(57)【要約】【課題】合せ材を用いなく、用いても層の中心部の基材にのみ用いることにして鋭意研究を重ねてきたもので、各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供する。【解決手段】層厚の中心部となる基母材の両面に１以上の金属層をめっきにより上下対称の配置となるように形成することを特徴とする。【効果】基母材以外では合せ金属材を用いなく、これを中心にめっきにより各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、上下均等且つ対称を正確に形成した構造となることとも相まって、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供することができる。【選択図】    図１
2011254044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
合せ金属材からなる基母材の両面に１以上の金属層をめっきにより上下対称の配置となるように形成することを特徴とする半導体搭載用放熱基板の製造方法。
【請求項２】
基母材が、中心のＭｏ層の両面にＣｕ層を形成した複合基母材、若しくはＭｏ層の単一基母材であることを特徴とする請求項１記載の半導体搭載用放熱基板の製造方法。
【請求項３】
前記複合基母材の両面のＣｕ層に、それぞれＮｉ層とＡｕ層とを順次めっきにより形成することを特徴とする請求項２記載の半導体搭載用放熱基板の製造方法。
【請求項４】
前記複合基母材の両面のＣｕ層の上にＮｉ層をめっきにより形成し、さらにその上に、Ａｕ層若しくはＡｕ・Ｓｎ合金層をめっきにより形成することを特徴とする請求項２記載の半導体搭載用放熱基板の製造方法。
【請求項５】
前記複合基母材の両面のＣｕ層４，４の上にＳｎ層とＡｕ層とをいずれかを外面になるようそれぞれめっきにより順次形成したことを特徴とする請求項２記載の半導体搭載用放熱基板の製造方法。
【請求項６】
Ｍｏ層の単一基母材の両面にＣｕ層をめっきにより形成し、Ｃｕ層の上にＮｉ層をめっきにより形成し、さらに両Ｎｉ層の上にＡｕ・Ｓｎ合金層をめっきで形成するか、若しくは、Ａｕ層とＳｎ層とをいずれかが外側になるようにめっきにより形成することを特徴とする請求項２記載の半導体搭載用放熱基板の製造方法。
【請求項７】
Ｍｏ層の単一基母材の両面にＮｉ層とＣｕ層とをそれぞれめっきにより形成し、さらに、Ｎｉ層の上にＡｕ層若しくはＡｕ・Ｓｎ合金層をめっきで形成することを特徴とする請求項２記載の半導体搭載用放熱基板の製造方法。
【請求項８】
Ｍｏ層の単一基母材の両面にＮｉ層とＣｕ層とをそれぞれめっきにより形成し、さらに、Ｃｕ層の上にＮｉ層をめっきにより形成し、Ｎｉ層の上に、Ａｕ層とＳｎ層とをいずれか外側になるように順次めっきにより形成することを特徴とする請求項２記載の半導体搭載用放熱基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＬＥＤ等の半導体素子を保持するとともに、それに蓄熱するのを防止する機能を果たす半導体搭載用放熱基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（発光ダイオード）や半導体集積回路等では、最近の高密度化および高出力化により放熱量が増加する傾向にある。ＬＥＤについてみると（図１１の左図参照））、そのＬＥＤは、サファイア基板の上にそれが搭載されているが、これであると、ＬＥＤの発光部から発する熱が熱伝導率の悪いサファイア基板との間に溜まりやすく（図１２の左図参照）、多くの半導体素子ではその蓄熱があると機能が低下し、特にＬＥＤではその輝度と低反射率で弊害が生じることから、それを受ける部分に熱伝動性の良好な金属製の放熱基板が使用される（図１１の右図参照）。たとえば、銅やモリブデン、タングステン、チタン、モリブデン等のメタルウエハーと称する金属である。そして、主にモリブデン（Ｍｏ）を銅（Ｃｕ，Ｃｕ）でサンドイッチしたもの（ＤＭＤ）が良好であることが知られている（図１２の右図参照）。
【０００３】
放熱基板に要求される性質ないし性能等については、優れた熱伝動性が求められる他に、熱による歪みがない安定性と高い機械的強度、機械加工性が要求される。また、半導体素子を取り付ける接着やロウ付け等に適すること、耐薬品性に優れていること等が求められるときもある。これらの性質は、従来、図１１、図１２の各右図に示す如く複数の金属層の結合により総合的に発揮するよう開発が進められる（特許文献１、特許文献２）。この多層構造を取る手段としては、従来圧延方法や熱間一軸加工法が用いられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−２６８１１５号公報
【特許文献２】特許第３８６２７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
圧延方法や熱間一軸加工法は、いずれも複数枚の合せ金属材（グラッド材、グラッド金属とも称する））を重ねて圧縮することにより熱可塑性により偏平化するとともに合せ材どうしを加熱圧着してグラッド層を形成するものであるが、その接着には過熱温度、時間、圧縮強さ等の条件整合が難しく剥離しないという信頼性に乏しく、剥離が発生すると、機械的強度や放熱性能に支承（剥離部分に蓄熱する）をきたし、盛り上がりでパッケージ基板や半導体素子との結合が不安定となる等という問題があった。
【０００６】
また、異種金属の接合に伴う反りを防ぐ方法として、中心部となる母材を中心としてその上下両面に対称になるよう多種金属の合せ金属材が配置される。しかしながら、それでも熱変形の異なる異種金属を同時に過熱圧縮するため、グラッド層の厚みに偏在が生じたり層にうねりやコロニーが生じたりしやすく、これらの発生も全体的な反りの原因となり、また、機械的強度や放熱性能に支承を招く要因となるという問題もあった。
【０００７】
この発明は、上記のような実情に鑑みて、合せ材を用いなく、用いても層の中心部の基材にのみ用いることにして鋭意研究を重ねてきたもので、各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供することを課題とした。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、この発明は、層厚の中心部となる基母材の両面に１以上の金属層をめっきにより上下対称の配置となるように形成することを特徴とする半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供する。
【０００９】
半導体搭載用放熱基板を上記のように形成したから、基母材は、合せ材の金属片単独又は合せ材の両面に多種金属の合せ材を貼りあわせてこれに使用されるもので、これには、圧延方法や熱間一軸加工法等が使用されるが、この基母材をコアとしてその両面に確実に金属層がめっきにより形成される。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように、この発明によれば、基母材以外では合せ金属材を用いなく、これを中心にめっきにより各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、上下均等且つ対称を正確に形成した構造となることとも相まって、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の第１実施例に係る半導体搭載用放熱基板の製造方法  を矢印順に且つ断面模式的に示す説明図である。
【図２】同製造方法による半導体搭載用放熱基板の斜視図である。
【図３】同半導体搭載用放熱基板の使用状態を示す断面模式的に示す説明図である。
【図４】第２実施例に係る図１に対応する説明図である。
【図５】第３実施例に係る図１に対応する説明図である。
【図６】第４実施例に係る図１に対応する説明図である。
【図７】第５実施例に係る図１に対応する説明図である。
【図８】第６実施例に係る図１に対応する説明図である。
【図９】第７実施例に係る図１に対応する説明図である。
【図１０】第８実施例に係る図１に対応する説明図である。
【図１１】従来例の説明図である。
【図１２】従来例の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
この発明は、層厚のコアとなる合せ金属材からなる基母材１，２の両面にめっき層８，８を形成し且つ上下対称に形成してめっき層半導体搭載用放熱基板Ｐを製造するものである（図３）。
基母材は、一枚の金属の単一基母材１である場合と、複数枚のサンドイッチ構造の複合基母材２である場合とがある。いずれも、合せ材として金属薄片が使用され、複合基母材２の場合であると、圧延加工法や熱間一軸加工法等により加圧して一体化される。
【００１３】
基母材１，２の金属には、比較的熱伝導率の小さいモリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）などが使用される。なお、こうして重合された原多層材は、ウエハーのチップ化と同じくカッティングにより縦横に細分される。
【００１４】
こうして造られた基母材１，２の両面には、上下対称に比較的熱伝導率の良好な他の金属層がめっきにより形成される。それら金属層の厚みについては、例えば、Ａｕ層であると０．０５〜１．５μｍ、Ｎｉ又はＮｉ合金層であると０．０２〜１０μｍ、Ａｕ・Ｓｎ合金層であると、０．２〜１０μｍ、Ｓｎ層であると０．２〜５．０μｍ、Ｃｕ層であると０．２〜４０μｍであることが良好である。また、このうち、特にＡｕ層７が外面であると、酸化しにくいので、パッケージ基板１０やＬＥＤ発光体１２等（図３参照）との接着性が良好であり望ましい。  半導体搭載用放熱基板Ｐの他の部品との接着については、表面がＡｕ層７，７又はＳｎ層１１，１１であるきは、Ａｇ系又はＡｕ・Ｓｎ系のペーストないし接着剤が好適に使用される。
【００１５】
めっきは、電解、無電解、イオンプレーティング（ＩＰ）法等が望ましいが、めっきであれば特に限定するものではない。いずれにしても、めっきによって各金属層の厚みが上下対称で均一な層に形成され、各層が緊密に結合する。また、Ｃｕ金属層の形成については、Ｃｕめっきの他に、Ｃｕイオンプレーティング法を最適に用いることができる。
【００１６】
イオンプレーティング法は、乾式のめっきで湿式とは違い僅かな表面改質でめっき加工が可能である。Ｍｏは非常にめっきが密着しにくい金属である。面粗さを失わずにＣｕめっきを付ける場合は、イオンプレーティング法が最適である。この場合、Ｍｏの上にＣｕめっきをする際に薄膜の銅をＩＰで付けてから、電解若しくは無電解でＣｕめっきを施す工程とするので上記目的が達成される。つまり、Ｍｏの金属片の上にＣｕ層をイオンプレーティング法により例えば０．２μｍ程度形成し、その上にＣｕめっき（電解又は無電解）で施すのが最善な方法である。無電解めっきは、電解めっきと比較してめっきの均一性が良い。めっきの効率は電解めっき＞無電解＞銅めっき（電解・無電解）となる。
【実施例１】
【００１７】
図１ないし図３は実施例１を示し、複合基母材２となる広い原材としては、Ｍｏ層３をＣｕ層４，４でサンドイッチした３層構造のものを使用する（図１）。それには基母材２のＣｕ層４，４の面を研磨機１８で研磨してからＮｉめっきをその両面に施しＮｉ層５，５（層厚１．０μｍ）を形成し、さらにその両Ｎｉ層５，５にＡｕめっきを施し両面がＡｕ層７，７（層厚２μｍ）として形成する。めっき工程を経て広く製造されためっき元材は縦横カンティングにより細分化されて加工される。図２がこうして加工された製品としての放熱基板Ｐを示すが円形とは限らない。
【００１８】
図３はＬＥＤを搭載した使用状態を示したもので、パッケージ基板１０の上に接着剤１４を介して半導体搭載用放熱基板Ｐが搭載され、その上に接着剤１６を介してＬＥＤ１２が搭載される。いずれも、表面がＡｕ層７，７であるので、接着剤１４，１６の乗りが良く接着性が良好である。また、Ａｕ層７で反射してＬＥＤ１２の反射効率が良好であり、反射しなくても金属層の光の通りが良く蓄熱量が少ないという利点がある。
【実施例２】
【００１９】
図４において、前記実施例に対して前記Ａｕ層７，７がその合金となっている違いがある。つまり、めっきを施すことによりＡｕ・Ｓｎ合金層９，９として両面を形成して放熱基板Ｐが形成される。この実施例の場合も、Ａｕの性質等から上記と同じ利点がある。以下においても同じである。
【実施例３】
【００２０】
図５において、その放熱基板Ｐは、実施例１に対してそのＮｉ層５，５がＳｎ層１１，１１になっている違いがある。
【実施例４】
【００２１】
図６において、その放熱基板Ｐは、複合基母材２の両面にＡｕ層７，７をさらにその上にＳｎ層１１，１１が形成される。
【実施例５】
【００２２】
図７において、その放熱基板Ｐは、Ｍｏ層３を合せ金属材の単一基母材１としたもので、まずその両面にＣｕ層４，４をめっき（Ｃｕイオンプレーティングによることもできる）を施した場合と、Ｍｏ層３の両面にＮｉ層５，５とＣｕ層４，４を順次めっきした場合とに分けて製造される。それぞれについて次の如くである。
【００２３】
前者については、両面のＣｕ層４，４にＮｉ層５，５を、さらにＡｕ層７，７を順次めっきして形成して放熱基板Ｐを製造した。また、後者については、その両面のＣｕ層４，４にＮｉ層５，５、Ａｕ層７，７を順次めっきで形成して放熱基板Ｐを製造した。
【実施例６】
【００２４】
図８においてもＭｏ層３を単一基母材１としたもので、この場合も、まずその両面にＣｕ層４，４をめっき（Ｃｕイオンプレーティングによることもできる）を施した場合と、Ｍｏ層３の両面にＮｉ層５，５とＣｕ層４，４を順次めっきした場合とに分けられる。それぞれについて次の如くである。
【００２５】
すなわち、前者については、両面のＣｕ層４，４の上にＮｉ層５，５をめっきにより形成し、その上にそれぞれＡｕ・Ｓｎ合金層９，９をめっきし、放熱基板Ｐの原材を形成した。また、後者については、両面のＣｕ層４，４の上にＮｉ層５，５をさらにその上にＡｕ・Ｓｎ合金層９，９を形成して放熱基板Ｐの原材を構成した。
【実施例７】
【００２６】
図９において、Ｍｏ層３としての基母材１の両面にＣｕ層４，４をめっきにより形成した場合と、Ｎｉ層５，５とＣｕ層４，４を順次めっきにより形成した場合とに分けられて製造した。それぞれについてさらに次の如くである。
【００２７】
つまり、前者では、Ｃｕ層４，４にＮｉ層５，５をめっきで形成し、この上にＳｎ層１１，１１とＡｕ層７，７がめっきにより形成して放熱基板Ｐの原材が作られる。また、後者では、Ｃｕ層４，４の上にＮｉ層５，５を、その上にＳｎ層１１，１１とＡｕ層７，７をそれぞれめっきにより形成して放熱基板Ｐの原材が作られる。
【実施例８】
【００２８】
図１０において、この場合も、前記と同じであって、Ｍｏ層３としての単一基母材１の両面にＣｕ層４，４をめっきにより形成した場合と、Ｎｉ層５，５とＣｕ層４，４を順次めっきにより形成した場合とに分けられ、それぞれについてさらにめっきが施される。
【００２９】
前者の場合であると、Ｃｕ層４，４にＮｉ層５，５をめっきにより形成し、その上にＡｕ層７，７とＳｎ層１１，１１を順次めっきにより形成して放熱基板Ｐの原材が形成される。また、後者であると、Ｃｕ層４，４の上にＮｉ層５，５をめっきにより形成し、Ｎｉ層５，５の上にＡｕ層７，７とＳｎ層１１，１１が順次めっきにより形成して放熱基板Ｐの原材が作られる。
【符号の説明】
【００３０】
Ｐ  半導体搭載用放熱基板
１  単一基母材
２  複合基母材
３  Ｍｏ層
４  Ｃｕ層
５  Ｎｉ層
７  Ａｕ層
９  Ａｕ・Ｓｎ合金層
１１  Ｓｎ層
【図１】
2011254044.tif 000003
【図２】
2011254044.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2011254044.tif 000007
【図６】
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【図７】
2011254044.tif 000009
【図８】
2011254044.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2011254044.tif 000012
【図１１】
2011254044.tif 000013
【図１２】
2011254044.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月29日(2010.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＬＥＤ等の半導体素子を保持するとともに、それに蓄熱するのを防止する機能を果たす半導体搭載用放熱基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（発光ダイオード）や半導体集積回路等では、最近の高密度化および高出力化により放熱量が増加する傾向にある。ＬＥＤについてみると（図１１の左図参照））、そのＬＥＤは、サファイア基板の上にそれが搭載されているが、これであると、ＬＥＤの発光部から発する熱が熱伝導率の悪いサファイア基板との間に溜まりやすく（図１２の左図参照）、多くの半導体素子ではその蓄熱があると機能が低下し、特にＬＥＤではその輝度と低反射率で弊害が生じることから、それを受ける部分に熱伝導性の良好な金属製の放熱基板が使用される（図１１の右図参照）。たとえば、銅やモリブデン、タングステン、チタン等のメタルウエハーと称する金属である。そして、主にモリブデン（Ｍｏ）を銅（Ｃｕ，Ｃｕ）でサンドイッチしたもの（ＤＭＤ）が良好であることが知られている（図１２の右図参照）。
【０００３】
放熱基板に要求される性質ないし性能等については、優れた熱伝導性が求められる他に、熱による歪みがない安定性と高い機械的強度、機械加工性が要求される。また、半導体素子を取り付ける接着やロウ付け等に適すること、耐薬品性に優れていること等が求められるときもある。これらの性質は、従来、図１１、図１２の各右図に示す如く複数の金属層の結合により総合的に発揮するよう開発が進められる（特許文献１、特許文献２）。この多層構造を取る手段としては、従来、圧延方法や熱間一軸加工法が用いられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−２６８１１５号公報
【特許文献２】特許第３８６２７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
圧延方法や熱間一軸加工法は、いずれも複数枚の合せ金属材（グラッド材、グラッド金属とも称する））を重ねて圧縮することにより熱可塑性により偏平化するとともに合せ材どうしを加熱圧着してグラッド層を形成するものであるが、その接着には加熱温度、時間、圧縮強さ等の条件整合が難しく剥離しないという信頼性に乏しく、剥離が発生すると、機械的強度や放熱性能に支障（剥離部分に蓄熱する）をきたし、盛り上がりでパッケージ基板や半導体素子との結合が不安定となる等という問題があった。
【０００６】
また、異種金属の接合に伴う反りを防ぐ方法として、中心部となる母材を中心としてその上下両面に対称になるよう多種金属の合せ金属材が配置される。しかしながら、それでも熱変形の異なる異種金属を同時に加熱圧縮するため、グラッド層の厚みに偏在が生じたり、層にうねりやコロニーが生じたりしやすく、これらの発生も全体的な反りの原因となり、また、機械的強度や放熱性能に支障を招く要因となるという問題もあった。
【０００７】
この発明は、上記のような実情に鑑みて、合せ材を用いなく、用いても層の中心部の基材にのみ用いることにして鋭意研究を重ねてきたもので、各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供することを課題とした。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、この発明は、層厚の中心部となる基母材の両面に１以上の金属層をめっきにより上下対称の配置となるように形成することを特徴とする半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供する。
【０００９】
半導体搭載用放熱基板を上記のように形成したから、基母材は、合せ材の金属片単独又は合せ材の両面に多種金属の合せ材を貼りあわせてこれに使用されるもので、これには、圧延方法や熱間一軸加工法等が使用されるが、この基母材をコアとしてその両面に確実に金属層がめっきにより形成される。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように、この発明によれば、基母材以外では合せ金属材を用いなく、これを中心にめっきにより各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、上下均等且つ対称を正確に形成した構造となることとも相まって、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の第１実施例に係る半導体搭載用放熱基板の製造方法を矢印順に且つ断面模式的に示す説明図である。
【図２】同製造方法による半導体搭載用放熱基板の斜視図である。
【図３】同半導体搭載用放熱基板の使用状態を示す断面模式的に示す説明図である。
【図４】第２実施例に係る図１に対応する説明図である。
【図５】第３実施例に係る図１に対応する説明図である。
【図６】第４実施例に係る図１に対応する説明図である。
【図７】第５実施例に係る図１に対応する説明図である。
【図８】第６実施例に係る図１に対応する説明図である。
【図９】第７実施例に係る図１に対応する説明図である。
【図１０】第８実施例に係る図１に対応する説明図である。
【図１１】従来例の説明図である。
【図１２】従来例の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
この発明は、層厚のコアとなる合せ金属材からなる基母材１又は２の両面にめっき層８，８を形成し且つ上下対称に形成してめっき層半導体搭載用放熱基板Ｐを製造するものである（図３）。
基母材は、一枚の金属の単一基母材１である場合と、複数枚のサンドイッチ構造の複合基母材２である場合とがある。いずれも、合せ材として金属薄片が使用され、複合基母材２の場合であると、圧延加工法や熱間一軸加工法等により加圧して一体化される。
【００１３】
基母材１又は２の金属には、比較的熱伝導率の小さいモリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）などが使用される。なお、こうして重合された原多層材は、ウエハーのチップ化と同じくカッティングにより縦横に細分される。
【００１４】
こうして造られた基母材１又は２の両面には、上下対称に比較的熱伝導率の良好な他の金属層がめっきにより形成される。それら金属層の厚みについては、例えば、Ａｕ層であると０．０５〜１．５μｍ、Ｎｉ又はＮｉ合金層であると０．０２〜１０μｍ、Ａｕ・Ｓｎ合金層であると、０．２〜１０μｍ、Ｓｎ層であると０．２〜５．０μｍ、Ｃｕ層であると０．２〜４０μｍであることが良好である。また、このうち、特にＡｕ層７が外面であると、酸化しにくいので、パッケージ基板１０やＬＥＤ発光体１２等（図３参照）との接着性が良好であり望ましい。半導体搭載用放熱基板Ｐの他の部品との接着については、表面がＡｕ層７，７又はＳｎ層１１，１１であるきは、Ａｇ系又はＡｕ・Ｓｎ系のペーストないし接着剤が好適に使用される。
【００１５】
めっきは、電解、無電解、イオンプレーティング（ＩＰ）法等が望ましいが、めっきであれば特に限定するものではない。いずれにしても、めっきによって各金属層の厚みが上下対称で均一な層に形成され、各層が緊密に結合する。また、Ｃｕ金属層の形成については、Ｃｕめっきの他に、Ｃｕイオンプレーティング法を最適に用いることができる。
【００１６】
イオンプレーティング法は、乾式のめっきで湿式とは違い僅かな表面改質でめっき加工が可能である。Ｍｏは非常にめっきが密着しにくい金属である。面粗さを失わずにＣｕめっきを付ける場合は、イオンプレーティング法が最適である。この場合、Ｍｏの上にＣｕめっきをする際に薄膜の銅をＩＰで付けてから、電解若しくは無電解でＣｕめっきを施す工程とするので上記目的が達成される。つまり、Ｍｏの金属片の上にＣｕ層をイオンプレーティング法により例えば０．２μｍ程度形成し、その上にＣｕめっき（電解又は無電解）で施すのが最善な方法である。無電解めっきは、電解めっきと比較してめっきの均一性が良い。めっきの効率は電解めっき＞無電解＞銅めっき（電解・無電解）となる。
【実施例１】
【００１７】
図１ないし図３は実施例１を示し、複合基母材２となる広い原材としては、Ｍｏ層３をＣｕ層４，４でサンドイッチした３層構造のものを使用する（図１）。それには基母材２のＣｕ層４，４の面を研磨機１８で研磨してからＮｉめっきをその両面に施しＮｉ層５，５（層厚１．０μｍ）を形成し、さらにその両Ｎｉ層５，５にＡｕめっきを施し両面がＡｕ層７，７（層厚２μｍ）として形成する。めっき工程を経て広く製造されためっき原材は縦横カンティングにより細分化されて加工される。図２がこうして加工された製品としての放熱基板Ｐを示すが円形とは限らない。
【００１８】
図３はＬＥＤを搭載した使用状態を示したもので、パッケージ基板１０の上に接着剤１４を介して半導体搭載用放熱基板Ｐが搭載され、その上に接着剤１６を介してＬＥＤ１２が搭載される。いずれも、表面がＡｕ層７，７であるので、接着剤１４，１６の乗りが良く接着性が良好である。また、Ａｕ層７で反射してＬＥＤ１２の反射効率が良好であり、反射しなくても金属層の光の通りが良く蓄熱量が少ないという利点がある。
【実施例２】
【００１９】
図４において、前記実施例に対して前記Ａｕ層７，７がその合金となっている違いがある。つまり、めっきを施すことによりＡｕ・Ｓｎ合金層９，９として両面を形成して放熱基板Ｐが形成される。この実施例の場合も、Ａｕの性質等から上記と同じ利点がある。以下においても同じである。
【実施例３】
【００２０】
図５において、その放熱基板Ｐは、実施例１に対してそのＮｉ層５，５がＳｎ層１１，１１になっている違いがある。
【実施例４】
【００２１】
図６において、その放熱基板Ｐは、複合基母材２の両面にＡｕ層７，７をさらにその上にＳｎ層１１，１１が形成される。
【実施例５】
【００２２】
図７において、その放熱基板Ｐは、Ｍｏ層３を合せ金属材の単一基母材１としたもので、まずその両面にＣｕ層４，４をめっき（Ｃｕイオンプレーティングによることもできる）を施した場合と、Ｍｏ層３の両面にＮｉ層５，５とＣｕ層４，４を順次めっきした場合とに分けて製造される。それぞれについて次の如くである。
【００２３】
前者については、両面のＣｕ層４，４にＮｉ層５，５を、さらにＡｕ層７，７を順次めっきして形成して放熱基板Ｐを製造した。また、後者については、その両面のＣｕ層４，４にＮｉ層５，５、Ａｕ層７，７を順次めっきで形成して放熱基板Ｐを製造した。
【実施例６】
【００２４】
図８においてもＭｏ層３を単一基母材１としたもので、この場合も、まずその両面にＣｕ層４，４をめっき（Ｃｕイオンプレーティングによることもできる）を施した場合と、Ｍｏ層３の両面にＮｉ層５，５とＣｕ層４，４を順次めっきした場合とに分けられる。それぞれについて次の如くである。
【００２５】
すなわち、前者については、両面のＣｕ層４，４の上にＮｉ層５，５をめっきにより形成し、その上にそれぞれＡｕ・Ｓｎ合金層９，９をめっきし、放熱基板Ｐの原材を形成した。また、後者については、両面のＣｕ層４，４の上にＮｉ層５，５をさらにその上にＡｕ・Ｓｎ合金層９，９を形成して放熱基板Ｐの原材を構成した。
【実施例７】
【００２６】
図９において、Ｍｏ層３としての基母材１の両面にＣｕ層４，４をめっきにより形成した場合と、Ｎｉ層５，５とＣｕ層４，４を順次めっきにより形成した場合とに分けられて製造した。それぞれについてさらに次の如くである。
【００２７】
つまり、前者では、Ｃｕ層４，４にＮｉ層５，５をめっきで形成し、この上にＳｎ層１１，１１とＡｕ層７，７がめっきにより形成して放熱基板Ｐの原材が作られる。また、後者では、Ｃｕ層４，４の上にＮｉ層５，５を、その上にＳｎ層１１，１１とＡｕ層７，７をそれぞれめっきにより形成して放熱基板Ｐの原材が作られる。
【実施例８】
【００２８】
図１０において、この場合も、前記と同じであって、Ｍｏ層３としての単一基母材１の両面にＣｕ層４，４をめっきにより形成した場合と、Ｎｉ層５，５とＣｕ層４，４を順次めっきにより形成した場合とに分けられ、それぞれについてさらにめっきが施される。
【００２９】
前者の場合であると、Ｃｕ層４，４にＮｉ層５，５をめっきにより形成し、その上にＡｕ層７，７とＳｎ層１１，１１を順次めっきにより形成して放熱基板Ｐの原材が形成される。また、後者であると、Ｃｕ層４，４の上にＮｉ層５，５をめっきにより形成し、Ｎｉ層５，５の上にＡｕ層７，７とＳｎ層１１，１１が順次めっきにより形成して放熱基板Ｐの原材が作られる。
【符号の説明】
【００３０】
Ｐ  半導体搭載用放熱基板
１  単一基母材
２  複合基母材
３  Ｍｏ層
４  Ｃｕ層
５  Ｎｉ層
７  Ａｕ層
９  Ａｕ・Ｓｎ合金層
１１  Ｓｎ層