(57)【要約】【課題】熱カシメしたボスの頭部にバリが形成され難い回路基板およびその組付け方法を実現する。【解決手段】回路基板１には複数のボス挿通孔２が貫通形成されており、基板面１ａにおける各ボス挿通孔２の周囲であってヒータチップ２０の凹部２１の周縁２３が当接する領域３には銅により伝熱部６が形成されている。ボス挿通孔２に挿通されたボス１０の頭部１１にヒータチップ２０の凹部２１を被せ、頭部１１を加熱溶融する際に、凹部２１の周縁２３が伝熱部６に当接するため、凹部２１及び周縁２３の熱が伝熱部６に伝熱する。これにより、凹部２１の温度が速やかに低下するため、凹部２１の内部で溶融した熱可塑性樹脂中に気泡が発生し難いため、凹部２１内の圧力上昇が抑制される。また、凹部２１内から浸出しようとしている溶融した熱可塑性樹脂の粘度が低下する。したがって、溶融した熱可塑性樹脂が浸出し難くなり、バリが形成され難い。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
組付け対象物に設けられた熱可塑性樹脂製のボスを挿通するためのボス挿通孔を有する回路基板であって、前記ボス挿通孔に挿通して突出した前記ボスの頭部に熱カシメ用部材の凹部を被せ、そのボスの頭部を前記凹部の底面で押圧しながら加熱溶融することにより、前記組付け対象物に組付けられる回路基板において、
前記ボス挿通孔の周囲の基板面であって、前記ボス挿通孔から突出したボスの頭部に被せられた前記熱カシメ用部材の凹部の開口面の周縁が当接する領域に、その領域よりも熱伝導率の高い伝熱部が形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記伝熱部が、前記領域から前記ボス挿通孔の内壁面にかけて連続形成されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記伝熱部が、さらに前記ボス挿通孔の内壁面から前記基板面の反対側の基板面にかけて連続形成されていることを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記領域には貫通孔が形成されており、
前記伝熱部が、さらに前記領域から前記貫通孔の内壁面にかけて連続形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の回路基板。
【請求項５】
前記伝熱部が、さらに前記貫通孔の内壁面から前記基板面の反対側の基板面にかけて連続形成されていることを特徴とする請求項４に記載の回路基板。
【請求項６】
当該回路基板が多層構造であるとともに前記ボス挿通孔および貫通孔が各層を貫通しており、
前記伝熱部が、さらに前記貫通孔の内壁面から各層の境界に連続形成されていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の回路基板。
【請求項７】
前記伝熱部が金属により形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１つに記載の回路基板。
【請求項８】
前記金属が当該回路基板に形成された回路と同じ材料により形成されていることを特徴とする請求項７に記載の回路基板。
【請求項９】
前記領域の周囲に壁が形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１つに記載の回路基板。
【請求項１０】
前記壁はハンダにより前記伝熱部と接触するように形成されていることを特徴とする請求項９に記載の回路基板。
【請求項１１】
組付け対象物に設けられた熱可塑性樹脂製のボスを回路基板に貫通形成されたボス挿通孔に挿通し、そのボス挿通孔から突出したボスの頭部に熱カシメ用部材の凹部を被せ、その頭部を前記凹部の底面で押圧しながら加熱溶融することにより、前記回路基板を前記組付け対象物に組付ける回路基板の組付け方法において、
前記ボス挿通孔の周囲の基板面であって前記熱カシメ用部材の凹部の開口面の周縁が当接する領域に、その領域よりも熱伝導率の高い伝熱部を配置してから前記ボス挿通孔から突出したボスの頭部に前記熱カシメ用部材の凹部を被せることを特徴とする回路基板の組付け方法。
【請求項１２】
前記ボス挿通孔から突出した前記ボスの頭部に、前記伝熱部としての金属製ワッシャを挿通してから前記ボスの頭部に前記熱カシメ用部材の凹部を被せることを特徴とする請求項１１に記載の回路基板の組付け方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、組付け対象物に設けられた熱可塑性樹脂製のボスをボス挿通孔に挿通し、そのボス挿通孔から突出したボスの頭部を熱カシメすることにより組付け対象物に組付けられる回路基板およびその組付け方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の回路基板の組付け方法について図を参照して説明する。図１１は、ボスを熱カシメする工程を示す工程図である。
【０００３】
組付け対象物に設けられた熱可塑性樹脂製のボス１０を回路基板１に貫通形成されたボス挿通孔２に挿通する（工程１）。続いて、ヒータチップ５０を下降させ、その底面に形成された凹部５１をボス１０の頭部１１に被せ、凹部５１の底面５３を頭部１１に突き当てる。そして、さらにヒータチップ５０を下降させ、底面５３の頭部１１に対する加圧力が所定値に達すると、底面５３が頭部１１に突き当たったことが検知される（工程２）。
【０００４】
続いて、ヒータチップ５０によってボス１０の頭部１１を押圧しながらヒータチップ５０を加熱し（工程３）、ボス１０の頭部１１の溶融を開始する（工程４）。すると、ヒータチップ５０に形成された凹部５１の開口面の周縁５２が基板１の基板面１ａに突き当たる（工程５）。続いて、ヒータチップ５０の加熱を継続させる（工程６）。このとき、凹部５１の内部で溶融した熱可塑性樹脂中に気泡３０が発生し、凹部５１の内部圧力が上昇し、溶融した熱可塑性樹脂が凹部５１の周縁５２と基板面１ａとの境界から浸出し、その浸出した物が硬化するとバリ１２に成る。
【０００５】
続いて、ヒータチップ５０を所定時間冷却し（工程７）、その後ヒータチップ５０を再加熱し（工程８）、ヒータチップ５０を上昇させてボス１０から離脱させ、熱カシメを完了する（工程９）。
【０００６】
上述したように、従来の回路基板の組付け方法では、ボス１０の頭部１１にバリ１２が発生するため、回路基板１に実装された電子部品がバリ１２と干渉し、振動により電子部品が破損するおそれがあった。また、バリ１２の発生領域を避けて回路基板１に電子部品を実装すると、有効実装面積が低下してしまう。
【０００７】
そこで、係る諸問題を解決するため、ボスの頭部に被せる凹部の開口面の周縁に開口部を形成し、その開口部内に余剰な樹脂を逃がすようにしたヒータチップが提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−８８４１５号公報（第１２段落、図１）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、本願発明者らは、前述した従来のヒータチップを用いて熱カシメを行った結果、凹部内で溶融した熱可塑性樹脂中における気泡の発生を抑制することができず、凹部内の圧力が上昇し、溶融した樹脂が開口部以外の箇所から浸出してバリを発生させることがあり、根本的な解決に至らなかった。
【００１０】
そこでこの発明は、上述の問題を解決するためになされたものであり、熱カシメしたボスの頭部にバリが形成され難い回路基板およびその組付け方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するため、請求項１に係る発明では、組付け対象物（４０）に設けられた熱可塑性樹脂製のボス（１０）を挿通するためのボス挿通孔（２）を有する回路基板（１）であって、前記ボス挿通孔に挿通して突出した前記ボスの頭部（１１）に熱カシメ用部材（２０）の凹部（２１）を被せ、そのボスの頭部を前記凹部の底面（２４）で押圧しながら加熱溶融することにより、前記組付け対象物に組付けられる回路基板において、前記ボス挿通孔の周囲の基板面（１ａ）であって、前記ボス挿通孔から突出したボスの頭部に被せられた前記熱カシメ用部材の凹部の開口面の周縁（２３）が当接する領域（３）に、その領域よりも熱伝導率の高い伝熱部（６）が形成されているという技術的手段を用いる。
【００１２】
請求項２に係る発明では、請求項１に記載の回路基板（１）において、前記伝熱部（６）が、前記領域（３）から前記ボス挿通孔（２）の内壁面（２ａ）にかけて連続形成されているという技術的手段を用いる。
【００１３】
請求項３に係る発明では、請求項２に記載の回路基板（１）において、前記伝熱部（６）が、さらに前記ボス挿通孔（２）の内壁面（２ａ）から前記基板面（１ａ）の反対側の基板面（１ｂ）にかけて連続形成されているという技術的手段を用いる。
【００１４】
請求項４に係る発明では、請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の回路基板（１）において、前記領域（３）には貫通孔（５）が形成されており、前記伝熱部（６）が、さらに前記領域から前記貫通孔の内壁面（５ａ）にかけて連続形成されているという技術的手段を用いる。
【００１５】
請求項５に記載の発明では、請求項４に記載の回路基板（１）において、前記伝熱部（６）が、さらに前記貫通孔（５）の内壁面（５ａ）から前記基板面（１ａ）の反対側の基板面（１ｂ）にかけて連続形成されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項６に記載の発明では、請求項４または請求項５に記載の回路基板（１）において、当該回路基板が多層構造であるとともに前記ボス挿通孔（２）および貫通孔（５）が各層（１ａ〜１ｃ）を貫通しており、前記伝熱部（６）が、さらに前記貫通孔の内壁面（５ａ）から各層の境界に連続形成されているという技術的手段を用いる。
【００１７】
請求項７に記載の発明では、請求項１ないし請求項６のいずれか１つに記載の回路基板（１）において、前記伝熱部（６）が金属により形成されているという技術的手段を用いる。
【００１８】
請求項８に記載の発明では、請求項７に記載の回路基板（１）において、前記金属が当該回路基板に形成された回路と同じ材料により形成されているという技術的手段を用いる。
【００１９】
請求項９に記載の発明では、請求項１ないし請求項８のいずれか１つに記載の回路基板（１）において、前記領域の周囲に壁（８）が形成されているという技術的手段を用いる。
【００２０】
請求項１０に記載の発明では、請求項９に記載の回路基板（１）において、前記壁（８）はハンダにより前記伝熱部（６）と接触するように形成されているという技術的手段を用いる。
【００２１】
請求項１１に記載の発明では、組付け対象物（４０）に設けられた熱可塑性樹脂製のボス（１０）を回路基板（１）に貫通形成されたボス挿通孔（２）に挿通し、そのボス挿通孔から突出したボスの頭部（１１）に熱カシメ用部材（２０）の凹部（２１）を被せ、その頭部を前記凹部の底面で押圧しながら加熱溶融することにより、前記回路基板を前記組付け対象物に組付ける回路基板の組付け方法において、前記ボス挿通孔の周囲の基板面（１ａ）であって前記熱カシメ用部材の凹部の開口面の周縁（２３）が当接する領域（３）に、その領域よりも熱伝導率の高い伝熱部（６）を配置してから前記ボス挿通孔から突出したボスの頭部に前記熱カシメ用部材の凹部を被せるという技術的手段を用いる。
【００２２】
請求項１２に記載の発明では、請求項１１に記載の回路基板の組付け方法において、前記ボス挿通孔（２）から突出した前記ボス（１０）の頭部（１１）に、前記伝熱部（６）としての金属製ワッシャ（９）を挿通してから前記ボスの頭部に前記熱カシメ用部材（２０）の凹部（２１）を被せるという技術的手段を用いる。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１ないし請求項１２に係る発明は、熱カシメ用部材の凹部の開口面の周縁が基板面の伝熱部に当接したときに、熱カシメ用部材から発生する熱を伝熱部に伝熱させることができるため、熱カシメ用部材の温度を下げることができる。
したがって、熱カシメ用部材の凹部内で溶融した熱可塑性樹脂中における気泡の発生を抑制することにより、凹部内の圧力上昇を抑制することができ、かつ、凹部内から浸出しようとしている熱可塑性樹脂の粘度を低下させることができるため、溶融した熱可塑性樹脂が凹部の開口面の周縁および基板面の境界から浸出し難いので、ボスの頭部にバリが形成され難い。
【００２４】
特に、請求項２ないし請求項６に係る発明は、伝熱部の体積の増加によって伝熱部の熱容量を大きくすることができるとともに、伝熱部からの放熱効率を高めることができる。
したがって、熱カシメ用部材の温度を効率良く下げることができるため、バリがより一層形成され難い。また、伝熱部の体積が増加した分、基板面の伝熱部の面積を小さくすることができる。
【００２５】
特に、請求項７に係る発明は、伝熱部が金属により形成されているため、伝熱効率をより一層高めることができるので、バリがより一層形成され難い。
【００２６】
また、請求項８に係る発明では、上記の金属が当該回路基板に形成された回路と同じ材料により形成されているため、回路を形成する工程において伝熱部を形成することができるので、伝熱部を形成するための特別な工程を追加する必要がない。
したがって、回路基板の製造効率が低下しない。
【００２７】
また、請求項９に係る発明は、熱カシメ用部材に形成された凹部の開口面の周縁が当接する領域の周囲に壁が形成されているため、溶融した熱可塑性樹脂が凹部および基板面の境界から浸出した場合であっても、壁によって阻止されるので、バリが形成され難い。
【００２８】
特に、請求項１０に係る発明のように壁をハンダにより形成すれば、回路基板に電子部品を実装する工程においてハンダを塗布して硬化させるリフロー工程を利用して壁を形成することができるので、壁を形成するための特別な工程を追加する必要がない。
【００２９】
また、請求項１２に係る発明は、ボス挿通孔から突出したボスの頭部に、伝熱部としての金属製ワッシャを挿通してからボスの頭部に熱カシメ用部材の凹部を被せるため、熱カシメ用部材から発生する熱を金属製ワッシャに伝熱させることができるので、バリが形成され難い。
【００３０】
なお、上記各括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】（ａ）は回路基板およびケースの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）において破線で囲む部分のボスがボス挿通孔に挿通された場合の拡大図である。
【図２】カバー、回路基板およびケースの斜視図である。
【図３】回路基板の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図およびヒータチップ２０の凹部２１の断面図である。
【図４】伝熱部が形成された回路基板の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図、（ｃ）は熱カシメ後のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図５】熱カシメ装置に備えられたヒータチップ２０の説明図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は裏面図である。
【図６】第２実施形態の回路基板の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は伝熱部を形成する前の（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、（ｃ）は伝熱部を形成した後の（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、（ｄ）は熱カシメを行った後のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図７】第３実施形態の回路基板の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、（ｃ）は熱カシメを行った後のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図８】第４実施形態の回路基板の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、（ｃ）は熱カシメを行った後のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図９】第５実施形態の回路基板の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、（ｃ）は熱カシメを行った後のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１０】第６実施形態の回路基板の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は熱カシメを行った後のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１１】ボスを熱カシメする工程を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
この発明に係る実施形態について図を参照して説明する。以下の各実施形態では、この発明に係る回路基板およびその組付け方法として、車両のＥＣＵ(Electronic Control Unit)に搭載された回路基板およびその組付け方法を例にして説明する。
【００３３】
〈第１実施形態〉
図１ないし図４は、第１実施形態に係る回路基板およびその組付け方法を示す説明図である。図１（ａ）は回路基板およびケースの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）において破線で囲む部分のボスがボス挿通孔に挿通された場合の拡大図である。図２は、カバー、回路基板およびケースの斜視図である。図３は回路基板の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図およびヒータチップ２０の凹部２１の断面図である。図４は伝熱部が形成された回路基板の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図、（ｃ）は熱カシメ後のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００３４】
図１（ａ）に示すように、ＥＣＵを構成するケース４０には、複数のボス１０が上方に向けて突出形成されている。ケース４０および各ボス１０は、熱可塑性樹脂により一体成形されている。ケース４０の側面には、車両に備えられたセンサからの信号線などを接続するためのコネクタ４２が設けられている。また、ケース４０の開口面の周縁には、ゴム製の防水パッキン４１が取付けられている。回路基板１には、ケース４０の各ボス１０を挿通するための複数のボス挿通孔２が貫通形成されている。
【００３５】
図５は熱カシメ装置に備えられたヒータチップ２０の説明図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は裏面図である。熱カシメ装置に備えられたヒータチップ２０は、略円筒形に形成された胴部２５を備える。胴部２５の底面には、ボス１０の頭部１１を挿入する方向に凹んだ凹部２１が形成されている。凹部２１は、ボス１０の頭部１１を加熱溶融して成形するための部分であり、凹部２１の内部空間は、ボス１０の頭部１１を成形する目的の形状に形成されている。
【００３６】
凹部２１の内径は、ボス挿通孔２の径よりも大きい。この実施形態では、凹部２１の内部空間は、略円柱状に形成されており、凹部２１の底面は、ボス１０の頭部１１を挿入する方向に膨らんだ凹面に形成されている。凹部２１の周縁２３は略リング状に形成されており、その周縁２３には、開口部２２が切欠き形成されている。この開口部２２は、凹部２１の内部で溶融した熱可塑性樹脂のうち、余剰になった部分を溜める空間である。この凹部２１に余剰の熱可塑性樹脂を溜めることにより、熱可塑性樹脂の流出を抑制する。
【００３７】
図３（ａ）に示すように、回路基板１の基板面１ａには、回路パターンおよび電子部品を配置するための実装領域４（ハッチングを施した部分）が設定されている。図中、符号３で示す領域は、ヒータチップ２０に形成された凹部２１の開口面の周縁２３が当接する領域であり、各ボス挿通孔２の周囲の基板面１ａに設定されている。また、領域３は、実装領域４と干渉しないように設定されている。領域３は、ヒータチップ２０の周縁２３に略対応した形状に形成されており、この実施形態ではリング状である。
【００３８】
図４に示すように、各ボス挿通孔２の周囲に設定された領域３には、その領域３よりも熱伝導率の高い伝熱部６が形成されている。この実施形態では、伝熱部６は領域３を含み、かつ、領域３よりも大きいリング状に形成されている。各伝熱部６は、回路領域４に回路パターンを形成する工程において、回路パターンを形成する材料と同じ材料によって形成される。
【００３９】
この実施形態では、回路基板１はエポキシ樹脂によって形成されており、領域３はエポキシ樹脂により形成されている。また、回路基板１の回路パターンおよび伝熱部６は、エポキシ樹脂よりも熱伝導率の高い銅により形成されている。伝熱部６の厚さは、たとえば、回路パターンの厚さと同じ１８μｍである。図４（ｂ），（ｃ）に記載の伝熱部６は、存在を分かり易くするために実際の厚さよりも誇張して描かれている。
【００４０】
図１（ｂ）に示すように、ケース４０の各ボス１０は、回路基板１の対応するボス挿通孔２に挿通され、図１１に示した工程を経て熱カシメされる。この熱カシメの工程５において、熱カシメ装置に備えられたヒータチップ２０の凹部２１の周縁２３は、伝熱部６の表面に当接するため、凹部２１および周縁２３から発生した熱が伝熱部６に伝熱する。
【００４１】
これにより、凹部２１の温度が速やかに低下するため、凹部２１の内部で溶融した熱可塑性樹脂中における気泡の発生が抑制され、かつ、凹部２１内から浸出しようとしている熱可塑性樹脂の粘度が低下する。このため、溶融した熱可塑性樹脂が凹部２１の周縁２３および伝熱部６の境界から外部へ浸出し難くなるため、ボス１０の頭部１１にバリが形成され難い。
【００４２】
そして、冷却時間の経過後、ヒータチップ２０を上昇させると、図４（ｃ）に示すように、回路基板１はボス１０の頭部１１によって熱カシメされた状態になる。このヒータチップ２０による熱カシメを各ボス１０に対して実行し、回路基板１をケース４０に固定する。
次に、図２に示すように、カバー４３の下部に設けられた孔（図示せず）に、熱カシメにより大径化したボス１０の頭部を圧入してカバー４３を取付ける。これにより、ケース４０およびカバー４３の内部に回路基板１が収容されたＥＣＵが完成する。
【００４３】
〈第２実施形態〉
次に、この発明の第２実施形態について図を参照して説明する。図６は回路基板の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は伝熱部を形成する前の（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、（ｃ）は伝熱部を形成した後の（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、（ｄ）は熱カシメを行った後のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００４４】
回路基板１のボス挿通孔２の周囲に形成された領域３には、ボス挿通孔２を囲むようにして複数の貫通孔５が形成されている。基板面１ａの領域３に形成された伝熱部６は、さらに各貫通孔５の各内壁面５ａにかけて連続形成されている。そしてさらに、各貫通孔５の各内壁面５ａに形成された伝熱部６は、基板面１ａの反対側の基板面１ｂにかけて連続形成されている。貫通孔５は、多層基板にバイアホールを形成する公知の手法によって形成することができる。この実施形態では、貫通孔５の内部は伝熱部６を形成する銅によって充填されている。
【００４５】
上述したように、第２実施形態の回路基板１は、伝熱部６が基板面１ａにおけるボス挿通孔２の周囲の領域３だけではなく、その領域３に貫通形成された貫通孔５にも連続形成されており、さらに、その貫通孔５から基板面１ｂにおけるボス挿通孔２の周囲にも連続形成されている。このため、伝熱部６の体積の増加によって伝熱部６の熱容量を大きくすることができるとともに、伝熱部６からの放熱効率を高めることができる。
したがって、ヒータチップ２０の凹部２１の温度を効率良く下げることができるため、バリがより一層形成され難い。また、伝熱部６の体積が増加した分、基板面のボス挿通孔２の周囲に形成する伝熱部６の面積を小さくすることができる。
【００４６】
〈第３実施形態〉
次に、この発明の第３実施形態について図を参照して説明する。図７は回路基板の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、（ｃ）は熱カシメを行った後のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００４７】
基板面１ａの領域３に形成された伝熱部６は、さらに領域３からボス挿通孔２の内壁面２ａにかけて連続形成されている。そしてさらに、ボス挿通孔２の内壁面２ａに形成された伝熱部６は、基板面１ａの反対側の基板面１ｂにかけて連続形成されている。また、第２実施形態の回路基板１と同様に各貫通孔５の内壁面５ａにも伝熱部６が形成されている。つまり、基板面１ａ，１ｂに形成された伝熱部６は、ボス挿通孔２の内壁面２ａおよび貫通孔５の内壁面５ａに形成された伝熱部６によって接続されている。この実施形態では、貫通孔５の内部は伝熱部６を形成する銅によって充填されている。
【００４８】
上述したように、第３実施形態の回路基板１は、基板面１ａ，１ｂに形成された伝熱部６に連続する伝熱部６がボス挿通孔２の内壁面２ａにも形成されているため、伝熱部６の体積の増加によって伝熱部６の熱容量をより一層大きくすることができるとともに、伝熱部６からの放熱効率をより一層高めることができる。
したがって、ヒータチップ２０の凹部２１の温度をより一層効率良く下げることができるため、バリがより一層形成され難い。また、伝熱部６の体積が増加した分、基板面のボス挿通孔２の周囲に形成する伝熱部６の面積を小さくすることができる。
【００４９】
〈第４実施形態〉
次に、この発明の第４実施形態について図を参照して説明する。図８は回路基板の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、（ｃ）は熱カシメを行った後のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００５０】
この実施形態の回路基板１は層１ｃ〜１ｅから成る多層構造であり、ボス挿通孔２および貫通孔５が各層を貫通している。各層の境界Ｌ１であって貫通孔５の周囲には伝熱部６がそれぞれ形成されている。各層の境界Ｌ１に形成された各伝熱部６は、ボス挿通孔２の内壁面２ａおよび貫通孔５の内壁面５ａに形成された伝熱部６と連続形成されている。
【００５１】
上述したように、第４実施形態の回路基板１は多層構造であり、ボス挿通孔２および貫通孔５に形成された伝熱部６に連続する伝熱部６が各層の境界Ｌ１にも形成されているため、伝熱部６の体積の増加によって伝熱部６の熱容量をより一層大きくすることができるとともに、伝熱部６からの放熱効率をより一層高めることができる。
したがって、ヒータチップ２０の凹部２１の温度をより一層効率良く下げることができるため、バリがより一層形成され難い。また、伝熱部６の体積が増加した分、基板面のボス挿通孔２の周囲に形成する伝熱部６の面積を小さくすることができる。
【００５２】
〈第５実施形態〉
次に、この発明の第５実施形態について図を参照して説明する。図９は回路基板の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、（ｃ）は熱カシメを行った後のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００５３】
この実施形態の回路基板１には、ボス挿通孔２の周囲に設定された領域３の周囲であって、伝熱部６の表面に壁８が形成されている。壁８は、ヒータチップ２０の凹部２１内で溶融した熱可塑性樹脂の浸出を防止するためのものである。つまり、図９（ｃ）に示すように、ヒータチップ２０をボス１０の頭部１１に被せ、その頭部１１を加熱溶融したときに、溶融した熱可塑性樹脂が凹部２１の周縁２３およ伝熱部６の境界から浸出しようとした場合であっても、壁８によって浸出が阻止される。この実施形態では、壁８は、ハンダにより領域３を囲むようにリング状に形成されている。
【００５４】
上述したように、第５実施形態の回路基板１は、ヒータチップ２０の凹部２１の周縁２３が当接する領域３の周囲に壁８が形成されているため、凹部２１の内部で溶融した熱可塑性樹脂が周縁２３および伝熱部６の境界から浸出した場合であっても、壁８によって阻止されるので、バリが形成され難い。
また、壁８はハンダにより形成されており、回路基板１に電子部品を実装する工程においてハンダを塗布して硬化させるリフロー工程を利用して壁８を形成することができるので、壁８を形成するための特別な工程を追加する必要がない。
【００５５】
〈第６実施形態〉
次に、この発明の第６実施形態について図を参照して説明する。図１０は回路基板の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は熱カシメを行った後のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００５６】
この実施形態の回路基板１は、ボス１０は、金属製ワッシャ９を介して熱カシメされている。つまり、ボス挿通孔２から突出したボス１０の頭部１１に金属製ワッシャ９を挿通してから熱カシメされている。したがって、図１０（ｂ）に示すように、ヒータチップ２０の凹部２１の周縁２３は金属製ワッシャ９に当接するため、凹部２１から発生する熱を金属製ワッシャに伝熱させることができるので、バリが形成され難い。
【００５７】
〈他の実施形態〉
（１）第１実施形態において、伝熱部６が領域３からボス挿通孔２の内壁面２ａにかけて連続形成された構造にすることもできる。また、伝熱部６がボス挿通孔２の内壁面２ａから基板面１ａの反対側の基板面１ｂにかけて連続形成された構造でも良い。
【００５８】
これらの構造を用いれば、伝熱部６の体積の増加によって伝熱部６の熱容量を大きくすることができるとともに、伝熱部６からの放熱効率を高めることができる。したがって、ヒータチップ２０の凹部２１の温度を効率良く下げることができるため、バリがより一層形成され難い。また、伝熱部６の体積が増加した分、基板面のボス挿通孔２の周囲に形成する伝熱部６の面積を小さくすることができる。
【００５９】
（２）第５実施形態において、壁８は伝熱部６の表面に形成しないで基板面１ａに形成することもできる。
（３）伝熱部６を回路パターンの厚さよりも厚く形成し、伝熱部６の熱容量をより一層大きくすることもできる。たとえば、１００μｍの厚さに形成することができる。
（４）伝熱部６は金または銀など、銅以外の金属材料により形成することもできる。
【符号の説明】
【００６０】
１・・回路基板、１ａ・・基板面、２・・ボス挿通孔、２ａ・・内壁面、３・・領域、
５・・貫通孔、５ａ・・内壁面、６・・伝熱部、１０・・ボス、１１・・頭部、
１２・・バリ、２０・・ヒータチップ（熱カシメ用部材）、２１・・凹部、
２３・・周縁、２４・・底面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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