(57)【要約】【課題】ＴＥＧの形成により製品となる電子デバイスの大きさに制約を受けることがなく、多くの検査項目に対応できるようＴＥＧの領域を十分に確保することができ、ＴＥＧを破損することなくメーカ側に残すこと。【解決手段】電子デバイス基板１は、電子デバイス３が形成される複数のデバイス領域Ｒ３と、電子デバイスの評価検査をするテストエレメントグループ４が形成されるテストエレメントグループ領域Ｒ４とを有するマザー基板２と、各デバイス領域に形成された電子デバイスと、テストエレメントグループ領域に形成されたテストエレメントグループと、を備えており、少なくとも一つのデバイス領域をテストエレメントグループ領域として、電子デバイスに換えてテストエレメントグループを形成した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスが形成される複数のデバイス領域と、電子デバイスの評価検査をするテストエレメントグループが形成されるテストエレメントグループ領域とを有するマザー基板と、
各デバイス領域に形成された電子デバイスと、
前記テストエレメントグループ領域に形成されたテストエレメントグループと、を備え、
少なくとも一つのデバイス領域をテストエレメントグループ領域として、電子デバイスに換えてテストエレメントグループを形成したことを特徴とする電子デバイス基板。
【請求項２】
前記テストエレメントグループの各検査部は、前記電子デバイスを形成する際の各工程毎に前記テストエレメントグループ領域内の異なる位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス基板。
【請求項３】
前記テストエレメントグループ領域の前記マザー基板は、１又は複数の検査部毎に分割可能であることを特徴とする請求項２に記載の電子デバイス基板。
【請求項４】
前記デバイス領域に形成される電子デバイスは、有機ＥＬの表示パネルであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイス基板。
【請求項５】
前記有機ＥＬの表示パネルを構成する有機膜を検査する検査部を封止したことを特徴とする請求項４に記載の電子デバイス基板。
【請求項６】
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、前記有機ＥＬの表示パネルの発光能力を検査するものであることを特徴とする請求項４又は５に記載の電子デバイス基板。
【請求項７】
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、電極パターンの形成の際の誤差を検査するものであることを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の電子デバイス基板。
【請求項８】
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、レジストパターンの形成の際の誤差を検査するものであることを特徴とする請求項４〜７のいずれか一項に記載の電子デバイス基板。
【請求項９】
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、有機膜パターンの形成の際の誤差を検査するものであることを特徴とする請求項４〜８のいずれか一項に記載の電子デバイス基板。
【請求項１０】
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、各工程で形成される各膜の厚さを検査するものであることを特徴とする請求項４〜９のいずれか一項に記載の電子デバイス基板。
【請求項１１】
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、各工程で形成される各膜の表面の特性を検査するものであることを特徴とする請求項４〜１０のいずれか一項に記載の電子デバイス基板。
【請求項１２】
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、電極の電気抵抗値を検査するものであることを特徴とする請求項４〜１１のいずれか一項に記載の電子デバイス基板。
【請求項１３】
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、膜を形成する際に用いるマスク能力又はマスクアライメント能力を検査するものであることを特徴とする請求項４〜１２のいずれか一項に記載の電子デバイス基板。
【請求項１４】
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、前記有機ＥＬの表示パネルを構成する膜のエッジの形状を検査するものであることを特徴とする請求項４〜１３のいずれか一項に記載の電子デバイス基板。
【請求項１５】
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、前記有機ＥＬの表示パネルを構成する封止部材の封止能力を検査するものであることを特徴とする請求項４〜１４のいずれか一項に記載の電子デバイス基板。
【請求項１６】
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、外部環境に対する耐久性を検査するものであることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一項に記載の電子デバイス基板。
【請求項１７】
前記テストエレメントグループに製造ロットを特定する指標を付したことを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一項に記載の電子デバイス基板。
【請求項１８】
前記マザー基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか一項に記載の電子デバイス基板。
【請求項１９】
請求項１〜１８に記載の電子デバイス基板を製造する電子デバイス基板の製造方法であって、
前記マザー基板の前記デバイス領域に前記電子デバイスを工程順に形成するステップと、
前記電子デバイスの形成に並行して、前記デバイス領域の少なくとも一つに前記テストエレメントグループを前記電子デバイスの各工程毎にそれぞれ異なる位置に形成するステップと、
を有することを特徴とする電子デバイス基板の製造方法。
【請求項２０】
請求項１〜１８に記載の電子デバイス基板を検査する電子デバイス基板の検査方法であって、
前記テストエレメントグループ領域に形成される全ての検査部のうち、いずれかの検査部の形成が終了した後、次の検査部の形成を行う前に、その時点までに形成された検査部の検査を行うことを特徴とする電子デバイス基板の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス基板、電子デバイス基板の製造方法及び電子デバイス基板の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという。）表示装置の開発が盛んに行われている。
これらの表示装置は、マザー基板に薄膜トランジスタや他の回路等が設けられている。また、マザー基板には、これらの素子の性能を評価、検査するため、テストエレメントグループ（以下、ＴＥＧという。）が設けられている。ＴＥＧは、素子の形成の際に同一工程でマザー基板に順次形成される。
例えば、図６に示すように、ＴＥＧ２００は、製品となる電子デバイス２０１を形成する領域Ａの一部に形成されている。このとき、電子デバイス２０１は、ＴＥＧ２００の領域を確保した分、小さく形成されている（例えば、特許文献１参照。）。
また、ＴＥＧを設けることによる基板の大型化を抑えるため、電子デバイスを形成する領域において素子を形成しないスペース（デッドスペース）にＴＥＧを形成したものが知られている（例えば、特許文献２参照。）。
また、マザー基板の使用効率を向上させるため、マザー基板の分割ライン上にＴＥＧを形成したものが知られている（例えば、特許文献３参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２３５１０６号公報
【特許文献２】特開２００４−３４１２１６号公報
【特許文献３】特開２００２−１２４５５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、製品として生産、出荷された電子デバイスに不良が発生した場合、その不良品やログデータにより生産工程中の履歴を解析しようとしても、不良品が解析できない状態（破壊、破損等）であったり、全てのログデータが残っていなかったり、ログデータでは表現できない場合（具体的には、定量的なデータで評価することができない場合等）であったりすることが多い。
また、不良品が生産された工程と同一工程の電子デバイスやデータがなければ、不良の原因について正しく解析することができない。
特許文献１に記載のＴＥＧは、製品となる電子デバイスと同じ領域に設けられているため、電子デバイスと共にＴＥＧも出荷されてしまい、メーカ側にＴＥＧを保管しておくことができなかった。また、ＴＥＧの分だけ電子デバイスが小さくなるので、ＴＥＧも考慮して大きめのマザー基板を選定することが必要であった。
特許文献２に記載のＴＥＧにおいても、電子デバイスのデッドスペースを利用しているとはいえ、電子デバイスと同じ領域にＴＥＧが形成されるため、電子デバイスと共にＴＥＧも出荷されてしまい、メーカ側にＴＥＧを保管しておくことができなかった。また、デッドスペースは狭小であり、多くの検査項目があるような電子デバイスにおいてはＴＥＧの領域が不十分であった。
特許文献３に記載のＴＥＧは、マザー基板の分割ラインに形成されているため、出荷時にＴＥＧも分割されてしまい、メーカ側にＴＥＧを保管しておくことができなかった。
【０００５】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、ＴＥＧの形成により製品となる電子デバイスの大きさに制約を受けることがなく、多くの検査項目に対応できるようＴＥＧの領域を十分に確保することができ、ＴＥＧを破損することなくメーカ側に残すことができる電子デバイス基板、電子デバイス基板の製造方法及び電子デバイス基板の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、電子デバイス基板において、
電子デバイスが形成される複数のデバイス領域と、電子デバイスの評価検査をするテストエレメントグループが形成されるテストエレメントグループ領域とを有するマザー基板と、
各デバイス領域に形成された電子デバイスと、
前記テストエレメントグループ領域に形成されたテストエレメントグループと、を備え、
少なくとも一つのデバイス領域をテストエレメントグループ領域として、電子デバイスに換えてテストエレメントグループを形成したことを特徴とする。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の電子デバイス基板において、
前記テストエレメントグループの各検査部は、前記電子デバイスを形成する際の各工程毎に前記テストエレメントグループ領域内の異なる位置に形成されていることを特徴とする。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の電子デバイス基板において、
前記テストエレメントグループ領域の前記マザー基板は、１又は複数の検査部毎に分割可能であることを特徴とする。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイス基板において、
前記デバイス領域に形成される電子デバイスは、有機ＥＬの表示パネルであることを特徴とする。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の電子デバイス基板において、
前記有機ＥＬの表示パネルを構成する有機膜を検査する検査部を封止したことを特徴とする。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、請求項４又は５に記載の電子デバイス基板において、
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、前記有機ＥＬの表示パネルの発光能力を検査するものであることを特徴とする。
【００１２】
請求項７に記載の発明は、請求項４〜６のいずれか一項に記載の電子デバイス基板において、
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、電極パターンの形成の際の誤差を検査するものであることを特徴とする。
【００１３】
請求項８に記載の発明は、請求項４〜７のいずれか一項に記載の電子デバイス基板において、
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、レジストパターンの形成の際の誤差を検査するものであることを特徴とする。
【００１４】
請求項９に記載の発明は、請求項４〜８のいずれか一項に記載の電子デバイス基板において、
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、有機膜パターンの形成の際の誤差を検査するものであることを特徴とする。
【００１５】
請求項１０に記載の発明は、請求項４〜９のいずれか一項に記載の電子デバイス基板において、
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、各工程で形成される各膜の厚さを検査するものであることを特徴とする。
【００１６】
請求項１１に記載の発明は、請求項４〜１０のいずれか一項に記載の電子デバイス基板において、
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、各工程で形成される各膜の表面の特性を検査するものであることを特徴とする。
【００１７】
請求項１２に記載の発明は、請求項４〜１１のいずれか一項に記載の電子デバイス基板において、
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、電極の電気抵抗値を検査するものであることを特徴とする。
【００１８】
請求項１３に記載の発明は、請求項４〜１２のいずれか一項に記載の電子デバイス基板において、
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、膜を形成する際に用いるマスク能力又はマスクアライメント能力を検査するものであることを特徴とする。
【００１９】
請求項１４に記載の発明は、請求項４〜１３のいずれか一項に記載の電子デバイス基板において、
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、前記有機ＥＬの表示パネルを構成する膜のエッジの形状を検査するものであることを特徴とする。
【００２０】
請求項１５に記載の発明は、請求項４〜１４のいずれか一項に記載の電子デバイス基板において、
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、前記有機ＥＬの表示パネルを構成する封止部材の封止能力を検査するものであることを特徴とする。
【００２１】
請求項１６に記載の発明は、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の電子デバイス基板において、
前記テストエレメントグループの少なくとも一つの検査部は、外部環境に対する耐久性を検査するものであることを特徴とする。
【００２２】
請求項１７に記載の発明は、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の電子デバイス基板において、
前記テストエレメントグループに製造ロットを特定する指標を付したことを特徴とする。
【００２３】
請求項１８に記載の発明は、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の電子デバイス基板において、
前記マザー基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする。
【００２４】
請求項１９に記載の発明は、請求項１〜１８に記載の電子デバイス基板を製造する電子デバイス基板の製造方法であって、
前記マザー基板の前記デバイス領域に前記電子デバイスを工程順に形成するステップと、
前記電子デバイスの形成に並行して、前記デバイス領域の少なくとも一つに前記テストエレメントグループを前記電子デバイスの各工程毎にそれぞれ異なる位置に形成するステップと、
を有することを特徴とする。
【００２５】
請求項２０に記載の発明は、請求項１〜１８に記載の電子デバイス基板を検査する電子デバイス基板の検査方法であって、
前記テストエレメントグループ領域に形成される全ての検査部のうち、いずれかの検査部の形成が終了した後、次の検査部の形成を行う前に、その時点までに形成された検査部の検査を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
請求項１に記載の発明によれば、少なくとも一つのデバイス領域に電子デバイスを形成せずにテストエレメントグループを形成するので、そのデバイス領域全体をテストエレメントグループ用の領域として用いることができる。
これにより、従来のように、電子デバイスとテストエレメントグループとを同じデバイス領域に形成する必要がない。従って、テストエレメントグループの形成による制約を受けることなくデバイス領域を最大限に使って電子デバイスを形成することができる。さらに、テストエレメントグループについてもデバイス領域と同じ大きさの領域を確保することができるので、電子デバイスの多項目の検査を行うことができるようになる。また、テストエレメントグループの領域を大きく確保できることで、テストエレメントグループのレイアウトを検査が容易となるように自由に設計することができる。
また、電子デバイスとテストエレメントグループとを別の領域に形成することができるので、電子デバイスのみを出荷し、テストエレメントグループをメーカ側で保管することで、テストエレメントグループを破損することなくメーカ側に残すことができる。従って、不良品があった場合でも、テストエレメントグループがメーカ側に残っていて、電子デバイス生産時の状態が保存されているので、不良の原因について容易に調査を行うことができる。
【００２７】
請求項２に記載の発明によれば、電子デバイスの各工程毎にテストエレメントグループの各検査部を異なる位置に形成することで、各工程において形成される素子を検査する検査部が他の検査部によって隠れてしまうことがない。
これにより、形成される電子デバイスの全ての素子について容易に検査することができる。
【００２８】
請求項３に記載の発明によれば、マザー基板を検査部毎に分割可能とすることにより、検査を行う検査部のみをマザー基板から切り離して検査することができる。
これにより、検査を行う際のマザー基板を小型化することができ、検査の作業が容易になる。
【００２９】
請求項４に記載の発明によれば、検査項目の多い有機ＥＬの表示パネルについてもテストエレメントグループを形成することができる。
【００３０】
請求項５に記載の発明によれば、有機膜を封止することにより、空気中でも有機膜の検査を行うことができる。
【００３１】
請求項６に記載の発明によれば、有機ＥＬの表示パネルの発光能力を検査することができる。
【００３２】
請求項７に記載の発明によれば、有機ＥＬの表示パネルの電極パターンを検査することができる。
【００３３】
請求項８に記載の発明によれば、有機ＥＬの表示パネルのレジストパターンを検査することができる。
【００３４】
請求項９に記載の発明によれば、有機ＥＬの表示パネルの有機膜パターンを検査することができる。
【００３５】
請求項１０に記載の発明によれば、有機ＥＬの表示パネルを構成する各膜の厚さを検査することができる。
【００３６】
請求項１１に記載の発明によれば、有機ＥＬの表示パネルを構成する各膜の表面の特性を検査することができる。
【００３７】
請求項１２に記載の発明によれば、有機ＥＬの表示パネルの電極の電気抵抗値を検査することができる。
【００３８】
請求項１３に記載の発明によれば、有機ＥＬの表示パネルを構成する膜を形成する際に用いるマスク能力又はマスクアライメント能力を検査することができる。
【００３９】
請求項１４に記載の発明によれば、有機ＥＬの表示パネルを構成する膜のエッジの形状を検査することができる。
【００４０】
請求項１５に記載の発明によれば、有機ＥＬの表示パネルの封止部材の封止能力を検査することができる。
【００４１】
請求項１６に記載の発明によれば、有機ＥＬの表示パネルの外部環境に対する耐久性を検査することができる。
【００４２】
請求項１７に記載の発明によれば、テストエレメントグループに指標を付すことで、製造ロットを容易に特定でき、テストエレメントグループの保管が容易となる。また、テストエレメントグループの検査時においてもテストエレメントグループを容易に探し出すことができるようになり、検査の作業効率が向上する。
【００４３】
請求項１８に記載の発明によれば、マザー基板をフレキシブル基板とすることで、ＲｔｏＲ（Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ）による電子デバイスの生産にも適用することができる。
【００４４】
請求項１９に記載の発明によれば、少なくとも一つのデバイス領域に電子デバイスを形成せずにテストエレメントグループを形成するので、そのデバイス領域全体をテストエレメントグループ用の領域として用いることができる。
これにより、従来のように、電子デバイスとテストエレメントグループとを同じデバイス領域に形成する必要がない。従って、テストエレメントグループの形成による制約を受けることなくデバイス領域を最大限に使って電子デバイスを形成することができる。さらに、テストエレメントグループについてもデバイス領域と同じ大きさの領域を確保することができるので、電子デバイスの多項目の検査を行うことができるようになる。また、テストエレメントグループの領域を大きく確保できることで、テストエレメントグループのレイアウトを検査が容易となるように自由に設計することができる。
また、電子デバイスとテストエレメントグループとを別の領域に形成することができるので、電子デバイスのみを出荷し、テストエレメントグループをメーカ側で保管することで、テストエレメントグループを破損することなくメーカ側に残すことができる。従って、不良品があった場合でも、テストエレメントグループがメーカ側に残っていて、電子デバイス生産時の状態が保存されているので、不良の原因について容易に調査を行うことができる。
また、電子デバイスの各工程毎にテストエレメントグループを異なる位置に形成することで、各工程において形成される素子を検査するテストエレメントグループが他のテストエレメントグループによって隠れてしまうことがない。
これにより、形成される電子デバイスの全ての素子について容易に検査することができる。
【００４５】
請求項２０に記載の発明によれば、テストエレメントグループを形成する際に、各検査部の全てをマザー基板に形成する前であっても、その途中までに形成された検査部を用いて電子デバイスの検査を行うことができる。
これにより、各工程で生じていた不具合を早急に発見することができるようになり、即座に生産を停止させる等の対策を施すことで、電子デバイスの不良品の発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】電子デバイス基板の概略構成を示す平面図。
【図２】電子デバイスとＴＥＧの概略構成を示す断面図。
【図３】ＴＥＧの概略構成を示す平面図。
【図４】封止膜を形成したＴＥＧの概略構成を示す平面図。
【図５】電子デバイスとＴＥＧの形成方法を説明する図。
【図６】従来の電子デバイス基板の概略構成を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
以下、図面を参照しながら、電子デバイス基板、電子デバイス基板の製造方法及び電子デバイス基板の検査方法について説明する。
＜電子デバイス基板の構成＞
図１は、電子デバイス基板１の平面図である。
図１に示すように、電子デバイス基板１は、例えば、製品となる有機ＥＬの表示パネルが複数形成されたものである。
電子デバイス基板１には、マザー基板２に電子デバイス３とテストエレメントグループ（以下、ＴＥＧという。）４とが形成されている。
【００４８】
（マザー基板）
マザー基板２は、ガラスやポリマー等から形成されている。マザー基板２は、複数の製品パネルＰを生産するために、製品パネルＰのサイズよりも大きなサイズに形成されている。マザー基板２には、電子デバイス３が形成される複数のデバイス領域Ｒ３と、ＴＥＧ４が形成されるテストエレメントグループ領域Ｒ４（以下、ＴＥＧ領域という。）とを有している。
マザー基板２には、生産工程の終了後にはそれぞれの製品パネルＰ毎に分割できるように分割線Ｌが形成されている。分割線Ｌは、分割の際の指標となる線であり、予めマザー基板２に形成されている。
マザー基板２は、電子デバイス３とＴＥＧ４の形成後、製品パネルＰ毎に分割されるが、分割線Ｌで囲まれた領域には、電子デバイス３とＴＥＧ４のうち、いずれか一方が形成される。すなわち、マザー基板２において、分割線Ｌで囲まれた各領域は、デバイス領域Ｒ３とＴＥＧ領域Ｒ４のいずれか一方となり、マザー基板２の分割後、一つの分割片内に電子デバイス３とＴＥＧ４が並存することはない。
言い換えると、マザー基板２における少なくとも一つのデバイス領域Ｒ３をＴＥＧ領域Ｒ４として用いている。
なお、マザー基板２のデバイス領域Ｒ３のうち、どの位置をＴＥＧ領域Ｒ４とするかはメーカの任意であり、生産される製品の品質、加工精度によって、ＴＥＧ４を形成する数量及び位置を変化させる。
【００４９】
（電子デバイス）
図２は、電子デバイス３とＴＥＧ４の構造を並べて表した図である。なお、図２において、電子デバイス３の右端部は、構造をわかりやすく明確にするために簡略化して描画している。
図２に示すように、電子デバイス３は、有機ＥＬの表示パネルを構成する透明電極３１（陽極）、絶縁膜３２、有機膜３３、電極３４（陰極）、封止膜３５（封止部材）等の各構成要素を指すものである。マザー基板２のデバイス領域Ｒ３に電子デバイス３が形成されることで、有機ＥＬの製品パネルＰとなる。
マザー基板２の表面には、陽極となる透明電極３１が積み重なるように形成されている。透明電極３１は、例えば、インジウムとスズの酸化物からなるＩＴＯから形成されている。透明電極３１には、電極がパターニングされている。電極のパターニングは、透明電極３１の不要な部分をエッチングすることで形成される。
パターニングされた透明電極３１の表面には、絶縁膜３２が積み重なるように形成されている。絶縁膜３２には、例えば、フォトレジストと呼ばれるポリマーが用いられる。絶縁膜３２もパターニングにより形成され、主に透明電極３１のエッジ部分に形成される。
透明電極３１の表面のうち、絶縁膜３２が形成されていない部分には、複数の有機膜３３（３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ）が積み重なるように形成されている。本実施形態においては、有機膜３３は、４層形成されている。この有機膜３３に電流を流すことにより、有機膜３３内の発光材料が発光する。
最も外側にある有機膜３３ｄの表面には、陰極となる電極３４が積み重なるように形成されている。電極３４は、例えば、アルミニウム等の無機材料から形成されている。
電極３４の表面には、上記素子、特に有機膜３３を空気に触れさせないようにするために封止する封止膜３５が形成されている。
電子デバイス３は、マザー基板２に透明電極３１、絶縁膜３２、有機膜３３、電極３４、封止膜３５の順に形成され、製品パネルＰとして生産される。
【００５０】
（ＴＥＧ）
ＴＥＧ４は、電子デバイス３の各素子の検査を行う検査部（検査素子）を集めたユニットであり、電子デバイス３の各素子を検査するために、電子デバイス３と同じ工程で形成される。すなわち、有機膜３３を各デバイス領域Ｒ３に形成する際には、それに並行してＴＥＧ領域Ｒ４に有機膜３３を検査するための検査部を形成する。
ＴＥＧ領域Ｒ４には、電子デバイス３を構成する各素子を評価検査するための検査部がそれぞれ異なる位置に形成されている。これは、各検査部を露出させることで、全ての素子について検査できるようにするためである。
【００５１】
図３は、ＴＥＧ領域Ｒ４に形成されたＴＥＧ４の平面図である。ＴＥＧ領域Ｒ４がデバイス領域Ｒ３と同じ大きさであるため、多くの検査部が形成されている。なお、図３中、領域Ｓは、有機膜等の空気に触れさせてはいけない検査領域を示している。従って、この領域Ｓは、図４に示すように、ガラス封止缶１６１によって封止される。
ここで、同じマザー基板２上の電子デバイス３とＴＥＧ４の封止については、ともに封止膜３５を用いることによって、マザー基板２がフレキシブルの場合に優位である。一方で、電子デバイス３を封止膜３５で封止し、ＴＥＧ４を封止缶（図３における符号１６１）で封止することもできる。ＴＥＧ４に封止缶を用いると、有機膜３３の表面に何も接触させることが無く、表面状態を形成時の状態のまま保存できるので、表面特性の高精度な検査に有効であり、好ましい。特にガラス封止缶１６１を用いると、光学的な検査や視認検査が容易である。言うまでもなく本願では、電子デバイス３の封止にガラス封止缶１６１を用いてもよい。
図３において、縦方向の中間位置付近には、左から右に向かって、１層目の有機膜３３ａを検査する検査部１０１、２層目の有機膜３３ｂを検査する検査部１０２、３層目の有機膜３３ｃを検査する検査部１０３、４層目の有機膜３３ｄを検査する検査部１０４、絶縁膜３２を検査する検査部１０５、透明電極３１を検査する検査部１０６、電極３４を検査する検査部１０７が形成されている。なお、ガラス封止缶１６１自体及びその接合も検査の対象となり、各検査部１０１〜１０７を封止する役割の他にも検査部として用いられる。
【００５２】
検査部１０１〜１０４は、有機膜３３の膜厚、表面の特性（状態）、エッジの形状、マスクパターン、塗布パターンを検査するためのものである。
ここで、表面の特性（状態）とは、例えば、どの程度表面がザラザラしているかといった表面粗さ、光を照射した際の反射率、濡れ性、表面電位、汚染状況、異物付着状況等をいう。
検査部１０５は、絶縁膜３２のパターニングの誤差、エッジの形状、密着性、膜厚、硬度、光の吸収度、表面の特性（状態）を検査するためのものである。
検査部１０６は、透明電極３１のパターニングの誤差、電気抵抗値、表面の特性（状態）、膜厚、エッジ形状を検査するためのものである。
検査部１０７は、電極３４のパターニングの誤差、電気抵抗値、表面の特性（状態）、膜厚、エッジ形状を検査するためのものである。
これらの検査は、電子顕微鏡による観察や、各種計測機器により物性を計測することにより定量的な値を取得し、この値に基づいて評価する。
【００５３】
図３において、検査部１０１〜１０７の縦方向の両側に隣接する位置には、電子デバイス３（有機ＥＬの表示パネル）の発光能力を検査する検査部１１１〜１１６が形成されている。
検査部１１１，１１２は、陽極となる透明電極３１を隣接するように２つ設け、この２つの透明電極３１を陰極となる電極３４で接続し、透明電極３１と電極３４との間に有機膜３３を挟み込んだものである。すなわち、透明電極３１と電極３４との間に電流を流すことにより有機膜３３を発光させて、有機膜３３の発光能力を検査する。発光能力とは、電気特性（電圧値と電流値との関係）、発光特性（明るさ）、有機膜３３の寿命等をいう。
ここで、検査部１１１と検査部１１２が２つ形成されているのは、負荷の大きい条件（例えば、高電圧を印可するような場合）で検査を行った場合、早期に検査部が破壊される場合があるため、予備として複数形成しておくことが好ましいからである。
検査部１１３〜１１６は、検査部１１１，１１２と同様に、有機膜３３の発光能力を検査するものであり、検査部１１１，１１２より小さく形成されている。これは、大きな領域を発光させた場合と小さな領域を発光させた場合の発光能力を比較、評価するために大きさの異なる検査部が形成されている。
また、検査部１１３，１１４は、絶縁膜３２を形成しない場合の有機膜３３の発光能力を検査するものであり、検査部１１５，１１６は、絶縁膜３２を形成した場合の有機膜３３の発光能力を検査するものである。
このように、発光面積の大きさによる違い、絶縁膜３２の有無による発光能力の違い検査部１１１〜１１６により検査することができる。
【００５４】
図３において、検査部１０１〜１０６の横方向に隣接する位置には、エッチングの精度を検査する検査部１２１〜１２３が形成されている。
検査部１２１〜１２３は、透明電極３１、電極３４等を形成する際のエッチングの精度を検査するものである。具体的には、どの程度まで高精細なパターニングを行うことができるかをパターニングの変化により検査する。図３においては、太さを変えて四角形のパターニングを行い、その四角形がどの程度鮮明にパターニングされているかを判断することで検査を行うことができる。
なお、パターニングの検査は、電極に限られず、他の素子についてもパターニングを行うものであれば同様に検査することができる。
【００５５】
図３において、検査部１２１〜１２３の縦方向に隣接する位置には、トランジスタ能力特性を検査する検査部１３１が形成されている。
検査部１３１は、透明電極３１と、絶縁膜３２と、ＴＦＴ膜３６とを有している。検査部１３１は、トランジスタ（ＴＦＴ）に流れる電流を検査することにより、有機膜３３に流れる電流と有機膜３３の発光輝度との関係を検査するものである。
【００５６】
図３において、検査部１２１〜１２３の縦方向に隣接する位置には、マスク能力、マスクアライメント能力を検査する検査部１４１〜１４４が形成されている。ここで、マスク能力とは、マスクエッジの形成精度、マスク表面が粗いことによる膜等のすり傷の有無、マスクと基板間の距離等の能力をいう。マスクアライメント能力とは、マスクの位置ずれ、パターンがぼやける等の能力をいう。
検査部１４１は、マザー基板２上に描かれた円形のパターン形状から形成されている。検査部１４１は、目標とする正しい位置に透明基板３１、絶縁膜３２、有機膜３３、電極３４、電流を流すための配線３７が形成されているかどうかを検査するものである。これらの素子は、形成する位置以外の部分にマスクをした後、真空中で蒸着すること等により形成されるため、この円形のパターン形状内に各膜が形成されなければ、マスク能力が低い、例えば、マスクの孔にゴミ等が詰まっている、マスクの位置がずれている、マスクが変形している、マスクとマザー基板２間の距離が適当でない、といった要因を検査することができる。
検査部１４２は、マザー基板２上に形成される円形状の各素子（透明基板３１、絶縁膜３２、有機膜３３、電極３４、配線３７）である。検査部１４２は、形成された各素子の形状を検査することにより、円形状でなければマスクの位置がずれている、必要以上に大きければマスクとマザー基板２間の距離が適当でない、マスクにより傷ができた、ぼやけている、といった要因を検査することができる。
また、形成される各素子を等間隔で形成させることにより、一部の素子間で間隔が異なっていれば、マスクの位置がずれている等の検査をすることができる。
検査部１４３は、マザー基板２上に形成される四角形状の各素子（透明基板３１、絶縁膜３２、有機膜３３、電極３４、配線３７）である。各素子を四角形状に形成することにより、その角部分の精度を検査することができる。
検査部１４４は、マザー基板２上に形成される十字状の各素子（透明基板３１、絶縁膜３２、有機膜３３、電極３４、配線３７）である。各素子を十字状に形成することにより、その交点部分の精度を検査することができる。
【００５７】
図３において、検査部１４１〜１４４の横方向に隣接する位置には、透明電極３１、電極３４及び配線３７の電気抵抗値を検査する検査部１５１〜１５３が形成されている。
検査部１５１は、透明電極３１の電気抵抗値を検査するものである。検査部１５１は、予め決まった長さに形成され、その長さと太さ、材料から目標とする電気抵抗値が設定されている。そして、この検査部１５１の両端子１５１ａ，１５１ａ間に電圧を印可することにより、検査部１５１に電流を流し、その電気抵抗値を計測する。計測した電気抵抗値が目標とする電気抵抗値に対してどの程度低下したかにより、透明電極３１の形成の精度を検査することができる。
検査部１５２は、電極３４の電気抵抗値を検査するものである。検査部１５２は、予め決まった長さに形成され、その長さと太さ、材料から目標とする電気抵抗値が設定されている。そして、この検査部１５２の両端子１５２ａ，１５２ａ間に電圧を印可することにより、検査部１５２に電流を流し、その電気抵抗値を計測する。計測した電気抵抗値が目標とする電気抵抗値に対してどの程度低下したかにより、電極３４の形成の精度を検査することができる。
検査部１５３は、電流を流すための配線３７の電気抵抗値を検査するものである。検査部１５３も検査部１５１と同様、予め決まった長さに形成され、その長さと太さ、材料から目標とする電気抵抗値が設定されている。そして、この検査部１５３の両端子１５３ａ，１５３ａ間に電圧を印可することにより、検査部１５３に電流を流し、その電気抵抗値を計測する。計測した電気抵抗値が目標とする電気抵抗値に対してどの程度低下したかにより、配線３７の形成の精度を検査することができる。
ここで、各検査部１５１〜１５３の各端子１５１ａ〜１５３ａは、他の部分よりも大きく形成され、電流を流して検査する際に作業がしやすいように工夫がされている。
【００５８】
図４に示すＴＥＧ４は、図３のＴＥＧ４にガラス封止缶１６１を設置したＴＥＧである。
図４において、ガラス封止缶１６１が設置されたＴＥＧ４は、封止能力（例えば、密閉性、密着強度、表面の特性（状態）等）を検査することができる。このように、ガラス封止缶１６１が設置されたＴＥＧ４の場合には、図３の場合と違って、空気中でも検査を行うことができる。なお、ＴＥＧ４を電子デバイス３と同じ封止膜３５で封止した場合には、上記封止能力に加え、膜厚、エッジ形状も検査される。
その他、各検査部は、外部環境に対する耐久性を検査することができる。例えば、検査部の全部又は一部に高熱を加えたり、大きな圧力を加えたり、応力を発生させたり、落下させる等の衝撃を与えることにより、耐久性を検査することができる。
ただし、耐久性の検査を行うと、各素子の状態が変化してしまう場合があるため、他のデバイス領域Ｒ３に耐久性を検査するための検査部を形成することが好ましい。
【００５９】
また、図３，４に示すように、ＴＥＧ領域Ｒ４には、製造ロットを特定する指標Ｍが記されている。
指標Ｍは、例えば、マザー基板２の各ＴＥＧ領域Ｒ４に工程の通し番号や、マザー基板２における番地、文字、記号等、工程を特定できるものであればどのような形式のものであってもよい。また、マザー基板２に記載するものでも、刻印するものでもよい。
【００６０】
＜電子デバイス基板の製造方法＞
次に、電子デバイス基板１の製造方法について説明する。図５は、電子デバイス３とＴＥＧ４を形成していく流れを並べて表した図である。なお、図５において、電子デバイス３の右端部は、構造をわかりやすく明確にするために簡略化して描画している。
図５（ａ）に示すように、マザー基板２に透明電極３１を形成する。なお、近年はマザー基板２に透明電極３１が積み重ねて形成されたものが販売されているため、それを購入して準備してもよい。
次いで、図５（ｂ）に示すように、透明電極３１の表面にマスクをして、エッチングにより電極パターンを形成する。この工程において、デバイス領域Ｒ３とＴＥＧ領域Ｒ４における電極パターンの形成は同じ工程で行う。ここで、ＴＥＧ領域Ｒ４における透明電極３１は、検査部１０６となる。
次いで、図５（ｃ）に示すように、電極パターンが形成された透明電極３１の表面に絶縁膜３２を形成する。この工程において、デバイス領域Ｒ３とＴＥＧ領域Ｒ４における絶縁膜３２の形成は並行して同じ工程で行う。ここで、ＴＥＧ領域Ｒ４における絶縁膜３２は、検査部１０５となる。また、ＴＥＧ領域Ｒ４においては、絶縁膜３２を透明電極３１と異なる位置に形成することにより、検査部１０５と検査部１０６を異なる位置に形成する。
次いで、図５（ｄ）に示すように、露出された透明電極３１の表面に真空蒸着等の方法で有機膜３３を形成する。この工程において、デバイス領域Ｒ３とＴＥＧ領域Ｒ４における有機膜３３の形成は並行して同じ工程で行う。ここで、ＴＥＧ領域Ｒ４における有機膜３３（３３ａ〜３３ｄ）は、検査部１０１〜１０４となる。また、ＴＥＧ領域Ｒ４においては、有機膜３３を絶縁膜３２及び透明電極３１と異なる位置に形成することにより、検査部１０１〜１０４、検査部１０６、検査部１０５をそれぞれ異なる位置に形成する。
次いで、図５（ｄ）に示すように、露出された有機膜３３の表面に電極３４を形成する。この工程において、デバイス領域Ｒ３とＴＥＧ領域Ｒ４における電極３４の形成は並行して同じ工程で行う。ここで、ＴＥＧ領域Ｒ４における電極３４は、検査部１０７となる。また、ＴＥＧ領域Ｒ４においては、電極３４を有機膜３３、絶縁膜３２及び透明電極３１と異なる位置に形成することにより、検査部１０７、検査部１０１〜１０４、検査部１０６、検査部１０５をそれぞれ異なる位置に形成する。
そして、電極３４の表面から封止膜３５を形成して、有機膜３３を封止する。
また、電子デバイス３の形成と共に、各検査部が形成されたＴＥＧ領域Ｒ４に製造ロット及びＴＥＧ４の設置位置を特定する指標Ｍを刻印又は印字する。
以上の手順により、デバイス領域Ｒ３に有機ＥＬの表示パネルが形成され、ＴＥＧ領域Ｒ４に各検査部が形成された電子デバイス基板１を製造することができる。製造された電子デバイス基板１は、分割線Ｌで分割され、電子デバイス３は製品パネルＰとして出荷され、ＴＥＧ４はメーカ側が社内に保存する。
【００６１】
＜電子デバイス基板の検査方法＞
次に、電子デバイス基板の検査方法について説明する。
電子デバイス基板１は、全行程が終了してから検査することはもちろん可能であるが、各工程における不良を早期に発見するため、各工程の終了後、次の工程が始まる前に、その時点までに形成されたＴＥＧ４の検査部を用いて検査を行うことができる。
すなわち、各工程毎、一定数の工程毎にＴＥＧ４による検査を行うことで、設備に不良があった場合には早急に対処することができ、不良品が製造されるリスクを低減することができる。工程途中の検査はもちろん任意であり、精度の高い製品パネルＰが製造できる環境下においては、生産効率を向上するために、全行程終了後又は不良品が発生したときにＴＥＧ４による検査を行ってもよい。
なお、ＴＥＧの検査においては、１又は複数の各検査部毎にＴＥＧ領域Ｒ４を分割して検査することも可能である。この場合、必須の検査項目と選択自在な任意の検査項目に分類し、必須の検査項目を検査する検査部が形成された基板だけを分割して検査することができる。
【００６２】
＜作用効果＞
以上のように、上記の電子デバイス基板１においては、少なくとも一つのデバイス領域Ｒ３に有機膜３３等の電子デバイス３を形成せずにＴＥＧ４を形成するので、そのデバイス領域Ｒ３全体をＴＥＧ領域Ｒ４として用いることができる。
これにより、従来のように、電子デバイス３とＴＥＧ４とを同じデバイス領域Ｒ３に形成する必要がない。従って、ＴＥＧ４の形成による制約を受けることなくデバイス領域Ｒ３を最大限に使って電子デバイス３を形成することができる。そのため、従来のように、デバイス領域のデッドスペースやデバイス領域外といった狭小な場所にＴＥＧを形成することもない。
さらに、ＴＥＧ４についてもデバイス領域Ｒ３と同じ大きさの領域を確保することができるので、検査部を数多く形成することで電子デバイス３の多項目の検査を行うことができるようになる。
また、ＴＥＧ領域Ｒ４を大きく確保できることで、ＴＥＧ４における検査部のレイアウトを検査が容易となるように自由に設計することができる。
また、電子デバイス３とＴＥＧ４とを別の領域に形成することができるので、電子デバイス３のみを出荷し、ＴＥＧ４をメーカ側で保管することで、ＴＥＧ４を破損することなくメーカ側に残すことができる。従って、不良品があった場合でも、ＴＥＧ４がメーカ側に残っているので、不良の原因について容易に調査を行うことができる。
【００６３】
また、電子デバイス３の各工程毎に検査部を異なる位置に形成することで、各工程において形成される素子を検査する検査部が他の検査部によって隠れてしまうことがない。
これにより、形成される電子デバイス３の全ての素子について容易に検査することができる。
【００６４】
また、マザー基板２を１又は複数の検査部毎に分割可能とすることにより、検査を行う検査部のみをマザー基板２から切り離して検査することができる。
これにより、検査を行う際のマザー基板２を小型化することができ、検査の作業が容易になる。
【００６５】
また、ＴＥＧ４に指標Ｍを付すことで、製造ロットを容易に特定でき、ＴＥＧ４の保管が容易となる。また、ＴＥＧ４の検査時においてもＴＥＧ４を容易に探し出すことができるようになり、検査の作業効率が向上する。
【００６６】
また、ＴＥＧ４を形成する際に、各検査部の全てをマザー基板２に形成する前であっても、その途中までに形成された検査部を用いて電子デバイス３の検査を行うことができる。
これにより、各工程で生じていた不具合を早急に発見することができるようになり、即座に生産を停止させる等の対策を施すことで、電子デバイス３の不良品の発生を抑えることができる。
また、ＴＥＧ領域Ｒ４を広く確保できることとあいまって、形成工程の途中で確認しやすい、例えば、工程毎に検査部を集める、似た検査を行う検査部どうしを近くに配置する等の各検査部のレイアウトを自由に行うことができる。
【００６７】
＜その他＞
なお、本発明は、上記実施形態に限られるものではない。
例えば、各検査項目の検査を行うＴＥＧは、上記の検査部を備えているものだけに限らず、他の検査項目を検査することができる検査部を自由に形成することができる。
また、マザー基板は硬質のものであるが、マザー基板をフレキシブル基板で形成してもよい。これにより、ＲｔｏＲ（Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ）による電子デバイスの生産にも適用することができる。
また、本発明における表示装置、表示パネルは、複数の発光素子が集積されて構成されるものに限らず、一つの発光素子により構成され、発光によって標識や照明に供されるものも含むものである。
【符号の説明】
【００６８】
１  電子デバイス基板
２  マザー基板
３  電子デバイス
３１  透明電極
３２  絶縁膜
３３  有機膜
３４  電極
３５  封止膜（封止部材）
４  ＴＥＧ（テストエレメントグループ）
１０１〜１０７  検査部
１１１〜１１６  検査部
１２１〜１２３  検査部
１３１  検査部
１４１〜１４４  検査部
１５１〜１５３  検査部
１６１  ガラス封止缶（検査部）
Ｍ  指標
Ｒ３  デバイス領域
Ｒ４  ＴＥＧ領域（テストエレメントグループ領域）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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