(57)【要約】【課題】伝送線路間のアイソレーションが十分に取れ、構造が簡易で、低コストな伝送線路の交差構造を得る。【解決手段】マイクロストリップ線路１，２を交差させる伝送線路の交差構造において、マイクロストリップ線路１，２は平面構造形の伝送線路であり、マイクロストリップ線路１，２の交差部の中心から所定の第１の距離ｓ１だけ離れたマイクロストリップ線路１上の点Ａと同中心から所定の第２の距離ｓ２だけ離れたマイクロストリップ線路２上の点Ｂとを長さｄの導線４で接続し、使用周波数帯域の中心周波数をｆｃとし、距離ｓ１およびｓ２を、中心周波数ｆｃにおける波長に比べて微小とし、交差部におけるマイクロストリップ線路１，２間の寄生容量をＣとし、導線４の等価インダクタンスをＬとして、長さｄを、中心周波数ｆｃが約1／（２π(ＬＣ)0.5）となる長さに調整し決定する。【選択図】図１
2011055328.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の伝送線路と第２の伝送線路とを交差させる伝送線路の交差構造において、
前記第１の伝送線路および前記第２の伝送線路は平面構造形の伝送線路であり、
前記第１の伝送線路と第２の伝送線路との交差部の中心から所定の第１の距離ｓ１だけ離れた前記第１の伝送線路上の点Ａと、同中心から所定の第２の距離ｓ２だけ離れた前記第２の伝送線路上の点Ｂとを、長さｄの導線で接続し、
使用周波数帯域の中心周波数をｆｃとし、
前記距離ｓ１およびｓ２を、前記中心周波数ｆｃにおける波長に比べて微小とし、
前記交差部における、前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路の間の寄生容量をＣとし、
前記導線の等価インダクタンスをＬとして、
前記長さｄを、前記中心周波数ｆｃが約1／（２π(ＬＣ)0.5）となる長さに調整した
ことを特徴とする伝送線路の交差構造。
【請求項２】
平板状の第１の誘電体と、
前記第１の誘電体に対向して配置された平面状のグランド導体と、
前記第１の誘電体と前記グランド導体との間に設けられた平板状の第２の誘電体と、
前記第１の誘電体の表面に形成された第１のマイクロストリップ線路と、
前記第１のマイクロストリップ線路に対して交差する方向に配置された第２および第３のマイクロストリップ線路と、
前記第１の誘電体の表面に設けられた長さｄの導線とを備え、
前記第２のマイクロストリップ線路は、前記第１のマイクロストリップ線路との交差部以外の部分に形成されているものであって、前記第１の誘電体の表面に形成され、
前記第３のマイクロストリップ線路は、前記交差部に形成されているものであって、前記第１の誘電体の裏面に形成され、
前記第２のマイクロストリップ線路と前記第３のマイクロストリップ線路とは前記第１の誘電体を貫通して設けられたスルーホールにより接続され、
前記交差部の中心から所定の第１の距離ｓ１だけ離れた前記第１のマイクロストリップ線路上の点Ａと、同交差点の中心から所定の第２の距離ｓ２だけ離れた前記第２のマイクロストリップ線路上の点Ｂとが、前記導線により接続され、
使用周波数帯域の中心周波数をｆｃとし、
前記距離ｓ１およびｓ２を、前記中心周波数ｆｃにおける波長に比べて微小とし、
前記交差部における、前記第１のマイクロストリップ線路と前記第３のマイクロストリップ線路の間の寄生容量をＣとし、
前記導線の等価インダクタンスをＬとして、
前記長さｄを、前記中心周波数ｆｃが約1／（２π(ＬＣ)0.5）となる長さに調整した
ことを特徴とする伝送線路の交差構造。
【請求項３】
前記第１のマイクロストリップ線路と前記第２のマイクロストリップ線路の前記第１の誘電体と反対側に、平板状の第３の誘電体を設置し、
前記第３の誘電体の前記第１のマイクロストリップ線路と前記第２のマイクロストリップ線路と反対側に、平面状の第２のグランド導体を設置した請求項２記載の伝送線路の交差構造。
【請求項４】
平板状の第１の誘電体と、
前記第１の誘電体に対向して配置された平面状のグランド導体と、
前記第１の誘電体と前記グランド導体との間に設けられた平板状の第２の誘電体と、
前記第１の誘電体の表面に形成された第１のマイクロストリップ線路と、
前記第１のマイクロストリップ線路に対して交差する方向に配置された第２および第３のマイクロストリップ線路と、
前記第１の誘電体の表面に設けられたチップインダクタとを備え、
前記第２のマイクロストリップ線路は、前記第１のマイクロストリップ線路との交差部以外の部分に形成されているものであって、前記第１の誘電体の表面に形成され、
前記第３のマイクロストリップ線路は、前記交差部に形成されているものであって、前記第１の誘電体の裏面に形成され、
前記第２のマイクロストリップ線路と前記第３のマイクロストリップ線路とは前記第１の誘電体を貫通して設けられたスルーホールにより接続され、
前記交差部の中心から所定の第１の距離ｓ１だけ離れた前記第１のマイクロストリップ線路上の点Ａと、同交差点の中心から所定の第２の距離ｓ２だけ離れた前記第２のマイクロストリップ線路上の点Ｂとが、前記チップインダクタにより接続され、
使用周波数帯域の中心周波数をｆｃとし、
前記距離ｓ１およびｓ２を、前記中心周波数ｆｃにおける波長に比べて微小とし、
前記交差部における、前記第１のマイクロストリップ線路と前記第３のマイクロストリップ線路の間の寄生容量をＣとし、
前記チップインダクタのインダクタンスをＬとして、
前記インダクタンスＬを、前記中心周波数ｆｃが約1／（２π(ＬＣ)0.5）となる値に調整した
ことを特徴とする伝送線路の交差構造。
【請求項５】
前記交差部における前記第１のマイクロストリップ線路の幅を、前記交差部以外の部分より細くし、
前記交差部における前記第３のマイクロストリップ線路の幅を、前記第２のマイクロストリップ線路の幅より細くした
ことを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載の伝送線路の交差構造。
【請求項６】
前記第１の誘電体の表面に、複数個の先端開放線路を設置し、
前記先端開放線路は、開放されていない端部が、前記第１のマイクロストリップ線路または前記第２のマイクロストリップ線路に接続され、
当該接続部と前記交差部の中心の間の電気長は、前記中心周波数ｆｃにおいて半波長以下であり、
前記先端開放線路の電気長は、前記中心周波数ｆｃにおいて１／４波長以下である
ことを特徴とする請求項２ないし５のいずれか１項に記載の伝送線路の交差構造。
【請求項７】
前記グランド導体を曲面状とし、
曲面状の前記グランド導体の上に、前記第２の誘電体および前記第１の誘電体を層状に重ねた
ことを特徴とする請求項２ないし６のいずれか１項に記載の伝送線路の交差構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は伝送線路の交差構造に関し、特に、平面構造形の高周波伝送線路を、結合させることなく交差させるために使用される、伝送線路の交差構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロストリップ線路などの平面構造形の高周波伝送線路を交差させる場合、伝送線路間に発生する寄生容量のため、伝送線路間のアイソレーションが取れないという問題がある。
【０００３】
この問題を解決する従来例として、伝送線路が交差する部分の線路幅を部分的に細くすることにより、線路間の結合を低減する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、他の従来例として、伝送線路の交差部において、伝送線路間にグランド層を設置することにより、伝送線路間の結合を低減する方法がある（例えば、特許文献２、３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３４５５９９５号公報
【特許文献２】特許第３２６３９１９号公報
【特許文献３】特開２００２−３６８５０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の伝送線路の交差構造においては、伝送線路がその交差部分において近接している場合、たとえ線路幅を細くしても、伝送線路間のアイソレーションが十分には取れないという問題点があった。
【０００７】
また、特許文献２および３の伝送線路の交差構造においては、伝送線路間にグランド層が余分に必要なため、構造が複雑になり、材料コストと製造コストの両方が高くなるという問題点があった。
【０００８】
本発明は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、伝送線路間のアイソレーションが十分に取れ、構造が簡易で、低コストな伝送線路の交差構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、第１の伝送線路と第２の伝送線路とを交差させる伝送線路の交差構造において、前記第１の伝送線路および前記第２の伝送線路は平面構造形の伝送線路であり、前記第１の伝送線路と第２の伝送線路との交差部の中心から所定の第１の距離ｓ１だけ離れた前記第１の伝送線路上の点Ａと、同中心から所定の第２の距離ｓ２だけ離れた前記第２の伝送線路上の点Ｂとを、長さｄの導線で接続し、使用周波数帯域の中心周波数をｆｃとし、前記距離ｓ１およびｓ２を、前記中心周波数ｆｃにおける波長に比べて微小とし、前記交差部における、前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路の間の寄生容量をＣとし、前記導線の等価インダクタンスをＬとして、前記長さｄを、前記中心周波数ｆｃが約1／（２π(ＬＣ)0.5）となる長さに調整したことを特徴とする伝送線路の交差構造である。
【発明の効果】
【００１０】
この発明は、第１の伝送線路と第２の伝送線路とを交差させる伝送線路の交差構造において、前記第１の伝送線路および前記第２の伝送線路は平面構造形の伝送線路であり、前記第１の伝送線路と第２の伝送線路との交差部の中心から所定の第１の距離ｓ１だけ離れた前記第１の伝送線路上の点Ａと、同中心から所定の第２の距離ｓ２だけ離れた前記第２の伝送線路上の点Ｂとを、長さｄの導線で接続し、使用周波数帯域の中心周波数をｆｃとし、前記距離ｓ１およびｓ２を、前記中心周波数ｆｃにおける波長に比べて微小とし、前記交差部における、前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路の間の寄生容量をＣとし、前記導線の等価インダクタンスをＬとして、前記長さｄを、前記中心周波数ｆｃが約1／（２π(ＬＣ)0.5）となる長さに調整したことを特徴とする伝送線路の交差構造であるので、伝送線路間のアイソレーションが十分に取れ、構造が簡易で、低コストにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る伝送線路の交差構造の構成を示す構成図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る伝送線路の交差構造の動作メカニズムを示した説明図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係る伝送線路の交差構造の構成を示す構成図である。
【図４】本発明の実施の形態３に係る伝送線路の交差構造の構成を示す構成図である。
【図５】本発明の実施の形態４に係る伝送線路の交差構造の構成を示す構成図である。
【図６】本発明の実施の形態５に係る伝送線路の交差構造の構成を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る伝送線路の交差構造を示す図である。図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る伝送線路の交差構造の動作メカニズムを示した説明図である。
【００１３】
この発明の実施の形態１に係る伝送線路の交差構造について図１を参照しながら説明する。図１において、基板としての略々矩形の平板状の誘電体１１が設けられ、図１（ｂ）に示すように、誘電体１１の下方（−ｚ方向側）には、平面状のグランド導体２１が設けられている。また、誘電体１１とグランド導体２１との間には、平板状の誘電体１２が設置されている。
【００１４】
また、マイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２とは共に略々一直線状に形成され、それらは互いに交差する方向にそれぞれ配置されている。マイクロストリップ線路１は、図１（ｂ）に示されるように、マイクロストリップ線路２との交差部以外の部分において誘電体１１の表面に形成され、同交差部の部分においては誘電体１１の裏面に形成されている。マイクロストリップ線路１の誘電体１１の表面に形成された部分を１ａ、誘電体１１の裏面に形成された部分を１ｂで表す。一方、マイクロストリップ線路２は、全長に亘って、誘電体１１の表面に形成される。
【００１５】
誘電体１１の表面に形成されたマイクロストリップ線路１ａと、誘電体１１の裏面に形成されたマイクロストリップ線路１ｂとは、マイクロストリップ線路１ｂの両端において、誘電体１１を貫通して設けられたスルーホール３を介して接続されている。すなわち、マイクロストリップ線路１ａとマイクロストリップ線路１ｂとは、その接続部分において、水平方向（ｘ方向）に誘電体１１を介して重なりあう部分を有している。また、誘電体１１の裏面およびマイクロストリップ線路１ｂに接触するように平板状の誘電体１２が設置されている。また、マイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２との交差部の中心から所定の距離ｓ１だけ離れたマイクロストリップ線路１上の点Ａと、同交差部の中心から所定の距離ｓ２だけ離れたマイクロストリップ線路２上の点Ｂとを、導線４で接続する。このとき、使用周波数帯域の中心周波数をｆｃ、マイクロストリップ線路１ａの幅をｗ１、マイクロストリップ線路２の幅をｗ２とすると、距離ｓ１は、周波数ｆｃにおける波長の１００分の１程度だけｗ２／２より大きい、微小な値になるよう適宜決定する。また、距離ｓ２は、周波数ｆｃにおける波長の１００分の１程度だけｗ１／２より大きい、微小な値になるよう適宜決定する。なお、導線４は、例えばコの字型になるように、誘電体１１の表面に形成される。
【００１６】
また、図１においては、マイクロストリップ線路１の両端に、ポート１０１とポート１０２とがあり、マイクロストリップ線路２の両端に、ポート１０３とポート１０４とがある。
【００１７】
ここでは、マイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２の両方に高周波を伝送させる場合、あるいは、マイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２のどちらか一方に高周波を伝送させる場合を考える。後者の場合、例えば、高周波を伝送させないマイクロストリップ線路には、直流を伝送させることも考えられる。このときの使用周波数帯域の中心周波数はｆｃとする。
【００１８】
次に、動作について説明する。図２に動作メカニズムを示す。マイクロストリップ線路１ｂとマイクロストリップ線路２との交差部においては、それらの線路間に寄生容量Ｃ（図２の３１）が発生する。また、マイクロストリップ線路１ａとマイクロストリップ線路２との間に設置された導線４は、その長さｄがインダクタンスＬ（図２の３２）として作用する。したがって、マイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２の間に、並列共振回路が設置されていると見なすことができる。
【００１９】
並列共振回路の共振周波数ｆｒは、１／（２π(ＬＣ)0.5）と表される。また、Ｒを、ＬおよびＣに並列に接続された抵抗分とすると、Ｑ（共振回路のquality factor）は、２πｆｒＣＲと表される。共振周波数ｆｒにおいて並列共振回路のインピーダンスの大きさが最大となるので、ｆｃ≒ｆｒとすれば、ｆｃ近傍でマイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２との間の結合を低減することができる。
【００２０】
したがって、導線４の長さｄを、ｆｃが約1／（２π(ＬＣ)0.5）となるように調整して決定すれば、マイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２間のアイソレーションを十分に確保することができる。
【００２１】
なお、図1に示した実施の形態１に係る伝送線路の交差構造では、マイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２とが直交している例を挙げて説明しているが、これらは必ずしも直交している必要はない。
【００２２】
また、実施の形態１に係る伝送線路の交差構造では、マイクロストリップ線路１ａ、マイクロストリップ線路２、導線４を誘電体１１の表面に、マイクロストリップ線路１ｂを誘電体１１の裏面に形成したが、この場合に限らず、マイクロストリップ線路１ａ、マイクロストリップ線路２、導線４を誘電体１１の裏面に、マイクロストリップ線路１ｂを誘電体１１の表面に形成しても、動作原理は本実施の形態１と同様であり、同様な効果を得ることができる。
【００２３】
また、導線４は、誘電体１１の面上に形成される必要はない。また、導線４は、図１ではコの字状であるが、その長さｄをｆｃが約1／（２π(ＬＣ)0.5）となるようにすればよく、形状は任意である。
【００２４】
誘電体１１をフィルム基板としても良い。フィルム基板は厚みが薄いので、マイクロストリップ線路１ａとマイクロストリップ線路１ｂの特性インピーダンスがほぼ等しくなり、各ポートにおける反射量をより小さくすることができる。さらに、誘電体１１は矩形である必要はなく、円形、多角形などあらゆる形状が考えられる。また、マイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２は一直線状である必要はなく、曲線など線状であればよい。
【００２５】
以上のように、本実施の形態においては、マイクロストリップ線路の交差部近傍において、マイクロストリップ線路１，２間を導線４で接続し、当該導線４の長さｄを、マイクロストリップ線路１，２の交差部における、マイクロストリップ線路１、２間の寄生容量をＣとし、導線４の等価インダクタンスをＬとしたとき、使用周波数帯域の中心周波数ｆｃが約1／（２π(ＬＣ)0.5）となるように決定することにより、マイクロストリップ線路１，２間のアイソレーションが十分に取れ、構造が簡易で、低コストな伝送線路の交差構造が得られるという効果を有する。
【００２６】
実施の形態２．
本実施の形態２では、上記実施の形態１に係る伝送線路の交差構造において、マイクロストリップ線路をトリプレート線路とした場合の実施の形態を示す。図３は、本発明の実施の形態２に係る伝送線路の交差構造を示す図である。図３（ａ）は、図３（ｂ）のＥ−Ｅ線から見た上面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
【００２７】
図３の伝送線路の交差構造は、図１の伝送線路の交差構造において、マイクロストリップ線路１およびマイクロストリップ線路２の上方（＋ｚ方向側）に、平面状のグランド導体２２を設置し、マイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２をトリプレート線路としたものである。また、マイクロストリップ線路１ａおよびマイクロストリップ線路２とグランド導体２２との間には、平板状の誘電体１３が設置されている。
【００２８】
このように、本実施の形態と上記実施の形態１との構成の違いは、単に、本実施の形態において、誘電体１３とグランド導体２２とが追加された点であり、他の構成については、上記実施の形態１と同じであるため、ここでは説明を省略する。
【００２９】
本実施の形態のように、マイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２をトリプレート線路としても、動作原理は、上記実施の形態１と同様であり、導線４の長さを、ｆｃが約1／（２π(ＬＣ)0.5）となるように調整すれば、線路間のアイソレーションを十分に確保することができる。
【００３０】
以上のように、本実施の形態においては、マイクロストリップ線路１およびマイクロストリップ線路２の上方に、平面状のグランド導体２２を設置し、マイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２をトリプレート線路とし、当該トリプレート線路の交差部近傍において、トリプレート線路間に長さを調整した導線４を接続することにより、トリプレート線路間のアイソレーションが十分に取れ、構成が簡易で、低コストな伝送線路の交差構造が得られるという効果を有する。
【００３１】
実施の形態３．
本実施の形態３では、上記実施の形態１に係る伝送線路の交差構造において、導線４を設けずに、その代わりに、マイクロストリップ線路１，２間にチップインダクタを設置した場合の実施の形態を示す。図４は、本発明の実施の形態３に係る伝送線路の交差構造を示す図である。図４（ａ）は上面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
【００３２】
図４の伝送線路の交差構造は、図１の伝送線路の交差構造において、導線４を削除し、マイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２の交差部の中心から所定の距離ｓ１だけ離れたマイクロストリップ線路１上の点Ａと、同交差部の中心から所定の距離ｓ２だけ離れたマイクロストリップ線路２上の点Ｂとを、チップインダクタ５を介して接続したものである。
【００３３】
他の構成は、上記の実施の形態１と同じであるため、ここでは説明を省略する。
【００３４】
導線４の代わりにチップインダクタ５を用いたとしても、動作原理は、上記実施の形態１と同様であり、チップインダクタ５のインダクタンスをＬとし、使用周波数帯域の中心周波数ｆｃが約1／（２π(ＬＣ)0.5）となるようにＬの値を調整すれば、マイクロストリップ線路１，２間のアイソレーションを十分に確保することができる。
【００３５】
また、チップインダクタ５を用いることにより、伝送線路の交差構造をさらに小型化することができる。なお、チップインダクタ５とマイクロストリップ線路１上の点Ａを接続するために、チップインダクタ５と点Ａの間に、周波数ｆｃにおける波長の１／１００〜１／５０程度の長さの導線を設けることも考えられる。同様に、チップインダクタ５とマイクロストリップ線路２上の点Ｂを接続するために、チップインダクタ５と点Ｂの間に、周波数ｆｃにおける波長の１／１００〜１／５０程度の長さの導線を設けることも考えられる。
【００３６】
以上のように、本実施の形態においては、マイクロストリップ線路１，２の交差部近傍において、マイクロストリップ線路１および２間をチップインダクタ５を介して接続することにより、マイクロストリップ線路１，２間のアイソレーションが十分に取れ、小型で、構成が簡易で、低コストな伝送線路の交差構造が得られるという効果を有する。
【００３７】
実施の形態４．
本実施の形態４では、実施の形態１に係る伝送線路の交差構造において、交差部における線路の幅を細くした場合の実施の形態を示す。図５は、この発明の実施の形態４に係る伝送線路の交差構造を示す図である。図５（ａ）は上面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
【００３８】
図５の伝送線路の交差構造では、マイクロストリップ線路１ａとマイクロストリップ線路２の線路幅を、交差部において、交差部以外より細くしている。
【００３９】
実施の形態１で述べたように、マイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２の間に等価的に存在する並列共振回路のＱは、２πｆｒＣＲと表される。したがって、寄生容量Ｃを小さくするほど、Ｑが小さくなり、広帯域化する。すなわち、交差部においてマイクロストリップ線路１とマイクロストリップ線路２の線路幅を細くし、寄生容量Ｃを小さくすることにより、線路間結合を低減できる周波数帯域をより広くすることができる。
【００４０】
他の構成については、上記の実施の形態１と同じであるため、ここでは説明を省略する。
【００４１】
以上のように、本実施の形態においては、マイクロストリップ線路１および２の交差部近傍において、マイクロストリップ線路１，２間に長さを調整した導線を接続し、かつ、マイクロストリップ線路１，２の交差部においてそれらの線路の幅を細くすることにより、マイクロストリップ線路１，２間のアイソレーションが広帯域にわたって十分に取れ、構成が簡易で、低コストな伝送線路の交差構造が得られるという効果を有する。
【００４２】
実施の形態５．
本実施の形態５では、実施の形態４に係る伝送線路の交差構造において、マイクロストリップ線路に並列に先端開放線路を接続した場合の実施の形態を示す。図６は、この発明の実施の形態５に係る伝送線路の交差構造を示す図である。図６（ａ）は上面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
【００４３】
図６の伝送線路の交差構造では、上記の実施の形態４で示した図５の伝送線路の交差構造において、マイクロストリップ線路１ａの途中に並列に先端開放線路４１と先端開放線路４２を接続し、マイクロストリップ線路２の途中に並列に先端開放線路４３と先端開放線路４４を接続している。
【００４４】
先端開放線路４１、４２、４３、４４は、誘電体１１の表面に形成される。また、先端開放線路４１、４２、４３、４４は、マイクロストリップ線路１，２の交差部の中心からの電気長が、使用周波数帯域の中心周波数ｆｃにおいて半波長以下となる位置に設置される。さらに、先端開放線路４１、４２、４３、４４は、その電気長をｆｃにおいて１／４波長以下とする。
【００４５】
図６においては、マイクロストリップ線路１，２に、それぞれ、先端開放線路を２個ずつ接続しているが、この場合に限らず、先端開放線路の数は本実施の形態４で限定するものではない。
【００４６】
他の構成については、上記の実施の形態４と同じであるため、ここでは説明を省略する。
【００４７】
このように、本実施の形態においては、先端開放線路４１、４２、４３、４４を設置することにより、各ポートにおける反射量をより小さくすることができる。すなわち、ポート１０１とポート１０２の間の通過損失と、ポート１０３とポート１０４の間の通過損失を小さくすることができる。
【００４８】
以上のように、本実施の形態においては、マイクロストリップ線路１，２の交差部近傍において、マイクロストリップ線路１，２間に長さを調整した導線４を接続し、かつ、マイクロストリップ線路１，２の交差部においてマイクロストリップ線路１，２の幅を細くし、かつ、マイクロストリップ線路１，２に並列に複数個の先端開放線路４１，４２，４３，４４を設置することにより、マイクロストリップ線路１，２間のアイソレーションが広帯域にわたって十分に取れ、損失が小さく、構成が簡易で、低コストな伝送線路の交差構造が得られるという効果を有する。
【００４９】
以上の実施の形態１〜５では、平面状のグランド導体２１の上に層状に誘電体１１，１２およびマイクロストリップ線路１，２等を重ねて積層させる例について述べたが、その場合に限らず、グランド導体２１を円筒など曲面状にし、その上に層状に、誘電体１１，１２およびマイクロストリップ線路１，２等を設置してもよく、その場合においても、おおむね同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００５０】
１，１ａ，１ｂ，２  マイクロストリップ線路、３  スルーホール、４  導線、５  チップインダクタ、４１，４２，４３，４４  先端開放線路、１１，１２，１３  誘電体、２１，２２  グランド導体、１０１，１０２，１０３，１０４  ポート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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