(57)【要約】【課題】ダイナミックレンジを狭めず、スポット光の撮像画像の左右に白い帯が発生するのを防止する。【解決手段】信号電荷を生成する光電変換素子と、信号電荷を増幅する増幅トランジスタを含む行列状に配された複数の画素セルと、各同一列の画素セルの出力が共通に接続される複数の垂直信号線と、定電流源から定電流の供給を受ける基準トランジスタを含む、2個以上の基準電流源回路と、各垂直信号線に接続され、各ゲートが何れかの基準電流源回路の基準トランジスタのゲートと接続され、カレントミラーを構成する複数の負荷トランジスタを備え、各負荷トランジスタ及び基準トランジスタは、異なる箇所で共通の接地線に接続され、各カレントミラーを構成する基準トランジスタと負荷トランジスタが接地線と接続する接続点間距離が、各負荷トランジスタの隣接する接続点間距離より短い箇所が２箇所以上ある固体撮像装置。【選択図】図１
2011061270.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光量に応じて信号電荷を生成する光電変換素子と、生成した信号電荷を信号電圧として増幅して出力する増幅トランジスタとを含む行列状に配置された複数の画素セルと、
各列において同一列の画素セルの出力が共通に接続されている複数の垂直信号線と、
定電流源に接続され、当該定電流源から定電流の供給を受ける基準トランジスタをそれぞれ含む、少なくとも2個以上の基準電流源回路と、
各列の垂直信号線に１個ずつ接続され、各ゲートが何れかの基準電流源回路に含まれる基準トランジスタのゲートと接続され、当該基準トランジスタとカレントミラーを構成する複数の負荷トランジスタと、
を備え、
各列の垂直信号線に接続されている前記各負荷トランジスタ及び前記各基準トランジスタは、それぞれ異なる箇所で共通の接地線に接続され、
前記接地線上において、各カレントミラーを構成する前記基準トランジスタと前記負荷トランジスタとがそれぞれ前記接地線と接続する接続点間の距離が、前記接地線上における前記各負荷トランジスタの隣接する接続点間の距離よりも短い箇所が２箇所以上ある
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記基準電流源回路は、各列の垂直信号線に接続されている負荷トランジスタ毎に設けられ、当該基準電流源回路に含まれる基準トランジスタと当該負荷トランジスタとがそれぞれ前記接地線と接続する接続点間の距離が、前記接地線上における前記各負荷トランジスタの隣接する接続点間の距離よりも短い
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記各基準電流源回路の内、所定の1つの前記基準電流源回路には、当該基準電流源回路以外の前記各基準電流源回路の基準トランジスタに定電流を流すための給電のオン、オフを切替える給電切替スイッチが設けられ、
前記所定の１つを除く前記各基準電流源回路には、当該基準電流源回路の基準トランジスタのゲートと当該基準トランジスタとカレントミラーを構成する負荷トランジスタのゲートとの接続のオン、オフを切替える第１切替スイッチと、当該負荷トランジスタのゲートと前記所定の１つの前記基準電流源回路の基準トランジスタのゲートとの接続のオン、オフを切替える第２切替スイッチとが設けられ、
前記給電切替スイッチ及び各第１切替スイッチに共通に接続され、前記給電切替スイッチ及び各第１切替スイッチを全てオンにするか、全てオフにするかの切替を行う第１制御信号線と、
各第２切替スイッチに共通に接続され、各第２切替スイッチを全てオンにするか、全てオフにするかの切替を行う第２制御信号線と、
を備え、
第１及び第２制御信号線を用いてスイッチの切替を行わせることが可能な
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記基準電流源回路は、それぞれ所定数の垂直信号線毎に当該垂直信号線に接続されている負荷トランジスタについて設けられ、当該基準電流源回路に含まれる基準トランジスタと当該負荷トランジスタとがそれぞれ前記接地線と接続する接続点間の距離が、前記接地線上における前記各負荷トランジスタの隣接する接続点間の距離よりも短い
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置に関し、特に光電変換された信号電荷を増幅して出力するＭＯＳ型の固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ等への応用に適した固体撮像装置として、ＭＯＳ（Meta Oxide Semiconductor）型の固体撮像装置の開発が各所で活発に進められている。この固体撮像装置は、セル毎に光電変換素子で光電変換された信号電荷をトランジスタで増幅して取り出すように構成されている。
図１０は特許文献１に記載の従来の固体撮像装置の構成を示すブロック図である。固体撮像装置は、撮像部１、垂直走査を行うための垂直走査回路２、垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３、垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３にクリップ電圧を出力するためのクリップ回路３ａ〜３ｃ、各垂直信号線に接続されたＮＭＯＳ型のトランジスタ（以下、「トランジスタ」という。）である負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３、ＧＮＤライン４、電圧入力端子５、制御線６、電源線７、基準電流源回路８、ＣＤＳ回路９、水平走査回路１０等から構成される。
【０００３】
撮像部１には、画素セル１１０〜３３０が行列状に配置されている。各列の画素セル（１１０〜１３０、２１０〜２３０、３１０〜３３０）は、垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３の内、当該列に対応する垂直信号線にそれぞれ共通に接続され、各行の画素セル（１１０〜３１０、１２０〜３２０、１３０〜３３０）は、垂直走査回路２にそれぞれ接続する行選択線ＳＥＬ１〜ＳＥＬ３及びリセット線ＲＳＴ１〜ＲＳＴ３の内、当該行に対応する行選択線及びリセット線にそれぞれ共通に接続されている。
【０００４】
各画素セルは、フォトダイオード、フォトダイオードの電荷をリセットするためのリセットトランジスタ、フォトダイオードに蓄積された信号電荷を増幅させるための増幅トランジスタ、行を選択するための選択トランジスタ等からなる。
Ｄ１１〜Ｄ３３は各画素セルに含まれるフォトダイオード、Ｍ２１１〜Ｍ２３３は各画素セルに含まれるリセットトランジスタ、Ｍ３１１〜Ｍ３３３は、各画素セルに含まれる増幅トランジスタ、Ｍ４１１〜Ｍ４３３は、各画素セルに含まれる選択トランジスタを示す。
【０００５】
又、負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３の各負荷トランジスタは当該負荷トランジスタと共通の垂直信号線に接続されている増幅トランジスタの負荷となるトランジスタである。負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３の各ドレインはそれぞれ対応する垂直信号線に接続されている。Ｍ５０は基準電流源回路８に含まれ、負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３の各負荷トランジスタとの間でカレントミラーを構成し、電圧入力端子５から給電を受けて負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３に流す定電流を設定するための基準となる基準トランジスタである。基準トランジスタＭ５０、負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３の各ソースは、共通のＧＮＤライン４に接続されている。
【０００６】
各列の画素セルの増幅トランジスタは、ソースが当該列に対応する垂直信号線に共通に接続され、当該増幅トランジスタと共通の垂直信号線に接続された負荷トランジスタとソースフォロア回路を形成し、当該増幅トランジスタが含まれる画素セルのフォトダイオードにより生成された信号電荷に応じた信号電圧(Ｖｘ)を当該垂直信号線に出力する。
又、クリップ回路３ａは、垂直信号線Ｖ１の電圧が所定の電圧以下にならないように一定電圧のクリップ電圧でクリップさせるクリップ用トランジスタＭ７１と、クリップ用トランジスタＭ７１を垂直信号線Ｖ１に接続させるためのクリップ接続用トランジスタＭ８１とから構成される。
【０００７】
クリップ用トランジスタＭ７１は、ソースが垂直信号線Ｖ１に接続され、ゲートがクリップ電圧を設定するための電源線７に接続され、ドレインがクリップ接続用トランジスタＭ８１のソースに接続されている。クリップ接続用トランジスタＭ８１のゲートは、クリップ動作を制御するための制御線６に接続されている。又、クリップ回路３ｂ及び３ｃは、クリップ回路３ａと同様に構成されている。
【０００８】
クリップ回路３ａ〜３ｃのクリップ用トランジスタＭ７１〜Ｍ７３の各ソースは、当該ソースが接続されている垂直信号線において、各画素セルの増幅トランジスタのソースと接続され、差動の構成となっている。
具体的には、各クリップ回路に係る垂直信号線に増幅トランジスタを介して読み出される信号電圧(Ｖｘ)は、当該増幅トランジスタのゲート電圧が、当該クリップ回路のクリップ用トランジスタのゲートに印加されるクリップ電圧よりも充分高い場合には、当該クリップ用トランジスタは、オフしているため、当該増幅トランジスタのゲート電圧に応じた信号電圧(Ｖｘ)が垂直信号線に読み出され、当該増幅トランジスタのゲート電圧が低下し、クリップ電圧に近づいてくると、当該増幅トランジスタに対応するクリップ用トランジスタがオンして、増幅トランジスタのゲート電圧がクリップ電圧よりも低くなった場合にも垂直信号線の信号電圧(Ｖｘ)が、クリップ電圧以下にならないように制御される。
【０００９】
次に、図１０に示す従来の固体撮像装置の動作について説明する。まず、各画素セル内のフォトダイオードＤ１１〜Ｄ３３に光が受光されると、各々のフォトダイオードは信号電荷を生成し蓄積する。蓄積された信号電荷は、垂直走査回路２によって垂直走査されながら、各画素セルの行毎に順次当該画素セルの増幅トランジスタによって増幅され、信号電圧(Ｖｘ)として当該増幅トランジスタのソースが接続している垂直信号線に読み出される。
【００１０】
１行目が選択された場合には、選択トランジスタＭ４１１〜Ｍ４３１のゲートが接続された行選択線ＳＥＬ１の信号がハイレベルとなり、増幅トランジスタＭ３１１〜Ｍ３３１がアクティブとなる。これによって、１行目の画素セル１１０〜３１０の各画素セルの信号電荷が増幅トランジスタＭ３１１〜Ｍ３３１を介してそれぞれ増幅されて垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３に信号電圧(Ｖｘ)として読み出される。
【００１１】
次いで、リセットトランジスタＭ２１１〜Ｍ２３１の各ゲートがそれぞれ接続された行選択線ＲＳＴ１の信号がハイレベルとなり、フォトダイオードＤ１１〜Ｄ３１に蓄積された信号電荷がリセットされる。
次に、２行目の画素セル１２０〜３２０が選択され、同様にして２行目の各画素セルの信号電荷が増幅されて信号電圧(Ｖｘ)として垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３に読み出される。３行目以降も同様にして垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３に信号電圧(Ｖｘ)が順次読み出される。
【００１２】
ここで、フォトダイオードに蓄積される信号電荷の量は、当該フォトダイオードが受光する光の受光量が大きいほど、増加し、当該増加に応じて当該フォトダイオードとゲートが接続されている増幅トランジスタのゲート電位がリセット時の電位から下がり、それに応じて当該増幅トランジスタから垂直信号線に出力される信号電圧(Ｖｘ)が低下する。
又、垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３は、それぞれ対応する負荷トランジスタのドレインに接続されているため、非常に照度が高い光を受光している画素セルと接続している垂直信号線では、当該画素セルから読み出される信号電圧(Ｖｘ)が大きく低下し、当該垂直信号線に接続している負荷トランジスタのドレイン・ソース間の電圧（以下、「Ｖｄｓ」という。）が０Ｖとなり、当該負荷トランジスタがオフしてしまい、当該負荷トランジスタのドレイン・ソース間に電流が流れなくなる。
【００１３】
さらに、負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３のソースは、それぞれ共通のＧＮＤライン４に接続されているため、ある行の各画素セルの信号電圧(Ｖｘ)が垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３に読み出されている時に、何れかの垂直信号線に接続されている負荷トランジスタがオフしてしまうと、オフした負荷トランジスタに電流が流れなくなる分だけ、ＧＮＤライン４に流れ込む電流量が少なくなり、ＧＮＤライン４の配線インピダンスに起因する電圧降下量が減少する。
【００１４】
このＧＮＤライン４上における電圧降下量の減少により、ＧＮＤライン４に接続している、オフしていない負荷トランジスタのソース側の電位が低下するが、当該負荷トランジスタのゲート側の電位は、変動しない。このため、ソース側の電位の低下分だけオフしていない負荷トランジスタのゲート・ソース間電圧が高くなり、それに伴い、当該負荷トランジスタのドレイン・ソース間を流れる電流量が増加し、当該負荷トランジスタのＶｄｓが低下する。
【００１５】
従って、例えば、負荷トランジスタをオフさせるような照度が非常に高いスポット光が固体撮像装置に入射されたような場合には、当該スポット光が入射された画素セルの左右の、本来光の入射されていない画素セルの信号電圧(Ｖｘ)が、本来の値より低く検出されることになり、その結果、当該スポット光の撮影画像においてスポット光の左右に白っぽい帯が発生するという問題が生じてしまう。
【００１６】
そこで、図１０に示す従来の固体撮像装置においては、この問題を解消するため、クリップ回路３ａ〜３ｃが設けられ、垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３の各電圧が所定の電圧以下にならないように一定電圧でクリップされ、照度が非常に高いスポット光が画素セルに入射された場合においても、当該画素セルが接続している垂直信号線の負荷トランジスタのＶｄｓが０Ｖになって負荷トランジスタがオフしないようにしている。
【００１７】
これにより、ＧＮＤライン４の配線インピダンスに起因する電圧降下量の変動をなくし、オフしていない負荷トランジスタを流れる電流量が変動するのを防止し、照度が非常に高いスポット光が画素セルに入射された場合においても、撮影画像において当該スポット光の左右に白っぽい帯が発生しないようにすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開２００１−２３０９７４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
従来技術では、クリップ電圧は、負荷トランジスタＭ５１〜５３のＶｄｓが飽和領域で動作するための最低電圧（飽和領域の下限の境界値）以下にならないように設定されているため、Ｖｄｓが最低電圧以上となる飽和領域では、クリップ回路３ａ〜３ｃは、オフされてしまい、機能しない。
一方、負荷トランジスタのＶｄｓが飽和領域内に有る場合においても、チャネル長変調効果により、Ｖｄｓの低下とともに、負荷トランジスタのドレイン・ソース間を流れる電流量が徐々に減少する。これにより、選択された画素セルの行において、検出される信号電圧が最低電圧付近になるような照度のスポット光を入射された画素セルが多く含まれているような場合においては、チャネル長変調効果により、当該画素セルに垂直信号線を介して接続される負荷トランジスタのドレイン・ソース間を流れる電流量の低下量が大きくなる。
【００２０】
その結果、ＧＮＤライン４に流れ込む電流量が少なくなり、ＧＮＤライン４の配線インピダンスに起因する電圧降下量が減少し、負荷トランジスタがオフした場合と同様の理由で撮影画像においてスポット光の左右に白っぽい帯が発生するという問題が生じてしまう。
さらに、従来技術では、クリップ回路３ａ〜３ｃにより、画素セルから読み出される信号電圧(Ｖｘ)が、最低電圧以下にならないように設定されるため、その分、画素セルから読み出される信号電圧のダイナミックレンジが狭くなり、高照度側の検出感度が低くなってしまうという問題が生じる。
【００２１】
そこで、本願発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、信号電圧のダイナミックレンジを狭めることなく、照度の高いスポット光が入射された画像において、当該スポット光の左右に白っぽい帯が発生するのを防止することが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するため、本発明は、受光量に応じて信号電荷を生成する光電変換素子と、生成した信号電荷を信号電圧として増幅して出力する増幅トランジスタとを含む行列状に配置された複数の画素セルと、各列において同一列の画素セルの出力が共通に接続されている複数の垂直信号線と、定電流源に接続され、当該定電流源から定電流の供給を受ける基準トランジスタをそれぞれ含む、少なくとも2個以上の基準電流源回路と、各列の垂直信号線に１個ずつ接続され、各ゲートが何れかの基準電流源回路に含まれる基準トランジスタのゲートと接続され、当該基準トランジスタとカレントミラーを構成する複数の負荷トランジスタと、を備え、各列の垂直信号線に接続されている前記各負荷トランジスタ及び前記各基準トランジスタは、それぞれ異なる箇所で共通の接地線に接続され、
前記接地線上において、各カレントミラーを構成する前記基準トランジスタと前記負荷トランジスタとがそれぞれ前記接地線と接続する接続点間の距離が、前記接地線上における前記各負荷トランジスタの隣接する接続点間の距離よりも短い箇所が２箇所以上あることとすることができる。
【００２３】
ここで、前記基準電流源回路は、各列の垂直信号線に接続されている負荷トランジスタ毎に設けられ、当該基準電流源回路に含まれる基準トランジスタと当該負荷トランジスタとがそれぞれ前記接地線と接続する接続点間の距離が、前記接地線上における前記各負荷トランジスタの隣接する接続点間の距離よりも短いこととすることができる。
さらに、前記各基準電流源回路の内、所定の1つの前記基準電流源回路には、当該基準電流源回路以外の前記各基準電流源回路の基準トランジスタに定電流を流すための給電のオン、オフを切替える給電切替スイッチが設けられ、前記所定の１つを除く前記各基準電流源回路には、当該基準電流源回路の基準トランジスタのゲートと当該基準トランジスタとカレントミラーを構成する負荷トランジスタのゲートとの接続のオン、オフを切替える第１切替スイッチと、当該負荷トランジスタのゲートと前記所定の１つの前記基準電流源回路の基準トランジスタのゲートとの接続のオン、オフを切替える第２切替スイッチとが設けられ、前記給電切替スイッチ及び各第１切替スイッチに共通に接続され、前記給電切替スイッチ及び各第１切替スイッチを全てオンにするか、全てオフにするかの切替を行う第１制御信号線と、各第２切替スイッチに共通に接続され、各第２切替スイッチを全てオンにするか、全てオフにするかの切替を行う第２制御信号線と、を備え、第１及び第２制御信号線を用いてスイッチの切替を行わせることが可能なこととすることができる。
【００２４】
又、前記基準電流源回路は、それぞれ所定数の垂直信号線毎に当該垂直信号線に接続されている負荷トランジスタについて設けられ、当該基準電流源回路に含まれる基準トランジスタと当該負荷トランジスタとがそれぞれ前記接地線と接続する接続点間の距離が、前記接地線上における前記各負荷トランジスタの隣接する接続点間の距離よりも短いこととしてもよい。
【発明の効果】
【００２５】
上記構成を備えることにより、カレントミラーを構成する基準トランジスタと負荷トランジスタとがそれぞれ接地線と接続する接続点間の距離が、当該接続上における各負荷トランジスタの隣接する接続点間の距離よりも短い距離にある負荷トランジスタについては、接続点間の配線距離が短く、当該距離における配線インピダンスが小さいので、接地線の配線インピダンスの影響をほとんど受けることなく、定電流源から基準トランジスタに供給される定電流とほぼ同じ大きさの電流を流すことができる。
【００２６】
これにより、照度の高いスポット光が入射された画素セルと垂直信号線を介して接続される負荷トランジスタがオフしたり、チャネル長変調効果により当該負荷トランジスタを流れる電流量が低下したりすることにより、接地線に流れ込む電流量が減少して接地線における配線インピダンスによる電圧降下量が減少した場合においても、カレントミラーを構成する基準トランジスタと負荷トランジスタとがそれぞれ接地線と接続する接続点間の距離が各負荷トランジスタの隣接する接続点間の距離より短い、当該カレントミラーを構成する負荷トランジスタを流れる電流量は、ほとんど変動せず、当該負荷トランジスタのドレイン・ソース間電圧は、一定に保たれ、当該ドレイン・ソース間電圧の低下により、撮影画像において、スポット光の左右に白っぽい帯が発生するのを有効に防止することができる。
【００２７】
さらに、上記構成においては、垂直信号線の電圧が所定の電圧以下にならないように一定電圧でクリップされないので、信号電圧のダイナミックレンジが狭くならないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施の形態１に係る固体撮像装置の構成を示すブロック図である。
【図２】実施の形態１に係る固体撮像装置の変形例１の構成を示すブロック図である。
【図３】実施の形態１に係る固体撮像装置の変形例２の構成を示すブロック図である。
【図４】実施の形態１に係る固体撮像装置の変形例３の構成を示すブロック図である。
【図５】実施の形態１に係る固体撮像装置の変形例４の構成を示すブロック図である。
【図６】実施の形態２に係る固体撮像装置の構成を示すブロック図である。
【図７】実施の形態１に係る固体撮像装置の動作の具体例を説明するための図である。
【図８】ＶｄｓとＩｄｓとの対応関係を示す図である。
【図９】比較例に係る固体撮像装置の動作の具体例を説明する図である。
【図１０】従来の固体撮像装置の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施形態において固体撮像装置を構成する各回路素子は、例えば半導体集積回路の製造技術によって単結晶シリコンのような１個の半導体基板上に形成されているものとするが、これに限定するものではない。また、以下の実施形態においては、簡単のため３行３列の画素アレイとしているが、もちろんこれに限定されるものではない。更に、以下の実施形態においてＮＭＯＳ型のトランジスタは単に「トランジスタ」ということとする。
【００３０】
なお、以下において、従来技術に係る固体撮像装置の構成要素と同一の構成要素については、同一の番号を付与することとする。
（実施の形態１）
＜構成＞
図１は本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の構成を示すブロック図である。同図に示すように、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置は、撮像部１、垂直走査を行うための垂直走査回路２、垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３、ドレインが各垂直信号線に接続された負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３、ＧＮＤライン４、電圧入力端子５、基準電流源回路８ａ〜８ｃ、ＣＤＳ回路９、水平走査回路１０等から構成される。
【００３１】
撮像部１には、画素セル１１０〜３３０が行列状に配置されている。各列の画素セル（１１０〜１３０、２１０〜２３０、３１０〜３３０）は、垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３内、当該列に対応する垂直信号線にそれぞれ共通に接続され、各行の画素セル（１１０〜３１０、１２０〜３２０、１３０〜３３０）は、垂直走査回路２にそれぞれ接続する行選択線ＳＥＬ１〜ＳＥＬ３及び共通のリセット線ＲＳＴ１〜ＲＳＴ３の内、当該行に対応する行選択線及びリセット線にそれぞれ共通に接続されている。
【００３２】
各画素セルは、フォトダイオード、フォトダイオードの電荷をリセットするためのリセットトランジスタ、フォトダイオードに蓄積された信号電荷を増幅させるための増幅トランジスタ、行を選択するための選択トランジスタ等からなる。
Ｄ１１〜Ｄ３３は各画素セルに含まれるフォトダイオード、Ｍ２１１〜Ｍ２３３は各画素セルに含まれるリセットトランジスタ、Ｍ３１１〜Ｍ３３３は、各画素に含まれる増幅トランジスタ、Ｍ４１１〜Ｍ４３３は、各画素に含まれる選択トランジスタを示す。
【００３３】
増幅トランジスタＭ３１１〜Ｍ３３３は、各ソースが垂直信号線に接続され、各ゲートが、当該増幅トランジスタを含む画素セルのフォトダイオードのカソード側及び当該画素セルのリセットトランジスタのソースとそれぞれ接続され、各ドレインが当該画素セルの選択トランジスタのソースと接続されている。
各増幅トランジスタは、当該増幅トランジスタと共通の垂直信号線に接続された負荷トランジスタとソースフォロア回路を形成し、対応するフォトダイオードにより生成された信号電荷に応じた信号電圧（Ｖｘ）を垂直信号線に出力する。
【００３４】
負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３は、それぞれ、当該負荷トランジスタと共通の垂直信号線に接続されている増幅トランジスタの負荷となるトランジスタである。負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３の各ソースは、ＧＮＤライン４に接続され、各ゲートは、基準電流源回路８ａ〜８ｃの内、対応する基準電流源回路に含まれる基準トランジスタのゲートと接続され、各ドレインはそれぞれ対応する垂直信号線に接続されている。
【００３５】
基準電流源回路８ａ〜８ｃは、何れも同一の構成要素を備えているので、以下、主として基準電流源回路８ａについて説明する。基準電流源回路８ａは、基準トランジスタ５０とＰＭＯＳトランジスタＭ１０１とから構成される。
ＰＭＯＳトランジスタＭ１０１は、ソースが定電圧源に接続され、ゲートが電圧入力端子５に接続され、ドレインが基準トランジスタ５０のゲートとドレインに接続され、電圧入力端子５からゲートに定電圧の供給を受けて基準トランジスタ５０に定電流を流すＰＭＯＳトランジスタである。
【００３６】
基準トランジスタ５０は、ソースがＧＮＤライン４に接続され、ゲートが負荷トランジスタ５１のゲート及びＰＭＯＳトランジスタＭ１０１のドレインに接続され、ドレインがＰＭＯＳトランジスタＭ１０１のドレイン接続されている。
そして、基準トランジスタ５０と負荷トランジスタ５１とはカレントミラーを構成し、両者はそれぞれ、ＧＮＤライン４と接続する接続点間の距離が近傍の距離になるように配置されている。
【００３７】
ここで、「近傍の距離」とは、０よりも大きく、負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３がそれぞれ、ＧＮＤライン４と接続する接続点の内、隣接する接続点間の各距離よりも短い距離のことをいう。基準トランジスタ５０と負荷トランジスタ５１とが、それぞれＧＮＤライン４と接続する接続点間の距離は、ＧＮＤライン４の配線インピダンスの影響をできる限り小さくするという観点から、できるだけ０に近い距離であることが望ましい。
【００３８】
同様に基準電流源回路８ｂは、基準トランジスタＭ９２とＰＭＯＳトランジスタＭ１０２とから、基準電流源回路８ｃは、基準トランジスタＭ９３とＰＭＯＳトランジスタＭ１０３とからそれぞれ構成される。
そして、基準トランジスタＭ９２と負荷トランジスタＭ５２とは、カレントミラーを構成し、両者はそれぞれ、ＧＮＤライン４と接続する接続点間の距離が近傍の距離になるように配置されている。
【００３９】
同様に、基準トランジスタＭ９３と負荷トランジスタＭ５３とはカレントミラーを構成し、両者はそれぞれ、ＧＮＤライン４と接続する接続点間の距離が近傍の距離になるように配置されている。
ＣＤＳ（Correlated Double Sampling）回路９は、垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３に読み出される信号電圧（Ｖｘ）をサンプルホールドし、相関二重サンプリングを行う回路である。
【００４０】
ここで、「相関二重サンプリング」とは、時系列で入力される２つの電圧信号（リセット時に垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３の各垂直信号線にそれぞれ読み出される信号電圧と、フォトダイオードにより生成された信号電荷の読出し時に当該垂直信号線に読み出される信号電圧）をサンプリングしてその差分を信号電荷に起因する信号電圧として検出して出力する処理のことをいう。
【００４１】
検出した各信号電圧の出力は、水平走査回路１０から出力される、信号電圧の出力タイミングを示すタイミング信号Ｈ１〜Ｈ３が順次ハイレベルになるに従って、対応する信号電圧を外部に出力する。
＜動作＞
次に本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の動作について説明する。
図１に示す各画素セル内のフォトダイオードＤ１１〜Ｄ３３に光が受光されると、各々のフォトダイオードは光の受光量に応じた信号電荷を生成し蓄積する。蓄積された信号電荷は、垂直走査回路２によって垂直走査されながら行毎に順次対応する増幅トランジスタによって増幅されて信号電圧（Ｖｘ）として垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３に読み出される。
【００４２】
１行目が選択された場合には、選択トランジスタＭ４１１〜Ｍ４３１のゲートが接続された行選択線ＳＥＬ１の信号がハイレベルとなり、増幅トランジスタＭ３１１〜Ｍ３３１がオン状態となる。これによって、１行目の各画素セルのフォトダイオードによって蓄積された信号電荷が当該画素セルの増幅トランジスタによって増幅されて当該増幅トランジスタと接続している垂直信号線に信号電圧(Ｖｘ)として読み出される。次いで、リセットトランジスタＭ２１１〜Ｍ２３１のゲートが接続された行選択線ＲＳＴ１の信号がハイレベルとなり、１行目の各画素セルのフォトダイオードに蓄積された信号電荷がリセットされる。
【００４３】
次に、２行目が選択され、同様にして２行目の各画素セルのフォトダイオードによって蓄積された信号電荷が当該画素セルの増幅トランジスタによって増幅されて当該増幅トランジスタと接続している垂直信号線に信号電圧(Ｖｘ)が読み出される。３行目以降も同様にして各垂直信号線に信号電圧(Ｖｘ)が読み出される。
ここで、何れかの行の画素セルにおいて、照度が非常に高いスポット光が入射された場合には、当該画素セルと接続している垂直信号線では、当該画素セルから出力される信号電圧(Ｖｘ)が０Ｖまで大きく低下する。そうすると、当該垂直信号線に接続している負荷トランジスタのドレイン・ソース間の電圧（以下、「Ｖｄｓ」という。）が０Ｖとなるため、当該負荷トランジスタがオフしてしまう。そして、負荷トランジスタがオフすると、当該負荷トランジスタのドレイン・ソース間に電流が流れなくなり、オフした負荷トランジスタに電流が流れなくなる分だけ、ＧＮＤライン４に流れ込む電流量が少なくなり、ＧＮＤライン４の配線インピダンスに起因する電圧降下量が減少する。
【００４４】
一方、負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３の各負荷トランジスタは、対応する基準電流源回路と接続され、各基準電流源回路のＰＭＯＳトランジスタは、ゲート・ソース間に一定の電圧が供給されるように、それぞれ、ゲート及びソースが異なる定電圧源に接続されている。このため、各ＰＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間には、ＧＮＤライン４における電圧降下量の変動の有無に関らず、一定の電圧が供給され、当該ＰＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン間には、当該一定の電圧に応じた大きさの電流（以下、「一定電流」という。）が流れる。そして、当該ＰＭＯＳトランジスタのドレインとドレインが接続されている基準トランジスタのドレイン・ソース間にもＧＮＤライン４における電圧降下量の変動の有無に関らず、一定電流が流れ、当該基準トランジスタのゲート・ソース間の電圧は、変動しない。
【００４５】
さらに、各基準トランジスタと当該基準トランジスタに対応する負荷トランジスタとは、カレントミラーを構成しているため、各基準トランジスタのゲート・ソース間の電圧と、当該基準トランジスタに対応する負荷トランジスタのゲート・ソース間の電圧が等しい場合には、当該負荷トランジスタのドレイン・ソース間にもＧＮＤライン４における電圧降下量の変動の有無に関らず、一定電流を流すことができる。
【００４６】
ここで、各基準トランジスタと当該基準トランジスタに対応する負荷トランジスタとは、ゲート同士が接続され、両ゲート間を流れる電流量は、微量であることから、両ゲートを結ぶ接続線における配線インピダンスによる電圧降下量は、ほぼ０に等しく、両者のゲートの電位は、等しいと考えられる。
これに対し、ＧＮＤライン４を流れる電流量は、微量でないため、配線インピダンスに起因する電圧降下の影響で、ＧＮＤライン４上における両者のソースの電位の差は、両者のＧＮＤライン４上における接続点間の距離に応じて大きくなるが、本実施の形態に係る固体撮像装置においては、両者のＧＮＤライン４上における接続点間の距離が近傍の距離になるように構成されているので、両者のソース間の電位差を小さくすることができ、特に、両者の接続点間の距離を配線インピダンスがほぼ０に等しくなるような距離とすることにより、両者のソースの電位の差をなくすことができる。
【００４７】
その結果、各基準トランジスタのゲート・ソース間の電圧と当該基準トランジスタに対応する負荷トランジスタのゲート・ソース間の電圧との差は小さくなり、対応する負荷トランジスタには、ＧＮＤライン４における電圧降下量の変動の影響を受けることなく、一定電流とほぼ同じ大きさの電流が流れる。
これにより、何れかの行の画素セルに、照度の高いスポット光が入射された画素セルが有り、当該画素セルと垂直信号線を介して接続される負荷トランジスタがオフしたり、チャネル長変調効果により当該負荷トランジスタを流れる電流量が減少してＧＮＤライン４に流れ込む電流量が減少し、ＧＮＤライン４における配線インピダンスに起因する電圧降下量が減少した場合においても、当該負荷トランジスタを除く負荷トランジスタのドレイン・ソース間には、一定電流とほぼ同じ大きさの電流が流れるので、当該ドレイン・ソース間の電流量は、ほとんど変動せず、当該変動に伴って負荷トランジスタのＶｄｓが低下するのを防ぐことができ、撮影画像において、スポット光の左右に白っぽい帯が発生するのを有効に防止することができるという効果が得られる。
【００４８】
さらに、本固体撮像装置においては、垂直信号線Ｖ１〜Ｖ３の各電圧が所定の電圧以下にならないように一定電圧でクリップされないので、信号電圧のダイナミックレンジが狭くならないようにすることができるという効果も得られる。
以下、上記の効果について、具体例を挙げてさらに説明する。図７は、実施の形態１に係る固体撮像装置の動作の具体例を説明するための図である。同図において１２０ａ、２２０ａ、３２０ａは、画素セルの構成要素ではないが、画素セル１２０、２２０、３２０（当該固体撮像装置の２行目の画素セル）にそれぞれ入射された光の明るさの程度を示したイラスト図形を表す。ここでは、画素セル１２０には、照度の高い明るい光が入射され、画素セル２２０及び３２０には、光が全く入射されていないことを各対応するイラスト図形によって示している。
【００４９】
さらに、同図のＩｄｓ５１は、負荷トランジスタＭ５１を流れる電流を、Ｉｄｓ５２は、負荷トランジスタＭ５２を流れる電流を、Ｉｄｓ５３は、負荷トランジスタＭ５３を流れる電流を、それぞれ示す。そして、同図のＶｄｓ５１は、負荷トランジスタＭ５１のＶｄｓを、Ｖｄｓ５２は、負荷トランジスタＭ５２のＶｄｓを、Ｖｄｓ５３は、負荷トランジスタＭ５３のＶｄｓをそれぞれ示す。
【００５０】
又、同図の１１は、ＧＮＤライン４の配線インピダンスを示し、１２は、イラスト図形１２０ａ、２２０ａ、３２０ａによって示す光が画素セル１２０〜３２０に入射された場合に、固体撮像装置から出力される撮影画像のイメージを示すイメージ図を示す。
この場合、光が全く入射されなかった画素セル２２０及び３２０のフォトダイオードＤ２２、Ｄ３２では、信号電荷が生成されないため、垂直信号線Ｖ２、Ｖ３に読み出される信号電圧(Ｖｘ)は最大となり、これに応じてＶｄｓ５２、Ｖｄｓ５３は、それぞれ、最大値（ＶＲＳＴ）に達する。
【００５１】
図８は、Ｖｄｓと負荷トランジスタのドレイン・ソース間を流れる電流Ｉｄｓとの対応関係を示す図である。同図に示すように、Ｖｄｓが、８２で示す飽和領域の範囲内にある場合には、チャネル長変調効果により、Ｖｄｓが、最大値であるＶＲＳＴから飽和領域の下限の境界値（Ｖｃ）まで減少するのに応じて、Ｉｄｓは、ＩＣＯＮＳＴ（ＶｄｓがＶＲＳＴの時に負荷トランジスタに流れる電流値）からＩｃ（ＶｄｓがＶｃの時に負荷トランジスタに流れる電流値、Ｉｃ＜ＩＣＯＮＳＴ）までなだらかに減少する。そして、ＶｄｓがＶｃよりさらに減少し、８１で示す非飽和領域に入ると、Ｉｄｓが急激に減少し、最終的に電流が流れなくなり（Ｉｄｓ＝０となる）、負荷トランジスタがオフする。
【００５２】
画素セル１２０に入射される光の照度が高くなる程、その信号電圧(Ｖｘ)は、低下し、それに伴いＶｄｓ５１は減少するので、図８に示す対応関係から、Ｉｄｓ５１は、ＩＣＯＮＳＴから減少する。例えば、Ｖｄｓ５１が飽和領域にある場合には、最大で、（ＩＣＯＮＳＴ―Ｉｃ）に相当する電流量が減少し、Ｖｄｓ５１が非飽和領域にある場合には、最大で、ＩＣＯＮＳＴに相当する電流量が減少する。
【００５３】
そして、Ｉｄｓ５１が減少すると、画素セル１２０に光が入射されなかった場合に比べ、ＧＮＤライン４に流れ込む電流量が減少し、それに伴い、ＧＮＤライン４における電圧降下量が減少する。
しかしながら、負荷トランジスタＭ５２、Ｍ５３には、負荷トランジスタ５２、５３とそれぞれ接続する基準電流源回路８ｂ、８ｃが設けられ、負荷トランジスタＭ５２、Ｍ５３には基準電流源回路８ｂ、８ｃを介してそれぞれ一定電流とほぼ同じ大きさの電流が流されるので、ＧＮＤライン４における電圧降下量が減少しても、それに伴い、Ｖｄｓ５２、Ｖｄｓ５３は低下せず、図７の１２のイメージ図に示すように、画素セル２２０及び３２０に対応する撮影画像が、白っぽくなるのを防止することができる。
【００５４】
一方、図９に示すように、実施の形態１に係る固体撮像装置と異なり、基準トランジスタＭ５０がＧＮＤライン４と接続する接続点と、負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３がそれぞれＧＮＤライン４と接続する接続点との間の各距離が全て近傍の距離になるように配置されていない回路構成を有する比較例に係る固体撮像装置においては、画素セル１２０に照度の高いスポット光が入射された場合に、画素セル２２０及び３２０に対応する撮影画像が白っぽくなるのを完全に防止することができない。以下、図９を参照して比較例について説明する。同図において図７と同一の構成要素については、図７と同一の番号又は符号を付している。
【００５５】
同図の１３は、イラスト図形１２０ａ、２２０ａ、３２０ａによって示す光が画素セル１２０〜３２０に入射された場合に、固体撮像装置から出力される撮影画像のイメージを示すイメージ図である。
この場合も、図７に示す具体例の場合と同様に、画素セル１２０に入射される光の照度が高くなる程、その信号電圧(Ｖｘ)は、画素セル１２０に光が入射されなかった場合に比べ、低下し、それに伴いＶｄｓ５１は減少するので、図８に示す対応関係から、Ｉｄｓ５１は、ＩＣＯＮＳＴから減少する。
【００５６】
そして、Ｉｄｓ５１が減少すると、画素セル１２０に光が入射されなかった場合に比べ、ＧＮＤライン４に流れ込む電流量が減少し、ＧＮＤライン４における電圧降下量が小さくなる。
比較例に係る固体撮像装置においては、図９に示すように、クリップ回路３ａ〜３ｃが設けられているため、画素セル１２０に入射される光の照度が、高くなっても、Ｖｄｓ５１は、Ｖｃ以下にならないように設定されるが、飽和領域内ではクリップ回路３ａ〜３ｃは機能しないため、飽和領域内においては、Ｉｄｓ５１は、画素セル１２０の照度が高くなるほど、チャネル長変調効果により低下し、それに伴い、ＧＮＤライン４における電圧降下量が減少する。この影響により、負荷トランジスタがオフした場合と同様の理由により、Ｖｄｓ５２、Ｖｄｓ５３が低下し、撮影画像において、画素セル２２０及び３２０に対応する画像が白っぽくなってしまう。
【００５７】
具体的には、画素セル１２０の照度が低く、画素セル２２０及び３２０との照度差が小さい場合には、チャネル長変調効果によるＩｄｓ５１の低下量は無視できるため、ＧＮＤライン４における電圧降下量の減少はほとんどないが、画素セル１２０の照度が高くなるに従って、チャネル長変調効果によるＩｄｓ５１の低下量を無視しえなくなり、これにより、ＧＮＤライン４における電圧降下量が減少し、それに伴い、Ｖｄｓ５２、Ｖｄｓ５３が低下し、撮影画像において、画素セル２２０及び３２０に対応する画像が白っぽくなってしまう。
【００５８】
一方、上述したように、実施の形態１に係る固体撮像装置においては、飽和領域内においてＩｄｓ５１が低下しても、それに伴い、Ｖｄｓ５２、Ｖｄｓ５３が低下することはないので、飽和領域内においても画素セル２２０及び３２０に対応する画像が白っぽくなるのを防止することができ、この点において、比較例に係る固体撮像装置よりもすぐれている。
【００５９】
さらに、実施の形態１に係る固体撮像装置においては、図９に示す比較例に係る固体撮像装置のように、ＶｄｓがＶｃ以下にならないようにするためのクリップ回路３ａ〜３ｃが設けられていないので、図８の８４に示すように、検出可能な信号電圧のダイナミックレンジを広くとることができ、信号電圧がＶｃ以下の範囲においても照度差を検出することができる。
【００６０】
従って、実施の形態１に係る固体撮像装置は、比較例に係る固体撮像装置において検出可能な信号電圧のダイナミックレンジ（図８において、８３で示す範囲）に比べ、高照度側の検出感度がすぐれている。
（実施の形態２）
本実施の形態２に係る固体撮像装置は、基準電流源回路と当該基準電流源回路に対応する負荷トランジスタとの接続のオン・オフが切替えられる構成となっている点において、実施の形態１に係る固体撮像装置と相違する。これにより、電力消費の大きい基準電流源回路の使用頻度を制御し、固体撮像装置の駆動時において、電力消費の大きい基準電流源回路が不必要に多く利用されて電力消費量が大きくならないように制御することができる。以下、実施の形態１に係る固体撮像装置と異なる点を中心に説明する。
【００６１】
図６は、本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置の構成を示すブロック図である。同図において、実施の形態１の固体撮像装置と同一の構成要素については、同一の番号が付与されている。
本実施の形態２に係る固体撮像装置においては、画素セル１１３〜３３３の各画素セルのフォトダイオードのカソード側と増幅トランジスタのゲートとの間に転送トランジスタ（Ｍ１１１〜Ｍ１３３）が設けられ、さらに各画素セルの選択トランジスタをなくした構成としている。
【００６２】
そして、各行の画素セルの増幅トランジスタ（Ｍ３１１〜Ｍ３１３、Ｍ３２１〜Ｍ３２３、Ｍ３３１〜Ｍ３３３）のドレインは、それぞれ、垂直走査回路２に接続する行選択線ＶＤＤＣＥＬＬ１〜ＶＤＤＣＥＬＬ３の内の対応する行の行選択線に共通に接続されている。
各行の画素セルの転送トランジスタ（Ｍ１１１〜Ｍ１１３、Ｍ１２１〜Ｍ１２３、Ｍ１３１〜Ｍ１３３）の各ゲートは、それぞれ、垂直走査回路２に接続する行選択線ＴＲＡＮＳ１〜ＴＲＡＮＳ３の内の対応する行選択線に共通に接続されている。
【００６３】
さらに、本実施の形態２に係る固体撮像装置は、基準電流源回路８ａ〜８ｃの代わりに、基準電流源回路８０ａ〜８０ｃを備える。基準電流源回路８０ａは、
ソースが電源線に接続され、ゲートが電圧入力端子５に接続され、ドレインが基準トランジスタ５０のゲートとドレインに接続され、電圧入力端子５からゲートに定電圧の供給を受けて基準トランジスタ５０に定電流を流すＰＭＯＳトランジスタＭ１０１と、ソースが切替トランジスタＭＲ２のドレインと接続され、ゲートが制御信号線ＳＷ２に接続され、ドレインが電源線に接続されている切替トランジスタＭＲ１と、ソースが電圧入力端子５に接続され、ゲートが制御信号線ＳＷ１に接続され、ドレインが切替トランジスタＭＲ１のソースに接続された切替トランジスタＭＲ２と、ソースがＧＮＤライン４に接続され、ゲートが負荷トランジスタ５１のゲート及びＰＭＯＳトランジスタＭ１０１のドレインに接続され、ドレインがＰＭＯＳトランジスタＭ１０１のドレイン接続されている基準トランジスタ５０を備え、負荷トランジスタ５１とカレントミラーを構成している。
【００６４】
基準トランジスタ５０と負荷トランジスタ５１は、両者がそれぞれ、ＧＮＤライン４と接続する接続点間の距離が近傍の距離になるように配置されている。
基準電流源回路８０ｂ、８０ｃは、何れも同一の構成要素を備えているので、以下、主として基準電流源回路８０ｂについて説明する。基準電流源回路８０ｂは、ソースが定電圧源に接続され、ゲートが基準電流源回路８０ａの切替トランジスタＭＲ１のソースと切替トランジスタＭＲ２のドレインに接続され、ドレインが基準トランジスタＭ９２のドレインに接続され、切替トランジスタＭＲ２を介して電圧入力端子５からゲートに定電圧の供給を受けて基準トランジスタ９２に定電流を流すＰＭＯＳトランジスタＭ１０２と、ソースが基準トランジスタＭ５０のゲートに接続され、ゲートが制御信号線ＳＷ２に接続され、ドレインが基準トランジスタＭ９２のドレインに接続された切替トランジスタＭＲ３と、ソースがＧＮＤライン４に接続され、ゲートが切替トランジスタＭＲ５のドレインに接続され、ドレインがＰＭＯＳトランジスタＭ１０２のドレイン接続された基準トランジスタＭ９２と、ソースがＧＮＤライン４に接続され、ゲートが制御信号線ＳＷ２に接続され、ドレインが基準トランジスタＭ９２のゲートに接続された切替トランジスタＭＲ５と、ソースが切替トランジスタＭＲ５のドレインに接続され、ゲートが制御信号線ＳＷ１に接続され、ドレインが基準トランジスタＭ９２のドレインに接続された切替トランジスタＭＲ４とを備え、負荷トランジスタＭ５２とカレントミラーを構成している。
【００６５】
基準トランジスタＭ９２と負荷トランジスタＭ５２は、両者がそれぞれ、ＧＮＤライン４と接続する接続点間の距離が近傍の距離になるように配置されている。
基準電流源回路８０ｃは、基準電流源回路８０ｂと同一の構成要素を備え、各構成要素は、基準電流源回路８０ｂの場合と同様に接続され、負荷トランジスタＭ５３とカレントミラーを構成している。基準電流源回路８０ｃの基準トランジスタＭ９３と負荷トランジスタＭ５３は、両者がそれぞれ、ＧＮＤライン４と接続する接続点間の距離が近傍の距離になるように配置されている。
【００６６】
制御信号線ＳＷ１がオン状態になると、制御信号線ＳＷ１にゲートが接続されている切替トランジスタＭＲ２、切替トランジスタＭＲ４、切替トランジスタＭＲ７がそれぞれオンする。切替トランジスタＭＲ２がオンすることにより、電圧入力端子５とＰＭＯＳトランジスタＭ１０２及びＰＭＯＳトランジスタＭ１０３の各ゲートとが接続され、電圧入力端子５からＰＭＯＳトランジスタＭ１０２及びＰＭＯＳトランジスタＭ１０３の各ゲートに定電圧が供給される。
【００６７】
さらに切替トランジスタＭＲ４、切替トランジスタＭＲ７がそれぞれオンすることにより、基準トランジスタＭ９２のゲートと負荷トランジスタＭ５２のゲート、基準トランジスタＭ９３のゲートと負荷トランジスタＭ５３のゲートがそれぞれ接続される。
そして制御信号線ＳＷ１がオン状態のときに、制御信号線ＳＷ２がオフ状態になると、制御信号線ＳＷ２にゲートが接続されている切替トランジスタＭＲ１、切替トランジスタＭＲ３、切替トランジスタＭＲ５、切替トランジスタＭＲ６、切替トランジスタＭＲ８がそれぞれオフされ、基準トランジスタＭ５０とトランジスタＭ５２、基準トランジスタＭ５０と負荷トランジスタＭ５３とがそれぞれ、非接続になる。
【００６８】
このように、制御信号線ＳＷ１をオン状態とし、制御信号線ＳＷ２をオフ状態にすることにより、実施の形態１の場合と同様に、基準電流源回路８０ａと負荷トランジスタＭ５１との間、基準電流源回路８０ｂと負荷トランジスタＭ５２との間、及び基準電流源回路８０ｃと負荷トランジスタＭ５３との間でそれぞれカレントミラーを構成し、各基準電流源回路から対応する負荷トランジスタに定電流を供給することができる。
【００６９】
一方、制御信号線ＳＷ１がオフ状態になると、制御信号線ＳＷ１にゲートが接続されている切替トランジスタＭＲ２、切替トランジスタＭＲ４、切替トランジスタＭＲ７がそれぞれオフし、電圧入力端子５とＰＭＯＳトランジスタＭ１０２及びＰＭＯＳトランジスタＭ１０３の各ゲートとが非接続となり、電圧入力端子５からＰＭＯＳトランジスタＭ１０２及びＰＭＯＳトランジスタＭ１０３の各ゲートへの定電圧の供給が停止され、基準トランジスタＭ９２のゲートと負荷トランジスタＭ５２のゲート間、基準トランジスタＭ９３のゲートと負荷トランジスタＭ５３のゲート間がそれぞれ非接続になる。
【００７０】
そして制御信号線ＳＷ１がオフ状態のときに、制御信号線ＳＷ２がオン状態になると、制御信号線ＳＷ２にゲートが接続されている切替トランジスタＭＲ１、切替トランジスタＭＲ３、切替トランジスタＭＲ５、切替トランジスタＭＲ６、切替トランジスタＭＲ８がそれぞれオン状態になり、基準トランジスタＭ５０とトランジスタＭ５２のゲート間、基準トランジスタＭ５０と負荷トランジスタＭ５３のゲート間がそれぞれ接続されるとともに、切替トランジスタＭＲ１を介して電源線から電圧の供給を受けてＰＭＯＳトランジスタＭ１０２、ＰＭＯＳトランジスタＭ１０３の各ゲート電圧が上昇し、各ＰＭＯＳトランジスタがオフする。
【００７１】
このように、制御信号線ＳＷ１をオフ状態とし、制御信号線ＳＷ２をオン状態にすることにより、基準電流源回路８０ｂと負荷トランジスタＭ５２との間、及び基準電流源回路８０ｃと負荷トランジスタＭ５３との間のカレントミラーの接続がそれぞれ、非接続となり、従来技術の場合と同様に、基準電流源回路８０ａと負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３の各負荷トランジスタとの間でカレントミラーを構成し、基準電流源回路８０ａから負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３に定電流を供給することができる。
【００７２】
従って、制御信号線ＳＷ1及び制御信号線ＳＷ２のオン・オフを上記のように切替えることにより、負荷トランジスタＭ５１〜Ｍ５３の各負荷トランジスタへの定電流の供給方式を、実施の形態１に係る供給方式と従来技術に係る供給方式との何れかに切替えることが可能となる。
例えば、固体撮像装置に被写体の照度を検出する検出部を設け、当該検出部による照度の検出結果に応じて、定電流の供給方式を切替えるように制御することとしてもよい。
【００７３】
具体的には、スポット光による白い帯が目立ちにくい、被写体の照度が高い高照度条件下では、定電流の供給方式を従来技術に係る供給方式に切り替え、スポット光による白い帯が目立ちやすい、被写体の照度が低い低照度条件下では、定電流の供給方式を実施の形態1に係る供給方式に切替えるように制御することとしてもよい。
このように制御することにより、スポット光による白い帯が目立ちにくい高照度条件下では、電力消費量の大きい実施の形態１に係る供給方式の代わりに電力消費量の少ない従来技術に係る供給方式で定電流を供給し、その分、固体撮像装置における電力消費量を少なくすることができる。
【００７４】
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施形態に施した各変形例や、異なる実施形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。例えば、以下のような変形例を実施することができる。
（１）実施の形態１に係る固体撮像装置において、各画素セルのフォトダイオードのカソード側と増幅トランジスタのゲートとの間に転送トランジスタを設けることとしてもよい。具体的には、以下に示すように構成することとしてもよい。
【００７５】
図２は、本変形例に係る固体撮像装置の構成を示すブロック図である。同図に示すように、本変形例では、画素セル１１１〜３３１の各画素セルのフォトダイオードのカソード側と増幅トランジスタのゲートとの間に、Ｍ１１１〜Ｍ１３３で示す転送トランジスタがそれぞれ設けられている。
転送トランジスタＭ１１１〜Ｍ１３３の各ソースは、当該転送トランジスタを含む画素セルの増幅トランジスタにそれぞれ接続され、転送トランジスタＭ１１１〜Ｍ１３３の各ゲートは、垂直走査回路２に接続する行選択線ＴＲＡＮＳ１〜ＴＲＡＮＳ３の内、当該ゲートを含む画素セルが属する行に対応する行選択線に接続され、転送トランジスタＭ１１１〜Ｍ１３３の各ドレインは、当該転送トランジスタを含む画素セルのフォトダイオードのカソード側とそれぞれ接続されている。
【００７６】
各行の画素セルの転送トランジスタは、当該行の行選択線が選択されると、当該画素セルのフォトダイオードに蓄積された信号電荷を、当該画素セルの増幅トランジスタに転送する。
（２）（１）の変形例に係る固体撮像装置において、各画素セルの増幅トランジスタのドレインを直接、電源に接続する構成とすることとしてもよい。具体的には、以下に示すように構成することとしてもよい。
【００７７】
図３は、本変形例に係る固体撮像装置の構成を示すブロック図である。同図に示すように、本変形例では、画素セル１１２〜３３２の各画素セルの増幅トランジスタのソースは、当該増幅トランジスタを含む画素セルの選択トランジスタのドレインに接続されて当該選択トランジスタを介して対応する垂直信号線に接続され、当該増幅トランジスタのゲートは、当該増幅トランジスタを含む画素セルの転送トランジスタのソース及び、当該増幅トランジスタを含む画素セルのリセットトランジスタのソースにそれぞれ接続され、当該増幅トランジスタのドレインは、直接、電源に接続されている。
（３）（２）の変形例に係る固体撮像装置において、さらに各画素セルの選択トランジスタをなくす構成とすることとしてもよい。具体的には、以下に示すように構成することとしてもよい。
【００７８】
図４は、本変形例に係る固体撮像装置の構成を示すブロック図である。同図に示すように、本変形例では、画素セル１１３〜３３３の各画素セルの増幅トランジスタのソースは、対応する垂直信号線に直接、接続され、当該増幅トランジスタのゲートは、当該増幅トランジスタを含む画素セルの転送トランジスタのソース及び、当該増幅トランジスタを含む画素セルのリセットトランジスタのソースにそれぞれ接続され、当該増幅トランジスタのドレインは、それぞれ、垂直走査回路２に接続する行選択線ＶＤＤＣＥＬＬ１〜ＶＤＤＣＥＬＬ３の内の当該ドレインを含む画素セルが属する行に対応する行選択線に接続されている。
（４）実施の形態１及び（２）、（３）の変形例に係る固体撮像装置においては、各垂直信号線に接続されている負荷トランジスタ毎に、当該負荷トランジスタとカレントミラーを構成する基準電流源回路を設けることとしたが、基準電流源回路を、各垂直信号線に接続されている負荷トランジスタ毎に設けることは、必須要件ではなく、少なくとも２箇所以上に設けることとすればよい。
【００７９】
例えば、所定数の垂直信号線毎に当該垂直信号線に接続されている負荷トランジスタとカレントミラーを構成する基準電流源回路を設けることとしてもよい。
所定数は、２以上の何れかの整数であればよい。図５は、所定数が２の場合の固体撮像装置の構成の具体例を示す。同図に示すように、固体撮像装置には、２本の垂直信号線毎（図５に示すＶ１とＶ２、Ｖ３とＶ４）に各１つの基準電流源回路（図５の８ａ、８ｃ）が設けられている。
【００８０】
このように、基準電流源回路の数を適正な数にすることにより、全ての負荷トランジスタについて基準電流源回路を設けた場合に比べ、半導体素子の数を少なくすることができ、その分、固体撮像装置のレイアウト面積を小さくすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、ビデオカメラ、デジタルカメラ及びカメラ付き携帯電話等を代表とする画像入力装置などに用いられる固体撮像装置に利用することができる。
【符号の説明】
【００８２】
１                              撮像部
２                              垂直走査回路
３ａ〜３ｃ                      クリップ回路
４                              ＧＮＤライン
５                              電圧入力端子
６                              制御線
７                              電源線
８、８ａ〜８ｃ、８０ａ〜８０ｃ  基準電流源回路
９                              ＣＤＳ回路
１０                            水平走査回路
１１０〜３３３                  画素セル
Ｄ１１〜Ｄ３３                  フォトダイオード
Ｍ１１１〜Ｍ１３３              転送トランジスタ
Ｍ２１１〜Ｍ２３３              リセットトランジスタ
Ｍ３１１〜Ｍ３３３              増幅トランジスタ
Ｍ４１１〜Ｍ４３３              選択トランジスタ
Ｍ５０、Ｍ９２、Ｍ９３          基準トランジスタ
Ｍ５１〜Ｍ５３                  負荷トランジスタ
Ｍ１０１〜Ｍ１０３              ＰＭＯＳトランジスタ
ＭＲ１〜ＭＲ８                  切替トランジスタ
Ｖ１〜Ｖ４                      垂直信号線
ＳＥＬ１〜ＳＥＬ３                    行選択線
ＲＳＴ１〜ＲＳＴ３                    リセット信号線
ＴＲＡＮＳ１〜ＴＲＡＮＳ３            行選択線
ＶＤＤＣＥＬＬ１〜ＶＤＤＣＥＬＬ３    行選択線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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