(57)【要約】【課題】比較的短時間で下地層の形成を可能とする半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子は、（Ａ）ｎ型の導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層１１、ＧａＮ系化合物半導体から成る活性層１３、及び、ｐ型の導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第２化合物半導体層１２から構成された積層構造体１０Ｂ、（Ｂ）第１電極、並びに、（Ｃ）第２電極１５を備えており、第１化合物半導体層１１と活性層１３との間に、ＳｉをドーピングしたＧａＮ層から成り、ピットを有する下地層１６が設けられており、下地層１６におけるＳｉのドーピング濃度は、２×１０19／ｃｍ3乃至１×１０21／ｃｍ3である。【選択図】  図１
2011061011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ｎ型の導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層、ＧａＮ系化合物半導体から成る活性層、及び、ｐ型の導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
を備えており、
第１化合物半導体層と活性層との間に、ＳｉをドーピングしたＧａＮ層から成り、ピットを有する下地層が設けられており、
下地層におけるＳｉのドーピング濃度は、２×１０19／ｃｍ3乃至１×１０21／ｃｍ3である半導体発光素子。
【請求項２】
ピットは、｛１−１０１｝面で囲まれた六角錐状の凹部から成る請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
六角錐状の凹部の一辺の長さは、５×１０-9ｍ乃至５×１０-7ｍである請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
ピットの密度は、１×１０3／ｃｍ2乃至１×１０10／ｃｍ2である請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
画像を表示するための半導体発光素子を備えた画像表示装置であって、
該半導体発光素子は、
（Ａ）ｎ型の導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層、ＧａＮ系化合物半導体から成る活性層、及び、ｐ型の導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
を備えており、
第１化合物半導体層と活性層との間に、ＳｉをドーピングしたＧａＮ層から成り、ピットを有する下地層が設けられており、
下地層におけるＳｉのドーピング濃度は、２×１０19／ｃｍ3乃至１×１０21／ｃｍ3である画像表示装置。
【請求項６】
半導体発光素子を備えた電子機器であって、
該半導体発光素子は、
（Ａ）ｎ型の導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層、ＧａＮ系化合物半導体から成る活性層、及び、ｐ型の導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
を備えており、
第１化合物半導体層と活性層との間に、ＳｉをドーピングしたＧａＮ層から成り、ピットを有する下地層が設けられており、
下地層におけるＳｉのドーピング濃度は、２×１０19／ｃｍ3乃至１×１０21／ｃｍ3である電子機器。
【請求項７】
（Ａ）ｎ型の導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層、ＧａＮ系化合物半導体から成る活性層、及び、ｐ型の導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
を備えており、
第１化合物半導体層と活性層との間に、ＳｉをドーピングしたＧａＮ層から成り、ピットを有する下地層が設けられており、
下地層におけるＳｉのドーピング濃度は、２×１０19／ｃｍ3乃至１×１０21／ｃｍ3である半導体発光素子の製造方法であって、
積層構造体を有機金属化学的気相成長法に基づき形成し、
下地層の形成においては、Ｇａ源としてトリメチルガリウムガスを用い、
活性層の形成においては、Ｇａ源としてトリエチルガリウムガスを用いる半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子及びその製造方法、画像表示装置、並びに、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮやその混晶を積層して形成される窒化ガリウム系半導体発光素子は、活性層（発光層）の組成比や膜厚に基づき活性層のバンドギャップエネルギーを制御することによって、紫外から赤外までの発光を実現し得る。そして、既に、紫外〜青色〜緑色を発光する発光ダイオードが市販されており、表示装置や照明、検査装置や消毒装置等、幅広い用途に使用されている。また、青紫色のレーザダイオードも開発され、大容量光ディスクの書込みや読取り用の光ピックアップとして使用されている。
【０００３】
このようなＧａＮ系半導体発光素子が、例えば、特開２００６−３３９５５０から周知である。ここで、特開２００６−３３９５５０に開示された半導体素子は、基体上に、ヘテロ接合を介して少なくとも第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層がエピタキシャル成長によって積層され、エピタキシャル成長に際し発生したピットを有する第２導電型半導体層の表面に接して電極が設けられている半導体素子である。そして、ピットは、例えば、活性層に接して第１導電型半導体層側に設けられた下地層に起点を有するピットである。
【０００４】
より具体的には、ＧａＮ系半導体発光素子は、サファイア基板１上に、例えば、下から順に、
窒化ガリウムバッファ層２
Ｓｉド−プしたｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）層３
Ｓｉドープした窒化インジウム・ガリウム（Ｉｎ0.03Ｇａ0.97Ｎ：Ｓｉ）下地層１６
窒化ガリウム（ＧａＮ）層１７
窒化インジウム・ガリウム系活性層４（（ＩｎＧａＮ／ＧａＮ）×９層））
Ｍｇドープしたｐ型窒化アルミニウム・ガリウム（Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ：Ｍｇ）層１８
Ｍｇドープしたｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｍｇ）層５
Ｍｇドープしたｐ型窒化インジウム・ガリウム（Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ：Ｍｇ）層１９
が積層された積層構造を有している。
【０００５】
そして、ピットを絶縁材料又は半導体材料によって埋め込むことで、ピットへの電流の流入が完全に遮断されるか、又は、効果的に抑制され、ピットへの電流集中による半導体層の破壊や、ピットで発生する逆方向リーク電流が防止され、信頼性が高く、寿命の長い半導体素子を実現することができる。また、インジウムのモル組成比が３％程度のｎ型窒化インジウム・ガリウム（ＩｎＧａＮ：Ｓｉ）下地層１６を１００ｎｍ成長させることで、全体の電圧特性が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３３９５５０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述した積層構造を有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）に基づき形成する場合、ＭＯＣＶＤ装置等にも依るが、通常、数時間を要する。また、下地層１６、活性層４の形成の際には、Ｇａ源としてトリエチルガリウム（ＴＥＧ）ガスを用いるので、積層構造の形成に要する時間の内の、約２割程度が下地層１６の形成に費やされる。Ｇａ源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスを用いれば、下地層１６の形成に費やされる時間の短縮化を図ることが可能であろうが、ＴＭＧガスの制御性が余り良くなく、均一な下地層１６の形成が困難であるといった問題があるし、ＩｎＧａＮ層に不所望の大きなピットが形成されてしまうといった問題もある。ＩｎＧａＮ層に不所望の大きなピットが形成されてしまうと、活性層を形成すべき下地層の部分の実効的な面積が減少し、活性層の成長が不均一になるし、活性層の実効的な面積が減少し、発光効率が低下してしまうといった問題も生じる。
【０００８】
従って、本発明の目的は、比較的短時間で下地層の形成を可能とする半導体発光素子の製造方法、及び、係る製造方法によって得られた半導体発光素子、並びに、係る半導体発光素子を用いた画像表示装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明の半導体発光素子は、
（Ａ）ｎ型の導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層、ＧａＮ系化合物半導体から成る活性層、及び、ｐ型の導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
を備えており、
第１化合物半導体層と活性層との間に、ＳｉをドーピングしたＧａＮ層から成り、ピットを有する下地層が設けられており、
下地層におけるＳｉのドーピング濃度は、２×１０19／ｃｍ3乃至１×１０21／ｃｍ3である。
【００１０】
上記の目的を達成するための本発明の画像表示装置は、画像を表示するための半導体発光素子を備えている。また、上記の目的を達成するための本発明の電子機器は、半導体発光素子を備えている。そして、これらの半導体発光素子は、上記の本発明の半導体発光素子から成る。
【００１１】
上記の目的を達成するための本発明の半導体発光素子の製造方法は、上記の本発明の半導体発光素子の製造方法であって、
積層構造体を有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）に基づき形成し、
下地層の形成においては、Ｇａ源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスを用い、
活性層の形成においては、Ｇａ源としてトリエチルガリウム（ＴＥＧ）ガスを用いる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体発光素子、本発明の半導体発光素子の製造方法によって得られた半導体発光素子、本発明の画像表示装置を構成する半導体発光素子、あるいは、本発明の電子機器を構成する半導体発光素子（以下、これらを総称して、『本発明の半導体発光素子等』と呼ぶ）にあっては、第１化合物半導体層と活性層との間に、ＳｉをドーピングしたＧａＮ層から成り、ピットを有する下地層が設けられている。ここで、下地層を構成するＧａＮ層の形成（成膜）は、従来の技術にように下地層をＩｎＧａＮ層から構成する場合と比較して、速やかに行うことができる。それ故、成膜時間の短縮を図ることができ、半導体発光素子の製造コストの低減を実現することができる。しかも、下地層におけるＳｉのドーピング濃度を２×１０19／ｃｍ3乃至１×１０21／ｃｍ3と規定することによって下地層におけるピットの密度を所望の密度とすることができる結果、半導体発光素子の駆動電圧の低下を図ることができる。尚、本発明の半導体発光素子等は、多数の井戸層を有する多重量子井戸構造を備えた半導体発光素子は駆動電圧が上昇する傾向にあるため、あるいは又、青色を発光する半導体発光素子よりも緑色を発光する半導体発光素子の方が駆動電圧が上昇する傾向にあるため、９層以上の井戸層を有する多重量子井戸構造を備えた半導体発光素子や、緑色を発光する半導体発光素子への適用が極めて好適である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の半導体発光素子の模式的な一部断面図、及び、概念図である。
【図２】図２は、実施例１の半導体発光素子及び比較例２の半導体発光素子における動作電圧の電流密度依存性を示すグラフである。
【図３】図３は、実施例１の半導体発光素子と比較例１の半導体発光素子の光出力を比較したグラフである。
【図４】図４は、実施例１の半導体発光素子等の評価方法の概要を示す図である。
【図５】図５は、実施例２の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの模式的な平面図である。
【図６】図６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図５の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃに沿った模式的な一部断面図である。
【図７】図７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図５の矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿った模式的な一部断面図である。
【図８】図８の（Ａ）、（Ｂ）は、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。
【図９】図９の（Ａ）、（Ｂ）は、図８の（Ｂ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）〜（Ｃ）は、図９の（Ｂ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。
【図１１】図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１０の（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。
【図１２】図１２の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１１の（Ｂ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。
【図１３】図１３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１４】図１４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１５】図１５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１６】図１６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１７】図１７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１８】図１８の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図１９】図１９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１８の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２０】図２０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２１】図２１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２２】図２２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２３】図２３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例３の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図５の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【図２４】図２４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例３の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図５の矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【図２５】図２５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２６】図２６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２７】図２７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図５の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【図２８】図２８は、実施例２の発光ダイオード表示装置の変形例における１つの発光ユニットの模式的な平面図である。
【図２９】図２９の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための模式的な部分的平面図である。
【図３０】図３０の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための模式的な部分的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、本発明は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本発明の半導体発光素子及びその製造方法、画像表示装置並びに電子機器、全般に関する説明
２．実施例１（本発明の半導体発光素子及びその製造方法）
３．実施例２（本発明の画像表示装置並びに電子機器）
４．実施例３（実施例２の別の変形、その他）
【００１５】
［本発明の半導体発光素子及びその製造方法、画像表示装置並びに電子機器、全般に関する説明］
本発明の半導体発光素子等において、ピットは、｛１−１０１｝面、即ち、Ｓ面で囲まれた六角錐状の凹部から成る構成とすることができる。尚、この場合、下地層の頂面は｛０００１｝面、即ち、Ｃ面から構成されている。そして、この場合にあっては、六角錐状の凹部の一辺の長さとして、５×１０-9ｍ乃至５×１０-7ｍを挙げることができる。
【００１６】
上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子等において、ピットの密度は、１×１０3／ｃｍ2乃至１×１０10／ｃｍ2、好ましくは１×１０7／ｃｍ2乃至１×１０9／ｃｍ2であることが望ましい。ここで、ピットの密度は、下地層を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）や走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて測定することができる。
【００１７】
下地層を構成するＧａＮ層の厚さは、限定するものではないが、１×１０-7ｍ以上、好ましくは５×１０-7ｍ以上とすることが好ましい。下地層におけるＳｉのドーピング濃度は、均一であってもよいし、活性層に向かって変化させてもよい。
【００１８】
本発明の半導体発光素子等として、具体的には、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザを挙げることができる。
【００１９】
半導体発光素子の大きさ（例えばチップサイズ）は特に制限されないが、典型的には微小なものであり、具体的には、例えば１ｍｍ以下、あるいは、例えば０．３ｍｍ以下、あるいは、例えば０．１ｍｍ以下、より具体的には０．０３ｍｍ以下の大きさである。電子機器あるいは画像表示装置を構成する半導体発光素子は複数であり、電子機器の用途や機能、電子機器や画像表示装置に要求される仕様等に応じて、半導体発光素子の数、種類、実装（配置）、間隔等が決められる。
【００２０】
本発明の画像表示装置あるいは電子機器は、より具体的には、
（イ）第１の方向に延びる複数の第１の配線、
（ロ）第１の方向とは異なる第２の方向に延びる複数の第２の配線、及び、
（ハ）第１電極が第１の配線に電気的に接続され、第２電極が第２の配線に電気的に接続された複数の半導体発光素子、
から構成されている。
【００２１】
本発明の画像表示装置において、複数の第１の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向に延びており、複数の第２の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向とは異なる第２の方向（例えば、第１の方向と直交する方向）に延びている。尚、全体として帯状である配線は、帯状に延びる幹配線、及び、幹配線から延びる複数の枝配線から構成されていてもよい。
【００２２】
一方、本発明の電子機器において、第１の配線は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として第１の方向に延びており、第２の配線も、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として、第１の方向とは異なる第２の方向（例えば、第１の方向と直交する方向）に延びている構成とすることができる。あるいは又、第１の配線は、共通の配線（コモン電極）から成り、第２の配線は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として一方向に延びている構成とすることができる。あるいは又、第１の配線は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として一方向に延びており、第２の配線は、共通の配線（コモン電極）から成る構成とすることができる。あるいは又、第１の配線は、共通の配線（コモン電極）から成り、第２の配線も、共通の配線（コモン電極）から成る構成とすることができる。尚、配線は、例えば、幹配線、及び、幹配線から延びる複数の枝配線から構成されていてもよい。
【００２３】
第１の配線、第２の配線を構成する材料として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）錫（Ｓｎ）等の金属を含む各種金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えば、ＴｉＷ；ＴｉＮやＷＮ等の窒化物；ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；これらの金属から成る導電性粒子；これらの金属を含む合金の導電性粒子；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］といった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。第１の配線、第２の配線の形成方法として、これらを構成する材料にも依るが、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザ・アブレーション法を含む各種物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；ＭＯＣＶＤ法を含む各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）；スピンコート法；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、メタルマスク印刷法、グラビア印刷法といった各種印刷法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法；スタンプ法；リフト・オフ法；シャドウマスク法；電解メッキ法や無電解メッキ法あるいはこれらの組合せといったメッキ法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法；及び、スプレー法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。尚、ＰＶＤ法として、（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着等の各種真空蒸着法、（ｂ）プラズマ蒸着法、（ｃ）２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、（ｄ）ＤＣ（direct current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。第１の配線を構成する材料と、第２の配線を構成する材料は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、形成方法を適切に選択することで、直接、パターニングされた第１の配線、第２の配線を形成することも可能である。
【００２４】
電子機器として、例えば、発光ダイオード表示装置、発光ダイオードを用いたバックライト、発光ダイオード照明装置、広告媒体を挙げることができる。電子機器は、基本的にはどのようなものであってもよく、携帯型のものと据え置き型のものとの双方を含み、具体例を挙げると、携帯電話、モバイル機器、ロボット、パーソナルコンピュータ、車載機器、各種家庭電気製品等である。赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード及び青色発光ダイオードとして、本発明の半導体発光素子を用いればよい。場合によっては、赤色発光ダイオードとして、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を用いたものを用いてもよい。
【００２５】
本発明における第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層を構成する化合物半導体は、上述したとおり、ＧａＮ系化合物半導体（ＡｌＧａＮ混晶あるいはＡｌＩｎＧａＮ混晶、ＩｎＧａＮ混晶を含む）である。第１化合物半導体層に添加されるｎ型不純物として、例えば、ケイ素（Ｓｉ）やセレン（Ｓｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）を挙げることができるし、第２化合物半導体層に添加されるｐ型不純物として、亜鉛（Ｚｎ）や、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、酸素（Ｏ）を挙げることができる。活性層は、単一の化合物半導体層から構成されていてもよいし、単一量子井戸構造［ＱＷ構造］あるいは多重量子井戸構造［ＭＱＷ構造］を有していてもよい。活性層を含む各種化合物半導体層の形成方法（成膜方法）として、上述したとおり、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＶＰＥ法）を採用している。赤色を発光する発光ダイオード、緑色を発光する発光ダイオード、青色を発光する発光ダイオードを製造するためには、化合物半導体やその組成を、適宜、選択すればよい。
【００２６】
ここで、第１化合物半導体層の形成における有機ガリウム源ガスとして、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスを挙げることができるし、活性層や第２化合物半導体層の形成における有機ガリウム源ガスとして、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）ガスを挙げることができる。また、窒素源ガスとして、アンモニアガスやヒドラジンガスを挙げることができる。更には、第１化合物半導体層の形成においては、例えば、ｎ型不純物（ｎ型ドーパント）としてケイ素（Ｓｉ）、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｃ、Ｔｅ、Ｓ、Ｏ、Ｐｄ、Ｐｏを挙げることができる。一方、第２化合物半導体層の形成においては、例えば、ｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としてマグネシウム（Ｍｇ）や、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃ、Ｈｇ、Ｓｒを添加すればよい。また、第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層といったＧａＮ系化合物半導体層の構成原子としてアルミニウム（Ａｌ）あるいはインジウム（Ｉｎ）が含まれる場合、Ａｌ源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスを用いればよいし、Ｉｎ源としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）ガスを用いればよい。更には、Ｓｉ源としてモノシランガス（ＳｉＨ4ガス）を用いればよいし、Ｍｇ源としてシクロペンタジエニルマグネシウムガスやメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を用いればよい。
【００２７】
第１化合物半導体層へ第１電極を電気的に接続するためには、例えば、第１電極を第１化合物半導体層上に形成すればよい。同様に、第２化合物半導体層へ第２電極を電気的に接続するためには、例えば、第２電極を第２化合物半導体層上に形成すればよい。ここで、第２電極として、Ａｕ／ＡｕＺｎ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＺｎ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）（／Ａｕ）／ＡｕＺｎ、Ａｕ／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ／Ｐｄ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）、Ｔｉ／Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｇ／Ｎｉ、Ｇｅを挙げることができる。また、第１電極として、Ａｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、ＡｕＧｅ／Ｐｄ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ｔｉ、Ｔｉ／Ａｌを挙げることができる。尚、「／」の前の層ほど、活性層から電気的に離れたところに位置する。あるいは又、第１電極を、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｂといった透明導電材料から構成することもできる。透明導電材料から成る層を電流拡散層として用いる場合、第１電極を、第２電極として挙げた金属積層構造と電流拡散層とを組み合わせた構造としてもよい。
【００２８】
発光素子製造用基板として、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、ＡｌＮ基板、ＡｌＰ基板、ＩｎＮ基板、ＩｎＰ基板、ＡｌＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＡｌＩｎＮ基板、ＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＩｎＰ基板、ＡｌＧａＰ基板、ＡｌＩｎＰ基板、ＧａＩｎＰ基板、ＺｎＳ基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、アルミナ基板、ＺｎＯ基板、ＬｉＭｇＯ基板、ＬｉＧａＯ2基板、ＭｇＡｌ2Ｏ4基板、Ｓｉ基板、Ｇｅ基板、これらの基板の表面（主面）に下地層やバッファ層が形成されたものを挙げることができる。尚、赤色を発光する発光ダイオード、緑色を発光する発光ダイオード、青色を発光する発光ダイオードを製造するためには、これらの基板から、適宜、選択すればよい。
【実施例１】
【００２９】
実施例１は、本発明の半導体発光素子、及び、本発明の半導体発光素子の製造方法に関する。実施例１の半導体発光素子（具体的には、実施例１にあっては、発光ダイオード，ＬＥＤ）の模式的な一部断面図を図１の（Ａ）に示し、概念図を図１の（Ｂ）に示す。
【００３０】
実施例１の半導体発光素子（発光ダイオード１０）は、
（Ａ）ｎ型の導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層１１、ＧａＮ系化合物半導体から成る活性層１３、及び、ｐ型の導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第２化合物半導体層１２から構成された積層構造体１０Ｂ、
（Ｂ）第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極１４、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層１２に電気的に接続された第２電極１５、
を備えている。
【００３１】
そして、第１化合物半導体層１１と活性層１３との間に、ＳｉをドーピングしたＧａＮ層から成り、ピット１６Ａを有する下地層１６が設けられており、下地層１６におけるＳｉのドーピング濃度は、２×１０19／ｃｍ3乃至１×１０21／ｃｍ3である。尚、ピット１６Ａは、
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即ち、Ｓ面で囲まれた六角錐状の凹部から成る。尚、Ｓ面を、便宜上、｛１−１０１｝面と表記する。また、下地層１６の頂面は｛０００１｝面、即ち、Ｃ面から構成されている。そして、六角錐状の凹部の一辺の長さとして、５×１０-9ｍ乃至５×１０-7ｍを挙げることができるし、ピット１６Ａの密度として、１×１０3／ｃｍ2乃至１×１０10／ｃｍ2を挙げることができる。尚、ピット１６Ａは、図１の（Ｂ）にのみ図示した。
【００３２】
具体的には、サファイア基板から成る発光素子製造用基板１９Ａ（以下、単に『基板１９Ａ』と呼ぶ場合がある）のＣ面上には、３０ｎｍ厚さのＧａＮ低温バッファ層１９Ｂ、及び、１μｍ厚さのアンドープＧａＮ層１９Ｃが形成されており、アンドープＧａＮ層１９Ｃ上に、第１化合物半導体層１１が形成されている。第１化合物半導体層１１は、３μｍ厚さのＳｉドープＧａＮ（ＧａＮ：Ｓｉ）層から成る。更には、第１化合物半導体層１１の上に、厚さ０．２μｍのＧａＮ：Ｓｉ層から成る下地層１６が形成されている。ここで、Ｓｉのドーピング濃度は、例えば、２×１０19／ｃｍ3である。また、ピット１６Ａの密度は約３×１０8／ｃｍ2であり、ピット１６Ａの大きさは３０ｎｍ〜１００ｎｍである。そして、下地層１６の上には５ｎｍ厚さのアンドープＧａＮ層１７Ａが形成され、その上に多重量子井戸構造から成る活性層１３が形成されている。活性層１３は、具体的には図示していないが、９周期（９層）の、Ｉｎ0.23Ｇａ0.77Ｎ（厚さ：３ｎｍ）から成る井戸層とＧａＮ（厚さ：１５ｎｍ）から成る障壁層の積層構造から構成されており、発光波長は約５２０ｎｍである。更には、活性層１３の上に、１０ｎｍ厚さのアンドープＧａＮ層１７Ｂが形成され、その上に、２．４ｎｍ厚さのＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ：Ｍｇ層と１．６ｎｍ厚さのＧａＮから成る超格子層（全体の厚さ：２０ｎｍ）から構成された第２化合物半導体層１２、０．１μｍ厚さのＭｇドープＧａＮ（ＧａＮ：Ｍｇ）層（コンタクト層）１８が、順次、形成されている。
【００３３】
実施例１において、半導体発光素子が青色、緑色あるいは赤色を発光する場合、活性層１３をＩｎＧａＮ系化合物半導体から構成すればよいし、赤色を発光する場合、場合によっては、活性層１３をＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から構成してもよい。第１化合物半導体層１１は第１電極１４に電気的に接続されているが、具体的には、後述する図１０の（Ｂ）に示すように、第１電極１４は第１化合物半導体層１１上に形成されている。一方、第２電極１５は、第２化合物半導体層１２の上に形成されている。ここで、第２電極１５は、具体的には、Ａｇ／Ｎｉ等のオーミックコンタクト材料から構成されており、第１電極１４は、具体的には、Ｔｉ／Ａｌ等のオーミックコンタクト材料から構成されている。
【００３４】
以下、実施例１の半導体発光素子の製造方法を説明する。
【００３５】
［工程−１００］
先ず、Ｃ面を主面とするサファイアを基板１９Ａとして使用し、水素から成るキャリアガス中、基板温度１０５０゜Ｃで１０分間の基板クリーニングを行った後、基板温度を５００゜Ｃまで低下させる。そして、ＭＯＣＶＤ法に基づき、キャリアガスとして窒素ガスと水素ガスの混合ガスを用い、窒素原料であるアンモニアガスを供給しながら、ガリウム原料であるトリメチルガリウム（Trimethygallium, ＴＭＧ）ガスの供給を行い、低温ＧａＮから成る厚さ３０ｎｍのＧａＮ低温バッファ層１９Ｂを基板１９Ａの上に結晶成長させた後、ＴＭＧガスの供給を中断する。
【００３６】
［工程−１１０］
次いで、基板温度を１０２０゜Ｃまで上昇させた後、再び、ＴＭＧガスの供給を開始することで、厚さ１μｍのアンドープのＧａＮ層１９ＣをＧａＮ低温バッファ層１９Ｂ上に結晶成長させ、引き続き、シリコン原料であるモノシラン（ＳｉＨ4）ガスの供給を開始することで、ＳｉドープのＧａＮ（ＧａＮ：Ｓｉ）から成り、ｎ型の導電型を有する厚さ３μｍのＧａＮ：Ｓｉ層から成る第１化合物半導体層１１を、アンドープのＧａＮ層１９Ｃ上に結晶成長させる。尚、ドーピング濃度は、約５×１０18／ｃｍ3である。
【００３７】
［工程−１２０］
その後、一旦、ＴＭＧガスとＳｉＨ4ガスの供給を中断し、基板温度を７５０゜Ｃまで低下させる。そして、Ｇａ源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスを用いて下地層１６を形成する。即ち、ＴＭＧガスとＳｉＨ4ガスの供給を再開し、第１化合物半導体層１１の上に、厚さ０．２μｍのＧａＮ：Ｓｉ層から成る下地層１６を形成する。下地層１６にはピット１６Ａが形成される。
【００３８】
［工程−１３０］
その後、Ｇａ源としてトリエチルガリウム（ＴＥＧ）ガスを用いて、活性層１３を形成する。即ち、ＴＭＧガスとＳｉＨ4ガスの供給を停止し、Ｇａ原料としてトリエチルガリウム（Triethylgallium, ＴＥＧ）ガス、Ｉｎ原料としてトリメチルインジウム（Trimethylindium, ＴＭＩ）ガスを使用し、バルブ切り替えによりこれらのガスの供給を行い、キャリアガスを窒素ガスに切り替え、基板温度を７２０゜Ｃまで低下させ、先ず、最初に、厚さ５ｎｍアンドープＧａＮ層１７Ａを結晶成長させ、引き続き、ＩｎＧａＮから成る井戸層、及び、ＧａＮから成る障壁層から構成された多重量子井戸構造を有する活性層１３を形成する。尚、井戸層におけるＩｎ組成割合は、例えば、０．２３であり、発光波長λ５２０ｎｍに相当する。井戸層におけるＩｎ組成割合は、所望とする発光波長に基づき決定すればよい。
【００３９】
［工程−１４０］
多重量子井戸構造の形成完了後、引き続き、１０ｎｍ厚さのアンドープＧａＮ層１７Ｂを成長させた後、Ａｌ原料としてトリメチルアルミニウム（Trimethylaluminium, ＴＭＡ）ガス、Ｍｇ原料としてビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Biscyclopentadienyl Magnesium, Ｃｐ2Ｍｇ）ガスの供給を開始することで、２．４ｎｍ厚さのＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ：Ｍｇ層と厚さ１．６ｎｍのＧａＮから成る超格子層（全体の厚さ：２０ｎｍ）から構成された第２化合物半導体層１２を形成する。尚、ドーピング濃度は、約５×１０19／ｃｍ3である。
【００４０】
［工程−１５０］
その後、ＴＥＧガス、ＴＭＡガス、Ｃｐ2Ｍｇガスの供給中断と共に、キャリアガスを窒素から水素に切り替え、８５０゜Ｃまで基板温度を上昇させ、ＴＭＧガスとＣｐ2Ｍｇガスの供給を開始することで、厚さ０．１μｍのＭｇドープのＧａＮ層（ＧａＮ：Ｍｇ）１８を第２化合物半導体層１２の上に結晶成長させる。尚、ドーピング濃度は、約５×１０19／ｃｍ3である。その後、ＴＭＧガス及びＣｐ2Ｍｇガスの供給中止と共に基板温度を低下させ、基板温度６００゜Ｃでアンモニアガスの供給を中止し、室温まで基板温度を下げて結晶成長を完了させる。
【００４１】
ここで、活性層１３の成長後の基板温度ＴMAXに関しては、発光波長をλｎｍとしたとき、ＴMAX＜１３５０−０．７５λ（゜Ｃ）、好ましくは、ＴMAX＜１２５０−０．７５λ（゜Ｃ）を満足している。このような活性層１３の成長後の基板温度ＴMAXを採用することで、特開２００２−３１９７０２でも述べられているように、活性層１３の熱的な劣化を抑制することができる。
【００４２】
［工程−１６０］
こうして結晶成長を完了した後、窒素ガス雰囲気中で８００゜Ｃ、１０分間のアニール処理を行ってｐ型不純物（ｐ型ドーパント）の活性化を行う。
【００４３】
［工程−１７０］
その後、通常のＬＥＤのウェハプロセス、チップ化工程と同様に、フォトリソグラフィ工程やエッチング工程、金属蒸着による第２電極１５、第１電極１４の形成工程を経て、ダイシングによりチップ化を行い、更に、樹脂モールド、パッケージ化を行うことで、砲弾型や面実装型といった種々の発光ダイオードを作製することができる。
【００４４】
比較のために、下地層１６の代わりに、厚さ０．１５μｍのＩｎ0.03Ｇａ0.97Ｎ：Ｓｉ層を形成した半導体発光素子を、比較例１として作製した。また、下地層１６の形成を省略した半導体発光素子を、比較例２として作製した。
【００４５】
実施例１の半導体発光素子の製造において［工程−１２０］に要した時間を単位厚さに換算した成膜速度をＲｔEとする。一方、比較例１の半導体発光素子の製造において［工程−１２０］と同様の工程に要した時間を単位厚さに換算した成膜速度をＲｔCとする。実施例１及び比較例１の半導体発光素子の製造にあっては、
ＲｔE／ＲｔC≒０．８
であり、下地層をＧａＮ：Ｓｉから構成することで、下地層の成膜速度を約２０％、短縮化することができた。
【００４６】
実施例１の半導体発光素子と比較例２の半導体発光素子における動作電圧の電流密度依存性を図２のグラフに示す。図２において、実施例１の半導体発光素子の結果を「Ａ」で示し、比較例２の半導体発光素子の結果を「Ｂ」で示す。尚、半導体発光素子の評価にあっては、簡略化のために、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、第１化合物半導体層１１を露出させ、第２化合物半導体層１２上に第２電極１５を形成し、第１化合物半導体層１１上に第１電極１４を形成し、プローバで針立てを行って、発光素子製造用基板１９Ａから放射される光を検出した。図４に概略図を示す。
【００４７】
第１化合物半導体層と活性層との間に下地層１６を形成することで、動作電圧の大幅な低減を実現することができた。即ち、ピット１６Ａを有する下地層１６の上に活性層１３を形成するとき、ピット１６Ａが完全に埋まることはなく、このピット１６Ａの存在が動作電圧の低減効果をもたらしている。具体的には、２０アンペア／ｃｍ2程度という通常の発光ダイオードの使用電流密度においては、比較例２が動作電圧４ボルト程度であるのに対し、実施例１では動作電圧３．２ボルトと低電圧化を実現することができた。更に、１００アンペア／ｃｍ2という電流密度においても、比較例２が動作電圧４．５ボルトであるのに対して、実施例１では動作電圧３．５ボルトと低電圧化を実現することができた。ここで、駆動電圧の減少は、半導体発光素子の駆動時の発熱を抑制し、信頼性向上をもたらす。
【００４８】
また、実施例１の半導体発光素子と比較例１の半導体発光素子の出力を比較したグラフを図３に示す。図３において、実施例１の半導体発光素子の結果を「×」印で示し、比較例１の半導体発光素子の結果を「○」印で示す。発光波長は１３０アンペア／ｃｍ2において５２０ｎｍである。図３から、実施例１の半導体発光素子は、従来の半導体発光素子である比較例１の半導体発光素子と同等のＥＬ効率を有することが判る。
【００４９】
下地層１６におけるシリコン（Ｓｉ）のドーピング濃度による駆動電圧を調べた結果を以下の表１に示す。尚、シリコン（Ｓｉ）のドーピング濃度が５×１０19／ｃｍ3にあっては、ピット密度は８．２×１０9／ｃｍ2であった。シリコン（Ｓｉ）のドーピング濃度が２．０×１０19／ｃｍ3以上で、駆動電圧の明らかな低下が認められた。
【００５０】
［表１］
Ｓｉのドーピング濃度（ｃｍ-3）    駆動電圧（Ｖ）    ピット密度（×１０9／ｃｍ2）
１．５×１０19                    ４．８            ０．２
２．０×１０19                    ３．６            ３
２．５×１０19                    ３．６            ４
【実施例２】
【００５１】
実施例２は、本発明の画像表示装置及び電子機器に関する。実施例２の画像表示装置にあっては、画像を表示するための半導体発光素子を備えている。また、実施例２の電子機器にあっても、半導体発光素子を備えている。そして、これらの半導体発光素子は、実施例１で説明した半導体発光素子から成る。
【００５２】
実施例２の画像表示装置あるいは電子機器は、
（イ）第１の方向に延びる複数の第１の配線、
（ロ）第１の方向とは異なる第２の方向に延びる複数の第２の配線、及び、
（ハ）第１電極１４が第１の配線に電気的に接続され、第２電極１５が第２の配線に電気的に接続された複数の半導体発光素子、
から構成されている。
【００５３】
実施例２の画像表示装置は、より具体的には、発光ダイオード表示装置から構成されている。ここで、発光ダイオード表示装置における１画素（１ピクセル）は、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０の組（発光ユニット）から構成されている。尚、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０のそれぞれが、実施例１にて説明した半導体発光素子から構成されている。そして、複数の発光ユニットが、第１の方向、及び、第１の方向と直交する第２の方向に２次元マトリクス状に配列されている。また、各発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０の第１電極１１４、第２発光ダイオード２１０の第１電極２１４及び第３発光ダイオード３１０の第１電極３１４は、第１接続部（以下、『副共通電極４３』と呼ぶ場合がある）に接続されている。一方、第２の方向に沿って配列された各発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０に設けられた取出し電極１１６は、第２の方向に沿って延びる第２の配線（以下、『第１の共通電極』あるいは『第１の共通配線』４０１と呼ぶ）に接続されている。また、第２発光ダイオード２１０に設けられた取出し電極２１６は、第２の方向に沿って延びる第２の配線（以下、『第２の共通電極』あるいは『第２の共通配線』４０２と呼ぶ）に接続されている。更には、第３発光ダイオード３１０に設けられた取出し電極３１６は、第２の方向に沿って延びる第２の配線（以下、『第３の共通電極』あるいは『第３の共通配線』４０３と呼ぶ）に接続されている。尚、第２の方向に沿って配列された各発光ユニットにおける副共通電極４３は、第１の方向に沿って延びる第１の配線（以下、『第４の共通電極』あるいは『第４の共通配線』４０４と呼ぶ）に接続されている。
【００５４】
発光ユニットを構成する第１発光ダイオードの所望の数をＮ1、発光ユニットを構成する第２発光ダイオードの所望の数をＮ2、発光ユニットを構成する第３発光ダイオードの所望の数をＮ3としたとき、Ｎ1として１又は２以上の整数を挙げることができるし、Ｎ2として１又は２以上の整数を挙げることができるし、Ｎ3として１又は２以上の整数を挙げることができる。Ｎ1とＮ2とＮ3の値は、等しくともよいし、異なっていてもよい。Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3の値が２以上の整数である場合、１つの発光ユニット内において、発光ダイオードは直列に接続されていてもよいし、並列に接続されていてもよい。（Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3）の値の組合せとして、限定するものではないが、（１，１，１）、（１，２，１）、（２，２，２）、（２，４，２）を例示することができる。尚、実施例２にあっては、具体的には、（Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3）の値の組合せを、（１，１，１）とした。そして、実施例２の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器は、赤色を発光する所望の数の第１発光ダイオード１１０、緑色を発光する所望の数の第２発光ダイオード２１０、並びに、青色を発光する所望の数の第３発光ダイオード３１０から構成された発光ユニットの複数が、第１の方向、及び、第１の方向と直交する第２の方向に２次元マトリクス状に配列されて成る。
【００５５】
１つの発光ユニットの模式的な平面図を図５に示し、図５の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃ、矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿った模式的な一部断面図を、それぞれ、図６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す。尚、図５においては、１つの発光ユニットを一点鎖線で囲み、発光ダイオードを点線で示し、３本の第２の配線（第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３）の縁部にクロスハッチングを付し、第２接続部（第２Ａ接続部１２４、第２Ｂ接続部２２４、第２Ｃ接続部３２４）、第３接続部４２４、第１の配線（第４の共通電極４０４）の縁部を実線で示した。
【００５６】
ここで、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３は、表示装置用基板６１の上に形成されており、副共通電極４３は、表示装置用基板６１の上に固定された固定層３４に形成されている。更には、発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０は、固定層３４に固定されており、固定層３４は、第２絶縁材料層７１によって囲まれている。ここで、第２絶縁材料層７１は、表示装置用基板６１の上に形成された第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３を覆っている。
【００５７】
実施例２の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器にあっては、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０からの光は、第１電極側から射出される。そして、副共通電極４３は、光を透過させる構造を有する。副共通電極４３は、金属層又は合金層から成る構成とすることができる。あるいは又、副共通電極４３は、光透過電極４２、及び、光透過電極４２から延在する金属層４１から成る。そして、発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０は、それぞれの第１電極１１４，２１４，３１４が副共通電極４３に接続された状態で、副共通電極４３上に配置されている。具体的には、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４は光透過電極４２と接している。より具体的には、光透過電極４２は、第１電極１１４，２１４，３１４の上、及び、第１電極１１４，２１４，３１４の周辺に形成されている。一方、第４コンタクトホール部４２１は、金属層４１と接している。具体的には、第４コンタクトホール部４２１は、金属層４１の上に形成されている。ここで、光透過電極４２はＩＴＯやＩＺＯといった透明導電材料から構成されている。一方、金属層４１を構成する材料を、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌといった一般的な金属配線材料とした。
【００５８】
副共通電極４３は、例えば、金属層又は合金層から成る構成とすることができるが、具体的には、副共通電極４３をメッシュ状電極や櫛型電極から構成すればよい。あるいは又、副共通電極４３は、例えば、光透過電極、及び、光透過電極から延在する金属層又は合金層から成る構成とすることができるが、具体的には、光透過電極をＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電材料から構成したり、光透過電極をメッシュ状電極や櫛型電極から構成すればよい。尚、光を透過させる構造を有する限りにおいて、メッシュ状電極や櫛型電極それ自体は光透過性を有していなくともよい。また、金属層又は合金層を構成する材料として、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａ、Ａｌ等の単体金属あるいはこれらの合金を挙げることができるし、副共通電極４３を２層以上の多層構成とすることもできる。第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの第１電極は光透過電極と接しているが、具体的には、光透過電極を、第１電極上、あるいは、第１電極上及び第１電極の周辺に形成すればよい。また、第４コンタクトホール部は、金属層又は合金層と接している構成とすることが好ましいが、具体的には、金属層又は合金層上に第４コンタクトホール部を形成すればよい。
【００５９】
第１発光ダイオード１１０に設けられた取出し電極１１６は、固定層３４に形成された第１コンタクトホール部１２１、及び、固定層３４上から第２絶縁材料層７１に亙り形成された第２接続部（第２Ａ接続部１２４及びコンタクト部１２３）を介して、第１の共通電極４０１に接続されている。第２発光ダイオード２１０に設けられた取出し電極２１６は、固定層３４に形成された第２コンタクトホール部２２１、及び、固定層３４上から第２絶縁材料層７１に亙り形成された第２接続部（第２Ｂ接続部２２４及びコンタクト部２２３）を介して、第２の共通電極４０２に接続されている。第３発光ダイオード３１０に設けられた取出し電極３１６は、固定層３４に形成された第３コンタクトホール部３２１、及び、固定層３４上から第２絶縁材料層７１に亙り形成された第２接続部（第２Ｃ接続部３２４及びコンタクト部３２３）を介して、第３の共通電極４０３に接続されている。第１接続部（副共通電極４３）は、固定層３４に形成された第４コンタクトホール部４２１、及び、固定層３４上から第２絶縁材料層７１上に亙り形成された第３接続部４２４を介して、第２絶縁材料層７１上に形成された第１の配線（第４の共通電極４０４）に接続されている。尚、実施例２にあっては、第１コンタクトホール部１２１と第２Ａ接続部１２４との間には、固定層３４に形成された第１パッド部１２２が備えられている。第２コンタクトホール部２２１と第２Ｂ接続部２２４との間には、固定層３４に形成された第２パッド部２２２が備えられている。第３コンタクトホール部３２１と第２Ｃ接続部３２４との間には、固定層３４に形成された第３パッド部３２２が備えられている。第４コンタクトホール部４２１と第３接続部４２４との間には、固定層３４に形成された第４パッド部４２２が備えられている。
【００６０】
取出し電極１１６，２１６，３１６を構成する材料として、第１の配線、第２の配線を構成する上述した各種材料を挙げることができる。取出し電極１１６，２１６，３１６の形成方法として、各種のＰＶＤ法を挙げることができる。また、形成方法を適切に選択することで、直接、パターニングされた取出し電極を形成することも可能である。
【００６１】
第１コンタクトホール部１２１、第２コンタクトホール部２２１、第３コンタクトホール部３２１、第４コンタクトホール部４２１は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されており、第１パッド部１２２、第２パッド部２２２、第３パッド部３２２、第４パッド部４２２は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されている。また、第２Ａ接続部１２４、第２Ｂ接続部２２４、第２Ｃ接続部３２４、第３接続部４２４は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されている。
【００６２】
第１コンタクトホール部１２１、第２コンタクトホール部２２１、第３コンタクトホール部３２１、第４コンタクトホール部４２１は、リソグラフィ技術に基づく固定層３４における開口領域の形成、及び、上述した電極材料に基づく電極の形成方法と同様の方法で形成することができる。また、第１コンタクトホール部１２１から固定層３４上を延びる第１パッド部１２２の形成方法、第２コンタクトホール部２２１から固定層３４上を延びる第２パッド部２２２の形成方法、第３コンタクトホール部３２１から固定層３４上を延びる第３パッド部３２２の形成方法、第４コンタクトホール部４２１から固定層３４上を延びる第４パッド部４２２の形成方法も、具体的には、上述した共通電極等の形成方法から、適宜、選択すればよい。更には、第２接続部（第２Ａ接続部１２４、コンタクト部１２３、第２Ｂ接続部２２４、コンタクト部２２３、第２Ｃ接続部３２４、コンタクト部３２３）の固定層３４から第２絶縁材料層７１に亙る形成、第３接続部４２４の固定層３４から第２絶縁材料層７１に亙る形成も、具体的には、上述した共通電極等の形成方法から、適宜、選択すればよい。
【００６３】
第１化合物半導体層１１は第１電極１１４，２１４，３１４に電気的に接続されているが、具体的には、第１電極１１４，２１４，３１４は第１化合物半導体層１１上に形成されている。同様に、第２化合物半導体層１２は第２電極に電気的に接続されているが、具体的には、第２電極は第２化合物半導体層１２上に形成されている。また、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３、第４の共通電極４０４は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されている。固定層３４は、例えば、第１転写基板側から、絶縁材料層３２と埋込み材料層３３の２層構成を有する。絶縁材料層３２はポリイミド系樹脂から成り、埋込み材料層３３は、紫外線硬化型樹脂から成る。また、第２絶縁材料層７１は、ポリイミド系樹脂から成る。第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０の固定層３４への固定方法として、予め、埋込み材料層３３の一部を硬化させておき、残部を未硬化とした状態で、未硬化の埋込み材料層３３の部分に第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０を埋め込み、その後、未硬化の埋込み材料層３３の部分を硬化させる方法を例示することができる。
【００６４】
埋込み材料層３３は、光（特に紫外線等）、放射線（Ｘ線等）、電子線等といったエネルギー線の照射によって硬化や固化し得る材料、熱や圧力等を加えることによって硬化や固化し得る材料等、何らかの方法に基づき硬化や固化させ得る材料である限り、基本的にはどのような材料から構成されていてもよく、具体的には、接着層（第２絶縁層）を構成する接着剤にて説明する各種材料を挙げることができる。
【００６５】
以下、図１０の（Ａ）〜（Ｃ）、図１１の（Ａ）、（Ｂ）、図１２の（Ａ）、（Ｂ）、図１３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２０の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照して、実施例２の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の製造方法を説明する。尚、図１３の（Ａ）、図１４の（Ａ）、図１５の（Ａ）、図１６の（Ａ）、図１７の（Ａ）、図１８の（Ａ）、図１９の（Ａ）、図２０の（Ａ）、図２１の（Ａ）、図２２の（Ａ）は、図５の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図１３の（Ｂ）、図１４の（Ｂ）、図１５の（Ｂ）、図１６の（Ｂ）、図１７の（Ｂ）、図１８の（Ｂ）、図１９の（Ｂ）、図２０の（Ｂ）、図２１の（Ｂ）、図２２の（Ｂ）は、図５の矢印Ｅ−Ｅに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図１３の（Ｃ）、図１４の（Ｃ）、図１５の（Ｃ）、図１６の（Ｃ）、図１７の（Ｃ）、図１８の（Ｃ）、図１９の（Ｃ）、図２０の（Ｃ）、図２１の（Ｃ）、図２２の（Ｃ）は、図５の矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【００６６】
［工程−２００］
具体的には、先ず、実施例１の［工程−１００］〜［工程−１６０］と同様の工程を実行する。そして、第２化合物半導体層１２上に、リフトオフ法及び真空蒸着法にて第２電極１５を形成した後、第１化合物半導体層１１、活性層１３及び第２化合物半導体層１２をパターニングして、相互に分離された複数の発光素子部１０Ａを得る(図１の（Ａ）参照）。あるいは又、第１化合物半導体層１１、活性層１３及び第２化合物半導体層１２をパターニングして、相互に分離された複数の発光素子部１０Ａを得た後、第２化合物半導体層１２上に、リフトオフ法及び真空蒸着法にて第２電極１５を形成してもよい。
【００６７】
その後、各発光素子部１０Ａの第２電極１５の頂面中央部が露出した開口部２１Ａを有する絶縁層２１を全面に形成する。具体的には、スピンコート法に基づき、全面に、感光性ポリイミド系樹脂を塗布する。その後、図示しないマスクを用いて、感光性ポリイミド系樹脂の露光を行い、更に、感光性ポリイミド系樹脂の現像、硬化を行うことで、各発光素子部１０Ａの第２電極１５の頂面中央部が露出した開口部２１Ａを有する絶縁層２１を得ることができる（図８の（Ａ）参照）。
【００６８】
絶縁層を構成する材料として、その他、酸化ケイ素系材料、窒化ケイ素（ＳｉＮY）、金属酸化物高誘電絶縁膜にて例示される無機系絶縁材料や、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にて例示される有機系絶縁材料を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。また、他の感光性の絶縁材料（例えば、ポリアミド系樹脂）を用いることもできる。尚、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコン（ＳｉＯX）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯX系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を例示することができる。絶縁層の形成方法として、スピンコート法以外にも、各種ＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；上述した各種印刷法；上述した各種コーティング法；浸漬法；キャスティング法；及び、スプレー法の内のいずれかを挙げることができる。
【００６９】
次に、各発光素子部１０Ａに、開口部２１Ａの底部に露出した第２電極１５の頂面上から絶縁層２１上に亙りパターニングされた取出し電極２２を設ける（図８の（Ｂ）参照）。具体的には、開口部２１Ａの底部に露出した第２電極１５の頂面上から絶縁層２１上に亙り、スパッタリング法といった物理的気相成長法（ＰＶＤ法）に基づき、チタン層（下層）／銅層（上層）の積層構造から成る取出し電極層を形成した後、取出し電極層を周知の方法でパターニングすることで、取出し電極２２を得ることができる。
【００７０】
その後、全面を覆う接着層（第２絶縁層）２３を形成した後、この接着層（第２絶縁層）２３を用いて支持基板２４を接着する。具体的には、先ず、取出し電極２２の一部分が露出した接着層２３を取出し電極２２上に形成する（図９の（Ａ）参照）。より具体的には、エポキシ系熱硬化性樹脂から成る接着層２３を、スピンコート法に基づき全面に形成し、接着層２３を乾燥させる。接着層２３の粘度等の物性の調整、スピンコート条件の最適化等によって、取出し電極２２の一部分が露出した接着層２３を取出し電極２２上に形成することができる。その後、熱プレス装置を使用し、接着層２３によって、支持基板２４を接着する（図９の（Ｂ）参照）。
【００７１】
接着層（第２絶縁層）２３を構成する接着剤は、光（特に紫外線等）、放射線（Ｘ線等）、電子線等のエネルギー線や、熱、圧力等を加えることによって接着機能を発揮する材料等、何らかの方法に基づき接着機能を発揮する材料である限り、基本的にはどのような材料から構成されていてもよい。ここで、容易に形成することができ、しかも、接着機能を発揮する材料として、樹脂系の接着剤材料、特に、感光性接着剤、熱硬化性接着剤、又は、熱可塑性接着剤を挙げることができる。感光性接着剤としては従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、ポリケイ皮酸ビニルやポリビニルアジドベンザル等の光架橋反応により露光部が難溶性となり、あるいは、アクリルアミド等の光重合反応により露光部が難溶性となるネガ型のもの、ｏ−キノンジアジドノボラック樹脂のようなキノンジアジド基が光分解によりカルボン酸を生じて易溶性となるポジ型のものなどを用いることができる。また、熱硬化性接着剤として従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド系樹脂等を用いることができる。更には、熱可塑性接着剤として従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアミド系樹脂等を用いることができる。例えば、感光性接着剤を用いる場合、感光性接着剤に光や紫外線を照射することによって、感光性接着剤に接着機能を発揮させることができる。また、熱硬化性接着剤を用いる場合、熱プレス装置等により加熱することによって、熱硬化性接着剤に接着機能を発揮させることができる。更には、熱可塑性接着剤を用いる場合、光の照射等により熱可塑性接着剤の一部分を選択的に加熱することによって係る一部分を溶融し、流動性を持たせた後、冷却することで、熱可塑性接着剤に接着機能を発揮させることができる。接着層や接着剤を構成する材料として、その他、例えば、感圧性接着剤（例えば、アクリル系樹脂等から成る）等や、形成しただけで接着機能を有するものを挙げることもできる。
【００７２】
（工程−２１０）
その後、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０を発光ユニット製造用基板５３に仮固定し、所望の数の第１発光ダイオード１１０、所望の数の第２発光ダイオード２１０及び所望の数の第３発光ダイオード３１０から構成され、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４が副共通電極４３に接続された発光ユニットを得る。
【００７３】
［工程−２１０Ａ］
具体的には、第１の支持基板上の第１発光ダイオード１１０を固定層３４に転写し、第２の支持基板上の第２発光ダイオード２１０を固定層３４に転写し、第３の支持基板上の第３発光ダイオード３１０を固定層３４に転写する。尚、これらの転写の順序は、本質的に任意である。そのために、固定層３４が設けられた第１転写基板３１を準備しておく。固定層３４は、前述したとおり、第１転写基板側から、絶縁材料層３２と埋込み材料層３３の２層構成を有する。絶縁材料層３２はポリイミド系樹脂から成り、埋込み材料層３３は、感光性樹脂から成る。尚、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０を埋め込むべき埋込み材料層３３の部分を未硬化とし、埋込み材料層３３の他の部分を硬化させておく。
【００７４】
支持基板や、各種の製造工程にて用いられる各種の基板を構成する材料として、上述した発光素子製造用基板を構成する材料の他、ガラス板、金属板、合金板、セラミックス板、プラスチック板を挙げることができる。また、各種の基板の貼り合わせ方法、固定方法として、接着材料を用いる方法、金属接合法、半導体接合法、金属・半導体接合法を例示することができる。一方、各種基板を剥離する方法、基板の除去方法として、例えば、レーザ・アブレーション法や加熱法、エッチング法といった方法を挙げることができる。また、半導体発光素子あるいは発光素子部を支持基板等から分離方法として、レーザ照射法、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、ダイシング法を例示することができる。
【００７５】
［工程−２１０Ａ−（１）］
そして、先ず、前述したように、支持基板（仮固定用基板）２４に取出し電極２２が接するように支持基板２４に貼り合わせる（図９の（Ｂ）参照）。次いで、発光素子製造用基板１９Ａを発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）から除去する。その後、露出した第１化合物半導体層１１に第１電極１４（１１４，２１４，３１４）を形成する。具体的には、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）（より具体的には、第１化合物半導体層１１）と発光素子製造用基板１９Ａとの界面に、発光素子製造用基板１９Ａを介してエキシマレーザを照射する。すると、レーザ・アブレーションが生じる結果、発光素子製造用基板１９Ａを発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）から剥離することができる（図１０の（Ａ）参照）。その後、リフトオフ法と真空蒸着法にて第１電極１４（１１４，２１４，３１４）を第１化合物半導体層１１上に形成する。こうして、図１０の（Ｂ）に示す構造を得ることができる。その後、エッチングを行うことで、発光ダイオード１０を分離する。こうして、図１０の（Ｃ）に示す構造を得ることができる。
【００７６】
［工程−２１０Ａ−（２）］
次に、所望の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を支持基板２４から中継基板２５に転写する。即ち、支持基板２４に貼り合わされた発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を、中継基板２５に付着させる。具体的には、先ず、図２９の（Ａ）に模式的に図示するように、発光ダイオード１０がアレイ状（２次元マトリクス状）に残された支持基板２４上の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）に、ガラス板から成る中継基板２５の表面に形成された微粘着層２６を押し当てる（図１１の（Ａ）及び図１１の（Ｂ）参照）。尚、図２９の（Ａ）、（Ｂ）及び図３０の（Ａ）、（Ｂ）において、中心に「Ｇ」が記載された丸印は、緑色を発光する第２発光ダイオード２１０を示し、図３０の（Ｂ）において、中心に「Ｒ」が記載された丸印は、赤色を発光する第１発光ダイオード１１０を示し、中心に「Ｂ」が記載された丸印は、青色を発光する第３発光ダイオード３１０を示す。微粘着層２６は、例えば、シリコーンゴムから成る。中継基板２５は、図示しない位置決め装置に保持されている。そして、位置決め装置の作動によって、中継基板２５と支持基板２４との位置関係を調整することができる。次いで、実装すべき発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）に対して、支持基板２４の裏面側から、例えば、エキシマレーザを照射する（図１２の（Ａ）参照）。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、エキシマレーザが照射された発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）は、支持基板２４から剥離する。その後、中継基板２５と発光ダイオード１０との接触を解くと、支持基板２４から剥離した発光ダイオード１０は、微粘着層２６に付着した状態となる（図１２の（Ｂ）参照）。支持基板２４の状態を図２９の（Ｂ）に模式的に図示するが、第２の方向にあっては６個の発光ダイオード毎に１つの発光ダイオードが、また、第１の方向にあっては３個の発光ダイオード毎に１つの発光ダイオードが、微粘着層２６に付着した状態となる。
【００７７】
そして、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を埋込み材料層３３の上に配置（移動あるいは転写）する。具体的には、第１転写基板３１上に形成されたアライメントマークを基準に、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を中継基板２５から第１転写基板３１の埋込み材料層３３の上に配置する。発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）は微粘着層２６に弱く付着しているだけなので、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を埋込み材料層３３と接触させた（押し付けた）状態で中継基板２５を第１転写基板３１から離れる方向に移動させると、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）は、未硬化状態の埋込み材料層３３の上に残される。更には、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）をローラー等で埋込み材料層３３に深く埋入することで、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を固定層３４に固定（配置）することができる。第１転写基板３１の状態を図３０の（Ａ）に模式的に図示する。
【００７８】
このような中継基板２５を用いた方式を、便宜上、ステップ転写法と呼ぶ。そして、このようなステップ転写法を所望の回数、繰り返すことで、所望の個数の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）が、微粘着層２６に２次元マトリクス状に付着し、第１転写基板３１上に転写される。具体的には、実施例２にあっては、１回のステップ転写において、１２０×９０＝１０８００個の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を、微粘着層２６に２次元マトリクス状に付着させ、第１転写基板３１上に転写する。これを４×３回繰り返す。更には、発光ダイオード１１０、発光ダイオード２１０、発光ダイオード３１０のそれぞれについて、第１転写基板３１上への転写を行うので、合計４×３×３回＝３６回の転写を行う。こうして、所定の数の赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードを、所定の間隔、ピッチで第１転写基板３１に実装することができる。第１転写基板３１の状態を図３０の（Ｂ）に模式的に図示する。図３０の（Ｂ）において、発光ユニットを一点鎖線で囲って示した。また、最終的には、発光ユニットを表示装置用基板６１に転写して固定することで、発光ユニットの複数が、第１の方向、及び、第１の方向と直交する第２の方向に２次元マトリクス状に配列されて成る発光ダイオード表示装置を得るが、このときには、４８０×２７０＝１２９６００個の発光ユニットを一度に表示装置用基板６１に転写するとすれば、１６回の転写を行うことで、１９２０×１０８０の発光ユニットから構成された発光ダイオード表示装置を得ることができる。
【００７９】
その後、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）が配置された状態の、感光性樹脂から成る未硬化状態の埋込み材料層３３に紫外線を照射することで、埋込み材料層３３を構成する感光性樹脂を硬化させる。こうして、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）が埋込み材料層３３に固定された状態となる（図１３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。この状態にあっては、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）の第１電極１４（１１４，２１４，３１４）は露出した状態にある。
【００８０】
［工程−２１０Ｂ］
次に、発光ユニットを形成すべき所望の数（実施例２にあっては、Ｎ1＝１）の第１発光ダイオード１１０、所望の数（実施例２にあっては、Ｎ2＝１）の第２発光ダイオード２１０及び所望の数（実施例２にあっては、Ｎ3＝１）の第３発光ダイオード３１０から成る発光ダイオード群１１０，２１０，３１０におけるそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４上から固定層３４上に亙り、スパッタリング法及びリフトオフ法に基づき、副共通電極４３を形成する。
【００８１】
具体的には、先ず、スパッタリング法及びリフトオフ法に基づき、第１電極１１４，２１４，３１４から離れた位置に位置する固定層３４の部分の上に、金属層４１を形成する（図１４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
【００８２】
次いで、金属層４１上から第１電極１１４，２１４，３１４上に亙り、固定層３４の上に、スパッタリング法及びリフトオフ法に基づき、光透過電極４２を形成する（図１５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
【００８３】
［工程−２１０Ｃ］
その後、固定層３４及び副共通電極４３を介して発光ユニットを形成すべき発光ダイオード群１１０，２１０，３１０を発光ユニット製造用基板５３に貼り合わせて仮固定した後、第１転写基板３１を除去する。具体的には、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂といったレーザ・アブレーション性を有する樹脂層から成るレーザ剥離層５２、及び、エポキシ系樹脂等から成り、接着層としても機能する第３絶縁層５１が形成された発光ユニット製造用基板５３を準備し、固定層３４及び副共通電極４３を、第３絶縁層５１に貼り合わせて仮固定する（図１６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。その後、第１転写基板３１の側から、例えば、エキシマレーザを照射する。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、第１転写基板３１は絶縁材料層３２から剥離する（図１７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
【００８４】
［工程−２１０Ｄ］
次に、第１発光ダイオード１１０の取出し電極１１６に接続された第１コンタクトホール部１２１を固定層３４に形成し、この第１コンタクトホール部１２１から固定層３４上を延びる第１パッド部１２２を形成する。併せて、第２発光ダイオード２１０の取出し電極２１６に接続された第２コンタクトホール部２２１を固定層３４に形成し、この第２コンタクトホール部２２１から固定層３４上を延びる第２パッド部２２２を形成する。更には、第３発光ダイオード３１０の取出し電極３１６に接続された第３コンタクトホール部３２１を固定層３４に形成し、この第３コンタクトホール部３２１から固定層３４上を延びる第３パッド部３２２を形成する。併せて、副共通電極４３に接続された第４コンタクトホール部４２１を固定層３４に形成し、この第４コンタクトホール部４２１から固定層３４上を延びる第４パッド部４２２を形成する。こうして、発光ユニットを得ることができる。具体的には、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、取出し電極１１６，２１６，３１６並びに金属層４１の上方の絶縁材料層３２に開口領域５０１，５０２，５０３，５０４を設ける。そして、係る開口領域５０１，５０２，５０３，５０４内を含む絶縁材料層３２上に金属材料層をスパッタリング法にて形成し、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、係る金属材料層をパターニングすることで、第１コンタクトホール部１２１、第１パッド部１２２、第２コンタクトホール部２２１、第２パッド部２２２、第３コンタクトホール部３２１、第３パッド部３２２、第４コンタクトホール部４２１、第４パッド部４２２を得ることができる（図１８の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照、並びに、図１９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
【００８５】
［工程−２１０Ｅ］
次いで、発光ダイオード群１１０，２１０，３１０から構成された発光ユニットを、固定層３４においてレーザ照射法に基づき分離する。尚、図１９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）において、レーザを照射する部分を、白抜きの矢印で示す。
【００８６】
実施例２にあっては、発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第１発光ダイオード１１０の配置ピッチは、第１の支持基板における第１発光ダイオード１１０の製造ピッチの整数倍であり、発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第２発光ダイオード２１０の配置ピッチは、第２の支持基板における第２発光ダイオード２１０の製造ピッチの整数倍であり、発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第３発光ダイオード３１０の配置ピッチは、第３の支持基板における第３発光ダイオード３１０の製造ピッチの整数倍である。具体的には、第２の方向に沿った発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の配置ピッチを、支持基板における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の製造ピッチの６倍とし、第１の方向に沿った発光ダイオード表示装置あるいは電子機器における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の配置ピッチを、支持基板における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の製造ピッチの３倍とした。
【００８７】
（工程−２２０）
具体的には、先ず、発光ユニットを発光ユニット製造用基板５３から表示装置用基板６１に転写して固定することで、発光ユニットの複数が、第１の方向、及び、第１の方向と直交する第２の方向に２次元マトリクス状に配列されて成る発光ダイオード表示装置あるいは電子機器を得る。
【００８８】
具体的には、第２絶縁材料層７１、並びに、第２の方向に沿って延びる第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３が形成された表示装置用基板６１を準備しておく。ここで、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３は、第２絶縁材料層７１によって覆われている。表示装置用基板６１は第４絶縁層６２で覆われており、第４絶縁層６２上に第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３が形成されている。また、第４絶縁層６２、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３は、接着層としても機能する第５絶縁層６３で覆われている。更には、第２絶縁材料層７１は、より具体的には、第５絶縁層６３の上に形成されている。発光ユニットを固定すべき表示装置用基板６１の部分には、第２絶縁材料層７１は形成されていない。また、発光ユニットを固定すべき第５絶縁層６３の部分は未硬化状態であり、第５絶縁層６３のその他の部分は硬化状態にある。このような構成、構造を有する表示装置用基板６１は、周知の方法で作製することができる。
【００８９】
［工程−２２０Ａ］
具体的には、先ず、各発光ユニットを第２転写基板（図示せず）に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板５３を除去する。より具体的には、［工程−２１０Ａ−（２）］と実質的に同じ工程を実行すればよい。即ち、発光ユニット製造用基板５３の裏面側から、例えば、エキシマレーザを照射する。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、発光ユニット製造用基板５３がレーザ剥離層５２から剥離する。
【００９０】
［工程−２２０Ｂ］
次いで、第２絶縁材料層７１によって囲まれるように、表示装置用基板６１上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去する。具体的には、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を、第２絶縁材料層７１によって囲まれた露出した第５絶縁層６３の上に配置（移動あるいは転写）する（図２０の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。より具体的には、第２転写基板上に形成されたアライメントマークを基準に、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を第２転写基板３１から第２絶縁材料層７１によって囲まれた露出した第５絶縁層６３の上に配置する。発光ユニット及びその周囲の固定層３４は、第２転写基板に設けられた微粘着層（図示せず）に弱く付着しているだけなので、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を第５絶縁層６３と接触させた（押し付けた）状態で第２転写基板を表示装置用基板６１から離れる方向に移動させると、発光ユニット及びその周囲の固定層３４は第５絶縁層６３の上に残される。更には、発光ユニット及びその周囲の固定層３４をローラー等で第５絶縁層６３に深く埋入することで、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を第５絶縁層６３に固定（配置）することができる。全ての発光ユニットの配置が完了した後、第５絶縁層６３を硬化させる。
【００９１】
［工程−２２０Ｃ］
その後、絶縁性樹脂から成る平坦化層７２をスピンコーティング法にて全面に形成することで、平滑化された平坦化層７２を得る。こうして、図２１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示す構造を得ることができる。
【００９２】
［工程−２２０Ｄ］
次いで、第１パッド部１２２と第１の共通電極４０１とを電気的に接続する第２Ａ接続部１２４及びコンタクト部１２３を、固定層３４から第２絶縁材料層７１に亙り形成し、併せて、第２パッド部２２２と第２の共通電極４０２とを電気的に接続する第２Ｂ接続部２２４及びコンタクト部２２３を、固定層３４から第２絶縁材料層７１に亙り形成し、併せて、第３パッド部３２２と第３の共通電極４０３とを電気的に接続する第２Ｃ接続部３２４及びコンタクト部３２３を、固定層３４から第２絶縁材料層７１に亙り形成し、併せて、第４の共通電極４０４を第２絶縁材料層７１上に形成し、更には、第４パッド部４２２と第４の共通電極４０４とを電気的に接続する第３接続部４２４を、固定層３４から第２絶縁材料層７１上に亙り形成する（図２２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
【００９３】
具体的には、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、平坦化層７２、第２絶縁材料層７１及び第５絶縁層６３に開口領域（図２２に図示した例では、開口領域５１２）を形成し、次いで、スパッタリング法、リソグラフィ技術及びエッチング法に基づき、第２Ａ接続部１２４、コンタクト部１２３、第２Ｂ接続部２２４、コンタクト部２２３、第２Ｃ接続部３２４、コンタクト部３２３、第３接続部４２４を形成する。こうして、図６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示した構造を得ることができる。
【００９４】
実施例２、あるいは、後述する実施例３にあっては、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４が副共通電極４３に接続された発光ユニットの複数を表示装置用基板６１に転写するので、更には、第２電極が上を向いた状態で表示装置用基板６１に固定されるので、その後の第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第２電極の共通電極（共通配線）４０１，４０２，４０３への引き回し、第１電極１１４，２１４，３１４の第１の配線（第４の共通電極４０４）への引き回しが容易となる。その結果、微細加工プロセスの低減を図ることができ、発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の製造プロセスの簡素化を図ることができる。また、１画素中を占める発光ダイオード１１０，２１０，３１０の面積の割合が小さいので、また、発光ダイオード１１０，２１０，３１０が近接して配置されているので、所謂色割れが生じ難くなる。
【実施例３】
【００９５】
実施例３は、実施例２の変形である。図２３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に模式的な一部断面図を示す実施例３の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の製造方法によって得られる発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の構成、構造は、第１パッド部、第２パッド部、第３パッド部及び第４パッド部が形成されていない点を除き、実質的に、実施例２の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の構成、構造と同じであるので、詳細な説明は省略する。尚、図２３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、図５の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃ、矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【００９６】
以下、図２５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照して、実施例３の発光ダイオード表示装置あるいは電子機器の製造方法を説明する。尚、図２５の（Ａ）、図２６の（Ａ）、図２７の（Ａ）は、図５の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図２５の（Ｂ）、図２６の（Ｂ）、図２７の（Ｂ）は、図５の矢印Ｅ−Ｅに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図２５の（Ｃ）、図２６の（Ｃ）、図２７の（Ｃ）は、図５の矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
【００９７】
［工程−３００］
先ず、実施例２の［工程−２００］と同様の方法で、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を製造する。次いで、実施例２の［工程−２１０Ａ］、［工程−２１０Ｂ］を実行し、更に、実施例２の［工程−２１０Ｃ］である、固定層３４及び副共通電極４３を介して発光ユニットを形成すべき発光ダイオード群１１０，２１０，３１０を発光ユニット製造用基板５３に貼り合わせて仮固定して発光ユニットを得た後、第１転写基板３１を除去する。その後、実施例２の［工程−２１０Ｅ］と同様の工程を実行することで、発光ユニットを固定層３４において分離する。
【００９８】
（工程−３１０）
一方、実施例２と同様に、第２絶縁材料層７１、並びに、第２絶縁材料層７１によって覆われた、第１の方向に沿って延びる第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３が形成された表示装置用基板６１を準備しておく。
【００９９】
［工程−３１０Ａ］
そして、実施例２の［工程−２２０Ａ］と同様にして、各発光ユニットを第２転写基板（図示せず）に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板５３を除去する。
【０１００】
［工程−３１０Ｂ］
次いで、実施例２の［工程−２２０Ｂ］及び［工程−２２０Ｃ］と同様にして、第２絶縁材料層７１によって囲まれるように、表示装置用基板６１上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去する（図２５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、及び、図２６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
【０１０１】
［工程−３１０Ｃ］
その後、第１発光ダイオード１１０の取出し電極１１６と第１の共通電極４０１とを電気的に接続するために、第１コンタクトホール部１２１を固定層３４に形成し、且つ、第１接続部１２４及びコンタクト部１２３を固定層３４から平坦化層７２、第２絶縁材料層７１に亙り形成する。併せて、第２発光ダイオード２１０の取出し電極２１６と第２の共通電極４０２とを電気的に接続するために、第２コンタクトホール部２２１を固定層３４に形成し、且つ、第２接続部２２４及びコンタクト部２２３を固定層３４から平坦化層７２、第２絶縁材料層７１に亙り形成する。併せて、第３発光ダイオード３１０の取出し電極３１６と第３の共通電極４０３とを電気的に接続するために、第３コンタクトホール部３２１を固定層３４に形成し、且つ、第３接続部３２４及びコンタクト部３２３を固定層３４から平坦化層７２、第２絶縁材料層７１に亙り形成する。併せて、第４の共通電極４０４を第２絶縁材料層７１上に形成し、副共通電極４３と第４の共通電極４０４とを電気的に接続するために、第４コンタクトホール部４２１を固定層３４に形成し、且つ、第４接続部４２４を固定層３４から平坦化層７２、第２絶縁材料層７１に亙り形成する。
【０１０２】
具体的には、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、取出し電極１１６，２１６，３１６並びに金属層４１の上方の平坦化層７２、第２絶縁材料層７１及び絶縁材料層３２に開口領域５２１，５２２，５２３，５２４を設ける。併せて、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３、及び、第４の共通電極４０４の上方の平坦化層７２、第２絶縁材料層７１及び絶縁材料層３２に開口領域を設ける（図２７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。尚、図２７の（Ａ）には、開口領域５２６のみを図示した。そして、係る開口領域５２１，５２２，５２３，５２４，５２６内を含む絶縁材料層３２上に金属材料層をスパッタリング法にて形成し、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、係る金属材料層をパターニングすることで、第１コンタクトホール部１２１、第２コンタクトホール部２２１、第３コンタクトホール部３２１、第４コンタクトホール部４２１、第２Ａ接続部１２４、コンタクト部１２３、第２Ｂ接続部２２４、コンタクト部２２３、第２Ｃ接続部３２４、コンタクト部３２３、第３接続部４２４を得ることができる（図２３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、及び、図２４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
【０１０３】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した半導体発光素子（発光ダイオード）、並びに、係る発光ダイオードが組み込まれた発光ダイオード表示装置、電子機器の構成、構造は例示であるし、これらを構成する部材、材料等も例示であり、適宜、変更することができる。実施例において挙げた数値、材料、構成、構造、形状、各種基板、原料、プロセス等はあくまでも例示に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、材料、構成、構造、形状、基板、原料、プロセス等を用いることができる。
【０１０４】
実施例においては、副共通電極４３を金属層４１及び光透過電極４２から構成したが、代替的に、発光ダイオードからの光の出射を妨げない限り、金属層や合金層のみで構成してもよい。また、場合によっては、第１電極１１４，２１４，３１４を、例えば、実施例２の［工程−２１０Ａ−（２）］の後に、あるいは又、［工程−２１０Ｂ］において、形成してもよい。
【０１０５】
発光ユニットを構成する発光ダイオードとして、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード、第３発光ダイオードに、更に、第４発光ダイオード、第５発光ダイオード・・・を加えてもよい。このような例として、例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた発光ユニットを挙げることができる。そして、これらの場合、第４発光ダイオード、第５発光ダイオード・・・を構成する第１電極を副共通電極に接続すればよい。
【０１０６】
画像表示装置（発光ダイオード表示装置）は、テレビジョン受像機やコンピュータ端末に代表されるカラー表示の平面型・直視型の画像表示装置だけでなく、人の網膜に画像を投影する形式の画像表示装置、プロジェクション型の画像表示装置とすることもできる。尚、これらの画像表示装置においては、限定するものではないが、例えば、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの発光／非発光状態を時分割制御することで画像を表示する、フィールドシーケンシャル方式の駆動方式を採用すればよい。
【０１０７】
実施例２の発光ダイオード表示装置の変形例における１つの発光ユニットの模式的な平面図を図２８に示す。この変形例においては、第１コンタクトホール部１２１（図２８では点線で示す）を塞いでいる第１パッド部１２２（図２８では細い実線で示す）の中心は、第１コンタクトホール部１２１の中心と一致しておらず、第１パッド部１２２の中心は、第１の共通配線４０１側にずれている。また、第２コンタクトホール部２２１（図２８では点線で示す）を塞いでいる第２パッド部２２２（図２８では細い実線で示す）の中心は、第２コンタクトホール部２２１の中心と一致しておらず、第２パッド部２２２の中心は、第２の共通配線４０２側にずれている。更には、第３コンタクトホール部３２１（図２８では点線で示す）を塞いでいる第３パッド部３２２（図２８では細い実線で示す）の中心は、第３コンタクトホール部３２１の中心と一致しておらず、第３パッド部３２２の中心は、第３の共通配線４０３側にずれている。このような構成を採用すれば、たとえ、第１接続部１２４、第２接続部２２４及び第３接続部３２４の形成時、これらの接続部１２４，２２４，３２４と第４接続部４２４との間に距離的なゆとりを得ることができ、これらの接続部１２４，２２４，３２４と第４接続部４２４との間に短絡が生じることを確実に防止することができる。
【０１０８】
電子機器の構造に依っては、第１の配線を、共通の配線（コモン電極）から構成し、第２の配線に、実施例２において説明したような第１の配線あるいは第２の配線と同じ構造を採用してもよいし、あるいは又、第１の配線に、実施例２において説明したような第１の配線あるいは第２の配線と同じ構造を採用し、第２の配線を、共通の配線（コモン電極）から成る構成してもよいし、あるいは又、第１の配線を、共通の配線（コモン電極）から構成し、第２の配線も、共通の配線（コモン電極）から構成してもよい。尚、共通の配線は、電子機器の構造に依存して、１枚のシート状であってもよいし、複数のシート状あるいは帯状であってもよい。半導体発光素子（発光ダイオード）を交流駆動する場合には、第１接続部が第１の配線と接触し、第２接続部が第２の配線と接触した半導体発光素子（発光ダイオード）、及び、第２接続部が第１の配線と接触し、第１接続部が第２の配線と接触した半導体発光素子（発光ダイオード）が混在してもよい。尚、第２接続部が第１の配線と接触し、第１接続部が第２の配線と接触した半導体発光素子（発光ダイオード）にあっては、第１の配線と接触している第２接続部を「第１接続部」と読み替え、第２の配線と接触している第１接続部を「第２接続部」と読み替えればよい。
【符号の説明】
【０１０９】
１０・・・半導体発光素子（発光ダイオード）、１０Ａ・・・発光素子部、１０Ｂ・・・積層構造体、１１・・・第１化合物半導体層、１２・・・第２化合物半導体層、１３・・・活性層、１４・・・第１電極、１５・・・第２電極、１６・・・下地層、１６Ａ・・・ピット、１７Ａ，１７Ｂ・・・アンドープＧａＮ層、１８・・・ＭｇドープＧａＮ層（コンタクト層）、１９Ａ・・・発光素子製造用基板（基板）、１９Ｂ・・・ＧａＮ低温バッファ層、１９Ｃ・・・アンドープＧａＮ層、２１・・・絶縁層、２１Ａ・・・開口部、２２，１１６，２１６，３１６・・・取出し電極、２３・・・第２絶縁層（接着層）、２４・・・支持基板（仮固定用基板）、２５・・・中継基板、２６・・・微粘着層、３１・・・第１転写基板、３２・・・絶縁材料層、３３・・・埋込み材料層、３４・・・固定層、４１・・・金属層、４２・・・光透過電極、４３・・・副共通電極、５１・・・第３絶縁層、５２・・・レーザ剥離層、５３・・・発光ユニット製造用基板、５０１，５０２，５０３，５０４，５１２、５２１，５２２，５２３，５２４，５２６・・・開口領域、６１・・・表示装置用基板、６２・・・第４絶縁層、６３・・・第５絶縁層、７１，１７１・・・第２絶縁材料層、７２・・・平坦化層、１１０・・・第１発光ダイオード、２１０・・・第２発光ダイオード、３１０・・・第３発光ダイオード、１２１・・・第１コンタクトホール部、２２１・・・第２コンタクトホール部、３２１・・・第３コンタクトホール部、４２１・・・第４コンタクトホール部、１２２・・・第１パッド部、２２２・・・第２パッド部、３２２・・・第３パッド部、４２２・・・第４パッド部、１２３，２２３，３２３・・・コンタクト部、１２４・・・第２接続部（第２Ａ接続部）、２２４・・・第２接続部（第２Ｂ接続部）、３２４・・・第２接続部（第２Ｃ接続部）、４２４・・・第３接続部、４０１・・・第２の配線（第１の共通電極，第１の共通配線）、４０２・・・第２の配線（第２の共通電極，第２の共通配線）、４０３・・・第２の配線（第３の共通電極，第３の共通配線）、４０４・・・第１の配線（第４の共通電極，第４の共通配線）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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