(57)【要約】【課題】増幅器と逆の利得偏移および位相偏移特性を持つリニアライザを具備する増幅回路を提供する。【解決手段】複数のダイオードのそれぞれについて、所望の基本特性を有するダイオードを選択し、かつ、複数のダイオードのそれぞれに対応するバイアス回路について、所望のバイアス電圧を選択する。このように、複数のダイオードに複数のバイアス電圧をそれぞれ印加することによって、異なるダイオード特性を重ね合わせている。その結果、３次の非線形性よりもさらに複雑な５次の非線形性を有する増幅器の入出力電力特性の線形化が可能となる。【選択図】図４
2011055027.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入出力電力特性において５次以上の非線形性を有する増幅器と、
前記増幅器の前段に接続されて、前記５次以上の非線形性を軽減するダイオードリニアライザと
を具備し、
前記ダイオードリニアライザは、
複数のダイオードと、
前記複数のダイオードにバイアス電圧をそれぞれ個別に印加する複数のバイアス回路と
を具備する
増幅回路。
【請求項２】
請求項１に記載の増幅回路であって、
前記複数のバイアス回路を直流的に分離するキャパシタ
をさらに具備する
増幅回路。
【請求項３】
請求項１または２に記載の増幅回路であって、
前記ダイオードリニアライザは、
入力信号を入力する信号入力部と、
前記増幅器に接続する接続部と、
前記信号入力部と、前記接続部とを接続する主線路と
を具備し、
前記複数のダイオードは、
前記主線路に対して直列に挿入されたダイオード
を具備する
増幅回路。
【請求項４】
請求項１または２に記載の増幅回路であって、
前記ダイオードリニアライザは、
入力信号を入力する信号入力部と、
前記増幅器に接続する接続部と、
前記信号入力部と、前記接続部とを接続する主線路と
を具備し、
前記複数のダイオードは、
前記主線路に対して並列に挿入されたダイオード
を具備する
増幅回路。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の増幅回路であって、
前記複数のダイオードは、
互いに並列に接続されたダイオード
を具備する
増幅回路。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の増幅回路であって、
前記複数のダイオードは、
互いに直列に接続されたダイオード
を具備する
増幅回路。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の増幅回路であって、
前記複数のバイアス回路のそれぞれは、
個別に調節可能な抵抗
を具備する
増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、増幅回路に係り、特に、増幅器の前段に接続されたダイオードリニアライザを具備する増幅回路に係る。
【背景技術】
【０００２】
近年、ワイヤレス通信システムの高度化にともない、マイクロ波送信用電力増幅器においては、高効率化だけでなく、低ひずみ化の要求も益々厳しくなっている。マイクロ波ひずみ補償の分野では、小型・広帯域を特徴とするダイオードリニアライザの開発が進んでいる。
【０００３】
図１は、従来技術または本発明による増幅回路の全体的な構成を示す図である。この増幅回路は、信号入力部１と、ダイオードリニアライザ２と、接続部３と、増幅器４と、信号出力部５とを具備し、これらの構成要素はこの順番に直列に接続されている。
【０００４】
図２は、従来技術によるダイオードリニアライザ２の構成例を示す図である。このダイオードリニアライザ２は、単体のダイオード２０を主線路に対して直列に挿入した構成である。
【０００５】
図３は、従来技術によるダイオードリニアライザ２の別の構成例を示す図である。このダイオードリニアライザ２は、単体のダイオード２０を主線路に対して並列に挿入した構成である。
【０００６】
増幅器の非線形性を表すために、利得偏移および位相偏移特性が用いられる。これらは、増幅器へ正弦波を入力した時の出力波の利得変化分および位相変化分であって、非線形性があるとき変化分を生じる。図２のように、ダイオード２０を主線路に直列に挿入した構造では、利得偏移は負に、位相偏移は正に、それぞれ偏移する。また、図３のように、ダイオード２０を主線路に並列に挿入した構造では、利得偏移は正に、位相偏移は負に、それぞれ偏移する。
【０００７】
図２の構成において、ダイオード２０は、主線路５９、６０に対して直列に挿入されている。ダイオードリニアライザの利得偏移および位相偏移特性は、バイアス抵抗２１１およびバイアス電源２１３によって調節できるが、ダイオード自体の特性に大きく依存する。
【０００８】
図３の構成において、ダイオード２０は、主線路５９、６０に対して並列に挿入されている。ダイオードリニアライザの利得偏移および位相偏移特性は、バイアス抵抗２１１およびバイアス電源２１３によって調節できるが、ダイオード自体の特性に大きく依存する。
【０００９】
このように、ダイオードリニアライザの利得偏移および位相偏移特性はダイオード自体の特性に大きく依存する。このため、図２及び図３で示したようなダイオードリニアライザでは、増幅器の利得偏移および位相偏移特性に対応しきれず、増幅器のひずみを補償するにも限界がある。
【００１０】
上記に関連する技術が、特許文献１〜４及び非特許文献１に開示されている。
特許文献１には、ひずみ生成手段として、ダイオードが並列に接続された構成が開示されている（特に、図３）。
【００１１】
また、特許文献４には、歪補償回路が開示されており、この歪補償回路には従来技術によるダイオードリニアライザに相当する構成が含まれている（特に図２、図３）。なお、特許文献２及び特許文献３については、本件発明の参考技術であるため、具体的な説明は省略する。
【００１２】
また、非特許文献１には、高効率送信電力増幅器に係る記載が開示されている。この高効率送信電力増幅器は、主増幅器の歪を補償する減衰器を間に介した直・並列２段接続のダイオードリニアライザを具備している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開平６−３４２１７８号公報
【特許文献２】特開２００４−３４３２９６号公報
【特許文献３】特開２００５−７３０１０号公報
【特許文献４】特開２００８−１７２５４４号公報
【非特許文献】
【００１４】
【非特許文献１】「直・並列合成形ダイオードリニアライザによる移動体通信基地局向送信電力増幅器の高効率化」、小川二良、丸山弘志、稗田忠晴、堀口健一共著、「島田理化工業技報  Ｎｏ．１５（２００４）」、島田理化工業株式会社、２００４年６月２９日発行、２１〜２４頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
従来のダイオードリニアライザによるひずみ補償回路では、図２及び図３を用いて説明したように、単体のダイオードが主線路に直列に挿入した構造または単体のダイオードが主線路に並列に挿入した構造となる。この構造では、ダイオードリニアライザの利得偏移および位相偏移特性は、単体のダイオードおよび周辺の素子に依存する。しかし、単体のダイオードでは、調節できる素子の数や条件に限りがある。また、適切なダイオードを用いる必要がある。このため、増幅器と逆の利得偏移および位相偏移特性を持つリニアライザを作ることは困難である。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
以下に、（発明を実施するための形態）で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、（特許請求の範囲）の記載と（発明を実施するための形態）との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、（特許請求の範囲）に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１７】
本発明による増幅回路は、増幅器（４）と、ダイオードリニアライザ（２）とを具備する。ここで、増幅器（４）は、入出力電力特性において５次以上の非線形性を有する。ダイオードリニアライザ（２）は、増幅器（４）の前段に接続されて、５次以上の非線形性を軽減する。ダイオードリニアライザ（２）は、複数のダイオード（２０−１、２０−２）と、複数のバイアス回路（２１−１、２１−２）とを具備する。ここで、複数のバイアス回路（２１−１、２１−２）は、複数のダイオード（２０−１、２０−２）にバイアス電圧をそれぞれ個別に印加する。
【００１８】
本発明に係る増幅回路によれば、複数のバイアス回路（２１−１、２１−２）は、複数のダイオード（２０−１、２０−２）にバイアス電圧をそれぞれ個別に印加するので、複数のダイオードのそれぞれについて、所望の基本特性を有するダイオードを選択し、かつ、複数のダイオードのそれぞれに対応するバイアス回路について、所望のバイアス電圧を選択することが可能である。この結果、リニアライザの利得偏移および位相偏移特性を、増幅器と逆となるように容易に調整できる。
このように、本発明によるダイオードリニアライザでは、複数のダイオードに複数のバイアス電圧をそれぞれ印加することによって、異なるダイオード特性を重ね合わせている。その結果、３次の非線形性よりもさらに複雑な５次の非線形性を有する増幅器の入出力電力特性の線形化が可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、複数のダイオードのそれぞれについて、所望の基本特性を有するダイオードを選択し、かつ、複数のダイオードのそれぞれに対応するバイアス回路について、所望のバイアス電圧を選択することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、従来技術または本発明による増幅回路の全体的な構成を示す図である。
【図２】図２は、従来技術によるダイオードリニアライザの構成例を示す図である。
【図３】図３は、従来技術によるダイオードリニアライザの別の構成例を示す図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態によるダイオードリニアライザの構成を示す図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施形態によるダイオードリニアライザの構成を示す図である。
【図６】図６は、本発明の第３の実施形態によるダイオードリニアライザの構成を示す図である。
【図７】図７は、本発明の第４の実施形態によるダイオードリニアライザの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
添付図面を参照して、本発明による増幅回路を実施するための形態を以下に説明する。
【００２２】
図１は、本発明による増幅回路の全体的な構成を示す図である。本発明による増幅回路の全体的な構成は、従来技術として説明したものと同じであるが、念のために再度説明する。本発明による増幅回路は、信号入力部１と、ダイオードリニアライザ２と、接続部３と、増幅器４と、信号出力部５とを具備し、これらの構成要素はこの順番に直列に接続されている。信号入力部１から信号出力部５までの経路を、主線路と呼ぶ。
【００２３】
（第１の実施形態）
図４は、本発明の第１の実施形態によるダイオードリニアライザ２の構成を示す図である。このダイオードリニアライザ２は、第１〜第２のダイオード２０−１、２０−２と、第１〜第２のバイアス回路２１−１、２１−２と、第１〜第２のインダクタ２２−１、２２−２と、第１〜第４のキャパシタ２３−１、２３−２、２４−１、２４−２とを具備する。第１のバイアス回路２１−１は、抵抗２１１−１と、インダクタ２１２−１と、バイアス電源２１３−１とを具備する。第２のバイアス回路２１−２は、抵抗２１１−２と、インダクタ２１２−２と、バイアス電源２１３−２とを具備する。
【００２４】
これらの構成要素間の接続関係について説明する。本実施形態では、互いに並列に接続されている２つのダイオード２０−１、２０−２を、主線路に対して直列に挿入している。より具体的には、まず、第１〜第２のキャパシタ２３−１、２３−２のそれぞれにおける一方の端部は、信号入力部１に接続されている。
【００２５】
第１のキャパシタ２３−１における他方の端部は、第１のバイアス回路２１−１に含まれる抵抗２１１−１における一方の端部と、第１のダイオード２０−１におけるアノードに接続されている。抵抗２１１−１における他方の端部は、インダクタ２１２−１における一方の端部に接続されている。インダクタ２１２−１における他方の端部は、バイアス電源２１３−１における一方の端部に接続されている。バイアス電源２１３−１における他方の端部は、接地されている。第１のダイオード２０−１におけるカソードは、第１のインダクタ２２−１における一方の端部と、第３のキャパシタ２４−１における一方の端部とに接続されている。第１のインダクタ２２−１における他方の端部は、接地されている。第３のキャパシタ２４−１における他方の端部は、接続部３に接続されている。
【００２６】
第２のキャパシタ２３−２における他方の端部は、第２のバイアス回路２１−２に含まれる抵抗２１１−２における一方の端部と、第２のダイオード２０−２におけるアノードに接続されている。抵抗２１１−２における他方の端部は、インダクタ２１２−２における一方の端部に接続されている。インダクタ２１２−２における他方の端部は、バイアス電源２１３−２における一方の端部に接続されている。バイアス電源２１３−２における他方の端部は、接地されている。第２のダイオード２０−２におけるカソードは、第２のインダクタ２２−２における一方の端部と、第４のキャパシタ２４−２における一方の端部とに接続されている。第２のインダクタ２２−２における他方の端部は、接地されている。第４のキャパシタ２４−２における他方の端部は、接続部３に接続されている。
【００２７】
本実施形態によるダイオードリニアライザ２の動作について説明する。第１のキャパシタ２３−１から第３のキャパシタ２４−１までの回路に注目すると、これは図２で示した従来技術によるダイオードリニアライザと同じ構成である。したがって、第１のダイオード２０−１は、その基本特性のうち、第１のバイアス回路２１−１によって印加されるバイアス電圧に対応する領域によって、入出力電力における利得および位相に非線形な歪みを生じさせる。
【００２８】
第２のキャパシタ２３−２から第４のキャパシタ２４−２までの回路も、第１のキャパシタ２３−１から第３のキャパシタ２４−１までの回路と同様の構成であるので、同様な動作を行う。
【００２９】
第１および第２のダイオード２０−１、２０−２は、第１および第２のバイアス回路２１−１、２１−２によって、個別に調節されたバイアス電圧を印加されている。すなわち、第１のダイオード２０−１の特性と、第２のダイオード２０−２の特性とは、必ずしも同じである必要はない。また、第１のバイアス回路２１−１が印加するバイアス電圧と、第２のバイアス回路２１−２が印加するバイアス電圧とは、必ずしも同じである必要はない。さらに、第１のバイアス回路２１−１における抵抗２１１−１と、第２のバイアス回路２１−２における抵抗２１１−２とは、必ずしも同じである必要はない。
【００３０】
しかも、第１〜第４のキャパシタ２３−１、２３−２、２４−１、２４−２は、第１〜第２のバイアス回路を直流的に分離しているので、２つのダイオード、２つのバイアス電圧および２つの抵抗の合計６つの構成要素をそれぞれ互いに独立なパラメータとして調整することができる。
【００３１】
これら６つのパラメータによる組み合わせを適宜に選択することで、増幅器４の入出力電力特性が有する非線形性が５次以上であっても、ダイオードリニアライザ２はこの非線形性ひずみを補償乃至軽減出来る。
【００３２】
以上のように、本発明の第１の実施の形態に係る増幅回路によれば、複数のバイアス回路（２１−１、２１−２）は、複数のダイオード（２０−１、２０−２）にバイアス電圧をそれぞれ個別に印加するので、複数のダイオードのそれぞれについて、所望の基本特性を有するダイオードを選択し、かつ、複数のダイオードのそれぞれに対応するバイアス回路について、所望のバイアス電圧を選択することが可能である。この結果、リニアライザの利得偏移および位相偏移特性を、増幅器と逆となるように容易に調整できる。
【００３３】
また、このように、本発明によるダイオードリニアライザでは、複数のダイオードに複数のバイアス電圧をそれぞれ印加することによって、異なるダイオード特性を重ね合わせている。その結果、３次の非線形性よりもさらに複雑な５次の非線形性を有する増幅器の入出力電力特性の線形化が可能となる。
【００３４】
（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態によるダイオードリニアライザ２の構成を示す図である。このダイオードリニアライザ２は、第１〜第２のダイオード２０−１、２０−２と、第１〜第２のバイアス回路２１−１、２１−２と、第１〜第３のキャパシタ２３、２４、２５とを具備する。第１のバイアス回路２１−１及び第２のバイアス回路２１−２は、第１の実施の形態で説明した構成と同一の構成を有する。
【００３５】
これらの構成要素における接続関係について説明する。本実施形態では、互いに並列に接続されている２つのダイオード２０−１、２０−２を、主線路に対して並列に挿入している。より具体的には、まず、第１のキャパシタ２３における一方の端部は、信号入力部１に接続されている。第１のキャパシタ２３における他方の端部は、第１のダイオード２０−１におけるアノードと、第１のバイアス回路２１−１に含まれる抵抗２１１−１における一方の端部と、第２のキャパシタ２４における一方の端部とに接続されている。第２のキャパシタ２４における他方の端部は、第２のダイオード２０−２におけるアノードと、第２のバイアス回路２１−２に含まれる抵抗２１１−２における一方の端部と、第３のキャパシタ２５における一方の端部とに接続されている。第３のキャパシタ２５における他方の端部は、接続部３に接続されている。
【００３６】
第１のダイオード２０−１におけるカソードは、接地されている。抵抗２１１−１における他方の端部は、インダクタ２１２−１における一方の端部に接続されている。インダクタ２１２−１における他方の端部は、バイアス電源２１２−１における一方の端部に接続されている。バイアス電源２１２−１における他方の端部は、接地されている。
【００３７】
第２のダイオード２０−２におけるカソードは、接地されている。抵抗２１１−２における他方の端部は、インダクタ２１２−２における一方の端部に接続されている。インダクタ２１２−２における他方の端部は、バイアス電源２１２−２における一方の端部に接続されている。バイアス電源２１２−２における他方の端部は、接地されている。
【００３８】
本実施形態によるダイオードリニアライザ２の動作について説明する。第１のキャパシタ２３から第２のキャパシタ２４までの回路に注目すると、第１のダイオード２０−１は、その基本特性のうち、第１のバイアス回路２１−１によって印加されるバイアス電圧に対応する領域によって、入出力電力における利得および位相に非線形な歪みを生じさせる。
【００３９】
第２のキャパシタ２４から第３のキャパシタ２５までの回路は、第１のキャパシタ２３から第２のキャパシタ２４までの回路と同様の構成であるので、同様な動作を行う。
【００４０】
第１および第２のダイオード２０−１、２０−２は、第１および第２のバイアス回路２１−１、２１−２によって、個別に調節されたバイアス電圧を印加されている。すなわち、第１のダイオード２０−１の特性と、第２のダイオード２０−２の特性とは、必ずしも同じである必要はない。また、第１のバイアス回路２１−１が印加するバイアス電圧と、第２のバイアス回路２１−２が印加するバイアス電圧とは、必ずしも同じである必要はない。さらに、第１のバイアス回路２１−１における抵抗２１１−１と、第２のバイアス回路２１−２における抵抗２１１−２とは、必ずしも同じである必要はない。
【００４１】
しかも、第１〜第３のキャパシタ２３、２４、２５は、第１〜第２のバイアス回路２１−１、２１−２を直流的に分離しているので、２つのダイオード、２つのバイアス電圧および２つの抵抗の合計６つの構成要素をそれぞれ互いに独立なパラメータとして調整することができる。
【００４２】
これら６つのパラメータによる組み合わせを適宜に選択することで、増幅器４の入出力電力特性が有する非線形性が５次以上であっても、ダイオードリニアライザ２はこの非線形性ひずみを補償乃至軽減出来る。
このように、本発明の第２の実施の形態に係る増幅回路においても、複数のバイアス回路（２１−１、２１−２）は、複数のダイオード（２０−１、２０−２）にバイアス電圧をそれぞれ個別に印加するので、第１の実施の形態に係る増幅回路と同様の効果を奏する。
【００４３】
（第３の実施形態）
図６は、本発明の第３の実施形態によるダイオードリニアライザ２の構成を示す図である。このダイオードリニアライザ２は、第１および第２のダイオード２０−１、２０−２と、第１および第２のバイアス回路２１−１、２１−２と、第１および第２のインダクタ２２−１、２２−２と、第１〜第３のキャパシタ２３、２４、２５とを具備する。第１のバイアス回路２１−１は、抵抗２１１−１と、インダクタ２１２−１と、バイアス電源２１３−１とを具備する。第２のバイアス回路２１−２は、抵抗２１１−２と、インダクタ２１２−２と、バイアス電源２１３−２とを具備する。
【００４４】
これらの構成要素における接続関係について説明する。本実施形態では、互いに直列に接続されている２つのダイオード２０−１、２０−２を、主線路に対して直列に挿入している。より具体的には、まず、第１のキャパシタ２３における一方の端部は、信号入力部１に接続されている。第１のキャパシタ２３における他方の端部は、第１のダイオード２０−１のアノードと、第１のバイアス回路２１−１に含まれる抵抗２１１−１における一方の端部とに接続されている。第１のダイオード２０−１におけるカソードは、第１のインダクタ２２−１における一方の端部と、第２のキャパシタ２４における一方の端部とに接続されている。第２のキャパシタ２４における他方の端部は、第２のダイオード２０−２のアノードと、第２のバイアス回路２１−２に含まれる抵抗２１１−２における一方の端部とに接続されている。第２のダイオード２０−２におけるカソードは、第２のインダクタ２２−２における一方の端部と、第３のキャパシタ２５における一方の端部とに接続されている。第３のキャパシタ２５における他方の端部は、接続部３に接続されている。
【００４５】
第１のインダクタ２２−１における他方の端部は、接地されている。抵抗２１１−１における他方の端部は、インダクタ２１２−１における一方の端部に接続されている。インダクタ２１２−１における他方の端部は、バイアス電源２１３−１における一方の端部に接続されている。バイアス電源２１３−１における他方の端部は、接地されている。
【００４６】
第２のインダクタ２２−２における他方の端部は、接地されている。抵抗２１１−２における他方の端部は、インダクタ２１２−２における一方の端部に接続されている。インダクタ２１２−２における他方の端部は、バイアス電源２１３−２における一方の端部に接続されている。バイアス電源２１３−２における他方の端部は、接地されている。
【００４７】
本実施形態によるダイオードリニアライザ２の動作について説明する。第１のキャパシタ２３から第２のキャパシタ２４までの回路に注目すると、第１のダイオード２０−１は、その基本特性のうち、第１のバイアス回路２１−１によって印加されるバイアス電圧に対応する領域によって、入出力電力における利得および位相に非線形な歪みを生じさせる。
【００４８】
第２のキャパシタ２４から第３のキャパシタ２５までの回路は、第１のキャパシタ２３から第２のキャパシタ２４までの回路と同様の構成であるので、同様な動作を行う。
【００４９】
第１および第２のダイオード２０−１、２０−２は、第１および第２のバイアス回路２１−１、２１−２によって、個別に調節されたバイアス電圧を印加されている。すなわち、第１のダイオード２０−１の特性と、第２のダイオード２０−２の特性とは、必ずしも同じである必要はない。また、第１のバイアス回路２１−１が印加するバイアス電圧と、第２のバイアス回路２１−２が印加するバイアス電圧とは、必ずしも同じである必要はない。さらに、第１のバイアス回路２１−１における抵抗２１１−１と、第２のバイアス回路２１−２における抵抗２１１−２とは、必ずしも同じである必要はない。
【００５０】
しかも、第１〜第３のキャパシタ２３、２４、２５は、第１〜第２のバイアス回路２１−１、２１−２を直流的に分離しているので、２つのダイオード、２つのバイアス電圧および２つの抵抗の合計６つの構成要素をそれぞれ互いに独立なパラメータとして調整することができる。
【００５１】
これら６つのパラメータによる組み合わせを適宜に選択することで、増幅器４の入出力電力特性が有する非線形性が５次以上であっても、ダイオードリニアライザ２はこの非線形性ひずみを補償乃至軽減出来る。
このように、本発明の第３の実施の形態に係る増幅回路においても、複数のバイアス回路（２１−１、２１−２）は、複数のダイオード（２０−１、２０−２）にバイアス電圧をそれぞれ個別に印加するので、第１の実施の形態に係る増幅回路と同様の効果を奏する。
【００５２】
（第４の実施形態）
図７は、本発明の第４の実施形態によるダイオードリニアライザ２の構成を示す図である。このダイオードリニアライザ２は、第１および第２のダイオード２０−１、２０−２と、第１および第２のバイアス回路２１−１、２１−２と、第１および第２のインダクタ２２−１、２２−２と、第１および第２のキャパシタ２３、２４とを具備する。第１のバイアス回路２１−１は、抵抗２１１−１と、インダクタ２１２−１と、バイアス電源２１３−１とを具備する。第２のバイアス回路２１−２は、抵抗２１１−２と、インダクタ２１２−２と、バイアス電源２１３−２とを具備する。
【００５３】
これらの構成要素における接続関係について説明する。本実施形態では、互いに直列に接続されている２つのダイオード２０−１、２０−２を、主線路に対して並列に挿入している。より具体的には、まず、第１のキャパシタ２３における一方の端部は、信号入力部１と、接続部３とに接続されている。第１のキャパシタ２３における他方の端部は、第１のダイオード２０−１におけるアノードと、第１のバイアス回路２１−１に含まれる抵抗２１１−１における一方の端部とに接続されている。第１のダイオード２０−１におけるカソードは、インダクタ２２における一方の端部と、第２のキャパシタ２４における一方の端部とに接続さている。インダクタ２２における他方の端部は、接地されている。第２のキャパシタ２４における他方の端部は、第２のバイアス回路２１−２に含まれる抵抗２１１−２における一方の端部と、第２のダイオード２０−２におけるアノードとに接続されている。第２のダイオード２０−２におけるカソードは、接地されている。
【００５４】
抵抗２１１−１における他方の端部は、インダクタ２１２−１における一方の端部に接続されている。インダクタ２１２−１における他方の端部は、バイアス電源２１３−１における一方の端部に接続されている。バイアス電源２１３−１における他方の端部は、接地されている。
【００５５】
抵抗２１１−２における他方の端部は、インダクタ２１２−２における一方の端部に接続されている。インダクタ２１２−２における他方の端部は、バイアス電源２１３−２における一方の端部に接続されている。バイアス電源２１３−２における他方の端部は、接地されている。
【００５６】
本実施形態によるダイオードリニアライザ２の動作について説明する。第１のキャパシタ２３から第１のダイオード２０−１までの回路に注目すると、第１のダイオード２０−１は、その基本特性のうち、第１のバイアス回路２１−１によって印加されるバイアス電圧に対応する領域によって、入出力電力における利得および位相に非線形な歪みを生じさせる。
【００５７】
第２のキャパシタ２４から第２のダイオード２０−２までの回路は、第１のキャパシタ２３から第１のダイオード２０−１までの回路と同様の構成であるので、同様な動作を行う。
【００５８】
第１および第２のダイオード２０−１、２０−２は、第１および第２のバイアス回路２１−１、２１−２によって、個別に調節されたバイアス電圧を印加されている。すなわち、第１のダイオード２０−１の特性と、第２のダイオード２０−２の特性とは、必ずしも同じである必要はない。また、第１のバイアス回路２１−１が印加するバイアス電圧と、第２のバイアス回路２１−２が印加するバイアス電圧とは、必ずしも同じである必要はない。さらに、第１のバイアス回路２１−１における抵抗２１１−１と、第２のバイアス回路２１−２における抵抗２１１−２とは、必ずしも同じである必要はない。
【００５９】
しかも、第１および第２のキャパシタ２３、２４は、第１および第２のバイアス回路２１−１、２１−２を直流的に分離しているので、２つのダイオード、２つのバイアス電圧および２つの抵抗の合計６つの構成要素をそれぞれ互いに独立なパラメータとして調整することができる。
【００６０】
これら６つのパラメータによる組み合わせを適宜に選択することで、増幅器４の入出力電力特性が有する非線形性が５次以上であっても、ダイオードリニアライザ２はこの非線形性ひずみを補償乃至軽減出来る。
このように、本発明の第４の実施の形態に係る増幅回路においても、複数のバイアス回路（２１−１、２１−２）は、複数のダイオード（２０−１、２０−２）にバイアス電圧をそれぞれ個別に印加するので、第１の実施の形態に係る増幅回路と同様の効果を奏する。
【００６１】
（第５の実施形態）
本発明の第５の実施形態によるダイオードリニアライザ２は、本発明の第１〜第４の実施形態によるダイオードリニアライザ２の構成を、技術的に矛盾しない範囲において組み合わせた物に等しい。すなわち、ダイオードの総数は２つ以上であっても構わない。これらのダイオード同士の接続は、並列と直列の組み合わせであっても構わない。これらのダイオードの主線路に対する接続は、並列と直列の組み合わせであっても構わない。ただし、これらのダイオードは、その総数と同数のバイアス回路によってそれぞれバイアス電圧を印加され、かつ、これらのバイアス回路はキャパシタによって直流的に分離されている必要がある。
【００６２】
これらのダイオードと、これらのバイアス回路におけるバイアス電圧および抵抗とは、それぞれ互いに独立したパラメータとして調節可能である。これらのパラメータを適宜調節することによって、ダイオードリニアライザの後段に接続された増幅器４の入出力電力特性における非線形性が５次以上であっても、このゆがみを補償乃至軽減出来る。
【符号の説明】
【００６３】
１  信号入力部
２  ダイオードリニアライザ
２０、２０−１、２０−２  ダイオード
２１、２１−１、２１−２  バイアス回路
２１１、２１１−１、２１１−２  抵抗
２１２、２１２−１、２１２−２  インダクタ
２１３、２１３−１、２１３−２  バイアス電源
２２、２２−１、２２−２  インダクタ
２３、２３−１、２３−２  キャパシタ
２４、２４−１、２４−２  キャパシタ
２５  キャパシタ
３  接続部
４  増幅器
５  信号出力部
【図１】
2011055027.tif 000003
【図２】
2011055027.tif 000004
【図３】
2011055027.tif 000005
【図４】
2011055027.tif 000006
【図５】
2011055027.tif 000007
【図６】
2011055027.tif 000008
【図７】
2011055027.tif 000009