(57)【要約】【課題】集光性および平坦性の良好な光導波路を有し、製造が容易な固体撮像素子を提供すること。【解決手段】本発明にかかる固体撮像素子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された光電変換部２０と、光電変換部２０の上方に形成された光導波路部３０と、を含み、光導波路部３０は、下記一般式（１）で表されるポリアミック酸、および該ポリアミック酸のイミド化重合体から選択される少なくとも一種を９０質量％以上含有する。【化１０】2011029474.tif 000013（一般式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基またはシアノ基を示し、ａはそれぞれ独立に０〜４の整数を示し、Ｒは４価の有機基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、ｍは１〜１０００００の整数を示す。）【選択図】図１
2011029474.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に形成された光電変換部と、
前記光電変換部の上方に形成された光導波路部と、
を含み、
前記光導波路部は、下記一般式（１）で表されるポリアミック酸、および該ポリアミック酸のイミド化重合体から選択される少なくとも一種を９０質量％以上含有する、固体撮像素子。
【化７】
2011029474.tif 000010
（一般式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基またはシアノ基を示し、ａはそれぞれ独立に０〜４の整数を示し、Ｒは４価の有機基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、ｍは１〜１０００００の整数を示す。）
【請求項２】
請求項１において、
前記光導波路部の材質は、さらに、界面活性剤を含む、固体撮像素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記光導波路部は、前記光電変換部の上面に連続し、該上面から上方に向かって延びる形状を有し、
前記光導波路部の下面における最長の差渡しに対する該光導波路部の高さは、２倍以上１０倍以下である、固体撮像素子。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項において、
前記光導波路部の材質は、粒子状物質の含有量が１０質量％以下である、固体撮像素子。
【請求項５】
基板を準備する工程と、
前記基板の上方に、光電変換部を形成する工程と、
前記光電変換部を覆うように層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層に、前記層間絶縁層の上面から前記光電変換部の上面に連続する穴を形成する工程と、
前記穴に、下記一般式（１）で表されるポリアミック酸、および該ポリアミック酸のイミド化重合体から選択される少なくとも一種を充填する工程と、
を含む、固体撮像素子の製造方法。
【化８】
2011029474.tif 000011
（一般式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基またはシアノ基を示し、ａはそれぞれ独立に０〜４の整数を示し、Ｒは４価の有機基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、ｍは１〜１０００００の整数を示す。）
【請求項６】
請求項５において、
前記層間絶縁層の上面における前記穴の開口の差渡しに対する該穴の深さは、２倍以上１０倍以下である、固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記穴には、粒子状物質が充填されない、固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
下記一般式（１）で表されるポリアミック酸、および該ポリアミック酸のイミド化重合体から選択される少なくとも一種を９０質量％以上含有する、固体撮像素子の導波路形成用組成物。
【化９】
2011029474.tif 000012
（一般式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基またはシアノ基を示し、ａはそれぞれ独立に０〜４の整数を示し、Ｒは４価の有機基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、ｍは１〜１０００００の整数を示す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラや携帯電話等に搭載される固体撮像素子は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）やＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｔｏｒ）のような受光部（光電変換機構）を、複数二次元的に配列させた構造を有する。このような固体撮像素子は、従来より画素数を増すことが求められてきている。すなわち、固体撮像素子は、ますます各画素の微細化が進められている。これに伴い固体撮像素子の単位画素あたりの受光量は、非常に小さくなってきている。
【０００３】
受光部が受ける光量が不足すると、撮像される画像の品質は低下してしまう。そのため、画素あたりの受光量を大きくする方法が提案されている。たとえば、固体撮像素子の受光部に光を集光させるようなレンズを設けることや、素子に光導波路を設けることなどが提案されている。光導波路を形成する例として、たとえば、特許文献１には、光導波路を屈折率の高い材料によって形成することが記載されている。同文献には、このような高屈折率材料として、透明性の高い樹脂と、酸化チタン等の屈折率の高い金属酸化物粒子とのコンポジット材料を用いることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０９１７４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、固体撮像素子の画素は非常に小さくなってきているため、光導波路の寸法も非常に小さくなってきている。すなわち、光導波路は、受光面の面積が小さく、導波経路の長い形状（アスペクト比の大きい形状）となってきている。
【０００６】
そのため、光導波路の材料として、上述したような金属酸化物粒子を含有する樹脂組成物を用いる場合は、製造時に光導波路を形成する工程において、光導波路のための開口の全体にわたって均一に材料を充填しにくくなってきている。
【０００７】
一方、逆に、光導波路のための開口を大きく設計した場合には、固体撮像素子の上面側に、同工程において該開口に由来する凹凸を生じてしまうという問題もあった。光導波路の上面の平坦性が損なわれると、光を効率的に受光部に導くことが困難となり、固体撮像素子の感度が低下してしまうという問題が生じていた。
【０００８】
さらに、固体撮像素子の製造工程において、光導波路を形成した後に、必要に応じてこれをエッチングする場合がある。このような場合にも、光導波路に上述したような金属酸化物粒子を含有する樹脂組成物を用いる場合は、エッチング速度を高めることが難しい等の問題があった。
【０００９】
本発明のいくつかの態様にかかる目的の一つは、集光性および平坦性の良好な光導波路を有し、製造が容易な固体撮像素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。
【００１１】
［適用例１］
本発明にかかる固体撮像素子の一態様は、
基板と、
前記基板の上方に形成された光電変換部と、
前記光電変換部の上方に形成された光導波路部と、
を含み、
前記光導波路部は、下記一般式（１）で表されるポリアミック酸、および該ポリアミック酸のイミド化重合体から選択される少なくとも一種によって形成されている。
【００１２】
【化１】
2011029474.tif 000003
（一般式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基またはシアノ基を示し、ａはそれぞれ独立に０〜４の整数を示し、Ｒは４価の有機基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、ｍは１〜１０００００の整数を示す。）
【００１３】
このような固体撮像素子は、光導波路部が、一般式（１）で表されるポリアミック酸および／またはそのイミド化重合体によって形成されている。そのため、このような固体撮像素子は、光電変換部への集光性、光導波路部の平坦性、充填性が良好で、製造が容易である。
【００１４】
なお、本明細書にかかる記載では、「上方」という文言を、たとえば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下「Ｂ」という）を形成する」などと用いている。本明細書にかかる記載では、この例のような場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合と、Ａの上部にＢが形成される場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
【００１５】
［適用例２］
適用例１において、
前記光導波路部の材質は、さらに、界面活性剤を含むことができる。
【００１６】
［請求項３］
適用例１または適用例２において、
前記光導波路部は、前記光電変換部の上面に連続し、該上面から上方に向かって延びる形状を有し、
前記光導波路部の下面における最長の差渡しに対する該光導波路部の高さは、２倍以上１０倍以下であることができる。
【００１７】
［適用例４］
適用例１ないし適用例３のいずれか一例において、
前記光導波路部の材質は、粒子状物質を含まないことができる。
【００１８】
［適用例５］
本発明にかかる固体撮像素子の製造方法の一態様は、
基板を準備する工程と、
前記基板の上方に、光電変換部を形成する工程と、
前記光電変換部を覆うように層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層に、前記層間絶縁層の上面から前記光電変換部の上面に連続する穴を形成する工程と、
前記穴に、下記一般式（１）で表されるポリアミック酸、および該ポリアミック酸のイミド化重合体から選択される少なくとも一種を充填する工程と、
を含む。
【００１９】
【化２】
2011029474.tif 000004
（一般式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基またはシアノ基を示し、ａはそれぞれ独立に０〜４の整数を示し、Ｒは４価の有機基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、ｍは１〜１０００００の整数を示す。）
【００２０】
このようにすれば、光電変換部への集光性、光導波路部の平坦性、充填性が良好な固体撮像素子を、容易に製造することができる。
【００２１】
［適用例６］
適用例５において、
前記層間絶縁層の上面における前記穴の上部の開口部の差渡しに対する該穴の深さは、２倍以上１０倍以下であることができる。
【００２２】
［適用例７］
適用例５または適用例６において、
前記穴には、粒子状物質が充填されないことができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明にかかる固体撮像素子は、光導波路部が、一般式（１）で表されるポリアミック酸および／またはそのイミド化重合体によって形成されている。そのため、このような固体撮像素子は、光電変換部への集光性、光導波路部の平坦性、充填性が良好で、製造が容易である。また、本発明にかかる固体撮像素子の製造方法によれば、光導波路部が、一般式（１）で表されるポリアミック酸および／またはそのイミド化重合体を充填する工程を有する。そのため、光電変換部への集光性、光導波路部の平坦性、充填性が良好な固体撮像素子を、容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施形態にかかる固体撮像素子１００の要部の断面の模式図。
【図２】実施形態にかかる固体撮像素子１００の要部の断面を拡大した模式図。
【図３】実施形態にかかる固体撮像素子１００の製造工程の模式図。
【図４】実施形態にかかる固体撮像素子１００の製造工程の模式図。
【図５】実施形態にかかる固体撮像素子１００の製造工程の模式図。
【図６】実施形態にかかる固体撮像素子１００の製造工程の模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に本発明の好適な実施形態について説明する。以下に説明する実施形態は、本発明の一例を説明するものである。また、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形例も含む。
【００２６】
本発明にかかる固体撮像素子の例としては、電荷結合素子（ＣＣＤ）や、ＭＯＳ型の撮像素子を挙げることができる。以下の実施形態では、ＣＣＤを含む固体撮像素子１００を例示する。
【００２７】
１．固体撮像素子
図１は、実施形態にかかる固体撮像素子１００の要部の断面の模式図である。図２は、固体撮像素子１００の要部の断面を拡大した模式図である。
【００２８】
本実施形態の固体撮像素子１００は、基板１０と、光電変換部２０と、光導波路部３０と、を含む。
【００２９】
１．１．基板
基板１０は、固体撮像素子１００の基体となる。基板１０は、平板状、フィルム状、シート状等の形状を有する。基板１０は、複数の基板の積層体であってもよい。基板１０は、たとえば、半導体基板や配線基板を含んで構成されてもよい。基板１０には、光電変換部２０（後述する）、レジスタなどが形成されることができる。また、基板１０は、トランジスタ（たとえばＴＦＴ）や、制御用のＩＣ、および配線層などを有してもよい。図１には、基板１０に光電変換部２０が形成されている例が描かれている。
【００３０】
基板１０の材質としては、特に限定されず、金属、ガラス、シリコン、砒化ガリウム等の無機物や、（メタ）アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、脂環式オレフィン樹脂、ポリカーボネートなどの高分子材料などとすることができる。また、第１基板１０は、複数の異なる材質の基板が積層されてもよい。たとえば、基板１０は、光を反射する反射層等を含んでいてもよい。基板１０をシリコン基板やＧａＡｓ基板のような半導体基板とすれば、光電変換部２０を基板１０内に形成することが容易となる。
【００３１】
１．２．光電変換部
光電変換部２０は、基板１０の上方に形成される。光電変換部２０は、基板１０の上面に埋め込まれるように形成されてもよい。本実施形態の固体撮像素子１００では、基板１０の上面側に光電変換部２０が形成されている。
【００３２】
光電変換部２０の形状は、特に限定されず、平面視において、だ円形、円形、矩形、正方形などとすることができる。平面視における光電変換部２０の大きさは、固体撮像素子１００の解像度等の設計にしたがって適宜選択されうるが、たとえば、正方形形状とした場合の一辺の長さが１００ｎｍ以上１０μｍ以下とすることができる。光電変換部１００は、基板１０に複数形成されることができる。基板１０に形成される光電変換部１００の数は、固体撮像素子１００の解像度等の設計にしたがって適宜選択され、特に限定されない。また、光電変換部２０の厚み等も特に限定されない。
【００３３】
光電変換部２０は、光を電気信号に変換する部分（光センサー）であり、公知の光電変換素子、たとえばフォトダイオードを適用することができる。光電変換部２０は、たとえば、基板１０を半導体基板とし、その表面に導電型の異なる領域が形成されたｐｎ接合などによって構成されることができる。また、光電変換部２０は、レジスタ等の他の構成を含んで形成されてもよい。
【００３４】
光電変換部２０によって検知される電磁波（光）の波長域は、特に限定されないが、たとえば、３００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲である。光電変換部２０は、典型的には可視光を検知して電気信号に変換することができる。
【００３５】
１．３．光導波路部
１．３．１．光導波路部の形状等
光導波路部３０は、光電変換部２０の上方に形成される。光導波路部３０は、光電変換部２０に連続して形成されてもよい。また、光導波路部３０は、光電変換部２０との間に他の部材（たとえばレンズ等の光学部材）を介して接続されもよい。光導波路部３０の機能の一つは、光電変換部２０に対して固体撮像素子１００に入射する光を集光させることが挙げられる。そのため、光導波路部３０は、近接する他の部材よりも屈折率の大きい材料で形成される。これにより、光導波路部３０への光の閉じ込めが可能となって、光電変換部２０への集光効率をさらに高めることができる。本実施形態の固体撮像素子１００の材質の詳細については後述する。
【００３６】
光導波路部３０は、各光電変換部２０に対応して設けられる。光導波路部３０の形状は、特に限定されず、たとえば、円柱状、角柱状、円錐台、角錐台等とすることができる。図１の例では、光導波路部３０は、光電変換部２０の側の大きさのほうが小さい円錐台の形状を有している。さらに、光導波路部３０の上面または下面は、凸状または凹状の形状を有していてもよい。このようにすると、光導波路部３０に、光学的レンズの機能を付与することができる。この場合の凹凸形状は、入射光の光路を考慮して自由に設計されることができる。
【００３７】
光導波路部３０は、光電変換部２０の上面に連続し、該上面から上方に向かって延びる形状を有することがより好ましい。このようにすれば、固体撮像素子１００の外部から入射した光を、光電変換部２０に対してより集光させやすくなる。また、このようにすれば、光電変換部２０を固体撮像素子１００内でより密に配置させることができる。すなわち、固体撮像素子１００の解像度（光電変換部２０の平面的な密度）をより高くすることができる。
【００３８】
光導波路部３０を光導波路部３０の下面における最長の差渡しに対する光導波路部３０の高さは、２倍以上１０倍以下であることがさらに好ましい。ここで、最長の差渡しとは、光導波路部３０の下面を平面的に見たとき、該下面が円であれば、その半径に相当し、楕円であれば、その長径に相当する。また、最長の差渡しとは、光導波路部３０の下面を平面的に見たとき、該下面が矩形であれば、その対角線の一方に相当し、不定形であれば、外周の特定の一点から、対向する一点までの距離のうち、最も大きい距離に相当する。光導波路部３０の高さとは、光導波路部３０の基板１０側の端から、反対側（上方）の端までの距離を指す。光導波路部３０をこのような形状とすることにより、たとえば、固体撮像素子１００の外部から入射した光を、光電変換部２０に対してさらに集光させやすくすることができる。
【００３９】
光導波路部３０は、光電変換部２０の上方に配置されるかぎり、単独で配置されてもよいが、たとえば、本実施形態の固体撮像素子１００のように、基板１０の上方に形成された層間絶縁層４０に、穴４２を設け、該穴４２の内側に光導波路部３０を形成することもできる（図２参照）。このようにすれば、たとえば、光導波路部３０の製造をより容易化することができる。
【００４０】
光導波路部３０の屈折率は、その周囲の屈折率よりも十分に高いことが好ましい。層間絶縁層４０を形成する場合は、光電変換部２０への集光効率を高めるために、層間絶縁層４０の材質として、屈折率が１．４から１．５程度のＳｉＯ２や、屈折率が１．４〜１．５程度であるＢＰＳＧ（ボロフォスホシリケートガラス）、ＰＳＧ（フォスホシリケートガラス）、ＳＯＧ（スピンオンガラス）などのＳｉＯ２系材料やＳｉＯＮ（酸化窒化シリコン）系材料で形成されることが好ましい。層間絶縁層４０を利用して光導波路部３０を形成する場合であって、層間絶縁層４０が、酸化シリコン（ＳｉＯ２）で形成される場合は、たとえば、熱酸化法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって形成されることができる。
【００４１】
また、本実施形態の固体撮像素子１００は、図１に示すように、光導波路部３０への集光のために、オンチップレンズ５０を有してもよい。オンチップレンズ５０は、図示の例では、光導波路部３０の上方に設けられているが、下方に設けらてもよい。また、オンチップレンズ５０は、複数設けられてもよい。
【００４２】
１．３．２．光導波路部の材質等
光導波路部３０は、下記一般式（１）で表されるポリアミック酸、および該ポリアミック酸のイミド化重合体から選択される少なくとも一種によって形成される。
【００４３】
【化３】
2011029474.tif 000005
（上記一般式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基またはシアノ基を示し、ａはそれぞれ独立に０〜４の整数を示し、Ｒは４価の有機基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、ｍは１〜１０００００の整数を示す。）
【００４４】
一般式（１）で示される構造を有するポリアミック酸は、屈折率（２５℃、波長４００〜７００ｎｍ）が高く、透明性および耐熱性に優れている。また、該ポリアミック酸のイミド化重合体についても同様に、屈折率（２５℃、波長４００〜７００ｎｍ）が高く、透明性および耐熱性に優れている。。
【００４５】
一般式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基またはシアノ基を示し、ａは基Ｒ１の置換数であり、０〜４の整数を示す。ａは０（即ち、置換基無し）であるか、またはＲ１がシアノ基であり、ａが１であることが好ましい。Ｒは４価の有機基を示し、具体的には、脂肪族、脂環族または芳香族テトラカルボン酸二無水物から無水物基を除去した残基に相当し、得られる重合体の透明性がより高まる点で、脂環族テトラカルボン酸二無水物または脂肪族テトラカルボン酸二無水物の残基であることが好ましい。また、Ｒは、高屈折率が得られることから、硫黄原子を含んでいることがさらに好ましい。ｎは１〜４の整数を示し、２〜４の整数であることが好ましい。ｍは１〜１０００００の整数を示し、１０〜１００００の整数であることが好ましい。
【００４６】
一般式（１）で示される構造を有するポリアミック酸は、たとえば、以下のように製造することができる。一般式（１）で示される構造を有するポリアミック酸は、たとえば、下記一般式（２）で示されるジアミンと、下記一般式（３）で示されるテトラカルボン酸二酸無水物を反応させて得ることができる。
【００４７】
【化４】
2011029474.tif 000006
【００４８】
【化５】
2011029474.tif 000007
【００４９】
一般式（２）および一般式（３）中、Ｒ１、Ｒ、ａおよびｎは、前述の一般式（１）で説明した通りであるため、説明を省略する。
【００５０】
一般式（２）で示されるジアミンの例としては、たとえば、４，４’−（ｐ−フェニレンジスルファニル）ジアニリン、１，３−ビス（４−アミノフェニルスルファニル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノールスルファニル）５−シアノベンゼン、４，４’−チオビス［（ｐ−フェニレンスルファニル）アニリン］、４，４’−ビス（４−アミノフェニルスルファニル）−ｐ−ジチオフェノキシベンゼン等が挙げられ、これらのうち、４，４’−チオビス［（ｐ−フェニレンスルファニル）アニリン］等を用いることがより好ましい。
【００５１】
なお、光導波路部３０は、上記一般式（１）で示される構造を有するポリアミック酸以外のポリアミック酸を含有していてもよい。即ち、上記一般式（２）で示されるジアミンの他に、硫黄原子を含有しないジアミンを併用してもよい。また、さらに併用可能なジアミンとしては、たとえば、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、１，５−ジアミノナフタレン、３，３−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノベンズアニリド、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）−１０−ヒドロアントラセン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、４，４’−メチレン−ビス（２−クロロアニリン）、２，２’，５，５’−テトラクロロ−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジクロロ−４，４’−ジアミノ−５，５’−ジメトキシビフェニル、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ビスアニリン、４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ビスアニリン、ジアミノテトラフェニルチオフェン等のヘテロ原子を有する芳香族ジアミン；１，１−メタキシリレンジアミン、１，３−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、４，４−ジアミノヘプタメチレンジアミン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、イソホロンジアミン、テトラヒドロジシクロペンタジエニレンジアミン、ヘキサヒドロ−４，７−メタノインダニレンジメチレンジアミン、トリシクロ［６，２，１，０２．７］−ウンデシレンジメチルジアミン等の脂肪族または脂環族ジアミンを挙げることができる。
【００５２】
一般式（１）のポリアミック酸の製造に用いるジアミン類のうち、一般式（２）で示されるジアミンの割合は、５０モル％以上であることが好ましく、８０モル％以上であることがより好ましく、十分な屈折率を得るためには１００モル％であることが好ましい。
【００５３】
一般式（３）中、Ｒはテトラカルボン酸二無水物から無水物基を除去した残基に相当する。このような化合物としては、脂肪族、脂環族または芳香族テトラカルボン酸二無水物が挙げられ、得られる重合体が優れた透明性を有することから、脂肪族および脂環族テトラカルボン酸二無水物が好ましい。
【００５４】
脂肪族および脂環族テトラカルボン酸二無水物の例としては、たとえば、ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、４，１０−ジオキサトリシクロ［６．３．１．０２，７］ドデカン−３，５，９，１１−テトラオン、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二水和物、３，５，６−トリカルボキシノルボルナン−２−酢酸二無水物、２，３，４，５−テトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラン−１，３−ジオン、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ［２，２，２］−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物等の脂肪族および脂環族テトラカルボン酸二無水物を挙げることができる。これらのうち、ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、４，１０−ジオキサトリシクロ［６．３．１．０２，７］ドデカン−３，５，９，１１−テトラオン、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物および１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラン−１，３−ジオンがより好ましく、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、４，１０−ジオキサトリシクロ［６．３．１．０２，７］ドデカン−３，５，９，１１−テトラオン、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物が特に好ましい。
【００５５】
芳香族テトラカルボン酸二無水物の具体例としては、たとえば、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−フランテトラカルボン酸二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルプロパン二無水物、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ビス（フタル酸）二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（フタル酸）フェニルホスフィンオキサイド二無水物、ｐ−フェニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ｍ−フェニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４，４’−ジフェニルエーテル二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４，４’−ジフェニルメタン二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物を挙げることができる。これらのうちでは、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ビス（フタル酸）二無水物および３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物がより好ましい。
【００５６】
また、より高い屈折率のポリアミック酸が得られることから、硫黄原子を含むテトラカルボン酸二無水物を用いることも好ましい。硫黄原子含有酸無水物の例としては、たとえば、４，４’−［ｐ−チオビス（フェニレン−スルファニル）］ジフタル酸無水物等が挙げられる。
【００５７】
一般式（２）で示されるジアミンと一般式（３）で示されるテトラカルボン酸二酸無水物の反応は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の非プロトン性有機溶媒中においておこなうことができる。ジアミン化合物と酸二無水物とを攪拌混合することによって、一般式（１）のポリアミック酸を得ることができる。また、たとえば、ジアミン化合物を有機溶媒に溶解し、これに酸二無水物を加えて、攪拌混合してもよく、ジアミン化合物と酸二無水物との混合物を有機溶媒に加えて、攪拌混合してもよい。反応は、通常、１００℃以下、好ましくは、８０℃以下の温度で、常圧下に行われる。しかし、反応は、必要に応じて、加圧下または減圧下で行ってもよい。反応時間は、用いるジアミン化合物と酸二無水物や、有機溶媒、反応温度等によって異なるが、通常、４〜２４時間の範囲である。
【００５８】
光導波路部３０は、界面活性剤等の添加物を含んでいてもよい。界面活性剤は、たとえば、固体撮像素子１００の製造において、光導波路部３０をスピンコートによって、上記材料を塗布して形成する場合に、均一な塗膜を形成するために添加されることができる。
【００５９】
光導波路部３０に配合されてもよい界面活性剤としては、、ポリジメチルシロキサン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤等が挙げられ、ポリジメチルシロキサン系界面活性剤が挙げられる。ポリジメチルシロキサン系の界面活性剤の例としては、たとえば、ＳＨ２８ＰＡ（東レダウコーニング社製、ジメチルポリシロキサンポリオキシアルキレン共重合体）、ペインタッド１９、５４（東レダウコーニング社製、ジメチルポリシロキサンポリオキシアルキレン共重合体）、ＦＭ０４１１（サイラプレーン、チッソ社製）、ＳＦ８４２８（東レダウコーニング社製、ジメチルポリシロキサンポリオキシアルキレン共重合体（側鎖ＯＨ含有））、ＢＹＫ  ＵＶ３５１０（ビックケミー・ジャパン社製、ジメチルポリシロキサン−ポリオキシアルキレン共重合体）、ＤＣ５７（東レ・ダウコーニング・シリコーン社製、ジメチルポリシロキサン−ポリオキシアルキレン共重合体）、ＤＣ１９０（東レ・ダウコーニング・シリコーン社製、ジメチルポリシロキサン−ポリオキシアルキレン共重合体）、サイラプレーンＦＭ−４４１１、ＦＭ−４４２１、ＦＭ−４４２５、ＦＭ−７７１１、ＦＭ−７７２１、ＦＭ−７７２５、ＦＭ−０４１１、ＦＭ−０４２１、ＦＭ−０４２５、ＦＭ−ＤＡ１１、ＦＭ−ＤＡ２１、ＦＭ−ＤＡ２６、ＦＭ０７１１、ＦＭ０７２１、ＦＭ−０７２５、ＴＭ−０７０１、ＴＭ−０７０１Ｔ（チッソ社製）、ＵＶ３５００、ＵＶ３５１０、ＵＶ３５３０（ビックケミー・ジャパン社製）、ＢＹ１６−００４、ＳＦ８４２８（東レ・ダウコーニング・シリコーン社製）、ＶＰＳ−１００１（和光純薬製）等が挙げられる。特にサイラプレーンＦＭ−７７１１、ＦＭ−７７２１、ＦＭ−７７２５、ＦＭ−０４１１、ＦＭ−０４２１、ＦＭ−０４２５、ＦＭ０７１１、ＦＭ０７２１、ＦＭ−０７２５、ＶＰＳ−１００１等を挙げることができる。また、エチレン性不飽和基を有する当該シリコーン化合物の市販品としては、たとえば、Ｔｅｇｏ  Ｒａｄ２３００、２２００Ｎ、テゴ・ケミー社等を挙げることができる。
【００６０】
フッ素系の界面活性剤の例としては、たとえば、メガファックＦ−１１４、Ｆ４１０、Ｆ４１１、Ｆ４５０、Ｆ４９３、Ｆ４９４、Ｆ４４３、Ｆ４４４、Ｆ４４５、Ｆ４４６、Ｆ４７０、Ｆ４７１、Ｆ４７２ＳＦ、Ｆ４７４、Ｆ４７５、Ｒ３０、Ｆ４７７、Ｆ４７８、Ｆ４７９、Ｆ４８０ＳＦ、Ｆ４８２、Ｆ４８３、Ｆ４８４、Ｆ４８６、Ｆ４８７、Ｆ５５３、Ｆ１７２Ｄ、Ｆ１７８Ｋ、Ｆ１７８ＲＭ、ＥＳＭ−１、ＭＣＦ３５０ＳＦ、ＢＬ２０、Ｒ０８、Ｒ６１、Ｒ９０（大日本インキ化学工業社製）が挙げられる。
【００６１】
光導波路部３０における界面活性剤の配合量は、固形分全量を１００質量％としたときに、通常０〜１０質量％、好ましくは０．１〜５質量％、より好ましくは０．５〜３質量％の範囲内である。界面活性剤の配合量が１０質量％を超えると、屈折率が低下する場合がある。
【００６２】
本実施形態の固体撮像素子１００は、光導波路部３０は、上述の化合物によって形成されている。そのため、光導波路部３０の屈折率が十分に高い（波長６３３ｎｍにおける屈折率が、最高で１．７６である。）。
【００６３】
光導波路部３０は、粒子状物質の含有量が１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、粒子状物質を含有しないことが特に好ましい。粒子状物質としては、たとえば、金属酸化物粒子等の不溶、不融の物質のことを指す。光導波路部３０に、このような粒子状物質が含有されないことにより、光導波路部３０に欠陥等を生じにくくすることができる。この場合の欠陥とは、たとえば、ボイド等の構造上の不均一性や、屈折率等の特性値の、光導波路部３０内での分布のことをいう。
【００６４】
１．４．その他の構成
本実施形態の固体撮像素子１００は、さらに各種の他の部材を含むことができる。たとえば、固体撮像素子１００は、層内レンズ、転送電極、遮光膜、カラーフィルター、平坦化層、反射防止膜等を含んでもよい。
【００６５】
１．５．作用効果等
本実施形態にかかる固体撮像素子１００は、光導波路部３０が、一般式（１）で表されるポリアミック酸および／またはそのイミド化重合体によって形成されている。そのため、固体撮像素子１００は、光電変換部２０への集光性に優れている。さらに、本実施形態にかかる固体撮像素子１００は、光導波路部３０に粒子状物質を含まない場合は、光導波路部３０の平坦性、充填性、均一性が良好で、製造が容易である。
【００６６】
２．固体撮像素子の製造方法
図３ないし図６は、本実施形態の固体撮像素子１００の製造工程の模式図である。
【００６７】
本発明にかかる固体撮像素子の製造方法は、基板を準備する工程と、光電変換部を形成する工程と、層間絶縁層を形成する工程と、前記層間絶縁層に穴を形成する工程と、前記穴に、下記一般式（１）で表されるポリアミック酸、および該ポリアミック酸のイミド化重合体から選択される少なくとも一種を充填する工程と、を含む。
【００６８】
【化６】
2011029474.tif 000008
（一般式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基またはシアノ基を示し、ａはそれぞれ独立に０〜４の整数を示し、Ｒは４価の有機基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、ｍは１〜１０００００の整数を示す。）
【００６９】
以下、各工程を詳述するが、上述の固体撮像素子１００の説明において、述べた部材については、同様の符号を付して、詳細な説明を省略する。
【００７０】
はじめに図３に示すように、基板１０を準備し、基板１０の上方（上面）に光電変換部２０を形成する。光電変換部２０は、公知の方法で形成でき、たとえば基板１０に不純物をドーピングすることによって形成することができる。また、光電変換部２０の形成と同時または前後して、必要に応じて電荷転送部などを形成することができる。また、光電変換部２０の形成後に、必要に応じて、転送電極、反射防止膜、遮光膜を形成してもよい。また、層間絶縁層４０以外の絶縁膜を形成してもよい。
【００７１】
次いで、図３に示すように、光電変換部２０を覆うように、層間絶縁層４０ａを形成する。層間絶縁層４０ａは、光電変換部２０および基板１０を覆って形成されてもよい。図示の例では、層間絶縁層４０ａは、光電変換部２０および基板１０を覆って形成されている。層間絶縁層４０は、たとえば、スピンコート法、ＣＶＤ法等によって形成されることができる。
【００７２】
次に、図４に示すように、層間絶縁層４０ａに、層間絶縁層４０ａの上面から光電変換部２０の上面に連続する穴４２を形成する。この工程によって同時に層間絶縁層４０が形成される。穴４２は、光導波路部３０の外形に対応する形状を有する。穴４２は、光電変換部２０の上方に形成される。本実施形態では、穴４２は、光電変換部２０に達するように、層間絶縁層４０を貫通して形成されているが、光電変換部２０に達しない程度に、層間絶縁層４０に形成された凹部となっていてもよい。穴４２は、適宜なマスクおよびエッチャントを用いて、フォトリソグラフィー等により形成されることができる。また、穴４２は、公知の方法、たとえば異方性ドライエッチング、反応性ドライエッチングなどによっても形成することができる。
【００７３】
次いで、図５に示すように、穴４２に、一般式（１）で表されるポリアミック酸、および該ポリアミック酸のイミド化重合体から選択される少なくとも一種を充填して、光導波路部３０ａを形成する。この工程は、具体的には、ディスペンサなどの注液ノズルを用いた塗布、インクジェット法などの噴射塗布、スピンコーティングなど回転による塗布、印刷などスキージングによる塗布、または転写などの方法を用いることができる。
【００７４】
この工程では、スピンコートの際の原料液体の粘度を調整するために、一般式（１）で表される化合物は、適当な有機溶剤に溶解されて塗布されてもよい。このときの有機溶媒としては、たとえば、非プロトン系有機溶剤を挙げることができる。非プロトン系有機溶剤としては、たとえば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）等が好ましい。これら以外にもＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメトキシアセトアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチルカプロラクタム、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、１，２−ビス（２−メトキシエトキシ）エタン、ビス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕エーテル、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、ピロリン、ピコリン、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホルアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＭＥ）、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール酸、ｐ−クロロフェノール、アニソール、ベンゼン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で、または２種類以上の混合物として用いられることができる。
【００７５】
本工程で一般式（１）で表される化合物に添加される有機溶剤の量としては、一般式（１）で表される化合物１００重量部に対して、通常１００〜９９００重量部、好ましくは３００〜１９００重量部、より好ましくは４００〜１９００重量部の範囲内である。有機溶剤の配合量が１００重量部未満では、スピンコート塗布ができなくなる場合があり、９９００重量部を超えると、必要膜厚が発現できない場合がある。尚、有機溶剤の配合量には、一般式（１）で表される化合物の製造に由来する溶剤を含む。上述の有機溶剤を使用した場合、必要に応じて塗液を塗布したのち、溶媒を除去する工程を含むことができる。
【００７６】
さらに、この工程では、塗液に、加熱によって一般式（１）で表される化合物を硬化させるためのイミド化触媒を添加することもできる。イミド化触媒としては、たとえば、無水酢酸−ピリジン混合溶液等が挙げられる。また、無水酢酸−トリエチルアミン混合溶液や、無水トリフルオロ酢酸、ジシクロヘキシルカルボジイミドも使用できる。また、イミド化触媒として、光の照射によって酸または塩基を発生させる化合物である光酸発生剤または光塩基発生剤を用いることにより、光導波路部３０をパターニング可能な材質とすることができる。光塩基発生剤としては、たとえば、カルバマート型光塩基発生剤等が挙げられる。イミド化触媒の配合量は、光導波路部３０を１００質量％としたときに、０〜２０質量％、好ましくは１〜１０質量％、より好ましくは１〜５質量％の範囲内である。上述のイミド化触媒を使用した場合、必要に応じて、硬化処理を行う工程を付加することができる。硬化処理は、たとえば、光硬化、熱硬化とすることができる。
【００７７】
さらに、この工程では、熱硬化性化合物および光硬化性化合物を添加することができる。これらの化合物を配合することにより、得られる光導波路部３０の硬度を高めることができる。熱硬化性化合物としては、たとえば、メラミン化合物、アルコキシシラン等が挙げられる。光硬化性化合物としては、たとえば、（メタ）アクリロイル基を有する化合物、ビニル基を有する化合物等が挙げられる。
【００７８】
本工程においては、一般式（１）で表される化合物には、粒子状物質が添加されないことが好ましい。このようにすれば、ディスペンサなどの注液ノズルを用いた塗布、インクジェット法などの噴射塗布、スピンコーティングなど回転による塗布、印刷などスキージングによる塗布、または転写などによって、穴４２を隙間なく埋めることがさらに容易となる。このようにすれば、特に、穴４２の開口の差渡しに対する該穴４２の深さが、２倍以上１０倍以下である場合において、穴４２を隙間なく埋めることを容易に行うことができる。
【００７９】
その後、必要に応じ、図６に示すように、層間絶縁層４０の上に形成された光導波路部３０ａを除去する工程を行うことができる。この工程は、ドライエッチング、ウエットエッチングなどによって行うことができる。この工程を行う場合において、一般式（１）で表される化合物に、粒子状物質が添加されていない場合は、ドライエッチング、ウエットエッチング等のエッチングレートを十分に大きくすることができる。
【００８０】
次いで、たとえば、別途準備したマイクロレンズアレイを層間絶縁層４０の上方に設けることによって、図１に示す本実施形態の固体撮像素子１００を得ることができる。
【００８１】
本実施形態の固体撮像素子の製造方法によれば、光電変換部への集光性、光導波路部の平坦性、充填性が良好な固体撮像素子を、容易に製造することができる。
【００８２】
３．実施例および比較例
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、これらは本発明の範囲を限定するものではない。
【００８３】
実施例および比較例では、一般式（１）で表される化合物の穴への埋め込み性を評価した。すなわち、下記の基材に対して、各例の組成物を塗布し、乾燥後の各種形状を評価した。
【００８４】
３．１．基材
基板１０として、シリコン基板を用いた。このシリコン基板の上面に、３μｍの厚みのＳｉＯ２膜をスピンコート法によって形成し焼成した。そしてＳｉＯ２膜をエッチングして、開口径０．８μｍ、深さ３μｍの穴（シリコン基板まで達する貫通孔）を形成した。
【００８５】
３．２．組成物
表１に示す、各実施例および比較例の組成物を調製した。
【００８６】
【表１】
2011029474.tif 000009
【００８７】
表１中、Ｐ−１は、酸二無水物として、ＢＴ−１００（新日本理化株式会社製１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物）、ジアミンとして、３ＳＤＡ（４，４’−チオビス［（ｐ−フェニレンスルファニル）アニリン］）を用いて合成した化合物を示す。
【００８８】
Ｐ−１は、以下のような化合物である。窒素導入管を備えた反応容器に、３ＳＤＡ（１１．８８ｇ、２７．４６ｍｍｏｌ）にジメチルアセトアミド（３０ｇ）（以下、ＤＭＡｃという）を加え、室温で攪拌し完全に溶解させた。次に、ＢＴ−１００（５．４５ｇ、２７．５０ｍｍｏｌ）とＤＭＡｃ（１０ｇ）を添加し、４０℃で４時間攪拌した。次いで、ＤＭＡｃ（１１０ｇ）を添加した後、イミド化触媒として無水酢酸（２．８１ｇ）とピリジン（２．１８ｇ）とを加え、１１０℃で５時間攪拌し、Ｐ−１のＤＭＡｃ溶液を得た。減圧蒸留法にて所定量のＤＭＡｃを除去し、固形分濃度２０％の溶液とした後、所定量のγ−ブチロラクトン（以下、ＧＢＬという）を加え、固形分濃度１０％の溶液とした。この操作を２回繰り返した後、再度減圧蒸留法にて固形分濃度２５％に調整し、Ｐ−１のＧＢＬ溶液を得た。Ｐ−１のイミド化率は５０％であった。
【００８９】
表１中、Ｐ−２は、ジアミンとして、３ＳＤＡの代わりに、ＳＤＡ（４，４’−チオジアニリンを用いて合成した化合物を示す。Ｐ−２については、ＳＤＡ（９．０４ｇ、４１．８４ｍｍｏｌ）、ＢＴ−１００（８．２９ｇ、４１．８４ｍｍｏｌ）を用いた以外は、Ｐ−１と同様にしてＰ−２のＧＢＬ溶液を得た。Ｐ−２のイミド化率は５０％であった。
【００９０】
実験例１および２は、粒子状物質を含有せず、実験例３および４は、粒子状物質として酸化ケイ素被覆−酸化スズ含有ルチル型酸化チタン（粒子径５〜１５ｎｍ）（表中、酸化チタン系粒子と記載）を含有している。また、界面活性剤としては、実験例１および２は、メガファックＦ−５５３（大日本インキ化学工業社製）を含有し、実験例３および４は、ジメチルポリシロキサン−ポリオキシアルキレン共重合体（ＤＣ−１９０、東レ・ダウコーニング・シリコーン社製）を含有している。
【００９１】
また、各実施例および各比較例の組成物は、表１に示すように、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＭＥ）およびγ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）の混合溶媒を含有する。
【００９２】
各実施例および各比較例の組成物は、これらの化合物を表１に示す配合で混合したものである。
【００９３】
３．３．評価試料
各実施例および各比較例の組成物を、穴以外の部分の膜厚が０．６μｍとなる条件で、それぞれ、準備した基体にスピンコート法によって塗布し、これを乾燥させて評価試料とした。
【００９４】
３．４．埋め込み性の評価
各実施例および各比較例の評価試料の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察した。基体の穴を形成していない領域の塗膜の高さ（ｔ１）と、穴の領域における基体表面からの高さ（ｔ２）を測定した。ｔ１＞０．６μｍ、かつ、（ｔ２／ｔ１）＞０．８である場合を○とし、この関係のいずれも満たさない場合を×として、表１に結果を記載した。
【００９５】
３．５．エッチング加工性の評価
各実施例および各比較例の評価試料をドライエッチングして、エッチング速度を求めた。ドライエッチングの条件は、Ｏ２プラズマで６０秒、ＣＦ３プラズマで８秒であった。求めたエッチング速度が２００（ｎｍ／分）以上であった場合を○とし、１００（ｎｍ／分）未満であった場合を×とし表１に記載した。
【００９６】
３．６．評価結果
実施例１および実施例２では、埋め込み性およびエッチング性ともに良好な結果となった。比較例１および比較例２では、埋め込み性が不良であり、エッチング性は許容範囲であった。なお、各実施例および各比較例においてボイド等は認められなかった。
【００９７】
以上の実施例から、本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、光電変換部への集光性、光導波路部の平坦性、充填性が良好な固体撮像素子を、容易に製造することができることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
本発明の固体撮像素子は、たとえば、デジタルカメラ、ビデオカメラ、カメラ付き携帯電話、スキャナ、デジタル複写機、ファクシミリといった様々な用途に適用できる。また、本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、光導波路部の平坦性、充填性が良好な固体撮像素子を、容易に製造することができる。
【符号の説明】
【００９９】
１０…基板、２０…光電変換部、３０，３０ａ…光導波路部、４０，４０ａ…層間絶縁層、４２…穴、５０…オンチップレンズ、１００…固体撮像素子
【図１】
2011029474.tif 000014
【図２】
2011029474.tif 000015
【図３】
2011029474.tif 000016
【図４】
2011029474.tif 000017
【図５】
2011029474.tif 000018
【図６】
2011029474.tif 000019