(57)【要約】【課題】表示特性に優れた立体画像表示装置を提供するものである。【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた基板と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する回路と、偏光制御板とを備えた立体表示装置であって、前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板と偏光制御板との間に設けられ、偏光制御板に向けて光を出射する素子であり、且つ、右目により視認されるべき画像情報を表示する右目用有機エレクトロルミネッセンス素子と、左目により視認されるべき画像情報を表示する左目用有機エレクトロルミネッセンス素子とを含み、前記偏光制御板は、右目用有機エレクトロルミネッセンス素子から入射して透過する光の偏光状態と、左目用有機エレクトロルミネッセンス素子から入射して透過する光の偏光状態とがを異なるように、入射する光の偏光状態を制御することが可能な偏光制御板である立体表示装置。【選択図】図１
2011029161.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた基板と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する回路と、偏光制御板とを備えた立体表示装置であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板と偏光制御板との間に設けられ、偏光制御板に向けて光を出射する素子であり、且つ、右目により視認されるべき画像情報を表示する右目用有機エレクトロルミネッセンス素子と、左目により視認されるべき画像情報を表示する左目用有機エレクトロルミネッセンス素子とを含み、
前記偏光制御板は、右目用有機エレクトロルミネッセンス素子から入射して透過する光の偏光状態と、左目用有機エレクトロルミネッセンス素子から入射して透過する光の偏光状態とがを異なるように、入射する光の偏光状態を制御することが可能な偏光制御板である立体表示装置。
【請求項２】
偏光制御板が、液晶性化合物の硬化膜を含む偏光制御板である請求項１記載の立体表示装置。
【請求項３】
偏光制御板が、右目用有機エレクトロルミネッセンス素子から入射して透過する光の偏光状態を変換する右目用領域と、左目用有機エレクトロルミネッセンス素子から入射して透過する光の偏光状態を変換する左目用領域とを有し、右目用領域と左目用領域とが、ストライプ状に、交互に配置されている請求項１又は２記載の立体表示装置。
【請求項４】
有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する回路が基板に形成されている請求項１〜３のいずれか記載の立体表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は立体表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
立体表示装置において、右目用画像が左目に入り、また逆に左目用画像が右目に入ると、画像が２重に見える現象（クロストーク）が発生し、表示特性が低下する。
立体表示装置としては、発光源としてバックライトを含む液晶表示方式のものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１９１３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
表示特性に優れた立体表示装置が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、１．〜４．を提供するものである。
１．  有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた基板と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する回路と、偏光制御板とを備えた立体表示装置であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板と偏光制御板との間に設けられ、偏光制御板に向けて光を出射する素子であり、且つ、右目により視認されるべき画像情報を表示する右目用有機エレクトロルミネッセンス素子と、左目により視認されるべき画像情報を表示する左目用有機エレクトロルミネッセンス素子とを含み、
前記偏光制御板は、右目用有機エレクトロルミネッセンス素子から入射して透過する光の偏光状態と、左目用有機エレクトロルミネッセンス素子から入射して透過する光の偏光状態とがを異なるように、入射する光の偏光状態を制御することが可能な偏光制御板である立体表示装置。
２．  偏光制御板が、液晶性化合物の硬化膜を含む偏光制御板である１．記載の立体表示装置。
３．  偏光制御板が、右目用有機エレクトロルミネッセンス素子から入射して透過する光の偏光状態を変換する右目用領域と、左目用有機エレクトロルミネッセンス素子から入射して透過する光の偏光状態を変換する左目用領域とを有し、右目用領域と左目用領域とが、ストライプ状に、交互に配置されている１．又は２．記載の立体表示装置。
４．  有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する回路が基板に形成されている請求項１．〜３．のいずれか記載の立体表示装置。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、クロストークを小さくすることで、表示特性に優れた立体表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の立体表示装置１を示す概略図である。
【図２】本発明の立体表示装置１１Ａを示す概略図である。
【図３】本発明の立体表示装置１１Ｂを示す概略図である。
【図４】本発明の立体表示装置１１Ｃを示す概略図である。
【図５】本発明の立体表示装置１１Ｄを示す概略図である。
【図６】本発明の立体表示装置に含まれる偏光制御板５Ａを示す概略図である。
【図７】本発明の立体表示装置に含まれる偏光制御板５Ｂを示す概略図である。
【図８】本発明の立体表示装置に含まれる偏光制御板５Ｃを示す概略図である。
【図９】本発明の立体表示装置による効果を説明する概略図である。
【図１０】本発明の立体表示装置１１Ｅを示す概略図である。
【図１１】本発明の立体表示装置１１Ｆを示す概略図である。
【図１２】本発明の立体表示装置１１Ｇを示す概略図である。
【図１３】本発明の立体表示装置１１Ｈを示す概略図である。
【図１４】実施例で用いたマスクを示す概略図である。
【図１５】図１４のマスクを用いた時に得られるパターン化位相差板を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の立体表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下「有機ＥＬ素子」という場合がある。）を備えた基板と、前記有機ＥＬ素子を駆動する回路と、偏光制御板とを備えた立体表示装置であって、前記有機ＥＬ素子は、基板と偏光制御板との間に設けられ、偏光制御板に向けて光を出射する素子であり、且つ、右目により視認されるべき画像情報を表示する右目用有機ＥＬ素子と、左目により視認されるべき画像情報を表示する左目用有機ＥＬ素子とを含み、前記偏光制御板は、右目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態と、左目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態とが異なるように、入射する光の偏光状態を制御することが可能な偏光制御板である立体表示装置である。
【０００９】
図１は、本発明の立体表示装置１を示す概略図である。
立体表示装置１は、有機ＥＬ素子４と、偏光制御板５とを備え、有機ＥＬ素子４を駆動する回路２が基板３上に形成されている、アクティブマトリックス方式の立体表示装置である。有機ＥＬ素子４は、基板３と偏光制御板５との間に設けられ、偏光制御板５に向けて、つまり、基板３とは反対側に、光を出射する素子である。立体表示装置１は、通常、複数の有機ＥＬ素子４を有している。有機ＥＬ素子４は、右目により視認されるべき画像情報（以下「右目用画像情報」という場合がある。）を表示する右目用有機ＥＬ素子と、左目により視認されるべき画像情報（以下「左目用画像情報」という場合がある。）を表示する左目用有機ＥＬ素子とを含む。偏光制御板５とは、右目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態と、左目用の有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態とが異なるように、入射する光の偏光状態を制御する部材である。
【００１０】
図２は、本発明の立体表示装置１１Ａを示す概略図である。図１で説明した立体表示装置１をより詳細に説明した図である。
立体表示装置１１Ａは、有機ＥＬ素子を駆動する回路２が形成された基板３上に、有機ＥＬ素子４と、薄膜封止膜１７と、偏光制御板５とを備える立体表示装置である。有機ＥＬ素子４は、基板３と偏光制御板５との間に設けられ、さらに、有機ＥＬ素子４と偏光制御板５との間に、薄膜封止膜１７が設けられている。有機ＥＬ素子４は、画素電極１４、発光層１５、透明電極１６から構成され、発光層１５が、画素電極１４と透明電極１６の間に設けられており、画素電極１４が、基板３側になるよう配置されている。透明電極１６は、複数の有機ＥＬ素子にまたがって形成されている。
【００１１】
図３は、本発明の立体表示装置１１Ｂを示す概略図である。かかる立体表示装置１１Ｂもアクティブマトリックス方式の表示装置である。
立体表示装置１１Ｂは、有機ＥＬ素子を駆動する回路２が形成された基板３上に、有機ＥＬ素子４と、偏光制御板５と、薄膜封止膜１７とを備える立体表示装置である。有機ＥＬ素子４は、基板３と偏光制御板５との間に設けられ、さらに、有機ＥＬ素子４と薄膜封止膜１７との間に、偏光制御板５が設けられている。有機ＥＬ素子４は、画素電極１４、発光層１５、透明電極１６から構成され、発光層１５が、画素電極１４と透明電極１６の間に設けられており、画素電極１４が、基板３側になるよう配置されている。透明電極１６は、複数の有機ＥＬ素子にまたがって形成されている。
本発明の立体表示装置では、一対の電極（画素電極１４及び透明電極１６）のうちの一方は、陽極として機能し、他方は陰極として機能する。一対の電極に電圧を加えると、陽極から正孔が注入されるとともに、陰極から電子が注入され、これら正孔と電子とが発光層１５において再結合することによって発光する。発光層１５から放射される光は、透明電極１６から出射する。すなわち基板３とは反対側へ光が出射する。発光層１５は、必要に応じて電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層及び正孔注入層などを一対の電極の間に備えることができる。
【００１２】
図４は、本発明の立体表示装置１１Ｃを示す概略図である。かかる立体表示装置１１Ｃもアクティブマトリックス方式の表示装置である。
立体表示装置１１Ｂは、有機ＥＬ素子を駆動する回路２が形成された基板３上に、有機ＥＬ素子４と、偏光制御板５と、ガラス基板１８とを備える立体表示装置である。有機ＥＬ素子４は、基板３と偏光制御板５との間に設けられ、さらに、ガラス基板１８が、偏光制御板５の、有機ＥＬ４とは反対側に設けられている。有機ＥＬ素子４は、画素電極１４、発光層１５および透明電極１６から構成され、発光層１５が、画素電極１４と透明電極１６の間に設けられており、画素電極１４が、基板３側になるよう配置されている。
【００１３】
図５は、本発明の立体表示装置１１Ｄを示す概略図である。かかる立体表示装置１１Ｄもアクティブマトリックス方式の表示装置である。
立体表示装置１１Ｄは、有機ＥＬ素子４と、有機ＥＬ素子を駆動する回路２が形成された基板３と、偏光制御板５と、薄膜封止膜１７と、透明基板１９とを備える立体表示装置である。
【００１４】
図１０は、本発明の立体表示装置１１Ｅを示す概略図である。
立体表示装置１１Ｅは、有機ＥＬ素子４を駆動する回路２（図示しない）が、基板３外に設けられ、有機ＥＬ素子４と、薄膜封止膜１７と、偏光制御板５を備える、パッシブマトリックス方式の表示装置である。有機ＥＬ素子４は、基板３と偏光制御板５との間に設けられ、さらに、有機ＥＬ素子４と偏光制御板５との間に、薄膜封止膜１７が設けられている。有機ＥＬ素子４は、画素電極１４、発光層１５および透明電極１６から構成され、発光層１５が、画素電極１４と透明電極１６の間に設けられており、画素電極１４が、基板３側になるよう配置されている。画素電極１４および透明電極１６は、通常、複数の有機ＥＬ素子４にまたがって形成され、透明電極１６側からみて、画素電極１４と透明電極１６とが直交するよう配置されている。
【００１５】
図１１は、本発明の立体表示装置１１Ｆを示す概略図である。かかる立体表示装置１１Ｆもパッシブマトリックス方式の表示装置である。
立体表示装置１１Ｆは、有機ＥＬ素子４を駆動する回路２（図示しない）が、基板３外に設けられ、有機ＥＬ素子４と、薄膜封止膜１７と、偏光制御板５を備える立体表示装置である。有機ＥＬ素子４は、基板３と偏光制御板５との間に設けられ、さらに、偏光制御板５の、有機ＥＬ素子４とは反対側に、薄膜封止膜１７が設けられている。有機ＥＬ素子４は、画素電極１４、発光層１５および透明電極１６から構成され、発光層１５が、画素電極１４と透明電極１６の間に設けられており、画素電極１４が、基板３側になるよう配置されている。画素電極１４および透明電極１６は、通常、複数の有機ＥＬ素子４にまたがって形成され、透明電極１６側からみて、画素電極１４と透明電極１６とが直交するよう配置されている。
【００１６】
図１２は、本発明の立体表示装置１１Ｇを示す概略図である。かかる立体表示装置１１Ｇもパッシブマトリックス方式の表示装置である。
立体表示装置１１Ｇは、有機ＥＬ素子４を駆動する回路２（図示しない）が、基板３外に設けられ、有機ＥＬ素子４と、ガラス基板１８と、偏光制御板５を備える立体表示装置である。有機ＥＬ素子４は、基板３と偏光制御板５との間に設けられ、さらに、偏光制御板５の、有機ＥＬ素子４とは反対側に、ガラス基板１８が設けられている。有機ＥＬ素子４は、画素電極１４、発光層１５および透明電極１６から構成され、発光層１５が、画素電極１４と透明電極１６の間に設けられており、画素電極１４が、基板３側になるよう配置されている。画素電極１４および透明電極１６は、通常、複数の有機ＥＬ素子４にまたがって形成され、透明電極１６側からみて、画素電極１４と透明電極１６とが直交するよう配置されている。
【００１７】
図１３は、本発明の立体表示装置１１Ｈを示す概略図である。かかる立体表示装置１１Ｈもパッシブマトリックス方式の表示装置である。
立体表示装置１１Ｈは、有機ＥＬ素子４を駆動する回路２（図示しない）が、基板３外に設けられ、有機ＥＬ素子４と、透明基板１９と、偏光制御板５を備える立体表示装置である。有機ＥＬ素子４は、基板３と偏光制御板５との間に設けられ、さらに、偏光制御板５の、有機ＥＬ素子４とは反対側に、透明基板１９が設けられている。有機ＥＬ素子４は、画素電極１４、発光層１５および透明電極１６から構成され、発光層１５が、画素電極１４と透明電極１６の間に設けられており、画素電極１４が、基板３側になるよう配置されている。画素電極１４および透明電極１６は、通常、複数の有機ＥＬ素子４にまたがって形成され、透明電極１６側からみて、画素電極１４と透明電極１６とが直交するよう配置されている。
【００１８】
有機ＥＬ素子４の駆動方式としては、上述のように、アクティブマトリクス方式でもよいし、、パッシブマトリクス方式でもよい。アクティブマトリクス方式が好ましい。有機ＥＬ素子を駆動する回路２としては、これら所定の駆動方式を実現する回路であればよい。例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成することによりアクティブマトリクス方式を実現する回路を構成してもよいし、例えば、ストライプ状の配線を形成することによりパッシブマトリクス方式を実現する回路を構成してもよい。薄膜トランジスタとしては通常の多結晶シリコントランジスタが挙げられる。アクティブマトリックス方式における有機ＥＬ素子を駆動する回路２は、画素電極１４の端部に設けられ、その大きさは１０〜３０μｍ程度である。なお、画素電極１４の大きさは２０μｍ×２０μｍ〜３００μｍ×３００μｍ程度（縦×横）である。
【００１９】
有機ＥＬ素子４は、画素電極１４、発光層１５および透明電極１６から構成され、発光層１５が、画素電極１４と透明電極１６の間に設けられており、画素電極１４が、基板３側になるよう配置されている。
【００２０】
画素電極１４は、反射型電極である。画素電極１４としては、例えば、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３または、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む２成分又は３成分の合金を用いることが好ましい。該合金としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａｇ：１〜２０ａｔ％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．３〜１４ａｔ％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０ａｔ％）及びＡｌ・Ｃａ（Ｃａ：５〜２０ａｔ％）が好ましい。
画素電極１４は、ホール注入を十分行える一定以上の厚さを有すればよく、１０〜５００ｎｍ程度とすることが好ましい。
画素電極１４は、蒸着法等によっても形成できるが、スパッタ法により形成することが好ましい。スパッタガスとしては、特に制限するものではなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガス、あるいはこれら不活性ガスの混合ガスを用いればよい。
【００２１】
透明電極１６は、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等が挙げられるが、特にＩＴＯ、ＩＺＯが好ましい。
透明電極１６は、蒸着法によって形成してもよいし、スパッタ法によって形成してもよいが、好ましくは蒸着法により形成される。透明電極１６の厚さは、０．１ｎｍ以上、好ましくは１〜５００ｎｍ以上であることが好ましい。
【００２２】
発光層１５は、一対の電極（画素電極１４と透明電極１６）間に、それぞれ少なくとも１層の発光層を有し、例えば、発光層に加えて、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層及び正孔注入層を有する。
正孔注入層は、画素電極１４からの正孔の注入を容易にする機能を有し、正孔輸送層は、正孔を輸送する機能および電子を妨げる機能を有し、電荷注入層、電荷輸送層とも称される。
一対の電極間に設けられる発光層などの厚さは特に限定されず、形成方法によっても異なるが、通常、５〜１００ｎｍ程度とすることが好ましい。正孔注入層・正孔輸送層には、各種有機化合物を用いることができる。正孔注入輸送層、発光層、電子注入層、および電子輸送層の形成には、工程の簡易さや特性などを勘案して所定の成膜方法が用いられ、例えば塗布法や真空蒸着法が用いられる。
発光層１５としては、１重項励起子からの発光（蛍光）を利用するもの、３重項励起子からの発光（燐光）を利用するもの、１重項励起子からの発光（蛍光）を利用するものと３重項励起子からの発光（燐光）を利用するものとを含むもの、有機物によって形成されたもの、無機物によって形成されたもの、有機物によって形成されたものと無機物によって形成されたものとを含むもの、高分子の材料、低分子の材料、高分子の材料と低分子の材料とを含むものなどを用いることができる。
【００２３】
基板３としては、サファイアガラス基板、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、アルミナ基板等のセラミック基板、銅等の金属基板、プラスチック基板等が挙げられる。基板３上に熱伝導性膜を形成してもよい。熱伝導性膜としては、ダイヤモンド薄膜（ＤＬＣ等）が挙げられる。上記のような透明材料だけでなく、ステンレス鋼等の光非透過材料を用いることもできる。基板３は一つの基板で形成されていてもよいし、複数の基板を接着剤で貼り合わせた積層基板であってもよい。これら基板は、板状であってもよいし、フィルム状であってもよい。
【００２４】
アクティブマトリックス方式の立体表示装置では、通常、有機ＥＬ素子４を駆動する回路２と画素電極１４との間に、層間絶縁膜（図示しない）が平坦化膜として設けられる。層間絶縁膜は、ＳｉＯ２等の酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機材料をスパッタ法や真空蒸着法で成膜したもの、スピン・オン・グラス（ＳＯＧ）で形成した酸化ケイ素層、フォトレジスト、ポリイミド、アクリル樹脂等の樹脂材料の塗膜等、絶縁性を有するものであればよい。層間絶縁膜上には、通常リブ（図示しない）が形成される。リブは、画素電極１４の周辺部（隣接画素間）に配置される。リブの材料としては、アクリル樹脂およびポリイミド樹脂が挙げられる。リブの厚みは、好ましくは１．０μｍ以上３．５μｍであり、より好ましくは１．５μｍ以上２．５μｍ以下である。
【００２５】
本発明の立体表示装置の製造方法を、立体表示装置１１Ａを例にして、説明する。まず、基板３上に、有機ＥＬ素子４を駆動する回路２を所望の形状に形成する。続いて、層間絶縁膜（図示せず）を、回路２上に成膜し、さらに、画素電極１４をスパッタ法で成膜し、パターニングすることにより形成する。その後、その上に発光層１５などを積層する。
【００２６】
薄膜封止膜１７としては電解コンデンサのフィルムにダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を蒸着したＤＬＣ膜や、ＳｉＯ２等の酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機材料をスパッタ法や真空蒸着法で成膜したもの、ＳＯＧで形成した酸化ケイ素層を用いることができる。ＤＬＣ膜は水分浸透性が極めて低く防湿性能が高い。また、ＤＬＣ膜などを透明電極１６の表面に直接蒸着して形成してもよい。また、樹脂薄膜と金属薄膜とを多層に積層して、薄膜封止膜１７を形成してもよい。薄膜封止膜１７の厚みとしては、１〜１０００ｎｍ、好ましくは５〜５００ｎｍ、より好ましくは１０〜３００ｎｍである。
【００２７】
偏光制御板５は、右目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態と、左目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態とが異なるように、入射する光の偏光状態を制御することが可能な部材である。かかる部材は、板状部材であってもよいし、フィルム状部材であってもよい。偏光制御板５は、右目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態を変換する領域と、左目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態を変換する領域とを有する。右目用領域と左目用領域とが、ストライプ状に配置されていることが好ましい。ここで、”偏光状態が異なる”とは、直交する２つの直線偏光であってもよいし、回転方向が異なる円偏光であってもよい。
右目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態を変換する右目用領域と、左目用の有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態を変換する左目用領域とは、直線偏光の場合には透過軸方向が直交する複数の偏光領域の組合せが挙げられる。円偏光の場合には、左右の回転方向が異なる円偏光板の組合せが例示される。偏光制御板は１枚のフィルム状部材であってもよいし、複数のフィルム状部材を組み合わせたものであってもよい。
【００２８】
偏光制御板５は、液晶性化合物の硬化膜を含む偏光制御板であることが好ましく、左右の回転方向が異なる円偏光を出力するものであることがより好ましい。液晶性化合物の硬化膜としては、一つ以上の重合性液晶性化合物を重合して得られる硬化膜が挙げられる。重合性液晶性化合物としては、重合性棒状液晶化合物が好ましく、具体的には、液晶便覧（液晶便覧編集委員会編、丸善（株）平成１２年１０月３０日発行）の３章「分子構造と液晶性」の、「３．２  ノンキラル棒状液晶分子」および「３．３  キラル棒状液晶分子」に記載の側鎖に重合性基を有する化合物が挙げられる。重合性液晶性化合物の重合は、熱重合、光重合等の通常の重合方法により実施され、通常、重合開始剤の存在下に行われる。また、カイラル剤、重合禁止剤、光増感剤およびレベリング剤などの添加剤の共存下に重合を行ってもよい。
図１、図３〜図５、図１１〜図１３に示す立体表示装置では、偏光制御板５は、直接または粘着剤層もしくは接着剤層を介して、有機ＥＬ素子４に積層されている。図２および図１０に示す立体表示装置では、有機ＥＬ素子４上に、直接薄膜封止膜１７が積層され、さらに、薄膜封止膜上に、直接または粘着剤層もしくは接着剤層を介して、偏光制御板５が積層されている。
偏光制御板５は、粘着剤または接着剤を介して、薄膜封止膜１７と貼合することができる。
【００２９】
図６〜図８に、本発明の立体表示装置に用いられる偏光制御板５の例を示した。図６に示した偏光制御板５Ａは、右目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態を変換する領域２０と、左目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態を変換する領域２１とを有する。領域２０と領域２１は、交互に、ストライプ状に形成されている。
【００３０】
偏光制御板５Ａは、たとえば、トリアセチルセルロースフィルムとヨウ素処理又は二色性色素処理した延伸ＰＶＡフィルムとを積層した偏光フィルムに、フォトレジスト組成物を塗布して、領域２０に相当する部分を露光後、水酸化カリウム溶液で処理して延伸ＰＶＡフィルムが有する特定の波長域の光の振動方向を直線偏光状態のまま回転し得る性質（位相差機能）を消失させるという方法が挙げられる（米国特許５,３２７,２８５号のＦｉｇ２参照）。また、液晶化合物と二色性色素とを含む組成物を配向軸方向が直交した配向膜上に塗布して形成する方法が挙げられる（特表２００８−５１９０４７参照）。
【００３１】
図７に示した偏光制御板５Ｂは、パターン化偏光板２２及び位相差板２３からなる。パターン化偏光板２２は、透過軸の方向が直交する複数の領域２４と領域２５とを、複数有しており、該領域２４と領域２５とが、交互に、ストライプ状に形成されている。領域２４は、右目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態を変換する領域であり、領域２５は、左目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態を変換する領域である。偏光制御板５Ｂは、左円偏光と右円偏光を交互に出力する。位相差板２３は、λ／４位相差板であることが好ましい。パターン化偏光板２２及び位相差板２３を、位相差板２３の遅相軸が、パターン化偏光板２２の領域２４及び領域２５それぞれの透過軸方向に対して４５°の角度を形成するように積層することにより、偏光制御板５Ｂが得られる。偏光制御板５Ｂはパターン化偏光板２２が有機ＥＬ素子４側になるよう配置される。これにより、右目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の回転方向と、左目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の回転方向とが異なることになる。
パターン化偏光板２２は、偏光制御板５Ａの製造方法と同様の方法により製造することができる。
偏光制御板５Ｂの製造方法としては、パターン化偏光板２２に、粘着剤や接着剤を介して位相差板２３を貼合する方法が挙げられる。位相差板２３としてはλ／４の位相差を有するものであれば特に限定されず、トリアセチルセルロース、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、ポリオレフィン、ポリカーボネート等のポリマーフィルムを延伸処理したものや、液晶化合物を重合して得られるフィルム等が挙げられる。
【００３２】
図８はに示す偏光制御板５Ｃは、パターン化位相差板２６及び偏光板２７からなる。パターン化位相差板２６は、遅相軸の方向が直交する複数の領域２８及び領域２９を有する。領域２８は、右目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態を変換する領域であり、領域２９は、左目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態を変換する領域である。偏光制御板５Ｃは、左円偏光と右円偏光を交互に出力することができる。パターン化位相差板２６及び偏光板２７を、公知の偏光板２７の透過軸に対して、パターン化位相差板２６の領域２８及び領域２９それぞれの遅相軸が４５°の角度を形成するように積層することにより、偏光制御板５Ｃが得られる。
パターン化位相差板２６の製造方法としては、たとえば、フォトレジスト組成物を使用する方法（米国特許５,３２７,２８５号参照）、位相差板を部分的に加熱処理して部分的に位相差を０にした位相差板を貼り合わせる方法（特開２００１−１８８１２７号公報参照）、パターン化された配向膜上に液晶モノマーを配列させて固定化する方法（特開２００５−４９８６５号参照）等が挙げられる。
【００３３】
また、配向膜に、ラビング処理または偏光ＵＶ照射を行うことにより、配向方向が異なる領域を複数有するよう配向能を付与し、配向能が付与された配向膜上に、重合性液晶性化合物を含む組成物を塗布した後、重合させることにより、パターン化位相差板２６を製造することもできる。配向膜をラビング処理する方法としては、例えばラビング布が巻きつけられ、回転しているラビングロールを、ステージに載せられ、搬送されている配向膜に接触させる方法を用いることができる。ラビング処理で配向方向が異なる領域を複数、配向膜上に形成するためには、まず、配向膜にマスクを介さないで、第１のラビング処理を施す。その後に、配向膜上に、所定のパターンを有するマスクを積層し、第1のラビング処理の方向とは異なる方向に第２のラビング処理を施す。すると、マスクで覆われた部分は、第１のラビング処理により形成された配向方向を有する領域となり、マスクで覆われていない部分は、第２のラビング処理により形成された配向方向を有する領域となる。また、配向膜上に、所定のパターンを有する第１のマスクを積層した後、第１のラビング処理を施し、次いで、第１のマスクとは配向膜を覆う部分と覆わない部分とが逆のパターンを有する第２のマスクを配向膜上に積層し、第２のラビング処理を行うことにより、配向方向が異なる領域を複数作成することができる。さらに、第２のラビング処理の後、第３のマスクを介して第３のラビング処理を行うことによって、配向方向が異なる領域を３つ有する配向膜を作成することもできる。このように、ラビング処理を繰り返し行うことによって、配向方向が異なる領域を複数有する配向膜を形成することができる。また、複雑な配向方向が異なる領域パターンを有する配向膜を形成することもできる。
【００３４】
本発明の立体表示装置では、偏光制御板５を有機ＥＬ素子４上に配置される。より良好な立体画像を得るために、有機ＥＬ素子４と偏光制御板５の間隔はできるだけ小さいことが好ましく、有機ＥＬ素子４と偏光制御板５とが直接または接着剤層もしくは粘着剤層を介して貼合されていることが好ましい。偏光制御板５の上にさらに封止膜を配置することもできる。その際には必ずしも薄膜である必要はなく、水蒸気透過性の低い材料であれば特に限定されないが、たとえばガラス基板を使用することができる。この場合には薄膜封止膜１７はあってもなくてもよいが、薄膜封止膜１７がない場合には周辺部を水蒸気透過性の低いエポキシ樹脂等の材料で封止することが好ましい。
なかでも、偏光制御板５Ｃが特に好ましい。
【００３５】
立体表示装置１１Ｂは、基板３上に有機ＥＬ素子を駆動する回路２、画素電極１４、発光層１５、透明電極１６を、立体表示装置１１Ａの製造方法と同様の方法に従って積層した後、さらに偏光制御板５及び薄膜封止膜１７をこの順で積層することにより、製造することができる。
【００３６】
立体表示装置１１Ｃは、基板３上に有機ＥＬ素子を駆動する回路２、画素電極１４、発光層１５、透明電極１６を、立体表示装置１１Ａの製造方法と同様の方法に従って積層した後、さらに偏光制御板５及びガラス基板１８をこの順で積層することにより、製造することができる。また、ガラス基板１８上に偏光制御板５を積層したものを作製した後、偏光制御板５側で透明電極１６に積層することにより、製造することもできる。製造が容易であるという点で、後者であることが好ましい。
基板３からガラス基板１８までの層については、その周辺部を水蒸気透過性の低いエポキシ樹脂等の材料で封止することが好ましい。封止することにより、有機ＥＬ素子の劣化を抑制することができる。
【００３７】
立体表示装置１１Ｄは、立体表示装置１１Ｂを製造した後、薄膜封止膜１７の上に透明基板１９を積層することにより、製造することができる。
また、本発明の立体表示装置１１Ｄは、透明基板１９上に薄膜封止膜１７、偏光制御板５をこの順で積層したものを作製し、偏光制御板５側で透明電極１６に積層することにより、製造することもできる。製造が容易であるという点で、後者であることが好ましい。
透明基板としては、ガラス基板のほかにポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、セルロース系ポリマー、エポキシ樹脂、ポリアクリレート、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン等のプラスチック基板を用いることができる。
【００３８】
図９は、本発明の立体表示装置による効果を説明する概略図である。
立体画像の観察方法としては、偏光めがねを用いて互いに異なった偏光状態に基づく視差画像を観察する方法を説明する。
図１に示した立体表示装置１では、有機ＥＬ素子４の光の出射方向の面に偏光制御板５Ａが配置されている。有機ＥＬ素子４には、左目用画像情報を表示する左目用有機ＥＬ素子Ｌ、及び右目用画像情報を表示する右目用有機ＥＬ素子Ｒとが、交互に、水平ストライプ状に形成されている。偏光制御板５Ａに形成された水平ストライプ状の領域２０及び２１のうち、領域２０は左目用の有機ＥＬ素子Ｌに対応して配置され、領域２１は右目用の有機ＥＬ素子Ｒに対応して配置される。「領域２０が、左目用有機ＥＬ素子Ｌに対応する位置に配置される」とは、領域２０側から、立体表示装置１をみたときに、領域２０と左目用有機ＥＬ素子Ｌとが、最も良く重なり合う配置にあることを意味する。”領域２１が、右目用有機ＥＬ素子Ｒに対応する位置に配置される”とは、領域２１側から、立体表示装置１をみたときに、領域２１と右目用有機ＥＬ素子Ｒとが、最も良く重なり合う配置にあることを意味する。
観察者は、偏光方向が互いに直交する偏光板を左右眼に配置した偏光めがねをかけて立体視を行う。観察者は、領域２０から出射した光を、めがねの左眼に配置した偏光板を通して左目で観察し、かつ領域２１から出射した光をめがねの右眼に右目で観察することで立体視を行うことができる。
【００３９】
有機ＥＬ素子４と偏光制御板５との間の厚みｄによってクロストークが発生する。クロストークとは、右目用画像が左目に入り、また逆に左目用画像が右目に入ることにより、画像が２重に見える現象のことである。観察者の位置により、左目用有機ＥＬ素子Ｌと偏光制御板５Ａの領域２０との対応関係、および、右目用有機ＥＬ素子Ｒと偏光制御板５の領域２１との対応関係にずれが生じ、左右の画像が分離されにくくなくなる。クロストークが発生すると、画像が２重に見えるため、うまく立体視が出来なくなり、表示特性は低下する。
【００４０】
観察者の目が上下方向（Ｖ方向）の位置ａにあるときは、偏光制御板５Ａの領域２０と左目用有機ＥＬ素子Ｌとが、領域２１と右目用有機ＥＬ素子Ｒとが、完全に重なって見え、左目用画像情報と右目用画像情報とは分離して、正立体視の状態で正常な立体視が得られる。
観察者の目が上下方向（Ｖ方向）に位置ｂにずれた場合、左目用有機ＥＬ素子Ｌと右目用有機ＥＬ素子Ｒと、観察者の目を結ぶ直線は、偏光制御板５Ａの上の隣接する領域２０及び２１にまたがってしまい、同じ左目用有機ＥＬ素子Ｌまたは右目用有機ＥＬ素子Ｒから出射された光に互いに直交する偏光成分が混ざってくることになる。すなわち、左目用有機ＥＬ素子Ｌから出射して領域２０を通過し左目で観察されるべき光の一部が、左目用有機ＥＬ素子Ｌから出射後に領域２１を通過し右目で観察されることにより、観察される左右の画像の分離不良（すなわちクロストーク）が発生する。
クロストークは左目用有機ＥＬ素子Ｌまたは右目用有機ＥＬ素子Ｒの大きさ（通常数十から数百μm）に対して、左目用有機ＥＬ素子Ｌまたは右目用有機ＥＬ素子Ｒ、すなわち有機ＥＬ素子４と偏光制御板５Ａとの距離ｄを小さくすることにより、その発生を抑えることができる。
【００４１】
本発明の立体表示装置は、有機ＥＬ素子４と偏光制御板５とを直接または接着剤層もしくは粘着剤層を介して貼合することができ、ｄを小さくすることが容易であるため、クロストークを抑制し、良好な表示特性の立体画像を得ることができる。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。例中の「％」及び「部」は、特記ない限り、質量％及び質量部である。
【００４３】
化合物を以下のスキームで合成した。原料のモノテトラヒドロピラニル保護ヒドロキノン（化合物（ａ））は特許文献（特開２００４−２６２８８４）に記載されている方法により合成した。
【００４４】
（第一経路）
2011029161.tif 000003
【００４５】
（化合物（ｂ）の合成例）
化合物（ａ）５０．１ｇ（２５８ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム９７．１ｇ（７０３ｍｍｏｌ）、６−ブロモヘキサノール４６．７ｇ（２５８ｍｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド１７７ｇを混合した。得られた混合液を、窒素雰囲気下、９０℃で、その後１００℃で撹拌し、その後室温まで冷却した。混合液に、純水及びメチルイソブチルケトンを加え、分離した有機層を回収した。回収した有機層を水酸化ナトリウム水溶液及び純水で洗浄後に脱水し、濾過後に減圧濃縮した。残渣にメタノールを加えて、生成した沈殿を濾過後、真空乾燥させて、化合物（ｂ）４７ｇ（１５９ｍｍｏｌ）を得た。収率は６−ブロモヘキサノール基準で６２％であった。
【００４６】
（化合物（ｃ）の合成例）
化合物（ｂ）１２６ｇ（４２８ｍｍｏｌ）、３、５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン（以下ＢＨＴという）１．４０ｇ（６．４２ｍｍｏｌ）、Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン１１６．７ｇ（９６３ｍｍｏｌ）、１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノン１．００ｇ及びクロロホルム６００ｇを混合した。窒素雰囲気、氷冷下で、得られた混合液に、アクリロイルクロリド５８．１ｇ（６４２ｍｍｏｌ）を滴下し、さらに純水を加えて攪拌した後、分離した有機層を回収した。回収した有機層を塩酸水、飽和炭酸ナトリウム水溶液及び純水で洗浄した。有機層を乾燥し、濾過後、有機層にＢＨＴ１ｇを加えて減圧濃縮して、化合物（ｃ）を得た。
【００４７】
（化合物（ｄ）の合成例）
化合物（ｃ）及びテトラヒドロフラン（以下ＴＨＦという）２００ｍｌを混合後、得られた混合液にＴＨＦ２００ｍｌを加えた。さらに塩酸水及び濃塩酸水を加えて、窒素雰囲気、６０℃の条件下で攪拌した。得られた混合溶液に飽和食塩水５００ｍｌを加えてさらに攪拌し、分離した有機層を回収した。回収した有機層を脱水し、濾過後減圧濃縮した。
さらに有機層にヘキサンを加えて氷冷下で攪拌し、析出した粉末を濾過後真空乾燥して、化合物（ｄ）を９０ｇ（３３９ｍｍｏｌ）得た。収率は化合物（ｃ）基準で７９％であった。
【００４８】
（化合物（ｅ）の合成）
化合物（ｅ）は以下に示す経路で合成した。
2011029161.tif 000004
【００４９】
トランス１，４−シクロヘキサンジカルボン酸モノエトキシメチルエステル（式（ｈ）で表される化合物）を下記のスキームで合成した。
2011029161.tif 000005
【００５０】
トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸２００ｇ（１．１６１６ｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド１０００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、攪拌しながら８０℃まで昇温して、得られた溶液に炭酸カリウム９６．３ｇ（０．６９６９ｍｏｌ）を加えた後、ベンジルクロリド１３９．７ｇ（１．１０３５ｍｏｌ）を加え、溶液を１２０℃で６時間攪拌して反応させた。溶液を室温まで放冷後、氷１５００ｇに注ぎ攪拌した。得られた結晶を濾取して、これを水／メタノール３：２（ｖ/ｖ）、次いで水で洗浄した。真空乾燥により溶媒を除去し、化合物（ｆ）を含む粉末２５１ｇを得た。
前工程で得られた化合物（ｆ）を含む粉末２５１ｇをクロロホルム６００ｍＬを混合した。得られた溶液を氷冷し、窒素雰囲気下、得られた溶液にエトキシクロロメタン９３．５ｇ（０．７６００ｍｏｌ）及びトリエチルアミン１４６．８ｇ（１．４５１５ｍｏｌ）を滴下した。反応溶液を室温、窒素雰囲気下で３時間攪拌して反応させた。反応溶液にトルエン６００ｍＬを加え、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾別し、濾液を回収し、水で洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。得られた粗生成物を真空乾燥して、化合物（ｇ）を含む液体２４２ｇを得た。
【００５１】
前工程で得られた化合物（ｇ）を含む液体２４２ｇ及びＴＨＦ２５０ｍｌを混合した。
窒素雰囲気下で、得られた溶液に１０％パラジウム−炭素（５０％含水）１０．０ｇを加えた。減圧後、水素置換し、室温、常圧、水素雰囲気下で得られた溶液を６時間攪拌して反応させた。窒素置換後、得られた溶液を濾過し、触媒及び溶媒を除去した。残渣をクロロホルムに溶解した。得られた溶液をシリカゲル濾過した。シリカゲル上の不溶物を、シリカゲルからさらにクロロホルムにて抽出した。クロロホルム溶液を回収し、これを減圧濃縮し、これにヘプタンを加えて結晶化させた。得られた結晶を濾別、真空乾燥することにより化合物（ｈ）１０６ｇを得た。収率は化合物トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸基準で３９％であった。
【００５２】
化合物（ｄ）５６．８ｇ（２１５ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン２．６５ｇ（２２ｍｍｏｌ）、トランス１，４−シクロヘキサンジカルボン酸モノエトキシメチルエステル５０ｇ（２１７ｍｍｏｌ）及びクロロホルム３００ｍＬを混合した。得られた混合液を窒素雰囲気下、氷冷して攪拌し、ジシクロヘキシルカルボジイミド４８．７９ｇ（２３７ｍｏｌ）及びクロロホルム５０ｍＬからなる溶液を滴下した。滴下終了後、得られた反応溶液を室温にて攪拌し、クロロホルム２００ｍＬ及びヘプタン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、２Ｎ−塩酸水溶液で洗浄した。分離した有機層を回収し、不溶成分を濾過により除去後、無水硫酸ナトリウムを加え、濾過後、溶媒を除去して得られた固体を、真空乾燥して、化合物（ｅ’）１００ｇを得た。
【００５３】
化合物（ｅ’）１００ｇ、純水３．６４ｇ（２０２ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物３．８４ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ２００ｍＬを混合した。得られた混合液を窒素雰囲気下、５０℃に加温し、攪拌した。混合液を室温まで放冷後、ＴＨＦを減圧除去し、残渣にヘプタン２００ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、純水で洗浄後、真空乾燥した。得られた粉末をクロロホルムに溶解し、シリカゲルを通してから濾過した。濾液を回収しクロロホルム４００ｍLに溶解して、得られた溶液を濃縮し、トルエンを加えた。溶液を減圧濃縮したのち、ヘプタンを加えて結晶化させ、得られた粉末を濾取、真空乾燥して、化合物（ｅ）６４．１ｇを得た。収率は化合物（ｄ）基準、二工程で７６％であった。
＜化合物（Ａ１１−１）の合成例＞
化合物（Ａ１１−１）は下記のスキームに従って合成した。
【００５４】
2011029161.tif 000006
【００５５】
［４，６−ジメチルベンゾフランの合成例］
３，５−ジメチルフェノール２５ｇ（２０５ｍｍｏｌ）をＮ、Ｎ’−ジメチルアセトアミド１５０．０ｇに溶解させた。溶液を氷浴により冷却した後に、水酸化ナトリウム９．８２（２４６ｍｍｏｌ）を加えた。室温で１時間攪拌し、クロロアセトアルデヒドジメチルアセタール２５．４９ｇ（２６６ｍｍｏｌ）を滴下した。１００℃で１５時間攪拌し、反応液を水１０００ｍＬ、メチルイソブチルケトン４００ｍＬに加えて分液した。有機層を回収し、２回５００ｍＬの１Ｎ−水酸化ナトリウム水溶液で、さらに２回８００ｍＬの純水で有機層を洗浄した。有機層を回収後、無水硫酸ナトリウムで脱水し、エバポレータにて減圧濃縮させ淡赤色粘長液体を得た。一方で、４００ｇのトルエンと、オルトリン酸３．０１ｇを混合し１１０℃に加熱した。該溶液に淡赤色粘長液体をトルエン１００ｍＬに溶解させた溶液を滴下した。３時間１１０℃で攪拌した後、室温まで冷却した。反応液を１Ｎ−炭酸水素ナトリウム水溶液で二回洗浄し、最後に純水５００ｍＬで洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで脱水後、エバポレータにて減圧濃縮、真空乾燥させて、４，６−ジメチルベンゾフランを１６．５ｇ淡赤色粘長液体として得た。収率は３，５−ジメチルフェノール基準で５５％であった。
【００５６】
［２−ホルミル−４，６−ジメチルベンゾフランの合成例］
４，６−ジメチルベンゾフラン２１．６２ｇ（１４８ｍｍｏｌ）をＮ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド２８．４ｇ（３８９ｍｍｏｌ）に溶解させた。溶液を水浴により冷却した後に、オキシ塩化リン２５ｇ（１６３ｍｍｏｌ）を滴下した。ピンク色溶液を室温で１時間攪拌した後、１００℃で１０時間攪拌した。反応液を室温まで放冷し、純水１００ｍＬを加えて一時間攪拌後、１Ｎ炭酸水素ナトリウムで中和した。ｐＨを８に調節後、トルエンと分液した。有機層を回収し、活性炭を２．６ｇ加えて濾過した。エバポレータにて減圧濃縮し、残渣をクロロホルムに溶解させ、ヘプタンにて結晶化させた。結晶を濾取、真空乾燥して、２−ホルミル−４，６−ジメチルベンゾフランを１９．５ｇ淡黄色粉末として得た。収率は４，６−ジメチルベンゾフラン基準で７６％であった。
【００５７】
［４，６−ジメチルベンゾフラン−２−カルボン酸の合成例−１］
２−ホルミル−４，６−ジメチルベンゾフラン１９．５０ｇ（１１２ｍｍｏｌ）、アミド硫酸１３．０４ｇ（１３４ｍｍｏｌ）を１００ｍＬの純水と混合した。氷浴で冷却し、亜塩素酸ナトリウム１２．１５ｇ（１３４ｍｍｏｌ）の水１００ｍＬ溶液を滴下した。水浴で３６時間反応させた。反応溶液にトルエン１００ｍＬ、水酸化カリウム２５ｇを加えてｐＨを１２に調整した。分液し、水層を回収し水層をさらに２００ｍＬのトルエンで洗浄した。水層を回収し、２Ｎ−塩酸にてｐＨを２にした後、トルエン４００ｍＬを加えて分液した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで脱水後、エバポレータにて減圧濃縮、真空乾燥して、４，６−ジメチルベンゾフラン−２−カルボン酸を１４．２７ｇ黄色粉末として得た。収率は２−ホルミル−４，６−ジメチルベンゾフラン基準で６７％であった。
【００５８】
４，６−ジメチルベンゾフラン−２−カルボン酸は下記のスキームによっても合成できた。
【００５９】
［４，６−ジメチルベンゾフラン−２−カルボン酸の合成例−２］
2011029161.tif 000007
【００６０】
３，５−ジメチルフェノール１５０ｇ（１２２７ｍｍｏｌ）、パラホルムアルデヒド２３０．１ｇ（７６７４ｍｍｏｌ）、無水塩化マグネシウム１７５．４ｇ（１８４２ｍｍｏｌ）をアセトニトリル９００ｍＬに分散させた。氷浴で３０分攪拌した後、トリエチルアミン４７４ｇ（４６８１ｍｍｏｌ）を二時間かけて滴下した。混合液を水浴で８時間、室温で１４時間反応させた。反応液に冷５Ｎ−塩酸１５００ｍＬを加えて、酸性にした後、４００ｍＬの酢酸エチルで分液し、有機層を回収した。さらに水層を４００ｍＬの酢酸エチルで分液した。有機層を回収し、先の有機層と集めて、無水硫酸ナトリウムで脱水後、エバポレータにて減圧濃縮した。残渣を４００ｍＬトルエンに溶解し、活性炭３ｇ、シリカゲル２０ｇ加えて３０分室温で攪拌し、濾過した。濾液を回収し、エバポレータにて減圧濃縮、真空乾燥させることにより、４，６−ジメチルサリチルアルデヒドを１７０ｇ橙色粘長液体として得た。収率は３，５−ジメチルフェノール基準で９２％であった。
【００６１】
４，６−ジメチルサリチルアルデヒド４５．０ｇ（３００ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１０１．ｇ（３００ｍｍｏｌ）、をＮ、Ｎ’―ジメチルアセトアミド３６０ｍＬに分散させた。８０℃に加温した後、ブロモ酢酸エチル５０.０ｇ（３００ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。混合液を８０℃で４時間反応させた。反応液を室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン４００ｍＬを加えて、冷１Ｎ−塩酸１０００ｍＬで酸性にした後、分液した。有機層を３回１０００ｍＬの純水で洗浄し、有機層を回収した。無水硫酸ナトリウムで脱水後、エバポレータにて溶媒を留去した。残渣に水酸化カリウム４０ｇ、エタノール４００ｍＬを加えて、８０℃で１時間攪拌した。室温まで放冷後、エバポレータにて溶媒を留去し、純水１０００ｍＬを加えた。ｐＨが１２以上であることを確認後、水層をトルエンにて二回、ヘプタンで一回洗浄した。水層を回収し、４Ｎ−硫酸にて中和、ｐＨを３に調節した。析出した黄色沈殿を濾取し、純水で懸洗後、真空乾燥させることにより、４，６−ジメチルベンゾフラン−２−カルボン酸を４８．１ｇ黄色粉末として得た。収率は４，６−ジメチルサリチルアルデヒド基準で８３％であった。
【００６２】
［化合物（１１−ａ）の合成例］
２，５−ジメトキシアニリン１１．４９ｇ（７５．０ｍｍｏｌ）、４，６−ジメチルベンゾフラン−２−カルボン酸１４．２７ｇ（７５．７ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン７．５９ｇ（７５．０ｍｍｏｌ）、Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミノピリジン１．８３ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）及び脱水Ｎ、Ｎ’−ジメチルアセトアミド１００．０ｇを混合した。得られた溶液を氷浴にて冷却した後、ＢＯＰ試薬３４．８５ｇ（８２．５ｍｍｏｌ）を加えて室温で２４時間反応させた。得られた混合液に水、メタノールの混合溶液（水２体積部、メタノール１体積部）を加えて晶析させた。得られた沈殿を濾取し水−メタノールの混合溶液（水３体積部、メタノール２体積部）で洗浄、真空乾燥して、淡黄色粉末として化合物（１１−ａ）を１６．２ｇ得た。収率は２，５−ジメトキシアニリン基準で６６％であった。
【００６３】
［化合物（１１−ｂ）の合成例］
化合物（１１−ａ）１６．０ｇ（４９ｍｍｏｌ）、２，４−ビス（４−メトキシフェニル）−１，３−ジチア−２，４−ジホスフェタン−２，４−ジスルフィド（ローソン試薬）９．２ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）及びトルエン１００ｇを混合し、得られた混合液を８０℃に昇温して１２時間反応させた。冷却後濃縮し、化合物（１１−ｂ）とローソン試薬の分解物とを主成分とする赤色粘長固体を得た。
【００６４】
［化合物（１１−ｃ）の合成例］
前項で得られた化合物（１１−ｂ）を含む混合物、水酸化ナトリウム１１．８ｇ（２６２ｍｍｏｌ）及び水２５０ｇを混合し、得られた混合液を氷冷下で反応させた。続いてフェリシアン化カリウム４４．１７ｇ（１３４ｍｍｏｌ）を含む水溶液を、氷冷下で加え、反応させた。６０℃で１２時間反応させて、析出した黄色沈殿を濾取した。濾取した沈殿を水、次いでヘキサンで洗浄し、トルエンで結晶化させた。得られた黄色を真空乾燥して、化合物（１１−ｃ）を主成分とする黄土色固体４．１ｇを得た。収率は化合物（１１−ａ）基準で２５％であった。
【００６５】
［化合物（１１−ｄ）の合成例］
化合物（１１−ｃ）４．０ｇ（１２．０ｍｍｏｌ）及び塩化ピリジニウム４０．０ｇ（１０倍質量）を混合し、１８０℃に昇温して３時間反応させた。得られた混合液を氷に加え、得られた沈殿を濾取した。水で懸洗後、トルエンで洗浄、真空乾燥させて、化合物（１１−ｄ）を主成分とする黄土色固体３．４ｇを得た。収率は化合物（１１−ｃ）基準で９３％であった。
【００６６】
［化合物（Ａ１１−１）の合成例］
化合物（１１−ｄ）３．００ｇ（９．６４ｍｍｏｌ）、化合物（ｅ）８．４７ｇ（２０．２３ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン０．１２ｇ（０．９６ｍｍｏｌ）及びクロロホルム４０ｍＬを混合した。得られた混合液にＮ、Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミド２．９２ｇ（２３．１２ｍｍｏｌ）を氷冷下で加えた。得られた反応溶液を室温で終夜反応させ、シリカゲル濾過したのち、減圧濃縮した。残渣にメタノールを加えて結晶化させた。結晶を濾取し、クロロホルムに再溶解させ０．３ｇの活性炭を加えて、室温で一時間攪拌した。溶液を濾過して濾液をエバポレータにて１／３まで減圧濃縮後、攪拌しながらメタノールを加えて、生成した白色沈殿を濾取し、ヘプタンで洗浄、真空乾燥して化合物（Ａ１１−１）を白色粉末として７．６０ｇ得た。収率は化合物（１１−ｄ）基準で７１％であった。
【００６７】
化合物（Ａ１１−１）の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１．４５〜１．８５（ｍ、２４Ｈ）、２．３６〜２．８７（ｍ、１８Ｈ）、３．９３〜３．９７（ｔ、４Ｈ）、４．１５〜４．２０（ｔ、４Ｈ）、５．７９〜５．８４（ｄｄ、２Ｈ）、６．０７〜６．１７（ｍ、２Ｈ）、６．３７〜６．４５（ｍ、２Ｈ）、６．８７〜７．０１（ｍ、９Ｈ）、７．２０（ｓ，１Ｈ）、７．２３（ｓ、２Ｈ）、７．５３（ｓ，１Ｈ）
【００６８】
得られた化合物（Ａ１１−１）の相転移温度を偏光顕微鏡によるテクスチャー観察によって確認した。化合物（Ａ１１−１）は、昇温時において、１０５℃から１３７℃まで粘性の高い中間相を示した。液晶相の判別は困難であったが、１３７℃以上で明確なネマチック液晶相を呈した。ネマチック液晶相は１８０℃以上まであり、降温時においては、６１℃までネマチック相を呈し結晶化した。
【００６９】
（化合物（ｘ−ａ）の製造例）
化合物（ｘ−ａ）は以下のスキームで合成した。は、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．１誌、２０５−２１０頁（２０００年）に記載されている方法と同等の方法で合成した。つまり、上記に記載されている合成法のベンゾイルクロライドを２-チオフェンカルボニルクロリドに変える以外は同様の方法で、合成した。
さらに、化合物（ｘ−ａ）は、化合物（ｘ−ｄ）２０．０ｇ（７２．１ｍｍｏｌ）と塩化ピリジニウム１００．０ｇ（５倍質量）とを混合し、得られた混合液を２２０℃に昇温して攪拌した。混合液を冷却後、水を加え、得られた沈殿を濾別し、水及びノルマルヘプタンで洗浄して、化合物（ｘ−ａ）を主成分とする固体１７．４ｇを得た。収率は化合物（ｘ−ｄ）基準で９７％であった。
【００７０】
2011029161.tif 000008
【００７１】
＜化合物（ｘ−１）の合成例＞
化合物（Ａ１１−１）の合成例と同様の方法で、化合物（１１−ｄ）を化合物（ｘ−ａ）に変える以外は同様の方法にて、化合物（ｘ−１）を得た。収率は化合物（ｘ−ａ）基準で８４％であった。
【００７２】
化合物（ｘ−１）の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１．４３〜１．８３（ｍ、２４Ｈ）、２．２９〜２．８２（ｍ、１２Ｈ）、３．９２〜３．９７（ｔ、４Ｈ）、４．１５〜４．２０（ｔ、４Ｈ）、５．８０〜５．８４（ｄｄ、２Ｈ）、６．０７〜６．１８（ｍ、２Ｈ）、６．３７〜６．４４（ｍ、２Ｈ）、６．８６〜７．０２（ｍ、８Ｈ）、７．１２（ｄｔ、１Ｈ）、７．１８（ｓ、２Ｈ）、７．５１（ｄｄ、１Ｈ）、７．６３（ｄｄ、１Ｈ）
【００７３】
得られた化合物（ｘ−１）の相転移温度を偏光顕微鏡によるテクスチャー観察によって行った。化合物（ｘ−１）は、昇温時において、１０１℃から１０６℃までスメクチック相を呈し、１０６℃から１８０℃以上までネマチック相を呈し、降温時において、８１℃までネマチック相を呈し結晶化した。
【００７４】
＜パターン化位相差板の作製＞
（実施例１）
ガラス基板に、ポリビニルアルコール（ポリビニルアルコール１０００完全ケン化型、和光純薬工業株式会社製）の２重量％水溶液を塗布し、乾燥後、厚さ８９ｎｍの膜を形成した。続いて、得られた膜の表面に第１のラビング処理を施した。第１のラビング処理は、半自動ラビング装置（商品名：ＬＱ−００８型、常陽工学株式会社製）を用いて、布（商品名：ＹＡ−２０−ＲＷ、吉川化工株式会社製）によって、押し込み量０．１５ｍｍ、回転数５００ｒｐｍ、１６．７ｍｍ／ｓの条件で行った。第１のラビング処理を施した面にＳＵＳ製の２８０ミクロンの線幅のパターンが刻まれた図１４に示すマスクを置き、第１のラビング処理の方向に対して９０°の方向に、第２のラビング処理を施した。第２のラビング処理は、半自動ラビング装置（商品名：ＬＱ−００８型、常陽工学株式会社製）を用いて、布（商品名：ＹＡ−２０−ＲＷ、吉川化工株式会社製）によって、押し込み量０．１０ｍｍ、回転数５００ｒｐｍ、１６．７ｍｍ／ｓの条件で行った。マスクを外したあと、ラビング処理を施した面に、表１の組成の組成物をスピンコート法により塗布し、１４０℃に加熱し、モノドメインを得た。その後、９０℃に冷却した状態で紫外線を照射した。これにより、ガラス基板上に、パターン化位相差板を作製した。パターン化位相差板の概略図を図１５に示す。
【００７５】
（実施例２）
第２のラビング処理の条件を、押し込み量０．１０ｍｍ、回転数５００ｒｐｍ、８．３５ｍｍ／ｓに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、ガラス基板上に、パターン化位相差板を作成した。
【００７６】
（実施例３）
組成物（Ａ）を組成物（Ｂ）に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、ガラス基板上に、パターン化位相差板を作成した。
【００７７】
（実施例４）
組成物（Ａ）を組成物（Ｂ）に変更したこと以外は、実施例２と同様にして、ガラス基板上に、パターン化位相差板を作成した。
【００７８】
【表１】
2011029161.tif 000009
【００７９】
表１は、組成物を構成する各成分と、組成物全体に対する各成分の含有率（質量％）を表す。
重合性開始剤：イルガキュア８１９（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製）
重合性開始剤：イルガキュア９０７（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製）
レベリング剤：ＢＹＫ３６１Ｎ（ビックケミージャパン製）
溶剤：シクロペンタノン
ＬＣ−２４２：Poliocolor（ＢＡＳＦ社登録商標）ＬＣ２４２
構造式は下記式
2011029161.tif 000010
【００８０】
＜光学特性の測定＞
位相差値（ｎｍ）の測定は、ガラス基板上に作成したパターン化位相差板を剥離することなく、測定機で計測した。基材に使用したガラス基板には、ほとんど複屈折性が無いため、剥離せずに測定しても、ガラス基板上に作製したパターン化位相差板の位相差値を得ることができる。
位相差の測定の結果、図１５に示す領域２０と領域２１は、異なる遅相軸の方向を有する領域であることがわかった。領域２０の遅相軸と領域２１の遅相軸とがなす角度は、略９０°である。また、波長４５１ｎｍ、５４９ｎｍ、及び６２８ｎｍにおける位相差値を表３に示す。また、その位相差値の値から、［Ｒｅ（４５１）／Ｒｅ（５４９）］（αとする）および［Ｒｅ（６２８）／Ｒｅ（５４９）］（βとする）を算出した。
【００８１】
【表２】
2011029161.tif 000011
この結果から、得られたパターン化位相差板は、偏光板に貼合することにより、右目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態と、左目用有機ＥＬ素子から入射して透過する光の偏光状態とがを異なるように、入射する光の偏光状態を制御することが可能な偏光制御板を作製することができることが分かる。
【００８２】
＜膜厚と線幅の測定＞
膜厚（ｎｍ）と線幅（μｍ）の測定は、オリンパス社製レーザー顕微鏡（ＬＥＸＴ３０００）を用いて測定した。線幅は、ガラス基板上に作成したパターン化位相差板を剥離することなく、測定機で計測した。膜厚は、基材からパターン化位相差板を一部剥離し、段差計測を行うことで計測した。
【００８３】
【表３】
2011029161.tif 000012
【００８４】
＜偏光制御板の作製＞
沃素をポリビニルアルコールに吸着配向させ、上下よりトリアセチルセルロースで被覆した厚み１２０μｍの偏光板の上面に、厚さ１０μｍで粘着剤を塗布し、実施例１〜４で作製されたパターン化位相差板を、該偏光板の透過軸に対して、パターン化位相差板の遅相軸がそれぞれ４５度の角度をなすように貼着し、偏光制御板を作製した。
【００８５】
右目用画像情報を表示する右目用有機ＥＬ素子と、左目用画像情報を表示する左目用有機ＥＬ素子とを含む有機ＥＬ素子を駆動する回路が形成された基板上に、該基板とは反対側に光を出射するように、前記有機ＥＬ素子を配置した装置を作製し、さらに、前記有機ＥＬ素子上に、上記で作製した偏光制御板を粘着剤で貼合し、立体表示装置を作製した。有機ＥＬ素子により構成される画素と偏光制御板との間の距離ｄはほとんど粘着剤層の厚みと同じであり、そのため、クロストークの発生が抑制されることが期待される。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明の立体表示装置は、表示特性に優れる。
【符号の説明】
【００８７】
１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ，１１Ｆ，１１Ｇ，１１Ｈ  立体表示装置
２  有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する回路
３  基板
４  有機エレクトロルミネッセンス素子
５，５Ａ，５Ｂ，５Ｃ  偏光制御板
１４  画素電極
１５  発光層
１６  透明電極
１７  薄膜封止膜
１８  ガラス基板
１９  透明基板
２０，２１，２４，２５，２８，２９  領域
２２  パターン化偏光板
２３  位相差板
２６  パターン化位相差板
２７  偏光板
Ｌ  左目により視認されるべき画像情報を表示する左目用の有機エレクトロルミネッセンス素子
Ｒ  右目により視認されるべき画像情報を表示する右目用の有機エレクトロルミネッセンス素子
３０  ラビングマスク基材
３１  ラビングマスク空隙部
【図１】
2011029161.tif 000013
【図２】
2011029161.tif 000014
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2011029161.tif 000021
【図１０】
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【図１１】
2011029161.tif 000023
【図１２】
2011029161.tif 000024
【図１３】
2011029161.tif 000025
【図１４】
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【図１５】
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