(57)【要約】      （修正有）【課題】大面積かつ表面に微細な櫛型の形状を有する構造体の製造方法、その構造体によって作製される樹脂成形用金型の製造方法を提供する。【解決手段】熱可塑性樹脂より選ばれる少なくとも２種類以上の異なる樹脂１，２からなる積層構造体３を形成する工程と、前記積層構造体を切断し、前記２種類以上の異なる熱可塑性樹脂１，２が配列して露出した切断面を形成する工程と、前記切断面から前記積層構造体３を構成する熱可塑性樹脂の内の少なくとも１種類の樹脂を優先的に除去することで前記切断面上に櫛型の凹凸構造を形成する工程とを、含むことを特徴とする櫛型構造を有する樹脂構造体５の製造方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂より選ばれる少なくとも２種類以上の異なる樹脂からなる積層構造体を形成する工程（１）と、前記積層構造体を切断し、前記２種類以上の異なる熱可塑性樹脂が配列して露出した切断面を形成する工程（２）と、前記切断面から前記積層構造体を構成する熱可塑性樹脂の内の少なくとも１種類の樹脂を優先的に除去することで前記切断面上に櫛型の凹凸構造を形成する工程（３）とを、含むことを特徴とする櫛型構造を有する樹脂構造体の製造方法。
【請求項２】
前記工程（３）において、前記積層構造体の切断面から除去速度の差を利用して前記積層構造体を構成する熱可塑性樹脂の内の少なくとも１種類の樹脂を優先的に除去する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の櫛型構造を有する樹脂構造体の製造方法。
【請求項３】
前記工程（３）に次いで、櫛型の凹凸構造を有する前記積層構造体の前記切断面に被転写体を密着させて、前記櫛型構造を前記被転写体に転写する工程（４）を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の櫛型構造を有する樹脂構造体の製造方法。
【請求項４】
熱可塑性樹脂より選ばれる少なくとも２種類以上の異なる樹脂からなる積層構造体を形成する工程（１）と、前記積層構造体を切断し、前記２種類以上の異なる熱可塑性樹脂が配列して露出した対向する２つの切断面を有する積層体を得る工程（５）と、前記対向する２つの切断面を有する積層体を構成する熱可塑性樹脂の内の少なくとも１種類の樹脂を除去する工程（６）と、前記工程（６）で残存した他の樹脂をマスクとして用い、被成形体をエッチングすることにより、前記被成形体表面に櫛型の凹凸構造を形成する工程（７）を含むことを特徴とする櫛型構造を有する構造体の製造方法。
【請求項５】
請求項１または４に記載の構造体の製造方法により得られる構造体の表面構造を電鋳により転写する工程（８）を含むことを特徴とする樹脂構造体成形用金型の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の樹脂構造体成形用金型の製造方法により得られる金型を用いて製造した櫛型構造を有する樹脂成形体。
【請求項７】
請求項１または４に記載の櫛型の凹凸構造を有する構造体の製造方法により得られる構造体を樹脂成形用の成形型として用いて得られる櫛型構造を有する樹脂成形体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノインプリント用の成形型およびその原型などに用いられる微細な櫛型の凹凸構造を有する樹脂構造体の製造方法およびそれにより得られる樹脂成形体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイス、エネルギー貯蔵デバイス、センサー等の小型化および高性能化に伴い、大きさが５０ｎｍを下回る構造を有するデバイスの開発が盛んに行われている。また、ナノメートルスケールの三次元微細構造物に特有な現象を利用する、新しいデバイスの開発が盛んに行われている。光の反射を低減する光反射防止ナノ構造や人工的に光の進行方向を制御するフォトニック結晶、他の光学部品の表面に作り込むことのできる１／４波長板など、様々な応用が検討されている。
【０００３】
一般的にこのような微細構造デバイスの作製にはリソグラフィーという微細パターンを描画する技術が用いられている。リソグラフィー技術とは、少なくとも以下の工程有するものである。被加工基板の上に感光性樹脂の層を形成した後、感光性樹脂層上の所定の領域のみに該感光性樹脂層が感光する放射線、例えば、紫外線、Ｘ線、電子線、イオン線などを選択的に照射し、さらに必要ならば熱処理を行うことにより、照射領域に化学的な変化をもたらし、潜像を形成する。このようにして潜像を形成した後、現像液に浸漬する。照射領域内における感光性樹脂の化学的変化により、照射領域を非照射領域との現像液に対する溶解速度の違いが生じ、この溶解速度の遅い領域が、パターンとして残る。これにより、所望の深さまで溝が掘られた微細構造体を有する母型が得られる。この母型を原型として、スタンパーの作製が行われる。現在、真空紫外光などの短波長の光を用いた光リソグラフィー法や電子線を用いた電子線リソグラフィー法などが利用されている。
【０００４】
しかしながら、光リソグラフィー法では、より微細な構造を作製するために光源をさらに短波長化することが近年困難となり、周辺技術を含めて開発には莫大な投資が必要となっている。
【０００５】
一方、電子線リソグラフィー法は、１０ｎｍ程度の微細な描画が可能であるが、解像性を上げるにはビーム径を小さく絞る必要があり、描画速度が遅く大面積化に時間がかかる。例えば、４０ｎｍピッチのドットパターンを１ｍｍ×１ｍｍの範囲に描画するとしても数時間必要になる。また、電子線発生のための装置が大型で莫大な投資が必要となる。
【０００６】
また、このような状況のもと、物質が自然に構造を形成する現象、いわゆる自己組織化現象を応用した手法が注目を集めている。特に高分子ブロック共重合体の自己組織化現象、いわゆるミクロ相分離現象を応用した手法は、簡便な塗布プロセスにより数十ナノメートル〜数百ナノメートルの種々の形状を有する微細規則構造を形成できる点で優れた手法である。
【０００７】
ここで、高分子ブロック共重合体をなす異種の高分子セグメントが互いに混じり合わない場合、これらの高分子セグメントのミクロ相分離により、特定の規則性を持った微細構造が自己組織化される。そして、このような自己組織化現象を利用して、高分子ブロック共重合体薄膜をエッチングマスクとして用い、微細な孔やラインアンドスペースなどの構造を基板上に形成した公知技術が知られている（例えば、非特許文献２、非特許文献３参照）。
【０００８】
高分子ブロック共重合体のミクロ相分離現象によると、球状や柱状のミクロドメインが連続相中に規則的に配列した構造を有する高分子薄膜を得ることができる。このようなミクロ相分離構造をエッチングマスク等のパターン転写体として利用する場合、連続相中に柱状ミクロドメインが基板に直立する方向に配向して規則的に配列していることが望ましい。なぜならば、柱状ミクロドメインが基板に直立する方向に配向して配列したに配向して配列した構造の場合、球状ミクロドメインが基板表面に規則的に配列した構造に比べて、得られる構造のアスペクト比が自由に調整できるからである。
【０００９】
しかしながら、高分子ブロック共重合体のミクロ相分離現象による柱状ミクロドメイン構造は、その多くは膜表面に対して平行方向に配向した構造を示すものである。
【００１０】
膜表面に対して平行方向に配向しやすい柱状ミクロドメインを基板に直立する方向に配向させるための従来方法としては次のようなものが挙げられる。
第１の従来方法は、高分子ブロック共重合体の膜に、膜面を貫通する方向に極めて高い電界を印加することにより、柱状ミクロドメインを電界の方向へ配向させ、膜表面に直立した構造を得る方法である(例えば非特許文献４参照)。しかし、前記した第１の従来方法では、高分子ブロック共重合体の膜に高電界を印加するには、膜表面に電極を密着させ非常に狭いギャップ間でこの膜に電圧を印加する必要があるなど特別の工程あるいは設備が必要である。
【００１１】
また、第２の従来方法は、基板表面を化学的に修飾し高分子ブロック共重合体の各セグメントに対して等しい親和性を持つように処理して柱状ミクロドメインが基板に直立した構造を得る方法である（例えば非特許文献５参照）。しかし、基板表面を高分子ブロック共重合体の各セグメントに対して等しい親和性を持つように処理するのは一般的に容易でない。
すなわち、これら従来方法では柱状ミクロドメインを膜表面に対して直立する方向に配向して配列させることは現実的でないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平４−２７８３２４公報
【特許文献２】特開２００５−３４９６８１公報
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】SPIE Advanced Lithography, Feb. 2008.
【非特許文献２】Science 276 (1997)1401
【非特許文献３】Polymer 44 (2003) 6725
【非特許文献４】Macromolecules 24（1991） 6546
【非特許文献５】Macromolecules 32（1999） 5299
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、将来の高機能デバイスとして期待されている単電子トランジスタや発光素子などのデバイスを効率よく運転させるためには、数ｎｍサイズのナノ構造を、ｎｍオーダーの間隔で形成させることが必要である。また、生産性向上に向けた生産時間の短縮化、かつ大面積による作製が必要である。このような高解像、かつ高密度かつ大面積のパターンの形成は、既存のリソグラフィー技術のようなトップダウン技術や自己組織化現象を応用したプロセスでは作製することは困難である。
【００１５】
本発明の目的は、多層押出成形によって作製した積層構造体を用いることで、前記従来の課題を解決し、大面積かつ表面に微細な櫛型の形状を有する構造体の製造方法、その構造体によって作製される樹脂成形用金型の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、熱可塑性樹脂より選ばれる少なくとも２種類以上の異なる樹脂からなる積層構造体を形成する工程（１）と、前記積層構造体を切断し、前記２種類以上の異なる熱可塑性樹脂が配列して露出した切断面を形成する工程（２）と、前記切断面から前記積層構造体を構成する熱可塑性樹脂の内の少なくとも１種類の樹脂を優先的に除去することで前記切断面上に櫛型の凹凸構造を形成する工程（３）とを、含むことを特徴とする櫛型構造を有する樹脂構造体の製造方法である。
【００１７】
また、上記の樹脂構造体の製造方法において、
前記工程（３）において、前記積層構造体の切断面から除去速度の差を利用して前記積層構造体を構成する熱可塑性樹脂の内の少なくとも１種類の樹脂を優先的に除去する工程を含むことを特徴とする櫛型構造を有する樹脂構造体の製造方法である。
【００１８】
また、上記の樹脂構造体の製造方法において、
前記工程（３）に次いで、櫛型の凹凸構造を有する前記積層構造体の前記切断面に被転写体を密着させて、前記櫛型構造を前記被転写体に転写する工程（４）を含むことを特徴とする櫛型構造を有する樹脂構造体の製造方法である。
【００１９】
さらに、熱可塑性樹脂より選ばれる少なくとも２種類以上の異なる樹脂からなる積層構造体を形成する工程（１）と、前記積層構造体を切断し、前記２種類以上の異なる熱可塑性樹脂が配列して露出した対向する２つの切断面を有する積層体を得る工程（５）と、前記対向する２つの切断面を有する積層体を構成する熱可塑性樹脂の内の少なくとも１種類の樹脂を除去する工程（６）と、前記工程（６）で残存した他の樹脂をマスクとして用い、被成形体をエッチングすることにより、前記被成形体表面に櫛型の凹凸構造を形成する工程（７）を含むことを特徴とする櫛型構造を有する構造体の製造方法である。
【００２０】
また、上記した樹脂構造体の製造方法を含む工程を用いて製造した樹脂成形用の櫛型金型である。
【００２１】
さらに、樹脂構造体の製造方法を含む工程を用いて製造した樹脂成形用の櫛型金型を用いて製造した櫛型樹脂成形体である。
【００２２】
また、本発明は上記した樹脂構造体の製造方法を含む工程を用いて製造した櫛型構造を有する構造体を樹脂成形用の型として用いて製造した櫛型構造を有する樹脂成形体である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、生産性に優れる大面積かつ微細な櫛型構造を有する樹脂構造体を有する基板の製造方法を提供することができる。また、前記樹脂構造体を母型とし、樹脂成形用金型、およびその金型の作製方法、櫛型構造を有する樹脂成形体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態に係る櫛型構造を有する樹脂構造体の製造方法の工程を示した模式図である。
【図２】切り出した積層構造体を基板上に配列させた状態を示す模式図である。
【図３】本発明の実施形態に係る櫛型構造を有する樹脂構造体の製造方法の工程を示した模式図、および樹脂成形用金型の製造方法の工程を示した工程図である。
【図４】本発明の実施形態に係る櫛型構造を有する樹脂構造体の製造方法の工程を示した模式図である
【図５】実施例１にかかる樹脂構造体の表面のＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図１を用いて、本発明の実施形態に係る櫛型構造を有する樹脂構造体を作製する方法を説明する。
従来の多層押出成形技術を用いて、異なる２種類の樹脂（樹脂１および樹脂２）を交互に並べた積層構造体３を作製し、該積層構造体３を切り出して得られる、前記２種類の異なる熱可塑性樹脂が配列して露出した積層構造体３の断面を図１（ａ）に示す。積層構造体３の形状は、特に問わないが、好ましくはエッチング方向に対して、積層方向が垂直に配向していることが望ましい。
【００２６】
ここで示す多層押出成形技術とは、例えば特許文献１や特許文献２に記載のような共押出技術を示し、この多層押出成形技術を利用することによって積層構造体３を作製する。多層押出成形技術は、様々な物流を、様々な押出成形機から複層マニホールドダイまたは複数層フィードブロック、及びフィルムダイへ通過させることを含んでもよい。個々の流れはフィードブロック中で融合し、そして積層としてダイの中に入り、積層体を得ることが可能となる。
【００２７】
ここで示す積層構造体３の大きさは、その用途によって変化させることが可能である。また、複数の積層構造体３同士をエッチング方向に対して垂直に複数接着させて並べることによって、大面積の樹脂構造体を作製することを可能とする。積層構造体３の配列数は、特に問わないが、好ましくは配列方向に対して、１つであることが望ましい。
【００２８】
また、図２（ａ）に示すように基板４上に、切り出した積層構造体３の断面が基板方向に対して垂直に立つように配置する形態をとることを可能とする。
【００２９】
このとき基板４は、Ｓｉウエハ、ガラス、ＩＴＯ、樹脂など、その目的に合わせて選択することができる。
【００３０】
次に、図１（ａ）の積層構造体３から、目的とする樹脂２を選択的に除去して図１（ｂ）に示すような樹脂１が規則的に配列した櫛型の構造体を得ることができる。なお、図では示さないが、積層構造体３から、目的とする樹脂１を選択的に除去し、樹脂２が規則的に配列した櫛型構造を有する樹脂構造体５を得ることもできる。このように、樹脂１または２が規則的に配列した櫛型構造を有する樹脂構造体５は基板として用いることができ、本工程において、櫛型構造を有する樹脂構造体５を備えた基板が製造されたことになる。また、図では示さないが、この工程は、図２（ａ）に示すような形態でも適用が可能である。
【００３１】
ところで、本発明に用いる２種類の樹脂には、目的とする樹脂を選択的に除去できるものを用いる。この場合、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）またはウエットエッチング等その他のエッチング手法に対する除去速度の差を利用することが好ましい。例えば、ポリスチレンとポリブタジエンを用いた場合には、オゾン処理によりポリスチレンのみを残すように現像処理が可能である。ポリスチレンとポリメチルメタクリレート用いた場合には、ポリスチレンの方がポリメチルメタクリレートより酸素やＣＦ４をエッチャントとして用いるＲＩＥに対するエッチング耐性が高い。このため、ＲＩＥによりポリメチルメタクリレートのみを選択的に除去することが可能である。
【００３２】
ここでエッチングの方法について説明する。エッチング方法としては、不活性ガスを利用したスパッタリング現象による物理的なドライエッチングや、酸素、塩素系ガス、フッ素系ガスなどの反応性ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いることができる。また、プラズマの生成法として、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）によるプラズマや、誘導結合によるプラズマ（ＩＣＰ）などがある。
【００３３】
また、エッチングガスとしては、Ａｒ，Ｈ２，Ｎ２，Ｏ２，ＣＯ，ＣＯ２，ＣＦ４，ＣＨＦ３，ＣＨ２Ｆ２，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，ＮＨ３，Ｃｌ２，ＢＣｌ３，及びＳＦ６などの、よく知られたドライエッチングに使用するガスを単独もしくは混合して用いることができる。
【００３４】
一方、薬品でのウエットエッチングを用いる場合、例えばポリスチレンの溶解には各種有機溶媒を利用することが可能であるが、ベンゼン、トルエン、キシレン、四塩化炭素、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどを用いることが好ましい。
【００３５】
本発明において使用される樹脂は流動性があり、硬化性があるいかなる材料にも適用されるけれども、特に限定されないが、例えば、アクリル系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル・スチレン系共重合体、ポリカーボネート系樹脂、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系樹脂、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリアミド系・オレフィン系・スチレン系・ウレタン系等の熱可塑性エラストマー、軟質塩化ビニル樹脂、フッソ系樹脂、ポリジメチルシロキサン等のシリコーン系樹脂等の熱可塑性樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ウレタン系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂等の熱硬化性樹脂、多官能アクリル系樹脂等の光硬化性樹脂を挙げることができる。
【００３６】
これらの樹脂は必要に応じて、例えば、液体、滑剤、光安定剤、難燃剤、膠着防止剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、発泡剤、光開始剤、防曇剤、顔料、帯電防止剤、ブロッキング剤などの有機あるいは無機の添加剤を、単独でも、あるいは、これらの組み合わせを含有することができる。
【００３７】
次に、図３を用いて、櫛型構造を有する基板の製造方法に係る他の実施形態について説明する。
図３（ａ）〜（ｂ）にかけての工程は、すでに説明した図１（ａ）〜（ｂ）にかけての工程と同等であるので、説明を省略する。
そして、図３（ｃ）に示すように櫛型構造を有する樹脂構造体５を母型とし、前記構造体５上に、導電性膜６を堆積させる。次に、図３（ｄ）に示すように所望の厚さに電鋳により電柱層７を堆積させる。その後、図３（ｅ）に示すように樹脂構造体５を剥離することにより櫛型構造を有する基板８を得ることができる。該櫛型構造を有する基板８は、櫛型構造を有する樹脂成形品の成形用金型として利用することができる。また、図２（ａ）〜（ｂ）の工程で得られる櫛型構造を有する樹脂構造体５も前記金型の母型として用いることができる。
【００３８】
ここで、導電性膜の形成方法は特に限定されないが、好ましくは真空蒸着、スパッタリング法を用いることができる。導電性膜としては、ニッケル、金、銀、白金、銅、アルミニウムなどが挙げることができる。
【００３９】
また、電鋳により堆積される金属は特に限定されないが、ニッケル、銅、金、ニッケル−コバルト合金を挙げることができ、経済性、耐久性の観点からニッケルが好ましく用いられている。
【００４０】
前記櫛型構造を有する樹脂成形品の成形用金型を用いて、樹脂成形品を形成することができる。樹脂成形品の成形方法は特に限定されないが、例えば熱インプリントや光インプリント等のインプリント法、射出成形、プレス成形、モノマーキャスト成形、溶剤キャスト成形、ホットエンボス成形、押出成形によるロール転写法等を挙げることができる。
【００４１】
次に、図４を用いて、櫛型構造を有する基板の製造方法に係る他の実施形態について説明する。
図４（ａ）、（ｂ）の工程は、すでに説明した図２（ａ）の工程と同等であるので、説明を省略する。基板４上の積層構造体３から、目的とする樹脂２を選択的に除去して図４（ｂ）に示すような樹脂１が規則的に配列した櫛型構造を有する樹脂構造体５を得る。
そして、図４（ｃ）に示すように前記櫛型構造を有する樹脂構造体５のうち、残存した樹脂１からなる樹脂列をマスクとして用いて、被成形体９を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）またはその他のエッチング手法を用いてエッチング加工することにより、図４（ｄ）に示すように被成形体９上に櫛型構造を有するの構造体１０が形成される。この構造体１０の表面に残存した樹脂１をＲＩＥや溶媒で除去すると、図４（ｅ）に示すように、櫛型構造を有する基板１１が得られることになる。
【００４２】
ここで、被成形体９は基板４と同じ物であっても良いし、異なっていても良い。被成形体９の材料としては、エッチング加工が可能なものであれば樹脂に限らず種々の材料が使用でき、Ｓｉウエハ、ガラス、樹脂など、その目的に合わせて選択することができる。
【００４３】
前記櫛型構造を有する基板１１も図３（ｂ）の樹脂構造体５に替えて、電鋳による櫛型構造を有する基板８の母型として利用でき、得られた櫛型構造を有する基板８は櫛型構造を有する樹脂成形品の成形用金型として利用できる。
【００４４】
以上述べた櫛型構造を有する構造体の製造方法により、アスペクト比が大きく、かつ大面積の櫛型構造を有する構造体を製造することができる。
【００４５】
また、前記の積層構造体３を構成する２種類の樹脂のピッチ間や層幅、ならびに積層構造体３のサイズは、目的とするパターンのサイズに応じて選択する必要がある。本発明の目的は従来のトップダウン的手法、自己組織化を応用した手法では困難な大面積、かつ微細な櫛型構造を形成することにある。積層構造体３を構成する２種類の樹脂のピッチ間や層幅は、積層構造体３作製時の、２種類の樹脂の押出量を調整することや、積層数を変化させることで簡便に制御することができる。
【００４６】
本発明の製造方法により得られた櫛型構造を有する基板は、容易に作製、かつ大面積化できることから、様々な用途に適用することが可能である。例えば、無反射板、波長選択フィルター、偏光変換素子等の光学部品、細胞培養、筋繊維の分析等のバイオデバイスや、太陽電池の半導体部品、情報録媒体や磁気記録媒体等への適用が可能である。
【実施例】
【００４７】
次に本発明の実施例を説明する。ただし、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００４８】
＜実施例1＞
使用する材料としてポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、株式会社クラレ社製、パラペットＧ）を樹脂Ａとし、樹脂Ｂとしてポリスチレン（ＰＳ、東洋スチレン社製、ＨＲＭ−１に）を準備した。樹脂Ａは、一昼夜８０℃で乾燥した後、樹脂ＡおよびＢを押出機に供給した。
【００４９】
樹脂ＡおよびＢは、それぞれ押出機にて温度２４０℃の溶融状態とし、ギヤポンプにて吐出比が樹脂Ａ／樹脂Ｂ＝１／１になるように計量しながら、従来技術の多積層押出成形にて、幅３ｍｍ×長さ３０ｍｍの樹脂構造体の中に幅方向に樹脂Ａの層と樹脂Ｂの層が交互に２０４９層積層された構造体を作製した。
【００５０】
上記の構造体から、精密低速切断機を用いて積層構造が断面に表出するように断片（幅方向−厚み方向断面）を切り出し、ミクロトームを用いて切り出した断片の表面の平坦化を行った。
【００５１】
次に、得られた積層体の切り出し断片表面を５００Ｗの出力で酸素プラズマエッチングし、ＰＭＭＡ層を除去した。得られた構造体の表面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した。図５に示したＳＥＭ像において、表面にはＰＭＭＡ層が分解、除去され、ＰＳｔ層が残ったことによって、ＰＭＭＡ層によるＰＭＭＡ領域とＰＳ層によるＰＳ領域とが、樹脂構造体表面に深さ８９０ｎｍ、幅１０００ｎｍの微細な櫛型形状が長さ方向３０ｍｍに渡って配列した状態が観察された。
【符号の説明】
【００５２】
１、２  異なる２種類の樹脂
３  積層構造体
４  基板
５  櫛型構造を有する樹脂構造体
６  導電性膜
７  電鋳層
８  櫛型構造を有する基板
９  被成形体
１０  櫛型構造を有する樹脂構造体
１１  櫛型構造を有する基板
【図１】
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【図２】
2011093123.tif 000004
【図３】
2011093123.tif 000005
【図４】
2011093123.tif 000006
【図５】
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