(57)【要約】【課題】反射防止膜を形成することなく、受光感度の向上が可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。【解決手段】複数の画素が２次元状に配列された裏面照射型の固体撮像装置であって、半導体基板１０１と、半導体基板１０１の第１面側に画素毎に形成され、入射光を電気信号に変換する受光部と、半導体基板１０１の第１面と反対側の第２主面上に形成され、電気信号を読み出す配線層と、受光部上に、画素毎に入射光を波長選択的に透過させるカラーフィルタ層１０５とを備え、カラーフィルタ層１０５は、所定の屈折率を有する第１の誘電体層と、第１の誘電体層より低い屈折率を有する第２の誘電体層とが交互に積層された構成であり、カラーフィルタ層１０５の受光部にもっとも近い層である第１の誘電体層１０５１は、受光部に隣接している。【選択図】図１
2011254025.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が２次元状に配列された裏面照射型の固体撮像装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の第１面側に前記画素毎に形成され、入射光を電気信号に変換する受光部と、
前記半導体基板の前記第１面と反対側の第２主面上に形成され、前記電気信号を読み出すための配線層と、
前記受光部上に、前記画素毎に入射光を波長選択的に透過させる光学フィルタとを備え、
前記光学フィルタは、所定の屈折率を有する第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層より低い屈折率を有する第２の誘電体層とが交互に積層された構成であり、
前記光学フィルタの前記受光部にもっとも近い層である前記第１の誘電体層は、
前記受光部に隣接している
固体撮像装置。
【請求項２】
入射光に関連して設定される設定波長をλとした場合に、
前記第１の誘電体層は、その屈折率がｎ１のとき、λ／（４ｎ１）の光学膜厚を有し、
前記第２の誘電体層は、その屈折率がｎ２のとき、λ／（４ｎ２）の光学膜厚を有する
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記光学フィルタは、
２層の前記第１の誘電体層と、当該２層の第１の誘電体層によって挟まれた前記第２の誘電体層とを含み構成される
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
さらに、前記光学フィルタと前記受光部との間に、第３の誘電体層を備える
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第３の誘電体層の膜厚は、１５ｎｍ以下である
請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第３の誘電体層は、酸化シリコンまたはシリコン窒化物で構成される
請求項４に記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の画素が２次元状に配列された裏面照射型の固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置は、被写体の画像情報を取得することを目的とした半導体デバイスであり、例えば携帯電話用カメラやＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｔｉｌｌ  Ｃａｍｅｒａ）、ＨＤ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）ムービー等に使用されている。この固体撮像装置は、半導体基板上に数百万個のフォトダイオードが配列形成された画素により構成され、さらに、撮像時において、光を限られた種類の色（例えば赤色（Ｒｅｄ）、緑色（Ｇｒｅｅｎ）、青色（Ｂｌｕｅ）のＲＧＢ三原色）に分解するために、画素（画素セル）ごとに所定の波長の光を透過させるカラーフィルタが設けられている。この固体撮像装置では、被写体から各画素に入射した光は、カラーフィルタによってＲＧＢの光に分解されて各画素上のフォトダイオードに入射し、そこで電気信号に変換される。そして、生成された電気信号は、信号読出し回路を構成する配線層を介して読み出され、出力される。このようにして、この固体撮像装置により画像情報を取得することができる。
【０００３】
従来、固体撮像装置は、半導体基板の主面側にフォトダイオードが形成され、その上に形成された配線層を介してカラーフィルタが配置された構造、いわゆる表面照射型の構造で作製されるのが一般的であった。しかし、表面照射型の構造で作製された場合には、各画素におけるフォトダイオードの受光面積の割合、いわゆる開口率が低下してしまうと共に、配線層により入射光が反射されてしまい、受光感度が低くなってしまう課題があった。
【０００４】
そのため、半導体基板の主面側に配線層を形成する一方で、半導体基板の主面と反対側の第２面側にフォトダイオードとカラーフィルタとを配置し、半導体基板の第２面側から受光する、いわゆる裏面照射型の固体撮像装置が開発された。裏面照射型の固体撮像装置では、入射光が配線層によって反射されることがないため、受光感度の低下を抑えることが可能である。
【０００５】
ところが、このような裏面照射型の固体撮像装置においては、カラーフィルタは配線層を介さず半導体基板の第２面に隣接する形で配置されるため、カラーフィルタと半導体基板との界面で光の界面反射が生じてしまい、受光感度の向上が十分に得られないという新たな課題が生じている。
【０００６】
この課題に対して、カラーフィルタと半導体基板との間に反射防止膜を配置させた裏面照射型の固体撮像装置が提案されている（例えば、特許文献１）。特許文献１では、屈折率の異なる２種類の無機材料を、フォトダイオードが形成された半導体基板の第２面上に積層して反射防止膜を構成し、その上にカラーフィルタを配置した構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２６８６４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の固体撮像装置に使用されるカラーフィルタは顔料や染料などの有機材料を用いるのが一般的である。そのため、上記特許文献１の構造では、有機材料のカラーフィルタを形成する工程と、無機材料の反射防止膜を形成する工程との２工程が必要になり、製造プロセスが煩雑となるため製品の低コスト化には限界がある。
【０００９】
本発明は、上述の事情を鑑みてなされたもので、反射防止膜を形成することなく、受光感度の向上が可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の一形態における固体撮像装置は、複数の画素が２次元状に配列された裏面照射型の固体撮像装置であって、半導体基板と、前記半導体基板の第１面側に前記画素毎に形成され、入射光を電気信号に変換する受光部と、前記半導体基板の前記第１面と反対側の第２主面上に形成され、前記電気信号を読み出すための配線層と、前記受光部上に、前記画素毎に入射光を波長選択的に透過させる光学フィルタとを備え、前記光学フィルタは、所定の屈折率を有する第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層より低い屈折率を有する第２の誘電体層とが交互に積層された構成であり、前記光学フィルタの前記受光部にもっとも近い層である前記第１の誘電体層は、前記受光部に隣接している。
【００１１】
この構成により、カラーフィルタそれ自体が、半導体基板界面で生じる光の反射を防止する機能を兼ね備えていることになるので、反射防止膜を形成することなく、受光感度の向上が可能な裏面照射型の固体撮像装置を実現することができる。
【００１２】
また、入射光に関連して設定される設定波長をλとした場合に、前記第１の誘電体層は、その屈折率がｎ１のとき、λ／（４ｎ１）の光学膜厚を有し、前記第２の誘電体層は、その屈折率がｎ２のとき、λ／（４ｎ２）の光学膜厚を有するとしてもよい。
【００１３】
また、前記光学フィルタは、２層の前記第１の誘電体層と、当該２層の第１の誘電体層によって挟まれた前記第２の誘電体層とを含み構成されるとしてもよい。
【００１４】
また、さらに、前記光学フィルタと前記受光部との間に、第３の誘電体層を備えるとしてもよい。
【００１５】
また、前記第３の誘電体層の膜厚は、１５ｎｍ以下であるとしてもよい。
また、前記第３の誘電体層は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）またはシリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）で構成されるとしてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、反射防止膜を形成することなく、受光感度の向上が可能な裏面照射型の固体撮像装置を実現することができる。つまり、カラーフィルタそれ自体が、半導体基板界面で生じる光の反射を防止する機能を兼ね備えるため、半導体基板上にカラーフィルタを隣接する形で配置しても受光感度が低下することなく高感度の固体撮像装置を作製することが可能である。さらに、無機材料である誘電体を用いてカラーフィルタを形成し、有機材料からなるカラーフィルタの形成工程を不要にできるので、製造方法を簡素化でき低コスト化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の画素配列を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の光の透過特性を示すグラフである。
【図４】カラーフィルタ層１０５が半導体基板界面での光の反射を防止する効果を有することを説明するための図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係るカラーフィルタ層の透過特性を算出するために用いた光学フィルタ構造模式図である。
【図６】図５に示す光学フィルタ構造における透過特性を示すグラフである。
【図７】本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係る実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明について、以下の実施の形態および添付の図面を用いて説明を行うが、これは例示を目的としており、本発明がこれらに限定されることを意図しない。
【００１９】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置１００の概略構成を示す断面図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の画素配列を示す図である。なお、図１では便宜的に３種類の固体撮像装置１００Ｂ、１００Ｇ及び１００Ｒを横に並べて示しているが、実際の配列は、複数の画素が２次元状に配列される画素配置、すなわち図２に示す縦横各２列のいわゆるベイヤー配列がなされている。
【００２０】
図１に示す固体撮像装置１００Ｂ、１００Ｇ及び１００Ｒ（以下「固体撮像装置１００Ｂ等」ともよぶ。）は、裏面照射型の固体撮像装置であり、主に、半導体基板１０１と、受光部１０２Ｂ、１０２Ｇ及び１０２Ｒと、絶縁層１０３と、配線層１０４１及び１０４２と、カラーフィルタ層１０５と、平坦化膜１０６と、マイクロレンズ１０７とを備えている。なお、半導体基板１０１の図１中の下面を主面、図１中の上面（図中上）を第２面として以下説明する。
【００２１】
半導体基板１０１は、Ｐ型不純物がドープされて形成されるＰ型の半導体基板である。
受光部１０２Ｂ、１０２Ｇ及び１０２Ｒ（以下「受光部１０２Ｂ等」ともよぶ。）はそれぞれ、固体撮像装置１００Ｂ、１００Ｇ及び１００Ｒに対応するよう形成され、入射光を電気信号に変換する光電変換素子（フォトダイオード）である。受光部１０２Ｂ等は、半導体基板１０１の一部の領域にＮ型不純物がイオン注入されて形成される。また、受光部１０２Ｂ等は、カラーフィルタ層１０５と隣接する半導体基板１０１の第２面側に形成されており、半導体基板１０１の一部により互いに分離されている。
【００２２】
絶縁層１０３は、半導体基板１０１の主面（主面側）に設けられている。
配線層１０４１及び１０４２は、受光部１０２Ｂ等で変換された電気信号を読み出すためのものであり、絶縁層１０３の内部に埋め込まれる形で形成されている。
【００２３】
カラーフィルタ層１０５は、入射光を波長選択的に透過させる光学フィルタであって、半導体基板１０１の第２面上に設けられている。具体的には、カラーフィルタ層１０５は、半導体基板１０１の第２面の直上に物理的に接して、すなわち半導体基板１０１の第２面と隣接して設けられている。
【００２４】
カラーフィルタ層１０５は、撮像時において、光を、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、および青色（Ｂ）の三原色など３種類の色に分解するために、分光特性の異なる３種類のカラーフィルタを含んでいる。この分光特性の異なる３種類のカラーフィルタは、受光部１０２Ｂ、１０２Ｇ及び１０２Ｒに対応するカラーフィルタ層１０５の領域に形成されている。なお、この分光特性の異なる３種類のカラーフィルタ層１０５を便宜上、カラーフィルタ層１０５Ｂ、１０５Ｇ及び１０５Ｒ（カラーフィルタ層１０５Ｂ等）と呼ぶこともある。
【００２５】
具体的には、カラーフィルタ層１０５は、高屈折率の無機材料である二酸化チタン（ＴｉＯ2）からなる第１の誘電体層１０５１、１０５３、１０５５、１０５７及び１０５９並びに、低屈折率の無機材料（絶縁材料）である二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる第２の誘電体層１０５２、１０５４、１０５６及び１０５８から構成されている。そして、カラーフィルタの構成要素である上記複数の誘電体層のうち、高屈折率の材料からなる第１の誘電体層１０５１が受光部１０２Ｂ等を含む半導体基板１０１にもっとも隣接して形成され、その上に低屈折率の材料からなる第２の誘電体層１０５２が形成されている。
【００２６】
ここで、例えば第１の誘電体層１０５１、１０５３、１０５５、１０５７及び１０５９の膜厚は、５２ｎｍであり、複数の第２の誘電体層のうち第２の誘電体層１０５２、１０５４、及び１０５８の膜厚は９１ｎｍである。一方、複数の第２の誘電体層のうちの１つである第２の誘電体層１０５６の膜厚は、青色（Ｂ）領域、緑色（Ｇ）領域、及び赤色（Ｒ）領域で異なっており、それぞれ０ｎｍ、３１ｎｍ、及び１３３ｎｍである。なお、この第２の誘電体層１０５６は、高屈折率材料からなる第１の誘電体層で挟まれ、低屈折率材料からなる絶縁体の層であり、欠陥層（「スペーサ層」又は「共振層」ともいう。）とよばれる。
【００２７】
また、上述した第１の誘電体層及び第２の誘電体層の膜厚（光学膜厚）は、カラーフィルタ層１０５の良好な色分解特性を実現するよう形成（設定）される。具体的には、入射光に関連して設定される設定波長をλとし、第１の誘電体層の屈折率をｎ１とし、第２の誘電体層の屈折率をｎ２とする。その場合、第１の誘電体層の光学膜厚がλ／（４ｎ１）であり、第２の誘電体層の光学膜厚がλ／（４ｎ２）であるように形成する。
【００２８】
このように、カラーフィルタ層１０５は、高屈折率材料からなる層と低屈折率材料からなる層とが交互に積層された、無機材料からなる誘電体多層膜（複数の誘電体層）で構成され、さらに、高屈折率材料からなる層が半導体基板１０１にもっとも隣接して形成される。つまり、カラーフィルタ層１０５は、所定の屈折率を有する第１の誘電体層と、第１の誘電体層より低い屈折率を有する第２の誘電体層とが交互に積層された誘電体多層膜を少なくとも含む。そして、カラーフィルタ層１０５の半導体基板１０１にもっとも近い層は、第１の誘電体層（１０５１）であり、その第１の誘電体層（１０５１）は、第２面側の各受光部１０２Ｂ等に隣接して形成される。
【００２９】
なお、カラーフィルタ層１０５は、最小構成としては、２層の第１の誘電体層と、当該２層の第１の誘電体層によって挟まれた第２の誘電体層とを含んだ構成であればよい。
【００３０】
平坦化膜１０６は、ＳｉＯ2から構成され、カラーフィルタ層１０５上に形成される。平坦化膜１０６は、欠陥層である第２の誘電体層１０５６の膜厚差に起因して形成されたカラーフィルタ層１０５の段差を埋めて平坦化するために形成される。
【００３１】
マイクロレンズ１０７は、受光部１０２Ｂ等に対応する領域ごと（画素ごと）に、平坦化膜１０６上に設けられている。このマイクロレンズ１０７はそれぞれ、対応する受光部１０２Ｂ等の受光面（図１中の上面）へと入射光を効率よく集光するために設けられている。
【００３２】
次に、以上のように構成される固体撮像装置１００の分光特性について、図を用いて説明する。
【００３３】
図３は、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の光の透過特性を示すグラフである。
【００３４】
本実施の形態に係る固体撮像装置１００は、ＲＧＢ三原色の光を取り出すために、上述したように分光特性の異なる３種類のカラーフィルタ層１０５Ｂ、１０５Ｇ及び１０５Ｒを含むカラーフィルタ層１０５を備えている。この構成により、図１の固体撮像装置１００Ｂ、１００Ｇ、及び１００Ｒそれぞれの透過特性は、図３に示すように可視光線波長領域において異なる波長帯域の光を透過する３種類の特性３００Ｂ、３００Ｇ及び３００Ｒを有している。
【００３５】
そして、このカラーフィルタ層１０５では、高屈折率の材料からなる第１の誘電体層１０５１が受光部１０２Ｂ等を含む半導体基板１０１に隣接して形成され、その上に低屈折率の材料からなる第２の誘電体層１０５２が形成されている。このようにカラーフィルタ層１０５を形成することで、半導体基板界面での光の反射を防止する効果を得ることができる。つまり、カラーフィルタ層１０５が、半導体基板１０１界面で生じる光の反射を防止する機能を兼ね備えていることになる。
【００３６】
以下、そのことについて詳しく説明する。
図４は、カラーフィルタ層１０５が半導体基板１０１界面で生じる光の反射を防止する機能を兼ね備えていることを説明するための図である。
【００３７】
図４に示す構造２００は、半導体基板２０１と、半導体基板２０１の一部に形成された受光部２０２と、カラーフィルタ２０５とを備える。受光部２０２は、半導体基板２０１のカラーフィルタ２０５が形成されている面側に形成されている。ここで、半導体基板２０１は、図１の半導体基板１０１に相当し、受光部２０２は、受光部１０２Ｂ等に相当する。また、図４に示すカラーフィルタ２０５は、シリコンからなる半導体基板２０１の上に高屈折率材料である二酸化チタン（ＴｉＯ2）からなる第１の誘電体層２０５１と、低屈折率材料である二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる第２の誘電体層２０５２とが積層された構造である。ここで、第１の誘電体層２０５１の膜厚は、図１に示す第１の誘電体層１０５１と同様に５２ｎｍであり、第２の誘電体層２０５２の膜厚は、図１に示す第２の誘電体層１０５２と同様に９１ｎｍであるとする。
【００３８】
以上のように構成された構造２００における光の透過率を見積もったものが、図３に示す特性３００ＡＲである。図３に示すように、特性３００ＡＲは、波長４５０ｎｍ以上のほとんどの可視光線波長領域に渡って透過率が９０％以上の特性を有している。つまり、上記のように構成された構造２００は、透過率が９０％以上の特性を有していることから、半導体基板２０１界面で生じる光の反射を防止する機能を兼ね備えているのがわかる。
【００３９】
そして、図１に示す固体撮像装置１００は、図４に示す構造２００を含む形でカラーフィルタ層１０５が形成されているので、カラーフィルタ層１０５それ自体が半導体基板界面で生じる光の反射を防止する機能を兼ね備えることが可能となる。
【００４０】
次に、固体撮像装置１００の構造が、光の透過率の低下にほとんど寄与しないことについて説明する。
【００４１】
図５は、本発明の実施の形態１に係るカラーフィルタ層１０５の透過特性を算出するために用いた光学フィルタ構造模式図である。図６は、図５に示す光学フィルタ構造における透過特性を示すグラフである。
【００４２】
図５に示す光学フィルタ構造４００は、カラーフィルタ層１０５と、カラーフィルタ層１０５上にＳｉＯ2膜４１１とカラーフィルタ層１０５下にＳｉＯ2膜４１２とを備える。ＳｉＯ2膜４１１及び４１２は、厚みＤ１及びＤ２が無限大であるとしている。そして、この光学フィルタ構造４００における光の透過特性を示すグラフが図６である。
【００４３】
ここで、図３に示す光の透過特性と、図６に示す透過特性と比べると、波長４００ｎｍから波長７００ｎｍまでの可視光線波長領域のほぼ全域に渡って、ほぼ同一の透過特性を示している。したがって、本実施の形態の固体撮像装置１００の構造では光の透過率がほとんど低下しないことが分かる。
【００４４】
次に、以上のように構成される固体撮像装置１００を作製する方法を説明する。ここでは、半導体基板１０１の主面側に配線層を配置し、一方で、半導体基板１０１の第２面側に受光部１０２Ｂ等を配置した構造を作製する方法について説明する。
【００４５】
すなわち、まず、半導体基板１０１にフォトダイオードすなわち受光部１０２Ｂ等を形成する。次に、受光部１０２Ｂ等が形成された半導体基板１０１の主面上に配線層１０４１及び１０４２を含む絶縁層１０３を形成する。最後に、半導体基板１０１の裏面側から受光部１０２Ｂ等（フォトダイオード）の位置まで半導体基板を研磨する。
【００４６】
以上、実施の形態１によれば、反射防止膜を形成することなく、受光感度の向上が可能な裏面照射型の固体撮像装置を実現することができる。具体的には、カラーフィルタそれ自体が、半導体基板界面で生じる光の反射を防止する機能を兼ね備えるため、半導体基板上にカラーフィルタを隣接する形で配置しても受光感度が低下することなく高感度の固体撮像装置を作製することが可能である。さらに、無機材料である誘電体を用いてカラーフィルタを形成し、有機材料からなるカラーフィルタの形成工程を不要にできるので、製造方法を簡素化でき低コスト化を実現できる。
【００４７】
（実施の形態２）
実施の形態１では、半導体基板１０１上にカラーフィルタ層１０５が直接形成されていたが、それに限らない。半導体基板１０１と、カラーフィルタ層１０５との間に、半導体基板１０１を保護するための保護膜等が形成されていてもよい。以下、その場合の例を説明する。
【００４８】
図７は、本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置７００の概略構成を示す断面図である。なお、図７では便宜的に３種類の固体撮像装置１００Ｂ、１００Ｇ及び１００Ｒを横に並べて示しているが、実際の配列は、上述同様、図２に示すベイヤー配列がなされている。また、図１と同様の構成要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００４９】
図７に示す固体撮像装置７００は、実施の形態１に係る固体撮像装置１００と比較して、半導体基板１０１と第１の誘電体層１０５１（カラーフィルタ層１０５）との間に第３の誘電体層７１０が挿入されている点で異なっている。その他の部分は、上記実施の形態１に係る固体撮像装置１００と同様である。
【００５０】
第３の誘電体層７１０は、半導体基板１０１と第１の誘電体層１０５１（カラーフィルタ層１０５）との間に挿入するよう形成される。そして、第３の誘電体層７１０は、受光部１０２Ｂ等の上にカラーフィルタ層１０５が形成される際に受光部１０５Ｂ等を保護するための保護膜（保護絶縁膜）として機能する。
【００５１】
第３の誘電体層７１０を構成する材料としては、光に対して透明であり、また、その膜厚は光の波長に比べて十分に薄いことが望ましい。そのような材料として、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）やシリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）などが挙げられる。また、その膜厚は１５ｎｍ以下に設定することが望ましい。このように、第３の誘電体層の厚みを十分に薄くすることで、光の透過特性に影響を与えることがないため好ましい。
【００５２】
以上、本発明によれば、反射防止膜を形成することなく、受光感度の向上が可能な裏面照射型の固体撮像装置を実現することができる。具体的には、カラーフィルタそれ自体が、半導体基板界面で生じる光の反射を防止する機能を兼ね備えるため、半導体基板上にカラーフィルタを隣接する形で配置しても受光感度が低下することなく高感度の固体撮像装置を作製することが可能である。さらに、無機材料である誘電体を用いてカラーフィルタを形成し、有機材料からなるカラーフィルタの形成工程を不要にできるので、製造方法を簡素化でき低コスト化を実現できる。
【００５３】
以上、本発明の固体撮像装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明、固体撮像装置に利用でき、特に高解像度の携帯電話用カメラやＤＳＣ、ＨＤムービー等に備えられる固体撮像装置に利用できる。
【符号の説明】
【００５５】
１００、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、７００    固体撮像装置
１０１、２０１    半導体基板
１０２Ｂ、１０２Ｇ、１０２Ｒ、２０２    受光部
１０３    絶縁層
１０５  カラーフィルタ層
１０５１、１０５３、１０５５、１０５７、１０５９、２０５１    第１の誘電体層
１０５２、１０５４、１０５６、１０５８、２０５２    第２の誘電体層
１０６    平坦化膜
１０７    マイクロレンズ
２００    構造
２０５    カラーフィルタ
４００    光学フィルタ構造
４１１、４１２    ＳｉＯ2膜
７１０    第３の誘電体層
１０４１、１０４２    配線層
【図１】
2011254025.tif 000003
【図２】
2011254025.tif 000004
【図３】
2011254025.tif 000005
【図４】
2011254025.tif 000006
【図５】
2011254025.tif 000007
【図６】
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【図７】
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