(57)【要約】【課題】放射線検出器を被写体の下方に容易に配置することができる放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】放射線画像撮影装置２０は、患者１２を透過した放射線１６を検出して放射線画像情報に変換し、且つ可撓性を有する放射線検出器２２と、放射線検出器２２の背面に設けられて放射線検出器２２を支持する支持部材２４と、を備え、支持部材２４は、支持部材２４の一の部位６６に対して他の部位６８を傾動可能に形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を透過した放射線を検出して放射線画像情報に変換し、且つ可撓性を有する放射線検出器と、
前記放射線検出器の背面に設けられて該放射線検出器を支持する支持部材と、を備え、
前記支持部材は、該支持部材の一の部位を他の部位に対して傾動可能に形成されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
請求項１記載の放射線画像撮影装置において、
前記支持部材は、可撓性を有しており、
該支持部材の背面には、第１のスリットが形成されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項３】
請求項１記載の放射線画像撮影装置において、
前記支持部材は、前記放射線検出器の背面に接触する複数の接触部材と、
前記複数の接触部材を傾動自在に連結する連結部材と、を有することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置において、
前記支持部材の傾動角度は、９０度未満に設定されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置において、
前記支持部材には、少なくとも１つ以上の取手が設けられていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置において、
前記支持部材の他の部位には、前記放射線検出器を制御する制御部が設けられていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置において、
前記支持部材には、バッテリが着脱可能に設けられることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置において、
前記放射線検出器には、前記放射線を光に変換するシンチレータが設けられ
前記シンチレータは、柱状部を有していることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項９】
請求項８記載の放射線画像撮影装置において、
前記シンチレータは、前記柱状部と、
該柱状部と一体的に形成されて可撓性を有する非柱状部とを有し、
前記柱状部には、前記支持部材に形成された前記第１のスリットと対応した位置に第２のスリットが形成されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の放射線画像撮影装置において、
前記放射線検出器は、前記シンチレータで変換された光を吸収して該光に応じた電荷を発生する光電変換部と、
前記光電変換部にて発生した電荷を前記放射線画像情報に対応した電気信号として出力する信号出力部と、を有し、
前記光電変換部は、有機光導電体を含んで構成されており、
前記信号出力部は、可撓性を有する基板と、
前記基板に設けられ、且つ有機半導体材料で構成された活性部とを含んでいることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被写体を透過した放射線を検出し、検出した前記放射線を放射線画像情報に変換する放射線検出器を備えた放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
医療分野において、被写体に放射線を照射し、該被写体を透過した前記放射線を放射線画像撮影装置の放射線検出器に導いて放射線画像情報を撮影する放射線画像撮影システムが広汎に利用されている。
【０００３】
放射線画像撮影装置には、バッテリを搭載し、持ち運び可能に構成された可搬型のものがある。可搬型の放射線画像撮影装置は、通常、金属等で構成された平面形状の筐体内に放射線検出器（Ｘ線検出パネル）が収容されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、可搬型の放射線画像撮影装置として、可撓性のケースに可撓性の放射線検出器を収容することにより、該放射線検出器を被写体の表面形状に合わせて配置するもの（特許文献２参照）や、２枚の平面センサ（放射線検出器）を折り畳み可能に連結することにより、被写体及び該放射線検出器を動かすことなく２方向からの撮影を実施するもの（特許文献３参照）も知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１４１７０号公報
【特許文献２】特開２００３−７０７７６号公報
【特許文献３】特開２００３−３３９６８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、可搬型の放射線画像撮影装置は、撮影台等の上に横臥した重量のある被写体の下面に放射線検出器が位置するように配置されることがある。このような場合、医師又は放射線技師（以下、技師等と称する）は、一方の手で該被写体の一部を撮影台から持ち上げた状態で（抱えながら）、他方の手で該放射線画像撮影装置を操作して該被写体の下方に挿入する必要がある。
【０００７】
そして、上述した特許文献１の放射線画像撮影装置を被写体の下方に配置する場合、筐体が金属等で構成されているため、技師等は、該放射線画像撮影装置を水平方向に片手で押しながら該被写体の下方に挿入する必要がある。
【０００８】
このとき、前記技師等は、作業性の自由度が著しく制限されているため、腕を伸ばした姿勢で該放射線画像撮影装置を押さなければならないことがある。そのため、多大な負担がかかることがある。
【０００９】
なお、上述した特許文献２及び３には、上記課題に関する記載はない。
【００１０】
本発明は、このような課題を考慮してなされたものであり、放射線検出器を被写体の下方に容易に配置することができる放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
［１］  本発明に係る放射線画像撮影装置は、被写体を透過した放射線を検出して放射線画像情報に変換し、且つ可撓性を有する放射線検出器と、前記放射線検出器の背面に設けられて該放射線検出器を支持する支持部材と、を備え、前記支持部材は、該支持部材の一の部位を他の部位に対して傾動可能に形成されていることを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、例えば、撮影台上に横臥する被写体の下方に放射線画像撮影装置を挿入する際に、技師等は、支持部材の一の部位を該撮影台に接触させた状態で該支持部材の他の部位を該撮影台から持ち上げることができる。これにより、該支持部材の他の部位を任意の高さで把持することができるので、従来に比べて、作業性の自由度が向上する。これにより、技師等は、一方の手で被写体の一部を撮影台から持ち上げた状態であっても、他方の手を使って、腕を曲げた姿勢から伸ばしながら放射線画像撮影装置を押すことで、該放射線画像撮影装置を該被写体の下方に容易に挿入することができる。よって、従来に比べて、放射線検出器を被写体の下方に容易に配置することができる。
【００１３】
なお、本発明では、支持部材の他の部位を撮影台から持ち上げる際に、放射線検出器を撓ませることができるので、該放射線検出器が破損することはない。
【００１４】
［２］  本発明において、前記支持部材は、可撓性を有しており、該支持部材の背面には、第１のスリットが形成されていることを特徴とする。これにより、支持部材のうち第１のスリットが形成された部位を優先的に撓ませることができるので、該支持部材の一の部位を他の部位に対して傾動させることができる。
【００１５】
［３］  本発明において、前記支持部材は、前記放射線検出器の背面に接触する複数の接触部材と、前記複数の接触部材を傾動自在に連結する連結部材と、を有することを特徴とする。これにより、該支持部材の一の部位を他の部位に対して傾動させることができる。
【００１６】
［４］  本発明において、前記支持部材の傾動角度は、９０度未満に設定されていることを特徴とする。これにより、被写体の下方に放射線画像撮影装置を挿入しているときに、支持部材のうち技師等が把持している側の部位（例えば、支持部材の他の部位）が被写体に当たることを防止することができる。
【００１７】
［５］  本発明において、前記支持部材には、少なくとも１つ以上の取手が設けられていることを特徴とする。これにより、技師は、被写体の下方に放射線画像撮影装置を挿入する際に、取手を把持した状態で支持部材を操作することができるので、放射線検出器を被写体の下方に一層容易に配置することができる。
【００１８】
［６］  本発明において、前記支持部材の他の部位には、前記放射線検出器を制御する制御部が設けられていることを特徴とする。これにより、制御部を放射線から保護する鉛板等を集約することができるので、制御部を分散させた場合と比較して放射線画像撮影装置を軽くすることができる。
【００１９】
［７］  本発明において、前記支持部材には、バッテリが着脱可能に設けられることを特徴とする。これにより、支持部材からバッテリを取り外した状態で、被写体の下方に放射線画像撮影装置を挿入し、該被写体の下方に放射線検出器が配置された後に該バッテリを該支持部材に装着することができる。よって、放射線画像撮影装置の操作時にその重量をバッテリの重量分だけ軽くすることができる。
【００２０】
［８］  本発明において、前記放射線検出器には、前記放射線を光に変換するシンチレータが設けられ、前記シンチレータは、柱状部を有していることを特徴とする。これにより、例えば、シンチレータを非柱状結晶構造の蛍光体のみで構成した場合と比較して、効率的に放射線を光に変換することができる。
【００２１】
［９］  本発明において、前記シンチレータは、前記柱状部と、該柱状部と一体的に形成されて可撓性を有する非柱状部とを有し、前記柱状部には、前記支持部材に形成された前記第１のスリットと対応した位置に第２のスリットが形成されていることを特徴とする。
【００２２】
これにより、支持部材のうち第１のスリットが形成された部位を撓ませた際に、柱状部を殆ど撓ませることなく、可撓性を有する非柱状部を撓ませることができるので、隣接する柱状部の柱同士が接触することを好適に抑えることができる。これにより、被写体の下方に放射線画像撮影装置を挿入する際に、前記柱状部が破損することを防止することができる。
【００２３】
また、シンチレータに非柱状部を含ませているので、前記シンチレータのうち第２のスリットが位置する部位に照射された放射線を非柱状部によって確実に光に変換することができる。よって、放射線画像のうち前記第２のスリットに対応する部位の画像が欠落することはない。
【００２４】
［１０］  本発明において、前記放射線検出器は、前記シンチレータで変換された光を吸収して該光に応じた電荷を発生する光電変換部と、前記光電変換部にて発生した電荷を前記放射線画像情報に対応した電気信号として出力する信号出力部と、を有し、前記光電変換部は、有機光導電体を含んで構成されており、前記信号出力部は、可撓性を有する基板と、前記基板に設けられ、且つ有機半導体材料で構成された活性部とを含んでいることを特徴とする。
【００２５】
これにより、有機光導電体を含んで構成された光電変換部に可撓性を持たせることができる。また、可撓性を有する基板に設けられ、且つ有機半導体材料で構成された活性部を含む信号出力部に可撓性を持たせることができる。よって、支持部材の他の部位を撮影台から持ち上げる際に、該放射線検出器が破損することを好適に抑えることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、例えば、撮影台上に横臥する被写体の下方に放射線画像撮影装置を挿入する際に、技師等は、支持部材の一の部位を該撮影台に接触させた状態で該支持部材の他の部位を任意の高さで把持することができるので、従来に比べて、放射線検出器を被写体の下方に容易に配置することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る放射線画像撮影装置が組み込まれた放射線画像撮影システムを示す正面図である。
【図２】前記第１実施形態に係る放射線画像撮影装置の一部切欠き斜視図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】図３に示すセンサ基板の３画素分の構成を概略的に示す図である。
【図５】図４に示すＴＦＴ及び電荷蓄積部の概略構成図である。
【図６】図３に示すシンチレータの構成を説明するための説明断面図である。
【図７】前記第１実施形態に係る放射線画像撮影装置と放射線画像撮影システムの動作を示すフローチャートである。
【図８】前記第１実施形態に係る放射線画像撮影装置の運搬時の状態を示した正面図である。
【図９】技師等が患者の撮影対象部の一部を持ち上げている状態を示す正面図である。
【図１０】技師等が患者の下方に第１部位を挿入している状態を示す正面図である。
【図１１】患者の撮影対象部の下方に放射線検出器を配置した状態を示す正面図である。
【図１２】図１２Ａは本発明の第２実施形態に係る放射線画像撮影装置の側面図であり、図１２Ｂは該放射線撮影装置の第２部位を持ち上げた状態を示す側面図である。
【図１３】本発明の第３実施形態に係る放射線画像撮影装置の側面図である。
【図１４】前記第３実施形態に係る放射線画像撮影装置の背面図である。
【図１５】図１５Ａは本発明の第４実施形態に係る放射線画像撮影装置の側面図であり、図１５Ｂは該放射線画像撮影装置の第２部位を持ち上げた状態を示す側面図である。
【図１６】図１６Ａは前記第４実施形態に係る放射線画像撮影装置の変形例の側面図であり、図１６Ｂは図１６Ａの第２部位を持ち上げた状態を示す側面図である。
【図１７】本発明に係る放射線撮影画像装置を構成する放射線検出器の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明に係る放射線画像撮影装置について、好適な実施形態例を挙げ、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２９】
（第１実施形態）
先ず、第１実施形態に係る放射線画像撮影装置が組み込まれた放射線画像撮影システムについて図１を参照しながら説明する。
【００３０】
図１に示すように、放射線画像撮影システム１０は、病院の床面等に設置されて上面に被写体（例えば患者）１２が横臥する撮影台１４と、撮影条件に従った線量からなる放射線１６を患者１２に照射するための放射線源１８と、放射線画像撮影装置２０とを備えている。
【００３１】
図２に示すように、放射線画像撮影装置２０には、患者１２を透過した放射線１６を放射線画像情報に変換する放射線検出器２２と、放射線検出器２２を支持する支持部材２４と、放射線検出器２２の電源であるバッテリ２６と、バッテリ２６から供給される電力により放射線検出器２２を駆動制御する制御部２８とが設けられている。
【００３２】
図３に示すように、放射線検出器２２は、患者１２を透過した放射線１６を検出する検出器本体３０と、検出器本体３０を保護するための保護膜３２とを有している。
【００３３】
検出器本体３０は、患者１２による放射線１６の散乱線を除去するグリッド３４と、センサ基板３６と、放射線１６のバック散乱線を吸収する鉛シート３８とを有し、これらグリッド３４、センサ基板３６及び鉛シート３８が、患者１２側の照射面３２ａに対して順に配設される。なお、これら、グリッド３４、センサ基板３６及び鉛シート３８は、可撓性を有する。
【００３４】
センサ基板３６は、可撓性基体４０を有し、該可撓性基体４０上に、シンチレータ４２と、光電変換層４４と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のアレイが形成されたＴＦＴ層（信号出力部）４６とがこの順に積層されて構成されている。
【００３５】
可撓性基体４０の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（例えばデュポン社のＫａｐｔｏｎ（登録商標））、ポリスルフォンエーテル（ＰＥＳ）、ポリカーボネート等を用いることができる。
【００３６】
シンチレータ４２は、患者１２を透過した放射線１６を一旦可視光に変換するＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）又はＣｓＩ（Ｔｌ）等の蛍光体にて構成される。ＴＦＴ層４６は、放射線１６及び可視光を透過可能となっている。光電変換層４４は、有機光導電体やアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等の物質からなる固体検出素子を用いて前記可視光を電気信号に変換する。
【００３７】
保護膜３２は、放射線１６を透過させる可撓性の材料で構成され、且つ少なくとも照射面３２ａが黒色で着色されて遮光性を有する。これにより、放射線検出器２２は、全体として可撓性を有することとなる。
【００３８】
支持部材２４は、可撓性を有する材料、例えば、ゴムやエラストマー等で構成されている。また、図２に示すように、支持部材２４は、一方向（Ｘ方向）に延びた板状の基部４８と、基部４８の後部から上方に突出する突出部５０とを有している。基部４８の上面には、基部４８の略中央に形成された凹部５２と、凹部５２よりも前方に位置する平坦面５４と、平坦面５４に連なり前方に向かうに従って徐々に下方に傾斜する傾斜面５６とが形成されている。つまり、支持部材２４の前部は、前方に向かうに従って厚みが薄くなっており、その前端は、丸みを帯びている。
【００３９】
凹部５２は、幅方向（Ｙ方向）及びＸ方向の大きさが上述した放射線検出器２２よりも僅かに大きく形成されると共に、深さが放射線検出器２２の厚みと略同等に形成されている。凹部５２には、放射線検出器２２が照射面３２ａを上に向けた状態で貼り付けられている。これにより、放射線検出器２２の照射面３２ａと平坦面５４との高さが略一致することになる。
【００４０】
傾斜面５６の略中央部には、貫通孔５８が形成されており、該貫通孔５８は、Ｙ方向に延びている。貫通孔５８は、技師等の手Ｈが挿入可能な程度の大きさに設定されている（図８参照）。なお、傾斜面５６の傾斜角度は、任意に設定することができる。
【００４１】
図２及び図３に示すように、基部４８の背面には、スリット（第１のスリット）６０が形成されている。スリット６０は、基部４８の幅全域に達しており、基部４８の背面側に位置する矩形スリット６２と、矩形スリット６２の先端に連通する球形スリット６４とを有している。
【００４２】
これにより、基部４８のうちスリット６０よりも前方に位置する部位（第１部位６６）に対してスリット６０よりも後方に位置する部位（第２部位６８）を傾動（回動又は屈曲）させることが可能となる（図１０参照）。
【００４３】
なお、スリット６０の大きさ（矩形スリット６２の幅ｗ１（図６参照）やスリット６０の深さ等）は、任意に設定することができるが、好ましくは、第１部位６６に対する第２部位６８の傾動角度（最大傾動角度）θが９０度未満、さらに好ましくは、前記傾動角度θが４５度以下となるように設定するとよい。
【００４４】
また、スリット６０の大きさは、シンチレータ４２がＣｓＩ（Ｔｌ）を含んで構成されている場合には、前記傾動角度θが３０度以下となるように設定するのがよい。傾動角度θが３０度以下であれば、シンチレータ４２の撓み量が比較的小さくなるので、硬くて脆いＣｓＩ（Ｔｌ）が破損することを抑えることができる。なお、シンチレータ４２がＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）を含んで構成されている場合には、該シンチレータ４２が可撓性を有するため、前記傾動角度θは任意に設定可能である。
【００４５】
つまり、傾動角度θは、シンチレータ４２の構成材料によって変えるのがよく、具体的には、シンチレータ４２がＣｓＩ（Ｔｌ）を含んで構成されている場合の傾動角度θは、シンチレータ４２がＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）を含んで構成されている場合の傾動角度θと同一かそれよりも小さく設定するのがよい。
【００４６】
ここで、前記傾動角度θとは、第２部位６８を水平状態から持ち上げて、これ以上持ち上げられない状態における第１部位６６の下面の延長線と第２部位６８とのなす角を言う。
【００４７】
また、図２から諒解されるように、スリット６０は、基部４８の後端から矩形スリット６２までの距離Ｌ１と基部４８の前端から矩形スリット６２までの距離Ｌ２とが略同等となるような位置に設定されている。但し、スリット６０の位置は、任意に設定してもよい。
【００４８】
図２及び図３に示すように、突出部５０の内部には、センサ基板３６に接続する回路基板７０が配置されている。図２に示すように、突出部５０の後端面には、バッテリ収容口７２が形成されており、バッテリ２６は、バッテリ収容口７２に着脱自在に形成されている。なお、バッテリ収容口７２にバッテリ２６が装着された状態でバッテリ２６と回路基板７０との間は電気的に接続する。また、支持部材２４の後端面には、第２部位６８を操作するための取手７４が設けられている。
【００４９】
制御部２８は、センサ基板３６を駆動制御し、且つセンサ基板３６によって検出した放射線１６の情報に対して画像処理を行うと共にその放射線画像情報を記憶する制御部本体７６と、制御部本体７６が記憶している放射線画像情報を含む信号を図示しないコンソールとの間で送受信する送受信機７８とを有している。
【００５０】
なお、図２から諒解されるように、制御部本体７６と送受信機７８は、回路基板７０に電気的に接続している。従って、バッテリ２６は、放射線検出器２２内のセンサ基板３６、制御部本体７６及び送受信機７８に電力を供給する。また、図３に示すように、制御部２８の上方には、制御部２８を放射線１６から保護するための鉛板８０が配設されている。
【００５１】
本実施形態に係る放射線画像撮影装置２０は、基本的に以上のように構成されるものであるが、上述した放射線検出器２２を構成するセンサ基板３６について図３〜図６を参照して詳細に説明する。なお、図４は、間接変換方式の放射線検出器２２を構成するセンサ基板３６の３つの画素部分の構成を概略的に示す断面模式図である。なお、図４では、センサ基板３６を構成する可撓性基体４０を省略している。
【００５２】
図３及び図４に示すように、センサ基板３６は、鉛シート３８に設けられた可撓性基体４０と、患者１２を透過した放射線１６を光に変換するシンチレータ４２と、センサ部１２０を含む光電変換層４４と、ＴＦＴ１２２及び電荷蓄積部１２４が設けられた絶縁性の基板１２６を含むＴＦＴ層４６とを有し、放射線１６の照射方向に沿って、ＴＦＴ層４６、光電変換層４４、シンチレータ４２、可撓性基体４０がこの順で積層されている。
【００５３】
シンチレータ４２は、センサ部１２０の下方に透明絶縁膜１２７を介して設けられて発光体を含んでいる。シンチレータ４２は、ＴＦＴ層４６側から入射してくる放射線１６を光に変換する。シンチレータ４２が発光する光の波長は、可視光（波長３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ）であることが好ましく、放射線画像撮影装置２０によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることが好ましい。
【００５４】
シンチレータ４２に用いる蛍光体としては、具体的には、放射線１６としてＸ線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含むものが好ましく、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４２０ｎｍ〜６００ｎｍにあるＣｓＩ（Ｔｌ）（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）を用いることが特に好ましい。なお、ＣｓＩ（Ｔｌ）の可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
【００５５】
シンチレータ４２は、例えば、蒸着基体１４７に柱状結晶構造のＣｓＩ（Ｔｌ）を蒸着して形成してもよい（図６参照）。このように蒸着によってシンチレータ４２を形成する場合、前記蒸着基体１４７は、Ｘ線の透過率、コストの面からＡｌがよく使用されるがこれに限定されるものではない。なお、シンチレータ４２としてＧＯＳを用いる場合、蒸着基体を用いずにＴＦＴアクティブマトリクス基板の表面にＧＯＳを塗布することにより、シンチレータ４２を形成してもよい。
【００５６】
センサ基板３６には、ＴＦＴ１２２、電荷蓄積部１２４及びセンサ部１２０により画素部が構成されている。画素部は、基板１２６上に行列上に配設されており、各ＴＦＴ（スイッチング素子）１２２は自己に接続された画素部の電荷蓄積部１２４の電荷を出力する。
【００５７】
センサ部１２０は、第１電極１２８、第２電極１３０、及び前記第１電極１２８と前記第２電極１３０間に配設された光電変換膜１３２を有する。第１電極１２８は、シンチレータ４２により生じた光を光電変換膜１３２に入射させる必要があるため、少なくともシンチレータ４２の発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましく、具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ｏｘｉｄｅ）を用いることが好ましい。なお、第１電極１２８としてＡｕなどの金属薄膜を用いることもできるが、透過率を９０％以上得ようとすると抵抗値が増大し易いため、ＴＣＯの方が好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ２等を好ましく用いることができ、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からはＩＴＯが最も好ましい。なお、第１電極１２８は、全画素部で共通の一枚構成としてもよく、画素部毎に分割してもよい。
【００５８】
光電変換膜１３２は、有機光導電体（ＯＰＣ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｐｈｏｔｏ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ）を含み、シンチレータ４２から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。有機光導電体（有機光電変換材料）を含む光電変換膜１３２であれば、可視光域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ４２による発光以外の電磁波が光電変換膜１３２によって吸収されることが殆どなく、放射線１６が光電変換膜１３２で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。なお、光電変換膜１３２は、有機光導電体に代えてアモルファスシリコンを含むように構成してもよい。この場合、幅広い吸収スペクトルを持ち、シンチレータ４２による発光を効率的に吸収することができる。
【００５９】
光電変換膜１３２を構成する有機光導電体は、シンチレータ４２で発光した光を最も効率よく吸収するために、そのピーク波長が、シンチレータ４２の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光導電体の吸収ピーク波長とシンチレータ４２の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ４２から発せられた光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光導電体の吸収ピーク波長と、シンチレータ４２の放射線に対する発光ピーク波長との差が、１０ｎｍ以内であることが好ましく、５ｎｍ以内であることがより好ましい。
【００６０】
このような条件を満たすことが可能な有機光導電体としては、例えば、キナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。キナクリドンの可視光域における吸収ピーク波長は５６０ｎｍであるため、有機光導電体としてキナクリドンを用い、シンチレータ４２の材料としてＣｓＩ（Ｔｌ）を用いれば、上記ピーク波長の差を５ｎｍ以内にすることが可能となり、光電変換膜１３２で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。
【００６１】
光電変換層４４は、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び層間接触改良部位等の積み重ね若しくは混合により形成される有機層を含んで構成される。前記有機層は、有機ｐ型化合物（有機ｐ型半導体）又は有機ｎ型化合物（有機ｎ型半導体）を含有することが好ましい。
【００６２】
有機ｐ型化合物は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機化合物（半導体）であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、２つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。
【００６３】
有機ｎ型化合物は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機化合物（半導体）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、２つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。この有機ｐ型化合物及び有機ｎ型化合物として適用可能な材料、及び光電変換膜１３２の構成については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。なお、光電変換膜１３２は、さらにフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成してもよい。
【００６４】
光電変換膜１３２の厚みは、シンチレータ４２からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、ある程度以上厚くなると光電変換膜１３２の両端から印加されるバイアス電圧により光電変換膜１３２に発生する電界の強度が低下して電荷が収集できなくなるため、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは、５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、特に好ましくは８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下にするのがよい。光電変換膜１３２は、全画素部で共通の一枚構成であるが、画素部毎に分割してもよい。
【００６５】
第２電極１３０は、画素毎に分割されているが、全画素部で共通の一枚構成であってもよい。第２電極１３０の厚みは、例えば、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることができる。
【００６６】
センサ部１２０では、第１電極１２８と第２電極１３０との間に所定のバイアス電圧を印加することで、光電変換膜１３２で発生した電荷（正孔、電子）のうち、一方を第１電極１２８に移動させ、他方を第２電極１３０に移動させることができる。本実施の形態のセンサ基板３６では、第１電極１２８に配線が接続され、この配線を介してバイアス電圧が第１電極１２８に印加されるものとする。また、バイアス電圧は、光電変換膜１３２で発生した電子が第１電極１２８に移動し、正孔が第２電極１３０に移動するように極性が決められているものとするが、この極性は逆であってもよい。
【００６７】
各画素部を構成するセンサ部１２０は、少なくとも第１電極１２８、第２電極１３０、及び光電変換膜１３２を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜１３１及び正孔ブロッキング膜１３３の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。
【００６８】
電子ブロッキング膜１３１は、第２電極１３０と光電変換膜１３２との間に設けることができ、第１電極１２８と第２電極１３０間にバイアス電圧を印加したときに、第２電極１３０から光電変換膜１３２に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
【００６９】
電子ブロッキング膜１３１には、電子供与性有機材料を用いることができる。実際に電子ブロッキング膜１３１に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜１３２の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上電子親和力（Ｅａ）が大きく、かつ、隣接する光電変換膜１３２の材料のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）と同等のＩｐもしくはそれより小さいＩｐを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報に詳細に記載されているため説明を省略する。
【００７０】
電子ブロッキング膜１３１の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部１２０の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００７１】
正孔ブロッキング膜１３３は、光電変換膜１３２と第１電極１２８との間に設けることができ、第１電極１２８と第２電極１３０間にバイアス電圧を印加したときに、第１電極１２８から光電変換膜１３２に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
【００７２】
正孔ブロッキング膜１３３には、電子受容性有機材料を用いることができる。正孔ブロッキング膜１３３の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部１２０の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００７３】
実際に正孔ブロッキング膜１３３に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜１３２の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）が大きく、且つ、隣接する光電変換膜１３２の材料の電子親和力（Ｅａ）と同等のＥａもしくはそれより大きいＥａを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報に詳細に記載されているため説明を省略する。
【００７４】
なお、光電変換膜１３２で発生した電荷のうち、正孔が第１電極１２８に移動し、電子が第２電極１３０に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜１３１と正孔ブロッキング膜１３３の位置を逆にすれば良い。また、電子ブロッキング膜１３１と正孔ブロッキング膜１３３は両方設けなくてもよく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を得ることができる。
【００７５】
図５に示すように、ＴＦＴ層４６は、第２電極１３０に移動した電荷を蓄積する電荷蓄積部１２４と、電荷蓄積部１２４に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力するＴＦＴ１２２とを有している。電荷蓄積部１２４及びＴＦＴ１２２は、平面視において第２電極１３０と重なっており、このような構成とすることで、各画素におけるＴＦＴ１２２とセンサ部１２０とが厚さ方向で重なりを有することになる。これにより、センサ基板３６の平面積を小さくすることができる。なお、平面投影視で、電荷蓄積部１２４及びＴＦＴ１２２が第２電極１３０の領域内に完全に入るようにＴＦＴ層４６を形成すれば、センサ基板３６の平面積を最小にすることができる。
【００７６】
電荷蓄積部１２４は、基板１２６と第２電極１３０との間に設けられた絶縁膜１３６を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する第２電極１３０と電気的に接続されている。これにより、第２電極１３０で捕集された電荷を電荷蓄積部１２４に移動させることができる。
【００７７】
ＴＦＴ１２２は、ゲート電極１３８、ゲート絶縁膜１４０、及び活性層（チャネル層）１４２を有しており、活性層１４２にソース電極１４４とドレイン電極１４６が所定の間隔を開けて配設されている。活性層１４２は、例えば、有機半導体材料により形成されている。但し、活性層１４２は、アモルファスシリコン、非晶質酸化物、カーボンナノチューブ等により形成されていてもよい。
【００７８】
活性層１４２を構成可能な有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開２００９−２１２３８９号公報に詳細に記載されているため説明を省略する。
【００７９】
活性層１４２を構成可能な非晶質酸化物としては、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも１つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｏ系）が好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも２つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系）がより好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含む酸化物が特に好ましい。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、ＩｎＧａＺｎＯ４がより好ましい。なお、活性層１４２を構成可能な非晶質酸化物は、これらに限定されるものではない。
【００８０】
活性層１４２を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブで形成したものとすれば、Ｘ線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、ＴＦＴ層４６におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。
【００８１】
また、活性層１４２をカーボンナノチューブで形成した場合、ＴＦＴ１２２のスイッチング速度の高速化することができ、また、可視光域での光の吸収度合の低いＴＦＴ１２２を形成できる。なお、カーボンナノチューブで活性層１４２を形成する場合、活性層１４２に極微量の金属性不純物の混入するだけで、ＴＦＴ１２２の性能は著しく低下するため、遠心分離などにより極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。
【００８２】
ここで、上述した非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブや、有機光導電体は、いずれも低温での成膜が可能である。したがって、基板１２６としては、半導体基板、石英基板、及びガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることができる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等の可撓性基板を用いることもできる。なお、本実施形態では、プラスチック製の可撓性基板が用いられる。これにより、軽量化を図ることができ、例えば持ち運び等に有利となる。
【００８３】
また、基板１２６には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。
【００８４】
アラミドは、２００度以上の高温プロセスを適用できるために、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、ハンダのリフロー工程を含むドライバＩＣの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）及びガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく割れ難い。さらに、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板１２６を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して基板１２６を形成してもよい。
【００８５】
バイオナノファイバは、バクテリア（酢酸菌、Ａｃｅｔｏｂａｃｔｅｒ  Ｘｙｌｉｎｕｍ）が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂とを複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光波長に対して１／１０のサイズで、且つ、高強度、高弾性、低熱膨張である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸させて硬化させることで、繊維を６０−７０％も含有しながら、波長５００ｎｍで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３−７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度（４６０ＭＰａ）、高弾性（３０ＧＰａ）で、且つフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて基板１２６を薄く形成できる。
【００８６】
次に、本実施形態に係るシンチレータ４２の具体的構成について説明する。図６は、シンチレータ４２の構成を説明するための断面図であり、説明の便宜上、センサ基板３６の一部（ＴＦＴ層４６及び光電変換層４４の一部）を省略している。
【００８７】
図６に示すように、シンチレータ４２は、ガラスやプラスチック等で構成された透明絶縁膜１２７に設けられた蒸着基体１４７と、真空蒸着法を用いてＣｓＩ（Ｔｌ）を前記蒸着基体１４７に所定条件で蒸着することにより形成された非柱状結晶構造の第１蛍光部（非柱状部）１４８と、真空蒸着法を用いてＣｓＩ（Ｔｌ）を前記第１蛍光部１４８に前記所定条件とは異なる条件で蒸着することにより短冊状に形成された柱状結晶構造の第２蛍光部（柱状部）１５０とを有する。
【００８８】
但し、シンチレータ４２は、前記蒸着基体１４７を省略して、第１蛍光部１４８を上述した透明絶縁膜１２７に直接的に蒸着してもよい。この場合、蒸着基体１４７によって、放射線１６や光が吸収されることがないので、放射線画像を高画質化することができる。
【００８９】
蒸着基体１４７は、例えば、Ａｌ等で構成されており、その厚みは、撓ませることが可能な程度の厚みとなっている。
【００９０】
第１蛍光部１４８と第２蛍光部１５０は、一体的に形成されている。これにより、第１蛍光部１４８を形成しない場合と比較して、蒸着基体１４７に対するシンチレータ４２の密着性が向上するので、該シンチレータ４２が蒸着基体１４７から剥離することを好適に抑えることができる。第１蛍光部１４８は、蒸着基体１４７の背面の略全面に蒸着されており、その厚みｄは、蒸着基体１４７の撓み（弾性変形）に応じて撓ませることが可能な程度に設定されている。つまり、第１蛍光部１４８は薄膜状になっている。
【００９１】
第２蛍光部１５０は、第１蛍光部１４８における可撓性基体４０が位置する側の面に蒸着されている。この場合、第２部位６８を第１部位６６に対して傾動させた際に、第２蛍光部１５０を構成する柱（短冊部）１５０ａ同士の間隔が広がる方向にシンチレータ４２が撓むため、前記柱１５０ａ同士が接触して折れ、その結果、放射線画像が劣化することを抑えることができる。
【００９２】
第２蛍光部１５０には、上述した支持部材２４のスリット６０に対応する位置にスリット（第２のスリット）１５２が形成されている。前記スリット１５２は、放射線検出器２２の短手方向の全長に亘って形成されている。スリット１５２の幅（スリット１５２における放射線検出器２２の長手方向の長さ）ｗ２は、任意に設定可能であるが、矩形スリット６２の幅ｗ１と略同一に設定されている。
【００９３】
これにより、第２部位６８を第１部位６６に対して傾動させた際に、柱状結晶構造の第２蛍光部１５０を殆ど撓ませることなく、厚みの薄い非柱状結晶構造の第１蛍光部１４８を撓ませることができるので、前記第２蛍光部１５０を構成する柱１５０ａ同士が接触することを一層抑えることができる。
【００９４】
なお、スリット１５２は、例えば、第２蛍光部１５０を第１蛍光部１４８に蒸着させた後に、レーザ光等によって加工（カット）することにより形成される。この場合、レーザ光の出力は、第１蛍光部１４８が加工されない程度の出力に調整される。これにより、前記スリット１５２を簡単に形成することができると共に、該スリット１５２の形成時に第１蛍光部１４８が欠損することを防止することができる。
【００９５】
このようにして構成される第１蛍光部１４８及び第２蛍光部１５０は、第２蛍光部１５０の柱１５０ａの端面が可撓性基体４０に押し当てられた状態で図示しない防湿保護材により封止される。これにより、湿気に弱いＣｓＩ（Ｔｌ）を好適に保護することができる。また、放射線画像撮影装置２０を落下した場合であっても、その落下の衝撃によって該柱１５０ａが振れて隣接する柱１５０ａに当たることを抑えることができる。さらに、可撓性基体４０は、前記柱１５０ａを保護するクッションとしても機能する。
【００９６】
次に、放射線画像撮影装置２０と放射線画像撮影システム１０の動作について図１及び図７〜図１１を参照しながら説明する。
【００９７】
先ず、技師等は、患者１２を撮影台の上面に横臥させる（図７のステップＳ１）。そして、技師等は、図示しない保管箱等から放射線画像撮影装置２０を取り出し、撮影台１４まで運搬する（ステップＳ２）。このとき、図８に示すように、技師等は、第１部位６６の貫通孔５８に挿入した手Ｈで第１部位６６の前端部６６ａを把持した状態で放射線画像撮影装置２０を運搬する。
【００９８】
これにより、放射線画像撮影装置２０のうち比較的重い制御部２８が、放射線画像撮影装置２０の中心よりも鉛直下方に位置するので、運搬時に第２部位６８が揺れ動くことを抑えることができる。つまり、放射線画像撮影装置２０を安定した状態で運搬することができる。なお、放射線画像撮影装置２０の運搬時にバッテリ２６はバッテリ収容口７２から取り外されている。これにより、放射線画像撮影装置２０をバッテリ２６の重量分だけ軽くした状態で持ち運びすることができる。
【００９９】
次に、技師等は、第１部位６６の前端部６６ａを患者に向けた状態で撮影台１４の上面に放射線画像撮影装置２０を置き、一方の手（例えば、右手Ｈ１）で、放射線画像撮影装置２０の後端面に位置する取手７４を把持する（ステップＳ３）。
【０１００】
続いて、図９に示すように、技師等は、他方の手（例えば、左手Ｈ２）を患者１２と撮影台１４の間に滑り込ませ、撮影対象部の一部を撮影台１４から持ち上げる（ステップＳ４）。
【０１０１】
また、図１０に示すように、技師等は、右手Ｈ１で取手７４を持ち上げる（ステップＳ５）。これにより、第１部位６６と第２部位６８の境界部（球形スリット６４の壁部）８２に曲げモーメントが作用するので、該境界部８２及び放射線検出器２２が撓む（弾性変形する）と共に矩形スリット６２の幅が徐々に広がる。その結果、第２部位６８が撮影台１４から浮き上がり、第１部位６６に対して傾動することとなる。よって、技師等は、右腕を曲げた姿勢で取手７４を把持することが可能となる。
【０１０２】
第１部位６６に対する第２部位６８の傾動角度θは、技師等が任意に調整すればよい。すなわち、技師等は、放射線画像撮影装置２０を患者１２側に押し易い位置まで取手７４を持ち上げればよい。これにより、作業性の自由度が向上することとなる。また、前記傾動角度θが９０度未満となるようにスリット６０が形成されている場合には、取手７４を持ち上げたときに突出部５０が患者１２に当たることを防止することができる。
【０１０３】
なお、このとき、バッテリ２６は、未だバッテリ収容口７２に装着されていないので、技師等は、第２部位６８を容易に持ち上げることができる。
【０１０４】
次に、技師等は、右腕を曲げた姿勢から伸ばしながら取手７４を第１部位６６側に押す（ステップＳ６）。これにより、第１部位６６の前端部６６ａが患者１２の下方に挿入されるため、傾斜面５６及び平坦面５４が患者１２に接触する。
【０１０５】
そして、取手７４をさらに押すと、図１１に示すように、患者１２のうち傾斜面５６に接触している部位が平坦面５４側に滑り上がるので、患者１２の撮影対象部全体が撮影台１４から持ち上げられ、その結果、撮影対象部の下方に放射線検出器２２が配置されるに至る（ステップＳ７）。これにより、技師等は、従来に比べて、放射線検出器２２を患者１２の撮影対象部の下方に容易に配置することができる。
【０１０６】
なお、前記傾動角度θが４５度以下となるようにスリット６０が形成されている場合には、技師等が取手７４を第１部位６６側に押すときに、第１部位６６の水平方向の押圧力成分が小さくなり過ぎることがない。
【０１０７】
また、技師等は、取手７４の持ち上げ高さを調整することにより、第１部位６６の水平方向の押圧力成分を変化させて患者の下方への第１部位６６の挿入速度を調整してもよい。これにより、患者の状態に応じて、放射線画像撮影装置２０の挿入速度を容易に調整することが可能となる。
【０１０８】
続いて、技師等は、バッテリ２６をバッテリ収容口７２に装着し（ステップＳ８）、放射線画像撮影装置２０の電源スイッチを投入する。これにより、バッテリ２６からセンサ基板３６、制御部本体７６及び送受信機７８への電力供給が開始され、センサ基板３６、制御部本体７６及び送受信機７８が動作を開始する。
【０１０９】
その後、技師等は、放射線源１８の撮影スイッチを操作して撮影を行う（ステップＳ９）。これにより、図１に示すように、所定の撮影条件に従った線量からなる放射線１６が患者１２の撮影対象部に照射される。
【０１１０】
患者１２の撮影対象部を透過した放射線１６は、放射線検出器２２の保護膜３２を透過し、グリッド３４によって散乱線が除去された後、センサ基板３６に照射される。センサ基板３６のシンチレータ４２は、放射線１６の強度に応じた強度の可視光を発光し、光電変換層４４は、可視光を電気信号に変換し、電荷として蓄積する。次いで、光電変換層４４に保持された患者１２の放射線画像情報である電荷情報は、制御部本体７６に読み出されて記憶される。そして、制御部本体７６に記憶された放射線画像情報は、送受信機７８を介して、無線通信により前記コンソールに送信されることとなる。
【０１１１】
患者１２に対する撮影の完了後、技師等が電源スイッチをオフにすると、バッテリ２６からセンサ基板３６、制御部本体７６及び送受信機７８への電力供給が停止し、センサ基板３６、制御部本体７６及び送受信機７８は、動作停止に至る。その後、技師等は、バッテリ２６をバッテリ収容口７２から取り外し、放射線画像撮影装置２０を保管箱に収容する（ステップＳ１０）。この段階で、放射線画像撮影装置２０と放射線画像撮影システム１０の動作は終了する。
【０１１２】
以上、説明したように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置２０によれば、支持部材２４の後端面に第２部位６８を操作するための取手７４を設けているので、取手７４を設けない場合と比較して、放射線検出器２２を患者１２の撮影対象部の下方に容易に配置することができる。
【０１１３】
また、本実施形態では、制御部２８を突出部５０内に設けることで、鉛板８０を集約して配置しているので、制御部及び鉛板を分散して配置した場合と比較して、放射線画像撮影装置２０を軽くすることができる。
【０１１４】
さらに、本実施形態では、第２部位６８を撮影台１４から持ち上げる際に、バッテリ２６をバッテリ収容口７２から取り外しているので、技師等は、第２部位６８を操作し易くなる。
【０１１５】
なお、本実施形態では、矩形スリット６２の先端に球形スリット６４を形成しているので、第１部位６６に対して第２部位６８を持ち上げた際に、曲げモーメントを球形スリット６４の壁部全体に作用させることができる。これにより、境界部８２の一部に集中的に曲げモーメントが生じて境界部８２が破損することを抑えることができる。
【０１１６】
本実施形態に係る放射線検出器２２は、シンチレータ４２から発光された光を放射線源１８側に位置する光電変換層４４で電気信号に変換して放射線画像を読み取る、いわゆる表面読取方式（ＩＳＳ（Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｓｉｄｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式）として構成されている。そのため、シンチレータ４２をＴＦＴ層４６よりも放射線源１８側に配置する、いわゆる裏面読取方式（ＰＳＳ（Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ  Ｓｉｄｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式）として構成された放射線検出器と比較して、シンチレータ４２から発光された光が光電変換膜１３２に到達するまでの距離を短縮させることができる。これにより、該光の拡散・減衰を抑えることができるので、放射線画像の分解能を高めることができる。
【０１１７】
表面読取方式の放射線検出器２２では、光電変換層４４及びＴＦＴ層４６を透過した放射線１６がシンチレータ４２に導かれることとなるが、光電変換膜１３２を有機光導電体により形成すると共にＴＦＴ１２２の活性層１４２を有機半導体材料で構成しているので、該光電変換層４４及びＴＦＴ層４６で放射線１６が吸収されることは殆どない。これにより、放射線１６に対する感度の低下を抑えることができる。
【０１１８】
ＴＦＴ１２２の活性層１４２を構成する有機半導体材料や光電変換膜１３２を構成する有機光導電体は、いずれも低温での成膜が可能である。このため、基板１２６を放射線の吸収が少ないプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成することができる。この場合、放射線１６に対する感度の低下を抑えることができる。
【０１１９】
本実施形態では、光電変換膜１３２を有機光導電体で形成することができるので、光電変換層４４に可撓性を持たせることができる。また、ＴＦＴ１２２の活性層１４２を有機半導体材料で構成すると共に基板１２６をプラスチック等の可撓性基板で形成することができるので、ＴＦＴ層４６に可撓性を持たせることができる。よって、支持部材２４の第２部位６８を第１部位６６に対して傾動させた際に、放射線検出器２２が破損することを好適に抑えることができる。
【０１２０】
本実施形態に係るシンチレータ４２は、柱状結晶構造のＣｓＩ（Ｔｌ）で構成された第２蛍光部１５０を含んでいるので、放射線１６を効率的に光に変換することができる。
【０１２１】
本実施形態では、基板１２６の背面における略全面に第１蛍光部１４８を蒸着し、その第１蛍光部１４８に第２蛍光部１５０を蒸着した後に、第２蛍光部１５０のみにスリット１５２を形成している。そのため、シンチレータ４２のうちスリット１５２が位置する部位（スリット部位）に照射された放射線１６を第１蛍光部１４８によって確実に光に変換することができる。これにより、放射線画像のうち前記スリット１５２に対応する部位の画像が欠落することはない。
【０１２２】
なお、このようなシンチレータ４２では、前記スリット部位の発光量がそれ以外の（第２蛍光体１５０が形成されている）部位の発光量よりも少なくなることにより、放射線画像にムラ等が生じる可能性があるが、このような問題は、画像補正を行うことにより解消される。つまり、前記発光量の差に基づく放射線画像の画質の違いを補正データとして予め取得しておき、実際の放射線撮影時に該補正データによる補正処理を行えばよい。
【０１２３】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る放射線画像撮影装置１００について図１２を参照しながら説明する。なお、第１実施形態に係る放射線画像撮影装置２０と同一の構成要素には同一の参照符号を付して、その詳細な説明を省略する。また、以下に説明する第３及び第４実施形態においても同様に、その詳細な説明を省略する。
【０１２４】
図１２Ａに示すように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１００は、基部１０２の背面に第１スリット１０４と第２スリット１０６が形成されている。これにより、基部１０２は、前記第１スリット１０４よりも前方に位置する第１部位１０２ａと、前記第２スリット１０６よりも後方に位置する第２部位１０２ｂと、第１部位１０２ａ及び第２部位１０２ｂの間に位置する中間部位１０２ｃとが形成されることとなる。
【０１２５】
第１スリット１０４及び第２スリット１０６は、基部１０２の前端から第１スリット１０４までの距離Ｌ３と、第１スリット１０４及び第２スリット１０６の間隔Ｌ４と、第２スリット１０６から基部４８の後端までの距離Ｌ５が略同一に設定されている。但し、Ｌ３〜Ｌ５の距離は任意に設定してもよい。また、第１及び第２スリット１０４、１０６は、第１実施形態で説明したスリット６０と同一の構成を有している。
【０１２６】
なお、詳細な図示は省略するが、本実施形態の場合、シンチレータ４２を構成する第２蛍光部１５０のスリット１５２は、前記第１スリット１０４に対応した位置と前記第２スリット１０６に対応した位置のそれぞれに形成される。
【０１２７】
また、図１２Ｂに示すように、本実施形態において、傾動角度θとは、第２部位１０２ｂを水平状態から持ち上げて、これ以上持ち上げられない状態における第１部位１０２ａの下面の延長線と第２部位１０２ｂとのなす角を言う。なお、該傾動角度θは、上述した放射線画像撮影装置２０における傾動角度θと同様に設定可能である。
【０１２８】
本実施形態に係る放射線画像撮影装置１００によれば、技師等が取手７４を持ち上げるときに、第１境界部１０８と第２境界部１１０を同時に撓ませることができる。つまり、基部１０２に作用する曲げモーメントを第１境界部１０８と第２境界部１１０に分散させることができる。これにより、技師等が取手７４を持ち上げることによって、第１及び第２境界部１０８、１１０が破損することを好適に抑えることができる。
【０１２９】
本実施形態では、基部１０２の背面に第１スリット１０４及び第２スリット１０６を形成しているので、放射線検出器２２に作用する曲げモーメントも２箇所に分散させることができる。これにより、シンチレータ４２をＣｓＩ（Ｔｌ）を含んで構成した場合に、該ＣｓＩ（Ｔｌ）が破損することを一層抑えることができる。また、例えば、傾動角度θを３０度に設定しておけば、患者１２及び撮影台１４間への放射線画像撮影装置１００の挿入性が確保されると共に、ＣｓＩ（Ｔｌ）の破損が好適に抑えられる。
【０１３０】
本実施形態に係る放射線画像撮影装置１００は、上述した構成に限定されない。例えば、基部の背面にスリットを３つ以上形成してもよい。
【０１３１】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る放射線画像撮影装置２００について図１３及び図１４を参照しながら説明する。
【０１３２】
図１３及び図１４に示すように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置２００は、基部２０２の背面にその幅全域に渡って溝２０４が形成され、その溝２０４の底面にスリット２０６が形成されている。なお、スリット２０６は、第１実施形態のスリット６０と同様のものでよい。そして、溝２０４には、スリット２０６の広がりを抑える複数（図１４では５つ）の弾性部材２０８が配列されている。弾性部材２０８としては、例えば、引張コイルばねが用いられる。
【０１３３】
本実施形態に係る放射線画像撮影装置２００によれば、技師等の取手７４の持ち上げ量が大きくなるほどスリット２０６の広がりを抑える弾性部材２０８の弾性力が大きくなるので、取手７４を持ち上げ過ぎることにより境界部２１０に過大な曲げモーメントが作用することを抑えることができる。また、弾性部材２０８の弾性力の作用によって、放射線画像撮影装置２００の運搬時に第２部位６８が揺れ動くことを好適に抑えることができる。
【０１３４】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態に係る放射線画像撮影装置３００について図１５Ａ及び図１５Ｂを参照しながら説明する。
【０１３５】
図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置３００は、第１部位６６と第２部位６８が分離して（別体に）形成されると共に、第１部位６６と第２部位６８を傾動自在に連結する連結部材３０２を備えている。なお、本実施形態では、連結部材３０２として、ヒンジ３０４が用いられている。また、本実施形態において、第１部位６６及び第２部位６８が接触部材に相当する。
【０１３６】
本実施形態に係る放射線画像撮影装置３００は、第２部位６８がヒンジ３０４を介して第１部位６６に対して傾動することができるので、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態では、連結部材３０２としてヒンジ３０４を用いており、第２部位６８の傾動時に基部３０６を撓ませる必要がないため、基部３０６に亀裂や損傷が生じることはない。
【０１３７】
本実施形態に係る放射線画像撮影装置３００は、上述した構成に限定されない。図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、連結部材３０２として、ヒンジ３０４に換えて板ばね３０８を利用してもよい。
【０１３８】
また、放射線画像撮影装置３００は、基部を３つ以上に分離して、分離された複数の部位を上述した連結部材にて傾動自在に連結してもよい。
【０１３９】
本発明は上記した実施形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることは当然可能である。
【０１４０】
例えば、放射線検出器２２は、図１７に示すＰＳＳ方式の放射線検出器４００であってもよい。なお、以下の説明では、上述したＩＳＳ方式の放射線検出器２２と同一の構成要素については同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１４１】
図１７に示すように、放射線検出器４００は、放射線１６の照射方向に沿って、シンチレータ４０２、光電変換層４４、ＴＦＴ層４６の順に積層されて構成される。そして、シンチレータ４０２は、ＣｓＩ（Ｔｌ）を含んで構成されており、アルミニウムやカーボン等で構成された基台４０４と、前記基台４０４のうち光電変換層４４が位置する側の面に蒸着された非柱状構造の第１蛍光部１４８と、第１蛍光部１４８のうち光電変換層４４が位置する側の部位に蒸着された柱状構造の第２蛍光部１５０とを有する。
【０１４２】
この場合、基部４８、１０２、３０６の一部を傾動させた際に、第２蛍光部１５０を構成する柱１５０ａ同士の間隔が広がる方向にシンチレータ４０２が撓むため、前記柱１５０ａ同士が接触して折れ、その結果、放射線画像が劣化することを抑えることができる。
【符号の説明】
【０１４３】
１０…放射線画像撮影システム            １２…患者
１４…撮影台                            １６…放射線
１８…放射線源
２０、１００、２００、３００…放射線画像撮影装置
２４…支持部材                          ２６…バッテリ
２８…制御部                            ４４…光電変換層（光電変換部）
４６…ＴＦＴ層（信号出力部）            ４８、１０２、２０２、３０６…基部
６０…スリット（第１のスリット）        ６２…矩形スリット
６４…球形スリット                      ６６…第１部位
６８…第２部位                          ７２…バッテリ収容口
７４…取手                              １２６…基板
１４２…活性層                          １４８…第１蛍光部（非柱状部）
１５０…第２蛍光部（柱状部）
１５２…スリット（第２のスリット）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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