(57)【要約】【課題】本発明は反射防止膜を有するイメージセンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】反射防止イメージセンサは、基板と、前記基板内に配置された第１カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第２カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第３カラーセンシングピクセルと、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に直接配置された第１層と、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第１層上に直接配置された第２層と、前記第１カラーセンシングピクセルまたは第２カラーセンシングピクセルの少なくとも一つの上に置かれ、前記第２層の一部上に直接配置された第３層とを含み、前記第１層は第１屈折率を有し、前記第２層は前記第１屈折率より大きい第２屈折率を有し、前記第３層は前記第２屈折率より大きい第３屈折率を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板内に配置された第１カラーを検出可能な複数の第１カラーセンシングピクセルと、
前記基板内に配置された第２カラーを検出可能な複数の第２カラーセンシングピクセルと、
前記基板内に配置された第３カラーを検出可能な複数の第３カラーセンシングピクセルと、
前記複数の第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に直接配置された第１層と、
前記複数の第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第１層上に直接配置された第２層と、
前記複数の第１カラーセンシングピクセルまたは第２カラーセンシングピクセルの少なくとも一つの上に置かれ、前記第２層の一部の上に直接配置された第３層とを含み、
前記第１層は第１屈折率を有し、前記第２層は前記第１屈折率より大きい第２屈折率を有し、前記第３層は前記第２屈折率より大きい第３屈折率を有する反射防止イメージセンサ。
【請求項２】
前記第１カラーはレッドであり、前記第２カラーはグリーンであり、前記第３カラーはブルーである請求項１に記載の反射防止イメージセンサ。
【請求項３】
前記第１カラーはマゼンタであり、前記第２カラーはイエローであり、前記第３カラーはシアンである請求項１に記載の反射防止イメージセンサ。
【請求項４】
前記第１層はＳｉＯ2を含み、前記第２層はＳｉ3Ｎ4を含み、前記第３層はＴｉＯ2または熱処理されたＳｉＯＮを含む請求項１に記載の反射防止イメージセンサ。
【請求項５】
前記第１層は１．４５以上１．５０以下の屈折率を有し、前記第２層は１．９５以上２．０５以下の屈折率を有する請求項１に記載の反射防止イメージセンサ。
【請求項６】
前記第１層は１５ｎｍの厚さを有し、前記第２層は７ｎｍの厚さを有し、前記第３層は１５ｎｍの厚さを有する請求項１に記載の反射防止イメージセンサ。
【請求項７】
前記第１層はゲート誘電体層または絶縁層である請求項１に記載の反射防止イメージセンサ。
【請求項８】
露出された前記第２層および前記第３層上に配置され、前記第２層と同一の物質を含む第４層をさらに含む請求項１に記載の反射防止イメージセンサ。
【請求項９】
センサアレイ領域内で前記第２層および前記第３層上に配置された第１層間誘電体領域、および周辺回路領域内に配置された第２層間誘電体領域をさらに含み、
前記第１層間誘電体領域の最上面の位置は前記第２層間誘電体領域の最上面の位置より低い請求項１に記載の反射防止イメージセンサ。
【請求項１０】
センサアレイ領域内で前記第１層の下部に配置された第１層間誘電体領域、および裏面照射のため、前記第１層の上部に配置された少なくとも一つのマイクロレンズをさらに含む請求項１に記載の反射防止イメージセンサ。
【請求項１１】
前記第３層は前記第１カラーセンシングピクセルまたは前記第２カラーセンシングピクセルのすべての上に配置され、前記第２カラーセンシングピクセルまたは前記第１カラーセンシングピクセルの一部の上に各々配置される請求項１に記載の反射防止イメージセンサ。
【請求項１２】
基板と、
前記基板内に配置された第１カラーを検出可能な第１カラーセンシングピクセルと、
前記第１カラーセンシングピクセル上に直接配置された第１層と、
前記第１カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第１層上に直接配置された第２層、および前記第１カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第２層上に直接配置された第３層とを含み、
前記第１層はシリコン酸化物を含み、前記第２層はシリコン窒化物を含み、前記第３層は熱処理されたシリコン酸窒化物を含む反射防止イメージセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イメージセンサに関するものであって、より具体的には反射防止膜を有するイメージセンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
イメージセンサは、光学映像を電気信号に変換させる。最近、コンピュータ産業と通信産業の発達につれ、デジタルカメラ、カムコーダ、ＰＣＳ（Personal Communication System）、ゲーム機器、警備用カメラ、医療用カメラなど多様な分野において性能が向上したイメージセンサの需要が増加しつつある。
【０００３】
特に、ＭＯＳイメージセンサは、駆動方式が簡単でかつ多様なスキャニング(scanning)方式で映像を電気信号に変換することができる。また、信号処理回路を単一チップに集積することができ、製品の小型化が可能であり、ＭＯＳ工程技術を利用できるため、製造単価を下げることができる。また消費電力も非常に低いため、バッテリー容量の制限がある製品への適用が容易である。したがって、ＭＯＳイメージセンサは技術開発により高解像化が実現可能になるにつれ、その利用も急激に増加しつつある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許公開第平０４−０１３７３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、反射防止膜を有するイメージセンサおよびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の反射防止イメージセンサは、基板と、前記基板内に配置された第１カラーを検知可能な複数の第１カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第２カラーを検知可能な複数の第２カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第３カラーを検知可能な複数の第３カラーセンシングピクセルと、前記複数の第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に直接配置された第１層と、前記複数の第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第１層上に直接配置された第２層と、前記複数の第１カラーセンシングピクセルまたは第２カラーセンシングピクセルの少なくとも一つの上に置かれ、前記第２層の一部の上に直接配置された第３層を含み、前記第１層は第１屈折率を有し、前記第２層は前記第１屈折率より大きい第２屈折率を有し、前記第３層は前記第２屈折率より大きい第３屈折率を有する。
【０００７】
請求項２に記載の発明によると、前記第１カラーはレッドであり、前記第２カラーはグリーンであり、前記第３カラーはブルーである。請求項３に記載の発明によると、第１カラーはマゼンダであり、第２カラーはイエローであり、第３カラーはシアンである。請求項４に記載の発明によると、前記第１層はＳｉＯ2を含み、前記第２層はＳｉ3Ｎ4を含み、前記第３層はＴｉＯ2または熱処理されたＳｉＯＮを含む。請求項５に記載の発明によると、前記第１層は１．４５以上１．５０以下の屈折率を有し、前記第２層は１．９５以上２．０５以下の屈折率を有する。請求項６に記載の発明によると、前記第１層は１５ｎｍの厚さを有し、前記第２層は７ｎｍの厚さを有し、前記第３層は１５ｎｍの厚さを有する。請求項７に記載の発明によると、前記第１層はゲート誘電体層または絶縁層である。
【０００８】
請求項８に記載の発明によると、露出された前記第２層および前記第３層上に配置され、前記第２層と同一の物質を含む第４層をさらに含む。請求項９に記載の発明によると、センサアレイ領域内で前記第２層および第３層上に配置された第１層間誘電体領域、および周辺回路領域内に配置された第２層間誘電体領域をさらに含み、前記第１層間誘電体領域の最上面の位置は前記第２層間誘電体領域の最上面の位置より低い。請求項１０に記載の発明によると、センサアレイ領域内で前記第１層の下部に配置された第１層間誘電体領域、および裏面照射（ｂａｃｋｓｉｄｅ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）のため、前記第１層の上部に配置された少なくとも一つのマイクロレンズをさらに含む。
【０００９】
請求項１１に記載の発明によると、前記第３層は前記第１カラーセンシングピクセルまたは第２カラーセンシングピクセルすべての上に配置され、前記第２カラーセンシングピクセルまたは第１カラーセンシングピクセルの一部の上に各々配置される。
【００１０】
請求項１２に記載の反射防止イメージセンサは、基板と、前記基板内に配置された第１カラーを検出可能な第１カラーセンシングピクセルと、前記第１カラーセンシングピクセル上に直接配置された第１層と、前記第１カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第１層上に直接配置された第２層、および前記第１カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第２層上に直接配置された第３層を含み、前記第１層はシリコン酸化物を含み、前記第２層はシリコン窒化物を含み、前記第３層は熱処理されたシリコン酸窒化物を含む。
【００１１】
＜解決手段１＞
請求項１２に対応する解決手段１としては、前記第１カラーはレッドである。
＜解決手段２＞
請求項１２に対応する解決手段２としては、前記第１層はＳｉＯ2であり、前記第２層はＳｉＮであり、前記第３層は熱処理されたＳｉＯＮである。
【００１２】
＜解決手段３＞
請求項１２に対応する解決手段３としては、前記基板内に配置された第２カラーを検出可能な第２カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第３カラーを検出可能な第３カラーセンシングピクセルと、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に直接配置された第１層と、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第１層上に直接配置された第２層、および前記第１カラーセンシングピクセルまたは第２カラーセンシングピクセルのうち少なくとも一つのカラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第２層の一部上に直接配置された第３層をさらに含み、前記第１層は第１屈折率を有し、前記第２層は前記第１屈折率より大きい第２屈折率を有し、前記第３層は前記第２屈折率より大きい第３屈折率を有する。
【００１３】
＜解決手段４＞
請求項１２に対応する解決手段４としては、前記第１カラーはレッドであり、前記第２カラーはグリーンであり、前記第３カラーはブルーである。
＜解決手段５＞
請求項１２に対応する解決手段５としては、前記第１カラーはマゼンタ（ｍａｇｅｎｔａ）であり、前記第２カラーはイエローであり、前記第３カラーはシアン（ｃｙａｎ）である。
＜解決手段６＞
請求項１２に対応する解決手段６としては、前記第１層はＳｉＯ2を含み、前記第２層はＳｉ3Ｎ4を含み、前記第３層は熱処理されたＳｉＯＮを含む。
＜解決手段７＞
反射防止イメージセンサのまた他の実施形態は、前記第１層は１．４５以上１．５０以下の屈折率を有し、前記第２層は１．９５以上２．０５以下の屈折率を有する。
＜解決手段８＞
請求項１２に対応する解決手段８としては、前記第１層は１５ｎｍの厚さを有し、前記第２層は７ｎｍの厚さを有し、前記第３層は１５ｎｍの厚さを有する。
＜解決手段９＞
請求項１２に対応する解決手段９としては、前記第１層はゲート誘電体層または絶縁層である。
【００１４】
＜解決手段１０＞
請求項１２に対応する解決手段１０としては、露出された前記第２層および第３層上に配置され、前記第２層と同一の物質を含む第４層をさらに含む。
＜解決手段１１＞
請求項１２に対応する解決手段１１としては、センサアレイ領域内で前記第２層および第３層上に配置された第１層間誘電体領域、および周辺回路領域内に配置された第２層間誘電体領域をさらに含み、前記第１層間誘電体領域の最上面の位置は前記第２層間誘電体領域の最上面の位置より低い。
【００１５】
＜解決手段１２＞
請求項１２に対応する解決手段１２としては、センサアレイ領域内で前記第１層の下部に配置された第１層間誘電体領域、および裏面照射のため、前記第１層の上部に配置された少なくとも一つのマイクロレンズをさらに含む。
＜解決手段１３＞
請求項１２に対応する解決手段１３としては、前記第３層が前記第１カラーピクセルまたは第２カラーピクセルすべての上に配置され、前記第２カラーピクセルまたは第１カラーピクセルの一部の上に各々配置される。
【００１６】
反射防止イメージセンサの製造方法は、基板内に複数の第１、第２および第３カラーセンシングピクセルを各々形成し、前記複数の第１、第２、および第３カラーセンシングピクセルの直接上部に配置された第１層を形成して、前記複数の第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第１層直接上部に配置された第２層を形成し、前記複数の第１カラーセンシングピクセルまたは第２カラーセンシングピクセルの少なくとも一つの上に置かれ、前記第２層の一部の直接上部に配置された第３層を形成することを含み、前記第１層は第１屈折率を有し、前記第２層は前記第１屈折率より大きい第２屈折率を有し、前記第３層は前記第２屈折率より大きい第３屈折率を有する。
【００１７】
反射防止イメージセンサの製造方法は、前記第１カラーはレッドであり、前記第２カラーはグリーンであり、前記第３カラーはブルーである。反射防止イメージセンサの製造方法は、前記第１カラーはマゼンタであり、前記第２カラーはイエローであり、前記第３カラーはシアンである。
【００１８】
反射防止イメージセンサの製造方法は、前記第１層はＳｉＯ2を含み、前記第２層はＳｉ3Ｎ4を含み、前記第３層はＴｉＯ2または熱処理されたＳｉＯＮを含む。反射防止イメージセンサの製造方法は、前記第１層は１．４５以上１．５０以下の屈折率を有し、前記第２層は１．９５以上２．０５以下の屈折率を有する。反射防止イメージセンサの製造方法は、前記第１層は１５ｎｍの厚さを有し、前記第２層は７ｎｍの厚さを有し、前記第３層は１５ｎｍの厚さを有する。反射防止イメージセンサの製造方法は、前記第１層はゲート誘電体層または絶縁層である。
【００１９】
反射防止イメージセンサの製造方法は、前記露出された第２層および第３層上に前記第２層と同一の物質を含む第４層を形成することをさらに含む。反射防止イメージセンサの製造方法は、センサアレイ領域内に前記第２層および第３層上に第１層間誘電体領域を形成し、周辺回路領域内に第２層間誘電体領域を形成することをさらに含み、前記第１層間誘電体領域の上部面の位置は前記第２層間誘電体領域の上部面の位置より低い。
【００２０】
反射防止イメージセンサの製造方法は、センサアレイ領域内に前記第１層の下部に第１層間誘電体領域を形成し、裏面照射のため、前記第２層および第３層の上部に少なくとも一つのマイクロレンズを形成することをさらに含む。反射防止イメージセンサの製造方法は、前記第３層が前記第１カラーセンシングピクセルまたは第２カラーセンシングピクセルのすべての上に配置され、前記第２カラーセンシングピクセルまたは第１カラーセンシングピクセルの一部の上に各々配置される。反射防止イメージセンサの製造方法のまた他の実施形態は、前記第１層はシリコン酸化物を含み、前記第２層はシリコン窒化物を含み、前記第３層は熱処理されたシリコン酸窒化物を含む。
【００２１】
本発明のその他具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態によるＣＭＯＳイメージセンサのブロック図である。
【図２】図１に示すセンサアレイの等価回路の模式図である。
【図３】本発明の第１実施形態によるイメージセンサ素子の断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態によるイメージセンサ素子の断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態によるイメージセンサ素子の断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態によるイメージセンサ素子の断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態によるイメージセンサ素子の断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態によるイメージセンサ素子の製造における中間ステップでの断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態によるイメージセンサ素子の製造における中間ステップでの断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態によるイメージセンサ素子の製造における中間ステップでの断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態によるイメージセンサ素子の製造における中間ステップでの断面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態によるイメージセンサ素子の製造における中間ステップでの断面図である。
【図１３】本発明の第４実施形態によるイメージセンサ素子の製造における中間ステップでの断面図である。
【図１４】本発明の第４実施形態によるイメージセンサ素子の製造における中間ステップでの断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態によるイメージセンシングシステムのブロック図である。
【図１６】本発明の他の実施形態によるイメージセンシング装置の断面図である。
【図１７】本発明の他の実施形態によるイメージセンシング装置の断面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態によるイメージセンシングシステムを含む携帯電話の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
改善された光感度のため、反射防止層構造を使用するイメージセンサおよびその製造方法について望ましい実施形態を説明する。
【００２４】
（第１実施形態）
図１に示すように、本発明の第１実施形態によるＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサは、センサアレイ１０、タイミング発生器（ｔｉｍｉｎｇ  ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）２０、タイミング発生器２０と信号通信（ｓｉｇｎａｌ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）する行デコーダ（ｒｏｗ  ｄｅｃｏｄｅｒ）３０、行デコーダ３０とセンサアレイ１０との間で信号通信する行ドライバ（ｒｏｗ  ｄｒｉｖｅｒ）４０、センサアレイ１０と信号通信する相関二重サンプラ（Ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｓａｍｐｌｅｒ、ＣＤＳ）５０、相関二重サンプラ５０と信号通信するアナログデジタルコンバータ（Ａｎａｌｏｇｔｏ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ、ＡＤＣ）６０、アナログデジタルコンバータ６０と信号通信するラッチ部（ｌａｔｃｈ）７０、およびタイミング発生器２０とラッチ部７０との間で信号通信する列デコーダ（ｃｏｌｕｍｎｄ  ｅｃｏｄｅｒ）８０を含む。
【００２５】
図１に示すセンサアレイ１０の等価回路図を図２に示す。各ピクセル（Ｐ）は光電変換素子１１、フローティング拡散領域１３、光電変換素子１１とフローティング拡散領域１３との間で信号通信する電荷伝送素子１５、フローティング拡散領域１３と信号通信するドライブ素子１７、フローティング拡散領域１３と信号通信するリセット素子１８、およびドライブ素子１７およびリセット素子１８と信号通信する選択素子１９を含む。光電変換素子１１は、フォトダイオード、フォトトランジスタ、フォトゲート、またはＰＩＮ（ｐｉｎｎｅｄ）フォトダイオードを含む。
【００２６】
光電変換素子１１は、入射光を吸収し、光量に対応する電荷を蓄積する。フローティング拡散領域（Ｆｌｏａｔｉｎｇ  Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ  Ｒｅｇｉｏｎ）（ＦＤ）１３は、フォトダイオードから伝送された電荷を電圧に転換する。
【００２７】
図１および図２に示す各々のＣＭＯＳイメージセンサおよびセンサアレイ１０は、２次元配列された多数の単位ピクセルおよび光学映像を電気的な出力信号に変換する光電変換素子１１を含む。センサアレイ１０は、行ドライバ４０から行選択信号、リセット信号、電荷伝送信号など多数の駆動信号を受信して駆動される。また、変換された電気的な出力信号は相関二重サンプラ５０に提供される。
【００２８】
タイミング発生器２０は、行デコーダ３０および列デコーダ８０にタイミング（ｔｉｍｉｎｇ）信号および制御信号を提供する。行ドライバ４０は行デコーダ３０でデコーディングされた結果に応じて多数の単位ピクセルを駆動するための多数の駆動信号をセンサアレイ１０に提供する。
【００２９】
相関二重サンプラ５０はセンサアレイ１０から受信された電気的出力信号を維持（ｈｏｌｄ）およびサンプリングする。アナログデジタルコンバータ６０は、相関二重サンプラ５０からのアナログ信号をデジタル信号に変換する。ラッチ部７０は、デジタル信号をラッチ（ｌａｔｃｈ）し、ラッチされた信号は列デコーダ８０からデコーディング結果に応じて順次図示しない映像信号処理部に出力される。
【００３０】
ドライブ素子１７は、フローティング拡散領域１３の電気的ポテンシャルの変化を増幅してこれを出力ライン（Ｖｏｕｔ）に出力する。リセット素子１８は、リセットライン（ＲＸＩ）から提供されるリセット信号のようなバイアス電圧によってフローティング拡散領域１３を周期的にリセットする。
【００３１】
選択素子１９は、行単位からピクセル（Ｐ）を選択する役割をする。選択素子１９は行選択ライン（ＳＥＬ（ｉ））により提供されるバイアス電圧、すなわち、行選択信号によりターンオンされると、選択素子１９のドレーン領域の電気的ポテンシャル、例えば電源電圧（Ｖ）がドライブ素子１７のドレーン領域に伝達される。
【００３２】
伝送ライン（ＴＸ（ｉ））、リセットライン（ＲＸ（ｉ））、および行選択ライン（ＳＥＬ（ｉ））は行方向に実質的に互いに平行するように延長され配列される。伝送ライン（ＴＸ（ｉ））は、電荷伝送素子１５にバイアスを印加し、リセットライン（ＲＸ（ｉ））は、リセット素子１８にバイアスを印加し、行選択ライン（ＳＥＬ（ｉ））は選択素子１９にバイアスを印加する。
【００３３】
図３に、本発明の第１実施形態によるイメージセンサ素子を示す。図２に示すセンサアレイ１０は、センサアレイ領域（Ｉ）内に形成される。図１に示すタイミング発生器２０、行デコーダ３０、行ドライバ４０、相関二重サンプラ５０、アナログデジタルコンバータ６０、ラッチ部７０、列デコーダ８０などは周辺回路領域（ＩＩ）内に形成される。
【００３４】
センサアレイ領域（Ｉ）にはカラーセンシングピクセル１３０、フローティング拡散領域１３（Ｆｌｏａｔｉｎｇ  Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ  Ｒｅｇｉｏｎ）および電荷伝送素子１５、選択素子１９、ドライブ素子１７、リセット素子１８などのような複数のＭＯＳ素子が形成される。
【００３５】
第１カラーセンシングピクセルであるレッドフォトダイオード１３０Ｒが、レッドカラーフィルタ１７０Ｒに対応する第１単位ピクセル１１０Ｒ内に形成される。第２カラーセンシングピクセルであるグリーンフォトダイオード１３０Ｇが、グリーンカラーフィルタ１７０Ｇに対応する第２単位ピクセル１１０Ｇ内に形成される。第３カラーセンシングピクセルであるブルーフォトダイオード１３０Ｂがブルーカラーフィルタ１７０Ｂに対応する第３単位ピクセル１１０Ｂ内に形成される。
【００３６】
カラーセンシングピクセル１３０は、レッドフォトダイオード１３０Ｒ、グリーンフォトダイオード１３０Ｇ、およびブルーフォトダイオード１３０Ｂを含む。レッドフォトダイオード１３０Ｒは、レッドカラーフィルタ１７０Ｒを通過したレッド光を受光するように配置され、グリーンフォトダイオード１３０Ｇは、グリーンカラーフィルタ１７０Ｇを通過したグリーン光を受光するように配置され、ブルーフォトダイオード１３０Ｂはブルーカラーフィルタ１７０Ｂを通過したブルー光を受光するように配置される。
【００３７】
センサアレイ領域（Ｉ）内に反射防止層構造体１４４、１４５が基板１１０上に形成されている。反射防止層構造体１４４、１４５はフォトダイオード１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂに入射する光の反射を防止し、波長に応じて光の透過度を増加させる役割をすることができる。
【００３８】
反射防止層構造体１４４、１４５は、フォトダイオード１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上に順次積層された第１絶縁層１４１および第２絶縁層１４２を有する第１反射防止層構造体１４４を含む。反射防止層構造体１４４、１４５は、一部のフォトダイオード１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上に積層された第１絶縁層１４１、第２絶縁層１４２、および第３絶縁層１４３を含む第２反射防止層構造体１４５を含む。例えば、第２反射防止層構造体１４５は、レッドフォトダイオード１３０Ｒおよびグリーンフォトダイオード１３０Ｇ上に積層され得る。ここで、第１絶縁層１４１、第２絶縁層１４２、および第３絶縁層１４３の順に屈折率が増加する。
【００３９】
第１絶縁層１４１は各単位ピクセル１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂを覆い、基板１１０の直上に形成され、約１．４５以上１．５０以下の屈折率を有するシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を含む。第１絶縁層１４１はゲート誘電体層であるかまたは追加的な工程によって形成される絶縁層である。
【００４０】
第２絶縁層１４２は、第１絶縁層１４１を覆い、各単位ピクセル１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ上に形成され、約１．９５以上２．０５以下の屈折率を有するシリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）を含む。第３絶縁層１４３は、ブルーフォトダイオード１３０Ｂを除いたフォトダイオード１３０Ｒ、１０３Ｇを覆い、第２絶縁層１４２上に形成される。第３絶縁層１４３はシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）または酸化チタン膜（ＴｉＯ2）を含み、第２絶縁層１４２より大きい屈折率を有する。酸化チタン膜は、シリコン窒化膜より大きい屈折率を有する。一般的にシリコン酸窒化膜の屈折率はシリコン窒化膜より小さいが、熱処理をしたシリコン酸窒化膜の屈折率はシリコン窒化膜の屈折率より大きい値に変わる。
【００４１】
例えば、第１反射防止層構造体１４４は、１５ｎｍの厚さを有するシリコン酸化膜の第１絶縁層１４１および７ｎｍの厚さを有するシリコン窒化膜の第２絶縁層１４２を含む。このような第１反射防止層構造体１４４は、スネルの法則（Ｓｎｅｌｌ’ｓｌａｗ）により短波長の光または約４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のブルー光をよく透過する。
【００４２】
第２反射防止層構造体１４５は、１５ｎｍの厚さを有するシリコン酸化膜の第１絶縁層１４１、７ｎｍの厚さを有するシリコン窒化膜の第２絶縁層１４２、および１５ｎｍの厚さを有する熱処理されたシリコン酸窒化膜の第３絶縁層１４３を含む。このような第２反射防止層構造体１４５は、スネルの法則によって長波長の光または約５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下のレッド／グリーン光をよく透過する。
【００４３】
第３絶縁層１４３は、レッドフォトダイオード１３０Ｒおよび、またはグリーンフォトダイオード１３０Ｇ上にのみ選択的に形成される。また、例えば、第３絶縁層１４３を、すべてのレッドフォトダイオード１３０Ｒおよび一部のグリーンフォトダイオード１３０Ｇ上にのみ形成することもできる。
【００４４】
層間誘電体層構造体１５０は、反射防止層構造体１４４、１４５上に形成される。層間誘電体層構造体１５０は、第１層間誘電体層１５０ａ、第１配線層Ｍ１、第２層間誘電体層１５０ｂ、第２配線層Ｍ２、第３層間誘電体層１５０ｃ、第３配線層Ｍ３、および第４層間誘電体層１５０ｄを含む。
【００４５】
ＣＭＯＳイメージセンサ（ＣＩＳ）の光感度を増加させるため光透過部１６０Ｒ、１６０Ｇ、１６０Ｂは、各フォトダイオード１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂに対応して形成される。光透過部１６０Ｒ、１６０Ｇ、１６０Ｂは、層間誘電体層構造体１５０内に配線層Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３の間にキャビテ（ｃａｖｉｔｙ）を形成し、キャビテ内に有機高分子化合物のような光透過物質を充填して形成される。例えば、Ｃｙｔｏｐ（登録商標）、ＰＭＭＡ高分子、ポリシロキサン樹脂（ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ  ｒｅｓｉｎ）、またはポリシロキサン樹脂とチタニウム酸化物でキャビテを充填することができる。
【００４６】
キャビテを形成するため、第１層間誘電体層１５０ａの一部または全部を除去してもよく、または除去しなくてもよい。望ましくは反射防止層構造体１４４、１４５と光透過部１６０Ｒ、１６０Ｇ、１６０Ｂの底部領域の間の距離は約０．０８μｍ以上０．１１μｍ以下である。
【００４７】
層間誘電体層構造体１５０上に下部平坦化層１６５、カラーフィルタ１７０Ｒ、１７０Ｇ、１７０Ｂ、上部平坦化層１８０、レンズ１９０、および保護層１９５が順次形成される。周辺回路領域（ＩＩ）に第４層間誘電体層１５０ｄと下部平坦化層１６５との間にシリコン窒化膜を含む図示されないパッシベーション層が形成され、パッシベーション層はセンサアレイ領域（Ｉ）内で第４層間誘電体層１５０ｄと下部平坦化層１６５との間に拡張することができる。
【００４８】
周辺回路領域（ＩＩ）に上部平坦化層１８０、下部平坦化層１６５、パッシベーション層、および第４層間誘電体層１５０ｄを貫いて第３配線層Ｍ３と接続される図示しないパッドパターンを形成することができる。
【００４９】
（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態によるイメージセンサ素子を示す。図４に示すイメージセンサ素子は図３に示すイメージセンサ素子と類似するため、重なる説明は省略する。
【００５０】
図３に示す第１実施形態と比較すると、第４絶縁層１４８は、第２および第３絶縁層１４２、１４３上に形成されるという点において異なる。第４絶縁層１４８はシリコン窒化膜のように第２絶縁層１４２と同一の物質を含む。
【００５１】
反射防止層構造体１４６、１４７は、第３反射防止層構造体１４６および第４反射防止層構造体１４７を含む。第３反射防止層構造体１４６は、第１絶縁層１４１、第２絶縁層１４２、および第４絶縁層１４８を含む。第４反射防止層構造体１４７は、第１絶縁層１４１、第２絶縁層１４２、第３絶縁層１４３、および第４絶縁層１４８を含む。第４絶縁層１４８は第３絶縁層１４３を保護する。
【００５２】
例えば、第３反射防止層構造体１４６は、１５ｎｍの厚さを有するシリコン酸化膜の第１絶縁層１４１、３．５ｎｍの厚さを有するシリコン窒化膜の第２絶縁層１４２、および３．５ｎｍの厚さを有するシリコン窒化膜の第４絶縁層１４８を含む。第３反射防止層構造体１４６は、スネルの法則によって約４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の短波長のブルー光を上手く透過する。第４反射防止層構造体１４７は１５ｎｍの厚さを有するシリコン酸化膜の第１絶縁層１４１、３．５ｎｍの厚さを有するシリコン窒化膜の第２絶縁層１４２、１５ｎｍの厚さを有する熱処理されたシリコン酸窒化膜の第３絶縁層１４３、および３．５ｎｍの厚さを有するシリコン窒化膜の第４絶縁層１４８を含む。第４反射防止層構造体１４７は、スネルの法則によって約５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の長波長のレッド／グリーン光を上手く透過する。
【００５３】
（第３実施形態）
図５は、本発明の第３実施形態によるイメージセンサ素子を示す。図５に示すイメージセンサ素子は図３に示すイメージセンサ素子と類似するため、重なる説明は省略する。
【００５４】
第３実施形態は、センサアレイ領域（Ｉ）内にアクティブピクセルセンサＡＰＳを含む。図３に示す第１実施形態と比較すると、センサアレイ領域（Ｉ）内の第１層間誘電体層構造体１５１の最上面の高さは、周辺回路領域（ＩＩ）内の上に第２層間誘電体層構造体１５２の最上面の高さより低い。このような低い最上面は増加した光感度をさらに提供する。図４に示す第２実施形態の第４絶縁層１４８が本実施形態にも同様に適用される。
【００５５】
周辺回路領域（ＩＩ）の第５層間誘電体層１５０ｅと下部平坦化層１６５との間にシリコン窒化膜を含む図示しないパッシベーション層が形成される。パッシベーション層は、センサアレイ領域（Ｉ）内で第３層間誘電体層１５０ｃと下部平坦化層１６５との間に連続的に拡張することができる。
【００５６】
周辺回路領域（ＩＩ）の第５層間絶縁膜１５０ｅと下部平坦化膜１６５との間にシリコン窒化膜を含む図示しないパッシベーション膜が追加される。パッシベーション膜は、センサアレイ領域（Ｉ）の第３層間絶縁膜１５０ｃと下部平坦化膜１６５との間に拡張することができる。パッシベーション膜がセンサアレイ領域（Ｉ）と周辺回路領域（ＩＩ）のすべてに形成される場合には、センサアレイ領域（Ｉ）と周辺回路領域（ＩＩ）とが異なる高さを有しているので、パッシベーション膜は異なる高さに形成される。周辺回路領域（ＩＩ）で上部平坦化膜１８０、下部平坦化膜１６５、および第５層間絶縁膜１５０ｅを貫いて第４配線層Ｍ４と接続される図示しないパッドパターンを形成することができる。
【００５７】
（第４実施形態）
図６は、本発明の第４実施形態によるイメージセンサ素子を示す。図６に示すイメージセンサ素子は図３に示すイメージセンサ素子と類似するため、重なる説明は省略する。
【００５８】
図３に示す第１実施形態と比較すると、本実施形態は光が基板の裏面（ｂａｃｋｓｉｄｅ）に入射する構造である。本実施形態はＢＩ（Ｂａｃｋｓｉｄｅ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｅｄ）ＣＩＳである。
【００５９】
基板１１０内にフォトダイオード１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂが形成される。層間誘電体層構造体１５０が基板１１０の一方の面または前面（ｆｒｏｎｔ  ｓｉｄｅ、ＦＳ）上に形成され、層間誘電体層構造体１５０は、複数の層間誘電体層１５０ａ、１５０ｂ、１５０ｃ、１５０ｄおよび配線層Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３を含む。反射防止層構造体１４４、１４５は、基板１１０の他面または裏面（ｂａｃｋ  ｓｉｄｅ、ＢＳ）上に形成される。図４に示す第２実施形態の第４絶縁層１４８は、本実施形態にも同様に適用される。下部平坦化層１６５、カラーフィルタ１７０Ｒ、１７０Ｇ、１７０Ｂ、上部平坦化層１８０、レンズ１９０、および保護層１９５が反射防止層構造体１４４、１４５上に順次形成される。
【００６０】
図７は、イメージセンサ素子の変形例を示す。図７に示すイメージセンサ素子は図３から図５に示すイメージセンサ素子と類似するため、重なる説明は省略する。
【００６１】
本変形例は他の実施形態に適用される特徴を選択的に含む。ライナー１６３が、トレンチ１６１と光透過部１６０Ｒ、１６０Ｇ、１６０Ｂとの間にさらに形成される。ライナー１６３は、トレンチ１６１の底面および側面に沿って第４層間誘電体層１５０ｄの表面まで延長することができ、周辺回路領域（ＩＩ）に向かいさらに延長することができる。図５に示す第３実施形態のように段差（ｓｔｅｐ）を有する構造の場合、ライナー１６３は、センサアレイ領域（Ｉ）と周辺回路領域（ＩＩ）との間の界面に隣接した段差を有する。例えば、ライナー１６３はＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2またはこれらの組み合わせを含む。またライナー１６３は、光感度をさらに増加させるため傾斜したまたは傾いた光がフォトセンサに向かうようにする光ガイドの役割をすることができる。
【００６２】
図８は、図３に示す第１実施形態によるイメージセンサ素子の製造における中間ステップでの断面を示す。したがって、図８に示すイメージセンサ素子は図３に示すイメージセンサ素子と類似するため、重なる説明は省略する。
【００６３】
基板１１０のセンサアレイ領域（Ｉ）内で単位画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂは素子分離領域１２０によって定義される。フォトダイオード１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂがセンサアレイ領域（Ｉ）に形成され、電荷伝送トランジスタのような複数のＭＯＳトランジスタがセンサアレイ領域（Ｉ）および周辺回路領域（ＩＩ）に形成される。
【００６４】
第１から第３絶縁層１４１、１４２、１４３が、基板１１０上に順次形成される。ブルーフォトダイオード１３０Ｂ上の第３絶縁層１４３部分を露出させるマスクパターン２０１が第３絶縁層１４３上に形成される。
【００６５】
図９は、図３に示す第１実施形態によるイメージセンサ素子の製造において図８の次のステップでの断面を示す。したがって、図９に示すイメージセンサ素子は、図３および図８に示すイメージセンサ素子と類似するため、重なる説明は省略する。
【００６６】
第３絶縁層１４３が、マスクパターン２０１を利用して第２絶縁層１４２の上面が露出する時までエッチングされる。第３絶縁層１４３は、湿式エッチングまたは乾式エッチングによってエッチングされる。第３絶縁層１４３としてシリコン酸窒化膜を利用する場合、シリコン酸窒化膜の屈折率を増加させるため、熱処理が使用される。熱処理は、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）またはａｎｎｅａｌ工程を利用し、約５００℃以上１１００℃以下の温度で行われる。
【００６７】
熱処理は前記シリコン酸窒化膜をパターニングした後に適用される。または熱処理は、例えばシリコン酸窒化膜を選択的に除去する前に適用される。第３絶縁層１４３としてチタニウム酸化膜を利用する場合、前記熱処理は省略される。反射防止層構造体１４４、１４５上に層間誘電体層構造体１５０、下部平坦化層１６５、カラーフィルタ１７０Ｒ、１７０Ｇ、１７０Ｂ、上部平坦化層１８０、レンズ１９０、および保護層１９５が順次形成される。
【００６８】
図１０は、図４に示す第２実施形態によるイメージセンサ素子の製造における中間ステップでの断面を示す。したがって、図１０に示すイメージセンサ素子は、図４に示すイメージセンサ素子と類似する。また図１０に示すイメージセンサ素子は図８に示すイメージセンサ素子と類似するため、重なる説明は省略する。
【００６９】
図８の熱処理後である図９と図１０とを比較すると、第４絶縁層１４８が第２絶縁層１４２および第３絶縁層１４３上に形成される。第４絶縁層１４８は第２絶縁層１４２と同一の物質であるが、他の実施形態では異なる。例えば、第４絶縁層１４８は化合物の密度の比率が異なるようにするため、シリコン窒化膜をＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、拡散、またはＰＥ（ＰｌａｓｍａＥｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ）ＣＶＤを利用して形成される。
【００７０】
熱処理は第４絶縁層１４８を形成した後に適用される。反射防止層構造体１４６、１４７上に層間誘電体層構造体１５０、下部平坦化層１６５、カラーフィルタ１７０Ｒ、１７０Ｇ、１７０Ｂ、上部平坦化層１８０、レンズ１９０、および保護層１９５が順次形成される。
【００７１】
図１１は、図５に示す第３実施形態によるイメージセンサ素子の製造における中間ステップでの断面を示す。したがって、図１１に示すイメージセンサ素子は図５に示すイメージセンサ素子と類似するため、重なる説明は省略する。
【００７２】
センサアレイ領域（Ｉ）および周辺回路領域（ＩＩ）全体に第５層間誘電体層１５０ｅを形成した後、図示しないパッシベーション層が形成される。センサアレイ領域（Ｉ）のパッシベーション層および第４および第５層間誘電体層１５０ｄ、１５０ｅが選択的に除去される。これで周辺回路領域（ＩＩ）のパッシベーション層および第４および第５層間誘電体層１５０ｄ、１５０ｅが残る。
【００７３】
再び図５を参照すると、センサアレイ領域（Ｉ）内に光透過部１６０Ｒ、１６０Ｇ、１６０Ｂを形成した後、センサアレイ領域（Ｉ）および周辺回路領域（ＩＩ）を含む基板１１０の全体に下部平坦化層１６５が形成される。残りの過程は図８および図１０に示すものと同様である。
【００７４】
下部平坦化層１６５を形成する前に、センサアレイ領域（Ｉ）および周辺回路領域（ＩＩ）にかけて追加のパッシベーション層が形成される。または第５層間誘電体層１５０ｅを形成した後、パッシベーション層を形成せず光透過部１６０Ｒ、１６０Ｇ、１６０Ｂを形成した後、下部平坦化層１６５を形成する前にセンサアレイ領域（Ｉ）および周辺回路領域（ＩＩ）全体にパッシベーション層を形成することもできる。
【００７５】
図１２は、図６に示す第４実施形態によるイメージセンサ素子の製造における中間ステップでの断面を示す。したがって、図１２に示すイメージセンサ素子は、図６に示すイメージセンサ素子と類似するため、重なる説明は省略する。
【００７６】
単位ピクセル１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂは素子分離領域１２０によって区切られる。
フォトダイオード１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂがそれぞれの単位ピクセル１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂに形成される。層間誘電体層構造体１５０が基板１１０の一方の面または前面（ＦＳ）上に形成される。基板１１０を支持するため、支持基板３０１が基板１１０の層間誘電体層構造体１５０上に形成される。
【００７７】
図１３は、図６に示す第４実施形態によるイメージセンサ素子の製造において図１２の次のステップでの断面を示す。したがって、図１３に示すイメージセンサ素子は図６および図１２に示すイメージセンサ素子と類似するため、重なる説明は省略する。
【００７８】
基板１１０の上下部を反転させて基板１１０の他方の面あるいは裏面（ＢＳ）を上部に位置させる。光感度を増加させるため反応性イオンエッチング、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、ＢＧＲ（Ｂａｃｋ  Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）などを利用して基板１１０の他方の面あるいは裏面（ＢＳ）が部分的に除去される。
【００７９】
反射防止層構造体１４４、１４５のための第１、第２および第３絶縁層１４１、１４２、１４３が基板１１０の他方の面または裏面（ＢＳ）上に形成される。エッチングマスクパターン２０１が、ブルー単位ピクセル１１０Ｂ上の第３絶縁層１４３を露出させる。
【００８０】
図１４は、図６に示す第４実施形態によるイメージセンサ素子の製造において図１２および図１３の次のステップでの断面を示す。したがって、図１４に示すイメージセンサ素子は、図６、図１２および図１３に示すイメージセンサ素子と類似するため、重なる説明は省略する。
【００８１】
エッチングマスクパターン２０１をエッチングマスクとして使用し、第２絶縁層１４２の上面が露出する時まで第３絶縁層１４３がパターンされる。第３絶縁層１４３がシリコン酸窒化膜で形成された場合には熱処理工程が適用される。熱処理工程はシリコン酸窒化膜を選択的に除去する前に行われる。また図４に示す第４絶縁層１４８を追加してもよい。
【００８２】
再び図６を参照すると、反射防止層構造体１４４、１４５を含む基板１１０の他面または裏面（ＢＳ）上に反射防止層構造体１４６、１４７上に下部平坦化層１６５、カラーフィルタ１７０Ｒ、１７０Ｇ、１７０Ｂ、上部平坦化層１８０、レンズ１９０、および保護層１９５が順次形成される。
【００８３】
図１５は、本発明の一実施形態によるイメージセンシングシステムを示す。システム２００はコミュニケーションバス（ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｂｕｓ）２０５、コミュニケーションバス２０５と信号通信するイメージセンサ２１０、コミュニケーションバス２０５と信号通信するプロセッサまたはＣＰＵ２２０、コミュニケーションバス２０５と信号通信する入出力（Ｉ／Ｏ）素子２３０、コミュニケーションバス２０５と信号通信するＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）２４０、およびコミュニケーションバス２０５と信号通信するポート２６０を含む。
【００８４】
ポート２６０は、ビデオカード、サウンドカード、メモリカード、および／またはＵＳＢ素子などとカップリングされ、またデータ伝送によって他の装置と通信することができる。イメージセンサ２１０は、ＣＰＵ、デジタル信号処理装置（ＤＳＰ）、マイクロプロセッサおよび、またはメモリなどと共に集積される。
【００８５】
図１６は、本発明の一実施形態によるイメージセンシングまたはカメラ装置を示す。カメラ装置４００はボンディングワイヤーを通して回路基板４１１上に形成されたイメージセンサ４１３を含むＣＩＳパッケージ４１０を備える。回路基板４１１上にはハウジング４２０が設置され、ハウジング４２０は回路基板４１１およびイメージセンサ４１３を外部環境から保護する。ハウジング４２０は、イメージが通過するシリンダー部４２１、保護カバー４２２、赤外線遮断および反射防止フィルタ４２３、およびレンズ４２４を含む。
【００８６】
図１７は、本発明の他の実施形態によるイメージセンシングまたはカメラ装置を示す。カメラ装置５００は、イメージセンサパッケージ５０１、第１レンズ５２０、支持部（ｓｕｐｐｏｒｔ  ｍｅｍｂｅｒ）５０５、５２５、レンズコンポーネント（ｌｅｎｓ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）５２６、５２７、透明基板５１０、５３０、第２レンズ５４０、アパーチャ（ａｐｅｒｔｕｒｅ）５４５、グラス５５０、ＰＣＢ基板５６０、イメージセンサチップ５７０および貫通ビア電極５７２を含む。図１６に示すカメラ装置４００と比較すると、カメラ装置５００は、貫通ビア電極５７２を介してイメージセンサチップ５７０と接続されるＰＣＢ基板５６０を有するＣＩＳパッケージ５０１を含む。
【００８７】
図１８は、本発明による一実施形態である携帯電話を示す。携帯電話４５０は、本発明の一実施形態による反射防止層構造体を有するイメージセンシングシステム４５２を含む。したがって、携帯電話４５０は改善された光感度を示す。
【００８８】
以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更しない範囲で他の具体的な形態で実施されることを理解することができる。例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、および、またはシリコン酸窒化膜はレッド領域上にのみに形成され、またはグリーン領域上にのみに形成される。またＲＧＢカラーモデルは派生したＨＳＶモデルに代替される。例えば、レッド、グリーン、およびブルーカラーセンシングピクセルの代わりにマゼンタ、イエロー、およびシアンカラーセンシングピクセルを使用することもできる。
【符号の説明】
【００８９】
１０                      ・・・センサアレイ、
１１                      ・・・光電変換素子、
１３０                    ・・・カラーセンシングピクセル、
１３０Ｒ                  ・・・レッドフォトダイオード（第１カラーセンシングピクセル）
１３０Ｇ                  ・・・グリーンフォトダイオード（第２カラーセンシングピクセル）
１３０Ｂ                  ・・・ブルーフォトダイオード（第３カラーセンシングピクセル）
１４１                    ・・・第１絶縁層（第１層）、
１４２                    ・・・第２絶縁層（第２層）、
１４３                    ・・・第３絶縁層（第３層）、
１４８                    ・・・第４絶縁層（第４層）、
１５０、１５１、１５２    ・・・層間誘電体層構造体（層間誘電体領域）。
【図１】
2011061203.tif 000003
【図２】
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【図３】
2011061203.tif 000005
【図４】
2011061203.tif 000006
【図５】
2011061203.tif 000007
【図６】
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【図７】
2011061203.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2011061203.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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