(57)【要約】【課題】  チップ状ワークの貼り剥がしを容易とするチップ保持用テープを提供すること。【解決手段】  基材上に粘着剤層が形成された構成を有しており、粘着剤層は、チップ状ワークを貼り付けるチップ状ワーク貼付領域と、マウントフレームを貼り付けるフレーム貼付領域とを有し、フレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付けて使用するチップ保持用テープであって、粘着剤層において、フレーム貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力が、測定温度２３±３℃、引張り速度３００ｍｍ／分の条件下において、チップ状ワーク貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力の５倍以上であるチップ保持用テープ。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に粘着剤層が形成された構成を有しており、前記粘着剤層は、チップ状ワークを貼り付けるチップ状ワーク貼付領域と、マウントフレームを貼り付けるフレーム貼付領域とを有し、前記フレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付けて使用するチップ保持用テープであって、
前記粘着剤層において、前記フレーム貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力が、測定温度２３±３℃、引張り速度３００ｍｍ／分の条件下において、前記チップ状ワーク貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力の５倍以上であることを特徴とするチップ保持用テープ。
【請求項２】
前記チップ状ワーク貼付領域での粘着剤層のシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力が、測定温度２３±３℃、引張り速度３００ｍｍ／分の条件下において、０．０１〜０．１Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることを特徴とする請求項１に記載のチップ保持用テープ。
【請求項３】
前記チップ状ワーク貼付領域での粘着剤層のヤング率が３ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ保持用テープ。
【請求項４】
前記チップ保持用テープは、基材と、前記基材上に形成された放射線硬化型粘着剤層とを有しており、
前記チップ状ワーク貼付領域は、放射線照射による硬化により、粘着力が低下されて形成されたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載のチップ保持用テープ。
【請求項５】
前記粘着剤層は、表面に前記フレーム貼付領域を有する強粘着剤層と、表面に前記チップ状ワーク貼付領域を有する弱粘着剤層とが、基材上に両者が積層されていない形態で形成されたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載のチップ保持用テープ。
【請求項６】
前記粘着剤層は、強粘着剤層と、前記強粘着剤層面の外周部を露出する態様で前記強粘着剤層上に積層された弱粘着剤層とを有し、
前記強粘着剤層の露出している部位は、前記フレーム貼付領域に相当し、
前記弱粘着剤層は、その表面が前記チップ状ワーク貼付領域に相当することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載のチップ保持用テープ。
【請求項７】
前記粘着剤層は、弱粘着剤層と、前記弱粘着剤層面の中央部を露出する態様で前記弱粘着剤層上に積層された強粘着剤層とを有し、
前記強粘着剤層は、その表面が前記フレーム貼付領域に相当し、
前記弱粘着剤層の露出している部位は、前記チップ状ワーク貼付領域に相当することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載のチップ保持用テープ。
【請求項８】
ダイシングにより形成されたチップ状ワークの保持方法であって、
請求項１〜７のいずれか１に記載のチップ保持用テープのフレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付ける工程と、
チップ保持用テープのチップ状ワーク貼付領域に、ダイシングにより形成されたチップ状ワークを貼り付ける工程と
を具備することを特徴とするチップ状ワークの保持方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１に記載のチップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法であって、
ワークをダイシングする工程と、
ダイシングにより形成されたチップ状ワークを前記チップ保持用テープの前記チップ状ワーク貼付領域に貼り付ける工程と、
前記チップ保持用テープに貼り付けられた前記チップ状ワークを剥離する剥離工程と、
剥離した前記チップ状ワークを被着体に固定する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記剥離工程は、前記チップ状ワーク貼付領域の粘着力を低下させることなく、前記チップ状ワークを剥離する工程であることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項４に記載のチップ保持用テープの製造方法であって、
放射線硬化型粘着剤層を形成する粘着剤層形成工程と、
前記放射線硬化型粘着剤層の一部に放射線を照射して硬化させ、硬化により粘着力が低下したチップ状ワーク貼付領域と、硬化せず、粘着力が低下していないフレーム貼付領域とを形成する放射線照射工程とを具備することを特徴とするチップ保持用テープの製造方法。
【請求項１２】
さらに、基材上に積層された放射線硬化型粘着剤層のフレーム貼付領域に対応する部位に、放射線遮光機能を有する放射線遮光層を形成する放射線遮光層形成工程を具備しており、
前記放射線照射工程は、前記基材面側から放射線を照射してチップ状ワーク貼付領域に対応する部位の放射線硬化型粘着剤層を硬化させ、硬化により粘着力が低下したチップ状ワーク貼付領域と、硬化せず、粘着力が低下していないフレーム貼付領域とを形成する工程であることを特徴とする請求項１１に記載のチップ保持用テープの製造方法。
【請求項１３】
前記放射線遮光層形成工程は、前記放射線遮光層を、印刷法を利用して形成する工程であることを特徴とする請求項１２に記載のチップ保持用テープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ保持用テープ、チップ状ワークの保持方法、チップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法、及び、チップ保持用テープの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造方法として、ダンシングフィルムに固定された半導体ウェハを複数個の半導体チップにダイシングする工程と、半導体チップをダンシングフィルムからピックアップする工程と、ピックアップした半導体チップを基板等の被着体にダイボンドする工程とを具備する製造方法が知られている。
【０００３】
また、近年では、上記ダイシングフィルムの代わりに、ダイシングフィルム上にダイボンドフィルムが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムが使用される場合もある。この場合、ダイシング工程では、ダイボンドフィルムとともに、半導体ウェハが切断され、ピックアップ工程では、ダイボンドフィルム付の半導体チップとしてピックアップされ、ダイボンド工程では、このダイボンドフィルムを介して半導体チップが被着体にダイボンドされる。
【０００４】
一方、ピックアップした半導体チップを被着体にダイボンドせずに、一旦、保管する場合がある。チップ状ワークを保管する場合、従来、汎用されているダイシングフィルム等の粘着テープに半導体チップが貼り付けられて保持され、保管される。
【０００５】
しかしながら、ダイボンドフィルム付の半導体チップを粘着テープに貼り付けて保持する場合、ダイボンドフィルムと粘着テープとの粘着性が強すぎて、保持したダイボンドフィルム付の半導体チップを再剥離できなかったり、長時間保持したときに経時的に接着力が上昇し、再剥離が困難になる場合があった。
【０００６】
そこで、従来、外周部に粘着剤層が表出され、外周部の内側である央部に基材フィルムが表出されてなるダイソート用シートが提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載のダイソート用シートは、基材フィルムにダイボンドフィルム付の半導体チップを仮着しようとするものである。
【０００７】
しかしながら、上記ダイソート用シートは、粘着力を有しない基材フィルムにダイボンドフィルム付の半導体チップを仮着しようとするものであるため、半導体チップに付されているダイボンドフィルムにある程度の粘着力を持たせる必要があり、ダイボンドフィルムを構成する材料の選択の余地を狭めることとなっていた。また、常温において粘着力の弱いダイボンドフィルムである場合には、仮着させるために、加温しなければならず、製造工程が複雑化するといった問題があった。
【０００８】
また、上記の半導体装置の製造方法において、ダイシング・ダイボンドフィルムではなく、ダイシングフィルムを用いる場合、ピックアップされる半導体チップは、ダイボンドフィルムが付されておらず、粘着力を有さないため、上記ダイソート用シートを用いることはできなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−１００７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、チップ状ワークの貼り剥がしを容易とするチップ保持用テープ、当該チップ状ワークの保持方法、当該チップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法、及び、当該チップ保持用テープの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、チップ保持用テープについて検討した。その結果、マウントフレームを貼り付けるフレーム貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力が、測定温度２３±３℃、引張り速度３００ｍｍ／分の条件下において、チップ状ワークを貼り付けるチップ状ワーク貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力の５倍以上とすることより好適にチップ状ワークを貼り剥がしできることを見出して、本発明を完成させるに至った。
【００１２】
すなわち、本発明は、以下のようなものを提供する。
（１）  基材上に粘着剤層が形成された構成を有しており、上記粘着剤層は、チップ状ワークを貼り付けるチップ状ワーク貼付領域と、マウントフレームを貼り付けるフレーム貼付領域とを有し、上記フレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付けて使用するチップ保持用テープであって、
上記粘着剤層において、上記フレーム貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力が、測定温度２３±３℃、引張り速度３００ｍｍ／分の条件下において、上記チップ状ワーク貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力の５倍以上であることを特徴とするチップ保持用テープ。
【００１３】
（１）の構成によれば、フレーム貼付領域での引き剥がし粘着力が、前記条件下において、チップ状ワーク貼付領域での引き剥がし粘着力の５倍以上であるため、粘着力の比較的強いフレーム貼付領域では、強固にマウントフレームを貼り付けることができるとともに、粘着力の比較的弱いチップ状ワーク貼付領域では、貼り剥がし可能にチップ状ワークを貼り付けることが可能となる。
特に、（１）の構成によれば、チップ状ワーク貼付領域は、ある程度の弱い粘着力を有しているため、粘着力を有する樹脂層（例えば、ダイボンドフィルム）が付されていないチップ状ワーク（例えば、半導体チップ）であっても、室温又は保管時の温度において粘着力をほとんど発揮しない樹脂層付きのチップ状ワークであっても、貼り付けることができる。
なお、本発明において、チップ状ワークとは、粘着力を有する樹脂層付きのチップ状ワークと、樹脂層なしのチップ状ワークとの両方を含む。
【００１４】
（２）  上記（１）記載のチップ保持用テープであって、
上記チップ状ワーク貼付領域での粘着剤層のシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力が、測定温度２３±３℃、引張り速度３００ｍｍ／分の条件下において、０．０１〜０．１Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることが好ましい。
【００１５】
（２）の構成によれば、チップ状ワーク貼付領域での粘着剤層の粘着力が、上記条件下において、０．０１Ｎ／２０ｍｍテープ幅以上であるため、チップ状ワークが確実に貼り付き脱落することを防止することができる。また、０．１Ｎ／２０ｍｍテープ幅以下であるため、剥離の際に、加熱や放射線の照射等の操作をすることなく、引き剥がすことが可能となる。
【００１６】
（３）  上記（１）又は（２）記載のチップ保持用テープであって、
上記チップ状ワーク貼付領域での粘着剤層のヤング率が３ＭＰａ以上であることが好ましい。
【００１７】
（３）の構成によれば、チップ状ワーク貼付領域での粘着剤層のヤング率が３ＭＰａ以上であるため、チップ状ワークと粘着剤層との密着が強くなりすぎず、チップ状ワークを容易に剥離することができる。
【００１８】
（４）  上記（１）〜（３）のいずれか１のチップ保持用テープであって、
上記チップ保持用テープは、基材と、上記基材上に形成された放射線硬化型粘着剤層とを有しており、
上記チップ状ワーク貼付領域は、放射線照射による硬化により、粘着力が低下されて形成されたものであることが好ましい。
【００１９】
（４）の構成によれば、チップ状ワーク貼付領域は、放射線照射による硬化により、粘着力が低下されて形成されたものであるため、架橋密度が高く、粘着剤層を構成するポリマーのミクロな動きが抑えられている。従って、長期間に渡ってチップ状ワークの表面に貼り付けても密着性の上昇が少なく、チップ状ワークを長期間（例えば、一ヶ月）貼り付けた状態とした後であっても、容易に剥離することができる。また、放射線照射量に応じてチップ状ワーク貼付領域の粘着力を設定できるため、所望の粘着力を得やすい。
【００２０】
（５）  上記（１）〜（３）のいずれか１のチップ保持用テープであって、
上記粘着剤層は、表面に上記フレーム貼付領域を有する強粘着剤層と、表面に上記チップ状ワーク貼付領域を有する弱粘着剤層とが、基材上に両者が積層されていない形態で形成されたものであることが好ましい。
【００２１】
（６）  上記（１）〜（３）のいずれか１のチップ保持用テープであって、
上記粘着剤層は、強粘着剤層と、上記強粘着剤層面の外周部を露出する態様で上記強粘着剤層上に積層された弱粘着剤層とを有し、
上記強粘着剤層の露出している部位は、上記フレーム貼付領域に相当し、
上記弱粘着剤層は、その表面が上記チップ状ワーク貼付領域に相当することが好ましい。
【００２２】
（７）  上記（１）〜（３）のいずれか１のチップ保持用テープであって、
上記粘着剤層は、弱粘着剤層と、上記弱粘着剤層面の中央部を露出する態様で上記弱粘着剤層上に積層された強粘着剤層とを有し、
上記強粘着剤層は、その表面が上記フレーム貼付領域に相当し、
上記弱粘着剤層の露出している部位は、上記チップ状ワーク貼付領域に相当することが好ましい。
【００２３】
また、本発明は、以下のようなものを提供する。
（８）  ダイシングにより形成されたチップ状ワークの保持方法であって、
上記（１）〜（７）のいずれか１のチップ保持用テープのフレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付ける工程と、
チップ保持用テープのチップ状ワーク貼付領域に、ダイシングにより形成されたチップ状ワークを貼り付ける工程と
を具備することを特徴とするチップ状ワークの保持方法。
【００２４】
（８）の構成によれば、チップ保持用テープのフレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付けて固定し、チップ保持用テープのチップ状ワーク貼付領域に、ダイシングにより形成されたチップ状ワークを貼り付けることにより、例えば、ダイシングにより形成されたチップ状ワークを、一旦、保管しておくことができる。なお、保管しておいたチップ状ワークは、必要に応じて、半導体装置の製造等に使用することかできる。
【００２５】
また、本発明は、以下のようなものを提供する。
（９）  上記（１）〜（８）のいずれか１のチップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法であって、
ワークをダイシングする工程と、
ダイシングにより形成されたチップ状ワークを上記チップ保持用テープの上記チップ状ワーク貼付領域に貼り付ける工程と、
上記チップ保持用テープに貼り付けられた上記チップ状ワークを剥離する剥離工程と、
剥離した上記チップ状ワークを被着体に固定する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００２６】
（９）の構成によれば、ダイシングにより形成されたチップ状ワークをチップ保持用テープのチップ状ワーク貼付領域に貼り付けて保持しておくことができる。そして、使用する段階で、チップ保持用テープからチップ状ワークを剥離し、被着体に固定する。従って、例えば、ピックアップ工程において、ピックアップされずに残った少量のチップ状ワークを、一旦、チップ保持用テープに寄せ集めて保持して保管しておき、その後、保管したチップ状ワークを半導体装置の製造に用いることが可能となる。その結果、チップ状ワークを保管する際に、省スペース化することが可能となる。
【００２７】
（１０）  上記（９）の半導体装置の製造方法であって、
上記剥離工程は、上記チップ状ワーク貼付領域の粘着力を低下させることなく、上記チップ状ワークを剥離する工程であることが好ましい。
【００２８】
（１０）の構成によれば、チップ状ワーク貼付領域の粘着力を低下させることなく、チップ状ワークを剥離するため、製造工程を簡略とすることができる。
【００２９】
また、本発明は、以下のようなものを提供する。
（１１）  上記（４）のチップ保持用テープの製造方法であって、
放射線硬化型粘着剤層を形成する粘着剤層形成工程と、
上記放射線硬化型粘着剤層の一部に放射線を照射して硬化させ、硬化により粘着力が低下したチップ状ワーク貼付領域と、硬化せず、粘着力が低下していないフレーム貼付領域とを形成する放射線照射工程とを具備することを特徴とするチップ保持用テープの製造方法。
【００３０】
（１１）の構成によれば、放射線を照射して硬化させ、硬化により粘着力が低下したチップ状ワーク貼付領域と、硬化せず、粘着力が低下していないフレーム貼付領域とを形成するため、放射線照射量に応じてチップ状ワーク貼付領域の粘着力を設定でき、所望の粘着力を得やすい。また、放射線の照射により、粘着力に差を設けることかできるため、簡便にチップ保持用テープを製造することができる。
【００３１】
（１２）  上記（１１）のチップ保持用テープの製造方法であって、
さらに、基材上に積層された放射線硬化型粘着剤層のフレーム貼付領域に対応する部位に、放射線遮光機能を有する放射線遮光層を形成する放射線遮光層形成工程を具備しており、
上記放射線照射工程は、上記基材面側から放射線を照射してチップ状ワーク貼付領域に対応する部位の放射線硬化型粘着剤層を硬化させ、硬化により粘着力が低下したチップ状ワーク貼付領域と、硬化せず、粘着力が低下していないフレーム貼付領域とを形成する工程であることが好ましい。
【００３２】
（１３）  上記（１２）のチップ保持用テープの製造方法であって、
上記放射線遮光層形成工程は、上記放射線遮光層を、印刷法を利用して形成する工程であることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るチップ保持用テープを示す断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置を示す断面模式図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係るチップ保持用テープを示す断面模式図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係るチップ保持用テープを示す断面模式図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係るチップ保持用テープを示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００３５】
［第１実施形態］
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るチップ保持用テープを示す断面模式図であり、図１（ｂ）は、その平面図である。図１（ａ）に示すにように、チップ保持用テープ１０は、基材１２の外周に沿って放射線遮光機能を有する印刷層２０が形成されており、さらに、粘着剤層１４が、印刷層２０の形成されていない基材１２、及び、印刷層２０上に積層されて構成されている。
【００３６】
基材１２は、チップ保持用テープ１０の強度母体となるものである。基材１２の材質としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。
【００３７】
基材１２の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。基材１２の材質は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１２には、帯電防止能を付与する為、前記の基材１２上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１２は単層あるいは２種以上の複層でもよい。尚、基材１２としては、粘着剤層が放射線硬化型粘着剤層である場合、Ｘ線、紫外線、電子線等の放射線を少なくとも一部透過するものを用いることが好適である。
【００３８】
基材１２の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
【００３９】
粘着剤層１４は、平面視外周沿いにフレーム貼付領域１６を有しており、平面視中央部分にチップ状ワーク貼付領域１８（以下、チップ貼付領域１８ともいう）を有している。フレーム貼付領域１６は、使用時にマウントフレームが貼り付けられる領域であり、チップ保持用テープ１０をマウントフレームに固定するための領域である。チップ貼付領域１８は、使用時に個片化されたダイボンドフィルム付の半導体チップ４２、又は、ダイボンドフィルムが付されていない半導体チップ４２が貼り付けられる領域である。第１実施形態では、印刷層２０が形成されている部分に対応する領域がフレーム貼付領域１６であり、印刷層２０が形成されていない部分に対応する領域がチップ貼付領域１８に相当する。
【００４０】
粘着剤層１４は、放射線硬化型粘着剤を含み構成されている。放射線硬化型粘着剤は、放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す粘着剤層１４では、チップ貼付領域１８が放射線照射によりフレーム貼付領域１６との間に粘着力の差が設けられている。第１実施形態では、基材１２面側（図１（ａ）中、下側）からチップ保持用テープ１０の全面に放射線を照射すると、チップ貼付領域１８には放射線が到達し、粘着力が低下する。一方、フレーム貼付領域１６には、印刷層２０により放射線が遮光されるため、粘着力は低下しない。従って、基材１２面側からチップ保持用テープ１０の全面に放射線を照射することにより、フレーム貼付領域１６とチップ貼付領域１８との粘着力に差を設けることができる。硬化し、粘着力の低下したチップ貼付領域１８にダイボンドフィルム付きのチップ状ワークが貼付けられる為、粘着剤層１４のチップ貼付領域１８とダイボンドフィルムとの界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していないフレーム貼付領域１６は十分な粘着力を有しており、マウントフレームにチップ保持用テープ１０を強固に固定することができる。放射線としては、例えば、紫外線、電子線等が例示できる。
【００４１】
粘着剤層１４のフレーム貼付領域１６でのシリコンミラーウェハに対する粘着力は、チップ貼付領域１８でのシリコンミラーウェハに対する粘着力の５倍以上であり、好ましくは、１０倍以上である。フレーム貼付領域１６での引き剥がし粘着力が、チップ貼付領域１８での引き剥がし粘着力の５倍以上であるため、粘着力の比較的強いフレーム貼付領域１６では、強固にマウントフレームを貼り付けることができるとともに、粘着力の比較的弱いチップ貼付領域１８では、貼り剥がし可能に半導体チップ４２を貼り付けることが可能となる。
【００４２】
粘着剤層１４のフレーム貼付領域１６での粘着力は、０．２〜２０Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることが好ましく、０．３〜１０Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることがより好ましい。０．２Ｎ／２０ｍｍテープ幅以上とすることにより、マウントフレームに強固に固定することができるからである。また、２０Ｎ／２０ｍｍテープ幅以下とすることにより、マウントフレームへの粘着剤の残留を防止することができるからである。
【００４３】
粘着剤層１４のチップ貼付領域１８での粘着力は、０．０１〜０．１Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることが好ましく、０．０２〜０．０８Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることがより好ましい。粘着剤層１４のフレーム貼付領域１６及びチップ貼付領域１８での粘着力は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準じて測定した値であり、シリコンミラーウェハに貼り付けた後、測定温度２３±３℃で、粘着剤層１４の表面とシリコンミラーウェハの表面とのなす角θを１８０°とし、引張り速度３００ｍｍ／分として、粘着シート１０を引き剥がした場合の値である。チップ貼付領域１８での粘着力が、０．０１Ｎ／２０ｍｍテープ幅以上であると、半導体チップ４２が確実に貼り付き、脱落することを防止することができる。また、０．１Ｎ／２０ｍｍテープ幅以下であると、剥離の際に、加熱や放射線の照射等の操作をすることなく、引き剥がすことが可能となる。
【００４４】
粘着剤層１４のフレーム貼付領域１６でのヤング率は、０．０１〜２ＭＰａであることが好ましく、０．０５〜１ＭＰａであることがより好ましい。
【００４５】
粘着剤層１４のチップ貼付領域１８でのヤング率は、３ＭＰａ以上であることが好ましく、５ＭＰａ以上であることがより好ましい。また、チップ貼付領域１８でのヤング率は、１０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１００ＭＰａ以下であることがより好ましい。チップ貼付領域１８でのヤング率が３ＭＰａ以上であると、チップを容易に剥離することができるからである。また、チップ貼付領域１８でのヤング率が１０００ＭＰａ以下であると、チップを容易に固定できるからである。
なお、本発明において、ヤング率は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２７に従って、長さ１００ｍｍ、幅５０ｍｍの短冊状に切断した試験片を用い、測定時温度２３±３℃、測定時湿度５０±１０％Ｒｈ、引張り速度５０ｍｍ／分の条件下にて測定される値をいう。
【００４６】
粘着剤層１４のフレーム貼付領域１６でのせん断接着力は、０．０１〜１０ＭＰａであることが好ましく、０．１〜５ＭＰａであることがより好ましい。０．０１ＭＰａ以上であると、エキスパンド時にフレームからテープが剥がれにくく、１０ＭＰａ以下であると、使用後に容易にテープをフレームから剥離できるからである。
【００４７】
粘着剤層１４のフレーム貼付領域１６での定荷重剥離速度は、２０ｍｍ／時間以下が好ましく、１０ｍｍ／時間以下がより好ましい。テープの端がめくれて、フレームから脱落するのを防止できるからである。本発明において、定荷重剥離速度は、長さ１００ｍｍで幅２０ｍｍの短冊状に切断した、チップ保持用テープ１０のフレーム貼付領域（印刷が施されている部分）が貼り付けられたＳＵＳ３０４ＢＡ板を、チップ保持用テープ１０が下面となるように水平に保持した状態で、チップ保持用テープ１０の一端に２ｇのおもりを９０°方向（鉛直方向）に取り付けたときの剥離する速度をいう。
【００４８】
前記放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。また、放射線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤も使用することができる。
【００４９】
前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００５０】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。なかでも、アクリル酸−ヘキシルエステル、アクリル酸−ヘプチルエステル、アクリル酸−オクチルエステル、アクリル酸−２−エチルヘキシルエステル、アクリル酸−イソオクチルエステル、アクリル酸−ノニルエステル、アクリル酸−デシルエステル、アクリル酸−イソデシルエステル、アクリル酸−ウンデシルエステル、アクリル酸−ドデシルエステル等のアルキル基の炭素数が６〜１２（特に６〜１０）の（メタ）アクリル酸アルキルエステルを単量体成分として用いた疎水性側鎖の長いポリマーが好ましい。疎水性側鎖の長いポリマーを用いることにより、チップ貼付領域１８のダイボンドフィルムへの相溶性を比較的小さくすることができ、圧着したチップ状ワークを、剥離し易くすることができるからである。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００５１】
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。ただし、本発明において、前記アクリル系ポリマーは、極性基の少ないことが好ましいことから、これら共重合可能なモノマーは、使用しないか、全モノマー成分の３重量％以下とすることが好ましい。また、これらのモノマー成分のうち、本発明の粘着剤層１４を構成するアクリル系ポリマーはモノマー成分としてアクリル酸を含まない方が好ましい。アクリル酸はダイボンドフィルムに物質拡散し、粘着剤層１４と、粘着剤層１４に貼り付けられるダイボンドフィルムとの境界面を消失させて剥離性を低下する場合があるからである。
【００５２】
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００５３】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。なお、上記数平均分子量はＧＰＣ（ゲル・バーミエーション・クロマトグラフィー）により測定して得られたものをいう。
【００５４】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。外部架橋剤の添加量は、前記ベースポリマー１００重量部に対して、０．１〜２０重量部が好ましく、０．２〜１０重量部がより好ましい。粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
【００５５】
配合する前記放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば１〜２００重量部、好ましくは５〜１００重量部程度である。
【００５６】
また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
【００５７】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
【００５８】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
【００５９】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
【００６０】
前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して１００重量部の範囲内であり、好ましくは０〜５０重量部の範囲である。本発明において、配合する前記放射線硬化性のモノマー成分、及び／又は、オリゴマー成分は、粘着剤を構成するベースポリマー１００重量部に対して、０〜１００重量部が好ましく、０〜８０重量部がより好ましい。放射線硬化性のモノマー成分、及び／又は、オリゴマー成分を配合することにより、放射線による硬化を促進して、チップ貼付領域１８の粘着力を比較的小さくすることができ、圧着したチップ状ワークを剥離し易くすることができるからである。
【００６１】
前記放射線硬化型粘着剤には、放射線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させるのが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
【００６２】
また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
【００６３】
粘着剤層１４の厚さは特に限定されないが、チップ状ワークの固定保持の点から、１〜５０μｍ程度が好ましく、より好ましくは２〜３０μｍ、更に好ましくは５〜２５μｍである。
【００６４】
印刷層２０は、放射線遮光機能を有する材料を含み構成されている。本発明において、放射線遮光機能とは、可視光線のみならず、Ｘ線、紫外線、電子線等を含む放射線（特に、放射線硬化型粘着剤を硬化させるための光重合開始剤を活性化可能な放射線）の透過量を減少させる機能をいう。放射線遮光機能を有する材料としては、放射線（特に、放射線硬化型粘着剤層中の光重合開始剤を活性化可能な放射線）の透過を完全に遮るものがより好適であるが、放射線（特に、放射線硬化型粘着剤層中の光重合開始剤を活性化可能な放射線）の透過率を５０％以下（特に１０％以下）にすることができるものが好適である。従って、印刷層２０により、基材１２側から放射線を照射しても、粘着剤層１４としての放射線硬化型粘着剤層におけるフレーム貼付領域での１８０度引き剥がし粘着力の低下を抑制又は防止することができ、粘着剤層１４におけるチップ状ワーク貼付領域での１８０度引き剥がし粘着力と、フレーム貼付領域での１８０度引き剥がし粘着力との比をコントロールすることができる。なお、基材１２側から放射線を照射した後の粘着剤層１４のフレーム貼付領域での１８０度引き剥がし粘着力としては、剥離角度：１８０°、測定温度：２３±３℃、引張り速度：３００ｍｍ／分、被着体：シリコンミラーウェハの条件下において、放射線照射前の１８０度引き剥がし粘着力に対して５０％以上（特に８０％以上、中でも９０％以上）の大きさを有しており、０．２〜２０Ｎ／２０ｍｍの範囲にあることが好ましい。放射線遮光機能を有する材料としては、光重合開始剤の種類に応じて適宜選択することが好ましい。具体的には、放射線遮光機能を有する材料としては、特に限定されないが、例えば、ＣｅＯ2、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、ＰｂＯなどの紫外線吸収性を有する無機物を含有するインキや、アルミ蒸着ＰＥＴフィルム（アルミニウム蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルム）などが挙げられる。印刷層２０の厚さは特に限定されないが、通常５０μｍ以下（例えば０．０５〜５０μｍ）、好ましくは０．０５〜１０μｍ、さらに好ましくは０．１〜２μｍ程度である。
【００６５】
チップ保持用テープ１０は、チップ貼付領域１８が粘着力を有するため、ダイシングフィルムを用いて個片化された半導体チップ（ダイボンドフィルム等の樹脂層が裏面に形成されていない半導体チップ）を引き剥がし可能な状態で保持するために使用することができる。また、個片化する前のシリコンウエハ（例えば、裏面が研削されたシリコンウェハや、裏面研削後にポリッシュされたシリコンウェハなど）に対しても使用することができる。
【００６６】
また、チップ保持用テープ１０は、例えば、ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて個片化されたダイボンドフィルム付の半導体チップを引き剥がし可能な状態で保持するために使用することもできる。そこで、次に、チップ保持用テープに貼り付けられるダイシング・ダイボンドフィルムについて説明することとする。
【００６７】
（ダイシング・ダイボンドフィルム）
図２は、本発明の第１実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図２に示すにように、ダイシング・ダイボンドフィルム３０は、ダイシングフィルム３２上にダイボンドフィルム３４が積層された構成を有する。ダイシングフィルム３２は基材３６上に粘着剤層３８を積層して構成されており、ダイボンドフィルム３４は粘着剤層３８上に設けられている。なお、ダイシング・ダイボンドフィルム３０を構成するダイシングフィルム３２については、従来公知のものを用いることができるため、ここでの詳細な説明は省略することとする。
【００６８】
ダイボンドフィルム３４を構成する接着剤組成物としては、例えば、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したものが挙げられる。前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
【００６９】
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
【００７０】
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
【００７１】
前記熱硬化性樹脂の配合割合としては、１００〜２５０℃の条件下で加熱した際にダイボンドフィルム３４が熱硬化型としての機能を発揮する程度であれば特に限定されないが、一般的に、５〜６０重量％の範囲内であることが好ましく、１０〜５０重量％の範囲内であることがより好ましい。
【００７２】
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
【００７３】
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
【００７４】
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【００７５】
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
【００７６】
ダイボンドフィルム３４を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
【００７７】
前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。
【００７８】
また、ダイボンドフィルム３４には、その用途に応じて無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
【００７９】
尚、ダイボンドフィルム３４には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
【００８０】
ダイボンドフィルム３４の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば、５〜１００μｍ程度、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
【００８１】
（チップ保持用テープの作製）
第１実施形態に係るチップ保持用テープ１０（図１（ａ）参照）は、例えば、次の通りにして作製される。
【００８２】
先ず、基材１２（図１（ａ）参照）は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
【００８３】
次に、基材１２上に印刷層２０を印刷法により形成する（放射線遮光層形成工程）。印刷法としては特に限定されず、例えば、凸版式印刷法、平版式印刷法、凹版印刷法、孔版印刷法が挙げられる。
【００８４】
次に、基材１２上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層１４を形成する（粘着剤層形成工程）。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行うことができる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層１４を形成してもよい。その後、基材１２上に粘着剤層１４をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、チップ保持用テープ１０を製造することができる。
【００８５】
次に、チップ保持用テープ１０の全面に基材１２面側から放射線を照射する（放射線照射工程）。そうすると、チップ貼付領域１８には放射線が到達するため、硬化し粘着力が低下する。このとき、粘着剤層１４の硬化は、放射線の照射を一定量とし、一定の粘着力（例えば、１８０度引き剥がし粘着力で、０．０１〜０．１Ｎ／２０ｍｍテープ幅）を有する程度に行う。なお、上記放射線の照射条件としては、剥離角度：１８０°、測定温度：２３±３℃、引張り速度：３００ｍｍ／分、被着体：シリコンミラーウェハの条件下において、粘着剤層１４のチップ状ワーク貼付領域での１８０度引き剥がし粘着力が、フレーム貼付領域での１８０度引き剥がし粘着力に対して２０％以下（１／５以下）の大きさになるような照射条件であれば特に制限されず、例えば、波長１０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線の照射強度が１ｍＷ／ｃｍ２〜２００ｍＷ／ｃｍ２（好ましくは１０ｍＷ／ｃｍ２〜１００ｍＷ／ｃｍ２）の範囲内であり、前記紫外線の積算光量が１００ｍＪ／ｃｍ２〜１０００ｍＪ／ｃｍ２（好ましくは２００ｍＪ／ｃｍ２〜８００ｍＪ／ｃｍ２）の範囲内である照射条件であってもよい。具体的には、例えば、高圧水銀ランプによる光照射で、照射強度が１ｍＷ／ｃｍ２〜２００ｍＷ／ｃｍ２（好ましくは１０ｍＷ／ｃｍ２〜１００ｍＷ／ｃｍ２）の範囲内であり、前記紫外線の積算光量が１００ｍＪ／ｃｍ２〜１０００ｍＪ／ｃｍ２（好ましくは２００ｍＪ／ｃｍ２〜８００ｍＪ／ｃｍ２）の範囲内である照射条件であってもよい。
【００８６】
一方、フレーム貼付領域１６には、前述のように、印刷層２０により放射線が遮光されるため、粘着力はほとんど低下せずそのまま維持される。これにより、フレーム貼付領域１６とチップ貼付領域１８との間に粘着力の差が設けられたチップ保持用テープ１０が作製される。
【００８７】
（ダイシング・ダイボンドフィルムの作製）
ダイシング・ダイボンドフィルム３０（図２参照）は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、ダイボンドフィルムの形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層３４を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて接着剤層を形成してもよい。その後、基材セパレータ上に接着剤層をセパレータと共に貼り合わせる。
【００８８】
続いて、接着剤層３４からセパレータを剥離し、ダイシングフィルム３２に貼り合わせる。このとき、接着剤層とダイシングフィルム３２の粘着剤層３８とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。次に、接着剤層上の基材セパレータを剥離し、ダイシング・ダイボンドフィルム３０が得られる。
【００８９】
（半導体装置の製造）
次に、半導体装置の製造方法について説明する。
先ず、ダイシング・ダイボンドフィルム３０上に半導体ウェハ４０を圧着して固定する（図２参照）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば２０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。
【００９０】
次に、半導体ウェハ４０のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ４０を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ４２を得る。ダイシングは、例えば半導体ウェハ４０の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシング・ダイボンドフィルム３０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。
【００９１】
ダイシング・ダイボンドフィルム３０に固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ４２のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ４２をダイシング・ダイボンドフィルム３０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ４２をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
【００９２】
ピックアップ工程において、全ての半導体チップを使用しない場合もあり、その場合には、ダイシングフィルム３２上に一部（例えば、少数）の半導体チップ４２が残ったままとなる。
【００９３】
ここで、チップ保持用テープ１０（図１（ｂ）参照）のフレーム貼付領域１６にマウントフレームを予め貼り付けておく。そして、ダイシングフィルム３２上に残った半導体チップ４２を、チップ保持用テープ１０に貼り付ける。貼り付けは、圧着により行うことができる。これにより、複数のダイシングフィルム３２上に残った半導体チップ４２を一旦、チップ保持用テープ１０に寄せ集めて保持して保管しておき、その後、保管した半導体チップ４２を半導体装置の製造に用いることが可能となる。その結果、半導体チップ４２を保管する際に、省スペース化することが可能となる。なお、チップ保持用テープ１０への貼り付けは、半導体チップ４２を一時的に保持しておくために行われる。すなわち、チップ保持用テープ１０に貼り付けられた半導体チップ４２は、後に再び剥離されるため、上記貼り付けにおいては、ダイボンドフィルムを熱硬化させる等の後硬化工程は行わない。
【００９４】
チップ保持用テープ１０を用いて集められた半導体チップ４２は、別途、半導体装置の製造に用いられることとなる。そこで、半導体チップ４２を用いた半導体装置の製造方法について、図３を参照しながら説明することとする。
【００９５】
図３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置を示す断面模式図である。まず、チップ保持用テープ１０に貼り付けられている、ダイボンドフィルム３６付きの半導体チップ４２を、チップ貼付領域１８の粘着力を低下させることなく剥離する。ここで、「粘着力を低下させることなく剥離する」とは、放射線硬化型の粘着剤層に放射線を照射して硬化させ、粘着力を低下させるといったような化学的変化を起こさせたり、後述する熱発泡性を有する粘着剤層に熱を加えて、粘着力を低下させるといったような物理的変化を起こさせることなく、チップ状ワーク（半導体チップ）を剥離することをいう。剥離は、通常のダイシングした半導体チップをダイボンディング工程でピックアップするのと同様に、ピックアップにて行うことができる。
【００９６】
ピックアップした半導体チップ４２は、図３に示すように、ダイボンドフィルム３４を介して被着体４４に接着固定される（ダイボンド）。被着体４４としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体４４は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。
【００９７】
前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。
【００９８】
ダイボンドフィルム３４は熱硬化型であるので、加熱硬化により、半導体チップ４２を被着体４４に接着固定し、耐熱強度を向上させる。尚、半導体チップ４２が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。
【００９９】
尚、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ダイボンドフィルム３４の加熱処理による熱硬化工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップ４２を封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアしてもよい。
【０１００】
前記のワイヤーボンディングは、被着体４４の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ４２上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー４６で電気的に接続する工程である。ボンディングワイヤー４６としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム３４の熱硬化を行うことなく実行することができる。
【０１０１】
前記封止工程は、封止樹脂４８により半導体チップ４２を封止する工程である。本工程は、被着体４４に搭載された半導体チップ４２やボンディングワイヤー４６を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂４８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３４を介して半導体チップ４２と被着体４４とを固着させる。
【０１０２】
前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂４８を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム３４が完全に熱硬化していない場合でも、本工程に於いて封止樹脂４８と共にダイボンドフィルム３４の完全な熱硬化が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。以上により、半導体装置５０が製造される。
【０１０３】
上述した第１実施形態に係るチップ保持用テープ１０では、印刷により印刷層２０を形成する場合について説明したが、本発明において放射線遮光機能を有する層は、印刷に限定されず、塗布等によって形成してもよい。
【０１０４】
上述した第１実施形態に係るチップ保持用テープ１０では、印刷層２０が、基材１２と粘着剤層１４との間に形成されている場合について説明したが、本発明において紫外線遮光層（印刷層）は、基材の粘着層とは反対側の面に形成されていてもよい。
【０１０５】
第１実施形態に係るチップ保持用テープ１０では、印刷層２０を設け、チップ保持用テープ１０の全面に放射線を照射してフレーム貼付領域１６とチップ貼付領域１８との間に粘着力の差を設ける場合について説明した。しかしながら、本発明においては、放射線遮光層（印刷層２０）を設けることなく、チップ貼付領域１８にのみに放射線を照射することとしてもよい。この場合、フレーム貼付領域への放射線照射を遮光するためのマスクをチップ保持用テープに重ねた上で放射線を照射することとしてもよい。
【０１０６】
第１実施形態に係るチップ保持用テープ１０では、放射線照射により、フレーム貼付領域１６とチップ貼付領域１８との間に粘着力の差を設ける場合について説明したが、本発明においてはこの例に限定されず、異なる組成の粘着剤組成物溶液を塗布することにより、フレーム貼付領域１６とチップ貼付領域１８との間に粘着力の差を設けることとしてもよい。この場合、例えば、フレーム貼付領域１６には、第１実施形態にて説明した粘着剤組成物溶液を用いればよく、チップ貼付領域１８には、粘着力がフレーム貼付領域１６での粘着力の１／５以下となるように配合を適宜調整して作製した粘着剤組成物溶液を用いればよい。なお、異なる組成の粘着剤組成物溶液で塗り分ける場合、放射線遮光層（印刷層２０）を設ける必要はない。また、放射線硬化型粘着剤を用いる必要はなく、一般的な感圧性接着剤を用いればよい。
【０１０７】
第１実施形態に係るチップ保持用テープ１０では、放射線照射により、フレーム貼付領域１６とチップ貼付領域１８との間に粘着力の差を設ける場合について説明したが、本発明においては、熱剥離型粘着剤を使用してもよい。熱剥離型粘着剤を使用しても、フレーム貼付領域とチップ状ワーク貼付領域との間に粘着力の差を設けることが可能であるからである。
【０１０８】
熱剥離型粘着剤としては、アクリルポリマー等に熱膨張性微粒子が配合された熱発泡型粘着剤が挙げられる。チップ状ワーク貼付領域を加熱することで粘着剤層が発泡もしくは膨張して粘着剤層表面を凹凸状に変化させる。その結果、チップ状ワーク貼付領域での粘着力が低減し、チップ状ワーク貼付領域とフレーム貼付領域との間に粘着力の差が形成される。
【０１０９】
前記熱膨張性微粒子については特に限定はなく、種々の無機系又は有機系の熱膨張性微小球を選択使用することができる。また、熱膨張性物質をマイクロカプセル化してなる膨張性微粒子も使用可能である。なお、熱剥離型粘着剤を用いる場合、放射線遮光層（印刷層２０）は設ける必要はない。
【０１１０】
第１実施形態に係るチップ保持用テープ１０では、フレーム貼付領域１６とチップ貼付領域１８とが連続している場合について説明したが、以下に示すように、フレーム貼付領域とチップ状ワーク貼付領域との間に隙間が設けられていてもよい。
【０１１１】
［第２実施形態］
図４は、本発明の第２実施形態に係るチップ保持用テープを示す断面模式図である。図４に示すにように、チップ保持用テープ６０は、基材６２と、基材６２上に積層された粘着剤層６４とを有している。基材６２としては、第１実施形態に係る基材１２と同様の構成とすることができる。粘着剤層６４は、平面視外周沿いに形成され、その表面がフレーム貼付領域６６に相当する強粘着剤層６４ａと、平面視中央部分に形成され、その表面がチップ貼付領域６８に相当する弱粘着剤層６４ｂとから構成されている。また、フレーム貼付領域６６とチップ貼付領域６８と境界には、隙間６７が設けられている。このように、本発明においては、チップ状ワーク貼付領域が著しく狭くならない範囲内であれば、チップ状ワーク貼付領域とフレーム貼付領域との間に隙間があってもよい。
【０１１２】
粘着剤層６４の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、上述したように、フレーム貼付領域６６とチップ貼付領域６８とを異なる組成の粘着剤組成物溶液で塗り分ける方法を採用することができる。すなわち、基材上に強粘着剤層形成用（フレーム貼付領域６６形成用）の粘着剤組成物溶液と、弱粘着剤層形成用（チップ貼付領域６８形成用）の粘着剤組成物溶液とを用いて、強粘着剤層と、弱粘着剤層とを基材上に両者が積層されていない形態で形成する工程を含む具備するチップ保持用テープの製造方法、を採用することができる。この場合、放射線硬化型粘着剤を用いる必要はなく、一般的な感圧性粘着剤を用いればよい。また、チップ保持用テープ１０（図１（ａ）参照）のように、紫外線遮光層（印刷層２０）を設けるとともに、粘着剤層として放射線硬化型粘着剤を用い、放射線の照射により、フレーム貼付領域６６とチップ貼付領域６８との間に粘着力の差を設けることとしてもよい。放射線硬化型粘着剤を用いる場合、第１実施形態にて説明したものを用いることができる。
【０１１３】
フレーム貼付領域６６でのシリコンミラーウェハに対する粘着力は、ワーク貼付領域６８でのシリコンミラーウェハに対する粘着力の５倍以上であり、好ましくは、１０倍以上である。フレーム貼付領域６６での引き剥がし粘着力が、チップ貼付領域６８での引き剥がし粘着力の５倍以上であるため、粘着力の比較的強いフレーム貼付領域６６では、強固にマウントフレームを貼り付けることができるとともに、粘着力の比較的弱いチップ貼付領域６８では、貼り剥がし可能に半導体チップ４２を貼り付けることが可能となる。
【０１１４】
フレーム貼付領域６６での粘着力は、０．２〜２０Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることが好ましく、０．３〜１０Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることがより好ましい。０．２Ｎ／２０ｍｍテープ幅以上とすることにより、マウントフレームに強固に固定することができるからである。また、２０Ｎ／２０ｍｍテープ幅以下とすることにより、マウントフレームへの粘着剤の残留を防止することができるからである。
【０１１５】
チップ貼付領域６８での粘着力は、０．０１〜０．１Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることが好ましく、０．０２〜０．０８Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることがより好ましい。フレーム貼付領域６６及びチップ貼付領域６８での粘着力は、ＪＩＳ  Ｚ０２３７に準じて測定した値であり、シリコンミラーウェハに貼り付けた後、測定温度２３±３℃で、粘着剤層６４（強粘着剤層６４ａ、弱粘着剤層６４ｂ）の表面とシリコンミラーウェハの表面とのなす角θを１８０°とし、引張り速度３００ｍｍ／分として、チップ保持用テープ６０を引き剥がした場合の値である。チップ貼付領域６８での粘着力が、０．０１Ｎ／２０ｍｍテープ幅以上であると、半導体チップ４２が確実に貼り付き、脱落することを防止することができる。また、０．１Ｎ／２０ｍｍテープ幅以下であると、剥離の際に、加熱や放射線の照射等の操作をすることなく、引き剥がすことが可能となる。
【０１１６】
フレーム貼付領域６６でのヤング率は、０．０１〜２ＭＰａであることが好ましく、０．０５〜１ＭＰａであることがより好ましい。
【０１１７】
チップ貼付領域６８でのヤング率は、３ＭＰａ以上であることが好ましく、５ＭＰａ以上であることがより好ましい。また、チップ貼付領域６８でのヤング率は、１０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１００ＭＰａ以下であることがより好ましい。チップ貼付領域６８でのヤング率が３ＭＰａ以上であると、チップを容易に剥離することができるからである。また、チップ貼付領域６８でのヤング率が１０００ＭＰａ以下であると、チップを容易に固定することができるからである。
【０１１８】
本発明において、フレーム貼付領域とチップ状ワーク貼付領域とは、下記のように形成してもよい。
【０１１９】
［第３実施形態］
図５は、本発明の第３実施形態に係るチップ保持用テープを示す断面模式図である。図５に示すにように、チップ保持用テープ７０は、基材７２と、基材７２上に積層された強粘着剤層７４と、強粘着剤層７４上に積層された弱粘着剤層７５とを有している。基材７２としては、第１実施形態に係る基材１２と同様の構成とすることができる。弱粘着剤層７５は、平面視での面積が強粘着剤層７４より小さく、強粘着剤層７４の外周部が露出するように強粘着剤層７４上に積層されている。強粘着剤層７４の外周部が露出したフレーム貼付領域７６は、マウントフレームが貼り付けられる領域であり、弱粘着剤層７５の表面（チップ貼付領域７８）は、個片化されたチップ状ワークが貼り付けられる領域である。
【０１２０】
チップ保持用テープ７０の作製方法としては、特に限定されないが、基材上に強粘着剤層を形成する工程と、強粘着剤層面の外周部を露出する態様で強粘着剤層上に弱粘着剤層を形成する工程とを具備するチップ保持用テープの製造方法、を採用することができる。このような製造方法としては、例えば、基材７２上に強粘着剤層７４を塗布により形成するとともに、弱粘着剤層７５を別個に作製しておき、これらを貼り合わせる方法や、基材７２上に形成された強粘着剤層７４に、粘着剤組成物溶液を塗布し、弱粘着剤層７５を得る方法を挙げることができる。弱粘着剤層７５を別個に作製する場合、その作製方法としては、粘着力が強粘着剤層７４の粘着力の１／５以下となるように配合を適宜調整して作製した粘着剤組成物溶液を用いて作製することとしてもよく、放射線硬化型粘着剤を用い、粘着剤を形成した後に放射線を照射して所定の粘着力を有する弱粘着剤層７５を作製することとしてもよい。放射線硬化型粘着剤を用いる場合、第１実施形態にて説明したものを用いることができる。
【０１２１】
強粘着剤層７４でのシリコンミラーウェハに対する粘着力は、弱粘着剤層７５でのシリコンミラーウェハに対する粘着力の５倍以上であり、好ましくは、１０倍以上である。強粘着剤層７４での引き剥がし粘着力が、弱粘着剤層７５での引き剥がし粘着力の５倍以上であるため、粘着力の比較的強い強粘着剤層７４では、強固にマウントフレームを貼り付けることができるとともに、粘着力の比較的弱い弱粘着剤層７５では、貼り剥がし可能に半導体チップ４２を貼り付けることが可能となる。
【０１２２】
強粘着剤層７４の粘着力は、０．２〜２０Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることが好ましく、０．３〜１０Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることがより好ましい。０．２Ｎ／２０ｍｍテープ幅以上とすることにより、マウントフレームに強固に固定することができるからである。また、２０Ｎ／２０ｍｍテープ幅以下とすることにより、マウントフレームへの粘着剤の残留を防止することができるからである。
【０１２３】
弱粘着剤層７５の粘着力は、０．０１〜０．１Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることが好ましく、０．０２〜０．０８Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることがより好ましい。強粘着剤層７４及び弱粘着剤層７５の粘着力は、ＪＩＳ  Ｚ０２３７に準じて測定した値であり、シリコンミラーウェハに貼り付けた後、測定温度２３±３℃で、強粘着剤層７４又は弱粘着剤層７５の表面とシリコンミラーウェハの表面とのなす角θを１８０°とし、引張り速度３００ｍｍ／分として、チップ保持用テープ７０を引き剥がした場合の値である。弱粘着剤層７５の粘着力が、０．０１Ｎ／２０ｍｍテープ幅以上であると、半導体チップ４２が確実に貼り付き、脱落することを防止することができる。また、０．１Ｎ／２０ｍｍテープ幅以下であると、剥離の際に、加熱や放射線の照射等の操作をすることなく、引き剥がすことが可能となる。
【０１２４】
強粘着剤層７４のヤング率は、０．０１〜２ＭＰａであることが好ましく、０．０５〜１ＭＰａであることがより好ましい。
【０１２５】
弱粘着剤層７５のヤング率は、３ＭＰａ以上であることが好ましく、５ＭＰａ以上であることがより好ましい。また、弱粘着剤層７５でのヤング率は、１０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１００ＭＰａ以下であることがより好ましい。チップ状ワーク貼付領域でのヤング率が３ＭＰａ以上であると、チップを容易に剥離することができるからである。また、弱粘着剤層７５のヤング率が１０００ＭＰａ以下であると、チップを容易に固定することができるからである。
【０１２６】
［第４実施形態］
図６は、本発明の第４実施形態に係るチップ保持用テープを示す断面模式図である。図６に示すにように、チップ保持用テープ８０は、基材８２と、基材８２上に積層された弱粘着剤層８４と、弱粘着剤層８４上に積層された強粘着剤層８５とを有している。基材８２としては、第１実施形態に係る基材１２と同様の構成とすることができる。強粘着剤層８５は、弱粘着剤層８４の中央に位置するチップ貼付領域８８が露出するように、中央部分がくり抜かれたドーナツ形状のフレーム貼付領域８６を有している。
【０１２７】
チップ保持用テープ８０の作製方法としては、特に限定されず、基材上に弱粘着剤層を形成する工程と、弱粘着剤層面の中央部を露出する態様で弱粘着剤層上に強粘着剤層を形成する工程とを具備するチップ保持用テープの製造方法、を採用することができ、例えば、第４実施形態に係るチップ保持用テープ７０と同様の方法で作製することができる。
【０１２８】
強粘着剤層８５のシリコンミラーウェハに対する粘着力は、弱粘着剤層８４のシリコンミラーウェハに対する粘着力の５倍以上であり、好ましくは、１０倍以上である。強粘着剤層８５の引き剥がし粘着力が、弱粘着剤層８４の引き剥がし粘着力の５倍以上であるため、粘着力の比較的強い強粘着剤層８５では、強固にマウントフレームを貼り付けることができるとともに、粘着力の比較的弱い弱粘着剤層８４では、貼り剥がし可能に半導体チップ４２を貼り付けることが可能となる。
【０１２９】
強粘着剤層８５の粘着力は、０．２〜２０Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることが好ましく、０．３〜１０Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることがより好ましい。０．２Ｎ／２０ｍｍテープ幅以上とすることにより、マウントフレームに強固に固定することができるからである。また、２０Ｎ／２０ｍｍテープ幅以下とすることにより、マウントフレームへののり残りを防止することができるからである。
【０１３０】
弱粘着剤層８４の粘着力は、０．０１〜０．１Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることが好ましく、０．０２〜０．０８Ｎ／２０ｍｍテープ幅であることがより好ましい。強粘着剤層８５及び弱粘着剤層８４の粘着力は、ＪＩＳ  Ｚ０２３７に準じて測定した値であり、シリコンミラーウェハに貼り付けた後、測定温度２３±３℃で、強粘着剤層８５又は弱粘着剤層８４の表面とシリコンミラーウェハの表面とのなす角θを１８０°とし、引張り速度３００ｍｍ／分として、チップ保持用テープ８０を引き剥がした場合の値である。弱粘着剤層８４の粘着力が、０．０１Ｎ／２０ｍｍテープ幅以上であると、半導体チップ４２が確実に貼り付き、脱落することを防止することができる。また、０．１Ｎ／２０ｍｍテープ幅以下であると、剥離の際に、加熱や放射線の照射等の操作をすることなく、引き剥がすことが可能となる。
【０１３１】
強粘着剤層８５のヤング率は、０．０１〜２ＭＰａであることが好ましく、０．０５〜１ＭＰａであることがより好ましい。
【０１３２】
弱粘着剤層８４のヤング率は、３ＭＰａ以上であることが好ましく、５ＭＰａ以上であることがより好ましい。また、弱粘着剤層８４でのヤング率は、１０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１００ＭＰａ以下であることがより好ましい。チップ状ワーク貼付領域でのヤング率が３ＭＰａ以上であると、チップを容易に剥離することができるからである。また、弱粘着剤層８４のヤング率が１０００ＭＰａ以下であると、チップを容易に固定ですることができるからである。
【０１３３】
上述した実施形態では、使用されなかった半導体チップを集めてチップ保持用テープに保持保管する場合について説明した。しかしながら、本発明において、チップ保持用テープの使用方法は、この例に限定されず、例えば、個片化されたチップ状ワークを、搬送するために使用することもできる。
【実施例】
【０１３４】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。
【０１３５】
（ダイボンドフィルムＡ）
エポキシ樹脂（ａ）として(JER(株)製、エピコート１００１)２０部、フェノール樹脂（ｂ）として（三井化学（株）製、ＭＥＨ７８５１）２２部、アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（ｃ）として（根上工業（株）製，パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００部、フィラー（ｄ）として球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）１８０部をメチルエチルケトンに溶解して濃度２３．６重量％となるように調整した。この接着剤組成物の溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ４０μｍのダイボンドフィルムＡを作製した。
【０１３６】
（ダイボンドフィルムＢ）
厚さを２０μｍとした以外はダイボンドフィルムＡと同様にして、ダイボンドフィルムＢを作製した。
【０１３７】
（ダイボンドフィルムＣ）
エポキシ樹脂（ａ）として（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００１）１２部、フェノール樹脂（ｂ）として（三井化学（株）製、ＭＥＨ７８５１）１３部、アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（ｃ）として（根上工業（株）製，パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００部、フィラー（ｄ）として球状シリカ（アドマテックス(株)製、ＳＯ−２５Ｒ）２００部をメチルエチルケトンに溶解して濃度２３．６重量％となるように調整した。この接着剤組成物の溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ４０μｍのダイボンドフィルムＣを作製した。
【０１３８】
（ダイボンドフィルムＤ）
エポキシ樹脂（ａ）として（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４）１４４部、エポキシ樹脂（ｂ）として（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７）１３０部、フェノール樹脂（ｃ）として（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）２９３部、アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（ｄ）として（根上工業（株）製，パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００部、フィラー（ｅ）として球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）２００部をメチルエチルケトンに溶解して濃度２３．６重量％となるように調整した。この接着剤組成物の溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で2分間乾燥させることにより、厚さ４０μｍのダイボンドフィルムＤを作製した。
【０１３９】
（チップ保持用テープＡ）
冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸−２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」ともいう。）８６．４部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」ともいう。）１３．６部、過酸化ベンゾイル０．２部、及び、トルエン６５部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＡを得た。
【０１４０】
アクリル系ポリマーＡに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」ともいう。）１４．６部を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。
【０１４１】
次に、アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）２部、及び、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤組成物溶液Ａを得た。
【０１４２】
粘着剤組成物溶液Ａを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次いで、形成した粘着剤層上に、ポリオレフィンフィルムを貼り合せた。このポリオレフィンフィルムは、厚さ１００μｍであり、フレーム貼付領域に対応する部分に放射線を遮光する印刷層が予め形成されたものである。その後、５０℃にて２４時間加熱して架橋処理を行い、さらに日東精機製の紫外線照射装置（商品名ＵＭ−８１０）にて照度２０ｍＷ／ｃｍ２で積算光量が４００ｍＪ／ｃｍ２となるようにポリオレフィンフィルム側から紫外線を照射して、チップ保持用テープＡを作製した。
【０１４３】
（チップ保持用テープＢ）
アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）８部、及び、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤溶液を調製した以外は、チップ保持用テープＡと同様にして、チップ保持用テープＢを作製した。
【０１４４】
（チップ保持用テープＣ）
アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）２部、及び、光重合開始剤（商品名「イルガキュア１８４」、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤溶液を調製した以外は、チップ保持用テープＡと同様にして、チップ保持用テープＣを作製した。
【０１４５】
（チップ保持用テープＤ）
冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸ブチル５０．０部、アクリル酸エチル５０．０部、ＨＥＡ１６．０部、過酸化ベンゾイル０．２部、及び、トルエン６５部を入れ、窒素気流中で６１℃にて6時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＢを得た。
【０１４６】
アクリル系ポリマーＢに２０．０部のＭＯＩを空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＢ’を得た。
【０１４７】
次に、アクリル系ポリマーＢ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）１部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）３部、及び、ＵＶ硬化性オリゴマー（商品名「紫光ＵＶ−１７００Ｂ」、日本合成化学工業（株）製）３０部を加えて、粘着剤組成物溶液Ｂを調製した。
【０１４８】
粘着剤組成物溶液Ｂを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥して、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次いで、形成した粘着剤層上に、ポリオレフィンフィルムを貼り合せた。このポリオレフィンフィルムは、厚さ１００μｍであり、フレーム貼付領域に対応する部分に放射線を遮光する印刷層が予め形成されたものである。その後、５０℃にて２４時間加熱して架橋処理を行い、チップ保持用テープＤを作製した。
【０１４９】
（チップ保持用テープＥ）
粘着剤組成物溶液Ａを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥して、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成し、もう一枚のＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理面を貼り合わせて、ＰＥＴ剥離ライナーで挟まれた粘着剤層Ｘを作製した。その後、この粘着剤層Ｘに、日東精機製の紫外線照射装置（商品名ＵＭ−８１０）にて照度２０ｍＷ／ｃｍ２で積算光量が４００ｍＪ／ｃｍ２となるように、紫外線を照射した。
【０１５０】
一方、粘着剤組成物溶液Ｂを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥して、厚さ１０μｍの粘着剤層Ｙを形成した。次いで、粘着剤層Ｙ上に、遮光印刷が施されていない厚さ１００μのポリオレフィンフィルムを貼り合せた。その後、５０℃にて２４時間加熱して架橋処理を行った。
【０１５１】
次いで、ＰＥＴ剥離ライナーで挟まれた粘着剤層Ｘをチップ貼付領域に対応する大きさにカットした後、片方のＰＥＴ剥離ライナーを剥がし、ＰＥＴ剥離ライナーを剥がした粘着剤層Ｙに粘着剤層同士が密着するように貼り合わせてチップ保持用テープＥを作製した。
【０１５２】
（チップ保持用テープＦ）
粘着剤組成物溶液Bを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥して、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成し、もう一枚のＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理面を貼り合わせて、ＰＥＴ剥離ライナーで挟まれた粘着剤層Ｘ’を作製した。
【０１５３】
一方、粘着剤組成物溶液Ａを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥して、厚さ１０μｍの粘着剤層Ｙ’を形成した。次いで、粘着剤層Ｙ’上に、遮光印刷が施されていない厚さ１００μｍのポリオレフィンフィルムを貼り合せた。その後、５０℃にて２４時間加熱して架橋処理を行い、さらに日東精機製の紫外線照射装置（商品名ＵＭ−８１０）にて照度２０ｍＷ／ｃｍ２で積算光量が４００ｍＪ／ｃｍ２となるようにポリオレフィンフィルム側から紫外線を照射した。
【０１５４】
次いで、ＰＥＴ剥離ライナーで挟まれた粘着剤層Ｘ’をチップ貼付領域となる部分が露出するようにくり抜いた後、片方のＰＥＴ剥離ライナーを剥がし、ＰＥＴ剥離ライナーを剥がした粘着剤層Ｙ’に粘着剤層同士が密着するように貼り合わせてチップ保持用テープＦを作製した。
【０１５５】
チップ保持用テープＡ〜Ｃをそれぞれ実施例１〜３、チップ保持用テープＥを実施例４、チップ保持用テープＦを実施例５、チップ保持用テープＤを比較例１とし、以下の評価を行った。
【０１５６】
＜シリコンミラーウェハに対する粘着力の測定＞
まず、シリコンミラーウェハを、トルエンを含ませたウェスにて拭いた後、メタノールを含ませたウェスで拭き、さらにトルエンを含ませたウェスで拭いた。次に、チップ保持用テープＡ〜Ｆのチップ貼付領域部分、及び、フレーム貼付領域部分を、それぞれ２０ｍｍテープ幅の短冊状に切断した後、剥離ライナーを剥がし、上記シリコンミラーウェハに貼り合わせた。その後、室温雰囲気下で３０分静置した。
【０１５７】
３０分静置後、ＪＩＳ  Ｚ０２３７に準じて、チップ保持用テープＡ〜Ｆの引き剥がし粘着力を測定した。引き剥がし条件は、粘着剤層の表面とシリコンミラーウェハの表面とのなす角θを１８０°、引張り速度３００ｍｍ／分、室温（２３℃）とした。結果を表１に示す。
【０１５８】
＜粘着剤層のヤング率の測定＞
粘着剤層のヤング率を測定するため、チップ保持用テープＡ〜Ｄの実施例中の各粘着剤組成物溶液を、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥して、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成し、もう一枚のＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理面を貼り合わせて、ＰＥＴ剥離ライナーで挟まれた粘着剤層（実施例１〜６の粘着剤層に相当）を作製した。次いで、フレーム貼付領域でのヤング率と、チップ貼付領域でのヤング率とを測定した。フレーム貼付領域でのヤング率は、ＰＥＴ剥離ライナーで挟まれた粘着剤層を、それぞれ長さ１００ｍｍ、幅５０ｍｍの短冊状に切断した後、片方のＰＥＴ剥離ライナーを剥がし、粘着剤層のみを筒状に丸めた後、測定した。一方、チップ貼付領域でのヤング率は、ＰＥＴ剥離ライナーで挟まれた粘着剤層を作製した後、日東精機製の紫外線照射装置（商品名ＵＭ−８１０）にて照度２０ｍＷ／ｃｍ２で積算光量が４００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外線を照射し、その後はフレーム貼付領域でのヤング率と同様に測定した。測定は、引張試験機にて行い、測定時温度２３±３℃、測定時湿度５５±１０％Ｒｈ、引張り速度５０ｍｍ／分の条件下にて行った。結果を表１に示す。
【０１５９】
＜せん断接着力の測定＞
チップ保持用テープＡ〜Ｆの基材面側にＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）フィルムを裏打ちした後、フレーム貼付領域部分を１０ｍｍ幅に切断したサンプルをＳＵＳ３０４ＢＡ板に貼り付け、５０ｍｍ／分にて水平方向に引っ張った。このときの最大応力をせん断接着力として測定した。なお、ＳＵＳ３０４ＢＡ板への貼り付け部分は、１０ｍｍ×１０ｍｍである。結果を表１に示す。
【０１６０】
＜定荷重剥離速度の測定＞
以下の（ａ）〜（ｃ）の手順により測定した。
（ａ）チップ保持用テープＡ〜Ｆのフレーム貼付領域部分を２０ｍｍ幅に切断し、ＳＵＳ３０４ＢＡ板に２ｋｇのローラーを１往復させて圧着した。
（ｂ）チップ保持用テープＡ〜Ｆが貼り付けられたＳＵＳ３０４ＢＡ板を、チップ保持用テープＡ〜Ｆが下面となるように水平に保持した状態で、チップ保持用テープＡ〜Ｆの一端に２ｇのおもりを９０°方向（鉛直方向）に取り付けた。
（ｃ）測定開始時からの剥離長さを２時間おきに５点測定した。
（ｄ）５点の測定値から直線近似をし、その直線の傾きを剥離速度とした。なお、直線近似には、最小二乗法を採用した。結果を表１に示す。
【０１６１】
【表１】
2011137057.tif 000003
【０１６２】
（実施例６）
＜ダイボンドフィルムに対する剥離力の測定＞
チップ保持用テープＡのチップ貼付領域にダイボンドフィルムＡ〜Ｄをそれぞれ貼り合わせた。次に、ダイボンドフィルム側の剥離ライナーを剥がし、ダイボンドフィルムに厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムを１０μｍ厚の粘着剤を介して裏打ちした。これを２０ｍｍ幅にカットし、チップ保持用テープＡと裏打ちされたダイボンドフィルムとを引っ張って剥離力を測定した。測定は、測定時温度２３±３℃、測定時湿度５５±１０％Ｒｈ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／分の条件下にて行った。結果を表２に示す。
【０１６３】
＜ダイボンドフィルム付チップの作製＞
まず、ダイシングフィルム（チップ保持用テープＡをダイシングフィルムとして用いたもの。）にそれぞれダイボンドフィルムＡ〜Ｄを積層したダイシング・ダイボンドフィルムＡ〜Ｄを作製した。次に、厚さ５０μｍに研削したシリコンミラーウェハを、ダイシング・ダイボンドフィルムＡ〜Ｄにマウントし、ブレードダイシング加工により１０ｍｍ角のチップにダイシングした。得られたチップをダイボンドフィルムから剥離することにより、ダイボンドフィルム付チップＡ〜Ｄを作製した。
【０１６４】
＜チップ脱落（室温貼付）評価＞
チップ保持用テープＡの剥離ライナーを剥がし、マウントフレームに貼り付けて固定した。その後、作製したダイボンドフィルム付チップＡ〜Ｄを、ダイボンドフィルム側を貼り付ける向きでチップ保持用テープＡのチップ貼付領域に貼り付け、室温にて３０分放置した。貼付条件は、貼付時温度２３℃、貼付時圧力０．２ＭＰａ、加圧時間０．１秒とした。
【０１６５】
室温にて、ダイボンドフィルム付チップＡ〜Ｄを貼り付けた状態でマウントフレームをひっくり返して軽く叩き、落下したチップの数により評価を行った。評価は、ダイボンドフィルム付チップＡ〜Ｄをそれぞれ５つ用い、１つも脱落しなかった場合には○、１〜４つが脱落した場合には△、５つすべてが脱落した場合には×とした。結果を表２に示す。
【０１６６】
＜チップ脱落（０℃保持）評価＞
チップ保持用テープＡの剥離ライナーを剥がし、マウントフレームに貼り付けて固定した。その後、作製したダイボンドフィルム付チップＡ〜Ｄを、ダイボンドフィルム側を貼り付ける向きでチップ保持用テープＡのチップ貼付領域に載せて貼り付け、０℃にて２４時間冷却した。その後、０℃環境下にて、マウントフレームをひっくり返して軽く叩き、落下したチップの数により評価を行った。評価は、ダイボンドフィルム付チップＡ〜Ｄをそれぞれ５つ用い、１つも脱落しなかった場合には○、１〜４つが脱落した場合には△、５つすべてが脱落した場合には×とした。結果を表２に示す。
【０１６７】
＜ピックアップ性評価＞
チップ保持用テープＡの剥離ライナーを剥がし、マウントフレームに貼り付けて固定した。その後、作製したダイボンドフィルム付チップＡ〜Ｄを、ダイボンドフィルム側を貼り付ける向きでチップ保持用テープＡのチップ貼付領域に載せて貼り付け、室温にて３０分放置した。作製したサンプルを用い、チップ保持用テープＡから、ダイボンドフィルム付チップＡ〜Ｄのピックアップを行った。ピックアップ性評価は、サンプル作製直後のものと、室温にて１ヶ月放置した後のサンプルとを用いて行った。なお、ピックアップ条件は、以下のようにした。
【０１６８】
（ピックアップ条件）
ダイボンダー装置：株式会社新川社製 ＳＰＡ−３００
マウントフレーム：ディスコ社製  ２−８−１
ウェハータイプ：Ｍｉｒｒｏｒ  Ｗａｆｅｒ（ｎｏ  ｐａｔｔｅｒｎ）
チップサイズ：１０ｍｍｘ１０ｍｍ
チップ厚さ：５０μｍ
ニードル数：９本
ニードル突き上げ速度：５mm/秒
コレット保持時間：１０００m秒
エキスパンド：引き落とし量３ｍｍ
ニードル突き上げ高さ：３００μｍ
【０１６９】
評価は、１０チップをピックアップし、全てピックアップできた場合には○、１〜９チップピックアップできた場合には△、全てピックアップできなかった場合には×とした。結果を表２に示す。
【０１７０】
【表２】
2011137057.tif 000004
【０１７１】
（実施例７）
実施例６のチップ保持用テープＡをチップ保持用テープＢに変更した以外は、上記実施例６と同様の試験を行った。結果を表３に示す。
【０１７２】
【表３】
2011137057.tif 000005
【０１７３】
（実施例８）
実施例６のチップ保持用テープＡをチップ保持用テープＣに変更した以外は、上記実施例６と同様の試験を行った。結果を表４に示す。
【０１７４】
【表４】
2011137057.tif 000006
【０１７５】
（実施例９）
実施例６のチップ保持用テープＡをチップ保持用テープＥに変更したこと以外は、上記実施例６と同様の試験を行った。結果を表５に示す。
【０１７６】
【表５】
2011137057.tif 000007
【０１７７】
（実施例１０）
実施例６のチップ保持用テープＡをチップ保持用テープＦに変更したこと以外は、上記実施例６と同様の試験を行った。結果を表６に示す。
【０１７８】
【表６】
2011137057.tif 000008
【０１７９】
（実施例１１）
＜シリコンチップに対する剥離力の測定＞
シリコンミラーウェハを＃２０００でバックグラインドし、厚さ５００μｍに研削した後、研削面を、トルエンを含ませたウェスにて拭いた後、メタノールを含ませたウェスで拭き、さらにトルエンを含ませたウェスで拭いた。次に、チップ保持用テープＡ〜Ｆのチップ貼付領域部分を、それぞれ２０ｍｍテープ幅の短冊状に切断した後、剥離ライナーを剥がし、上記ウェハの研削面に貼り合わせた。その後、室温雰囲気下で３０分静置し、ＪＩＳ  Ｚ０２３７に準じて、チップ保持用テープＡの引き剥がし粘着力を測定した。引き剥がし条件は、粘着剤層の表面とシリコンミラーウェハの表面とのなす角θを１８０°、引張り速度３００ｍｍ／分、室温（２３℃）とした。結果を表７に示す。
【０１８０】
＜シリコンチップの作製＞
シリコンミラーウェハを＃２０００でバックグラインドし、厚さ１００μｍに研削した後、ダイシングフィルム（チップ保持用テープＡをダイシングフィルムとして用いたもの。）にマウントし、ブレードダイシング加工により、１０ｍｍ角のチップにダイシングした。得られたチップをダイボンドフィルムから剥離することにより、シリコンチップＡを得た。
【０１８１】
＜チップ脱落（室温貼付）評価＞
チップ保持用テープＡの剥離ライナーを剥がし、マウントフレームに貼り付けて固定した。その後、作製したシリコンチップＡを、チップ保持用テープＡのチップ貼付領域に貼り付け、室温にて３０分放置した。貼付条件は、貼付時温度２３℃、貼付時圧力０．２ＭＰａ、加圧時間０．１秒とした。
【０１８２】
室温にて、シリコンチップＡを貼り付けた状態でマウントフレームをひっくり返して軽く叩き、落下したチップの数により評価を行った。評価は、シリコンチップＡを５つ用い、１つも脱落しなかった場合には○、１〜４つが脱落した場合には△、５つすべてが脱落した場合には×とした。結果を表７に示す。
【０１８３】
＜チップ脱落（０℃保持）評価＞
チップ保持用テープＡの剥離ライナーを剥がし、マウントフレームに貼り付けて固定した。その後、作製したシリコンチップＡを、チップ保持用テープＡのチップ貼付領域に載せて貼り付け、０℃にて２４時間冷却した。その後、０℃環境下にて、マウントフレームをひっくり返して軽く叩き、落下したチップの数により評価を行った。評価は、シリコンチップＡを５つ用い、１つも脱落しなかった場合には○、１〜４つが脱落した場合には△、５つすべてが脱落した場合には×とした。結果を表７に示す。
【０１８４】
＜ピックアップ性評価＞
チップ保持用テープＡの剥離ライナーを剥がし、マウントフレームに貼り付けて固定した。その後、作製したシリコンチップＡを、チップ保持用テープＡのチップ貼付領域に載せて貼り付け、室温にて３０分放置した。作製したサンプルを用い、チップ保持用テープＡから、シリコンチップＡのピックアップを行った。ピックアップ性評価は、サンプル作製直後のものと、室温にて１ヶ月放置した後のサンプルとを用いて行った。なお、ピックアップ条件は、以下のようにした。
【０１８５】
（ピックアップ条件）
ダイボンダー装置：株式会社新川社製 ＳＰＡ−３００
マウントフレーム：ディスコ社製  ２−８−１
ウェハータイプ：Ｍｉｒｒｏｒ  Ｗａｆｅｒ（ｎｏ  ｐａｔｔｅｒｎ）
チップサイズ：１０ｍｍｘ１０ｍｍ
チップ厚さ：１００μｍ
ニードル数：９本
ニードル突き上げ速度：５mm/秒
コレット保持時間：１０００m秒
エキスパンド：引き落とし量３ｍｍ
ニードル突き上げ高さ：３００μｍ
【０１８６】
評価は、１０チップをピックアップし、全てピックアップできた場合には○、１〜９チップピックアップできた場合には△、全てピックアップできなかった場合には×とした。結果を表７に示す。
【０１８７】
【表７】
2011137057.tif 000009
【０１８８】
（実施例１２）
実施例１１のチップ保持用テープＡをチップ保持用テープＢに変更した以外は、上記実施例１１と同様の試験を行った。結果を表８に示す。
【０１８９】
【表８】
2011137057.tif 000010
【０１９０】
（実施例１３）
実施例１１のチップ保持用テープＡをチップ保持用テープＣに変更した以外は、上記実施例１１と同様の試験を行った。結果を表９に示す。
【０１９１】
【表９】
2011137057.tif 000011
【０１９２】
（実施例１４）
実施例１１のチップ保持用テープＡをチップ保持用テープＥに変更した以外は、上記実施例１１と同様の試験を行った。結果を表１０に示す。
【０１９３】
【表１０】
2011137057.tif 000012
【０１９４】
（実施例１５）
実施例１１のチップ保持用テープＡをチップ保持用テープＦに変更した以外は、上記実施例１１と同様の試験を行った。結果を表１１に示す。
【０１９５】
【表１１】
2011137057.tif 000013
【０１９６】
（比較例２）
＜ダイボンドフィルムに対する剥離力の測定＞
チップ保持用テープＤ（紫外線照射が行われていない）のチップ貼付領域にダイボンドフィルムＡ〜Ｄをそれぞれ貼り合わせた。次に、チップ保持用テープＤに基材側から、照度２０ｍＷ／ｃｍ２で積算光量が４００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外線を照射した。その後、ダイボンドフィルム側の剥離ライナーを剥がし、ダイボンドフィルムに厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムを１０μｍ厚の粘着剤を介して裏打ちした。これを２０ｍｍ幅にカットし、チップ保持用テープと裏打ちされたダイボンドフィルムとを３００ｍｍ／分の速さで上下に引っ張って剥離力を測定した。結果を表７に示す。
【０１９７】
＜チップ脱落（室温貼付）評価＞
チップ保持用テープＤ（紫外線照射が行われていない）の剥離ライナーを剥がし、フレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付けて固定した。次いで、ダイボンドフィルム付チップＡ〜Ｄを、チップ保持用テープＤのチップ貼付領域に載せて貼り付け、室温にて３０分放置した。その後、日東精機製の紫外線照射装置（商品名ＵＭ−８１０）にて照度２０ｍＷ／ｃｍ２で積算光量が４００ｍＪ／ｃｍ２となるようにポリオレフィンフィルム側から紫外線を照射した。このようにして作製したサンプルについて、実施例１と同様のチップ脱落（室温貼付）評価を行った。結果を表１２に示す。
【０１９８】
＜チップ脱落（０℃保持）評価＞
チップ保持用テープＤ（紫外線照射が行われていない）の剥離ライナーを剥がし、フレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付けて固定した。次いで、ダイボンドフィルム付チップＡ〜Ｄを、チップ保持用テープＤのチップ貼付領域に載せて貼り付け、０℃にて２４時間冷却した。その後、日東精機製の紫外線照射装置（商品名ＵＭ−８１０）にて照度２０ｍＷ／ｃｍ２で積算光量が４００ｍＪ／ｃｍ２となるようにポリオレフィンフィルム側から紫外線を照射した。このようにして作製したサンプルについて、実施例１と同様のチップ脱落（０℃保持）評価を行った。結果を表１２に示す。
【０１９９】
＜ピックアップ性評価＞
チップ保持用テープＤ（紫外線照射が行われていない）の剥離ライナーを剥がし、マウントフレームに貼り付けて固定した。その後、作製したダイボンドフィルム付チップＡ〜Ｄを、チップ保持用テープＤのチップ貼付領域に載せて貼り付け、室温にて３０分放置した。作製したサンプルを用い、チップ保持用テープＤから、ダイボンドフィルム付チップＡ〜Ｄのピックアップを行った。ピックアップ性評価は、日東精機製の紫外線照射装置（商品名ＵＭ−８１０）にて照度２０ｍＷ／ｃｍ２で積算光量が４００ｍＪ／ｃｍ２となるようにポリオレフィンフィルム側から紫外線を照射した後に行った。また、ピックアップ性評価は、サンプル作製直後のものと、室温にて１ヶ月放置した後のサンプルとを用いて行った。また、なお、ピックアップ条件は、実施例１と同様とした。結果を表１２に示す。
【０２００】
【表１２】
2011137057.tif 000014
【０２０１】
（結果）
表２〜１２の結果から分かる通り、実施例６〜１５のように、フレーム貼付領域での１８０度引き剥がし粘着力が、チップ状ワーク貼付領域での１８０度引き剥がし粘着力よりも５倍以上の大きさを有しているチップ保持用テープを用いれば、チップ脱落が起こらずに保持することができ、且つ、良好なピックアップ性を有していた。一方、比較例１のように、ダイボンドフィルム付チップに、フレーム貼付領域での１８０度引き剥がし粘着力と、チップ状ワーク貼付領域での１８０度引き剥がし粘着力が同じ大きさのチップ保持用テープを貼り付けた後に、チップ状ワーク貼付領域での１８０度引き剥がし粘着力がフレーム貼付領域での１８０度引き剥がし粘着力の１／５以下の大きさとなるようにした場合、ピックアップ性に劣る結果となった。
【符号の説明】
【０２０２】
１０、６０、７０、８０  チップ保持用テープ
１２、６２、７２、８２  基材
１４、６４  粘着剤層
１６、６６、７６、８６  フレーム貼付領域
１８、６８、７８、８８  チップ状ワーク貼付領域（チップ貼付領域）
２０  印刷層
３０  ダイシング・ダイボンドフィルム
３２  ダイシングフィルム
３４  ダイボンドフィルム
３６  基材
３８  粘着剤層
４０  半導体ウェハ
４２  半導体チップ
４４  被着体
４６  ボンディングワイヤー
４８  封止樹脂
５０  半導体装置
６４ａ、７４、８５  強粘着剤層
６４ｂ、７５、８４  弱粘着剤層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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