(57)【要約】【課題】現像欠陥を抑制する被処理体の処理方法及び被処理体の処理装置を提供する。【解決手段】本発明の被処理体の処理方法は、被処理体１０のパターン転写膜２にパターン潜像を転写する工程と、パターン転写膜２上に現像液４１を供給してパターン転写膜２の選択的除去を行いパターン転写膜２にパターンを形成する工程と、パターンの形成後、被処理体１０上に洗浄液４２を供給する工程と、洗浄液４２が供給された被処理体１０に対してブローノズルヘッド１９に形成されたブローノズル３１からガスを吹き付けながら、パターンレイアウトに応じて設定された方向Ａにブローノズル３１を移動させ、その方向Ａに洗浄液４２を流動させる工程と、を備えている。【選択図】図３
2011009544.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体のパターン転写膜にパターン潜像を転写する工程と、
前記パターン転写膜上に現像液を供給して前記パターン転写膜の選択的除去を行い、前記パターン転写膜に前記パターン潜像に対応したパターンを形成する工程と、
前記パターンの形成後、前記被処理体上に洗浄液を供給する工程と、
前記洗浄液が供給された前記被処理体に対してブローノズルからガスを吹き付けながら、前記パターンのレイアウトに応じて設定された方向に前記ブローノズルを前記被処理体に対して相対移動させ、前記方向に前記洗浄液を流動させる工程と、
を備えたことを特徴とする被処理体の処理方法。
【請求項２】
被処理体のパターン転写膜にパターン潜像を転写する工程と、
前記パターン転写膜上に現像液を供給して前記パターン転写膜の選択的除去を行い、前記パターン転写膜に前記パターン潜像に対応したパターンを形成する工程と、
前記パターンの形成後、洗浄液ノズル及びブローノズルを前記パターンのレイアウトに応じて設定された方向に前記被処理体に対して相対移動させ、前記移動中に、前記洗浄液ノズルから前記被処理体上に洗浄液を供給しつつ、前記方向への進行方向に対して前記洗浄液ノズルよりも後方に設けられた前記ブローノズルから前記被処理体に対してガスを吹き付けて、前記方向に前記洗浄液を流動させる工程と、
を備えたことを特徴とする被処理体の処理方法。
【請求項３】
前記ブローノズルの前記被処理体に対する前記相対移動時、前記ブローノズルよりも前記方向への進行方向側に設けられた吸引ノズルから前記被処理体上の前記洗浄液を吸引しつつ、前記ブローノズルと共に前記吸引ノズルも前記方向に前記被処理体に対して相対移動させることを特徴とする請求項１または２に記載の被処理体の処理方法。
【請求項４】
前記パターンは、ラインアンドスペースパターンを有し、
前記方向は、前記ラインアンドスペースパターンの延在方向であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の被処理体の処理方法。
【請求項５】
パターン転写膜によるパターンが形成された被処理体を保持する被処理体保持部と、
前記被処理体保持部に保持された状態の前記被処理体上に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、
前記洗浄液が供給された前記被処理体に対してガスを吹き付けるブローノズルと、
前記被処理体保持部と前記ブローノズルとを互いに対向させた状態で相対移動させる移動機構と、
前記被処理体が前記被処理体保持部に保持された状態で前記パターンのレイアウトを検出するパターンレイアウト検出装置と、
前記パターンレイアウト検出装置によって検出されたパターンレイアウトに基づいて設定された方向に、前記被処理体保持部と前記ブローノズルとが相対移動するように、前記被処理体保持部と前記ブローノズルとの相対位置を制御する制御装置と、
を備えたことを特徴とする被処理体の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハなどの被処理体に対して現像及び洗浄を行う被処理体の処理方法及び被処理体の処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体ウェーハに形成されたレジスト膜の現像を行うにあたっては、半導体ウェーハをスピンチャックに真空吸着した状態でスピンチャックを回転させる。スピンチャックと共に半導体ウェーハも回転し、その状態で半導体ウェーハ上に現像液が供給される。この後、半導体ウェーハ上に純水等の洗浄液を供給して半導体ウェーハの洗浄処理を行った後、半導体ウェーハを吸着保持したスピンチャックを高速回転させる回転乾燥が行われる。
【０００３】
洗浄処理後の回転乾燥により、洗浄液の大部分は半導体ウェーハ上から除去される。しかし、現像によりレジスト膜が選択的に除去されたスペース部には、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、反射防止膜など、レジスト膜に比べて親水性の下地が露出していることが多いことから、スペース部表面に微小な洗浄液残りが発生しやすい。その下地表面上に残った洗浄液は、回転乾燥中にレジスト膜の側壁や表層部に移動し、レジスト成分や現像溶解生成物を吸収してしまう。このレジスト成分等を吸収した洗浄水残りは、乾燥後、現像欠陥となって残存する。この現像欠陥はレジストパターン精度を悪化させ、また、隣り合うライン状のレジスト膜間でつながるように残ってしまうと、パターン間配線ショートの原因となり得る。
【０００４】
また、特許文献１には、ガラス基板と相対的に平行移動するスリット状の吐出口から、リンス処理後のガラス基板表面に帯状にエアを吹き付けて、ガラス基板上に残留しているリンス液の液切りを行うことが開示されている。しかし、特許文献１には、パターンレイアウトとエア吐出口の移動方向との関係についての開示及び示唆はない。洗浄液がレジスト成分を吸収した状態で残存しないようにするためには、レジストパターンのレイアウトに応じて適切な方向にエア吐出口を移動させることが重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３９４８５５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、現像欠陥を抑制する被処理体の処理方法及び被処理体の処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、被処理体のパターン転写膜にパターン潜像を転写する工程と、前記パターン転写膜上に現像液を供給して前記パターン転写膜の選択的除去を行い、前記パターン転写膜に前記パターン潜像に対応したパターンを形成する工程と、前記パターンの形成後、前記被処理体上に洗浄液を供給する工程と、前記洗浄液が供給された前記被処理体に対してブローノズルからガスを吹き付けながら、前記パターンのレイアウトに応じて設定された方向に前記ブローノズルを前記被処理体に対して相対移動させ、前記方向に前記洗浄液を流動させる工程と、を備えたことを特徴とする被処理体の処理方法が提供される。  
また、本発明の他の一態様によれば、被処理体のパターン転写膜にパターン潜像を転写する工程と、前記パターン転写膜上に現像液を供給して前記パターン転写膜の選択的除去を行い、前記パターン転写膜に前記パターン潜像に対応したパターンを形成する工程と、前記パターンの形成後、洗浄液ノズル及びブローノズルを前記パターンのレイアウトに応じて設定された方向に前記被処理体に対して相対移動させ、前記移動中に、前記洗浄液ノズルから前記被処理体上に洗浄液を供給しつつ、前記方向への進行方向に対して前記洗浄液ノズルよりも後方に設けられた前記ブローノズルから前記被処理体に対してガスを吹き付けて、前記方向に前記洗浄液を流動させる工程と、を備えたことを特徴とする被処理体の処理方法が提供される。  
また、本発明のさらに他の一態様によれば、パターン転写膜によるパターンが形成された被処理体を保持する被処理体保持部と、前記被処理体保持部に保持された状態の前記被処理体上に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、前記洗浄液が供給された前記被処理体に対してガスを吹き付けるブローノズルと、前記被処理体保持部と前記ブローノズルとを互いに対向させた状態で相対移動させる移動機構と、前記被処理体が前記被処理体保持部に保持された状態で前記パターンのレイアウトを検出するパターンレイアウト検出装置と、前記パターンレイアウト検出装置によって検出されたパターンレイアウトに基づいて設定された方向に、前記被処理体保持部と前記ブローノズルとが相対移動するように、前記被処理体保持部と前記ブローノズルとの相対位置を制御する制御装置と、を備えたことを特徴とする被処理体の処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、現像欠陥を抑制する被処理体の処理方法及び被処理体の処理装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る被処理体の処理装置の構成を示す模式図。
【図２】（ａ）は同処理装置におけるブローノズルヘッドの断面図であり、（ｂ）は同ブローノズルヘッドの下面図。
【図３】本発明の実施形態に係る被処理体の処理方法を示す模式図。
【図４】同処理方法による半導体ウェーハの加工工程を示す模式断面図。
【図５】（ａ）はブローノズルヘッドの他の具体例を示す断面図であり、（ｂ）は被処理体の処理装置の他構成例を示す模式図。
【図６】洗浄液を回転乾燥法によって半導体ウェーハ上から除去する比較例において、現像結果が生じる作用を説明するための模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。本実施形態では、被処理体として例えば半導体ウェーハに対する処理を説明する。具体的には、半導体装置の製造方法における現像及び洗浄処理を中心に説明する。
【００１１】
図１は、本実施形態に係る被処理体処理装置の構成を示す模式図である。図１（ａ）は被処理体保持部であるスピンチャック２３に半導体ウェーハが保持されていない状態を示し、図１（ｂ）はスピンチャック２３に半導体ウェーハ１０が保持されている状態を示す。なお、図１（ｂ）では、図１（ａ）に示す制御装置２２の図示は省略している。
【００１２】
スピンチャック２３は、例えば真空吸着機構を有し、その吸着面２３ｂは半導体ウェーハ１０よりも直径の小さな円形状に形成されている。スピンチャック２３の模式断面図を図３に示す。スピンチャック２３は下方に延在する回転軸２３ａを有する。その回転軸２３ａは図示しないモータと連結され、そのモータの駆動力を受けて、スピンチャック２３は回転軸２３ａのまわりに回転可能となっている。
【００１３】
スピンチャック２３の周囲および下方にはカップ２４（図１）が設けられ、カップ２４には現像液や洗浄液の排液機構が設けられている。
【００１４】
カップ２４の側方には、現像・洗浄液ノズルヘッド１３を収容可能な現像・洗浄液ノズル収容部１４が設けられている。現像・洗浄液ノズルヘッド１３には、現像液ノズル１１と洗浄液ノズル１２が設けられ、現像液ノズル１１と洗浄液ノズル１２はそれぞれ下方に向いている。
【００１５】
現像・洗浄液ノズルヘッド１３は連結部材１５を介して現像・洗浄液ノズルヘッド駆動部１６と連結されている。この現像・洗浄液ノズルヘッド駆動部１６の駆動により、現像・洗浄液ノズルヘッド１３は、スピンチャック２３の上方から外れた位置である現像・洗浄液ノズル収容部１４と、スピンチャック２３の上方でスピンチャック２３に対向する位置との間を移動可能となっている。
【００１６】
現像・洗浄液ノズル収容部１４とは反対側のカップ２４の側方には、ブローノズルヘッド１９を収容可能なブローノズルヘッド収容部２０が設けられている。ブローノズルヘッド１９はバー状に形成され、その長手方向長さは半導体ウェーハ１０の直径と同じか半導体ウェーハ１０の直径よりも数ｍｍ程長い。
【００１７】
図２（ａ）はブローノズルヘッド１９の短手方向に沿った断面図を、図２（ｂ）はブローノズルヘッド１９の下面図を示す。
【００１８】
ブローノズルヘッド１９には、ブローノズル３１が形成されている。ブローノズル３１は、ブローノズルヘッド１９の長手方向（図２（ａ）においては紙面を貫く方向）に延在するスリット状に形成されている。
【００１９】
ブローノズル３１の上端にはガス導入口３１ｂが形成され、下端にはガス吹出口３１ａが形成されている。ガス導入口３１ｂにはガス供給管３２が接続されている。ガス供給管３２は図示しないガス供給源と接続されている。ガス供給源から、例えばエア、窒素ガスなどのガスがガス供給管３２を介してブローノズル３１のガス導入口３１ｂに導入され、この導入されたガスはガス吹出口３１ａから吹き出す。
【００２０】
ブローノズルヘッド１９は、図１に示すように、連結部材１８を介してブローノズルヘッド駆動部１７と連結されている。ブローノズルヘッド駆動部１７の駆動により、ブローノズルヘッド１９は、ある一方向Ａに直線移動可能となっている。この方向Ａは、スピンチャック２３の吸着面２３ｂもしくはこれに保持された半導体ウェーハ１０の被処理面に対して略平行な方向である。
【００２１】
ブローノズルヘッド１９はスピンチャック２３よりも上方に設けられ、そのブローノズルヘッド１９に形成されたブローノズル３１のガス吹出口３１ａは下方を向いている。スピンチャック２３に半導体ウェーハ１０が保持された状態で、ブローノズルヘッド１９がブローノズルヘッド収容部２０から方向Ａに移動すると、ガス吹出口３１ａは半導体ウェーハ１０に対向した状態で半導体ウェーハ１０の上方を方向Ａに移動する。このとき、ガス吹出口３１ａからガスを吹き出すことで、半導体ウェーハ１０に対してそのガスを吹き付けることができる。
【００２２】
図２（ａ）に示すように、ブローノズル３１は、進行方向Ａに対して傾斜し、且つ進行方向Ａに対して垂直な方向（もしくは鉛直方向）に対しても傾斜している。具体的には、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、ガス吹出口３１ａがガス導入口３１ｂよりも進行方向Ａ側に位置する。したがって、ガス吹出口３１ａから吹き出したガスは、半導体ウェーハ１０の被処理面に対して垂直に吹き付けられるのではなく、ブローノズルヘッド１９の進行方向Ａ側に向けて斜めに吹き付けられる。
【００２３】
前述した例では、静止したスピンチャック２３に対してブローノズルヘッド１９が方向Ａに直線移動する。したがって、ブローノズルヘッド１９を移動させるブローノズルヘッド駆動部１７が、ブローノズル３１を半導体ウェーハ１０に対向させた状態で両者を相対移動させる移動機構として機能する。しかし、静止したブローノズルヘッド１９に対してスピンチャック２３が直線移動する構成にしてもよいし、あるいはブローノズルヘッド１９とスピンチャック２３の両方が相対的に直線移動する構成にしてもよい。
【００２４】
また、図１に示すように、スピンチャック２３に保持された半導体ウェーハ１０に形成されたパターンのレイアウトを検出するパターンレイアウト検出装置として、光学センサ２１が設けられている。光学センサ２１は、例えば半導体ウェーハ１０の外縁部に形成されたノッチもしくはオリエンテーションフラットを検出する。光学センサ２１は、例えば検出対象に対する透過光、反射光などを検出するセンサ、あるいはイメージセンサである。光学センサ２１の検出信号は制御装置２２に送られる。
【００２５】
半導体ウェーハ１０のパターンレイアウトは、ノッチやオリエンテーションフラットと相関付けられており、ノッチやオリエンテーションフラットの検出情報から半導体ウェーハ１０のパターンレイアウトを認識することが可能となる。制御装置２２は、光学センサ２１の検出情報から半導体ウェーハ１０のパターンレイアウトを認識し、スピンチャック２３上の半導体ウェーハ１０のパターンレイアウトと、ブローノズルヘッド１９の移動方向Ａとが所望の位置関係となるように、スピンチャック２３の回転方向の位置を制御する。
【００２６】
次に、図３を参照し、本実施形態に係る半導体ウェーハ１０の処理方法について説明する。また、図４は同処理方法によって加工される半導体ウェーハ１０の模式断面図を示す。
【００２７】
図４（ａ）に示すように、半導体ウェーハ１０は、例えばシリコン等の基板上に形成された酸化膜、窒化膜、反射防止膜、あるいは基板自体である加工対象の下地１を有する。下地１上には、パターン転写膜としてレジスト膜２がまず全面に形成される。その後、マスク（レチクル）を用いた露光もしくは電子線描画により、所望のパターン潜像がレジスト膜２に転写される。
【００２８】
パターン潜像の転写後、レジスト膜２を上に向けた状態で半導体ウェーハ１０はスピンチャック２３に吸着保持され、図３に示す現像・洗浄工程が行われる。
【００２９】
まず、図３（ａ）に示すように、現像液ノズル１１を半導体ウェーハ１０上に移動させ、半導体ウェーハ１０を保持したスピンチャック２３を例えば数十から数千ｒｐｍの回転数で回転させた状態で、現像液ノズル１１からレジスト膜２表面上に現像液４１を供給する。半導体ウェーハ１０はスピンチャック２３と共に回転し、その半導体ウェーハ１０のほぼ中央に供給された現像液４１は半径方向に拡がり、半導体ウェーハ１０の全面に拡がる。現像液４１は、例えばＴＭＡＨ（Ｎ（ＣＨ３）４ＯＨ）を含む。
【００３０】
そして、スピンチャック２３の回転を停止することで、図３（ｂ）に示すように、表面張力でレジスト膜２表面上に盛り上がるように現像液４１が存在する状態となり、これを所望の時間維持する。
【００３１】
この現像液４１により、レジスト膜２が選択的に除去され、レジスト膜２がパターニングされる。例えばレジスト膜２がポジ型の場合には、露光を受けた部分が現像液４１に溶解し、露光されなかった部分が下地１上に残る。この現像後の状態を図４（ｂ）に示す。
【００３２】
半導体ウェーハ１０の各チップに形成されるパターンにおける大部分を占める主要部は、例えばラインアンドスペースパターンである。図４（ｂ）においては、ライン状に残されたレジスト膜２と、スペース部２ａとが紙面を貫く方向にストライプ状に延在している。
【００３３】
パターンの形成後、図３（ｃ）に示すように、洗浄液ノズル１２を半導体ウェーハ１０上に移動させ、半導体ウェーハ１０を保持したスピンチャック２３を例えば数千ｒｐｍの回転数で回転させた状態で、洗浄液ノズル１２からレジスト膜２表面上に洗浄液４２を供給する。半導体ウェーハ１０はスピンチャック２３と共に回転し、その半導体ウェーハ１０のほぼ中央に供給された洗浄液４２は半径方向に拡がり、半導体ウェーハ１０の全面に拡がる。洗浄液４２としては、例えば純水が用いられる。
【００３４】
そして、スピンチャック２３の回転を停止することで、図３（ｄ）に示すように、表面張力でレジスト膜２表面上に盛り上がるように洗浄液４２が存在する状態となる。この後、前述したブローノズル３１からエアもしくは窒素ガスなどのガスを吹き出しながら、ブローノズルヘッド１９を方向Ａに移動させる。
【００３５】
本実施形態では、ブローノズルヘッド１９の移動を開始する前に、スピンチャック２３上の半導体ウェーハ１０のパターンレイアウトと、ブローノズルヘッド１９の移動方向Ａとが所望の位置関係となるように、スピンチャック２３の回転方向の位置を制御する。これは、前述した制御装置２２が光学センサ２１の検出情報に基づいて、スピンチャック２３を回転させるモータの駆動を制御することで行われる。
【００３６】
図１（ｂ）に、半導体ウェーハ１０に形成された複数のチップＣ、および各チップＣに形成されたラインアンドスペースパターンＰを模式的に示す。本実施形態では、ラインアンドスペースパターンＰの延在方向（図４（ｂ）においては紙面を貫く方向）が、ブローノズルヘッド１９の移動方向Ａに対して略平行になるようにする。ブローノズルヘッド１９に形成されたスリット状のブローノズル３１の延在方向は、方向ＡすなわちラインアンドスペースパターンＰの延在方向に対して略垂直にされる。
【００３７】
進行方向Ａ側に向けた斜め方向にブローノズル３１からガスを吹き出しながら、半導体ウェーハ１０に対向したブローノズルヘッド１９を方向Ａに移動させることで、図３（ｅ）に示すように、半導体ウェーハ１０上の洗浄液４２は、ブローノズル３１から吹き出すガスに押されながら方向Ａに向けて流動する。
【００３８】
半導体ウェーハ１０においてブローノズルヘッド１９が通過した領域では洗浄液４２が進行方向Ａ側に押しやられて除去される。ブローノズル３１の長手方向長さは、半導体ウェーハ１０の直径以上であるため、ブローノズル３１が半導体ウェーハ１０に対向した状態で半導体ウェーハ１０の端から端まで方向Ａに移動することで、半導体ウェーハ１０全面に存在していた洗浄液を、図３（ｆ）に示すように半導体ウェーハ１０外へと排出することができる。
【００３９】
比較例として、洗浄処理の後、半導体ウェーハを保持した状態でスピンチャックを回転させる回転乾燥を行うことで半導体ウェーハ上から洗浄液を除去する方法を説明する。この回転乾燥法により、図６（ａ）から図６（ｂ）に示すステップのように、洗浄液４２の大部分は半導体ウェーハ１０上から除去される。しかし、レジスト膜２が選択的に除去されたスペース部２ａには、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、反射防止膜など、レジスト膜２に比べて親水性の下地１が露出していることから、スペース部２ａ表面に微小な洗浄液４２の残りが発生しやすい。
【００４０】
その下地１表面上に残った洗浄液４２は、図６（ｃ）に示すように、回転乾燥中にレジスト膜２の側壁や表層部に移動し、レジスト成分や現像溶解生成物を吸収してしまう。このレジスト成分等を吸収した洗浄水４２の残りは、乾燥後、図６（ｄ）に示すように、現像欠陥６となって残存する。この現像欠陥６はレジストパターン精度を悪化させ、また、隣り合うライン状のレジスト膜２間でつながるように残ってしまうと、パターン間配線ショートの原因となり得る。
【００４１】
回転乾燥法では、半導体ウェーハの回転による遠心力で、ウェーハ中心から外周側に向かってウェーハ全面に洗浄水が拡がることで、ウェーハ全面のあらゆる箇所に現像欠陥が発生し得る。すなわち、洗浄液が移動する方向と、例えば各チップに形成されたラインアンドスペースパターンのパターン延在方向がウェーハ面全体において一致しない箇所が多数存在することとなり、それらの箇所ではラインアンドスペースパターンが洗浄液の移動の障害となり、洗浄液が残存してしまう。また、予め現像欠陥が生じやすい箇所を予想し、その部分のパターン間隔を拡げて現像欠陥によるショートを生じにくくするといった対策をとることが困難である。
【００４２】
本実施形態では、回転乾燥法ではなく、ブローノズル３１からガスを半導体ウェーハ１０に対して吹き付けながら、パターン延在方向に沿ってブローノズル３１を移動させることで半導体ウェーハ１０から洗浄液４２を排出する。このため、親水性である下地１表面上に洗浄液残りが生じても、その洗浄液は吹き付けられたガスに押されてスペース部２ａに露出する下地１表面上をスペース部２ａの延在方向に移動するのみで、レジスト膜２の側壁や表層部に付着しレジスト成分を吸収するのを抑制できる。この結果、レジスト成分を吸収した洗浄液が乾燥後に現像欠陥となって残存してしまうことを防げ、現像欠陥に起因するパターン精度の悪化や配線間ショートを防ぐことができる。
【００４３】
また、半導体ウェーハ１０の中心から外周側に向かってあらゆる方向に洗浄液を移動させて排出する回転乾燥とは異なり、本実施形態では、パターン延在方向に沿った一方向Ａに洗浄液を移動させることで半導体ウェーハ１０上から排出するため、現像欠陥が発生しやすい箇所の特定が容易である。例えば、パターン主要部であるラインアンドスペースパターンよりも上記方向Ａ側の端部に、方向Ａに対して交差するようなパターンがある場合にはその部分で洗浄液がレジスト膜の側壁等に付着して、現像欠陥となりやすい。したがって、その部分においては方向Ａに交差するパターン間隔を予め拡げるなどの設計をしておくことで、レジスト成分を吸収した洗浄液残りに起因した現像欠陥によるパターン間ショートを回避することが可能となる。
【００４４】
以上説明したように現像・洗浄処理を行って、レジスト膜２をパターニングした後、そのレジストパターンをマスクにして下地１のエッチングを行い、図４（ｃ）に示すように、下地１をパターニングする。
【００４５】
次に、図５（ａ）を参照し、ブローノズルが形成されたノズルヘッドの他の具体例について説明する。図５（ａ）は、図２（ａ）と同様な部分の断面図を示す。
【００４６】
図５（ａ）に示すノズルヘッド２９には、ブローノズル３１の他に、吸引ノズル３３と洗浄液ノズル３５が設けられている。吸引ノズル３３及び洗浄液ノズル３５も、ブローノズル３１と同様に、図５（ａ）において紙面を貫く方向に延在するスリット状に形成されている。吸引ノズル３３はブローノズル３１よりもノズルヘッド２９の進行方向Ａ側に形成され、洗浄液ノズル３５は吸引ノズル３３よりもさらに進行方向Ａ側に形成されている。すなわち、ノズルヘッド２９の下端には、進行方向Ａ側から順に、洗浄液ノズル３５の洗浄液吐出口３５ａ、吸引ノズル３３の吸引口３３ａ、およびブローノズル３１のガス吹出口３１ａが形成されている。
【００４７】
吸引ノズル３３の上端開口には吸引管３４が接続されている。洗浄液ノズル３５の上端開口には洗浄液供給管３６が接続されている。洗浄液ノズル３５及び吸引ノズル３３は、鉛直方向に対して略平行にノズルヘッド２９を貫通している。
【００４８】
このノズルヘッド２９も、図１に示す連結部材１８を介してノズルヘッド駆動部１７と連結されている。そして、ノズルヘッド駆動部１７の駆動により、ノズルヘッド２９は、パターンＰの延在方向に沿った方向Ａに直線移動可能となっている。
【００４９】
このノズルヘッド２９の方向Ａへの移動中、洗浄ノズル３５から洗浄液が半導体ウェーハ１０上に供給され、吸引ノズル３３は半導体ウェーハ１０上の洗浄液を吸引し、ブローノズル３１からは半導体ウェーハ１０に対してガスが吹き付けられる。
【００５０】
洗浄液ノズル３５から半導体ウェーハ１０上に供給された洗浄液は、すぐに吸引ノズル３３が通過することで、吸引ノズル３３に吸引される。また、ブローノズル３１からは吸引口３３ａの下方に向けた斜め方向にガスを吹き出しているため、吸引口３３ａの下方に吹き出したガスによる壁が形成され、そのガスによる壁よりも進行方向後方側への洗浄液の流出を防止する。以上のことから、半導体ウェーハ１０上には帯状に洗浄液が供給され、その帯状の洗浄液供給領域がノズルヘッド２９の移動に伴い、方向Ａへとウェーハ全面をカバーするように移動していく。
【００５１】
このノズルヘッド２９を使うことで、パターン延在方向に沿ったガス吹き付けによる洗浄液排出効果に加えて、洗浄液の吸引による洗浄液除去効果も得られる。これにより、半導体ウェーハ１０上に残存する洗浄液をより少なくでき、残存洗浄液に起因する現像欠陥をより抑制できる。
【００５２】
また、このノズルヘッド２９を使うことで、図１において洗浄液ノズル１２を使った洗浄液供給工程を省略することができる。すなわち、ノズルヘッド２９が半導体ウェーハ１０上を方向Ａに１回移動するだけで、半導体ウェーハ１０の洗浄、および洗浄が終わった領域の洗浄液除去が行われる。これにより、処理時間の短縮が図れる。
【００５３】
次に、図５（ｂ）に、パターンレイアウト検出装置の他の具体例を示す。
【００５４】
この例では、リニアイメージセンサ５１を使って半導体ウェーハ１０に形成されたパターンレイアウト（具体的にはラインアンドスペースパターンＰの延在方向）を検出する。リニアイメージセンサ５１は、駆動部５２の駆動により、スピンチャック２３に保持された半導体ウェーハ１０上をスキャンして、パターンＰを撮像する。なお、半導体ウェーハ１０の全面をスキャンして撮像する必要はなく、一部チップＣのみのパターンＰを撮像するだけでもよい。
【００５５】
このリニアイメージセンサ５１の検出信号に基づいて、図１に示す制御装置２２がスピンチャック２３のモータの駆動を制御することで、スピンチャック２３に保持された半導体ウェーハ１０の回転方向の位置を調整する。すなわち、パターンＰの延在方向が、ノズルヘッド１９の移動方向Ａに対して略平行になるようにする。
【００５６】
本実施形態に記載された基板処理方法は、半導体ウェーハに対する現像・洗浄処理に限らず、半導体ウェーハへのパターン転写に用いるマスク（レチクル）の製造工程における現像・洗浄処理に対しても適用可能である。
【符号の説明】
【００５７】
２…レジスト膜、１０…半導体ウェーハ、１１…現像液ノズル、１２…洗浄液ノズル、１７…ブローノズル駆動部、１９…ブローノズルヘッド、２１…光学センサ、２２…制御装置、２３…スピンチャック、２４…カップ、３３…吸引ノズル、３５…洗浄液ノズル、４１…現像液、４２…洗浄液、５１…リニアイメージセンサ、Ｐ…パターン、Ｃ…チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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