(57)【要約】【課題】  配線の表面に感光性樹脂に含有された成分との化合物が形成されることを防止する。【解決手段】  上面に接続パッド１１を有する半導体基板１１を準備する。次に、接続パッド３に電気的に接続された第１の配線３３上に絶縁材４１を形成して感光性樹脂４５を形成する。感光性樹脂４５に開口部４５ａを形成する際、第１の配線３３は絶縁材４１により覆われている。従って、この状態で感光性樹脂４５を硬化しても第１の配線３３の表面に感光性樹脂４５に含まれる成分との化合物が形成されることはない。【選択図】  図１４
2011082409.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続パッドを有する半導体基板と、
パッド部を有し、前記接続パッドに電気的に接続された第１の配線と、
前記第1の配線のパッド部を露出する開口部を有する絶縁材と、
前記絶縁材上に形成され、前記絶縁材の開口部を介して前記第1の配線を露出する開口部を有する感光性樹脂と、
前記感光性樹脂上に形成され、前記第1の配線のパッド部に接続された第２の配線と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、前記第１の配線は、少なくとも表面に銅を含有する金属層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記第１の配線は、下地金属層と、前記下地金属層上に形成された銅系金属よりなる上部金属層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記感光性樹脂は、アルカリに可溶なポリイミド系樹脂、ＰＢＯ系樹脂、ノボラック系樹脂のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記感光性樹脂は、ジアゾナフトキノン化合物を含有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記第２の配線は、少なくとも表面に銅を含有する金属層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、前記第２の配線は、下地金属層と、前記下地金属層上に形成された銅系金属よりなる上部金属層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記第２の配線はインダクタを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記感光性樹脂における開口部の周側面は前記パッド部に対し傾斜した傾斜面であり、前記絶縁材における開口部の周側面は前記パッド部に対しほぼ垂直な垂直面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項1乃至９のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記絶縁材の周側面は、前記半導体基板の側面より引っ込んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記絶縁材の周側面は、前記半導体基板の側面と同一面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項1乃至１１のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記感光性樹脂の周側面は、前記半導体基板の側面より引っ込んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記感光性樹脂の周側面は、前記半導体基板の側面と同一面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記第２の配線上に柱状の外部接続用電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置において、前記感光性樹脂上における前記外部接続用電極の周囲に封止材が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記封止膜の周側面は前記半導体基板の側面と同一面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
上面に接続パッドを有する半導体基板を準備する工程と、
パッド部を有し、前記接続パッドに電気的に接続される第1の配線を形成する工程と、
前記第1の配線を絶縁材で覆う工程と、
前記絶縁材を未硬化の感光性樹脂で覆う工程と、
前記未硬化の感光性樹脂の前記第1の配線のパッド部に対応する部分を露光、現像することにより開口部を形成する工程と、
前記感光性樹脂の開口部を介して前記絶縁材に、ドライエッチングにより前記第1の配線のパッド部を露出する開口部を形成する工程と、
前記感光性樹脂上に前記第1の配線のパッド部に接続される第２の配線を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の配線を形成するは、少なくとも表面に銅を含有する金属層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７または１８のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の配線を形成する工程は、下地金属層と、前記下地金属層上に形成された銅系金属よりなる上部金属層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１７乃至１９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記感光性樹脂は、アルカリに可溶なポリイミド系樹脂、ＰＢＯ系樹脂、ノボラック系樹脂のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１７乃至２０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記絶縁材を前記感光性樹脂で覆う工程は、ジアゾナフトキノン化合物を含有する前記感光性樹脂により前記絶縁材を覆う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１７乃至２１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の配線を前記絶縁材で覆う工程は、前記絶縁材を硬化する工程を含み、前記絶縁材を前記感光性樹脂で覆う工程は、前記絶縁材を硬化する工程の後に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項１７乃至２２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記感光性樹脂上に前記第１の配線のパッド部に接続される第２の配線を形成する工程は、前記感光性樹脂上に下地金属層を形成する工程と、前記下地金属層上に電解めっきにより上部金属層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項１７乃至２３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記感光性樹脂上に前記第１の配線のパッド部に接続される第２の配線を形成する工程は、インダクタを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項１７乃至２４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の配線を絶縁材で覆う工程は、前記絶縁材の周側面が前記半導体基板の側面より引っ込むように形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項１７乃至２４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の配線を絶縁材で覆う工程は、前記絶縁材の周側面が前記半導体基板の側面と同一面となるように形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
請求項１７乃至２６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記絶縁材を前記感光性樹脂で覆う工程は、前記感光性樹脂の周側面が前記半導体基板の側面より引っ込むように形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項１７乃至２６項のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記絶縁を前記感光性樹脂で覆う工程は、前記感光性樹脂の周側面が前記半導体基板の側面と同一面となるように形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
請求項１７乃至２８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、さらに、前記第２の配線上に柱状の外部接続用電極を形含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
請求項２８に記載の半導体装置の製造方法において、さらに、前記感光性樹脂上における前記外部接続用電極の周囲に封止材を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
請求項３０に記載の半導体装置の製造方法において、前記封止材を形成する工程は、前記封止膜の周側面が前記半導体基板の側面と同一面なるように形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路が形成された半導体ウエハ上に外部接続用電極と、この外部接続用電極間に充填される封止材とを形成して、ダイシングすることにより、外形サイズをダイシング時の半導体チップのサイズとする半導体装置を得る方法が知られている。この方法により形成される半導体装置は、半導体チップのサイズと同一となることから、ＣＳＰ（Chip Size Package）といわれる。あるいは、半導体ウエハ状態でパッケージされることからＷＬＰ（Wafer Level Package）とも言われる。
【０００３】
上記ＣＳＰにおける外部接続用電極は、高さ１００μｍ程度の円柱状を有し、その上面に半田ボールを搭載して、フリップチップボンディング（フェースダウンともいわれる）法により回路基板の接続端子に接合される。
外部接続用電極は、半導体基板の主面上に形成された集積回路の接続パッドに配線により接続される。配線は、単層のみでなく多層とされることもある。また、配線のみでなく、インダクタなどの回路素子を内蔵するＣＳＰも知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２３１８１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のようなＣＳＰにおいて、解像度や環境への配慮から、最近では、層間絶縁膜として感光性樹脂を用いることが検討されている。感光性樹脂を用いるとフォトレジスト膜の形成が不要となり、フォトレジスト膜を溶剤で溶かしたり、溶剤を揮発させたりする工程がなくなり、作業環境も良くなり、公害も少なくなる。また、解像度も向上する。
しかして、感光性樹脂により下部側の配線を、その一部が露出されるように覆い、配線の露出部分に接続される上部配線を形成する場合、露出された部分の表面に感光性材料に含有される成分との化合物が形成される。
【０００６】
例えば、感光性のジアゾナフトキノン化合物が結合されたポジ型の樹脂を用いて銅からなる配線をその一部が露出されるように覆うと、感光性樹脂が硬化時において熱分解されることにより、配線の露出された部分の表面に硫化銅（ＣｕＳ）が形成される。この硫化銅の電気抵抗率は銅の電気抵抗率（１．６９μΩ・cm）に比べて大きく、電気的特性を損なうので除去する必要がある。
しかし、硫化銅はドライエッチングでの除去が困難であるため、ウエットエッチングにより除去することになるが、この際に、絶縁膜が水分を吸収する。吸収された水分は、真空装置内の真空度を低下するので、その後の成膜などに悪影響を及ぼすことになる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の半導体装置に係る発明は、接続パッドを有する半導体基板と、パッド部を有し、前記接続パッドに電気的に接続された第1の配線と、前記第1の配線のパッド部を露出する開口部を有する絶縁材と、前記絶縁材上に形成され、前記絶縁材の開口部を介して前記第1の配線を露出する開口部を有する感光性樹脂と、前記感光性樹脂上に形成され、前記第1の配線のパッド部に接続された第２の配線と、を具備することを特徴とする。
請求項２に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１に記載の半導体装置において、前記第１の配線は、少なくとも表面に銅を含有する金属層を有することを特徴とする。
請求項３に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１または２のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記第１の配線は、下地金属層と、前記下地金属層上に形成された銅系金属よりなる上部金属層を有することを特徴とする。
請求項４に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記感光性樹脂はアルカリに可溶なポリイミド系樹脂、ＰＢＯ系樹脂、ノボラック系樹脂のいずれかを含むことを特徴とする。
請求項５に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記感光性樹脂はジアゾナフトキノン化合物を含有することを特徴とする。
請求項６に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記感光性樹脂膜は光重合性化合物を含有することを特徴とする。
請求項７に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記第２の配線は、少なくとも表面に銅を含有する金属層を有することを特徴とする。
請求項８に記載の半導体装置に係る発明は、請求項７に記載の半導体装置において、前記第２の配線は、下地金属層と、前記下地金属層上に形成された銅系金属よりなる上部金属層を有することを特徴とする。
請求項９に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記第２の配線はインダクタを含むことを特徴とする。
請求項１０に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記感光性樹脂における開口部の周側面は前記パッド部に対し傾斜した傾斜面であり、前記絶縁材における開口部の周側面は前記パッド部に対しほぼ垂直な垂直面であることを特徴とする。
請求項１１に記載の半導体装置に係る発明は、請求項1乃至１０のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記絶縁材の周側面は前記半導体基板の側面より引っ込んでいることを特徴とする。
請求項１２に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１乃至１０のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記絶縁材の周側面は前記半導体基板の側面と同一面であることを特徴とする。
請求項１３に記載の半導体装置に係る発明は、請求項1乃至１２のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記感光性樹脂の周側面は前記半導体基板の側面より引っ込んでいることを特徴とする。
請求項１４に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１乃至１２のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記感光性樹脂の周側面は前記半導体基板の側面と同一面であることを特徴とする。
請求項１５に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記第２の配線上に柱状の外部接続用電極が形成されていることを特徴とする。
請求項１６に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１５に記載の半導体装置において、前記感光性樹脂上における前記外部接続用電極の周囲に封止材が形成されていることを特徴とする。
請求項１７に記載の半導体装置に係る発明は、請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記封止材の周側面は前記半導体基板の側面と同一面であることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項１８に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、上面に接続パッドを有する半導体基板を準備する工程と、パッド部を有し、前記接続パッドに電気的に接続される第1の配線を形成する工程と、前記第1の配線を絶縁材で覆う工程と、前記絶縁材を感光性樹脂で覆う工程と、前記感光性樹脂の記第1の配線のパッド部に対応する部分にウエットエッチングにより開口部を形成する工程と、前記感光性樹脂の開口部を介して前記絶縁材に、ドライエッチングにより前記第1の配線のパッド部を露出する開口部を形成する工程と、
前記感光性樹脂上に前記第1の配線のパッド部に接続される第２の配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
請求項１９に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１８に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の配線を形成するは、少なくとも表面に銅を含有する金属層を形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項２０に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１８または１９のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の配線を形成する工程は、下地金属層と、前記下地金属層上に形成された銅系金属よりなる上部金属層を形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項２１に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１８乃至２０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記感光性樹脂はアルカリに可溶なポリイミド系樹脂、ＰＢＯ系樹脂、ノボラック系樹脂のいずれかを含むことを特徴とする。
請求項２２に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１８乃至２１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記絶縁材を感光性樹脂で覆う工程はジアゾナフトキノン化合物を含有する感光性樹脂により前記絶縁材を覆う工程を含むことを特徴とする。
請求項２３に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１８乃至２１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記絶縁材を感光性樹脂で覆う工程は、光重合性化合物を含有する感光性樹脂により前記絶縁材を覆う工程を含むことを特徴とする。
請求項２４に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１８乃至２３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の配線を絶縁材で覆う工程は、前記絶縁材を硬化する工程を含み、前記絶縁材を感光性樹脂で覆う工程は、前記絶縁材を硬化する工程の後に行うことを特徴とする。
請求項２５に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１８乃至２４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記感光性樹脂上に前記第1の配線のパッド部に接続される第２の配線を形成する工程は、前記感光性樹脂上に下地金属層を形成する工程と、前記下地金属層上に電解めっきにより上部金属層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
請求項２６に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１８乃至２５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において前記感光性樹脂上に前記第1の配線のパッド部に接続される第２の配線を形成する工程は、インダクタを形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項２７に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項1８乃至２６のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の配線を絶縁材で覆う工程は、前記絶縁材の周側面が前記半導体基板の側面より引っ込むように形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項２８に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１８乃至２６のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の配線を絶縁材で覆う工程は、前記絶縁材の周側面が前記半導体基板の側面と同一面となるように形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項２９に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項1８乃至２８のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記絶縁材を感光性樹脂で覆う工程は、前記感光性樹脂の周側面が前記半導体基板の側面より引っ込むように形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項３０に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１８乃至２８項のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記絶縁材を感光性樹脂で覆う工程は、前記感光性樹脂の周側面が前記半導体基板の側面と同一面となるように形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項３１に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項１８乃至３０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、さらに、前記第２の配線上に柱状の外部接続用電極を形含むことを特徴とする。
請求項３２に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項３０に記載の半導体装置の製造方法において、さらに、前記感光性樹脂上における前記外部接続用電極の周囲に封止材を形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項３３に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項３２に記載の半導体装置の製造方法において、前記封止材を形成する工程は、前記封止材の周側面が前記半導体基板の側面と同一面なるように形成する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、配線と感光性樹脂との間に絶縁材を介在させた状態で感光性樹脂の硬化を行うので、配線の表面に感光性樹脂に含有された成分との化合物が形成されることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の半導体装置の一例としての実施形態に係り、図３のＩ−Ｉ線切断拡大断面図。
【図２】図１の半導体装置を得る前の半導体ウエハの平面図。
【図３】図２の半導体装置形成領域Ａの拡大平面図。
【図４】図１半導体装置の製造方法に関し、最初の工程を説明するための拡大断面図。
【図５】図４に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図６】図５に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図７】図６に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図８】図７に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図９】図８に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１０】図９に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１６】図１５に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図２２】図２１に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図２３】図２２に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図２４】この発明の半導体装置の変形例１を示す拡大断面図。
【図２５】この発明の半導体装置の変形例２を示す拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（実施形態１）
以下、この発明の半導体装置について説明をする。
図１はこの発明の半導体装置１０の一例としての実施形態に係る拡大断面図を示す。図２は、ダイシングによって半導体装置１０を得る前の半導体ウエハ１の平面図を示す。半導体装置１０は、半導体ウエハ１上に行方向および列方向に、マトリクス状に配列されて形成される。半導体装置１０は、後述する最終工程、すなわち、半田ボールを形成した後、半導体ウエハ１をダイシングライン２で切断することにより、同時に多数個が得られる。
【００１２】
図３は、図２に二点鎖線で図示された半導体装置形成領域Ａ、すなわち、一対の行方向のダイシングライン２と一対の列方向のダイシングライン２により囲まれた領域内の拡大平面図を示す。
半導体装置形成領域Ａ内には、四つの側辺の各側辺に沿って接続パッド３が配列され、接続パッド３が配列された領域の内側には多数の外部接続用電極２０が配列されている。外部接続用電極２０は、通常は、半導体装置形成領域Ａの周側辺から中心に向かう環状に配列されるが、これとは異なるように配列されることもある。
【００１３】
各外部接続用電極２０と接続パッド３とは配線１５により接続されている。図示はしないが、各配線１５の外部接続用電極２０に対応する部分には、外部接続用電極２０の直径とほぼ同一サイズか、僅かに大きいサイズのパッド部が形成されており、各外部接続用電極２０は、配線１５のパッド部上に形成される。
【００１４】
半導体装置形成領域Ａ内には、１個の薄膜インダクタ素子（インダクタ）３０が形成されている。薄膜インダクタ素子３０は直線的に引回された接続用の第１の配線３３と、渦巻状に形成された第２の配線３７とを有する。第２の配線３７は、それぞれ、平面視で方形の内側パッド部３１と外側パッド部３２を有する。第１の配線３３は、一端が接続パッド３に接続され、第２の配線３７の下層を通過して渦巻状の第２の配線３７の中心まで延出され、第２の配線３７の内側パッド部３１に接続されている。第２の配線３７の外側パッド部３２上には、外部接続用電極２０が形成されている。
以下、図３のＩ−Ｉ線切断拡大断面図である図１を参照して半導体装置１０の詳細について説明をする。
【００１５】
半導体装置１０は、例えば、シリコン基板などの半導体基板１１を有する。半導体基板１１の主面（上面）側には、図示はしないが、集積回路が形成されている。半導体基板１１の主面上には、集積回路に接続された複数の接続パッド３が形成されている。接続パッド３は、例えば、アルミニウム系金属で形成されている。また、半導体基板１１の主面上には、接続パッド３の中央部を露出する開口部４ａを有する第１の絶縁膜４が形成されている。第1の絶縁膜４は、酸化シリコン、窒化シリコンなどの無機材料で形成されており、その周側面は、半導体基板１１の側面から少し引っ込んだ位置にある。
【００１６】
第１の絶縁膜４上に、第２の絶縁膜１２が形成されている。第２の絶縁膜１２は、ポリイミド系樹脂、ＰＢＯ（Poly-p-Phenylene-Benzobisoxazole；ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール）系樹脂等の有機樹脂材料によって形成されている。或いは、ポリイミド系樹脂、ＰＢＯ（Poly-p-Phenylene-Benzobisoxazole；ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール）系樹脂、ノボラック系樹脂等の有機樹脂材料をベース部材とし、例えばポジ型のジアゾナフトキン化合物を、Ｎ−メチルピロリドンまたはγ−ブチルラクトン等の溶媒で溶解させて形成した、感光性材料が結合された樹脂を用いてもよい。第２の絶縁膜１２にも、接続パッド３の中央部を露出する開口部１２ａが形成されている。第１の絶縁膜４の開口膜４ａと第２の絶縁膜の開口部１２ａは、エッチング液によるウエットエッチングにより形成されるため、各開口部４ａ、１２ａは接続パッド３に対し傾斜する傾斜面となっている。第２の絶縁膜１２の周側面は、第１の絶縁膜４の周側面と同一面にあり、第１の絶縁膜４の周側面と共に半導体基板１１の側面から少し引っ込んだ位置に形成されている。
【００１７】
第２の絶縁膜１２上には、一端側が第２の絶縁膜１２の開口部１２ａを介して接続パッド３に接続された第１の配線３３が形成されている。第１の配線３３は、下地金属層３４と、下地金属層３４上に形成された上部金属層３５の二層構造を有する。
下地金属層３４および上部金属層３５は、銅系金属により形成することができる。第１の配線３３は、二層構造に限らず、三層以上の積層構造とすることもできる。その場合には、例えば、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）またはチタンとタングステンの合金などからなる金属層を１層以上介在させる。
【００１８】
上部金属層３５上および上部金属層３５の周囲における第２の絶縁膜１２上には、第３の絶縁膜（絶縁材）４１が形成されている。第３の絶縁膜４１は、酸化シリコン、窒化シリコン等によって形成されている。或いは、ポリイミド系樹脂、ＰＢＯ（Poly-p-Phenylene-Benzobisoxazole；ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール）系樹脂、ノボラック系樹脂等の有機樹脂材料をベース部材とし、例えばポジ型のジアゾナフトキン化合物を、Ｎ−メチルピロリドンまたはγ−ブチルラクトン等の溶媒で溶解させて形成した、感光性材料が結合された樹脂を用いてもよい。
第３の絶縁膜４１には、上部金属層３５の端部（パッド部）を露出する開口部４１ａが形成されている。第３の絶縁膜４１の開口部４１ａは、後述する如く、プラズマエッチングなどのドライエッチングにより形成される。このため、第３の絶縁膜４１における開口部４１ａの周側面は、上部金属層３５のパッド部に対してほぼ垂直な垂直面となっている。
【００１９】
第３の絶縁膜４１上には感光性樹脂４５が形成されている。感光性樹脂４５には、第３の絶縁膜４１の開口部４１ａを介して上部金属層３５のパッド部を露出する開口部４５ａが形成されている。感光性樹脂４５の開口部４５ａは、後述する如く、エッチング液を用いたウエットエッチングにより形成される。このため、感光性樹脂４５の開口部４５ａは、上部金属層３５のパッド部に対し傾斜した傾斜面となっている。
第３の絶縁膜４１および感光性樹脂４５の周側面は、第１の絶縁膜４および第２の絶縁膜１２の周側面と同一面となっており、半導体基板１１の側面より引っ込んだ位置に形成されている。
【００２０】
感光性樹脂４５の上面には渦巻状の第２の配線３７が形成されている。
第２の配線３７は、下地金属層３８と、下地金属層３８上に形成された上部金属層３９の二層構造を有する。
下地金属層３８および上部金属層３９は、銅系金属により形成することができる。第２の配線３７は二層構造に限らず、三層以上の積層構造とすることもできる。その場合には、例えば、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）またはチタンとタングステンの合金などからなる金属層を１層以上介在させる。
【００２１】
第２の配線３７は第３の絶縁膜４１の開口部４１ａおよび感光性樹脂４５の開口部４５ａを介して第１の配線３３に接続され、この部分が内側パッド部３１（図３参照）となっている。第２の配線３７は、図３に図示されるように、平面視で渦巻状に形成されており、また、図１において、内側パッド部３１の左側の部分は第１の配線３３の上層において、第３の配線３３にクロスして引回されている。また、第２の配線３７の右端側には、外側パッド部３２が形成されている。
【００２２】
第２の配線３７の外側パッド部３２上には外部接続用電極２０が形成されている。外部接続用電極２０は平坦な上面２０ａを有し、例えば、直径４０〜１００μｍ、高さ４０〜８０μｍの円柱形状を有し、銅系金属などにより形成されている。
感光性樹脂４５上における外部接続用電極２０の周囲にはポリイミド系樹脂またはエポキシ系樹脂からなる封止材１６が形成されている。封止材１６の周側面は、外部接続用電極２０の半導体基板１１の側面と同一面にある。封止材１６は第１の絶縁膜４、第２の絶縁膜１２、第３の絶縁膜４１および感光性樹脂４５の周囲における半導体基板１１上にも形成され、第１の絶縁膜４、第２の絶縁膜１２、第３の絶縁膜４１および感光性樹脂４５の周側面を覆っている。
【００２３】
封止材１６の上面１６ａは外部接続用電極２０の上面２０ａとほぼ同一面か、もしくは外部接続用電極２０の上面２０ａよりも僅かに高く形成されている。
外部接続用電極２０の上面２０ａの中央部には半田ボール２５が接合されている。半田ボール２５は、外部接続用電極２０の外形(直径)より大きい外形(直径)を有している。
【００２４】
次に、図４〜図２３を参照して図１に図示される本発明の一実施形態である半導体装置１０の製造方法の一例を説明する。
先ず、図４に図示されるように、半導体装置形成領域Ａ内に、それぞれ、接続パッド３を有する集積回路が形成された半導体ウエハ１を準備する。この半導体ウエハ１の接続パッド３を含む全面に第１の絶縁膜４を成膜する。接続パッド３は、例えば、アルミニウム系金属により形成される。第１の絶縁膜４は、例えば、酸化シリコンまたは窒化シリコン等の無機材料により形成されており、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜する。
【００２５】
そして、フォトリソグラフィ技術を用いて、接続パッド３に対応する部分に開口部５１ａが形成され、周側面がダイシングライン２より引っ込んだ位置に形成された図４に図示されるフォトレジスト膜５１を形成する。より詳細には、第１の絶縁膜４上全面にフォトレジスト膜５１をスピンコーテジング法またはスクリーン印刷法により塗布する。そして、接続パッド３に対応する形状の露光パターンを有する露光マスクを用いて露光する。フォトレジスト膜５１は、ポジ型でもネガ型でも構わない。ポジ型のフォトレジスト５１を用いる場合は、露光パターンは透光性を有するパターンとする。また、露光マスクは、フォトレジスト膜５１の周側面がダイシングライン２より引っ込んだ位置に形成されるような外形パターンを有する。露光マスクを用いて露光した後、現像することにより、図４に図示される状態となる。
【００２６】
次に、フォトレジスト膜５１から露出した第１の絶縁膜を、エッチング液を用いて除去する。これにより、第１の絶縁膜４に接続パッド３の中央部を露出する開口部４ａが形成される。ウエットエッチングなので、開口部４ａは、接続パッド３の表面に対して傾斜した傾斜面となる。このとき同時に第１の絶縁膜４の周囲領域のフォトレジスト膜５１から露出した部分が除去され、ダイシングライン２よりも引っ込んだ位置に第１の絶縁膜４の周側面が形成される。そして、フォトレジスト膜５１を剥離する。この状態を図５に示す。
【００２７】
次に、図６に図示されるように、全面に、すなわち、第１の絶縁膜４上、第１の絶縁膜４の開口部４ａから露出した接続パッド３上および第１の絶縁膜４の周囲における半導体ウエハ１上に第２の絶縁膜１２を塗布する。第２の絶縁膜１２としては、ポリイミド系樹脂またはＰＢＯ系樹脂等の有機樹脂などを用いることができる。或いは、アルカリに可溶で、感光性材料が結合されたポリイミド系樹脂、ＰＢＯ系樹脂、ノボラック系樹脂が用いられる。感光性材料としては、限定する意図ではないが、例えばポジ型のジアゾナフトキン化合物がある。塗布の方法は、スピンコーティング法、スクリーン印刷法、スキャン塗布法など、適宜な方法を用いることができる。
【００２８】
そして、第２の絶縁膜１２上全面にフォトレジスト膜５２を塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。フォトレジスト膜５２のパターニングは、第１の絶縁膜４の開口部４ａに対応する形状の露光パターンを有する露光マスクを用いる。この場合も、フォトレジスト膜５２は、ポジ型でもネガ型でも構わない。ポジ型のフォトレジスト膜５２を用いる場合は、開口部４ａに対応する露光パターンは透光性を有するパターンとする。また、露光マスクは、フォトレジスト膜５２の周側面が第１の絶縁膜４の周側面と同一位置に形成されるような外形パターンを有する。露光マスクを用いて露光した後、現像することにより、図６に図示されるように、第１の絶縁膜４の開口部４ａに対応して開口部５２ａが形成され、周側面が第１の絶縁膜４の周側面と同一位置に形成されたフォトレジスト膜５２が形成される。
【００２９】
次に、フォトレジスト膜５２をマスクとして、フォトレジスト膜５２から露出した第２の絶縁膜１２の部分をエッチング液により除去する。フォトレジスト膜５２を剥離すると図７に示す状態となる。この状態では、第２の絶縁膜１２に第１の絶縁膜４の開口部４ａに対応する開口部１２ａが形成されている。また、第２の絶縁膜１２の周側面は、第１の絶縁膜４の周側面と同一面となっている。
【００３０】
次に、図８に図示されるように、全面に、すなわち、第２の絶縁膜１２上、第２の絶縁膜１２から露出した接続パッド３上および第２の絶縁膜１２の周囲における半導体ウエハ１上に第１の金属膜３４Ａを形成する。第１の金属膜３４Ａは、後述する下地金属層３４となるものである。第１の金属膜３４Ａは、例えば、銅系金属からなり、スパッタ法または無電解めっき法により形成される。
【００３１】
次に、第１の金属膜３４Ａ上全面にフォトレジスト膜５３を塗布する。そして、このフォトレジスト膜５３を第１の配線３３の上部金属層３５の形状に対応する露光パターンを有する露光マスクを用いて露光し、現像する。この場合も、フォトレジスト膜５３はポジ型でもネガ型でもよい。図９に図示されるように、フォトレジスト膜５３には、上部金属層３５の形状に対応する開口部５３ａが形成される。
【００３２】
次に、第１の金属膜３４Ａを電流路として電解めっきを行い、フォトレジスト膜５３の開口部５３ａから露出した第１の金属膜３４Ａ上に、上部金属層３５を形成する。この状態を図１０に示す。
【００３３】
次に、フォトレジスト膜５３を剥離するとフォトレジスト膜５３下にあった第１の金属膜３４Ａの部分が露出する。上部金属層３５をマスクとして、第１の金属膜３４Ａの上部金属膜３５から露出した部分をエッチングする。これにより、下地金属層３４が形成され、また、下地金属層３４上に上部金属層３５が形成された第１の配線３３が形成される。この状態を図１１に図示する。
【００３４】
次に、全面に、すなわち、上部金属層３５上、上部金属層３５の周囲における第２の絶縁膜１２上および上部金属層３５の周囲における半導体ウエハ１上に第３の絶縁膜４１を形成する。この状態を図１２に示す。第３の絶縁膜４１は、酸化シリコン、窒化シリコン等を用いる。或いは、ポリイミド系樹脂、ＰＢＯ系樹脂、エポキシ系樹脂、ノボラック系樹脂等の有機樹脂材料をベース部材とし、例えばポジ型のジアゾナフトキン化合物を、Ｎ−メチルピロリドンまたはγ−ブチルラクトン等の溶媒で溶解させて形成した、感光性材料が結合された樹脂を用いる。スピンコーティング法、スクリーン印刷法などにより形成される。例えばイミドを用いた場合、塗布した時はイミド結合しておらず前駆体のままなので、液状である。そこで、１１０〜１２０℃でプリベークし、溶媒を蒸発させる。そして、塗布した第３の絶縁膜４１を３５０℃にしポストベークを行うことで熱硬化する。
【００３５】
次に、第３の絶縁膜４１上全面に感光性樹脂４５を塗布する。感光性樹脂４５としては、ポリイミド系樹脂、ＰＢＯ系樹脂、エポキシ系樹脂、ノボラック系樹脂等の有機樹脂材料をベース部材とし、例えばポジ型のジアゾナフトキン化合物を、Ｎ−メチルピロリドンまたはγ−ブチルラクトン等の溶媒で溶解させて形成した、感光性材料が結合された樹脂を用いる。感光性樹脂４５はスピンコーティング法またはスクリーン印刷法などにより形成する。
例えばイミドを用いた場合、塗布した時はイミド結合しておらず前駆体のままなので、液状である。そこで、１１０〜１２０℃でプリベークし、溶媒を蒸発させる。この状態を図１３に示す。
【００３６】
次に、感光性樹脂４５を、内側パッド部３１（図３参照）の形状に対応する露光パターンを有し、周側面が第２の絶縁膜１２の周側面に対応する外形パターンを有する露光マスクを用いて露光する。感光性樹脂４５がジアゾナフトキン化合物を含有する有機材料である場合、露光マスクはポジ型用のパターンであり、内側パッド部３１（図３参照）に対応する部分および第２の絶縁膜１２の周側面に対応する領域の外側が透光性を有する露光パターンを有する。そして、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）により現像すると、図１４に図示される状態となる。
【００３７】
次に、図１４の状態で３５０℃にしポストベークを行うことで熱硬化させる。
先程、塗布した第３の絶縁膜４１を３５０℃にしポストベークを行うことで熱硬化したが、第３の絶縁膜４１の塗布後すぐには行わず、感光性樹脂４５を塗布し、露光、現像した後、第３の絶縁膜４１と感光性樹脂４５を同時にポストベークし熱硬化しても良い。図１４に図示された状態では、第１の配線３３は第３の絶縁膜４１により覆われており、第１の配線３３の表面には、感光性樹脂４５が接触しない。このため、第１の配線３３の表面には感光性樹脂４５に含有されている成分との化合物は形成されない。例えば、第１の配線３３の上部金属層３５が銅系金属で形成され、感光性樹脂４５がジアゾナフトキン化合物を含有する有機材料である場合、感光性樹脂４５の硬化処理に伴って、上部金属層３５の露出面に、導電性に影響を与える硫化銅（ＣｕＳ）が形成される。しかし、本発明では、第１の配線３３の上部金属層３５の表面に硫化銅が発生するのを防止することができる。また、第３の絶縁膜４１として、ジアゾナフトキン化合物を含有する有機材料を用いた場合であっても、第３の絶縁膜４１を形成した後、感光性樹脂４５を形成し、熱硬化するとドライエッチングしにくいので、厚く形成された感光性樹脂４５に開口部４５ａを設けた後、熱硬化する。次に、薄く形成された第２の感光性樹脂４１をドライエッチングし、開口部４１ａを形成する。感光性樹脂４１は、熱硬化後にドライエッチングしているので、硫黄は放出されず、従って第１の配線３３の銅と反応して硫化銅層ができることはない。
【００３８】
次に、感光性樹脂４５をマスクとして、感光性樹脂４５の開口部４５ａから露出する第３の絶縁膜４１の部分を酸素プラズマ処理などのドライエッチングにより除去して開口部４５ａを形成し、第１の配線３３の上部金属層３５の表面を露出する。この状態を図１５に図示する。感光性樹脂４５の開口部４５ａの形成はドライエッチングであるので、開口部４５ａの周側面は第１の配線３３のパッド部に対してほぼ垂直な垂直面となる。ここで、第３の絶縁膜４１をウエットエッチングにより除去すると、感光性樹脂４５が吸湿し、以降の工程において真空装置内に放出され、真空装置内の真空度を低下させ、成膜条件を変動させるので好ましくない。本発明の実施形態では、第３の絶縁膜４１をドライエッチングにより除去するので、このような不具合を防止することができる。
【００３９】
次に、全面に、すなわち、感光性樹脂４５上、感光性樹脂４５から露出された上部金属層３５上および感光性樹脂４５の周囲における半導体ウエハ１上に第２の金属膜３８Ａを形成する。第２の金属膜３８Ａは、後述する第２の配線３７の下地金属層３８となるものである。第２の金属膜３８Ａは、例えば、銅系金属からなり、スパッタ法または無電解めっき法により形成される。
【００４０】
次に、第２の金属膜３８Ａ上全面にフォトレジスト膜５４を塗布する。そして、このフォトレジスト膜５４を第２の配線３７の上部金属層３９の形状に対応する露光パターンを有する露光マスクを用いて露光し、現像する。この場合も、フォトレジスト膜５４はポジ型でもネガ型でもよい。図１７に図示されるように、フォトレジスト膜５４には、上部金属層３９の形状に対応する複数の開口部５４ａが形成される。また、フォトレジスト膜５４には、内側パッド部３１が形成される部分に開口部５４ｂが形成される。さらに、フォトレジスト膜５４には、外側パッド部３２が形成される部分に開口部５４ｃが形成される。
【００４１】
次に、第２の金属膜３８Ａを電流路として電解めっきを行い、フォトレジスト膜５４の開口部５４ａ、５４ｂ、５４ｃから露出した第２の金属膜３８Ａ上に、上部金属層３９を形成する。この状態を図１８に示す。この状態では、フォトレジスト膜５４の開口部５４ｂ内に内側パッド部３１が形成され、開口部５４ｃ内に外側パッド部３２が形成されている。また、内側パッド部３１と外側パッド部３２を接続する第２の配線３７は図３に図示される如く渦巻状に形成されている。
【００４２】
次に、フォトレジスト膜５４を剥離し、第２の金属膜３８Ａ上全面に、新たにネガ型のフォトレジスト膜５５を形成する。この場合、フォトレジスト膜５５は、その厚さが厚いために、シート状に形成されたフォトレジスト膜を被着させる。このフォトレジスト膜５５を、外部接続用電極２０の形状に対応する遮光性パターンを有する露光マスクを用いて露光し、開口部５５ａを形成する。この状態を図１９に図示する。
【００４３】
次に、第２の金属膜３８Ａを電流路として電解めっきを行い、フォトレジスト膜５５の開口部５５ａから露出する上部金属膜３９上に、換言すれば、外側パッド部３２上に外部接続用電極２０を形成する。この状態を図２０に示す。
【００４４】
次に、フォトレジスト膜５５を剥離すると、図２１に図示されるように第２の配線３７の上部配線層３９および上部配線層３９の周囲の第２の金属膜３８Ａが露出する。
【００４５】
次に、上部配線層３９をマスクとして、第２の金属膜３８Ａをエッチングする。これにより上部配線層３９と同一パターンを有する下地金属層３８が形成される。つまり、下地金属層３８上に上部配線層３９が積層された第２の配線３７が形成される。この状態を図２２に示す。
【００４６】
次に、封止材１６を形成する。封止材１６は、感光性樹脂４５およびその周囲における半導体ウエハ１上に、一旦、外部接続用電極２０の上面２０ａを覆うように厚く形成する。そして、外部接続用電極２０の上面２０ａが露出されるまで封止材１６の上部を研削する。
【００４７】
外部接続用電極２０は、電解めっきにより形成するため、外部接続用電極２０は、１つ１つ高さが異なり、また、各外部接続用電極２０の上面２０ａにはかなり大きな凹凸が形成されている。そこで、外部接続用電極２０を露出する工程では、封止材１６と共に外部接続用電極２０の上部側を研削する。外部接続用電極２０は銅系金属などの軟質の金属で形成されているので、外部接続用電極２０の上面２０ａを研削する工程において、外部接続用電極２０の上面２０ａにダレが生じることがある。ダレを有する外部接続用電極２０の上面２０ａ上に半田ボールを搭載してリフロー処理をすると、半田ボールが異形となり、外部端子に半田付けした場合、十分な接合強度を得ることができない。
【００４８】
このため、外部接続用電極２０の上面２０ａにダレが生じた場合には、外部接続用電極２０の上面２０ａをウエットエッチングしてダレと共に外部接続用電極２０の上部側を除去する必要がある。この工程により、外部接続用電極２０の上面２０ａが封止材１６の上面１６ａより低くなり、封止材１６と外部接続用電極２０との境界に数μｍ程度の段差部ができる。しかしながら、外部接続用電極２０の上面を研削したり、ダレを除去する工程を有することを要件とするものではない。
【００４９】
次に、外部接続用電極２０の上面２０ａ上にフラックス層を印刷法、ポッティング法、インクジェト法など、適宜な方法により形成する（図示せず)。そして、このフラックス層上に半田ボール２５を搭載し、リフロー炉に収容してリフロー処理を行う。このリフロー処理により、半田ボール２５が外部接続用電極２０の上面２０ａに接合される。上記におけるフラックス層の形成に替えて、金またはニッケルなどの半田にぬれ性を示す金属層を形成する表面処理を行うようにしてもよい。
【００５０】
この後は、図２３に二点鎖線で示すダイシングライン２に沿って封止材１６および半導体ウエハ１を切断することにより、外部接続用電極２０および薄膜インダクタ素子３０を有する半導体装置１０を同時に多数個得ることができる。
【００５１】
このような半導体装置１０によれば、感光性樹脂４５を用いているので、フォトレジスト膜の形成が不要となり、フォトレジスト膜を溶剤で溶かしたり、溶剤を揮発させたりする工程がなくなり、作業環境も良くなり、公害も少なくなる。この場合、第２の配線３７と感光性樹脂４５との間に第３の絶縁膜（絶縁材）４１を介在させた状態で感光性樹脂４５の硬化を行うので、第１の配線３３の表面に感光性樹脂４５に含有された成分との化合物が形成されることを防止することができる、という効果を奏する。
【００５２】
（変形例１）
図２４は、本発明の半導体装置１０の第１の変形例を示す。この変形例が図１に図示される半導体装置と相違する点は、感光性樹脂４５が、その周側面を半導体基板１１の側面と同一面としている点である。つまり、下層側から順に積層された半導体基板１１、感光性樹脂４５および封止材１６は、各周側面が同一の位置にあって、同一平面を形成している。この変形例に示す半導体装置を形成するには、図１３に図示された感光性樹脂４５を形成した後、フォトリソグラフォ技術を適用して感光性樹脂４５をパターニングする際、開口部４５ａを形成するための露光パターンのみを有し、周側面に対応する外形パターンを有していない露光マスクを用いて露光を行えばよい。そのような露光マスクを用いて露光を行えば、図１４に対応する工程において、感光性樹脂４５には周側面は形成されないから、図２４に図示された半導体装置が得られる。
その他は、図１に図示された半導体装置１０と同じであり、同一の部材に同一の図面参照番号を付してその説明を省略する。
【００５３】
（変形例２）
図２５は、本発明の半導体装置１０の第２の変形例を示す。この第２の変形例が図１に図示される半導体装置と相違する点は、感光性樹脂４５および第３の絶縁膜４１が、その周側面を半導体基板１１の側面と同一面としている点である。つまり、下層側から順に積層された半導体基板１１、第３の絶縁膜４１、感光性樹脂４５および封止材１６の周側面は同一の位置にあって、同一平面を形成している。この変形例に示す半導体装置を形成するには、図１２に図示された第３の絶縁膜４１を形成した後、図１３に図示する感光性樹脂４５を形成する前に、第３の絶縁膜４１の周側面を第１の絶縁膜４および第２の絶縁膜１２の周側面と同一面にするパターニングを行う。このようにしておけば、図１３に対応する工程では、感光性樹脂４５の周縁部は半導体基板１１上に直接形成される。
【００５４】
そして、図１４に対応する感光性樹脂４５をパターニングする工程で、変形例１と同様に、開口部４５ａのみを形成し、感光性樹脂４５の周側面が半導体基板１１の側面と同一面となるように形成すればよい。
その他は、図１に図示された半導体装置１０と同じであり、同一の部材に同一の図面参照番号を付してその説明を省略する。
【００５５】
なお、上記実施形態では、第１の配線３３および第２の配線３７は、薄膜インダクタ素子３０の構成部材とするものであった。しかし、第１の配線３３および第２の配線３７は、回路素子間を接続するための単なる配線であってもよい。また、第１の配線３３と第２の配線３７間の絶縁膜により容量素子を形成することも可能である。その他、配線自体を抵抗素子とすることも可能であり、複数種類の回路素子を形成することも可能である。
【００５６】
上記実施形態においては、２層積層配線を例とした。また、下層側の配線上に形成する絶縁膜のみ感光性樹脂とする例であった。しかし、積層配線は３層以上としてもよく、各配線間の絶縁膜を感光性樹脂とすること、換言すれば、感光性樹脂を多層とすることも可能である。
【００５７】
その他、本発明の半導体装置は、発明の趣旨の範囲内において、種々、変形して構成することが可能であり、要は、接続パッドを有する半導体基板と、パッド部を有し、接続パッドに電気的に接続された第1の配線と、第1の配線のパッド部を露出する開口部を有する絶縁材と、絶縁材上に形成され、絶縁材の開口部を介して第1の配線を露出する開口部を有する感光性樹脂と、感光性樹脂上に形成され、第1の配線のパッド部に接続された第２の配線と、を具備するものであればよい。
【００５８】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、上面に接続パッドを有する半導体基板を準備する工程と、パッド部を有し、接続パッドに電気的に接続される第1の配線を形成する工程と、第1の配線を絶縁材で覆う工程と、絶縁材を感光性樹脂で覆う工程と、感光性樹脂の記第1の配線のパッド部に対応する部分にウエットエッチングにより開口部を形成する工程と、感光性樹脂の開口部を介して絶縁材に、ドライエッチングにより第1の配線のパッド部を露出する開口部を形成する工程と、感光性樹脂上に第1の配線のパッド部に接続される第２の配線を形成する工程とを含むものであればよい。
【符号の説明】
【００５９】
Ａ    半導体装置形成領域
１    半導体ウエハ（半導体基板）
２    ダイシングライン
３    接続パッド
４    第１の絶縁膜
１０  半導体装置
１１  半導体基板
１２  第２の絶縁膜
１６  封止材
２０  外部接続用電極
２５  半田ボール
３０  薄膜インダクタ素子
３１  内側パッド部
３２  外側パッド部
３３  第１の配線
３４、３８  下地金属層
３４Ａ  第1の金属膜
３８Ａ  第２の金属膜
３５、３９  上部金属層
３８  第２の配線
４１  第３の絶縁膜
４５  感光性樹脂
５１〜５５  フォトレジスト膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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