(57)【要約】      （修正有）【課題】エレクトロデポジション表示素子の生産性を著しく低下させることなく、簡単なプロセスで観察側の透明電極の表面全体を清浄に保ち、表示品位の低下を回避する。【解決手段】真空チャンバー内で、観察側の基板上に透明電極としてＩＴＯ膜を成膜する（Ｓ２）。そして、同一の真空チャンバー内で、ＩＴＯ膜の成膜後に連続して、電圧印加時に電解液から析出する金属と同じ金属のＡｇ薄膜をＩＴＯ膜上に成膜する（Ｓ３）。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解液を挟んで互いに対向して設けられる一対の電極間に電圧を印加して、前記電解液に含まれる金属の酸化還元反応による析出、溶解によって表示を行う電気化学表示素子の製造方法であって、
チャンバー内で、観察側の基板上に一方の電極である透明電極を成膜する工程と、
同一の前記チャンバー内で、前記透明電極の成膜後に連続して、電圧印加時に析出する金属と同じ金属の薄膜を前記透明電極上に成膜する工程とを有していることを特徴とする電気化学表示素子の製造方法。
【請求項２】
前記金属薄膜の成膜後、一対の電極間に電圧を印加して、前記金属薄膜の金属を溶解させる一方、非観察側の基板上の他方の電極上に、前記金属を析出させる工程をさらに有していることを特徴とする請求項１に記載の電気化学表示素子の製造方法。
【請求項３】
前記金属薄膜を構成する金属は、銀であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気化学表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電解液に含まれる金属の酸化還元反応による析出、溶解によって表示を行う電気化学表示素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、視認性に優れ、低消費電力な表示素子が求められている。現在、ＣＲＴやＰＤＰに代表される自発光型の表示素子や、ＬＣＤのように発光体（バックライト）からの光を変調する表示素子が一般に用いられているが、これらの表示素子では、表示画像は明るくて見やすいが、その分、消費電力が大きい。
【０００３】
低消費電力という観点からは、表示素子は、一旦表示した画像を無電力状態でも保持し続けるメモリー特性を有することが望ましく、さらには駆動電圧が低いことが望まれる。このような特性を備える表示素子として、近年、エレクトロクロミック表示素子（以下、ＥＣＤとも称する）やエレクトロデポジション表示素子（以下、ＥＤとも称する）といった電気化学表示素子の開発が盛んに行われている。ＥＣＤおよびＥＤは、ともに、電極上での酸化還元反応による反応物質単独での光吸収状態の変化により表示を行うものである。つまり、ＥＣＤでは、酸化還元反応によるエレクトロクロミック材料の光吸収状態の可逆変化（色の変化）により表示を行っている。一方、ＥＤでは、例えば、銀または銀を化学構造中に有する化合物を含む電解質から電極上への銀の析出と、電解質への銀の溶解とを利用して表示を行っている。これらの電気化学表示素子は、ＬＣＤに比べて、偏光板やバックライトなどの追加部材が不要であり、低コスト化、省プロセス化（製造のしやすさ）の点で非常に有利なものとなっている。
【０００４】
ところで、ＥＣＤやＥＤには、繰り返し駆動時の駆動安定性に課題があり、このための対策が従来から種々提案されている。例えば、特許文献１では、電解質（電解液）中にフェロセン等のレドックスバッファ（レドックス緩衝剤）を添加することにより、繰り返し駆動による特性変化を抑えている。また、特許文献２では、非観察側の電極として、銀電極または銀粒子を含む電極を用いることにより、銀の還元状態の維持を有利にしている。さらに、特許文献３では、一方の電極への銀添加によって、電極の電位の安定化を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００７−５０８５８７号公報（請求項２、段落〔００４８〕、〔００５２〕参照）
【特許文献２】特開２００５−２８３９８６号公報（請求項６、段落〔００５４〕参照）
【特許文献３】特開平１０−２７４７９０号公報（請求項４、段落〔００２８〕参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者による鋭意検討の結果、画像データに基づく表示素子の駆動前に、非観察側の電極上に析出銀の層を形成しておくことで、表示素子の駆動時に銀の溶解、析出を円滑に行って表示素子の駆動安定性を向上させることができることを見い出した。さらに、電解液中の銀塩化合物濃度を安定させるためには、例えば観察側の電極である透明電極（一方の電極）上に銀薄膜を形成しておき、一対の電極間に電圧を印加して、該銀薄膜を酸化溶解すると同時に、電解液中の銀塩化合物の還元により、非観察側の電極（他方の電極）上に析出銀を形成することが効果的であることを見い出した。なお、上記のように、観察側の透明電極上に形成された銀薄膜を溶解して、非観察側の電極上に析出銀を形成することは、転写とも呼ばれる。
【０００７】
そして、さらに、表示デバイス全体として駆動安定性を向上させるためには、観察側の透明電極の表面状態を清浄に保ち、局所的にも余分な反応を起こさせないことが重要であることがわかった。特に、非観察側の電極上に銀を転写する前に、観察側の透明電極の表面に異常がある場合、その点が起点となってその後の駆動安定性が局部的に悪くなり、表示デバイスとしての表示品位を落とすため、観察側の透明電極の表面全体を清浄に保つ必要があることがわかった。
【０００８】
しかし、観察側の透明電極の表面全体を清浄に保つため、透明電極成膜後、その上に転写用の銀薄膜を成膜する前に、透明電極を大気中に一旦開放して表面の洗浄を行うと、以下のような不都合が生じる。例えば、透明電極の表面を洗剤で洗浄すると、洗浄力のムラや洗剤残りのムラなどが生じやすく、却って表示不良を引き起こす。また、薬液によるスライトエッチによって透明電極の表面を洗浄すると、透明電極を構成する金属（例えばＩＴＯ）の結晶粒界だけ薬液による溶解が進むなどの影響で、透明電極の表面状態の不均一化（凹凸化）が進み、結果的に、局所的な駆動ムラが発生しやすくなり、駆動安定性を欠く。また、ドライプロセスを利用して透明電極の表面を洗浄すると、汚れのあった部分と清浄な部分とでプラズマに晒される履歴が異なることから、仕事関数にムラが生じ、最初の転写の際、透明電極に部分的な劣化が発生し、それが駆動ムラの原因となる。
【０００９】
このように、表示品位を向上させるべく、透明電極の表面を洗浄するという施策は、却って表示品位の低下を招くことに繋がる。なお、上記の不都合が生じないように透明電極の表面を洗浄する方法も考えられるが、これには高度なプロセスが要求され、生産性を著しく低下させる。
【００１０】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、生産性を著しく低下させることなく、簡単なプロセスで観察側の透明電極の表面全体を清浄に保ち、表示品位の低下を回避することができる電気化学表示素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の電気化学表示素子の製造方法は、電解液を挟んで互いに対向して設けられる一対の電極間に電圧を印加して、前記電解液に含まれる金属の酸化還元反応による析出、溶解によって表示を行う電気化学表示素子の製造方法であって、チャンバー内で、観察側の基板上に一方の電極である透明電極を成膜する工程と、同一の前記チャンバー内で、前記透明電極の成膜後に連続して、電圧印加時に析出する金属と同じ金属の薄膜を前記透明電極上に成膜する工程とを有していることを特徴としている。
【００１２】
上記の製造方法によれば、観察側の基板上に透明電極を成膜した後、同一のチャンバー内で連続して、電圧印加時に析出する金属と同じ金属の薄膜をその透明電極上に成膜するので、透明電極を成膜してから金属薄膜を成膜するまでの間、透明電極の表面状態を清浄に保つことができる。これにより、電圧印加による金属薄膜の金属の溶解を、金属薄膜全体で安定して行うことができ、金属の溶解の際に、透明電極の表面状態に起因する局部的なムラが生じるのを回避することができる。その結果、金属の溶解、析出による表示を表示素子全体で均一に行うことができ、表示ムラによる表示品位の低下を回避することができる。
【００１３】
また、同一チャンバー内で透明電極と金属薄膜とを連続して成膜するという簡単なプロセスによって表示品位の低下を回避できるので、表示素子の生産性を著しく低下させることもない。
【００１４】
本発明の電気化学表示素子の製造方法は、前記金属薄膜の成膜後、一対の電極間に電圧を印加して、前記金属薄膜の金属を溶解させる一方、非観察側の基板上の他方の電極上に、前記金属を析出させる工程をさらに有していることが望ましい。
【００１５】
金属薄膜の成膜後、その金属薄膜の金属を非観察側の電極上に転写しておくことにより、表示素子の駆動時に銀の溶解、析出を円滑に行うことができ、これによって表示素子の駆動安定性を向上させることができる。
【００１６】
本発明の電気化学表示素子の製造方法において、前記金属薄膜を構成する金属は、銀であってもよい。金属薄膜を構成する金属として銀を用いた場合に、上述した本発明の効果を有効に得ることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、観察側の基板上に透明電極を成膜した後、同一のチャンバー内で連続して、電圧印加時に析出する金属と同じ金属の薄膜をその透明電極上に成膜するので、透明電極を成膜してから金属薄膜を成膜するまでの間、透明電極の表面状態を清浄に保つことができる。これにより、電圧印加時における金属薄膜の溶解に局部的なムラが生じるのを回避することができ、表示品位の低下を回避することができる。しかも、このような効果を、同一チャンバー内で透明電極と金属薄膜とを連続して成膜するという簡単なプロセスによって得ることができ、表示素子の生産性が著しく低下するのを回避することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の一形態の表示素子の概略の構成を示す断面図である。
【図２】上記表示素子の製造工程の流れを示すフローチャートである。
【図３】真空チャンバー内でＩＴＯ膜およびＡｇ薄膜を連続して成膜する一例を示す説明図である。
【図４】上記表示素子の非観察側の基板にシール剤を塗布したときの斜視図である。
【図５】上記表示素子の非観察側の基板上に電解液を塗布したときの断面図である。
【図６】上記表示素子の観察側の基板と非観察側の基板とを、真空貼り合わせ装置の真空チャンバー内へ設置したときの断面図である。
【図７】上記真空チャンバー内でＩＴＯ膜およびＡｇ薄膜を連続して成膜する他の例を示す説明図である。
【図８】ＣＶＤ装置でＩＴＯ膜およびＡｇ薄膜を連続して成膜する例を示す説明図である。
【図９】同一の真空状態で保持される別々のチャンバーでＩＴＯ膜とＡｇ薄膜とを成膜する真空装置の概略の構成を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２０】
〔表示素子の基本構成〕
図１は、本実施形態の表示素子１の概略の構成を示す断面図である。本実施形態の表示素子１は、電解液を挟んで互いに対向して設けられる一対の電極間に電圧を印加して、電解液に含まれる金属の酸化還元反応による析出、溶解によって表示を行う電気化学表示素子であり、一対の基板２ａ・２ｂと、基板２ａ・２ｂ上にそれぞれ形成された電極３ａ・３ｂと、電解液４と、スペーサ５とを含んで構成されている。
【００２１】
基板２ａ・２ｂは、例えばガラス基板からなり、電解液４を挟んで互いに対向して設けられている。より詳しくは、基板２ａ・２ｂは、電極３ａ・３ｂの間に電解液４が位置するように互いに対向して設けられている。なお、基板２ａ・２ｂのうち、観察者が表示素子１の表示画像を観察する側に位置している基板（図１では基板２ｂ）のことを、観察側の基板とも称し、観察側とは反対側に位置している基板（図１では基板２ａ）のことを、非観察側の基板とも称する。電極３ａは、例えば銀電極で構成されており、電極３ｂは、例えばＩＴＯからなる透明電極で構成されている。
【００２２】
電解液４は、後述するＥＤ材料を含有する電解質層を構成している。ここで、「電解質」とは、一般に、水などの溶媒に溶けて、その溶液がイオン伝導性を示す物質のこと（狭義の電解質）を言うが、本実施形態では、電解質を含む層全体を指すものとする。つまり、本実施形態で言う「電解質」とは、電解質に他の金属や化合物等（電解質、非電解質を問わない）を含有させた混合物（広義の電解質）を指すものとする。電解液４は、有機溶媒、イオン性液体、酸化還元活性物質、支持電解質、錯化剤、白色散乱物、高分子バインダー等を必要に応じて選択して構成されており、表示エリアの外部に設けられるシール部６によって封止されている。
【００２３】
上記のＥＤ材料としては、銀または銀を化学構造中に含む化合物が用いられる。銀または銀を化学構造中に含む化合物とは、例えば、酸化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合物の総称である。このとき、固体状態や液体への可溶化状態や気体状態等の相の状態種、中性、アニオン性、カチオン性等の荷電状態種は、特に問わない。
【００２４】
電解液４に含まれる銀イオン濃度は、０．２モル／ｋｇ≦［Ａｇ］≦２．０モル／ｋｇが好ましい。銀イオン濃度が０．２モル／ｋｇよりも少ないと、希薄な銀溶液となって駆動速度が遅延し、逆に、２モル／ｋｇよりも大きいと、溶解性が劣化し、低温保存時に析出が起きやすくなる傾向にあり、不利である。
【００２５】
スペーサ５は、電極３ａ・３ｂ間のギャップを制御する（一定にする）ために設けられた球形微粒子である。このようなスペーサ５としては、例えば、液晶ディスプレイ等に使用されているガラス製、アクリル樹脂製、シリカ製等の微小真球を使用することができる。スペーサ５の平均粒径は、電解質中での分散安定性、電解質層内に分散させた金属微粒子の散乱効果による白色確保のため、１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲にあることが好ましい。
【００２６】
上記の構成によれば、一対の電極３ａ・３ｂ間に電圧を印加すると、印加電圧の極性に応じて電解液４中の物質が酸化還元反応することにより、表示状態が可逆的に切り替わる。例えば、観察側の電極３ｂに閾値以上の負の電圧を印加すると、電極３ｂから電解液４に電子が注入され、電解液４の中の銀イオンが還元される結果、電極３ｂ上に銀が析出する。この状態は、観察側から見ると黒表示となる。一方、電極３ｂに閾値以上の正の電圧を印加すると、電極３ｂ上に析出した銀が酸化されて溶解し、銀イオンとなって電解液４の中に分散する。この状態は透明であるため、電解液４自身を白く着色しておくことにより、白表示となる。例えば、電解液４に高分子材料をバインダーとして加え、ＴｉＯ2、ＺｎＯ等の金属酸化物微粒子を分散させることで、上記透明状態において高品位の白色を表示させることができる。
【００２７】
〔表示素子の製造方法〕
次に、上記構成の表示素子１の製造方法について、実施例として、図２に基づいて説明する。図２は、表示素子１の製造工程の流れを示すフローチャートである。
【００２８】
まず、観察側の基板２ｂとして透明基板を用意し、この透明基板を市販のＬＣＤ用洗剤を用いて洗浄し、純水でリンスした後、クリーンオーブンにて１２０℃で１５分間乾燥させ、図３に示す真空チャンバー１０内に導入した（Ｓ１）。なお、本実施例では、上記透明基板として、コーニング社製の無アルカリガラスを用いた。
【００２９】
真空チャンバー１０内には、ＩＴＯターゲット１１と、基板２ｂとＩＴＯターゲット１１との間に電圧を印加するための電極１２と、膜厚制御用のシャッタ１３とが配置されているとともに、Ａｇターゲット１４と、基板２ｂとＡｇターゲット１４との間に電圧を印加するための電極１５と、膜厚制御用のシャッタ１６とが配置されている。このような真空チャンバー１０内を５×１０-4Ｐａまで真空引きした後、Ａｒを導入し、５×１０-2Ｐａに真空度をコントロールした。この条件化で、ＩＴＯをＲｆパワー６０Ｗで１分間スパッタリングし、基板２ｂ上に電極３ｂとして厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した（Ｓ２）。
【００３０】
そして、引き続き、同一の真空チャンバー１０内で、ＩＴＯ膜を成膜した基板２ｂをＡｇのスパッタ位置に移動し、ＡｇをＲｆパワー３０Ｗで１５秒間スパッタリングし、ＩＴＯ膜上に厚さ１５ｎｍのＡｇ薄膜７（図６参照）を成膜した（Ｓ３）。このＡｇ薄膜７は、画像表示の際に一対の電極３ａ・３ｂ間に電圧を印加したときに電解液４から析出する金属（Ａｇ）と同じ金属の薄膜である。なお、Ａｇ薄膜７の膜厚は、駆動の負荷と表示品位とを両方満足させる観点から、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが望ましい。
【００３１】
その一方で、非観察側の基板２ａには、予め、既知の方法で駆動に必要な回路や電極３ａを所定パターンで形成しておき、図４に示すように、この非観察側の基板２ａの所定のシール位置に、ディスペンサでＵＶ硬化型シール剤６ａを塗布した（Ｓ４）。なお、シール剤６ａは、電解液収納部分の容積を規定するものであり、これを硬化させると図１のシール部６となる。
【００３２】
次いで、図５に示すように、非観察側の基板２ａ上の所定の位置に、高分子バインダーにて粘度１２０ｍＰａ・ｓに調液された電解液４を所定のパターンで塗布した（Ｓ５）。なお、表示エリアのサイズは、縦２００ｍｍ、横１５０ｍｍであり、予め３０μｍのスペーサを分散させた電解液４を基板２ａ上に１．０８ｃｃ塗布した。このとき、ノズル内径０．２ｍｍ以上のＳＵＳ系ニードルを先端に装着したディスペンサ、好ましくは容量計量式のディスペンサを用いることで、電解液４を定量に液滴塗布することができ、電解液４の充填量のばらつきを抑制することができる。他に、高精度のブレードコーターのようなものを用いて電解液４を塗布しても構わない。また、上記のように、電解液４中にギャップ制御用のスペーサを分散させた状態で電解液４を塗布することにより、スペーサの配置工程を省くことができる。なお、電解液４を塗布する基板は、観察側の基板２ｂであってもよい。
【００３３】
なお、Ｓ４（シール剤塗布工程）およびＳ５（電解液塗布工程）の各工程は、次のＳ６までに行われればよく、必ずしもＳ３の後に行われなくてもよい。例えば、Ｓ４およびＳ５の各工程は、Ｓ１の前に行われてもよいし、Ｓ１〜Ｓ３と並行して行われてもよい。
【００３４】
次に、図６に示すように、観察側の基板２ｂと、シール剤６ａおよび電解液４を塗布した非観察側の基板２ａとを、真空貼り合わせ装置の真空チャンバー２０内へ設置し、真空引きを開始してこれらを貼り合わせる（Ｓ６）。より具体的には、観察側の基板２ｂを、上側に位置する基板保持ステージ２１にて保持し、非観察側の基板２ａを、下側に位置する基板保持ステージ２２にて保持し、真空引きを開始する。その後、減圧状態の真空チャンバー２０内で上側の基板２ｂと下側の基板２ａとをアライメント（位置調整）する。そして、両基板２ａ・２ｂの位置合わせが完了した状態で両基板２ａ・２ｂを押圧し、貼り合わせる。
【００３５】
続いて、表示領域から離れた位置で両基板２ａ・２ｂに対して仮止めなどの固定を行った上で、真空チャンバー２０内を大気開放する。その後、紫外線の照射によってシール剤６ａをＵＶ硬化させてシール部６とし（Ｓ７）、表示素子１を得た。
【００３６】
最後に、観察側のＡｇを非観察側に転写した（Ｓ８）。すなわち、一対の電極３ａ・３ｂ間に電圧を印加して、ＩＴＯ膜上に形成したＡｇ薄膜７を溶解させ、非観察側の電極３ａ上にＡｇを析出させた。
【００３７】
なお、上記した実施例の表示素子との比較のため、比較例の表示素子も作製した。比較例の表示素子は、観察側の基板上へのＩＴＯ膜の成膜後、一旦大気雰囲気下に開放し、基板表面（ＩＴＯ膜表面）を市販のＬＣＤ用洗剤を用いて洗浄し、純水リンスした後、クリーンオーブンにて１２０℃で１５分間乾燥させ、同様な真空条件でＩＴＯ膜上にＡｇ薄膜を成膜した基板を用いて作製されたものである。なお、Ａｇの成膜後の工程は、上記した実施例の製法（Ｓ４以降）と同様である。
【００３８】
実施例および比較例の各表示素子において、一対の電極３ａ・３ｂ間に、１．２Ｖの電位差を０．２秒間与えるとともに、そのような電圧印加を０．３秒おきに間欠的に行い、表示素子の駆動寿命評価を行った。この結果、比較例の表示素子では、駆動（電圧印加）を１５万回程度行ったあたりから表示に異常が見られ始めたが、実施例の表示素子では、駆動を２０万回以上行っても表示が良好であり、良好な駆動安定性を確認することができた。
【００３９】
以上のように、本実施形態（実施例）では、Ｓ２にて、観察側の基板２ｂ上にＩＴＯ膜（電極３ｂ）を成膜した後、同一の真空チャンバー１０内で連続して、Ａｇ薄膜７をそのＩＴＯ膜上に成膜しているので、ＩＴＯ膜を成膜してからＡｇ薄膜７を成膜するまでの間、ＩＴＯ膜の表面の汚染を極小に抑えて、その表面状態を清浄に保つことができる。これにより、電圧印加によるＡｇ薄膜７の溶解の際に（Ｓ８でのＡｇの転写やその後の画像表示におけるＡｇの溶解を含む）、ＩＴＯ膜の表面状態に起因する局部的なムラが生じるのを回避することができ、電圧印加によるＡｇの溶解、析出を表示素子全体で均一に行うことができる。その結果、表示素子全体での表示ムラを無くして、表示品位の低下を回避することができる。また、同一の真空チャンバー１０内でＩＴＯ膜とＡｇ薄膜７とを連続して成膜するという簡単なプロセスにより、表示素子１の生産性を著しく低下させることなく、上記の効果を得ることができる。
【００４０】
また、本実施形態のように、Ｓ８にて、観察側のＡｇを非観察側に転写しておくことにより、駆動回数が増大したときでも、Ａｇの溶解、析出を円滑に行うことができ、表示素子１の駆動安定性を向上させることができる。
【００４１】
ところで、本実施形態では、図３に示すように、同一の真空チャンバー１０内で、ＩＴＯのスパッタ位置からＡｇのスパッタ位置に基板２ｂを移動させることにより、ＩＴＯ膜上にＡｇ薄膜を形成しているが、図７に示すように、電極１７への電圧印加によるＩＴＯ膜の成膜後、基板２ｂを移動させずに、ＩＴＯターゲット１１の位置にＡｇターゲット１４を移動させてスパッタを行い、ＩＴＯ膜上にＡｇ薄膜を形成するようにしてもよい。なお、このときのＩＴＯ膜およびＡｇ薄膜の膜厚は、シャッタ１８によって制御される。
【００４２】
さらに、図８に示すＣＶＤ装置を用い、同一の真空チャンバー３０内でＩＴＯ膜とＡｇ薄膜とを連続して成膜してもよい。この場合、ＩＴＯ成膜用のソース３１およびＡｇ成膜用のソース３２からのガスの供給は、それぞれ制御バルブ３３・３４によって制御され、シャッタ３５によってＩＴＯおよびＡｇの膜厚がそれぞれ制御される。
【００４３】
また、図９に示す真空装置４０を用いて、ＩＴＯ膜とＡｇ薄膜とを成膜してもよい。この真空装置４０では、観察側の基板２ｂが入口ロードロックチャンバー４１に導入され、各チャンバー内が真空引きされた後、基板２ｂが搬送アーム５１によってＩＴＯ成膜チャンバー４２に搬送される。そこで、ＩＴＯ膜が成膜された基板２ｂは、再び搬送アーム５１によってＡｇ成膜チャンバーに搬送され、そこでＡｇ薄膜がＩＴＯ膜上に成膜される。その後、基板２ｂは、搬送アーム５１によって出口ロードロックチャンバー４４に搬送され、大気開放された後、外部に取り出される。
【００４４】
このように、異なるチャンバー内でＩＴＯ膜とＡｇ薄膜とが成膜される場合であっても、連続した真空雰囲気中で各チャンバー間を基板２ｂが搬送され、ＩＴＯ膜とＡｇ薄膜とが連続して成膜される限り、真空装置４０全体としては、同一のチャンバー内でＩＴＯ膜とＡｇ薄膜とが連続して成膜されているのと同視することができる。すなわち、本実施形態で言う「同一チャンバー」とは、連続した真空雰囲気で基板をやり取りするためのゲートバルブを介して隔てられたサブチャンバー間の移動も含む。
【００４５】
なお、以上では、基板と成膜ソースおよびチャンバー形状などの幾つかの例を、図３、図７〜図９に示したが、これらの例は理解の促進を目的としたものであり、形状などの制約を与えるものではない。
【００４６】
なお、本実施形態では、ＩＴＯ膜およびＡｇ薄膜をスパッタ法で成膜しているが、この成膜方法に限定されるわけではない。金属薄膜の成膜方法としては、ＣＶＤ法をはじめ、ＥＢ（電子ビーム）蒸着、抵抗加熱式蒸着、ＩＡＤ（イオンアシスト蒸着）などの様々な方法が知られているが、真空のプロセスで成膜する限りにおいて、これらの組み合わせを含めて、種々の方法でＩＴＯ膜およびＡｇ薄膜を成膜することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、例えば電子書籍をはじめとする各種の表示装置を構成するＥＤのような電気化学表示素子の製造に利用可能である。
【符号の説明】
【００４８】
１      表示素子（電気化学表示素子）
２ａ    基板
２ｂ    基板
３ａ    電極
３ｂ    電極（透明電極）
４      電解液
７      Ａｇ薄膜（金属薄膜）
１０      真空チャンバー
２０      真空チャンバー
３０      真空チャンバー
４２      ＩＴＯ成膜チャンバー
４３      Ａｇ成膜チャンバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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