(57)【要約】【課題】基板に大きなダメージを与えずに、かつ、簡易な工程によって再生基板を製造する。【解決手段】処理の対象となる積層半導体ウエハ１０は、基板１１０と、基板１１０に成膜された積層半導体層１００とを備えている。そして、積層半導体層１００を構成する材料の硬度よりも高く、基板１１０の硬度以下の硬さを有するブラスト材を用いて、積層半導体ウエハ１０に対するブラスト処理を行う。積層半導体層１００は、ブラスト材によって粉砕されて基板１１０から除去される。一方、基板１１０は、ブラスト材の照射を受けても大きく削られることはなく、基板に大きなダメージが残らない。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に当該基板よりも硬度の低い材料からなる積層半導体層が形成された、積層半導体ウエハから当該積層半導体層を取り除く再生基板の製造方法であって、
前記積層半導体層が前記基板に形成された前記積層半導体ウエハを設置する設置工程と、
設置された前記積層半導体ウエハの前記積層半導体層に対して、当該積層半導体層の硬度よりも高く、当該基板の硬度以下の硬さを有するブラスト材を噴射する噴射工程と
を備えることを特徴とする再生基板の製造方法。
【請求項２】
前記噴射工程において、前記積層半導体ウエハの前記基板を構成する物質をブラスト材として用いることを特徴とする請求項１に記載の再生基板の製造方法。
【請求項３】
前記積層半導体ウエハの前記積層半導体層は、III族窒化物化合物半導体を備えて構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の再生基板の製造方法。
【請求項４】
前記基板は、サファイア基板であり、
前記噴射工程では、アルミナをブラスト材として用いることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の再生基板の製造方法。
【請求項５】
前記ブラスト材の噴射が行われた前記基板を加熱する加熱工程をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の再生基板の製造方法。
【請求項６】
前記加熱された前記基板を研磨する研磨工程をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の再生基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の再生基板の製造方法により製造された再生基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層半導体ウエハから積層半導体層を除去して再生基板を製造する再生基板の製造方法、及び当該製造方法により製造された再生基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に積層半導体層を成膜した積層半導体ウエハに対して、その基板を再び利用するために、積層半導体ウエハから積層半導体層を除去する基板再生の技術が存在する。例えば、特許文献１には、サンドブラスト装置を使用し、研磨剤としてアルミナもしくはシリコンカーバイドを圧縮空気との混合流体として吹き付けることにより、ＣＶＤ又はＰＶＤによりシリコンウエハー上に形成された薄膜を除去することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２３７２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、例えばブラスト処理によって積層半導体ウエハから積層半導体層を除去する場合に、基板にダメージを与えないようにすることが求められる。例えば、積層半導体ウエハから積層半導体層を除去する際に基板を大きく削ると、処理の前後にて、基板の厚さが大きく変わってしまう。そして、処理後の基板の厚みが薄くなり過ぎると、その処理後の基板が、製品として、あるいは製品の材料として用いるには所定の規格から外れてしまう場合がある。
【０００５】
ここで、上述のようにブラスト処理によって基板が大きく削られないように、ブラスト処理における各種条件を調整することも考えられる。例えば、積層半導体ウエハにおける積層半導体層が除去された時点でブラスト処理を止めるなど、基板が削られないように条件の設定を行う。しかしながら、通常、一度に処理しようとする積層半導体ウエハは複数であり、また複数の積層半導体ウエハにおける積層半導体層の層構成、膜厚、膜の状態などはそれぞれ異なる。そして、例えば基板が大きく削られないように、複数の積層半導体ウエハごとにブラスト処理の条件をそれぞれ設定すると、工程が非常に複雑なものになってしまう。
【０００６】
本発明は、基板に大きなダメージを与えずに、かつ、簡易な工程によって再生基板を製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
かかる目的のもと、本発明が適用される再生基板の製造方法は、基板に当該基板よりも硬度の低い材料からなる積層半導体層が形成された、積層半導体ウエハから積層半導体層を取り除く再生基板の製造方法であって、積層半導体層が基板に形成された積層半導体ウエハを設置する設置工程と、設置された積層半導体ウエハの積層半導体層に対して、積層半導体層の硬度よりも高く、基板の硬度以下の硬さを有するブラスト材を噴射する噴射工程とを備えることを特徴とする。
【０００８】
このような再生基板の製造方法において、噴射工程において、積層半導体ウエハの基板を構成する物質をブラスト材として用いることを特徴とする。また、積層半導体ウエハの積層半導体層は、III族窒化物化合物半導体を備えて構成されることを特徴とする。さらにまた、基板は、サファイア基板であり、噴射工程では、アルミナをブラスト材として用いることを特徴とする。
【０００９】
そして、ブラスト材の噴射が行われた基板を加熱する加熱工程をさらに備えることを特徴とする。さらに、加熱された基板を研磨する研磨工程をさらに備えることを特徴とする。
このように、本発明においては、上述の再生基板の製造方法により製造された再生基板を提供することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板に大きなダメージを与えずに、かつ、簡易な工程によって再生基板を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態の再生基板の製造手順の示す一例の図である。
【図２】積層半導体ウエハの構成を示す一例の図である。
【図３】ブラスト装置の全体構成を説明するための一例の図である。
【図４】実施例と比較例とにおける各種条件および各々の評価結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。
図１は、本実施形態の再生基板の製造方法の流れを示す一例の図である。
図１（ａ）に示すように、本実施形態の再生処理の対象となる積層半導体ウエハ１０は、基板１１０と、基板に成膜された積層半導体層１００とを備えている。ここで「再生」とは、積層半導体ウエハ１０から積層半導体層を取り除き、基板１１０を再び利用可能にすることである。本実施形態においては、残った基板１１０に例えば新たな積層半導体層１００の形成を良好に行える程度まで積層半導体層１００を取り除く。
【００１３】
本実施形態が適用される再生基板の製造方法は、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、「ブラスト処理工程」、「熱処理工程」及び「研磨加工工程」を含んでいる。
図１（ａ）に示す「ブラスト処理工程」では、処理対象となる積層半導体ウエハ１０に対してブラスト材を噴射し、積層半導体ウエハ１０から積層半導体層１００を除去する。続いて、図１（ｂ）に示す「熱処理工程」では、積層半導体層１００が除去された基板１１０を加熱する。さらに、図１（ｃ）に示す「研磨加工工程」では、熱処理が施された基板１１０に対して、基板１１０の表面を研磨する加工を行う。
【００１４】
＜積層半導体ウエハの構成＞
図２は、積層半導体ウエハ１０の構成を示す一例の図である。
なお、積層半導体ウエハ１０を構成する化合物半導体としては、III−Ｖ族化合物半導体が好ましく、中でもIII族窒化物化合物半導体が好ましい。以下では、III族窒化物化合物半導体を有する積層半導体ウエハ１０を例に挙げて説明する。なお、図２に示す積層半導体ウエハ１０は、例えば青色光を出力する青色発光チップさらには青色発光チップを用いた発光装置などを製造するための出発材料となる。
【００１５】
積層半導体ウエハ１０は、上述の通り、基板１１０と積層半導体層１００とを備える。また、本発明において積層半導体ウエハ１０は、基板１１０と少なくとも一層以上の半導体層とを備えるものであって、好ましくは二層以上の半導体層とを備えるものが使用される。そして、本実施形態の積層半導体層１００の一例としては、図２に示すように、基板１１０の上に形成される中間層１２０、中間層１２０の上に順次積層される下地層１３０、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０、ｐ型半導体層１６０を備えている。
【００１６】
基板１１０上には、III族窒化物半導体結晶がエピタキシャル成長される。基板１１０を構成する材料としては、例えば、サファイア、炭化ケイ素（シリコンカーバイド：ＳｉＣ）、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、ハフニウム、タングステン、モリブデン等が挙げられる。これらの中でも、サファイア、炭化ケイ素（シリコンカーバイド：ＳｉＣ）が好ましく使用される。
【００１７】
また、本実施形態の基板１１０は、直径が４インチ（約１００ｍｍ）のものであり、その厚みが０．５ｍｍ〜１．５ｍｍとなっている。なお、基板１１０として、直径が２インチ（厚み０．２ｍｍ〜０．７ｍｍ）のもの、直径が６インチ（厚み０．７ｍｍ〜１．７ｍｍ）のものなどを用いても良い。
【００１８】
基板１１０上には、例えばＡｌＧａＮ、又はＧａＮからなるバッファ層が積層されている。なお、本明細書中では、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮなどのように各元素の組成比を省略した形で記述することがある。さらに、基板１１０には、前記バッファ層上にＧａを含むIII族窒化物（例えばＧａＮ系化合物）からなる下地層１３０が形成されている。さらに、下地層１３０上にはＧａＮ、ＡｌＧａＮ又はＧａＩｎＮ等からなるｎ型半導体層１４０が形成されている。
発光層１５０は、単一量子井戸構造あるいはＧａＮとＧａＩｎＮを交互に積層した多重量子井戸構造などが用いられている。さらに、またｐ型半導体層１６０は、ＧａＮやＡｌＧａＮによって形成されている。
【００１９】
このように、本実施形態の基板上の積層半導体層１００には、少なくとも一層以上の半導体層を備えるものであって、好ましくは二層以上の半導体層を備えるものが使用され、当該半導体層としては、例えばIII族窒化物化合物半導体層によって構成されている。III族窒化物化合物半導体層として、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ等のＧａＮ系化合物が使用されている。
【００２０】
＜ブラスト装置の装置構成＞
図３は、ブラスト装置３の全体構成を説明するための一例の図である。
ブラスト装置３は、「ブラスト処理工程」にて用いる装置である。ブラスト装置３は、積層半導体ウエハ１０を搬送する搬送部４０と、積層半導体ウエハ１０に向けてブラスト材を含むスラリを噴射するブラスト処理部５０と、噴射後のスラリなどを回収する回収部６０と、ブラスト装置３全体を統括的に制御する制御部７０とを備える。また、本実施形態のブラスト装置３には、例えば湿式ブラスト方式のものを用いることができる。
【００２１】
搬送部４０は、ベルト４１と、ベルト４１が掛け回される第１ロール部材４２、第２ロール部材４３とを有している。ベルト４１は、図３に示すように、複数の積層半導体ウエハ１０を載せるものであり無端状のベルトである。また、ベルト４１には、複数の隙間が開けられている。そして、噴射ノズル５１から噴射されたスラリなどがベルト４１における隙間を通って、回収部６０側へと導かれるように構成されている。
【００２２】
第１ロール部材４２及び第２ロール部材４３の一方には、不図示の駆動モータが接続している。そして、この駆動モータは、制御部７０によって制御されている。従って、本実施形態では、制御部７０によって駆動が制御される第１ロール部材４２（あるいは第２ロール部材４３）によって、ベルト４１の移動速度が調整される。なお、本実施形態では、１枚の積層半導体ウエハ１０あたり約１時間、後述する噴射ノズル５１によってスラリの噴射を受けるようにベルト４１が駆動される。
【００２３】
ブラスト処理部５０は、ブラスト材を水（本実施形態では純水）に混合したスラリを噴射する噴射ノズル５１と、噴射ノズル５１にて噴射されるスラリを貯留するスラリ供給部５２と、噴射ノズル５１に対して圧縮空気を供給するコンプレッサ５３とを備えている。
噴射ノズル５１は、スラリ供給部５２からスラリの供給を受けるとともに、コンプレッサ５３から送られる圧縮空気（Ａｉｒ）によって、スラリを高速に噴射するものである。なお、本実施形態では、噴射ノズル５１から約５ｍ／ｓ〜２０ｍ／ｓの流速でスラリを噴射するようにしている。
【００２４】
スラリ供給部５２は、ブラスト材と水とを混合させ、さらに全体を均一に攪拌することでスラリを作成する。そして、スラリ供給部５２は、作成したスラリを噴射ノズル５１へと供給する。
ここで、ブラスト材について説明する。本実施形態では、積層半導体層１００の硬度よりも高く、基板１１０の硬度以下の硬さを有するブラスト材を用いて、積層半導体ウエハ１０にブラスト処理を行う。上述の通り、基板１１０はサファイア基板であり、積層半導体層１００はIII族窒化物化合物（主たる材料はＧａＮ）となっている（図２参照）。従って、III族窒化物化合物よりも硬く、サファイア基板以下の硬さとなるブラスト材を用いてブラスト処理を行う。具体的には、本実施形態では、サファイア基板を構成する物質である酸化アルミニウムの粒（アルミナ粒）をブラスト材に用いている。なお、本実施形態のアルミナ粒は、高純度アルミナ（アルミナ含有量９９．７％以上）を原料としている。
【００２５】
アルミナ粒をブラスト材として用いる場合、アルミナ粒の硬度はＧａＮ（積層半導体層１００）よりも高いため、ＧａＮはアルミナ粒の衝突を受けて粉砕される。一方、アルミナ粒と同種であり、アルミナ粒と硬度が同じとなるサファイア基板は、アルミナ粒の衝突を受けても大きく削られることはない。このように、本実施形態では、ブラスト処理によって基板１１０が受けるダメージの抑制を図っている。
【００２６】
また、本実施形態のように基板１１０がサファイア基板であり、アルミナ粒をブラスト材に用いることで、ブラスト処理工程の後にサファイア基板にアルミナ粒の一部が残ったとしても、サファイア基板とアルミナ粒とが同種であるため、再生後の基板１１０に残存するブラスト材がその後の工程に及ぼす影響が極めて小さくなる。
【００２７】
なお、例えば基板１１０にシリコンカーバイド基板（ＳｉＣ基板）を用いている場合には、シリコンカーバイド基板の硬度以下であって、積層半導体層１００の硬度よりも高い硬さを有する材料をブラスト材に用いれば良い。この場合、例えばアルミナ粒や炭化ケイ素の粒（ＳｉＣ粒）などを用いることができる。特に、シリコンカーバイド基板を処理対象とする場合には、シリコンカーバイド基板を構成する物質であるＳｉＣ粒をブラスト材として用いることが好ましい。上述の通り、再生後の基板１１０に残存するブラスト材がその後の工程に及ぼす影響が小さくなるためである。
【００２８】
回収部６０は、回収シュート６１と、回収材分離部６２と、粉砕粒容器６３とを備えて構成される。回収シュート６１は、噴射ノズル５１から噴射されたスラリを回収する。なお、回収シュート６１が回収するスラリには、噴射ノズル５１から噴射されたスラリによって粉砕された積層半導体層１００の欠片（以下、粉砕粒という）が混入している。
回収材分離部６２は、遠心分離器を有している。そして、回収材分離部６２は、回収シュート６１にて回収したスラリ及び粉砕粒から、水、ブラスト材、粉砕粒を分離する。また、回収材分離部６２は、水及びブラスト材をスラリ供給部５２に送る。さらに、回収材分離部６２は、粉砕粒を粉砕粒容器６３へと送る。
【００２９】
制御部７０は、搬送部４０、ブラスト処理部５０、回収部６０の動作を制御する。制御部７０は、例えば不図示の操作部から積層半導体ウエハ１０に対して約１時間のブラスト材の噴射を行う指示を受け付けると、搬送部４０における第１ロール部材４２に接続する駆動モータの駆動速度を制御する。また、制御部７０は、ブラスト処理部５０におけるスラリの噴射の速度制御を行う。具体的には、制御部７０は、ブラスト処理部５０のコンプレッサ５３による空気圧を調整するなどして、噴射ノズル５１から噴射されるスラリの流速を制御する。
【００３０】
＜再生基板の製造手順＞
続いて、本実施形態における再生基板の製造手順について詳細に説明を行う。
「ブラスト処理工程」
（設置工程）
積層半導体ウエハ１０の積層半導体層１００側が噴射ノズル５１に対向するようにして、ブラスト装置３のベルト４１に積層半導体ウエハ１０を載せる。また、図３に示すように、本実施形態では、複数の積層半導体ウエハ１０をベルト４１に載せるようにしている。このとき、ベルト４１に並べられる複数の積層半導体ウエハ１０には、ｐ型半導体層１６０まで積層されたもの（図２参照）や、ｎ型半導体層１４０まで形成されたものなどが混在している。ｎ型半導体層１４０までが形成された積層半導体ウエハ１０は、例えばｎ型半導体層１４０を形成した際に何らかの理由で不良品とみなされはじかれたものである。このように、本実施形態では、基板１１０に積層される半導体層の構成が異なるものや、積層半導体層１００の膜厚が異なるものなど、多様な積層半導体ウエハ１０がベルト４１に並べられる。
【００３１】
また、第１ロール部材４２及び第２ロール部材４３を回転させてベルト４１を移動させる。このとき、本実施形態では、１枚の積層半導体ウエハ１０あたり約１時間の間、スラリの噴射を受けるようにベルト４１を駆動させる。例えば、本実施形態のように直径が４インチサイズの積層半導体ウエハ１０を処理対象としている場合には、ベルト４１の移動速度を約０．１ｍ／時に設定する。
【００３２】
（噴射工程）
そして、ブラスト処理部５０の噴射ノズル５１からスラリの噴射を開始する。積層半導体ウエハ１０が噴射ノズル５１の下側に到達すると、積層半導体ウエハ１０からスラリ噴射を受ける。積層半導体ウエハ１０の積層半導体層１００にスラリが噴射されることで、スラリに含まれるブラスト材が積層半導体層１００に衝突する。本実施形態では、積層半導体層１００の主な組成がＧａＮとなっており、アルミナ粒であるブラスト材の衝突を受けて、ＧａＮは破砕する。また、スラリに含まれる水（液体）によって粉砕粒及び噴射後のブラスト材は押し流される。
【００３３】
噴射ノズル５１から噴射されたスラリ、及び粉砕粒は、回収シュート６１によって回収材分離部６２へと集められる。回収材分離部６２では、ブラスト材、水、粉砕粒をそれぞれ分離する。これらのうち、ブラスト材及び水は、スラリ供給部５２へと送られ、再びスラリとして利用される。一方、粉砕粒は、粉砕粒容器６３に収容される。
【００３４】
「熱処理工程」
積層半導体層１００が除去された基板１１０に対して加熱処理を行う。具体的には、積層半導体層１００が除去された基板１１０を、約１４００℃に加熱された雰囲気下におく。なお、上記の雰囲気の温度は、８００℃以上１８００℃以下の範囲であることが好ましい。また、本実施形態において、基板１１０の加熱時間は、４時間としている。なお、加熱時間は、約３時間以上が好ましい。このように、本実施形態では、積層半導体層１００が取り除かれた基板１１０に対して熱処理を施すことで、基板１１０における結晶歪みの除去を図っている。
【００３５】
「研磨加工工程」
熱処理が施された基板１１０に対して研磨加工を施す。本実施形態の研磨加工工程では、基板１１０を載せる定盤と、基板１１０を研磨する研磨パッドとを有する研磨装置を用いる。そして、研磨加工工程では、まず、基板１１０を定盤に載せ、基板１１０の研磨面に研磨パッドを対向させる。そして、研磨パッドと基板１１０との間に研磨剤を注入し、研磨パッドを基板１１０に当てながら移動させて基板１１０の表面を磨く。
以上のようにして、本実施形態では、「ブラスト処理工程」、「熱処理工程」及び「研磨加工工程」を経ることによって、一連の工程が完了する。
【００３６】
＜実施例＞
図４は、実施例１、２および比較例１、２における各種条件および各々の評価結果を示す。
なお、ブラスト処理の対象となる積層半導体ウエハ１０は、サファイア基板にIII族窒化物半導体層を成膜したものである。また、基板１１０は、直径が４インチサイズのものであり、厚さが１ｍｍのものを用いた。
【００３７】
図４に示すように、実施例１は、基板１１０に、中間層１２０、下地層１３０、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０及びｐ型半導体層１６０（併せて積層半導体層１００）を積層させた積層半導体ウエハ１０に対して、アルミナ粒をブラスト材として用いたブラスト処理を行ったものである。なお、このような発光層１５０を含む積層半導体層１００の詳細な例示に関しては、特開２００８−９１４７０号公報を参照することができる。
実施例２は、基板１１０にｎ型半導体層１４０まで（中間層１２０、下地層１３０及びｎ型半導体層１４０）を積層させた積層半導体ウエハ１０に対して、アルミナ粒をブラスト材として用いたブラスト処理を行ったものである。
【００３８】
そして、比較例１は、基板１１０に実施例１と同等な積層半導体層１００を積層させた積層半導体ウエハ１０に対して、ガラス粒をブラスト材として用いたブラスト処理を行ったものである。
また、比較例２は、基板１１０に実施例１と同等な積層半導体層１００を積層させた積層半導体ウエハ１０に対して、ＳｉＣ粒をブラスト材として用いたブラスト処理を行ったものである。
【００３９】
そして、本実施形態のブラスト装置３を用いて、各々の条件の下でブラスト処理工程を行った。なお、ブラスト処理の条件に関しては、ブラスト材の種類以外（ブラスト材の噴射の速度、噴射時間など）は、４つの例の間で統一している。
また、ブラスト処理後の基板１１０の評価項目は以下の２つとした。一つは、基板１１０の表面に付着した異物の量である。異物の量の測定には蛍光Ｘ線分析装置を用いた。もう一つは、ブラスト処理の前後での基板１１０の厚さの変化である。
なお、上記の各種ブラスト材のビッカース硬度［Ｈｖ］は、アルミナ粒：２２００、ＳｉＣ粒：２４００、ガラス粒：５００である。また、本実施形態の積層半導体ウエハ１０のビッカース硬度［Ｈｖ］については、サファイア基板：２２００、ＧａＮ：１３００（ＧａＮ系化合物半導体は、ＧａＮ並の硬度を有する）、ＡｌＮ（中間層）：１４００となっている。
【００４０】
図４に示すように、実施例１では、ブラスト処理後の基板１１０において、異物が見つからなかった。また、ブラスト処理の前後で、基板１１０の厚みに変化はほとんど無かった。実施例１では、基板１１０がサファイア基板であり、ブラスト材がアルミナ粒である。実施例１の積層半導体層１００（III族窒化物化合物）は主にＧａＮによって構成されている。従って、ＧａＮよりも硬度が高いアルミナ粒の噴射を受けた積層半導体層１００は、粉砕されて基板１１０から除去されたと考えられる。一方、サファイア基板とアルミナ粒とが同種であることから、基板１１０は大きく削られることなく、また、サファイア基板上において異物とはならなかった。
【００４１】
実施例２においても、ブラスト処理後の基板１１０に異物が見つからなかった。また、ブラスト処理の前後で、基板１１０の厚みに変化はほとんど無かった。実施例１と実施例２とでは、ブラスト処理の条件は同じである。例えば、各積層半導体ウエハ１０がブラスト材の噴射を受ける時間は同じである。そして、実施例２の積層半導体ウエハ１０は、実施例１と比較して、積層半導体層１００を構成する層が少なく、積層半導体層１００の厚みが薄くなっている。そうすると、実施例２では、実施例１と比較してより早い段階で積層半導体層１００の除去が完了し、実施例１よりも長いあいだ基板１１０がブラスト材の噴射を直接受けていたと考えられる。しかしながら、上記の通り、実施例２では、実施例１と同様に処理の前後での基板の厚みの変化はほとんど無かった。
【００４２】
以上のことは、積層半導体層１００の層構成（膜厚など）が異なる複数の積層半導体ウエハ１０に一律に同じ条件でブラスト処理を行った場合であっても、処理後の基板１１０の厚みに差異が生じにくいことを意味している。つまり、本実施形態のブラスト処理工程によれば、積層半導体層１００の層構成（膜厚など）に応じてブラスト条件（例えば、噴射時間）をカスタマイズすることが必須条件とならない。従って、ブラスト処理工程を行うにあたって、積層半導体ウエハ１０の層構成などを予め測定するなどの工程は不要であり、ブラスト装置３のベルト４１に積層半導体層１００の構成が異なる複数の積層半導体ウエハ１０を設置するだけで良い。また、実際にブラスト処理を行う際においても、複数の積層半導体ウエハ１０ごとに、ブラスト条件を異ならせる必要もない。このように、本実施形態の再生基板の製造方法におけるブラスト処理工程は簡易な構成となっている。
【００４３】
比較例１では、ブラスト処理後の基板１１０における異物の量が多くなった。これは、積層半導体層１００を主に構成するＧａＮよりもガラス粒の硬度が低いため、ブラスト材としてのガラス粒がＧａＮ系化合物層を破砕できずに、基板１１０に積層半導体層１００（ＧａＮ系化合物半導体層）が残ったものと考えられる。なお、比較例１では、ガラス粒の硬度がサファイア基板よりも低いため、処理の前後で基板１１０の厚みに変化はない。
【００４４】
比較例２では、ＧａＮ系化合物半導体などの積層半導体層１００を構成していた物質は検出されなかったものの、ブラスト材であるＳｉＣの成分が高く検出された。また、ブラスト処理の前後にて、基板１１０の厚みが大きく減少した。ＳｉＣ粒の硬度は、積層半導体層１００を主に構成するＧａＮ、およびサファイア基板よりも高い。そのため、ＧａＮ系化合物半導体層を粉砕して除去することができるものの、サファイア基板までも大きく削ることとなる。さらには、サファイア基板にＳｉＣ粒（あるいはＳｉＣ粒が砕けたもの）が残り、異物となっていたものと考えられる。
【００４５】
比較例２のように、ブラスト処理後の基板１１０に異種の材料が残っていると、例えばその異種の材料を除去するための工程が加えて必要となる。また、上記の通り、処理後の基板１１０の厚みが大きく減少してしまうと、場合によっては、処理後の基板１１０が所定の規格（例えば、厚みの規格）から外れることもある。
ここで、ブラスト材の噴射時間を調節して、基板１１０が削られる前にブラスト処理を止めるなど、基板１１０の厚みが大きく減少しないようにすることも考えられる。しかしながら、この場合には、積層半導体層１００の層構成などに応じて個々にブラスト材の噴射時間を調整する等、非常に手間が掛かる。
【００４６】
これに対して、本実施形態では、基板１１０（サファイア基板）と同種のブラスト材（アルミナ粒）を用いており、基板１１０が大きく削られることはない。そして、基板１１０が大きく削られないため、複数の積層半導体ウエハ１０に対して再生処理を行う際に、個々に異なる積層半導体層１００の層構成などに応じてブラスト条件をそれぞれ変える必要がない。従って、本実施形態では、再生基板の製造工程が複雑化せず、例えば再生基板を大量に生産するような場合に特に適した製造方法となっている。
【符号の説明】
【００４７】
３…ブラスト装置、１０…積層半導体ウエハ、１００…積層半導体層、１１０…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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