(57)【要約】【課題】本発明は、プローブ基板及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明によるプローブ基板は、複数の誘電体層で構成され、前記誘電体層に形成された内部回路パターンと前記内部回路パターンを連結するビア電極とを有するセラミック焼結体と、前記セラミック焼結体の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、前記内部回路パターンと電気的に連結され、一部または全部が前記上面及び下面のうち少なくとも一面から高さ方向に断面積が減少する多数の導電性バンプと、前記セラミック焼結体の上面及び下面のうち少なくとも一面を覆い、前記導電性バンプの一領域を開放するように形成された有機保護層と、前記導電性バンプ上に形成された導電性パッドと、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層で構成され、前記誘電体層に形成された内部回路パターンと前記内部回路パターンを連結するビア電極とを有するセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、前記内部回路パターンと電気的に連結され、一部または全部が前記上面及び下面のうち少なくとも一面から高さ方向に断面積が減少する多数の導電性バンプと、
前記セラミック焼結体の上面及び下面のうち少なくとも一面を覆い、前記導電性バンプの一領域を開放するように形成された有機保護層と、
前記導電性バンプ上に形成された導電性パッドと、
を含むプローブ基板。
【請求項２】
前記セラミック焼結体の上面及び下面のうち少なくとも一面には、前記導電性バンプと電気的に連結された表面回路パターンが形成されることを特徴とする請求項１に記載のプローブ基板。
【請求項３】
前記表面回路パターンは、印刷抵抗を含むことを特徴とする請求項２に記載のプローブ基板。
【請求項４】
前記導電性バンプは、金属ペーストの焼結により形成されることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のプローブ基板。
【請求項５】
前記導電性バンプの高さは、３μｍから３０μｍであることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載のプローブ基板。
【請求項６】
前記有機保護層は、テフロン（登録商標）、ポリイミド、ポリエーテル・エーテル・ケトンまたはエポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載のプローブ基板。
【請求項７】
前記有機保護層の厚さは、５μｍから５０μｍであることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載のプローブ基板。
【請求項８】
複数の誘電体層で構成され、前記誘電体層に形成された内部回路パターンと前記内部回路パターンを連結するビア電極とを有するセラミック焼結体を設けるステップと、
前記セラミック焼結体の上面及び下面のうち少なくとも一面に前記内部回路パターンと電気的に連結され、一部または全部が前記上面及び下面のうち少なくとも一面から高さ方向に断面積が減少する多数の導電性バンプを形成するステップと、
前記セラミック焼結体の上面及び下面のうち少なくとも一面を覆い、前記導電性バンプの一領域を開放するように有機保護層を形成するステップと、
前記導電性バンプ上に導電性パッドを形成するステップと、
を含むプローブ基板の製造方法。
【請求項９】
前記セラミック焼結体は、ＬＴＣＣ工程により形成されることを特徴とする請求項８に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記導電性バンプと電気的に連結された表面印刷抵抗を形成するステップを含むことを特徴とする請求項８または９に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記導電性バンプの形成は、前記導電性バンプの形状に対応する隔壁が形成されたスクリーンマスクを用いたスクリーン印刷工程により形成されることを特徴とする請求項８から１０の何れか１項に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記導電性バンプの形成は、スクリーン印刷工程を通じて一定の断面積を有するように金属ペーストを印刷した後、前記断面積より小さいサイズを有する金属ペーストを積層する方法により形成されることを特徴とする請求項８から１１の何れか１項に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記有機保護層は、前記導電性バンプの焼結工程後に形成されることを特徴とする請求項８から１２の何れか１項に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記有機保護層の表面研磨工程を含むことを特徴とする請求項８から１３の何れか１項に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記導電性パッドと電気的に連結される探針部を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８から１４の何れか１項に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記導電性パッドと電気的に連結される探針部を形成するステップは、
基板本体と導電性物質からなる探針部を備える基板を設けるステップと、
前記導電性パッドに前記探針部を接合させるステップと、
前記基板から前記基板本体を除去して前記探針部を外部に露出させるステップと、を含むことを特徴とする請求項１５に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記基板本体は、シリコンウェハであることを特徴とする請求項１６に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記基板本体を除去して前記探針部を外部に露出させるステップは、前記基板本体を湿式エッチングすることによって行われることを特徴とする請求項１６または１７に記載のプローブ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブ基板及びその製造方法に関し、より具体的には、探針部が安定して形成されることができるプローブ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ウェハ等に配置された集積回路は、その電気的特性に対するテスト段階を通じて集積回路が不良か否かの判断をしなければならない。良好な集積回路だけが選別されて後続するパケット工程に入るようになり、パッケージ工程済みの集積回路は、他の電気的テストをさらに経てパッケージ工程における不良による不良品が選択され、最終完製品の歩留りが向上する。
【０００３】
換言すると、集積回路は、製造及び後続する段階において必ず電気的特性に対する数回のテストを受けなければ正常な製品になり得ない。このような集積回路のテスト方式は、複数のプローブを有する集積回路プローブカードを用いて直接そのプローブと集積回路とを接触することによって集積回路の電気的特性が良好であるか否かを測定する。
【０００４】
即ち、ウェハ上に形成されたチップは、プロービングテスト（Ｐｒｏｂｉｎｇ  ｔｅｓｔ）によって良品及び不良品に選別され、上記良品として選別されたチップはパッケージング（Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）されて外部に出荷される。このようなプロービングテストは、ウェハ上に具現されたチップの電極パッドと接触したプローブカードのプローブチップを通じて、テスト装置が所定の電気信号を印加した後、これに対応する電気信号を改めてテスト装置が受信することによって、ウェハ上に具現されたチップが正常であるか否かをテストするようになる。
【０００５】
プローブ基板にプローブを形成するためには、プローブの形成時に使用される化学物質等に対する耐性が要求され、プローブ基板の平坦度を維持することが重要である。
【０００６】
また、プローブ基板にプローブの形成のための使用可能面積を確保することが要求される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、探針部が安定して形成されることができるプローブ基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するための本発明の一実施形態は、複数の誘電体層で構成され、上記誘電体層に形成された内部回路パターンと上記内部回路パターンを連結するビア電極とを有するセラミック焼結体と、上記セラミック焼結体の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、上記内部回路パターンと電気的に連結され、一部または全部が上記上面及び下面のうち少なくとも一面から高さ方向に断面積が減少する多数の導電性バンプと、上記セラミック焼結体の上面及び下面のうち少なくとも一面を覆い、上記導電性バンプの一領域を開放するように形成された有機保護層と、上記導電性バンプ上に形成された導電性パッドと、を含むプローブ基板を提供する。
【０００９】
上記セラミック焼結体の上面及び下面のうち少なくとも一面には、上記導電性バンプと電気的に連結された表面回路パターンが形成されることができ、上記表面回路パターンは、印刷抵抗を含むことができる。
【００１０】
上記導電性バンプは、金属ペーストの焼結により形成されることができる。
【００１１】
上記導電性バンプの高さは、３μｍから３０μｍであることができる。
【００１２】
上記有機保護層は、テフロン（登録商標）、ポリイミド、ポリエーテル・エーテル・ケトンまたはエポキシ樹脂からなることができる。
【００１３】
上記有機保護層の厚さは、５μｍから５０μｍであることができる。
【００１４】
本発明の他の実施形態は、複数の誘電体層で構成され、上記誘電体層に形成された内部回路パターンと上記内部回路パターンを連結するビア電極とを有するセラミック焼結体を設けるステップと、上記セラミック焼結体の上面及び下面のうち少なくとも一面に上記内部回路パターンと電気的に連結され、一部または全部が上記上面及び下面のうち少なくとも一面から高さ方向に断面積が減少する多数の導電性バンプを形成するステップと、上記セラミック焼結体の上面及び下面のうち少なくとも一面を覆い、上記導電性バンプの一領域を開放するように有機保護層を形成するステップと、上記導電性バンプ上に導電性パッドを形成するステップと、を含むプローブ基板の製造方法を提供する。
【００１５】
上記セラミック焼結体は、ＬＴＣＣ工程により形成されることができる。
【００１６】
上記プローブ基板の製造方法は、導電性バンプと電気的に連結された表面印刷抵抗を形成するステップを含むことができる。
【００１７】
上記導電性バンプの形成は、上記導電性バンプの形状に対応する隔壁が形成されたスクリーンマスクを用いたスクリーン印刷工程により形成されることができる。
【００１８】
または、上記導電性バンプの形成は、スクリーン印刷工程を通じて一定の断面積を有するように金属ペーストを印刷した後、上記断面積より小さいサイズを有する金属ペーストを積層する方法により形成されることができる。
【００１９】
上記有機保護層は、導電性バンプの焼結工程後に形成されることができる。
【００２０】
上記プローブ基板の製造方法は、有機保護層の表面研磨工程を含むことができる。
【００２１】
上記プローブ基板の製造方法は、導電性パッドと電気的に連結される探針部を形成するステップをさらに含むことができる。
【００２２】
上記導電性パッドと電気的に連結される探針部を形成するステップは、上記基板本体と導電性物質からなる探針部を備える基板を設けるステップと、上記導電性パッドに上記探針部を接合させるステップと、上記基板から上記基板本体を除去して上記探針部を外部に露出させるステップと、を含むことができる。
【００２３】
上記基板本体は、シリコンウェハであることができ、上記基板本体を除去して上記探針部を外部に露出させるステップは、上記基板本体を湿式エッチングすることによって行われることができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によると、探針部をセラミック焼結体に接着する過程でセラミック焼結体を保護することができる有機保護層を採用することによって耐化学性及び耐湿性が向上する。また、セラミック焼結体表面の平坦度に優れており、セラミック焼結体に形成される表面回路パターンの使用可能面積が拡大される。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態によるプローブ基板を含むプローブカードを概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態によるプローブ基板を概略的に示す断面図である。
【図３ａ】本発明の一実施形態によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図３ｂ】本発明の一実施形態によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図３ｃ】本発明の一実施形態によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図３ｄ】本発明の一実施形態によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図３ｅ】本発明の一実施形態によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図３ｆ】本発明の一実施形態によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図３ｇ】本発明の一実施形態によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図４ａ】本発明の一実施形態によるプローブ基板に探針部を形成する方法を説明するための工程別断面図である。
【図４ｂ】本発明の一実施形態によるプローブ基板に探針部を形成する方法を説明するための工程別断面図である。
【図４ｃ】本発明の一実施形態によるプローブ基板に探針部を形成する方法を説明するための工程別断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、添付された図面を参照し、本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００２７】
しかし、本発明の実施形態は、様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態のみに限定されるわけではない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野において通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における構成要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張することもあり、図面上において同一の符号で示される構成要素は同一の構成要素である。
【００２８】
図１は、本発明の一実施形態によるプローブ基板を含むプローブカードを概略的に示す断面図である。
【００２９】
図１を参照すると、プローブカードは、パフォーマンスボード２００と、プローブ基板１００と、プローブ１５０とを含む。
【００３０】
パフォーマンスボード２００は、円板で形成されることができ、上面及び下面を有する。上面には、検査工程のためのプローブ回路パターン（不図示）が形成されており、隣接するプローブ回路パターンの間にはグルーブ（ｇｒｏｏｖｅ）が形成されることができる。下面には、インターポーザが装着されることができ、インターポーザにはプローブ基板１００が連結されている。
【００３１】
テスト装置によって、所定の電気信号がパフォーマンスボードを介してプローブ基板に伝達する。
【００３２】
プローブ基板に形成された探針部１５０がウェハ上に具現されたチップの電極パッドと接触する。パフォーマンスボードを介して伝達された所定の電気信号は、ウェハ上の電極パッドを経た後、さらにテストに伝達され、ウェハ上に具現されたチップが正常であるか否かをテストするようになる。
【００３３】
図２は、本発明の一実施形態によるプローブ基板１００を概略的に示す断面図である。
【００３４】
本実施形態によるプローブ基板は、セラミック焼結体１１０と、上記セラミック焼結体の上面に形成された多数の導電性バンプ１２１、１２２と、上記セラミック焼結体の上面に形成された有機保護層１３０と、上記導電性バンプに形成された導電性パッド１４０とを含む。
【００３５】
上記セラミック焼結体１１０は、複数の誘電体層が積層された構造であり、上記誘電体層には内部回路パターン１１１と、上記内部回路パターンを連結するビア電極１１２とが形成されている。
【００３６】
上記内部回路パターン１１１は、抵抗、インダクタンス、コンデンサ等の受動素子を含むことができる。
【００３７】
上記セラミック焼結体１１０は、低温同時焼成セラミック（以下、ＬＴＣＣ）焼結体であってもよい。
【００３８】
プローブ基板に提供されるセラミック焼結体の場合、探針部との接合過程において強酸や強塩基等により化学的な影響を受けることがあり、これを防止するために高温同時焼成セラミック（以下、ＨＴＣＣ）焼結体を使用することが一般的であるが、本実施形態では、後述するように、有機保護層を採用することによってＬＴＣＣ焼結体を使用することができる。即ち、ＨＴＣＣの場合、約１５００〜１７００℃で焼成が行われ、導電性物質としてＷ、Ｍｏ等を使わなければならないという問題があるため工程費用が高くなり、大面積の精密パターンに対する寸法精度を具現し難しいという問題があるため、本実施形態では、ＬＴＣＣ工程を適用してこのような問題を解決するとともに、プローブ基板に採用する場合でもセラミック焼結体の化学的被害を最小化することができる。
【００３９】
上記セラミック焼結体１１０の上面には、上記内部回路パターン１１１と電気的に連結される多数の導電性バンプ１２１、１２２が形成されている。
上記多数の導電性バンプのうち一部は、導電性バンプが形成されたセラミック焼結体の上面または下面から外部に行くほど断面積が減少する形状を有することができる。
【００４０】
この時、導電性バンプの高さは、３μｍから３０μｍで形成されることができ、セラミック焼結体と触れ合う部分の断面積は５０μｍで形成し、高さ方向にその断面積が減少することができる。
【００４１】
このような形状を有する導電性バンプ１２２は、有機保護層１３０の形成を有利にする。また、導電性パッド１４０が形成されることができる使用可能面積を広げることができる。
【００４２】
上記導電性バンプ１２１、１２２は、金属ペーストにより形成されることができ、上記金属は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ及びこれらの合金を使用することができる。
【００４３】
上記導電性バンプ１２１、１２２は、金属ペーストで導電性バンプを形成し、焼結して形成されることができる。その後、有機保護層１３０が形成されることができるが、これに対するより具体的な方法は後述する。
【００４４】
また、上記セラミック焼結体の上面または下面には、上記導電性バンプ１２１、１２２と連結された表面回路パターン１２３、１２４が形成されることができる。
【００４５】
表面回路パターンは、表面印刷抵抗１２４を含むことができ、印刷抵抗が表面に形成されることによって、トリミング工程により抵抗値の調節を容易に行うことができる。
【００４６】
また、導電性バンプ及び有機保護層により探針部が形成されるが、探針部と表面回路パターンは同一面に存在しない。これによって表面回路パターンが形成されることができる使用可能面積が拡大される。
【００４７】
上記セラミック焼結体１１０の上面には有機保護層１３０が形成されている。上記有機保護層は、セラミック焼結体１１０の上面を覆うように形成され、導電性バンプ１２１、１２２の一領域を開放するように形成される。
【００４８】
上記有機保護層１３０は、セラミック焼結体に探針部を形成する工程において、強酸や強塩基等による化学的影響を最小化することができる。また、セラミック焼結体に表面回路パターンが形成されても、有機保護層１３０によりセラミック焼結体の平坦度が向上し、探針部が安定して形成されることができる。
【００４９】
上記有機保護層１３０は、テフロン（ＰＴＦＥ、テトラフロロエチレン樹脂）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）、エポキシ樹脂等からなることができる。テフロンは、耐化学性と腐食性、耐湿性等に優れており、有機保護層１３０として適する。
【００５０】
上記有機保護層１３０の厚さは、セラミック焼結体１１０の保護機能を行うために、上記導電性バンプ１２１、１２２の高さより大きいかまたは同一であることが好ましく、上記導電性バンプ１２１、１２２の高さを考慮すると、例えば、５μｍから５０μｍ程度の厚さを有することが好ましい。
【００５１】
上記導電性パッド１４０には探針部１５０が形成されることができ、上記探針部１５０はテスト工程でウェハ上に具現されたチップの電極パッドと接触する。
【００５２】
図３ａから図３ｇは、本発明の一実施形態によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【００５３】
先ず、図３ａに示すように、複数の誘電体層を積層してセラミック積層体１１０を設ける。
【００５４】
上記セラミック積層体１１０は、複数の誘電体層を積層して形成し、各誘電体層には、内部回路パターン１１１と上記内部回路パターン１１１を連結するビア電極１１２とを形成する。
【００５５】
上記内部回路パターン１１１は、抵抗、インダクタンス、コンデンサ等の受動素子を含むことができる。
【００５６】
上記セラミック積層体１１０は、低温同時焼成セラミック（以下、ＬＴＣＣ）焼結体であってもよい。このため、ドクターブレード工程のような当該技術分野において公知の方法でセラミックグリーンシートを設け、上記セラミックグリーンシートに導電性ビア、内部回路パターンを適切に形成した後、これらを積層してセラミック積層体を形成する。その後、セラミック積層体を約７００〜９００℃で焼成してセラミック焼結体１１０が得られる。
【００５７】
プローブ基板に提供されるセラミック焼結体の場合、探針部との接合過程において強酸や強塩基等により化学的に影響を受けることがあり、これを防止するために高温同時焼成セラミック（以下、ＨＴＣＣ）焼結体を使用することが一般的であるが、本実施形態では、後述するように、保護層を採用することによってＬＴＣＣ焼結体を使用することができる。即ち、ＨＴＣＣの場合、約１５００〜１７００℃で焼成が行われ、導電性物質としてＷ、Ｍｏ等を使わなければならないという問題があるため工程費用が高くなり、大面積の精密パターンに対する寸法精度を具現し難いという問題があるため、本実施形態では、ＬＴＣＣ工程を適用してこのような問題を解決するとともに、プローブ基板に採用する場合でもセラミック焼結体の化学的被害を最小化することができる。
【００５８】
次に、セラミック焼結体の上面及び下面のうち少なくとも一面に多数の導電性バンプ１２１、１２２を形成する。上記導電性バンプ１２１、１２２は、セラミック焼結体の内部回路パターンと電気的に連結されるように形成される。
【００５９】
上記導電性バンプ１２２の一部は、導電性バンプが形成されたセラミック焼結体の上面または下面から外部に行くほど断面積が減少する形状を有することができる。
【００６０】
導電性バンプの形成方法は特に限らないが、例えば、スクリーン印刷方法により形成されることができる。
【００６１】
図３ｂに示すように、メッシュ網Ｍに、形成しようとする導電性バンプに対応する隔壁Ｗを形成してスクリーンマスクを製造する。隔壁Ｗは、エマルション及びゴムのような高分子物質、または銅、ニッケル、銀、金等の金属材料で形成されることができる。
【００６２】
上記スクリーンマスクに金属ペーストを得て、スキージで圧着する。図３cに示すように、上記隔壁に対応する導電性バンプを形成する。
【００６３】
また、上記導電性バンプの形成は、上記導電性バンプに対応する形状を有する隔壁を含むスクリーンマスクを用いた方法以外に、スクリーン印刷工程を段階的に行って形成することができる。即ち、一定の断面積を有するように金属ペーストを形成した後、段階的に上記一定の断面積より小さい断面積を有するように金属ペーストを積層することによって形成されることができる。
【００６４】
次に、図３ｄに示すように、上記セラミック焼結体の上面または下面に上記導電性バンプと電気的に連結される表面回路パターン１２３、１２４を形成する。表面回路パターンは、表面印刷抵抗１２４を含むことができる。印刷抵抗が表面に形成されることによって、トリミング工程により抵抗値の調節を容易に行うことができる。
【００６５】
その後、焼結工程を行い、上記金属ペーストを焼結して導電性バンプを形成する。焼結温度は、３００℃から１３００℃であることができる。
【００６６】
次に、図３ｅに示すように、上記セラミック焼結体の上面を覆うように有機保護層１３０を形成する。有機保護層１３０は、上記導電性バンプ１２１、１２２の焼結工程後に形成される。
【００６７】
上記有機保護層１３０の形成は、これに限られるものではないが、ＣＶＤ、電子ビーム蒸着法（Ｅ−ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、スピンコーティング（Ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）等の方法で形成されることができる。
【００６８】
上記有機保護層１３０は、追って行われる、探針部を導電性パッド１４０に形成するか、または、付着する過程で使用される強酸や強塩基からセラミック焼結体１１０を保護するために採用されたものである。
【００６９】
図３ｅに示すように、本実施形態の場合、有機保護層１３０が導電性バンプ１２１、１２２より大きい厚さを有するように設定され、その後、導電性バンプ１２１、１２２の上面は探針部との接着のために開放される。
【００７０】
次に、図３ｆに示すように、有機保護層の表面を研磨して、上記導電性バンプの一領域が開放されるようにすることができる。上記表面研磨は、これに限られるものではなく、ポリッシング（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、ラッピング（ｌａｐｐｉｎｇ）、ＣＭＰ等により行われることができる。
【００７１】
また、上記表面研磨工程は、必しも必要な段階ではなく、最初から上記導電性バンプの一領域を開放するように有機保護層を形成することもできる。
【００７２】
次に、図３ｇに示すように、導電性バンプ１２１、１２２に導電性パッド１４０を形成する。
【００７３】
上記導電性パッド１４０は、Ａｇ、Ａｌ等の導電性物質からなり、後述するように、プローブチップに該当する探針部との接合領域として提供される。但し、このような機能の他にも、上記導電性パッド１４０は外部電極として機能することもできる。
【００７４】
次に、セラミック焼結体に探針部を形成する。探針部は、既に形成されたＭＥＭＳ構造物を取り付けるか、または、上記セラミック焼結体の上面または下面に形成することができる。
【００７５】
図４ａから図４ｃは、本発明の一実施形態によるプローブ基板に探針部を形成する方法を説明するための工程別断面図である。
【００７６】
図４ａは、既に形成されたＭＥＭＳ構造物を取り付ける方法を説明するためのものであって、図４ａに示すように、内部に探針部１５０を備える基板を設ける。上記基板は、探針部１５０を除いた残りの部分である基板本体１６０が、シリコンを含む物質からなることが好ましい。
【００７７】
即ち、図４ａに示す基板は、シリコンウェハ内部に、Ａｇ、Ｎｉ等からなる探針部１５０が含まれた構造として理解することができる。探針部１５０を備える基板は、当該技術分野において公知の方法、例えば、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）工程により製造することができる。即ち、所望するシリコンウェハの模様を有するように、適切にエッチングした後、導電性物質を充填することによって探針部を形成することができる。
【００７８】
一方、図４ａでは探針部１５０が基板内部のみに形成された構造を示したが、場合によって上記探針部１５０の一部は基板の外部に形成されることができる。また、図３ｆに続いて有機保護層の形成後に探針部１５０を備える基板を設ける場合について説明したが、上記基板は、後述する接合工程以前であればセラミック焼結体の形成と関係なく、いつでも設けられる。
【００７９】
次に、図４ｂに示すように、上記基板と上記セラミック焼結体１１０とを接合する。この場合、上記導電性パッド１４０に上記探針部１５０を接合させて両者を電気的に連結し、これによって、セラミック焼結体１１０、即ち、ＬＴＣＣ基板にプローブチップ（探針部）が取り付けられた構造を得ることができる。
【００８０】
本ステップの場合、導電性物質、主にＡｇ等の金属からなる構造を互いに電気的に連結できる如何なる方法も使用されることができ、例えば、上記探針部１５０と上記導電性パッド１４０との間にＡｕ／Ｓｎ等の共融物質からなるソルダーを介在した後、これを溶融させる方法が挙げられる。
【００８１】
次に、図４ｃに示すように、基板本体１６０を除去して探針部１５０を外部に露出させることでプローブ基板の全体構造を完成させる。基板本体１６０の場合、上述したように、シリコンウェハであってもよく、ＨＦ、ＨＣｌ等の強酸やＫＯＨ、ＴＭＡＨ（Ｔｒｉ  Ｍｅｔｈｙｌ  Ａｍｍｏｎｉｕｍ  Ａｎｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）等の強塩基を使用して除去してもよい。
【００８２】
このように、基板本体１６０を除去するためには、強酸や強塩基の使用が要求され、このような物質がセラミック焼結体１１０の内部、特に、内部回路パターン１１１やビア電極１１２に到逹する場合は、プローブ基板の物理的・電気的特性が大きく低下されかねない。これを防止するために、強酸や強塩基にほとんど反応しないか、または、これらがセラミック焼結体１１０の内部まで到逹され得ないほどの厚さを有する保護層１３０を形成したものである。
【００８３】
本発明は、上述した実施形態及び添付された図面によって限定されるものではなく、添付された請求範囲によって限定される。従って、請求範囲に記載の本発明の技術的思想を外れない範囲内において様々な形態の置換、変形及び変更が可能であることは当技術分野において通常の知識を有する者には自明であり、これも添付された請求範囲に記載された技術的思想に属する。
【符号の説明】
【００８４】
１００    プローブ基板
１１０    セラミック焼結体
１２１、１２２    導電性バンプ
１３０    有機保護層
１４０    導電性パッド
１５０    探針部
１６０    基板本体
【図１】
2011085572.tif 000003
【図２】
2011085572.tif 000004
【図３ａ】
2011085572.tif 000005
【図３ｂ】
2011085572.tif 000006
【図３ｃ】
2011085572.tif 000007
【図３ｄ】
2011085572.tif 000008
【図３ｅ】
2011085572.tif 000009
【図３ｆ】
2011085572.tif 000010
【図３ｇ】
2011085572.tif 000011
【図４ａ】
2011085572.tif 000012
【図４ｂ】
2011085572.tif 000013
【図４ｃ】
2011085572.tif 000014