(57)【要約】【課題】電子部品の搭載領域の最外周に位置するランドからの引き出し配線に断線或いはクラックが発生することを抑制する。【解決手段】プリント配線基板１は、電子部品が搭載される領域である搭載領域１ａに配置されている複数のランド２を備える。最外周に配置されている最外周ランド６のうちの少なくとも１つのランドである特定ランド（例えば、コーナーランド７）に、それぞれ接続されている引き出し配線５を備える。特定ランドと、当該特定ランドに接続されている引き出し配線５と、の接続部１１が、搭載領域１ａに形成されている全ての最外周ランド６をまとめて最短経路で囲む閉曲線（ランド最外周ライン１０）の内側に位置している。【選択図】図１
2011029287.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が搭載される領域である搭載領域に配置されている複数のランドと、
前記ランドのうち最外周に配置されているランドである最外周ランドのうちの、更に少なくとも１つのランドである特定ランドに、それぞれ接続されている引き出し配線と、
を備え、
前記特定ランドと、当該特定ランドに接続されている前記引き出し配線と、の接続部が、前記搭載領域に形成されている全ての前記最外周ランドをまとめて最短経路で囲む閉曲線の内側に位置していることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項２】
当該プリント配線基板は、表層にソルダーレジスト層を備え、
前記ソルダーレジスト層において、各ランドと対応する位置には、各ランドよりも大径の開口がそれぞれ形成され、
前記特定ランドに接続されている前記引き出し配線と、当該特定ランドと対応する前記開口の内周と、の交差部が、前記閉曲線の内側に位置していることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項３】
前記特定ランド以外の前記最外周ランドのうちの少なくとも１つである第２特定ランドに接続されているビアと、前記第２特定ランドよりも下層に位置し、当該ビアに接続されている下層引き出し配線と、を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線基板。
【請求項４】
少なくとも１つの前記特定ランドに接続されている前記引き出し配線は、当該特定ランドとそれに隣り合う前記最外周ランドとの間隔を通って、前記閉曲線の外側へ延在するような経路とされていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のプリント配線基板。
【請求項５】
少なくとも１つの前記特定ランドに接続されている前記引き出し配線の経路は、前記接続部を起点として一旦は前記閉曲線から遠ざかる方向に向かった後、折り返して、当該特定ランドとそれに隣り合う前記最外周ランドとの間隔を通って、前記閉曲線の外側へ延在するような経路とされていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のプリント配線基板。
【請求項６】
少なくとも１つの前記特定ランドに接続されている前記引き出し配線は、その全体が前記閉曲線の内側に位置し、
当該プリント配線基板は、
当該引き出し配線に接続されているビアと、前記少なくとも１つの前記特定ランドよりも下層に位置し、当該ビアに接続されている下層引き出し配線と、を更に備えることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載のプリント配線基板。
【請求項７】
前記特定ランドには、少なくとも、前記最外周ランドのうち、隅に配置されている最外周ランドが含まれることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載のプリント配線基板。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載のプリント配線基板と、
前記搭載領域内の前記複数のランドに対して接続されている前記電子部品としての半導体チップ又は半導体パッケージと、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
プリント配線基板において、電子部品が搭載される領域である搭載領域に、複数のランドを形成する一方で、前記ランドのうち最外周に配置されているランドである最外周ランドのうちの、更に少なくとも１つのランドである特定ランドに、それぞれ接続される引き出し配線を形成する工程を備え、
前記工程では、前記特定ランドと、当該特定ランドに接続されている前記引き出し配線と、の接続部が、前記搭載領域に形成されている全ての前記最外周ランドをまとめて最短経路で囲む閉曲線の内側に位置するように、前記引き出し配線を形成することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板、半導体装置及びプリント配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ或いは半導体パッケージといった電子部品は、様々な電子機器類に搭載され、近年益々軽薄短小化傾向にある。特に、携帯電話等の携帯機器に搭載される電子部品には、プリント配線基板に実装した後の耐温度サイクル性、耐基板曲げ性、耐衝撃性等の実装信頼性が要求される。
【０００３】
特許文献１には、スルーホールランドと配線との接続部分に配線幅よりも広い接続部を設けた技術が開示されている。特許文献１には、この構造によって、スルーホールの位置精度が多少低下してもランド切れの発生を抑えることができる旨の記載がある。
【０００４】
図６は一般的なプリント配線基板１００の一例を示す平面図であり、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージ１０９（図７参照）或いはＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージ（図示略）などの半導体パッケージの搭載領域１００ａ及びその近傍の配線パターンを示す。図７は図６のプリント配線基板１００にＢＧＡパッケージ１０９をはんだ実装（リフロー実装）した状態を示す断面図である。
【０００５】
図６に示すように、プリント配線基板１００は、該プリント配線基板１００に搭載される半導体パッケージの端子の配列に対応して配置された複数のランド１０２を備えている。すなわち、搭載領域１００ａには、複数のランド１０２が配置されている。
【０００６】
プリント配線基板１００は、その表層にソルダーレジスト層１０３を備えている。ただし、各ランド１０２はＮＳＭＤ（Ｎｏ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）構造となっている。すなわち、ソルダーレジスト層１０３において、各ランド１０２と対応する位置には、それぞれソルダーレジスト開口１０４が形成され、このソルダーレジスト開口１０４を介して各ランド１０２は表側（図６の紙面の手前側、図７では上側）に臨まされている。ソルダーレジスト開口１０４の直径の大きさは、ランド１０２の直径よりも若干大きく（例えば、約０．１〜０．１５ｍｍ大きく）設定されている。
【０００７】
各ランド１０２からは、搭載領域１００ａの外側に向かって引き出し配線１０５が引き出されている。
【０００８】
ここで、搭載領域１００ａ内の各ランド１０２のうち、最外周に位置するランド１０２は、特に、最外周ランドと称することとする。また、最外周ランドのうち、搭載領域１００ａの隅に位置する４つのランド１０２は、特に、コーナーランド１０８と称することとする。また、最外周に位置するランド１０２から引き出されている引き出し配線１０５と、当該ランド１０２に対応するソルダーレジスト開口１０４の内周と、が交差する部分を、配線−レジスト交差部１０６と称することとする。
【０００９】
また、図６に示すランド最外周ライン１０７は、搭載領域１００ａに形成されている全ての最外周ランドをまとめて最短経路で囲む閉曲線である。換言すれば、ランド最外周ライン１０７は、半導体パッケージとプリント配線基板１００との接合部のうち、最外周に位置する接合部である最外周接合部をまとめて最短経路で囲む閉曲線である、とも言える。なお、ランド最外周ライン１０７は、搭載領域１００ａとその外側の領域との境界線でもある。
【００１０】
図６の構造では、最外周に位置するランド１０２と引き出し配線１０５との接続部１１３は、ランド最外周ライン１０７上に位置する。また、配線−レジスト交差部１０６も、ランド最外周ライン１０７上に位置する。
【００１１】
図７に示すように、ＢＧＡパッケージ１０９は、本体部１１０と、この本体部１１０の端子（図示略）にそれぞれ設けられているはんだボール１１１と、を備える。図７に示す状態では、ＢＧＡパッケージ１０９のはんだボール１１１を溶融点以上に加熱してリフローさせることにより、該はんだボール１１１がランド１０２に対してはんだ接合されて、ＢＧＡパッケージ１０９がプリント配線基板１００にはんだ実装されている。詳細には、この状態では、はんだボール１１１は、ランド１０２上に印刷されているはんだペースト（図示略）と融合している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平２−２６８４８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上述のようなはんだ実装後は、プリント配線基板１００及び半導体パッケージ（図７の例ではＢＧＡパッケージ１０９）は、様々な環境下にさらされるため、例えば熱ストレス或いは機械的ストレスが半導体パッケージの端子に加わることがある。
【００１４】
通常、プリント配線基板１００は半導体パッケージよりも熱膨張係数が大きい。搭載領域１００ａ内においては、各ランド１０２の位置で半導体パッケージとプリント配線基板１００とが相互に接合されているため、プリント配線基板１００よりも熱膨張係数の小さい半導体パッケージによってプリント配線基板１００の湾曲が規制される。しかし、搭載領域１００ａ外にはこの規制が作用しない。このため、プリント配線基板１００において、特に熱ストレスが加わる部分は、搭載領域１００ａとその外側の領域と境界であるランド最外周ライン１０７の近傍の部分のうち、最外周のランド１０２の外周に沿う部分である。このなかでも特に、ソルダーレジスト開口１０４の内周に沿う部分では熱ストレスが顕著に加わる。また、最外周のランド１０２の中でも、特に、搭載領域１００ａの中心から最も遠くに位置するコーナーランド１０８に沿う部分に顕著に熱ストレスが加わる。
【００１５】
また、落下等によりプリント配線基板１００に機械的ストレス（曲げ応力など）が加わった場合にも、熱ストレスの場合と同様に、最外周ライン１０７の近傍の部分のうち、最外周のランド１０２に沿う部分に最も大きな機械的ストレス（引っ張り応力或いは圧縮応力）が加わる。
【００１６】
図６に示す構造のプリント配線基板１００では、最外周のランド１０２と引き出し配線１０５との接続部１１３がランド最外周ライン１０７上に位置する。また、最外周のランド１０２に接続されている引き出し配線１０５の配線−レジスト交差部１０６もランド最外周ライン１０７上に位置する。そして、これら最外周のランド１０２に接続されている引き出し配線１０５は、搭載領域１００ａの外側へ延在している。
【００１７】
このため、プリント配線基板１００が、繰り返し熱ストレスを受けた場合、或いは、大きな機械的ストレスを受けた場合などに、例えば、図８に示すように、最外周のランド１０２と引き出し配線１０５との接続部１１３、或いは、引き出し配線１０５における配線−レジスト交差部１０６に、クラック或いは断線１１２が発生することがある。
【００１８】
このように、図６の構造では、プリント配線基板１００に加わるストレスに起因して、半導体パッケージ或いはその他の電子部品の搭載領域１００ａの最外周に配置されているランド１０２からの引き出し配線１０５に損傷（断線、クラック１１２（図８）など）が発生してしまうことを、抑制することが困難だった。特許文献１の技術でも、同様の課題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、電子部品が搭載される領域である搭載領域に配置されている複数のランドと、前記ランドのうち最外周に配置されているランドである最外周ランドのうちの、更に少なくとも１つのランドである特定ランドに、それぞれ接続されている引き出し配線と、を備え、前記特定ランドと、当該特定ランドに接続されている前記引き出し配線と、の接続部が、前記搭載領域に形成されている全ての前記最外周ランドをまとめて最短経路で囲む閉曲線の内側に位置していることを特徴とするプリント配線基板を提供する。
【００２０】
プリント配線基板において、特に熱ストレス或いは機械的ストレスが最も集中しやすい部分は、搭載領域に形成されている全ての最外周ランドをまとめて最短経路で囲む閉曲線の近傍の部分のうち、最外周ランドの外周に沿う部分である。
【００２１】
本発明によれば、最外周ランドのうちの少なくとも１つである特定ランドと引き出し配線との接続部が、搭載領域に形成されている全ての最外周ランドをまとめて最短経路で囲む閉曲線の内側に位置しているので、熱ストレス或いは機械的ストレスが最も集中しやすい部分に引き出し配線を配置しないようにできる。よって、特定ランドに接続されている引き出し配線における損傷（断線やクラック）の発生を抑制することができる。
【００２２】
また、本発明は、本発明のプリント配線基板と、前記搭載領域内の前記複数のランドに対して接続されている前記電子部品としての半導体チップ又は半導体パッケージと、を備えることを特徴とする半導体装置を提供する。
【００２３】
また、本発明は、プリント配線基板において、電子部品が搭載される領域である搭載領域に、複数のランドを形成する一方で、前記ランドのうち最外周に配置されているランドである最外周ランドのうちの、更に少なくとも１つのランドである特定ランドに、それぞれ接続される引き出し配線を形成する工程を備え、前記工程では、前記特定ランドと、当該特定ランドに接続されている前記引き出し配線と、の接続部が、前記搭載領域に形成されている全ての前記最外周ランドをまとめて最短経路で囲む閉曲線の内側に位置するように、前記引き出し配線を形成することを特徴とするプリント配線基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、電子部品の搭載領域の最外周に位置するランドからの引き出し配線の損傷（断線、クラックなどの発生）を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】第１の実施形態に係るプリント配線基板の平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図３】第１の実施形態に係るプリント配線基板の一連の製造工程を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態に係るプリント配線基板の一連の製造工程を示す断面図である。
【図５】第２の実施形態に係るプリント配線基板の平面図である。
【図６】一般的なプリント配線基板の平面図である。
【図７】一般的な半導体装置の断面図である。
【図８】図７の半導体装置の引き出し配線が切断した状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
【００２７】
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係るプリント配線基板１の平面図であり、電子部品が搭載される搭載領域１ａ及びその近傍を示す。図２は第１の実施形態に係る半導体装置３０の断面図である。図３及び図４は第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造方法における一連の製造工程を示す断面図である。
【００２８】
本実施形態に係るプリント配線基板１は、電子部品（例えば、半導体パッケージ３１（図２））が搭載される領域である搭載領域１ａに配置されている複数のランド２と、ランド２のうち最外周に配置されているランド２である最外周ランド６のうちの、更に少なくとも１つのランドである特定ランド（例えば、コーナーランド７）に、それぞれ接続されている引き出し配線５と、を備える。特定ランドと、当該特定ランドに接続されている引き出し配線５と、の接続部１１が、搭載領域１ａに形成されている全ての最外周ランド６をまとめて最短経路で囲む閉曲線（ランド最外周ライン１０）の内側に位置している。また、本実施形態に係る半導体装置は、本実施形態に係るプリント配線基板１と、搭載領域１ａ内の複数のランド２に対して接続されている電子部品としての半導体チップ又は半導体パッケージ（例えば、半導体パッケージ３１（図２））と、を備える。また、本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法は、プリント配線基板１において、電子部品（例えば、半導体パッケージ３１（図２））が搭載される領域である搭載領域１ａに、複数のランド２を形成する一方で、ランド２のうち最外周に配置されているランドである最外周ランド６のうちの、更に少なくとも１つのランドである特定ランド（例えば、コーナーランド７）に、それぞれ接続される引き出し配線５を形成する工程を備え、その工程では、特定ランドと、当該特定ランドに接続されている引き出し配線５と、の接続部１１が、搭載領域１ａに形成されている全ての最外周ランド６をまとめて最短経路で囲む閉曲線（ランド最外周ライン１０）の内側に位置するように、引き出し配線５を形成する。以下、詳細に説明する。
【００２９】
先ず、図１に示すプリント配線基板１の構成を説明する。
【００３０】
図１及び図２に示すように、プリント配線基板１は、該プリント配線基板１に搭載される電子部品（例えば、半導体パッケージ３１（図２））の端子（図示略）の配列に対応して配置された複数のランド２を備えている。すなわち、プリント配線基板１において、電子部品が搭載される領域である搭載領域１ａには、複数のランド２が配置されている。
【００３１】
なお、本実施形態の場合、ランド２は、例えば、プリント配線基板１の片面にのみ配置されている。また、ランド２は、例えば、マトリックス状に配置されている。
【００３２】
プリント配線基板１は、その表裏の各々の表層にソルダーレジスト層３を備えている。ただし、各ランド２はＮＳＭＤ（Ｎｏ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）構造となっている。すなわち、ソルダーレジスト層３において、各ランド２と対応する位置には、それぞれソルダーレジスト開口４が形成され、このソルダーレジスト開口４を介して各ランド２は表側（図１の紙面の手前側、図２では上側）に臨まされている。ソルダーレジスト開口４の直径の大きさは、ランド２の直径よりも若干大きく（例えば、約０．１〜０．１５ｍｍ大きく）設定されている。
【００３３】
ここで、搭載領域１ａの最外周に配置されているランド２は、特に、最外周ランド６と称することとする。また、最外周ランド６のうち、搭載領域１ａの隅に位置する４つのランド２は、特に、コーナーランド７と称することとする。本実施形態の場合、コーナーランド７が特定ランドである。また、本実施形態の場合、コーナーランド７以外の最外周ランド６が第２特定ランドである。また、最外周ランド６以外のランド２は、特に、通常ランド８と称することとする。
【００３４】
プリント配線基板１は、更に、少なくとも１つ以上のランド２にそれぞれ接続されている引き出し配線５、９を備える。本実施形態の場合、例えば、コーナーランド７のそれぞれに対して個別の引き出し配線５が接続されている。また、通常ランド８のそれぞれに対して個別の引き出し配線９が接続されている。
【００３５】
ここで、図１に示すランド最外周ライン１０は、搭載領域１ａに形成されている全ての最外周ランド６をまとめて最短経路で囲む閉曲線である。換言すれば、ランド最外周ライン１０は、半導体パッケージ３１とプリント配線基板１との接合部のうち、最外周に位置する接合部である最外周接合部をまとめて最短経路で囲む閉曲線である、とも言える。なお、ランド最外周ライン１０は、搭載領域１ａとその外側の領域との境界線でもある。
【００３６】
また、コーナーランド７から引き出されている引き出し配線５と、当該コーナーランド７に対応するソルダーレジスト開口４の内周と、が交差する部分を、配線−レジスト交差部１２と称することとする。
【００３７】
本実施形態の場合、コーナーランド７と、当該コーナーランド７に接続されている引き出し配線５と、の接続部１１が、ランド最外周ライン１０の内側に位置している。更に言えば、配線−レジスト交差部１２も、ランド最外周ライン１０の内側に位置している。
【００３８】
コーナーランド７に接続されている引き出し配線５の経路は、具体的には、例えば、接続部１１を起点として一旦はランド最外周ライン１０から遠ざかる方向に向かった後、折り返し部１３にて折り返して、当該コーナーランド７と当該コーナーランド７に隣り合う最外周ランド６との間隔１４（好ましくは中間位置）を通って、ランド最外周ライン１０の外側へ延在するような経路とされている。折り返し部１３は、具体的には、例えば、当該コーナーランド７と、当該コーナーランド７に隣り合う３つのランド２（うち２つは最外周ランド６であり、残る１つは通常ランド８である）と、からなる４つのランド２の中間点に位置する。
【００３９】
プリント配線基板１は、更に、コーナーランド７以外の最外周ランド６にそれぞれ接続されているビア１５と、このビア１５にそれぞれ接続されている下層引き出し配線１６と、を備える。下層引き出し配線１６は、ランド２よりも下層に配置され、各下層引き出し配線１６の一端部は、対応する最外周ランド６の直下に位置している。そして、コーナーランド７以外の最外周ランド６は、ビア１５を介して、該最外周ランド６の直下の下層引き出し配線１６に接続されている。
【００４０】
なお、各ランド２の露出した表面には、無電解めっき１７（図４（ｃ）参照）が施されており、該表面は、この無電解めっき１７により保護されている。
【００４１】
なお、プリント配線基板１は、例えば、図２に示すように、第１層２１〜第４層２４の４つの金属層を備えている。例えば、このうち第１層２１によりランド２及び引き出し配線５、９が構成され、第２層２２又は第３層２３（例えば、第２層２２）により下層引き出し配線１６が構成されている。
【００４２】
更に、プリント配線基板１は、例えば、図２に示すように、コア材２５（例えば、第２層２２と第３層２３との間に介在している）と、プリプレグ２６（例えば、第１層２１と第２層２２との間、並びに、第３層２３と第４層２４との間にそれぞれ介在している）と、を備えている。
【００４３】
次に、図２に示す半導体装置３０の構成を説明する。
【００４４】
図２に示すように、半導体装置３０は、例えば、上記のような構成のプリント配線基板１と、このプリント配線基板１のランド２に対して接続されている半導体パッケージ３１と、を備える。
【００４５】
半導体パッケージ３１は、半導体素子（図示略）を内部に有する本体部３２と、この本体部３２に形成されている複数の端子（図示略）と、これら端子にそれぞれ取り付けられているはんだボール３３と、を備える。なお、半導体パッケージ３１は、例えば、ＢＧＡパッケージである。
【００４６】
プリント配線基板１の各ランド２は、半導体パッケージ３１の各端子と対応する配置とされている。
【００４７】
半導体パッケージ３１の各端子は、はんだボール３３を介して、プリント配線基板１の対応するランド２に対してそれぞれ接続されている。
【００４８】
次に、本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法の一例として、一般的なビルドアップ基板を用いる製造方法を説明する。
【００４９】
先ず、図３（ａ）に示すように、コア基板４１を準備する。コア基板４１は、上述の第１層２１〜第４層２４の４つの金属層と、これらの間に介在するコア材２５及びプリプレグ２６と、を備えている。コア基板４１の第２層２２及び第３層２３のパターンは、予め前工程で形成されている。
【００５０】
次に、図３（ｂ）に示すように、微小レーザー孔開け装置（図示略）を用いて、第１層２１の所定の部位を貫通するレーザー孔４２を形成する。このレーザー孔４２は、プリプレグ２６を貫通して下層の第２層２２に達する深さとする。同様に、第４層２４の所定の部位を貫通するレーザー孔４３を、その下層の第３層２３に達する深さに形成する。
【００５１】
次に、図３（ｃ）に示すように、各レーザー孔４２内にめっき４４を施すことにより、ビア１５を形成する。すなわち、めっき４４において第１層２１と第２層２２との間の部分がビア１５を構成する。また、めっき４４において、第１層２１におけるレーザー孔４２内の部分は、ランド２の一部を構成する。同様に、各レーザー孔４３内にめっき４４を施すことにより、ビア４５を形成する。これにより、第１層２１と第２層２２とが相互に電気的に接続され、第４層２４と第３層２３とが相互に電気的に接続される。なお、めっき４４は、例えば、銅メッキであることが挙げられる。
【００５２】
次に、図３（ｄ）に示すように、第１層２１及び第４層２４をそれぞれ所定のパターンに形成する。すなわち、第１層２１上及び第４層２４上にそれぞれフォトリソグラフィーによってマスクを所定パターンに形成し、そのマスクの開口を介してエッチングを行うことにより、第１層２１及び第４層２４をそれぞれ所定のパターンに形成する。このうち第１層２１のパターンにはランド２及び引き出し配線５、９のパターンが含まれる。
【００５３】
次に、図４（ａ）に示すように、第１層２１を覆うようにソルダーレジストを塗布することによって、プリント配線基板１（図１、図２）の表側の全面を覆うソルダーレジスト層３を形成する。同様に、第４層２４を覆うようにソルダーレジストを塗布することによって、プリント配線基板１の裏側の全面を覆うソルダーレジスト層３を形成する。
【００５４】
次に、図４（ｂ）に示すように、ランド２等が露出するように、表側のソルダーレジスト層３を露光及び現像することによって所定のパターン形状に形成する。すなわち、ソルダーレジスト開口４等を形成する。
【００５５】
次に、図４（ｃ）に示すように、各ランド２に対して表面処理を行う。すなわち、例えば、露出したランド２の保護を目的として、各ランド２の表面に無電解めっき１７を施す。無電解めっき１７は、例えば、Ｎｉ／Ａｕめっきである。このＮｉ／Ａｕめっきは、ランド２上にＮｉ（ニッケル）めっきを形成した後、そのＮｉめっき上にＡｕ（金）めっきを形成することにより、構成されている。
【００５６】
以上により、プリント配線基板１を得ることができる。
【００５７】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
【００５８】
例えば、プリント配線基板１のランド２上にはんだ印刷し、その上に半導体パッケージ３１を搭載し、はんだ融点以上に加熱することにより半導体パッケージ３１の各はんだボール３３をリフローさせて、各はんだボール３３をプリント配線基板１の対応するランド２に対して接合させる。これにより、図２に示す半導体装置３０を得ることができる。すなわち、この状態において、各はんだボール３３は、ランド２上に印刷されているはんだ（図示略）と相互に融合して接合されており、半導体チップ３１の各端子は、はんだボール３３及びランド２上に印刷されているはんだ（図示略）を介して、対応するランド２と接続されている。
【００５９】
次に、動作を説明する。
【００６０】
プリント配線基板１にＢＧＡパッケージなどの半導体チップ３１が実装された状態で、該プリント配線基板１にストレス（熱ストレス或いは機械的ストレス）が加わった場合、搭載領域１ａとその外側の領域と境界であるランド最外周ライン１０の近傍の部分のうち、最外周ランド６の外周に沿う部分に特にストレス（応力）が加わる。なかでも特に、搭載領域１ａの中心から最も遠くに位置するコーナーランド７に沿う部分に顕著にストレスが集中する。
【００６１】
これに対し、本実施形態では、コーナーランド７と引き出し配線５との接続部１１がランド最外周ライン１０の内側に位置している。更に言えば、配線−レジスト交差部１２もランド最外周ライン１０の内側に位置している。このため、熱ストレス或いは機械的ストレスが最も集中しやすい部分に引き出し配線５を配置しないようにでき、引き出し配線５の損傷（断線、クラックなどの発生）を抑制することができる。なぜなら、搭載領域１ａ内は、プリント配線基板１よりも熱膨張が小さい半導体チップ３１によってプリント配線基板１の湾曲が規制されるため、ランド最外周ライン１０の近傍の部分のうち最外周ランド６の外周に沿う部分よりも、熱ストレスが小さいためである。また、プリント配線基板１に曲げ等の機械的ストレスが加わった場合には、ランド最外周ライン１０が支点となってプリント配線基板１が湾曲し、最外周ランド６に沿う部分に応力が集中するが、搭載領域１ａ内は、半導体チップ３１によってプリント配線基板１の湾曲が規制されるため、ランド最外周ライン１０の近傍の部分のうち最外周ランド６の外周に沿う部分よりも、機械的ストレスが小さいためである。
【００６２】
以上のような第１の実施形態によれば、プリント配線基板１は、半導体チップ３１（図２）が搭載される領域である搭載領域１ａに配置されている複数のランド２と、コーナーランド７にそれぞれ接続されている引き出し配線５と、を備え、コーナーランド７と、当該コーナーランド７に接続されている引き出し配線５と、の接続部１１が、搭載領域１ａに形成されている全ての最外周ランド６をまとめて最短経路で囲むランド最外周ライン１０の内側に位置しているので、熱ストレス或いは機械的ストレスが最も集中しやすい部分に引き出し配線５を配置しないようにできる。よって、コーナーランド７に接続されている引き出し配線５における損傷（断線やクラック）の発生を抑制することができる。
【００６３】
また、コーナーランド７に接続されている引き出し配線５の配線−レジスト交差部１２もランド最外周ライン１０の内側に位置しているので、このことによっても引き出し配線５における損傷の発生を抑制することができる。
【００６４】
また、引き出し配線５は、該引き出し配線５が接続されているコーナーランド７と、該コーナーランド７に隣り合う最外周ランド６との間隔を通って、ランド最外周ライン１０の外側へ延在するような経路とされている。より詳細には、接続部１１を起点として一旦はランド最外周ライン１０から遠ざかる方向に向かった後、折り返して、該コーナーランド７に隣り合う最外周ランド６との間隔を通って、ランド最外周ライン１０の外側へ延在するような経路とされている。つまり、引き出し配線５は、ランド最外周ライン１０を跨ぐような経路となっているが、ランド最外周ライン１０の近傍の部分のうち最外周ランド６の外周に沿う部分からは離間した経路を通るので、引き出し配線５の損傷を抑制することができる。更に、引き出し配線５においてランド最外周ライン１０を跨ぐ部分は、ソルダーレジスト層３に覆われているため、このことによっても、引き出し配線５の損傷を抑制することができる。
【００６５】
また、コーナーランド７以外の最外周ランド６に対しては、該ビア１５が接続され、該ビア１５には、該最外周ランド６よりも下層に位置する下層引き出し配線１６が接続されている。ここで、プリント配線基板１がストレスに伴い湾曲した場合の変位量は、プリント配線基板１の表層部よりも中心部の方が小さい。下層引き出し配線１６は、半導体パッケージ３１とプリント配線基板１との接合部となるランド２よりも下層に位置するため、表層（ランド２と同層）に位置する場合よりも、プリント配線基板１がストレスに伴い湾曲した場合の変位量が小さくなる。しかも、下層引き出し配線１６は、ソルダーレジスト層３及びプリプレグ２６によって覆われている。よって、プリント配線基板１にストレスが加わった場合にも、下層引き出し配線１６の損傷を抑制することができる。
【００６６】
〔第２の実施形態〕
図５は第２の実施形態に係るプリント配線基板５０の平面図であり、半導体チップとしてのＢＧＡパッケージ或いはＬＧＡパッケージが搭載される搭載領域１ａ及びその近傍を示す。
【００６７】
本実施形態に係るプリント配線基板５０は、以下に説明する点で上記の第１の実施形態に係るプリント配線基板１と相違し、その他の点ではプリント配線基板１と同様に構成されている。
【００６８】
先ず、プリント配線基板５０は、下層引き出し配線１６及びビア１５を備えておらず、コーナーランド７以外の最外周ランド６には、引き出し配線５３が接続されている。
【００６９】
コーナーランド７以外の最外周ランド６と引き出し配線５３との接続部１１は、ランド最外周ライン１０の内側に位置している。コーナーランド７以外の最外周ランド６と引き出し配線５３との接続部１１は、例えば、該最外周ランド６の外周において、該最外周ランド６の隣に位置する最外周ランド６（例えば、コーナーランド７）の方を向く部分に位置している。
【００７０】
また、引き出し配線５３は、該引き出し配線５３と、該引き出し配線５３が接続されている最外周ランド６と対応するソルダーレジスト開口４の内周と、が交差する部分である配線−レジスト交差部５４がランド最外周ライン１０の内側に位置するような経路で、ランド最外周ライン１０の外側へ引き出されている。すなわち、引き出し配線５３は、該引き出し配線５３が接続されている最外周ランド６と、該最外周ランド６と隣り合う最外周ランド（例えば、コーナーランド７）との間隔５５（好ましくは中間位置）を通って、ランド最外周ライン１０の外側へ延在するような経路とされている。
【００７１】
また、本実施形態の場合、コーナーランド７には引き出し配線５は接続されておらず、代わりに、各コーナーランド７には引き出し配線５１がそれぞれ接続されている。なお、各引き出し配線５１の経路は、第１の実施形態における引き出し配線５の接続部１１から折り返し部１３までの経路と同様である。従って、引き出し配線５１は、その全体がランド最外周ライン１０の内側に位置している。また、引き出し配線５１は、例えば、接続部１１においてはコーナーランド７の直径と略等しい太さとなっており、その先端５１ａに向かうにつれて幅狭となっている。更に、各引き出し配線５１は、その先端５１ａの近傍においてビア５２に接続されている。つまり、各引き出し配線５１の先端５１ａの近傍部分はビアランドを構成している。更に、このビア５２には、図１の下層引き出し配線１６と同様の図示しない下層引き出し配線がそれぞれ接続されている。すなわち、ビア５２には、コーナーランド７よりも下層に位置する下層引き出し配線が接続されている。
【００７２】
なお、本実施形態の場合、コーナーランド７を含む全ての最外周ランド６が特定ランドである。
【００７３】
以上のような第２の実施形態によれば、コーナーランド７以外の最外周ランド６に接続されている引き出し配線５３、並びに、コーナーランド７に接続されている引き出し配線５１について、それぞれ上述の第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００７４】
また、ビア５２をランド２ではなく引き出し配線５１に接続するため、ランド２に孔開けしてビアを形成する必要がない。よって、高額な微小レーザー孔開け装置を用いなくて済むため、上述の第１の実施形態よりも、プリント配線基板５０の製造コストを安く抑えることができる。また、上述の第１の実施形態では、コーナーランド７以外の全ての最外周ランド６にそれぞれビア１５を接続したのに対し、本実施形態では、各コーナーランド７に接続されている引き出し配線５１にビア５２を接続するので、第１の実施形態よりも、ビアを形成する数が少なくて済む（例えば、第１の実施形態では、８つのランド２にそれぞれ形成したのに対し、本実施形態では、４つの引き出し配線５１にそれぞれ形成すれば良い）。
【００７５】
なお、上記の各実施形態において、プリント配線基板１、５０における搭載領域１ａの数は１つであっても良いし、複数であっても良い。各搭載領域１ａに、それぞれ複数ずつのランド２を形成すれば良い。
【００７６】
また、上記の各実施形態では、プリント配線基板１、５０は、その片面にのみ搭載領域１ａを有し、この搭載領域１ａに複数のランド２を備える例を説明したが、プリント配線基板１、５０の表裏両面のそれぞれに搭載領域１ａを有し、各搭載領域１ａに複数のランド２を備えるようにしても良い。
【００７７】
また、上記の第１の実施形態では、コーナーランド７以外の最外周ランド６には下層引き出し配線１６が接続されている例を説明したが、コーナーランド７以外の最外周ランド６に接続されている引き出し配線についても、コーナーランド７に接続されている引き出し配線５と同様の経路に配線しても良い。すなわち、コーナーランド７以外の最外周ランド６に接続されている引き出し配線は、接続部を起点として一旦はランド最外周ライン１０から遠ざかる方向に向かった後、折り返し部にて折り返して、当該最外周ランド６と当該最外周ランド６に隣り合う最外周ランド６（例えば、コーナーランド７）との間隔（好ましくは中間位置）を通って、ランド最外周ライン１０の外側へ延在するような経路としても良い。
【００７８】
或いは、第１の実施形態において、コーナーランド７以外の最外周ランド６には、第２の実施形態における引き出し配線５３を接続しても良い。
【００７９】
また、コーナーランド７については、第２の実施形態のように引き出し配線５１、ビア５２及び下層引き出し配線を順次に接続し、それ以外の最外周ランド６については、第１の実施形態のように、ビア１５及び下層引き出し配線１６を順次に接続しても良い。
【００８０】
また、上記の各実施形態では、電子部品として半導体パッケージ３１をプリント配線基板１の搭載領域１ａに搭載する例を説明したが、半導体パッケージ３１に代えて、パッケージングされていない半導体チップを搭載するようにしても良い。また、半導体パッケージ３１及び半導体チップ以外の電子部品（例えば、コンデンサなど）を搭載するようにしても良い。
【符号の説明】
【００８１】
１ プリント配線基板
１ａ 搭載領域
２ ランド
３ ソルダーレジスト層
４ ソルダーレジスト開口
５ 引き出し配線
６ 最外周ランド
７ コーナーランド
８ 通常ランド
９ 引き出し配線
１０ ランド最外周ライン
１１ 接続部
１２ 配線−レジスト交差部
１３ 折り返し部
１４ 間隔
１５ ビア
１６ 下層引き出し配線
１７ 無電解めっき
２１ 第１層
２２ 第２層
２３ 第３層
２４ 第４層
２５ コア材
２６ プリプレグ
３０ 半導体装置
３１ 半導体パッケージ
３２ 本体部
３３ はんだボール
４１ コア基板
４２ レーザー孔
４３ レーザー孔
４４ めっき
４５ ビア
５０ プリント配線基板
５１ 引き出し配線
５１ａ 先端
５２ ビア
５３ 引き出し配線
５４ 配線−レジスト交差部
５５ 間隔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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