(57)【要約】  【課題】異常により所定の処理が停止しても、リトライ処理を行うことで、ウェハ回収作業等の実施に起因する装置稼働率の低下を抑止できる基板処理装置を提供することを目的とする。  【解決手段】ウェハ１を搬送する搬送手段と、前記搬送手段を制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記搬送手段が、前記基板を搬送中にエラーが発生して一時停止したときに、前記制御手段は、所定回数のリトライ処理を前記搬送手段に実施させても前記エラーが解消されない場合、前記搬送手段を待機状態（コマンド入力待ち状態）に移行させる。【選択図】  図８
2011061008.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を搬送する搬送手段と、前記搬送手段を制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、
前記搬送手段が、前記基板を搬送中にエラーが発生して一時停止した際に、
前記制御手段は、所定回数のリトライ処理前記搬送手段に実施させても前記エラーが解消されない場合、前記搬送手段を待機状態に移行させることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置でトラブルが発生し自動運用が停止した際に、オペレータが目視確認、及び調整を実施した後、再度停止状態から自動運転を継続できる機能に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の方式では、装置でトラブルが発生し自動運用が停止した場合、例えば、基板（ウェハ）搬送途中で、センシングエラー（取り付け不良、センサ光量不足等）により停止した場合、基板処理装置を一度メンテナンスを可能な状態にして、センサを調整したのち、ウェハを自動回収して、再度未処理ウェハに対してレシピを設定した後、再度運転を行う。
【０００３】
図１１の例では、ウェハを取り出す（Ｇｅｔ動作）前に、該当する基板を載置するアームの２つのブレードにウェハがないことと、取りだし後にウェハが２枚あることを確認する。ここで、センサ誤検知（位置不良）、信号遅延、或いはセンサ光量不足などを考慮し、所定の回数をインターバル時間をおいた後、リトライを実施する。図では、３回目においても期待する情報とならない場合は、エラー停止処理を実施する。
【０００４】
図１２を用いて、上述したように所定回数のリトライ処理を実施したにもかかわらず、エラー停止処理をした後の操作員のリカバリ作業の概要を説明する。
【０００５】
図１２において、センシングエラーが発生して、装置状態は「停止」となる。センサ調整不良ならば、操作員がセンサ調整する。まず、Ｗａｆｅｒ＃５，６をロードロックチャンバＬＣ１−Ｓｌｏｔ５，６へ搬送する。プロセスチャンバＰＣ２を搬送圧力に設定し、Ｗａｆｅｒ＃３，４をロードロックチャンバＬＣ１−Ｓｌｏｔ３，４へ搬送する。同様に、プロセスチャンバＰＣ１を搬送圧力に設定し、Ｗａｆｅｒ＃１，２をロードロックチャンバＬＣ１−Ｓｌｏｔ１，２へ搬送する。装置担当者が確認して、未処理ウェハＷａｆｅｒ＃５〜２５に対して、再度プロセスレシピを設定し、処理実行する。尚、上述のウェハ回収搬送は、自動回収（１ボタンでプログラム制御）される。
【０００６】
プロセスチャンバＰＣで異常停止した場合、該当チャンバでの制御を諦める。また、マルチチャンバであれば、他のプロセスチャンバＰＣを利用して縮退運用を実施する。よって、縮退運用であるため稼働率低下が免れない。そして、ロット等の運用の区切りで、異常停止したプロセスチャンバＰＣから異常終了した滞留ウェハを回収する。
【０００７】
図１３に、プロセスチャンバＰＣで異常停止した場合におけるプロセス異常処理例を示す。Ｓｔｅｐ２においてアラーム、又はインターロック（プログラムにて常時監視）が発生した際、現在実行中のプロセスレシピを無視して、設定されているアラームレシピを実行する。所定のアラームレシピを実行した後、レシピを異常終了する。      尚、アラーム（又はインターロック）が発生した際に、自動制御するコマンドとして、アラームレシピのほかに、「Ｓｔｏｐ」、「Ｐａｕｓｅ」、「Ｊｕｍｐ」などがある。「Ｓｔｏｐ」は実行中のレシピを即時停止させるコマンドであり、「Ｐａｕｓｅ」は、現在の状態をそのまま保持させるコマンドであり、「Ｊｕｍｐ」は、指定したステップＮｏ．へジャンプ（移行）して実行させるコマンドである。
【０００８】
図１４を用いて、プロセスチャンバＰＣ１で異常停止して、アラームレシピを実行した後異常終了した後に縮退運用を実施する場合を示す。自動運用中（プロセスチャンバＰＣ１とプロセスチャンバＰＣ２）にプロセス異常が発生した場合、全プロセスチャンバ異常となった場合は自動運転を停止する。また、異常となったプロセスチャンバＰＣ１の圧力をチェックして、トランスファチャンバＴＣと同圧ならば異常Ｗａｆｅｒとして未処理Ｗａｆｅｒ＃５，６を保持しているのでプロセスチャンバＰＣ１からロードロックチャンバＬＣへ戻す。また、同圧でなければ、プロセスチャンバＰＣ１とトランスファチャンバＴＣ間のゲートバルブを開くことができない。よって、異常発生したプロセスチャンバＰＣ１にウェハを滞留させ、保持している未処理Ｗａｆｅｒ＃５，６をプロセスチャンバＰＣ２へ回転させ、処理待ちになる。
【０００９】
図１４では、異常終了となったプロセスチャンバＰＣとトランスファチャンバＴＣが搬送圧で同圧の場合、異常発生したプロセスチャンバＰＣのエラー要因を排除した後、搬送圧力に同圧化される。そして、滞留ウェハの回収が行われる。尚、回収方法は、上述した搬送エラー時の回収と同じである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
半導体製造装置で、アラーム又はインターロックなどのトラブルが発生した際に、自動運用を停止し生産が止まってしまう場合がある。このとき即座に装置内のウェハ回収を実施し、アラーム又はインターロックなどの発生要因を取り除いて生産を開始しても、装置稼働率が大幅に低下してしまう。
【００１１】
このように、一度装置を停止してしまうと、装置稼働率が極端に低下することになる。特に、高スループットを要する装置では、上述したメンテナンス作業による稼働率低下は顕著となる。
【００１２】
本発明では、異常により所定の処理が停止しても、リトライ処理を行うことで、ウェハ回収作業等の実施に起因する装置稼働率の低下を抑止できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の特徴は、ウェハ１を搬送する搬送手段と、前記搬送手段を制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記搬送手段が、前記基板を搬送中にエラーが発生して一時停止したときに、前記制御手段は、所定回数のリトライ処理を前記搬送手段に実施させても前記エラーが解消されない場合、前記搬送手段を待機状態（コマンド入力待ち状態）に移行させることにある。
【発明の効果】
【００１４】
単純なアラーム又はインターロックについては、一時停止状態で復旧作業を実施し、生産を再開させることで、稼働率の低下を最小限に抑えることができる。特に、アッシング装置など高スループット（２００枚〜３００枚/時程度）を要する装置については顕著に装置稼働率の低下を抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態である半導体製造装置を示す平面断面図である。
【図２】本発明の一実施形態である半導体製造装置を示す縦断面図である。
【図３】本発明の一実施形態である半導体製造装置における処理室を示す斜視図である。
【図４】ウェハ処理時の内側移載装置周辺を示す平面図である。
【図５】ウェハ移載フローを示す各模式的平面図及び各縦断面図である。
【図６】ウェハ移載フローの続きを示す各模式的平面図及び各縦断面図である。
【図７】本発明の一実施形態である半導体製造装置におけるコントローラ構成を示す図である。
【図８】本発明の一実施形態における真空ロボットアームセンサ異常時のリトライ制御方式を示す図である。
【図９】本発明の一実施形態におけるプロセス異常時のリカバリ制御方式を示す図である。
【図１０】ロボットアームをセンシングする構造例を示す図である。
【図１１】従来の真空ロボットアーム制御方式を示す図である。
【図１２】従来の搬送停止時のリカバリ作業の概要を示す図である。
【図１３】従来のプロセス異常処理例を示す図である。
【図１４】従来のプロセス異常処理時の運用方式の一例を示す図である。
【図１５】アッシングプロセスを実施するためのプロセスレシピ実行例を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本実施形態において、本発明に係る基板処理装置は、半導体製造装置１０として構成されている。図１に示されるように、半導体製造装置１０は、第一搬送室としての搬送室１２を中心として、２つのロードロック室（予備室）１４ａ，１４ｂ及び２つの処理室１６ａ，１６ｂが配置されている。２つのロードロック室１４ａ，１４ｂの上流側には第二搬送室であるＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅ）１８が配置されている。
【００１７】
ＥＦＥＭ１８は、図示しないが、複数のキャリアを搭載することができる構造になっている。キャリアには２５段のスロットが形成されており、格段のスロットはウェハを１枚ずつ保持するように構成されている。したがって、キャリアは最小１枚から最大２５枚のウェハを収容可能である。図示しないが、ＥＦＥＭ１８内には第二搬送装置としてのウェハ移載装置が設置されており、ウェハ移載装置は大気中にて同時に複数枚（通例、５枚）を移載することができる。ウェハ移載装置は２つのロードロック室１４ａ，１４ｂとの間のウェハ移載を可能としている。
【００１８】
図２に示されているように、ロードロック室１４ａ，１４ｂには支持台２０が設けられており、支持台２０は２５枚のウェハを縦方向に一定間隔を隔てて収容する。支持台２０は、例えば、炭化珪素やアルミで構成しており、上部板２２と下部板２４とを接続する例えば３つの支柱２６を有する。支柱２６の長手方向内側には例えば２５個の載置部２８が平行に形成されている。また、支持台２０は、ロードロック室１４ａ，１４ｂ内において、鉛直方向（上下方向に移動）するように構成されているとともに、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するように構成されている。
【００１９】
搬送室１２には第一搬送装置としてのウェハ移載装置３０が設置されている。ウェハ移載装置３０はロードロック室１４ａ，１４ｂと処理室１６ａ，１６ｂとの間でウェハ１を搬送する。ウェハ移載装置３０はフィンガーアッシー３２が設けられたアーム３４を備えている。フィンガーアッシー３２は上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂとを有する。上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂとは同一の形状をしており、上下方向に所定の間隔で離間され、アーム３４からそれぞれ略水平に同じ方向に延びて、ウェハ１をそれぞれ支持する。アーム３４は鉛直方向に延びる回転軸を中心として回転するように、かつ、水平方向に移動するように構成されている。搬送室１２と処理室１６ａ、搬送室１２と処理室１６ｂは、ゲートバルブ３５（図３参照）を介してそれぞれ連通している。尚、図２ではアームとしてのフィンガーアッシー３２が１つだけ表示されているが、この形態に限定されないのはいうまでも無い。後述するようにフィンガーアッシー（アーム）３２を２つ設けてもよい。
【００２０】
したがって、搬送室１２に設置されたウェハ移載装置３０はロードロック室１４ａ，１４ｂにストックされた未処理ウェハを同時に２枚ずつゲートバルブ３５を介して処理室１６ａ，１６ｂへ移載することができるとともに、処理済ウェハを一度に２枚ずつ処理室１６ａ，１６ｂからロードロック室１４ａ，１４ｂに移載することができる。
【００２１】
図３に示されているように、処理室１６には２つの保持台３７が設置されている。搬送室１２側の保持台３７を第一処理部３６、他方の保持台３７を第二処理部３８とする。第一処理部３６と第二処理部３８は各々独立した構造となっており、装置全体からみると、ウェハ処理流れ方向と同方向一列になっている。すなわち、第二処理部３８は、搬送室１２から第一処理部３６を挟んで遠方に配置されている。第一処理部３６と第二処理部３８とは連通し、処理室１６内は３００℃までの昇温が可能である。第一処理部３６と第二処理部３８は、例えばアルミニウムで形成され、内挿したヒータ（不図示）により加熱される。省スペース、低コストの目的を達成するため、ロードロック室１４ａ，１４ｂ、搬送室１２および処理室１６ａ，１６ｂを例えばアルミニウム１部品にて形成してもよい。
【００２２】
処理室１６内の第一処理部３６と第二処理部３８の間の内側寄りには、第三搬送装置としての処理室内のウェハ移載装置（以下、内側移載装置ともいう）４０が設けられている。内側移載装置４０はウェハ移載装置（以下、外側移載装置ともいう）３０によって搬送された２枚の未処理ウェハのうちの１枚を第二処理部３８へ移載し、さらに、第二処理部３８の処理済ウェハを外側移載装置３０のフィンガーアッシー３２上へ移載する。
【００２３】
図４は、処理部１６内の内側移載装置４０が第二処理部３８側に待機している時（ウェハ処理時）の状態を示す。内側移載装置４０は、ウェハの外径より大きな円弧部４３ａと、円弧部４３ａから切欠かれた切欠き部４３ｂと、円弧部４３ａから円弧部の中心に向かって略水平に設けられたウェハを載置する爪部４３ｃと、円弧部４３ａを支えるフレーム部４３ｄが設けられたアーム４７と、を有する。円弧部４３ａとフレーム部４３ｄとは連続して形成され、アーム４７から略水平に装着され、爪部４３ｃを介してウェハ１を支持する。アーム４７は、鉛直方向に延びる軸部４３ｅを回転軸として回転するように、かつ、鉛直方向に昇降するように構成されている。切欠き部４３ｂは、軸部４３ｅが回転し、第一処理部３６側に位置するときに、搬送室１２と処理室１６との間に設けられたゲートバルブ３５と向かい合う位置に配置する。したがって、内側移載装置４０は、回転軸である軸部４３ｅの回転動作、昇降動作に伴い、回転動作や昇降動作を行うので、外側移載装置３０によって処理室１６に搬送された２枚のウェハのうち、１枚のウェハを第一処理部３６上方から搬送室１２の遠方にある第二処理部３８に搬送して載置することができる。内側移載装置４０は、第一処理部３６および第二処理部３８からの熱輻射により高温（２００℃くらい）になるため、耐プラズマ性、耐高熱性である例えばアルミナセラミックス、石英、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等から形成するのが好ましい。金属部品に比べ熱膨張係数の小さい例えばアルミナセラミックスで形成することで、熱変形によるたわみ等による搬送信頼性劣化を防止することができる。ただし、内側移載装置４０の基部には位置やレベル（高さ）調整のため、金属部品を使用する。
【００２４】
図５に示されるように、第一処理部３６および第二処理部３８は、処理室１６内において固定部材（不図示）により装置本体１１に固定されている。第一処理部３６外周には３つの第一保持ピン３９ａが鉛直方向に貫通しており、第一保持ピン３９ａが上下に昇降することで、ウェハ１を略水平に昇降させる。第二処理部３８外周には３つの第二保持ピン３９ｂが鉛直方向に貫通しており、第二保持ピン３９ｂが上下に昇降することで、ウェハ１を略水平に昇降させる。したがって、ゲートバルブ３５を介して外側移載装置３０により搬送されたウェハ１は、保持ピン３９ａ，３９ｂを介して保持台３７に載置されるようになっている。つまり、モータが回転および逆回転することにより、第一保持ピン３９ａ、第二保持ピン３９ｂが上下方向に移動する。
【００２５】
図５および図６に処理室１６内におけるウェハ移載のフローの概要を示す。図５（ａ）〜（ｄ）および図６（ｅ）〜（ｈ）において、上図は処理室１６の上面図であり、下図は上図の断面をイメージした図で、説明用図面である。下図では、保持ピン３９ａの一つが第一処理部３６内のゲートバルブ３５に近い箇所に設けられている。これは説明の便宜上のものである。実際には上図のように、第一処理部３６内のゲートバルブ３５に近い箇所、すなわち、外側移載装置３０が図５（ｃ）上図のように待機する箇所には、保持ピン３９ａは設けられていない。
【００２６】
尚、以下の説明において、半導体製造装置１０を構成する各部の動作は、後述するコントローラシステム７００により制御されている。まず、処理室１６内は搬送室１２と同圧に減圧化される。
【００２７】
（ステップ１  図５（ａ））
ゲートバルブ３５が開き、第一処理部３６の第一保持ピン３９ａと第二処理部３８の第二保持ピン３９ｂが上昇する。内側移載装置４０は第二処理部３８側に待機し、第一保持ピン３９ａ、第二保持ピン３９ｂと共に上昇する。
【００２８】
（ステップ２  図５（ｂ））
内側移載装置４０は、軸部４３ｅが回転することで、水平に第一処理部３６側へ移動する。この際、内側移載装置４０の切欠き部４３ｂは、ゲートバルブ３５と向かい合っている。
【００２９】
（ステップ３  図５（ｃ））
外側移載装置３０が上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂに載置された２枚のウェハ１を同時に搬送しながら、搬送室１２からゲートバルブ３５を介して処理室１６に移動し、第一処理部３６の上方にて停止する。その際、内側移載装置４０はフィンガーアッシー３２の上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂの間に収まる高さ位置にて待機している。  
【００３０】
（ステップ４  図５（ｄ））
外側移載装置３０はそのまま動作しない状態にて、第一処理部３６の第一保持ピン３９ａが上昇し、下フィンガー３２ｂに載置されたウェハ１を第一保持ピン３９ａ上に載置する。さらに、内側移載装置４０が上昇することで、上フィンガー３２ａに載置されたウェハを内側移載装置４０の爪部４３ｃ上に載置する。
【００３１】
（ステップ５  図６（ｅ））
外側移載装置３０は、搬送室１２内に戻る。
【００３２】
（ステップ６  図６（f））
内側移載装置４０は、ウェハ１を載置した状態で、軸部４３ｅが回転することで略水平に第二処理部３８側へ移動する。また、同時にゲートバルブ３５が閉まる。
【００３３】
（ステップ６  図６（ｇ））
軸部４３ｅが下降して、内側移載装置４０は、第二処理部３８の外周下方に移動する。内側移載装置４０は、ウェハ処理中も処理室１６内に待機することになるため、第二処理部３８上方から供給される処理ガス（例えばＯ２ラジカル等）のガスの流れを阻害し、ウェハ面内の均一性を悪化させる危惧がある。そのため、第二処理部３８の外周のガス流れを阻害しない高さへと移動する。
【００３４】
（ステップ６  図６（ｈ））
第一処理部３６の第一保持ピン３９ａおよび第二処理部３８の第二保持ピン３９ｂがウェハ１を略水平に保持した状態で略同時に下降し、ウェハ１を保持台３７に載置する。すなわち、それぞれのウェハ１と、それらのウェハ１に対応した保持台との距離が互いに等しくなるよう、ウェハ１を下降させる。第一処理部３６および第二処理部３８それぞれのウェハ１への熱影響を同じにするためである。
【００３５】
熱影響を同じにすることにより、例えばそれぞれのウェハのアッシングレートを均一にすることができる。まったく同じ熱影響とする必要はなく、アッシングレートが均一にさえなれば、誤差があってもよい。誤差は、例えば２秒程度である。第一保持ピン３９ａと第二保持ピン３９ｂを略同時に下降して、熱影響を同じとする代わりに、ヒータを個別に制御してもよい。また、本実施例では、保持ピン３９が下がるが、保持台３７が上下するように構成してもよい。
【００３６】
その後、処理室１６内にガスを供給し、プラズマ生成（アッシング処理）がなされ、基板処理後は、逆のシーケンスを実行し、処理済ウェハ１を搬出する。
【００３７】
図７は、本発明に於けるコントローラ構成を示す図である。本発明に於ける装置コントローラとしてのコントローラシステム７００は、操作部（ＯＵ）７０１と、メインコントローラとしての統括制御コントローラ７０２と、第二搬送装置としての大気ロボットコントローラ７０４と、第一搬送装置としての外側移載装置（真空ロボット）３０を制御する真空ロボットコントローラ７０５とがＬＡＮを介して接続されている。尚、図示されていないが、内側移載装置３０（処理室ロボット）を制御する処理室ロボット制御コントローラもＬＡＮを介して接続されている。
【００３８】
操作部７０１は、モニタ表示、ロギングデータやアラームなどの解析、及びパラメータ編集などを行うための画面を表示する図示しない表示部と、該表示部を介して入力された指示データや各種レシピや各種パラメータをファイルとして格納する図示しない記憶部と、システム制御コマンドなどのコマンドや、各種レシピ作成時における設定値を入力する図示しない入力部などを設けた構成である。メインコントローラとしての統括制御コントローラ７０２は、コントローラシステム７００全体の運用制御を行う。また、真空ロボットコントローラ７０５、大気ロボットコントローラ７０４等の搬送系制御、真空排気系制御。各プロセスチャンバＰＣとしてのプロセス制御（温度、カ゛ス、圧力、ＲＦ等）を行う。また、統括制御コントローラ７０２の直下の通信回線であるセンサバスを介してウェハ検知センサからの信号を取り込みウェハ情報を確認しながら各ロボット（真空ロボットや大気ロボット）と連動し、搬送制御を実施する。サブコントローラ７０３は、前記統括制御コントローラ７０２の命令（指示）に対して、ＭＦＣやＡＰＣ（オートプレッシャーコントローラ）やＲＦ発信機や温調（温度調節器）などに数値データを出力したり、反対に、数値を受信し、前記統括制御コントローラ７０２に送信する。また、サブコントローラ７０３は、命令（指示）されたバルブパターンに対してバルブインターロックをかけたり、ハードインターロックを検出し適切な処理を実施したりと高制御性能を必要とする処理を実施する。尚、上記表示部、記憶部、入力部は、操作部７０１と別体であってもよいし、また、メインコントローラ７０１に対して別体であってもよい。
【００３９】
また、図示しないＧＥＭコントローラと。また、該ＧＥＭコントローラを介して図示しないユーザ(顧客)側のＨｏｓｔコンピュータと接続され、工場内の自動化システムを実現する。
【００４０】
次に、自動運転の制御概要について詳述する。尚、処理室１６内のウェハ１の搬送は上述した通りであり省略する。
【００４１】
図示しない基板収容容器（キャリア）としてのＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎｉｎｇ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ）が図示しないロードポートに投入され、ウェハマッピングが実施され、ウェハ枚数の確認が行われる。そして、ウェハ毎に、投入されるプロセスチャンバＰＣとしての処理室１６とプロセスレシピを指定して実行する。本装置では、指定枚数を空いている処理室１６へ搬送し、ＥＶＡＣ（排気）制御を実行する。ロードロックチャンバＬＣとしてのロードロック室１４から２枚ずつウェハを、該当する処理室１６へ搬送し、プロセスレシピを実行して、処理後、元のロードロック室１４へ戻す。
【００４２】
ロードロックチャンバＬＣとしてのロードロック室１４からプロセスチャンバＰＣとしての処理室１６への搬送は、以下の通りである。
【００４３】
ロードロックチャンバＬＣとしてのロードロック室１４からプロセスチャンバＰＣとしての処理室１６への搬送は、以下の通りである。１）ロードロック室１４からウェハ１を２枚取り出す（Ｇｅｔする）前に、ウェハセンサで該当ブレードとしてのフィンガー３２ａ，３２ｂ上にウェハ１がないことを確認する。２）ロードロック室１４からウェハ１を２枚取り出した（Ｇｅｔした）後に、ウェハセンサで該当ブレードとしてのフィンガー３２ａ，３２ｂ上にウェハ１があることを確認する。３）該当する処理室１６方向へ回転する。４）処理室１６へウェハ１を２枚載置（Ｐｕｔ）する前に、ウェハセンサでブレードとしてのフィンガー３２ａ，３２ｂ上にウェハ１があることを確認する。５）処理室１６へウェハ１を２枚載置（Ｐｕｔ）した後に、ウェハセンサでブレードとしてのフィンガー３２ａ，３２ｂ上にウェハ１がないことを確認する。ここで、ウェハセンサとは、ウェハの有無を検知するセンサのことである。ウェハセンサとして、例えば、透過型センサでは、光を遮断することにより、ウェハ有、透過した場合はウェハ無となるようにセンサ位置、光量を調整する。また、反射型センサでは、一定の光量を受けた場合ウェハ有、そうでない場合はウェハ無となるようにセンサ位置、光量を調整する。これらを、ロボット形状、チャンバ形状から適切に配置し、ウェハ有無を都度検知することで安全にロボット搬送が可能となる。
【００４４】
指定枚数実行完了したならば、ロードロック室１４をＶｅｎｔ（大気圧復帰）し、指定ＦＯＵＰへウェハ１を戻す。全てウェハ１が戻ったところで、ＦＯＵＰ払出動作を実行する。
【００４５】
次に、搬送室１２（トランスファチャンバ）内の真空ロボットとしての外部移載装置４０のアームに載置したウェハ１を検知する場合について詳述する。
【００４６】
図１０を用いてアームに２枚のウェハ１を保持し、これらウェハ１を検知する場合について説明する。まず、アーム２としての上側アームの基板載置部であるブレードにウェハ１を保持した際に、アームを伸縮方向でアームを縮めた位置で、下ブレードのウェハ１は透過スリットを通し透過型センサ光でウェハ有無を検知する。また、上ブレード上のウェハ１は反射型センサによりウェハ１有無を検知する。一方、アーム１としての下側アームの基板載置部であるブレードにウェハ１を保持した際に、アームを伸縮方向でアームを縮めた位置で、下ブレード上のウェハ１は反射型センサによりウェハ１有無を検知する。また、上ブレードのウェハ１は透過スリットを通し透過型センサ光でウェハ有無を検知する。尚、本装置構成では、アーム１とアーム２上のウェハ１を同時に検知することができない構成となっている。ここで、上記透過型センサ、上記反射型センサが本願発明におけるウェハセンサの一種であるのは言うまでもない。
【００４７】
上記ウェハセンサによるウェハ１の検知結果、実際にはウェハずれが発生しておらず、上記ウェハセンサの位置調整不足であった場合、ウェハ搬送が停止している状態で、センサ位置を調整し、再スタートさせる。そうすることで、装置内の滞留ウェハを回収することなく、生産を継続することができる。
【００４８】
ここで、図８を用いて、本願発明の実施形態におけるリトライ制御方式について、搬送室１２（トランスファチャンバ）内の真空ロボットとしての外部移載装置４０が、ロードロックチャンバとしての予備室１４からウェハ１を取り出す場合を例に挙げて説明する。
【００４９】
真空ロボット４０は、ロードロックチャンバＬＣとしてのロードロック室１４からウェハ１を２枚取り出すよう指示される(Step1)。まず、真空ロボット４０は、該当するロードロック室１４と対向する位置に回転する(Step2)。真空ロボット４０のアームに設けられたブレードとしてのフィンガー３２ａ，３２ｂ上にウェハ１がないことをウェハセンサで確認する（Step3）。ウェハ１がない場合、アームを伸ばすことでロードロック室１４内のウェハ１を取り出す処理を行う（Step4）。ウェハセンサの検知結果がウェハ有となった場合、リトライ処理が所定の回数行われたかチェックされる。ここで、リトライ処理とは、ウェハセンサでフィンガー３２ａ，３２ｂ上にウェハ１がないことを確認するための検知であって、図１０に示す検知方法である。所定の回数が行われていない場合は、インターバルの時間を置いた後に、Step3へ戻り再度ウェハセンサによる検知が行われる（Step5）。また、所定の回数行われた場合、Step6へ移行する。所定の回数リトライ処理を行っても検知結果が所望の結果にならない場合、待機状態（コマンド入力待ち状態）になり、リトライ処理の実施を要求するコマンド指示を待つ（Step6）。エラー処理の実施を要求するコマンド指示があった場合、エラー処理(異常終了)が行われる（Step7）。尚、リトライ処理をするか、諦めて異常終了させるかは、オペレータの判断による。
【００５０】
Step4にてロードロック室１４内のウェハ１を取出した後、今度は、真空ロボット４０のアームに設けられたブレードとしてのフィンガー３２ａ，３２ｂ上にウェハ１があることをウェハセンサで確認する（Step8）。ウェハ１がある場合、ロードロック室１４からウェハ１を２枚取り出す処理が終了となる（Step9）。ウェハセンサの検知結果がウェハ無となった場合、リトライ処理が所定の回数行われたかチェックされる。ここで、リトライ処理とは、ウェハセンサでフィンガー３２ａ，３２ｂ上にウェハ１が有ることを確認するための検知であって、図１０に示す検知方法である。所定の回数が行われていない場合は、インターバルの時間を置いた後に、Step8へ戻り再度ウェハセンサによる検知が行われる（Step10）。また、所定の回数行われた場合、Step11へ移行する。所定の回数リトライ処理を行っても検知結果が所望の結果にならない場合、待機状態（コマンド入力待ち状態）になり、リトライ処理の実施を要求するコマンド指示を待つ（Step11）。エラー処理の実施を要求するコマンド指示があった場合、エラー処理(異常終了)が行われる（Step12）。尚、リトライ処理をするか、諦めて異常終了させるかは、オペレータの判断による。
【００５１】
次に、本願発明の実施形態におけるリトライ制御方式に関して、アッシング装置など、プロセスチャンバＰＣとしての処理室１６内にウェハ１が滞留してもプロセス結果に影響することがない装置を例示する。まず、図１５を用いて、アッシングプロセスを行うプロセスレシピの構成と制御概要について説明する。ここで、プロセスレシピは時系列に温度、ガス、圧力、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）などの各制御項目を設定、監視するステップ(イベント)があり、各ステップは設定時間通りに実行制御される。
【００５２】
自動運用にて該当プロセスチャンバＰＣとしての処理室１６にウェハ１を搬入後、該当するプロセスレシピを開始する。プロセスレシピのステップ１で、処理室１６内の温度、圧力をプロセス条件に設定する。ステップ時間の設定値は３０秒とされる場合があるが、温度、圧力の条件を満たすまでステップ２へ移行しない。ステップ２で、高周波ＲＦを印加して、プラズマを生成し、６０秒間アッシングする。ステップ３でウェハ１を搬出するための搬送圧力に設定する。ここでも、設定値３０秒とされる場合があるが、圧力の条件を満たすまで終了しない。尚、次のウェハのために温度は保持される。
【００５３】
一般的に、プロセスレシピのステップ実行の間に、アラームやインターロックを検出した場合を想定し、アラームやインターロックの内容、及び当該ステップの制御内容を勘案して、「プロセスレシピ停止（Ａｂｏｒｔ）」、「アラームレシピ実行」、「プロセスレシピポーズ（Ｐａｕｓｅ）」などの処置を予め設定される。
【００５４】
アッシングなど、処理室１６（プロセスチャンバ）内にウェハ滞留したとしてもプロセス結果に影響することがない装置では、プラズマ異常放電などが発生し、プロセスレシピ制御が途中停止したとしても、再度放電することでウェハ１のプロセス品質には問題が発生しない。このため、再度プロセスレシピを実行（異常があったステップをリトライ処理）することでプロセスレシピ処理を継続することが望ましい場合がある。プロセスレシピ内に、復帰可能なアラームが発生したときの処理として、アラームレシピを実行してプロセス異常終了とするのが一般的である。しかしながら、「Ｐａｕｓｅ」コマンド設定として、オペレータ判断、指示により「Ｒｅｓｕｍｅ」や「ＳｅｔｕｐＪｕｍｐ」（プロセスレシピの最初から）を選択し、プロセスレシピを継続する。尚、継続不能（プロセス性能未達）と判断した場合は、異常終了を選択することも可能とする。「Ｒｅｓｕｍｅ」コマンドは、レシピ再開して次のＳｔｅｐを実行する。「Ｊｕｍｐ」コマンドは指定Ｓｔｅｐから実行する。「Ａｂｏｒｔ」コマンドは、レシピ異常終了する。特に、レシピの先頭から実行させる場合は、「ＳｅｔｕｐＪｕｍｐ」コマンドを設定する。
【００５５】
図９を用いて、処理室１６（プロセスチャンバ）で実行されるプロセスレシピで異常が発生した場合を例に挙げて説明する。
【００５６】
Ｓｔｅｐ２にてアラームが発生して、予め設定された「Ｐａｕｓｅ」コマンドが実施され、プロセスレシピ制御が「Ｐａｕｓｅ」状態となり、コマンド入力待ち状態となる。そして、オペレータが状況を判断して、操作部７０１からコマンドを入力する。
【符号の説明】
【００５７】
１０…半導体製造装置（アッシング装置）
７０２…上位コントローラ（メインコントローラ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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