(57)【要約】【課題】本発明は、回路規模の増大を抑えたまま、高周波信号を増幅する増幅部の特性のばらつきを抑えることができる、受信装置の提供を目的とする。【解決手段】スーパーヘテロダイン方式の受信装置であって、同調回路２１の同調電圧を設定するための同調電圧設定データをＤＡ変換して前記同調電圧を生成する同調電圧生成部と、ローノイズアンプ３２のバイアス電圧を設定するためのバイアス電圧設定データをＤＡ変換して前記バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成部とを、電圧生成部１６に備え、前記同調電圧生成部と前記バイアス電圧生成部が、同一のＤＡ変換器を交互に使用してＤＡ変換する、受信装置。【選択図】図４
2011061698.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号を選択受信するための、電圧可変容量素子とインダクタンス素子による同調回路と、
高周波信号を増幅して第１の増幅信号を出力する第１の増幅部と、
前記第１の増幅信号を第１の中間周波信号に周波数変換する第１の周波数変換部とを有する第１の受信回路と、
高周波信号を増幅して第２の増幅信号を出力する第２の増幅部と、
前記第２の増幅信号を第２の中間周波信号に周波数変換する第２の周波数変換部とを有する第２の受信回路とを備え、
前記第１の受信回路と前記第２の受信回路とが選択的に使用される、スーパーヘテロダイン方式の受信装置であって、
同調回路の同調電圧を設定するための同調電圧設定データをＤＡ変換して前記同調電圧を生成する同調電圧生成部と、
前記第２の増幅部のバイアス電圧を設定するためのバイアス電圧設定データをＤＡ変換して前記バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成部とを備え、
前記同調電圧生成部と前記バイアス電圧生成部が、同一のＤＡ変換器を交互に使用してＤＡ変換する、ことを特徴とする、受信装置。
【請求項２】
前記同調電圧設定データ及び前記バイアス電圧設定データが、書き換え可能な読み出し専用メモリに記憶されたデータの内容に応じて変化する、請求項１に記載の受信装置。
【請求項３】
前記メモリに記憶されたデータは、電源オン時又はリセット時に、前記同調電圧設定データ及び前記バイアス電圧設定データを前記ＤＡ変換器に入力可能にするためのレジスタに読み出される、請求項２に記載の受信装置。
【請求項４】
前記第１の受信回路が、ＦＭ放送波の受信回路であり、
前記第２の受信回路が、ＡＭ放送波の受信回路である、請求項１から３のいずれか一項に記載の受信装置。
【請求項５】
高周波信号を選択受信するための、電圧可変容量素子とインダクタンス素子による同調回路と、
高周波信号を増幅して第１の増幅信号を出力する第１の増幅部と、
前記第１の増幅信号を第１の中間周波信号に周波数変換する第１の周波数変換部とを有する第１の受信回路と、
高周波信号を増幅して第２の増幅信号を出力する第２の増幅部と、
前記第２の増幅信号を第２の中間周波信号に周波数変換する第２の周波数変換部とを有する第２の受信回路とを備え、
前記第１の受信回路と前記第２の受信回路とが選択的に使用される、スーパーヘテロダイン方式の受信装置に用いられる、
前記第１の増幅部及び前記第１の周波数変換部、並びに前記第２の受信回路とが集積された、受信装置用半導体集積回路であって、
同調回路の同調電圧を設定するための同調電圧設定データをＤＡ変換して前記同調電圧を生成する同調電圧生成部と、
前記第２の増幅部のバイアス電圧を設定するためのバイアス電圧設定データをＤＡ変換して前記バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成部とを備え、
前記同調電圧生成部と前記バイアス電圧生成部が、同一のＤＡ変換器を交互に使用してＤＡ変換する、ことを特徴とする、受信装置用半導体集積回路。
【請求項６】
前記同調電圧設定データ及び前記バイアス電圧設定データが、書き換え可能な読み出し専用メモリに記憶されたデータの内容に応じて変化する、請求項５に記載の受信装置用半導体集積回路。
【請求項７】
前記メモリに記憶されたデータは、電源オン時又はリセット時に、前記同調電圧設定データ及び前記バイアス電圧設定データを前記ＤＡ変換器に入力可能にするためのレジスタに読み出される、請求項６に記載の受信装置用半導体集積回路。
【請求項８】
前記第１の受信回路が、ＦＭ放送波の受信回路であり、
前記第２の受信回路が、ＡＭ放送波の受信回路である、１チップに集積された請求項５から７のいずれか一項に記載の受信装置用半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号を受信する、スーパーヘテロダイン方式の受信装置及び受信装置用半導体集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来のＡＭ／ＦＭ受信装置の構成図である。アンテナ１１によってＦＭ放送帯の電波を受信するためのＦＭ受信部は、ＦＭ同調回路２１と、ＦＭ同調回路２１を制御するためのＦＭ同調電圧を生成するＦＭ同調電圧生成部２５と、ＦＭ同調回路２１の出力信号を増幅するＦＭローノイズアンプ（ＦＭ＿ＬＮＡ）２２と、ＦＭローノイズアンプ２２から出力された出力信号とＦＭ／ＡＭ局部発振回路１２から出力された局部発振周波信号とを混合するＦＭ用ミキサ２３と、ＦＭ用ミキサ２３の出力信号が入力されるＩＦバンドパスフィルタ（ＦＭ＿ＩＦ＿ＢＰＦ）２４とを備える。また、アンテナ１１によってＡＭ放送帯の電波を受信するためのＡＭ受信部は、ＡＭバンドパスフィルタ（ＡＭ＿ＢＰＦ）３１と、ＡＭバンドパスフィルタ３１の出力信号を増幅するＡＭローノイズアンプ（ＡＭ＿ＬＮＡ）３２と、ＡＭローノイズアンプ３２のバイアス電圧を生成するバイアス電圧生成部３５と、ＡＭローノイズアンプ３２から出力された出力信号とＦＭ／ＡＭ局部発振回路１２から出力された局部発振周波信号とを混合するＡＭ用ミキサ３３と、ＡＭ用ミキサ３３の出力信号が入力されるＩＦバンドパスフィルタ（ＡＭ＿ＩＦ＿ＢＰＦ）３４とを備える。
【０００３】
図１に示されるように、一般的に、ＡＭ放送帯の高周波信号を増幅するＡＭローノイズアンプのバイアス電圧は、専用のバイアス回路（図１の場合、バイアス電圧生成部３５）から供給される。ＩＣオンチップでＡＭローノイズアンプを構成する場合、そのバイアス電圧のばらつきを抑えるために、バンドギャップ電圧やカレントミラー回路などを利用することによって、略一定のバイアス電圧が供給される。
【０００４】
ところが、ＡＭローノイズアンプを構成する素子の特性が半導体のプロセスのばらつきに依存するため、バイアス電圧のばらつきを抑えるだけでは、ＡＭローノイズアンプの特性のばらつきを抑えることができない。
【０００５】
図２は、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴを内蔵するＡＭローノイズアンプの一例である。図３は、ＡＭローノイズアンプに構成されるＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ４０のＤＣ特性の一例である。図３に示されるように、ＮＭＯＳプロセスのＴｙｐｉｃａｌ品（電流供給量が略設計中心値にあるＮＭＯＳＦＥＴ４０）では、ゲートソース間の電圧が１．１３Ｖの時に３０ｍＡのドレイン電流が流れる（点Ａ参照）。これに対して、ＮＭＯＳプロセスのＳｌｏｗコーナー品（電流供給量が設計中心値に対して少ない側にあるＮＭＯＳＦＥＴ４０）では、Ｔｙｐｉｃａｌ品と同じゲートソース電圧１．１３Ｖの時に流れるドレイン電流は２０ｍＡである（点Ｂ参照）。つまり、ＡＭローノイズアンプに構成される素子自体の特性によってドレイン電流に−３３％のばらつきが発生しているため、ＡＭローノイズアンプに供給するバイアス電圧のばらつきを抑えたとしても、増幅率、直線性、ノイズ耐性などの、ＡＭローノイズアンプの特性（ＡＭローノイズアンプ全体としての特性）がばらついてしまう。
【０００６】
このようなＡＭローノイズアンプの特性のばらつきを抑えるためには、上述のようにバイアス電圧を略一定に固定するのではなく、バイアス電圧を可変に制御することによって、ＡＭローノイズアンプの特性のばらつきを吸収することが考えられる。例えば、バイアス電圧の調整回路に関する先行技術文献として、特許文献１が存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２１７６５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図１に例示したバイアス電圧生成部３５のような専用のバイアス回路から出力されるバイアス電圧を変更可能な構成を設けると、少なからず回路規模が増大し、コストアップするおそれがある。また、特許文献１に開示された技術でも、バイアス調整回路を追加しなければならないため、回路規模が増大してしまう。
【０００９】
そこで、本発明は、回路規模の増大を抑えたまま、高周波信号を増幅する増幅部の特性のばらつきを抑えることができる、受信装置及び受信装置用半導体集積回路の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明に係る受信装置は、
高周波信号を選択受信するための、電圧可変容量素子とインダクタンス素子による同調回路と、
高周波信号を増幅して第１の増幅信号を出力する第１の増幅部と、
前記第１の増幅信号を第１の中間周波信号に周波数変換する第１の周波数変換部とを有する第１の受信回路と、
高周波信号を増幅して第２の増幅信号を出力する第２の増幅部と、
前記第２の増幅信号を第２の中間周波信号に周波数変換する第２の周波数変換部とを有する第２の受信回路とを備え、
前記第１の受信回路と前記第２の受信回路とが選択的に使用される、スーパーヘテロダイン方式の受信装置であって、
同調回路の同調電圧を設定するための同調電圧設定データをＤＡ変換して前記同調電圧を生成する同調電圧生成部と、
前記第２の増幅部のバイアス電圧を設定するためのバイアス電圧設定データをＤＡ変換して前記バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成部とを備え、
前記同調電圧生成部と前記バイアス電圧生成部が、同一のＤＡ変換器を交互に使用してＤＡ変換する、ことを特徴とするものである。
【００１１】
また、上記目的を達成するため、本発明に係る受信装置用半導体集積回路は、
高周波信号を選択受信するための、電圧可変容量素子とインダクタンス素子による同調回路と、
高周波信号を増幅して第１の増幅信号を出力する第１の増幅部と、
前記第１の増幅信号を第１の中間周波信号に周波数変換する第１の周波数変換部とを有する第１の受信回路と、
高周波信号を増幅して第２の増幅信号を出力する第２の増幅部と、
前記第２の増幅信号を第２の中間周波信号に周波数変換する第２の周波数変換部とを有する第２の受信回路とを備え、
前記第１の受信回路と前記第２の受信回路とが選択的に使用される、スーパーヘテロダイン方式の受信装置に用いられる、
前記第１の増幅部及び前記第１の周波数変換部、並びに前記第２の受信回路とが集積された、受信装置用半導体集積回路であって、
同調回路の同調電圧を設定するための同調電圧設定データをＤＡ変換して前記同調電圧を生成する同調電圧生成部と、
前記第２の増幅部のバイアス電圧を設定するためのバイアス電圧設定データをＤＡ変換して前記バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成部とを備え、
前記同調電圧生成部と前記バイアス電圧生成部が、同一のＤＡ変換器を交互に使用してＤＡ変換する、ことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、回路規模の増大を抑えたまま、高周波信号を増幅する増幅部の特性のばらつきを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】従来のＡＭ／ＦＭ受信装置の構成図である。
【図２】ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴを内蔵するＡＭローノイズアンプの一例である。
【図３】ＡＭローノイズアンプに構成されるＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ４０のＤＣ特性の一例である。
【図４】本発明に係る受信装置用半導体集積回路の一実施形態である受信ＩＣ８０、及び受信ＩＣ８０を備えた本発明に係る受信装置の一実施形態であるＡＭ／ＦＭ受信機５０の構成を示したブロック図である。
【図５】同調回路２１と、電圧生成部１６と、ＡＭローノイズアンプ３２の詳細構成を示した図である。
【図６】バイアス電圧の温度補償をするための補償回路である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態の説明を行う。図４は、本発明に係る受信装置用半導体集積回路の一実施形態である受信ＩＣ８０、及び受信ＩＣ８０を備えた本発明に係る受信装置の一実施形態であるＡＭ／ＦＭ受信機５０の構成を示したブロック図である。図１と同様の構成について、同一の符号を付している。
【００１５】
ＡＭ／ＦＭ受信機５０は、第１の周波数帯の電波（例えば、ＦＭ放送帯の電波）を受信するための第１の受信回路と、第１の周波数帯に比べ周波数が低い第２の周波数帯の電波（例えば、ＡＭ放送帯の電波）を受信するための第２の受信回路とを備える。ＡＭ／ＦＭ受信機５０は、第１の受信回路と第２の受信回路とが選択的に使用される、スーパーヘテロダイン方式の受信装置である。
【００１６】
第１の受信回路は、高周波信号を選択受信するための、電圧可変容量素子とインダクタンス素子によるＦＭ同調回路２１と、高周波信号を増幅して第１の増幅信号を出力する第１の増幅部であるＦＭローノイズアンプ２２と、ＦＭローノイズアンプ２２から出力された第１の増幅信号を第１の中間周波信号（第１のＩＦ信号）に周波数変換する第１の周波数変換部とを有している。第２の受信回路は、高周波信号を増幅して第２の増幅信号を出力する第２の増幅部であるＡＭローノイズアンプ３２と、ＡＭローノイズアンプ３２から出力された第２の増幅信号を第２の中間周波信号（第２のＩＦ信号）に周波数変換する第２の周波数変換部とを有している。
【００１７】
ＡＭ／ＦＭ受信機５０の構成要素である受信ＩＣ８０は、ＦＭローノイズアンプ２２及び第１の周波数変換部、並びに第２の受信回路とが集積されている。
【００１８】
図４には、第１の周波数変換部の構成要素として、ＦＭ受信側の第１のミキサであるＦＭ用ミキサ２３を例示し、第２の周波数変換部の構成要素として、ＡＭ受信側の第２のミキサであるＡＭ用ミキサ３３を例示している。
【００１９】
ＡＭ／ＦＭ受信機５０の受信ＩＣ８０は、ＦＭローノイズアンプ２２の前段に配置されるＦＭ同調回路２１の同調動作を制御するための同調電圧を設定するための同調電圧設定データをＤＡ変換して該同調電圧を生成する同調電圧生成部と、ＡＭローノイズアンプ３２の特性を決定するためのバイアス電圧を設定するためのバイアス電圧設定データをＤＡ変換して該バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成部とを備える。同調電圧生成部とバイアス電圧生成部は、電圧生成部１６に備えられている。同調電圧生成部とバイアス電圧生成部は、同一のＤＡ変換器６５（後述の図５参照）を交互に使用してＤＡ変換する。
【００２０】
ＡＭ／ＦＭ受信機５０及び受信ＩＣ８０は、このような構成を有しているので、回路規模の増大を抑えたまま、高周波信号を増幅するＡＭローノイズアンプ３２に入力されるバイアス電圧を変化させることを実現し、ＡＭローノイズアンプ３２の特性のばらつきを抑えることができる。
【００２１】
すなわち、第１の受信回路が使用され第２の受信回路が使用されない第１の選択状態の場合、電圧生成部１６内のバイアス電圧生成部は、ＡＭローノイズアンプ３２の特性を決定するためのバイアス電圧を設定するためのバイアス電圧設定データをＤＡ変換器６５によってＤＡ変換して該バイアス電圧を生成する必要がない。そのため、電圧生成部１６内の同調電圧生成部は、ＦＭ同調回路２１の同調動作を制御するための同調電圧を設定するための同調電圧設定データをＤＡ変換器６５によってＤＡ変換して該同調電圧を生成することができる。
【００２２】
一方、第１の受信回路が使用されずに第２の受信回路が使用される第２の選択状態の場合、電圧生成部１６内の同調電圧生成部は、ＦＭ同調回路２１の同調動作を制御するための同調電圧を設定するための同調電圧設定データをＤＡ変換器６５によってＤＡ変換して該同調電圧を生成する必要がない。そのため、電圧生成部１６内のバイアス電圧生成部は、ＡＭローノイズアンプ３２の特性を決定するためのバイアス電圧を設定するためのバイアス電圧設定データをＤＡ変換器６５によってＤＡ変換して該バイアス電圧を生成することができる。
【００２３】
つまり、同調電圧生成部とバイアス電圧生成部は、それぞれのＤＡ変換を行うために、同一のＤＡ変換器６５を共用している。これにより、同調電圧生成部が第１の選択状態でＤＡ変換を行っても、バイアス電圧生成部が第２の選択状態でＤＡ変換を行っても、新たなＤＡ変換器を用意する必要がないため、回路規模の増大を抑えることができる。
【００２４】
そして、ＡＭローノイズアンプ３２の内部回路の特性にばらつきがあっても、バイアス電圧生成部は、ＤＡ変換器６５に入力するバイアス電圧設定データによってＡＭローノイズアンプ３２のバイアス電圧を変化させることによって、ＡＭローノイズアンプ３２の特性を所望の最適値に調整することができる。
【００２５】
以下、図４の構成について、詳細説明する。
【００２６】
第１の選択状態と第２の選択状態との切り替えは、例えば、第１の選択状態と第２の選択状態とを選択的に切り替えるための切り替え回路１７の切り替え動作によって、行われる。
【００２７】
受信機５０は、アンテナ１１と、アンテナ１１によってＦＭ放送帯の電波を受信するためのＦＭ受信部と、アンテナ１１によってＡＭ放送帯の電波を受信するためのＡＭ受信部と、ＦＭ受信部から出力されたＦＭ受信信号とＡＭ受信部から出力されたＡＭ受信信号とを選択的に復調可能な復調回路１３とを備える。ＦＭ受信部は、アンテナ１１によって電波を受信することにより生じた高周波信号が入力されるＦＭ同調回路２１と、ＦＭローノイズアンプ２２と、ＦＭ用ミキサ２３と、ＦＭ用ＩＦバンドパスフィルタ２４とを有している。ＡＭ受信部は、アンテナ１１によって電波を受信することにより生じた高周波信号が入力されるＡＭバンドパスフィルタ３１と、ＡＭローノイズアンプ３２と、ＡＭ用ミキサ３３と、ＡＭ用ＩＦバンドパスフィルタ３４とを有している。
【００２８】
ＦＭ同調回路２１は、アンテナ１１によって電波を受信することにより生じた高周波信号から、受信すべき周波数帯域であるＦＭ放送帯の高周波信号を取り出す同調動作を行う。ＦＭ同調回路２１は、外部から入力される同調電圧によって、アンテナ１１によって電波を受信することにより生じた高周波信号から取り出される信号成分の周波数帯を変化させることができる。すなわち、ＦＭ同調回路２１は、同調電圧に応じた周波数帯域の信号成分を、アンテナ１１によって電波を受信することにより生じた高周波信号から取り出すことができる。
【００２９】
ＦＭローノイズアンプ２２は、入力された高周波信号を所定の増幅率で増幅した第１の増幅信号を出力する。
【００３０】
ＦＭ用ミキサ２３は、ＦＭローノイズアンプ２２から出力された第１の増幅信号とＦＭ／ＡＭ局部発振回路１２から出力された局部発振周波信号とを混合することによって、第１の中間周波信号を出力する。
【００３１】
ＦＭ／ＡＭ局部発振回路１２は、ＦＭ側局部発振回路とＡＭ側局部発振回路に分離されていてもよい。
【００３２】
ＩＦバンドパスフィルタ２４は、ＦＭ用ミキサ２３から出力される第１の中間周波信号から、希望のチャネルの信号成分を取り出す。
【００３３】
ＡＭバンドパスフィルタ３１は、アンテナ１１によって電波を受信することにより生じた高周波信号から、受信すべき周波数帯域であるＡＭ放送帯の高周波信号を取り出す帯域制限動作を行う。
【００３４】
ＡＭローノイズアンプ３２は、入力された高周波信号を所定の増幅率で増幅した第２の増幅信号を出力する。
【００３５】
ＡＭ用ミキサ３３は、ＡＭローノイズアンプ３２から出力された第２の増幅信号とＦＭ／ＡＭ局部発振回路１２から出力された局部発振周波信号とを混合することによって、第２の中間周波信号を出力する。
【００３６】
ＩＦバンドパスフィルタ３４は、ＡＭ用ミキサ３３から出力される第２の中間周波信号から、希望のチャネルの信号成分を取り出す。
【００３７】
ＦＭ／ＡＭ復調回路１３は、ＩＦバンドパスフィルタ２４又は３４から出力されたフィルタ処理後の出力信号を、モノラル信号または右側ステレオ信号と左側ステレオ信号に復号する。ＤＡＣ１４（１５）は、ＦＭ／ＡＭ復調回路１３によって復号されたデジタル形式の音声信号を、アナログ形式の音声信号に変換する。
【００３８】
図５は、同調回路２１と、電圧生成部１６と、ＡＭローノイズアンプ３２の詳細構成を示した図である。
【００３９】
同調回路２１は、ダイオード２７とインダクタ２８との並列回路と、ダイオード２７の中間端子に同調電圧を供給する抵抗２６とを備える。ダイオード２７は、２つのバリキャップダイオードのカソード同士を接続した接続点を中間端子として備える電圧可変容量素子である。同調回路２１は、受信ＩＣ８０の外部に設けられているが、その一部又は全部が内部に設けられていてもよい。
【００４０】
ＡＭローノイズアンプ３２は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４０と、ＦＥＴ４０のゲートにバイアス電圧を供給するためのゲートバイアス回路と、ＦＥＴ４０のソースとグランドとの間に接続された抵抗３９と、ＦＥＴ４０のドレインと電源電圧ＶＤＤとの間に接続された出力負荷回路とを備える。ゲートバイアス回路は、ＦＥＴ４０のゲートに直列接続された抵抗３６，３８と、抵抗３６と３８との接続点とグランドとの間に挿入されたキャパシタ３７とを備える。出力負荷回路は、抵抗４１とコイル４４との並列回路と、該並列回路に直列接続された抵抗４３とを備える。抵抗３９と出力負荷回路は、受信ＩＣ８０の外部に設けられているが、その一部又は全部が内部に設けられていてもよい。
【００４１】
ＡＭローノイズアンプ３２から出力される第２の増幅信号は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４０のドレイン側から出力される。また、ＡＭバンドパスフィルタ３１（図４参照）からローノイズアンプ３２に入力される高周波信号は、ＦＥＴ４０のゲートに入力される。
【００４２】
電圧生成部１６は、一入力一出力のＤＡ変換器６５（ＤＡＣ）を構成している。また、電圧生成部１６は、ＤＡ変換器６５のアナログ出力電圧の設定手段として、ＤＡ変換器６５にデジタルデータを出力する演算器６７と、デジタルデータが格納されるレジスタ６８と、デジタルデータを記憶するＲＯＭ７０と、ＲＯＭ７０からデジタルデータを読み出してレジスタ６８に出力する読み出し用論理回路６９とを有している。外部ＣＰＵ９０は、受信ＩＣ８０の外部に設けられた中央演算処理装置である。演算器６７と読み出し用論理回路６９は、ハードウェア回路で構成可能である。例えば、ハードＩＰ（Intellectual  Property）で構成される。また、ＲＯＭ７０は、書き換え可能な読み出し専用メモリである。例えば、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリなど挙げられる。
【００４３】
ＤＡ変換器６５の出力は、抵抗２６を介してＦＭ同調回路２１のバリキャップダイオード２７に逆方向電圧として供給される。バリキャップダイオード２７は逆方向電圧により容量値が変化する電圧可変容量素子であり、並列に接続されたインダクタンス素子であるインダクタ２８と共振して周波数可変のバンドパスフィルタとなり、ＦＭ放送帯の高周波信号を選択して通過させる。すなわち、入力される同調電圧設定データに対して変化するＤＡ変換器６５の出力電圧に応じて、ＦＭ同調回路２１の同調周波数が制御される。
【００４４】
ＤＡ変換器６５の出力部とＦＥＴ４０のゲートバイアス回路との間には、ＤＡ変換器６５のアナログ出力電圧の供給先を、ＦＭ同調回路２１とＡＭローノイズアンプ３２に選択的に切り替える切り替え回路（図４の切り替え回路１７参照）が設けられている。切り替え回路は、スイッチ６１，６２（例えば、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ）と、インバータ６３と、ＤＡ変換器６５のアナログ出力電圧の供給先を切り替えるための切り替え信号の入力端子６４とを備える。スイッチ６１，６２は、バイポーラトランジスタでもよい。
【００４５】
ＦＭ波の受信時には（すなわち、第１の受信回路の使用が選択され第２の受信回路の使用が選択されていない第１の選択状態では）、端子６４をロー電圧にしておくことで、スイッチ６１が開きスイッチ６２が閉じて、ＡＭローノイズアンプ３２のＦＥＴ４０のゲート電圧はＡ−ＧＮＤの電位に設定され、ＡＭローノイズアンプ３２のドレイン電流は流れない。この第１の選択状態でのＤＡ変換器６５の出力電圧は、ＦＭ同調回路２１の同調電圧として供給される。
【００４６】
一方、ＡＭ波の受信時には（すなわち、第２の受信回路の使用が選択され第１の受信回路の使用が選択されていない第２の選択状態では）、端子６４をハイ電圧にすることで、スイッチ６１が閉じスイッチ６２が開いて、ＤＡ変換器６５の出力電圧がＡＭローノイズアンプ３２のバイアス電圧として供給される。このバイアス電圧によってＦＥＴ４０のゲートに電圧が供給されることにより、ＦＥＴ４０にドレイン電流が流れる。
【００４７】
したがって、ＤＡ変換器６５に入力するデジタルデータを、第２の選択状態では、同調電圧設定データではなく、個々の受信ＩＣ８０に内蔵されるＡＭローノイズアンプ３２の特性データを所定の規格範囲に調整可能なバイアス電圧設定データに変更することによって、ＡＭローノイズアンプ３２の内部回路のばらつきが複数の受信ＩＣ８０の間で存在しても、ＡＭローノイズアンプ３２の特性データを当該所定の規格範囲に調整することができる。すなわち、ＤＡ変換器６５に入力されるバイアス電圧設定データの入力値に応じて、ＤＡ変換器６５のアナログ出力電圧（すなわち、ＡＭローノイズアンプ３２のバイアス電圧）を調整することができるので、ＡＭローノイズアンプ３２の特性を左右するドレイン電流を所望の最適値に調整することができる。つまり、ＡＭローノイズアンプ３２のＦＥＴ４０のゲートに印加されるゲート電圧にオフセットをかけることができる。
【００４８】
ＤＡ変換器６５に入力されるバイアス電圧設定データ及び同調電圧設定データ、並びに入力端子６４に入力される切り替え信号は、レジスタ６８に格納されるデジタルデータに応じて変化する。レジスタ６８に格納されるデジタルデータは、読み出し専用論理回路６９によって、ＲＯＭ７０から読み出される。
【００４９】
外部ＣＰＵ９０は、個々の受信ＩＣ８０に内蔵されるＡＭローノイズアンプ３２の特性データを所定の規格範囲に調整可能な特性調整データ（すなわち、ＡＭローノイズアンプ３２のバイアス電圧のオフセットデータ）がＲＯＭ７０に記憶されていない初期状態の場合（例えば、受信ＩＣ８０の出荷前の状態）、ＲＯＭ７０に特性調整データを記憶させるため、レジスタ６８をＡＭ受信モードに設定する。具体的には、外部ＣＰＵ９０は、第２の選択状態であるＡＭ波の受信時に、端子６４にハイ電圧が入力され、バイアス電圧設定レジスタ６８ｄに格納された特性調整データがバイアス電圧設定データとしてＤＡ変換器６５に入力されるように、第１のスイッチ設定レジスタ６８ｅの値及び第２のスイッチ設定レジスタ６８ｆの値を設定する。レジスタ６８ｅには、スイッチ６６ｂの接続先及び端子６４の入力電圧のレベルを設定するための設定データが格納され、レジスタ６８ｆには、スイッチ６６ａの接続先を設定するための設定データが格納される。
【００５０】
レジスタ６８ｄは、バイアス電圧設定データをＤＡ変換器６５に入力可能にするためのレジスタである。ＲＯＭ７０に記憶された特性調整データがレジスタ６８ｄに格納されることによって、バイアス電圧設定データがＤＡ変換器６５に入力できるようになる。
【００５１】
外部ＣＰＵ９０は、ＡＭローノイズアンプ３２のバイアス電圧が所定の規格範囲になるように、バイアス電圧設定レジスタ６８ｄの値を調整する。例えば、外部ＣＰＵ９０は、第２の選択状態での受信ＩＣ８０の所定の出力信号を計測した計測データが所定の規格範囲になるように、バイアス電圧設定レジスタ６８ｄの値を調整する。出力信号の計測及びレジスタ６８ｄの値の調整は、受信ＩＣ８０の出荷前に検査装置のＣＰＵによって行われてもよいし、受信ＩＣ８０が受信機１０等の製品に内蔵された後に当該製品に内蔵のＣＰＵによって行われてもよい。
【００５２】
外部ＣＰＵ９０は、最適に調整されたレジスタ６８ｄの値を特性調整データとしてＲＯＭ７０に書き込む制御を行う。
【００５３】
例えば受信ＩＣ８０の電源がオンされた時、又は受信ＩＣ８０のリセット時（リセット解除時を含む）に、内部制御で動作する読み出し用論理回路６９は、ＲＯＭ７０に書き込まれた特性調整データをレジスタ６８ｄに格納するために、ＲＯＭ７０から特性調整データをレジスタ６８ｄに渡す制御を行う。電源オン時又はリセット時に、特性調整データをＲＯＭ７０からレジスタ６８ｄに読み出して格納しておけば、ＡＭ波とＦＭ波の受信切り替えのたびに、特性調整データをＲＯＭ７０からレジスタ６８ｄに読み出す必要がなくなる。
【００５４】
一方、特性調整データがＲＯＭ７０に記憶されている状態でＡＭ波を受信する場合には、外部ＣＰＵ９０は、レジスタ６８をＡＭ受信モードに設定する。上述のＲＯＭ７０に特性調整データが記憶されていない場合と同様に、外部ＣＰＵ９０は、端子６４にハイ電圧が入力され、バイアス電圧設定レジスタ６８ｄに格納された特性調整データがバイアス電圧設定データとしてＤＡ変換器６５に入力されるように、第１のスイッチ設定レジスタ６８ｅの値及び第２のスイッチ設定レジスタ６８ｆの値を設定する。
【００５５】
これに対し、ＦＭ波を受信する場合には、外部ＣＰＵ９０は、レジスタ６８をＦＭ受信モードに設定する。具体的には、外部ＣＰＵ９０は、第１の選択状態であるＦＭ波の受信時に、端子６４にロー電圧が入力され、演算器６７で演算された同調電圧設定データがＤＡ変換器６５に入力されるように、第１のスイッチ設定レジスタ６８ｅの値及び第２のスイッチ設定レジスタ６８ｆの値を設定する。演算器６７は、レジスタ６８ａに格納された受信周波数の設定データとレジスタ６８ｂに格納された係数データとに基づいて、当該受信周波数の電波を選択するための同調電圧設定データを演算する。レジスタ６８ａには、受信が選択されている電波の周波数の設定データが格納される。レジスタ６８ｂには、受信周波数に基づいて同調電圧設定データを演算する演算式の項の係数データが格納される。
【００５６】
レジスタ６８ｂは、同調電圧設定データをＤＡ変換器６５に入力可能にするためのレジスタである。ＲＯＭ７０に記憶された特性データがレジスタ６８ｂに格納されることによって、同調電圧設定データがＤＡ変換器６５に入力できるようになる。
【００５７】
上述と同様に、電源オン時又はリセット時に、係数データをＲＯＭ７０からレジスタ６８ｂに読み出して格納しておけば、ＡＭ波とＦＭ波の受信切り替えのたびに、係数データをＲＯＭ７０からレジスタ６８ｂに読み出す必要がなくなる。
【００５８】
このように、本実施形態によれば、ＤＡ変換器６５に入力するデジタルデータで、ローノイズアンプ３２のＦＥＴ４０のゲートバイアス電圧を変化させることによって、ドレイン電流を調整することができる。
【００５９】
例えば、図３に示すように、ＤＡ変換器６５に入力するデジタルデータによって、ＦＥＴ４０のゲートソース間電圧が１．２４ＶになるようにＤＡ変換器６５でゲートバイアス電圧を設定することによって（点Ｃ参照）、ＭＯＳのプロセスのＳｌｏｗコーナー品のドレイン電流を、Ｔｙｐｉｃａｌ品と同等の３０ｍＶに調整することができ、プロセスによるＡＭローノイズアンプ３２の特性のばらつきを吸収することができる。
【００６０】
また、本実施形態では、ＦＭ波の同調電圧を発生する回路であるＤＡ変換器６５の電圧出力経路をＡＭローノイズアンプ３２側に接続し、ＤＡ変換器６５の出力電圧をＡＭローノイズアンプ３２のバイアス電圧として利用することにより、ＡＭローノイズアンプ３２専用のバイアス回路は不要となる。図５の回路例では、わずか２つのＭＯＳスイッチ６１，６２と１つのインバータ６３の追加だけで、プロセスによるＡＭローノイズアンプ３２の特性のばらつきを抑えることができている。そして、回路規模は増大することなく、むしろ縮小される。
【００６１】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形、改良及び置換を加えることができる。
【００６２】
図６は、バイアス電圧の温度補償をするための補償回路である。ＤＡ変換器６５はデジタルデータの入力に対してリニアなアナログ電圧を出力する。ＰＴＡＴ７１は絶対温度に比例した電流を出力する電流出力手段である。電流電圧変換部７２は、ＰＴＡＴ７１の出力電流を、ＡＭローノイズアンプ３２のドレイン電流の温度特性を表す温度係数に基づいて、ＡＭローノイズアンプ３２の温度特性が考慮されたバイアス電圧に変換して出力する。したがって、ＤＡ変換器６５の出力電圧と電流電圧変換部７２の出力電圧を差動増幅器７３に入力して減算することで、温度補償されたバイアス電圧を出力することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１０  受信機
１１  アンテナ
１２  局部発振回路
１３  復調回路
１４  左側ＤＡＣ
１５  右側ＤＡＣ
１６  電圧生成部
１７  切り替え回路
２１  同調回路
２２  ＦＭ用ＬＮＡ
２３  ＦＭ用ミキサ
２４  ＦＭ用ＩＦバンドパスフィルタ
２５  ＦＭ同調電圧生成部
２７  バリキャップダイオード
２８  インダクタ
３１  ＡＭ用バンドパスフィルタ
３２  ＡＭ用ＬＮＡ
３３  ＡＭ用ミキサ
３４  ＡＭ用ＩＦバンドパスフィルタ
３５  ＡＭ用ＬＮＡバイアス電圧生成部
４０  ＮＭＯＳＦＥＴ
４４  コイル
５０  ＡＭ／ＦＭ受信機
６１，６２  スイッチ
６３  インバータ
６４  入力端子
６５  ＤＡ変換器
６７  演算器
６８  レジスタ
６９  読み出し用論理回路
７０  ＲＯＭ
７１  ＰＴＡＴ
７２  電流電圧変換部
７３  差動増幅器
８０  受信ＩＣ
９０  ＣＰＵ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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