザー照射等を施すことができるようになる。すなわち、２つの基板２，６を接合した状態で、第１および第２延設電極９１，９２を焼断して、第１および第２圧電素子側電極４１，４２と第１および第２延設電極９１，９２とを絶縁させ、加速度センサ（電気機械変換デバイス）１の絶縁信頼性を向上させることができる。このように、本実施形態によれば、２つの基板を接合した後にも加速度センサ（電気機械変換デバイス）１の絶縁信頼性を向上させることができるようになる。
【００５２】
また、本実施形態によれば、まず、カンチレバー（可動部）３と、圧電素子４と、第１および第２圧電素子側電極４１，４２と、当該第１および第２圧電素子側電極４１，４２にそれぞれ電気的に接続された第１および第２延設電極９１，９２と、を有する基板形成予定部１１０を半導体ウエハー１００に複数設ける。次に、複数の基板形成予定部１１０のうち少なくとも２つの基板形成予定部１１０の第１延設電極９１同士および第２延設電極９２同士をそれぞれ電気的に接続する。そして、第１延設電極９１と第２延設電極９２との間に電圧を印加することで各圧電素子４の分極処理を行う。その後、圧電素子４と信号処理回路５とを第１導体パターン（第１導電体）７１および第２導体パターン（第２導電体）７２を介して短絡させることで、加速度センサ（電気機械変換デバイス）１を製造するようにした。したがって、複数の圧電素子４の分極処理を一括して行うことができるようになり、加速度センサ（電気機械変換デバイス）１の生産性の向上を図ることができる。
【００５３】
また、本実施形態では、第１および第２延設電極９１，９２は、それぞれ構造体基板２の短手方向両端で、長手方向の一端から他端にかけて延在する長手方向電極９１ｃ，９２ｃを備えている。したがって、複数の基板形成予定部１１０の第１延設電極９１同士および第２延設電極９２同士を直線状に接続させることができるため、複数の基板形成予定部１１０を形成する際に半導体ウエハー１００に生じる余剰スペースを極力低減することができるようになる。
【００５４】
さらに、本実施形態では、圧電素子４を分極処理した後に半導体ウエハー１００とウエハー（図示せず）とを接合するだけで、圧電素子４と信号処理回路５とを電気的に接続（短絡）することができる。このため、圧電素子４と信号処理回路５とを短絡させるための余分な工程が不要となり、コストパフォーマンスのさらなる向上および加速度センサ（電気機械変換デバイス）１の生産性のさらなる向上を図ることができる。
【００５５】
また、本実施形態によれば、カンチレバー（可動部）３と、当該カンチレバー（可動部）３に設けられた圧電素子４と、当該圧電素子４と電気的に接続された第１および第２圧電素子側電極４１，４２と、当該第１および第２圧電素子側電極４１，４２と電気的に接続された第１および第２延設電極９１，９２と、を有する基板形成予定部１１０を半導体ウエハー１００に複数設けた。そして、複数の基板形成予定部１１０のうち少なくとも２つの基板形成予定部１１０の第１延設電極９１同士および第２延設電極同士９２をそれぞれ電気的に接続させた。したがって、本実施形態によれば、複数の圧電素子４の分極処理を一括して行うことのできる半導体ウエハー１００を得ることができる。
【００５６】
また、本実施形態によれば、複数の基板形成予定部１１０の第１および第２延設電極９１，９２に、所定値以上の電流が印加されると焼断する焼断部９１ａ，９２ａを設けている。そのため、複数の基板形成予定部１１０の圧電素子４の分極処理を一括して行う際に、いずれかの基板形成予定部１１０が短絡（例えば、第１圧電素子側電極４１と第２圧電素子側電極４２とが短絡）している場合には、短絡が生じた基板形成予定部１１０に印加される高電流によって焼断部を焼断させることができる。その結果、短絡が生じた基板形成予定部１１０に電流が印加されなくなり、他の基板形成予定部１１０の圧電素子４の分極処理を通常通り行うことができるようになる。
【００５７】
このように、本実施形態によれば、いずれかの基板形成予定部１１０が短絡している場合であっても、当該短絡が他の基板形成予定部１１０の圧電素子４の分極処理に影響を与えてしまうのを抑制することができ、加速度センサ（電気機械変換デバイス）１の生産性が低下してしまうのを抑制することができる。
【００５８】
また、本実施形態によれば、複数の基板形成予定部１１０のうち少なくとも２つの基板形成予定部１１０に、圧電素子４と絶縁状態で実装される信号処理回路５を設けるとともに、当該信号処理回路５と電気的に接続され、第１および第２圧電素子側電極４１，４２と分離形成された第１および第２信号処理回路側電極５１，５２を設けた。このように、本実施形態によれば、分極処理を行う際には信号処理回路５が圧電素子４に接続されていないため、両者間の絶縁状態が確保され分極処理時の高電圧が信号処理回路５に印加されてしまうのを防止することができる。その結果、半導体ウエハー１００に信号処理回路５を高電圧から保護するための保護回路を設ける必要がなくなり、コストパフォーマンスの向上を図りつつ加速度センサ（電気機械変換デバイス）１の小型化を達成することができる。
【００５９】
ところで、本実施形態では、第１および第２圧電素子側電極４１，４２と第１および第２信号処理回路側電極５１，５２とを分離した状態で設け、圧電素子４の分極処理後に、第１導体パターン７１および第２導体パターン７２を介して第１圧電素子側電極４１と第１信号処理回路側電極５１および第２圧電素子側電極４２と第２信号処理回路側電極５２をそれぞれ短絡させている。しかし、これに限ることなく第１圧電素子側電極４１と第１信号処理回路側電極５１および第２圧電素子側電極４２と第２信号処理回路側電極５２のいずれか一方の組を予め基板表面工程で接続しておき、分極処理後に他方の組を、第１導体パターン７１および第２導体パターン７２のいずれか一方で短絡させるようにしてもよい。この場合は、第１導体パターン７１および第２導体パターン７２のいずれか一方のみを保護基板６に設ければよく、部品点数の削減を図ることができる。
【００６０】
次に、本実施形態にかかる構造体基板の変形例を説明する。
【００６１】
本変形例にかかる構造体基板２Ａには、図８に示すように、構造体基板２にエッチング法などを施すことで、短手方向両端に切除部３１を設けた両持ち梁状の可動部３が形成されている。この可動部３は、長手方向両端側に薄肉のビーム部３２が形成されるとともに、中央部に厚肉の錘部３３が形成され、加速度の入力時に錘部３３がビーム部３２の撓み変形を伴って変位するようになっている。
【００６２】
可動部３のビーム部３２には、図８に示すように圧電素子４がそれぞれ２つずつ設けられており、ビーム部３２の撓み変形に伴って圧電素子４で電圧が発生するようにしている。圧電素子４の圧電材料としては、ＰＺＴなどの高誘電率材料が一般的に利用されるが、これ以外にも、たとえば、ＡＩＮ、ＺｎＯおよびＦ−ＢＡＲなどの圧電特性を有する材料を圧電材料として用いることができる。
【００６３】
そして、構造体基板２Ａの接合側表面（表面）２Ａａの周端縁に、少なくとも圧電素子４の分極処理の際に、第１圧電素子側電極４１と接続されている第１延設電極９１が形成されている。同様に、構造体基板２の接合側表面（表面）２Ａａの周端縁に、少なくとも圧電素子４の分極処理の際に、第２圧電素子側電極４２と接続されている第２延設電極９２が形成されている。
【００６４】
以上の本変形例によっても、上記第１実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００６５】
（第２実施形態）
本実施形態にかかる加速度センサ１Ｂは、図９に示すように、基本的に上記第１実施形態と同様であって、少なくとも構造体基板２と保護基板６との２つの基板を有し、これら構造体基板２および保護基板６は、互いに対向する接合側表面（表面）２ａ、６ａで接合可能となっている。
【００６６】
また、構造体基板２の接合側表面（表面）２ａの周端縁に、少なくとも圧電素子４の分極処理の際に、第１圧電素子側電極４１と接続されている第１延設電極９１が形成されている。同様に、構造体基板２の接合側表面（表面）２ａの周端縁に、少なくとも圧電素子４の分極処理の際に、第２圧電素子側電極４２と接続されている第２延設電極９２が形成されている。
【００６７】
ここで、本実施形態が上記第１実施形態と主に異なる点は、圧電素子４を一方の構造体基板２のカンチレバー３に設けるものの、信号処理回路５を他方の保護基板６に設けるようにしたことにある。
【００６８】
具体的には、カンチレバー（可動部）３および圧電素子４ならびに第１および第２圧電素子側電極４１，４２は、互いに対向する接合側表面（表面）２ａ、６ａで接合可能な２つの基板２，６のうちの構造体基板（一方の基板）２に設けられている。
【００６９】
そして、信号処理回路５が保護基板（他方の基板）６に圧電素子４と絶縁状態で実装されるとともに、第１および第２信号処理回路側電極５６，５７が当該保護基板（他方の基板）６の接合側表面（表面）６ａに第１および第２圧電素子側電極４１，４２に対応した部位にそれぞれ設けられている。
【００７０】
そして、構造体基板２と保護基板６とを圧電素子４の分極処理後に接合した際に、第１および第２圧電素子側電極４１，４２と第１および第２信号処理回路側電極５６，５７とをそれぞれ電気的に接続することで、圧電素子４と信号処理回路５とを短絡させている。
【００７１】
このように、本実施形態では、第１および第２信号処理回路側電極５１，５２が、構造体基板２と保護基板６とを圧電素子４の分極処理後に接合した際に、圧電素子４と信号処理回路５とを短絡させる導電体としての機能も有している。
【００７２】
また、構造体基板２の接合面２ａには、第１・第２圧電素子側電極４１、４２とは分離して３本の第４・第５・第６信号取出し電極５８、５９、６０が設けられるとともに、保護基板６の接合面６ａには、信号処理回路５から各信号取出し電極５８、５９、６０にそれぞれ対応した部位に向かって３本の第３・第４・第５導体パターン６１、６２、６３が設けられている。
【００７３】
そして、構造体基板２と保護基板６とを圧電素子４の分極処理後に接合した際に、第３・第４・第５導体パターン６１、６２、６３が第４・第５・第６信号取出し電極５８、５９、６０とそれぞれ短絡し、信号処理回路５で処理された信号を外部に取り出せるようにしている。
【００７４】
また、構造体基板２と保護基板６とは、図１０に示すように、圧電素子４に高電圧を印加して行う分極処理の後に接合するようになっている。図１０（ａ）は、保護基板６を構造体基板２に接合しようとする状態を示し、同図（ｂ）は、保護基板６が構造体基板２に接合された状態を示す。
【００７５】
なお、本実施形態では、図９にて、焼断部９１ａ，９２ａが焼断されていない加速度センサ１Ｂを図示したが、圧電素子４の分極処理後にレーザー照射等を施すことにより熱を加えて焼断部９１ａ，９２ａを焼断させるようにしてもよい。
【００７６】
そして、本実施形態にかかる加速度センサ１Ｂも、上記第１実施形態と同様の方法で製造される。
【００７７】
すなわち、カンチレバー（可動部）３と、圧電素子４と、第１および第２圧電素子側電極４１，４２と、当該第１および第２圧電素子側電極４１，４２にそれぞれ電気的に接続された第１および第２延設電極９１，９２と、を有する基板形成予定部を半導体ウエハーに複数設ける。次に、複数の基板形成予定部のうち少なくとも２つの基板形成予定部の第１延設電極９１同士および第２延設電極９２同士をそれぞれ電気的に接続する。そして、第１延設電極９１と第２延設電極９２との間に電圧を印加することで各圧電素子４の分極処理を行う。その後、第１および第２圧電素子側電極４１，４２と第１および第２信号処理回路側電極５６，５７とをそれぞれ電気的に接続し、圧電素子４と信号処理回路５とを短絡させることで、加速度センサ（電気機械変換デバイス）１Ｂが製造される。
【００７８】
なお、本実施形態にかかる基板形成予定部は、平面視で図９（ｂ）に示す形状であることはいうまでもない。
【００７９】
以上の本実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００８０】
また、本実施形態によれば、構造体基板（２つの基板のうち一方の基板）２に、第１および第２圧電素子側電極４１，４２を設けるとともに、保護基板（他方の基板）６の第１圧電素子側電極４１，４２に対応した部位に第１信号処理回路側電極５６を設け、第２圧電素子側電極４２に対応した部位に第２信号処理回路側電極５７を設けた。そして、構造体基板２および保護基板６を圧電素子４の分極処理後に接合する際に、第１信号処理回路側電極５６が第１圧電素子側電極４１と短絡するとともに、第２信号処理回路側電極５７が第２圧電素子側電極４２と短絡するようにした。すなわち、第１および第２信号処理回路側電極５６，５７を、圧電素子４と信号処理回路５とを圧電素子４の分極処理後に短絡する導電体として用いている。
【００８１】
このように、本実施形態によれば、分極処理を行う際には信号処理回路５が圧電素子４に接続されていないため、両者間の絶縁状態が確保され分極処理時の高電圧が信号処理回路５に印加されてしまうのを防止することができる。その結果、信号処理回路５を高電圧から保護するための保護回路が不要となり、コストパフォーマンスの向上を図りつつ加速度センサ（電気機械変換デバイス）１Ｂの小型化を達成することができる。
【００８２】
特に、本実施形態によれば、圧電素子４と信号処理回路５とを同一基板上に設ける必要がないため、加速度センサ（電気機械変換デバイス）１Ｂの幅方向の小型化を図ることができる。また、第１および第２信号処理回路側電極５６，５７が、圧電素子４と信号処理回路５とを圧電素子４の分極処理後に短絡する導電体として用いているため、新たに導電体を設ける必要がなくなる。その結果、コストパフォーマンスのさらなる向上を図ることができる上、加速度センサ（電気機械変換デバイス）１Ｂの生産性のさらなる向上を図ることができる。
【００８３】
（第３実施形態）
本実施形態にかかる加速度センサ１Ｃは、図１１に示すように、基本的に上記第１実施形態と同様であって、少なくとも構造体基板２と保護基板６との２つの基板を有し、これら構造体基板２および保護基板６は、互いに対向する接合側表面（表面）２ａ、６ａで接合可能となっている。
【００８４】
また、構造体基板２の接合側表面（表面）２ａの周端縁に、少なくとも圧電素子４の分極処理の際に、第１圧電素子側電極４１と接続されている第１延設電極９１が形成されている。同様に、構造体基板２の接合側表面（表面）２ａの周端縁に、少なくとも圧電素子４の分極処理の際に、第２圧電素子側電極４２と接続されている第２延設電極９２が形成されている。
【００８５】
ここで、本実施形態が上記第１実施形態と主に異なる点は、第１圧電素子側電極４１と第１信号処理回路側電極５１および第２圧電素子側電極４２と第２信号処理回路側電極５２を、圧電素子４の分極処理後に設置される第１ボンディングワイヤ（第１導電体）８１および第２ボンディングワイヤ（第２導電体）８２を介して接続するようにしたことにある。
【００８６】
そして、第１ボンディングワイヤ８１および第２ボンディングワイヤ８２を介して圧電素子４と信号処理回路５とを短絡させた後に、構造体基板２と保護基板６とが接合される。すなわち、圧電素子４に高電圧を印加して分極処理を行った後、第１ボンディングワイヤ８１および第２ボンディングワイヤ８２を介して圧電素子４と信号処理回路５とを短絡し、その後に構造体基板２と保護基板６とが接合される。図１１（ａ）は、保護基板６を構造体基板２に接合しようとする状態を示し、同図（ｂ）は、保護基板６が構造体基板２に接合された状態を示す。
【００８７】
なお、本実施形態では、図１１にて、焼断部９１ａ，９２ａが焼断されていない加速度センサ１Ｃを図示したが、圧電素子４の分極処理後にレーザー照射等を施すことにより熱を加えて焼断部９１ａ，９２ａを焼断させるようにしてもよい。
【００８８】
そして、本実施形態にかかる加速度センサ１Ｃも、上記第１実施形態と同様の方法で製造される。
【００８９】
すなわち、カンチレバー（可動部）３と、圧電素子４と、第１および第２圧電素子側電極４１，４２と、当該第１および第２圧電素子側電極４１，４２にそれぞれ電気的に接続された第１および第２延設電極９１，９２と、を有する基板形成予定部を半導体ウエハーに複数設ける。
【００９０】
次に、複数の基板形成予定部のうち少なくとも２つの基板形成予定部の第１延設電極９１同士および第２延設電極９２同士をそれぞれ電気的に接続する。そして、第１延設電極９１と第２延設電極９２との間に電圧を印加することで各圧電素子４の分極処理を行う。
【００９１】
その後、第１圧電素子側電極４１と第１信号処理回路側電極５１および第２圧電素子側電極４２と第２信号処理回路側電極５２を、圧電素子４の分極処理後に設置される第１ボンディングワイヤ８１および第２ボンディングワイヤ８２を介して接続する。こうして、圧電素子４と信号処理回路５とを短絡させることで、加速度センサ（電気機械変換デバイス）１Ｃが製造される。
【００９２】
なお、本実施形態にかかる基板形成予定部が、平面視で図１１（ｂ）から第１ボンディングワイヤ８１および第２ボンディングワイヤ８２を取り除いた形状をしていることはいうまでもない。
【００９３】
以上の本実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００９４】
また、本実施形態によれば、分極処理後に圧電素子４と信号処理回路５とを接続する導電体としてボンディングワイヤ８１、８２を用いたため、導電体としての部品コストを低減して、より安価な加速度センサ（電気機械変換デバイス）１Ｃを得ることができる。
【００９５】
ところで、本実施形態では、第１および第２圧電素子側電極４１，４２と第１および第２信号処理回路側電極５１，５２とを分離した状態で設け、圧電素子４の分極処理後に、第１圧電素子側電極４１と第１信号処理回路側電極５１とを第１ボンディングワイヤ８１で接続するとともに、第２圧電素子側電極４２と第２信号処理回路側電極５２とを第２ボンディングワイヤ８２で接続してそれぞれを短絡させている。しかし、これに限ることなく第１圧電素子側電極４１と第１信号処理回路側電極５１および第２圧電素子側電極４２と第２信号処理回路側電極５２のいずれか一方の組を予め基板表面工程で接続しておき、分極処理後に他方の組を、第１ボンディングワイヤ８１および第２ボンディングワイヤ８２のいずれか一方で短絡させるようにしてもよい。この場合は、第１ボンディングワイヤ８１および第２ボンディングワイヤ８２のいずれか一方のみを施せばよく、部品点数の削減を図ることができる。
【００９６】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。
【００９７】
例えば、上記各実施形態では電気機械変換デバイスとして加速度センサを例示したが、これに限ることなく圧電素子の結晶の分極を利用して電気エネルギーと機械エネルギーの変換を行うことができる装置、たとえば、振動センサや環境振動による発電デバイスなどにあっても本発明を適用することができる。
【００９８】
また、上記第２および第３実施形態にあっても、上記第１実施形態の変形例と同様に、両持ち梁状の可動部を設けることができる。
【００９９】
また、上記各実施形態では、複数の基板形成予定部の長手方向電極９１ｃ，９２ｃをそれぞれ接続した半導体ウエハーを用いたものを例示したが、第１および第２延設電極の短手方向電極を、半導体ウエハーのダイシングの際に消失する部位まで延設させるとともにダイシングの際に消失する部位において長手方向に延設し、複数の基板形成予定部の第１および第２延設電極をそれぞれ接続させるようにしてもよい。
【０１００】
この場合、それぞれの短手方向電極が電気機械変換デバイス（加速度センサ）の第１および第２延設電極となる。
【０１０１】
また、構造体基板や基板形成予定部、第１および第２延設電極、可動部、圧電素子、その他細部のスペック（形状、大きさ、レイアウト等）も適宜に変更可能である。
【符号の説明】
【０１０２】
１、１Ｂ、１Ｃ  加速度センサ（電気機械変換デバイス）
２、２Ａ  構造体基板（一方の基板）
２ａ、２Ａａ  接合側表面（表面）
３  カンチレバー（可動部）
４  圧電素子
４１  第１圧電素子側電極
４２  第２圧電素子側電極
５  信号処理回路
５１  第１信号処理回路側電極
５２  第２信号処理回路側電極
５６  第１信号処理回路側電極（第１導電体）
５７  第２信号処理回路側電極（第２導電体）
６  保護基板（他方の基板）
６ａ  接合側表面（表面）
７１  第１導電パターン（第１導電体）
７２  第２導電パターン（第２導電体）
８１  第１ボンディングワイヤ（第１導電体）
８２  第２ボンディングワイヤ（第２導電体）
９１  第１延設電極
９２  第２延設電極
１００  半導体ウエハー
１１０  基板形成予定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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