(57)【要約】      （修正有）【課題】静電気やノイズ等の外乱の影響を防止した光センサ素子を提供する。【解決手段】光センサ素子は、入射光に基づいてアノード電極６とカソード電極１１との間に発生させた電流が流れる方向に交わる断面がメサ型であるポリシリコンからなる半導体層を備える。この半導体層はアノード電極及びカソード電極に接続している両端部にＰ＋拡散領域８及びＮ＋拡散領域９を形成し、中央部を真性領域３とする。この半導体層（Ｐ＋拡散領域、真性領域）の少なくともエッジ部分をアノード電極で被覆する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成される光センサ素子において、
入射光に基づいてアノード電極とカソード電極との間に電流を発生し、当該電流方向に交わる断面がメサ型である半導体層を備え、
前記電流方向における前記半導体層の少なくともエッジ部分を前記アノード電極又は前記カソード電極で被覆したことを特徴とする光センサ素子。
【請求項２】
絶縁基板上に形成される光センサ素子において、
入射光に基づいてアノード電極とカソード電極との間に電流を発生し、当該電流方向に交わる断面がメサ型である半導体層を備え、
前記電流方向における前記半導体層の全部分を前記アノード電極又は前記カソード電極で被覆したことを特徴とする光センサ素子。
【請求項３】
前記半導体層のエッジ部分、又は全部分を被覆した前記アノード電極又は前記カソード電極は、アルミニウム、銅、金のうち少なくとも１つを含有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光センサ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板上に形成される光センサ素子の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により透明な絶縁基板上にさまざまな物質の薄膜を形成し、切削や研削等の作業を繰り返し行うことにより、走査線や信号線からなる表示素子や、太陽光や蛍光灯といった外光を検知する光センサ素子等を形成して、画像表示装置を製造することが盛んに行われている。
【０００３】
図５は、このような絶縁基板上に形成された従来のＰＩＮ構造の光センサ素子の上面図である。この光センサ素子は、コンタクトホール１０から入射した入射光に基づいてアノード電極６とカソード電極１１との間に電流を発生させるポリシリコンからなる半導体を備えている。具体的には、アノード電極６及びカソード電極１１に接続している半導体の両端に不純物を注入してＰ＋拡散領域８及びＮ＋拡散領域９を形成し、不純物が注入されていない中央部の半導体を真正領域３としてＰＩＮ構造化し、入射光によって励起された電子が異なるバンドギャップの領域間で移動する原理を利用して電流を発生させている。
【０００４】
図６は、図５に示した光センサ素子におけるＡ−Ａ’の断面図である。Ａ−Ａ’における光センサ素子は、透明な絶縁基板であるガラス基板１の上にアンダーコート層２を製膜し、更にその上にポリシリコン層を堆積させた後に所望する幅のみを残して左右を切削することで真正領域３を形成し、また更にその上にゲート絶縁膜４、層間絶縁膜５、パッシベーション絶縁膜７を順に堆積した層構造状態となっている。
【０００５】
なお、このような光センサ素子は、例えば特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１９６３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図６に示すように真正領域３のエッジ部分が台形（Ｐ＋拡散領域８及びＮ＋拡散領域９についても同様）、換言すれば、アノード電極６とカソード電極１１との間に流れる電流方向に交わる断面がメサ型であり、当該エッジ部分が静電気やノイズ等の外乱の影響を受けやすいため、電流バラツキが大きくなるという問題があった。本発明は、上記を鑑みてなされたものであり、外乱の影響を防止することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の一態様によれば、絶縁基板上に形成される光センサ素子において、入射光に基づいてアノード電極とカソード電極との間に電流を発生し、当該電流方向に交わる断面がメサ型である半導体層を備え、前記電流方向における前記半導体層の少なくともエッジ部分を前記アノード電極又は前記カソード電極で被覆したことを特徴とする。
【０００９】
この発明の他の態様によれば、絶縁基板上に形成される光センサ素子において、入射光に基づいてアノード電極とカソード電極との間に電流を発生し、当該電流方向に交わる断面がメサ型である半導体層を備え、前記電流方向における前記半導体層の全部分を前記アノード電極又は前記カソード電極で被覆したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、静電気、ノイズ等の外乱に起因する電流バラツキを抑制する光センサ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施の形態に係る光センサ素子の上面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る光センサ素子の断面図である。
【図３】第２の実施の形態に係る光センサ素子の上面図である。
【図４】第２の実施の形態に係る光センサ素子の断面図である。
【図５】従来の光センサ素子の上面図である。
【図６】従来の光センサ素子の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本実施の形態について図面を用いて説明する。
【００１３】
〔第１の実施の形態〕
図１は、第１の実施の形態に係る光センサ素子の上面図である。この光センサ素子は、ＣＶＤ法等により製膜工程、切削工程等の薄膜プロセスを経て絶縁基板上に形成され、太陽光や蛍光灯等の外光を検知する機能を備えている。
【００１４】
具体的には、コンタクトホール１０から入射した入射光に基づいてアノード電極６とカソード電極１１との間に電流を発生させ、この電流が流れる方向（図１に示す横軸方向）に交わる断面（図１に示す縦軸方向の断面）がメサ型であるポリシリコンからなる半導体層を備えている。
【００１５】
そして、この半導体層は、アノード電極６及びカソード電極１１に接続している両端部にリンやボロン等の不純物を注入してＰ＋拡散領域８及びＮ＋拡散領域９を形成し、不純物が注入されていない中央部の半導体層を真正領域３としてＰＩＮ構造化されており、入射光によって励起された電子が異なるバンドギャップの領域間で移動する原理を利用して電流を発生させる。
【００１６】
本実施の形態に係る光センサ素子は、電流が流れる方向における半導体層（Ｐ＋拡散領域８、真正領域３）の少なくともエッジ部分を覆うようにアノード電極６の一部（図１に示すアノード電極の上端部及び下端部）を延伸し、当該エッジ部分をアノード電極６で被覆している点に特徴がある。そして、そのエッジ部分を被覆したアノード電極６には、アルミニウム、銅、金のうち少なくとも１種類の材料が含有されている。
【００１７】
また、図１に示した光センサ素子におけるB−B’の断面を図２に示す。B−B’における光センサ素子は、図６に示した従来の光センサ素子と同様に、透明な絶縁基板であるガラス基板１の上にアンダーコート層２を製膜し、更にその上にポリシリコンを堆積させた後に所望する幅のみを残して左右を切削することで真正領域３を形成し、また更にその上にゲート絶縁膜４、層間絶縁膜５、パッシベーション絶縁膜７を順に堆積した層構造状態となっているが、ゲート絶縁膜４とパッシベーション絶縁膜７との間に半導体層（真正領域３）のエッジ部分を上から覆う前述のアノード電極６が形成されている。
【００１８】
本実施の形態によれば、アノード電極６とカソード電極１１との間に発生させた電流が流れる方向における半導体層（Ｐ＋拡散領域８、真正領域３）のエッジ部分をアノード電極６で被覆したので、静電気やノイズ等の外乱を影響を防止することができる。
【００１９】
なお、アノード電極６に代えて、アノード電極６とカソード電極１１との間に発生させた電流が流れる方向における半導体層（真正領域３、Ｎ＋拡散領域９）のエッジ部分をカソード電極１１で被覆した場合であっても、同様の効果を得ることが可能である。
【００２０】
〔第２の実施の形態〕
図３は、第２の実施の形態に係る光センサ素子の上面図である。この光センサ素子は、電流が流れる方向における半導体層（Ｐ＋拡散領域８、真正領域３）の全部分を覆うようにアノード電極６（図１に示すアノード電極）を延伸し、当該全部分をアノード電極６で被覆している点に特徴がある。そして、その全部分を被覆したアノード電極６には、アルミニウム、銅、金のうち少なくとも１種類の材料が含有されている。
【００２１】
また、図３に示した光センサ素子におけるC−C’の断面を図４に示す。C−C’における光センサ素子は、図６に示した従来の光センサ素子と同様に、透明な絶縁基板であるガラス基板１の上にアンダーコート層２を製膜し、更にその上にポリシリコンを堆積させた後に所望する幅のみを残して左右を切削することで真正領域３を形成し、また更にその上にゲート絶縁膜４、層間絶縁膜５、パッシベーション絶縁膜７を順に堆積した層構造状態となっているが、ゲート絶縁膜４とパッシベーション絶縁膜７との間に半導体層（真正領域３）の全部分を上から覆う前述のアノード電極６が形成されている。
【００２２】
本実施の形態によれば、アノード電極６とカソード電極１１との間に発生させた電流が流れる方向における半導体層（Ｐ＋拡散領域８、真正領域３）の全部分をアノード電極６で被覆したので、静電気やノイズ等の外乱を影響を防止することができる。
【００２３】
また、アノード電極６に代えて、アノード電極６とカソード電極１１との間に発生させた電流が流れる方向における半導体層（真正領域３、Ｎ＋拡散領域９）の全部分をカソード電極１１で被覆した場合であっても、同様の効果を得ることが可能である。
【００２４】
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【符号の説明】
【００２５】
１…ガラス基板  ２…アンダーコート層  ３…真正領域  ４…ゲート絶縁膜  ５…層間絶縁膜  ６…アノード電極  ７…パッシベーション絶縁膜  ８…Ｐ＋拡散領域  ９…Ｎ＋拡散領域  １０…コンタクトホール  １１…カソード電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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