(57)【要約】【課題】欠陥を生じさせる原因となる装置を容易に特定することができる基板検査方法を提供する。【解決手段】基板２１を処理する複数の設備１〜８のそれぞれについて基板２１の搬出時の第１のノッチ方向を設備１〜８に関連づけてデータ化して記憶部１３に記憶する工程と、複数の設備１〜８の少なくとも一部により処理された処理基板２１に発生した傷のパターンと処理基板２１の第２のノッチ方向を検出する工程と、処理基板２１の第２のノッチ方向と基板の第１のノッチ方向を照合し、同じ方向を有する設備１〜８を傷発生源と特定する工程とを有する。【選択図】図１
2011029321.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する複数の設備のそれぞれについて前記基板の搬出時の第１のノッチ方向を各前記設備に関連づけてデータ化して記憶部に記憶する工程と、
前記複数の設備の少なくとも一部により処理された処理基板に発生した傷のパターンと前記処理基板の第２のノッチ方向を検出する工程と、
前記処理基板の前記第２のノッチ方向と前記基板の前記第１のノッチ方向を照合し、同じ方向を有する前記設備のいずれかを傷発生源と特定する工程と、
を有することを特徴とする基板検査方法。
【請求項２】
前記第１のノッチと関連づけて前記設備における前記基板の傷の基本パターンを前記記憶部に記憶させる工程と、
前記第２のノッチ方向と前記第１のノッチ方向が一致し、前記傷の基本パターンと前記処理基板の前記傷のパターンを照合して類似又は同一である前記設備をさらに特定する工程と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の基板検査方法。
【請求項３】
基板を処理する複数の設備において前記基板に対して外部から作用を及ぼす作用領域を記憶部に記憶する工程と、
前記複数の設備の少なくとも一部により処理された処理基板に発生した欠陥のパターンと、前記基板の発生した欠陥の密度が閾値以上に集まった密集欠陥領域を取得する工程と、
前記密集欠陥領域と前記作用領域の位置を照合し、それぞれの位置が一致する前記設備を欠陥発生源として特定する工程と、
を有することを特徴とする基板検査方法。
【請求項４】
ロット単位で複数の前記基板を中心軸で回動させて互いに一致する前記密集欠陥領域を前記作用領域と照合することを特徴とする請求項４に記載の基板検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板検査方法に関し、特に、複数の処理工程により形成される半導体装置、液晶表示装置等が形成される基板を検査する基板検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、液晶パネル等の装置は多数の処理工程を経て形成され、それぞれの処理は複数の異なる設備により実行される。
例えば、基板上にレジストパターンを形成する工程では、レジスト塗布、乾燥、露光、現像、加熱等を実行するための複数の装置が使用される。
【０００３】
また、配線を形成する工程では、レジストパターンをマスクにして金属膜をエッチングするエッチング装置と、レジストパターンを除去するアッシング装置と、金属膜を洗浄する洗浄装置などを使用する。
そのような多数の処理工程の途中には、基板の傷や欠陥の有無を検査する検査工程があり、例えばパターンに欠陥が発生している場合には、欠陥発生の原因となった設備を特定しなければならない。
【０００４】
しかし、傷や欠陥を生じさせた設備を特定するために、製造ラインの全てを停止すれば製造効率が悪くなる。このため、欠陥を発生させた装置を特定するための種々の方法が提案されている。
欠陥データ解析については、例えば、欠陥位置座標に基づいて、欠陥の特徴を分類する方法が知られている。そして、欠陥分布の解析により得られた幾何学的パターンを意味付けすることにより、装置・プロセス起因の不良原因を特定する。
【０００５】
また、処理対象基板の裏面のうち機械的又は電気的な作用により及ぼす領域のパターンを、データベース化した欠陥の分布パターンに照合することにより、欠陥の原因となった設備を特定することが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３５２１７３号公報
【特許文献２】特開２００８−２１９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、欠陥を生じさせる原因となる装置を容易に特定することができる基板検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
１つの観点によれば、基板を処理する複数の設備のそれぞれについて前記基板の搬出時の第１のノッチ方向を各前記設備に関連づけてデータ化して記憶部に記憶する工程と、前記複数の設備の少なくとも一部により処理された処理基板に発生した傷のパターンと前記処理基板の第２のノッチ方向を検出する工程と、前記処理基板の前記第２のノッチ方向と前記基板の前記第１のノッチ方向を照合し、同じ方向を有する前記設備のいずれかを傷発生源と特定する工程と、を有することを特徴とする基板検査方法が提供される。
他の観点によれば、基板を処理する複数の設備において前記基板に対して外部から作用を及ぼす作用領域を記憶部に記憶する工程と、前記複数の設備の少なくとも一部により処
理された処理基板に発生した欠陥のパターンと、前記基板の発生した欠陥の密度が閾値以上に集まった密集欠陥領域を取得する工程と、前記密集欠陥領域と前記作用領域の位置を照合し、それぞれの位置が一致する前記設備を欠陥発生源として特定する工程と、を有することを特徴とする基板検査方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
１つの観点によれば、傷の発生している基板について、各設備から搬出、回収された状態におけるノッチ方向の角度に基づいて問題設備を特定している。これにより、傷発生原因となった設備の特定が容易になる。
また、他の観点によれば、基板の欠陥を調査し、その欠陥の密度が閾値以上であって且つ複数領域に存在する場合に、それらの領域の位置を照合し、距離を計算して、位置が一致し、或いは計算した距離がパーツ情報記憶部１７内のデータと誤差範囲内で一致する場合には、一致した距離に該当する接触領域を有するパーツを備えた設備を欠陥発生源と推測する。これにより、欠陥発生源の設備の特定が容易になる
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係るウエーハ検査方法を実行するための検査装置を製造設備との配置関係で示したブロック図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態に係るウエーハ検査方法により検査される半導体ウエーハの処理装置の第１例を示す平面図である。
【図３】図３は、本発明の第１実施形態に係るウエーハ検査方法により検査される半導体ウエーハの処理装置の第２例を示す平面図である。    図である。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態に係るウエーハ検査方法に使用されるデータベースを示すブロック図である。
【図５】図５は、本発明の第１実施形態に係るウエーハ検査方法を示すフローチャートである。
【図６】図６は、本発明の第２実施形態に係るウエーハ検査方法を実行するための検査装置を製造設備との配置関係で示したブロック図である。
【図７】図７は、本発明の第２実施形態に係るウエーハ検査方法を示すフローチャートである。
【図８】図８（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第２実施形態に係るウエーハ検査方法により検査される半導体ウエーハの欠陥ウエーハマップである。
【図９】図９は、本発明の第２実施形態に係るウエーハ検査方法により検査される半導体ウエーハの欠陥密度の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
発明の目的および利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素および組み合わせによって実現され達成される。前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、典型例および説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない、と理解すべきである。
【００１２】
上記の背景技術に記載のように、欠陥位置座標に基づいて欠陥の特徴を分類する方法によれば、欠陥の発生したプロセスを特定することはできるが、欠陥発生の原因となった装置を特定することがむずかしい。
また、上記の背景技術に記載のように、基板の裏面の欠陥とデータベース化された欠陥パターンとを照合する方法によれば、欠陥発生源となった装置を特定することはできる。しかし、その方法は、基板の裏面の傷を特定することを目的とし、反対側の表面で発生した傷についての発生源を特定するものではない。
以下に、図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。図面において、同様の
構成要素には同じ参照番号が付されている。
【００１３】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るウエーハ検査方法の対象となる半導体装置製造用の設備の配置図である。
図１において、半導体装置の製造工程の順に第１〜第１０の設備１〜１０が配置されている。第１〜第１０の設備１〜１０は、製造処理の内容に応じてブロックＡ、Ｂ及びＣに区分されている。
【００１４】
ブロックＡには第１〜第４の設備１〜４が配置され、ブロックＢには第５〜第８の設備５〜８、ブロックＣには第９、第１０の設備９、１０がそれぞれ配置されている。第１〜第１０の設備１〜１０の中には同じ処理装置が含まれることもある。
ブロックＡ、ブロックＢ及びブロックＣでは、例えば、イオン注入工程、不純物活性化工程、化学気相成長（ＣＶＤ）工程、レジストパターン形成工程、エッチング工程、アッシング工程、化学機械研磨（ＣＭＰ）工程等のいずれかの処理が行われる。
【００１５】
例えば、ブロックＡがレジストパターンを形成する工程の場合には、第１の設備１はレジスト塗布装置であり、第２の設備２は加熱設備であり、第３の設備３は露光装置であり、第４の設備４は現像装置である。
【００１６】
ブロックＢの最終処理の第８の設備８とブロックＣの最初の処理の第９の設備９の間には、ウエーハ傷検査装置１１が配置されている。ウエーハ傷検査装置１１は、傷分布パターン検出装置１２及びノッチ情報データベース１３、照合装置１４を有している。
【００１７】
傷分布パターン検出装置１２は、ブロックＢから受け取ったフープ２０から半導体ウエーハ２１を取り出し、その両面について外部からの作用による傷、例えば機械的な又は電気的な傷の有無を検査し、傷が有る場合にはその傷の作用領域とパターンについて例えばＸＹ座標を用いてウエーハマップを作成する。
【００１８】
さらに、傷分布パターン検出装置１２は、半導体ウエーハ２１のノッチ方向と傷パターンと傷発生面を関連付けるデータを作成する。ノッチ方向というのは、半導体ウエーハ２１の中心とノッチを結ぶ仮想線が基準方向に対してなす角度で示される。その基準方向は、特に限定するものではないが、例えば設備のウエーハ搬出領域に置かれたフープ２０の搬出側から見て右横方向として以下に説明する。
【００１９】
ノッチ方向は、例えば次のように決められる。
例えば、第１〜８の設備１〜８のいずれかがＣＶＤ装置である場合には、その設備は図２に示すように、搬入側ロードロックチャンバ２２、搬送ロボット２３、反応チャンバ２４及び搬出側ロードロックチャンバ２５を有する。
【００２０】
搬入側ロードロックチャンバ２２内にフープ２０を装着した状態では、ノッチ２１ｎのノッチ方向は、フープ２０の一方の横方向を基準方向にして角度２７０°の方向にある。また、搬入側ロードロックチャンバ２２から反応チャンバ２４内に搬送された半導体ウエーハ２１のノッチ２１ｎのノッチ方向は、基準方向に対して角度９０°の方向にある。さらに、搬出側ロードロックチャンバ２５内のフープ２０に半導体ウエーハ２１を入れた状態でノッチ２１ｎのノッチ方向は、基準方向に対して角度θ、例えば３５°に位置し、このノッチ方向のデータ（角度θ）を傷検査用のデータとして使用する。
【００２１】
また、図３に例示する設備２９は、第１〜第４の処理室３１，３２、３４，３５及び位置合わせ領域３３を有し、第１〜第４の処理室３１，３２、３４，３５の間では搬送ロボ
ット（不図示）を使用して互いに矢印方向に半導体ウエーハ２１を搬送することが可能になっている。
【００２２】
さらに、第１〜第４の処理室３１，３２、３４、３５から位置合わせ領域３３に搬送された半導体ウエーハ２１のノッチ方向は、位置合わせ領域３３で調整される。調整後のノッチ方向は、搬入用ロードロードロックチャンバ３０のウエーハ受け入れの初期状態である２７０°となる場合もあるし、初期状態から９０°又は１８０°の角度で回動させる場合もある。そして、搬出用ロードロードロックチャンバ３６内におけるノッチ方向（角度θ）が設備２９のノッチ方向となる。
傷分布パターン検出装置１２の検出結果であるノッチ方向、傷パターン及び傷発生面のデータは、検査終了後に記憶され、そして要求に応じて照合装置１４に伝送される。
【００２３】
ノッチ情報データベース１３は、第１〜第８の設備１〜８のそれぞれの搬出側ロードロックチャンバに置かれる半導体ウエーハ２１のノッチ方向を記憶部に記憶し、さらに、過去に生じた傷パターン、ノッチ方向及び傷発生面のデータを設備毎に記憶部に記憶する。過去に生じた傷パターンが無い場合には、その替わりに各設備１〜８内で生じると予測される傷パターン、ノッチ方向及び傷発生面を設備毎に記憶する。
【００２４】
ノッチ情報データベース１３のデータ階層は最上層、中間層、最下層を有する。最上層は、搬出時のノッチ方向の角度の範囲を９０°で４つに分けたグループＩ、II、III 、IVを有する。中間層は、グループＩ、II、III 、IVのそれぞれのノッチ方向の範囲に含まれる設備の処理内容を示す設備関連データを有する。最下層は、設備関連データに属する設備データを有する。
【００２５】
グループＩは、基準方向に対してノッチ方向が０°以上で９０°未満となる処理内容の設備関連データ及び設備データを含み、グループIIは、ノッチ方向が９０°以上で１８０°未満となる処理内容の設備関連データ及び設備を含む。また、グループIII は、ノッチ方向が１８０°以上で２７０°未満となる処理内容の設備関連データ及び設備データを含み、グループIVは、ノッチ方向が２７０°以上で３６０°未満となる処理内容の設備関連データ及び設備データを含む。
【００２６】
グループＩ、II、III 、IVは、ウエーハ搬出時のノッチ方向の角度に基づいて、半導体ウエーハ２１に傷を付けた設備（装置）の範囲を絞るために区分けされている。また、設備関連データは、イオンインプランテーション、エッチング等の処理の種類の違いにより発生する傷パターンとノッチ方向と傷発生面のデータを有する。設備データは、設備関連データである傷パターンとノッチ方向に該当する設備（装置）を具体化するデータである。
【００２７】
例えば、図２に示す設備は、搬出用ロードロックチャンバ２５内の半導体ウエーハ２１のノッチ方向は３５°であり、図４のグループＩに存在することになる。また、その設備内で半導体ウエーハ２１の表面又は裏面に過去に傷が生じたことがある場合に、その傷のパターンと傷発生面はノッチ方向と処理の種類を関連付けて図４に示す設備関連データに記憶される。さらに、設備関連データは、そのデータに該当する設備（装置）を設備データと関連付けて記憶される。
【００２８】
従って、同じ傷のパターンでも、傷発生面とノッチ方向の違いにより傷発生原因となった処理の種類と設備を特定することができる。なお、特定する設備が複数存在することもあるが、それでも傷発生源の特定が容易になる。
さらに、過去の傷データが無い設備については、発生が予測できる傷、例えば図２に示す反応チャンバ２４内に半導体ウエーハ２１を搬入、搬出する際に発生し得る傷を傷パタ
ーンのデータとして付与する。
【００２９】
照合装置１４は、ノッチ情報データベース１３と傷分布パターン検出装置１２から取得したデータを比較して、傷を発生させた設備を特定する。照合装置１４は、ＣＰＵ、記憶部、その他のデバイスを有するコンピュータであってもよい。そのコンピュータには、後述する図５のａ〜ｅのフローを実行するためのプログラムがＯＳとともにインストールされている。
【００３０】
次に、ウエーハ傷検査装置１１を使用して半導体ウエーハ２１の傷を生じさせた設備を特定する方法を説明する。
まず、図１に示したように、半導体ウエーハ２１を搭載したフープ２０を第１〜第８の設備１〜８に順次搬送する。第１〜第８の設備１〜８では、半導体装置製造のための所定の処理を行う。そして、第８の設備８内でウエーハ処理を終えた後に、半導体ウエーハ２１を搭載したフープ２０をウエーハ傷検査装置１１に搬送し、図５に示すフローに従って処理を行う。
【００３１】
まず、図５のａに示すように、傷分布パターン検出装置１２は、半導体ウエーハ２１の両面の傷の有無とそのパターンを調査する。
そして、図５のｂに示すように異常な傷の有無を判断し、異常な傷が無い場合には検査を終了する。これに対し、異常な傷がある場合には、傷分布パターン検出装置１２は、検出した傷の傷パターンとノッチ方向の角度と傷発生面を検出し、それらのデータを照合装置１４に伝送する。
【００３２】
照合装置１４は、図５のｃに示すように、傷分布パターン検出装置１２から入力した傷データを、ノッチ情報データベース１３に格納した過去の傷データと照合し、過去のデータに類似又は同一の傷のパターンが有るか否かを判別する。類似かどうかは予め定義する。
【００３３】
そして、図５のｄ、ｆに示すように、傷分布パターン検出装置１２により検出された傷のパターンと同一又は類似の傷パターンがノッチ情報データベース１３に存在する場合には、その過去の傷パターンのデータに関連づけた装置を傷発生原因となる問題装置であると特定する。
【００３４】
また、同一又は類似の傷パターンのデータを有する装置が複数存在する場合には、まず、処理に要した第１〜第８の設備１〜８のノッチ方向のデータをそれぞれ図４に示すグループＩ、II、III 、IVに分ける。その後に、グループＩ、II、III 、IV毎に、ノッチ方向の角度に一致する設備関連データの処理の種類を特定する。さらに、処理の種類のデータに含まれる過去の傷パターンとノッチ方向と傷発生面のデータを取り出し、それらのデータが検出されたデータの傷パターンに同一又は類似であり且つノッチ方向及び傷発生面が一致する装置を問題装置であると特定する。
【００３５】
一方、図５のｄにおいて、過去のデータに類似又は同一の傷のパターンが無い場合には、図５のｅ、ｆに示すように、第１〜第８の設備１〜８のノッチ方向のデータをそれぞれ図４に示すグループＩ、II、III 、IVに分ける。その後に、図４に示す設備関連データに格納した設備データの予測された傷パターン、ノッチ方向、傷発生面が、検出した傷パターンに一致又は類似し、且つノッチ方向、傷発生面に一致する装置を抽出し、その装置を問題装置であると特定する。
【００３６】
その後に、図５のｇに示すように、特定した問題設備の傷発生原因を取り除くための対策を実施する。例えば、特定した設備において、ウエーハ搭載用アームのネジ締めが緩い
ことが原因の場合には、ネジ締めを行う。また、設備内のアームに糸くずが付着していることが原因の場合には糸くずを除去する作業を行う。
【００３７】
上記の実施形態によれば、傷の発生している半導体ウエーハについて、各設備から搬出、回収された状態におけるノッチ方向の角度に基づいて問題設備を特定している。これにより、傷発生原因となった設備の特定が容易になる。
さらに、ノッチ情報データベース１３の過去のデータにおいて、半導体ウエーハ２１の検出により得た傷のパターンと同一又は類似の過去の傷パターンが複数の装置の設備関連データに含まれている場合には、同一又は類似の傷のパターンとこれに関連づけたノッチ方向の角度の双方に基づいて設備を特定している。これにより、傷発生原因となった設備を正確に特定することができる。
【００３８】
（第２の実施の形態）
図６は、本発明の第２実施形態に係るウエーハ検査方法の対象となる半導体装置製造用の設備の配置図である。
図６において、半導体装置の製造工程の順に第１〜第１０の設備１〜１０が配置されている。第１〜第１０の設備１〜１０は、製造処理の内容に応じてブロックＡ、Ｂ及びＣに区分されている。ブロックＡには第１〜第４の設備１〜４、ブロックＢには第５〜第８の設備５〜８、ブロックＣには第９、第１０の設備９、１０が配置されている。
第１〜第１０の設備１〜１０では、それぞれフープ２０に収納される半導体ウエーハ２１について処理が行われる。フープ２０に収納される半導体ウエーハ２１はロット単位とする。
【００３９】
ブロックＢの最終処理の第８の設備８とブロックＣの最初の処理の第９の設備９の間には、ウエーハ欠陥検査装置１５が配置されている。ウエーハ欠陥検査装置１５は、欠陥検査部１６とパーツ情報記憶部１７を有している。
【００４０】
パーツ情報記憶部１７は、第１〜第８の設備１〜８における搬送アーム、ピン、サポート板のように、半導体ウエーハ２１に接触するパーツを特定し、半導体ウエーハ２１との接触位置をＸＹ座標で表したマップデータを作成し、これをそのパーツを備えた設備に関連づけて記憶する。そして、パーツと半導体ウエーハ１２との接触領域が複数ある場合には、それらの領域の重点間の距離を求め、これをそのパーツを備えた設備に関連づけて記憶する。
【００４１】
欠陥検査部１６は、図７に示すフローに従って処理を行う。まず、図７のｈに示すように、第８の設備８から搬送されたフープ２０内の全ての半導体ウエーハ２１の欠陥、例えば点欠陥を検出する。そして、ＸＹ座標を用いてウエーハ２１上の欠陥位置のデータを作成し、欠陥ウエーハマップを作成する。欠陥ウエーハマップの一例を図８（ａ）〜（ｆ）に示す。
なお、本実施形態における欠陥は、機械的又は電気的に付けられた欠陥の双方を含む。
【００４２】
続いて、欠陥検査部１６は、図７のｉに示すように、欠陥ウエーハマップに現れた欠陥を密集欠陥とランダム欠陥に分ける。密集欠陥かランダム欠陥かの判断は、所定面積に対する欠陥数又は欠陥面積の割合の閾値を予め設定し、例えば閾値以上の欠陥がある領域を密集欠陥とする一方、閾値未満の点欠陥はランダム欠陥とする。
例えば、図８（ａ）〜（ｆ）に対応した６枚の欠陥ウエーハマップの欠陥密度を求めたところ、図９に示す結果が得られ、閾値以上の欠陥密度を有する半導体ウエーハ２１は図８（ｂ）、（ｃ）、（ｅ）に示されたものである。なお、図８（ｂ）、（ｃ）、（ｅ）の破線で囲んだ黒い部分が密集欠陥である。図８（ｃ）では、密集欠陥を拡大した状態も併せて示している。また、図８（ｄ）の一点鎖線で囲んだ黒い部分はランダム欠陥を示し、
併せてそれの拡大した状態も示している。
【００４３】
次に、図７のｊに示すように、密集欠陥が閾値以上になる領域が複数あるかどうか判断する。複数無い場合には検査を終了する。また、複数存在する場合には、図７のｋに示すように、複数の密集領域の間の距離を計算する。例えば、図８（ｂ）、（ｃ）、（ｅ）に示すウエーハマップではそれぞれ密集領域が２つ存在する。それらのウエーハマップにおいて、２つの密集領域の重点の距離は誤差範囲内で一致する。なお、誤差範囲は、予め設定される。
【００４４】
次に、図７のｌに示すように、計算された密集領域の間の距離と同一又はその誤差範囲内にある複数の接触ポイントを有するパーツを探し、該当するパーツが見つかった場合にはそのパーツを備えた設備が欠陥発生源である判断する。
ところで、図８（ｂ）、（ｃ）（ｅ）に示す半導体ウエーハにおいては、密集領域を結ぶ波線の位置とノッチ２１ｎの相対位置は一致しないが、ロッド単位で半導体ウエーハ２１をその中心軸の周りで回動させると密集領域を結ぶ波線は一致するので、その一致する密集領域の間のパターンが一致するパーツを探し、該当するパーツが見つかった場合にはそのパーツを備えた設備を欠陥発生源と判断してもよい。
【００４５】
なお、上記の欠陥については、発生面が半導体ウエーハ２１の裏面か表面かを判断に入れ、パーツと半導体ウエーハ２１の関係から欠陥の発生面が一致するかどうかを加味し、一致する装置を傷発生源とし、一致しない装置については傷発生源から外す判断をする。
これにより欠陥検査を終了し、その後に、欠陥発生源となった設備の改善対策を施す。
【００４６】
以上のように本実施形態によれば、半導体ウエーハの欠陥を調査し、その欠陥密度が閾値以上であって且つ複数領域に存在する場合に、それらの領域の距離を計算して、計算した距離がパーツ情報記憶部１７内のデータと誤差範囲内で一致する場合には、一致した距離に該当する接触領域を有するパーツを備えた設備を欠陥発生源としている。
【００４７】
これにより、欠陥発生源の設備の特定が容易になる。
なお、上記した第１、第２実施形態は、検査対象が半導体ウエーハに限定されるものではなく、その他の板状の処理対象物、例えば液晶パネルの作成に使用される基板についても適用することが可能である。
【００４８】
ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例および条件に限定することなく解釈すべきであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができると理解すべきである。
【００４９】
次に、本発明の実施形態について特徴を付記する。
（付記１）
基板を処理する複数の設備のそれぞれについて前記基板の搬出時の第１のノッチ方向を各前記設備に関連づけてデータ化して記憶部に記憶する工程と、前記複数の設備の少なくとも一部により処理された処理基板に発生した傷のパターンと前記処理基板の第２のノッチ方向を検出する工程と、前記処理基板の前記第２のノッチ方向と前記基板の前記第１のノッチ方向を照合し、同じ方向を有する前記設備のいずれかを傷発生源と特定する工程と、を有することを特徴とする基板検査方法。
（付記２）
前記第１のノッチと関連づけて前記設備における前記基板の傷の基本パターンを前記記
憶部に記憶させる工程と、前記第２のノッチ方向と前記第１のノッチ方向が一致し、前記傷の基本パターンと前記処理基板の前記傷のパターンを照合して類似又は同一である前記設備をさらに特定する工程と、を有することを特徴とする付記１に記載の基板検査方法。（付記３）
前記記憶部には、前記基板における前記傷の基本パターンの傷発生面を記憶する工程と、前記第２のノッチ方向と前記第１のノッチ方向が一致し、前記傷の基本パターンと前記処理基板の前記傷のパターンを照合して類似又は同一であり、前記傷の基本パターンの前記傷発生面と前記処理基板の前記傷の発生面が同一である前記設備をさらに特定する工程と、を有することを特徴とする付記２に記載の基板検査方法。
（付記４）
基板を処理する複数の設備において前記基板に対して外部から作用を及ぼす作用領域を記憶部に記憶する工程と、前記複数の設備の少なくとも一部により処理された処理基板に発生した欠陥のパターンと、前記基板の発生した欠陥の密度が閾値以上に集まった密集欠陥領域を取得する工程と、前記密集欠陥領域と前記作用領域の位置を照合し、それぞれの位置が一致する前記設備を欠陥発生源として特定する工程と、
を有することを特徴とする基板検査方法。
（付記５）
それぞれ前記基板と前記処理基板の両面について前記作用領域と前記密集欠陥領域を照合することを特徴とする付記４に記載の基板検査方法。
（付記６）
ロット単位で複数の前記基板を中心軸で回動させて互いに一致する前記密集欠陥領域を前記作用領域と照合することを特徴とする付記４又は付記５に記載の基板検査方法。
【符号の説明】
【００５０】
１〜１０：設備
１１  ウエーハ傷検査装置
１２  傷分布パターン検出装置
１３  ノッチ情報データベース
１５  ウエーハ欠陥検査装置
１６  欠陥検査部
１７  パーツ情報記憶部
２０  フープ
２１  半導体ウエーハ
【図１】
2011029321.tif 000003
【図２】
2011029321.tif 000004
【図３】
2011029321.tif 000005
【図４】
2011029321.tif 000006
【図５】
2011029321.tif 000007
【図６】
2011029321.tif 000008
【図７】
2011029321.tif 000009
【図８】
2011029321.tif 000010
【図９】
2011029321.tif 000011