(57)【要約】【課題】  基板に凹部を設け、この凹部にＬＥＤ素子を落とし込み、基板の電極とＬＥＤ素子の電極との位置合わせを簡単に行なう方法が知られているが、基板に凹部を形成するためには追加工が必要となる。【解決手段】  複数の開口部８２を有しＬＥＤ素子１３（半導体発光素子）よりも薄いマスク８１を準備する。マスク８１と集合基板８４とを重ね合わせてから、開口部８２にＬＥＤ素子１３を配置し、マスク８１を集合基板８４に重ね合わせたままＬＥＤ素子１３を加圧及び加熱して集合基板８４に接合する。この結果、ＬＥＤ素子１３と集合基板８４の電極同士の位置合わせが容易になり、位置合わせから接合までの工程が短くなる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体発光素子をフリップチップ実装した集合基板を個別の基板領域に分割して半導体発光装置を製造する半導体発光装置の製造方法において、
前記半導体発光素子が実装される前記集合基板の領域に対応する開口部と、該開口部の周囲に形成される斜面部とを有し、前記半導体発光素子よりも薄いマスクを準備する準備工程と、
前記マスクと前記集合基板とを重ね合わせる重合わせ工程と、
前記マスクの開口部に前記半導体発光素子を配置する配置工程と、
前記マスクを前記集合基板に重ね合わせたまま前記半導体発光素子を加圧及び加熱して
前記集合基板に接合する接合工程と
を有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記配置工程において前記開口部に半導体発光素子を配置したあと、前記マスクを集合基板に重ね合わせたまま該集合基板を傾斜させ、前記半導体発光素子を前記開口部のコーナーに寄せることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記接合工程において前記半導発光体素子の上または前記集合基板の下に緩衝シートを挿入し加圧及び加熱することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体発光素子が電解メッキ法により形成された金バンプを備え、前記接合工程において金錫共晶結合により前記半導体発光素子と前記集合基板の電極同士が接合することを特徴とする請求項１から３のいずれか一つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、個別の基板領域を多数個分含む集合基板に複数の半導体発光素子を同時にフリップチップ実装する半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハーから切り出された状態の半導体発光素子は、ふつうリードフレームや小型の回路基板に実装し、さらに樹脂モールドなどを施してから部品化する（以下、部品化したものを半導体発光装置と呼ぶ）。この半導体発光装置は、部品化により取り扱い性や信頼性を確実なものとした上で、様々な電子部品が実装されるマザー基板にとり付けられる。
【０００３】
また、この半導体発光装置は生産効率を上げるため一括実装方式で製造されることが多い。一括実装方式というのは、個別の回路基板領域を多数個分含む集合基板（樹脂やセラミック基板、リードフレームなど）を準備し、この集合基板上に半導体発光素子を実装し、樹脂モールドなどの追加工を行なってから、最後に集合基板を分割し個別の半導体発光装置を得るものである。
【０００４】
一括実装方式のなかで、粘着シート上に半導体素子を配列し、この粘着シートを裏返して集合基板に重ね、半導体素子の電極と回路基の電極とを接続する方法が知られている。例えば、特許文献１の段落（００１４）には、先ずＬＥＤ素子（半導体発光素子）のサファイア面を粘着シートに貼り付け、次に半導体層側の電極にハンダペーストを付着させ、最後に粘着シートを集合基板に重ねたまま加熱してＬＥＤ素子と集合基板の電極同士を接合する一括実装方式が記載されている。なおこのＬＥＤ素子は、サファイア基板上にｐ型半導体層とｎ型半導体層とを積層したダイオードであり、ｐ電極及びｎ電極をサファイア基板とは反対側の半導体層面に備えている。なお特許文献１の説明の中にある（）は、部材の対応関係を明確にするため挿入したものである（以下同様）。
【０００５】
同様に特許文献２の請求項１には、テープにマウントされたＩＣチップ（半導体発光素子）を一個づつベース（集合基板）にフリップチップ状態で仮固定し、一括して加熱及び加圧を行なう方法が記載されている。
【０００６】
特許文献１の方法では、集合基板の電極とＬＥＤ素子の電極との間の正確な位置合わせが必要なので、ＬＥＤ素子をひとつ一つ正確に粘着シート上に配置しなくければならない。同様に特許文献２の方法も集合基板上にＩＣチップを正確に配置しなくてはならない。正確な位置合わせを行なう装置は一般に高価となる。これに対し集合基板に凹部を設け、そこに半導体発光素子を落とし込むだけで半導体発光素子と集合基板の電極同士の位置合わせを行なう方法がある。
【０００７】
例えば特許文献３の請求項１には、「多数の凹面部を有し、各凹面部に対応して立体パターンのめっき電極を設けた基板（集合基板）を備え、基板の各凹面部にバンプ付き半導体光学素子チップ（半導体発光素子）を落とし込み、落とし込んだチップのバンプをめっきにより成長させてチップ電極及び各凹面部電極間を接続し、各凹面部単位で基板を分割して光学素子を構成することを特徴とするリードレス光学素子（半導体発光装置）の製造方法。」が記載されている。
【０００８】
特許文献３に記載されている半導体発光素子は半導体層を挟んでｐ電極とｎ電極が対向する半導体発光素子であった。これに対し青色を発光する半導体発光素子は、半導体層をサファイアなどの基板上にエピタキシャル成長させ、ｐ電極及びｎ電極ともサファイア基
板とは反対側の半導体層面に形成する。半導体発光素子ではないが、例えば特許文献４には、多数の電極を備えた半導体素子をプリント基板の凹部｛平坦な基板上に積層した樹脂（プリプレグ）に形成した凹部｝に半導体素子を落とし込んでフリップチップ実装する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−２４３７２０号公報  （段落（００１４））
【特許文献２】特開２００７−２７５４９号公報    （請求項１）
【特許文献３】特開平５−１１４７５２号公報      （請求項１）
【特許文献４】特開２００５−２０３４６２号公報                                （段落（００２７）〜段落（００３０），図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献４の方法は、サファイア基板を備える半導体発光素子をフリップチップ実装する一括実装方式に適用できる。しかしながら集合基板上に樹脂層を形成し、この樹脂層に凹部を形成するというのでは、この追加工が位置合わせの簡易化と相殺し製造工程が簡単化しない。集合基板に研磨やプレスなどで凹部を形成しても同様である。いずれにせよ集合基板が平坦であり、半導体発光素子と集合基板の電極同士の位置合わせが完了したら直ちに半導体発光素子と集合基板とを接合することが好ましい。
【００１１】
そこで本発明は、この課題に鑑みてなされたものであり、平坦な集合基板に対して半導体発光素子と集合基板の電極同士の位置合わせが簡単で、この位置合わせが完了してから半導体発光素子と集合基板とを接合させるまでの工程が短い半導体発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため本発明の半導体発光装置の製造方法は、複数の半導体発光素子をフリップチップ実装した集合基板を個別の基板領域に分割して半導体発光装置を製造する半導体発光装置の製造方法において、
前記半導体発光素子が実装される前記集合基板の領域に対応する開口部と、該開口部の周囲に形成される斜面部とを有し、前記半導体発光素子よりも薄いマスクを準備する準備工程と、
前記マスクと前記集合基板とを重ね合わせる重合わせ工程と、
前記マスクの開口部に前記半導体発光素子を配置する配置工程と、
前記マスクを前記集合基板に重ね合わせたまま前記半導体発光素子を加圧及び加熱して
前記集合基板に接合する接合工程と
を有することを特徴とする。
【００１３】
前記配置工程において前記開口部に半導体発光素子を配置したあと、前記マスクを集合基板に重ね合わせたまま該集合基板を傾斜させ、前記半導体発光素子を前記開口部のコーナーに寄せても良い。
【００１４】
前記接合工程において前記半導発光体素子の上または前記集合基板の下に緩衝シートを挿入し加圧及び加熱しても良い。
【００１５】
前記半導体発光素子が電解メッキ法により形成された金バンプを備え、前記接合工程において金錫共晶結合により前記半導体発光素子と前記集合基板の電極同士が接合しても良い。
【発明の効果】
【００１６】
マスクと集合基板とはマークなどふつうに知られた方法で簡単に重ね合わせできる。これで半導体発光装置が実装される集合基板の領域とマスクの開口部とが一致するので、半導体発光素子をマスクの開口部に落とし込んでやると、半導体発光素子の電極と集合基板の電極との位置合わせが達成される。このように集合基板が平坦であってもマスク開口部に半導体発光素子を落とし込むだけで精度の良い位置合わせが可能となる。さらにマスクは半導体発光素子よりも薄ので、マスクを集合基板に重ね合わせたまま半導体発光素子を加圧及び加熱してしまうことが可能となり、半導体発光素子と集合基板の電極同士の位置合わせから接合までの工程が短い。
【００１７】
以上のように本発明は、平坦な集合基板に対して半導体発光素子と集合基板の電極同士の位置合わせが簡単で、この位置あわせが完了してから半導体発光素子と集合基板とを接合させるまでの工程が短い半導体発光装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態の製造方法で製造されるＬＥＤ装置の斜視図。
【図２】図１のＬＥＤ装置の斜視図。
【図３】図２のＬＥＤ素子をバンプ面から見た平面図。
【図４】図２のＬＥＤ素子と回路基板の接合前の断面図。
【図５】図２のＬＥＤ素子と回路基板の接合後の断面図。
【図６】図４のＢで囲んだ領域の拡大図。
【図７】図５のＣで囲んだ領域の拡大図。
【図８】第１実施形態の製造方法の説明図。
【図９】第１実施形態の製造方法で使用するマスクの一部分を示す平面図。
【図１０】第１実施形態の製造方法で使用する集合基板の一部分を示す平面図。
【図１１】本発明の第２実施形態の配置工程でＬＥＤ素子の配置状況を示す平面図。
【図１２】本発明の第３実施形態の接合工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（第１実施形態）
以下、添付図面１〜１０を参照しながら、本発明の第１実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。
【００２０】
先ず図１〜７によりＬＥＤ装置（半導体発光装置）、及びＬＥＤ素子（半導体発光素子）と回路基板（基板領域）及びそれらの接合について説明する。
【００２１】
図１により本実施形態の製造方法で得られるＬＥＤ装置の外観を説明する。図１はこのＬＥＤ装置の斜視図である。ＬＥＤ装置１０は回路基板１２の上に蛍光体を含有した樹脂層１１が積層している。
【００２２】
図２により図１のＬＥＤ装置１０に実装されるＬＥＤ素子１３（半導体発光素子）の実装状況を概説する。図２は図１のＬＥＤ装置１０から樹脂層１１を取り除いた状態のＬＥＤ装置２０の斜視図である。回路基板１２の板材１６上には＋電極１５と−電極１４が形成されている。さらにその上にはＬＥＤ素子１３がフリップチップ実装されている。このＬＥＤ素子１３のｐ電極（図示せず）とｎ電極（図示せず）はそれぞれ＋電極１５と−電極１４に接続している。
【００２３】
図３によりＬＥＤ素子１３の電極面を説明する。図３はＬＥＤ素子１３を電極面側から
眺めた平面図である。サファイア基板３１の内側には半導体層３６の占める領域がある。ここで半導体層３６の占める領域には、ｐ型半導体領域３２とｎ型半導体領域３３があり、ｐ型半導体領域３２の欠けた部分から露出しているｎ半導体層表面がｎ型半導体領域３３である。ｐ型半導体領域３２の内側にはバンプ３４（ｐ電極）があり、同様にｎ型半導体領域３３の内側にはバンプ３５（ｎ電極）がある。
【００２４】
図４によりＬＥＤ素子１３と回路基板１２の断面を説明する。図４は、図２及び図３のＡ−Ａ線に沿う接合前の断面図である。なお本実施形態の製造工程ではＬＥＤ素子１３を集合基板に実装するので、図４は説明のため便宜的に個別のＬＥＤ素子１３と回路基板１２を近接させたものである。また図２及び図３において、ＬＥＤ素子１３のバンプ３５と回路基板１２のスルーホール電極１４ａ，１５ａを同時に図示させるためＡ−Ａ線を屈曲させた。
【００２５】
ＬＥＤ素子１３側では、サファイア基板３１の下面に形成された半導体層３６にバンプ３４，３５が付着している。サファイア基板３１は厚さが１００〜１５０μｍ、半導体層３６は厚さが５μｍ程度、バンプ３４，３５は厚さが１０〜１５μｍである。半導体層３６はｎ型半導体層（図示せず）とｐ型半導体層（図示せず）を積層したものであり、図２のｐ型半導体領域３２は半導体層３６の凸部に相当し、ｎ型半導体領域３３は半導体層３６の段差部に相当する。段差部は、ｐ型半導体層の一部を削ってｎ型半導体層を露出させた領域であり、その段差は１μｍ程度である。また発光層（図示せず）は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の境界部にあり、平面的には概ねｐ型半導体領域３２に等しい。
【００２６】
回路基板１２側では、板材１６の上面に＋電極１５と−電極１４、下面にはマザー基板の電極と接続するための出力電極１５ｂ，１４ｂが形成され、＋電極１５と出力電極１５ｂ，−電極１４と出力電極１４ｂがそれぞれスルーホール電極１５ａ，１４ａで接続している。板材１６は厚さが３００μｍでＢＴレジン（三菱瓦斯化学の商標名であり、ビスマレイミドトリアジン樹脂等からなる熱硬化性樹脂）からなる。＋及び−電極１５，１４と出力電極１５ｂ，１４ｂはニッケルと金を積層した銅箔である。スルーホール電極１５ａ，１４ａは直径が２００μｍで銅が充填されている。
【００２７】
図５は、図２及び図３のＡ−Ａ線に沿うＬＥＤ装置２０の断面図（接合後）である。図４では段差に対応してバンプ３４とバンプ３５の底面の位置が１μｍ程度違っていた。しかし接合工程において加圧しながら加熱するため、図４のように接合後はそれぞれバンプ３４，３５の底面の高さが揃う。
【００２８】
図６によりバンプ３４と＋電極１５の詳細な構造を説明する。図６は図４のＢで囲んだ領域の拡大図である。半導体層３６は、ＧａＮ層６１、反射膜として機能する銀層（以下Ａｇ層と呼ぶ）６２、金層（以下Ａｕ層と呼ぶ）６３、保護膜６４を含んでいる。Ａｕ層６３を被覆する保護膜６４は一部が開口し、この開口部（周辺を含む）にバンプ３４が付着している。バンプ３４は、半導体層３６側からＵＢＭ（アンダーバンプメタル）層６５、金バンプ部６６、錫層（以下Ｓｎ層と呼ぶ）６７、Ａｕ層６８が積層している。ＵＢＭ層４５は、金バンプ部６６、Ｓｎ層６７、Ａｕ層６８を電解メッキ法で形成するためウェハー全体に形成されていた共通電極がバンプ３４の分離時に残ったものであり、厚さが２００ｎｍのＴｉＷ層と、厚さが１００ｎｍのＡｕ層からなっている。金バンプ部６６は厚さが１０μｍ程度であるのに対し、Ｓｎ層６７は厚さが１〜２μｍ、Ａｕ層６８は厚さが０．５〜１μｍである。回路基板１２の＋電極１５は、Ｎｉ層を備えた厚さが１０〜２０μｍの銅箔７２と、厚さが５０ｎｍ程度のＡｕ層７１とが積層している。
【００２９】
図７で共晶接合を説明する。図７は図５のＣで囲んだ領域の拡大図である。バンプ３４と＋電極１５とを接触させ、加熱するとＳｎ層６７が約２３０℃で融解し、さらに温度を
上昇させるとＳｎ層６７に金バンプ部６６の底面及びＡｕ層６８，７１から金が溶け出す。加熱を止め冷却するとＳｎ層６７及び金バンプ部６６の一部とＡｕ層６８，７１は融点が３００℃〜４２０℃のＡｕ−Ｓｎ共晶部７３となる。この共晶接合は２５０℃前後のリフロー温度では融解しないのでＬＥＤ装置１０をマザー基板に実装するさい有利となる。
【００３０】
以上、本実施形態で製造するＬＥＤ装置１０と、ＬＥＤ素子１３と回路基板１２との接合について説明してきた。ひき続き、図８〜図１０により本実施形態の製造方法に係わる事項を説明する。
【００３１】
図８により本実施形態の製造方法を説明する。図８は本実施形態の製造方法の説明図であり、（ａ）〜（ｇ）の各工程において集合基板８４（ないし回路基板１２）が含まれるようにした断面図によりその工程の特徴的な状況を示した。
【００３２】
（ａ）は、マスク８１と集合基板８４の準備工程を示している。マスク８１は、ＬＥＤ素子１３が実装される集合基板８４の領域に対応して開口部８２を有し、ＬＥＤ素子１３よりも薄い。集合基板８４の上面には回路基板領域毎に＋及び−電極１５，１４が形成されている。また集合基板８４の周辺部には加熱すると接着力を失う接着材８３を塗布しておく。
【００３３】
（ｂ）は、マスク８１と集合基板８４の重合わせ工程を示している。まず集合基板８４をＸＹステージ８５上に置き、マスク８１と集合基板８４をマーク（図示せず）を使って相対的な位置を合わせる。このときマスク８１の開口部８２とＬＥＤ素子１３を実装する集合基板８４の領域が平面的に重なり合う。次にマスク８１と集合基板８４とを接着材８３で固定する。
【００３４】
（ｃ）は、マスク８１の開口部８２にＬＥＤ素子１３を配置する配置工程を示している。まずマスク８１が固定された集合基板８４を振動台８６上に置く。次に各開口部８２にＬＥＤ素子１３を配置する。すなわち、ＬＥＤ素子１３はウェハーが切り込まれた状態で拡張シート（図示せず）に貼り付いており、ＬＥＤ素子１３を開口部８２近傍まで移動し、拡張シートの裏面からピン（図示せず）でＬＥＤ素子１３を押し、ＬＥＤ素子１３を剥がしながら開口部８２の近傍にＬＥＤ素子１３を落とし、さらに振動を加えＬＥＤ素子１３を開口部８２に落とし込む。ここで開口部８２周辺は斜面になっているのでＬＥＤ素子１３は滑りながら開口部８２に落とし込まれる。なお真空ノズルで素子を取り上げ、この真空ノズルを移動し素子を別の場所に配置するピッカーやソータと呼ばれる装置を使う場合、拡張シートから別のシートにＬＥＤ素子１３を転写し、ＬＥＤ素子１３の表裏反転してから、この装置でＬＥＤ素子１３を開口部８２の近傍に置き、振動を加えて開口部８２に落とし込めば良い。
【００３５】
（ｄ）は、ＬＥＤ素子１３と集合基板８４との接合工程を示している。マスク８１が固着しＬＥＤ素子１３が配置された集合基板８４を加熱台８８上に置き、マスク８１を集合基板８４に重ね合わせたままＬＥＤ素子１３を加圧ヘッド８７で加圧する。このときの圧力は１個のＬＥＤ素子１３あたり１０ｇｗ程度である。続いて加熱台８８を加熱してＳｎ層６７を融解しＡｕをＳｎ層６７に溶かし込む。このとき接合部の温度２８０℃が１０秒程維持できるようにする。加熱が終わり集合基板８４が冷却したら加圧を止め集合基板８４を取り出す。なおマスク８１と集合基板８４とは、例えば同じ材料を使ったりして、出来る限り熱膨張率を等しくしておく。
【００３６】
（ｅ）は、マスク８１を外し集合基板８４とＬＥＤ素子１３だけする工程を示している。なお接着材８３は加熱すると接着力がなくなるので、接合工程の後では集合基板８４から簡単にマスク８１が外せるようになる。
【００３７】
（ｆ）は、集合基板８４上に樹脂層８９を形成する工程を示している。（ｅ）の状態の集合基板８４を金型に装填し、金型に樹脂を注入して樹脂層８９を形成する。なおこの樹脂層８９はＬＥＤ装置１０が白色発光するように蛍光体を含有している。
【００３８】
（ｇ）は、集合基板８４を個片化する工程を示している。樹脂層８９が形成された集合基板８４をダイシングする。これで個別のＬＥＤ装置１０が得られる。
【００３９】
ここで図９と図１０により、図８にあったマスク８１と集合基板８４について説明する。図９はマスク８１の一部分を拡大した平面図である。マスク８１は開口部８２と開口部８２をとり囲む斜面部９１を備え、開口部８２は縦横に配列している。
【００４０】
図１０は集合基板８４の一部分を拡大した平面図である。集合基板８４は点線で示した切断線９２により個々の回路基板１２（個別の基板領域）に分割される。各回路基板１２に相当する領域には＋電極１５と−電極１４が形成されている。同様に各領域には出力電極１５ｂ，１４ｂ（図示せず）とスルーホール電極１５ａ，１４ａ（図示せず）も形成されている。参考のためひとつの回路基板領域にＬＥＤ素子１３が実装される領域１３ａを点線で示した。これから分かるように−電極１４の凸部にバンプ３５が接合する。
（第２実施形態）
【００４１】
以下、添付図面１１を参照しながら、本発明の第２実施形態について詳細に説明する。図１１は、第２実施形態の配置工程でＬＥＤ素子１３の配置状況を示す平面図である。なお、ＬＥＤ素子１３、接着材８３（図示せず）、集合基板８４（図示せず）は第１実施形態と同一である。マスク９５には方形の開口部９７と開口部９７をとり囲む傾斜部９６が縦横に配列しており、各開口部９７にはＬＥＤ素子１３が配置されている。第１実施形態で使用したマスク８１と比べると、本実施形態で使用するマスク９５は開口部９７が大きくなっており、また全てのＬＥＤ素子１３は開口部９７の右下のコーナーに寄っている。
【００４２】
マスク９５と集合基板８４を重ね合わせてから開口部９７にＬＥＤ素子１３を配置するところまでは第１実施形態と同等である。本実施形態では、ＬＥＤ素子１３をいったん開口部９７に配置し終わったら、集合基板８４を傾斜させＬＥＤ素子１３を開口部９７の一つのコーナーに寄せ、このコーナーにＬＥＤ素子１３を寄せたまま接合工程に進む。その後、第１実施形態と同じ工程で個片のＬＥＤ装置１０を得る。なお、ＬＥＤ素子１３がコーナーに寄ったとき電極同士の位置が合うようマスク９５及び開口部９７を設定する。
【００４３】
ＬＥＤ素子１３の外形サイズは一定の範囲内でばらつくので、第１実施形態では開口部８２を最大の素子サイズに設定しておかなければならない。このときサイズの小さいＬＥＤ素子１３が開口部８２のなかで多少動いてしまっても許容するものとしている。これに対し本実施形態のように全てのＬＥＤ素子１３を開口部９７のコーナーに寄せておけば、開口部９７に対するＬＥＤ素子１３の実装位置が確定するから実装品質等に対する管理性が上がる。さらにＬＥＤ素子１３のようにｎ電極用のバンプ３５がＬＥＤ素子１３のコーナーにある場合、寄せようとする開口部９７のコーナーとバンプ３５のあるＬＥＤ素子１３のコーナーを一致させれば電極接続精度が向上する。
（第３実施形態）
【００４４】
以下、添付図面１２を参照しながら、本発明の第３実施形態について詳細に説明する。図１２は、第３実施形態の接合工程の説明図である。なお、ＬＥＤ素子１３、マスク８１、接着材８３、集合基板８４、加圧ヘッド８７、加熱台８８は第１実施形態と同一であり、準備工程、重合わせ工程、配置工程も第１実施形態（図８（ａ）から（ｃ））と同一なので重複する説明は省略する。
【００４５】
図１２は接合工程の説明図である。集合基板８４にはマスク８１が固定され、マスク８１の開口部８２にＬＥＤ素子１３が配置されている。この集合基板８４は、加圧ヘッド８７と加熱台８８に挟まれている。第１実施形態と相違する点は、集合基板８４の上部をテフロン（登録商標）からなる緩衝シート９８が覆っているところである。
【００４６】
ＬＥＤ素子１３は、素子毎にサファイア基板３１の厚さやバンプなど他の高さが一定であるとは限らない。このばらつきの一部分はバンプ３４，３５が溶融して変形することで吸収できるが、さらに緩衝シート９８を追加すれば、緩衝シート９８の弾性でこのばらつきの影響が緩和（緩衝）され接合が安定化する。また集合基板８４の下に緩衝シートを挿入しても良く、この場合は主に集合基板８４の非平坦性の影響を吸収する。同様に集合基板８４の上下に緩衝シートを挿入しても良い。
【００４７】
第１〜３実施形態ではＸＹステージ８５、振動台８６、加熱台８８を別々のものとしていた。しかしこれらの何れか二つ、または全てを一体化しても良い。
【００４８】
第１〜３実施形態ではバンプ３４，３５が形成されたＬＥＤ素子１３をフリップチップ実装していた。本発明の半導体発光装置の製造方法では、フリップチップ実装用バンプは半導体発光素子側に形成するばかりでなく回路基板側に形成しても良い。またバンプの主成分も金とするものだけでなく半田など他の金属や合金であっても良い。
【００４９】
しかしながら電解メッキ法により形成する金バンプは、前述のように金錫共晶接合が採用できるため半導体発光装置のリフロー時に有利となる。さらにこの金バンプはホトリソグラフィ法を使い平面形状を任意にできるため、半導体発光素子の外形を基準にして電極同士の位置合わせを行なっても高い放熱効率を維持できる。つまり高精度で位置合わせが可能な装置を使用しないため多少位置合わせ精度が低下しても、第１〜３実施形態のようにＬＥＤ素子１３の発熱量の多い領域（発光層）に接するバンプ３４の面積を大きくすることで熱を回路基板側に効率よく伝えられる。
【符号の説明】
【００５０】
１０，２０…ＬＥＤ装置（半導体光学素子）
１１，８９…樹脂層
１２…回路基板（個別の基板領域）
１３…ＬＥＤ素子（半導体発光素子）
１３ａ…ＬＥＤ素子の実装領域
１４…−電極
１４ａ，１５ａ…スルーホール電極
１４ｂ，１５ｂ…出力電極
１５…＋電極
１６…板材
３１…サファイア基板
３２…ｐ型半導体領域
３３…ｎ型半導体領域
３４，３５…バンプ
３６…半導体層
６１…ＧａＮ層
６２…Ａｇ層
６３，６８，７１…Ａｕ層
６４…保護膜
６５…ＵＢＭ（アンダーバンプメタル）層
６６…金バンプ部
６７…Ｓｎ層
７２…銅箔
７３…Ａｕ−Ｓｎ共晶部
８１，９５…マスク
８２，９７…開口部
８３…接着材
８４…集合基板
８５…ＸＹステージ
８６…振動台
８７…加圧ヘッド
８８…加熱台
９１，９６…斜面部
９２…切断線
９８…緩衝シート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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