(57)【要約】      （修正有）【課題】露光に対する感度及び酸転写性が各々向上された酸転写用組成物、バイオチップの製造方法及びこれを用いたバイオチップを提供する。【解決手段】（Ａ）ナフタレン構造を有する重合体と（Ｂ）感放射線性酸発生剤とを含有する。重合体（Ａ）は構成単位（例えば、単量体として４−メトキシ−１−アクリロイルオキシナフタレンを利用）を有することができる。（ａ）酸解離性基を有する第１化合物で第１膜を形成する工程、（ｂ）酸転写用組成物を用いて第２膜を形成する工程、（ｃ）第２膜を露光して第１膜の露光部を構成する第１分子から保護基を除去する工程、（ｄ）第２膜を除去する工程、（ｅ）保護基が除去された部位の第１分子に第２化合物を結合する工程、を備える。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ナフタレン構造を有する重合体と、（Ｂ）感放射線性酸発生剤と、を含有することを特徴とする酸転写用組成物。
【請求項２】
前記重合体（Ａ）は、酸解離性基を有さない請求項１に記載の酸転写用組成物。
【請求項３】
前記重合体（Ａ）は、前記ナフタレン構造を含んだ下記式（１）に示す構成単位を有する請求項１又は２のいずれかに記載の酸転写用組成物。
【化１】
2011085767.tif 000034
〔式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２は単結合又は−ＣＯＯ−を表す。Ｒ３は炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。ｎは０〜７の整数を表す。〕
【請求項４】
前記式（１）において、Ｒ３が炭素数１〜８のアルコキシ基である請求項３に記載の酸転写用組成物。
【請求項５】
前記重合体（Ａ）は、含窒素基を有する請求項１乃至４のいずれかに記載の酸転写用組成物。
【請求項６】
前記重合体（Ａ）は、前記含窒素基として−ＮＲ２Ｒ３を含む下記式（２）に示す構成単位を有する請求項５に記載の酸転写用組成物。
【化２】
2011085767.tif 000035
〔式（２）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状の炭化水素基、炭素数３〜１０の環状の炭化水素基を表す。また、Ｒ２及びＲ３は、互いに結合して３〜１０員環の単環式ヘテロ環、又は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子の群から選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を介して結合して４〜１０員環の単環式ヘテロ環を形成してもよい。〕
【請求項７】
前記感放射線性酸発生剤（Ｂ）が、イミドスルホネート基を有する感放射線性酸発生剤である請求項１乃至６のいずれかに記載の酸転写用組成物。
【請求項８】
前記感放射線性酸発生剤（Ｂ）は、前記重合体（Ａ）１００質量部に対して１０〜２００質量部含まれる請求項１乃至７のうちのいずれかに記載の酸転写用組成物。
【請求項９】
更に、増感剤（Ｃ）を含有する請求項１乃至８のうちのいずれかに記載の酸転写用組成物。
【請求項１０】
前記増感剤（Ｃ）が、下記式（３）に示す化合物である請求項９に記載の酸転写用組成物。
【化３】
2011085767.tif 000036
〔式（３）中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に、アルキル基又はハロゲン原子を表す。ｎ及びｍは各々独立に１〜４の整数を表す。）
【請求項１１】
前記増感剤（Ｃ）は、前記感放射線性酸発生剤（Ｂ）１００質量部に対して１０〜２００質量部含まれる請求項９又は１０に記載の酸転写用組成物。
【請求項１２】
前記酸転写用組成物が、バイオチップ製造用である請求項１乃至１１のうちのいずれかに記載の酸転写用組成物。
【請求項１３】
（ａ）酸に不安定な保護基を有する第１化合物を基板に直接的又は間接的に結合して第１膜を形成する第１膜形成工程、
（ｂ）前記第１膜上に、請求項１２に記載の酸転写用組成物を用いて第２膜を形成する第２膜形成工程、
（ｃ）前記第２膜を露光して、前記第１膜のうち露光部を構成する前記第１分子から前記保護基を除去する保護基除去工程、
（ｄ）前記第２膜を除去する第２膜除去工程、及び、
（ｅ）前記第１膜のうち前記保護基が除去された部位の第１分子に第２化合物を結合する第２化合物結合工程、を備えることを特徴とするバイオチップの製造方法。
【請求項１４】
前記第２化合物は、（１）ヌクレオチド、アミノ酸及び単糖類からなる群より選ばれる化合物、又は、（２）ヌクレオチド、アミノ酸及び単糖類からなる群より選ばれる２以上の化合物が結合された結合体、である請求項１３に記載のバイオチップの製造方法。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載のバイオチップの製造方法により得られたことを特徴とするバイオチップ。
【請求項１６】
ナフタレン構造と、下記前記式（２）に示す構成単位と、を有することを特徴とする重合体。
【化４】
2011085767.tif 000037
〔式（２）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状の炭化水素基、炭素数３〜１０の環状の炭化水素基を表す。また、Ｒ２及びＲ３は、互いに結合して３〜１０員環の単環式ヘテロ環、又は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子の群から選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を介して結合して４〜１０員環の単環式ヘテロ環を形成してもよい。〕
【請求項１７】
前記ナフタレン構造を含んだ下記式（１）に示す構成単位を有する請求項１６に記載の重合体。
【化５】
2011085767.tif 000038
〔式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２は単結合又は−ＣＯＯ−を表す。Ｒ３は炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。ｎは０〜７の整数を表す。〕
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸転写用組成物、バイオチップの製造方法、バイオチップ及び重合体に関する。更に詳しくは、基板上でＤＮＡ、ＲＮＡ、ＰＮＡ及びＬＡＮなどの各種高分子を合成する際に用いる酸転写用組成物、これを用いたバイオチップの製造方法、このバイオチップの製造方法を用いてなるバイオチップ、及びこの酸転写用組成物に用いる重合体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上で生体高分子などの高分子を合成する方法が注目され、特にヌクレオチド等をモノマーとして用いて異なる配列及び長さを有するプローブを１つの基板上にアレイ化して配列したバイオチップ及びこれを製造する方法が広く検討されている。
基板上で高分子を合成する方法として、光に対して不安定な保護基を有するヌクレオチドモノマー等を配列し、マスクを介した露光により特定部分からこの保護基を解離させた後に、他のヌクレオチドモノマーを結合させる操作を繰り返す方法が下記特許文献１〜２に開示されている。
更に、半導体製造分野において、フォトリソ法を用いた微細パターン形成に際して利用される光酸発生剤やこれが含まれたレジストを高分子の合成に利用しようとする技術が下記特許文献３〜５に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５４４５９３４号明細書
【特許文献２】米国特許第５７４４３０５号明細書
【特許文献３】米国特許第５６５８７３４号明細書
【特許文献４】特開２００５−０９９００５号公報
【特許文献５】特表２００３−５０１６４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１〜５の方法によれば、基板上で高分子を種々合成することができるものの、更に正確且つ精密に基板上で高分子合成できる技術が求められている。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、露光に対する感度及び酸転写性が各々向上された酸転写用組成物、この酸転写用組成物を用いたバイオチップの製造方法、このバイオチップの製造方法を用いてなるバイオチップ、及びこの酸転写用組成物に用いる重合体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下のとおりである。
〈１〉（Ａ）ナフタレン構造を有する重合体と、（Ｂ）感放射線性酸発生剤と、を含有することを特徴とする酸転写用組成物。
〈２〉前記重合体（Ａ）は、酸解離性基を有さない前記〈１〉に記載の酸転写用組成物。
〈３〉前記重合体（Ａ）は、前記ナフタレン構造を含んだ下記式（１）に示す構成単位を有する前記〈１〉又は〈２〉のいずれかに記載の酸転写用組成物。
【化１】
2011085767.tif 000002
〔式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２は単結合又は−ＣＯＯ−を表す。Ｒ３は炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。ｎは０〜７の整数を表す。〕
〈４〉前記式（１）において、Ｒ３が炭素数１〜８のアルコキシ基である前記〈３〉に記載の酸転写用組成物。
〈５〉前記重合体（Ａ）は、含窒素基を有する前記〈１〉乃至〈４〉のいずれかに記載の酸転写用組成物。
〈６〉前記重合体（Ａ）は、前記含窒素基として−ＮＲ２Ｒ３を含む下記式（２）に示す構成単位を有する前記〈５〉に記載の酸転写用組成物。
【化２】
2011085767.tif 000003
〔式（２）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状の炭化水素基、炭素数３〜１０の環状の炭化水素基を表す。また、Ｒ２及びＲ３は、互いに結合して３〜１０員環の単環式ヘテロ環、又は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子の群から選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を介して結合して４〜１０員環の単環式ヘテロ環を形成してもよい。〕
〈７〉前記感放射線性酸発生剤（Ｂ）が、イミドスルホネート基を有する感放射線性酸発生剤である前記〈１〉乃至〈６〉のいずれかに記載の酸転写用組成物。
〈８〉前記感放射線性酸発生剤（Ｂ）は、前記重合体（Ａ）１００質量部に対して１０〜２００質量部含まれる前記〈１〉乃至〈７〉のうちのいずれかに記載の酸転写用組成物。
〈９〉更に、増感剤（Ｃ）を含有する前記〈１〉乃至〈８〉のうちのいずれかに記載の酸転写用組成物。
〈１０〉前記増感剤（Ｃ）が、下記式（３）に示す化合物である前記〈９〉に記載の酸転写用組成物。
【化３】
2011085767.tif 000004
〔式（３）中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に、アルキル基又はハロゲン原子を表す。ｎ及びｍは各々独立に１〜４の整数を表す。）
〈１１〉前記増感剤（Ｃ）は、前記感放射線性酸発生剤（Ｂ）１００質量部に対して１０〜２００質量部含まれる前記〈９〉又は〈１０〉に記載の酸転写用組成物。
〈１２〉前記酸転写用組成物が、バイオチップ製造用である前記〈１〉乃至〈１１〉のうちのいずれかに記載の酸転写用組成物。
〈１３〉（ａ）酸に不安定な保護基を有する第１化合物を基板に直接的又は間接的に結合して第１膜を形成する第１膜形成工程、
（ｂ）前記第１膜上に、請求項１２に記載の酸転写用組成物を用いて第２膜を形成する第２膜形成工程、
（ｃ）前記第２膜を露光して、前記第１膜のうち露光部を構成する前記第１分子から前記保護基を除去する保護基除去工程、
（ｄ）前記第２膜を除去する第２膜除去工程、及び、
（ｅ）前記第１膜のうち前記保護基が除去された部位の第１分子に第２化合物を結合する第２化合物結合工程、を備えることを特徴とするバイオチップの製造方法。
〈１４〉前記第２化合物は、（１）ヌクレオチド、アミノ酸及び単糖類からなる群より選ばれる化合物、又は、（２）ヌクレオチド、アミノ酸及び単糖類からなる群より選ばれる２以上の化合物が結合された結合体、である前記〈１３〉に記載のバイオチップの製造方法。
〈１５〉前記〈１３〉又は〈１４〉に記載のバイオチップの製造方法により得られたことを特徴とするバイオチップ。
〈１６〉ナフタレン構造と、下記式（２）に示す構成単位と、を有することを特徴とする重合体。
【化４】
2011085767.tif 000005
〔式（２）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状の炭化水素基、炭素数３〜１０の環状の炭化水素基を表す。また、Ｒ２及びＲ３は、互いに結合して３〜１０員環の単環式ヘテロ環、又は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子の群から選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を介して結合して４〜１０員環の単環式ヘテロ環を形成してもよい。〕
〈１７〉前記ナフタレン構造を含んだ下記式（１）に示す構成単位を有する前記〈１６〉に記載の重合体。
【化５】
2011085767.tif 000006
〔式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２は単結合又は−ＣＯＯ−を表す。Ｒ３は炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。ｎは０〜７の整数を表す。〕
【発明の効果】
【０００６】
本発明の酸転写用組成物によれば、露光に対する感度及び酸転写性が各々向上される。これによって、従来に比べより正確且つ精密に基板上で高分子合成を行うことができる。
重合体（Ａ）が酸解離性基を有さない場合は、より効率よく酸を第１膜に対して作用させることができる。
重合体（Ａ）が前記ナフタレン構造を含んだ前記式（１）に示す構成単位を有する場合は、より正確且つ精密に基板上で高分子合成を行うことができる。
更に、前記式（１）に示す構成単位においてＲ３が炭素数１〜８のアルコキシ基の場合は、より正確且つ精密に基板上で高分子合成を行うことができる。
重合体（Ａ）が含窒素基を有する場合は、酸の不必要な拡散を抑えて、更に優れた酸の拡散制御性を発揮させることができる。
重合体（Ａ）が前記含窒素基として−ＮＲ２Ｒ３を含む前記式（２）に示す構成単位を有する場合は、酸の不必要な拡散をより効果的に抑えて、特に優れた酸の拡散制御性を発揮させることができる。
感放射線性酸発生剤（Ｂ）がイミドスルホネート基を有する感放射線性酸発生剤である場合は、より効率よく酸を第１膜に対して作用させることができる。
感放射線性酸発生剤（Ｂ）が重合体（Ａ）１００質量部に対して１０〜２００質量部含まれる場合は、より効率よく酸を第１膜に対して作用させることができる。
増感剤（Ｃ）を含有する場合は、露光に対する感度を更に向上させることができる。
増感剤（Ｃ）が前記式（３）に示す化合物である場合は、とりわけ優れた感度を得ることができる。
増感剤（Ｃ）が感放射線性酸発生剤（Ｂ）１００質量部に対して１０〜２００質量部含まれる場合は、露光に対する感度を更に向上させることができる。
酸転写用組成物がバイオチップ製造用である場合は、本組成物による優れた酸の拡散制御性を特に効果的に発揮させることができる。
本発明のバイオチップの製造方法によれば、第２膜に対する露光に対する感度及び酸転写性が向上され、これによって、第１膜を従来に比べてより正確且つ精密にパターニングでき、正確且つ精密なプローブ形成を行うことができると共にプローブの集積率を向上させたバイオチップを製造できる。
第２化合物が、（１）ヌクレオチド、アミノ酸及び単糖類からなる群より選ばれる化合物、又は、（２）ヌクレオチド、アミノ酸及び単糖類からなる群より選ばれる２以上の化合物が結合された結合体、である場合は、医薬分野で有用に活用できるバイオチップを得ることができる。
本発明のバイオチップによれば、従来に比べてより正確且つ精密なプローブ形成を行うことができると共にプローブの集積率を向上させたバイオチップとすることができる。
本発明の重合体によれば、酸転写性組成物として用いた場合に、特に優れた酸の拡散制御性を発揮できる。
更に、前記ナフタレン構造を含んだ前記式（１）に示す構成単位を有する場合は、特に優れた酸の拡散制御性を発揮させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明のバイオチップの製造方法を模式的に説明する説明図である。
【図２】本発明のバイオチップの製造方法を模式的に説明する説明図である。
【図３】本発明のバイオチップの製造方法を模式的に説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明を詳細に説明する。尚、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル及びメタクリルを意味し、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート及びメタクリレートを意味し、「（メタ）アクリロイルオキシ」とは、アクリロイルオキシ及びメタクリロイルオキシを意味する。
【０００９】
［１］酸転写用組成物
本発明の酸転写用組成物は、（Ａ）ナフタレン構造を有する重合体と、（Ｂ）感放射線性酸発生剤と、を含有することを特徴とする。
【００１０】
本酸転写用組成物は、後述するように膜化することができる。更に、得られた膜は露光により所望の部位に選択的に酸を発生させることができ、これにより、酸を生じた部位と、酸を生じていない部位と、からなる部位を形成できる。更に、本酸転写用組成物から形成された膜内に発生された酸は隣接させた層へ転写することができる。これらの特性は、後述するバイオチップ製造用途や、バイオチップの製造方法に用いることでとりわけ効果的に発揮できる。
即ち、酸転写用組成物とは、酸転写膜を調製するための組成物である。また、酸転写膜は他膜と積層して用いられる膜であって、露光によって酸転写膜内に生じた酸を他膜に転写する膜である。
【００１１】
〈１−１〉重合体（Ａ）
重合体（Ａ）は、ナフタレン構造を有する。このナフタレン構造を含むことにより、本発明の酸転写用組成物は、露光に対する感度及び酸転写性を向上させることができる。
ナフタレン構造を有する重合体とは、重合体中にナフタレン構造を有している重合体のことである。例えば、特開２００６−２７６４５８号公報、特開２００６−２９１１２５号公報、特開２００７−２３１０８３号公報及びＷＯ２００７／０４６４５３号公報に記載のナフタレン構造を有する重合体などが挙げられる。より具体的には、ポリナフタレン誘導体、ナフトールノボラックなどのナフタレン誘導体とホルマリンなどの縮合剤との縮合物、ナフタレン構造と重合性不飽和二重結合を有する単量体由来の構成単位を有する重合体などが挙げられる。
【００１２】
これらの中でもナフタレン構造と重合性不飽和二重結合を有する単量体由来の構成単位を有する重合体が好ましく、下記式（１）に示す構成単位（以下単に「構成単位（Ａ１）」ともいう）を有する重合体がより好ましい。
【化６】
2011085767.tif 000007
〔式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２は単結合又は−ＣＯＯ−を表す。Ｒ３は各々独立に炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。ｎは０〜７の整数を表す〕
前記式（１）に示す構成単位は、通常、下記式（４）で表される単量体（Ａｍ１）を用いて重合体（Ａ）を重合することにより得られる。
【化７】
2011085767.tif 000008
〔式（４）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２は単結合又は−ＣＯＯ−を表す。Ｒ３は各々独立に炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。ｎは０〜７の整数を表す〕
【００１３】
前記式（１）及び前記式（４）におけるＲ３は、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。このＲ３は電子供与性基として機能する基である。
前記式（１）及び前記式（４）における炭素数１〜８のアルキル基は、直鎖状のアルキル基であってもよく、分岐状のアルキル基であってもよい。このアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、アミル基、２−エチルヘキシル基等が挙げられる。これらのなかでも、感度及び酸転写性に優れるため、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基が好ましい。また、Ｒ３として炭素数１〜８のアルキル基を備える場合、前記式（１）及び前記式（４）におけるｎは１又は２であることが好ましい。
【００１４】
前記式（１）及び前記式（４）における炭素数１〜８のアルコキシル基は、直鎖状のアルコキシル基であってもよく、分岐状のアルコキシル基であってもよい。このアルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。これらのなかでも、感度及び酸転写性に優れるため、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。また、Ｒ３として炭素数１〜８のアルコキシル基を備える場合、前記式（１）及び前記式（４）におけるｎは１又は２であることが好ましい。
【００１５】
前記式（１）及び前記式（４）におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。これらのなかでも、感度及び酸転写性に優れるため、フッ素原子、塩素原子が好ましい。また、Ｒ３としてハロゲン原子を備える場合、前記式（１）及び前記式（４）におけるｎは１又は２であることが好ましい。
【００１６】
前記式（４）で表される構成単位（Ａ１）を与える単量体（Ａｍ１）としては、ビニルナフタレン、イソプロペニルナフタレン、（メタ）アクリロイルオキシナフタレン、前記式（４）のＲ３を有するビニルナフタレン誘導体｛下記式（５−１）｝、前記式（４）のＲ３を有するイソプロペニルナフタレン誘導体｛下記式（５−２）｝、前記式（４）のＲ３を有するアクリロイルオキシナフタレン誘導体｛下記式（５−３）｝、前記式（４）のＲ３を有するメタクリロイルオキシナフタレン誘導体｛下記式（５−４）｝等が挙げられる。これらの単量体（Ａｍ１）は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００１７】
【化８】
2011085767.tif 000009
〔式（５−１）〜（５−４）中、Ｒ３は炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。ｎは０〜７の整数を表す。〕
【００１８】
このうち前記各種誘導体としては、アルキルビニルナフタレン（メチルビニルナフタレン、ジメチルビニルナフタレン、エチルビニルナフタレン、メチルエチルビニルナフタレン等）、アルコキシビニルナフタレン（メトキシビニルナフタレン、ジメトキシビニルナフタレン、エトキシビニルナフタレン、メトキシエトキシビニルナフタレン、メトキシアルキルビニルナフタレン、ハロゲン化アルコキシビニルナフタレン等）、ハロゲン化ビニルナフタレン（フルオロビニルナフタレン、クロロビニルナフタレン、ブロモビニルナフタレン、メチルフルオロビニルナフタレン等）などのビニルナフタレン誘導体；
アルキルイソプロペニルナフタレン、アルコキシイソプロペニルナフタレン、ハロゲン化イソプロペニルナフタレン等の各種イソプロペニルナフタレン誘導体；
アルキル（メタ）アクリロイルオキシナフタレン｛メチル（メタ）アクリロイルオキシナフタレン、ジメチル（メタ）アクリロイルオキシナフタレン、エチル（メタ）アクリロイルオキシナフタレン、メチルエチル（メタ）アクリロイルオキシナフタレン等｝、アルコキシ（メタ）アクリロイルオキシナフタレン｛メトキシ（メタ）アクリロイルオキシナフタレン、ジメトキシ（メタ）アクリロイルオキシナフタレン、エトキシ（メタ）アクリロイルオキシナフタレン、メトキシエトキシ（メタ）アクリロイルオキシナフタレン、メトキシアルキル（メタ）アクリロイルオキシナフタレン、ハロゲン化アルコキシ（メタ）ｓアクリロイルオキシナフタレン等｝、ハロゲン化（メタ）アクリロイルオキシナフタレン｛フルオロ（メタ）アクリロイルオキシナフタレン、クロロ（メタ）アクリロイルオキシナフタレン、ブロモ（メタ）アクリロイルオキシナフタレン、メチルフルオロ（メタ）アクリロイルオキシナフタレン等｝などの（メタ）アクリロイルオキシナフタレン誘導体；などが挙げられる。これらの各種誘導体は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００１９】
前記単量体（Ａｍ１）のなかでも、アクリロイルオキシナフタレン、アクリロイルオキシナフタレンの誘導体が好ましく、更には、アクリロイルオキシナフタレンの誘導体がより好ましい。また、アクリロイルオキシナフタレンの誘導体のなかでも、アルコキシアクリロイルオキシナフタレンが好ましく、メトキシアクリロイルオキシナフタレンがより好ましく、４−メトキシ−１−アクリロイルオキシナフタレン（１−アクリロイルオキシ−４−メトキシナフタレン）、４−エトキシ−１−アクリロイルオキシナフタレン（１−アクリロイルオキシ−４−エトキシナフタレン）が特に好ましい。
【００２０】
前記構成単位（Ａ１）の重合体（Ａ）内における含有量は特に限定されないが、重合体（Ａ）の全構成単位を１００質量％とした場合に１〜４０質量％であることが好ましく、１〜３０質量％であることがより好ましく、３〜２５質量％であることが特に好ましい。この範囲では、構成単位（Ａ１）を含むことによる感度向上及び酸転写性向上の各効果をとりわけ得易い。
【００２１】
また、重合体（Ａ）は、後述する式（６）で表される構成単位の有無に関わらず、含窒素基を有することができる。この含窒素基を有することで、膜内（本酸転写用組成物を用いて形成される膜内）における不要な酸の拡散を効果的に抑制することができる（即ち、酸拡散抑制機能を発揮させることができる）。
【００２２】
前記含窒素基は、窒素原子を基内に含む置換基を意味する。この含窒素基としては、−ＮＲ１Ｒ２の構造を有する基（以下、単に「アミン基」という）、アシド基、イミド基、ウレア基、ウレタン基、ピリジン基等が挙げられる。
これらのなかでは、アミン基が好ましい。前記アミン基のＲ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状の炭化水素基、炭素数３〜１０の環状の炭化水素基を表す。また、前記アミン基のＲ１及びＲ２は互いに結合して、３〜１０員環の単環式ヘテロ環、又は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子からなる群より選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を介して結合して４〜１０員環の単環式ヘテロ環を形成してもよい。
【００２３】
即ち、前記アミン基のＲ１及びＲ２が炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状の炭化水素基である場合の前記アミン基のＲ１及びＲ２としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基などの脂肪族炭化水素基が挙げられる。
【００２４】
また、前記アミン基のＲ１及びＲ２が炭素数３〜１０の環状の炭化水素基である場合の前記アミン基のＲ１及びＲ２がとしては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などの脂環式基；フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、１−ナフチル基、ベンジル基などの芳香族基が挙げられる。
【００２５】
更に、前記アミン基のＲ１及びＲ２が互いに結合して３〜１０員環の単環式ヘテロ環（不飽和環であってもよく、飽和環であってもよい）を形成している場合、前記アミン基としては、アジリジノ基、アゼチノ基、ピロリジノ基、ピロール基、ピペリジノ基、ピリジノ基等が挙げられる。
【００２６】
また、前記アミン基のＲ１及びＲ２が窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子からなる群より選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を介して結合して４〜１０員環の単環式ヘテロ環（不飽和環であってもよく、飽和環であってもよい）を形成している場合、前記アミン基としては、モルホリノ基、チオモルホリノ基、セレノモルホリノ基、イソオキサゾリジノ基、イソオキサゾール基、イソチアゾリジノ基、イソチアゾール基、イミダゾリジノ基、ピペラジノ基、トリアジノ基等が挙げられる。
【００２７】
前記アミノ基は、どのような形態で重合体（Ａ）の側鎖に含まれてもよいが、特に下記式（６）で示す構成単位（Ａ２）として重合体（Ａ）に含まれることが好ましい。
【化９】
2011085767.tif 000010
〔式（６）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状の炭化水素基、炭素数３〜１０の環状の炭化水素基を表す。また、Ｒ２及びＲ３は、互いに結合して３〜１０員環の単環式ヘテロ環、又は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子からなる群より選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を介して結合して４〜１０員環の単環式ヘテロ環を形成してもよい。〕
【００２８】
前記式（６）に示す構成単位は、通常、下記式（７）で表される単量体（Ａｍ２）を用いて重合体（Ａ）を重合することにより得ることができる。
【化１０】
2011085767.tif 000011
〔式（７）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状の炭化水素基、炭素数３〜１０の環状の炭化水素基を表す。また、Ｒ２及びＲ３は、互いに結合して３〜１０員環の単環式ヘテロ環、又は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子からなる群より選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を介して結合して４〜１０員環の単環式ヘテロ環を形成してもよい。〕
【００２９】
前記前記式（７）におけるＲ２及び／又はＲ３となる炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基などの脂肪族炭化水素基が挙げられる。
即ち、前記式（７）においてＲ２及び／又はＲ３が炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状の炭化水素基となる単量体（Ａｍ２）としては、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−イソプロピル（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
【００３０】
また、前記式（７）におけるＲ２及び／又はＲ３となる炭素数３〜１０の環状の炭化水素基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などの脂環式基；フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、１−ナフチル基、ベンジル基などの芳香族基が挙げられる。
更に、前記式（７）における、Ｒ２及びＲ３とが互いに結合して形成された３〜１０員環の単環式ヘテロ環、又は、Ｒ２及びＲ３とが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子からなる群より選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を介して結合して形成された４〜１０員環の単環式ヘテロ環、を有する単量体（Ａｍ２）としては、Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリン等が挙げられる。
【００３１】
単量体（Ａｍ２）としては、前記各種単量体のなかでも、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタクリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルホリン、Ｎ−メタクリロイルモルホリンが好ましい。これらの好ましい単量体を用いて得られた重合体（Ａ）は、酸発生剤（Ｂ）から発生された酸の膜内における不要な拡散をより効果的に抑制できる。
【００３２】
構成単位（Ａ２）が重合体（Ａ）に含まれる場合、重合体（Ａ）に占める構成単位（Ａ２）の割合は特に限定されないが、重合体（Ａ）の全構成単位を１００モル％とした場合に１〜５０モル％であることが好ましく、３〜４０モル％であることがより好ましく、５〜３０モル％であることが特に好ましい。この範囲では、酸発生剤（Ｂ）から発生された酸の膜内における不要な拡散をより効果的に抑制できる。
【００３３】
前記重合体（Ａ）は、前記構成単位（Ａ１）及び構成単位（Ａ２）以外にも他の構成単位を含むことができる。他の構成単位としては、下記式（８）に示す構成単位（Ａ３）が挙げられる。
【化１１】
2011085767.tif 000012
〔式（８）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２は１価の有機基を表す。〕
【００３４】
前記式（８）に示す構成単位は、通常、下記式（９）で表される単量体（Ａｍ３）を用いて重合することにより得られる。
【化１２】
2011085767.tif 000013
〔式（９）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２は１価の有機基を表す。〕
【００３５】
前記式（９）におけるＲ２の１価の有機基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等の炭素原子数１〜１２の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基；
【００３６】
フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシリル基、２，６−キシリル基、３，５−キシリル基、メシチル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基；
【００３７】
ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、１−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、３−ヒドロキシプロピル基、１−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロキシブチル基、３−ヒドロキシブチル基、４−ヒドロキシブチル基、３−ヒドロキシシクロペンチル基、４−ヒドロキシシクロヘキシル基等の炭素数１〜８のヒドロキシアルキル基；
【００３８】
シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、１−シアノプロピル基、２−シアノプロピル基、３−シアノプロピル基、１−シアノブチル基、２−シアノブチル基、３−シアノブチル基、４−シアノブチル基、３−シアノシクロペンチル基、４−シアノシクロヘキシル基等の炭素数２〜９のシアノアルキル基及びシアノ基などの窒素原子含有有機基；
【００３９】
シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの環状炭化水素基；
ボルニル基、イソボルニル基等の橋かけ環式炭化水素基などの脂環式基；が挙げられる。
尚、前記式（８）及び前記式（９）におけるＲ２は、後述する酸に不安定な保護基（Ｐ）でないことが好ましい。
【００４０】
単量体（Ａｍ３）としては、（メタ）アクリレート化合物が好ましく、具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの（メタ）アクリレート化合物は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
これらの（メタ）アクリレート化合物のなかでは、メチルメタクリレートが特に好ましい。
【００４１】
重合体（Ａ）中に構成単位（Ａ３）が含まれる場合、その割合は特に限定されないが、重合体（Ａ）の全構成単位を１００モル％とした場合に５〜９９モル％であることが好ましく、１０〜９７モル％であることがより好ましく、１５〜９５モル％であることが特に好ましい。この範囲では、前記構成単位（Ａ１）を含むことによる感度向上効果及び酸転写性向上効果をより顕著に得ることができる。
【００４２】
重合体（Ａ）は、前記構成単位（Ａ１）、前記構成単位（Ａ２）及び前記構成単位（Ａ３）以外の他の構成単位を含むことができる。他の構成単位の種類は特に限定されず本発明の目的を阻害しない範囲であればよい。この他の構成単位を含む場合、その割合は、特に限定されないが、重合体（Ａ）の全構成単位を１００モル％とした場合に３０モル％以下であることが好ましく、１〜１０モル％であることがより好ましい。この範囲内では本発明の目的を阻害することがない。
【００４３】
また、前記重合体（Ａ）の分子量については特に限定はなく、適宜選定することができるが、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算重量分子量（以下、「Ｍｗ」という）は、通常、１，０００〜５００，０００であり、好ましくは２，０００〜４００，０００であり、更に好ましくは３，０００〜３００，０００である。
更に、重合体（Ａ）のＭｗと、ＧＰＣで測定したポリスチレン換算数分子量（以下、「Ｍｎ」という）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）についても特に限定はなく、適宜選定できるが、通常、１〜１０であり、好ましくは１〜８であり、更に好ましくは１〜３である。
【００４４】
更に、重合体（Ａ）は、実質的に酸解離性基（酸に不安定な保護基）を有さない重合体であることが好ましい。「実質的に酸解離性基を有さない」とは、重合体の合成に用いる全単量体中、酸解離性基を有さない単量体が、９５モル％以上用いて得られる重合体のことである。即ち、換言すれば、重合体（Ａ）を構成する全構成単位１００モル％中に、後述する酸に不安定な保護基を有する構成単位が５モル％未満であることを意味する。
【００４５】
また、重合体（Ａ）は、実質的に水酸基を有さない重合体であることが好ましい。「実質的に水酸基を有さない」とは、ＪＩＳ  Ｋ１５５７のプラスチック−ポリウレタン原料ポリオールの近赤外（ＮＩＲ）分光法による水酸基価の求め方に準じて、波長２０００〜２３００ｎｍのＲ−ＯＨ結合音、及び、１３８０〜１５００ｎｍのＲ−ＯＨ第１倍音の２つの波長域を用いて測定される重合体（Ａ）についての水酸基価｛重合体（Ａ）１ｇ中の水酸基と当量の水酸化カリウムの質量（ｍｇ）｝が１以下であることを意味する。
【００４６】
〈１−２〉感放射性酸発生剤（Ｂ）
上記「（Ｂ）感放射性酸発生剤」（以下、単に「酸発生剤（Ｂ）」ともいう）は、放射線の照射により、酸を発生させるものである。この感放射性が発現される放射線種は特に限定されず、例えば、ＬＥＤランプ、紫外線（ｇ線、ｉ線等を含む）、遠紫外線（ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザー等を含む）、Ｘ線、電子線、γ線、分子線、イオンビーム等を適宜利用できる。
【００４７】
酸発生剤（Ｂ）としては、例えば、（Ｂ１）イミドスルホネート基を有する感放射線性酸発生剤、（Ｂ２）オキシムスルホネート基を有する感放射線性酸発生剤、（Ｂ３）オニウム塩化合物（チオフェニウム塩化合物を含む）、（Ｂ４）ハロゲン含有化合物、（Ｂ５）ジアゾケトン化合物、（Ｂ６）スルホン化合物、（Ｂ７）スルホン酸化合物、（Ｂ８）スルホンイミド化合物、（Ｂ９）ジアゾメタン化合物等を用いることができる。この酸発生剤（Ｂ）は、１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、下記イミドスルホネート基を有する感放射線性酸発生剤（以下、単に「イミドスルホネート系酸発生剤」ともいう）が好ましい。本組成物内でイミドスルホネート系酸発生剤を用いた場合には、特に優れた酸転写性を得ることができる。
【００４８】
前記（Ｂ１）イミドスルホネート系酸発生剤は、下記式（１０）に示す化合物である。
【化１３】
2011085767.tif 000014
〔式（１０）中、Ｒ１は炭素数１〜１４のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数４〜２０の脂環式基を表す。Ｒ２及びＲ３は、互いに結合して環構造をなすか、又は、各々独立して、炭素数１〜１４のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、もしくは炭素数４〜２０の脂環式基を表す。〕
【００４９】
前記式（３）におけるＲ２及びＲ３は、前記の通り、互いに結合して環構造をなすか、又は、各々独立して、炭素数１〜１４のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、もしくは炭素数４〜２０の脂環式基であればよいが、なかでも、Ｒ２及びＲ３は、互いに結合して環構造をなすことが好ましい。
更に、Ｒ２及びＲ３は、互いに結合して炭素数６〜２０の芳香環構造をなすことが好ましく、特に、Ｒ２及びＲ３は、互いに結合して炭素数１０〜１４の多環式芳香環構造をなすことが好ましく、とりわけ、下記式（１１）に示す化合物、即ち、Ｒ２及びＲ３が、互いに結合してナフタレン環構造をなす化合物、であることが好ましい。
【化１４】
2011085767.tif 000015
〔式（１１）中、Ｒ１は炭素数１〜１４のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数４〜２０の脂環式基を表す。〕
【００５０】
一方、式（１１）におけるＲ１〔式（１０）におけるＲ１についても同様〕としては、炭素数１〜１４のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数４〜２０の脂環式基等が挙げられる。
【００５１】
前記炭素数１〜１４のアルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分枝アルキル基であってもよい。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、I-プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基等が挙げられる。
更に、これらのアルキル基は１つ又は２つ以上の置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシル基、オキソ基（＝Ｏ）、シアノ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。２つの以上の置換基を有する場合にあっては、各置換基は同じであってもよく異なっていてもよい。
なかでも、Ｒ１としてメチル基を備えたイミドスルホネート系酸発生剤としては、下記式（１２）に示す化合物が挙げられる。
【化１５】
2011085767.tif 000016
【００５２】
前記炭素数６〜２０のアリール基は、１つ又は２つ以上の置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。このアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、トリル基、ｐ−メトキシフェニル基、メシチル基、ｏ−クメニル基、キシリル基等が挙げられる。
なかでも、Ｒ１として、トリル基（特にｐ−トリル基）を備えたイミドスルホネート系酸発生剤としては、下記式（１３）に示す化合物が挙げられる。
【化１６】
2011085767.tif 000017
【００５３】
前記炭素数４〜２０の脂環式基は、不飽和結合を含んでいてもよく含まなくてもよい。更に、置換基を有してもよく有さなくてもよい。置換基を有する場合の置換基としては、前記炭素数１〜１４のアルキル基に関する置換基及びメチル基及びエチル基等が挙げられる。
更に、この脂環式基の脂環部は、単環であってもよく多環であってもよく、更に、多環にあっては縮合環であってもよく非縮合環であってもよい。また、この脂環部は、有橋式であってもよく非有橋式であってもよい。
この脂環式基としては、ノルボルナン骨格を有する脂環式基、ノルボルネン骨格を有する脂環式基、トリシクロデカン骨格を有する脂環式基、テトラシクロドデカン骨格を有する脂環式基、アダマンタン骨格を有する脂環式基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基等が挙げられる。
これらのなかでも、ノルボルナン骨格を有する脂環式基が好ましく、更には、ノルボルナノン骨格を有する脂環式基がより好ましく、特にカンファー骨格を有する脂環式基が好ましい。
Ｒ１として、このカンファー骨格を有する脂環式基を備えたイミドスルホネート系酸発生剤としては、下記式（１４）に示す化合物が挙げられる。
【化１７】
2011085767.tif 000018
【００５４】
その他、前記（Ｂ２）オキシムスルホネート基を有する感放射性酸発生剤（以下、単に「オキシムスルホネート系酸発生剤」ともいう）は、下記式（１５）で表される基を少なくとも１つ有する化合物である。
【化１８】
2011085767.tif 000019
式（１５）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に１価の有機基である。このＲ１及びＲ２は、炭素原子以外の原子を有することができる。炭素原子以外の原子としては、水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子等）、セレン原子などが挙げられる。
【００５５】
前記式（１５）に示す基は、２つ以上有してもよいが、１つのみ有する化合物が好ましい。更に、前記式（１５）に示す基の結合手と結合された１価の芳香族基を有すると共に、式（１５）におけるＲ１がシアノ基、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である化合物がより好ましい。即ち、下記式（１６）に示す化合物であることが好ましい。
【化１９】
2011085767.tif 000020
〔式（１６）中、Ｒ１はシアノ基、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である。Ｒ２は１価の芳香族基である。Ｒ３は１価の有機基である。〕
【００５６】
前記式（１６）におけるＲ１としてはシアノ基が好ましい。
前記式（１６）におけるＲ２としての１価の芳香族基は、炭素数６〜２０が好ましい。また、芳香環としてはベンゼン環が好ましく、置換基を備えることが好ましい。置換基としては炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、特にメトキシ基が好ましい。式（１６）におけるＲ２としてはｐ−メトキシフェニル基が特に好ましい。
従って、オキシムスルホネート系感放射線性酸発生剤としては、前記式（１６）におけるＲ１がシアノ基であると共に、前記式（１６）におけるＲ２がｐ−メトキシフェニル基である下記式（１７）に示す化合物が好ましい。
【化２０】
2011085767.tif 000021
〔式（１７）中、Ｒ１は１価の有機基である。〕
【００５７】
前記式（１７）におけるＲ１としては、炭素数１〜１４のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数４〜２０の脂環式炭化水素基、又は、これらの基の少なくとも一つの水素原子が、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭化水素基以外の極性基に置換された有機基が好ましい。なかでも、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基及びｎ−デシル基、ｐ−トリル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−クメニル基、ノルボルナン骨格を有する脂環式基（特にノルボルナノン骨格を有する脂環式基が好ましく、特にカンファー骨格を有する脂環式基が好ましい）が好ましい。
【００５８】
前記（Ｂ３）オニウム塩化合物としては、チオフェニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物、スルホニウム塩化合物、ホスホニウム塩化合物、ジアゾニウム塩化合物、ピリジニウム塩化合物などが挙げられる。
前記（Ｂ４）ハロゲン含有化合物としては、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等が挙げられる。
前記（Ｂ５）ジアゾケトン化合物としては、１，３−ジケト−２−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物などが挙げられる。
前記（Ｂ６）スルホン化物としては、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンや、これらの化合物のα−ジアゾ化合物などが挙げられる。
前記（Ｂ７）スルホン酸化合物としては、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネートなどが挙げられる。
【００５９】
また、本組成物に用いる酸発生剤（Ｂ）は、前記各種酸発生剤のなかでも、スルホニルアニオンを構造中に有する酸を発生させるものが好ましく、また、前記スルホニルアニオンの化学構造式中の全原子数（Ｘ）に対する炭素原子数（Ｙ）の割合〔（Ｙ／Ｘ）×１００（％）〕が３０％以上となる酸発生剤が好ましい。更に、前記スルホニルアニオンは、フッ素原子を含まないことがより好ましく、特に脂環式炭化水素基を有することがとりわけ好ましい。
【００６０】
前記スルホニルアニオンは、下記式（１８）で表される。
【化２１】
2011085767.tif 000022
〔式（１８）中、Ｒ１は１価の有機基である。〕
【００６１】
このスルホニルアニオンを構造中に有する酸は、下記式（１９）で表される。
【化２２】
2011085767.tif 000023
〔式（１９）中、Ｒ１は１価の有機基である。Ａはカチオンである〕
【００６２】
尚、式（１８）及び式（１９）におけるＲ１は１価の有機基であり、このＲ１は、炭素原子及び水素原子のみからなってもよく、他の原子を含んでもよい。他の原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、ハロゲン原子（塩素原子等）などが挙げられる。但し、後述するように、ハロゲン原子のなかでもフッ素原子は含まれないことが好ましい。
また、式（１９）に示す酸は、スルホニルアニオンをアニオン成分とし、Ａ＋をカチオン成分とする酸である。この酸は、酸として機能できればよく、Ａは水素原子（プロトン）であってよく、他の原子又は２種以上の元素を含んでもよい。
【００６３】
前記酸発生剤から発生される酸がスルホニルアニオンであることにより、バイオチップを製造する際の酸転写用組成物として用いた場合に、第１化合物を不必要に分解する等の阻害を抑制できる。また、バイオチップ製造用途において用いることにより、第１化合物の保護基をより正確に解離させると共に、第１化合物を不必要に分解することがなく、より正確且つ精密にプローブを形成できる。
【００６４】
前記式（１８）及び前記式（１９）におけるＲ１の１価の有機基としては、アルキル基、芳香族基、及び脂環式炭化水素基等が挙げられる。更に、これらの基は置換基を有してもよく、有さなくてもよい。置換基としては、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、及び炭化水素基以外の極性基等が挙げられる。置換基は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。また、２種以上の置換基を有する場合には各置換基は同じであってもよく異なっていてもよい。
このうち極性基としては、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、ヒドロキシ基、カルボキシル基、オキソ基（＝Ｏ）、シアノ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００６５】
前記式（１８）及び前記式（１９）におけるＲ１としてのアルキル基は、炭素数５〜２０であることが好ましい。このようなアルキル基としては、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
【００６６】
前記式（１８）及び前記式（１９）におけるＲ１としての芳香族基は、炭素数６〜２０であることが好ましい。このような芳香族基としては、トリル基（ｐ−、ｍ−、ｏ−）、キシリル基（−２，４、−３，５など）、メシチル基（−２，４，６など）、ベンジル基、クメニル基（ｐ−、ｍ−、ｏ−）、メトキシフェニル基（ｐ−、ｍ−、ｏ−）、ナフチル基、等が挙げられる。これらのなかでも、ｐ−トリル基、２，４−キシリル基及びベンジルが好ましく、特にｐ−トリル基が好ましい。前記式（１９）におけるＲ１としてこのｐ−トリル基（即ち、ｐ−ｔｏｌｙｌ）を有するスルホニルアニオンは下記式（２０）で示される。即ち、前記イミドスルホネート系酸発生剤のなかでも前記式（１３）の化合物が好ましい。
【化２３】
2011085767.tif 000024
【００６７】
前記式（１８）及び前記式（１９）におけるＲ１としての脂環式基は、不飽和結合を含んでいてもよく含まなくてもよい。更に、この脂環式基の脂環部は、単環であってもよく多環であってもよく、更に、多環にあっては縮合環であってもよく非縮合環であってもよい。また、この脂環部は、有橋式であってもよく非有橋式であってもよい。
【００６８】
この脂環式基としては、炭素数４〜２０であることが好ましく、更には、脂環式炭化水素基であることがより好ましい。このような脂環式炭化水素基としては、ノルボルナン骨格を有する脂環式炭化水素基、ノルボルネン骨格を有する脂環式炭化水素基、トリシクロデカン骨格を有する脂環式炭化水素基、テトラシクロドデカン骨格を有する脂環式炭化水素基、アダマンタン骨格を有する脂環式炭化水素基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基等が挙げられる。
これらのなかでも、ノルボルナン骨格を有する脂環式炭化水素基が好ましく、更には、ノルボルナノン骨格を有する脂環式炭化水素基がより好ましく、特にカンファー骨格を有する脂環式炭化水素基が好ましい。
【００６９】
前記式（１９）におけるＲ１としてのカンファー骨格を有する脂環式炭化水素基を備えたスルホニルアニオンとしては、下記式（２１）が好ましい。即ち、前記イミドスルホネート系酸発生剤のなかでも前記式（１４）の化合物が好ましい。
【化２４】
2011085767.tif 000025
【００７０】
また、酸発生剤（Ｂ）から発生される酸は、前記スルホニルアニオンを構造中に有すると共に、このスルホニルアニオンは、化学構造式中の全原子数（Ｘ）に対する炭素原子数（Ｙ）の割合〔（Ｙ／Ｘ）×１００（％）〕が３０％以上であることが好ましい。この炭素原子数の割合（以下、単に「炭素含有率」ともいう）が３０％以上であることにより、本組成物を用いて形成された膜の上表面への酸の拡散を効果的に抑制でき、その結果、酸の転写選択性に優れた膜を得ることができる。この炭素含有率の上限値は８０％が好ましく、６０％がより好ましく、５０％が特に好ましい。また、下限値は３０％が好ましく、３５％がより好ましく、４０％が特に好ましい。
【００７１】
前記スルホニルアニオンの炭素含有率は、具体的には以下のように計算される。即ち、例えば、前記式（１８）のスルホニルアニオンでは、炭素原子数が７個、水素原子数が７個、酸素原子数が３個、硫黄原子数が１個であることから下記計算により、前記式（１８）スルホニルアニオンの炭素含有率は３８．９％である。
｛７／（７＋７＋３＋１）｝×１００＝３８．９％
【００７２】
同様に、前記式（１９）のスルホニルアニオンでは、炭素原子数が１０個、水素原子数が１５個、酸素原子数が４個、硫黄原子数が１個であることから下記計算により、前記式（１９）スルホニルアニオンの炭素含有率は３３．３％である。
｛１０／（１０＋１５＋４＋１）｝×１００＝３３．３％
【００７３】
更に、前記スルホニルアニオンは、実質的にフッ素原子を含まないものであることが好ましい。フッ素原子を含まないとは、前記スルホニルアニオンの化学構造式中の全原子数（Ｘ）に対するフッ素原子数（Ｓ）の割合〔（Ｓ／Ｘ）×１００（％）〕は１％未満であることを意味する。
前記スルホニルアニオンが実質的にフッ素原子を含まないものであることにより、本酸転写用組成物を用いて形成された膜の上表面への酸の拡散を効果的に抑制でき、その結果、酸の転写選択性に優れた酸転写膜（第２膜）を形成することができる。
【００７４】
本組成物に含まれる酸発生剤（Ｂ）の量は特に限定されないが、酸転写膜（第２膜）としての酸転写性を十分に確保する観点から、通常、重合体（Ａ）１００質量部に対して、０．１〜５００質量部が含有される。この含有量は１〜３００質量部が好ましく、１０〜２００質量部がより好ましい。また、特に酸発生剤（Ｂ）のなかでも、イミドスルホネート系酸発生剤を用いる場合、その含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、１〜１００質量部が好ましく、５〜８０質量部が好ましく、１０〜６０質量部がより好ましい。
【００７５】
〈１−３〉増感剤（Ｃ）
本組成物は、前記重合体（Ａ）及び前記酸発生剤（Ｂ）に加えて、増感剤（Ｃ）を含有できる。増感剤の種類は特に限定されず、例えば、チオキサントン（チオキサンテン−９−オン）又はその誘導体、アントラセン又はその誘導体等を用いることができる。これらの増感剤（Ｃ）は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらの増感剤（Ｃ）のなかでも、チオキサントン又はその誘導体が好ましく、特に下記式（３）で表されるチオキサントン又はその誘導体が好ましい。
この式（３）で表される増感剤（Ｃ）を、前記構成単位（Ａ１）を有する重合体（Ａ）と併用することにより、特に優れた光増感性を得ることができる。
【化２５】
2011085767.tif 000026
〔式（３）中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に、アルキル基又はハロゲン原子を表す。ｎ及びｍは各々独立に１〜４の整数を表す。）
【００７６】
前記式（３）の「Ｒ１」と「Ｒ２」及び「ｎ」と「ｍ」は各々同じであってもよく、異なっていてもよい。前記式（３）のＲ１及びＲ２のアルキル基は、直鎖のアルキル基であってもよく、分枝のアルキル基であってもよく、環状のアルキル基であってもよい。また、このアルキル基の炭素数は特に限定されないが、直鎖又は分枝のアルキル基である場合の炭素数は１〜１４であることが好ましく、環状のアルキル基である場合の炭素数は４〜２０であることが好ましい。
【００７７】
前記炭素数１〜１４の直鎖又は分枝のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基（ｎ−及びｉ−）、ブチル基（ｎ−、ｉ−及びｔ−）、ｔ−ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の直鎖又は分子のアルキル基が挙げられる。また、前記炭素数は４〜２０の環状アルキル基としては、シクロヘキシル基等が挙げられる。また、式（３）中のハロゲン原子としては塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
【００７８】
前記式（３）で表される増感剤（Ｃ）の具体例としては、チオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン｛下記式（２２−１）｝、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン｛下記式（２２−２）、式（２２−２）中のＥｔはエチル基を示す｝、２−クロロチオキサントン、２−ドデシルチオキサントン、１−クロロ−４−イソプロピルチオキサントン｛下記式（２２−３）｝、２−シクロヘキシルチオキサントン｛下記式（２２−４）｝等が挙げられる。これらの中でも２−イソプロピルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、１−クロロ−４−イソプロピルチオキサントン、２−シクロヘキシルチオキサントンが好ましい。
【００７９】
【化２６】
2011085767.tif 000027
【００８０】
増感剤（Ｃ）の含有量は特に限定されないが、酸転写膜（第２膜）としての酸転写性を十分に確保する観点から、通常、酸発生剤（Ｂ）１００質量部に対して、１〜５００質量部が含有される。更に、増感剤（Ｃ）と酸発生剤（Ｂ）との組合せによるより優れた酸転写性を確保する観点から、この含有量は１０〜２００質量部であることが好ましく、２０〜１５０質量部であることがより好ましく、３０〜１００質量部であることが特に好ましい。
【００８１】
本発明の酸転写用組成物はどのようにして膜形成してもよいが、通常、液状の酸転写用組成物を、目的とする表面（例えば、後述する第１膜の表面）に塗布し、乾燥させることにより形成される｛更には、必要に応じて加熱処理（ベーク）を施すことができる｝。このため、本酸転写用組成物は、重合体（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）及び増感剤（Ｃ）に加えて、溶剤（Ｄ）を含有できる。
【００８２】
前記溶剤（Ｄ）の種類は特に限定されないが、例えば、水及び／又は有機溶剤等を用いることができる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
前記有機溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ブチルメチルエーテル、ブチルエチルエーテル、ブチルプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチル−メチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルプロピルエーテル、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジペンチルエーテル、ジイソアミルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロヘキシルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、シクロヘキシルエチルエーテル、シクロペンチルプロピルエーテル、シクロペンチル−２−プロピルエーテル、シクロヘキシルプロピルエーテル、シクロヘキシル−２−プロピルエーテル、シクロペンチルブチルエーテル、シクロペンチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、シクロヘキシルブチルエーテル、シクロヘキシル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル等のアルキルエーテル類；
【００８３】
１−プロパノール、ｎ−ブタノール、２−ブタノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、２−メチル−１−プロパノール、ネオペンチルアルコール、ｔｅｒｔ−アミルアルコール、イソアミルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、２−メチル−１−ブタノール、２−エチル−１−ブタノール、２−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール等のアルキルアルコール類；
デカン、ドデカン、ウンデカン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類等が挙げられる。
【００８４】
この溶剤（Ｄ）は、本酸転写用組成物において、前記重合体（Ａ）を１００質量部とした場合に、通常、１０〜１００００質量部含有され、２０〜８０００質量部が好ましく、３０〜６０００質量部がより好ましく、４０〜４０００質量部が更に好ましい。
更に、酸転写用組成物全体の粘度は特に限定されず、酸転写用組成物を塗布する方法等により適宜の粘度とすればよいが、例えば、温度２５℃おける粘度を１〜１００ｍＰａ・ｓとすることができる。この粘度は２〜８０ｍＰａ・ｓが好ましく、３〜５０ｍＰａ・ｓがより好ましい。
【００８５】
また、本酸転写用組成物には、上記溶剤（Ｄ）以外にも更に他の成分を含有できる。更に他の成分としては、界面活性剤（Ｅ）が挙げられる。界面活性剤（Ｅ）としては、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、含フッ素界面活性剤等が挙げられる。
【００８６】
具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等の他、ＮＢＸ−７、ＮＢＸ−８、ＮＢＸ−１５（商品名、ネオス社製）、ＳＨ８４００  ＦＬＵＩＤ（商品名、Ｔｏｒａｙ  Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ  Ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｃｏ．製）、ＫＰ３４１（商品名、信越化学工業株式会社製）、ポリフローＮｏ．７５、同Ｎｏ．９５（商品名、共栄社化学株式会社製）、エフトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（商品名、トーケムプロダクツ株式会社製）、メガファックスＦ１７１、Ｆ１７２、Ｆ１７３、Ｆ４７１、Ｒ−０７、Ｒ−０８（商品名、大日本インキ化学工業株式会社製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（商品名、住友スリーエム株式会社製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ−１０１、ＳＣ−１０２、ＳＣ−１０３、ＳＣ−１０４、ＳＣ−１０５、ＳＣ−１０６（商品名、旭硝子株式会社製）等を挙げることができる。尚、これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
この界面活性剤（Ｅ）を用いる場合、その量は特に限定されないが、通常、前記重合体（Ａ）の全量１００質量部に対して０．０１〜０．５質量部であり、好ましくは０．０２〜０．１質量部である。
【００８７】
更に、その他、酸転写用組成物には、架橋剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、着色剤、可塑剤、消泡剤等を適宜配合することができる。
【００８８】
［２］バイオチップの製造方法
本発明のバイオチップの製造方法は、（ａ）第１膜形成工程、（ｂ）第２膜形成工程、（ｃ）保護基除去工程、（ｄ）第２膜除去工程、（ｅ）第２化合物結合工程、を備えることを特徴とする（図１〜図３参照）。
【００８９】
前記「（ａ）第１膜形成工程」（図１のＰＲ１参照）は、酸に不安定な保護基Ｐを有する第１化合物を基板１０に直接的又は間接的に結合して第１膜２０を形成する工程ＰＲ１である。
【００９０】
前記「第１化合物」は、酸に不安定な保護基Ｐ（以下、単に「保護基」ともいう）を有する化合物である。第１化合物は保護基Ｐを有すればよく、他の構成は特に限定されず、例えば、下記（１）〜（３）に例示される化合物が挙げられる。即ち、
（１）基板表面と第２化合物とを結合させるためのカップリング化合物。より具体的には、保護基で保護された第２化合物との結合手及び基板表面との結合手を有する化合物、即ち例えば、保護基とシリル基とを有する化合物など。
（２）保護基を導入するための保護基導入化合物。より具体的には、アミノ基やヒドロキシル基を保護する保護基を導入するための化合物、即ち例えば、アミノ基にペプチド結合できる基と保護基とを有する化合物など。
（３）第２化合物を基板表面から離間させるためのスペーサ化合物。即ち例えば、アルキル鎖によって離間されたアミノ基にペプチド結合できる基及び保護基を有する化合物など。
【００９１】
前記例示した第１化合物のうち、（１）カップリング化合物は、通常、基板表面に対して直接的に結合されるが、他の化合物を介して基板表面に間接的に結合させてもよい。また、（２）保護基導入化合物及び（３）スペーサ化合物は、通常、他の化合物を介して基板表面と間接的に結合される。これらの（２）保護基導入化合物及び（３）スペーサ化合物と基板表面との間にはどのような化合物を介してもよいが、例えば、カップリング剤（カップリング化合物）を介することができる。
【００９２】
このうち（２）保護基導入化合物としては、保護基として有するオメガ−アミノカプロン酸系化合物のようなアミノアルキルカルボン酸等が挙げられる。このような化合物としては、６−Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルアミノカプロン酸、４−Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルアミノブタン酸、５−Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルアミノペンタン酸、７−Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルアミノヘプタン酸等のｔ−ブトキシカルボニル基を保護基として有するカルボン酸誘導体類等が挙げられる。
また、第１化合物として前記（２）保護基導入化合物を用いる際に、基板と第１化合物（保護基導入化合物）とを接続するカップンリグ剤（カップリング化合物）としては、アミノプロピルトリエトキシシラン等のアミノ基及びシリル基を有するカップリング剤や、ヒドロキシル基とシリル基とを有するカップリング剤が挙げられる。
【００９３】
その他、第１化合物としては、後述する第２化合物として挙げた各種化合物のうちの保護基を有する化合物や、後述する第２化合物として挙げた各種化合物に保護基が導入された誘導体などを用いることもできる。
【００９４】
前記「酸に不安定な保護基（Ｐ）」は、酸の存在下で解離する基であり、より具体的には酸性の基であり、更に詳しくは、フェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、酸性を有する水酸基等の酸性基中の水素原子を置換する基を意味する。この酸解離性基としては、ｔ−ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、（チオテトラヒドロピラニルスルファニル）メチル基、（チオテトラヒドロフラニルスルファニル）メチル基や、アルコキシ置換メチル基、アルキルスルファニル置換メチル基、アセタール基、ヘミアセタール基、下記式（２３）で表される基（以下、「酸解離性基（２３）」という）等を挙げることができる。
【００９５】
【化２７】
2011085767.tif 000028
〔式（２３）中、Ｒ１〜Ｒ３は、各々独立に、炭素数１〜１４の直鎖状のアルキル基、炭素数１〜１４の分岐状のアルキル基、炭素数３〜２０の非有橋式の１価の脂環式炭化水素基、炭素数３〜２０の有橋式の１価の脂環式炭化水素基、又は炭素数６〜２０の１価の芳香族基を示すか、或いは、Ｒ１〜Ｒ３のうちの何れか２つが結合して、炭素数３〜２０の非有橋式の２価の脂環式炭化水素基、又は炭素数３〜２０の有橋式の２価の脂環式炭化水素基を形成すると共に、Ｒ１〜Ｒ３のうちの残りの１つが、炭素数１〜１４の直鎖状のアルキル基、炭素数１〜１４の分岐状のアルキル基、炭素数３〜２０の非有橋式の１価の脂環式炭化水素基、炭素数３〜２０の有橋式の１価の脂環式炭化水素基、又は炭素数６〜２０の１価の芳香族基を示し、これらの各基は置換されていてもよい。］
【００９６】
式（２３）における炭素数１〜１４の直鎖状のアルキル基、及び、炭素数１〜１４の分岐状のアルキル基、としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、I-プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基等が挙げられる。
【００９７】
式（２３）における炭素数３〜２０の非有橋式の１価の脂環式炭化水素基、及び、炭素数３〜２０の有橋式の１価の脂環式炭化水素基、としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基；ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、ビシクロ［２．２．２］オクチル基、テトラシクロ［４．２．０．１２，５．１７，１０］ドデシル基、アダマンチル基等が挙げられる。
【００９８】
式（２３）における炭素数６〜２０の１価の芳香族基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。
【００９９】
式（２３）において、前記Ｒ１〜Ｒ３の各基は、各々独立に、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、オキソ基（＝Ｏ）、シアノ基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子等）、炭素数１〜１４の直鎖状のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基等）、炭素数１〜１４の分岐状のアルキル基（例えば、ｉ−プロピル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等）、炭素数１〜８の直鎖状のアルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基等）、炭素数１〜８の分岐状のアルコキシル基（例えば、ｉ−プロポキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等）、炭素数２〜８の直鎖状のアルコキシアルキル基（例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基等）、炭素数２〜８の分岐状のアルコキシアルキル基（例えば、ｔ−ブトキシメチル基等）、炭素数２〜８の直鎖状のアルコキシアルコキシル基（例えば、メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基基等）、炭素数２〜８の分岐状のアルコキシアルコキシル基（例えば、ｔ−ブトキシメトキシ基等）、炭素数２〜８の直鎖状のアルキルカルボニルオキシ基（例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基等）、炭素数２〜８の分岐状のアルキルカルボニルオキシ基（例えば、ｔ−ブチルカルボニルオキシ基等）、炭素数２〜８の直鎖状のアルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等）、炭素数２〜８の分岐状のアルコキシカルボニル基（例えば、ｔ−ブトキシカルボニル基等）、炭素数２〜１４の直鎖状のシアノアルキル基（例えば、シアノメチル基、２−シアノエチル基、３−シアノプロピル基、４−シアノブチル基等）、炭素数２〜１４の分岐状のシアノアルキル基、炭素数１〜１４の直鎖状のフルオロアルキル基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等）、炭素数１〜１４の分岐状のフルオロアルキル基などが挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【０１００】
また、前記アルコキシ置換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、ｎ−プロポキシメチル基、ｎ−ブトキシメチル基、ｎ−ペンチルオキシメチル基、ｎ−ヘキシルオキシメチル基、ベンジルオキシメチル基等を挙げることができる。
【０１０１】
前記アルキルスルファニル置換メチル基としては、例えば、メチルスルファニルメチル基、エチルスルファニルメチル基、メトキシエチルスルファニルメチル基、ｎ−プロピルスルファニルメチル基、ｎ−ブチルスルファニルメチル基、ｎ−ペンチルスルファニルメチル基、ｎ−ヘキシルスルファニルメチル基、ベンジルスルファニルメチル基等を挙げることができる。
【０１０２】
前記「基板（１０）」の種類は特に限定されず、無機材料からなってもよく、有機材料からなってもよく、これらの複合材料からなってもよい。また、基板１０は、その表面側と他面側とが異なる材料からなってもよい。この基板材料としては、例えば、シリコン、二酸化ケイ素及びガラス（ホウケイ酸ガラス、表面改質ガラス、石英ガラス等を含む）等のケイ素を主成分とする無機材料が挙げられる。また、ポリプロピレン及びポリアクリルアミド（アクリルアミドによって表面が活性化されたポリアクリルアミドを含む）等の有機材料が挙げられる。この他、保護基を有する化合物の層（第１膜に限られない）を固定化するのに適した反応性部位（例えば、活性なアミノ基など）を有する表面を有する当該分野において既知の他の基板を適宜用いることができる。
【０１０３】
前記第１膜２０は、どのようにして基板１０上に結合させてもよいが、通常、第１化合物を含む液体を基板１０（表面処理されていない基板及び表面処理された基板を含む）表面に塗布して、第１化合物と基板１０表面とを反応させて結合させる。この際の塗布方法等は特に限定されず、従来公知の回転塗布、流延塗布、ロール塗布及び印刷等の種々の方法を用いることができる。
【０１０４】
更に、第１化合物は、基板１０に直接結合させてもよく、他の化合物を介して間接的に結合させてもよい。即ち、換言すれば、第１膜（配向して並んだ複数の第１化合物又はその残基からなる膜）２０は基板１０に直接積層してもよく、１層又は２層以上の他膜を介して間接的に積層してもよい。
尚、第１化合物は、前記保護基を維持したまま、他部において前記基板に直接的に又は間接的に結合される。また、第１化合物は、この結合に際して、第１化合物の構造の一部が変化してもよく、変化しなくてもよい。変化する場合としては、第１化合物の構造の一部が脱離されて生じた結合手を利用する場合等が挙げられる。
【０１０５】
前記「（ｂ）第２膜形成工程」（図１のＰＲ２参照）は、第１膜２０上に、前記酸転写用組成物を用いて第２膜３０を形成する工程ＰＲ２である。
【０１０６】
前記酸転写用組成物を用いて第２膜３０を形成する方法は、特に限定されず、例えば、回転塗布、流延塗布、ロール塗布及び印刷等の適宜の塗布手段が挙げられる。
更に、この酸転写用組成物を塗布した後、必要に応じて、プレベーク（ＰＢ）することによって塗膜中の溶剤を揮発させることで第２膜３０を形成してもよい。このプレベークの加熱条件は、酸転写用組成物の配合組成によって適宜選択されるが、加熱温度は、通常、３０〜１５０℃、好ましくは５０〜１３０℃である。更に、加熱時間は、通常、３０〜３００秒間、好ましくは６０〜１８０秒間である。
また、第２膜３０の厚みは特に限定されないが、通常、１〜１００００ｎｍとすることが好ましく、５〜８００ｎｍとすることがより好ましく、１０〜５００ｎｍとすることが更に好ましい。
【０１０７】
前記「（ｃ）保護基除去工程」は、図１及び図２に例示されるように、第２膜３０を露光して、露光された部分に対応する第１膜３０から保護基Ｐを除去する工程ＰＲ３及びＰＲ４である（即ち、第１膜３０のうち露光部に対応した部分から保護基Ｐを除去する工程ＰＲ３及びＰＲ４）。
この保護基除去工程には、通常、第２膜３０に対して放射線を露光する露光工程ＰＲ３と、露光により第２膜３０内に生じた酸を第１膜２０へと転写（拡散）する転写工程ＰＲ４とを備える。
【０１０８】
このうち露光工程ＰＲ３は、マスク５０を介して第２膜３０を露光し、第２膜３０内で前記酸を発生させる工程である。これにより図１に例示するように、第２膜３０の露光された部位が酸発生部位３１となる。
露光に使用される放射線の種類は特に限定されず、第２膜３０に含まれる酸発生剤（Ｂ）の種類に応じて適宜選択される。更に、露光量等も第２膜３０に含まれる酸発生剤（Ｂ）の種類に応じて適宜選択される。
【０１０９】
また、酸転写工程ＰＲ４は、第２膜３０に発生した酸を第１膜２０へ転写する工程である。これにより図２に例示するように、酸発生部位３１に対応した第１膜２０を構成している第１化合物から保護基Ｐを除去することによって、第１膜２０の一部が酸転写部位２１（酸転写部位２１は保護基Ｐが解離された第１化合物の残基を含んでいる）となる。
この酸を転写する方法は特に限定されないが、具体的には、（１）加熱により転写する方法、（２）常温において放置することによって転写する方法、（３）浸透圧を利用して転写する方法などが挙げられる。これらの方法は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよいが、これらの中でも（１）加熱により転写する方法が転写効率に優れるため好ましい。
加熱により転写を行う場合の加熱条件は、特に限定されないが、加熱温度は、５０〜２００℃が好ましく、７０〜１５０℃が更に好ましい。更に、加熱時間は、３０〜３００秒間が好ましく、６０〜１８０秒間が更に好ましい。
また、加熱により転写を行う場合は、上記加熱条件により１回の加熱で完了してもよいが、結果的に上記加熱条件と同様の結果となるように、２回以上の加熱を行うこともできる。
【０１１０】
尚、前記（２）常温において放置することによって転写する方法とは、加熱を行わず、通常、温度２０〜３０℃の常温の環境に放置することで、第２膜３０内に発生された酸を自然に第１膜２０へと拡散させて転写する方法である。
【０１１１】
前記「（ｄ）第２膜除去工程」は、図２に例示されるように、第２膜３０を除去する工程ＰＲ５である。即ち、第２膜３０を除去すると共に、その層下に酸が転写された第１膜２０を露出させる工程ＰＲ５である。
第２膜３０の除去はどのような方法で行ってもよいが、通常、第２膜３０を有機溶剤により溶解させて行う。この有機溶剤は、第２膜３０を溶解させるものの、酸が転写された第１膜２０を溶解させないものである。
【０１１２】
このような有機溶剤は、第２膜３０及び第１膜２０の各膜を構成する成分によって適宜選択することが好ましく、第１膜２０が溶解されず且つ第２膜３０が溶解される有機溶剤であれば限定されないが、具体的には、アセトニトリル、アセトン、テトラヒドロフラン及びピリジン等が挙げられる。これらの有機溶剤は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【０１１３】
前記「（ｅ）第２化合物結合工程」は、第１膜のうち保護基が除去された部位に第２化合物を結合する工程ＰＲ６である。即ち、第１膜２０のうち酸転写されて保護基Ｐが解離された部位２１上に、第２化合物を含む部位４１を積層する工程である。
【０１１４】
前記「第２化合物」の種類は特に限定されず種々の化合物を用いることができる。この第２化合物としては、例えば、（１）ヌクレオチド｛ヌクレオチド、デオキシヌクレオチド及びこれらを除く類似体（合成ヌクレオチド類似体、合成デオキシヌクレオチド類似体など）を含む｝、（２）アミノ酸、（３）単糖類、又は（４）これらヌクレオチド、アミノ酸及び単糖類から選択される２以上の化合物が結合された結合体、（５）ペプチド核酸（ＰＮＡ）を合成するためのペプチド核酸形成用化合物（ペプチド核酸モノマー）、（６）各種の端部形成用化合物等が挙げられる。これらの第２化合物は保護基及び活性基を有していてもよい。また、これらの第２化合物は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【０１１５】
前記（１）ヌクレオチドとしては、デオキシヌクレオチド、合成ヌクレオチド類似体が挙げられる。
このうちヌクレオチドとしては、アデノシンホスフェート、グアノシンホスフェート、シチジンホスフェート、ウリジンホスフェート等が挙げられる。
また、デオキシヌクレオチドとしては、デオキシアデノシンホスフェート、デオキシグアノシンホスフェート、デオキシチジンホスフェート及びデオキシチミジンホスフェート等が挙げられる。
更に、合成ヌクレオチド類似体としては、２’−４’架橋ヌクレオチド類似体、３’−４’架橋ヌクレオチド類似体、５’−アミノ−３’，５’架橋ヌクレオチド類似体等の架橋型ヌクレオチド類似体等が挙げられる。
【０１１６】
前記（２）アミノ酸（Ｌ体及びＤ体を含む）としては、アルキル鎖を持つグリシン・アラニン・バリン・ロイシン・イソロイシン、ヒドロキシ基を持つセリン・トレオニン、硫黄を含むシステイン・メチオニン、アミド基を持つアスパラギン・グルタミン、イミノ基を持つプロリン、芳香族基を持つフェニルアラニン・チロシン・トリプトファン等が挙げられる。
前記（３）単糖類としては、グルコース、ガラクトース、マンノース、フコース、キシロース、Ｎ−アセチルグルコサミン、Ｎ−アセチルガラクトサミン等が挙げられる。
前記（４）の結合体としては、ヌクレオチド同士の結合体であるオリゴヌクレオチド、アミノ酸同士の結合体であるペプチド及び蛋白質、等が挙げられる。
【０１１７】
前記ペプチド核酸形成用化合物としては、Ｎ−（２−ｔ−ブチルオキシカルボニル−アミノエチル）−Ｎ−チミン−１−イルアセチル）グリシン、Ｎ−（Ｎ−４−（ベンジルオキシカルボニル）シトシン−１−イル）アセチル−Ｎ−（２−ｔ−ブチルオキシカルボニル−アミノエチル）グリシン、Ｎ−（Ｎ−６−（ベンジルオキシカルボニル）アデニン−９−イル）アセチル−Ｎ−（２−ｔ−ブチルオキシカルボニル−アミノエチル）グリシン及びＮ−（Ｎ−４−（ベンジルオキシカルボニル）グアニン−１−イル）アセチル−Ｎ−（２−ｔ−ブチルオキシカルボニル−アミノエチル）グリシン等が挙げられる。
【０１１８】
前記（５）端部形成用化合物としては、分子鎖末端を形成する化合物であり、各種保護基を有する保護基形成用化合物、各種キャッピング用化合物及び標識用化合物等が含まれる。このうち標識用化合物としては、各種蛍光標識用化合物（フロレシンイソチオシアネート等のフルオレセイン誘導体など）及び放射性同位体標識用化合物が含まれる。
【０１１９】
更に、前記第２化合物が有することができる保護基としては、前記第１化合物における酸に不安定な保護基がそのまま適用できる他、光に不安定な保護基を用いることもできる。
また、前記第２化合物が有することができる活性基としては、ホスホルアミダイト基、Ｈ−ホスホネート、ホスホジエステル、ホスホトリエステル及びリン酸トリエステル等の遊離の水酸基と反応し得るリン含有基が挙げられる。即ち、例えば、活性化されたヌクレオチドとしては、ホスホルアミダイトヌクレオチド分子が挙げられる。その他、光化学的活性基及び熱化学的活性基としては、アミノ基、チオール基、マレイミド基、Ｎ-ヒドロキシスクシンイミジルエステル基、ホルミル基、カルボキシル基、アクリルアミド基、エポキシ基等が挙げられる。
【０１２０】
そして、図３に例示されるように、前述の第１膜から保護基Ｐを解離させる操作と同様の操作（酸転写用組成物層形成工程ＰＲ７、露光工程ＰＲ８、酸転写工程ＰＲ９、酸転写用組成物層除去工程ＰＲ１０）を施すことにより、保護基が残存された第１膜（第２化合物が結合されていない部位）から保護基Ｐを解離させ、その後、第３化合物結合工程ＰＲ１１を施すことによって、第１化合物の残基に対して第３化合物を結合させて、第３化合物の残基からなる部位４２を形成することができる。
【０１２１】
更に、図２の最下図に例示するように、前記第２化合物が酸に不安定な保護基Ｐを有する場合には、前記と同様の操作を施すことで、第２化合物の残基からなる部位４１上に他の化合物（第４化合物、第５化合物など）を結合させることができる。このように同様の操作を繰り返すことによって、基板上で高い自由度をもって高分子を合成できる。
尚、第２化合物に関する説明は、前記第３化合物、前記第４化合物及び前記第５化合物にそのまま適用できる。また、第１化合物、第２化合物、第３化合物、第４化合物及び第５化合物等は各々同じであってもよく異なっていてもよい。
【０１２２】
本発明の製造方法によれば、基板上で高い自由度で高分子を設計することができる。この方法により合成される高分子は特に限定されないが、生体高分子及び擬似生体高分子の合成に特に好適である。このような高分子としては、核酸及び蛋白質が挙げられる。核酸としては、ＤＮＡ、ＲＮＡ及びＰＮＡ（Ｐｅｐｔｉｄｅ  Ｎｕｃｌｅｉｃ  Ａｃｉｄ）の他、架橋型ヌクレオチド類似体を一部又は全部に用いて合成された人工核酸〔ＬＮＡ｛Ｌｏｃｋｅｄ  Ｎｕｃｌｅｉｃ  Ａｃｉｄ（Ｐｒｏｌｉｇｏ  ＬＬＣ社商標）｝及びＢＮＡなど〕が挙げられる。このうちＰＮＡは、ＤＮＡ及びＲＮＡがリン酸結合骨格を有するのに対して、ペプチド結合骨格を有する擬似生体高分子である。このＰＮＡは、通常、アミノエチルグリシン誘導体を単量体とする高分子である。
【０１２３】
［３］バイオチップ
本発明のバイオチップは、本発明のバイオチップの製造方法により形成されたことを特徴とする。即ち、本発明のバイオチップは、少なくとも前記基板１０と、該基板１０上に配置され、前記第１膜等から構成されたプローブとを有する。このプローブとしては、ＤＮＡ、ＲＮＡ、ＰＮＡ、ＢＮＡ、人工核酸、プロテイン（ペプチド）、糖鎖、及びこれらを組み合わせたプローブ等が挙げられる。
このバイオチップとしては、具体的には、ＤＮＡチップ、ＲＮＡチップ、プロテインチップ、及び糖鎖チップ等が挙げられる。更には、これらの２種以上の機能を有する複合チップであってもよい。
このバイオチップは、通常、１〜１０ｍｍ四方の基板の上に、数千〜数万種類のプローブが形成されたものであり、検体となるＤＮＡ等の発現パターンを同時に解析できる基板である。遺伝子発現のパターンニグ、新規遺伝子のスクーリング、遺伝子多型、及び遺伝子変異等の検出に好適に用いることができる。
【０１２４】
［４］重合体
本発明の重合体は、ナフタレン構造と、前記式（２）に示す構成単位と、を有することを特徴とする。即ち、前記［１］酸転写性組成物において述べた重合体（Ａ）のうち、前記式（２）に示す構成単位を必須成分とする重合体である。更に、この重合体は、前記ナフタレン構造を含んだ前記式（１）に示す構成単位を有することが好ましい。この他のことについては、前記重合体（Ａ）における説明がそのまま適用される。
【実施例】
【０１２５】
以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。但し、本発明は、この実施例に何ら制約されるものではない。尚、実施例及びその表の記載における「部」及び「％」は、特記しない限り質量基準である。
【０１２６】
［１］第１膜形成用組成物の調製
酸解離性基含有樹脂を形成する単量体として、酸解離性基を有する単量体にビス−（４−メトキシフェニル）−ベンジルアクリレート、フェノール性水酸基を有する単量体にｐ−イソプロペニルフェノール、その他の単量体にｐ−ヒドロキシフェニルメタクリルアミド、ヒドロキシエチルアクリレート及びフェノキシポリエチレングリコールアクリレートを用いた。
【０１２７】
ビス−（４−メトキシフェニル）−ベンジルアクリレート２０ｇ、ｐ−イソプロペニルフェノール３０ｇ、ｐ−ヒドロキシフェニルメタクリルアミド２０ｇ、ヒドロキシエチルアクリレート２０ｇ、及びフェノキシポリエチレングリコールアクリレート１０ｇと、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）１２０ｇと、を混合して攪拌し、均一な溶液に調製した。
【０１２８】
その後、得られた溶液を３０分間窒素ガスによりバブリングした。次いで、重合開始剤として２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）４ｇ添加し、窒素ガスによるバブリングを継続しながら、反応温度を７０℃に維持して３時間重合を行った。次いで、更にＡＩＢＮ１ｇを添加して３時間反応した後、１００℃で１時間反応させて、重合を終了した。その後、得られた反応溶液と多量のヘキサンと混合し、反応溶液内の生成物を凝固させた。次いで、凝固された生成物をテトラヒドロフランに再溶解した後、再度ヘキサンにより凝固させる操作を数回繰り返して未反応モノマーを除去し、減圧下５０℃で乾燥して酸解離性基含有樹脂を得た。
得られた酸解離性基含有樹脂の収率は９５％であり、Ｍｗは１５，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２．５であった。
【０１２９】
その後、得られた酸解離性基含有樹脂（１００質量部）、界面活性剤としてＮＢＸ−１５〔ネオス社製〕（０．０５質量部）、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（２０００質量部）を混合し、攪拌により均一な溶液とした後、この溶液を孔径０．５μｍのカプセルフィルターでろ過して第１膜形成用組成物を得た。
【０１３０】
尚、この合成におけるＭｗの測定は下記の要領で行った。更に、後述する各合成においても同様である。
東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ２本、Ｇ３０００ＨＸＬ１本、４０００ＨＸＬ１本）を用い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定した。また、分散度Ｍｗ／Ｍｎは測定結果より算出した。
【０１３１】
［２］酸転写用組成物の調製（実験例１〜５及び比較例１〜２）
（１）重合体（Ａ）の調製
［実施合成例１］重合体Ａ−１
本実施合成例１は、前記式（１）で表される構成単位（Ａ１）を導入するための単量体（Ａｍ１）として下記式（２４）で表される４−メトキシ−１−アクリロイルオキシナフタレン（即ち、１−アクリロキシ−４−メトキシナフタレン）を用いた。更に、前記式（２）で表される構成単位（Ａ２）を導入するための単量体（Ａｍ２）としてＮ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドを用いた。更に、その他の構成単位を導入する単量体（Ａ３）としてメチルメタクリレートを用いた。
【化２８】
2011085767.tif 000029
【０１３２】
５００ｍＬビーカー中に４−メトキシ−１−アクリロイルオキシナフタレン（単量体Ａｍ１、川崎化成工業株式会社製）１０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド（単量体Ａｍ２、株式会社興人製）２０ｇ、メチルメタクリレート（単量体Ａｍ３、三菱マテリアル株式会社製）７０ｇ、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（重合開始剤）５．０ｇを仕込み、重合開始剤が溶解するまで攪拌し均一な溶液を得た。
【０１３３】
また、別途、窒素置換したドライアイス／メタノール還流器の付いたフラスコ中に、シクロヘキサノン（溶媒）１５０ｇを仕込み、ゆるやかに攪拌を開始し８０℃まで昇温した。その後、８０℃にて、前記溶液を３時間かけて少量ずつ連続滴下した。滴下後、更に８０℃にて３時間重合を行い、その後、１００℃に昇温して１時間攪拌を行って重合を終了した。その後、得られた反応溶液を多量のシクロヘキサン中に滴下して生成物を凝固させた。次いで、得られた凝固物を水洗後、凝固物と同質量のテトラヒドロフランに再溶解し、多量のシクロヘキサンに滴下して再度凝固させた。この再溶解及び凝固を行うサイクルを計３回行った後、得られた凝固物を４０℃で４８時間真空乾燥して重合体Ａ−１｛構成単位（Ａ１）及び構成単位（Ａ２）を含む｝を得た。
得られた重合体Ａ−１の収率は９０％であり、Ｍｗは８，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２．４であった。
【０１３４】
［実施合成例２］重合体Ａ−２
本実施合成例２では、前記実施合成例１における４−メトキシ−１−アクリロイルオキシナフタレン（単量体Ａｍ１、川崎化成工業株式会社製）を２０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド（単量体Ａｍ１、株式会社興人製）を２０ｇ）、メチルメタクリレート（単量体Ａｍ２、三菱マテリアル株式会社製）を６０ｇとした以外は、前記実施合成例１と同様にして重合体Ａ−２｛構成単位（Ａ１）及び構成単位（Ａ２）を含む｝を得た。得られた重合体Ａ−２のＭｗは７，５００であった。
【０１３５】
［比較合成例３］重合体Ｒ−１
重合体（Ａ）に対する比較樹脂として重合体Ｒ−１を調製した。
重合体Ｒ−１は以下のように調製した。即ち、５００ｍＬビーカー中にＮ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド（株式会社興人製）２０ｇ、メチルメタクリレート（三菱マテリアル株式会社製）８０ｇ、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（重合開始剤）５．０ｇを仕込み、重合開始剤が溶解するまで攪拌し均一な溶液を得た。
【０１３６】
また、別途、窒素置換したドライアイス／メタノール還流器の付いたフラスコ中に、シクロヘキサノン（溶媒）１５０ｇを仕込み、ゆるやかに攪拌を開始し８０℃まで昇温した。その後、８０℃にて、前記溶液を３時間かけて少量ずつ連続滴下した。滴下後、更に８０℃にて３時間重合を行い、その後、１００℃に昇温して１時間攪拌を行って重合を終了した。その後、得られた反応溶液を多量のシクロヘキサン中に滴下して生成物を凝固させた。次いで、得られた凝固物を水洗後、凝固物と同質量のテトラヒドロフランに再溶解し、多量のシクロヘキサンに滴下して再度凝固させた。この再溶解及び凝固を行うサイクルを計３回行った後、得られた凝固物を４０℃で４８時間真空乾燥して重合体Ｒ−１｛構成単位（Ａ１）を含まない｝を得た。
得られた重合体Ｒ−１の収率は９２％であり、Ｍｗは９，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２．３であった。
【０１３７】
前記重合体Ａ−１、重合体Ａ−２、重合体Ｒ−１は以下の通りである。
【表１】
2011085767.tif 000030
【０１３８】
（２）他成分との混合
重合体（Ａ）として、前記重合体Ａ−１及びＡ−２を用い、重合体（Ａ）に対する比較樹脂としてＲ−１を用いた。
酸発生剤（Ｂ）として、下記式（１４）に示すイミドスルホネート基を有する酸発生剤（みどり化学株式会社製、品名「ＮＡＩ−１０６」）を用いた。
【化２９】
2011085767.tif 000031
増感剤（Ｃ）として、下記式（２２−１）に示す２−イソプロピルチオキサントン（Ｌａｍｂｓｏｎ  Ｌｔｄ製、品名「ＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＩＴＸ」を用いた。
【化３０】
2011085767.tif 000032
溶剤（Ｄ）として、シクロヘキサノンを用いた。
【０１３９】
これらの各成分を表２に示す配合となるように混合し、攪拌により均一な溶液（表２に示す各固形分濃度）とした。この溶液を孔径０．５μｍのカプセルフィルターでろ過して７種類の酸転写用組成物（実験例１〜５及び比較例１〜２）を得た。
【表２】
2011085767.tif 000033
【０１４０】
［３］パターンの形成
（１）第１膜形成工程
シリコン基板の表面にスピンコーターを用いて、前記［１］で得られた第１膜形成用組成物を塗布した。その後、ホットプレート上で１１０℃で１分間加熱して、厚さ３００ｎｍの第１膜を形成した。
【０１４１】
（２）第２膜形成工程（Ｉ）
前記（１）で得られた第１膜の表面にスピンコーターを用いて、前記［２］で得られた実験例１〜５及び比較例１〜２のいずれかの酸転写用組成物を塗布した。その後、ホットプレート上で１００℃で１分間加熱して、厚さ３００ｎｍの第２膜を形成した。
【０１４２】
（３）露光工程（ＩＩ）
パターンマスクを介して、前記（２）で得られた第２膜の表面に、超高圧水銀灯（ＯＳＲＡＭ社製、形式「ＨＢＯ」、出力１，０００Ｗ）を用いて１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外光を照射した。露光量は、照度計〔株式会社オーク製作所製、形式「ＵＶ−Ｍ１０」（照度計）に、形式「プローブＵＶ−３５」（受光器）をつないだ装置〕により確認した。
【０１４３】
（４）酸転写工程（ＩＩＩ）
前記（３）までに得られた積層体をホットプレート上にて、１１０℃で１分間加熱処理を行った。
【０１４４】
（５）第２膜除去工程（ＩＶ）
前記（４）までに得られた積層体をアセトニトリルに３０秒間浸漬して、第２膜のみを除去した。
【０１４５】
（６）第２化合物結合工程
前記（４）の工程で第１膜から保護基が解離されて形成されると共に、前記（５）の工程でガラス基板表面に露出されアミノ基（遊離アミノ基）に、１ｍＭのフロレシンイソチオシアネート（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、第２化合物）を含むＤＭＦ溶液中において、常温で１時間反応させて蛍光標識を形成する。その後、エタノール、水及びエタノールの順に洗浄した後、乾燥させて暗室に保管する。
【０１４６】
［４］スポット形状の評価及び感度評価
前記［３］（６）までに得られた基板を、顕微レーザーラマン分光装置（Ｒｅｎｉｓｈａｗ社製）を用いて、基板表面に形成された全スポットについて、イソチオシアネート基による吸収領域として観察すると共に、各スポット形状がパターンマスクに正確に対応した５０μｍ×５０μｍに形成されているかを確認する。そして、上記吸収領域が５０μｍ×５０μｍの形状に対して欠損が認められる数を換算し、下記基準に基づいて評価し、前記表２に併記した。また、表２における感度とは、５０μｍ×５０μｍに形成された、前記（３）での最小露光量を示す。
「○」；全スポットに欠損が認められない。
「△」；全スポット数に対して５０％以下のスポットに欠損が認められる。
「×」；全数に対して５０％を越えるスポットに欠損が認められる。
【０１４７】
尚、本発明においては、上記の具体的実施例に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができる。
【符号の説明】
【０１４８】
１０；基板、
２０；第１膜（第１化合物膜）、２１；保護基が解離された部位、Ｐ；保護基、
３０；第２膜（酸転写用膜）、３１；酸発生部位、
４１；第２化合物の残基からなる部位、４２；第３化合物（他の第２化合物）の残基からなる部位、５０；マスク、
ＰＲ１；第１膜形成工程、ＰＲ２；第２膜形成工程、ＰＲ３；露光工程（保護基除去工程の一部）、ＰＲ４；酸転写工程（保護基除去工程の一部）、ＰＲ５；第２膜除去工程、ＰＲ６；第２化合物結合工程、ＰＲ７；酸転写用組成物膜形成工程、ＰＲ８；露光工程、ＰＲ９；酸転写工程、ＰＲ１０；酸転写用組成物膜除去工程、ＰＲ１１；第３化合物結合工程。
【図１】
2011085767.tif 000039
【図２】
2011085767.tif 000040
【図３】
2011085767.tif 000041