(57)【要約】【課題】半導体光デバイスの検査のためのＥＬ測定において、この測定のために半導体光デバイスに行われる加工による影響を低減できる半導体光デバイスの検査方法を提供すること。【解決手段】基板、基板上において所定の軸方向に延在する半導体メサ、及び半導体メサを埋め込む埋込層を含む半導体積層体と、半導体積層体の表面上の絶縁膜と、絶縁膜及び半導体メサの主面上に設けられた第一電極と、基板に設けられた第二電極と、を含む半導体光デバイスを準備する工程（Ｓ１）と、絶縁膜上の第一電極に、エレクトロルミネッセンスを観察するための開口を形成する工程（Ｓ２）と、開口を形成した後に、第一電極と第二電極とを電源に接続する工程（Ｓ３）と、半導体光デバイスに電流を印加してエレクトロルミネッセンス発生させる工程（Ｓ４）と、開口を介したエレクトロルミネッセンスのパターンを検査する工程（Ｓ６）とを備える半導体光デバイスの検査方法。【選択図】図１
2011082262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体光デバイスの検査方法であって、
基板、前記基板上において所定の軸方向に延在する半導体メサ、及び前記半導体メサを埋め込む埋込層を含む半導体積層体と、前記半導体積層体の表面上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜及び前記半導体メサの主面上に設けられた第一電極と、前記基板に設けられた第二電極と、を含む半導体光デバイスを準備する工程と、
前記絶縁膜上の前記第一電極に、エレクトロルミネッセンスを観察するための開口を形成する工程と、
前記開口を形成した後に、前記第一電極と前記第二電極とを電源に接続する工程と、
前記半導体光デバイスに電流を印加してエレクトロルミネッセンスを発生させる工程と、
前記開口を介したエレクトロルミネッセンスのパターンを検査する工程と、を備え、
前記開口は、前記所定の軸方向に延在している、半導体光デバイスの検査方法。
【請求項２】
前記半導体積層体には、前記埋込層内において前記所定の軸方向に延在するトレンチが存在し、
前記絶縁膜は前記トレンチの表面上に設けられており、
前記トレンチの表面上において、前記第一電極は前記絶縁膜上に設けられており、
前記開口は、前記トレンチの表面上の前記第一電極に設けられている、請求項１に記載の半導体光デバイスの検査方法。
【請求項３】
前記開口は、集束イオンビーム法を用いて形成される、請求項１または請求項２に記載の半導体光デバイスの検査方法。
【請求項４】
前記半導体光デバイスは、マウント上に設けられている、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の半導体光デバイスの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体光デバイスの検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザーなどの半導体光デバイスでは、エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬともいう。）の観察によって、破壊箇所などの劣化箇所を発見できる（例えば、特許文献１、非特許文献１及び非特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−６６４６９号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Etsuko  NOMOTO,  Koji  NAKAHARA,  Makoto  SHIMAOKA,  “Stress  on  Junction-Down-Mounted  Ridge-Waveguide  Laser  Diodes”,  Japanese  Journal  of  Applied  Physics,  Japan,  The  Japan  Society  of  Applied  Physics,  2005,  Vol.44,  No.4A,  pp.1756-1758
【非特許文献２】T. Sasaki,  H.  Mori,  M.  Tachikawa,  T.  Yamada,  “Aging  tests  of  InP-based  laser  diodes  heteroepitaxially  grown  on  Si  substrates”,  Journal  of  Applied  Physics,  American  Instituteof  Physics,  15  December  1998,  Vol.84,  No.12,  pp.6725-6728
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、半導体光素子を実装部材から取り外した後に、半導体光素子の側面を研磨して研磨面を形成する。研磨後、半導体光素子を搭載部材に取り付けて、ＥＬを研磨面から観察する。しかし、特許文献１では、研磨により、半導体光素子が破損する恐れがあった。
【０００６】
ＥＬは、半導体光素子の上部電極及び下部電極に電流を印加することにより発生させることができる。非特許文献１では、レーザーダイオードの上部電極の隙間からＥＬを検知する。また、非特許文献２では、加工により窓をレーザーダイオードの下部電極に形成した後に、この窓を介してＥＬを検知する。
【０００７】
非特許文献１では、ＥＬを発生させるための電流の経路は、隙間を有する上部電極から、下部電極に亘る半導体中の経路となる。非特許文献２では、ＥＬを発生させるための電流の経路は、上部電極から、窓を有する下部電極に亘る半導体中の経路となる。しかしながら、例えば、非特許文献１のレーザーダイオードでは、上部電極に窓を形成するので、ＥＬ観察用のレーザーダイオードにおける電流の経路は、実際の半導体光素子の製品形態における電流の経路と異なる。また、非特許文献２のように、下部電極に窓を形成する場合、劣化箇所の解析を行うためには、レーザーダイオードを一度ヒートシンクから剥がし、再度裏向きに実装する必要がある。非特許文献２では、この再実装の際に、レーザーダイオードを破損する恐れがある。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体光デバイスの検査のためのＥＬ測定において、この測定のために半導体光デバイスに行われる加工による影響を低減できる半導体光デバイスを検査する方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を解決するため、本発明の半導体光デバイスの検査方法は、基板、基板上において所定の軸方向に延在する半導体メサ、及び半導体メサを埋め込む埋込層を含む半導体積層体と、半導体積層体の表面上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜及び半導体メサの主面上に設けられた第一電極と、基板に設けられた第二電極と、を含む半導体光デバイスを準備する工程と、絶縁膜上の第一電極に、エレクトロルミネッセンスを観察するための開口を形成する工程と、開口を形成した後に、第一電極と第二電極とを電源に接続する工程と、半導体光デバイスに電流を印加してエレクトロルミネッセンスを発生させる工程と、開口を介したエレクトロルミネッセンスのパターンを検査する工程と、を備え、開口は、所定の軸方向に延在していることを特徴とする。
【００１０】
本発明の半導体光デバイスの検査方法によれば、半導体積層体が、基板、半導体メサ、及び埋込層を含む。第一電極は、半導体積層体の表面上に設けられた絶縁膜上に存在している。エレクトロルミネッセンスを観察するための開口は、この第一電極に形成される。電源は第一電極と第二電極とに接続される。これ故、エレクトロルミネッセンスを観察するための開口は、エレクトロルミネッセンスを発生させるための電流経路に形成されていない。従って、実際の半導体光素子の製品形態におけるＥＬ発生のための電流経路に近い電流経路を実現可能な半導体光デバイスから、エレクトロルミネッセンスを検査することができる。
【００１１】
また、本発明の半導体光デバイスの検査方法において、半導体積層体には、埋込層内において所定の軸方向に延在するトレンチが存在し、絶縁膜はトレンチの表面上に設けられており、トレンチの表面上において、第一電極は絶縁膜上に設けられており、開口はトレンチの表面上の第一電極に設けられていることが好ましい。
【００１２】
この半導体光デバイスの検査方法によれば、エレクトロルミネッセンスを観察するための開口は、トレンチの表面上の第一電極に形成される。この第一電極と第二電極とに電源が接続される。エレクトロルミネッセンスを観察するための開口は、エレクトロルミネッセンスを発生させるための電流経路に形成されていない。従って、実際の半導体光素子の製品形態におけるＥＬ発生のための電流経路に近い電流経路を実現可能な半導体光デバイスから、エレクトロルミネッセンスを検査することができる。また、開口は、所定の軸方向に沿って、半導体メサの隣のトレンチに延在している。故に、半導体メサに沿った、エレクトロルミネッセンスを検査できる。
【００１３】
また、本発明の半導体光デバイスの検査方法において、開口は、集束イオンビーム法を用いて形成されることが好ましい。集束イオンビーム法によれば、第一電極を微細加工して、開口を容易に形成できる。
【００１４】
また、本発明の半導体光デバイスの検査方法において、半導体光デバイスはマウント上に設けられていることが好ましい。半導体光デバイスをマウント上に設けることにより、半導体光デバイスの検査を安定して行うことができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半導体光デバイスの検査のためのＥＬ測定において、この測定のために半導体光デバイスに行われる加工による影響を低減できる半導体光デバイスの検査方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、半導体光デバイスの検査方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】図２は、半導体光デバイスの一部を示す断面図である。
【図３】図３は、第一電極への開口形成前の半導体光デバイスの上面図である。
【図４】図４は、第一電極に開口を形成する工程を示す断面図である。
【図５】図５は、第一電極への開口形成後の半導体光デバイスの上面図である。
【図６】図６は、半導体光デバイスに電源を接続して、ＥＬパターンを取得する様子を示す模式図である。
【図７】図７（ａ）は、第一電極への開口形成前のＥＬパターンの観察結果の一例を示す模式図である。図７（ｂ）は、第一電極への開口形成後のＥＬパターンの観察結果の一例を示す模式図である。図７（ｃ）は、第一電極への開口形成後のＥＬパターンの観察結果の一例を示す模式図である。
【図８】図８は、図４の変形例を示す図である。
【図９】図９は、図４の変形例を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）は、半導体光デバイスの一部を示す断面図である。図１０（ｂ）は、ＥＬパターンを取得している状態を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
（第一実施形態）
【００１８】
図１〜図６を参照しながら、本実施形態に係る半導体光デバイスの検査方法を説明する。本実施形態では、半導体光デバイスの一例として半導体レーザーを説明するが、本実施形態の半導体光デバイスは半導体レーザーに限定されない。
【００１９】
図１は、半導体光デバイスの検査方法を説明するためのフローチャートである。図２は、半導体光デバイスの一部を示す断面図である。図３は、第一電極への開口形成前の半導体光デバイスの上面図である。図４は、第一電極に開口を形成する工程を示す断面図である。図５は、第一電極への開口形成後の半導体光デバイス１の上面図である。図６は、半導体光デバイスに電源を接続して、ＥＬパターンを取得する様子を示す模式図である。図２〜６には、ＸＹＺ直交座標系Ｓが示されている。
【００２０】
まず、図１を参照すると、ステップＳ１では、半導体光デバイス１を準備する工程を行う。半導体光デバイス１は、図２に示すように、基板ＳＢ、半導体メサ２０、埋込層１４、及びコンタクト層１５を含む半導体積層体５０と、絶縁膜１６と、第一電極Ｅ１と、第二電極Ｅ２と、を含んでいる。半導体積層体５０には、埋込層１４内において所定の軸Ａｘ方向に延在するトレンチ３０，３１が存在している。
【００２１】
半導体メサ２０及びトレンチ３０，３１は、基板ＳＢ上において所定の軸Ａｘ方向に延在する。絶縁膜１６は、半導体積層体５０の表面上に設けられている。絶縁膜１６は、トレンチ３０，３１の表面上に設けられている。絶縁膜１６は、半導体メサ２０の主面上に第一開口Ｗ０を有する。第一電極Ｅ１は、絶縁膜１６及び半導体メサ２０の主面上に設けられている。トレンチ３０の表面上において、第一電極Ｅ１は絶縁膜１６上に設けられている。第二電極Ｅ２は、基板ＳＢの裏面ａ２に設けられている。第二電極Ｅ２をマウント４０に対向させるように、半導体光デバイス１をマウント４０上に載置する。
【００２２】
半導体光デバイス１は、半導体メサ２０の存在する領域４１と、トレンチ３０の存在する領域４２と、トレンチ３１の存在する領域４３とを有する。この領域４１は、領域４２と領域４３との間に位置する。図２〜５に示す例では、上述の所定の軸方向とは、Ｙ軸方向に平行な方向である。
【００２３】
半導体メサ２０は、下部クラッド層１１、活性層１２、及び上部クラッド層１３を含んでいる。下部クラッド層１１、活性層１２、及び上部クラッド層１３は、基板ＳＢ上にこの順に設けられている。埋込層１４は半導体メサ２０を埋め込んでいる。下部クラッド層１１、活性層１２、及び上部クラッド層１３の側面は、埋込層１４で埋め込まれている。コンタクト層１５は、上部クラッド層１３及び埋込層１４上に設けられている。第一電極Ｅ１は、コンタクト層１５の主面ｂ１と接触している。
【００２４】
トレンチ３０，３１は、埋込層１４の側面ｃ１に設けられている。図２を参照すると、トレンチ３０，３１のＸＺ平面から見た断面形状は、Ｕ字形状であるが、この他にも溝形状や凹部形状とすることができる。
【００２５】
図３を参照すると、第一電極Ｅ１は、領域４１に形成された第一部分５１と、領域４２に形成された第二部分５２と、領域４３に形成された第三部分５３とを有する。第一電極Ｅ１の第三部分５３には、電極パッド４５が接続される。
【００２６】
次に、図１を再び参照すると、ステップＳ２では、絶縁膜１６上の第一電極Ｅ１に第二開口Ｗ１を形成する工程を行う。図４を参照すると、トレンチ３０上に絶縁膜１６が設けられている。トレンチ３０上において、この絶縁膜１６上に設けられた第一電極Ｅ１に、エレクトロルミネッセンスを観察するための第二開口Ｗ１を形成する。つまり、第二開口Ｗ１は、トレンチ３０の表面上の第一電極Ｅ１に設けられている。図５を参照すると、第二開口Ｗ１は、第一電極Ｅ１の第二部分５２に形成する。第二開口Ｗ１は、所定の軸Ａｘ方向に延在するように設ける。第二開口Ｗ１は、エレクトロルミネッセンスを観察できるような、大きさや形状をなすことができる。第二開口Ｗ１は、例えば、ストライプ状や帯状の細長い形状をなす。第二開口Ｗ１は、第一電極Ｅ１の第一部分５１及び第三部分５３には形成しない。つまり、第二開口Ｗ１は、トレンチ３０の存在する領域４２に設けられており、半導体メサ２０の存在する領域及びトレンチ３１の存在する領域４３には設けられていない。
【００２７】
図４を再び参照すると、第一電極Ｅ１は、絶縁膜１６を間に挟んでトレンチ３０，３１の内壁に沿って形成される。図４及び図５に、領域４２をＸ軸方向において２等分する分線Ｃを示す。第二開口Ｗ１は、分線Ｃよりも領域４１側に形成することができる。すなわち、第二開口Ｗ１は、トレンチ３０の内側面（領域４１よりの側面）に形成することが好ましく、この場合、第二開口Ｗ１からＥＬ観察を効果的に行うことができる。ただし、ＥＬを観察することができれば、第二開口Ｗ１は、トレンチの外側面（領域４１とは反対側の側面）に形成してもよい。すなわち、第二開口Ｗ１の一部が、分線Ｃよりも領域４１とは反対側に設けられていてもよい。
【００２８】
図４では、第二開口Ｗ１の深さＤ１を第一電極Ｅ１の膜厚と同じとする例を示す。第一電極Ｅ１を貫通するように、第二開口Ｗ１を設けることにより、ＥＬ観察を良好に行うことができる。従って、第二開口Ｗ１の深さＤ１は、第一電極Ｅ１の膜厚以上であることが好ましい。例えば、第二開口Ｗ１の深さＤ１は、１μｍ以上とすることができる。第二開口Ｗ１の幅Ｌ１は、１μｍ〜１０μｍであることが好ましく、例えば２μｍとすることができる。第二開口Ｗ１の長さＬ２は、例えば２００μｍ〜３００μｍである。ＥＬ観察を良好に行うために、第二開口Ｗ１の長さＬ２は、半導体メサ２０のメサ長の１００％とすることが好ましい。
【００２９】
第二開口Ｗ１は、例えば、集束イオンビーム（ＦＩＢ）法を用いて形成することができる。集束イオンビーム法を用いる場合、イオンとして、例えば、ＧａイオンやＡｒイオンが挙げられ、加速電圧として、例えば１〜３０ｋＶとすることができる。ＦＩＢ法以外にも、第二開口Ｗ１は、レーザー加工や、マニピュレータに取り付けて使用する切削装置などを用いて形成しても良い。
【００３０】
第二開口Ｗ１を形成後、図１を再び参照すると、ステップＳ３では、第一電極Ｅ１と第二電極Ｅ２とを電源Ｐに接続する工程を行う。図６に、半導体光デバイス１に電源Ｐを接続する例を示す。図６の領域Ｂは、図３で示した半導体光デバイス１の領域と同一である。図６に示すように、半導体光デバイス１は、マウント４０上に載置されている。電源Ｐは、電極パッド４５を介して、第一電極Ｅ１の第三部分５３に接続することができる。
【００３１】
次に、図１を再び参照すると、ステップＳ４では、半導体光デバイス１に電流を印加してエレクトロルミネッセンスを発生させる工程を行う。エレクトロルミネッセンスは、電源Ｐからの電流の印加に応答して発生する。
【００３２】
そして、ステップＳ５では、第二開口Ｗ１を介したエレクトロルミネッセンスのパターンを取得する工程を行う。エレクトロルミネッセンスのパターンとは、例えば、エレクトロルミネッセンスの画像や強度などである。図６に示すように、エレクトロルミネッセンスのパターンは、半導体光デバイス１の上方に配置されたＥＬパターン取得装置６０によって取得できる。ＥＬパターン取得装置６０として、例えば、赤外用のビジコンカメラや、近赤外用のＩｎＧａＡｓカメラなどを用いることができる。
【００３３】
ＥＬ観察方向は、第二開口Ｗ１の鉛直上方向とすることが好ましい。図６に示すように、第二開口Ｗ１の鉛直方向からのずれ角度θの許容範囲は、−１０度〜＋１０度とすることができる。半導体光デバイス１のストライプ全体を見渡せる角度からＥＬ観察を行うことにより、半導体光デバイス１の非発光箇所などを容易に特定できる。
【００３４】
次に、図１を再び参照すると、ステップＳ６では、第二開口Ｗ１を介したエレクトロルミネッセンスのパターンを検査する工程を行う。ステップＳ５で取得されたエレクトロルミネッセンスのパターンから、半導体光デバイス１の発光状態などを検査することができる。
【００３５】
図７（ａ）は、第二開口形成前のＥＬパターンの観察結果の一例を示す模式図である。第二開口形成前、すなわち第二開口無しの場合、ＥＬパターンが観察されず、半導体光デバイスを検査できない。図７（ｂ）及び図７（ｃ）は、第二開口形成後のＥＬパターンの観察結果の一例を示す模式図である。第二開口Ｗ１形成後、すなわち第二開口Ｗ１有りの場合、ＥＬパターンが観察される。図７（ｂ）の例では、ＥＬパターンＫ１にムラがなく、半導体光デバイスの全領域に亘ってＥＬが発光している。図７（ｃ）の例では、ＥＬパターンＫ２の一部の領域Ｇにおいて、ＥＬが発光していない場所がある。以上のようにして、半導体光デバイスを検査でき、例えばＥＬの劣化箇所や非発光箇所を特定できる。
【００３６】
上述したように、本実施形態の半導体光デバイス１の検査方法では、エレクトロルミネッセンスを観察するための第二開口Ｗ１は、トレンチ３０の表面上の第一電極Ｅ１に形成される。この第一電極Ｅ１と第二電極Ｅ２とに電源Ｐが接続される。エレクトロルミネッセンスを発生させるための電流経路に、エレクトロルミネッセンスを観察するための第二開口Ｗ１は形成されていない。従って、実際の半導体光素子の製品形態におけるＥＬ発生のための電流経路に近い電流経路を実現可能な半導体光デバイス１から、エレクトロルミネッセンスを検査することができる。また、第二開口Ｗ１は、所定の軸Ａｘ方向に沿って、半導体メサ２０の隣のトレンチ３０に延在している。故に、半導体メサ２０に沿った、エレクトロルミネッセンスを検査できる。
【００３７】
また、本実施形態の半導体光デバイス１の検査方法において、第二開口Ｗ１は、集束イオンビーム法を用いて形成できるので、第一電極Ｅ１を微細加工して、第二開口Ｗ１を容易に形成できる。また、半導体光デバイス１を研磨することなく、第二開口Ｗ１を形成できるので、半導体光デバイス１を破損する恐れは少ない。さらに、第二開口Ｗ１を形成後に、半導体光デバイス１をハンドリングする必要がないので、半導体光デバイス１を破損する恐れはさらに少ない。
【００３８】
また、本実施形態の半導体光デバイス１の検査方法において、半導体光デバイス１をマウント４０上に設けることにより、半導体光デバイス１の検査を安定して行うことができる。
【００３９】
以上、本実施形態に係る半導体光デバイス１の検査方法について説明したが、本発明はこれに限定されない。上記実施形態では、図４に示したように、第二開口Ｗ１の深さＤ１を第一電極Ｅ１の膜厚分とする例を示したが、第二開口の深さはこれに限定されない。図８及び図９に、図４の変形例を示す。例えば、図８に示すように、第一電極Ｅ１のみならず絶縁膜１６まで貫通するような第二開口Ｗ２を形成してもよい。また、例えば、図９に示すように、第一電極Ｅ１及び絶縁膜１６に加え、基板ＳＢの主面ａ１まで貫通するような第二開口Ｗ３を形成してもよい。
（第二実施形態）
【００４０】
図１０を参照しながら、第二実施形態に係る半導体光デバイス２の検査方法を説明する。図１０（ａ）は、半導体光デバイス２の断面図である。図１０（ｂ）は、ＥＬパターン取得装置６０によってエレクトロルミネッセンスのパターンを取得している状態を示す模式断面図である。
【００４１】
第二実施形態に係る半導体光デバイスの検査方法が第一実施形態に係る半導体光デバイスの検査方法と異なるのは、半導体光デバイスの埋込層にトレンチが無いことであるので、その他の説明は省略する。第二実施形態に係る半導体光デバイス２の検査方法では、上記ステップ１において、図１０（ａ）に示すように、埋込層１４ａにトレンチが存在しない半導体光デバイス２を準備する工程を行う。
【００４２】
埋込層１４ａは、半導体メサ２０が設けられている領域を除いて、基板ＳＢを覆っている。埋込層１４ａの上面は平坦化されていることが望ましい。埋込層１４ａにはトレンチが存在しないので、埋込層１４ａ及び半導体メサ２０上には、コンタクト層１５ａが延在している。このコンタクト層１５ａ上に、絶縁膜１６ａが設けられている。絶縁膜１６ａは、半導体メサ２０の主面上に第一開口Ｗ０を有する。
【００４３】
この半導体光デバイス２を用いる場合も上記実施形態と同様に、図１のフローチャートの工程に沿って、ステップ１〜ステップ６の順に半導体光デバイスの検査方法を行えばよい。すなわち、第二実施形態に係る半導体光デバイス２の検査方法は、基板ＳＢ、基板ＳＢ上において所定の軸方向に延在する半導体メサ２０、及び半導体メサ２０を埋め込む埋込層１４ａを含む半導体積層体５０ａと、半導体積層体５０ａの表面上に設けられた絶縁膜１６ａと、この絶縁膜１６ａ及び半導体メサ２０の主面上に設けられた第一電極Ｅ１ａと、基板ＳＢに設けられた第二電極Ｅ２と、を含む半導体光デバイス２を準備する工程（ステップＳ１）を備える。絶縁膜１６ａは、半導体メサ２０の主面上に第一開口Ｗ０を有する。また、第二実施形態に係る半導体光デバイス２の検査方法は、絶縁膜１６ａ上の第一電極Ｅ１ａに、エレクトロルミネッセンスを観察するための第二開口Ｗ４を形成する工程（ステップＳ２）と、第二開口Ｗ４を形成した後に、第一電極Ｅ１ａと第二電極Ｅ２とを電源に接続する工程（ステップＳ３）と、半導体光デバイス２に電流を印加してエレクトロルミネッセンス発生させる工程（ステップＳ４）と、第二開口Ｗ４を介したエレクトロルミネッセンスのパターンを検査する工程（ステップＳ６）と、を備える。この第二開口Ｗ４は、所定の軸方向に延在している。
【００４４】
また、ステップＳ３とステップＳ４との間において、図１０（ｂ）に示すように、半導体メサ２０からのエレクトロルミネッセンス９０を、半導体光デバイス２の上方に配置されたＥＬパターン取得装置６０によって取得する。
【００４５】
第二実施形態に係る半導体光デバイスの検査方法によれば、半導体積層体５０ａが、基板ＳＢ、半導体メサ２０、及び埋込層１４ａを含む。第一電極Ｅ１は、半導体積層体５０ａの表面上に設けられた絶縁膜１６ａ上に存在している。この絶縁膜１６ａは半導体メサ２０の主面上に第一開口Ｗ０を有する。エレクトロルミネッセンスを観察するための第二開口Ｗ４は、第一電極Ｅ１に形成される。電源は第一電極Ｅ１と第二電極Ｅ２とに接続される。これ故、エレクトロルミネッセンスを観察するための第二開口Ｗ４は、エレクトロルミネッセンスを発生させるための電流経路に形成されていない。従って、実際の半導体光素子の製品形態におけるＥＬ発生のための電流経路に近い電流経路を実現可能な半導体光デバイス２から、エレクトロルミネッセンスを検査することができる。
【符号の説明】
【００４６】
１…半導体光デバイス、ＳＢ…基板、１１…下部クラッド層、１２…活性層、１３…上部クラッド層、１４…埋込層、１５…コンタクト層、１６…絶縁膜、２０・・・半導体メサ、Ｅ１…第一電極、Ｅ２…第二電極、トレンチ…３０，３１、Ｗ０…第一開口、Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…第二開口、４０・・・マウント、４５…電極パッド、６０…ＥＬパターン取得装置、Ｐ…電源。
【図１】
2011082262.tif 000003
【図２】
2011082262.tif 000004
【図３】
2011082262.tif 000005
【図４】
2011082262.tif 000006
【図５】
2011082262.tif 000007
【図６】
2011082262.tif 000008
【図８】
2011082262.tif 000009
【図９】
2011082262.tif 000010
【図１０】
2011082262.tif 000011
【図７】
2011082262.tif 000012