(57)【要約】【課題】熱電変換モジュールの信頼性を向上させる。【解決手段】ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂが直列に接続される熱電変換モジュール１０において、一対のｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂを、例えばそれらの間に曲折した凹部１４ａを有する上側電極１４によって、電気的に接続する。上側電極１４は、熱電変換モジュール１０の温度変化に起因した一対のｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂの変位に伴って変形する。【選択図】図１
2011029295.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の熱電変換素子と、
前記一対の熱電変換素子を電気的に接続し、前記一対の熱電変換素子間に曲折部を有する電極と、
を含むことを特徴とする熱電変換モジュール。
【請求項２】
前記電極は、板状部材であることを特徴とする請求項１に記載の熱電変換モジュール。
【請求項３】
前記電極は、少なくとも１本の線状部材を含むことを特徴とする請求項１に記載の熱電変換モジュール。
【請求項４】
前記一対の熱電変換素子は、ｎ型熱電変換素子とｐ型熱電変換素子の対であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の熱電変換モジュール。
【請求項５】
前記一対の熱電変換素子は、ｎ型熱電変換素子の対、又はｐ型熱電変換素子の対であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の熱電変換モジュール。
【請求項６】
一対の熱電変換素子を配置する工程と、
前記一対の熱電変換素子に、前記一対の熱電変換素子間に曲折部を有する電極を電気的に接続する工程と、
を含むことを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱電変換モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に支持された複数の熱電変換素子を、電極を介して直列接続し、ゼーベック効果を利用して熱エネルギーを電気エネルギーに変換したり、ペルチェ効果を利用して外部からの電流供給により温度差を生じさせたりする熱電変換モジュールが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４２８７２６２号公報
【特許文献２】特許第４２７９５９４号公報
【特許文献３】特開２００７−２６６４４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
熱電変換モジュールに含まれる熱電変換素子、基板及び電極等の部材は、それぞれ固有の熱膨張係数を有する。そのため、熱電変換モジュールには、その動作時に発生する熱により、部材間の熱膨張係数差に起因した応力、歪みが生じ得る。
【０００５】
しかし、これまでの熱電変換モジュールでは、このような応力、歪みにより、熱電変換素子と電極との接合部分に破壊が生じてしまう場合があった。複数の熱電変換素子を電極で直列接続している場合、熱電変換素子と電極との接合部分のうち、１箇所にでも破壊が生じれば、断線により、熱電変換モジュール全体が機能しなくなってしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、一対の熱電変換素子と、前記一対の熱電変換素子を電気的に接続し、前記一対の熱電変換素子間に曲折部を有する電極と、を含む熱電変換モジュールが提供される。
【発明の効果】
【０００７】
開示の熱電変換モジュールによれば、熱電変換素子間の電気的な接続を確保することができ、熱電変換モジュールの信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施の形態に係る熱電変換モジュールの一例の説明図である。
【図２】別例の熱電変換モジュールの説明図（その１）である。
【図３】別例の熱電変換モジュールの説明図（その２）である。
【図４】下側電極形成工程の一例の説明図である。
【図５】熱電変換素子配置工程の一例の説明図である。
【図６】金属板プレス加工工程の一例の説明図である。
【図７】金属板配置工程の一例の説明図である。
【図８】第２の実施の形態に係る熱電変換モジュールの一例の説明図である。
【図９】金属板配置工程の一例の説明図である。
【図１０】プレス加工及び切断加工工程の一例の説明図である。
【図１１】金属板プレス加工工程の一例の説明図である。
【図１２】接合工程の一例の断面模式図である。
【図１３】接合工程の別例の断面模式図である。
【図１４】接合前の状態の一例の断面模式図である。
【図１５】第１接合工程の一例の断面模式図である。
【図１６】第２接合工程の一例の断面模式図である。
【図１７】接合後の状態の一例の断面模式図である。
【図１８】第４の実施の形態に係る熱電変換モジュールの一例の説明図である。
【図１９】第５の実施の形態に係る熱電変換モジュールの一例の説明図である。
【図２０】第６の実施の形態に係る熱電変換モジュールの一例の説明図である。
【図２１】電極の一例の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は第１の実施の形態に係る熱電変換モジュールの一例の説明図であって、（Ａ）は斜視模式図、（Ｂ）は（Ａ）のＬ１−Ｌ１断面模式図である。
【００１０】
図１（Ａ），（Ｂ）に示す熱電変換モジュール１０は、基板１１並びに、複数のｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂを有している。ここで、基板１１には、絶縁基板が用いられる。ｐ型熱電変換素子１２ａには、例えば、ｐ型半導体を用いることができ、ｎ型熱電変換素子１２ｂには、例えば、ｎ型半導体を用いることができる。
【００１１】
複数のｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂは、基板１１の上方にｐ，ｎを交互に並べて配置されている。隣接する一対のｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂは、それらの基板１１側の端部において第１の電極（下側電極）１３により電気的に接続されている。また、一のｎ型熱電変換素子１２ｂと基板１１側の端部で下側電極１３により接続されているｐ型熱電変換素子１２ａは、基板１１側と反対側の端部において、隣接する別のｎ型熱電変換素子１２ｂと、第２の電極（上側電極）１４により電気的に接続されている。同様に、一のｐ型熱電変換素子１２ａと基板１１側の端部で下側電極１３により接続されているｎ型熱電変換素子１２ｂは、基板１１側と反対側の端部において、隣接する別のｐ型熱電変換素子１２ａと、別の上側電極１４により電気的に接続されている。
【００１２】
各上側電極１４には、隣接するｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂの間隙に、例えば基板１１側に断面円弧状に凹むように曲折した凹部１４ａが形成されている。尚、凹部１４ａとしては、例えば、基板１１側に断面逆三角形状に凹むように曲折した形状のものを形成することも可能である。但し、ここではまず、断面円弧状の凹部１４ａを形成している場合を例にして説明する。
【００１３】
下側電極１３及び上側電極１４は、図１（Ｂ）に示すように、例えば、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂに、半田等の接合部材１５を用いて接合される。また、下側電極１３と基板１１とは、例えば、焼成ペースト等の接合部材１６を用いて接合される。
【００１４】
このように、基板１１上方には、複数のｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂが、ｐ，ｎを交互に並べて配置され、それらが下側電極１３及び上側電極１４を介して直列に接続されている。ｐ型熱電変換素子１２ａ、ｎ型熱電変換素子１２ｂ、下側電極１３及び上側電極１４等によって形成されている直列回路の末端には、直列回路からの電流取り出しのための、又は当該直列回路への電流供給のためのリード線１７，１８が設けられている。
【００１５】
この熱電変換モジュール１０は、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの一方の端部側にそれらを支持する基板１１を設け、他方の端部側にはそのような基板を設けない、所謂スケルトンタイプの熱電変換モジュールである。
【００１６】
尚、上記熱電変換モジュール１０の基板１１には、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ，ＡｌＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミック基板を用いることができる。
ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂには、例えば、それぞれＢｉＴｅ系のｐ型半導体及びｎ型半導体を用いることができる。ｐ型半導体には、例えば、ビスマス・アンチモン・テルル（Ｂｉ0.5Ｓｂ1.5Ｔｅ3）を用いることができ、ｎ型半導体には、例えば、ビスマス・テルル・セレン（Ｂｉ2Ｔｅ2.85Ｓｅ0.15）を用いることができる。
【００１７】
下側電極１３及び上側電極１４には、例えば、銅（Ｃｕ）又はＣｕを主体とするものを用いることができる。
接合部材１５には、例えば、ビスマス（Ｂｉ）−スズ（Ｓｎ）合金半田（Ｂｉ：５８％，Ｓｎ：４２％）又は当該合金半田を主体とするものを用いることができる。この場合、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの端面には、半田との濡れ性を高め、それらの密着性を高めるために、ニッケル（Ｎｉ）めっきを形成しておいてもよい。
【００１８】
上記のような構成を有する熱電変換モジュール１０において、上側電極１４には、凹部１４ａを設けている。この凹部１４ａにより、上側電極１４は、その端部が面と垂直な方向に変形可能なほか、上側電極１４によって接続されている、隣接したｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂの配列方向に、バネのように変形（伸縮）可能になっている。即ち、上側電極１４は、それに接続されているｐ型熱電変換素子１２ａ又はｎ型熱電変換素子１２ｂの変位に伴い、その変位に応じた方向に変形可能になっている。
【００１９】
ここで、熱電変換モジュールの別例について、次の図２及び図３を参照して説明する。
図２及び図３は別例の熱電変換モジュールの説明図である。尚、図２及び図３において、（Ａ）は別例の熱電変換モジュールの斜視模式図、（Ｂ）は別例の熱電変換モジュールのＬ２−Ｌ２，Ｌ３−Ｌ３断面模式図、（Ｃ）は熱電変換モジュールの動作時の説明図である。また、図２及び図３では、図１に示した要素と同一の要素については同一の符号を付している。
【００２０】
図２に示す熱電変換モジュール１０００では、上記のような凹部が設けられていない、平板の上側電極１０１０が用いられている。更に、この熱電変換モジュール１０００では、基板１１に対向して、上側電極１０１０側にも、接合部材１６を介して、基板１０２０が設けられている。
【００２１】
熱電変換モジュール１０００では、構成上、基板１１，１０２０、ｐ型熱電変換素子１２ａ、ｎ型熱電変換素子１２ｂ、下側電極１３及び上側電極１０１０等の各部材が、それぞれ異なる熱膨張係数を有している。また、熱電変換モジュール１０００では、その動作時には、ゼーベック効果とペルチェ効果のいずれを利用する場合でも、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの一方の端部側が比較的高温になり、他方の端部側が比較的低温になる。
【００２２】
今、基板１１側（下側）が比較的高温になり、基板１０２０側（上側）が比較的低温になることを想定する。この場合、図２（Ｃ）に示すように、高温側の基板１１に引っ張り応力が発生し、低温側の基板１０２０に圧縮応力が発生すると、ｐ型熱電変換素子１２ａ又はｎ型熱電変換素子１２ｂの上下両端部には、中央部に比べて大きい、異なる方向の応力が発生する。その結果、例えば図２（Ｃ）の点線Ｘで示したような接合部分に、破壊が生じる場合がある。即ち、ｐ型熱電変換素子１２ａ又はｎ型熱電変換素子１２ｂと下側電極１３との接合部分や、ｐ型熱電変換素子１２ａ又はｎ型熱電変換素子１２ｂと上側電極１０１０との接合部分に、応力、歪みが発生し、それらの接合部分に破壊が生じる場合がある。
【００２３】
一方、図３に示す熱電変換モジュール２０００は、上側電極１０１０側に基板を設けない、スケルトンタイプの熱電変換モジュールである。このような熱電変換モジュール２０００では、図３（Ｃ）に示すように、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの上端部（上側電極１０１０側の端部）の、側方への変位の自由度が増す。そのため、例えば図３（Ｃ）の点線Ｙで示したような接合部分に加わる力を減少させ、上記の熱電変換モジュール１０００で見られるような応力、歪みの発生を、ある程度軽減することが可能になる。
【００２４】
しかし、隣接するｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂは、上端部側を一定寸法の平板の上側電極１０１０で接続され、同様に、下端部側を一定寸法の平板の下側電極１３で接続されている。そのため、隣接するｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの変位は、平板の上側電極１０１０及び下側電極１３の寸法により制限を受け、変位の程度によっては、上記のような接合部分の破壊を回避することができない場合がある。
【００２５】
複数の熱電変換素子を電極により直列に接続した熱電変換モジュールでは、熱電変換素子と電極との接合部分の１箇所にでも破壊が生じれば、断線により、熱電変換モジュール全体が機能しなくなってしまう。
【００２６】
これに対し、上記熱電変換モジュール１０は、図１に示したように、１枚の基板１１を用いたスケルトンタイプであり、更に、隣接するｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂを接続する上側電極１４に凹部１４ａを設ける。
【００２７】
熱電変換モジュール１０は、スケルトンタイプであるため、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの上端部（上側電極１４側の端部）の変位自由度を増すことができる。
【００２８】
更に、熱電変換モジュール１０では、上側電極１４に凹部１４ａを設けることで、上側電極１４がバネのように変形可能になっている。そのため、上側電極１４は、熱電変換モジュール１０の動作時に発生する温度差に起因してｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂが近付いたり離れたりしたとき等の変位に伴って変形する。その結果、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂにおける応力、歪みの発生が、効果的に抑制されるようになる。
【００２９】
従って、熱電変換モジュール１０では、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂと下側電極１３との接合部分、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂと上側電極１４との接合部分の破壊が効果的に抑制されるようになる。その結果、信頼性の高い、熱電変換モジュール１０を得ることが可能となる。
【００３０】
ここで、熱電変換モジュール１０を、その上下に繰り返し温度差が発生するような条件で動作させ、発電モジュールとしての性能を調査した結果について述べる。
熱電変換モジュール１０に繰り返し与える上側と下側の温度差は０℃から１００℃とし、温度保持時間は１０分、温度の変化時間は１０分である。比較のため、上記図３に示した熱電変換モジュール２０００についても、同条件でその性能を調査した。
【００３１】
まず、図３に示した熱電変換モジュール２０００では、繰り返し回数が２０００回を過ぎると、電力が全く得られなくなった。この熱電変換モジュール２０００を調査した所、隣接するｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂを接続する上側電極１０１０の１つにおいて、その接合部分に、クラックが発生していることが確認された。
【００３２】
一方、図１に示した熱電変換モジュール１０では、繰り返し回数が３０００回を過ぎても電力を得ることができ、繰り返し回数が３０００回でも故障が発生していないことが確認された。上側電極１４に凹部１４ａを設けた熱電変換モジュール１０は、繰り返しの温度変化に対する耐久性が高く、高い信頼性を確保することができると言える。
【００３３】
続いて、上記熱電変換モジュールの形成方法の一例について説明する。
図４は下側電極形成工程の一例の説明図であって、（Ａ）は斜視模式図、（Ｂ）は（Ａ）のＬ４−Ｌ４断面模式図である。
【００３４】
まず、所定サイズのアルミナ等の基板１１上に、焼成ペースト等の接合部材１６を用いて、複数の所定サイズの下側電極１３を、所定位置に接合配置する。その際は、１つの下側電極１３上に、一対のｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂ、又はいずれか一方を配置し、基板１１上全体ではｐ，ｎが交互に並ぶようにすることを考慮し、所定サイズの各下側電極１３を基板１１上に配置する。
【００３５】
ここで、基板１１には、例えば、厚さ０．５ｍｍ、平面サイズ４０ｍｍ角のものを用いることができる。接合部材１６には、例えば、樹脂系エポキシ接着剤を用いることができる。また、下側電極１３には、例えば、厚さ０．１ｍｍ、平面サイズ３．１ｍｍ×７．２ｍｍの矩形状の、Ｃｕ又はＣｕを主体とする金属板を用いることができる。但し、リード線１７，１８を接続する下側電極１３のみ、他のものと異なる平面サイズとしている。
【００３６】
図５は熱電変換素子配置工程の一例の説明図であって、（Ａ）は斜視模式図、（Ｂ）は（Ａ）のＬ５−Ｌ５断面模式図である。
基板１１上への下側電極１３の配置後、各下側電極１３の上に、接合部材１５を介して、ｐ型熱電変換素子１２ａ、ｎ型熱電変換素子１２ｂを接合配置する。その際は、１つの下側電極１３上に一対のｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂを配置し、リード線１７，１８を接続する下側電極１３にはｐ型熱電変換素子１２ａ又はｎ型熱電変換素子１２ｂのいずれかを配置する。そして、基板１１上全体で、ｐ，ｎが交互に並ぶように、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂを配置する。
【００３７】
ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂは、例えば、いずれも底面サイズが３ｍｍ角、高さが５ｍｍの四角柱形状のものを用いることができ、隣接するｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂの間隔は、例えば、２ｍｍとすることができる。
【００３８】
下側電極１３と、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂとは、例えば、Ｂｉ−Ｓｎ又はＢｉ−Ｓｎを主体とする合金半田を接合部材１５に用いて、接合することができる。その場合、接合には、２００℃〜２５０℃の加熱炉を用いることができ、接合部材１５を溶融し、その後固化することで、下側電極１３と、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂとを接合する。尚、接合部材１５と、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂとの濡れ性を良好にするため、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの端面に、予め厚さ１μｍ程度のＮｉめっきを施しておいてもよい。
【００３９】
ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの配置後には、それらの上に、予め所定形状にプレス加工された金属板（電極用部材）を配置する。
ここで、図６は金属板プレス加工工程の一例の説明図であって、（Ａ）は斜視模式図、（Ｂ）は（Ａ）の要部拡大模式図、（Ｃ）はプレス加工後の金属板の斜視模式図である。
【００４０】
プレス加工する金属板２０（電極用部材）には、例えば、厚さ０．１ｍｍ、平面サイズ４００ｍｍ×４００ｍｍの、例えばＣｕ又はＣｕを主体とする大判のものを用いることができる。１個分の熱電変換モジュール１０に使用する金属板２０ａのサイズが４０ｍｍ角であるとした場合、この１枚の金属板２０からは、１００個分の熱電変換モジュール１０に使用可能な上側電極１４を得ることができる。
【００４１】
金属板２０をプレス加工する際の金型３０は、図６（Ａ）に示すように、１個分の熱電変換モジュール１０に使用される金属板２０ａのサイズに相当するユニット３１が、縦に１０個、横に１０個、計１００個連結されている。
【００４２】
個々のユニット３１の、プレス加工時に金属板２０と対向させる面側には、図６（Ｂ）に示すように、金属板２０を、１個分の熱電変換モジュール１０に使用される金属板２０ａのサイズに切断するためのエッジ部３１ｂが設けられている。
【００４３】
また、エッジ部３１ｂに囲まれた領域には、隣接する一対のｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂの間に対応する部分、即ち上側電極１４に凹部１４ａを形成する部分に、凸部３１ａが設けられている。凸部３１ａとしては、例えば、図６（Ｂ）に示すように、ａ方向に見たときの形状が円弧状のものを形成することができる。凸部３１ａの曲率半径を０．７５ｍｍに設定した場合、曲率半径が０．８ｍｍの凹部１４ａを形成することができる。
【００４４】
このようなユニット３１が複数（ここでは１００個）連結された金型３０を用い、金属板２０のプレス加工を行う。プレス加工は、例えば、温度６５０℃〜８００℃、圧力数百ｋｇ／ｃｍ2程度の条件で行う。このプレス加工により、図６（Ｃ）に示すような、複数の凹部１４ａが形成された、平面サイズ４０ｍｍ角の金属板２０ａ（電極用部材）を、１枚の金属板２０から、金型３０のユニット３１の個数分得る。
【００４５】
尚、ここでは、プレス加工する金属板２０として、Ｃｕ又はＣｕを主体とするものを例示したが、電気抵抗が低く、且つ、熱伝導性の良いものであれば、Ｃｕ又はＣｕを主体とするもの以外の他の材料を用いることもできる。例えば、金属板２０として、アルミニウム（Ａｌ）若しくはＡｌを主体するもの、銀（Ａｇ）若しくはＡｇを主体とするもの、又は、ベリリウム銅（ＢｅＣｕ）若しくはＢｅＣｕを主体とするもの等を用いることもできる。例えば、金属板２０に、Ｃｕ等に比べて材料コストの低いＡｌを用いる場合には、プレス加工条件を、温度３７０℃〜４５０℃、圧力数百ｋｇ／ｃｍ2程度とすることができる。
【００４６】
図７は金属板配置工程の一例の説明図であって、（Ａ）は斜視模式図、（Ｂ）は（Ａ）のＬ７−Ｌ７断面模式図である。
大判の金属板２０から切り取られた個々の金属板２０ａは、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂを交互に並べて配置した基板１１に対向させて配置する。
【００４７】
その際は、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの上端部に、予め合金半田等の接合部材１５を形成しておく。尚、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの端面に、厚さ１μｍ程度のＮｉめっきを施しておき、その上に接合部材１５を形成してもよい。
【００４８】
そして、金属板２０ａに形成されている凹部１４ａが、隣接する一対のｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂの間隙に配置されるように、金属板２０ａを位置合わせして配置する。金属板２０ａをｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの側に押し付けながら、２００℃〜２５０℃の加熱炉を用いて接合部材１５を溶融し、その後固化することで、金属板２０ａと、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂとを接合する。
【００４９】
尚、ここでは、予め接合部材１５をｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの上端部に形成する場合を例示したが、接合方法はこれに限定されるものではない。例えば、金属板２０ａの、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの上端部に対応する位置に、予め選択的に接合部材１５を形成しておき、このような金属板２０ａを位置合わせして配置し、接合を行うようにしてもよい。或いは、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの上端部に予め接合部材１５の一部を形成し、更に、当該上端部に対応する金属板２０ａの位置に予め選択的に接合部材１５の一部を形成して、位置合わせ後、接合を行うようにしてもよい。
【００５０】
尚、いずれの接合方法を用いても、金属板２０ａとｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂとを確実に接合することが可能である。
上記のようにして金属板２０ａを接合した後は、金属板２０ａを切断加工し、図１に示したような、隣接するｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂを接続する上側電極１４を形成する。金属板２０ａの切断加工には、プレス機等を利用することができる。その場合には、例えば、図７（Ｂ）に示すように、金属板２０ａの、凹部１４ａと、隣接するｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂの上方部分とを含む領域の外周に対応する部分にエッジ部２０１を備えた金型２００を用いることができる。
【００５１】
これにより、ｐ型熱電変換素子１２ａ、ｎ型熱電変換素子１２ｂ、下側電極１３及び上側電極１４等を含む直列回路が形成される。この直列回路の末端となる下側電極１３には、図１に示したように、リード線１７，１８が接続される。
【００５２】
以上の工程により、図１に示したような、隣接するｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂの間に凹部１４ａが設けられるように接合された上側電極１４を備える熱電変換モジュール１０が形成される。
【００５３】
尚、以上の説明では、主に、凹部１４ａとして断面円弧状のものを例にして説明したが、凹部１４ａの形状はこれに限定されるものではなく、例えば、断面逆三角形状とすることもできる。この場合には、上記図６のプレス加工工程において、ａ方向に見たときの形状が三角形状の凸部を形成した金型を用意し、そのような金型を用いて金属板２０のプレス加工を行うようにすればよい。
【００５４】
また、以上の説明では、上側電極１４を、断面円弧状又は断面逆三角形状の凹部１４ａの凸面側が基板１１側になるように配置する場合を例示したが、上側電極１４は、凹部１４ａの凸面側が基板１１側と反対側になるように配置することもできる。この場合には、上記図７の金属板２０ａの配置工程において、金属板２０ａを表裏反転して配置し、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂとの接合を行うようにすればよい。
【００５５】
また、以上の説明では、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂに用いる熱電変換材料として、ＢｉＳｂＴｅ，ＢｉＴｅＳｅといったＢｉＴｅ系材料を用いる場合を例示したが、その他の材料を用いることもできる。
【００５６】
例えば、ＢｉＴｅ系（ＢｉＴｅ，ＳｂＴｅ，ＢｉＳｅ及びこれらの化合物）の材料のほか、ＰｂＴｅ系（ＰｂＴｅ，ＳｎＴｅ，ＡｇＳｂＴｅ，ＧｅＴｅ及びこれらの化合物）の材料を用いることもできる。また、ＳｉＧｅ系（Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｉＧｅ）の材料、シリサイド系（ＦｅＳｉ，ＭｎＳｉ，ＣｒＳｉ）の材料を用いることもできる。また、スクッテルダイト系（ＭＸ3又はＲＭ4Ｘ12と表される化合物。Ｍ＝Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ；Ｘ＝Ａｓ，Ｐ，Ｓｂ；Ｒ＝Ｌａ，Ｙｂ，Ｃｅ）の材料を用いることもできる。また、遷移金属酸化物系（ＮａＣｏＯ，ＣａＣｏＯ，ＺｎＩｎＯ，ＳｒＴｉＯ，ＢｉＳｒＣｏＯ，ＰｂＳｒＣｏＯ，ＣａＢｉＣｏＯ，ＢａＢｉＣｏＯ）の材料を用いることもできる。また、亜鉛アンチモン系（ＺｎＳｎ）の材料を用いることもできる。また、ホウ素化合物（ＣｅＢ，ＢａＢ，ＳｒＢ，ＣａＢ，ＭｇＢ，ＶＢ，ＮｉＢ，ＣｕＢ，ＬｉＢ）の材料を用いることもできる。また、クラスター固体（Ｂクラスター，Ｓｉクラスター，Ｃクラスター，ＡｌＲｅ，ＡｌＲｅＳｉ）の材料を用いることもできる。また、酸化亜鉛系（ＺｎＯ）の材料を用いることもできる。また、カーボンナノチューブを用いることもできる。
【００５７】
次に、第２の実施の形態について説明する。
図８は第２の実施の形態に係る熱電変換モジュールの一例の説明図であって、（Ａ）は斜視模式図、（Ｂ）は（Ａ）のＬ８−Ｌ８断面模式図である。尚、図８では、図１に示した要素と同一の要素については同一の符号を付している。
【００５８】
図８には、上側電極４１に断面逆三角形状に曲折した凹部４１ａを設けている熱電変換モジュール４０を例示している。このような熱電変換モジュール４０は、例えば、次のようにして形成することができる。
【００５９】
図９は金属板配置工程の一例の説明図であって、（Ａ）は斜視模式図、（Ｂ）は（Ａ）のＬ９−Ｌ９断面模式図である。
まず、上記同様、基板１１上に接合部材１６を介して下側電極１３を配置し（図４）、下側電極１３上に接合部材１５（又はＮｉめっきと接合部材１５）を介してｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂを配置する（図５）。
【００６０】
次いで、図９に示すように、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの上に、接合部材１５（又はＮｉめっきと接合部材１５）を介して、予め４０ｍｍ角にカットされた、例えば厚さ０．１ｍｍの金属板５０（電極用部材）を接合する。
【００６１】
図１０はプレス加工及び切断加工工程の一例の説明図であって、（Ａ）は斜視模式図、（Ｂ）は（Ａ）のＬ１０−Ｌ１０断面模式図である。
金属板５０の接合後は、金属板５０を上側電極４１のサイズに切断するためのエッジ部６１ｂと、上側電極４１の凹部４１ａを形成する部分に設けられた凸部６１ａとが形成された金型６０を用い、金属板５０のプレス加工及び切断加工を行う。尚、図１０には、金型６０によるプレス加工及び切断加工後の状態を例示している。
【００６２】
これにより、ｐ型熱電変換素子１２ａ、ｎ型熱電変換素子１２ｂ、下側電極１３及び上側電極４１等を含む直列回路が形成される。この直列回路の末端となる下側電極１３には、図８に示したように、リード線１７，１８が接続される。
【００６３】
以上の工程により、図８に示したような熱電変換モジュール４０が形成される。このような方法により熱電変換モジュール４０を形成する場合、図９の工程で用いる金属板５０としては、Ｃｕ板又はＣｕを主体とする金属板、Ａｌ板又はＡｌを主体とする金属板等を用いることが可能である。中でもＡｌ板又はＡｌを主体とする金属板は好適である。Ａｌ板は、銅板に比べて弾性率が小さい。そのため、図９に示すように金属板５０をｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂと接合した後、図１０に示すように金型６０によるプレス加工及び切断加工を行っても、当該接合した部分に加わる力を抑えることが可能になる。
【００６４】
ここで、熱電変換モジュール４０を、その上下に繰り返し温度差が発生するような条件で動作させ、発電モジュールとしての性能を調査した結果について述べる。
ここでは、上側電極１４をＡｌ板により形成した熱電変換モジュール４０を用いた。熱電変換モジュール４０に繰り返し与える上側と下側の温度差は０℃から８０℃とした。比較のため、上記図３に示した熱電変換モジュール２０００で、平板の上側電極１０１０にＡｌ板を用いたものについても、同条件でその性能を調査した。その結果、熱電変換モジュール４０は、熱電変換モジュール２０００に比べ、約２０％の寿命増加が認められた。上記の図９及び図１０に示したような方法により形成された熱電変換モジュール４０によっても、繰り返しの温度変化に対して高い信頼性を確保することができると言える。
【００６５】
次に、第３の実施の形態について説明する。
この第３の実施の形態では、予めプレス加工により所定形状の個々の上側電極１４を形成し、それを用いて熱電変換モジュール１０の組み立てを行う場合について説明する。
【００６６】
尚、基板１１上に接合部材１６を介して下側電極１３を配置し（図４）、下側電極１３上に接合部材１５（又はＮｉめっきと接合部材１５）を介してｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂを配置する（図５）工程は、上記と同様である。このように配置されるｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂに接合する個々の上側電極１４は、次のようなプレス加工により形成する。
【００６７】
図１１は金属板プレス加工工程の一例の説明図であって、（Ａ）は斜視模式図、（Ｂ）は（Ａ）の要部拡大模式図、（Ｃ）はプレス加工後の金属板の斜視模式図である。
プレス加工する金属板７０（電極用部材）には、例えば、厚さ０．１ｍｍ、平面サイズ４００ｍｍ×４００ｍｍの、例えばＣｕ又はＣｕを主体とする大判のものを用いることができる。
【００６８】
金属板７０をプレス加工する際の金型８０は、図１１（Ａ）に示すように、１個分の熱電変換モジュール１０のサイズに相当するユニット８１が、縦に１０個、横に１０個、計１００個連結されている。
【００６９】
個々のユニット８１の、プレス加工時に金属板７０と対向させる面側には、図１１（Ｂ）に示すように、金属板７０を、１個分の熱電変換モジュール１０に相当するサイズに切断するための第１エッジ部８１ｂが設けられている。更に、個々のユニット８１には、金属板７０から１個分の熱電変換モジュール１０に使用される個々の上側電極１４（ここでは１２枚）を切断するための第２エッジ部８１ｃが設けられている。
【００７０】
また、第２エッジ部８１ｃに囲まれた領域には、上側電極１４の凹部１４ａを形成する部分に、例えば、図１１（Ｂ）に示すように、ａ方向に見たときの形状が円弧状になる、凸部８１ａが設けられている。
【００７１】
尚、ここでは、第１，第２エッジ部８１ｂ，８１ｃ及び凸部８１ａを備える金型８０を例示したが、第１，第２エッジ部８１ｂ，８１ｃ及び凸部８１ａのうち、第２エッジ部８１ｃと凸部８１ａのみを備える金型８０を用いてもよい。
【００７２】
このようなユニット８１が複数（ここでは１００個）連結された金型８０を用い、金属板７０のプレス加工を行う。プレス加工は、例えば、温度６５０℃〜８００℃、圧力数百ｋｇ／ｃｍ2程度の条件で行う。このプレス加工により、凹部１４ａが形成された、平面サイズ約３ｍｍ×５ｍｍの、複数の上側電極１４を得る。
【００７３】
このようにして得られる個々の上側電極１４を、それぞれ、隣接する一対のｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの上に、接合部材１５（又はＮｉめっきと接合部材１５）を介して、接合する。
【００７４】
図１２は接合工程の一例の断面模式図である。
上側電極１４の接合にあたっては、例えば、図１２に示すような治具９０を用いることができる。この治具９０には、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂに接合する上側電極１４の配置に対応した位置に、窪み９１が設けられている。
【００７５】
治具９０は、例えば、ステンレス等の金属を用いて形成することができる。また、治具９０は、後に行う接合時の温度、例えば２００℃〜２５０℃程度の耐熱温度があれば、その全部又は一部にガラスや樹脂を用いて形成することもできる。例えば、治具９０の一部にガラスや樹脂を用いる場合には、窪み９１を形成した上層部分、或いは、異なる窪み９１の間の部分を、ガラスや樹脂で形成し、それを平板の金属上に設ける。
【００７６】
治具９０を用いた上側電極１４の接合では、まず、先のプレス加工によって個々に切断された上側電極１４を、治具９０の窪み９１の中にそれぞれ配置する。このとき、上側電極１４は、その凹部１４ａが上（窪み９１の間口側）を向くようにして配置する。
【００７７】
そして、基板１１上に接合部材１６、下側電極１３、接合部材１５（又はＮｉめっきと接合部材１５）を介してｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂを配置したものを、上下反転させた状態で治具９０側に近付けていく。
【００７８】
尚、これに先立ち、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの上端部には、予め接合部材１５（又はＮｉめっきと接合部材１５）を形成しておく。また、当該上端部と上側電極１４上、或いは上側電極１４上のみに、予め接合部材１５を形成しておいてもよい。
【００７９】
その後、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂを治具９０の上側電極１４側に押し付けながら、２００℃〜２５０℃の加熱炉を用いて接合部材１５を溶融し、その後固化する。それにより、上側電極１４と、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂとを接合する。
【００８０】
このような治具９０を用いることにより、プレス加工によって個々に切断した上側電極１４を形成した後、それらの上側電極１４を一括でｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂに接合することができる。
【００８１】
また、上側電極１４の接合に用いる治具には、次の図１３に示すようなものを用いることもできる。
図１３は接合工程の別例の断面模式図である。
【００８２】
図１３の接合工程に用いる治具１００には、上記の治具９０と同様に上側電極１４が配置される複数の窪み１０１が設けられており、更に、各窪み１０１に、配置される上側電極１４をその間口側に付勢する一対のバネ１０２が取り付けられている。各窪み１０１の一対のバネ１０２は、配置される上側電極１４の凹部１４ａを挟んだ一方の側と他方の側に対応する位置に、それぞれ１つずつ取り付けられている。
【００８３】
このようなバネ１０２が取り付けられた各窪み１０１にそれぞれ、プレス加工によって切断された上側電極１４を配置し、そこにｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂを接合する。
【００８４】
このような治具１００を用いた場合には、たとえ基板１１上方に配置したｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂに高さ方向Ｈのばらつきが生じていても、接合時には、それらのばらつきに応じた高さに上側電極１４がバネ１０２で持ち上げられる。即ち、窪み１０１内の一方のバネ１０２は、上側電極１４の凹部１４ａを挟んだ一方の側をｐ型熱電変換素子１２ａに押し付け、凹部１４ａを挟んだ他方の側をｎ型熱電変換素子１２ｂに押し付ける。上側電極１４は、凹部１４ａを設けているため、このような凹部１４ａを挟んだ両側の、高さばらつき程度の独立した変位が可能になっている。
【００８５】
このように、窪み１０１にバネ１０２を取り付けた治具１００を用いることにより、高さばらつきのあるｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂにも、未接合部分を発生させず、確実に上側電極１４を接合することができる。
【００８６】
例えば、先に例示したＢｉＴｅ系の材料は、比較的脆いために、加工後に得られる個々のｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの高さに設計値からのずれ（例えば数μｍ〜数十μｍ程度）が生じる場合がある。このような場合にも、上記の治具１００では、上側電極１４を確実に接合することができるため、信頼性の高い熱電変換モジュール１０を、歩留まり良く、形成することができる。
【００８７】
尚、第３の実施の形態における以上の説明においては、凹部１４ａが形成されている個々の上側電極１４を予めプレス加工により形成し、それを、治具９０又は治具１００を用いて、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂに接合するようにした。このほか、次の図１４〜図１７に示すように、凹部１４ａを形成しながら接合を行い、熱電変換モジュール１０を組み立てることもできる。
【００８８】
図１４は接合前の状態の一例の断面模式図である。
この方法では、図１４に示すように、予め凹部１４ａを形成していない、平板の上側電極１４（電極用部材）を用いる。このような上側電極１４は、例えば、図１１に示したような金属板７０のプレス加工の段階で、第１エッジ部８１ｂ及び第２エッジ部８１ｃ（又は第２エッジ部８１ｃのみ）を有しているが凸部８１ａを有していない金型を用いることで、得ることができる。
【００８９】
このような上側電極１４の接合に用いる治具１１０には、図１４に示すような、各窪み１１１内に凸部１１１ａと、その凸部１１１ａを挟んだ両側に１つずつバネ１１２が取り付けられたものを用いる。各窪み１１１の凸部１１１ａは、配置される平板の上側電極１４に形成する凹部１４ａに対応する位置に設けられる。
【００９０】
このような各窪み１１１に平板の上側電極１４をそれぞれ配置した後、上側電極１４と、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂとの接合を行う。
図１５は第１接合工程の一例の断面模式図、図１６は第２接合工程の一例の断面模式図である。
【００９１】
まず、図１５に示すように、基板１１上に接合部材１６、下側電極１３、接合部材１５（又はＮｉめっきと接合部材１５）を介してｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂを配置したものを、上下反転させた状態で治具９０側に近付けていく。その際、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの上端部には、予め接合部材１５（又はＮｉめっきと接合部材１５）を形成しておく。尚、当該上端部と上側電極１４上、或いは上側電極１４上のみに、予め接合部材１５を形成しておいてもよい。
【００９２】
次いで、図１６に示すように、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂを治具１１０の上側電極１４側に押し付けながら、２００℃〜２５０℃の加熱炉を用いて接合部材１５を溶融し、その後固化する。このとき、上側電極１４には、窪み１１１に設けた凸部１１１ａによって凹部１４ａが形成される。それと共に、上側電極１４は、窪み１１１に設けた凸部１１１ａ両側のバネ１１２により、凸部１１１ａを挟んだ一方の側がｐ型熱電変換素子１２ａに押し付けられ、他方の側がｎ型熱電変換素子１２ｂに押し付けられる。
【００９３】
即ち、元々平板であった上側電極１４は、この接合の段階で、凹部１４ａを有する形状に変形されると共に、その凹部１４ａを挟んだ両側がそれぞれｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂに接合される。更に、バネ１１２により、たとえｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂに高さのばらつきが生じていても、それらのばらつきに応じた高さに上側電極１４がバネ１１２で持ち上げられるため、確実に上側電極１４と接合することができる。
【００９４】
図１７は接合後の状態の一例の断面模式図である。
上記のようにして上側電極１４を、凹部１４ａを形成した状態でｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂと接合した後は、得られた熱電変換モジュール１０を治具１１０から分離する。
【００９５】
このような治具１１０を用いた接合方法によっても、信頼性の高い熱電変換モジュール１０を、歩留まり良く、形成することができる。
尚、ここでは、窪み１１１に凸部１１１ａ及びバネ１１２を設けた治具１１０を用いたが、凸部１１１ａ及びバネ１１２のうち、凸部１１１ａのみを設けた治具１１０を用いても、上側電極１４の接合段階で凹部１４ａを形成することは可能である。
【００９６】
次に、第４の実施の形態について説明する。
図１８は第４の実施の形態に係る熱電変換モジュールの一例の説明図であって、（Ａ）は斜視模式図、（Ｂ）は（Ａ）のＬ１８−Ｌ１８断面模式図である。尚、図１８では、図１に示した要素と同一の要素については同一の符号を付している。
【００９７】
図１８に示す熱電変換モジュール１２０は、基板１１上方に配置したｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂの間を、可撓性を有する導電部材１２１（電極）によって電気的に接続している。導電部材１２１には、例えば、可撓性のベース材と、銅箔等を用いて形成した配線とを含む、フレキシブル配線を用いることができる。
【００９８】
このような熱電変換モジュール１２０は、例えば、次のようにして形成することができる。
まず、上記同様、基板１１上に接合部材１６を介して下側電極１３を配置し（図４）、下側電極１３上に接合部材１５（又はＮｉめっきと接合部材１５）を介してｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂを配置する（図５）。
【００９９】
その後、隣接するｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂを、導電部材１２１によって電気的に接続する。例えば、導電部材１２１にフレキシブル配線を用いる場合には、予めフレキシブル配線をその両端部に配線が露出する状態に加工しておき、露出させた両端部を半田等の接合部材を用いてｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂにそれぞれ接合する。
【０１００】
このようにして導電部材１２１を接合する際には、隣接するｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂの間隙部において、導電部材１２１が撓んで曲折した部分を有するように、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂに接合する。
【０１０１】
これにより、導電部材１２１で電気的に接続されたｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂとは、その導電部材１２１によっては拘束されることがない。そのため、熱電変換モジュール１２０の温度変化時の応力、歪みの発生を、効果的に抑制することができる。その結果、信頼性の高い熱電変換モジュール１２０が得られるようになる。
【０１０２】
ここで、熱電変換モジュール１２０を、その上下に繰り返し温度差が発生するような条件で動作させ、発電モジュールとしての性能を調査した結果について述べる。
ここではフレキシブルＣｕ配線を用いた熱電変換モジュール１２０を用い、そのフレキシブル配線の温度耐性に基づき、繰り返し与える上側と下側の温度差を０℃から４０℃とした。比較のため、上記図３に示した熱電変換モジュール２０００で、平板の上側電極１０１０にＣｕ板を用いたものについても、同条件でその性能を調査した。その結果、熱電変換モジュール１２０では、少なくとも熱電変換モジュール２０００で故障が認められない間は、故障が認められなかった。
【０１０３】
尚、上記の説明では、導電部材１２１にフレキシブル配線を用いた場合を例示したが、このほか、導電部材１２１には、各接続箇所につき、少なくとも１本のリード線、少なくとも１本のボンディングワイヤ等の線状部材を用いることもできる。リード線は、上記フレキシブル配線と同様の手法を用いてｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂに接合することが可能である。また、ボンディングワイヤは、例えば、ワイヤボンディング装置を用い、上端部に接合部材を形成したｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂにボンディングすることが可能である。
【０１０４】
このような導電部材１２１を用いた熱電変換モジュール１２０では、例えば、ｐ型熱電変換素子１２ａ又はｎ型熱電変換素子１２ｂとの接合部分で断線等の故障が発生した場合にも、板状の電極等に比べて容易にその故障箇所を修復することができる。
【０１０５】
また、導電部材１２１として、薄いもの、細いもの、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂとの接点が小さいもの等を選択することができるため、導電部材１２１での熱損失を抑えることができる。その結果、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂに効率的に熱が伝わるようになるため、熱電変換モジュール１２０の熱電変換効率を向上させることが可能になる。
【０１０６】
次に、第５の実施の形態について説明する。
図１９は第５の実施の形態に係る熱電変換モジュールの一例の説明図である。尚、図１９では、図１に示した要素と同一の要素については同一の符号を付している。
【０１０７】
図１９に示す熱電変換モジュール１３０は、ｎ型熱電変換素子１２ｂのみを用いて形成されている。そして、電極１３１が、一のｎ型熱電変換素子１２ｂの上端部と、そのｎ型熱電変換素子１２ｂに隣接する別のｎ型熱電変換素子１２ｂの下端部とを電気的に接続するように配置されている。尚、末端のｎ型熱電変換素子１２ｂには、板状の電極１３２が接続されている。隣接するｎ型熱電変換素子１２ｂ間を電気的に接続する電極１３１は、一部を波状にすることにより、それに伸縮性（バネ性）を持たせている。熱電変換モジュール１３０では、このような電極１３１により、複数のｎ型熱電変換素子１２ｂが直列に接続されている。
【０１０８】
このような熱電変換モジュール１３０のｎ型熱電変換素子１２ｂには、例えば、ＣａＭｎＯ3等の酸化物系の材料を用いて形成されるものを使用することができる。
上記のような波状の部分を有する電極１３１は、プレス加工により形成することができる。即ち、例えば、所定形状の上型と下型とを有する金型を使用し、金属板から、隣接するｎ型熱電変換素子１２ｂの端部と接合する２つの平坦部１３１ａと、それら平坦部１３１ａ間の波状部１３１ｂとを有する個々の電極１３１を形成する。
【０１０９】
このようにして形成した電極１３１が用いられ、一のｎ型熱電変換素子１２ｂの上端部と、そのｎ型熱電変換素子１２ｂに隣接する別のｎ型熱電変換素子１２ｂの下端部とが、接合部材１５（又はＮｉめっきと接合部材１５）を介して電極１３１で接続される。このような接続状態の複数のｎ型熱電変換素子１２ｂが、基板１１上方に配置されている。基板１１と電極１３１とは、接合部材１６を用いて接合される。
【０１１０】
このような熱電変換モジュール１３０によれば、温度変化時の応力、歪みの発生を、効果的に抑制することができる。
ここで、熱電変換モジュール１３０を、その上下に繰り返し温度差が発生するような条件で動作させ、発電モジュールとしての性能を調査した結果について述べる。
【０１１１】
ここではｎ型熱電変換素子１２ｂに酸化物系材料を用いた熱電変換モジュール１３０を用い、その酸化物系材料の温度耐性に基づき、繰り返し与える上側と下側の温度差を０℃から５００℃とした。比較のため、上記のような波状部１３１ｂを形成していない熱電変換モジュールを形成し、その熱電変換モジュールについて、同条件でその性能を調査した。その結果、熱電変換モジュール１３０では、少なくとも比較用の熱電変換モジュールで故障が認められない間は、故障が認められず、約１０％の寿命増加も認められた。
【０１１２】
尚、ここではｎ型熱電変換素子１２ｂのみを用いた熱電変換モジュール１３０の場合を例示したが、ｐ型熱電変換素子１２ａのみを用い、上記のような電極１３１を用いて、熱電変換モジュールを形成することもできる。
【０１１３】
また、ここでは電極１３１を用いる場合を例示したが、このような電極１３１に替えて、フレキシブル配線等の可撓性を有する導電部材を電極に用いることもできる。この場合には、一の熱電変換素子の上端部と、その熱電変換素子に隣接する別の熱電変換素子の下端部とを電気的に接続する可撓性導電部材に、撓み（曲折部）を持たせるようにすればよい。
【０１１４】
次に、第６の実施の形態について説明する。
図２０は第６の実施の形態に係る熱電変換モジュールの一例の説明図である。尚、図２０では、図１に示した要素と同一の要素については同一の符号を付している。
【０１１５】
図２０に示す熱電変換モジュール１４０は、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂが、それらの中央部で基板１４２に支持されている。そして、隣接するｐ型熱電変換素子１２ａとｎ型熱電変換素子１２ｂが、上端部側、下端部側共に、凹部１４１ａを有する電極１４１によって電気的に接続されている。
【０１１６】
基板１４２には、例えば、厚さ０．８ｍｍ、平面サイズ４ｍｍ角のアルミナ基板を用いることができる。基板１４２には、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂが貫通する貫通孔が設けられている。
【０１１７】
電極１４１には、上記第１〜第３の実施の形態で述べた上側電極１４，４１と同様のものを用いることができる。また、電極１４１と、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂとは、上記第１〜第３の実施の形態で述べたような方法を用い、接合部材１５（又はＮｉめっきと接合部材１５）を介して接合することができる。
【０１１８】
このような熱電変換モジュール１４０では、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂが、それらの中央部で基板１４２に支持されているため、動作時の温度変化に対する上端部側及び下端部側の自由度を確保することができる。更に、この熱電変換モジュール１４０では、電極１４１に凹部１４１ａを設けているため、電極１４１が、温度変化によるｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの変位に伴って変形し、応力、歪みの発生が効果的に抑制される。
【０１１９】
ここで、熱電変換モジュール１４０を、その上下に繰り返し温度差が発生するような条件で動作させ、発電モジュールとしての性能を調査した結果について述べる。
ここでは上記熱電変換モジュール１４０を用い、繰り返し与える上側と下側の温度差を０℃から８０℃とした。比較のため、上記のような凹部１４１ａを形成していない平板の電極を用いた熱電変換モジュールを形成し、その熱電変換モジュールについて、同条件でその性能を調査した。その結果、熱電変換モジュール１４０では、少なくとも比較用の熱電変換モジュールで故障が認められない間は、故障が認められなかった。
【０１２０】
尚、ここではｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂの両端部側に、凹部１４１ａを設けた電極１４１を配置するようにしたが、一方の端部側にだけこのような電極１４１を配置した場合にも、一定の効果を得ることが可能である。
【０１２１】
また、電極１４１に替えて、フレキシブル配線等の可撓性を有する導電部材を用い、そのような導電部材で少なくとも一方の端部側を接続し、ｐ型熱電変換素子１２ａ及びｎ型熱電変換素子１２ｂを電気的に接続することもできる。また、一方の端部側をこのような可撓性導電部材で接続し、他方の端部側を上記の電極１４１を用いて形成することもできる。
【０１２２】
尚、以上の説明において、個々の上側電極１４及び電極１４１には、それぞれ凹部１４ａ及び凹部１４１ａを１つずつ設けるようにした。このほか、熱電変換モジュールの一対の熱電変換素子１５０ａ，１５０ｂの電気的接続には、図２１（Ａ）のように複数の凹部１６０ａを設けた電極１６０を用いたり、図２１（Ｂ）のように波状部１７０ｂを設けた電極１７０を用いたりすることもできる。このような電極１６０，１７０によっても、温度変化による熱電変換素子の変位に起因した応力、歪みの発生を効果的に抑制することが可能である。
【０１２３】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  一対の熱電変換素子と、
前記一対の熱電変換素子を電気的に接続し、前記一対の熱電変換素子間に曲折部を有する電極と、
を含むことを特徴とする熱電変換モジュール。
【０１２４】
（付記２）  前記電極は、板状部材であることを特徴とする付記１に記載の熱電変換モジュール。
（付記３）  前記電極は、少なくとも１本の線状部材を含むことを特徴とする付記１に記載の熱電変換モジュール。
【０１２５】
（付記４）  前記一対の熱電変換素子は、ｎ型熱電変換素子とｐ型熱電変換素子の対であることを特徴とする付記１乃至３のいずれかに記載の熱電変換モジュール。
（付記５）  前記一対の熱電変換素子は、ｎ型熱電変換素子の対、又はｐ型熱電変換素子の対であることを特徴とする付記１乃至３のいずれかに記載の熱電変換モジュール。
【０１２６】
（付記６）  一対の熱電変換素子を配置する工程と、
前記一対の熱電変換素子に、前記一対の熱電変換素子間に曲折部を有する電極を電気的に接続する工程と、
を含むことを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法。
【０１２７】
（付記７）  前記一対の熱電変換素子に前記電極を電気的に接続する工程は、
電極用部材に前記曲折部を形成する工程と、
前記電極用部材を、前記曲折部を前記一対の熱電変換素子間に配置して前記一対の熱電変換素子に電気的に接続する工程と、
前記電極用部材の、前記曲折部と、前記一対の熱電変換素子の上方部分とを含む領域の外周を切断し、前記電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする付記６に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
【０１２８】
（付記８）  前記一対の熱電変換素子に前記電極を電気的に接続する工程は、
電極用部材を前記一対の熱電変換素子の上方に配置して前記一対の熱電変換素子に電気的に接続する工程と、
前記電極用部材の前記一対の熱電変換素子間の部分に前記曲折部を形成すると共に、前記電極用部材の、前記曲折部と、前記一対の熱電変換素子の上方部分とを含む領域の外周を切断し、前記電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする付記６に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
【０１２９】
（付記９）  前記一対の熱電変換素子に前記電極を電気的に接続する工程は、
前記曲折部を有する前記電極を形成する工程と、
前記電極を、前記曲折部を前記一対の熱電変換素子間に配置して前記一対の熱電変換素子に電気的に接続する工程と、
を含むことを特徴とする付記６に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
【０１３０】
（付記１０）  前記電極が配置される窪みを有する治具を用い、前記窪みに配置した前記電極に前記一対の熱電変換素子を押し付け、電気的に接続することを特徴とする付記９に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
【０１３１】
（付記１１）  前記窪みには、配置される前記電極を付勢するバネが配置されていることを特徴とする付記１０に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
（付記１２）  前記一対の熱電変換素子に前記電極を電気的に接続する工程は、
電極用部材を前記電極のサイズに切断する工程と、
切断された前記電極用部材の前記一対の熱電変換素子間に前記曲折部を形成して前記電極を形成すると共に、前記電極を前記一対の熱電変換素子に電気的に接続する工程と、
を含むことを特徴とする付記６に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
【０１３２】
（付記１３）  切断された前記電極用部材が配置される窪みと、前記窪みに設けられた凸部とを有する治具を用い、前記窪みに配置した、切断された前記電極用部材に前記一対の熱電変換素子を押し付け、前記凸部によって前記曲折部を形成して前記電極を形成すると共に、前記電極を前記一対の熱電変換素子に電気的に接続することを特徴とする付記１２に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
【０１３３】
（付記１４）  前記窪みには、配置される前記電極を付勢するバネが配置されていることを特徴とする付記１３に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
【符号の説明】
【０１３４】
１０，４０，１２０，１３０，１４０，１０００，２０００  熱電変換モジュール
１１，１４２，１０２０  基板
１２ａ  ｐ型熱電変換素子
１２ｂ  ｎ型熱電変換素子
１３  下側電極
１４，４１，１０１０  上側電極
１４ａ，４１ａ，１４１ａ，１６０ａ  凹部
１５，１６  接合部材
１７，１８  リード線
２０，２０ａ，５０，７０  金属板
３０，６０，８０，２００  金型
３１，８１  ユニット
３１ａ，６１ａ，８１ａ，１１１ａ  凸部
３１ｂ，６１ｂ，２０１  エッジ部
８１ｂ  第１エッジ部
８１ｃ  第２エッジ部
９０，１００，１１０  治具
９１，１０１，１１１  窪み
１０２，１１２  バネ
１２１  導電部材
１３１，１３２，１４１，１６０，１７０  電極
１３１ａ  平坦部
１３１ｂ，１７０ｂ  波状部
１５０ａ，１５０ｂ  熱電変換素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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