(57)【要約】【課題】安定した特性のヒューズ素子を有するＭＥＭＳ装置を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳ装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２に収容され、機能素子２０と電気的に接続されたヒューズ素子４０と、を含む。【選択図】図１
2011218462.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に形成され、空洞部を有する層間絶縁層と、
前記空洞部に収容された機能素子と、
前記空洞部に収容され、前記機能素子と電気的に接続されたヒューズ素子と、
を含む、ＭＥＭＳ装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ヒューズ素子は、前記基板と離間している、ＭＥＭＳ装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記基板の上方であって、前記機能素子と前記ヒューズ素子との間に形成された壁部をさらに含む、ＭＥＭＳ装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、
前記空洞部に収容された他の機能素子と、
前記空洞部に収容され、前記他の機能素子と電気的に接続された他のヒューズ素子と、
をさらに含む、ＭＥＭＳ装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、
前記基板と前記層間絶縁層の間に形成された絶縁層をさらに含み、
前記機能素子および前記ヒューズ素子は、前記絶縁層上に形成されている、ＭＥＭＳ装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記ヒューズ素子に電気的に接続され、前記ヒューズ素子を溶断させる溶断電流を流すための第１配線および第２配線をさらに含む、ＭＥＭＳ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＭＳＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等の機能素子を半導体基板上に形成された空洞部に配置してなるＭＥＭＳ装置が知られている。マイクロ振動子、マイクロセンサー、マイクロアクチュエーター等のＭＥＭＳは、微小な構造体が振動、変形、その他の動作が可能となる状態で配置される必要があるため、空洞部内に動作可能な状態で収容される（特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、半導体装置において、例えば、製品の歩留まりを向上させるために、半導体基板上に形成された複数の素子から特性の良い素子を選択して用いることがある。例えば、特許文献２には、不良検査工程においてリーク電流の大きい不良のキャパシターを検出し、この不良のキャパシターに接続されたヒューズ素子を溶断させることで、回路からこの不良のキャパシターを電気的に分離することができる半導体装置が記載されている。この特許文献２に記載の半導体装置では、積層構造を有する層間絶縁膜中にヒューズ部（ヒューズ素子）が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１２３５６１号公報
【特許文献２】特開２００５−１２３３７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、層間絶縁層中に形成されたヒューズ素子では、ヒューズ素子を溶断させる際にヒューズ素子が発する熱が層間絶縁層に吸収され、溶断させるために必要な電流量が増えてしまう場合がある。このため、溶断させるために必要な電流量や時間が変動してしまい、ヒューズ素子の特性が安定しないという問題が生じる。
【０００６】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、特性の安定したヒューズ素子を有するＭＥＭＳ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るＭＥＭＳ装置は、
基板と、
前記基板の上方に形成され、空洞部を有する層間絶縁層と、
前記空洞部に収容された機能素子と、
前記空洞部に収容され、前記機能素子と電気的に接続されたヒューズ素子と、
を含む。
【０００８】
このようなＭＥＭＳ装置によれば、ヒューズ素子が空洞部に収容されているため、ヒューズ素子を溶断させる際にヒューズ素子が発する熱を逃げにくくすることができる。したがって、ヒューズ素子の特性を安定させることができる。
【０００９】
なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下、「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下、「Ｂ」という）を形成する」などと用いる場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
【００１０】
本発明に係るＭＥＭＳ装置において、
前記ヒューズ素子は、前記基板と離間していることができる。
【００１１】
このようなＭＥＭＳ装置によれば、よりヒューズ素子の特性を安定させることができる。
【００１２】
本発明に係るＭＥＭＳ装置において、
前記基板の上方であって、前記機能素子と前記ヒューズ素子との間に形成された壁部をさらに含むことができる。
【００１３】
このようなＭＥＭＳ装置によれば、溶断したヒューズ素子が飛散して、機能素子に付着することを防ぐことができる。
【００１４】
本発明に係るＭＥＭＳ装置において、
前記空洞部に収容された他の機能素子と、
前記空洞部に収容され、前記他の機能素子と電気的に接続された他のヒューズ素子と、
をさらに含むことができる。
【００１５】
このようなＭＥＭＳ装置によれば、２つの振動子を１つの空洞部に収容することができる。そのため、２つの振動子を振動子ごとに空洞部に収容する場合、すなわち、２つの空洞部を設ける場合と比べて、空洞部の数を減らすことができる。したがって、小型化を図ることができる。
【００１６】
本発明に係るＭＥＭＳ装置において、
前記基板と前記層間絶縁層の間に形成された絶縁層をさらに含み、
前記機能素子および前記ヒューズ素子は、前記絶縁層上に形成されていることができる。
【００１７】
このようなＭＥＭＳ装置によれば、機能素子と前記ヒューズ素子とが、ともに絶縁層上に形成されているため、製造工程を簡略化することができる。
【００１８】
本発明に係るＭＥＭＳ装置において、
前記ヒューズ素子に電気的に接続され、前記ヒューズ素子を溶断させる溶断電流を流すための第１配線および第２配線をさらに含むことができる。
【００１９】
このようなＭＥＭＳ装置によれば、ヒューズ素子の特性を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態に係るＭＥＭＳ装置を模式的に示す平面図。
【図２】本実施形態に係るＭＥＭＳ装置を模式的に示す断面図。
【図３】本実施形態に係るＭＥＭＳ装置を模式的に示す断面図。
【図４】本実施形態に係るＭＥＭＳ装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図５】本実施形態に係るＭＥＭＳ装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】本実施形態に係るＭＥＭＳ装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】本実施形態に係るＭＥＭＳ装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】本実施形態に係るＭＥＭＳ装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】本実施形態の第１変形例に係るＭＥＭＳ装置を模式的に示す平面図。
【図１０】本実施形態の第１変形例に係るＭＥＭＳ装置を模式的に示す断面図。
【図１１】本実施形態の第１変形例に係るＭＥＭＳ装置を模式的に示す平面図。
【図１２】本実施形態の第１変形例に係るＭＥＭＳ装置を模式的に示す平面図。
【図１３】本実施形態の第２変形例に係るＭＥＭＳ装置を模式的に示す平面図。
【図１４】本実施形態の第３変形例に係るＭＥＭＳ装置を模式的に示す平面図。
【図１５】本実施形態の第３変形例に係るＭＥＭＳ装置を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
１．  ＭＥＭＳ装置
まず、本実施形態に係るＭＥＭＳ装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係るＭＥＭＳ装置１００を模式的に示す平面図である。図２は、ＭＥＭＳ装置１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、ＭＥＭＳ装置１００を模式的に示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。なお、図１では、便宜上、基板１０、絶縁層１１、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃ、第１被覆層６０、第２被覆層７０、および保護膜７２の図示を省略している。
【００２３】
ＭＥＭＳ装置１００は、図１〜図３に示すように、基板１０と、機能素子２０と、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、ヒューズ素子４０と、を含む。ＭＥＭＳ装置１００は、さらに、第１被覆層６０と、第２被覆層７０と、を含むことができる。
【００２４】
基板１０としては、例えば、シリコン基板等の半導体基板を用いることができる。基板１０として、セラミックス基板、ガラス基板、サファイア基板、合成樹脂基板などの各種の基板を用いてもよい。基板１０上には、絶縁層１１が形成されている。絶縁層１１は、例えば、基板１０側から酸化シリコン層、窒化シリコン層をこの順で積層した積層構造を有している。
【００２５】
機能素子２０は、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの空洞部３２に収容されている。機能素子２０は、絶縁層１１上に形成された固定電極２２と、固定電極２２と一定間隔を空けて形成された可動電極２４と、から構成される振動子である。可動電極２４は、絶縁層１１上に形成された固定部２４ａと、固定電極２２に対向して配置された振動可能な可動部（梁）２４ｂと、可動部２４ｂと固定部２４ａを連結して支持する支持部２４ｃとで構成されている。固定電極２２および可動電極２４の材質としては、例えば、所定の不純物をドーピングすることにより導電性が付与された多結晶シリコンが挙げられる。
【００２６】
固定電極２２は、配線４および配線プラグ５を介して、ヒューズ素子４０と電気的に接続されている。ヒューズ素子４０は、配線プラグ６および配線７を介して空洞部３２の外に設けられたパッド８０と電気的に接続されている。すなわち、固定電極２２は、ヒューズ素子４０を介して、パッド８０と電気的に接続されている。可動電極２４は、配線８を介して、空洞部３２の外に設けられたパッド８１と電気的に接続されている。また、機能素子２０は、外部の発振回路（図示しない）に接続されており、所望の周波数を得ることができる。なお、発振回路は、基板１０上に形成されていてもよい。
【００２７】
図示の例では、固定電極２２が、ヒューズ素子４０を介して、パッド８０と電気的に接続されているが、図示はしないが、可動電極２４がヒューズ素子４０を介して、パッド８１と電気的に接続されていてもよい。
【００２８】
なお、機能素子２０は、例えば、上述した振動子以外の、水晶振動子、ＳＡＷ（弾性表面波）素子、加速度センサー、ジャイロスコープ、マイクロアクチュエーターなどの各種の機能素子であってもよい。すなわち、本発明のＭＥＭＳ装置は、空洞部３２に収容されうる任意の機能素子を備えたものであればよい。
【００２９】
ヒューズ素子４０は、空洞部３２に収容されている。ヒューズ素子４０は、例えば、線状または板状の導体からなり、一定以上の電流（溶断電流）が流れることによって、ヒューズ素子４０自体の発する熱で溶断するように設けられた可溶体である。ヒューズ素子４０には、第１配線５０および第２配線５２が電気的に接続されている。
【００３０】
第１配線５０および第２配線５２は、ヒューズ素子４０を溶断させる溶断電流を流すための配線である。第１配線５０は、空洞部３２の外に設けられたパッド８２と電気的に接続されており、第２配線５２は、空洞部３２の外に設けられたパッド８３と電気的に接続されている。パッド８２，８３間に電圧が印加されることで、第１配線５０および第２配線５２は、ヒューズ素子４０に溶断電流を流すことができる。
【００３１】
ヒューズ素子４０は、図２および図３に示すように、空洞部３２内において、基板１０と離間している。図示の例では、ヒューズ素子４０は、絶縁層１１とも離間している。ヒューズ素子４０は、配線プラグ５，６によって支持された配線５０，５２に保持されて、絶縁層１１と離間している。すなわち、ヒューズ素子４０は、配線５０，５２以外の部材と接していない。なお、ヒューズ素子４０の高さ（基板１０の上面からの距離）は、図示の例では、第１層間絶縁層３０ａの上面の高さと同じであるが、ヒューズ素子４０の高さは特に限定されず、例えば、第２層間絶縁層３０ｂの上面の高さと同じであってもよい。
【００３２】
層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃは、絶縁層１１上に形成されている。層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃは、機能素子２０が収容される空洞部３２を有している。空洞部３２内は、例えば、減圧状態である。空洞部３２は、図示の例では、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの側面、第１被覆層６０、絶縁層１１により区画される領域である。
【００３３】
空洞部３２には、包囲壁（第１包囲壁２ａ、第２包囲壁２ｂ、第３包囲壁２ｃ）が形成されている。各包囲壁２ａ，２ｂ，２ｃは、機能素子２０およびヒューズ素子４０を囲む平面形状を有する。包囲壁２ａ，２ｂ，２ｃの平面形状は、機能素子２０およびヒューズ素子４０を囲む形状であれば特に限定されず、例えば、円形状、多角形状などの任意の形状である。各包囲壁２ａ，２ｂ，２ｃは、導電接続されており、機能素子２０を囲む一体的な側壁を構成している。包囲壁２ａ，２ｂ，２ｃは、配線８，７，５０，５２を避けて形成されてもよい。包囲壁２ａ，２ｂ，２ｃの材質としては、例えば、多結晶シリコンや、アルミニウム、銅、タングステン、チタンなどの金属やその合金が挙げられる。
【００３４】
第１被覆層６０は、空洞部３２の上方に形成されている。第１被覆層６０には、貫通孔６２が形成されている。貫通孔６２の数は、特に限定されない。第１被覆層６０は、図示の例では、第３包囲壁２ｃと一体的に形成されている。第１被覆層６０は、空洞部３２の上方を覆っている。第１被覆層６０は、例えば、チタン層、窒化チタン層、アルミ−銅合金層、窒化チタン層がこの順で積層された積層構造を有する。第１被覆層６０の膜厚は、例えば、数百ｎｍ程度である。
【００３５】
包囲壁２ａ，２ｂ，２ｃおよび第１被覆層６０には、一定の電位（例えば、接地電位）が与えられることが望ましい。これにより、包囲壁２ａ，２ｂ，２ｃおよび第１被覆層６０を電磁シールドとして機能させることができる。すなわち、機能素子２０を外部に対して電磁的にある程度遮蔽することができる。
【００３６】
第２被覆層７０は、第１被覆層６０上に形成されている。第２被覆層７０は、第１被覆層６０の貫通孔６２を塞いでいる。第２被覆層７０の材質としては、例えば、アルミ、チタン、タングステン等の金属を挙げることができる。第２被覆層７０の膜厚は、例えば、３μｍ程度である。第１被覆層６０および第２被覆層７０は、空洞部３２を上方から覆って空洞部３２を封止する封止部材として機能することができる。
【００３７】
ＭＥＭＳ装置１００は、例えば、発振器を構成することができる。ＭＥＭＳ装置１００を組み込んだ発振器において、ヒューズ素子４０は、振動子２０を選択するための選択部として機能する。例えば、固有振動数の異なる振動子２０を有するＭＥＭＳ装置１００を複数組み込んだ発振器において、ヒューズ素子４０を制御することにより、これらの振動子２０を選択して用いることができる。そのため、複数の周波数を出力することが可能な発振器を得ることができる。また、例えば、所望の周波数に近い固有振動数を有する振動子２０を備えたＭＥＭＳ装置１００を複数組み込んだ発振器において、ヒューズ素子４０を制御することにより、より所望の周波数に近い周波数を出力できる振動子２０を選択して用いることができる。そのため、周波数精度の高い発振器を得ることができる。
【００３８】
ＭＥＭＳ装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００３９】
ＭＥＭＳ装置１００では、ヒューズ素子４０は、空洞部３２に収容されている。さらに、ヒューズ素子４０は、基板１０と離間して設けられている。すなわち、ＭＥＭＳ装置１００によれば、ヒューズ素子４０を配線５０，５２以外の他の部材とは接しないように設けることができる。例えば、層間絶縁層中にヒューズ素子を設けた場合、ヒューズ素子は、層間絶縁層に覆われてしまう。このため、ヒューズ素子を溶断させる際にヒューズ素子が発する熱が層間絶縁層に吸収され溶断電流が増大したり、ヒューズ素子が層間絶縁層に押さえ込まれて、所定の電流が流れても溶断しにくくなったりする。したがって、溶断させるために必要な電流量や時間が変動してしまい、安定した特性が得られない。これに対し、ＭＥＭＳ装置１００では、ヒューズ素子４０を配線５０，５２以外の他の部材とは接しないように設けることができる。そのため、ヒューズ素子４０を溶断させる際にヒューズ素子４０が発する熱を逃げにくくすることができ、かつ所定の電流が流れたときにヒューズ素子４０を容易に溶断させることができる。したがって、ＭＥＭＳ装置１００によれば、ヒューズ素子の特性を安定させることができる。
【００４０】
さらに、例えば、層間絶縁層中にヒューズ素子を設けた場合には、ヒューズ素子を溶断させることにより、層間絶縁層や配線を保護するための保護膜が破壊され、層間絶縁層中に形成された他の配線が壊れたり、当該他の配線が露出して腐食したりする場合がある。ＭＥＭＳ装置１００では、ヒューズ素子４０が空洞部３２内に形成されているため、このような問題が生じない。したがって、信頼性を向上させることができる。さらに、例えば、層間絶縁層中に形成された配線を保護するためのガードリングが不要となる。
【００４１】
２．  ＭＥＭＳ装置の製造方法
次に、本実施形態に係るＭＥＭＳ装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図４〜図８は、ＭＥＭＳ装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図５（Ｂ）は、図３に対応し、その他の図は、図２に対応している。
【００４２】
図４に示すように、基板１０の絶縁層１１上に機能素子２０を形成する。具体的には、まず、固定電極２２を、ＣＶＤ法やスパッタリング法などによる成膜処理と、パターニング処理により形成する。固定電極２２が多結晶シリコンからなる場合、導電性を付与するために所定の不純物をドーピングする。次に、ＣＶＤ法等により、固定電極２２を覆う犠牲層２５を形成する。犠牲層２５としては、シリコン酸化膜を用いることができる。次に、犠牲層２５上および絶縁層１１上に可動電極２４を形成する。可動電極２４は、ＣＶＤ法やスパッタリング法などによる成膜処理と、パターニング処理により形成される。可動電極２４が多結晶シリコンからなる場合、導電性を付与するために所定の不純物をドーピングする。以上の工程により、機能素子２０が形成される。
【００４３】
次に、絶縁層１１上に配線４，７，８（図１参照）を形成する。配線４，７，８は、機能素子２０を形成する工程と同一工程で形成されてもよいし、機能素子２０が形成された後に形成されてもよい。
【００４４】
図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように、機能素子２０を覆う第１層間絶縁層３０ａを形成する。第１層間絶縁層３０ａは、例えば、ＣＶＤ法や塗布（スピンコート）法などにより形成される。第１層間絶縁層３０ａを形成した後に、第１層間絶縁層３０ａの表面を平坦化する処理を行ってもよい。次に、第１層間絶縁層３０ａに第１包囲壁２ａおよび配線プラグ５，６を形成する。第１包囲壁２ａおよび配線プラグ５，６は、例えば、第１層間絶縁層３０ａをパターニングして第１層間絶縁層３０ａを貫通する溝を形成し、その溝にアルミなどの金属を埋め込むことで形成される。
【００４５】
次に、図５（Ｂ）に示すように、第１層間絶縁層３０ａ上にヒューズ素子４０および配線５０，５２を形成する。ヒューズ素子４０および配線５０，５２は、ＣＶＤ法やスパッタリング法などによる成膜処理と、パターニング処理により形成される。
【００４６】
図６に示すように、第２層間絶縁層３０ｂ、第３層間絶縁層３０ｃ、第２包囲壁２ｂ、第３包囲壁２ｃを形成する。第２層間絶縁層３０ｂ、第３層間絶縁層３０ｃ、第２包囲壁２ｂ、第３包囲壁２ｃは、例えば、第１層間絶縁層３０ａおよび第１包囲壁２ａと同様に形成される。
【００４７】
次に、第３層間絶縁層３０ｃ上に、第１被覆層６０を形成する。第１被覆層６０は、例えば、スパッタ法やＣＶＤ法などにより成膜した後、フォトリソグラフィ技術などによりパターニングすることで形成される。次に、第１被覆層６０に貫通孔６２を形成する。この貫通孔６２を形成する工程は、第１被覆層６０を形成する工程と同一工程で行われてもよい。すなわち、第１被覆層６０を形成する工程におけるパターニングによって、貫通孔６２を形成してもよい。
【００４８】
図７に示すように、第３層間絶縁層３０ｃ上に保護膜７２を形成する。保護膜７２は、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成される。次に、保護膜７２に貫通孔６２と連通する開口部を形成する。すなわち、開口部により、貫通孔６２を露出させる。開口部は、例えば、フォトリソグラフィ技術により形成される。
【００４９】
図８に示すように、貫通孔６２を通して犠牲層２５、機能素子２０の上方およびヒューズ素子４０の周囲の層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを除去し、空洞部３２を形成する（リリース工程）。例えば、フッ化水素酸や緩衝フッ酸（フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合液）などを用いたウエットエッチング、フッ化水素系のガスなどを用いたドライエッチングにより、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃおよび犠牲層２９を除去して、空洞部３２を形成することができる。包囲壁２ａ，２ｂ，２ｃおよび第１被覆層６０は、リリース工程においてエッチングされない材料で形成されることにより、空洞部３２が包囲壁２ａ，２ｂ，２ｃの外へ拡がることを防止することができる。
【００５０】
図１に示すように、第１被覆層６０上に第２被覆層７０を形成する。第２被覆層７０は、少なくとも第１被覆層６０の貫通孔６２上に形成される。これにより、貫通孔６２を塞ぐことができ、空洞部３２を封止することができる。第２被覆層７０は、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法などの気相成長法により形成される。これにより、空洞部３２を減圧状態のまま封止することができる。
【００５１】
次に、配線７，８，５０，５２と電気的に接続するパッド８０，８１，８２，８３を形成する。
【００５２】
以上の工程により、ＭＥＭＳ装置１００を製造することができる。
【００５３】
３．  変形例
次に、本実施形態の変形例に係るＭＥＭＳ装置について、図面を参照しながら説明する。以下、本実施形態の変形例に係るＭＥＭＳ装置において、ＭＥＭＳ装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００５４】
（１）第１変形例
まず、本実施形態の第１変形例に係るＭＥＭＳ装置２００について説明する。図９は、ＭＥＭＳ装置２００を模式的に示す平面図である。図１０は、ＭＥＭＳ装置２００を模式的に示す図９のＸ−Ｘ線断面図である。図１１および図１２は、ＭＥＭＳ装置２００の他の例を模式的に示す平面図である。なお、図９、図１１、図１２では、便宜上、基板１０、絶縁層１１、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃ、第１被覆層６０、第２被覆層７０、および保護膜７２の図示を省略している。
【００５５】
ＭＥＭＳ装置２００は、図９および図１０に示すように、基板１０の絶縁層１１上であって、機能素子２０とヒューズ素子４０との間に形成された壁部２１０を有することができる。
【００５６】
壁部２１０は、図１０に示すように、絶縁層１１上に形成された第１部分２１０ａと、第１部分２１０ａ上に形成された第２部分２１０ｂと、で構成されている。第１部分２１０ａと第２部分２１０ｂとは、例えば、接合されており、一体的な壁を構成している。壁部２１０の材質としては、例えば、多結晶シリコンや、アルミニウム、銅、タングステン、チタンなどの金属やその合金が挙げられる。壁部２１０は、例えば、包囲壁２ａ，２ｂを形成する工程と、同一工程で形成されることができる。
【００５７】
なお、壁部２１０は、図９に示す例では、平面視において、機能素子２０とヒューズ素子４０との間に直線状に形成されている。壁部２１０は、図１１に示すように、平面視において、配線４，７，８を避けて機能素子２０を囲むように形成されてもよい。また、壁部２１０は、図１２に示すように、平面視において、配線４，７，５０，５２を避けてヒューズ素子４０を囲むように形成されてもよい。
【００５８】
ＭＥＭＳ装置２００によれば、絶縁層１１上であって、機能素子２０とヒューズ素子４０との間に形成された壁部２１０を有することができる。そのため、溶断したヒューズ素子４０が飛散して、機能素子２０に付着することを防ぐことができる。さらに、壁部２１０は、被覆層６０，７０が変形して機能素子２０に接触することを防ぐことができる。空洞部３２内は、減圧空間のため、外部との圧力差が生じる。このため、被覆層６０，７０は、この圧力差により変形し、機能素子２０に接触する場合がある。壁部２１０は、この変形した被覆層６０，７０を支持して、被覆層６０，７０が機能素子２０に接触することを防ぐことができる。
【００５９】
（２）第２変形例
次に、本実施形態の第２変形例に係るＭＥＭＳ装置３００について説明する。図１３は、ＭＥＭＳ装置３００を模式的に示す平面図である。なお、図１３では、便宜上、基板１０、下地層１１、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃ、第１被覆層６０、第２被覆層７０、および保護膜７２の図示を省略している。
【００６０】
ＭＥＭＳ装置１００の例では、図１および図２に示すように、機能素子２０と、ヒューズ素子４０と、を有していた。それに対して、ＭＥＭＳ装置３００は、図１３に示すように、機能素子２０およびヒューズ素子４０に加えて、さらに、空洞部３２に収容された他の機能素子３２０と、空洞部３２に収容され他の機能素子３２０と電気的に接続された他のヒューズ素子３４０と、を有することができる。
【００６１】
図示の例では、空洞部３２内には、２つの機能素子２０，３２０、および２つのヒューズ素子４０，３４０が収容されているが、３つ以上の機能素子、および３つ以上のヒューズ素子が収容されていてもよい。
【００６２】
ＭＥＭＳ装置３００によれば、２つの振動子２０，３２０を１つの空洞部に収容することができる。そのため、２つの振動子を振動子ごとに空洞部に収容する場合、すなわち、２つの空洞部を設ける場合と比べて、空洞部の数を減らすことができる。したがって、装置の小型化を図ることができる。
【００６３】
また、ＭＥＭＳ装置３００によれば、例えば、所望の特性が得られない機能素子をヒューズ素子によって電気的に分離することができる。したがって、特性の良い機能素子を選択して用いることができるため、特性のよい機能素子を有するＭＥＭＳ装置を歩留まりよく得ることができる。
【００６４】
（３）第３変形例
次に、本実施形態の第３変形例に係るＭＥＭＳ装置４００について説明する。図１４は、ＭＥＭＳ装置４００を模式的に示す平面図である。図１５は、ＭＥＭＳ装置１００を模式的に示す図１４のＸＶ−ＸＶ線断面図である。なお、図１４では、便宜上、基板１０、下地層１１、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃ、第１被覆層６０、第２被覆層７０、および保護膜７２の図示を省略している。
【００６５】
ＭＥＭＳ装置４００では、機能素子２０およびヒューズ素子４０が、絶縁層１１上に形成されている。これにより、配線プラグ５，６（図１および図３参照）を形成しなくてもヒューズ素子４０を基板１０と離間して形成できるため、ＭＥＭＳ装置１００の例と比べて、製造工程を簡略化することができる。
【００６６】
ＭＥＭＳ装置４００では、ＭＥＭＳ装置１００と同様に、例えば、層間絶縁層中にヒューズ素子を設けた場合と比べて、ヒューズ素子の特性を安定させることができる。
【００６７】
なお、上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【００６８】
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００６９】
２ａ  第１包囲壁、２ｂ  第２包囲壁、２ｃ  第３包囲壁、４  配線、
５，６  配線プラグ、７  配線、８  配線、１０  基板、１１  絶縁層、
２０  機能素子、２２  固定電極、２４  可動電極、２５  犠牲層、
３０ａ  第１層間絶縁層、３０ｂ  第２層間絶縁層、３０ｃ  第３層間絶縁層、
３２  空洞部、４０  ヒューズ素子、５０  第１配線、５２  第２配線、
６０  第１被覆層、６２  貫通孔、７０  第２被覆層、７２  保護膜、
８０、８１，８２，８３  パッド、１００，２００  ＭＥＭＳ装置、２１０  壁部、
３００  ＭＥＭＳ装置、３２０  機能素子、３４０  ヒューズ素子、
４００  ＭＥＭＳ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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