(57)【要約】【課題】赤色発光の略全てをＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体が担うように構成され、照明用途への適用が可能な程度に良好な演色性を有する、ＮＵＶ−ＬＥＤベースの３波長型白色ＬＥＤを提供すること。【解決手段】ピーク波長４４０ｎｍ〜４７０ｎｍかつ半値幅５０ｎｍ〜７０ｎｍの主発光ピークを有し青色発光する第１蛍光体と、ピーク波長５２５ｎｍ〜５５０ｎｍかつ半値幅５５ｎｍ〜７５ｎｍの主発光ピークを有し緑色発光する第２蛍光体と、赤色発光するＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体である第３蛍光体と、近紫外または紫色の光を主として出すＬＥＤ素子とを備え、上記ＬＥＤ素子が出す光を直接的または間接的な励起源に用いて上記第１蛍光体、第２蛍光体および第３蛍光体を発光させる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピーク波長４４０ｎｍ〜４７０ｎｍかつ半値幅５０ｎｍ〜７０ｎｍの主発光ピークを有し青色発光する第１蛍光体と、ピーク波長５２５ｎｍ〜５５０ｎｍかつ半値幅５５ｎｍ〜７５ｎｍの主発光ピークを有し緑色発光する第２蛍光体と、赤色発光するＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体である第３蛍光体と、近紫外または紫色の光を主として出すＬＥＤ素子とを備え、上記ＬＥＤ素子が出す光により上記第１蛍光体、第２蛍光体および第３蛍光体を直接的または間接的に励起して発光させる、照明用の白色発光装置。
【請求項２】
ＣＱＳが８５以上である、請求項１に記載の白色発光装置。
【請求項３】
更に、ピーク波長４４０ｎｍ〜４７０ｎｍかつ半値幅５０ｎｍ未満の主発光ピークを有し青色発光する第４蛍光体を備え、上記ＬＥＤ素子が出す光によりこの第４蛍光体を励起して発光させ、この第４蛍光体の発光の少なくとも一部を上記第３蛍光体の励起に用いる、請求項１に記載の白色発光装置。
【請求項４】
上記第４蛍光体が、Ｅｕ付活ハロリン酸塩系蛍光体を含む、請求項３に記載の白色発光装置。
【請求項５】
上記第１蛍光体がＥｕ付活アルミン酸塩系蛍光体を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の白色発光装置。
【請求項６】
上記第２蛍光体がＥｕ付活アルカリ土類ケイ酸窒化物系蛍光体またはＥｕ付活アルカリ土類ケイ酸塩系蛍光体を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の白色発光装置。
【請求項７】
上記第２蛍光体がＥｕ付活β型サイアロンを含む、請求項６に記載の白色発光装置。
【請求項８】
上記第３蛍光体がＫＳＮＡＦを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の白色発光装置。
【請求項９】
上記ＬＥＤ素子が発光ピーク波長を４１０ｎｍ〜４３０ｎｍに有するＩｎＧａＮ系ＬＥＤ素子である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の白色発光装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の白色発光装置を備えた照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ素子と蛍光体とを組み合わせてなる照明用の白色発光装置、および、それを用いた照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近紫外〜青色の短波長光を発生可能なＩｎＧａＮ系の高輝度ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子を、蛍光体の励起源として用いた白色発光装置が知られている。この白色発光装置は、一般に白色ＬＥＤと呼ばれている。近年、白色ＬＥＤを照明用途において実用化しようとする試みが盛んである。
【０００３】
現在のところ、照明用発光装置の主流のひとつは蛍光灯である。蛍光灯には色温度による区分が設けられている。例えば、昼光色（色温度６５００Ｋ）、昼白色（色温度５０００Ｋ）、電球色（色温度２８００Ｋ）などである。この区分からも分かるように、照明に適した光源の色温度は、一般に６５００Ｋ以下である。
【０００４】
照明用発光装置に求められる重要な性質のひとつは演色性である。国際照明委員会の推奨基準（ＣＩＥ、１９８６）によれば、一般的作業の工場で用いるランプの場合、Ｒａ≧４０ならば許容できるが、好ましくはＲａ≧６０であるとされている。Ｒａとは平均演色評価数のことである。同基準は、オフィス、学校などの施設で用いられるランプにはより高い演色性を要求しており、許容できるＲａの下限を６０としている。
【０００５】
演色性の良好な白色ＬＥＤとして、近紫外または紫色の光を主として出すＬＥＤ素子を励起源に用い、青色、緑色および赤色にそれぞれ発光する３種類の蛍光体を３原色光の発生源に用いた、３色型白色ＬＥＤがある。以下では、便宜のために、近紫外または紫色の光を主として出すＬＥＤ素子を「ＮＵＶ−ＬＥＤ」と呼ぶ場合がある。
【０００６】
ＮＵＶ−ＬＥＤベースの３波長型白色ＬＥＤは、青色ＬＥＤ素子を励起源に用いた青色ＬＥＤベースの白色ＬＥＤと比べると、空間的な色調の均一性（spatial color uniformity）が良好であること、個々の製品の色調を揃えることが容易であるため大量生産に適していること、などの長所がある。しかし、ＮＵＶ−ＬＥＤベースの３色型白色ＬＥＤに関しては、発光効率が低いという指摘もなされている（非特許文献１）。
【０００７】
最近、赤色波長域にＭｎ４＋の狭帯域発光に基づく鋭い発光ピークを有するＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体（特許文献１）を、照明用の白色ＬＥＤに用いることが提案されている（特許文献２、特許文献３）。
【０００８】
特許文献２には、半値幅が１００ｎｍを優に上回る幅広の発光ピークを有する、広帯域の黄色蛍光体であるＴＡＧ：Ｃｅ（Ｃｅ３＋付活テルビウム・アルミニウム・ガーネット）とともに、Ｍｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体を用いた、青色ＬＥＤベースの白色ＬＥＤが開示されている。この特許文献２に開示された白色ＬＥＤは、ひとつは色温度２９００Ｋ、Ｒａ＝８２であり、他のひとつは色温度３５００Ｋ、Ｒａ＝９２であって、いずれも、照明用途に要求される水準をクリアしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国特許第３５７６７５６号公報
【特許文献２】米国特許公開２００６／０１６９９９８号公報
【特許文献３】米国特許公開２００７／０２０５７１２号公報
【特許文献４】ＷＯ２００６／１２１０８３号公報
【特許文献５】特開２００６−２６１５１２号公報
【特許文献６】特開２００９−８１１８７号公報
【特許文献７】米国特許公開２００９／０１２２５３０号公報
【特許文献８】特開２００４−１２７９８８号公報
【特許文献９】特開２００８−７４８９０号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】E.FRED SCHUBERT, LIGHT-EMITTING DIODES, CAMBRIDGE UNIVERSITY PRESS, 2003
【非特許文献２】W. Davis and Y. Ohno, "Toward an improved color rendering metric," Proc. SPIE Fifth International Conference on Solid State Lighting, 5941, 2005
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ＩｎＧａＮ系の高輝度ＬＥＤ素子を用いて励起可能な高効率の赤色蛍光体の種類は必ずしも多くない。その中でも、Ｍｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体は、視感度の高い短波長の赤色光を出すこと、また、狭帯域発光することから、極めて高い発光効率を示すことが原理上から期待できる。
それにもかかわらず、発光効率の改善が求められているＮＵＶ−ＬＥＤベースの３波長型白色ＬＥＤ、その中でも特に照明用途を目的としたものにおいて、赤色発光の略全てをこの蛍光体が担うように構成した例は報告されていない。その理由は、恐らく、赤色発光を狭帯域蛍光体のみに担わせた白色ＬＥＤにおいては、高演色性を実現することは困難であると考えられているためである(特許文献８、特許文献９)。
【００１２】
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであり、赤色発光の略全てをＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体が担うように構成され、照明用途への適用が可能な程度に良好な演色性を有する、ＮＵＶ−ＬＥＤベースの３波長型白色ＬＥＤを提供することを、主たる目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明を説明するにあたり、「狭帯域発光」とは、発光スペクトルにおける発光帯域の半値幅が５０ｎｍ未満である発光をいうものとし、また、「狭帯域発光体」とは、発光スペクトルにおける半値幅が５０ｎｍ未満の主発光ピークを有する蛍光体をいうものとする。
上記目的を達成するために、次の白色発光装置を提供する：
ピーク波長４４０ｎｍ〜４７０ｎｍかつ半値幅５０ｎｍ〜７０ｎｍの主発光ピークを有し青色発光する第１蛍光体と、ピーク波長５２５ｎｍ〜５５０ｎｍかつ半値幅５５ｎｍ〜７５ｎｍの主発光ピークを有し緑色発光する第２蛍光体と、赤色発光するＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体である第３蛍光体と、近紫外または紫色の光を主として出すＬＥＤ素子とを備え、上記ＬＥＤ素子が出す光により上記第１蛍光体、第２蛍光体および第３蛍光体を直接的または間接的に励起して発光させる、照明用の白色発光装置。
【００１４】
この白色発光装置は、第１蛍光体が出す青色光と第２蛍光体が出す緑色光と第３蛍光体が出す赤色光とが加法混色されて生じる白色光を、出力光とする発光装置である。励起源たるＬＥＤ素子の発光（特に、その長波長成分）が、出力光の色調に影響するように構成するか、影響しないように構成するかは、適宜、要求に応じて選択することができる。
【００１５】
第１蛍光体および第２蛍光体に関して、主発光ピークのピーク波長および半値幅の下限（第１蛍光体は５０ｎｍ、第２蛍光体は５５ｎｍ）を規定している理由は、出力光のスペクトルが青色領域から浅い赤色領域にかけて途切れないようにするためである。このことは、照明用途への適用が可能な程度の演色性を確保するうえで重要な要素である。従って、第１蛍光体の主発光ピークの半値幅は、より好ましくは５５ｎｍ以上である。また、第２蛍光体の主発光ピークの半値幅は、より好ましくは６０ｎｍ以上である。
【００１６】
出力光のスペクトルの赤色領域における形状は、赤色発光する蛍光体としてＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体を用いることにより、自ずと定まる。この蛍光体は、母体結晶の構造により若干の違いはあるものの、６００ｎｍよりも短波長側と、６５０ｎｍよりも長波長側には、実質的に発光スペクトル成分を有さない。いうまでもなく、６５０ｎｍよりも長波長の光は視感度が極めて低い。よって、このようなＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体の発光特性は、発光装置の視感度効率を高めるうえで、極めて好ましい。
【００１７】
第１蛍光体および第２蛍光体に関して、主発光ピークの半値幅に上限を設けている理由は、照明用途に求められる演色性の確保に必要な限度を超えて蛍光体の発光ピークを幅広くすることは、発光効率の向上を図るうえで好ましくないからである。
【００１８】
第１蛍光体の主発光ピークの半値幅を７０ｎｍを超えて大きくした場合には、この蛍光体が出す光に視感度の低い紫外や紫色の成分が多く含有されることになるために、発光効率が低下する。従って、第１蛍光体の主発光ピークの半値幅は、より好ましくは、６５ｎｍ以下である。
【００１９】
第２蛍光体の発光ピークの半値幅については、７５ｎｍを超えて広くしない方が、発光効率の向上を図るうえで有利である。なぜなら、そうすることにより、第２蛍光体が出す光のスペクトルを、視感度が最大となる５５５ｎｍ前後の波長領域に集中させることができるからである。従って、第２蛍光体の主発光ピークの半値幅は、より好ましくは、７０ｎｍ以下である。
【００２０】
この白色発光装置は、ＬＥＤ素子が出す光により第１蛍光体、第２蛍光体および第３蛍光体が直接的に励起されるように構成した方が、出力光の色調の制御が容易となり、好ましい。ただし、多くのＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体は波長４４０ｎｍ〜４７０ｎｍの光により最も効率よく励起されるので、第１蛍光体が出す青色光の一部を、第３蛍光体の励起に用いることもできる。
【００２１】
この白色発光装置は、第３蛍光体をより効率的に励起するために、ＬＥＤ素子が出す近紫外または紫色の光を第３蛍光体の励起に適した青色光に効率よく変換する、第４蛍光体を備えたものとすることができる。この第４蛍光体は、主発光ピーク波長を４４０ｎｍ〜４７０ｎｍの範囲内に有し、近紫外または紫色の光を吸収して青色に発光する狭帯域蛍光体である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、赤色発光の略全てをＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体が担うように構成され、照明用途への適用が可能な程度に良好な演色性を有する、ＮＵＶ−ＬＥＤベースの３波長型白色ＬＥＤが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態に係る白色発光装置の模式断面図である。
【図２】ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップの模式断面図である。
【図３】ＫＳＦの励起・発光スペクトルである。
【図４】ＫＳＮＡＦの励起・発光スペクトルである。
【図５】シミュレーションにより得た、本発明の一実施形態に係る白色発光装置の出力光のスペクトルである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に、図面を用いながら、具体的な実施形態に即して本発明を説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る白色発光装置の模式断面図である。この図に示す白色発光装置１はＳＭＤ（表面実装）型ＬＥＤであり、パッケージ１０に設けられたキャビティ（カップ状部分）の底面上に、ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ２０が接着剤（図示せず）を用いて固定されている。
【００２５】
パッケージ１０は、セラミック（アルミナ、ＡｌＮなど）、白色樹脂（白色顔料を分散させた透明樹脂）などで形成された絶縁基板１１と、二つのパッケージ電極１２と、金属または白色材料（セラミックまたは樹脂）で形成されたリフレクタ１３とから構成されている。この図では絶縁基板１１とリフレクタ１３とを別個の部材のように示しているが、これらは同一材料を用いて一体的に形成することもできる。
【００２６】
ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ２０は、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮなどからなる結晶基板２１と、その上に形成された窒化ガリウム系半導体膜２２とを有しており、その窒化ガリウム系半導体膜２２の表面に正負の電極が形成されている。正電極は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Transparent Conductive Oxide）からなる透明電極２３ａと、その一部上に形成された金属製のボンディングパッド２３ｂとから構成されている。負電極も、ＴＣＯからなる透明電極２４ａと、その一部上に形成された金属製のボンディングパッド２４ｂとから構成されている。結晶基板２１の下面には金属製の反射膜２５が形成されている。
【００２７】
ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ２０の正電極および負電極のそれぞれは、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕなどからなるボンディングワイヤ３０により、２つのパッケージ電極１２のそれぞれに接続されている。
【００２８】
ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ２０は透光性のコーティング４０により埋め込まれている。コーティング４０の内部には、いずれも粉末状である青色蛍光体、緑色蛍光体および赤色蛍光体が分散されている（蛍光体は図示せず）。ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ２０が出す光によりこれらの蛍光体が励起されるよう、ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップの主発光ピーク波長は、青色蛍光体の主発光ピーク波長よりも短波長とする。
【００２９】
各蛍光体は、コーティング４０の内部に一様に分散させることができる。コーティング４０の成形方法に関しては、モールド成形、ポッティング成形、ディッピング成形など、公知の方法から適宜選択すればよい。
一実施形態では、コーティング４０を多層構造として、蛍光体を含有する層と含有しない層とを設けることができる。あるいは、青色蛍光体のみを含有する層、緑色蛍光体のみを含有する層、赤色蛍光体のみを含有する層、３種の蛍光体のうち２種のみを含有する層など、含有する蛍光体が異なる層を種々設けることもできる。コーティングを多層構造とする場合には、層毎に成形方法を変えてもよい。
【００３０】
図２にＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ２０の模式断面図を示す。結晶基板２１の上に形成された窒化物半導体膜２２中には、結晶基板２１側から順に、バッファ層（図示せず）、アンドープＧａＮ層２２ａ、Ｓｉドープされたｎ型ＧａＮコンタクト層２２ｂ、Ｓｉドープされたｎ型ＧａＮクラッド層２２ｃ、ＧａＮ障壁層とＩｎＧａＮ井戸層とを交互に積層してなる量子井戸構造（好ましくは多重量子井戸構造）の活性層２２ｄ（内部の積層構造の図示は省略）、Ｍｇドープされたｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎクラッド層２２ｅ、Ｍｇド
ープされたｐ型Ａｌ０．０２Ｇａ０．９８Ｎコンタクト層２２ｆが含まれている。これらの各層は、ＭＯＶＰＥ法、ＭＢＥ法、レーザ蒸着法、スパッタリング法など、公知の気相エピタキシャル成長法を用いて形成することができる。透明電極２４ａとボンディングパッド２４ｂとからなる負電極は、エッチングにより部分的に露出したｎ型コンタクト層２２ｂ上に形成されている。結晶基板２１の裏面側の反射膜２５は、窒化物半導体膜２２の形成後に、Ａｌ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｐｔなどの高反射金属を材料として、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤなどの気相成膜法により０．１μｍ〜１μｍの厚さに形成することができる。
【００３１】
ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ２０においては、活性層２２ｄに含まれるＩｎＧａＮ井戸層で、電子と正孔の再結合による発光が起こる。ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ２０の発光波長は、このＩｎＧａＮ井戸層を構成するＩｎａＧａ１−ａＮ結晶のＩｎＮ混晶比ａを変化させることにより、制御することができる。ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ２０が主として紫色光を出すようにするためには、発光ピーク波長が４００ｎｍ〜４３５ｎｍとなるようにすればよく、そうするには、ＩｎＮ混晶比ａを５％〜１２％程度の範囲内に設定すればよい。
【００３２】
ＩｎＧａＮ系発光素子が高い発光効率を示す理由は、量子井戸層を構成するＩｎＧａＮ結晶中に、ＧａＮとＩｎＮの相容性（miscibility）が十分に高くないことに起因して、
ナノメートル規模でＩｎＮ混晶比が局所的に高くなった領域が存在し、その存在が発光再結合の効率を高めているためといわれる。
このような機構が存在することから、発光ピーク波長が４１０ｎｍ以下のＩｎＧａＮ系発光素子の発光効率は、ＩｎＧａＮ井戸層のＩｎＮ混晶比に依存して大きく変化する。発光ピーク波長が４１０ｎｍ以下のＩｎＧａＮ系発光素子は、ＩｎＧａＮ井戸層のＩｎＮ混晶比が高い程、良好な発光効率を示す。
一方で、ＩｎＧａＮ結晶の結晶性はＩｎＮ混晶比が高くなるにつれて低下する。これらの要素を総合すると、ＩｎＧａＮ系発光素子の発光効率は、発光ピーク波長が４１０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲内であるときに最大となる。
【００３３】
コーティング４０中に分散される青色蛍光体は、ピーク波長４４０ｎｍ〜４７０ｎｍかつ半値幅５０ｎｍ〜７０ｎｍの主発光ピークを有するものである。発光装置１の発光スペクトルの青から緑にかけての波長域（４９０ｎｍ〜５１５ｎｍ）に深い凹みが形成されないように、この青色蛍光体の主発光ピーク波長は４５５ｎｍ〜４７０ｎｍであることが、より好ましい。
【００３４】
主発光ピークのピーク波長および半値幅に関する上記要求を充たし得る、好ましい青色蛍光体としては、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）Ａｌ２Ｏ４：Ｅｕ、ＢａＡｌ８Ｏ１３：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕなどの、Ｅｕ付活アルミン酸塩系蛍光体が挙げられる。その中でも、特に好ましいのは、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ（略称：ＢＡＭ）である。ＢＡＭの合成方法については後述の合成例１を参照されたい。
【００３５】
コーティング４０中に分散される緑色蛍光体は、ピーク波長５２５ｎｍ〜５５０ｎｍかつ半値幅５５ｎｍ〜７５ｎｍの主発光ピークを有するものである。発光装置１の発光スペクトルの黄色から赤にかけての波長域（５８０ｎｍ〜６００ｎｍ）に深い凹みが形成されないように、この緑色蛍光体の主発光ピーク波長は５３０ｎｍ〜５５０ｎｍであることが、より好ましい。
【００３６】
主発光ピークのピーク波長および半値幅に関する上記要求を充たし得る、好ましい緑色蛍光体としては、（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃ
ａ）３Ｓｉ６Ｏ１２Ｎ２：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）３Ｓｉ６Ｏ９Ｎ４：Ｅｕ、（Ｓｉ，Ａｌ）６（Ｏ，Ｎ）８：Ｅｕ（β型サイアロン）、（Ｂａ，Ｓｒ）（Ｓｉ，Ａｌ）７（Ｎ，Ｏ）１０：ＥｕなどのＥｕ付活アルカリ土類ケイ酸窒化物系蛍光体と、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕで表されるＥｕ付活アルカリ土類ケイ酸塩系蛍光体が挙げられる。その中でも、特に好ましいのは、Ｅｕ付活β型サイアロンである。Ｅｕ付活β型サイアロンの合成方法については、特許文献４〜６などを参照されたい。
【００３７】
コーティング４０中に分散される赤色蛍光体は、Ｍｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体である。この蛍光体は、Ｍｎ４＋を付活剤、アルカリ金属、アミンまたはアルカリ土類金属のフッ化物錯体塩を母体結晶とする蛍光体である。母体結晶を形成するフッ化物錯体には、配位中心が３価金属（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｃ、ランタノイド）のもの、４価金属（Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｈｆ）のもの、５価金属（Ｖ、Ｐ、Ｎｂ、Ｔａ）のものがあり、その周りに配位するフッ素原子の数は５〜７である。
【００３８】
Ｍｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体の好適例としては、Ａ２［ＭＦ６］：Ｍｎ（ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ４から選ばれる一種以上；ＭはＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒから選ばれる一種以上）、Ｅ［ＭＦ６］：Ｍｎ（ＥはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎから選ばれる一種以上；ＭはＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒから選ばれる一種以上）、Ｂａ０．６５、Ｚｒ０．３５Ｆ２．７０：Ｍｎ、Ａ３［ＺｒＦ７］：Ｍｎ（ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ４から選ばれる一種以上）、Ａ２［ＭＦ５］：Ｍｎ（ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ４から選ばれる一種以上；ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎから選ばれる一種以上）、Ａ３［ＭＦ６］：Ｍｎ（ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ４から選ばれる一種以上；ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎから選ばれる一種以上）、Ｚｎ２［ＭＦ７］：Ｍｎ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎから選ばれる一種以上）、Ａ［Ｉｎ２Ｆ７］：Ｍｎ（ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ４から選ばれる一種以上）などがある。
【００３９】
特に好ましいＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体のひとつは、アルカリ金属のヘキサフルオロ錯体塩を母体結晶とするＡ２ＭＦ６：Ｍｎ（ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ４から選ばれる一種以上；ＭはＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒから選ばれる一種以上）である。中でも好ましいのは、ＡがＫ（カリウム）またはＮａ（ナトリウム）から選ばれる１種以上、ＭがＳｉ（ケイ素）またはＴｉ（チタン）であるものである。その中でも特に、ＡがＫであり（Ａ全量に占めるＫの比率が９９モル％以上）、ＭがＳｉであるものが好ましい。付活元素はＭｎ（マンガン）が１００％であることが望ましいが、付活元素の全量に対し１０モル％未満の範囲でＴｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｍｇなどが含まれていてもよい。ＭがＳｉの場合、ＳｉとＭｎとの合計におけるＭｎの割合は、０．５モル％〜１０モル％の範囲内であることが望ましい。
【００４０】
Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ（略称：ＫＳＦ）の合成方法は後述の合成例２を参照されたい。
【００４１】
他の好ましいＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体として、化学式Ａ２＋ｘＭｙＭｎｚＦｎ（ＡはＮａおよびＫ；ＭはＳｉおよびＡｌ；−１≦ｘ≦１かつ０．９≦ｙ＋ｚ≦１．１かつ０．００１≦ｚ≦０．４かつ５≦ｎ≦７）で表されるものが挙げられる。以下では、この蛍光体を「ＫＳＮＡＦ」と略称する。ＫＳＮＡＦは高い耐久性を有することから、Ｍｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体の中でも最も白色ＬＥＤ用に適している。
【００４２】
ＫＳＮＡＦの製造方法の一例として、原料化合物としてＫ２ＳｉＦ６、Ａ3ＡｌＦ６、
ＮａＦ、ＫＦ、Ｋ２ＭｎＦ６、ＫＭｎＯ４、Ｋ２ＭｎＣｌ６などを用い、これらを所定の割合でフッ化水素酸中に添加して攪拌下に溶解させて反応させ、その後、蛍光体の貧溶媒を添加して、蛍光体を析出させる方法がある。この方法は、特許文献１に記載の方法と同
様にして行うことができる。さらに、貧溶媒の添加速度を遅くすることにより、より粒子径の大きな高輝度の蛍光体を得ることも可能である。
【００４３】
この方法でＫＳＮＡＦを製造する場合に採用し得る、原料化合物の組み合わせを以下に例示する。
１）Ｋ２ＳｉＦ６とＫ２ＮａＡｌＦ６とＫ２ＭｎＦ６との組み合わせ。
２）Ｋ２ＳｉＦ６とＫ３ＡｌＦ６とＮａＦとＫ２ＭｎＦ６との組み合わせ。
３）Ｋ２ＳｉＦ６とＫ３ＡｌＦ６とＮａ３ＡｌＦ６とＫ２ＭｎＦ６との組み合わせ。
４）Ｋ２ＳｉＦ６とＫＦとＮａ３ＡｌＦ６とＫ２ＭｎＦ６との組み合わせ。
５）Ｋ２ＳｉＦ６とＫ２ＮａＡｌＦ６とＫＭｎＯ４との組み合わせ。
６）Ｋ２ＳｉＦ６とＫ３ＡｌＦ６とＮａＦとＫＭｎＯ４との組み合わせ。
７）Ｋ２ＳｉＦ６とＫ３ＡｌＦ６とＮａ３ＡｌＦ６とＫＭｎＯ４。
８）Ｋ２ＳｉＦ６とＫＦとＮａ３ＡｌＦ６とＫＭｎＯ４との組み合わせ。
９）Ｋ２ＳｉＦ６とＫ２ＭｎＣｌ６との組み合わせ。
１０）Ｋ２ＳｉＦ６とＫ３ＡｌＦ６とＮａＦとＫ２ＭｎＣｌ６との組み合わせ。
１１）Ｋ２ＳｉＦ６とＫ３ＡｌＦ６とＮａ３ＡｌＦ６とＫ２ＭｎＣｌ６との組み合わせ。１２）Ｋ２ＳｉＦ６とＫＦとＮａ３ＡｌＦ６とＫ２ＭｎＣｌ６との組み合わせ。
【００４４】
ＫＳＮＡＦの他の合成方法は後述の合成例３を参照されたい。
【００４５】
その他のＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体の製造方法等については、特許文献１〜３を参照することができる。
【００４６】
コーティング４０中には、更に、ピーク波長４４０ｎｍ〜４７０ｎｍかつ半値幅５０ｎｍ未満の主発光ピークを有する、第２の青色蛍光体を分散させることができる。この第２の青色蛍光体は、赤色蛍光体をより効率的に励起するために用いるものである。この第２の青色蛍光体の発光効率が高い程、赤色蛍光体の励起効率も高くなる。従って、この第２の青色蛍光体の主発光ピークの半値幅は、好ましくは４０ｎｍ未満、より好ましくは３０ｎｍ未満である。
【００４７】
主発光ピークのピーク波長および半値幅に関する上記要求を充たし得る、好ましい第２の青色蛍光体としては、（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，Ｆ）：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，Ｆ，Ｂｒ，ＯＨ）：Ｅｕ，Ｍｎ，Ｓｂなどの、Ｅｕ付活ハロリン酸塩系蛍光体が挙げられる。 その中でも、特に好ましいのは、Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ
２：Ｅｕ（略称：ＳＣＡ）である。ＳＣＡの合成方法については後述の合成例４を参照されたい。
【００４８】
コーティング４０のベース材料には、透明な樹脂またはガラスを用いることができる。樹脂としては、各種の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などが挙げられ、より具体的には、メタアクリル樹脂（ポリメタアクリル酸メチルなど）、スチレン樹脂（ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体など）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、ポリビニルアルコール、セルロース系樹脂（エチルセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレートなど）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂などが例示される。また、ガラスとしては、リン酸系、ホウリン酸系、バナジウムホウ酸系、アルカリ珪酸系、ビスマス系などの、公知の低融点ガラスが好ましく例示される。
【００４９】
特に、照明など大出力が必要とされる用途向けの場合には、耐熱性や耐光性等を目的としてケイ素含有化合物をコーティング４０のベース材料に使用することが好ましい。
ケイ素含有化合物とは、分子中にケイ素原子を有する化合物をいい、例えば、ポリオルガノシロキサン等の有機材料（シリコーン系材料）、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等の無機材料、及びホウケイ酸塩、ホスホケイ酸塩、アルカリケイ酸塩等のガラス材料を挙げることができる。中でも、透明性、接着性、ハンドリングの容易さ、機械的・熱的応力の緩和特性に優れる等の点から、シリコーン系材料が好ましい。シリコーン系材料とは、通常、シロキサン結合を主鎖とする有機重合体をいい、例えば、縮合型、付加型、ゾルゲル型、光硬化型、などのシリコーン系材料を用いることができる。
【００５０】
Ｍｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体の一部を例外とすれば、蛍光体の屈折率は通常１．５より大きいので、蛍光体の取出効率を高くするために、コーティング４０のベース材料の屈折率は１．５０より高いことが望ましい。１．５０より高い屈折率を有する樹脂材料としては、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、スチレン樹脂、ジフェニルジメチル系やフェニルメチル系のシリコーン樹脂、などが挙げられる。また、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂などは、酸化カルシウム、酸化セリウム、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム等からなる高屈折率無機ナノ粒子を添加することによって、その屈折率を１．８程度まで高くすることができることが知られている。低融点ガラス材料は、通常、１．５０よりも高い屈折率を有している。
【００５１】
一方、ヘキサフルオロケイ酸塩を母体結晶とするＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体の中には、屈折率が１．４０未満のものがある（例えば、母体結晶がヘキサフルオロケイ酸カリウムまたはヘキサフルオロケイ酸アンモニウムであるもの）。このような蛍光体に限っては、励起光が蛍光体の表面で強く反射されないように、ジメチルシリコーンをベースとする低屈折率型のシリコーン樹脂など、屈折率が１．４５未満の透明材料中に分散させることが好ましい。一般的にいって、屈折率が１．４０未満のＭｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体を、１．５０より高い屈折率を有する他の蛍光体と同時に用いる場合には、コーティング４０内に、Ｍｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体を分散させる層と、他の蛍光体を分散させる層とを別個に設けるとともに、Ｍｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体を分散させる層のベース材料の屈折率を、他の蛍光体を分散させる層のベース材料の屈折率よりも低くすることが望ましい。
【００５２】
コーティング４０の内部には、必要に応じて、光拡散剤を分散させてもよい。コーティング４０のベース材料の種類に応じて、有機ポリマー（アクリル樹脂、ポリエチレンなど）、金属酸化物（酸化チタン、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウムなど）、炭酸カルシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどからなる、公知の光拡散剤を適宜選択して使用することができる。光拡散剤の粒径は、好ましくは１μｍ〜２０μｍ、より好ましくは２μｍ〜１０μｍである。
【００５３】
コーティング４０に添加された青色蛍光体、緑色蛍光体および赤色蛍光体は、ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ２０の放射光を吸収し、それぞれ、青色光、緑色光および赤色光を放出する。緑色蛍光体の励起および赤色蛍光体の励起には、青色蛍光体の発光が寄与する可能性がある。Ｍｎ４＋付活フッ化物錯体蛍光体は５００ｎｍよりも長波長の光に対しては弱い吸収しか示さないので、緑色蛍光体の発光と赤色蛍光体の発光のバランスを取ることは容易である。
【００５４】
コーティング４０に蛍光体粉末を高過ぎる密度で添加した場合、キャビティの底近くに位置する蛍光体粒子の発光がコーティング４０の表面近くに位置する蛍光体粒子により遮蔽されることにより、白色発光装置１の発光効率が低下するという問題が生じる。従って、蛍光体粉末は、ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ２０の発光の一部が波長変換されずにコーティング４０の外側に放出される程度に、疎に分散させることが好ましい。そうした場合であっても、ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ２０の出す光は主として視感度の低い近紫外または紫色の光であるから、青色ＬＥＤベースの白色ＬＥＤと比べると、白色発光装置１における空間的な色調の不均一性は小さい。
【００５５】
いうまでもないことであるが、本発明に係る白色発光装置の構成は、図１の白色発光装置１の構成に限定されるものではない。
本発明に係る白色発光装置は、ＬＥＤ素子のパッケージング形態により限定されるものではないので、ＳＭＤ型ＬＥＤであり得るだけでなく、砲弾型ＬＥＤであり得るし、あるいは、チップ・オン・ボード型ＬＥＤであり得る。
本発明に係る白色発光装置は含まれるＬＥＤ素子の個数により限定されるものではないので、ＬＥＤ素子を１個だけ備えるものであってもよいし、数個備えるものであってもよいし、数百個以上備えるものであってもよい。
本発明に係る白色発光装置は、蛍光体の形態により限定されるものではないので、蛍光体相を含有する発光セラミック、電気泳動法またはエアロゾル・デボジション法により蛍光体粒子を堆積させて得られる蛍光体粒子層、単結晶蛍光体薄膜、その他、種々形態の蛍光体含有構造体を備えたものであり得る。
本発明に係る白色発光装置は、蛍光体と、その励起源たるＬＥＤ素子とを、レンズ、光ファイバ、導光板などの光学素子を介して光学的に結合したものであり得る。
本発明に係る白色発光装置は、ＬＥＤ素子の詳細構造により限定されるものではないので、ＺｎＯ系半導体を用いてＰＮ接合構造やダブルヘテロ構造を形成したＬＥＤ素子など、酸化物半導体ベースのＬＥＤ素子を備えたものであり得る。
【００５６】
［スペクトルのシミュレーション］
図５に、シミュレーションにより得た、本発明の一実施形態に係る白色発光装置の出力光のスペクトルを示す。このスペクトルの取得手順は次の通りである。
【００５７】
１）３５２８ＳＭＤ型ＰＰＡ樹脂パッケージに、主発光ピーク波長約４０５ｎｍのＩｎＧａＮ系ＬＥＤ素子を実装し、シリコーン樹脂を主成分とする封止材にＢＡＭ、Ｅｕ付活β型サイアロンおよびＫＳＮＡＦを混合したペーストでコーティングすることにより、実際に白色ＬＥＤを作製した。使用したＢＡＭおよびＥｕ付活β型サイアロンの主発光ピークのピーク波長および半値幅は次の通りである。
ＢＡＭ・・・ピーク波長：４５５ｎｍ、半値幅：５１ｎｍ
Ｅｕ付活β型サイアロン・・・ピーク波長５４２ｎｍ、半値幅５６ｎｍ
この白色ＬＥＤの発光特性を測定した結果、色度座標値（ｘ，ｙ）＝（０．２６４，０．２３１）、相関色温度４１２４７Ｋであった。
【００５８】
２）上記１）で得た白色ＬＥＤの発光スペクトルに対して、この白色ＬＥＤの作製に使用したものと同じＥｕ付活β型サイアロンおよびＫＳＮＡＦの発光スペクトルを加算した。Ｅｕ付活β型サイアロンの発光スペクトルとしては、蛍光体単体について測定した発光スペクトルを使用した。ＫＳＮＡＦの発光スペクトルとしては、上記１）で得た白色ＬＥＤの発光スペクトルのうち波長６００ｎｍ以上の部分をＫＳＮＡＦの発光スペクトルとみなして使用した。Ｅｕ付活β型サイアロンとＫＳＮＡＦのそれぞれの発光スペクトルの加算量は、色度座標値が略黒体軌跡上に乗るように、かつ、色温度が約５０００Ｋとなるように、調節した。
【００５９】
このようにして取得した図５のスペクトルの相関色温度は５０７５Ｋ、色度座標値は（ｘ，ｙ）＝（０．３４３，０．３５０）である。このスペクトルから平均演色性評価数ＲａおよびＣＱＳ（Color Quality Scale）を求めると、Ｒａ＝７４．２、ＣＱＳ＝８７．１であった。
このＲａ値は、市販の白色ＬＥＤの中でも最も演色性の高いもののＲａ値（９０以上）
と比べると、高い値とはいえないが、一般的な照明用途に必要な水準は充たしている。また、ＣＱＳ値が比較的高いので、この発光スペクトルを有する照明装置は、対象物の色の質や色のコントラストの良さが求められる用途には非常に適している。
【００６０】
なお、ＣＱＳはＮＩＳＴ（National Institute of Standards and Technology）により開発された照明用光源の評価指標であり、当該技術分野では周知となっている（例えば、特許文献７）。ＣＱＳの算出方法の詳細については、非特許文献２を参照することができる。
【００６１】
［蛍光体の合成方法］
＜合成例１  ＢＡＭ＞
蛍光体原料として炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）を０．７モル、酸化ユーロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）を０．１５モル、塩基性炭酸マグネシウム（Ｍｇ１モルあたりの質量９３．１７）をＭｇとして１モル、α−アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を５モル、蛍光体の化学組成がＢａ０．７Ｅｕ０．３ＭｇＡｌ１０Ｏ１７となるよう秤量し、乳鉢にて３０分間混合し、アルミナ製の坩堝に充填し、箱型焼成炉にて窒素を流通させながら１２００℃、５時間焼成し、冷却後に坩堝から取り出し解砕して蛍光体の前駆体を得た。
この前駆体に、ＡｌＦ３を０．３重量％添加し、乳鉢にて３０分間粉砕・混合し、アルミナ製の坩堝に充填し、箱型雰囲気焼成炉にて水素を４体積％含む窒素ガス中にて１４５０℃、３時間焼成し、冷却後に得られた焼成物を解砕し、淡い青色の粉末を得た。
【００６２】
この粉末に、ＡｌＦ３を０．４２重量％添加し、乳鉢にて３０分間粉砕・混合し、アルミナ製の坩堝に充填し、坩堝周囲の空間にビーズ状グラファイトを設置し、箱型焼成炉に窒素を毎分４リットル流通して１５５０℃、５時間焼成し、得られた焼成物をボールミルで６時間解砕し、水簸により分級し、水洗処理を行って青色蛍光体（ＢＡＭ）を得た。
得られた青色蛍光体（ＢＡＭ）の発光ピーク波長は４５５ｎｍ、発光ピーク半値幅は５１ｎｍであった。
【００６３】
＜合成例２  ＫＳＦ＞
ＫＦ粉体又はＫＨＦ２粉体をフッ化水素酸（４７．３重量％）に溶解させてから、ＫＭｎＯ４粉体をこの溶液に入れて溶解させた。溶液を攪拌しながら、過酸化水素水を滴下していくと、ＫＭｎＯ４とＨ２Ｏ２とのモル比が１．５になった時に黄色い沈殿物を得た。その沈殿物をアセトンで洗浄して１３０℃で１時間乾燥させることにより、Ｋ２ＭｎＦ６を得た。
【００６４】
蛍光体の各原料の仕込み組成が、Ｋ２Ｓｉ０．９Ｍｎ０．1Ｆ６となるように原料化合
物として、Ｋ２ＳｉＦ６（１．７７８３ｇ）とＫ２ＭｎＦ６（０．２２１７ｇ）を大気圧、室温のもとで、フッ化水素酸(４７．３重量％) ７０ｍｌに攪拌しながら添加して溶解
させた。各原料化合物が全部溶解した後、溶液を攪拌しながら、アセトン７０ｍｌを２４０ｍｌ／ｈｒの速度で添加して蛍光体を貧溶媒析出させた。得られた蛍光体をそれぞれエタノールで洗浄し、１３０℃で１時間乾燥して蛍光体１．７ｇを得た。
【００６５】
得られた蛍光体のＸ線回折パターンよりＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎが合成されていることが確認できた。
得られた蛍光体の励起スペクトル、及び発光スペクトルを図３に示す。主発光ピークにおけるピーク波長は６３１ｎｍ、半値幅は６ｎｍであった。
【００６６】
＜合成例３  ＫＳＮＡＦ＞
ＫＨＦ２を４．７３ｇ、Ｋ３ＡｌＦ６を２．０４ｇ秤量し、フッ化水素酸（４７．３重量％）８０ｍｌに溶解させた。
一方、Ｋ２ＭｎＦ６を０．８６７８ｇ、ＮａＦを０．３３１８ｇ秤量し、Ｈ２ＳｉＦ６水溶液（３３重量％）１０ｍｌとフッ化水素酸（４７．３重量％）４０ｍｌとの混合溶液に添加して溶解させ、溶液を調製した。
【００６７】
この溶液を２６℃で攪拌しながら、前記のＫＨＦ２とＫ３ＡｌＦ６とを溶解させたフッ化水素酸をこの溶液に添加して、黄色の結晶を析出させた。得られた結晶を、Ｎｏ．５Ｃの濾紙で濾過した後、３０ｍｌのエタノールで３回洗浄し、１５０℃で２時間乾燥して蛍光体４．８ｇを得た。
この蛍光体の発光スペクトル、及び励起スペクトルを図４に示す。
【００６８】
＜合成例４  ＳＣＡ＞
ＳｒＣＯ３（関東化学社製）０．２モル、ＳｒＨＰＯ４（関東化学社製）０．６０５モル、Ｅｕ２Ｏ３（信越化学社製  純度９９．９９％）０．０５０モル、ＳｒＣｌ２（関東化学社製）０．１モルを秤量し、小型Ｖ型ブレンダーで乾式混合した。
得られた原料混合物をアルミナ製坩堝に充填し、箱型電気炉中にセットした。大気中、大気圧下で、昇温速度５℃／分で１０５０℃まで昇温し、５時間保持して焼成物を得た（１次焼成）。
次いで、室温まで冷却した後、坩堝の内容物を取り出し、解砕した。
得られた焼成物にＳｒＣｌ２を０．０５モル加え、小型Ｖ型ブレンダーで混合した後、アルミナ製坩堝に充填し、１次焼成と同じ電気炉中に坩堝をセットした。水素含有窒素ガス（水素：窒素＝４：９６（体積比））を毎分２．５リットルで流通させながら、還元雰囲気中、大気圧下、昇温速度５℃／分で９５０℃まで昇温し、３時間保持した（２次焼成）。次いで、室温まで冷却した後、坩堝の内容物を取り出し、解砕した。
【００６９】
得られた焼成物にＳｒＣｌ２を０．０５モル加え、小型Ｖ型ブレンダーで混合した後、アルミナ製坩堝に充填した。再度、２次焼成と同じ電気炉中に坩堝をセットした。水素含有窒素ガス（水素：窒素＝４：９６（体積比））を毎分２．５リットルで流通させながら、還元雰囲気中、大気圧下、昇温速度５℃／分で１０５０℃まで昇温し、３時間保持した。
得られた焼成塊を粒径約５ｍｍ程度になるまで粗粉砕した後、ボールミルにて６時間処理して、蛍光体スラリーを得た。
【００７０】
蛍光体を洗浄するために、蛍光体スラリーを多量の水に攪拌混合させ、蛍光体粒子が沈降するまで静置させた後、上澄み液を捨てる作業を、上澄み液の電気伝導度が３ｍＳ／ｍ以下になるまで繰り返した。上澄み液の電気伝導度が３ｍＳ／ｍ以下になったことを確認した後、分級を行なうことにより微細粒子及び粗大粒子の蛍光体を除去した。
得られた蛍光体スラリーをｐＨ＝１０のＮａ３ＰＯ４水溶液中に分散し、小粒子を分級除去した後、リン酸カルシウム処理を施した。脱水後、１５０℃で、１０時間乾燥することにより蛍光体Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕを得た。
得られた青色蛍光体（ＳＣＡ）の発光ピーク波長は４５０ｎｍ、発光ピーク半値幅は２９ｎｍであった。
【符号の説明】
【００７１】
１  白色発光装置
１０  パッケージ
１１  絶縁基板
１２  パッケージ電極
１３  リフレクタ
２０  ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ
２１  結晶基板
２２  窒化ガリウム系半導体膜
２３ａ、２４ａ  透明電極
２３ｂ、２４ｂ  ボンディングパッド
２５  反射膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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