(57)【要約】【課題】個片化の際に発生するクラックがチップ領域に達することが防止されるウエハ及び半導体装置の製造方法が必要とされる。【解決手段】チップ領域５１及び５２は、ダイシング領域６０Ａによって互いに分離される。ダイシング領域６０Ａのチップ領域５１及び５２に挟まれた部分は、中央領域６１Ａと、中央領域６１Ａのチップ領域５１側の中間領域６２Ａと、中央領域６１Ａのチップ領域５２側の中間領域６３Ａと、中間領域６２Ａのチップ領域５１側の外側領域６４Ａと、中間領域６３Ａのチップ領域５２側での外側領域６５Ａを含む。中間領域６２Ａの表面は、土手状の樹脂膜４１Ａで覆われる。中間領域６３Ａの表面は、土手状の樹脂膜４２Ａで覆われる。中央領域６１Ａ、外側領域６４Ａ、及び外側領域６５Ａのそれぞれの表面は、樹脂膜で覆われない。【選択図】図４
2011082434.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が形成された第１チップ領域と、
半導体素子が形成された第２チップ領域と、
第１ダイシング領域と
を具備し、
前記第１チップ領域及び前記第２チップ領域は、前記第１ダイシング領域によって互いに分離され、
前記第１ダイシング領域の前記第１チップ領域及び前記第２チップ領域に挟まれた部分は、
前記第１ダイシング領域の第１長手方向に延びる第１中央領域と、
前記第１中央領域の前記第１チップ領域側で前記第１長手方向に延びる第１中間領域と、
前記第１中央領域の前記第２チップ領域側で前記第１長手方向に延びる第２中間領域と、
前記第１中間領域の前記第１チップ領域側で前記第１長手方向に延びる第１外側領域と、
前記第２中間領域の前記第２チップ領域側で前記第１長手方向に延びる第２外側領域と
を含み、
前記第１中間領域の表面は、前記第１長手方向に延びる土手状の第１樹脂膜で覆われ、
前記第２中間領域の表面は、前記第１長手方向に延びる土手状の第２樹脂膜で覆われ、
前記第１中央領域、前記第１外側領域、及び前記第２外側領域のそれぞれの表面は、樹脂膜で覆われない
ウエハ。
【請求項２】
半導体素子が形成された第３チップ領域と、
第２ダイシング領域と
を具備し、
前記第１チップ領域及び前記第３チップ領域は、前記第２ダイシング領域によって互いに分離され、
前記第１ダイシング領域及び第２ダイシング領域は互いに直交し、
前記第２ダイシング領域の前記第１チップ領域及び前記第３チップ領域に挟まれた部分は、
前記第２ダイシング領域の第２長手方向に延びる第２中央領域と、
前記第２中央領域の前記第１チップ領域側で前記第２長手方向に延びる第３中間領域と、
前記第２中央領域の前記第３チップ領域側で前記第２長手方向に延びる第４中間領域と、
前記第３中間領域の前記第１チップ領域側で前記第２長手方向に延びる第３外側領域と、
前記第４中間領域の前記第３チップ領域側で前記第２長手方向に延びる第４外側領域と
を含み、
前記第３中間領域の表面は、前記第２長手方向に延びる土手状の第３樹脂膜で覆われ、
前記第４中間領域の表面は、前記第２長手方向に延びる土手状の第４樹脂膜で覆われ、
前記第２中央領域、前記第３外側領域、及び前記第４外側領域のそれぞれの表面は、樹脂膜で覆われず、
前記第１樹脂膜及び前記第２樹脂膜は、前記第２ダイシング領域を横切るように前記第１長手方向に延び、
前記第３樹脂膜及び前記第３樹脂膜は、前記第１ダイシング領域を横切るように前記第２長手方向に延びる
請求項１のウエハ。
【請求項３】
前記半導体素子は、半導体基板上に形成された
請求項１又は２のウエハ。
【請求項４】
ウエハを複数のチップに個片化するステップを具備し、
前記ウエハは、
半導体素子が形成された第１チップ領域と、
半導体素子が形成された第２チップ領域と、
第１ダイシング領域と
を具備し、
前記第１チップ領域及び前記第２チップ領域は、前記第１ダイシング領域によって互いに分離され、
前記第１ダイシング領域の前記第１チップ領域及び前記第２チップ領域に挟まれた部分は、
前記第１ダイシング領域の第１長手方向に延びる第１中央領域と、
前記第１中央領域の前記第１チップ領域側で前記第１長手方向に延びる第１中間領域と、
前記第１中央領域の前記第２チップ領域側で前記第１長手方向に延びる第２中間領域と、
前記第１中間領域の前記第１チップ領域側で前記第１長手方向に延びる第１外側領域と、
前記第２中間領域の前記第２チップ領域側で前記第１長手方向に延びる第２外側領域と
を含み、
前記第１中間領域の表面は、前記第１長手方向に延びる土手状の第１樹脂膜で覆われ、
前記第２中間領域の表面は、前記第１長手方向に延びる土手状の第２樹脂膜で覆われ、
前記第１中央領域、前記第１外側領域、及び前記第２外側領域のそれぞれの表面は、樹脂膜で覆われず、
前記ウエハを複数のチップに個片化する前記ステップは、
前記第１中央領域を前記第１長手方向に沿って切削するステップを含む
半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ウエハを複数のチップに個片化する前記ステップの後に、前記第１外側領域にクラックがあるかどうかを外観検査するステップを更に具備する
請求項４の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ウエハを複数のチップに個片化する前記ステップにおいて、前記第１チップ領域を含む第１チップが形成され、
前記第１チップを基板にマウントするステップを更に具備し、
前記第１チップを前記基板にマウントする前記ステップは、
樹脂接着剤を用いて前記第１チップの裏面を前記基板に接着するステップと、
前記樹脂接着剤が前記第１チップの表面側に回りこむことを前記第１樹脂膜が防止するステップと
を含む
請求項４又は５の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ウエハを複数のチップに個片化する前記ステップの前に、前記第１樹脂膜及び前記第２樹脂膜を形成するステップを更に具備し、
前記第１樹脂膜及び前記第２樹脂膜を形成する前記ステップは、
前記ウエハの全面を覆う全面樹脂膜を形成するステップと、
前記全面樹脂膜の前記第１チップ領域の表面を覆う部分に対するボンディングパッドを露出させるための開口形成と、前記全面樹脂膜の前記第２チップ領域の表面を覆う部分に対するボンディングパッドを露出させるための開口形成と、前記全面樹脂膜の前記第１中央領域の表面を覆う部分に対する開口形成と、前記全面樹脂膜の前記第１外側領域の表面を覆う部分に対する開口形成と、前記全面樹脂膜の前記第２外側領域の表面を覆う部分に対する開口形成とを実行するステップと
を含む
請求項４乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ウエハは、
半導体素子が形成された第３チップ領域と、
第２ダイシング領域と
を具備し、
前記第１チップ領域及び前記第３チップ領域は、前記第２ダイシング領域によって互いに分離され、
前記第１ダイシング領域及び第２ダイシング領域は互いに直交し、
前記第２ダイシング領域の前記第１チップ領域及び前記第３チップ領域に挟まれた部分は、
前記第２ダイシング領域の第２長手方向に延びる第２中央領域と、
前記第２中央領域の前記第１チップ領域側で前記第２長手方向に延びる第３中間領域と、
前記第２中央領域の前記第３チップ領域側で前記第２長手方向に延びる第４中間領域と、
前記第３中間領域の前記第１チップ領域側で前記第２長手方向に延びる第３外側領域と、
前記第４中間領域の前記第３チップ領域側で前記第２長手方向に延びる第４外側領域と
を含み、
前記第３中間領域の表面は、前記第２長手方向に延びる土手状の第３樹脂膜で覆われ、
前記第４中間領域の表面は、前記第２長手方向に延びる土手状の第４樹脂膜で覆われ、
前記第２中央領域、前記第３外側領域、及び前記第４外側領域のそれぞれの表面は、樹脂膜で覆われず、
前記第１樹脂膜及び前記第２樹脂膜は、前記第２ダイシング領域を横切るように前記第１長手方向に延び、
前記第３樹脂膜及び前記第３樹脂膜は、前記第１ダイシング領域を横切るように前記第２長手方向に延び、
前記ウエハを複数のチップに個片化する前記ステップの前に、前記ウエハの裏面研削をするステップを更に具備し、
前記ウエハの裏面研削をする前記ステップにおいて、前記第１樹脂膜又は前記第２樹脂膜は、前記第２ダイシング領域を流れる研削薬液をせき止める
請求項４乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ及び半導体装置の製造方法に関し、特に、複数のチップに個片化されるべきウエハ及びウエハを複数のチップに個片化する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、半導体ウエハ上には複数のチップ領域が形成されている。それぞれのチップ領域は、ダイシングストリートで分離されており、このダイシングストリート内をダイシング用のブレードにより半導体ウエハを切断することで、チップの個片化が行われている。このダイシング工程では、ブレードにより物理的に半導体ウエハを切断する為、切断面に半導体ウエハの欠け、すなわちチッピングが発生することが知られている。
【０００３】
一方、ダイシング工程では、通常、半導体ウエハの表面を保護するために、ポリイミド樹脂等で覆われている。このポリイミド樹脂を用いて、チッピングが発生するのを抑制する方法が、例えば、特許文献１(特開２００３−２０３８８２号公報)に開示されている。これらの方法では、ポリイミド樹脂を半導体ウエハがブレードで切断される領域の表面を覆うことで、チッピングを抑制しようとしている。
【０００４】
図１は、この製造方法に用いられる化合物半導体基板１１１の断面図である。化合物半導体基板１１１の上面には複数の半導体素子形成領域１１２が設けられ、複数の半導体素子形成領域１１２の間にダイシング領域１１４が配置される。半導体素子形成領域１１２及びダイシング領域１１４のそれぞれの表面に保護膜であるポリイミド膜１１６が形成されている。ダイシング領域１１４のポリイミド膜１１６と半導体素子形成領域１１２のポリイミド膜１１６の間に空隙が設けられている。図２に示すように、化合物半導体基板１１１はダイシング領域１１４に沿って切断される。ポリイミド膜１１６の側端縁ｔに対応する応力変化点１１９においてポリイミド膜１１６に発生する膜応力のために化合物半導体基板１１１における応力が変化しているため、ダイシングにより化合物半導体基板１１の切断箇所で発生したクラックは応力変化点１１９で止まり、半導体素子形成領域１２に侵入しない。そのため、個片化されたチップにチッピングが発生するのを抑制することができる。なお、特許文献２（特開２００８−２８２４３号公報）には、チッピングを防止する為に金属配線を用いたチッピング防止壁を形成する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２０３８８２号公報
【特許文献２】特開２００８−２８２４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の技術では、ポリイミド樹脂も半導体ウエハと共にブレードで切断されることになる為、半導体ウエハ切断面にポリイミド樹脂が糸状にごみとして付着するという問題のあることが、本願発明者の検討結果により明らかとなった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以下に、（発明を実施するための形態）で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、（特許請求の範囲）の記載と（発明を実施するための形態）との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、（特許請求の範囲）に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【０００８】
本発明によるウエハ（１）は、半導体素子が形成された第１チップ領域（５１）と、半導体素子が形成された第２チップ領域（５２）と、第１ダイシング領域（６０Ａ）とを具備する。第１チップ領域（５１）及び第２チップ領域（５２）は、第１ダイシング領域（６０Ａ）によって互いに分離される。第１ダイシング領域（６０Ａ）の第１チップ領域（５１）及び第２チップ領域（５２）に挟まれた部分は、第１ダイシング領域（６０Ａ）の第１長手方向に延びる第１中央領域（６１Ａ）と、第１中央領域（６１Ａ）の第１チップ領域（５１）側で第１長手方向に延びる第１中間領域（６２Ａ）と、第１中央領域（６１Ａ）の第２チップ領域（５２）側で第１長手方向に延びる第２中間領域（６３Ａ）と、第１中間領域（６２Ａ）の第１チップ領域（５１）側で第１長手方向に延びる第１外側領域（６４Ａ）と、第２中間領域（６３Ａ）の第２チップ領域（５２）側で第１長手方向に延びる第２外側領域（６５Ａ）を含む。第１中間領域（６２Ａ）の表面は、第１長手方向に延びる土手状の第１樹脂膜（４１Ａ）で覆われる。第２中間領域（６３Ａ）の表面は、第１長手方向に延びる土手状の第２樹脂膜（４２Ａ）で覆われる。第１中央領域（６１Ａ）、第１外側領域（６４Ａ）、及び第２外側領域（６５Ａ）のそれぞれの表面は、樹脂膜で覆われない。
【０００９】
本発明による半導体装置の製造方法は、ウエハ（１）を複数のチップ（７１、７２）に個片化するステップ（Ｓ１２）を具備する。ウエハ（１）は、半導体素子が形成された第１チップ領域（５１）と、半導体素子が形成された第２チップ領域（５２）と、第１ダイシング領域（６０Ａ）とを具備する。第１チップ領域（５１）及び第２チップ領域（５２）は、第１ダイシング領域（６０Ａ）によって互いに分離される。第１ダイシング領域（６０Ａ）の第１チップ領域（５１）及び第２チップ領域（５２）に挟まれた部分は、第１ダイシング領域（６０Ａ）の第１長手方向に延びる第１中央領域（６１Ａ）と、第１中央領域（６１Ａ）の第１チップ領域（５１）側で第１長手方向に延びる第１中間領域（６２Ａ）と、第１中央領域（６１Ａ）の第２チップ領域（５２）側で第１長手方向に延びる第２中間領域（６３Ａ）と、第１中間領域（６２Ａ）の第１チップ領域（５１）側で第１長手方向に延びる第１外側領域（６４Ａ）と、第２中間領域（６３Ａ）の第２チップ領域（５２）側で第１長手方向に延びる第２外側領域（６５Ａ）を含む。第１中間領域（６２Ａ）の表面は、第１長手方向に延びる土手状の第１樹脂膜（４１Ａ）で覆われ、第２中間領域（６３Ａ）の表面は、第１長手方向に延びる土手状の第２樹脂膜（４２Ａ）で覆われ、第１中央領域（６１Ａ）、第１外側領域（６４Ａ）、及び第２外側領域（６５Ａ）のそれぞれの表面は、樹脂膜で覆われない。ウエハ（１）を複数のチップ（７１、７２）に個片化するステップ（Ｓ１２）は、第１中央領域（６１Ａ）を第１長手方向に沿って切削するステップを含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ポリイミド樹脂等のごみが付着することなく、個片化の際に発生するクラックがチップ領域に達することが防止されるウエハ及び半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、従来の半導体基板の断面図を示す。
【図２】図２は、従来の半導体基板をダイシング領域に沿って切断した状態を示す。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態に係るウエハの上面図である。
【図４】図４は、第１の実施形態に係るウエハの断面図である。
【図５】図５は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【図６】図６は、第１の実施形態に係るウエハの製造工程を説明するウエハの断面図である。
【図７】図７は、ダイシング中の第１の実施形態に係るウエハの断面図である。
【図８】図８は、ダイシングにより第１の実施形態に係るウエハから個片化されたチップの断面図である。
【図９】図９は、第１の実施形態による作用効果を説明するためのチップの断面図である。
【図１０】図１０は、第１の実施形態による作用効果を説明するためのチップの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
添付図面を参照して、本発明によるウエハ及び半導体装置の製造方法を実施するための形態を以下に説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
図３は、本発明の第１の実施形態に係るウエハ１の上面図である。ウエハ１は、チップ領域５１乃至５４と、ダイシング領域６０Ａ及び６０Ｂとを備える。チップ領域５１乃至５４の各々には半導体素子が形成されている。ダイシング領域６０Ａ及び６０Ｂは、互いに直交している。チップ領域５１及び５２は、ダイシング領域６０Ａによって互いに分離されている。チップ領域５３及び５４は、ダイシング領域６０Ａによって互いに分離されている。チップ領域５１及び５３は、ダイシング領域６０Ｂによって互いに分離されている。チップ領域５２及び５４は、ダイシング領域６０Ｂによって互いに分離されている。ダイシング領域６０Ａは、チップ領域５１とチップ領域５２とに挟まれ、チップ領域５３とチップ領域５４とに挟まれている。ダイシング領域６０Ｂは、チップ領域５１とチップ領域５３とに挟まれ、チップ領域５２とチップ領域５４とに挟まれている。
【００１４】
チップ領域５１乃至５４のそれぞれの表面がチップ領域保護膜３１乃至３４で覆われている。チップ領域保護膜３１乃至３４の各々には開口２０が形成されている。チップ領域保護膜３１乃至３４は、ポリイミド樹脂のような樹脂により形成されている。
【００１５】
ダイシング領域６０Ａのチップ領域５１及び５２に挟まれた部分は、中央領域６１Ａと、中央領域６１Ａのチップ領域５１側に位置する中間領域６２Ａと、中央領域６１Ａのチップ領域３２側に位置する中間領域６３Ａと、中間領域６２Ａのチップ領域５１側に位置する外側領域６４Ａと、中間領域６３Ａのチップ領域５２側に位置する外側領域６５Ａとを含む。中央領域６１Ａ、中間領域６２Ａ、中間領域６３Ａ、外側領域６４Ａ、及び外側領域６５Ａの各々は、ダイシング領域６０Ａの長手方向に延びている。中間領域６２Ａの表面及び中間領域６３Ａの表面は、それぞれ、土手状の保護樹脂膜としてのチッピング防止壁４１Ａ及び４２Ａで覆われている。チッピング防止壁４１Ａ及び４２Ａは、チップ領域保護膜３１乃至３４と同じ材料で形成され、ダイシング領域６０Ａの長手方向に延びている。中央領域６１Ａ、外側領域６４Ａ、及び外側領域６５Ａのそれぞれの表面は、保護樹脂膜で覆われていない。
【００１６】
ダイシング領域６０Ｂのチップ領域５１及び５３に挟まれた部分は、中央領域６１Ｂと、中央領域６１Ｂのチップ領域５１側に位置する中間領域６２Ｂと、中央領域６１Ｂのチップ領域３３側に位置する中間領域６３Ｂと、中間領域６２Ｂのチップ領域５１側に位置する外側領域６４Ｂと、中間領域６３Ｂのチップ領域５３側に位置する外側領域６５Ｂとを含む。中央領域６１Ｂ、中間領域６２Ｂ、中間領域６３Ｂ、外側領域６４Ｂ、及び外側領域６５Ｂの各々は、ダイシング領域６０Ｂの長手方向に延びている。中間領域６２Ｂの表面及び中間領域６３Ｂの表面は、それぞれ、土手状の保護樹脂膜としてのチッピング防止壁４１Ｂ及び４２Ｂで覆われている。チッピング防止壁４１Ｂ及び４２Ｂは、チップ領域保護膜３１乃至３４と同じ材料で形成され、ダイシング領域６０Ｂの長手方向に延びている。中央領域６１Ｂ、外側領域６４Ｂ、及び外側領域６５Ｂのそれぞれの表面は、保護樹脂膜で覆われていない。
【００１７】
チッピング防止壁４１Ａ及び４２Ａは、ダイシング領域６０Ｂを横切るようにダイシング領域６０Ａの長手方向に延びている。チッピング防止壁４１Ｂ及び４２Ｂは、ダイシング領域６０Ａを横切るようにダイシング領域６０Ｂの長手方向に延びている。チッピング防止壁４１Ａは、チッピング防止壁４１Ｂ及び４２Ｂと交差している。チッピング防止壁４２Ａは、チッピング防止壁４１Ｂ及び４２Ｂと交差している。
【００１８】
チッピング防止壁４１Ａは、チップ領域保護膜３１及び３３から分離されている。チッピング防止壁４２Ａは、チップ領域保護膜３２及び３４から分離されている。チッピング防止壁４１Ｂは、チップ領域保護膜３１及び３２から分離されている。チッピング防止壁４２Ｂは、チップ領域保護膜３３及び３４から分離されている。
【００１９】
図４は、ウエハ１の断面図を示す。各開口２０からボンディングパッド１６が露出している。
【００２０】
図５は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。ウエハ１は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、中間製品として製造される。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子形成ステップＳ２、絶縁層形成ステップＳ４、パッド形成ステップＳ６、表面保護膜形成ステップＳ８、開口形成ステップＳ１０、ダイシングステップＳ１２、外観検査ステップＳ１４、マウンティングステップＳ１６、ワイヤボンディング・モールディングステップＳ１８、試験・製品検査ステップＳ２０を含む。
【００２１】
図６を参照して、半導体素子形成ステップＳ２、絶縁層形成ステップＳ４、パッド形成ステップＳ６、及び表面保護膜形成ステップＳ８を説明する。
【００２２】
半導体素子形成ステップＳ２において、ウエハ１の基板１０上に半導体素子（不図示）を形成する。基板１０は、例えば、シリコン基板のような半導体基板である。基板１０は、表面１０ａ及び裏面１０ｂを備える。ステップＳ２において、基板１０の表面１０ａ側に不純物を注入して拡散層１１を形成し、チップ領域５１乃至５４のそれぞれに半導体素子（不図示）を形成する。
【００２３】
絶縁層形成ステップＳ４において、拡散層１１上に絶縁層１５を形成する。絶縁層１５内に配線（不図示）が設けられている。配線は、ステップＳ２で形成した半導体素子に接続される配線を含む。
【００２４】
パッド形成ステップＳ６において、チップ領域５１乃至５４の各々において、絶縁層１５上にボンディングパッド１６を形成する。ボンディングパッド１６は、絶縁層１５内の配線に接続される。
【００２５】
表面保護膜形成ステップＳ８において、ウエハ１の全面を覆う表面保護膜１７を形成する。表面保護膜１７は、ポリイミド樹脂のような樹脂により形成される。
【００２６】
図４を参照して、開口形成ステップＳ１０を説明する。開口形成ステップＳ１０において、表面保護膜１７のチップ領域５１の表面を覆う部分にボンディングパッド１６を露出させるための開口２０を形成し、表面保護膜１７のチップ領域５２の表面を覆う部分にボンディングパッド１６を露出させるための開口２０を形成し、表面保護膜１７の中央領域６１Ａの表面を覆う部分に開口２１Ａを形成し、表面保護膜１７の外側領域６４Ａの表面を覆う部分に開口２２Ａを形成し、表面保護膜１７の外側領域６５Ａの表面を覆う部分に開口２３Ａを形成する。
【００２７】
図３を参照して、更に、開口形成ステップＳ１０を説明する。開口形成ステップＳ１０において、表面保護膜１７のチップ領域５３の表面を覆う部分にボンディングパッド１６を露出させるための開口２０を形成し、表面保護膜１７のチップ領域５４の表面を覆う部分にボンディングパッド１６を露出させるための開口２０を形成し、表面保護膜１７の中央領域６１Ｂの表面を覆う部分に開口２１Ｂを形成し、表面保護膜１７の外側領域６４Ｂの表面を覆う部分に開口２２Ｂを形成し、表面保護膜１７の外側領域６５Ｂの表面を覆う部分に開口２３Ｂを形成し、ダイシング領域６０Ａ及び６０Ｂの交差領域の中心部分の表面を覆う部分に開口２４を形成する。
【００２８】
これにより、表面保護膜１７から、チップ領域保護膜３１、３２、３３、及び３４と、チッピング防止壁４１Ａ、４２Ａ、４１Ｂ及び４２Ｂとが形成される。また、中央領域６１Ａ及び６１Ｂと、外側領域６４Ａ、６４Ｂ、６５Ａ、及び６５Ｂとが表面保護膜１７で覆われなくなる。
【００２９】
本実施形態によれば、開口２０を形成するためのレチクルを改版するだけでチッピング防止壁４１Ａ、４２Ａ、４１Ｂ及び４２Ｂを形成することが可能であり、新たな工程を追加する必要がない。
【００３０】
表面保護膜１７は、非感光性ポリイミド樹脂により形成されてもよく、感光性ポリイミド樹脂により形成されてもよい。表面保護膜１７が非感光性ポリイミド樹脂により形成される場合、表面保護膜１７上にフォトレジスト膜が形成され、フォトレジスト膜に開口２０を形成するためのレチクルのパターンが転写される。表面保護膜１７が感光性ポリイミド樹脂により形成される場合、表面保護膜１７に開口２０を形成するためのレチクルのパターンが転写される。
【００３１】
図７を参照して、ダイシングステップＳ１２を説明する。ダイシングステップＳ１２において、ダイシングブレード８０を用いて、ダイシング領域６０Ａの中心線に沿ってウエハ１を切断し、ダイシング領域６０Ｂの中心線に沿ってウエハ１を切断する。このとき、中央領域６１Ａをダイシング領域６０Ａの長手方向に沿って切削し、中央領域６１Ｂをダイシング領域６０Ｂの長手方向に沿って切削する。中央領域６１Ａをダイシング領域６０Ａの長手方向に沿って切削するとき、チッピング防止壁４１Ａ及び４２Ａは切削されない。中央領域６１Ｂをダイシング領域６０Ｂの長手方向に沿って切削するとき、チッピング防止壁４１Ｂ及び４２Ｂは切削されない。ダイシングステップＳ１２において、ウエハ１が複数のチップに個片化される。複数のチップは、チップ領域５１を含むチップ７１と、チップ領域５２を含むチップ７２と、チップ領域５３を含むチップと、チップ領域５４を含むチップとを含む。
【００３２】
図８を参照して、チップ７１の側壁７１ａ及びチップ７２の側壁７２ａは、ダイシングステップＳ１２において形成された切断面である。チップ７１は、チッピング防止壁４１Ａの一部とチッピング防止壁４１Ｂの一部とを備える。チップ７２は、チッピング防止壁４２Ａの一部とチッピング防止壁４１Ｂの一部とを備える。
【００３３】
本実施形態によれば、ダイシングブレード８０により切削される中央領域６１Ａ及び６１Ｂが保護樹脂膜で覆われていないため、ダイシングブレード８０の目詰まりが防止され、且つ、切削により生じる樹脂のゴミが壁面７１ａ及び７２ａに付着することが防がれる。
【００３４】
図９を参照して、チッピング防止壁４１Ａの内部には樹脂が硬化する際に発生した内部応力が存在している。この内部応力の方向が矢印で示されている。したがって、中央領域６１Ａの切削中に拡散層１１をチップ領域５１に向かって走るクラック７５が発生した場合であっても、チッピング防止壁４１Ａの内部応力によりクラック７５がウエハ１の表面に向かって進行するため、クラック７５がチップ領域５１に到達することが防がれる。
【００３５】
複数のチップの各々について外観検査ステップＳ１４を実行する。以下、チップ７１の場合について説明する。ステップＳ１４において、外側領域６４Ａの拡散層１１にクラック７５があるかどうかを外観検査する。図９に示すように外側領域６４Ａにクラック７５が発見されなければ、チップ７１を不良品として除外しない。仮に、図１０に示すように外側領域６４Ａにクラック７５が発見されれば、チップ７１を不良品として除外する。チッピング防止壁とチップ領域保護膜との間のみを観察すればよいため、外観検査が容易になる。チッピング防止壁とチップ領域保護膜との間には樹脂がないため、クラックの発見は容易である。
【００３６】
マウンティングステップＳ１６において、外観検査ステップＳ１４において除外されなかったチップを基板（不図示）にマウントする。以下、チップ７１の場合について説明する。ステップＳ１６において、樹脂接着剤（不図示）を用いてチップ７１の裏面１０ｂを基板に接着する。このとき、樹脂接着剤がチップ７１の表面側（ボンディングパッド１６が設けられた側）に回りこむことがチッピング防止壁４１Ａ又は４１Ｂにより防止される。
【００３７】
マウンティングステップＳ１６の後に、ワイヤボンディング・モールディングステップＳ１８と、試験・製品検査ステップＳ２０とが実行される。
【００３８】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法に裏面研削ステップが追加されたものである。裏面研削ステップは、開口形成ステップＳ１０の後、且つ、ダイシングステップＳ１２の前に実行される。
【００３９】
裏面研削ステップにおいて、ウエハ１の裏面１０ｂ側が研削される。このとき、チッピング防止壁４１Ａ又は４２Ａがダイシング領域６０Ｂを流れる研削薬液をせき止め、チッピング防止壁４１Ｂ又は４２Ｂがダイシング領域６０Ａを流れる研削薬液をせき止める。したがって、ウエハ１の周縁部から中心部に向かって研削薬液が侵入することが防止される。
【００４０】
基板１０が半導体基板の場合を説明したが、上記各実施形態に係るウエハ及び半導体装置の製造方法をガラス基板に適用することも可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１…ウエハ
１０…基板
１０ａ…表面
１０ｂ…裏面
１１…拡散層
１５…絶縁層
１６…ボンディングパッド
１７…表面保護膜
２０、２１Ａ、２１Ｂ、２２Ａ、２２Ｂ、２３Ａ、２３Ｂ、２４…開口
３１〜３４…チップ領域保護膜
４１Ａ、４１Ｂ、４２Ａ、４２Ｂ…チッピング防止壁
５１〜５４…チップ領域
６０Ａ、６０Ｂ…ダイシング領域
６１Ａ、６１Ｂ…中央領域
６２Ａ、６２Ｂ、６３Ａ、６３Ｂ…中間領域
６４Ａ、６４Ｂ、６５Ａ、６５Ｂ…外側領域
７１、７２…チップ
７１ａ、７２ａ…側壁
７５…クラック
８０…ダイシングブレード
１１１…化合物半導体基板
１１２…半導体素子形成領域
１１４…ダイシング領域
１１６…ポリイミド膜
１１９…応力変化点
ｔ…側端縁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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