(57)【要約】【課題】有機ＥＬパネル面内で初期の輝度ムラを抑制するとともに、長時間駆動した後も輝度ムラを抑制することが可能な有機電界発光装置を提供する。【解決手段】陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に備えられている一層または複数層からなる有機層と、該陽極及び陰極のいずれかに接する反射層と、該陽極及び陰極のいずれかに接し発光領域２１の面積Ｓnlを規定する絶縁層２２と、を備えた画素を複数配置してなる。各発光領域２１に配置される各反射層領域２４は、その面積Ｓnrがそれぞれ異なる大きさとなるように形成され、発光領域２１の面積と反射層領域２４の面積の比Ｅn＝Ｓnr／Ｓnlが１より小さい画素を含む。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に備えられている一層または複数層からなる有機化合物層と、該陽極及び陰極のいずれかに接する反射層と、該陽極及び陰極のいずれかに接し発光領域の面積Ｓnlを規定する絶縁層と、を備えた画素を複数配置してなる有機電界発光装置であって、
前記各発光領域に配置される各反射層領域は、その面積Ｓnrがそれぞれ異なる大きさとなるように形成され、
前記発光領域の面積と前記反射層領域の面積の比Ｅn＝Ｓnr／Ｓnlが１より小さい画素を含むことを特徴とする有機電界発光装置。
【請求項２】
前記Ｅnは、電流分布に応じて規定されていることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項３】
前記Ｅnは、電流密度の高い領域が電流密度の低い領域よりも小さくなるように規定されていることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項４】
前記有機電界発光装置に含まれる全ての画素を複数の画素群からなる複数のブロックに分け、
同一ブロック内は同一のＥnで構成され、異なるブロック間は異なるＥnで構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機電界発光装置。
【請求項５】
前記Ｓnlは、異なる複数の画素にわたることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機電界発光装置。
【請求項６】
前記Ｓnlは、電流分布に応じて規定されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機電界発光装置。
【請求項７】
光遮断層を有する画素を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機電界発光装置。
【請求項８】
前記反射層は前記陽極に接しており、前記陰極側から光を取り出すことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の有機電界発光装置。
【請求項９】
ディスプレイの情報表示部として用いることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の有機電界発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光装置に関し、特に有機ＥＬパネルとして利用される有機電界発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光装置を用いた有機ＥＬパネルは、高視野角、高コントラスト、高い色再現性等の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に勝る特徴を有していることから、携帯電話、テレビ等で一部実用化はされている。しかし、現状では広く普及しているとは言えず、将来、ＬＣＤに代わって広く普及していくためには、幾つかの課題が残されている。例えば、表示性能という観点から初期の輝度ムラの抑制があり、また、信頼性の観点から長時間駆動した後の焼きつき寿命の改善等を挙げることができる。特に、有機ＥＬパネルの大画面化及び高精細化が進むに連れて、輝度ムラが認識され易くなり、大きな問題となっている。これは、画素数の増加に伴い電源配線の負荷が大きく、配線抵抗が高くなるに従い電源電圧の電圧降下が大きくなるためである。配線抵抗による電圧降下ΔＶは下記式（１）で表すことができる。
ΔＶ＝Ｉ×ρ×Ｂ／Ｓ      ・・・（１）
【０００３】
式（１）中、Ｉは電流、ρは配線の抵抗（ｍΩ）、Ｂは配線の長さ（ｍ）、Ｓは配線の断面積（ｍ2）をそれぞれ示す。電源側から遠くなるにつれて画素に供給される電流が小さくなり、徐々に輝度が低下し、結果的に輝度ムラを生じる。長寿命化及び輝度ムラの改善の手法は、下記特許文献１、特許文献２に開示されている。
【０００４】
特許文献１に記載された技術は、陽極、発光層及び陰極を積層してマトリックス状に配列され、各色の表示画素をなすＥＬ素子の発光層の発光効率が最もよい緑色の発光領域の発光面積を他の赤色及び青色の発光領域の発光面積に比べて最も小さくしたものである。これにより、ＥＬ表示装置の長寿命化が図れるとともに、容易にホワイトバランスをとることができるとされている。
【０００５】
特許文献２に記載された技術は、一対の電極間に少なくとも発光層を含む有機化合物層を形成してなる発光部を有する画素を複数配置してなる有機ＥＬパネルに関するものである。この技術において、画素は、発熱分布に応じて異なる開口率で形成されている。また、画素は、高温領域において低温領域よりも開口率が高く形成されている。
【０００６】
また、両面ディスプレイ実現手法として、発光領域の面積と反射層領域の面積が異なる表示装置が、特許文献３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１６６６９１号公報
【特許文献２】特開２００８−２１０９５０号公報
【特許文献３】特開２００６−１９１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上述した従来の技術により長寿命化及び輝度ムラの改善が行われてはいるが、未だ配線抵抗による大きな輝度ムラに関しては、効果的な改善方法が必要とされているのが現状である。
【０００９】
本発明は、上記従来の技術の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬパネル面内で初期の輝度ムラを抑制し、長時間駆動した後も輝度ムラを抑制することが可能な有機電界発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の有機電界発光装置は、上述多目的を達成するため、以下の特徴点を有している。すなわち、本発明の有機電界発光装置は、陽極及び陰極からなる一対の電極を備えている。そして、一対の電極間に備えられた一層または複数層からなる有機化合物層と、陽極及び陰極のいずれかに接する反射層と、陽極及び陰極のいずれかに接し発光領域の面積Ｓnlを規定する絶縁層と、を備えた画素を複数配置して構成されている。
【００１１】
ここで、各発光領域に配置される各反射層領域は、その面積Ｓnrがそれぞれ異なる大きさとなるように形成されている。そして、発光領域の面積と反射層領域の面積の比Ｅn＝Ｓnr／Ｓnlが１より小さい画素を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、発光領域の面積と反射層領域の面積の比Ｅn＝Ｓnr／Ｓnlが１より小さい画素を含むように構成することにより、表示特性が優れ、長期信頼性に優れた有機電界発光装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る有機電界発光装置に含まれる画素を構成する素子を示す断面模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機電界発光装置に含まれる画素を構成する素子を示す上面模式図である。
【図３】本発明の実施形態に係る有機電界発光装置を用いた有機ＥＬパネルを示す平面模式図である。
【図４】本発明の実施形態に係る有機電界発光装置を用いた有機ＥＬパネルの画素を構成する素子を示す上面模式図である。
【図５】本発明の実施形態に係る有機電界発光装置に含まれる画素を構成する素子の上面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明に係る有機電界発光装置の実施形態を説明する。
【００１５】
＜有機電界発光装置の概略構成＞
本発明の実施形態に係る有機電界発光装置は、陽極及び陰極からなる一対の電極を備えている。そして、一対の電極間に備えられた一層または複数層からなる有機化合物層と、陽極及び陰極のいずれかに接する反射層と、陽極及び陰極のいずれかに接し発光領域の面積Ｓnlを規定する絶縁層と、を備えた画素を複数配置して構成されている。また、各発光領域に配置される各反射層領域は、その面積Ｓnrがそれぞれ異なる大きさとなるように形成されている。さらに、発光領域の面積と反射層領域の面積の比Ｅn＝Ｓnr／Ｓnlが１より小さい画素を含んでいる。
【００１６】
ここで、発光領域の面積と反射層領域の面積の比Ｅnは、電流分布に応じて規定されていることが好ましく、また、電流密度の高い領域が電流密度の低い領域よりも小さくなるように規定されていることが好ましい。また、発光領域の面積Ｓnlは、異なる画素にわたることが可能であり、電流分布に応じて規定することが可能である。
【００１７】
また、本発明の実施形態に係る有機電界発光装置は、光遮断層を有する画素を含んで構成することが可能である。また、本発明の実施形態に係る有機電界発光装置は、反射層が陽極に接しており、陰極側から光を取り出す構成とすることが可能である。
【００１８】
このような構成からなる有機電界発光装置は、ディスプレイの情報表示部として用いることが可能である。
【００１９】
＜有機電界発光装置の具体的構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る有機電界発光装置に含まれる画素を構成する素子を示す断面模式図である。
【００２０】
本発明の実施形態に係る有機電界発光装置に含まれる画素を構成する素子は、図１に示すように、基板１０上に反射層１１、陽極１２が配置され、陽極１２の周辺に接するようにして絶縁層１３が配置されている。さらにその上に、ホール注入層１４、ホール輸送層１５、発光層１６、電子輸送層１７、電子注入層１８、陰極１９が、この順に配置されている。ただし、本発明において素子の構成はこれに限定されるものではない。例えば、反射層１１上に、陰極１９、電子注入層１８、電子輸送層１７、発光層１６、ホール輸送層１５、ホール注入層１４、陽極１２がこの順に配置される構成であってもよい。また、ホール注入層１４及びホール輸送層１５、電子輸送層１７、電子注入層１８の少なくとも１層は、プロセスを簡略化するために省略することが可能である。
【００２１】
＜発光領域及び反射層領域の面積比＞
図２は、本発明の実施形態に係る有機電界発光装置に含まれる画素を構成する素子を示す上面模式図である。なお、図２において、発光領域の面積Ｓnl及び反射層領域の面積Ｓnrが理解し易いように、有機化合物層を省略している。
【００２２】
図２に示すように、発光領域２１の面積Ｓnlは、陽極（または陰極）上の周辺に接する絶縁層２２により規定されている。したがって、陽極（または陰極）上の絶縁層の無い領域全体が、発光領域２１の面積Ｓnlとなる。反射層は陽極（または陰極）の下部に接し配置されているが、本実施形態における反射層領域の面積Ｓnrとは、反射層全体２３の面積ではなく、発光領域２１に配置される反射層領域２４の面積Ｓnrのみのことを言う。
【００２３】
本発明において、発光領域２１の面積Ｓnlと反射層領域２４の面積Ｓnrの比Ｅn＝Ｓnr／Ｓnlは、電流分布に応じて規定されていることが好ましい。さらに、発光領域２１の面積Ｓnlと反射層領域２４の面積Ｓnrの比Ｅn＝Ｓnr／Ｓnlは、電流密度の高い領域が電流密度の低い領域よりも小さくなるように規定されていることが好ましい。
【００２４】
＜有機ＥＬパネル＞
図３は、本発明の実施形態に係る有機電界発光装置を用いた有機ＥＬパネルを示す平面模式図である。
【００２５】
図３に示すように、本発明の実施形態に係る有機電界発光装置を用いた有機ＥＬパネルは、複数の画素群３１から構成されている。ここで、電源から近い画素列から１列、２列、３列、電源から一番遠い画素列をＸ列とする。有機ＥＬパネル面内の輝度は１列目の画素が最も高く、配線抵抗により徐々に低くなり、Ｘ列目が一番低い。例えば、輝度の最も低いＸ列目画素の反射層領域の面積を発光領域の面積と同じにした場合、ｎ列目にある画素におけるＥnは下記式（２）で規定される。
Ｅn＝（ＪXηr−Ｊnηt）／（ηr−ηt）Ｊn      ・・・（２）
【００２６】
式（２）中、ηrは反射層が配置される領域の電流効率（ｃｄ／Ａ）、ηtは反射層が配置されない領域の電流効率（ｃｄ／Ａ）、Ｊnはｎ列目画素の電流密度（Ａ／ｍ2）、ＪXはＸ列目画素の電流密度（Ａ／ｍ2）をそれぞれ示す。この式（２）に従い、各画素のＥnを調整することで、表示部における輝度ムラが改善される。また、本発明では、有機電界発光装置に含まれる全ての画素を複数の画素群からなる複数のブロックに分けた上で、このブロックごとにＥnを変化させてもよい。ここでブロックとは電流密度の範囲を規定した画素郡の集合体である。またブロックごとにＥnを変化させるとは、同一ブロック内においては同一のＥnで構成して、異なるブロック間においては異なるＥnで構成することをいう。
【００２７】
図４は、本発明の実施形態に係る有機電界発光装置を用いた有機ＥＬパネルの画素を構成する素子を示す上面模式図である。なお、図４（ａ）における画素４０１から画素４１５は、図３における有機ＥＬパネルの画素を構成する素子を示している。
【００２８】
図４（ａ）に示すように、電流密度の大きさにより各列を１５のブロックに分類し、Ｅnを徐々に変化させる。電流密度の高い順に、画素４０１から画素４１５へと変化させる。具体的には、画素総数が６４０×４８０×３（赤緑青）である場合に、電源に遠い画素から、画素数４２×４８０×３（赤緑青）のブロック１４ブロックと、画素数５２×４８０×３（赤緑青）のブロック１ブロックと、の合計１５ブロックに分ける。そして電流密度の高いブロックに含まれる画素から順に画素４０１から画素４１５へと変化させる。すなわち、ブロックごとに順にＥnを変化させる。Ｅnを変化させる割合は、特に限定はされないが、ブロックの境目が明確にならないように隣接するブロックの画素との輝度差が１．５％以内、好ましくは１．０％以内になるように変化させることが好ましい。
【００２９】
また、本発明では、各画素の焼きつき寿命を改善する目的で、発光領域の面積Ｓnlが異なる画素（異なる複数の画素）を含むことが好ましく、さらに、Ｓnlが電流分布に応じて規定されている画素を含むことが好ましい。図３のｎ列目にある画素のＳnl（ｍ2）は下記式（３）で規定される。
Ｓnl＝ＪXＳX／Ｊn      ・・・（３）
【００３０】
式（３）中、ＳXはＸ列目画素の発光領域の面積（ｍ2）を示す。この式（３）に従い、各画素のＳnlを調整することで、表示部全体における焼きつき寿命のムラを改善することが可能である。また、本発明は電流密度の範囲を規定してブロックごとに発光領域を変化させてもよい。図４（ｂ）における５０１から５１５は、図３における有機ＥＬパネルの画素を構成する素子を示している。図４（ｂ）に示すように、Ｓnlは電流密度の大きさにより各列を３つのブロックに分類し、また、Ｅnは電流密度の大きさにより１５のブロックに分類し、徐々に変化させたものである。電流密度の高い順に、画素５０１から画素５１５へと変化させる。Ｓnlを変化させる割合は、特に限定はされないが、電流密度差が１０％以内、好ましくは５％以内になるように変化させることが好ましい。また、反射層領域の面積Ｓnrを規定する形状は特に限定されない。図２に示す例以外に、図５（ａ）及び（ｂ）に、その他の例を示す。図５（ａ）及び（ｂ）において、６１、６４は発光領域、６２、６５は絶縁層、６３，６７は反射層領域、６６は反射層全体をそれぞれ示す。
【００３１】
本発明では、必要に応じて光遮断層を有する画素を含むことが好ましい。光遮断層は、基板と反射層の間、または基板と電極の間に配置される。この光遮断層は、少なくとも反射層の配置されない発光領域に配置されることが好ましい。これは、発光及び外光の散乱を防止する目的と、電極の下層部に配置されるＴＦＴを保護する目的のためである。
【００３２】
本発明は発光した光を基板側から取り出すボトムエミッション型、あるいは基板と反対側から光を取り出すトップエミッション型のどちらの構造においても有効である。特に、反射層は陽極に接し、陰極側から光を取り出す構成とすることが好ましい。
【００３３】
本発明は、ディスプレイの情報表示部に用いることができる。ディスプレイのサイズは特に制限されないが、例えば、１インチから５０インチまでが好ましい。画素数は、特に制限はない。例えば、ＱＶＧＡ（３２０×２４０画素）、ＶＧＡ（６４０×４８０画素）、ＸＧＡ（１０２４×７２８画素）、ＳＸＧＡ（１２８０×１０２４画素）、ＵＸＧＡ（１６００×１２００画素）、ＱＸＧＡ（２０４８×１５３６画素）を挙げることができる。また、情報表示部はカラー表示できることが好ましく、その場合、赤、青、緑の発光素子を独立に配列させることで表示する方法、または、カラーフィルターを用いる方法、いずれにおいても有効である。また、駆動方法としては、単純マトリックス方法、アクティブマトリックス方法、いずれにおいても有効である。
【００３４】
＜有機ＥＬパネルの材料／製造方法＞
次に、本発明で用いられる部材ならびにその製造方法について説明する。
【００３５】
基板の材料は特に限定されないが、例えば、ガラス、石英等の無機材料を用いることができる。この他、アクリル系、ビニル系、エステル系、イミド系、ウレタン系、ジアゾ系、シンナモイル系等の感光性高分子化合物、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン等の有機材料、有機無機ハイブリッド材料を用いてもよい。また、これらの材料を２層以上積層させて用いることもできる。また、ＴＦＴ等のアクティブ素子を備えていてもよい。
【００３６】
反射層の材料は一定の反射率を有していれば特に限定されないが、好ましくは反射率が７０％以上、より好ましくは８０％以上あるものがよい。例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｓｅ、Ｉｒ等の金属材料及びそれらの合金材料を挙げることができるが、特にＡｌあるいはその合金材料、Ａｇあるいはその合金材料が好ましい。また、基板との密着性を高めるためにＭｏＷ等の密着層を有していてもよい。
【００３７】
反射層に接する電極の材料は、ポリシリコン、シリサイド、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2等の無機材料が好適である。また、ハイドープされたポリピリジン、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンに代表される導電性高分子及び炭素粒子、銀粒子等を分散した導電性インク等を挙げることができる。
【００３８】
また、対向側の電極の材料は、上記電極材料に加え、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｓｅ、Ｉｒ等の金属材料及びそれらの合金材料を用いてもよい。また、Ａｇ／Ｍｇ、Ａｌ／Ｍｇ、Ａｇ／Ｍｇ／Ａｇといった、これらの材料を２層以上積層させて用いることもできる。発光を効率よく取り出すためには、好ましくは透明性の高いＩＴＯ、ＩＴＺＯまたはＩＺＯ等の透明電極が好ましい。
【００３９】
絶縁層の材料は、無機化合物あるいは有機化合物いずれにおいても有効である。例えば、アクリル系、ビニル系、エステル系、イミド系、ウレタン系、ジアゾ系、シンナモイル系、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、パリレン等の高分子材料であることが好ましい。さらに、アクリルまたはポリイミド、パリレン等の材料であることが一層好ましい。
【００４０】
光遮断層の材料は、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン、アモルファスカーボン等の炭素系材料の他、樹脂に黒色系の炭素系材料、染料または顔料を加えたものを挙げることができる。光遮断層の材料としては、光を遮断、吸収できるものであれば、これらに限定されるものではない。
【００４１】
ホール注入層またはホール輸送層の材料は、トリフェニルジアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリフィリル誘導体、フタロシアニン誘導体、スチルベン誘導体等の低分子化合物を挙げることができる。さらに、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリピリジン誘導体等の共役高分子化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。なお、蒸着プロセスが利用できる観点から低分子化合物であることが好ましい。
【００４２】
発光層の材料は、ホール輸送層で用いた材料及び電子輸送層で用いた材料を挙げることができる。また、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン誘導体、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、これらのオリゴ体あるいは複合オリゴ体を挙げることができる。さらに、Ａｌ錯体、Ｍｇ錯体、亜鉛錯体、Ｉｒ錯体、Ａｕ錯体、Ｒｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｏｓ錯体等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。なお、蒸着プロセスが利用できる観点から低分子化合物であることが好ましい。また、これらの発光材料の一種以上をホール輸送層または電子輸送層にドーピングすることで得られる混合層を発光層として用いてもよい。
【００４３】
電子輸送層の材料は、アルミキノリノール誘導体、フェナントロリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。なお、蒸着プロセスが利用できる観点から低分子化合物であることが好ましい。さらに、発光特性が優れているフェナントロリン誘導体がより好ましい。
【００４４】
電子注入層の材料は、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属、それらの酸化物、塩化物、フッ化物、炭酸塩及び、それらと前記電子輸送層との混合物を挙げることができる。好ましくは、リチウム化合物あるいはセシウム化合物と電子輸送層の混合物である。
【００４５】
本発明で用いる反射層の膜厚は特に限定はされないが、１０ｎｍ乃至１μｍの範囲が好ましい。絶縁層の膜厚は特に限定はされないが、０．１μｍ乃至１０μｍの範囲が好ましい。また、有機化合物層、陽極及び陰極の膜厚は特に限定はされないが、１ｎｍ乃至１μｍの範囲が好ましい。
【００４６】
本発明で用いる反射層、絶縁層、有機化合物層、陽極及び陰極、光遮断層の製造方法は、特に限定されない。例えば、有機材料の場合、電解重合法、キャスティング法、スピンコート法、浸漬コート法、スクリーン印刷法、マイクロモールド法、マイクロコンタクト法、ロール塗布法、インクジェット法、ＬＢ法等で製造することができる。また、用いる材料に応じて、真空蒸着法、ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、スパッタ法等も有効な形成方法である。また、これらはフォトリソグラフ及びエッチング処理により所望の形状にパターニングすることができる。その他、ソフトリソグラフ、インクジェット法も有効なパターニング方法である。
【実施例】
【００４７】
以下、具体的な実施例により、本発明の有機電界発光装置についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４８】
＜比較例１＞
実施例１及び実施例２に対する比較例１として、画素サイズ９５μｍ×３０μｍ、画素数６４０×４８０×３（赤緑青）であるアクティブマトリックス型のトップエミッション有機ＥＬパネルを製造した。比較例１では、光遮断層として、樹脂とグラファイトの混合物を用いた。反射層として、ＡｌＳｉを用いた。絶縁層として、アクリル樹脂を用いた。陽極として、ＩＴＯ、陰極として、ＩＺＯを用いた。また、有機ＥＬ素子は、赤素子のηrが２０．２ｃｄ／Ａ、ηtが１２．４ｃｄ／Ａ、緑素子のηrが３０．１ｃｄ／Ａ、ηtが１８．５ｃｄ／Ａ、青素子のηrが６．０ｃｄ／Ａ、ηtが３．６ｃｄ／Ａの電流効率を有している。
【００４９】
１画素の発光領域の面積は６０μｍ×２０μｍ＝１２００μｍ2とし、全面において同一とした。また、反射層は、発光領域の全ての面積において配置した。すなわち、Ｅnを１とした。
【００５０】
この有機ＥＬパネルの平均輝度が白（色温度６５００±５００）２５０ｃｄ／ｍ2になるように全面点灯すると、電源に近い領域で一番高い輝度を示し、一番遠い領域で一番低い輝度を示した。輝度ムラを示す指標として、Ｍ１＝（一番低い輝度）／（一番高い輝度）で定義すると、０．７９であった。次に、白領域の輝度が白（色温度６５００±５００）２５０ｃｄ／ｍ2になるように白黒のチェッカーパターンを表示し、３０℃、５００時間表示を続けた。その後、再びパネル平均輝度が白（色温度６５００±５００）２５０ｃｄ／ｍ2になるように全面点灯した。耐久後の輝度ムラを示す指標としてＭ２＝（チェッカーパターンの白領域の輝度）／（チェッカーパターンの黒領域の輝度）で定義すると、最も低いところで０．９１であった。
【００５１】
＜実施例１＞
下記で定義するＥn以外は、比較例１と同様の手法によりアクティブマトリックス型のトップエミッション有機ＥＬパネルを製造した。実施例１では、電源に遠い画素から均等に１６のブロックとし、１ブロックは４０画素列×３（赤緑青）に分け、Ｅnを１から０．５０４まで０．０３１ずつ小さくした。比較例１と同様の手法により輝度を測定し、Ｍ１を算出したところ、０．９６であった。
【００５２】
＜実施例２＞
下記で定義するＥn及びＳnl以外は、比較例１と同様の手法によりアクティブマトリックス型のトップエミッション有機ＥＬパネルを製造した。実施例２では、電源に近い画素から均等に４つのブロックとし、１ブロックは１６０画素列×３（赤緑青）に分け、Ｓnlを１２００μｍ2から９６０μｍ2まで６０μｍ2ずつ小さくした。また、電源に遠い画素から均等に１６のブロックとし、１ブロックは４０画素列×３（赤緑青）に分け、Ｅnを１から０．５０４まで０．０３１ずつ小さくした。比較例１と同様の手法により輝度を測定し、Ｍ１及びＭ２を算出したところ、それぞれ０．９６、０．９８であった。
【００５３】
＜比較例２＞
実施例３及び実施例４に対する比較例２として、画素サイズ９５μｍ×３０μｍ、画素数６４０×４８０×３（赤緑青）であるアクティブマトリックス型のトップエミッション有機ＥＬパネルを製造した。比較例２では、光遮断層として樹脂とグラファイトの混合物を用いた。反射層としてＡｇを用いた。絶縁層としてポリイミドを用いた。陽極としてＩＴＯ、陰極としてＩＺＯを用いた。また、有機ＥＬ素子は、赤素子のηrが２２．４ｃｄ／Ａ、ηtが１２．４ｃｄ／Ａ、緑素子のηrが３３．２ｃｄ／Ａ、ηtが１８．５ｃｄ／Ａ、青素子のηrが７．８ｃｄ／Ａ、ηtが３．６ｃｄ／Ａの電流効率を有している。
【００５４】
１画素の発光領域の面積は６０μｍ×２０μｍ＝１２００μｍ2とし、全面において同一とした。また、反射層は発光領域の全ての面積において配置した。すなわち、Ｅnを１とした。比較例１と同様の手法により輝度を測定し、Ｍ１及びＭ２を算出したところ、それぞれ０．７７、０．８９であった。
【００５５】
＜実施例３＞
下記で定義するＥn以外は、比較例２と同様の手法によりアクティブマトリックス型のトップエミッション有機ＥＬパネルを製造した。実施例３では、電源に遠い画素から均等に２０のブロックとし、１ブロックは３２画素列×３（赤緑青）に分け、Ｅnを１から０．５４まで０．０２３ずつ小さくした。比較例１と同様の手法により輝度を測定し、Ｍ１を算出したところ、０．９８であった。
【００５６】
＜実施例４＞
下記で定義するＥn及びＳnl以外は、比較例２と同様の手法によりアクティブマトリックス型のトップエミッション有機ＥＬパネルを製造した。実施例４では、電源に近い画素から均等に５つのブロックとし、１ブロックは１２８画素列×３（赤緑青）に分け、Ｓnlを１２００μｍ2から９６０μｍ2まで４８μｍ2ずつ小さくした。また、電源に遠い画素から均等に２０のブロックとし、１ブロックは３２画素列×３（赤緑青）に分け、Ｅnを１から０．５４まで０．０２３ずつ小さくした。比較例１と同様の手法により輝度を測定し、Ｍ１及びＭ２を算出したところ、それぞれ０．９８、０．９８であった。
【００５７】
＜比較結果の考察＞
以上説明したように、実施例１及び実施例２と比較例１の比較、実施例３及び実施例４と比較例２の比較から明らかなように、本発明の有機電界発光装置の方が初期の輝度ムラが抑制され、また、長時間駆動した後も輝度ムラが抑制されていることがわかる。
【符号の説明】
【００５８】
１２：陽極、１３（２２，６２，６５）：絶縁層、１９：陰極、２１（６１，６４）：発光領域、２４（６３，６７）：反射層領域、４０１（４０２〜４１５，５０１〜５１５）：画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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