(57)【要約】      （修正有）【課題】トリミング部周辺の電流集中によるホットスポットの発生を抑制し，高信頼性で，かつ，抵抗器のＶＩ特性の改善に好適な，抵抗膜形状およびトリミング形状を提供する。【解決手段】絶縁基板１上に抵抗膜３を形成する工程と，この抵抗膜をトリミングすることにより抵抗値を調整するトリミング工程を備えた抵抗の製造工程において，抵抗体形成時に抵抗体側辺に予め切欠４を設けておき，トリミング工程で，その切り欠きの面積を拡大するように抵抗体を切り取ることで租調整である1stカットトリミングを行った後，続いて微調整として，この1stカットトリミング跡に隣接する縁部を広げるようにカットする事により，トリミング面積を拡大する形で抵抗値を上昇させる2ndカットトリミングを行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜状抵抗体をトリミングすることにより抵抗値補正を行う抵抗器の製造工程において，膜状抵抗体の側辺のトリミング開始位置に切欠を設け，切欠の面積を拡大するようにトリミングを行うことを特徴とする抵抗値調整方法。
【請求項２】
膜状抵抗体をトリミングすることにより抵抗値補正を行う抵抗器の製造工程において，膜状抵抗体の側辺のトリミング開始位置に切欠を設け，切欠の面積を拡大するようにトリミングを行って抵抗値を調整することを特徴とする抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，トリミングにより抵抗値の調整を行う抵抗器において，高信頼性で抵抗値変化の少ない抵抗器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年，電子回路の高密度化に対する要求が増大していく中，高密度配線用の抵抗体にも高信頼性が求められるようになってきている。
一般に電子回路においては，回路を構成する抵抗として，絶縁基板上に抵抗体を形成し，トリミングによって抵抗値を調整した抵抗器が使用されている。
【０００３】
この種の抵抗器は，図5に示すように，セラミック基板などの絶縁基板3上に予め形成された電極2a，2bの間に目的とする抵抗値に対応した平面矩形状の抵抗膜3をスクリーン印刷または薄膜形成等により形成している。
このようにしてセラミック基板などの上に形成された抵抗膜3は，抵抗膜形成の段階では目的となる抵抗値より低くなるように形成しておき，製造工程における抵抗値のバラツキを補正するため，抵抗膜3にトリミング12a,12bを施して所要の抵抗値を得るための調整を行っている。
【０００４】
トリミング時には，抵抗膜3の抵抗値をモニタリングしながら抵抗膜3に徐々にトリミング12a,12bを施してその抵抗値を上昇させ，最終的に目的の抵抗値になるまでトリミングを行うことにより，所要の抵抗値を得ている。
一般的にトリミングの手段としては，YAG，CO2，Xe，Ndなどのレーザビームにより，所定の抵抗値になるまで抵抗膜3を蒸発させるレーザトリミング法と，数十μｍの粒径のアルミパウダーを圧縮空気と共に抵抗膜3に吹き付けて機械的に削り取るサンドブラスト法があり，近年では生産効率がよいレーザトリミング法が主流となっている。
【０００５】
図5に示すトリミング12a,12bは，従来の抵抗器に一般的に採用されている，L字状のトリミング溝を形成した例を示している。
図5に示すように，抵抗膜3の一方の側面から他方の側面方向に直線状に1stカットトリミング12aを開始し，ある程度目標の抵抗値に近づいたところで，微調整のため90度方向転換して抵抗膜3の引き出し電極方向に2ndカットトリミング12bを行ってL字状のトリミング溝を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平４-97501号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながらこのようなL字状のトリミング溝を形成した従来の抵抗器では，電流を印加した際に，2ndカットトリミングの始点12d付近，および終点12cで電流の集中によりホットスポットが発生し，抵抗器のＶＩ特性の悪化および電流値の変化に伴って抵抗値が変化してしまう問題が存在する。
また，図6に拡大して示すように，トリミングの終点12cにはトリミング時の熱応力によってマイクロクラック13が発生しやすく，耐電力特性，対パルス特性の劣化，および，端子電極間にサージ電流が流れた場合，トリミング部分への電流集中により局部発熱が生じ，トリミング時に生じたマイクロクラックが進行して拡大し，その結果，大きな抵抗値変化が生じるという問題がある。
【０００８】
本発明の目的は，電流経路を安定的に形成する事によりトリミング部周辺の電流集中によるホットスポットの発生を抑制し，高信頼性で，かつ，抵抗器のＶＩ特性の改善に好適な，抵抗膜形状およびトリミング形状を提供する事にある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による抵抗器は，絶縁基板上に抵抗膜を形成する工程と，この抵抗膜をトリミングすることにより抵抗値を調整するトリミング工程を備えた抵抗の製造工程において，抵抗体形成時に抵抗体側辺に予め切欠を設けておき，トリミング工程で，その切欠の面積を拡大するように抵抗体を切り取ることで租調整である1stカットトリミングを行った後，続いて微調整として，この1stカットトリミング跡に隣接する縁部を広げるようにカットする事により，トリミング面積を拡大する形で抵抗値を上昇させる2ndカットトリミングを行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によればトリミングの始点および終点が抵抗膜内部に無く，従来のL字状のトリミング溝で発生していたマイクロクラックの影響を最小限に抑えることが出来るため，マイクロクラックの進行による使用中の抵抗値変化を少なくすることが出来る。
また，トリミング領域が電流の方向に対して平行に形成されており，従来のL字状のトリミング溝に比べて電流を疎外しないためホットスポットの発生を抑制し，安定なＶＩ特性の抵抗器を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明による抵抗器の一実施例の上面図
【図２】本発明の一実施例における抵抗器のトリミング部分の拡大図
【図３】本発明に係る抵抗器において1stカットトリミングを直線状に形成        した他の実施例を示す上面図
【図４】本発明に係る抵抗器において切欠部を抵抗膜側辺中央に2つ形成した          他の実施例を示す上面図
【図５】従来の抵抗器の例を示す上面図
【図６】従来の抵抗器におけるトリミング部の拡大図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下，本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明による抵抗器の一実施例を示す上面図である。
図２は図1における抵抗器のトリミング部分の拡大図である。
図1において1はセラミック等の材質からなる絶縁基板である。2a,2bは絶縁基板1上に対向して形成された一対の端子電極である。これらの端子電極2a,2bは，例えばAg-Pdペーストを印刷して焼きつけたものである。3は端子電極2a,2b間を電気的に接続するように，かつ両電極2a,2b間に電流が流れるように絶縁基板1と端子電極2a,2bの上面の一部に設けられた，酸化ルテニウム等の抵抗体材料からなる抵抗膜である。
【００１３】
抵抗膜3には側辺に矩形状の切欠部4を設けており，抵抗膜形成時点では端子電極間の抵抗値は所定の抵抗値より低い値になるよう設定されている。切欠部4は抵抗膜3の側辺であればどこに設けられてもよい。
抵抗膜3形成後，トリミング工程で，端子電極2a,2b間の抵抗値を観測しながら，租調整として切欠部4から矩形状に1stカットトリミング5を行う。1stカットトリミング5は切欠部4の面積を拡大するように，抵抗膜3を切り取り，抵抗値の租調整を行う。1stカットトリミング5の始点8および終点9は何れも抵抗膜3の周辺部にあり，一般的な従来のＬ字トリミングのように，抵抗膜内部に存在する事は無い。1stカットトリミング5を行った時点では抵抗値は，まだ目標の抵抗値より低い値であり，次に，微調整として2ndカットトリミング6を行って最終的に目標の抵抗値に調整する。2ndカットトリミング6は1stカットトリミング5の側縁に沿って行い，1stカットトリミング5で切り離された抵抗膜7の側縁の長さ分を往復するようにレーザを照射し，測定している端子電極2a,2b間の抵抗値が目標の抵抗値となるまで行う。
【００１４】
図2に示すように，上記トリミング工程の結果として得られるトリミング溝の形状は，切欠部4の面積を拡大するように抵抗膜3を切り取った1stカットトリミング5と，その1stカットトリミング5で切り離された抵抗膜7の側縁に沿って往復するように抵抗膜3を削り取った2ndカットトリミング6から構成されている。1stカットトリミング5，および2ndカットトリミング6の範囲は，切欠部4の幅を超えないように設定されている。
これにより，1stカットトリミング5の始点8，終点9，および，2ndカットトリミング6の始点10および終点11が抵抗膜内部に無く，従来のL字状のトリミング溝で発生していたマイクロクラックの影響を最小限に抑えることが出来る。また，トリミング領域が，端子電極2a,2b間を流れる電流の方向に対して平行に形成されており，従来用いられていたL字状のトリミング溝形状に比べて電流を疎外しないためホットスポットの発生を抑制し，安定なＶＩ特性が得られる。
【００１５】
図3，4は本発明の他の実施例を示す上面図である。
【００１６】
図3は，1stカットトリミング5を直線状に三角形に切り取った場合の実施例である。2ndカットトリミング6は，直線状に抵抗膜3を切り取った1stカットトリミング5に沿って往復するように実施される。図3の実施例の場合，1stカットトリミング5は1動作で終了するため，生産性を向上させる事が出来る。
【００１７】
図4は切欠部4を抵抗膜3の側辺中間部に2つ設けた例である。抵抗膜3に設ける切欠部4は抵抗膜3の側辺に位置していればよく，数量は調整する抵抗値の大きさにより任意に設定でき，切欠部4の数量が多ければ抵抗値を調整できる余地が増える。
【００１８】
以上のような構成の本発明による抵抗器はチップ状の絶縁基板上に形成されてチップ抵抗器を形成する他に，ハイブリッドＩＣ等，他の電子部品が搭載された絶縁基板上に直接形成されて混成集積回路を構成する等，種々の用途に用いる事が出来る。
【符号の説明】
【００１９】
1・・・絶縁基板
2a，2b・・・端子電極
3・・・抵抗膜
4・・・切欠部
5・・・ 1stカットトリミング溝
6・・・2ndカットトリミングで除去される抵抗膜，
7・・・1stカットトリミングで切り離される抵抗膜
8・・・1stカットトリミングの開始点
9・・・1stカットトリミングの終了点
10・・・2ndカットトリミングの開始点
11・・・2ndカットトリミングの終了点
12a・・・従来のL字型トリミングにおける1stカットトリミング
12b・・・従来のL字型トリミングにおける2ndカットトリミング
12C・・・従来のL字型トリミングにおけるトリミング開始点
12d・・・従来のL字型トリミングにおけるトリミング終了点
13・・・従来のL字型トリミングに発生したマイクロクラック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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