(57)【要約】【課題】連続的に基板を形成して生産性が向上させ、外気による汚染を防止する基板製造装置及び製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層１１１を供給する第１チャンバー２００、第１チャンバー２００から絶縁層１１１を受けるもので、絶縁層１１１の少なくとも一面に粗面を形成する粗面形成ロール３１０、粗面が形成された絶縁層１１１に金属層１１２を蒸着する蒸着器３２０、及び絶縁層１１１と金属層１１２を圧着する圧着ロール３３０を含む第２チャンバー３００、及び第２チャンバー３００から金属層１１２の形成された絶縁層１１１を引き出して受ける第３チャンバー４００を含む。【選択図】図２
2011166098.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を供給する第１チャンバー；
前記第１チャンバーから前記絶縁層を受けるもので、前記絶縁層の少なくとも一面に粗面を形成する粗面形成ロール、前記粗面が形成された前記絶縁層に金属層を蒸着する蒸着器、及び前記絶縁層と前記金属層を圧着する圧着ロールを含む第２チャンバー；及び
前記第２チャンバーから前記金属層の形成された前記絶縁層を引き出して受ける第３チャンバー；
を含むことを特徴とする基板製造装置。
【請求項２】
前記第１チャンバー、前記第２チャンバー、及び前記第３チャンバーが、真空状態にあり、前記第１チャンバー及び前記第３チャンバーが、真空の解除が可能であることを特徴とする請求項１に記載の基板製造装置。
【請求項３】
前記第２チャンバーが、前記粗面形成ロールの前に設けられて前記絶縁層を加熱する第１加熱手段、及び前記粗面形成ロールの後に設けられて前記絶縁層を冷却させる第１冷却手段をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板製造装置。
【請求項４】
前記第１加熱手段及び前記第１冷却手段が、ロールでなって前記絶縁層を連続的に移送させることを特徴とする請求項３に記載の基板製造装置。
【請求項５】
前記第２チャンバーが、前記圧着ロールの前に設けられて前記絶縁層を加熱する第２加熱手段、及び前記圧着ロールの後に設けられて前記絶縁層を冷却させる第２冷却手段をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板製造装置。
【請求項６】
前記第２加熱手段及び前記第２冷却手段が、ロールでなり、前記金属層の形成された前記絶縁層を連続的に移送させることを特徴とする請求項５に記載の基板製造装置。
【請求項７】
前記蒸着器が、Ｅ−ビーム蒸着器（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）であることを特徴とする請求項１に記載の基板製造装置。
【請求項８】
前記絶縁層が、プリプレグであり、前記金属層が、銅であることを特徴とする請求項１に記載の基板製造装置。
【請求項９】
前記絶縁層を、前記第１チャンバー、前記粗面形成ロール、前記蒸着器、前記圧着ロール、及び前記第３チャンバーの順に連続的に移送させる駆動部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板製造装置。
【請求項１０】
（Ａ）第１チャンバーから第２チャンバーに絶縁層を供給する段階；
（Ｂ）前記第２チャンバーに供給された前記絶縁層の少なくとも一面に粗面を形成する段階；
（Ｃ）前記粗面が形成された前記絶縁層に金属層を蒸着する段階；
（Ｄ）前記金属層が蒸着された前記絶縁層を圧着する段階；及び
（Ｅ）前記金属層が形成された前記絶縁層を第３チャンバーに引き出す段階；
を含むことを特徴とする基板製造方法。
【請求項１１】
前記第１チャンバー、前記第２チャンバー、及び前記第３チャンバーが、真空状態にあることを特徴とする請求項１０に記載の基板製造方法。
【請求項１２】
前記（Ｂ）段階が、
（Ｂ１）前記第２チャンバーに供給された前記絶縁層を加熱する段階；
（Ｂ２）加熱された前記絶縁層に粗面を形成する段階；及び
（Ｂ３）前記粗面が形成された前記絶縁層を冷却させる段階；
を含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板製造方法。
【請求項１３】
前記（Ｄ）段階が、
（Ｄ１）前記金属層が蒸着された前記絶縁層を加熱する段階；
（Ｄ２）加熱された前記絶縁層と前記金属層を圧着する段階；及び
（Ｄ３）圧着された前記絶縁層及び前記金属層を冷却させる段階；
を含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板製造方法。
【請求項１４】
前記（Ｃ）段階で、Ｅ−ビーム蒸着器によって、前記絶縁層に前記金属層を蒸着することを特徴とする請求項１０に記載の基板製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁層が、プリプレグであり、前記金属層が、銅であることを特徴とする請求項１０に記載の基板製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板製造装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップの高密度化及び信号伝達速度の高速化に対応するための技術として、半導体チップを基板に直接実装する技術に対する要求が高くなっている。これにより、半導体チップの高密度化に対応することができる高密度及び高信頼性の基板の開発が要求されている。
【０００３】
高密度及び高信頼性の基板に対する要求仕様は、半導体チップの仕様と密接に連関しており、回路の微細化、高度の電気特性、高速信号伝達構造、高信頼性、高機能性などの多くの課題がある。このような仕様に対応して微細回路パターン及びマイクロビアホールを形成することができる基板技術が要求されるにつれて、多くの研究が進んでいる。また、基板製造の生産性を向上させるために、基板を自動で製造する方法に対する研究が進んでいる。
【０００４】
図１は、従来技術による基板製造装置１０及び製造方法を説明する図である。以下、同図に基づいて従来技術による基板製造装置１０及び製造方法を説明する。
【０００５】
まず、絶縁層１１と銅箔１２を基板製造装置１０に供給し、絶縁層１１の両面に銅箔１２を位置させる。
【０００６】
ついで、基板製造装置１０によって絶縁層１１の両面に銅箔１２を積層する。具体的に、基板製造装置１０は、二つの加熱板１４とプレス板１５で構成され、プレス板１５で加圧し加熱板１４で加熱して銅箔１２を絶縁層１１に真空熱圧着する。
【０００７】
更に、絶縁層１１を冷却し、プレス板１５及び加熱板１４から分離して基板１３を製造する。
【０００８】
しかし、従来の基板製造装置１０及び製造方法は、絶縁層１１と銅箔１２の供給、及び基板１３の引出しをいずれも作業者が手作業で進めるため、不良発生率が高く、生産性が低い問題点があった。
【０００９】
また、基板１３が外部に露出された状態で基板１３の製造工程を進めるため、外気によって絶縁層１１が酸化するか、ほこりなどによって汚染される問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、本発明は、前記のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、基板を自動で連続的に製造して、不良発生率を低め、生産性を向上させる基板製造装置及び製造方法を提供することである。
【００１１】
本発明の他の目的は、基板の製造工程中に外気を遮断して基板の汚染を防止する基板製造装置及び製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記課題を達成するために、本発明の一面によれば、絶縁層を供給する第１チャンバー；前記第１チャンバーから前記絶縁層を受けるもので、前記絶縁層の少なくとも一面に粗面を形成する粗面形成ロール、前記粗面が形成された前記絶縁層に金属層を蒸着する蒸着器、及び前記絶縁層と前記金属層を圧着する圧着ロールを含む第２チャンバー；及び前記第２チャンバーから前記金属層の形成された前記絶縁層を引き出して受ける第３チャンバーを含む基板製造装置を提供する。
【００１３】
前記第１チャンバー、前記第２チャンバー、及び前記第３チャンバーは、真空状態にあってもよく、前記第１チャンバー及び前記第３チャンバーは、真空の解除が可能であってもよい。
【００１４】
前記第２チャンバーは、前記粗面形成ロールの前に設けられて前記絶縁層を加熱する第１加熱手段、及び前記粗面形成ロールの後に設けられて前記絶縁層を冷却させる第１冷却手段をさらに含むことが好ましい。
【００１５】
前記第１加熱手段及び前記第１冷却手段は、ロールでなって前記絶縁層を連続的に移送させることが好ましい。
【００１６】
前記第２チャンバーは、前記圧着ロールの前に設けられて前記絶縁層を加熱する第２加熱手段、及び前記圧着ロールの後に設けられて前記絶縁層を冷却させる第２冷却手段をさらに含むことが好ましい。
【００１７】
前記第２加熱手段及び前記第２冷却手段は、ロールでなることができ、前記金属層の形成された前記絶縁層を連続的に移送させることが好ましい。
【００１８】
前記蒸着器は、Ｅ−ビーム蒸着器（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）であってもよい。
【００１９】
前記絶縁層は、プリプレグであってもよく、前記金属層は銅であってもよい。
【００２０】
前記基板製造装置は、前記絶縁層を前記第１チャンバー、前記粗面形成ロール、前記蒸着器、前記圧着ロール、及び前記第３チャンバーの順に連続的に移送させる駆動部をさらに含むことが好ましい。
【００２１】
前記課題を達成するために、本発明の他の面によれば、（Ａ）第１チャンバーから第２チャンバーに絶縁層を供給する段階；（Ｂ）前記第２チャンバーに供給された前記絶縁層の少なくとも一面に粗面を形成する段階；（Ｃ）前記粗面が形成された前記絶縁層に金属層を蒸着する段階；（Ｄ）前記金属層が蒸着された前記絶縁層を圧着する段階；及び（Ｅ）前記金属層が形成された前記絶縁層を第３チャンバーに引き出す段階を含む基板製造方法を提供する。
【００２２】
前記第１チャンバー、前記第２チャンバー、及び前記第３チャンバーは、真空状態にあってもよい。
【００２３】
前記（Ｂ）段階は、（Ｂ１）前記第２チャンバーに供給された前記絶縁層を加熱する段階；（Ｂ２）加熱された前記絶縁層に粗面を形成する段階；及び（Ｂ３）前記粗面が形成された前記絶縁層を冷却させる段階を含むことが好ましい。
【００２４】
前記（Ｄ）段階は、（Ｄ１）前記金属層が蒸着された前記絶縁層を加熱する段階；（Ｄ２）加熱された前記絶縁層と前記金属層を圧着する段階；及び（Ｄ３）圧着された前記絶縁層及び前記金属層を冷却させる段階を含むことが好ましい。
【００２５】
前記（Ｃ）段階で、Ｅ−ビーム蒸着器によって、前記絶縁層に前記金属層を蒸着することが好ましい。
【００２６】
前記絶縁層は、プリプレグであってもよく、前記金属層は、銅であってもよい。
【００２７】
本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以降の詳細な説明からより明らかになるであろう。
【００２８】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に使用された用語や単語は、通常的で辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者がその自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって、本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。
【発明の効果】
【００２９】
本発明による基板製造装置及び製造方法は、第２チャンバーの内部に粗面形成ロール、蒸着器、圧着ロールを備えて基板を連続的に製造することで、生産性が向上し、不良発生率が減少する利点がある。
【００３０】
また、本発明によれば、第１チャンバー、第２チャンバー、及び第３チャンバーを真空状態で維持して基板と外気の接触を遮断することで、外気による汚染を防止する利点がある。
【００３１】
そして、本発明によれば、金属層を蒸着方式で形成して金属層を薄く形成することができるので、回路パターンの厚さと線幅を減らすことが可能な利点がある。
【００３２】
更に、本発明によれば、粗面形成ロールによって基板に粗面が形成されるので、絶縁層と金属層の結合が堅くなる利点がある。
【００３３】
そして、本発明によれば、圧着ロールによって絶縁層と金属層が圧着されることで、絶縁層と金属層の結合が一層堅くなる利点がある。
【００３４】
また、本発明によれば、粗面形成ロールの前後かつ圧着ロールの前後にそれぞれ加熱手段と冷却手段を備えることで、粗面の形成及び圧着を容易に進めることができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】従来技術による基板製造装置及び製造方法を説明する図である。
【図２】本発明の好適な実施例による基板製造装置の断面図である。
【図３】本発明の好適な実施例による基板製造方法を説明する工程流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は、添付図面を参照する以下の詳細な説明及び好適な実施例から一層明らかに理解可能であろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるにあたり、同じ構成要素がたとえ他の図面に図示されていても、できるだけ同じ符号を付けることにする。また、“第１”、“第２”などの用語は、多様な構成要素を説明するのに使用できるが、前記構成要素らは、前記用語に限定されてはいけない。前記用語は、ある構成要素を他の構成要素と区別する目的だけで使用される。また、本発明の説明において、関連の公知技術についての具体的な説明が、本発明の要旨を不要にあいまいにすることができると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
【００３７】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００３８】
（基板製造装置）
図２は、本発明の好適な実施例による基板製造装置１００の断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による基板製造装置１００について説明する。
【００３９】
図２に示すように、本実施例による基板製造装置１００は、第１チャンバー２００、粗面形成ロール３１０、蒸着器３２０及び圧着ロール３３０を含む第２チャンバー３００、及び第３チャンバー４００を含んでなる。
【００４０】
第１チャンバー２００は、第２チャンバー３００に絶縁層１１１を供給する部材である。
【００４１】
ここで、第１チャンバー２００は、真空を維持することができ、これにより、絶縁層１１１が外気によって酸化するかあるいは外気に存在するほこりなどに汚染されることを防止することができる。一方、第１チャンバー２００内の絶縁層１１１がすべて供給されれば、第１チャンバー２００の真空を解除し、第１チャンバー２００内に絶縁層１１１を満たして入れることができる。
【００４２】
第２チャンバー３００は、第１チャンバー２００から絶縁層１１１を受けて金属層１１２を形成し、第３チャンバー４００に基板１１０を送り出す部材であり、内部に粗面形成ロール３１０、蒸着器３２０、及び圧着ロール３３０を含む。
【００４３】
一方、第２チャンバー３００は、第１チャンバー２００と同様に、真空状態を維持することで外部からの異物浸入を防止することができる。
【００４４】
粗面形成ロール３１０は、第１チャンバー２００から移送された絶縁層１１１に粗面を形成する部材である。
【００４５】
ここで、粗面形成ロール３１０は、表面に粗さが付与されたロールでなり、これにより絶縁層１１１に陰刻または陽刻状に転写することができる。この際、粗面形成ロール３１０によって絶縁層１１１に粗面が形成されるため、以後に金属層１１２と絶縁層１１１の結合が一層堅くなることができる。また、粗面形成ロール３１０は、ロール形状であるため、絶縁層１１１が連続的に粗面形成ロール３１０上で移送されて蒸着器３２０に移動させることができる。
【００４６】
一方、粗面形成ロール３１０には、さらに第１加熱手段３１１と第１冷却手段３１２が設けられることができる。第１加熱手段３１１は、粗面形成ロール３１０の前に設けられ、絶縁層１１１に粗面を形成するのが容易になるように絶縁層１１１を加熱して半硬化状態にすることができる。また、第１冷却手段３１２は、粗面形成ロール３１０の後に設けられ、粗面の絶縁層１１１の温度を低めることで絶縁層１１１が硬化できるようにする。一方、第１加熱手段３１１と第１冷却手段３１２は、例えば粗面形成ロール３１０と同様に、ロール形状に構成されることにより絶縁層１１１を連続的に移送させることができる。
【００４７】
蒸着器３２０は、粗面の形成された絶縁層１１１に金属層１１２を形成する部材である。
【００４８】
ここで、蒸着器３２０は、例えばＥ−ビーム蒸着器（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）を利用することができる。具体的に、金属が保管された金属ボートに電子ビームを照射して金属の蒸発を引き起こし、電子ビームによって蒸発した金属が絶縁層１１１の表面に蒸着することになる。この際、絶縁層１１１に粗面が形成された場合、金属層１１２の接合強度を高めることができる。
【００４９】
一方、金属層１１２が蒸着によって形成されるため、プレスまたはメッキ方式による場合に比べ、薄金属層１１２の形成が可能であり、よって回路の微細化が可能である。
【００５０】
圧着ロール３３０は、金属層１１２と金属層１１２の蒸着された絶縁層１１１とを圧着する部材である。
【００５１】
ここで、圧着ロール３３０は、例えば二つのロールで構成され、二つのロール間に位置する金属層１１２と絶縁層１１１に圧力をかけて圧着することができる。また、圧着ロール３３０の前に第２加熱手段３３１を設けて絶縁層１１１を半硬化状態にし、圧着ロール３３０の後に第２冷却手段３３２を設けて絶縁層１１１をさらに硬化させることができる。この際、第２加熱手段３３１と第２冷却手段３３２によって圧着を容易に進めることが可能である。
【００５２】
一方、第２加熱手段３３１と第２冷却手段３３２は、第１加熱手段３１１と第１冷却手段３１２と同様に、ロール形状に構成されて連続的に金属層１１２の形成された絶縁層１１１を移送させることができる。
【００５３】
第３チャンバー４００は、第２チャンバー３００から基板１１０を引き出して保管する部材である。
【００５４】
ここで、第３チャンバー４００は、第１チャンバー２００と同様に、真空状態を維持することができ、第３チャンバー４００内の基板１１０を引き出すときに真空を解除することが可能である。
【００５５】
一方、基板製造装置１００は、絶縁層１１１を移送させる別の駆動部（図示せず）をさらに含むことができる。
【００５６】
ここで、駆動部（図示せず）は、絶縁層１１１を第１チャンバー２００、粗面形成ロール３１０、蒸着器３２０、圧着ロール３３０、及び第３チャンバー４００の順に連続的に移送させることができる。
【００５７】
基板１１０は、基板製造装置１００によって製造される製品で、絶縁層１１１と金属層１１２からなる。
【００５８】
ここで、絶縁層１１１は、一般的に使用されるＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系樹脂などを利用することができ、好ましくはプリプレグを利用することができる。また、金属層１１２は、電気伝導性金属を利用することができ、好ましくは銅を利用することができる。
【００５９】
一方、本実施例による基板１１０は、プリント基板などとなることができ、好ましくは絶縁層の片面または両面に銅箔が形成された銅張積層板（ＣＣＬ）であることができる。
【００６０】
一方、図２には、絶縁層１１１の片面にだけ金属層１１２を形成するものとして示したが、これに限定されず、絶縁層１１１の両面に金属層１１２を形成することも可能である。この場合には、粗面形成ロール３１０、蒸着器３２０、及び圧着ロール３３０が絶縁層１１１の両面に位置する。
【００６１】
（基板製造方法）
図３は、本発明の好適な実施例による基板製造方法を説明する工程流れ図である。以下、同図に基づいて本発明の好適な実施例による基板製造方法を説明する。
【００６２】
図３に示すように、基板製造方法は、絶縁層１１１を供給する段階（Ｓ１００）、絶縁層１１１に粗面を形成し（Ｓ２１０）、金属層１１２を蒸着し（Ｓ２２０）、これを圧着し（Ｓ２３０）、金属層１１２を形成する段階（Ｓ２００）、及び基板を引き出す段階（Ｓ３００）からなる。
【００６３】
まず、第２チャンバー３００内に絶縁層１１１を供給する（Ｓ１００）。
【００６４】
この際、絶縁層１１１は、第１チャンバー２００から引き出されて第２チャンバー３００の内部に移送される。また、第１チャンバー２００及び第２チャンバー３００の内部は、真空状態を維持し、第１チャンバー２００に絶縁層１１１を満たすときには、第１チャンバー２００の真空を解除することができる。
【００６５】
ついで、絶縁層１１１に粗面を形成する（Ｓ２１０）。
【００６６】
この際、粗面形成ロール３１０を利用して絶縁層１１１に粗面を形成することができる。また、プラズマで絶縁層１１１を表面処理することにより、粗面を形成することができる。
【００６７】
ただ、これに限定されるものではなく、絶縁層１１１と金属層１１２の接合強度を向上するように絶縁層１１１に粗面を形成する方法であればいずれも可能である。
【００６８】
一方、絶縁層１１１に粗面を形成する前に、絶縁層１１１を加熱して半硬化状態にして粗面の形成を容易にすることができ、絶縁層１１１に粗面を形成した後には、絶縁層１１１を冷却させて再び硬化させることができる。
【００６９】
ついで、粗面が形成された絶縁層１１１に、金属層１１２を蒸着する（Ｓ２２０）。
【００７０】
この際、例えば、Ｅ−ビーム蒸着器のような蒸着器３２０を利用して、金属層１１２を粗面の形成された絶縁層１１１の表面に蒸着することができる。
【００７１】
ついで、金属層１１２が蒸着された絶縁層１１１を圧着する（Ｓ２３０）。
【００７２】
この際、金属層１１２と絶縁層１１１を圧着することで、相互間の接合力を一層向上させることができる。また、圧着する前に絶縁層１１１を加熱して圧着工程を容易に進め、圧着の後に絶縁層１１１を冷却させて絶縁層１１１の損傷を防止することができる。
【００７３】
ついで、金属層１１２が形成された絶縁層１１１、つまり基板１１０を、第３チャンバー４００に引き出す（Ｓ３００）。
【００７４】
この際、第２チャンバー３００から基板１１０を引き出して第３チャンバー４００に移送することができ、第３チャンバー４００は、第１チャンバー２００と同様に、基板１１０を引き出すときに真空を解除することが可能である。
【００７５】
前記のような段階によって、本発明の好適な実施例による基板製造方法が完了する。
【００７６】
一方、蒸着によって形成された金属層１１２をシード層とし、以後にメッキ工程などのような別の追加工程によってメッキ層をさらに成長させることができる。
【００７７】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは、本発明を具体的に説明するためのもので、本発明による基板製造装置及び製造方法は、これに限定されなく、本発明の技術的思想内で当該分野の通常の知識を持った者によって、多様な変形及び改良が可能であろう。本発明の単純な変形ないし変更は、いずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかに決まるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明は、基板を自動で連続的に製造して、不良発生率を低め、生産性を向上させるとともに、基板の製造工程中に外気を遮断して基板の汚染を防止する基板製造装置及び製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００７９】
１１０    基板
１１１    絶縁層
１１２    金属層
２００    第１チャンバー
３００    第２チャンバー
３１０    粗面形成ロール
３１１    第１加熱手段
３１２    第１冷却手段
３２０    蒸着器
３３０    圧着ロール
３３１    第２加熱手段
３３２    第２冷却手段
４００    第３チャンバー
【図１】
2011166098.tif 000003
【図２】
2011166098.tif 000004
【図３】
2011166098.tif 000005