(57)【要約】      （修正有）【課題】ＳｉＯＣＨ組成を有し、特定の構造を有する炭化水素基置換ケイ素化合物を原料としてＣＶＤにより得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成る封止膜及びその膜を含むガスバリア部材、ＦＰＤデバイス及び半導体デバイスの提供。【解決手段】二級炭化水素基、三級炭化水素基、及び／又はビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば下記式（１）を原料として用い、ＣＶＤにより形成した炭素含有酸化ケイ素からなる封止膜である。式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ４は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表す。ｍは１乃至３の整数、ｎは０乃至２の整数を表し、ｍ＋ｎは３以下の整数を表す。2011111635.tif 000013【選択図】図１
2011111635.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二級炭化水素基、三級炭化水素基、及び／又はビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物を原料として用い、化学気相成長法により得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成ることを特徴とする封止膜。
【請求項２】
二級炭化水素基、三級炭化水素基、及び／又はビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物が、下記一般式（１）
【化１】
2011111635.tif 000008
（式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ１，Ｒ２は互いに結合し環状構造を形成してもよい。Ｒ４は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表す。ｍは１乃至３の整数、ｎは０乃至２の整数を表し、ｍ＋ｎは３以下の整数を表す。）
で示される二級炭化水素基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物、
一般式（２）
【化２】
2011111635.tif 000009
（式中、Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８は炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７は互いに結合し環状構造を形成してよい。Ｒ９は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表わし、ｐは１乃至３の整数を表わす。ｑは０乃至２の整数を表し、ｐ＋ｑは３以下の整数を表す。）
で示される三級炭化水素基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物、
一般式（３）
【化３】
2011111635.tif 000010
（式中、Ｒ１０は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表し、ｒは２又は３を表す。）
で示されるビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物、
一般式（４）
【化４】
2011111635.tif 000011
（式中、Ｒ１１，Ｒ１２は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ１１，Ｒ１２は互いに結合し環状構造を形成してもよい。Ｒ１３は炭素数１〜２０の炭化水素基または水素原子を表す。ｘは２以上の整数を表す。）
で示される二級炭化水素基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シロキサン化合物、
及び一般式（５）
【化５】
2011111635.tif 000012
（式中、Ｒ１４は炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アリール基のいずれかを表す。ｙは２以上の整数を表す。）
で示されるビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シロキサン化合物
からなる化合物の群から選ばれた少なくとも一つである、請求項１に記載の封止膜。
【請求項３】
一般式（１）及び／又は一般式（４）の二級炭化水素基が、イソプロピル、ｓｅｃ．−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘキセニル、又はシクロペンタジエニルである請求項２に記載の封止膜。
【請求項４】
一般式（２）の三級炭化水素基がターシャリーブチル、ターシャリーアミル、又は１−アダマンチルである、請求項２に記載の封止膜。
【請求項５】
化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法である、請求項１乃至４のいずれかに記載の封止膜。
【請求項６】
化学気相成長法が、触媒化学気相成長法である、請求項１乃至４のいずれかに記載の封止膜。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の封止膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理または電子線処理して得られることを特徴とする封止膜。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の封止膜をガスバリア層として用いることを特徴とするガスバリア部材。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載の封止膜を含んでなることを特徴とするフラットパネルディスプレイデバイス。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載の封止膜を含んでなることを特徴とする半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は炭素含有酸化ケイ素膜からなる封止膜及びその用途に関するものである。殊にＳｉＯＣＨ組成で特定の構造を有する炭化水素基置換ケイ素化合物を原料として化学気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により成膜して得られた炭素含有酸化ケイ素膜からなる封止膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイに代表されるフラットパネルディスプレイ（以下、ＦＰＤ）では、その表示パネルの基材としてガラス基板が用いられるが、薄膜化、軽量化、耐衝撃性向上、フレキシブル化、更には、ロールツーロールプロセスへの適応の観点から、透明プラスチック基板への代替要求が高まっている。また、プラスチック基板に有機半導体を用いて有機トランジスタを形成したり、ＬＳＩ、Ｓｉ薄膜太陽電池、有機色素増感太陽電池、有機半導体太陽電池を形成する試みがなされている。
【０００３】
通常市販されているプラスチック基板に上記素子を形成した場合、液晶素子、有機ＥＬ素子、ＴＦＴ素子、半導体素子、太陽電池等、形成された素子、デバイスが水、酸素に弱い為、ディスプレイの表示にダークスポットやドット抜けが発生したり、半導体素子、太陽電池が機能しなくなり、実用に耐えない。従って、プラスチック基板に水蒸気、酸素ガスに対するガスバリア性能を付与したガスバリアプラスチック基板が必要となる。一方、ガスバリア性能を付与した透明プラスチックフィルムは、食料品、医薬品、電子材料、電子部品の包装材料用途として、今後、不透明なアルミ箔ラミネートフィルムに変わって益々使用が拡大する方向にある。
【０００４】
透明プラスチック基板や透明プラスチックフィルムに透明ガスバリア性能を付与する方法としては、物理的成膜法とＣＶＤ法がある。本発明者らは、特許文献１、特許文献２において、二級又は三級炭化水素基がケイ素原子に直結した構造を有するシラン及びシロキサン化合物を用い、プラズマ励起化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により低誘電率絶縁膜を形成する方法を提案している。しかしながら、これらの方法は、低密度な薄膜を形成する方法であり、封止材、殊にガスバリア材に適する高密度薄膜ではなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−６６０７号公報
【特許文献２】特開２００５−５１１９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＳｉＯＣＨ組成を有し、特定の構造を有する炭化水素基置換ケイ素化合物を原料としてＣＶＤにより得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成る封止膜及びその膜を含んでなるガスバリア部材、ＦＰＤデバイス及び半導体デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、特定の構造を有する炭化水素基置換ケイ素化合物を原料として用い、ＣＶＤにより得られた膜が封止膜として有用であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち本発明は、二級炭化水素基、三級炭化水素基、及び／又はビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物を原料として用い、ＣＶＤにより得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成ることを特徴とする封止膜である。また本発明は、上述の封止膜をさらに熱処理、紫外線照射処理または電子線処理して得られることを特徴とする封止膜である。さらに本発明は、これらの封止膜をガスバリア層として用いることを特徴とするガスバリア部材である。また本発明はこれらの封止膜を含んでなることを特徴とするフラットパネルディスプレイデバイスまたは半導体デバイスである。以下、本発明の詳細について説明する。
【０００９】
本発明において、ＣＶＤの原料として使用できる二級炭化水素基、三級炭化水素基、及び／又はビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物は特に限定されるものではないが、下記一般式（１）
【００１０】
【化１】
2011111635.tif 000003
（式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ１，Ｒ２は互いに結合し環状構造を形成してもよい。Ｒ４は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表す。ｍは１乃至３の整数、ｎは０乃至２の整数を表し、ｍ＋ｎは３以下の整数を表す。）
で示される二級炭化水素基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物、
一般式（２）
【００１１】
【化２】
2011111635.tif 000004
（式中、Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８は炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７は互いに結合し環状構造を形成してよい。Ｒ９は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表わし、ｐは１乃至３の整数を表わす。ｑは０乃至２の整数を表し、ｐ＋ｑは３以下の整数を表す。）
で示される三級炭化水素基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物、
一般式（３）
【００１２】
【化３】
2011111635.tif 000005
（式中、Ｒ１０は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表し、ｒは２又は３を表す。）
で示されるビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物、
一般式（４）
【００１３】
【化４】
2011111635.tif 000006
（式中、Ｒ１１，Ｒ１２は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ１１，Ｒ１２は互いに結合し環状構造を形成してもよい。Ｒ１３は炭素数１〜２０の炭化水素基または水素原子を表す。ｘは２以上の整数を表す。）
で示される二級炭化水素基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シロキサン化合物、一般式（５）
【００１４】
【化５】
2011111635.tif 000007
（式中、Ｒ１４は炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アリール基のいずれかを表す。ｙは２以上の整数を表す。）で示されるビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シロキサン化合物
からなる化合物の群から選ばれた少なくとも一つであることが好ましい。
【００１５】
上記一般式（１）おいて、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は炭素数１〜２０の飽和または不飽和炭化水素基であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれの構造を有してよい。また、それらが互いに結合したものも本発明の範囲に含まれる。炭素数が２０を超える場合は、対応する有機ハライド等原料の調達が困難となったり、調達できたとしても純度が低い場合がある。ＣＶＤ装置での安定的使用考慮した場合、有機シラン化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で、炭素数１〜１０の炭化水素基が特に好ましい。
【００１６】
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の炭化水素基の例としては特に限定されるものではないが、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基、ビニル基を初めとしたアルケニル基を挙げることができる。Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は同一であっても異なっても良い。またＲ３は二級炭化水素基、三級炭化水素基でも良く、特に少なくともひとつがビニル基であることが好ましい。
【００１７】
Ｒ１，Ｒ２が互いに結合していない場合の例としては、Ｒ１，Ｒ２がメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ．−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔｅｒｔ．−アミル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル、トルイル基からなる群から選ばれた少なくとも一種を挙げることができる。
【００１８】
Ｒ１，Ｒ２が互いに結合し、二級炭化水素基を介してＳｉに結合している基の例としては、二級炭化水素基がシクロブチル、シクロブテニル、シクロペンチル、シクロペンタジエニル、シクロヘキシル、シクロヘキセニル、シクロオクテニル、シクロオクタジエニル基が代表例として挙げられる。なかんずく、Ｒ１，Ｒ２の組合わせとしてＲ１，Ｒ２が共にメチルであるｉｓｏ−プロピル、Ｒ１，Ｒ２がメチル、エチルであるｓｅｃ−ブチル、Ｒ１，Ｒ２が互いに結合したシクロペンチル、シクロペンタジエニル、シクロヘキシル、シクロヘキセニル基が経済的に好ましい。
【００１９】
Ｒ４は炭素数１〜１０の炭化水素基又は水素原子を表わし、炭化水素基としては、飽和または不飽和炭化水素基であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれの構造を有してよい。炭素数が１０を超えた場合、生成した有機シランの蒸気圧が低くなり、ＣＶＤ装置での使用が困難となる場合があり、好ましくない場合がある。Ｒ４としては、炭素数１乃至４の炭化水素基であるメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ．−ブチルが原料調達上好ましい。
【００２０】
ｍは１乃至３の整数、ｎは０乃至２の整数を表し、ｍ＋ｎは、３以下の整数を表す。すなわち、ｍ＝１，ｎ＝０である炭化水素基置換トリアルコキシシラン類、ｍ＝１，ｎ＝１またはｍ＝２，ｎ＝０である炭化水素基二置換ジアルコキシシラン、（ｍ＝１，ｎ＝２）または（ｍ＝２，ｎ＝１）または（ｍ＝３，ｎ＝０）である炭化水素基三置換アルコキシシランを表す。これらの混合物も本発明の範囲に含まれる。
【００２１】
特に、一般式（１）の二級炭化水素基が、イソプロピル、ｓｅｃ．−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘキセニル、又はシクロペンタジエニルであることが好ましい。
【００２２】
上記一般式（１）で表される有機シラン化合物の具体例としては、
イソプロピルトリメトシキシラン、ジイソプロピルジメトシキシラン、トリイソプロピルメトシキシラン、イソプロピルメチルジメトシキシラン、イソプロピルエチルジメトシキシラン、イソプロピルフェニルジメトシキシラン、イソプロピルジメチルメトシキシラン、イソプロピルジエチルメトシキシラン、イソプロピルジフェニルメトシキシラン、イソプロピルトリエトシキシラン、ジイソプロピルジエトシキシラン、トリイソプロピルエトシキシラン、イソプロピルメチルジエトシキシラン、イソプロピルエチルジエトシキシラン、イソプロピルフェニルジエトシキシラン、イソプロピルジメチルエトシキシラン、イソプロピルジエチルエトシキシラン、イソプロピルジフェニルエトシキシラン、
ｓｅｃ−ブチルトリメトシキシラン、ジｓｅｃ−ブチルジメトシキシラン、トリｓｅｃ−ブチルメトシキシラン、ｓｅｃ−ブチルメチルジメトシキシラン、ｓｅｃ−ブチルエチルジメトシキシラン、ｓｅｃ−ブチルフェニルジメトシキシラン、ｓｅｃ−ブチルジメチルメトシキシラン、ｓｅｃ−ブチルジエチルメトシキシラン、ｓｅｃ−ブチルジフェニルメトシキシラン、
ｓｅｃ−ブチルトリエトシキシラン、ジｓｅｃ−ブチルジエトシキシラン、トリｓｅｃ−ブチルエトシキシラン、ｓｅｃ−ブチルメチルジエトシキシラン、ｓｅｃ−ブチルエチルジエトシキシラン、ｓｅｃ−ブチルフェニルジエトシキシラン、ｓｅｃ−ブチルジメチルエトシキシラン、ｓｅｃ−ブチルジエチルエトシキシラン、ｓｅｃ−ブチルジフェニルエトシキシラン、
シクロペンチルトリメトシキシラン、ジシクロペンチルジメトシキシラン、トリシクロペンチルメトシキシラン、シクロペンチルメチルジメトシキシラン、シクロペンチルエチルジメトシキシラン、シクロペンチルフェニルジメトシキシラン、シクロペンチルジメチルメトシキシラン、シクロペンチルジエチルメトシキシラン、シクロペンチルジフェニルメトシキシラン、
シクロペンチルトリエトシキシラン、ジシクロペンチルジエトシキシラン、トリシクロペンチルエトシキシラン、シクロペンチルメチルジエトシキシラン、シクロペンチルエチルジエトシキシラン、シクロペンチルフェニルジエトシキシラン、シクロペンチルジメチルエトシキシラン、シクロペンチルジエチルエトシキシラン、シクロペンチルジフェニルエトシキシラン、
シクロペンタジエニルトリメトシキシラン、ジシクロペンタジエニルジメトシキシラン、トリシクロペンタジエニルメトシキシラン、シクロペンタジエニルメチルジメトシキシラン、シクロペンタジエニルエチルジメトシキシラン、シクロペンタジエニルフェニルジメトシキシラン、シクロペンタジエニルジメチルメトシキシラン、シクロペンタジエニルジエチルメトシキシラン、シクロペンタジエニルジフェニルメトシキシラン、
シクロペンタジエニルトリエトシキシラン、ジシクロペンタジエニルジエトシキシラン、トリシクロペンタジエニルエトシキシラン、シクロペンタジエニルメチルジエトシキシラン、シクロペンタジエニルエチルジエトシキシラン、シクロペンタジエニルフェニルジエトシキシラン、シクロペンタジエニルジメチルエトシキシラン、シクロペンタジエニルジエチルエトシキシラン、シクロペンタジエニルジフェニルエトシキシラン、
シクロヘキシルトリメトシキシラン、ジシクロヘキシルジメトシキシラン、トリシクロヘキシルメトシキシラン、シクロヘキシルメチルジメトシキシラン、シクロヘキシルエチルジメトシキシラン、シクロヘキシルフェニルジメトシキシラン、シクロヘキシルジメチルメトシキシラン、シクロヘキシルジエチルメトシキシラン、シクロヘキシルジフェニルメトシキシラン、
シクロヘキシルトリエトシキシラン、ジシクロヘキシルジエトシキシラン、トリシクロヘキシルエトシキシラン、シクロヘキシルメチルジエトシキシラン、シクロヘキシルエチルジエトシキシラン、シクロヘキシルフェニルジエトシキシラン、シクロヘキシルジメチルエトシキシラン、シクロヘキシルジエチルエトシキシラン、シクロヘキシルジフェニルエトシキシラン、
シクロヘキセニルトリメトシキシラン、ジシクロヘキセニルジメトシキシラン、トリシクロヘキセニルメトシキシラン、シクロヘキセニルメチルジメトシキシラン、シクロヘキセニルエチルジメトシキシラン、シクロヘキセニルフェニルジメトシキシラン、シクロヘキセニルジメチルメトシキシラン、シクロヘキセニルジエチルメトシキシラン、シクロヘキセニルジフェニルメトシキシラン、
シクロヘキセニルトリエトシキシラン、ジシクロヘキセニルジエトシキシラン、トリシクロヘキセニルエトシキシラン、シクロヘキセニルメチルジエトシキシラン、シクロヘキセニルエチルジエトシキシラン、シクロヘキセニルフェニルジエトシキシラン、シクロヘキセニルジメチルエトシキシラン、シクロヘキセニルジエチルエトシキシラン、シクロヘキセニルジフェニルエトシキシラン
イソプロピルビニルジメトキシシラン、イソプロピルビニルジエトキシシラン、イソプロピルビニルジｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、ジイソプロピルビニルメトキシシラン、ジイソプロピルビニルエトキシシラン、ジイソプロピルビニルｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、イソプロピルジビニルメトキシシラン、イソプロピルジビニルエトキシシラン、イソプロピルジビニルｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、イソプロピルビニルメチルメトキシシラン、イソプロピルビニルメチルエトキシシラン、イソプロピルビニルメチルｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、イソプロピルビニルエチルメトキシシラン、イソプロピルビニルエチルエトキシシラン、イソプロピルビニルエチルｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、イソプロピルフェニルジメトキシシラン、イソプロピルフェニルジエトキシシラン、イソプロピルフェニルジｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、ジイソプロピルフェニルメトキシシラン、ジイソプロピルフェニルエトキシシラン、ジイソプロピルフェニルｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、イソプロピルジフェニルメトキシシラン、イソプロピルジフェニルエトキシシラン、イソプロピルジフェニルｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、イソプロピルフェニルメチルメトキシシラン、イソプロピルフェニルメチルジエトキシシラン、イソプロピルフェニルメチルｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、イソプロピルフェニルエチルメトキシシラン、イソプロピルフェニルエチルジエトキシシラン、イソプロピルフェニルエチルｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、ｓｅｃ−ブチルビニルジメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルビニルジエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルビニルジｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、ジｓｅｃ−ブチルビニルメトキシシラン、ジｓｅｃ−ブチルビニルエトキシシラン、ジｓｅｃ−ブチルビニルｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、ｓｅｃ−ブチルジビニルメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルジビニルエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルジビニルｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、ｓｅｃ−ブチルフェニルジメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルフェニルジエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルフェニルジｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、ジｓｅｃ−ブチルフェニルメトキシシラン、ジｓｅｃ−ブチルフェニルエトキシシラン、ジｓｅｃ−ブチルフェニルｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、ｓｅｃ−ブチルジフェニルメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルジフェニルエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルジフェニルｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン等が例示できる。
【００２３】
上記一般式（２）においてＲ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８は、炭素数１〜２０の飽和又は不飽和炭化水素基であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれの構造を有してよい。また、それらが互いに結合したものも本発明の範囲に含まれる。炭素数が２０を超える場合は、対応する有機ハライド等原料の調達が困難となったり、調達できたとしても純度が低い場合がある。
【００２４】
ＣＶＤ装置での安定的使用考慮した場合、有機シラン化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で炭素数１〜１０の炭化水素基が特に好ましい。
【００２５】
Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８の炭化水素基の例としては特に限定されるものではないが、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基を挙げることができる。Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８は、同一であっても異なっても良い。
【００２６】
Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７が互いに結合していない場合の例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ．−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔｅｒｔ．−アミル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル、トルイル基等を挙げることができる。
【００２７】
Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７が互いに結合した場合の例としては、１−アダマンチル基が代表例として挙げられる。なかんずく、Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７の組合わせとしてＲ５，Ｒ６，Ｒ７共にメチルであるｔｅｒｔ．−ブチル、Ｒ５，Ｒ６がメチル、Ｒ７がエチルであるｔｅｒｔ．−アミル、Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７が結合した１−アダマンチルが三級炭化水素基として経済的に好ましい。
【００２８】
Ｒ９は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表わし、炭化水素基としては、飽和または不飽和炭化水素基であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれの構造を有してよい。炭素数が１０を超えた場合、生成した有機シランの蒸気圧が低くなり、ＰＥＣＶＤ装置での使用が困難となる場合があり、好ましくない場合がある。
【００２９】
Ｒ９としては、炭素数１乃至４の炭化水素基であるメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ．−ブチルが原料調達上好ましい。
【００３０】
ｐは１乃至３の整数、ｑは０乃至２の整数を表し、ｐ＋ｑは３以下の整数を表す。すなわち、ｐ＝１，ｑ＝０である炭化水素基置換トリアルコキシシラン類、ｐ＝１，ｑ＝１またはｐ＝２，ｑ＝０である炭化水素基二置換ジアルコキシシラン、（ｐ＝１，ｑ＝２）または（ｐ＝２，ｑ＝１）または（ｐ＝３，ｎ＝０）である炭化水素基三置換アルコキシシランを表す。これらの混合物も本発明の範囲に含まれる。
【００３１】
特に、一般式（２）の三級炭化水素基がターシャリーブチル、ターシャリーアミル、又は１−アダマンチルであることが好ましい。
【００３２】
一般式（２）で表される有機シラン化合物の具体例としては、
ｔｅｒｔ．−ブチルトリメトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチルメチルジメトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチルエチルジメトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチルビニルジメトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチル−ｎ−プロピルジメトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチル−イソプロピルジメトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチル−ｎ−ブチルジメトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチルイソブチルジメトシキシラン、ジｔｅｒｔ．−ブチルジメトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチルフェニルジメトシキシラン、ｔｅｒｔ．−アミルトリメトシキシラン、ジｔｅｒｔ．−アミルジメトシキシラン、１−アダマンチルトリメトシキシラン、１−アダマンチルメチルジメトシキシラン、１−アダマンチルエチルジメトシキシラン、１−アダマンチル−ｎ−プロピルジメトシキシラン、ジ（１−アダマンチル）ジメトシキシラン、
ｔｅｒｔ．−ブチルトリエトキシシラン、ｔｅｒｔ．−ブチルメチルジエトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチルエチルジエトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチルビニルジエトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチル−ｎ−プロピルジエトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチル−イソプロピルジエトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチル−ｎ−ブチルジエトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチルイソブチルジエトシキシラン、ジｔｅｒｔ．−ブチルジエトシキシラン、ｔｅｒｔ．−ブチルフェニルジエトシキシラン、ｔｅｒｔ．−アミルトリエトキシシラン、ジｔｅｒｔ．−アミルジエトキシシラン、１−アダマンチルトリエトキシシラン、１−アダマンチルメチルジエトシキシラン、１−アダマンチルエチルジエトシキシラン、１−アダマンチル−ｎ−プロピルジエトシキシラン、ジ（１−アダマンチル）ジエトキシシラン、ｔｅｒｔ．−ブチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ジｔｅｒｔ．−ブチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ｔｅｒｔ．−アミルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ジｔｅｒｔ．−アミルジ−ｉ−プロポキシシラン、１−アダマンチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ジ（１−アダマンチル）ジ−ｉ−プロポキシシラン、１−トゥワイスチルトリメトシキシラン、ジ（１−トゥワイスチル）ジメトシキシラン、１−ジアマンチルトリメトシキシラン、ジ（１−ジアマンチル）ジメトシキシラン、１−トリプチシルトリメトシキシラン、ジ（１−トリプチシル）ジメトシキシラン等が挙げられる。
【００３３】
上記一般式（３）おいて、Ｒ１０は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表し、炭化水素基としては炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表わし、炭化水素基としては飽和または不飽和炭化水素基であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれの構造を有してよい。炭素数が１０を超えた場合、生成した有機シランの蒸気圧が低くなり、ＰＥＣＶＤ装置での使用が困難となる場合があり、好ましくない場合がある。
【００３４】
Ｒ１０としては、炭素数１乃至４の炭化水素基であるメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ．−ブチルが原料調達上好ましい。
【００３５】
上記一般式（３）で示されるビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物の具体例としては、
ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、ジビニルジｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、トリビニルメトキシシラン、トリビニルエトキシシラン、トリビニルｔｅｒｔ．−ブトキシシシラン、等が挙げられる。
【００３６】
上記一般式（４）おいて、Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３は炭素数１〜２０の飽和または不飽和炭化水素基であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれの構造を有してよい。また、それらが互いに結合したものも本発明の範囲に含まれる。炭素数が２０を超える場合は、対応する有機ハライド等原料の調達が困難となったり、調達できたとしても純度が低い場合がある。
【００３７】
ＣＶＤ装置での安定的使用考慮した場合、有機シラン化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で炭素数１〜１０の炭化水素基が特に好ましい。
【００３８】
Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３の炭化水素基の例としては特に限定されるものではないが、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基、ビニル基を初めとしたアルケニル基を挙げることができる。Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３は、同一であっても異なっても良い。またＲ１３は二級炭化水素基、三級炭化水素基でも良く、特にビニル基であることが好ましい。
【００３９】
Ｒ１１，Ｒ１２が互いに結合していない場合の例としては、Ｒ１１，Ｒ１２がメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ．−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔｅｒｔ．−アミル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル、トルイル基の群から選ばれた少なくとも一種を挙げることができる。
【００４０】
Ｒ１１，Ｒ１２が互いに結合し二級炭化水素基を介してＳｉに結合している基の例としては、二級炭化水素基がシクロブチル、シクロブテニル、シクロペンチル、シクロペンタジエニル、シクロヘキシル、シクロヘキセニル、シクロオクテニル、シクロオクタジエニル基が代表例として挙げられる。なかんずく、Ｒ１１，Ｒ１２の組合わせとしてＲ１１，Ｒ１２が共にメチルであるｉｓｏ−プロピル、Ｒ１１，Ｒ１２がメチル、エチルであるｓｅｃ−ブチル、Ｒ１１，Ｒ１２が互いに結合したシクロペンチル、シクロペンタジエニル、シクロヘキシル、シクロヘキセニル基が経済的に好ましい。
【００４１】
ｘは２以上の整数を表す。ＣＶＤ装置での安定的使用考慮した場合、有機シラン化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で、ｘは２〜９の整数が好ましい。
【００４２】
特に一般式（４）の二級炭化水素基が、イソプロピル、ｓｅｃ．−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘキセニル、又はシクロペンタジエニルであることが好ましい。
【００４３】
上記一般式（４）で示される有機シロキサン化合物の具体例としては、
１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロピル−１，３，５、７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタイソプロピル−１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキサン、１，３，５−トリｓｅｃ−ブチル−１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラｓｅｃ−ブチル−１，３，５、７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタｓｅｃ−ブチル−１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキサン
１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロピル−１，３，５、７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタイソプロピル−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリエチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロピル−１，３，５、７−テトラエチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタイソプロピル−１，３，５，７，９−ペンタエチルシクロペンタシロキサン、ヘキサイソプロピルシクロトリシロキサン、オクタイソプロピルシクロテトラシロキサン、デカイソプロピルシクロペンタシロキサン、１，３，５−トリｓｅｃ−ブチル−１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラｓｅｃ−ブチル−１，３，５、７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタｓｅｃ−ブチル−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１，３，５−トリｓｅｃ−ブチル−１，３，５−トリエチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラｓｅｃ−ブチル−１，３，５、７−テトラエチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタｓｅｃ−ブチル−１，３，５，７，９−ペンタエチルシクロペンタシロキサン
１，３，５−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタイソプロピルシクロペンタシロキサン、１，３，５−トリｓｅｃ−ブチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラｓｅｃ−ブチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタｓｅｃ−ブチルシクロペンタシロキサン、
等が挙げられる。
【００４４】
上記一般式（５）おいて、Ｒ１４は炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アリール基のいずれかを表し、具体的にはメチル、エチル、ビニル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−ブチルを挙げることができる。
【００４５】
ｙは２以上の整数を表す。ＣＶＤ装置での安定的使用考慮した場合、有機シラン化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で、ｙは２〜９の整数が好ましい。  
上記一般式（５）で示されるビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シロキサン化合物の具体例としては、
１，３，５−トリメチル−１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５、７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタメチル−１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキサン、１，３，５−トリエチル−１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラエチル−１，３，５、７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタエチル−１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキサン、
ヘキサビニルシクロトリシロキサン、オクタビニルシクロテトラシロキサン、デカビニルシクロペンタシロキサン等が挙げられる。
【００４６】
上記一般式（１）〜（５）の有機シラン化合物または有機シロキサン化合物の製造法は、特に限定されるものではないが、例えば特許文献１、特許文献２に記載の方法またはそれに準じて製造することができる。
【００４７】
本発明の二級炭化水素基、三級炭化水素基、及び／又はビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物は、ＣＶＤにより成膜され、炭素含有酸化ケイ素からなる膜を形成することができ、それは封止膜として使用することができる。ＣＶＤとしては、例えばＰＥＣＶＤまたは触媒化学気相成長法があげられる。ＰＥＣＶＤの種類及び用いる装置は特に限定されるものではないが、このＰＥＣＶＤは半導体製造分野、液晶ディスプレイ製造分野、ロールツーロール方式高分子フィルムの表面処理分野等の当該技術分野で一般的に用いられるものが使用される。
【００４８】
ＰＥＣＶＤ装置において、本発明の有機ケイ素化合物を気化器により気化させて成膜チャンバー内に導入し、高周波電源により成膜チャンバー内の電極に印加しプラズマを発生させ、成膜チャンバー内のシリコン基板等にプラズマＣＶＤ薄膜を形成させることができる。この際、プラズマを発生させる目的でヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオン、キセノン等の不活性ガスを有機ケイ素化合物と共に導入することも本発明の範囲に入る。
【００４９】
ＰＥＣＶＤ装置のプラズマ発生方法については特に限定されず、当該技術で使用されている誘導結合型プラズマ、容量結合型プラズマ、ＥＣＲプラズマ等を用いることができる。またプラズマを発生源としては平行平板型、アンテナ型等の種々のものが使用でき、大気圧ＰＥＣＶＤ、減圧ＰＥＣＶＤ、加圧ＰＥＣＶＤ等いずれの圧力条件下のＰＥＣＶＤでも用いることができる。
【００５０】
この際のＰＥＣＶＤ条件としては特に限定はないが、１．０Ｗ〜１００００Ｗが好ましく、１．０Ｗ〜２０００Ｗの範囲で行うことが更に好ましい。
【００５１】
また上述の炭素含有酸化ケイ素膜からなる封止膜を、熱処理、紫外線照射処理、電子線処理することすることにより、緻密化もしくは機械的強度が向上した膜を得ることができる場合があり、本処理で得られた膜はガスバリア膜として好適なものとなる場合がある。
【００５２】
具体的にＰＥＣＶＤ装置として、図１の１に平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を示す。図１に示す平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置は、ＰＥＣＶＤ装置チャンバー内にシャワーヘッド上部電極と基板の温度制御が可能な下部電極、原料化合物をチャンバーに気化供給する気化器装置と高周波電源とマッチング回路から成るプラズマ発生装置、真空ポンプから成る排気系から成る。
【００５３】
ＰＥＣＶＤ装置１は、ＰＥＣＶＤチャンバー２、原料化合物をチャンバー内に均一に供給する為のシャワーヘッドを有する上部電極３、Ｓｉ基板等の薄膜形成用基板５を設置する為の温度制御装置８を有する下部電極４、原料化合物を気化させるための気化装置９〜１５、プラズマ発生源であるマッチング回路６とＲＦ電源７、チャンバー内の未反応物及び副生物を排気する為の排気装置１６から成る。１７，１８は、アースである。
【００５４】
プラズマ発生源であるマッチング回路６とＲＦ電源７は上部電極３に接続され、放電によりプラズマを発生させる。ＲＦ電源７の規格については特に限定されないが、当該技術分野で使用される電力が１Ｗ〜２０００Ｗ、好ましくは１０Ｗ〜１０００Ｗ、周波数が５０ｋＨｚ〜２．５ＧＨｚ、好ましくは１００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ、特に好ましくは２００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚのＲＦ電源を用いることができる。
【００５５】
基板温度の制御は特に限定されるものでは無いが、−９０〜１０００℃、好ましくは０℃〜５００℃の範囲である。
【００５６】
気化装置は、常温常圧で液体である原料化合物１３を充填し、ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管１５を備えている容器１２、液体である原料化合物１３の流量を制御する液体流量制御装置１０、液体である原料化合物１３を気化させる気化器９、上記不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管１４とその流量を制御する気体流量制御装置１１からなる。本気化装置は、気化器９からシャワーヘッドを備えた上部電極３に配管接続されている。
【００５７】
原料化合物のチャンバー内への気化供給量は特に限定されないが、０．１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。また上記不活性ガスの供給量は特に限定されないが、０．１〜ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。
【００５８】
具体的にＰＥＣＶＤ装置として、図２の１９に誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置を示す。図２に示す誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置は、ＰＥＣＶＤ装置チャンバー上部の石英の周りにコイル状に巻かれたプラズマ発生部、温度制御が可能な基板設置部、原料化合物をチャンバーに気化供給する気化器装置と高周波電源とマッチング回路から成るプラズマ発生装置、真空ポンプから成る排気系から成る。
【００５９】
ＰＥＣＶＤ装置１９は、ＰＥＣＶＤチャンバー２０、プラズマ発生部であるコイル２１と石英管２２、Ｓｉ基板等の薄膜形成用基板２４を設置する為のヒーター部２３と温度制御装置２７、原料化合物を気化させるための気化装置２８〜３５、プラズマ発生源であるマッチング回路２５とＲＦ電源２６、チャンバー内の未反応物及び副生物を排気する為の排気装置３６から成る。３７はアースである。
【００６０】
プラズマ発生部である石英周りのコイルはマッチング回路２５に接続され、石英管中にＲＦ電流によるアンテナ電流磁界で放電させ、プラズマを発生させる。ＲＦ電源２６の規格については特に限定されないが、当該技術分野で使用される電力が１Ｗ〜２０００Ｗ、好ましくは１０Ｗ〜１０００Ｗ、周波数が５０ｋＨｚ〜２．５ＧＨｚ、好ましくは１００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ、特に好ましくは２００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚのＲＦ電源を用いることができる。
【００６１】
基板温度の制御は特に限定されるものでは無いが、−９０〜１０００℃、好ましくは０℃〜５００℃の範囲である。
【００６２】
気化装置は、常温常圧で液体である原料化合物３３を充填し、ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管３５を備えている容器３２、液体である原料化合物３３の流量を制御する液体流量制御装置２９、液体である原料化合物３３を気化させる気化器２８、上記不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管３４とその流量を制御する気体流量制御装置３０と不活性ガスとガス化した原料化合物３３をチャンバー内に均一に供給する為のシャワーヘッド３１から成る。
【００６３】
原料化合物のチャンバー内への気化供給量は特に限定されないが、０．１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。また、上記不活性ガスの供給量は特に限定されないが、０．１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。
【００６４】
原料化合物は、上記で例示したＰＥＣＶＤ装置を用いて、不活性ガスとガス化した原料化合物、またはガス化した原料化合物をチャンバー内に供給し、ＲＦ電源による放電によりプラズマを発生させ、温度制御された基板上に成膜される。この際のチャンバー内の圧力は特に限定されるものではないが、０．１Ｐａ〜１００００Ｐａ、好ましくは１Ｐａ〜５０００Ｐａである。
【００６５】
具体的にＰＥＣＶＤ装置として、図３の３８にマイクロ波ＰＥＣＶＤ装置を示す。石英製チャンバー３９、Ｓｉ基板等の薄膜形成用基板４０を設置する為のヒーター部４１と温度制御装置４２、原料化合物を気化させるための気化装置４３〜５０、マイクロ波発生源であるマッチング回路５１とマイクロ波発信器５２、及びマイクロ波反射板５３、チャンバー内の未反応物及び副生物を排気する為の排気装置５４から成る。
【００６６】
マイクロ波発生源であるマッチング回路５１とマイクロ波発信器５２は、石英チャンバーに接続され、マイクロ波を石英チャンバー内に照射することでプラズマを発生させる。マイクロ波の周波数については特に限定されないが、当該技術分野で使用される周波数１ＭＨｚ〜５０ＧＨｚ、好ましくは０．５ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ、特に好ましくは１ＧＨｚ〜５ＭＨｚのマイクロ波を用いることができる。また、そのマイクロ波出力については、０．１Ｗ〜２００００Ｗ、好ましくは１Ｗ〜１００００Ｗを用いることができる。
【００６７】
基板温度の制御は特に限定されるものでは無いが、−９０〜１０００℃、好ましくは０℃〜５００℃の範囲である。
【００６８】
気化装置は、常温常圧で液体である原料化合物４８を充填し、ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管５０を備えている容器４７、液体である原料化合物４８の流量を制御する液体流量制御装置４４、液体である原料化合物４８を気化させる気化器４３、上記不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管４９とその流量を制御する気体流量制御装置４５と不活性ガスとガス化した原料化合物４８をチャンバー内に均一に供給する為のシャワーヘッド４６から成る。
【００６９】
原料化合物のチャンバー内への気化供給量は特に限定されないが、０．１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。また上記不活性ガスの供給量は特に限定されないが、０．１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。
【００７０】
原料化合物は、上記で例示したＰＥＣＶＤ装置を用いて、不活性ガスとガス化した原料化合物、またはガス化した原料化合物をチャンバー内に供給し、マイクロ波の照射によりプラズマを発生させ、温度制御された基板上に成膜される。この際のチャンバー内の圧力は特に限定されるものではないが、０．１Ｐａ〜１００００Ｐａ、好ましくは１Ｐａ〜５０００Ｐａである。
【発明の効果】
【００７１】
本発明によれば、二級炭化水素基、三級炭化水素基、及び／又はビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば上記一般式（１）〜（５）に示す化合物を炭素含有酸化ケイ素からなる封止膜の形成材料として用いることにより、ガスバリアフィルム、ガスバリア基板用のガスバリア層として緻密かつ高機械的強度の材料を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を示した図である。
【図２】誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置を示した図である。
【図３】マイクロ波ＰＥＣＶＤ装置を示した図である。
【実施例】
【００７３】
以下に実施例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００７４】
膜厚測定は、株式会社アルバック製の触針式表面形状測定器デックタック（Ｄｅｋｔａｋ）６Ｍを用いた。また、生成膜の組成をＰｅｒｋｉｎ  Ｅｌｍｅｒ製ＥＳＣＡ５４００ＭＣを用いて測定した。酸素透過性は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１法により、水透過性は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９Ａ法でにより測定した。全光線透過率は、ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１法により測定した。線膨張係数は、オーブン中で無荷重状態のフィルムサンプルをで室温から２４０℃まで５ｄｅｇ．／ｍｉｎ．で昇温し、この間のフィルム長さの変化をＣＣＤカメラにより測定することで算出した。表面粗さは、Ｖｅｅｃｏｏ社製走査型プローブ顕微鏡  ＮａｎｏＳｃｏｐｅＩＩＩａを用い、タッピングモードＡＦＭにて測定した。
【００７５】
実施例１（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置によるイソプロピルビニルジメトシキシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）
図１に示した容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてをポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたイソプロピルビニルジメトシキシランの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１３３Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
【００７６】
結果は、膜厚１２６０ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝２６ａｔｏｍ％、Ｃ＝３５ａｔｏｍ％、Ｏ＝３９ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．３５ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．４４ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８７．０％、線膨張係数は１８ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは１．３ｎｍであった。
【００７７】
実施例２（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置によるｔｅｒｔ．−ブチルトリエトキシシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）
図１に示した容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてをポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたｔｅｒｔ．−ブチルトリエトキシシランの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１３３Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
【００７８】
結果は、膜厚４０５ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝３０ａｔｏｍ％、Ｃ＝２６ａｔｏｍ％、Ｏ＝４４ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．４９ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．５０ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８７．１％、線膨張係数は１５ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは１．４ｎｍであった。
【００７９】
実施例３（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置によるアダマンチルトリエトキシシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）
図１に示した容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてをポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた１−アダマンチルトリエトキシシランの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１３３Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
【００８０】
結果は、膜厚１９１０ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝１４ａｔｏｍ％、Ｃ＝６９ａｔｏｍ％、Ｏ＝１５ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．４０ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．３９ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８８．０％、線膨張係数は２０ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは１．３ｎｍであった。
【００８１】
実施例４（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置による１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサンを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）
図１に示した容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてをポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサンの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１３３Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
【００８２】
結果は、膜厚１７１０ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝２０ａｔｏｍ％、Ｃ＝６３ａｔｏｍ％、Ｏ＝１７ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．５０ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８７．５％、線膨張係数は１８ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは１．３ｎｍであった。
【００８３】
実施例５（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置による１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサンを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）
図１に示した容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてをポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサンの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１３３Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
【００８４】
結果は、膜厚１２２０ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝２１ａｔｏｍ％、Ｃ＝５６ａｔｏｍ％、Ｏ＝２３ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０９ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．５１ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８８．０％、線膨張係数は１８ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは１．３ｎｍであった。
【００８５】
実施例６（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置による１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリエチルシクロトリシロキサンを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）
図１に示した容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてをポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリエチルシクロトリシロキサンの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１３３Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
【００８６】
結果は、膜厚１５８０ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝２０ａｔｏｍ％、Ｃ＝５９ａｔｏｍ％、Ｏ＝２１ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０５ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．５６ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８７．９％、線膨張係数は１８ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは１．４ｎｍであった。
【００８７】
比較例１（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置によるビニルトリメトシキシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）
図１に示した容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてをポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたビニルトリメトシキシランの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１３３Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。結果は、膜厚４７０ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝３１ａｔｏｍ％、Ｃ＝２０ａｔｏｍ％、Ｏ＝４９ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性１．４４ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性１．６７ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８６．５％、線膨張係数は３０ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは１０ｎｍであった。
【００８８】
比較例２（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置によるテトラメトシキシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）
図１に示した容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてをポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたテトラメトシキシランの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１３３Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
【００８９】
結果は、膜厚１３６ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝３５ａｔｏｍ％、Ｃ＝１３ａｔｏｍ％、Ｏ＝５２ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性１．７５ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性１．６７ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８６．４％、線膨張係数は３２ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは２６ｎｍであった。
【００９０】
比較例３
使用したポリエチレンナフタレートフィルム基板のガス透過性、全光線透過率、線膨張係数を測定したところ、酸素透過性２１．０ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性６．７０ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８６．９％、線膨張係数は３５ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは１．４ｎｍであった。
【符号の説明】
【００９１】
１  平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置
２  ＰＥＣＶＤチャンバー
３  シャワーヘッドを有する上部電極
４  下部電極
５  薄膜形成用基板
６  マッチング回路
７  ＲＦ電源
８  温度制御装置
９  気化器
１０  液体流量制御装置
１１  気体流量制御装置
１２  容器
１３  原料化合物
１４  不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管
１５  不活性ガスにより加圧する配管
１６  排気装置
１７  アース
１８  アース
１９  誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置
２０  ＰＥＣＶＤチャンバー
２１  コイル
２２  石英管
２３  ヒーター部
２４  薄膜形成用基板
２５  マッチング回路
２６  ＲＦ電源
２７  温度制御装置
２８  気化器
２９  液体流量制御装置
３０  気体流量制御装置
３１  シャワーヘッド
３２  容器
３３  原料化合物
３４  不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管
３５  不活性ガスにより加圧する配管
３６  排気装置
３７  アース
３８  マイクロ波ＰＥＣＶＤ装置
３９  石英製チャンバー
４０  薄膜形成用基板
４１  ヒーター部
４２  温度制御装置
４３  気化器
４４  液体流量制御装置
４５  気体流量制御装置
４６  シャワーヘッド
４７  容器
４８  原料化合物
４９  不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管
５０  不活性ガスにより加圧する配管
５１  マッチング回路
５２  マイクロ波発信器
５３  マイクロ波反射板
５４  排気装置
【図１】
2011111635.tif 000014
【図２】
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【図３】
2011111635.tif 000016