(57)【要約】【課題】広視野、高分解能、高効率検出、均一検出効率の走査型電子顕微鏡を低コスト省スペースで提供する。【解決手段】電磁界複合対物レンズ２１０内に配置された試料６に電子線を走査して照射し、発生した２次電子を衝突させるターゲット２９０と、負の電位を有しターゲット２９０を介した２次電子を追い返す追返電極２５０と、２台の２次電子検出器２２０を備える走査型電子顕微鏡２００において、ターゲット２９０は下側に向け窄まる略円錐形状のターゲット面として外周面２９５を備えると共に上下に貫通する電子線通過孔２９７備え、２次電子を外周面２９５に高い効率で衝突可能とすると共に２次電子検出器２２０からの電界を遮蔽する防電体としての役割を果たすものとした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁界複合対物レンズ内に配置された試料に照射された電子線が通過する通過孔及び前記試料から発生した２次電子が衝突するターゲット面を備えるターゲットと、
負の電位を有し前記ターゲットを介した２次電子を追い返す追返電極と、
前記ターゲットと前記追返電極との間の部位に対応して配置され、前記ターゲットまたは前記追返電極を介した２次電子を検出する２個又は３個の２次電子検出器と、
を有する２次電子検出装置であって、
前記ターゲットに前記２次電子検出器からの電界を遮蔽する防電体を配置したことを特徴とする２次電子検出装置。
【請求項２】
前記ターゲットには防電体として筒状部材が配置されることを特徴とする請求項１記載の２次電子検出装置。
【請求項３】
前記ターゲットは、前記試料に向け延設され前記防電体としての作用をなすことを特徴とする請求項１記載の２次電子検出装置。
【請求項４】
前記ターゲットは、前記電子線の射出側を先端とする略錐形状のターゲット面を備えることを特徴とする請求項３記載の２次電子検出装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の２次電子検出装置を備えることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は２次電子検出装置及び走査型電子顕微鏡に係り、特に電磁界複合の対物レンズ内に配置された試料に照射される電子線により試料から発生した２次電子が衝突するターゲットと、負の電位を有し前記ターゲットを介した２次電子を追い返す追返電極と、前記ターゲットと追返電極との間に配置され、ターゲットまたは追返電極を介した２次電子を検出する２個又は３個の２次電子検出器とを有する２次電子検出装置及びこの２次電子検出装置を備えた走査型電子顕微鏡に関する。
【背景技術】
【０００２】
走査型電子顕微鏡は、半導体素子やマスクの観察に使用され、その解像度は半導体素子等の微細化と共にされて向上が求められてきている。
【０００３】
このような解像度の向上を目的として１９７０年台、インレンズ方式の走査型電子顕微鏡が開発された。このインレンズ方式の走査型電子顕微鏡は、２次電子を対物レンズの磁界で束縛して対物レンズの上方で検出するようにしているため、２次電子検出器の電界により入射する電子線の乱れが発生することがある。この電子線の乱れを防止するため、２次電子検出器の電界から入射する電子線を保護する防電筒を設けるものが提案された（特許文献１参照）。
【０００４】
図８は防電筒を備える従来の走査型電子顕微鏡を示す概略断面図である。この走査型電子顕微鏡は、磁極片２，３、ヨーク４、励磁コイル５からなる対物レンズ１内に例えば半導体ウエハー等の試料６を配置し、この試料６に偏向系７で走査した電子線ＥＢを図中ＥＢ１からＥＢ２まで照射し、発生した２次電子ｅを対物レンズ１の上方に設けた２次電子検出器８で検出するものである。そして、対物レンズ１の上方に配置される集束レンズ９の下方には、照射される電子線への２次電子検出器８の影響を防ぐ防電筒１０を配置している。この防電筒１０は、２次電子検出器８によって生じる張出電界１１を遮断するものであり、導電性の材料で筒状に形成され、前記対物レンズ１近傍まで垂下されており、電子線ＥＢは、防電筒１０内を前記張出電界１１の影響を受けることなく試料６に照射される。
【０００５】
しかしこの特許文献１に記載の走査型電子顕微鏡は、２次電子検出器から離れた方向での２次電子の検出効率が劣化し、電子線ＥＢの走査位置により数１０％以上の検出効率の違いが発生し、視野面内で暗い部分から明るい部分の明るさの斑が発生することがある。この斑は測長ＳＥＭにおいてＣＤの測定に誤差を発生させるという問題があった。この問題は、特に１０μｍ以上の広視野を測定するときに特に顕著となる。しかし、この当時の走査型電子顕微鏡では、試料の形状を観察する程度の能力が要求されるだけであり、特に重要な問題とはならなかった。
【０００６】
その後、半導体の設計寸法は時代と共に微細化し、半導体の回路線幅は光の波長よりも短くなり、回路の観察に際しては近傍のパターンの影響を考慮しなければならず、従来のＣＤ−ＳＥＭでの１次元の計測では不十分で２次元での測定が必要になってきた。更に、不良が起こりやすい危険点の増大により転写パターン全面の測定も必要になってきた。このためＣＤ−ＳＥＭとしては、高分解能とともに測定の広視野化、高速度化と検出効率の均一性が求められるようになった。また、初期に行われていたパターン形状のみの観察から、パターンの設計データと比較するＤｉｅ  ｔｏＤａｔａｂａｓｅの測定方法が採用されるようになり、１００〜２００μｍの広視野においてサブｎｍオーダーの計測が行われるようになった。
【０００７】
このような要請に従って、測定装置としての走査型電子顕微鏡も、極低加速高分解能を得るため、対物レンズも前記インレンズ方式から、収差計数が１桁小さい減速場を持つ静電磁界複合レンズが採用され、その視野もμｍから１００〜２００μｍにまで拡大され、走査速度もＴＶ走査である８ＭＨｚから１００〜２００ＭＨｚにまで向上した。
【０００８】
今日、インレンズ方式が開発された１９７０年代と比較して、走査型電子顕微鏡は大幅な質的進歩を遂げている。また、半導体分野での最先端では２２ｎｍ世代の研究がなされるようになり、その要求も一段と厳しくなっている。半導体製造に際して、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）等の超解像技術が採用されるようになり、マスク検査とその転写レジストパターンの２次元画像での検査の重要性が増大している。このため、リソシミュレーターが使用されている。しかし、実際の転写パターンとシミュレーションの像には違いが発生し、最終的には転写レジストパターンの２次元画像での検査が必要となる。
【０００９】
このような背景のもと広視野均一高検出効率高速走査を実現するため、試料からの２次電子が衝突するターゲットと、４台の２次電子検出器とを備える走査型電子顕微鏡が提案されている（特許文献２参照）。図９はターゲットと４台の２次電子検出器を備える走査型電子顕微鏡を示す模式図である。この走査型電子顕微鏡１００は、ターゲット１１０全面から発生した２次電子を高い効率で検出するため、試料６の近傍に配置され減速場を持つ対物レンズ１３０、偏向コイル１４１，１４２を備えて構成される走査型電子顕微鏡において、電子光学軸Ｏに軸対称に４個の２次電子検出器１２０を配置し、前記２次電子検出器１２０の近傍に２次電子、反射電子が衝突するターゲット１１０を配置し、前記ターゲット１１０の下に、ターゲット１１０の電位より負の電位を持ち、ほぼ軸対称な少なくとも１個の電極部材１５０を備えたものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開昭５２−９１３６１号公報
【特許文献２】特開２００６−４８５５公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、前記特許文献２に記載の走査型電子顕微鏡にあっては、高価な２次電子検出器を４台使用するためコストが嵩む他、４台の２次検出器の配置スペースが大きくなるという問題があった。これに対して２次電子検出器を減らすことが要望されるが、２次電子検出器を３台以下とすると、検出方向に２次電子検出器に起因する電場の不均一さが残るため、非点を発生させるという問題がある。
【００１２】
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、広視野、高分解能、高効率検出、均一検出効率の走査型電子顕微鏡を低コスト省スペースで提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１の発明は、電磁界複合対物レンズ内に配置された試料に照射された電子線が通過する通過孔及び前記試料から発生した２次電子が衝突するターゲット面を備えるターゲットと、負の電位を有し前記ターゲットを介した２次電子を追い返す追返電極と、前記ターゲットと前記追返電極との間の部位に対応して配置され、前記ターゲットまたは前記追返電極を介した２次電子を検出する２個又は３個の２次電子検出器と、を有する２次電子検出装置であって、前記ターゲットに前記２次電子検出器からの電界を遮蔽する防電体を配置したことを特徴とする２次電子検出装置である。
【００１４】
請求項２の発明は、請求項１記載の２次電子検出装置において、前記ターゲットには防電体として筒状部材が配置されることを特徴とする。
【００１５】
請求項３の発明は、請求項１記載の２次電子検出装置において、前記ターゲットは、前記試料に向け延設され前記防電筒としての作用をなすことを特徴とする。
【００１６】
請求項４の発明は、請求項３記載の２次電子検出装置において、前記ターゲットは、前記電子線の射出側を先端とする略錐形状のターゲット面を備えることを特徴とする。
【００１７】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の２次電子検出装置を備えることを特徴とする走査型電子顕微鏡である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、電磁界複合対物レンズ内に試料を配置すると共に、非点収差の原因となる２台又は３台の２次電子検出器を備えた２次電子検出装置において、２次電子検出器からの電界を遮蔽する防電筒を配置するようにしたので、非点収差の原因となる電子線への２次電子検出器の影響を排除できることができ、低コスト化、省スペース化を実現しつつ広視野、高速走査、高解像度の観察が行える走査型電子顕微鏡を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施例に係る走査型電子顕微鏡の構成を示す模式図である。
【図２】実施例に係る走査型電子顕微鏡のターゲットを示す断面図である。
【図３】実施例に係る走査型電子顕微鏡の２次電子の軌跡を示す模式図である。
【図４】第２の実施例に係る走査型電子顕微鏡のターゲットを示す断面図である。
【図５】第３の実施例に係る走査型電子顕微鏡のターゲットを示す断面図である。
【図６】第４の実施例に係る走査型電子顕微鏡のターゲットを示す断面図である。
【図７】第５の実施例に係る走査型電子顕微鏡のターゲットを示す断面図である。
【図８】従来の走査型電子顕微鏡の構成を示す断面図である。
【図９】従来の走査型電子顕微鏡の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明に係る２次電子検出装置は、電磁界複合対物レンズ内に配置された試料に照射された電子線が通過する通過孔及び前記試料から発生した２次電子が衝突するターゲット面を備えるターゲットと、負の電位を有し前記ターゲットを介した２次電子を追い返す追返電極と、前記ターゲットと前記追返電極との間の部位に対応して配置され、前記ターゲット及び前記追返電極を介した２次電子を検出する２個又は３個の２次電子検出器と、を有する２次電子検出装置であって、前記ターゲットに前記２次電子検出器からの電界を遮蔽する防電体を配置したものである。
【００２１】
本例に係る２次電子検出装置によれば、電子線への２次電子検出器の影響を排除できるので、非点収差の原因となる電場を発生する２台又は３台の２次電子検出器を採用でき、低コスト且つ省スペースを実現しつつ広視野、高速走査、高解像度の観察を行うことができる。
【００２２】
また、本発明に係る２次電子検出装置は、前記ターゲットに防電体として筒状部材が配置されたものとすることができる。本例に係る２次電子検出装置によれば、ターゲットに２次電子を衝突させることができる他、筒状部材で入射する２次電子検出器の電界の影響を排除でき、簡単な構成で、低コスト且つ省スペースを実現しつつ広視野、高速走査、高解像度の観察を行うことができる。
【００２３】
また、本発明に係る２次電子検出装置のターゲットは、前記試料に向け延設され前記防電体としての作用をなすものとすることができる。本例に係る２次電子検出装置によれば、ターゲットを配置するだけでターゲット本来の役割と防電体の役割をなすことができ、部品点数を削減することができる。
【００２４】
また、本発明に係る２次電子検出装置のターゲットは、前記電子線の射出側を先端とする略錐形状のターゲット面を備えることができる。本例に係る２次電子検出装置によれば、ターゲットの外周面を試料近傍に、試料から発生する２次電子線に対して所定角度の広がりを持って配置されるので、試料からの２次電子線はこの外周面に効率良く衝突し、この衝突により発生するターゲットからの２次電子線の発生効率を高いものとすることができる。
【００２５】
そして、本発明に係る走査型電子顕微鏡は、前記２次電子検出装置を備えるものである。本例に係る走査型電子顕微鏡によれば、電磁界複合電子レンズを採用する走査型電子顕微鏡において、コスト削減及び省スペース化のため２次電子検出器を２又は３個とした場合でも、試料に照射される電子線への２次電子検出器の影響を排除して、広視野、高速走査、高解像度の観察を行うことができる。
【実施例】
【００２６】
以下本発明に係る走査型電子顕微鏡の実施例を図面に基づいて説明する。図１は実施例に係る走査型電子顕微鏡の構成を示す模式図である。本例に係る走査型電子顕微鏡２００は、対物レンズ２１０と、前記対物レンズ２１０の上方に電子光学軸Ｏを挟んで配置された２個の２次電子検出器２２０，２２０と、前記対物レンズ２１０内及び前記２次電子検出器２２０，２２０の上方に配置された偏向コイル２３０，２４０と、前記対物レンズ２１０と２次電子検出器２２０，２２０の間に配置された追返電極２５０と、偏向コイル２４０の上方に配置された［Ｅ×Ｂ］フィルター２６０と、この［Ｅ×Ｂ］フィルター２６０の近傍に配置された２次電子検出器２８０と、２次電子検出器２８０の電界を遮蔽するメッシュ２７０とを備える。
【００２７】
そして、本例に係る走査型電子顕微鏡２００は、前記２次電子検出器２２０，２２０と前記偏向コイル２４０との間にターゲット面である外周面２９５と電子光学軸Ｏに沿う電子線通過孔２９７とが形成された略円錐形状のターゲット２９０を備える。
【００２８】
前記対物レンズ２１０は、減速場を形成した電磁界複合電子レンズであり、内部に試料６が配置されるインレンズ方式のものである。前記２次電子検出器２２０，２２０は、シンチレータ２２１、ライトガイド２２２及び光電子増倍管（ＰＭＴ）２２３で構成され、２次電子検出器２８０は、同様にシンチレータ２８１、ライトガイド２８２及び光電子増倍管（ＰＭＴ）２８３で構成される。なお、２次電子検出器２２０，２８０の２次電子等が入射する開口部（キャップ）２２４、２８４の直径は５〜２０ｍｍとすることが望ましい。この開口部２２４，２８４の直径は、狭くすることで電子線への２次電子検出器の影響を減少させることができ、広くすることで２次電子の検出効率を高めることができるので、求められている条件によって適宜決定すると良い。
【００２９】
前記偏向コイル２３０，２４０は、図示しない制御部の制御により入射された電子線を偏向させ、試料６上を走査する。また、前記追返電極２５０は、前記ターゲット２９０を介した２次電子を追い返すため負の電位を有する。即ち、追返電極２５０は、前記ターゲット２９０の電位より負の電位が保持され、例えば−５０Ｖ〜−１０Ｖの負電圧が印加される。
【００３０】
次にターゲット２９０について説明する。図２は実施例に係る走査型電子顕微鏡のターゲットを示す断面図である。本例に係るターゲット２９０は金属を素材として構成され、アースされているか、あるいは−３Ｖ程度の負電圧が印加されている。ターゲット２９０は、図２に示すように、中央に開口部２９１を形成した円盤部材２９２の下側面に、下方に向けて窄まる円錐形をなすと共に軸に沿って挿入孔２９３を開設した円錐部材２９４を配置して構成される。ターゲット２９０が走査型電子顕微鏡２００に配置された状態で、前記円錐部材２９４の外周面２９５はターゲット面として電子光学軸Ｏの周囲に上方に向け拡開する方向に傾斜して配置される。ここで、前記ターゲット２９０は、前記２次電子検出器２２０，２２０の間であって、その先端２９０ａが前記２次電子検出器２２０，２２０の下端を結ぶ面Ａ（図１参照）と同じ位置、もしくは前記面Ａより試料６側になるよう配置される。これにより、電子線通過孔２９７を通過する電子線への２次電子検出器２２０，２２０の電場の影響を有効に遮断する。
【００３１】
また、前記円錐部材２９４の挿入孔２９３内には上端に鍔部２９８が形成された筒状部材２９６が嵌挿されている。この筒状部材２９６は、その軸に沿って電子線通過孔２９７が貫通形成されており、ターゲット２９０が走査型電子顕微鏡２００に配置された状態で、電子線通過孔２９７は電子光学軸Ｏに沿って配置される。
【００３２】
ターゲット２９０が走査型電子顕微鏡２００内に配置された状態で、電子光学軸Ｏに対して傾斜して配置された外周面２９５で試料６からの２次電子を効率良く衝突させることができる他、試料６に向け照射される電子線は周囲を金属製の円錐部材２９４及び筒状部材２９６で囲われた電子線通過孔２９７を透過し、２次電子検出器の影響は遮断される。このため、ターゲット２９０は、２次電子検出器２２０，２８０の電界を遮断する防電体の役割をも果たすことができる。このため、本例では、入射する電子線は、２台の２次電子検出器２２０，２２０によって、生じる検出方向への不均一な電場の影響を受けることなく試料に照射される。このため、不均一な電場に起因する補正困難な非点収差が生じにくくなり、２台の２次電子検出装置を配置した走査型電子顕微鏡でも非点収差のない良好な画像を得ることができる。
【００３３】
次に本実施例における２次電子の挙動について説明する。図３は実施例に係る走査型電子顕微鏡の２次電子線の軌跡を示す模式図である。電子線が電子線通過孔２９７を通過して試料６に照射されると、試料６から２次電子２０３が発生する。電子光学軸Ｏに沿って発生した２次電子２０３は、ターゲット２９０の外周面２９５に高い効率で衝突して、反射する他、新たな２次電子を発生させる。
【００３４】
試料からの２次電子２０３やターゲット２９０の外周面２９５で発生した２次電子２０４は追返電極２５０の負の電位で反発され、２次電子検出器２２０に確実に捕集される。本例では、ターゲット２９０の外周面２９５は、円錐形状をなし電子光学軸Ｏの周囲に傾斜して広く配置されているので、試料６からの２次電子は試料上の照射位置に拘わらず効率良く外周面２９５に衝突する。即ち、試料６の電子光学軸Ｏ近傍で発生した２次電子は外周面２９５の電子光学軸Ｏ近傍に衝突し、また、試料６の電子光学軸Ｏから離れた位置からの２次電子は外周面２９５の電子光学軸Ｏから離れた位置に衝突する。このため、広い視野にわたり均一な画像を得ることができる。
【００３５】
また、試料６から発生した２次電子２０３及びターゲット２９０の外周面２９５からの２次電子２０４はターゲット２９０と追返電極２５０で閉じ込められ、正の電位（例えば＋１０ｋＶ）に印加された２次電子検出器２２０に確実に捕集されることになり、高い効率で２次電子を検出することができる。そして、ターゲット２９０の電子線通過孔２９７を通って電子光学軸Ｏに沿って発生した２次電子は［Ｅ×Ｂ］フィルター２６０より確実に２次電子検出器２８０により捕集される。
【００３６】
以上のように、本例に係る走査型電子顕微鏡２００によれば、２台の２次電子検出器２２０，２２０の電場による電子線への影響は防電体の役割をもなすターゲット２９０により、完全に遮断される他、試料６で発生した２次電子２０４は外周面２９５に効率良く衝突し、確実に２次電子検出器２２０，２８０で検出される。このため、本例では、非点収差の原因となる電子線への２次電子検出器の影響を排除できることとなり、低コスト且つ省スペースを実現しつつ広視野、高速走査、高解像度の観察を行うことができる。
【００３７】
次に第２の実施例に係る走査型電子顕微鏡のターゲットについて説明する。図４は第２の実施例に係る走査型電子顕微鏡のターゲットを示す断面図である。本例に係るターゲット３１０は、中央部に取付孔部３１２を開設した金属製の円板部材３１１と、前記取付孔部３１２内に嵌挿されて円板部材３１１に取り付けられ内部に電子線通過孔３１３を貫通形成した金属製の筒状部材３１４とで構成される。本例によれば、円板部材３１１の下面及び筒状部材３１４の外周面をターゲット面として試料からの２次電子線を衝突させることができる他、筒状部材３１４を防電体として電子線通過孔３１３を透過する電子線への２次電子検出器２２０の電場の影響を排除することができる他、前記第１の実施例と同等の効果を単純な構成のターゲットで得ることができ、より低コスト化を図ることができる。
【００３８】
次に第３の実施例に係る走査型電子顕微鏡のターゲットについて説明する。図５は第３の実施例に係る走査型電子顕微鏡のターゲットを示す断面図である。本例に係るターゲット３２０は、下方に向け窄まる略截頭円錐形状で金属製の円錐部材３２１に円錐状の孔部３２２を形成して構成される。即ち本例では、この円錐部材３２１の内部には、同心に先窄まりの略円錐状の孔部３２２が円錐部材３２１を貫通して開設され、この孔部３２２を電子線が通過できるようにしている。なお、孔部３２２の内周面３２４の電子光学軸Ｏとなす角βは、円錐部材３２１の外周面３２３が電子光学軸Ｏとなす角αより小さくしている。本例によれば、円錐部材３２１の外周面３２３を２次電子のターゲット面として試料からの２次電子線を衝突させることができる他、円錐部材３２１で孔部３２２内を通過する電子線への２次電子検出器２２０の影響を排除し防電体の機能をもなすことができ、前記第１の実施例と同等の効果を単純な構成のターゲットで得ることができ、より低コスト化を図ることができる。また、孔部３２２は第１の実施例や第２の実施例と比べて広くとることができ、コンタミネーションの発生を抑えることができる。
【００３９】
次に第４の実施例に係る走査型電子顕微鏡のターゲットについて説明する。図６は第４の実施例に係る走査型電子顕微鏡のターゲットを示す断面図である。本例に係るターゲット３３０は、下方に向け窄まる略截頭円錐形状金属製の円錐部材３３１に円柱状の孔部を形成して構成される。本例では、この円錐部材３２１の内部には同心で直径が暫時小さくなる３段の円柱形孔部３３２，３３３，３３４で円錐部材３２１を貫通して、この円柱形孔部３３２，３３３，３３４を電子線が通過できるようにしている。本例では、円錐部材３３１の外周面３３５が２次電子のターゲットとなる他、円錐部材３３１で円柱形孔部３３２，３３３，３３４内を通過する電子線への２次電子検出器２２０の影響を排除し防電体としての機能をもなすことができ、前記第１の実施例と同等の効果を単純な構成のターゲットで得ることができる。前記円柱形孔部３３２，３３３，３３４は、より低コストの孔開け加工で実現することができ切削加工に比して容易に製作することができる。また、前記円柱形孔部３３２，３３３，３３４は、第１の実施例や第２の実施例と比べて広くとることができ、コンタミネーションの発生を抑えることができる。
【００４０】
次に第５の実施例に係る走査型電子顕微鏡のターゲットについて説明する。図７は第５の実施例に係る走査型電子顕微鏡のターゲットを示す断面図である。本例に係るターゲット３４０は、板金加工された金属部材を接合して構成される。即ち、本例に係るターゲット３４０は、中央に取付孔部３４１を形成した円盤部材３４２と、この取付孔部３４１に取り付けられ取付孔部３４１と同心に電子線通過孔３４５を形成した筒状部材３４３と、前記円盤部材３４２の円周から筒状部材３４３の下部開口まで連結する円錐板部材３４４とで構成される。本例では、円錐板部材３４４の外周面３４６が２次電子のターゲットとなる他、筒状部材３４３及び円錐板部材３４４で電子線通過孔３４５内を通過する電子線への２次電子検出器２２０の影響を排除し防電体としての機能をもなすことができ、前記第１の実施例と同等の効果を単純な構成で得ることができる。本例によれば、ターゲット３４０を切削加工や孔開け加工を行うことなく製造できるので、より安価にターゲットを製造することができる。
【００４１】
なお、走査型電子顕微鏡の構成は前記各例の具体例に限定されることはない。前記例では、ターゲット面は円錐部材の外周としたが、ターゲット面を、例えば朝顔型のような母線が曲線の回転体部材の外周としたり、角錐部材の外周としたりすることができる。また、前記例では、ターゲット面の上部と円盤部材の外周とが一致するようにしたが、ターゲット面の上部が円盤部材の外周より内側にくるように構成することができる。また、２次電子検出器は２台としたが、３台とすることができる。更に検出される粒子も２次電子に限定されることはなく、反射電子等の荷電粒子であってもよい。更に走査型電子顕微鏡以外の半導体製造装置に用いられる露光装置、マスク検査装置、電子線描画装置等の類似装置に適用することができる。
【符号の説明】
【００４２】
２００  走査型電子顕微鏡
２０３  ２次電子
２０４  ２次電子
２１０  対物レンズ
２２０  ２次電子検出器
２２１  シンチレータ
２２２  ライトガイド
２２３  光電子増倍管（ＰＭＴ）
２２４  開口部（キャップ）
２３０，２４０  偏向コイル
２５０  追返電極
２６０  ［Ｅ×Ｂ］フィルター
２７０  メッシュ
２８０  ２次電子検出器
２８１  シンチレータ
２８２  ライトガイド
２８３  光電子増倍管（ＰＭＴ）
２８４  開口部（キャップ）
２９０  ターゲット
２９１  開口部
２９２  円盤部材
２９３  挿入孔
２９４  円錐部材
２９５  外周面（ターゲット面）
２９６  筒状部材
２９７  電子線通過孔
２９８  鍔部
３１０  ターゲット
３１１  円板部材
３１２  取付孔部
３１３  電子線通過孔
３１４  筒状部材
３２０  ターゲット
３２１  円錐部材
３２２  孔部
３２３  外周面（ターゲット面）
３２４  内周面
３３０  ターゲット
３３１  円錐部材
３３２，３３３，３３４  円柱形孔部
３３５  外周面
３４０  ターゲット
３４１  取付孔部
３４２  円盤部材
３４３  筒状部材
３４４  円錐板部材
３４５  電子線通過孔
３４６  外周面（ターゲット面）
【図１】
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【図２】
2011082024.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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