(57)【要約】【課題】外部アンテナを接続するための整合回路を必要としないＲＦＩＤを提供する。【解決手段】ＲＦＩＤリーダ３と磁気結合するＲＦＩＤ２において、送信端子Ｔｘ及びグランド端子Ｇを有する集積回路２１と、送信端子Ｔｘとグランド端子Ｇの間に直列接続されたインダクタＬ１及びキャパシタＣ１を有し、動作周波数に略等しい共振周波数を有するフィルタ２２とを備え、インダクタＬ１を、ＲＦＩＤリーダ３と磁気結合させる。これにより、外部アンテナを接続するための整合回路が不要となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦＩＤリーダと磁気結合するＲＦＩＤであって、
送信端子及びグランド端子を有する集積回路と、
動作周波数に略等しい共振周波数を有するフィルタとを備え、
前記フィルタは、前記送信端子と前記グランド端子の間に直列接続されたインダクタ及びキャパシタを有し、
前記インダクタを、前記ＲＦＩＤリーダと磁気結合させることを特徴とするＲＦＩＤ。
【請求項２】
磁性体基板上に形成された樹脂体をさらに備え、
前記インダクタは、前記樹脂体内に埋め込まれた平面スパイラルコイルによって構成されることを特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤ。
【請求項３】
ブースターコイルをさらに備え、
前記インダクタは、前記ブースターコイルを介して前記ＲＦＩＤリーダと磁気結合することを特徴とする請求項１又は２に記載のＲＦＩＤ。
【請求項４】
前記送信端子は、第１及び第２の送信端子を含み、
前記インダクタは、第１及び第２のインダクタを含み、
前記第１のインダクタは、前記第１の送信端子と前記グランド端子の間に接続され
前記第２のインダクタは、前記第２の送信端子と前記グランド端子の間に接続され、
前記第１及び第２のインダクタを、前記ＲＦＩＤリーダと磁気結合させることを特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のＲＦＩＤを搭載することを特徴とする無線通信機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＦＩＤ及び無線通信機に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１０（ａ）は、本発明の背景技術によるＲＦＩＤの構成を示す図である。同図に示すように、背景技術によるＲＦＩＤ１００は、送受信回路１０１と外部アンテナ１０２とを備えて構成される。送受信回路１０１は、ＩＣチップ１０３とフィルタ１０４とを有している。
【０００３】
ＩＣチップ１０３は送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘ、及びグランド端子Ｇを有しており、送信端子Ｔｘ及び受信端子Ｒｘは外部アンテナ１０２の一方の入力端子ＩＮ１に、グランド端子Ｇは外部アンテナ１０２の他方の入力端子ＩＮ２に接続される。フィルタ１０４はＥＭＣ対策のためのもので、図１０（ａ）に示すように送信側に挿入される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−３０６６８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、送受信回路１０１に外部アンテナ１０２を接続するにあたっては、これらの間でインピーダンスを整合させる必要がある。つまり、図１０（ａ）に示したインピーダンスＺＡとＺＢとを等しくする必要があるが、インピーダンスＺＡとＺＢとは通常全く異なる値となるため、実際のＲＦＩＤ１００では、図１０（ｂ）に示すように、送受信回路１０１と外部アンテナ１０２の間に整合回路１０５が必要となる。以下、詳しく説明する。
【０００６】
初めに、インピーダンスＺＡの具体的な値を求める。インピーダンスＺＡを求めるために、送受信回路１０１を図１１に示す等価回路で置き換える。抵抗Ｒ１０はＩＣチップ１０３の内部抵抗であり、一般的には５０Ω以下である。また、ＲＦＩＤの動作周波数が一般に１３．５６ＭＨｚであることから、今回は、フィルタ１０４の共振周波数が約１４ＭＨｚとなるように、インダクタＬ１０のインダクタンス及びキャパシタＣ１０の容量を、それぞれ０．３３μＨ、３９０ｐＦに設定した。
【０００７】
図１２（ａ）（ｂ）は、図１１に示す等価回路を用いてインピーダンスＺＡを計算した結果を示す図である。一例として、図１２（ａ）はＲ１０＝５Ωの場合、図１２（ｂ）はＲ１０＝３０Ωの場合をそれぞれ示している。これらの図から明らかなように、動作周波数１３．５６ＭＨｚでのインピーダンスＺＡは、Ｒ１０＝５Ωの場合にはＺＡ＝１５６．６＋ｊ３１．９Ω、Ｒ１０＝３０Ωの場合にはＺＡ＝３０．１−ｊ２８．１Ωとなる。
【０００８】
次に、インピーダンスＺＢであるが、標準的なＲＦＩＤでは、インピーダンスＺＢの実部がおおよそ１０Ω以下と非常に小さい値になることが知られている。インピーダンスＺＢの虚部については、実装によって大きく異なるため具体的な例を示すことが困難であるが、インピーダンスＺＡの虚部とは大きく相違する値になることがほとんどである。
【０００９】
このように、インピーダンスＺＡとインピーダンスＺＢとは、互いに全く異なる値となる。そこで、送受信回路１０１と外部アンテナ１０２の間でインピーダンスを整合させるために、図１０（ｂ）に示す整合回路１０５が必要となる。
【００１０】
しかしながら、整合回路の挿入は部品点数の増加となるため、製造コストを押し上げる要因となる。したがって、外部アンテナを接続するための整合回路を必要としないＲＦＩＤが求められている。
【００１１】
したがって、本発明の目的の一つは、外部アンテナを接続するための整合回路を必要としないＲＦＩＤを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するための本発明によるＲＦＩＤは、ＲＦＩＤリーダと磁気結合するＲＦＩＤであって、送信端子及びグランド端子を有する集積回路と、動作周波数に略等しい共振周波数を有するフィルタとを備え、前記フィルタは、前記送信端子と前記グランド端子の間に直列接続されたインダクタ及びキャパシタを有し、前記インダクタを、前記ＲＦＩＤリーダと磁気結合させることを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、ＥＭＣ対策のためのフィルタとして働くインダクタを、アンテナとしても機能させる。つまり、ＲＦＩＤが送受信回路のみで構成され、外部アンテナが存在しないので、外部アンテナを接続するための整合回路も不要となっている。
【００１４】
上記ＲＦＩＤにおいて、磁性体基板上に形成された樹脂体をさらに備え、前記インダクタは、前記樹脂体内に埋め込まれた平面スパイラルコイルによって構成されることとしてもよい。また、前記フィルタはローパスフィルタであることとしてもよい。
【００１５】
また、上記ＲＦＩＤにおいて、ブースターコイルをさらに備え、前記インダクタは、前記ブースターコイルを介して前記ＲＦＩＤリーダと磁気結合することとしてもよい。こうすれば、長い通信距離を得ることが可能になる。
【００１６】
また、上記ＲＦＩＤにおいて、前記フィルタは、前記キャパシタと直列に接続された抵抗素子をさらに有することとしてもよい。これによれば、比較的内部抵抗の大きな集積回路を用いる場合であっても、抵抗素子の抵抗値を適宜調節することにより、集積回路とフィルタの間でインピーダンスを整合させることが可能になる。
【００１７】
また、上記ＲＦＩＤにおいて、前記送信端子は、第１及び第２の送信端子を含み、前記インダクタは、第１及び第２のインダクタを含み、前記第１のインダクタは、前記第１の送信端子と前記グランド端子の間に接続され前記第２のインダクタは、前記第２の送信端子と前記グランド端子の間に接続され、前記第１及び第２のインダクタを、前記ＲＦＩＤリーダと磁気結合させることとしてもよい。これによれば、ディファレンシャル方式の信号を扱うＲＦＩＤについても、外部アンテナを接続するための整合回路を省略できる。
【００１８】
また、本発明による無線通信機は、上記各ＲＦＩＤのいずれかを搭載することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ＥＭＣ対策のためのフィルタとして働くインダクタをアンテナとしても機能させ、外部アンテナが存在しないので、外部アンテナを接続するための整合回路が不要となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるＲＦＩＤシステムのシステム構成を示す図である。本図には、ＩＣチップの内部抵抗が５Ωである場合を示している。
【図２】（ａ）は、本発明の第１の実施の形態によるコイル部品の上面図である。（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】（ａ）は、図１に示したフィルタの等価回路である。（ｂ）は、（ａ）に示す等価回路を用いてインピーダンスＺ２を計算した結果を示す図である。
【図４】ＩＣチップの内部抵抗が３０Ωである場合の、ＲＦＩＤシステムのシステム構成を示す図である。
【図５】（ａ）は、図４に示したフィルタの等価回路である。（ｂ）は、（ａ）に示す等価回路を用いてインピーダンスＺ４を計算した結果を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態によるＲＦＩＤシステムのシステム構成を示す図である。
【図７】（ａ）は、本発明の第２の実施の形態によるブースターの上面図である。（ｂ）は、（ａ）から下層導体パターンのみを取り出して示した図である。
【図８】（ａ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ’線に対応するブースターの断面図であり、（ｂ）は図７（ａ）のＣ−Ｃ’線に対応するブースターの断面図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態によるＲＦＩＤシステムのシステム構成を示す図である。
【図１０】本発明の背景技術によるＲＦＩＤの構成を示す図である。
【図１１】本発明の背景技術によるＲＦＩＤの送受信回路の等価回路である。
【図１２】図１１に示す等価回路を用いてインピーダンスＺＡを計算した結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００２２】
図１は、本発明の第１の実施の形態によるＲＦＩＤシステム１のシステム構成を示す図である。同図に示すように、ＲＦＩＤシステム１は、ＲＦＩＤ２及びＲＦＩＤリーダ３を備えている。
【００２３】
ＲＦＩＤ２はＩＣチップ２１及びフィルタ２２を有し、携帯電話などの無線通信機やＩＣカードに搭載される。ＩＣチップ２１は送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘ、及びグランド端子Ｇを有しており、送信端子Ｔｘとグランド端子Ｇの間にはインダクタＬ１及びキャパシタＣ１がこの順で直列接続されている。フィルタ２２は、これらインダクタＬ１及びキャパシタＣ１によって構成される。受信端子Ｒｘは、インダクタＬ１とキャパシタＣ１の接続点に接続されている。
【００２４】
ＲＦＩＤリーダ３はコイルＬ２を有し、ＲＦＩＤ２内のＩＣチップ２１に記憶される情報の読み出しを行う。読み出しを行う際には、コイルＬ２をインダクタＬ１に近づける。そして、ＲＦＩＤリーダ３において、読み出し命令を含むデータによって変調した信号をコイルＬ２に送出する。また、変調した信号の送出後には、無変調の信号を所定時間にわたって送出する。これらの信号は、コイルＬ２とインダクタＬ１の間の磁気結合を介してＩＣチップ２１に受信される。
【００２５】
ＩＣチップ２１は、整流回路、通信回路、及びメモリを含む。整流回路は、受信端子Ｒｘを通じてシングルエンド方式の信号を受信し、整流して直流化する。通信回路は、この直流を電源として動作するものであり、まず変調信号を解釈し、解釈結果に応じてメモリ内からデータを読み出す。そして、読み出したデータによって無変調信号の反射信号を変調し、送信端子Ｔｘを通じ、シングルエンド方式の信号として送出する。ＲＦＩＤリーダ３は、コイルＬ２とインダクタＬ１の間の磁気結合を介してこの信号を受信し、復調することにより、ＩＣチップ２１内のメモリに記憶されているデータを取得する。
【００２６】
フィルタ２２は、インダクタＬ１及びキャパシタＣ１によりローパスフィルタとして機能し、送信時に高周波スプリアスが発射されることを防止する。フィルタ２２の共振周波数は、ＲＦＩＤの動作周波数１３．５６ＭＨｚに略等しい共振周波数に設定される。なお、「略等しい」とは、少なくとも動作周波数の信号を通過させつつ、必要最小限の高周波スプリアスが除去できる程度であればよいことを意味している。通常は、１３．５６ＭＨｚより少し高い約１４ＭＨｚ程度に設定される。この場合、インダクタＬ１のインダクタンス及びキャパシタＣ１の容量はそれぞれ０．３３μＨ、３９０ｐＦとなる。
【００２７】
インダクタＬ１には、樹脂体上に形成された平面スパイラルコイルからなるコイル部品を用いる。図２（ａ）は、インダクタＬ１を含むコイル部品４０の上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。これらの図に示すように、コイル部品４０は、フェライトなどの磁性体により構成される磁性体基板４１と、その上面に形成された樹脂体４２と、樹脂体４２内に埋め込まれ、インダクタＬ１を構成する平面スパイラルコイル４３とを有している。磁性体基板４１は、平面スパイラルコイル４３中央の空間部分にも設けられている。平面スパイラルコイル４３の内周端４３−１及び外周端４３−２はそれぞれ、引出導体４３ａ，４３ｂ及び図示しない基板上の配線パターンを介して、送信端子Ｔｘ及びキャパシタＣ１に接続される。
【００２８】
コイル部品４０は、樹脂体４２の上面に磁性体基板を有しない点に特徴を有する。これにより、上面にインダクタＬ２を近づけることで、インダクタＬ２と磁気結合することが可能になっている。
【００２９】
本実施の形態によるＲＦＩＤ２では、ＥＭＣ対策のためのフィルタ２２として働くインダクタＬ１がアンテナとしても機能しており、図１０（ａ）（ｂ）に示した外部アンテナ１０２に相当する構成は設けられない。外部アンテナ１０２が設けられていないことから、ＲＦＩＤ２では外部アンテナ１０２を接続するための整合回路１０５も必要なくなっており、結果として、図１０（ｂ）の構成に比べて部品点数が減少している。
【００３０】
なお、フィルタ２２とＩＣチップ２１の間には、図１０（ａ）（ｂ）の例と同様に、整合回路を設ける必要はない。これは、図１に示すインピーダンスＺ１とＺ２とで、虚部がほとんど同じ値になるからである。実部に関しては、インピーダンスＺ２ではほぼ０であり、インピーダンスＺ１ではＩＣチップ２１の内部抵抗の値そのものとなるため、ＩＣチップ２１の内部抵抗の大きさによっては整合させる必要が生ずるが、この整合は、キャパシタＣ１と直列に抵抗素子を挿入するだけで実現することができる。以下、インピーダンスＺ１及びＺ２を具体的に示しながら、詳しく説明する。
【００３１】
初めに、ＩＣチップ２１の内部抵抗が５Ωである場合について説明する。この場合、インピーダンスＺ１は５．０−ｊ０．０Ωとなる。
【００３２】
図３（ａ）は、図１に示したフィルタ２２の等価回路である。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す等価回路を用いてインピーダンスＺ２を計算した結果を示す図である。ただし、計算にあたり、インダクタＬ１のインダクタンス及びキャパシタＣ１の容量は、それぞれ０．３３μＨ、３９０ｐＦとした。
【００３３】
図３（ｂ）から理解されるように、インピーダンスＺ２の実部は常にほぼ０．０である。一方、虚部は周波数によって変化するが、ＲＦＩＤの動作周波数１３．５６ＭＨｚでは約−２．０Ωとなる。したがって、動作周波数１３．５６ＭＨｚでのインピーダンスＺ２は、Ｚ２＝０．０−ｊ２．０Ωとなる。
【００３４】
インピーダンスＺ１とＺ２とを比較すると、実部虚部ともにほとんど同じ値となっている。このことから、フィルタ２２とＩＣチップ２１の間に図１０（ｂ）に示したような整合回路を設ける必要がないことが理解される。
【００３５】
次に、ＩＣチップ２１の内部抵抗が３０Ωである場合について説明する。
【００３６】
図４は、この場合のＲＦＩＤシステムのシステム構成を示す図である。図４に示すインピーダンスＺ３は３０．０−ｊ０．０Ωとなることから、上述したインピーダンスＺ２＝０．０−ｊ２．０Ωと比較すると、実部の相違が若干大きくなっている。そこで、この相違を打ち消してインピーダンスを整合させるために、図４に示すように、キャパシタＣ１と直列に抵抗素子を挿入する。これにより、インピーダンスＺ４の実部を大きくすることができ、インピーダンスを整合させることが可能になる。
【００３７】
図５（ａ）は、図４に示したフィルタ２２の等価回路である。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す等価回路を用いてインピーダンスＺ４を計算した結果を示す図である。ただし、計算にあたり、抵抗Ｒ１の抵抗値は３０Ωとした。また、インダクタＬ１及びキャパシタＣ１については、図３（ｂ）の場合と同じとした。
【００３８】
図５（ｂ）から理解されるように、インピーダンスＺ４の実部は常にほぼ３０．０となる。一方、虚部は図３（ｂ）の場合と変化なく、ＲＦＩＤの動作周波数１３．５６ＭＨｚでは約−２．０Ωである。したがって、動作周波数１３．５６ＭＨｚでのインピーダンスＺ２は、Ｚ２＝３０．０−ｊ２．０Ωとなる。したがって、インピーダンスＺ３＝３０．０−ｊ０．０Ωと比較すると、実部についてもほぼ同様の値となっており、整合が取れていることが理解される。
【００３９】
図６は、本発明の第２の実施の形態によるＲＦＩＤシステム１のシステム構成を示す図である。同図に示すＲＦＩＤシステム１と図１に示したＲＦＩＤシステム１の相違点は、ＲＦＩＤ２が、インダクタＬ１とコイルＬ２の間に設けられたブースター２３を有している点にある。以下、この相違点を中心に説明する。
【００４０】
インダクタＬ１は、フィルタ用としても用いるものであるため、インダクタンス（部品サイズ）があまり大きくなく、長い通信距離は得られない。ブースター２３は、ＲＦＩＤ２の通信距離を延ばすために設置されるものである。
【００４１】
ブースター２３はブースターコイルＬ３及びキャパシタＣ３を有し、ブースターコイルＬ３は、インダクタＬ１及びコイルＬ２の双方と磁気結合する。ブースターコイルＬ３とキャパシタＣ３とは、ＬＣ共振回路を構成する。ブースターコイルＬ３のインダクタンスと、キャパシタＣ３の容量とは、ブースター２３の共振周波数がＲＦＩＤ２の動作周波数１３．５６ＭＨｚに略等しい周波数となるよう決定される。なお、ブースターコイルＬ３のインダクタンス（部品サイズ）は、インダクタＬ１のインダクタンス（部品サイズ）に比べて相当大きく、十分な通信距離を取れる程度の値に設定する。
【００４２】
図７（ａ）はブースター２３の上面図である。同図には、ブースター２３の構成要素のうち、導体パターン（後述する上層導体パターン６０及び下層導体パターン６１）のみを示している。図７（ｂ）は、図７（ａ）から下層導体パターン６１のみを取り出して示した図である。また、図８（ａ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ’線に対応するブースター２３の断面図であり、図８（ｂ）は図７（ａ）のＣ−Ｃ’線に対応するブースター２３の断面図である。
【００４３】
図７（ａ）及び図８（ａ）（ｂ）に示した領域Ｄは、図２に示したコイル部品４０の位置を示している。コイル部品４０は、平面スパイラルコイル４３（インダクタＬ１）の露出面をブースター２３側にして、下層導体パターン６１の真下（紙面奥側）に設置される。ＲＦＩＤリーダ３（図６）は、ブースター２３の上方（紙面手前側）に配置される。
【００４４】
図８（ａ）（ｂ）などに示すように、ブースター２３は、上層導体パターン６０、下層導体パターン６１、スルーホール導体６２，６３、及び樹脂基板６４を有している。
【００４５】
上層導体パターン６０は、樹脂基板６４の上面に形成された導体パターンであり、図７（ａ）に示すように平面スパイラル構造を有している。一方、下層導体パターン６１は、樹脂基板６４の下面に形成された導体パターンである。上層導体パターン６０の内周端６０ａは、図８（ａ）（ｂ）に示すように、樹脂基板６４に設けられたスルーホール導体６２を介して、下層導体パターン６１の一方端部６１ａと電気的に接続される。同様に、上層導体パターン６０の外周端６０ｂは、図８（ａ）に示すように、樹脂基板６４に設けられたスルーホール導体６３を介して、下層導体パターン６１の他方端部６１ｂと電気的に接続される。
【００４６】
以上のようなブースター２３を用いることで、ＲＦＩＤ２のインダクタＬ１において発生する磁界は、ブースター２３によって増幅されてＲＦＩＤリーダ３のコイルＬ２に到達する。また、ＲＦＩＤリーダ３のコイルＬ２において発生する磁界は、インダクタＬ１に比べて大きなインダクタンスを有するブースターコイルＬ３を介してインダクタＬ１に到達する。したがって、第２の実施の形態によるＲＦＩＤシステム１によれば、インダクタＬ１のインダクタンス（部品サイズ）が小さくても、十分な通信距離を得ることが可能になる。
【００４７】
図９は、本発明の第３の実施の形態によるＲＦＩＤシステム１のシステム構成を示す図である。同図に示すＲＦＩＤシステム１と図６に示したＲＦＩＤシステム１の相違点は、シングルエンド方式のＩＣチップ２１に代えてディファレンシャル方式のＩＣチップ２４を用いる点にある。この変更に伴い、ＥＭＣ対策のフィルタ２２についてもディファレンシャル方式対応のフィルタ２５に置き換えている。以下、これらの相違点を中心に説明する。
【００４８】
ＩＣチップ２４は、送信端子Ｔｘ１（第１の送信端子）、送信端子Ｔｘ２（第２の送信端子）、受信端子Ｒｘ、及びグランド端子Ｇを有している。また、フィルタ２５は、インダクタＬ４（第１のインダクタ）、インダクタＬ５（第２のインダクタ）、及びキャパシタＣ４を有している。
【００４９】
インダクタＬ４及びキャパシタＣ４は、送信端子Ｔｘ１とグランド端子Ｇの間にこの順で直列接続され、ローパスフィルタを構成する。また、インダクタＬ５は、送信端子Ｔｘ２とインダクタＬ４及びキャパシタＣ４の接続点との間に接続され、キャパシタＣ４とともにローパスフィルタを構成する。受信端子Ｒｘも、インダクタＬ４及びキャパシタＣ４の接続点に接続されている。
【００５０】
インダクタＬ４，Ｌ５はそれぞれ、上述したコイル部品４０（図２）によって構成される。したがって、これらのコイル部品４０を並べ、上面にブースターコイルＬ３を近づけることで、インダクタＬ４，Ｌ５とブースターコイルＬ３とを磁気結合させることが可能になっている。
【００５１】
ＩＣチップ２４が整流回路、通信回路、及びメモリを含む点は、ＩＣチップ２１と同様である。ＩＣチップ２４は、ＲＦＩＤリーダ３の指示に従ってメモリから読み出したデータによって無変調信号の反射信号を変調し、送信端子Ｔｘ１，Ｔｘ２を通じ、ディファレンシャル方式の信号として送出する。ＲＦＩＤリーダ３は、コイルＬ４，Ｌ５とインダクタＬ３の間の磁気結合、及びインダクタＬ３とコイルＬ２の間の磁気結合を介してこの信号を受信し、復調することにより、ＩＣチップ２１内のメモリに記憶されているデータを取得する。
【００５２】
本実施の形態によるＲＦＩＤ２でも、ＥＭＣ対策のためのフィルタ２５として働くインダクタＬ４，Ｌ５がアンテナとしても機能しており、図１０（ａ）（ｂ）に示した外部アンテナ１０２に相当する構成は設けられない。したがって、部品点数の削減が実現している。
【００５３】
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何等限定されるものではなく、本発明が、その要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施され得ることは勿論である。
【００５４】
例えば、上記実施の形態ではＲＦＩＤの動作周波数が１３．５６ＭＨｚであるとして説明したが、本発明は、その他の周波数を動作周波数を用いるＲＦＩＤについても適用可能である。その場合、各インダクタのインダクタンス及び各キャパシタの容量が適宜変更されることは勿論である。
【００５５】
また、上記実施の形態ではＩＣチップを用いたが、ＩＣチップに代えてＴＦＴ(Thin Film Transistor)を含む回路（ＴＦＴ回路）など他の種類の集積回路を用いてもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１      ＲＦＩＤシステム
２      ＲＦＩＤ
３      ＲＦＩＤリーダ
２１，２４  ＩＣチップ
２２，２５  フィルタ
２３    ブースター
４０    コイル部品
４１    磁性体基板
４２    樹脂体
４３    平面スパイラルコイル
４３ａ，４３ｂ  引出導体
６０    上層導体パターン
６１    下層導体パターン
６２，６３  スルーホール導体
６４    樹脂基板
【図１】
2011086009.tif 000003
【図２】
2011086009.tif 000004
【図３】
2011086009.tif 000005
【図４】
2011086009.tif 000006
【図５】
2011086009.tif 000007
【図６】
2011086009.tif 000008
【図７】
2011086009.tif 000009
【図８】
2011086009.tif 000010
【図９】
2011086009.tif 000011
【図１０】
2011086009.tif 000012
【図１１】
2011086009.tif 000013
【図１２】
2011086009.tif 000014