(57)【要約】      （修正有）【課題】計算時間の短い照明条件決定方法の提供。【解決手段】原版のパターンを投影光学系によって基板に投影する露光装置において原版を照明する光の偏光方向を決定する照明条件決定方法に係り、該照明条件決定方法は、照明された原版からの回折光によって基板に形成される像を示す式における複数の項のうち、当該像の形成に対して主要に寄与する回折光の干渉によって基板に形成される光強度分布を表す主要干渉項を決定するステップと、原版を照明する光の偏光方向と前記主要干渉項の値との関係を評価することによって許容基準を満たす偏光方向を決定するステップとを含む。前記主要干渉項は、干渉によって像を形成する２組の回折光群のうち一方の回折光群を所定値よりも大きい振幅を有する次数の回折光に限定したときに前記式において残っている項である。【選択図】図１
2011061164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版のパターンを投影光学系によって基板に投影する露光装置において原版を照明する光の偏光方向を決定する照明条件決定方法であって、
照明された原版からの回折光によって基板に形成される像を示す式における複数の項のうち、当該像の形成に対して主要に寄与する回折光の干渉によって基板に形成される光強度分布を表す主要干渉項を決定するステップと、
原版を照明する光の偏光方向と前記主要干渉項の値との関係を評価することによって許容基準を満たす偏光方向を決定するステップとを含み、
前記主要干渉項は、干渉によって像を形成する２組の回折光群のうち一方の回折光群を所定値よりも大きい振幅を有する次数の回折光に限定したときに前記式において残っている項である、
ことを特徴とする照明条件決定方法。
【請求項２】
原版のパターンを投影光学系によって基板に投影する露光装置において原版を照明する光の偏光方向を決定する照明条件決定方法であって、
照明された原版からの回折光によって基板に形成される像を示す式における複数の項のうち、当該像の形成に対して主要に寄与する回折光の干渉によって基板に形成される光強度分布を表す主要干渉項を決定するステップと、
原版を照明する光の偏光方向と前記主要干渉項の値との関係を評価することによって許容基準を満たす偏光方向を決定するステップとを含み、
前記主要干渉項は、干渉によって像を形成する２組の回折光群のうち少なくとも一方の回折光群から所定値よりも小さい振幅を有する回折光を除外したときに前記式において残っている項である、
ことを特徴とする照明条件決定方法。
【請求項３】
原版のパターンを投影光学系によって基板に投影する露光装置において原版を照明する光の偏光方向を決定する照明条件決定方法であって、
照明された原版からの回折光によって基板に形成される像を示す式における複数の項のうち、当該像の形成に対して主要に寄与する回折光の干渉によって基板に形成される光強度分布を表す主要干渉項を決定するステップと、
原版を照明する光の偏光方向と前記主要干渉項の値との関係を評価することによって許容基準を満たす偏光方向を決定するステップとを含み、
前記主要干渉項は、干渉によって像を形成する２組の回折光群のうち一方の回折光群を所定値よりも大きい振幅を有する次数の回折光に限定し、かつ、該２組の回折光群のうち少なくとも一方の回折光群から所定値よりも小さい振幅を有する回折光を除外したときに前記式において残っている項である、
ことを特徴とする照明条件決定方法。
【請求項４】
前記偏光方向を決定するステップは、
原版を照明する光の偏光方向を変化させながら、各偏光方向について、前記主要干渉項の値を計算することによって基板に形成される光強度分布を計算する計算ステップと、
前記計算ステップにおいて複数の偏光方向について計算された光強度分布を評価することによって許容基準を満たす偏光方向を決定するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の照明条件決定方法。
【請求項５】
前記偏光方向を決定するステップでは、前記主要干渉項が極値をとる偏光方向を与える式を計算することによって前記許容基準を満たす偏光方向を決定する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の照明条件決定方法。
【請求項６】
原版のパターンを投影光学系によって基板に投影する露光装置において原版を照明する光の偏光方向を決定する照明条件決定方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記コンピュータに、
照明された原版からの回折光によって基板に形成される像を示す式における複数の項のうち、当該像の形成に対して主要に寄与する回折光の干渉によって基板に形成される光強度分布を表す主要干渉項を決定するステップと、
原版を照明する光の偏光方向と前記主要干渉項の値との関係を評価することによって許容基準を満たす偏光方向を決定するステップとを含む処理を実行させ、
前記主要干渉項は、干渉によって像を形成する２組の回折光群のうち一方の回折光群を所定値よりも大きい振幅を有する次数の回折光に限定したときに前記式において残っている項である、
ことを特徴とするプログラム。
【請求項７】
原版のパターンを投影光学系によって基板に投影する露光装置において原版を照明する光の偏光方向を決定する照明条件決定方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記コンピュータに、
照明された原版からの回折光によって基板に形成される像を示す式における複数の項のうち、当該像の形成に対して主要に寄与する回折光の干渉によって基板に形成される光強度分布を表す主要干渉項を決定するステップと、
原版を照明する光の偏光方向と前記主要干渉項の値との関係を評価することによって許容基準を満たす偏光方向を決定するステップとを含む処理を実行させ、
前記主要干渉項は、干渉によって像を形成する２組の回折光群のうち少なくとも一方の回折光群から所定値よりも小さい振幅を有する回折光を除外したときに前記式において残っている項である、
ことを特徴とするプログラム。
【請求項８】
原版のパターンを投影光学系によって基板に投影する露光装置において原版を照明する光の偏光方向を決定する照明条件決定方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記コンピュータに、
照明された原版からの回折光によって基板に形成される像を示す式における複数の項のうち、当該像の形成に対して主要に寄与する回折光の干渉によって基板に形成される光強度分布を表す主要干渉項を決定するステップと、
原版を照明する光の偏光方向と前記主要干渉項の値との関係を評価することによって許容基準を満たす偏光方向を決定するステップとを含む処理を実行させ、
前記主要干渉項は、干渉によって像を形成する２組の回折光群のうち一方の回折光群を所定値よりも大きい振幅を有する次数の回折光に限定し、かつ、該２組の回折光群のうち少なくとも一方の回折光群から所定値よりも小さい振幅を有する回折光を除外したときに前記式において残っている項である、
ことを特徴とするプログラム。
【請求項９】
デバイスを製造するデバイス製造方法であって、
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の照明条件決定方法によって照明条件を決定する工程と、
決定された照明条件で原版を照明しながら基板を露光する工程と、
該基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照明条件決定方法、プログラムおよびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、様々なデバイス（例えば半導体デバイスや液晶表示デバイス）が露光装置を用いて製造されている。より高性能なデバイスを製造するために、より高解像な性能を有する露光装置が求められている。露光装置を高解像化する技術のひとつとして、液浸技術を用いた投影光学系の高ＮＡ化がある。液浸技術とは、感光体上の空間を屈折率が１以上である液体（例えば水）で満たすことによって液体の屈折率（Ｎ＞１）に比例して開口数（ＮＡ）を大きくする技術である。液浸技術による高ＮＡ化によって、より大きな入射角をもつ光波が結像する。このため光波の偏光を制御する必要性が増大している。照明光の偏光を制御する技術としては、例えば、偏光の方向を変化させて結像計算し、像性能が最も高くなる偏光の方向を決定する手法の提案がある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１８３９３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の照明条件の最適化方法では、投影光学系の像面に形成される像を厳密に計算するために計算量が膨大になり、これにより計算時間が長大になっていた。
本発明は、照明条件の決定における計算を単純化し計算時間を短縮することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の１つの側面は、原版のパターンを投影光学系によって基板に投影する露光装置において原版を照明する光の偏光方向を決定する照明条件決定方法に係り、該照明条件決定方法は、照明された原版からの回折光によって基板に形成される像を示す式における複数の項のうち、当該像の形成に対して主要に寄与する回折光の干渉によって基板に形成される光強度分布を表す主要干渉項を決定するステップと、原版を照明する光の偏光方向と前記主要干渉項の値との関係を評価することによって許容基準を満たす偏光方向を決定するステップとを含み、前記主要干渉項は、干渉によって像を形成する２組の回折光群のうち一方の回折光群を所定値よりも大きい振幅を有する次数の回折光に限定したときに前記式において残っている項である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、照明条件の決定における計算を単純化し計算時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】照明条件決定方法（偏光方向最適化方法）のフローを示す図である。
【図２】有効光源（ａ）、目標パターン（ｂ）、回折光分布（ｃ）、Ｓｘ１の回折光分布（ｄ）、Ｓａ１の回折光分布（ｅ）を例示する図である。
【図３】偏光方向０度におけるＳｘ１の主要干渉項（ａ）、偏光方向９０度におけるＳｘ１の主要干渉項（ｂ）を例示する図である。
【図４】主要干渉項の中心位置における値を例示する図である。
【図５】最適偏光方向の模式図である。
【図６】評価位置を例示する図である。
【図７】ＣＤカーブを例示する図である。
【図８】ＮＩＬＳカーブを例示する図である。
【図９】目標パターン（ａ）、回折光分布（ｂ）、Ｓｘ１の回折光分布（ｃ）、Ｓａ１の回折光分布（ｄ）を例示する図である。
【図１０】主要干渉項の値を例示する図である。
【図１１】ＣＤカーブを例示する図である。
【図１２】ＮＩＬＳカーブを例示する図である。
【図１３】目標パターンと有効光源を例示する図である。
【図１４】ＣＤカーブを例示する図である。
【図１５】ＮＩＬＳカーブを例示する図である。
【図１６】露光装置の構成を例示する図である。
【図１７】図１に示す照明条件決定方法（偏光方向最適化方法）を実行するコンピュータの構成を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明は、例えば、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体デバイス、液晶パネルなどの表示デバイス、磁気ヘッドなどの検出デバイス、ＣＣＤなどの撮像デバイスといった各種デバイスの製造に有用である。本発明は、例えば、投影光学系の最終面とレジスト（感光材）が塗布された基板との間に液体を満たし、原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影する液浸露光に好適である。
【０００９】
露光装置は、概略的には、原版（マスク或いはレチクルとも呼ばれる）を照明する照明系と、該原版のパターンを基板（例えば、ウエハ）に投影する投影光学系とを備える。この明細書では、照明系の瞳面に形成される光強度分布を有効光源分布と呼ぶ。有効光源分布は、投影光学系の物体面に原版が配置されていない状態において投影光学系の瞳面に形成される光強度分布と等価である。
【００１０】
以下、照明条件を決定する方法、より詳しくは、原版を照明する光の偏光方向を決定する方法を説明する。具体例として、図２（ａ）に示す有効光源を用いて、図２（ｂ）に示す目標パターンを形成することを考える。マスクパターンは、像面におけるサイズに換算したときに図２（ｂ）に示すパターンであるものとする。図２（ａ）に示す有効光源分布において、Ｓｘ１、Ｓｘ２、Ｓａ１、Ｓａ２、Ｓａ３、Ｓａ４の位置にある６つの光源要素に対する最適偏光方向を求める。ここで、目標パターンがｘ軸とｙ軸に平行な辺を持つ矩形パターンの組み合わせであることから、有効光源各位置での最適な偏光方向はｘ軸とｙ軸に対して対称であると考えてよい。また、Ｓｘ１とＳｘ２がｙ軸に対して対称であることから、Ｓｘ２の最適偏光方向は、Ｓｘ１の最適偏光に対しｙ軸に対称な方向とする。同様に、光源要素の位置の対称性から、Ｓａ２の最適偏光方向は、Ｓａ１の最適偏光方向に対しｙ軸に対称な方向となる。さらに、Ｓａ３の最適偏光方向はＳａ１の最適偏光方向に等しく、Ｓａ４の最適偏光方向はＳａ１の最適偏光方向に対しｘ軸に対称な方向となる。よって、Ｓｘ１とＳａ１の光源要素の最適偏光方向が決まれば、他の４つの光源要素の最適偏光方向も決まる。なお、この明細書において、最適偏光方向とは、許容基準を満たす偏光方向を意味する。
【００１１】
先ず、Ｓｘ１に対する最適偏光方向を決定するために、Ｓｘ１から発せられた光波において、結像に主要に寄与する項（主要干渉項）を決定する。図２（ｃ）は、図２（ｂ）のマスクパターンの回折光分布である。中心がＳｘ１の位置にある半径ＮＡ（ＮＡは、投影光学系のＮＡ）の円内の回折光（図２（ｄ）参照）は、光源要素Ｓｘ１によってマスク（原版）が斜入射照明された場合に投影光学系の瞳に取り込まれる回折光を示すと考えてよい。光源要素Ｓｘ１は瞳面で広がりを持っているのでＳｘ１を複数の計算要素に分割してもよいが、ここでは、光源要素Ｓｘ１の広がりを無視して１点に代表させて考える。このとき、光源要素Ｓｘ１によってマスクパターンが照明されることによって形成される像Ｉは、図２（ｄ）の範囲にある回折光のうち、任意の２組の回折光Ｅ１とＥ２が干渉することによって形成される。光源要素Ｓｘ１の強度を１とすると、投影光学系が無収差の場合、像Ｉは式（１）で表される。
【００１２】
【数１】
2011061164.tif 000003
・・・（１）
＊は、複素共役を表す。（ｆ１、ｇ１）、（ｆ２、ｇ２）は、瞳座標（投影光学系の瞳における座標）である。ここで、Ｅ１、Ｅ２は、図２（ｄ）に示す分布を持つ回折光の振幅とする。Ａｌｌは、ｆ１、ｇ１、ｆ２、ｇ２の和をとる範囲が投影光学系の瞳面の全域であることを表している。瞳面の全域でｆ１、ｇ１、ｆ２、ｇ２の和をとることができるのは、図２（ｄ）の回折光分布における回折光Ｅ１、Ｅ２が、光源要素Ｓｘ１によって斜入射照明された場合に投影光学系の瞳に取り込まれる回折光に限定されているためである。Ｅ１は、ｆ１、ｇ１以外にも、射出瞳における偏光方向Ｐに依存するが、表記の簡略化のため変数Ｐは明示していない。
【００１３】
従来の偏光最適化では、式（１）で決定される量（もしくは式（１）で決定される量と本質的に同等な量）を用いて、各偏光について像Ｉを計算し結像性能の高い偏光を選ぶ手法が用いられている（特許文献１参照）。本発明の一実施形態では、像Ｉを計算する代わりに、主要干渉項Ｍを計算し、Ｍを用いて結像性能の高い偏光を決定することで、計算量（および、結果として計算時間）を削減する。主要干渉項は、照明された原版からの回折光によって基板に形成される像を示す式（例えば、式（１））における複数の項のうち、当該像の形成に対して主要に寄与する回折光の干渉によって基板に形成される光強度分布を表す項である。ここで、主要干渉項は、例えば、式（２）または式（３）または式（４）で表されうる。
【００１４】
【数２】
2011061164.tif 000004
・・・（２）
【００１５】
【数３】
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・・・（３）
【００１６】
【数４】
2011061164.tif 000006
・・・（４）
【００１７】
式（２）における回折光Ｄ１（またはＤ２＊）は、回折光Ｅ１（またはＥ２＊）において、振幅が所定値（例えば０．１）よりも小さい回折光の値をゼロとしたものである。振幅の小さな回折光を計算しないことで、結像に対して主要に寄与する項（主要干渉項）を計算することができる。ここで、式（２）のように式（１）におけるＥ１（ｆ１，ｇ１）、Ｅ２＊（ｆ２，ｇ２）のうち双方をＤ１、Ｄ２＊でそれぞれ置き代えるのではなく、いずれか一方を置き換えてもよい。式（２）の右辺は、干渉によって像を形成する２組の回折光群のうち少なくとも一方の回折光群から所定値よりも小さい振幅を有する回折光を除外したときに式（１）において残っている主要干渉項の例である。ここで、２組の回折光群は、第１組の回折光群と、第２組の回折光群とを含む。この実施形態では、第１組の回折光群は、複数の瞳座標（ｆ１，ｇ１）のそれぞれにおけるＥ１（ｆ１，ｇ１）の集合であり、第２組の回折光群は、複数の瞳座標（ｆ２，ｇ２）のそれぞれにおけるＥ２＊（ｆ２，ｇ２）の集合である。
式（３）における（Ｆ１、Ｇ１）は、式（１）において、（ｆ１、ｇ１）をある任意の値（例えば０）に限定したことを表している。干渉する２組の回折光のうちの一方の回折光を所定値よりも大きい振幅を有する次数の回折光（例えば０次光）に限定することで、結像に対して主要に寄与する項（主要干渉項）を計算することができる。ここで、式（３）のように、式（１）における（ｆ１，ｇ１）、（ｆ２，ｇ２）のうち一方のみを限定するのではなく、双方を限定してもよい。式（３）の右辺は、干渉によって像を形成する２組の回折光群のうち一方の回折光群を所定値よりも大きい振幅を有する次数の回折光に限定したときに式（１）において残っている主要干渉項の例である。
【００１８】
式（４）は、式（２）に示される概念と式（３）に示される概念の双方を含むものである。式（４）の右辺は、
（ａ）干渉によって像を形成する２組の回折光群のうち一方の回折光群を所定値よりも大きい振幅を有する次数の回折光に限定し、かつ、
（ｂ）該２組の回折光群のうち少なくとも一方の回折光群から所定値よりも小さい振幅を有する回折光を除外したときに、
式（１）において残っている主要干渉項の例である。
【００１９】
このように、主要干渉項（結像に対して主要に寄与する項）だけを計算することで、計算量を少なくすることができ、結像に適した偏光方向を効率的に決定できる。ここで、式（１）に従って結像に寄与する項の全てを計算する場合には、当然に計算時間が長くなり、結像に適した偏光方向を要求される時間内に決定することができないかもしれない。一方、この実施形態のように主要干渉項だけを計算することで、例えば、偏光方向を粗く振りながら結像に適した偏光方向の範囲を大雑把に決定し、その後に、その範囲内で偏光方向を細かく振りながら結像に適した偏光方向を精密に決定する処理が容易になる。これにより、結果として、限られた時間或いは限られた計算能力の下において、偏光方向の決定の精度を従来よりも高めることができるかもしれない。主要干渉項の計算は、式（２）、（３）、（４）など様々な計算方法がある。この他、例えば（ｆ１、ｇ１）をひとつの任意の値（Ｆ１＝０，Ｇ１＝０）に限定するのではなく、複数（例えばＦ１に対して３つ、Ｇ１に対して３つ）の値（Ｆ１＝０、１、−１、Ｇ１＝０、１、−１）などに限定してもよい。この場合にも、結像に主要に寄与する項を選択的に計算している限り、本発明の範囲内であることは、いうまでもない。また、説明の簡易化のため、投影光学系が無収差の場合を議論したが、収差がある場合は、回折光分布に収差情報を付加することで対応できる。
【００２０】
以下、光源要素Ｓｘ１の偏光方向を決定する際に用いる主要干渉項を式（３）において（Ｆ１＝０，Ｇ１＝０）として計算した例を説明する。ここで、射出瞳における偏光方向は、光源要素の偏光方向と一致し、射出瞳上で一様であるものとする。このように考えて最適偏光を決定することで、結像性能が向上することについては、後述の実施例で確認する。図３は、主要干渉項を計算した例を示している。図３（ａ）は、偏光方向が０度（ｘ軸と平行）である場合の例である。図３（ｂ）は、偏光方向が９０度（ｙ軸と平行）である場合の例である。ここでは、最適偏光方向を、図２（ｂ）における中央のホールパターンの中心位置（評価位置）における主要干渉項の値で評価し、最も大きな値をとる偏光方向を最適偏光方向とする。図４（ａ）に示すように、偏光方向に応じて主要干渉項の値が変化する。図４（ａ）において、横軸は偏光方向（度）、縦軸は主要干渉項の値である。この結果から、Ｓｘ１の最適偏光方向を９０度と決定できる。ここでは、最適偏光方向を判断する指標は、中央パターンのピーク値としたが、これに限らず、複数の位置における値の平均値でも良いし、複数の位置ごとに重み付けをしても良いし、パターン境界位置における主要干渉項の勾配の急峻さを表す値を指標としても良い。また、図４（ａ）の結果から、Ｓｘ１に対して、最適偏光の候補を８０度から１００度として、選ばれた範囲の偏光に対して結像計算をして、最終的な最適偏光を選んでも良い。さらに、後述の実施例３に示すように、主要干渉項が極値をとる偏光方向を計算で求めても良い。例えば、主要干渉項Ｍが極大値をとる偏光方向Ｐは、式（５）かつ式（６）を満たす値として決定できる。
【００２１】
【数５】
2011061164.tif 000007
・・・（５）
【００２２】
【数６】
2011061164.tif 000008
・・・（６）
【００２３】
光源要素Ｓａ１についても、同様に、偏光方向を最適化することができる。前述したように、光源要素Ｓｘ１とＳａ１とが決定されると、ｘ軸とｙ軸に対する対称性を考慮して、全ての光源要素の最適偏光が決定される。
【００２４】
図１は、照明条件決定方法（偏光方向最適化方法）のフローを示している。図１７は、図１に示す照明条件決定方法（偏光方向最適化方法）を実行するコンピュータ１０の構成を概略的に示している。コンピュータ１０は、例えば、ＣＰＵ１１、メインメモリ１２、入力装置１３、出力装置１４、不揮発性メモリ１５を備えうる。メインメモリ１２は、例えばＤＲＡＭを含みうる。不揮発性メモリ１５は、例えば、ハードディスク装置、ＥＥＰＲＯＭ等を含みうる。入力装置１３は、例えば、キーボード、通信装置等を含みうる。出力装置１４は、例えば、ディスプレイ、プリンタ、通信装置、メモリ等を含みうる。不揮発性メモリ１５には、図１に示す偏光最適化方法をコンピュータ１０に実行させるためのプログラム１６が格納されうる。プログラム１６は、例えば、アプリケーションプログラムとして構成され、起動要求に従ってメインメモリ１２に読み込まれうる。ＣＰＵ１１は、プログラム１６を実行することによって、図１のフローに示される各ステップを実行する。
【００２５】
図１のステップＳ０１では、露光光の波長、投影光学系のＮＡ、目標パターン、有効光源分布、マスクパターン、回折光が干渉する投影光学系の像面における屈折率が入力装置１３を介して指定される。ステップＳ０２では、最適偏光を決める評価方法が決定される。既に述べた例でいえば、中央のホールパターンの位置を評価位置における主要干渉項の値によって評価がなされる。評価方法の決定は、評価位置および主要干渉項（例えば、式（２）、（３）、（４）のいずれか）の決定を含む。ステップＳ０３では、マスクパターンの回折光分布が算出される。ステップＳ０４では、最適偏光方向を計算するための光源要素が決定される。前述の例では、Ｓｘ１とＳａ１の２つが最適偏光方向を計算するための光源要素として決定される。図１では、光源要素がパラメータｉの値で特定される。ステップＳ０５では、最初の光源要素が指定される（ｉ＝１）。ステップＳ０６では、指定された光源要素を中心とした半径ＮＡの円領域ＣＳｉが決定される。ステップＳ０７では、ＣＳｉにおける回折光を用いて主要干渉項が計算される。具体的には、複数の偏光方向Ｐについて、例えば式（３）に従って主要干渉項の値が計算される。ステップＳ０８では、複数の偏光方向について主要干渉項の値を計算した結果が評価され、最適偏光方向が決定される。例えば、図４（ａ）に示す例では、最適偏光方向が９０度として決定される。ステップＳ０７、Ｓ０８は、例えば、式（５）、（６）に従って最適な偏光方向を決定しても良い。以上のように、この実施形態では、原版を照明する光の偏光方向と主要干渉項の値との関係を評価することによって最適偏光方向（許容基準を満たす偏光方向）が決定される。ステップＳ０９では、ｉの値を変更して異なる光源要素が指定され、処理がステップＳ０６に戻される。したがって、ステップＳ０６からＳ０９までの処理が各光源要素について実行される。既に述べた例では、Ｓｘ１とＳａ１の２つについて計算されることになる。
【００２６】
ステップＳ１０では、既に計算した結果に基づいて、光源要素の配置の対称性を利用して、全ての光源要素の最適偏光方向が決定される。前述の例では、Ｓｘ１とＳａ１の結果を用いて、Ｓｘ２、Ｓａ２、Ｓａ３、Ｓａ４の光源要素に対する最適偏光方向度が決定される。もちろん、Ｓｘ１、Ｓａ１、Ｓｘ２、Ｓａ２、Ｓａ３、Ｓａ４の全ての光源要素について計算を行ってもよい。ステップＳ１１では、必要に応じて、最適偏光が調整される。前述の例では、Ｓｘ１に対して、最適偏光の候補を８０度から１００度として、選ばれた最適偏光に対して結像計算をして、最終的な最適偏光方向を選択することがこの調整である。ステップＳ１２では、必要に応じて、マスクパターンが調整される。これは、マスクパターンに補助パターンがある場合は、最適偏光に応じて補助パターンの大きさを調整する必要が生じる場合があるためである。また、メインパターンのＯＰＣ調整を行う場合もある。こうして調整した後のマスクパターンに対して、必要に応じて最適偏光を調整しても良い。このフローは、ステップＳ１３で終了となる。
【００２７】
以下、光源の偏光方向を最適化した結果と偏光方向の最適化の効果について、実施例を通し説明する。
以下に、本発明の特徴を実施例を通して例示的に説明する。本発明は、例えば、液浸以外の光学系に適用することもできる。また、本発明は、ハーフトーンマスク、ラインパターンに適用するなど、種々の変更を伴って実施することができる。
【００２８】
［実施例１］
露光装置を液浸露光装置とした。液浸液を水（屈折率ｎ＝１．４４）、波長を１９３ｎｍ、ＮＡを１．３５とした。投影光学系は無収差で倍率を０．２５倍とした。レジストの屈折率ｎと１．７０とした。有効光源を図２（ａ）に示す６重極とした。ｘ軸上の光源要素Ｓｘ１については、内σを０．８０、外σを０．９８、開き角を２０度とした。ｘ軸正からｙ軸正に向かって５５度の方向に中心を持つ光源要素Ｓａ１については、内σを０．８３、外σと０．９５、開き角を１５度とした。
【００２９】
目標パターンについては、像面におけるサイズに換算して一辺が５０ｎｍの矩形とした。個々の矩形は、図２（ｂ）に示されているものとした。像面におけるサイズに換算したときのマスクパターンは、目標パターンと同じ図２（ｂ）である。図２（ｃ）は、図２（ｂ）に示したマスクパターンの回折光分布を示している。図２（ｄ）は、光源要素Ｓｘ１についての主要干渉項を計算する領域を示し、図２（ｅ）は、光源要素Ｓａ１についての主要干渉項を計算する領域を示している。図３（ａ）は、光源要素Ｓｘ１について、偏光方向を０度として主要干渉項の値を計算した結果である。ここで、主要干渉項は、式（３）において（Ｆ１＝０，Ｇ１＝０）として計算した。図３（ｂ）は、光源要素Ｓｘ１について、偏光方向を９０度として主要干渉項の値を計算した結果である。図４（ａ）には、一例として、中央のホールパターン中心位置における主要干渉項の値が示されている。中央のホールパターン中心位置に限らず、全てのホールパターンにおいて、主要干渉項が最大値をとる偏光方向は９０度である。９０度を光源要素Ｓｘ１についての最適偏光方向とする。
【００３０】
光源要素Ｓｘ１と同様の手法を用いて、光源要素Ｓａ１について図２（ｅ）の回折光から主要干渉項を計算する。例えば、中央のホールパターン位置における主要干渉項の値は、偏光方向の変化に対して、図４（ｂ）のように変化する。最も高い値をとる偏光方向は、１４０度となる。このとき、評価位置を異なるホール位置にしても、主要干渉項が最も高い値をとる偏光方向は１２５度から１５５度の範囲にある。このことから光源要素Ｓａ１の最適偏光方向は、１４０度に決定する。既に説明した方法で、光源要素Ｓｘ１とＳａ１の最適偏光方向から、対称性を考慮して全ての光源要素の最適偏光方向が決定される。Ｓｘ２は９０度、Ｓａ２は４０度、Ｓａ３は１４０度、Ｓａ４は４０度と決定される。図５に、最適な偏光方向を模式的に示した。
【００３１】
このように射出瞳で決定した最適偏光を有効光源の最適偏光とする妥当性を確認するため、無偏光の場合と最適偏光の場合の結像性能を比較する。図６に、結像性能を評価するホールパターン２箇所をＡとＢで示した。図２（ａ）に示した有効光源分布において、図５に示した最適偏光の場合と無偏光（直交する偏光の和）の場合とで、ＡとＢの結像性能の変化を調べた。結像性能は、デフォーカスに対するホール径（ＣＤ）の変化と、デフォーカスに対するＮＩＬＳ（Ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ  ｉｍａｇｅ  ｌｏｇ  ｓｌｏｐｅ）で評価する。ホール径のデフォーカス変化は、ベストフォーカスにおいて図６のＡで示したホールのｘ軸方向の径が５０ｎｍとなる強度値（スライス値）一定のもとで評価した。
【００３２】
図７（ａ）は、図６のＡで示したホールのデフォーカスに対するＣＤ変化である。ＣＤは、ｘ軸方向とｙ軸方向の平均値である。図７（ｂ）は、図６のＢで示したホールのデフォーカスに対するＣＤ変化である。ＣＤのデフォーカスによる減少は、ＢのホールよりもＡのホールの方が大きい。図７（ａ）、（ｂ）から、最適偏光と無偏光とで、ＣＤで評価した結像性能が同等であることが分かる。
【００３３】
図８（ａ）が、図６のＡで示したホールのデフォーカスに対するＮＩＬＳ変化である。ＮＩＬＳは、ｘ軸方向とｙ軸方向の平均値である。ベストフォーカスにおいて、無偏光のＮＩＬＳが１．１２に対し、最適偏光のＮＩＬＳは１．１５であり約３％ＮＩＬＳが向上している。図８（ｂ）は、図６のＢで示したホールのデフォーカスに対するＮＩＬＳ変化である。ベストフォーカスにおいて、無偏光のＮＩＬＳが１．５５に対し、最適偏光のＮＩＬＳは１．８１であり約１７％ＮＩＬＳが向上している。図８（ａ）（ｂ）から、偏光を最適化することで、ＮＩＬＳで評価した結像性能が向上したことが分かる。偏光を最適化することで、ＣＤ評価による焦点深度を維持してＮＩＬＳを向上させることができた。このことから本実施例において、射出瞳における最適偏光を光源に与えることで、結像性能を向上させることが可能なことがわかる。
【００３４】
［実施例２］
本実施例では、マスクパターンが、目標パターンと等しいメインパターンと、補助パターンとを有するものである場合における偏光最適化を考える。有効光源分布（図２（ａ）参照）と目標パターン（図２（ｂ）参照）は実施例１と同じである。図９（ａ）に本実施例のマスクパターンを示す。補助パターンは、既存の手法で決定したものを用いる。補助パターンのサイズは像面におけるサイズに換算したサイズで３２ｎｍとした。図９（ｂ）は、図９（ａ）のマスクパターンの回折光分布を示す。図９（ｃ）は、光源要素Ｓｘ１について主要干渉項を計算する領域を示し、図９（ｄ）は、光源要素Ｓａ１についで主要干渉項を計算する領域を示している。図１０（ａ）は、図９（ｃ）の回折光を用いて計算した主要干渉項のホールパターンＡの中心位置における値である。主要干渉項の計算は実施例１と同様の方法で計算した。図１０（ａ）から、光源要素Ｓｘ１の最適偏光方向は９０度と決定される。図１０（ｂ）は、図９（ｄ）の回折光を用いて計算した主要干渉項のホールパターンＡの中心位置における値である。図１０（ｂ）から、光源要素Ｓａ１の最適偏光方向は１４５度と決定される。光源要素Ｓｘ１とＳａ１の最適偏光方向から、対称性を考慮して全ての光源要素の最適偏光方向が決定する。具体的には、Ｓｘ２は９０度、Ｓａ２は３５度、Ｓａ３は１４５度、Ｓａ４は３５度と決定される。最適偏光と無偏光との場合で、結像性能を比較した結果を図１１と図１２に示す。図１１（ａ）は、図６のＡで示したホールに対するホール径（ＣＤ）のデフォーカス変化で、図１１（ｂ）は、図６のＢで示したホールに対するホール径（ＣＤ）のデフォーカス変化である。どちらも偏光を最適化しても同等の性能であることが分かる。図１２（ａ）は、図６のＡで示したホールに対するデフォーカスに対するＮＩＬＳの変化で、図１２（ｂ）は、図７のＢで示したホールに対するデフォーカスに対するＮＩＬＳの変化である。図１２（ａ）から、ベストフォーカスにおいて、偏光を最適化したことでＮＩＬＳが約７％向上している。図１２（ｂ）から、ベストフォーカスにおいて、偏光を最適化したことでＮＩＬＳが約９％向上している。偏光最適化によって、焦点深度を落とさずに、ＮＩＬＳを向上させることができた。
【００３５】
［実施例３］
露光装置を液浸露光装置とした。液浸液を水（屈折率ｎ＝１．４４）とした。波長を１９３ｎｍ、ＮＡを１．３５とした。投影光学系は無収差で倍率を０．２５倍とした。レジストの屈折率ｎを１．７０とした。有効光源を図１３（ｃ）に示す４重極とした。第一象限の光源要素Ｓａ１は、中心がｘ＝０．３５、ｙ＝０．２０で、ｘ方向の辺の長さが０．１０、ｙ方向の辺の長さが０．０７の長方形である。Ｓａ１とｙ軸に対して対称な位置に第二象限の光源要素Ｓａ２があり、Ｓａ１とＳａ２と、ｘ軸に対して対称な位置に第四象限の光源要素Ｓａ４と第三象限の光源要素Ｓａ３がある。
【００３６】
目標パターンは、像面におけるサイズに換算して一辺が６５ｎｍのホールパターンとした（図１３（ａ）参照）。像面におけるサイズに換算したときのマスクパターンは、目標パターンと同じ図１３（ａ）であるとする。主要干渉項は、式（３）において（Ｆ１＝０，Ｇ１＝０）として計算した。本実施例では、主要干渉項Ｍが極大値をとる偏光方向を最適偏光方向とする。Ｍが極大値をとる条件は、主要干渉項の像面における位置（ｘ、ｙ）と偏光方向Ｐｏｌの関数であるＭ（ｘ、ｙ、Ｐｏｌ）の、Ｐｏｌによる１階微分がゼロになり、かつＰｏｌによる２階微分が負になることである。１階微分がゼロになる式は、式（７）のように表すことができる。
【００３７】
【数７】
2011061164.tif 000009
・・・（７）
式（７）を満たすＰｏｌとして、式（８）に示す２つの解、Ｐｏｌ＿１とＰｏｌ＿２を得る。
【００３８】
【数８】
2011061164.tif 000010
・・・（８）
これら２つのＰｏｌのうち
【００３９】
【数９】
2011061164.tif 000011
・・・（９）
を満たすＰｏｌが、Ｍが極大値をとるＰｏｌである。
【００４０】
本実施例では、（ｘ、ｙ）として図１３（ｂ）のＡ、Ｂ、Ｃを選ぶ。Ａ、Ｂ、Ｃの各ホール位置は、μｍ単位で、Ａ（ｘ＝０．００、ｙ＝０．００）、Ｂ（ｘ＝―０．１３、ｙ＝０．００）、Ｃ（ｘ＝０．２０、ｙ＝０．１３）である。光源要素Ｓａ１において、Ｍが極大値をとる偏光方向は、前述の方法で、Ａでは１２６．６度、Ｂでは１２５．２度、Ｃでは１４７．３度として決定することができる。最適偏光方向は、これらの値の平均としても良いし、重みをつけた線形和としても良いし、４つの偏光方向で結像計算をして最適なものを選んでも良い。また、製造上実現できる複数の偏光方向の中から、計算で求まった最適偏光方向にもっとも近い値を、最適偏光方向として選んでもよい。ここでは、Ｃにおける偏光方向である１４７．３度を最適偏光方向に選ぶ。ｘ軸とｙ軸の対称性から、光源要素Ｓａ２については３２．７度、光源要素Ｓａ３については１４７．３度、光源要素Ｓａ４については３２．７度となる。
【００４１】
最適偏光と無偏光との場合で、結像性能を比較した結果を図１４と図１５に示す。図１４（ａ）は、図１３（ｂ）のＡとＢで示したホールに対するデフォーカスに対するホール径（ＣＤ）の変化である。図１４（ｂ）は、図１３（ｂ）のＣで示したホールに対するデフォーカスに対するＣＤの変化である。どちらも、偏光を最適化しても同等の性能であることが分かる。図１５（ａ）は、図１３（ｂ）で示したＡとＢのホールに対するデフォーカスに対するＮＩＬＳの変化である。図１５（ｂ）は、図１３（ｂ）のＣのホールに対するデフォーカスに対するＮＩＬＳの変化である。図１５（ａ）から、ベストフォーカスにおいて、偏光を最適化したことでＮＩＬＳが、Ａで５．５％、Ｂで８．０％向上している。図１５（ｂ）から、ベストフォーカスにおいて、偏光を最適化したことでＮＩＬＳが、Ｃで４．７％向上している。偏光最適化によって、焦点深度を落とさずに、ＮＩＬＳを向上させることができた。
【００４２】
［露光装置］
次に、図１６を参照しながら本発明が適用されうる露光方法について例示的に説明する。露光装置１００は、照明系１１０と、マスク（原版）１３０を保持するマスクステージ１３２と、投影光学系１４０と、主制御ユニット１５０と、モニタ及び入力装置１５２と、ウエハ１７０を保持するウエハステージ１７６とを備える。露光装置１００では、投影光学系１４０の最終面とウエハ１７０との間に液体１８０に供給され、投影光学系１４０および液体１８０を介してマスク１３０のパターンがウエハ１７０に投影される。この例では、露光装置１００は、ステップアンドスキャン方式の投影露光装置（即ち、スキャナー）であるが、ステップアンドリピート方式その他の露光方式を適用してもよい。
【００４３】
照明系１１０は、光源部と照明光学系とを含む。光源部は、光源としてのレーザー１１２と、ビーム整形系１１４とを含む。レーザーの種類、個数は限定されず、光源部の種類も限定されない。ビーム整形系１１４は、例えば、複数のシリンドリカルレンズを含むビームエクスパンダ等を使用することができる。ビーム整形系１１４は、例えば、レーザー１１２からの平行光の断面形状の縦横比率を所望の値に変換する（例えば、断面形状を長方形から正方形にするなど）ことによりビーム形状を所望のものに整形する。ビーム整形系１１４は、後述するオプティカルインテグレーター１１８を照明するために必要な大きさと発散角を持つ光束を形成する。
【００４４】
照明光学系は、マスク１３０を照明するように構成されている。照明光学系は、例えば、集光光学系１１６と、偏光制御ユニット１１７と、オプティカルインテグレーター１１８と、開口絞り１２０と、集光レンズ１２２と、折り曲げミラー１２４と、マスキングブレード１２６と、結像レンズ１２８とを含む。照明光学系は、変形照明など様々な照明モードを実現することができる。集光光学系１１６は、複数の光学素子から構成され、オプティカルインテグレーター１１８に所望の形状の光束を効率よく導入する。例えば、集光光学系１１６はズームレンズシステムを含み、オプティカルインテグレーター１１８への入射ビームの形および角度の分配をコントロールする。集光光学系１１６は、マスク１３０への照明光の露光量を照明毎に変更可能な露光量調整部を含む。露光量調整部は、主制御ユニット１５０によって制御される。露光量モニタを、例えば、オプティカルインテグレーター１１８とマスク１３０の間やその他の場所に置き露光量を計測しその結果をフィードバックすることもできる。
【００４５】
偏光制御ユニット１１７は、例えば、偏光素子を含み、投影光学系１４０の瞳面１４２とほぼ共役な位置に配置される。偏光制御ユニット１１７は、瞳面１４２に形成される有効光源の所定の領域における偏光状態を制御する。複数種類の偏光素子からなる偏光制御ユニット１１７が図示しないアクチュエータによって回転可能なターレット上に設けられて主制御ユニット１５０がかかるアクチュエータの駆動を制御してもよい。偏光制御ユニット１１７により、上記の方法によって決定された結像に適した偏光方向を実現することができる。
【００４６】
オプティカルインテグレーター１１８は、マスク１３０を照明する照明光を均一化し、入射光の角度分布を位置分布に変換して出射するハエの目レンズとして構成される。ハエの目レンズは、その入射面と出射面とがフーリエ変換の関係に維持され、ロッドレンズ（即ち、微小レンズ素子）を多数組み合わせることによって構成されている。但し、オプティカルインテグレーター１１８はハエの目レンズに限定されず、光学ロッド、回折格子、各組が直交するように配置された複数の組のシリンドリカルレンズアレイ板などを含む。
【００４７】
オプティカルインテグレーター１１８の出射面の直後には、形状及び径が固定された開口絞り１２０が設けられている。開口絞り１２０は、投影光学系１４０の瞳面１４２に形成される図２（ｂ）などに示される有効光源とほぼ共役な位置に配置され、開口絞りの１２０の開口形状は投影光学系１４０の瞳面１４２の有効光源の強度分布に相当する。開口絞り１２０は有効光源の強度分布を制御する。開口絞り１２０は、照明条件に応じて絞り交換機構（アクチュエータ）１２１によって、開口絞りが光路中に位置するように切り替え可能となっている。アクチュエータ１２１の駆動は、主制御ユニット１５０によって制御される駆動制御ユニット１５１によって制御される。なお、開口絞り１２０は、偏光制御ユニット１１７と一体に構成されてもよい。
【００４８】
集光レンズ１２２はオプティカルインテグレーター１１８の射出面近傍の２次光源から射出し、開口絞り１２０を透過した複数の光束を集光し、ミラー１２４で反射させて被照斜面としてのマスキングブレード１２６面を均一にケーラー照明によって照明する。マスキングブレード１２６は複数の可動遮光板より構成され、投影光学系１４０の有効面積に対応するほぼ矩形の任意の開口形状を有している。マスキングブレード１２６の開口部を透過した光束をマスク１３０の照明光として使用する。マスキングブレード１２６は開口幅を自動可変な絞りであり、転写領域を変更できる。また、露光装置１００は、スキャン方向の転写領域を変更可能にする、上述のマスキングブレードと類似した構造のスキャンブレードを更に有してもよい。スキャンブレードも開口幅が自動可変できる絞りであり、マスク１３０面と光学的にほぼ共役な位置に設けられる。露光装置１００は、これら二つの可変ブレードを用いることによって露光を行うショットの寸法に合わせて転写領域の寸法を設定することができる。結像レンズ１２８は、マスキングブレード１２６の開口形状をマスク１３０面上に照射して転写し、マスク１３０面上のパターンを図示しないウエハーチャックに載置したウエハ１７０面上に縮小投影する。
【００４９】
マスク１３０は、転写されるべきパターンに対応する主パターンと、必要に応じて、それ自身は解像しない補助パターンとを有し、マスクステージ１３２に支持及び駆動される。マスク１３０から発せられた回折光は投影光学系１４０を通りウエハ１７０に投影される。マスク１３０とウエハ１７０とは光学的に共役の関係に配置される。露光装置１００はスキャナーであるため、マスク１３０とウエハ１７０とを同期走査することによりマスク１３０のパターンをマスク１３０上に転写する。なお、ステップアンドリピート方式の露光装置（即ち、「ステッパー」）であれば、マスク１３０とウエハ１７０とを静止させた状態で露光を行う。マスク１３０は、バイナリーマスク、ハーフトーンマスク、位相シフトマスクのいずれも使用することができる。
【００５０】
マスクステージ１３２は、マスク１３０を支持して図示しない移動機構に接続されている。マスクステージ１３２及び投影光学系１４０は、例えば、床等に載置されたベースフレームにダンパ等を介して支持されるステージ鏡筒定盤上に設けられる。マスクステージ１３２は、当業界周知のいかなる構成をも適用できる。図示しない移動機構はリニアモータなどで構成され、ＸＹ方向にマスクステージ１３２を駆動することでマスク１３０を移動することができる。露光装置１００は、マスク１３０とウエハ１７０を主制御ユニット１５０によって同期した状態で走査する。
【００５１】
投影光学系１４０は、マスク１３０に形成されたパターンを経た回折光をウエハ１７０上に結像する機能を有する。投影光学系１４０は、複数のレンズ素子のみからなる光学系でありうる。投影光学系１４０はまた、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）でありうる。投影光学系１４０はまた、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系であってもよい。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。そうでなければ、色収差の補償は、レーザーのスペクトルの幅を狭くすることで実現する。
【００５２】
主制御ユニット１５０は、各部の駆動制御を行うが、特に、モニタ及び入力装置１５２の入力装置から入力される情報、照明系１１０からの情報に基づいて照明制御を行う。主制御ユニット１５０による制御情報やその他の情報はモニタ及び入力装置１５２のモニタに表示される。
【００５３】
ウエハ１７０では、基板１７４上に反射防止膜１７２が成膜され、反射防止膜１７２の上にレジスト（フォトレジスト）１７１が塗布されている。反射防止膜１７２は多層の場合もある。また、反射防止膜１７２は成膜されない場合もある。ウエハ１７０はウエハステージ１７６に支持される。ウエハステージ１７６は、当業界で周知のいかなる構成をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及び動作の説明は省略する。例えば、ウエハステージ１７６はリニアモータを利用してＸＹ方向にウエハ１７０を移動する。マスク１３０とウエハ１７０とは、例えば、同期して走査され、マスクステージ１３２とウエハステージ１７６との位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視される。マスク１３０とウエハ１７０とは、一定の速度比率で駆動される。ウエハステージ１７６は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられる。マスクステージ１３２及び投影光学系１４０は、例えば、床等に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００５４】
液体１８０には、露光波長の透過率がよく、投影光学系に汚れを付着させず、レジストプロセスとのマッチングが良い物質が選択される。投影光学系１４０の最終面には液体１８０からの影響を保護するためにコーティングを施す。
【００５５】
露光において、レーザー１１２から発せられた光束は、ビーム整形系１１４によりそのビーム形状が整形された後で、集光光学系１１６を介して、オプティカルインテグレーター１１８に導入される。オプティカルインテグレーター１１８は照明光を均一化し、開口絞り１２０は、有効光源の強度分布を設定する。かかる照明光は集光レンズ１２２、折り曲げミラー１２４、マスキングブレード１２６、結像レンズ１２８を介してマスク１３０を最適な照明条件で照明する。マスク１３０を通過した光束は投影光学系１４０によって、ウエハ１７０上に所定倍率で縮小投影される。
【００５６】
投影光学系１４０のウエハ１７０への最終面は空気よりも屈折率の高い液体１８０に浸漬されているので、投影光学系１４０のＮＡは高くなり、ウエハ１７０に形成される解像度も微細になる。また、偏光を制御することにより、レジスト１７１上においてコントラストの高い像を形成することができる。これにより、露光装置１００はレジストへのパターン転写を高精度に行って高品位なデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００５７】
本発明の好適な実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイス、液晶デバイス等のデバイスの製造に好適である。前記方法は、感光剤が塗布された基板を、上記の露光装置を用いて露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。
【図１】
2011061164.tif 000012
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図２】
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【図３】
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【図９】
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