(57)【要約】【課題】効率的に製造することができ、光電気モジュール基板の組み立てに容易に利用できる光電気モジュールを提供する。【解決手段】支持基板１１の一方の面に光導波路２４が形成され、光導波路２４の一方側と他方側とにそれぞれ光素子３２ａ、３２ｂが搭載され、支持基板１１の一方の面には接続パターン１２ａ、１２ｂが、他方の面には実装用のパッド１４ａ、１４ｂが接続パターン１２ａ、１２ｂと電気的に接続して形成され、光導波路２４は、第１のクラッド層１８ａ、コア２０ａ、２０ｂ、第２のクラッド層１８ｂが積層して形成され、光素子３２ａ、３２ｂは、光導波路２４の表層である第２のクラッド層１８ｂ上に、コア２０ａ、２０ｂに位置合わせし、接続パターン１２ａ、１２ｂと電気的に接続して搭載されている。【選択図】図９
2011118163.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板の一方の面に光導波路が形成され、該光導波路の一方側と他方側とにそれぞれ光素子が搭載され、
前記支持基板の一方の面には接続パターンが、他方の面には実装用のパッドが前記接続パターンと電気的に接続して形成され、
前記光導波路は、第１のクラッド層、コア、第２のクラッド層が積層して形成され、
前記光素子は、前記光導波路の表層である前記第２のクラッド層上に、前記コアに位置合わせし、前記接続パターンと電気的に接続して搭載されていることを特徴とする光電気モジュール。
【請求項２】
前記コアには、光の投入射面である端面がコアの光信号の進行方向に対して垂直面となり、端面に対向する面が、前記光素子に向けて開いた傾斜面となる溝が形成され、
前記傾斜面がミラーとして形成されていることを特徴とする請求項１記載の光電気モジュール。
【請求項３】
一方の面に接続パターンが形成され、他方の面に実装用のパッドが前記接続パターンと電気的に接続して形成された、大判の支持基板を形成する工程と、
前記支持基板の前記一方の面を第１のクラッド層によって被覆する工程と、
前記第１のクラッド層上にコア層を形成する工程と、
前記コア層をパターニングし、個々の単位基板ごとにコアを形成する工程と、
前記コアに、光の投入射面である端面がコアの長手方向に対して垂直面となり、端面に対向する面が傾斜面となる溝を加工する工程と、
前記傾斜面をミラーとする加工を施す工程と、
前記溝加工が施されたコアを埋没させて、第２のクラッド層によって基板の表面を被覆する工程と、
前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層に、前記接続パターンと電気的に接続される接続配線を形成する工程と、
前記第２のクラッド層が形成された大判の基板を単位基板ごとに個片化する工程と、
個片化された単位基板に、前記接続配線に電気的に接続して光素子を搭載する工程と、を備えることを特徴とする光電気モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記傾斜面をミラーとする加工として、前記傾斜面に金を被着形成することを特徴とする請求項３記載の光電気モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記接続配線を形成する工程においては、
前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層に前記接続パターンと電気的に接続するビアを形成し、前記第２のクラッド層の表面に前記光素子に接続される接続パッドを形成することを特徴とする請求項３または４記載の光電気モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記接続配線を形成する工程の後工程として、前記第２のクラッド層の表面を保護膜によって被覆する工程を備えることを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項記載の光電気モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記単位基板に光素子を搭載する工程においては、前記コアに形成されたミラーと、光素子の受発光素子との平面位置を位置合わせして搭載することを特徴とする請求項３〜６のいずれか一項記載の光電気モジュールの製造方法。
【請求項８】
実装基板上に、
光導波路、及び光導波路の一方側と他方側とに光素子が搭載された光電気モジュールと、半導体パッケージと、前記光電気モジュールと前記半導体パッケージとの間に介在するドライバICまたはアンプICとが搭載され、
前記光電気モジュールは、
支持基板の一方の面に光導波路が形成され、
前記支持基板の一方の面には接続パターンが、他方の面には実装用のパッドが前記接続パターンと電気的に接続して形成され、
前記光導波路は、第１のクラッド層、コア、第２のクラッド層が積層して形成され、
前記光素子は、前記光導波路の表層である前記第２のクラッド層上に、前記コアに位置合わせし、前記接続パターンと電気的に接続して搭載されていることを特徴とする光電気モジュール基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光を用いる電子部品間の信号伝送に用いられる光電気モジュール及びその製造方法、並びに光電気モジュールを用いた光電気モジュール基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路（IC)間において信号を伝送するモジュール基板として、光を利用して信号を伝送する方法を用いる基板が検討されている。光を利用する信号の伝送方法では、第１のICから出力された電気信号を光信号に変換し、変換された光信号を光導波路を介して伝送させ、伝送された光信号を電気信号に変換して第２のICに入力する。この伝送方法による場合は、モジュール基板に光導波路を組み込む必要があり、従来は、光導波路として光ファイバーを用いる方法や、基板内部や基板上に光導波路を配置し、光導波路を介してIC間で信号を伝送する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−４０４３号公報
【特許文献２】特開２００９−２２９９６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光導波路を備える光電気モジュール基板は、光導波路、光素子（受発光素子）、ドライバIC、アンプICといった複数の部品から構成される光電気モジュールを備えるから、光電気モジュール基板の量産を可能にするには、光電気モジュール基板の組み立て部品の量産を可能にし、かつ組み立て部品を実装等する際における取り扱いを容易にする必要がある。
本発明は、複数の部品からなる光電気モジュールを効率的に製造することを可能にし、かつ光電気モジュールを部品化することによって、光電気モジュール基板の組み立てに容易に利用することができる光電気モジュール及びその製造方法、並びに光電気モジュールを用いた光電気モジュール基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、光電気モジュールについては、支持基板の一方の面に光導波路が形成され、該光導波路の一方側と他方側とにそれぞれ光素子が搭載され、前記支持基板の一方の面には接続パターンが、他方の面には実装用のパッドが前記接続パターンと電気的に接続して形成され、前記光導波路は、第１のクラッド層、コア、第２のクラッド層が積層して形成され、前記光素子は、前記光導波路の表層である前記第２のクラッド層上に、前記コアに対して所定の位置となるよう位置合わせし、前記接続パターンと電気的に接続して搭載されていることを特徴とする。
【０００６】
また、前記コアには、光の投入射面である端面がコアの長手方向（光信号の進行方向）に対して垂直面となり、端面に対向する面が、前記光素子に向けて開いた傾斜面となる溝が形成され、前記傾斜面がミラーとして形成されていることを特徴とする。前記傾斜面は、金などの反射率の高い金属をスパッタリング等によって被着されてミラー面となる。金等のミラー材を被着することなく、コアの基材によってミラー面とすることも可能である。
【０００７】
また、光電気モジュールの製造方法として、一方の面に接続パターンが形成され、他方の面に実装用のパッドが前記接続パターンと電気的に接続して形成された、大判の支持基板を形成する工程と、前記支持基板の前記一方の面を第１のクラッド層によって被覆する工程と、前記第１のクラッド層上にコア層を形成する工程と、前記コア層をパターニングし、個々の単位基板ごとにコアを形成する工程と、前記コアに、光の投入射面である端面がコアの長手方向に対して垂直面となり、端面に対向する面が傾斜面となる溝を加工する工程と、前記傾斜面をミラーとする加工を施す工程と、前記溝加工が施されたコアを埋没させて、第２のクラッド層によって基板の表面を被覆する工程と、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層に、前記接続パターンと電気的に接続される接続配線を形成する工程と、前記第２のクラッド層が形成された大判の基板を単位基板ごとに個片化する工程と、個片化された単位基板に、前記接続配線に電気的に接続して光素子を搭載する工程と、を備えることを特徴とする。
前記接続配線を形成する工程においては、ビア穴あけ、めっきによる導体層の形成といった、従来の配線基板の製造工程における操作が利用できる。
【０００８】
また、前記傾斜面をミラーとする加工として、前記傾斜面に金を被着形成することは、金の反射率が高いこと、金が耐環境性に優れる点で有効である。
また、前記接続配線を形成する工程においては、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層に前記接続パターンと電気的に接続するビアを形成し、前記第２のクラッド層の表面に前記光素子に接続される接続パッドを形成することを特徴とする。
また、前記接続配線を形成する工程の後工程として、前記第２のクラッド層の表面を保護膜によって被覆する工程を備えることを特徴とする。光素子が使用する波長域において保護膜を光が透過しない場合には、保護膜と光とが交差する部分の保護膜を除去して、開口部を形成する。
【０００９】
また、光電気モジュール基板として、実装基板上に、光導波路、及び光導波路の一方側と他方側とに光素子が搭載された光電気モジュールと、半導体パッケージと、前記光電気モジュールと前記半導体パッケージとの間に介在するドライバICまたはアンプICとが搭載され、前記光電気モジュールは、支持基板の一方の面に光導波路が形成され、前記支持基板の一方の面には接続パターンが、他方の面には実装用のパッドが前記接続パターンと電気的に接続して形成され、前記光導波路は、第１のクラッド層、コア、第２のクラッド層が積層して形成され、前記光素子は、前記光導波路の表層である前記第２のクラッド層上に、前記コアに対して所定の位置となるよう位置合わせし、前記接続パターンと電気的に接続して搭載されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る光電気モジュールは、支持基板上に光導波路が支持され、光導波路の表層となる第２のクラッド層に光素子が搭載されて提供されることから、取り扱い性が良好であり、光電気モジュール基板に搭載する実装用部品として好適に使用することができる。また、本発明に係る光電気モジュールの製造方法によれば、従来の配線基板の製造等に用いられている設備を利用して、光電気モジュールを容易に量産することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】光電気モジュールの支持基板の断面図（ａ）及び平面図（ｂ）である。
【図２】第１のクラッド層を形成した状態の断面図である。
【図３】コア層を形成した状態の断面図である。
【図４】コア層をパターニングしてコアを形成した状態の断面図（ａ）及び平面図（ｂ）である。
【図５】コアにミラー形成用の溝を形成した状態の断面図（ａ）及び平面図（ｂ）である。
【図６】ミラーを形成した状態の断面図（ａ）及び平面図（ｂ）である。
【図７】第２のクラッド層を形成した状態の断面図（ａ）、及び図７（ａ）のA-A線断面図（ｂ）である。
【図８】接続パッドとビアを形成した状態の断面図（ａ）及び平面図（ｂ）である。
【図９】光電気モジュールの断面図（ａ）及び平面図（ｂ）である。
【図１０】大判の基板から光電気モジュールを形成する方法を示す説明図である。
【図１１】光電気モジュール基板の断面図（ａ）及び平面図（ｂ）である。
【図１２】光電気モジュール基板の変形例の断面図（ａ）及び平面図（ｂ）である。
【図１３】光電気モジュール基板の他の例を示す平面図である。
【図１４】光電気モジュール基板の他の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、まず、本発明に係る光電気モジュールの製造方法について説明する。
本発明に係る光電気モジュールの製造方法においては、従来の配線基板の製造工程と同様に、大判の基板を加工対象とし、光電気モジュールとなる単位基板を多数個取りする製造方法によって光電気モジュールを製造する。
図１〜９は、大判に形成した光電気モジュールの製造工程を示す。これらの図は、大判の基板の一つの単位基板部分の構成を示している。
【００１３】
（支持基板の製造工程）
図１（ａ）及び（ｂ）は、光電気モジュールの支持体となる支持基板１１を形成した状態を示す。支持基板１１は、樹脂基板１０の一方の面（光素子を搭載する面）に、光素子と電気的に接続される接続パターン１２ａ、１２ｂが形成され、他方の面に実装用のパッド１４ａ、１４ｂが形成されたもので、接続パターン１２ａ、１２ｂとパッド１４ａ、１４ｂとは、樹脂基板１０を厚さ方向に貫通する導通部（スルーホール）１６を介して電気的に接続されている。
本実施形態の支持基板１１は、図１（ｂ）に示すように、光導波路を形成する領域を挟む、一方側と他方側に、それぞれ４つずつ接続パターン１２ａ、１２ｂを露出させて形成したものである。接続パターン１２ａ、１２ｂの配置位置、配置数は、光電気モジュールに搭載される光素子の端子位置、端子数に合わせて設定される。
【００１４】
支持基板１１は、基板の両面に配線パターンを形成し、基板を厚さ方向に貫通する導通部を設ける一般的な配線基板の製造方法によって製造することができる。たとえば、樹脂基板１０の、接続パターン１２ａ、１２ｂとパッド１４ａ、１４ｂを形成する位置にドリル加工等により貫通孔を形成し、貫通孔の内側面にめっきを施して導通部１６を形成した後、基板の両面にめっき等により導体層を形成し、必要であれば貫通孔に絶縁樹脂を充填し、導体層をパターンエッチングすることにより、導通部１６によって電気的に接続された状態に接続パターン１２ａ、１２ｂとパッド１４ａ、１４ｂとを形成することができる。
接続パターン１２ａ、１２ｂ、パッド１４ａ、１４ｂ及び導通部１６を形成する方法は上記例に限らず、樹脂基板の両面に銅箔を被着した両面銅張り基板を用いる方法も可能である。接続パターン１２ａ、１２ｂ、パッド１４ａ、１４ｂは、セミアディティブ法等の他の製造工程によることもできる。
【００１５】
接続パターン１２ａ、１２ｂ、パッド１４ａ、１４ｂ及び導通部１６を備える支持基板１１の製造工程は、一般的な配線基板の製造工程とまったく同様であり、従来の配線基板を製造する設備を利用して製造することができる。また、支持基板１１の製造に用いる樹脂基板等についても、プリント基板等に従来使用されている基板材料を使用することができる。
【００１６】
（第１のクラッド層を形成する工程）
次に、接続パターン１２ａ、１２ｂが形成された面（樹脂基板１０の一方の面）の全面を光導波路のクラッド部分となる、第１のクラッド層１８ａによって被覆する（図２）。
第１のクラッド層１８ａは、光素子が使用する波長域において光透過性を有する樹脂フィルムを、樹脂基板１０の一方の面の全面を覆うようにラミネートして形成する。第１のクラッド層１８ａは、樹脂フィルムをラミネートするかわりに、クラッド材となるペースト状も樹脂材をコーティングして形成することもできる。
【００１７】
（コア層を形成する工程）
次に、第１のクラッド層１８ａの表面に光導波路のコアとなるコア層２０を形成する（図３）。コア層２０は、コアとなる樹脂フィルムを第１のクラッド層１８ａの全面を覆うようにラミネートして形成する。樹脂フィルムを用いるかわりに、ペースト状のコア材をコーティングしてコア層２０を形成することもできる。コア層２０は、露光及び現像操作によりパターニングして光導波路のコア２０ａとする。したがって、コア層２０には感光性レジストと同様の感光性を備えるコア材が用いられる。
【００１８】
光導波路のコアは、クラッド材にくらべて使用波長域における屈折率が大きいことが必要である。コア層２０を形成するコア材には、光素子の波長域において光透過性を有するとともに、光素子の波長域における屈折率がクラッドにくらべて大きい材料を選択して使用する。クラッド用及びコア用の樹脂材は、市版されている樹脂材から適宜選択することができる。
【００１９】
（コア層をパターニングする工程）
図４は、コア層２０をパターニングしてコア２０ａ、２０ｂを形成した状態を示す。図４（ａ）は断面図、図４（ｂ）は平面図である。コア２０ａ、２０ｂは、コア層２０を露光及びパターニングして形成されるから、コア層２０を露光するパターンを適宜設定することによって、任意のパターンにコア層２０を露光して任意の平面配置にコア２０ａ、２０ｂを形成することができる。
【００２０】
図４では、光導波路を挟む一方側と他方側にそれぞれ配置された接続パターン１２ａ、１２ｂ（接続パターンのパッド部分は正方形の頂点位置に配置されている）の対向する接続パターン１２ａ、１２ｂを結ぶ直線配置に一対のコア２０ａ、２０ｂを形成している。本例は、２本（２チャンネル）のコア２０ａ、２０ｂを備える光導波路を形成する例であるが、露光及び現像操作によれば、任意の本数にコアを形成することができる。
コア層２０を露光及び現像する操作は、配線基板における露光及び現像操作と同様に、大判の基板（ワーク）に対し一括して露光及び現像する操作であり、この方法によって、効率的にコアを形成することができる。
コア層２０をパターニングしてコア２０ａ、２０ｂのみを第１のクラッド層１８ａ上に残した状態で、コア２０ａ、２０ｂは矩形の断面形状となる。
【００２１】
（ミラーを形成する工程）
次に、コア２０ａ、２０ｂにミラーを作り込む。このミラーはコアと光素子とを光学的に接続するためのものである。
図５は、コア２０ａ、２０ｂに４５度傾斜面となる溝２１を形成した状態を示す（溝形成工程）。図５（ａ）に示すように、溝２１はコア２０ａ、２０ｂの端面がコア２０ａ、２０ｂの長手方向に対して垂直面となり、コア２０ａ、２０ｂの端面に対向する面が、４５度傾斜面となる。４５度傾斜面は、上方（第１のクラッド層１８ａとは反対面側）が開放し、コア２０ａ、２０ｂの長手方向に対して４５度傾斜する。なお、図５に示すコア２０ａ、２０ｂは、実際に光を透過させる最終的なコア部であり、図４に示すコア２０ａ、２０ｂは最終的なコア部を形成する前段階の状態である。
【００２２】
溝２１は、０度と４５度切断が可能な片刃の切削刃を備える切削ブレードを用いて形成する。溝２１を形成する際に、切削ブレードの先端を第１のクラッド層１８ａに入り込ませ、溝２１を形成することによって、コア２０ａ、２０ｂが長手方向に分離されて単独のコア部となるようにする。
図５（ｂ）は、コア２０ａ、２０ｂが形成されている領域では、厚さ方向の全体に溝２１が形成され、第１のクラッド層１８ａが露出している領域では、切削ブレードの先端が通過した部位のみに溝２１ａが形成されることを示す。
コア２０ａ、２０ｂに溝２１を加工する操作も、大判の基板に対して切削ブレードを位置決めして通過させることによって、一括して溝加工することができる。
なお、溝を形成する方法として、切削ブレードを使用するかわりに、片面が垂直面となる変形のＶ字形に、物理的あるいは化学的にエッチングする方法によることも可能である。また、切削ブレードとレーザ加工を併用することもできる。
【００２３】
図６は、溝加工によって形成した溝２１の４５度傾斜面に金をスパッタリングしてミラー２２を形成した状態を示す（ミラーを形成する工程）。
溝２１のミラーを形成する領域を露出させ、ミラーする領域を除く領域部分をマスクして溝２１の露出する表面に金をスパッタリングすることによって、溝２１の４５度傾斜面をミラー２２とすることができる。図６（ｂ）においては、マスクが若干位置ずれしてもコア２０ａ、２０ｂの４５度傾斜面の全面に確実に金が被着されるように、４５度傾斜面よりも若干幅広にスパッタリング領域を設定して金を被着させた例である。
【００２４】
４５度傾斜面に金をスパッタリングしてミラー２２としたのは、金は光の反射特性と耐環境性に優れているからである。アルミニウム等の金以外の金属をミラー２２に使用することもできる。
ミラー２２を形成する方法はスパッタリング法に限られるものではなく、蒸着法、めっき法等を利用することもできる。スパッタリング法、めっき法等による場合も、大判の基板に対してスパッタリング等を施すことによって、大判の基板に形成されているコアの４５度傾斜面に、一括してミラー２２を形成することができる。
【００２５】
（第２のクラッド層を形成する工程）
ミラーを形成した後、大判の基板（ワーク）の全表面を第２のクラッド層１８ｂによって被覆する（図７）。第２のクラッド層１８ｂは、前述した第１のクラッド層１８ａと同一材料を用いて形成する。第２のクラッド層１８ｂは、コア２０ａ、２０ｂが厚さ方向に完全に埋没するように厚さを設定して形成する。第２のクラッド層１８ｂは、樹脂フィルム状に形成したクラッド材をラミネートして形成することもできるし、ペースト状のクラッド材をコーティングして形成することもできる。
【００２６】
第２のクラッド層１８ｂによってコア２０ａ、２０ｂを被覆することによって、図７（ｂ）に示すように、コア２０ａ、２０ｂは、第１のクラッド層１８ａと第２のクラッド層１８ｂによって包囲された状態、すなわちコアを中心とし、クラッドによってコアが被覆された光導波路２４が形成される。
ミラー２２は第２のクラッド層１８ｂによって封止され、ミラー２２が外部環境に曝されることが防止され、ミラー２２の耐環境性が良好となる。
【００２７】
（接続配線を形成する工程）
第２のクラッド層１８ｂを形成した後、第２のクラッド層１８ｂの表面に光素子を搭載するための接続パッド２７ａ、２７ｂを形成する。接続パッド２７ａ、２７ｂは、ビア２６を介して接続パターン１２ａ、１２ｂと電気的に接続される（図８）。
接続パターン１２ａ、１２ｂと電気的に接続する接続パッド２７ａ、２７ｂを形成するには、第１のクラッド層１８ａと第２のクラッド層１８ｂを厚さ方向に貫通し、底面に接続パターン１２ａ、１２ｂが露出するビア穴を形成し、サブトラクト法あるいはセミアディティブ法等により、ビア２６を介して接続パターン１２ａ、１２ｂと電気的に接続して接続パッド２７ａ、２７ｂを形成すればよい。
【００２８】
ビア穴をあける場合は、第２のクラッド層１８ｂの上方から、たとえばCO2レーザを用いて、第２のクラッド層１８ｂと第１のクラッド層１８ａを貫通するように形成する。
セミアディティブ法によってビア２６と接続パッド２７ａ、２７ｂを形成するには、無電解銅めっきにより、ビア穴の底面、内側面及び第２のクラッド層１８ｂの表面にめっきシード層を形成する工程、めっきシード層の表面に接続パッド２７ａ、２７ｂを形成する部位を露出させたレジストパターンを形成する工程、めっきシード層をめっき給電層とする電解銅めっきを施し、ビア穴とめっきシード層の露出部分にめっきを盛り上げる工程、めっき後、レジストパターンを除去し、レジストパターンを除去して露出しためっきシード層の部分をエッチングして除去する工程によって形成することができる。
【００２９】
第１のクラッド層１８ａと第２のクラッド層１８ｂにビア穴を形成し、下層の接続パターン１２ａ、１２ｂと電気的に接続する接続パッド２７ａ、２７ｂを形成する方法は、一般的な配線基板の製造工程において、ビアを介して層間の配線パターンを電気的に接続する方法と同様である。
接続パッド２７ａ、２７ｂを形成した後、ニッケルめっき金めっき等の所要の表面処理を施すことも、従来の配線基板の製造工程と同様に行うことができる。また、接続パッド２７ａ、２７ｂを外面に露出させるように、第２のクラッド層１８ｂの表面をソルダーレジスト等の保護膜によって被覆してもよい。
【００３０】
（光素子を搭載する工程）
図９は、接続パッド２７ａ、２７ｂに電気的に接続して光素子３２を搭載し、光電気モジュール３０を完成した状態を示す。図９（ｂ）では、光素子３２ａ、３２ｂの搭載位置を破線によって示している。
光素子３２ａ、３２ｂは、ミラー２２と光素子３２ａ、３２ｂに形成されている受発光素子の平面位置とを位置合わせし、接続パッド２７ａ、２７ｂにはんだ３３により接合して搭載される。光導波路２４を挟む一方側と他方側の位置に光素子３２ａ、３２ｂを位置合わせして搭載したことにより、光電気モジュール３０は、光素子３２ａ、３２ｂが光導波路２４を介して光学的に接続されて提供される。
【００３１】
光電気モジュール３０は支持基板１１の一方の面に光導波路２４が設けられ、光導波路２４を構成する表層のクラッド層上に光素子３２ａ、３２ｂが搭載されたモジュール部品として形成される。
光導波路２４のコア２０ａ、２０ｂから投射される光、コア２０ａ、２０ｂに入射する光は、表層側のクラッド層（第２のクラッド層１８ｂ）を透過して光素子３２ａ、３２ｂに投入射される。
第２のクラッド層１８ｂの表面はソルダーレジスト２８によって被覆されて保護されているが、光素子３２ａ、３２ｂとミラー２２との間で光が透過する部位についてはソルダーレジスト２８に開口部２８ａを設けて光の透過が阻害されないようにしている。ソルダーレジスト２８が光素子３２ａ、３２ｂの波長域において透明であれば開口部２８ａを設ける必要はない。なお、支持基板１１の下面もソルダーレジスト２９によって被覆され、パッド１４ａ、１４ｂには実装用の接続端子としてはんだボール３４が接合される。
【００３２】
図９に示す光電気モジュール３０は、独立した個片のモジュール品として形成された状態を示す。実際の工程においては、図１０（ａ）に示すように、光電気モジュール３０となる単位基板３０ａを縦横に整列した配置に形成した大判の基板３５から、単位基板３０ａを個片に切り離し（図１０（ｂ）、切り離した単位基板３０ａごとに光素子３２ａ、３２ｂを搭載して光電気モジュール３０とする（図１０（ｃ））。
【００３３】
図１０に示すように、大判の基板３５を使用し、光素子３２ａ、３２ｂが搭載される状態に基板を仕上げて単位基板３０ａを多数個取りする製造方法は、従来の配線基板の製造工程と同様の製造工程によるものであり、配線基板の製造設備を利用して光電気モジュールを製造することができる。この製造方法によれば、光電気モジュールの量産が可能となり、光電気モジュールの製造コストを効率的に低減することができる。
【００３４】
（光電気モジュール基板）
図１１（ａ）及び（ｂ）は、光電気モジュール３０を使用して組み立てた光電気モジュール基板４０の断面図及び平面図である。光電気モジュール基板４０は、実装基板４２の素子搭載面に、光電気モジュール３０を実装し、光電気モジュール３０を挟む一方側と他方側に、ドライバIC４４ａ、アンプIC４４ｂと、半導体パッケージ４６ａ、４６ｂを搭載して組み立てられている。
光電気モジュール３０は接続端子であるはんだボール３４を実装基板４２の電極に接合して実装される。半導体パッケージ４６ａ、４６ｂは、ロジック半導体やASIC等の電子部品４６１、４６２を搭載して形成され、パッケージ基板に電子部品を搭載した状態で実装基板４２に実装される。
【００３５】
図１１に示す光電気モジュール基板４０は、半導体パッケージ４６ａ、４６ｂ間の信号伝送が、光導波路２４を内蔵する光電気モジュール３０を介してなされるから、外部からの信号伝送に対する擾乱を回避し、高速の信号伝送が可能なモジュール基板として提供される。
図１１に示す光電気モジュール基板４０において特徴的な構成は、光電気モジュール３０が、半導体パッケージ４６ａ、４６ｂやドライバIC４４ａ、アンプIC４４ｂと同様の実装用部品として扱われて搭載されている点にある。光電気モジュール３０は光導波路２４を内蔵した実装用部品として、容易に取り扱うことができ、半導体パッケージと組み合わせて種々の形態の光電気モジュール基板を組み立てることができる。
【００３６】
図１２は、図１１に示す光電気モジュール基板４０の変形例である。図１１に示す光電気モジュール基板４０においては、変換用IC４４ａ、４４ｂを実装基板４２上に実装しているが、図１２に示す光電気モジュール基板４０１では、半導体パッケージ４７ａ、４７ｂにドライバIC４４ａ、ドライバIC４４ｂを搭載している。
実装基板４２に実装する半導体パッケージは、パッケージ基板に複数の電子部品を搭載する設計とすることが可能であり、複数の部品を搭載して図１２の形態とすることは容易である。
【００３７】
（光電気モジュール基板の他の例）
図１３、１４は、光電気モジュール３０を使用して組み立てた光電気モジュール基板の他の例を示す。
図１３に示す光電気モジュール基板４０２は、４つの半導体パッケージ４８ａ、４８ｂ、４８ｃ、４８ｄを四角形配置（格子点位置の配置）とし、隣り合った半導体パッケージ間に光電気モジュール３０を配して組み立てた例である。
図１４に示す光電気モジュール基板４０３は、４つの半導体パッケージ４９ａ、４９ｂ、４９ｃ、４９ｄを並列（横並び）に配置し、半導体パッケージ４９ａ〜４９ｄの並び方向の一方側に、直列状に光電気モジュール３０を配置して組み立てた例である。光電気モジュール３０はドライバIC・アンプIC４５とブリッジIC５０を介して、それぞれの半導体パッケージ４９ａ〜４９ｄに接続する。
このように、本発明に係る光電気モジュール３０を使用すれば、半導体パッケージのさまざまな配置に対応して光電気モジュール基板を組み立てることができる。
【符号の説明】
【００３８】
１０  樹脂基板
１１  支持基板
１２ａ、１２ｂ  接続パターン
１４ａ、１４ｂ  パッド
１６  導通部
１８ａ  第１のクラッド層
１８ｂ  第２のクラッド層
２０  コア層
２０ａ、２０ｂ  コア
２１  溝
２２  ミラー
２４  光導波路
２７ａ、２７ｂ  接続パッド
３０  光電気モジュール
３０ａ  単位基板
３２ａ、３２ｂ  光素子
３５  大判の基板
４０、４０１、４０２、４０３  光電気モジュール基板
４２  実装基板
４４ａ  ドライバIC
４４ｂ  アンプIC
４６ａ、４６ｂ、４７ａ、４７ｂ、４８ａ、４８ｂ、４８ｃ、４８ｄ、４９ａ、４９ｂ、４９ｃ、４９ｄ  半導体パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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