(57)【要約】【課題】電子部品の表面実装における生産性を向上させることが可能な回路基板を提供する。【解決手段】回路基板１は、実装パッド２１が表面に形成された絶縁基板１０と、絶縁基板１０の上に積層されていると共に、実装パッド２１に対応する位置に第１の貫通孔３３が形成された絶縁被覆層３０と、絶縁被覆層３０の上に積層されていると共に、実装パッド２１に対応する位置に第２の貫通孔４１が形成された接着層４０と、を備えており、接着層４０は、絶縁被覆層３０においてＩＣデバイス６０の端子形成面６１ａと対向する部分の少なくとも一部に形成されている。【選択図】  図２
2011082318.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が表面実装される回路基板であって、
実装パッドが表面に形成された絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に積層されていると共に、前記実装パッドに対応する位置に第１の貫通孔が形成された絶縁被覆層と、
前記絶縁被覆層の上に積層されていると共に、前記実装パッドに対応する位置に第２の貫通孔が形成された接着層と、を備えており、
前記接着層は、前記絶縁被覆層において前記電子部品の端子形成面と対向する部分の少なくとも一部に形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
請求項１記載の回路基板であって、
半田接続部を介して前記実装パッドに電気的に接続された端子を有する電子部品をさらに備え、
前記接着層は、前記絶縁被覆層と、前記電子部品の端子形成面と、を接着していることを特徴とする回路基板。
【請求項３】
請求項２記載の回路基板であって、
前記絶縁基板の主面に対して直交する方向に沿った前記半田接続部の断面積（Ａ）は、下記（１）式を満たすことを特徴とする回路基板。
【数１】
2011082318.tif 000008
但し、上記（１）式において、ｗ１は前記電子部品の前記端子の幅であり、ｗ２は前記絶縁基板の前記実装パッドの幅であり、ｈは前記端子と前記実装パッドとの間の距離である。
【請求項４】
請求項２又は３記載の回路基板であって、
前記電子部品は、前記端子上に形成された半田バンプを有し、
前記絶縁基板は、前記実装パッドの上に形成された半田層を有し、
前記半田バンプと前記半田層が溶融して固化することで前記半田接続部を形成しており、
下記（２）式を満たすことを特徴とする回路基板。
【数２】
2011082318.tif 000009
但し、上記（２）式において、ｔ１は前記実装パッドの厚さであり、ｔ２は前記半田層の厚さであり、ｔ３は前記半田バンプの厚さであり、ｔ４は前記端子の厚さであり、ｔ５は前記絶縁被覆層の厚さであり、ｔ６は前記接着層の厚さである。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載の回路基板であって、
前記接着層は、熱可塑性接着剤から構成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項６】
請求項５に記載の回路基板であって、
前記熱可塑性接着剤は、前記半田接続部を構成する半田の溶融温度以下の溶融温度を有することを特徴とする回路基板。
【請求項７】
電子部品が表面実装された回路基板の製造方法であって、
実装パッドが形成された絶縁基板の上に、前記実装パッドに対応する位置に第１の貫通孔が形成された絶縁被覆層と、前記実装パッドに対応する位置に第２の貫通孔が形成された接着層と、を形成する第１の形成工程と、
前記実装パッドの上に半田層を形成する第２の形成工程と、
前記電子部品の半田バンプを前記第１及び第２の貫通孔に挿入して、前記電子部品を前記接着層の上に載置する載置工程と、
前記半田層、前記半田バンプ、及び前記接着層を同時に溶融する前記溶融工程と、を備えたことを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ＢＧＡ（Ball Grid Array）やＣＳＰ（Chip Size Package）等の電子部品が表面実装される回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品を回路基板に表面実装する際に、回路基板と電子部品との接続の信頼性や耐衝撃性を確保するために、アンダーフィル処理を施す技術が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３５３２５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のアンダーフィル処理では、樹脂の充填及び硬化の工程を必要とするため、表面実装の効率が必ずしも良くないという問題がある。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、電子部品の表面実装における生産性を向上させることが可能な回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の発明は、電子部品が表面実装される回路基板であって、実装パッドが表面に形成された絶縁基板と、前記絶縁基板の上に積層されていると共に、前記実装パッドに対応する位置に第１の貫通孔が形成された絶縁被覆層と、前記絶縁被覆層の上に積層されていると共に、前記実装パッドに対応する位置に第２の貫通孔が形成された接着層と、を備えており、前記接着層は、前記絶縁被覆層において前記電子部品の端子形成面と対向する部分の少なくとも一部に形成されていることを特徴とする回路基板である。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１記載の回路基板であって、半田接続部を介して前記実装パッドに電気的に接続された端子を有する電子部品をさらに備え、前記接着層は、前記絶縁被覆層と、前記電子部品の端子形成面と、を接着していることを特徴とする回路基板である。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項２記載の回路基板であって、前記絶縁基板の主面に対して直交する方向に沿った前記半田接続部の断面積（Ａ）は、下記（１）式を満たすことを特徴とする回路基板である。
【０００９】
【数３】
2011082318.tif 000003
但し、上記（１）式において、ｗ１は前記電子部品の前記端子の幅であり、ｗ２は前記絶縁基板の前記実装パッドの幅であり、ｈは前記端子と前記実装パッドとの間の距離である。
【００１０】
請求項４の発明は、請求項２又は３記載の回路基板であって、前記電子部品は、前記端子上に形成された半田バンプを有し、前記絶縁基板は、前記実装パッドの上に形成された半田層を有し、前記半田バンプと前記半田層が溶融して固化することで前記半田接続部を形成しており、下記（２）式を満たすことを特徴とする回路基板である。
【００１１】
【数４】
2011082318.tif 000004
但し、上記（２）式において、ｔ１は前記実装パッドの厚さであり、ｔ２は前記半田層の厚さであり、ｔ３は前記半田バンプの厚さであり、ｔ４は前記端子の厚さであり、ｔ５は前記絶縁被覆層の厚さであり、ｔ６は前記接着層の厚さである。
【００１２】
請求項５の発明は、請求項１〜４の何れかに記載の回路基板であって、前記接着層は、熱可塑性接着剤から構成されていることを特徴とする回路基板である。
【００１３】
請求項６の発明は、請求項５に記載の回路基板であって、前記熱可塑性接着剤は、前記半田接続部を構成する半田の溶融温度以下の溶融温度を有することを特徴とする回路基板である。
【００１４】
請求項７の発明は、電子部品が表面実装された回路基板の製造方法であって、実装パッドが形成された絶縁基板の上に、前記実装パッドに対応する位置に第１の貫通孔が形成された絶縁被覆層と、前記実装パッドに対応する位置に第２の貫通孔が形成された接着層と、を形成する第１の形成工程と、前記実装パッドの上に半田層を形成する第２の形成工程と、前記電子部品の半田バンプを前記第１及び第２の貫通孔に挿入して、前記電子部品を前記接着層の上に載置する載置工程と、前記半田層、前記半田バンプ、及び前記接着層を同時に溶融する前記溶融工程と、を備えたことを特徴とする回路基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、第１の貫通孔を有する絶縁被覆層と、第２の貫通孔を有する接着層と、を備えているので、アンダーフィル処理を施さなくとも接続信頼性や耐衝撃性が確保でき、電子部品を表面実装する際の生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の実施形態における回路基板を示す断面図である。
【図２】図２は、図１のII部の拡大断面図である。
【図３】図３は、図２のIII−III線に沿った断面図である。
【図４】図４は、図１のIV−IV線に沿った断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態における第１変形例を示す断面図である。
【図６】図６は、図２のVI部の拡大断面図である。
【図７】図７は、本発明の実施形態における第２変形例を示す要部断面図である。
【図８】図８は、本発明の実施形態における回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】図９は、図８の第２の形成工程（ステップＳ２０）における回路基板の要部断面図である。
【図１０】図１０は、図８の載置工程（ステップＳ３０）における回路基板の要部断面図である。
【図１１】図１１は、図１０のXI部の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１８】
図１は本実施形態における回路基板を示す断面図、図２は図１のII部の拡大断面図、図３は図２のIII−III線に沿った断面図、図４は図１のIV−IV線に沿った断面図、図５は本実施形態における第１変形例を示す断面図、図６は図２のV部の拡大断面図、図７は本実施形態における第２変形例を示す要部断面図である。
【００１９】
本実施形態における回路基板１は、図１及び図２に示すように、ＩＣデバイス６０が表面実装される回路基板である。この回路基板１は、例えば携帯電話などの電子機器に組み込まれる。
【００２０】
ＩＣデバイス６０は、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）のＩＣパッケージであり、デバイス本体６１と、端子６２と、半田バンプ６３と、を有している。デバイス本体６１は、ダイを樹脂封止（パッケージング）したものであり、デバイス本体６１の下部には、多数の端子６２が形成された端子形成面６１ａが設けられている。端子６２は、この端子形成面６１ａにマトリックス状に配列されている。また、半田バンプ６３は、端子６２の下面にそれぞれ形成されている。本実施形態では、半田バンプ６３は、１５０μｍ程度の厚さとなっている。
【００２１】
ここで、ＩＣデバイス６０は、半田バンプ６３がマトリックス状に設けられた構成であればよい。例えば、ＩＣデバイス６０を、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）で構成してもよい。また、ＩＣデバイス６０を、半導体ウェハからダイシングしたベアチップに半田バンプ６３を取り付けたもので構成してもよい。本実施形態におけるＩＣデバイス６０は、本発明における電子部品の一例に相当する。
【００２２】
回路基板１は、絶縁基板１０と、絶縁基板１０に形成された電気回路パターン２０と、絶縁被覆層３０と、接着層４０と、半田接続部５０と、を備えている。回路基板１としては、例えば片面に電気回路パターン２０が形成されたフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit）を例示できる。なお、回路基板１を、両面フレキシブルプリント配線板や多層フレキシブルプリント配線板で構成してもよい。また、回路基板１を、リジッドなプリント回路板（ＰＣＢ： Printed Circuit Board）で構成してもよい。
【００２３】
絶縁基板１０は、厚さが２５μｍ程度の板状の部材である。この絶縁基板１０は、例えばポリイミド（polyimide）で構成されている。なお、回路基板１がリジッドなプリント回路板である場合には、絶縁基板１０を、ガラスエポキシ樹脂等で構成してもよい。
【００２４】
この絶縁基板１０において、ＩＣデバイス６０が表面実装される部分の裏面には、補強板１１が貼り付けられている。補強板１１は、厚さが２００μｍ程度の板状の部材である。この補強板１１は、ＩＣデバイス６０が表面実装される部分で絶縁基板１０が変形しないように補強しており、当該変形によって、ＩＣデバイス６０と回路基板１との接続状態が破壊されるのを抑制している。補強板１１は、例えばガラスエポキシ樹脂から構成されている。なお、補強板１１を、ポリイミドで構成してもよい。
【００２５】
電気回路パターン２０は、図２及び図３に示すように、複数の実装パッド２１と、複数の配線２２と、を有している。
【００２６】
実装パッド２１は、厚さが１８μｍ程度、直径Ｄ１が２００μｍ程度の円形のパターンであり、ＩＣデバイス６０の端子６２と対応するようにマトリックス状に配置されている。実装パッド２１のＸ方向のピッチＰ１は、端子６２のＸ方向のピッチと実質的に一致しており、実装パッド２１のＹ方向のピッチＰ２は、端子６２のＹ方向のピッチと、実質的に一致している。このため、ＩＣデバイス６０が回路基板１に表面実装された状態では、実装パッド２１と端子６２が半田接続部５０（後述）を介して対向するようになっている。この実装パッド２１は、例えば銅で構成されている。なお、実装パッド２１を、金、銀、カーボンで構成してもよい。
【００２７】
配線２２は、実装パッド２１から延在するラインである。この配線２２は、例えば銅で構成されている。なお、配線２２を、金、銀、カーボンで構成してもよい。また、特に図示しないが、この配線２２を、絶縁基板１０を貫通するスルーホールに接続してもよいし、配線２２に代えて、実装パッド２１をスルーホールに直接接続してもよい。
【００２８】
絶縁被覆層３０は、絶縁フィルム３１と、フィルム接着層３２と、を有し、複数の第１の貫通孔３３が形成されている。
【００２９】
絶縁フィルム３１は、厚さが１００μｍ程度のフィルム状の部材であり、例えばポリイミドで構成されている。
【００３０】
フィルム接着層３２は、５０μｍ程度の厚さで積層された接着剤の層である。このフィルム接着層３２は、上面で絶縁フィルム３１と接着し、下面で絶縁基板１０と接着している。フィルム接着層３２は、例えばエポキシ系樹脂で構成されている。
【００３１】
第１の貫通孔３３は、それぞれの実装パッド２１に対応する位置で、絶縁フィルム３１及びフィルム接着層３２を貫通している。ここで、この第１の貫通孔３３のＸ方向のピッチＰ３は、実装パッド２１のＸ方向のピッチＰ１と実質的に一致しており、Ｙ方向のピッチＰ４は、実装パッド２１のＹ方向のピッチＰ２と実質的に一致している。また、第１の貫通孔３３の内径Ｄ２は、２５０μｍ程度となっている。なお、この内径Ｄ２は、実装パッド２１の直径Ｄ１よりも大きく、且つ実装パッド２１のピッチＰ１,Ｐ２よりも小さければよく、上述した値に限定されない。
【００３２】
複数の第１の貫通孔３３は、各実装パッド２１を絶縁フィルム３１から露出させていると共に、それぞれの実装パッド２１を相互に隔離している。
【００３３】
接着層４０は、２５μｍ程度の厚さで積層された接着剤の層である。この接着層４０は、図４に示すように、絶縁被覆層３０において、ＩＣデバイス６０の端子形成面６１ａと対向する部分Ｂ（図４で模様を付した部分）に積層されている。なお、接着層４０は、絶縁被覆層３０において、ＩＣデバイス６０の端子形成面６１ａと対向する部分の少なくとも一部に積層されていればよい。例えば、図５に示すように、絶縁被覆層３０において端子形成面６１ａと対向する部分の外周部分Ｃ（図５で模様を付した部分）に接着層４０が積層され、外周部分Ｃに囲まれた中央部分Ｄには接着層４０が積層されない構成としてもよい。
【００３４】
この接着層４０には、絶縁被覆層３０の第１の貫通孔３３と同軸上で連通する第２の貫通孔４１が形成されている。この第２の貫通孔４１の内径は、第１の貫通孔３３内径Ｄ２と実質的に同一となっており、実装パッド２１の直径Ｄ１よりも大きく、且つ実装パッド２１のピッチＰ１,Ｐ２よりも小さくなるようになっている。接着層４０は、この第２の貫通孔４１によって端子６２及び半田バンプ６３との干渉を回避しつつ、上面でデバイス本体６１の端子形成面６１ａと接着し、下面で絶縁被覆層３０の絶縁フィルム３１と接着している。
【００３５】
接着層４０は、例えばエステル系樹脂からなる熱可塑性接着剤で構成されている。なお、この接着層４０を、エポキシ系樹脂からなる熱硬化性接着剤で構成してもよい。また、接着層４０に代えて、粘着剤からなる粘着層を形成してもよい。
【００３６】
半田接続部５０は、ＩＣデバイス６０の半田バンプ６３と、実装パッド２１に印刷された半田層２１ａ（後述）と、が溶融して固化することで形成され、半田が柱状となったものである。なお、図２に示す円弧状の破線は、溶融する前の半田バンプ６３を示しており、同図に示す矩形の破線は、溶融する前の半田層２１ａを示している。また、半田接続部５０を、半田バンプ６３又は半田層２１ａの何れか一方のみを溶融して固化することで形成してもよい。
【００３７】
この半田接続部５０は、上端でＩＣデバイス６０の端子６２と接続し、下端で実装パッド２１と接続し、ＩＣデバイス６０と電気回路パターン２０の間を電気的に接続している。
【００３８】
ここで、図６に示すように、絶縁基板１０の主面に対して直交する方向に沿った半田接続部５０の断面積（Ａ）は、以下の（１）式を満たすようになっている。
【００３９】
【数５】
2011082318.tif 000005
なお、上記（１）式において、ｗ１は端子６２の幅であり、ｗ２は実装パッド２１の幅であり、ｈは端子６２と実装パッド２１との間の距離である。このように、半田接続部５０の断面積（Ａ）が上記（１）式を満たすことで、半田接続部５０において、端子６２と実装パッド２１を接続するための半田が十分に確保される。これにより、端子６２と実装パッド２１との間の電気的接続の信頼性が向上する。
【００４０】
また、半田接続部５０は、図７に示すように、第１の貫通孔３３と第２の貫通孔４１に半田が全体的に充填された構成であってもよい。この場合には、第１の貫通孔３３及び第２の貫通孔４１の内壁が、堰（ダム）として機能し、隣接する半田接続部５０との短絡を防いでいる。
【００４１】
以上のように、本実施形態における回路基板１は、第１の貫通孔３３を有する絶縁被覆層３０と、第２の貫通孔４１を有する接着層４０と、を備えており、接着層４０がＩＣデバイス６０を絶縁被覆層３０に固定しているので、ＩＣデバイス６０との間における接続の信頼性及び耐衝撃性に優れている。
【００４２】
また、回路基板１では、ＩＣデバイス６０と絶縁被覆層３０が接着層４０を介して接着しているので、アンダーフィル処理が不要であり、ＩＣデバイス６０を表面実装する際の生産性が向上している。
【００４３】
さらにＩＣデバイス６０が絶縁被覆層３０に固定された状態では、電気的接続部分（端子６２、半田接続部５０及び実装パッド２１）が、端子形成面６１ａ、絶縁基板１０、第１の貫通孔３３及び第２の貫通孔４１に囲まれて密閉されるので、当該電気的接続部分の防塵性に優れている。
【００４４】
回路基板１がフレキシブルプリント配線板である場合には、回路基板１とＩＣデバイス６０との熱膨張の差が特に顕著である。これに対し、本実施形態では、接着層４０によって、ＩＣデバイス６０が絶縁被覆層３０に固定されているので、熱膨張の差による回路基板１とＩＣデバイス６０との間の接続の信頼性の低下が抑制されている。
【００４５】
次に、本実施形態における回路基板１の製造方法について説明する。
【００４６】
図８は本実施形態における回路基板の製造方法を示すフローチャート、図９は図８の第２の形成工程（ステップＳ２０）における回路基板の要部断面図、図１０は図８の載置工程（ステップＳ３０）における回路基板の要部断面図、図１１は図１０のXI部の拡大断面図である。
【００４７】
本実施形態における回路基板１の製造方法は、図８に示すように、第１の形成工程Ｓ１０と、第２の形成工程Ｓ２０と、載置工程Ｓ３０と、溶融工程Ｓ４０と、を備えている。
【００４８】
第１の形成工程Ｓ１０では、まず、絶縁被覆層３０の絶縁フィルム３１上にシート状の接着層４０を積層する。次いで、絶縁被覆層３０及び接着層４０に、第１の貫通孔３３及び第２の貫通孔４１を、実装パッド２１に対応する位置に一括して形成する。この第１の貫通孔３３及び第２の貫通孔４１の形成は、ドリル加工やレーザー加工によって行うことができる。
【００４９】
ここで、絶縁基板１０には、エッチングによって電気回路パターン２０が形成され、複数の実装パッド２１がマトリックス状に配列されているものを用いる。なお、接着層４０の両面にセパレータを予め貼り付けておき、第１の形成工程Ｓ１０の直前及び載置工程Ｓ３０（後述）の直前に、各面のセパレータを剥がしてもよい。これにより、接着層４０における粉塵の付着が抑制される。
【００５０】
次いで、第１の貫通孔３３により実装パッド２１が絶縁被覆層３０から露出するように位置合わせして、絶縁被覆層３０のフィルム接着層３２を絶縁基板１０に貼り付ける。
【００５１】
なお、第１の貫通孔３３の形成、第２の貫通孔４１の形成、接着層４０の積層、フィルム接着層３２の貼り付けの順序は、上記のものに特に限定されない。例えば、予め第１の貫通孔３３を形成した絶縁被覆層３０を絶縁基板１０に積層して、次いで、予め第２の貫通孔４１を形成した接着層４０を絶縁被覆層３０の絶縁フィルム層３１上に積層してもよい。
【００５２】
また、絶縁被覆層３０、第１の貫通孔３３、接着層４０及び第２の貫通孔４１のそれぞれの形成方法も特に限定されない。例えば、感光性や熱硬化性のソルダレジストを絶縁基板１０上にスクリーン印刷することで、第１の貫通孔３３を有する絶縁被覆層３０を形成してもよい。また、熱可塑性接着剤をスクリーン印刷することで、第２の貫通孔４１を有する接着層４０を形成してもよい。
【００５３】
第２の形成工程Ｓ２０では、図９に示すように、半田ペーストを実装パッド２１上にスクリーン印刷し、半田層２１ａを形成する。本実施形態における半田層２１ａは、厚さが８０μｍで、直径が１５０μｍの円形パターンである。
【００５４】
載置工程Ｓ３０では、図１０に示すように、マウンタ等の装置を用いて、ＩＣデバイス６０を接着層４０上に載置する。このとき、半田バンプ６３を、第１の貫通孔３３及び第２の貫通孔４１に挿入して、半田層２１ａ上に載置する。
【００５５】
ここで、実装パッド２１と、半田層２１ａと、半田バンプ６３と、端子６２と、絶縁被覆層３０と、接着層４０との間には、以下の（２）式が成立しており、デバイス本体６１の端子形成面６１ａが接着層４０に接続される前に又はそれと同時に、半田バンプ６３が半田層２１ａ上に載置される。このため、半田バンプ６３及び半田層２１ａを介して、端子６２と実装パッド２１が確実に接続するようになっている。
【００５６】
【数６】
2011082318.tif 000006
なお、上記（２）式において、図１１に示すように、ｔ１は、実装パッド２１の厚さであり、本実施形態では１８μｍである。ｔ２は、半田層２１ａの厚さであり、本実施形態では８０μｍである。ｔ３は、半田バンプ６３の厚さであり、本実施形態では１５０μｍである。ｔ４は、端子６２の厚さであり、本実施形態では、８μｍである。ｔ５は、絶縁被覆層３０の厚さであり、本実施形態では１５０μｍである。ｔ６は、接着層４０の厚さであり、本実施形態では２５μｍである。なお、ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５及びｔ６の具体的な値は、上記（２）式を満たす関係であればよく、上述で例示した値に限定されない。
【００５７】
溶融工程Ｓ４０では、上述のように、ＩＣデバイス６０が接着層４０の上に載置された状態で、リフロー半田付けを行う。ピーク温度としては、２２０℃を例示できる。このような加熱によって、半田バンプ６３及び半田層２１ａを構成する半田が溶融する。ここで、第１の貫通孔３３の内壁及び第２の貫通孔４１の内壁が堰（ダム）の役割を果すので、溶融した半田が隣接する実装パッド２１に流れ込まないようになっている。そして、溶融した半田を冷却すると、半田接続部５０が形成される。本実施形態における回路基板１では、溶融工程Ｓ４０において、半田接続部５０同士における半田ブリッジの形成が抑制されている。
【００５８】
また、半田バンプ６３及び半田層２１ａが溶融すると、ＩＣデバイス本体６１が自重によって下降し、端子形成面６１ａが接着層４０と接続する。ここで、接着層４０が熱可塑性接着剤で構成されている場合には、接着層４０もリフロー半田付けによる熱で溶融するので、その後の冷却によって、端子形成面６１ａが接着層４０と接着する。このように、接着層４０を熱可塑性接着剤で構成することで、リフロー半田付けと同時にＩＣデバイス６０と回路基板１を接着することができ、ＩＣデバイス６０を表面実装する際の生産性が向上している。
【００５９】
本実施形態では、半田接続部５０を構成する半田の溶融温度Ｔ１が２２０℃であり、接着層４０を構成する熱可塑性接着剤の溶融温度Ｔ２がＴ１以下の１５０℃となっている（Ｔ１≧Ｔ２）ので、リフロー半田付けにおいて、ピーク温度を上げることなく、接着層４０を溶融させることができる。
【００６０】
一方、接着層４０が熱硬化性接着剤で構成されている場合には、実装パッド２１と、半田層２１ａと、半田バンプ６３と、端子６２と、絶縁被覆層３０と、接着層４０との間に、以下の（３）式が成立するようにする。
【００６１】
【数７】
2011082318.tif 000007
この場合の載置工程Ｓ３０では、デバイス本体６１の端子形成面６１ａが接着層４０に接続されるのと同時に、半田バンプ６３が半田層２１ａ上に載置される。
【００６２】
また、溶融工程Ｓ４０では、リフロー半田付けの熱によって接着層４０が硬化し、端子形成面６１ａが接着層４０と接着する。このように、接着層４０を熱硬化性接着剤で構成することでも、リフロー半田付けと同時にＩＣデバイス６０と回路基板１を接着することができ、ＩＣデバイス６０を表面実装する際の生産性を向上させることができる。
【００６３】
なお、以上に説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００６４】
例えば、本発明における工程の手順は、記載の順序に限定されない。具体的には、回路基板１の製造方法は、第２の形成工程Ｓ２０→第１の形成工程Ｓ１０→載置工程Ｓ３０→溶融工程Ｓ４０の順序で行ってもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１…回路基板
１０…絶縁基板
１１…補強板
２０…電気回路パターン
２１…実装パッド
２１ａ…半田層
２２…配線
３０…絶縁被覆層
３１…絶縁フィルム
３２…フィルム接着層
３３…第１の貫通孔
４０…接着層
４１…第２の貫通孔
５０…半田接続部
６０…ＩＣデバイス
６１…デバイス本体
６１ａ…端子形成面
６２…端子
６３…半田バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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