(57)【要約】【目的】半導体製造プロセスを提供する。【解決手段】先ず、ウエハを提供し、ウエハ上に材料層及び露光されたフォトレジスト層が形成され、ウエハはセンターエリア及びエッジエリアを有する。その後、露光されたフォトレジスト層の特性を変化させ、センターエリア内の露光されたフォトレジスト層の最小加工寸法をエッジエリア内の露光されたフォトレジストの最小加工寸法と異ならせる。露光されたフォトレジスト層のエッジプロパティを変化させた後、露光されたフォトレジスト層をマスクとして使用することによりウエハにエッチングプロセスを行い、ウエハ上に形成された均一な最小加工寸法を有するパターン化材料層を形成する。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを提供し、前記ウエハ上に露光されたフォトレジストが予め形成され、前記ウエハがセンターエリア及びエッジエリアを含むことと、
前記ウエハの前記エッジエリアの特性を変化させることと、
を含む半導体製造プロセス。
【請求項２】
前記ウエハの前記エッジエリアの前記特性をトラックにより変化する請求項１記載の半導体製造プロセス。
【請求項３】
前記特性が温度を含む請求項１記載の半導体製造プロセス。
【請求項４】
前記センターエリア及び前記エッジエリア間の温度差が５〜２０℃内である請求項３記載の半導体製造プロセス。
【請求項５】
前記ウエハ提供プロセス後、現像剤を前記ウエハ上に施与することを更に含む請求項１記載の半導体製造プロセス。
【請求項６】
前記特性が現像剤濃度を含む請求項５記載の半導体製造プロセス。
【請求項７】
前記センターエリア及び前記エッジエリア間の前記現像剤濃度の差が５〜１５％内である請求項６記載の半導体製造プロセス。
【請求項８】
前記ウエハの前記センターエリア及び前記エッジエリア内の前記露光されたフォトレジスト層が同一の露光エネルギーで予め露光される請求項１記載の半導体製造プロセス。
【請求項９】
前記ウエハの前記センターエリア及び前記エッジエリア内の前記露光されたフォトレジスト層が異なる露光エネルギーで予め露光される請求項１記載の半導体製造プロセス。
【請求項１０】
その上に露光されたフォトレジスト層を有するウエハに行われる半導体製造プロセスの為の装置であって、
前記ウエハのエッジエリアの特性を変化させるトラックのユニットに統合されたリング部材を含む装置。
【請求項１１】
前記ユニットが露光後焼き締めユニットを含む請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記リング部材及び前記露光後焼き締めユニットが前記ウエハに対し異なる加熱温度を有する請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記ユニットが現像ユニットを含む請求項１０記載の装置。
【請求項１４】
前記リング部材及び前記現像ユニットが前記ウエハに対し異なる現像濃度を提供する請求項１３記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造プロセス及びその装置に関し、特に、トラックにより露光したフォトレジスト層の特性を変化させ、後続処理の影響を補償するプロセス及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の急速な発展に伴い、デバイス寸法（device dimension）の最小化及び統合レベルの向上が半導体産業の主潮になっている。通常、半導体デバイスは、堆積プロセス、フォトリソグラフィプロセス、エッチングプロセス及びイオン注入法プロセスを含む一連のプロセスを実行することにより製造される。最小加工寸法（critical dimension = CD）を決定する鍵となる技術は、フォトリソグラフィ及びエッチングである。
【０００３】
典型的なフォトリソグラフィプロセスは、トラック及びステッパ（又はスキャナ）を含むフォトリソグラフィツールにより実行される。フォトリソグラフィプロセスは、通常、フォトレジスト層を材料層上にコーティングし、トラックのコーティングユニットでパターン化すること、ステッパによりフォトレジスト層を部分的に露光すること、トラックの露光後焼き締め（post-exposure baking = PEB）ユニットで露光されたフォトレジスト層を露光後焼き締めすること、トラックの現像ユニットで露光されたフォトレジスト層を現像することを含む。その後、露光されたフォトレジスト層をマスクとして使用することにより材料層にエッチングプロセスを行い、露光されたフォトレジスト層から材料層までパターンを転写する。
【０００４】
不均一なエッチングガスの分布により、ウエハのエッジ及びセンター間のエッチング率が異なり、異なるＣＤ性能になる。１つの公知の方法は、ウエハエッジチップ（wafer edge chips）を異なる露光エネルギーで露光し、ウエハのエッジ及びセンターエリア間のエッチング後の最小加工寸法の差を予め補償することである。しかしながら、露光ツールによる補償は、１つのチップ（chip）内で最小加工寸法の変化を取り除くことができず、望ましくないショット関連の問題を引き起こす。従って、半導体デバイスの歩留まり及び性能が影響を受けることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【非特許文献】
【０００６】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は、エッチングステップにおいて、ウエハのエッジエリア及びセンターエリア間の最小加工寸法の差を補償する半導体製造プロセスを提供する。
【０００８】
本発明は、更に、半導体製造プロセスのための装置を提供する。装置は、新たな製造設備を購入することなく、既存のトラックにリング部材（ring element）を追加することにより簡単に製造される。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、半導体製造プロセスを提供する。先ず、ウエハを提供し、ウエハ上には、露光されたフォトレジスト層が予め形成され、ウエハがセンターエリア及びエッジエリアを含む。その後、ウエハのエッジエリアの特性を変化させる。
【００１０】
本発明の一実施形態では、ウエハのエッジの特性をトラックにより変化させる。
【００１１】
本発明の一実施形態では、特性が温度を含む。
【００１２】
本発明の一実施形態では、ウエハのセンターエリア及びエッジエリア間の温度差が約５〜２０℃以内である。
【００１３】
本発明の一実施形態では、ウエハ提供プロセス後、本発明の半導体製造プロセスが、ウエハ上の現像剤を施与する（dispensing）ことを更に含む。
【００１４】
本発明の一実施形態では、特性が現像剤の濃度（concentration）を含む。
【００１５】
本発明の一実施形態では、ウエハのセンターエリア及びエッジエリア間の現像剤の濃度差が約５〜１５％以内である。
【００１６】
本発明の一実施形態では、ウエハのセンターエリア及びエッジエリア内の露光されたフォトレジストが同一の露光エネルギーで予め露光される。
【００１７】
本発明の一実施形態では、ウエハのセンターエリア及びエッジエリア内の露光されたフォトレジストが異なる露光エネルギーで予め露光される。
【００１８】
本発明は、更に、その上に露光されたフォトレジスト層を有するウエハに実行される半導体製造プロセスの為の装置を提供する。装置は、トラックのユニット（unit）に統合されるリング部材を含み、ウエハのエッジエリアの特性を変化させる。
【００１９】
本発明の一実施形態では、ユニットが露光後焼き締め（post-exposure baking = PEB）ユニットを含む。
【００２０】
本発明の一実施形態では、リング部材及び露光後焼き締めユニットがウエハに対し異なる加熱温度を有する。
【００２１】
本発明の一実施形態では、ユニットが現像ユニットを含む。
【００２２】
本発明の一実施形態では、リング部材及び現像ユニットがウエハに対し異なる現像剤濃度を提供する。
【発明の効果】
【００２３】
上記のように、本発明の半導体製造プロセスは、トラックによりエッジエリア内の露光されたフォトレジスト層の最小加工寸法をセンターエリア内の露光されたフォトレジスト層の最小加工寸法と異ならせ、後続のエッチングプロセスにより起こる不均一なエッチングガス分布を補償する。露光されたフォトレジスト層のウエハエッジ特性を変化させた後、露光されたフォトレジスト層下の材料層を露光されたフォトレジスト層をマスクとして使用することによりパターン化する。このように、均一な最小加工寸法を有するパターン化材料層をウエハ上に形成する。従って、半導体デバイスの歩留まり及び性能が向上される。更に、本発明の装置は、リング部材を含み、製造における如何なる既存の製造設備も置き換えることなく、リング部材を簡単にトラックのＰＥＢユニット又は現像ユニットに統合することができる。
【００２４】
本発明の上記及び他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１Ａ】本発明の一実施例に係る半導体製造プロセスの断面図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施例に係る半導体製造プロセスの断面図である。
【図２】図１Ａの平面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施例に係るリング部材がトラックの露光後焼き締めユニットに統合された装置の操作を示す断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施例に係るリング部材がトラックの露光後焼き締めユニットに統合された装置の操作を示す断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施例に係るリング部材がトラックの露光後焼き締めユニットに統合された装置の操作を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係るリング部材及び露光後焼き締めユニットが全体の一要素として製造される装置の断面図である。
【図５Ａ】本発明の実施形態に係るリング部材がトラックの現像ユニットに統合された装置の操作の断面図である。
【図５Ｂ】本発明の実施形態に係るリング部材がトラックの現像ユニットに統合された装置の操作の断面図である。
【図５Ｃ】本発明の実施形態に係るリング部材がトラックの現像ユニットに統合された装置の操作の断面図である。
【図５Ｄ】本発明の実施形態に係るリング部材がトラックの現像ユニットに統合された装置の操作の断面図及び要部拡大図である。
【図５Ｅ】本発明の実施形態に係るリング部材がトラックの現像ユニットに統合された装置の操作の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の一実施例に係る半導体製造プロセスの断面図である。図２は、図１Ａの平面図である。
【００２７】
図１Ａ及び図２において、センターエリア１０２ａ及びセンターエリア１０２ａを囲うエッジエリア１０２ｂを含むウエハ１００を提供する。例えば、エッジエリア１０２ｂをウエハ直径Ｄの約１/６０〜１/２０の幅Ｗを有するリングエリアとして定義する。一実施例では、１２インチウエハ（直径３００ｍｍ）のリングエリアが約５〜１５ｍｍの幅を有する。ウエハ１００上に材料層１０４及び露光されたフォトレジスト層１０６を有する。材料層１０４が導電層または誘電層であることができ、例えば、露光されたフォトレジスト層１０６がポジティブフォトレジスト材料を含む。本実施形態では、ウエハ１００のセンターエリア１０２ａ及びエッジエリア１０２ｂ内の露光されたフォトレジスト層１０６が同一の露光エネルギーで予め露光されるが、本発明は、これに限定するものではない。他の実施形態では、ウエハ１００のセンターエリア１０２ａ及びエッジエリア１０２ｂ内の露光されたフォトレジスト層１０６が異なる露光エネルギーで予め露光されることができる。露光されたフォトレジスト層１０６のウエハエッジ特性をトラックにより変化させることができ、エッジエリア１０２ｂ内のパターン１０７及びセンターエリア１０２ａ内のパターン１０８を形成する。パターン１０８の線幅Ｌ１は、パターン１０７の線幅Ｌ２より狭い。
【００２８】
ここに記載されるように、本発明の半導体製造プロセスは、露光されたフォトレジスト層１０６のウエハエッジ特性をトラックにより変化させ、ウエハエッジエリア１０２ｂ内の露光されたフォトレジスト層１０６の線幅Ｌ１をセンターエリア１０２ａ内の露光されたフォトレジスト層１０６の線幅Ｌ２と異ならせる。本実施形態では、エッジエリア１０２ｂ内の線幅Ｌ１がセンターエリア１０２ａ内の線幅Ｌ２より小さいが、本発明は、これに限定するものではない。他の実施形態では、要求に応じて、エッジエリア１０２ｂ内の線幅Ｌ１がセンターエリア１０２ａ内の線幅Ｌ２より大きいものであることができる。
【００２９】
ウエハ１００のエッジエリアの特性をトラックにより変化させる方法を例として、以下に説明するが、これに限定するものではない。特性は、温度を含む。より具体的には、露光されたフォトレジスト層１０６のエッジエリア１０２ｂ及びセンターエリア１０２ａは、異なる露光後焼き締め温度にされ、ＰＥＢ温度間の差が約５〜２０℃以内である。言い換えれば、エッジエリア１０２ｂ及びセンターエリア１０２ａ間の温度差が約５〜２０℃以内である。例えば、センターエリア１０２ａのＰＥＢ温度が約８０〜１２０℃であり、エッジエリア１０２ｂのＰＥＢ温度が約７０〜１３０℃である。ＰＥＢ温度の勾配（temperature gradient）が露光されたフォトレジスト層１０６のエッジエリア１０２ｂ及びセンターエリア１０２ａ間の界面に介在する。より具体的には、露光されたフォトレジスト層１０６のセンターエリア１０２ａ及びエッジエリア１０２ｂがウエハ１００下方から第１温度に加熱され、露光されたフォトレジスト層１０６のエッジエリア１０２ｂがウエハ１００下方から第２温度に更に加熱又は冷却され、第１温度は、第２温度と異なる。或いは、露光されたフォトレジスト層１０６のセンターエリア１０２ａがウエハ１００のセンターエリア下方から第１温度に加熱され、露光されたフォトレジスト層１０６のエッジアリア１０２ｂがウエハ１００のエッジエリア下方から第２温度に加熱又は冷却され、第１温度が第２温度と異なる。本実施形態では、エッジエリア１０２ｂのＰＥＢ温度がセンターエリア１０２ａのＰＥＢ温度より高いので、エッジエリア１０２ｂ内の線幅Ｌ１がセンターエリア１０２ａ内の線幅Ｌ２より小さい。他の実施形態において、エッジエリア１０２ｂ内の望ましい線幅（desired line width）がセンターエリア１０２ａ内の望ましい線幅より大きい場合、エッジエリア１０２ｂのＰＥＢ温度がセンターエリア１０２ａのＰＥＢ温度より小さいものであることができる。
【００３０】
ウエハ提供プロセス後、半導体製造プロセスは、更に、ウエハ１００上に現像剤を施与し、ウエハ１００のエッジエリアの特性を変化させることを含む。特性は、現像剤濃度を含む。特に、露光されたフォトレジスト層１０６のエッジエリア１０２ｂ及びセンターエリア１０２ａは、異なる現像剤濃度にされ、例えば、２つのエリア間の現像剤濃度の差が約５〜１５％である。現像剤濃度の勾配が露光されたフォトレジスト層１０６のエッジエリア１０２ｂ及びセンターエリア１０２ａ間の界面に存在する。より詳細には、第１濃度を有する第１現像剤を露光されたフォトレジスト層１０６の表面全体を覆うように施与し、第２濃度を有する第２現像剤を露光されたフォトレジスト１０６のエッジエリア１０２ｂを覆うように施与する。本実施形態では、エッジエリア１０２ｂ内の現像剤濃度がセンターエリア１０２ａ内の現像剤濃度より高いので、エッジエリア１０２ｂ内の線幅Ｌ１がセンターエリア１０２ａ内の線幅Ｌ２より小さい。他の実施形態において、エッジエリア１０２ｂ内の望ましい線幅がセンターエリア１０２ａ内の望ましい線幅より大きい場合、エッジエリア１０２ｂ内の現像剤濃度がセンターエリア１０２ａ内の現像剤濃度より小さいものであることができる。
【００３１】
エッジエリア内の露光されたフォトレジスト層の線幅がセンターエリア内の露光されたフォトレジスト層の線幅と異なる上記実施形態は、説明の目的で提供されるものであり、本発明を限定するものとして解釈されるものではない。導電プラグプロセスにおける当業者であれば分かるように、エッジエリア内の露光されたフォトレジスト層の最小加工寸法を要求に応じてセンターエッジエリア内の露光されたフォトレジスト層の最小加工寸法と異なるようにすることができる。例えば、エッジエリア１０２ｂ内の望ましい最小加工寸法（desired critical dimension）がセンターエリア１０２ａ内の望ましい最小加工寸法より大きい（又はより小さい）場合、エッジエリア１０２ｂのＰＥＢ温度がセンターエリア１０２ａのＰＥＢ温度より高い（又はより低い）ものであることができる。或いは、エッジエリア１０２ｂ内の望ましい最小加工寸法がセンターエリア１０２ａ内の望ましい最小加工寸法より大きい（又はより小さい）場合、エッジエリア１０２ｂ内の現像剤濃度がセンターエリア１０２ａ内の現像剤濃度より高い（又は低い）ものであることができる。更に、異なるエリア（例えば、エッジエリア及びセンターエリア）に対してＰＥＢ温度又は現像剤濃度を変化させるこれら２つの方法は、要求に応じて組み合わせ又は個々に使用することができる。
【００３２】
図１Ｂにおいて、露光されたフォトレジスト層１０６のウエハエッジ特性を変化させた後、ウエハ１００をエッチングモジュールに搬送する。材料層１０４を露光されたフォトレジスト層１０６をマスクとして使用することによりパターン化する。不均一なエッチングガス分布による異なるエッチング率が露光されたフォトレジスト層１０６のエッジエリア１０２ｂ及びセンターエリア１０２ａ間の最小加工寸法の差を補償する。このように、線幅Ｌ３で均一なパターン１１０を有するパターン化材料層１０４ａをウエハ１００上に形成する。線幅Ｌ３が線幅Ｌ２より小さいか、等しいか、より大きいものであることができる。ここに記載するように、本発明の半導体製造プロセスは、露光されたフォトレジスト層１０６をマスクとして使用することによりウエハ１００にエッチングプロセスを行い、線幅Ｌ３をウエハ１００全体に均一にすることを更に含む。
【００３３】
上記のように、本発明は、予めエッチングの影響を補償する半導体製造プロセスを提供する。それは、フォトグラフィプロセスにおいて、トラックによりウエハエッジエリア内の最小加工寸法をウエハセンターエリア内の最小加工寸法と異なるように形成するものである。エッジエリア内及びセンターエリア内でエッチング率が異なることによって、形成される最小加工寸法がエッチングプロセス後にウエハ全体で均一になる。このように、本発明の半導体プロセス製造プロセスは、エッチング室により生じる最小加工寸法の変化を解決し、ステッパでの従来の補償方法によるショット関連の問題を回避することができる。
【００３４】
また、本発明は、ポジティブフォトレジスト材料を使用した実施形態で説明されるが、これに限定するものではない。当業者であれば分かるように、要求に応じてネガティブフォトレジスト材料を使用することも可能である。ポジティブフォトレジスト材料の特性がネガティブフォトレジスト材料の特性と反対であるので、ＰＥＢ温度または現像剤濃度の変化により影響される線幅（又は最小加工寸法）の変化は、前記実施形態に比べて逆の傾向にある。
【００３５】
更に、本発明は、ウエハがセンターエリア及びエッジエリアを有する実施形態で説明されるが、これに限定するものではない。当業者であれば分かるように、ウエハは、第１エリア及び第２エリアを有することができ、第１エリア及び第２エリアの配置は、後続のエッチングプロセスにおけるエッチングガスの分布に応じて調節される。例えば、第１エリアがウエハの上半エリアであることができ、第２エリアがウエハの下半エリアであることができる。
【００３６】
上記半導体製造プロセスの装置を以下に説明する。リング部材がトラックの１つのユニットに統合され、ウエハのエッジエリアの特性を変化させる。ただ便宜及び明瞭の目的の為、ウエハエッジエリアの露光されたフォトレジスト層の望ましい線幅がウエハセンターエリアの露光されたフォトレジスト層の望ましい線幅より小さい次の実施形態を例として提供するが、本発明を限定するものではない。露光されたフォトレジスト層のウエハエッジエリア及びウエハセンターエリア間の線幅の差は、トラックのＰＥＢユニットに統合されたリング部材により獲得される（achieved）。図３Ａ〜図３Ｃは、本発明の一実施形態に係るリング部材がトラックのＰＥＢユニットに統合された装置の操作を示す断面図である。
【００３７】
図３Ａにおいて、材料層（図示せず）及び露光されたフォトレジスト層（図示せず）をその上に有するウエハ１００をコーティングステップ及び露光ステップ後、ＰＥＢユニット２００に搬送する。ウエハ１００の背面側をＰＥＢユニット２００の加熱表面と接触させる。少なくとも２つのステップを含む露光後焼き締め製法を次のように実行する。予熱ステップでは、ウエハ１００全体を１０秒間、９０℃で加熱する。その後、図３Ｂにおいて、主加熱ステップを実行する。ウエハ１００のエッジエリアを更に加熱するため、リング部材２０２を活動位置に移動する。ウエハ１００のエッジエリアをウエハ直径の約１/６０〜１/２０の幅でリングエリアとして設計する。ウエハ１００全体をＰＥＢユニット２００により５０秒間、９０℃で加熱した状態で主加熱ステップが行い、ウエハ１００のエッジエリアを上部のリング部材２０２により５０秒間、１００℃で更に加熱する。言い換えれば、ウエハ１００のエッジエリア内のＰＥＢ温度がウエハ１００のセンターエリア内のＰＥＢ温度より高い。その後、図３Ｃにおいて、リング部材２０２をアイドル位置に移動するとともに、ウエハ１００をＰＥＢユニット２００の外に移動する。結果として、リング部材２０２及びＰＥＢユニット２００がウエハ１００に対して異なる加熱温度を有するので、エッジエリア内の露光されたフォトレジスト層の望ましい線幅がセンターエリア内の露光されたフォトレジスト層の望ましい線幅より小さい。
【００３８】
本実施形態では、リング部材２０２がウエハ１００上方に配置されるよう構成し、リング部材２０２をウエハ１００の上表面と接触させず、リング部材２０２及びＰＥＢユニット２００を別々に製造する。しかしながら、本発明は、これに限定するものではない。他の実施形態では、図４に示すように、リング部材２０２がウエハ１００の下方に配置されるよう構成し、リング部材２０２をウエハの背面と接触し、リング部材２０２及びＰＥＢユニット２００を全体の一要素として製造する。
【００３９】
或いは、ウエハのエッジエリア及びセンターエリア間の線幅の差がトラックの現像ユニットに統合されたリング部材により獲得される（achieved）ことができる。図５Ａ〜図５Ｅは、本発明の一実施形態に係るリング部材がトラックの現像ユニットに統合された装置の操作を示す断面図であり、図５Ｄの右下側は、要部拡大図である。
【００４０】
図５Ａにおいて、その上に材料層（図示せず）及びフォトレジスト層（図示せず）有するウエハ１００を、コーティングステップ、露光ステップ及び露光後焼き締めステップ後、現像ユニット２０４に搬送する。少なくとも５つのステップを含む現像製法を次のように実行する。第１次施与ステップでは、現像ユニット２０４のノズル２０３が現像剤２０６をウエハ１００上に施与する。現像ユニット２０４がウエハ１００の表面全体が確実に現像剤２０６で覆われるように徐々に回転する。その後、図５Ｂにおいて、第１次スタティックパドル（static puddle）ステップを行う。ウエハ１００を２〜１０秒間、現像剤２０６で覆う。その後、図５Ｃにおいて、第２次施与ステップを行う。現像剤２１０をウエハ１００のエッジエリア上に施与する活動位置にリング部材２０８を移動する。現像剤２１０の濃度が現像剤２０６の濃度より約１０％高いものである。また、図５Ｄにおいて、第２次スタティックパドルステップを１０〜４０秒間、行う。このステップでリング部材２０８をアイドル位置に移動する。ウエハ１００のエッジエリアを現像剤２０６及び現像剤２１０の混合２０７で覆い、ウエハ１００のセンターエリアを現像剤２０６で覆う。言い換えれば、ウエハ１００のエッジエリア内の現像剤濃度がウエア１００のセンターエリア内の現像剤濃度より高い。それから、図５Ｅにおいて、現像ユニット２０４をウエハ１００から現像剤２０６及び現像剤２１０を引き伸ばすように２０〜５０秒間、回転させる。その後、ウエハ１００を現像ユニット２０４から焼き締めユニットに搬送する。結果として、リング部材２０８及び現像ユニット２０４がウエハ１００に異なる現像剤濃度を提供するので、エッジエリア内の露光されたフォトレジスト層の望ましい線幅がセンターエリア内の露光されたフォトレジスト層の望ましい線幅より小さい。
【００４１】
素子２０２又は２０８がリングとして形成される上記実施形態は、説明の目的で提供されるものであり、本発明を限定するものとして解釈されるものではない。当業者であれば分かるように、素子２０２又は２０８の形状は、本発明の装置に適した任意の形状であることができる。例えば、素子２０２を複数の加熱段階を有するプレートとして形成することができ、加熱段階の温度を独立に制御することができる。
【００４２】
上記のように、本発明の半導体製造プロセスは、トラックによりウエハエッジエリア内の最小加工寸法をウエハセンター内の最小加工寸法と異ならせ、後続プロセスの影響を補償する。言い換えれば、１つのウエハ内のＰＥＢ温度又は現像剤濃度の配分により生じる最小加工寸法の分布がエッチングプロセスにおけるエッチングガス分布を補償する。従って、最小加工寸法がエッチングステップ後、ウエハ全体で均一であり、半導体の歩留まり及び性能が向上される。
【００４３】
また、本発明の装置がリング部材を含み、リング部材が、簡単に、トラックのＰＥＢユニット又は現像ユニットに統合されることができ、ウエハのエッジ特性を変化させる。製造において、如何なる既存の製造設備も置き換えることなく、修正が単純且つ容易である。
【００４４】
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００４５】
１００  ウエハ
１０２ａ  センターエリア
１０２ｂ  エッジエリア
１０４  材料層
１０４ａ  パターン化材料層
１０６  フォトレジスト層
１０７  パターン
１０８  パターン
１１０  パターン
２００  ＰＥＢユニット
２０２  リング部材
２０３  ノズル
２０４  現像ユニット
２０６  現像剤
２０７  混合
２０８  リング部材
２１０  現像剤
Ｌ１  線幅
Ｌ２  線幅
Ｌ３  線幅
Ｄ  直径
Ｗ  幅
【図１Ａ】
2011061169.tif 000003
【図１Ｂ】
2011061169.tif 000004
【図２】
2011061169.tif 000005
【図３Ａ】
2011061169.tif 000006
【図３Ｂ】
2011061169.tif 000007
【図３Ｃ】
2011061169.tif 000008
【図４】
2011061169.tif 000009
【図５Ａ】
2011061169.tif 000010
【図５Ｂ】
2011061169.tif 000011
【図５Ｃ】
2011061169.tif 000012
【図５Ｄ】
2011061169.tif 000013
【図５Ｅ】
2011061169.tif 000014
【外国語明細書】
2011061169.tif 000015
2011061169.tif 000016
2011061169.tif 000017
2011061169.tif 000018
2011061169.tif 000019
2011061169.tif 000020
2011061169.tif 000021
2011061169.tif 000022
2011061169.tif 000023
2011061169.tif 000024
2011061169.tif 000025
2011061169.tif 000026
2011061169.tif 000027
2011061169.tif 000028
2011061169.tif 000029
2011061169.tif 000030
2011061169.tif 000031
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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