(57)【要約】【課題】被処理体を搬送する搬送機構の温度上昇を効率的に抑制することが可能な共通搬送装置を提供する。【解決手段】被処理体Ｗを処理する複数の処理装置２４Ａ〜２４Ｄが周辺部に連結された共通搬送装置において、真空雰囲気になされた搬送容器２８と、搬送容器内に設けられて被処理体を搬送するために屈伸及び旋回が可能になされた搬送機構４６と、搬送容器の天井部２８Ａ側と底部２８Ｂ側であって、少なくとも搬送機構に保持された被処理体が移動する軌跡の投影面に沿った領域に沿って設けられた熱反射抑制面６２、６４とを備える。これにより、被処理体を搬送する搬送機構の温度上昇を効率的に抑制する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を処理する複数の処理装置が周辺部に連結された共通搬送装置において、
真空雰囲気になされた搬送容器と、
前記搬送容器内に設けられて前記被処理体を搬送するために屈伸及び旋回が可能になされた搬送機構と、
前記搬送容器の天井部側と底部側であって、少なくとも前記搬送機構に保持された前記被処理体が移動する軌跡の投影面に沿った領域に沿って設けられた熱反射抑制面と、
を備えたことを特徴とする共通搬送装置。
【請求項２】
前記熱反射抑制面の輻射率は、０．５以上に設定されていることを特徴とする請求項１記載の共通搬送装置。
【請求項３】
前記熱反射抑制面は、前記搬送容器の表面をアルマイト処理することにより形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の共通搬送装置。
【請求項４】
前記熱反射抑制面は、表面がアルマイト処理された熱反射抑制板を、前記処理容器の表面に取り付けることにより形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の共通搬送装置。
【請求項５】
前記熱反射抑制板と前記搬送容器の表面との間に、熱伝導性グリースが介在されていることを特徴とする請求項４記載の共通搬送装置。
【請求項６】
前記処理容器の天井部と底部とには、それぞれ冷却手段が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の共通搬送装置。
【請求項７】
前記搬送機構は、前記被処理体を保持するアームを有しており、前記アームの表面は鏡面仕上げされていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の共通搬送装置。
【請求項８】
被処理体に対して処理を施す処理システムにおいて、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の共通搬送装置と、
前記共通搬送装置の周辺部に、開閉可能になされたゲートバルブを介して連結されて、前記被処理体に対して処理を施す複数の処理装置と、
を備えたことを特徴とする処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に対して所定の処理を施す処理システム及びこれに用いられる共通搬送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハに対して各種の薄膜の成膜処理、改質処理、酸化拡散処理、アニール処理、エッチング処理等が順次繰り返して施される。例えば枚葉式の処理システムを例にとれば、この各種の処理を行うために、連続して処理を行うことができる複数の処理装置を１つの共通搬送装置に共通に連結して、いわゆるクラスタ型の処理システムを作っている。そして、この処理システムにおいて、共通搬送装置内に設けた搬送機構を用いて、半導体ウエハを各処理装置間に、いわば渡り歩くようにして搬送しつつ、その都度、必要な処理を各処理装置にて連続的に、且つ効率的に行うようになっている（例えば特許文献１、２等）。
【０００３】
この種のクラスタ処理装置よりなる従来の処理システムの一例を図５を参照して説明する。図５に示すように、この処理システムは、１つの例えば六角形状の共通搬送装置２の周囲に４つの処理装置４Ａ〜４ＤをそれぞれゲートバルブＧを介して連結して構成されている。そして、この共通搬送装置２には、２つのロードロック室６Ａ、６Ｂを介して長方形状の搬入側搬送装置８が連結されている。
【０００４】
上記ロードロック室６Ａ、６Ｂと共通搬送装置２及び搬入側搬送装置８との連結部にはそれぞれゲートバルブＧが介在されている。また、上記搬入側搬送装置８には、半導体ウエハを複数枚収容できるカセットを載置する例えば３つの導入ポート１０及び半導体ウエハＷの位置合わせを行うオリエンタ１２が連結されている。
【０００５】
そして、上記搬入側搬送装置８内には、半導体ウエハＷを保持して屈伸、旋回、昇降及び直線移動可能になされた搬入側搬送機構１４が設けられている。また、上記共通搬送装置２内には、半導体ウエハＷを保持する２つのアーム１６Ａ、１６Ｂを有する搬送機構１６が設けられており、これらのアーム１６Ａ、１６Ｂは屈伸及び旋回可能になされている。ここで半導体ウエハＷは、例えば前述したように処理装置４Ａ〜４Ｄを渡り歩くように搬送機構１６で搬送されながら、各処理装置４Ａ〜４Ｄにてそれぞれ対応する所定の処理が施されることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１１９６３５号公報
【特許文献２】特開２００７−２６０６２４号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
ところで、上記した従来の処理システムにあっては、各処理装置４Ａ〜４Ｄにおいて、処理の態様によっては半導体ウエハＷの温度は７００〜１１００℃にも達する場合がある。このような場合、高温状態の半導体ウエハＷを搬送機構１６で保持して搬送すると、搬送期間が５〜１０秒程度の短時間であっても、この搬送機構１６自体の温度がかなり上昇してしまう場合があった。
【０００８】
そして、過度に搬送機構１６が加熱されると、搬送機構１６のアーム１６Ａ、１６Ｂ自体が熱膨張して反りを生じて半導体ウエハの移載時の位置精度が低下したり、搬送機構１６の駆動用のタイミングベルトが劣化したり、或いは回転用軸受が劣化して動作不良を起こすなどの問題があった。この場合、半導体ウエハＷを保持するアーム１６Ａ、１６Ｂの表面を鏡面仕上げして温度上昇をできるだけ抑制することも行われているが、対策としては十分ではなかった。
【０００９】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明は、被処理体を搬送する搬送機構の温度上昇を効率的に抑制することが可能な共通搬送装置及びこれを用いた処理システムである。
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
請求項１に係る発明は、被処理体を処理する複数の処理装置が周辺部に連結された共通搬送装置において、真空雰囲気になされた搬送容器と、前記搬送容器内に設けられて前記被処理体を搬送するために屈伸及び旋回が可能になされた搬送機構と、前記搬送容器の天井部側と底部側であって、少なくとも前記搬送機構に保持された前記被処理体が移動する軌跡の投影面に沿った領域に沿って設けられた熱反射抑制面と、を備えたことを特徴とする共通搬送装置である。
【００１１】
このように、被処理体を処理する複数の処理装置が周辺部に連結された共通搬送装置において、搬送容器の天井部側と底部側であって、少なくとも搬送機構に保持された被処理体が移動する軌跡の投影面に沿った領域に沿って熱反射抑制面を設けるようにしたので、被処理体から輻射により熱反射抑制面へ効率的に放熱することができ、この結果、被処理体を搬送する搬送機構の温度上昇を効率的に抑制することが可能となる。
【００１２】
請求項８に係る発明は、被処理体に対して処理を施す処理システムにおいて、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の共通搬送装置と、前記共通搬送装置の周辺部に、開閉可能になされたゲートバルブを介して連結されて、前記被処理体に対して処理を施す複数の処理装置と、を備えたことを特徴とする処理システムである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る共通搬送装置及びこれを用いた処理システムによれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
被処理体を処理する複数の処理装置が周辺部に連結された共通搬送装置において、搬送容器の天井部側と底部側であって、少なくとも搬送機構に保持された被処理体が移動する軌跡の投影面に沿った領域に沿って熱反射抑制面を設けるようにしたので、被処理体から輻射により熱反射抑制面へ効率的に放熱することができ、この結果、被処理体を搬送する搬送機構の温度上昇を効率的に抑制することができる。
従って、搬送機構が熱膨張することを抑制することができるので、被処理体の移載時の位置精度を高くでき、また、搬送機構の劣化や動作不良の発生も抑制することができる。
【００１４】
特に、請求項６に記載したように、処理容器の天井部と底部とには、それぞれ冷却手段が設けられるように構成することにより、搬送機構の温度上昇を一層効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る共通搬送装置を有する処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】処理システムを示す概略断面図である。
【図３】熱反射抑制面の形状の変形実施例を示す平面図である。
【図４】熱反射抑制面の変形実施例４を示す部分断面図である。
【図５】クラスタ処理装置よりなる従来の処理システムの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明に係る共通搬送装置及びこれに用いる処理システムの一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明に係る共通搬送装置を有する処理システムの一例を示す概略平面図、図２は処理システムを示す概略断面図である。
【００１７】
まず、本発明に係る共通搬送装置を有する処理システムの一例について説明する。図１及び図２に示すように、この処理システム２２は、真空雰囲気下で被処理体である半導体ウエハＷに対して所定の処理を行う複数、ここでは４つの処理装置２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄと、この４つの処理装置２４Ａ〜２４Ｄが周辺部に連結された本発明に係る共通搬送装置２６とを有している。これらの４つの処理装置２４Ａ〜２４Ｄにおける処理は、成膜処理やエッチング処理や酸化拡散処理等の真空雰囲気下で行われる全ての処理が必要に応じて適用され、少なくとも６００℃以上のプロセス温度で熱処理を行う処理装置が含まれている。また上記各処理装置２４Ａ〜２４Ｄ内には、半導体ウエハＷを載置するための載置台２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５Ｄがそれぞれ設けられている。
【００１８】
上記共通搬送装置２６は、真空引き及び大気圧復帰が可能になされた例えば六角形状の搬送容器２８を有しており、この周囲の各辺に上記４つの処理装置２４Ａ〜２４Ｄが気密に開閉可能になされたゲートバルブＧを介してそれぞれ連結されている。
【００１９】
この搬送容器２８の残りの２つの辺には、この搬送容器２８に対して真空を破ることなく半導体ウエハＷを搬出入させるための２つのロードロック室３０Ａ、３０ＢがそれぞれゲートバルブＧを介して連結されている。上記ロードロック室３０Ａ、３０Ｂ内には、半導体ウエハＷを一時的に保持する保持台３２Ａ、３２Ｂがそれぞれ設けられている。また、このロードロック室３０Ａ、３０Ｂの反対側には、それぞれゲートバルブＧを介して横長のロードチャンバ３４が共通に連結されている。このロードチャンバ３４の一側には、複数枚の半導体ウエハを収容できるカセット（図示せず）を載置するＩ／Ｏポート３６が設けられ、その長手方向の一端には半導体ウエハの位置決めを行うオリエンタ４０が設けられる。
【００２０】
そして、このロードチャンバ３４内には、屈伸及び旋回可能になされたロード側搬送アーム４２が案内レール４４に沿って長手方向へ移動可能に設けられている。このロードチャンバ３４内は、大気圧、或いは大気圧よりも僅かに陽圧になされている。
【００２１】
そして、上記共通搬送装置２６の上記搬送容器２８内には、半導体ウエハＷを搬送するために屈伸及び旋回が可能になされた搬送機構４６が設けられる。具体的には、この搬送機構４６は、屈伸及び旋回が可能になされた２本のアーム４６Ａ、４６Ｂを有しており、これらのアーム４６Ａ、４６Ｂの先端部に半導体ウエハＷを載置した状態で各処理装置２４Ａ〜２４Ｄ間及び２つのロードロック室３０Ａ、３０Ｂ間で半導体ウエハＷを搬送するようになっている。
【００２２】
すなわち、各処理装置２４Ａ〜２４Ｄやロードロック室３０Ａ、３０Ｂに対して半導体ウエハＷを取りに行く場合、或いは置きに行く場合は、対応するアームを屈伸させて前進、或いは後退させるようにし、目的とする方向へアームを向ける場合には、アーム４６Ａ、４６Ｂを屈曲、或いは縮退させた状態でアーム４６Ａ、４６Ｂをその中心の支点を軸として旋回（回転）させるように動作させる。上記動作を行うために、この搬送機構４６内には、図示しないタイミングベルトや多数の軸受けが内蔵されている。
【００２３】
ここで図２も参照してより具体的に説明する。尚、図２中において、上記４つの処理装置２４Ａ〜２４Ｄを代表して処理装置２４Ａを示しており、上記２つのロードロック室２０Ａ、２０Ｂを代表してロードロック室２０Ａを示している。上記処理装置２４Ａ内では、例えば処理ガスが供給されて、真空雰囲気中にて所定の処理、例えば成膜処理等の熱処理が行われ、所定の処理ガスやＮ２ ガス等を導入するガス導入部５０が設けられる。また、この処理装置２４Ａ内の雰囲気を排気するガス排気口５１には、図示しない真空排気系が設けられ、真空排気できるようになっている。また、この載置台２５Ａには、熱処理時に半導体ウエハＷを加熱する加熱手段５２が設けられている。この加熱手段５２としては、加熱ランプ等を用いる場合もある。
【００２４】
また他の処理装置２４Ｂ〜２４Ｄでは、半導体ウエハに対して連続処理すべき種々の処理が行われ、前述したように４つの処理装置２４Ａ〜２４Ｄの内で、少なくとも１つの処理装置で半導体ウエハＷが例えば６００℃以上に晒される熱処理（成膜処理、酸化拡散処理、アニール処理等）が行われる。
【００２５】
またロードロック室２０Ａには、不活性ガスとして例えばＮ２ ガスを導入するガス導入口５４が設けられると共に、図示しない真空排気系に接続されたガス排気口５６が設けられる。これにより、前述したように半導体ウエハＷの搬送時に真空雰囲気と大気圧雰囲気とを短時間で交互に実現できるようになっている。
【００２６】
また、共通搬送装置２６の搬送容器２８にも、不活性ガスとして例えばＮ２ ガスを導入するガス導入口５８が設けられると共に、図示しない真空排気系に接続されたガス排気口６０が設けられる。ただし、この搬送容器２８内は、システム稼働中には上記ロードロック室２０Ａ、２０Ｂとは異なり、常時真空雰囲気に維持されている。そして、この搬送容器２８の天井面側と底面側には、少なくとも搬送機構４６に保持された半導体ウエハＷが移動する軌跡の投影面に沿って本発明の特徴とする熱反射抑制面６２、６４が形成されている。
【００２７】
具体的には、上記搬送容器２８の天井部２８Ａ及び底部２８Ｂを含む全体は、アルミニウム、或いはアルミニウム合金で成形されている。そして、上記熱反射抑制面６２、６４は、上記天井部２８Ａの表面（下面）と底部２８Ｂの表面（上面）とをアルマイト処理することにより、それぞれ形成されている。尚、この天井部２８Ａには、図示しないがアルミニウム或いはアルミニウム合金製のメンテナンス用の開閉蓋が設けられている。
【００２８】
ここでは、上記熱反射抑制面６２、６４は、半導体ウエハＷの直径と略同じ幅で、図１に示すようにドーナツ状、或いは円形リング状に成形されており、半導体ウエハＷの旋回移動の軌跡に沿うようになっている。すなわち、搬送機構４６に保持された半導体ウエハＷが旋回する時には、上下方向への半導体ウエハＷの投影面が上記熱反射抑制面６２、６４に沿って移動するようになっている。この場合、半導体ウエハＷと各熱反射抑制面６２、６４との間の距離は、処理すべき半導体ウエハＷのサイズにもよるが、例えば７０〜１４０ｍｍ程度である。上記熱反射抑制面６２、６４の幅は、半導体ウエハＷの直径よりも少し小さくてもよいし、或いは少し大きく設定してもよい。
【００２９】
ここで上記熱反射抑制面６２、６４としては、黒色アルマイト処理が施されており、その輻射率は０．５以上になるように設定されている。これにより、半導体ウエハＷより放射された輻射熱をできるだけ反射させずに効率的に吸収し得るようになっている。このように、半導体ウエハＷの表面に対向する面である天井部２８Ａ側と底部２８Ｂ側とに熱反射抑制面６２、６４を設けることにより、半導体ウエハＷの輻射熱は効率的に各熱反射抑制面６２、６４側に吸収されて、半導体ウエハＷの放熱を促進させることが可能となる。この場合、上記熱反射抑制面６２、６４の輻射率を、好ましくは０．９以上に設定することにより、半導体ウエハＷの放熱を大幅に促進させることが可能となる。尚、各アーム４６Ａ、４６Ｂの表面も鏡面仕上げがなされているので、この点からも半導体ウエハＷの輻射によりアーム自体が加熱されるのを抑制することができる。
【００３０】
そして、上記天井部２８Ａ及び底部２８Ｂには、これらを冷却するための冷却手段６６、６８がそれぞれ設けられており、この冷却手段６６、６８に冷媒を流すようになっている。この冷媒としては、例えば冷却水を用いることができる。
【００３１】
＜本発明の動作＞
次に、以上のように構成された本発明の共通搬送装置及び処理システムの動作について説明する。まず、ロードチャンバ３４に設けたＩ／Ｏポート３６からは、未処理の半導体ウエハＷがロード側搬送アーム４２により取り上げられ、ロードチャンバ３４側へ搬入される。この半導体ウエハＷは、ロード側搬送アーム４２によりオリエンタ４０まで搬送されてここで位置合わせがなされる。この位置合わせ後の半導体ウエハＷは、２つのロードロック室３０Ａ、３０Ｂの内のいずれか一方の大気圧雰囲気になっているロードロック室内に搬入される。
【００３２】
このロードロック室内は真空雰囲気になされた後に、共通搬送装置２６の予め真空雰囲気になされた搬送容器２８側のゲートバルブＧを開くことにより、搬送容器２８内と連通される。そして、搬送機構４６を動作させることによって２つのアーム４６Ａ、４６Ｂの内のいずれか一方のアームで上記ロードロック室内の半導体ウエハＷを取り上げ、これを搬送容器２８内へ取り込む。そして、上記ゲートバルブＧを閉じた後に、第１の処理を行うべくこの半導体ウエハＷを例えば第１の処理装置２４Ａ内へ搬入する。
【００３３】
このようにして、第１の処理装置２４Ａ内で、所定の処理、例えば熱処理が行われた半導体ウエハＷは、搬送機構４６の２つのアーム４６Ａ、４６Ｂの内のいずれか一方のアームを用いて、処理の態様にもよるが、例えば第２の処理装置２４Ｂ、第３の処理装置２４Ｃ及び第４の処理装置２４Ｄへと順次搬送され、その都度、各処理装置２４Ｂ〜２４Ｄ内でそれぞれの処理が施されることになる。そして、処理が完了した半導体ウエハＷは、上述した搬送経路とは逆の経路を辿って処理済みの半導体ウエハＷを置くＩ／Ｏポート３６側へ搬出されて行くことになる。
【００３４】
ここで、本発明に係る共通搬送装置２６内での動作について注目して説明する。第１〜第４の処理装置２４Ａ〜２４Ｄ内で半導体ウエハＷに対して熱処理が行われた場合、そのプロセス温度にもよるが、半導体ウエハ温度は７００〜１１００℃程度に達する。この高温状態の半導体ウエハＷをアーム４６Ａ、４６Ｂで保持して搬送する場合、その保持時間が、僅か５〜１０秒程度と短くてもアーム４６Ａ、４６Ｂ自体が次第に加熱されて、前述したように動作不良等の不具合を生ずる恐れがある。
【００３５】
しかしながら、本発明の場合には、搬送容器２８の天井部２８Ａと底部２８Ｂとにそれぞれ半導体ウエハＷの搬送軌跡の投影面に沿って熱反射抑制面６２、６４が形成されているので、半導体ウエハＷより放射された輻射熱をできるだけ反射させずに効率的に吸収することができる。
【００３６】
この場合、搬送容器２８内は真空雰囲気になされているので、対流によって半導体ウエハを冷却することはほとんど困難であるが、上述のように輻射による放熱を熱反射抑制面６２、６４で効率的に吸収することができるので、半導体ウエハＷを効率的に冷却することができる。この場合、熱反射抑制面６２、６４の輻射率は０．５以上に設定されているので、輻射熱をできるだけ反射しないようにして吸収できるようになっている。
【００３７】
これにより、半導体ウエハＷの放熱は促進されて、その分、半導体ウエハＷをより効率的に冷却することが可能となる。この場合、輻射率は、半導体ウエハＷの放熱を促進させるためにはできるだけ大きい方が望ましく、好ましくは０．９以上であり、理想的には”輻射率＝１”が望ましいが、技術的に可能な最大の輻射率は、例えば”０．９５”程度である。
【００３８】
このようにして、半導体ウエハＷを効率的に冷却することができるので、搬送機構４６が過度に昇温することを防止することができる。従って、熱膨張によってアーム４６Ａ、４６Ｂが過度に熱変形することを防止することができるので、半導体ウエハＷの移載時の位置精度を高く維持できるのみならず、搬送機構４６のタイミングベルトや軸受の劣化を防止してこの動作不良が発生することを防止することができる。
【００３９】
また処理システムの稼働時間が長くなるに従って、搬送容器２８の天井部２８Ａや底部２８Ｂの温度も上昇して半導体ウエハＷの放熱を抑制するように作用することも考えられる。しかしながら、この天井部２８Ａや底部２８Ｂには、それぞれ冷却手段６６、６８を設けて天井部２８Ａや底部２８Ｂを冷却しているので、半導体ウエハＷの放熱が抑制されることはなく、半導体ウエハＷの放熱を長時間に亘って継続して効率的に行うことができる。
【００４０】
特に、この半導体ウエハＷの放熱の効率は、半導体ウエハＷと熱反射抑制面６２、６４との間の温度差の４乗で効いてくるので、上記冷却手段６６、６８を設けることによる半導体ウエハの冷却効果は特に大きなものである。例えば従来の処理容器の天井部及び底部はアルミニウム合金の無垢で輻射率が０．１程度であり、通常搬送時の半導体ウエハＷから搬送容器への熱移動量（放熱量）は最大０．５℃（１１５２Ｊ）程度であったが、本発明のように熱反射抑制面６２、６４（輻射率：０．８）を設けた場合には、熱移動量（放熱量）は最大３．５℃（８０２２Ｊ）であった。この点より、本発明における半導体ウエハの放熱の促進効果を確認することができた。
【００４１】
このように、本発明によれば、被処理体、例えば半導体ウエハＷを処理する複数の処理装置２４Ａ〜２４Ｄが周辺部に連結された共通搬送装置において、搬送容器２８の天井部２８Ａ側と底部２８Ｂ側であって、少なくとも搬送機構４６に保持された被処理体が移動する軌跡の投影面に沿った領域に沿って熱反射抑制面６２、６４を設けるようにしたので、被処理体から輻射により熱反射抑制面へ効率的に放熱することができ、この結果、被処理体を搬送する搬送機構４６の温度上昇を効率的に抑制することができる。
【００４２】
従って、搬送機構４６が熱膨張することを抑制することができるので、被処理体の移載時の位置精度を高くでき、また、搬送機構４６の劣化や動作不良の発生も抑制することができる。
【００４３】
＜変形実施例＞
先に説明した実施例では、両熱反射抑制面６２、６４の形状を円形リング状に形成したが、これに限定されず、種々の変形実施例が可能である。図３は熱反射抑制面の形状の変形実施例を示す平面図である。図３（Ａ）に示す変形実施例１の場合には、アーム４６Ａ、４６Ｂを屈伸させる時に、中心部に設けた円形リング状の領域から各処理装置２４Ａ〜２４Ｄや各ロードロック室２０Ａ、２０Ｂに至る直線移動をするが、この直線移動の軌跡に対応する領域にも、熱反射抑制面６２Ａ〜６２Ｆ、６４Ａ〜６４Ｆを設けている。この熱反射抑制面６２Ａ〜６２Ｆは、天井部２８Ａに設けたものを示し、熱反射抑制面６４Ａ〜６４Ｆは底部２Ｂに設けたものを示す。これによれば、搬送容器２８内における半導体ウエハＷの搬送軌跡の投影面を完全に熱反射抑制面でカバーすることができる。
【００４４】
また図３（Ｂ）に示す変形実施例２の場合には、円形リング状ではなく、正六角形のリング状に成形した熱反射抑制面６２、６４を設けている。尚、半導体ウエハＷの移動軌跡の投影面をカバーできるならば、上記六角形に限定されず、多角形状の熱反射抑制面６２、６４を用いることができる。また図３（Ｃ）に示す変形実施例３の場合には、搬送容器２８の天井部２８Ａの下面の全面と底部２Ｂの上面の全面とに亘って熱反射抑制面６２、６４を設けている。この場合には、半導体ウエハＷからの放熱を一層促進させることができる。これらの変形実施例１〜３も、先に図１及び図２を参照して説明した実施例と同様な作用効果を発揮することができる。
【００４５】
＜変形実施例４＞
上述した各実施例は、搬送容器２８の天井部２８Ａ或いは底部２８Ｂを構成する材料の表面に直接的にアルマイト処理を施すようにしたものであるが、これに限定されず、別の部材の表面に前述したようなアルマイト処理を行い、この部材を先に図１乃至図３にて説明したような平面形状で取り付けるようにしてもよい。図４はこのような熱反射抑制面の変形実施例４を示す部分断面図である。図４では代表として搬送容器２８の天井部２８Ａを示しているが、底部２８Ｂも同様に形成されるのは勿論である。
【００４６】
図４に示すように、ここでは熱反射抑制板７０の表面に、先に説明したと同様な熱反射抑制面６２が形成されている。この熱反射抑制板７０としては、例えば薄いアルミニウム板、或いはアルミニウム合金板が用いられており、この表面（下面）に黒色アルマイト処理が施されて輻射率が０．５以上になされた熱反射抑制面６２が形成されている。そして、この熱反射抑制板７０は、ボルト７２により天井部２８Ａに取り付けられている。この場合、この熱反射抑制板７０と搬送容器２８の天井部２８Ａの表面との間に、熱伝導性グリース７４が介在されており、両者を密着させて熱伝導性が良好になるようにしている。この熱伝導性グリース７４としては、例えばＨＥＡＴ  ＳＩＮＫＥＲ（登録商標）［信越化学工業株式会社］を用いることができる。この場合にも、先に説明した各実施例と同様な作用効果を発揮することができる。また上記した各実施例を組み合わせて用いてもよいのは勿論である。
【００４７】
尚、以上の各実施例においては、処理システムとして４つの処理装置２４Ａ〜２４Ｄを設けた場合を例にとって説明したが、この処理装置の数は特に限定されない。また、処理システムに半導体ウエハＷを導入する導入側の構造であるロードロック室３０Ａ、３０Ｂやロードチャンバ３４等の構成もここで説明したものに限定されないのは勿論である。
【００４８】
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板やＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮなどの化合物半導体基板も含まれ、更にはこれらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００４９】
２２  処理システム
２４Ａ〜２４Ｄ  処理装置
２５Ａ〜２５Ｄ  載置台
２６  共通搬送装置
２８  搬送容器
２８Ａ  天井部
２８Ｂ  底部
３０Ａ，３０Ｂ  ロードロック室
３４  ロードチャンバ
４６  搬送機構
４６Ａ，４６Ｂ  アーム
５２  加熱手段
６２，６４  熱反射抑制面
６６，６８  冷却手段
７０  熱反射抑制板
７４  熱伝導性グリース
【図１】
2011061149.tif 000003
【図２】
2011061149.tif 000004
【図３】
2011061149.tif 000005
【図４】
2011061149.tif 000006
【図５】
2011061149.tif 000007