(57)【要約】【課題】バリの発生を確実に抑制することのできる、半導体装置、リードフレーム、及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ダイパッド領域を備えるリードフレームと、前記ダイパッド領域の上面に搭載される、半導体チップと、前記半導体チップ、及び前記ダイパッド領域の上面を被覆する、封止体とを具備する。前記ダイパッド領域の下面は、前記封止体の下面と同じ平面に配置され、前記封止体の下面で露出している。前記ダイパッド領域の下面には、前記ダイパッド領域の端に接続されるように延びる溝部が形成されている。【選択図】図１Ａ
2011082446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッド領域を備えるリードフレームと、
前記ダイパッド領域の上面に搭載される、半導体チップと、
前記半導体チップ、及び前記ダイパッド領域の上面を被覆する、封止体と、
を具備し、
前記ダイパッド領域の下面は、前記封止体の下面と同じ平面に配置され、前記封止体の下面で露出しており、
前記ダイパッド領域の下面には、前記ダイパッド領域の端に接続されるように延びる溝部が形成されている
半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体装置であって、
前記ダイパッド領域の下面の縁部には、前記ダイパッド領域の端が前記封止体の内部に埋め込まれるように、段差が設けられている
半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された半導体装置であって、
前記溝部は、両端のそれぞれが前記ダイパッド領域の端に接続されるように延びる、少なくとも一本の溝を備えている
半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載された半導体装置であって、
前記ダイパッド領域は、矩形状であり、
前記溝部は、前記ダイパッド領域における対向する２辺の中点同士を接続するように、延びている
半導体装置。
【請求項５】
請求項３に記載された半導体装置であって、
前記ダイパッド領域は矩形状であり、
前記溝部は、前記ダイパッド領域の４辺それぞれに沿って延びる、４本の溝を備えており、
前記ダイパッド領域には、前記４本の溝により囲まれる中央領域が形成されている
半導体装置。
【請求項６】
請求項３に記載された半導体装置であって、
前記ダイパッド領域は矩形状であり、
前記溝部は、前記ダイパッド領域の４角に対応して設けられた、４本の溝を備えており、
前記４本の溝は、前記ダイパッド領域が前記４本の溝によって中央領域と４つの角領域とに分割されるように、設けられている
半導体装置。
【請求項７】
請求項３に記載された半導体装置であって、
前記ダイパッド領域は、
基本領域と、
前記基本領域の端部から、前記封止体の下面に沿う方向において突き出る、凸部とを備えており、
前記溝部は、前記基本領域と前記凸部とを区切るように延びる、溝を備えている
半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載された半導体装置であって、
前記凸部は、矩形状である
半導体装置。
【請求項９】
請求項７に記載された半導体装置であって、
前記凸部の端は、曲線に沿って延びている
半導体装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれかに記載された半導体装置であって、
前記溝は、
前記基本領域側の内壁と、
前記凸部側の外壁とを有しており、
前記外壁と前記内壁とのうちの少なくとも一方は、凹凸を形成するように延びている
半導体装置。
【請求項１１】
上面に半導体チップが搭載されるダイパッド領域、
を具備し、
前記ダイパッド領域の下面には、前記ダイパッド領域の端に接続されるように延びる溝部が形成されている
リードフレーム。
【請求項１２】
ダイパッド領域を備え、前記ダイパッド領域の下面には、前記ダイパッド領域の端に接続されるように延びる溝部が形成されている、リードフレームを作成する工程と、
前記ダイパッド領域の上面に、半導体チップを搭載し、チップ搭載体を作成する工程と、
前記搭載する工程の後に、前記半導体チップを封止体によって封止する工程と、
を具備し、
前記封止する工程は、
封止空間を有する金型を用意する工程と、
前記封止空間の底面上に、前記チップ搭載体を載置する工程と、
前記載置する工程の後に、前記封止空間に封止体を供給する工程とを備え、
前記チップ搭載体を載置する工程は、前記ダイパッド領域の下面が前記封止空間の底面と接するように、前記チップ搭載体を載置する工程を備えている
半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、リードフレーム、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイパッド領域を備えるリードフレームと、ダイパッド領域上に搭載された半導体チップと、半導体チップを封止する封止体とを備える半導体装置（半導体パッケージ）が知られている。そのような半導体装置において、封止体は、少なくともダイパッド領域の上面と半導体チップとを被覆するように、設けられる。
【０００３】
上述のような半導体装置において、放熱性を高めるため、ダイパッド領域の下面を封止体の下面に露出させることが考えられる。このような半導体装置を製造する場合には、まず、リードフレームを作成する。そして、ダイパッド領域上に、半導体チップを搭載する。次いで、封止空間を有する金型が用意される。そして、半導体チップが搭載されたリードフレームが、封止空間内に配置される。この際、ダイパッドの下面が、金型により形成される封止空間の底面上に載置される。その後、封止空間内に封止体（封止樹脂）が所定の圧力で供給される。その後、必要な処理が施され、半導体装置が得られる。
【０００４】
ここで、封止体の供給時には、ダイパッド領域が金型から浮き上がってしまう応力が意図せず加えられることがある。ダイパッドと金型との間に隙間が発生すると、その隙間に封止体が入り込み、バリが形成される。このようなバリは、後工程で脱落して不具合の原因となることがある。また、バリは、外観上も好ましくない。加えて、ダイパッド領域の下面は、半導体装置を基板上に実装する際に、半導体装置と基板との間の電気的接続領域として用いられることがある。この場合、バリによって半導体装置と基板との間の電気的接続が妨げられる。バリの発生を防止することが望まれる。
【０００５】
このようなバリを抑制するための方法が、特許文献１（特開２００６−１７３５０４号公報）及び特許文献２（特開２００１−３５９８５号公報）に開示されている。特許文献１には、半導体素子（半導体チップ）を搭載するパッド（ダイパッド領域）に屈曲部を設けることと、半導体素子が固定される土台部の外側に向けて形成されている突起部とを有することが記載されている。
【０００６】
また特許文献２には、放熱板のうち樹脂封止されずに露出する面に、溝を形成することが記載されている。溝は、放熱板の縁部より一定距離だけ離れて全周に形成されている。この溝により、樹脂バリが溝内に溜まるため、溝よりも内側で樹脂バリが発生することが防止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１７３５０４号公報
【特許文献２】特開２００１−３５９８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１の記載によれば、モールド樹脂（封止体）を、屈曲部と突起部との境界部に向けて流動させることができる。これにより、モールド樹脂がダイパッド領域の下面へ進行することを防止できる。しかし、特許文献１の半導体装置では、ダイパッド領域の端面の形状を複雑に加工する必要がある。そのような加工は難易度が高く、半導体装置の製造コストが高くなってしまう。また、バリの発生を確実に抑制するためには、突起部の長さを十分に確保する必要があると思われる。しかし、製造条件の都合上、端面における突起部の長さを十分に確保することは難しい。結果として、バリの発生を確実に抑制することはできない、という問題点がある。
【０００９】
また、特許文献２の樹脂封止半導体装置では、封止時に放熱板が浮き上がってしまう点は解決されない。溝の内部に封止体が溜まるといえども、バリの発生を確実に抑制できるわけではない。
【００１０】
すなわち、特許文献１及び特許文献２のいずれに記載された技術も、バリの発生の抑制に関して、改善の余地を残していた。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る半導体装置は、ダイパッド領域を備えるリードフレームと、前記ダイパッド領域の上面に搭載される、半導体チップと、前記半導体チップ、及び前記ダイパッド領域の上面を被覆する、封止体とを具備する。前記ダイパッド領域の下面は、前記封止体の下面と同じ平面に配置され、前記封止体の下面で露出している。前記ダイパッド領域の下面には、前記ダイパッド領域の端に接続されるように延びる溝部が形成されている。
【００１２】
この発明によれば、ダイパッド領域の下面に、ダイパッド領域の端に接続されるように延びる溝部が形成されている。封止時において、封止体に加えられる圧力は、封止体を溝部に導くように働く。その結果、ダイパッド領域の端部が封止体から受ける圧力を少なくすることができ、ダイパッド領域が浮き上がることが確実に防止される。これにより、バリの発生を確実に防止できる。
【００１３】
本発明に係るリードフレームは、上面に半導体チップが搭載されるダイパッド領域を具備する。前記ダイパッド領域の下面には、前記ダイパッド領域の端に接続されるように延びる溝部が形成されている。
【００１４】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ダイパッド領域を備え、前記ダイパッド領域の下面には、前記ダイパッド領域の端に接続されるように延びる溝部が形成されている、リードフレームを作成する工程と、前記ダイパッド領域の上面に、半導体チップを搭載し、チップ搭載体を作成する工程と、前記搭載する工程の後に、前記半導体チップを封止体によって封止する工程とを具備する。前記封止する工程は、封止空間を有する金型を用意する工程と、前記封止空間の底面上に、前記チップ搭載体を載置する工程と、前記載置する工程の後に、前記封止空間に封止体を供給する工程とを備える。前記チップ搭載体を載置する工程は、前記ダイパッド領域の下面が前記封止空間の底面と接するように、前記チップ搭載体を載置する工程を備えている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、バリの発生を確実に抑制することのできる、半導体装置、リードフレーム、及び半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１Ａ】第１の実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図である。
【図１Ｂ】第１の実施形態に係る半導体装置を封止体の下面から見たときの平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の製造過程を概略的に示す工程断面図である。
【図３】比較例の半導体装置を下面から見たときの図である。
【図４】他の比較例の半導体装置を下面から見たときの図である。
【図５】ディンプルが設けられたダイパッド領域の一例を示す上面図である。
【図６Ａ】第１の実施形態の変形例に係る半導体装置を概略的に示す断面図である。
【図６Ｂ】第１の実施形態の変形例に係る半導体装置を下面から見たときの図である。
【図７】第１の実施形態の他の変形例に係る半導体装置を下面側から見たときの図である。
【図８Ａ】第２の実施形態に係る半導体装置のダイパッド領域を示す平面図である。
【図８Ｂ】第２の実施形態に係る半導体装置を下面から見たときの図である。
【図９Ａ】第２の実施形態の変形例に係る半導体装置のダイパッド領域を示す図である。
【図９Ｂ】第２の実施形態の変形例に係る半導体装置を下面側から見たときの図である。
【図１０Ａ】第２の実施形態の他の変形例に係る半導体装置のダイパッド領域を示す図である。
【図１０Ｂ】第２の実施形態の他の変形例に係る半導体装置を下面側から見たときの図である。
【図１０Ｃ】凸部の形状を示す拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（第１の実施形態）
以下に、図面を参照しつつ、本発明の第１の実施形態について説明する。
【００１８】
図１Ａは、本実施形態に係る半導体装置１０を示す概略断面図である。半導体装置１０は、リードフレーム１、リードフレーム１上に搭載された半導体チップ４、及び半導体チップ４を被覆する封止体５を備えている。
【００１９】
リードフレーム１は、リード領域３と、ダイパッド領域２とを備えている。
【００２０】
ダイパッド領域２は、半導体チップ４が搭載される領域である。半導体チップ４は、ダイパッド領域２の上面に搭載されている。ダイパッド領域２の下面は、封止体５の下面と同一平面に配置されている。すなわち、ダイパッド領域２の下面は、封止体５の下面で露出している。ダイパッド領域２は、例えば図示しないボンディングワイヤなどにより、半導体チップ４と電気的に接続されていてもよい。この場合、半導体装置１０を基板上に実装するときに、ダイパッド領域２の下面を介して半導体チップ４と基板とを電気的に接続できる。
【００２１】
リード領域３は、一端が封止体５の内部に位置し、他端が封止体５の外部に位置している。リード領域３は、封止体５の側面において、封止体５の内部から外部へ突き出している。リード領域３は、図示しないボンディングワイヤなどにより、半導体チップ４と接続されている。必要に応じて、ボンディングワイヤによりリード領域３とダイパッドとが電気的に接続されていても良い。
【００２２】
封止体５は、半導体チップ４を保護するために設けられている。封止体５は、樹脂製である。封止体５は、半導体チップ４に加えて、ダイパッド領域２の上面をも覆っている。
【００２３】
本実施形態に係る半導体装置１０では、ダイパッド領域２の下面の形状が工夫されている。図１Ｂは、半導体装置１０を封止体５の下面から見たときの平面図である。図１Ｂにおいて、一部の構成は、透視して示されている。図１Ｂを参照することにより、ダイパッド領域２の下面の形状について説明する。なお、図１ＢにおけるＡ−Ａ'の断面が、図１Ａとなる。
【００２４】
図１Ｂに示されるように、ダイパッド領域２は、矩形状である。ダイパッド領域２の下面には、溝部７及び段差部９が設けられている。
【００２５】
溝部７は、２本の溝８を有している。各溝８は、少なくとも一端で、ダイパッド領域２の端に接続されている。具体的には、各溝８は、ダイパッド領域２における対向する２つの辺の中点同士を接続するように、延びている。この溝部７は、封止時において、ダイパッド領域２の端に加わる圧力を緩和させるために設けられている。溝部７の少なくとも一部には、封止体５が充填されている。
【００２６】
段差部９は、ダイパッド領域２の縁部分に設けられている。図１Ａに示されるように、段差部９の存在により、ダイパッド領域２の端は、封止体５の内側に埋め込まれている。段差部９を設けることによって、封止体５とダイパッド領域２との接着面積を増やすことができる。その結果、アンカー効果が発揮され、ダイパッド領域２が封止体５から剥離してしまうことを防止できる。また、段差部９を設けているため、半導体チップ４が封止体５から剥離することを防止することができる。ダイパッド領域２の下面が露出している場合、ダイパッド領域２と封止体５との界面に沿って、水分が浸入することが懸念される。侵入した水分が半導体チップ４に到達すると、半導体チップ４が封止体５から剥離してしまう。しかし本発明の構造では、段差部９を設けているため、外部から半導体チップ４までの水分の浸入経路を、長くすることができる。すなわち、段差部９を設けることにより、半導体チップ４が封止体５から剥離することを防止できる。
【００２７】
再び図１Ｂを参照する。ダイパッド領域２の下面において、溝部７及び段差部９以外の領域は、封止体５から露出している。ダイパッド領域２の下面において封止体５から露出している領域が、露出領域６として示されている。なお、図1Ｂにおける溝８は一部が封止体５に埋め込まれているが、埋め込まれる領域は図１Ｂよりも小さくても大きくてもかまわない。
【００２８】
続いて、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図２は、半導体装置１０の製造過程を概略的に示す工程断面図である。
【００２９】
まず、リードフレーム１を作成する。この際、リードフレーム１には、下面に溝部７及び段差部９を有するダイパッド領域２、及びリード領域３が設けられる。リードフレーム１は、例えばエッチング法などで形成する。
【００３０】
次いで、ダイパッド領域２の上面に、半導体チップ４を搭載する。これにより、チップ搭載体が得られる。
【００３１】
次いで、図２に示されるように、金型１７を用意する。金型１７は、下金型１７−１と上金型１７−２とを有している。金型１７には、下金型１７−１と上金型１７−２との間に、封止空間１６が形成される。
【００３２】
次いで、封止空間１６内に、チップ搭載体が配置される。この際、チップ搭載体は、封止空間１６の底面（下金型１７−１の上面）上に、載置される。チップ搭載体は、ダイパッド領域２の下面を下金型１７−１側に向けて、搭載される。すなわち、チップ搭載体は、ダイパッド領域２の下面が、封止空間１６の底面、すなわち下金型１７−1に接するように、搭載される。
【００３３】
次いで、金型１７に設けられた流路（図示せず）を介して、封止空間１６内に、未硬化の封止体５（モールド樹脂）が、所定の供給圧力で供給される。その後、供給された封止体５が硬化される。これにより、半導体装置１０が得られる。
【００３４】
ここで、封止体５の供給時には、封止体５の供給圧力により、ダイパッド領域２の端に圧力が加わる。その結果、ダイパッド領域２が封止空間１６の底面から浮き上がってしまうことが懸念される。しかしながら、本実施形態では、ダイパッド領域２に溝部７が設けられている。そのため、ダイパッド領域２が浮き上がることが防止される。以下に、この点について、比較例と比較することにより、詳細に説明する。
【００３５】
図３は、比較例の半導体装置を下面から見たときの図である。比較例に係る半導体装置では、ダイパッド領域２の下面に、段差部９が設けられている。しかし、溝部７は設けられていない。この比較例では、封止体５の供給圧力によってダイパッド領域２が浮き上がってしまう。段差部９が存在するため、ダイパッド領域２は、より浮き上がり易くなっている。ダイパッド領域２が浮き上がることにより、封止空間１６の底面との間に封止体５が入り込む。その結果、バリが形成されてしまう。
【００３６】
一方、図４は、他の比較例の半導体装置を下面から見たときの図である。この比較例では、ダイパッド領域２の下面に、溝が形成されている。この溝は、封止体５を溜めるために設けられている。溝は、ダイパッド領域２の端には接続されていない。比較例２の半導体装置でも、ダイパッド領域２は浮き上がってしまう。従って、ダイパッド領域２と溝との間にバリが形成されてしまう。
【００３７】
これに対して、本実施形態では、ダイパッド領域２の端に接続される溝部７が設けられている。従って、封止体５の供給圧力は、封止体５を溝部７内に導くように作用する。その結果、ダイパッド領域２の端が封止体５から受ける圧力が、低減される。段差部９が設けられているにもかかわらず、ダイパッド領域２が浮き上がることが防止される。すなわち、封止体５がダイパッド領域２の下面と封止空間１６の底面との間に入り込むことがなく、バリの発生が防止される。
【００３８】
また、本実施形態では、溝部７の少なくとも一部に封止体５が充填される。比較例１及び２に示されるように、ダイパッド領域２が浮き上がることによって形成されたバリは、厚みが薄くなり易い。従って、後工程で脱落し、不具合の原因となりやすい。これに対して、本実施形態では、溝部７に充填された封止体５は、溝部７の側壁によって支持される。従って、後工程で脱落することはない。
【００３９】
続いて、溝部７の形状について詳細に説明する。
【００４０】
図１Ｂに示されるように、本実施形態では、ダイパッド領域２が矩形状である。そして、溝部７は、ダイパッド領域２における対向する２つの辺の中点同士を接続するように、設けられている。すなわち、ダイパッド領域２の端と溝部７とは、ダイパッド領域２の外周を４等分するような位置で、接続されている。溝部７の形状としてこのような形状を採用すれば、封止時に、４つの接続部分から均等に封止体５が溝部７内に入り込む。従って、ダイパッド領域２の端に加わる圧力を均等に緩和することができる。その結果、ダイパッド領域２が浮き上がってしまうことを確実に防止できる。
【００４１】
ところで、ダイパッド領域２の上面には、ディンプル（窪み）が設けられることがある。ディンプルは、ダイパッド領域２と封止体５との間の接着面積を増やすために設けられる。図５は、ディンプル１５が設けられたダイパッド領域２の一例を示す上面図である。図５には、下面に形成される溝８を点線で示した。ダイパッド領域２の上面において、封止体５が剥離してしまい易い箇所は、外周部である。従って、図５に示されるように、ディンプル１５は、ダイパッド領域２の外周部に沿って配置されることが多い。ここで、ディンプル１５と溝８とが重なってしまうと、重なった部分におけるリードフレームの厚みが薄くなってしまう。場合によっては、ディンプル１５と溝８とにより、ダイパッド領域２が貫通してしまう可能性がある。これに対して、本実施形態では、溝部７が、ダイパッド領域２における対向する２つの辺の中点同士を接続するように、設けられている。そのため、ディンプル１５を、溝部７と重ならないように配置しやすい。
【００４２】
但し、溝部７は、ダイパッド領域２の端に接続される溝８を有していればよく、上述の形状に限定されるものではない。例えば、溝部７の形状として、以下の変形例に示される形状を採用することも可能である。
【００４３】
図６Ａは、本実施形態の変形例に係る半導体装置１０を概略的に示す断面図である。また、図６Ｂは、変形例に係る半導体装置１０を下面から見たときの図である。図６Ｂに示されるように、ダイパッド領域２は、矩形状である。溝部７は、ダイパッド領域２の外周部に設けられた、４本の溝８を備えている。４本の溝８のそれぞれは、ダイパッド領域２の４辺のそれぞれに沿って延びている。４本の溝８によって囲まれた領域が、中央領域１１として示されている。中央領域１１は、露出している。溝部７の形状として、この変形例に示されるような形状を採用しても、封止時にダイパッド領域２が浮き上がることが防止され、バリの発生が防止される。また、この変形例では、十分な広さを有する中央領域１１を確保することができる。既述のように、ダイパッド領域２の下面は、基板上に半導体装置１０を実装する際の電気的接続領域として使用されることがある。このような場合に、中央領域１１が十分に広いことにより、実装時の難易度を下げることが可能である。実装時の難易度を下げる観点から、溝部７の溝８は、中央領域１１の面積がダイパッド領域２の５０％以上になるように設けられていることが好ましい。
【００４４】
図７は、本実施形態の他の変形例に係る半導体装置１０を下面側から見たときの図である。図７に示されるように、ダイパッド領域２は、矩形状である。溝部７は、４本の溝８を備えている。４本の溝８は、ダイパッド領域２の４つの角部に対応して設けられている。各溝８は、角部を含む各領域が中央部から分割されるように、延びている。図７では、ダイパッド領域２の中央部が中央領域１１として示され、角部を含む各領域が角領域１２として示されている。本変形例に示されるような構成を採用しても、図６Ａ及び図６Ｂに示される変形例と同様の作用効果を奏することができる。尚、本変形例における中央領域１１の面積は、図６Ａ及び図６Ｂに示される変形例と同様に、ダイパッド領域２に対して５０％以上であることが好ましい。
【００４５】
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実施形態に対して、ダイパッド領域２の形状が工夫されている。その他の点については、第１の実施形態と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【００４６】
図８Ａは、本実施形態に係る半導体装置１０のダイパッド領域２の形状を示す平面図である。図８Ａに示されるように、ダイパッド領域２は、基本領域１４と、複数の凸部１３とを備えている。複数の凸部１３は、基本領域１４の端部から、封止体の下面に沿って突き出ている。すなわち、ダイパッド領域２の端部は、凹凸状に形成されている。複数の凸部１３の各々は、矩形状である。また、溝８は、基本領域１４と各凸部１３とを区切るように、延びている。
【００４７】
図８Ｂは、半導体装置１０を下面から見たときの図である。図８Ｂに示されるように、ダイパッド領域２のうち、基本領域１４と各凸部１３とが、封止体５の下面に露出している。溝８には、封止体５が充填されている。なお、図８Ｂでは、溝８に封止体５が完全に充填されている必要は無く、溝８の一部が充填されているのでもよい。
【００４８】
本実施形態のような構成を採用しても、第１の実施形態と同様に、封止時にダイパッド領域２が浮き上がってしまうことが防止され、バリの発生が防止される。特に基本領域１４の四辺に沿って複数の溝８が形成されているため、ダイパッド領域が浮き上がってしまうのを効果的に抑制することができる。封止時に基本領域１４に向かう封止体５は溝８に流れ込む。この封止体５の流れ込みにより、封止体５が基本領域１４の四辺に対し垂直に押す応力を溝８方向に分散させることができる。これにより、ダイパッド領域が浮き上がってバリが発生するのを効果的に抑制することが可能となる。
【００４９】
加えて、本実施形態では、ダイパッド領域２の端が凹凸形状であるため、ダイパッド領域２の端と封止体５との接着領域を増加させることができる。これにより、ダイパッド領域２と封止体５との接着力を高めることができ、半導体装置１０の耐熱性及び耐湿性を向上させることができる。
【００５０】
更に、本実施形態では、溝８内に封止体５が充填されている。この観点からも、ダイパッド領域２の端と封止体５とが接着している領域を増加させることができる。
【００５１】
続いて、本実施形態の変形例について説明する。
【００５２】
図９Ａは、本実施形態の変形例に係る半導体装置１０のダイパッド領域２を示している。また、図９Ｂは、この半導体装置１０を下面側から見たときの図である。この変形例では、ダイパッド領域２の端の形状が変更されている。すなわち、図８Ａ及び図８Ｂに示される半導体装置１０では凸部１３が矩形状である。これに対し、本変形例では、ダイパッド領域２の端が曲線に沿って延びることで、凸部１３が形成されている。本変形例のような構成を採用しても、既述したのと同様の作用効果を奏することができる。加えて、本変形例では、凸部１３の形状が曲線に沿っているため、ダイパッド領域２の端に加わる圧力が一箇所に集中してしまうことを防止できる。このため、ダイパッド領域２が浮き上がってしまうことを、より確実に防止できる。
【００５３】
図１０Ａは、本実施形態の他の変形例に係る半導体装置１０のダイパッド領域２を示している。また、図１０Ｂは、この半導体装置１０を下面側から見たときの図である。この変形例では、溝８の形状が工夫されている。図１０Ｃは、本変形例における凸部１３の形状を示す拡大図である。図１０Ｃに示されるように、溝８は、内壁１５と、外壁１６との間に形成される。内壁１５は、溝８のうちの基本領域１４側の壁である。外壁１６は、凸部１３側の壁である。本変形例では、外壁１６が、凹凸を形成するように延びている。外壁１６が凹凸状に延びていることによって、溝８に入り込んだ封止体５とダイパッド領域２との接着領域を増やすことが可能である。その結果、溝８に入り込んだ封止体５の脱落が、より確実に防止される。尚、本変形例では、外壁１６が凹凸に沿って延びている場合について説明した。但し、内壁１５が凹凸に沿って延びていてもよく、外壁１５及び内壁１６の両方が凹凸に沿って延びていてもよい。
【００５４】
以上、本発明を第１及び第２の実施形態を用いて説明した。但し、これらの実施形態や変形例は互いに独立するものではなく、矛盾のない範囲内で組み合わせて使用することも可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１  リードフレーム
２  ダイパッド領域
３  リード領域
４  半導体チップ
５  封止体
６  露出領域
７  溝部
８  溝
９  段差部
１０  半導体装置
１１  中央領域
１２  角領域
１３  凸部
１４  基本領域
１５  ディンプル
１６  封止領域
１７  金型
１７−１  下金型
１７−２  上金型
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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