(57)【要約】【課題】ＦＺ法によりシリコン単結晶、特には直径８インチ（２００ｍｍ）以上のシリコン単結晶を製造する場合であっても、ＯＳＦの発生を防止することができるＮ型シリコン単結晶製造方法及びＮ型シリコン単結晶を提供することを目的とする。【解決手段】ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ドープガスとしてＡｒベースのＰＨ３ガスとＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスとを用いてドープすることによりＮ型のシリコン単結晶を製造することを特徴とするＮ型シリコン単結晶の製造方法。【選択図】図１
2011088758.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ドープガスとしてＡｒベースのＰＨ３ガスとＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスとを用いてドープすることによりＮ型のシリコン単結晶を製造することを特徴とするＮ型シリコン単結晶の製造方法。
【請求項２】
前記ＡｒベースのＰＨ３ガスとＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスによるドープが、ＦＺ単結晶製造装置の溶融メルト近傍に設けたドープガス吹き付け用ノズル又は前記溶融メルトよりも下方に設けたドープガス噴出し口から、ＡｒベースのＰＨ３ガスとＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスとを混合して流すことにより行われることを特徴とする請求項１に記載のＮ型シリコン単結晶の製造方法。
【請求項３】
前記ＡｒベースのＰＨ３ガスとＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスによるドープが、ＦＺ単結晶製造装置の溶融メルト近傍に設けたドープガス吹き付け用ノズルからＡｒベースのＰＨ３ガスを、前記溶融メルトよりも下方に設けたドープガス噴出し口からＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスを流すことにより行われることを特徴とする請求項１に記載のＮ型シリコン単結晶の製造方法。
【請求項４】
前記ＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスを、製造されるＮ型シリコン単結晶中のＢ濃度が３×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上となるように流し、直径８インチ（２００ｍｍ）以上のＮ型シリコン単結晶を製造することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のＮ型シリコン単結晶の製造方法。
【請求項５】
少なくとも、Ｂ濃度が３×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、直径８インチ（２００ｍｍ）以上であることを特徴とするリンドープＮ型ＦＺシリコン単結晶。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原料結晶棒を誘導加熱コイルで加熱溶融して浮遊帯域を形成し、該浮遊帯域を移動する事で単結晶棒を育成するＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による単結晶製造方法及びシリコン単結晶に関し、さらに詳しくは、ＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）発生を防止する単結晶製造方法及びリンドープＮ型シリコン単結晶に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＺ法は、半導体単結晶、例えば、現在半導体素子として最も多く使用されているシリコン単結晶の製造方法の一つとして使用される。
【０００３】
図３は、従来のＦＺ単結晶製造方法において用いられる単結晶製造装置の一例である。このＦＺ単結晶製造装置３０を用いて、単結晶を製造する方法について説明する。
先ず、原料結晶棒１を、チャンバー２０内に設置された上軸３の上部保持治具４に保持する。一方、直径の小さい単結晶の種（種結晶）８を、原料結晶棒１の下方に位置する下軸５の下部保持治具６に保持する。
【０００４】
次に、誘導加熱コイル７により原料結晶棒１を溶融して、種結晶８に融着させる。その後、種絞りにより絞り部９を形成して無転位化する。そして、上軸３と下軸５を回転させながら原料結晶棒１と育成単結晶棒２を下降させることで浮遊帯域（溶融帯あるいは溶融メルトともいう）１０を原料結晶棒１と育成単結晶棒２の間に形成し、該浮遊帯域１０を原料結晶棒１の上端まで移動させてゾーニングし、育成単結晶棒２を成長させる。
尚、この単結晶成長は、Ａｒガスに微量の窒素ガスを混合した雰囲気中で行われ、また、Ｎ型ＦＺ単結晶を製造するために、ドープガス吹き付け用ノズル（ドープノズル）１１より、製造する抵抗率に応じた量のＡｒベースのＰＨ３ガスを流す。
上記誘導加熱コイル７としては、冷却用の水を流通させた、銅または銀からなる単巻または複巻の誘導加熱コイルが用いられている。
【０００５】
近年、単結晶の大口径化の要求は益々強くなってきている。そのため、ＦＺ法においても、製造する単結晶の大口径化が進んでいる。ところが、従来製法で、Ｎ型大口径ＦＺ単結晶、特には、直径２００ｍｍ以上の大口径単結晶を製造した場合、この結晶から切り出したウェーハをＯＳＦテスト（例えば１１５０℃Ｗｅｔ  Ｏ２−１００ｍｉｎ、選択エッチング４ｍｉｎ）を行うと、ＯＳＦが発生する事が問題となっている。
【０００６】
ＯＳＦ防止策としては、ＣＺ単結晶製造において、Ａｌ（アルミニウム）をドープする製法が開示されている（例えば特許文献１参照）。しかし、ＣＺ単結晶と比較して、抵抗率の高い結晶の要求が多いＦＺ単結晶においては、偏析係数がＰ（リン）の０．３５、Ｂ（ホウ素）の０．８と比較して、０．００２と小さいＡｌをドープした場合、面内抵抗率分布や軸方向抵抗率分布が非常に悪くなり、抵抗率コントロールができないという問題があり、また、Ａｌではガスドープすることが困難である事から、Ａｌドープに替わる方法が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−７３２９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ＦＺ法によりシリコン単結晶、特には直径８インチ（２００ｍｍ）以上の大口径のシリコン単結晶を製造する場合であっても、ＯＳＦの発生を防止することができるＮ型シリコン単結晶製造方法及びＮ型シリコン単結晶を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明は、ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ドープガスとしてＡｒベースのＰＨ３ガスとＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスとを用いてドープすることによりＮ型のシリコン単結晶を製造することを特徴とするＮ型シリコン単結晶の製造方法を提供する。
【００１０】
このように、ドープガスとしてＡｒベースのＰＨ３ガスとＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスとを用いてドープすれば、Ｎ型でＯＳＦの発生がない、高品質なＦＺシリコン単結晶を製造することができる。
【００１１】
この場合、前記ＡｒベースのＰＨ３ガスとＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスによるドープを、ＦＺ単結晶製造装置の溶融メルト近傍に設けたドープガス吹き付け用ノズル又は前記溶融メルトよりも下方に設けたドープガス噴出し口から、ＡｒベースのＰＨ３ガスとＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスとを混合して流すことにより行うことができる。
【００１２】
このように、ＦＺ単結晶製造装置の溶融メルト近傍に設けたドープガス吹き付け用ノズルからＡｒベースのＰＨ３ガスとＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスとを混合して流すことにより、ドープするＢ濃度をコントロールしやすく、さらに、製造されるＮ型シリコン単結晶中により容易にＢを取り込ませることができるし、また、前記溶融メルトよりも下方に設けたドープガス噴出し口からＡｒベースのＰＨ３ガスとＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスとを混合して流すことにより、均一にＢやＰをドープすることができる。
【００１３】
また、前記ＡｒベースのＰＨ３ガスとＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスによるドープを、ＦＺ単結晶製造装置の溶融メルト近傍に設けたドープガス吹き付け用ノズルからＡｒベースのＰＨ３ガスを、前記溶融メルトよりも下方に設けたドープガス噴出し口からＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスを流すことにより行うこともできる。
【００１４】
このように、ＦＺ単結晶製造装置の溶融メルト近傍に設けたドープガス吹き付け用ノズルからＡｒベースのＰＨ３ガスを、前記溶融メルトよりも下方に設けたドープガス噴出し口からＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスを流せば、Ｎ型結晶とするためにＢより高い濃度が必要となるＰドープによる抵抗率を容易に調整でき、ＯＳＦ発生防止のために低濃度でドープされるＢを均一にドープすることができる。
【００１５】
また、前記ＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスを、製造されるＮ型シリコン単結晶中のＢ濃度が３×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上となるように流して、直径８インチ（２００ｍｍ）以上のＮ型シリコン単結晶を製造することができる。
【００１６】
このように、ＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスを、製造されるＮ型シリコン単結晶中のＢ濃度が３×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上となるように流せば、直径８インチ（２００ｍｍ）以上の大口径であっても、十分なＯＳＦ発生防止効果が得られ、高品質な単結晶を安定して製造することができる。
【００１７】
また、本発明は、少なくとも、Ｂ濃度が３×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、直径８インチ（２００ｍｍ）以上であることを特徴とするリンドープＮ型ＦＺシリコン単結晶を提供する。
【００１８】
このように、Ｂ濃度が３×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上で直径８インチ（２００ｍｍ）以上の大口径であるリンドープＮ型ＦＺシリコン単結晶は、Ｎ型の大口径ＦＺシリコン単結晶でありながら、ＯＳＦの発生がなく高品質であるため、製品価値の非常に高いものとなる。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明のＮ型ＦＺシリコン単結晶の製造方法によれば、特に直径８インチ（２００ｍｍ）以上の大口径であっても、ＯＳＦの発生がない、高品質な単結晶を安定して製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明のＮ型シリコン単結晶の製造方法において用いられるＦＺ法による単結晶製造装置の一例を示す概略図である。
【図２】本発明のＮ型シリコン単結晶の製造方法において用いられるＦＺ法による単結晶製造装置の別の一例を示す概略図である。
【図３】従来のＦＺ単結晶製造方法において用いられる単結晶製造装置の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明についてより具体的に説明する。
前述のように、近年の単結晶の大口径化の要求に伴い、ＦＺ法においても製造する単結晶の大口径化が進んでいるが、従来の製法で大口径単結晶、特には直径８インチ（２００ｍｍ）以上のシリコン単結晶を製造した場合、ＯＳＦが多発することが問題となっていた。
【００２２】
本発明者らは、直径６インチ（１５０ｍｍ）以上、特には直径８インチ（２００ｍｍ）以上の大口径のＮ型シリコン単結晶をＦＺ法により製造する際、発生するＯＳＦの原因について鋭意検討を重ねた。その結果、本発明者らは、大口径の単結晶をＦＺ法により製造しようとすると、結晶外周部に格子間シリコンが優勢な領域が生じ、この格子間シリコンが凝集して核となり、ＯＳＦが発生するという問題が生じることを突き止めた。
【００２３】
そこで、本発明者らは、ＣＺ法においてＢが格子間シリコン型転位クラスターの発生を抑制する（「シリコンテクノロジー  Ｎｏ．５９  ＣＺシリコン結晶の欠陥におよぼす不純物の効果（Ｂ,Ｃ,Ｎ,Ｏ,Ｓｂ,Ａｓ,Ｐ）」  中村浩三、冨岡純輔）という点に着目し、さらに実験等を重ねた結果、酸素を含有しないＦＺシリコン単結晶の製造方法において、ゾーニング中にＮ型ＦＺ単結晶製造のためにＰＨ３ガスドープと共に、Ｂ２Ｈ６ガスドープを行い、単結晶中に、微量のＢを添加する事で、ＯＳＦ核となりうる格子間シリコン型転位クラスターの発生を抑制し、ＯＳＦの発生が防止できることに想到し、本発明を完成させた。
【００２４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１及び２は、本発明のＮ型ＦＺシリコン単結晶の製造方法において用いられる単結晶製造装置の一例を示す概略図である。
図１のＦＺ単結晶製造装置４０は、原料結晶棒１及び育成単結晶棒２を収容するチャンバー２０と、前記原料結晶棒１と育成単結晶棒２の間に浮遊帯域（溶融メルト）１０を形成するための熱源となる誘導加熱コイル７を有する。そして、ドープガス吹き付け用ノズル（ドープノズル）１１からは、Ｎ型シリコン単結晶製造のためのＡｒベースＰＨ３ガスと共に、ＯＳＦ発生防止用のＡｒベースＢ２Ｈ６ガスを混合して流す。
【００２５】
図２のＦＺ単結晶製造装置４１は、ドープノズル１１から、Ｎ型シリコン単結晶製造のためのＡｒベースＰＨ３ガスを流し、溶融メルト１０よりも下方にあるドープガス噴出し口１２から、ＯＳＦ発生防止用のＡｒベースＢ２Ｈ６ガスを流す。その他の構成は、図１とほぼ同様である。
【００２６】
本発明では、例えばこのような単結晶製造装置４０を用いて、以下のようにＮ型シリコン単結晶を製造する。
先ず、シリコン原料棒１の溶融を開始する部分をコーン形状に加工し、加工歪みを除去するために表面のエッチングを行う。その後、図１に示すＦＺ単結晶製造装置４０のチャンバー２０内にシリコン原料棒１を収容し、チャンバー２０内に設置された上軸３の上部保持治具４にネジ等で固定する。一方、下軸５の下部保持治具６には種結晶８を取り付ける。
【００２７】
次に、シリコン原料棒１のコーン部の下端をカーボンリング（不図示）で予備加熱する。その後、チャンバー２０の下部から窒素ガスを含んだＡｒガスを供給し、チャンバー上部より排気して、例えば０．１５ＭＰａ、Ａｒガスの流量を２０〜５０ｌ／ｍｉｎ、チャンバー内窒素濃度を０．１〜０．５％とする。そして、シリコン原料棒１を誘導加熱コイル７で加熱溶融した後、コーン部先端を種結晶８に融着させ、絞り部９により無転位化し、上軸３と下軸５を回転させながらシリコン原料棒１と育成単結晶棒２を例えば１〜５ｍｍ／ｍｉｎの速度で下降させることで溶融メルト１０をシリコン原料棒１上端まで移動させてゾーニングし、シリコン単結晶棒２を成長させる。
【００２８】
このとき、シリコン原料棒１を育成する際に回転中心となる上軸３と、単結晶化の際に単結晶の回転中心となる下軸５をずらして（偏芯させて）単結晶を育成することが好ましい。このように両中心軸をずらすことにより単結晶化の際に溶融部を攪拌させ、製造する単結晶の品質を均一化することができる。偏芯量は単結晶の直径に応じて設定すればよい。
【００２９】
また、ゾーニング中、Ｎ型の所定の抵抗率にするために、ドープノズル１１から、ＡｒベースのＰＨ３ガスと、ＯＳＦ防止用としてＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスを混合して流す。
【００３０】
このとき、得られるシリコン単結晶の導電型がＮ型となるように、ドープガス中のＰＨ３の濃度をＢ２Ｈ６の濃度より高く設定する。ＰＨ３とＢ２Ｈ６の濃度比あるいは濃度差は、製造するシリコン単結晶が要求される抵抗率となるように決定すればよい。
【００３１】
ＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスは、この他に、図２にように、例えば上述したような単結晶製造装置４１を用いる場合には、溶融メルトよりも下方にあるドープガス噴出し口１２から流しても良く、また例えば、このドープガス噴出し口１２から、ＡｒベースのＰＨ３ガスとＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスとを混合して流すこともできる。
【００３２】
このとき、直径８インチ（２００ｍｍ）以上の大口径のＮ型シリコン単結晶を問題なく製造するためには、ＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスを、製造されるＮ型シリコン単結晶中のＢ濃度が３×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上となるように流すことが好ましい。従って、ＡｒベースのＰＨ３はシリコン単結晶中の３×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上のＢ濃度を打ち消してＮ型となり、かつ所望抵抗率となる濃度を流すようにすればよい。
【００３３】
このようにして製造したＮ型シリコン単結晶は、Ｂ濃度が３×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上となり、直径８インチ（２００ｍｍ）以上の大口径であっても、ＯＳＦ発生を防止できるので、本発明では、高品質なリンドープＮ型ＦＺシリコン単結晶を提供することができる。
【００３４】
尚、Ｎ型シリコン単結晶中のＢ濃度の上限は、Ｎ型シリコン単結晶製造用のＰとＯＳＦ防止用のＢの両者を入れて単結晶構造を維持できる固溶限界までを上限に、それ以下の濃度で所望の抵抗率になるように調節すれば良い。
【実施例】
【００３５】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
１０００Ωｃｍ以上の直径１５０ｍｍのＣＺシリコン単結晶をシリコン原料棒として、ＦＺ法によりゾーニングを行い、Ｎ型５０Ωｃｍターゲットで直径２０５ｍｍ、直胴長さ７０ｃｍのＦＺシリコン単結晶を製造した。
このシリコン単結晶の製造の際には、図１に示す単結晶製造装置を用いた。
誘導加熱コイルは内側の第一加熱コイルの外径を１６０ｍｍ、外側の第二加熱コイルの外径を２８０ｍｍのパラレルコイルとし、炉内圧を０．１９ＭＰａ、Ａｒガス流量を５０Ｌ／ｍｉｎ、チャンバー内窒素ガス濃度を０．１％、成長速度を２．０ｍｍ／ｍｉｎ、偏芯量を１２ｍｍとした。また、誘導加熱コイルのスリットには放電防止用石英板を挿入した。
ドープノズルからは、Ａｒベースで濃度０．３５〜０．４５ｐｐｍａのＰＨ３ガスを１０００ｃｃ／ｍｉｎ、Ａｒベースで濃度０．００４〜０．０２ｐｐｍａのＢ２Ｈ６ガスを５００ｃｃ／ｍｉｎ流した。
【００３６】
このようにして、ＦＺ法によるシリコン単結晶を、成長途中に有転位化することなく、ノントラブルで８本取得した。
取得した結晶のコーン側、中央部、テール側から切り出したウェーハに対してＯＳＦテスト（１１５０℃Ｗｅｔ  Ｏ２−１００ｍｉｎ、選択エッチング４ｍｉｎ）を行った結果、全てＯＳＦが発生していなかった。また、テール側サンプルをＰＬ法により結晶中のＢ濃度測定を行った結果、Ｂ濃度は、４．０７〜８．１５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（表１のサンプルＮｏ．１０〜１７）であった。また、抵抗率も目標通りであった。
【００３７】
（実施例２）
１０００Ωｃｍ以上の直径１５０ｍｍのＣＺシリコン単結晶をシリコン原料棒として、ＦＺ法によりゾーニングを行い、Ｎ型５０Ωｃｍターゲットで直径２０５ｍｍ、直胴長さ７０ｃｍのＦＺシリコン単結晶を製造した。
このシリコン単結晶の製造の際には、図２に示す単結晶製造装置を用いた。
誘導加熱コイルは内側の第一加熱コイルの外径を１６０ｍｍ、外側の第二加熱コイルの外径を２８０ｍｍのパラレルコイルとし、炉内圧を０．１９ＭＰａ、Ａｒガス流量を５０Ｌ／ｍｉｎ、チャンバー内窒素ガス濃度を０．１％、成長速度を２．０ｍｍ／ｍｉｎ、偏芯量を１２ｍｍとした。また、誘導加熱コイルのスリットには放電防止用石英板を挿入した。
ドープノズルからは、Ａｒベースで濃度０．３５〜０．４５ｐｐｍａのＰＨ３ガスを１０００ｃｃ／ｍｉｎ、溶融メルトよりも下方にあるドープガス噴出し口からは、Ａｒベースで濃度０．０２〜０．０６ｐｐｍａのＢ２Ｈ６ガスを１０００ｃｃ／ｍｉｎ流した。
【００３８】
このようにして、ＦＺ法によるシリコン単結晶を、成長途中に有転位化することなく、ノントラブルで１０本取得した。
取得した結晶のコーン側、中央部、テール側から切り出したウェーハに対してＯＳＦテスト（１１５０℃Ｗｅｔ  Ｏ２−１００ｍｉｎ、選択エッチング４ｍｉｎ）を行った結果、全てＯＳＦが発生していなかった。また、テール側サンプルをＰＬ法により結晶中のＢ濃度測定を行った結果、Ｂ濃度は、３．２２〜８．０５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（表１のサンプルＮｏ．１８〜２７）であった。また、抵抗率も目標通りであった。
【００３９】
（比較例）
１０００Ωｃｍ以上の直径１５０ｍｍのＣＺシリコン単結晶をシリコン原料棒として、ＦＺ法によりゾーニングを行い、Ｎ型５０Ωｃｍターゲットで直径２０５ｍｍ、直胴長さ７０ｃｍのＦＺシリコン単結晶を製造した。
このシリコン単結晶の製造の際には、図３に示す単結晶製造装置を用いた。
誘導加熱コイルは内側の第一加熱コイルの外径を１６０ｍｍ、外側の第二加熱コイルの外径を２８０ｍｍのパラレルコイルとし、炉内圧を０．１９ＭＰａ、Ａｒガス流量を５０Ｌ／ｍｉｎ、チャンバー内窒素ガス濃度を０．１％、成長速度を２．０ｍｍ／ｍｉｎ、偏芯量を１２ｍｍとした。また、誘導加熱コイルのスリットには放電防止用石英板を挿入した。
ドープノズルからは、Ａｒベースで濃度０．３５〜０．４５ｐｐｍａのＰＨ３ガスを１０００ｃｃ／ｍｉｎ流した。
【００４０】
このようにして、ＦＺ法によるシリコン単結晶を、成長途中に有転位化することなく、ノントラブルで９本取得した。
取得した結晶のコーン側、中央部、テール側から切り出したウェーハに対してＯＳＦテスト（１１５０℃Ｗｅｔ  Ｏ２−１００ｍｉｎ、選択エッチング４ｍｉｎ）を行った結果、９本中６本でリング状のＯＳＦが発生していた。また、テール側サンプルをＰＬ法により結晶中のＢ濃度測定を行った結果、Ｂ濃度は、１．４６〜２．９７×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（表１のサンプルＮｏ．１〜９）であった。
【００４１】
実施例及び比較例の結果を表１に示す。
【表１】
2011088758.tif 000003
【００４２】
表１に示すように、比較例（サンプルＮｏ．１〜９）では、Ｂをドープしておらず、結晶中のＢ濃度が３×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であり、これは不可避的に混入したものと考えられ、９本中６本でリング状のＯＳＦが発生したのに対し、実施例（サンプルＮｏ．１０〜２７）では、Ｂをドープすることにより単結晶中のＢ濃度が３×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上となり、１８本すべてにおいてリング状のＯＳＦは発生していなかった。
【００４３】
このように、従来の方法では、ＯＳＦの発生頻度が高いことが判る。
一方、本発明の方法では、ＯＳＦの発生が防止できており、本発明の方法が非常に効果的であることが判った。
【００４４】
以上のことから、本発明のＮ型シリコン単結晶の製造方法によれば、特に直径８インチ（２００ｍｍ）以上の大口径であってもＯＳＦの発生を防止でき、高品質なＦＺシリコン単結晶を安定して製造することができるといえる。
また、得られたＢ濃度３×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上のシリコン単結晶すべてにおいてＯＳＦの発生がなかったことから、結晶中のＢ濃度が３×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であれば、より効果的にＯＳＦの発生を防止できることが実証されたといえる。
【００４５】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４６】
１…原料結晶棒（シリコン原料棒）、  ２…育成単結晶棒（シリコン単結晶棒）、
３…上軸、４…上部保持治具、  ５…下軸、  ６…下部保持治具、
７…誘導加熱コイル、  ８…種結晶、  ９…絞り部、  １０…浮遊帯域（溶融メルト）、
１１…ドープガス吹き付け用ノズル（ドープノズル）、  １２…ドープガス噴出し口、
３０、４０、４１…ＦＺ単結晶製造装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2011088758.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月23日(2011.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスは、この他に、図２のように、例えば上述したような単結晶製造装置４１を用いる場合には、溶融メルトよりも下方にあるドープガス噴出し口１２から流しても良く、また例えば、このドープガス噴出し口１２から、ＡｒベースのＰＨ３ガスとＡｒベースのＢ２Ｈ６ガスとを混合して流すこともできる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011088758.tif 000007