(57)【要約】      （修正有）【課題】複合体の樹脂層に形成された高信頼性、算術平均粗さ（Ｒａ）が小さい微細配線及びビアを有する複合体の製造方法及び複合体を提供するものである。【解決手段】本発明の複合体の製造方法は、樹脂層と導体層とを含む複合体を製造する方法であって、（Ａ）基板上に樹脂層を準備する工程と、（Ｂ）樹脂層上にレジスト層を形成する工程と、（Ｃ）レジスト層を介してレーザー光を照射することによって樹脂層表面に溝を形成する工程と、（Ｄ）前記樹脂層表面に導体を形成する工程と、（Ｅ）レジスト層を剥離する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図１
2011254026.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層と導体層とを含む複合体を製造する方法であって、
（Ａ）基板上に樹脂層を準備する工程と、
（Ｂ）樹脂層上にレジスト層を形成する工程と、
（Ｃ）レジスト層を介してレーザー光を照射することによって樹脂層表面に溝を形成する工程と、
（Ｄ）前記樹脂層表面に導体回路を形成する工程と、
（Ｅ）レジスト層を剥離する工程と、
を含むことを特徴とする複合体の製造方法。
【請求項２】
前記工程（Ｄ）は、無電解めっきにより導体回路を形成する工程である請求項１に記載の複合体の製造方法。
【請求項３】
前記工程（Ｄ）または前記工程（Ｅ）の後に、さらに（Ｆ）電解めっきにより導体回路を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の複合体の製造方法。
【請求項４】
前記工程（Ｄ）、前記工程（Ｅ）または前記工程（Ｆ）の後に、さらに（Ｇ）クイックエッチングをする工程を含む請求項１ないし３のいずれかに記載の複合体の製造方法。
【請求項５】
前記工程（Ｃ）と前記工程（Ｄ）との間に、プラズマ又は薬液によってデスミア処理する工程を含む請求項１ないし４のいずれかに記載の複合体の製造方法。
【請求項６】
前記レーザー光は、エキシマレーザーまたはＹＡＧレーザーである請求項１ないし５のいずれかに記載の複合体の製造方法。
【請求項７】
前記レジスト層がドライフィルムを前記樹脂層上にラミネートにより重ね合わせ、露光することによって形成する請求項１ないし６のいずれかに記載の複合体の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の製造方法で作製された複合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合体の製造方法及び複合体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化、軽量化、小型化、薄型化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、高密度実装化が進んでいる。これらの電子機器に使用されるプリント配線板の回路配線は高密度化する傾向にあり、ビルドアップした多層配線構造が採用されている。
【０００３】
樹脂層を介して回路配線層間を接続する方法として、例えば樹脂層に層間接続用のビアを形成する方法がある（例えば、特許文献１参照）。ビアを形成するには、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等のレーザーを樹脂層に照射し開口後、導電性樹脂の充填やめっきによって回路配線層間を接続する。この場合、樹脂層中の無機充填材の影響や樹脂のレーザー波長の吸収性から、ビア内部の樹脂面の凹凸が大きくなるためビアを形成する際の精度に問題があり、２０μｍ以下のビアを形成するのが難しかった。
【０００４】
また、回路配線パターンを形成する方法として、一般的には銅箔をエッチングする手法（サブトラクティブ法）がある。サブトラクティブ法で形成される回路厚みは、使用する銅箔の厚みで規定されるという特徴があり、回路幅の精度は、エッチング液の反応特性及び使用するエッチング装置の能力に依存する。そのため、サブトラクティブ法は、極薄金属箔を用いる一部の用途を除くと、一般的には高密度化に不向きとされている。
【０００５】
一方、ビルドアップ基板や多層配線板の製造に一般的に適用されている工法にセミアディティブ法がある。この工法では、樹脂表面をデスミア処理して表面を粗化し、パラジウム触媒を利用した無電解銅めっき層を表面に形成し、さらに該銅めっき層上に感光性レジストを形成して、露光・現像などのプロセスを経由してパターニングを行った後、電解銅めっきで回路パターンを形成し、最後にレジストを剥離し無電解銅めっき層をクイックエッチングで除去して微細配線を形成する方法である（例えば、特許文献２参照）。この方法で微細配線を形成する場合、レジストの露光・現像精度や配線間のパラジウム触媒残渣によるめっき異常析出などの問題があり、回路幅／回路間幅（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ／１０μｍ以下で微細配線を形成することは困難である。
【０００６】
また、サブトラクティブ法、及び、セミアディティブ法では樹脂層表面に凸型の配線が形成される。ビルドアップ基板や多層配線板においては、この後の工程に樹脂層を積層する工程が含まれるが、樹脂組成によっては樹脂の埋め込み性の問題が生じる。特に回路幅／回路間幅（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ／１０μｍ以下の微細配線領域では、樹脂の埋め込み性が悪くなると絶縁信頼性を確保するのが困難となる。
【０００７】
また、スクライブやプラズマなどによって樹脂層に溝を形成し、樹脂表面をデスミア処理して表面を粗化し、パラジウム触媒を利用した無電解銅めっき層を表面に形成後、電解銅めっきで導体を形成し、最後に溝部分以外の導体めっきをエッチングで除去して回路を形成する方法がある（例えば、特許文献３、４参照）。この場合、樹脂層の溝側壁面の凹凸が大きくため溝を形成する際の精度に問題があり、回路幅／回路間幅（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ／１０μｍ以下の微細配線を形成するのが難しかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−２７４２１０号公報
【特許文献２】特開平８−６４９３０号公報
【特許文献３】特開平１０−４２５３号公報
【特許文献４】特開２００６−４１０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、複合体の樹脂層に形成された高信頼性、算術平均粗さ（Ｒａ）が小さい微細配線及びビアを有する複合体の製造方法及び複合体を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的は、下記[１]〜［８］に記載の本発明により達成される。
[１]樹脂層と導体層とを含む複合体を製造する方法であって、
（Ａ）基板上に樹脂層を準備する工程と、
（Ｂ）樹脂層上にレジスト層を形成する工程と、
（Ｃ）レジスト層を介してレーザー光を照射することによって樹脂層表面に溝を形成する工程と、
（Ｄ）前記樹脂層表面に導体回路を形成する工程と、
（Ｅ）レジスト層を剥離する工程と、
を含むことを特徴とする複合体の製造方法。
[２]前記工程（Ｄ）は、無電解めっきにより導体回路を形成する工程である[１]に記載の複合体の製造方法。
[３]前記工程（Ｄ）または前記工程（Ｅ）の後に、さらに（Ｆ）電解めっきにより導体回路を形成する工程を含むことを特徴とする[１]または[２]に記載の複合体の製造方法。
[４]前記工程（Ｄ）、前記工程（Ｅ）または前記工程（Ｆ）の後に、さらに（Ｇ）クイックエッチングをする工程を含む[１]ないし[３]のいずれか一に記載の複合体の製造方法。
[５]前記工程（Ｃ）と前記工程（Ｄ）との間に、プラズマ又は薬液によってデスミア処理する工程を含む[１]ないし[４]のいずれか一に記載の複合体の製造方法。
[６]前記レーザー光は、エキシマレーザーまたはＹＡＧレーザーである[１]ないし[５]のいずれかに一に記載の複合体の製造方法。
[７]前記レジスト層がドライフィルムを前記樹脂層上にラミネートにより重ね合わせ、露光することによって形成する[１]ないし[６]のいずれか一に記載の複合体の製造方法。
[８] [１]ないし[７]のいずれか一に記載の製造方法で作製された複合体。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に従うと、複合体の樹脂層に形成された高信頼性、算術平均粗さ（Ｒａ）が小さい微細配線及びビアを有する複合体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係る樹脂層と導体層とを含む複合体において、溝を形成し導体層を形成することで微細配線を製造する方法の一例について示した模式図である。
【図２】本発明に係る樹脂層と導体層とを含む複合体において、ビアを製造する方法の一例について示した模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の複合体の製造方法は、樹脂層と導体層とを含む複合体を製造する方法であって、（Ａ）基板上に樹脂層を準備する工程と、（Ｂ）樹脂層上にレジスト層を形成する工程と、（Ｃ）レジスト層を介してレーザー光を照射することによって樹脂層にビア及び／または樹脂層表面に溝を形成する工程と、（Ｄ）前記樹脂層表面に導体を形成する工程と、（Ｅ）レジスト層を剥離する工程と、を含むことを特徴とする。これにより、工程（Ｄ）のあとにエッチング液によって導体の一部を除去し、樹脂層のビア及び／または前記樹脂層表面の溝部分のみに導体層を形成する工程や処理時間を大幅に省略することができ、また、複合体の樹脂層に形成された高密度、高信頼性、高周波対応の微細配線及びビアを有する複合体を得ることができる。以下に本発明の複合体の製造方法及び複合体について詳細に説明する。
【００１４】
まず、本発明の複合体の製造方法について、図を用いて説明する。図１、２は、本発明に係る樹脂層と導体層とを含む複合体を製造する方法の一例について示した模式図である。本発明の複合体の製造方法は、樹脂層２と導体層９１とを含む複合体の製造方法であって、（Ａ）コア基板１上に樹脂層２を準備し、（Ｂ）樹脂層２上にレジスト層１０を形成する工程と、（Ｃ）レジスト層１０を介してレーザー光３を照射することによって樹脂層２の表面に溝６０を形成する工程（図１（ａ）、（ｂ）、及び／または樹脂層２にビア６１を形成する工程（図２（ａ）、（ｂ）））と、（Ｄ）樹脂層２の表面に導体９０を形成する工程と（図１（ｃ）、（ｄ）、図２（ｃ）、（ｄ））、（Ｅ）レジスト層１０を剥離する工程（図１（e）、図２（e））と、を含むものとすることができる。
【００１５】
工程（Ａ）では、レジスト層１０として、ドライフィルムをラミネートによって樹脂層２の表面にレジスト層１０を形成し露光する方法、液状レジストを樹脂層２に塗布し露光する方法などが挙げられる。これらを用いることによって、レーザー光の吸収率が良好であるため効果的にレーザー光での加工性が向上し、また樹脂層２からの剥離性を向上することができる。
【００１６】
工程（Ｃ）では、レーザー光３がエキシマレーザー又はＹＡＧレーザーであることが好ましい。これらのレーザーを使用することにより、精度・形状がよく、微細なビアや溝の形成が可能となる。特に限定はされないが、エキシマレーザーのレーザー波長は、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、３０８ｎｍであることがより好ましく、１９３ｎｍ、２４８ｎｍであることが特に好ましい。これにより、精度・形状がよく、微細なビアや溝の形成ができる作用を効果的に発現させることができる。ＹＡＧレーザーの波長は３５５ｎｍであることが好ましい。他の波長では樹脂層２を構成する樹脂組成物やレジスト層１０がレーザー光３を吸収せず、ビアや溝が形成できない可能性がある。レーザー光３はマスク４を介してレジスト層１０及び樹脂層２に照射される。
【００１７】
本発明の複合体の製造方法では、工程（Ｃ）と工程（Ｄ）の間に、プラズマ又は薬液によってデスミアする工程を含むことが好ましい。これにより、レーザー光３によるビア６１や溝６０の形成時に、ビア６１や溝６０の側壁面に残留した炭化物を除き、電気信頼性の高いビア形成が可能となる。
【００１８】
特に限定されないが、プラズマによるデスミアは、窒素プラズマ、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ、四フッ化メタンプラズマ、もしくはこれらの混合ガスのプラズマを使用することができる。また、プラズマの処理条件としては、プラズマ工程後の樹脂層２の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．０５μｍ以上、０．２５μｍ以下となる条件であり、同時に、ビア６１や溝６０の側壁面の残留した炭化物を十分に除ききる条件であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れたビアや溝形成が可能となる。１ＧＨｚを超える高周波数領域において、その表皮効果による伝送損失を低減でき、さらにビアや溝内のめっき付き不良や層間接続不良を低減することができる。また、特に限定はされないが、プラズマ条件をプラズマ工程後の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．０５μｍ以上、０．２０μｍ以下となる条件とするのがより好ましく、０．０５μｍ以上、０．１５μｍ以下となる条件とするのが特に好ましい。これにより、絶縁信頼性や信号応答性を高め、伝送損失を低減し、さらにビアや溝内のめっき付き不良や層間接続不良を低減することができる作用を効果的に発現させることができる。
【００１９】
特に限定されないが、薬液によるデスミアは、過マンガン酸塩、重クロム酸等を使用することができる。また、デスミアの処理条件としては、デスミア工程後の樹脂層２の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．０５μｍ以上、０．２５μｍ以下となる条件であり、同時に、ビア６１や溝６０の側壁面の残留した炭化物を十分に除ききる条件であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性、さらにビアや溝内のめっき付き不良や層間接続不良を低減に優れたビアや溝形成が可能となる。１ＧＨｚを超える高周波数領域において、その表皮効果による伝送損失を低減できる。また、特に限定はされないが、デスミア条件をデスミア工程後の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．０５μｍ以上、０．２０μｍ以下となる条件とするのがより好ましく、０．０５μｍ以上、０．１５μｍ以下となる条件とするのが特に好ましい。これにより、絶縁信頼性や信号応答性を高め、伝送損失を低減し、さらにビアや溝内のめっき付き不良や層間接続不良を低減する作用を効果的に発現させることができる。
【００２０】
プラズマ又は薬液によるデスミア工程が不十分で炭化物がビアや溝の側壁面に残留した場合、複合体の絶縁信頼性が低下する恐れがある。プラズマ又は薬液によるデスミア工程が過度となると、導体層９１と接するビアや溝内の樹脂層２の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が粗くなり、導体層９１の表面凹凸により、表皮効果による配線の信号応答性が悪化したり、また、ビアや溝内のめっき付き不良や層間接続不良が発生する恐れがある。
【００２１】
本発明の工程（Ｄ）では、樹脂層２をプラズマ又は薬液によってデスミアする工程後、樹脂層２の表面に導体を形成する。導体を形成するには、イオンプレーティングや薬液によるめっき層を形成する方法があるが、薬液を用いる場合には、少なくとも無電解めっきによってめっき層を形成する。
【００２２】
本発明の工程（Ｄ）では、樹脂層２の表面に導体を形成する方法の一例として、無電解めっきによって、樹脂層２の表面に無電解めっき層７を形成する。
【００２３】
無電解めっき層７の金属の種類は、特に限定されないが、銅やニッケル等が好ましい。これらの金属では樹脂層２と無電解めっき層７の密着が良好である。無電解めっき層７の厚さも特に限定されないが、０．１〜５μｍ程度とすることが好ましい。さらに無電解めっき後に、熱風乾燥装置にて１５０℃〜２００℃で１０分〜１２０分の熱処理を行うことにより、樹脂層２と無電解めっき層７との密着をより良好にすることができる。
【００２４】
工程（Ｅ）では、レジスト層１０を剥離する。これにより、ビア６１や溝６０のみに選択的に導体を残すことができ、過剰のエッチング液の使用や、作業効率を大幅に改善することができる。レジスト層１０を配置せずにめっきを行った場合、ビア６１や溝６０以外の樹脂層２の表面にも導体が形成されるため、ビア６１や溝６０以外の樹脂層２の表面を露出させるための過剰エッチングが必要となる。
【００２５】
本発明の複合体の製造方法では、工程（Ｄ）または工程（Ｅ）の後に、電解めっきでさらに電解めっき層８０を形成する工程（Ｆ）を含むことが好ましい。この工程ではレーザー光３により形成されたビア６１や溝６０を電解めっき層８０で埋めることができる。工程（Ｆ）によって無電解めっき層７上に電解めっき層８０が形成され、無電解めっき層７０と電解めっき層８０からなる導体９０が形成される。
【００２６】
電解めっきには硫酸銅電解めっきが使用できる。また、特に限定されないが、めっき液中にはレベラー剤、ポリマー、ブライトナー剤等の添加剤が含まれることが好ましい。これにより、樹脂層２に形成されたビア６１やビア６０に対して優先的にめっきが析出し電解めっき層８０で埋められる。電解めっき層の厚みは、特に限定されないが、樹脂層２の表面から５〜２５μｍ程度とするのが好ましい。これにより、ビア６１を介して導体層間を接続できたり、溝６０に微細配線を形成することができる。
【００２７】
本発明の製造方法は、工程（Ｄ）、工程（Ｅ）、または工程（Ｆ）の後に、クイックエッチングをする工程（Ｇ）を含むことが好ましい。これにより、樹脂層２とレジスト層１０の界面に染み込んだめっき液によって形成された微量の導体９０の一部を除去することができるため、高密度、高信頼性、高周波対応の微細配線及びビアを形成することができる。通常、エッチング工程では、エッチング速度の速い薬液を使用するため、エッチング処理時間を短くすることができる反面、微細な回路作製や均一で平坦なエッチングが困難であるが、クイックエッチングでは、エッチング速度の遅い薬液を使用するため、微細な回路作製や、均一で平坦なエッチングが容易となる。工程（Ｇ）によって無電解めっき層７１と電解めっき層８１によって形成された導体層９１が形成される。
【００２８】
本発明の製造方法は、工程（Ｄ）、工程（Ｅ）、工程（Ｆ）または工程（Ｇ）の後に、樹脂層２及び導体層９１の上に別の樹脂層を形成する工程（Ｈ）を含むことができる。この場合、導体層９１の表面をＣＺ処理や黒化処理によって粗化することが好ましい。これにより導体層９１と別の樹脂層との密着強度が高まり耐熱性が向上する。
【００２９】
樹脂層２及び導体層９１の上に別の樹脂層を形成することで、複合体の配線となる各導体層が樹脂層で覆われビア間の絶縁性が確保される。特に限定はされないが、樹脂層２及び導体層９１の上に別の樹脂層を形成する手法としては、真空加圧式ラミネーター装置、平板プレス装置等を用いる方法が挙げられる。
【００３０】
こうして、工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｇ）、（Ｈ）を繰り返すことで電気信頼性、信号応答性、ビアや溝内のめっき付き性や層間接続性に優れた多層の複合体を作製することが可能である。
【００３１】
次に、本発明の複合体について説明する。本発明の複合体は、樹脂層と導体層とを含む。複合体としては例えば、ウェハー表面に形成された樹脂層と導体層、金属基板上に形成された樹脂層と導体層、プリント配線板上に形成された樹脂層（例えばビルドアップ層）と導体層等が挙げられる。
【００３２】
本発明の複合体の樹脂層には、ビアが形成される。ビアの直径は１μｍ以上、２５μｍであることが好ましい。これにより、複合体の高密度化、高実装化、微細配線化が可能となる。また、特に限定はされないが、ビアの直径は、２０μｍ以下が好ましく、さらに、１８μｍ以下であることが好ましく、さらには１５μｍ以下であることが特に好ましい。これにより、高密度化、高実装化、微細配線化の作用を効果的に発現させることができる。
【００３３】
ビアの直径が上記下限値未満であると、レーザー光で樹脂層にビアを形成できない箇所や接続不良が生じたり、めっき液の循環が悪化してめっきによる導体の形成ができなくなる場合があり、回路配線層間を接続できなくなるおそれがある。また、半田耐熱試験、冷熱サイクル試験等において、ビアの導体と樹脂との界面で剥離が生じるおそれがある。また、上記上限値を超えると、レーザー光でビアを形成した際のビア形状がいびつになったり（真円度の悪化）、樹脂にクラックが入るおそれや、樹脂に熱が加わり過ぎることでビア間の絶縁信頼性が低下するおそれがある。また、複合体の高密度化、高実装化、微細配線化が困難になる。
【００３４】
本発明の複合体は、少なくともビア内部の樹脂表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．０５μｍ以上、０．２５μｍ以下であることが好ましい。これにより、ビアの樹脂表面の凹凸が小さくなり、１ＧＨｚを超える高周波数領域において、その表皮効果による伝送損失を低減でき、またビア内のめっき付き不良や層間接続不良を低減することができる。また、特に限定はされないが、算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０５μｍ以上、０．２μｍ以下であることがより好ましく、０．０５μｍ以上、０．１５μｍ以下であることが特に好ましい。これにより高周波数領域における伝送損失の低減や、ビア内のめっき付き不良や層間接続不良を低減する作用を効果的に発現させることができる。
【００３５】
ビア内部の樹脂表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が上記下限値未満であると、半田耐熱試験、冷熱サイクル試験等において、ビアの導体と樹脂との界面で剥離が生じるおそれがあり、上記上限値を超えると、高速信号伝達に支障をきたし電気信頼性を害するおそれがあり、またビア内のめっき付き不良や層間接続不良を生じるおそれがある。
【００３６】
本発明の複合体の微細配線を形成する溝部分における導体層の最大幅が１μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましい。これにより、複合体の高密度化、高実装化が可能になる。また、特に限定はされないが、溝部分における導体層の最大幅は、８μｍ以下であることがより好ましく、６μｍ以下であることがさらに好ましく、４μｍ以下であることが特に好ましい。これにより高密度化、高実装化の作用を効果的に発現させることができる。
【００３７】
溝部分における導体層の最大幅が上記下限値未満であると、レーザー光で樹脂層に溝を形成できない箇所が生じたり、めっきによる導体層が形成できなくなったりする場合があり、導体層が断線するおそれがある。また、半田耐熱試験、冷熱サイクル試験等において、導体層の剥離が生じるおそれがある。また、上記上限値を超えると、レーザー光で溝を形成する時間がかかるため作業性が低下する。また、複合体の高密度化、高実装化、微細配線化が困難になる。
【００３８】
本発明の複合体は、少なくとも導体層と接する溝内部の樹脂層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．０５μｍ以上、０．２５μｍ以下であることが好ましい。これにより、導体層の表面凹凸が小さくなり、１ＧＨｚを超える高周波数領域において、その表皮効果による伝送損失を低減や溝内部のめっき付き不良や導体層の接続不良を低減することができる。また、特に限定はされないが、算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０５μｍ以上、０．２μｍ以下であることがより好ましく、０．０５μｍ以上、０．１５μｍ以下であることが特に好ましい。これにより高周波数領域における伝送損失の低減や、溝内部のめっき付き不良や導体層の接続不良を低減する作用を効果的に発現させることができる。
【００３９】
導体層と接する溝内部の樹脂層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が上記下限値未満であると、半田耐熱試験、冷熱サイクル試験等において、導体層の剥離が生じるおそれがあり、上記上限値を超えると、高速信号伝達に支障をきたし、電気信頼性を害するおそれや、溝内部のめっき付き不良や導体層の接続不良を生じるおそれがある。
【００４０】
算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１で定義されているものである。樹脂層に形成された溝表面の算術平均粗さ（Ｒａ）の測定は、ＪＩＳ  Ｂ０６５１に準じて行うことができ、例えばＶｅｅｃｏ社製ＷＹＫＯ  ＮＴ１１００を用いて測定することもできる。
【００４１】
次に、樹脂層に用いられる樹脂組成物について説明する。樹脂層を構成する樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されていることが好ましい。これにより、樹脂層の耐熱性を向上させることができる。
【００４２】
熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、トリアジン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、シアネート樹脂等が挙げられる。これらの中でも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂およびベンゾシクロブテン樹脂の中から選ばれる１種以上の樹脂が好ましく、特にシアネート樹脂が好ましい。これにより、樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、樹脂層の電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機機械強度、レーザー加工性、特にエキシマレーザーやＹＡＧレーザー加工性等にも優れる。
【００４３】
シアネート樹脂としては、具体的にはノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂、ナフトールアラルキル型シアネート樹脂、ビフェニルアラルキル型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。ノボラック型シアネート樹脂は、樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができ、樹脂層の機機械強度、電気特性（低誘電率、低誘電正接）にも優れる。また、ナフトールアラルキル型シアネート樹脂、ビフェニルアラルキル型シアネート樹脂も低線膨張、低吸水性、機械強度に優れるため好ましく使うことができる。
【００４４】
シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜４，５００が好ましく、特に６００〜３，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると樹脂層を構成する硬化物の機械的強度が低下する場合があり、さらに樹脂層を作製した場合にタック性が生じ、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平均分子量が前記上現値を超えると硬化反応が速くなり、基板（特に回路基板）とした場合に、成形不良が生じたり、層間ピール強度が低下したりする場合がある。尚、シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質：ポリスチレン換算）で測定することができる。
【００４５】
また、特に限定されないが、シアネート樹脂はその誘導体も含め、１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
【００４６】
上記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の５〜５０重量％が好ましく、特に１０〜４０重量％が好ましい。含有量が下限値未満であると樹脂層を形成するのが困難となる場合があり、上限値を超えると樹脂層の強度が低下する場合がある。
【００４７】
熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）を用いる場合は、エポキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）を併用することが好ましい。
【００４８】
上記エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
【００４９】
これらエポキシ樹脂の中でも特にアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。また、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂も低線膨張、低吸水性、機械強度に優れるため好ましく使うことができる。
【００５０】
エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜５５重量％が好ましく、特に５〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると低熱膨張性、耐熱性が低下する場合がある。
【００５１】
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜２０，０００が好ましく、特に８００〜１５，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると樹脂層の表面にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えると半田耐熱性が低下する場合がある。重量平均分子量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。
【００５２】
本発明の複合体の樹脂層を構成する樹脂組成物は、無機充填材を含むことができる。樹脂層を構成する樹脂組成物中に含むことができる無機充填材の平均粒径としては、０．０５μｍ以上、０．５μｍ以下であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れた微細配線形成が可能となる。また、特に限定はされないが、無機充填材の平均粒径は０．０５μｍ以上、０．４５μｍ以下がより好ましく、０．０５μｍ以上、０．４０μｍ以下が特に好ましい。これにより絶縁信頼性、信号応答性、ビアや溝内のめっき付き性や層間接続信頼性を高める作用を効果的に発現させることができる。
【００５３】
無機充填材の平均粒子径の測定は、例えばレーザー回折散乱法により測定することができる。無機充填材を水中で超音波により分散させ、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒子径とすることで測定することができる。具体的には、無機充填材の平均粒子径はＤ５０で規定される。
【００５４】
樹脂層を構成する樹脂組成物中に含むことができる無機充填材の最大粒径としては、２．０μｍ以下であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れた微細配線形成が可能となる。また、特に限定はされないが、無機充填材の最大粒径は１．８μｍ以下がより好ましく、１．５μｍ以下が特に好ましい。これにより絶縁信頼性、信号応答性、ビアや溝内のめっき付き性や層間接続信頼性を高める作用を効果的に発現させることができる。
【００５５】
樹脂層を構成する樹脂組成物中に含むことができる無機充填材の平均粒径が上記上限値を上回るか、もしくは無機充填材の最大粒径が上記上限値を上回ると、無機充填材がレーザー加工を阻害し、樹脂層に溝を形成できない箇所が生じたり、ビア形状がいびつになったり樹脂にクラックが入るおそれがあり、粗粒フィラーの脱落による絶縁信頼性やめっき付き性が低下するおそれがある。さらにはレーザー光でビアや溝を形成する時間が長くなるため、作業性が低下する可能性が生じる。また、レーザー加工後に溝側壁面に残留した無機充填材により、めっき後の導体層の表面凹凸が大きくなる。これにより、配線やビア形状の精度が悪くなり、高密度プリント配線板においては絶縁信頼性を害する場合がある。さらには１ＧＨｚを超える高周波数領域においては表皮効果により信号応答性を害する場合がある。
【００５６】
樹脂層を構成する樹脂組成物中に含むことができる無機充填材の平均粒径が上記下限値未満となると、樹脂組成物の熱膨張係数・弾性率の物理的性質を低下させ、半導体素子搭載時の実装信頼性を害するおそれがあり、また樹脂組成物中の無機充填材の分散性の低下や、凝集の発生が生じたり、樹脂組成物のＢステージ状態における柔軟性の低下による樹脂フィルム化が困難になるおそれがある。
【００５７】
樹脂層を構成する樹脂組成物中に含むことができる無機充填材としては、特に限定はされないが、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ベーマイト、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。無機充填材として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも特に、低熱膨張性、難燃性、及び弾性率に優れる点から、シリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。これらの中でもその形状は球状シリカが好ましい。
【００５８】
また、樹脂層を構成する樹脂組成物には、必要に応じて、製膜性樹脂、硬化促進剤、カップリング剤、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の上記成分以外の添加物を添加しても良い。
【００５９】
次に本発明の複合体に樹脂層を形成する方法について説明する。特に限定はされないが一例としてプリント配線板に樹脂層を形成させる方法について説明する。プリント配線板に樹脂層を形成させる方法としては特に限定されないが、例えば、樹脂層を構成する樹脂組成物を溶剤などに溶解、分散させて樹脂ワニスを調製して、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスをキャリアフィルム等に塗工した後、これを乾燥する方法、スプレー装置を用いて、樹脂ワニスをキャリアフィルムに噴霧塗工した後、これを乾燥する方法等でキャリアフィルム付き樹脂シートを得る方法が挙げられる。これらの中でも、グラビアコーター、コンマコーター、ダイコーターなどの各種コーター装置を用いて、樹脂ワニスをキャリアフィルム等に塗工した後、これを乾燥する方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な樹脂層の厚みを有するキャリアフィルム付き樹脂シートを効率よく製造することができる。
【００６０】
得られたキャリアフィルム付き樹脂シートを例えばラミネーター、真空プレス機などを用いて基板に熱圧着することで、樹脂層を形成することができる。また、基板に直接樹脂ワニスをコーティングすることでも樹脂層を形成することができる。プリント配線板以外にも、例えば、ウェハー上に樹脂層を形成する際についても、上記のようにキャリアフィルム付き樹脂シートを作製して熱圧着する方法や、樹脂ワニスをコーティングする方法により樹脂層を形成することができる。
【００６１】
樹脂ワニスに用いられる溶媒は、樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。上記樹脂ワニス中の固形分含有量としては特に限定されないが、３０〜８０重量％が好ましく、特に４０〜７０重量％が好ましい。
【００６２】
次に、本発明の複合体のビア形状について説明する。ビアの断面形状は略台形状であることが好ましい。これにより、信号応答性や接続信頼性、めっき付き性に優れたビアを形成することが可能となる。
【００６３】
また、本発明の複合体の溝部分からなる導体層の断面形状は略台形状、蒲鉾状又は三角形であることが好ましい。これにより、信号応答性に優れた微細配線形成が可能となる。
【実施例】
【００６４】
以下、本発明を実施例及び比較例により説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００６５】
＜実施例１＞
ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０、重量平均分子量約７００）２０重量部、メトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、ＥＸＡ−７３２０）３５重量部、フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ｊＥＲ４２７５）５重量部、イミダゾール化合物（四国化成工業株式社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ（１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール））０．２重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。無機充填材／球状溶融シリカ（電気化学工業株式会社製、ＳＦＰ−２０Ｍ）を積層型カートリッジフィルター（住友スリーエム株式会社製）を用いて最大粒子径２．０μｍを上回る粒子を濾過分離し、平均粒子径が０．４μｍとなった無機充填材／球状溶融シリカ４０重量部を添加した。カップリング剤／エポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
【００６６】
上記で得られた樹脂ワニスを、厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱樹脂株式会社製）の片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の樹脂フィルムの厚さが２０μｍとなるように塗工し、これを１６０℃の乾燥装置で１０分間乾燥して、キャリアフィルム付き樹脂シートを作製した。
【００６７】
このキャリアフィルム付き樹脂シートを両面導体層付きコア基板の表裏に重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置にて１８０℃で４５分間加熱硬化行い樹脂層付き基板を得た。
【００６８】
なお、両面導体層付きコア基板としては、下記のものを使用した。
・樹脂層：ハロゲンフリー、コア基板厚さ０．４ｍｍ
・導体層：銅箔厚み１８μｍ、回路幅／回路間幅（Ｌ／Ｓ）＝１２０／１８０μｍ、クリアランスホール１ｍｍφ、３ｍｍφ、スリット２ｍｍ
【００６９】
キャリアフィルムを剥離後、樹脂層表面にドライフィルム（旭化成製ＵＦＧ−２５５）をロールラミネーターによりラミネートし、上記ドライフィルムを露光（平行光露光機：小野測器製ＥＶ−０８００、露光条件：露光量１４０ｍＪ、ホールドタイム１５分）を行いレジスト層を形成した。
【００７０】
（１）ビアの形成
１９３ｎｍ（ＡｒＦ）の波長を有するエキシマレーザー（ビーム株式会社製、ＡＴＬＥＸ−３００ＳＩ）を用いて樹脂層付き基板の樹脂層に直径２５μｍのビアを０．１ｍｍ間隔で形成した。
加工条件は以下の通りに設定した。
マスク径：２００μｍ
周波数：１００Ｈｚ
エネルギー：１００ｍＪ／ｃｍ2
ショット数：９０
（２）溝の形成
微細配線となる溝の形成には、同様に１９３ｎｍ（ＡｒＦ）の波長を有するエキシマレーザー（ビーム株式会社製、ＡＴＬＥＸ−３００ＳＩ）を用いて樹脂層付き基板の樹脂層に幅１０μｍ、長さ５０μｍの溝を形成し、これを繰り返すことで幅１０μｍ、最小溝間幅１０μｍの溝を形成し、ビアと接続させた。
加工条件は以下の通りに設定した。
マスク：１００μｍ×５００μｍ
周波数：００Ｈｚ
エネルギー：５００ｍＪ／ｃｍ2
ショット数：８０
【００７１】
ビアと溝を形成した樹脂層付き基板をレジスト層付きのままで、６０℃の膨潤液（アトテックジャパン株式会社製、スウェリングディップ  セキュリガント  Ｐ５００）に１０分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン株式会社製、コンセントレート  コンパクト  ＣＰ）に２０分浸漬後、中和してデスミア処理を行った。
【００７２】
次に、脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき層約０．２μｍを形成させた。
【００７３】
次に、無電解銅めっき層を電極として電解銅めっき（奥野製薬工業株式会社製、トップルチナα）を３Ａ／ｄｍ２で行って、樹脂表層上の高さまで導体を形成した。
【００７４】
次に、レジスト層を剥離（剥離液：三菱ガス化学製Ｒ−１００、剥離時間：２４０秒）後、ビア及び溝との際部分の樹脂表層に存在する導体をクイックエッチング処理（株式会社荏原電産社製  ＳＡＣプロセス、エッチング速度約０．７μｍ／ｍｉｎ、処理時間約４分）を行うことにより除去し、導体の形状を整えると共にビア及び微細配線間の絶縁を確保した。次に絶縁樹脂層を温度２００℃、６０分間で完全硬化させた。
【００７５】
最後に回路表面にソルダーレジスト（太陽インキ製造株式会社製、ＰＳＲ４０００／ＡＵＳ７０３）を形成し、４層プリント配線板を作製した。
【００７６】
＜実施例２＞
ビア形成時のマスク径を１５０μｍにした以外は実施例１と同様にして４層プリント配線板を作製した。
【００７７】
＜実施例３＞
ビア形成時のマスク径を１００μｍにした以外は実施例１と同様にして４層プリント配線板を作製した。
【００７８】
＜実施例４＞
ビア形成時のマスク径を５０μｍにした以外は実施例１と同様にして４層プリント配線板を作製した。
【００７９】
＜実施例５＞
２４８ｎｍ（ＫｒＦ）の波長を有するエキシマレーザーを用いた以外は実施例１と同様にして４層プリント配線板を作製した。
【００８０】
＜実施例６＞
３５５ｎｍの波長を有するＹＡＧレーザー（日立ビアメカニクス株式会社製、ＬＵ−２Ｇ１２１／２Ｃ）を用いた以外は実施例１と同様にして４層プリント配線板を作製した。
【００８１】
＜比較例１＞
エポキシ樹脂系のビルドアップ材（味の素株式会社製、ＧＸ−１３、充填材の最大粒子径２．５μｍ）を両面導体層付きコア基板の表裏に重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて真空加熱加圧成形させ、キャリアフィルムを剥離後、熱風乾燥装置にて１８０℃で４５分間加熱硬化行い樹脂層付き基板を得た。
【００８２】
なお、両面導体層付きコア基板としては、下記のものを使用した。
・樹脂層：ハロゲンフリー、コア基板厚さ０．４ｍｍ
・導体層：銅箔厚み１８μｍ、回路幅／回路間幅（Ｌ／Ｓ）＝１２０／１８０μｍ、クリアランスホール１ｍｍφ、３ｍｍφ、スリット２ｍｍ
【００８３】
（１）ビアの形成
１９３ｎｍ（ＡｒＦ）の波長を有するエキシマレーザー（ビーム株式会社製、ＡＴＬＥＸ−３００ＳＩ）を用いて樹脂層付き基板の樹脂層に直径２５μｍのビアを０．１ｍｍ間隔で形成した。
加工条件は以下の通りに設定した。
マスク径：２００μｍ
周波数：１００Ｈｚ
エネルギー：１００ｍＪ／ｃｍ2
ショット数：９０
【００８４】
（２）溝の形成
微細配線となる溝の形成には、同様に１９３ｎｍ（ＡｒＦ）の波長を有するエキシマレーザー（ビーム株式会社製、ＡＴＬＥＸ−３００ＳＩ）を用いて樹脂層付き基板の樹脂層に幅１０μｍ、長さ５０μｍの溝を形成し、これを繰り返すことで幅１０μｍ、最小溝間幅１０μｍの溝を形成し、ビアと接続させた。
加工条件は以下の通りに設定した。
マスク：１００μｍ×５００μｍ
周波数：１００Ｈｚ
エネルギー：５００ｍＪ／ｃｍ2
ショット数：８０
【００８５】
ビアと溝を形成した樹脂層付き基板を６０℃の膨潤液（アトテックジャパン株式会社製、スウェリングディップ  セキュリガント  Ｐ５００）に１０分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン株式会社製、コンセントレート  コンパクト  ＣＰ）に２０分浸漬後、中和してデスミア処理を行った。
【００８６】
次に、脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき層約０．２μｍを形成させた。
【００８７】
次に、無電解銅めっき層を電極として電解銅めっき（奥野製薬工業株式会社製、トップルチナα）を３Ａ／ｄｍ２で３０分行って、樹脂表層での厚さが約３０μｍとなるように導体を形成した。
【００８８】
次に、樹脂表層での厚さが約３０μｍで存在する導体をエッチング処理（三菱瓦斯化学株式会社製、ＣＰＥ−７５０、エッチング速度約４．５μｍ／ｍｉｎ．、処理時間約７分）で除去し、ビア及び微細配線間の絶縁を確保した。次に絶縁樹脂層を温度２００℃、６０分間で完全硬化させた。
【００８９】
最後に回路表面にソルダーレジスト（太陽インキ製造株式会社製、ＰＳＲ４０００／ＡＵＳ７０３）を形成し、４層プリント配線板を作製した。
【００９０】
＜比較例２＞
３５５ｎｍの波長を有するＹＡＧレーザーを用いた以外は比較例１と同様にして４層プリント配線板を作製した。
【００９１】
＜比較例３＞
実施例１で作製した樹脂ワニスを用いて、比較例１と同様にして４層プリント配線板を作製した。尚、比較例１の作業工程において、エッチング処理（三菱瓦斯化学株式会社製、ＣＰＥ−７５０、エッチング速度約４．５μｍ／ｍｉｎ、処理時間約７分）の代わりに、実施例１と比較するため、クイックエッチング処理（株式会社荏原電産社製  ＳＡＣプロセス、エッチング速度約０．７μｍ／ｍｉｎ、処理時間約４分）を行った。
【００９２】
評価方法は以下の通りである。結果を表１、及び表２に示した。
【００９３】
１．ビアのトップ径
デスミア処理しレジスト層を剥離後の樹脂層のビア上面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、ビアのトップ径を測定した。
【００９４】
２．ビア内の樹脂表面の算術平均粗さ（Ｒａ）
４層プリント配線板のビア断面を縦に切断し、導体層をエッチング除去後、ビア内の樹脂表面をＪＩＳ  Ｂ０６５１に準じて、Ｖｅｅｃｏ社製ＷＹＫＯ  ＮＴ１１００を用いて測定を行った。
【００９５】
３．溝内の樹脂表面粗さ（Ｒａ）
４層プリント配線板の微細配線の断面を縦に切断し、導体層をエッチング除去後、溝内の樹脂表面をＪＩＳ  Ｂ０６５１に準じて、Ｖｅｅｃｏ社製ＷＹＫＯ  ＮＴ１１００を用いて測定を行った。
【００９６】
４．溝の最大幅
４層プリント配線板の微細配線の断面を縦に切断し、光学顕微鏡で溝内の最大幅を測定した。
【００９７】
５．溝の断面形状
４層プリント配線板の微細配線の断面を縦に切断し、光学顕微鏡で溝内の形状を観察した。
【００９８】
６．接続信頼性試験
ビア壁間距離０．１ｍｍの４層プリント配線板を、１３５℃、８５％ＲＨ、印加電圧５０Ｖの条件下で２００ｈ処理しながら、ビア間の絶縁抵抗値をモニターした。
各符号は以下の通りである。
○：１．０×１０９Ω以上
×：１．０×１０９Ω未満
【００９９】
７．めっき付き性
４層プリント配線板のビア断面を切断し、切断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、ビア内のめっき付き性を調べた。各符号は以下の通りである。
○：ビア内にめっきが隙間なく充填され実用上問題なし。
×：ビア内にめっきに一部マイクロボイドがあり実用上問題あり。
【０１００】
【表１】
2011254026.tif 000003
【０１０１】
【表２】
2011254026.tif 000004
【０１０２】
表１から明らかなように、実施例１〜６は、従来のエッチング処理工程を省略しクイックエッチング処理のみで作業を簡素化でき、またビアの直径が２５μｍ以下、微細配線の溝の最大幅が１０μｍ以下で形成が可能であるため高密度の複合体を作製することができ、かつ樹脂層平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以上、０．２５μｍ以下であるため信号応答性、高周波対応及び絶縁信頼性、さらにビアや微細配線内のめっき付き不良や層間接続不良を低減することができる作用に優れる良好なビアや微細配線が形成できた。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明に従うと、複合体の樹脂層表面に形成された高密着、高信頼性、高周波対応、ビアや微細配線内のめっき付き性や層間接続性に優れたビアを有する複合体を得ることができるため、とりわけ、回路幅／回路間幅（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ／１０μｍ以下の微細配線を有する例えばプリント配線板に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１０４】
１    コア基板
１０  レジスト層
２    樹脂層
３    レーザー光
４    マスク
５    導体層
６０  溝
６１  ビア
７    無電解めっき層
７０  無電解めっき層
７１  無電解めっき層
８０  電解めっき層
８１  電解めっき層
９０  導体
９１  導体層
【図１】
2011254026.tif 000005
【図２】
2011254026.tif 000006