(57)【要約】【課題】光導波路と近接場光発生部とを精度よく位置決めして、光導波路において伝送される光を近接場光発生部に確実に照射することのできる回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】金属支持基板１１、その上に形成されるベース絶縁層１２およびその上に形成される導体パターン１３を備える回路基板２と、それに設けられる光導波路１９とを備える回路付サスペンション基板１において、光導波路１９には、位置決めマーク５０を設け、光導波路１９と近接場光発生部３５とを、位置決めマーク５０を用いて位置決めする。【選択図】図７
2011086353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板、前記金属支持基板の上に形成される絶縁層および前記絶縁層の上に形成される導体層を備える回路基板と、
前記回路基板に設けられる光導波路とを備え、
前記光導波路には、前記光導波路と、前記光導波路から照射される光によって近接場光を発生させるための近接場光発生部とを位置決めするための位置決め部が設けられていることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
前記光導波路は、
アンダークラッド層と、
前記アンダークラッド層の上に形成されるコア層と、
前記コア層の上に形成され、前記コア層の厚み方向に投影したときに、前記コア層に含まれるオーバークラッド層と
を備えることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項３】
前記位置決め部が、前記オーバークラッド層と間隔を隔てて配置されていることを特徴とする、請求項２に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項４】
前記オーバークラッド層は、長手方向に延び、その長手方向と直交する方向の幅が、１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項２または３に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項５】
前記近接場光発生部は、磁気ヘッドを実装するヘッドスライダに設けられていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の回路付サスペンション基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の回路付サスペンション基板の前記光導波路と、前記近接場光発生部とを、前記位置決め部を用いて、位置決めすることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
【請求項７】
金属支持基板、前記金属支持基板の上に形成される絶縁層および前記絶縁層の上に形成される導体層を備える回路基板を用意する工程、および、
アンダークラッド層と、前記アンダークラッド層の上に形成されるコア層と、前記コア層の上に形成され、前記コア層の厚み方向に投影したときに、前記コア層に含まれるオーバークラッド層と、前記オーバークラッド層と間隔を隔てて配置され、照射される光によって近接場光を発生させるための近接場光発生部と位置決めするための位置決め部とを備える光導波路を、前記回路基板に設ける工程を備え、
前記光導波路を前記回路基板に設ける工程では、
感光性の皮膜を前記コア層の上に形成する工程、および、
前記皮膜を、１枚のフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記オーバークラッド層および前記位置決め部を同時に形成する工程
を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板およびその製造方法、詳しくは、光アシスト法が採用されるハードディスクドライブなどに搭載される回路付サスペンション基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ハードディスクなどに対する磁気記録方式として、情報の記録時において、近接場光の照射によりハードディスクを加熱して、その保磁力を低下させた状態で、磁気ヘッドによって情報を記録することにより、その情報を小さな記録磁界で高密度に記録できる光アシスト法（光アシスト磁気記録方式）が知られている。
例えば、光アシスト法を採用する光アシスト磁気記録装置では、サスペンションと、その上に形成される光導波路（第２光導波路）とを備える熱アシスト磁気記録ヘッドを、浮上スライダに支持させることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、浮上スライダには、第２光導波路と異なる光導波路（第１光導波路）およびその下側に配置される近接場光発生部が設けられており、第２光導波路の端部を、第１光導波路の上端部に対向配置させることにより、第２光導波路において伝送される光が、第１光導波路を通過し、近接場光発生部に照射され、これによって、ハードディスクを加熱するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１８５５４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかるに、特許文献１に記載される熱アシスト磁気記録ヘッドでは、第２光導波路と第１光導波路とを精度よく配置することできない場合には、第２光導波路から第１光導波路を介した近接場光発生部への光の照射が不十分となる。そのため、近接場光発生部によるハードディスクの加熱が不十分となるため、ハードディスクに対して情報を高密度に記録できないという不具合がある。
【０００６】
本発明の目的は、光導波路と近接場光発生部とを精度よく位置決めして、光導波路において伝送される光を近接場光発生部に確実に照射することのできる回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持基板、前記金属支持基板の上に形成される絶縁層および前記絶縁層の上に形成される導体層を備える回路基板と前記回路基板に設けられる光導波路とを備え、前記光導波路には、前記光導波路と、前記光導波路から照射される光によって近接場光を発生させるための近接場光発生部とを位置決めするための位置決め部が設けられていることを特徴としている。
【０００８】
この回路付サスペンション基板によれば、位置決め部によって、光導波路と近接場光発生部とを精度よく位置決めすることができる。そのため、光導波路において伝送される光を近接場光発生部に確実に照射することができ、ハードディスクを十分に加熱することができる。
その結果、ハードディスクに対して情報を高密度に記録して、光アシスト法を確実に実施することができる。
【０００９】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記光導波路は、アンダークラッド層と、前記アンダークラッド層の上に形成されるコア層と、前記コア層の上に形成され、前記コア層の厚み方向に投影したときに、前記コア層に含まれるオーバークラッド層とを備えることが好適である。
この回路付サスペンション基板では、コア層において、オーバークラッド層の下側に対向する部分に光を照射すれば、かかる光を伝送できるパスがオーバークラッド層に沿って形成される。また、オーバークラッド層は、厚み方向において容易に視認することができる。
【００１０】
そのため、位置決め部に対するパスの相対配置を容易に認識することができる。その結果、パスと近接場光発生部とを精度よく位置決めすることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記位置決め部が、前記オーバークラッド層と間隔を隔てて配置されていることが好適である。
この回路付サスペンション基板では、位置決め部が、オーバークラッド層と間隔を隔てて配置されているので、位置決め部に対するパスの相対配置のずれを容易に認識することができる。
【００１１】
そのため、パスと近接場光発生部とをより一層精度よく位置決めすることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記オーバークラッド層は、長手方向に延び、その長手方向と直交する方向の幅が、１０μｍ以下であることが好適である。
この回路付サスペンション基板では、オーバークラッド層の幅が特定の範囲にあるので、パスを、シングルモード分布で構成することができる。そのため、光導波路において伝送される光を、シングルモードの光として、近接場光発生部に確実かつ効率的に照射することができ、ハードディスクを確実かつ効率的に加熱することができる。
【００１２】
その結果、光アシスト法を確実かつ効率的に実施することができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記近接場光発生部は、磁気ヘッドを実装するヘッドスライダに設けられていることが好適である。
この回路付サスペンション基板では、ヘッドスライダが、近接場光発生部および磁気ヘッドを実装している。そのため、光アシスト法を、確実に実施することができる。
【００１３】
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、上記した回路付サスペンション基板の前記光導波路と、前記近接場光発生部とを、前記位置決め部を用いて位置決めすることを特徴としている。
この方法によれば、光導波路と近接場光発生部とを、位置決め部によって精度よく位置決めできるので、光導波路において伝送される光を近接場光発生部に確実に照射することができ、ハードディスクを十分に加熱することができる。
【００１４】
その結果、ハードディスクに対して情報を高密度に記録して、光アシスト法を確実に実施することができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持基板、前記金属支持基板の上に形成される絶縁層および前記絶縁層の上に形成される導体層を備える回路基板を用意する工程、および、アンダークラッド層と、前記アンダークラッド層の上に形成されるコア層と、前記コア層の上に形成され、前記コア層の厚み方向に投影したときに、前記コア層に含まれるオーバークラッド層と、前記オーバークラッド層と間隔を隔てて配置され、照射される光によって近接場光を発生させるための近接場光発生部と位置決めするための位置決め部とを備える光導波路を、前記回路基板に設ける工程を備え、前記光導波路を前記回路基板に設ける工程では、感光性の皮膜を前記コア層の上に形成する工程、および、前記皮膜を、１枚のフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記オーバークラッド層および前記位置決め部を同時に形成する工程を備えることを特徴としている。
【００１５】
この方法によれば、１枚のフォトマスクを介した露光によりオーバークラッド層および位置決め部を形成して、それらを精度よく相対配置させることができる。
そのため、パスと近接場光発生部とを、より一層精度よく位置決めすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の回路付サスペンション基板およびその製造方法によれば、ハードディスクに対して情報を高密度に記録して、光アシスト法を確実に実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の平面図を示す。
【図２】図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の幅方向に沿う断面図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。
【図３】図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の長手方向に沿う断面図であって、図１のＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。
【図４】図４は、図１に示す回路付サスペンション基板の光導波路の先端部の拡大斜視図を示す。
【図５】図５は、図２に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明する断面図であって、（ａ）は、回路基板を用意する工程、（ｂ）は、アンダークラッド層を形成する工程、（ｃ）は、コア層を形成する工程、（ｄ）は、感光性の皮膜を形成する工程を示す。
【図６】図６は、図５に引き続き、図２に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明する断面図であって、（ｅ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｆ）は、皮膜を現像して、オーバークラッド層を形成する工程、（ｇ）は、開口部およびスリット部を形成する工程を示す。
【図７】図７は、ヘッドスライダの光導波路に対する位置決めを説明する斜視図を示す。
【図８】図８は、ヘッドスライダが位置決めされた回路付サスペンション基板の断面図を示す。
【図９】図９は、ヘッドスライダの、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態の光導波路（位置決めマークが形成されない態様）に対する位置決めを説明する斜視図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の幅方向（長手方向に直交する方向）に沿う断面図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図、図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の長手方向に沿う断面図であって、図１のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図４は、図１に示す回路付サスペンション基板の光導波路の先端部の拡大斜視図、図５および図６は、図２に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明する断面図、図７は、ヘッドスライダの回路付サスペンション基板に対する位置決めを説明する斜視図、図８は、ヘッドスライダが位置決めされた回路付サスペンション基板の断面図を示す。
【００１９】
なお、図１および図３において、後述するベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４は、後述する導体パターン１３および光導波路１９の相対配置を明確に示すために、省略している。また、図７において、導体パターン１３は、光導波路１９の相対配置を明確に示すために、省略している。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、回路基板２と、回路基板２に設けられる光アシスト部１８とを備えている。
【００２０】
回路基板２では、ハードディスクドライブにおける磁気ヘッド４４（図８参照）を実装して、その磁気ヘッド４４を、磁気ヘッド４４とハードディスク２６（図８参照）とが相対的に走行するときの空気流に抗して、ハードディスク２６との間に微小な間隔を保持しながら支持するための金属支持基板１１に、外部回路基板（例えば、リード・ライト基板など、図３の破線参照）２５と磁気ヘッド４４とを接続するための導体パターン１３が一体的に形成されている。
【００２１】
回路基板２は、回路付サスペンション基板１の外形形状に対応するように形成され、長手方向に延びる平帯状に形成されており、長手方向一方側（以下、後側という。）に配置される配線部３と、配線部３の長手方向他方側（以下、先側という。）に配置されるジンバル部４とを一体的に備えている。
配線部３は、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。
【００２２】
ジンバル部４は、配線部３の先端から連続して形成され、配線部３に対して幅方向両外側に膨出する平面視略矩形状に形成されている。また、ジンバル部４には、平面視において先側に向かって開く略Ｕ字状のスリット部５が形成されている。また、ジンバル部４は、スリット部５に幅方向において挟まれるタング部６と、スリット部５の幅方向両外側に配置されるアウトリガー部８と、タング部６およびアウトリガー部８の先側に配置される配線折返部３３とを一体的に備えている。
【００２３】
タング部６は、平面視略矩形状に形成されており、搭載部９と、端子形成部１０とを備えている。
搭載部９は、ヘッドスライダ２７を搭載するための領域（図１の破線の領域）であって、平面視において、タング部６の長手方向後側および中央に配置されており、平面視略矩形状に形成されている。また、搭載部９は、台座４０を備えている。
【００２４】
台座４０は、ヘッドスライダ２７（図８参照）を支持するために設けられており、搭載部９の長手方向ほぼ全体にわたり、幅方向において後述する光導波路１９が設けられる間隔を隔てて複数（２個）配置されている。各台座４０は、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。
端子形成部１０は、後述するヘッド側端子１７が形成される、幅方向に沿って延びる平面視略形状をなす領域であって、搭載部９の先側に配置されている。また、端子形成部１０には、開口部７が形成されている。
【００２５】
開口部７は、金属支持基板１１を厚み方向に貫通するように平面視略矩形状に形成されており、端子形成部１０における幅方向中央に形成されている。
導体パターン１３は、外部側端子１６と、ヘッド側端子１７と、外部側端子１６およびヘッド側端子１７を接続するための信号配線１５とを、一体的に連続して備えている。
信号配線１５は、回路基板２の長手方向に沿って複数（６本）設けられ、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
【００２６】
複数の信号配線１５は、幅方向一方側に配置される３本の一方配線１５ａと、幅方向他方側に配置される３本の他方配線１５ｂとを備えている。信号配線１５は、配線部３において、長手方向に沿って延び、ジンバル部４において、アウトリガー部８に沿って延び、配線折返部３３に至った後、幅方向内側に延び、さらに後側に折り返されて、端子形成部１０におけるヘッド側端子１７の先端部に至るように配置されている。
【００２７】
外部側端子１６は、配線部３の後端部に配置され、各配線１５の後端部がそれぞれ接続されるように、複数（６つ）設けられている。また、この外部側端子１６は、幅方向に間隔を隔てて配置されている。この外部側端子１６には、外部回路基板２５（図３の破線）の端子が接続される。
ヘッド側端子１７は、ジンバル部４に配置され、より具体的には、タング部６の端子形成部１０に配置されている。ヘッド側端子１７は、各信号配線１５の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（６つ）設けられている。
【００２８】
より具体的には、ヘッド側端子１７は、端子形成部１０の後端縁（搭載部９の先端縁）に沿うように、幅方向において互いに間隔を隔てて配置されている。このヘッド側端子１７には、磁気ヘッド４４（図８）の端子が接続される。
そして、この回路基板２は、図２に示すように、金属支持基板１１と、金属支持基板１１の上に形成されるベース絶縁層１２と、ベース絶縁層１２の上に形成される導体層としての導体パターン１３と、ベース絶縁層１２の上に、導体パターン１３を被覆するように形成されるカバー絶縁層１４とを備えている。
【００２９】
金属支持基板１１は、図１〜図３に示すように、回路基板２の外形形状に対応して形成されている。
ベース絶縁層１２は、金属支持基板１１の上面において、配線部３およびジンバル部４における導体パターン１３が形成される位置に対応するように形成されている。また、ベース絶縁層１２は、金属支持基板１１の上面において、後述する光導波路１９が形成される領域が確保されるように配置されている。また、ベース絶縁層１２は、配線部３において、後述する供給配線３０および供給端子３１が形成される位置に対応するように形成されている。
【００３０】
導体パターン１３は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置されており、厚み方向に投影したときに、ベース絶縁層１２に含まれるように配置されている。また、導体パターン１３は、ベース絶縁層１２の上面において、外部側端子１６とヘッド側端子１７と信号配線１５とを一体的に連続して備える配線回路パターンとして形成されている。
カバー絶縁層１４は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置され、ベース絶縁層１２の上面において、信号配線１５が形成される位置に対応するように配置されている。また、ベース絶縁層１２は、外部側端子１６およびヘッド側端子１７が露出し、信号配線１５を被覆するように形成されている。
【００３１】
光アシスト部１８は、光導波路（第１光導波路）１９と、発光素子２０とを備えている。
光導波路１９は、回路基板２に設けられており、配線部３およびジンバル部４にわたって、信号配線１５と間隔を隔てて配置されている。具体的には、光導波路１９は、金属支持基板１１の上面において、金属支持基板１１の幅方向中央位置に配置され、長手方向に沿って延びる平面視直線形状に形成されている。また、光導波路１９は、一方配線１５ａと他方配線１５ｂとの間において、これらと並行して延びるように配置されている。
【００３２】
また、光導波路１９は、配線部３の先端部から、スリット部５を直交するように横切り、２つの台座４０の間を通過した後、光導波路１９の先端部の端面２１が、開口部７に臨むように配置されている。
また、光導波路１９は、ストリップ装荷構造をなし、図２および図４に示すように、アンダークラッド層２２と、アンダークラッド層２２の上に形成されるコア層２３と、コア層２３の上に形成され、コア層２３の厚み方向に投影したときに、コア層２３に含まれるオーバークラッド層２４とを備えている。
【００３３】
アンダークラッド層２２は、金属支持基板１１の上面において、光導波路１９の外形形状に対応するように形成され、長手方向に延びる平帯状に形成されている。
コア層２３は、アンダークラッド層２２の上面全面にわたって形成されており、コア層２３の幅方向両端縁が、アンダークラッド層２２の幅方向両端縁と平面視において同一位置となるように形成されている。
【００３４】
オーバークラッド層２４は、長手方向に沿って延びており、コア層２３の上面において、コア層２３より幅狭に形成されている。より具体的には、オーバークラッド層２４は、コア層２３の幅方向中央に配置され、コア層２３の幅方向両端部を露出するように形成されている。
そして、コア層２３において、オーバークラッド層２４の下側に対向する部分には、その部分に光が照射されたときに、その光をオーバークラッド層２４に沿って伝送するパス４９が形成される。
【００３５】
また、光導波路１９は、図４および図８に示すように、その先端部が傾斜状に切り欠かれた形状に形成されており、具体的には、先端部の端面２１が、例えば、光導波路１９の長手方向と所定の角度（傾斜角）αで交差するように形成されている。これにより、光導波路１９は、その端面２１が傾斜角αを有するミラー面となるように形成されるので、光導波路１９のパス４９において伝送される光は、端面２１によって所定の角度で光路変換されて、光路変換された光が上方、具体的には、後述するスライダ側光導波路３４の入口に向けて照射される。このような傾斜角αは、特に限定されず、例えば、３５〜５５°、好ましくは、４０〜５０°であり、より具体的には、４５°である。
【００３６】
また、光導波路１９は、図１および図７に示すように、開口部７に臨む部分（端面２１を含む部分）が金属支持基板１１の開口部７から露出している。
そして、光導波路１９には、位置決め部としての位置決めマーク５０が設けられている。
位置決めマーク５０は、図１、図２および図４に示すように、光導波路１９の先端部の端面２１と、スライダ側光導波路（第２光導波路）３４の入口とを位置決めするための基準マークであって、光導波路１９の先端部に、オーバークラッド層２４の幅方向両外側に複数（２個）設けられている。
【００３７】
各位置決めマーク５０は、上記したオーバークラッド層２４と同一の層として形成されており、つまり、コア層２３の上面に形成されている。各位置決めマーク５０は、平面視略矩形状に形成され、オーバークラッド層２４に対して、幅方向両外側に間隔を隔てて配置されている。
発光素子２０は、図１および図３に示すように、光導波路１９に光を照射させるための光源であって、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換して、高エネルギーの光を光導波路１９に照射する。この発光素子２０は、回路基板２の後端部に配置されており、より具体的には、配線部３の後端部において幅方向中央に配置されており、一方配線１５ａと他方配線１５ｂとの間に、これらと間隔を隔てて配置されている。また、発光素子２０は、光導波路１９のコア層２３のパス４９に光を入射するように、光導波路１９の後端部と接続されている。
【００３８】
また、この発光素子２０には、発光素子２０に電気エネルギーを供給するための供給配線３０が接続されており、この供給配線３０の後端部には、外部回路基板２５（図３の破線）の端子と接続されるための供給端子３１が形成されている。なお、供給配線３０および供給端子３１は、ともにベース絶縁層１２の上に形成さおり、供給配線３０は、カバー絶縁層１４に被覆され、供給端子３１は、カバー絶縁層１４から露出している。
【００３９】
この光アシスト部１８では、発光素子２０において、外部回路基板２５から供給端子３１および供給配線３０を介して供給される電気エネルギーが光エネルギーに変換され、その光が光導波路１９に照射される。照射された光は、光導波路１９において伝送され、光導波路１９の先端部の端面２１において、反射されて、ヘッドスライダ２７のスライダ側光導波路３４（図８参照）に照射される。
【００４０】
次いで、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図５および図６を参照して、説明する。
まず、この方法では、図５（ａ）に示すように、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４が順次積層された回路基板２を用意する。
【００４１】
回路基板２を用意するには、まず、金属支持基板１１を用意する。
金属支持基板１１は、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。金属支持基板１１の厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
次いで、ベース絶縁層１２を、金属支持基板１１の上に形成する。
【００４２】
ベース絶縁層１２を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などが用いられる。好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。
ベース絶縁層１２を形成するには、例えば、金属支持基板１１の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
【００４３】
これにより形成されるベース絶縁層１２の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。
次いで、導体パターン１３をベース絶縁層１２の上に形成する。
導体パターン１３を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの導体材料が用いられる。
【００４４】
導体パターン１３を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法を用いる。
これにより形成される導体パターン１３の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、各信号配線１５の幅は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍであり、各信号配線１５間の間隔は、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。また、各外部側端子１６および各ヘッド側端子１７の幅は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍであり、各外部側端子１６間の間隔および各ヘッド側端子１７間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
【００４５】
カバー絶縁層１４は、上記したベース絶縁層１２と同様の絶縁材料から形成する。
カバー絶縁層１４を形成するには、例えば、導体パターン１３およびベース絶縁層１２を含む金属支持基板１１の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
これにより形成されるカバー絶縁層１４の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜７μｍである。
【００４６】
これにより、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４が順次積層された回路基板２を用意する。
なお、上記した導体パターン１３の形成と同時に、図１および図３に示す供給配線３０および供給端子３１を上記と同様の方法により、形成する。
次いで、この方法では、図５（ｂ）〜図５（ｄ）、図６（ｅ）および図６（ｆ）に示すように、光導波路１９を回路基板２に設ける。
【００４７】
具体的には、金属支持基板１１の上に、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層する。
アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層するには、まず、図５（ｂ）に示すように、アンダークラッド層２２を、金属支持基板１１の上面に形成する。
【００４８】
アンダークラッド層２２を形成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂（脂環式エポキシ樹脂など）、アクリル樹脂、フルオレン誘導体樹脂、さらには、フルオレン誘導体樹脂と脂環式エポキシ樹脂との混合樹脂、これら樹脂と脂環式エーテル化合物（例えば、オキセタン化合物など）との混合樹脂などの樹脂材料が用いられる。耐熱性の観点から、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられ、解像性の観点から、好ましくは、エポキシ樹脂が用いられ、アルカリ現像の観点から、好ましくは、アクリル樹脂が用いられる。これら樹脂材料は、好ましくは、感光剤を配合して、感光性樹脂として用いられる。好ましくは、感光性フルオレン誘導体樹脂（原料としては、感光性フルオレン系エポキシ樹脂）と脂環式エポキシ樹脂との混合樹脂が用いられる。また、感光剤としては、例えば、公知のオニウム塩などが用いられる。
【００４９】
アンダークラッド層２２を上記したパターンで形成するには、例えば、上記した感光性樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスを、カバー絶縁層１４およびベース絶縁層１２を含む金属支持基板１１の上面全面に塗布後、乾燥して感光性の皮膜を形成する。その後、フォトマスクを介して皮膜を露光して、公知の有機溶剤などにより未露光部分を溶解させることにより現像して、その後、必要により硬化させる。
【００５０】
このようにして形成されるアンダークラッド層２２の屈折率は、例えば、１．４５以上１．５４未満である。また、アンダークラッド層２２の厚みは、例えば、１〜５０μｍ、好ましくは、１〜２５μｍであり、幅は、例えば、２０〜２００μｍ、好ましくは、３０〜１００μｍである。
次いで、図５（ｃ）に示すように、コア層２３を、アンダークラッド層２２の上面に形成する。
【００５１】
コア層２３を形成する材料としては、アンダークラッド層２２の樹脂材料よりも、屈折率が高い樹脂材料が用いられる。このような樹脂材料としては、例えば、上記と同様の樹脂が用いられ、好ましくは、感光性フルオレン誘導体樹脂（原料としては、感光性フルオレン系エポキシ樹脂）とオキセタン化合物との混合樹脂が用いられる。なお、コア層２３の樹脂材料において、その屈折率をアンダークラッド層２２の屈折率に対して高くするために、フェニル基などの芳香族性基を導入することができ、あるいは、メチル基、エチル基などの直鎖状脂肪族性基、および／または、ノルボルネン基などの環状脂肪族性基などを導入することもできる。
【００５２】
コア層２３を上記したパターンで形成するには、例えば、上記した感光性の樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスを、アンダークラッド層２２を含む金属支持基板１１の上面に塗布後、乾燥して、感光性の皮膜を形成する。その後、フォトマスクを介して皮膜を露光して、公知の有機溶剤などにより未露光部分を溶解させることにより現像して、その後、必要により硬化させる。
【００５３】
このようにして形成されるコア層２３の屈折率は、アンダークラッド層２２の屈折率より高く設定されており、具体的には、コア層２３の屈折率は、コア層２３のパス４９をシングルモード分布に構成する観点から、アンダークラッド層２２の屈折率に対して、例えば、０．００１〜０．０１高く設定されている。コア層２３の屈折率は、例えば、１．５４以上１．６５以下である。また、コア層２３の厚みは、例えば、１〜２０μｍ、好ましくは、１〜１０μｍであり、幅は、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。
【００５４】
次いで、図５（ｄ）、図６（ｅ）および図６（ｆ）に示すように、オーバークラッド層２４を、アンダークラッド層２２の上面に、厚み方向に投影したときにコア層２３に含まれるように形成する。また、これと同時に、位置決めマーク５０を、アンダークラッド層２２の上面に、上記したパターンで形成する。
オーバークラッド層２４および位置決めマーク５０を形成する材料としては、上記したアンダークラッド層２２と同様の樹脂材料が用いられる。
【００５５】
オーバークラッド層２４および位置決めマーク５０を上記したパターンで形成するには、まず、例えば、図５（ｄ）に示すように、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスを、コア層２３を含む金属支持基板１１の上面に塗布後、乾燥することにより、感光性の皮膜３９を、コア層２３の上、カバー絶縁層１４の上、および、コア層２３およびカバー絶縁層１４から露出する金属支持基板１１の上に形成する。
【００５６】
次いで、図６（ｅ）に示すように、皮膜３９を、１枚のフォトマスク３８を介して露光する。
フォトマスク３８は、遮光部分４１および光透過部分４２からなるマスクパターンを備えている。そして、フォトマスク３８を皮膜３９の上側に配置して、オーバークラッド層２４および位置決めマーク５０を形成する部分には光透過部分４２を対向配置させ、それ以外の部分には遮光部分４１を対向配置させる。その後、皮膜３９を、上方からフォトマスク３８を介して露光する。
【００５７】
その後、図５（ｆ）に示すように、公知の有機溶剤またはアルカリ水溶液などにより、遮光部分４１に対向する部分、つまり、未露光部分を溶解させることにより、現像して、その後、必要により硬化させる。
これにより、オーバークラッド層２４および位置決めマーク５０を上記したパターンで同時に形成する。
【００５８】
このようにして形成されるオーバークラッド層２４の屈折率は、コア層２３の屈折率より低く設定されており、例えば、アンダークラッド層２２の屈折率と同様に設定されている。
また、オーバークラッド層２４および位置決めマーク５０の厚みは、例えば、１〜２０μｍ、好ましくは、１〜１０μｍである。
【００５９】
オーバークラッド層２４の幅は、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、７μｍ以下であり、通常、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上である。
オーバークラッド層２４の幅が上記した範囲にあれば、パス４９を、シングルモード分布で構成することができる。
また、位置決めマーク５０の幅および長さ（長手方向長さ）は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、２０〜４０μｍである。
【００６０】
このようにして、金属支持基板１１の上に、位置決めマーク５０が設けられた光導波路１９を設ける。
次いで、この方法では、図６（ｇ）に示すように、端子形成部１０における金属支持基板１１に開口部７を形成する。
開口部７を形成するには、例えば、ドリルなどの穿孔、例えば、ドライエッチング、ウエットエッチングなどのエッチングなどにより、形成する。好ましくは、エッチングにより、形成する。
【００６１】
この開口部７は、光導波路１９の先端部と厚み方向において重なるように形成されている。
このようにして形成される開口部７は、幅および長さが、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍである。
なお、開口部７の形成と同時に、スリット部５を形成する。
【００６２】
次いで、この方法では、図８が参照されるように、光導波路１９の先端部を、開口部７側から、レーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１が長手方向と交差する傾斜状に、切削する。
レーザ加工では、開口部７を通過するレーザ光を、長手方向と所定の角度で交差するように、下側斜め後方から、光導波路１９に照射することにより、光導波路１９を一度に切削する。
【００６３】
その後、配線部３の後端部において、光導波路１９の後端部と光学的に接続され、供給配線３０の先端部と電気的に接続されるように、発光素子２０を、金属支持基板１１の上面に設置する。これにより、回路付サスペンション基板１を得る。
そして、このようにして得られた回路付サスペンション基板１では、図３の破線で示すように、配線部３において、外部側端子１６（図１）および供給端子３１が、外部回路基板２５の端子と接続される。また、この外部回路基板２５には、磁気ヘッド４４（図８）および発光素子２０を制御するためのＩＣ３２が実装されており、このＩＣ３２が、外部側端子１６および供給端子３１と電気的に接続されている。
【００６４】
次に、ヘッドスライダ２７を、位置決めマーク５０を用いて、回路付サスペンション基板１の光導波路１９に対して位置決めする方法について、図７および図８を参照して説明する。
図７において、ヘッドスライダ２７を、光導波路１９および台座４０の上側に、間隔を隔てて配置するととともに、光導波路１９の先端部の上側において、ヘッドスライダ２７を挟むように、カメラ４３を配置する。
【００６５】
ヘッドスライダ２７は、図８に示すように、スライダ本体２９と、その先端部に設けられるスライダ側光導波路３４、近接場光発生部３５および磁気ヘッド４４とを、一体的に備えている。
スライダ側光導波路３４は、光導波路１９のパス４９の端面２１から照射される光を近接場光発生部３５に入射させるために設けられている。スライダ側光導波路３４は、回路付サスペンション基板１の厚み方向に沿うように形成されており、下端（入口）が光導波路１９のパス４９の端面２１と厚み方向に間隔を隔てて対向配置され、上端（出口）が、次に説明する近接場光発生部３５と接続されている。
【００６６】
近接場光発生部３５は、スライダ側光導波路３４の上端から出射された光（伝送光）から近接場光を発生させ、この近接場光をハードディスク２６の表面に照射して、ハードディスク２６の表面の微小な領域を加熱するために設けられている。なお、近接場光発生部３５は、スライダ側光導波路３４の上端に対して固定されるように、スライダ本体２９に設けられている。このような近接場光発生部３５は、金属散乱体や開口などからなり、例えば、特開２００７−２８０５７２号公報、特開２００７−０５２９１８号公報、特開２００７−２０７３４９号公報、特開２００８−１３０１０６号公報などに記載される、公知の近接場光発生装置が用いられる。
【００６７】
磁気ヘッド４４は、近接場光発生部３５により加熱されたハードディスク２６の表面の微少な領域に、情報を記録するために実装されており、近接場光発生部３５の近傍に設けられている。
また、スライダ本体２９の先端部には、位置決めマーク５０に対応するように、幅方向に互いに間隔を隔てて配置されるスライダマーク５１が複数（２個）設けられている。
【００６８】
各スライダマーク５１は、スライダ本体２９の厚み方向を貫通する開口部として形成されており、ヘッドスライダ２７および光導波路１９の位置決めの基準とされている。詳しくは、スライダマーク５１および位置決めマーク５０が位置合わせされたときには、ヘッドスライダ２７の近接場光発生部３５およびスライダ側光導波路３４と、光導波路１９の先端部のパス４９の端面２１とが、厚み方向に対向配置される。
【００６９】
そして、この方法では、上記した配置において、カメラ４３により、スライダマーク５１および位置決めマーク５０を位置合わせする。すなわち、カメラ４３からスライダマーク５１を介して位置決めマーク５０が視認されるように、ヘッドスライダ２７を、光導波路１９に対して位置決めする。
位置決め後、ヘッドスライダ２７を、回路付サスペンション基板１の台座４０の上面に、必要により接着剤などを介して、固定する。
【００７０】
その後、磁気ヘッド４４の端子を、ヘッド側端子１７と電気的に接続する。
このようなヘッドスライダ２７が搭載された回路付サスペンション基板１が搭載されるハードディスクドライブでは、光アシスト法を採用する。
このハードディスクドライブでは、図８に示すように、例えば、ハードディスク２６が、近接場光発生部３５および磁気ヘッド４４に対して、相対的に走行している。
【００７１】
そして、発光素子２０から出射された光が光導波路１９のパス４９の後端部に入射され、その光は、パス４９において先側に向かって伝送されて、パス４９の先端部の端面２１において、光路が上方に変換されて、パス４９の先端部の端面２１から上方に向かって出射される。その後、パス４９から出射された光は、スライダ側光導波路３４の下端部に入射され、スライダ側光導波路３４において上方に伝送されて、スライダ側光導波路３４の上端部から出射され、近接場光発生部３５に入射される。その後、光の照射に基づいて近接場光発生部３５にて近接場光が発生し、その近接場光が、ハードディスク２６の表面に向けて照射される。
【００７２】
そして、近接場光発生部３５からの近接場光の照射により、ハードディスク２６の表面が加熱されながら、磁気ヘッド４４からの磁界の照射により、ハードディスク２６の表面に情報が記録される。詳しくは、近接場光発生部３５からの近接場光の照射に基づく加熱により、ハードディスク２６の表面の保磁力は低下されており、そのようなハードディスク２６の表面に、情報を、磁気ヘッド４４からの小さな磁界の照射によって、高密度で記録する。
【００７３】
そして、この回路付サスペンション基板１によれば、位置決めマーク５０によって、近接場光発生部３５およびスライダ側光導波路３４を光導波路１９に対して精度よく位置決めすることができる。そのため、光導波路１９において伝送される光を、スライダ側光導波路３４を介して近接場光発生部３５に確実に照射することができ、ハードディスク２６を十分に加熱することができる。
【００７４】
その結果、ハードディスク２６に対して情報を高密度に記録して、光アシスト法を確実に実施することができる。
また、この回路付サスペンション基板１の光導波路１９は、ストリップ装荷構造である。すなわち、コア層２３において、オーバークラッド層２４の下側に対向する部分に光を照射すれば、かかる光を伝送できるパス４９（図２参照）がオーバークラッド層２４に沿って形成される。また、オーバークラッド層２４は、空気に対して露出し、屈折率が空気より高い（１を超過する）ので、上方から容易に視認することができる。
【００７５】
そのため、位置決めマーク５０に対するパス４９の相対配置を容易に認識することができる。その結果、近接場光発生部３５およびスライダ側光導波路３４をパス４９に対して精度よく位置決めすることができる。
また、上記した回路付サスペンション基板１の光導波路１９では、オーバークラッド層２４が上記した範囲の幅で形成されているので、光導波路１９において伝送される光を、シングルモードの光として、近接場光発生部３５に確実かつ効率的に照射することができ、ハードディスク２６を確実かつ効率的に加熱することができる。
【００７６】
なお、上記した図４の説明では、位置決めマーク５０を平面視略矩形状に形成しているが、その形状は特に限定されず、例えば、図示しないが、平面視略三角形状または平面視略円形状など、適宜の形状に形成することができる。
また、上記した説明では、スライダマーク５１をスライダ本体２９に設けたが、例えば、図示しないが、スライダ側光導波路３４および／または近接場光発生部３５に設けることもできる。
【００７７】
図９は、ヘッドスライダの、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態の光導波路（位置決めマークが形成されない態様）に対する位置決めを説明する拡大斜視図を示す。図９において、上記した各部に対応する部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上記した説明では、本発明の位置決め部を、オーバークラッド層２４と間隔を隔てて配置される位置決めマーク５０とし、これを光導波路１９に対する位置決めに用いているが、例えば、図９に示すように、位置決めマーク５０を用いることなく、オーバークラッド層２４の先端部自体を、近接場光発生部３５およびスライダ側光導波路３４を光導波路１９に対する位置決めするための位置決め部として用いることもできる。
【００７８】
図９において、スライダマーク５１は、オーバークラッド層２４の先端部に対応するように、１個設けられている。
オーバークラッド層２４は、上記した屈折率を有し、詳しくは、空気より高い屈折率を有し、かつ、平面視においてコア層２３に含まれるように形成されているので、上方から確実に視認することができる。
【００７９】
そのため、光導波路１９の先端部およびスライダマーク５１の位置合わせにおいても、カメラ４３によって、スライダマーク５１を介して、オーバークラッド層２４の先端部を視認することができる。そのため、ヘッドスライダ２７の光導波路１９に対する位置決めを確実に実施することができる。
好ましくは、位置決め部を位置決めマーク５０とし、これをヘッドスライダ２７の光導波路１９に対する位置決めに用いる。
【００８０】
位置決めマーク５０を用いれば、位置決めマーク５０が、オーバークラッド層２４と間隔を隔てて配置されているので、位置決めマーク５０に対するパス４９の平面視における相対配置のずれを容易に認識することができる。
そのため、近接場光発生部３５およびスライダ側光導波路３４を、パス４９に対してより一層精度よく位置決めすることができる。
【００８１】
また、上記した図５（ｂ）〜図５（ｄ）、図６（ｅ）および図６（ｆ）に示す光導波路１９の形成において、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を、それぞれ、感光性の皮膜をフォトマスク３８を介した露光および現像によって形成しているが、例えば、金型を配置し、それにワニスを注入して乾燥後、上記形状の皮膜を形成し、続いて、硬化させることにより、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４をそれぞれ形成することもできる。また、オーバークラッド層２４の形成とともに、位置決めマーク５０を、上記と同様の方法により形成する。
【００８２】
好ましくは、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を、それぞれ、感光性の皮膜のフォトマスク３８を介した露光および現像によって形成する。
とりわけ、オーバークラッド層２４および位置決めマーク５０を、感光性の皮膜３９のフォトマスク３８を介した露光および現像によって形成すれば、１枚のフォトマスク３８を介した１回の露光によりオーバークラッド層２４および位置決めマーク５０を同時に形成して、それらを精度よく相対配置させることができる。
【００８３】
そのため、近接場光発生部３５およびスライダ側光導波路３４をパス４９に対してより一層精度よく位置決めすることができる。
また、上記した説明では、近接場光発生部３５をヘッドスライダ２７に設けたが、例えば、図示しないが、近接場光発生部３５を回路付サスペンション基板１の裏面に直接設け、光導波路１９において伝送される光を、スライダ側光導波路３４を通過させることなく、直接、近接場光発生部３５に照射させることもできる。
【００８４】
一方、近接場光発生部３５をヘッドスライダ２７に設ければ、ヘッドスライダ２７は、近接場光発生部３５および磁気ヘッド４４の両方を実装するため、光アシスト法を、確実に実施することができる。
また、上記した説明では、光導波路１９を、金属支持基板１１の上面に直接設けたが、図示しないが、例えば、金属支持基板１１の上面に接着剤層を介して設けることもできる。
【００８５】
すなわち、光導波路１９を、回路基板２とは別途用意する。
光導波路１９を用意するには、図示しないポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートなどの離型シートに、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層する。その後、光導波路１９を離型シートから引き剥がす。
次いで、光導波路１９を、金属支持基板１１の上に、接着剤層を介して接着する。
【００８６】
このように、光導波路１９を、金属支持基板１１の上面に接着剤層を介して積層することにより、光導波路１９を簡便に金属支持基板１１の上に設けることができる。そのため、製造コストの低減を図ることができる。
【符号の説明】
【００８７】
１    回路付サスペンション基板
２    回路基板
１１  金属支持基板
１２  ベース絶縁層
１３  導体パターン
１９  光導波路
２２  アンダークラッド層
２３  コア層
２４  オーバークラッド層
２７  ヘッドスライダ
３５  近接場光発生部
３８  フォトマスク
３９  皮膜
４４  磁気ヘッド
５０  位置決めマーク
【図１】
2011086353.tif 000003
【図２】
2011086353.tif 000004
【図３】
2011086353.tif 000005
【図４】
2011086353.tif 000006
【図５】
2011086353.tif 000007
【図６】
2011086353.tif 000008
【図７】
2011086353.tif 000009
【図８】
2011086353.tif 000010
【図９】
2011086353.tif 000011