(57)【要約】【課題】ボンディングパット部の直下の金属体を有効利用できるフレキシブルプリント配線板を提供する。【解決手段】フレキシブルプリント配線板１４は、絶縁体層１と、絶縁体層１の一方の面に設けられた導体配線９と、導体配線９の少なくとも一部を含んで構成され、前記一方の面に搭載される半導体素子１６とボンディングワイヤー１７で接続されるボンディングパット部２２と、ボンディングパット部２２の直下において絶縁体層１を貫通する孔に充填されたボンディング用金属体７とを有する。【選択図】図１
2011029518.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体層と、
前記絶縁体層の一方の面に設けられた導体配線と、
前記導体配線の少なくとも一部を含んで構成され、前記一方の面に搭載される半導体素子とボンディングワイヤーで接続されるボンディングパット部と、
前記ボンディングパット部の直下において前記絶縁体層を貫通する孔に充填されたボンディング用金属体と、
を有するフレキシブルプリント配線板。
【請求項２】
前記半導体素子が搭載される領域内、且つ、前記導体配線の直下において前記絶縁体層を貫通する孔に充填された接続端子用金属体を有する
請求項１に記載のフレキシブルプリント配線板。
【請求項３】
前記ボンディング用金属体と前記接続端子用金属体とが隣接している
請求項２に記載のフレキシブルプリント配線板。
【請求項４】
前記一方の面の、前記半導体素子が搭載される領域内に設けられた放熱用ダイパット部と、
前記放熱用ダイパット部の直下において前記絶縁体層を貫通する孔に充填された放熱用金属体と、
を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載のフレキシブルプリント配線板。
【請求項５】
前記ボンディング用金属体の、前記絶縁体層の他方の面側の表面には、ニッケルめっきが施され、更に、金めっきが施されている
請求項１〜４のいずれか１項に記載のフレキシブルプリント配線板。
【請求項６】
絶縁体層と、
前記絶縁体層の一方の面に設けられた導体配線と、
前記導体配線の少なくとも一部を含んで構成されたボンディングパット部と、
前記ボンディングパット部の直下において前記絶縁体層を貫通する孔に充填されたボンディング用金属体と、
前記一方の面に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記ボンディングパット部とを接続するボンディングワイヤーと、
前記一方の面に設けられ、前記半導体素子、前記導体配線及び前記ボンディングワイヤーを封止する封止部材と、
を有する半導体装置。
【請求項７】
前記ボンディング用金属体の、前記絶縁体層の他方の面側に設けられた半田ボールを有する
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
絶縁体層と、前記絶縁体層の一方の面に設けられた導体配線と、前記導体配線の少なくとも一部を含んで構成されたボンディングパット部と、前記ボンディングパット部の直下において前記絶縁体層を貫通する孔に充填されたボンディング用金属体とを有するフレキシブルプリント配線板に、半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子と、前記ボンディングパット部とをボンディングワイヤーにより接続する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブルプリント配線板、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルプリント配線板に半導体素子を搭載し、樹脂封止することにより、半導体素子をパッケージングする技術が知られている。半導体素子と、フレキシブルプリント配線板の導体配線とは、例えば、ワイヤーボンディングにより接続される。フレキシブルプリント配線板には、ワイヤーボンディングが圧着されるボンディングパット部が設けられる。
【０００３】
特許文献１では、フレキシブルプリント配線板の絶縁体層を貫通する金属体によりボンディングパット部を構成する技術を開示している。すなわち、金属体は、絶縁体層の、半導体素子が搭載される側の面（以下、「搭載面」）に露出し、ボンディングパット部を構成する。
【０００４】
特許文献１の金属体は、絶縁体層の裏面（搭載面の反対側の面）に設けられた導体配線と接続される。導体配線には、半導体素子と重なる位置（金属体の位置とは異なる位置）に、他の機器に接続するための半田ボールが設けられる。
【０００５】
なお、特許文献１において、導体配線は、絶縁体層の裏面にのみ設けられており、絶縁体層の搭載面においては、金属体（厳密には、当該金属体に施された、金属体と同一形状のめっき）が露出するのみである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１１８２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１の技術において、金属体は、半導体素子と、その裏面の導体配線とを接続する部材として捉えられている。換言すれば、絶縁体層の裏面に導体配線が設けられることを前提としている。従って、金属体の有効利用に関して改善の余地がある。
【０００８】
例えば、特許文献１の技術では、導体配線の短絡等を防止するために、導体配線を覆うソルダーレジストを絶縁体層の裏面に設けなければならない。すなわち、金属体は、金属体よりも弾性率や伝熱性の低いソルダーレジストにより覆われる。その結果、ボンディング時の超音波がソルダーレジストに吸収されて、金属体のボンディング性向上機能が低下する。また、金属体の放熱性向上機能が低下する。また、例えば、特許文献１の技術は、金属体を絶縁層の裏面において端子として利用していない。
【０００９】
本発明の目的は、ボンディングパット部の直下の金属体を有効利用できるフレキシブルプリント配線板、半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のフレキシブルプリント配線板は、絶縁体層と、前記絶縁体層の一方の面に設けられた導体配線と、前記導体配線の少なくとも一部を含んで構成され、前記一方の面に搭載される半導体素子とボンディングワイヤーで接続されるボンディングパット部と、前記ボンディングパット部の直下において前記絶縁体層を貫通する孔に充填されたボンディング用金属体と、を有する。
【００１１】
好適には、前記半導体素子が搭載される領域内、且つ、前記導体配線の直下において前記絶縁体層を貫通する孔に充填された接続端子用金属体を有する。
【００１２】
好適には、前記ボンディング用金属体と前記接続端子用金属体とが隣接している。
【００１３】
好適には、前記一方の面の、前記半導体素子が搭載される領域内に設けられた放熱用ダイパット部と、前記放熱用ダイパット部の直下において前記絶縁体層を貫通する孔に充填された放熱用金属体と、を有する。
【００１４】
好適には、前記ボンディング用金属体の、前記絶縁体層の他方の面側の表面には、ニッケルめっきが施され、更に、金めっきが施されている。
【００１５】
本発明の半導体装置は、絶縁体層と、前記絶縁体層の一方の面に設けられた導体配線と、前記導体配線の少なくとも一部を含んで構成されたボンディングパット部と、前記ボンディングパット部の直下において前記絶縁体層を貫通する孔に充填されたボンディング用金属体と、前記一方の面に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記ボンディングパット部とを接続するボンディングワイヤーと、前記一方の面に設けられ、前記半導体素子、前記導体配線及び前記ボンディングワイヤーを封止する封止部材と、を有する。
【００１６】
好適には、前記ボンディング用金属体の、前記絶縁体層の他方の面側に設けられた半田ボールを有する。
【００１７】
本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁体層と、前記絶縁体層の一方の面に設けられた導体配線と、前記導体配線の少なくとも一部を含んで構成されたボンディングパット部と、前記ボンディングパット部の直下において前記絶縁体層を貫通する孔に充填されたボンディング用金属体とを有するフレキシブルプリント配線板に、半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と、前記ボンディングパット部とをボンディングワイヤーにより接続する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ボンディングパット部の直下の金属体を有効利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（Ａ）ないし（Ｆ）は、第１の実施形態に係る３層構造のフレキシブル配線板の製造工程を示す断面図である。
【図２】は、図1（Ａ）ないし（Ｆ）に示す製造工程により製造されたフレキシブルプリント配線板の平面図である。
【図３】（Ａ）ないし（Ｅ）は、第２の実施形態に係る２層構造のフレキシブル配線板の製造工程を示す断面図である。
【図４】は、図３（Ａ）ないし（Ｅ）に示す製造工程により製造されたフレキシブルプリント配線板の平面図である。
【図５】（Ａ）ないし（Ｄ）は、図１（Ａ）ないし（Ｆ）に示す製造工程で製造したフレキシブルプリント配線板を用いた半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図６】（Ａ）ないし（Ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体装置の形態を示す断面図である。
【図７】（Ａ）ないし（Ｄ）は、図３（Ａ）ないし（Ｅ）に示す製造工程で製造したフレキシブルプリント配線板を用いた半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図８】（Ａ）ないし（Ｃ）は、第２の実施形態に係る別の半導体装置の形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ、この発明の第１の実施形態について説明する。
図１（Ａ）ないし（Ｆ）及び図２には、第１の実施形態に係る３層構造のフレキシブル配線板の製造工程を示す。また、図５（Ａ）ないし（Ｄ）には、第１の実施形態に係るフレキシブル配線板を用いた半導体装置の製造工程を示す。また、図６（Ａ）ないし（Ｃ）には、別の半導体装置の形態を示す。
【００２１】
第１の実施形態に係る製造工程では、図１（Ａ）に示すように、絶縁体層１の表面に、塵埃を防ぐためのカバーフィルム３を設けたエポキシ系の接着剤層２を貼り付けた基材１Ａを用意する。基材１Ａとして一般的には、厚さが１２．５〜５０μｍのポリイミドを使用する。例えば、宇部興産（株）製の商品名「ユーピレックス」や、東レ・デュポン（株）製の商品名「カプトン」などを用いる。
【００２２】
そして、前記基材１Ａを金型で打ち抜いて、図１（Ｂ）に示すように両縁に沿って長さ方向（図１の紙面貫通方向）に一定間隔置きにスプロケットホール４を基材１Ａの両縁に左右対応して設け、また同時に同じ金型または別の金型を用いて、単位毎のボンディング用ホール５、接続端子用ホール５Ａ及び放熱用ホール６を設ける。
【００２３】
次に、前記基材１Ａの長さ方向にカバーフィルム３を剥がしながら熱と圧力を加え、銅箔を用いた導電体２３をラミネートした後、更に熱を加えてエポキシ系の接着剤層２を硬化させる。その状態を図１（Ｃ）に示す。
【００２４】
次に、ボンディング用ホール５及び接続用ホール５Ａ、放熱用ホール６に電解めっき法による銅めっきを行って、図１（Ｄ）に示すようにボンディング用金属体７、接続端子用金属体７Ａ、放熱用金属体８を形成する。これらの金属体は、前記めっき法によらず、金属ペーストを充填して形成してもよく、例えば、タツタ  システム・エレクトロニクス（株）製の商品名「ＤＤペーストＡＥ１６５０」を用いるとよい。前記、ボンディング用金属体７、接続端子用金属体７Ａ、放熱用金属体８の表面には、後にニッケルめっき及び金めっきを施すが、金めっきの表面が絶縁体層１の裏面から僅かに突出するように、予めボンディング用金属体７、接続端子用金属体７Ａ、放熱用金属体８の量を設定する。
【００２５】
次に、図１（Ｅ）に示すように、スプロケットホール４を用いて基材１Ａを搬送するとともに、導電体２３の表面にフォトレジストを、ロールコーターなどを用いて一様に塗布した後乾燥硬化させ、単位毎に露光と搬送を繰り返し行った後、現像、エッチング、剥離等を行い導体配線９及び放熱用ダイパット１０を形成する。
【００２６】
次に、図１（Ｆ）に示すように、放熱用ダイパット１０及び導体配線９の一部を残して、可撓性に優れたソルダーレジスト１１をスクリーン印刷法などにより塗布した後、加熱硬化させて設ける。ソルダーレジスト１１としては、例えば、（株）アサヒ化学研究所製の商品名「ＣＣＲ−２４０ＧＳ−Ｔ」を用いてよい。
【００２７】
この後、ニッケルめっき１２を施し、更に金めっき１３を施して、放熱用ダイパット部１０Ａ及びボンディングパット部２２を設けた、フレキシブルプリント配線板１４を形成する。ボンディングパット部２２は、導体配線９の一部（ボンディングパット：符号なし）、図１の紙面上方側のニッケルめっき１２及び金めっき１３により構成されている。放熱用ダイパット部１０Ａは、放熱用ダイパット１０、図１の紙面上方側のニッケルめっき１２及び金めっき１３により構成されている。
【００２８】
なお、前記ソルダーレジスト１１の形成は、ニッケルめっき１２及び金めっき１３の後に行ってもよい。
【００２９】
このようにして形成した、フレキシブルプリント配線板１４の平面図を図２に示す。なお、図１（Ｆ）は、図２のＡ−Ａ矢示断面図である。
【００３０】
図２に示すように、ボンディングパット部２２は、半導体素子搭載領域２５の周囲に複数設けられている。導体配線９は、ボンディングパット部２２付近において、半導体素子搭載領域２５の外周側から内周側への方向へ延びている。そして、図１（Ｆ）に示すように、一のボンディングパット部２２に対応して設けられたボンディング用金属体７と、接続端子用金属体７Ａとは、半導体搭載領域２５の外周側から内周側への方向において隣接している。
【００３１】
次に、図５（Ａ）に示すように、前記フレキシブルプリント配線板１４を搬送してアンビル１８の上に位置決めし、半導体素子１６を図２に示す、フレキシブルプリント配線板１４の半導体素子搭載領域２５に搭載する。この時、半導体素子１６の裏面側が放熱用ダイパット部１０Ａに当接するようにする。
【００３２】
そして、ワイヤーボンディング装置のキャピラリー（図示せず）とアンビル１８を加熱してボンディングワイヤー１７とボンディングパット部２２を１８０℃程度に加熱し、キャピラリーに超音波周波数６０ｋＨｚ、加重６０ｇ程度を印加して、半導体素子１６とボンディングワイヤー１７及びボンディングパット部２２とボンディングワイヤー１７を接続する。
【００３３】
この構成によれば、ボンディングパット部２２のボンディング点の直下には、ボンディングパット部２２側から順に、金めっき１３、ニッケルめっき１２、銅箔で形成された導体配線９、銅めっきで形成されたボンディング用金属体７、そしてニッケルめっき１２、金めっき１３が積層される。これらの体積弾性率は、金が２１７，０００ＭＰａ程度、ニッケルが１８８，０００ＭＰａ程度、銅が１３８，０００ＭＰａ程度である。このように、ソルダーレジスト（曲げ弾性率５００ＭＰａ以下）が存在しないので、前記キャピラリーからの超音波振動が、ボンディングワイヤー１７とボンディングパット部２２の金めっき１３に有効に作用し、高いボンディング性を得ることができる。
【００３４】
また、前記ボンディング用金属体７、接続端子用金属体７Ａ、放熱用金属体８は、前記めっき法によらず、金属ペーストを充填して形成してもよく、例えば、タツタ  システム・エレクトロニクス（株）製の商品名「ＤＤペーストＡＥ１６５０」を用いるとよい。この「ＤＤペーストＡＥ１６５０」は、曲げ弾性率が１０，０００ＭＰａ程度有り、ソルダーレジストの曲げ弾性率５００ＭＰａ以下に比較して大きな値であるので、高いボンディング性を得ることができる。
【００３５】
そして次に、図５（Ｂ）に示すように、封止部材１９で覆った後、図５（Ｃ）に示すように、半田ボール２０を接続端子用金属体７Ａ及び放熱用金属体８に搭載する。その後、図５（Ｄ）に示すように、単位毎に切り分けて半導体装置２１を形成する。
【００３６】
このようにして半導体装置２１を形成した後、半導体装置２１の接続端子用金属体７Ａ及び放熱用金属体８に搭載された半田ボール２０を溶融し冷却して、外部の接続部品と電気的に接続する。
【００３７】
このような構成において、半導体素子１６からの熱の一部は、伝熱経路として封止樹脂１９を介して空気中に放熱される。一般的な封止樹脂の熱伝導率は２ないし５Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。
【００３８】
本実施形態では更に、半導体素子１６の下方向に、別の伝熱経路があり、半導体素子１６からの熱は、金めっき１３，ニッケルめっき１２、銅箔で形成されたダイパット１０、放熱用金属体８、ニッケルめっき１２、金めっき１３の順に経由し、更に半田ボール２０を介して、他の接続部品（図示せず）に伝わり放熱される。そして、この伝熱経路の構成材料の熱伝導率は、金が３１３Ｗ／ｍ・Ｋ程度、ニッケルが９０Ｗ／ｍ・Ｋ程度、銅が３９５Ｗ／ｍ・Ｋ程度、半田が５０Ｗ／ｍ・Ｋ程度と熱伝導率のよい材料によって構成されているので、放熱効率を良くすることができる。
【００３９】
また、前記ボンディング用金属体７、接続端子用金属体７Ａ、放熱用金属体８は、前記めっき法によらず、金属ペーストを充填して形成してもよく、例えば、熱伝導率が１６．５Ｗ／ｍ・Ｋ程度のタツタ  システム・エレクトロニクス（株）製の商品名「ＤＤペーストＡＥ１６５０」を用いるとよい。
【００４０】
また、前記図５（Ｂ）の状態の後半田ボール２０を搭載しないで、単位毎の個片に切り分けて図６（Ａ）に示すような半導体装置２１を形成してもよい。この形態の場合、他の接続部品に半田めっきを施し、この半田めっきを用いて接続端子用金属体７Ａ及び放熱用金属体８を接続する。
【００４１】
また、前記図１（Ｂ）に示す接続端子用ホール５Ａ及び図１（Ｄ）に示す接続端子用金属体７Ａを形成しないようにして、図６（Ｂ）に示すように、ボンディング用金属体７に半田ボール２０を搭載し、更に単位毎の個片に切り分けて半導体装置２１を形成しても良い。この半田ボール２０を用いて外部の接続部品と電気的に接続するようにする。放熱に関しては、前記と同様にボンディング用金属体７及び放熱用金属体８に搭載した半田ボール２０を経由して他の接続部品に伝熱して放熱される。このような構造にすることでより安価な半導体装置２１を形成することができる。
【００４２】
なお、図６（Ｂ）から理解されるように、本実施形態では、ボンディング用金属体７に対して、端子としての新たな用途を見出している。また、導体配線９は、絶縁体層１上において長尺状（線状）に形成されていなくてもよい。また、ボンディングパット部２２は、導体配線９の全部を含んで構成されていてもよい。
【００４３】
また、前記図１（Ｂ）に示す放熱用ホール６及び図１（Ｄ）に示す放熱用金属体８を形成しないようにして、フレキシブルプリント配線板を形成し、図６（Ｃ）に示すように、半導体素子１６を搭載してから、封止部材１９で覆った後、ボンディング用金属体７に半田ボール２０を搭載し、更に単位毎の個片に切り分けて半導体装置２１を形成してもよく、この半田ボール２０を用いて外部の接続部品と電気的に接続するようにしてもよい。また、図示しないが前記放熱用金属体８は形成しないで、前記接続端子用金属体７Ａは設けるようにして、半導体装置２１を形成してもよい。このような構造にすることで、より安価な半導体装置２１を形成することができる。
【００４４】
以下、図面を参照しつつ、この発明の第２の実施形態について説明する。
図３（Ａ）ないし（Ｅ）及び図４には、第２の実施形態に係る２層構造のフレキシブル配線板の製造工程を示す。また、図７（Ａ）ないし（Ｄ）には、第２の実施形態に係るフレキシブル配線板を用いた半導体装置の製造工程を示す。また、図８（Ａ）ないし（Ｃ）には、他の半導体装置の形態を示す。
【００４５】
第２の実施形態に係る製造工程では、図３（Ａ）に示すように、ポリイミドで形成された絶縁体層１０１と導電体１２３を接合した基材１０１Ａを用意する。
【００４６】
次に、図３（Ｂ）に示すように、この基材１０１Ａの両側縁に金型を用いて一定間隔置きにスプロケットホール１０４を形成した後、レーザー加工または化学エッチング加工方法を用いて、単位毎のボンディング用ホール１０５、接続端子用ホール１０５Ａ、放熱用ホール１０６を形成する。
【００４７】
次に、ボンディング用ホール１０５及び接続用ホール１０５Ａ、放熱用ホール１０６に電解めっき法による銅めっきを行って、図３（Ｃ）に示すように、ボンディング用金属体１０７、接続端子用金属体１０７Ａ、放熱用金属体１０８を形成する。前記めっき法によらず、金属ペーストを充填して形成してもよく、例えば、タツタ  システム・エレクトロニクス（株）製の商品名「ＤＤペーストＡＥ１６５０」を用いるとよい。前記、ボンディング用金属体１０７、接続端子用金属体１０７Ａ、放熱用金属体１０８の表面には、後にニッケルめっき及び金めっきを施すが、金めっきの表面が絶縁体層１０１の裏面から僅かに突出するように、予めボンディング用金属体１０７、接続端子用金属体１０７Ａ、放熱用金属体１０８の量を設定する。
【００４８】
次に、導電体１２３にレジストを塗布し、更に単位毎に露光を行った後、現像、エッチング、レジスト除去などを行って、図３（Ｄ）に示すように絶縁体層１０１の表面に導体配線１０９、放熱用ダイパット１１０及び補強パターン１２４を形成する。
【００４９】
次に、図３（Ｅ）に示すように、導体配線１０９の一部や放熱用ダイパット１１０を残しその他の部分に、可撓性に優れたソルダーレジスト１１１をスクリーン印刷法などにより塗布した後、加熱硬化させて設ける。ソルダーレジスト１１１には、例えば、（株）アサヒ化学研究所製の商品名「ＣＣＲ−２４０ＧＳ−Ｔ」を用いてよい。この後、ニッケルめっき１１２を施し、更に金めっき１１３を施して、ボンディングパット部１２２及び放熱用ダイパット部１１０Ａを設けた、フレキシブルプリント配線板１１４を形成する。なおここで、前記ソルダーレジスト１１１は、ニッケルめっき１１２及び金めっき１１３の後に行ってもよい。
【００５０】
このようにして形成した、フレキシブルプリント配線板１１４の平面図を図４に示す。なお、図３（Ｅ）は、図４のＢ−Ｂ矢示断面図である。
【００５１】
次に、図７（Ａ）に示すように、前記フレキシブルプリント配線板１１４を搬送してアンビル１１８の上に位置決めし、半導体素子１１６を、図４に示すフレキシブルプリント配線板１１４の半導体素子搭載領域１２５に搭載する。この時、半導体素子１１６の裏面側が放熱用ダイパット部１１０Ａに当接するようにする。
【００５２】
そして、ワイヤーボンディング装置のキャピラリー（図示せず）とアンビル１１８を加熱してボンディングワイヤー１１７とボンディングパット部１２２を１８０℃程度に加熱し、キャピラリーに超音波周波数６０ｋＨｚ、加重６０ｇ程度を印加して、半導体素子１１６とボンディングワイヤー１１７及びボンディングパット部１２２とボンディングワイヤー１１７を接続する。
【００５３】
この構成によれば、第１の実施形態と同様に、ボンディングパット部１２２のボンディング点の直下には、ソルダーレジストが介在しないので、前記キャピラリーからの超音波振動が、ボンディングワイヤー１１７とボンディングパット部１２２の金めっき１１３に有効に作用し、高いボンディング性を得ることができる。
【００５４】
また、前記ボンディング用金属体１０７、接続端子用金属体１０７Ａ、放熱用金属体１０８は、前記めっき法によらず、金属ペーストを充填して形成してよいことも第１の実施形態と同様である。
【００５５】
そして次に、図７（Ｂ）に示すように、封止部材１１９で覆った後、図７（Ｃ）に示すように、半田ボール１２０を接続端子用金属体１０７Ａ及び放熱用金属体１０８に搭載する。その後、図７（Ｄ）に示すように、単位毎の個片に切り分けて半導体装置１２１を形成する。
【００５６】
前記、図７（Ｄ）に示す半導体装置１２１を形成した後、半導体装置１２１の接続端子用金属体１０７Ａおよび放熱用金属体１０８に搭載された半田ボール１２０を溶融し冷却して、外部の接続部品と電気的に接続する。このような構成によれば、第１の実施形態と同様に、半導体素子１１６の下方向には、別の伝熱経路があり、放熱効率を良くすることができる。
【００５７】
また、第１の実施形態と同様に、前記ボンディング用金属体１０７、接続端子用金属体１０７Ａ、放熱用金属体１０８は、前記めっき法によらず、金属ペーストを充填して形成しても、放熱効率を良くすることができる。
【００５８】
また、前記図７（Ｂ）の状態から半田ボール１２０を搭載しないで、単位毎の個片に切り分けて図８（Ａ）に示すような半導体装置を形成してもよい。この構成の場合、他の接続部品に半田めっきを施し、この半田めっきを用いて接続端子用金属体７Ａ及び放熱用金属体８と接続する。
【００５９】
また、前記図３（Ｂ）に示す接続端子用ホール１０５Ａ及び図３（Ｄ）に示す接続端子用金属体１０７Ａを形成しないようにして、図８（Ｂ）に示すように、ボンディング用金属体１０７に半田ボール１２０を搭載し、更に単位毎の個片に切り分けて半導体装置１２１を形成しても良い。この半田ボール１２０を用いて外部の接続部品と電気的に接続するようにする。放熱に関しては、前記と同様にボンディング用金属体１０７及び放熱用金属体１０８に搭載した半田ボール１２０を経由して他の接続部品に伝熱して放熱される。このような構造にすることでより安価な半導体装置１２１を形成することができる。
【００６０】
また、前記図３（Ｂ）に示す放熱用ホール１０６及び図３（Ｄ）に示す放熱用金属体１０８を形成しないようにして、フレキシブルプリント配線板を形成し、図８（Ｃ）に示すように、半導体素子１１６を搭載してから、封止部材１１９で覆った後、ボンディング用金属体１０７に半田ボール１２０を搭載し、更に単位毎の個片に切り分けて半導体装置１２１を形成してもよく、この半田ボール１２０を用いて外部の接続部品と電気的に接続するようにしてもよい。また、図示しないが前記放熱用金属体１０８は形成しないで、前記接続端子用金属体１０７Ａは設けるようにして、半導体装置１２１を形成してもよい。このような構造にすることで、より安価な半導体装置１２１を形成することができる。
【００６１】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【００６２】
ボンディングパット部やダイパット部は、例えば、実施形態において、導体配線９の一部のみによりボンディングパット部が構成されてもよいし、放熱用ダイパット１０のみにより放熱用ダイパット部が構成されたりしてもよい。
【００６３】
ボンディング用金属体及び接続端子用金属体は、双方が外部の接続部品への接続に利用されてよい。フレキシブルプリント配線板には、封止部材の収縮等によって半導体素子側へ反り返る力が加えられる。ボンディング用金属体及び接続端子用金属体の双方が他の接続部品に接続されることにより、この反り返る力に対抗する力が大きくなる。また、ボンディング用金属体及び接続端子用金属体の一方が他の接続部品から剥離しても他方が接続を維持することが期待される。すなわち、耐久性の向上が期待される。このような効果は、実施形態のように、ボンディング用金属体と、接続端子用金属体とが、半導体素子搭載領域の外周側から内周側への方向において隣接しているときに顕著となる。
【００６４】
なお、図６（Ａ）及び図８（Ａ）は、ボンディング用金属体及び接続端子用金属体の双方が外部の接続部品へ接続される態様を例示する図として捉えられてもよい。また、図５（Ｄ）及び図７（Ｄ）において、ボンディング用金属体７又は１０７に搭載される半田ボール２０又は１２０を追加すれば、ボンディング用金属体及び接続端子用金属体の双方が外部の接続部品へ接続される態様を例示する図となる。
【符号の説明】
【００６５】
１…絶縁体層、５…ボンディング用ホール、７…ボンディング用金属体、９…導体配線、１４…フレキシブル配線板、１６…半導体素子、１７…ボンディングワイヤー、２１…半導体装置、２２…ボンディングパット部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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