(57)【要約】【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供するものである。【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板３は、複数の樹脂層１０を積層してなる基体７と、基体７の上下面に形成され、少なくとも一部が上下方向に重畳する導電層１５と、を備えている。重畳する導電層１５の間に位置する樹脂層１０は、フィラー１３を含む複数の第１樹脂層１０ａと、隣接する第１樹脂層１０ａの間に介された、フィラー１３を含まない第２樹脂層１０ｂと、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂層を積層してなる基体と、前記基体の上下面に形成され、少なくとも一部が上下方向に重畳する導電層と、を備え、
前記重畳する導電層の間に位置する前記樹脂層は、フィラーを含む複数の第１樹脂層と、隣接する前記第１樹脂層の間に介された、フィラーを含まない第２樹脂層と、を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層は、同一の樹脂材料を含むことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第２樹脂層の厚みは、前記第１樹脂層よりも小さいことを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第１樹脂層は、フィラーを含有する樹脂部と、繊維からなる基材と、を含み、
前記基材と前記第２樹脂層との間には、前記フィラーを含有する樹脂部が介されていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第２樹脂層は、上面に形成された第１凹部及び第１凸部と、下面に形成された第２凹部及び第２凸部と、を有し、
前記第１凹部と前記第２凸部とが対応する位置に配されるとともに、前記第１凸部と前記第２凹部とが対応する位置に配されていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項５に記載の配線基板において、
前記第２樹脂層上に位置する前記第１樹脂層は、下面に突出部及び窪み部を有する基材を含み、
前記第１凹部と前記突出部とが対応する位置に配されるとともに、前記第１凸部と前記窪み部とが対応する位置に配されていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板と、
前記配線基板上に搭載され、前記導電層と電気的に接続された電子部品と、
を備えたことを特徴とする実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。
【０００３】
特許文献１には、複数の樹脂層を積層して成る基体と、該基体の上下面に形成された導電層と、を備えた配線基板が記載されている。
【０００４】
ところで、配線基板の剛性を高めるため、基体の樹脂層にフィラーを含有させることがある。この場合、樹脂層に含まれる樹脂材料とフィラーとは熱膨張率が異なるため、かかる樹脂材料とフィラーとの間に剥離が生じ、かかる剥離に沿って上下方向にクラックが伸長することがある。一方、配線基板を使用する際、基体を介して上下方向に離間した導電層間に電界が印加されると、樹脂層に含まれる水分に起因して導電層に含まれる導電材料がイオン化し、導電層の一部が樹脂層に向って伸長することがある（イオンマイグレーション）。ここで、上述したように樹脂層にてクラックが上下方向に伸長した場合、導電層の一部はクラック内にて上下方向に伸長しやすい。それ故、基体を介して上下方向に離間した導電層が短絡しやすくなり、配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１２０９２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態にかかる配線基板は、複数の樹脂層を積層してなる基体と、前記基体の上下面に形成され、少なくとも一部が上下方向に重畳する導電層と、を備えている。前記重畳する導電層の間に位置する前記樹脂層は、フィラーを含む複数の第１樹脂層と、隣接する前記第１樹脂層の間に介された、フィラーを含まない第２樹脂層と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一形態にかかる配線基板によれば、上下方向に離間した導電層間にて、上下方向におけるクラックの伸長を低減し、基体を介して上下方向に離間した導電層の短絡を低減できる。その結果、電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態にかかる実装構造体の断面図である。
【図２】図１に示す実装構造体のＲ部分の拡大図である。
【図３】図３ａ、図３ｂ及び図３ｃは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である
【図４】図４ａ、図４ｂ及び図４ｃは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図５】図５ａ及び図５ｂは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
図１に示す実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２及び配線基板３を含んでいる。
【００１２】
電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等の導電バンプ４を介してフリップチップ実装されている。この電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品２としては、例えば平均厚みが０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを使用することができる。なお、平均厚みは、３箇所以上における、上下方向への長さの平均値をいう。
【００１３】
配線基板３は、コア基板５及び一対の配線層６を含んでいる。
【００１４】
コア基板５は、配線基板３の強度を維持しつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、平均厚みが例えば０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に形成されている。このコア基板５は、基体７、スルーホールＴ、スルーホール導体８、及び絶縁体９を含んでいる。
【００１５】
基体７は、コア基板５の主要部をなすものである。この基体７は、複数の樹脂層１０が積層されてなる。樹脂層１０は、複数の第１樹脂層１０ａと、隣接する第１樹脂層１０ａの間に介された第２樹脂層１０ｂと、を有する。
【００１６】
図２に示すように、第１樹脂層１０ａは、第１樹脂部１１ａと、該第１樹脂部１１ａに被覆された、繊維からなる基材１２と、を含み、平均厚みが例えば５μｍ以上３００μｍ以下に設定されている。
【００１７】
第１樹脂部１１ａは、第１樹脂層１０ａの主要部をなすものであり、樹脂材料とフィラー１３とを含む。
【００１８】
樹脂材料は、第１樹脂部１１ａの主要部をなすものであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等の樹脂材料を用いることができる。かかる樹脂材料として、熱膨張率が１８ｐｐｍ／℃以上４５ｐｐｍ／℃以下のものを用いることにより、コア基板５自体の熱膨張を抑制することができる。なお、熱膨張率は、ＩＳＯ１１３５９‐２：１９９９に準ずる。
【００１９】
フィラー１３は、コア基板５の強度を高めるためのものであり、例えば酸化珪素（シリカ）、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は水酸化アルミニウム等の無機絶縁材料により形成された、平均粒径が例えば０．２μｍ以上５μｍである球状粒子を用いることができる。また、かかる無機絶縁材料として、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下のものを用いることにより、コア基板５自体の熱膨張を抑制することができる。
【００２０】
基材１２は、コア基板５の強度を高めるためのものであり、平均厚みが例えば８μｍ以上３００μｍ以下に設定されている。また、基材１２として、熱膨張率が−７ｐｐｍ／℃以上８ｐｐｍ／℃以下のものを用いることにより、コア基板５自体の熱膨張を抑制することができる。基材１２は、例えばガラス繊維、樹脂繊維又は炭素繊維等の複数の繊維が縦横に織り込んでなる織布を使用することができる。ガラス繊維としては、Ｅガラス又はＳガラス等により形成されたものを使用することができる。また、樹脂繊維としては、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂又は全芳香族ポリエステル樹脂等により形成されたものを使用することができる。また、炭素繊維としては、ＰＡＮ系炭素繊維又はピッチ系炭素繊維等を使用することができる。また、かかる繊維の長手方向に直交する断面の直径は、例えば４μｍ以上１０μｍ以下に設定されている。
【００２１】
第２樹脂層１０ｂは、第２樹脂部１１ｂを含み、基材１２に相当する構成を含まず、平均厚みが例えば２μｍ以上３０μｍ以下に設定されている。
【００２２】
第２樹脂部１１ｂは、第２樹脂層１０ｂの主要部をなすものであり、第１樹脂部１１ａと同様の樹脂材料を含むが、フィラー１３に相当する構成を含有していない。それ故、第２樹脂層１０ｂは、フィラー１３を含まない。
【００２３】
基体７には、該基体７を上下方向（Ｚ方向）に貫通する複数の円柱状のスルーホールＴが設けられており、該スルーホールＴの内部には、その内壁に沿ってスルーホール導体８が円筒状に形成されている。スルーホール導体８は、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するものであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成されたものを使用することができる。円筒状のスルーホール導体８の内部には、絶縁体９が柱状に形成されている。該絶縁体９は、その端面とスルーホール導体８の端面とで、後述するビア導体１５の支持面を形成しており、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。
【００２４】
一方、コア基板５の両側に設けられる配線層６は、絶縁層１４、導電層１５、ビア孔Ｖ及びビア導体１６を含んでいる。導電層１５及びビア導体１６は、互いに電気的に接続されており、配線部を構成している。この配線部は、電力供給用配線または信号用配線を含んでいる。
【００２５】
絶縁層１４は、配線層６において、配線部以外の部分の絶縁性を確保するためのものであり、厚みが例えば１μｍ以上１５μｍ以下となるように形成されている。絶縁層１４としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、液晶ポリマー、ポリベンゾオキサゾール樹脂、又はポリイミドベンゾオキサゾール樹脂等により形成されたものを使用することができる。なお、絶縁層１４は、上述した第１樹脂層１０ｂと同様にフィラー１３を含有していても構わない。
【００２６】
導電層１５は、後述するビア導体１６とともに配線部を構成するものであり、基体７の上下面及び絶縁層１４の上下面に形成されており、配線基板３の上下方向に互いに分離されている。導電層１５としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料により形成されたものを使用することができる。
【００２７】
絶縁層１４には、絶縁層１４をその上下方向に貫通し、コア基板５に向って幅狭なテーパー状のビア孔Ｖが形成されており、該ビア孔Ｖの内部には、ビア導体１６が形成されている。該ビア導体１６は、配線基板２の上下方向に離間した導電層１５同士を相互に接続するものであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により形成されたものを使用することができる。
【００２８】
ところで、樹脂層１０に含まれる樹脂材料とフィラー１３との間に剥離が生じ、かかる剥離に沿って上下方向にクラックが伸長することがある。
【００２９】
一方、第１実施形態の配線基板３においては、上下方向に重畳する導電層１５の間に位置する樹脂層１０は、隣接する第１樹脂層１０ａの間に、フィラー１３を含まない第２樹脂層１０ｂを有する。それ故、第２樹脂層１０ｂはフィラー１３を含まずかかる剥離も発生しにくいことから、第１樹脂層１０ａで発生したクラックの上下方向への伸長を第２樹脂層１０ｂにて抑制することができ、隣接する第１樹脂層１０ａに渡ってクラックが伸長することを抑制できる。その結果、かかるクラックの上下方向への長さを短くすることにより、導電層１５間に電界が印加された際、導電層１５の一部がクラック内にて上下方向に伸長することを低減し、基体７を介して上下方向に離間した導電層１５の短絡を低減できるため、電気的信頼性に優れた配線基板３を得ることができる。
【００３０】
また、第１樹脂層１０ａは、フィラー１３を含むことからヤング率が高いため、基体７に外力が印加されて第１樹脂層１０ａが変形すると、高い内部応力が発生しクラックが生じることがあるが、第１実施形態の配線基板３においては、隣接する第１樹脂層１０ａの間に、フィラーを含まず、ヤング率の低い第２樹脂層１０ｂが配されているため、基体７に外力が印加された際、変形しやすい第２樹脂層１０ｂによって第１樹脂層１０ａの変形が低減され、第１樹脂層１０ａに発生する内部応力が低減されることから、第１樹脂層１０ａに生じるクラックを低減できる。
【００３１】
第１樹脂部１１ａと第２樹脂部１１ｂとは、同一の樹脂材料を含むことが望ましい。その結果、基体７において熱膨張率や剛性等をより均一にし、コア基板５の反りや歪みを低減できる。
【００３２】
また、第２樹脂層１０ｂの厚みは、第１樹脂層１０ａよりも小さいことが望ましい。その結果、基体７全体におけるフィラーの含有率を高めることによりコア基板５の剛性を高めるとともに熱膨張率を低減しつつ、基体７におけるクラックの上下方向への伸長を効率良く低減することができる。第２樹脂層１０ｂの厚みは、例えば第１樹脂層１０ａの厚みの２％以上１５％以下に設定されている。さらに、第２樹脂層１０ｂの厚みは、基材１２を構成する繊維の長手方向に直交する断面の直径よりも小さいことが望ましい。
【００３３】
また、第２樹脂層１０ｂは、全ての第１樹脂層１０ａの間に形成されていることが望ましい。その結果、全ての第１樹脂層１０ａにおいて、クラックが隣接する第１樹脂層１０ａに渡って伸長することを抑制できるため、基体７におけるクラックの上下方向への伸長を効率良く低減し、クラックの上下方向への長さをより短くすることができる。
【００３４】
また、第１樹脂層１０ａに含まれる基材１２と、フィラー１３を含まない第２樹脂層１０ｂと、の間には、フィラー１３を含有する第１樹脂部１１ａが介されていることが望ましい。その結果、熱膨張率が基材１２、第１樹脂部１１ａ、第２樹脂層１０ｂの順に大きい場合、基材１２と第２樹脂層１０ｂとの熱膨張差を第１樹脂部１１ａにより緩和することができるため、第１樹脂層１０ａと第２樹脂層１０ｂとの熱膨張差に起因した剥離を低減できる。また、基材１２と第２樹脂層１０ｂとの剛性の差を第１樹脂部１１ａにより緩和することができるため、第１樹脂層１０ａと第２樹脂層１０ｂとの剛性の差に起因した剥離を低減できる。
【００３５】
また、第２樹脂層１０ｂは、上面に形成された第１凹部１７ａ及び第１凸部１７ｂを有する。その結果、第２樹脂層１０ｂがその上面に位置する第１樹脂層１０ａとの境界に第１凹部１７ａ及び第１凸部１７ｂを有することにより、第１樹脂層１０ａと第２樹脂層１０ｂとの接着強度を高め、第１樹脂層１０ａと第２樹脂層１０ｂとの熱膨張差に起因した剥離を低減することができるため、かかる剥離により生じる平面方向（ＸＹ平面方向）へのクラックを低減し、隣接するスルーホール導体８間の短絡を低減できる。
【００３６】
また、第２樹脂層１０ｂは、下面に形成された第２凹部１７ｃと第２凸部１７ｄを更に有し、第１凹部１７ａと第２凸部１７ｄとが対応する位置に配されるとともに、第１凸部１７ｂと第２凹部１７ｄとが対応する位置に配されていることが望ましい。その結果、第２樹脂層１０ｂとその上下面に位置する第１樹脂層１０ａとの剥離を低減できるとともに、第２樹脂層１０ｂの厚みをより均一にすることができるため、基体７の上下方向におけるフィラー１３の含有量をより均一とし、基体７の上下方向における熱膨張率をより均一にすることができるため、コア基板５の反りや歪みを低減することができる。
【００３７】
また、第２樹脂層１０ｂ上に位置する第１樹脂層１０ａの基材１２は、下面に突出部１８ａ及び窪み部１８ｂを有し、該第２樹脂層１０ｂの第１凹部１７ａと該基材１２の突出部１８ａとが対応する位置に配されるとともに、該第２樹脂層１０ｂの第１凸部１７ｂと該基材１２の窪み部１８ｂとが対応する位置に配されていることが望ましい。これにより、第１凹部１７ａ及び第１凸部１７ｂにより第１樹脂層１０ａと第２樹脂層１０ｂとの剥離を低減できるとともに、第２樹脂層１０ｂと基材１２との距離をより均一にすることができる。その結果、熱膨張率が基材１２、第１樹脂部１１ａ、第2樹脂層１０ｂの順に大きい場合、基材１２と第２樹脂層１０ｂとの熱膨張差を第１樹脂部１１ａにより緩和することができる。また、基材１２と第２樹脂層１０ｂとの剛性の差を第１樹脂部１１ａにより緩和することができる。
【００３８】
このような基材１２と第２樹脂層１０ｂとの関係は、第２樹脂層１０ｂと該第２樹脂層１０ｂに最も近接する基材１２との間で適用されることが望ましい。その結果、基材１２と第２樹脂層１０ｂとの熱膨張差や剛性の差の影響を受けやすい、第２樹脂層１０ｂと該第２樹脂層１０ｂに最も近接する基材１２との間で、基材１２と第２樹脂層１０ｂとの熱膨張差や剛性の差を低減することができる。
【００３９】
また、第２樹脂層１０ｂの第１凸部１７ｂは、その一部が基材１２の窪み部１８ｂ内に配されていることが望ましい。その結果、窪み部１８ｂ内にて、第１凸部１７ｂが剛性の高い基材１２に囲まれるため、第１樹脂層１０ａと第２樹脂層１０ｂとの接着強度を高め、第１樹脂層１０ａと第２樹脂層１０ｂとの剥離を低減できる。
【００４０】
なお、第２樹脂層１０ｂは、少なくも上下方向に重畳する導電層の間に位置すればよく隣接する第１樹脂層１０ａの間において、平面方向全面に渡って形成されていても構わないし、部分的に形成されていても構わない。
【００４１】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板３を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品２を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
【００４２】
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図３から図５に基づいて説明する。
【００４３】
（１）図３ａに示すように、第１樹脂層前駆体１０ａｘ及び第１樹脂層前駆体１０ａｘの上下面に第２樹脂層前駆体１０ｂｘを有する樹脂シート１０ｘを準備する。具体的には例えば以下のように行う。
【００４４】
まず、フィラーを含む未硬化の樹脂を基材１２に含浸させて、第１樹脂層前駆体１０ａｘを形成する。その後、フィラーを含まない未硬化の樹脂を、第１樹脂層前駆体１０ａｘの上下面に塗布することにより、第２樹脂層前駆体１０ｂｘを形成する。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態である。
【００４５】
以上のようにして、樹脂シート１０ｘを作製することができる。
【００４６】
（２）図３ｂに示すように、複数の樹脂シート１０ｘを、第２樹脂層前駆体を介して積層して加熱することにより、基体７を作製する。具体的には例えば以下のように行う。
【００４７】
まず、複数の樹脂シート１０ｘを、第２樹脂層前駆体１０ｂｘを介して積層するとともに、その最上層及び最下層に銅はく１５ｘを積層して、積層体を形成する。次に、かかる積層体を、上下方向に加圧しつつ、樹脂層１０に含まれる樹脂の硬化開始温度以上熱分解温度未満に加熱して、未硬化の樹脂を硬化させることにより、第１樹脂層前駆体１０ａｘを第１樹脂層１０ａとし、第２樹脂層前駆体１０ｂｘを第２樹脂層１０ｂとし、樹脂シート１０ｘを樹脂層１０として、基体７を作製する。なお、硬化開始温度は、樹脂が、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ‐ステージの状態となる温度である。また、熱分解温度は、ＩＳＯ１１３５８：１９９７に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が５％減少する温度である。
【００４８】
ここで、加熱加圧の際に樹脂が流動するため、第１樹脂部前駆体１１ａｘ及び第２樹脂部前駆体１１ｂｘを流動させることにより、上述した第１凹部１７ａ、第１凸部１７ｂ、第２凹部１７ｃ及び第２凸部１７ｄを第２樹脂層１０ｂに形成することができる。
【００４９】
具体的には、以下のようにして第１凹部１７ａ、第１凸部１７ｂ、第２凹部１７ｃ及び第２凸部１７ｄが形成されると推測する。まず、第２樹脂層前駆体１０ｂｘと該第２樹脂層前駆体１０ｂｘに最も近接する基材１２との間に位置する第１樹脂部前駆体１１ａｘが、基体７の厚みがより均一となるように流動する。すなわち、該第１樹脂部前駆体１１ａｘが、突出部１８ａ付近では厚みが大きくなるように、窪み部１８ｂ付近では厚みが小さくなるように、流動する。かかる第１樹脂部前駆体１１ａｘの流動に起因して、第２樹脂部前駆体１１ｂｘが上下方向に流動することにより、上述した第１凹部１７ａ、第１凸部１７ｂ、第２凹部１７ｃ及び第２凸部１７ｄが形成される。
【００５０】
ここで、第１樹脂部前駆体１１ａｘと第２樹脂層前駆体１０ｂｘの粘度が１０ＫＰａ・ｓ以上５００ＫＰａ・ｓ以下となるように、加熱加圧時の温度を調整することが重要である。加熱加圧時の温度を緩やかに上昇させて、かかる粘度を１０ＫＰａ・ｓ以上とすることにより、第１樹脂部前駆体１１ａｘ及び第２樹脂層前駆体１０ｂｘが流動して混合することを低減しつつ第２樹脂層前駆体１０ｂｘを硬化できるため、第２樹脂層１０ｂを効率良く形成できる。また、かかる粘度を５００ＫＰａ・ｓ以下とすることにより、第１樹脂部前駆体１１ａｘ及び第２樹脂層前駆体１０ｂｘの流動性が低下して空隙が発生することを低減できる。
【００５１】
以上のようにして、基体７を作製することができる。
【００５２】
（３）図３ｃ乃至図５ａに示すように、基体７にスルーホール導体８及び導電層１５を形成し、コア基板５を作製する。具体的には例えば以下のように行う。
【００５３】
まず、例えばドリル加工やレーザー加工等により、コア基板５を上下方向に貫通したスルーホールＴを複数形成し、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、スルーホールＴの内壁面に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体８を形成する。次に、円筒状のスルーホール導体８の内部に樹脂材料等を充填して絶縁体９を形成し、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、導電材料を絶縁体９の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等により、銅はく１５ｘをパターニングすることによって、導電層１５を形成する。
【００５４】
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
【００５５】
（４）図５ｂに示すように、コア基板５の両面に配線層６を形成し、配線基板３を作製する。具体的には例えば以下のように行う。
【００５６】
まず、未硬化の樹脂を導電層１５上に配置し、樹脂を加熱して流動密着させつつ、更に加熱して樹脂を硬化させることにより、導電層１５上に絶縁層１２を形成する。次に、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置により、絶縁層１２にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内に導電層１５の少なくとも一部を露出させる。次に、例えばセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により、ビア孔Ｖにビア導体１３を形成するとともに絶縁層１２の上面に導電層１５を形成することにより、配線層６を形成することができる。
【００５７】
以上のようにして、配線基板３を作製することができる。なお、本工程を繰り返すことにより、多層配線の配線基板３も作製できる。
【００５８】
（５）配線基板３に電子部品２を、バンプ４を介してフリップチップ実装することにより、図１に示す実装構造体１を作製できる。
【００５９】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００６０】
例えば、上述した本発明の実施形態は、基材として繊維が縦横に織り込まれた織布を使用した構成を例に説明したが、基材として繊維を一方向に配列されたものを使用しても構わない。また、基材を含まない第１樹脂層を用いても構わない。
【００６１】
また、上述した本発明の実施形態は、基体に含まれる樹脂層が４層である構成を例に説明したが、樹脂層は２層以上であれば何層でも構わない。
【００６２】
また、上述した本発明の実施形態は、（１）の工程にてフィラーを含まない未硬化の樹脂を第１樹脂層前駆体の上下面に塗布することにより第２樹脂層前駆体を形成する製造方法を例に説明したが、以下のようにして、第２樹脂層前駆体を形成してもよい。
【００６３】
まず、樹脂と該樹脂を溶解する溶剤とフィラーとを含むワニスを基材に含浸し、第１樹脂層前駆体からなる樹脂シートを形成する。なお、かかる溶剤として、分子量が７０ｇ／ｍｏｌ以上に設定されているものを用いる。次に、樹脂シートに含まれる溶剤を蒸発させるとともに第１樹脂層前駆体の上下面にフィラーを含まない第２樹脂層前駆体を形成することができる。
【００６４】
これは、樹脂が溶剤に溶解していることから樹脂分子と溶剤分子との親和性が高く、且つ、溶剤分子の分子量が大きいため、溶剤が蒸発する際に、溶剤分子の移動に伴って樹脂分子が第１樹脂層前駆体の上下面に移動することにより、かかる移動した樹脂分子からなるとともにフィラーを含まない第２樹脂前駆体が形成されると推測する。なお、分子量は、ＪＩＳ  Ｃ５６００：２００６に準ずる。
【００６５】
上述した樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、芳香族ポリエステル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等を使用することができる。
【００６６】
上述した分子量が７０g／ｍｏｌ以上である溶剤としては、例えばブタノール(分子量７４ｇ／ｍｏｌ)以上の分子量を持つアルコールや、アミド等の成分を持つ有機溶媒等を用いることができる。かかる溶剤として、具体的には、メチルエチルケトン(分子量７２ｇ／ｍｏｌ)、トルエン(分子量９２ｇ／ｍｏｌ)、キシレン(分子量１０６ｇ／ｍｏｌ)、メチルイソブチルケトン(分子量１００ｇ／ｍｏｌ)、酢酸エチル(分子量８８ｇ／ｍｏｌ)、エチレングリコールモノメチルエーテル(分子量１１８ｇ／ｍｏｌ)、Ｎ，Ｎジメチルホルムアミド(分子量７３ｇ／ｍｏｌ)又はＮ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド(分子量８７ｇ／ｍｏｌ)等を使用することができ、これらの溶剤は、単独で使用してもよく、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００６７】
ここで、樹脂を溶剤に溶解し、且つ、蒸発する溶剤分子とともに樹脂分子を移動させるため、樹脂の材料と溶剤の材料との組み合わせを適宜選択する必要がある。例えば、樹脂としてポリイミド樹脂を用いる場合、溶剤としては、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ‐ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ‐ジエチルアセトアミド又はパラクロロフェノールを用いることが望ましい。また、樹脂として、芳香族ポリエステル樹脂を用いる場合、溶剤としては、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ‐メチルピロリドン又はジメチルスルホキシドを用いることが望ましい。
【００６８】
また、蒸発する溶剤分子とともに樹脂分子を移動させるため、溶剤を蒸発させる際の乾燥方法、乾燥時間又は乾燥時の温度等を適宜選択する必要がある。例えば、かかる乾燥は、溶剤の沸点温度と室温との中間温度以上、第１樹脂層前駆体に含まれる樹脂の硬化開始温度未満にて、行われる。その結果、樹脂の硬化を低減しつつ溶剤を蒸発させることができるため、乾燥時における樹脂分子の流動性を高め、溶剤分子に伴って樹脂分子を第１樹脂層前駆体の上下面に効率良く移動させることにより、第２樹脂層を効率良く形成することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１        実装構造体
２        電子部品
３        配線基板
４        バンプ
５        コア基板
６        配線層
７        基体
８        スルーホール導体
９        絶縁体
１０      樹脂層
１０ａ    第１樹脂層
１０ｂ    第２樹脂層
１１      樹脂部
１１ａ    第１樹脂部
１１ｂ    第２樹脂部
１２      基材
１３      フィラー
１４      絶縁層
１５      導電層
１６      ビア導体
１７ａ    第１凹部
１７ｂ    第１凸部
１７ｃ    第２凹部
１７ｄ    第２凸部
１８ａ    突出部
１８ｂ    窪み部
Ｔ        スルーホール
Ｖ        ビア孔   
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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