(57)【要約】【課題】電気光学装置の温度を検出する温度センサの設置に必要となる領域を削減する。【解決手段】表示用画素回路ＰAと検出用画素回路ＰBaとを含む複数の画素回路Ｐが素子基板１０Bの面上に形成される。素子基板１０Bの面上には配線５２と配線５４とが形成される。検出用画素回路ＰBaは、信号線１４と配線５２とを走査線１２の選択時に導通させる選択トランジスタｑB（ｑB1，ｑB2）を含む。各選択トランジスタｑBのオン電流は温度に応じて変化する。配線５２から検出用画素回路ＰBaの選択トランジスタｑBを経由して信号線１４に供給される電流Ｉmに応じた温度検出用の検出電流ＩMNTが配線５４に出力される。【選択図】図１
2011085619.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と複数の信号線との各交差に対応して配置された複数の画素回路と、
前記複数の画素回路の各々を駆動する駆動回路とを具備し、
前記複数の画素回路は、表示用画素回路と検出用画素回路とを含み、
前記表示用画素回路は、
階調信号を電気光学物質に印加する画素電極と、
前記画素電極と前記階調信号が供給される前記信号線とを前記走査線の選択時に導通させる選択トランジスタとを含み、
前記検出用画素回路は、
前記走査線と前記信号線との交差に対応して配置された選択トランジスタであってオン電流が温度に依存する選択トランジスタを含み、
前記信号線と前記検出用画素回路の前記選択トランジスタとを含む経路に流れる電流に応じた温度検出用の検出電流を出力する
電気光学装置。
【請求項２】
第１電位が供給される第１配線と、
第２配線とを具備し、
前記検出用画素回路の前記選択トランジスタは、前記信号線と前記第１配線とを前記走査線の選択時に導通させ、
前記第１配線から前記検出用画素回路の前記選択トランジスタを経由して前記信号線に供給される電流に応じた前記検出電流を前記第２配線に出力する
請求項１の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１電位とは相違する第２電位が表示期間にて前記第２配線に供給され、
前記駆動回路は、相異なる前記信号線に対応する複数の単位回路を含み、
前記複数の単位回路の各々は、
前記信号線と前記第１配線との間に介在する第１トランジスタと、
前記信号線と前記第２配線との間に介在する第２トランジスタと、
前記表示期間にて前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタの何れかを指定階調に応じてオン状態に制御し、検出期間にて前記第２トランジスタをオン状態に制御する制御部とを含む
請求項２の電気光学装置。
【請求項４】
前記検出用画素回路の前記選択トランジスタと前記第２トランジスタとは導電型が共通する
請求項３の電気光学装置。
【請求項５】
前記表示用画素回路は、
前記各表示用画素回路は、表示領域内に行列状に配列され、
前記検出用画素回路は、前記表示領域の周囲に配置されて画像の表示には寄与しない
請求項１から請求項４の何れかの電気光学装置。
【請求項６】
複数の走査線と複数の信号線との各交差に対応して配置されて各々が電気光学素子を含む複数の画素回路と、
温度検出用の検出電流が出力される検出線と、
オン電流が温度に依存する駆動用トランジスタを含んで構成されて前記複数の画素回路の各々を駆動する駆動回路とを具備し、
前記駆動用トランジスタを経由した電流に応じた前記検出電流を前記検出線に出力する
電気光学装置。
【請求項７】
第１電位が供給される第１配線と、
前記第１電位とは相違する第２電位が供給される第２配線とを具備し、
前記駆動回路は、相異なる前記信号線に対応する複数の単位回路を含み、
前記複数の単位回路の各々は、
前記信号線と前記第１配線との間に前記駆動用トランジスタとして介在する第１トランジスタと、
前記信号線と前記第２配線との間に介在する第２トランジスタと、
表示期間にて前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタの何れかを指定階調に応じてオン状態に制御し、検出期間にて前記第１トランジスタをオン状態に制御する制御部とを含む
請求項６の電気光学装置。
【請求項８】
前記複数の単位回路の各々は、前記信号線と前記検出線との間に介在する検出トランジスタを含み、
前記検出トランジスタは、前記表示期間にてオフ状態に制御されて前記検出期間にてオン状態に制御される
請求項７の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１トランジスタと前記検出トランジスタとは導電型が共通する
請求項８の電気光学装置。
【請求項１０】
前記駆動回路は、プリチャージ期間にて前記各信号線にプリチャージ電位を供給するプリチャージ回路を含み、
前記駆動用トランジスタは、前記プリチャージ回路を構成する
請求項６の電気光学装置。
【請求項１１】
前記駆動回路は、
指定階調に応じた階調信号を表示期間にて前記複数の信号線の各々に供給し、検出期間とプリチャージ期間とにおいて所定の電位を前記複数の信号線に供給する信号線駆動回路を含み、
前記プリチャージ回路においては、前記信号線と前記検出線との間に介在するとともに前記検出期間および前記プリチャージ期間にてオン状態に制御される制御トランジスタが前記駆動用トランジスタとして前記信号線毎に配置され、
前記各信号線と前記各制御トランジスタとを経由した電流が前記検出期間にて前記検出電流として前記検出線に出力され、所定のプリチャージ電位が前記プリチャージ期間にて前記検出線から前記各制御トランジスタを介して前記各信号線に供給される
請求項１０の電気光学装置。
【請求項１２】
前記表示期間にて階調信号が供給されて前記検出期間にて前記所定の電位が供給される画像信号線を具備し、
前記信号線駆動回路は、前記画像信号線と前記信号線との間に介在する取込用トランジスタを前記駆動用トランジスタとして前記信号線毎に含み、
前記各取込用トランジスタは、前記検出期間にてオン状態に制御されて前記表示期間にて順次にオン状態に制御され、
前記検出期間にて前記各取込用トランジスタと前記各信号線と前記各制御トランジスタとを経由した電流が前記検出電流として前記検出線に出力される
請求項１１の電気光学装置。
【請求項１３】
前記検出期間と前記プリチャージ期間とは垂直帰線期間内に設定される
請求項１１または請求項１２の電気光学装置。
【請求項１４】
前記各電気光学素子を加熱する加熱器と、
前記検出電流に応じて前記加熱器を制御する温度制御回路と
を具備する請求項１から請求項１３の何れかの電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４の何れかの電気光学装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶素子などの電気光学素子を駆動する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶素子などの電気光学素子を利用して画像を表示する電気光学装置においては、使用環境の温度に応じた電気光学素子の特性（例えば液晶の応答速度）の変動が問題となる。特許文献１には、表示領域の近傍に設置された温度センサで検出した温度に応じて冷却器を制御する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−９５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１の図１に開示されるように、温度センサを設置する領域を、表示領域や駆動回路の形成領域とは別個に確保する必要があるから、装置の小型化や狭額縁化が阻害されるという問題がある。以上の事情を考慮して、本発明は、温度センサの設置に必要となる領域を削減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するために、本発明の第１態様に係る電気光学装置は、複数の走査線と複数の信号線との各交差に対応して配置された複数の画素回路と、複数の画素回路の各々を駆動する駆動回路（例えば図１の駆動回路３０）とを具備し、複数の画素回路は、表示用画素回路（例えば図１の表示用画素回路ＰA）と検出用画素回路（例えば図１の検出用画素回路ＰBa）とを含み、表示用画素回路は、階調信号を電気光学物質（例えば図２の液晶２６）に印加する画素電極（例えば図２の画素電極２２）と、画素電極と階調信号が供給される信号線とを走査線の選択時に導通させる選択トランジスタ（例えば図２の選択トランジスタｑA1，ｑA2）とを含み、検出用画素回路は、走査線と信号線との交差に対応して配置された選択トランジスタであってオン電流が温度に依存する選択トランジスタ（例えば図３の選択トランジスタｑB1，ｑB2）を含み、信号線と検出用画素回路の選択トランジスタとを含む経路に流れる電流に応じた温度検出用の検出電流を出力する。以上の構成においては、オン電流が温度に依存する検出用画素回路の各選択トランジスタを経由した電流に応じて検出電流が生成されるから、温度センサが設置される領域を表示領域や駆動回路の形成領域とは別個に確保する必要がない。したがって、電気光学装置の小型化や狭額縁化が実現されるという利点がある。なお、第１態様の具体例は第１実施形態として後述される。
【０００６】
第１の態様の好適例に係る電気光学装置は、第１電位が供給される第１配線（例えば図１の配線５２）と、第２配線（例えば図１の配線５４）とを具備し、検出用画素回路の選択トランジスタは、信号線と第１配線とを走査線の選択時に導通させ、第１配線から検出用画素回路の選択トランジスタを経由して信号線に供給される電流に応じた検出電流を第２配線に出力する。
【０００７】
第１態様に係る電気光学装置の好適例において、第１電位とは相違する第２電位が表示期間にて第２配線に供給され、相異なる信号線に対応する複数の単位回路を含む駆動回路を具備し、複数の単位回路の各々は、信号線と第１配線との間に介在する第１トランジスタ（例えば図６のトランジスタＴR1）と、信号線と第２配線との間に介在する第２トランジスタ（例えば図６のトランジスタＴR2）と、表示期間にて第１トランジスタおよび第２トランジスタの何れかを指定階調に応じてオン状態に制御し、検出期間にて第２トランジスタをオン状態に制御する制御部（例えば図６の制御部６２）とを含む。以上の態様においては、表示期間にて階調信号の出力に利用される第２トランジスタが検出期間にて検出電流の出力に利用される。したがって、検出電流の出力用の要素を階調信号の出力用の要素とは別個に設置した構成と比較して駆動回路の構成が簡素化されるという利点がある。
【０００８】
第１態様に係る電気光学装置の好適例において、検出用画素回路の選択トランジスタと第２トランジスタとは導電型が共通する。以上の態様においては、検出電流の経路上に位置する選択トランジスタと第２トランジスタとで導電型が共通するから、温度に応じたオン電流の変化の方向を選択トランジスタと第２トランジスタとで容易に共通させることが可能である。したがって、選択トランジスタと第２トランジスタとで導電型が相違する構成と比較して、検出電流の電流量を充分に確保できるという利点がある。
【０００９】
第１態様に係る電気光学装置の好適例において、表示用画素回路は、各表示用画素回路は、表示領域内に行列状に配列され、検出用画素回路は、表示領域の周囲に配置されて画像の表示には寄与しない。以上の態様においては、検出用画素回路が画像の表示に直接的には寄与しないから、表示画像に影響を与えずに検出電流を生成できるという利点がある。
【００１０】
本発明の第２態様に係る電気光学装置は、複数の走査線と複数の信号線との各交差に対応して配置されて各々が電気光学素子を含む複数の画素回路と、温度検出用の検出電流が出力される検出線（例えば図１０や図１４の検出線５６）と、オン電流が温度に依存する駆動用トランジスタを含んで構成されて複数の画素回路の各々を駆動する駆動回路とを具備し、駆動用トランジスタを経由した電流に応じた検出電流を検出線に出力する。以上の構成においては、オン電流が温度に依存する駆動回路内の駆動用トランジスタを経由した電流に応じて検出電流が生成されるから、温度センサが設置される領域を表示領域や駆動回路の形成領域とは別個に確保する必要がない。したがって、電気光学装置の小型化や狭額縁化が実現されるという利点がある。
【００１１】
第２態様の好適例（以下「構成例１」という）に係る電気光学装置は、第１電位が供給される第１配線（例えば図１０の配線５２）と、第１電位とは相違する第２電位が供給される第２配線（例えば図１０の配線５４）とを具備し、駆動回路は、相異なる信号線に対応する複数の単位回路を含み、複数の単位回路の各々は、信号線と第１配線との間に駆動用トランジスタとして介在する第１トランジスタ（例えば図１２のトランジスタＴR1）と、信号線と第２配線との間に介在する第２トランジスタ（例えば図１２のトランジスタＴR2）と、表示期間にて第１トランジスタおよび第２トランジスタの何れかを指定階調に応じてオン状態に制御し、検出期間にて第１トランジスタをオン状態に制御する制御部（例えば図１２の制御部６６）とを含む。以上の態様においては、表示期間にて階調信号の出力に利用される第１トランジスタが検出期間にて検出電流の出力に利用される。したがって、検出電流の出力用の要素を階調信号の出力用の要素とは別個に設置した構成と比較して駆動回路の構成が簡素化されるという利点がある。なお、構成例１の具体例は第２実施形態として後述される。
【００１２】
構成例１の好適な態様において、複数の単位回路の各々は、信号線と検出線との間に介在する検出トランジスタ（例えば図１２の検出トランジスタＴR3）を含み、検出トランジスタは、表示期間にてオフ状態に制御されて検出期間にてオン状態に制御される。以上の態様においては、信号線と検出線とが表示期間にて電気的に絶縁されるから、表示期間にて信号線が検出線と導通する構成と比較して、消費電力（階調信号の出力による電荷の移動量）が削減されるという利点がある。また、第１トランジスタと検出トランジスタとで導電型を共通させた構成によれば、温度に応じたオン電流の変化の方向を第１トランジスタと検出トランジスタとで容易に共通させることが可能である。したがって、第１トランジスタと検出トランジスタとで導電型が相違する構成と比較して、検出電流の電流量を充分に確保できるという利点がある。
【００１３】
第２態様の好適例（以下「構成例２」という）に係る電気光学装置において、駆動回路は、プリチャージ期間にて各信号線にプリチャージ電位を供給するプリチャージ回路を含み、駆動用トランジスタは、プリチャージ回路を構成する。以上の態様においては、信号線のプリチャージに利用される制御トランジスタが検出期間にて検出電流の出力に利用される。したがって、検出電流の出力用の要素をプリチャージ電位の供給用の要素とは別個に設置した構成と比較して駆動回路の構成が簡素化されるという利点がある。なお、構成例２の具体例は第３実施形態として後述される。
【００１４】
構成例２の好適な態様において、駆動回路は、指定階調に応じた階調信号を表示期間にて複数の信号線の各々に供給し、検出期間とプリチャージ期間とにおいて所定の電位を複数の信号線に供給する信号線駆動回路を含み、プリチャージ回路においては、信号線と検出線との間に介在するとともに検出期間およびプリチャージ期間にてオン状態に制御される制御トランジスタが駆動用トランジスタとして信号線毎に配置され、各信号線と各制御トランジスタとを経由した電流が検出期間にて検出電流として検出線に出力され、所定のプリチャージ電位がプリチャージ期間にて検出線から各制御トランジスタを介して各信号線に供給される。
【００１５】
構成例２の好適な態様に係る電気光学装置は、表示期間にて階調信号が供給されて検出期間にて所定の電位が供給される画像信号線（例えば図１４の画像信号線５８）を具備し、信号線駆動回路は、画像信号線と信号線との間に介在する取込用トランジスタ（例えば図１４の取込用トランジスタｒ1や取込用トランジスタｒ2）を駆動用トランジスタとして信号線毎に含み、各取込用トランジスタは、検出期間にてオン状態に制御されて表示期間にて順次にオン状態に制御され、検出期間にて各取込用トランジスタと各信号線と各制御トランジスタとを経由した電流が検出電流として検出線に出力される。以上の態様においては、所定の電位が供給される画像信号線から取込用トランジスタと信号線と制御トランジスタとを経由した電流が検出期間にて検出電流として検出線に出力される。したがって、検出期間における画像信号線の電位に応じて検出電流を適宜に調整できるという利点がある。
【００１６】
構成例２の好適な態様において、検出期間とプリチャージ期間とは垂直帰線期間内に設定される。以上の態様においては、検出期間およびプリチャージ期間が垂直帰線期間内に設定されるから、表示画像に影響を与えずに検出電流を生成できるという利点がある。
【００１７】
以上の各態様（第１態様および第２態様）の具体例に係る電気光学装置は、各電気光学素子を加熱する加熱器と、検出電流に応じて加熱器を制御する温度制御回路とを具備する。以上の態様においては、検出電流に応じて加熱器が制御されるから、電気光学装置（電気光学素子）の温度を所望の範囲に維持することで高品位な表示が可能となる。もっとも、検出電流の用途は温度の制御に限定されない。
【００１８】
なお、トランジスタに流れる電流が温度に依存するという傾向は、トランジスタのゲート−ソース間の電圧が閾値電圧と比較して充分に高い場合に顕在化する。そこで、第１態様における検出用画素回路の選択トランジスタや第２態様における駆動回路の駆動用トランジスタは、例えば、各々の閾値電圧を充分に上回る電圧（例えば閾値電圧の２倍を上回る電圧）をゲート−ソース間に印加することでオン状態に制御される。
【００１９】
以上の各態様に係る電気光学装置は各種の電子機器に利用される。電子機器の典型例は、電気光学装置を表示装置として利用した機器である。例えば、自動車の車内の温度は大きく変化するから、電気光学装置の温度に応じた検出電流が出力される以上の各態様の電気光学装置は、車載用の表示装置（例えばインパネやカーナビゲーション装置）に格別に好適である。また、携帯電話機や携帯情報端末などの電子機器にも本発明の電気光学装置が好適に採用される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置のブロック図である。
【図２】画素回路（表示用画素回路）の回路図である。
【図３】画素回路（検出用画素回路）の回路図である。
【図４】トランジスタのオン電流の温度依存性を示すグラフである。
【図５】第１実施形態に係る電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図６】単位回路の回路図である。
【図７】表示期間における単位回路の動作を説明するための模式図である。
【図８】検出期間における単位回路の動作を説明するための模式図である。
【図９】温度制御回路のブロック図である。
【図１０】第２実施形態に係る電気光学装置のブロック図である。
【図１１】第２実施形態に係る電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図１２】単位回路の回路図である。
【図１３】検出期間における単位回路の動作を説明するための模式図である。
【図１４】第３実施形態に係る電気光学装置のブロック図である。
【図１５】第３実施形態に係る電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図１６】第１実施形態の変形例に係る電気光学装置のブロック図である。
【図１７】第２実施形態の変形例に係る電気光学装置のブロック図である。
【図１８】電子機器の形態（パーソナルコンピュータ）を示す斜視図である。
【図１９】電子機器の形態（携帯電話機）を示す斜視図である。
【図２０】電子機器の形態（携帯情報端末）を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置１００Aのブロック図である。電気光学装置１００Aは、画像を表示する表示機器として様々な電子機器に搭載される液晶装置である。図１に示すように、電気光学装置１００Aは、複数の画素回路Ｐ（ＰA，ＰB）が平面状に配列された素子部１０と、各画素回路Ｐを駆動する駆動回路３０とを具備する。駆動回路３０は、走査線駆動回路３２と信号線駆動回路３４とを含んで構成される。また、電気光学装置１００Aは、制御回路４２と電位生成回路４４と温度制御回路４６と加熱器４８とを具備する。
【００２２】
素子部１０には、Ｘ方向に延在するＭ本の走査線１２と、Ｘ方向に交差するＹ方向に延在するＮ本の信号線１４とが形成される（ＭおよびＮは自然数）。複数の画素回路Ｐは、各走査線１２と各信号線１４との交差に対応して配置されて縦Ｍ行×横Ｎ列の行列状に配列する。また、各画素回路Ｐが形成される基板（以下「素子基板」という）１０Bの面上には配線５２と配線５４とが形成される。
【００２３】
図１に示すように、複数の画素回路Ｐは、画像の表示に実際に使用される複数の表示用画素回路ＰAと、直接的には画像の表示に寄与しない複数のダミー画素回路ＰB（ＰBa）とに区分される。複数の表示用画素回路ＰAは、矩形状の表示領域１０A内に行列状に配列し、複数のダミー画素回路ＰBは、表示領域１０Aの周囲（例えば遮光層で覆われた領域内）に配列する。複数のダミー画素回路ＰBのうち第Ｍ行のＮ個のダミー画素回路（以下では特に「検出用画素回路」という）ＰBaは、電気光学装置１００Aの温度の検出に利用される。
【００２４】
図２は、各表示用画素回路ＰAの回路図である。図２に示すように、表示用画素回路ＰAは、液晶素子２０と選択スイッチＱAとを含んで構成される。液晶素子２０は、画素電極２２と共通電極２４と両電極間の液晶２６とで構成された電気光学素子である。選択スイッチＱAは、液晶素子２０（画素電極２２）と信号線１４との間に介在して両者の電気的な接続（導通／非導通）を制御する要素であり、相互に直列に接続された２個の選択トランジスタｑA（ｑA1，ｑA2）で構成される。各選択トランジスタｑAは、例えば半導体層が非晶質シリコンや低温ポリシリコンで形成されたＮチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。各選択トランジスタｑAのゲートは走査線１２に接続される。
【００２５】
図３は、各ダミー画素回路ＰB（検出用画素回路ＰBa）の回路図である。ダミー画素回路ＰBは、表示用画素回路ＰAと同様に、液晶素子２０と選択スイッチＱBとを含んで構成される。ただし、液晶素子２０と選択スイッチＱBとは電気的に絶縁された状態にある。したがって、ダミー画素回路ＰBの液晶素子２０は表示に寄与しない。なお、ダミー画素回路ＰBの選択スイッチＱBが画素電極２２に接続された構成（ただし、遮光層で覆われるから表示には寄与しない）や、ダミー画素回路ＰBの画素電極２２（液晶素子２０）を省略した構成も採用される。
【００２６】
図３に示すように、ダミー画素回路ＰBの選択スイッチＱBは、相互に直列に接続された２個の選択トランジスタｑB（ｑB1，ｑB2）で構成される。選択トランジスタｑBは、選択トランジスタｑAと同一の工程で素子基板１０Bの面上に一括的に形成されたＮチャネル型の薄膜トランジスタである。図３に示すように、ダミー画素回路ＰBのうち特に検出用画素回路ＰBaの選択スイッチＱBは、信号線１４と配線５２との間に介在して両者の電気的な接続を制御する。検出用画素回路ＰBaの各選択トランジスタｑBのゲートは第Ｍ行の走査線１２に接続される。
【００２７】
図４の部分(A)は、選択トランジスタｑBの温度（電気光学装置１００Aの温度）とオン電流との関係を示すグラフである。オン電流は、ゲート−ソース間の電圧が閾値電圧を上回る場合にドレイン−ソース間に流れる電流である。図４の部分(A)に示すように、選択トランジスタｑBのオン電流は電気光学装置１００Aの温度に依存する。具体的には、温度が上昇するほど選択トランジスタｑBのオン電流が増加するという傾向がある。選択トランジスタｑAも同様の特性を示す。
【００２８】
図５に示すように、電気光学装置１００Aの動作の周期となる各単位期間（垂直走査期間）Ｆは、検出期間Ｆ1と表示期間Ｆ2とを含んで構成される。検出期間Ｆ1は、各検出用画素回路ＰBaを利用して電気光学装置１００Aの温度を検出する期間である。例えば垂直帰線期間が検出期間Ｆ1として利用される。他方、表示期間Ｆ2は、各表示用画素回路ＰAの駆動で表示領域１０Aに実際に画像を表示する期間（垂直有効期間）である。
【００２９】
図１の制御回路４２は、検出期間Ｆ1と表示期間Ｆ2とを規定する制御信号ＭNT（符号ＭNTは温度の監視（monitor）に由来する）を生成して出力する。図５に示すように、制御信号ＭNTは、検出期間Ｆ1にてハイレベルに設定されて表示期間Ｆ2にてローレベルに設定される。
【００３０】
図１の電位生成回路４４は、相異なる電位ＶHおよび電位ＶLを生成する。電位ＶHは電位ＶLを上回る。電位生成回路４４が生成した電位ＶHは配線５２に供給される。図１の切替スイッチ４０は、素子基板１０B上の配線５４の接続先を制御信号ＭNTに応じて電位生成回路４４（電位ＶLの出力端）および温度制御回路４６の何れかに切替える。具体的には、切替スイッチ４０は、制御信号ＭNTがハイレベルに設定される検出期間Ｆ1にて配線５４を温度制御回路４６に接続する。他方、切替スイッチ４０は、制御信号ＭNTがローレベルに設定される表示期間Ｆ2にて配線５４を電位生成回路４４に接続する。したがって、図５に示すように、表示期間Ｆ2では配線５４に電位ＶLが供給される。
【００３１】
図１に示すように、駆動回路３０は、走査線駆動回路３２と信号線駆動回路３４とを含んで構成される。走査線駆動回路３２は、第１行から第(M-1)行までの各走査線１２を、走査信号Ｇ[1]〜Ｇ[M-1]の出力で表示期間Ｆ2内に順次に選択する。図５に示すように、走査信号Ｇ[m]（ｍ＝１〜M-1）は、表示期間Ｆ2内にて順次に択一的にハイレベル（走査線１２の選択を意味する電位）に設定される。第ｍ行の走査線１２が選択されると、各表示用画素回路ＰAの選択トランジスタｑA（ｑA1，ｑA2）がオン状態に遷移して信号線１４と液晶素子２０とが導通する。
【００３２】
他方、図１に示すように、Ｎ個の検出用画素回路ＰBaが接続された第Ｍ行の走査線１２には制御回路４２から制御信号ＭNTが供給される。したがって、検出期間Ｆ1にて制御信号ＭNTがハイレベルに設定されると（すなわち、第Ｍ行の走査線１２が選択されると）、各検出用画素回路ＰBaの選択トランジスタｑB（ｑB1，ｑB2）がオン状態に遷移して信号線１４と配線５２とが導通する。
【００３３】
図１の信号線駆動回路３４は、電気光学装置１００Aの温度に応じた検出電流ＩMNTを検出期間Ｆ1にて配線５４に出力し、各画素回路Ｐに指定された階調に応じた階調信号Ｘ[1]〜Ｘ[N]を表示期間Ｆ2にて各信号線１４に出力する。図１に示すように、信号線駆動回路３４は、信号供給回路３４２と、相異なる信号線１４に対応するＮ個の単位回路ＵA[1]〜ＵA[N]とを含んで構成される。信号供給回路３４２は、外部から供給される画像信号からＮ系統の階調信号ｘ[1]〜ｘ[N]を生成して並列に出力する。第ｍ行の走査線１２の選択時における階調信号ｘ[n]（ｎ＝１〜Ｎ）は、第ｍ行の第ｎ列に位置する画素回路Ｐの階調（第１実施形態では点灯および消灯の何れか）を指定する。信号供給回路３４２は、例えばＩＣチップの形態で素子基板１０Bに実装される。
【００３４】
図６は、単位回路ＵA[1]〜ＵA[N]の回路図である。図６に示すように、各単位回路ＵA[n]は、制御部６２と信号生成部６４とを具備する。信号生成部６４は、配線５２と配線５４との間に直列に介在するトランジスタＴR1とトランジスタＴR2とを含んで構成される。トランジスタＴR1は、配線５２と信号線１４との間に介在して両者の電気的な接続を制御するＰチャネル型の薄膜トランジスタである。他方、トランジスタＴR2は、配線５４と信号線１４との間に介在して両者の電気的な接続を制御するＮチャネル型の薄膜トランジスタである。トランジスタＴR2は、画素回路Ｐのトランジスタ（ｑA，ｑB）と同一の工程で素子基板１０Bの面上に一括的に形成される（ただしサイズは相違する）。したがって、トランジスタＴR2のオン電流は選択トランジスタｑAや選択トランジスタｑBと同様の温度依存性を示す。すなわち、図４の部分(B)のように、電気光学装置１００Aの温度が上昇するほどトランジスタＴR2のオン電流は増加する。
【００３５】
図６の制御部６２は、制御回路４２から供給される制御信号ＭNTに応じて信号生成部６４を制御する。制御信号ＭNTと信号供給回路３４２から供給される階調信号ｘ[n]との論理和を出力信号Ｃとして生成する論理和回路が制御部６２として採用される。出力信号Ｃは、トランジスタＴR1およびトランジスタＴR2の各々のゲートに共通に供給される。
【００３６】
図５および図７に示すように、表示期間Ｆ2では制御信号ＭNTがローレベルに設定されるから、出力信号Ｃは、信号供給回路３４２から供給される階調信号ｘ[n]と同じ論理レベルに設定される。したがって、表示期間Ｆ2ではトランジスタＴR1およびトランジスタＴR2の何れかが階調信号ｘ[n]（指定階調）に応じてオン状態に制御される。他方、制御信号ＭNTがローレベルに設定されることで配線５４には電位生成回路４４から電位ＶLが供給される。したがって、図７に示すように、配線５２の電位ＶHおよび配線５４の電位ＶLの何れかが選択的に階調信号Ｘ[n]として信号線１４に出力される。すなわち、トランジスタＴR1がオン状態に制御された場合には階調信号Ｘ[n]は電位ＶHに設定され、トランジスタＴR2がオン状態に制御された場合には階調信号Ｘ[n]は電位ＶLに設定される。階調信号Ｘ[n]は、走査線駆動回路３２による選択中の画素回路Ｐに供給される。したがって、表示用画素回路ＰAの液晶素子２０は階調信号Ｘ[n]に応じた階調（透過率）に制御される。
【００３７】
他方、検出期間Ｆ1では制御信号ＭNTがハイレベルに設定されるから、図８に示すように、単位回路ＵA[1]〜ＵA[N]の各々の制御部６２が生成する出力信号Ｃは強制的にハイレベルに設定される。したがって、信号生成部６４のトランジスタＴR2がオン状態に制御されてトランジスタＴR1はオフ状態に制御される。また、制御信号ＭNTがハイレベルに設定されることで各検出用画素回路ＰBaの選択トランジスタｑB（ｑB1，ｑB2）はオン状態に遷移する。したがって、図８に矢印で示すように、電位ＶHの配線５２から検出用画素回路ＰBaの選択トランジスタｑB2および選択トランジスタｑB1と信号生成部６４のトランジスタＴR2とを以上の順番で経由した電流Ｉmが配線５４に供給される。
【００３８】
なお、トランジスタのオン電流が温度に依存するという傾向（図４）は、トランジスタのゲート−ソース間の電圧が閾値電圧と比較して充分に高い場合に顕在化する。したがって、制御信号ＭNTがハイレベルに設定されたときの選択トランジスタｑBのゲート−ソース間の電圧が自身の閾値電圧を充分に上回るように、制御信号ＭNTのハイレベルの電位は設定される。例えば、選択トランジスタｑBのゲート−ソース間の電圧は閾値電圧の２倍を上回る電圧に設定される。例えば、閾値電圧1.2Ｖである場合を想定すると、選択トランジスタｑBのゲート−ソース間の電圧が５Ｖないし10Ｖとなるように、制御信号ＭNTの電位が設定される。
【００３９】
前述のように検出期間Ｆ1では温度制御回路４６が配線５４に接続されるから、図８に示すように、単位回路ＵA[1]〜ＵA[N]にて生成された電流Ｉmを加算した検出電流ＩMNTが配線５４と切替スイッチ４０とを経由して温度制御回路４６に供給される。すなわち、配線５４は、図５に示すように、検出期間Ｆ1における検出電流ＩMNTの出力と表示期間Ｆ2における電位ＶLの供給とに兼用される。
【００４０】
図４の部分(A)および部分(B)を参照して説明したように、選択トランジスタｑB（ｑB1，ｑB2）やトランジスタＴR2のオン電流（電流Ｉm）の電流値は、電気光学装置１００Aの温度が上昇するほど増加する。したがって、図５に示すように、検出期間Ｆ1にて生成される検出電流ＩMNTの電流値は、電気光学装置１００Aの温度が上昇するほど増加する。すなわち、検出電流ＩMNTは、電気光学装置１００Aの温度を示す信号（温度検出用信号）に相当する。
【００４１】
図１の温度制御回路４６は、配線５４から供給される検出電流ＩMNTに応じて加熱器４８を制御する。加熱器４８は、作動時に発熱して電気光学装置１００Aを加熱するヒータである。例えば、電気光学装置１００Aの背面側に配置された平面型のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）ヒータが加熱器４８として好適に採用される。温度制御回路４６は、検出電流ＩMNTの電流値が小さい場合（すなわち、電気光学装置１００Aの温度が低い場合）には加熱器４８を作動させて電気光学装置１００Aを加熱し、検出電流ＩMNTの電流値が大きい場合には加熱器４８を停止させる。したがって、電気光学装置１００Aの温度を所定の範囲内に維持することが可能である。
【００４２】
図９は、温度制御回路４６の回路図である。図９に示すように、温度制御回路４６は、電流-電圧変換回路７２と基準電位生成回路７４と比較回路７６と信号出力部７８とを含んで構成される。電流-電圧変換回路７２は、検出電流ＩMNTを検出電位ＶMNTに変換する。電流-電圧変換回路７２は、例えば図９のように演算増幅器を利用して構成される。したがって、図５に示すように、検出電流ＩMNTが大きい（電気光学装置１００Aの温度が高い）ほど検出電位ＶMNTは低下する。基準電位生成回路７４は、所定の基準電位ＶREFを生成する。基準電位ＶREFは、例えば、記憶回路（レジスタ）に格納された数値に応じて可変に設定される。
【００４３】
図９の比較回路７６は、検出電位ＶMNTと基準電位ＶREFとの高低に応じた制御信号ＥNBを出力する。具体的には、図５に示すように、検出電位ＶMNTが基準電位ＶREFを上回る場合（電気光学装置１００Aの温度が低い場合）に制御信号ＥNBはハイレベルに設定され、検出電位ＶMNTが基準電位ＶREFを下回る場合（電気光学装置１００Aの温度が高い場合）に制御信号ＥNBはローレベルに設定される。
【００４４】
信号出力部７８は、加熱器４８の作動／停止を指示する制御信号ＥN_HTを制御信号ＥNBから生成する。具体的には、信号出力部７８は、制御信号ＥN_HTを、制御信号ＭNTの立上がりの時点（検出期間Ｆ1の始点）における制御信号ＥNBとは反対の論理レベルに設定したうえで制御信号ＭNTの次回の立上がりまで当該論理レベルを保持するラッチ回路である。したがって、図５に示すように、検出電位ＶMNTが基準電位ＶREFを上回る程度に電気光学装置１００Aの温度が低い単位期間Ｆでは、制御信号ＥN_HTがローレベル（加熱器４８の作動を指示するレベル）に設定されることで加熱器４８は作動し、検出電位ＶMNTが基準電位ＶREFを下回る程度に電気光学装置１００Aの温度が高い単位期間Ｆでは、制御信号ＥN_HTがハイレベルに設定されることで加熱器４８は停止する。
【００４５】
以上に説明したように、第１実施形態においては、検出用画素回路ＰBaの各選択トランジスタｑB（ｑB1，ｑB2）を経由した検出電流ＩMNTの生成で電気光学装置１００Aの温度が検出されるから、素子部１０や駆動回路３０とは別個に温度センサを設置する必要はない。すなわち、特許文献１の構成と比較して、温度センサの設置に必要な領域が削減される（ひいては電気光学装置１００Aの小型化や狭額縁化が実現される）という利点がある。また、検出電流ＩMNTの生成に利用される選択トランジスタｑBは液晶素子２０に近接するから、表示領域の外側（すなわち、液晶素子から離間した位置）に温度センサが配置される特許文献１の技術と比較して、液晶素子２０の温度を高精度に反映した検出電流ＩMNTを生成できるという利点もある。
【００４６】
また、信号線駆動回路３４の単位回路ＵA[1]〜ＵA[N]が階調信号Ｘ[n]の生成と検出電流ＩMNT（電流Ｉm）の出力とに兼用されるから、検出電流ＩMNTを出力する回路と階調信号Ｘ[n]を生成する回路とを個別に設置した構成と比較して、電気光学装置１００Aの構成が簡素化されるという利点がある。
【００４７】
ところで、温度の変化に対するトランジスタのオン電流の増減の傾向（温度が上昇したときにオン電流が増加するか減少するか）は、トランジスタの特性（特に導電型）に応じて相違し得る。例えば、図４の部分(C)に示すように、信号線駆動回路３４におけるＰチャネル型のトランジスタＴR1のオン電流は、電気光学装置１００Aの温度が上昇するほど減少するという傾向がある。したがって、相異なる導電型のトランジスタを電流Ｉmが経由する構成（例えば、検出用画素回路ＰBaのＮチャネル型の選択トランジスタｑBを経由した電流ＩmをＰチャネル型のトランジスタＴR1から配線５２に出力する構成）では、温度に応じた電流Ｉmの増減が各トランジスタにて相殺され、温度の変化に対して検出電流ＩMNTを充分に変動させることが困難となる。他方、第１実施形態においては、電流Ｉmの経路上に位置する選択トランジスタｑB（ｑB1，ｑB2）とトランジスタＴR2とで導電型が共通するから、温度の変化に対する検出電流ＩMNTの変動量が充分に確保される。したがって、電気光学装置１００Aの温度の変化を高精度に検出できるという利点がある。ただし、電気光学装置１００Aの各トランジスタの導電型は任意に変更され得る。
【００４８】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第１実施形態においては、検出用画素回路ＰBaの選択トランジスタｑB（ｑB1，ｑB2）を流れる電流Ｉmから検出電流ＩMNTを生成した。第２実施形態においては、駆動回路３０（信号線駆動回路３４）のトランジスタを経由した電流から検出電流ＩMNTを生成する。すなわち、検出電流ＩMNTの生成に画素回路Ｐを利用しない。なお、以下の各例示において作用や機能が第１実施形態と同等である要素については、以上と同じ符号を付して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
【００４９】
図１０は、第２実施形態に係る電気光学装置１００Bのブロック図である。図１０に示すように、素子部１０は、走査線１２と信号線１４との各交差に対応して配置された複数（縦Ｍ行×横Ｎ列）の画素回路Ｐで構成される。第２実施形態および第３実施形態では、素子部１０内の全部の画素回路Ｐを表示用画素回路ＰA（図２）とした構成を便宜的に例示する。ただし、ダミー画素回路ＰBを配置した構成にも第２実施形態や第３実施形態は同様に適用される。
【００５０】
図１０の制御回路４２は、第１実施形態と同様に、検出期間Ｆ1と表示期間Ｆ2とを規定する制御信号ＭNTbを生成および出力する。ただし、制御信号ＭNTbと第１実施形態の制御信号ＭNTとは論理レベルが反転した関係にある。すなわち、図１１に示すように、制御信号ＭNTbは、検出期間Ｆ1にてローレベルに設定されて表示期間Ｆ2にてハイレベルに設定される。走査線駆動回路３２は、各単位期間Ｆの表示期間Ｆ2内に、走査信号Ｇ[1]〜Ｇ[M]の出力でＭ本の走査線１２の各々を順次に選択する。
【００５１】
図１０に示すように、素子基板１０Bの表面には、検出電流ＩMNTを出力するための検出線５６が配線５２や配線５４とは別個に形成される。検出線５６は温度制御回路４６に接続される。配線５４には電位生成回路４４から電位ＶLが固定的に供給される。配線５２に電位ＶHが供給される構成は第１実施形態と同様である。
【００５２】
信号線駆動回路３４は、第１実施形態と同様の信号供給回路３４２と、相異なる信号線１４に対応するＮ個の単位回路ＵB[1]〜ＵB[N]とを含んで構成される。図１２に示すように、各単位回路ＵB[n]は、信号生成部６４と制御部６６と検出トランジスタＴR3とを具備する。信号生成部６４は、第１実施形態と同様に、配線５２と信号線１４との間に介在するＰチャネル型のトランジスタＴR1と、配線５４と信号線１４との間に介在するＮチャネル型のトランジスタＴR2とで構成される。
【００５３】
検出トランジスタＴR3は、各画素回路Ｐの選択トランジスタｑAや信号生成部６４のトランジスタ（ＴR1，ＴR2）とともに素子基板１０Bの面上に形成されたＰチャネル型の薄膜トランジスタであり、信号線１４（トランジスタＴR1とトランジスタＴR2との接続点）と検出線５６との間に介在して両者の電気的な接続を制御する。検出トランジスタＴR3のゲートには制御回路４２から制御信号ＭNTbが供給される。したがって、検出期間Ｆ1では検出トランジスタＴR3がオン状態に制御されて検出線５６が信号線１４に導通し、表示期間Ｆ2では検出トランジスタＴR3がオフ状態に制御されて検出線５６が信号線１４から電気的に絶縁される。
【００５４】
検出トランジスタＴR3と信号生成部６４のトランジスタＴR1とは、素子基板１０Bの面上に同一の工程で一括的に形成される。したがって、検出トランジスタＴR3のオン電流はトランジスタＴR1と同様の温度依存性を示す。すなわち、図４の部分(C)に示すように、電気光学装置１００Bの温度が上昇するほど検出トランジスタＴR3のオン電流は減少する。
【００５５】
図１２の制御部６６は、制御回路４２から供給される制御信号ＭNTbに応じて信号生成部６４を制御する。制御信号ＭNTbと階調信号ｘ[n]との論理積を出力信号Ｃとして出力する論理積回路が制御部６６として採用される。
【００５６】
表示期間Ｆ2では制御信号ＭNTbがハイレベルに設定されるから、出力信号Ｃは、信号供給回路３４２から供給される階調信号ｘ[n]と同じ論理レベルに設定される。他方、検出トランジスタＴR3はオフ状態に維持される。したがって、第１実施形態と同様に、階調信号ｘ[n]に応じて配線５２の電位ＶHおよび配線５４の電位ＶLの何れかに設定された階調信号Ｘ[n]が信号線１４に出力され、所望の画像が表示領域１０Aに表示される。
【００５７】
他方、検出期間Ｆ1では制御信号ＭNTbがローレベルに設定されるから、図１３に示すように、制御部６６からの出力信号Ｃは強制的にローレベルに設定される。したがって、信号生成部６４のトランジスタＴR1がオン状態に制御されてトランジスタＴR2がオフ状態に制御される。他方、制御信号ＭNTbがローレベルに設定されることで各単位回路ＵB[n]の検出トランジスタＴR3はオン状態に遷移する。したがって、図１３に矢印で示すように、電位ＶHの配線５２からトランジスタＴR1と検出トランジスタＴR3とを経由した電流Ｉmが検出線５６に供給される。すなわち、単位回路ＵB[1]〜ＵB[N]にて生成された電流Ｉmを加算した検出電流ＩMNTが検出線５６を介して温度制御回路４６に供給される。
【００５８】
図４の部分(C)を参照して説明したように、トランジスタＴR1や検出トランジスタＴR3のオン電流（Ｉm）は、電気光学装置１００Bの温度が上昇するほど減少する。したがって、図１１に示すように、検出期間Ｆ1にて生成される検出電流ＩMNTの電流値は、電気光学装置１００Bの温度が上昇するほど減少する。すなわち、電気光学装置１００Bの温度に対する検出電流ＩMNTの変化の方向は第１実施形態とは逆転する。
【００５９】
温度制御回路４６は、検出電流ＩMNTに応じて加熱器４８を制御する回路であり、第１実施形態（図９）と同様の構成である。ただし、電気光学装置１００Bの温度と検出電流ＩMNTとの関係が第１実施形態とは逆転するから、第２実施形態の信号出力部７８は、加熱器４８に供給される制御信号ＥN_HTを、制御信号ＭNTの立下がりの時点（検出期間Ｆ1の始点）における制御信号ＥNBと同じ論理レベルに設定して保持する。したがって、図１１に示すように、検出電位ＶMNTが基準電位ＶREFを下回る程度に電気光学装置１００Bの温度が低い単位期間Ｆでは、制御信号ＥN_HTがローレベルに設定されることで加熱器４８が作動し、検出電位ＶMNTが基準電位ＶREFを上回る程度に電気光学装置１００Bの温度が高い単位期間Ｆでは、制御信号ＥN_THがハイレベルに設定されて加熱器４８は停止する。
【００６０】
以上に説明したように、第２実施形態においては、信号線駆動回路３４のトランジスタＴR1を経由した検出電流ＩMNTの生成で電気光学装置１００Bの温度が検出されるから、素子部１０や駆動回路３０とは別個に温度センサを設置する必要はない。したがって、第１実施形態と同様に、温度センサの設置に必要な領域が削減されるという利点がある。また、電流Ｉmの経路上に位置するトランジスタＴR1と検出トランジスタＴR3とで導電型（温度の変化に対するオン電流の変化の傾向）が共通するから、第１実施形態と同様に、温度の変化に対する検出電流ＩMNTの変動量が充分に確保される。したがって、電気光学装置１００Bの温度の変化を高精度に検出できるという利点がある。ただし、電気光学装置１００Bの各トランジスタの導電型は任意に変更され得る。
【００６１】
＜Ｃ：第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態においては、第２実施形態と同様に、駆動回路３０内のトランジスタを経由した電流から検出電流ＩMNTを生成する。図１４は、第３実施形態に係る電気光学装置１００Cのブロック図である。第２実施形態と同様に、縦Ｍ行×横Ｎ列の行列状に配列された画素回路Ｐ（図２の表示用画素回路ＰA）で素子部１０が構成される。
【００６２】
図１４の制御回路４２は、駆動回路３０を制御する各種の信号（ＰRE，ＳEL，ＳMP[1]〜ＳMP[3]）を生成する。図１５に示すように、各単位期間Ｆは、検出期間Ｆ1および表示期間Ｆ2と、表示期間Ｆ2の開始前（検出期間Ｆ1の経過後）のプリチャージ期間ＦPREとを含んで構成される。検出期間Ｆ1およびプリチャージ期間ＦPREは、例えば垂直帰線期間内に設定される。また、表示期間Ｆ2は、３個の駆動期間ｆ[1]〜ｆ[3]に区分される。
【００６３】
プリチャージ期間ＦPREは、各画素回路Ｐの画素電極２２とＮ本の信号線１４とに所定のプリチャージ電位ＶPREを供給する期間である。図１４の電位生成回路４４はプリチャージ電位ＶPREを生成する。切替スイッチ４０は、素子基板１０B上の検出線５６の接続先を電位生成回路４４（プリチャージ電位ＶPREの出力端）および温度制御回路４６の何れかに切替える。具体的には、切替スイッチ４０は、検出期間Ｆ1では温度制御回路４６を検出線５６に接続し、プリチャージ期間ＦPREでは電位生成回路４４を検出線５６に接続する。
【００６４】
図１４の駆動回路３０は、走査線駆動回路３２と信号線駆動回路３４とプリチャージ回路３６とを具備する。走査線駆動回路３２は、転送回路３２２と出力回路３２４とを含んで構成される。転送回路（例えばＭ段のシフトレジスタ回路）３２２は、開始パルスの転送でＭ系統の転送信号ｇ[1]〜ｇ[M]を生成する。表示期間Ｆ2内の３個の駆動期間ｆ[1]〜ｆ[3]の各々において転送信号ｇ[1]〜ｇ[M]は順次にハイレベルに設定される。
【００６５】
出力回路３２４は、走査線１２の総数に相当するＭ個の否定論理積回路３２６で構成される。第ｍ行（ｍ＝１〜Ｍ）の否定論理積回路３２６は、転送回路３２２が生成する転送信号ｇ[m]と制御回路４２が生成する全選択信号ＳELとの否定論理積を走査信号Ｇ[m]として第ｍ行の走査線１２に出力する。図１５に示すように、全選択信号ＳELは、検出期間Ｆ1およびプリチャージ期間ＦPREにてローレベルに設定され、表示期間Ｆ2（ｆ[1]〜ｆ[3]）にてハイレベルに設定される。したがって、検出期間Ｆ1およびプリチャージ期間ＦPREでは、走査信号Ｇ[1]〜Ｇ[M]が一斉にハイレベルに設定され、駆動期間ｆ[1]〜ｆ[3]の各々では、走査信号Ｇ[1]〜Ｇ[M]が順番にハイレベルに設定される（Ｍ本の走査線１２が所定の順番で択一的に選択される）。
【００６６】
図１４の信号線駆動回路３４は、信号供給回路３４２と、相異なる信号線１４に対応するＮ個のスイッチＲとを含んで構成される。Ｎ個のスイッチＲは、相隣接する３個（Ｒ[1]〜Ｒ[3]）を単位としてＪ個のブロックＢ[1]〜Ｂ[J]に区分される（Ｊ＝Ｎ/３）。具体的には、表示色（例えば赤色，緑色，青色）が共通するＭ個の画素回路ＰをＹ方向に配列（ストライプ配列）した構成において、相異なる複数の表示色に対応する３列を単位としてＮ個のスイッチＲがブロックＢ[1]〜Ｂ[J]に区分される。図１４に示すように、ブロックＢ[j]内の３個のスイッチＲ[1]〜Ｒ[3]の各々は、信号供給回路３４２の出力端に接続されたＪ本の画像信号線５８のうち第ｊ番目の画像信号線５８と、当該スイッチＲ[k]（ｋ＝１〜３）に対応する信号線１４との間に介在して両者の電気的な接続を制御する。
【００６７】
信号供給回路３４２は、図１５（スイッチＲ入力）に示すように、検出期間Ｆ1およびプリチャージ期間ＦPREにてＪ本の画像信号線５８に所定の電位Ｖ0を供給し、表示期間Ｆ2にてＪ本の画像信号線５８に階調信号ｘ[1]〜ｘ[J]を並列に供給する。階調信号ｘ[j]は、表示期間Ｆ2内の駆動期間ｆ[k]において、ブロックＢ[j]のスイッチＲ[k]に対応するＭ個（１列分）の画素回路Ｐの各々の階調を時分割で指定する信号である。
【００６８】
図１４に示すように、各スイッチＲは、Ｎチャネル型の取込用トランジスタｒ1とＰチャネル型の取込用トランジスタｒ2とで構成されたトランスファゲートである。取込用トランジスタｒ1および取込用トランジスタｒ2は、画素回路Ｐの選択トランジスタｑA（ｑA1，ｑA2）とともに形成された薄膜トランジスタで構成される。ブロックＢ[1]〜Ｂ[J]の各々におけるスイッチＲ[k]の取込用トランジスタｒ1には制御回路４２から選択信号ＳMP[k]が供給され、当該スイッチＲ[k]の取込用トランジスタｒ2には選択信号ＳMP[k]を反転回路６８で反転した信号が供給される。
【００６９】
図１５に示すように、選択信号ＳMP[1]〜ＳMP[3]は、検出期間Ｆ1にて一斉にハイレベル（スイッチＲをオン状態に制御するレベル）に設定される。したがって、検出期間Ｆ1では、Ｎ個のスイッチＲが一斉にオン状態に遷移し、信号供給回路３４２が画像信号線５８に出力する電位Ｖ0がＮ本の信号線１４に並列に供給される。プリチャージ期間ＦPREでは、選択信号ＳMP[1]〜ＳMP[3]がローレベルに設定されることでＮ個のスイッチＲはオフ状態に維持される。
【００７０】
また、選択信号ＳMP[1]〜ＳMP[3]は、表示期間Ｆ2にて所定の順番で択一的にハイレベルに設定される。すなわち、表示期間Ｆ2内の駆動期間ｆ[k]にて選択信号ＳMP[k]がハイレベルに設定される。したがって、駆動期間ｆ[k]においては、駆動期間ｆ[k]内の各走査線１２の選択に同期して階調を指定する階調信号Ｘ[n]が、ブロックＢ[1]〜Ｂ[J]の各々におけるスイッチＲ[k]を介して信号線１４に出力される。すなわち、表示期間Ｆ2内の駆動期間ｆ[1]〜ｆ[3]にて各画素回路Ｐの液晶素子２０の電圧が指定階調に応じて設定される。
【００７１】
図１４のプリチャージ回路３６は、相異なる信号線１４に対応するＮ個の制御トランジスタＳ[1]〜Ｓ[N]を含んで構成される。制御トランジスタＳ[1]〜Ｓ[N]の各々は、画素回路Ｐの選択トランジスタｑA（ｑA1，ｑA2）とともに素子基板１０Bの面上に形成されたＮチャネル型の薄膜トランジスタである。第ｎ番目の制御トランジスタＳ[n]は、第ｎ列の信号線１４と検出線５６との間に介在して両者の電気的な接続を制御する。制御トランジスタＳ[1]〜Ｓ[N]の各々のゲートには制御回路４２から制御信号ＰREが供給される。図１５に示すように、制御信号ＰREは、検出期間Ｆ1およびプリチャージ期間ＦPREにてハイレベルに設定され、表示期間Ｆ2ではローレベルに設定される。
【００７２】
以上のようにプリチャージ期間ＦPREでは、制御トランジスタＳ[1]〜Ｓ[N]がオン状態に制御されるとともにスイッチＲがオフ状態に制御された状態で、電位生成回路４４から検出線５６にプリチャージ電位ＶPREが供給される。したがって、各信号線１４にはプリチャージ電位ＶPREが供給される。また、プリチャージ期間ＦPREでは走査信号Ｇ[1]〜Ｇ[M]がハイレベルに設定されるから、素子部１０内の全部の画素回路Ｐにおける画素電極２２にプリチャージ電位ＶPREが供給される。
【００７３】
他方、検出期間Ｆ1においては、信号供給回路３４２から各画像信号線５８に電位Ｖ0が供給された状態で、Ｎ個のスイッチＲ（ｒ1，ｒ2）およびＮ個の制御トランジスタＳ[1]〜Ｓ[N]がオン状態に制御されるから、第１列について図１４に矢印で示すように、取込用トランジスタｒ1および取込用トランジスタｒ2と信号線１４と制御トランジスタＳ[n]とを経由した電流Ｉmが列毎に検出線５６に供給される。検出期間Ｆ1では温度制御回路４６が検出線５６に接続されるから、各列の電流Ｉmを加算した検出電流ＩMNTが検出線５６を介して温度制御回路４６に供給される。すなわち、図１５に示すように、検出線５６は、検出期間Ｆ1における検出電流ＩMNTの出力とプリチャージ期間ＦPREにおけるプリチャージ電位ＶPREの供給とに兼用される。
【００７４】
各スイッチＲの取込用トランジスタｒ1とプリチャージ回路３６の制御トランジスタＳ[n]とにおいては、図４の部分(B)のように、温度が上昇するほどオン電流が増加するという傾向がある。他方、各スイッチＲの取込用トランジスタｒ2は、図４の部分(C)のように、温度が上昇するほどオン電流が減少する。電流Ｉmは、Ｎチャネル型のトランジスタ（ｒ1，Ｓ[n]）とＰチャネル型のトランジスタ（ｒ2）との双方を経由するが、電流Ｉmの経路上ではＮチャネル型のトランジスタが多いから、温度が上昇するほど検出電流ＩMNT（電流Ｉm）は増加する。したがって、第１実施形態と同様に、温度制御回路４６が検出電流ＩMNTに応じて加熱器４８を制御することで、電気光学装置１００Cの温度は所定の範囲内に維持される。
【００７５】
以上に説明したように、第３実施形態においては、信号線駆動回路３４の取込用トランジスタｒ1および取込用トランジスタｒ2とプリチャージ回路３６の制御トランジスタＳ[n]とを経由した検出電流ＩMNTの生成で電気光学装置１００Cの温度が検出されるから、第１実施形態と同様に、温度センサの設置に必要な領域が削減されるという利点がある。なお、電気光学装置１００Cの各トランジスタの導電型は任意に変更され得る。
【００７６】
＜Ｄ：変形例＞
以上の各形態には多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は適宜に併合され得る。
【００７７】
（１）変形例１  
信号線駆動回路３４を信号線１４の両端側（表示領域を挟んで対向する領域）に配置した構成も採用される。例えば、図１６は、第１実施形態の信号線駆動回路３４を信号線駆動回路３４Aおよび信号線駆動回路３４Bとして信号線１４の両端側に配置した構成である。第Ｍ行のＮ個のダミー画素回路ＰBに加えて第１行のＮ個のダミー画素回路ＰBも検出用画素回路ＰBaとして利用される。すなわち、第Ｍ行の各検出用画素回路ＰBaの選択トランジスタｑB（ｑB1，ｑB2）や信号線駆動回路３４Aの各トランジスタＴR2を経由した電流Ｉmで構成される検出電流ＩMNTと、第１行の各検出用画素回路ＰBaの選択トランジスタｑB（ｑB1，ｑB2）や信号線駆動回路３４Bの各トランジスタＴR2を経由した電流Ｉmで構成される検出電流ＩMNTとの加算電流が温度制御回路４６に供給される。
【００７８】
同様に、図１７は、第２実施形態の信号線駆動回路３４を信号線駆動回路３４Aおよび信号線駆動回路３４Bとして信号線１４の両端側に配置した構成である。信号線駆動回路３４Aにおける各トランジスタＴR1および各検出トランジスタＴR3を経由した電流で構成される検出電流ＩMNTと、信号線駆動回路３４Bにおける各トランジスタＴR1および各検出トランジスタＴR3を経由した電流で構成される検出電流ＩMNTとの加算電流が温度制御回路４６に供給される。図１６や図１７の構成によれば、第１実施形態や第２実施形態と比較して、検出電流ＩMNTの電流量（温度に応じた変動幅）を充分に確保できるという利点がある。
【００７９】
（２）変形例２  
駆動回路３０のうち検出電流ＩMNTの生成に使用される要素は信号線駆動回路３４やプリチャージ回路３６に限定されない。例えば、走査線駆動回路３２のトランジスタを経由した電流から検出電流ＩMNTを生成する構成も採用される。すなわち、第２実施形態や第３実施形態は、画素回路Ｐの駆動に使用される駆動回路３０に含まれる駆動用トランジスタを経由した電流に応じて検出電流ＩMNTを生成する構成として包括される。第２実施形態のトランジスタＴR1および検出トランジスタＴR3や、第３実施形態の取込用トランジスタ（ｒ1，ｒ2）および制御トランジスタＳ[n]は、駆動用トランジスタの例示である。駆動用トランジスタの導電型は任意である。
【００８０】
（３）変形例３  
以上の各形態においては単位期間Ｆ毎に検出電流ＩMNTを生成したが、検出電流ＩMNTを生成する時期（検出期間Ｆ1を設定する時期）は任意に変更される。例えば、複数の単位期間Ｆを周期として検出電流ＩMNTを生成する構成が採用される。もっとも、検出電流ＩMNTの生成が周期的に実行される構成は必須ではない。例えば、入力装置に対する利用者からの操作を契機として検出電流ＩMNTを生成する構成や電気光学装置１００（１００A，１００B，１００C）の電源が投入された直後の所定の期間にて検出電流ＩMNTを生成する構成も採用され得る。
【００８１】
（４）変形例４  
以上の各形態では検出電流ＩMNTを加熱器４８の制御に利用したが、検出電流ＩMNT（電気光学装置１００の温度を検出した結果）の用途は任意である。例えば、電気光学装置１００の温度に応じた各液晶素子２０の階調の変化が補償されるように検出電流ＩMNTに応じて階調信号Ｘ[n]を補正する構成や、電気光学装置１００を冷却する冷却器を検出電流ＩMNTに応じて制御する構成も採用され得る。
【００８２】
（５）変形例５  
第３実施形態においてはプリチャージ期間ＦPREにて各走査線１２を選択したが、プリチャージ期間ＦPREにて走査線１２を選択しない構成（すなわち、各信号線１４のみにプリチャージ電位ＶPREを供給する構成）も採用され得る。
【００８３】
（６）変形例６  
液晶素子２０は電気光学素子の例示に過ぎない。本発明に適用される電気光学素子について、自身が発光する自発光型と外光の透過率や反射率を変化させる非発光型（例えば液晶素子）との区別や、電流の供給によって駆動される電流駆動型と電界（電圧）の印加によって駆動される電圧駆動型との区別は不問である。例えば、有機ＥＬ素子，無機ＥＬ素子，ＬＥＤ（Light Emitting Diode），電界電子放出素子（ＦＥ（Field-Emission）素子），表面伝導型電子放出素子（ＳＥ（Surface conduction Electron emitter）素子），弾道電子放出素子（ＢＳ（Ballistic electron Emitting）素子），電気泳動素子、エレクトロクロミック素子など様々な電気光学素子を利用した電気光学装置に本発明は適用される。すなわち、電気光学素子は、電流の供給や電圧（電界）の印加といった電気的な作用に応じて階調（透過率や輝度などの光学的な特性）が変化する電気光学物質（例えば液晶２６）を利用した被駆動素子（典型的には、階調信号に応じて階調が制御される表示素子）として包括される。
【００８４】
＜Ｅ：応用例＞
次に、以上の各態様に係る電気光学装置１００（１００A，１００B，１００C）を利用した電子機器について説明する。図１８ないし図２０には、電気光学装置１００を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。
【００８５】
図１８は、電気光学装置１００を採用した可搬型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具備する。
【００８６】
図１９は、電気光学装置１００を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２と、各種の画像を表示する電気光学装置１００とを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。
【００８７】
図２０は、電気光学装置１００を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す斜視図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２と、各種の画像を表示する電気光学装置１００とを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が電気光学装置１００に表示される。
【００８８】
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図１８から図２０に例示した機器のほか、プロジェクタ，デジタルスチルカメラ，テレビ，ビデオカメラ，カーナビゲーション装置，車載用の表示器（インパネ），電子手帳，電子ペーパー，電卓，ワードプロセッサ，ワークステーション，テレビ電話，ＰＯＳ端末，プリンタ，スキャナ，複写機，ビデオプレーヤ，タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【符号の説明】
【００８９】
１００A，１００B，１００C……電気光学装置、１０……素子部、１２……走査線、１４……信号線、１０A……表示領域、ＰA……表示用画素回路、ＰB……ダミー画素回路、ＰBa……検出用画素回路、ｑA1，ｑA2，ｑB1，ｑB2……選択トランジスタ、２０……液晶素子、３０……駆動回路、３２……走査線駆動回路、３４……信号線駆動回路、ＵA[1]〜ＵA[N]，ＵB[1]〜ＵB[N]……単位回路、６２，６６……制御部、６４……信号生成部、ＴR1，ＴR2……トランジスタ、ＴR3……検出トランジスタ、Ｒ（Ｒ[1]〜Ｒ[3]）……スイッチ、ｒ1，ｒ2……取込用トランジスタ、３６……プリチャージ回路、Ｓ[1]〜Ｓ[N]……制御トランジスタ、４０……切替スイッチ、４２……制御回路、４４……電位生成回路、４６……温度制御回路、４８……加熱器、５２，５４……配線、５６……検出線、５８……画像信号線、６２，６６……制御部、６４……信号生成部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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