(57)【要約】      （修正有）【課題】金属相互接続のディッシングが低い効果的な金属洗浄を提供する。【解決手段】水性の砥粒無含有組成物は、非鉄金属を含有するパターン化半導体ウエハーを化学機械研磨するのに有用である。組成物は、酸化剤、非鉄金属インヒビター、０〜１５重量％の水溶性変性セルロース、０〜１５重量％のリン化合物、０．００５〜５重量％の酸性ポリマー及び水を含む。酸性ポリマーは、４〜２５０の炭素数を有するメタクリル酸部分を有する。メタクリル酸部分は、メタクリル酸又はアクリル酸／メタクリル酸コポリマーのいずれかを含む。酸性ポリマーは、メルカプト−カルボン酸連鎖移動剤のセグメントを含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
非鉄金属を含有するパターン化半導体ウェーハの化学機械研磨に有用な、酸化剤、非鉄金属インヒビター、０〜１５重量％の水溶性変性セルロース、０〜１５重量％のリン化合物、０．００５〜５重量％の酸性ポリマー（前記酸性ポリマーがメタクリル酸部分を有し、前記メタクリル酸部分が４〜２５０の炭素数を有し、前記メタクリル酸部分がメタクリル酸又はアクリル酸／メタクリル酸コポリマーのいずれかを含み、前記酸性ポリマーが連鎖移動剤のセグメントを含み、前記連鎖移動剤がメルカプト−カルボン酸である）及び水を含む水性の砥粒無含有組成物。
【請求項２】
前記酸性ポリマーが１７０〜７，５００の数平均分子量を有する、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記連鎖移動剤が３−メルカプトプロピオン酸である、請求項２記載の組成物。
【請求項４】
前記メタクリル酸部分がアクリル／メタクリル酸コポリマーである、請求項１記載の組成物。
【請求項５】
前記メタクリル酸部分がポリメタクリル酸である、請求項１記載の組成物。
【請求項６】
非鉄金属を含有するパターン化半導体ウエハーの化学機械研磨に有用な、０．１〜２５重量％の酸化剤、０．０５〜１５重量％の非鉄金属インヒビター、０．０１〜５重量％の水溶性変性セルロース、０．０１〜１０重量％のリン化合物、０．０１〜３重量％の酸性ポリマー（前記酸性ポリマーがメタクリル酸部分を有し、前記メタクリル酸部分が７〜１００の炭素数を有し、前記メタクリル酸部分がメタクリル酸又はアクリル酸／メタクリル酸コポリマーのいずれかを含み、前記酸性ポリマーが２００〜６，０００の重量平均分子量を有し、連鎖移動剤のセグメントを含み、前記連鎖移動剤がメルカプト−カルボン酸である）及び水を含む、水性の砥粒無含有組成物。
【請求項７】
前記酸性ポリマーが５００〜５，０００の数平均分子量を有する、請求項５記載の組成物。
【請求項８】
前記連鎖移動剤が３−メルカプトプロピオン酸である、請求項６記載の組成物。
【請求項９】
前記コポリマー部分がアクリル／メタクリル酸コポリマーである、請求項６記載の組成物。
【請求項１０】
前記メタクリル酸部分がポリメタクリル酸である、請求項６記載の組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハー材料の化学機械研磨（ＣＭＰ）に関し、より詳細には誘電体及び障壁材の存在下で半導体ウエハーの金属相互接続を研磨するためのＣＭＰ組成物及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
典型的には、半導体ウエハーは、誘電体層内に回路相互接続のパターンを形成するように配置されている複数の溝を含有する絶縁層を有する、シリコンウエハーである。パターン配置は、通常、ダマシン構造又は二重ダマシン構造を有する。バリア層はパターン化絶縁層を覆い、金属層は障壁層を覆う。金属層は、パターン化された溝を金属で充填して回路相互接続を形成するのに十分な厚さを有する。
【０００３】
ＣＭＰ方法は、多くの場合、複数の研磨工程を含む。例えば、第１工程は、銅のような過剰な相互接続金属を初期高速で除去する。第１工程の除去の後、第２工程の研磨は、金属相互接続の外側の障壁層に残留している金属を除去することができる。続く研磨は、半導体ウエハーの下位の絶縁層から障壁を除去して、絶縁層及び金属相互接続の平面研磨面をもたらす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体基板の溝又はトラフの中の金属は、金属回路を形成する金属線をもたらす。克服するべき問題の一つは、研磨操作が各溝又はトラフから金属を除去する傾向があり、そのような金属のへこんだディッシング（dishing）を引き起こすことである。ディッシングは、金属回路の限界寸法に変動を引き起こすので、望ましくない。ディッシングを低減するために、研磨は、低い研磨圧力で実施される。しかし、研磨圧力を低減するだけでは、研磨を長い時間続けることを必要とし、長い時間の全体にわたって、ディッシングが生じ続けるであろう。
【０００５】
米国特許第７，４３５，３５６号（Ghoshら）は、砥粒無含有研磨配合物のために両親媒性ポリマーを使用する方法を開示する。これらの配合物は、銅のディッシングを制限し、妥当な研磨時間で許容される銅洗浄を促進する。ウエハーあたりの銅層の数が増加しているので、減少した研磨時間で銅のディッシングの低減を促進する砥粒無含有配合物の必要性が、引き続き存在する。更に、さらに減少した研磨時間で相互接続金属の残留物が取り除かれた表面を残す研磨組成物の必要性が、引き続き存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［発明の概要］
本発明は、非鉄金属を含有するパターン化半導体ウエハーの化学機械研磨に有用な、酸化剤、非鉄金属インヒビター、０〜１５重量％の水溶性変性セルロース、０〜１５重量％のリン化合物、０．００５〜５重量％の酸性ポリマー（酸性ポリマーはメタクリル酸部分を有し、メタクリル酸部分は４〜２５０の炭素数を有し、メタクリル酸部分はメタクリル酸又はアクリル酸／メタクリル酸コポリマーのいずれかを含み、酸性ポリマーは連鎖移動剤のセグメントを含み、連鎖移動剤はメルカプト−カルボン酸である）及び水を含む、水性の砥粒無含有組成物を提供する。
【０００７】
本発明の別の態様において、本発明は、非鉄金属を含有するパターン化半導体ウエハーの化学機械研磨に有用な、０．１〜２５重量％の酸化剤、０．０５〜１５重量％の非鉄金属インヒビター、０．０１〜１５重量％の水溶性変性セルロース、０．０１〜１０重量％のリン化合物、０．０１〜３重量％の酸性ポリマー（酸性ポリマーはメタクリル酸部分を有し、メタクリル酸部分は７〜１００の炭素数を有し、メタクリル酸部分はメタクリル酸又はアクリル酸／メタクリル酸コポリマーのいずれかを含み、酸性ポリマーは２００〜６，０００の重量平均分子量を有し、連鎖移動剤のセグメントを含み、連鎖移動剤はメルカプト−カルボン酸である）及び水を含む、水性の砥粒無含有組成物を提供する。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［詳細な説明］
組成物及び方法は、金属除去速度を増加し、全てにおいて金属相互接続のディッシングが低い効果的な金属洗浄を提供する。組成物は、半導体を研磨するために、メタクリル酸の酸性ポリマー又はメルカプト−カルボン酸移動剤のセグメントを有するアクリル酸／メタクリル酸のコポリマーのいずれかを使用する。場合により、組成物は、水溶性変性セルロース及びリン化合物を含有することができる。溶液は、砥粒無含有であり、どのような砥粒も必要としない。
【０００９】
本明細書において参照される酸性ポリマーは、メタクリル酸ポリマー又はメルカプト−カルボン酸移動剤のセグメントを有するメタクリル酸とアクリル酸のセグメントから構成されるコポリマーのいずれかである。酸性ポリマーは、４〜２５０に変わる炭素数を有するポリマー鎖を有することができる。本明細書の目的において、炭素数は、コポリマー部分における炭素原子の数を表す。好ましくは、炭素数は７〜１００、最も好ましくは、１０〜５０である。メタクリル酸ポリマーにおけるモノマー単位の数は、１〜１００に変わり、コポリマー部分は、好ましくは２〜１００に変わる。有利には、組成物は、０．００５〜５重量％の酸性コポリマーを含有する。好ましくは、組成物は、０．０１〜３重量％の酸性コポリマーを含有する。最も好ましくは、組成物は、０．０５〜２重量％の酸性コポリマーを含有する。
【００１０】
酸性ポリマーの好ましい数平均分子量は、１７０〜７，５００である−本出願は、ポリマーの分子量を数平均分子量として、言及される。より好ましくは、数平均分子量は２００〜６，０００であり、最も好ましくは、数平均分子量は５００〜５，０００である。任意のイオン性セグメントは、カチオン性、アニオン性及び両性イオンを含む（両性高分子電解質及びポリベタイン）。酸性コポリマーは、連鎖移動剤で調製されたアクリル酸とメタクリル酸のコポリマーを含む。これらのセグメントを組合わせてコポリマーにすると、金属相互接続の過剰なディッシングを有することなく洗浄を促進する、それぞれのホモポリマーと異なる特性を有する分子が生成される。
【００１１】
連鎖移動剤はメルカプト−カルボン酸である。メルカプト−カルボン酸は、銅除去速度に予想外の増加をもたらす。最も好ましくは、連鎖移動剤は３−メルカプトプロピオン酸である。
【００１２】
本発明は、銅相互接続に特に有用であるが、本発明の水性研磨組成物は、また、アルミニウム、金、ニッケル、白金族金属、銀、タングステン及びこれらの合金のような他の非鉄金属相互接続に向上された研磨をもたらす。
【００１３】
場合により、組成物は０〜１５重量％の水溶性セルロースを含有する。好ましくは、組成物は０．０１〜５．０重量％の水溶性セルロースを含有する。最も好ましくは、組成物は０．０５〜１．５重量％の水溶性セルロースを含有する。例示的な変性セルロースは、アガーゴム、アラビアゴム、ガッティゴム、カラヤゴム、グアーゴム、ペプチン、イナゴマメゴム、トラガカントゴム、タマリンドゴム、カラギーナンゴム及びキサンタンゴム、化工デンプン、アルギン酸、マンヌロン酸、グルロン酸、並びにこれらの誘導体及びコポリマーの少なくとも１つのようなアニオン性ゴムである。好ましい水溶性セルロースであるカルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）は、０．１〜３．０の置換度と１K〜１，０００Kの重量平均分子量を有する。より好ましくは、ＣＭＣは、０．７〜１．２の置換度と４０K〜２５０Kの重量平均分子量を有する。ＣＭＣの置換度は、置換されるセルロース分子のそれぞれの無水グルコース単位におけるヒドロキシル基の数である。ＣＭＣのカルボン酸基の「密度」の測度と考えられる。
【００１４】
溶液は酸化剤を含有する。好ましくは、溶液は０．１〜２５重量％の酸化剤を含有する。より好ましくは、酸化剤は５〜１０重量％の範囲である。酸化剤は、溶液が低ｐＨ範囲で銅を除去することを助けるのに特に有効である。酸化剤は、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、一過硫酸塩、ヨウ素酸塩、ペルフタル酸マグネシウム、過酢酸及び他の過酸、過硫酸塩、臭素酸塩、過ヨウ素酸塩、硝酸塩、鉄塩、セリウム塩、Ｍｎ（ＩＩＩ）、Ｍｎ（ＩＶ）及びＭｎ（ＶＩ）塩、銀塩、銅塩、クロム塩、コバルト塩、ハロゲン、次亜塩素酸塩、並びにこれらの混合物のような酸化化合物の群の少なくとも１つであることができる。更に、酸化剤化合物の混合物を使用することが、多くの場合に有利である。研磨スラリーが、過酸化水素のような不安定な酸化剤を含有する場合、使用時に酸化剤を組成物に混合することが、多くの場合に最も有利である。
【００１５】
更に、溶液は、静電気エッチング又は他の除去機構による銅相互接続除去速度のような、非鉄金属の除去を制御するためにインヒビターを含有する。インヒビターの濃度を調整することは、金属を静電気エッチングから保護することにより、相互接続金属除去速度を調整する。好ましくは、溶液は０．０５〜１５重量％のインヒビターを含有する。最も好ましくは、溶液は０．２〜１．０重量％のインヒビターを含有する。インヒビターは、インヒビターの混合物から構成されうる。アゾールインヒビターは、銅及び銀相互接続に特に有効である。典型的なアゾールインヒビターには、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、メルカプトベンゾチアゾール（ＭＢＴ）、トリルトリアゾール（ＴＴＡ）及びイミダゾールが含まれる。アゾールインヒビターのブレンドは、銅除去速度を増加又は減少させることができる。ＢＴＡは、銅及び銀に特に有効なインヒビターである。
【００１６】
インヒビターに加えて、組成物は、非鉄金属のために場合により錯化剤を含有する。錯化剤は、銅のような金属膜の除去速度を促進することができる。好ましくは、組成物は、非鉄金属のために０〜１５重量％の錯化剤を含有する。最も好ましくは、組成物は、非鉄金属のために０．１〜１重量％の錯化剤を含有する。錯化剤の例には、酢酸、クエン酸、アセト酢酸エチル、グリコール酸、イミノ二酢酸、乳酸、リンゴ酸、シュウ酸、サリチル酸、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム、コハク酸、酒石酸、チオグリコール酸、グリシン、アラニン、アスパラギン酸、エチレンジアミン、トリメチルジアミン、マロン酸、グルテル酸、３−ヒドロキシ酪酸、プロピオン酸、フタル酸、イソフタル酸、３−ヒドロキシサリチル酸、３，５−ジヒドロキシサリチル酸、没食子酸、グルコン酸、ピロカテコール、ピロガロール、タンニン酸が挙げられ、これらの塩及び混合物が含まれる。好ましくは、錯化剤は、酢酸、クエン酸、アセト酢酸エチル、グリコール酸、イミノ二酢酸、乳酸、リンゴ酸、シュウ酸及びこれらの混合物からなる群より選択される。最も好ましくは、錯化剤は、リンゴ酸とイミノ二酢酸である。
【００１７】
場合により、組成物は０〜１５重量％のリン含有化合物を含む。本出願の目的において、「リン含有」化合物は、リン原子を含有する任意の化合物である。好ましいリン含有化合物は、例えば、ホスフェート、ピロホスフェート、ポリホスフェート、ホスホネートであり、それらの酸、塩、混合酸塩、エステル、部分エステル、混合エステル及びこれらの混合物、例えばリン酸が含まれる。特に、好ましい水性研磨組成物は、例えば以下のリン含有化合物を使用して配合することができる：リン酸亜鉛、ピロリン酸亜鉛、ポリリン酸亜鉛、ホスホン酸亜鉛、トリアンモニウムホスフェート、ジアンモニウムハイドロジェンホスフェート、アンモニウムジハイドロジェンホスフェート、アンモニウムピロホスフェート、アンモニウムポリホスフェート、アンモニウムホスホネート、ジアンモニウムホスフェート、ジアンモニウムピロホスフェート、ジアンモニウムポリホスフェート、ジアンモニウムホスホネート、グアジニンホスフェート、グアジニンピロホスフェート、グアジニンポリホスフェート、グアジニンホスホネート、リン酸鉄、ピロリン酸鉄、ポリリン酸鉄、ホスホン酸鉄、セリウムホスフェート、セリウムピロホスフェート、セリウムポリホスフェート、セリウムホスホネート、エチレン−ジアミンホスフェート、ピペラジンホスフェート、ピペラジンピロホスフェート、ピペラジンホスホネート、メラミンホスフェート、ジメラミンホスフェート、メラミンピロホスフェート、メラミンポリホスフェート、メラミンホスホネート、メラムホスフェート、メラムピロホスフェート、メラムポリホスフェート、メラムホスホネート、メレムホスフェート、メレムピロホスフェート、メラムポリホスフェート、メレムホスホネート、ジシアノジアミドホスフェート、尿素リン酸（これらの酸、塩、混合酸塩、エステル、部分エステル、混合エステル及びこれらの混合物を含む）。また、ホスフィンオキシド、ホスフィンスルフィド及びホスホリナン、並びにホスホネート、ホスファイト及びホスフィネートを使用することができ、これらの酸、塩、混合酸塩、エステル、部分エステル及び混合エステルが含まれる。好ましいリン含有化合物は、ジアンモニウムハイドロジェンホスフェート又はアンモニウムジハイドロジェンホスフェートである。
【００１８】
有利には、本発明の研磨組成物のリン含有化合物は、低いダウンフォース（down force）の圧力で研磨速度を増加するのに有効な量で存在する。研磨組成物における微量のリン含有化合物でさえも、銅を研磨するのに有効であると考えられる。許容されるダウンフォースの研磨圧力での十分な研磨速度が、組成物の０．０１〜１０重量％の量のリン含有化合物を使用することによって得られる。リン含有化合物の好ましい範囲は、組成物の０．１〜５重量％である。最も好ましくは、リン含有化合物は、組成物の０．３〜２重量％である。
【００１９】
化合物は、残部に水分を含有する溶液の広範囲なｐＨ範囲にわたって効力を提供する。この溶液の有用なｐＨ範囲は、少なくとも２から５まで及ぶ。加えて、溶液は、偶発的な不純物を制限するために、好ましくは残部の脱イオン水に依存している。本発明の研磨液のｐＨは、好ましくは２〜４．５、より好ましくは２．５〜４のｐＨである。本発明の組成物のｐＨを調整するのに使用される酸は、例えば、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸などである。本発明の組成物のｐＨを調整するのに使用される例示的な塩基は、例えば、水酸化アンモニウム及び水酸化カリウムである。
【００２０】
本発明の組成物は、銅、アルミニウム、タングステン、白金、パラジウム、金又はイリジウムのような導電性金属；タンタル、窒化タンタル、チタン又は窒化チタンのようなバリア又はライナー膜；及び下位絶縁体層を含有する任意の半導体ウエハーに適用可能である。本明細書の目的において、絶縁体という用語は誘電率ｋの半導電性材料を意味し、低ｋ及び超低ｋ絶縁体材料が含まれる。組成物及び方法は、多くのウエハー構成要素の、例えば、多孔質及び非多孔質低ｋ絶縁体、有機及び無機低ｋ絶縁体、有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）、フルオロケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）、炭素ドープ酸化物（ＣＯＤ）、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）、並びにＴＥＯＳから誘導されるシリカの腐食を防止することに優れている。本発明の組成物をＥＣＭＰ（電気化学機械研磨）に使用することもできる。
【実施例】
【００２１】
ここで本発明の幾つかの実施態様を以下の実施例において詳細に記載する。これらの実施例において、コポリマーの固形分の重量％は、重量分析により決定した。数平均分子量は、屈折率検出器及びリン酸ナトリウム緩衝溶離剤と一列にしたTSK-GEL pn/08025 GMPWx及びTSK-GEL pn/08020 G2500PWxカラムを使用して、水性ゲル浸透クロマトグラフィーにより決定した。
【００２２】
実施例１：  ３−ＭＰＡ  ＭＡＡ／ＡＡコポリマーの調製
重合を、機械式撹拌機、温度制御装置、冷却器、モノマー供給ライン、触媒供給ライン及び窒素掃引を備えた１リットルの四つ首丸底反応フラスコにおいて実施した。これらの成分を、以下の手順に従って添加した。
【００２３】
コポリマー組成物（重量部）ＭＡＡ／ＡＡ／ＤＩ  Ｈ２Ｏ／３−ＭＰＡ（６０／４０／９）
モノマー混合物            180
【００２４】
【表１】
2011082512.tif 000002
ＭＭＡ＝メタクリル酸、ＡＡ＝ポリアクリル酸、ＤＩ＝脱イオン化及び３−ＭＰａ＝３−メルカプトプロピオン酸
【００２５】
開始剤混合物
【００２６】
【表２】
2011082512.tif 000003
Vazo（登録商標）68WSP：E.I. DuPont de Nemours and Companyからの乾燥白色粉末開始剤であり、以下の式を有する：
【００２７】
【化１】
2011082512.tif 000004
【００２８】
ヒールチャージ（Heel Charge）
【００２９】
【表３】
2011082512.tif 000005
【００３０】
ショットチェース（Shot Chase）
【００３１】
【表４】
2011082512.tif 000006
【００３２】
追加の溶媒のモノマーへの添加によるポンプのすすぎ
【００３３】
【表５】
2011082512.tif 000007
【００３４】
総バッチ重量１５００．００ｇ
方法：
【００３５】
【表６】
2011082512.tif 000008
【００３６】
数平均分子重量は、水性ゲル浸透クロマトグラフィーにより２５８０であると決定した。
【００３７】
実施例２：  研磨速度
この実施例では、全ての組成物は、０．５０重量％のＢＴＡ、０．２２重量％のリンゴ酸、０．３２重量％のカルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）、０．１０重量％の多様な酸性ポリマー及びコポリマー、０．４４重量％のリン酸アンモニウム及び９．００重量％のｐＨ３．７の過酸化水素（ｐＨは硝酸で調整）を含有し、残部は脱イオン水である。Applied Materials, Inc. Mirra（商標）200mm研磨機で、IC1010（商標）ポリウレタン研磨パッド（Dow Electronic Materials）を使用し、約１．５psi（１０．４kPa）のダウンフォース条件、研磨溶液流速が１５０cc/分、プラテン速度が８０RPM、担体速度が７５RPMの下で、ウエハーを平坦化した。Kinikダイヤモンド研磨ディスクが研磨パッドを調整した。溶液Ａ〜Ｄは、比較例を表し、溶液１〜６は、本発明の実施例を表す。
【００３８】
【表７】
2011082512.tif 000009
ｎ−ＤＤＭ＝Ｃ１２Ｈ２５−ＳＨ、３−ＭＰＡ＝３−メルカプトプロピオン酸、ＭＡＡ＝メタクリル酸及びＡＡ＝アクリル酸
【００３９】
上記のデータは、３−ＭＰＡ移動剤により生成された酸性ポリマーが、メタクリル酸及びメタクリル酸／ポリアクリル酸のポリマー及びコポリマーのそれぞれにおいて優れた除去速度をもたらしたことを示す。
【００４０】
実施例３：  ディッシング／洗浄
【００４１】
【表８】
2011082512.tif 000010
ｎ−ＤＤＭ＝Ｃ１２Ｈ２５−ＳＨ、３−ＭＰＡ＝３−メルカプトプロピオン酸、ＭＡＡ＝メタクリル酸及びＡＡ＝アクリル酸
【００４２】
表２のデータは、３−ＭＰＡ移動剤が、１００μm×１００μmの造形のパターン化ウエハーに許容されるディッシングをもたらすことを示す。
【００４３】
実施例４：  研磨速度
【００４４】
【表９】
2011082512.tif 000011
３−ＭＰＡ＝３−メルカプトプロピオン酸、ＭＡＡ＝メタクリル酸及びＡＡ＝アクリル酸
【００４５】
上記のデータは、３−ＭＰＡ移動剤により生成された酸性ポリマーが、メタクリル酸及びメタクリル酸／ポリアクリル酸のポリマー及びコポリマーのそれぞれにおいて優れた除去速度をもたらしたことを示す。高い分子量のポリマー及びコポリマーほど、速い除去速度を有する傾向がある。３−ＭＰＡを有する研磨溶液６は、ｎ−ＤＤＭ移動剤セグメントを有する同様のコポリマーを含む比較例Ｄと比較して、銅除去速度において有意な増加を示す。
【００４６】
実施例５：  ディッシング／洗浄
【００４７】
【表１０】
2011082512.tif 000012
３−ＭＰＡ＝３−メルカプトプロピオン酸、ＭＡＡ＝メタクリル酸及びＡＡ＝アクリル酸
【００４８】
上記のデータは、３−ＭＰＡ移動剤により生成された酸性ポリマーが、銅ディッシングと有効な残留物洗浄の優れた組み合わせをもたらすことを示す。低い分子量の配合物ほど、より高い分子量のポリマー及びコポリマーと比較して、銅ディッシングを低減する傾向があった。
【００４９】
表１〜４に示されているように、３−ＭＰＡを有する０．１０重量％の酸性ポリマーの添加は、低いディッシングで有効な銅除去速度をもたらす。更に、酸性ポリマーは、有効な銅残留物洗浄との組み合わせに寄与するこれらの研磨を促進する。
【外国語明細書】
1. Title of Invention
2011082512.tif 000013
2. Detailed Description of Invention
2011082512.tif 000014
2011082512.tif 000015
2011082512.tif 000016
2011082512.tif 000017
2011082512.tif 000018
2011082512.tif 000019
2011082512.tif 000020
2011082512.tif 000021
2011082512.tif 000022
2011082512.tif 000023
2011082512.tif 000024
1.Claims
2011082512.tif 000025
2011082512.tif 000026
1. Abstract
2011082512.tif 000027
2. Representative Drawing
None