(57)【要約】【課題】不具合が発生することなく、半導体チップの周囲及び背面側を樹脂基板で封止できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】支持体１０の上に、開口部１２ａを備えた粘着層１２を形成する工程と、半導体チップ２０の表面側の接続電極２０ａを下側に向けて、半導体チップ２０の表面の周縁部を粘着層１２の開口部１２ａの外側周辺部に粘着させて仮固定する工程と、半導体チップ２０の周囲及び背面側を封止する樹脂基板５０を形成する工程と、支持体１０及び粘着層１２を除去することにより、半導体チップ２０の接続電極２０ａを露出させる工程とを含む。半導体チップ２０の接続電極２０ａにビルドアップ配線ＢＷが直接接続される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体の上に、開口部を備えた粘着層を形成する工程と、
半導体チップの表面側の接続電極を下側に向けて、前記半導体チップの表面の周縁部を前記粘着層の開口部の外側周辺部に粘着させて仮固定する工程と、
前記半導体チップの周囲及び背面側を封止する樹脂基板を形成する工程と、
前記支持体及び前記粘着層を除去することにより、前記半導体チップの接続電極を露出させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記支持体を除去する工程の後に、
前記半導体チップの表面及び前記樹脂基板の上に、前記半導体チップの前記接続電極に直接接続される配線層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体チップの接続電極は該半導体チップの表面から突き出る突出接続電極となっており、前記粘着層の厚みは前記突出接続電極の高さと同等以上に設定されており、
前記半導体チップを仮固定する工程において、
前記半導体チップの前記突出接続電極が前記粘着層の開口部に配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記粘着層を形成する工程において、
前記粘着層に複数の前記開口部が設けられており、
前記粘着層に前記半導体チップを仮固定する工程において、
前記粘着層の前記複数の開口部に複数の前記半導体チップをそれぞれ配置し、
前記配線層を形成する工程の後に、
前記複数の半導体チップ間の境界部を切断することにより、個々の半導体装置を得る工程をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂基板を形成する工程は、
前記半導体チップの背面及び前記粘着層の上に熱硬化性の粉末樹脂又は液状樹脂を形成し、加圧／加熱処理によって硬化させる工程であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記支持体は金属板からなり、
前記支持体及び前記粘着層を除去する工程において、前記金属板をウェットエッチングによって除去することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、さらに詳しくは、半導体チップが樹脂基板で封止されて、半導体チップの接続電極に配線層が接続された実装構造の製造に適用できる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップが樹脂基板で封止されて、半導体チップの接続電極に配線層が接続された構造の半導体装置がある。そのような半導体装置では、半導体チップの接続電極に配線層を直接接続できるので、半導体チップをフリップチップ実装するためのはんだバンプを省略することができ、薄型化を図ることが可能である。
【０００３】
これにより、半導体装置内の配線経路を短くできることから、インダクタンスを低減できるので、電源特性の向上に有効な構造とすることができる。
【０００４】
そのような半導体装置に類似する技術は、特許文献１及び特許文献２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】ＷＯ  ０２／１５２６６  Ａ２
【特許文献２】ＷＯ  ０２／３３７５１  Ａ２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
後述する関連技術で説明するように、関連技術の半導体装置では、支持体の上に粘着シートを介して半導体チップがその接続電極を下側に向けて仮固定された後に、半導体チップの周囲及び背面側が樹脂で封止される。さらに、支持体及び粘着シートが除去された後に、半導体チップの接続電極に接続されるビルドアップ配線が形成される。
【０００７】
関連技術では、半導体チップを樹脂で封止する際に、半導体チップと粘着シートとの界面から半導体チップの接続電極上に樹脂が染み込んで接続電極が汚染される問題がある。半導体チップの接続電極上に樹脂が染み込むと、ビルドアップ配線を形成する際に染み込んだ樹脂がビアホール内の残渣となりやすいため、半導体チップとビルドアップ配線との接続不良が発生しやすい。
【０００８】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、不具合が発生することなく、半導体チップの周囲及び背面側を樹脂基板で封止できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明は、半導体装置の製造方法に係り、支持体の上に、開口部を備えた粘着層を形成する工程と、半導体チップの表面側の接続電極を下側に向けて、前記半導体チップの表面の周縁部を前記粘着層の開口部の外側周辺部に粘着させて仮固定する工程と、前記半導体チップの周囲及び背面側を封止する樹脂基板を形成する工程と、前記支持体及び前記粘着層を除去することにより、前記半導体チップの接続電極を露出させる工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明では、まず、支持体の上に開口部を備えた粘着層を形成し、半導体チップの周縁部を粘着層の開口部の外側周辺部に粘着させて仮固定する。次いで、樹脂を加圧／加熱処理して溶融／硬化させることにより、半導体チップの周囲及び背面側を樹脂基板で封止する。
【００１１】
このとき、半導体チップと粘着層との界面から樹脂が染み込むとしても、染込樹脂は半導体チップの周縁部と粘着層との界面から粘着層の開口部の側面に流れてトラップされる。これにより、半導体チップの接続電極が染込樹脂で汚染されることが防止される。
【００１２】
また、本発明では、半導体チップの接続電極が表面から突き出る突出接続電極であっても、突出接続電極が粘着層の開口部に配置されて突出接続電極の段差が解消されるので、半導体チップの周縁部を粘着層に密着させることができる。
【００１３】
このため、突出接続電極を備えた半導体チップを樹脂基板で封止する場合であっても、染込樹脂は同様に粘着層の開口部の側面に流れてトラップされるので、突出接続電極の先端面（接続部）が染込樹脂で汚染されることが防止される。
【００１４】
このように、半導体チップが樹脂基板で封止される際に染込樹脂による接続電極の汚染が防止されるので、半導体チップの接続電極に接続される配線層を歩留りよく形成することができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明では、不具合が発生することなく、半導体チップの周囲及び背面側を樹脂基板で封止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は本発明に関連する関連技術の半導体装置の製造方法を示す平面図及び断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ)〜（ｃ）は本発明に関連する関連技術の半導体装置の製造方法を示す平面図及び断面図（その２）である。
【図３】図３は本発明の第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す平面図及び断面図（その１）である。
【図４】図４は本発明の第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す平面図及び断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図６】図６（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図８】図８は本発明の第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す平面図及び断面図（その１）である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図１１】図１１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１８】
（関連技術）
本発明の実施形態を説明する前に、本発明に関連する関連技術の問題点について説明する。図１及び図２は関連技術の半導体装置の製造方法を示す図である。
【００１９】
関連技術の半導体装置の製造方法では、図１に示すように、まず、支持体１００の上に粘着シート１２０を介して複数の半導体チップ２００を横方向に並べて配置する。半導体チップ２００はその接続電極２００ａが下側を向いた状態で支持体１００上の粘着シート１２０に仮固定される。
【００２０】
図１の部分拡大断面図には、図1の平面図の２つの半導体チップ２００の様子が示されている。
【００２１】
続いて、図２（ａ）に示すように、半導体チップ２００が仮固定された支持体１００を下型４００の上に配置する。続いて、支持体１００及び半導体チップ２００の上に粉末樹脂を配置する。さらに、上型４２０によって粉末樹脂を下側に加圧した状態で加熱することにより溶融／硬化させる。これにより、半導体チップ２００の周囲及び背面側が樹脂基板５００で封止される。
【００２２】
次いで、図２（ｂ）に示すように、支持体１００及び樹脂基板５００から下型４００及び上型４２０を取り外す。
【００２３】
図２（ａ）及び（ｂ）の工程では、半導体チップ２００は粘着シート１２０に仮固定されているだけであり、半導体チップ２００の接続電極２００ａが設けられた素子面Ａと粘着シート１２０とは強固には接着されていない。
【００２４】
このため、粉末樹脂を加圧／加熱して溶融／硬化させる際に、半導体チップ２００の素子面Ａと粘着シート１２０との界面から半導体チップ２００の素子面Ａに液状樹脂が染み込みやすい。
【００２５】
従って、半導体チップ２００の周縁側の接続電極２００ａが染込樹脂Ｒ（図２（ｂ）の太線部）で被覆されて汚染されてしまう（図２（ｂ）の半導体チップ２００の平面図ではハッチング部）。
【００２６】
特に図示しないが、半導体チップ２００の接続電極２００ａが素子面Ａから突き出る突出接続電極（バンプ電極）となっている場合は、半導体チップ２００の素子面Ａと粘着シート１２０との界面に隙間が生じるので、染込樹脂Ｒの染み込み量がさらに顕著になる。
【００２７】
続いて、図２（ｃ）に示すように、樹脂基板５００及び半導体チップ２００から支持体１００及び粘着シート１２０を除去することにより、半導体チップ２００の接続電極２００ａを露出させる。
【００２８】
その後に、半導体チップ２００及び樹脂基板５００の上に樹脂からなる層間絶縁層６００を形成した後に、層間絶縁層６００をレーザで加工することより、半導体チップ２００の接続電極２００ａに到達するビアホールＶＨを形成する。さらに、ビアホールＶＨを介して半導体チップ２００の接続電極２００ａに接続されるビルドアップ配線７００が形成される。
【００２９】
このとき、染込樹脂Ｒは層間絶縁層６００に比べてレーザで加工しにくい特性を有するため、ビアホールＶＨの底部に染込樹脂Ｒが残渣として残りやすい。半導体チップ２００の接続電極２００ａ上に染込樹脂Ｒが残っていると、半導体チップ２００とビルドアップ配線７００との接続不良が発生しやすく、ビルドアップ配線７００の歩留り低下の要因になる。
【００３０】
以下に説明する本発明の実施形態は、前述した不具合を解消することができる。
【００３１】
（第１の実施の形態）
図３〜図７は本発明の第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す図である。本発明の半導体装置は半導体パッケージとも呼称される。
【００３２】
本発明の第１実施形態の半導体装置の製造方法では、図３に示すように、まず、平板状の支持体１０の上に、複数の開口部１２ａを備えた厚みが３０〜５０μｍの粘着層１２を形成する。図３の部分拡大断面図には、図３の平面図の粘着層１２の２つの開口部１２ａの様子が示されている。
【００３３】
粘着層１２の開口部１２ａは、支持体１０上の半導体チップが搭載されるチップ搭載領域に対応して配置される。また、粘着層１２の開口部１２ａは、四角状の半導体チップに対応して四角状に形成され、半導体チップの面積より一回り小さい面積で相似形に形成される。
【００３４】
開口部１２ａを備えた粘着層１２を支持体１０上に形成する方法としては、シート状の粘着層に予めプレス加工などで開口部を設けておき、開口部が設けられた粘着層を支持体１０の上に貼付してもよい。
【００３５】
あるいは、シート状の粘着層を支持体１０の上に貼付した後に、粘着層を加工して開口部を形成してもよい。又は、液状硬化型粘着剤を支持体の上に塗布し、粘着剤を硬化させて粘着層とした後に、粘着層を加工して開口部を形成してもよい。
【００３６】
粘着層１２として、アクリル系、ゴム系、又はシリコーン系などの各種の粘着材料を使用することができる。
【００３７】
粘着層１２は、被粘着物を仮固定した後に、被粘着物から引き剥がすことができるものであり、仮接着層と呼ばれることもある。
【００３８】
次いで、図４に示すように、表面側の素子面Ａに接続電極２０ａが露出して設けられた半導体チップ２０（ＬＳＩチップ）を用意する。図４の部分拡大断面図には、図４の平面図の２つの半導体チップ２０の様子が示されている。
【００３９】
半導体チップ２０の素子面Ａでは、接続電極２０ａ以外の領域には不図示の保護絶縁層（パッシベーション膜）が設けられている。
【００４０】
半導体チップ２０は、各チップ領域にトランジスタなどの回路素子とそれらを接続する多層配線が設けられたシリコンウェハ（不図示）が切断されたものであり、半導体チップ２０の接続電極２０ａは多層配線に接続されている。半導体チップ２０としては、例えばＣＰＵなどのロジックＬＳＩが使用され、その厚みは３００〜７００μｍである。
【００４１】
図４の例では、半導体チップ２０の接続電極２０ａは素子面Ａ（表面）と同一位置に配置されているが、接続電極２０ａが素子面Ａ（表面）から沈み込んで形成されていてもよい。あるいは、後述する第２実施形態で説明するように、半導体チップ２０の接続電極２０ａが素子面Ａ（表面）から突出していてもよい。
【００４２】
そして、接続電極２０ａを下側に向けた状態で複数の半導体チップ２０を粘着層１２の開口部１２ａの上にそれぞれ配置する。
【００４３】
このとき、前述したように粘着層１２の開口部１２ａの面積は半導体チップ２０の面積より一回り小さい面積に設定されているため、半導体チップ２０の素子面Ａ（表面）の周縁部が粘着層１２の開口部１２ａの外側周辺部に配置される。
【００４４】
これにより、半導体チップ２０の周縁部のみが粘着層１２に粘着されて仮固定される。そして、半導体チップ２０の接続電極２０ａと支持体１０との間に隙間（空間）ｃ（粘着層１２の厚みに相当）が設けられた状態となる。
【００４５】
粘着層１２に接触する半導体チップ２０の周縁部は接続電極２０ａが配置されていない非接続領域となっており、その幅ｄは２〜５μｍに設定される。
【００４６】
このようにして、複数の半導体チップ２０は支持体１０上の各チップ搭載領域に位置合わせされた状態で粘着層１２の開口部１２ａの外側周辺部にそれぞれ仮固定される。
【００４７】
後述するように、支持体１０は半導体チップ２０が樹脂基板で封止された後に除去される。このため、支持体１０として、ウェットエッチングによって容易に除去できる銅板などの金属板が好適に使用される。支持体１０としては、ある程度の剛性を有し、後に除去（剥離）できるものであればよく、金属板以外のものを代用することも可能である。
【００４８】
次いで、図５（ａ）に示すように、図４の構造体を下型４０の上に配置し、半導体チップ２０及び粘着層１２の上に樹脂基板を得るための粉末樹脂５０ａを配置する。粉末樹脂５０ａとしては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が使用される。粉末樹脂５０ａには、シリカなどのフィラーが含まれていてもよく、その含有率は例えば８０〜９０％である。
【００４９】
次いで、図５（ｂ）に示すように、粉末樹脂５０ａが１５０〜１７０℃の温度で加熱された上型４２によって下型４０側に加圧される。これにより、粉末樹脂５０ａが溶融／硬化すると同時に、上型４２によって樹脂が成形されて、半導体チップ２０の側面側の周囲から背面側に樹脂基板５０が形成される。
【００５０】
樹脂基板５０は、半導体チップ２０の背面上において１００〜３００μｍの厚みをもって形成される。樹脂基板５０は複数の半導体チップ２０を支持する支持基板として機能する。
【００５１】
このとき、関連技術で説明したように、半導体チップ２０の素子面Ａと粘着層１２との界面から液状樹脂が染み込みやすい。しかしながら、本実施形態では、半導体チップ２０の素子面Ａ側に染み込む染込樹脂Ｒ（図５（ｂ）の太線部）は、半導体チップ２０の周縁部と粘着層１２のとの界面からから重力によって粘着層１２の開口部１２ａの側面に垂れ流れてトラップされる。
【００５２】
従って、半導体チップ２０の素子面Ａの接続電極２０ａが染込樹脂Ｒによって汚染されることが防止される。
【００５３】
また、染込樹脂Ｒの量が多い場合であっても、染込樹脂Ｒは粘着層１２の開口部１２ａの側面から底面に流れるため、半導体チップ２０の接続電極２０ａが染込樹脂Ｒによって汚染されるおそれはない。
【００５４】
なお、粉末樹脂５０ａの代わりに、エポキシ樹脂などの熱硬化性の液状樹脂を塗布し、加圧／加熱処理を行って樹脂基板５０を形成してもよい。あるいは、エポキシ樹脂などの熱硬化性の半硬化状態の樹脂シートを真空雰囲気で貼付し、加圧／加熱処理を行うことにより、樹脂基板５０を得ることも可能である。また、エポキシ樹脂などをトランスファモールド工法で充填して樹脂基板５０を形成してもよい。
【００５５】
樹脂基板５０がフィラーを含有している場合は、その熱膨張係数を半導体チップ２０（シリコン）に近似させることができるので、熱応力の発生が抑制されて反りの発生が防止される。
【００５６】
その後に、図５（ｃ）に示すように、支持体１０及び樹脂基板５０から下型４０及び上型４２を取り外す。
【００５７】
次いで、図６（ａ）に示すように、支持体１０を除去することにより、粘着層１２及び半導体チップ２０の接続電極２０ａを露出させる。支持体１０として銅板などの金属板が使用される場合は、金属板がウェットエッチングによって除去される。
【００５８】
この場合は、半導体チップ２０の接続電極２０ａが腐食されないように、支持体１０のウェットエッチング液に耐性を有する金（Ａｕ）など金属層が接続電極２０ａの最上に形成されている。
【００５９】
さらに、図６（ｂ）に示すように、図６（ａ）の構造体から粘着層１２を引き剥がすことにより、半導体チップ２０の素子面Ａ及び樹脂基板５０の下面を露出させる。このとき、半導体チップ２０の周縁部から粘着層１２の開口部１２ａの側面に付着した染込樹脂Ｒは粘着層１２と共に半導体チップ２０から除去される。
【００６０】
このようにして、半導体チップ２０の接続電極２０ａはクリーンな状態で露出する。
【００６１】
あるいは、粘着層１２として熱剥離性粘着剤を使用してもよく、この場合は、加熱を施すことにより、図５（ｃ）の構造体から粘着層１２及び支持板１０を同時に分離して図６（ｂ）の構造を得ることができる。
【００６２】
次いで、図６（ｃ）に示すように、図６（ｂ）の構造体を上下反転させて、半導体チップ２０の素子面Ａ（表面）及び樹脂基板５０の上にエポキシやポリイミドなどの樹脂フィルムを貼付するなどして第１層間絶縁層６０を形成する。さらに、レーザによって第１層間絶縁層６０を加工することにより、半導体チップ２０の接続電極２０ａに到達する深さの第１ビアホールＶＨ１を形成する。
【００６３】
このとき、半導体チップ２０の接続電極２０ａ上にはレーザ加工しにくい染込樹脂Ｒが存在しないので、第１ビアホールＶＨ１内に半導体チップ２０の接続電極２０ａを信頼性よく露出させることができる。
【００６４】
なお、感光性のエポキシやポリイミドなどの樹脂から第１層間絶縁層６０を形成し、露光・現像によって第１ビアホールＶＨ１を形成してもよい。
【００６５】
続いて、図６（ｄ）に示すように、第１ビアホールＶＨ１（ビア導体）を介して半導体チップ２０の接続電極２０ａに接続される第１配線層７０を第１層間絶縁層６０の上に形成する。第１ビアホールＶＨ１内には半導体チップ２０の接続電極２０ａが露出しているので、第１配線層７０が半導体チップ２０の接続電極２０ａに信頼性よく電気接続される。
【００６６】
第１配線層７０は各種の配線形成方法によって形成することができる。以下に一例としてセミアディティブ法で形成する方法について説明する。まず、第１ビアホールＶＨ１内及び第１層間絶縁層６０の上にスパッタ法や無電解めっきによって銅などからなるシード層（不図示）を形成する。さらに、第１配線層７０が配置される部分に開口部が設けられためっきレジスト（不図示）を形成する。
【００６７】
続いて、シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、第１ビアホールＶＨ１内及びめっきレジストの開口部に銅などからなる金属めっき層（不図示）を形成する。さらに、めっきレジストを除去した後に、金属めっき層をマスクにしてシード層をエッチングすることにより第１配線層７０が得られる。
【００６８】
本実施形態では、半導体チップ２０がフリップチップ実装によって配線基板に接続されるのではなく、半導体チップ２０の接続電極２０ａに第１配線層７０が直接接続される。従って、フリップチップ実装するための高さの高い（例えば５０〜１００μｍ）はんだバンプなどのバンプ電極を使用する必要がないので、半導体装置の薄型化を図ることができる。
【００６９】
次いで、図７（ａ）に示すように、同様な方法により、第１配線層７０を被覆する第２層間絶縁層６２を形成した後に、第１配線層７０に到達する第２ビアホールＶＨ２を第２層間絶縁層６２に形成する。さらに、同様な方法により、第２ビアホールＶＨ２（ビア導体）を介して第１配線層７０に接続される第２配線層７２を第２層間絶縁層６２の上に形成する。
【００７０】
その後に、第２配線層７２の接続部ＣＰ上に開口部６４ａが設けられたソルダレジスト６４を形成する。さらに、必要に応じて、第２配線層７２の接続部ＣＰ上に下から順にニッケル／金めっき層を形成するなどしてコンタクト層（不図示）を形成する。
【００７１】
その後に、第２配線層７２の接続部ＣＰ上にはんだボールやリードピンなどの外部接続端子を設けてもよいし、接続部ＣＰ自体を外部接続端子としてもよい。
【００７２】
これにより、半導体チップ２０の素子面Ａ（表面）及び樹脂基板５０の上に半導体チップ２０の接続電極２０ａに接続される２層のビルドアップ配線ＢＷが形成される。２層のビルドアップ配線ＢＷを例示するが、ｎ層（ｎは１以上の整数）の配線層を任意に形成することができる。
【００７３】
半導体チップ２０の接続電極２０ａのピッチが第１、第２配線層７０，７２によって所望の広いピッチに変換される。
【００７４】
さらに、図７（ｂ）に示すように、各半導体チップ２０間の境界部（中間部）のビルドアップ配線ＢＷから樹脂基板５０まで切断することにより、第１実施形態の個々の半導体装置１が得られる。
【００７５】
なお、半導体装置１の放熱性を向上させる場合は、図７（ａ）の工程の後に、樹脂基板５０の下面側から樹脂基板５０を研磨することにより、半導体チップ２０の背面を露出させてもよい。その後に、同様に、各半導体チップ２０間の境界部が切断されて個々の半導体装置が得られる。
【００７６】
以上説明したように、本実施形態の半導体装置の製造方法では、支持体１０の上に開口部１２ａを備えた粘着層１２を形成し、半導体チップ２０の周縁部を粘着層１２の開口部１２ａの外側周辺部に粘着させて仮固定する。次いで、粉末樹脂５０ａを加圧／加熱処理して溶融／硬化させることにより、半導体チップ２０の周囲及び背面側を樹脂基板５０で封止する。
【００７７】
このとき、半導体チップ２０の素子面Ａと粘着層１２との界面から染込樹脂Ｒが染み込むとしても、染込樹脂Ｒは半導体チップ２０の周縁部から粘着層１２の開口部１２ａの側面に流れてトラップされる。これにより、半導体チップ２０の接続電極２０ａが染込樹脂Ｒで汚染されることが防止される。
【００７８】
その後に、支持体１０を除去した後に、粘着層１２を染込樹脂Ｒと共に除去することにより半導体チップ２０の接続電極２０ａを露出させる。
【００７９】
このように、半導体チップ２０が樹脂基板５０で封止される際に染込樹脂Ｒによる接続電極２０ａの汚染が防止されるので、半導体チップ２０の接続電極２０ａに接続されるビルドアップ配線ＢＷを歩留りよく形成することができる。
【００８０】
（第２の実施の形態）
図８〜図１１は本発明の第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す図である。
【００８１】
第２実施形態では、突出接続電極（バンプ電極）を備えた半導体チップが樹脂基板で封止される。第２実施形態では、第１実施形態と同一工程についてはその詳しい説明を省略する。
【００８２】
第２実施形態の半導体装置の製造方法では、図８に示すように、まず、第１実施形態と同様な方法により、支持体１０の上に複数の開口部１２ａを備えた粘着層１２を形成する。そして、素子面Ａ（表面）から突き出る突出接続電極２０ｂを備えた半導体チップ２０を用意する。突出接続電極２０ｂとしては、例えば金バンプが使用される。
【００８３】
半導体チップ２０の素子面Ａ側では、突出接続電極２０ｂ以外の領域に不図示の保護絶縁層（パッシベーション膜）が設けられており、突出接続電極２０ｂは保護絶縁層から２０〜５０μｍの高さで突出している。突出接続電極２０ｂは円柱状や四角柱状などで形成される。粘着層１２の厚みは、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの高さに対応して形成される。
【００８４】
そして、突出接続電極２０ｂを下側に向けて半導体チップ２０を粘着層１２の開口部１２ａの上に配置する。これにより、第１実施形態と同様に、半導体チップ２０の素子面Ａの周縁部が粘着層１２の開口部１２ａの外側周辺部に粘着されて仮固定される。
【００８５】
図８の例では、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂは、その先端面が支持体１０に当接した状態で粘着層１２の開口部１２ａに配置される。この場合は、突出接続電極２０ｂの先端面が平坦面で形成されることが好ましい。
【００８６】
このように、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの高さに対応する厚みをもつ粘着層１２の開口部１２ａに半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂが配置される。これにより、突出接続電極２０ｂを備えた半導体チップ２０であっても、突出接続電極２０ｂの段差を解消することができ、半導体チップ２０の周縁部を粘着層１２に密着させることができる。
【００８７】
図８の例では、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの先端面が支持体１０に当接しているが、必ずしも半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの先端面を支持体１０に当接させる必要はない。
【００８８】
粘着層１２の厚みを半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの高さと同等以上に設定することにより、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの段差が解消されて、半導体チップ２０の周縁部が粘着層１２に密着していればよい。つまり、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの先端面と支持体１０との間に隙間が生じていてもよい。
【００８９】
次いで、図９（ａ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、図８の構造体を下型４０の上に配置し、半導体チップ２０及び粘着層１２の上に粉末樹脂５０ａを配置する。
【００９０】
さらに、図９（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、粉末樹脂５０ａを上型４２によって下側に加圧しながら加熱する。これにより、粉末樹脂５０ａが溶融／硬化すると同時に、上型４２によって樹脂が成形されて、半導体チップ２０の側面側の周囲から背面側に樹脂基板５０が形成される。
【００９１】
このとき、第１実施形態と同様に、半導体チップ２０の素子面Ａ側に染み込む染込樹脂Ｒ（図９（ｂ）の太線部）は、半導体チップ２０の周縁部と粘着層１２との界面から重力によって粘着層１２の開口部１２ａの側面に垂れ流れてトラップされる。従って、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの先端面（接続部）が染込樹脂Ｒによって汚染されることが防止される。
【００９２】
またこのとき、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの先端面は支持体１０に当接して密着している。従って、染込樹脂Ｒの染込量が多く粘着層１２の開口部１２ａの底面まで流入する場合であっても、染込樹脂Ｒは粘着層１２の開口部１２ａの側面から半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂ間を通り底面に流れる。
【００９３】
従って、染込樹脂Ｒの染込量が多い場合であっても、半導体チップ２０の接続電極２０ａの先端面（接続部）が染込樹脂Ｒで汚染されるおそれはない。
【００９４】
なお、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの先端面と支持体１０との間に隙間が存在する場合は、突出接続電極２０ｂの先端面に染込樹脂Ｒが付着しないように、それらの隙間が染込樹脂Ｒの厚み（例えば２〜３μｍ程度）より大きくなるように設定することが肝要である。
【００９５】
その後に、図９（ｃ）に示すように、支持体１０及び樹脂基板５０から下型４０及び上型４２を取り外す。
【００９６】
次いで、図１０（ａ）に示すように、第１実施形態と同様に、支持体１０を除去することにより、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂ及び粘着層１２を露出させる。
【００９７】
さらに、図１０（ｂ）に示すように、図１０（ａ）の構造体から粘着層１２を引き剥がすことにより、半導体チップ２０の素子面Ａ側を完全に露出させる。このとき、半導体チップ２０の周縁部から粘着層１２の開口部１２ａの側面に付着した染込樹脂Ｒは粘着層１２と共に半導体チップ２０から除去される。
【００９８】
このようにして、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの先端面（接続部）はクリーンな状態で露出する。このとき、仮に、染込樹脂Ｒの量が多い場合に、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの側面に薄皮の染込樹脂Ｒが付着して残るとしても、その部分は接続部として使用しないので特に問題はない。
【００９９】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、図１０（ｂ）の構造体を上下反転させて、半導体チップ２０の素子面Ａ（表面）及び樹脂基板５０の上に第１層間絶縁層６０を形成する。さらに、レーザによって第１層間絶縁層６０を加工することにより、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの先端面（接続部）に到達する深さの第１ビアホールＶＨ１を形成する。
【０１００】
このとき、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの先端面（接続部）にはレーザ加工しにくい染込樹脂Ｒが存在しないので、第１ビアホールＶＨ１内に半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの先端面（接続部）を信頼性よく露出させることができる。
【０１０１】
なお、第１実施形態と同様に、感光性の樹脂から、第１ビアホールＶＨ１が設けられた第１層間絶縁層６０を形成してもよい。
【０１０２】
続いて、同じく図１０（ｃ）に示すように、第１ビアホールＶＨ１（ビア導体）を介して半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂに接続される第１配線層７０を第１層間絶縁層６０の上に形成する。
【０１０３】
なお、図１０（ｃ）の工程において、第１ビアホールＶＨ１を形成する代わりに、第１層間絶縁層６０の表面を突出接続電極２０ｂの先端面が露出するまで研磨し、次いで、研磨した第１層間絶縁層６０の表面に突出接続電極２０ｂに接続される第１配線層７０を形成してもよい。
【０１０４】
次いで、図１１（ａ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、第１配線層７０に接続される第２配線層７２などを形成することにより、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂに接続される２層のビルドアップ配線ＢＷを形成する。
【０１０５】
さらに、図１１（ｂ）に示すように、各半導体チップ２０間の境界部（中間部）のビルドアップ配線ＢＷから樹脂基板５０まで切断することにより、第２実施形態の個々の半導体装置１ａが得られる。
【０１０６】
以上説明したように、第２実施形態の半導体装置の製造方法では、まず、支持体１０の上に開口部１２ａを備えた粘着層１２を形成する。そして、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂを粘着層１２の開口部１２ａに配置した状態で半導体チップ２０の周縁部を粘着層１２の開口部１２ａの外側周辺部に粘着させて仮固定する。
【０１０７】
これより、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの段差が解消されて、半導体チップ２０の周縁部が粘着層１２の開口部１２ａの外側周辺部に密着する。
【０１０８】
続いて、半導体チップ２０の周囲及び背面側を樹脂基板５０で封止する。樹脂基板５０で封止する際に、液状樹脂が半導体チップ２０の素子面Ａと粘着層１２との界面から染み込むとしても、染込樹脂Ｒは半導体チップ２０の周縁部から粘着層１２の開口部１２ａの側面に垂れ流れてトラップされる。
【０１０９】
これにより、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂの先端面（接続部）が染込樹脂Ｒで汚染されることが防止される。従って、半導体チップ２０の突出接続電極２０ｂに接続されるビルドアップ配線ＢＷを歩留りよく形成するができる。
【符号の説明】
【０１１０】
１，１ａ…半導体装置、１０…支持体、１２…粘着層、１２ａ，６４ａ…開口部、２０…半導体チップ、２０ａ…接続電極、２０ｂ…突出接続電極、４０…下型、４２…上型、５０…樹脂基板、５０ａ…粉末樹脂、６０…第１層間絶縁層、６２…第２層間絶縁層、６４…ソルダレジスト、７０…第１配線層、７２…第２配線層、Ａ…素子面、ｃ…空間、ＣＰ…接続部、ｄ…幅、Ｒ…染込樹脂、ＢＷ…ビルドアップ配線、ＶＨ１…第１ビアホール、ＶＨ２…第２ビアホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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