(57)【要約】【課題】複数の接続端子間のアイソレーションを十分に確保できるようにする。【解決手段】回路素子１から構成された複数のモジュール３がそれぞれ封止される複数のキャビティを有するモジュール支持基板５と、該モジュール支持基板５を封止すると共に、前記モジュール３にそれぞれ電気的接続される複数の接続端子（入力端子６及び出力端子７）を絶縁支持する封止容器（金属パッケージ９）とを備えるマイクロ波用ハイブリッド集積回路であって、封止容器９の内部空間において、複数の接続端子６、７が、マイクロ波信号の伝導を、相互に絶縁する態様で配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子から構成された複数のモジュールがそれぞれ封止される複数のキャビティを有するモジュール支持基板と、該モジュール支持基板を封止すると共に、前記モジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器とを備えるマイクロ波用ハイブリッド集積回路であって、
前記封止容器の内部空間において、前記複数の接続端子は、マイクロ波信号の伝導を、相互に絶縁する態様で配置されている、
ことを特徴とするマイクロ波用ハイブリッド集積回路。
【請求項２】
前記複数の接続端子はそれぞれ、前記モジュール支持基板の対応した前記キャビティの内部空間にその端部が露出されるように配置されることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波用ハイブリッド集積回路。
【請求項３】
前記モジュール支持基板が、多層配線基板から構成されることを特徴とする請求項１又は２記載のマイクロ波用ハイブリッド集積回路。
【請求項４】
前記モジュール支持基板の前記キャビティの前記内部空間が、絶縁性カバーによって封止されることを特徴とする請求項２又は３記載のマイクロ波用ハイブリッド集積回路。
【請求項５】
前記絶縁性多層基板あるいは前記絶縁性基板が、セラミックから構成されることを特徴とする請求項３又は４記載のマイクロ波用ハイブリッド集積回路。
【請求項６】
前記封止容器が、金属から構成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１に記載のマイクロ波用ハイブリッド集積回路。
【請求項７】
前記封止容器の前記内部空間が、金属カバーによって封止されることを特徴とする請求項６記載のマイクロ波用ハイブリッド集積回路。
【請求項８】
前記封止容器の前記内部空間及び前記キャビティの前記内部空間に、不活性ガスが充填されることを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１に記載のマイクロ波用ハイブリッド集積回路。
【請求項９】
前記複数の接続端子はそれぞれ、一体に絶縁支持された金属凸部が前記封止容器の一部として前記封止容器に気密に保持された状態で、前記金属凸部が前記モジュール支持基板の底面の一部に設けられた抜け穴にせり出るように配置されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１に記載のマイクロ波用ハイブリッド集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マイクロ波用ハイブリッド集積回路に係り、詳しくは、能動素子や受動素子等の回路素子から構成された複数のモジュールがそれぞれ封止される複数のキャビティを有するモジュール支持基板と、このモジュール支持基板を封止すると共に各モジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器とを備えるマイクロ波用ハイブリッド集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の代表である集積回路（Integrated Circuit：IC）はシステム構成上、モノリシック（Monolithic）ＩＣと、ハイブリッドＩＣ（Hybrid Integrated Circuit、以下、単にＨＩＣとも言う）とに大別される。モノリシックＩＣは、トランジスタ等の能動素子や、必要に応じてキャパシタ等の受動素子を１枚の半導体基板に集積して所望の機能を発揮させるように構成する。一方、ＨＩＣは、個別の半導体デバイス又はＩＣ及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子をそれぞれ回路基板に実装した複数のモジュール（以下、単にＨＩＣモジュールとも称する）を、相互に電気的接続して所望の機能を発揮させるように構成したものである。
【０００３】
ここで、ＨＩＣは、各ＨＩＣモジュールを高周波特性、高出力特性等の高性能を有する回路素子を用いて構成できるという自由度があるので、多機能化、高利得化が可能になるため、例えばマイクロ波領域において使用される通信機器等の電子機器に広く適用されている。
【０００４】
図５は、この発明に関連する技術（以下、関連技術と言う）により作成されるＨＩＣの構成を示す平面図、また、図６は図５のＢ―Ｂ矢視断面図である。同ＨＩＣ１００は、図５及び図６に示すように、個別の半導体デバイス又はＩＣ及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子１０１をそれぞれ回路基板１０２に実装した複数（例えば、２個）のモジュール１０３が、それぞれ封止される２個のキャビティ１０４Ａ、１０４Ｂを有するモジュール支持基板１０５と、このモジュール支持基板１０５を封止すると共に、各モジュール１０３にそれぞれ電気的接続される２個の接続端子である入力端子１０６及び出力端子１０７を、それぞれ封止ガラス１０８を介して絶縁支持する金属パッケージ（封止容器）１０９とを備えている。
【０００５】
モジュール支持基板１０５には、３個の横壁１０５Ａ〜１０５Ｃが設けられて、２個のキャビティ１０４Ａ、１０４Ｂが仕切られている。また、各横壁１０５Ａ〜１０５Ｃの底部にはそれぞれ貫通ライン（フィードスルーライン）１１０Ａ〜１１０Ｃが設けられている。さらに、入力端子１０６と貫通ライン１１０Ａの一端との間、貫通ライン１１０Ａの他端と一の回路基板１０２の一端との間、一の回路基板１０２の他端と貫通ライン１１０Ｂの一端との間、貫通ライン１１０Ｂの他端と他の回路基板１０２の一端との間、他の貫通ライン１１０Ｂの他端と貫通ライン１１０Ｃの一端との間、貫通ライン１１０Ｃの他端と出力端子１０７との間の計６箇所にはボンディングワイヤ１１１が接続されている。また、各キャビティ１０４Ａ、１０４Ｂの内部空間はそれぞれ絶縁性基板から成る内部カバー１１２Ａ、１１２Ｂによって封止されると共に、金属パッケージ１０９の内部空間は金属から成る外部カバー１１３によって封止されている。なお、図５では内容を理解し易くするために、内部カバー１１２Ａ、１１２Ｂ及び外部カバー１１３を開放した状態で示している。さらに、各内部空間にはＨＩＣ１００の特性を安定に維持するために、各モジュール１０３の酸化を防止する窒素のような不活性ガスが充填されている。符号１１４は、金属パッケージ１０９の内部空間にモジュール支持基板１０５を位置決めして固定するための枠体である。
【０００６】
ところで、関連技術により作成されるＨＩＣ１００では、図５及び図６から明らかなように、入力端子１０６と出力端子１０７とがともに金属パッケージ１０９の内部空間に配置されているので、両端子１０６、１０７間のアイソレーションが不十分であるという問題がある。このように両端子１０６、１０７間のアイソレーションが十分に確保できていない状態では、外部カバー１１３による金属パッケージ１０９の気密封止の前後で、両端子１０６、１０７間のマイクロ波信号（ＲＦ信号）の漏れ込み状態に変動が生じ、これによって特性の変化が大きくなるという不都合が生じる。加えて、両端子１０６、１０７間のアイソレーションの不十分さに基づいて、以下のような問題も発生する。すなわち、ＨＩＣ１００の組立時にはモジュール支持基板１０５に実装した各モジュール１０３の電気調整を行う必要があるが、これは入力端子１０６から出力端子１０７に信号を流して、出力信号を観察しながら電気調整が必要なモジュールのキャビティの内部カバーを開放した（外部カバー１１３も開放した）状態で行われる。あるいは、両端子１０６，１０７間には信号を流さずに、内部カバーを開放した状態で測定プローブを用いることでモジュールを調整する場合もある。例えば、キャビティ１０４Ｂのモジュール１０３の電気調整を行うときは、内部カバー１１２Ｂのみを開放して、モジュール１０３の電気調整が行われる。
【０００７】
しかしながら、このようないずれの調整方法においても、内部カバー１１２Ｂを開放した状態では、そのキャビティ１０４Ｂと両端子１０６、１０７間のアイソレーションも十分に確保できないので、上述の場合と同様に特性の大きな変化が避けられない。特に、利得の大きいモジュールを用いる場合は、両端子１０６、１０７及び両キャビティ１０４Ａ、１０４Ｂ間のフィードバックによって発振が生じて、そのモジュールの機能を損なう恐れがある。また、ＨＩＣ１００の多機能化、高利得化を図るためには、各モジュールを分割して各構成部分のアイソレーションを確保する必要性が生ずるので、その分金属パッケージ１０９のサイズが大きくなって、ＨＩＣ１００を適用する電子機器の小型軽量化が困難になる原因にもなる。
【０００８】
このような観点から、金属パッケージ１０９内の両端子１０６、１０７間に電気的な仕切りを設けて十分なアイソレーションを確保する改善策が考えられているが、このようにすれば、金属パッケージ１０９の構造及び改善作業が複雑になるので、ＨＩＣ１００のコストアップが避けられなくなり、実用的でなくなる。
【０００９】
一方、パッケージを構成する部品点数を減らすと共に組立作業の効率向上を目的としたＨＩＣが特許文献１に記載されている。図７は、特許文献１に記載のハイブリッド集積回路（ＨＩＣ２００）の構成を示す断面図である。特許文献１に記載のＨＩＣ２００は、同図に示すように、基板２０１の同一面（一方の側）に、電源回路部２０７がパルストランス部２０２及び通信制御回路部２０３との間に電磁遮蔽用金属板２１１を介して搭載されて、全体が金属容器２１２内に収納されている。基板２０１の反対側には外部接続用ピン２０５が接続されている。
【００１０】
また、特にマイクロ波用電子部品間に生ずる電気的干渉を除去し得るマイクロ波用電子部品間接続構造が特許文献２に開示されている。同接続構造は、一方のマイクロ波用電子部品の出力端子と他方のマイクロ波用電子部品の入力端子とが高周波伝送線路により接続してあり、同出力端子と同入力端子とを外部導体内において封じ込める導電性仕切板が設けてある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】実開平０２−１２７０７０号公報
【特許文献２】特開昭６３−３１０２０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、特許文献１に記載のＨＩＣでは、複数の接続端子が封止容器の内部空間において相互に絶縁される構成にはなっておらず、図７からも明らかなように、電磁遮蔽用金属板２１１が設けてあっても同接続端子に相当する両外部接続用ピン２０５はともに金属容器２１２の内部空間に配置されているので、両ピン２０５間のアイソレーションが不十分になるという、上述の関連技術と同様の問題点が発生する。なお、特許文献１に記載のＨＩＣ２００では、同電磁遮蔽用金属板２１１は、電源回路部２０７とパルストランス部２０２及び通信制御回路部２０３との間の電磁遮蔽を行うために用いられている。また、同ＨＩＣ２００で示されている金属容器２１２は、この発明の前提となる金属パッケージ９のように複数の接続端子６Ａ、６Ｂを絶縁支持するような構成にはなっておらず、図７からも明らかなように、両外部接続用ピン２０５の周囲は外部雰囲気と絶縁されていない。
【００１３】
また、特許文献２に記載のマイクロ波用電子部品間接続構造では、一方のマイクロ波用電子部品の出力端子と他方のマイクロ波用電子部品の入力端子とを外部導体内において封じ込める導電性仕切板を設けているが、特許文献１に記載の電磁遮蔽用仕切板２１１も含めて、関連技術の説明で言及したように、金属パッケージの構造及び改善作業が複雑になるので、ＨＩＣのコストアップが避けられなくなり、実用的でなくなる。
【００１４】
この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、複数のモジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器を備える構成において、複数の接続端子間のアイソレーションを十分に確保することができるようにしたマイクロ波用ハイブリッド集積回路を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明は、回路素子から構成された複数のモジュールがそれぞれ封止される複数のキャビティを有するモジュール支持基板と、該モジュール支持基板を封止すると共に、前記モジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器とを備えるマイクロ波用ハイブリッド集積回路に係り、前記封止容器の内部空間において、前記複数の接続端子が、マイクロ波信号の伝導を、相互に絶縁する態様で配置されている、ことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
この発明のマイクロ波用ハイブリッド集積回路によれば、回路素子から構成された複数のモジュールがそれぞれ封止される複数のキャビティを有するモジュール支持基板と、このモジュール支持基板を封止すると共に、各モジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器とを備える構成において、複数の接続端子はそれぞれ、封止容器の内部空間において相互に絶縁されるように配置されるので、複数の接続端子間のアイソレーションを十分に確保できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】この発明の実施形態であるマイクロ波用ハイブリッド集積回路の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】同ハイブリッド集積回路の組立方法を工程順に示す工程図である。
【図４】同ハイブリッド集積回路の組立方法を工程順に示す工程図である。
【図５】関連技術により作成されるハイブリッド集積回路の構成を示す平面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図７】特許文献１に記載のハイブリッド集積回路の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
個別の半導体デバイス又はＩＣ及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子１をそれぞれ回路基板２に実装した２個のモジュール３が、それぞれ封止される２個のキャビティ４Ａ、４Ｂを有するモジュール支持基板５と、このモジュール支持基板５を封止すると共に、各モジュール３にそれぞれ電気的接続される２個の接続端子である入力端子６及び出力端子７を、それぞれ封止ガラス８を介して絶縁支持する金属パッケージ９とを備える構成において、入力端子６及び出力端子７はそれぞれモジュール支持基板５の対応した各キャビティ４Ａ、４Ｂの内部空間にその端部が露出されるように配置されるので、両端子６、７は金属パッケージ９の内部空間において相互に絶縁される。
【実施形態】
【００１９】
図１は、この発明の実施形態であるマイクロ波用ハイブリッド集積回路の構成を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図、図３（ａ）〜（ｃ）は同ハイブリッド集積回路の組立方法を工程順に示す工程図、また、図４（ｄ）、（ｅ）は同ハイブリッド集積回路の組立方法を工程順に示す工程図である。
この実施形態のマイクロ波用ハイブリッド集積回路２０は、図１及び図２に示すように、個別の半導体デバイス又はＩＣ及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子１をそれぞれ回路基板２に実装した２個のモジュール３が、それぞれ封止される２個のキャビティ４Ａ、４Ｂを有するモジュール支持基板５と、このモジュール支持基板５を封止すると共に、各モジュール３にそれぞれ電気的接続される２個の接続端子である入力端子６及び出力端子７を、それぞれ封止ガラス８を介して絶縁支持する金属パッケージ（封止容器）９とを備えている。モジュール支持基板５としては、一般に高密度配線の実現の点で優れている例えば、セラミック等から構成された多層配線基板が用いられている。
【００２０】
モジュール支持基板５には、３個の横壁５Ａ〜５Ｃが設けられて、２個のキャビティ４Ａ、４Ｂが仕切られている。また、各横壁５Ａ〜５Ｃのうち中央の横壁５Ｂのみの底部に貫通ライン（フィードスルーライン）１０が設けられている。ここで、後述の組立方法でも説明するように、モジュール支持基板５の底面には予め各キャビティ４Ａ、４Ｂ内に貫通する抜け穴１５が設けられて、この抜け穴１５には、上述のように両端子６、７をそれぞれ封止ガラス８を介して一体に絶縁支持して、金属パッケージ９の一部となるように金属パッケージ９と気密を保持して一体化された金属凸部１６がせり出ている。このような構成により、入力端子６及び出力端子７はそれぞれ、モジュール支持基板５の対応した各キャビティ４Ａ、４Ｂの内部空間にその端部が露出されるように配置される。符号１４は、金属パッケージ９の内部空間にモジュール支持基板５を位置決めして固定するための枠体、符号１７は、各金属凸部１６上に配置された中継基板である。
【００２１】
入力端子６と一の中継基板１７の一端との間、一の中継基板１７の他端と一の回路基板２の一端との間、一の回路基板２の他端と貫通ライン１０の一端との間、貫通ライン１０の他端と他の回路基板２の一端との間、他の回路基板２の他端と他の中継基板１７の一端との間、他の中継基板１７の他端と出力端子７との間の計６箇所にはボンディングワイヤ１１が接続されている。また、各キャビティ４Ａ、４Ｂの内部空間はそれぞれ絶縁性材料から成る内部カバー１２Ａ、１２Ｂによって封止されると共に、金属パッケージ９の内部空間は金属から成る外部カバー１３によって封止されている。なお、図１では内容を理解し易くするために、内部カバー１２Ａ、１２Ｂ及び外部カバー１３を開放した状態で示している。内部カバー１２Ａ、１２Ｂは各キャビティ４Ａ、４Ｂの本来の目的であるＨＩＣモジュール内部機能の分割を得るためのものである。一方、外部カバー１３は、多層配線基板等から構成されるモジュール支持基板５を含んだ金属パッケージ９内の気密を保つためのものである。入力端子６及び出力端子７は、封止ガラス８の最適な厚み、径等によって気密が保たれており、モジュール支持基板５内の各キャビティ４Ａ、４Ｂの気密を損なうことなく、ＨＩＣモジュール外部とＲＦ信号の伝達を実現させることができる。さらに、各内部空間にはＨＩＣ２０の特性を安定に維持するために、各モジュール３の酸化を防止する窒素のような不活性ガスが充填されている。
【００２２】
上記構成のハイブリッド集積回路２０において、入力端子６から入力されたＲＦ信号は一の中継基板１７を介して一のキャビティ４Ａ内のモジュール３を構成する一の回路素子１に入力され、貫通ライン１０を経由して他のキャビティ４Ｂ内に伝達される。このように伝達されたＲＦ信号は、入力部分と同様にモジュール３を構成する他の回路素子１に入力され、他の中継基板１７を介して出力端子７からモジュール３の外部へ出力される。
【００２３】
次に、図３及び図４を参照して、この実施形態によるハイブリッド集積回路２０の組立方法を工程順に説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、枠体１４により囲まれた金属パッケージ９の内部に位置し、かつ両端子６、７がそれぞれ封止ガラス８を介して一体に絶縁支持された金属凸部１６を、気密を保持するように一体化した金属パッケージ９を用意する。金属凸部１６は金属パッケージ９の形成時に切削等により一体化して形成される。
【００２４】
次に、図３（ｂ）に示すように、金属パッケージ９内に２個のキャビティ４Ａ、４Ｂを有するモジュール支持基板５を接着剤等により固定する。以上により、入力端子６の端部が一のキャビティ４Ａ内に露出すると共に、出力端子７の端部が他のキャビティ４Ｂ内に露出するようになる。続いて、モジュール支持基板５の一のキャビティ４Ａ内に一の回路素子１及び回路基板２から成る一のモジュール３を実装するともに、他のキャビティ４Ｂ内に他の回路素子１及び回路基板２から成る他のモジュール３を実装する。さらに、金属凸部１５上に中継基板１７を接着剤等により固定する。
【００２５】
次に、図３（ｃ）に示すように、通常のワイヤボンディング方法により、入力端子６と一の中継基板１７の一端との間、一の中継基板１７の他端と一の回路基板２の一端との間、一の回路基板２の他端と貫通ライン１０の一端との間、貫通ライン１０の他端と他の回路基板２の一端との間、他の回路基板２の他端と他の中継基板１７の一端との間、他の中継基板１７の他端と出力端子７との間の計６箇所に、ボンディングワイヤ１１を接続する。以上により、入力端子６と出力端子７との間に電気的経路が形成される。
【００２６】
次に、各キャビティ４Ａ、４Ｂ内に配置されている各モジュール３の電気調整を行う。例えば、他のキャビティ４Ｂ内のモジュール３の電気調整を行うものとすると、図４（ｄ）に示すように、一のキャビティ４Ａ内を内部カバー１２Ａによって仮止めすることにより閉じて、他のキャビティ４Ｂのみを開放した状態で、入力端子６から出力端子７に信号を流して、出力信号を観察しながらそのモジュールの電気調整を行う。あるいは、両端子６，７間には信号を流さずに、内部カバーを開放した状態で測定プローブを用いることで調整するようにしてもよい。以上により、入力端子６と出力端子７とは同一空間に配置されていないので、両端子６、７間のアイソレーションが十分に確保された状態で電気調整を行うことができる。
【００２７】
次に、図４（ｅ）に示すように、逆に他のキャビティ４Ｂ内を内部カバー１２Ｂによって閉じて、一のキャビティ４Ａのみを開放した状態で、上述に準じてモジュールの電気調整を行う。電気調整が終了したら、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気内で両内部カバー１２Ａ、１２Ｂを横壁５Ａ〜５Ｃ上に半田付け等により固定して、各キャビティ４Ａ、４Ｂを封止する。続いて、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気内で外部カバー１３を枠体１４上に溶接等により固定して金属パッケージ９を封止することにより、図１及び図２のハイブリッド集積回路２０が完成する。
【００２８】
以上のようにして組立てられたこの実施形態のハイブリッド集積回路２０によれば、封止容器の内部空間において、複数の接続端子（入力端子６及び出力端子７）が、マイクロ波信号の伝導を、相互に絶縁する態様で配置されることで、両端子６，７間のアイソレーションが十分に確保できるので、外部カバー１３による金属パッケージ９の気密封止の前後でも、両端子６、７間のマイクロ波信号の漏れ込み状態に変動が生じなくなり、これによって特性の変化が大きくなるという不都合は解消される。また、両端子６，７間で十分なアイソレーションが確保されることに基づいて、各モジュール３の電気調整時においても、必要なモジュールのキャビティの内部カバーを開放しても、上述の場合と同様に特性の大きな変化を回避することができる。
【００２９】
さらに、特に、利得の大きいモジュールを用いる場合でも、両端子６、７及び両キャビティ４Ａ、４Ｂ間のフィードバックによって発振が生じることもなくなり、そのモジュールの機能を損なうことを防止することができる。また、ＨＩＣ２０の多機能化、高利得化を図る場合でも、各モジュールを分割する必要性はなくなるので、金属パッケージ９のサイズを関連技術と略同じに保つことができるため、ＨＩＣ２０を適用する電子機器の小型軽量化を図ることができる。
【００３０】
このように、この実施形態のハイブリッド集積回路２０によれば、個別の半導体デバイス又はＩＣ及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子１をそれぞれ回路基板２に実装した２個のモジュール３が、それぞれ封止される２個のキャビティ４Ａ、４Ｂを有するモジュール支持基板５と、このモジュール支持基板５を封止すると共に、各モジュール３にそれぞれ電気的接続される２個の接続端子である入力端子６及び出力端子７を、それぞれ封止ガラス８を介して絶縁支持する金属パッケージ９とを備える構成において、入力端子６及び出力端子７はそれぞれモジュール支持基板５の対応した各キャビティ４Ａ、４Ｂの内部空間にその端部が露出されるように配置されるので、両端子６、７は金属パッケージ９の内部空間において相互に絶縁される。
したがって、複数のモジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器を備える構成において、複数の接続端子間のアイソレーションを十分に確保することができる。また、モジュール支持基板５は多層配線基板を用いる例で説明したが、これに限らない。
【００３１】
この実施形態では、一例としてモジュール支持基板５に２個のキャビティを設ける例で説明したが、このキャビティの個数は、ＨＩＣの機能、目的、用途等に応じて任意に増加することができる。また、モジュール支持基板５の底面に設ける抜け穴１５の位置は、モジュール支持基板５の各キャビティ４Ａ、４Ｂ内に入力端子６及び出力端子７の端部を露出させることができるような位置であれば任意に選ぶことができる。入力端子６及び出力端子７の個数も必要に応じて任意に選択できる。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
マイクロ波領域を対象とする用途に限らず、デジタル回路を用いた用途全般にも応用可能である。特に多機能、高機能によってＨＩＣモジュールの入出力端子及びモジュール支持基板内のキャビティが増加するほど、各構成部分のアイソレーション、信号リークの低減が必要になってくるので、このような用途にこの発明を適用することにより効果が十分に発揮される。
【符号の説明】
【００３３】
１    回路素子
２    回路基板
３    モジュール
４Ａ、４Ｂ    キャビティ
５    モジュール支持基板
６    入力端子（接続端子）
７    出力端子（接続端子）
８    封止ガラス
９    金属パッケージ（封止容器）
１０    貫通ライン
１１    ボンディングワイヤ
１２Ａ、１２Ｂ    内部カバー
１３    外部カバー
１４    枠体
１５    抜け穴
１６    金属凸部
１７    中継基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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