(57)【要約】【課題】パッケージの納入先である顧客での実装負担を軽減することができる技術を提供する。【解決手段】金属基板ＭＢ上に絶縁接着シートＩＡＳを介して単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２とを一緒に搭載することにより、１つの複合パッケージＣＰＡＣ１を形成する。これにより、６つの単体パッケージを実装する場合に比べて、３つの複合パッケージＣＰＡＣ１を実装する場合のほうが、実装するパッケージの数が少なくなるので、顧客での実装負担を軽減することができる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１スイッチング素子を形成した第１半導体チップと第１ダイオードを形成した第１ダイオードチップとを第１封止体で封止した第１パッケージと、第２スイッチング素子を形成した第２半導体チップと第２ダイオードを形成した第２ダイオードチップとを第２封止体で封止した第２パッケージとを備え、
前記第１パッケージは、
（ａ１）前記第１封止体の第１辺から突き出た第１外部接続用エミッタ電極と、
（ａ２）前記第１封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第１外部接続用コレクタ電極と、
（ａ３）前記第１封止体の前記第１辺から突き出た第１外部接続用ゲート電極と、を有し、
前記第２パッケージは、
（ｂ１）前記第２封止体の第１辺から突き出た第２外部接続用エミッタ電極と、
（ｂ２）前記第２封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第２外部接続用コレクタ電極と、
（ｂ３）前記第２封止体の前記第１辺から突き出た第２外部接続用ゲート電極と、を有する半導体装置であって、
（ｃ）表面に絶縁層を形成した金属基板と、
（ｄ）前記絶縁層上に絶縁接着層を介して搭載された前記第１パッケージと、
（ｅ）前記絶縁層上に前記絶縁接着層を介して搭載された前記第２パッケージと、
（ｆ）前記金属基板に形成された金属基板固定用ねじ止め穴と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記金属基板の領域のうち、前記第１パッケージと前記第２パッケージを搭載した領域の外側領域に前記金属基板固定用ねじ止め穴が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記金属基板の領域のうち、前記第１パッケージを搭載した領域と前記第２パッケージを搭載した領域の間の領域に前記金属基板固定用ねじ止め穴が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記第１封止体の前記第１辺から突き出た前記第１外部接続用エミッタ電極と、前記第２封止体の前記第２辺から突き出た前記第２外部接続用コレクタ電極とが、前記金属基板の同じ辺側に隣接して配置されるように、前記第１パッケージと前記第２パッケージが前記絶縁接着層上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記絶縁接着層は、ベース樹脂層にフィラーが充填されている層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置であって、
前記ベース樹脂層は、エポキシ樹脂あるいはシリコーン樹脂から形成されており、
前記フィラーは、酸化アルミニウムあるいは窒化ホウ素から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記第１半導体チップおよび前記第１ダイオードチップが搭載され、かつ、前記第１外部接続用コレクタ電極と電気的に接続されている第１ヒートスプレッダの底面が前記第１封止体の底面から露出し、
前記第２半導体チップおよび前記第２ダイオードチップが搭載され、かつ、前記第２外部接続用コレクタ電極と電気的に接続されている第２ヒートスプレッダの底面が前記第２封止体の底面から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置であって、
前記第１半導体チップおよび前記第１ダイオードチップと直接的あるいは間接的に接続され、かつ、前記第１外部接続用エミッタ電極と電気的に接続されている第１導体部の上面が前記第１封止体の底面と対向する上面から露出し、
前記第２半導体チップおよび前記第２ダイオードチップと直接的あるいは間接的に接続され、かつ、前記第２外部接続用エミッタ電極と電気的に接続されている第２導体部の上面が前記第２封止体の底面と対向する上面から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１スイッチング素子を形成した第１半導体チップと第１ダイオードを形成した第１ダイオードチップとを第１封止体で封止した第１パッケージと、第２スイッチング素子を形成した第２半導体チップと第２ダイオードを形成した第２ダイオードチップとを第２封止体で封止した第２パッケージとを備え、
前記第１パッケージは、
（ａ１）前記第１封止体の第１辺から突き出た第１外部接続用エミッタ電極と、
（ａ２）前記第１封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第１外部接続用コレクタ電極と、
（ａ３）前記第１封止体の前記第１辺から突き出た第１外部接続用ゲート電極と、を有し、
前記第２パッケージは、
（ｂ１）前記第２封止体の第１辺から突き出た第２外部接続用エミッタ電極と、
（ｂ２）前記第２封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第２外部接続用コレクタ電極と、
（ｂ３）前記第２封止体の前記第１辺から突き出た第２外部接続用ゲート電極と、を有する半導体装置であって、
（ｃ）金属基板と、
（ｄ）前記金属基板上に搭載された第１絶縁シートと、
（ｅ）前記第１絶縁シート上に搭載された前記第１パッケージと、
（ｆ）前記第１絶縁シート上に搭載された前記第２パッケージと、
（ｇ）前記第１パッケージ上と前記第２パッケージ上にわたって配置された押さえ板と、
（ｈ）前記金属基板に形成された金属基板固定用ねじ止め穴と、
（ｉ）前記金属基板に形成された第１押さえ板固定用ねじ止め穴と、
（ｊ）前記押さえ板に形成された第２押さえ板固定用ねじ止め穴と、
（ｋ）前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴と前記第２押さえ板固定用ねじ止め穴の両方に挿入され、前記押さえ板を前記金属基板に固定する押さえ板固定用ねじ、とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置であって、
前記金属基板の領域のうち、前記第１パッケージと前記第２パッケージを搭載した領域の外側領域に、前記金属基板固定用ねじ止め穴と、前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴が形成され、
前記押さえ板の領域のうち、前記金属基板に形成されている前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴と平面的に重なる領域に、前記第２押さえ板固定用ねじ止め穴が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体装置であって、
前記金属基板の領域のうち、前記第１パッケージを搭載した領域と前記第２パッケージを搭載した領域の間の領域に、前記金属基板固定用ねじ止め穴と、前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴が形成され、
前記押さえ板の領域のうち、前記金属基板に形成されている前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴と平面的に重なる領域に、前記第２押さえ板固定用ねじ止め穴が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９記載の半導体装置であって、
前記第１封止体の前記第１辺から突き出た前記第１外部接続用エミッタ電極と、前記第２封止体の前記第２辺から突き出た前記第２外部接続用コレクタ電極とが、前記金属基板の同じ辺側に隣接して配置されるように、前記第１パッケージと前記第２パッケージが前記金属基板上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項９記載の半導体装置であって、
前記第１絶縁シートは、ベース樹脂にフィラーが充填されているシートであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置であって、
前記ベース樹脂は、エポキシ樹脂あるいはシリコーン樹脂から形成されており、
前記フィラーは、酸化アルミニウムあるいは窒化ホウ素から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項９記載の半導体装置であって、
前記第１半導体チップおよび前記第１ダイオードチップが搭載され、かつ、前記第１外部接続用コレクタ電極と電気的に接続されている第１ヒートスプレッダの底面が前記第１封止体の底面から露出し、
前記第２半導体チップおよび前記第２ダイオードチップが搭載され、かつ、前記第２外部接続用コレクタ電極と電気的に接続されている第２ヒートスプレッダの底面が前記第２封止体の底面から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置であって、
前記第１半導体チップおよび前記第１ダイオードチップと直接的あるいは間接的に接続され、かつ、前記第１外部接続用エミッタ電極と電気的に接続されている第１導体部の上面が前記第１封止体の底面と対向する上面から露出し、
前記第２半導体チップおよび前記第２ダイオードチップと直接的あるいは間接的に接続され、かつ、前記第２外部接続用エミッタ電極と電気的に接続されている第２導体部の上面が前記第２封止体の底面と対向する上面から露出しており、
前記第１パッケージの上面と前記押さえ板の間、および、前記第２パッケージの上面と前記押さえ板の間には、第２絶縁シートが配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
（ａ）第１スイッチング素子を形成した第１半導体チップと第１ダイオードを形成した第１ダイオードチップとを第１封止体で封止した第１パッケージを用意する工程と、
（ｂ）第２スイッチング素子を形成した第２半導体チップと第２ダイオードを形成した第２ダイオードチップとを第２封止体で封止した第２パッケージを用意する工程と、
（ｃ）表面に絶縁層を形成した金属基板を用意する工程と、
（ｄ）前記金属基板に形成した前記絶縁層上に絶縁接着層を形成する工程と、
（ｅ）前記絶縁接着層上に前記第１パッケージおよび前記第２パッケージを搭載する工程と、
（ｆ）前記絶縁接着層を硬化することにより、前記絶縁層と前記第１パッケージ、および前記絶縁層と前記第２パッケージとを接着する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１パッケージは、前記第１封止体の第１辺から突き出た第１外部接続用エミッタ電極と、前記第１封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第１外部接続用コレクタ電極と、前記第１封止体の前記第１辺から突き出た第１外部接続用ゲート電極とを有し、
前記第２パッケージは、前記第２封止体の第１辺から突き出た第２外部接続用エミッタ電極と、前記第２封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第２外部接続用コレクタ電極と、前記第２封止体の前記第１辺から突き出た第２外部接続用ゲート電極とを有し、
前記（ｅ）工程は、前記第１封止体の前記第１辺から突き出た前記第１外部接続用エミッタ電極と、前記第２封止体の前記第２辺から突き出た前記第２外部接続用コレクタ電極とが、前記金属基板の同じ辺側に隣接して配置されるように、前記第１パッケージと前記第２パッケージを前記絶縁接着層上に配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
（ａ）第１スイッチング素子を形成した第１半導体チップと第１ダイオードを形成した第１ダイオードチップとを第１封止体で封止した第１パッケージを用意する工程と、
（ｂ）第２スイッチング素子を形成した第２半導体チップと第２ダイオードを形成した第２ダイオードチップとを第２封止体で封止した第２パッケージを用意する工程と、
（ｃ）金属基板固定用ねじ止め穴と第１押さえ板固定用ねじ止め穴が形成された金属基板を用意する工程と、
（ｄ）前記金属基板上に絶縁シートを搭載する工程と、
（ｅ）前記絶縁シート上に前記第１パッケージおよび前記第２パッケージを搭載する工程と、
（ｆ）前記第１パッケージ上および前記第２パッケージ上にわたって、第２押さえ板固定用ねじ止め穴が形成された押さえ板を搭載し、前記第２押さえ板固定用ねじ止め穴が平面的に前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴と重なるように前記押さえ板を配置する工程と、
（ｇ）前記第２押さえ板固定用ねじ止め穴と前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴に押さえ板固定用ねじを挿入して、前記押さえ板を前記金属基板に固定する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１パッケージは、前記第１封止体の第１辺から突き出た第１外部接続用エミッタ電極と、前記第１封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第１外部接続用コレクタ電極と、前記第１封止体の前記第１辺から突き出た第１外部接続用ゲート電極とを有し、
前記第２パッケージは、前記第２封止体の第１辺から突き出た第２外部接続用エミッタ電極と、前記第２封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第２外部接続用コレクタ電極と、前記第２封止体の前記第１辺から突き出た第２外部接続用ゲート電極とを有し、
前記（ｅ）工程は、前記第１封止体の前記第１辺から突き出た前記第１外部接続用エミッタ電極と、前記第２封止体の前記第２辺から突き出た前記第２外部接続用コレクタ電極とが、前記金属基板の同じ辺側に隣接して配置されるように、前記第１パッケージと前記第２パッケージを前記絶縁シート上に配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
第１スイッチング素子を形成した第１半導体チップと第１ダイオードを形成した第１ダイオードチップとを第１封止体で封止した第１パッケージと、第２スイッチング素子を形成した第２半導体チップと第２ダイオードを形成した第２ダイオードチップとを第２封止体で封止した第２パッケージとを備え、
前記第１パッケージは、
前記第１封止体の第１辺から突き出た第１外部接続用エミッタ電極と、
前記第１封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第１外部接続用コレクタ電極と、
前記第１封止体の前記第１辺から突き出た第１外部接続用ゲート電極と、を有し、
前記第２パッケージは、
前記第２封止体の第１辺から突き出た第２外部接続用エミッタ電極と、
前記第２封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第２外部接続用コレクタ電極と、
前記第２封止体の前記第１辺から突き出た第２外部接続用ゲート電極と、を有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記第１半導体チップおよび前記第１ダイオードチップが搭載され、かつ、前記第１外部接続用コレクタ電極と電気的に接続されている第１ヒートスプレッダの底面が前記第１封止体の底面から露出し、前記第１半導体チップおよび前記第１ダイオードチップと直接的あるいは間接的に接続され、かつ、前記第１外部接続用エミッタ電極と電気的に接続されている第１導体部の上面が前記第１封止体の底面と対向する上面から露出している第１パッケージを用意する工程と、
（ｂ）前記第２半導体チップおよび前記第２ダイオードチップが搭載され、かつ、前記第２外部接続用コレクタ電極と電気的に接続されている第２ヒートスプレッダの底面が前記第２封止体の底面から露出し、前記第２半導体チップおよび前記第２ダイオードチップと直接的あるいは間接的に接続され、かつ、前記第２外部接続用エミッタ電極と電気的に接続されている第２導体部の上面が前記第２封止体の底面と対向する上面から露出している第２パッケージを用意する工程と、
（ｃ）金属基板固定用ねじ止め穴と第１押さえ板固定用ねじ止め穴が形成された金属基板を用意する工程と、
（ｄ）前記金属基板上に第１絶縁シートを搭載する工程と、
（ｅ）前記第１絶縁シート上に前記第１パッケージの底面および前記第２パッケージの底面が接触するように、前記第１パッケージおよび前記第２パッケージを搭載する工程と、
（ｆ）前記第１パッケージの上面上および前記第２パッケージの上面上にわたって、第２絶縁シートを搭載する工程と、
（ｇ）前記第２絶縁シート上に、第２押さえ板固定用ねじ止め穴が形成された押さえ板を搭載し、前記第２押さえ板固定用ねじ止め穴が平面的に前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴と重なるように前記押さえ板を配置する工程と、
（ｈ）前記第２押さえ板固定用ねじ止め穴と前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴に押さえ板固定用ねじを挿入して、前記押さえ板を前記金属基板に固定する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｅ）工程は、前記第１封止体の前記第１辺から突き出た前記第１外部接続用エミッタ電極と、前記第２封止体の前記第２辺から突き出た前記第２外部接続用コレクタ電極とが、前記金属基板の同じ辺側に隣接して配置されるように、前記第１パッケージと前記第２パッケージを前記第１絶縁シート上に配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
第１スイッチング素子を形成した第１半導体チップと第１ダイオードを形成した第１ダイオードチップとを第１封止体で封止した第１パッケージと、第２スイッチング素子を形成した第２半導体チップと第２ダイオードを形成した第２ダイオードチップとを第２封止体で封止した第２パッケージとを備え、
前記第１パッケージは、
（ａ１）前記第１封止体の第１辺から突き出た第１外部接続用ソース電極と、
（ａ２）前記第１封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第１外部接続用ドレイン電極と、
（ａ３）前記第１封止体の前記第１辺から突き出た第１外部接続用ゲート電極と、を有し、
前記第２パッケージは、
（ｂ１）前記第２封止体の第１辺から突き出た第２外部接続用ソース電極と、
（ｂ２）前記第２封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第２外部接続用ドレイン電極と、
（ｂ３）前記第２封止体の前記第１辺から突き出た第２外部接続用ゲート電極と、を有する半導体装置であって、
（ｃ）表面に絶縁層を形成した金属基板と、
（ｄ）前記絶縁層上に絶縁接着層を介して搭載された前記第１パッケージと、
（ｅ）前記絶縁層上に前記絶縁接着層を介して搭載された前記第２パッケージと、
（ｆ）前記金属基板に形成された金属基板固定用ねじ止め穴と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
第１スイッチング素子を形成した第１半導体チップと第１ダイオードを形成した第１ダイオードチップとを第１封止体で封止した第１パッケージと、第２スイッチング素子を形成した第２半導体チップと第２ダイオードを形成した第２ダイオードチップとを第２封止体で封止した第２パッケージとを備え、
前記第１パッケージは、
（ａ１）前記第１封止体の第１辺から突き出た第１外部接続用ソース電極と、
（ａ２）前記第１封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第１外部接続用ドレイン電極と、
（ａ３）前記第１封止体の前記第１辺から突き出た第１外部接続用ゲート電極と、を有し、
前記第２パッケージは、
（ｂ１）前記第２封止体の第１辺から突き出た第２外部接続用ソース電極と、
（ｂ２）前記第２封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第２外部接続用ドレイン電極と、
（ｂ３）前記第２封止体の前記第１辺から突き出た第２外部接続用ゲート電極と、を有する半導体装置であって、
（ｃ）金属基板と、
（ｄ）前記金属基板上に搭載された第１絶縁シートと、
（ｅ）前記第１絶縁シート上に搭載された前記第１パッケージと、
（ｆ）前記第１絶縁シート上に搭載された前記第２パッケージと、
（ｇ）前記第１パッケージ上と前記第２パッケージ上にわたって配置された押さえ板と、
（ｈ）前記金属基板に形成された金属基板固定用ねじ止め穴と、
（ｉ）前記金属基板に形成された第１押さえ板固定用ねじ止め穴と、
（ｊ）前記押さえ板に形成された第２押さえ板固定用ねじ止め穴と、
（ｋ）前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴と前記第２押さえ板固定用ねじ止め穴の両方に挿入され、前記押さえ板を前記金属基板に固定する押さえ板固定用ねじと、を備えることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、例えば、車載用のモータ制御に使用される半導体装置およびその製造に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００８−２１７９６号公報（特許文献１）には、ＩＧＢＴを形成したＩＧＢＴチップと、ダイオードを形成したダイオードチップとを１つの封止体で封止したパッケージが記載されている。
【０００３】
特開２００４−１６５２８１号公報（特許文献２）には、パワー半導体チップが上面上に搭載されたヒートシンクの底部が露出するように、ヒートシンクとパワー半導体チップを封止して封止体を構成し、この封止体の底面から露出するヒートシンクに接触するように、金属層と絶縁樹脂層からなる絶縁シートを固着する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２１７９６号公報
【特許文献２】特開２００４−１６５２８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、３相モータの各相には、スイッチング素子として、２つのＩＧＢＴと２つのダイオード（フリーホイールダイオード）が接続される。すなわち、３相モータには、６つのＩＧＢＴと６つのダイオードが接続される。ここで、例えば、１つのＩＧＢＴと１つのダイオードを１パッケージ化したパッケージを使用する場合、３相モータには、このパッケージが６つ必要となる。このパッケージは、車載用のモータ制御に使用する顧客側で車に搭載することになるが、６つのパッケージを実装するには、作業工数が増大するとともに、パッケージを実装するための材料コストが増大する問題点がある。つまり、１つのＩＧＢＴと１つのダイオードを１パッケージ化した単体パッケージを、顧客（例えば、自動車製造会社や自動車用電装部品製造会社等）に納入する場合、顧客での実装負担が大きくなる問題点がある。
【０００６】
本発明の目的は、パッケージの納入先である顧客での実装負担を軽減することができる
技術を提供することにある。
【０００７】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【０００９】
代表的な実施の形態による半導体装置は、第１スイッチング素子を形成した第１半導体チップと第１ダイオードを形成した第１ダイオードチップとを第１封止体で封止した第１パッケージと、第２スイッチング素子を形成した第２半導体チップと第２ダイオードを形成した第２ダイオードチップとを第２封止体で封止した第２パッケージとを備える。前記第１パッケージは、（ａ１）前記第１封止体の第１辺から突き出た第１外部接続用エミッタ電極と、（ａ２）前記第１封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第１外部接続用コレクタ電極と、（ａ３）前記第１封止体の前記第１辺から突き出た第１外部接続用ゲート電極とを有する。前記第２パッケージは、（ｂ１）前記第２封止体の第１辺から突き出た第２外部接続用エミッタ電極と、（ｂ２）前記第２封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第２外部接続用コレクタ電極と、（ｂ３）前記第２封止体の前記第１辺から突き出た第２外部接続用ゲート電極とを有する。このとき、（ｃ）表面に絶縁層を形成した金属基板と、（ｄ）前記絶縁層上に絶縁接着層を介して搭載された前記第１パッケージと、（ｅ）前記絶縁層上に前記絶縁接着層を介して搭載された前記第２パッケージと、（ｆ）前記金属基板に形成された金属基板固定用ねじ止め穴とを備えることを特徴とするものである。
【００１０】
また、代表的な実施の形態による半導体装置は、第１スイッチング素子を形成した第１半導体チップと第１ダイオードを形成した第１ダイオードチップとを第１封止体で封止した第１パッケージと、第２スイッチング素子を形成した第２半導体チップと第２ダイオードを形成した第２ダイオードチップとを第２封止体で封止した第２パッケージとを備える。前記第１パッケージは、（ａ１）前記第１封止体の第１辺から突き出た第１外部接続用エミッタ電極と、（ａ２）前記第１封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第１外部接続用コレクタ電極と、（ａ３）前記第１封止体の前記第１辺から突き出た第１外部接続用ゲート電極とを有する。前記第２パッケージは、（ｂ１）前記第２封止体の第１辺から突き出た第２外部接続用エミッタ電極と、（ｂ２）前記第２封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第２外部接続用コレクタ電極と、（ｂ３）前記第２封止体の前記第１辺から突き出た第２外部接続用ゲート電極とを有する。このとき、（ｃ）金属基板と、（ｄ）前記金属基板上に搭載された第１絶縁シートと、（ｅ）前記第１絶縁シート上に搭載された前記第１パッケージと、（ｆ）前記第１絶縁シート上に搭載された前記第２パッケージとを備える。さらに、（ｇ）前記第１パッケージ上と前記第２パッケージ上にわたって配置された押さえ板と、（ｈ）前記金属基板に形成された金属基板固定用ねじ止め穴と、（ｉ）前記金属基板に形成された第１押さえ板固定用ねじ止め穴と、（ｊ）前記押さえ板に形成された第２押さえ板固定用ねじ止め穴とを備える。そして、（ｋ）前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴と前記第２押さえ板固定用ねじ止め穴の両方に挿入され、前記押さえ板を前記金属基板に固定する押さえ板固定用ねじとを備えることを特徴とするものである。
【００１１】
代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、（ａ）第１スイッチング素子を形成した第１半導体チップと第１ダイオードを形成した第１ダイオードチップとを第１封止体で封止した第１パッケージを用意する工程と、（ｂ）第２スイッチング素子を形成した第２半導体チップと第２ダイオードを形成した第２ダイオードチップとを第２封止体で封止した第２パッケージを用意する工程とを備える。そして、（ｃ）表面に絶縁層を形成した金属基板を用意する工程と、（ｄ）前記金属基板に形成した前記絶縁層上に絶縁接着層を形成する工程とを備える。さらに、（ｅ）前記絶縁接着層上に前記第１パッケージおよび前記第２パッケージを搭載する工程と、（ｆ）前記絶縁接着層を硬化することにより、前記絶縁層と前記第１パッケージ、および前記絶縁層と前記第２パッケージとを接着する工程とを備えることを特徴とするものである。
【００１２】
また、代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、（ａ）第１スイッチング素子を形成した第１半導体チップと第１ダイオードを形成した第１ダイオードチップとを第１封止体で封止した第１パッケージを用意する工程と、（ｂ）第２スイッチング素子を形成した第２半導体チップと第２ダイオードを形成した第２ダイオードチップとを第２封止体で封止した第２パッケージを用意する工程とを備える。そして、（ｃ）金属基板固定用ねじ止め穴と第１押さえ板固定用ねじ止め穴が形成された金属基板を用意する工程と、（ｄ）前記金属基板上に絶縁シートを搭載する工程と、（ｅ）前記絶縁シート上に前記第１パッケージおよび前記第２パッケージを搭載する工程とを備える。さらに、（ｆ）前記第１パッケージ上および前記第２パッケージ上にわたって、第２押さえ板固定用ねじ止め穴が形成された押さえ板を搭載し、前記第２押さえ板固定用ねじ止め穴が平面的に前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴と重なるように前記押さえ板を配置する工程とを備える。続いて、（ｇ）前記第２押さえ板固定用ねじ止め穴と前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴に押さえ板固定用ねじを挿入して、前記押さえ板を前記金属基板に固定する工程とを備えることを特徴とするものである。
【００１３】
また、代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、第１スイッチング素子を形成した第１半導体チップと第１ダイオードを形成した第１ダイオードチップとを第１封止体で封止した第１パッケージと、第２スイッチング素子を形成した第２半導体チップと第２ダイオードを形成した第２ダイオードチップとを第２封止体で封止した第２パッケージとを備える半導体装置の製造方法に関する。具体的に、この半導体装置において、前記第１パッケージは、前記第１封止体の第１辺から突き出た第１外部接続用エミッタ電極と、前記第１封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第１外部接続用コレクタ電極と、前記第１封止体の前記第１辺から突き出た第１外部接続用ゲート電極とを有する。前記第２パッケージは、前記第２封止体の第１辺から突き出た第２外部接続用エミッタ電極と、前記第２封止体の前記第１辺と対向する第２辺から突き出た第２外部接続用コレクタ電極と、前記第２封止体の前記第１辺から突き出た第２外部接続用ゲート電極とを有する。このように構成されている半導体装置の製造方法は、（ａ）前記第１半導体チップおよび前記第１ダイオードチップが搭載され、かつ、前記第１外部接続用コレクタ電極と電気的に接続されている第１ヒートスプレッダの底面が前記第１封止体の底面から露出している第１パッケージを用意する。この第１パッケージは、前記第１半導体チップおよび前記第１ダイオードチップと直接的あるいは間接的に接続され、かつ、前記第１外部接続用エミッタ電極と電気的に接続されている第１導体部の上面が前記第１封止体の底面と対向する上面から露出している。次に、（ｂ）前記第２半導体チップおよび前記第２ダイオードチップが搭載され、かつ、前記第２外部接続用コレクタ電極と電気的に接続されている第２ヒートスプレッダの底面が前記第２封止体の底面から露出している第２パッケージを用意する。この第２パッケージは、前記第２半導体チップおよび前記第２ダイオードチップと直接的あるいは間接的に接続され、かつ、前記第２外部接続用エミッタ電極と電気的に接続されている第２導体部の上面が前記第２封止体の底面と対向する上面から露出している。続いて、（ｃ）金属基板固定用ねじ止め穴と第１押さえ板固定用ねじ止め穴が形成された金属基板を用意する。その後、（ｄ）前記金属基板上に第１絶縁シートを搭載する工程と、（ｅ）前記第１絶縁シート上に前記第１パッケージの底面および前記第２パッケージの底面が接触するように、前記第１パッケージおよび前記第２パッケージを搭載する工程とを備える。さらに、（ｆ）前記第１パッケージの上面上および前記第２パッケージの上面上にわたって、第２絶縁シートを搭載する工程と、（ｇ）前記第２絶縁シート上に、第２押さえ板固定用ねじ止め穴が形成された押さえ板を搭載し、前記第２押さえ板固定用ねじ止め穴が平面的に前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴と重なるように前記押さえ板を配置する工程とを備える。次に、（ｈ）前記第２押さえ板固定用ねじ止め穴と前記第１押さえ板固定用ねじ止め穴に押さえ板固定用ねじを挿入して、前記押さえ板を前記金属基板に固定する工程とを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１５】
複合パッケージ化することにより、パッケージの納入先である顧客が、複数の単体パッケージを実装する必要が無くなるので、顧客の実装負担を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態１における３相モータの回路図を示す図である。
【図２】実施の形態１における単体パッケージを外部表面側から見た斜視図である。
【図３】実施の形態１における単体パッケージを外部裏面側から見た斜視図である。
【図４】単体パッケージの内部を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図６】半導体チップに形成されている回路の一例を示す回路図である。
【図７】実施の形態１における複合パッケージの構成を示す平面図である。
【図８】実施の形態１における複合パッケージの構成を示す側面図である。
【図９】図７のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図１０】変形例における複合パッケージの構成を示す平面図である。
【図１１】変形例における複合パッケージの構成を示す側面図である。
【図１２】実施の形態２における複合パッケージの製造工程を示すフローチャートである。
【図１３】（ａ）は実施の形態２における複合パッケージの製造工程を示す平面図であり、（ｂ）は実施の形態２における複合パッケージの製造工程を示す断面図である。
【図１４】（ａ）は実施の形態２における複合パッケージの製造工程を示す平面図であり、（ｂ）は実施の形態２における複合パッケージの製造工程を示す断面図である。
【図１５】（ａ）は実施の形態２における複合パッケージの製造工程を示す平面図であり、（ｂ）は実施の形態２における複合パッケージの製造工程を示す断面図である。
【図１６】実施の形態３における複合パッケージの構成を示す平面図である。
【図１７】実施の形態３における複合パッケージの構成を示す側面図である。
【図１８】図１６のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図１９】絶縁接着シートの構成を示す写真である。
【図２０】変形例における複合パッケージの構成を示す平面図である。
【図２１】変形例における複合パッケージの構成を示す側面図である。
【図２２】実施の形態４における複合パッケージの製造工程を示すフローチャートである。
【図２３】（ａ）は実施の形態４における複合パッケージの製造工程を示す平面図であり、（ｂ）は実施の形態４における複合パッケージの製造工程を示す断面図であって、（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【図２４】（ａ）は実施の形態４における複合パッケージの製造工程を示す平面図であり、（ｂ）は実施の形態４における複合パッケージの製造工程を示す断面図であって、（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【図２５】（ａ）は実施の形態４における複合パッケージの製造工程を示す平面図であり、（ｂ）は実施の形態４における複合パッケージの製造工程を示す断面図であって、（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【図２６】（ａ）は実施の形態４における複合パッケージの製造工程を示す平面図であり、（ｂ）は実施の形態４における複合パッケージの製造工程を示す断面図であって、（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【図２７】（ａ）は実施の形態４における複合パッケージの製造工程を示す平面図であり、（ｂ）は実施の形態４における複合パッケージの製造工程を示す断面図であって、（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【図２８】実施の形態５における単体パッケージを外部表面側から見た斜視図である。
【図２９】実施の形態５における単体パッケージを外部裏面側から見た斜視図である。
【図３０】実施の形態５における複合パッケージの構成を示す平面図である。
【図３１】実施の形態５における複合パッケージの構成を示す側面図である。
【図３２】図３０のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図３３】変形例における複合パッケージの構成を示す平面図である。
【図３４】変形例における複合パッケージの構成を示す側面図である。
【図３５】実施の形態６における複合パッケージの構成を示す平面図である。
【図３６】実施の形態６における複合パッケージの構成を示す側面図である。
【図３７】図３５のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図３８】変形例における複合パッケージの構成を示す平面図である。
【図３９】変形例における複合パッケージの構成を示す側面図である。
【図４０】実施の形態７における複合パッケージの製造工程を示すフローチャートである。
【図４１】（ａ）は実施の形態７における複合パッケージの製造工程を示す平面図であり、（ｂ）は実施の形態７における複合パッケージの製造工程を示す断面図であって、（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【図４２】（ａ）は実施の形態７における複合パッケージの製造工程を示す平面図であり、（ｂ）は実施の形態７における複合パッケージの製造工程を示す断面図であって、（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【図４３】（ａ）は実施の形態７における複合パッケージの製造工程を示す平面図であり、（ｂ）は実施の形態７における複合パッケージの製造工程を示す断面図であって、（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【図４４】（ａ）は実施の形態７における複合パッケージの製造工程を示す平面図であり、（ｂ）は実施の形態７における複合パッケージの製造工程を示す断面図であって、（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【図４５】（ａ）は実施の形態７における複合パッケージの製造工程を示す平面図であり、（ｂ）は実施の形態７における複合パッケージの製造工程を示す断面図であって、（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【図４６】（ａ）は実施の形態７における複合パッケージの製造工程を示す平面図であり、（ｂ）は実施の形態７における複合パッケージの製造工程を示す断面図であって、（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【図４７】実施の形態８における複合パッケージの構成を示す平面図である。
【図４８】実施の形態９における複合パッケージの構成を示す平面図である。
【図４９】パワー半導体装置の実装例を示す平面図である。
【図５０】パワー半導体装置の実装例を示す平面図である。
【図５１】パワー半導体装置の実装例を示す平面図である。
【図５２】図４９のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００１８】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００１９】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００２０】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２１】
また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００２２】
（実施の形態１）
本実施の形態１における半導体装置は、例えば、ハイブリッド車などに使用される３相モータの駆動回路に使用されるものである。図１は、本実施の形態１における３相モータの回路図を示す図である。図１において、３相モータ回路は、３相モータ１、パワー半導体装置２、制御回路３を有している。３相モータ１は、位相の異なる３相の電圧により駆動するように構成されている。パワー半導体装置２は、３相モータ１を制御するスイッチング素子から構成されており、例えば、３相に対応してＩＧＢＴ４とダイオード５が設けられている。すなわち、各単相において、電源電位（Ｖｃｃ）と３相モータの入力電位との間にＩＧＢＴ４とダイオード５が逆並列に接続されており、３相モータの入力電位と接地電位（ＧＮＤ）との間にもＩＧＢＴ４とダイオード５が逆並列に接続されている。つまり、３相モータ１では、単相（各相）毎に２つのＩＧＢＴ４と２つのダイオード５が設けられており、３相で６つのＩＧＢＴ４と６つのダイオード５が設けられている。そして、個々のＩＧＢＴ４のゲート電極には、一部図示を省略しているが制御回路３が接続されており、この制御回路３によって、ＩＧＢＴ４が制御されるようになっている。このように構成された３相モータの駆動回路において、制御回路３でパワー半導体装置２を構成するＩＧＢＴ４（スイッチング素子）を流れる電流を制御することにより、３相モータ１を回転させるようになっている。つまり、ＩＧＢＴ４は、３相モータ１に電源電位（Ｖｃｃ）を供給したり、あるいは、接地電位（ＧＮＤ）を供給したりするスイッチング素子として機能するものであり、このＩＧＢＴ４のオン／オフのタイミングを制御回路３で制御することにより、３相モータ１を駆動することができるようになっている。
【００２３】
そして、ＩＧＢＴ４とダイオード５とは、図１に示すように、逆並列に接続されているが、このときのダイオードの機能について説明する。
【００２４】
ダイオード５は、負荷がインダクタンスを含まない純抵抗である場合、還流するエネルギーがないため不要である。しかし、負荷にモータ（例えば、３相モータ）のようなインダクタンスを含む回路が接続されている場合、ＯＮしているスイッチ（ＩＧＢＴ４）とは逆方向に負荷電流が流れるモードがある。このとき、ＩＧＢＴ４などのスイッチング素子単体では、この逆方向電流を流し得る機能をもたないので、ＩＧＢＴ４などのスイッチング素子に逆並列にダイオードを接続する必要がある。すなわち、インバータ回路において、モータ制御のように負荷にインダクタンスを含む場合、ＩＧＢＴ４などのスイッチング素子をターンＯＦＦしたとき、インダクタンスに蓄えられたエネルギー（１／２ＬＩ２）を必ず放出しなければならない。ＩＧＢＴ４単体では、インダクタンスに蓄えられたエネルギーを開放するための逆方向電流を流すことができない。そこで、このインダクタンスに蓄えられた電気エネルギーを還流するため、ＩＧＢＴ４に逆並列にダイオード５を接続する。つまり、ダイオード５は、インダクタンスに蓄えられた電気エネルギーを開放するために逆方向電流を流すという機能を有している。なお、ＩＧＢＴ４のスイッチング周波数に応じて、ダイオード５にも高周波特性をもたせる必要がある。
【００２５】
このように構成されているパワー半導体装置２はパッケージ化されている。本実施の形態１における半導体装置は、図１のパワー半導体装置２のパッケージ技術に関するものであり、例えば、パワー半導体装置２を構成する１つのＩＧＢＴ４と１つのダイオード５とを１パッケージ化して単体パッケージを形成する技術がある。すなわち、本実施の形態１における単体パッケージを６つ使用することにより、３相モータ１を駆動するパワー半導体装置２を構成することができる。以下に、この単体パッケージの構成について説明する。
【００２６】
図２は、本実施の形態１における単体パッケージＰＡＣを外部表面側から見た斜視図である。図２において、単体パッケージＰＡＣの中心部には平面形状が略矩形状の封止体ＭＳが形成されており、この封止体ＭＳの上部の第２辺側には、外部接続用コレクタ電極ＣＥおよび信号電極ＳＥの一部が設けられている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥが形成されている封止体ＭＳの第２辺と対向する第１辺側には、外部接続用エミッタ電極ＥＥおよび信号電極ＳＥの一部が形成されている。図３は、単体パッケージＰＡＣを外部裏面側から見た斜視図である。図３に示すように、封止体ＭＳの裏面側には、ヒートスプレッダＨＳが露出している。このようにヒートスプレッダＨＳが封止体ＭＳの裏面から露出しているのは、単体パッケージＰＡＣの放熱効率を向上させるためである。
【００２７】
次に、単体パッケージＰＡＣの内部構造について説明する。図４は、単体パッケージＰＡＣの内部を示す平面図である。また、図５は、図４のＡ−Ａ線で切断した断面を示す断面図である。なお、図４において、単体パッケージＰＡＣの上面を覆っている封止体ＭＳの図示は省略しており、内部の構造が図示されている。
【００２８】
図４および図５において、矩形形状の封止体ＭＳの内部には、ヒートスプレッダＨＳが設けられており、このヒートスプレッダＨＳに外部接続用コレクタ電極ＣＥが接続されている。この外部接続用コレクタ電極ＣＥは封止体ＭＳから露出しており、外部接続用コレクタ電極ＣＥには、ねじ止め用開口部ＣＯＰが設けられている。
【００２９】
ヒートスプレッダＨＳ上には、半田Ｓ１を介してＩＧＢＴを形成した半導体チップ（第１半導体チップ）ＣＨＰ１が形成されており、このＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１に隣接するように半田Ｓ１を介してダイオードを形成した半導体チップ（第２半導体チップ）ＤＣＨＰ１が形成されている。ＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１は、裏面側にコレクタ電極が形成されており、このコレクタ電極が半田Ｓ１を介してヒートスプレッダＨＳに接続されている。つまり、半導体チップＣＨＰ１の裏面に形成されているコレクタ電極は、ヒートスプレッダＨＳを介して、外部接続用コレクタ電極ＣＥと電気的に接続されている。一方、ダイオードを形成した半導体チップＤＣＨＰ１は、裏面側にカソード電極が形成されており、このカソード電極がヒートスプレッダＨＳを介して外部接続用コレクタ電極ＣＥと電気的に接続されている。このことから、ＩＧＢＴのコレクタ電極とダイオードのカソード電極とは電気的に接続されていることになる。
【００３０】
一方、ＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１の上面（主面）側には、エミッタ電極および複数のボンディングパッドが形成されている。これに対し、ダイオードを形成した半導体チップＤＣＨＰ１の上面（主面）側には、アノード電極が形成されている。そして、ＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１の上面側に形成されているエミッタ電極と、ダイオードを形成した半導体チップＤＣＨＰ１の上面側に形成されているアノード電極とは、半田Ｓ２を介した平板状のクリップＣＬＰによって接続されている。したがって、ＩＧＢＴのエミッタ電極とダイオードのアノード電極とはクリップＣＬＰによって電気的に接続されていることになる。クリップＣＬＰは、板状電極とも呼ばれる。以下では、板状電極としてクリップＣＬＰという言葉を用いる。また、ＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１の主面とは、ＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１の上面を意味する。すなわち、ＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１の主面とは、半導体チップＣＨＰ１のヒートスプレッダＨＳと接触する面とは反対側の面を示している。同様に、ダイオードを形成した半導体チップＤＣＨＰ１の主面とは、ダイオードを形成した半導体チップＤＣＨＰ１の上面を意味する。すなわち、ダイオードを形成した半導体チップＤＣＨＰ１の主面とは、半導体チップＤＣＨＰ１のヒートスプレッダＨＳと接触する面とは反対側の面を示している。
【００３１】
クリップＣＬＰは、例えば、銅を主成分とする平板状の部材から構成されている。このクリップＣＬＰにより、ＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１のエミッタ電極と、ダイオードを形成した半導体チップＤＣＨＰ１のアノード電極は電気的に接続されている。従来、ＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１のエミッタ電極と、ダイオードを形成した半導体チップＤＣＨＰ１のアノード電極とは、アルミニウムを主成分とするワイヤで接続されていることが多かった。しかし、エミッタ電極には大電流が流れるため、アルミニウムを主成分とするワイヤでは、アルミニウムによる抵抗の増加および細線による抵抗の増加などにより、オン抵抗が大きくなる問題点が生じていた。さらに、ワイヤが細線であるため、熱容量が少なく放熱特性が劣化する問題点が生じていた。そこで、本実施の形態１によれば、ＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１のエミッタ電極と、ダイオードを形成した半導体チップＤＣＨＰ１のアノード電極とを銅を主成分とする平板状のクリップＣＬＰで接続するようにしている。銅の抵抗は、アルミニウムの抵抗よりも小さいので、銅を主成分とするクリップＣＬＰで接続することにより、オン抵抗を低減することができる。また、クリップＣＬＰは幅広の平板状の形状をしているため、ワイヤに比べて断面積が大きくなる。このため、クリップＣＬＰを用いることにより、オン抵抗をさらに低減することができる。さらに、クリップＣＬＰが平板状の形状をしているため、クリップＣＬＰ自体がもつ熱容量をワイヤ自体の熱容量よりも大きくすることができ、かつ、半導体チップＣＨＰ１や半導体チップＤＣＨＰ１とクリップＣＬＰの接触面積をワイヤによる接続に比べて大きくすることができるので、放熱効率を向上させることができる。
【００３２】
このクリップＣＬＰと一体化するように、外部接続用エミッタ電極ＥＥが形成されている。外部接続用エミッタ電極ＥＥは、外部接続用コレクタ電極ＣＥが接続されているヒートスプレッダＨＳの第２辺ＳＳ側と対向する第１辺ＦＳ側に形成されており、ヒートスプレッダＨＳとは電気的に接続されていない。すなわち、外部接続用エミッタ電極ＥＥがヒートスプレッダＨＳと接続すると、外部接続用コレクタ電極ＣＥと外部接続用エミッタ電極ＥＥが直接接続してしまうことになるので、ショートしないようになっている。つまり、外部接続用エミッタ電極ＥＥは、ＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１のエミッタ電極にクリップＣＬＰを介して接続されている。この外部接続用エミッタ電極ＥＥにも外部接続用コレクタ電極ＣＥと同様に、ねじ止め用開口部ＥＯＰが形成されている。
【００３３】
外部接続用エミッタ電極ＥＥが形成されているヒートスプレッダＨＳの第１辺ＦＳ側および第１辺ＦＳに対向する第２辺ＳＳ側には、図２および図３に示す信号電極ＳＥが形成されている。図４では、これらの信号電極ＳＥを具体的に示している。図４に示すように、ヒートスプレッダＨＳの第１辺ＦＳ側には、外部接続用エミッタ電極ＥＥの他に、温度検知用電極ＴＥ１、温度検知用電極ＴＥ２、外部接続用ゲート電極ＧＥ、ケルビン検知用電極ＫＥ１および電流検知用電極ＩＥが形成されている。
【００３４】
クリップＣＬＰは、これら信号電極ＳＥに挟まれるように配置されており、ここでは温度検知用電極ＴＥ２と外部接続用ゲート電極ＧＥとの間に挟まれて配置されている。このように配置することにより、クリップＣＬＰから一体化された外部接続用エミッタ電極ＥＥまでの長さが短く直線的になるので、クリップＣＬＰが信号電極ＳＥに挟まれない迂回するような配置の場合に比べてオン抵抗を低減することができる。なお、クリップＣＬＰは、温度検知用電極ＴＥ２と外部接続用ゲート電極ＧＥとの間に配置されることには限定されず、他の信号電極ＳＥ間に配置されてもよい。
【００３５】
信号電極ＳＥは、ＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１の上面に形成されているボンディングパッドと、封止体ＭＳ内でワイヤＷを用いてそれぞれ接続されている。したがって、ＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１は、ダイオードを形成した半導体チップＤＣＨＰ１よりもヒートスプレッダＨＳの第１辺ＦＳに近い側に配置されている。このように配置することにより、半導体チップＣＨＰ１に形成されているボンディングパッドと、温度検知用電極ＴＥ１、ＴＥ２、外部接続用ゲート電極ＧＥ、ケルビン検知用電極ＫＥ１および電流検知用電極ＩＥとを近づけて配置することができるので、ボンディングパッドとこれらの電極とをワイヤＷで接続しやすくなる。また、ヒートスプレッダＨＳの第１辺ＦＳと対向する第２辺ＳＳ側には、外部接続用コレクタ電極ＣＥと接続するケルビン検知用電極ＫＥ２が形成されている。
【００３６】
次に、図５は、図４のＡ−Ａ線で切断した断面を示す断面図である。図５に示すように、ヒートスプレッダＨＳ上には、それぞれ半田Ｓ１を介してＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１とダイオードを形成した半導体チップＤＣＨＰ１が隣接して配置されている。そして、半導体チップＣＨＰ１および半導体チップＤＣＨＰ１上に、半田Ｓ２を介してクリップＣＬＰが搭載されている。ここで、クリップＣＬＰの形状は、半導体チップＣＨＰ１および半導体チップＤＣＨＰ１に接触しているクリップＣＬＰの領域よりも、半導体チップＣＨＰ１と半導体チップＤＣＨＰ１の間にあるクリップＣＬＰの領域が上方に突出した構造（凸形状）になっている。つまり、半導体チップＣＨＰ１あるいは半導体チップＤＣＨＰ１に接触しているクリップＣＬＰの領域（接触領域）の位置よりも、半導体チップＣＨＰ１と半導体チップＤＣＨＰ１の間にあるクリップＣＬＰの領域（チップ間領域）の位置がヒートスプレッダＨＳから離れている。これにより、余分な半田Ｓ２がクリップＣＬＰの凸形状に吸収される。したがって、例えば、余分な半田Ｓ２が半導体チップＣＨＰ１の側面を伝わって半導体チップＣＨＰ１の下部に形成されている半田Ｓ１と接続してしまうことを防止できる。
【００３７】
続いて、半導体チップＣＨＰ１に形成されている素子の回路構成を示すことにより、単体パッケージＰＡＣに設けられている信号電極ＳＥのそれぞれの機能について説明する。図６は、半導体チップＣＨＰ１に形成されている回路の一例を示す回路図である。図６に示すように、半導体チップＣＨＰ１には、ＩＧＢＴ１０、検知用ＩＧＢＴ１１および温度検知用ダイオード１６が形成されている。ＩＧＢＴ１０はメインのＩＧＢＴであり、図１に示す３相モータ１の駆動に使用される。このＩＧＢＴ１０には、エミッタ電極１２、コレクタ電極１３およびゲート電極１４が形成されている。ゲート電極１４は内部配線により半導体チップＣＨＰ１の上面に形成されたボンディングパッドに接続されている。図４に示すように、このボンディングパッドは、外部接続用ゲート電極ＧＥに接続されているので、ＩＧＢＴ１０のゲート電極１４は、外部接続用ゲート電極ＧＥに接続されていることになる。外部接続用ゲート電極ＧＥは、図１に示す制御回路３に接続されており、制御回路３からの信号が外部接続用ゲート電極ＧＥを介してＩＧＢＴ１０のゲート電極１４に印加されることにより、制御回路３からＩＧＢＴ１０を制御することができるようになっている。
【００３８】
検知用ＩＧＢＴ１１は、ＩＧＢＴ１０のコレクタ−エミッタ間を流れる電流を検知するために設けられているものである。すなわち、インバータ回路としてＩＧＢＴ１０を保護するためにＩＧＢＴ１０のコレクタ−エミッタ間を流れる電流を検知するために設けられている。この検知用ＩＧＢＴ１１は、ＩＧＢＴ１０と同様のコレクタ電極１３およびゲート電極１４に接続されており、センスエミッタ電極１５を有している。センスエミッタ電極１５は、内部配線により半導体チップＣＨＰ１の上面に形成されたボンディングパッドに接続されている。このボンディングパッドは、図４に示す電流検知用電極ＩＥに接続されているので、結局、検知用ＩＧＢＴ１１のセンスエミッタ電極１５は電流検知用電極ＩＥに接続されていることになる。そして、この電流検知用電極ＩＥは単体パッケージＰＡＣの外部に設けられる電流検知回路に接続される。この電流検知回路は、検知用ＩＧＢＴ１１のセンスエミッタ電極１５の出力に基づいて、ＩＧＢＴ１０のコレクタ−エミッタ間電流を検知し、過電流が流れたときＩＧＢＴ１０のゲート電極１４に印加されるゲート信号を遮断し、ＩＧＢＴ１０を保護するようになっている。
【００３９】
温度検知用ダイオード１６は、ＩＧＢＴ１０の温度を検知するために設けられている。すなわち、ＩＧＢＴ１０の温度によって温度検知用ダイオード１６の電圧が変化することにより、ＩＧＢＴ１０の温度を検知するようになっている。この温度検知用ダイオード１６は、ポリシリコンに異なる導電型の不純物を導入することにより形成されたｐｎ接合から構成されており、カソード電極１７およびアノード電極１８を有している。カソード電極１７は内部配線により半導体チップＣＨＰ１の上面に形成されたボンディングパッドに接続されている。同様に、アノード電極１８は内部配線により半導体チップＣＨＰ１の上面に形成されたボンディングパッドに接続されている。したがって、温度検知用ダイオード１６のカソード電極１７はボンディングパッドを介して、図４に示す温度検知用電極ＴＥ１に接続され、温度検知用ダイオード１６のアノード電極１８はボンディングパッドを介して、図４に示す温度検知用電極ＴＥ２に接続されている。温度検知用電極ＴＥ１、ＴＥ２は、単体パッケージＰＡＣの外部に設けられる温度検知回路に接続される。この温度検知回路は、温度検知用ダイオード１６のカソード電極１７およびアノード電極１８に接続されている温度検知用電極ＴＥ１、ＴＥ２間の出力に基づいて間接的にＩＧＢＴ１０の温度を検知し、検知した温度がある一定温度以上になったとき、ＩＧＢＴ１０のゲート電極１４に印加されるゲート信号を遮断し、ＩＧＢＴ１０を保護するようになっている。
【００４０】
次に、ＩＧＢＴ１０のエミッタ電極１２からは別の端子であるコモンエミッタ電極１９が出ている。このコモンエミッタ電極１９は、内部配線により半導体チップＣＨＰ１の上面に形成されているボンディングパッドに接続されている。このボンディングパッドは、図４に示すケルビン検知用電極ＫＥ１に接続されているので、結局、コモンエミッタ電極１９はケルビン検知用電極ＫＥ１に接続されていることになる。ケルビン検知用電極ＫＥ１は、単体パッケージＰＡＣの外部に設けられるケルビン検知回路に接続される。このケルビン検知回路は、配線などによってＩＧＢＴ１０の電位が不安定にならないようにするため、配線抵抗をキャンセルする目的で設けられている。すなわち、エミッタ電極１２と同電位のコモンエミッタ電極１９からの出力に基づいて、エミッタ電極１２自体の配線抵抗をキャンセルするようになっている。
【００４１】
同様にして、図４に示すように、ＩＧＢＴのコレクタ電極から分岐するケルビン検知用電極ＫＥ２が設けられている。このケルビン検知用電極ＫＥ２は、単体パッケージＰＡＣの外部に設けられているケルビン検知回路に接続される。このケルビン検知回路も配線などによってＩＧＢＴ１０の電位が不安定にならないようにするため、配線抵抗をキャンセルする目的で設けられている。すなわち、コレクタ電極１３と同電位のケルビン検知用電極ＫＥ２の出力に基づいて、コレクタ電極１３自体の配線抵抗をキャンセルするようになっている。
【００４２】
このように本実施の形態１における単体パッケージＰＡＣによれば、電流検知回路、温度検知回路およびケルビン検知回路に接続することが可能なように構成されているので、単体パッケージＰＡＣに含まれるＩＧＢＴ１０の動作信頼性の向上を図ることができる。
【００４３】
本実施の形態１における単体パッケージＰＡＣは上記のように構成されており、通常、このように構成されている単体パッケージＰＡＣが製品として、例えば、３相モータを使用したハイブリッド車を製造する自動車製造会社（顧客）へ出荷される。この場合、製品として出荷された単体パッケージＰＡＣは、顧客側で車に搭載することになる。ところが、１つの３相モータに対して、６つの単体パッケージＰＡＣを実装する必要があり、顧客側での作業工数が増大するとともに、パッケージを実装するための材料コストが増大する問題点が顧客から指摘されている。つまり、出荷された単体パッケージは、例えば、顧客側で実装されるが、１つの３相モータに対して、６つの単体パッケージＰＡＣを実装する作業工程は煩雑となる。さらに、上述した単体パッケージＰＡＣでは、図２および図３に示すように、封止体ＭＳの裏面にヒートスプレッダＨＳが露出している。このことから、顧客側で、露出しているヒートスプレッダＨＳと実装基板との絶縁性を確保するため、顧客側で絶縁シートなどを用意する必要があり、顧客側での実装コストが増大するという問題点が指摘されている。つまり、１つのＩＧＢＴと１つのダイオードを１パッケージ化した単体パッケージＰＡＣを、顧客（自動車製造会社）に納入する場合、顧客での実装負担が大きくなる問題点がある。
【００４４】
そこで、本実施の形態１では、単体パッケージＰＡＣではなく、単体パッケージＰＡＣにさらに工夫を施した複合パッケージを形成し、この複合パッケージを顧客に納入することにより、顧客での実装負担を軽減している。以下では、工夫を施した複合パッケージの構成について図面を参照しながら説明する。
【００４５】
図７は、本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１の構成を示す平面図である。図７において、本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１は、矩形形状の金属基板ＭＢを有し、この金属基板ＭＢ上に絶縁接着シートＩＡＳが形成されている。そして、この絶縁接着シートＩＡＳ上に単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が搭載されている。
【００４６】
金属基板ＭＢは、例えば、アルミニウム基板や銅基板などの熱伝導性のよい材料から形成されている。この金属基板ＭＢの領域のうち、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２を搭載した領域の外側領域に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１が形成されている。この金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１は、矩形形状をした金属基板ＭＢの四隅に形成されている。
【００４７】
金属基板ＭＢ上に形成されている絶縁接着シートＩＡＳは、例えば、熱硬化性樹脂から構成されている。具体的に、絶縁接着シートＩＡＳは、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂からなるベース樹脂に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）や窒化ホウ素などのセラミックスやガラスクロスからなるフィラーを充填した構造となっている。
【００４８】
単体パッケージＰＡＣ１や単体パッケージＰＡＣ２は、図２〜図５で説明した構造を有している。具体的に、図７に示すように、単体パッケージＰＡＣ１の中心部には平面形状が略矩形状の封止体ＭＳ１が形成されており、この封止体ＭＳ１の下部には、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１および信号電極ＳＥ１の一部が設けられている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１が形成されている封止体ＭＳ１の下部と対向する上部には、外部接続用エミッタ電極ＥＥ１および信号電極ＳＥ１の一部が形成されている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１には、ねじ止め用開口部ＣＯＰ１が形成され、外部接続用エミッタ電極ＥＥ１には、ねじ止め用開口部ＥＯＰ１が形成されている。
【００４９】
同様に、単体パッケージＰＡＣ２の中心部には平面形状が略矩形状の封止体ＭＳ２が形成されており、この封止体ＭＳ２の上部には、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２および信号電極ＳＥ２の一部が設けられている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２が形成されている封止体ＭＳ２の上部と対向する下部には、外部接続用エミッタ電極ＥＥ２および信号電極ＳＥ２の一部が形成されている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２には、ねじ止め用開口部ＣＯＰ２が形成され、外部接続用エミッタ電極ＥＥ２には、ねじ止め用開口部ＥＯＰ２が形成されている。
【００５０】
このように構成されている複合パッケージＣＰＡＣ１の特徴点は、金属基板ＭＢ上に単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２とを一緒に搭載して、１つの複合パッケージＣＰＡＣ１を形成している点にある。これにより、６つの単体パッケージを実装する場合に比べて、３つの複合パッケージＣＰＡＣ１を実装する場合のほうが、実装するパッケージの数が少なくなるので、顧客での実装負担を軽減することができる。すなわち、単体パッケージを顧客で実装する場合は、１つの３相モータに対して、６つの単体パッケージを実装する必要があるが、複合パッケージＣＰＡＣ１を顧客で実装する場合、１つの３相モータに対して、３つの複合パッケージＣＰＡＣ１を実装すればよいので、上述した複合パッケージＣＰＡＣ１を顧客に納入することにより、顧客での実装負担を大幅に低減できる効果が得られる。
【００５１】
さらに、複合パッケージＣＰＡＣ１は、事前に良品と判別できている単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２により構成されているので、不良となる（不良化する）危険性が極めて低い。つまり、複数のＩＧＢＴを形成した半導体チップ（ＩＧＢＴチップ）とダイオードを形成した半導体チップ（ダイオードチップ）とを１パッケージ化したような構造の複合パッケージは、例えば１つのチップが不良であったり、１ケ所でも組立不良があったりすると、複合パッケージ全てが不良化してしまい、良品チップやその他の部材も全て廃棄しなければならない事態となってしまう。このことは、複合パッケージの歩留の低下を招き、コスト上昇に繋がってしまう。よって、上記で説明したように単体パッケージを組み合わせて複合パッケージを構成するようにすることで、複合パッケージの歩留向上およびコスト低減を実現することができる。
【００５２】
本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１は、金属基板ＭＢの四隅に設けられた金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１に金属基板固定用ねじを挿入し、例えばモータの筐体カバー等に締結することにより実装される。このことは、顧客で複合パッケージＣＰＡＣ１を実装する際、複合パッケージＣＰＡＣ１の上面（パッケージボディ面）を押さえ金具で押える必要がないことを意味する。このため、複合パッケージＣＰＡＣ１に搭載された単体パッケージＰＡＣ１や単体パッケージＰＡＣ２の押さえ金具を押し付けることによる破壊や、単体パッケージＰＡＣ１、ＰＡＣ２の内部に搭載されている半導体チップへの押さえ力による破壊等を防止することができる。さらに、複合パッケージＣＰＡＣ１の実装に押さえ金具などが不要となることは、顧客での実装コストが削減できることを意味する。すなわち、本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１では、金属基板ＭＢの四隅に設けられた金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１に金属基板固定用ねじを挿入するだけで複合パッケージＣＰＡＣ１を実装できるようにしている。このため、顧客側で用意するのは、金属基板固定用ねじだけであり、その他の押さえ金具などを用意する必要がないので、実装コストを削減できる。
【００５３】
さらに、本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１は、金属基板ＭＢ上に搭載されている単体パッケージＰＡＣ１の搭載方向と、単体パッケージＰＡＣ２の搭載方向が逆になっている点に特徴がある。つまり、図７に示すように、本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１では、封止体ＭＳ１から突き出た外部接続用エミッタ電極ＥＥ１と、封止体ＭＳ２から突き出た外部接続用コレクタ電極ＣＥ２とが、金属基板ＭＢの同じ辺側に隣接して配置されるように、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が絶縁接着シートＩＡＳ上に配置されている。これにより、顧客での実装負担を軽減することができる。
【００５４】
例えば、複合パッケージＣＰＡＣ１に搭載される単体パッケージＰＡＣ１は、図１に示す電源電位（Ｖｃｃ）と３相モータとの間に接続されるＩＧＢＴ４とダイオード５とを封止したパッケージである。一方、複合パッケージＣＰＡＣ１に搭載される単体パッケージＰＡＣ２は、図１に示す接地電位（ＧＮＤ）と３相モータとの間に接続されるＩＧＢＴ４とダイオード５とを封止したパッケージである。複合パッケージＣＰＡＣ１に搭載される単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２とを上述したように、電源電位（Ｖｃｃ）と３相モータとの間に接続されるパッケージと、接地電位（ＧＮＤ）と３相モータとの間に接続されるパッケージとすることにより、同様の構成を有する３つの複合パッケージＣＰＡＣ１で、図１に示すパワー半導体装置２を構成することができるのである。この場合、図１からわかるように、電源電位（Ｖｃｃ）と３相モータとの間に接続されるＩＧＢＴ４のエミッタ電極と、接地電位（ＧＮＤ）と３相モータとの間に接続されるＩＧＢＴ４のコレクタ電極とが接続される。このことは、図７に示す複合パッケージＣＰＡＣ１において、単体パッケージＰＡＣ１の外部接続用エミッタ電極ＥＥ１と、単体パッケージＰＡＣ２の外部接続用コレクタ電極ＣＥ２を接続することを意味する。したがって、単体パッケージＰＡＣ１の外部接続用エミッタ電極ＥＥ１と、単体パッケージＰＡＣ２の外部接続用コレクタ電極ＣＥ２が金属基板ＭＢの同じ辺側に配置されるように、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２とを配置する。これにより、顧客での実装において、単体パッケージＰＡＣ１の外部接続用エミッタ電極ＥＥ１と、単体パッケージＰＡＣ２の外部接続用コレクタ電極ＣＥ２との接続を容易に行なうことができる。つまり、本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１は、金属基板ＭＢ上に搭載されている単体パッケージＰＡＣ１の搭載方向と、単体パッケージＰＡＣ２の搭載方向が逆方向になるように配置することにより、顧客での実装レイアウトが容易となり、かつ、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２の結線が容易となる利点がある。
【００５５】
続いて、本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１のさらなる利点について説明する。図８は、本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１を側面から見た図である。図８において、金属基板ＭＢの表面には絶縁層ＩＬが形成されており、この絶縁層ＩＬ上に絶縁接着シートＩＡＳが形成されている。そして、この絶縁接着シートＩＡＳ上に単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が搭載されている。図９は、図７のＡ−Ａ線で切断した断面図である。図９でも、金属基板ＭＢ上に絶縁層ＩＬが形成されており、この絶縁層ＩＬ上に絶縁接着シートＩＡＳが形成されていることがわかる。そして、この絶縁接着シートＩＡＳ上に単体パッケージＰＡＣ１が搭載されている。具体的に、絶縁接着シートＩＡＳ上には、封止体ＭＳ１の底面から露出したヒートスプレッダＨＳが搭載されている。このヒートスプレッダＨＳは、ねじ止め用開口部ＣＯＰ１を形成した外部接続用コレクタ電極ＣＥ１と接続されている。また、ヒートスプレッダＨＳ上には、半田Ｓ１を介して半導体チップＤＣＨＰ１と半導体チップＣＨＰ１が搭載されており、半導体チップＤＣＨＰ１の上面と半導体チップＣＨＰ１の上面には、半田Ｓ２を介してクリップＣＬＰが配置されている。このクリップＣＬＰは、ねじ止め用開口部ＥＯＰ１を形成した外部接続用エミッタ電極ＥＥ１と接続されている。
【００５６】
このように本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１では、金属基板ＭＢの表面に形成された絶縁層ＩＬと、この絶縁層ＩＬ上に形成された絶縁接着シートＩＡＳの２層にわたる絶縁層で、単体パッケージＰＡＣ１、ＰＡＣ２と金属基板ＭＢを絶縁している。このため、単体パッケージＰＡＣ１（ヒートスプレッダＨＳ）と金属基板ＭＢの間、および、単体パッケージＰＡＣ２（ヒートスプレッダＨＳ）と金属基板ＭＢの間の絶縁信頼性を向上することができる。そして、本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１では、単体パッケージＰＡＣ１の裏面や単体パッケージＰＡＣ２の裏面が絶縁接着シートＩＡＳと絶縁層ＩＬによって絶縁されていることから、顧客の実装工程において、単体パッケージＰＡＣ１の裏面や単体パッケージＰＡＣ２の裏面を絶縁する必要がない。このため、顧客での絶縁材の用意および絶縁材の実装を省略することができる。このことは、顧客における実装コストの低減および実装工程の簡略化を図ることができることを意味している。
【００５７】
さらに、本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１では、単体パッケージＰＡＣ１、ＰＡＣ２と絶縁接着シートＩＡＳが接着されている。したがって、単体パッケージＰＡＣ１や単体パッケージＰＡＣ２から発生した熱は効率良く絶縁接着シートＩＡＳ側に放散される。つまり、本実施の形態１では、単体パッケージＰＡＣ１、ＰＡＣ２と絶縁接着シートＩＡＳとを接着しているため、単体パッケージＰＡＣ１、ＰＡＣ２と絶縁接着シートＩＡＳとの間の接触熱抵抗を低減することが可能となる。この結果、本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１では、単体パッケージＰＡＣ１、ＰＡＣ２で発生した熱を効率良く外部へ放散させることができ、複合パッケージＣＰＡＣ１の動作信頼性を向上させることができる。
【００５８】
本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１は上記のように構成されており、以下に、その変形例である複合パッケージＣＰＡＣ２の構成について説明する。図１０は、変形例である複合パッケージＣＰＡＣ２の構成を示す平面図である。図１０に示すように、本変形例における複合パッケージＣＰＡＣ２は、矩形形状の金属基板ＭＢを有し、この金属基板ＭＢ上に絶縁接着シートＩＡＳが形成されている。そして、この絶縁接着シートＩＡＳ上に単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が搭載されている。また、図１１は、本変形例における複合パッケージＣＰＡＣ２を側面から見た図である。図１１において、金属基板ＭＢの表面には絶縁層ＩＬが形成されており、この絶縁層ＩＬ上に絶縁接着シートＩＡＳが形成されていることがわかる。そして、この絶縁接着シートＩＡＳ上に単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が搭載されている。
【００５９】
ここで、本変形例である複合パッケージＣＰＡＣ２の特徴は、図１０に示すように、金属基板ＭＢの領域のうち、単体パッケージＰＡＣ１を搭載した領域と単体パッケージＰＡＣ２を搭載した領域の間の領域に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ２が形成されている点である。これにより、図７に示す複合パッケージＣＰＡＣ１の大きさ（サイズ）よりも、図１０に示す複合パッケージＣＰＡＣ２の大きさ（サイズ）を小さくできる。つまり、本変形例である複合パッケージＣＰＡＣ２は、サイズを小さくできる利点がある。
【００６０】
一方、図７に示す複合パッケージＣＰＡＣ１は、この金属基板ＭＢの領域のうち、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２を搭載した領域の外側領域に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１が形成されている。そして、この金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１は、矩形形状をした金属基板ＭＢの四隅に形成されている。この場合、図７に示す複合パッケージＣＰＡＣ１は、金属基板ＭＢの四隅に形成されている金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１に金属基板固定用ねじを挿入することにより固定されるので、前述の複合パッケージＣＰＡＣ２に比べて、複合パッケージＣＰＡＣ１をより確実に固定することができる利点を有している。
【００６１】
（実施の形態２）
以上のように、本実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１と、変形例における複合パッケージＣＰＡＣ２とは、それぞれ、異なる利点を有しているが、基本的な構造は同じである。したがって、本実施の形態２では、前記実施の形態１における複合パッケージＣＰＡＣ１を例に挙げて、その製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００６２】
図１２は、本実施の形態２における複合パッケージＣＰＡＣ１の製造方法を示すフローチャートである。また、図１３（ａ）〜図１５（ａ）は、複合パッケージＣＰＡＣ１の製造工程を示す平面図であり、図１３（ｂ）〜図１５（ｂ）は、それぞれ、図１３（ａ）〜図１５（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【００６３】
まず、例えば、特許文献１に記載されている技術を使用することにより、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２を形成する（図１２のＳ１０１）。
【００６４】
続いて、図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、矩形形状をした金属基板ＭＢを用意する（図１２のＳ１０２）。この金属基板ＭＢは、例えば、アルミニウム基板や銅基板から構成されている。矩形形状をした金属基板ＭＢの四隅には、金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１が形成されている。さらに、金属基板ＭＢの表面には、絶縁層ＩＬが形成されている。この絶縁層ＩＬは、例えば、エポキシ樹脂にフィラーを充填させた材料から形成されている。絶縁層ＩＬの厚さは、例えば、約１００μｍ程度である。
【００６５】
次に、図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、絶縁層ＩＬを形成した金属基板ＭＢ上に絶縁接着シートＩＡＳを搭載する（図１２のＳ１０３）。この絶縁接着シートＩＡＳは、例えば、フィラーを含有したエポキシ系接着材などの熱硬化性樹脂から形成されている。絶縁接着シートＩＡＳの厚さは、例えば、約１００μｍ程度である。
【００６６】
その後、図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示すように、絶縁接着シートＩＡＳ上に単体パッケージＰＡＣ１および単体パッケージＰＡＣ２を搭載する（図１２のＳ１０４）。このとき、単体パッケージＰＡＣ１の裏面や単体パッケージＰＡＣ２の裏面が絶縁接着シートＩＡＳと接触するように単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が絶縁接着シートＩＡＳ上に搭載される。また、封止体ＭＳ１から突き出た外部接続用エミッタ電極ＥＥ１と、封止体ＭＳ２から突き出た外部接続用コレクタ電極ＣＥ２とが、金属基板ＭＢの同じ辺側に隣接して配置されるように、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が絶縁接着シートＩＡＳ上に配置される。すなわち、金属基板ＭＢ上に搭載されている単体パッケージＰＡＣ１の搭載方向と、単体パッケージＰＡＣ２の搭載方向が逆方向になるように配置される。
【００６７】
続いて、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２を搭載した金属基板ＭＢに対して熱処理を施す。つまり、絶縁接着シートＩＡＳに対して硬化ベークを施す（図１２のＳ１０５）。これにより、単体パッケージＰＡＣ１および単体パッケージＰＡＣ２は、絶縁接着シートＩＡＳを介して、絶縁層ＩＬを形成した金属基板ＭＢと接着する。以上のようにして、複合パッケージＣＰＡＣ１を製造することができる。その後、完成した複合パッケージＣＰＡＣ１は、顧客へ納品され、顧客で３相モータの筐体カバー等に実装される。
【００６８】
（実施の形態３）
前記実施の形態１では、金属基板ＭＢと単体パッケージＰＡＣ１（単体パッケージＰＡＣ２）とを絶縁接着シートＩＡＳで接着した複合パッケージＣＰＡＣ１について説明したが、本実施の形態３では、金属基板ＭＢと単体パッケージＰＡＣ１（単体パッケージＰＡＣ２）とを押さえ板で固定する複合パッケージＣＰＡＣ３について説明する。
【００６９】
図１６は、本実施の形態３における複合パッケージＣＰＡＣ３の構成を示す平面図である。図１６に示すように、矩形形状をした金属基板ＭＢ上に絶縁シートＩＳが搭載されており、この絶縁シートＩＳ上に単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が搭載されている。そして、単体パッケージＰＡＣ１の上面および単体パッケージＰＡＣ２の上面を押さえ付けるように押さえ板ＰＰが形成されている。この押さえ板ＰＰは、押さえ板固定用ねじＳＲＷによって金属基板ＭＢに固定されている。このようにして、金属基板ＭＢ上に搭載されている絶縁シートＩＳ、単体パッケージＰＡＣ１および単体パッケージＰＡＣ２は、押さえ板ＰＰによって金属基板ＭＢに固定されていることになる。
【００７０】
金属基板ＭＢは、例えば、アルミニウム基板や銅基板から構成されており、四隅に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１が形成されている。また、絶縁シートＩＳは、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂からなるベース樹脂に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）や窒化ホウ素などのセラミックスやガラスクロスからなるフィラーを充填した構造となっている。さらに、押さえ板ＰＰは、押さえ強度を確保する観点からは、例えば、ステンレスから形成されていることが望ましく、良好な熱伝導を確保する観点からは、例えば、銅から形成されていることが望ましい。
【００７１】
単体パッケージＰＡＣ１や単体パッケージＰＡＣ２は、図２〜図５で説明した構造を有している。具体的に、図１６に示すように、単体パッケージＰＡＣ１の中心部には平面形状が略矩形状の封止体ＭＳ１が形成されており、この封止体ＭＳ１の下部には、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１および信号電極ＳＥ１の一部が設けられている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１が形成されている封止体ＭＳ１の下部と対向する上部には、外部接続用エミッタ電極ＥＥ１および信号電極ＳＥ１の一部が形成されている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１には、ねじ止め用開口部ＣＯＰ１が形成され、外部接続用エミッタ電極ＥＥ１には、ねじ止め用開口部ＥＯＰ１が形成されている。
【００７２】
同様に、単体パッケージＰＡＣ２の中心部には平面形状が略矩形状の封止体ＭＳ２が形成されており、この封止体ＭＳ２の上部には、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２および信号電極ＳＥ２の一部が設けられている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２が形成されている封止体ＭＳ２の上部と対向する下部には、外部接続用エミッタ電極ＥＥ２および信号電極ＳＥ２の一部が形成されている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２には、ねじ止め用開口部ＣＯＰ２が形成され、外部接続用エミッタ電極ＥＥ２には、ねじ止め用開口部ＥＯＰ２が形成されている。
【００７３】
図１７は、本実施の形態３における複合パッケージＣＰＡＣ３を側面から見た図である。図１７において、金属基板ＭＢ上に絶縁シートＩＳが形成されている。そして、この絶縁シートＩＳ上に単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が搭載されている。このとき、本実施の形態３における複合パッケージＣＰＡＣ３では、絶縁シートＩＳは接着性を有しておらず、単に、金属基板ＭＢ上に配置されている状態となっている。そして、単体パッケージＰＡＣ１の上面および単体パッケージＰＡＣ２の上面を押さえ付けるように押さえ板ＰＰが形成されており、この押さえ板ＰＰは押さえ板固定用ねじＳＲＷによって金属基板ＭＢに固定されている。
【００７４】
図１８は、図１６のＡ−Ａ線で切断した断面図である。図１８でも、金属基板ＭＢ上に絶縁シートＩＳが形成されており、絶縁シートＩＳ上に単体パッケージＰＡＣ１が搭載されていることがわかる。具体的に、絶縁シートＩＳ上には、封止体ＭＳ１の底面から露出したヒートスプレッダＨＳが搭載されている。このヒートスプレッダＨＳは、ねじ止め用開口部ＣＯＰ１を形成した外部接続用コレクタ電極ＣＥ１と接続されている。また、ヒートスプレッダＨＳ上には、半田Ｓ１を介して半導体チップＤＣＨＰ１と半導体チップＣＨＰ１が搭載されており、半導体チップＤＣＨＰ１の上面と半導体チップＣＨＰ１の上面には、半田Ｓ２を介してクリップＣＬＰが配置されている。このクリップＣＬＰは、ねじ止め用開口部ＥＯＰ１を形成した外部接続用エミッタ電極ＥＥ１と接続されている。そして、封止体ＭＳ１の上部には、押さえ板ＰＰが形成されている。
【００７５】
このように構成されている複合パッケージＣＰＡＣ３の特徴点は、金属基板ＭＢ上に絶縁シートＩＳを介して搭載された単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２とを押さえ板ＰＰで押さえ付けて固定している点にある。つまり、本実施の形態３における複合パッケージＣＰＡＣ３は、単体パッケージＰＡＣ１や単体パッケージＰＡＣ２を絶縁接着シートＩＡＳに接着するという構成をとるのではなく、単体パッケージＰＡＣ１や単体パッケージＰＡＣ２を押さえ板ＰＰで押さえつけるように固定している点に特徴がある。
【００７６】
これにより、本実施の形態３における複合パッケージＣＰＡＣ３は、単体パッケージＰＡＣ１（単体パッケージＰＡＣ２）に不良が発生した場合、不良となった単体パッケージＰＡＣ１（単体パッケージＰＡＣ２）を正常な単体パッケージに交換することが可能である利点を有することになる。なぜなら、本実施の形態３における複合パッケージＣＰＡＣ３において、単体パッケージＰＡＣ１や単体パッケージＰＡＣ２は、絶縁シートＩＳに接着せずに、押さえ板ＰＰによって固定しているからである。つまり、本実施の形態３における複合パッケージＣＰＡＣ３では、押さえ板ＰＰを固定している押さえ板固定用ねじＳＲＷをはずすことにより、押さえ板ＰＰによる固定を開放して、単体パッケージＰＡＣ１や単体パッケージＰＡＣ２をばらす（分解する）ことができるのである。このようにしてばらされた単体パッケージＰＡＣ１（単体パッケージＰＡＣ２）のうち不良品を正常品と取り替える。そして、再び、正常品である単体パッケージＰＡＣ１（単体パッケージＰＡＣ２）を絶縁シートＩＳ上に搭載し、押さえ板ＰＰで押さえつけた後、押さえ板ＰＰを押さえ板固定用ねじＳＲＷで金属基板ＭＢに固定することができるのである。このように本実施の形態３における複合パッケージＣＰＡＣ３は、不良品の交換を容易に実現できるリペア性を有しているのである。
【００７７】
特に、単体パッケージを複数個搭載して構成された複合パッケージにおいて、このリペア性は重要である。複合パッケージがリペア性を有することにより、どれか１つの単体パッケージが不良化した場合、他の良品の単体パッケージも廃棄してしまう事態を回避することができる。このことは、複合パッケージの製造歩留を向上させることにも繋がり、複合パッケージの全体コストの低減にも有効である。
【００７８】
続いて、本実施の形態３における複合パッケージＣＰＡＣ３の特徴点は、絶縁シートＩＳの選択性を向上できる点にある。例えば、前記実施の形態１のように接着性を有する絶縁接着シートＩＡＳを使用する場合、絶縁性と接着性の両方が要求されることから、絶縁接着シートＩＡＳの材料は限定的なものとなる。これに対し、本実施の形態３における絶縁シートＩＳは、接着性が要求されないことから、材料の選択幅が広がる。つまり、絶縁シートＩＳには、熱伝導性や絶縁耐圧性などの特性が重要視されるが、その中で接着性を有する材料に限定される場合、熱伝導性や絶縁耐圧性などを最適化することが難しくなる。これに対し、接着性を要求されない場合には、絶縁シートＩＳの材料の選択性が広がることになる。このため、様々な顧客の要求に対応して絶縁シートＩＳの材料を選択することができる。
【００７９】
図１９は、絶縁シートＩＳの断面構造を示す図である。図１９に示すように、絶縁シートＩＳは、ベースとなるベース樹脂ＢＲにフィラーＦＲが充填された構造をしている。一例として、ベース樹脂ＢＲとしては、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂、あるいは、アクリル樹脂などがあり、フィラーＦＲとしては、酸化アルミニウム（アルミナ）や窒化ホウ素などのセラミックスやガラスクロスなどがある。
【００８０】
一般的に、熱伝導性を重視する場合は、フィラーＦＲの充填率の高い絶縁シートＩＳが使用される一方、絶縁耐性を重視する場合は、ベース樹脂ＢＲの比率が高い絶縁シートＩＳが使用される。したがって、本実施の形態３における複合パッケージＣＰＡＣ３は、押さえ板ＰＰをはずすことにより、簡単に各構成部材へ分解することができるので、使用用途によって絶縁シートＩＳを最適な特性を有するものに取り替えることができる。すなわち、本実施の形態３における複合パッケージＣＰＡＣ３は、絶縁シートＩＳの選択性に優れているということができる。例えば、熱伝導性（放熱特性）を重要視する顧客に対しては、フィラーＦＲの充填率の高い絶縁シートＩＳを使用し、絶縁耐性を重要視する顧客に対しては、ベース樹脂ＢＲの比率が高い絶縁シートＩＳが使用するという対応をとることができるのである。
【００８１】
本実施の形態３における複合パッケージＣＰＡＣ３は上記のように構成されており、以下に、その変形例である複合パッケージＣＰＡＣ４の構成について説明する。図２０は、変形例である複合パッケージＣＰＡＣ４の構成を示す平面図である。図２０に示すように、本変形例における複合パッケージＣＰＡＣ４は、矩形形状の金属基板ＭＢを有し、この金属基板ＭＢ上に絶縁シートＩＳ１と絶縁シートＩＳ２が形成されている。そして、この絶縁シートＩＳ１上に単体パッケージＰＡＣ１が搭載され、絶縁シートＩＳ２上に単体パッケージＰＡＣ２が搭載されている。そして、単体パッケージＰＡＣ１の上面と単体パッケージＰＡＣ２の上面を押え付けるように押さえ板ＰＰが形成されている。この押さえ板ＰＰは、押さえ板固定用ねじＳＲＷで金属基板ＭＢに固定されている。そして、金属基板ＭＢの中央部に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ２が形成されている。
【００８２】
また、図２１は、本変形例における複合パッケージＣＰＡＣ４を側面から見た図である。図２１においても、金属基板ＭＢ上に絶縁シートＩＳ１と絶縁シートＩＳ２が形成されており、絶縁シートＩＳ１上に単体パッケージＰＡＣ１が搭載され、絶縁シートＩＳ２上に単体パッケージＰＡＣ２が搭載されていることがわかる。さらに、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２上には、押さえ板ＰＰが形成されており、この押さえ板ＰＰは、押さえ板固定用ねじＳＲＷで金属基板ＭＢに固定されている。
【００８３】
ここで、本変形例である複合パッケージＣＰＡＣ４の特徴は、図２０に示すように、金属基板ＭＢの領域のうち、単体パッケージＰＡＣ１を搭載した領域と単体パッケージＰＡＣ２を搭載した領域の間の領域に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ２が形成されているとともに、押さえ板ＰＰもこの領域で固定されている点である。これにより、図１６に示す複合パッケージＣＰＡＣ３の大きさ（サイズ）よりも、図２０に示す複合パッケージＣＰＡＣ４の大きさ（サイズ）を小さくできる。つまり、本変形例である複合パッケージＣＰＡＣ４は、サイズを小さくできる利点がある。
【００８４】
一方、図１６に示す複合パッケージＣＰＡＣ３は、この金属基板ＭＢの領域のうち、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２を搭載した領域の外側領域に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１が形成されているとともに、押さえ板ＰＰもこの領域で固定されている。そして、この金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１は、矩形形状をした金属基板ＭＢの四隅に形成されている。この場合、図１６に示す複合パッケージＣＰＡＣ３は、金属基板ＭＢの四隅に形成されている金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１に金属基板固定用ねじを挿入することにより固定されるので、前述の複合パッケージＣＰＡＣ４に比べて、複合パッケージＣＰＡＣ３をより確実に固定することができる利点を有している。
【００８５】
（実施の形態４）
以上のように、本実施の形態３における複合パッケージＣＰＡＣ３と、変形例における複合パッケージＣＰＡＣ４とは、それぞれ、異なる利点を有しているが、基本的な構造は同じである。したがって、本実施の形態４では、前記実施の形態３における複合パッケージＣＰＡＣ３を例に挙げて、その製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００８６】
図２２は、本実施の形態４における複合パッケージＣＰＡＣ３の製造方法を示すフローチャートである。また、図２３（ａ）〜図２７（ａ）は、複合パッケージＣＰＡＣ３の製造工程を示す平面図であり、図２３（ｂ）〜図２７（ｂ）は、それぞれ、図２３（ａ）〜図２７（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【００８７】
まず、例えば、特許文献１に記載されている技術を使用することにより、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２を形成する（図２２のＳ２０１）。
【００８８】
続いて、図２３（ａ）および図２３（ｂ）に示すように、矩形形状をした金属基板ＭＢを用意する（図２２のＳ２０２）。この金属基板ＭＢは、例えば、アルミニウム基板や銅基板から構成されている。矩形形状をした金属基板ＭＢの四隅には、金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１が形成されている。さらに、金属基板ＭＢの短辺方向において、金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１の間には、押さえ板固定用ねじ止め穴Ｈ３が形成されている。
【００８９】
次に、図２４（ａ）および図２４（ｂ）に示すように、金属基板ＭＢ上に絶縁シートＩＳを搭載する（図２２のＳ２０３）。この絶縁シートＩＳは、例えば、フィラーを含有したエポキシ樹脂などから形成されている。絶縁シートＩＳの厚さは、例えば、約１００μｍ程度である。
【００９０】
その後、図２５（ａ）および図２５（ｂ）に示すように、絶縁シートＩＳ上に単体パッケージＰＡＣ１および単体パッケージＰＡＣ２を搭載する（図２２のＳ２０４）。このとき、単体パッケージＰＡＣ１の裏面や単体パッケージＰＡＣ２の裏面が絶縁接着シートＩＳと接触するように単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が絶縁シートＩＳ上に搭載される。また、封止体ＭＳ１から突き出た外部接続用エミッタ電極ＥＥ１と、封止体ＭＳ２から突き出た外部接続用コレクタ電極ＣＥ２とが、金属基板ＭＢの同じ辺側に隣接して配置されるように、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が絶縁シートＩＳ上に配置される。すなわち、金属基板ＭＢ上に搭載されている単体パッケージＰＡＣ１の搭載方向と、単体パッケージＰＡＣ２の搭載方向が逆方向になるように配置される。
【００９１】
続いて、図２６（ａ）および図２６（ｂ）に示すように、単体パッケージＰＡＣ１上と単体パッケージＰＡＣ２上とに跨るように押さえ板ＰＰを搭載する（図２２のＳ２０５）。この押さえ板ＰＰには、押さえ板固定用ねじ止め穴Ｈ３が形成されており、この押さえ板ＰＰに形成されている押さえ板固定用ねじ止め穴Ｈ３が、金属基板ＭＢに形成されている押さえ板固定用ねじ止め穴Ｈ３と平面的に重なるように、押さえ板ＰＰが配置される。
【００９２】
次に、図２７（ａ）および図２７（ｂ）に示すように、押さえ板ＰＰを押さえ板固定用ねじＳＲＷによって金属基板ＭＢに固定する（図２２のＳ２０６）。すなわち、押さえ板ＰＰに形成されている押さえ板固定用ねじ止め穴Ｈ３と、金属基板ＭＢに形成されている押さえ板固定用ねじ止め穴Ｈ３の両方に押さえ板固定用ねじＳＲＷを挿入することにより、押さえ板ＰＰを金属基板ＭＢに固定する。
【００９３】
以上のようにして、複合パッケージＣＰＡＣ３を製造することができる。その後、完成した複合パッケージＣＰＡＣ３は、顧客へ納品され、顧客で３相モータの筐体カバー等に実装される。
【００９４】
（実施の形態５）
本実施の形態５では、単体パッケージＰＡＣとして、封止体ＭＳの両面から導体部が露出して放熱効率を向上させた両面放熱型パッケージを使用し、この単体パッケージＰＡＣを複数組み合わせた複合パッケージＣＰＡＣ５について説明する。
【００９５】
図２８は、本実施の形態５における単体パッケージＰＡＣを外部表面側から見た斜視図である。図２８において、単体パッケージＰＡＣの中心部には平面形状が略矩形状の封止体ＭＳが形成されており、この封止体ＭＳの上部の第２辺側には、外部接続用コレクタ電極ＣＥおよび信号電極ＳＥの一部が設けられている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥが形成されている封止体ＭＳの第２辺と対向する第１辺側には、外部接続用エミッタ電極ＥＥおよび信号電極ＳＥの一部が形成されている。そして、封止体ＭＳの表面には、導体部ＣＰが露出している。図２９は、単体パッケージＰＡＣを外部裏面側から見た斜視図である。図２９に示すように、封止体ＭＳの裏面側には、ヒートスプレッダＨＳが露出している。このようにヒートスプレッダＨＳが封止体ＭＳの裏面から露出しているのは、単体パッケージＰＡＣの放熱効率を向上させるためである。以上のように、本実施の形態５における単体パッケージＰＡＣは、封止体ＭＳの表面から導体部ＣＰが露出し、封止体ＭＳの裏面からヒートスプレッダＨＳが露出している。したがって、本実施の形態５における単体パッケージＰＡＣは、両面放熱型パッケージであり、放熱効率を向上することができるパッケージである。
【００９６】
本実施の形態５では、上述した両面放熱型パッケージを使用して複合パッケージＣＰＡＣ５を構成している。以下に、この本実施の形態５における複合パッケージＣＰＡＣ５の構成について図面を参照しながら説明する。
【００９７】
図３０は、本実施の形態５における複合パッケージＣＰＡＣ５の構成を示す平面図である。図３０において、本実施の形態５における複合パッケージＣＰＡＣ５は、矩形形状の金属基板ＭＢを有し、この金属基板ＭＢ上に絶縁接着シートＩＡＳが形成されている。そして、この絶縁接着シートＩＡＳ上に単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が搭載されている。
【００９８】
金属基板ＭＢは、例えば、アルミニウム基板や銅基板などの熱伝導性のよい材料から形成されている。この金属基板ＭＢの領域のうち、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２を搭載した領域の外側領域に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１が形成されている。この金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１は、矩形形状をした金属基板ＭＢの四隅に形成されている。
【００９９】
金属基板ＭＢ上に形成されている絶縁接着シートＩＡＳは、例えば、熱硬化性樹脂から構成されている。具体的に、絶縁接着シートＩＡＳは、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂からなるベース樹脂に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）や窒化ホウ素などのセラミックスやガラスクロスからなるフィラーを充填した構造となっている。
【０１００】
単体パッケージＰＡＣ１や単体パッケージＰＡＣ２は、図２８〜図２９で説明した外観構造を有している。具体的に、図３０に示すように、単体パッケージＰＡＣ１の中心部には平面形状が略矩形状の封止体ＭＳ１が形成されており、この封止体ＭＳ１の下部には、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１および信号電極ＳＥ１の一部が設けられている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１が形成されている封止体ＭＳ１の下部と対向する上部には、外部接続用エミッタ電極ＥＥ１および信号電極ＳＥ１の一部が形成されている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１には、ねじ止め用開口部ＣＯＰ１が形成され、外部接続用エミッタ電極ＥＥ１には、ねじ止め用開口部ＥＯＰ１が形成されている。
【０１０１】
同様に、単体パッケージＰＡＣ２の中心部には平面形状が略矩形状の封止体ＭＳ２が形成されており、この封止体ＭＳ２の上部には、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２および信号電極ＳＥ２の一部が設けられている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２が形成されている封止体ＭＳ２の上部と対向する下部には、外部接続用エミッタ電極ＥＥ２および信号電極ＳＥ２の一部が形成されている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２には、ねじ止め用開口部ＣＯＰ２が形成され、外部接続用エミッタ電極ＥＥ２には、ねじ止め用開口部ＥＯＰ２が形成されている。
【０１０２】
図３１は、本実施の形態５における複合パッケージＣＰＡＣ５を側面から見た図である。図３１において、金属基板ＭＢの表面には絶縁層ＩＬが形成されており、この絶縁層ＩＬ上に絶縁接着シートＩＡＳが形成されている。そして、この絶縁接着シートＩＡＳ上に単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が搭載されている。図３２は、図３０のＡ−Ａ線で切断した断面図である。図３２でも、金属基板ＭＢ上に絶縁層ＩＬが形成されており、この絶縁層ＩＬ上に絶縁接着シートＩＡＳが形成されていることがわかる。そして、この絶縁接着シートＩＡＳ上に単体パッケージＰＡＣ１が搭載されている。具体的に、絶縁接着シートＩＡＳ上には、封止体ＭＳ１の底面から露出したヒートスプレッダＨＳが搭載されている。このヒートスプレッダＨＳは、ねじ止め用開口部ＣＯＰ１を形成した外部接続用コレクタ電極ＣＥ１と接続されている。また、ヒートスプレッダＨＳ上には、半田Ｓ１を介して半導体チップＤＣＨＰ１と半導体チップＣＨＰ１が搭載されており、半導体チップＤＣＨＰ１の上面と半導体チップＣＨＰ１の上面には、半田Ｓ２を介して銅ブロックＢＫが配置されている。この銅ブロックＢＫ上には、半田Ｓ３を介して導体部ＣＰ１が形成されている。この導体部ＣＰ１の表面は、封止体ＭＳ１の表面から露出している。そして、導体部ＣＰ１は、ねじ止め用開口部ＥＯＰ１を形成した外部接続用エミッタ電極ＥＥ１と接続されている。このとき、図３２において、導体部ＣＰ１は、半導体チップＤＣＨＰ１および半導体チップＣＨＰ１と銅ブロックＢＫを介して間接的に接続されているが、導体部ＣＰ１の厚さを厚く形成して、半田Ｓ２を介して直接半導体チップＤＣＨＰ１や半導体チップＣＨＰ１と導体部ＣＰ１とを接続するようにしてもよい。
【０１０３】
以上のように構成されている複合パッケージＣＰＡＣ５では、単体パッケージＰＡＣ１の上面に導体部ＣＰ１が露出しており、単体パッケージＰＡＣ２の上面に導体部ＣＰ２が露出している。したがって、単体パッケージＰＡＣ１の内部で発生した熱は露出している導体部ＣＰ１から効率良く放散され、単体パッケージＰＡＣ２の内部で発生した熱は露出している導体部ＣＰ２から効率良く放散される。このことから、本実施の形態５における複合パッケージＣＰＡＣ５によれば、放熱効率を向上することができ、安定した動作を確保することができる。
【０１０４】
本実施の形態５における複合パッケージＣＰＡＣ５は上記のように構成されており、以下に、その変形例である複合パッケージＣＰＡＣ６の構成について説明する。図３３は、変形例である複合パッケージＣＰＡＣ６の構成を示す平面図である。図３３に示すように、本変形例における複合パッケージＣＰＡＣ６は、矩形形状の金属基板ＭＢを有し、この金属基板ＭＢ上に絶縁接着シートＩＡＳが形成されている。そして、この絶縁接着シートＩＡＳ上に単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が搭載されている。単体パッケージＰＡＣ１の表面には導体部ＣＰ１が露出し、単体パッケージＰＡＣ２の表面には導体部ＣＰ２が露出している。
【０１０５】
また、図３４は、本変形例における複合パッケージＣＰＡＣ６を側面から見た図である。図３４において、金属基板ＭＢの表面には絶縁層ＩＬが形成されており、この絶縁層ＩＬ上に絶縁接着シートＩＡＳが形成されていることがわかる。そして、この絶縁接着シートＩＡＳ上に単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が搭載されている。
【０１０６】
ここで、本変形例である複合パッケージＣＰＡＣ６の特徴は、図３３に示すように、金属基板ＭＢの領域のうち、単体パッケージＰＡＣ１を搭載した領域と単体パッケージＰＡＣ２を搭載した領域の間の領域に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ２が形成されている点である。これにより、図３０に示す複合パッケージＣＰＡＣ５の大きさ（サイズ）よりも、図３３に示す複合パッケージＣＰＡＣ６の大きさ（サイズ）を小さくできる。つまり、本変形例である複合パッケージＣＰＡＣ６は、サイズを小さくできる利点がある。
【０１０７】
一方、図３０に示す複合パッケージＣＰＡＣ５は、この金属基板ＭＢの領域のうち、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２を搭載した領域の外側領域に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１が形成されている。そして、この金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１は、矩形形状をした金属基板ＭＢの四隅に形成されている。この場合、図３０に示す複合パッケージＣＰＡＣ５は、金属基板ＭＢの四隅に形成されている金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１に金属基板固定用ねじを挿入することにより固定されるので、複合パッケージＣＰＡＣ５を確実に固定することができる利点を有している。
【０１０８】
本実施の形態５における複合パッケージＣＰＡＣ５の製造方法は、前記実施の形態２と同様であるため、省略する。
【０１０９】
（実施の形態６）
本実施の形態６では、単体パッケージＰＡＣとして、封止体ＭＳの両面から導体部が露出して放熱効率を向上させた両面放熱型パッケージを使用し、この単体パッケージＰＡＣを複数組み合わせた複合パッケージＣＰＡＣ７について説明する。
【０１１０】
図３５は、本実施の形態６における複合パッケージＣＰＡＣ７の構成を示す平面図である。図３５に示すように、矩形形状をした金属基板ＭＢ上に絶縁シートＩＳ１が搭載されており、この絶縁シートＩＳ１上に単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が搭載されている。そして、単体パッケージＰＡＣ１の上面および単体パッケージＰＡＣ２の上面には絶縁シートＩＳ２が形成されており、この絶縁シートＩＳ２上に押さえ板ＰＰが形成されている。この押さえ板ＰＰは、押さえ板固定用ねじＳＲＷによって金属基板ＭＢに固定されている。このようにして、金属基板ＭＢ上に搭載されている絶縁シートＩＳ１、単体パッケージＰＡＣ１、単体パッケージＰＡＣ２および絶縁シートＩＳ２は、押さえ板ＰＰによって金属基板ＭＢに固定されていることになる。
【０１１１】
金属基板ＭＢは、例えば、アルミニウム基板や銅基板から構成されており、四隅に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１が形成されている。また、絶縁シートＩＳ１および絶縁シートＩＳ２は、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂からなるベース樹脂に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）や窒化ホウ素などのセラミックスやガラスクロスからなるフィラーを充填した構造となっている。さらに、押さえ板ＰＰは、押さえ強度を確保する観点からは、例えば、ステンレスから形成されていることが望ましく、良好な熱伝導を確保する観点からは、例えば、銅から形成されていることが望ましい。
【０１１２】
単体パッケージＰＡＣ１や単体パッケージＰＡＣ２は、図２８〜図２９で説明した外観構造を有している。具体的に、図３５に示すように、単体パッケージＰＡＣ１の中心部には平面形状が略矩形状の封止体ＭＳ１が形成されており、この封止体ＭＳ１の下部には、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１および信号電極ＳＥ１の一部が設けられている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１が形成されている封止体ＭＳ１の下部と対向する上部には、外部接続用エミッタ電極ＥＥ１および信号電極ＳＥ１の一部が形成されている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１には、ねじ止め用開口部ＣＯＰ１が形成され、外部接続用エミッタ電極ＥＥ１には、ねじ止め用開口部ＥＯＰ１が形成されている。
【０１１３】
同様に、単体パッケージＰＡＣ２の中心部には平面形状が略矩形状の封止体ＭＳ２が形成されており、この封止体ＭＳ２の上部には、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２および信号電極ＳＥ２の一部が設けられている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２が形成されている封止体ＭＳ２の上部と対向する下部には、外部接続用エミッタ電極ＥＥ２および信号電極ＳＥ２の一部が形成されている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２には、ねじ止め用開口部ＣＯＰ２が形成され、外部接続用エミッタ電極ＥＥ２には、ねじ止め用開口部ＥＯＰ２が形成されている。
【０１１４】
図３６は、本実施の形態６における複合パッケージＣＰＡＣ７を側面から見た図である。図３６において、金属基板ＭＢ上に絶縁シートＩＳ１が形成されている。そして、この絶縁シートＩＳ１上に単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が搭載されている。このとき、本実施の形態６における複合パッケージＣＰＡＣ７では、絶縁シートＩＳ１は接着性を有しておらず、単に、金属基板ＭＢ上に配置されている状態となっている。そして、単体パッケージＰＡＣ１の上面および単体パッケージＰＡＣ２の上面に絶縁シートＩＳ２が形成されており、この絶縁シートＩＳ２を介して単体パッケージＰＡＣ１および単体パッケージＰＡＣ２を押さえ付けるように押さえ板ＰＰが形成されており、この押さえ板ＰＰは押さえ板固定用ねじＳＲＷによって金属基板ＭＢに固定されている。
【０１１５】
図３７は、図３５のＡ−Ａ線で切断した断面図である。図３７でも、金属基板ＭＢ上に絶縁シートＩＳ１が形成されており、絶縁シートＩＳ１上に単体パッケージＰＡＣ１が搭載されていることがわかる。具体的に、絶縁シートＩＳ１上には、封止体ＭＳ１の底面から露出したヒートスプレッダＨＳが搭載されている。このヒートスプレッダＨＳは、ねじ止め用開口部ＣＯＰ１を形成した外部接続用コレクタ電極ＣＥ１と接続されている。
【０１１６】
また、ヒートスプレッダＨＳ上には、半田Ｓ１を介して半導体チップＤＣＨＰ１と半導体チップＣＨＰ１が搭載されており、半導体チップＤＣＨＰ１の上面と半導体チップＣＨＰ１の上面には、半田Ｓ２を介して銅ブロックＢＫが配置されている。この銅ブロックＢＫ上には、半田Ｓ３を介して導体部ＣＰ１が形成されている。この導体部ＣＰ１の表面は、封止体ＭＳ１の表面から露出している。そして、導体部ＣＰ１は、ねじ止め用開口部ＥＯＰ１を形成した外部接続用エミッタ電極ＥＥ１と接続されている。このとき、図３７において、導体部ＣＰ１は、半導体チップＤＣＨＰ１および半導体チップＣＨＰ１と銅ブロックＢＫを介して間接的に接続されているが、導体部ＣＰ１の厚さを厚く形成して、半田Ｓ２を介して直接半導体チップＤＣＨＰ１や半導体チップＣＨＰ１と導体部ＣＰ１とを接続するようにしてもよい。
【０１１７】
さらに、導体部ＣＰ１の表面が露出した封止体ＭＳ１の表面上には、絶縁シートＩＳ２が形成されており、この絶縁シートＩＳ２上に押さえ板ＰＰが形成されている。ここで、単体パッケージＰＡＣ１上と単体パッケージＰＡＣ２上に直接押さえ板ＰＰを形成しない理由について説明する。本実施の形態６では、単体パッケージＰＡＣ１の表面に導体部ＣＰ１が露出し、単体パッケージＰＡＣ２の表面に導体部ＣＰ２が露出している。したがって、金属から構成される押さえ板ＰＰを単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２上に直接搭載すると、露出している導体部ＣＰ１と導体部ＣＰ２が押さえ板ＰＰを介して導通してしまうことになる。このため、本実施の形態６では、単体パッケージＰＡＣ１上と単体パッケージＰＡＣ２上に絶縁シートＩＳ２を形成し、この絶縁シートＩＳ２上に押さえ板ＰＰを搭載することにより、導体部ＣＰ１と導体部ＣＰ２とのショートを防止しているのである。
【０１１８】
なお、本実施の形態６では、絶縁シートＩＳ１と同様に絶縁シートＩＳ２についても選択性が向上するので、例えば、熱伝導性（放熱特性）を重要視する顧客に対しては、フィラーＦＲの充填率の高い絶縁シートＩＳ２を使用し、絶縁耐性を重要視する顧客に対しては、ベース樹脂ＢＲの比率が高い絶縁シートＩＳ２が使用するという対応をとることができる。
【０１１９】
以上のように構成されている複合パッケージＣＰＡＣ７では、単体パッケージＰＡＣ１の上面に導体部ＣＰ１が露出しており、単体パッケージＰＡＣ２の上面に導体部ＣＰ２が露出している。したがって、単体パッケージＰＡＣ１の内部で発生した熱は露出している導体部ＣＰ１から効率良く放散され、単体パッケージＰＡＣ２の内部で発生した熱は露出している導体部ＣＰ２から効率良く放散される。このことから、本実施の形態６における複合パッケージＣＰＡＣ７によれば、放熱効率を向上することができ、安定した動作を確保することができる。
【０１２０】
本実施の形態６における複合パッケージＣＰＡＣ７は上記のように構成されており、以下に、その変形例である複合パッケージＣＰＡＣ８の構成について説明する。図３８は、変形例である複合パッケージＣＰＡＣ８の構成を示す平面図である。図３８に示すように、本変形例における複合パッケージＣＰＡＣ８は、矩形形状の金属基板ＭＢを有し、この金属基板ＭＢ上に絶縁シートＩＳ１と絶縁シートＩＳ３が形成されている。そして、この絶縁シートＩＳ１上に単体パッケージＰＡＣ１が搭載され、絶縁シートＩＳ３上に単体パッケージＰＡＣ２が搭載されている。単体パッケージＰＡＣ１の上面には導体部ＣＰ１が露出しており、単体パッケージＰＡＣ２の上面には導体部ＣＰ２が露出している。そして、単体パッケージＰＡＣ１の上面には絶縁シートＩＳ２が形成されており、単体パッケージＰＡＣ２の上面には絶縁シートＩＳ４が形成されている。この絶縁シートＩＳ２と絶縁シートＩＳ４上に単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２とを押え付けるように押さえ板ＰＰが形成されている。この押さえ板ＰＰは、押さえ板固定用ねじＳＲＷで金属基板ＭＢに固定されている。そして、金属基板ＭＢの中央部に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ２が形成されている。
【０１２１】
また、図３９は、本変形例における複合パッケージＣＰＡＣ８を側面から見た図である。図３９においても、金属基板ＭＢ上に絶縁シートＩＳ１と絶縁シートＩＳ３が形成されており、絶縁シートＩＳ１上に単体パッケージＰＡＣ１が搭載され、絶縁シートＩＳ３上に単体パッケージＰＡＣ２が搭載されていることがわかる。さらに、単体パッケージＰＡＣ１上に絶縁シートＩＳ２が形成され、単体パッケージＰＡＣ２上に絶縁シートＩＳ４が形成されている。この絶縁シートＩＳ２と絶縁シートＩＳ４上には、押さえ板ＰＰが形成されており、この押さえ板ＰＰは、押さえ板固定用ねじＳＲＷで金属基板ＭＢに固定されている。
【０１２２】
ここで、本変形例である複合パッケージＣＰＡＣ８の特徴は、図３８に示すように、金属基板ＭＢの領域のうち、単体パッケージＰＡＣ１を搭載した領域と単体パッケージＰＡＣ２を搭載した領域の間の領域に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ２が形成されているとともに、押さえ板ＰＰもこの領域で固定されている点である。これにより、図３５に示す複合パッケージＣＰＡＣ７の大きさ（サイズ）よりも、図３８に示す複合パッケージＣＰＡＣ８の大きさ（サイズ）を小さくできる。つまり、本変形例である複合パッケージＣＰＡＣ８は、サイズを小さくできる利点がある。
【０１２３】
一方、図３５に示す複合パッケージＣＰＡＣ７は、この金属基板ＭＢの領域のうち、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２を搭載した領域の外側領域に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１が形成されているとともに、押さえ板ＰＰもこの領域で固定されている。そして、この金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１は、矩形形状をした金属基板ＭＢの四隅に形成されている。この場合、図３５に示す複合パッケージＣＰＡＣ７は、金属基板ＭＢの四隅に形成されている金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１に金属基板固定用ねじを挿入することにより固定されるので、複合パッケージＣＰＡＣ７を確実に固定することができる利点を有している。
【０１２４】
（実施の形態７）
以上のように、本実施の形態６における複合パッケージＣＰＡＣ７と、変形例における複合パッケージＣＰＡＣ８とは、それぞれ、異なる利点を有しているが、基本的な構造は同じである。したがって、本実施の形態７では、前記実施の形態６における複合パッケージＣＰＡＣ７を例に挙げて、その製造方法について図面を参照しながら説明する。
【０１２５】
図４０は、本実施の形態７における複合パッケージＣＰＡＣ７の製造方法を示すフローチャートである。また、図４１（ａ）〜図４６（ａ）は、複合パッケージＣＰＡＣ７の製造工程を示す平面図であり、図４１（ｂ）〜図４６（ｂ）は、それぞれ、図４１（ａ）〜図４６（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【０１２６】
まず、例えば、特許文献１に記載されている技術を使用することにより、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２を形成する（図４０のＳ３０１）。
【０１２７】
続いて、図４１（ａ）および図４１（ｂ）に示すように、矩形形状をした金属基板ＭＢを用意する（図４０のＳ３０２）。この金属基板ＭＢは、例えば、アルミニウム基板や銅基板から構成されている。矩形形状をした金属基板ＭＢの四隅には、金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１が形成されている。さらに、金属基板ＭＢの短辺方向において、金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１の間には、押さえ板固定用ねじ止め穴Ｈ３が形成されている。
【０１２８】
次に、図４２（ａ）および図４２（ｂ）に示すように、金属基板ＭＢ上に絶縁シートＩＳ１を搭載する（図４０のＳ３０３）。この絶縁シートＩＳ１は、例えば、フィラーを含有したエポキシ樹脂などから形成されている。絶縁シートＩＳ１の厚さは、例えば、１００μｍである。
【０１２９】
その後、図４３（ａ）および図４３（ｂ）に示すように、絶縁シートＩＳ１上に単体パッケージＰＡＣ１および単体パッケージＰＡＣ２を搭載する（図４０のＳ３０４）。このとき、単体パッケージＰＡＣ１の裏面や単体パッケージＰＡＣ２の裏面が絶縁接着シートＩＳ１と接触するように単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が絶縁シートＩＳ１上に搭載される。また、封止体ＭＳ１から突き出た外部接続用エミッタ電極ＥＥ１と、封止体ＭＳ２から突き出た外部接続用コレクタ電極ＣＥ２とが、金属基板ＭＢの同じ辺側に隣接して配置されるように、単体パッケージＰＡＣ１と単体パッケージＰＡＣ２が絶縁シートＩＳ１上に配置される。すなわち、金属基板ＭＢ上に搭載されている単体パッケージＰＡＣ１の搭載方向と、単体パッケージＰＡＣ２の搭載方向が逆方向になるように配置される。また、単体パッケージＰＡＣ１の上面には導体部ＣＰ１が露出し、単体パッケージＰＡＣ２の上面には導体部ＣＰ２が露出している。
【０１３０】
そして、図４４（ａ）および図４４（ｂ）に示すように、導体部ＣＰ１が露出している単体パッケージＰＡＣ１上と、導体部ＣＰ２が露出している単体パッケージＰＡＣ２上にわたって、絶縁シートＩＳ２を搭載する（図４０のＳ３０５）。この絶縁シートＩＳ２は、例えば、フィラーを含有したエポキシ樹脂などから形成されている。絶縁シートＩＳ２の厚さは、例えば、１００μｍである。
【０１３１】
続いて、図４５（ａ）および図４５（ｂ）に示すように、単体パッケージＰＡＣ１上と単体パッケージＰＡＣ２上とに跨るように絶縁シートＩＳ２を介して押さえ板ＰＰを搭載する（図４０のＳ３０６）。この押さえ板ＰＰには、押さえ板固定用ねじ止め穴Ｈ３が形成されており、この押さえ板ＰＰに形成されている押さえ板固定用ねじ止め穴Ｈ３が、金属基板ＭＢに形成されている押さえ板固定用ねじ止め穴Ｈ３と平面的に重なるように、押さえ板ＰＰが配置される。
【０１３２】
次に、図４６（ａ）および図４６（ｂ）に示すように、押さえ板ＰＰを押さえ板固定用ねじＳＲＷによって金属基板ＭＢに固定する（図４０のＳ３０７）。すなわち、押さえ板ＰＰに形成されている押さえ板固定用ねじ止め穴Ｈ３と、金属基板ＭＢに形成されている押さえ板固定用ねじ止め穴Ｈ３の両方に押さえ板固定用ねじＳＲＷを挿入することにより、押さえ板ＰＰを金属基板ＭＢに固定する。
【０１３３】
以上のようにして、複合パッケージＣＰＡＣ７を製造することができる。その後、完成した複合パッケージＣＰＡＣ７は、顧客へ納品され、顧客で３相モータの筐体カバー等に実装される。
【０１３４】
（実施の形態８）
本実施の形態８では、３つの単体パッケージＰＡＣを搭載した複合パッケージＣＰＡＣ９について説明する。
【０１３５】
図４７は、本実施の形態８における複合パッケージＣＰＡＣ９の構成を示す平面図である。図４７において、本実施の形態８における複合パッケージＣＰＡＣ９は、矩形形状の金属基板ＭＢを有する。この金属基板ＭＢの表面には絶縁層（図示せず）が形成されており、絶縁層を形成した金属基板ＭＢ上に絶縁接着シートＩＡＳが形成されている。そして、この絶縁接着シートＩＡＳ上に単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３が搭載されている。
【０１３６】
金属基板ＭＢは、例えば、アルミニウム基板や銅基板などの熱伝導性のよい材料から形成されている。この金属基板ＭＢの領域のうち、単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３を搭載した領域の外側領域に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１が形成されている。この金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１は、矩形形状をした金属基板ＭＢの四隅に形成されている。
【０１３７】
金属基板ＭＢ上に形成されている絶縁接着シートＩＡＳは、例えば、熱硬化性樹脂から構成されている。具体的に、絶縁接着シートＩＡＳは、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂からなるベース樹脂に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）や窒化ホウ素などのセラミックスやガラスクロスからなるフィラーを充填した構造となっている。
【０１３８】
単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３は、前記実施の形態１の図２〜図５で説明した構造を有している。具体的に、図４７に示すように、単体パッケージＰＡＣ１の中心部には平面形状が略矩形状の封止体ＭＳ１が形成されており、この封止体ＭＳ１の上部には、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１および信号電極ＳＥ１の一部が設けられている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１が形成されている封止体ＭＳ１の上部と対向する下部には、外部接続用エミッタ電極ＥＥ１および信号電極ＳＥ１の一部が形成されている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１には、ねじ止め用開口部ＣＯＰ１が形成され、外部接続用エミッタ電極ＥＥ１には、ねじ止め用開口部ＥＯＰ１が形成されている。
【０１３９】
同様に、単体パッケージＰＡＣ２の中心部には平面形状が略矩形状の封止体ＭＳ２が形成されており、この封止体ＭＳ２の上部には、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２および信号電極ＳＥ２の一部が設けられている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２が形成されている封止体ＭＳ２の上部と対向する下部には、外部接続用エミッタ電極ＥＥ２および信号電極ＳＥ２の一部が形成されている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ２には、ねじ止め用開口部ＣＯＰ２が形成され、外部接続用エミッタ電極ＥＥ２には、ねじ止め用開口部ＥＯＰ２が形成されている。
【０１４０】
さらに、単体パッケージＰＡＣ３の中心部には平面形状が略矩形状の封止体ＭＳ３が形成されており、この封止体ＭＳ３の上部には、外部接続用コレクタ電極ＣＥ３および信号電極ＳＥ３の一部が設けられている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ３が形成されている封止体ＭＳ３の上部と対向する下部には、外部接続用エミッタ電極ＥＥ３および信号電極ＳＥ３の一部が形成されている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ３には、ねじ止め用開口部ＣＯＰ３が形成され、外部接続用エミッタ電極ＥＥ３には、ねじ止め用開口部ＥＯＰ３が形成されている。
【０１４１】
このように構成されている複合パッケージＣＰＡＣ９の特徴点は、金属基板ＭＢ上に単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３を一緒に搭載して、１つの複合パッケージＣＰＡＣ９を形成している点にある。これにより、６つの単体パッケージを実装する場合に比べて、２つの複合パッケージＣＰＡＣ９を実装する場合のほうが、実装するパッケージの数が少なくなるので、顧客での実装負担を軽減することができるのである。すなわち、単体パッケージを顧客で実装する場合は、１つの３相モータに対して、６つの単体パッケージを実装する必要があるが、複合パッケージＣＰＡＣ９を顧客で実装する場合、１つの３相モータに対して、２つの複合パッケージＣＰＡＣ９を実装すればよいので、上述した複合パッケージＣＰＡＣ９を顧客に納入することにより、顧客での実装負担を大幅に低減できる効果が得られる。
【０１４２】
さらに、本実施の形態８における複合パッケージＣＰＡＣ９は、金属基板ＭＢ上に搭載されている単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３の搭載方向が同じ向きになっている点に特徴がある。つまり、図４７に示すように、本実施の形態９における複合パッケージＣＰＡＣ９では、封止体ＭＳ１から突き出た外部接続用コレクタ電極ＣＥ１と、封止体ＭＳ２から突き出た外部接続用コレクタ電極ＣＥ２と、封止体ＭＳ３から突き出た外部接続用コレクタ電極ＣＥ３とが、金属基板ＭＢの同じ辺側に隣接して配置されるように、単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３が絶縁接着シートＩＡＳ上に配置されている。これにより、顧客での実装負担を軽減することができる。
【０１４３】
例えば、第１の複合パッケージＣＰＡＣ９に搭載される単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３は、図１に示す電源電位（Ｖｃｃ）と３相モータとの間に接続されるＩＧＢＴ４とダイオード５とを封止したパッケージとすることができる。そして、もう１つの第２の複合パッケージＣＰＡＣ９に搭載される単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３は、図１に示す接地電位（ＧＮＤ）と３相モータとの間に接続されるＩＧＢＴ４とダイオード５とを封止したパッケージとすることができる。この場合、第１の複合パッケージＣＰＡＣ９と第２の複合パッケージＣＰＡＣ９により、同様の構成を有する２つの複合パッケージＣＰＡＣ９で、図１に示すパワー半導体装置２を構成することができるのである。
【０１４４】
図１からわかるように、電源電位（Ｖｃｃ）と３相モータとの間に接続されるＩＧＢＴ４のコレクタ電極は３つのＩＧＢＴ４で共通となる。このことは、上述した第１の複合パッケージＣＰＡＣ９に搭載されている単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３の外部接続用コレクタ電極ＣＥ１〜ＣＥ３を接続することを意味している。同様に、接地電位（ＧＮＤ）と３相モータとの間に接続されるＩＧＢＴ４のエミッタ電極は３つのＩＧＢＴ４で共通となる。このことは、上述した第２の複合パッケージＣＰＡＣ９に搭載されている単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３の外部接続用エミッタ電極ＥＥ１〜ＥＥ３を接続することを意味している。
【０１４５】
したがって、単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３の外部接続用コレクタ電極ＣＥ１〜ＣＥ３が金属基板ＭＢの同じ辺側に配置されるように、単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３を配置する。言い換えれば、単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３の外部接続用エミッタ電極ＥＥ１〜ＥＥ３が金属基板ＭＢの同じ辺側に配置されるように、単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３を配置する。これにより、顧客での実装において、単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３の外部接続用コレクタ電極ＣＥ１〜ＣＥ３を接続しやすくなる。つまり、本実施の形態８における複合パッケージＣＰＡＣ９は、金属基板ＭＢ上に搭載されている単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３の搭載方向を同じ方向に揃えることで、顧客での実装レイアウトが容易となる利点がある。
【０１４６】
本実施の形態８における複合パッケージＣＰＡＣ９は上記のように構成されており、その製造方法は、前記実施の形態２と同様である。なお、本実施の形態８における複合パッケージＣＰＡＣ９では、絶縁接着シートＩＡＳを使用して単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３を金属基板ＭＢ上に搭載する例について説明したが、例えば、前記実施の形態３のように押さえ板ＰＰを使用して単体パッケージＰＡＣ１〜ＰＡＣ３を金属基板ＭＢ上に固定してもよい。
【０１４７】
（実施の形態９）
本実施の形態９では、６つの単体パッケージＰＡＣを搭載した複合パッケージＣＰＡＣ１０について説明する。
【０１４８】
図４８は、本実施の形態９における複合パッケージＣＰＡＣ１０の構成を示す平面図である。図４８において、本実施の形態９における複合パッケージＣＰＡＣ１０は、矩形形状の金属基板ＭＢを有する。この金属基板ＭＢの表面には絶縁層（図示せず）が形成されており、絶縁層を形成した金属基板ＭＢ上に絶縁接着シートＩＡＳ１と絶縁接着シートＩＡＳ２が形成されている。そして、この絶縁接着シートＩＡＳ１上に単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ３が搭載され、絶縁シートＩＡＳ２上に単体パッケージＰＡＣ４〜単体パッケージＰＡＣ６が搭載されている。
【０１４９】
金属基板ＭＢは、例えば、アルミニウム基板や銅基板などの熱伝導性のよい材料から形成されている。この金属基板ＭＢの領域のうち、単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ６を搭載した領域の外側領域に金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１が形成されている。この金属基板固定用ねじ止め穴Ｈ１は、矩形形状をした金属基板ＭＢの辺に沿って形成されている。
【０１５０】
金属基板ＭＢ上に形成されている絶縁接着シートＩＡＳ１および絶縁接着シートＩＡＳ２は、例えば、熱硬化性樹脂から構成されている。具体的に、絶縁接着シートＩＡＳ１および絶縁接着シートＩＡＳ２は、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂からなるベース樹脂に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）や窒化ホウ素などのセラミックスやガラスクロスからなるフィラーを充填した構造となっている。
【０１５１】
単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ６は、前記実施の形態１の図２〜図５で説明した構造を有している。具体的に、図４８に示すように、単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ６の中心部には平面形状が略矩形状の封止体ＭＳ１〜ＭＳ６が形成されており、この封止体ＭＳ１〜ＭＳ６の上部には、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１〜ＣＥ６および信号電極ＳＥ１〜ＳＥ６の一部が設けられている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１〜ＣＥ６が形成されている封止体ＭＳ１〜ＭＳ６の上部と対向する下部には、外部接続用エミッタ電極ＥＥ１〜ＥＥ６および信号電極ＳＥ１〜ＳＥ６の一部が形成されている。そして、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１〜ＣＥ６には、ねじ止め用開口部ＣＯＰ１〜ＣＯＰ６が形成され、外部接続用エミッタ電極ＥＥ１〜ＥＥ６には、ねじ止め用開口部ＥＯＰ１〜ＥＯＰ６が形成されている。
【０１５２】
このように構成されている複合パッケージＣＰＡＣ１０の特徴点は、金属基板ＭＢ上に単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ６を一緒に搭載して、１つの複合パッケージＣＰＡＣ１０を形成している点にある。これにより、６つの単体パッケージを実装する場合に比べて、１つの複合パッケージＣＰＡＣ１０を実装する場合のほうが、実装するパッケージの数が少なくなるので、顧客での実装負担を軽減することができるのである。すなわち、単体パッケージを顧客で実装する場合は、１つの３相モータに対して、６つの単体パッケージを実装する必要があるが、複合パッケージＣＰＡＣ１０を顧客で実装する場合、１つの３相モータに対して、１つの複合パッケージＣＰＡＣ１０を実装すればよいので、上述した複合パッケージＣＰＡＣ１０を顧客に納入することにより、顧客での実装負担を大幅に低減できる効果が得られる。
【０１５３】
本実施の形態９における複合パッケージＣＰＡＣ１０は上記のように構成されており、その製造方法は、前記実施の形態２と同様である。なお、本実施の形態９における複合パッケージＣＰＡＣ１０では、絶縁接着シートＩＡＳ１と絶縁接着シートＩＡＳ２を使用して単体パッケージＰＡＣ１〜単体パッケージＰＡＣ６を金属基板ＭＢ上に搭載する例について説明したが、例えば、前記実施の形態３のように押さえ板ＰＰを使用して単体パッケージＰＡＣ１〜ＰＡＣ６を金属基板ＭＢ上に固定してもよい。
【０１５４】
（実施の形態１０）
本実施の形態１０では、顧客側において、複合パッケージを実装して３相モータを制御するパワー半導体装置を構成する実装例について説明する。
【０１５５】
図４９は、前記実施の形態１で説明した複合パッケージＣＰＡＣ１を使用して、図１に示すパワー半導体装置２を構成する実装例を示す図である。図４９に示すように、樹脂ケースＭＣ内に３つの複合パッケージＣＰＡＣ１が配置されている。これらの３つの複合パッケージＣＰＡＣ１は、それぞれ、コレクタ配線Ｃ（Ｖｃｃ）、エミッタ配線Ｅ（ＧＮＤ）、Ｕ相配線ＵＷ、Ｖ相配線ＶＷおよびＷ相配線ＷＷに接続するように配置される。これにより、図１に示す６つのＩＧＢＴ４と６つのダイオード５からなるパワー半導体装置２を構成することができる。そして、樹脂ケースＭＣ内に配置して３つの複合パッケージＣＰＡＣ１の上方には制御基板ＣＢが配置される。
【０１５６】
次に、図５０は、前記実施の形態８で説明した複合パッケージＣＰＡＣ９を使用して、図１に示すパワー半導体装置２を構成する実装例を示す図である。図５０に示すように、樹脂ケースＭＣ内に２つの複合パッケージＣＰＡＣ９が配置されている。これらの２つの複合パッケージＣＰＡＣ９は、それぞれ、コレクタ配線Ｃ（Ｖｃｃ）、エミッタ配線Ｅ（ＧＮＤ）、Ｕ相配線ＵＷ、Ｖ相配線ＶＷおよびＷ相配線ＷＷに接続するように配置される。これにより、図１に示す６つのＩＧＢＴ４と６つのダイオード５からなるパワー半導体装置２を構成することができる。そして、樹脂ケースＭＣ内に配置して２つの複合パッケージＣＰＡＣ９の上方には制御基板ＣＢが配置される。
【０１５７】
続いて、図５１は、前記実施の形態９で説明した複合パッケージＣＰＡＣ１０を使用して、図１に示すパワー半導体装置２を構成する実装例を示す図である。図５１に示すように、樹脂ケースＭＣ内に１つの複合パッケージＣＰＡＣ１０が配置されている。この１つの複合パッケージＣＰＡＣ１０は、それぞれ、コレクタ配線Ｃ（Ｖｃｃ）、エミッタ配線Ｅ（ＧＮＤ）、Ｕ相配線ＵＷ、Ｖ相配線ＶＷおよびＷ相配線ＷＷに接続するように配置される。これにより、図１に示す６つのＩＧＢＴ４と６つのダイオード５からなるパワー半導体装置２を構成することができる。そして、樹脂ケースＭＣ内に配置して１つの複合パッケージＣＰＡＣ１０の上方には制御基板ＣＢが配置される。
【０１５８】
次に、図４９に示す複合パッケージＣＰＡＣ１を実装した構造体の断面構造について説明する。図５２は、図４９のＡ−Ａ線で切断した断面図である。図５２に示すように、例えば、樹脂ケースＭＣの下部にアルミニウムからなる放熱フィンＦＩＮが取り付けられており、樹脂ケースＭＣの中央部に形成されている凹部に複合パッケージＣＰＡＣ１を構成する単体パッケージＰＡＣ１が搭載されている。この複合パッケージＣＰＡＣ１は、グリースＧＲＣを介して放熱フィンＦＩＮと接触しており、複合パッケージＣＰＡＣ１で発生した熱が放熱フィンＦＩＮに伝わって効率良く熱を放散できる構造となっている。
【０１５９】
この放熱フィンＦＩＮ上にグリースＧＲＣを介して複合パッケージＣＰＡＣ１が搭載されているが、具体的には、グリースＧＲＣ上に金属基板ＭＢが配置されている。この金属基板ＭＢの表面には絶縁層ＩＬが形成されており、絶縁層ＩＬ上に絶縁接着シートＩＡＳが形成されている。絶縁接着シートＩＡＳ上には封止体ＭＳ１が配置されており、絶縁接着シートＩＡＳは、封止体ＭＳ１の裏面から露出しているヒートスプレッダＨＳと接触している。
【０１６０】
ヒートスプレッダＨＳには、外部接続用コレクタ電極ＣＥ１が接続されており、この外部接続用コレクタ電極ＣＥ１は、ねじＳＲＷ１によってバスバーＢＢ１に固定されている。このバスバーＢＢ１は、図４９に示すコレクタ配線Ｃ（Ｖｃｃ）と接続されている。さらに、ヒートスプレッダＨＳ上には、半田Ｓ１を介して、ダイオードを形成した半導体チップＤＣＨＰ１とＩＧＢＴを形成した半導体チップＣＨＰ１が搭載されている。半導体チップＤＣＨＰ１および半導体チップＣＨＰ１上には、半田Ｓ２を介して、クリップＣＬＰが搭載されており、このクリップＣＬＰは、外部接続用エミッタ電極ＥＥ１に接続されている。外部接続用エミッタ電極ＥＥ１は、ねじＳＲＷ２によってバスバーＢＢ２と接続されている。このバスバーＢＢ２は、図４９に示すＶ相配線ＶＷと接続されている。
【０１６１】
さらに、封止体ＭＳ１からは信号電極ＳＥ１が上方に向って突き出ている。この信号電極ＳＥ１は、複合パッケージＣＰＡＣ１の上方に配置されている制御基板ＣＢに挿入されており、制御基板ＣＢに半田等により接続している。信号電極ＳＥ１は、例えば、外部接続用ゲート電極ＧＥ、温度検知用電極ＴＥ１、ＴＥ２、電流検知用電極ＩＥ、あるいは、ケルビン検知用電極ＫＥ１、ＫＥ２から構成されており、これらの信号電極ＳＥ１は、制御基板ＣＢ上に搭載されている制御回路、電流検知回路、温度検知回路およびケルビン検知回路に接続するように構成されている。以上のようにして、図１に示すパワー半導体装置２が実装構成されている。
【０１６２】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１６３】
前記実施の形態１〜１０では、スイッチング素子としてＩＧＢＴを使用する例を説明したが、スイッチング素子としてパワーＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）を使用することもできる。この場合、パッケージの外部接続用コレクタ電極は、外部接続用ドレイン電極として機能し、外部接続用エミッタ電極は、外部接続用ソース電極として機能することになる。
【産業上の利用可能性】
【０１６４】
本発明は、半導体装置を製造する製造業に幅広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１６５】
１  ３相モータ
２  パワー半導体装置
３  制御回路
４  ＩＧＢＴ
５  ダイオード
１０  ＩＧＢＴ
１１  検知用ＩＧＢＴ
１２  エミッタ電極
１３  コレクタ電極
１４  ゲート電極
１５  センスエミッタ電極
１６  温度検知用ダイオード
１７  カソード電極
１８  アノード電極
１９  コモンエミッタ電極
ＢＢ１  バスバー
ＢＢ２  バスバー
ＢＫ  銅ブロック
ＢＲ  ベース樹脂
ＣＢ  制御基板
ＣＥ  外部接続用コレクタ電極
ＣＥ１  外部接続用コレクタ電極
ＣＥ２  外部接続用コレクタ電極
ＣＥ３  外部接続用コレクタ電極
ＣＥ４  外部接続用コレクタ電極
ＣＥ５  外部接続用コレクタ電極
ＣＥ６  外部接続用コレクタ電極
ＣＨＰ１  半導体チップ
ＣＬＰ  クリップ
ＣＯＰ  ねじ止め用開口部
ＣＯＰ１  ねじ止め用開口部
ＣＯＰ２  ねじ止め用開口部
ＣＯＰ３  ねじ止め用開口部
ＣＯＰ４  ねじ止め用開口部
ＣＯＰ５  ねじ止め用開口部
ＣＯＰ６  ねじ止め用開口部
ＣＰ  導体部
ＣＰＡＣ１  複合パッケージ
ＣＰＡＣ２  複合パッケージ
ＣＰＡＣ３  複合パッケージ
ＣＰＡＣ４  複合パッケージ
ＣＰＡＣ５  複合パッケージ
ＣＰＡＣ６  複合パッケージ
ＣＰＡＣ７  複合パッケージ
ＣＰＡＣ８  複合パッケージ
ＣＰＡＣ９  複合パッケージ
ＣＰＡＣ１０  複合パッケージ
ＣＰ１  導体部
ＣＰ２  導体部
Ｃ（Ｖｃｃ）コレクタ配線
ＤＣＨＰ１  半導体チップ
ＥＥ  外部接続用エミッタ電極
ＥＥ１  外部接続用エミッタ電極
ＥＥ２  外部接続用エミッタ電極
ＥＥ３  外部接続用エミッタ電極
ＥＥ４  外部接続用エミッタ電極
ＥＥ５  外部接続用エミッタ電極
ＥＥ６  外部接続用エミッタ電極
Ｅ（ＧＮＤ）  エミッタ配線
ＥＯＰ  ねじ止め用開口部
ＥＯＰ１  ねじ止め用開口部
ＥＯＰ２  ねじ止め用開口部
ＥＯＰ３  ねじ止め用開口部
ＥＯＰ４  ねじ止め用開口部
ＥＯＰ５  ねじ止め用開口部
ＥＯＰ６  ねじ止め用開口部
ＦＩＮ  放熱フィン
ＦＲ  フィラー
ＦＳ  第１辺
ＧＥ  外部接続用ゲート電極
ＧＲＣ  グリース
ＨＳ  ヒートスプレッダ
Ｈ１  金属基板固定用ねじ止め穴
Ｈ２  金属基板固定用ねじ止め穴
Ｈ３  押さえ板固定用ねじ止め穴
ＩＡＳ  絶縁接着シート
ＩＡＳ１  絶縁接着シート
ＩＡＳ２  絶縁接着シート
ＩＥ  電流検知用電極
ＩＬ  絶縁層
ＩＳ  絶縁シート
ＩＳ１  絶縁シート
ＩＳ２  絶縁シート
ＩＳ３  絶縁シート
ＩＳ４  絶縁シート
ＫＥ１  ケルビン検知用電極
ＫＥ２  ケルビン検知用電極
ＭＢ  金属基板
ＭＣ  樹脂ケース
ＭＳ  封止体
ＭＳ１  封止体
ＭＳ２  封止体
ＭＳ３  封止体
ＭＳ４  封止体
ＭＳ５  封止体
ＭＳ６  封止体
ＰＡＣ  単体パッケージ
ＰＡＣ１  単体パッケージ
ＰＡＣ２  単体パッケージ
ＰＡＣ３  単体パッケージ
ＰＡＣ４  単体パッケージ
ＰＡＣ５  単体パッケージ
ＰＡＣ６  単体パッケージ
ＰＰ  押さえ板
ＳＥ  信号電極
ＳＥ１  信号電極
ＳＥ２  信号電極
ＳＥ３  信号電極
ＳＥ４  信号電極
ＳＥ５  信号電極
ＳＥ６  信号電極
ＳＲＷ  押さえ板固定用ねじ
ＳＲＷ１  ねじ
ＳＲＷ２  ねじ
ＳＳ  第２辺
Ｓ１  半田
Ｓ２  半田
Ｓ３  半田
ＴＥ１  温度検知用電極
ＴＥ２  温度検知用電極
ＵＷ  Ｕ相配線
ＶＷ  Ｖ相配線
Ｗ  ワイヤ
ＷＷ  Ｗ相配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図１９】
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