(57)【要約】【課題】熱的および機械的特性に優れた基板形成用組成物、並びにこれを用いたプリプレグおよび基板を提供する。【解決手段】主鎖に一つ以上の可溶性構造単位を有し且つ主鎖の末端の一つ以上に熱硬化性基を有する熱硬化性液晶オリゴマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｔｈｅｒｍｏｓｅｔｔｉｎｇ  Ｏｌｉｇｏｍｅｒ）と、熱硬化性液晶オリゴマーの主鎖に反応可能な官能基を有するフッ素化合物とを重合反応させてなる化合物を含む基板形成用組成物である。【選択図】図１
2011111619.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主鎖に一つ以上の可溶性構造単位を有し且つ主鎖の末端の一つ以上に熱硬化性基を有する熱硬化性液晶オリゴマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｔｈｅｒｍｏｓｅｔｔｉｎｇ  Ｏｌｉｇｏｍｅｒ）と、前記熱硬化性液晶オリゴマーの主鎖に反応可能な官能基を有するフッ素化合物とを重合反応させてなる化合物を含むことを特徴とする基板形成用組成物。
【請求項２】
前記可溶性構造単位が、Ｃ４〜Ｃ３０のアリール−アミン基またはＣ４〜Ｃ３０のアリール−アミド基を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板形成用組成物。
【請求項３】
前記可溶性構造単位が、下記化学式１で表される化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板形成用組成物：
【化１】
2011111619.tif 000030
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基であり、Ｘ１およびＹ１はそれぞれ独立にＣＯＯ、Ｏ、ＣＯＮＲ”、ＮＲ”’およびＣＯよりなる群から選択され、ここで、前記Ｒ”およびＲ”’はそれぞれ独立に水素原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基およびＣ６〜Ｃ３０のアリール基よりなる群から選択され、Ｘ１およびＹ１の少なくとも一つはＣＯＮＲ”またはＮＲ”’である。
【請求項４】
前記可溶性構造単位が、下記化学式２で表される化合物の中から選ばれる一つまたは二つ以上の構造単位を含むことを特徴とする請求項３に記載の基板形成用組成物：
【化２】
2011111619.tif 000031
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基である。
【請求項５】
前記Ａｒが、下記化学式３で表される化合物の中から選ばれるアリール基またはこれらの置換体であることを特徴とする請求項４に記載の基板形成用組成物：
【化３】
2011111619.tif 000032
【請求項６】
前記可溶性構造単位が、全体構造単位の合計に対し５モル％超過６０モル％以下で含まれることを特徴とする請求項１に記載の基板形成用組成物。
【請求項７】
前記熱硬化性液晶オリゴマーが、主鎖に、下記化学式４で表される構造単位をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板形成用組成物：
【化４】
2011111619.tif 000033
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基であり、Ｘ２およびＹ２はそれぞれ独立にＣＯＯ、Ｏ、ＣＯＮＲ”、ＮＲ”’およびＣＯよりなる群から選択され、ここで、前記Ｒ”およびＲ”’はそれぞれ独立に水素原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基およびＣ６〜Ｃ３０のアリール基よりなる群から選択される。
【請求項８】
前記化学式４で表される構造単位が、下記化学式５で表される化合物の中から選ばれる一つまたは二つ以上の構造単位を含むことを特徴とする請求項７に記載の基板形成用組成物：
【化５】
2011111619.tif 000034
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基である。
【請求項９】
前記Ａｒが、下記化学式６で表される化合物の中から選択されることを特徴とする請求項８に記載の基板形成用組成物：
【化６】
2011111619.tif 000035
【請求項１０】
前記熱硬化性基が、熱架橋性反応基であることを特徴とする請求項１に記載の基板形成用組成物。
【請求項１１】
前記熱硬化性基が、マレイミド（ｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ネドイミド（ｎｅｄｉｍｉｄｅ）、フタルイミド（ｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、プロパルギルエーテル（ｐｒｏｐａｒｇｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シアン酸塩（ｃｙａｎａｔｅ）、およびこれらの置換体または誘導体よりなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の基板形成用組成物。
【請求項１２】
前記熱硬化性液晶オリゴマーが、下記化学式７で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の基板形成用組成物：
【化７】
2011111619.tif 000036
式中、Ｒ１は下記化学式８で表される化合物の中から選ばれる一つまたは二つ以上の構造単位であり；Ｒ２は下記化学式９で表される化合物の中から選ばれる一つまたは二つ以上の構造単位であり；Ｚ１およびＺ２は互いに同じでも異なってもよく、それぞれ水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、マレイミド（ｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ネドイミド（ｎｅｄｉｍｉｄｅ）、フタルイミド（ｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、プロパルギルエーテル（ｐｒｏｐａｒｇｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シアン酸塩（ｃｙａｎａｔｅ）、およびこれらの置換体または誘導体よりなる群から選択され；Ｚ１およびＺ２の少なくとも一つはマレイミド（ｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ネドイミド（ｎｅｄｉｍｉｄｅ）、フタルイミド（ｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、プロパルギルエーテル（ｐｒｏｐａｒｇｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シアン酸塩（ｃｙａｎａｔｅ）、およびこれらの置換体または誘導体よりなる群から選択され；ｎとｍはそれぞれ独立に１〜５０の整数であり；ｎ／（ｎ＋ｍ＋２）は５％超過６０％以下である： 
【化８】
2011111619.tif 000037
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基であり；
【化９】
2011111619.tif 000038
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基である。
【請求項１３】
前記熱硬化性液晶オリゴマーが、下記化学式１０または化学式１１で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の基板形成用組成物：
【化１０】
2011111619.tif 000039
【化１１】
2011111619.tif 000040
式中、Ｚ１およびＺ２は互いに同じでも異なってもよく、それぞれマレイミド（ｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ネドイミド（ｎｅｄｉｍｉｄｅ）、フタルイミド（ｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、プロパルギルエーテル（ｐｒｏｐａｒｇｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シアン酸塩（ｃｙａｎａｔｅ）、およびこれらの置換体または誘導体よりなる群から選択され、 ｍは１〜５０の整数であり、ｎは１〜５０の整数である。
【請求項１４】
前記熱硬化性液晶オリゴマーの数平均分子量が、５００〜１５，０００であることを特徴とする請求項１に記載の基板形成用組成物。
【請求項１５】
前記熱硬化性液晶オリゴマーの主鎖に反応可能な官能基が、−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＮＨ２および−Ｃｌの中から少なくとも一つ選択されることを特徴とする請求項１に記載の基板形成用組成物。
【請求項１６】
前記フッ素化合物が、下記化学式１２で表される化合物の中から選択されることを特徴とする請求項１に記載の基板形成用組成物：
【化１２】
2011111619.tif 000041
式中、ｐは１〜１０の整数である。
【請求項１７】
前記組成物が、無機充填剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板形成用組成物。
【請求項１８】
請求項１の基板形成用組成物から製造されるプリプレグ。
【請求項１９】
請求項１の基板形成用組成物から製造される基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板形成用組成物とこれを用いたプリプレグおよび基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の発展に伴い、プリント基板の低重量化、薄板化、小型化が日増しに進んでいる。このような要求を充足させるためには、さらにプリント回路の配線に対する複雑化および高密度化を実現しなければならない。このように基板に要求される電気的、熱的および機械的安定性はさらに重要な要素として作用する。特に熱膨張係数（ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｘｐａｎｓｉｏｎ、ＣＴＥ）は、基板製作の際に、信頼性を左右する重要な要素の一つである。
【０００３】
また、先端技術が発展するにつれて、情報通信装備に使われる周波数帯域が高周波化しつつある。特に、超高速無線通信機器は、使用周波数帯域が数十ＧＨｚまで拡大している。
【０００４】
ところが、既存のエポキシを用いたプリント基板の絶縁材料としては、このような高周波領域における使用が不可である。高速・高周波領域で使用するためには、プリント基板の絶縁物の役割を果たす高分子物質が低誘電率を持たなければならないが、エポキシを用いた絶縁物は、通常４以上の比較的大きい誘電率を持っている。これは高速回路および高周波領域で回路の信号伝送に干渉を起こして信号損失が大きくなるためである。
【０００５】
かかる問題点を解決するために、低誘電損失を有するポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を用いてプリント基板の絶縁物として使用することもある。ＰＴＦＥは、優れた電気的特性および溶媒に対する耐食性などを持っているが、機械的物性および銅箔との接着力が低下するため、プリント基板の材料として使われるのには多くの問題点を抱えていた。
【０００６】
したがって、薄型化・高密度化しつつある集積回路パターンの実現に要求される熱的・機械的特性を満足させると同時に、電気的特性にも優れた基板材料の開発が至急要求されているのが実情であった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明者は、上述した問題点を解決するために広範囲な研究を重ねた結果、熱硬化性液晶（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｔｈｅｒｍｏｓｅｔｔｉｎｇ、ＬＴＣ）オリゴマーの主鎖にフッ素化合物を導入することにより、熱的（ＣＴＥ）、電気的および機械的安定性に優れた基板用絶縁材料組成物を得ることができ、これに基づいて本発明を完成した。
【０００８】
よって、本発明の目的は、熱的および機械的特性に優れた基板形成用組成物、並びにこれを用いたプリプレグおよび基板を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、電気的特性に優れた基板形成用組成物、並びにこれを用いたプリプレグおよび基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明のある観点によれば、主鎖に一つ以上の可溶性構造単位を有し且つ主鎖の末端の一つ以上に熱硬化性基を有する熱硬化性液晶オリゴマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｔｈｅｒｍｏｓｅｔｔｉｎｇ  Ｏｌｉｇｏｍｅｒ）と、前記熱硬化性液晶オリゴマーの主鎖に反応可能な官能基を有するフッ素化合物とを重合反応させてなる化合物を含む、基板形成用組成物を提供する。
【００１１】
前記熱硬化性液晶オリゴマーにおいて、前記可溶性構造単位はＣ４〜Ｃ３０のアリール−アミン基またはＣ４〜Ｃ３０のアリール−アミド基を含むことができる。
【００１２】
前記可溶性構造単位は、下記化学式１で表される化合物を含むことができる：
【００１３】
【化１】
2011111619.tif 000003
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基であり、Ｘ１およびＹ１はそれぞれ独立にＣＯＯ、Ｏ、ＣＯＮＲ”、ＮＲ”’およびＣＯよりなる群から選択され、ここで、前記Ｒ”およびＲ”’はそれぞれ独立に水素原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基およびＣ６〜Ｃ３０のアリール基よりなる群から選択され、Ｘ１およびＹ１の少なくとも一つはＣＯＮＲ”またはＮＲ”’である。
【００１４】
また、前記可溶性構造単位は、下記化学式２で表される化合物の中から選ばれる一つまたは二つ以上の構造単位を含むことができる：
【００１５】
【化２】
2011111619.tif 000004
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基である。
【００１６】
ここで、前記Ａｒは、下記化学式３で表される化合物の中から選ばれるアリール基またはこれらの置換体であり得る。
【００１７】
【化３】
2011111619.tif 000005
【００１８】
一方、前記可溶性構造単位は、全体構造単位の合計に対し５モル％超過６０モル％以下で含まれ得る。
【００１９】
また、前記熱硬化性液晶オリゴマーは、主鎖に、下記化学式４で表される構造単位をさらに含むことができる：
【００２０】
【化４】
2011111619.tif 000006
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基であり、Ｘ２およびＹ２はそれぞれ独立にＣＯＯ、Ｏ、ＣＯＮＲ”、ＮＲ”’およびＣＯよりなる群から選択され、ここで、前記Ｒ”およびＲ”’はそれぞれ独立に水素原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基およびＣ６〜Ｃ３０のアリール基よりなる群から選択される。
【００２１】
前記化学式４で表される構造単位は、下記化学式５で表される化合物の中から選ばれる一つまたは二つ以上の構造単位を含むことができる：
【００２２】
【化５】
2011111619.tif 000007
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基である。
【００２３】
ここで、前記Ａｒは、下記化学式６で表される化合物の中から選択できる：
【００２４】
【化６】
2011111619.tif 000008
【００２５】
前記熱硬化性基は、熱架橋性反応基であり得る。
【００２６】
前記熱硬化性基は、一実施例に応じて、マレイミド（ｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ネドイミド（ｎｅｄｉｍｉｄｅ）、フタルイミド（ｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、プロパルギルエーテル（ｐｒｏｐａｒｇｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シアン酸塩（ｃｙａｎａｔｅ）、およびこれらの置換体または誘導体よりなる群から選択できる。
【００２７】
一実施例によれば、前記熱硬化性液晶オリゴマーは、下記化学式７で表される化合物であり得る：
【００２８】
【化７】
2011111619.tif 000009
式中、Ｒ１は下記化学式８で表される化合物の中から選ばれる一つまたは二つ以上の構造単位であり；Ｒ２は下記化学式９で表される化合物の中から選ばれる一つまたは二つ以上の構造単位であり；Ｚ１およびＺ２は互いに同じでも異なってもよく、それぞれ水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、マレイミド（ｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ネドイミド（ｎｅｄｉｍｉｄｅ）、フタルイミド（ｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、プロパルギルエーテル（ｐｒｏｐａｒｇｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シアン酸塩（ｃｙａｎａｔｅ）、およびこれらの置換体または誘導体よりなる群から選択され；Ｚ１およびＺ２の少なくとも一つはマレイミド（ｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ネドイミド（ｎｅｄｉｍｉｄｅ）、フタルイミド（ｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、プロパルギルエーテル（ｐｒｏｐａｒｇｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シアン酸塩（ｃｙａｎａｔｅ）、およびこれらの置換体または誘導体よりなる群から選択され；ｎとｍはそれぞれ独立に１〜５０の整数であり；ｎ／（ｎ＋ｍ＋２）は５％超過６０％以下である：
【００２９】
【化８】
2011111619.tif 000010
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基であり；
【００３０】
【化９】
2011111619.tif 000011
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基である：
【００３１】
好適な一実施例によれば、前記熱硬化性液晶オリゴマーは、下記化学式１０または化学式１１で表される化合物であり得る：
【００３２】
【化１０】
2011111619.tif 000012
【００３３】
【化１１】
2011111619.tif 000013
式中、Ｚ１およびＺ２は互いに同じでも異なってもよく、それぞれマレイミド（ｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ネドイミド（ｎｅｄｉｍｉｄｅ）、フタルイミド（ｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、プロパルギルエーテル（ｐｒｏｐａｒｇｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シアン酸塩（ｃｙａｎａｔｅ）、およびこれらの置換体または誘導体よりなる群から選択され、ｍは１〜５０の整数であり、ｎは１〜５０の整数である。
【００３４】
前記熱硬化性液晶オリゴマーの数平均分子量は、５００〜１５，０００であり得る。
【００３５】
前記熱硬化性液晶オリゴマーの主鎖に反応可能な官能基は、−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＮＨ２および−Ｃｌの中から少なくとも一つ選択できる。 
【００３６】
前記フッ素化合物は、好ましくは下記化学式１２で表される化合物の中から選択できる：
【化１２】
2011111619.tif 000014
式中、ｐは１〜１０の整数である。
【００３７】
また、前記組成物は、無機充填剤をさらに含むことができる。
【００３８】
本発明の好適な他の側面によれば、前記基板形成用組成物から製造されるプリプレグが提供される。
【００３９】
本発明の好適な別の側面によれば、前記基板形成用組成物から製造される基板が提供される。
【００４０】
本発明の特徴および利点は、添付図面に基づいた次の詳細な説明からさらに明白になるであろう。
【００４１】
これに先立ち、本明細書および請求の範囲に使用された用語または単語は、通常的且つ辞典的な意味で解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、低誘電率を有するフッ素化合物を熱硬化性液晶オリゴマーの主鎖に共有結合によって導入することにより、低誘電率特性を実現すると同時に分散の難しさなしでマトリクス内にフッ素成分を分布させることができる。これにより、本発明の基板形成用組成物は、誘電率の局部的な差異がなく、高速回路および高周波領域のプリント基板絶縁材料として使用できる。
【００４３】
また、本発明によれば、熱硬化性液晶オリゴマー固有の熱的、機械的特性が維持されるため、既存のエポキシ系素材に比べて相当低い熱膨張係数および低誘電率特性を同時に示す基板絶縁材料への適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の基板形成用組成物に含まれる重合反応物の構成を図式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４５】
本発明の目的、特定の利点および新規の特徴は、添付図面に連関する以下の詳細な説明と好適な実施例からさらに明白になるであろう。本発明を説明するにおいて、関連した公知の技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を無駄に乱すおそれがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
【００４６】
以下に、添付図面を参照しながら、本発明についてさらに具体的に説明する。
【００４７】
図１は、本発明の基板組成物に含まれる重合反応物の構成を図式的に示す図である。
【００４８】
図１に示すように、本発明の基板形成用組成物は、主鎖に一つ以上の可溶性構造単位を有し且つ主鎖の末端の少なくとも一つに熱硬化性基を有する熱硬化性液晶（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｔｈｅｒｍｏｓｅｔｔｉｎｇ、ＬＣＴ）オリゴマーと、前記熱硬化性液晶オリゴマーの主鎖に反応可能な作用基を有するフッ素化合物とを重合反応させてなる化合物を含むものである。
【００４９】
具体的に、本発明では、一般に使用されるエポキシ樹脂を用いる代わりに、可溶性の熱硬化性液晶オリゴマーを用いる。前記熱硬化性液晶オリゴマーは、液晶の特性を実現する構造、および溶媒に溶ける可溶性構造を同時に持っている。また、熱による硬化構造を持つことが可能な部分が両末端の少なくとも一方に存在する。
【００５０】
すなわち、前記熱硬化性液晶オリゴマーは、主鎖に少なくとも一つの可溶性構造単位を含み、主鎖の両末端の少なくとも一方に熱硬化性基を有する。本願において、「可溶性」とは、組成物に使用された溶媒に対する溶解度に優れた特性を意味する。
【００５１】
一般に、高分子樹脂は、溶融させて使用し或いは溶媒に溶解させて使用しても、粘度が非常に高くて固形分含量を増加させることが難しい。特に、ガラス繊維不織布に含浸させる場合には高分子組成物の粘度が高くて含浸が難しく、固形分含量が低い場合には含浸量が足りなくて再加工などにより加工費が増加するという問題点がある。これに反し、前記熱硬化性液晶オリゴマーは、低い粘度を有し、誘電定数、熱膨張係数および耐吸湿性などの特性に優れるうえ、溶媒に対する溶解性にも非常に優れるため、各種基板素材への応用時の製造コストを低めることができる。
【００５２】
前記熱硬化性液晶オリゴマーの主鎖に挿入される可溶性構造単位は、Ｃ４〜Ｃ３０のアリール−アミン基またはＣ４〜Ｃ３０のアリール−アミド基であり得る。前記可溶性構造単位は下記化学式１３の構造単位を含むことができる。
【００５３】
【化１３】
2011111619.tif 000015
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基であり、Ｘ１およびＹ１はそれぞれ独立にＣＯＯ、Ｏ、ＣＯＮＲ”、ＮＲ”’およびＣＯよりなる群から選択され、ここで、前記Ｒ”およびＲ”’はそれぞれ独立に水素原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基およびＣ６〜Ｃ３０のアリール基よりなる群から選択され、Ｘ１およびＹ１の少なくとも一つはＣＯＮＲ”またはＮＲ”’である。
【００５４】
このような可溶性構造単位は、下記化学式１４で表される化合物の中から選ばれる一つまたは二つ以上の構造単位を含むが、これに限定されない。
【００５５】
【化１４】
2011111619.tif 000016
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基である。
【００５６】
前記熱硬化性液晶オリゴマーを構成するそれぞれの構造単位において、Ａｒは互いに同じでも異なってもよく、Ａｒの芳香族環はアミド基、エステル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリール基またはフルオロメチル基で置換できる。
【００５７】
前記Ａｒの非制限的な例は、下記化学式１５で表される化合物を含むことができる。
【００５８】
【化１５】
2011111619.tif 000017
【００５９】
前記熱硬化性液晶オリゴマーは、可溶性構造単位を全体構造単位の合計に対し５モル％超過６０モル％以下の含量で含むことができる。可溶性構造単位の含量が５モル％以下であれば、溶媒中における溶解度向上効果が微々であり、これとは対照的に可溶性構造単位の含量が６０モル％超過であれば、親水性が増加して耐吸湿性が低下するという問題点が発生するおそれがある。熱硬化性液晶オリゴマー中の前記可溶性構造単位の含量は、反応の際に添加する単量体の含量を調節することにより、所望する水準の可溶性構造を熱硬化性液晶オリゴマーに含ませることができる。前記可溶性構造単位の含量は可溶性構造単位の大きさ、質量、特性および化学的組成を変化させることにより調節できる。
【００６０】
前記熱硬化性液晶オリゴマーは、主鎖に可溶性構造単位と共に、下記化学式１６で表される構造単位をさらに含むことができる。
【００６１】
【化１６】
2011111619.tif 000018
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基であり、Ｘ２およびＹ２はそれぞれ独立にＣＯＯ、Ｏ、ＣＯＮＲ”、ＮＲ”’およびＣＯよりなる群から選択され、ここで、前記Ｒ”およびＲ”’はそれぞれ独立に水素原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基およびＣ６〜Ｃ３０のアリール基よりなる群から選択される。
【００６２】
前記化学式１６で表される構造単位の例は、下記化学式１７で表される化合物の中から選択される一つまたは二つ以上の構造単位を含むことができる。
【００６３】
【化１７】
2011111619.tif 000019
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基である。
【００６４】
前記化学式１７で表される化合物の中から選択される構造単位が二つ以上含まれる場合、それぞれの構造単位のＡｒは互いに同じでも異なってもよく、Ａｒの芳香族環はアミド基、エステル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリール基またはフルオロメチル基で置換できる。具体的に、前記Ａｒは下記化学式１８から選択されることが分かる。
【００６５】
【化１８】
2011111619.tif 000020
【００６６】
前記熱硬化性液晶オリゴマーは、主鎖の両末端のいずれか一方に、互いに同じまたは異なる熱硬化性基が導入できる。このような熱硬化性基は、基板形成用組成物をプリント基板などの製造に利用するとき、高温硬化を経ると、これらの架橋官能基が互いに架橋されて堅固な網状の安定な構造を形成するので、プリント基板の機械的物性を向上させることができる。
【００６７】
前記熱硬化性基は、熱架橋性反応基であり得る。このような熱硬化性基の例は、マレイミド（ｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ネドイミド（ｎｅｄｉｍｉｄｅ）、フタルイミド（ｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、プロパルギルエーテル（ｐｒｏｐａｒｇｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シアン酸塩（ｃｙａｎａｔｅ）およびこれらの置換体または誘導体よりなる群から選択される化合物を含むが、これらに限定されない。本願において、「置換体」とは、熱架橋性反応基の末端の一部がアルキル基、ハロゲン原子、アリール基などの置換基で置換された構造を意味し、例えば、マレイミド反応基の場合、二重結合にある水素の少なくとも一つがメチル基のようなアルキル基などによって置換されたものを含む。また、本願において、「誘導体」とは、芳香族、ヘテロ芳香族基などに熱架橋性反応基が結合した構造を意味し、例えばマレイミド反応基の場合、ベンゼン環またはナフタレンにマレイミド反応基が結合したものを含む。
【００６８】
好ましくは、前記熱硬化性液晶オリゴマーは、下記化学式１９の構造を持つことができる。
【００６９】
【化１９】
2011111619.tif 000021
【００７０】
式中、Ｒ１は下記化学式２０で表される化合物の中から選ばれる一つまたは二つ以上の構造単位であり；Ｒ２は下記化学式２１で表される化合物の中から選ばれる一つまたは二つ以上の構造単位であり；Ｚ１およびＺ２は互いに同じでも異なってもよく、それぞれ水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、マレイミド（ｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ネドイミド（ｎｅｄｉｍｉｄｅ）、フタルイミド（ｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、プロパルギルエーテル（ｐｒｏｐａｒｇｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シアン酸塩（ｃｙａｎａｔｅ）、およびこれらの置換体または誘導体よりなる群から選択され；ｎとｍはそれぞれ独立に陽の整数であり、好ましくは、独立に１〜５０の整数である。
【００７１】
【化２０】
2011111619.tif 000022
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基である。
【００７２】
【化２１】
2011111619.tif 000023
式中、ＡｒはＣ４〜Ｃ３０のアリール基である。
【００７３】
また、前記化学式において、Ｒ１およびＲ２はブロック形態で反復されるか、或いはランダムに反復され得る。例えば、Ｚ１Ｒ１Ｒ１Ｒ１・・・Ｒ２Ｒ２Ｒ２Ｚ２またはＺ１Ｒ１Ｒ１Ｒ２・・・Ｒ２Ｒ２Ｚ２またはＺ１Ｒ１Ｒ２Ｒ２Ｒ２・・・Ｒ１Ｒ２Ｚ２またはＺ１Ｒ１Ｒ２Ｒ１Ｒ２・・・Ｒ２Ｒ２Ｚ２の形態であり得る。
【００７４】
例えば、前記熱硬化性液晶オリゴマーは、下記化学式２２または化学式２３の構造を持つことができる。
【００７５】
【化２２】
2011111619.tif 000024
【００７６】
【化２３】
2011111619.tif 000025
式中、Ｚ１およびＺ２は互いに同じでも異なってもよく、それぞれ水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、マレイミド（ｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ネドイミド（ｎｅｄｉｍｉｄｅ）、フタルイミド（ｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、プロパルギルエーテル（ｐｒｏｐａｒｇｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シアン酸塩（ｃｙａｎａｔｅ）、およびこれらの置換体または誘導体よりなる群から選択され、ｎとｍはそれぞれ独立に陽の整数であり、好ましくは、それぞれ独立に１〜５０の整数である。
【００７７】
また、前記化学式１９〜２３の構造において、ｎ／（ｎ＋ｍ＋２）は５％超過６０％以下の範囲内であり得る。
【００７８】
前記熱硬化性液晶オリゴマーの分子量は、５００〜１５，０００であり得る。前記熱硬化性液晶オリゴマーの分子量が５００未満であれば、架橋密度が高くなって壊れ易く、前記熱硬化性液晶オリゴマーの分子量が１５，０００超過であれば、溶液の粘度が高くなってガラス繊維不織布への含浸の際に不利になるおそれがある。
【００７９】
前記熱硬化性液晶オリゴマーの製造方法は、特に限定されず、重合によって可溶性構造単位を含む液晶オリゴマーを製造することが可能な化合物と、熱硬化性基を導入することが可能な化合物とを反応させて製造できる。
【００８０】
前記において、可溶性構造単位を含む液晶オリゴマーを製造することが可能な化合物は特に限定されない。例えば、少なくとも一つの芳香族、芳香族へテロ環または脂肪族ジカルボン酸；芳香族、芳香族へテロ環または脂肪族ジオール；芳香族、芳香族へテロ環または脂肪族ジアミン；アミノフェノール；ヒドロキシ安息香酸；およびアミノ安息香酸よりなる群から選択でき、芳香族、芳香族へテロ環または脂肪族ジオール；アミノフェノール；アミノ安息香酸の中の少なくとも一つを使用することが好ましい。
【００８１】
一例として、熱硬化性液晶オリゴマーは、溶液重合またはバルク重合によって製造できる。溶液重合およびバルク重合は、適切な攪拌手段が設置された一つの反応タンク内で行われ得る。
【００８２】
溶液重合方法について例を挙げて説明すると、まず、イソフタロイルクロリド（ｉｓｏｐｈｔｈａｌｏｙｌ  ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、アミノフェノール、２，６−ジヒドロキシナフタレン（２，６−ｄｉｈｙｄｒｏｘｙｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）、トリエチルアミン（ｔｒｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）を反応器に入れた後、常温で攪拌しながら反応を行わせる。一定の時間経過後、熱硬化性基を付加することが可能な化合物（例えば、マレイミド−ベンゾイルクロリドなどのマレイミド、ネドイミドまたはアセチレンなどを付加することが可能な化合物）をさらに添加して反応させ、熱硬化性液晶オリゴマーを収得した後、これを分離精製することにより、前記熱硬化性液晶オリゴマーを合成することができる。
【００８３】
一方、バルク重合によって熱硬化性液晶オリゴマーを製造する場合には、イソフタル酸、アミノフェノール、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸、酢酸無水物を反応器に添加した後、攪拌させながら温度を徐々に１５０℃まで上げた後、還流させながら一定の時間反応させる。次いで、流出する副生酢酸および無水酢酸を除去した後、４−ヒドロキシ安息香酸をさらに添加し、３２０℃まで昇温して反応させる。こうして、主鎖の両末端の少なくとも一方にアルコール基を有する液晶オリゴマーを合成する。両末端にアルコール基を有する液晶オリゴマーが収得されると、液晶オリゴマーを溶媒（例えば、ＤＭＦ）に溶解させた後、熱硬化性基を付加することが可能な化合物を添加して反応させると、主鎖の両末端の少なくとも一方に熱硬化性基が付加された熱硬化性液晶オリゴマーを収得することができる。
【００８４】
別のバルク重合によって熱硬化性液晶オリゴマーを製造する場合には、イソフタル酸、アミノフェノール、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸、酢酸無水物を反応器に添加した後、攪拌させながら１５０℃まで上げた後、還流させながら一定の時間反応させる。次いで、２３０℃まで徐々に昇温させながら副生酢酸および無水酢酸を除去してオリゴマーを合成する。ネドイミド安息香酸をさらに添加し、２５０℃まで昇温させて熱硬化性液晶オリゴマーを収得することができる。
【００８５】
本発明では、上述した熱硬化性液晶オリゴマーを主なマトリクスとして使用し、これと共に従来の充填剤の導入および添加量に依存して誘電率を低める方式ではなく、前記熱硬化性液晶オリゴマーの主鎖に反応することが可能な官能基を含有しているフッ素化合物を重合反応によって熱硬化性液晶オリゴマーの主鎖に共有結合によって導入する。これにより、熱硬化性液晶オリゴマーの固有の熱的、機械的特性を維持させると同時に、低誘電率特性を有するフッ素化合物を分散の難しさなしでマトリクス内に均一に分布させることができる。
【００８６】
前記フッ素化合物は、構造体内にフッ素原子を少なくとも一つ有する化合物であって、例えば、−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＮＨ２、および／または−Ｃｌなどの熱硬化性液晶オリゴマーの主鎖と反応可能なフッ素化合物の官能基を持つことができるが、前記官能基には特別な制限なしで通常重合反応に参加することが可能な公知の全ての官能基が含まれ得る。
【００８７】
好適な実施例によれば、前記フッ素化合物は、下記化学式２４で表される化合物の中から選択できるが、これに限定されない。
【００８８】
【化２４】
2011111619.tif 000026
式中、ｐは１〜１０の整数であり得る。
【００８９】
一方、上述した熱硬化性液晶オリゴマーとフッ素化合物との重合反応物は、特に限定されず、当業界における公知の通常の重合反応を介して共有結合によって合成できる。
【００９０】
前記フッ素化合物の使用量は、熱硬化性液晶オリゴマーの特性および低誘電率特性を同時に実現することができるように、前記液晶オリゴマー１００重量部に対して５〜１００重量部、さらに好ましくは５〜５０重量部であり得るが、これに限定されない。
【００９１】
本発明の基板形成用組成物には、必要に応じて目的の特性を極大化するために少量（約５〜３０重量％）の無機充填剤がさらに添加できる。
【００９２】
また、本発明の基板形成用組成物は、溶媒キャスティング工程に適用可能であり、ガラス繊維などの含浸が容易であり得る。前記基板形成用組成物への溶媒は、特に限定されないが、極性非プロトン性溶媒を使用することができる。例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ−メチルカプロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチルラクトン、ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチルリン酸アミド、および酢酸エチルセロソルブよりなる群から選択されるものを使用することができ、選択的にこれらのうちの２種以上の混合溶媒を使用することができる。前記基板形成用組成物には、溶媒１００重量部に対して上述の重合反応物０．１〜３００重量部が含まれ得る。
【００９３】
また、本発明の基板形成用組成物は、柔軟性の向上のために強化剤（ｔｏｕｇｈｅｎｉｎｇ  ａｇｅｎｔ）をさらに含むことができる。前記強化剤は芳香族高分子であり、前記芳香族高分子の数平均分子量は２，０００〜５００，０００であり得る。このような芳香族高分子の例は、主鎖にエステル、エステル−アミド、エステル−イミド、エステル−エーテル、およびエステル−カーボネイトよりなる群から選択された一つまたは二つ以上のメソゲン基を含む芳香族高分子を含むが、これに限定されない。前記重合反応物と強化剤との混合比は９９．５：０．５〜３５：６５であり得る。
【００９４】
本発明の基板形成用組成物は、必要に応じて充填剤、軟化剤、可塑剤、潤滑剤、静電気防止剤、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤およびＵＶ吸収剤などの少なくとも一つの添加剤をさらに含むことができる。充填剤の例は、ＰＴＦＥ樹脂粉末、エポキシ樹脂粉末、メラミン樹脂粉末、尿素樹脂粉末、ベンゾグアナミン樹脂粉末およびスチレン樹脂などの有機充填剤；およびシリカ、アルミナ、酸化チタニウム、ジルコニア、カオリン、炭酸カルシウムおよびリン酸カルシウムなどの無機充填剤を含む。
【００９５】
前記基板形成用組成物は、銅箔との接着強度が高く、耐熱性、低膨張性および機械的特性に優れるので、優れたパッケージング材料として使用できる。基板形成用組成物は、基板に成形するか、或いは含浸またはコーティング用バニッシュを形成することができる。前記組成物はプリント基板、多層基板の各層、銅張積層物（例えば、ＲＣＣ、ＣＣＬ）、ＴＡＢ用フィルムに適用可能であるが、前記基板形成用組成物の用途はこれに限定されない。
【００９６】
前記組成物を基板などの材料として使用するためには基板上にキャスティングし、硬化させて製造することができる。
【００９７】
本発明の基板形成用組成物は、ガラス繊維不織布に含浸してプリプレグの形で製作されることも可能であり、また、ビルドアップフィルム自体から製作されてプリント基板などの基板の絶縁材料として使用できる。
【００９８】
プリプレグは、組成物を補強材に含浸させて製造されるが、具体的に、基板形成用尾生物を補強材に含浸させた後、硬化させてシート状に製造して使用することができる。前記補強材は、特に限定されないが、一例としてガラス繊維織布、アルミナガラス繊維織布、ガラス繊維不織布、セルロース不織布、炭素繊維織布、および高分子織物などを例として挙げることができる。補強材に基板形成用組成物を含浸させる方法としては、ディップコーティング、ロールコーティング法などがあり、その他の通常の含浸方法を使用することができる。
【００９９】
前記基板形成用組成物を用いて基板を製造することができる。前記基板は、特に限定されず、例えば多層基板の各層、金属箔に結合した積層物形態、プリント基板などであり得る。また、前記プリプレグが金属箔などに結合する形態を含むことができる。
【０１００】
前記基板は、多様な形態であってもよく、フィルム形態であってもよい。フィルムは、前記基板形成用組成物を薄膜化することにより製造できる。
【０１０１】
フィルム形態以外の前記基板は、金属箔に結合した積層物形態であってもよい。前記金属箔としては、銅箔、アルミニウム箔などが使用される。金属箔は、厚さが用途によって異なるが、厚さ５〜１００μｍのものが適切に使用される。金属箔被覆積層板の金属箔に対して回路加工を施すことにより、プリント基板として製作することができる。プリント積層板の表面に前記金属箔被覆積層板を同一に積層し、加工して多層プリント基板として製作することができる。
【０１０２】
前記金属箔に結合する積層物は、特に限定されず、例えば樹脂付銅箔（ＲＣＣ）、銅張積層板（ＣＣＬ）などがある。
【実施例】
【０１０３】
以下、下記実施例によって本発明をさらに具体的に説明するが、これらの実施例は本発明の範疇を限定するものではない。
【０１０４】
（実施例１）
［Ａ．４−ネドイミド安息香酸の合成］
１０００ｍＬのフラスコに５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物３２．８３ｇ（０．２ｍｏＬ）を氷酢酸４００ｍＬに入れて１１０℃で加熱して溶解させた後、過量の４−アミノ安息香酸４１．１ｇ（０．３ｍｏＬ）を投入した。投入後２時間攪拌しながら反応させた後、常温で沈殿させた。沈殿物は氷酢酸と水でそれぞれ洗浄した後、６０℃の真空オーブンで乾燥させてネドイミド安息香酸を製造した。この際、収率は９５％であった。
【０１０５】
［Ｂ．フッ素化合物との重合反応物の合成］
凝縮器（ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）と攪拌器（ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｓｔｉｒｒｅｒ）を取り付けた５００ｍＬのフラスコにイソフタル酸１０．７８９ｇ（０．０６５ｍｏＬ）、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸４７．９４８ｇ（０．２５４ｍｏＬ）、４−アミノフェノール１４．１８７ｇ（０．１３０ｍｏＬ）、酢酸無水物５８．３９６ｇ（９．５ｍｏＬ）を入れ、窒素雰囲気の下で１４０℃まで徐々に温度を増加させた後、温度を維持しながら３時間反応させてアセチル化反応を完結した。次いで、前記Ａ段階で収得した４−ネドイミド安息香酸３６．７９ｇ（０．１３０ｍｏＬ）とクロロターミネイテッドモノカルボン酸ポリヘキサフルオロプロピレンオキシド（ｃｈｌｏｒｏ−ｔｅｒｍｉｎａｔｅｄ  ｍｏｎｏｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ  ｐｏｌｙｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｏｘｉｄｅ）２７．２５ｇを添加した後、反応副産物としての酢酸および未反応酢酸無水物を除去しながら分当り１〜２℃の速度で２１５℃まで昇温させた後、その温度で４時間反応させることにより、主鎖にフッ素化合物が含有され且つ両末端の少なくとも一方にネドイミド基が導入された下記化学式２５の重合反応物を収得した。
【０１０６】
【化２５】
2011111619.tif 000027
式中、ｎ、ｍおよびｌはそれぞれ１〜５０の整数である。
【０１０７】
前記化学式２５の重合反応物から得られたフィルムに対してそれぞれ熱膨張係数（ＣＴＥ）および誘電率を測定し、その結果を下記表１に示した。ＣＴＥ測定の際に、窒素をパージした状態で昇温速度１０℃／ｍｉｎにして測定した。熱膨張係数は５０〜１００℃を区間として求めた平均値である。
【０１０８】
（実施例２）
［Ａ．４−マレイミド−ベンゾイルクロリドの合成］
２５０ｍＬのフラスコにｐ−アミノ安息香酸４１．１ｇ（０．３ｍｏＬ）および酢酸３００ｍＬを入れて溶解させた後、これにマレイン酸無水物２９．４ｇ（０．３ｍｏＬ）を１０℃で徐々に添加して黄色の沈殿物を得た。この沈殿物をＤＭＦ／エタノール（５０：５０、ｗ／ｗ）溶液で再結晶した。再結晶された中間体を酢酸ナトリウムと酢酸無水物を用いて８５℃で１５分間処理し、常温に冷却させた後、氷浴に沈殿させて沈殿物を得た。収得された沈殿物を酢酸エチル／ｎ−ヘキサン（５０：５０、ｗ／ｗ）溶液で再結晶してＮ−（ｐ−カルボキシフェニル）マレイミドを収得した。
【０１０９】
Ｎ−（ｐ−カルボキシフェニル）マレイミド１５ｇ（０．０７ｍｏＬ）を８０ｍＬのベンゼンに添加した。ここに塩化オキサリル２１．８３ｇ（０．１７２ｍｏＬ）を徐々に添加し、温度を高めて２時間還流させた。未反応塩化オキサリルを除去し、常温に冷却させた後、フィルタリングし、ヘキサンで洗浄して４−マレイミド−ベンゾイルクロリドを収得した。
【０１１０】
［Ｂ．フッ素化合物との重合反応物の合成］
２５０ｍＬのフラスコに１００ｍＬのジメチルホルムアミドを入れた後、４−アミノフェノール３．２７４ｇ（０．０３ｍｏＬ）、４，４−ジヒドロキシビフェニル４．６５５ｇ（０．０２５ｍｏＬ）、トリエチルアミン１８ｍＬを添加して溶解させた後、氷水に浸して冷却させた状態でイソフタロイルクロリド１０．１５１ｇ（０．０５ｍｏＬ）を添加した。常温で６０時間反応させ、水とエタノールを用いて精製した後、乾燥させた。
乾燥した試料１ｇを９ｇのＮＭＰに溶解させた後、前記Ａ段階で収得した４−マレイミド−ベンゾイルクロリド０．１ｇ、クロロターミネイテッドモノカルボン酸ポリヘキサフルオロプロピレンオキシド（ｃｈｌｏｒｏ−ｔｅｒｍｉｎａｔｅｄ  ｍｏｎｏｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ  ｐｏｌｙｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｏｘｉｄｅ）０．１ｇ、およびトリエチルアミン１０ｍＬを添加して常温で１２時間反応させることにより、主鎖にフッ素化合物が含有され且つ両末端の少なくとも一方にマレイミド反応基が導入された下記化学式２６の重合反応物を収得した。
【０１１１】
【化２６】
2011111619.tif 000028
式中、ｎ、ｍおよびｌはそれぞれ１〜５０の整数である。
【０１１２】
前記化学式２６の重合反応物から得られたフィルムに対してそれぞれ熱膨張係数（ＣＴＥ）および誘電率を測定し、その結果を下記表１に示した。ＣＴＥ測定の際に、窒素をパージした状態で昇温速度１０℃／ｍｉｎにして測定した。熱膨張係数は、５０〜１００℃を区間として求めた平均値である。
【０１１３】
（比較例１）
エポキシ樹脂−ビスフェノールＡジグリシジルエーテル（ＤＧＥＰＡ）から得られたフィルムに対してそれぞれ熱膨張係数（ＣＴＥ）および誘電率を測定し、その結果を下記表１に示した。ＣＴＥ測定の際に、窒素をパージした状態で昇温温度１０℃／ｍｉｎにして測定した。熱膨張係数は５０〜１００℃を区間として求めた平均値である。
【０１１４】
（比較例２）
ＰＴＦＥ樹脂（ＳＦＬＯＮ）から得られたフィルムに対してそれぞれ熱膨張係数（ＣＴＥ）および誘電率を測定し、その結果を、下記表１に示した。ＣＴＥ測定の際に、窒素をパージした状態で昇温温度１０℃／ｍｉｎにして測定した。熱膨張係数は５０〜１００℃を区間として求めた平均値である。
【０１１５】
【表１】
2011111619.tif 000029
【０１１６】
表１に示すように、本発明の熱硬化性液晶オリゴマーとフッ素化合物との重合反応物を用いて製造されたフィルム（実施例１〜２）は、従来の技術によって製造されたフィルム（比較例１〜２）に比べて低い誘電率および熱膨張係数を有する。よって、本発明の基板形成用組成物は、高速回路および高周波領域のプリント基板絶縁材料として活用するとき、優れた熱的、機械的および電気的特性を示すであろうと期待される。
【０１１７】
以上、本発明を具体的な実施例によって詳細に説明したが、これらの実施例は本発明を具体的に説明するためのものに過ぎない。本発明に係る基板形成用組成物とこれを用いたプリプレグおよび基板は、これらの実施例に限定されず、本発明の技術的思想内において、当該分野における通常の知識を有する者によって多様な変形および改良が可能である。
【０１１８】
本発明の単純な変形ないし変更は、いずれも本発明の領域に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は、特許請求の範囲によって明確になるであろう。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明は、基板形成用組成物とこれを用いたプリプレグおよび基板に適用可能である。
【図１】
2011111619.tif 000042