(57)【要約】【課題】負荷発熱を分散させることができて、より高電力への対応が可能になるとともに、より高精度の抵抗値修正が行える薄膜チップ抵抗器を提供する。【解決手段】絶縁基板２１の上面の両端部に形成した一対の上面電極層２２と電気的に接続されるように形成された薄膜抵抗体層２４を、一対の上面電極層２２の一方に電気的に接続される梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターン２４ａと、この第１の並列抵抗パターン２４ａに電気的に接続され、かつジグザグ抵抗パターン２４ｂの隣接する折り返し部２４ｃを略コの字形の抵抗パターン２４ｄで接続してなる粗調整用の第２の並列抵抗パターン２４ｅと、この第２の並列抵抗パターン２４ｅと一対の上面電極層２２の他方との間に電気的に接続される微調整用の抵抗パターン２４ｆとで構成するとともに、粗調整用の第２の並列抵抗パターン２４ｅは複数組直列に接続して絶縁基板２１の略中央部に配置したものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板の上面の両端部に形成した一対の上面電極層と、前記一対の上面電極層と電気的に接続されるように形成された薄膜抵抗体層と、前記薄膜抵抗体層を覆う保護膜層とを備え、前記薄膜抵抗体層を、前記一対の上面電極層における一方の上面電極層に電気的に接続される梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターンと、この第１の並列抵抗パターンに電気的に接続され、かつジグザグ抵抗パターンの隣接する折り返し部を略コの字形の抵抗パターンで接続してなる粗調整用の第２の並列抵抗パターンと、この第２の並列抵抗パターンと前記一対の上面電極層における他方の上面電極層との間に電気的に接続される微調整用の抵抗パターンとで構成するとともに、前記粗調整用の第２の並列抵抗パターンは複数組直列に接続して前記絶縁基板の略中央部に配置した薄膜チップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に使用される薄膜チップ抵抗器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、カーエレクトロニクス分野においては、機器の高精度制御化に伴い、搭載される電子部品に対する高精度化への要求が高まっている。チップ抵抗器に対しても高精度（抵抗値許容差が±０．１％、抵抗温度特性が±１０×１０-6／℃）で、かつ小形であってもより高電力を実現できる薄膜チップ抵抗器への要求が高まっている。
【０００３】
図４は従来の薄膜チップ抵抗器の断面図、図５は同薄膜チップ抵抗器の製造方法を示すフローチャートである。
【０００４】
従来の薄膜チップ抵抗器は、図４に示すように、アルミナ純度９６％程度のアルミナ基板からなる長方形の絶縁基板１の上面の両端部に形成した金を主成分とする金属有機物からなる一対の上面電極層２と、前記絶縁基板１の裏面の両端部に形成した金を主成分とする金属有機物からなる一対の裏面電極層３と、前記一対の上面電極層２を覆い、かつ一対の上面電極層２と電気的に接続されるように形成されたニッケルクロム系合金等からなる薄膜抵抗体層４と、この薄膜抵抗体層４を覆い、かつ前記絶縁基板１の上面の両端部に形成した一対の導体樹脂からなる再上面電極層５と、前記薄膜抵抗体層４を覆うとともに、前記一対の再上面電極層５の一部を覆うエポキシ系樹脂からなる保護膜層６と、前記再上面電極層５と裏面電極層３を電気的に接続するように前記絶縁基板１の両端面にそれぞれ形成した一対の端面電極層７と、露出した電極部にめっきにより形成されたニッケルめっき層および錫めっき層からなる電極めっき層８とで構成していた。
【０００５】
次に、従来の薄膜チップ抵抗器の製造方法を図５のフローチャート、図６（ａ）〜（ｃ）、図７（ａ）〜（ｃ）、図８（ａ）〜（ｃ）および図９（ａ）〜（ｄ）の製造工程図に基づいて説明する。
【０００６】
まず、図６（ａ）に示すように、１次分割溝１ａと２次分割溝１ｂを有し、かつアルミナ純度９６％程度のアルミナ基板からなるシート状の絶縁基板１を用意する。
【０００７】
次に、図６（ｂ）に示すように、絶縁基板１の上面および裏面に金を主成分とする金属有機物からなる電極ペーストを１次分割溝１ａを跨ぐようにスクリーン印刷して乾燥させ、その後、金属有機物からなる電極ペーストの有機成分だけを飛ばし、そして金属成分だけを絶縁基板１上に焼き付けるために、ベルト式連続焼成炉によって焼成し、上面電極層２および裏面電極層３（図示せず）を形成する（図５の裏面・上面電極層形成工程）。
【０００８】
次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁基板１の上面全体にニッケルクロム系合金等からなる薄膜抵抗体層４をスパッタを用いて形成する（図５の抵抗体着膜工程）。
【０００９】
次に、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、前記薄膜抵抗体層４を所定の抵抗体パターン４ａに形成するフォトリソプロセス工程（フォトレジスト塗布・乾燥、パターン露光、現像、エッチング、レジスト剥離の各工程）を行った後、抵抗体パターン４ａを安定な膜にするために、３００〜４００℃の雰囲気で熱処理を行う（図５の薄膜抵抗体層を形成する工程）。
【００１０】
次に、図８（ａ）に示すように、上面電極層２上の薄膜抵抗体層４を覆うように導体樹脂からなる再上面電極層５を形成する（図５の再上面電極層形成工程）。
【００１１】
次に、図８（ｂ）に示すように、抵抗体パターン４ａの抵抗値を所定の値に修正するためにレーザートリミングにより抵抗値修正を行って、抵抗値修正済みの抵抗体パターン４ｂとする（図５の抵抗値修正工程）。
【００１２】
次に、図８（ｃ）に示すように、抵抗値修正済みの抵抗体パターン４ｂを保護するために、熱硬化性のエポキシ系樹脂からなる保護膜層６を形成する（図５の保護膜層形成工程）。
【００１３】
次に、図９（ａ）に示すように、シート状の絶縁基板１を１次分割溝１ａに沿って分割することにより短冊状基板１ｅを得る（図５の１次分割工程）。
【００１４】
次に、図９（ｂ）に示すように、短冊状基板１ｅの端面にスパッタまたは樹脂電極塗布を用いて端面電極層７を形成する（図５の端面電極層形成工程）。
【００１５】
次に、図９（ｃ）に示すように、短冊状基板１ｅを２次分割溝１ｂに沿って分割することにより個片状基板１ｆを得る（図５の２次分割工程）。
【００１６】
最後に、図９（ｄ）に示すように、はんだ付け時の信頼性を確保するために、露出した電極部にめっきによりニッケルめっき層、錫めっき層からなる電極めっき層８を形成する工程（図５の電極めっき層形成工程）を行うことにより、従来の薄膜チップ抵抗器を製造していた。
【００１７】
上記のような構成とした従来の薄膜チップ抵抗器は、ニッケルクロム系合金等からなる薄膜抵抗体層４を用いているため、高精度で、かつ低ＴＣＲ特性を実現できるものである。
【００１８】
また、上記した従来の薄膜チップ抵抗器においては、薄膜抵抗体層４の厚さと長さが、目的とする薄膜抵抗体層４毎にそれぞれ決められるため、薄膜抵抗体層４の厚みを決める薄膜抵抗体層４のスパッタ工程の条件と、薄膜抵抗体層４の長さを決める抵抗パターンの組み合わせを定めなければならないが、例えば１０Ω〜１ＭΩといった広い範囲をすべて網羅するための薄膜抵抗体層４のスパッタ工程の条件と、抵抗体パターンの組み合わせをそれぞれ別個に定めた場合、非常に多くの組み合わせが必要となり、その結果、製造工程が非常に煩雑になるものであった。
【００１９】
上記のような煩雑さを解消するために、従来の薄膜チップ抵抗器においては、図１０に示すように、抵抗値に寄与する部分がレーザーでの損傷を受けることなく、大きな抵抗値の切り上げを実現する抵抗パターンの並列回路を形成し、かつその一部をレーザーで切断してトリミング部を形成することにより、一つの抵抗体パターンで多くの抵抗値が得られる薄膜抵抗体層９の抵抗体パターンを用いていた。すなわち、図１０に示すように、絶縁基板１０の上面の両端部に形成した一対の上面電極層１１と電気的に接続される薄膜抵抗体層９を、前記一対の上面電極層１１のうち、一方の上面電極層１１に電気的に接続されるジグザグ抵抗パターン９ａの先端部に形成された微調整用の抵抗パターン９ｂと、この微調整用の抵抗パターン９ｂに電気的に接続される梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターン９ｃと、この第１の並列抵抗パターン９ｃと前記一対の上面電極層１１における他方の上面電極層１１との間に電気的に接続され、かつジグザグ抵抗パターン９ｄの折り返し部９ｅに抵抗パターン９ｆを順次接続してなる粗調整用の第２の並列抵抗パターン９ｇとで構成するとともに、前記微調整用の抵抗パターン９ｂと、梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターン９ｃと、粗調整用の第２の並列抵抗パターン９ｇのそれぞれの一部をレーザーで切断してトリミング部１２ａ，１２ｂ，１２ｃを形成することにより、一つの抵抗体パターンで多くの抵抗値が得られる薄膜抵抗体層９の抵抗体パターンを用いていた。
【００２０】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１，２が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２１】
【特許文献１】特開平１−１０８７０３号公報
【特許文献２】特開平１−２５１６０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
上記した図１０に示す従来の薄膜チップ抵抗器における薄膜抵抗体層の抵抗体パターンにおいて、広範囲の抵抗値を実現するためには、梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターン９ｃと、粗調整用の第２の並列抵抗パターン９ｇのそれぞれをレーザーで全く切断することなく、微調整用の抵抗パターン９ｂのみをレーザーで切断してトリミング部１２ａを形成するようにすれば、抵抗値を切り上げることができるが、上記図１０に示す従来の薄膜チップ抵抗器における薄膜抵抗体層の抵抗体パターンにおいては、梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターン９ｃと、粗調整用の第２の並列抵抗パターン９ｇのそれぞれをレーザーで全く切断しなかった場合、電流経路の分布が、図１１の斜線部分で示すように、薄膜抵抗体層の抵抗体パターンの片側半分に集中することになり、これにより、負荷発熱が偏って、より高電力への対応が妨げられるという問題点を有していた。
【００２３】
また、微調整用の抵抗パターン９ｂにおいては、レーザーで切断してトリミング部１２ａを形成した場合、レーザーが進行方向に入っていくに従い、抵抗値の増加が大きくなっていくため、より高精度な抵抗値修正の実現が困難になるという問題点を有していた。
【００２４】
本発明は上記従来の問題点を解決するためになされたもので、負荷発熱を分散させることができて、より高電力への対応が可能になるとともに、より高精度の抵抗値修正が行える薄膜チップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【００２６】
本発明の請求項１に記載の発明は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上面の両端部に形成した一対の上面電極層と、前記一対の上面電極層と電気的に接続されるように形成された薄膜抵抗体層と、前記薄膜抵抗体層を覆う保護膜層とを備え、前記薄膜抵抗体層を、前記一対の上面電極層における一方の上面電極層に電気的に接続される梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターンと、この第１の並列抵抗パターンに電気的に接続され、かつジグザグ抵抗パターンの隣接する折り返し部を略コの字形の抵抗パターンで接続してなる粗調整用の第２の並列抵抗パターンと、この第２の並列抵抗パターンと前記一対の上面電極層における他方の上面電極層との間に電気的に接続される微調整用の抵抗パターンとで構成するとともに、前記粗調整用の第２の並列抵抗パターンは複数組直列に接続して前記絶縁基板の略中央部に配置したもので、この構成によれば、一対の上面電極層と電気的に接続されるように形成された薄膜抵抗体層を、前記一対の上面電極層における一方の上面電極層に電気的に接続される梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターンと、この第１の並列抵抗パターンに電気的に接続され、かつジグザグ抵抗パターンの隣接する折り返し部を略コの字形の抵抗パターンで接続してなる粗調整用の第２の並列抵抗パターンと、この第２の並列抵抗パターンと前記一対の上面電極層における他方の上面電極層との間に電気的に接続される微調整用の抵抗パターンとで構成するとともに、前記粗調整用の第２の並列抵抗パターンは複数組直列に接続して絶縁基板の略中央部に配置しているため、梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターンと、粗調整用の第２の並列抵抗パターンのそれぞれをレーザーで全く切断することなく、微調整用の抵抗パターンのみをレーザーで切断することにより、抵抗値を切り上げるようにした場合においても、電流経路は薄膜抵抗体層の抵抗体パターンの全体にわたって分散されることになり、これにより、負荷発熱が従来のように偏るということもなくなるため、より高電力への対応が可能になる。また、前記梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターンと、粗調整用の第２の並列抵抗パターンにおける抵抗値修正において、これらを目標抵抗値に近い抵抗値まで修正すれば、微調整用の抵抗パターンでのレーザーによる切断が最小限に抑えられるため、レーザーでの抵抗体損傷を最小限に抑えることができる。そしてまた、最終に行う微調整用の抵抗パターンでのレーザー進入距離が従来と同じ場合は、従来の抵抗パターン形状に比べて増加する抵抗値が少ないため、より高精度の抵抗値修正が行えるという作用効果を有するものである。
【発明の効果】
【００２７】
以上のように本発明の薄膜チップ抵抗器は、絶縁基板の上面の両端部に形成した一対の上面電極層と電気的に接続されるように形成された薄膜抵抗体層を、前記一対の上面電極層における一方の上面電極層に電気的に接続される梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターンと、この第１の並列抵抗パターンに電気的に接続され、かつジグザグ抵抗パターンの隣接する折り返し部を略コの字形の抵抗パターンで接続してなる粗調整用の第２の並列抵抗パターンと、この第２の並列抵抗パターンと前記一対の上面電極層における他方の上面電極層との間に電気的に接続される微調整用の抵抗パターンとで構成するとともに、前記粗調整用の第２の並列抵抗パターンは複数組直列に接続して前記絶縁基板の略中央部に配置しているため、梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターンと、粗調整用の第２の並列抵抗パターンのそれぞれをレーザーで全く切断することなく、微調整用の抵抗パターンのみをレーザーで切断することにより、抵抗値を切り上げるようにした場合においても、電流経路は薄膜抵抗体層の抵抗体パターンの全体にわたって分散されることになり、これにより、負荷発熱が従来のように偏るということもなくなるため、より高電力への対応が可能になる。また、前記梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターンと、粗調整用の第２の並列抵抗パターンにおける抵抗値修正において、これらを目標抵抗値に近い抵抗値まで修正すれば、微調整用の抵抗パターンでのレーザーによる切断が最小限に抑えられるため、レーザーでの抵抗体損傷を最小限に抑えることができる。そしてまた、最終に行う微調整用の抵抗パターンでのレーザー進入距離が従来と同じ場合は、従来の抵抗体パターン形状に比べて増加する抵抗値が少ないため、より高精度の抵抗値修正が行えるという優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施の形態における薄膜チップ抵抗器の断面図
【図２】同薄膜チップ抵抗器の薄膜抵抗体層の抵抗体パターンを示す上面図
【図３】同薄膜抵抗体層の抵抗体パターンにおけるトリミング無し状態での電流経路を示す上面図
【図４】従来の薄膜チップ抵抗器の断面図
【図５】同薄膜チップ抵抗器の製造方法を示すフローチャート
【図６】（ａ）〜（ｃ）同薄膜チップ抵抗器の製造工程図
【図７】（ａ）〜（ｃ）同薄膜チップ抵抗器の製造工程図
【図８】（ａ）〜（ｃ）同薄膜チップ抵抗器の製造工程図
【図９】（ａ）〜（ｄ）同薄膜チップ抵抗器の製造工程図
【図１０】同薄膜チップ抵抗器の薄膜抵抗体層の抵抗体パターンを示す上面図
【図１１】同薄膜抵抗体層の抵抗体パターンにおけるトリミング無し状態での電流経路を示す上面図
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の一実施の形態における薄膜チップ抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【００３０】
図１は本発明の一実施の形態における薄膜チップ抵抗器の断面図を示したもので、この図１において、２１はアルミナ純度９６％程度のアルミナ基板からなる長方形の絶縁基板で、この絶縁基板２１の上面の両端部には金を主成分とする金属有機物からなる一対の上面電極層２２を形成している。２３は前記絶縁基板２１の裏面の両端部に形成された金を主成分とする金属有機物からなる一対の裏面電極層であり、２４は前記一対の上面電極層２２を覆い、かつ一対の上面電極層２２と電気的に接続されるように形成されたニッケルクロム系合金等からなる薄膜抵抗体層である。２５は前記薄膜抵抗体層２４を覆い、かつ前記絶縁基板２１の上面の両端部に形成した一対の導体樹脂からなる再上面電極層であり、２６は前記薄膜抵抗体層２４を覆うとともに、前記一対の再上面電極層２５の一部を覆うエポキシ系樹脂からなる保護膜層である。２７は前記再上面電極層２５と裏面電極層２３を電気的に接続するように前記絶縁基板２１の両端面にそれぞれ形成した一対の端面電極層であり、２８は露出した電極部にめっきにより形成されたニッケルめっき層である。２９は前記ニッケルめっき層２８を覆うようにめっきにより形成された錫めっき層である。
【００３１】
なお、本発明の一実施の形態における薄膜チップ抵抗器の製造方法は、図５、図６（ａ）〜（ｃ）、図７（ａ）〜（ｃ）、図８（ａ）〜（ｃ）、図９（ａ）〜（ｄ）に示した従来の薄膜チップ抵抗器の製造方法とほぼ同一であるため、この製造方法の説明は省略する。
【００３２】
図２は本発明の一実施の形態における薄膜チップ抵抗器の薄膜抵抗体層２４の抵抗体パターンを示したもので、この薄膜抵抗体層２４は図２に示すように、絶縁基板２１の上面の両端部に形成した一対の上面電極層２２と電気的に接続されるように形成され、そして、この薄膜抵抗体層２４は、前記一対の上面電極層２２における一方の上面電極層２２に電気的に接続される梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターン２４ａと、この第１の並列抵抗パターン２４ａに電気的に接続され、かつジグザグ抵抗パターン２４ｂの隣接する折り返し部２４ｃを略コの字形の抵抗パターン２４ｄで接続してなる粗調整用の第２の並列抵抗パターン２４ｅと、この第２の並列抵抗パターン２４ｅと前記一対の上面電極層２２における他方の上面電極層２２との間に電気的に接続される微調整用の抵抗パターン２４ｆとで構成しているものである。そしてまた、前記粗調整用の第２の並列抵抗パターン２４ｅは複数組直列に接続して前記絶縁基板２１の略中央部に配置しているものである。
【００３３】
また、前記薄膜抵抗体層２４における梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターン２４ａと、粗調整用の第２の並列抵抗パターン２４ｅと、微調整用の抵抗パターン２４ｆは、それぞれの一部をレーザーで切断してトリミング部３０ａ，３０ｂ，３０ｃを形成することにより、一つの抵抗体パターンで多くの抵抗値が得られるようにしているものである。
【００３４】
そしてまた、上記本発明の一実施の形態においては、前記梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターン２４ａにおける並列部をすべて切断したときに増加する抵抗値は、前記粗調整用の第２の並列抵抗パターン２４ｅにおける１個の略コの字形の抵抗パターン２４ｄを切断したときに増加する抵抗値と等しいか、あるいはそれよりも多くなるようにしているものである。そして、この条件を達成するために、上記梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターン２４ａの長さＬ１と、粗調整用の第２の並列抵抗パターン２４ｅにおけるジグザグ抵抗パターン２４ｂの長さＬ２との関係において、Ｌ１とＬ２を等しくするか、あるいはＬ１がＬ２よりも長くなるようにしているものである。
【００３５】
さらに、上記本発明の一実施の形態においては、前記微調整用の抵抗パターン２４ｆをレーザーで切断してトリミング部３０ｃを形成した場合に増加する抵抗値は、前記梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターン２４ａにおける梯子部分を１本切断したときに増加する抵抗値と等しいか、あるいはそれよりも多くなるようにしているものである。
【００３６】
また、前記微調整用の抵抗パターン２４ｆにおいて、レーザーで切断して形成される微調整用の１本目のトリミング部３０ｃと数μｍだけレーザー進行方向と垂直にずれて、レーザーを走査させることにより形成される再微調整用の２本目のトリミング部３０ｄを入れた場合は、より微量の抵抗値切り上げを実現できるため、従来の０．０１％オーダーの抵抗値修正精度を、０．００１％オーダーの抵抗値修正精度に上げることができるものである。
【００３７】
そしてまた、上記本発明の一実施の形態においては、梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターン２４ａと、粗調整用の第２の並列抵抗パターン２４ｅのそれぞれをレーザーで全く切断することなく、微調整用の抵抗パターン２４ｆのみをレーザーで切断してトリミング部３０ｃを形成することにより、抵抗値を切り上げることができるもので、この場合における電流経路は、図３の斜線部分で示すように、薄膜抵抗体層２４の抵抗体パターンの全体にわたって分散されることになり、これにより、負荷発熱が図１１に示す従来のように偏るということはなくなるため、より高電力への対応が可能になるものである。
【００３８】
また、上記本発明の一実施の形態においては、梯子形の粗調整用の第１の並列抵抗パターン２４ａと、粗調整用の第２の並列抵抗パターン２４ｅにおける抵抗値修正において、これらを目標抵抗値に近い抵抗値まで修正すれば、微調整用の抵抗パターン２４ｆでのレーザーによる切断が最小限に抑えられるため、レーザーでの抵抗体損傷を最小限に抑えることができるものである。
【００３９】
そしてまた、上記本発明の一実施の形態においては、最終に行う微調整用の抵抗パターン２４ｆでのレーザー進入距離が従来と同じ場合は、従来の抵抗体パターン形状に比べて増加する抵抗値が少ないため、より高精度の抵抗値修正が行えるものである。
【００４０】
さらに、上記本発明の一実施の形態においては、微調整用の抵抗パターン２４ｆを、第２の並列抵抗パターン２４ｅと一対の上面電極層２２における他方の上面電極層２２との間に電気的に接続されるように配置しているため、微調整用の抵抗パターン２４ｆをレーザーで切断して微調整用の１本目のトリミング部３０ｃを形成する場合、片側の抵抗体の残り幅スペースを確保するだけでよいため、レーザー位置合わせに余裕を持たせることができるものである。これに対し、従来においては、図１０に示すように、微調整用の抵抗パターン９ｂを、一対の上面電極層１１における一方の上面電極層１１に電気的に接続されるジグザグ抵抗パターン９ａの先端部に形成するようにしているため、この微調整用の抵抗パターン９ｂをレーザーで切断してトリミング部１２ａを形成する場合、長手方向において両側の抵抗体の残り幅スペースを確保する必要があり、レーザー位置合わせが困難を伴うものである。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明に係る薄膜チップ抵抗器は、負荷発熱を分散させることができて、より高電力への対応が可能になるとともに、より高精度の抵抗値修正が行えるという効果を有するものであり、特に、各種電子機器に適用して有用となるものである。
【符号の説明】
【００４２】
２１  絶縁基板
２２  上面電極層
２４  薄膜抵抗体層
２４ａ  第１の並列抵抗パターン
２４ｂ  ジグザグ抵抗パターン
２４ｃ  折り返し部
２４ｄ  略コの字形の抵抗パターン
２４ｅ  第２の並列抵抗パターン
２４ｆ  微調整用の抵抗パターン
２６  保護膜層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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