(57)【要約】【課題】  ランド状接続端子とバネ状接触子を電気的に接触させた接触面に低周波振動を印加することによって金属間接合部を生成される実装マウント装置を提供する。【解決手段】  バネ状接触子２を有するインターコネクタ３を備えた実装基板４に、ランド状接続端子５を備えた電子部品６を接合させる実装マウント装置１であって、ランド状接続端子５は、バネ状接触子２との接触面にＳｎ―Ａｇメッキ７が施され、ランド状接続端子５とバネ状接触子２とを少なくとも一対設け、低周波振動アクチュエータ８を備えた加振台９と、この加振台９の下面に設けられたゴム板１４と、を備え、ランド状接続端子５とバネ状接触子２とを対面させて重ね合わせ、低周波振動アクチュエータ８を電気的に駆動させて振動させることによって接触面に金属間接合部１０が生成される。【選択図】図１
2011029228.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バネ状接触子（２）を有するインターコネクタ（３）を備えた実装基板（４）に、ランド状接続端子（５）を備えた電子部品（６）を接合させる実装マウント装置（１）であって、
低周波振動アクチュエータ（８、８´）を備えた加振台（９）と、
前記加振台の下面に設けられたゴム板（１４）と、
を備え、
前記ランド状接続端子は、前記バネ状接触子との接触面にＳｎ―Ａｇメッキ（７）が施され、前記ランド状接続端子と前記バネ状接触子とを少なくとも一対設け、前記ランド状接続端子と前記バネ状接触子とを対面させて重ね合わせ、前記低周波振動アクチュエータを電気的に駆動させて振動させることによって前記接触面に金属間接合部（１０）が生成されることを特徴とする実装マウント装置。
【請求項２】
バネ状接触子（２）を有するインターコネクタ（３）を備えた実装基板（４）に、ランド状接続端子（５）を備えた電子部品（６）を接合させる実装マウント装置（１）であって、
前記電子部品を吸着するコレット（１１）と、このコレットを接合面に対して水平方向に低周波振動させる低周波振動アクチュエータ（１１ａ）とを備え、
前記ランド状接続端子は、前記バネ状接触子との接触面にＳｎ―Ａｇメッキ（７）が施され、前記ランド状接続端子と前記バネ状接触子とを少なくとも一対設け、前記ランド状接続端子と前記バネ状接触子とを対面させて重ね合わせ、前記低周波振動アクチュエータを電気的に駆動させて振動させることによって前記接触面に金属間接合部（１０´）が生成されることを特徴とする実装マウント装置。
【請求項３】
前記バネ状接触子は、スパイラル状接触子（２）であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の実装マウント装置。
【請求項４】
前記低周波振動アクチュエータ（８）は、ピエゾ素子（８ａ）を用いたことを特徴とする請求項１に記載の実装マウント装置。
【請求項５】
前記低周波振動アクチュエータ（８´）は、偏心カム（１２ａ）付きモータ（１２）を用いたことを特徴とする請求項１に記載の実装マウント装置。
【請求項６】
前記低周波振動の周波数は、５０Ｈｚ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の実装マウント装置。
【請求項７】
前記低周波振動の振幅は、３μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の実装マウント装置。
【請求項８】
前記ゴム板の厚さは、１〜５ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の実装マウント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的な接続状態を形成する実装マウント装置に関し、ランド状接続端子とバネ状接触子を電気的に接触した接触面に低周波振動を印加することによって金属間接合部を生成する実装マウント装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６は、従来の接触子と接続端子の接触状態の概略を示す断面図であり、（ａ）は、スパイラルコンタクタを用いて、スパイラル状接触子と接続端子との接触状態を示し、（ｂ）は、スパイラルコンタクタを用いて、３重巻きスパイラル状接触子と３重巻きスパイラル状接触子との接触状態を示している。
図６の（ａ）に示すように、３重巻きスパイラル状接触子１０２は、表面に導電性のランド１０８ａを有する実装基板１０８に位置決め固定されている。
このスパイラルコンタクタ１０１は、根元から先端中心に向かって渦巻状に形成され、渦巻状の中心に先端を有する凸形のスパイラル状接触子１０２において、スパイラル状接触子１０２の根元を互いに１２０°位相をずらした位置に配置して、根元から渦巻きの中心に向けて立ち上がり、中心を同一として互いに併行して渦巻状に配設された３個のスパイラル状接触子１０２が先端で合流して一体とした３重渦巻きスパイラル状接触子１０２の先端の上面を鏡面処理した鏡面状平面１０２ｄａを備えている。
【０００３】
これによって、先端部の上面に鏡面状平面１０２ｄａを備えたスパイラル状接触子１０２と、やはり接続面に鏡面状平面１１１ａａを備えた接続端子１１１ａとを密着させて接合することができ、３重渦巻きスパイラル状接触子１０２の鏡面状平面１０２ｄａと、接続端子１１１ａの鏡面状平面１１１ａａとを対面させて重ね合わせることによって、鏡面状平面同士が密着して金属間接合が発生して金属間接合部１０２ｅを生成し、電気的に強固に接合することができる。
【０００４】
次に、図６の（ｂ）に示すように、一方の３重巻きスパイラル状接触子は、表面に導電性のランド１０８ａを有する実装基板１０８に位置決め固定され、他方の３重巻きスパイラル状接触子１０２も、表面に導電性のランド１０８ａを有する実装基板１０８に位置決め固定されている。
この３重渦巻きスパイラル状接触子１０２を少なくとも一対設け、一対の３重渦巻きスパイラル状接触子１０２の鏡面状平面１０２ｄａ同士を対面させて重ね合わせることによって生成される金属間接合部１０２ｅを備えている。
【０００５】
すなわち、３重渦巻きスパイラル状接触子１０２の鏡面状平面１０２ｄａと３重渦巻きスパイラル状接触子１０２の鏡面状平面１０２ｄａとを対面させて重ね合わせることによって、鏡面状平面同士が密着して金属間接合が発生し、電気的に強固に接合することができ、精度が良く、バネ追従性に優れた３重渦巻きスパイラル状接触子を容易に製造することができる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特願２００８―２２２９０５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記従来例では、接続面に鏡面状平面を備えた接続端子と、先端部の上面に鏡面状平面を備えたスパイラル状接触子とを接合し、また、先端部の上面に鏡面状平面を備えたスパイラル状接触子同士を接合しているものである。
本発明は、ランド状接続端子とバネ状接触子を電気的に接触した接触面に低周波振動を印加することによって金属間接合部を生成する実装マウント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に係る発明の実装マウント装置１は、バネ状接触子２を有するインターコネクタ３を備えた実装基板４に、ランド状接続端子５を備えた電子部品６を接合させる実装マウント装置１であって、低周波振動アクチュエータ８を備えた加振台９と、前記加振台９の下面に設けられたゴム板１４と、を備え、前記ランド状接続端子５は、前記バネ状接触子２との接触面にＳｎ―Ａｇメッキ７が施され、前記ランド状接続端子５と前記バネ状接触子２とを少なくとも一対設け、前記ランド状接続端子５と前記バネ状接触子２とを対面させて重ね合わせ、前記低周波振動アクチュエータ８を電気的に駆動させて振動させることによって前記接触面に金属間接合部１０が生成されることを特徴とする。
【０００９】
請求項２に係る発明の実装マウント装置は、バネ状接触子２を有するインターコネクタ３を備えた実装基板４に、ランド状接続端子５を備えた電子部品６を接合させる実装マウント装置１であって、前記電子部品を吸着するコレット１１と、このコレットを接合面に対して水平方向に低周波振動させる低周波振動アクチュエータ１１ａとを備え、前記ランド状接続端子は、前記バネ状接触子との接触面にＳｎ―Ａｇメッキ７が施され、前記ランド状接続端子と前記バネ状接触子とを少なくとも一対設け、前記ランド状接続端子と前記バネ状接触子とを対面させて重ね合わせ、前記低周波振動アクチュエータを電気的に駆動させて振動させることによって前記接触面に金属間接合部１０´が生成されることを特徴とする。
【００１０】
請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の実装マウント装置１であって、前記バネ状接触子２は、スパイラル状接触子２であることを特徴とする。
【００１１】
請求項４に係る発明は、請求項１に記載の実装マウント装置１であって、前記低周波振動アクチュエータ８は、ピエゾ素子８ａを用いたことを特徴とする。
【００１２】
請求項５に係る発明は、請求項１に記載の実装マウント装置１であって、前記低周波振動アクチュエータ８は、偏心カム１２ａ付きモータ１２を用いたことを特徴とする。
【００１３】
請求項６に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の実装マウント装置１であって、前記低周波振動の周波数は、５０Ｈｚ以下であることを特徴とする。
【００１４】
請求項７に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の実装マウント装置１であって、前記低周波振動の振幅は、３μｍ以下であることを特徴とする。
【００１５】
請求項８に係る発明は、請求項１に記載の実装マウント装置１であって、前記ゴム板１４の厚さは、１〜５ｍｍであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１に係る発明によれば、実装マウント装置は、バネ状接触子を有するインターコネクタを備えた実装基板に、ランド状接続端子を備えた電子部品を接合させる実装マウント装置であって、ランド状接続端子は、バネ状接触子との接触面にＳｎ―Ａｇメッキが施され、ランド状接続端子とバネ状接触子とを少なくとも一対設け、低周波振動アクチュエータを備えた加振台と、この加振台の下面に設けられたゴム板とを備え、ランド状接続端子とバネ状接触子とを対面させて重ね合わせ、低周波振動アクチュエータを電気駆動させて低周波振動させるとともに、ゴム板の反発力によって、低周波振動アクチュエータの低周波振動とゴム板の反発力が安定的に低周波を生成して接触面に金属間接合部が生成され、電子部品などに熱履歴を加えることなく、Ｓｎ―ＡｇメッキとＡｕメッキとの間に金属間接合部を生成させ安定的に接合することができる。
【００１７】
請求項２に係る発明によれば、実装マウント装置は、バネ状接触子を有するインターコネクタを備えた実装基板に、ランド状接続端子を備えた電子部品を接合させる実装マウント装置であって、電子部品を吸着するコレットと、このコレットを接合面に対して水平方向に低周波振動させる低周波振動アクチュエータとを備えることによって、電子部品などに熱履歴を加えることなく、Ｓｎ―ＡｇメッキとＡｕメッキとの間に金属間接合部を生成させ安定的に接合することができる。
【００１８】
請求項３に係る発明によれば、バネ状接触子は、スパイラル状接触子であることによって、スパイラル状接触子の付勢力によってランド状接続端子に加圧されるため、低周波振動アクチュエータの低周波振動とゴム板の反発力が安定的に低周波を生成して接触面に金属間接合部が生成され、電子部品などに熱履歴を加えることなく、Ｓｎ―ＡｇメッキとＡｕメッキとの間に金属間接合部を生成させ安定的に接合することができる。
【００１９】
請求項４に係る発明によれば、低周波振動アクチュエータにピエゾ素子を用いたことによって、ピエゾ素子が安定的に低周波振動を生成させ、ゴム板の反発力と相俟って接触面に金属間接合部が生成され、電子部品などに熱履歴を加えることなく、Ｓｎ―ＡｇメッキとＡｕメッキとの間に金属間接合部を生成させ安定的に接合することができる。
【００２０】
請求項５に係る発明によれば、低周波振動アクチュエータに偏心カム付きモータを用いたことによって、モータに取り付けた偏心カムと、加振台側に設けられたカムフォロワとの低周波振動が、ゴム板の反発力と相俟って接触面に金属間接合部が生成され、電子部品などに熱履歴を加えることなく、Ｓｎ―ＡｇメッキとＡｕメッキとの間に金属間接合部を生成させ安定的に接合することができる。
【００２１】
請求項６に係る発明によれば、低周波振動の周波数を５０Ｈｚ以下とすることによって、ゴム板の反発力と相俟って接触面に金属間接合部が生成され、電子部品などに熱履歴を加えることなく、Ｓｎ―ＡｇメッキとＡｕメッキとの間に金属間接合部を生成させ安定的に接合することができる。
【００２２】
請求項７に係る発明によれば、低周波振動の振幅を３μｍ以下とすることによって、ゴム板の反発力と相俟って接触面に金属間接合部が生成され、電子部品などに熱履歴を加えることなく、Ｓｎ―ＡｇメッキとＡｕメッキとの間に金属間接合部を生成させ安定的に接合することができる。
【００２３】
請求項８に係る発明によれば、ゴム板の厚さを１〜５ｍｍとすることによって、低周波振動アクチュエータの生成する低周波振動と、ゴム板の反発力とが効果的に相俟って接触面に金属間接合部が生成され、電子部品などに熱履歴を加えることなく、Ｓｎ―ＡｇメッキとＡｕメッキとの間に金属間接合部を生成させ安定的に接合することができる。
【００２４】
これによって、精度が良く、優れた電気的特性と優れたバネ追従性を有するバネ状接触子を備えた金属間接合を容易に形成することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明に係る実装マウント装置の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態を説明するための実装マウント装置の概略を示し、（ａ）は実装マウント装置の構成を示す概略図、（ｂ）は低周波振動によって実装基板と電子部品との接触面に金属間接合部を生成させることによって実装マウントを行う概略図を示す。
図１（ａ）（ｂ）に示すように、実装マウント装置１は、バネ状接触子２を有するインターコネクタ３を備えた実装基板４に、ランド状接続端子５を備えた電子部品６を接合させるものである。ランド状接続端子５は、バネ状接触子２との接触面にＳｎ―Ａｇメッキ７が施され、ランド状接続端子５とバネ状接触子２とを少なくとも一対設け、低周波振動アクチュエータ８を備えた加振台９と、加振台９の下面に設けられたゴム板１４と、を備える。加振台９は金属材で構成されており、特にアルミニュームを用いている。なお、アルミニュームに限定されるものではなく、チタン合金など適宜用いても構わない。
【００２６】
複数のインターコネクタ３を搭載した実装基板４が左方向から右方向に送られ、加振台９上に位置決めされたときに、ウエハ１５上に形成された電子部品６がウエハ１５からピックアップされて加振台９上のインターコネクタ３に搭載されるためにマウント動作がなされる。
このとき実装基板上において、電子部品６の下面に設けられたランド状接続端子５と、インターコネクタ３の上面に設けられたスパイラル状接触子であるバネ状接触子２とを対面させて重ね合わせ、スパイラル状接触子２の付勢力でランド状接続端子５に加圧されて接触している。この状態で低周波振動アクチュエータ８を電気的に駆動させて振動させることによって接触面に金属間接合部１０が生成される。この実施例では、図１の（ａ）のＡ部側面を拡大した、図１の（ｂ）に示すように、順次の電子部品が接合された結果、実装基板６の側面から見て、３組のインターコネクタ３と電子部品６が金属間接合されている。
【００２７】
図２は、低周波振動によって実装基板と電子部品との接触面に金属間接合部を生成させる様子を示し、（ａ）は金属間接合させる前の状態を示す拡大断面図、（ｂ）は金属間接合部が生成された後の状態を示す拡大断面図である。
図２に示すように、低周波振動アクチュエータ８を電気駆動させて低周波振動させるとともに、金属の加振台９の下にゴム板１４を接着しているため、低周波振動アクチュエータ８から起振されたゴム材１４がその弾性力によって反発して、低周波振動アクチュエータ８の低周波振動とゴム板１４の反発力が安定的に５０Ｈｚ以下の低周波を生成して接触面に金属間接合部１０が生成される。
【００２８】
このとき、バネ状接触子２はスパイラル状接触子を用いている。このバネ状接触子２はスパイラル状接触子２に限るものではなく、ランド状接続端子５に付勢力を与えることができるものあれば構わない。これによれば、バネ状接触子２は、スパイラル状接触子２であることによって、スパイラル状接触子２の付勢力によってランド状接続端子５に加圧される。
【００２９】
図３は、本発明の実施形態に係る低周波振動アクチュエータを示し、（ａ）は加振台に取り付けられたピエゾ素子を用いた低周波振動アクチュエータの概略図、（ｂ）はピエゾ素子の構造を示す断面図である。
図３の（ａ）に示すように、この低周波振動アクチュエータ８にはピエゾ素子８ａを用いている。このピエゾ素子８ａを備えた低周波振動アクチュエータ８を加振台の側面に当接させている。図３の（ｂ）に示すように、図３の（ａ）に示すＢ部の拡大断面図において、低周波振動アクチュエータ８は内部に、起振体としてのピエゾ素子８ａと、このピエゾ素子８ａの振動を得て加振台９に振動を伝達できるように接合されたシリンダ８ｂと、このシリンダ８ｂの先端に接合された振動体８ｃとを備えている。この低周波振動アクチュエータ８は、低周波振動アクチュエータ取付台（アクチュエータ取付ブロック）１９、２０に固定されている。そしてこの低周波振動アクチュエータ取付台１９、２０は装置本体に固定されているため、低周波振動アクチュエータ８が振動しても低周波振動アクチュエータ取付台１９、２０そのものは振動することはない。また、加振台９の下面に設けられたゴム板１４もゴム板１４自身が揺れることはないようにゴム板１４の下面で装置本体に固定されている。また、ゴム板１４は装置本体の振動の少ない適当なところに固定されていれば良く、低周波振動アクチュエータ１９、２０の発生した振動が加振台９に適切に伝わるようにできれば、装置本体の適当なところに取り付けても構わない。そしてシリンダ８ｂの往復動作による慣性を利用して振動体８ｃが振動して加振台９に低周波振動が伝達される。なお、複数の低周波振動アクチュエータ８を加振台９の側面に当接させて位置決めされているが、それぞれの低周波振動アクチュエータ８の電圧の印加をそれぞれ別々に制御することによって、共振点や低周波振動を生成する方向や強さが制御される。低周波振動アクチュエータ８の個数や位置は、本実施形態に限定するものではなく適宜変更可能である。
【００３０】
このように低周波振動アクチュエータ８にピエゾ素子８ａを用いたことによって、ピエゾ素子８ａが安定的に低周波振動を生成させ、ゴム板１４の反発力と相俟って、ランド状接続端子５とスパイラル状接触子２との接触面に低周波振動が生じて、ランド状接続端子５のランド５ａに施されたＳｎ―Ａｇメッキ７と、スパイラル状接触子２に施されたＡｕメッキ１８との間に擦り合わせが起こり、その部分の表面に形成されている可能性のある酸化膜が削り取られるとともに金属拡散が起こって金属間接合部１０が生成される。また、スパイラル状接触子２が押圧されることによって、スパイラル状接触子２の先端部は回動するため、ランド状接続端子５の接触面の表面に形成されている可能性のある酸化膜は削り取られる。なお、ランド状接続端子５のランド５ａに施されたＳｎ―Ａｇメッキ７と、スパイラル状接触子２に施されたＡｕメッキ１８との接触による金属間接合１０と説明したが、ランド状接続端子５のランド５ａに施されたＡｕメッキと、スパイラル状接触子２に施されたＡｕメッキとすることでさらに容易に金属間接合が生じるのでＡｕメッキ同士の金属間接合としても構わない。
【００３１】
低周波振動の周波数は５０Ｈｚ以下であり、低周波振動の振幅は３μｍ以下である。
また、ゴム板１４の厚さは１〜５ｍｍとした。ゴム板１４の板厚は薄い方が精度が出て適当であるが低周波振動を安定的に生成するためには、場合によって５ｍｍ以上でも構わない。
このように、低周波振動の周波数を５０Ｈｚ以下、低周波振動の振幅を３μｍ以下、ゴム板１４の厚さを１〜５ｍｍとすることによって、低周波振動アクチュエータの生成する低周波振動と、ゴム板の反発力とが効果的に相俟って接触面に金属間接合部が生成され、電子部品などに熱履歴を加えることなく、Ｓｎ―ＡｇメッキとＡｕメッキとの間に金属間接合部を生成させ安定的に接合することができる。
【００３２】
図４は、本発明の実施形態に係る低周波振動アクチュエータを説明するため、加振台に取り付けられた偏心カム付きモータを用いた低周波振動アクチュエータの概略図である。
図４に示すように、低周波振動アクチュエータ８´として、偏心カム１２ａ付きモータ１２を用いても構わない。
低周波振動アクチュエータ８´として偏心カム１２ａ付きモータ１２を用いたことによって、モータ１２の偏心カム１２ａの偏心を有する回転と、この回転を加振台９側に設けられたカムフォロワ１３に伝達することによって低周波振動が加振台９に伝わる。このとき、ゴム板１４の反発力と相俟って接触面に金属間接合部１０が生成される。この偏心カム１２ａ付きモータ１２とは携帯電話のバイブに利用されるモータと同じ構造である。
なお、金属間接合が生成される状態は、図３に示すように、ピエゾ素子８ａを用いた低周波振動アクチュエータ８と同様である。
【００３３】
図５は、本発明の実施形態に係る低周波振動アクチュエータを、実装マウント動作するコレットに備えた実装マウント装置の概略図である。
図５に示すように、低周波振動アクチュエータを、実装マウント動作するコレットに備えても構わない。実装マウント装置１は、バネ状接触子２を有するインターコネクタ３を備えた実装基板４に、ランド状接続端子５を備えた電子部品６を接合させる。真空ポンプ（図略）などに接続されたホース２１を備えてウエハ１５から電子部品６を真空吸着するコレット１１をインターコネクタ３と重なるように位置決めして、電子部品６のランド状接続端子５と、インターコネクタ３に設けられたスパイラル状接触子２と接触させて電気的に接合するため、低周波振動アクチュエータ１１ａによってコレット１１をその接合面に対して水平方向に低周波振動させる。
ランド状接続端子５は、バネ状接触子２との接触面にＳｎ―Ａｇメッキ７が施されている。そしてランド状接続端子５とバネ状接触子２とを少なくとも一対設け、ランド状接続端子５とバネ状接触子２とを対面させて重ね合わせる。
低周波振動アクチュエータ（ピエゾ素子）１１ａを電気的に駆動させて振動させてコレット１１を振動させることによって接触面に金属間接合部１０´が生成される。
また、低周波振動の周波数は５０Ｈｚ以下であり、低周波振動の振幅は３μｍ以下である。このように、低周波振動の周波数を５０Ｈｚ以下、低周波振動の振幅を３μｍ以下とすることによって、電子部品などに熱履歴を加えることなく、Ｓｎ―ＡｇメッキとＡｕメッキとの間に金属間接合部を生成させ安定的に接合することができる。
また、本実施形態のコレットは、電子部品の角を掴むテーパー面を備えた構造であるが、電子部品の表面を吸着する構造でも構わない。
なお、金属間接合が生成される状態は、図２に示すように、加振台９を振動させる場合と同様である。
【００３４】
また、接続端子や接触子の表面にＳｎ-ＡｇメッキやＡｕメッキを施すことによって金属間接合を生成させているが、接続端子や接触子の表面をＳｎ-ＡｇやＡｕメッキで被う場合にメッキ法に限定するものではなく、スパッタ法や塗布でも構わない。
また、バネ状接触子は板バネ形状、コイルバネ形状の接触子としても構わない。
【００３５】
また、バネ状接触子２を形成するコア材はニッケル（Ｎｉ）基材であり、表面にはＡｕメッキが施されているが、これに限定されるものではない。ここで金属間接合を簡単に説明する。金属間接合は、接合部の金属原子が互いに拡散して拡散接合が発生して起きる。この拡散接合とは、ＪＩＳの定義では、「母材を密着させ、母材の融点以下の温度条件で、塑性変形をできるだけ生じさせない程度に加圧して、接合面間に生じる原子の拡散を利用して接合する方法」となっている。
このような拡散接合の特徴は、材料的に溶融溶接が極めて困難とされている金属や、異種金属の接合ができること、面接合ができることである。
【００３６】
以上、好ましい実施の形態を説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱することの無い範囲内において適宜変更が可能なものである。例えば、バネ状接触子は、スパイラル状接触子、または板バネ形状やコイルバネ形状のバネ状接触子として説明したが、これに限るものではなく、その他バネ状接触子であれば構わない。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
ランド状接続端子とバネ状接触子を低周波振動によって金属間接合部を生成させて安定的に電気的な接続状態を形成する実装基板の製造や、電子部品間や実装基板間などの電子的基板間を接続して高集積デバイスを形成するためのインターコネクタに適用される。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施形態を説明するための実装マウント装置の概略を示し、（ａ）は実装マウント装置の構成を示す概略図、（ｂ）は低周波振動によって実装基板と電子部品との接触面に金属間接合部を生成させることによって実装マウントする概略図を示す。
【図２】低周波振動によって実装基板と電子部品との接触面に金属間接合部を生成させる様子を示し、（ａ）は金属間接合させる前の状態を示す拡大断面図、（ｂ）は金属間接合部が生成された後の状態を示す拡大断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る低周波振動アクチュエータを示し、（ａ）は加振台に取り付けられたピエゾ素子を用いた低周波振動アクチュエータの概略図、（ｂ）はピエゾ素子の構造を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る低周波振動アクチュエータを説明するため、加振台に取り付けられた偏心カム付きモータを用いた低周波振動アクチュエータの概略図である。
【図５】本発明の実施形態に係る低周波振動アクチュエータを、実装マウント動作するコレットに備えた実装マウント装置の概略図である。
【図６】従来のスパイラル状接触子と接続端子との金属間接合の概略を示す断面図であり、（ａ）は、接触前の状態を示し、（ｂ）は、接触後に接触箇所に金属間接合部が生成されている状態を示す。
【符号の説明】
【００３９】
１  実装マウント装置
２  バネ状接触子、スパイラル状接触子
３  インターコネクタ
４  実装基板
５  ランド状接続端子
５ａ  ランド
６  電子部品
７  Ｓｎ―Ａｇメッキ
８  低周波振動アクチュエータ
８ａ  ピエゾ素子
８ｂ  シリンダ
８ｃ  振動体
９  加振台
１０  金属間接合部
１１  コレット
１１ａ  低周波振動アクチュエータ
１２  偏心カム付きモータ
１２ａ  偏心カム
１３  カムフォロワ
１４  ゴム板
１５  ウエハ
１６  Ａｕメッキ
１７  Ｃｕメッキ
１８  Ａｕメッキ
１９、２０  低周波振動アクチュエータブラケット
２１  ホース
【図１】
2011029228.tif 000003
【図２】
2011029228.tif 000004
【図３】
2011029228.tif 000005
【図４】
2011029228.tif 000006
【図５】
2011029228.tif 000007
【図６】
2011029228.tif 000008