(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマ処理時間を短縮させて生産効率を上げ、しかも、マイクロ波発振器を休止させることなく有効に利用することができる複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法及びプラズマ処理装置システムを提供する。【解決手段】第１及び第２プラズマアッシング装置１，２は、それぞれマイクロ波発振器２５から発振するマイクロ波を、それぞれ自身のアッシング装置が休止中で、他のアッシング装置が処理中のときには、分配器２６を切換制御して、他のアッシング装置に供給するようにした。【選択図】図１
2011029561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ生成室に、導波管を介してマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入し、プラズマ形成用ガスを励起させてプラズマを生成し、前記プラズマ生成室で生成したプラズマを、チャンバ内に配置した加工用基板に曝してプラズマ処理する複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法であって、
複数のプラズマ処理装置の中でプラズマ処理を休止するプラズマ処理装置が生じた時、その休止するプラズマ処理装置のマイクロ波発振器からのマイクロ波を、プラズマ処理中のプラズマ処理装置に導入させて、プラズマ処理中のプラズマ処理装置において新たなプラズマを生成することを特徴とする複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法において、
前記各プラズマ処理装置に設けたプラズマ生成室は、
自身のマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入するメインプラズマ生成室と、
他のプラズマ処理装置のマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入するサブプラズマ生成室と
からなることを特徴とする複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法。
【請求項３】
プラズマ生成室にプラズマ形成用ガス及びマイクロ波を導入してプラズマを生成し、その生成したプラズマにてステージに載置した加工用基板の表面をプラズマ処理するチャンバと、
前記マイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、
前記マイクロ波発振器からマイクロ波を伝搬し、前記プラズマ生成室に設けたメインマイクロ波透過窓を介して前記プラズマ生成室に前記マイクロ波を導入する主導波管と
を備えたプラズマ処理装置を複数設けたプラズマ処理装置システムであって、
前記各プラズマ処理装置のプラズマ生成室に、新たなサブマイクロ波透過窓を設け、
前記各プラズマ処理装置の主導波管から分岐し、前記他のプラズマ処理装置に設けたサブマイクロ波透過窓を介して前記他のプラズマ処理装置のプラズマ生成室に、前記マイクロ波を導入させるための分岐導波管を設け、
さらに、前記各プラズマ処理装置に、前記主導波管と分岐導波管を選択し、自身の前記マイクロ波発振器からのマイクロ波を、自身の前記プラズマ生成室と他の前記プラズマ生成室のいずれかに導入させるための切換手段と
を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置システム。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理装置システムにおいて、
前記各プラズマ処理装置のプラズマ生成室は、複数のプラズマ生成室が設けられ、その各プラズマ生成室には、前記メインマイクロ波透過窓と前記サブマイクロ波透過窓のいずれかが設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置システム。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマ処理装置システムにおいて、
前記プラズマ処理装置は、２つであって、
前記各プラズマ処理装置に設けた複数のプラズマ生成室は、
自身のマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入するメインプラズマ生成室と、
他のプラズマ処理装置のマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入するサブプラズマ生成室と
からなることを特徴とするプラズマ処理装置システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法及びプラズマ処理装置システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波にて反応性ガスを励起してプラズマを生成し、この生成したプラズマを半導体基板等の加工用基板に曝すことによって、加工用基板に対してドライエッチング、表面改質、アッシング等を行うプラズマ処理装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
この種のプラズマ処理装置は、例えば、加工用基板上に形成したレジスト膜を反応性ガスのプラズマを用いてアッシング（灰化）するアッシング処理装置では、プラズマ生成室をチャンバの上側部に設けるとともに、加工用基板を載置したステージを下側部に設けている。そして、プラズマ生成室で生成されたプラズマは、下方に設けられたステージに導出される。そのステージに載置された加工用基板は、プラズマ生成室から導出されたプラズマに曝されることによってアッシングされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１２２９３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この種のアッシング処理装置では、加工用基板のアッシング処理が終了するとマイクロ波発振器を止めて、新たな加工用基板と交換する。そして、その交換作業が終了すると、再び、マイクロ波発振器を駆動し、プラズマを生成しアッシング処理を再開する。ところで、近年、加工用基板のプラズマ処理の需要が高まり、それに応えるべく、アッシング処理装置を増設し、生産性を上げている。
【０００６】
しかしながら、生産性を上げるべくアッシング処理装置を増設しても、個々のアッシング装置おいては前記したように交換作業が必ず行われ、その交換作業に時間を要し、生産効率を図る上で問題となっている。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、プラズマ処理時間を短縮させて生産効率を上げ、しかも、マイクロ波発振器を休止させることなく有効に利用することができる複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法及びプラズマ処理装置システムを提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、プラズマ生成室に、導波管を介してマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入し、プラズマ形成用ガスを励起させてプラズマを生成し、前記プラズマ生成室で生成したプラズマを、チャンバ内に配置した加工用基板に曝してプラズマ処理する複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法であって、複数のプラズマ処理装置の中でプラズマ処理を休止するプラズマ処理装置が生じた時、その休止するプラズマ処理装置のマイクロ波発振器からのマイクロ波を、プラズマ処理中のプラズマ処理装置に導入させて、プラズマ処理中のプラズマ処理装置において新たなプラズマを生成する。
【０００９】
請求項１に記載の発明によれば、各プラズマ処理装置のマイクロ波発振器から発振するマイクロ波を、それぞれ自身のプラズマ処理装置が休止中で、他のプラズマ処理装置が処理中のときには、他の処理中のプラズマ処理装置に供給して、その処理中のプラズマ処理装置においてプラズマ処理のプラズマを新たに生成できるようにした。従って、処理中のプラズマ処理装置はプラズマ処理能力が向上しプラズマ処理時間を短縮させ、生産効率を上げ、しかも、休止中のプラズマ処理装置に設けたマイクロ波発振器は、休止することなく、有効に利用することができる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法において、前記各プラズマ処理装置に設けたプラズマ生成室は、自身のマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入するメインプラズマ生成室と、他のプラズマ処理装置のマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入するサブプラズマ生成室とからなる。
【００１１】
請求項２に記載の発明によれば、各プラズマ処理装置は、メインプラズマ生成室で自身のマイクロ波発振器からのマイクロ波でプラズマを生成し、サブプラズマ生成室で他のプラズマ装置のマイクロ波発振器からのマイクロ波でプラズマを生成する。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、プラズマ生成室にプラズマ形成用ガス及びマイクロ波を導入してプラズマを生成し、その生成したプラズマにてステージに載置した加工用基板の表面をプラズマ処理するチャンバと、前記マイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、前記マイクロ波発振器からマイクロ波を伝搬し、前記プラズマ生成室に設けたメインマイクロ波透過窓を介して前記プラズマ生成室に前記マイクロ波を導入する主導波管とを備えたプラズマ処理装置を、複数設けたプラズマ処理装置システムであって、前記各プラズマ処理装置のプラズマ生成室に、新たなサブマイクロ波透過窓を設け、前記各プラズマ処理装置の主導波管から分岐し、前記他のプラズマ処理装置に設けたサブマイクロ波透過窓を介して前記他のプラズマ処理装置のプラズマ生成室に、前記マイクロ波を導入させるための分岐導波管を設け、さらに、前記各プラズマ処理装置に、前記主導波管と分岐導波管を選択し、自身の前記マイクロ波発振器からのマイクロ波を、自身の前記プラズマ生成室と他の前記プラズマ生成室のいずれかに導入させるための切換手段とを設けた。
【００１３】
請求項３に記載の発明によれば、各プラズマ処理装置のマイクロ波発振器から発振するマイクロ波を、それぞれ自身のプラズマ処理装置が休止中で、他のプラズマ処理装置が処理中のときには、切換手段にて、他の処理中のプラズマ処理装置に供給するようにして、他の処理中のプラズマ処理装置においてプラズマ処理のためのプラズマを新たに生成できるようにした。従って、処理中のプラズマ処理装置はプラズマ処理能力が向上しプラズマ処理時間を短縮させることができ、しかも、休止中のプラズマ処理装置に設けたマイクロ波発振器は、休止することなく、有効に利用することができる。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載のプラズマ処理装置システムにおいて、前記各プラズマ処理装置のプラズマ生成室は、複数のプラズマ生成室が設けられ、その各プラズマ生成室には、前記メインマイクロ波透過窓と前記サブマイクロ波透過窓のいずれかが設けられている。
【００１５】
請求項４に記載の発明によれば、自身のマイクロ波発振器からのマイクロ波がメインマイクロ波透過窓を介して、また、他の休止中のプラズマ処理装置のマイクロ波発振器からのマイクロ波がサブマイクロ波透過窓を介して、それぞれプラズマ生成室に導入される。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載のプラズマ処理装置システムにおいて、前記プラズマ処理装置は、２つであって、前記各プラズマ処理装置に設けた複数のプラズマ生成室は、自身のマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入するメインプラズマ生成室と、他のプラズマ処理装置のマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入するサブプラズマ生成室とからなる。
【００１７】
請求項５に記載の発明によれば、自身のマイクロ波発振器からのマイクロ波がメインマイクロ波透過窓を介してメインプラズマ生成室、また、他の休止中のプラズマ処理装置のマイクロ波発振器からのマイクロ波がサブマイクロ波透過窓を介してサブプラズマ生成室に導入される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、プラズマ処理時間を短縮させて生産効率を上げ、しかも、マイクロ波発振器を休止させることなく有効に利用することができることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】プラズマアッシング装置システムの概略構成図。
【図２】プラズマアッシング装置の各導波管の取り付け状態を示す平面図。
【図３】プラズマアッシング装置の拡散板を下方から見た状態を示す断面図。
【図４】プラズマアッシング装置のステージの配置状態を示す平断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明のプラズマ処理装置システムをプラズマアッシング装置システムに具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図１は、プラズマアッシング装置システムの概略構成図を示す。プラズマアッシング装置システムは、プラズマ処理装置としての第１プラズマアッシング装置１と第２プラズマアッシング装置２を有している。
【００２１】
第１プラズマアッシング装置１及び第２プラズマアッシング装置２は、その構成が共に同じ構成であって、プラズマ形成用ガスをマイクロ波で励起してプラズマを生成し、その生成したプラズマを用いて加工用基板としての半導体基板Ｗの表面に形成したレジスト膜をアッシングする装置である。
【００２２】
尚、第１及び第２プラズマアッシング装置１，２は、その構成が共に同じ構成であるので、説明の便宜上、第１プラズマアッシング装置１の構成を詳細に説明し、第２プラズマアッシング装置２は、第１プラズマアッシング装置１と同じ部材については符号を同じにしての詳細な説明を省略する。
【００２３】
第１プラズマアッシング装置１は、全体形状が直方体をなしたアルミ（Ａｌ）製のチャンバ１１を有している。チャンバ１１は、その底板１１ａの内側面にステージＳＴが配置固定されている。ステージＳＴは、図４に示すように、その上面に加工用基板としての半導体基板Ｗが載置される。
【００２４】
チャンバ１１を形成する天板１１ｂには、メインプラズマ生成室Ｓ１とサブプラズマ生成室Ｓ２が形成されている。メインプラズマ生成室Ｓ１のメイン筐体１２及びサブプラズマ生成室Ｓ２のサブ筐体１３は、図２に示すように、それぞれ平面三角形状をした箱体をなし、隣接して配置固定されている。そして、隣接して配置されることのよって、各筐体１２，１３が全体として平面正方形状をしている。各筐体１２，１３は、それぞれその側面に図示しないガス導入口が形成され、ガス導入口からプラズマ形成用ガスがそれぞれ導入されるようになっている。
【００２５】
メインプラズマ生成室Ｓ１のメイン筐体１２は、その筐体１２の天板１２ａの中央位置にメイン筐体１２の外側と内側を貫通する第１貫通穴１５が形成されている。その第１貫通穴１５には、それぞれ円板状の誘電体よりなるメインマイクロ波透過窓１６が、第１貫通穴１５を閉塞するように配設されている。また、メイン筐体１２の底板１２ｂとチャンバ１１の天板１１ｂとの連結固定部分であって第１貫通穴１５と対向する位置には、第１導出路１７が貫通形成されている。
【００２６】
一方、サブプラズマ生成室Ｓ２のサブ筐体１３は、その筐体１３の天板１３ａの中央位置にサブ筐体１３の外側と内側を貫通する第２貫通穴１８が形成されている。その第２貫通穴１８には、それぞれ円板状の誘電体よりなるサブマイクロ波透過窓１９が、第２貫通穴１８を閉塞するように配設されている。また、サブ筐体１３の底板１３ｂとチャンバ１１の天板１１ｂとの連結固定部分であって第２貫通穴１８と対向する位置には、第２導出路２０が貫通形成されている。
【００２７】
メイン筐体１２の天板１２ａには、主導波管２１の先端部が連結固定されている。主導波管２１の先端部は、メインマイクロ波透過窓１６に対応する位置に開口部２２が形成され、その開口部２２がメインマイクロ波透過窓１６を内包するように配置形成されている。
【００２８】
一方、サブ筐体１３の天板１３ａには、分岐導波管２３の先端部が連結固定されている。分岐導波管２３の先端部は、サブマイクロ波透過窓１９に対応する位置に開口部２４が形成され、その開口部２４がサブマイクロ波透過窓１９を内包するように配置形成されている。
【００２９】
主導波管２１は、その基端部にはマイクロ波発振器２５が設けられ、マイクロ波発振器２５から発振されたマイクロ波をメインマイクロ波透過窓１６まで伝搬させる。メインマイクロ波透過窓１６まで伝搬したマイクロ波は、メインマイクロ波透過窓１６を透過してメイン筐体１２内（メインプラズマ生成室Ｓ１）に導入されるようになっている。
【００３０】
分岐導波管２３は、その基端部が第２プラズマアッシング装置２に設けた主導波管２１に連結されている。つまり、第１プラズマアッシング装置１のサブ筐体１３に連結された分岐導波管２３は、第２プラズマアッシング装置２の主導波管２１から分岐した導波管である。
【００３１】
そして、第１プラズマアッシング装置１の主導波管２１においても、第２プラズマアッシング装置２のサブ筐体１３に連結された分岐導波管２３が分岐されている。
第１及び第２プラズマアッシング装置１，２における主導波管２１の分岐導波管２３との分岐部分には、それぞれ分配器２６が設けられている。
【００３２】
第１プラズマアッシング装置１の分配器２６は、主導波管２１を介して伝搬したマイクロ波発振器２５からのマイクロ波を、主導波管２１を介して自身のメイン筐体１２、または、分岐導波管２３を介して第２プラズマアッシング装置２のサブ筐体１３とのいずれか一方に伝搬させる切換手段であって、電気的に切換制御される。
【００３３】
従って、第２プラズマアッシング装置２の分配器２６も、主導波管２１を介して伝搬したマイクロ波発振器２５からのマイクロ波を、主導波管２１を介して自身のメイン筐体１２、または、分岐導波管２３を介して第１プラズマアッシング装置１のサブ筐体１３とのいずれか一方に伝搬させる切換手段である。
【００３４】
そして、分配器２６が主導波管２１側に切換制御されると、マイクロ波発振器２５からのマイクロ波は、主導波管２１を介して自身のメインマイクロ波透過窓１６まで伝搬し、メインマイクロ波透過窓１６を透過してメインプラズマ生成室Ｓ１に導入されるようになっている。このとき、そのマイクロ波発振器２５からのマイクロ波は、他方のプラズマアッシング装置のサブプラズマ生成室Ｓ２に導入されない。
【００３５】
反対に、分配器２６が分岐導波管２３側に切換制御されると、マイクロ波発振器２５からのマイクロ波は、分岐導波管２３を介して他方のプラズマアッシング装置のサブプラズマ生成室Ｓ２のサブマイクロ波透過窓１９まで伝搬し、該サブマイクロ波透過窓１９を透過してサブプラズマ生成室Ｓ２に導入されるようになっている。このとき、そのマイクロ波発振器２５からのマイクロ波は、自身のプラズマアッシング装置のメインプラズマ生成室Ｓ１に導入されない。
【００３６】
そして、これらメイン及びサブプラズマ生成室Ｓ１，Ｓ２において、その導入されたマイクロ波によって、同プラズマ生成室Ｓ１，Ｓ２に導入されたプラズマ形成用ガスが励起されプラズマが生成される。ここで、メインプラズマ生成室Ｓ１にて生成されたプラズマは、第１導出路１７を介して下方のステージＳＴに載置された半導体基板Ｗに向かって導出される。また、サブプラズマ生成室Ｓ２にて生成されたプラズマは、第２導出路２０を介して下方のステージＳＴに載置された半導体基板Ｗに向かって導出される。
【００３７】
なお、マイクロ波発振器２５と分配器２６との間の主導波管２１上には、アイソレータ２７及び整合器２８が設けられている。
チャンバ１１の天板１１ｂ下側であって第１導出路１７及び第２導出路２０と対向する位置に拡散板３０が配置されている。拡散板３０は、アルミ（Ａｌ）製よりなり、間隔保持部材３１を介して天板１１ｂに対して連結固定されている。拡散板３０は、図３に示すように、多数の導通孔３２が等間隔に配置形成され、第１導出路１７及び第２導出路２０から導出されたプラズマを分散させて各導通孔３２から導出させるようにして、プラズマが半導体基板Ｗの全表面に均一に曝されるようにしている。そして、ステージＳＴに載置された半導体基板Ｗは、その表面に形成されたレジスト膜がプラズマにてアッシングされる。
【００３８】
次に、上記したプラズマアッシング装置システムの作用について説明する。
（Ａ）
処理中：第１プラズマアッシング装置１
休止中：第２プラズマアッシング装置２
いま、先に、第１プラズマアッシング装置１が、チャンバ１１のステージＳＴに載置されている半導体基板Ｗのアッシングを行っている状態（処理中）にあり、一方、第２プラズマアッシング装置２が、チャンバ１１のステージＳＴの半導体基板Ｗをアッシング処理していない状態（休止中）にある。
【００３９】
このとき、第１プラズマアッシング装置１は、分配器２６が主導波管２１側に切換制御され、マイクロ波発振器２５からのマイクロ波を、主導波管２１を介してメインマイクロ波透過窓１６まで伝搬し、メインマイクロ波透過窓１６を透過してメインプラズマ生成室Ｓ１に導入されている。
【００４０】
一方、第２プラズマアッシング装置２は、分配器２６が分岐導波管２３側に切換制御され、マイクロ波発振器２５を駆動し同マイクロ波発振器２５からのマイクロ波を、分岐導波管２３を介して第１プラズマアッシング装置１のサブプラズマ生成室Ｓ２に導入する。
【００４１】
従って、この時点では、第１プラズマアッシング装置１は、そのメインプラズマ生成室Ｓ１において自身のマイクロ波発振器２５からマイクロ波を導入してプラズマが生成され、一方、サブプラズマ生成室Ｓ２において第２プラズマアッシング装置２のマイクロ波発振器２５からマイクロ波を導入してプラズマが生成されている。
【００４２】
そして、第１プラズマアッシング装置１は、メイン及びサブプラズマ生成室Ｓ１，Ｓ２にて生成されたプラズマは、第１及び第２導出路１７，２０からそれぞれ導出され、拡散板３０を介して半導体基板Ｗの表面に形成したレジスト膜をアッシングしている。
【００４３】
従って、メインプラズマ生成室Ｓ１にて生成されたプラズマに加えて、サブプラズマ生成室Ｓ２にて生成されたプラズマが、半導体基板Ｗのレジスト膜のアッシングに加わるため、第１プラズマアッシング装置１は、プラズマが増えた分、アッシング処理が迅速に行われる。
（Ｂ）
処理中：第１プラズマアッシング装置１
処理中：第２プラズマアッシング装置２
やがて、休止中の第２プラズマアッシング装置２において、ステージＳＴに新たな半導体基板Ｗが載置され、該半導体基板Ｗのアッシング処理のための準備が終了すると、第２プラズマアッシング装置２は、分配器２６が主導波管２１側に切換制御される。これによって、第２プラズマアッシング装置２のマイクロ波発振器２５からのマイクロ波は、主導波管２１を介して第２プラズマアッシング装置２のメインプラズマ生成室Ｓ１に導入される。一方、第２プラズマアッシング装置２の分配器２６が主導波管２１側に切換制御されることによって、第１プラズマアッシング装置１のサブプラズマ生成室Ｓ２には、マイクロ波の導入が遮断されて、サブプラズマ生成室Ｓ２においてプラズマが生成されなくなる。
【００４４】
従って、第２プラズマアッシング装置２は、メインプラズマ生成室Ｓ１にて生成されたプラズマによって半導体基板Ｗのアッシング処理が開始される。また、第１プラズマアッシング装置１は、サブプラズマ生成室Ｓ２にてプラズマが生成されなくなるため、メインプラズマ生成室Ｓ１にて生成されたプラズマのみによる半導体基板Ｗのアッシング処理が開始される。その結果、第１プラズマアッシング装置１におけるアッシング処理能力は、サブプラズマ生成室Ｓ２からのプラズマが消失する分、低下し、本来のアッシング処理能力に復帰する。
（Ｃ）
休止中：第１プラズマアッシング装置１
処理中：第２プラズマアッシング装置２
やがて、第１プラズマアッシング装置１が、処理中の半導体基板Ｗのアッシングが完了して、新たな半導体基板Ｗと交換し新たな半導体基板Ｗのアッシング処理を行うために休止すると、第１プラズマアッシング装置１は、分配器２６が分岐導波管２３側に切換制御される。これによって、第１プラズマアッシング装置１のマイクロ波発振器２５からのマイクロ波は、分岐導波管２３を介して第２プラズマアッシング装置２のサブプラズマ生成室Ｓ２に導入される。
【００４５】
この時、第２プラズマアッシング装置２の分配器２６が主導波管２１側に切換制御されることによって、第２プラズマアッシング装置２のメインプラズマ生成室Ｓ１には、マイクロ波が導入されていて、メインプラズマ生成室Ｓ１においてプラズマが生成されている。
【００４６】
従って、第２プラズマアッシング装置２は、メインプラズマ生成室Ｓ１にて生成されたプラズマに加えて、サブプラズマ生成室Ｓ２にて生成されたプラズマが、半導体基板Ｗのレジスト膜のアッシングに加わるため、プラズマが増えた分、アッシング処理が迅速に行われる。
【００４７】
一方、第１プラズマアッシング装置１は、メインプラズマ生成室Ｓ１及びサブプラズマ生成室Ｓ２からのプラズマが消失し休止する。そして、この休止中に、新たな半導体基板Ｗのアッシング処理を行うためにアッシング処理した半導体基板Ｗと新たな半導体基板Ｗとの交換作業を行う。
（Ｄ）
処理中：第１プラズマアッシング装置１
処理中：第２プラズマアッシング装置２
やがて、第１プラズマアッシング装置１において交換作業が終了すると、第１プラズマアッシング装置１は、分配器２６が主導波管２１側に切換制御される。これによって、第１プラズマアッシング装置１のマイクロ波発振器２５からのマイクロ波は、主導波管２１を介して第１プラズマアッシング装置１のメインプラズマ生成室Ｓ１に導入される。一方、第１プラズマアッシング装置１の分配器２６が主導波管２１側に切換制御されることによって、第２プラズマアッシング装置２のサブプラズマ生成室Ｓ２には、マイクロ波の導入が遮断されて、サブプラズマ生成室Ｓ２においてプラズマが生成されなくなる。
【００４８】
従って、第１プラズマアッシング装置１は、メインプラズマ生成室Ｓ１にて生成されたプラズマによって半導体基板Ｗのアッシング処理が開始される。また、第２プラズマアッシング装置２は、サブプラズマ生成室Ｓ２にてプラズマが生成されなくなるため、メインプラズマ生成室Ｓ１にて生成されたプラズマのみによる半導体基板Ｗのアッシング処理が開始される。その結果、第２プラズマアッシング装置２におけるアッシング処理能力は、サブプラズマ生成室Ｓ２からのプラズマが消失する分、低下し、本来のアッシング処理能力に復帰する。
（Ｅ）
処理中：第１プラズマアッシング装置１
休止中：第２プラズマアッシング装置２
やがて、第２プラズマアッシング装置２が、処理中の半導体基板Ｗのアッシングが完了して、新たな半導体基板Ｗと交換し新たな半導体基板Ｗのアッシング処理を行うために休止すると、第２プラズマアッシング装置２は、分配器２６が分岐導波管２３側に切換制御される。これによって、第２プラズマアッシング装置２のマイクロ波発振器２５からのマイクロ波は、分岐導波管２３を介して第１プラズマアッシング装置１のサブプラズマ生成室Ｓ２に導入される。
【００４９】
この時、第１プラズマアッシング装置１の分配器２６が主導波管２１側に切換制御されることによって、第１プラズマアッシング装置１のメインプラズマ生成室Ｓ１には、マイクロ波が導入されていて、メインプラズマ生成室Ｓ１においてプラズマが生成されている。
【００５０】
従って、第１プラズマアッシング装置１は、メインプラズマ生成室Ｓ１にて生成されたプラズマに加えて、サブプラズマ生成室Ｓ２にて生成されたプラズマが、半導体基板Ｗのレジスト膜のアッシングに加わるため、プラズマが増えた分、アッシング処理が迅速に行われる。
【００５１】
一方、第２プラズマアッシング装置２は、メインプラズマ生成室Ｓ１及びサブプラズマ生成室Ｓ２からのプラズマが消失し休止する。そして、この休止中に、新たな半導体基板Ｗのアッシング処理を行うためにアッシング処理した半導体基板Ｗと新たな半導体基板Ｗとの交換作業を行う。
【００５２】
以後、同様な動作を繰り返し、つまり、第１及び第２プラズマアッシング装置１，２のマイクロ波発振器２５から発振するマイクロ波を、それぞれ自身のアッシング装置が休止中で、他のアッシング装置が処理中のときには、他のアッシング装置に供給し、第１及び第２プラズマアッシング装置１，２において半導体基板Ｗのアッシング処理行う。
【００５３】
なお、ここでは、詳述しなかったが、第１及び第２プラズマアッシング装置１，２のメイン及びサブプラズマ生成室Ｓ１，Ｓ２は、それぞれマイクロ波が導入されている時に、あわせてプラズマ形成用ガスが導入されていることは勿論である。
【００５４】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、第１及び第２プラズマアッシング装置１，２のマイクロ波発振器２５から発振するマイクロ波を、それぞれ自身のアッシング装置が休止中で、他のアッシング装置が処理中のときには、他のアッシング装置に供給して、第１及び第２プラズマアッシング装置１，２において半導体基板Ｗのアッシング処理行うようにした。
【００５５】
従って、第１及び第２プラズマアッシング装置１，２にそれぞれ設けたマイクロ波発振器２５を休止させることなく、有効に利用することができる。
（２）本実施形態によれば、第１及び第２プラズマアッシング装置１，２において、他のアッシング装置が処理中のときには、自身のマイクロ波発振器２５からのマイクロ波に基づいて生成されたプラズマに、その他のアッシング処理装置からのマイクロ波に基づいて生成したプラズマを加えて半導体基板Ｗのアッシングを行うため、そのアッシング処理能力が向上しアッシング処理時間を短縮することができ、生産効率を向上させることができる。
【００５６】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、第１及び第２プラズマアッシング装置１，２の２つプラズマアッシング装置システムに具体化したが、３つ以上のプラズマアッシング装置からなるシステムに応用してもよい。
【００５７】
・上記実施形態では、第１及び第２プラズマアッシング装置１，２にメインプラズマ生成室Ｓ１とサブプラズマ生成室Ｓ２の２つを設けたが、メインプラズマ生成室Ｓ１とサブプラズマ生成室Ｓ２を一体にして、仕切りのない１つプラズマ生成室にして実施してもよい。
【００５８】
・上記実施形態では、１つのプラズマアッシング装置に対して１つプラズマアッシング装置のマイクロ波を利用したが、１つのプラズマアッシング装置に対して２以上のプラズマアッシング装置のマイクロ波を利用するようにして実施してもよい。このとき、例えば、２つのプラズマアッシング装置が休止状態になる時、その２つのプラズマアッシング装置からのマイクロ波を１つの処理中のプラズマアッシング処理装置に供給するようにして実施してもよい。
【００５９】
・上記実施形態では、プラズマアッシング装置システムに具体化したが、プラズマを利用して半導体基板に対してドライエッチングを行うプラズマ処理装置のシステムに応用したり、表面改質を行うプラズマ処理装置に応用してもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１…第１プラズマアッシング装置、２…第２プラズマアッシング装置、１１…チャンバ、１２…メイン筐体、１３…サブ筐体、１５…第１貫通穴、１６…メインマイクロ波透過窓、１７…第１導出路、１８…第２貫通穴、１９…サブマイクロ波透過窓、２０…第２導出路、２１…主導波管、２２，２４…開口部、２３…分岐導波管、２５…マイクロ波発振器、２６…分配器、２７…アイソレータ、２８…整合器、３０…拡散板、３２…導通孔、３５…第１排気口、３６…第２排気口、ＳＴ…ステージ，Ｓ１…メインプラズマ生成室，Ｓ２…サブプラズマ生成室、Ｗ…半導体基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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