(57)【要約】【課題】集積回路素子の剥がれを防ぐことができる圧電発振器を提供することを課題とする。【解決手段】本発明の圧電発振器は、基板部とこの基板部の一方の主面に第１の枠部と第２の枠部が設けられて凹部空間が形成されている素子搭載部材と、搭載部の主面に設けられている２個一対の圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、基板部に設けられている集積回路素子搭載パッドと接合するための素子搭載部材接合用電極が設けられている集積回路素子と、凹部空間を気密封止する蓋部材と、を備え、素子搭載部材接合用電極は、アルミニウム層と、中間金属層と、メッキバンプ層とで構成され、アルミニウム層の厚みが、０．６〜１．５μｍであり、中間金属層の厚みが、０．５〜１．７μｍであり、メッキバンプ層の厚みが、５〜３０μｍであることを特徴とするものである。【選択図】図４
2011055033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部とこの基板部の一方の主面に第１の枠部と第２の枠部が設けられて凹部空間が形成されている素子搭載部材と、
前記凹部空間内底面に搭載部が設けられ、前記搭載部の主面に設けられている２個一対の圧電振動素子搭載パッドと、
前記圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、
前記凹部空間内に露出する前記基板部に設けられている集積回路素子搭載パッドと、
前記集積回路素子搭載パッドと接合するための素子搭載部材接合用電極が設けられている集積回路素子と、
前記凹部空間を気密封止する蓋部材と、を備え、
前記素子搭載部材接合用電極は、アルミニウム層と、中間金属層と、メッキバンプ層とで構成され、
前記アルミニウム層の厚みが、０．６〜１．５μｍであり、
前記中間金属層の厚みが、０．５〜１．７μｍであり、
前記メッキバンプ層の厚みが、５〜３０μｍであることを特徴とする圧電発振器。
【請求項２】
前記集積回路素子搭載パッドがニッケルメッキ層と、金メッキ層から構成され、前記集積回路素子搭載パッドの金メッキ層の平坦度が、１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の圧電発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器等に用いられる圧電発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
図９は、従来の圧電発振器を示す断面図である。
従来の圧電発振器２００は、凹部空間２１１を有する素子搭載部材２１０と圧電振動素子２２０と蓋部材２３０とから主に構成されている。
前記素子搭載部材２１０は、基板部２１０ａと第１の枠部２１０ｂと第２の枠部２１０ｃで構成されている。
この素子搭載部材２１０は、基板部２１０ａの一方の主面に第１の枠部２１０ｂ、第２の枠部２１０ｃの順に設けられて平面視して四角形状の凹部空間２１１が形成される。また、前記凹部空間２１１内には前記凹部空間２１１内底面より高い位置に搭載部２１３が設けられ、その搭載部２１３の主面には、２個一対の圧電振動素子搭載パッド２１４が設けられている。
前記凹部空間２１１内の素子搭載部材２１０の主面には、集積回路素子搭載パッド２１５が設けられている。前記集積回路素子搭載パッド２１５は、ニッケルメッキ層と金メッキ層により構成されている。
また、素子搭載部材２１０の基板部２１０ａの他方の主面の４隅には、外部接続用電極端子２１６が設けられている。
また、素子搭載部材２１０の第２の枠部２１０ｃの主面には、封止用導体パターン２１２が設けられている。
蓋部材２３０は、前記素子搭載部材２１０の前記封止用導体パターン２１２と封止部材２３１で接合されている。
【０００３】
圧電振動素子２２０は、四角形の水晶素板２２１に励振用電極２２２を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極２２２を介して水晶素板２２１に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
励振用電極２２２は、前記水晶素板２２１の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着・形成したものである。
このような圧電振動素子２２０は、その両主面に被着されている励振用電極２２２から延出する引き出し電極２２４と前記圧電振動素子搭載パッド２１４とを、導電性接着剤ＤＳを介して電気的且つ機械的に接続することによって搭載される。このときの引き出し電極２２４が設けられた一辺とは反対側の端辺を圧電振動素子２２０の自由端である先端部２２３とする。
【０００４】
集積回路素子２４０は、一方の主面にエポキシ樹脂などの絶縁層が形成され、他方の主面に素子搭載部材接合用電極２４１が設けられる。
素子搭載部材接合用電極２４１は、アルミニウム層２４１ａと金バンプ層２４１ｂにより構成されている。
また、集積回路素子２４０は、素子搭載部材２１０の凹部空間２１１内に形成されている集積回路素子搭載パッド２１５に載置して、前記集積回路素子２４０の他方の主面に金属製の接合用ホーン（図示せず）を当接させる。
前記接合用ホーンに超音波を加えて集積回路素子２４０を振動させ、前記金バンプ層２４１ｂを集積回路素子搭載パッド２１５との摩擦により発生する熱により溶融し、熱圧着することで、集積回路素子２４０は、集積回路素子搭載パッド２１５に搭載されている構造が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１６３９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の圧電発振器２００では、集積回路素子２４０を集積回路素子搭載パッド２１５に搭載する際に、集積回路素子２４０の素子搭載部材接合用電極２４１が集積回路素子２４０から剥がれてしまうといった課題があった。また、集積回路素子２４０を集積回路素子搭載パッド２１５に搭載後に、集積回路素子２４０の素子搭載部材接合用電極２４１が素子搭載部材２１０の集積回路素子搭載パッド２１５から剥がれてしまうといった課題があった。
【０００７】
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、集積回路素子の素子搭載部材接合用電極が集積回路素子から剥がれるのを防ぎ、また、集積回路素子の素子搭載部材接合用電極が素子搭載部材の集積回路素子搭載パッドから剥がれるのを防ぐことができる圧電発振器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の圧電発振器は、基板部とこの基板部の一方の主面に第１の枠部と第２の枠部が設けられて凹部空間が形成されている素子搭載部材と、凹部空間内底面に搭載部が設けられ、搭載部の主面に設けられている２個一対の圧電振動素子搭載パッドと、圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、凹部空間内に露出する基板部に設けられている集積回路素子搭載パッドと、集積回路素子搭載パッドと接合するための素子搭載部材接合用電極が設けられている集積回路素子と、凹部空間を気密封止する蓋部材と、を備え、素子搭載部材接合用電極は、アルミニウム層と、中間金属層と、メッキバンプ層とで構成され、アルミニウム層の厚みが、０．６〜１．５μｍであり、中間金属層の厚みが、０．５〜１．７μｍであり、メッキバンプ層の厚みが、５〜３０μｍであることを特徴とするものである。
【０００９】
また、前記集積回路素子搭載パッドがニッケルメッキ層と、金メッキ層から構成され、前記集積回路素子搭載パッドの金メッキ層の平坦度が、０．１〜１．０μｍであることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の圧電発振器によれば、素子搭載部材接合用電極は、アルミニウム層と、中間金属層と、メッキバンプ層とで構成され、アルミニウム層の厚みは、０．６〜１．５μｍであり、中間金属層の厚みは、０．５〜１．７μｍであり、メッキバンプ層の厚みは、５〜３０μｍであることによって、集積回路素子の素子搭載部材接合用電極が集積回路素子から剥がれるのを防ぎ、また、集積回路素子の素子搭載部材接合用電極が素子搭載部材の集積回路素子搭載パッドから剥がれるのを防ぐことができる。
【００１１】
また、前記集積回路素子搭載パッドがニッケルメッキ層と、金メッキ層から構成され、前記集積回路素子搭載パッドの金メッキ層の平坦度が、０．１〜１．０μｍであることによって、集積回路素子搭載パッドが素子搭載部材接合用電極の金メッキバンプ層と接合した際に、素子搭載部材が熱により反ってしまっても、応力を吸収できる為、集積回路素子の素子搭載部材接合用電極が素子搭載部材の集積回路素子搭載パッドから剥がれてしまうことを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る圧電発振器を示す分解斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る圧電発振器を構成する集積回路素子の素子搭載部材接合用電極の面から見た斜視図である。
【図４】本発明の実施形態に係る圧電発振器を構成する集積回路素子の素子搭載部材接合用電極を拡大した概略図である。
【図５】本発明の実施形態に係る圧電発振器を構成する集積回路素子の素子搭載部材接合用電極のアルミニウム層の厚みと接合不良発生率との関係を示すグラフである。
【図６】本発明の実施形態に係る圧電発振器を構成する集積回路素子の素子搭載部材接合用電極の中間金属層の厚みと接合不良発生率との関係を示すグラフである。
【図７】本発明の実施形態に係る圧電発振器を構成する集積回路素子の素子搭載部材接合用電極のメッキバンプ層の厚みと接合不良発生率との関係を示すグラフである。
【図８】本発明の実施形態に係る圧電発振器を構成する素子搭載部材の集積回路素子搭載パッドの金メッキ層の平坦度と接合不良発生率との関係を示すグラフである。
【図９】従来の圧電デバイスの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。尚、圧電振動素子に水晶を用いた場合について説明する。また、図示した寸法も一部誇張して示している。
【００１４】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の実施形態に係る圧電発振器を示す分解斜視図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。図３は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスを構成する集積回路素子の素子搭載部材接合用電極の面から見た斜視図である。図４は、本発明の実施形態に係る圧電発振器を構成する集積回路素子の素子搭載部材接合用電極を拡大した概略図である。図５は、本発明の実施形態に係る圧電発振器を構成する集積回路素子の素子搭載部材接合用電極のアルミニウム層の厚みと接合不良発生率との関係を示すグラフである。図６は、本発明の実施形態に係る圧電発振器を構成する集積回路素子の素子搭載部材接合用電極の中間金属層の厚みと接合不良発生率との関係を示すグラフである。図７は、本発明の実施形態に係る圧電発振器を構成する集積回路素子の素子搭載部材接合用電極のメッキバンプ層の厚みと接合不良発生率との関係を示すグラフである。図８は、本発明の実施形態に係る圧電発振器を構成する素子搭載部材の集積回路素子搭載パッドの金メッキ層の平坦度と接合不良発生率との関係を示すグラフである。
【００１５】
本実施形態において、圧電デバイスの一例として、圧電発振器について説明する。
図１及び図２に示すように、本発明の第１の実施形態に係る圧電振動子１００は、素子搭載部材１１０と圧電振動素子１２０と蓋部材１３０と集積回路素子１４０で主に構成されている。この圧電振動子１００は、前記素子搭載部材１１０に形成されている凹部空間１１１内に圧電振動素子１２０と集積回路素子１４０が搭載され、その凹部空間１１１が蓋部材１３０により気密封止された構造となっている。
【００１６】
圧電振動素子１２０は、図１及び図２に示すように、水晶素板１２１に励振用電極１２２を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
水晶素板１２１は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。
励振用電極１２２は、前記水晶素板１２１の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着・形成したものである。
このような圧電振動素子１２０は、その両主面に被着されている励振用電極１２２から延出する引き出し電極１２４と後述する素子搭載部材１１０の搭載部１１３の主面に形成されている後述する２個一対の圧電振動素子搭載パッド１１３とを、導電性接着剤ＤＳ（図２参照）を介して電気的且つ機械的に接続することによって搭載される。このときの引き出し電極１２４が設けられた一辺とは反対側の端辺を圧電振動素子１２０の自由端である先端部１２３とする。
【００１７】
集積回路素子１４０は、図１〜図３に示すように、回路形成面に前記圧電振動素子１２０からの発振出力を生成する発振回路等が設けられており、この発振回路で生成された出力信号は外部接続用電極端子１１６を介して圧電発振器１００の外へ出力され、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。
また、集積回路素子１４０には、可変容量素子に周囲温度に応じた制御電圧を印加して温度変化による発振回路の発振周波数の変動を補償するため、３次関数発生回路及び記憶素子部により温度補償回路部が設けられており、３次関数発生回路には、温度センサが接続されている。
この温度センサは、検出した温度と、温度センサに印加させる電圧値とに基づいて生成される温度データ信号（電圧値）が３次関数発生回路に出力される構成となっている。
集積回路素子１４０には、後述する集積回路素子搭載パッド１１５と接合するための素子搭載部材接合用電極１４１が設けられている。
また、集積回路素子１４０の素子搭載部材接合用電極１４１と素子搭載部材１１０の集積回路素子搭載パッド１１５とは、熱と荷重をかけることによって接合されている。
接合時にかける温度は、例えば、２００〜４００℃である。また荷重は、１つの素子搭載部材接合用電極１４１当たり０．９８１Ｎ以上かける必要がある。
【００１８】
素子搭載部材接合用電極１４１は、図３及び図４に示すように、アルミニウム層１４１ａと、中間金属層１４１ｂと、メッキバンプ層１４１ｃとで構成されている。
アルミニウム層１４１ａの厚みｄ１は、０．６〜１．５μｍである。
アルミニウム層１４１ａの厚みｄ１が０．６μｍ未満の場合、図５に示すように、接合不良発生率が増加していく傾向にあることが確認できる。また、アルミニウム層１４１ａの厚みｄ１が１．５μｍより大きい場合、図５に示すように、接合不良発生率が増加していく傾向にあることが確認できる。
図５に示すように、アルミニウム層１４１ａの厚みｄ１は、０．６〜１．５μｍであることによって、集積回路素子１４０とアルミニウム層１４０ａとの界面及びアルミニウム層１４０ａと中間金属層１４０ｂとの界面が剥がれてしまう接合不良発生率が０％になっていることが確認できる。
つまり、アルミニウム層１４１ａの厚みｄ１は、０．６〜１．５μｍであることによって、集積回路素子１４０の素子搭載部材接合用電極１４１と素子搭載部材１１０の集積回路素子搭載パッド１１５との接合不良発生率を低減することができる。
【００１９】
図４に示す中間金属層１４１ｂは、例えば、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等から構成されており、中間金属層１４１ｂの厚みｄ２は、０．５〜１．７μｍである。
中間金属層１４１ｂの厚みｄ２が０．５μｍ未満の場合、図６に示すように、接合不良発生率が増加していく傾向にあることが確認できる。また、中間金属層１４１ｂの厚みｄ２が１．７μｍより大きい場合、図６に示すように、接合不良発生率が増加していく傾向にあることが確認できる。
図６に示すように、中間金属層１４１ｂの厚みｄ２は、０．５〜１．７μｍであることによって、アルミニウム層１４１ａと中間金属層１４１ｂとの界面及び中間金属層１４１ｂとメッキバンプ層１４１ｃとの界面が剥がれてしまう接合不良発生率が０％になっていることが確認できる。
つまり、中間金属層１４１ｂの厚みｄ２は、０．５〜１．７μｍであることによって、集積回路素子１４０の素子搭載部材接合用電極１４１と素子搭載部材１１０の集積回路素子搭載パッド１１５との接合不良発生率を低減することができる。
【００２０】
図４に示すメッキバンプ層１４１ｃは、例えば金（Ａｕ）より構成されており、メッキバンプ層１４１ｃの厚みｄ３は、５〜３０μｍである。
メッキバンプ層１４１ｃの厚みｄ３が５μｍ未満の場合、図７示すように、接合不良発生率が増加していく傾向にあることが確認できる。また、メッキバンプ層１４１ｃの厚みｄ３が３０μｍより大きい場合、図７に示すように、接合不良発生率が増加していく傾向にあることが確認できる。
また、メッキバンプ層１４１ｃの厚みｄ３を３０μｍより大きくした場合には、接合する際に、メッキバンプ層１４１ｃの厚みを増した分だけ、荷重をかける必要があるので、集積回路素子１４０が割れてしまうことがあった。
図７に示すように、メッキバンプ層１４１ｃの厚みｄ３は、５〜３０μｍであることによって、中間金属層１４１ｂとメッキバンプ層１４１ｃの界面が剥がれてしまうことを防ぐことができる。また、集積回路素子１４０の素子搭載部材接合用電極１４１のメッキバンプ１４１ｃと素子搭載部材１１０の集積回路素子搭載パッド１１５との界面が剥がれてしまう接合不良発生率が０％になっていることが確認できる。
つまり、メッキバンプ層１４１ｃの厚みｄ３は、５〜３０μｍであることによって、集積回路素子１４０の素子搭載部材接合用電極１４１と素子搭載部材１１０の集積回路素子搭載パッド１１５との接合不良発生率を低減することができ、集積回路素子１４０が割れることも防ぐことができる。
【００２１】
図１〜図２に示すように、素子搭載部材１１０は、基板部１１０ａ、第１の枠部１１０ｂ、第２の枠部１１０ｃと、搭載部１１３と、圧電振動素子搭載パッド１１４と、集積回路素子搭載パッド１１５と、外部接続用電極端子１１６で主に構成されている。
素子搭載部材１１０は、基板部１１０ａの一方の主面に第１の枠部１１０ｂと第２の枠部１１０ｃが設けられて、凹部空間１１１が形成されている。
【００２２】
この素子搭載部材１１０は、例えば基板部１１０ａの上に第１の枠部１１０ｂ、第２の枠部１１０ｃの順に積層されており、前記第２の枠部１１０ｃが、前記第１の枠部１１０ｂの開口の幅よりも広くなるように形成されている。
これにより、第１の枠部１１０ｂと第２の枠部１１０ｃによって、凹部空間１１１底面に搭載部１１３が形成される。従って、搭載部１１３は、前記第１の枠部１１０ｂの前記凹部空間１１１内側壁部と、第１の枠部１１０ｂの主面によって形成される。
また、搭載部１１３の主面には、２個一対の圧電振動素子搭載パッド１１４が設けられている。
また、素子搭載部材１１０の前記凹部空間１１１内に露出する前記基板部１１０ａの主面には、集積回路素子搭載パッド１１５が設けられている。
また、素子搭載部材１１０の基板部１１０ａの他方の主面の４隅には、外部接続用電極端子１１６が設けられている。
また、この素子搭載部材１１０の第２の枠部１１０ｃの主面には、環状の封止用導体パターン１１２が設けられている。
【００２３】
尚、この素子搭載部材１１０を構成する基板部１１０ａ、第１の枠部１１０ｂ、第２の枠部１１０ｃは、例えばアルミナセラミックス、ガラス−セラミック等のセラミック材料を複数積層することよって形成されている。また、基板部１１０ａは、セラミック材が積層した構造となっている。
【００２４】
この素子搭載部材１１０の第２の枠部１１０ｃの主面には、環状の封止用導体パターン１１２が設けられている。
また、基板部１１０ａの内層には、配線パターン（図示せず）等が設けられている。
【００２５】
圧電振動素子搭載パッド１１４は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等から成る第１の金属層の表面に、金メッキ等からなる第２の金属層を積層することで形成されている。
【００２６】
集積回路素子搭載パッド１１５は、図４に示すように、ニッケルメッキ層１１５ａと金メッキ層１１５ｂにより構成されている。
前記集積回路素子搭載パッド１１５の金メッキ層１１５ｂの平坦度が、１．０μｍより大きい場合には、素子搭載部材接合用電極１４１のメッキバンプ層１４１ｃと接合した際に、素子搭載部材１１０が熱により反ってしまうと、応力が吸収できない為、剥がれてしまっていた。
つまり、図８に示すように、前記集積回路素子搭載パッド１１５の金メッキ層１１５ｂの平坦度が、１．０μｍ以下であることにより、素子搭載部材接合用電極１４１のメッキバンプ層１４１ｃと接合した際に、素子搭載部材１１０が熱により反ってしまっても、応力を吸収できる為、集積回路素子１４０の素子搭載部材接合用電極１４１が素子搭載部材１１０の集積回路素子搭載パッド１１５から剥がれてしまうことを防ぐことができる。
【００２７】
前記封止用導体パターン１１２は、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、等から成る基層の表面にニッケル（Ｎｉ）層及び金（Ａｕ）層を順次、凹部空間１１１を環状に囲繞する形態で被着させることによって、１０μｍ〜２５μｍの厚みに形成されている。
【００２８】
蓋部材１３０は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コバール）などからなる。このような蓋部材１３０は、凹部空間１１１を、窒素ガスや真空などで気密的に封止される。具体的には、蓋部材１３０は、窒素雰囲気中や真空雰囲気中で、素子搭載部材１１０の第２の枠部１１０ｃ上に載置され、第２の枠部１１０ｃの封止用導体パターン１１２と蓋部材１３０の封止部材１３１とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、第２の枠部１１０ｂに接合される。
封止部材１３１は、例えば、銀ロウ（Ａｇ−Ｃｕ）、金錫（Ａｕ−Ｓｎ）等によって形成されている。
【００２９】
前記導電性接着剤ＤＳは、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）、のうちのいずれかまたはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。
また、導電性接着剤ＤＳには、塗布し易い粘度に調整するために添加した溶剤が含有されている。
【００３０】
尚、前記素子搭載部材１１０は、アルミナセラミックスから成る場合、所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面に、封止用導体パターン１１２、圧電振動素子搭載パッド１１３、外部接続用電極端子１１４等となる導体ペーストを、また、セラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内にビア導体となる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することにより製作される。
【００３１】
本発明の圧電発振器１００によれば、素子搭載部材接合用電極１４１は、アルミニウム層１４１ａと、中間金属層１４１ｂと、メッキバンプ層１４１ｃとで構成され、アルミニウム層１４１ａの厚みｄ１は、０．６〜１．５μｍであり、中間金属層１４１ｂの厚みｄ２は、０．５〜１．７μｍであり、メッキバンプ層１４１ｃの厚みｄ３は、５〜３０μｍであることによって、集積回路素子１４０の素子搭載部材接合用電極１４１が集積回路素子１４０から剥がれてしまうことを防ぐことができ、集積回路素子１４０の素子搭載部材接合用電極１４１が素子搭載部材１１０の集積回路素子搭載パッド１１５から剥がれてしまうことを防ぐことができる。
また、アルミニウム層１４１ａの厚みｄ１が、０．６〜１．５μｍであり、中間金属層１４１ｂの厚みｄ２が、０．５〜１．７μｍであり、メッキバンプ層１４１ｃの厚みｄ３が、５〜３０μｍであるという３つの条件を合わせることで、集積回路素子１４０の素子搭載部材接合用電極１４１が集積回路素子１４０から剥がるのをさらに防ぎ、集積回路素子１４０の素子搭載部材接合用電極１４１が素子搭載部材１１０の集積回路素子搭載パッド１１５から剥がれるのをさらに防ぐことができる。つまり、この３つの条件を合わせることによって、接合不良発生率をさらに低減させることができる。
【００３２】
また、前記集積回路素子搭載パッド１１５がニッケルメッキ層１１５ａと、金メッキ層１１５ｂから構成され、前記集積回路素子搭載パッド１１５の金メッキ層１１５ｂの平坦度（図８参照）が、０．１〜１．０μｍであることによって、素子搭載部材接合用電極１４１と接合した際に、素子搭載部材１１０が熱により反ってしまっても、応力を吸収できる為、集積回路素子１４０の素子搭載部材接合用電極１４１が素子搭載部材１１０の集積回路素子搭載パッド１１５から剥がれてしまうことを防ぐことができる。
【００３３】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
例えば、前記した本実施形態では、圧電振動素子を構成する圧電素材として水晶を用いた場合を説明したが、他の圧電素材として、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたは、圧電セラミックスを圧電素材として用いた圧電振動素子でも構わない。
【符号の説明】
【００３４】
１１０・・・素子搭載部材
１１０ａ・・・基板部
１１０ｂ・・・第１の枠部
１１０ｃ・・・第２の枠部
１１１・・・凹部空間
１１２・・・封止用導体パターン
１１３・・・搭載部
１１４・・・圧電振動素子搭載パッド
１１５・・・集積回路素子搭載パッド
１１５ａ・・・ニッケルメッキ層
１１５ｂ・・・金メッキ層
１１６・・・外部接続用電極端子
１２０・・・圧電振動素子
１２１・・・圧電素板
１２２・・・励振用電極
１２３・・・先端部
１２４・・・引き出し電極
１３０・・・蓋部材
１３１・・・封止部材
１４０・・・集積回路素子
１４１・・・素子搭載部材接合用電極
１４１ａ・・・アルミニウム層
１４１ｂ・・・中間金属層
１４１ｃ・・・メッキバンプ層
ＤＳ・・・導電性接着剤
１００・・・圧電発振器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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