(57)【要約】【課題】差動通信用の伝送線路に重畳されたコモンモードノイズを速やかに検出して、差動出力波形の乱れを応答遅れなく抑制することができる差動通信用送信装置を提供する。【解決手段】差動通信用の伝送線路Ｌ１，Ｌ２に、それぞれ、ノイズ対策回路１０を設ける。ノイズ対策回路１０は、伝送線路Ｌ１（Ｌ２）が電源電圧範囲（０〜Ｖｄｄ）よりも高い上限電位を越えるとＦＥＴＱ１１をオン状態にして、伝送線路Ｌ１（Ｌ２）の対地インピーダンスを他の伝送線路Ｌ２（Ｌ１）の対地インピーダンスに制御する正ノイズ対策回路１２と、伝送線路Ｌ１（Ｌ２）が電源電圧範囲（０〜Ｖｄｄ）よりも低い下限電位を下回るとＦＥＴＱ２１をオン状態にして、伝送線路Ｌ１（Ｌ２）の対地インピーダンスを他の伝送線路Ｌ２（Ｌ１）の対地インピーダンスに制御する負ノイズ対策回路１４とにより構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源から電源電圧が供給される電源ライン及びグランドラインと、差動通信用の一対の伝送線路との間にそれぞれ設けられた４つの出力素子からなり、当該４つの出力素子のうち、互いに異なる伝送線路に接続された電源ライン側の出力素子とグランドライン側の出力素子とを一組とする二組の出力素子が、送信データに応じて交互にオン・オフされることにより、前記送信データを差動送信するドライバブリッジ回路と、
前記伝送線路に重畳されたノイズを低減するノイズ低減手段と、
を備えた差動通信用送信装置において、
前記ノイズ低減手段は、前記各伝送線路にそれぞれ設けられた一対のノイズ対策回路からなり、各ノイズ対策回路は、
前記伝送線路の前記グランドラインに対する対地電位を検出する対地電位検出部と、
前記対地電位検出部にて検出された対地電位が前記電源電圧に基づき設定される上限電位及び下限電位の範囲内から外れると、前記伝送線路の前記グランドラインに対する対地インピーダンスを、他方の伝送線路の対地インピーダンスと一致するように制御するインピーダンス制御部と、
を備えたことを特徴とする差動通信用送信装置。
【請求項２】
前記対地電位検出部は、
ツェナーダイオードと複数の抵抗との直列回路又は複数の抵抗の直列回路を、前記伝送線路と前記グランドライン若しくは前記電源ラインとの間に一対設け、該一対の直列回路の抵抗間に生じる分圧電圧にて、前記対地電位の前記電位範囲内からの上昇及び低下を検知可能に構成されており、
前記インピーダンス制御部は、
前記対地電位検出部を構成する前記一対の直列回路に対応して、トランジスタ又はトランジスタと抵抗との直列回路を、前記伝送線路と前記グランドライン若しくは前記電源ラインとの間に一対設け、該一対のトランジスタの制御端子に前記対地電位検出部の一対の直列回路の抵抗間に生じた分圧電圧がそれぞれ印加されることにより、前記対地電位が前記上限電位よりも高いときに一方のトランジスタが動作し、前記対地電位が前記下限電位よりも低いときに他方のトランジスタが動作して、前記伝送線路の対地インピーダンスを制御するよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載の差動通信用送信装置。
【請求項３】
前記インピーダンス制御部において、
前記伝送線路の対地電位が前記上限電位よりも高いときに動作するトランジスタには、前記ドライバブリッジ回路において当該伝送線路と電源ラインとの間に設けられる出力素子と連動してオン・オフされるスイッチング素子が直列に接続され、
前記伝送線路の対地電位が前記下限電位よりも低いときに動作するトランジスタには、前記ドライバブリッジ回路において当該伝送線路とグランドラインとの間に設けられる出力素子と連動してオン・オフされるスイッチング素子が直列に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の差動通信用送信装置。
【請求項４】
前記インピーダンス制御部は、前記伝送線路と前記グランドラインとの間に前記一対のトランジスタを直接設けることにより構成されており、
前記ノイズ対策回路には、
前記伝送線路に印加された正・負の静電気を検出し、静電気検出時には、該静電気の極性に応じて、前記インピーダンス制御部を構成する２つのトランジスタの一方を導通させて、前記静電気を前記グランドラインに放電させる静電気検出部、
が設けられていることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の差動通信用送信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の伝送線路を介して送信データを差動伝送するのに用いられる差動通信用送信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、差動通信用送信装置においては、差動通信用の一対の伝送線路と電源ライン及びグランドラインとの間にそれぞれ設けられた４つの出力素子からなるドライバブリッジ回路を備え、この４つの出力素子のうち、互いに異なる伝送線路に接続された電源ライン側の出力素子とグランドライン側の出力素子とを一組とする二組の出力素子を、送信データに応じて交互にオン・オフさせることにより、送信データを差動送信するように構成されている。
【０００３】
また、差動通信用送信装置においては、各伝送線路に電源電圧範囲を超えるコモンモードノイズが重畳されて、各伝送線路の電位が上昇又は低下すると、上記一組の出力素子がオン状態になっていても、一方の出力素子に電流が流れなくなり、差動出力波形が乱れて、正常な差動送信を実現できなくなる。
【０００４】
このため、従来の差動通信用送信装置においては、こうしたコモンモードノイズを低減するための対策が施されている。
このコモンモードノイズ対策としては、伝送線路上にコモンモードチョークコイルを設ける方法が一般的であるが、コモンモードチョークコイルは、磁性体コアと巻線とで構成され、装置の大型化を招くという問題がある。
【０００５】
そこで、コモンモードチョークコイルを用いることなく、コモンモードノイズを低減する方法として、コモンモードノイズを選択的に通過させるフィルタ回路を伝送線路とグランドラインとの間に設ける方法（例えば、特許文献１等参照）、或いは、伝送線路のコモンモード電位を検出し、コモンモード電位が基準電位を越えると、電流補正回路により、ドライバブリッジ回路から伝送線路間に供給される出力電流を補正することで、コモンモード電位に関わらず所望の差動出力が得られるようにする方法（例えば、特許文献２等参照）、が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３１８７３４号公報
【特許文献２】特開２００４−２５３８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に記載のように、伝送線路にフィルタ回路を設ける場合、フィルタ回路を抵抗、コンデンサ等にて構成すると、伝送対象となる差動通信波形に影響を与えることがあり、これを防止するために、フィルタ回路を磁性体コアに導体を巻回した相互インダクタンス素子にて構成すると、コモンモードチョークコイルを設けた場合と同様、装置の大型化を招くという問題がある。
【０００８】
一方、特許文献２に記載のように、電流補正回路を用いてドライバブリッジ回路から伝送線路への出力電流を補正するようにした場合には、ドライバブリッジ回路内に電流補正回路を組み込めば良く、装置の大型化を招くことなく簡単な構成で実現できる。
【０００９】
しかし、特許文献２に記載の装置では、一対の伝送線路間に２つの抵抗素子からなる直列回路を設け、その抵抗素子間の電位をコモンモード電位として検知するようにされている。このため、この抵抗素子には、伝送線路間の差動電圧に影響を与えることのないよう、ハイインピーダンスの抵抗素子を用いる必要がある。
【００１０】
そして、この抵抗素子をハイインピーダンスにすると、抵抗素子の抵抗値と、各伝送線路とグランドラインとの間の容量とで決まる時定数が大きくなるため、コモンモード電位の検出スピードが遅くなり、例えば、立ち上がり１００ＭＨｚ程度の高速なコモンモードノイズに対しては追従することができないという問題がある。
【００１１】
また、特許文献２に記載の装置において、電流補正回路には、コモンモード電位を判定するためのコンパレータが設けられることから、このコンパレータの動作によって電流補正の応答性が悪くなるという問題もある。
【００１２】
本発明は、こうした問題に鑑みなされたものであり、差動通信用の伝送線路に重畳されたコモンモードノイズを速やかに検出して、差動出力波形の乱れを応答遅れなく抑制することができる差動通信用送信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
かかる目的を達成するためになされた請求項１に記載の差動通信用送信装置は、図１に例示するように、電源ラインＬｖ及びグランドラインＧＮＤと一対の伝送線路Ｌ１，Ｌ２との間にそれぞれ設けられた４つの出力素子Ｓ１〜Ｓ４からなるドライバブリッジ回路２と、伝送線路Ｌ１，Ｌ２に重畳されたノイズを低減するノイズ低減手段３とを備える。
【００１４】
ノイズ低減手段３は、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２にそれぞれ設けられた一対のノイズ対策回路１０にて構成されており、各ノイズ対策回路１０には、伝送線路Ｌ１，Ｌ２のグランドラインＧＮＤに対する対地電位を検出する対地電位検出部４と、対地電位検出部４にて検出された対地電位が電源電圧Ｖｄｄに基づき設定される上限電位及び下限電位の範囲内から外れると、その伝送線路Ｌ１（又はＬ２）のグランドラインＧＮＤに対する対地インピーダンスを、他方の伝送線路Ｌ２（又はＬ１）の対地インピーダンスと一致するように制御するインピーダンス制御部６と、が設けられている。
【００１５】
このため、請求項１に記載の差動通信用送信装置によれば、データ送信時に伝送線路Ｌ１，Ｌ２にコモンモードノイズが重畳されて、伝送線路Ｌ１，Ｌ２の一方が電源ラインＬｖよりも高電位になるか、或いは、グランドラインＧＮＤよりも低電位になった場合、その伝送線路Ｌ１又はＬ２に設けられた対地電位検出部４にて検出される対地電位が上昇又は低下して、インピーダンス制御部６にて、対地電位が上限電位及び下限電位の範囲内から外れたと判定され、その伝送線路Ｌ１又はＬ２の対地インピーダンスが、他方の伝送線路Ｌ２又はＬ１の対地インピーダンスに一致するように制御されることになる。
【００１６】
従って、請求項１に記載の差動通信用送信装置によれば、データ送信時に伝送線路Ｌ１，Ｌ２にコモンモードノイズが重畳されても、各伝送線路Ｌ１又はＬ２の電位を電源電圧に対応した上・下限電位範囲内に保ち、ドライバブリッジ回路２による差動送信を正常に実施することができるようになる。
【００１７】
つまり、例えば、伝送線路Ｌ１と電源ラインＬｖとの間の出力素子Ｓ１及び伝送線路Ｌ２とグランドラインＧＮＤとの間の出力素子Ｓ４がオン状態、他の出力素子Ｓ２及びＳ３がオフ状態にあるとき、伝送線路Ｌ１，Ｌ２に、電源電圧範囲（０〜Ｖｄｄ）を越える正電位のコモンモードノイズが重畳された場合、出力素子Ｓ１を介して電源ラインＬｖから伝送線路Ｌ１に電流を供給できなくなって、伝送線路Ｌ１がオープン状態になり、伝送線路Ｌ１と伝送線路Ｌ２との対地インピーダンスのバランスが崩れ、送信データを正常に差動送信することができなくなる。
【００１８】
しかし、この場合、本発明では、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２にノイズ対策回路１０を設けて、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２の対地電位を検出し、その検出した対地電位が、電源電圧に基づき設定される上限電位及び下限電位の範囲内から外れると、その伝送線路Ｌ１，Ｌ２の対地インピーダンスを制御するようにされているため、上記のように、コモンモードノイズによって伝送線路Ｌ１の電位が上昇した場合には、伝送線路Ｌ１側に設けられたノイズ対策回路１０（詳しくは対地電位検出部４）にてその旨が検出され、インピーダンス制御部６が、伝送線路Ｌ１の対地インピーダンスを、伝送線路Ｌ２の出力素子Ｓ４の特性（オン抵抗）で決まる対地インピーダンスと一致するように制御することから、ドライバブリッジ回路２による差動送信を正常に実施することができるようになるのである。
【００１９】
そして、本発明の差動通信用送信装置では、上述した特許文献２に記載のように、差動通信用の伝送線路Ｌ１−Ｌ２間に抵抗の直列回路を設けて、その直列回路の中点の電位をコモンモード電位として検出するのではなく、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２毎に対地電位を検出する対地電位検出部４を設け、その対地電位検出部４で検出された対地電位に基づき、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２毎にコモンモードノイズによる電位変化を判定するようにされているので、対地電位検出部４のインピーダンスを高インピーダンスにする必要がなく、対地電位検出部４を、低インピーダンスの抵抗等を用いて構成することができる。
【００２０】
よって、本発明によれば、対地電位検出部４を設けることによって、高速に立ち上がるコモンモードノイズに対応できなくなるのを防止することができ、立上がり１００ＭＨｚ程度の高速なコモンモードノイズが発生しても、差動送信を正常に実行できることになる。
【００２１】
また、本発明の差動通信用送信装置によれば、伝送線路にコモンモードチョークコイルやコモンモードノイズを減衰させるフィルタ回路を設ける必要がないので、差動通信システム全体を小型化することもできる。
【００２２】
ここで、インピーダンス制御部６は、コモンモードノイズが重畳されることにより、出力素子Ｓ１，Ｓ２（又はＳ３，Ｓ４）を介して電流を流すことのできなくなった伝送線路Ｌ１（又はＬ２）の対地インピーダンスを制御するものであるため、請求項２に記載のように、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２とグランドラインＧＮＤ若しくは電源ラインＬｖとの間に、トランジスタ又はトランジスタと抵抗との直列回路を設けることにより、簡単に構成することができる。
【００２３】
つまり、このように構成すれば、コモンモードノイズによって対地電位が上・下限電位に対し上昇又は低下した伝送線路Ｌ１，Ｌ２に対し、トランジスタを介して電流を流し、その伝送線路Ｌ１，Ｌ２の対地インピーダンスを、トランジスタのオン抵抗、若しくは、トランジスタのオン抵抗と抵抗の抵抗値とで決まる所望インピーダンスに制御することができるようになる。
【００２４】
またインピーダンス制御部６をこのように構成した場合、トランジスタを駆動するために、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２の対地電位を検出して、対地電位と上限電位及び対地電位と下限電位をコンパレータで比較するようにしてもよい。しかし、このようにすると、上記特許文献２と同様、コンパレータの動作によって、制御の応答性が悪くなり、立上がりが高速なコモンモードノイズに対し制御遅れが生じることになる。
【００２５】
このため、上記のようにインピーダンス制御部６をトランジスタ又はトランジスタと抵抗との直列回路にて構成する場合には、トランジスタの制御端子に印加する制御電圧を、コモンモードノイズを用いて直接生成するようにするとよく、そのためには、対地電位検出部４を、請求項２に記載のように構成すればよい。
【００２６】
つまり、請求項２に記載の差動通信用送信装置において、対地電位検出部４は、ツェナーダイオードと複数の抵抗との直列回路又は複数の抵抗の直列回路を、設置対象となる伝送線路Ｌ１（又はＬ２）とグランドラインＧＮＤ若しくは電源ラインＬｖとの間に一対設け、その一対の直列回路の抵抗間に生じる分圧電圧にて、対地電位の上・下限電位範囲内からの上昇及び低下を検知可能に構成されている。
【００２７】
そして、インピーダンス制御部６を構成する一対のトランジスタの制御端子には、対地電位検出部４の一対の直列回路の抵抗間に生じた分圧電圧がそれぞれ印加され、対地電位が上限電位よりも高いときに一方のトランジスタが動作し、対地電位が下限電位よりも低いときに他方のトランジスタが動作して、伝送線路の対地インピーダンスを制御する。
【００２８】
従って、請求項２に記載の差動通信用送信装置によれば、対地電位検出部４及びインピーダンス制御部６を、抵抗、トランジスタ、ツェナーダイオード等からなる簡単なアナログ回路で構成することができ、対地電位の判定のためにコンパレータを設ける必要がないため、伝送線路Ｌ１，Ｌ２に重畳されたコモンモードノイズに対し、インピーダンス制御部６（詳しくはトランジスタ）を応答遅れなく速やかに動作させることができる。
【００２９】
ところで、インピーダンス制御部６を、請求項２に記載のように構成した場合、伝送線路Ｌ１，Ｌ２に重畳されたコモンモードノイズのレベルによっては、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２の対地電位が同時に上限電位を越えて（或いは同時に下限電位を下回って）、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２に対し同方向に電流を流すトランジスタ同士が同時に動作することが考えられる。
【００３０】
そして、このように動作すると、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２の対地電位が略同電位になってしまい、ドライバブリッジ回路２から送信データを差動送信することができなくなる。
そこで、請求項２に記載の差動通信用送信装置においては、更に、各インピーダンス制御部６を、請求項３に記載のように構成するとよい。
【００３１】
すなわち、請求項３に記載のインピーダンス制御部６において、伝送線路Ｌ１，Ｌ２の対地電位が上限電位よりも高いときに動作するトランジスタには、ドライバブリッジ回路２において当該伝送線路Ｌ１，Ｌ２と電源ラインＬｖとの間に設けられる出力素子Ｓ１，Ｓ３と連動してオン・オフされるスイッチング素子が直列に接続され、伝送線路Ｌ１，Ｌ２の対地電位が下限電位よりも低いときに動作するトランジスタには、ドライバブリッジ回路２において当該伝送線路Ｌ１，Ｌ２とグランドラインＧＮＤとの間に設けられる出力素子Ｓ２，Ｓ４と連動してオン・オフされるスイッチング素子が直列に接続される。
【００３２】
このため、請求項３に記載の差動通信用送信装置によれば、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２に設けられたノイズ対策回路１０内で、伝送線路Ｌ１，Ｌ２の対地電位が上限電位よりも高くなったときに動作するトランジスタ（詳しくはこのトランジスタとスイッチング素子により形成される電流経路）、若しくは、伝送線路Ｌ１，Ｌ２の対地電位が下限電位よりも低くなったときに動作するトランジスタ（詳しくはこのトランジスタとスイッチング素子により形成される電流経路）が、同時にオン状態となって、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２が略同電位となって、データを差動送信することができなくなるのを防止できる。
【００３３】
一方、請求項４に記載の差動通信用送信装置においては、インピーダンス制御部６が、伝送線路Ｌ１（又はＬ２）とグランドラインＧＮＤとの間に一対のトランジスタを直接設けることにより構成されている。
【００３４】
そして、ノイズ対策回路１０には、図１に点線で示すように、対地電位検出部４とは別に、静電気検出部８が設けられており、静電気検出部８は、伝送線路Ｌ１（又はＬ２）  に印加された正・負の静電気を検出し、静電気検出時には、その静電気の極性に応じて、インピーダンス制御部６を構成する２つのトランジスタの一方を導通（インピーダンス：０）させて、静電気をグランドラインＧＮＤに放電させる。
【００３５】
従って、請求項４に記載の差動通信用送信装置によれば、コモンモードノイズにより伝送線路Ｌ１（又はＬ２）の電位が上・下限電位の範囲内から外れたときに、対地電位検出部４からの出力により、インピーダンス制御部６を構成するトランジスタのオン抵抗を調整して、伝送線路Ｌ１（又はＬ２）の対地インピーダンスを他方の伝送線路Ｌ２（又はＬ１）の対地インピーダンスと一致させることができるだけでなく、伝送線路Ｌ１（又はＬ２）に正又は負の静電気が発生したときには、その静電気を、インピーダンス制御部６（詳しくはトランジスタ）を介してグランドラインＧＮＤに放電させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の差動通信用送信装置の概略構成を表すブロック図である。
【図２】第１実施形態の差動通信用送信装置の構成を表す電気回路図である。
【図３】コモンモードノイズ発生時の差動通信電圧を測定した測定結果を表すタイムチャートである。
【図４】図３の測定結果を得るのに用いた差動通信システムの概略構成図である。
【図５】第１実施形態の変形例１を表す電気回路図である。
【図６】第１実施形態の変形例２を表す電気回路図である。
【図７】第１実施形態の変形例３を表す電気回路図である。
【図８】第２実施形態の差動通信用送信装置の構成を表す電気回路図である。
【図９】第２実施形態の変形例１を表す電気回路図である。
【図１０】第２実施形態の変形例２を表す電気回路図である。
【図１１】第２実施形態の変形例３を表す電気回路図である。
【図１２】第３実施形態の差動通信用送信装置の構成を表す電気回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下に本発明の実施形態を図面と共に説明する。
［第１実施形態］
図２に示すように、本実施形態の差動通信用送信装置は、差動通信用の一対の伝送線路Ｌ１，Ｌ２を介して送信データを差動送信するためのものであり、ドライバブリッジ回路２と、伝送線路Ｌ１，Ｌ２毎に設けられた一対のノイズ対策回路１０とから構成されている。
【００３８】
ドライバブリッジ回路２には、直流電源の正極側に接続される電源ラインＬｖと伝送線路Ｌ１，Ｌ２との間に設けられたｐチャネルＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ３と、直流電源の負極側に接続されるグランドラインＧＮＤと伝送線路Ｌ１，Ｌ２との間に設けられたｎチャネルＭＯＳＦＥＴＱ２，Ｑ４とが備えられている。
【００３９】
これらＦＥＴＱ１〜Ｑ４は、上述した４つの出力素子に相当するものであり、電源ラインＬｖ側のＦＥＴＱ１，Ｑ３は、ドレインが伝送線路Ｌ１，Ｌ２に接続され、ソースがダイオードＤ１，Ｄ３を介して、電源ラインＬｖに接続されている。また、グランドラインＧＮＤ側のＦＥＴＱ２，Ｑ４は、ドレインが伝送線路Ｌ１，Ｌ２に接続され、ソースがダイオードＤ２，Ｄ４を介して、グランドラインＧＮＤに接地されている。
【００４０】
また、ダイオードＤ１，Ｄ３は、電源ラインＬｖから伝送線路Ｌ１，Ｌ２に流れ込む電流方向が順方向となるよう、アノードが電源ラインＬｖに接続され、カソードがＦＥＴＱ１，Ｑ３のソースに接続されており、ダイオードＤ２，Ｄ４は、伝送線路Ｌ１，Ｌ２からグランドラインＧＮＤに流れ込む電流方向が順方向となるよう、カソードがグランドラインＧＮＤに接地され、アノードがＦＥＴＱ２，Ｑ４のソースに接続されている。
【００４１】
このように構成されたドライバブリッジ回路２においては、伝送線路Ｌ１に接続されたＦＥＴＱ１，Ｑ２のゲートに、送信データの値（１，０）に応じて信号レベルがハイ／ローのいずれかに設定される送信信号が入力され、伝送線路Ｌ２に接続されたＦＥＴＱ３，Ｑ４のゲートに、その送信信号のレベルが反転して入力される。
【００４２】
この結果、ドライバブリッジ回路２においては、互いに異なる伝送線路Ｌ１，Ｌ２に接続されたＦＥＴＱ１とＦＥＴＱ４、及び、ＦＥＴＱ３とＦＥＴＱ２がそれぞれペアとなって、送信データの値（１，０）に応じて交互にオン・オフされる。従って、伝送線路Ｌ１−Ｌ２間には、送信データの値（１，０）に応じて極性が反転する電位差が生じ、伝送線路Ｌ１，Ｌ２を介して送信データを差動伝送することができるようになる。
【００４３】
次に、伝送線路Ｌ１，Ｌ２にそれぞれ設けられた一対のノイズ対策回路１０は、ノイズ低減手段として機能するものであり、各ノイズ対策回路１０は同一構成になっている。そこで、以下の説明では、伝送線路Ｌ１側に設けられたノイズ対策回路１０を例にとり、その構成及び動作を説明する。
【００４４】
ノイズ対策回路１０は、伝送線路Ｌ１とグランドラインＧＮＤとの間に設けられて電源ラインＬｖよりも高電位のノイズを低減する正ノイズ対策回路１２と、伝送線路Ｌ１と電源ラインＬｖとの間に設けられてグランドラインＧＮＤよりも低電位のノイズを低減する負ノイズ対策回路１４と、を備える。
【００４５】
正ノイズ対策回路１２は、カソードが伝送線路Ｌ１に接続されたツェナーダイオードＺＤ１１と、ツェナーダイオードＺＤ１１のアノードとグランドラインＧＮＤとの間に設けられた抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の直列回路と、抵抗Ｒ１１とＲ１２との接続点にゲートが接続され、ソースがグランドラインＧＮＤに接地され、ドレインが抵抗Ｒ１３を介して伝送線路Ｌ１に接続されたｎチャネルＭＯＳＦＥＴＱ１１と、から構成されている。
【００４６】
このため、正ノイズ対策回路１２においては、グランドラインＧＮＤを基準電位（０）として、伝送線路Ｌ１の電位がツェナーダイオードＺＤ１１の降伏電圧で決まる上限電位に達するまでは、ＦＥＴＱ１１がオフ状態に保持される。
【００４７】
また、伝送線路Ｌ１の電位が上限電位を越えると、ツェナーダイオードＺＤ１１及び抵抗Ｒ１１，Ｒ１２に電流が流れ、抵抗Ｒ１２の両端にＦＥＴＱ１１の閾値電圧を越える電圧が発生して、ＦＥＴＱ１１がオン状態となる。
【００４８】
そして、ツェナーダイオードＺＤ１１の降伏電圧は、伝送線路Ｌ１が電源ラインＬｖと同電位かそれよりも若干高い上限電位を越えたときに、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２に電流が流れてＦＥＴＱ１１がオン状態となるように設定されている。
【００４９】
なお、ＦＥＴＱ１１がオフ状態であるとき、正ノイズ対策回路１２の電流経路は完全に遮断されるため、正ノイズ対策回路１２は伝送線路Ｌ１の対地インピーダンスに影響を与えることはないが、ＦＥＴＱ１１がオン状態であるときには、ツェナーダイオードＺＤ１１と抵抗Ｒ１１，Ｒ１２とで形成される電流経路と、抵抗Ｒ１３とＦＥＴＱ１１とで形成される電流経路とを介して電流が流れることから、伝送線路Ｌ１の対地インピーダンスは、これら各電流経路の合成抵抗で決定されることになる。
【００５０】
そして、本実施形態では、ＦＥＴＱ１１がオン状態であるときの伝送線路Ｌ１の対地インピーダンスが、ドライバブリッジ回路２において他方の伝送線路Ｌ２をグランドラインＧＮＤに接地するＦＥＴＱ４とダイオードＤ４とで形成される対地インピーダンスと一致するように、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１３の抵抗値が設定されている。
【００５１】
従って、正ノイズ対策回路１２によれば、例えば、ドライバブリッジ回路２において、ＦＥＴＱ１，Ｑ４がオン状態、ＦＥＴＱ２，Ｑ３がオフ状態となっているとき、伝送線路Ｌ１，Ｌ２に、電源電圧範囲（０〜Ｖｄｄ）を越える正電位のコモンモードノイズが重畳された場合に、伝送線路Ｌ１の対地インピーダンスを、伝送線路Ｌ２の対地インピーダンスと一致するように制御して、ドライバブリッジ回路２による差動送信を正常に実施させることができるようになる。
【００５２】
つまり、ＦＥＴＱ１，Ｑ４がオン状態、ＦＥＴＱ２，Ｑ３がオフ状態であるとき、伝送線路Ｌ１，Ｌ２に電源ラインＬｖよりも高電位のコモンモードノイズが重畳されると、ＦＥＴＱ１を介して電源ラインＬｖから伝送線路Ｌ１に電流を流すことができなくなり（換言すれば伝送線路Ｌ１がオープン状態になり）、伝送線路Ｌ１と伝送線路Ｌ２との対地インピーダンスのバランスが崩れ、送信データを正常に差動送信することができなくなるが、本実施形態では、上記正ノイズ対策回路１２により、伝送線路Ｌ１の対地インピーダンスが、他方の伝送線路Ｌ２の対地インピーダンスと一致するように制御されることから、送信データの差動送信を正常に実施することができる。
【００５３】
一方、負ノイズ対策回路１４は、カソードが電源ラインＬｖに接続されたツェナーダイオードＺＤ２１と、ツェナーダイオードＺＤ２１のアノードと伝送線路Ｌ１との間に設けられた抵抗Ｒ２１，Ｒ２２の直列回路と、抵抗Ｒ２１とＲ２２との接続点にゲートが接続され、ソースが伝送線路Ｌ１に接続され、ドレインが抵抗Ｒ２３を介して電源ラインＬｖに接続されたｎチャネルＭＯＳＦＥＴＱ２１と、から構成されている。
【００５４】
このため、負ノイズ対策回路１４においては、電源ラインＬｖを基準電位（０）として、伝送線路Ｌ１の電位がツェナーダイオードＺＤ２１の降伏電圧で決まる下限電位に達するまでは、ＦＥＴＱ２１がオフ状態に保持される。
【００５５】
また、伝送線路Ｌ１の電位が下限電位を下回ると、ツェナーダイオードＺＤ２１及び抵抗Ｒ２１，Ｒ２２に電流が流れ、抵抗Ｒ２２の両端にＦＥＴＱ２１の閾値電圧を越える電圧が発生して、ＦＥＴＱ２１がオン状態となる。
【００５６】
そして、ツェナーダイオードＺＤ２１の降伏電圧は、伝送線路Ｌ１がグランドラインＧＮＤと同電位かそれよりも若干低い下限電位を下回ったときに、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２に電流が流れてＦＥＴＱ２１がオン状態となるように設定されている。
【００５７】
なお、ＦＥＴＱ２１がオフ状態であるとき、負ノイズ対策回路１４の電流経路は完全に遮断されるため、負ノイズ対策回路１４は伝送線路Ｌ１の対地インピーダンスに影響を与えることはないが、ＦＥＴＱ２１がオン状態であるときには、ツェナーダイオードＺＤ２１と抵抗Ｒ２１，Ｒ２２とで形成される電流経路と、抵抗Ｒ２３とＦＥＴＱ２１とで形成される電流経路とを介して電流が流れることから、伝送線路Ｌ１の対地インピーダンスは、これら各電流経路の合成抵抗で決定されることになる。
【００５８】
そして、本実施形態では、ＦＥＴＱ２１がオン状態であるときの伝送線路Ｌ１の対地インピーダンスが、ドライバブリッジ回路２において他方の伝送線路Ｌ２を電源ラインＬｖに接続するＦＥＴＱ３とダイオードＤ３とで形成される対地インピーダンスと一致するように、抵抗Ｒ２１〜Ｒ２３の抵抗値が設定されている。
【００５９】
従って、負ノイズ対策回路１４によれば、例えば、ドライバブリッジ回路２において、ＦＥＴＱ２，Ｑ３がオン状態、ＦＥＴＱ１，Ｑ４がオフ状態となっているとき、伝送線路Ｌ１，Ｌ２に、電源電圧範囲（０〜Ｖｄｄ）を下回る負電位のコモンモードノイズが重畳された場合に、伝送線路Ｌ１の対地インピーダンスを、伝送線路Ｌ２の対地インピーダンスと一致するように制御して、ドライバブリッジ回路２による差動送信を正常に実施させることができるようになる。
【００６０】
つまり、ＦＥＴＱ２，Ｑ３がオン状態、ＦＥＴＱ１，Ｑ４がオフ状態であるとき、伝送線路Ｌ１，Ｌ２にグランドラインＧＮＤよりも低電位のコモンモードノイズが重畳されると、ＦＥＴＱ２を介して伝送線路Ｌ１からグランドラインＧＮＤに電流を流すことができなくなり（換言すれば伝送線路Ｌ１がオープン状態になり）、伝送線路Ｌ１と伝送線路Ｌ２との対地インピーダンスのバランスが崩れ、送信データを正常に差動送信することができなくなるが、本実施形態では、上記負ノイズ対策回路１４により、伝送線路Ｌ１の対地インピーダンスが、他方の伝送線路Ｌ２の対地インピーダンスと一致するように制御されることから、送信データの差動送信を正常に実施することができるようになるのである。
【００６１】
なお、伝送線路Ｌ２側に設けられるノイズ対策回路１０は、接続される伝送線路が異なるだけで、伝送線路Ｌ１側に設けられるノイズ対策回路１０と全く同じ構成であるため、上記と同様に動作する。
【００６２】
従って、本実施形態の差動通信用送信装置によれば、データ送信時に伝送線路Ｌ１，Ｌ２にコモンモードノイズが重畳されて、伝送線路Ｌ１，Ｌ２の一方が電源ラインＬｖよりも高電位になるか、或いは、グランドラインＧＮＤよりも低電位になったとしても、その伝送線路Ｌ１又はＬ２に設けられたノイズ対策回路１０により、その伝送線路Ｌ１又はＬ２の対地インピーダンスを他方の伝送線路Ｌ２又はＬ１と一致するように制御して、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２の電位を電源電圧に対応した上・下限電位範囲内に保ち、ドライバブリッジ回路２による差動送信を正常に実施することができるようになる。
【００６３】
また、本実施形態の差動通信用送信装置では、上述した特許文献２に記載のように、伝送線路Ｌ１−Ｌ２間に抵抗の直列回路を設けて、その直列回路の中点の電位をコモンモード電位として検出するのではなく、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２毎に電位を検出して、その電位が電源ラインＬｖ、グランドラインＧＮＤの電位を基準に設定された上・下限電位の範囲内から外れたときに、その伝送線路Ｌ１，Ｌ２の対地インピーダンスを制御するようにされている。
【００６４】
従って、本実施形態の差動通信用送信装置によれば、電位検出用の回路（具体的には、ツェナーダイオードＺＤ２１，抵抗Ｒ２１，Ｒ２２、若しくは、ツェナーダイオードＺＤ２１，抵抗Ｒ２１，Ｒ２２からなる回路）を、特許文献２に記載のもののように高インピーダンスにする必要がなく、コモンモードノイズによる各伝送線路Ｌ１，Ｌ２の電位の上昇・低下を速やかに検出して、インピーダンス制御用のＦＥＴＱ１１，Ｑ２１を駆動することができる。
【００６５】
また、伝送線路Ｌ１，Ｌ２にコモンモードチョークコイルやコモンモードノイズを減衰させるフィルタ回路を設ける必要がないので、差動通信システム全体を小型化することもできる。
【００６６】
なお、本実施形態においては、正ノイズ対策回路１２内のツェナーダイオードＺＤ２１，抵抗Ｒ２１，Ｒ２２、及び、負ノイズ対策回路１４内のツェナーダイオードＺＤ２１，抵抗Ｒ２１，Ｒ２２が、本発明の対地電位検出部に相当し、正ノイズ対策回路１２内の抵抗Ｒ２３、ＦＥＴＱ２１、及び、負ノイズ対策回路１４内の抵抗Ｒ２３、ＦＥＴＱ２１が、本発明のインピーダンス制御部に相当する。
（差動通信電圧測定）
次に、本実施形態の差動通信用送信装置を用いて送信データを差動伝送する際、伝送線路に電源電圧範囲（０〜Ｖｄｄ）を越えるコモンモードノイズが重畳されたときに、受信装置側で得られる差動通信電圧を測定（シミュレーション）した。その測定結果を、図３に示す。
【００６７】
なお、この測定（シミュレーション）は、図４に示すように、本実施形態の差動通信用送信装置を送信ノードとし、これに接続された伝送線路Ｌ１，Ｌ２を幹線として、幹線の末端及び幹線から分岐した支線の末端に夫々受信ノードを接続した通信システムにおいて、ノイズ発生源から幹線に、一定周期で正・負１００Ｖのコモンモードノイズを注入し、送信ノードから値が交互に反転する送信データを送信させたときに、幹線の受信ノードで得られる差動通信電圧を測定することにより行った。
【００６８】
図３（ａ）は、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２にノイズ対策回路１０を設けていない場合の測定結果を表し、図３（ｂ）は、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２にノイズ対策回路１０を設けた場合の測定結果を表す。
【００６９】
図３から明らかなように、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２にノイズ対策回路１０を設けていない場合、受信ノードで得られる差動通信電圧は、送信データに対応して電圧レベルが変化するものの、ノイズ発生源から注入したコモンモードノイズがその電圧レベルの数倍になって現れ、差動通信波形が乱れる。これに対し、本実施形態のように、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２にノイズ対策回路１０を設けると、差動通信電圧において、コモンモードノイズによるレベル変動が抑制されて、差動通信波形の乱れが少なくなり、差動通信を問題なく実行できるようになる。従って、本実施形態の差動通信用送信装置を用いれば、コモンモードノイズの影響を受けることなく、差動通信を実行可能な通信装置を提供できることが判る。
（変形例１）
ここで、図２に示したノイズ対策回路１０では、負ノイズ対策回路１４は、伝送線路Ｌ１（又はＬ２）と電源ラインＬｖとの間に設けられ、電源ラインＬｖの電位を基準として動作するものとして説明したが、負ノイズ対策回路１４は、グランドラインＧＮＤの電位を基準として動作するようにしてもよい。
【００７０】
そして、この場合には、例えば、図５に示すように、正ノイズ対策回路１２とグランドラインＧＮＤとの間に、図２に示した負ノイズ対策回路１４を、正負を反転させて設けるとよい。
【００７１】
つまり、図５に例示するように、ツェナーダイオードＺＤ２１のカソードをグランドラインＧＮＤに接地し、ツェナーダイオードＺＤ２１のアノードと、正ノイズ対策回路１２の抵抗Ｒ１２のグランド側との間に抵抗Ｒ２１，Ｒ２２を設け、更に、ＦＥＴＱ２１のドレインを、抵抗Ｒ２３を介してグランドラインＧＮＤに接地し、ＦＥＴＱ２１のソースを、正ノイズ対策回路１２のＦＥＴＱ１１のソースと接続することにより、負ノイズ対策回路１４を、正ノイズ対策回路１２とグランドラインＧＮＤとの間に配置するのである。
【００７２】
なお、この場合、正ノイズ対策回路１２と負ノイズ対策回路１４との接続点では、抵抗Ｒ１２とＦＥＴＱ１１のソース及び抵抗Ｒ２２とＦＥＴＱ２１のソースを互いに接続しておく。
【００７３】
そして、このようにしても、伝送線路Ｌ１（又はＬ２）の電位が電源電圧範囲（０〜Ｖｄｄ）に対応した上・下限電位の範囲内から外れたときに、ツェナーダイオードＺＤ１１又はＺＤ２１に降伏電流が流れて、ＦＥＴＱ１１又はＱ２１がオン状態となり、伝送線路Ｌ１（又はＬ２）の対地インピーダンスを、他方の伝送線路Ｌ２（又はＬ１）の対地インピーダンスと一致するように制御することができる。
【００７４】
なお、負ノイズ対策回路１４をグランドラインＧＮＤの電位を基準に動作させるには、図２に示したノイズ対策回路１０において、ツェナーダイオードＺＤ２１のカソード及び抵抗Ｒ２３の一端を、電源ラインＬｖに代えてグランドラインＧＮＤに接続するようにしてもよい。
（変形例２，３）
また、図２，図５に示したノイズ対策回路１０では、正ノイズ対策回路１２、負ノイズ対策回路１４に、それぞれ、伝送線路Ｌ１，Ｌ２の電位が上・下限電位の範囲内から外れたことを検知するためのツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１が設けられるものとして説明したが、このツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１は必ずしも設ける必要はなく、図６又は図７に示すように、ツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１を削除してもよい。
【００７５】
なお、図６は、図２に示したノイズ対策回路１０からツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１を削除した変形例２の差動通信用送信装置を表し、図７は、図５に示したノイズ対策回路１０からツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１を削除した変形例３の差動通信用送信装置を表しており、ツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１以外の構成は、全て、図２，図５に記載した差動通信用送信装置と同じである。
【００７６】
そして、この変形例２，３の差動通信用送信装置では、ＦＥＴＱ１１，Ｑ２１のゲートに、抵抗Ｒ１１とＲ１２又は抵抗Ｒ２１とＲ２２による分圧電圧が常時印加されることになるので、これら各抵抗の分圧比を、伝送線路Ｌ１，Ｌ２の電位が上・下限電位の範囲内から外れたときにＦＥＴＱ１１，Ｑ２１がオン状態となるように設定すればよい。
［第２実施形態］
図８は、本発明（詳しくは請求項３）が適用された第２実施形態の差動通信用送信装置全体の構成を表す電気回路図である。
【００７７】
本実施形態の送信装置は、第１実施形態の図２に示したものと略同様に構成されており、図２に示したものと異なる点は、正ノイズ対策回路１２のＦＥＴＱ１１とグランドラインＧＮＤとの間に、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴＱ１２とダイオードＤ１２との直列回路を設け、負ノイズ対策回路１４のＦＥＴＱ２１と伝送線路Ｌ１（又はＬ２）との間に、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴＱ２２とダイオードＤ２２との直列回路を設けた点である。
【００７８】
そして、正ノイズ対策回路１２に設けられるＦＥＴＱ１２のゲートには、ドライバブリッジ回路２の電源ラインＬｖ側に設けられたＦＥＴＱ１（又はＱ３）と同じ通信信号が入力され、負ノイズ対策回路１４に設けられるＦＥＴＱ２２のゲートには、ドライバブリッジ回路２のグランドラインＧＮＤ側に設けられたＦＥＴＱ２（又はＱ４）と同じ通信信号が入力される。
【００７９】
また、ダイオードＤ１２，Ｄ２２は、ＦＥＴＱ１２，Ｑ２２を介して、ＦＥＴＱ１１，Ｑ２１の電流経路に流れる電流方向を、電源ラインＬｖから伝送線路Ｌ１、或いは、伝送線路Ｌ１からグランドラインＧＮＤへと、一方向に規制するためのものであり、ＦＥＴＱ１２，Ｑ２２のドレインにアノードが接続され、カソードがグランドラインＧＮＤ又は伝送線路Ｌ１に接続されている。
【００８０】
このように構成された本実施形態の差動通信用送信装置においては、正ノイズ対策回路１２内のＦＥＴＱ１２が、ドライバブリッジ回路２のＦＥＴＱ１（又はＱ３）と連動してオン・オフされる。このため、ドライバブリッジ回路２のＦＥＴＱ１（又はＱ３）がオフ状態であるときに（換言すれば、ＦＥＴＱ２（又はＱ４）がオン状態であるときに）、ツェナーダイオードＺＤ１１及び抵抗Ｒ１１，Ｒ１２に電流が流れて、ＦＥＴＱ１１のゲート電位が上昇した際、ＦＥＴＱ１１がオン状態になるのを防止できる。
【００８１】
また、負ノイズ対策回路１４内のＦＥＴＱ２２は、ドライバブリッジ回路２のＦＥＴＱ２（又はＱ４）と連動してオン・オフされることから、ドライバブリッジ回路２のＦＥＴＱ２（又はＱ４）がオフ状態であるときに（換言すれば、ＦＥＴＱ１（又はＱ３）がオン状態であるときに）、ツェナーダイオードＺＤ２１及び抵抗Ｒ２１，Ｒ２２に電流が流れて、ＦＥＴＱ２１のゲート電位が上昇した際、ＦＥＴＱ２１がオン状態になるのを防止できる。
【００８２】
つまり、伝送線路Ｌ１，Ｌ２に重畳されたコモンモードノイズのレベルによっては、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２の対地電位が同時に上限電位を越えて（或いは同時に下限電位を下回って）、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２に設けられたノイズ対策回路１０内の正ノイズ対策回路１２若しくは負ノイズ対策回路１４が同時に動作してしまうことが考えられる。
【００８３】
そこで、本実施形態では、ドライバブリッジ回路２内の電源ラインＬｖ側のＦＥＴＱ１（又はＱ３）がオン状態となったときに、そのＦＥＴＱ１（又はＱ３）に対応する伝送線路Ｌ１（又はＬ２）側の正ノイズ対策回路１２内のＦＥＴＱ１２をオン状態にして、その正ノイズ対策回路１２の動作を許可し、ドライバブリッジ回路２内のグランドラインＧＮＤ側のＦＥＴＱ２（又はＱ４）がオン状態となったときに、そのＦＥＴＱ２（又はＱ４）に対応する伝送線路Ｌ１（又はＬ２）側の負ノイズ対策回路１４内のＦＥＴＱ２２をオン状態にして、その負ノイズ対策回路１４の動作を許可するようにしている。
【００８４】
従って、本実施形態の差動通信用送信装置によれば、伝送線路Ｌ１，Ｌ２に接続された正ノイズ対策回路１２同士、若しくは、負ノイズ対策回路１４同士が同時に動作して、各伝送線路Ｌ１，Ｌ２が同電位となり、データを差動送信することができなくなるのを防止することができる。
（変形例１）
ここで、図８に示したノイズ対策回路１０では、負ノイズ対策回路１４は、伝送線路Ｌ１（又はＬ２）と電源ラインＬｖとの間に設けられ、電源ラインＬｖの電位を基準として動作するものとして説明したが、負ノイズ対策回路１４は、グランドラインＧＮＤの電位を基準として動作するようにしてもよい。
【００８５】
そして、この場合には、図９に例示するように、ツェナーダイオードＺＤ２１のカソード及び抵抗Ｒ２３の一端を、電源ラインＬｖに代えてグランドラインＧＮＤに接続するようにすればよい。
（変形例２，３）
また、図８，図９に示したノイズ対策回路１０では、正ノイズ対策回路１２、負ノイズ対策回路１４に、それぞれ、伝送線路Ｌ１，Ｌ２の電位が上・下限電位の範囲内から外れたことを検知するためのツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１が設けられるものとして説明したが、このツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１は必ずしも設ける必要はなく、図１０又は図１１に示すように、ツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１を削除してもよい。
【００８６】
なお、図１０は、図８に示したノイズ対策回路１０からツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１を削除した変形例２の差動通信用送信装置を表し、図１１は、図９に示したノイズ対策回路１０からツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１を削除した変形例３の差動通信用送信装置を表しており、ツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１以外の構成は、全て、図８，図９に記載した差動通信用送信装置と同じである。
【００８７】
そして、この変形例２，３の差動通信用送信装置では、第１実施形態の変形例２，３と同様、ＦＥＴＱ１１，Ｑ２１のゲートに、抵抗Ｒ１１とＲ１２又は抵抗Ｒ２１とＲ２２による分圧電圧が常時印加されることになるので、これら各抵抗の分圧比を、伝送線路Ｌ１，Ｌ２の電位が上・下限電位の範囲内から外れたときにＦＥＴＱ１１，Ｑ２１がオン状態となるように設定すればよい。
［第３実施形態］
図１２は、本発明（詳しくは請求項４）が適用された第３実施形態の差動通信用送信装置全体の構成を表す電気回路図である。
【００８８】
本実施形態の送信装置は、第１実施形態の変形例２（図５）に記載のものと略同様に構成されており、図５に示したものと異なる点は、正ノイズ対策回路１２及び負ノイズ対策回路１４において、ＦＥＴＱ１１，Ｑ２１に直列接続された抵抗Ｒ１３，Ｒ２３が削除されている点と、ツェナーダイオードＺＤ１１と抵抗Ｒ１１との直列回路、及び、ツェナーダイオードＺＤ２１と抵抗Ｒ２１との直列回路に、ぞれぞれ、ツェナーダイオードＺＤ１２，ＺＤ２２が並列接続されている点と、の２点である。
【００８９】
ここで、ツェナーダイオードＺＤ１２，ＺＤ２２は、本発明の静電気検出部に相当し、伝送線路Ｌ１（又はＬ２）に印加された静電気を検出するためのものである。
このため、各ツェナーダイオードＺＤ１２，ＺＤ２２は、並列接続されるノイズ検出用のツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１と同方向となるよう、カソードがツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１のカソードに接続され、アノードが抵抗Ｒ１１，Ｒ２１の一端に接続されている。
【００９０】
また、各ツェナーダイオードＺＤ１２，ＺＤ２２は、コモンモードノイズ等の誘導ノイズよりも高電圧の静電気を検出して、ＦＥＴＱ１１，Ｑ２１をオン状態にするため、降伏電圧は、ノイズ検出用のツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１よりも高く設定されている。
【００９１】
このため、本実施形態の差動通信用送信装置によれば、コモンモードノイズにより伝送線路Ｌ１（又はＬ２）の電位が上・下限電位の範囲内から外れたときに、ツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１に降伏電流が流れて、ＦＥＴＱ１１，Ｑ２１を動作させることができるだけでなく、伝送線路Ｌ１（又はＬ２）に正又は負の静電気が発生したときには、ツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１に降伏電流が流れて、ＦＥＴＱ１１，Ｑ２１をオン状態にすることができる。
【００９２】
そして、ツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ２１に降伏電流が流れて、ＦＥＴＱ１１，Ｑ２１のいずれかがオン状態になったときには、他方のＦＥＴＱ２１，Ｑ１１のドレイン−ソース間に形成される寄生ダイオード（図示せず）を介して、伝送線路Ｌ１（又はＬ２）−グランドラインＧＮＤ間に電流が流れ、静電気を速やかに放電させることができる。
【００９３】
以上本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内にて、種々の態様をとることができる。
例えば、上記各実施形態では、ドライバブリッジ回路２に設ける出力素子、ノイズ対策回路１０に設けるインピーダンス制御用のトランジスタには、ＭＯＳＦＥＴを用いるものとして説明したが、これら各部にはバイポーラトランジスタ等、各種トランジスタを使用することが出来る。
【００９４】
また、上記第３実施形態では、第１実施形態の変形例２（図５）と同様、負ノイズ対策回路１４を、正ノイズ対策回路１２のグランドラインＧＮＤ側に直列に接続したものについて説明したが、第３実施形態のように、ノイズ対策回路１０を静電気保護回路として機能させる場合には、第２実施形態の変形例２のように、正ノイズ対策回路１２と、負ノイズ対策回路１４とを、それぞれ、伝送線路Ｌ１，Ｌ２とグランドラインＧＮＤとの間に並列に設けるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９５】
２…ドライバブリッジ回路、Ｓ１〜Ｓ４…出力素子、Ｌｖ…電源ライン、ＧＮＤ…グランドライン、Ｌ１，Ｌ２…伝送線路、３…ノイズ低減手段、４…対地電位検出部、６…インピーダンス制御部、８…静電気検出部、１０…ノイズ対策回路、１２…正ノイズ対策回路、１４…負ノイズ対策回路、Ｄ１〜Ｄ４，Ｄ１２，Ｄ２２…ダイオード、Ｑ１〜Ｑ４，Ｑ１１，Ｑ１２，Ｑ２１，Ｑ２２…ＦＥＴ、ＺＤ１１，ＺＤ２１，ＺＤ１２，ＺＤ２２…ツェナーダイオード、Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３…抵抗。
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図３】
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