(57)【要約】【課題】  太陽電池の電極等の機能層への接触性、接続信頼性に優れ、集電電極等にゆうような導体層を有する導体層パターン付き基材を提供する。【解決手段】  樹脂層を含む基材に導体層のパターンが積層されている導体層パターン付き基材であって、上記導体層の断面形状が、その上部に湾曲した表面を有し、上記導体層は、少なくともその上部表面の一部が樹脂層からは露出しており、導体層の最大幅（Ｌ）に対する最大幅より上部の導体層の厚み（Ｔ２）の割合（Ｔ２／Ｌ）が０．０１〜２の範囲である導体層パターン付き基材。樹脂層への導体層の密着性向上のため導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が樹脂層に埋設されていることが好ましい。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層を含む基材に導体層のパターンが積層されている導体層パターン付き基材であって、上記導体層の断面形状が、その上部に湾曲した表面を有し、上記導体層は、少なくともその上部表面の一部が樹脂層からは露出しており、導体層の最大幅（Ｌ）に対する最大幅より上部の導体層の厚み（Ｔ２）の割合（Ｔ２／Ｌ）が０．０１〜２の範囲である導体層パターン付き基材。
【請求項２】
導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が樹脂層に埋設されてなる請求項１記載の導体層パターン付き基材。
【請求項３】
上記導体層の厚さが０．５〜１００μｍの範囲である請求項１又は２のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
【請求項４】
樹脂層を含む基材が、耐熱性透明基材上に樹脂層を積層してなるものである請求項１〜３のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
【請求項５】
耐熱性透明基材がガラス板である請求項４に記載の導体層パターン付き基材。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の導体層が樹脂層から露出している面に表面保護用の基材を積層してなる表面保護された導体層パターン付き基材。
【請求項７】
表面保護用の基材が剥離可能なものである請求項６記載の表面保護された導体層パターン付き基材。
【請求項８】
（Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部からはみ出るようにめっきして、断面形状がその上部に湾曲した部分を有する形状である導体層のパターンを形成する導体層作製工程、
（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した導体層のパターンを、導体層の最大幅の部分が露出した状態で転写用基材に転写する転写工程、
及び
（Ｃ）得られた導体層のパターン有する転写用基材の導体層のパターンが存在する面に、表面に樹脂層を含む基材を、その基材の樹脂層がその面に接触するように積層して導体層の最大幅の部分以下の部分が樹脂層に埋設された積層物を作製する工程
を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項９】
請求項８記載の導体層パターン付き基材の製造法の工程をすべて行った後、転写用基材を剥離することを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１０】
（Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部からはみ出るようにめっきして、断面形状がその上部に湾曲した部分を有する形状である導体層パターンを形成する工程、
（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した導体層パターンを、導体層の最大幅の部分が露出した状態で転写用基材に転写する工程、
（Ｃ）得られた導体層パターン有する転写用基材の導体層パターンが存在する面に、表面に樹脂層を含む基材を、その基材の樹脂層がその面に接触するように積層して導体層の少なくとも厚さ方向の一部分が樹脂層に埋設された積層物を作製する工程
及び
（Ｄ）得られた積層物から転写用基材を剥離する工程
を含み、上記（Ｃ）の工程又はそれ以後において、前記樹脂層に導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が埋設されるように調整することを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１１】
（Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部からはみ出るようにめっきして、断面形状がその上部に湾曲した部分を有する形状である導体層パターンを形成する工程、
（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した導体層パターンを、導体層パターンの最大幅の部分が露出した状態で転写用基材に転写する工程、
（Ｃ）得られた導体層パターンを有する転写用基材の導体層パターンが存在する面に、表面に樹脂層及び支持基材を含む基材を、その基材の樹脂層がその面に接触するように積層して導体層が樹脂層に厚さ方向で少なくとも部分的に埋設された積層物を作製する工程
及び
（Ｅ）得られた積層物から転写用基材を剥離し、代わりに保護基材を積層する工程
を含み、上記（Ｃ）の工程又はそれ以後において、前記樹脂層に導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が埋設されるように調整することを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１２】
請求項１１記載の導体層パターン付き基材の製造法の全ての工程を行った後、（Ｆ）保護基材を剥離する工程を行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１３】
（Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部からはみ出るようにめっきして、断面形状がその上部に湾曲した部分を有する形状である導体層パターンを形成する工程、
（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した導体層パターンを、導体層パターンの最大幅の部分が露出した状態で転写用基材に転写する工程、
（Ｃ）得られた導体層パターンを有する転写用基材の導体層パターンが存在する面に、表面に樹脂層及び支持基材を含む基材を、その基材の樹脂層がその面に接触するように積層して導体層が樹脂層に厚さ方向で少なくとも部分的に埋設された積層物を作製する工程
（Ｅ）得られた積層物から転写用基材を剥離し、代わりに保護基材を積層して新しい積層物を作製する工程
及び
（Ｇ）新しい積層物における表面に樹脂層及び支持基材を含む基材の支持基材を別の支持基材に交換する工程
を含み、上記（Ｃ）の工程又はそれ以後において、前記樹脂層に導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が埋設されるように調整することを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１４】
請求項１３記載の導体層パターン付き基材の製造法の全ての工程を行った後、（Ｈ）保護基材を剥離する工程を行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１５】
（Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部からはみ出るようにめっきして、断面形状がその上部に湾曲した部分を有する形状である導体層パターンを形成する工程、
（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した導体層パターンを、導体層の最大幅の部分が露出した状態で転写用基材に転写する工程、
（Ｃ）得られた導体層パターン有する転写用基材の導体層パターンが存在する面に、表面に樹脂層及び支持基材を含む基材を、その基材の樹脂層がその面に接触するように積層して導体層の最大幅の部分以下の部分が樹脂層に埋設された積層物を作製する工程
及び
（Ｊ）得られた積層物における表面に樹脂層及び支持基材を含む基材の支持基材を別の支持基材に交換する工程
を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１６】
請求項１５記載の導体層パターン付き基材の製造法の工程をすべて行った後、（Ｋ）転写用基材を剥離する工程を行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１７】
別の支持基材が、耐熱性透明基材である請求項１３〜１６のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１８】
耐熱性透明基材がガラス板である請求項１７に記載の導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１９】
請求項１〜７のいずれかに記載の導体層パターン付き基材からなる太陽電池用電極基材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体層パターン付き基材、その製造法及びそれを用いた太陽電池用電極基材に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属メッシュ等の導体層パターンを有する基材（導体層パターン付き基材）は、例えば、次のようにして利用されている。
特許文献１には、金属からなる導体層パターンを表面に有する基材（導体層パターン付き基材）が開示されており、電磁波遮蔽部材として有用であることが示される。
太陽電池パネルには、その表面又は裏面には、光電変換によって発生した電気（電子）を集電するための導体パターンが形成される。この導体パターンは、集電電極又はインターコネクター等と称される。この導体パターンは、現在、主に、導電ペースト等を付した後焼結する方法、蒸着法、スパッタ法等により作製されているが、特許文献１には、導体層パターン付き基材が太陽電池用電極取り出し若しくは配線に使用できることが示唆されている。さらにタッチパネル部材などへの応用が示唆されている。
特許文献２には、裏面電極型太陽電池の製造方法が示され、半導体基板の裏面上に電極金属膜を蒸着またはスパッタリングによって形成することが記載される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００８／０８１９０４（Ｐ．５５，段落００５８）
【特許文献２】特開２００６−３２４５９０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来、太陽電池パネルの電極形成は、導電ペーストの塗布、蒸着などの方法では、生産性の上で問題であり、さらに、簡易な生産性の良い方法が望まれる。このような要求に対して、前記した導体層パターン付き基材の使用による方法が有用であると考えられる。太陽電池以外の用途においても、そして、このような導体層パターン付き基材を使用した場合、導体層自体に特に密着性が有るわけではないので、その点が問題となる可能性がある。また、導体層パターン付き基材を機能性構造物（ＰＤＰディスプレイパネル、太陽電池、タッチパネル等）に組み込んだ場合、その導体層と機能性構造物の特定機能層〔特に太陽電池用電極基材のように太陽電池の機能層（光電変換層、ＩＴＯ等の透明導電膜、電極など）、ＰＤＰディスプレイの筐体のアース接続部など〕との接触性、接続信頼性、密着信頼性等が良好であることが求められる。
【０００５】
本発明は、このような問題点に鑑み、第一に、導体層の機能層への接触性、接続信頼性に優れる導体層を有する導体層パターン付き基材、その製造法及び太陽電池用電極基板、第２に密着信頼性が優れる導体層パターン付き基材、その製造法及び太陽電池用電極基板を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、次のものに関する。
１．  樹脂層を含む基材に導体層のパターンが積層されている導体層パターン付き基材であって、上記導体層の断面形状が、その上部に湾曲した表面を有し、上記導体層は、少なくともその上部表面の一部が樹脂層からは露出しており、導体層の最大幅（Ｌ）に対する最大幅より上部の導体層の厚み（Ｔ２）の割合（Ｔ２／Ｌ）が０．０１〜２の範囲である導体層パターン付き基材。
２．  導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が樹脂層に埋設されてなる項１記載の導体層パターン付き基材。
３．  上記導体層の厚さが０．５〜１００μｍの範囲である項１又は２のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
４．  樹脂層を含む基材が、耐熱性透明基材上に樹脂層を積層してなるものである項１〜３のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
５．  耐熱性透明基材がガラス板である項４に記載の導体層パターン付き基材。
６．  項１〜４のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の導体層が樹脂層から露出している面に表面保護用の基材を積層してなる表面保護された導体層パターン付き基材。
７．  表面保護用の基材が剥離可能なものである項６記載の表面保護された導体層パターン付き基材。
８．  （Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部からはみ出るようにめっきして、断面形状がその上部に湾曲した部分を有する形状である導体層のパターンを形成する導体層作製工程、
（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した導体層のパターンを、導体層の最大幅の部分が露出した状態で転写用基材に転写する転写工程、
及び
（Ｃ）得られた導体層のパターン有する転写用基材の導体層のパターンが存在する面に、表面に樹脂層を含む基材を、その基材の樹脂層がその面に接触するように積層して導体層の最大幅の部分以下の部分が樹脂層に埋設された積層物を作製する工程
を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
９．  項８記載の導体層パターン付き基材の製造法の工程をすべて行った後、転写用基材を剥離することを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
１０．  （Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部からはみ出るようにめっきして、断面形状がその上部に湾曲した部分を有する形状である導体層パターンを形成する工程、
（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した導体層パターンを、導体層の最大幅の部分が露出した状態で転写用基材に転写する工程、
（Ｃ）得られた導体層パターン有する転写用基材の導体層パターンが存在する面に、表面に樹脂層を含む基材を、その基材の樹脂層がその面に接触するように積層して導体層の少なくとも厚さ方向の一部分が樹脂層に埋設された積層物を作製する工程
及び
（Ｄ）得られた積層物から転写用基材を剥離する工程
を含み、上記（Ｃ）の工程又はそれ以後において、前記樹脂層に導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が埋設されるように調整することを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
１１．  （Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部からはみ出るようにめっきして、断面形状がその上部に湾曲した部分を有する形状である導体層パターンを形成する工程、
（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した導体層パターンを、導体層パターンの最大幅の部分が露出した状態で転写用基材に転写する工程、
（Ｃ）得られた導体層パターンを有する転写用基材の導体層パターンが存在する面に、表面に樹脂層及び支持基材を含む基材を、その基材の樹脂層がその面に接触するように積層して導体層が樹脂層に厚さ方向で少なくとも部分的に埋設された積層物を作製する工程
及び
（Ｅ）得られた積層物から転写用基材を剥離し、代わりに保護基材を積層する工程
を含み、上記（Ｃ）の工程又はそれ以後において、前記樹脂層に導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が埋設されるように調整することを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
１２．  項１１記載の導体層パターン付き基材の製造法の全ての工程を行った後、（Ｆ）保護基材を剥離する工程を行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
１３．  （Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部からはみ出るようにめっきして、断面形状がその上部に湾曲した部分を有する形状である導体層パターンを形成する工程、
（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した導体層パターンを、導体層パターンの最大幅の部分が露出した状態で転写用基材に転写する工程、
（Ｃ）得られた導体層パターンを有する転写用基材の導体層パターンが存在する面に、表面に樹脂層及び支持基材を含む基材を、その基材の樹脂層がその面に接触するように積層して導体層が樹脂層に厚さ方向で少なくとも部分的に埋設された積層物を作製する工程
（Ｅ）得られた積層物から転写用基材を剥離し、代わりに保護基材を積層して新しい積層物を作製する工程
及び
（Ｇ）新しい積層物における表面に樹脂層及び支持基材を含む基材の支持基材を別の支持基材に交換する工程
を含み、上記（Ｃ）の工程又はそれ以後において、前記樹脂層に導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が埋設されるように調整することを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
１４．  項１３記載の導体層パターン付き基材の製造法の全ての工程を行った後、（Ｈ）保護基材を剥離する工程を行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
１５．  （Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部からはみ出るようにめっきして、断面形状がその上部に湾曲した部分を有する形状である導体層パターンを形成する工程、
（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した導体層パターンを、導体層の最大幅の部分が露出した状態で転写用基材に転写する工程、
（Ｃ）得られた導体層パターン有する転写用基材の導体層パターンが存在する面に、表面に樹脂層及び支持基材を含む基材を、その基材の樹脂層がその面に接触するように積層して導体層の最大幅の部分以下の部分が樹脂層に埋設された積層物を作製する工程
及び
（Ｊ）得られた積層物における表面に樹脂層及び支持基材を含む基材の支持基材を別の支持基材に交換する工程
を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
１６．  項１５記載の導体層パターン付き基材の製造法の工程をすべて行った後、（Ｋ）転写用基材を剥離する工程を行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
１７．  別の支持基材が、耐熱性透明基材である項１３〜１６のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造法。
１８．  耐熱性透明基材がガラス板である項１７に記載の導体層パターン付き基材の製造法。
１９．  項１〜７のいずれかに記載の導体層パターン付き基材からなる太陽電池用電極基材。
【発明の効果】
【０００７】
本発明における導体層パターン付き基材は、導体層パターン付き基材を機能性構造物（ＰＤＰディスプレイパネル、ＰＤＰディスプレイのアース接続部を含む筐体、太陽電池要素、タッチパネル用の偏光フィルム等のある機能を発揮する構造物）の特定機能層〔特に太陽電池用電極基材のように太陽電池要素の機能層（光電変換層、ＩＴＯ等の透明導電膜などの電気取出電極層）、ＰＤＰディスプレイのアース接続部を含む筐体におけるアース接続部など〕との接触性、密着信頼性等が良好であり、加熱加湿試験等の信頼性試験や、耐水試験を行った後の密着力の低下がなく、良好である。
【０００８】
本発明における導体層パターン付き基材では、導体層の最大幅となる部分が、基材上に形成した樹脂層に埋没している場合、樹脂と導体層の接触面積が増え、導体層の密着性が向上する特に、導体層の横方向のせん断密着力が向上する。したがって、振動衝撃に対してパターン異常がなく、輸送後にも特性の低下がない。また、加熱加湿試験等の信頼性試験や、耐水試験を行った後の密着力に対しても優れた効果を示す。
【０００９】
本発明における導体層パターン付き基材では、基材に透明性のものを使用することにより、光透過性にすぐれたものとすることができ、また、導体層パターンの存在する面に濁度を２．０以下のカバーフィルムや剥離性基材を貼り合わせることで、表面保護された高透明の導体層パターン付き基材を得ることができる。
【００１０】
本発明の導体層パターン付き基材の製造法によれば、めっきにより得られる導体層パターンの剥離や転写を含む方法により製造することができ、特に導体層のパターンの剥離や転写が容易であるため、導体層パターン付き基材が容易に製造でき、また、導電性に優れた導体層パターン付き基材を容易に製造できる。さらに、また、このような導体層パターン付き基材を生産効率よく製造できる。また、透明に優れた導体層パターン付き基材を容易に作製することができる。
【００１１】
本発明における太陽電池用電極部材は、特定の導体層パターンを使用することにより、集電性能が高く、また、透明性を高くすることもでき、さらに、生産効率よく製造できる。また、加熱加湿試験等の信頼性試験や、耐水試験を行った後の密着力の低下がなく、良好である。導体層の最大幅となる部分が、基材上に形成した樹脂層に埋没している場合、導体層の密着性が向上する特に、導体層の横方向のせん断密着力が向上する。したがって、振動衝撃に対してパターン異常がなく、輸送後にも特性の低下がない。また、加熱加湿試験等の信頼性試験や、耐水試験を行った後の密着力に対しても優れた効果を示す。
本発明における導体層パターン付き基材は、電磁波遮蔽部材及び電磁波遮蔽板、フィルムアンテナ等に利用することができ、特定の導体層パターンを使用することにより、電磁波シールド性、アンテナ性能に優れ、また、生産効率よく製造でき、光透過性も付与できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係る導体層パターン付き基材の一例を示す部分切り取り斜視図。
【図２】導体層の一部を切り取った斜視図。
【図３】図２（ｂ）に示す導体層の幅方向の断面図。
【図４】図２（ｂ）に示す導体層の幅方向の他の例の断面図。
【図５】導体層の横断面図。
【図６】導体層の横断面図。
【図７】導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。
【図８】導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。
【図９】本発明のめっき用導電性基材の一例を示す斜視図。
【図１０】図９のＡ−Ａ断面図。
【図１１】めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図。
【図１２】中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。
【図１３】導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図。
【図１４】導体層パターン付き基材の作製例の後半を示す断面図。
【図１５】めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより導体層パターンを形成した状態を示す断面図。
【図１６】図１５に示す凹部内の導体層パターンを転写して得られた導体層パターン付き基材の断面図。
【図１７】（Ｃ）工程を示す断面図。
【図１８】（Ｄ）工程及び埋設調整工程を示す断面図。
【図１９】露出した導体層を有する導体層パターン付き基材の一例を示す断面図。
【図２０】基材が樹脂層だけからなる導体層パターン付き基材の一例を示す断面図。
【図２１】（Ｅ）の工程を示す断面図。
【図２２】（Ｅ）の工程を経て得られる導体層パターン付き基材の一例を示す断面図。
【図２３】他の工程を経て得られる転写用基材を含む導体層パターン付き基材の断面図。
【図２４】本発明における導体層パターン付き基材を利用した積層物の断面図。
【図２５】別の態様を示す積層物の断面図。
【図２６】本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池の構成を示す断面図。
【図２７】本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池の別の構成を示す断面図。
【図２８】太陽電池要素の断面図。
【図２９】別の太陽電池要素の断面図。
【図３０】別の太陽電池要素の断面図。
【図３１】別の太陽電池要素の断面図。
【図３２】太陽電池の一例を示す断面図。
【図３３】太陽電池の他の例を示す断面図。
【図３４】太陽電池の他の例を示す断面図。
【図３５】太陽電池の参考例を示す断面図。
【図３６】回転体を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。
【図３７】フープ状のめっき用導電性基材を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明に係る導体層パターン付き基材は、樹脂層を含む基材及び導体層を含み、基材の表面に導体層がパターン状に配置されている。
図１は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例を示す部分切り取り斜視図（模式図）である。導体層パターン付き基材１は、支持基材２上に樹脂層３を有する基材４の表面に導体層５が積層されている。
【００１４】
基材４は、従って、それを構成する樹脂層及び支持基材は、用途により選択することができる。ディスプレイ用電磁波遮蔽材、フィルムアンテナ、液晶パネル、タッチパネル、無機ＥＬを使った平面光源、太陽電池（表面側への応用）等への導体層パターン付き基材の応用を考慮すると透明のものが好ましい。このとき、本発明に係る導体層パターン付き基材は、特に可視領域で光透過性を有することが好ましく、一般に全光線透過率が９０％以上のものが好ましい。
上記基材は、その表面のうち導体層を積層する側に樹脂層を有し、導体層はその樹脂層に適宜埋設される。
この樹脂層は、熱可塑性樹脂でもよいが、硬化性樹脂であってもよい。硬化性樹脂は硬化させてあってもそうでなくてもよく、樹脂の硬化は、導体層パターン付き基材を使用に供してから行ってもよい。
また、この樹脂層は、支持基材上に積層されていることが好ましいが、樹脂層だけで基材を構成していてもよい。
【００１５】
支持基材としては、ガラス、プラスチック等からなる板、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどがある。ガラスとしては、ソーダガラス、無アルカリガラス、強化ガラス等のガラスを使用することができる。
プラスチックとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂が好適に用いられる。別の基材の厚みは、０．５ｍｍ〜５ｍｍがディスプレイの保護や強度、取扱い性から好ましい。
【００１６】
このプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂などのプラスチックからなるフィルムで全可視光透過率が７０％以上のものが好ましい。これらは単層で使うこともできるが、２層以上を組合せた多層フィルムとして使用してもよい。前記プラスチックフィルムのうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリカーボネートフィルムが特に好ましい。
上記プラスチックフィルムの厚さは特に制限はないが、１ｍｍ以下のものが好ましく、厚すぎると可視光透過率が低下しやすくなる傾向がある。また、薄く成りすぎると取扱い性が悪くなることを勘案すると、上記プラスチックフィルムの厚さは５〜５００μｍがより好ましく、５０〜２００μｍとすることがさらに好ましい。
これらのプラスチックフィルム等の基材は、ガラス板、プラスチック板に比較して、より柔軟であり、それを利用してディスプレイの前面からの電磁波の漏洩を防ぐための電磁波シールドフィルム、フィルムアンテナなどに好適である。
【００１７】
樹脂層を形成するための樹脂としては、前記の通り、熱可塑性樹脂又は硬化性樹脂が使用される。
上記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−１，２−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−２−ヘプチル−１，３−ブタジエン、ポリ−２−ｔ−ブチル−１，３−ブタジエン、ポリ−１，３−ブタジエン）などの（ジ）エン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−２−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−ｔ−ブチルアクリレート、ポリ−３−エトキシプロピルアクリレート）、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−ｎ−プロピルメタクリレート、ポリ−３，３，５−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−２−ニトロ−２−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−１，１−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ（メタ）アクリル酸エステル、熱可塑性ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリアミド樹脂などが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、２種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを２種類以上ブレンドして使用することも可能である。
【００１８】
前記硬化性樹脂のうち、活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、アクリル基（アクリロイル基）、メタクリル基（メタクリロイル基）、ビニル基、アリル基などの炭素−炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基（アクリロイル基）が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基（グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基）が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ（メタ）アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン（メタ）アクリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。また、上記の材料の他に汎用の熱可塑性樹脂をブレンドしても良い。
【００１９】
また、前記硬化性樹脂のうち、熱硬化性樹脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂と架橋剤としての硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することもできる。
【００２０】
熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。
【００２１】
さらに、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．６０）、ウレタンアクリレート（ｎ＝１．５〜１．６）、ポリエーテルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．４９）、ポリエステルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．５４）なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、１、６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の（メタ）アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、２種以上併用することができる。
【００２２】
なお、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂には、汎用の熱可塑性樹脂がブレンドされていてもよい。
また、樹脂層には、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤などの添加剤が配合されていてもよい。
前記樹脂層の厚さは、少なくとも、導体層を埋設させる厚さよりも厚いことが必要である。より確実に導体層を樹脂中に埋没させるためには、樹脂層の厚さは、導体層を埋設させる厚さの１．５倍以上であることがさらに好ましい。また、樹脂層の厚さは、１００μｍ以下が好ましい。必要以上に厚くしても無駄になるだけある。
【００２３】
本発明における導体層は、断面形状が、その上部に湾曲した表面を有するものであり、また、全体が逆台形状のものも可能である。
図面を用いて説明する。図２は、導体層の一部を切り取った斜視図である。図２（ａ）は、導体層の断面形状がその上部に湾曲した表面を有するものであり、図２（ｂ）は、断面形状が逆台形状のものである。図３は、図２（ａ）に示す導体層の幅方向の断面図であり、断面形状が摧円形状の上部６とこの上部に連続しており、この上部より幅が狭い断面が逆台形状の下部７からなり、上部６の摧円形の弦の部分と逆台形状の下部７の上の底辺（台形状の下底）で一体となっている。図２（ａ）及び図３において、下部は逆台形状であるが、これにかぎらない。図２（ａ）及び図３に示されるような場合には、上部６の下部下底から突出したような肩部８は、一つの特徴となりうる。なお、上記の摧円形とは、必ずしも真円を切り取った形だけでなく、楕円又は楕円や真円を変形させたような形状を切り取ったものを包含する。例えば、図４（図２（ａ）に示す導体層の幅方向の断面図の他の例）の（ａ）、（ｂ）又は（ｃ）であらわされるような形状であってもよい。
また、図２（ａ）及び図３において、導体層の最大幅は上部６の弦の部分であるが、それより上部又は下部に最大幅が存在する形状であってもよい。
さらに、導体層は、その横断面において、下部７の断面形状が矩形状であってもよい。
【００２４】
導体層の最大幅（Ｌ）としては、一概に言うのは難しいが、１〜５０００μｍであることが好ましく、用途に応じて適宜決定される。例えば、タッチパネル用途のための導体層の最大幅（Ｌ）は、１〜５０μｍであることが好ましく、３〜４０μｍであることがより好ましく、５〜３０μｍであることが特に好ましい。太陽電池用表面電極のための導体層の最大幅（Ｌ）は、３〜８０μｍであることが好ましく、６〜６０μｍであることがより好ましく、１０〜４０μｍであることが特に好ましい。電磁波シールドフィルム用途のための導体層の最大幅（Ｌ）は、１〜５０μｍであることが好ましく、３〜４０μｍであることがより好ましく、５〜３０μｍであることが特に好ましい。ディスプレイ前面用電磁波シールドフィルム、タッチパネル、太陽電池用表面電極のいずれの用途でも透明性が必要であるために５０μｍ以下の最大幅（Ｌ）が好ましい。導電性の観点からは、１μｍ以上の最大幅（Ｌ）が好ましい。
また、太陽電池用裏面電極のための導体層の最大幅（Ｌ）は、５０〜５０００μｍであることが好ましく、１００〜２０００μｍであることがより好ましく、２００〜６００μｍであることが特に好ましい。太陽電池用裏面電極の用途での最大幅（Ｌ）は、太陽電池セルの接続用電極のパターンのライン幅やピッチによって制限され、最大幅（Ｌ）が大きすぎると、上記パターンの裕度が低下する傾向があり、また、不要となる。一方、小さすぎる最大幅Ｌは接続用電極との接続面積が小さくなるために接続強度や導電性の低下しやすくなる。導体層の最大幅は光透過性が問題にならない場合には、幅を大きくしてもよい。導体層の最大幅に特に制限はなく、その大きさは、例えば、５ｍｍであってもよい。
導体層の幅は、導体層パターンの非視認性の観点からは５０μｍ以下、導電性の観点から１μｍ以上が特に好ましい。
【００２５】
導体層の最大幅Ｌに対する導体層の最大幅より上部の厚さＴ２の比（Ｔ２／Ｌ）としては、０．０１〜２の範囲であることが好ましく、用途に応じて適宜決定される。
タッチパネル用途のための比Ｔ２／Ｌは、０．１〜２であることが好ましく、０．２〜１．７であることがより好ましく、０．３〜１．４であることが特に好ましい。太陽電池用表面電極のための比Ｔ２／Ｌは、０．１〜２であることが好ましく、０．２〜１．７であることがより好ましく、０．３〜１．４であることが特に好ましい。電磁波シールドフィルム用途のための比Ｔ２／Ｌは、０．０５〜２であることが好ましく、０．１〜１．７であることがより好ましく、０．１５〜１．４であることが特に好ましい。ディスプレイ前面用電磁波シールドフィルム、タッチパネル、太陽電池用表面電極のいずれの用途でも透明性と導電性が必要であるために比Ｔ２／Ｌは高い方が好ましいが、本発明におけるめっきの成長では厚さＴ２とともに最大幅Ｌも増大するために比Ｔ２／Ｌは２を超えることは困難である。一方、低すぎる比Ｔ２／Ｌは導電性の確保に必要な断面積を得るための最大幅Ｌが大きすぎるために、透明性を損なわれて好ましくない。
太陽電池用裏面電極のための比Ｔ２／Ｌは、０．０１〜０．８であることが好ましく、０．０２〜０．４であることがより好ましく、０．０３〜０．２であることが特に好ましい。低すぎる比Ｔ２／Ｌは導電性の確保に必要な厚さＴが得られにくくなり好ましくない。一方、高すぎるＴ２／Ｌは太陽電池用裏面電極に適した数十μｍ以上の最大幅（Ｌ）よりもさらに厚み（Ｔ２）が大きくなるために好ましくない。
【００２６】
導体層の全体の厚さ（Ｔ）としては、０．５〜１００μｍの範囲であることが好ましく、用途に応じて適宜決定される。例えば、タッチパネル用途のための導体層の厚さＴは、１〜４０μｍであることが好ましく、２〜３０μｍであることがより好ましく、３〜２０μｍであることが特に好ましい。太陽電池用表面電極のための導体層の厚さＴは、２〜８０μｍであることが好ましく、４〜６０μｍであることがより好ましく、６〜４０であることが特に好ましい。太陽電池用裏面電極のための導体層の厚さＴは、５〜１００μｍであることが好ましく、１０〜８０μｍであることがより好ましく、１５〜４０であることが特に好ましい。電磁波シールドフィルム用途のための導体層の厚さＴは、０．５〜３０μｍであることが好ましく、１〜２０μｍであることがより好ましく、２〜１０μｍであることが特に好ましい。電磁波シールドフィルム、タッチパネル、太陽電池用表面電極、太陽電池用裏面電極のいずれの用途でも導電性が必要であるために薄すぎると好ましくない。一方、厚すぎるとは粘接着剤に導体層を埋没させるために必要な粘接着剤の厚みが厚くなりすぎるために好ましくない。
なお、断面が逆台形状の場合、最大幅Ｌ及び全体の厚さＴは上記と同様である。
【００２７】
導体層の寸法を図面を用いてさらに説明する。
図５は、導体層の横断面図を示す。図５（ａ）は、その上部に湾曲した表面を有する導体層の横断面図であり、この図では、逆台形状の下部とこの下部より幅が広い摧円形状の上部が一体となったものである。図５（ｂ）は導体層の逆台形状の横断面図である。
【００２８】
導体層の全体の厚さＴは、前記の通りである。
図５（ａ）における形状である場合、導体層の全体の厚さ（Ｔ）は、最大幅（Ｌ）の箇所より下部の厚さ（Ｔ１）と最大幅の部分から上部の厚さ（Ｔ２）の合計である。
本発明において、比（Ｔ２／Ｌ）は前記したとおりであるが、この条件が満足されている限り、下部の厚さ（Ｔ１）は、０であってもよい。また、導体層の最大幅Ｌは、前記したとおりである。
【００２９】
図５（ａ）における形状である場合、下部台形形状の上底の幅Ｌ１と下底の幅Ｌ２は、その幅に特に制約はない。後述するように、後記する導体層製法によれば、その製法上の制約により特定の条件を満たす必要がある。下部が完全に埋没し、樹脂層が肩部及び上部の一部を被覆するようになると、導体層と樹脂層の密着性が向上することになる。
【００３０】
図５の（ａ）又は（ｂ）における形状である場合、光透過性を重要視する場合、Ｌ１は後記する製法上、１〜８０μｍとすることが好ましい。
【００３１】
図５の（ａ）及び（ｂ）において、逆台形状であること又はそれを含む理由は、後記する製法上からの制約であるが、この場合、条件としてその側辺が内側に傾きを持つということであるが、台形状の側辺の傾きは、左右のぞれぞれの内角αが３０°以上９０°未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。
【００３２】
また、導体層の断面形状が逆台形状の部分は、その幅が、上方に向かって全体として広がっていればよい。上記図面のように勾配αにて一定勾配で広がっている必要は必ずしもなく、上方に向かって狭まっておらず全体として広がっていればよい。特に、側面が上低又は下底に対して垂直となっている部分がないようにすることが好ましい。
【００３３】
前記の導体層の断面形状が逆台形状の部分に相当する側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図６にその導体層の横断面図を示すように、前記の勾配αは、台形の高さｈと台形の側辺の幅ｓ（水平方向で台形の側辺の幅方向）を求め、
【数１】
2011061136.tif 000002
によってαを決定する。
αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。
【００３４】
導体層のライン間隔は、用途により適宜決定される。導体層のライン間隔は、光透過性の観点からは、５０μｍ以上の範囲とすることが好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。光透過性の観点からは、導体層の開口率は５０％以上が好ましく、６０％以上がさらに好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、表面抵抗の低下効果が低下するため、この観点からは、ライン間隔は２０００μｍ（２ｍｍ）以下とするのが好ましく、特に１００〜１０００μｍであることが好ましい。なお、ライン間隔は、導体層で囲まれる幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。可視光透過率の点からライン間隔は１２０μｍ以上が特に好ましい。
【００３５】
本発明における、導体層は、少なくとも上面の一部が露出した状態で全体又は一部が樹脂層に埋設されていることが好ましい。これにより、アンカー効果が発現するので導体層パターンの基材への密着性が向上する。樹脂層と導体層との密着性をより高めるためには、Ｔ２が０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがさらに好ましい。
【００３６】
図７及び図８に、導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図である。
図７（ａ）は、導体層の断面形状が、その上部６に湾曲した表面を有し、上記導体層が、少なくともその上部６表面の一部が樹脂層９からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層９に埋設されている状態を示す。図７（ｂ）は、同様の状態を示すが、断面形状で、導体層の上部６の湾曲部が端にあり、その上面の多くがほぼ平らな導体層を用いた状態を示す。図８（ａ）では、断面形状が逆台形の導体層５が一部、樹脂層９に埋設されている状態を示し、図８（ｂ）は、断面形状の台形底辺に対応する面が樹脂層９からは露出しながら導体層５全体が樹脂層９に埋設されている状態を示す。
【００３７】
導体層パターン付き基材を太陽電池等の機能性構造物に組み込み、機能層（特に導体層と相互作用する機能層）と接触させて用いる場合には、導体層と機能層との接触面積が高いことが望ましい。導体層を接触させる機能層（特に、その表面が平坦又はほぼ平坦である場合）、図７（ｂ）に示すような上面の多くがほぼ平らな導体層を用いることで、導体層と機能層の接触面積を高めることができる。また、機能層の表面が太陽電池表面のテクスチャー構造のように微細な凹凸構造を有する場合、図７（ａ）や図７（ｂ）に示すような導体層の上部全体あるいは上部の端に曲率の大きな湾曲部がある場合、導体層の微細な凹凸と機能層の微細な凹凸が接触部でかみ合うことにより接触面積を高めることができる。
機能層に接触している導体層は図７（ａ）や図７（ｂ）に示すように上部を露出させながら導体層のほとんどが樹脂層に埋没していることが望ましい。樹脂層が機能層又はその周辺に接触するようにし、機能層と導体層の接触を維持することができるためである。そのため、導体層が樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）の導体層全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）が０．１〜１．０であることが好ましく、０．３〜１．０がさらに好ましく、０．５〜１．０が最も好ましい。
【００３８】
機能層に接触する前は、上記の効果を実現するために、導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）の導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）が０．１〜１．０であることが好ましく、０．１〜０．８がさらに好ましく、０．１〜０．６が最も好ましい。
また、少なくとも導体層の最大幅の箇所から下部が樹脂層に埋設されていることが好ましい。
【００３９】
また、図８は、断面が逆台形状の導体層が樹枝層に埋設されている状態を示す。図８（ａ）では、一部が埋設されているが、樹脂層との密着効果が小さい、また、図８（ｂ）では、樹脂層に導体層が上面を露出した状態で全部埋設されている。この場合、樹脂層との密着効果が図（ａ）の状態に比べて、向上しているとは言えるが、図７（ａ）又は（ｂ）の場合と比較すると、樹脂層との密着効果は小さい。
【００４０】
導体層のパターンとしては、種々のものが可能であるが、用途により適宜選択される。
導体層のパターンとして、導体層自体は線状又は平面的に広がりのある形状であって、導体層自体が、平面形状として、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などの幾何学図形のものであっても、また、導体層により、特に、線状その他の形状の導体層により、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型、直線などの幾何学図形又はこれらを適宜組み合わせた模様を描くようにしてもよい（たとえば、平面上の導体層にこれらの図形の穴を開けたような形状であってもよい）。これらの単位は、単独で又は２種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。
【００４１】
ディスプレイ前面に用いられる光透過性電磁波遮蔽部材、住宅や自動車の窓に用いられるフィルムアンテナ等の用途では、視界を妨げないように十分大きな開口率を有する導体層パターンが好ましい。特に、メッシュ状のパターンは、作製上も性能上も好ましい。
また、太陽電池用電極基材としては、メッシュ状のパターン、ストライプ状のパターン、櫛状のパターンが好ましい。
半導体装置搭載用基板の配線（ヒートシンク等）は、直線状など必要配線に適合した配線パターンが好ましい。
これらの用途において、導体層は導通していることが好ましい。
【００４２】
本発明に係る導体層パターン付き基材の製造法について、説明する。
本発明に係る導体層パターン付き基材は、
（Ａ）めっき用導電性基材上に導体層パタ−ンをめっきにより形成する導体層作製工程を行い、
（Ｂ）めっき用導電性基材上に形成された導体層のパターンを転写用基材に転写する転写工程、
（Ｃ）得られた導体層パターンを有する転写用基材に表面に樹脂層を含む基材を導体層パターンが存在する面に、樹脂層が接触するように積層して積層物を作製する積層物作製工程
を含む方法により製造される。
上記（Ｃ）の工程の後、適宜、次の（ｉ）〜（ｖｉｉ）の工程のいずれかの工程又はその他の工程を行うことができる。
（ｉ）  （Ｄ）上記（Ｃ）の工程で得られた積層物から転写用基材を剥離する工程。
（ｉｉ）  （Ｅ）上記（Ｃ）の工程で得られた積層物から転写用基材を剥離し、代わりに保護基材を積層して新しい積層物を作製する工程。
（ｉｉｉ）  上記（Ｅ）工程を行い、その後、（Ｆ）保護基材を剥離する工程。
（ｉｖ）  上記（Ｅ）工程を行い、その後、（Ｇ）得られた新しい積層物（ただし、表面に樹脂層を含む基材として、表面に樹脂層及び支持基材を含む基材を使用して得られるもの）の支持基材を別の支持基材に交換する工程。
（ｖ）  上記（Ｇ）の工程の後、（Ｈ）保護基材を剥離する工程。
（ｖｉ）  （Ｊ）上記（Ｃ）の工程で得られた積層物（ただし、表面に樹脂層を含む基材として、表面に樹脂層及び支持基材を含む基材を使用して得られるもの）の支持基材を別の支持基材に交換する工程。
（ｖｉｉ）  上記（Ｊ）の工程を行い、（Ｋ）転写用基材を剥離する工程。
以上の導体層パターン付き基材の製造法において、上記（Ｃ）の工程又はそれ以後において、前記樹脂層に導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が埋設されるように調整される。以下、このように調整する工程を「埋設調整工程」という。上記（Ｃ）の工程において、導体層パターンを有する転写用基材に表面に樹脂層を含む基材を導体層パターンが存在する面に、樹脂層が接触するように積層して積層物を作製した時点で、前記樹脂層に導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が埋設されている場合も、上記の埋設調整工程に含まれる。
【００４３】
まず、（Ａ）導体層作製工程について説明する。
前記めっき用導電性基材は、パターン状のめっき形成部を有する導電性基材であって、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部（めっき形成部）が形成されている。この凹部の底面には導電性材料が露出している。このめっき用導電性基材は、繰り返し使用することができるめっきのための版である。
【００４４】
本発明において、導電性基材に用いられる導電性材料は、その露出表面に電解めっきで金属を析出させるために十分な導電性を有するものであり、金属であることが特に好ましい。また、その基材は表面に電解めっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層との密着力が低く、容易に剥離できるものであることが好ましい。このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどが特に好ましい。
【００４５】
前記の導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体（ロール）に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の２箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。導電性基材をロールに巻きつけて使用する場合、ロールとして導電性のものを使用し、ロールと導電性基材が容易に導通するようにしたものが好ましい。
【００４６】
絶縁層の厚さは、凹部の深さに対応する。凹部の深さは、析出するめっきの厚さとも関係するため、目的に応じて適宜決定される。絶縁層の厚さは、０．１μｍ以上９０μｍ以下の範囲であることが好ましく（逆台形状の導体層を作製するのであれば、上限を１００μｍとしてもよい）、０．１μｍ以上２０μｍ以下の範囲であることがより好ましく、０．２μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることがさらに好ましい。絶縁層が薄すぎると絶縁層にピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。絶縁層の厚さは、０．４〜５μｍであることが特に好ましい。
【００４７】
上記の絶縁層は、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣとする）薄膜のうち、絶縁性を有するものにて形成することができる。ＤＬＣ薄膜は、特に、耐久性、耐薬品性に優れているため、特に好ましい。
さらに、絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２のような無機材料で形成することもできる。
【００４８】
凹部又は絶縁層の形状は、前記した導体層のパターンに応じて適宜決定される。凹部には導体層が形成されるので、この形状により、導体層のパターン形状はほぼ決定される。一つのめっき用導電性基材において、凹部の形状と絶縁層の形状は、互いに対応した形状となる。凹部又は絶縁層の形状は、平面形状が、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型、直線などの幾何学図形があり、これらを適宜組み合わせた模様としてもよい、これらの単位は、単独で又は２種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。
【００４９】
本発明の一例を図面を用いて説明する。
図９は、本発明のめっき用導電性基材の一例を示す一部斜視図である。図１０は、図９のＡ−Ａ断面図を示す。図１０の（ａ）は凹部の側面が平面的であるが、（ｂ）は凹部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。めっき用導電性基材１１は、導電性基材１２の上に絶縁層１３が積層されており、絶縁層１３に凹部１４が形成されており、凹部１４の底部は、導電性基材１２が露出している。凹部１４の底部は、導電性基材に導通している導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層１３は、幾何学図形としては正方形であり、この正方形の周りに凹部１４が溝状に形成されている。
導電性基材１２と絶縁層２３の間には、絶縁層２３の接着性の改善等を目的として、導電性又は絶縁性の中間層（図示せず）が積層されていてもよい。または、凹部２４は、その幅が、開口方向に向かって全体として幅広になっている。図面のよう勾配αで一定に幅広になっている必要は必ずしもない。めっきにより形成される導体層パターンの剥離に問題がなければ、凹部は、開口方向に向かって幅が狭くなっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、凹部は開口方向に向かって狭まっておらず全体として広がっていることが好ましい。特に、凹部の一側面がその対面と共に、底面に対して垂直となっている部分が高さ方向で１μｍ以上続く部分がないようにすることが好ましい。このようなめっき用導電性基材であれば、それを用いてめっきを行った後、析出した金属層をめっき用導電性基材から剥離するに際し、金属層と絶縁層との間の摩擦又は抵抗を小さくすることができ、その剥離がより容易になる。
【００５０】
凹部の側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図１０（ｂ）に示すように、前記の勾配αは、凹部の高さｈ（これは、すなわち、絶縁層の厚さとなる）と凹部の側面の幅ｓ（水平方向で凹部の側面の幅方向）を求め、
【数２】
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によってαを決定する。
αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。この角度が小さいと作製が困難となる傾向があり、大きいと凹部にめっきにより形成し得た金属層（導体層パターン）を剥離する際、又は、別の基材に転写する際の抵抗が大きくなる傾向がある。
【００５１】
本発明のめっき用導電性基材における絶縁層の平面形状及びその厚さ若しくは凹部の深さは、本発明のめっき用導電性基材を用いて得られるパターン化金属の用途に応じて適宜決定される。
上記めっき用導電性基材の凹部は、めっきにより生成するパターン化金属の形状に対応するが、同様に導体層パターン付き基材における導体層パターンに対応するものであり、その導体層パターンは、導体層パターン付き基材の用途に応じたものとなる。
【００５２】
また、絶縁層の厚さは、前記と同様であるが、これに対応するように、本発明のめっき用導電性基材における凹部４の深さは、０．１〜９０μｍ以下の範囲であることが好ましく（逆台形状の導体層を作製するのであれば、上限を１００μｍとしてもよい）、０．１〜２０μｍであることがより好ましく、０．２〜１０μｍであることがさらに好ましく、０．４〜５μｍであることが特に好ましい。
【００５３】
本発明のめっき用導電性基材を用いて転写法により光透過性電磁波遮蔽部材、タッチパネル部材等光透過性が要求される部材又は製品を作製するときは、図１０に示すような凹部１４の幅は、開口部の幅ｄが１〜８０μｍ、底部の幅ｄ′が１〜４０μｍで有ることが好ましい。また、凹部１４の開口部の幅ｄは４〜１５μｍ、底部の幅ｄ′は３〜１０μｍであることが特に好ましい。凹部１４の中心間隔（ラインピッチ）は５０〜２０００μｍであることが好ましく、特に１００〜１０００μｍであることが好ましい。溝の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を好ましくは５０％以上、特に好ましくは８０％以上とすることを考慮して決定する。
なお、本発明において、凹部の中心間隔（ラインピッチ）は、凹部によって形成されている絶縁層の図形パターンが複雑な図形であったり、複数の図形の組み合わせであったりして簡単に決定できない場合は、パターンの繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さであると定義する。
【００５４】
ディスプレイ用の電磁波遮蔽材における可視光透過性の点からは、電磁波遮蔽材における上記のような幾何学図形を描く導体層パターン開口率は５０％以上であることが必要とされ、導体層パターンの開口率は８０％以上であることがさらに好ましい。導体層パターンの開口率は、電磁波遮蔽材の有効面積（例えば、上記の幾何学図形が描かれている範囲
の面積等電磁波遮蔽に有効に機能する範囲の面積）に対するその有効面積から導電層で覆われている面積を引いた面積の比の百分率である。
【００５５】
上記のめっき用導電性基材によれば、めっきにより金属層が形成される凹部が開口方向に向かった幅広となっているため、めっきにより得られる導体層パターンの剥離が容易である。また、絶縁層をＤＬＣ又は無機材料からなるため導電性基材への密着性が優れ、その耐剥離性が優れる。その絶縁層は、中間層により導電性基材と絶縁層の間の密着性を向上させることができ、これにより、めっき用導電性基材の寿命を、さらに長くすることができる。本発明の開口方向に向かって幅広の凹部を持つめっき用導電性基材は、導電性基材上に凸状のパターンを形成し、絶縁層を形成後に、絶縁層が付着している凸状のパターンを除去することにより凹部を作製することができるため、その製造が容易で、生産性に富む。
【００５６】
本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法としては、導電性基材の表面に、導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を含む。
この工程は、（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、（Ｂ）除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成す
る工程及び
（Ｃ）絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程を含む。
【００５７】
上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、フォトリソグラフ法を利用して、レジストパターンを形成する方法を利用することができる。
この方法（ａ法）は、
（ａ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ａ−２）感光性レジスト層を導体層パターンに対応したマスクを通して露光する工程及び
（ａ−３）露光後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。
【００５８】
また、上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、レーザ光を利用する方法を適用することができる。この方法（ｂ法）は、
（ｂ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ｂ−２）感光性レジスト層に導体層パターンに対応した部分にマスクをせずレーザー光を照射する工程及び（ｂ−３）レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程を含む。
【００５９】
感光性レジストとしては、よく知られたネガ型レジスト（光が照射された部分が硬化する）を使用することができる。また、このとき、マスクもネガ型マスク（凹部に対応する部分は光が通過する）が使用される。また、感光性レジストとしてはポジ型レジストを用いることができる。これらの方式に対応して上記ａ法及びｂ法における光照射部分が適宜決定される。
【００６０】
具体的方法として、導電性基材上にドライフィルムレジスト（感光性樹脂層）をラミネートし、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することができる。また、凸状パターンは、導電性基材に液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥するかあるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することもできる。液状レジストは、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。
【００６１】
上記において、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後に、マスクを介して露光する代わりにレーザー光などでマスクを使用せず直接に露光する方法を採用することもできる。光硬化性樹脂にマスクを介して又は介さずして活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザー光などで直接に露光する方法が好ましい。
【００６２】
前記において、感光性レジストの代わりに熱硬化性樹脂を用い、レーザー光の照射により熱硬化性樹脂の不要部を除去する方法によっても行うことができる。
【００６３】
印刷法を用いてレジストパターン（凸状パターン）を形成することができるが、この場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。印刷後、光照射又は熱によりレジストを硬化させる。
【００６４】
本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法の一例を図面を用いて説明する。
図１１は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
【００６５】
導電性基材１２の上に感光性レジスト層（感光性樹脂層）１５形成されている（図１１（ａ））。この積層物の感光性レジスト層（感光性樹脂層）１５に対し、フォトリソグラフ法を適用して感光性レジスト層１５をパターン化する（図１１（ｂ））。パターン化は、パターンが形成されたフォトマスクを感光性レジスト層１５の上に載置し、露光した後、現像して感光性レジスト層１５の不要部を除去して突起部１６を残すことにより行われる。突起部１６の形状とそれからなる凸状パターンは、導電性基材１２上の凹部１４とそのパターンに対応するよう考慮される。
【００６６】
この時、突起部１６の断面形状において、その側面は、導電性基材に対して垂直であること、又は、突起部１６が導電性基材１２に接する端部に対して、突起部１６の側面上方の少なくとも一部がその端部に覆い被さるような位置にあることが好ましい。突起部１６の幅で言う場合は、凸状パターン幅の最大値ｄ１は、凸状パターンと導電性基材５２に接する幅ｄ０と等しいか大きくすることが好ましい。これは、形成される密着性のよい絶縁層の凹部幅はｄ１によって決定されるからである。ここで、突起部１６の断面形状で、突起部１６の幅の最大値ｄ１が突起部１６と導電性基材１２に接する幅ｄ０と等しいか大きくする方法としては、突起部１６の現像時にオーバ現像するか、形状がアンダーカットとなる特性を有するレジストを使用すれば良い。ｄ１は凸部の上部で実現されていることが好ましい。
除去可能な凸部のパターンを形成する突起部１６の形状は、凹部の形状に対応づけられるが、その作製の容易性から、最大幅１μｍ以上、間隔が１μｍ以上、高さが１〜５０μｍであることが好ましい。めっき用導電性基材を、光透過性電磁波遮蔽部材等光透過性が要求される部材又は製品用の導体層パターンを作製するために使用するときは、突起部１６は、最大幅１〜４０μｍ、間隔が５０〜２０００μｍ及び高さ１〜３０μｍであることがそれぞれ好ましい。特に最大幅３〜１０μｍ、間隔が１００〜１０００μｍであることが好ましい。
【００６７】
前記した（Ｂ）除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程について、説明する。
突起部５６からなる凸状パターンを有する導電性基材１２の表面に絶縁層１７を形成する（図１１（ｃ））。
【００６８】
絶縁層としてＤＬＣ薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法等の物理気相成長法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温から制御できる高周波やパルス放電を利用するプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。
【００６９】
上記ＤＬＣ薄膜をプラズマＣＶＤ法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。上記
ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして上記した炭素源と水素ガスとの混合物、上記した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第０属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。
【００７０】
絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性のＤＬＣ薄膜によって形成してもよいが、当該ＤＬＣ薄膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上させて、絶縁層の耐久性をさらに向上させるためには、この両者の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉもしくはそれらの窒化物又は炭化物から選ばれる一種以上の成分又はその他よりなる中間層を介挿することが好ましい。
上記ＳｉまたはＳｉＣの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のＤＬＣ薄膜との界面においてＳｉＣを形成して、当該ＤＬＣ薄膜の密着性を向上させる効果を有している。
中間層は、前記したようなドライコーティング法により形成させることができる。
中間層の厚みは、１μｍ以下であることが好ましく、生産性を考慮すると０．５μｍ以下であることが更に好ましい。１μｍ以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。
【００７１】
絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２のような無機材料で形成する場合にも、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法やプラズマＣＶＤといった化学気相成長法を用いることができる。例えばスパッタリング法で形成する場合には、ターゲットをＳｉまたはＡｌにして反応性ガスとして酸素、窒素などの導入することでＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などの酸化物、窒化物を成膜することができる。また、イオンプレーティング
法を用いる場合にはＳｉやＡｌを原料とし、電子ビームをこれらに照射することで蒸発させ、基板に成膜することができる。その際に、酸素、窒素、アセチレンといった反応性ガスを導入することで酸化物、窒化物、炭化物を成膜することができる。
また、ＣＶＤ法で成膜する場合には金属塩化物、金属水素化物、有機金属化合物などのような化合物ガスを原料とし、それらの化学反応を利用して成膜することでできる。酸化シリコンのＣＶＤは、例えばＴＥＯＳ、オゾンを用いたプラズマＣＶＤで行える。窒化シリコンのＣＶＤは、例えばアンモニアとシランを用いたプラズマＣＶＤで行える。
【００７２】
次に、前記した（Ｃ）絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程について説明する。絶縁層５７が付いている状態（図１１（ｃ）参照）で、突起部５６からなる凸状パターンを除去する（図１１（ｄ）参照）。
絶縁層の付着しているレジストの除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。
剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。
剥離液としては、例えば、３％ＮａＯＨ溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。
【００７３】
導電性基材１２上に形成される絶縁層と、突起部１６の側面に形成される絶縁層とでは、性質又は特性が異なるようにする。すなわち、硬度が、前者の方が後者より大きい。ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法で形成するときは、このようになる。一般に絶縁膜を形成するときに、絶縁材料の移動速度が例えば９０度の角度で異なるような場合に、上記のように形成される膜の性質又は特性が異なるようになる。
突起部５６を除去するとき、絶縁層は、この境界で分離され、その結果、凹部の側面が、傾斜角αを有するようになる。傾斜角αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく４０度以上６０度以下が特に好ましく、ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤで作製する場合、ほぼ４０〜６０度に制御することが容易になる。すなわち、凹部５４は、開口方向に向かって幅広になるように形成される。傾斜角αの制御方法としては、突起部５６の高さを調整する方法が好ましい。突起部５６の高さが大きくなるほど、傾斜角αを大きく制御しやすくなる。
【００７４】
上記の絶縁層の形成において、導電性基材はレジストの影にならないので、導電性基材上の絶縁層は性質が均一である。これに対し、凸状パターンの側面への絶縁層の形成は、凸状パターンの側面が導電性基材上の膜厚方向に対し角度を有しているため、形成される絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、導電性基材上の絶縁層と同じ特性（例えば、同じ硬度）の絶縁層が得られない。このような異質な絶縁層の接触面においては、絶縁層の成長に伴い絶縁層の境界面が形成され、しかも、その境界面は絶縁層の成長面であることから、滑らかである。このため、突起部からなる凸状パターンを除去するとき、絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、この境界で容易に分離される。さらに、この境界面、即ち、凹部側面となる傾斜角αは、導電性基材上の膜厚方向に対し突起部の側面で絶縁層の成長が遅れるため、結果として、境界面の傾斜角は、上記のように制御される。
【００７５】
本発明において導電性基材上に形成された絶縁層の硬度は、１０〜４０ＧＰａであることが好ましい。硬度が１０ＧＰａ未満の絶縁層は軟質であり、本導電性基材をめっき用版として用いる際に、繰り返し使用における耐久性が低くなる。硬度が４０ＧＰａ以上では、導電性基材を折り曲げ等の加工をした際に基材の変形に追随できなくなり、絶縁層にひびや割れが発生しやすくなる。導電性基材上に形成される絶縁層の硬度は、より好ましくは１２〜３０ＧＰａである。
これに対して、凸部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１５ＧＰａであることが好ましい。凸部側面に形成される絶縁層は、少なくとも導電性基材上に形成される絶縁層の硬度よりも低くなるように形成しなければならない。そうすることにより両者間に境界面が形成され、後の絶縁層の付着した突起部からなる凸状パターンを剥離する工程を経た後に、幅広な凹部が形成されることになる。突起部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１０ＧＰａであることがより好ましい。
【００７６】
絶縁層の硬度は、ナノインデンテーション法を用いて測定することができる。ナノインデンテーション法とは、先端形状がダイヤモンドチップから成る正三角錐（バーコビッチ型）の圧子を薄膜や材料の表面に押込み、そのときの圧子にかかる荷重と圧子の下の射影面積から硬度を求める。ナノインデンテーション法による測定として、ナノインデンターという装置が市販されている。導電性基材上に形成された膜の硬度はそのまま導電性基材上から圧子を押し込んで測定することができる。また、凸部側面に形成される膜の硬度を測定するためには、導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、断面から凸部側面に形成された絶縁層に圧子を押し込んで測定することができる。通常ナノインデンテーション法では圧子に１〜１００ｍＮの微少荷重をかけて硬度測定を行うが、本発明では３ｍＮの荷重で１０秒間負荷をかけて測定した値を硬度の値として記載している。
このようにして、めっき用導電性基材１を作製することができる。
【００７７】
図１２は、中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。
突起部１６からなる凸状パターンが形成された導電性基材１２の表面に、絶縁層１７を形成する前に、中間層１８を形成することが好ましい（図１２（ｃ′））。中間層としては、前記したものが使用でき、その形成方法も前記したとおりである。中間層１８を形成した場合、得られるめっき用導電性基材は、凹部１４の底部は、導電性基材１２が露出しており、それ以外では、中間層１８の上に絶縁層１７が形成されている（図１２（ｄ′））。また、中間層は、凸状パターン１６の形成前に、導電性基材１２の表面に形成しても良い。この後、その表面に、前記したように導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を行っても良い。この場合、中間層として、電界めっきが十分可能な程度に導電性のものを使用した場合、凹部の底部はその中間層のままでよいが、十分な導電性を有していない場合は、ドライエッチング等の方法により、凹部の底部の中間層を除去し、導電性基材１２を露出させる。
【００７８】
本発明におけるめっき法は公知の方法を採用することができる。めっき法としては、電解めっき法、無電解めっき法その他のめっき法を適用することができる。
電解めっきについてさらに説明する。例えば、電解銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤（光沢剤としての効果も有する）を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電解ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加して
もよい。さらに、電解金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの２元合金や、金−銅−銀の３元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電界めっき法としては、例えば、「現場技術者のための実用めっき」（日本プレーティング協会編、１９８６年槇書店発行）第８７〜５０４頁を参照することができる。
【００７９】
次に、無電解めっきについてさらに説明する。無電解めっき法としては、銅めっき、ニッケルめっき、代表的であるが、その他、すずめっき、金めっき、銀めっき、コバルトめっき、鉄めっき等が挙げられる。工業的に利用されている無電解めっきのプロセスでは、還元剤をめっき液に添加し、その酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用するのであり、めっき液は、金属塩、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、ｐＨ緩衝材、安定剤等から成り立っている。無電解銅めっきの場合は、金属塩として硫酸銅、還元剤としてホルマリン、錯化剤としてロッセル塩やエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）が好んで用いられる。また、ｐＨは主として水酸化ナトリウムによって調整されるが、水酸化カリウムや水酸化リチウムなども使用でき、緩衝剤としては、炭酸塩やリン酸塩が用いられ、安定化剤としては、１価の銅と優先的に錯形成するシアン化物、チオ尿素、ビピリジル、Ｏ−フェナントロリン、ネオクプロイン等が用いられる。また、無電解ニッケルめっきの場合は、金属塩として硫酸ニッケル、還元剤には、次亜りん酸ナトリウムやヒドラジン、水素化ホウ素化合物等が好んで用いられる。次亜りん酸ナトリウムを用いた場合には、めっき皮膜中にりんが含有され、耐食性や耐摩耗性が優れている。また、緩衝剤としては、モノカルボン酸またはそのアルカリ金属塩を使用する場合が多い。錯化剤は、めっき液中でニッケルイオンと安定な可溶性錯体を形成するものが使用され、酢酸、乳酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、グリシン、アラニン、ＥＤＴＡ等が用いられ、安定化剤としては、硫黄化合物や鉛イオンが添加される。無電解めっき法については上記「現場技術者のための実用めっき」（日本プレーティング協会編、１９８６年槇書店発行）の第５０５〜５４５頁を参照することができる。
さらに、還元剤の還元作用を得るためには、金属表面の触媒活性化が必要になることがある。素地が鉄、鋼、ニッケルなどの金属の場合には、それらの金属が触媒活性を持つため、無電解めっき液に浸漬するだけで析出するが、銅、銀あるいはそれらの合金、ステンレスが素地となる場合には、触媒活性化を付与するために、塩化パラジウムの塩酸酸性溶液中に被めっき物を浸漬し、イオン置換によって、表面にパラジウムを析出させる方法が用いられる。
【００８０】
本発明で利用できる無電解めっきは、例えば、めっき用導電性基材の凹部に、必要に応じてパラジウム触媒を付着させたあと、温度６０〜９０℃程度とした無電解銅めっき液に浸漬して、銅めっきを施す方法である。
無電解めっきでは、基材は必ずしも導電性である必要はない。しかし、基材を陽極酸化処理するような場合は、基材は導電性である必要がある。
特に、導電性基材の材質がＮｉである場合、無電解めっきするには、凹部を陽極酸化した後、無電解銅めっき液に浸漬して、銅を析出させる方法がある。
【００８１】
めっきによって出現又は析出する金属としては、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有するものが使用されるが、２０℃での体積抵抗率（比抵抗）が２０μΩ・ｃｍ以下の金属を少なくとも１種類以上含むことが望ましい。本発明により得られる構造体を電磁波遮蔽シートとして用いる場合には電磁波を電流としてアースするためにこれを構成する金属は導電性が高い方が電磁波遮蔽性に優れるためである。このような金属としては、銀（１．６２μΩ・ｃｍ）、銅（１．７２μΩ・ｃｍ）、金（２．４μΩ・ｃｍ）、アルミニウム（２．７５μΩ・ｃｍ）、タングステン（５．５μΩ・ｃｍ）、ニッケル（７．２４μΩ・ｃｍ）、鉄（９．０μΩ・ｃｍ）、クロム（１７μΩ・ｃｍ、全て２０℃での値）などがあるが特にこれらに限定するものではない。できれば体積抵抗率が１０μΩ・ｃｍであることがより好ましく、５μΩ・ｃｍであることがさらに好ましい。金属の価格や入手の容易さを考慮すると銅を用いることが最も好ましい。これらの金属は単体で用いてもよく、さらに機能性を付与するために他の金属との合金でも構わないし、金属の酸化物であってもよい。ただし、体積抵抗率が２０μΩ・ｃｍである金属が成分として最も多く含まれていることが導電性の観点から好ましい。
【００８２】
前記した導電性基材の凹部にめっきにより形成される金属層の厚さ（めっき厚さ）は、目的に応じて適宜決定される。その厚さは、前記した導体層の厚さのとおりである。めっき厚さは、十分な導電性を示すためには、０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましく、導体層にピンホールが形成される（このとき、例えば、電磁波シールド性が低下する）可能性を小さくするためには、３μｍ以上の厚さであることがさらに好ましい。
【００８３】
最終的に得られる導体層パターン付き基材の導体層（金属を黒化処理したときは黒化処理された導体層を意味する）のライン幅及びライン間隔、厚さ等は前記したとおりである。
【００８４】
めっきの程度を、析出する金属層が凹部内に存在する程度とすることができる。この場合には、断面が台形状（逆台形状といってもよい）の導体層が作製できる。このような場合であっても、凹部形状が開口方向に幅広であるため、さらには、絶縁層により形成される凹部側面の表面を平滑にできるため、導体層パターンの剥離時のアンカー効果を小さくできる。また、凹部の形成の仕方により、析出する金属層の幅に対する高さの割合を高くすることが可能となり、透過率をより向上させることができる。
このような場合にも、本発明に係る導体層パターン付き基材と同様にして導体層パターン付き基材を作製することができ、同様の用途に使用することができる。
【００８５】
本発明における導体層は、前記しためっき用導電性基材の表面形状に対応した形状となる。その形状及び寸法については前記したとおりである。
【００８６】
めっきの成長は等方的であるため、めっき用導電性基材の凹部の最大幅に相当するＬ２の幅だけめっきすると、導体層の断面形状は、図５（ｂ）のような逆台形状になる。めっきがそれ以上に進と、端部ではめっきが全方位に成長するため、めっき用導電性基材の凹部から溢れるようにめっきされ、少なくともその端部が比較的大きな曲率で湾曲する。この結果、図４（ｃ）のような断面形状のめっきが一般に得られる傾向があるが、図４（ａ）や図４（ｂ）のように、断面形状で、めっき上部の全体が比較的大きな曲率で湾曲している導体層を得ることもできる。めっきが厚み方向に異方的に生長すると、等方的に生長した場合に比較して、断面形状が円形状に近づくためである。このような断面のめっきを得るには、例えば、めっき液として、硫酸銅浴を使用する場合、次の配合からなるものが好ましい。
【００８７】
硫酸銅（五水和物）    ５０〜４００  ｇ／Ｌ（銅分として１２〜１００  ｇ／Ｌ）
硫酸                  ５０〜２００  ｇ／Ｌ
を含み、必要に応じて、
塩素イオン（塩酸または塩化ナトリウム）  ２０〜１００  ｍｇ／Ｌ
光沢剤（３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸塩など）  適量
界面活性剤（ポリエチレングリコール類など）    適量
を溶解・配合した水溶液が用いられる。
光沢剤及び界面活性剤に替わる薬剤として
高分子多糖類
低分子膠
を用いても対応可能である。
【００８８】
次に、（Ｂ）転写工程について説明する。
めっき用導電性基材上に形成された導体層のパターンは、転写用基材に転写される。
転写用基材は、支持基材及びその上の粘着樹脂層を含む。支持基材については、導体層パターン付き基材について前述したものが使用できる。また、粘着樹脂層は、導体層パターン付き基材について前述した樹脂層で、粘着性を有しているもの又は粘着性を示すもの（以下、これらを、「粘着剤」という）からなる。この粘着剤には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合していてもよい。なお、上記「粘着性」とは、「接着性」を包含する。
転写用基材の支持基材としては、生産性を考えると、プラスチックフィルムが、好ましい。また、場合により、転写用基材は粘着剤層のみからなっていてもよい。
【００８９】
粘着剤層（樹脂層）の厚さは、薄すぎると十分な強度が得られないため、めっきで形成された導体層を転写する際に、導体層が粘着剤層に密着せず、転写不良が発生することがある。したがって、粘着剤層の厚みは、１μｍ以上であることが好ましく、量産時の転写信頼性を確保するためには３μｍ以上であることが更に好ましい。また、粘着剤層の厚さが厚いと、粘着剤層の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、粘着剤層の変形量が多くなるため、粘着剤層の厚みは１１０μｍ以下が好ましく、９０μｍ以下がより好ましく、７０μｍ以下が特に好ましい。
転写用基材を、めっき用導電性基材の導体層が形成されている面に貼り合わせる際には、粘着剤層の特性に応じて、特に、粘着剤層が適度な流動性又は粘着性を発揮するために、必要ならば加熱される。転写用基材が粘着剤層を保持する支持基材を有する場合、支持基材は、このような加熱に際しても形状を維持する程度に十分な耐熱性を有することが好ましい。
【００９０】
上記の導体層パターンの転写工程の例を図面を用いて説明する。
図１３は、転写工程の前半を示す断面図である。また、図１４はその後半を示す断面図である。
前記しためっき工程により、前記のめっき用導電性基材の（導電性基材１２上の）凹部１４内にめっきを施し、導体層１９のパターンを形成する（図１３（ｅ））。別個に準備された転写用基材２０、これは、支持基材（透明基材）２１に粘着剤層２２が積層されている。導体層１９のパターンが形成されためっき用導電性基材に転写用基材２０を粘着剤層２２を向けて圧着する準備を行う（図１３（ｆ））。
【００９１】
ついで、導体層１９のパターンが形成されためっき用導電性基材に転写用基材２０を粘着剤層２２を向けて圧着する（図１４（ｇ））。このとき、粘着剤層２２が絶縁層１７に接触してもよい。圧着の程度又は粘着剤層の厚さにより、導体層１９の粘着剤層２２への埋設厚さを調整することができるが、導体層の最大幅の部分は、次の工程で樹脂層に埋設させるために、露出させておくことが好ましい。
【００９２】
導体層１９のパターンが形成されためっき用導電性基材に転写用基材２０を粘着剤層２２を向けて圧着している（図１４（ｇ））のと同様の状態は、次のようにしても実現することができる。すなわち、導体層１９のパターンが形成されためっき用導電性基材の上に、液状の粘着剤２２を一定の厚さに塗布するか、シート状の粘着剤２２を載置し、さらにその上に支持基材２１を載置し、適宜圧力をかけて接着する。このとき、粘着剤２２としては、活性エネルギー線の照射により硬化する光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂を使用するときは、適宜、活性エネルギー線を照射するか加熱して硬化を進める。硬化の程度は、粘着剤に粘着性を残存させる程度などにより適宜決定される。粘着剤として熱可塑性樹脂を用いた場合には、支持基材の載置後に相対的に冷却して固化させることが好ましい。上記において、支持基材として（又は支持基材の代わりに）剥離性基材を用いて、粘着剤層を硬化又は固化させた後剥離するようにしてもよい。このとき、樹脂層を含む基材は支持基材を含まないものになる。
【００９３】
ついで、転写用基材２０を引きはがすと導体層１９のパターンは、その粘着剤層２２に接着してめっき用導電性基材から剥離され、この結果、導体層パターン付き転写用基材２３が得られる（図１４（ｈ））。
【００９４】
転写工程において、転写用基材２０の粘着剤層２２に、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の硬化性樹脂を含む粘着剤を使用した場合、その硬化は、転写用基材６０をめっき用導電性基材５１から剥離する前に行っても、剥離した後で行ってもよく、剥離前に半硬化させ、剥離後に完全硬化させてもよい。
特に、硬化性樹脂を含む粘着剤の部分硬化又は完全硬化を、転写用基材２０をめっき用導電性基材から剥離した後に行う場合、カバーレイフィルム、剥離性支持体などを一時的に積層して行ってもよい。
【００９５】
ついで、図１５〜２０を用いて（Ｃ）工程以下の説明を行う。
図１５は、（Ｃ）積層物作製工程を示す断面図である。
（Ｃ）工程として、上記で得られた導体層１９のパターンを有する転写用基材２３に、支持基材２４及びその上に樹脂層２５を含む基材２６（以下、「保持用基材」という）を積層する準備を行う〔図１５（ａ）〕。ついで、これらを、その基材２６の樹脂層２５が転写用基材２３の導体層１９が存在する面に接触するように積層して積層物２７を作製する〔図１５（ｂ）〕。積層物２７を作製した時点で、導体層１９の最大幅の部分及びこれより下部の部分が樹脂層２５に埋設されていれば、本発明に係る導体層パターン付き基材として使用可能である。例えば、電磁波遮蔽材、フィルムアンテナ等として使用できる。
【００９６】
上記保持用基材２６は、支持基材２４及びその上の樹脂層２５を含むものであるが、場合により支持基材２４を含まなくてもよい。これらについては前記に例示した支持基材及び樹脂層が使用できる。樹脂層については、転写工程において説明した粘着剤と同様のものが使用できる。
【００９７】
この工程において、保持用基材は、支持基材及びその上の樹脂層を含むものであって、既に上述した基材と同様であるが、支持基材としては透明性を有するプラスチックフィルム、あるいはガラスのような透明性と耐熱性を有する基材が好ましい。また、樹脂層は、粘着性を有する粘着剤層が好ましい。
【００９８】
次に、（Ｃ）工程より後の工程及び埋設調整工程について説明する。
図１６は、転写用基材剥離工程及び埋設調整工程を示す断面図である。また、図１７は露出した導体層を有する導体層パターン付き基材の一例を示す断面図、図１８は基材が樹脂層だけからなる導体層パターン付き基材の一例を示す断面図である。
上記（Ｃ）工程の後、（Ｄ）工程として、転写用基材２３が剥離され、積層物２８が得られる〔図１６（ｃ）〕。この積層物２８は、この時点で、導体層１９の最大幅の部分及びこれより下部の部分が樹脂層２５に埋設されていれば、本発明に係る導体層パターン付き基材として使用可能である。
【００９９】
図１４、図１５及び図１６において、導体層１９のパターンをめっき用導電性基材から転写用基材及び保持用基材に次々に転写することになる。
このとき、導体層１９と樹脂層２２との接着力よりも導体層１９と樹脂層２５との接着力のほうが高くなくてはならない。しかし、上記（Ｂ）の工程において、樹脂層２２に導体層１９のパターンをめっき用導電性基材から転写しなければならない。そのため、導体層１９とめっき用導電性基材との接着力よりも導体層１９と樹脂層２２との接着力のほうが高くなくてはならない。この接着力の関係は、
導体層１９とめっき用導電性基材との接着力、
導体層１９と樹脂層２２との接着力
及び
導体層１９と樹脂層２５との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係１」という）となる。
めっき条件等により導体層１９とめっき用導電性基材との接着力を低くすること、及び樹脂層２２よりも高い接着力を有する樹脂層２５を用いることで、「関係１」を満たすことができる。
【０１００】
あるいは、樹脂層２２を紫外線（ＵＶ）照射あるいは熱により硬化させること等により、上記（Ｂ）の工程における樹脂層２２の接着力よりも上記（Ｄ）の工程における樹脂層２２の接着力を低下させて、上記（Ｄ）の工程を実施することができる。その場合の接着力の関係は、
導体層１９とめっき用導電性基材との接着力
及び
導体層１９と樹脂層２２との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係２」という）と、
導体層１９と樹脂層２２との接着力
及び
導体層１９と樹脂層２５との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係３」という）との二つの関係に分かれる。
めっき条件等により導体層１９とめっき用導電性基材との接着力は低くできるために「関係２」は満たされやすくなり、硬化後の樹脂層２２の接着力は低くなるために「関係３」は満たされやすくなる。
【０１０１】
また、導体層のパターンを転写するためには、樹脂層２２と樹脂層２５の接着力よりも樹脂層２５と支持基材２４との接着力のほうが高くなくてはならない。しかし、上記（Ｂ）の工程において、樹脂層２２に導体層１９のパターンをめっき用導電性基材から転写しなくてはならない。そのため、樹脂層２２とめっき用導電性基材との接着力よりも樹脂層２５と樹脂層２２との接着力のほうが高くなくてはならない。この接着力の関係は、
樹脂層２２とめっき用導電性基材との接着力、
樹脂層２２と樹脂層２５との接着力
及び
樹脂層２５と支持基材２４との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係４」という）となる。
めっき用導電性基材と樹脂層２２の接着力は低いため、支持基材２４にコロナ処理済み基材や易接着層付き基材等の接着性向上の処理が施された基材を用いること等によって「関係４」を満たすことができる。
あるいは、樹脂層２２をＵＶ照射あるいは熱により硬化させること等により、上記（Ｂ）の工程における樹脂層２２の接着力よりも上記（Ｄ）の工程における樹脂層２２の接着力を低下させて、上記（Ｄ）の工程を実施することができる。その場合の接着力の関係は、
樹脂層２５と樹脂層２２との接着力
及び
樹脂層２５と支持基材２４との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係５」という）となる。
硬化後の樹脂層２２の接着力は低くなるために「関係５」は満たされる。
【０１０２】
導体層１９の樹脂層２５への埋設厚さを調整する工程（埋設調整工程）として、上記の保持用基材の積層工程中又は工程の後、導体層は少なくともその最大幅の部分から下部を樹脂層に埋設されるように埋設厚さが調整される。前記の（Ｃ）工程そのもの〔図１５（ｂ）対応〕で、この調整工程を行ってもよいが、（Ｅ）工程として（Ｄ）工程の後（図１６（ｃ）に対応、転写用基材を剥離して、代わりに）、積層物２８の導体層１９が存在する面に、カバーフィルム、剥離性基材等の基材を積層したり、樹脂を塗布し硬化又は固化するなどして導体層パターンが存在する面を保護基材２９により積層する工程を行い、適宜プレス、ラミネータ等により圧力をかけることよって、導体層１９の埋設厚さを調整することができる。樹脂層は圧力を受けて流動性を示すものであることが好ましく、また、このとき、必要に応じて、樹脂層は、それに流動性を与えるために加熱される。以上により、少なくとも一時的には、表面保護された導体層パターン付き基材３０が得られる〔図１６（ｄ）〕。この状態で、電磁波遮蔽材、フィルムアンテナ、その他の用途に利用できる。保護基材２９は継続的に残るものであっても、後で剥離できるものであってもよい。（Ｆ）工程として、保護基材２９を剥離することにより、導体層の埋設厚さが調整された導体層パターン付き基材３１を得ることができる（図１７）。
導体層パターン付き基材３１から支持基材２４を剥離することにより、基材が樹脂層２５のみからなる導体層パターン付き基材３２を得ることができる（図１８）。これを使用に供することができる。この樹脂層２５は、粘着剤層であるが、既に粘着性を喪失していてもよい。なお、粘着質の喪失は、硬化性樹脂であれば、硬化度を進めることにより行うことができ、また、樹脂のガラス転移温度よりも低い環境に置くことにより行うことができる。
導体層パターン付き基材３１、３２は、本発明に係る導体層パターン付き基材として、電磁波遮蔽材、フィルムアンテナ、太陽電池用電極基板その他の用途に利用できる。
導体層パターン付き基材３１、３２は、導体層１９が存在する樹脂層２５の面にＩＴＯ等の透明導電膜を形成することにより、太陽電池用配線基材（電極基材）とすることもできる。この太陽電池用配線基材（電極基材）上にアモルファスシリコン等の光電気変換膜を形成し、その上に金属電極層を形成することで、最終的に太陽電池とされる。
【０１０３】
図１９は、支持基材の交換工程である（Ｇ）の工程を示す断面図である。図２０は、（Ｇ）の工程を経て得られる導体層パターン付き基材の一例を示す断面図である。
保持用基材が、支持基材２４を有するものである場合、前記の（Ｅ）工程で得られた表面保護された導体層パターン付き基材３０の支持基材２４を新しい支持基材３４に交換することができる。そのためには、表面保護された導体層パターン付き基材３０から、支持基材２４を剥離し、積層物３３とし〔図１９（ｅ）〕、支持基材２４の代わりに新しい支持基材３４を貼着して、新しい表面保護された導体層パターン付き基材３５を得るようにする〔図１９（ｆ）〕。表面保護された導体層パターン付き基材３５は、電磁波遮蔽材、フィルムアンテナその他の用途に利用できる。交換する前の支持基材２４としては、プラスチックフィルムを使用し、交換する新たな支持基材３４としては、ガラス板、プラスチック板等のリジッドなものが、この方法に特に適合しているが、これらに限られるものではない。さらに、（Ｈ）工程として、保護基材２９を剥離することにより、新しい導体層パターン付き基材３６を得る（図２０）。導体層パターン付き基材３６は、電磁波遮蔽材、フィルムアンテナ、太陽電池用電極基板その他の用途に利用できる。
【０１０４】
支持基材２４を支持基材３４に交換するためには、下記のような接着力の関係が必要となる。
それは、
樹脂層２５と樹脂層２２との接着力、
樹脂層２５と支持基材２４との接着力、
樹脂層２５と支持基材２９との接着力
及び
樹脂層２５と支持基材３４との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係６」という）となる。
樹脂層２２との接着力はＵＶあるいは熱による硬化により低下させることができる。そのため、支持基材２４に重剥離セパレータを用い、支持基材２９にポリエチレンテレフタレートを用い、支持基材３４にガラスあるいは接着性を有する支持基材を用いることで「関係６」を満たすことができる。
【０１０５】
図２１は、他の工程を経て得られる転写用基材を含む導体層パターン付き基材３７の断面図である。
上記と同様の支持基材の交換は、積層物３０の代わりに積層物２７を用いて行うことができる。すなわち、（Ｊ）工程として、上記（Ｃ）工程で得られた積層物２７の支持基材２４を剥離し、代わりに新しい支持基材３４を貼着して積層物（導体層パターン付き基材）３７とする（図２１）。この後、（Ｋ）工程として、転写用基材（支持基材２１及び粘着剤層２２）を剥離して前記した図２０２２と同様の積層物（導体層パターン付き基材）を得ることできる。得られた積層物は、既に導体層１９の樹脂層への埋設厚さの調整がなされているのであれば、そのまま導体層パターン付き基材として使用できる。また、これに、前記したのと同様にカバーレイフィルムや剥離性基材を積層して（図１６（ｄ）のごとく保護基材２９を積層して）、保護層の形成又は導体層１９の樹脂層への埋設厚さの調整行うこともできる。この保護基材２９は継続的に残るものであっても、後で剥離できるものであってもよい。
この場合、下記のような接着力の関係が必要となる。
それは、
樹脂層２５と支持基材２４との接着力
及び
樹脂層２５と樹脂層２２との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係７」という）となる。
支持基材２４に軽剥離セパレータを用いることで「関係７」を満たすことができる。
【０１０６】
上記した支持基材を交換するいずれの工程も次のような意義がある。
めっき用導電性基材上に形成された導体層のパターンを転写用基材に転写し、さらに、保持用基材の積層又は保持用基材への導体層のパターンの転写によって導体層パターン付き基材が得られる。従って、これによって得られる導体層パターン付き基材を以後使用するようにすると、導体層パターン付き基材の製造法としては、工程数が増えないので、好ましいが、この場合、量産性を考えると、支持基材として、柔軟な樹脂フィルムを使用する場合などはよいが、ガラス板等の硬い材料を基材材料として使用する場合は、ロールトゥロール方式等の連続的な製造方法を選択できない等、生産方式に制約がある。そこで、保持用基材の支持基材としてロールトゥロール方式が可能で、ロール状の導体層担持基材を得ることができるプラスチックフィルムを使用し（同様の理由で、転写用基材の支持基材もプラスチックフィルムを使用することが好ましい）、支持基材のみをガラス板等の硬い基材に交換することで、量産性を低下させずに導体層パターン付きの硬い基材を製造でき、かつ簡便にガラス基材等の硬い基材上に導体層のパターンを形成できる。
上記の交換工程はこのような場合に、便利であり、また、適宜支持基材を交換できるので便利である。
【０１０７】
図２２は、本発明における導体層パターン付き基材を利用した積層物の断面図を示す。この積層物は、例えば、図１６（ｄ）に示す表面保護された導体層パターン付き基材３０が、支持基材２４に、粘着剤３８を介して他の基材３９が貼り合わされたものである。他の基材３９としては、近赤外線フィルム、偏光フィルム等の機能性フィルム、ガラス板、プラスチック板等の支持基材がある。この積層物は、電磁波遮蔽材その他の用途に使用できる。
図２３は、さらに、別の態様の積層物の断面図を示す。この積層物は、図２２における積層物において、保護基材２９を剥離し、代わりに粘着剤４０を介して基材４１が積層されたものである。この積層物も、電磁波遮蔽材その他の用途に使用できる。
【０１０８】
本発明により得られる導体層パターン付き基材の導体層パターンを黒化処理して、黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材とすることができる。このためには、上記図１４（ｈ）に示すような導体層パターン付き基材２３又はこれらの導体層パターン付き基材で導体層の埋設厚さを調整したもの（図１７の導体層パターン付き基材３１や図２０の導体層パターン付き基材３６）の導体層１９を黒化処理する方法、めっき用導電性基材１１の凹部１４に形成された導体層１９（図１３（ｅ））をそれが、転写される前に黒化処理する方法及びこれらの両方の黒化処理を行う方法がある。
このように黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材としてディスプレイの前面において利用するときは、一般に、黒色層を設けた方の面がディスプレイの視聴者側に向くようにして用いられる。
【０１０９】
上記の黒化処理の方法は、金属パターンに黒色層を形成する手法であるが、このためには、金属層にめっきや酸化処理、印刷などの様々な手法を用いることができる。
【０１１０】
本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽体として用いる場合は、そのまま、ディスプレイ画面に適宜別の粘着剤を介して又は介さないで貼着して使用することができるが、他の基材に貼着してからディスプレイに適用してもよい。他の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波を遮断するために使用するには透明であることが必要である。
【０１１１】
本発明に係る導体層パターン付き基材の太陽電池への利用を説明する。
図２４は、本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池の構成を示す断面図である。太陽電池要素５０が、露出した面を有する導体層１９のパターンを埋設して担持している樹脂層２５からなる導体層パターン付き基材２個により挟まれて積層されている〔図２４（ａ）〕。また、導体層パターン付き基材の導体層が露出している面とは反対の面に、支持基材２４が積層されていてもよい（〔図２４（ｂ）〕。太陽電池要素５０には、導体層パターン付き基材の露出した導体層１９のパターンが接触するように積層される。
【０１１２】
以上の構成の太陽電池は、複数個を、ガラス板及びバックシートの間に透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体により担持させることにより太陽電池モジュールとすることができる。その際に、導電層パターンは太陽電池要素を接続する配線の役割を果たす。例えば、太陽電池要素の片面にある導電層パターンの一部が太陽電池要素の端部からはみ出している場合、そのはみ出している部分の導体層パターンと、隣にある太陽電池の反対面に形成された配線と接続することで、太陽電池要素同士の接続を形成することができる。導体層パターンと裏面の配線との接続は、どのような方法でもよく、導電性接着剤を用いた接続、導電性粒子を介しての接続、あるいは樹脂層２２の粘着性による裏面の配線との貼り合せ接続でも良い。
【０１１３】
図２５は、本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池の別の構成を示す断面図である。太陽電池要素５０が、露出した面を有する導体層１９のパターンを埋設して担持している樹脂層２５からなる導体層パターン付き基材の上に形成されている〔図２５（ａ）〕。また、導体層パターン付き基材の導体層が露出している面とは反対の面に、支持基材２４が積層されていてもよい（〔図２５（ｂ）〕。太陽電池要素５０には、導体層パターン付き基材の露出した導体層１９のパターンが接触するように積層される。
【０１１４】
前記した図２４の太陽電池要素５０について説明する。
このような太陽電池要素５０としては、図２６に示すものがある。図２６は、太陽電池要素の断面図である。図２６に示すのは、単結晶ｎ型シリコン５１の両面にＣＶＤ法等にてｉ型アモルファスシリコン５２が積層され、その一方の面をＣＶＤ法等にてｐ型アモルファスシリコン５３、そのもう一方の面をＣＶＤ法等にてｎ型アモルファスシリコン５４、さらに、それらの上にスパッタ法等にてＩＴＯ等の透明導電膜５５が積層された構造を有する太陽電池要素５６である。この太陽電池要素５６の透明導電膜５５の両方に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層１９を接触するように、樹脂層２５によって貼着される。
以上の構成の太陽電池は、複数個を、ガラス板及びバックシートの間に透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体により担持させることにより太陽電池モジュールとすることができる。
【０１１５】
前記した図２５の太陽電池要素５０について説明する。
このような太陽電池要素５０としては、図２７に示すものがある。図２７は、別の太陽電池要素の断面図である。単結晶ｎ型シリコン５１の両面にＣＶＤ法等にてｉ型アモルファスシリコン５２が積層され、その一方の面にＣＶＤ法等にてｐ型アモルファスシリコン５３及びスパッタ法等にて透明導電膜５５が順次積層され、もう一方の面にＣＶＤ法等にてｎ型アモルファスシリコン５４及びスパッタ法や印刷法にてＡｌやＡｇ等の金属膜５７が順次積層されている構造を有する太陽電池要素５８である。透明導電膜５５に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層１９を接触するように、樹脂層２５によって貼着される。
また、図２５の太陽電池要素５０としては、図２８に示すものがある。図２８は、別の太陽電池要素の断面図である。単結晶ｎ型シリコン５１の両面にＣＶＤ法等にてｉ型アモルファスシリコン５２が積層され、その一方の面にＣＶＤ法等にてｐ型アモルファスシリコン５３及びスパッタ法等にて透明導電膜５５が順次積層され、もう一方の面にスパッタ法や印刷法にてＡｌやＡｇ等の金属膜５７が積層されている構造を有する太陽電池要素５９である。この太陽電池要素５９の透明導電膜５５に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層１９を接触するように、樹脂層２５によって貼着される。
また、図２５の太陽電池要素５０としては、図２９に示すものがある。図２９は、別の太陽電池要素の断面図である。単結晶ｎ型シリコン５１の一方の面にＣＶＤ法等にてｉ型アモルファスシリコン５２、ＣＶＤ法等にてｐ型アモルファスシリコン５３及びスパッタ法等にて透明導電膜５５が順次積層され、もう一方の面にスパッタ法や印刷法にてＡｌやＡｇ等の金属膜５７が積層されている構造を有する太陽電池要素６０である。この太陽電池要素６０の透明導電膜５５に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層１９を接触するように、樹脂層２５によって貼着される。
【０１１６】
太陽電池の他の態様を説明する。
図３０は、太陽電池の一例を示す断面図である。
支持基材２４（ガラス板等の透明耐熱性基材）上に積層されている樹脂層２５に導体層１９が露出するように埋設されている。以上の構成は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例である。導体層１９が露出している面に、ＩＴＯ等の透明導電膜５５がスパッタ法等により形成され、レーザー、硬質材料の針の機械的研磨などを用いる適当なエッチングにより、溝が形成されて一定のパターンが形成される。透明導電膜５５の上には、ｐ型アモルファスシリコン５３が特定のパターンにより積層される。そして、この上に重なるようにｉ型アモルファスシリコン５２及びｎ型アモルファスシリコン５４がＣＶＤ法により積層され、レーザー、硬質材料の針の機械的研磨を用いる等の適当なエッチングにより、溝が形成されて一定のパターンが形成される。さらにその上にＭｏ等の金属膜５７をスパッタ法等により積層し、レーザー、硬質材料の針の機械的研磨等を用いる適当なエッチングにより、溝が形成されて一定のパターンが形成される。この金属膜５７は、一方の隣の透明導電膜５７と導通するように、ｐ型アモルファスシリコン５３、ｉ型アモルファスシリコン５２及びｎ型アモルファスシリコン５４の側面を通じて形成される。これにより、太陽電池６１が構成されている。
図３１は、太陽電池の他の例を示す断面図である。図３０に示す太陽電池６１の金属膜５７側を透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体６２で封止し、バックシート６３を貼り合わせている構造の太陽電池６４である。
【０１１７】
図３２は、太陽電池の他の例を示す断面図である。
支持基材２４（エチレン−ビニルアセテート共重合体シート、またはエチレンテトラフロオロエチレンシート等）上に積層されている樹脂層２５に導体層１９が露出するように埋設されている。以上の構成は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例である。導体層１９の一部は取出電極６５として利用される。
上記の導体層１９が露出している面に、一定のパターンを繰り返すように一定の層構造が形成されている。この一定の層構造は、透明導電膜５５、ｐ型アモルファスシリコン５３、ｉ型アモルファスシリコン５２及びｎ型アモルファスシリコン５４が積層され、さらに、ｐ型アモルファスシリコンゲルマニウム６６、ｉ型アモルファスシリコンゲルマニウム６７及びｎ型アモルファスシリコンゲルマニウム６８が積層され、さらに、金属膜５７（裏面電極）が積層されているが、透明導電膜５５から金属膜５７は、一定の繰り返しパターンで、ポリイミドフィルム６９の上に形成されていると言える。ポリイミドのもう一方の面には、特定のパターンで、背面電極７０が形成されており、ポリイミドフィルム６９から透明導電膜５５に至るスルホール７１及びポリイミドフィルム５９から金属膜５７に至るスルホール７２内には、それぞれ、透明導電膜５５又は金属膜５７と背面電極７０とが導通するように、金属が蒸着されている。このようにして構成されている太陽電池７３は、上記の透明導電膜以下の層構造体に、本発明に係る導体層パターン付き基材を圧着して貼着して得られる。このとき、導体層パターン付き基材の樹脂層２５を層構造体を封止するように流動させる。
以上の構成の太陽電池を、エチレンテトラフロオロエチレン（ＥＴＦＥ）とＥＴＦＥあるいはガルバリウム鋼板の間にエチレン−ビニルアセテート共重合体により担持させることにより太陽電池モジュールとすることができる。
【０１１８】
図３３は、太陽電池の他の例を示す断面図である。
支持基材２４（ガラス板等の透明耐熱性基材あるいはエチレン−ビニルアセテート共重合体シート）上に積層されている樹脂層２５に導体層１９が露出するように埋設されている。以上の構成は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例である。導体層１９の一部は取出電極６５として利用される。
上記の導体層１９が露出している面に、一定のパターンを繰り返すように一定の層構造が形成されている。この一定の層構造は、透明導電膜５５、バッファ７４及びＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅからなる半導体のＣＩＧＳ光吸収層７５が積層され、さらに、パターン化されたモリブデン裏面電極７６が積層されている。導体層１９の一部は取出電極６５及び取出電極７７となる。バッファ７４はＣｄｓ、ＺｎＯやＩｎＳ等のｎ型層であり、スパッタ法やケミカル・バス・デポジション等にて形成される。ＣＩＧＳ光吸収層７５はＣｕ、Ｉｎ、Ｇａをスパッタ法や蒸着等にて積層してプリカーサを形成し、Ｈ２Ｓｅ雰囲気中でプリカーサをアニールし、セレン化することで得られる。モリブデン裏面電極７６の他の面には、ガラス板７８が積層されていると言える。このようにして構成されている太陽電池７９は、上記の透明導電膜以下の層構造体に、本発明に係る導体層パターン付き基材を圧着して貼着して得られる。このとき、導体層パターン付き基材の樹脂層２５が層構造体を封止するように流動させる。層構造体は、ガラス板の上に上記したのと反対にモリブデン裏面電極７６から透明導電膜５５までを積層形成して形成される。なお、透明導電膜５７は、ＣｄＳバッファ７４及びＣＩＧＳ光吸収層７５の側面を通って隣のモリブデン裏面電極７６と導通している。
支持基材２４がガラス板等の透明耐熱性基材でない場合、以上の構成の太陽電池は、支持基材２４側に、透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体で封止するように最外層となるガラス板とをそれぞれ積層することにより太陽電池モジュールとすることができる。
【０１１９】
図３４は、太陽電池の他の例を示す断面図（模式図）である。
単結晶ｐ型シリコン８０の一方の側にｐ型シリコン５３及びｎ型シリコン５４が積層されており、ｐ型シリコン５３にはアルミニウム電極８１及びｎ型シリコン５４には銀電極８２がそれぞれ積層され、その上に集電のための細いタブ線８３及び太いタブ線８４が積層されている。銀電極８２とｎ型シリコン層は細いタブ線８３をはんだ接続するために特定の箇所にのみ積層されている。銀電極８２以外の裏面全面をアルミニウム電極８１とｐ型シリコン層の積層物が覆っている。細いタブ線８３及び太いタブ線８４の材質ははんだが被覆された銅線である。アルミニウム電極８１、銀電極８２、細いタブ線８３及び太いタブ線８４が一方の集電機構である。単結晶ｐ型シリコン８０の他方の側には、全面にｎ型シリコン５４が積層されており、ｎ型シリコン５４の上には、窒化珪素反射防止膜８５と銀フィンガー電極８５が積層されている。銀フィンガー電極８６はｎ型シリコン層に積層されており、窒化珪素反射防止膜８５は銀フィンガー電極以外の部分の表面全面を覆っている。そして、その上に、本発明に係る導体層パターン付き基材（銅配線８７が粘着剤８８を介してプラスチックフィルム８９に積層されている）が、導体層（メッシュ状銅配線８７）が銀フィンガー電極８６に接触するように積層されている。導体層（例えばメッシュ状銅配線８７）は、さらに太いタブ線８４と接触している。メッシュ状銅配線８７は、ストライプ状銅配線でもよく、この場合、その配線は、紙面と並行に設けられる。図３４でメッシュ状銅配線は、紙面に垂直方向のもののみを作図している。プラスチックフィルム８９は本発明の機能に寄与しないために存在しなくとも良い。プラスチックフィルム８９は太陽電池表面に銅配線８７及び粘着剤８８が接着した後、エチレン−酢酸ビニル共重合体で封止する前にはく離しても良い。あるいは、プラスチックフィルム８９を予めはく離した銅配線８７及び粘着剤８８をエチレン−酢酸ビニル共重合体に固定し、その後に太陽電池に接着しても良い。銀フィンガー電極８６、銅配線８７及び太いタブ線８４がもう一方の集電機構である。以上の構成は、透明なエチレン−酢酸ビニル共重合体９０で封止され、全体がＰＥＴフィルム９１とガラス板９２で挟むよう構成されている。
【０１２０】
図３５は、太陽電池の参考例を示す断面図（模式図）である。図３５と同じ構成であるが、図３４における銅配線８７（従って、導体層パターン付き基材）の代わりに、細いタブ線８３が用いられている。細いタブ線８３の材質ははんだが被覆された銅線である。
【０１２１】
本発明では、導体層パターン付き基材の導体層パターンを表面に電極（金属電極あるいは透明電極）を有する機能素子に接続することで、機能素子の電気的特性を向上させることができる。例えば、表面に透明電極を有する太陽電池の場合、透明電極に導電性パターンを接続することで、導体層パターンの低い抵抗率のために、太陽電池の発生電力を電力損失を低く抑えて集電することができる。そのため、結晶系Ｓｉ太陽電池に集電極として通常用いられるＡｇ電極を省略することができる。また、薄膜Ｓｉ太陽電池やＣＩＧＳ薄膜太陽電池ではモジュールサイズで顕著になる電力損失を低く抑えるために効率の向上を図ることができる。さらに、導体層パターンは配線機能も有するために、新たな配線材料を必要としない。例えば、結晶Ｓｉ太陽電池に配線として通常用いられるタブ線を省略することができ、薄膜Ｓｉ太陽電池やＣＩＧＳ薄膜太陽電池では取り出し電極の形成を省略することが出来る。このように導体層パターンが太陽電池の集電極および配線に利用されるためにそれらの材料コスト低減につながる。さらに本発明の導体層パターン付き基材を貼り付けるだけで、必要な導体層パターンを供給できるので、例えば太陽電池の集電極および配線の形成コストも大幅に低減できる。
【０１２２】
導体層パターンを機能素子表面の電極に接続し続けるためには、導体層パターンと機能素子表面の電極との機械的接触を維持する必要があり、そのためには導体層パターンが機能素子表面の電極に押し付けられる方向に力が加わり続けなければならない。例えば、太陽電池においてはその出力は長期間安定していなければならず、信頼性試験としては８５℃８５％ＲＨの高温高湿下で１０００時間経過後も出力電力の低下が５％以内であることが望まれる。本発明では、導体層パターン付き基材の導体層のパターンと太陽電池セルの表面電極を接続することにより、導体層パターンを供給して集電極及び配線としての機能を示し、さらに数百時間の安定性も示すことができる。
【０１２３】
本発明において、めっき用導電性基材として、回転体（ロール）を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。回転体（ロール）は金属製が好ましい。さらに、回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的低い材料を用いることが好ましい。導電性基材として回転体を用いることにより連続的に作製して巻物として導体層パターン付き基材を得ることが可能となるため、この場合、生産性が飛躍的に大きくなる。
【０１２４】
回転体を用いて、電界めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図３６を用いて説明する。図３６は、導電性基材としてドラム電極を用いた場合に、ドラム電極を回転させつつ、金属を電界めっきにより連続的に析出させ、また、析出した金属を連続的に剥離する装置の概念を示す断面図（一部正面図）である。
【０１２５】
すなわち、電解浴１００内の電解液１０１が陽極１０２とドラム電極などの回転体１０３の間のスペースに配管１０４とポンプ１０５により供給されるようになっている。陽極１０２と回転体１０３の間に電圧をかけ、回転体１０３を一定速度で回転させると、回転体１０３の表面に金属が電解析出し、電解液１０１の外で、回転体１０３表面の導電性の凹部に析出した金属１０６に、粘着層を形成したフィルム１０７の粘着層を圧着ロール１０８で圧着し、連続的に回転体１０３から金属１０６を剥離しつつ粘着層を形成したフィルム１０７にその金属１０６を転写し、導体層パターン付き基材１０９とする。これはロール（図示せず）に巻き取ることができる。このようにして導体層パターン付き基材１０９を製造することができる。なお、上記の回転体１０３の表面には、凹部とそれにより描かれている幾何学図形状の絶縁層が形成されている。また、回転中の回転体１０３から、凹部に析出した金属１０６が剥離させられた後で、電解液１０１に浸かる前に、回転体１０３表面をエッチング洗浄したり（図示せず）してもよい。なお、図示していないが陽極１０２の上端には高速で循環している電解液が上方へ噴出するのを防ぐために水切りロールを設置しても良く、水切りロールによってせき止められた電解液は陽極１０２の外部から下の電解液の浴槽へと戻り、ポンプにより循環される。また、図示しないがこの循環の間に消費された銅イオン源や添加剤等を必要に応じて追加する態様を加えることが好ましい。
【０１２６】
さらに、本発明で用いられるめっき用導電性基材として、フープ状の導電性基材を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。
フープ状の導電性基材に関しては、帯状の導電性基材の表面に絶縁層と凹部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。導電性基材の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的小さい材料を用いることが好ましい。フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防錆処理、転写等の工程を、１つの連続した工程で処理可能となるため導電性パターン付き基材の生産性が高く、また、導電性パターン付き基材を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、１００〜１０００μｍであることが好ましい。
【０１２７】
フープ状の導電性基材を用いて、電界めっきにより形成された導体層パターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図３７を用いて説明する。図３７は、導電性基材としてフープ状導電性基材を用いた場合に、連続的に導体層パターンを電界めっきにより析出させながら剥離する装置の概念図である。
【０１２８】
フープ状の導電性基材１１０を、搬送ロール１１１〜１２８を用い、前処理槽１２９、めっき槽１３０、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を順次とおり、周回運動するように設置する。前処理槽１２９で導電性基材１１０の脱脂もしくは酸処理等の前処理を行う。その後、めっき槽１３０で、導電性基材１１０上に金属を析出させる。この後に、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を順次通して、それぞれで、導電性基材１１０上に析出した金属の表面を黒化し、さらに防錆処理する。各処理工程後にある水洗槽は、１槽しか図示していないが、必要に応じて複数の槽を用いたり、各処理工程の前に他の前処理槽等があってもよい。次いで、接着層を積層したプラスチックフィルム基材１３６を導電性基材１１０の導電性の凹部に析出した金属が転写されるように搬送ロール１２８上の導電性基材１１０と圧着ロール１３７の間を通し、上記金属をプラスチックフィルム基材１３６に転写して、導体層パターン付き基材１３８を連続的に製造することができる。得られる導体層パターン付き基材１３８は、ロール状に巻き取ることができる。必要に応じて、圧着ロール１３７を加熱することもできるし、図示はしないが、プラスチックフィルム基材１３６を、圧着ロールを通過させる前にプレヒート槽を通して予備加熱してもよい。また、転写したフィルムの巻取りには、必要に応じて、離型ＰＥＴ等を挿入してもよい。さらに、金属が転写された後、フープ状導電性基材は、上記の工程を繰り返すこととなる。このようにして、連続的に、高い生産性で導体層パターン付き基材を製造することができる。
【０１２９】
上記のようにして得られる導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材として用いる場合には、反射防止層、近赤外線遮蔽層等をさらに積層してもよい。導電性基材に析出した金属を転写する基材そのものが反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。さらに、導体層パターンに保護層を形成する際に用いられるカバーフィルムが、反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。
【０１３０】
また、本発明における導体層パターン付き基材は、上記のような回転ロールやフープを利用した連続的なめっき方法に限らず枚葉で作製することも可能である。枚葉で行った場合、めっき用導電性基材の作製時の取扱が容易であり、同一のめっき用導電性基材を繰り返し使用した後に一箇所だけ絶縁層が剥離した、といった場合でもドラム状やフープ状の基材であると特定部分だけの抜き取りあるいは交換は困難であるが、枚葉であれば不良が発生しためっき用導電性基材のみを抜き取りあるいは交換することが可能である。このように枚葉で作製することにより、めっき用導電性基材に不具合が発生したときの対応が容易である。枚葉状の導電性基材の厚みは適宜決定すればよいが、めっき槽内で液の攪拌等に左右されない十分な強度を持たせることを考慮すると厚みは２０μｍ以上が好ましい。厚すぎると重量が増え取扱が困難であるため１０ｃｍ以下の厚みであることが好ましい。
【０１３１】
また、上記のようにして得られる導体層パターン付き基材をフィルムアンテナとして使用する場合、樹脂層の粘着性を残したまま使用に供することができ、さらに、導体層パターンが存在する面に粘着剤層を積層して使用に供することができる。
【実施例１】
【０１３２】
＜めっき用導電基材の作製＞
まず、めっき用導電基材を作製した。
（パターン仕様１）
以下の仕様で、パターン形成用のネガフィルムを作製した。光透過部のライン幅が９μｍ、ラインピッチが２５０μｍ、バイアス角度が４５°（正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して４５度の角度になるように配されている）で、格子状にパターンを１２０ｍｍ角のサイズで形成した。
【０１３３】
（凸状パターンの形成）
レジストフィルム（フォテックＲＹ３３１５、日立化成工業株式会社製）を１５０ｍｍ角のステンレス板（ＳＵＳ３１６Ｌ、＃４００研磨仕上げ、厚さ５００μｍ、日新製鋼（株）製）の両面に貼り合わせた（図１１（ａ）に対応するが同一ではない）。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、パターン仕様１のネガフィルムを、ステンレス板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を２５０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅９〜１１μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５度の突起部レジスト膜（突起部；高さ１５μｍ）を得た。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている（図１１（ｂ）に対応するが同一ではない）。
【０１３４】
（絶縁層の形成）
ＰＢＩＩ／Ｄ装置（ＴｙｐｅＩＩＩ、株式会社栗田製作所製）によりＤＬＣ膜を形成する。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚０．１μｍとなるように中間層を成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が２〜３μｍとなるように、中間層の上にＤＬＣ層を形成した（図１１（ｃ）に対応するが同一ではない）
【０１３５】
（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液（１０％、５０℃）に浸漬し、時々揺動を加えながら８時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したＤＬＣ膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た（図１１（ｄ）に対応するが同一ではない）。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは２〜３μｍであった。また、凹部の底部での幅は、９〜１１μｍ、開口部での幅（最大幅）は１３〜１６μｍ、であった。凹部のラインピッチは２５０μｍであった。
【０１３６】
＜導体層のパターンの形成＞
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面（裏面）に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ６μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
【０１３７】
＜転写用基材の作製＞
（配合組成物１）
２−エチルヘキシルメタクリレート  ７０重量部
ブチルアクリレート      １５重量部
２−ヒドロキシエチルメタクリレート  １０重量部
アクリル酸    ５重量部
アゾビスイソブチロニトリル  ０．１重量部
トルエン  ６０重量部
酢酸エチル  ６０重量部
温度計、冷却管、窒素導入管を備えた５００ｃｍ３の三つ口フラスコに、上記した配合組成物１を投入し、穏やかに撹拌しながら、６０℃に加熱して重合を開始させ、窒素でバブリングさせながら、６０℃で８時間、還流中で攪拌を行い、側鎖にヒドロキシル基を有するアクリル樹脂を得た。その後、カレンズ  ＭＯＩ（２−イソシアナトエチルメタクリレート；昭和電工（株）製）５重量部を添加し、穏やかに撹拌しながら５０℃で反応させ、側鎖に光重合性官能基を有する反応性ポリマーの溶液１を得た。
得られた反応性ポリマー１は、側鎖にメタクリロイル基を有しており、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は８００，０００であった。反応性ポリマーの溶液１を１００重量部（固形分）に光重合開始剤として２−メチル−１［４−メチルチオ］フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（商品名イルガキュア９０７、チバガイギー（株））を１重量部、イソシアネート系架橋剤（商品名コロネートＬ−３８ＥＴ、日本ポリウレタン（株）製）を３重量部、トルエンを５０重量部添加し、樹脂組成物１とした。
得られた樹脂組成物１を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面に、１００℃乾燥後の膜厚が  ３μｍになるように塗布して、支持基材上に粘着剤層を形成して、転写用基材を作製した。乾燥条件は、１００℃１０分間であった。
【０１３８】
＜導体層のパターンの転写＞
次いで、上記転写用基材の粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた（図１４（ｇ）に対応）。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた転写用基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が転写用基材の粘着剤層に転写されていた（図１４（ｈ）に対応）。
【０１３９】
＜保持用基材の作製＞
感圧型の粘着剤層厚みが２５μｍである両面粘着フィルム（ヒタレックスＤＡ３０２５、日立化成工業株式会社製）の片面のセパレータフィルムを剥離し、粘着剤層がセパレータフィルム上に形成された保持用基材を得た。
【０１４０】
＜導体層パターン付き基材の作製＞
（保持用基材への転写）
保持用基材の粘着剤層と上記の導体層のパターンを有する転写用基材を粘着剤同士が接触するように貼り合わせの準備をした（図１５（ａ）に対応）。貼り合わせは、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎのラミネート条件でおこない、積層物を得た。次いで、この積層物に、紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ２照射し、転写用基材の粘着剤層の硬化をすすめ、その粘着剤層の粘着性を低下させた（図１５（ｂ）に対応）。
（支持基材の交換）
その後、上記積層物に組み込まれた保持用基材のセパレータフィルムを剥離し、露出した感圧型の粘着剤層が接触するようにガラス板に、ロール温度１００℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎのラミネート条件で貼り合せた（図２１に対応）。
（導体層が露出した導体層パターン付き基材の作製）
次いで、転写用基材（紫外線を照射して硬化させた粘着剤層と支持基材）を剥離したところ、導電性パターンはガラス上に形成された感圧型の粘着剤層に転写されており、導体層パターン付き基材（図２０に相当のもの）を得た。
【０１４１】
得られた導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状は、図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は２〜４μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みＴは４〜６μｍ、最大幅Ｌは１５〜１８μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は９〜１１μｍ、下底の幅Ｌ２は１３〜１６μｍ、上部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチ２５０μｍであった。このような導体層の格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は３〜５μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｄの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．５０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．１１〜０．２７であった。
【０１４２】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【０１４３】
（繰り返し使用）
上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして１００回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び転写性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、１００回使用後にめっき用導電性基材を切り取って絶縁層（ＤＬＣ層）の表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
【実施例２】
【０１４４】
＜めっき用導電基材の作製＞まで実施例１と同様に行った。
【０１４５】
＜導体層のパターンの形成＞
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面（裏面）に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、光沢剤（３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸塩）３ｍｌ／Ｌ、界面活性剤（ポリエチレングリコール類）１０ｍＬ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ６μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
【０１４６】
樹脂組成物の１００℃乾燥後の膜厚を１５μｍとしたこと以外は、実施例１と同様に＜転写用基材の作製＞を行った。
＜導体層のパターンの転写＞、＜保持用基材の作製＞及び＜導体層パターン付き基材の作製＞を実施例１と同様に行った。
【０１４７】
導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は２〜４μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みＴは４〜６μｍ、最大幅Ｌは１５〜１８μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は９〜１１μｍ、下底の幅Ｌ２は１３〜１６μｍ、上部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチ２５０μｍであった。このような導体層の格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は２〜４μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．３０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．１１〜０．２７であった。
【０１４８】
＜埋没処理＞
導体層パターン付きの導体層パターン上にセパレータフィルムをロール温度１００℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎのラミネート条件で貼り合せた。次いで、セパレータフィルムを剥離したところ、導体層パターンの上部層の平坦部は露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は３〜６μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．５０〜１．０であった。
【０１４９】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【実施例３】
【０１５０】
＜めっき用導電基材の作製＞から＜導体層パターンの形成＞（銅めっき）まで、＜転写用基材の作製＞及び＜導体層のパターンの転写＞を実施例１と同様に行った。
【０１５１】
＜導体層パターン付き基材の作製＞
（保持用基材の作製と保持用基材への転写）
上記で得られた上記の導体層のパターンを有する転写用基材の導体層のパターンが存在する面の上に、液状の無溶剤型ＵＶ硬化型樹脂（商品名：アデカオプトマーＫＲＸ−４００、旭電化（株）製）を、１００ｍｍの幅で１０ｍｌ滴下した。次いで、厚さ１００μｍの支持基材であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）を樹脂上に接触させ、ロールラミネートした。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード２．０ｍ／ｍｉｎとした。これにより、樹脂が一様に広がり、上記の導体層のパターンを有する転写用基材とＰＥＴフィルムの間に、２５μｍの液状の紫外線硬化型樹脂層を形成した。その後、ＰＥＴフィルム側から、照射量１０００ｍＪ／ｃｍ２となるように、紫外線を照射して粘着剤層を硬化した後、転写用基材を剥離したところ、導体層のパターンはＰＥＴフフィルム上に形成された四が視線硬化型樹脂層に転写されており、導体層パターン付き基材を得た。
【０１５２】
導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は２〜４μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みＴは４〜６μｍ、最大幅Ｌは１５〜１８μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は９〜１１μｍ、下底の幅Ｌ２は１３〜１６μｍ、上部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲部の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチ２５０μｍであった。このような格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は３〜５μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．５０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．１１〜０．２７であった。
【０１５３】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【実施例４】
【０１５４】
実施例１のめっき用導電性基材に、めっき厚がほぼ１４μｍになるまでめっきしたこと以外は実施例１と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施し、＜めっき用導電基材の作製＞を行った。この後、＜転写用基材の作製＞及び＜導体層のパターンの転写＞を実施例１と同様に行った。
【０１５５】
＜保持用基材の作製＞
感圧型の粘着層厚みが２５μｍである両面粘着フィルム（ヒタレックスＤＡ３０２５、日立化成工業株式会社製）の片面のセパレータフィルムを剥離し、ＰＥＴフィルム（１２５μｍ厚、Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）に貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１００℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。その後、ＰＥＴフィルム上に形成された粘着層のもう一方の面からセパレータフィルムを剥離し、ＰＥＴフィルム上に露出した粘着剤層を有する保持用基材を得た。
【０１５６】
＜導体層パターン付き基材の作製＞
（保持用基材への転写）
保持用基材の粘着剤層と上記で得られた導体層のパターンを有する転写用基材を粘着剤同士が接触するように貼り合わせの準備をした（図１７（ａ）に対応）。貼り合せは、はロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎラミネート条件で行い、積層物を得た。ついで、この積層物に、紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ２照射し、転写用基材の粘着剤層の硬化をすすめ、その粘着剤の粘着性を低下させた（図１５（ｂ）に対応）。
（導体層が露出した導体層パターン付き基材の作製）
次いで、転写用基材（紫外線を照射して硬化させた粘着剤層と支持基材）を剥離したところ、導体層のパターンはＰＥＴ上に形成された感圧型の粘着剤層に転写されており、導体層パターン付き基材を得た。
【０１５７】
得られた導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は９〜１２μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みは１２〜１４μｍ、最大幅Ｌは２６〜３０μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は９〜１１μｍ、下底の幅Ｌ２は１３〜１６μｍ、上部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲部の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチは、２５０μｍであった。このような導体層の格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は１０〜１３μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．７０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．３０〜０．４６であった。
【０１５８】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０２Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【実施例５】
【０１５９】
実施例４と同様に＜めっき用導電基材の作製＞を行った。その後、＜転写用基材の作製＞、＜導体層のパターンの転写＞、＜保持用基材の作製＞、＜導体層パターン付き基材の作製＞を実施例１と同様に行った。
＜導体層パターン付き基材の作製＞
まず、（保持用基材への転写）を実施例１と同様に行った。
（支持基材の交換）
その後、上記積層物に組み込まれた保持用基材のセパレータフィルムを剥離し、露出した感圧型の粘着剤層をエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）に接触させた。これらを２枚の離型ＰＥＴ（Ｅ−７００２（東洋紡（株）製）で挟み、真空加圧ラミネータにより０．１ＭＰａ、１２０℃４分間加熱加圧した（図２１に対応）。
（導体層が露出した導体層パターン付き基材の作製）
次いで、転写用基材（ＵＶ硬化させた粘着剤層と支持基材）を剥離したところ、導電性パターンはエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート上に形成された感圧型の粘着剤層に転写されており、導体層パターン付き基材（図２０に相当のもの）を得た。
【０１６０】
得られた導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は９〜１２μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みは１２〜１４μｍ、最大幅Ｌは２６〜３０μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は９〜１１μｍ、下底の幅Ｌ２は１３〜１６μｍ、上部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲部の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチは、２５０μｍであった。このような導体層の格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は１０〜１３μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．７０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．３０〜０．４６であった。
【０１６１】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０２Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【実施例６】
【０１６２】
＜太陽電池の作製＞
図３４に示す太陽電池を作製した。
太陽電池セル（株式会社ショット製、単結晶Ｓｉ太陽電池セル：図３４において、単結晶ｐ型シリコン８０の一方の側にｐ型シリコン５３及びｎ型シリコン５４が積層されており、ｐ型シリコン５３にはアルミニウム電極８１及びｎ型シリコン５４には銀電極８２がそれぞれ積層され、単結晶ｐ型シリコン８０の他方の側には、全面にｎ型シリコン５４が積層されており、ｎ型シリコン５４の上には、窒化珪素反射防止膜８５と銀フィンガー電極８６が積層されているもの）を用いた。裏面の銀電極８２に２本の細いタブ線８３をはんだごてを用いてはんだ接続し、２本の細いタブ線８３に１本の太いタブ線８４（Ａ）をはんだ接続した。太陽電池セルの表面（受光面）に、上記実施例４で得られた導体層パターン付き基材を導体層パターン８７が形成された面と太陽電池セル表面の銀電極８６を接触させるように貼り合せた。貼り合わせは、真空加圧ラミネータを用いて、ラミネート温度１５０℃、圧力０．１ＭＰａ、真空引き時間２分、加圧保持時間５分とした。この貼り合わせの際に、導体層パターン付き基材の導体層パターン８７が形成された面に１本の太いタブ線８４（Ｂ）を同時に貼り合わせた。太陽電池セルの端部（単結晶ｐ型シリコン８０の端部）と太いタブ線８４（Ｂ）とは５ｍｍ離して配置した。導体層パターン付き基材の導体層パターン８７は太いタブ線８４（Ｂ）と接続してあるが、太いタブ線８４（Ａ）とは接続されていない。
厚み３ｍｍ、サイズ２００ｍｍ□の太陽電池用白板熱処理ガラスの上にガラスの同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、上記のタブ線が接続した太陽電池セルをセル表面がガラス側に向くように置いた。太陽電池セルの中心とガラスの中心は一致させて置き、太いタブ線（Ａ）と太いタブ線（Ｂ）をガラスより外側に出した。太陽電池セルの上にガラスと同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、その上にガラスと同じサイズのＰＥＴフィルム（１２５μｍ厚、Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）を置いた。これらを真空加圧ラミネータにより０．１ＭＰａ、１５０℃３０分間加熱加圧し、図３４に示す太陽電池を作製した。
【０１６３】
＜高温高湿試験＞
まず、太陽電池モジュールのタブ線（Ａ）とタブ線（Ｂ）の間のＩ−Ｖ特性をソーラーシミュレータを用いて測定した。フィルファクター（ＦＦ）を導体層パターンの表面電極としての性能の一つとして、太陽電池モジュールを８５℃８５％ＲＨにて１０００時間、保管する前と後で測定した。
【０１６４】
太陽電池モジュールを８５℃８５％ＲＨにて保管する前に測定したＦＦ（「初期値のＦＦ」という）は、０．６９３であった。太陽電池モジュールを８５℃８５％ＲＨにて１０００ｈｒ保管後に太陽電池モジュールを取り出し、さらに、２５℃６０％ＲＨにて１２時間保管した後、太陽電池モジュールのＩ−Ｖ特性をソーラーシミュレータを用いて測定した。このときのＦＦ（以下、「１０００ｈｒのＦＦ」という）は０．６８４であり、初期値のＦＦに対して９８．７％であった。
ＦＦは太陽電池内部の直列抵抗や並列抵抗に強く影響を受ける特性であり、例えば導体層パターンとフィンガー電極との接続抵抗がすれば、直列抵抗が増加するためにＦＦは低下する。そのため、本発明の導体層パターンは太陽電池表面の導体層と良好な接続を維持することがわかった。
【０１６５】
比較例１
＜太陽電池の作製＞
図３５に示す太陽電池を作製した。
太陽電池セル（株式会社ショット製、単結晶Ｓｉ太陽電池セル：実施例６と同じもの）を用いた。裏面の銀電極８２に２本の細いタブ線８３をはんだごてを用いてはんだ接続し、２本の細いタブ線８３に１本の太いタブ線８４（Ａ）をはんだ接続した。太陽電池セルの表面（受光面）に２本の細いタブ線８３をはんだごてを用いてはんだ接続し、２本の細いタブ線に１本の太いタブ線８４（Ｂ）をはんだごてを用いてはんだ接続した。
厚み３ｍｍ、サイズ２００ｍｍ□の太陽電池用白板熱処理ガラスの上にガラスの同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、上記のタブ線が接続した太陽電池セルをセル表面がガラス側に向くように置いた。太陽電池セルの中心とガラスの中心は一致させて置き、太いタブ線（Ａ）と太いタブ線（Ｂ）をガラスより外側に出した。太陽電池セルの上にガラスと同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、その上にガラスと同じサイズのＰＥＴフィルム（１２５μｍ厚、Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）を置いた。これらを真空加圧ラミネータにより０．１ＭＰａ、１５０℃３０分間加熱加圧し、図３５に示す太陽電池が得られた。
＜高温高湿試験＞
実施例６と同様におこなった。初期値のＦＦは０．７２５であった。１０００ｈｒのＦＦは０．７１７であり、初期値のＦＦに対して９８．９％であった。
【実施例７】
【０１６６】
＜めっき用導電基材の作製＞
まず、めっき用導電基材を作製した。
（パターン仕様２）
以下の仕様で、パターン形成用のネガフィルムを作製した。光透過部のライン幅が４００μｍ、ラインピッチが２００μｍで、フィンガー電極パターンと概略Ｔ字形状のインターコネクタ部からなるパターンを２００ｍｍ角のサイズで形成した。
次いで、実施例１と同様に、（凸状パターンの形成）、（絶縁層の形成）、（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）を行った。
【０１６７】
上記めっき用導電性基材に、めっき厚が２０μｍになるまでめっきしたこと以外は実施例１と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施し、＜導体層のパターンの形成＞を行った。この後、樹脂組成物の１００℃乾燥後の膜厚が１０μｍになるように塗布したこと以外は実施例１と同様に＜転写用基材の作製＞を行った。さらに、＜導体層のパターンの転写＞を実施例１と同様に行った。
【０１６８】
＜導体層パターン付き基材の作製＞
（保持用基材の作製と転写）
無溶剤型の紫外線硬化型樹脂（アデカオプトマーＫＲＸ−４００、株式会社ＡＤＥＫＡ製）を上記電極基材の導電層パターン面側に塗布した後、厚さ５０μｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム（Ｑ−５１、帝人デュポンフィルム（株）製）を紫外線硬化型樹脂面にラミネート（ロール温度３０℃）した。その直後、転写用基材側から照射量１Ｊ／ｃｍ２となるように、紫外線を照射した。
（導体層が露出した導体層パターン付き基材の作製）
次いで、転写用基材を剥離したところ、導電性パターンはＰＥＮフィルム上に形成されたＵＶ硬化型の樹脂層に転写されており、導体層パターン付き基材（図２０に相当のもの）を得た。この導体層パターン付き基材は、太陽電池用電極基板として使用できる。
【０１６９】
導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は１６〜２１μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みは１８〜２３μｍ、最大幅Ｌは４０３〜４１０μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は３８３〜３８８μｍ、下底の幅Ｌ２は３８７〜３９２μｍ、上部層の断面中央部の彎曲部の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチは１９５〜２００μｍのフィンガー電極パターン及び概略Ｔ字形状のインターコネクタ部からなる電極基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は１６〜２２μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．７０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．０４〜０．０５であった。
【０１７０】
（半導体基材との接続）
裏面に正電極及び負電極が櫛型形状に形成された半導体基板を、電極部分と電極基材（導体層パターン付き基材）の導体層パターン部分が一致するように電極基材と位置あわせた。真空加圧ラミネータを用いて、ラミネート温度１５０℃、圧力０．１ＭＰａ、真空引き時間２分、加圧保持時間５分にて、半導体基板裏面の電極と電極基材の導体層パターンを接触させるように貼り合わせた。電極基材側から接続部を観察した結果、気泡等の巻き込みはほとんどなく、導体層パターン付き電極基材が半導体基材と良好に密着することがわかった。
【０１７１】
（繰り返し使用）
上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして１００回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び転写性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、１００回使用後にめっき用導電性基材を切り取って絶縁層（ＤＬＣ層）の表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
【０１７２】
（銀ペースト使用の場合の説明を残します）
また、前記で得られた電極基材（導体層パターン付き基材）の導体層の面上に、厚みが２０μｍ、幅が４００μｍとなるように、市販の銀ペーストをスクリーン印刷で形成した。上記の半導体基板を、その電極部分と銀ペースト印刷部分が一致するように電極基材と位置あわせた。正電極及び負電極を部分圧着した後、１６０℃２時間加熱し、銀ペーストを硬化させた。電極基材側から接続部を観察した結果、気泡等の巻き込みはほとんどなく、このようにしても導体層パターン付き電極基材が半導体基材と良好に密着させることができた。
【実施例８】
【０１７３】
実施例７と同様に、＜めっき用導電基材の作製＞、＜導体層のパターンの形成＞、＜転写用基材の作製＞、＜導体層のパターンの転写＞を実施例１と同様に行った。
＜導体層パターン付き基材の作製＞
まず、（保持用基材への転写）を実施例１と同様に行った。
（支持基材の交換）
その後、上記積層物に組み込まれた保持用基材のセパレータフィルムを剥離し、露出した感圧型の粘着剤層をエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）に接触させた。これらを２枚の離型ＰＥＴ（Ｅ−７００２（東洋紡（株）製）で挟み、真空加圧ラミネータにより０．１ＭＰａ、１２０℃４分間加熱加圧した（図２１に対応）。
（導体層が露出した導体層パターン付き基材の作製）
次いで、転写用基材（ＵＶ硬化させた粘着剤層と支持基材）を剥離したところ、導電性パターンはエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート上に形成された感圧型の粘着剤層に転写されており、導体層パターン付き基材（図２０に相当のもの）を得た。
【０１７４】
導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図８（ｂ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は１６〜２１μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みは１８〜２３μｍ、最大幅Ｌは４０３〜４１０μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は３８３〜３８８μｍ、下底の幅Ｌ２は３８７〜３９２μｍ、上部層の断面中央部の彎曲部の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチは、１９５〜２００μｍであった。このような導体層のフィンガー電極パターン及び概略Ｔ字形状のインターコネクタ部からなる電極基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は１６〜２２μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．７０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．０４〜０．０５であった。
【０１７５】
（半導体基材との接続）
裏面に正電極及び負電極が櫛型形状に形成された半導体基板を、電極部分と電極基材の導体層パターン部分が一致するように電極基材と位置あわせた。電極基材のエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート側にＰＥＮフィルムを配置した。真空加圧ラミネータを用いて、ラミネート温度１５０℃、圧力０．１ＭＰａ、真空引き時間４分、加圧保持時間３０分にて、半導体基板裏面の電極と電極基材の導体層パターンを接触させるように貼り合わせた。電極基材側から接続部を観察した結果、気泡等の巻き込みはほとんどなく、導体層パターン付き電極基材が半導体基材と良好に密着することがわかった。
【０１７６】
（銀ペースト使用の場合の説明を残します）
また、前記で得られた電極基材（導体層パターン付き基材）の導体層の面上に、厚みが２０μｍ、幅が４００μｍとなるように、市販の銀ペーストをスクリーン印刷で形成した。上記の半導体基板を、その電極部分と銀ペースト印刷部分が一致するように電極基材と位置あわせた。正電極及び負電極を部分圧着した後、１６０℃２時間加熱し、銀ペースト及びエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シートを硬化させた。電極基材側から接続部を観察した結果、気泡等の巻き込みはほとんどなく、このようにしても導体層パターン付き電極基材が半導体基材と良好に密着させることができた。
【符号の説明】
【０１７７】
１：導体層パターン付基材
２：支持基材
３：樹脂層
４：基材
５：導体層
６：上部
７：下部
８：肩部
１１：めっき用導電性基材
１２：導電性基材
１３：絶縁層
１４：凹部
１５：感光性レジスト層（感光性樹脂層）
１６：突起部
１７：ＤＬＣ膜
１８：中間層
１９：導体層
２０：転写用基材
２１：支持基材
２２：樹脂層（粘着剤層）
２３：導体層パターン付き転写用基材
２４：支持基材
２５：樹脂層
２６：保持用基材
２７：積層物
２８：導体層パターン付き保持用基材
２９：保護基材
３０：表面保護された導体層パターン付き基材
３１：露出した導体層パターン付き基材
３２：露出した導体層パターン付き基材（支持基材を含まない）導体層パターン付き樹脂層
３３：積層物
３４：別の支持基材
３５：表面保護された導体層パターン付き基材
３６：新しい導体層パターン付き基材
３７：積層物（導体層パターン付き基材）
５０：太陽電池要素
５１：単結晶ｎ型シリコン
５２：ｉ型アモルファスシリコン
５３：ｐ型アモルファスシリコン
５４：ｎ型アモルファスシリコン
５５：透明導電膜
５７：金属膜
６２：透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体
６３：バックシート
６５：取出電極
６６：ｐ型アモルファスシリコンゲルマニウム
６７：ｉ型アモルファスシリコンゲルマニウム
６８：ｎ型アモルファスシリコンゲルマニウム
６９：ポリイミドフィルム
７０：背面電極
７１、７２：スルホール
７４：バッファ
７５：半導体のＣＩＧＳ光吸収層
７６：パターン化されたモリブデン裏面電極
７７：取出電極
７８：ガラス板
１００：電解浴
１０１：電解液
１０２：陽極
１０３：回転体
１０４：配管
１０５：ポンプ
１０６：金属
１０７：フィルム
１０８：圧着ロール
１０９：導体層パターン付き基材
１１０：フープ状の導電性基材
１１１〜１２８：搬送ロール
１２９：前処理槽
１３０：めっき槽（電解浴槽）
１３１：水洗槽
１３２：黒化処理槽
１３３：水洗槽
１３４：防錆処理槽
１３５：水洗槽
１３６：プラスチックフィルム基材（接着フィルム）
１３７：圧着ロール
１３８：導体層パターン付き基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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