(57)【要約】【課題】小型で所望の高周波特性を実現することが可能な高周波回路および受信装置を提供する。【解決手段】高周波回路１０は、入力された高周波信号のうち、所定の周波数成分のみを通過させるフィルタ回路を備える。フィルタ回路は、誘電体基板１００と、誘電体基板１００の表面上に形成されたマイクロストリップ線路１１０と、誘電体基板１００の裏面上に形成された接地導体とを含む。高周波回路１０は、接地導体の一部が除去されたパターン抜き部２００をさらに備える。パターン抜き部２００は、誘電体基板１００を挟んで、フィルタ回路の入出力部１２２，１２４を構成するマイクロストリップ線路と対向する位置に形成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された高周波信号のうち、所定の周波数成分のみを通過させるフィルタ回路を備えた高周波回路であって、
前記フィルタ回路は、
誘電体基板と、
前記誘電体基板の表面上に形成されたストリップ線路と、
前記誘電体基板の裏面上に形成された接地導体とを含み、
前記高周波回路は、前記接地導体の一部が除去されたパターン抜き部をさらに備え、
前記パターン抜き部は、前記誘電体基板を挟んで、前記フィルタ回路の入出力部を構成するストリップ線路と対向する位置に形成される、高周波回路。
【請求項２】
前記誘電体基板の表面上に形成され、かつ、前記フィルタ回路の入出力部を形成するストリップ線路に接続された周波数調整用パターンをさらに備える、請求項１に記載の高周波回路。
【請求項３】
前記パターン抜き部は、長さ方向が、前記フィルタ回路の入出力部を形成するストリップ線路の長さ方向に対して垂直となるように形成される、請求項１または２に記載の高周波回路。
【請求項４】
前記パターン抜き部は、長さ方向の中心部分が、前記フィルタ回路の入出力部を形成するストリップ線路の幅方向の中心部分と対向するように形成される、請求項３に記載の高周波回路。
【請求項５】
前記パターン抜き部は、長さ方向の一端が、前記フィルタ回路の入出力部を形成するストリップ線路の幅方向の一端と対向するように形成される、請求項３に記載の高周波回路。
【請求項６】
前記パターン抜き部は、直線状に形成される、請求項１から５のいずれか１項に記載の高周波回路。
【請求項７】
前記パターン抜き部は、コーナー部分を有するように形成される、請求項１から５のいずれか１項に記載の高周波回路。
【請求項８】
前記パターン抜き部は、円弧状に形成される、請求項１から５のいずれか１項に記載の高周波回路。
【請求項９】
前記接地導体と接触し、かつ前記パターン抜き部と相対する位置に間隙部が設けられたシャーシをさらに備える、請求項１から８のいずれか１項に記載の高周波回路。
【請求項１０】
前記パターン抜き部は、減衰させるべき周波数に対応する波長の略１／４の電気長を有する、請求項１から９のいずれか１項に記載の高周波回路。
【請求項１１】
前記パターン抜き部は、前記フィルタ回路の入力部を形成するストリップ線路および前記フィルタ回路の出力部を形成するストリップ線路の少なくとも一方と対向する部分に形成される、請求項１から１０のいずれか１項に記載の高周波回路。
【請求項１２】
入力された高周波信号のうち、所定の周波数成分のみを通過させるフィルタ回路と、前記フィルタ回路から受けた高周波信号を周波数変換するミキサ回路とを備えた受信装置であって、
前記フィルタ回路は、
誘電体基板と、
前記誘電体基板の表面上に形成されたストリップ線路と、
前記誘電体基板の裏面上に形成された接地導体とを含み、
前記受信装置は、前記接地導体の一部が除去されたパターン抜き部をさらに備え、
前記パターン抜き部は、前記誘電体基板を挟んで、前記フィルタ回路の入出力部を構成するストリップ線路と対向する位置に形成される、受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高周波回路および受信装置に関し、より特定的には、フィルタ回路を備えた高周波回路および受信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、衛星放送受信装置では、受信した高周波信号から所定の周波数成分たとえば、１０ＧＨｚ〜１２ＧＨｚ程度の周波数成分を通過させるフィルタ回路が使用される。従来、このようなフィルタ回路としては、マイクロストリップライン型の半波長フィルタ（バンドパスフィルタ）が広く使われていた。
【０００３】
このようなマイクロストリップライン型の半波長フィルタは、たとえば、誘電体基板と、誘電体基板の表面上に形成されたマイクロストリップ高周波回路パターンと、誘電体基板の裏面上に形成された接地導体（裏面パターン）とで構成されている。
【０００４】
また、実開平２−１３４７０６号公報（特許文献１）には、マイクロストリップ結合線路形帯域フィルタにおいて、入力部および出力部の結合線路が占める部分における接地導体を削除した構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】実開平２−１３４７０６号公報
【特許文献２】特開２００１−３２０２０２号公報
【特許文献３】特開平７−２８３６２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、上述した半波長フィルタにおいて、特定の周波数を減衰させる構成としては、減衰させるべき各周波数に対応する波長の約１／４の電気長を有するオープンスタブを伝送線路に接続することにより、トラップを形成する構成が考えられる。しかしながら、かかる構成では、オープンスタブを接続するスペースの確保が必要となり、フィルタ回路占有面積が大きくなるという問題点がある。これにより、回路パターンのレイアウトにおいて制限が生じてしまい、トラップを追加する際の障害となっていた。
【０００７】
それゆえ、この発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、その目的は、小型で所望の高周波特性を実現することが可能な高周波回路および受信装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明のある局面に従えば、高周波回路は、入力された高周波信号のうち、所定の周波数成分のみを通過させるフィルタ回路を備える。フィルタ回路は、誘電体基板と、誘電体基板の表面上に形成されたストリップ線路と、誘電体基板の裏面上に形成された接地導体とを含む。高周波回路は、接地導体の一部が除去されたパターン抜き部をさらに備える。パターン抜き部は、誘電体基板を挟んで、フィルタ回路の入出力部を構成するストリップ線路と対向する位置に形成される。
【０００９】
好ましくは、高周波回路は、誘電体基板の表面上に形成され、かつ、フィルタ回路の入出力部を形成するストリップ線路に接続された周波数調整用パターンをさらに備える。
【００１０】
好ましくは、パターン抜き部は、長さ方向が、フィルタ回路の入出力部を形成するストリップ線路の長さ方向に対して垂直となるように形成される。
【００１１】
好ましくは、パターン抜き部は、長さ方向の中心部分が、フィルタ回路の入出力部を形成するストリップ線路の幅方向の中心部分と対向するように形成される。
【００１２】
好ましくは、パターン抜き部は、長さ方向の一端が、フィルタ回路の入出力部を形成するストリップ線路の幅方向の一端と対向するように形成される。
【００１３】
好ましくは、パターン抜き部は、直線状に形成される。
好ましくは、パターン抜き部は、コーナー部分を有するように形成される。
【００１４】
好ましくは、パターン抜き部は、円弧状に形成される。
好ましくは、高周波回路は、接地導体と接触し、かつパターン抜き部と相対する位置に間隙部が設けられたシャーシをさらに備える。
【００１５】
好ましくは、パターン抜き部は、減衰させるべき周波数に対応する波長の略１／４の電気長を有する。
【００１６】
好ましくは、パターン抜き部は、フィルタ回路の入力部を形成するストリップ線路およびフィルタ回路の出力部を形成するストリップ線路の少なくとも一方と対向する部分に形成される。
【００１７】
この発明の別の局面に従えば、受信装置は、入力された高周波信号のうち、所定の周波数成分のみを通過させるフィルタ回路と、フィルタ回路から受けた高周波信号を周波数変換するミキサ回路とを備える。フィルタ回路は、誘電体基板と、誘電体基板の表面上に形成されたストリップ線路と、誘電体基板の裏面上に形成された接地導体とを含む。受信装置は、接地導体の一部が除去されたパターン抜き部をさらに備える。パターン抜き部は、誘電体基板を挟んで、フィルタ回路の入出力部を構成するストリップ線路と対向する位置に形成される。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、小型で所望の高周波特性を実現することが可能な高周波回路および受信装置を提供することである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態１に係る高周波回路の外観斜視図である。
【図２】図１の高周波回路における誘電体基板の表面の構成を示す図である。
【図３】図２の高周波回路におけるＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図４】図１の高周波回路におけるＳパラメータを示す図である。
【図５】オープンスタブを有する高周波回路における誘電体基板の表面の構成を示す図である。
【図６】図５の高周波回路におけるＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図７】図５の高周波回路におけるＳパラメータを示す図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る高周波回路における誘電体基板の表面の構成を示す図である。
【図９】図８の高周波回路におけるＳパラメータを示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係る高周波回路における誘電体基板の表面の構成を示す図である。
【図１１】図１０の高周波回路におけるＳパラメータを示す図である。
【図１２】本発明の実施の形態４に係る高周波回路における誘電体基板の表面の構成を示す図である。
【図１３】図１２の高周波回路におけるＳパラメータを示す図である。
【図１４】本発明の実施の形態５に係る高周波回路における誘電体基板、接地導体およびシャーシの断面の構成を示す図である。
【図１５】図１４の高周波回路におけるＳパラメータを示す図である。
【図１６】本発明の実施の形態６に係る受信装置の構成を示す図である。
【図１７】本発明の実施の形態６に係る受信装置が処理する信号の周波数を示す図である。
【図１８】図１６の受信装置（衛星放送受信用コンバータ）を備えた衛星放送受信用アンテナ装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００２１】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る高周波回路の外観斜視図である。
【００２２】
図１を参照して、本発明の実施の形態１に係る高周波回路１０は、誘電体基板１００と、マイクロストリップ線路１１０と、接地導体１０２と、シャーシ１０４とを備える。
【００２３】
誘電体基板１００は、たとえば、厚さが５００ミクロンであり、誘電率が３．３３である。マイクロストリップ線路１１０は、誘電体基板１００の表面上に形成されている。接地導体１０２は、誘電体基板１００の裏面上に形成されている。入力された高周波信号のうちの所定の周波数成分のみを通過させるフィルタ回路が、誘電体基板１００と、マイクロストリップ線路１１０と、接地導体１０２と、シャーシ１０４と、フレーム（図示せず）とによって構成されている。
【００２４】
本実施の形態１では、フィルタ回路の一例として、衛星放送受信装置に用いられるマイクロストリップライン型の半波長フィルタ（バンドパスフィルタ）について説明する。なお、半波長フィルタは、受信した高周波信号から所定の周波数成分（たとえば１０．７ＧＨｚ〜１２．７５ＧＨｚ）の周波数成分を通過させる。
【００２５】
図２は、図１の高周波回路における誘電体基板１００の表面の構成を示す図である。図３は、図２の高周波回路におけるＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【００２６】
図２および図３を参照して、マイクロストリップ線路１１０は、入力部１２２と、出力部１２４と、それらの間に所定のピッチで配された複数の線路を含む。マイクロストリップ線路１１０のうちの複数の線路からなる領域１２０は、フィルタ回路を形成している。なお、複数の線路の各々は、通過させるべき周波数帯域における各周波数に対応する波長の約１／２の電気長を有する共振器を構成する。
【００２７】
入力部１２２および出力部１２４を構成するマイクロストリップ線路１１０の線路幅はたとえば１．１ｍｍであり、マイクロストリップ線路１１０の裏面一帯に導体パターンが設けられている場合、マイクロストリップ線路１１０の特性インピーダンスは約５０オームとなる。
【００２８】
接地導体１０２の内部には、パターン抜き部２００が形成されている。すなわち、パターン抜き部２００は、接地導体１０２の一部が除去されて形成された、誘電体基板１００の裏面における領域である。パターン抜き部２００は、誘電体基板１００を挟んで、フィルタ回路の入力部１２２および出力部１２４を構成するマイクロストリップ線路１１０と対向する位置に形成される。
【００２９】
パターン抜き部２００は、減衰させるべき周波数に対応する波長の約１／４の電気長を有する。このパターン抜き部２００の長さを適切に設定することで、所望の周波数成分を減衰させる特性を持つトラップを実現することができる。
【００３０】
本発明の実施の形態１では、パターン抜き部２００は、直線状であって、かつ長さ方向が、入力部１２２および出力部１２４を構成するマイクロストリップ線路１１０の長さ方向に対して垂直となるように形成される。なお、電磁界解析を用いたシミュレーション結果では、マイクロストリップ線路１１０の長さ方向に対して平行となるようにパターン抜き部２００を形成する場合と比較して、より急峻な減衰特性が得られることが確認されている。
【００３１】
また、上記のシミュレーション結果によれば、図２に示すように、パターン抜き部２００を、長さ方向の中心部分が、入力部１２２および出力部１２４を形成するマイクロストリップ線路１１０の幅方向の中心部分と対向するように形成することによって、急峻な減衰特性が得られることが確認されている。
【００３２】
誘電体基板１００は、たとえばアルミ製のシャーシ１０４に搭載されている、また、図示は省略するが、誘電体基板１００の表面は、たとえばアルミ製のフレームによって覆われている。フレームおよびシャーシ１０４は、これらに囲まれた回路のシールドの役割を果たす。これにより、高周波回路１０の外部からの雑音の影響を低減することができる。
【００３３】
ここで、パターン抜き部２００がシャーシ１０４に接触しないように、シャーシ１０４上部には間隙部３００が設けられている。この間隙部３００の深さは、たとえば、誘電体基板１００の厚さと同じ５００ミクロンに設定される。
【００３４】
また、間隙部３００は、高周波回路１０の組み立て時のばらつきおよび公差を考慮して、誘電体基板１００の裏面においてパターン抜き部２００よりもひとまわり大きく形成されている。すなわち、シャーシ１０４は、接地導体１０２と接触し、かつパターン抜き部２００を、間隔をあけて囲んでいる。このような構成とすることにより、パターン抜き部２００をシールドすることができるため、外部からの雑音の影響を低減することができる。
【００３５】
さらに、入力部１２２および出力部１２４を構成するマイクロストリップ線路１１０には、高周波通過特性のマッチングをとるための周波数調整用パターン２１０が接続されている。周波数調整用パターン２１０は、誘電体基板１００の表面上に形成されたマイクロストリップ導体金属膜であり、その一方端がマイクロストリップ線路１１０に接続されている。周波数調整用パターン２１０の幅および長さを変更することによって、高周波通過特性の微調整を行なうことが可能となる。
【００３６】
図４は、図１の高周波回路におけるＳパラメータを示す図である。図４は、パターン抜き部２００の長さを４．５ｍｍとし、かつ幅を０．１５ｍｍとした場合を示している。
【００３７】
図４において、Ｓ１１はマイクロストリップ線路１１０の反射特性を示し、Ｓ２１はマイクロストリップ線路１１０の通過特性を示す。
【００３８】
図４を参照して、マイクロストリップ線路１１０を通過する信号のうち、８．５ＧＨｚ付近の周波数成分が急速に減衰しており、パターン抜き部２００が８．５ＧＨｚ付近でトラップとして作用していることが分かる。このように、パターン抜き部２００の長さを適切に設定することで、パターン抜き部２００を所望の周波数でトラップとして動作させることが可能となる。
【００３９】
なお、このときのパターン抜き部２００の長さ（４．５ｍｍ）は、減衰させるべき周波数帯域（８．５ＧＨｚ付近）に対応する波長の１／４の電気長（６ｍｍ前後）よりも短く設定されているが、パターン抜き部２００をトラップとして動作することが確認されている。
【００４０】
また、誘電体基板１００として、テフロン（登録商標）系の基板を用いたが、これに限定するものではなく、ガラスエポキシ基板およびセラミック基板等を用いることができる。
【００４１】
ここで、マイクロストリップ型の半波長フィルタにおいては、特定の周波数を減衰させる構成として、減衰させるべき周波数に対応する波長の１／４の電気長を有するオープンスタブをフィルタ回路の入出力部に接続することによって、トラップを形成する構成が考えられる。図５および図６には、本発明の実施の形態１に係る高周波回路の比較例として、オープンスタブを有する高周波回路が示される。図５は、比較例に係る高周波回路における誘電体基板１００の表面の構成を示す図である。図６は、図５の高周波回路におけるＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【００４２】
図５および図６を参照して、比較例に係る高周波回路は、本実施の形態１に係る高周波回路に対して、接地導体１０２に形成されたパターン抜き部２００およびシャーシ１０４の上部に設けられた間隙部３００に代えて、入力部１２２および出力部１２４を構成するマイクロストリップ線路１１０にオープンスタブ４００が接続されている。
【００４３】
図７は、図５の高周波回路におけるＳパラメータを示す図である。図７において、Ｓ１１はマイクロストリップ線路１１０の反射特性を示し、Ｓ２１はマイクロストリップ線路１１０の通過特性を示す。
【００４４】
図７を参照して、マイクロストリップ線路１１０を通過する信号のうち、８．５ＧＨｚ付近の周波数成分が急速に減衰しており、オープンスタブ４００が８．５ＧＨｚ付近でトラップとして作用していることが分かる。なお、オープンスタブ４００の長さを適切に設定することで、所望の周波数成分を減衰させる特性を持つトラップを実現することができる。
【００４５】
しかしながら、図５のようにオープンスタブ４００をマイクロストリップ線路１１０に接続することによってトラップを形成する構成では、誘電体基板１００の表面上にオープンスタブ４００を形成するためのスペースの確保が必要となる。そのため、フィルタ回路のレイアウトパターンにおいて制限が生じてしまい、フィルタ回路にトラップを形成する際の障害となる。
【００４６】
これに対して、本発明の実施の形態１に係る高周波回路では、誘電体基板１００の裏面上に形成された接地導体１０２の一部が除去されて成るパターン抜き部２００が、トラップとして機能するため、誘電体基板１００の表面上にオープンスタブを形成する必要がない。これにより、誘電体基板１００の表面上にオープンスタブを形成するためのスペースの確保が不要となり、回路パターンのレイアウトにおいて制限が生じるのを防止できる。この結果、小型で所望の高周波特性を確保することが可能な高周波回路を実現することができる。
【００４７】
なお、本発明の実施の形態１に係る高周波回路では、パターン抜き部２００を、誘電体基板１００を挟んで、フィルタ回路の入力部１２２および出力部１２４を構成するマイクロストリップ線路１１０と対向する位置にそれぞれ形成する構成を説明したが、入力部１２２および出力部１２４のいずれか一方を構成するマイクロストリップ線路１１０と対向する位置にのみ形成する構成とすることも可能である。
【００４８】
次に、本発明の他の実施の形態について図面を用いて説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００４９】
＜実施の形態２＞
図８は、本発明の実施の形態２に係る高周波回路における誘電体基板の表面の構成を示す図である。
【００５０】
図８を参照して、本発明の実施の形態２に係る高周波回路は、図２に示す本発明の実施の形態１に係る高周波回路と比べて、パターン抜き部２００が、長さ方向の一端が、入力部１２２および出力部１２４を形成するマイクロストリップ線路１１０の幅方向の一端と対向するように形成される点でのみ異なる。
【００５１】
このように、本発明の実施の形態２では、パターン抜き部２００を、マイクロストリップ線路１１０の幅方向の一方側に寄せて配置している。そのため、マイクロストリップ線路１１０の幅方向の他方側には空きスペースが発生する。この結果、フィルタ回路周りのスペースを有効に活用することができるため、高周波回路の小型化を促進させることが可能となる。
【００５２】
図９は、図８の高周波回路におけるＳパラメータを示す図である。図９において、Ｓ１１はマイクロストリップ線路１１０の反射特性を示し、Ｓ２１はマイクロストリップ線路１１０の通過特性を示す。
【００５３】
図９を参照して、マイクロストリップ線路１１０を通過する信号のうち、８．５ＧＨｚ付近の周波数成分が急速に減衰しており、１０．７ＧＨｚ〜１２．７５ＧＨｚ付近の周波数成分が通過している。すなわち、パターン抜き部をマイクロストリップ線路１１０の幅方向の一方側に寄せて配置した場合においても、良好な高周波通過特性が得られている。この結果、所望の高周波特性を確保しながら、高周波回路の小型化を促進することができる。
【００５４】
＜実施の形態３＞
図１０は、本発明の実施の形態３に係る高周波回路における誘電体基板の表面の構成を示す図である。
【００５５】
図１０を参照して、本発明の実施の形態３に係る高周波回路は、図８に示す本発明の実施の形態２に係る高周波回路と比べて、パターン抜き部２００を、パターン抜き部２０２に変更した点でのみ異なる。
【００５６】
パターン抜き部２０２は、コーナー部分を有するように形成される。このように、パターン抜き部にコーナーを持たせることによって、パターン抜き部の形成に必要なスペースを小さくすることができる。この結果、フィルタ回路周りのスペースを有効に活用することができるため、高周波回路の小型化を促進させることが可能となる。
【００５７】
図１１は、図１０の高周波回路におけるＳパラメータを示す図である。図１１において、Ｓ１１はマイクロストリップ線路１１０の反射特性を示し、Ｓ２１はマイクロストリップ線路１１０の通過特性を示す。
【００５８】
図１１を参照して、マイクロストリップ線路１１０を通過する信号のうち、８．５ＧＨｚ付近の周波数成分が急速に減衰しており、１０．７ＧＨｚ〜１２．７５ＧＨｚ付近の周波数成分が通過している。すなわち、パターン抜き部にコーナーを持たせた場合においても、パターン抜き部を直線状とした場合と同等の高周波特性が得られている。この結果、小型で所望の高周波特性を確保が可能な高周波回路を実現することができる。
【００５９】
＜実施の形態４＞
図１２は、本発明の実施の形態４に係る高周波回路における誘電体基板の表面の構成を示す図である。
【００６０】
図１２を参照して、本発明の実施の形態４に係る高周波回路は、図８に示す本発明の実施の形態２に係る高周波回路と比べて、パターン抜き部２００を、パターン抜き部２０４に変更した点でのみ異なる。
【００６１】
パターン抜き部２０４は、円弧状に形成される。このように、パターン抜き部を円弧状に形成することによって、上述した本発明の実施の形態３に係る高周波回路と同様に、パターン抜き部の形成に必要なスペースを小さくすることができる。この結果、フィルタ回路周りのスペースを有効に活用することができるため、高周波回路の小型化を促進させることが可能となる。
【００６２】
図１３は、図１２の高周波回路におけるＳパラメータを示す図である。図１３において、Ｓ１１はマイクロストリップ線路１１０の反射特性を示し、Ｓ２１はマイクロストリップ線路１１０の通過特性を示す。
【００６３】
図１３を参照して、マイクロストリップ線路１１０を通過する信号のうち、８．５ＧＨｚ付近の周波数成分が急速に減衰しており、１０．７ＧＨｚ〜１２．７５ＧＨｚ付近の周波数成分が通過している。すなわち、パターン抜き部を円弧状に形成した場合においても、パターン抜き部を直線状に形成した場合と同等の高周波特性が得られている。この結果、小型で所望の高周波特性を確保が可能な高周波回路を実現することができる。
【００６４】
＜実施の形態５＞
図１４は、本発明の実施の形態５に係る高周波回路における誘電体基板、接地導体およびシャーシの断面の構成を示す図である。
【００６５】
図１４を参照して、本発明の実施の形態５に係る高周波回路は、図３に示す本発明の実施の形態１に係る高周波回路と比べて、シャーシ１０４上部には間隙部３００が設けられていない点でのみ異なる。
【００６６】
図１５は、図１４の高周波回路におけるＳパラメータを示す図である。図１４において、Ｓ１１はマイクロストリップ線路１１０の反射特性を示し、Ｓ２１はマイクロストリップ線路１１０の通過特性を示す。
【００６７】
図１４を参照して、マイクロストリップ線路１１０を通過する信号のうち、８．５ＧＨｚ付近の周波数成分が急速に減衰しており、１０．７ＧＨｚ〜１２．７５ＧＨｚ付近の周波数成分が通過している。すなわち、シャーシ１０４上部に間隙部３００を有していない場合であっても、周波数調整用パターン２１０の形状の変更による微調整等を行なうことによって、所望の高周波特性が得られることが確認されている。したがって、シャーシ１０４への加工工程を減らすことができるため、高周波回路のコストダウンを図ることが可能となる。
【００６８】
＜実施の形態６＞
本実施の形態は、高周波回路を備えた受信装置に関する。以下に説明する内容以外は、本発明の実施の形態１〜５に係る高周波回路と同様である。
【００６９】
図１６は、本発明の実施の形態６に係る受信装置の構成を示す図である。
図１６を参照して、受信装置は、たとえば衛星放送受信用コンバータであり、水平偏波入力端子４１０と、垂直偏波入力端子４１１と、初段低雑音増幅器４１２，４１３と、２段目低雑音増幅器４１４と、高周波回路であるイメージリジェクションフィルタ４１５と、ミキサ回路４１６と、ＩＦ増幅器４１７と、出力端子４１８と、ローバンド用誘電体発振器４１９と、ハイバンド用誘電体発振器４２０とを備える。
【００７０】
これらの機能ブロック、ならびに電源回路およびスイッチ等のすべてが１枚の誘電体基板上に形成されている。また、シャーシ（図示せず）には受信用のホーン（図示せず）が設けられている。このホーンは、プローブ（図示せず）を介して水平偏波入力端子４１０および垂直偏波入力端子４１１とに接続されている。
【００７１】
初段低雑音増幅器４１２および４１３のいずれか一方へのバイアス電圧の供給を停止することにより、水平偏波受信と垂直偏波受信とを切替えることができる。また、ローバンド用誘電体発振器４１９およびハイバンド用誘電体発振器４２０のいずれ一方へのバイアス電圧の供給を停止することにより、ローバンド受信とハイバンド受信とを切替えることができる。
【００７２】
たとえば、初段低雑音増幅器４１２およびハイバンド用誘電体発振器４２０へのバイアス電圧供給を停止した場合には、初段低雑音増幅器４１３およびローバンド用誘電体発振器４１９が有効となる。
【００７３】
すなわち、垂直偏波入力端子４１１が受けたＲＦ信号は、初段低雑音増幅器４１３および２段目低雑音増幅器４１４で増幅されてイメージリジェクションフィルタ４１５を通過し、ミキサ回路４１６へ入力される。そして、ローバンド用誘電体発振器４１９から出力された９．７５ＧＨｚの信号がミキサ回路４１６へ入力される。ミキサ回路４１６は、イメージリジェクションフィルタ４１５から受けたＲＦ（Radio Frequency）信号をＩＦ（Intermediate Frequency）帯の信号にダウンコンバートし、ＩＦ増幅器４１７へ出力する。ＩＦ増幅器４１７は、ミキサ回路４１６から受けたＩＦ信号を増幅し、出力端子４１８から外部へ出力する。
【００７４】
このように、初段低雑音増幅器の切替えと、誘電体発振器の切替えとにより、合計４つのバンドにおける信号の受信処理を行なうことができる。
【００７５】
図１７は、本発明の実施の形態６に係る受信装置が処理する信号の周波数を示す図である。水平偏波および垂直偏波に関して両者とも同じ周波数構成になるため、図１７ではローバンドおよびハイバンドにおける周波数構成のみを示している。
【００７６】
図１７を参照して、ローバンドに関しては、局部発振周波数が９．７５ＧＨｚであり、ＲＦ帯が１０．７ＧＨｚ〜１１．７ＧＨｚであるので、ＩＦ帯が０．９５ＧＨｚ〜１．９ＧＨｚであり、イメージ帯が７．８ＧＨｚ〜８．８ＧＨｚとなる。
【００７７】
また、ハイバンドに関しては、局部発振周波数が１０．６ＧＨｚであり、ＲＦ帯が１１．７ＧＨｚ〜１２．７５ＧＨｚであるので、ＩＦ帯が１．１ＧＨｚ〜２．１５ＧＨｚであり、イメージ帯が８．４５ＧＨｚ〜９．５ＧＨｚとなる。
【００７８】
したがって、システム全体としては、７．８ＧＨｚ〜９．５ＧＨｚがイメージ帯すなわち抑圧帯域となり、１０．７ＧＨｚ〜１２．７５ＧＨｚがＲＦ帯すなわち通過帯域となる。イメージ帯におけるノイズは、ミキサ回路４１６によってＩＦ帯の信号にダウンコンバートされる。このため、イメージリジェクションフィルタ４１５でイメージ帯におけるノイズを十分に減衰させる必要がある。
【００７９】
ここで、本発明の実施の形態６に係る受信装置では、イメージリジェクションフィルタとして、本発明の実施の形態１〜５に係る高周波回路を用いる。このような構成により、７．８ＧＨｚ〜９．５ＧＨｚのイメージ帯におけるノイズを減衰させることができる。
【００８０】
また、従来の半波長フィルタでは、誘電体基板の表面上に形成されたオープンスタブがトラップとして機能するのに対して、本発明の実施の形態６に係る受信装置におけるイメージリジェクションフィルタでは、接地導体の一部か除去されて成るパターン抜き部がトラップとして機能することから、従来の半波長フィルタを比較して、小型化を図ることができる。この結果、誘電体基板の外形を小さくすることができるため、小型で所望の高周波特性を確保することが可能な受信装置を実現することができる。
【００８１】
図１８は、図１６の受信装置（衛星放送受信用コンバータ）を備えた衛星放送受信用アンテナ装置の構成を示す図である。
【００８２】
図１８を参照して、衛星放送受信用アンテナ装置は、通信衛星である放送衛星（図示せず）から送信される衛星放送信号による電波を反射させるパラボラ反射鏡１と、パラボラ反射鏡１の焦点位置に設置されるフィードホーン２と、フィードホーン２と一体型とされたコンバータ３と、パラボラ反射鏡１とコンバータ３とに接続されてコンバータ３を支持する支持アーム４とを備える。コンバータ３としては、図１６の受信装置（衛星放送受信用コンバータ）が用いられる。
【００８３】
このような構成の衛星放送受信用アンテナ装置は、放送衛星から送信された衛星放送信号となる電波がパラボラ反射鏡１で反射されてフィードホーン２で受信されると、コンバータ３において、受信された微弱なＲＦ信号である放送信号をＩＦ信号にダウンコンバートするとともに、低雑音増幅動作を行う。これにより、コンバータ３から、低雑音で十分な信号レベルを有するＩＦ信号が出力される。
【００８４】
なお、コンバータ３が同軸ケーブル（図示せず）を介して屋内に設置されたチューナ装置（図示せず）と接続されることで、コンバータ３で得られたＩＦ信号がチューナ装置に与えられる。このチューナ装置では、ユーザ所望のチャンネルが選局されることで、所望チャンネルの放送信号が選局されて復調される。この選局された後に復調された放送信号がテレビジョン（図示せず）に与えられることで、テレビジョンにおいて、復号化された放送信号に基づく映像及び音声が再生出力される。
【００８５】
今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００８６】
１  パラボラ反射鏡、２  フィードホーン、３  コンバータ、４  支持アーム、１０  高周波回路、１００  誘電体基板、１０２  接地導体、１０４  シャーシ、１１０  マイクロストリップ線路、１２２  入力部、１２４  出力部、２００，２０２，２０４  パターン抜き部、２１０  周波数調整用パターン、３００  間隙部、４００  オープンスタブ、４１０  水平偏波入力端子、４１１  垂直偏波入力端子、４１２，４１３  初段低雑音増幅器、４１４  ２段目低雑音増幅器、４１５  イメージリジェクションフィルタ、４１６  ミキサ回路、４１７  ＩＦ増幅器、４１８  出力端子、４１９  ローバンド用誘電体発振器、４２０  ハイバンド用誘電体発振器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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