(57)【要約】【課題】めっきバリの発生を防止するリードフレームの製造方法、及びその製造方法により製造されるリードフレーム、並びにそのリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】リードフレーム材１１の上面に、上側端子部１３を突出させ、リードフレーム材１１の上面及び下面に第１、第２のレジスト膜２７、２８をそれぞれ形成し、第１、第２のレジスト膜２７、２８をマスクとして、上側端子部１３の上面及びリードフレーム材１１の下面の下側端子部１９を形成する領域に第１、第２の金属めっき層３１、３２をそれぞれ形成してリードフレーム１０を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂封止される複数の上側端子部と、該上側端子部の下部に連結された下側端子部とを備える半導体装置の製造に用いるリードフレームの製造方法において、
リードフレーム材の上面に前記上側端子部を突出させる工程Ａと、
前記リードフレーム材の上面及び下面に第１、第２のレジスト膜をそれぞれ形成する工程Ｂと、
前記第１、第２のレジスト膜をマスクとして、前記上側端子部の上面及び前記リードフレーム材の下面の前記下側端子部を形成する領域に第１、第２の金属めっき層をそれぞれ形成する工程Ｃとを有することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のリードフレームの製造方法において、前記工程Ｂで形成する前記第１のレジスト膜を、前記上側端子部の突出により凹凸形状となった前記リードフレーム材の上面に沿って配置することを特徴とするリードフレームの製造方法。  
【請求項３】
請求項１又は２記載のリードフレームの製造方法において、前記工程Ｃで形成する前記第１の金属めっき層の表面積は、前記上側端子部の上面の表面積より小さく形成することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のリードフレームの製造方法において、前記工程Ａで、前記上側端子部は、前記リードフレーム材の厚みの半分の突出高だけ突出させることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項５】
樹脂封止される複数の上側端子部と、該上側端子部の下部に連結された下側端子部を備える半導体装置に用いるリードフレームにおいて、
リードフレーム材の上面に突出した前記上側端子部を有し、前記上側端子部の上面より面積の小さい第１の金属めっき層が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項６】
請求項５記載のリードフレームにおいて、前記上側端子部は前記リードフレーム材の厚みの半分の突出高だけ突出していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項７】
樹脂封止される複数の上側端子部と、該上側端子部の下部に連結された下側端子部とを備える半導体装置の製造方法において、
リードフレーム材の上面に前記上側端子部を突出させる工程Ａと、
前記リードフレーム材の上面及び下面に第１、第２のレジスト膜をそれぞれ形成する工程Ｂと、
前記第１、第２のレジスト膜をマスクとして、前記上側端子部の上面及び前記リードフレーム材の下面の前記下側端子部を形成する領域に第１、第２の金属めっき層をそれぞれ形成してリードフレームを形成する工程Ｃと、
前記リードフレームに半導体素子を搭載した後、前記上側端子部と該半導体素子とを電気的に接続し、樹脂封止する工程Ｄと、
前記第２の金属めっき層をマスクとしてエッチングを行い、前記上側端子部の下部に前記下側端子部を形成する工程Ｅとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記工程Ｂで形成する前記第１のレジスト膜を、前記上側端子部の突出により凹凸形状となった前記リードフレーム材の上面に沿って配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８記載の半導体装置の製造方法において、前記工程Ｃで形成する前記第１の金属めっき層の表面積は、前記上側端子部の上面の表面積より小さく形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程Ａで、前記上側端子部は、前記リードフレーム材の厚みの半分の突出高だけ突出することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程Ａで前記上側端子部を、前記リードフレーム材の厚みの四半の突出高だけ突出させ、前記工程Ｃの後、かつ前記工程Ｄの前に、前記上側端子部が、前記リードフレーム材の厚みの半分の突出高となるように、更に前記リードフレーム材の上面をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記工程Ａで、更に、前記リードフレーム材の下面の前記下側端子部を、前記リードフレーム材の厚みの四半の突出高だけ突出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、下側端子部が封止樹脂の底面側に突出した半導体装置の製造方法と、これに用いるリードフレーム及びリードフレームの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
銅又は銅合金等からなるリードフレーム材（金属板）をエッチング処理により加工してエリアアレイ状に複数の端子を備えた半導体装置が知られており、その半導体装置の製造方法が、例えば、特許文献１で開示されている。
図８（Ａ）〜（Ｊ）に示すように、特許文献１の製造方法では、リードフレーム材１００の上面及び下面にレジスト膜１０１、１０２をそれぞれ形成して、レジスト膜１０１、１０２をめっきマスクとしてリードフレーム材１００の上面及び下面の所定位置にめっき層１０３、１０４をそれぞれ形成した後、リードフレーム材１００の下面にレジスト膜１１２を形成する。
【０００３】
次に、めっき層１０３をエッチングマスクとしてリードフレーム材１００の上面をエッチングして、上側端子部１０５を突出させ、その後に、リードフレーム材１００の下面からレジスト膜１１２を取外す。そして、半導体素子１０６を搭載し、半導体素子１０６と上側端子部１０５とを、めっき層１０３を介してボンディングワイヤ１０７によって接続し、次に、半導体素子１０６、めっき層１０３、上側端子部１０５及びボンディングワイヤ１０７を樹脂（封止樹脂）１０８で樹脂封止して、リードフレーム材１００の下面側のめっき層１０４をエッチングマスクとしてエッチング加工を行って、下側端子部１０９を分離させ、半導体装置１１０を形成する。
【０００４】
しかし、めっき層１０３をエッチングマスクとしてエッチング加工を行った際に、エッチングによって形成された上側端子部１０５がエッチング液によって侵食（サイドエッチング）され、めっきバリ１１１が発生する（図９（Ａ）、（Ｂ）参照）。そして、めっきバリ１１１は、上側端子部１０５を突出させた後の工程で、めっき剥れの原因となり、また剥れためっきが不純物として残留すると、めっき層１０３に疵が付く。更に剥れためっきは、その後のエッチング精度に影響を及ぼし、回路ショート等を発生させるなど、不良品の発生や、半導体装置の信頼性低下の問題を引き起していた。
【０００５】
特許文献２では、この製造方法で生じるめっきバリを除去する方法が提案されている。
そして、めっきバリを発生させないための方法として、めっき層形成とエッチング加工の各工程を繰り返す方法（例えば特許文献３）や、めっき層の上にドライフィルム等の耐エッチングレジスト膜を載せエッチングを行う方法（例えば特許文献４）が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２４１３５号公報
【特許文献２】特開２００７−４８９８１号公報
【特許文献３】特開２００７−５１３３６号公報
【特許文献４】特開２００３−７８０９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２で提案されているウォータージェットや超音波を用いためっきバリの除去方法では、めっきバリを完全に除去することができず、めっきバリ除去の際、めっき層に疵が付く可能性があった。
また、特許文献３の方法では、工程数が多く生産性が低下し、また、めっきバリの発生を確実に防ぐためにエッチング量を調整する必要があった。
更に、特許文献４の方法では、サイドエッチングの影響を考慮して、エッチング量を調整しなければならず、完全にめっきバリの発生を防ぐことができなかった。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされるもので、めっきバリの発生を防止したリードフレーム及びリードフレームの製造方法とこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的に沿う本発明に係るリードフレームの製造方法は、樹脂封止される複数の上側端子部と、該上側端子部の下部に連結された下側端子部とを備える半導体装置の製造に用いるリードフレームの製造方法において、リードフレーム材の上面に前記上側端子部を突出させる工程Ａと、前記リードフレーム材の上面及び下面に第１、第２のレジスト膜をそれぞれ形成する工程Ｂと、前記第１、第２のレジスト膜をマスク（めっきマスク）として、前記上側端子部の上面及び前記リードフレーム材の下面の前記下側端子部を形成する領域に第１、第２の金属めっき層をそれぞれ形成する工程Ｃとを有する。
【０００９】
本発明に係るリードフレームの製造方法において、前記工程Ｂで形成する前記第１のレジスト膜を、前記上側端子部の突出により凹凸形状となった前記リードフレーム材の上面に沿って配置するのが好ましい。
【００１０】
本発明に係るリードフレームの製造方法において、前記工程Ｃで形成する前記第１の金属めっき層の表面積は、前記上側端子部の上面の表面積より小さく形成するのが好ましい。
【００１１】
本発明に係るリードフレームの製造方法において、前記工程Ａで、前記上側端子部は、前記リードフレーム材の厚みの半分の突出高だけ突出させるのが好ましい。
【００１２】
前記目的に沿う本発明に係るリードフレームは、樹脂封止される複数の上側端子部と、該上側端子部の下部に連結された下側端子部を備える半導体装置に用いるリードフレームにおいて、リードフレーム材の上面に突出した前記上側端子部を有し、前記上側端子部の上面より面積の小さい第１の金属めっき層が形成されている。
【００１３】
本発明に係るリードフレームにおいて、前記上側端子部は前記リードフレーム材の厚みの半分の突出高だけ突出しているのが好ましい。
【００１４】
前記目的に沿う本発明に係る半導体装置の製造方法は、樹脂封止される複数の上側端子部と、該上側端子部の下部に連結された下側端子部とを備える半導体装置の製造方法において、リードフレーム材の上面に前記上側端子部を突出させる工程Ａと、前記リードフレーム材の上面及び下面に第１、第２のレジスト膜をそれぞれ形成する工程Ｂと、前記第１、第２のレジスト膜をマスク（めっきマスク）として、前記上側端子部の上面及び前記リードフレーム材の下面の前記下側端子部を形成する領域に第１、第２の金属めっき層をそれぞれ形成してリードフレームを形成する工程Ｃと、前記リードフレームに半導体素子を搭載した後、前記上側端子部と該半導体素子とを電気的に接続し、樹脂封止する工程Ｄと、前記第２の金属めっき層をマスク（エッチングマスク）としてエッチングを行い、前記上側端子部の下部に前記下側端子部を形成する工程Ｅとを有する。
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記工程Ｂで形成する前記第１のレジスト膜を、前記上側端子部の突出により凹凸形状となった前記リードフレーム材の上面に沿って配置するのが好ましい。
【００１６】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記工程Ｃで形成する前記第１の金属めっき層の表面積は、前記上側端子部の上面の表面積より小さく形成するのが好ましい。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記工程Ａで、前記上側端子部は、前記リードフレーム材の厚みの半分の突出高だけ突出するのが好ましい。
【００１８】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記工程Ａで前記上側端子部を、前記リードフレーム材の厚みの四半の突出高だけ突出させ、前記工程Ｃの後、かつ前記工程Ｄの前に、前記上側端子部が、前記リードフレーム材の厚みの半分の突出高となるように、更に前記リードフレーム材の上面をエッチングすることができる。
【００１９】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記工程Ａで、更に、前記リードフレーム材の下面の前記下側端子部を、前記リードフレーム材の厚みの四半の突出高だけ突出させることができる。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１〜４記載のリードフレームの製造方法は、上側端子部を突出させた後に金属めっき層を形成するため、めっきバリの発生を防ぎ、めっきバリによるめっき層への疵や回路ショート等の不良品の発生や品質低下の問題を解消することができる。
【００２１】
特に、請求項２記載のリードフレームの製造方法は、第１のレジスト膜を、上側端子部の突出により凹凸形状となったリードフレーム材の上面に沿って配置することで、確実にリードフレーム材に接着して、リードフレーム材とのずれの発生を防止するので、第１のレジスト膜をマスクとして形成される第１の金属めっき層を、所定位置に確実に形成することが可能である。
【００２２】
請求項３記載のリードフレームの製造方法は、第１の金属めっき層の表面積が、上側端子部の上面の表面積より小さく形成されるので、上側端子部の上面全体に金属めっき層を形成するのに比べて、金属めっき層を形成する金属の使用量を削減することが可能である。
【００２３】
請求項４記載のリードフレームの製造方法は、上側端子部が、エッチングを行う前のリードフレーム材の厚みの半分の突出高で突出するので、上側端子部の下部はリードフレーム材により固定された状態となり、各上側端子部の相対的な位置を固定する固定手段等を用いることなく後の処理を行うことを可能にすると共に、樹脂封止するのに必要な上側端子部の突出高を設けることが可能である。
【００２４】
請求項５及び６に記載のリードフレームは、上側端子部の上面より面積の小さい第１の金属めっき層が形成されているので、上側端子部全体に金属めっき層を形成するのに比べて、金属めっき層を形成する金属の使用量を削減することが可能である。
【００２５】
特に、請求項６記載のリードフレームは、上側端子部がエッチング処理がなされる前のリードフレーム材の厚みの半分の範囲の突出高で突出し、樹脂封止するのに必要な突出高を有するので、上側端子部に更にエッチング加工をすることなく樹脂封止することが可能である。
【００２６】
請求項７〜１２記載の半導体装置の製造方法は、上側端子部を突出させた後に金属めっき層を形成するため、めっきバリの発生を防ぎ、めっきバリによるめっき層への疵や回路ショート等の不良品の発生や品質低下の問題を解消することができる。
【００２７】
特に、請求項８記載の半導体装置の製造方法は、第１のレジスト膜を、上側端子部の突出により凹凸形状となったリードフレーム材の上面に沿って配置することで、確実にリードフレーム材に接着して、リードフレーム材とのずれの発生を防止するので、第１のレジスト膜をマスクとして形成される第１の金属めっき層を、所定位置に確実に形成することが可能である。
【００２８】
請求項９記載の半導体装置の製造方法は、第１の金属めっき層の表面積が、上側端子部の上面の表面積より小さく形成されるので、上側端子部の上面全体に金属めっき層を形成するのに比べて、金属めっき層を形成する金属の使用量を削減することが可能である。
【００２９】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法は、上側端子部は、リードフレーム材の厚みの半分の突出高だけ突出されるので、上側端子部の下部はリードフレーム材により固定された状態となり、各上側端子部の相対的な位置を固定する固定手段等を用いることなく後の処理を行うことを可能にすると共に、樹脂封止するのに必要な上側端子部の突出高を設けることが可能である。
【００３０】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法は、上側端子部を、リードフレーム材の厚みの四半の突出高だけ突出させ、リードフレーム材の上面（上側端子部が突出した側の面）に第１のレジスト膜を形成して、金属めっき層を形成した後、更に、リードフレーム材の上面をエッチングして、上側端子部を、リードフレーム材の厚みの半分だけ突出させるため、金属めっき層形成後のエッチング加工によるエッチング深さは、リードフレーム材の厚みの四半となり、金属めっき層をマスク（エッチングマスク）としてハーフエッチングした場合に比べて上側端子部に生じるサイドエッチング幅を小さくすることができ、めっきバリの発生を抑制可能である。
【００３１】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法は、予め下側端子部を突出させることによって、第２の金属めっき層をマスクとして行うエッチング加工でのエッチング深さが浅くなるため、下側端子部に生じるサイドエッチング幅を小さくすることができ、下側端子部に生じるめっきバリを抑制可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の第１の実施の形態に係るリードフレームの製造方法の説明図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は、図１のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法の説明図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明の第２の実施の形態に係るリードフレームの製造方法の説明図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）は、図３のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法の説明図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明の第３の実施の形態に係るリードフレームの製造方法の説明図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、図５のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法の説明図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係るリードフレームの製造方法の変形例になる工程Ｂの説明図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｊ）は、従来例に係る半導体装置の製造方法の説明図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）は、従来例に係るめっきバリの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
図１、図２に示すように、本発明の第１の実施の形態に係るリードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法は、封止樹脂１６で樹脂封止された複数の上側端子部１３と、中央の素子搭載部１２に載置された半導体素子１４と、ボンディングワイヤ１５と、上側端子部１３の下部に連結された下側端子部１９とを備える半導体装置２０（図２（Ｂ）参照）を製造する方法に適用できる。以下、その方法について詳細に説明する。
【００３４】
図１（Ａ）に示すように、まず、板状のリードフレーム材１１の上面に、レジスト膜ａ２４を形成して第１のエッチングパターン２６を、リードフレーム材１１の下面全体にレジスト膜ｂ２５をそれぞれ形成する。
なお、第１のエッチングパターン２６の形成に、ドライフィルム、液体レジストやソルダレジストを用いることができる。
【００３５】
図１（Ｂ）に示すように、レジスト膜ａ２４をエッチングマスクとして、エッチング液によりリードフレーム材１１のハーフエッチングを行い、上側端子部１３をリードフレーム材１１の厚みの半分の突出高だけ突出させる（工程Ａ）。但し、レジスト膜ｂ２５により全体を覆われたリードフレーム材１１の下面は、エッチングされない。ここで、上側端子部１３のリードフレーム材１１の厚みの半分の突出高とは、ハーフエッチングを行う前のリードフレーム材１１の厚みに対して、上限を５５％、下限を４５％とする範囲内の突出高のことであり、この範囲は、リードフレーム材１１の板厚の変化や、アスペクト比等の影響により生じる誤差等から、もたらされるものである。
【００３６】
また、素子搭載部１２の形成領域（図２（Ｂ）参照）は、レジスト膜ａ２４が形成されていないので、上側端子部１３と同様にハーフエッチングされる。
そして、このハーフエッチング後に、レジスト膜ａ２４、レジスト膜ｂ２５を、リードフレーム材１１から取除く。
なお、本実施の形態では、ハーフエッチングで上側端子部１３を突出させたが、プレス等の他の手段を用いて、上側端子部１３を突出させてもよい。
また、上側端子部１３は、エッチング処理がなされる前のリードフレーム材１１の厚みの３０〜７０％の範囲の突出高で突出させてもよく、この範囲内であれば、樹脂封止される突出高を確保でき、かつ、品質低下を引起すような大きな幅のサイドエッチングを発生させない。
【００３７】
図１（Ｃ）に示すように、リードフレーム材１１の上側端子部１３の突出した側の面、即ちリードフレーム材１１の上面及び下面にドライフィルム２７ｘ、２８ｘをそれぞれ貼付する。次に、図１（Ｄ）に示すように、露光現像を行い、リードフレーム材１１の上面及び下面に、レジスト膜ｃ２７（第１のレジスト膜）と第１の開口部２９、及びレジスト膜ｄ２８（第２のレジスト膜）と第２の開口部３０をそれぞれ設ける（工程Ｂ）。
図１（Ｅ）に示すように、工程Ｂが終了した後、レジスト膜ｃ２７、レジスト膜ｄ２８をめっきマスク（マスク）として、第１の開口部２９に配置された上側端子部１３の上面の内側に第１の金属めっき層３１を形成し、第２の開口部３０に第２の金属めっき層３２を形成する（工程Ｃ）。
【００３８】
第１の開口部２９は、上側端子部１３の上面の内側中央に配置され、上側端子部１３の上面の面積より小さい面積を有して形成されている。
また、第２の開口部３０は、後の工程で形成される下側端子部１９及び素子搭載部１２の形成領域に設けられている。
なお、レジスト膜ｃ２７は、上側端子部１３の突出により凹凸形状となったリードフレーム材１１の上面に沿って配置されているので、リードフレーム材１１に確実に接着されて、第１の開口部２９の位置ずれを防いでおり、第１の金属めっき層３１を所定位置に正確に設けることが可能である。
【００３９】
また、リードフレーム材１１の上面にドライフィルム２７ｘを貼付する際、リードフレーム材１１の凹凸形状となった上面に沿ってドライフィルム２７ｘを配置した後、リードフレーム材１１とドライフィルム２７ｘとの間を真空状態にする真空ラミネートを行うこともできる。この真空ラミネートにより、ドライフィルム２７ｘを、上側端子部１３の突出により凹凸形状となったリードフレーム材１１の上面に沿って隙間なく密着配置することで、第１の金属めっき層３１を形成する際、上側端子部１３の側面等へのめっき漏れを防止することが可能である。
【００４０】
本実施の形態では、レジスト膜ｃ２７及びレジスト膜ｄ２８の形成にドライフィルム（ドライフィルム２７ｘ、２８ｘ）を用いているが、液体レジストやソルダレジスト等を用いることも可能である。例えば、液体レジストを用いる場合、上側端子部１３を含むリードフレーム材１１の上面を全て覆うように第１の液体レジスト３３を塗付し、露光現像によって第１の開口部２９を形成する。また、同様にリードフレーム材１１の下面には、第２の液体レジスト３４によりレジスト膜ｄ３５（第２のレジスト膜）が形成され、第２の開口部３０が開口される（図７（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【００４１】
そして、工程Ｃの後、リードフレーム１０からレジスト膜ｃ２７、レジスト膜ｄ２８が取除かれる（図１（Ｆ）参照）。以上の工程を有して、リードフレームの製造方法が構成される。
これにより完成したリードフレーム１０は、リードフレーム材１１の上面に突出した上側端子部１３を有し、上側端子部１３の上面より面積の小さい第１の金属めっき層３１が形成されている。また、上側端子部１３は、エッチング処理がなされる前のリードフレーム材１１の厚みの半分の突出高だけ突出している。
【００４２】
第１の金属めっき層３１は、第１の開口部２９に形成され、上側端子部１３の上面の内側（中央側）となる領域に外周端から離間して形成されるので、上側端子部１３の上面全体に第１の金属めっき層３１を形成するのに比べ、金属めっきに使用する金属量を少なくすることが可能である。
【００４３】
図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、リードフレーム１０の中央に半導体素子１４を搭載し、半導体素子１４と各上側端子部１３を、第１の金属めっき層３１を介してボンディングワイヤ１５で電気的に接続し、半導体素子１４、ボンディングワイヤ１５、上側端子部１３、及び第１の金属めっき層３１を、封止樹脂１６によって樹脂封止する（工程Ｄ）。
そして、第２の金属めっき層３２をエッチングマスク（マスク）として、リードフレーム材１１の下面をエッチングして、上側端子部１３の下部に下側端子部１９を形成し、半導体装置２０が形成される（工程Ｅ）。なお、各上側端子部１３及び各下側端子部１９はそれぞれ、他の上側端子部１３及び他の下側端子部１９と物理的に分離して配置されている。
【００４４】
図２（Ｂ）に示すように、製造された半導体装置２０は、中央に素子搭載部１２を有し、素子搭載部１２の周囲にエリアアレイ状にあって、上面に第１の金属めっき層３１が設けられた複数の上側端子部１３を有している。
素子搭載部１２の上部には、半導体素子１４が搭載され、半導体素子１４と各上側端子部１３は、第１の金属めっき層３１を介してボンディングワイヤ１５によって電気的に接続されており、半導体素子１４、ボンディングワイヤ１５、上側端子部１３、及び第１の金属めっき層３１は、封止樹脂１６によって樹脂封止されている。
そして、上側端子部１３の下部には、リードフレーム材１１をエッチングして形成された下側端子部１９が設けられ、下側端子部１９の下面には第２の金属めっき層３２が形成されている。
【００４５】
第１の金属めっき層３１は、最下層に下地めっきの一例であるＮｉめっきがなされ、その上にＰｄめっきがなされ、更に、その上、即ち最上層にＡｕめっきがなされて形成されている。また、下地Ｎｉめっきの上にＡｕめっきを形成してもよい。なお、Ｎｉめっき、Ｐｄめっき、及びＡｕめっきの代わりに、Ａｇめっきによって第１の金属めっき層３１を形成することもでき、この場合、ナノ粒子にしたＡｇを、溶媒と共に上側端子部１３の上部表面に付着させ、高温、例えば１４０℃の環境下で溶媒を蒸発させて、第１の金属めっき層３１を形成することができる。
第２の金属めっき層３２は、まず最下層（下側端子部１９に接する層）に下地めっきの一例であるＮｉめっきをなし、その上にＰｄめっきをなし、更に、その上の最上層にＡｕめっきをなして形成される。なお、Ｎｉめっき、又はＳｎめっき、あるいは下地Ｎｉめっきの上にＡｕめっきをなすことによって第２の金属めっき層３２を形成することも可能である。
【００４６】
次に、本発明の第２の実施の形態に係るリードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法について説明する。
図３、図４に示すように、本発明の第２の実施の形態に係るリードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法は、第１の実施の形態に係る半導体装置２０と同様に、上側端子部４３と、素子搭載部４２と、半導体素子４４と、ボンディングワイヤ４５と、下側端子部４９と、封止樹脂４６とを備える半導体装置５０（図４（Ｂ）参照）を製造する方法に適用できる。以下、その方法について詳細に説明する。
【００４７】
図３（Ａ）に示すように、第１の実施の形態と同様に、板状のリードフレーム材４１の上面に、レジスト膜ａ５４を形成して第１のエッチングパターン５６を、リードフレーム材４１の下面全体にレジスト膜ｂ５５をそれぞれ形成する。
なお、第１のエッチングパターン５６の形成に、ドライフィルム、液体レジストやソルダレジストを用いることができる。
【００４８】
図３（Ｂ）に示すように、レジスト膜ａ５４をエッチングマスクとして、エッチング液によりリードフレーム材４１のエッチングを行い、上側端子部４３をリードフレーム材４１の厚みの四半の突出高だけ突出させる（工程Ａ）。但し、レジスト膜ｂ５５により全体を覆われたリードフレーム材１１の下面は、エッチングされない。ここで、上側端子部４３のリードフレーム材４１の厚みの四半の突出高とは、エッチングを行う前のリードフレーム材４１の厚みに対して、上限を３０％、下限を２０％とする範囲内の突出高のことであり、この範囲は、リードフレーム材４１の板厚の変化や、アスペクト比等の影響により生じる誤差等から、もたらされるものである。
【００４９】
また、素子搭載部４２の形成領域（図４（Ｂ）参照）は、レジスト膜ａ５４が形成されていないので、エッチングされる。
そして、エッチング後に、レジスト膜ａ５４、レジスト膜ｂ５５を、リードフレーム材４１から取除く。
なお、本実施の形態では、エッチングで上側端子部４３を突出させたが、プレス等の他の手段を用いて、上側端子部４３を突出させてもよい。
【００５０】
図３（Ｃ）に示すように、リードフレーム材４１の上側端子部４３の突出した側の面、即ちリードフレーム材４１の上面及び下面にドライフィルム５７ｘ、５８ｘをそれぞれ貼付する。次に、図３（Ｄ）に示すように、露光現像を行い、リードフレーム材４１の上面及び下面に、レジスト膜ｃ５７（第１のレジスト膜）と第１の開口部５９、及びレジスト膜ｄ５８（第２のレジスト膜）と第２の開口部６０をそれぞれ形成する（工程Ｂ）。
図３（Ｅ）に示すように、工程Ｂが終了した後、レジスト膜ｃ５７、レジスト膜ｄ５８をめっきマスク（マスク）として、第１の開口部５９に配置された上側端子部４３の上面の内側に第１の金属めっき層６１を形成し、第２の開口部６０に第２の金属めっき層６２を形成する（工程Ｃ）。
【００５１】
第１の開口部５９は、上側端子部４３の上面の内側中央に配置され、上側端子部４３の上面の面積より小さい面積を有して形成されている。
また、第２の開口部６０は、後の工程で形成される下側端子部４９及び素子搭載部４２の形成領域に設けられている。
【００５２】
なお、レジスト膜ｃ５７は、上側端子部４３の突出により凹凸形状となったリードフレーム材４１の上面に沿って配置されているので、リードフレーム材４１に確実に接着されて、第１の開口部５９の位置ずれを防いでおり、第１の金属めっき層６１を所定位置に正確に設けることが可能である。
【００５３】
第１の実施の形態と同様にドライフィルム５７ｘを真空ラミネートを用いて貼付をすることや、ドライフィルム（ドライフィルム５７ｘ、５８ｘ）の代わりに液体レジストやソルダレジスト等を用いることも可能である。
そして、リードフレーム材４１からレジスト膜ｃ５７、レジスト膜ｄ５８が取除かれる（図３（Ｆ）参照）。
【００５４】
図３（Ｇ）に示すように、工程Ｃの後、リードフレーム材４１の下面にレジスト膜ｅ６３を形成し、次に、第１の金属めっき層６１をエッチングマスクとしたエッチング加工を行い、上側端子部４３を、工程Ａでエッチングをする前のリードフレーム材４１の厚みの半分の突出高となるように、更にリードフレーム材４１の上面をエッチングして、リードフレーム４０を形成する。
そして、レジスト膜ｅ６３がリードフレーム材４１の下面から取除かれる。以上の工程を有して、リードフレームの製造方法が構成される。
【００５５】
本実施の形態では、リードフレーム材４１の上面の２度のエッチングにより、上側端子部４３を、エッチング処理がなされる前の板状のリードフレーム材４１の厚みの半分の突出高だけ突出させたが、エッチングの調整をすることによって、上側端子部４３は、エッチング処理がなされる前のリードフレーム材４１の厚みの３０〜７０％の範囲の突出高で突出させてもよく、この範囲内であれば、樹脂封止される突出高を確保でき、かつ、品質低下を引起すような大きな幅のサイドエッチングを発生させない。
【００５６】
図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、リードフレーム４０の中央に半導体素子４４を搭載した後、半導体素子４４と各上側端子部４３を、第１の金属めっき層６１を介してボンディングワイヤ４５で電気的に接続し、半導体素子４４、ボンディングワイヤ４５、上側端子部４３、及び第１の金属めっき層６１を、封止樹脂４６によって樹脂封止する（工程Ｄ）。
そして、第２の金属めっき層６２をエッチングマスク（マスク）として、リードフレーム材４１の下面をエッチングして、上側端子部４３の下部に下側端子部４９を形成し、半導体装置５０が形成される（工程Ｅ）。なお、各上側端子部４３及び各下側端子部４９はそれぞれ、他の上側端子部４３及び他の下側端子部４９と物理的に分離して配置されている。
【００５７】
図４（Ｂ）に示すように、製造された半導体装置５０は、中央に素子搭載部４２を有し、素子搭載部４２の周囲にエリアアレイ状にあって、上面に第１の金属めっき層６１が設けられた複数の上側端子部４３を有している。
素子搭載部４２の上部には、半導体素子４４が搭載され、半導体素子４４と各上側端子部４３は、第１の金属めっき層６１を介してボンディングワイヤ４５によって電気的に接続されており、半導体素子４４、ボンディングワイヤ４５、上側端子部４３、及び第１の金属めっき層６１は、封止樹脂４６によって樹脂封止されている。
【００５８】
そして、上側端子部４３の下部には、リードフレーム材４１をエッチングして形成された下側端子部４９が設けられ、下側端子部４９の下面には第２の金属めっき層６２が形成されている。
第１の金属めっき層６１及び第２の金属めっき層６２は、第１の実施の形態と同様の各種めっき金属（例えばＡｕ）で構成して形成することができる。
【００５９】
次に、本発明の第３の実施の形態に係るリードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法について説明する。
図５、図６に示すように、本発明の第３の実施の形態に係るリードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法は、第１の実施の形態に係る半導体装置２０と同様に上側端子部７３と、素子搭載部７２に載置された半導体素子７４と、ボンディングワイヤ７５と、下側端子部７９と、封止樹脂７６とを備える半導体装置８０（図６（Ｂ）参照）を製造する方法に適用できる。以下、その方法について詳細に説明する。
【００６０】
図５（Ａ）に示すように、まず、板状のリードフレーム材７１の上面及び下面にレジスト膜ａ８４、レジスト膜ｂ８５を形成して第１、第２のエッチングパターン８６、９４をそれぞれ形成する。
なお、本実施の形態では、第１、第２のエッチングパターン８６、９４の形成に、ドライフィルム、液体レジストやソルダレジストを用いることができる。
【００６１】
図５（Ｂ）に示すように、レジスト膜ａ８４、レジスト膜ｂ８５をエッチングマスクとして、エッチング液によりリードフレーム材７１のエッチングを行い、上側端子部７３及び下側端子部７９をそれぞれ突出させる（工程Ａ）。このエッチングにより、上側端子部７３及び下側端子部７９は、リードフレーム材７１の上面及び下面で、エッチングを行う前のリードフレーム材７１の厚みの四半の突出高だけそれぞれ突出する。ここで、上側端子部７３のリードフレーム材７１の厚みの四半の突出高とは、エッチングを行う前のリードフレーム材７１の厚みに対して、上限を３０％、下限を２０％とする範囲内の突出高のことであり、この範囲は、リードフレーム材７１の板厚の変化や、アスペクト比等の影響により生じる誤差等から、もたらされるものである。
また、素子搭載部７２の形成領域（図６（Ｂ）参照）の上面は、レジスト膜ａ８４が形成されていないので、エッチングされる。
そして、エッチング後に、レジスト膜ａ８４、レジスト膜ｂ８５を、リードフレーム材７１から取除く。
また、本実施の形態では、エッチングで上側端子部７３及び下側端子部７９を突出させたが、プレス等の他の手段を用いて、上側端子部７３及び下側端子部７９を突出させてもよい。
【００６２】
図５（Ｃ）に示すように、リードフレーム材７１の上側端子部７３の突出した側の面、即ちリードフレーム材７１の上面にドライフィルム８７ｘを、リードフレーム材７１の下面にドライフィルム８８ｘをそれぞれ貼付する。次に、図５（Ｄ）に示すように、露光現像を行い、リードフレーム材７１の上面及び下面に、レジスト膜ｃ８７（第１のレジスト膜）と第１の開口部８９、及びレジスト膜ｄ８８（第２のレジスト膜）と第２の開口部９０をそれぞれ形成する（工程Ｂ）。
図５（Ｅ）に示すように、工程Ｂが終了した後、レジスト膜ｃ８７、レジスト膜ｄ８８をめっきマスク（マスク）として、第１の開口部８９に配置された上側端子部７３の上面の内側に第１の金属めっき層９１を形成し、第２の開口部９０に第２の金属めっき層９２を形成する（工程Ｃ）。
【００６３】
第１、第２の開口部８９、９０は、上側端子部７３の下面の内側中央及び下側端子部７９の上面の内側中央にそれぞれ配置され、上側端子部７３の上面及び下側端子部７９の下面の面積より小さい面積を有してそれぞれ形成されている。
なお、第２の開口部９０は、素子搭載部７２の形成領域にも設けられている。
【００６４】
ここで、レジスト膜ｃ８７、レジスト膜ｄ８８は、上側端子部７３及び下側端子部７９の突出により凹凸形状となったリードフレーム材７１の上面及び下面に沿って配置されているので、リードフレーム材７１に確実に接着されて、第１、第２の開口部８９、９０の位置ずれを防いでおり、第１、第２の金属めっき層９１、９２を所定位置に正確に設けることが可能である。
【００６５】
第１の実施の形態と同様にドライフィルム８７ｘ、８８ｘを真空ラミネートを用いて貼付することや、ドライフィルム（ドライフィルム８７ｘ、８８ｘ）の代わりに液体レジストやソルダレジスト等を用いることも可能である。
そして、リードフレーム材７１からレジスト膜ｃ８７、レジスト膜ｄ８８が取除かれる（図５（Ｆ）参照）。
【００６６】
図５（Ｇ）に示すように、工程Ｃの後、リードフレーム材７１の下面側にレジスト膜ｅ９３を形成し、次に、第１の金属めっき層９１をエッチングマスクとしたエッチング加工を行い、上側端子部７３を、工程Ａでエッチングをする前のリードフレーム材７１の厚みの半分の突出高の突出高となるように、更にリードフレーム材７１の上面をエッチングして、リードフレーム７０を形成する。
そして、レジスト膜ｅ９３がリードフレーム材７１の下面側から取除かれる。以上の工程を有して、リードフレームの製造方法が構成される。
【００６７】
本実施の形態では、リードフレーム材７１の上面の２度のエッチングにより、上側端子部７３を、エッチング処理がなされる前の板状のリードフレーム材７１の厚みの半分の突出高だけ突出させたが、エッチングの調整をすることによって、上側端子部７３は、エッチング処理がなされる前の板状のリードフレーム材７１の厚みの３０〜７０％の範囲の突出高で突出させてもよく、この範囲内であれば、樹脂封止される突出高を確保でき、かつ、品質低下を引起すような大きな幅のサイドエッチングを発生させない。
【００６８】
図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、リードフレーム７０の中央に半導体素子７４を搭載し、半導体素子７４と各上側端子部７３を、第１の金属めっき層９１を介してボンディングワイヤ７５で電気的に接続し、半導体素子７４、ボンディングワイヤ７５、上側端子部７３、及び第１の金属めっき層９１を、封止樹脂７６によって樹脂封止する（工程Ｄ）。
そして、第２の金属めっき層９２をエッチングマスク（マスク）として、リードフレーム材７１の下面をエッチングして、各下側端子部７９を他の下側端子部７９と物理的に分離し、半導体装置８０が形成される（工程Ｅ）。なお、各上側端子部７３も、他の上側端子部７３と物理的に分離して配置されている。
【００６９】
図６（Ｂ）に示すように、製造された半導体装置８０は、中央に素子搭載部７２を有し、素子搭載部７２の周囲にエリアアレイ状にあって、上面に第１の金属めっき層９１が設けられた複数の上側端子部７３を有している。
素子搭載部７２の上部には、半導体素子７４が搭載され、半導体素子７４と各上側端子部７３は、第１の金属めっき層９１を介してボンディングワイヤ７５によって電気的に接続されており、半導体素子７４、ボンディングワイヤ７５、上側端子部７３、及び第１の金属めっき層９１は、封止樹脂７６によって樹脂封止されている。
そして、上側端子部７３の下部には、リードフレーム材７１をエッチングして形成された下側端子部７９が設けられ、下側端子部７９の下面には第２の金属めっき層９２が形成されている。
第１の金属めっき層９１及び第２の金属めっき層９２は、第１の実施の形態と同様の各種のめっき金属（例えばＡｕ）で構成して形成することができる。
【００７０】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記した形態に限定されるものでなく、要旨を逸脱しない条件の変更等は全て本発明の適用範囲である。
例えば、本発明の実施の形態では、上側端子部及び下側端子部を突出させるためにリードフレーム材の半分、四半のエッチングを行う例を示したが、諸事情に応じて上側端子部及び下側端子部を突出させる高さを適宜変更することができる。
また、めっき金属についても、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎを例として挙げたが、その他の耐エッチング性を備えた金属を用いることもできる。
【符号の説明】
【００７１】
１０：リードフレーム、１１：リードフレーム材、１２：素子搭載部、１３：上側端子部、１４：半導体素子、１５：ボンディングワイヤ、１６：封止樹脂、１９：下側端子部、２０：半導体装置、２４：レジスト膜ａ、２５：レジスト膜ｂ、２６：第１のエッチングパターン、２７：レジスト膜ｃ、２７ｘ：ドライフィルム、２８：レジスト膜ｄ、２８ｘ：ドライフィルム、２９：第１の開口部、３０：第２の開口部、３１：第１の金属めっき層、３２：第２の金属めっき層、３３：第１の液体レジスト、３４：第２の液体レジスト、３５：レジスト膜ｄ、４０：リードフレーム、４１：リードフレーム材、４２：素子搭載部、４３：上側端子部、４４：半導体素子、４５：ボンディングワイヤ、４６：封止樹脂、４９：下側端子部、５０：半導体装置、５４：レジスト膜ａ、５５：レジスト膜ｂ、５６：第１のエッチングパターン、５７：レジスト膜ｃ、５７ｘ：ドライフィルム、５８：レジスト膜ｄ、５８ｘ：ドライフィルム、５９：第１の開口部、６０：第２の開口部、６１：第１の金属めっき層、６２：第２の金属めっき層、６３：レジスト膜ｅ、７０：リードフレーム、７１：リードフレーム材、７２：素子搭載部、７３：上側端子部、７４：半導体素子、７５：ボンディングワイヤ、７６：封止樹脂、７９：下側端子部、８０：半導体装置、８４：レジスト膜ａ、８５：レジスト膜ｂ、８６：第１のエッチングパターン、８７：レジスト膜ｃ、８７ｘ：ドライフィルム、８８：レジスト膜ｄ、８８ｘ：ドライフィルム、８９：第１の開口部、９０：第２の開口部、９１：第１の金属めっき層、９２：第２の金属めっき層、９３：レジスト膜ｅ、９４：第２のエッチングパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011029335.tif 000009
【図８】
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【図９】
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