(57)【要約】【課題】 高い電磁波シールド性と高い透明性とを同時に有し且つ、モアレなどの点でもＰＤＰ画質劣化が非常に小さい電磁波シールド材料に用いられる金属銀部の製造方法を提供すること。【解決手段】支持体上に設けられた光センサとしてハロゲン化銀を含有する銀塩含有層を露光し、現像処理することにより光透過性部とともにメッシュ状の金属銀部を形成し、前記メッシュを構成する線の線幅が３〜１８μｍであり、かつ、前記メッシュを構成する線の交点における交点太り率が１を超え１．５以下であることを特徴とする、金属銀部の製造方法。【選択図】 なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に設けられた光センサとしてハロゲン化銀を含有する銀塩含有層を露光し、現像処理することにより光透過性部とともにメッシュ状の金属銀部を形成し、
前記メッシュを構成する線の線幅が３〜１８μｍであり、かつ、前記メッシュを構成する線の交点における交点太り率が１を超え１．５以下であることを特徴とする、金属銀部の製造方法。
【請求項２】
前記メッシュ状の金属銀部の開口率が８５％以上であり、表面抵抗が０．５Ω／ｓｑ以下である、請求項１に記載の金属銀部の製造方法。
【請求項３】
前記メッシュ状の金属銀部の抵抗率が２．５μΩｃｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の金属銀部の製造方法。
【請求項４】
前記メッシュ状の金属銀部の厚みが２．５〜８μｍであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属銀部の製造方法。
【請求項５】
ヘイズが５％以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属銀部の製造方法。
【請求項６】
スペースが格子状であるフォトマスクを介して露光することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属銀部の製造方法。
【請求項７】
前記銀塩含有層中にバインダーをＡｇ／バインダー体積比で１／３以上含有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属銀部の製造方法。
【請求項８】
前記ハロゲン化銀がロジウムイオンおよびイリジウムイオンのうち少なくとも一方をドープされていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属銀部の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属銀部の製造方法により得られた金属銀部及び光透過性部を有する金属銀膜。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属銀部の製造方法により得られた金属銀膜を有するプラズマデイスプレイ用透光性電磁波シールド膜。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属銀部の製造方法により得られた金属銀膜を有するプラズマディスプレイパネル用のフィルター部材。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属銀部の製造方法により得られた金属銀膜を有するプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰという）前面から発生する電磁波を遮蔽し、透明性を有する電磁波遮蔽材料、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種の電気設備や電子応用設備の利用の増加に伴い、電磁波障害（Electro-Magnetic Interference：EMI）が急増している。ＥＭＩは、電子、電気機器の誤動作、障害の原因になるほか、これらの装置のオペレーターにも健康障害を与えることが指摘されている。このため、電子電気機器では、電磁波放出の強さを規格又は規制内に抑えることが要求されている。特に、ＰＤＰは、ＣＲＴ等と比較して多量の電磁波を発生するため、より強く電磁波をシールドすることが求められている。ＥＭＩ対策として電磁波をシールドするためには、金属の電磁波を貫通させない性質を利用すればよいことは自明である。金属による電磁波シールド能は、表面抵抗値で簡便に評価でき、ＰＤＰ用の透光性電磁波シールド材料では２．５Ω／ｓｑ以下が要求され、ＰＤＰを用いた民生用プラズマテレビにおいては１．５Ω／ｓｑ以下とする必要性が高く、より望ましくは０．１Ω／ｓｑ以下という極めて高い導電性が要求されている。
【０００３】
一方、ディスプレイ機器においては、画像表示を妨害しないようにするために、電磁波シールド材料が十分な光透過性を有することが要求される。映像表示の明るさが重要なことから透明性に関する要求レベルは高く、ＰＤＰ用としては８０％以上の高い光透過性が要望されており、更により高い透明性が望まれている。したがって、金属板や金属箔からなる電磁波シールド材料では、十分な光透過性を達成することができないという問題があった。
【０００４】
上記の問題を解決するために、以下に挙げるように、開口部を有する金属メッシュを利用して電磁波シールド性と透明性とを両立しようとする種々の材料・方法がこれまで提案されている。
【０００５】
（１）フォトリソグラフィー法を利用したエッチング加工メッシュ
銅箔を透明基材に貼合し、フォトリソグラフィー法を利用してエッチング加工する方法が提案されている。この方法は微細加工が可能で、高開口率（高透過率）のメッシュを作成することができ、導電性も高く電磁波シールド能に優れる利点を有している。特開２００３−４６２９３号公報（特許文献１）には、５μｍ厚み、線幅１２μｍの金属メッシュが開示されている。また、特開平１１−３４０６８２号公報（特許文献２）には、エッチング加工したメッシュのふくれ率が小さいことが、透過率の点で有利であることが記載されている。しかしながら、これらのメッシュをＰＤＰに装着して画像を見た場合には、モアレの問題があった。従ってモアレのでない金属メッシュが望まれている。
【０００６】
（２）電着加工メッシュ
特開平１１−２６９８０号公報（特許文献３）には、ステンレス板上にレジストパターンを形成した後、ステンレス上に電着メッシュを形成し、電着形成したメッシュを透明基板に接着して転写する工法が記載されており、具体例として線幅３０μｍ、銅膜厚み３μｍのメッシュが開示されている。これも前述同様モアレの問題がある他、線幅が太く、注視すると容易にメッシュ形状であることが認識できてしまう欠点があった。しかし線幅を細くすることは容易ではなく、細線を得ようとすると、透明基板に金属メッシュを転写する工程で、転写が不完全で欠陥を発生する問題点があった。
【０００７】
上述のように、これまでに提案された金属メッシュの多くは、金属メッシュの金属線の交点部が金属線部より太っている、金属線幅が太い、金属膜厚が厚い、などの特徴を持っていた。このような形態上の特徴は、ＰＤＰ映像にモアレを発生させ、メッシュ線幅が太いとメッシュが見えてしまうなど、ＰＤＰ画像の画質を劣化させる要因となっていた。こうした背景から、ＰＤＰの前面に設置する透光性の電磁波シールド材の改善が望まれているが、ＰＤＰ画像の画質劣化が無く、かつ、電磁波を有効にシールドする材料はこれまで知られていなかった。
【０００８】
次に、銀塩を用いた導電性金属銀パターンを形成する方法に関する従来技術について説明する。銀塩から得られる現像銀は金属銀であることから、これを導電性を有する銀とする提案は古くからなされている。しかし、銀塩から導電性金属銀を作成して、ＰＤＰのディスプレイ画像表示面からの電磁波を画像表示を妨害せずシールドする具体的かつ十分な方策については全く知られておらず、またＰＤＰ用電磁波シールド材料として適切な形態・性質についても全く知られていなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−４６２９３号公報
【特許文献２】特開平１１−３４０６８２号公報
【特許文献３】特開平１１−２６９８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のように、従来の電磁波遮蔽材料やその製造方法には、それぞれ問題点があった。特に、ＰＤＰの映像表示画素と電磁波シールド用の金属メッシュが共に微細パターンからなっていることにより、モアレが顕在化しやすいという問題点があり、未解決であった。また、ＰＤＰでは高いコントラストを得るためにも画像の明度が要求されるため、１００％に近い光透過性が強く求められている。ところが、光透過性を向上させるために開口率（光を透過する部分の面積比率）を上げると、導電性が低下して電磁波シールド効果も損なわれるため、導電性（電磁波シールド効果）と光透過性を同時に向上させることは、困難であった。
【００１１】
また、電磁波シールド用の金属メッシュ膜は精密な加工品であり、エッチング工法で製造する場合も電着工法で製造する場合も工法が極めて複雑になるという問題があった。このため、製造される金属メッシュ膜は非常に高価であり、製造コストの低減化が強く要望されていた。
【００１２】
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、高い電磁波シールド性と高い透明性とを同時に有し且つ、モアレなどによるＰＤＰ画像の画質劣化を最小にする電磁波シールド材料を提供することにある。また本発明の別の目的は、薄膜細線状パターンの形成が容易でしかも安価に大量に製造できる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、高い電磁波シールド性と高い透明性とを同時に得つつ、ＰＤＰ画像の画質劣化を最小にする観点から、鋭意検討した結果、上記目的は、以下の透光性電磁波シールド膜及び製造方法により効果的に達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１４】
（１）支持体と該支持体上に形成されたメッシュ状の導電性金属薄膜を有するＰＤＰ用透光性電磁波シールド膜であって、メッシュを構成する線の線幅が３〜１８μｍであり、かつ、メッシュを構成する線の交点における交点太り率が２．０以下であることを特徴とする、透光性電磁波シールド膜。
（２）交点太り率が１．５以下であることを特徴とする、（１）に記載の透光性電磁波シールド膜。
（３）線幅が３〜１３μｍであることを特徴とする、（１）または（２）に記載の透光性電磁波シールド膜。
（４）導電性金属薄膜の開口率が８５％以上であり、表面抵抗が０．５Ω／ｓｑ以下である、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の透光性電磁波シールド膜。
（５）導電性金属薄膜の開口率が９０％以上であり、表面抵抗が０．５Ω／ｓｑ以下である、（１）〜（４）のいずれか一項に記載の透光性電磁波シールド膜。
（６）導電性金属の抵抗率が２．５μΩｃｍ以下であることを特徴とする、（１）〜（５）のいずれか一項に記載の透光性電磁波シールド膜。
（７）導電性金属薄膜の厚みが２．５〜８μｍであることを特徴とする、（１）〜（６）のいずれか一項に記載の透光性電磁波シールド膜。
（８）導電性金属薄膜の厚みが２．５〜５μｍであることを特徴とする、（１）〜（７）のいずれか一項に記載の透光性電磁波シールド膜。
（９）ヘイズが５％以下であることを特徴とする、（１）〜（８）のいずれか一項に記載の透光性電磁波シールド膜。
（１０）ヘイズが３％以下であることを特徴とする、（１）〜（９）のいずれか一項に記載の透光性電磁波シールド膜。
【００１５】
（１１）メッシュ状の導電性金属薄膜を以下の（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）の方法によって得ることを特徴とする、（１）〜（１０）のいずれか一項に記載の透光性電磁波シールド膜の製造方法。
（ａ）メッシュ状の導電性金属薄膜を電解メッキによって得た後、透明支持体にメッシュ状の導電性金属薄膜を転写して得る方法。
（ｂ）無電解メッキ触媒のメッシュ状パターンを形成し、無電解メッキすることによってメッシュ状の導電性金属薄膜を得る方法。
（ｃ）導電性ペーストのメッシュ状パターンを形成することによって導電性金属薄膜を得る方法。
（ｄ）支持体上に設けられた銀塩を含有する銀塩含有層を露光し、現像処理することにより金属銀部と光透過性部とを形成し、さらに前記金属銀部を物理現像及び／又はメッキ処理することにより前記金属銀部に導電性金属を担持させる、メッシュ状の導電性金属薄膜の形成方法。
（ｅ）支持体上の金属薄膜をエッチングする方法。
（１２）メッシュ状の導電性金属薄膜を電解メッキによって得た後、透明支持体にメッシュ状の導電性金属薄膜を転写して得ることを特徴とする、（１）〜（１０）のいずれか一項に記載の透光性電磁波シールド膜の製造方法。
（１３）無電解メッキ触媒のメッシュ状パターンを形成し、無電解メッキすることによってメッシュ状の導電性金属薄膜を得ることを特徴とする、（１）〜（１０）のいずれか一項に記載の透光性電磁波シールド膜の製造方法。
（１４）導電性ペーストのメッシュ状パターンを形成することによって導電性金属薄膜を得ることを特徴とする、（１）〜（１０）のいずれか一項に記載の透光性電磁波シールド膜の製造方法。
（１５）支持体上に設けられた銀塩を含有する銀塩含有層を露光し、現像処理することにより金属銀部と光透過性部とを形成し、さらに前記金属銀部を物理現像及び／又はメッキ処理することにより前記金属銀部に導電性金属を担持させる、メッシュ状の導電性金属薄膜の形成方法による、（１）〜（１０）のいずれか一項に記載の透光性電磁波シールド膜の製造方法。
（１６）支持体上の金属薄膜をエッチングすることなく、メッシュ状の導電性金属薄膜を得ることを特徴とする、（１）〜（１０）のいずれか一項に記載の透光性電磁波シールド膜の製造方法。
（１７）（１）〜（１６）のいずれか一項に記載の透光性電磁波シールド膜を有するＰＤＰ用のフィルター部材。
（１８）（１）〜（１６）に記載の透光性電磁波シールド膜を有するＰＤＰ。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、高い電磁波シールド性と高い透明性とを同時に有し且つ、ＰＤＰ映像表示をほとんど妨害することなく、モアレなどの点でもＰＤＰ画質劣化が非常に小さい電磁波シールド膜を得ることができる。また、ＰＤＰ用の電磁波シールド膜として適した薄膜細線状の高導電性メッシュを、容易にしかも安価に大量に製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
次に、本発明の透光性電磁波シールド膜及びその製造方法ついてさらに詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味として使用される。
本発明の透光性電磁波シールド膜は、支持体と該支持体上に形成されたメッシュ状の導電性金属薄膜を有する。導電性金属薄膜は、導電性金属部と光透過性部からなる。そこでまず支持体、導電性金属部、光透過性部の順に以下に説明する。
【００１８】
［支持体］
本発明の透光性電磁波シールド膜を構成する支持体としては、プラスチックフィルム、プラスチック板、ガラスなどを用いることができる。
プラスチックフィルム及びプラスチック板の原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）などを用いることができる。
透明性、耐熱性、取り扱いやすさ及び価格の点から、上記プラスチックフィルムはポリエチレンテレフタレートフィルムであることが好ましい。
【００１９】
ＰＤＰ用の電磁波シールド材には透明性が要求されるため、支持体の透明性は高いことが望ましい。この場合におけるプラスチックフィルム又はプラスチック板の全可視光透過率は好ましくは７０〜１００％であり、より好ましくは８５〜１００％であり、さらに好ましくは９０〜１００％である。また、本発明では、前記プラスチックフィルム及びプラスチック板を本発明の目的を妨げない程度に着色したものを用いることもできる。
本発明におけるプラスチックフィルム及びプラスチック板は、単層で用いることもできるが、２層以上を組み合わせた多層フィルムとして用いることも可能である。
【００２０】
支持体がガラス板である場合、その種類は特に限定されないが、ディスプレイ用電磁波シールドの用途で用いる場合、表面に強化層を設けた強化ガラスを用いることが好ましい。強化ガラスは、強化処理していないガラスに比べて破損を防止できる。さらに、風冷法により得られる強化ガラスは、万一破損してもその破砕破片が小さく、かつ端面も鋭利になることはないため、安全上好ましい。
【００２１】
［導電性金属部］
本発明の透光性電磁波シールド膜は、支持体上にメッシュ状の導電性金属薄膜を有しており、該導電性金属薄膜は導電性を有するメッシュ状の導電性金属部とそれ以外の光透過性部からなっている。導電性金属部の製造方法は特に制限されない。例えば、支持体上に銀塩を含有する銀塩含有層を形成し、該銀塩含有層を露光して現像処理することにより金属銀部と光透過性部とを形成し、さらに該金属銀部を物理現像及び／又はメッキ処理することにより前記金属銀部に導電性金属粒子を担持させた導電性金属部を形成することができる。ここでは、露光部に金属銀を形成させる場合と、未露光部に金属銀を形成させる場合がある。物理現像核を利用した銀塩拡散転写法（ＤＴＲ法）は、未露光部に金属銀を形成させる方法である。本発明においては、透明性を高めるために露光部に金属銀を形成させることが好ましい。
【００２２】
導電性金属部に担持させる導電性金属としては、上述した銀のほか、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、金、コバルト、スズ、ステンレス、タングステン、クロム、チタン、パラジウム、白金、マンガン、亜鉛、ロジウムなどの金属、又はこれらを組み合わせた合金のを挙げることができる。導電性、価格等の観点から導電性金属は、銅、アルミニウム又はニッケルであることが好ましい。また、磁場シールド性を付与する場合、導電性金属として常磁性金属粒子を用いることが好ましい。
【００２３】
本発明における導電性金属薄膜は、抵抗率が２．５μΩｃｍ以下であることが好ましい。本発明において抵抗率とは、導電性金属薄膜の５１質量％以上を占める金属の単体での抵抗率を言う。このような単体は、銅（１．７μΩｃｍ）、銀（１．６μΩｃｍ）、及び、金（２．４μΩｃｍ）である。即ち、本発明において、導電性金属薄膜は、銅、銀、金が５１質量％以上を占めるものであることが好ましい。
但し、金、銀、銅などの金属粒子の分散物から得られる導電性金属薄膜の場合、導電性薄膜の抵抗率の実測値から得られる比抵抗を、本発明における抵抗率と定義する。なぜなら、金属粒子分散物から得られる導電性金属薄膜の導電性は、金属単体の導電性に比べて著しく高い（導電性が低い）ことが知られているためである。
【００２４】
数十〜数百μΩｃｍの銀ペーストを始めとする金属ペーストを用いた導電性金属をＰＤＰ用電磁波シールド用メッシュに利用しようとすると、メッシュ線幅を広げたり、膜厚を厚くしたり、開口率を下げたりしなければならない。このため、これらの金属ペーストをＰＤＰ用電磁波シールド用メッシュの製造に用いることには問題がある。
【００２５】
導電性金属部は、均一な元素分布を有している必要はなく、導体の表層と内部で元素分布が異なっていてよい。また、導体の支持体側とその上方で元素分布が異なっていてよい。導体が光を反射することはＰＤＰ画像のコントラストを低下させるため好ましくなく、この観点で導体は無反射に近ければ近いほど好ましい。したがって金属銀が表面に存在することが好ましい。銅が表層に存在する場合も表面が黒化処理されたものであることが好ましい。黒化処理は、プリント配線板分野で行われている方法等を用いて行うことができる。例えば、亜塩素酸ナトリウム（３１ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（１５ｇ／ｌ）、リン酸三ナトリウム（１２ｇ／ｌ）の水溶液中で、９５℃で２分間処理することにより黒化処理を行うことができる。またクロメート処理を行ってもよい。
導電性金属部が経時的に酸化され変色するのを防止する観点からは、導電性を変色防止処理することが好ましい。その手段としては、金属表面の腐食抑制剤を利用することなどが挙げられ、例えば、メルカプト化合物などを利用することができる。
【００２６】
本発明における導電性金属部は、高導電性金属を担持するため良好な導電性が得られる。本発明の透光性電磁波シールド膜（導電性金属部）の表面抵抗値は、０．５Ω／ｓｑ以下であることが好ましく、０．２Ω／ｓｑ以下であることがより好ましく、０．１Ω／ｓｑ以下であることが最も好ましい。
【００２７】
本発明の導電性金属部は、メッシュ状の形態をしており、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形などの（正）ｎ角形、円、楕円、星形などを組み合わせた幾何学図形からなることが好ましい。電磁波シールド性の観点からは三角形の形状が最も有効であるが、可視光透過性の観点からは同一のライン幅なら（正）ｎ角形のｎ数が大きいほど開口率が上がり可視光透過性が大きくなるので有利である。
【００２８】
透光性電磁波シールド材料として用いる場合、メッシュ形状を目視した際に上記導電性金属部の線幅が判別できるようでは問題がある。このため、ＰＤＰ用である本発明の透光性電磁波シールド膜では、導電性金属部の線幅は十分に細くなっている。具体的には、本発明の導電性金属部の線幅は３〜１８μｍであり、３〜１４μｍが好ましく、３〜１０μｍがより好ましい。本明細書における線幅は、後述するＬｗの測定法にしたがって測定することができる。
【００２９】
導電性金属薄膜の膜厚は、導電性を確保する意味で２．５μｍ以上であることが好ましい。また、モアレ等画質の観点からは薄い方が望ましいことから、膜厚は２．５μｍ〜８μｍが好ましく、２．５μｍ〜５μｍがより好ましく、２．５μｍ〜４μｍがさらに好ましい。
【００３０】
メッシュを構成する線のピッチは、６０μｍ〜４５０μｍが好ましく、１２０μｍ〜４００μｍがより好ましい。ここでいうピッチとは、メッシュを構成する線とそれに隣り合う線の中心線どおしの距離を意味する。
また、導電性金属部の線幅は、アース接続などの目的においては、２０μｍより広い部分を有していてもよい。
【００３１】
本発明における導電性金属部は、可視光透過率の点から開口率は８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがさらに好ましく、９３％以上であることが最も好ましい。開口率とは、メッシュをなす細線のない部分が全体に占める割合であり、例えば、線幅１０μｍ、ピッチ２００μｍの正方形の格子状メッシュの開口率は、約９０％である。
【００３２】
次に、メッシュ交点の形状について述べる。
本発明のメッシュの交点とは、メッシュをなす線の交差部または交点部を言う。メッシュをなす線の線幅に対して、交点部の線幅が太い場合、交点が太っていると言う。交点の太り度合いを「交点太り率」と呼ぶこととし、次のように定義する。
交点太り率＝Ｃｗ／（１．４１４２×Ｌｗ）
ここにおいてＣｗは、電磁波シールド膜面を真上から観察し、メッシュをなす線の交差部または交点部に内接する円を描いたとき、その円の平均直径を表す。またＬｗは、メッシュをなす線の平均線幅を表す。具体的には、Ｃｗは、５カ所の交差部または交点部に内接する円について測定した直径の平均値であり、Ｌｗは交点と交点の間の中点部の線幅を５箇所で測定した際の平均値である。Ｃｗを得るための内接円は、２点以上のできるだけ多くの内接点を有することを条件に、できるだけ大きな面積を有するものとし、且つ、交点部領域をはみ出さないものとする。交点太り率は、メッシュをなす２直線が直交する場合、太らないで２直線が重なった場合の重なり部の正方形の対角線が、交点が太ることによっておよそ何倍に伸びるかを数値化したものに相当する。交点太りがない場合、交点太り率は１である。交点太りがあれば交点太り率＞１であり、交点が細っている場合は交点太り率＜１である。
交点太り率が１より大きい場合は、交点太り率ができるだけ１に近いほどモアレが顕在化しにくいため好ましい。本発明において、交点太り率は２．０以下であり、好ましくは１．５以下であり、より好ましくは、１．３以下であり、最も好ましくは１．１以下である。
【００３３】
尚、交点太り率と同様に、交点部における線幅増加の程度を定量化する量として、「ふくれ率」が特開平１１−３４０６８２号公報の段落番号００１２および図４〜６に記載されている。ふくれ率は、交点に向けて線幅が大きくなり始める部分から交差領域が始まるものと定義し、交点太りがない場合の交差領域の面積（Ｓ１）と実際の交差領域の面積（Ｓ２）から、（Ｓ１＋Ｓ２）×１００／Ｓ１を計算することにより求められる。しかしながら、この方法ではＳ１の面積を一義的に確定することが困難であるという問題があった。従って、本願においては新たに前述の「交点太り率」を定義した。
【００３４】
本発明の透光性電磁波シールド膜のヘイズは、小さいほど好ましい。ヘイズが大きいほどＰＤＰ画像がボケるためである。本発明の透光性電磁波シールド膜のヘイズは５％以下が好ましく、４％以下がより好ましく、３％以下がさらに好ましく、２％以下がさらにより好ましく、最も好ましくは１％以下である。
【００３５】
［光透過性部］
本発明における「光透過性部」とは、透光性電磁波シールド膜のうち導電性金属部以外の透明性を有する部分を意味する。光透過性部における透過率は、好ましくは９５％以上、より好ましくは９７％以上であり、最も好ましくは９９％以上である。なお、本発明における「透過率」とは、特に断らない限り、支持体の光吸収及び反射の寄与を除いた３８０〜７８０ｎｍの波長領域における透過率の平均で示される値を指し、（透光性電磁波シールド材料の透過率）／（支持体の透過率）×１００（％）で表される。本発明の態様であれば開口率にほぼ等しい。
【００３６】
本発明の光透過性部は、透過性を向上させる観点から実質的に物理現像核を有しないことが好ましい。本発明は、従来の銀錯塩拡散転写法とは異なり、未露光のハロゲン化銀を溶解し、可溶性銀錯化合物に変換させた後、拡散させる必要がないため、光透過性部には物理現像核を実質的に有しない。ここで「実質的に物理現像核を有しない」とは、光透過性部における物理現像核の存在率が０〜５％の範囲であることをいう。
【００３７】
本発明における光透過性部は、前記銀塩含有層を露光及び現像処理することにより、金属銀部と共に形成することができる。光透過性部は、透過性を向上させる観点から、前記現像処理後、さらには物理処理又はメッキ処理後に酸化処理を行うことが好ましい。
【００３８】
［透光性電磁波シールド膜の層構成］
本発明の透光性電磁波シールド膜における支持体の厚さは、５〜２００μｍであることが好ましく、３０〜１５０μｍであることがさらに好ましい。５〜２００μｍの範囲であれば所望の可視光の透過率が得られやすく、かつ取り扱いも容易であるという利点がある。
【００３９】
本発明の透光性電磁波シールド膜は、種々の方法により調製することが可能である。例えば、支持体上に設けられた銀塩を含有する銀塩含有層を露光し、現像処理することにより金属銀部と光透過性部とを形成し、さらに前記金属銀部を物理現像及び／又はメッキ処理することにより前記金属銀部に導電性金属粒子を担持させた導電性金属部を形成する方法を好ましい方法として例示することができる。ここにおいて、物理現像及び／又はメッキ処理前の支持体上に設けられる金属銀部の厚さは、支持体上に塗布される銀塩含有層用塗料の塗布厚みに応じて適宜決定することができる。金属銀部の厚さは、３０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましく、０．０１〜９μｍであることがさらに好ましく、０．０５〜５μｍであることが最も好ましい。また、金属銀部はパターン状であることが好ましい。金属銀部は１層でもよく、２層以上の重層構成であってもよい。金属銀部がパターン状であり、かつ２層以上の重層構成である場合、異なる波長に感光できるように、異なる感色性を付与することができる。これにより、露光波長を変えて露光すると、各層において異なるパターンを形成することができる。このようにして形成された多層構造のパターン状金属銀部を含む透光性電磁波シールド膜は、高密度なプリント配線板として利用することができる。
【００４０】
導電性金属部の厚さは、ディスプレイの電磁波シールド材の用途としては、薄いほどディスプレイの視野角が広がるため好ましい。さらに、導電性配線材料の用途としては、高密度化の要請から薄膜化が要求される。このような観点から、導電性金属部に担持された導電性金属からなる層の厚さは、８μｍ未満であることが好ましく、２．５μｍ以上８μｍ未満であることがより好ましく、２．５μｍ以上５μｍ未満であることがさらに好ましい。
本発明では、上述した銀塩含有層の塗布厚みをコントロールすることにより所望の厚さの金属銀部を形成し、さらに物理現像及び／又はメッキ処理により導電性金属粒子からなる層の厚みを自在にコントロールできるため、８μｍ未満、好ましくは５μｍ未満の厚みを有する透光性電磁波シールド膜であっても容易に形成することができる。
【００４１】
なお、従来のエッチングを用いた方法では、金属薄膜の大部分をエッチングで除去、廃棄する必要があったが、本発明では必要な量だけの導電性金属を含むパターンを支持体上に設けることができるため、必要最低限の金属量だけを用いればよく、製造コストの削減及び金属廃棄物の量の削減という両面から利点がある。
【００４２】
［電磁波シールド以外の機能性膜］
本発明では、必要に応じて、別途、機能性を有する機能層を設けていてもよい。この機能層は、用途ごとに種々の仕様とすることができる。例えば、ディスプレイ用電磁波シールド材用途としては、屈折率や膜厚を調整した反射防止機能を付与した反射防止層や、ノングレアー層またはアンチグレアー層（共にぎらつき防止機能を有する）、近赤外線を吸収する化合物や金属からなる近赤外線吸収層、特定の波長域の可視光を吸収する色調調節機能をもった層、指紋などの汚れを除去しやすい機能を有した防汚層、傷のつき難いハードコート層、衝撃吸収機能を有する層、ガラス破損時のガラス飛散防止機能を有する層などを設けることができる。これらの機能層は、銀塩含有層と支持体とを挟んで反対側の面に設けてもよく、さらに同一面側に設けてもよい。
これらの機能性膜はＰＤＰに直接貼合してもよく、ＰＤＰ本体とは別に、ガラス板やアクリル樹脂板などの透明基板に貼合してもよい。これらの機能性膜を光学フィルター（または単にフィルター）と呼ぶ。
【００４３】
反射防止機能を付与した反射防止層は、外光の反射を抑えてコントラストの低下を抑えるために、金属酸化物、フッ化物、ケイ化物、ホウ化物、炭化物、窒化物、硫化物等の無機物を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法等で単層あるいは多層に積層させる方法、アクリル樹脂、フッ素樹脂等の屈折率の異なる樹脂を単層あるいは多層に積層させる方法等がある。また、反射防止処理を施したフィルムを該フィルター上に張り付けることもできる。また必要であればノングレアー層またはアンチグレアー層を設けることもできる。ノングレアー層やアンチグレアー層は、シリカ、メラミン、アクリル等の微粉体をインキ化して、表面にコーティングする方法等を用いることができる。インキの硬化は熱硬化あるいは光硬化等を用いることができる。また、ノングレア処理またはアンチグレア処理をしたフィルムを該フィルター上に張り付けることもできる。更に必要で有ればハードコート層を設けることもできる。
【００４４】
近赤外線吸収層は、金属錯体化合物等の近赤外線吸収色素を含有する層、または、銀スパッタ層等である。ここで銀スパッタ層とは、誘電体層と金属層を基材上に交互にスパッタリング等で積層させることで、近赤外線、遠赤外線から電磁波まで１０００ｎｍ以上の光をカットすることもできる。誘電体層としては酸化インジウム、酸化亜鉛等の透明な金属酸化物等であり、金属層としては銀あるいは銀−パラジウム合金が一般的であり、通常、誘電体層よりはじまり３層、５層、７層あるいは１１層程度積層する。
【００４５】
特定の波長域の可視光を吸収する色調調節機能をもった層は、ＰＤＰが青色を発光する蛍光体が青色以外に僅かであるが赤色を発光する特性を有しているため、青色に表示されるべき部分が紫がかった色で表示されるという問題があり、この対策として発色光の補正を行う層であり、５９５ｎｍ付近の光を吸収する色素を含有する。
【００４６】
次に、本発明のＰＤＰ用電磁波シールド膜を製造する製造方法について述べる。
本発明の電磁波シールド膜の製造方法は、以下のいずれの方法も採ってよい。
（ａ）メッシュ状の導電性金属薄膜を電解メッキによって得た後、
透明支持体にメッシュ状の導電性金属薄膜を転写して得る方法
（ｂ）無電解メッキ触媒のメッシュ状パターンを形成し、
無電解メッキすることによってメッシュ状の導電性金属薄膜を得る方法
（ｃ）導電性ペーストのメッシュ状パターンを形成することによって
導電性金属薄膜を得る方法
（ｄ）支持体上に設けられた銀塩を含有する銀塩含有層を露光し、
現像処理することにより金属銀部と光透過性部とを形成し、
さらに前記金属銀部を物理現像及び／又はメッキ処理することにより
前記金属銀部に導電性金属を担持させる、
メッシュ状の導電性金属薄膜の形成方法
（ｅ）支持体上の金属薄膜をエッチングする方法
【００４７】
（ａ）は、金属板上にレジストパターンを形成した後、電解メッキにより金属板上にき導電性金属薄膜を形成させ、それを接着剤を有する接着フィルムなどに転写させる方法である。
（ｂ）は、パラジウム触媒などの無電解メッキ触媒のメッシュ状パターンを、種々の印刷法などによって支持体上に形成し、無電解メッキする方法である。
（ｃ） 銀ペーストなどの導電性ペーストを種々の印刷法などによって支持体上に形成する方法である。
（ｄ）は、本発明の好ましい製造方法であり、以下で詳細に説明する。
（ｅ）は、支持体上に一様な金属薄膜を形成し、レジストパターンをその上に作成した後、エッチングによってメッシュ状の金属薄膜を得る方法であり、酸化剤を含有するエッチング液を利用するウエットエッチング法（ケミカルエッチング法）のほかに、ドライエッチング法があり、本発明の目的のためには、ドライエッチング法が好ましい。
【００４８】
本発明の電磁波シールド膜は、好ましくは、上記（ｄ）の方法によって製造される。
以下、この方法について、より詳しく説明する。
【００４９】
［銀塩含有層］
本発明において、光センサーとして銀塩を含有する層（銀塩含有層）が支持体上に設けられる。銀塩含有層は、銀塩のほか、バインダー、溶媒等を含有することができる。
【００５０】
＜銀塩＞
本発明で用いられる銀塩としては、ハロゲン化銀などの無機銀塩及び酢酸銀などの有機銀塩が挙げられるが、光センサーとしての特性に優れるハロゲン化銀を用いることが好ましい。
【００５１】
本発明で好ましく用いられるハロゲン化銀についてさらに説明する。
本発明では、光センサーとして機能させるためにハロゲン化銀を使用する。ハロゲン化銀に関する銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等で用いられる技術は、本発明においてもそのまま用いることもできる。
【００５２】
ハロゲン化銀に含有されるハロゲン元素は、塩素、臭素、ヨウ素及びフッ素のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩを主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられ、さらにＡｇＢｒを主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられる。
【００５３】
ここで、「ＡｇＢｒ（臭化銀）を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中に占める臭化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。このＡｇＢｒを主体としたハロゲン化銀粒子は、臭化物イオンのほかに沃化物イオン、塩化物イオンを含有していてもよい。
【００５４】
ハロゲン化銀は固体粒子状であり、露光、現像処理後に形成されるパターン状金属銀層の画像品質の観点からは、ハロゲン化銀の平均粒子サイズは、球相当径で０．１〜１０００ｎｍ（１μｍ）であることが好ましく、０．１〜１００ｎｍであることがより好ましく、１〜５０ｎｍであることがさらに好ましい。
尚、ハロゲン化銀粒子の球相当径とは、粒子形状が球形の同じ体積を有する粒子の直径である。
【００５５】
ハロゲン化銀粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状など）、八面体状、１４面体状など様々な形状であることができる。
【００５６】
本発明で用いられるハロゲン化銀は、さらに他の元素を含有していてもよい。例えば、写真乳剤において、硬調な乳剤を得るために用いられる金属イオンをドープすることも有用である。特にロジウムイオンやイリジウムイオンなどの遷移金属イオンは、金属銀像の生成の際に露光部と未露光部の差が明確に生じやすくなるため好ましく用いられる。ロジウムイオン、イリジウムイオンに代表される遷移金属イオンは、各種の配位子を有する化合物であることもできる。そのような配位子としては、例えば、シアン化物イオンやハロゲンイオン、チオシアナートイオン、ニトロシルイオン、水、水酸化物イオンなどを挙げることができる。具体的な化合物の例としては、Ｋ3Ｒｈ2Ｂｒ9及びＫ2ＩｒＣｌ6 などが挙げられる。
本発明において、ハロゲン化銀に含有されるロジウム化合物及び／又はイリジウム化合物の含有率は、ハロゲン化銀の、銀のモル数に対して、１０-10〜１０-2モル／モルＡｇであることが好ましく、１０-9〜１０-3モル／モルＡｇであることがさらに好ましい。
【００５７】
その他、本発明では、Ｐｄ（II）イオン及び／又はＰｄ金属を含有するハロゲン化銀も好ましく用いることができる。Ｐｄはハロゲン化銀粒子内に均一に分布していてもよいが、ハロゲン化銀粒子の表層近傍に含有させることが好ましい。ここで、Ｐｄが「ハロゲン化銀粒子の表層近傍に含有する」とは、ハロゲン化銀粒子の表面から深さ方向に５０ｎｍ以内において、他層よりもパラジウムの含有率が高い層を有することを意味する。このようなハロゲン化銀粒子は、ハロゲン化銀粒子を形成する途中でＰｄを添加することにより作製することができ、銀イオンとハロゲンイオンとをそれぞれ総添加量の５０％以上添加した後に、Ｐｄを添加することが好ましい。またＰｄ（II）イオンを後熟時に添加するなどの方法でハロゲン化銀表層に存在させることも好ましい。
【００５８】
このＰｄ含有ハロゲン化銀粒子は、物理現像や無電解メッキの速度を速め、所望の電磁波シールド材の生産効率を上げ、生産コストの低減に寄与する。Ｐｄは、無電解メッキ触媒としてよく知られて用いられているが、本発明では、ハロゲン化銀粒子の表層にＰｄを偏在させることが可能なため、極めて高価なＰｄを節約することが可能である。
本発明において、ハロゲン化銀に含まれるＰｄイオン及び／又はＰｄ金属の含有率は、ハロゲン化銀の、銀のモル数に対して１０-4〜０．５モル／モルＡｇであることが好ましく、０．０１〜０．３モル／モルＡｇであることがさらに好ましい。
使用するＰｄ化合物の例としては、ＰｄＣｌ4や、Ｎａ2ＰｄＣｌ4等が挙げられる。
【００５９】
本発明では、さらに光センサーとしての感度を向上させるため、写真乳剤で行われる化学増感を施すこともできる。化学増感としては、例えば、金増感などの貴金属増感、イオウ増感などのカルコゲン増感、還元増感等を利用することができる。
本発明で使用できる乳剤としては、例えば、特開平１１−３０５３９６号公報、特開２０００−３２１６９８号公報、特開平１３−２８１８１５号公報、特開２００２−７２４２９号公報の実施例に記載されたカラーネガフィルム用乳剤、特開２００２−２１４７３１号公報に記載されたカラーリバーサルフィルム用乳剤、特開２００２−１０７８６５号公報に記載されたカラー印画紙用乳剤などを好適に用いることができる。
【００６０】
＜バインダー＞
本発明の銀塩含有層において、バインダーは、銀塩粒子を均一に分散させ、かつ銀塩含有層と支持体との密着を補助する目的で用いることができる。本発明においては、非水溶性ポリマー及び水溶性ポリマーのいずれもバインダーとして用いることができるが、水溶性ポリマーを用いることが好ましい。
バインダーとしては、例えば、ゼラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、澱粉等の多糖類、セルロース及びその誘導体、ポリエチレンオキサイド、ポリサッカライド、ポリビニルアミン、キトサン、ポリリジン、ポリアクリル酸、ポリアルギン酸、ポリヒアルロン酸、カルボキシセルロース等が挙げられる。これらは、官能基のイオン性によって中性、陰イオン性、陽イオン性の性質を有する。
【００６１】
本発明の銀塩含有層中に含有されるバインダーの含有量は、特に限定されず、分散性と密着性を発揮し得る範囲で適宜決定することができる。銀塩含有層中のバインダーの含有量は、Ａｇ／バインダー体積比で１／４〜１００であることが好ましく、１／３〜１０であることがより好ましく、１／２〜２であることがさらに好ましい。１／１〜２であることが最も好ましい。銀塩含有層中にバインダーをＡｇ／バインダー体積比で１／４以上含有すれば、物理現像及び／又はメッキ処理工程において金属粒子同士が互いに接触しやすく、高い導電性を得ることが可能であるため好ましい。
【００６２】
＜溶媒＞
本発明の銀塩含有層で用いられる溶媒は、特に限定されるものではないが、例えば、水、有機溶媒（例えば、メタノール等アルコール類、アセトンなどケトン類、ホルムアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、酢酸エチルなどのエステル類、エーテル類等）、イオン性液体、及びこれらの混合溶媒を挙げることができる。
本発明の銀塩含有層に用いられる溶媒の含有量は、前記銀含有層に含まれる銀塩、バインダー等の合計の質量に対して３０〜９０質量％の範囲であり、５０〜８０質量％の範囲であることが好ましい。
【００６３】
［露光］
本発明では、支持体上に設けられた銀塩含有層の露光を行う。露光は、電磁波を用いて行うことができる。電磁波としては、例えば、可視光線、紫外線などの光、Ｘ線などの放射線等が挙げられる。さらに露光には波長分布を有する光源を利用してもよく、特定の波長の光源を用いてもよい。
【００６４】
上記光源としては、例えば、陰極線（ＣＲＴ）を用いた走査露光を挙げることができる。陰極線管露光装置は、レーザーを用いた装置に比べて、簡便でかつコンパクトであり、低コストになる。また、光軸や色の調整も容易である。画像露光に用いる陰極線管には、必要に応じてスペクトル領域に発光を示す各種発光体が用いられる。例えば、赤色発光体、緑色発光体、青色発光体のいずれか１種又は２種以上が混合されて用いられる。スペクトル領域は、上記の赤色、緑色及び青色に限定されず、黄色、橙色、紫色或いは赤外領域に発光する蛍光体も用いられる。特に、これらの発光体を混合して白色に発光する陰極線管がしばしば用いられる。また、紫外線ランプも好ましく、水銀ランプのｇ線、水銀ランプのｉ線等も利用される。
【００６５】
また本発明では、露光は種々のレーザービームを用いて行うことができる。例えば、本発明における露光は、ガスレーザー、発光ダイオード、半導体レーザー、半導体レーザー又は半導体レーザーを励起光源に用いた固体レーザーと非線形光学結晶を組合わせた第二高調波発光光源（ＳＨＧ）等の単色高密度光を用いた走査露光方式を好ましく用いることができ、さらにＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２レーザー等も用いることができる。システムをコンパクトで、安価なものにするために、露光は、半導体レーザー、半導体レーザーあるいは固体レーザーと非線形光学結晶を組合わせた第二高調波発生光源（ＳＨＧ）を用いて行うことが好ましい。特にコンパクトで、安価、さらに寿命が長く、安定性が高い装置を設計するためには、露光は半導体レーザーを用いて行うことが好ましい。
【００６６】
レーザー光源としては、具体的には、波長４３０〜４６０ｎｍの青色半導体レーザー（２００１年３月 第４８回応用物理学関係連合講演会で日亜化学発表）、半導体レーザー（発振波長約１０６０ｎｍ）を導波路状の反転ドメイン構造を有するＬｉＮｂＯ3のＳＨＧ結晶により波長変換して取り出した約５３０ｎｍの緑色レーザー、波長約６８５ｎｍの赤色半導体レーザー（日立タイプＮｏ．ＨＬ６７３８ＭＧ）、波長約６５０ｎｍの赤色半導体レーザー（日立タイプＮｏ．ＨＬ６５０１ＭＧ）などが好ましく用いられる。
【００６７】
銀塩含有層をパターン状に露光する方法は、フォトマスクを利用した面露光で行ってもよいし、レーザービームによる走査露光で行ってもよい。この際、レンズを用いた屈折式露光でも反射鏡を用いた反射式露光でもよく、コンタクト露光、プロキシミティー露光、縮小投影露光、反射投影露光などの露光方式を用いることができる。
【００６８】
［現像処理］
本発明では、銀塩含有層を露光した後、さらに現像処理が行われる。現像処理は、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる通常の現像処理の技術を用いることができる。現像液については特に限定はしないが、ＰＱ現像液、ＭＱ現像液、ＭＡＡ現像液等を用いることもでき、例えば、富士フィルム社製のＣＮ−１６、ＣＲ−５６、ＣＰ４５Ｘ、ＦＤ−３、パピトール、ＫＯＤＡＫ社製のＣ−４１、Ｅ−６、ＲＡ−４、Ｄ−１９、Ｄ−７２などの現像液、又はそのキットに含まれる現像液を用いることができ、また、リス現像液を用いることができる。
リス現像液としては、Ｄ−８５などを用いることができる。本発明では、上記の露光及び現像処理を行うことにより金属銀部、好ましくはパターン状金属銀部が形成されると共に、後述する光透過性部が形成される。
【００６９】
本発明における現像処理は、未露光部分の銀塩を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を含むことができる。本発明における定着処理は、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる定着処理の技術を用いることができる。
【００７０】
現像処理で用いられる現像液は、画質を向上させる目的で、画質向上剤を含有することができる。画質向上剤としては、例えば、ベンゾトリアゾールなどの含窒素へテロ環化合物を挙げることができる。また、リス現像液を利用する場合特に、ポリエチレングリコールを使用することも好ましい。
【００７１】
現像処理後の露光部に含まれる金属銀の質量は、露光前の露光部に含まれていた銀の質量に対して５０質量％以上の含有率であることが好ましく、８０質量％以上であることがさらに好ましい。露光部に含まれる銀の質量が露光前の露光部に含まれていた銀の質量に対して５０質量％以上であれば、高い導電性を得ることができるため好ましい。
【００７２】
本発明における現像処理後の階調は、特に限定されるものではないが、４．０を超えることが好ましい。現像処理後の階調が４．０を超えると、光透過性部の透明性を高く保ったまま、導電性金属部の導電性を高めることができる。階調を４．０以上にする手段としては、例えば、前述のロジウムイオン、イリジウムイオンのドープが挙げられる。
【００７３】
［物理現像及びメッキ処理］
本発明では、前記露光及び現像処理により形成された金属銀部に導電性を付与する目的で、前記金属銀部に導電性金属粒子を担持させるための物理現像及び／又はメッキ処理を行う。本発明では物理現像又はメッキ処理のみで導電性金属粒子を金属性部に担持させることが可能であるが、さらに物理現像とメッキ処理を組み合わせて導電性金属粒子を金属銀部に担持させることもできる。
本発明における「物理現像」とは、金属や金属化合物の核上に、銀イオンなどの金属イオンを還元剤で還元して金属粒子を析出させることをいう。この物理現象は、インスタントＢ＆Ｗフィルム、インスタントスライドフィルムや、印刷版製造等に利用されており、本発明ではその技術を用いることができる。
また、物理現像は、露光後の現像処理と同時に行っても、現像処理後に別途行ってもよい。
【００７４】
本発明において、メッキ処理は、無電解メッキ（化学還元メッキや置換メッキ）、電解メッキ、又は無電解メッキと電解メッキの両方を用いることができる。本発明における無電解メッキは、公知の無電解メッキ技術を用いることができ、例えば、プリント配線板などで用いられている無電解メッキ技術を用いることができ、無電解メッキは無電解銅メッキであることが好ましい。
無電解銅メッキ液に含まれる化学種としては、硫酸銅や塩化銅、還元剤として、ホルマリンやグリオキシル酸、銅の配位子として、ＥＤＴＡ，トリエタノールアミン等、その他、浴の安定化やメッキ皮膜の平滑性向上のための添加剤としてポリエチレングリコール、黄血塩、ビピリジン等が挙げられる。
電解銅メッキ浴としては、硫酸銅浴やピロリン酸銅浴が挙げられる。
【００７５】
本発明におけるメッキ処理時のメッキ速度は、緩やかな条件で行うことができ、さらに５μｍ／ｈｒ以上の高速メッキも可能である。メッキ処理において、メッキ液の安定性を高める観点からは、例えば、ＥＤＴＡなどの配位子など種々の添加剤を用いることができる。
【００７６】
［酸化処理］
本発明では、現像処理後の金属銀部、並びに物理現像及び／又はメッキ処理後に形成される導電性金属部は、好ましくは酸化処理が行われる。酸化処理を行うことにより、例えば、光透過性部に金属が僅かに沈着していた場合に、該金属を除去し、光透過性部の透過性をほぼ１００％にすることができる。
酸化処理としては、例えば、Ｆｅ（III）イオン処理など、種々の酸化剤を用いた公知の方法が挙げられる。酸化処理は、銀塩含有層の露光及び現像処理後、あるいは物理現像又はメッキ処理後に行うことができ、さらに現像処理後と物理現像又はメッキ処理後のそれぞれで行ってもよい。
【００７７】
本発明では、さらに露光及び現像処理後の金属銀部を、Ｐｄを含有する溶液で処理することもできる。Ｐｄは、２価のパラジウムイオンであっても金属パラジウムであってもよい。この処理により無電解メッキ又は物理現像速度を促進させることができる。
【実施例】
【００７８】
以下に本発明の実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【００７９】
実施例１
本発明による金属メッシュと従来技術による金属メッシュとを比較するために、以下のサンプルを作成して評価した。
［本発明のサンプルＡ〜Ｃと比較サンプル１〜３の作成法］
水媒体中のＡｇ６０ｇに対してゼラチン７．５ｇを含む、球相当径平均０．０５μｍの沃臭化銀粒子を含有する乳剤を調製した。この際、Ａｇ／ゼラチン体積比は１／１とし、ゼラチン種としては平均分子量２万の低分子量ゼラチン及び、過酸化水素で酸化処理を行ったゼラチンを質量比およそ２：１で混合して用いた。
また、この乳剤中にはＫ3Ｒｈ2Ｂｒ9及びＫ2ＩｒＣｌ6を添加して、臭化銀粒子にＲｈイオン及びＩｒイオンをともに５Ｘ１０-7ｍｏｌ／ｍｏｌＡｇドープした。この乳剤表面近傍にはＮａ2ＰｄＣｌ4を添加してＰｄを存在させ、水洗後、更に塩化金酸とチオ硫酸ナトリウムを用いて金硫黄増感を行った後、ゼラチン硬膜剤と共に、銀の塗布量が１ｇ／ｍ2となるようにポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）上に塗布した。ＰＥＴは塗布前にあらかじめ親水化処理したものを用いた。乾燥させた塗布膜に格子状のフォトマスク（例：ライン／スペース＝１９５μｍ／５μｍ（ピッチ２００μｍ）の、スペースが格子状であるフォトマスク）を介して紫外線ランプを用いて露光し、下記の現像液で現像し、さらに定着液（スーパーフジフィックス：富士写真フイルム社製）を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【００８０】
［現像液の組成］
現像液１リットル中に、以下の化合物が以下の濃度で含まれる。
ハイドロキノン ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ−メチルアミノフェノール ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ
【００８１】
さらに、メッキ液（硫酸銅０．０６モル／Ｌ、ホルマリン０．２２モル／Ｌ、トリエタノールアミン０．１２モル／Ｌ、ポリエチレングリコール１００ｐｐｍ、黄血塩５０ｐｐｍ、α、α'−ビピリジン２０ｐｐｍを含有する、ｐＨ＝１２．５の無電解Ｃｕメッキ液）を用い、４５℃にてトリエタノールアミンを添加して無電解銅メッキ処理を行った後、１０ｐｐｍのＦｅ（III）イオンを含有する水溶液で酸化処理を行い、本発明のサンプルＡを作成した。
【００８２】
サンプルＡの作成に用いた格子状のフォトマスクのライン／スペース（ピッチ）を変えて同じ製法を行うことにより、本発明のサンプルＢ〜Ｃ及び比較サンプル１〜３を作成した。各サンプルの詳細は表１に示すとおりである。
【００８３】
［比較サンプル４〜６の作成法］
前述の背景技術欄に挙げた以下の２つの方式と本発明を比較するために、以下の特許文献の実施例にしたがって順に比較サンプル４〜６の作成を行った。
（１）フォトリソグラフィー法を利用したエッチング加工メッシュ
特開２００３−４６２９３号公報の実施例１
特開平１１−３４０６８２号公報の実施例１
（２）電着加工メッシュ
特開平１１−２６９８０号公報の実施例１
但し、上記特許文献の実施例で作成されている金属メッシュの開口率はそれぞれ異なっている。開口率が異なるもの同士で導電性を比較することは意味がないため、基本的に開口率が本発明のサンプルＡと同じ値（８７％）となるようにサンプル４〜６を作成した。
【００８４】
［評価法］
このようにして得られた本発明のサンプルＡ〜Ｃ及び比較サンプル１〜６について交点太り率、導電性金属部を構成する線の線幅とピッチ、導電性金属薄膜の開口率と表面抵抗値を測定し、モアレと視認妨害性を評価した。尚、本発明のサンプルＡ〜Ｃにはヘイズの問題は特にないことを確認した。
【００８５】
（交点太り率）
交点太り率は、光学顕微鏡または走査型電子顕微鏡で写真撮影して前述の定義に従って求めた。数値が小さいことは、交点部の太りの度合いが小さいことを示す。
【００８６】
（モアレ）
日立製ＰＤＰ及び松下電器製ＰＤＰ前面に、モアレが最小のバイアス角度で各サンプルの電磁波シールド膜を設置し、目視による官能評価を行った。ＰＤＰに正対して観察すると共に、ＰＤＰに対して視点を様々な位置に置いてＰＤＰ画像表示面に対して斜め方向から観察を行った。いずれの方向からもモアレが顕在化しなかった場合を○、モアレが問題のないレベルでほんの少し見られるサンプルを△、モアレが顕在化したサンプルを×と評価した。
【００８７】
（視認妨害性）
金属細線がディスプレイ画像を視認する際の悪影響となるか否かを判断する材料として、作製したサンプルをＰＤＰ画像を背景にして０．５ｍ離れた距離から目視観察し、金属細線パターンが認識されるか否かを評価した。細線パターンが認識される場合は視認妨害あり(×)、認識されない場合は視認妨害なし（○）とした。
これらの評価結果を、まとめて下表に示す。
【００８８】
【表１】
2011061216.tif 000002
【００８９】
メッシュ形態（線幅、交点太り）と、ＰＤＰ画質に関わるモアレに関して、上表から次のことが判った。
比較例であるサンプル１は、交点太り率が高くて線幅が太く、モアレが発生し視認妨害があった。サンプル１の交点太り率を小さくしたサンプル２も、モアレが発生し視認妨害があった。サンプル１の線幅を小さくしたサンプル３でも、モアレの問題があった。従って、単に線幅を細くしたり、単に交点太り率を小さくしたりするだけでは、モアレの問題は解消しなかった。ところが驚くべきことに、サンプル１の線幅を小さくし、且つ交点太り率を小さくした本発明のサンプルＡ〜Ｃでは、モアレの問題が解消し、視認妨害もないことが判った。
【００９０】
比較例であるサンプル４（特開２００３−４６２９３号公報記載のエッチング加工メッシュ）は、線幅１３μｍ（５μｍ厚み）で細線化されているものの、交点部が太く、ＰＤＰで画像を見た場合のモアレの問題が解消されていない。比較例であるサンプル５（特開平１１−３４０６８２号公報記載のエッチング加工メッシュ）は、線幅も交点太り率も大きく、モアレの問題が解消されていないうえ視認妨害もある。比較例であるサンプル６（特開平１１−２６９８０号公報記載の電着加工メッシュ）は、線幅が３０μｍと太く、モアレも視認妨害もある。これらに対して、本発明のサンプルＡ〜Ｃは、モアレが解消されている上、透明性と導電性の面でも、ＰＤＰの透光性電磁波シールド膜に適した高いレベルを有している。
【００９１】
実施例２
金属メッシュの交点太り率がＰＤＰの画質に与える影響を明らかにする目的で、以下のサンプルを作成して評価した。
ライン／スペース＝１９０μｍ／１０μｍ（ピッチ２００μｍ）のスペースが格子状であるフォトマスクを用いて、金属部の線幅が１６μｍ、膜厚が４μｍであって、交点太り率の異なるサンプルＤ〜Ｇを実施例１と同様の方法により作成した。尚、交点太り率を変更するために、フォトマスクの交点部形状を変更して実験を行った。
得られたサンプルＤ〜Ｇのモアレを実施例１と同様に評価した。結果を下表に示す。
【００９２】
【表２】
2011061216.tif 000003
【００９３】
以上のように、交点太り率が大きい場合にモアレが顕在化し、交点太り率が１．５以下ではモアレが顕在化しないことが判った。
【００９４】
実施例３
金属メッシュの金属部の線幅がＰＤＰの画質に与える影響を明らかにする目的で、以下のサンプルを作成して評価を行った。
ライン／スペース＝１９５μｍ／５μｍ（ピッチ２００μｍ）のスペースが格子状であるフォトマスク及び、ライン／スペース幅を変えたフォトマスク（ピッチ２００μｍ）を用いて、金属部の線幅の異なる膜厚３μｍのサンプルＨ〜Ｌを実施例１と同様の方法により作成した。これらサンプルＨ〜Ｌの交点太り率は１．０〜１．４であった。
得られたサンプルの視認妨害性を実施例１と同様に評価した。結果を下表に示す。
【００９５】
【表３】
2011061216.tif 000004
【００９６】
上表から明らかなように、線幅が太いと視認妨性が増し問題となることが判った。
【００９７】
実施例４
金属メッシュの金属部の膜厚がＰＤＰの画質に与える影響を明らかにする目的で、以下のサンプルを作成して評価を行った。
ライン／スペース＝１９５μｍ／５μｍ（ピッチ２００μｍ）のスペースが格子状であるフォトマスク及び、スペース幅を変えたフォトマスクを用いて、金属部の膜厚の異なる線幅１６μｍのサンプルＭ〜Ｏを実施例１と同様の方法により作成した。これらのサンプルＭ〜Ｏの交点太り率は１．０〜１．５であった。
得られたサンプルのモアレを実施例１と同様に評価した。結果を下表に示す。
【００９８】
【表４】
2011061216.tif 000005
【００９９】
上表から明らかなように、膜厚が厚いとモアレが顕在化することが判った。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
以上説明したとおり、高い電磁波シールド性と高い透明性とを同時に有し且つ、ＰＤＰ映像表示をほとんど妨害することなく、モアレなどの点でもＰＤＰ画質劣化が非常に小さい電磁波シールド膜を得ることができる。また、ＰＤＰ用の電磁波シールド膜として適した薄膜細線状の高導電性メッシュを、容易にしかも安価に大量に製造することができる点で産業上の利用可能性が高い。