(57)【要約】【課題】表示品位の良好な有機ＥＬ装置を提供することを目的とする。【解決手段】  絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、を備え、前記有機ＥＬ素子が配置された第１領域と、前記第１領域の周辺に枠状に形成された第２領域とを有するアレイ基板と、前記アレイ基板の前記第１領域の最上面に接する平坦部と、前記平坦部に対して窪んでおり前記アレイ基板の前記第２領域に向かい合う枠状に形成された溝部と、を有する封止基板と、前記封止基板の前記溝部に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール部材と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。【選択図】      図２
2011029081.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、を備え、前記有機ＥＬ素子が配置された第１領域と、前記第１領域の周辺に枠状に形成された第２領域とを有するアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記第１領域の最上面に接する平坦部と、前記平坦部に対して窪んでおり前記アレイ基板の前記第２領域に向かい合う枠状に形成された溝部と、を有する封止基板と、
前記封止基板の前記溝部に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール部材と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記保護膜に接する平坦部と、前記平坦部の周囲に枠状に形成された溝部と、を有する封止基板と、
前記封止基板の前記溝部に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール部材と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記保護膜の上に配置された樹脂層と、
前記樹脂層に接する平坦部と、前記平坦部の周囲に枠状に形成された溝部と、を有する封止基板と、
前記封止基板の前記溝部に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール部材と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された画素電極、前記画素電極の上に配置された有機層、及び、前記有機層の上に配置された対向電極を有する有機ＥＬ素子と、を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記対向電極に接する平坦部と、前記平坦部の周囲に枠状に形成された溝部と、を有する封止基板と、
前記封止基板の前記溝部に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール部材と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記シール部材は、樹脂材料またはフリットガラスによって形成されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。有機ＥＬ素子は、水分によって劣化しやすいため、大気に曝されないよう密封する必要がある。
【０００３】
例えば、特許文献１によれば、下部絶縁基板(lower insulating substrate)と、下部絶縁基板の上に形成された有機光発光素子(organic light emitting device)と、１以上の孔(hole)を有する乾燥剤(desiccant)が形成された乾燥剤配置用凹部(desiccant placing recess)を有する上部基板(upper substrate)と、を備えた有機ＥＬディスプレイが開示されている。上部基板は、さらに、シール剤(sealant)に接着されるシール用凹部(sealing recess)を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７４１１３４５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、表示品位の良好な有機ＥＬ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、を備え、前記有機ＥＬ素子が配置された第１領域と、前記第１領域の周辺に枠状に形成された第２領域とを有するアレイ基板と、前記アレイ基板の前記第１領域の最上面に接する平坦部と、前記平坦部に対して窪んでおり前記アレイ基板の前記第２領域に向かい合う枠状に形成された溝部と、を有する封止基板と、前記封止基板の前記溝部に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール部材と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記保護膜に接する平坦部と、前記平坦部の周囲に枠状に形成された溝部と、を有する封止基板と、前記封止基板の前記溝部に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール部材と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記保護膜の上に配置された樹脂層と、前記樹脂層に接する平坦部と、前記平坦部の周囲に枠状に形成された溝部と、を有する封止基板と、前記封止基板の前記溝部に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール部材と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された画素電極、前記画素電極の上に配置された有機層、及び、前記有機層の上に配置された対向電極を有する有機ＥＬ素子と、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記対向電極に接する平坦部と、前記平坦部の周囲に枠状に形成された溝部と、を有する封止基板と、前記封止基板の前記溝部に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール部材と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、表示品位の良好な有機ＥＬ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の一実施態様における有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子を含む表示パネルのアクティブエリア及び周辺エリアの構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、本実施形態に適用可能な封止基板２００の構造を概略的に示す斜視図である。
【図４】図４は、図２に示した表示パネルの製造方法を説明するための図である。
【図５】図５は、他の実施形態における表示パネルのアクティブエリア及び周辺エリアの構造を概略的に示す断面図である。
【図６】図６は、さらに他の実施形態における表示パネルのアクティブエリア及び周辺エリアの構造を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
図１は、有機ＥＬ装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【００１４】
すなわち、有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１を備えている。この表示パネル１は、アレイ基板１００及び封止基板２００を備えている。アレイ基板１００は、画像を表示する略矩形状のアクティブエリア（第１領域）１０２と、このアクティブエリア１０２の周辺に枠状に形成された周辺エリア（第２領域）１０４と、を有している。アレイ基板１００のアクティブエリア１０２には、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがマトリクス状に配置されている。
【００１５】
封止基板２００は、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。また、この封止基板２００は、アレイ基板１００の周辺エリア１０４と向かい合う枠状に形成された溝部ＧＶを有している。なお、ここでの枠状とは、完全な一続きの枠状でなくてもよい。この封止基板２００の構造については後に詳述する。
【００１６】
これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、シール部材３００によって貼り合わされている。このシール部材３００は、封止基板２００の枠状の溝部ＧＶに途切れることなく配置され、枠状に形成されるとともに、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２を囲む周辺エリア１０４に接着されている。このようなシール部材３００は、例えば、樹脂材料や、フリットガラスによって形成されている。
【００１７】
図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含む表示パネル１の断面図である。なお、ここに示した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、封止基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプである。
【００１８】
アレイ基板１００は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上方に形成されたスイッチングトランジスタＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどを有している。絶縁基板１０１の上には、第１絶縁膜１１１が配置されている。このような第１絶縁膜１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第１絶縁膜１１１は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。
【００１９】
第１絶縁膜１１１の上には、スイッチングトランジスタＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。
【００２０】
半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１１２によって被覆されている。また、第２絶縁膜１１２は、第１絶縁膜１１１の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第２絶縁膜１１２は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。
【００２１】
第２絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチングトランジスタＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。ゲート電極Ｇは、第３絶縁膜１１３によって被覆されている。また、第３絶縁膜１１３は、第２絶縁膜１１２の上にも配置されている。このような第３絶縁膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第３絶縁膜１１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。
【００２２】
第３絶縁膜１１３の上には、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。スイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、及び、ドレイン電極Ｄは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの導電材料を用いて形成されている。
【００２３】
これらのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、第４絶縁膜１１４によって被覆されている。また、第４絶縁膜１１４は、第３絶縁膜１１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。この第４絶縁膜１１４は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機化合物や、シリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。
【００２４】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチングトランジスタＳＷのドレイン電極Ｄに接続されている。この画素電極ＰＥは、この例では陽極に相当する。
【００２５】
この画素電極ＰＥは、反射電極ＰＥＲ及び透過電極ＰＥＴが積層された２層構造である。反射電極ＰＥＲは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。また、透過電極ＰＥＴは、反射電極ＰＥＲの上に積層されている。反射電極ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過電極ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。なお、画素電極ＰＥは、上述した２層構造に限らず、３層以上の積層構造であっても良いし、反射電極ＰＥＲ単層であっても良いし、透過電極ＰＥＴ単層であっても良い。トップエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの場合には、画素電極ＰＥは、少なくとも反射電極ＰＥＲを有している。
【００２６】
第４絶縁膜１１４の上には、隔壁ＰＩが配置されている。この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁に沿って配置されている。また、この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの一部に重なっている。このような隔壁ＰＩは、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機化合物や、シリコン窒化物などの各種無機化合物などの絶縁材料によって形成されている。
【００２７】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。なお、有機層ＯＲＧの材料については、蛍光材料を含んでいても良いし、燐光材料を含んでいても良い。
【００２８】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧのみならず隔壁ＰＩも被覆している。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。このような対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。この対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）・銀（Ａｇ）などによって形成された半透過層によって構成されている。なお、対向電極ＣＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成された透過層を含んでいても良い。
【００２９】
対向電極ＣＥの上には、保護膜１１５が配置されている。このような保護膜１１５は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。つまり、保護膜１１５は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを覆うとともに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの周囲に配置された隔壁ＰＩの直上にも延在している。この保護膜１１５は、光透過性を有し且つ水分が浸透しにくい材料、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機化合物によって形成されている。つまり、この保護膜１１５は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分の浸透を防止する水分バリア膜として機能する。
【００３０】
なお、上述した第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、保護膜１１５などは、アクティブエリア１０２のみならず、周辺エリア１０４にも延在していても良いが、図２に示した例では、これらの膜は周辺エリア１０４に延在しておらず、周辺エリア１０４では、絶縁基板１０１が露出している。
【００３１】
封止基板２００は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板である。この封止基板２００は、上述した通り、アレイ基板１００の周辺エリア１０４に向かい合う溝部ＧＶを有している。また、この封止基板２００は、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２の最上面に接する平坦部２１０を有している。図２に示した例では、封止基板２００の平坦部２１０は、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２の最上面に配置された保護膜１１５に接している。
【００３２】
平坦部２１０は、封止基板２００のうち、保護膜１１５に接する内面２００Ａにほとんど凹凸がない部分に相当する。この平坦部２１０は、略均一な厚さＴに形成されている。なお、アクティブエリア１０２の最上面つまり保護膜１１５の表面には、隔壁ＰＩの有無などに起因した凹凸が形成されている場合がある。このため、平坦部２１０の全体が保護膜１１５に接しているとは限らない。図２に示した例のように、平坦部２１０は、隔壁ＰＩの直上では保護膜１１５に接している一方で、画素電極ＰＥの直上では保護膜１１５と平坦部２１０との間に隙間が形成されている場合もある。なお、保護膜１１５と平坦部２１０との間に形成された隙間には、樹脂材料などの光透過性を有する材料が充填されても良い。
【００３３】
溝部ＧＶは、平坦部２１０に対して窪んでいる。つまり、この溝部ＧＶの底部ＧＡは、内面２００Ａよりもアレイ基板１００から離間する方向に形成されている。この溝部ＧＶの深さ（つまり内面２００Ａから底部ＧＡまでの距離）Ｄは、略均一に形成されている。なお、アレイ基板１００の周辺エリア１０４に向かい合う封止基板２００において、溝部ＧＶ以外の部分については、平坦部２１０と同等の厚さＴに形成されており、溝部ＧＶの内側の内面２００Ａと溝部ＧＶの外側の内面２００Ａの位置が一致している。
【００３４】
シール部材３００は、封止基板２００の溝部ＧＶに配置されるとともに、溝部ＧＶに向かい合うアレイ基板１００の周辺エリア１０４において絶縁基板１０１に接着されている。つまり、シール部材３００は、溝部ＧＶの底部ＧＡと絶縁基板１０１の上面１０１Ａとの間に配置されている。このシール部材３００は、樹脂材料や、フリットガラスのいずれであっても良い。
【００３５】
図２に示した例では、封止基板２００において溝部ＧＶの周辺の内面２００Ａは、アレイ基板１００の絶縁基板１０１から離間しているが、絶縁基板１０１から封止基板２００までの間隔、つまり、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、隔壁ＰＩ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、保護膜１１５などの厚さの総和が数μｍ程度である場合には、アレイ基板１００に接している場合もありうる。
【００３６】
寸法の一例として、封止基板２００の厚さＴが０．７ｍｍであり、溝部ＧＶの深さＤが１５μｍであり、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２において絶縁基板１０１の上面１０１Ａから保護膜１１５の封止基板２００と接する表面までの距離が３μｍであり、シール部材３００の厚さ、つまり、絶縁基板１０１の上面１０１Ａから溝部ＧＶの底部ＧＡまでの距離が１８μｍである。
【００３７】
図２では、説明に必要な主要部を拡大して示しており、封止基板２００の厚さＴや溝部ＧＶの深さＤ、絶縁基板１０１の上面１０１Ａから封止基板２００の内面２００Ａまでの距離などのスケールは正確ではない。
【００３８】
図３は、本実施形態に適用可能な封止基板２００の構造を概略的に示す斜視図である。封止基板２００において、平坦部２１０は、略矩形状に形成されている。溝部ＧＶは、平坦部２１０を囲む矩形枠状に形成されている。この封止基板２００の内面２００Ａについては、平坦部２１０での内面２００Ａと、溝部ＧＶの外側での内面２００Ａとは同一平面を成すように形成されている。
【００３９】
次に、図２に示した表示パネル１の製造方法について図４を参照しながら説明する。ここでは、シール部材３００として、樹脂材料を適用した場合について説明する。
【００４０】
図４の（ａ）で示すように、封止基板２００として、厚さＴが０．７ｍｍのガラス基板を準備し、フォトリソグラフィプロセス及びフッ酸によるエッチング法によって深さＤが１５μｍの溝部ＧＶを形成する。このような封止基板２００において、溝部ＧＶの内側が平坦部２１０となる。
【００４１】
そして、図４の（ｂ）で示すように、封止基板２００の溝部ＧＶに、シール部材３００として、１周途切れることのないよう紫外線硬化性エポキシ樹脂を塗布する。
【００４２】
そして、図４の（ｃ）で示すように、シール部材３００が塗布された封止基板２００と、別途作成したアレイ基板１００とを、内部を減圧できるチャンバ（図示せず）に挿入し、チャンバの内部を減圧状態にした後に、双方に形成したアライメントマークを合わせて、アレイ基板１００と封止基板２００とを密着させる。このとき、シール部材３００は、アレイ基板１００の周辺エリア１０４において絶縁基板１０１に接着される。また、封止基板２００の平坦部２１０は、アクティブエリア１０２に最上面に接している。
【００４３】
なお、アレイ基板１００は、絶縁基板１０１の上に、アクティブエリア１０２として第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、スイッチングトランジスタＳＷ、隔壁ＰＩ、保護膜１１５などを形成して作成されるが、図４の（ｃ）ではこれらを省略している。
【００４４】
その後、図４の（ｄ）で示すように、シール部材３００に向けて紫外線を照射してエポキシ樹脂を硬化させる。エポキシ樹脂が充分硬化した後に、チャンバを大気圧に戻し、貼り合わせられたアレイ基板１００及び封止基板２００を取り出す。その後、必要な大きさに切断して表示パネル１を得て、有機ＥＬ表示装置として必要な部品、例えば駆動回路を内蔵したＩＣチップなどが実装される。
【００４５】
アレイ基板１００のアクティブエリア１０２と封止基板２００とが離間した状態で貼り合わせられた表示パネル１においては、封止基板２００がその自重などによって撓んだ際に、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２の最上面と封止基板２００とのギャップは、表示パネル１の中央部付近よりも表示パネル１の周辺部で大きくなる。このため、封止基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えた表示パネル１を封止基板２００の側から観察した際に、封止基板２００の側から入射した外光が表示パネル１の内部で反射し、干渉縞が視認されるため、表示品位の劣化の原因となる。
【００４６】
これに対して、本実施形態によれば、封止基板２００の平坦部２１０がアレイ基板１００のアクティブエリア１０２の最上面に接しているため、部分的にギャップの異なる不所望な隙間が形成されなくなる。このため、トップエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えた表示パネル１を封止基板２００の側から観察した際に、干渉縞が視認されることがなく、良好な表示品位を得ることができる。
【００４７】
また、本実施形態によれば、シール部材３００は、封止基板２００の溝部ＧＶに配置されている。このため、封止基板２００の平坦部２１０がアレイ基板１００のアクティブエリア１０２の最上面に接した状態で、アレイ基板１００と封止基板２００とを貼り合わせるのに十分な量のシール部材３００を配置することが可能となる。また、シール部材３００が溝部ＧＶに過剰に配置されたとしても、溝部ＧＶの外側への広がりが規制されるため、シール部材３００がアクティブエリア１０２の側にはみ出しにくくなる。
【００４８】
上述した本実施形態においては、シール部材３００として樹脂材料を適用した場合について説明したが、シール部材３００としてフリットガラスを適用した場合には、フリットガラスは、樹脂材料と比較して硬く、アレイ基板１００と封止基板２００とを貼り合わせた際に潰れにくい。このため、シール部材３００を配置するための溝部ＧＶを設けなかった場合、封止基板２００とアレイ基板１００との間に、アレイ基板１００の絶縁基板１０１の上面１０１Ａからアクティブエリア１０２の最上面までの距離よりも厚いシール部材３００を設置すると、アレイ基板１００と封止基板２００との間に、干渉縞の発生原因となる隙間が形成されてしまう。したがって、本実施形態のように、シール部材３００を配置するための溝部ＧＶを設けることにより、たとえ潰れにくいシール部材３００を厚く設置した場合であっても、封止基板２００の平坦部２１０とアレイ基板１００のアクティブエリア１０２の最上面とが接し、干渉縞の発生原因となる隙間が形成されないため、良好な表示品位が得られる。
【００４９】
さらに、本実施形態によれば、シール部材３００として樹脂材料を適用した場合であっても、アクティブエリア１０２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、水分バリア膜として機能する保護膜１１５によって覆われているため、たとえシール部材３００である樹脂材料から水分が浸透したとしても、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの水分による劣化を防止することが可能となる。
【００５０】
次に、他の実施形態について図５を参照して説明する。
【００５１】
この図５に示した例の表示パネル１は、図２に示した表示パネル１と比較して保護膜１１５と封止基板２００の平坦部２１０との間に樹脂層１２０が配置された点で相違している。なお、他の構成については、図２に示した例と同一であるため、同一の参照符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５２】
すなわち、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、絶縁基板１０１の上に順に積層された第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜に加え、スイッチングトランジスタＳＷ、トップエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの周囲に配置された隔壁ＰＩなどを備えている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、保護膜１１５によって覆われている。
【００５３】
樹脂層１２０は、アレイ基板１００の保護膜１１５の上に配置されている。この樹脂層１２０は、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２に対応して配置され、周辺エリア１０４には延在していない。この樹脂層１２０は、アクリル系樹脂などの光透過性を有する樹脂材料によって形成されている。封止基板２００の平坦部２１０は、樹脂層１２０に接している。
【００５４】
封止基板２００の溝部ＧＶには、シール部材３００が配置されている。このシール部材３００は、アレイ基板１００の周辺エリア１０４において、絶縁基板１０１の上面１０１Ａに接着されている。このようなシール部材３００は、樹脂材料や、フリットガラスのいずれであっても良い。
【００５５】
なお、この図５では、説明に必要な主要部を拡大して示しており、封止基板２００の厚さＴや溝部ＧＶの深さＤ、絶縁基板１０１の上面１０１Ａから封止基板２００の内面２００Ａまでの距離などのスケールは正確ではない。
【００５６】
このような図５に示した例においても、図２に示した例と同様の効果が得られる。
【００５７】
次に、さらに他の実施形態について図６を参照して説明する。
【００５８】
この図６に示した例の表示パネル１は、図２に示した表示パネル１と比較して保護膜１１５を省略し、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２の最上面が対向電極ＣＥである点で相違している。なお、他の構成については、図２に示した例と同一であるため、同一の参照符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５９】
すなわち、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、絶縁基板１０１の上に順に積層された第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜に加え、スイッチングトランジスタＳＷ、トップエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの周囲に配置された隔壁ＰＩなどを備えている。
【００６０】
封止基板２００の平坦部２１０は、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２の最上面である対向電極ＣＥに接している。封止基板２００の溝部ＧＶには、シール部材３００が配置されている。このシール部材３００は、アレイ基板１００の周辺エリア１０４において、絶縁基板１０１の上面１０１Ａに接着されている。
【００６１】
図６に示した例のように、平坦部２１０は、隔壁ＰＩの直上では保護膜１１５に接している一方で、画素電極ＰＥの直上では保護膜１１５と平坦部２１０との間に隙間が形成されている場合もある。なお、保護膜１１５と平坦部２１０との間に形成された隙間には、樹脂材料などの光透過性を有する材料が充填されても良い。
【００６２】
図６に示した例では、水分バリア膜として機能する保護膜１１５が省略されているため、シール部材３００としては、樹脂材料と比較して水分が浸透しにくいフリットガラスが好適である。
【００６３】
このようなフリットガラスは、例えば以下のようにしてシール部材３００として適用される。すなわち、封止基板２００の溝部ＧＶにペースト状に加工したフリットガラスを塗布し、約４００℃のオーブンで溶融固化させる。その後、フリットガラスが塗布された封止基板２００とアレイ基板１００とをチャンバ内に挿入し、双方に形成したアライメントマークを合わせて、封止基板２００のフリットガラスをアレイ基板１００の周辺エリア１０４に密着させる。チャンバの内部を約９０ｋＰａ以下に減圧した状態で、フリットガラスに向けてレーザー光などを照射してフリットガラスを部分的に加熱溶融させ、アレイ基板１００と封止基板２００とを貼り合わせる。その後、チャンバの内部を大気圧に戻して貼り合わせられたアレイ基板１００及び封止基板２００を取り出し、必要な大きさに切断して表示パネル１を得て、有機ＥＬ表示装置として必要な部品、例えば駆動回路を内蔵したＩＣチップなどが実装される。
【００６４】
なお、この図６も図５と同様に、説明に必要な主要部を拡大して示しており、封止基板２００の厚さＴや溝部ＧＶの深さＤ、絶縁基板１０１の上面１０１Ａから封止基板２００の内面２００Ａまでの距離などのスケールは正確ではない。
【００６５】
このような図６に示した例においても、図２に示した例と同様の効果が得られる。
【００６６】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００６７】
本実施形態は、有機ＥＬ装置として、有機ＥＬ表示装置について説明したが、有機ＥＬ照明や有機ＥＬプリンターヘッドなどにも利用可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１…表示パネル
１００…アレイ基板  １０２…アクティブエリア  １０４…周辺エリア
２００…封止基板  ２１０…平坦部  ＧＶ…溝部
３００…シール部材
ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子
ＰＥ…画素電極（ＰＥＲ…反射電極  ＰＥＴ…透過電極）
ＣＥ…対向電極
ＯＲＧ…有機層
１１５…保護膜
１２０…樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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