(57)【要約】【課題】製造工程を簡略化することによって効率的に半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板にボロンを拡散させることによってシリコン基板にｐ型不純物拡散領域を形成する工程と、ｐ型不純物拡散領域の形成の際に生じたｐ型不純物拡散領域上のボロンシリサイド層上に酸化シリコンおよび酸化シリコン前駆体の少なくとも一方からなる拡散抑制マスクを設置する工程と、拡散抑制マスクが設置されたシリコン基板にｎ型不純物を拡散させることによってシリコン基板にｎ型不純物拡散領域を形成する工程と、ｎ型不純物拡散領域の形成の際に生じたボロンシリケートガラス層を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法である。【選択図】図１
2011029553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板にボロンを拡散させることによって前記シリコン基板にｐ型不純物拡散領域を形成する工程と、
前記ｐ型不純物拡散領域の形成の際に生じた前記ｐ型不純物拡散領域上のボロンシリサイド層上に酸化シリコンおよび酸化シリコン前駆体の少なくとも一方からなる拡散抑制マスクを設置する工程と、
前記拡散抑制マスクが設置された前記シリコン基板にｎ型不純物を拡散させることによって前記シリコン基板にｎ型不純物拡散領域を形成する工程と、
前記ｎ型不純物拡散領域の形成の際に生じたボロンシリケートガラス層を除去する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ｐ型不純物拡散領域を形成する工程と前記拡散抑制マスクを設置する工程との間に前記ｐ型不純物拡散領域の形成の際に前記ボロンシリサイド層上に生じたボロンシリケートガラス層を除去する工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記拡散抑制マスクは、気相法およびマスキングペーストの塗布の少なくとも一方を用いて前記ボロンシリサイド層上に設置されることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ｐ型不純物拡散領域は、ボロンを含むｐ型不純物拡散剤が塗布された前記シリコン基板を加熱することによって形成されることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エネルギ資源の枯渇の問題や大気中のＣＯ2の増加のような地球環境問題等からクリーンなエネルギの開発が望まれており、特に、太陽電池を用いた太陽光発電が新しいエネルギ源として開発、実用化され、発展の道を歩んでいる。
【０００３】
太陽電池の種類には、化合物半導体を用いたものや有機材料を用いたものなどの様々なものがあるが、現在、シリコン結晶を用いた太陽電池が主流となっている。そして、現在、最も多く製造および販売されている太陽電池は、太陽光が入射する側の面（受光面）にｎ電極が形成されており、受光面と反対側の面（裏面）にｐ電極が形成されている構成の両面電極型太陽電池セルとなっている。
【０００４】
また、太陽電池の受光面には電極を形成せず、裏面のみにｎ電極およびｐ電極を形成した構成の裏面電極型太陽電池セルも提案されている（たとえば特許文献１参照）。
【０００５】
以下、図３（ａ）〜図３（ｎ）の模式的断面図を参照して、従来の裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について説明する。
【０００６】
まず、図３（ａ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１を用意し、次に、図３（ｂ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の表面の一部にＳｉＯ2膜１０２を形成する。ここで、ＳｉＯ2膜１０２は、ｎ型シリコン基板１０１の表面全面にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によりＳｉＯ2膜を形成した後にその一部をエッチングにより除去することによって形成することができる。
【０００７】
次に、図３（ｃ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１のＳｉＯ2膜１０２からの露出面上にボロンを含むボロンペースト１０３を塗布する。
【０００８】
次に、図３（ｄ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１を加熱することによってボロンペースト１０３からｎ型シリコン基板１０１にボロンを拡散させてボロン拡散層１０４を形成する。この際に、ボロン拡散層１０４上にボロンシリサイド層１０５が形成されるとともに、ボロンシリサイド層１０５上にボロンシリケートガラス層１０６が形成される（たとえば特許文献２の［００１３］参照）。
【０００９】
次に、図３（ｅ）に示すように、フッ酸を用いたエッチングによりｎ型シリコン基板１０１の表面からＳｉＯ2膜１０２およびボロンシリケートガラス層１０６を除去する。ここで、ボロンシリサイド層１０５はフッ酸によってエッチングされないためｎ型シリコン基板１０１の表面上に残ることになる（たとえば特許文献２の［００１３］参照）。
【００１０】
次に、図３（ｆ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１を高温の酸素雰囲気に所定時間設置することによってボロンシリサイド層１０５をボロンシリケートガラス層１０６に変化させる（たとえば特許文献２の［００１４］参照）。
【００１１】
次に、図３（ｇ）に示すように、フッ酸を用いたエッチングによりｎ型シリコン基板１０１の表面からボロンシリケートガラス層１０６をエッチングにより除去することによってボロン拡散層１０４の表面を露出させる。
【００１２】
次に、図３（ｈ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の表面のボロン拡散層１０４上にマスキングペースト１０７を塗布する。
【００１３】
次に、図３（ｉ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１のマスキングペースト１０７からの露出面にリンを含むリンペースト１０９を塗布した後にｎ型シリコン基板１０１を加熱することによってｎ型シリコン基板１０１にリンを拡散させてリン拡散層１０８を形成する。
【００１４】
次に、図３（ｊ）に示すように、マスキングペースト１０７およびリンペースト１０９を除去することによって、ｎ型シリコン基板１０１の表面にボロン拡散層１０４の表面およびリン拡散層１０８の表面をそれぞれ露出させる。
【００１５】
次に、図３（ｋ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の受光面をテクスチャエッチングすることによってｎ型シリコン基板１０１の受光面にテクスチャ構造１１０を形成する。
【００１６】
次に、図３（ｌ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の受光面のテクスチャ構造１１０上に反射防止膜１１２を形成するとともに、ｎ型シリコン基板１０１の裏面にパッシベーション膜１１１を形成する。
【００１７】
次に、図３（ｍ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の裏面のパッシベーション膜１１１の一部を除去して、ｎ型シリコン基板１０１の裏面のリン拡散層１０８の一部を露出させるコンタクトホール１１３およびボロン拡散層１０４の一部を露出させるコンタクトホール１１４をそれぞれ形成する。
【００１８】
次に、図３（ｎ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の裏面のコンタクトホール１１３を通してリン拡散層１０８に接するｎ電極１１５を形成するとともに、ｎ型シリコン基板１０１の裏面のコンタクトホール１１４を通してボロン拡散層１０４に接するｐ電極１１６を形成する。以上により、従来の裏面電極型太陽電池セルが作製される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１９】
【特許文献１】特開２００６−１５６６４６号公報
【特許文献２】特開２００２−２９９２６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
しかしながら、図３（ａ）〜図３（ｎ）に示される従来の裏面電極型太陽電池セルの製造方法においては、ボロン拡散層１０４の形成の際に生じたボロンシリサイド層１０５（図３（ｅ）参照）を高温の酸素雰囲気に所定時間設置することによってボロンシリケートガラス層１０６とした（図３（ｆ）参照）後に、フッ酸によりボロンシリケートガラス層１０６をエッチングにより除去する必要があった（図３（ｇ）参照）ため、工数が多く、効率的に裏面電極型太陽電池セルを製造することができないという問題があった。
【００２１】
また、裏面電極型太陽電池セルだけでなく、上述したような受光面と裏面にｐ電極およびｎ電極がそれぞれ設けられた両面電極型太陽電池セルや、たとえばトランジスタのような電子デバイスなどの半導体装置についても共通する問題である。
【００２２】
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、製造工程を簡略化することによって効率的に半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明は、シリコン基板にボロンを拡散させることによってシリコン基板にｐ型不純物拡散領域を形成する工程と、ｐ型不純物拡散領域の形成の際に生じたｐ型不純物拡散領域上のボロンシリサイド層上に酸化シリコンおよび酸化シリコン前駆体の少なくとも一方からなる拡散抑制マスクを設置する工程と、拡散抑制マスクが設置されたシリコン基板にｎ型不純物を拡散させることによってシリコン基板にｎ型不純物拡散領域を形成する工程と、ｎ型不純物拡散領域の形成の際に生じたボロンシリケートガラス層を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法である。
【００２４】
ここで、本発明の半導体装置の製造方法は、ｐ型不純物拡散領域を形成する工程と拡散抑制マスクを設置する工程との間にｐ型不純物拡散領域の形成の際にボロンシリサイド層上に生じたボロンシリケートガラス層を除去する工程を含むことが好ましい。
【００２５】
また、本発明の半導体装置の製造方法において、拡散抑制マスクは、気相法およびマスキングペーストの塗布の少なくとも一方を用いてボロンシリサイド層上に設置されることが好ましい。
【００２６】
また、本発明の半導体装置の製造方法において、ｐ型不純物拡散領域は、ボロンを含むｐ型不純物拡散剤が塗布されたシリコン基板を加熱することによって形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、製造工程を簡略化することによって効率的に半導体装置を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】（ａ）〜（ｌ）は、本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図２】図１（ａ）〜図１（ｌ）のようにして製造された裏面電極型太陽電池セルの裏面の一例の模式的な平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｎ）は、従来の裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００３０】
以下、図１（ａ）〜図１（ｌ）の模式的断面図を参照して、本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について説明する。
【００３１】
まず、図１（ａ）に示すように、ｎ型またはｐ型の導電型を有するシリコン基板１を用意する。ここで、シリコン基板１の大きさおよび形状は特に限定されないが、たとえば厚さを１００μｍ以上３００μｍ以下とし、１辺の長さを１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下とした四角形状の表面を有するものとすることができる。
【００３２】
また、シリコン基板１は、たとえばインゴットからスライスされることにより生じたスライスダメージを除去することによって得られたものであってもよい。ここで、スライスダメージの除去は、たとえば、スライス後のシリコン基板１の表面をフッ酸と硝酸との混酸または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液などでエッチングすることなどによって行なうことができる。
【００３３】
次に、図１（ｂ）に示すように、シリコン基板１の裏面となる表面の一部に第１の拡散抑制マスク２を形成する。
【００３４】
ここで、第１の拡散抑制マスク２は、たとえば、シリコン基板１の表面全面にＣＶＤ法などの気相法によりたとえばＳｉＯ2などの酸化シリコン膜を形成した後にその一部をエッチングにより除去することなどによって形成することができる。また、第２の拡散抑制マスク７は、たとえば、酸化シリコン前駆体となる後述のマスキングペーストを印刷した後に乾燥することによっても形成することができる。
【００３５】
また、第１の拡散抑制マスク２は、たとえば、酸化シリコン前駆体となるマスキングペーストを印刷した後に乾燥することによっても形成することができる。マスキングペーストの印刷方法としては、たとえばインクジェット塗布、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷または平版印刷などの印刷方法を用いることができる。
【００３６】
また、酸化シリコン前駆体となるマスキングペーストとしては、たとえば、シラン化合物を含むものなどを用いることができる。
【００３７】
ここで、シラン化合物としては、たとえば、以下の一般式（１）で表わされるシラン化合物を用いることができる。
【００３８】
Ｒ1nＳｉ（ＯＲ2）4-n  …（１）
なお、上記の一般式（１）において、Ｒ1は、メチル基、エチル基またはフェニル基を示す。また、上記の一般式（１）において、Ｒ2は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基などの炭素数１〜４の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を示す。また、上記の一般式（１）において、ｎは０〜４の整数を示す。
【００３９】
上記の一般式（１）で表わされるシラン化合物としては、たとえば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、それらの塩（テトラエチルオルトケイ酸塩など）などを単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。
【００４０】
また、マスキングペーストは、溶媒および増粘剤などを含んでいてもよく、塗布方法に最適な粘度に調整されていることが好ましい。
【００４１】
ここで、溶媒としては、たとえばイソプロピルアルコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールなどのアルコール；エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル；２，２−ブトキシエチルアセテート、プロピレンカーボネートなどのエステル；Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのケトン；または水などの少なくとも１種を用いることができる。
【００４２】
また、増粘剤としては、必要に応じてたとえばエチルセルロースやナトリウムカルボキシメチルヒドロキシエチルセルロースなどのセルロース誘導体；ナイロン６などのポリアミド樹脂；またはポリビニルピロリドンなどのビニル基が重合したポリマーなどの少なくとも１種を用いることができる。
【００４３】
次に、図１（ｃ）に示すように、シリコン基板１の裏面となる表面における第１の拡散抑制マスク２からの露出面上にボロンを含むｐ型不純物拡散剤３を塗布する。
【００４４】
ここで、ｐ型不純物拡散剤３としては、たとえば、酸化ホウ素、ホウ酸、有機ホウ素化合物またはホウ素−アルミニウム化合物などの少なくとも１種のボロン源を含むものを単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。
【００４５】
また、ｐ型不純物拡散剤３は、ボロン源以外の成分として、たとえば、溶媒および増粘剤などを含んでいてもよく、塗布方法に最適な粘度に調整されていることが好ましい。
【００４６】
ここで、溶媒としては、たとえばイソプロピルアルコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールなどのアルコール；エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル；２，２−ブトキシエチルアセテート、プロピレンカーボネートなどのエステル；Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのケトン；または水などの少なくとも１種を用いることができる。
【００４７】
また、増粘剤としては、必要に応じてたとえばエチルセルロースやナトリウムカルボキシメチルヒドロキシエチルセルロースなどのセルロース誘導体；ナイロン６などのポリアミド樹脂；またはポリビニルピロリドンなどのビニル基が重合したポリマーなどの少なくとも１種を用いることができる。
【００４８】
さらに、ｐ型不純物拡散剤３は、上記以外にも、たとえば、酸、消泡剤、接着調整剤、湿潤剤、レベリング剤、シキソトロピー剤などを含んでいてもよい。
【００４９】
また、ｐ型不純物拡散剤３の塗布方法としては、たとえば、スピンコート、スプレー塗布、ディスペンサを用いた塗布、インクジェット塗布、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷または平版印刷などを用いることができる。
【００５０】
次に、図１（ｄ）に示すように、シリコン基板１の裏面となる表面の一部にボロンを含むｐ型不純物拡散剤３を設置した状態でシリコン基板１を加熱することによって、シリコン基板１にｐ型不純物拡散剤３からボロンを拡散させてｐ型不純物拡散領域４を形成する。また、このｐ型不純物拡散領域４の形成時に、シリコン基板１とｐ型不純物拡散剤３とが反応することなどによって、ｐ型不純物拡散領域４上にボロンシリサイド層５が形成されるとともに、ボロンシリサイド層５上にボロンシリケートガラス層６が形成される。
【００５１】
ここで、シリコン基板１の加熱方法としては、たとえば、酸素を含む窒素雰囲気中でシリコン基板１を８００〜１０００℃で１０〜１２０分加熱する方法などが挙げられる。
【００５２】
なお、「ボロンシリケートガラス層」はシリコン基板へのボロン拡散時にシリコン基板とボロンと雰囲気中等に存在する酸素が反応して形成された層のことであり、「ボロンシリサイド層」はボロンシリケートガラス層とシリコン基板との間に形成されるシリコンとボロンとの化合物層のことである。
【００５３】
次に、図１（ｅ）に示すように、シリコン基板１の裏面となる表面から第１の拡散抑制マスク２およびボロンシリケートガラス層６を除去してボロンシリサイド層５の表面を露出させる。
【００５４】
ここで、第１の拡散抑制マスク２およびボロンシリケートガラス層６の除去は、たとえば、フッ酸を用いたエッチングにより行なうことができる。
【００５５】
次に、図１（ｆ）に示すように、シリコン基板１の裏面のボロンシリサイド層５の表面上に第２の拡散抑制マスク７を形成する。
【００５６】
ここで、第２の拡散抑制マスク７は、たとえば、シリコン基板１の表面全面にＣＶＤ法などの気相法によりたとえばＳｉＯ2などの酸化シリコン膜を形成した後にその一部をエッチングにより除去することなどによって形成することができる。
【００５７】
また、第２の拡散抑制マスク７は、たとえば、酸化シリコン前駆体となるマスキングペーストを印刷した後に乾燥することによっても形成することができる。なお、マスキングペーストの印刷方法および成分などの説明は、上記と同様であるため、ここではその説明は省略する。
【００５８】
次に、図１（ｇ）に示すように、シリコン基板１の第２の拡散抑制マスク７からの露出面にリンなどのｎ型不純物を含むｎ型不純物拡散剤９を塗布した後にシリコン基板１を加熱することによってシリコン基板１にｎ型不純物を拡散させてｎ型不純物拡散層８を形成する。このｎ型不純物拡散層８の形成時に、ボロンシリサイド層５は第２の拡散抑制マスク７（酸化シリコンまたは酸化シリコン前駆体）と反応して消失し、ボロンシリサイド層５と第２の拡散抑制マスク７との反応生成物としてボロンシリケートガラス層６が生成する。
【００５９】
ここで、シリコン基板１の加熱方法としては、たとえば、酸素を含む窒素雰囲気中でシリコン基板１を８００〜１０００℃で１０〜１２０分加熱する方法などが挙げられる。
【００６０】
また、ｎ型不純物拡散剤９としては、たとえば、リン酸塩、酸化リン、五酸化二リン、リン酸または有機リン化合物などの少なくとも１種のｎ型不純物源を含むものを単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。
【００６１】
また、ｎ型不純物拡散剤９は、ｎ型不純物源以外の成分として、たとえば、溶媒および増粘剤などを含んでいてもよく、塗布方法に最適な粘度に調整されていることが好ましい。
【００６２】
ここで、溶媒としては、たとえばイソプロピルアルコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールなどのアルコール；エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル；２，２−ブトキシエチルアセテート、プロピレンカーボネートなどのエステル；Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのケトン；または水などの少なくとも１種を用いることができる。
【００６３】
また、増粘剤としては、必要に応じてたとえばエチルセルロースやナトリウムカルボキシメチルヒドロキシエチルセルロースなどのセルロース誘導体；ナイロン６などのポリアミド樹脂；またはポリビニルピロリドンなどのビニル基が重合したポリマーなどの少なくとも１種を用いることができる。
【００６４】
また、ｎ型不純物拡散剤９は、ｎ型不純物源以外の成分として、たとえば、溶媒、増粘剤、酸、消泡剤、接着調整剤、湿潤剤、レベリング剤、シキソトロピー剤などを含んでいてもよい。
【００６５】
次に、図１（ｈ）に示すように、ボロンシリケートガラス層６およびｎ型不純物拡散剤９を除去することによって、シリコン基板１の裏面となる表面にｐ型不純物拡散領域４の表面およびｎ型不純物拡散領域８の表面をそれぞれ露出させる。ここで、ボロンシリケートガラス層６およびｎ型不純物拡散剤９は、たとえば、フッ酸を用いたエッチングにより除去することができる。
【００６６】
次に、図１（ｉ）に示すように、シリコン基板１の裏面とは反対側の受光面となる表面にテクスチャ構造１０を形成する。
【００６７】
ここで、テクスチャ構造１０は、たとえば、シリコン基板１の受光面となる表面をテクスチャエッチングすることにより形成することができる。ここで、テクスチャエッチングは、たとえば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液をたとえば７０℃以上８０℃以下に加熱したエッチング液を用いてシリコン基板１の受光面となる表面をエッチングすることによって行なうことができる。
【００６８】
次に、図１（ｊ）に示すように、シリコン基板１の受光面となる表面に形成されたテクスチャ構造１０上に反射防止膜１２を形成するとともに、シリコン基板１の裏面となる表面にパッシベーション膜１１を形成する。ここで、パッシベーション膜１１としては、たとえば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層体などを用いることができる。また、反射防止膜１２としてはたとえば窒化シリコン膜などを用いることができる。
【００６９】
次に、図１（ｋ）に示すように、シリコン基板１の裏面となる表面のパッシベーション膜１１の一部を除去して、シリコン基板１の裏面となる表面のｎ型不純物拡散領域８の一部を露出させるコンタクトホール１３およびｐ型不純物拡散領域４の一部を露出させるコンタクトホール１４をそれぞれ形成する。
【００７０】
次に、図１（ｌ）に示すように、シリコン基板１の裏面側のコンタクトホール１３を通してｎ型不純物拡散領域８に接するｎ電極１５を形成するとともに、シリコン基板１の裏面側のコンタクトホール１４を通してｐ型不純物拡散領域４に接するｐ電極１６を形成する。なお、ｎ電極１５およびｐ電極１６としては、たとえば、銀などの金属からなる電極を用いることができる。以上により、本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルが作製される。
【００７１】
図２に、上記のようにして製造された裏面電極型太陽電池セルの裏面の一例の模式的な平面図を示す。
【００７２】
ここで、図２に示すように、上記のようにして製造された裏面電極型太陽電池のシリコン基板１の裏面には、櫛形状のｎ電極１５と、櫛形状のｐ電極１６とが形成されており、ｎ電極１５とｐ電極１６とは互いに向かい合って櫛歯を１本ずつ噛み合わせるようにして配置されている。また、シリコン基板１の裏面には、円状の２つのアライメントマーク１７がシリコン基板１の裏面の対角にそれぞれ配置されている。なお、ｎ電極１５およびｐ電極１６の形状はそれぞれ上記の形状に限定されるものではないことは言うまでもない。
【００７３】
以上のように、本発明においては、ｎ型不純物拡散領域８の形成の際に用いられる第２の拡散抑制マスク７を利用してボロンシリサイド層５をボロンシリケートガラス層６に変化させる。
【００７４】
したがって、本発明においては、図３（ａ）〜図３（ｎ）に示される従来の裏面電極型太陽電池セルの製造方法のように、ボロンシリサイド層を高温の酸素雰囲気に所定時間設置することによってボロンシリケートガラス層に変化させる工程が必要なくなり、製造工程を簡略化することができるため、効率的に裏面電極型太陽電池セルを製造することが可能となる。
【００７５】
すなわち、図３（ａ）〜図３（ｎ）に示される従来の裏面電極型太陽電池セルの製造方法においては、（１）ボロンシリサイド層をボロンシリケートガラス層に変化、（２）ボロンシリケートガラス層のエッチングによる除去、（３）ｎ型不純物拡散領域形成用拡散抑制マスクの形成、（４）ｎ型不純物拡散領域の形成、（５）ｎ型不純物拡散領域形成用拡散抑制マスクの除去という工程を経る必要がある。
【００７６】
一方、本発明においては、（１）ボロンシリサイド層上へのｎ型不純物拡散領域の形成用の拡散抑制マスクの形成、（２）ｎ型不純物拡散領域の形成、（３）ｎ型不純物拡散領域形成用拡散抑制マスクの除去という工程で済むために、裏面電極型太陽電池セルの製造工程の簡略化が可能となる。
【００７７】
なお、上記においては、ボロンを含むｐ型不純物拡散剤３が塗布されたシリコン基板１を加熱することによってボロンを塗布拡散してｐ型不純物拡散領域４を形成したが、たとえば、ＢＢｒ3のようなボロンを含むガスを用いてボロンを気相拡散させることによってｐ型不純物拡散領域４を形成してもよい。
【００７８】
また、上記においては、リンなどのｎ型不純物を含むｎ型不純物拡散剤９が塗布されたシリコン基板１を加熱することによってリンなどのｎ型不純物を塗布拡散してｎ型不純物拡散領域８を形成したが、たとえばＰＯＣｌ3のようなリンなどのｎ型不純物を含むガスを用いてリンなどのｎ型不純物を気相拡散させることによってｎ型不純物拡散領域８を形成してもよい。
【００７９】
なお、本発明の裏面電極型太陽電池セルの概念には、シリコン基板の一方の表面（裏面）のみにｐ型用電極およびｎ型用電極の双方が形成された構成の裏面電極型太陽電池セルだけでなく、ＭＷＴ（Metal  Wrap  Through）セル（シリコン基板に設けられた貫通孔に電極の一部を配置した構成の太陽電池セル）などのいわゆるバックコンタクト型太陽電池セル（シリコンの受光面と反対側の裏面から電流を取り出す構造の太陽電池セル）も含まれる。
【００８０】
また、本発明は、裏面電極型太陽電池セルの製造方法に限定されるものではなく、シリコン基板の受光面と裏面にそれぞれ電極を形成して製造された両面電極型太陽電池セルなどのあらゆる構成の太陽電池セルを含む半導体装置の製造に適用することもできる。
【００８１】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明は太陽電池セルなどの半導体装置の製造、特に裏面電極型太陽電池セルの製造に好適に利用できる可能性がある。
【符号の説明】
【００８３】
１  シリコン基板、２  第１の拡散抑制マスク、３  ｐ型不純物拡散剤、４  ｐ型不純物拡散領域、５  ボロンシリサイド層、６  ボロンシリケートガラス層、７  第２の拡散抑制マスク、８  ｎ型不純物拡散層、９  ｎ型不純物拡散剤、１０  テクスチャ構造、１１  パッシベーション膜、１２  反射防止膜、１３，１４  コンタクトホール、１５  ｎ電極、１６  ｐ電極、１７  アライメントマーク、１０１  ｎ型シリコン基板、１０２  ＳｉＯ2膜、１０３  ボロンペースト、１０４  ボロン拡散層、１０５  ボロンシリサイド層、１０６  ボロンシリケートガラス層、１０７  マスキングペースト、１０８  リン拡散層、１０９  リンペースト、１１０  テクスチャ構造、１１１  パッシベーション膜、１１２  反射防止膜、１１３，１１４  コンタクトホール、１１５  ｎ電極、１１６  ｐ電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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