(57)【要約】【課題】基板処理コストの大幅な増大を抑制しつつ、基板の加熱処理における加熱ムラの発生を軽減する技術を提供する。【解決手段】加熱プレート９は、基板９に対向する表面部分に、加熱された気体を噴出する吐出口１０１が設けられている。吐出口１０１は比較的開口の広い第１孔Ｈ１と、第１孔Ｈ１および内部流路１０２に連通する比較的開口が狭い第２孔Ｈ２とで形成されている。このように第１孔Ｈ１の開口が比較的広いために、第２孔Ｈ２を通過したエアは、第１孔Ｈ１において開口全体に拡散し、吐出口１０１から噴出するエアの流速を弱めることができる。したがって、基板９が局所的に加熱されることを軽減できる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を加熱処理する基板処理装置であって、
基板と対向する表面の部分に気体を噴出する吐出口が設けられた、基板を加熱するプレートと、
前記吐出口から噴出させる気体を前記プレート内部に供給する気体供給部と、
を備え、
前記吐出口は、内部から前記プレートの前記表面に向けて開口が大きくなる部分を含む基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記吐出口から噴出する気体が、所定温度に加熱されている基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記吐出口は、その内部から前記表面に向かって同心円状に開口が大きくなる部分を含む基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の基板処理装置において、
前記吐出口は、
前記表面においてスリット状に開口するスリット状孔と、
開口の大きさが前記スリット状孔よりも小さくかつ前記スリット状孔に連通する接続孔と、で形成される基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の基板処理装置において、
前記吐出口の内壁面は、内部から前記表面に向かって次第に前記吐出口の開口が大きくなるように傾斜する部分を含む基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項に記載の基板処理装置において、
前記吐出口は、内部から前記表面に向かって開口の大きさが不連続的に大きくなっており、前記気体が滞留する滞留部を形成する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を加熱処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、記録ディスク用基板等の基板の製造工程では、基板に対する加熱処理が適宜に行われる。例えば、基板のフォトリソグラフィ工程では、基板の表面にレジスト液が塗布された後、基板の表面とレジストとの密着性を向上させるために、基板を加熱処理している。このような加熱処理を行う基板処理装置は、例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
特許文献１の基板処理装置は、複数の吐出孔から気体を吐出することにより、高温のプレート上で基板に浮上力を付与しながら、加熱処理する。また、あらかじめ加熱した気体を基板に吹き付けることによって、基板の加熱処理を促進している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１６５４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、従来の基板処理装置では、基板の表面のうち、気体が吹き付けられる部分とそうでない部分とで温度差が生じ易いため、加熱ムラが発生する虞がある。そこで、加熱ムラの発生を抑制する技術が求められている。
【０００６】
例えば、基板とプレートとの間の離間距離を大きくすることにより、加熱ムラの発生をある程度抑制することは可能である。しかしこの場合、加熱効率を維持するためには、基板に吹き付ける気体の量を増やすか、または、気体の温度をさらに上昇させておくことが必要となり、いずれの場合も、基板の処理コストが大幅に増大してしまう。
【０００７】
そこで本願では、基板処理コストの大幅な増大を抑えつつ、基板の加熱処理における加熱ムラの発生を軽減する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、第１の態様は、基板を加熱処理する基板処理装置であって、基板と対向する表面の部分に気体を噴出する吐出口が設けられた、基板を面状に加熱するプレートと、前記吐出口から噴出させる気体を前記プレート内部に供給する気体供給部と、を備え、前記吐出口は、内部から前記プレートの前記表面に向けて開口が大きくなる部分を含む。
【０００９】
第２の態様は、第１の態様に係る基板処理装置において、前記吐出口から噴出する気体が、所定温度に加熱されている。
【００１０】
第３の態様は、第１または第２の態様に係る基板処理装置において、前記吐出口は、その内部から前記表面に向かって同心円状に開口が大きくなる部分を含む。
【００１１】
第４の態様は、第１から第３までの態様のいずれか１態様に係る基板処理装置において、前記吐出口は、前記表面においてスリット状に開口するスリット状孔と、開口の大きさが前記スリット状孔よりも小さくかつ前記スリット状孔に連通する接続孔と、で形成される。
【００１２】
第５の態様は、第１から第４までの態様のいずれか１態様に係る基板処理装置において、前記吐出口の内壁面は、内部から前記表面に向かって次第に前記吐出口の開口が大きくなるように傾斜する部分を含む。
【００１３】
第６の態様は、第１から第５までの態様のいずれか１態様に係る基板処理装置において、前記吐出口は、内部から前記表面に向かって開口の大きさが不連続的に大きくなっており、前記気体が滞留する滞留部を形成する。
【発明の効果】
【００１４】
第１から第５までの態様に係る基板処理装置によれば、吐出口から噴出させる気体の流量を維持したまま、気体の流速を適度に弱めることができる。したがって、加熱ムラの発生を軽減できる。
【００１５】
特に、第２の態様に係る基板処理装置によれば、吐出口から噴出する高温の気体の流速を弱めることができるため、基板の加熱処理を促進しつつ、加熱ムラの発生を軽減できる。
【００１６】
特に、第３の態様に係る基板処理装置によれば、同心円状に吐出口が設けられているため、吐出口から噴出する気体の流速を比較的均一に抑制できる。したがって、加熱ムラの発生を軽減できる。
【００１７】
特に、第４の態様に係る基板処理装置によれば、吐出口の開口形状をスリット状にすることよって、気体の流速を適度に弱めることができる。
【００１８】
特に、第５の態様に係る基板処理装置によれば、気体の流れが、傾斜面に沿って吐出口内に広がるため、吐出口全体から均一に気体を噴出させることができる。
【００１９】
特に、第６の態様に係る基板処理装置によれば、不連続に開口の大きさを変化させることで、吐出口から噴出する気体の一部を吐出口内に一時的に滞留させることができる。したがって、吐出口から噴出する気体の流速を適度に弱めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態に係る基板処理装置の斜視図である。
【図２】基板処理装置の上面図である。
【図３】図２に示すIII−III線断面図である。
【図４】加熱プレートの上面図である。
【図５】図４に示すＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】加熱プレートの吐出口近傍を拡大して示す斜視図である。
【図７】加熱プレートの吐出口部分を拡大して示す縦断面図である。
【図８】フリーローラとその近傍の部位の縦断面図である。
【図９】第２実施形態に係る加熱プレートの上面図である。
【図１０】加熱プレートの吐出口近傍を拡大して示す斜視図である。
【図１１】第３実施形態に係る加熱プレートの吐出口近傍を拡大して示す斜視図である。
【図１２】第４実施形態に係る加熱プレートの吐出口近傍を拡大して示す斜視図である。
【図１３】搬送ローラのその他の配置例を示す側面図である。
【図１４】搬送ローラおよびフリーローラのその他の配置例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２２】
＜１．第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の斜視図である。図２は、基板処理装置１の上面図である。また、図３は、図２に示すIII−III線断面図である。なお、以下の説明では、基板９が搬送される方向を「搬送方向」と称し、搬送方向に直交する水平方向を「幅方向」と称する。また図面においては、搬送方向および幅方向を矢印で示している。ただし、これは説明の便宜のために定義されるものであって、以下で説明する各要素の位置関係を限定するものではない。
【００２３】
基板処理装置１は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板９（以下、単に「基板９」という）の表面を選択的にエッチングするフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布後の基板９に加熱処理を行う装置である。基板９の製造工程では、例えば複数台の基板処理装置１が、搬送方向に沿って配列される。基板９は、複数台の基板処理装置１上において搬送されながら、加熱処理を受ける。
【００２４】
図１〜図３に示すように、基板処理装置１は、加熱プレート１０を備えている。加熱プレート１０は、その上面に沿って搬送される基板９を加熱するためのプレートである。加熱プレート１０は、略矩形の平板状に形成されている。図３中に拡大して示すように、加熱プレート１０は、上段プレート１１、下段プレート１２、ヒータ１３、および押さえ板１４を、上から順に積層させた構造を有している。
【００２５】
上段プレート１１、下段プレート１２、および押さえ板１４は、例えば、アルミニウム等の金属により形成されている。押さえ板１４は、下段プレート１２との間でヒータ１３を保持する役割を果たす。ヒータ１３は薄板状の発熱体であり、例えばステンレスのエッチングにより形成されるが、このようなものに限定されない。また、ヒータ１３は、所定の電源装置（図示省略）に接続されている。
【００２６】
電源装置からヒータ１３へ電流を与えると、ヒータ１３は、その抵抗に応じて発熱する。ヒータ１３から発生した熱は、下段プレート１２および上段プレート１１へ伝導し、下段プレート１２および上段プレート１１を昇温させる。加熱プレート１０上において搬送される基板９は、上段プレート１１の上面からの輻射熱を受けて加熱される。
【００２７】
また、加熱プレート１０の上面には、基板９の下面へ向けて加熱された清浄な空気（エア）を噴出する、複数の吐出口１０１が形成されている。吐出口１０１は、加熱プレート１０の上面において、搬送方向および幅方向に沿って等間隔に配置されている。
【００２８】
図４は、加熱プレート１０の上面図である。また、図５は、図４に示すＶ−Ｖ線断面図である。図４および図５に示すように、加熱プレート１０の内部には、複数の吐出口１０１へエアを送るための内部流路１０２が形成されている。本実施形態では、上段プレート１１の下面に形成された溝と、下段プレート１２の上面とに囲まれた空間が、内部流路１０２となっている。内部流路１０２は、加熱プレート１０の下面側に形成された導入口１０３から、各吐出口１０１まで、複数本に分岐しつつ、フリーローラ３０と重ならないように延設されている。
【００２９】
導入口１０３には、内部流路１０２へエアを供給するための給気管１５１が接続されている。給気管１５１の上流側の端部は、エア供給原１５２に接続されている。また、給気管１５１には、開閉弁１５３とヒータ１５４とが、介挿されている。
【００３０】
開閉弁１５３を開放すると、エア供給源１５２から給気管１５１へ、圧縮されたエアが供給される。エアは、ヒータ１５４により加熱された後、導入口１０３を介して、内部流路１０２へ導入される。そして、内部流路１０２を通って各吐出口１０１へ送られたエアは、複数の吐出口１０１から上方へ向けて噴出され、基板９の下面に吹き付けられる。加熱プレート１０上において搬送される基板９は、比較的高温のエアからの熱を受けて加熱されるとともに、加熱プレート１０表面に対して浮上するための浮上力が付与される。
【００３１】
このように、本実施形態の基板処理装置１は、加熱プレート１０の上面からの輻射熱により基板９を加熱する第１加熱手段と、加熱プレート１０の上面から高温のエアを噴出することにより基板９を加熱する第２加熱手段とを有している。このため、輻射熱のみで基板９を加熱する場合よりも、効率よく基板９を加熱できる。
【００３２】
図６は、加熱プレート１０の吐出口１０１近傍を拡大して示す斜視図である。また図７は、加熱プレート１０の吐出口１０１部分を拡大して示す縦断面図である。図６，７に示すように、吐出口１０１は、加熱プレート１０の上面部分において円筒状に設けられた第１孔Ｈ１と、第１孔Ｈ１および内部流路１０２に対して空間的に連通する円筒状の第２孔Ｈ２とで形成されている。
【００３３】
第１孔Ｈ１，第２孔Ｈ２の中心位置は、吐出孔１０１の深さ方向（ここでは、鉛直方向）に沿って延びる軸Ｐに一致している。このように第１孔Ｈ１および第２孔Ｈ２とは、同心円状に開口している。換言すれば、吐出孔１０１を上方から見た場合、第１孔Ｈ１および第２孔Ｈ２の縁部分が同心円を形成している。
【００３４】
また第２孔Ｈ２の口径ｂは、第１孔Ｈ１の口径ａよりも小さくなっており（ａ＞ｂ）、吐出口１０１の口径が、内部から加熱プレート１０上面に向かって大きくなっている。より詳細には、第１孔Ｈ１と第２孔Ｈ２との境界部分において、吐出口１０１の開口の口径がｂからａへと不連続的に変化している。
【００３５】
内部流路１０２に供給されたエアは、図７中矢印で示すように、まず第２孔Ｈ２に侵入する。第１孔Ｈ１と第２孔Ｈ２との境界部分において、吐出孔１０１の口径が広がっているため、エアの一部は、第１孔Ｈ１において側方に広がるように流れ、さらに第１孔Ｈ１の内壁面Ｈ１Ｓに当たって下方へ流れる。したがって、第１孔Ｈ１は、エアが一時的に滞留する滞留部を形成する。
【００３６】
またこのような滞留部が形成されることより、吐出口１０１から噴出するエアの流速が適度に低減される。したがって、基板９に対してエアを穏やかに当てることができるとともに、比較的広い範囲（少なくとも第１孔Ｈ１の開口より広い範囲）にエアを噴出できる。これにより、基板９が局所的に温度上昇することを抑制できる。また、吐出孔１０１から噴出するエアの流量は変わらないため、基板９の加熱効率は維持される。
【００３７】
また、十分にエアの流速を抑えるためには、第１孔Ｈ１の深さｈが第２孔Ｈ２の口径ｂよりも十分に大きい方が好ましい。第１孔Ｈ１を深くすることによって、口径の広い第１孔Ｈ１部分において、エアの流れを内壁面Ｈ１Ｓ側へ十分に広げることができる。これにより、エアの流速を良好に弱めることできる。
【００３８】
また、吐出口１０１のように同心円状に開口を形成する場合、吐出口１０１の各位置におけるエアの流速が、軸Ｐを中心に対称的に分布しやすくなる。したがって、吐出口１０１から噴出するエアの流速を均一に弱めることが容易になる。
【００３９】
なお、本実施形態では、第１孔Ｈ１，第２孔Ｈ２の開口形状を円形としているが、楕円形や、あるいは四角形などの多角形にしてもよい。また、第２孔Ｈ２と内部流路１０２との間に、第２孔Ｈ２とは開口の大きさが異なる孔をさらに設けることも妨げられない。
【００４０】
図１〜図３に戻って、加熱プレート１０の両側部（基板９の搬送方向に向かって左右の側部）には、それぞれ、４つの駆動ローラ２０が、搬送方向において等間隔に配置されている。各駆動ローラ２０は、加熱プレート１０の側面に形成された凹部１０４の内部に、配置されている。
【００４１】
各駆動ローラ２０の駆動軸２１は、加熱プレート１０の左右に配置されたフレーム２２に、回転自在に支持されている。フレーム２２は、加熱プレート１０とは別体の部材である。フレーム２２の外側には、駆動ローラ２０の駆動源となるモータ２３が、配置されている。各駆動ローラ２０の駆動軸２１およびモータ２３の駆動軸２３１には、無端ベルト２４が掛け渡されている。モータ２３を動作させると、モータ２３から発生する駆動力が、無端ベルト２４を介して、各駆動ローラ２０へ伝達される。これにより、各駆動ローラ２０が、同じ方向に、能動的に回転する。駆動ローラ２０上に支持された基板９は、駆動ローラ２０の回転により、搬送方向に搬送される。
【００４２】
一方、加熱プレート１０の両側部以外の部位には、複数のフリーローラ３０が配置されている。本実施形態では、幅方向に４つのフリーローラ３０が等間隔に配列され、そのフリーローラ３０の列が、搬送方向に等間隔に４つ配列されている。すなわち、本実施形態では、計１６個のフリーローラ３０が、搬送方向および幅方向に、等間隔に配列されている。
【００４３】
図８は、フリーローラ３０とその近傍の部位の縦断面図である。図８に示すように、加熱プレート１０の上段プレート１１には、フリーローラ３０の配置空間を確保するための貫通孔１０５が形成されている。フリーローラ３０の上部は、上段プレート１１の上面より上方に位置している。また、下段プレート１２、ヒータ１３、および押さえ板１４には、貫通孔１０５より幅方向の寸法が大きい貫通孔１０６が形成されている。
【００４４】
フリーローラ３０の回転軸３１は、上段プレート１１の下面に、ボルト３１１で固定されている。フリーローラ３０は、軸受３２を介して、回転軸３１に回転自在に取り付けられている。フリーローラ３０は、モータ等の駆動源に接続されていない。このため、フリーローラ３０が、能動的に回転することはない。フリーローラ３０は、基板９の下面を支持しつつ、基板９の移動に伴って従動的に回転する。
【００４５】
このように、基板９は、駆動ローラ２０およびフリーローラ３０上に支持されつつ、加熱プレート１０の上面に沿って、搬送される。すなわち、本実施形態では、駆動ローラ２０とフリーローラ３０とが、基板９を搬送する搬送手段を構成している。また、基板９を搬送する際には、加熱プレート１０が、駆動ローラ２０とフリーローラ３０とによって、基板９を保持することとなる。
【００４６】
加熱プレート１０の上面と基板９の下面との間隔は、上段プレート１１、回転軸３１、およびフリーローラ３０、の寸法に応じて決まる。このため、気体の吹き付けのみで加熱プレート１０から基板９を浮上させる場合よりも、加熱プレート１０と基板９との間隔を、大きくとることができる。また、基板９のサイズが大きい場合に、加熱による基板９の反りが発生したとしても、少なくともフリーローラ３０の位置においては、加熱プレート１０と基板９との間隔が維持される。これにより、搬送中に基板９が加熱プレート１０に接触することを抑制できる。
【００４７】
また、加熱プレート１０の側部以外の部位に配置されたフリーローラ３０は、モータ等の駆動源に接続されていない。このため、フリーローラ３０の回転軸３１の高さ位置は、駆動源から延びる駆動軸の位置に制限されない。そのため、フリーローラ３０の回転軸３１をより高い位置に配置することによって、フリーローラ３０の半径をより小さくすることができるため、上段プレート１１に形成される貫通孔１０５の搬送方向の寸法も小さくすることができる。これにより、貫通孔１０５による基板９の加熱ムラを抑制し、基板９の表面をより均一に加熱できる。
【００４８】
駆動ローラ２０およびフリーローラ３０は、耐熱性および耐摩耗性の高い樹脂により形成される。このような樹脂として、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を使用することができる。また、駆動ローラ２０およびフリーローラ３０は、ステンレス等の金属により形成されていてもよい。ただし、ローラと基板９とが滑ったり、基板９に傷が付いたりすることを防止するためには、駆動ローラ２０およびフリーローラ３０を、樹脂により形成することが好ましい。
【００４９】
＜２．  第２実施形態＞
上記実施形態では、同心円状に開口する第１孔Ｈ１と第２孔Ｈ２とで形成される吐出口１０１を加熱プレート１０に設けているが、吐出口の形状は、このようなものに限られない。なお、以下の説明において、第１実施形態と同様の機能を有する要素については適宜同一符号を付して、その説明を省略する。
【００５０】
図９は、第２実施形態に係る加熱プレート１０ａの上面図である。また図１０は、加熱プレート１０ａの吐出口１０１ａ近傍を拡大して示す斜視図である。図９に示すように、本実施形態の加熱プレート１０ａの表面には、幅方向に延びるスリット状の吐出口１０１ａが設けられている。本実施形態では、吐出口１０１ａは、内部流路１０２の延びる方向に沿って設けられている。
【００５１】
図１０に示すように、本実施形態の吐出口１０１ａは、加熱プレート１０ａの表面部分においてスリット状に開口する第１孔Ｈ１ａと、第１孔Ｈ１ａの底部に対して空間的に連通する複数（図９に示す例では５個）の第２孔Ｈ２とで形成されている。
【００５２】
第１孔Ｈ１ａのスリット状の開口の長さ（幅方向の長さ）は、第２孔Ｈ２の開口の口径以上の大きさを有している。したがって、吐出口１０１ａにおいても、加熱プレート１０ａの表面に向かうに連れて、開口の大きさが大きくなっている。内部流路１０２へ供給されて第２孔Ｈ２を通過したエアは、第１孔Ｈ１ａで上方だけではなくスリット状孔Ｈ１ａの延びる方向（幅方向）に拡散される。したがって、吐出口１０１ａから噴出するエアの流速を、良好に弱めることができる。
【００５３】
また、吐出口１０１ａをスリット状に延ばすことにより、高温のエアをカーテン状に噴出させることができる。このようなエアを、加熱プレート１０ａ上を移動する基板９に当てることによって、基板９をより均一に加熱できる。
【００５４】
なお、吐出口１０１ａの開口の幅（搬送方向の長さ）は、第２孔Ｈ２の開口の口径と同一としてもよい。また本実施形態では、吐出口１０１ａを幅方向に延ばしているが、搬送方向に延ばしたり、あるいは幅方向に対して斜めの方向に延ばしたりすることも妨げられない。また、スリット状の開口部を直線状に延ばすだけでなく、途中で屈曲させてもよいし、また曲線状に延ばしてもよい。
【００５５】
＜３．  第３実施形態＞
第１実施形態では、吐出口１０１の開口の大きさを不連続的に変化させているが、吐出口１０１の形状はこのようなものに限られない。
【００５６】
図１１は、第３実施形態に係る加熱プレート１０ｂの吐出口１０１ｂ近傍を拡大して示す斜視図である。本実施形態の吐出口１０１ｂの加熱プレート１０ｂの上面部分を形成する第１孔Ｈ１ｂは、その内壁面Ｈ１Ｓｂが、吐出口１０１ｂの内部から加熱プレート１０ａ上面に向けて、吐出口１０１ｂの開口が大きくように傾斜する傾斜面となっている。
【００５７】
より詳細には、第１孔Ｈ１ｂは、第１孔Ｈ１ｂの孔の径が、内部から加熱プレート１０ａ上面に向けて次第に大きくなるように形成されている。また、第１孔Ｈ１ｂの底部において、第２孔Ｈ２が空間的に連通している。
【００５８】
このような第１孔Ｈ１ｂ設けることによって、第２孔Ｈ２を通過したエアの一部が、第１孔Ｈ１ｂの内壁面Ｈ１Ｓｂ（傾斜面）に沿って流れる。したがって、吐出孔１０１ｂの開口部全体から、エアが均一に噴出しやすくなるため、加熱ムラの発生が軽減される。
【００５９】
なお、第１孔Ｈ１ｂにおいても、傾斜面の傾斜の角度を比較的緩やかにした場合には、第１実施形態の第１孔Ｈ１と同様に、エアが一時的に滞留する滞留部を形成しやすくなる。
【００６０】
＜４．  第４実施形態＞
第３実施形態では、第１孔Ｈ１ｂの内壁面Ｈ１Ｓｂを孔の深さ方向に対して直線的に傾斜させることで、吐出口１０１ｂの開口の大きさを次第に大きくしている。しかしながら、吐出口１０１ｂの形状はこのようなものに限られない。
【００６１】
図１２は、第４実施形態に係る加熱プレート１０ｃの吐出口１０１ｃ近傍を拡大して示す斜視図である。第１孔Ｈ１ｃの内壁面Ｈ１Ｓｃは、吐出口１０１ｃの内部から加熱プレート１０ｃ上面に向けて、開口が次第に大きくなるように曲面を形成している。
【００６２】
このような吐出口１０１ｃの場合においても、第３実施形態の吐出口１０１ｂと同様に、吐出口１０１ｃの開口部全体からエアが均一に噴出しやすくなる。
【００６３】
なお、本実施形態では、内部から加熱プレート１０ｃ上面に向けて、第１孔Ｈ１ｃの内壁面Ｈ１Ｓｃの傾斜角度が次第に大きくなるようにしている。これとは逆に、内壁面Ｈ１Ｓｃの傾斜角度が次第に小さくなるようにして、吐出口１０１ｃの開口を大きくしてもよい。この場合、第１孔Ｈ１ｃは、ラッパ状に形成されることになる。
【００６４】
また、第３，第４実施形態では、第１孔Ｈ１ｂ，Ｈ１ｃの内壁面Ｈ１Ｓｂ，Ｈ１Ｓｃを傾斜させているが、第２孔Ｈ２の内壁面を傾斜させてもよい。
【００６５】
＜５．  変形例＞
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
【００６６】
また、フリーローラ３０は、必ずしも等間隔に配置されている必要はなく、加熱プレート１０上において疎または密となる部分が存在するように配置されていてもよい。また、噴出孔１１２についても、必ずしも等間隔に設けられている必要はなく、加熱プレート１０上において疎または密となる部分が存在するように設けられていてもよい。
【００６７】
また、本実施形態では、能動的に回転する駆動ローラ２０を基板９の下面のみに当接させているが、例えば図１３に示すように、基板９の上面に当接する駆動ローラ２０をさらに設けてもよい。一対の駆動ローラ２０が基板９を上下から挟持しつつ回転することで、基板９をより確実に搬送することができる。なお、上側または下側の駆動ローラ２０を、フリーローラ３０に置き換えてもよい。
【００６８】
また、本実施形態では、駆動ローラ２０が基板９の表面（裏面）に当接しながら回転することで、基板９を搬送しているが、例えば図１４に示すように、駆動軸２１が上下方向に沿うように駆動ローラ２０を配置し、駆動ローラ２０を基板９の側端面に当接させて回転させることにより、基板９を搬送するようにしてもよい。
【００６９】
また、本実施形態では、駆動ローラ２０が加熱プレート１０の両側部に配置されているが、加熱プレート１０の一方の側部のみに配置されていてもよい。また、駆動ローラ２０が両側部以外の部位（例えば加熱プレート１０の幅方向の中央）に設けられていてもよい。
【００７０】
また、上記実施形態では、加熱プレートからの輻射熱と、高温のエアの吹きつけとによって、基板が加熱されるが、輻射熱のみで基板を加熱するようにしてもよい。このような場合においても、吐出口から噴出するエアの流速を抑えることで、基板が局所的に冷却されることを抑制できるため、加熱ムラの発生を抑制できる。
【００７１】
また、上記実施形態では、複数の吐出口からエアを吐出しているが、エアに代えて窒素ガスなど、他の種類の気体を噴出するようにてもよい。例えば、基板の表面において意図しない化学反応が起こることを抑制するためには、窒素ガス等の不活性ガスを使用することが好ましい。
【００７２】
また、上記実施形態に係る基板処理装置は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板に対して加熱処理を行う装置であったが、本発明の基板処理装置は、半導体ウエハ、ＰＤＰ用ガラス基板、記録ディスク用基板等の他の基板に対して、加熱処理を行うものであってもよい。
【００７３】
さらに、上記実施形態および変形例で説明した各要素は、矛盾が生じない限りにおいて、自由に選択して組合せたり、適宜省略したりすることができる。
【符号の説明】
【００７４】
１  基板処理装置
９  基板
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ  加熱プレート
１０１，１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ  吐出口
１０２  内部流路
Ｈ１，Ｈ１ａ，Ｈ１ｂ，Ｈ１ｃ  第１孔
Ｈ２  第２孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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