(57)【要約】【課題】駆動トランジスタの寄生容量による影響を抑えて、閾値補正処理を正確に実行できるようにする。【解決手段】駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３および保持容量２４に加えて、有機ＥＬ素子２１の等価容量の補助として補助容量２６を設ける。この補助容量２６の一端を有機ＥＬ素子２１のアノード電極に、他端を行走査方向における自行ｉよりも前の他行、本例では前段の行ｉ−１に属する電源供給線３２ｉ−１にそれぞれ接続する。そして、自行ｉに属する電源電位ＤＳｉを低電位Ｖｉｎｉから高電位Ｖｃｃｐに切り替えるときに、電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１を一時的に下げることで、駆動トランジスタ２２の寄生容量Ｃｄｓによる影響を抑える。【選択図】図１２
2011002747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学素子と、
映像信号を書き込む書込みトランジスタと、
前記書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、
ソース電極が前記電気光学素子に、ドレイン電極が行ごとに配線された電源供給線にそれぞれ接続され、前記保持容量に保持された前記映像信号に応じて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、
一端が前記電気光学素子のアノード電極に、他端が行走査方向における自行よりも前の他行に属する前記電源供給線にそれぞれ接続された補助容量とを有し、
前記電気光学素子の発光駆動に先立って、前記駆動トランジスタのゲート電位の初期化電位を基準として当該初期化電位から前記駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向けてソース電位をその初期化電位から変化させる閾値補正処理の機能を持つ
画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
自行の前記閾値補正処理の実行に先立って、前記他行に属する前記電源供給線の電位をあらかじめ定められた電位に変化させる電源供給走査部と
を備える表示装置。
【請求項２】
前記駆動トランジスタは、チャネル領域のゲート電極と反対側を、ソース領域と電気的に接続されたシールド材でシールドしたソースシールド構造となっている
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記電源供給走査部は、自行の前記閾値補正処理に当たって自行に属する前記電源供給線の電源電位を、前記電気光学素子を発光駆動する第１の電位から前記電気光学素子に対して逆バイアスを掛ける第２の電源電位に変化させ、しかる後再度前記第１の電源電位に変化させるときに、前記他行に属する前記電源供給線の電位を前記あらかじめ定められた電位に変化させる
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記電源供給走査部は、自行に属する前記電源供給線の電源電位を前記第１の電源電位から前記第２の電源電位に変化させるタイミングによって自行に属する前記電気光学素子の発光期間を設定する
請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２の電源電位は、前記駆動トランジスタのソース電位の初期化電位である
請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記あらかじめ定められた電位は、前記他行に属する前記電気光学素子の発光中の前記駆動トランジスタの飽和領域での動作に対して影響を及ぼさない電位である
請求項４記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２の電源電位から前記第１の電源電位への切り替え時に前記駆動トランジスタの寄生容量を介してのカップリングにより当該駆動トランジスタのソース電位が変化する変化量をΔＶｓ、前記他行に属する前記電源供給線の電位の前記あらかじめ定められた電位への変化時に前記補助容量を介してのカップリングにより前記駆動トランジスタのソース電位が変化する変化量をΔＶｊ、前記駆動トランジスタのゲート電位をＶｇ、当該駆動トランジスタの閾値電圧をＶｔｈ、前記第２電源電位をＶｉｎｉとするとき、
ΔＶｓ−ΔＶｊ≦Ｖｇ−Ｖｔｈ−Ｖｉｎｉ
なる条件を満足するように、前記補助容量の容量値および前記あらかじめ定められた電位が設定される
請求項６記載の表示装置。
【請求項８】
前記電源供給走査部は、自行の前記閾値補正処理の実行に先立って、前記他行に属する前記電源供給線の電位を前記あらかじめ定められた電位に変化させることで、前記駆動トランジスタのソース電位を初期化する
請求項１記載の表示装置。
【請求項９】
前記あらかじめ定められた電位は、前記駆動トランジスタのソース電位およびゲート電位の各初期化電位間の電圧を、前記駆動トランジスタの閾値電圧以上の電圧に設定する電位である
請求項８記載の表示装置。
【請求項１０】
前記あらかじめ定められた電位は、前記他行に属する前記電気光学素子の発光中の前記駆動トランジスタの飽和領域での動作に対して影響を及ぼさない電位である
請求項９記載の表示装置。
【請求項１１】
前記他行に属する前記電源供給線の電位の前記あらかじめ定められた電位への変化時に前記補助容量を介してのカップリングにより前記駆動トランジスタのソース電位が変化する変化量をΔＶｊ、前記駆動トランジスタのゲート電位の初期化電位をＶｏｆｓ、当該駆動トランジスタの閾値電圧をＶｔｈ、発光期間中のソース電位をＶｓとするとき、
Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ≧Ｖｓ−ΔＶｊ
なる条件を満足するように、前記補助容量の容量値および前記あらかじめ定められた電位が設定される
請求項１０記載の表示装置。
【請求項１２】
電気光学素子と、
映像信号を書き込む書込みトランジスタと、
前記書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、
ソース電極が前記電気光学素子に、ドレイン電極が行ごとに配線された電源供給線にそれぞれ接続され、前記保持容量に保持された前記映像信号に応じて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、
一端が前記電気光学素子のアノード電極に、他端が行走査方向における自行よりも前の他行に属する前記電源供給線にそれぞれ接続された補助容量とを有し、
前記電気光学素子の発光駆動に先立って、前記駆動トランジスタのゲート電位の初期化電位を基準として当該初期化電位から前記駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向けてソース電位をその初期化電位から変化させる閾値補正処理の機能を持つ
画素が行列状に配置されてなる表示装置の駆動に当たって、
自行の前記閾値補正処理の実行に先立って、前記他行に属する前記電源供給線の電位をあらかじめ定められた電位に変化させる
表示装置の駆動方法。
【請求項１３】
電気光学素子と、
映像信号を書き込む書込みトランジスタと、
前記書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、
ソース電極が前記電気光学素子に、ドレイン電極が行ごとに配線された電源供給線にそれぞれ接続され、前記保持容量に保持された前記映像信号に応じて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、
一端が前記電気光学素子のアノード電極に、他端が行走査方向における自行よりも前の他行に属する前記電源供給線にそれぞれ接続された補助容量とを有し、
前記電気光学素子の発光駆動に先立って、前記駆動トランジスタのゲート電位の初期化電位を基準として当該初期化電位から前記駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向けてソース電位をその初期化電位から変化させる閾値補正処理の機能を持つ
画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
自行の前記閾値補正処理の実行に先立って、前記他行に属する前記電源供給線の電位をあらかじめ定められた電位に変化させる電源供給走査部と
を備える表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器に関し、特に、電気光学素子を含む画素が行列状（マトリクス状）に２次元配置された平面型（フラットパネル型）の表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、画素（画素回路）が行列状に配置されてなる平面型の表示装置が急速に普及している。平面型の表示装置の一つとして、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子を画素の発光素子として用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子が知られている。
【０００３】
画素の電気光学素子として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力である。有機ＥＬ素子は、自発光素子であるために、画素ごとに液晶にて光源からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかもバックライト等の照明部材を必要としないために軽量化および薄型化が容易である。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様に、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、電気光学素子の発光期間が走査線（即ち、画素数）の増加によって減少するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。
【０００５】
そのため、近年、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、一般には、ＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)が用いられる。アクティブマトリクス方式の表示装置は、電気光学素子が１フレームの期間に亘って発光を持続するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が容易である。
【０００６】
ところで、一般的に、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性（電流−電圧特性）は、時間が経過すると劣化（いわゆる、経時劣化）することが知られている。有機ＥＬ素子を電流駆動するトランジスタ（以下、「駆動トランジスタ」と記述する）として特にＮチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化すると、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが変化する。その結果、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化する。これは、駆動トランジスタのソース電極側に有機ＥＬ素子が接続されることに起因する。
【０００７】
このことについてより具体的に説明する。駆動トランジスタのソース電位は、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点で決まる。そして、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が劣化すると、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点が変動してしまうために、駆動トランジスタのゲート電極に同じ電圧を印加したとしても駆動トランジスタのソース電位が変化する。これにより、駆動トランジスタのソース−ゲート間電圧Ｖｇｓが変化するために、駆動トランジスタに流れる電流値が変化する。その結果、有機ＥＬ素子に流れる電流値も変化するために、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化することになる。
【０００８】
また、特にポリシリコンＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化に加えて、駆動トランジスタのトランジスタ特性が経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによってトランジスタ特性が画素ごとに異なったりする。すなわち、画素個々に駆動トランジスタのトランジスタ特性にばらつきがある。トランジスタ特性としては、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度μ（以下、単に「駆動トランジスタの移動度μ」と記述する）等が挙げられる。
【０００９】
駆動トランジスタのトランジスタ特性が画素ごとに異なると、画素ごとに駆動トランジスタに流れる電流値にばらつきが生じるために、駆動トランジスタのゲート電極に画素間で同じ電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度に画素間でばらつきが生じる。その結果、画面のユニフォーミティ（一様性）が損なわれる。
【００１０】
そこで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化や、駆動トランジスタのトランジスタ特性の経時変化等の影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に維持するために、各種の補正（補償）機能を画素回路に持たせている（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
補正機能としては、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補正機能、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正機能などが挙げられる。以下、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補正を「閾値補正」と呼び、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正を「移動度補正」と呼ぶこととする。
【００１２】
このように、画素回路の各々に、各種の補正機能を持たせることで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化や、駆動トランジスタのトランジスタ特性の経時変化の影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つことができる。その結果、有機ＥＬ表示装置の表示品質を向上できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００７−３１０３１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ところで、一般的に、トランジスタのドレイン領域とソース領域との間には寄生容量Ｃｄｓが付く。駆動トランジスタにあっても同様である。この駆動トランジスタに付く寄生容量Ｃｄｓは、上述した閾値補正に当たって、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈに収束させる際の駆動トランジスタのソース電位の変化に影響を及ぼす。
【００１５】
一方、表示画像の高精細化に伴って画素の微細化が進むと、有機ＥＬ素子の等価容量や画素に書込まれた映像信号を保持する保持容量の容量値が小さくなる。このように、画素の微細化によって有機ＥＬ素子の等価容量や保持容量の容量値が減少すると、駆動トランジスタのソース電位の変化に対する駆動トランジスタの寄生容量Ｃｄｓの影響が大きくなる（その詳細については後述する）。
【００１６】
そして、駆動トランジスタに電流を供給する電源供給線の電位の切り替えにより、駆動トランジスタのソース電位の初期化を行う表示装置（特許文献１参照）では、駆動トランジスタの寄生容量Ｃｄｓの影響によって次のような不具合が発生する。具体的には、電源供給線の電位が低い電位から高い電位に切り替わる際に、その電位変化が駆動トランジスタの寄生容量Ｃｄｓを介してソース電極に飛び込む。
【００１７】
すると、その飛び込みによって駆動トランジスタのソース電位が大きく変動する。そして、ソース電位の変動により、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈよりも小さくなると、閾値補正に当たって駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを閾値電圧Ｖｔｈに収束させるための処理が行えなくなる。その結果、表示品質の向上を目的とした閾値補正処理が行えないことになる。
【００１８】
そこで、本発明は、駆動トランジスタの寄生容量による影響を抑えて、閾値補正処理を正確に実行できるようにした表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成するために、本発明は、
電気光学素子と、
映像信号を書き込む書込みトランジスタと、
前記書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、
ソース電極が前記電気光学素子に、ドレイン電極が行ごとに配線された電源供給線にそれぞれ接続され、前記保持容量に保持された前記映像信号に応じて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、
一端が前記電気光学素子のアノード電極に、他端が行走査方向における自行よりも前の他行に属する前記電源供給線にそれぞれ接続された補助容量とを有し、
前記電気光学素子の発光駆動に先立って、前記駆動トランジスタのゲート電位の初期化電位を基準として当該初期化電位から前記駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向けてソース電位をその初期化電位から変化させる閾値補正処理の機能を持つ
画素が行列状に配置されてなる表示装置において、
自行の前記閾値補正処理の実行に先立って、前記他行に属する前記電源供給線の電位をあらかじめ定められた電位に変化させる。
【００２０】
上記構成の表示装置において、補助容量の他端の接続先である自行よりも前の他行は、自行の駆動のときは発光状態にあり、他行に属する電源供給線の電位は変化せずに固定電位の状態にある。このとき、補助容量は電気光学素子のアノード電極と固定電位との間に接続された状態、即ち電気光学素子の等価容量に対して並列的に接続された状態にあるために、電気光学素子の等価容量の補助として作用する。
【００２１】
そして、電源供給線の電位の切り替えにより駆動トランジスタのソース電位を初期化する表示装置にあっては、電源供給線の電位を低い電位から高い電位に切り替えるときに、他行に属する電源供給線の電位をあらかじめ定められた電位に変化させる。これにより、他行に属する電源供給線の電位の変化が、補助容量を介して駆動トランジスタのソース電極に飛び込む。
【００２２】
このとき、補助容量を介して飛び込む電位は、自行の電源供給線の電位の切り替えの際に、駆動トランジスタの寄生容量を介して飛び込むことによるソース電位の変化を抑える方向に作用する。これにより、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧が閾値電圧よりも小さくなるのが抑えられるために、閾値補正処理に当たって駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧を閾値電圧に収束させる処理が行える。
【００２３】
または、自行の閾値補正処理の実行に先立って、他行に属する電源供給線の電位をあらかじめ定められた電位に変化させることで、電源供給線の電位を切り替えなくても、駆動トランジスタのソース電位の初期化が可能な表示装置を構成できる。そして、電源供給線の電位の切り替えを行わないことで、駆動トランジスタの寄生容量を介しての電位の飛び込むことによるソース電位の変化は発生しない。したがって、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧が閾値電圧よりも小さくなることはないために、閾値補正処理に当たって駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧を閾値電圧に収束させる処理が行える。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、駆動トランジスタに寄生容量が付いていても、閾値補正に当たって駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧を閾値電圧に収束させる処理が行えるために、閾値補正処理を正確に実行できる。その結果、画素ごとの駆動トランジスタの閾値電圧のばらつきを抑えることができるために表示画像の画質をより向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の画素（画素回路）の回路構成を示す回路図である。
【図３】画素の断面構造の一例を示す断面図である。
【図４】本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の基本的な回路動作の説明に供するタイミング波形図である。
【図５】本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の基本的な回路動作の動作説明図（その１）である。
【図６】本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の基本的な回路動作の動作説明図（その２）である。
【図７】駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。
【図８】駆動トランジスタの移動度μのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。
【図９】閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係の説明に供する特性図である。
【図１０】ソースシールド構造を採る駆動トランジスタの断面構造を示す断面図である。
【図１１】電源電位ＤＳの切り替えに伴って発生する不具合についての説明に供するタイミング波形図である。
【図１２】第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素の具体的な回路構成を示す回路図である。
【図１３】第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明に供するタイミング波形図である。
【図１４】３値の電位Ｖｃｃｐ，Ｖｍｉｄ，Ｖｉｎｉを設定可能な電源供給走査回路の構成の一例を示すブロック図である。
【図１５】波形整形論理回路の構成の一例を示す回路図である。
【図１６】タイミング信号Ｔ１，Ｔ２のタイミング関係を示すタイミング波形図である。
【図１７】第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明に供するタイミング波形図である。
【図１８】本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。
【図１９】本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図２０】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。
【図２１】本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。
【図２２】本発明が適用される携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、発明を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．本発明が適用される有機ＥＬ表示装置
１−１．システム構成
１−２．回路動作
１−３．電源電位ＤＳの切り替えに伴う不具合
２．第１実施形態（電源電位ＤＳを切り替える構成の例）
３．第２実施形態（電源電位ＤＳを切り替えない構成の例）
４．変形例
５．適用例（電子機器）
【００２７】
＜１．本発明が適用される有機ＥＬ表示装置＞
［１−１．システム構成］
図１は、本発明が適用されるアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【００２８】
ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子を画素（画素回路）の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。
【００２９】
図１に示すように、本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０と、当該画素２０が行列状に２次元配置された画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置された駆動部とを有する構成となっている。
【００３０】
駆動部は、書込み走査回路４０、電源供給走査回路５０および信号出力回路６０等からなり、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。書込み走査回路４０および電源供給走査回路５０は、画素２０の各々を画素行単位で選択する行走査部である。
【００３１】
ここで、有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、１つの画素は複数の副画素（サブピクセル）から構成され、この副画素が画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示用の表示装置では、１つの画素は、赤色光（Ｒ）を発光する副画素、緑色光（Ｇ）を発光する副画素、青色光（Ｂ）を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【００３２】
ただし、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素にさらに１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色光（Ｗ）を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００３３】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向）に沿って走査線３１−１〜３１−ｍと電源供給線３２−１〜３２−ｍとが画素行ごとに配線されている。さらに、列方向（画素列の画素の配列方向）に沿って信号線３３−１〜３３−ｎが画素列ごとに配線されている。
【００３４】
走査線３１−１〜３１−ｍは、書込み走査回路４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。電源供給線３２−１〜３２−ｍは、電源供給走査回路５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３−１〜３３−ｎは、信号出力回路６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【００３５】
画素アレイ部３０は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成されている。これにより、有機ＥＬ表示装置１０は、平面型（フラット型）のパネル構造となっている。画素アレイ部３０の各画素２０の駆動回路は、アモルファスシリコンＴＦＴまたは低温ポリシリコンＴＦＴを用いて形成することができる。低温ポリシリコンＴＦＴを用いる場合には、図１に示すように、書込み走査回路４０、電源供給走査回路５０および信号出力回路６０についても、画素アレイ部３０を形成する表示パネル（基板）７０上に実装することができる。
【００３６】
書込み走査回路４０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成されている。この書込み走査回路４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の書込みに際し、走査線３１−１〜３１−ｍに対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ１〜ＷＳｍ）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査（線順次走査）する。
【００３７】
電源供給走査回路５０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成されている。この電源供給走査回路５０は、書込み走査回路４０による線順次走査に同期して、第１電源電位Ｖｃｃｐと当該第１電源電位Ｖｃｃｐよりも低い第２電源電位Ｖｉｎｉで切り替わる電源電位ＤＳ（ＤＳ１〜ＤＳｍ）を電源供給線３２−１〜３２−ｍに供給する。後述するように、電源電位ＤＳのＶｃｃｐ／Ｖｉｎｉの切替えにより、画素２０の発光／非発光の制御が行なわれる。
【００３８】
信号出力回路６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖｓｉｇと基準電位Ｖｏｆｓとを選択的に出力する。ここで、基準電位Ｖｏｆｓは、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの基準となる電位（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電位）である。
【００３９】
信号出力回路６０から出力される信号電圧Ｖｓｉｇ／基準電位Ｖｏｆｓは、信号線３３−１〜３３−ｎを介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して行単位で書き込まれる。すなわち、信号出力回路６０は、信号電圧Ｖｓｉｇを行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
【００４０】
（画素回路）
図２は、画素（画素回路）２０の具体的な回路構成を示す回路図である。
【００４１】
図２に示すように、画素２０は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である有機ＥＬ素子２１と、当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線（いわゆる、ベタ配線）された共通電源供給線３４にカソード電極が接続されている。
【００４２】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３および保持容量２４を有する構成となっている。ここでは、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３としてＮチャネル型のＴＦＴを用いている。ただし、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００４３】
なお、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３としてＮチャネル型のＴＦＴを用いると、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）プロセスを用いることができる。ａ−Ｓｉプロセスを用いることで、ＴＦＴを作成する基板の低コスト化、ひいては本有機ＥＬ表示装置１０の低コスト化を図ることが可能になる。また、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３を同じ導電型の組み合わせにすると、両トランジスタ２２，２３を同じプロセスで作成することができるために低コスト化に寄与できる。
【００４４】
駆動トランジスタ２２は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）に接続されている。
【００４５】
書込みトランジスタ２３は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。また、書込みトランジスタ２３のゲート電極は、走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に接続されている。
【００４６】
駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３において、一方の電極とは、ソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言い、他方の電極とは、ドレイン／ソース領域に電気的に接続された金属配線を言う。また、一方の電極と他方の電極との電位関係によって一方の電極がソース電極ともなればドレイン電極ともなり、他方の電極がドレイン電極ともなればソース電極ともなる。
【００４７】
保持容量２４は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２の他方の電極および有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。
【００４８】
上記構成の画素２０において、書込みトランジスタ２３は、書込み走査回路４０から走査線３１を通してゲート電極に印加されるＨｉｇｈアクティブの書込み走査信号ＷＳに応答して導通状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３は、信号線３３を通して信号出力回路６０から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇまたは基準電位Ｖｏｆｓをサンプリングして画素２０内に書き込む。この書き込まれた信号電圧Ｖｓｉｇまたは基準電位Ｖｏｆｓは、駆動トランジスタ２２のゲート電極に印加されるとともに保持容量２４に保持される。
【００４９】
駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）の電位ＤＳが第１電源電位Ｖｃｃｐにあるときには、一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極となって飽和領域で動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２から電流の供給を受けて有機ＥＬ素子２１を電流駆動にて発光駆動する。より具体的には、駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作することにより、保持容量２４に保持された信号電圧Ｖｓｉｇの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給し、当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動することによって発光させる。
【００５０】
駆動トランジスタ２２はさらに、電源電位ＤＳが第１電源電位Ｖｃｃｐから第２電源電位Ｖｉｎｉに切り替わったときには、一方の電極がソース電極、他方の電極がドレイン電極となってスイッチングトランジスタとして動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１への駆動電流の供給を停止し、有機ＥＬ素子２１を非発光状態にする。すなわち、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するトランジスタとしての機能をも併せ持っている。
【００５１】
この駆動トランジスタ２２のスイッチング動作により、有機ＥＬ素子２１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、有機ＥＬ素子２１の発光期間と非発光期間の割合（デューティ）を制御することができる。このデューティ制御により、１フレーム期間に亘って画素が発光することに伴う残像ボケを低減できるために、特に動画の画品位をより優れたものとすることができる。
【００５２】
電源供給走査回路５０から電源供給線３２を通して選択的に供給される第１，第２電源電位Ｖｃｃｐ，Ｖｉｎｉのうち、第１電源電位Ｖｃｃｐは有機ＥＬ素子２１を発光駆動する駆動電流を駆動トランジスタ２２に供給するための電源電位である。また、第２電源電位Ｖｉｎｉは、有機ＥＬ素子２１に対して逆バイアスを掛けるための電源電位である。この第２電源電位Ｖｉｎｉは、基準電位Ｖｏｆｓよりも低い電位、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧をＶｔｈとするときＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも低い電位、好ましくはＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも十分に低い電位に設定される。
【００５３】
（画素構造）
図３は、画素２０の断面構造の一例を示す断面図である。図３に示すように、ガラス基板２０１上には、駆動トランジスタ２２等を含む駆動回路が形成されている。そして、画素２０は、ガラス基板２０１上に絶縁膜２０２、絶縁平坦化膜２０３およびウインド絶縁膜２０４がその順に形成され、当該ウインド絶縁膜２０４の凹部２０４Ａに有機ＥＬ素子２１が設けられた構成となっている。ここでは、駆動回路の各構成素子のうち、駆動トランジスタ２２のみを図示し、他の構成素子については省略している。
【００５４】
有機ＥＬ素子２１は、アノード電極２０５と、有機層（電子輸送層、発光層、ホール輸送層/ホール注入層）２０６と、カソード電極２０７とから構成されている。アノード電極２０５は、ウインド絶縁膜２０４の凹部２０４Ａの底部に形成された金属等からなる。有機層２０６は、アノード電極２０５上に形成されている。カソード電極２０７は、有機層２０６上に全画素共通に形成された透明導電膜等からなる。
【００５５】
この有機ＥＬ素子２１において、有機層２０６は、アノード電極２０５上にホール輸送層/ホール注入層２０６１、発光層２０６２、電子輸送層２０６３および電子注入層（図示せず）が順次堆積されることによって形成される。そして、図２の駆動トランジスタ２２による電流駆動の下に、駆動トランジスタ２２からアノード電極２０５を通して有機層２０６に電流が流れることで、当該有機層２０６内の発光層２０６２において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。
【００５６】
駆動トランジスタ２２は、ゲート電極２２１と、半導体層２２２の両側に設けられたソース／ドレイン領域２２３，２２４と、半導体層２２２のゲート電極２２１と対向する部分のチャネル形成領域２２５とから構成されている。ソース／ドレイン領域２２３は、コンタクトホールを介して有機ＥＬ素子２１のアノード電極２０５と電気的に接続されている。
【００５７】
そして、図３に示すように、ガラス基板２０１上に、絶縁膜２０２、絶縁平坦化膜２０３およびウインド絶縁膜２０４を介して有機ＥＬ素子２１が画素単位で形成された後は、パッシベーション膜２０８を介して封止基板２０９が接着剤２１０によって接合される。この封止基板２０９によって有機ＥＬ素子２１が封止されることにより表示パネル７０が形成される。
【００５８】
［１−２．回路動作］
続いて、上記構成の有機ＥＬ表示装置１０の基本的な回路動作について、図４のタイミング波形図を基に図５および図６の動作説明図を用いて説明する。なお、図５および図６の動作説明図では、図面の簡略化のために、書込みトランジスタ２３をスイッチのシンボルで図示している。また、有機ＥＬ素子２１の等価容量２５についても図示している。
【００５９】
図４のタイミング波形図には、走査線３１の電位（書込み走査信号）ＷＳ、電源供給線３２の電位（電源電位）ＤＳ、信号線３３の電位（Ｖｓｉｇ／Ｖｏｆｓ）、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓのそれぞれの変化を示している。
【００６０】
（前フレームの発光期間）
図４のタイミング波形図において、時刻ｔ１１以前は、前のフレーム（フィールド）における有機ＥＬ素子２１の発光期間となる。この前フレームの発光期間では、電源供給線３２の電位ＤＳが第１電源電位（以下、「高電位」と記述する）Ｖｃｃｐにあり、また、書込みトランジスタ２３が非導通状態にある。
【００６１】
このとき、駆動トランジスタ２２は飽和領域で動作するように設計されている。これにより、図５（Ａ）に示すように、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに応じた駆動電流（ドレイン−ソース間電流）Ｉｄｓが、電源供給線３２から駆動トランジスタ２２を通して有機ＥＬ素子２１に供給される。よって、有機ＥＬ素子２１が駆動電流Ｉｄｓの電流値に応じた輝度で発光する。
【００６２】
（閾値補正準備期間）
時刻ｔ１１になると、線順次走査の新しいフレーム（現フレーム）に入る。そして、図５（Ｂ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが高電位Ｖｃｃｐから、信号線３３の基準電位Ｖｏｆｓに対してＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも十分に低い第２電源電位（以下、「低電位」と記述する）Ｖｉｎｉに切り替わる。
【００６３】
ここで、有機ＥＬ素子２１の閾値電圧をＶｔｈｅｌ、共通電源供給線３４の電位（カソード電位）をＶｃａｔｈとする。このとき、低電位ＶｉｎｉをＶｉｎｉ＜Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔｈとすると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが低電位Ｖｉｎｉにほぼ等しくなるために、有機ＥＬ素子２１は逆バイアス状態となって消光する。
【００６４】
次に、時刻ｔ１２で走査線３１の電位ＷＳが低電位側から高電位側に遷移することで、図５（Ｃ）に示すように、書込みトランジスタ２３が導通状態となる。このとき、信号出力回路６０から信号線３３に対して基準電位Ｖｏｆｓが供給されているために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが基準電位Ｖｏｆｓになる。また、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓは、基準電位Ｖｏｆｓよりも十分に低い電位Ｖｉｎｉにある。
【００６５】
このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｏｆｓ−Ｖｉｎｉとなる。ここで、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくないと、後述する閾値補正処理を行うことができないために、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉ＞Ｖｔｈなる電位関係に設定する必要がある。
【００６６】
このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇを基準電位Ｖｏｆｓに、ソース電位Ｖｓを低電位Ｖｉｎｉにそれぞれ固定して（確定させて）初期化する処理が、後述する閾値補正処理を行う前の準備（閾値補正準備）の処理である。したがって、基準電位Ｖｏｆｓおよび低電位Ｖｉｎｉが、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの各初期化電位となる。
【００６７】
（閾値補正期間）
次に、時刻ｔ１３で、図５（Ｄ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが低電位Ｖｉｎｉから高電位Ｖｃｃｐに切り替わると、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが保たれた状態で閾値補正処理が開始される。すなわち、ゲート電位Ｖｇから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを減じた電位に向けて駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇を開始する。
【００６８】
ここでは、便宜上、駆動トランジスタ２２のゲート電極の初期化電位Ｖｏｆｓを基準として、当該初期化電位Ｖｏｆｓから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを減じた電位に向けてソース電位Ｖｓを変化させる処理を閾値補正処理と呼んでいる。この閾値補正処理が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに収束する。この閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧は保持容量２４に保持される。
【００６９】
なお、閾値補正処理を行う期間（閾値補正期間）において、電流が専ら保持容量２４側に流れ、有機ＥＬ素子２１側には流れないようにするために、有機ＥＬ素子２１がカットオフ状態となるように共通電源供給線３４の電位Ｖｃａｔｈを設定しておくこととする。
【００７０】
次に、時刻ｔ１４で走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、図６（Ａ）に示すように、書込みトランジスタ２３が非導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート電極が信号線３３から電気的に切り離されることによってフローティング状態になる。しかし、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに等しいために、当該駆動トランジスタ２２はカットオフ状態にある。したがって、駆動トランジスタ２２にドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは流れない。
【００７１】
（信号書込み＆移動度補正期間）
次に、時刻ｔ１５で、図６（Ｂ）に示すように、信号線３３の電位が基準電位Ｖｏｆｓから映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに切り替わる。続いて、時刻ｔ１６で、走査線３１の電位ＷＳが高電位側に遷移することで、図６（Ｃ）に示すように、書込みトランジスタ２３が導通状態になって映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇをサンプリングして画素２０内に書き込む。
【００７２】
この書込みトランジスタ２３による信号電圧Ｖｓｉｇの書込みにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが信号電圧Ｖｓｉｇとなる。そして、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが保持容量２４に保持された閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧と相殺される。この閾値キャンセルの原理の詳細については後述する。
【００７３】
このとき、有機ＥＬ素子２１はカットオフ状態（ハイインピーダンス状態）にある。したがって、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに応じて電源供給線３２から駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）は有機ＥＬ素子２１の等価容量２５に流れ込み、当該等価容量２５の充電が開始される。
【００７４】
有機ＥＬ素子２１の等価容量２５の充電により、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが時間の経過と共に上昇していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきがキャンセルされており、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは当該駆動トランジスタ２２の移動度μに依存したものとなる。駆動トランジスタ２２の移動度μは、当該駆動トランジスタ２２のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度μである。
【００７５】
ここで、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに対する保持容量２４の保持電圧Ｖｇｓの比率、即ち書込みゲインＧが１（理想値）であると仮定する。すると、駆動トランジスタ２２のソース電位ＶｓがＶｏｆｓ−Ｖｔｈ＋ΔＶの電位まで上昇することで、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶとなる。
【００７６】
すなわち、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは、保持容量２４に保持された電圧（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ）から差し引かれるように、換言すれば、保持容量２４の充電電荷を放電するように作用し、負帰還がかけられたことになる。したがって、ソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは負帰還の帰還量となる。
【００７７】
このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じた帰還量ΔＶでゲート‐ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかけることで、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消すことができる。この打ち消す処理が、駆動トランジスタ２２の移動度μの画素ごとのばらつきを補正する移動度補正処理である。
【００７８】
より具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる映像信号の信号振幅Ｖｉｎ（＝Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）が高いほどドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなるために、負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなる。したがって、発光輝度レベルに応じた移動度補正処理が行われる。
【００７９】
また、映像信号の信号振幅Ｖｉｎを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなるために、画素ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。したがって、負帰還の帰還量ΔＶは移動度補正の補正量とも言える。移動度補正の原理の詳細については後述する。
【００８０】
（発光期間）
次に、時刻ｔ１７で走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、図６（Ｄ）に示すように、書込みトランジスタ２３が非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電極は、信号線３３から電気的に切り離されるためにフローティング状態になる。
【００８１】
ここで、駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態にあるときは、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間に保持容量２４が接続されていることにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの変動に連動してゲート電位Ｖｇも変動する。このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇがソース電位Ｖｓの変動に連動して変動する動作が、保持容量２４によるブートストラップ動作である。
【００８２】
駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態になり、それと同時に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、当該電流Ｉｄｓに応じて有機ＥＬ素子２１のアノード電位が上昇する。
【００８３】
そして、有機ＥＬ素子２１のアノード電位がＶｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔｈを越えると、有機ＥＬ素子２１に駆動電流が流れ始めるため有機ＥＬ素子２１が発光を開始する。また、有機ＥＬ素子２１のアノード電位の上昇は、即ち駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇に他ならない。駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇すると、保持容量２４のブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇも連動して上昇する。
【００８４】
このとき、ブートストラップゲインが１（理想値）であると仮定した場合、ゲート電位Ｖｇの上昇量はソース電位Ｖｓの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶで一定に保持される。そして、時刻ｔ１８で信号線３３の電位が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇから基準電位Ｖｏｆｓに切り替わる。
【００８５】
以上説明した一連の回路動作において、閾値補正準備、閾値補正、信号電圧Ｖｓｉｇの書込み（信号書込み）および移動度補正の各処理動作は、１水平走査期間（１Ｈ）において実行される。また、信号書込みおよび移動度補正の各処理動作は、時刻ｔ６−ｔ７の期間において並行して実行される。
【００８６】
なお、ここでは、閾値補正処理を１回だけ実行する駆動法を採る場合を例に挙げて説明したが、この駆動法は一例に過ぎず、この駆動法に限られるものではない。例えば、閾値補正処理を移動度補正および信号書込み処理と共に行う１Ｈ期間に加えて、当該１Ｈ期間に先行する複数の水平走査期間に亘って分割して複数回実行する、いわゆる分割閾値補正を行う駆動法を採ることも可能である。
【００８７】
この分割閾値補正の駆動法を採用することにより、高精細化に伴う多画素化によって１水平走査期間に割り当てられる時間が短くなったとしても、閾値補正期間として複数の水平走査期間に亘って十分な時間を確保することができるために、閾値補正処理を確実に行うことができる。
【００８８】
〔閾値キャンセルの原理〕
ここで、駆動トランジスタ２２の閾値キャンセル（即ち、閾値補正）の原理について説明する。駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。これにより、有機ＥＬ素子２１には駆動トランジスタ２２から、次式（１）で与えられる一定のドレイン−ソース間電流（駆動電流）Ｉｄｓが供給される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2     ……（１）
ここで、Ｗは駆動トランジスタ２２のチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘは単位面積当たりのゲート容量である。
【００８９】
図７に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ対ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの特性を示す。
【００９０】
この特性図に示すように、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきに対するキャンセル処理を行わないと、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ１のとき、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ１になる。
【００９１】
これに対して、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ２（Ｖｔｈ２＞Ｖｔｈ１）のとき、同じゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ２（Ｉｄｓ２＜Ｉｄｓ）になる。すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定であってもドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動する。
【００９２】
一方、上記構成の画素（画素回路）２０では、先述したように、発光時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶである。したがって、これを式（１）に代入すると、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、次式（２）で表される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ−ΔＶ）2 
……（２）
【００９３】
すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に供給されるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに依存しない。その結果、駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化により、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが画素ごとに変動したとしても、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動しないために、有機ＥＬ素子２１の発光輝度を一定に保つことができる。
【００９４】
〔移動度補正の原理〕
次に、駆動トランジスタ２２の移動度補正の原理について説明する。図８に、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に大きい画素Ａと、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に小さい画素Ｂとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ２２をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Ａや画素Ｂのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。
【００９５】
画素Ａと画素Ｂで移動度μにばらつきがある状態で、駆動トランジスタ２２のゲート電極に例えば両画素Ａ，Ｂに同レベルの信号振幅Ｖｉｎ（＝Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）を書き込んだ場合を考える。この場合、何ら移動度μの補正を行わないと、移動度μの大きい画素Ａに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１′と移動度μの小さい画素Ｂに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２′との間には大きな差が生じてしまう。このように、移動度μの画素ごとのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに画素間で大きな差が生じると、画面のユニフォーミティが損なわれる。
【００９６】
ここで、先述した式（１）のトランジスタ特性式から明らかなように、移動度μが大きいとドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなる。したがって、負帰還における帰還量ΔＶは移動度μが大きくなるほど大きくなる。図８に示すように、移動度μの大きな画素Ａの帰還量ΔＶ１は、移動度の小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて大きい。
【００９７】
そこで、移動度補正処理によって駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じた帰還量ΔＶでゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかけることにより、移動度μが大きいほど負帰還が大きくかかることになる。その結果、移動度μの画素ごとのばらつきを抑制することができる。
【００９８】
具体的には、移動度μの大きな画素Ａで帰還量ΔＶ１の補正をかけると、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ１′からＩｄｓ１まで大きく下降する。一方、移動度μの小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ２は小さいために、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ２′からＩｄｓ２までの下降となり、それ程大きく下降しない。結果的に、画素Ａのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１と画素Ｂのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２とはほぼ等しくなるために、移動度μの画素ごとのばらつきが補正される。
【００９９】
以上をまとめると、移動度μの異なる画素Ａと画素Ｂがあった場合、移動度μの大きい画素Ａの帰還量ΔＶ１は移動度μの小さい画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて大きくなる。つまり、移動度μが大きい画素ほど帰還量ΔＶが大きく、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの減少量が大きくなる。
【０１００】
したがって、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じた帰還量ΔＶで、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかけることで、移動度μの異なる画素のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの電流値が均一化される。その結果、移動度μの画素ごとのばらつきを補正することができる。すなわち、駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）に応じた帰還量ΔＶで、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかける処理が移動度補正処理となる。
【０１０１】
ここで、図２に示した画素（画素回路）２０において、閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと駆動トランジスタ２２のドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係について図９を用いて説明する。
【０１０２】
図９において、（Ａ）は閾値補正および移動度補正を共に行わない場合、（Ｂ）は移動度補正を行わず、閾値補正のみを行った場合、（Ｃ）は閾値補正および移動度補正を共に行った場合をそれぞれ示している。図９（Ａ）に示すように、閾値補正および移動度補正を共に行わない場合には、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに画素Ａ，Ｂ間で大きな差が生じることになる。
【０１０３】
これに対し、閾値補正のみを行った場合は、図９（Ｂ）に示すように、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓのばらつきをある程度低減できるものの、移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの差は残る。そして、閾値補正および移動度補正を共に行うことで、図９（Ｃ）に示すように、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの差をほぼ無くすことができる。したがって、どの階調においても有機ＥＬ素子２１の輝度ばらつきは発生せず、良好な画質の表示画像を得ることができる。
【０１０４】
また、図２に示した画素２０は、閾値補正および移動度補正の各補正機能に加えて、先述した保持容量２４によるブートストラップ動作の機能を備えていることで、次のような作用効果を得ることができる。
【０１０５】
すなわち、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性の経時変化に伴って駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが変化したとしても、保持容量２４によるブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電位Ｖｇｓを一定に維持することができる。したがって、有機ＥＬ素子２１に流れる電流は変化せず一定となる。その結果、有機ＥＬ素子２１の発光輝度も一定に保たれるために、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が経時変化したとしても、それに伴う輝度劣化のない画像表示を実現できる。
【０１０６】
［１−３．電源電位ＤＳの切り替えに伴う不具合］
上述した回路動作の説明から明らかなように、画素２０が２つのトランジスタ２２，２３を用いて構成されてなる有機ＥＬ表示装置１０では、電源電位ＤＳを低電位Ｖｉｎｉに切り替えることにより駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓを初期化するようにしている。この電源電位ＤＳの切り替えに伴って発生する不具合について以下に具体的に説明する。
【０１０７】
前にも述べたように、一般的に、トランジスタのドレイン領域とソース領域との間に寄生容量Ｃｄｓが付き、駆動トランジスタ２２にあっても同様である。特に、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１に電流を流して当該有機ＥＬ素子２１を駆動するトランジスタであるために、外部からの電位の飛び込みを防ぐ構造が採られる。具体的には、図１０に示すように、駆動トランジスタ２２は、チャネル領域２２１のゲート電極２２２と反対側を、ソース領域２２３と電気的に接続されたシールド材２２４によってシールドしたソースシールド構造となっている。
【０１０８】
このように、外部からの電位の飛び込みを防ぐためにソースシールド構造を採る駆動トランジスタ２２の場合、ドレイン領域２２５とソース領域２２３との間にシールド材２２４を介して寄生容量Ｃｄｓが特に付き易い。
【０１０９】
この駆動トランジスタ２２に付く寄生容量Ｃｄｓは、次式（３）から明らかなように、閾値補正に当たって、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを閾値電圧Ｖｔｈに収束させる際の駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの変化に影響を及ぼす。
【０１１０】
駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓの上昇分をΔＶｄｓ、保持容量２４の容量値をＣｓ、有機ＥＬ素子２１の等価容量２５の容量値をＣｏｌｅｄとすると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの変化量ΔＶｓは次式（３）で与えられる。
ΔＶｓ＝ΔＶｄｓ×｛Ｃｄｓ／（Ｃｓ＋Ｃｏｌｅｄ＋Ｃｄｓ）      ……（３）
【０１１１】
すなわち、閾値補正開始時（図４の時刻ｔ１３）に電源供給線３２の電位（電源電位）ＤＳが低電位Ｖｉｎｉから高電位Ｖｃｃｐに切り替わる際の変化分をΔＶｄｓとすると、この変化分ΔＶｄｓが駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓの上昇分となる。そして、この閾値補正開始時の駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓの上昇分ΔＶｄｓがソース電位Ｖｓの変化量ΔＶｓとなる。
【０１１２】
一方、表示画像の高精細化に伴って画素２０の微細化が進むと、保持容量２４の容量値Ｃｓや有機ＥＬ素子２１の等価容量２５の容量値Ｃｏｌｅｄが小さくなる。このように、画素２０の微細化によって保持容量２４や有機ＥＬ素子２１の等価容量２５の容量値が減少すると、式（３）から明らかなように、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの変化量ΔＶｓに対する駆動トランジスタ２２の寄生容量Ｃｄｓの影響が大きくなる。
【０１１３】
特に、画素の微細化に伴って有機ＥＬ素子２１の等価容量２５の容量値Ｃｏｌｅｄが小さくなり、発光エリアが小さくなると、小さくなる前と同じ発光輝度を得るためには、駆動トランジスタ２２を通して大きな電流を有機ＥＬ素子２１に流す必要が生じる。すなわち、小さい画素ほど大きな電流を流す必要があるため、当該画素の駆動トランジスタ２２のサイズを大きくせざるを得なくなる。その結果、駆動トランジスタ２２の寄生容量Ｃｄｓが大きくなるため、当該寄生容量Ｃｄｓのソース電位Ｖｓの変化量ΔＶｓに対する影響が大きくなる。
【０１１４】
そして、駆動トランジスタ２２の寄生容量Ｃｄｓの影響によって次のような不具合が発生する。具体的には、前にも述べたように、電源電位ＤＳが低電位Ｖｉｎｉから高電位Ｖｃｃｐに切り替わる際に、その電位変化が駆動トランジスタ２２の寄生容量Ｃｄｓを介して駆動トランジスタ２２のソース電極に飛び込む。
【０１１５】
すると、図１１のタイミング波形図に示すように、その寄生容量Ｃｄｓを介しての飛び込みにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇する。そして、ソース電位Ｖｓの変動量（上昇量）ΔＶｓが大きくなると、閾値補正期間において駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈよりも小さくなる。
【０１１６】
このように、駆動トランジスタ２２の寄生容量Ｃｄｓを介しての電位の飛び込みによりソース電位Ｖｓが上昇し、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈよりも小さくなると、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを閾値電圧Ｖｔｈに収束させるための処理が行えなくなる。その結果、表示品質の向上を目的とした閾値補正処理が行えない（破綻する）ことになる。
【０１１７】
この閾値補正処理の破綻が、電源電位ＤＳの切り替えに伴って発生する、駆動トランジスタ２２の寄生容量Ｃｄｓに起因する不具合である。この不具合を解消すべく為されたのが、以下に説明する本発明の第１，第２実施形態である。
【０１１８】
＜２．第１実施形態＞
（画素回路）
図１２は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａにおける画素２０の具体的な回路構成を示す回路図である。図１２において、図２と同等部分（対応する部分）には同一符号を付して示し、重複説明は省略する。また、図１２には、図面の簡略化のために、ある画素列におけるｉ−１行目、ｉ行目の画素２０ｉ−１，２０ｉを代表して示している。
【０１１９】
図１２に示すように、本実施形態の場合、有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３および保持容量２４に加えて、補助容量２６を有する構成となっている。補助容量２６は、有機ＥＬ素子２１の等価容量２５の補助として、当該有機ＥＬ素子２１の容量不足を補う作用を為す。
【０１２０】
具体的には、補助容量２６は、一端が有機ＥＬ素子２１のアノード電極（駆動トランジスタ２２のソース電極）に、他端が行走査方向における自行よりも前の他行、本例では前段の行に属する電源供給線３２（３２ｉ−１）にそれぞれ接続されている。ここで、前段の行ｉ−１は、自行ｉの駆動のときは発光状態にある。
【０１２１】
したがって、前段の行ｉ−１に属する電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１は変化せずに、高電位Ｖｃｃｐに固定された状態にある。このとき、補助容量２６は有機ＥＬ素子２１のアノード電極と固定電位（Ｖｃｃｐ）との間に接続された状態、即ち有機ＥＬ素子２１の等価容量２５に対して並列的に接続された状態にあるために、有機ＥＬ素子２１の等価容量２５の補助として作用する。
【０１２２】
（回路動作）
続いて、上記構成の画素２０ｉ−１，２０ｉを有する有機ＥＬ表示装置１０Ａの回路動作について、図１３のタイミング波形図を用いて説明する。図１３のタイミング波形図には、ｉ行目の駆動タイミングを示し、電源供給線３２の電位ＤＳとして、ｉ−１行目の電位ＤＳｉ−１とｉ行目の電位ＤＳｉとを示している。
【０１２３】
なお、閾値補正準備期間、閾値補正期間および信号書込み＆移動度補正期間における基本的な回路動作については、先述した図４のタイミング波形図に基づく回路動作の場合と同様である。本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａにおける回路動作の特徴部分は、閾値補正を開始する時刻ｔ１３、即ち電源供給線３２の電位ＤＳｉが低電位Ｖｉｎｉから高電位Ｖｃｃｐに切り替わるときの動作にある。
【０１２４】
具体的には、電源供給線３２ｉの電位ＤＳｉの低電位Ｖｉｎｉから高電位Ｖｃｃｐへの切り替え時に、先述したように、駆動トランジスタ２２の寄生容量Ｃｄｓを介しての電位の飛び込みによって駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが変動（上昇）する。この電源電位ＤＳｉの切り替え時（ｔ１３）に、電源供給走査回路５０は、前段の行ｉ−１に属する電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１を一時的に、高電位Ｖｃｃｐからあらかじめ定められた電圧ΔＤＳだけ変化させる（下げる）。
【０１２５】
ここで、電圧ΔＤＳだけ下げたときの電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１、即ちＶｃｃｐ−ΔＤＳの電位は、ｉ−１行目の有機ＥＬ素子２１の発光中の駆動トランジスタ２２の飽和領域での動作に対して影響を及ぼさない電位に設定される。すなわち、電圧ΔＤＳだけ下げたときの電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１をあらかじめ定められた電位（Ｖｃｃｐ−ΔＤＳ）に設定することで、電位ＤＳｉ−１の変化がｉ−１行目の有機ＥＬ素子２１の発光状態に何ら影響を及ぼさない。
【０１２６】
電源供給走査回路５０は、電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１を電圧ΔＤＳだけ下げた後、当該電位ＤＳｉ−１を所定の時定数をもって徐々に（緩やかに）元の高電位Ｖｃｃｐに戻す。その際、電源供給走査回路５０は、電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１を元の高電位Ｖｃｃｐに戻す動作を、下げた直後に開始するようにしても良いし、一定時間経過後に開始するようにしても良い。
【０１２７】
このように、時刻ｔ１３のタイミングで電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１を一時的に下げることで、その電位変化が補助容量２６を介して駆動トランジスタ２２のソース電極に飛び込む。この飛び込み（補助容量２６を介してのカップリング）により駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが変化する。このときソース電位Ｖｓが変化する方向は、電源供給線３２ｉの電位ＤＳｉの切り替え時に駆動トランジスタ２２の寄生容量Ｃｄｓを介しての電位の飛び込みによってソース電位Ｖｓが変化する方向と逆方向となる。
【０１２８】
すなわち、電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１の変化に伴って補助容量２６を介してのカップリングによる電位変化は、電源供給線３２ｉの電位ＤＳｉの切り替え時に駆動トランジスタ２２の寄生容量Ｃｄｓを介してのカップリングによるソース電位Ｖｓの変化を抑える方向に作用する。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈよりも小さくなるのが抑えられるため、閾値補正処理に当たって駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを閾値電圧Ｖｔｈに収束させる処理を実現できる。
【０１２９】
ここで、補助容量２６の容量値をＣｓｕｂとすると、当該補助容量２６を介してのカップリングによる飛び込み量（ソース電位Ｖｓの変化量）ΔＶｊは、次式（４）で与えられる。
ΔＶｊ＝ΔＤＳ×｛Ｃｓｕｂ／（Ｃｓ＋Ｃｓｕｂ＋Ｃｏｌｅｄ＋Ｃｄｓ）
……（４）
【０１３０】
因みに、先述した式（３）は、補助容量２６を持たない画素の場合の、電源電圧ＤＳの切り替え時における駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの変化量ΔＶｓである。補助容量２６を持つ画素の場合の変化量ΔＶｓは次式（５）で与えられる。
ΔＶｓ＝ΔＶｄｓ×｛Ｃｄｓ／（Ｃｓ＋Ｃｓｕｂ＋Ｃｏｌｅｄ＋Ｃｄｓ）
……（５）
【０１３１】
上述したように、電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１を一時的に電圧ΔＤＳだけ下げる動作を行うことで、閾値補正処理の開始時（ｔ１３）の駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの最終的な変化量ΔＶｏはΔＶｓ−ΔＶｊとなる。そして、最終的な変化量ΔＶｏがＶｇ−Ｖｔｈ−Ｖｉｎｉ以下（ΔＶｏ≦Ｖｇ−Ｖｔｈ−Ｖｉｎｉ）であれば、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを閾値電圧Ｖｔｈに収束させることができる。
【０１３２】
換言すれば、ΔＶｏ（＝ΔＶｓ−ΔＶｊ）≦Ｖｇ−Ｖｔｈ−Ｖｉｎｉなる条件を満足するように、補助容量２６の容量値Ｃｓｕｂと電源電位ＤＳを一時的に変化させる電圧ΔＤＳを設定することで、閾値補正処理の動作を正常に行うことができる。先述したように、電源電位ＤＳを一時的に変化させる電圧ΔＤＳにより、電源電位ＤＳを一時的に変化させるときの電位（Ｖｃｃｐ−ΔＤＳ）が決まる。
【０１３３】
（電源供給回路）
ところで、電源供給走査回路５０は、電源電位ＤＳを一時的に高電位Ｖｃｃｐから電位（Ｖｃｃｐ−ΔＤＳ）に変化させるということは、電源電位ＤＳとして高電位Ｖｃｃｐ、電位（Ｖｃｃｐ−ΔＤＳ）および低電位Ｖｉｎｉの３値を設定できるということである。以下では、電位（Ｖｃｃｐ−ΔＤＳ）を電位Ｖｍｉｄと呼ぶこととする。
【０１３４】
ここで、電源供給線３２の電位（電源電位）ＤＳとして、３値の電位Ｖｃｃｐ，Ｖｍｉｄ，Ｖｉｎｉを設定可能な電源供給走査回路５０の具体的な構成について説明する。
【０１３５】
図１４は、３値の電位Ｖｃｃｐ，Ｖｍｉｄ，Ｖｉｎｉを設定可能な電源供給走査回路５０の構成の一例を示すブロック図である。
【０１３６】
電源供給走査回路５０は、シフトレジスタ５１と波形整形論理回路５２とから構成されている。シフトレジスタ５１は、書込み走査回路４０（図１参照）による垂直走査に同期して、２つのタイミング信号Ｔ１，Ｔ２を画素行ごとに出力する。波形整形論理回路５２は、２つのタイミング信号Ｔ１，Ｔ２に基づいて３値の電位Ｖｃｃｐ，Ｖｍｉｄ，Ｖｉｎｉを適宜出力する。
【０１３７】
図１５は、波形整形論理回路５２の構成の一例を示す回路図である。本例に係る波形整形論理回路５２は、２つのＮＡＮＤ回路５２１，５２２と、２つのインバータ５２３，５２４と、２つのＰｃｈＭＯＳトランジスタ５２５，５２６と、１つのＮｃｈＭＯＳトランジスタ５２７とから構成されている。
【０１３８】
ＮＡＮＤ回路５２１は、入力端子ｉｎ１を介して入力されるタイミング信号Ｔ１を一方の入力とし、入力端子ｉｎ２を介して入力され、インバータ５２４で論理反転されるタイミング信号Ｔ２を他方の入力とする。ＮＡＮＡＤ回路５２２は、入力端子ｉｎ１を介して入力され、インバータ５２３で論理反転されるタイミング信号Ｔ１を一方の入力とし、入力端子ｉｎ２を介して入力され、インバータ５２４で論理反転されるタイミング信号Ｔ２を他方の入力とする。
【０１３９】
ＰｃｈＭＯＳトランジスタ５２５は、ＮＡＮＤ回路５２１の出力をゲート入力とし、当該出力がＬｏｗレベルのときに導通状態となって電源電位ＶＤＤ１を高電位Ｖｃｃｐとして出力端子ｏｕｔを通して出力する。ＰｃｈＭＯＳトランジスタ５２６は、ＮＡＮＤ回路５２２の出力をゲート入力とし、当該出力がＬｏｗレベルのときに導通状態となって電源電位ＶＤＤ２を電位Ｖｍｉｄとして出力端子ｏｕｔを通して出力する。ＮｃｈＭＯＳトランジスタ５２７は、タイミング信号Ｔ２をゲート入力とし、当該タイミング信号Ｔ２がＨｉｇｈレベルのときに導通状態となって電源電位ＶＳＳを低電位Ｖｉｎｉとして出力端子ｏｕｔを通して出力する。
【０１４０】
図１６に、タイミング信号Ｔ１，Ｔ２のタイミング関係を示す。先述したように、駆動対象である自行をｉ行とする。ｉ行目では、タイミング信号Ｔ１が常時Ｈｉｇｈレベルの状態にあり、閾値補正準備期間（ｔ１１−ｔ１３）でタイミング信号Ｔ２がＨｉｇｈレベルになる。これにより、ＮｃｈＭＯＳトランジスタ５２７が導通状態となるために、電源供給走査回路５０から電源電位ＶＳＳが低電位Ｖｉｎｉとして出力される。
【０１４１】
ｉ行目の閾値補正準備期間以外では、タイミング信号Ｔ２がＬｏｗレベルになる。これにより、ＰｃｈＭＯＳトランジスタ５２５が導通状態となるために、電源供給走査回路５０から電源電位ＶＤＤ１が高電位Ｖｃｃｐとして出力される。
【０１４２】
一方、自行よりも前の行、本例では前段のｉ−１行目では、タイミング信号Ｔ２が常時Ｌｏｗレベルの状態にあり、閾値補正の開始時刻ｔ１３でタイミング信号Ｔ１がＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに遷移することで、ＰｃｈＭＯＳトランジスタ５２６が導通状態になる。これにより、電源供給走査回路５０から電源電位ＶＤＤ２が電位Ｖｍｉｄ（＝Ｖｃｃｐ−ΔＤＳ）として出力される。
【０１４３】
＜３．第２実施形態＞
（画素回路）
続いて、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態に係る画素２０は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａにおける画素２０と同じ構成を採っている。すなわち、有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３および保持容量２４に加えて、有機ＥＬ素子２１の容量不足を補うための補助容量２６を有する構成となっている。
【０１４４】
補助容量２６は、一端が有機ＥＬ素子２１のアノード電極（駆動トランジスタ２２のソース電極）に、他端が行走査方向における自行よりも前の他行、本例では前段の行に属する電源供給線３２（３２ｉ−１）にそれぞれ接続されている。前にも述べたように、補助容量２６は、有機ＥＬ素子２１のアノード電極と固定電位（Ｖｃｃｐ）との間に接続されることで、有機ＥＬ素子２１の等価容量２５の補助として作用する。
【０１４５】
ただし、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａのように、電源供給線３２の電位ＤＳの高電位Ｖｃｃｐから低電位Ｖｉｎｉへの切り替えによって駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓを初期化する構成を採らない。したがって、電源供給線３２を駆動する電源供給走査回路５０は、電源電位ＤＳとして高電位Ｖｃｃｐと低電位Ｖｉｎｉの２値を設定しない。
【０１４６】
２値Ｖｃｃｐ，Ｖｉｎｉを設定しない代わりに、電源供給走査回路５０は、自行の閾値補正処理の実行に先立って、行走査方向における自行よりも前の他行、本例では前段の行に属する電源供給線３２の電位ＤＳをあらかじめ定められた電位に変化させる。以下に、具体的な回路動作について説明する。
【０１４７】
（回路動作）
図１７は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明に供するタイミング波形図である。図１７において、時刻ｔ２２〜時刻ｔ２７は、図４の時刻ｔ１３〜時刻ｔ１８にそれぞれ対応しており、時刻ｔ２２以降の閾値補正、信号書込み＆移動度補正および発光の各動作については図４に基づいて説明した各動作と同じである。
【０１４８】
駆動対象である自行をｉ行とするとき、ｉ行に属する電源供給線３２ｉの電位ＤＳｉの切り替えは行われず、高電位Ｖｃｃｐに固定の状態にある。そして、時刻ｔ２１以前は、前のフレームの発光期間となる。この発光期間では、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに応じた駆動電流Ｉｄｓが、電源供給線３２ｉから駆動トランジスタ２２を通して有機ＥＬ素子２１に供給される。よって、有機ＥＬ素子２１が駆動電流Ｉｄｓの電流値に応じた輝度で発光する。
【０１４９】
時刻ｔ２１になると、線順次走査の新しいフレーム（現フレーム）に入る。そして、前段の行ｉ−１に属する電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１が一時的に高電位Ｖｃｃｐから、あらかじめ定められた電圧ΔＤＳだけ変化する。具体的には、電源電位ＤＳｉ−１が高電位Ｖｃｃｐから電圧ΔＤＳだけ低い電位Ｖｍｉｄに変化する。
【０１５０】
ここで、高電位Ｖｃｃｐから電圧ΔＤＳだけ低い電位Ｖｍｉｄ、即ちあらかじめ定められた電位Ｖｍｉｄは、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓおよびゲート電位Ｖｇの各初期化電位間の電圧を、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈ以上の電圧に設定する電位である。そして、この電位Ｖｍｉｄは、ｉ−１行目の有機ＥＬ素子２１の発光中の駆動トランジスタ２２の飽和領域での動作に対して影響を及ぼさない電位に設定される。これにより、電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１の変化がｉ−１行目の有機ＥＬ素子２１の発光状態に何ら影響を及ぼさない。
【０１５１】
このように、時刻ｔ２１で電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１を一時的に、あらかじめ定められた電位Ｖｍｉｄに下げる動作を行うことで、その電位変化が補助容量２６を介して駆動トランジスタ２２のソース電極に飛び込む。
【０１５２】
これにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが、補助容量２６を介してカップリングを受けて下がる。このソース電位Ｖｓに対するカップリングによる飛び込み量ΔＶｊは、次式（６）で与えられる。
ΔＶｊ＝ΔＤＳ×｛Ｃｓｕｂ／（Ｃｓ＋Ｃｓｕｂ＋Ｃｏｌｅｄ＋Ｃｄｓ）
……（６）
【０１５３】
ここで、ゲート電位Ｖｇの初期化電位をＶｏｆｓとするとき、飛び込み量ΔＶｊがΔＶｊ≧発光期間中のＶｓ−（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）なる条件を満足するように、補助容量２６の容量値Ｃｓｕｂと電源電位ＤＳを一時的に変化させる電圧ΔＤＳを設定する。これにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくなる電位に初期化される。
【０１５４】
駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇの初期化については、時刻ｔ２１で走査線３１の電位ＷＳが低電位側から高電位側に遷移することによって行われる。すなわち、時刻ｔ２１では信号出力回路６０から信号線３３に対して基準電位Ｖｏｆｓが供給されているために、当該基準電位Ｖｏｆｓが書込みトランジスタ２３によって駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが基準電位Ｖｏｆｓに初期化される。
【０１５５】
そして、時刻ｔ２２で、電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１が高電位Ｖｃｃｐに戻るべく、電位Ｖｍｉｄから高電位Ｖｃｃｐに向けて所定の時定数をもって徐々に（緩やかに）上昇する。この電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１の制御は電源供給走査回路５０によって行われる。
【０１５６】
ここでは、電源供給走査回路５０は、電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１を元の高電位Ｖｃｃｐに戻す動作を、時刻ｔ２１から一定時間経過後の時刻２２で開始するようにしているが、時刻ｔ２１の直後に開始するようにしても良い。
【０１５７】
時刻ｔ２２で電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１が上昇を開始することで、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが初期化電位から、ゲート電位Ｖｇの初期化電位Ｖｏｆｓから閾値電圧Ｖｔｈを減じた電位に向けて上昇を開始する。この閾値補正処理により、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは最終的に閾値電圧Ｖｔｈに収束する。
【０１５８】
上述したように、自行ｉの閾値補正処理の実行に先立って、ｉ行よりも前の他行に属する電源供給線３２ｉ−１の電位ＤＳｉ−１をあらかじめ定められた電位Ｖｍｉｄに変化させることで、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓを初期化できる。すなわち、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のように、電源供給線３２の電位ＤＳを高電位Ｖｃｃｐと低電位Ｖｉｎｉで切り替えなくても、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの初期化を実現できる。
【０１５９】
そして、電源供給線３２の電位ＤＳの切り替えを行わないことで、駆動トランジスタ２２の寄生容量Ｃｄｓを介してのカップリングによる電位の飛び込は発生しない。したがって、当該カップリングによる駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの変化は発生しないために、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈよりも小さくなることはない。
【０１６０】
また、電源供給線３２の電位ＤＳを低電位Ｖｉｎｉに設定しないことで、有機ＥＬ素子２１に逆バイアスが印加されるストレス時間を極限まで短くすることができるために、有機ＥＬ素子２１の特性の経時劣化や滅点になることを防ぐことができる。
【０１６１】
ただし、電源供給線３２の電位ＤＳの切り替えを行わないことで、第１実施形態の場合のように有機ＥＬ素子２１の発光期間と非発光期間の割合、即ちデューティを制御することはできなくなる。その反面、有機ＥＬ素子２１の発光期間を、デューティ制御を行なう場合よりも長く設定できる利点がある。
【０１６２】
＜４．変形例＞
上記実施形態では、有機ＥＬ素子２１の駆動回路が、基本的に、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３の２つのトランジスタからなる画素構成の場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの画素構成への適用に限られるものではない。例えば、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇの初期化電位となる基準電位Ｖｏｆｓを専用に書き込むスイッチングトランジスタを有するなど、種々の画素構成のものが考えられる。
【０１６３】
また、上記実施形態では、画素２０の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではない。具体的には、本発明は、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子など、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子（発光素子）を用いた表示装置全般に対して適用可能である。
【０１６４】
＜５．適用例＞
以上説明した本発明による表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。一例として、図１８〜図２２に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなどの表示装置に適用することが可能である。
【０１６５】
このように、あらゆる分野の電子機器の表示装置として本発明による表示装置を用いることにより、各種の電子機器における表示画像の画質を改善できる。すなわち、先述した各実施形態の説明から明らかなように、本発明による表示装置は、電源供給線３２の電位ＤＳの切り替えの際に駆動トランジスタ２２の寄生容量Ｃｄｓを介してのカップリングによるソース電位Ｖｓの変化を抑えて、閾値補正処理を正確に行うことができる。したがって、本発明による表示装置を用いることで、各種の電子機器において高品質な表示画像を提供できる。
【０１６６】
本発明による表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部３０に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。なお、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。
【０１６７】
以下に、本発明が適用される電子機器の具体例について説明する。
【０１６８】
図１８は、本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。本適用例に係るテレビジョンセットは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明による表示装置を用いることにより作成される。
【０１６９】
図１９は、本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１７０】
図２０は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１７１】
図２１は、本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１７２】
図２２は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含んでいる。そして、ディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明による表示装置を用いることにより本適用例に係る携帯電話機が作製される。
【符号の説明】
【０１７３】
１０，１０Ａ…有機ＥＬ表示装置、２０（２０ｉ−１，２０ｉ）…画素、２１…有機ＥＬ素子、２２…駆動トランジスタ、２３…書込みトランジスタ、２４…保持容量、２５…有機ＥＬ素子の等価容量、２６…保持容量、３０…画素アレイ部、３１（３１−１〜３１−ｍ）…走査線、３２（３２−１〜３２−ｍ）…電源供給線、３３（３３−１〜３３−ｎ）…信号線、３４…共通電源供給線、４０…書込み走査回路、５０…電源供給走査回路、６０…信号出力回路、７０…表示パネル
【図１】
2011002747.tif 000003
【図２】
2011002747.tif 000004
【図３】
2011002747.tif 000005
【図４】
2011002747.tif 000006
【図５】
2011002747.tif 000007
【図６】
2011002747.tif 000008
【図７】
2011002747.tif 000009
【図８】
2011002747.tif 000010
【図９】
2011002747.tif 000011
【図１０】
2011002747.tif 000012
【図１１】
2011002747.tif 000013
【図１２】
2011002747.tif 000014
【図１３】
2011002747.tif 000015
【図１４】
2011002747.tif 000016
【図１５】
2011002747.tif 000017
【図１６】
2011002747.tif 000018
【図１７】
2011002747.tif 000019
【図１８】
2011002747.tif 000020
【図１９】
2011002747.tif 000021
【図２０】
2011002747.tif 000022
【図２１】
2011002747.tif 000023
【図２２】
2011002747.tif 000024