(57)【要約】      （修正有）【課題】凹凸が小さく滑らかな半円形状で抵抗の低い集電極を備えた曲線因子の高い太陽電池素子を提供する。【解決手段】半導体基板１０上にスクリーン印刷法により導電性ペースト８を複数回重ねて印刷して多層電極を形成するに際し、スクリーン印刷製版７を用いて一層目の電極を印刷した後、上記基板又はスクリーン印刷製版の位置を一層目の電極印刷時の基板又はスクリーン印刷製版位置より一層目の電極の長手方向に沿ってずらした状態で上記一層目の電極の直上にこれと重ねて二層目の電極を印刷し、更に必要により、三層目以降の電極を上記と同じ方向に順次ずらして印刷して多層電極を形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にスクリーン印刷法により導電性ペーストを複数回重ねて印刷して多層電極を形成するに際し、スクリーン印刷製版を用いて一層目の電極を印刷した後、上記基板又はスクリーン印刷製版の位置を一層目の電極印刷時の基板又はスクリーン印刷製版位置より一層目の電極の長手方向に沿ってずらした状態で上記一層目の電極の直上にこれと重ねて二層目の電極を印刷し、更に必要により、三層目以降の電極を上記と同じ方向に順次ずらして印刷して多層電極を形成する工程を具備することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。
【請求項２】
上記基板又はスクリーン印刷製版をずらす距離が８〜１５μｍである請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記導電性ペーストの粘度が、ブルックフィールド回転粘度計により、温度２５℃、１４号ロータ５ｒｐｍの条件での測定値として６００〜９００Ｐａ・ｓであり、かつ５０ｒｐｍの条件での測定値として１６０〜２００Ｐａ・ｓである請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
少なくとも一層目と二層目の電極を形成する際に同じメッシュの製版を使用することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項記載の製造方法によって得られる太陽電池素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池素子の製造方法及びこれにより得られる太陽電池素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、太陽電池素子は、図１に示す構造を有する。図１において、１は、大きさが１００〜１５０ｍｍ角、厚みが０．１〜０．３ｍｍの板状で、かつ、多結晶や単結晶シリコン等からなり、ボロン等のｐ型不純物がドープされたｐ型の半導体基板である。この基板１に、リン等のｎ型不純物をドープしてＮ層２を形成し、ＳｉＮなどの反射防止膜３をつけ、スクリーン印刷法を用いて、裏面に形成したＢＳＦ（Ｂａｃｋ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｆｉｅｌｄ）層４上に導電性アルミニウムペーストを印刷した後、乾燥・焼成して裏面電極５を形成し、表面に導電性銀ペーストを印刷後、乾燥して焼成し、集電極６を形成することで製造される。なお、以下、太陽電池素子の受光面側となる基板の面を表面、受光面側と反対側になる基板の面を裏面とする。
【０００３】
図２は、上述の太陽電池素子の製造方法で利用される導電性ペーストのスクリーン印刷工程を示す模式図である。製版７は集電極のパターン状に乳剤が抜かれており、その上に充填された導電性ペースト８を、印圧がかけられたスキージ９を移動させて基板１０上に転写することで集電極（表面電極）を形成する。
【０００４】
このようにして形成された集電極を図３に示す。（Ｉ）は斜視図であり、（ＩＩ）は（Ｉ）の一点鎖線で示す面に沿って切断した断面図である。また、図３中、１０は基板、１１は集電極であり、Ｄは集電極の長手方向を示す。上記のスクリーン印刷法では、図３（ＩＩ）に示すように、１回の印刷で形成される集電極１１の高さはメッシュの影響を受けて凹凸が発生し、不均一になる。このため、集電極の抵抗が高くなり、変換効率向上の妨げになっている。
【０００５】
集電極の抵抗を低く抑えるため、導電性ペーストの印刷を複数回重ねて行い、集電極のアスペクト比を高める手法が提案されている。しかし、印刷回数を増やすことで電極間のズレによるペーストのダレが生じる可能性が高まり、これはシャドーロスの増大による変換効率の低下につながるため問題である。この問題を回避するためには、使用する導電性ペーストの粘度を高くして、ペーストのダレによるシャドーロス増大を小さくするという手法が存在する。しかし、導電性ペーストの粘度を高くすると、複数回印刷を行っても前述の製版のメッシュによる集電極の凹凸の影響が強く残ってしまい、集電極の厚みのばらつきが大きくなるという問題が存在する。
【０００６】
この問題を回避するために、例えば、特許文献１（特開２００７−２４３２３０号公報）には、導電性ペーストを複数回重ねて印刷することで、凹凸を低減させて平坦化した集電極を形成し、特性を向上させる方法が開示されている。
【０００７】
特許文献１の方法においては、導電性ペーストを複数回重ねて印刷する際に、異なるメッシュの製版を用いて重ねると、大きく特性が向上すると報告されている。しかし、異なるメッシュの製版同士は、印圧を加えられた際の伸び方が異なるため、多層電極を形成するにつれて集電極間のズレが発生しやすくなる。これはシャドーロスにつながるため、特性低下の原因になる。
【０００８】
また特許文献１の方法においては、導電性ペーストを複数回重ねて印刷する際に、同じメッシュの製版を用いて重ねても特性が向上すると報告されている。しかし、異なるメッシュを使用したときより特性の向上幅が小さくなってしまうという不具合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−２４３２３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、表面の凹凸が低減され、抵抗が低く、アスペクト比の高い集電極（表面電極）を形成することで変換効率を向上させた太陽電池素子の製造方法及びこれによって得られた太陽電池素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、半導体基板上にスクリーン印刷法により導電性ペーストを複数回重ねて印刷して多層電極を形成するに際し、スクリーン印刷製版を用いて一層目の電極を印刷した後、上記基板又はスクリーン印刷製版の位置を一層目の電極印刷時の基板又はスクリーン印刷製版位置より一層目の電極の長手方向に沿ってずらした状態で上記一層目の電極の直上にこれと重ねて二層目の電極を印刷し、更に必要により、三層目以降の電極を上記と同じ方向に順次ずらして印刷することで、二層電極の場合、一層目と二層目のメッシュ痕による凹凸が打ち消しあって影響が小さくなり、厚みのばらつきが抑えられ、低抵抗な電極を形成することができ、この電極を太陽電池素子の受光面電極として用いることで、変換効率の高い太陽電池素子を得ることができることを見出し、本発明をなすに至った。
【００１２】
即ち、本発明は、下記の太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子を提供する。
〔請求項１〕
半導体基板上にスクリーン印刷法により導電性ペーストを複数回重ねて印刷して多層電極を形成するに際し、スクリーン印刷製版を用いて一層目の電極を印刷した後、上記基板又はスクリーン印刷製版の位置を一層目の電極印刷時の基板又はスクリーン印刷製版位置より一層目の電極の長手方向に沿ってずらした状態で上記一層目の電極の直上にこれと重ねて二層目の電極を印刷し、更に必要により、三層目以降の電極を上記と同じ方向に順次ずらして印刷して多層電極を形成する工程を具備することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。
〔請求項２〕
上記基板又はスクリーン印刷製版をずらす距離が８〜１５μｍである請求項１記載の製造方法。
〔請求項３〕
前記導電性ペーストの粘度が、ブルックフィールド回転粘度計により、温度２５℃、１４号ロータ５ｒｐｍの条件での測定値として６００〜９００Ｐａ・ｓであり、かつ５０ｒｐｍの条件での測定値として１６０〜２００Ｐａ・ｓである請求項１又は２記載の製造方法。
〔請求項４〕
少なくとも一層目と二層目の電極を形成する際に同じメッシュの製版を使用することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の製造方法。
〔請求項５〕
請求項１乃至４のいずれか１項記載の製造方法によって得られる太陽電池素子。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、二層目以降の集電極を印刷する際、好ましくは製版の線径（例えば、３２５メッシュの場合は２８μｍ）の２分の１（＝１４μｍ）だけ、意図的に基板又はスクリーン印刷板を集電極の長手方向に沿って移動させて印刷している。これにより、一層目の電極に発生しているメッシュ痕が二層目の電極印刷時に押しつぶされることになる。従って、形成された集電極に発生する厚みの凹凸の影響が、移動させずに一層目の集電極の上にそのまま二層目の集電極を印刷した場合に比べて小さくなり、滑らかな半円形状の抵抗の低い集電極を形成することができる。そのため、曲線因子の高い太陽電池素子を作ることができる。
【００１４】
また、高粘度のペーストを用いて同一メッシュの製版を使用してスクリーン印刷を複数回、通常２〜７回行うため、印圧がかけられた際に生じる製版間の伸び方の差を最小にとどめ、かつ電極間のズレ、ペーストのダレによるシャドーロスの発生を最小限に抑え、かつ正確にアスペクト比を高くすることができる。更に、通常のスクリーン印刷で形成された集電極は、凹凸があるため、電極に入射した光は反射されてしまう。しかし、本発明により形成された滑らかな半円形状の集電極は、光が照射されると反射して太陽電池素子の反射防止膜上に入射させることが可能になる。これにより、太陽電池素子の短絡電流も上昇し、変換効率の更なる上昇を可能とする。
【００１５】
また、この集電極の複数回印刷において、各印刷に用いられるペーストの種類は異なっていてもよい。また、この集電極の複数回印刷において、一層目と二層目、二層目と三層目、それ以降などで重ねて印刷する際のずらし量を少しずつ変えていてもよい。これにより、更に凹凸の発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】太陽電池素子の構造の一例を示す断面図である。
【図２】スクリーン印刷工程を説明する模式図であり、（Ｉ）は印刷前、（ＩＩ）は印刷後の図である。
【図３】従来の集電極を示し、（Ｉ）は斜視図であり、（ＩＩ）は（Ｉ）の一点鎖線で示す面に沿って切断した断面図を示す。
【図４】従来の二層集電極を示し、（Ｉ）は斜視図であり、（ＩＩ）は（Ｉ）の一点鎖線で示す面に沿って切断した断面図を示す。
【図５】本発明の二層集電極を示し、（Ｉ）は斜視図であり、（ＩＩ）は（Ｉ）の一点鎖線で示す面に沿って切断した断面図を示す。
【図６】従来の二層集電極の他の例を示し、（Ｉ）は斜視図であり、（ＩＩ）は（Ｉ）の一点鎖線で示す面に沿って切断した断面図を示す。
【図７】本発明の二層集電極の他の例を示し、（Ｉ）は斜視図であり、（ＩＩ）は（Ｉ）の一点鎖線で示す面に沿って切断した断面図を示す。
【図８】基板をずらした距離と曲線因子（ＦＦ）との関係を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の太陽電池素子の製造方法は、半導体基板上にスクリーン印刷法により導電性ペーストを複数回重ねて印刷して多層電極を形成するに際し、スクリーン印刷製版を用いて一層目の電極を印刷した後、上記基板又はスクリーン印刷製版の位置を一層目の電極印刷時の基板又はスクリーン印刷製版位置より一層目の電極の長手方向に沿ってずらした状態で上記一層目の電極の直上にこれと重ねて二層目の電極を印刷し、更に必要により、三層目以降の電極を上記と同じ方向に順次ずらして印刷して多層電極を形成する工程を有することを特徴とする。
【００１８】
本発明に係る太陽電池素子の製造方法によって作製される太陽電池素子は、図１に示すように、太陽電池本体である半導体基板１と、この基板の片面に形成されたこれとは異なる導電型の不純物層２と、この不純物層上に形成された反射防止膜３と、裏面電極５と、ＢＳＦ（Ｂａｃｋ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｆｉｅｌｄ）層４と、表面の集電極６とを備える。半導体基板としては、ｐ型又はｎ型単結晶シリコン基板、ｐ型又はｎ型多結晶シリコン基板、ｐ型又はｎ型薄膜シリコン基板、非シリコン系の化合物半導体基板等の半導体基板を用いることができる。不純物層は、半導体基板の導電型とは異なる導電型のものであればよい。
【００１９】
一例を示すと、まず、ホウ素、ガリウムのようなＩＩＩ族元素をドープしたｐ型シリコン基板等の半導体基板を準備する。これは多結晶でも単結晶でもよく、上記したように大きさが１００〜１５０ｍｍ角、厚みが０．１〜０．３ｍｍの板状のものが好適に用いられる。そして、太陽電池素子の受光面となる基板の表面に、例えば酸性溶液中に浸漬してから、更にアルカリ溶液で化学エッチングして洗浄、乾燥することで、テクスチャとよばれる凹凸構造を形成する。凹凸構造は、太陽電池素子受光面において光の多重反射を生じさせる。そのため、凹凸構造を形成することにより、実効的に反射率が低減し、変換効率が向上する。
【００２０】
テクスチャの形成は、加熱した水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ溶液（濃度数質量％から数十質量％、温度６０〜１００℃）中に１０〜３０分程度浸漬することで、容易に作製される。上記溶液中に、所定量の２−プロパノール等を溶解させ、反応を促進させることが多い。均一なテクスチャ形成のためには、６０〜７０℃に加熱した濃度数質量％の水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム溶液中に、数質量％の２−プロパノールを混合した溶液を用いるのが好ましい。
【００２１】
テクスチャ形成後、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸等の無機酸を一種単独で又は二種以上を併用した混合液の酸性水溶液中で洗浄する。経済的及び効率的見地から、塩酸中での洗浄が好ましい。清浄度を向上させるため、塩酸溶液中に、数質量％の過酸化水素を混合し、６０〜９０℃で１〜３０分間加温して洗浄してもよい。
【００２２】
次に、例えばＰＯＣｌ3などを含む、約８００℃以上の高温ガス中にｐ型シリコン基板を設置し、ｐ型シリコン基板の表面全面にリン等のｎ型不純物元素を拡散させる熱拡散法により、ｎ型拡散層を表面に形成する。ｎ型拡散層の深さは０．２〜１．０μｍが好ましく、シート抵抗は４０〜１５０Ω／□が好ましい。なお、ｎ型拡散層を熱拡散により形成する場合には、ｐ型シリコン基板の両面及び端面にもｎ型拡散層が形成されることがあるが、この場合には、必要なｎ型拡散層の表面を耐酸性樹脂で被覆してフッ硝酸溶液中にｐ型シリコン基板を浸漬することによって、不要なｎ型拡散層を除去することができる。
なお、この行程は、上記気相拡散法以外にも、拡散剤によるスピンコート法、スプレー法等により行うことができる。
【００２３】
この後、表面の反射防止膜の形成を行う。反射防止膜には、酸化シリコンをはじめ、酸化セリウム、アルミナ、二酸化錫、二酸化チタン、酸化タンタル等の酸化物や、窒化シリコン、フッ化マグネシウム等の無機物からなる膜や、これらのうちの二種を組み合わせた二層膜が使用され、いずれを用いても問題ない。反射防止膜形成には、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等が用いられ、いずれの方法でも可能である。例えば、アンモニア、シラン、窒素、水素などを用いたプラズマＣＶＤ法などにより、基板の表面に反射防止膜ＳｉＮを形成することができる。
【００２４】
次いで、裏面に、例えばアルミニウムとガラスフリットとワニスなどを含む導電性ペーストをスクリーン印刷し、乾燥させて厚さ２０〜８０μｍの裏面電極を形成する。この場合のスクリーン印刷に使用する版のメッシュは限定されない。また、金属層の堆積は、スパッタリング法、真空蒸着法で行ってもよい。通常、電極金属は裏面に一様に形成する。
【００２５】
しかる後、表面に、例えば銀とガラスフリットとワニスなどを含む導電性ペーストをスクリーン印刷し、１３０〜２５０℃で乾燥させて一層目の集電極を形成する。この場合のスクリーン印刷に使用する版のメッシュの組織は、平織、綾織等で、経糸及び緯糸の数が均等に織られたものが好ましく、２００〜５００メッシュ（メッシュ数（糸の本数／インチ））、より好ましくは２３０〜３６０メッシュがよい。メッシュ数が少なすぎると太い線径が製版の集電極の開口を跨ぎ、導電性ペーストの吐出量が少なくなる場合があり、多すぎると製版のスクリーン厚自体が薄くなることから、導電性ペーストの吐出量が少なくなって集電極の膜厚が薄くなり、抵抗が高くなる場合がある。
【００２６】
また、メッシュの線径（線幅）は、太すぎると製版の集電極の開口を跨ぐので集電極にメッシュ痕が残ってしまうが、一方で細すぎると製版の耐久性が悪化してしまう点から、１８〜４０μｍ、特に２４〜３０μｍであることが好ましく、厚さは、厚すぎると導電性ペーストがパターンの開口の壁との摩擦で吐出しにくくなってしまうが、一方で薄すぎると導電性ペーストの吐出量が少なくなって集電極の膜厚が薄くなり、抵抗が高くなってしまう点から４２〜９８μｍ、特に４８〜７３μｍであることが好ましい。
具体的には、３２５メッシュ（線径２８μｍ）、厚みは５９μｍのものを好適に用いることができる。
【００２７】
その後、一層目の集電極を形成した際と同じメッシュの製版を使用して、前記集電極直上に正確に重なるように、基板のアライメントを行うことが好ましい。そして、例えば製版に使用しているメッシュの線径の半分だけ、具体的には８〜１５μｍ、好ましくは１０〜１４μｍ集電極の長手方向に沿って更に基板を移動させてから、導電性ペーストを一層目の電極に重ねて印刷して、二層目の電極を形成し、更に６５０〜９００℃で焼成を行う。
【００２８】
本発明においては、このようにして形成された二層電極上に三層目以降を更に重ねて形成してもよい。この場合、既に形成された二層電極の長手方向に沿って上記と同じ方向に６〜１２μｍ、特に７〜８μｍずらして三層目以降を順次形成することが好ましい。得られる電極のアスペクト比は、０．３〜１程度であることが形成された滑らかな半円形状の集電極上に当たった光が、反射して太陽電池素子の反射防止膜上に入射させることが可能になる割合が大きくなる点から好ましい。
【００２９】
ここで、一層目と二層目、更に必要により形成する三層目以降に使用する導電性ペーストは同じであっても異なっていてもよいが、ブルックフィールド回転粘度計により、温度２５℃、１４号ロータ５ｒｐｍの条件で測定した粘度が６００〜９００Ｐａ・ｓであり、かつ５０ｒｐｍの条件で測定した粘度が１６０〜２００Ｐａ・ｓであることが好ましい。粘度がこれより小さすぎると印刷時に吐出した導電性ペーストがダレてしまい、アスペクト比が小さくなる場合があり、大きすぎると製版の開口の壁と導電性ペーストの摩擦が大きくなり、吐出量が少なくなる場合がある。
【００３０】
表面の集電極の形成に用いられる導電性ペーストとして、具体的には、銀等の金属粒子を６０〜９５質量％、特に７０〜９０質量％含有するものが好ましい。
【００３１】
ガラスフリットとしてはＢ−Ｐｂ−Ｏ系、Ｂ−Ｓｉ−Ｐｂ−Ｏ系、Ｂ−Ｓｉ−Ｂｉ−Ｐｂ−Ｏ系、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｂ−Ｓｉ−Ｐｂ−Ａｌ−Ｏ系のもので、例えば、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3等の酸化物を用いることができ、導電性ペースト中に０．１〜１５質量％、特に１〜１０質量％含有するものが好ましい。
【００３２】
ワニスとしては、エチルセルロースやニトロセルロース等が挙げられ、導電性ペースト中に１〜２５質量％、特に２〜２０質量％含有するものが好ましい。
【００３３】
導電性ペースト中には、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、αテルピネオール等の有機溶媒が１〜１５質量％の割合で含まれることが好ましく、上述した成分以外にもジブチルカルビトール、ヘキシレングリコール、テキサノール等を含有することができる。
【００３４】
こうして多層集電極を形成する場合に、意図的なアライメントのずらしを行わない通常の印刷で二層目の電極を重ねてできる集電極を図４に示す。（Ｉ）は斜視図であり、（ＩＩ）は（Ｉ）の一点鎖線で示す面に沿って切断した断面図である。一層目１３と二層目１４で同じメッシュの製版を使う場合、メッシュ痕の影響が増幅され、凹凸が大きくなり、集電極の抵抗が小さくならない。
【００３５】
そこで、本発明を適用して形成された多層集電極を図５に示す。一層目１６と二層目１７からなる集電極のメッシュ痕による凹凸同士が打ち消しあって影響が小さくなり、厚みのばらつきが抑えられると同時に、形成された電極の形状は滑らかな半円形状になる。従って、曲線因子の向上幅がそのまま二層目の集電極を一層目の集電極の直上に重ねて印刷したときより大きくなる。また、図６に示すように、通常の多層印刷で形成された集電極１８は、メッシュ痕の影響で集電極に入射した光１９を反射してしまい（反射光２０）有効利用できないが、図７に示すように、本発明を適用して形成された多層集電極２１は、半円形状の集電極に光が入射する（入射光１９）と反射防止膜上に反射するため（反射光２０）、短絡電流の向上も見込める。
【００３６】
なお、図５に示すように、本発明を適用して形成された多層集電極の長さは、一層目の集電極の長さ自体より長くなってしまう。これを見越して、製版のパターンにおける集電極の長さを、あらかじめずらし量分だけ短くしておいてもよい。
【００３７】
こうして形成される本発明の電極の形状としては、櫛形、魚骨形、渦巻き形等使用用途により適宜選定することができる。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００３９】
［実施例１］
まず、ボロンがドープされ、厚さ０．２ｍｍにスライスして作製された比抵抗が約１Ω・ｃｍのｐ型の多結晶シリコンからなるｐ型シリコン基板に外径加工を行うことによって、一辺１５ｃｍの正方形の板状とした。そして、このｐ型シリコン基板をフッ硝酸溶液中に１５秒間浸漬させ、更にアルカリ溶液で５分間化学エッチングした後に純水で洗浄し、乾燥させることで、ｐ型シリコン基板表面にテクスチャ構造を形成した。
次に、このｐ型シリコン基板に対し、ＰＯＣｌ3ガス雰囲気中において、８７０℃の温度で３０分間の条件で熱拡散法により、ｐ型シリコン基板にｎ層を形成した。ここで、ｎ層のシート抵抗は約４０Ω／□であった。そして、ｎ層上に耐酸性樹脂を形成した後に、ｐ型シリコン基板をフッ硝酸溶液中に１０秒間浸漬することによって、耐酸性樹脂が形成されていない部分のｎ層を除去した。その後、耐酸性樹脂を除去することによって、ｐ型シリコン基板の表面のみにｎ層を形成した。続いて、アンモニアガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、ｐ型シリコン基板のｎ層が形成されている表面上に、反射防止膜となるＳｉＮを厚さ１００ｎｍで形成した。
【００４０】
次いで、反射防止膜が形成された基板の裏面に、導電性アルミニウムペーストを印刷し、１５０℃で乾燥させた。その後、表面にスクリーン印刷法を用いて、ブルックフィールド回転粘度計により、温度２５℃、１４号ロータ５ｒｐｍの条件で測定した粘度が７２０Ｐａ・ｓ、かつ５０ｒｐｍの条件で測定した粘度が１７５Ｐａ・ｓである銀ペーストを用いて、３２５メッシュ（線径２８μｍ）の製版を用いて一層目の集電極を形成し、１５０℃で乾燥させた。次に、同じ３２５メッシュの製版を用いて、前記集電極直上に正確に重なるように、基板のアライメントを行った。そして、１４μｍだけ集電極と平行方向に（集電極に沿って）更に基板を移動させて、導電性ペーストを重ねて印刷して、再度１５０℃で乾燥させた後、最高温度８００℃で焼成して集電極を形成した。
【００４１】
その結果、図５に示すように電極のメッシュ痕による凹凸がなくなり、厚みのばらつきが抑えられると同時に、より滑らかな半円形状の電極を形成することができた。表１に、上記方法でスクリーン印刷を行った際の太陽電池特性と、電極厚みのばらつきの差を示す。なお、短絡電流、曲線因子、開放電圧、変換効率は（株）エヌ・ピー・シー製セルテスターにより測定し、電極厚さは（株）キーエンス製レーザー顕微鏡により測定した。
【００４２】
［比較例１］
一層目と二層目の意図的なずらしを行わない以外は実施例１と同様にして二層電極形成を行った。実施例１と同様に測定した太陽電池特性と、電極厚みのばらつきの差を表１に示す。
【００４３】
【表１】
2011061109.tif 000003
【００４４】
表１に示すように、本発明によるスクリーン印刷方法を用いると、電極厚みのばらつきを抑え、太陽電池特性の上昇が見込める。
【００４５】
［実施例２〜４］
表２に示すように、基板を移動させる距離を変えて二層目の印刷を行った以外は実施例１と同様にそれぞれ集電極を形成し、太陽電池特性を測定した。結果を表２に併記する。また、図８に基板をずらした距離と曲線因子（ＦＦ）との関係を表すグラフを示す。
【００４６】
【表２】
2011061109.tif 000004
【００４７】
表１，２に示すように、本発明によるスクリーン印刷方法を用いると、曲線因子が７８％以上であり、充分な値であった。
【符号の説明】
【００４８】
１  半導体基板（ｐ型シリコン基板）
２  不純物層（Ｎ層）
３  反射防止膜
４  ＢＳＦ層
５  裏面電極
６  表面電極（集電極）
７  製版
８  導電性ペースト
９  スキージ
１０  基板
１５  表面電極（多層集電極）
１６  一層目電極
１７  二層目電極
１９  入射光
２０  反射光
２１  表面電極（多層集電極）
Ｄ  長手方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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