(57)【要約】【課題】コンピュータを利用した半導体レイアウトパターン生成における四角形内の図形発生の均一化を課題とする。【解決手段】コンピュータを利用して、四角形内に図形を発生して、指定エリア内に含まれる発生図形を基に、指定エリア内に図形を生成することにより半導体レイアウトパターン生成を行う方法において、  四角形の四つの頂点を始点として、外側から内側に四方から、一定のピッチで図形を発生させることを特徴とする図形発生方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータを利用して、四角形内に図形を発生して、指定エリア内に含まれる発生図形を基に、指定エリア内に図形を生成することにより半導体レイアウトパターン生成を行う方法において、
四角形の四つの頂点を始点として、外側から内側に四方から、一定のピッチで図形を発生させることを特徴とする図形発生方法。
【請求項２】
コンピュータを利用して、四角形内に図形を発生して、指定エリア内に含まれる発生図形を基に、指定エリア内に図形を生成することにより半導体レイアウトパターン生成を行う装置において、
四角形の四つの頂点を始点として、外側から内側に四方から、一定のピッチで図形を発生させることを特徴とする図形発生装置。
【請求項３】
四角形内に図形を発生して、指定エリア内に含まれる発生図形を基に、指定エリア内に図形を生成することにより半導体レイアウトパターン生成を行うコンピュータに、
四角形の四つの頂点を始点として、外側から内側に四方から、一定のピッチで図形を発生させることを特徴とする図形発生プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピュータを利用した半導体のレイアウトパターン生成に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＬＳＩを作成する場合、アルミが満遍なく入っていた方がアルミの定着率が上がる。
【０００３】
また、一般に、チップ端になるほど、ボンディングによる応力がかかり、太いアルミにクラックが発生する。このクラックを防止するため、太いアルミにスリットを入れるか或いはドット形状の穴を開ける必要がある。この場合、スリットを入れるか或いはドット形状の穴を開けることにより、アルミの配線抵抗を高くしてしまうデメリットがあるため、如何に、スリット或いはドット形状の穴を少なくするかがキーになる。
【０００４】
そこで従来から、これらに対処するために、コンピュータを利用して多数の微小な図形を発生することが行われている（例えば特許文献１〜３参照）。
【０００５】
また従来から、これらに対処するために、コンピュータを利用した半導体レイアウトパターン生成では、四角形内に図形を一様に発生して、指定エリア内に含まれる該発生図形を基に、指定エリア内に最終的な図形を生成することが行われている。
【０００６】
しかしながら、従来の図形発生方法では、左下の頂点のみを始点として、左下から図形を発生しているため、右端及び右上での指定エリア境界部で均一に図形を発生できず、アルミの定着率が下がり、スリット或いはドット形状の穴を多くせざるを得ないという問題が発生する。そのため、手作業で図形を入力して、図形の均一化を行っていた。その結果、時間が掛かり、尚且つエラーを作り込むことがあり、効率が悪かった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平５−１４３７０５号公報
【特許文献２】特開平５−２４１５５４号公報
【特許文献３】特開２００２−３４３７０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は斯かる背景技術に鑑みてなされたもので、コンピュータを利用した半導体レイアウトパターン生成における四角形内の図形発生の均一化を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明において上記課題を解決するために、まず請求項１の発明では、コンピュータを利用して、四角形内に図形を発生して、指定エリア内に含まれる発生図形を基に、指定エリア内に図形を生成することにより半導体レイアウトパターン生成を行う方法において、
四角形の四つの頂点を始点として、外側から内側に四方から、一定のピッチで図形を発生させることを特徴とする図形発生方法としたものである。
【００１０】
また請求項２の発明では、コンピュータを利用して、四角形内に図形を発生して、指定エリア内に含まれる発生図形を基に、指定エリア内に図形を生成することにより半導体レイアウトパターン生成を行う装置において、
四角形の四つの頂点を始点として、外側から内側に四方から、一定のピッチで図形を発生させることを特徴とする図形発生装置としたものである。
【００１１】
また請求項３の発明では、四角形内に図形を発生して、指定エリア内に含まれる発生図形を基に、指定エリア内に図形を生成することにより半導体レイアウトパターン生成を行うコンピュータに、
四角形の四つの頂点を始点として、外側から内側に四方から、一定のピッチで図形を発生させることを特徴とする図形発生プログラムとしたものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、コンピュータを利用した半導体レイアウトパターン生成における四角形内の図形発生において、四角形の四つの頂点を始点とするために、図形の発生が四角形内で上下左右対称となり、図形発生の均一化が出来るという効果がある。
【００１３】
そのため、指定エリアの境界部でも図形発生の均一化がなされ、指定エリア内に生成する図形を少なく抑えることができるという効果がある。
【００１４】
その結果、アルミの定着率が上がり、必要なスリット或いはドット形状の穴を少なくできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】内外の八つのエリアに区分けしたチップを説明する模式図。
【図２】各エリアでの図形発生を説明する模式図。
【図３】図形生成エリア内での図形生成を説明する模式図。
【図４】図形生成エリア内での図形生成を説明する模式図。
【図５】図形の追加を説明する模式図。
【図６】図形生成エリア指定を説明する模式図。
【図７】図形生成エリア内での図形生成を説明する模式図。
【図８】図形生成エリア指定を説明する模式図。
【図９】図形生成エリア指定を説明する模式図。
【図１０】図形生成エリアを説明する模式図。
【図１１】図形生成エリア内に生成された図形を説明する模式図。
【図１２】図形生成エリアを説明する模式図。
【図１３】図形生成エリア内に生成された図形を説明する模式図。
【図１４】アルミ配線層ＡＬの外郭と生成図形との距離が内エリアの最大寸法の半分以下にならない場合を説明する模式図。
【図１５】アルミ配線層ＡＬの外郭と生成図形との距離が内エリアの最大寸法の半分以下にならない場合を説明する模式図。
【図１６】Ｘ方向追加アレイ（Ｘ方向の７５＜Ｘ≦１４０μｍ用）を説明する模式図。
【図１７】Ｙ方向追加アレイ（Ｙ方向の７５＜Ｙ≦１４０μｍ用）を説明する模式図。
【図１８】ＸＹ方向追加アレイ（コーナーの７５＜Ｘ，Ｙ≦１４０μｍ用）を説明する模式図。
【図１９】Ｘ方向追加アレイ（Ｘ方向の７０＜Ｘ≦７５μｍ用）を説明する模式図。
【図２０】Ｙ方向追加アレイ（Ｙ方向の７０＜Ｙ≦７５μｍ用）を説明する模式図。
【図２１】ＸＹ方向追加アレイ（コーナーの７０＜Ｘ，Ｙ≦７５μｍ用）を説明する模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の一実施形態を説明する。
【００１７】
本発明方法は、コンピュータによって実行され、半導体のレイアウトパターン生成に適用されるものである。
【００１８】
まず、図１に示すように、横のサイズがＸで縦のサイズがＹの四角形の半導体チップを、その外周から内部に一定の距離（１０００μｍと仮定する）で、内エリアと外エリアとに区分けし、内エリアを上下対称にＡＩ、ＢＩ、ＣＩ、ＤＩの四つに区分けし、外エリアも上下対称にＡＯ、ＢＯ、ＣＯ、ＤＯの四つに区分けして、計八つのエリアに区分けする。
【００１９】
ここで、内外エリアを区分けする外周から内部への一定の距離を１０００μｍと仮定すると、図１に示すように、半導体チップの左下先端を原点に取れば、外エリアの四つの頂点の座標は、長さの単位をμｍとして、（０，０）、（Ｘ，０）、（０，Ｙ）、（Ｘ，Ｙ）であり、内エリアの四つの頂点の座標は、（１０００，１０００）、（Ｘ−１０００，１０００）、（１０００，Ｙ−１０００）、（Ｘ−１０００，Ｙ−１０００）である。
【００２０】
次に、図２に示すように、各区分した八つのエリアごとに、内エリアの四つの頂点と、外エリアの四つの頂点とを、それぞれ始点として、図形１（縦横のサイズが１５μｍの正方形と仮定する）を、発生方向２で示すように、外側から内側に四方から、内外エリアそれぞれに一定のピッチで発生させて、各区分した八つのエリア内部を満たす。
【００２１】
最後に、図３に示すように、アルミ配線層ＡＬ内に指定された図形発生エリア４において、図形発生エリア４内に含まれる発生図形１の位置に、発生図形１と同じ形状の図形５を生成する。
【００２２】
また図３に示すように、アルミ配線層ＡＬの外殻を最小寸法（１０μｍと仮定する）だけ外から内に縮小したエリアに、区分した内或いは外エリア同士の境界６がなく、既に生成された図形もない場合、その縮小したエリアを図形生成エリア４とする。
【００２３】
内エリア及び外エリアそれぞれに発生及び生成する図形のピッチは、例えば、アルミ配線層ＡＬの内エリア及び外エリアそれぞれの最大寸法（内エリアでは１４０μｍ、外エリアでは７０μｍと仮定する）から、最小寸法（１０μｍと仮定する）を引いたものであっても良い。
【００２４】
すなわち、内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し、最小寸法を１０μｍと仮定すると、内エリアに発生及び生成する図形のピッチは、１４０μｍ−１０μｍ＝１３０μｍとなる。
【００２５】
また、外エリアの最大寸法を７０μｍと仮定し、最小寸法を１０μｍと仮定すると、外エリアに発生及び生成する図形のピッチは、７０μｍ−１０μｍ＝６０μｍとなる。
【００２６】
従って、内外エリアにそれぞれに生成した図形とアルミ配線層ＡＬの外殻との距離は、それぞれ内外エリアの最大寸法以内に納まる。
【００２７】
また、内エリアにおいて、内エリアと外エリアとの境界から内に最小寸法（１０μｍと仮定する）の所から図形を発生させても、内エリアの図形と外エリアの図形との距離Ｌ１は、外エリアの最大寸法（７０μｍと仮定する）以下の一定値となる。
【００２８】
図４に示すように、アルミ配線層ＡＬの外殻を最小寸法（１０μｍと仮定する）だけ外から内に縮小したエリアに、区分した内或いは外エリア同士の境界６があるならば、境界６から最小寸法の半分の距離（最小寸法を１０μｍと仮定すると５μｍ）の範囲内にある部分を、その縮小したエリアから除いたものを、図形生成エリア４とする。
【００２９】
内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し、最小寸法を１０μｍと仮定すると、内エリアにおいて生成された図形５と境界６との距離ＩＸ１、ＩＸ２は、共に、最小寸法／２〜（内エリアに生成する図形のピッチ＋最小寸法／２）＝５μｍ〜１３５μｍの範囲にあるので、境界６を跨る生成図形同士の距離は、最小寸法〜（内エリアの最大寸法の２倍−最小寸法）＝１０μｍ〜２７０μｍの範囲内にある。図５に示すように、境界６を跨る生成図形同士の中間に、境界６に沿って一列分の図形を新たに生成して追加した場合、追加した一列の生成図形と、それらの両隣にある生成図形との距離Ｌ２は、最大、（（内エリアの最大寸法の２倍−最小寸法）−図形サイズ）／２＝（２７０μｍ−１５μｍ）／２＜内エリアの最大寸法＝１４０μｍである。従って、境界６を跨る生成図形同士の距離が内エリアの最大寸法（１４０μｍと仮定する）を越える場合のみ、生成図形を均一化を図るために、図５に示すように、境界６を跨る生成図形同士の中間に、一列分の図形を新たに生成して追加すれば良い。
【００３０】
同様に、外エリアの最大寸法を７０μｍと仮定し、最小寸法を１０μｍと仮定すると、外エリアにおいて生成された図形５と境界６との距離ＯＸ１、ＯＸ２は、共に、最小寸法／２〜（外エリアに生成する図形のピッチ＋最小寸法／２）＝５μｍ〜６５μｍの範囲にあるので、境界６を跨る生成図形同士の距離は、最小寸法〜（外エリアの最大寸法の２倍−最小寸法）＝１０μｍ〜１３０μｍの範囲内にある。図５に示すように、境界６を跨る生成図形同士の中間に、境界６に沿って一列分の図形を新たに生成して追加した場合、追加した一列の生成図形と、それらの両隣にある生成図形との距離Ｌ３は、最大、（（外エリアの最大寸法の２倍−最小寸法）−図形サイズ）／２＝（１３０μｍ−１５μｍ）／２＜外エリアの最大寸法＝７０μｍである。従って、境界６を跨る生成図形同士の距離が外エリアの最大寸法（７０μｍと仮定する）を越える場合のみ、生成図形を均一化を図るために、図５に示すように、境界６を跨る生成図形同士の中間に、一列分の図形を新たに生成して追加すれば良い。
【００３１】
アルミ配線層ＡＬの外殻を最小寸法（１０μｍと仮定する）だけ外から内に縮小したエリアに、既に生成された図形がある場合は、図形生成エリアの指定は、以下のように行われる。
【００３２】
既に生成された図形が内エリアに含まれるならば、図６に示すように、内エリアの最大寸法の半分（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定すると７０μｍ）だけ既生成の各図形７を拡大してできたエリアを、内エリアの最大寸法の半分から最小寸法を引いた分（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると６０μｍ）だけ縮小したものを、（図形＋７０μｍ）−６０μｍエリアとして、図７に示すように、アルミ配線層ＡＬの外殻を最小寸法（１０μｍと仮定する）だけ外から内に縮小したエリアから、（図形＋７０μｍ）−６０μｍエリア８を除いたものを、図形生成エリア４とする。
【００３３】
内エリアでは、図形生成エリア４に含まれる発生図形であっても、アルミ配線層ＡＬの外殻を最小寸法（１０μｍと仮定する）だけ、外から内に縮小したエリアの外周に接するものは、その発生図形の位置に、その発生図形と同じ形状の図形を生成しなければ、必要最低限の図形を生成できる。生成図形のピッチは、内エリアの最大寸法から最小寸法を引いたもの（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると１３０μｍ）であるので、その外周に接する生成図形を取り除いても、生成図形とアルミ配線層ＡＬの外殻との距離は内エリアの最大寸法（１４０μｍと仮定する）となるからである。これに対して、その外周から内側にある生成図形５は、（図形＋７０μｍ）−６０μｍエリア８に含まれる図形７との距離が、いくら近くとも必要な図形である。
【００３４】
同様に、既に生成された図形が外エリアに含まれるならば、外エリアの最大寸法の半分（外エリアの最大寸法を７０μｍと仮定すると３５μｍ）だけ既生成の各図形を拡大してできたエリアを、外エリアの最大寸法の半分から最小寸法を引いた分（外エリアの最大寸法を７０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると２５μｍ）だけ縮小したものを、（図形＋３５μｍ）−２５μｍエリアとして、アルミ配線層ＡＬの外殻を最小寸法（１０μｍと仮定する）だけ外から内に縮小したエリアから、（図形＋３５μｍ）−２５μｍエリア８を除いたものを、図形生成エリアとする。
【００３５】
また同様に、外エリアでも、図形生成エリアに含まれる発生図形であっても、アルミ配線層ＡＬの外殻を最小寸法（１０μｍと仮定する）だけ外から内に縮小したエリアの外周に接するものは、その発生図形の位置に、その発生図形と同じ形状の図形を生成しなければ、必要最低限の図形を生成できる。生成図形のピッチは、外エリアの最大寸法から最小寸法を引いたもの（外エリアの最大寸法を７０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると６０μｍ）であるので、その外周に接する生成図形を取り除いても、生成図形とアルミ配線層ＡＬの外殻との距離は外エリアの最大寸法（７０μｍと仮定する）となるからである。これに対して、その外周から内側にある生成図形は、（図形＋３５μｍ）−２５μｍエリアに含まれる図形との距離が、いくら近くとも必要な図形である。
【００３６】
以下、内エリア或いは外エリアにおいて、アルミ配線層ＡＬに指定された図形生成エリアに、内エリア或いは外エリアの最大寸法から最小寸法を引いたピッチで、図形（縦横のサイズが１５μｍの正方形と仮定する）を生成した後に、アルミ配線層ＡＬの外郭と、生成図形とのＸ方向の距離及びＹ方向の距離を共に、内エリア或いは外エリアの最大寸法の半分以下にする処理を、内エリアを例に取って説明する。
【００３７】
まず、図８に示すように、既生成の図形５から内エリアの最大寸法の半分（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定すると７０μｍ）だけ離れた所に線を引き、さらに、図９に示すように、その線と、アルミ配線層ＡＬの外郭とから、内エリアの最大寸法の半分から最小寸法を引いた分（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮
定すると６０μｍ）だけ離れた箇所に線を引くと同時に、アルミ配線層ＡＬの外郭から内側に最小寸法（１０μｍと仮定する）だけ離れた所に線を引いて、図１０に示すような、アルミ配線層ＡＬの外殻を最小寸法（１０μｍと仮定する）だけ外から内に縮小したエリアから（図形＋７０μｍ）−６０μｍエリアを除いた図形生成エリア４を指定する。
【００３８】
次に、内エリアの四つの頂点から、図１６に示すように、図形を、Ｙ方向は内エリアの最大寸法から最小寸法を引いた値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると１３０μｍ）のピッチで、Ｘ方向はその半分の値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると６５μｍ）のピッチで発生させて、図形発生エリア４内に含まれる発生図形の位置に、発生図形と同じ形状の図形を生成し、また、内エリアの四つの頂点から、図１７に示すように、図形を、Ｘ方向は内エリアの最大寸法から最小寸法を引いた値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると１３０μｍ）のピッチで、Ｙ方向はその半分の値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると６５μｍ）のピッチで発生させて、図形発生エリア４内に含まれる発生図形の位置に、発生図形と同じ形状の図形を生成して、図１１に示すように、図形エリア４内で、それぞれＸ方向、Ｙ方向に図形の追加を行う。
【００３９】
次に、再度、既生成の図形から内エリアの最大寸法の半分（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定すると７０μｍ）だけ離れた所に線を引き、さらに、その線と、アルミ配線層ＡＬの外郭とから、内エリアの最大寸法の半分から最小寸法を引いた分（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると６０μｍ）だけ離れた箇所に線を引くと同時に、アルミ配線層ＡＬの外郭から内側に最小寸法（１０μｍと仮定する）だけ離れた所に線を引いて、図１２に示すように、アルミ配線層ＡＬのコーナーに位置する図形生成エリア４を指定する。
【００４０】
最後に、内エリアの四つの頂点から、図１８に示すように、図形を、ＸＹ方向共に内エリアの最大寸法から最小寸法を引いた値の半分（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると６５μｍ）のピッチで発生させて、アルミ配線層ＡＬのコーナーに位置する図形生成エリア４内に含まれる発生図形の位置に、発生図形と同じ形状の図形を生成して、図１３に示すように、アルミ配線層ＡＬのコーナーに位置する図形エリア４内に図形の追加を行う。
【００４１】
但し、上記処理では、既生成の図形と、アルミ配線層ＡＬとの間のＸ方向の距離或いはＹ方向の距離が、内エリアの最大寸法の半分の値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定すると７０μｍ）より大きく、内エリアの最大寸法に最小寸法を足したものの半分の値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると７５μｍ）以下である場合、図１４に示すように、図形生成エリア４内に新たに図形が生成されないので、アルミ配線層ＡＬの外郭と、生成図形とのＸ方向の距離及びＹ方向の距離を共に、内エリアの最大寸法の半分（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定すると７０μ）以下にすることはできない。
【００４２】
また、上記処理では、既生成の図形と、アルミ配線層ＡＬとの間のＸ方向の距離或いはＹ方向の距離が、内エリアの最大寸法に最小寸法の半分を引いた値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると１３５μｍ）より大きく、内エリアの最大寸法の値（１４０μｍと仮定する）以下である場合、図１５に示すように、図形生成エリア４内に新たに生成された図形と、アルミ配線層ＡＬとの間のＸ方向の距離或いはＹ方向の距離が、内エリアの最大寸法の半分の値（内エリアの最大寸法を１４０μｍとすると７０μｍ）より大きく、内エリアの最大寸法に最小寸法を足したものの半分の値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると７５μｍ）以
下となり、アルミ配線層ＡＬの外郭と、生成図形とのＸ方向の距離及びＹ方向の距離を共に、内エリアの最大寸法の半分（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定すると７０μ）以下にすることはできない。
【００４３】
そのため、既生成の図形と、アルミ配線層ＡＬとの間のＸ方向の距離或いはＹ方向の距離が、内エリアの最大寸法の半分の値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定すると７０μｍ）より大きく、内エリアの最大寸法に最小寸法を足したものの半分の値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると７５μｍ）以下であるか、或いは、内エリアの最大寸法に最小寸法の半分を引いた値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると１３５μｍ）より大きく、内エリアの最大寸法の値（１４０μｍと仮定する）以下である場合には、上記の処理に続いて、以下の処理を行う。
【００４４】
まず、既生成の図形から内エリアの最大寸法の半分（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定すると７０μｍ）だけ離れた所に線を引き、さらに、その線と、アルミ配線層ＡＬの外郭とから、内エリアの最大寸法の半分から最小寸法を引いた分（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると６０μｍ）だけ離れた箇所に線を引くと同時に、アルミ配線層ＡＬの外郭から内側に最小寸法（１０μｍと仮定する）だけ離れた所に線を引いて、アルミ配線層ＡＬの外殻を最小寸法（１０μｍと仮定する）だけ外から内に縮小したエリアから（図形＋７０μｍ）−６０μｍエリアを除いた図形生成エリアを指定する。
【００４５】
次に、内エリアの四つの頂点から、図１９に示すように、図形を、Ｙ方向は内エリアの最大寸法から最小寸法を引いた値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると１３０μｍ）のピッチで、Ｘ方向はその四分の一の値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると３２．５μｍ）のピッチで発生させて、図形発生エリア内に含まれる発生図形の位置に、発生図形と同じ形状の図形を生成し、また、内エリアの四つの頂点から、図２０に示すように、図形を、Ｘ方向は内エリアの最大寸法から最小寸法を引いた値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると１３０μｍ）のピッチで、Ｙ方向はその四分の一の値（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると３２．５μｍ）のピッチで発生させて、図形発生エリア内に含まれる発生図形の位置に、発生図形と同じ形状の図形を生成して、図形エリア内で、それぞれＸ方向、Ｙ方向に図形の追加を行う。
【００４６】
次に、再度、既生成の図形から内エリアの最大寸法の半分（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定すると７０μｍ）だけ離れた所に線を引き、さらに、その線と、アルミ配線層ＡＬの外郭とから、内エリアの最大寸法の半分から最小寸法を引いた分（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し、最小寸法を１０μｍと仮定すると６０μｍ）だけ離れた箇所に線を引くと同時に、アルミ配線層ＡＬの外郭から内側に最小寸法（１０μｍと仮定する）だけ離れた所に線を引いて、アルミ配線層ＡＬのコーナーに位置する図形生成エリアを指定する。
【００４７】
最後に、内エリアの四つの頂点から、図２１に示すように、図形を、ＸＹ方向共に内エリアの最大寸法から最小寸法を引いた値の四分の一（内エリアの最大寸法を１４０μｍと仮定し最小寸法を１０μｍと仮定すると３２．５μｍ）のピッチで発生させて、アルミ配線層ＡＬのコーナーに位置する図形生成エリア内に含まれる発生図形の位置に、発生図形と同じ形状の図形を生成して、アルミ配線層ＡＬのコーナーに位置する図形エリア内に図形の追加を行う。
【００４８】
このように、図１６〜１８に示すピッチで図形発生させることにより図形生成した後に、図１９〜２１に示すピッチで図形発生させることにより図形生成すことにより、無駄な図形を生成しなくても済むようになる。
【符号の説明】
【００４９】
１…図形
２…発生方向
４…図形生成エリア
５…図形
６…境界
７…図形
８…（図形＋７０μｍ）−６０μｍエリア
ＡＩ…内左上エリア
ＡＬ…アルミ配線層
ＡＯ…外左上エリア
ＢＩ…内右上エリア
ＢＯ…外右上エリア
ＣＩ…内左下エリア
ＣＯ…外左下エリア
ＤＩ…内右下エリア
ＤＯ…外右下エリア
ＩＸ１…距離
ＩＸ２…距離
Ｌ１…距離
Ｌ２…距離
Ｌ３…距離
ＯＸ１…距離
ＯＸ２…距離
【図１】
2011086799.tif 000003
【図２】
2011086799.tif 000004
【図３】
2011086799.tif 000005
【図４】
2011086799.tif 000006
【図５】
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【図６】
2011086799.tif 000008
【図７】
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【図８】
2011086799.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2011086799.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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