(57)【要約】【課題】電気光学装置用基板において、製造コストを低減すると共に、フレキシブル性及び信頼性を高める。【解決手段】電気光学装置用基板は、基板（１０）上に、有機半導体層（２４１）及び有機半導体層の上に設けられた、珪素を含まない有機絶縁材料からなるゲート絶縁膜（２４５）を含んでなるトランジスタ（２４）と、トランジスタよりも上層側に、珪素を含む有機絶縁材料からなる層間絶縁膜（３１０）と、層間絶縁膜上に設けられ、層間絶縁膜及びゲート絶縁膜を貫通するコンタクトホール（８１０）を介して有機半導体層に電気的に接続される画素電極（２１）と、コンタクトホール内に設けられ、ゲート絶縁膜と層間絶縁膜との界面よりも下層側から、この界面と層間絶縁膜の上層側の面との間にまで連続的に形成された導電部（４１０）とを備える。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
有機半導体層と、該有機半導体層の上層に設けられ、珪素を含まない有機絶縁材料からなるゲート絶縁膜と、を含んでなるトランジスタと、
前記トランジスタよりも上層側に設けられ、珪素を含む有機絶縁材料からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられ、前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して前記有機半導体層に電気的に接続される画素電極と、
前記コンタクトホール内に設けられ、前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜との界面よりも下層側から該界面と前記層間絶縁膜の上層側の面との間にまで連続的に形成された導電部と
を備えることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記コンタクトホールの壁面における前記界面にオーバーハング部が形成されており、
前記導電部は、前記オーバーハング部を跨ぐように形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記珪素を含む有機絶縁材料は、シロキサン及び二酸化珪素の少なくとも一方を含む有機絶縁材料であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
基板上に、
有機半導体層と、該有機半導体層の上層に設けられたゲート絶縁膜と、を含んでなるトランジスタと、
該トランジスタよりも上層側に設けられた層間絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜と該層間絶縁膜とを貫通するコンタクトホールと、
該層間絶縁膜上に設けられ、該コンタクトホールを介して該有機半導体層に電気的に接続される画素電極と、
を備える電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記基板上に前記有機半導体層を形成する工程と、
珪素を含まない有機絶縁材料から前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、
珪素を含む有機絶縁材料から前記層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜が露出するように、前記層間絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部が形成された前記層間絶縁膜をマスクとして、前記ゲート絶縁膜に対してエッチングを施すことにより、前記コンタクトホールを形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に、前記画素電極を形成する工程と、
前記コンタクトホール内に、前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜との界面よりも下層側から該界面と前記層間絶縁膜の上層側の面との間にまで、導電部を連続的に形成する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項５】
前記導電部を形成する工程は、前記導電部を印刷法により形成することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項６】
前記導電部を形成する工程は、前記導電部を液滴吐出法により形成することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項７】
前記有機半導体層を形成する工程は、前記有機半導体層を印刷法により形成することを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板及びその製造方法、電気光学装置並びに電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置用基板として、例えばプラスチック基板等の支持基板上に、画素電極や該画素電極を制御するための有機薄膜トランジスタ（以下「有機ＴＦＴ（Thin Film Transistor）」と適宜称する）が積層構造として作り込まれてなるものがある（例えば特許文献１参照）。このような電気光学装置用基板では、画素電極は、層間絶縁膜を介して有機ＴＦＴよりも上層側に形成され、該層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホール（或いはビアホール）を介して有機ＴＦＴに電気的に接続される。また、有機ＴＦＴを構成するゲート絶縁膜は、一般的に、有機絶縁材料から形成される。これにより、仮にゲート絶縁膜が例えば二酸化珪素（ＳｉＯ２）等の無機絶縁材料から形成される場合と比較して、有機ＴＦＴの特性（例えば、移動度、閾値電圧シフト、Ｓ値（サブスレッショルドスイング値）など）の劣化を防ぐことが可能となる。また、上述したコンタクトホールは層間絶縁膜に加えてゲート絶縁膜にも形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１５０２４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した層間絶縁膜を、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法等によって例えば二酸化珪素（ＳｉＯ２）等の無機絶縁材料から形成する場合には、層間絶縁膜の形成時に、有機ＴＦＴを構成する有機半導体層に悪影響を与えてしまったり、当該電気光学装置用基板のフレキシブル性（即ち、曲げ性或いは可撓性）が低下してしまったりするおそれがあるという技術的問題点がある。
【０００５】
また、上述したコンタクトホールの一部をゲート絶縁膜にフォトリソグラフィ及びエッチングにより形成する場合に、ゲート絶縁膜上にレジストを塗布すると、有機ＴＦＴの特性が劣化してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、低コストで製造可能であると共に、フレキシブル性及び信頼性の高い電気光学装置用基板及びその製造方法、このような電気光学装置用基板を備える電気光学装置、並びにこのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板上に、有機半導体層と、該有機半導体層の上層に設けられ、珪素を含まない有機絶縁材料からなるゲート絶縁膜と、を含んでなるトランジスタと、前記トランジスタよりも上層側に設けられ、珪素を含む有機絶縁材料からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられ、前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して前記有機半導体層に電気的に接続される画素電極と、前記コンタクトホール内に設けられ、前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜との界面よりも下層側から該界面と前記層間絶縁膜の上層側の面との間にまで連続的に形成された導電部とを備える。
【０００８】
本発明では特に、ゲート絶縁膜は、珪素を含まない有機絶縁材料からなり、層間絶縁膜は、珪素を含む有機絶縁材料からなる。よって、ゲート絶縁膜と層間絶縁膜との間のエッチング選択比を大きくすることができる。従って、製造プロセスにおいては、先ず、層間絶縁膜におけるコンタクトホールを形成すべき部分にフォトリソグラフィ及びエッチングにより、ゲート絶縁膜が露出するように開口部を形成する。次に、該開口部が形成された層間絶縁膜をマスクとして、ゲート絶縁膜に対してエッチングを施すことにより、コンタクトホールを形成することが可能となる。即ち、製造プロセスにおいて、ゲート絶縁膜上にレジストを塗布することなく、画素電極と有機半導体層とを互いに電気的に接続するためのコンタクトホールを形成することができる。よって、トランジスタの特性の劣化を招くことなく、コンタクトホールを形成することができる。更に、層間絶縁膜をマスクとしてゲート絶縁膜に対してエッチングを施すことができるので、仮に、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜に対して個別にフォトリソグラフィ及びエッチングにより開口部を形成することでコンタクトホールを形成する場合と比較して、ゲート絶縁膜に対するフォトリソグラフィ工程を行わない分（即ち、ゲート絶縁膜上にマスクとしてのレジストを形成する工程を行わない分）、製造プロセスにおける工程数を削減することができる。よって、当該電気光学装置用基板の製造コストを低減することが可能となる。加えて、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜は、有機絶縁材料から形成されるので、仮にゲート絶縁膜或いは層間絶縁膜が例えば二酸化珪素等の無機絶縁材料から形成される場合と比較して、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜の形成時に有機半導体層に悪影響を与えてしまったり、当該電気光学装置用基板として可撓性基板を用いた場合に、電気光学装置用基板のフレキシブル性を低下させてしまったりすることを抑制或いは防止できる。
【０００９】
ここで、上述したように層間絶縁膜をマスクとしてゲート絶縁膜に対してエッチングを施すことによりコンタクトホールを形成する場合、コンタクトホールの壁面におけるゲート絶縁膜と層間絶縁膜との界面にオーバーハング部（即ち、ゲート絶縁膜が基板面に沿う方向にエッチングされることによりコンタクトホールの壁面に形成される部分であり、コンタクトホールの壁面において層間絶縁膜がゲート絶縁膜よりも突出する部分）が形成される可能性がある。このため、層間絶縁膜上に、画素電極を形成したとき、画素電極がコンタクトホール内のオーバーハング部において途切れてしまって、画素電極と有機半導体層とを互いに電気的に接続させることが困難になってしまうおそれがある。
【００１０】
しかるに、本発明では特に、コンタクトホール内に導電部を備える。導電部は、ゲート絶縁膜と層間絶縁膜との界面よりも下層側から、該界面と層間絶縁膜の上層側の面との間にまで連続的に形成されている。言い換えれば、導電部は、コンタクトホール内にオーバーハング部が生じたとしても、オーバーハング部を跨ぐよう形成されるため、画素電極のうち該界面よりも上層の部分と有機半導体層（或いは、例えば、有機半導体層に電気的に接続されたドレイン電極）とに電気的に接続される。よって、もしコンタクトホールの壁面にオーバーハング部が発生したとしても、画素電極のうち該界面よりも上層の部分と有機半導体層とを導電部を介して互いに確実に電気的に接続することができる。従って、電気光学装置用基板の信頼性を高めることができる。尚、導電部は、例えば、製造プロセスにおいて、画素電極の形成前或いは後に、例えばインクジェット法等の印刷法により導電材料をコンタクトホール内に吐出或いは塗布することにより形成するとよい。
【００１１】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置用基板によれば、低コストで製造可能であると共に、当該電気光学装置用基板のフレキシブル性及び信頼性を高めることが可能である。
【００１２】
本発明の電気光学装置用基板の一態様では、前記コンタクトホールの壁面における前記界面にオーバーハング部が形成されており、前記導電部は、前記オーバーハング部を跨ぐように形成されている。
【００１３】
この態様によれば、導電部が、コンタクトホールの壁面におけるゲート絶縁膜と層間絶縁膜との界面に形成されたオーバーハング部を跨ぐように形成されているので、画素電極のうち該界面よりも上層の部分と有機半導体層とを導電部によって互いに確実に電気的に接続することができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記珪素を含む有機絶縁材料は、シロキサン及び二酸化珪素の少なくとも一方を含む有機絶縁材料である。
【００１５】
この態様によれば、ゲート絶縁膜と層間絶縁膜との間のエッチング選択比を確実に大きくすることができる。よって、層間絶縁膜をマスクとしてゲート絶縁膜に対してエッチングを施すことによりコンタクトホールを容易に形成することができる。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、有機半導体層と、該有機半導体層の上層に設けられたゲート絶縁膜と、を含んでなるトランジスタと、該トランジスタよりも上層側に設けられた層間絶縁膜と、該ゲート絶縁膜と該層間絶縁膜とを貫通するコンタクトホールと、該層間絶縁膜上に設けられ、該コンタクトホールを介して該有機半導体層に電気的に接続される画素電極と、を備える電気光学装置用基板の製造方法であって、前記基板上に前記有機半導体層を形成する工程と、珪素を含まない有機絶縁材料から前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、珪素を含む有機絶縁材料から前記層間絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜が露出するように、前記層間絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部が形成された前記層間絶縁膜をマスクとして、前記ゲート絶縁膜に対してエッチングを施すことにより、前記コンタクトホールを形成する工程と、前記層間絶縁膜上に、前記画素電極を形成する工程と、前記コンタクトホール内に、前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜との界面よりも下層側から該界面と前記層間絶縁膜の上層側の面との間にまで、導電部を連続的に形成する工程とを含む。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法によれば、上述した本発明の電気光学装置用基板を製造することができる。
【００１８】
ここで特に、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法によれば、基板上に、有機半導体層の上層に、珪素を含まない有機絶縁材料からゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜よりも上層側に、珪素を含む有機絶縁材料から層間絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜が露出するように層間絶縁膜に開口部を形成する工程と、開口部が形成された層間絶縁膜をマスクとして、ゲート絶縁膜に対してエッチングを施すことにより、コンタクトホールを形成する工程とを含む。よって、ゲート絶縁膜上にレジストを塗布することなく、画素電極と有機半導体層とを互いに電気的に接続するためのコンタクトホールを形成することができる。従って、トランジスタの特性の劣化を招くことなく、コンタクトホールを形成することができる。更に、ゲート絶縁膜に対するフォトリソグラフィ工程を行わない分（即ち、ゲート絶縁膜上にマスクとしてのレジストを形成する工程を行わない分）、製造プロセスにおける工程数を削減することができる。よって、当該電気光学装置用基板の製造コストを低減することが可能となる。加えて、仮にゲート絶縁膜或いは層間絶縁膜を例えば二酸化珪素等の無機絶縁材料から形成する場合と比較して、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜の形成時に有機半導体層に悪影響を与えてしまったり、当該電気光学装置用基板として可撓性基板を用いた場合に、電気光学装置用基板のフレキシブル性を低下させてしまったりすることを抑制或いは防止できる。
【００１９】
更に、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法によれば、コンタクトホール内に、ゲート絶縁膜と層間絶縁膜との界面よりも下層側から該界面と層間絶縁膜の上層側の面との間にまで導電部を連続的に形成する工程を含む。よって、画素電極のうち該界面よりも上層の部分と有機半導体層（或いは、例えば、有機半導体層に電気的に接続されたドレイン電極）とを導電部によって互いに確実に電気的に接続することができる。従って、電気光学装置用基板の信頼性を高めることができる。
【００２０】
尚、上述した本発明の電気光学装置用基板に係る各種態様と同様の態様を、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法にも適宜適用可能である。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法の一態様では、前記導電部を形成する工程は、前記導電部を印刷法により形成する。
【００２２】
この態様によれば、導電部を容易に形成することができると共に、導電部によって画素電極と有機半導体層とを互いに確実に電気的に接続することが可能となる。
【００２３】
また、印刷法として液滴吐出法を用いることが好ましい。この態様によれば、導電部を容易にかつ効率的に形成することができる。
【００２４】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法の他の態様では、前記有機半導体層を形成する工程は、前記有機半導体層を印刷法により形成する。
【００２５】
この態様によれば、有機半導体層に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを施すことなく、有機半導体層のパターニングを容易に行うことができる。よって、有機半導体層上にレジストが形成されることによって有機半導体層に悪影響が生じてしまうことを回避することができる。
【００２６】
本発明の電気光学装置は、上述した本発明の電気光学装置用基板（但し、その各種態様を含む）を備えるので、低コスト且つフレキシブル性及び信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【００２７】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明に係る電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。
【００２８】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を備えるので、高品位な表示を行うことが可能な、例えば、腕時計、電子ペーパー、電子ノート、携帯電話、携帯用オーディオ機器などの各種電子機器を実現できる。
【００２９】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】第１実施形態に係る電気泳動表示装置が備えるアクティブマトリクス基板の全体構成を示すブロック図である。
【図２】第１実施形態に係る電気泳動表示装置の表示領域における構成を示す部分断面図である。
【図３】マイクロカプセルの構成を示す模式図である。
【図４】第１実施形態に係るアクティブマトリクス基板の具体的な構成を示す平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ’線での断面図である。
【図６】図５のコンタクトホールの壁面に形成されたオーバーハング部を拡大して示す拡大断面図である。
【図７】第１実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その１）である。
【図８】第１実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その２）
【図９】第２実施形態における、図５と同趣旨の断面図である。
【図１０】第２実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図である。
【図１１】電気泳動表示装置を適用した電子機器の一例たる電子ペーパーの構成を示す斜視図である。
【図１２】電気泳動表示装置を適用した電子機器の一例たる電子ノートの構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例であるアクティブマトリクス駆動方式の電気泳動表示装置を例にとる。
【００３２】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る電気泳動表示装置について、図１から図６を参照して説明する。
【００３３】
先ず、本実施形態に係る電気泳動表示装置の全体構成について、図１から図３を参照して説明する。
【００３４】
図１は、本実施形態に係る電気泳動表示装置が備えるアクティブマトリクス基板の全体構成を示すブロック図である。
【００３５】
図１において、本発明に係る「電気光学装置用基板」の一例であるアクティブマトリクス基板１００は、支持基板１０と、この支持基板１０上に、互いに交差するように設けられた複数のデータ線５０及び複数の走査線４０と、これらデータ線５０及び走査線４０の交差に対応する画素２０毎に設けられた画素電極２１及びＴＦＴ２４とを備えている。更に、アクティブマトリクス基板１００は、支持基板１０上に、外部接続端子９００と、接続端子４１と、走査線引出線４２とを備えている。
【００３６】
支持基板１０は、可撓性基板（即ち、撓る或いは湾曲することが可能な基板）である。可撓性基板としては、ガラス基板や、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリイミド（ＰＩ）等で構成されるプラスチック基板、また、例えばステンレスやアルミニウム等の金属基板、或いはガリウム砒素基板等であってもよい。また、支持基板１０は必ずしも可撓性を有さなくてもよい。
【００３７】
データ線５０は、支持基板１０上における一の方向に沿って延びるように形成されている。データ線５０は、外部接続端子９００を介して外部の駆動回路（図示省略）に電気的に接続される。データ線５０には、駆動回路から画像信号が所定のタイミングで供給される。データ線５０を構成する導電性材料としては、公知の導電性金属材料を用いることができる。データ線５０は、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｃｏ等やそれらの金属を用いた合金、公知のあらゆる金属材料、及びその合金、及びその金属酸化物等から形成されてよい。
【００３８】
走査線４０は、支持基板１０上におけるデータ線５０が延びる一の方向に交わる他の方向に沿って延びるように形成されている。走査線４０は、接続端子４１、走査線引出線４２及び外部接続端子９００を介して外部の駆動回路（図示省略）に電気的に接続される。より具体的には、走査線４０の一端は、複数の画素２０がマトリクス状に配列された表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に設けられた接続端子４１を介して走査線引出線４２に電気的に接続されている。走査線引出線４２は、周辺領域において、接続端子４１とこの接続端子４１に対応する外部接続端子９００とを繋ぐように引き回されている。走査線４０には、駆動回路から走査信号が所定のタイミングでパルス的に供給される。走査線４０を構成する導電性材料としては、公知の導電性金属材料を用いることができる。走査線４０は、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｃｏ等やそれらの金属を用いた合金、公知のあらゆる金属材料、及びその合金、及びその金属酸化物等から形成されてよい。また、走査線４０は、導電性高分子ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）やカーボンペースト、カーボンナノチューブ等の導電性有機材料から形成されてもよい。
【００３９】
支持基板１０上の表示領域１０ａには、データ線５０及び走査線４０の交差に対応して、複数の画素２０がマトリクス状に配列されている。
【００４０】
マトリクス状に配列された複数の画素２０には、それぞれ、画素電極２１と、この画素電極２１をスイッチング制御するためのＴＦＴ２４とが設けられている。
【００４１】
ＴＦＴ２４は、有機半導体層を有する有機ＴＦＴであり、そのゲートが走査線４０に電気的に接続されており、そのソースがデータ線５０が電気的に接続されており、そのドレインが画素電極２１に電気的に接続されている。ＴＦＴ２４は、駆動回路からデータ線５０を介して供給される画像信号を、駆動回路から走査線４０を介してパルス的に供給される走査信号に応じたタイミングで、画素電極２１に書き込む。
【００４２】
尚、アクティブマトリクス基板１００の具体的な構成については、図４から図６を参照して後に詳細に説明する。
【００４３】
図２は、本実施形態に係る電気泳動表示装置の表示領域における構成を示す部分断面図である。尚、図２においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００４４】
図２において、本実施形態に係る電気泳動表示装置１は、図１を参照して上述したアクティブマトリクス基板１００と対向基板２９との間に電気泳動素子２３が挟持される構成となっている。尚、本実施形態では、対向基板２９側に画像を表示することを前提として説明する。
【００４５】
アクティブマトリクス基板１００では、支持基板１０上に、上述したデータ線５０、走査線４０、ＴＦＴ２４、画素電極２１等が積層構造をなして形成されている。尚、図２では、データ線５０、走査線４０、ＴＦＴ２４等の図示を省略している。画素電極２１は、支持基板１０上の積層構造における最上層側に設けられている。
【００４６】
対向基板２９は、例えばプラスチック等からなる透明な基板である。対向基板２９におけるアクティブマトリクス基板１００との対向面上には、共通電極２２が複数の画素電極２１と対向してベタ状に形成されている。共通電極２２は、例えばマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電材料から形成されている。
【００４７】
電気泳動素子２３は、電気泳動粒子をそれぞれ含んでなる複数のマイクロカプセル８０から構成されており、例えば樹脂等からなるバインダー３０及び接着層３１によってアクティブマトリクス基板１００及び対向基板２９間で固定されている。尚、本実施形態に係る電気泳動表示装置１は、製造プロセスにおいて、電気泳動素子２３が予め対向基板２９側にバインダー３０によって固定されてなる電気泳動シートが、別途製造された、アクティブマトリクス基板１００側に接着層３１によって接着されている。
【００４８】
マイクロカプセル８０は、画素電極２１及び共通電極２２間に挟持され、１つの画素２０内に（言い換えれば、１つの画素電極２１に対して）１つ又は複数配置されている。
【００４９】
図３は、マイクロカプセルの構成を示す模式図である。尚、図３では、マイクロカプセルの断面を模式的に示している。
【００５０】
図３において、マイクロカプセル８０は、被膜８５の内部に分散媒８１と、電気泳動粒子である複数の白色粒子８２と、複数の黒色粒子８３とが封入されてなる。マイクロカプセル８０は、例えば、５０ｕｍ程度の粒径を有する球状に形成されている。
【００５１】
被膜８５は、マイクロカプセル８０の外殻として機能し、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル等のアクリル樹脂、ユリア樹脂、アラビアガム等の透光性を有する高分子樹脂から形成されている。
【００５２】
分散媒８１は、白色粒子８２及び黒色粒子８３をマイクロカプセル８０内（言い換えれば、被膜８５内）に分散させる媒質である。分散媒８１としては、水や、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブ等のアルコール系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等の各種エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ペンタン、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエンや、キシレン、ヘキシルベンゼン、へブチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼン等の長鎖アルキル基を有するベンゼン類等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１、２−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、カルボン酸塩やその他の油類を単独で又は混合して用いることができる。また、分散媒８１には、界面活性剤が配合されてもよい。
【００５３】
白色粒子８２は、例えば、二酸化チタン、亜鉛華（酸化亜鉛）、三酸化アンチモン等の白色顔料からなる粒子（高分子或いはコロイド）であり、例えば負に帯電されている。
【００５４】
黒色粒子８３は、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック等の黒色顔料からなる粒子（高分子或いはコロイド）であり、例えば正に帯電されている。
【００５５】
このため、白色粒子８２及び黒色粒子８３は、画素電極２１と共通電極２２との間の電位差によって発生する電場によって、分散媒８１中を移動することができる。
【００５６】
これらの顔料には、必要に応じ、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンド等の粒子からなる荷電制御剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤等を添加することができる。
【００５７】
図２及び図３において、画素電極２１と共通電極２２との間に、相対的に共通電極２２の電位が高くなるように電圧が印加された場合には、正に帯電された黒色粒子８３はクーロン力によってマイクロカプセル８０内で画素電極２１側に引き寄せられると共に、負に帯電された白色粒子８２はクーロン力によってマイクロカプセル８０内で共通電極２２側に引き寄せられる。この結果、マイクロカプセル８０内の表示面側（即ち、共通電極２２側）に白色粒子８２が集まることで、電気泳動表示装置１の表示面にこの白色粒子８２の色（即ち、白色）を表示することができる。逆に、画素電極２１と共通電極２２との間に、相対的に画素電極２１の電位が高くなるように電圧が印加された場合には、負に帯電された白色粒子８２がクーロン力によって画素電極２１側に引き寄せられると共に、正に帯電された黒色粒子８３はクーロン力によって共通電極２２側に引き寄せられる。この結果、マイクロカプセル８０の表示面側に黒色粒子８３が集まることで、電気泳動表示装置１の表示面にこの黒色粒子８３の色（即ち、黒色）を表示することができる。
【００５８】
更に、画素電極２１及び共通電極２２間における白色粒子８２及び黒色粒子８３の分布状態によって、白色と黒色との中間階調である、ライトグレー、グレー、ダークグレー等の灰色を表示することも可能である。また、白色粒子８２、黒色粒子８３に用いる顔料を、例えば赤色、緑色、青色等の顔料に代えることによって、赤色、緑色、青色等のカラー表示も可能となる。
【００５９】
次に、本実施形態に係るアクティブマトリクス基板の具体的な構成について、図４から図６を参照して説明する。
【００６０】
図４は、本実施形態に係るアクティブマトリクス基板の具体的な構成を示す平面図である。図５は、図４のＶ−Ｖ’線での断面図である。尚、図４では、説明の便宜上、図５に示すゲート絶縁膜２４５、層間絶縁膜３１０及び導電部４１０の図示を省略してある。
【００６１】
図４及び図５において、アクティブマトリクス基板１００では、支持基板１０上に、図１を参照して上述したデータ線５０、走査線４０、ＴＦＴ２４、画素電極２１等が積層構造をなして形成されている。支持基板１０は、上述したように、例えばプラスチック基板等の可撓性基板である。
【００６２】
図４に示すように、支持基板１０上には、複数のデータ線５０及び複数の走査線４０が互いに交差するように設けられている。更に、支持基板１０上には、これらデータ線５０及び走査線４０の交差に対応する画素毎に、画素電極２１及びＴＦＴ２４が設けられている。ＴＦＴ２４は、半導体層２４１、ソース電極２４２及びドレイン電極２４３を含んでなる。
【００６３】
以下、支持基板１０上の各構成要素について、支持基板１０上の積層構造における下層側から順に説明する。
【００６４】
図４及び図５において、データ線５０、ソース電極２４２及びドレイン電極２４３は、支持基板１０上の積層構造において互いに同一層に設けられている。
【００６５】
データ線５０、ソース電極２４２及びドレイン電極２４３は、製造工程における同一機会に成膜された金属膜がパターニングされることにより形成されており、互いに同一種類の金属膜からなる。データ線５０、ソース電極２４２及びドレイン電極２４３を構成する金属膜としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｃｏ等を用いることができる。尚、データ線５０、ソース電極２４２及びドレイン電極２４３は、ＩＴＯ、ＺｕＯ２等から形成されてもよい。また、データ線５０、ソース電極２４２及びドレイン電極２４３は、導電性高分子ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）やカーボンペースト、カーボンナノチューブ等の導電性有機材料から形成されてもよく、例えばインクジェット法、スクリーン印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法等の印刷法により形成されてもよい。
【００６６】
データ線５０は、支持基板１０上における一の方向に沿って延びるように形成されている。
【００６７】
ソース電極２４２は、画素毎に、支持基板１０上におけるデータ線５０が延びる一の方向に交わる他の方向に沿って延びるように形成されている。ソース電極２４２は、各データ線５０から対応する画素毎に分岐するように形成されている。
【００６８】
ドレイン電極２４３は、画素毎に、島状に形成されている。
【００６９】
図５において、ソース電極２４２及びドレイン電極２４３よりも上層側には、ＴＦＴ２４を構成する半導体層２４１が設けられている。
【００７０】
半導体層２４１は、有機半導体材料が例えばインクジェット法等の印刷法によって吐出或いは塗布されることにより形成された有機半導体層である。有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７１】
半導体層２４１は、チャネル領域２４１ｃ（図５参照）と、チャネル領域２４１ｃに隣接すると共にソース電極２４２に電気的に接続されるソース領域と、チャネル領域２４１ｃに隣接すると共にドレイン電極２４３に電気的に接続されるドレイン領域とを有している。
【００７２】
半導体層２４１の上層側には、ゲート絶縁膜２４５を介して走査線４０が形成されている。
【００７３】
ゲート絶縁膜２４５は、半導体層２４１の上に形成されている。ゲート絶縁膜２４５は、珪素を含まない有機絶縁材料が塗布法によって塗布されることにより形成される。ゲート絶縁膜２４５を構成する「珪素を含まない有機絶縁性材料」としては、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、或いはポリイソブチレンに代表されるポリオレフィン系ポリマー、或いはこれらの共重合体等の有機材料を用いることができる。
【００７４】
図４及び図５において、走査線４０は、支持基板１０上におけるデータ線５０が延びる一の方向に交わる他の方向に沿って延びるように形成され、支持基板１０上で平面的に見て、対応する複数の半導体層２４１のチャネル領域２４１ｃに重なっている。走査線４０のうち半導体層２４１のチャネル領域２４１ｃに重なる部分がＴＦＴ２４のゲート電極として機能する。即ち、ＴＦＴ２４は、トップゲート型の有機ＴＦＴとして形成されている。走査線４０は、例えば、導電性液体材料が例えばインクジェット法等の印刷法によって吐出或いは塗布されることにより形成される。導電性液体材料としては、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）の水分散液を用いることができる。また、ＰＥＤＯＴの他に、金属コロイドを用いることができる。また、これらの分散液は、水を主成分とするが、アルコールを添加した液体を用いてもよい。走査線４０は、例えば１００ｎｍ〜２μｍの膜厚を有している。
【００７５】
図５において、走査線４０の上層側には、層間絶縁膜３１０が設けられている。層間絶縁膜３１０は、例えばシロキサンを含む有機絶縁材料など、珪素を含む有機絶縁材料から形成されている。層間絶縁膜３１０は、珪素を含む有機絶縁材料が例えばインクジェット法等の印刷法によって吐出或いは塗布されることにより形成される。層間絶縁膜３１０を構成する「珪素を含む有機絶縁材料」としては、絶縁性ポリマーが好適である。この絶縁性ポリマーとしては、主骨格としてポリビニルフェノール又は、フェノール樹脂（別名ノボラック樹脂）を使用するとよい。その他にもポリビニルフェノール、ポリメチルメタアクリレートを始めとするアクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポレオレフィン、ポリビニルアルコール、ポリイミド、フッ素系樹脂、ポリパラキシリレン、ベンゾシクロブテン等を使用することができる。このような絶縁性ポリマーに、シロキサンを含む骨格を反応させることにより珪素を導入したものを「珪素を含む有機絶縁材料」として用いるとよい。更に、エポキシ架橋剤や光ラジカル重合開始剤を用いることで感光性の機能を付加させることができ、レジスト等用いずに直接パターニングが可能となる。
【００７６】
図４及び図５において、層間絶縁膜３１０上に、画素電極２１が画素毎に設けられている。画素電極２１は、層間絶縁膜３１０及びゲート絶縁膜２４５を貫通するコンタクトホール（或いはビアホール）８１０を介してドレイン電極２４３に電気的に接続されている。
【００７７】
尚、後に詳細に説明するが、本実施形態では、コンタクトホール８１０内に導電部４１０が設けられており、画素電極２１は、導電部４１０を介してドレイン電極２４３に電気的に接続されている。また、コンタクトホール８１０の底部には、導電層２１ａが形成されている。導電層２１ａは、製造プロセスにおいて、画素電極２１を形成する際に成膜された導電膜の一部からなる。より具体的には、導電層２１ａは、画素電極２１を形成する際に成膜される導電膜が、コンタクトホール８１０の壁面のオーバーハング部８５０において、画素電極２１と互いに分離されてしまうことにより形成されたものである。
【００７８】
画素電極２１を構成する材料は、公知の電極材料であれば、その種類は特に限定されない。具体的には、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｃｏ等の金属単体やこれら金属を用いた合金等、公知のあらゆる金属材料、及びその合金或いはその金属酸化物等を採用することができる。また、金属微粒子を分散させた溶液、或いは、導電性粒子を含むポリマー混合物、或いは、導電性有機材料を電極材料として採用してもよい。
【００７９】
図４及び図５において、本実施形態では特に、上述したように、ゲート絶縁膜２４５は、珪素を含まない有機絶縁材料から形成され、層間絶縁膜３１０は、珪素を含む有機絶縁材料から形成される。よって、ゲート絶縁膜２４５と層間絶縁膜３１０との間のエッチング選択比を大きくすることができる。従って、製造プロセスにおいて、先ず、層間絶縁膜３１０におけるコンタクトホール８１０を形成すべき部分にフォトリソグラフィ及びエッチングにより、ゲート絶縁膜２４５が露出するように開口部を形成する。次に、この開口部が形成された層間絶縁膜３１０をマスクとして、ゲート絶縁膜２４５に対してエッチングを施すことにより、コンタクトホール８１０を形成することが可能となる。即ち、製造プロセスにおいて、ゲート絶縁膜２４５上にレジストを塗布することなく、コンタクトホール８１０を形成することができる。よって、ＴＦＴ２４の特性の劣化を招くことなく、コンタクトホール８１０を形成することができる。更に、層間絶縁膜３１０をマスクとしてゲート絶縁膜２４５に対してエッチングを施すことができるので、仮に、ゲート絶縁膜２４５及び層間絶縁膜３１０に対して個別にフォトリソグラフィ及びエッチングにより開口部を形成することでコンタクトホール８１０を形成する場合と比較して、ゲート絶縁膜２４５に対するフォトリソグラフィ工程を行わない分（即ち、ゲート絶縁膜２４５上にマスクとしてのレジストを形成する工程を行わない分）、製造プロセスにおける工程数を削減することができる。また、層間絶縁膜３１０に感光性の機能を付加させれば、レジスト等用いずに直接パターニングが可能であるため、製造プロセスにおける工程数をさらに削減することができる。よって、アクティブマトリクス基板１００の製造コストを低減することが可能となる。加えて、ゲート絶縁膜２４５及び層間絶縁膜３１０は、有機絶縁材料から形成されるので、仮にゲート絶縁膜２４５或いは層間絶縁膜３１０が例えば二酸化珪素（ＳｉＯ２）等の無機絶縁材料から形成される場合と比較して、ゲート絶縁膜２４５及び層間絶縁膜３１０の形成時に有機半導体層２４１に悪影響を与えてしまったり（即ち、例えばＣＶＤ法、スパッタ法等によりゲート絶縁膜２４５或いは層間絶縁膜３１０を形成する際に、有機半導体層２４１にダメージを与えてしまったり）、アクティブマトリクス基板１００のフレキシブル性を低下させてしまったりすることを抑制或いは防止できる。
【００８０】
図６は、図５に示したコンタクトホール８１０の壁面に形成されたオーバーハング部８５０を拡大して模式的に示す拡大断面図である。
【００８１】
図５及び図６に示すように、本実施形態では、コンタクトホール８１０の壁面にはオーバーハング部８５０が形成されている。オーバーハング部８５０は、製造プロセスにおいて、上述したように層間絶縁膜３１０をマスクとしてゲート絶縁膜２４５に対してエッチングを施すことによりコンタクトホール８１０を形成する場合に、ゲート絶縁膜２４５が支持基板１０の基板面に沿う方向にエッチングされることによりコンタクトホール８１０の壁面に形成されるものである。オーバーハング部８５０は、コンタクトホール８１０の壁面におけるゲート絶縁膜２４５と層間絶縁膜３１０との界面９００に形成されている。このため、層間絶縁膜３１０上に画素電極２１を形成したとき、画素電極２１がコンタクトホール８１０内のオーバーハング部８５０において途切れてしまって（言い換えれば、画素電極２１がコンタクトホール８１０の壁面に沿って連続的に形成されずに、互いに分離した画素電極２１及び導電層２１ａとして形成されるため）、画素電極２１とドレイン電極２４３とを互いに電気的に接続させることが困難になってしまうおそれがある。
【００８２】
しかるに、本実施形態では特に、コンタクトホール８１０内に導電部４１０を備えている。導電部４１０は、ゲート絶縁膜２４５と層間絶縁膜３１０との界面９００よりも下層側から、この界面９００と層間絶縁膜３１０の上層側の面３１０ｓとの間にまで連続的に形成されている。言い換えれば、導電部４１０は、コンタクトホール８１０の壁面のオーバーハング部８５０を跨ぐように形成され、画素電極２１及びドレイン電極２４３に電気的に接続されている。よって、画素電極２１とドレイン電極２４３とを導電部４１０によって互いに確実に電気的に接続することができる。従って、アクティブマトリクス基板１００の信頼性を高めることができる。尚、導電部４１０は、製造プロセスにおいて、画素電極２１の形成後に、例えばインクジェット法、スクリーン印刷法、マイクロコンタクト印刷法等の印刷法により導電材料をコンタクトホール８１０内に吐出或いは塗布することにより形成される。導電部４１０を構成する導電材料としては、公知の導電性金属材料を用いることができる。導電部４１０は、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｃｏ等やそれらの金属を用いた合金、公知のあらゆる金属材料、及びその合金、及びその金属酸化物等から形成されてよい。また、導電部４１０は、導電性高分子ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）やカーボンペースト、カーボンナノチューブ等の導電性有機材料から形成されてもよい。
【００８３】
以上説明したように、本実施形態に係るアクティブマトリクス基板１００によれば、低コストで製造可能であると共に、当該アクティブマトリクス基板１００のフレキシブル性及び信頼性を高めることが可能である。
【００８４】
次に、上述した本実施形態に係るアクティブマトリクス基板１００の製造方法について、図７及び図８を参照して説明する。
【００８５】
図７及び図８は、本実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図である。尚、図７及び図８は、図５に示した断面図に対応して示してある。
【００８６】
先ず、図７（Ａ）に示す工程において、支持基板１０上にデータ線５０（図４参照）、ソース電極２４２及びドレイン電極２４３をそれぞれ所定のパターンで形成する。具体的には、支持基板１０上の全面に蒸着又はスパッタリングにより金属膜を成膜した後、この金属膜をフォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターニングすることにより、データ線５０、ソース電極２４２及びドレイン電極２４３を形成する。続いて、有機半導体材料を例えばインクジェット法等の印刷法によって吐出或いは塗布することにより、半導体層２４１を形成する（図４も参照）。この際、半導体層２４１を例えば２ｎｍ〜１ｕｍの膜厚を有するように形成する。続いて、支持基板１０上の全面に、珪素を含まない有機絶縁材料を例えばインクジェット法等の印刷法によって吐出或いは塗布することによりゲート絶縁膜２４５を形成する。この際、ゲート絶縁膜２４５を例えば１００ｎｍ〜２ｕｍの膜厚を有するように形成する。続いて、導電性液体材料を例えばインクジェット法等の印刷法によって吐出或いは塗布することにより走査線４０を形成する（図４も参照）。続いて、支持基板１０上の全面に、例えば印刷法、スピンコート法、バーコート法等により、例えばシロキサンを含む有機絶縁材料、或いはシリカ（即ち、二酸化珪素）を含む有機絶縁材料など、珪素を含む有機絶縁材料を塗布することにより層間絶縁膜３１０を形成する。
【００８７】
次に、図７（Ｂ）に示す工程において、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により層間絶縁膜３１０に開口部８１１を形成する。より具体的には、層間絶縁膜３１０の上層側の面３１０ｓ上に所定パターンのレジストを形成し、このレジストをマスクとして層間絶縁膜３１０に対してエッチングを、ゲート絶縁膜２４５が露出するように施すことにより、開口部８１１を形成する。即ち、層間絶縁膜３１０におけるコンタクトホール８１０（図４及び図５参照）を形成すべき部分に、ゲート絶縁膜２４５が露出するように開口部８１１を形成する。
【００８８】
尚、図７（Ａ）に示す工程において、感光性樹脂を用いて層間絶縁膜３１０を形成し、図７（Ｂ）に示す工程において、層間絶縁膜３１０における開口部８１１を形成すべき部分に光を照射することにより、層間絶縁膜３１０に開口部８１１を形成してもよい。この場合には、層間絶縁膜３１０上にレジストを形成することなく、開口部８１１を形成することができ、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【００８９】
次に、図７（Ｃ）に示す工程において、開口部８１１が形成された層間絶縁膜３１０をマスクとして、ゲート絶縁膜２４５に対してエッチングを施すことにより、コンタクトホール８１０を形成する。より具体的には、開口部８１１が形成された層間絶縁膜３１０をマスクとして、ゲート絶縁膜２４５に対して酸素ガス或いはアルゴンガス等を用いたエッチングを施すことにより、ゲート絶縁膜２４５に開口部８１２を形成して、ドレイン電極２４３を露出させる。この工程により、開口部８１１及び開口部８１２からなり、層間絶縁膜３１０及びゲート絶縁膜２４５を貫通するコンタクトホール８１０が形成される。
【００９０】
ここで本実施形態では特に、上述したように、ゲート絶縁膜２４５を、珪素を含まない有機絶縁材料から形成し、層間絶縁膜３１０を、珪素を含む有機絶縁材料から形成する。よって、ゲート絶縁膜２４５と層間絶縁膜３１０との間のエッチング選択比を大きくすることができる。従って、開口部８１１が形成された層間絶縁膜３１０をマスクとしてゲート絶縁膜２４５にエッチングを施すことによりゲート絶縁膜２４５に開口部８１２を形成することで、コンタクトホール８１０を容易に形成することができる。これにより、製造プロセスにおいて、ゲート絶縁膜２４５上にレジストを塗布することなく、コンタクトホール８１０を形成することができる。よって、ＴＦＴ２４の特性の劣化を招くことなく、コンタクトホール８１０を形成することができる。更に、仮に、ゲート絶縁膜２４５及び層間絶縁膜３１０に対して個別にフォトリソグラフィ及びエッチングにより開口部を形成することでコンタクトホール８１０を形成する場合と比較して、ゲート絶縁膜２４５に対するフォトリソグラフィ工程を行わない分、製造プロセスにおける工程数を削減することができる。よって、アクティブマトリクス基板１００の製造コストを低減することが可能となる。
【００９１】
尚、このようにコンタクトホール８１０を形成する際、コンタクトホール８１０の壁面に、図５及び図６を参照して上述したオーバーハング部８５０が形成される。
【００９２】
次に、図８（Ａ）に示す工程において、画素電極となる導電膜を層間絶縁膜３１０上に形成し、当該導電層をパターニングすることによって、画素電極２１を画素毎に形成する。尚、画素電極２１は、例えば蒸着法、印刷法等によって形成することができる。
【００９３】
ここで、上述したようにコンタクトホール８１０の壁面にオーバーハング部８５０が形成されるので、画素電極２１を形成する際にコンタクトホール８１０内に成膜される導電膜が、オーバーハング部８５０において途切れてしまう。このため、画素電極２１と互いに分離された導電層２１ａが、コンタクトホール８１０の底部に形成される。
【００９４】
次に、図８（Ｂ）に示す工程において、コンタクトホール８１０内に、導電材料を例えば液滴吐出法等の印刷法により吐出或いは塗布することにより、導電部４１０を形成する。この際、導電部４１０を、ゲート絶縁膜２４５と層間絶縁膜３１０との界面よりも下層側から、この界面と層間絶縁膜３１０の上層側の面３１０ｓとの間にまで連続的に形成する。言い換えれば、導電部４１０を、コンタクトホール８１０の壁面のオーバーハング部８５０を跨ぐように形成する。これにより、導電部４１０は、画素電極２１及びドレイン電極２４３に電気的に接続される。よって、画素電極２１とドレイン電極２４３とを導電部４１０によって互いに確実に電気的に接続することができる。従って、アクティブマトリクス基板１００の信頼性を高めることができる。
【００９５】
このようにして本実施形態に係るアクティブマトリクス基板１００を製造することができる。
【００９６】
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係るアクティブマトリクス基板について、図９を参照して説明する。
【００９７】
図９は、第２実施形態における、図５と同趣旨の断面図である。尚、図９において、図５に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００９８】
図９において、第２実施形態に係るアクティブマトリクス基板１００ｂは、上述した第１実施形態における導電部４１０に代えて導電部４２０を備える点で、上述した第１実施形態に係るアクティブマトリクス基板１００と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係るアクティブマトリクス基板１００と概ね同様に構成されている。
【００９９】
図９において、導電部４２０は、上述した第１実施形態における導電部４１０（図５及び図６参照）と概ね同様に、ゲート絶縁膜２４５と層間絶縁膜３１０との界面９００よりも下層側から、この界面９００と層間絶縁膜３１０の上層側の面３１０ｓとの間にまで連続的に形成されている。言い換えれば、導電部４２０は、コンタクトホール８１０の壁面のオーバーハング部８５０を跨ぐよう形成され、画素電極２１及びドレイン電極２４３に電気的に接続されている。よって、画素電極２１とドレイン電極２４３とを導電部４２０によって互いに確実に電気的に接続することができる。尚、本実施形態に係るアクティブマトリクス基板では、画素電極２１が形成される前に導電部４２０が形成されるが、第１実施形態に係るアクティブマトリクス基板では、画素電極２１が形成された後に導電部４１０が形成される。
【０１００】
次に、上述した本実施形態に係るアクティブマトリクス基板１００ｂの製造方法について、図１０を参照して説明する。
【０１０１】
図１０は、本実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図である。尚、図１０は、図９に示した断面図に対応して示してある。
【０１０２】
先ず、図１０（Ａ）に示す工程において、図７を参照して上述した第１実施形態と同様に、データ線５０、ソース電極２４２、ドレイン電極２４３、半導体層２４１、ゲート絶縁膜２４５及び層間絶縁膜３１０を形成した後、コンタクトホール８１０を形成する。続いて、コンタクトホール８１０内に、導電材料を例えばインクジェット法等の印刷法により吐出或いは塗布することにより、導電部４２０を形成する。この際、導電部４２０を、ゲート絶縁膜２４５と層間絶縁膜３１０との界面よりも下層側から、この界面の上層側にまで連続的に形成する。言い換えれば、導電部４２０を、コンタクトホール８１０の壁面のオーバーハング部８５０を跨ぐように形成する。
【０１０３】
次に、図１０（Ｂ）に示す工程において、層間絶縁膜３１０上に画素電極２１を形成する。より具体的には、層間絶縁膜３１０の上に導電膜を成膜することにより、画素電極２１を形成する。
【０１０４】
このようにして本実施形態に係るアクティブマトリクス基板１００ｂを製造することができる。
【０１０５】
ここで本実施形態では特に、画素電極２１を形成する前に、コンタクトホール８１０内に導電部４２０を形成するので、画素電極２１とドレイン電極２４３とを導電部４２０によって互いに確実に電気的に接続することができる。よって、アクティブマトリクス基板１００ｂの信頼性を高めることができる。
【０１０６】
＜電子機器＞
次に、上述した電気泳動表示装置を適用した電子機器について、図１１及び図１２を参照して説明する。以下では、上述した電気泳動表示装置を電子ペーパー及び電子ノートに適用した場合を例にとる。
【０１０７】
図１１は、電子ペーパー１４００の構成を示す斜視図である。
【０１０８】
図１１に示すように、電子ペーパー１４００は、上述した実施形態に係る電気泳動表示装置を表示部１４０１として備えている。電子ペーパー１４００は可撓性を有し、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体１４０２を備えて構成されている。
【０１０９】
図１２は、電子ノート１５００の構成を示す斜視図である。
【０１１０】
図１２に示すように、電子ノート１５００は、図１１で示した電子ペーパー１４００が複数枚束ねられ、カバー１５０１に挟まれているものである。カバー１５０１は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力するための表示データ入力手段（図示せず）を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容の変更や更新を行うことができる。
【０１１１】
上述した電子ペーパー１４００及び電子ノート１５００は、上述した実施形態に係る電気泳動表示装置を備えるので、信頼性が高く、高品質な画像表示を行うことが可能である。
【０１１２】
尚、本発明に係る電気光学装置は、上述した電子ペーパー及び電子ノート以外にも、各種のフレキシブルデバイスに適用可能である。
【０１１３】
また本発明は、上述の実施形態で説明した電気泳動表示装置以外にも、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）装置、液晶装置等にも適用可能である。
【０１１４】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板及びその製造方法、電気光学装置並びに電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１１５】
１０…支持基板、２１…画素電極、２４…トランジスタ、４０…走査線、５０…データ線、１００、１００ｂ…アクティブマトリクス基板、２４１…半導体層、３１０…層間絶縁膜、４１０、４２０…導電部、８１０…コンタクトホール、８５０…オーバーハング部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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