(57)【要約】【課題】不良発生時に簡単な工程でリペアすることができ、かつ製造コストを低減できる。【解決手段】少なくとも１つのメイン配線及び前記メイン配線のうち損傷したメイン配線をリペアするための少なくとも１つのリペア配線を備えたセラミック層を設ける段階と、前記セラミック層に、前記メイン配線及び前記リペア配線とそれぞれ電気的に接続できるように、第１導電パターンを形成する段階と、前記メイン配線に損傷が発生した場合、前記第１導電パターンを除去する段階と、前記第１導電パターンが除去された前記損傷したメイン配線上に絶縁部材を形成する段階と、前記セラミック層に、前記損傷したメイン配線と前記リペア配線を接続するように、リペアパターンを形成する段階と、前記リペアパターンが形成された部分を除いた前記メイン配線及び前記リペア配線上に第２導電パターンを形成する段階とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのメイン配線及び前記メイン配線のうち損傷したメイン配線をリペアするための少なくとも１つのリペア配線を備えたセラミック層を設ける段階と、
前記セラミック層に、前記メイン配線及び前記リペア配線とそれぞれ電気的に接続できるように、第１導電パターンを形成する段階と、
前記メイン配線に損傷が発生した場合、前記第１導電パターンを除去する段階と、
前記第１導電パターンが除去された前記損傷したメイン配線上に絶縁部材を形成する段階と、
前記セラミック層に、前記損傷したメイン配線と前記リペア配線を接続するように、リペアパターンを形成する段階と、
前記リペアパターンが形成された部分を除いた前記メイン配線及び前記リペア配線上に第２導電パターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とするセラミック基板のリペア方法。
【請求項２】
電気的な不良が発生した場合、前記損傷したメイン配線に伝達される電気的信号は前記リペアパターンを介して前記リペア配線に伝達されるようにリペアされることを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板のリペア方法。
【請求項３】
前記第１導電パターンを除去する段階は、
前記第１導電パターンを研磨して前記損傷したメイン配線を露出させる段階と、
前記露出したメイン配線の一部領域を除去して溝部を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板のリペア方法。
【請求項４】
前記溝部は、レーザーエッチング、化学的エッチング、パンチング、又はレーザードリリングの少なくとも１つの方法により形成されることを特徴とする請求項３に記載のセラミック基板のリペア方法。
【請求項５】
前記絶縁部材は、誘電体から構成されたペーストで形成されることを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板のリペア方法。
【請求項６】
前記導電パターン及び前記リペアパターンは、スクリーン印刷、フォトリソグラフィ、蒸着、メッキ、又は化学的エッチングの少なくとも１つの方法により形成されることを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板のリペア方法。
【請求項７】
前記導電パターン及び前記リペアパターンは、銀及び前記銀をメッキする金、銅、銅合金、金、金合金、タングステン、及びタングステン合金の少なくとも１つの材質で形成されることを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板のリペア方法。
【請求項８】
前記セラミック基板の内部又は外部に接地用配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板のリペア方法。
【請求項９】
前記リペア配線と前記接地用配線を接続する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載のセラミック基板のリペア方法。
【請求項１０】
前記セラミック基板の内部又は外部にテスト用配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板のリペア方法。
【請求項１１】
電気的テスト時、前記リペア配線は、前記テスト用配線に接続されることを特徴とする請求項１０に記載のセラミック基板のリペア方法。
【請求項１２】
少なくとも１つのメイン配線を備えたセラミック層と、
前記メイン配線と電気的に接続できるように前記セラミック層に形成された導電パターンと、
前記セラミック層に形成され、前記メイン配線のうち損傷したメイン配線をリペアするための少なくとも１つのリペア配線と、
前記損傷したメイン配線と前記導電パターンを絶縁する絶縁部材と、
前記セラミック層に形成され、前記損傷したメイン配線と前記リペア配線を接続するリペアパターンと、
を含むことを特徴とするセラミック基板。
【請求項１３】
電気的な不良が発生した場合、前記損傷したメイン配線に伝達される電気的信号は前記リペアパターンを介して前記リペア配線に伝達されるようにリペアされることを特徴とする請求項１２に記載のセラミック基板。
【請求項１４】
前記絶縁部材は、誘電体から構成されたペーストからなることを特徴とする請求項１２に記載のセラミック基板。
【請求項１５】
前記導電パターン及び前記リペアパターンは、銀及び前記銀をメッキする金、銅、銅合金、金、金合金、タングステン、及びタングステン合金の少なくとも１つの材質からなることを特徴とする請求項１２に記載のセラミック基板。
【請求項１６】
前記セラミック基板の内部又は外部に形成される接地用配線をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載のセラミック基板。
【請求項１７】
前記セラミック基板の内部又は外部に形成されるテスト用配線をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載のセラミック基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不良発生時に簡単な工程でリペアすることができ、かつ製造コストを低減することのできる、セラミック基板のリペア方法及びこれを用いてリペアされたセラミック基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、製品の高集積化及び小型化の趨勢により、小さい面積に多くの機能を有する基板が要求されている。
【０００３】
このような趨勢に応え、電気的な特性を有する製品においては、信号線をますます微細に考案して製作している。
【０００４】
このような場合、工程のレベルが高くなり、これにより工程収率が悪くなる。特に、以前は様々な機能を別々の回路配線基板に持たせていたが、現在は小型化のために１つの回路配線基板に全て集積しているので、回路配線基板に使用される配線の密度が高くなっている。これにより、実際に接続されるべきネット（ｎｅｔ）やパス（ｐａｔｈ）が幾何級数的に増加し、これらのパスのうち１つでも不良が発生すると、該当基板は廃棄される。
【０００５】
また、回路配線基板（ＰＣＢ、ＬＴＣＣ、ＨＴＣＣ、セラミック回路配線基板など）の製作時、基板を製作した後、素子のパッケージング又は他の後工程を行う前に、基板の良否検査を行う。この場合、通常は電気的な信号の流れを生成するネットやパスなどのオープン不良又はショート不良テストを実施する。
【０００６】
ところが、既に熱を加えて焼成した製品は、不良が発生した場合、不良が発生した特定のネットやパスをリペアすることが非常に難しい。従って、通常の場合、不良が発生した基板は廃棄処理し、再び製作する。
【０００７】
特に、基板の内層で特定のネットとこれに接続されてはならない他のネットとのショート不良が発生した場合は、リペアが難しくて製品を廃棄しなければならない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、不良発生時に簡単な工程でリペアすることができ、かつ製造コストを低減することのできる、セラミック基板のリペア方法及びこれを用いてリペアされたセラミック基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一態様においては、少なくとも１つのメイン配線及び前記メイン配線のうち損傷したメイン配線をリペアするための少なくとも１つのリペア配線を備えたセラミック層を設ける段階と、前記セラミック層に、前記メイン配線及び前記リペア配線とそれぞれ電気的に接続できるように、第１導電パターンを形成する段階と、前記メイン配線に損傷が発生した場合、前記第１導電パターンを除去する段階と、前記第１導電パターンが除去された前記損傷したメイン配線上に絶縁部材を形成する段階と、前記セラミック層に、前記損傷したメイン配線と前記リペア配線を接続するように、リペアパターンを形成する段階と、前記リペアパターンが形成された部分を除いた前記メイン配線及び前記リペア配線上に第２導電パターンを形成する段階とを含むセラミック基板のリペア方法を提供する。
【００１０】
電気的な不良が発生した場合、前記損傷したメイン配線に伝達される電気的信号は前記リペアパターンを介して前記リペア配線に伝達されるようにリペアされる。
【００１１】
前記第１導電パターンを除去する段階は、前記第１導電パターンを研磨して前記損傷したメイン配線を露出させる段階と、前記露出したメイン配線の一部領域を除去して溝部を形成する段階とを含むようにしてもよい。  
また、前記溝部は、レーザーエッチング、化学的エッチング、パンチング、又はレーザードリリングの少なくとも１つの方法により形成する。  
また、前記絶縁部材は、誘電体から構成されたペーストで形成してもよい。  
また、前記導電パターン及び前記リペアパターンは、スクリーン印刷、フォトリソグラフィ、蒸着、メッキ、又は化学的エッチングの少なくとも１つの方法により形成する。  
ここで、前記導電パターン及び前記リペアパターンは、銀及び前記銀をメッキする金、銅、銅合金、金、金合金、タングステン、及びタングステン合金の少なくとも１つの材質で形成する。
【００１２】
前記セラミック基板のリペア方法は、前記セラミック基板の内部又は外部に接地用配線を形成する段階をさらに含むようにしてもよい。  
ここで、前記セラミック基板のリペア方法は、前記リペア配線と前記接地用配線を接続する段階をさらに含むようにしてもよい。  
また、前記セラミック基板のリペア方法は、前記セラミック基板の内部又は外部にテスト用配線を形成する段階をさらに含むようにしてもよい。  
ここで、電気的テスト時、前記リペア配線は、前記テスト用配線に接続されるようにしてもよい。
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の他の態様においては、少なくとも１つのメイン配線を備えたセラミック層と、前記メイン配線と電気的に接続できるように前記セラミック層に形成された導電パターンと、前記セラミック層に形成され、前記メイン配線のうち損傷したメイン配線をリペアするための少なくとも１つのリペア配線と、前記損傷したメイン配線と前記導電パターンを絶縁する絶縁部材と、前記セラミック層に形成され、前記損傷したメイン配線と前記リペア配線を接続するリペアパターンとを含むセラミック基板を提供する。
【００１４】
電気的な不良が発生した場合、前記損傷したメイン配線に伝達される電気的信号は前記リペアパターンを介して前記リペア配線に伝達されるようにリペアされる。  
前記絶縁部材は、誘電体から構成されたペーストからなるようにしてもよい。  
また、前記導電パターン及び前記リペアパターンは、銀及び前記銀をメッキする金、銅、銅合金、金、金合金、タングステン、及びタングステン合金の少なくとも１つの材質からなる。
【００１５】
前記セラミック基板は、前記セラミック基板の内部又は外部に形成される接地用配線をさらに含むようにしてもよい。  
前記セラミック基板は、前記セラミック基板の内部又は外部に形成されるテスト用配線をさらに含むようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、不良発生時に簡単な工程でリペアすることができ、かつ製造コストを低減することのできる、セラミック基板のリペア方法及びこれを用いてリペアされたセラミック基板を提供することができる。  
また、リペア配線と接地用配線を接続することにより、信号線間に発生するクロストークを防止するシールド機能を果たすことができ、セラミック基板の電気的特性をより良好にする。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態により製造されたセラミック基板を概略的に示す断面図である。
【図２ａ】本発明の実施形態によるセラミック基板をリペアする工程を概略的に示す断面図である。
【図２ｂ】図２ａに続く工程の断面図である。
【図２ｃ】図２ｂに続く工程の断面図である。
【図２ｄ】図２ｃに続く工程の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００１９】
しかしながら、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野における通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面において、構成要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張することもあり、同一の構成要素には同一の符号を付す。
【００２０】
以下、図１〜図２ｄを参照して本発明の実施形態によるセラミック基板の形成工程を説明する。
【００２１】
図１は、本発明の実施形態により製造されたセラミック基板を概略的に示す断面図であり、図２ａ〜図２ｄは、本発明の実施形態によるセラミック基板をリペアする工程を概略的に示す断面図である。
【００２２】
本発明の実施形態によるセラミック基板１は、少なくとも１つのメイン配線１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄを備えたセラミック層１００と、メイン配線１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄと電気的に接続できるようにセラミック層１００に形成された導電パターン１３０と、セラミック層１００に形成され、メイン配線１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄのうち損傷したメイン配線１１０ｂをリペアするための少なくとも１つのリペア配線１２０と、損傷したメイン配線１１０ｂと導電パターン１３０を絶縁する絶縁部材１５０と、セラミック層１００に形成され、損傷したメイン配線１１０ｂとリペア配線１２０を接続するリペアパターン１６０とを含む。
【００２３】
ここで、セラミック基板１に電気的な不良が発生した場合、損傷したメイン配線１１０ｂに伝達される電気的信号は、リペアパターン１６０を介してリペア配線１２０に伝達させることにより、セラミック基板１をリペアすることができる。
【００２４】
ここで、損傷したメイン配線１１０ｂと導電パターン１３０を絶縁する絶縁部材１５０は、誘電体から構成されたペーストからなるようにしてもよい。
【００２５】
また、導電パターン１３０及びリペアパターン１６０は、銀及び前記銀をメッキする金、銅、銅合金、金、金合金、タングステン、及びタングステン合金の少なくとも１つの材質からなることが好ましいが、導電パターン１３０及びリペアパターン１６０を構成する物質は、これらに限定されるものではなく、導電性のよい金属又は合金であればよい。ここで、導電パターン１３０及びリペアパターン１６０を銀と前記銀をメッキする金とから構成した場合は、銀が酸化することがあるので、銀の上に金をメッキすることで銀の酸化を防止することができる。
【００２６】
また、セラミック基板１は、内部又は外部に形成された接地用配線１１０ｄ及びテスト用配線１１０ｃをさらに含むようにしてもよい。
【００２７】
以下、本発明の実施形態によるセラミック基板のリペア方法について詳細に説明する。
【００２８】
まず、図２ａに示すように、少なくとも１つのメイン配線１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、及びメイン配線１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄのうち損傷したメイン配線１１０ｂをリペアするための少なくとも１つのリペア配線１２０を備えたセラミック層１００を設ける。ここで、設けられたセラミック層１００は焼成してもよい。
【００２９】
次に、セラミック層１００に、メイン配線１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ及びリペア配線１２０とそれぞれ電気的に接続できるように、第１導電パターン１３０’を形成する。
【００３０】
メイン配線１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄに損傷が発生した場合、図２ｂに示すように、セラミック層１００に形成された第１導電パターン１３０’を除去する。
【００３１】
つまり、第１導電パターン１３０’を研磨して損傷したメイン配線１１０ｂを露出させた後、図２ｃに示すように、露出させた損傷したメイン配線１１０ｂの一部領域を除去して溝部１４０を形成する。
【００３２】
溝部１４０は、レーザーエッチング、化学的エッチング、パンチング、又はレーザードリリングの少なくとも１つの方法により形成するが、溝部１４０を形成する方法はこれらに限定されるものではない。
【００３３】
次に、図２ｄに示すように、露出させた損傷したメイン配線１１０ｂ上に形成された溝部１４０に絶縁部材１５０を形成する。ここで、絶縁部材１５０は、誘電体から構成されたペーストで形成してもよい。また、形成された絶縁部材１５０は、溝部１４０への取付をより確実にするために、熱処理してもよい。
【００３４】
次に、図１に示すように、セラミック層１００に、損傷したメイン配線１１０ｂとリペア配線１２０を接続するように、リペアパターン１６０を形成する。そして、リペアパターン１６０が形成された部分を除いたメイン配線１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ及びリペア配線１２０上に、第２導電パターン１３０を形成する。ここで、工程順序に従って第２導電パターン１３０という用語を用いたが、第２導電パターン１３０は導電パターン１３０と同じ用語であることを明らかにする。また、セラミック基板１に不良が発生していない場合は、第１導電パターン１３０’は、研磨して除去するのではなく、導電パターン１３０として使用する。ここで、形成された導電パターン１３０は、セラミック層１００への取付をより確実にするために、熱処理してもよい。
【００３５】
ここで、セラミック基板１に電気的な不良が発生した場合、損傷したメイン配線１１０ｂに伝達される電気的信号は、リペアパターン１６０を介してリペア配線１２０に伝達させることにより、セラミック基板１をリペアすることができる。
【００３６】
前述のように、セラミック基板１に電気的な不良が発生した場合、特にショート不良の場合、損傷が発生したセラミック基板１内に予め形成したリペア配線１２０を損傷したメイン配線と接続することにより、新しい基板に交換するのではなく、前記リペア工程で良品にリペアされたセラミック基板１を使用することができる。従って、セラミック基板１の交換による莫大なコストを低減できるという経済的な効果がある。
【００３７】
ここで、第１導電パターン１３０’、第２導電パターン１３０、及びリペアパターン１６０は、スクリーン印刷、フォトリソグラフィ、蒸着、メッキ、又は化学的エッチングの少なくとも１つの方法により形成するが、第１導電パターン１３０’、第２導電パターン１３０、及びリペアパターン１６０を形成する方法はこれらに限定されるものではない。
【００３８】
第１導電パターン１３０’、第２導電パターン１３０、及びリペアパターン１６０は、前記方法のうちメッキ方法を用いて、銀及び前記銀をメッキする金、銅、銅合金、金、金合金、タングステン、及びタングステン合金の少なくとも１つの材質で形成することが好ましいが、第１導電パターン１３０’、第２導電パターン１３０、及びリペアパターン１６０を形成する物質は、これらに限定されるものではなく、導電性のよい金属又は合金であればよい。ここで、導電パターン１３０及びリペアパターン１６０を銀及び前記銀をメッキする金で構成する場合は、銀が酸化することがあるので、銀の酸化を防止するために銀の上に金をメッキする。
【００３９】
また、セラミック基板１の内部又は外部に接地用配線１１０ｄを形成して、リペア配線１２０と接地用配線１１０ｄを接続することができる。この場合、信号線間に発生するクロストークを防止するシールド機能を果たすことができ、セラミック基板１の電気的特性をより良好にするという効果がある。
【００４０】
また、セラミック基板１の内部又は外部にテスト用配線１１０ｃを形成して、リペア配線１２０とテスト用配線１１０ｃを接続することができる。既存の基板の考案時に考慮していないか、又は追加のテストが必要な場合、所望の配線と接続してテストする機能を果たすことができる。
【００４１】
本発明の実施形態によれば、不良発生時に簡単な工程でリペアすることができ、かつ製造コストを低減することのできる、セラミック基板のリペア方法及びこれを用いてリペアされたセラミック基板を提供することができる。
【００４２】
本実施形態においては、セラミック基板が単一のセラミック層で構成された場合を例に挙げて説明したが、セラミック基板は多層のセラミック層で構成してもよい。
【００４３】
また、本発明の実施形態により製造されたセラミック基板は、プローブカード用基板、特にテスト装置として用いられるプローブカード用基板として使用できるが、本発明によるセラミック基板の用途がこれに限定されるものではない。
【００４４】
本発明は、前述の実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の請求の範囲によって限定されるものである。従って、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当該技術分野における通常の知識を有する者によって様々な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これらも本発明の範囲に属するものといえるであろう。
【符号の説明】
【００４５】
１  セラミック基板
１００  セラミック層
１１０  メイン配線
１２０  リペア配線
１３０  導電パターン
１４０  溝部
１５０  絶縁部材
１６０  リペアパターン
【図１】
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【図２ａ】
2011061178.tif 000004
【図２ｂ】
2011061178.tif 000005
【図２ｃ】
2011061178.tif 000006
【図２ｄ】
2011061178.tif 000007