(57)【要約】【課題】基板の汚染を抑制しつつ、基板を長時間保管する。【解決手段】基板処理システムは、カセットステーションと、処理ステーション５と、インターフェイスステーション７と、露光装置６とを有している。インターフェイスステーション７は、複数のウェハＷを上下方向に多段に収容し、処理ステーション５側と露光装置６側の側面に開口部３０１、３０２が形成された収容容器３００と、収容容器３００の上面から水平方向に張り出した拡散板３１０、３１１と、を有する。インターフェイスステーション７には、給気領域Ａ１と、ウェハ領域Ａ２と、排気領域Ａ３とが設けられている。拡散板３１０、３１１は、給気領域Ａ１から流れる所定の気体を均一に拡散させる通気部３２０、３２１をそれぞれ有する。【選択図】図１１
2011082565.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理装置であって、
基板を処理する処理部と、
前記処理部に対して基板を搬入出する搬入出部と、を有し、
前記搬入出部は、
複数の基板を上下方向に多段に収容し、基板を搬入出するための搬入出口が形成された収容容器と、
前記収容容器の上面から水平方向に張り出した拡散板と、を有し、
前記搬入出部には、
前記拡散板を介して前記複数の基板側の領域に所定の気体を供給する給気領域と、
前記収容容器内に複数の基板が配置される基板領域と、
前記基板領域の下流側の排気領域と、が設けられ、
前記拡散板は、前記給気領域から流れる所定の気体を均一に拡散させる通気部を有することを特徴とする、基板の処理装置。
【請求項２】
前記収容容器には、上下方向に移動して前記搬入出口を開閉する蓋体と、前記蓋体の動作を制御する制御装置と、が設けられ、
前記制御装置は、前記収容容器に基板が順次搬入出されるに伴い、当該収容容器内の基板と対向する位置の前記搬入出口を前記蓋体が覆うように、当該蓋体の動作を段階的に制御することを特徴とする、請求項１に記載の基板の処理装置。
【請求項３】
前記処理部は、基板上に塗布液を塗布し、基板上の露光された塗布膜を現像する塗布現像処理部と、基板上の塗布膜を露光する露光処理部とを有し、
前記搬入出部は、前記塗布現像処理部と前記露光処理部との間に配置され、
前記処理容器には、前記塗布現像処理部側と前記露光処理部側の側面がそれぞれ開口した開口部が形成され、
前記拡散板は、前記収容容器の上面から水平方向に前記塗布現像処理側と前記露光処理部側にそれぞれ張り出していることを特徴とする、請求項１又は２に記載の基板の処理装置。
【請求項４】
前記通気部は、前記拡散板を厚み方向に貫通する貫通孔であって、
前記貫通孔は、前記拡散板に水平面内に均一に複数形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、例えばウェハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などの一連の処理が順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。
【０００３】
これらレジスト塗布処理、露光処理、現像処理などの処理は、通常、レジスト塗布装置、露光装置、現像装置などの処理ユニットでそれぞれ行われる。しかしながら、これら処理ユニットはそれぞれの処理能力が異なるため、処理能力の低い処理ユニットで処理待ちのウェハが滞留してしまう。
【０００４】
処理待ちのウェハをそのままの状態で放置すると、当該ウェハ上に粒子状の汚染物質（パーティクル）や気体状の汚染物質が付着する。また、レジスト膜中の酸と空気中のアミンの中和反応によりレジスト膜表面に不動体の層が形成され、最終的に所定のレジストパターンが形成されない場合がある。このため、処理待ちのウェハを適切な環境で保管する必要がある。
【０００５】
さらに、処理能力の異なる処理ユニットが各種処理を行う自由度を確保して、一連のウェハ処理を効率よく行うため、処理待ちのウェハをできるだけ長時間保管するのが望ましい。
【０００６】
そこで、従来より、処理待ちのウェハを不活性ガスで充填された収容容器内に収容して保管することが提案されている。具体的には、図１６に示すように、複数のウェハＷを上下方向に多段に収納する収容容器５００の下面において、収容容器５００内に不活性ガスを供給する給気ポート５０１と、収容容器５００内の雰囲気を排気する排気ポート５０２と、が接続されている。そして、給気ポート５０１から不活性ガスを供給して、収容容器５００内を不活性ガスで充填している（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−５６０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、給気ポート５０１から供給される不活性ガスを純粋な不活性ガスにすることは技術的に困難であり、当該不活性ガス中には微量のアミンが含まれている。そして、給気ポート５０１と排気ポート５０２は、例えば図１７に示すように収容容器５００の一の側面側に接続されており、最上段のウェハＷの端部（図１７中の斜線部）上を不活性ガスが通過する。そうすると、ウェハＷの端部では、その他の部分に比べて不活性ガス中のアミンが衝突する確率が高くなるため、ウェハＷの端部に不動体の層が形成して汚染されやすくなる。このため、ウェハＷを長時間保管することができなかった。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の汚染を抑制しつつ、基板を長時間保管することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板の処理装置であって、基板を処理する処理部と、前記処理部に対して基板を搬入出する搬入出部と、を有し、前記搬入出部は、複数の基板を上下方向に多段に収容し、基板を搬入出するための搬入出口が形成された収容容器と、前記収容容器の上面から水平方向に張り出した拡散板と、を有し、前記搬入出部には、前記拡散板を介して前記複数の基板側の領域に所定の気体を供給する給気領域と、前記収容容器内に複数の基板が配置される基板領域と、前記基板領域の下流側の排気領域と、が設けられ、前記拡散板は、前記給気領域から流れる所定の気体を均一に拡散させる通気部を有することを特徴としている。
【００１１】
本発明によれば、搬入出部には拡散板が設けられているので、給気領域から収容容器に流れる所定の気体は、拡散板を通過する際に水平面内で均一に拡散されて、複数の基板側に流入する。かかる場合、所定の気体中に微量のアミンが含有されている場合でも、このアミンが基板に衝突する確率が低くなる。そうすると、基板上における不動体の層の形成を抑制することができる。したがって、基板の汚染を抑制しつつ、基板を長時間保管することができる。
【００１２】
前記収容容器には、上下方向に移動して前記搬入出口を開閉する蓋体と、前記蓋体の動作を制御する制御装置と、が設けられ、前記制御装置は、前記収容容器に基板が順次搬入出されるに伴い、当該収容容器内の基板と対向する位置の前記搬入出口を前記蓋体が覆うように、当該蓋体の動作を段階的に制御するようにしてもよい。
【００１３】
前記処理部は、基板上に塗布液を塗布し、基板上の露光された塗布膜を現像する塗布現像処理部と、基板上の塗布膜を露光する露光処理部とを有し、前記搬入出部は、前記塗布現像処理部と前記露光処理部との間に配置され、前記処理容器には、前記塗布現像処理部側と前記露光処理部側の側面がそれぞれ開口した開口部が形成され、前記拡散板は、前記収容容器の上面から水平方向に前記塗布現像処理側と前記露光処理部側にそれぞれ張り出していてもよい。
【００１４】
前記通気部は、前記拡散板を厚み方向に貫通する貫通孔であって、前記貫通孔は、前記拡散板に水平面内に均一に複数形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、基板の汚染を抑制しつつ、基板を長時間保管することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の参考例としての実施の形態にかかる基板の保管装置を有する基板処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。
【図２】基板処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図３】基板処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図４】保管装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】保管装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図６】保管装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図７】別の参考例としての実施の形態にかかる保管装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図８】別の参考例としての実施の形態にかかる保管装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図９】別の参考例としての実施の形態にかかる保管装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１０】本実施の形態にかかる基板処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。
【図１１】基板処理システムのインターフェイスステーション付近の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１２】基板処理システムのカセットステーション付近の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１３】カセットが載置板に載置された様子を示す説明図である。
【図１４】カセットからウェハＷが順次搬出される様子を示す説明図である。
【図１５】カセット内にウェハＷが順次搬入される様子を示す説明図である。
【図１６】従来の基板を保管する装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１７】従来の基板を保管する装置の構成の概略を示す横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の参考例としての実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板の保管装置を有する基板の処理装置としての基板処理システム１の内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、基板処理システム１の内部構成の概略を示す側面図である。
【００１８】
基板処理システム１は、塗布現像処理装置２と保管装置３と露光処理部としての露光装置６とを備えている。
【００１９】
塗布現像処理装置２は、図１に示すように例えば外部との間でカセットＣが搬入出される搬入出部としてのカセットステーション４と、フォトリソグラフィー処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理ユニットを備えた塗布現像処理部としての処理ステーション５と、処理ステーション５に隣接する露光装置６との間でウェハＷの受け渡しを行う搬入出部としてのインターフェイスステーション７とを一体に接続した構成を有している。なお、処理ステーション５と露光装置６が本発明の処理部を構成している。
【００２０】
カセットステーション４は、例えばカセット搬入出部１０とウェハ搬送部１１に分けられている。例えばカセット搬入出部１０は、塗布現像処理装置２のＹ方向負方向（図１の左方向）側の端部に設けられている。カセット搬入出部１０には、カセット載置台１２が設けられている。カセット載置台１２のウェハ搬送部１１側には、カセットＣを開閉するためのオープナー１３が、カセットＣに対向して設けられている。カセット載置台１２上には、複数、例えば４つの載置板１４が設けられている。載置板１４は、水平方向のＸ方向（図１の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらの載置板１４には、塗布現像処理装置２の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。また、載置板１４は、例えばＹ方向にスライド自在あり、載置したカセットＣのウェハ取り出し口をウェハ搬送部１１側に移動させることができる。なお、塗布現像処理装置２とその外部との間のカセットＣの搬入出は、工場内の処理装置間でカセットＣを搬送する図２に示す外部カセット搬送装置Ｂにより行われる。
【００２１】
図１及び図２に示すようにカセットステーション４のウェハ搬送部１１は、雰囲気制御を行うためのケーシング１１ａにより覆われている。また、ウェハ搬送部１１には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２０上を移動自在なウェハ搬送装置２１が設けられている。ウェハ搬送装置２１は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各載置板１４上のカセットＣと、後述する処理ステーション５の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
【００２２】
処理ステーション５には、各種ユニットを備えた複数例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション５の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション５の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション５のカセットステーション４側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション５のインターフェイスステーション７側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
【００２３】
例えば第１のブロックＧ１には、図３に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハＷを現像処理する現像処理ユニット３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成ユニット３１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成ユニット３３が下から順に４段に重ねられている。
【００２４】
例えば第１のブロックＧ１の各ユニット３０〜３３は、処理時にウェハＷを収容するカップＦを水平方向に複数有し、複数のウェハＷを並行して処理することができる。
【００２５】
例えば第２のブロックＧ２には、図２に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理ユニット４０や、ウェハＷを疎水化処理するアドヒージョンユニット４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光ユニット４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理ユニット４０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、熱処理ユニット４０、アドヒージョンユニット４１及び周辺露光ユニット４２の数や配置は、任意に選択できる。
【００２６】
例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡しユニット５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡しユニット６０、６１、６２が下から順に設けられている。
【００２７】
図１に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばウェハ搬送装置７０が配置されている。
【００２８】
ウェハ搬送装置７０は、例えばＹ方向、前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定のユニットにウェハＷを搬送できる。
【００２９】
ウェハ搬送装置７０は、例えば図２に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックＧ１〜Ｇ４の同程度の高さの所定のユニットにウェハＷを搬送できる。
【００３０】
また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。
【００３１】
シャトル搬送装置８０は、例えばＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５２と第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６２との間でウェハＷを搬送できる。
【００３２】
図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡しユニットにウェハＷを搬送できる。
【００３３】
インターフェイスステーション７は、ケーシング７ａにより覆われている。また、インターフェイスステーション７には、ウェハ搬送装置１００が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１００は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡しユニット、露光装置６、及び塗布現像処理装置２の外部に設けられた保管装置３にウェハＷを搬送できる。
【００３４】
次に、上述した保管装置３の構成について説明する。保管装置３は、図４及び図５に示すように複数、例えば２５枚のウェハＷを上下方向に多段に収容し、内部を密閉可能な収容容器１１０を有している。収容容器１１０の一側面には、ウェハＷを出入りさせるための搬入出口が形成され、この搬入出口には蓋体１１１が取付けられている。蓋体１１１は、オープナー（図示せず）によって上下方向に移動し、搬入出口が開閉される。
【００３５】
収容容器１１０内には、図４及び図６に示すように収容容器１１０内を水平方向に区画する仕切り壁１１２が設けられている。仕切り壁１１２は、閉じた状態の蓋体１１１と蓋体１１１に対向する収容容器１１０の側面との間を水平方向に延伸し、収容容器１１０内を区画している。また、仕切り壁１１２は、その上端と収容容器１１０の上面との間に所定の間隔の開口部１１３を形成するように、収容容器１１０の下面から上方向に延伸している。
【００３６】
収容容器１１０内には、図４に示すようにウェハＷの上方を覆うように拡散板１２０が設けられている。拡散板１２０は、仕切り壁１１２の上部に配置され、図６に示すように仕切り壁１１２と収容容器１１０の側壁に囲まれて配置されている。拡散板１２０には、通気部として、拡散板１２０を厚み方向に貫通する貫通孔１２１が形成されている。貫通孔１２１は、拡散板１２０の水平面内に均一に複数形成されている。この拡散板１２０により、後述する給気領域Ａ１から流れる所定の気体としての不活性ガスを水平面内で均一に拡散させることができる。
【００３７】
このようにウェハＷ、仕切り壁１１２及び拡散板１２０が収容容器１１０内に配置されて、図４に示すように収容容器１１０には、拡散板１２０を介してウェハＷ側の領域に所定の気体を供給する給気領域Ａ１と、複数のウェハＷが配置される基板領域としてのウェハ領域Ａ２と、ウェハ領域Ａ２の下流側の排気領域Ａ３とが設けられている。また、収容容器１１０の側壁部には、ウェハ領域Ａ２から隔離され、給気領域Ａ１に通ずる流路Ｒが形成されている。
【００３８】
流路Ｒにおける収容容器１１０の下面には、収容容器１１０の給気領域Ａ１に不活性ガスを供給する給気口１３０が形成されている。給気口１３０には、給気管１３１が接続されている。給気管１３１は、不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源（図示せず）に連通している。不活性ガスとしては、例えば窒素ガスが用いられる。なお、本実施の形態では、収容容器１１０内に供給する気体として不活性ガスを用いたが、その他の気体、例えば空気を用いてもよい。
【００３９】
排気領域Ａ３における収容容器１１０の下面には、排気領域Ａ３から収容容器１１０内の雰囲気を排気する排気口１３２が形成されている。排気口１３２には、排気管１３３が接続されている。排気管１３３は、ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されており、収容容器１１０内の雰囲気を強制的に排気できる。
【００４０】
収容容器１１０は、収容容器１１０の下方に設けられた台車１４０に支持されている。台車１４０は、水平方向に移動自在に構成されている。
【００４１】
基板処理システム１は、図１に示すように制御装置１５０が設けられている。制御装置１５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、保管装置３内の雰囲気を制御する、すなわち給気口１３０から収容容器１１０内への不活性ガスの供給と、排気口１３２からの収容容器１１０内の雰囲気の排気とを制御するプログラムが格納されている。これに加えて、プログラム格納部には、上述の各種処理ユニットや搬送装置などの駆動系の動作を制御して、後述する基板処理システム１の所定の作用、すなわちウェハＷへのレジスト液の塗布、現像、加熱処理、ウェハＷの受け渡し、各ユニットの制御などを実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置１５０にインストールされたものであってもよい。
【００４２】
次に、以上のように構成された基板処理システム１で行われるウェハ処理について説明する。
【００４３】
先ず、１ロットの複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが、外部カセット搬送装置Ｂにより図１に示すカセットステーション４の所定の載置板１４に載置される。そして、載置板１４によりカセットＣがウェハ搬送部１１側に移動し、オープナー１３によりカセットＣが開けられる。その後、ウェハ搬送装置２１によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、処理ステーション５の第３のブロックＧ３の例えば受け渡しユニット５３に搬送される。
【００４４】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理ユニット４０に搬送され、温度調節される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成ユニット３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理ユニット４０に搬送され、加熱され、温度調節され、その後第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５３に戻される。
【００４５】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって同じ第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５４に搬送される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２のアドヒージョンユニット４１に搬送され、アドヒージョン処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によってレジスト塗布ユニット３２に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送されて、プリベーク処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５５に搬送される。
【００４６】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって上部反射防止膜形成ユニット３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハＷは、周辺露光ユニット４２に搬送され、周辺露光処理される。
【００４７】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５６に搬送される。
【００４８】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって受け渡しユニット５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６２に搬送される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション７のウェハ搬送装置１００によって、塗布現像処理装置２の外部に配置された保管装置３に搬送される。保管装置３では、後続の露光処理を行う露光装置６の処理能力に応じて、所定の枚数のウェハＷが所定の時間保管される。
【００４９】
保管装置３の収容容器１１０内に所定の枚数のウェハＷが収容されると、蓋体１１１を閉じて収容容器１１０の内部を密閉する。その後、給気口１３０から収容容器１１０内に不活性ガスが供給されると共に、排気口１３２から収容容器１１０内の雰囲気が排気される。このとき、給気口１３０から供給された不活性ガスは、流路Ｒと開口部１１３を順次通過して給気領域Ａ１に流れる。給気領域Ａ１に流入した不活性ガスは、拡散板１２０の貫通孔１２１を通過して水平面内に均一に拡散されて、複数のウェハＷが配置されたウェハ領域Ａ２に流入する。その後、排気領域Ａ３から処理容器１１０内の雰囲気が排気口１３２から排気される。このようにして、収容容器１１０内の雰囲気が不活性ガス雰囲気に置換される。
【００５０】
その後、所定の時間が経過すると、保管装置３内のウェハＷは、インターフェイスステーション７のウェハ搬送装置１００によって露光装置６に搬送され、露光処理される。なお、本実施の形態では、露光処理の前に保管装置３でウェハＷを一旦保管したが、露光装置６の処理能力に余裕がある場合には、第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６２のウェハＷをウェハ搬送装置１００によって露光装置６に直接搬送してもよい。
【００５１】
次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６０に搬送される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送され、露光後ベーク処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像処理ユニット３０に搬送され、現像される。現像終了後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送され、ポストベーク処理される。
【００５２】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５０に搬送され、その後カセットステーション４のウェハ搬送装置２１によって所定の載置板１４のカセットＣに搬送される。こうして、一連の処理（フォトリソグラフィー処理）が終了し、ウェハＷ上に所定のレジストパターンが形成される。
【００５３】
以上の実施の形態によれば、収容容器１１０内には拡散板１２０が設けられているので、給気口１３０から流路Ｒを介して給気領域Ａ１に供給された不活性ガスは、拡散板１２０を通過する際に水平面内で均一に拡散されて、ウェハ領域Ａ２に流入する。かかる場合、給気口１３０から供給された不活性ガス中に微量のアミンが含有されている場合でも、このアミンがウェハ領域Ａ２のウェハＷに衝突する確率が低くなる。そうすると、ウェハＷ上における不動体の層の形成を抑制することができる。しかも、収容容器１１０の内部は密閉可能なので、外部から汚染物質が侵入することがなく、ウェハＷ上における汚染物質の付着も抑制することができる。したがって、ウェハＷの汚染を抑制しつつ、ウェハＷを長時間保管することができる。
【００５４】
このようにウェハＷの汚染を抑制することができるので、基板処理システム１においてウェハＷ上に所定のレジストパターンを形成することができる。すなわち、ウェハＷの現像処理における現像欠陥を抑制すると共に解像不良を抑制して、レジストパターンの上部形状を所定の形状に形成し、レジストパターンの線幅を所定の寸法に形成することができる。さらに、ウェハＷを長時間保管することができるので、各種処理を行う自由度を確保することができ、各処理ユニットの処理能力が異なる場合でも一連のウェハ処理を効率よく行うことができる。例えば本実施の形態では、露光装置６の処理能力が塗布現像処理装置２の処理能力よりも低いが、塗布現像処理装置２で所定の処理を行った後、露光装置６で露光処理を行う前に、ウェハＷを保管装置３で保管しているので、露光装置６の処理能力に律則されて塗布現像処理装置２における各種処理を停止する必要がない。このため、塗布現像処理装置２と露光装置６の処理能力を最大限に生かすことができ、基板処理システム１の生産性を向上させることができる。
【００５５】
また、収容容器１１０の側壁部には、ウェハ領域Ａ２から隔離され、給気領域Ａ１に通ずる流路Ｒが形成されているので、給気口１３０から供給された不活性ガスは、複数のウェハＷが配置されたウェハ領域Ａ２に直接流入することがなく、確実に拡散板１２０を通過する。したがって、ウェハＷに衝突する不活性ガスを確実に拡散させることができる。
【００５６】
また、給気口１３０から不活性ガスを供給して収容容器１１０内の雰囲気を不活性ガス雰囲気に置換しているので、収容容器１１０内のアミンの含有量を最小限に抑えることができ、ウェハＷをより長時間保管することができる。
【００５７】
なお、以上の実施の形態では、露光装置６での露光処理前に保管装置３でウェハＷを保管していたが、露光装置６での露光処理後にインターフェイスステーション７に搬送されたウェハＷを保管装置３で所定の時間保管してもよい。かかる場合でも、各種処理を行う自由度を確保することができ、各処理ユニットの処理能力が異なる場合でも一連のウェハ処理を効率よく行うことができる。また、例えば基板処理システム１内に保管装置３を複数設けて、露光処理６での露光処理前と露光処理後の両方の工程で、ウェハＷを保管装置３で保管してもよい。
【００５８】
以上の実施の形態では、収容容器１１０内において、拡散板１２０はウェハＷの上方を覆うように設けられていたが、図７に示すように拡散板１２０はウェハＷの下方を覆うように設けられていてもよい。かかる場合、仕切り壁１１２は、その下端と収容容器１１０の下面との間に所定の間隔の開口部１１３を形成するように、収容容器１１０の上面から下方向に延伸している。拡散板１２０は、仕切り壁１１２の下部に配置されている。また、給気口１３０は流路Ｒにおける収容容器１１０の上面に形成され、排気口１３２は排気領域Ａ３における収容容器１１０の上面に形成されている。なお、これら部材の構成については前記実施の形態で説明した構成と同一であるので、説明を省略する。また、基板処理システム１のその他の部材の構成についても、前記実施の形態で説明した構成と同一であるので、説明を省略する。本実施の形態によっても、給気口１３０から供給された不活性ガスは、流路Ｒと給気領域Ａ１を順次通過して、拡散板１２０で水平面内に均一に拡散されて、複数のウェハＷが配置されたウェハ領域Ａ２に流入する。したがって、不活性ガス中の微量のアミンがウェハＷに衝突する確率が低くなるため、ウェハＷ上における不動体の層の形成を抑制することができ、ウェハＷを長時間保管することができる。
【００５９】
以上の実施の形態では、収容容器１１０内に仕切り壁１１２を設けていたが、この仕切り壁１１２を設けずに、排気口を給気領域Ａ１から排気領域Ａ３に延伸する排気管に設けてもよい。図８に示すように拡散板２００は、収容容器１１０内を上下方向に区画するように、複数のウェハＷの下方に設けられる。このように拡散板２００が収容容器１１０内に配置されて、収容容器１１０には、拡散板２００を介してウェハＷ側の領域に所定の気体を供給する給気領域Ａ１と、複数のウェハＷが配置される基板領域としてのウェハ領域Ａ２と、ウェハ領域Ａ２の下流側の排気領域Ａ３とが設けられている。また、拡散板２００には、通気部として、拡散板２００を厚み方向に貫通する貫通孔２０１が水平面内に均一に複数形成されている。
【００６０】
収容容器１１０の下面には、収容容器１１０内に不活性ガスを供給する給気口２１０が形成されている。給気口２１０には、給気管２１１が接続されている。給気管２１１は、不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源（図示せず）に連通している。
【００６１】
収容容器１１０内には、収容容器１１０の下面（給気領域Ａ１）から拡散板２００を貫通してウェハＷの上方（排気領域Ａ３）まで上下方向に延伸する排気管２１２が設けられている。排気管２１２の上端部は開口し、排気口２１３を形成している。排気管２１３の他端部は、収容容器１１０内に設けられたポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されており、収容容器１１０内の雰囲気を強制的に排気できる。なお、基板処理システム１のその他の部材の構成については、前記実施で説明した構成と同一であるので、説明を省略する。
【００６２】
かかる場合、給気口２１０から給気領域Ａ１に供給された不活性ガスは、拡散板２００で水平面内に均一に拡散されて、複数のウェハＷが配置されたウェハ領域Ａ２に流入する。その後、排気領域Ａ３から収容容器１１０内の雰囲気がウェハＷの上方の排気口２１３から排気される。そして、収容容器１１０内の雰囲気が不活性ガスに置換される。このようにウェハ領域Ａ２に流入する不活性ガスは拡散されているので、不活性ガス中の微量のアミンがウェハＷに衝突する確率が低くなる。そうすると、ウェハＷ上における不動体の層の形成を抑制することができ、ウェハＷを長時間保管することができる。
【００６３】
以上の実施の形態では、収容容器１１０内において、拡散板２００はウェハＷの下方に設けられていたが、図９に示すように拡散板２００はウェハＷの上方に設けられていてもよい。かかる場合、給気口２１０は、収容容器１１０の上面に形成される。また、排気管２１２は、収容容器１１０の上面（給気領域Ａ１）から拡散板２００を貫通してウェハＷの下方（排気領域Ａ３）まで上下方向に延伸している。排気管２１２の下端部は開口し、排気口２１３を形成している。なお、これら部材の構成については前記実施の形態で説明した構成と同一であるので、説明を省略する。また、基板処理システム１のその他の部材の構成についても、前記実施の形態で説明した構成と同一であるので、説明を省略する。本実施の形態によっても、給気口２１０から給気領域Ａ１に供給された不活性ガスは、拡散板２００で水平面内に均一に拡散されて、複数のウェハＷが配置されたウェハ領域Ａ２に流入する。したがって、不活性ガス中の微量のアミンがウェハＷに衝突する確率が低くなるため、ウェハＷ上における不動体の層の形成を抑制することができ、ウェハＷを長時間保管することができる。
【００６４】
以上の実施の形態において、制御装置１５０は、給気口１３０から収容容器１１０内への不活性ガスの供給時間が所定の供給時間に達した際に、当該不活性ガスの供給を停止してもよい。この所定の供給時間は、給気口１３０から不活性ガスが供給されて、収容容器１１０内の雰囲気が不活性ガスに置換される時間に設定され、例えば５リットル／分の供給速度で１５分間に設定される。かかる場合、収容容器１１０内の雰囲気が不活性ガスに置換されると不活性ガスの供給が停止されるので、不活性ガス中のアミンがウェハＷに衝突する確率がより低くなる。したがって、ウェハＷ上における不動体の層の形成をより確実に抑制することができ、ウェハＷを長時間保管することができる。また、不活性ガスを常時供給する場合に比べて、運用コストを削減することができる。
【００６５】
また、制御装置１５０では、不活性ガスの供給を供給時間で制御していたが、供給量で制御してもよい。すなわち、不活性ガスの供給量が所定の供給量に達した際に、当該不活性ガスの供給を停止してもよい。この所定の供給量も、収容容器１１０内の雰囲気が不活性ガスに置換される供給量に設定され、例えば３００ｍｍ径のウェハＷを２５枚収容可能な収容容器１１０の容積とほぼ同量である３０リットルに設定される。なお、これら供給時間や供給量の制御は、不活性ガスの濃度等を考慮して設定される。
【００６６】
以上の実施の形態では、ウェハＷの保管は、塗布現像処理装置２の外部に設けられた保管装置３で行われていたが、本発明の実施の形態では、図１０に示すように塗布現像処理装置２の内部で行われてもよい。塗布現像処理装置２のインターフェイスステーション７には、ウェハＷを収容して保管する収容容器３００が設けられている。収容容器３００には、図１１に示すように複数のウェハＷが上下方向に多段に収容される。収容容器３００の処理ステーション５側の側面は開口し、第１の開口部３０１を形成している。また、収容容器３００の露光装置６側の側面は開口し、第２の開口部３０２を形成している。収容容器３００には、ウェハＷを搬入出するための搬入出口（図示せず）に対してウェハ搬送装置１００がアクセスすることができ、収容容器３００にウェハＷを搬送することができる。
【００６７】
収容容器３００の上面３０３には、上面３０３から水平方向に処理ステーション５側に張り出した第１の拡散板３１０と、上面３０３から水平方向に露光装置６側に張り出した第２の拡散板３１１とが設けられている。このように第１の拡散板３１０と第２の拡散板３１１が配置されて、インターフェイスステーション７には、第１の拡散板３１０を介してウェハＷ側の領域に所定の気体を供給する給気領域Ａ１と、複数のウェハＷが配置される基板領域としてのウェハ領域Ａ２と、ウェハ領域Ａ２の下流側の排気領域Ａ３とが設けられている。また、第１の拡散板３１０には、通気部として、第１の拡散板３１０を厚み方向に貫通する貫通孔３２０が水平面内に均一に複数形成されている。さらに、第２の拡散板３１１にも、通気部として、第２の拡散板３１１を厚み方向に貫通する貫通孔３２１が水平面内に均一に複数形成されている。なお、基板処理システム１のその他の部材の構成については、前記実施で説明した構成と同一であるので、説明を省略する。
【００６８】
ここで、通常操業を行う際、処理ステーション５の内部にはダウンフローと呼ばれる下方向に向かう気流を発生させている。また、処理ステーション５の内部はインターフェイスステーション７の内部よりも高圧に設定されている。そうすると、処理ステーション５内の気体は、下方向に流れながらインターフェイスステーション７に流入し、インターフェイスステーション７内を露光装置６に向かって流れる。
【００６９】
本実施の形態では、処理ステーション５からインターフェイスステーション７に流入した気体の一部は給気領域Ａ１を水平方向に流れ、残りの気体は給気領域Ａ１から下方向に流れる。下方向に流れる気体は、第１の拡散板３１０によって水平面内で均一に拡散されて、複数のウェハＷが配置されたウェハ領域Ａ２に流入する。また、万一露光装置６側から気体が逆流した場合でも、この気体は第２の拡散板３１１によって水平面内で均一に拡散されて、ウェハ領域Ａ２に流入する。かかる場合、処理ステーション５から流入する気体中にアミンが含有されている場合でも、このアミンが収容容器３００内に収容されたウェハＷに衝突する確率が低くなる。そうすると、ウェハＷ上における不動体の層の形成を抑制することができる。したがって、ウェハＷの汚染を抑制しつつ、ウェハＷを長時間保管することができる。
【００７０】
以上の実施の形態の塗布現像処理装置２において、カセットステーション４のカセット搬入出部１０に載置される収容容器としてのカセットＣの上面には、図１２に示すようにウェハ搬送部１１側（処理ステーション５側）に張り出した拡散板４００が設けられていてもよい。このように拡散板４００が配置されて、カセットステーション４には、拡散板４００を介してウェハＷ側の領域に所定の気体を供給する給気領域Ａ１と、複数のウェハＷが配置される基板領域としてのウェハ領域Ａ２と、ウェハ領域Ａ２の下流側の排気領域Ａ３とが設けられている。また、拡散板４００には、通気部として、拡散板４００を厚み方向に貫通する貫通孔４０１が水平面内に均一に複数形成されている。
【００７１】
カセットＣは、複数のウェハＷを上下方向に多段に収容し、内部を密閉可能に構成されている。カセットＣのウェハ搬送部１１側（処理ステーション５側）には、ウェハＷを搬入出するための搬入出口４１０が形成され、この搬入出口４１０には蓋体４１１が取付けられている。蓋体４１１は、上述したオープナー１３によって上下方向に移動し、搬入出口４１０が開閉される。なお、基板処理システム１のその他の部材の構成については、前記実施で説明した構成と同一であるので、説明を省略する。
【００７２】
ここで、ウェハ搬送装置２１によりカセットＣにウェハＷを搬入出する際、通常、ウェハ搬送部１１の内部においてダウンフローと呼ばれる下方向に向かう気流を発生させている。このとき、蓋体４１１を搬入出口４１０から移動させることにより、搬入出口４１０は開いている。そうすると、ウェハ搬送部１１内の気体は、下方向に流れながらその一部がカセットＣ内に流れる。
【００７３】
本実施の形態では、ウェハ搬送部１１内の給気領域Ａ１を下方向に流れる気体は、拡散板４００によって水平面内で均一に拡散されて、複数のウェハＷが配置されたウェハ領域Ａ２に流入する。かかる場合、ウェハ搬送部１１から流入する気体中にアミンが含有されている場合でも、このアミンがカセットＣ内に収容されたウェハＷに衝突する確率が低くなる。そうすると、ウェハＷ上における不動体の層の形成を抑制することができ、ウェハＷを長時間保管することができる。
【００７４】
以上の実施の形態において、制御装置１５０は、次に述べるように蓋体４１１の動作を制御してもよい。先ず、図１３に示すように複数のウェハＷを収容したカセットＣが所定の載置板１４に載置される。このとき、蓋体４１１により搬入出口４１０は閉じられている。その後、図１４に示すようにオープナー１３により蓋体４１１が下方に移動して搬入出口４１０が開放され、ウェハ搬送装置２１によりカセットＣ内のウェハＷが上から順に処理ステーション５に搬送される。このとき、カセットＣからウェハＷが搬出されるに伴い、カセットＣ内に残存するウェハＷと対向する位置の搬入出口４１０を蓋体４１１が覆うように、蓋体４１１が段階的に下方向に移動する。その後、処理ステーション５及び露光装置６で所定の処理が終了したウェハＷは、図１５に示すようにカセットＣに下から順に搬送される。このとき、カセットＣ内にウェハＷが搬入されるに伴い、搬入されたウェハＷと対向する位置の搬入出口４１０を蓋体４１１が覆うように、蓋体４１１が段階的に上方向に移動する。こうして、所定の処理が終了したウェハＷがカセットＣ内に収容される。
【００７５】
かかる場合、カセットＣにウェハＷを搬入出する際、蓋体４１１が搬入出口４１０を段階的に開閉しているので、搬入出口４１０を開放したままでカセットＣにウェハＷを搬入出する場合に比べて、給気領域Ａ１からウェハ領域Ａ２に流れる気体の流量を少量にすることができる。そうすると、気体中のアミンがカセットＣ内に収容されたウェハＷに衝突する確率が低くなり、ウェハＷ上における不動体の層の形成をさらに抑制することができる。
【００７６】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板を保管する際に有用である。
【符号の説明】
【００７８】
１    基板処理システム
２    塗布現像処理装置
３    保管装置
４    カセットステーション
５    処理ステーション
６    露光装置
７    インターフェイスステーション
１１０  収容容器
１１２  仕切り壁
１１３  開口部
１２０  拡散板
１２１  貫通孔
１３０  給気口
１３１  給気管
１３２  排気口
１３３  排気管
１５０  制御装置
Ａ１  給気領域
Ａ２  ウェハ領域
Ａ３  排気領域
Ｒ    流路
Ｗ    ウェハ
【図１】
2011082565.tif 000003
【図２】
2011082565.tif 000004
【図３】
2011082565.tif 000005
【図４】
2011082565.tif 000006
【図５】
2011082565.tif 000007
【図６】
2011082565.tif 000008
【図７】
2011082565.tif 000009
【図８】
2011082565.tif 000010
【図９】
2011082565.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2011082565.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2011082565.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
2011082565.tif 000019