(57)【要約】【課題】接着層から剥離した保護膜が、液体流路やノズル開口に詰まると、液体の吐出不良となってしまうという課題がある。【解決手段】流路形成基板となる流路形成基板用ウェハ１１０の接合面と、マニホールド形成基板となるマニホールド形成基板用ウェハ１３０の接合面との間に接着層３５を形成することにより、流路形成基板用ウェハ１１０とマニホールド形成基板用ウェハ１３０とを接合する接合工程と、圧力発生室と、マニホールド部３１に対向する連通部１３とを含む液体流路を流路形成基板用ウェハ１１０に形成する流路形成工程と、マニホールド部３１と連通部１３とが連通して形成されたマニホールド１００に露出した接着層３５の端部３５ａを除去する接着層端部除去工程と、接着層３５の端部３５ａが除去された接着層３５の面を含むマニホールド１００内に保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含む液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【選択図】図７
2011218664.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室と前記圧力発生室に連通する連通部とが形成された流路形成基板と、液体流路であるマニホールド部が形成されたマニホールド形成基板とを有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記流路形成基板となる流路形成基板用ウェハの接合面と、前記マニホールド形成基板となるマニホールド形成基板用ウェハの接合面との間に接着層を形成することにより、前記流路形成基板用ウェハと前記マニホールド形成基板用ウェハとを接合する接合工程と、
前記圧力発生室と、前記マニホールド部に対向する前記連通部とを含む液体流路を前記流路形成基板用ウェハに形成する流路形成工程と、
前記マニホールド部と前記連通部とが連通して形成されたマニホールド内に露出した前記接着層の端部を除去する接着層端部除去工程と、
前記接着層の端部が除去された前記接着層の面を含む前記マニホールドの内壁表面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
を含むことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記接着層端部除去工程では、レーザー光を前記接着層の端部に照射し、前記接着層の端部を除去することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記保護膜は、アルカリ性の液体に対する耐エッチング性を有する材料から形成されることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体噴射ヘッドの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドの代表例としては、例えば、圧電素子の変位による圧力発生室内の圧力変化を利用して、ノズル列を構成する複数のノズル開口から、例えばインクなどの液滴を噴射する液体噴射ヘッドが知られている。このような液体噴射ヘッドには、ノズル開口に連通する圧力発生室と、圧力発生室に連通する液体流路である連通部とが形成された流路形成基板と、連通部と連通する液体流路であるマニホールド部が形成されたマニホールド形成基板とが備えられる。
流路形成基板とマニホールド形成基板とを、例えばエポキシ樹脂などによる接着剤によって接合することにより、マニホールド部（リザーバ部）と連通部とが連通するマニホールド（リザーバ）が形成される。
マニホールドの内壁表面が液体によって侵食されることを防止するため、マニホールドの内壁表面には、例えば、五酸化タンタルやアルミナなどの保護膜を形成する。しかし、マニホールド内に露出した流路形成基板とマニホールド形成基板との接合部では、保護膜が剥がれてしまうことがある。
そこで、例えば、特許文献１では、流路形成基板上の積層部がマニホールド内に張り出すようにして形成された庇部を除去し、マニホールドの内壁表面に均一に保護膜を形成する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−４４０８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
流路形成基板とマニホールド形成基板とは、接着剤を介して接合される。そのため、流路形成基板とマニホールド形成基板とを貫通する液体流路であるマニホールド内には、保護膜で覆われた接着層が露出する。接着層は有機物を含み、保護膜は無機物であるので、保護膜は接着層から剥離しやすい。そのため、接着層から剥離した保護膜が、液体流路やノズル開口に詰まると、液体の吐出不良となってしまうという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］液滴を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室と前記圧力発生室に連通する連通部とが形成された流路形成基板と、液体流路であるマニホールド部が形成されたマニホールド形成基板とを有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記流路形成基板となる流路形成基板用ウェハの接合面と、前記マニホールド形成基板となるマニホールド形成基板用ウェハの接合面との間に接着層を形成することにより、前記流路形成基板用ウェハと前記マニホールド形成基板用ウェハとを接合する接合工程と、前記圧力発生室と、前記マニホールド部に対向する前記連通部とを含む液体流路を前記流路形成基板用ウェハに形成する流路形成工程と、前記マニホールド部と前記連通部とが連通して形成されたマニホールド内に露出した前記接着層の端部を除去する接着層端部除去工程と、前記接着層の端部が除去された前記接着層の面を含む前記マニホールドの内壁表面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含むことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【０００７】
この構成によれば、マニホールド部と連通部とが連通して形成されたマニホールドに露出した接着層の端部を除去する接着層端部除去工程と、接着層の端部が除去された接着層の面を含むマニホールドの内壁表面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含む。接着層端部除去工程により、マニホールド内に露出する接着層の面積が小さくなる。そのため、保護膜形成工程において接着層上に形成された保護膜の面積が小さくなる。従って、接着層から剥離される保護膜の量を抑制することが可能となり、接着層から剥離した保護膜が、液体流路やノズル開口に詰まることにより、液体の吐出不良となってしまうことを抑制できる。
【０００８】
［適用例２］前記接着層端部除去工程では、レーザー光を前記接着層の端部に照射し、前記接着層の端部を除去することを特徴とする上記液体噴射ヘッドの製造方法。
【０００９】
この構成によれば、除去する範囲を容易に設定することができるので、接着層端部除去工程において、除去範囲外に異物が付着したり、除去範囲外が損傷したりすることを抑制できる。
【００１０】
［適用例３］前記保護膜は、アルカリ性の液体に対する耐エッチング性を有する材料から形成されることを特徴とする上記液体噴射ヘッドの製造方法。
【００１１】
この構成によれば、アルカリ性の液体が液体流路を流れて液滴としてノズル開口から噴射するとき、マニホールドの内壁表面がエッチングされることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】インクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図。
【図２】インクジェット式記録ヘッドの平面図及び断面図。
【図３】流路形成基板用ウェハの断面図。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、流路形成基板用ウェハの断面図、（ｃ）は、マニホールド形成基板用ウェハと流路形成基板用ウェハの断面図。
【図５】マニホールド形成基板用ウェハと流路形成基板用ウェハの断面図。
【図６】マニホールド部と連通部との接続部の拡大断面図。
【図７】マニホールド部と連通部との接続部の拡大断面図。
【図８】比較例におけるマニホールド部と連通部との接続部の拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、実施形態に基づいて詳細に説明する。図１は、本実施形態における液体噴射ヘッドとしてのインクジェット式記録ヘッド１を示す分解斜視図であり、図２（ａ）は、インクジェット式記録ヘッド１の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）の平面図のＡ−Ａ´断面における断面図である。流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、図２（ｂ）に示すように、その一方の面には予め熱酸化によって二酸化シリコンからなる厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。
【００１４】
流路形成基板１０には、複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４を介して連通されている。
【００１５】
連通部１３は、後述するマニホールド形成基板３０のマニホールド部３１と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるマニホールド１００の一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
【００１６】
圧力発生室１２、インク供給路１４、マニホールド１００を構成するマニホールド部３１と連通部１３の内壁表面には、耐液体性を有する材料、例えば、本実施形態では、アルカリ性のインクに対する耐エッチング性（耐インク性）を有する材料からなる保護膜１５が設けられている。
【００１７】
本実施形態では、保護膜１５の材料として五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）が用いられ、例えば５０ｎｍ程度の厚さの保護膜が形成される。なお、保護膜１５の材料は、耐インク性を有する材料であれば五酸化タンタルに限定されず、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）及び酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等が挙げられる。
【００１８】
また、本実施形態では、流路形成基板１０の圧力発生室１２等が開口する側の表面、すなわち、ノズルプレート２０が接合される接合面にも保護膜１５が設けられているが、勿論、このような領域には、インクが実質的に接触しないため、保護膜１５は設けられていなくてもよい。
【００１９】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
【００２０】
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側の面には、上述したように、厚さが例えば約１．０μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５１が形成されている。
【００２１】
さらに、この絶縁体膜５１上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。
【００２２】
一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。
【００２３】
本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエーターと称する。
【００２４】
また、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、リード電極９０が引き出され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。そして、このリード電極９０は、例えば、チタンタングステン（ＴｉＷ）からなる密着層９１と、この密着層９１上に形成され、例えば、金（Ａｕ）等からなる金属層９２とで構成されている。
【００２５】
また、詳しくは後述するが、連通部１３の開口周縁部に対向する領域の弾性膜５０及び絶縁体膜５１上にも、このリード電極９０を構成する密着層９１が残存している。なお、この連通部１３の周縁部に残存する密着層９１は、リード電極９０とは連続することなく残存している。
【００２６】
このような流路形成基板１０の圧電素子３００側の面には、マニホールド１００の少なくとも一部を構成するマニホールド部３１を有するマニホールド形成基板３０が、例えば、エポキシ系の接着剤等からなる接着層３５によって接着されている。
【００２７】
マニホールド形成基板３０のマニホールド部３１は、弾性膜５０及び絶縁体膜５１に設けられた貫通孔５０ａ，５１ａ（図４参照）を介して連通部１３と連通され、これらマニホールド部３１及び連通部１３によってマニホールド１００が形成されている。
【００２８】
また、マニホールド形成基板３０の圧電素子３００に対向する領域には、圧電素子保持部３２が設けられている。圧電素子３００は、この圧電素子保持部３２内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。なお、圧電素子保持部３２は、密封されていてもよいし密封されていなくてもよい。
【００２９】
このようなマニホールド形成基板３０の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００３０】
また、マニホールド形成基板３０上には、所定パターンで形成された接続配線２００が設けられ、この接続配線２００上には圧電素子３００を駆動するための駆動ＩＣ２１０が実装されている。そして、各圧電素子３００から圧電素子保持部３２の外側まで引き出された各リード電極９０の先端部と、駆動ＩＣ２１０とが駆動配線２２０を介して電気的に接続されている。
【００３１】
さらに、マニホールド形成基板３０のマニホールド部３１に対向する領域上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってマニホールド部３１の一方面が封止されている。
【００３２】
また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のマニホールド１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、マニホールド１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００３３】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッド１では、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、マニホールド１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動ＩＣ２１０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、圧電素子３００及び振動板をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインクが吐出する。
【００３４】
以下、このようなインクジェット式記録ヘッド１の製造方法について説明する。図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）、（ｂ）は、流路形成基板用ウェハ１１０における圧力発生室１２の長手方向の断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５２を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０として、膜厚が約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
【００３５】
次に、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５２）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５１を形成する。具体的には、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５２）上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）からなる絶縁体膜５１を形成する。
【００３６】
次いで、図３（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜５１上に積層することにより下電極膜６０を形成した後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。
【００３７】
次に、図４（ａ）例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０とを流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成し、これら圧電体層７０及び上電極膜８０を、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。
【００３８】
また、圧電素子３００を形成後に、絶縁体膜５１及び弾性膜５０をパターニングして、流路形成基板用ウェハ１１０の連通部（図示なし）が形成される領域の絶縁体膜５１及び弾性膜５０を貫通させる。すなわち、絶縁体膜５１をエッチングして貫通孔５１ａを形成し、さらに弾性膜５０をエッチングすることにより貫通孔５０ａを形成する。
【００３９】
なお、本実施形態では、絶縁体膜５１の貫通孔５１ａを、弾性膜５０の貫通孔５０ａよりも開口面積が大きくなるように形成している。勿論、これら貫通孔５０ａ，５１ａは同じ大きさで形成されていてもよい。
【００４０】
ここで、圧電素子３００を構成する圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。その組成は、圧電素子３００の特性、用途等を考慮して適宜選択すればよいが、例えば、ＰｂＴｉＯ3（ＰＴ）、ＰｂＺｒＯ3（ＰＺ）、Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ3（ＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3（ＰＭＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3（ＰＺＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3（ＰＮＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3（ＰＩＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｔａ１／２）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3（ＰＳＴ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｎｂ１／２）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3（ＰＳＮ−ＰＴ）、ＢｉＳｃＯ3−ＰｂＴｉＯ3（ＢＳ−ＰＴ）、ＢｉＹｂＯ3−ＰｂＴｉＯ3（ＢＹ−ＰＴ）等が挙げられる。
【００４１】
また、圧電体層７０の形成方法は、特に限定されないが、例えば、本実施形態では、金属有機物を触媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成した。
【００４２】
次に、図４（ｂ）に示すように、リード電極９０を形成する。具体的には、まず流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って、例えば、チタンタングステン（ＴｉＷ）からなる密着層９１を形成し、この密着層９１上に、例えば、金（Ａｕ）からなる金属層９２を形成する。
【００４３】
そして、この金属層９２上に、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を形成し、このマスクパターンを介して金属層９２及び密着層９１を圧電素子３００毎にパターニングすることによってリード電極９０を形成する。
【００４４】
このとき、貫通孔５０ａ，５１ａに対向する領域の密着層９１及び金属層９２は、リード電極９０とは不連続となるように残しておく。すなわち、貫通孔５０ａ，５１ａに対向する領域の少なくとも一部に、リード電極９０とは不連続の密着層９１及び金属層９２からなる不連続金属層９５を形成する。
【００４５】
例えば、本実施形態では、貫通孔５０ａ，５１ａを覆って不連続金属層９５を形成し、この不連続金属層９５のみで貫通孔５０ａ，５１ａを封止するようにした。なお、この不連続金属層９５は、後述する工程で、流路形成基板用ウェハ１１０にエッチングして圧力発生室１２、インク供給路１４及び連通部１３等を形成する際に、エッチングの広がりを規制するための役割を果たす。
【００４６】
図４（ｃ）、図５（ａ）〜（ｃ）は、マニホールド形成基板用ウェハ１３０と流路形成基板用ウェハ１１０とにおける圧力発生室１２の長手方向の断面図である。次に、接合工程では、図４（ｃ）に示すように、マニホールド形成基板用ウェハ１３０を、流路形成基板用ウェハ１１０上に接着層３５を介して固着する。
【００４７】
ここで、このマニホールド形成基板用ウェハ１３０には、マニホールド部３１、圧電素子保持部３２等が予め形成されており、マニホールド形成基板用ウェハ１３０上には、上述した接続配線２００が予め形成されている。なお、マニホールド形成基板用ウェハ１３０は、例えば、４００μｍ程度の厚さを有するシリコンウェハであり、マニホールド形成基板用ウェハ１３０を接合することで流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。
【００４８】
次に、流路形成工程では、図５（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、更に弗化硝酸によってウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みにする。例えば、本実施形態では、研磨及びウェットエッチングによって、流路形成基板用ウェハ１１０を、約７０μｍの厚さとなるように加工した。次いで、図５（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるマスク膜５３を新たに形成し、所定形状にパターニングする。
【００４９】
そして、図５（ｃ）に示すように、このマスク膜５３を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチング（ウェットエッチング）して、流路形成基板用ウェハ１１０に液体流路となる、圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４等を形成する。すなわち、貫通孔５０ａ，５１ａを不連続金属層９５によって封止した状態で、流路形成基板用ウェハ１１０を、例えば、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液等のエッチング液によってエッチングする。そして、弾性膜５０及び不連続金属層９５が露出するまで流路形成基板用ウェハ１１０をエッチングすることより、圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４等を同時に形成する。
【００５０】
このとき、貫通孔５０ａ，５１ａが密着層９１及び金属層９２からなる不連続金属層９５によって封止されているため、貫通孔５０ａ，５１ａを介してマニホールド形成基板用ウェハ１３０側にエッチング液が流れ込むことがない。これにより、マニホールド形成基板用ウェハ１３０の表面に設けられている接続配線２００にエッチング液が付着することがなく、断線等の不良の発生を防止することができる。また、マニホールド部３１内にエッチング液が浸入してマニホールド形成基板用ウェハ１３０がエッチングされる虞もない。
【００５１】
なお、このような圧力発生室１２等を形成する際、マニホールド形成基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０側とは反対側の表面を、耐アルカリ性を有する材料、例えば、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＰＴＡ（ポリパラフェニレンテレフタルアミド）等からなる封止フィルムでさらに封止するようにしてもよい。これにより、マニホールド形成基板用ウェハ１３０の表面に設けられた配線の断線等の不良をより確実に防止することができる。
【００５２】
図６（ａ）、（ｂ）は、マニホールド部３１と連通部１３との接続部の拡大断面図である。図６（ａ）は、不連続金属層９５によって、マニホールド部３１と連通部１３とが遮断されていることを示す図であり、（ｂ）は、不連続金属層９５が除去されてマニホールド部３１と連通部１３とが連通していることを示す図である。
【００５３】
次に、不連続金属層除去工程では、図６（ｂ）に示すように、密着層９１及び金属層９２からなる不連続金属層９５をウェットエッチングにより除去し、貫通孔５０ａ，５１ａを介して連通部１３とマニホールド部３１とを連通させ、液体流路であるマニホールド１００を形成する。
【００５４】
このとき、本発明では、不連続金属層９５を構成する金属層９２を完全に除去するようにしている。具体的には、まず図６（ａ）に示すように、貫通孔５０ａに対向する領域の密着層９１をウェットエッチングによって除去して貫通部９１ａを形成する。そして、図６（ｂ）に示すように、この密着層９１の貫通部９１ａを介して金属層９２をウェットエッチングすることによってこの金属層９２を完全に除去する。
【００５５】
その結果、連通部１３の周縁部には、密着層９１が残存し、接着層３５における金属層９２が接していた面がマニホールド１００内に露出する。そのため、接着層３５の端部３５ａがマニホールド１００内に突出し、露出する。
【００５６】
図７（ａ）は、接着層３５の端部３５ａが除去されたマニホールド部３１と連通部１３との接続部分の拡大断面図である。次に、接着層端部除去工程では、レーザー光線を接着層３５の端部３５ａに照射し、接着層３５の端部３５ａを除去する。
【００５７】
本実施形態では、炭酸ガスレーザーを用いる。波長が９〜１１μｍで、出力ワットが１０〜３０Ｗとする。
【００５８】
次に、保護膜形成工程では、流路形成基板用ウェハ１１０表面のマスク膜５３を除去し、圧力発生室１２、インク供給路１４、マニホールド１００を構成するマニホールド部３１と連通部１３の内壁表面に、耐液体性（耐インク性）を有する材料、例えば、五酸化タンタルからなる保護膜１５を、例えば、ＣＶＤ法によって形成する。
【００５９】
図７（ｂ）は、接着層３５に保護膜１５が形成されたマニホールド部３１と連通部１３との接続部分の拡大断面図である。図７（ｂ）に示すように、マニホールド１００内に露出した、マニホールド形成基板用ウェハ１３０と端部３５ａが除去された接着層３５との内壁表面に保護膜１５が形成される。
【００６０】
また、保護膜１５の形成後は、マニホールド形成基板用ウェハ１３０に形成されている接続配線２００上に駆動ＩＣ２１０を実装すると共に、駆動ＩＣ２１０とリード電極９０とを駆動配線２２０によって接続する。その後、流路形成基板用ウェハ１１０及びマニホールド形成基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。
【００６１】
そして、流路形成基板用ウェハ１１０のマニホールド形成基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、マニホールド形成基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、これら流路形成基板用ウェハ１１０とマニホールド形成基板用ウェハ１３０とを図１に示すような一つのチップサイズに分割することによって、流路形成基板１０とマニホールド形成基板３０等を備えたインクジェット式記録ヘッド１が製造される。
【００６２】
（比較例）
図８は、比較例におけるマニホールド１００における接続部の拡大断面図である。比較例では、図６（ｂ）のマニホールド１００に露出した接着層３５の端部３５ａが形成された状態で、保護膜１５をマニホールド１００の内壁表面に形成する。
【００６３】
そのため、保護膜１５によって覆われた接着層３５の端部３５ａが、マニホールド１００に突出し、露出する。これにより、マニホールド１００内を流れるインクの圧力により、接着層３５の端部３５ａを覆っていた保護膜１５が接着層３５から剥離する。そのため、剥離した保護膜１５が、液体流路に残留したり、ノズル開口２１を詰まらせたりして液体の吐出不良が発生してしまう。あるいは、保護膜１５によって覆われた接着層３５の端部３５ａが分離し、液体流路に残留したり、ノズル開口２１を詰まらせたりして液体の吐出不良が発生してしまう。
【００６４】
以上、本実施形態で説明したインクジェット式記録ヘッド１の製造方法は、液滴を噴射するノズル開口２１に連通する圧力発生室１２と圧力発生室１２に連通する連通部１３とが形成された流路形成基板１０と、液体流路であるマニホールド部３１が形成されたマニホールド形成基板３０とを有するインクジェット式記録ヘッド１の製造方法であって、流路形成基板１０となる流路形成基板用ウェハ１１０の接合面と、マニホールド形成基板３０となるマニホールド形成基板用ウェハ１３０の接合面との間に接着層３５を形成することにより、流路形成基板用ウェハ１１０とマニホールド形成基板用ウェハ１３０とを接合する接合工程と、圧力発生室１２と、マニホールド部３１に対向する連通部１３とを含む液体流路を流路形成基板用ウェハ１１０に形成する流路形成工程と、マニホールド部３１と連通部１３とが連通して形成されたマニホールド１００内に露出した接着層３５の端部３５ａを除去する接着層端部除去工程と、接着層３５の端部３５ａが除去された接着層３５の面を含むマニホールド１００の内壁表面に保護膜１５を形成する保護膜形成工程と、を含む。
【００６５】
この構成によれば、接着層端部除去工程により、マニホールド１００内に露出する接着層３５の面積が小さくなる。そのため、保護膜形成工程において接着層３５上に形成された保護膜１５の面積が小さくなる。従って、接着層３５から剥離される保護膜１５の量を抑制することが可能となり、接着層３５から剥離した保護膜１５が、液体流路やノズル開口２１に詰まることにより、液体の吐出不良となってしまうことを抑制できる。
【００６６】
また、接着層端部除去工程では、レーザー光を接着層３５の端部３５ａに照射し、接着層３５の端部３５ａを除去する。
【００６７】
この構成によれば、除去する範囲を容易に設定することができるので、接着層端部除去工程において、除去範囲外に異物が付着したり、除去範囲外が損傷したりすることを抑制できる。
【００６８】
また、保護膜は、アルカリ性の液体に対する耐エッチング性を有する材料から形成される。これにより、アルカリ性の液体が液体流路である、マニホールド１００、インク供給路１４、圧力発生室１２を流れて液滴としてノズル開口から噴射するとき、液体流路の内壁表面がエッチングされることを抑制できる。
【００６９】
本実施形態では、レーザー光を用いて、マニホールド１００に露出した接着層３５の端部３５ａを除去したが、ドライエッチングによって接着層３５の端部３５ａを除去する方法でもよい。
【００７０】
上述した実施形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッド１を挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（面発光ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【符号の説明】
【００７１】
１…インクジェット式記録ヘッド、１０…流路形成基板、１２…圧力発生室、１３…連通部、１５…保護膜、２１…ノズル開口、３０…マニホールド形成基板、３１…マニホールド部、３５…接着層、３５ａ…端部、１００…マニホールド、１１０…流路形成基板用ウェハ、１３０…マニホールド形成基板用ウェハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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