(57)【要約】      （修正有）【課題】フリップチップ接続された回路基板と半導体装置の接続部の破壊、及び隣接する接続部間のブリッジの発生を抑制する手段を提供する。【解決手段】電子装置１は、一主面に電極２ａが形成された回路基板２と、その回路基板２の一主面側に配置され、その一主面と対向する面に電極３ａが形成された半導体装置３と、それらの電極２ａ，３ａ間を電気的に接続する接続部材４を含む。接続部材４は、筒状部材、及びその筒状部材に配設された導電性部材を含む。【選択図】図１
2011082482.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面に第１電極が形成された回路基板と、
前記回路基板の前記一主面側に配置され、前記一主面と対向する面に第２電極が形成された半導体装置と、
筒状部材と、前記筒状部材に配設された導電性部材とを含み、前記第１，第２電極間を電気的に接続する接続部材と、
を含むことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記筒状部材は、細線を用いて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記細線は、網目状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記細線は、コイル状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
【請求項５】
前記筒状部材は、前記導電性部材の融点に対し耐熱性を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子装置。
【請求項６】
前記筒状部材は、鼓形状を有していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子装置。
【請求項７】
前記半導体装置は、インターポーザと、前記インターポーザに実装された半導体チップとを含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電子装置。
【請求項８】
前記回路基板は、インターポーザであり、前記半導体装置は、半導体チップであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電子装置。
【請求項９】
一主面に第１電極が形成された回路基板の前記一主面側に、前記一主面と対向する面に第２電極が形成された半導体装置を配置する工程と、
前記第１，第２電極間を、筒状部材と、前記筒状部材に配設された導電性部材とを含む接続部材を用いて電気的に接続する工程と、
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１０】
一主面に第１電極が形成された回路基板と、
前記回路基板の前記一主面側に配置され、前記一主面と対向する面に第２電極が形成された半導体装置と、
筒状部材と、前記筒状部材に配設された導電性部材とを含み、前記第１，第２電極間を電気的に接続する接続部材と、
を含む電子装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置と回路基板を含む電子装置及びその製造方法、並びに電子装置を含む電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置と回路基板との接続形態の１つに、フリップチップ接続がある。フリップチップ接続には、従来、はんだバンプが広く用いられている。この場合には、半導体装置及び回路基板の電極間にはんだバンプを配置した状態でこれを溶融した後凝固し、半導体装置と回路基板とをはんだにより電気的に接続する。また、これまで、このようなはんだ接続部の接続信頼性を、熱サイクル試験やベンディング試験によって評価する方法も知られている。
【０００３】
半導体装置と回路基板とを接続する手法としては、金（Ａｕ）バンプとはんだを用いて接続する手法、はんだ接合を半導体装置と回路基板を離間する方向に伸長させる手法等も知られている。
【０００４】
また、従来、発泡金属材の表面や気孔内にはんだ材を含浸したはんだ接合材を用いて、異なる部材間を接続する技術等も知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３８６８７６６号公報
【特許文献２】特開平１１−１１１７７６号公報
【特許文献３】特開２００４−２９８９６２号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】「鉛フリーはんだの高加速試験」、第２３回エレクトロニクス実装学会春季講演大会、２００９年３月、１１Ｃ−０８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
バンプを用いた半導体装置と回路基板の接続では、接続後の半導体装置及び回路基板の熱膨張及び熱収縮により、両者の接続部に応力が発生し、この繰り返しにより金属疲労を起こした結果、接続部の破壊が生じる場合がある。また、半導体装置及び回路基板のそれぞれの電極間ピッチが微細になるにつれて、バンプを用いた接続時には、隣接するバンプ同士が一体化してショート不良（ブリッジ）が発生する可能性が高くなる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一観点によれば、一主面に第１電極が形成された回路基板と、前記回路基板の前記一主面側に配置され、前記一主面と対向する面に第２電極が形成された半導体装置と、筒状部材と、前記筒状部材に配設された導電性部材とを含み、前記第１，第２電極間を電気的に接続する接続部材と、を含む電子装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
開示の電子装置によれば、回路基板と半導体装置の接続部の破壊、及び隣接する接続部間のブリッジの発生を抑制することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】電子装置の一例を示す図である。
【図２】接続部材の一例を示す図である。
【図３】電子装置の形成方法の一例を示す図である。
【図４】電子装置の停止時及び動作時の状態の一例を示す図である。
【図５】電子装置の形成方法の別例を示す図である。
【図６】回路基板の一例を示す図である。
【図７】半導体パッケージの一例を示す図である。
【図８】第１実施例に係る接続部材の形成工程の一例を示す図である。
【図９】第１実施例に係る接続部材の接続工程の一例を示す図である。
【図１０】第１実施例に係る半導体パッケージ実装工程の一例を示す図である。
【図１１】第２実施例に係る接続部材の形成工程の一例を示す図である。
【図１２】第２実施例に係る接続部材の接続工程の一例を示す図である。
【図１３】第２実施例に係る半導体パッケージ実装工程の一例を示す図である。
【図１４】第３実施例に係る接続部材の説明図である。
【図１５】第３実施例に係る半導体パッケージ実装工程の一例を示す図である。
【図１６】第４実施例に係る接続部材の説明図である。
【図１７】第４実施例に係る半導体パッケージ実装工程の一例を示す図である。
【図１８】第５実施例に係る接続部材の形成工程の一例を示す図である。
【図１９】第５実施例に係る半導体パッケージ実装工程の一例を示す図である。
【図２０】第６実施例に係る接続部材の形成工程の一例を示す図である。
【図２１】第６実施例に係る半導体パッケージ実装工程の一例を示す図である。
【図２２】冷却構造を備えた電子装置の一例を示す図である。
【図２３】冷却構造を備えた電子装置の別例を示す図である。
【図２４】電子機器の一例を模式的に示す図である。
【図２５】半導体パッケージの別例を示す図（その１）である。
【図２６】半導体パッケージの別例を示す図（その２）である。
【図２７】半導体パッケージの別例を示す図（その３）である。
【図２８】試料の一例を示す図である。
【図２９】試料の形成方法の一例を示す図である。
【図３０】ベンディング試験に用いるベンディング装置の構成例を示す図である。
【図３１】ベンディング試験の一例の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は電子装置の一例を示す図、図２は接続部材の一例を示す図である。
図１に示す電子装置１は、回路基板２及び半導体装置３を含んでいる。回路基板２及び半導体装置３は、接続部材４を用いて接続されている。
【００１２】
回路基板２は、その一主面に設けられた複数の電極２ａを有している。各電極２ａは、ここでは図示を省略するが、回路基板２の内部に設けられている導電パターン（例えば、配線及びビア）に電気的に接続されている。
【００１３】
半導体装置３は、回路基板２の上方に配置され、その電極２ａの形成面と対向する面に設けられた複数の電極３ａを有している。各電極３ａは、ここでは図示を省略するが、半導体装置３の内部に設けられている回路素子（トランジスタ、抵抗、容量等）に電気的に接続されている。
【００１４】
この半導体装置３には、例えば、半導体チップを含む半導体パッケージを用いることができる。半導体パッケージとしては、例えば、インターポーザ等の回路基板に、半導体チップをフリップチップ接続やワイヤボンディング等で電気的に接続（実装）し、封止樹脂で封止してパッケージングしたものを用いることができる。
【００１５】
尚、半導体装置３として、このような半導体パッケージのほか、半導体チップを適用することも可能である。即ち、例えば、図１における回路基板２としてインターポーザが用いられ、図１における半導体装置３として半導体チップが用いられて、それらインターポーザと半導体チップとが、接続部材４を用いて接続される。この場合、接続部材４を用いて接続されたインターポーザ及び半導体チップを含む電子装置１（半導体装置）が得られるようになる。
【００１６】
上記のような回路基板２の各電極２ａと、半導体装置３の各電極３ａとは、互いに対応する配置で、予め形成されている。そして、回路基板２の各電極２ａと、半導体装置３の各電極３ａとが、接続部材４により電気的に接続されている。
【００１７】
接続部材４は、図２に示すように、筒状部材４ａと、この筒状部材４ａに配設された導電性部材４ｂとを含んでいる。
接続部材４の筒状部材４ａには、例えば、図２に示したように、細線４ａａを網目状に形成したものを用いることができる。この細線４ａａには、例えば、金属製又は樹脂製のものを用いることができる。尚、筒状部材４ａには、このほか、金属製又は樹脂製の細線をコイル状に形成したもの、金属製又は樹脂製の板やシートを筒状に成形したもの等を用いることもできる。
【００１８】
筒状部材４ａには、例えば、銅（Ｃｕ）、Ｃｕ合金、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金、パラジウム（Ｐｄ）、Ｐｄ合金、白金（Ｐｔ）、Ｐｔ合金のうちの１種、又は２種以上を含む金属を用いることができる。また、筒状部材４ａには、例えば、芳香族ポリアミド樹脂を用いることができる。
【００１９】
筒状部材４ａの材料の選択にあたっては、筒状部材４ａに配設する導電性部材４ｂの材料を考慮する。
即ち、後述のように、筒状部材４ａに配設する導電性部材４ｂは、回路基板２に半導体装置３を実装する際、加熱により溶融され、その後凝固される。それにより、回路基板２と半導体装置３とが接続される。筒状部材４ａには、このように導電性部材４ｂを溶融させる加熱時に、溶融や劣化が起こり難い、耐熱性を有する材料を用いることが望ましい。
【００２０】
更に、筒状部材４ａには、回路基板２と半導体装置３の接続不良を抑えるために、加熱により溶融された導電性部材４ｂが濡れるような材料を用いることが望ましい。或いは、筒状部材４ａには、溶融された導電性部材４ｂが濡れるように表面処理が施されたものを用いることが望ましい。
【００２１】
尚、筒状部材４ａとして、この図２には、円筒状のものを例示したが、そのような断面円形状のもののほか、断面楕円形状、断面多角形状のものも用いることが可能である。また、筒状部材４ａの断面形状は、必ずしも閉じた形状であることを要せず、一部が途切れた形状であっても、これを筒状部材４ａとして用いることが可能である。
【００２２】
上記のような筒状部材４ａに配設する導電性部材４ｂには、一定の導電性を有し、筒状部材４ａに濡れ、更に、筒状部材４ａの耐熱温度よりも低い融点を有する材料が用いられる。換言すれば、筒状部材４ａには、導電性部材４ｂが濡れ、導電性部材４ｂの融点以上の温度に対して耐熱性を有するものが用いられる。
【００２３】
導電性部材４ｂには、例えば、金属を用いることができる。導電性部材４ｂに用いる金属としては、例えば、はんだを用いることができる。導電性部材４ｂに用いるはんだとしては、例えば、スズ−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）を好適に用いることができる。このほか、導電性部材４ｂに用いるはんだとしては、例えば、スズ−銀−銅（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）、スズ−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）等のはんだも用いることができる。
【００２４】
導電性部材４ｂは、筒状部材４ａの表面（筒の外側表面及び内側表面、又は外側表面と内側表面のいずれか）、及び筒状部材４ａの内部（筒の内側の空間（中空部））の少なくとも一方に形成される。尚、筒状部材４ａの内部に導電性部材４ｂが形成される場合、筒状部材４ａの内部には空洞が残っていても構わない。
【００２５】
上記のような筒状部材４ａ及び導電性部材４ｂを含む接続部材４は、例えば、電極２ａ，３ａと同等の平面サイズ（直径）Ｓとされ、また、実装後の回路基板２と半導体装置３との間に確保する距離に基づき、その高さＴが設定される。
【００２６】
このような接続部材４を、回路基板２の電極２ａと、半導体装置３の電極３ａとの間に配置し、接続部材４の導電性部材４ｂを溶融させ、その後凝固することで、接続部材４の一端を電極２ａに接続し、他端を電極３ａに接続する。これにより、図１に示したような、半導体装置３が接続部材４を用いて回路基板２に実装された電子装置１が得られる。接続部材４は、実装後も、筒状部材４ａの形状、或いはそれと同様の筒状の形状に維持される。
【００２７】
尚、回路基板２への半導体装置３の実装時には、例えば、予め接続部材４を半導体装置３の各電極３ａに接続しておき、この接続部材４を接続した半導体装置３を、回路基板２の上方に配置し、導電性部材４ｂを溶融・凝固することができる。
【００２８】
また、接続部材４は、例えば、予め電極２ａ上及び電極３ａ上の少なくとも一方に導電性の接合層（はんだ等の金属、はんだペースト、導電性樹脂等）を形成しておき、その接合層を介して、電極２ａ及び電極３ａに接続することもできる。
【００２９】
電子装置１の回路基板２と半導体装置３とを、上記のような接続部材４を用いて接続することにより、回路基板２と半導体装置３との接続部の長寿命化を図ることが可能になる。更に、上記のような接続部材４を用いることにより、隣接する接続部間のブリッジの発生を効果的に抑制することが可能になる。以下、これらの点について、更に説明する。
【００３０】
そこで、まず比較のため、上記の接続部材４に替え、半導体装置３を回路基板２にはんだバンプを用いて実装した電子装置について説明する。
図３は電子装置の形成方法の一例を示す図である。図３（Ａ）には、回路基板２への半導体装置３の実装前の状態を例示しており、図３（Ｂ）には、回路基板２への半導体装置３の実装後の状態を例示している。
【００３１】
ここでは、図３（Ａ）に示すように、半導体装置３の各電極３ａにそれぞれ、はんだバンプ１１０（ここでは一例として、はんだボールを図示）が接続されている。
半導体装置３を回路基板２に実装する際には、図３（Ａ）に示したように、回路基板２の各電極２ａ上に選択的に、はんだペースト１１１が形成され、その回路基板２の上方に、半導体装置３が配置される。そして、はんだバンプ１１０及びはんだペースト１１１の溶融温度に加熱することで、図３（Ｂ）に示したように、はんだバンプ１１０とはんだペースト１１１を一体化し、その一体化された接続部１２０により、電極２ａ，３ａ間を電気的に接続する。このとき、接続部１２０は、溶融して一体化したはんだバンプ１１０及びはんだペースト１１１の表面張力と、半導体装置３の自重とが釣り合った形状（太鼓型）となる。
【００３２】
このようにはんだバンプ１１０を用いた電子装置１００では、実装後に半導体装置３から発生する熱の影響により、それらの接続部１２０に破壊が生じてしまう場合がある。
図４は電子装置の停止時及び動作時の状態の一例を示す図である。図４（Ａ）には、電子装置１００の停止時の状態を例示しており、図４（Ｂ）には、電子装置１００の動作時の状態を例示している。
【００３３】
電子装置１００の動作時に半導体装置３で発生した熱は、一部は外部に放熱され、一部は電子装置１００内（半導体装置３、回路基板２、及びそれらの接続部１２０）を伝熱する。
【００３４】
このとき、半導体装置３と回路基板２とは、図４（Ｂ）に示したように、いずれも熱膨張するが（図４（Ｂ）の矢印方向）、それぞれの構成材料の違いにより、それらの熱膨張の程度に差が出てくる。このような半導体装置３と回路基板２との熱膨張の程度の差は、接続部１２０に応力を発生させ、図４（Ａ）に示したように一定形状（太鼓型）となっていた接続部１２０を、図４（Ｂ）に示したような傾いた形状に変形させ得る。
【００３５】
ここに示した太鼓型の接続部１２０の場合、電極２ａ，３ａ近傍の部分１２０ａが細く、括れた形状となっているために、この部分１２０ａに応力が集中し易く、クラック１２０ｂが発生し易い。更に、この部分１２０ａは、電極２ａ，３ａ近傍であるため、電極２ａ，３ａの構成成分との間で金属間化合物を形成したり、電極２ａ，３ａの構成成分が拡散して不安定なはんだ組成になったりする場合がある。そのため、電子装置１００の停止（図４（Ａ））と動作（図４（Ｂ））が繰り返されると、接続部１２０が、金属疲労で破壊されてしまう場合がある。このような破壊は、半導体装置３の大型化、電極２ａ，３ａや接続部１２０の微細化、或いは電極２ａ間、電極３ａ間、接続部１２０間のピッチの微細化に伴い、より発生し易くなる可能性がある。
【００３６】
また、図５は電子装置の形成方法の別例を示す図である。図５（Ａ）には、回路基板２への半導体装置３の実装前の状態を例示しており、図５（Ｂ）には、回路基板２への半導体装置３の実装後の状態を例示している。
【００３７】
ここでは、図５（Ａ）に示すように、電極２ａ，３ａが狭ピッチ化された場合を想定する。この場合にも、半導体装置３を、それに接続したはんだバンプ１１０、及び回路基板２側に形成したはんだペースト１１１を介して、回路基板２に実装すると、上記のように、接続部１２０は、中央部が膨れた太鼓型になる。しかし、接続部１２０がこのように太鼓型となるために、電極２ａ，３ａが狭ピッチ化されている場合には、図５（Ｂ）に示すように、隣接する接続部１２０同士が一体化し、ブリッジ１２０ｃが発生し得る。
【００３８】
これに対し、上記図１及び図２に示したような接続部材４を用いた電子装置１では、回路基板２への半導体装置３の実装後も、接続部材４は、中央部が膨れた太鼓型のような形状とならず、実装前の筒状の形状、或いはそれと同様の形状を維持する。そのため、接続部材４は、電極２ａ，３ａ近傍が括れたような形状とならず、上記のような半導体装置３と回路基板２との熱膨張の程度の差に起因した応力が、電極２ａ，３ａ近傍に集中することが抑えられる。その結果、半導体装置３と回路基板２との間の接続部の長寿命化を図ることが可能になる。
【００３９】
更に、回路基板２への半導体装置３の実装後も、接続部材４が太鼓型のような形状とならないため、ブリッジの発生を効果的に抑制することが可能になる。そのため、上記のような電極２ａ，３ａの狭ピッチ化にも対応していくことが可能になる。
【００４０】
以下では、上記のような接続部材を用いた電子装置について、より具体的に説明する。ここでは、接続部材を用い、回路基板に、半導体装置として半導体パッケージを実装する場合を例にして、説明する。
【００４１】
まず、第１実施例について説明する。
ここでは、図６に例示するような回路基板、及び図７に例示するような半導体パッケージを用いる。
【００４２】
図６は回路基板の一例を示す図であって、（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は（Ａ）のＬ１−Ｌ１断面模式図である。また、図７は半導体パッケージの一例を示す図であって、（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は（Ａ）のＬ２−Ｌ２断面模式図である。
【００４３】
回路基板２０には、図６（Ａ）に示したように、平面正方形状で、その面内に所定サイズの電極２１が所定ピッチで所定数配列されたものを用いる。例えば、平面サイズが１１０ｍｍ角で、その面内に直径１ｍｍの電極２１が１．２７ｍｍピッチで４２０個配列された回路基板２０を用いる。
【００４４】
回路基板２０は、図６（Ｂ）に示したように、絶縁層２２と、絶縁層２２内に形成された配線及び異なる配線間を接続するビアを含む導電パターン２３とを有している。電極２１は、このような回路基板２０の内部に形成された導電パターン２３と電気的に接続されている。電極２１及び導電パターン２３は、例えば、Ｃｕを用いて形成される。
【００４５】
半導体パッケージ３０には、図７（Ａ）に示したように、平面正方形状で、その面内に所定サイズの電極３１が所定ピッチで所定数配列されたものを用いる。例えば、平面サイズが４０ｍｍ角で、その面内に直径１ｍｍの電極３１が、回路基板２０の各電極２１と対応するように、１．２７ｍｍピッチで４２０個配列された半導体パッケージ３０を用いる。
【００４６】
半導体パッケージ３０は、図７（Ｂ）に示したように、インターポーザ３２と、そのインターポーザ３２にはんだ等のバンプ３３ａを介してフリップチップ接続された半導体チップ３３を有している。半導体チップ３３の内部には、例えば、トランジスタ、抵抗、容量等の回路素子が形成されている。
【００４７】
インターポーザ３２は、絶縁層３２ａと、絶縁層３２ａ内に形成された配線及び異なる配線間を接続するビアを含む導電パターン３２ｂとを有している。半導体パッケージ３０の電極３１は、導電パターン３２ｂを介して半導体チップ３３と電気的に接続されている。電極３１及び導電パターン３２ｂは、例えば、Ｃｕを用いて形成される。
【００４８】
インターポーザ３２に接続された半導体チップ３３は、ここでは、封止樹脂３４によって封止されている。
尚、以下では、便宜上、電極２１を除く回路基板２０の内部構造、及び電極３１を除く半導体パッケージ３０の内部構造については、その図示を省略する。
【００４９】
続いて、上記のような回路基板２０と半導体パッケージ３０とを接続する接続部材の形成工程について説明する。
図８は第１実施例に係る接続部材の形成工程の一例を示す図である。
【００５０】
まず、図８（Ａ）に示すような、細線４１ａが網目状に形成された、シート状の網４１を準備する。そして、このようなシート状の網４１を、図８（Ａ）に示したように、芯棒４２に巻き付け、円筒状にする。その後、芯棒４２を引き抜き、図８（Ｂ）に示すような円筒状（管状）の網４１（筒状部材）を得る。
【００５１】
ここで、網４１には、例えば、細線４１ａの線径が０．０５ｍｍで、２００メッシュのＣｕ製のものを用いることができる。また、芯棒４２には、例えば、直径０．５ｍｍのものを用いることができる。このような網４１及び芯棒４２を用いた場合、芯棒４２の引き抜き後に得られる図８（Ｂ）の円筒状の網４１は、例えば、その直径が約０．８ｍｍ〜０．９ｍｍとなる。
【００５２】
上記のようにして円筒状の網４１を形成した後は、図８（Ｃ）に示すように、その網４１に導電性部材としてはんだ４３を配設する。
網４１にはんだ４３を配設する際は、例えば、円筒状の網４１に、Ｓｎ−Ｐｂ（Ｓｎ６３％，Ｐｂ３７％）の松脂入りの糸状のはんだ４３（糸はんだ）を接触させながら２５０℃〜３００℃程度に加熱する。このはんだ４３の溶融は、例えば、所定温度に設定したはんだごて、或いはホットプレートを用いて実施することができる。溶融したはんだ４３は、例えば、毛細管現象によって網４１の表面に濡れ広がると共に、図８（Ｃ）に示すように、円筒状の網４１の内側にも充填されるようになる。
【００５３】
このほか、はんだ４３は、円筒状の網４１を、溶融したはんだ４３の入った槽にディップすることで配設することも可能である。
また、糸はんだ（はんだ４３）にシート状の網４１を巻き付けて円筒状にしたもの、或いは、更にその糸はんだを加熱により溶融したものも、はんだ４３を配設した円筒状の網４１として形成することが可能である。
【００５４】
円筒状の網４１にはんだ４３を配設した後は、その網４１を、図８（Ｄ）に示すように、実装後の回路基板２０と半導体パッケージ３０との間に確保する距離（両者の接続部の高さ）に基づく長さ、例えば、当該距離に相当する長さ（例えば、１ｍｍ）に切断する。これにより、所定の高さを有する、複数の接続部材４０が得られる。
【００５５】
続いて、第１実施例に係る接続部材４０の半導体パッケージ３０への接続工程について説明する。
図９は第１実施例に係る接続部材の接続工程の一例を示す図であって、（Ａ）は接続部材の配置工程を示す図、（Ｂ）は加熱工程を示す図、（Ｃ）は接続部材の接続後の状態を示す図である。
【００５６】
まず、半導体パッケージ３０の電極３１の表面に、ロジン系等のフラックス（図示せず）を塗布する。
次いで、図９（Ａ）に示すように、半導体パッケージ３０上に、各電極３１と同じ位置に開口部５１ａを形成したマスク５１を、各電極３１と開口部５１ａの位置合わせを行って配置する。マスク５１には、例えば、各電極３１の位置に、直径１．２ｍｍの開口部５１ａを形成した、厚さ１ｍｍのコバール製等のメタルマスクを用いることができる。
【００５７】
そして、図９（Ａ）に示したように、半導体パッケージ３０上に配置したそのマスク５１の上に、複数の接続部材４０をこぼし、揺らして転がす。これにより、図９（Ｂ）に示すように、各開口部５１ａにそれぞれ接続部材４０が振り込まれ、各電極３１上にそれぞれ接続部材４０が直立状態（円筒状の網４１が直立する向き）で配置されるようになる。この状態から、接続部材４０のはんだ４３が溶融する温度、例えば、２５０℃のホットプレート上に配置して加熱することにより、溶融したはんだ４３と電極３１とが接続される。
【００５８】
最後に、マスク５１を取り外すことで、図９（Ｃ）に示すような、各電極３１上に接続部材４０が接続された半導体パッケージ３０が得られる。
尚、接続部材４０の電極３１上への配置は、このようなマスク５１を用いる方法のほか、はんだボール搭載装置等の製造装置を用い、はんだボールに替えて接続部材４０を自動で電極３１上に配置させるようにすることも可能である。
【００５９】
続いて、第１実施例に係る半導体パッケージ３０の回路基板２０への実装工程について説明する。
図１０は第１実施例に係る半導体パッケージ実装工程の一例を示す図であって、（Ａ）は実装前の状態を示す図、（Ｂ）は実装後の状態を示す図である。
【００６０】
まず、上記のようにして接続部材４０を接続した半導体パッケージ３０を、図１０（Ａ）に示すように、回路基板２０の上方に、接続部材４０側を回路基板２０に対向させ、接続部材４０と電極２１の位置合わせを行って、配置する。
【００６１】
そして、接続部材４０の先端を電極２１に突き合わせ、接続部材４０の周辺の温度が最高で２２０℃になるように設定した窒素雰囲気のリフロー炉を用いて加熱を行い、接続部材４０のはんだ４３を溶融させる。それにより、図１０（Ｂ）に示すように、半導体パッケージ３０の各電極３１と、回路基板２０の各電極２１が、それぞれ接続部材４０で接続された電子装置１０Ａが得られる。
【００６２】
このような電子装置１０Ａでは、半導体パッケージ３０と回路基板２０とが、円筒状の網４１にはんだ４３を配設した接続部材４０で接続されている。接続部材４０をこのような構成としているため、電子装置１０Ａの動作時にも、半導体パッケージ３０と回路基板２０との熱膨張の程度の差に起因した応力が、接続部材４０の電極２１，３１近傍部分に集中するのを抑制することが可能になる。その結果、半導体パッケージ３０と回路基板２０との間の接続部の長寿命化を図ることが可能になる。
【００６３】
更に、このような接続部材４０を用いることにより、半導体パッケージ３０と回路基板２０との間の接続部の形状を円柱状に維持することができるため、隣接する接続部間のブリッジの発生を効果的に抑制することが可能になる。
【００６４】
尚、上記の説明では、接続部材４０の網４１の材料にＣｕを用いた場合を例示したが、網４１の材料はこれに限定されるものではない。例えば、はんだ４３に濡れ性を示す金属、例えば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｎｉ、ＦｅＮｉ合金、Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ｐｔ、Ｐｔ合金のうちの１種、又は２種以上を組み合わせた金属は、網４１の材料として用いることが可能である。
【００６５】
また、上記の説明では、上記図８に示したような流れで接続部材４０を形成する場合を例示したが、接続部材４０の形成方法は、これに限定されるものではない。例えば、長い円筒状の網４１を形成した後、それを所定の長さに切断し、切断した個々の網４１にはんだ４３を配設するようにしてもよい。
【００６６】
また、上記の説明では、網４１を用いて接続部材４０を形成する場合を例示したが、このような網４１に替えて、板材を円筒状に丸めたものを筒状部材として用い、それにはんだ４３を配設して接続部材を形成することも可能である。尚、丸めた板材の一方の端と他方の端とは、必ずしも接触していることを要せず、離間していてもよい。
【００６７】
また、上記の説明では、回路基板２０の電極２１に、直に接続部材４０を接続する場合を例示した。このほか、電極２１上に、はんだペースト等の導電性の接合層をスクリーン印刷等の手法で形成した上で、接続部材４０を突き合わせ、接続するようにしてもよい。
【００６８】
次に、第２実施例について説明する。
まず、第２実施例に係る接続部材の形成工程について説明する。
図１１は第２実施例に係る接続部材の形成工程の一例を示す図である。
【００６９】
まず、上記第１実施例で述べたのと同様、図１１（Ａ），（Ｂ）に示すように、シート状の網４１を芯棒４２に巻き付けて円筒状にし、その後、芯棒４２を引き抜き、円筒状（管状）の網４１を得る。
【００７０】
次いで、図１１（Ｃ）に示すように、所定の曲率の凸面を有する金型６０を、円筒状の網４１を挟み込むようにして突き当て、その状態で円筒状の網４１を、周方向（図１１（Ｃ）の矢印方向）に回転させる。これにより、括れ４１ｂが形成された、筒状の網４１が得られるようになる。尚、このときの金型６０には、例えば、曲率半径Ｒが１．５ｍｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）製のものを用いることができる。
【００７１】
括れ４１ｂの形成位置は、実装後の回路基板２０と半導体パッケージ３０との間に確保する距離（両者の接続部の高さ）に基づいて設定する。例えば、１つの括れ４１ｂを挟む両側の膨らみ部分４１ｃの間の距離（例えば、最も膨らみの大きい箇所間の距離）が、実装後の回路基板２０と半導体パッケージ３０との間に確保する距離に相当する距離（例えば、１ｍｍ）となるよう、括れ４１ｂを形成する。
【００７２】
このような括れ４１ｂを有する筒状の網４１を形成した後は、図１１（Ｄ）に示すように、導電性部材としてはんだ４３を配設する。このはんだ４３の配設は、上記第１実施例で述べたのと同様に行うことができる。例えば、Ｓｎ−Ｐｂ（Ｓｎ６３％，Ｐｂ３７％）の松脂入りの糸状のはんだ４３（糸はんだ）を筒状の網４１に接触させながら加熱により溶融させる方法、溶融したはんだ４３の入った槽に筒状の網４１をディップする方法を用いることができる。溶融したはんだ４３は、括れ４１ｂが形成されたこの筒状の網４１の表面に濡れ広がると共に、この筒状の網４１の内側にも充填される。
【００７３】
尚、糸はんだ（はんだ４３）にシート状の網４１を巻き付けて円筒状にしたもの、或いは、更にその糸はんだを加熱により溶融して凝固したものに対し、金型６０を使用して、網４１と共にはんだを変形させ、括れ４１ｂを形成することも可能である。
【００７４】
括れ４１ｂを有する筒状の網４１にはんだ４３を配設した後は、そのはんだ４３を配設した網４１を、図１１（Ｅ）に示すように、膨らみ部分４１ｃで切断する。例えば、１つの括れ４１ｂを挟む両側の膨らみ部分４１ｃの、最も膨らみの大きい箇所間の距離が、実装後の回路基板２０と半導体パッケージ３０との間に確保する距離となるように括れ４１ｂを形成している場合には、その最も膨らみの大きい箇所で切断する。これにより、所定の高さを有し、中央部に括れ４１ｂを有する、所謂鼓型の、複数の接続部材４０ａが得られる。
【００７５】
尚、このような接続部材４０ａを形成する際には、括れ４１ｂを形成した長い筒状の網４１を形成した後、それを所定の長さに切断し、切断した個々の網４１にはんだ４３を配設するようにしてもよい。
【００７６】
続いて、第２実施例に係る接続部材４０ａの半導体パッケージ３０への接続工程について説明する。
図１２は第２実施例に係る接続部材の接続工程の一例を示す図であって、（Ａ）は接続部材の配置工程を示す図、（Ｂ）は加熱工程を示す図、（Ｃ）は接続部材の接続後の状態を示す図である。
【００７７】
まず、半導体パッケージ３０の電極３１の表面にフラックス（図示せず）を形成する。次いで、図１２（Ａ）に示すように、半導体パッケージ３０上に、各電極３１と同じ位置に開口部５１ａを形成したマスク５１を、各電極３１と開口部５１ａの位置合わせを行って配置する。
【００７８】
そして、そのマスク５１を用いて各開口部５１ａにそれぞれ接続部材４０ａを振り込み、図１２（Ｂ）に示すように、各電極３１上にそれぞれ接続部材４０ａを直立状態（筒状の網４１が直立する向き）で配置する。この状態から、接続部材４０ａのはんだ４３が溶融する温度に加熱することにより、溶融したはんだ４３と電極３１とを接続する。
【００７９】
最後に、マスク５１を取り外すことで、図１２（Ｃ）に示すような、各電極３１上に接続部材４０ａが接続された半導体パッケージ３０が得られる。
続いて、第２実施例に係る半導体パッケージ３０の回路基板２０への実装工程について説明する。
【００８０】
図１３は第２実施例に係る半導体パッケージ実装工程の一例を示す図であって、（Ａ）は実装前の状態を示す図、（Ｂ）は実装後の状態を示す図である。
まず、上記のようにして接続部材４０ａを接続した半導体パッケージ３０を、図１３（Ａ）に示すように、接続部材４０ａ側を回路基板２０に対向させ、接続部材４０ａと電極２１の位置合わせを行って、配置する。尚、回路基板２０の電極２１上には、例えば、はんだペースト（図示せず）等をスクリーン印刷等の手法で形成しておいてもよい。
【００８１】
そして、接続部材４０ａの先端を電極２１に突き合わせ、所定温度に設定した窒素雰囲気のリフロー炉を用いて加熱を行う。それにより、図１３（Ｂ）に示すように、半導体パッケージ３０の各電極３１と、回路基板２０の各電極２１が、それぞれ接続部材４０ａで接続された電子装置１０Ｂが得られる。
【００８２】
このような電子装置１０Ｂでは、半導体パッケージ３０と回路基板２０とが、中央部に括れ４１ｂを有する鼓型の接続部材４０ａで接続されている。そのため、電子装置１０Ｂの動作時にも、半導体パッケージ３０と回路基板２０との熱膨張の程度の差に起因した応力が、接続部材４０ａの電極２１，３１近傍部分に集中するのを抑制することが可能になる。当該応力は、はんだ４３の組成が比較的安定な括れ４１ｂの部分に発生し易くなる。その結果、半導体パッケージ３０と回路基板２０との間の接続部の長寿命化を図ることが可能になる。
【００８３】
更に、このような接続部材４０ａを用いることにより、半導体パッケージ３０と回路基板２０との間の接続部の形状を、中央部が括れた柱状に維持することができるため、隣接する接続部間のブリッジの発生を効果的に抑制することが可能になる。
【００８４】
次に、第３実施例について説明する。
まず、第３実施例に係る接続部材について説明する。
図１４は第３実施例に係る接続部材の説明図であって、（Ａ）は筒状部材の一例を示す図、（Ｂ）は（Ａ）の筒状部材を用いた接続部材の一例を示す図である。
【００８５】
ここでは、接続部材７０に用いる筒状部材として、図１４（Ａ）に示すような、細線７１ａが螺旋状に形成された、円筒状（管状）のコイル７１（筒状部材）を用いる。
コイル７１の細線７１ａには、例えば、線径が０．０５ｍｍの金属ワイヤを用いることができる。細線７１ａには、はんだ４３に濡れ性を示す金属ワイヤ、例えば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｎｉ、ＦｅＮｉ合金、Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ｐｔ、Ｐｔ合金のうちの１種、又は２種以上を組み合わせた金属を用いて形成された金属ワイヤを用いることができる。このようなコイル７１には、例えば、直径が０．８ｍｍ〜１ｍｍ、高さが１ｍｍのものを用いることができる。
【００８６】
この図１４（Ａ）に示したようなコイル７１に、図１４（Ｂ）に示すように、導電性部材としてはんだ７３を配設し、接続部材７０を得る。コイル７１へのはんだ７３の配設は、上記第１実施例で述べたのと同様に行うことができる。例えば、Ｓｎ−Ｐｂ（Ｓｎ６３％，Ｐｂ３７％）の松脂入りの糸状のはんだ７３をコイル７１に接触させながら加熱により溶融させる方法、或いは、溶融したはんだ７３の入った槽にコイル７１をディップする方法を用いることができる。溶融したはんだ７３は、コイル７１の表面に濡れ広がると共に、このコイル７１の内側にも充填される。
【００８７】
第３実施例では、このような接続部材７０を用いて、半導体パッケージ３０と回路基板２０とを接続する。
図１５は第３実施例に係る半導体パッケージ実装工程の一例を示す図であって、（Ａ）は実装前の状態を示す図、（Ｂ）は実装後の状態を示す図である。
【００８８】
接続部材７０は、まず、半導体パッケージ３０の各電極３１に接続される。接続部材７０の電極３１への接続は、上記第１実施例で述べたのと同様に行うことができる（図９）。即ち、各電極３１と同じ位置に開口部５１ａを形成したマスク５１を用い、各開口部５１ａに接続部材７０を振り込んで各電極３１上に接続部材７０を配置し、はんだ７３が溶融する温度に加熱して、接続部材７０を各電極３１に接続すればよい。その後、マスク５１は取り外す。
【００８９】
そして、このように接続部材７０を接続した半導体パッケージ３０を、図１５（Ａ）に示すように、接続部材７０側を回路基板２０に対向させ、接続部材７０と電極２１の位置合わせを行って、配置する。尚、回路基板２０の電極２１上には、例えば、はんだペースト（図示せず）等をスクリーン印刷等の手法で形成しておいてもよい。
【００９０】
そして、接続部材７０の先端を電極２１に突き合わせ、所定温度に設定した窒素雰囲気のリフロー炉を用いて加熱を行う。それにより、図１５（Ｂ）に示すような、半導体パッケージ３０の各電極３１と、回路基板２０の各電極２１が、それぞれ接続部材７０で接続された電子装置１０Ｃが得られる。
【００９１】
このような電子装置１０Ｃによっても、半導体パッケージ３０と回路基板２０との接続部の形状が円柱状に維持されるため、当該接続部の長寿命化を図ることが可能になると共に、隣接する接続部間のブリッジの発生を効果的に抑制することが可能になる。
【００９２】
次に、第４実施例について説明する。
まず、第４実施例に係る接続部材について説明する。
図１６は第４実施例に係る接続部材の説明図であって、（Ａ）は筒状部材の一例を示す図、（Ｂ）は（Ａ）の筒状部材を用いた接続部材の一例を示す図である。
【００９３】
ここでは、接続部材７０ａに用いる筒状部材として、図１６（Ａ）に示すような、細線７１ａが螺旋状に形成され、且つ、中央部に括れ７１ｂを有する、コイル７１を用いる。この図１６（Ａ）に示したようなコイル７１に、上記第３実施例と同様にしてはんだ７３を配設し、図１６（Ｂ）に示すような、中央部に括れ７１ｂを有する接続部材７０ａを得る。
【００９４】
第４実施例では、このような接続部材７０ａを用いて、半導体パッケージ３０と回路基板２０とを接続する。
図１７は第４実施例に係る半導体パッケージ実装工程の一例を示す図であって、（Ａ）は実装前の状態を示す図、（Ｂ）は実装後の状態を示す図である。
【００９５】
上記のような接続部材７０ａは、まず、上記第３実施例の接続部材７０と同様にして、半導体パッケージ３０の各電極３１に接続される。この接続部材７０ａを接続した半導体パッケージ３０を、図１７（Ａ）に示すように、位置合わせを行って回路基板２０に対向配置する。
【００９６】
そして、接続部材７０ａの先端を電極２１（はんだペースト等（図示せず）が形成されていてもよい）に突き合わせ、所定温度で加熱する。それにより、図１７（Ｂ）に示すような、半導体パッケージ３０の各電極３１と、回路基板２０の各電極２１が、それぞれ接続部材７０ａで接続された電子装置１０Ｄが得られる。
【００９７】
このような電子装置１０Ｄによっても、半導体パッケージ３０と回路基板２０との接続部の形状が、中央部が括れた柱状に維持される。そのため、当該接続部の長寿命化を図ることが可能になると共に、隣接する接続部間のブリッジの発生を効果的に抑制することが可能になる。
【００９８】
次に、第５実施例について説明する。
まず、第５実施例に係る接続部材の形成工程について説明する。
図１８は第５実施例に係る接続部材の形成工程の一例を示す図である。
【００９９】
この第５実施例では、図１８（Ａ）に示すような、樹脂の細線（繊維）が網目状に形成された、樹脂製の円筒状（管状）の網８１（筒状部材）を準備する。網８１の細線の材料には、例えば、芳香族ポリアミド樹脂を用いることができる。この円筒状の網８１には、例えば、厚さが０．０５ｍｍで、内径が約１ｍｍのものを用いることができる。
【０１００】
図１８（Ａ）に示したような樹脂製の円筒状の網８１内に、図１８（Ｂ），（Ｃ）に示すように、導電性部材としてはんだ８３（糸はんだ）を挿入する。
網８１にはんだ８３を配設した後は、図１８（Ｄ）に示すように、実装後の回路基板２０と半導体パッケージ３０との間に確保する距離（両者の接続部の高さ）に基づく長さ（例えば、１ｍｍ）に切断する。これにより、所定の高さを有する、複数の接続部材８０が得られる。
【０１０１】
尚、ここでは、樹脂の細線が網目状に形成された円筒状の網８１を用いる場合を例示したが、このほか、樹脂の細線をコイル状（円筒状、中央部が括れた形状等）に形成したものを、筒状部材として用いることも可能である。
【０１０２】
また、ここでは、樹脂製の網８１を用いて接続部材８０を形成する場合を例示したが、このような網８１に替えて、筒状に成形された樹脂製の筒、或いは柔軟性のある樹脂製のシートを円筒状に丸めたもの等を、筒状部材として用いることも可能である。尚、丸めたシートの一方の端と他方の端とは、必ずしも接触していることを要せず、離間していてもよい。
【０１０３】
第５実施例では、上記のような接続部材８０を用いて、半導体パッケージ３０と回路基板２０とを接続する。
図１９は第５実施例に係る半導体パッケージ実装工程の一例を示す図であって、（Ａ）は実装前の状態を示す図、（Ｂ）は実装後の状態を示す図である。
【０１０４】
接続部材８０は、まず、半導体パッケージ３０の各電極３１に接続される。接続部材８０の電極３１への接続は、上記第１実施例で述べたのと同様に行うことができる（図９）。即ち、各電極３１と同じ位置に開口部５１ａを形成したマスク５１を用い、各開口部５１ａに接続部材８０を振り込んで各電極３１上に接続部材８０を配置し、はんだ８３が溶融する温度に加熱して、接続部材８０を各電極３１に接続すればよい。その後、マスク５１は取り外す。
【０１０５】
そして、このように接続部材８０を接続した半導体パッケージ３０を、図１９（Ａ）に示すように、位置合わせを行って回路基板２０に対向配置する。そして、接続部材８０の先端を電極２１（はんだペースト等（図示せず）が形成されていてもよい）に突き合わせ、所定温度で加熱する。それにより、図１９（Ｂ）に示すような、半導体パッケージ３０の各電極３１と、回路基板２０の各電極２１が、それぞれ接続部材８０で接続された電子装置１０Ｅが得られる。
【０１０６】
このような電子装置１０Ｅによっても、半導体パッケージ３０と回路基板２０との接続部の形状が円柱状に維持されるため、当該接続部の長寿命化を図ることが可能になると共に、隣接する接続部間のブリッジの発生を効果的に抑制することが可能になる。
【０１０７】
次に、第６実施例について説明する。
まず、第６実施例に係る接続部材の形成工程について説明する。
図２０は第６実施例に係る接続部材の形成工程の一例を示す図である。
【０１０８】
この第６実施例では、まず、図２０（Ａ）に示すような、樹脂製のシート９１ａを準備する。シート９１ａには、例えば、芳香族ポリアミド樹脂製の布シート（樹脂の細線（繊維）が編み込まれたもの）を用いることができる。
【０１０９】
そして、このようなシート９１ａの表面に、図２０（Ｂ）に示すように、後述のはんだ９３に濡れ性を示す表面処理層９１ｂを形成した、表面処理層９１ｂ付きのシート９１ａ（表面処理シート９１）を得る。表面処理層９１ｂとしては、はんだに濡れ性を示す金属、例えば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｎｉ、ＦｅＮｉ合金、Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ｐｔ、Ｐｔ合金のうちの１種、又は２種以上を組み合わせた金属を含む層を形成することができる。表面処理層９１ｂの厚さは、例えば、０．０１ｍｍとすることができる。このような表面処理層９１ｂは、例えば、無電解めっき法によりシート９１ａ上に形成することができる。
【０１１０】
そして、このような表面処理シート９１を、図２０（Ｃ）に示すよう芯棒９２に巻き付け、円筒状（例えば、直径１ｍｍの円筒状）にする。その後、芯棒９２を引き抜き、図２０（Ｄ）に示すような円筒状（管状）に巻かれた表面処理シート９１（筒状部材）を得る。この円筒状に巻かれた表面処理シート９１は、表面に形成した表面処理層９１ｂの塑性変形により、芯棒９２を引き抜いた後も、円筒形状を維持する。尚、芯棒９２に巻かれ、芯棒９２が引き抜かれた表面処理シート９１の一方の端と他方の端とは、必ずしも接触していることを要せず、離間していてもよい。
【０１１１】
このような円筒状に巻いた表面処理シート９１を形成した後は、図２０（Ｅ）に示すように、導電性部材としてはんだ９３を配設する。このはんだ９３の配設は、上記第１実施例で述べたのと同様に行うことができる。例えば、Ｓｎ−Ｐｂ（Ｓｎ６３％，Ｐｂ３７％）の松脂入りの糸状のはんだ９３（糸はんだ）を表面処理シート９１に接触させながら加熱により溶融させる方法、溶融したはんだ９３の入った槽に表面処理シート９１をディップする方法を用いることができる。溶融したはんだ９３は、円筒状に巻いた表面処理シート９１の表面に形成している表面処理層９１ｂに濡れ広がると共に、この円筒状に巻いた表面処理シート９１の内側にも充填される。
【０１１２】
表面処理シート９１にはんだ９３を配設した後は、その表面処理シート９１を、図２０（Ｆ）に示すように、実装後の回路基板２０と半導体パッケージ３０との間に確保する距離（両者の接続部の高さ）に基づく長さ（例えば、１ｍｍ）に切断する。これにより、所定の高さを有する、複数の接続部材９０が得られる。
【０１１３】
第６実施例では、このような接続部材９０を用いて、半導体パッケージ３０と回路基板２０とを接続する。
図２１は第６実施例に係る半導体パッケージ実装工程の一例を示す図であって、（Ａ）は実装前の状態を示す図、（Ｂ）は実装後の状態を示す図である。
【０１１４】
接続部材９０は、まず、半導体パッケージ３０の各電極３１に接続される。接続部材９０の電極３１への接続は、上記第１実施例で述べたのと同様に行うことができる（図９）。即ち、各電極３１と同じ位置に開口部５１ａを形成したマスク５１を用い、各開口部５１ａに接続部材９０を振り込んで各電極３１上に接続部材９０を配置し、はんだ９３が溶融する温度に加熱して、接続部材９０を各電極３１に接続すればよい。その後、マスク５１は取り外す。
【０１１５】
そして、このように接続部材９０を接続した半導体パッケージ３０を、図２１（Ａ）に示すように、位置合わせを行って回路基板２０に対向配置する。そして、接続部材９０の先端を電極２１（はんだペースト等（図示せず）が形成されていてもよい）に突き合わせ、所定温度で加熱する。それにより、図２１（Ｂ）に示すような、半導体パッケージ３０の各電極３１と、回路基板２０の各電極２１が、それぞれ接続部材９０で接続された電子装置１０Ｆが得られる。
【０１１６】
このような電子装置１０Ｆによっても、半導体パッケージ３０と回路基板２０との接続部の形状が円柱状に維持されるため、当該接続部の長寿命化を図ることが可能になると共に、隣接する接続部間のブリッジの発生を効果的に抑制することが可能になる。
【０１１７】
以上、電子装置１０Ａ〜１０Ｆについて説明したが、これら電子装置１０Ａ〜１０Ｆには、更に冷却構造（ヒートシンク）を設けることもできる。
図２２は冷却構造を備えた電子装置の一例を示す図である。
【０１１８】
図２２に示す電子装置１０Ｇには、一例として、上記第１実施例で述べたような接続部材４０を用いて回路基板２０に接続された半導体パッケージ３０の上に、複数のフィン２０１ａを備えた冷却構造２０１が設けられている。冷却構造２０１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やＣｕ等の熱伝導性の良好な金属材料を用いて形成することができ、サーマルグリースや一定の熱伝導性を有する接着剤等を用いて（図示せず）、半導体パッケージ３０の上に設けられる。半導体パッケージ３０と冷却構造２０１は、熱的に接続された状態になっている。
【０１１９】
このような冷却構造２０１を設けることにより、半導体パッケージ３０で発生した熱（発生した熱の全てとは限らない）は、冷却構造２０１へと伝熱され、そこから効率的に放熱されるようになる。その結果、半導体パッケージ３０の過剰な温度上昇や、回路基板２０及び半導体パッケージ３０の変形（伸縮、反り）を効果的に抑えることが可能になるため、電子装置１０Ｇを長期にわたって安定に動作させることが可能になる。
【０１２０】
また、図２３は冷却構造を備えた電子装置の別例を示す図である。
図２３に示す電子装置１０Ｈには、一例として、上記第１実施例で述べたような接続部材４０を用いて回路基板２０に接続された半導体パッケージ３０の上に、複数のフィン２０２ａを備えた冷却構造２０２が設けられている。冷却構造２０２は、例えば、ＡｌやＣｕ等の熱伝導性の良好な金属材料を用いて形成することができ、サーマルグリースや一定の熱伝導性を有する接着剤等を用いて（図示せず）、半導体パッケージ３０の上に設けられる。
【０１２１】
冷却構造２０２には、複数の固定ネジ２０３がそれぞれ貫通する貫通孔２０２ｂが設けられている。更に、ここでは回路基板２０にも、複数の固定ネジ２０３がそれぞれ貫通する貫通孔２０ｂが設けられている。各固定ネジ２０３は、貫通孔２０２ｂ，２０ｂに挿通され、回路基板２０の半導体パッケージ３０側と反対側の面において、ネジ留板２０４に螺着される。このように電子装置１０Ｈでは、冷却構造２０２が固定ネジ２０３を用いて強固に固定されるようになっている。
【０１２２】
尚、この図２３には、回路基板２０と半導体パッケージ３０の間に、それらの間隔を一定に保持するスタンドオフ２１０を設けた場合を例示している。
このような電子装置１０Ｈによっても、半導体パッケージ３０の過剰な温度上昇や、回路基板２０及び半導体パッケージ３０の変形（伸縮、反り）を効果的に抑えることが可能になるため、電子装置１０Ｈを長期にわたって安定に動作させることが可能になる。
【０１２３】
尚、ここでは、一例として、上記第１実施例で述べたような接続部材４０を用いて回路基板２０に半導体パッケージ３０が接続されている場合を例示した。このほか、上記第２〜第６実施例で述べたような接続部材４０ａ，７０，７０ａ，８０，９０等を用いて回路基板２０に半導体パッケージ３０が接続されているものについても、上記図２２及び図２３と同様に、冷却構造２０１，２０２を設けることが可能である。
【０１２４】
また、以上説明した電子装置１０Ａ〜１０Ｆ、及びそれらにそれぞれ冷却構造２０１又は冷却構造２０２を設けたもの（電子装置１０Ｇ，１０Ｈ等）は、様々な電子機器（電子装置）に適用可能である。
【０１２５】
図２４は電子機器の一例を模式的に示す図である。
図２４には、電子機器４００として、情報処理装置の１つである、ノートブック型のコンピュータを例示している。一例として、上記の回路基板２０に半導体パッケージ３０を実装した電子装置１０Ａ（接続部材４０は図示を省略）が、電子機器４００に内蔵されている。尚、図２４では、電子装置１０Ａを除く電子機器４００の内部構造については、図示を省略している。
【０１２６】
電子機器４００には、ここに例示した電子装置１０Ａに替えて、上記の電子装置１０Ｂ〜１０Ｈを適用することも可能である。また、ここでは、ノートブック型のコンピュータを例示したが、デスクトップ型のコンピュータ、サーバコンピュータ、半導体製造装置、半導体試験装置等、様々な電子機器に、電子装置１０Ａ等を適用することが可能である。
【０１２７】
尚、以上説明した電子装置１０Ａ〜１０Ｈには、上記のような半導体パッケージ３０に替えて、次の図２５〜図２７に示すような構成を有する半導体パッケージを適用することも可能である。
【０１２８】
図２５（Ａ）に示す半導体パッケージ５００Ａは、上記の図７に示した半導体パッケージ３０と同様の構造を有している。即ち、絶縁層５０２ａ、導電パターン５０２ｂ及び電極５０１ａ，５０１ｂを有するインターポーザ５０２に、電極５０３ｂを有する半導体チップ５０３が、バンプ５０３ａを介してフリップチップ接続されている。インターポーザ５０２に接続された半導体チップ５０３は、封止樹脂５０４によって封止されている。
【０１２９】
一方、図２５（Ｂ）に示す半導体パッケージ５００Ｂは、図２５（Ａ）に示した半導体パッケージ５００Ａのバンプ５０３ａを、接続部材６００に替えた構造を有している。接続部材６００には、上記のように、筒状部材６００ａと、その筒状部材６００ａに設けられた導電性部材６００ｂとを含むものを用いることができる。例えば、接続部材６００として、上記した接続部材４０，４０ａ，７０，７０ａ，８０，９０を用いることができる。その場合、各接続部材４０，４０ａ，７０，７０ａ，８０，９０の平面サイズ（直径）は、半導体チップ５０３の電極５０３ｂ、及びインターポーザ５０２の電極５０１ｂの平面サイズに応じたサイズとされる。この図２５（Ｂ）に示したように半導体チップ５０３とインターポーザ５０２とを接続部材６００を用いて接続した場合、電極５０３ｂ，５０１ｂ近傍部分への応力集中を抑制することができる。それにより、半導体チップ５０３とインターポーザ５０２との間の接続部の長寿命化を図ることが可能になる。
【０１３０】
上記の電子装置１０Ａ〜１０Ｈには、図２５（Ａ）に示した半導体パッケージ５００Ａのほか、この図２５（Ｂ）に示したような半導体パッケージ５００Ｂを用いることもできる。
【０１３１】
また、図２６（Ａ）に示す半導体パッケージ５１０Ａは、インターポーザ５０２にバンプ５０３ａを介してフリップチップ接続された半導体チップ５０３が、金属カバー５１１で覆われた構造を有している。金属カバー５１１は、インターポーザ５０２に実装された半導体チップ５０３の上面に、サーマルグリースや一定の熱伝導性を有する接着剤等の熱伝導材５１２を用いて接合（熱的に接続）されている。更に、この金属カバー５１１は、その縁部が、接着材料５１３を用いてインターポーザ５０２の上面に接合されている。冷却構造２０１，２０２を設ける電子装置１０Ｇ，１０Ｈの場合には、この金属カバー５１１の上に、サーマルグリースや一定の熱伝導性を有する接着剤等を用いて、冷却構造２０１，２０２が設けられる。その場合、半導体チップ５０３で発生した熱（発生した熱の全てとは限らない）は、例えば、熱伝導材５１２及び金属カバー５１１へと伝熱され、そこから冷却構造２０１，２０２へと伝熱されて、外部に放熱される。
【０１３２】
一方、図２６（Ｂ）に示す半導体パッケージ５１０Ｂは、図２６（Ａ）に示した半導体パッケージ５１０Ａのバンプ５０３ａを、接続部材６００に替えた構造を有している。例えば、接続部材６００としては、電極５０３ｂ，５０１ｂのサイズに応じた所定サイズの接続部材４０，４０ａ，７０，７０ａ，８０，９０を用いることができる。この図２６（Ｂ）に示したような金属カバー５１１を用いた場合にも、半導体チップ５０３とインターポーザ５０２とを接続部材６００を用いて接続することで、電極５０３ｂ，５０１ｂ近傍部分への応力集中を抑制し、接続部の長寿命化を図ることが可能になる。更に、このような接続部材６００を用いて半導体チップ５０３とインターポーザ５０２とを接続することにより、接続部の形状を維持し、隣接する接続部間のブリッジの発生を効果的に抑制することが可能になる。
【０１３３】
上記の電子装置１０Ａ〜１０Ｈには、この図２６（Ａ），（Ｂ）に示したような半導体パッケージ５１０Ａ，５１０Ｂを用いることもできる。
また、図２７（Ａ），（Ｂ）に示す半導体パッケージ５２０Ａ，５２０Ｂは、インターポーザ５０２と半導体チップ５０３の接続部が封止樹脂５２１で封止されている点で、それぞれ上記図２６（Ａ），（Ｂ）の半導体パッケージ５１０Ａ，５１０Ｂと相違する。このような封止樹脂５２１を設けることにより、インターポーザ５０２と半導体チップ５０３との接合強度を一層高めることができる。
【０１３４】
上記の電子装置１０Ａ〜１０Ｈには、この図２７（Ａ），（Ｂ）に示したような半導体パッケージ５２０Ａ，５２０Ｂを用いることもできる。
以上、接続部材４０，４０ａ，７０，７０ａ，８０，９０を用いた半導体パッケージ３０と回路基板２０との接続、及び接続部材６００を用いた半導体チップ５０３とインターポーザ５０２との接続について説明した。続いて、それらの接続信頼性評価方法の一例、及びそれを用いた接続信頼性評価結果の一例について説明する。
【０１３５】
接続信頼性の評価方法としては、半導体パッケージ、半導体チップ等の半導体装置を、回路基板、インターポーザ等の基板にフリップチップ接続した実装構造に対し、所定温度範囲の昇降温を繰り返す熱サイクル試験がある。また、そのような実装構造に対して機械的な応力を繰り返し発生させるベンディング試験によって、その実装構造の接続信頼性を評価する方法もある。ここでは、このベンディング試験による接続信頼性評価について説明する。
【０１３６】
まず、ベンディング試験に用いる実装構造（試料）の一例について説明する。
図２８は試料の一例を示す図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。
図２８には、回路基板７１０に半導体パッケージ７２０を実装した試料７００を例示している。回路基板７１０及び半導体パッケージ７２０には、製品となり得るもののほか、当該製品の形態に合わせて作製された試験用のものを用いることができる。
【０１３７】
ここでは一例として、回路基板７１０及び半導体パッケージ７２０に、それぞれ平面サイズが１１０ｍｍ角及び４０ｍｍ角のものを用いる。回路基板７１０及び半導体パッケージ７２０には、対向面内の互いに対応する位置に、それぞれ電極７１１，７２１が設けられている。電極７１１，７２１は、例えば、直径０．７６ｍｍとされ、回路基板７１０と半導体パッケージ７２０の対向面内にそれぞれ、１．２７ｍｍピッチで５２０個配列される。回路基板７１０と半導体パッケージ７２０は、ここでは、対向する多数の電極７１１，７２１のうち、四隅の電極７１１，７２１間だけが、接続部材７３０によって接続されている。
【０１３８】
回路基板７１０の四隅の電極７１１にはそれぞれ、２本の引き出し線７１２と、それら２本の引き出し線７１２の端部にそれぞれ設けられた端子７１３とが、電気的に接続されている。一方、半導体パッケージ７２０の四隅の電極７２１にはそれぞれ、電極７２１側と反対の面側に設けられた２本の引き出し線７２２とそれらの端部にそれぞれ設けられた端子７２３とが、ビア７２４及び電極７２５を介して電気的に接続されている。
【０１３９】
四隅の電極７１１，７２１間を接続する接続部材７３０は、例えば、直径０．３ｍｍの金属ワイヤに、線径が０．０５ｍｍで２００メッシュのＣｕ製の網を巻き付け、金属ワイヤの引き抜き後、得られる筒状の網にはんだを設けることで、形成することができる。はんだには、例えば、Ｓｎ−Ｐｂはんだを用いることができ、筒状の網へのはんだの配設は、例えば、上記第１実施例で述べたのと同様にして行うことができる。このような金属ワイヤ及び網を用いた場合、はんだ配設後に得られる部材の直径は、約０．６ｍｍ〜０．７ｍｍとなる。このような部材を、例えば長さ２ｍｍに切断することで、個々の接続部材７３０が形成される。そして、これらの接続部材７３０を用いて、回路基板７１０に半導体パッケージ７２０が実装された試料７００が形成される。
【０１４０】
図２９は試料の形成方法の一例を示す図であって、（Ａ）は実装前の状態を示す図、（Ｂ）は実装後の状態を示す図である。
回路基板７１０への半導体パッケージ７２０の実装にあたっては、まず、半導体パッケージ７２０の四隅の電極７２１に、それぞれ接続部材７３０が接続される。この接続部材７３０の接続は、例えば、次のようにして行うことができる。
【０１４１】
即ち、半導体パッケージ７２０の電極７２１の表面にフラックスを形成し、半導体パッケージ７２０上に、四隅の電極７２１の位置に開口部を形成したマスクを、四隅の電極７２１と開口部の位置合わせを行って配置する。このマスクには、例えば、厚さ１ｍｍ〜２ｍｍのコバール製メタルマスクを用いることができる。そして、このマスクを用いて各開口部にそれぞれ接続部材７３０を振り込み、四隅の電極７２１上にそれぞれ接続部材７３０を直立状態（筒状の網が直立する向き）で配置する。この状態から、接続部材７３０のはんだの溶融温度に加熱することにより、溶融したはんだと電極７２１とを接続する。最後に、接続部材７３０の振り込みに用いたマスクを取り外すことで、四隅の電極７２１上に接続部材７３０が接続された半導体パッケージ７２０が得られる。
【０１４２】
一方、回路基板７１０側には、その四隅の電極７１１の位置に開口部を形成したマスク、例えば厚さ０．１５ｍｍのメタルマスクを、四隅の電極７２１と開口部の位置合わせを行って配置する。そして、そのマスクを用い、図２９（Ａ）に示すように、四隅の電極７１１上にはんだペースト７１４を印刷する。はんだペースト７１４には、例えば、Ｓｎ−Ｐｂを用いることができる。
【０１４３】
このようにしてはんだペースト７１４を印刷した回路基板７１０の上方に、図２９（Ａ）に示すように、接続部材７３０を接続した半導体パッケージ７２０を、接続部材７３０側を回路基板７１０に対向させ、位置合わせを行って配置する。そして、接続部材７３０の先端を電極７１１上のはんだペースト７１４に接触させ、接続部材７３０の周辺の温度が最高で２２０℃になるように設定した窒素雰囲気のリフロー炉を用いて加熱を行い、接続部材７３０のはんだ及びはんだペースト７１４を溶融させる。これにより、図２９（Ｂ）に示すように、回路基板７１０の四隅の電極７１１と、半導体パッケージ７２０の四隅の電極７２１とが、接続部材７３０で接続された試料７００が得られる。
【０１４４】
このようにして得られる試料７００について、ベンディング試験を行い、回路基板７１０と半導体パッケージ７２０の接続部の接続信頼性を評価する。尚、ここでは比較のため、回路基板７１０の四隅の電極７１１と、半導体パッケージ７２０の四隅の電極７２１を、はんだボールを用いて形成されるはんだバンプによって接続した試料（比較試料）についても、ベンディング試験による接続信頼性評価を行っている。
【０１４５】
図３０はベンディング試験に用いるベンディング装置の構成例を示す図であって、（Ａ）は要部平面図、（Ｂ）は要部側面図である。また、図３１はベンディング試験の一例の説明図であって、（Ａ）はベンディング試験の第１の状態を示す図、（Ｂ）はベンディング試験の第２の状態を示す図である。尚、図３０及び図３１では、一例として、接続部材７３０を用いた試料７００を図示している。
【０１４６】
図３０（Ａ），（Ｂ）及び図３１（Ａ），（Ｂ）に示すように、ベンディング試験に用いるベンディング装置８００は、支持台８０１、押し子８０２、制御部８０３、破壊検出部８０４及び表示部８０５を備えている。
【０１４７】
支持台８０１は、半導体パッケージ７２０を実装した回路基板７１０の一方向の対向縁部７１０ａを支持可能に設けられた一対の支持部８０１ａ、及び回路基板７１０の対向縁部７１０ａを支持部８０１ａに固定する固定部８０１ｂを有している。半導体パッケージ７２０を実装した回路基板７１０は、この支持台８０１の支持部８０１ａ上に、半導体パッケージ７２０を支持台８０１側に向けて載置され、固定部８０１ｂによって支持部８０１ａに固定される。
【０１４８】
押し子８０２は、図３０（Ａ），（Ｂ）及び図３１（Ａ），（Ｂ）に示したように、支持台８０１にセットされた回路基板７１０の、対向縁部７１０ａと直交する方向で対向する対向縁部７１０ｂをそれぞれ、先端部で把持可能になっている。押し子８０２は、図３１（Ａ），（Ｂ）に示したように、その先端部で回路基板７１０の対向縁部７１０ｂを把持した状態で、支持台８０１側と、支持台８０１側と反対の側に、上下動するようになっている。押し子８０２の上下動は、所定の振幅、周波数で行われる。所定の振幅、周波数の押し子８０２の上下動は、制御部８０３によって制御される。ベンディング装置８００には、押し子８０２が行う上下動の条件（振幅、周波数）を予め設定しておくことができるようになっており、制御部８０３は、その設定された条件に従い、押し子８０２を上下動させる。
【０１４９】
このようなベンディング装置８００を用いたベンディング試験では、最初に支持台８０１に固定された、ベンディング試験開始前の回路基板７１０を把持する押し子８０２の位置を、基準位置とする。そして、その基準位置から押し子８０２を支持台８０１側に所定量押し込み（図３１（Ａ））、その後、再び元の基準位置まで戻すようにする（図３１（Ｂ））。押し子８０２を基準位置から押し込んで再び基準位置まで戻す動作を１サイクルとする。一例として、ここでは、室温（約２５℃）の温度環境下で、押し子８０２を基準位置から支持台８０１側に１．５ｍｍ押し込み、再び押し子８０２を基準位置まで戻す１サイクルの動作を、周波数０．５Ｈｚで実施する。
【０１５０】
このような押し子８０２によるベンディング試験を実施すると、回路基板７１０と半導体パッケージ７２０の接続部には応力が発生し、最終的には、疲労によってそれらの接続部に破壊が起こる。回路基板７１０と半導体パッケージ７２０の接続部に発生する応力は、上記のように接続部材７３０、はんだバンプで接続した四隅の接続部で大きくなり易い。ここでは、このように大きな応力が発生しやすい四隅の接続部のみを接続部材７３０、はんだバンプで接続した試料７００、比較試料を用い、接続部の破壊の起こり易さ（起こり難さ）、即ち接続信頼性を評価する。
【０１５１】
ベンディング試験の間、回路基板７１０と半導体パッケージ７２０の接続部の破壊は、四隅の接続部にそれぞれ電流を流し、そのときの電圧（電気抵抗）の変化をモニタすることによって検出することができる。この接続部の破壊検出は、回路基板７１０及び半導体パッケージ７２０に予め形成している引き出し線７１２，７２２、端子７１３，７２３、ビア７２４及び電極７２５を用いた、四端子法で行うことができる。
【０１５２】
例えば、図２８に示した、接続部材７３０を用いた試料７００を例にとる。この場合、まず、電極７１１に？がっている２組の引き出し線７１２と端子７１３のうちの１組と、電極７２１にビア７２４及び電極７２５を介して？がっている２組の引き出し線７２２と端子７２３のうちの１組との間に、電流を流す。例えば、端子７１３，７２３間に、１６０ｍＡの直流電流を流す。そして、電極７１１に？がっている２組の引き出し線７１２と端子７１３のうちのもう１組と、電極７２１に？がっている２組の引き出し線７２２と端子７２３のうちのもう１組との間の電圧を測定する。はんだバンプを用いた比較試料の場合も、これと同様に電流を流し、電圧を測定する。
【０１５３】
回路基板７１０と半導体パッケージ７２０の接続部に流す電流と、その接続部で測定される電圧から求められる電気抵抗をモニタし、その電気抵抗の値に基づき、その接続部の破壊を検出する。例えば、接続部の電気抵抗が、そのモニタ初期の値（初期値）に比べて１％上昇した時点（押し子８０２の上下動サイクル回数）を、その接続部の破壊が検出された時点と判定する。
【０１５４】
このような接続部破壊検出を、図３０（Ａ），（Ｂ）に示すようなベンディング装置８００を用いた、図３１（Ａ），（Ｂ）に示すようなベンディング試験の間、回路基板７１０と半導体パッケージ７２０の四隅の各接続部について実施する。その際、接続部に対する電流の流通、そのときの電圧の測定、電流と電圧からの電気抵抗の算出と経時的モニタ、及び電気抵抗の値に基づく接続部破壊検出（判定）は、破壊検出部８０４によって行われる。また、制御部８０３によって制御される押し子８０２の上下動のサイクル回数は、破壊検出部８０４に供給される。破壊検出部８０４で取得される、接続部破壊検出に関する情報（電流、電圧、電気抵抗等）は、制御部８０３によって制御される押し子８０２の上下動のサイクル回数と対応付けられて、表示部８０５に表示される。
【０１５５】
回路基板７１０と半導体パッケージ７２０の接続部に、はんだバンプを用いた比較試料と、接続部材７３０を用いた試料７００について、上記の例示した条件でベンディング試験を実施した。その結果、はんだバンプを用いた比較試料では、１４２サイクルでその接続部に破壊が生じた。一方、接続部材７３０を用いた試料７００では、９２６サイクルでその接続部に破壊が生じた。回路基板７１０と半導体パッケージ７２０の接続部の疲労寿命は、それらの接続部に接続部材７３０を用いた場合の方が、はんだバンプを用いた場合に比べて、６．５倍以上長くなる。従って、接続部材７００を用いることにより、回路基板７１０と半導体パッケージ７２０の接続信頼性を向上させることが可能であると言うことができる。
【０１５６】
上記のようなベンディング試験によれば、回路基板７１０と半導体パッケージ７２０の接続部の接続信頼性を、熱サイクル試験に比べ、比較的短時間で適正に評価することができる。
【０１５７】
尚、ベンディング試験の条件は、上記の例に限定されるものではない。例えば、押し子８０２の動作条件（振幅、周波数）は、回路基板７１０、半導体パッケージ７２０及び接続部材７３０の材質に基づいて、適宜設定することが可能である。
【０１５８】
また、上記の例では、回路基板７１０と半導体パッケージ７２０の接続部破壊の判定基準を、接続部の電気抵抗が初期値から１％上昇した時点とした。このような接続部破壊の判定基準は、例えば、回路基板７１０、半導体パッケージ７２０及び接続部材７３０の材質、或いは要求される接続信頼性の程度に基づいて、適宜設定することが可能である。
【０１５９】
また、上記の例では、回路基板７１０と半導体パッケージ７２０の四隅の電極７１１，７２１だけを接続部材７３０、はんだバンプで接続し、ベンディング試験を実施する場合を例示した。このほか、回路基板７１０と半導体パッケージ７２０の全ての電極７１１，７２１を接続部材７３０等で接続し、ベンディング試験を実施することも可能である。この場合は、回路基板７１０と半導体パッケージ７２０がより強固に接続されることとなるため、接続部の破壊検出に、より長い時間を要するが、実際の製品形態で、或いはより実際の製品形態に近い条件で、接続部の接続信頼性評価を行うことが可能になる。
【０１６０】
尚、このようなベンディング試験による接続信頼性評価は、半導体チップとインターポーザとの接続部の接続信頼性評価にも同様に適用可能である。
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１６１】
（付記１）  一主面に第１電極が形成された回路基板と、
前記回路基板の前記一主面側に配置され、前記一主面と対向する面に第２電極が形成された半導体装置と、
筒状部材と、前記筒状部材に配設された導電性部材とを含み、前記第１，第２電極間を電気的に接続する接続部材と、
を含むことを特徴とする電子装置。
【０１６２】
（付記２）  前記筒状部材は、細線を用いて形成されていることを特徴とする付記１に記載の電子装置。
（付記３）  前記細線は、網目状に形成されていることを特徴とする付記２に記載の電子装置。
【０１６３】
（付記４）  前記細線は、コイル状に形成されていることを特徴とする付記２に記載の電子装置。
（付記５）  前記筒状部材は、金属を含んでいることを特徴とする付記１乃至４のいずれかに記載の電子装置。
【０１６４】
（付記６）  前記筒状部材は、樹脂を含んでいることを特徴とする付記１乃至４のいずれかに記載の電子装置。
（付記７）  前記樹脂に、前記導電性部材に濡れ性を示す表面処理層が形成されていることを特徴とする付記６に記載の電子装置。
【０１６５】
（付記８）  前記筒状部材は、前記導電性部材の融点に対し耐熱性を有していることを特徴とする付記１乃至７のいずれかに記載の電子装置。
（付記９）  前記筒状部材は、鼓形状を有していることを特徴とする付記１乃至８のいずれかに記載の電子装置。
【０１６６】
（付記１０）  前記半導体装置は、インターポーザと、前記インターポーザに実装された半導体チップとを含むことを特徴とする付記１乃至９のいずれかに記載の電子装置。
（付記１１）  前記回路基板は、インターポーザであり、前記半導体装置は、半導体チップであることを特徴とする付記１乃至９のいずれかに記載の電子装置。
【０１６７】
（付記１２）  一主面に第１電極が形成された回路基板の前記一主面側に、前記一主面と対向する面に第２電極が形成された半導体装置を配置する工程と、
前記第１，第２電極間を、筒状部材と、前記筒状部材に配設された導電性部材とを含む接続部材を用いて電気的に接続する工程と、
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１６８】
（付記１３）  前記第２電極に予め前記接続部材を電気的に接続した前記半導体装置を、前記回路基板の前記一主面側に配置することを特徴とする付記１２に記載の電子装置の製造方法。
【０１６９】
（付記１４）  前記筒状部材は、鼓形状に形成されていることを特徴とする付記１２又は１３に記載の電子装置の製造方法。
（付記１５）  一主面に第１電極が形成された回路基板と、
前記回路基板の前記一主面側に配置され、前記一主面と対向する面に第２電極が形成された半導体装置と、
筒状部材と、前記筒状部材に配設された導電性部材とを含み、前記第１，第２電極間を電気的に接続する接続部材と、
を含む電子装置を有することを特徴とする電子機器。
【符号の説明】
【０１７０】
１，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ，１０Ｈ，１００  電子装置
２，２０，７１０  回路基板
２ａ，３ａ，２１，３１，５０１ａ，５０１ｂ，５０３ｂ，７１１，７２１，７２５  電極
３  半導体装置
４，４０，４０ａ，７０，７０ａ，８０，９０，６００，７３０  接続部材
４ａ，６００ａ  筒状部材
４ａａ，４１ａ，７１ａ  細線
４ｂ，６００ｂ  導電性部材
２０ｂ，２０２ｂ  貫通孔
２２，３２ａ，５０２ａ  絶縁層
２３，３２ｂ，５０２ｂ  導電パターン
３０，５００Ａ，５００Ｂ，５１０Ａ，５１０Ｂ，５２０Ａ，５２０Ｂ，７２０  半導体パッケージ
３２，５０２  インターポーザ
３３，５０３  半導体チップ
３３ａ，５０３ａ  バンプ
３４，５０４，５２１  封止樹脂
４１，８１  網
４１ｂ，７１ｂ  括れ
４１ｃ  膨らみ部分
４２，９２  芯棒
４３，７３，８３，９３  はんだ
５１  マスク
５１ａ  開口部
６０  金型
７１  コイル
９１  表面処理シート
９１ａ  シート
９１ｂ  表面処理層
１１０  はんだバンプ
１１１，７１４  はんだペースト
１２０  接続部
１２０ａ  部分
１２０ｂ  クラック
１２０ｃ  ブリッジ
２０１，２０２  冷却構造
２０１ａ，２０２ａ  フィン
２０３  固定ネジ
２０４  ネジ留板
２１０  スタンドオフ
４００  電子機器
５１１  金属カバー
５１２  熱伝導材
５１３  接着材料
７００  試料
７１０ａ，７１０ｂ  対向縁部
７１２，７２２  引き出し線
７１３，７２３  端子
７２４  ビア
８００  ベンディング装置
８０１  支持台
８０１ａ  支持部
８０１ｂ  固定部
８０２  押し子
８０３  制御部
８０４  破壊検出部
８０５  表示部
【図１】
2011082482.tif 000003
【図２】
2011082482.tif 000004
【図３】
2011082482.tif 000005
【図４】
2011082482.tif 000006
【図５】
2011082482.tif 000007
【図６】
2011082482.tif 000008
【図７】
2011082482.tif 000009
【図８】
2011082482.tif 000010
【図９】
2011082482.tif 000011
【図１０】
2011082482.tif 000012
【図１１】
2011082482.tif 000013
【図１２】
2011082482.tif 000014
【図１３】
2011082482.tif 000015
【図１４】
2011082482.tif 000016
【図１５】
2011082482.tif 000017
【図１６】
2011082482.tif 000018
【図１７】
2011082482.tif 000019
【図１８】
2011082482.tif 000020
【図１９】
2011082482.tif 000021
【図２０】
2011082482.tif 000022
【図２１】
2011082482.tif 000023
【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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