(57)【要約】【課題】シリコン融液が貯留される石英坩堝の開口部の変形を防止して、使用後の石英坩堝の再使用を可能とする坩堝開口部保持部材、この坩堝開口部保持部材を利用した単結晶シリコンの製造方法及び単結晶シリコンの製造装置を提供する。【解決手段】シリコン融液が貯留される石英坩堝２０の開口部の変形を防止する坩堝開口部保持部材６０であって、石英坩堝２０よりも高温強度の高い材料からなり、石英坩堝２０の側壁部の内周面に係止される係止部６３を備え、この係止部６３によって、石英坩堝２０の側壁部の開口端が内周側に倒れこむように変形することを防止する構成とされていることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン融液が貯留される石英坩堝の開口部の変形を防止する坩堝開口部保持部材であって、
前記石英坩堝よりも高温強度の高い材料からなり、前記石英坩堝の側壁部の内周面に係止される係止部を備え、この係止部によって、前記石英坩堝の側壁部の開口端が内周側に倒れこむように変形することを防止する構成とされていることを特徴とする坩堝開口部保持部材。
【請求項２】
少なくとも前記係止部が、炭化珪素で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の坩堝開口部保持部材。
【請求項３】
チャンバ内に配置された石英坩堝に貯留したシリコン融液にシードを浸漬し、前記シードを引き上げて単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造方法であって、
前記石英坩堝に請求項１または請求項２に記載の坩堝開口部保持部材を装着した状態で単結晶シリコンの引き上げを行い、
単結晶シリコンの引き上げが終了した後に、使用後の石英坩堝を再使用することを特徴とする単結晶シリコンの製造方法。
【請求項４】
使用後の前記石英坩堝の内周面に石英膜をコーティングした後に、シリコン融液を貯留する石英坩堝として再使用することを特徴とする請求項３に記載の単結晶シリコンの製造方法。
【請求項５】
チャンバ内に配置された石英坩堝にシリコンに貯留したシリコン融液にシードを浸漬し、前記シードを引き上げて単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造装置であって、
前記石英坩堝には、請求項１または請求項２に記載の坩堝開口部保持部材が装着されていることを特徴とする単結晶シリコンの製造装置。
【請求項６】
前記石英坩堝は、前記チャンバ内に配置された黒鉛坩堝に収容されており、この黒鉛坩堝の上端に前記坩堝開口部保持部材が配設され、前記係止部が前記石英坩堝の側壁部の内周面に係止される構成とされていることを特徴とする請求項５に記載の単結晶シリコンの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン融液が貯留される石英坩堝の開口部の変形を防止する坩堝開口部保持部材、この坩堝開口部保持部材を利用した単結晶シリコンの製造方法及び単結晶シリコンの製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境負荷の少ない発電方式として太陽電池モジュールを利用した発電が注目され、様々な分野で広く使用されている。このような太陽電池モジュールは、ｐｎ接合されたシリコンの半導体の板材からなるセルを複数備え、これらのセルが太陽電池用インターコネクタおよびバスバーによって電気的に接続された構成とされている。
このような太陽電池モジュールの普及に伴い、半導体の素材となる単結晶シリコンインゴットの需要が高まっている。
【０００３】
ここで、単結晶シリコンインゴットは、一般的にチョクラルスキー法により製造されている。チョクラルスキー法は、例えば特許文献１、２に示すように、高耐圧気密チャンバ内に配置した石英製の坩堝内に多結晶シリコンを入れて、石英坩堝内の多結晶シリコンを加熱溶融し、石英坩堝の上方に配置されたシードチャックにシード（種結晶）を取り付けるとともにこのシードを石英坩堝内のシリコン融液に浸漬し、シード及び石英坩堝を回転させながらシードを引き上げて単結晶シリコンを成長させるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２７８６９６号公報
【特許文献２】特開平０１−２９４６００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１、２に記載された単結晶シリコンの製造装置では、単結晶シリコンの引き上げが終了した時点において、長時間にわたって高温状態で保持されることにっより、石英坩堝の側壁部の開口端が内周側に倒れこみ、石英坩堝の開口部が大きく変形してしまうことが知られている。よって、次の単結晶シリコンの引き上げを行う際には、新規の石英坩堝に交換する必要があり、使用後の石英坩堝を廃棄処分していた。このため、単結晶シリコンの製造コストが増加してしまうととともに、単結晶シリコンの製造に伴う環境負荷が大きくなるといった問題があった。
【０００６】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、シリコン融液が貯留される石英坩堝の開口部の変形を防止して、使用後の石英坩堝の再使用を可能とする坩堝開口部保持部材、この坩堝開口部保持部材を利用した単結晶シリコンの製造方法及び単結晶シリコンの製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述の課題を解決するために、本発明に係る坩堝開口部保持部材は、シリコン融液が貯留される石英坩堝の開口部の変形を防止する坩堝開口部保持部材であって、前記石英坩堝よりも高温強度の高い材料からなり、前記石英坩堝の側壁部の内周面に係止される係止部を備え、この係止部によって、前記石英坩堝の側壁部の開口端が内周側に倒れこむように変形することを防止する構成とされていることを特徴としている。
【０００８】
この構成の坩堝開口部保持部材によれば、石英坩堝よりも高温強度の高い材料からなり、前記石英坩堝の側壁部の内周面に係止される係止部を備えており、この係止部によって前記石英坩堝の側壁部の開口端が内周側に倒れこむように変形することを防止する構成とされているので、長時間にわたって高温に保持された石英坩堝の開口部の変形を防止することが可能となり、使用後の石英坩堝の開口部を使用前と同様の形状に保持することができる。よって、使用後の石英坩堝を、再度使用することが可能となり、単結晶シリコンの製造コストの削減及び環境負荷の削減を図ることができる。
【０００９】
ここで、坩堝開口部保持部材においては、少なくとも前記係止部が炭化珪素で構成されていることが好ましい。
この場合、高温状況下においても係止部の剛性が確保され、石英坩堝の開口部の変形を確実に防止することができる。また、石英坩堝の内周側に配置される係止部が破損しにくくなるので、石英坩堝内に貯留されたシリコン融液内に不純物が混入することを防止でき、高品質の単結晶シリコンを製出することが可能となる。
【００１０】
本発明に係る単結晶シリコンの製造方法は、チャンバ内に配置された石英坩堝に貯留したシリコン融液にシードを浸漬し、前記シードを引き上げて単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造方法であって、前記石英坩堝に前述の坩堝開口部保持部材を装着した状態で単結晶シリコンの引き上げを行い、単結晶シリコンの引き上げが終了した後に、使用後の石英坩堝を再使用することを特徴としている。
【００１１】
この構成の単結晶シリコンの製造方法によれば、石英坩堝に前述の坩堝開口部保持部材を装着することによって単結晶シリコンの引き上げが終了した後における石英坩堝の開口部の変形を防止し、使用後の石英坩堝を再使用しているので、単結晶シリコンの製造コストを大幅に削減できる。また、従来、１回の使用のみで廃棄されていた石英坩堝を再利用することにより、単結晶シリコンの製造に伴う環境負荷の削減を図ることができる。
なお、石英坩堝内にシリコン融液が残存していた場合には、冷却過程において石英坩堝に割れが生じるおそれがあるため、単結晶シリコンの引き上げが終了した時点で石英坩堝内に残存したシリコン融液を除去することが好ましい。
【００１２】
ここで、使用後の前記石英坩堝の内周面に石英膜をコーティングした後に、シリコン融液を貯留する石英坩堝として再使用することが好ましい。
シリコン融液が長時間にわたって貯留されることにより、石英坩堝の内周面が劣化することになる。そこで、使用後の石英坩堝の内周面に石英膜をコーティングすることによって、新規の石英坩堝と同様に使用後の石英坩堝を使用することが可能となる。これにより、使用後の石英坩堝を再使用した場合であっても、高品質の単結晶シリコンを製出することができる。
【００１３】
本発明に係る単結晶シリコンの製造装置は、チャンバ内に配置された石英坩堝にシリコンに貯留したシリコン融液にシードを浸漬し、前記シードを引き上げて単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造装置であって、前記石英坩堝には、前述の坩堝開口部保持部材が装着されていることを特徴としている。
【００１４】
この構成の単結晶シリコンの製造装置によれば、単結晶シリコンの引き上げ終了後においても、石英坩堝の開口部が変形せず、この石英坩堝を再利用することができる。よって、低コストで単結晶シリコンを製出することができる。
【００１５】
ここで、前記石英坩堝は、前記チャンバ内に配置された黒鉛坩堝に収容されており、この黒鉛坩堝の上端に前記坩堝開口部保持部材が配設され、前記係止部が前記石英坩堝の側壁部の内周面に係止される構成とされていることが好ましい。
この場合、チャンバ内に坩堝開口部保持部材を配設しても、チャンバ内の他の部材と坩堝開口部保持部材とが干渉するおそれがなく、単結晶シリコンの引き上げを安定して行うことができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、シリコン融液が貯留される石英坩堝の開口部の変形を防止して、使用後の石英坩堝の再使用を可能とする坩堝開口部保持部材、この坩堝開口部保持部材を利用した単結晶シリコンの製造方法及び単結晶シリコンの製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態である坩堝開口部保持部材を備えた単結晶シリコンの製造装置を示す説明図である。
【図２】本発明の実施形態である坩堝開口部保持部材を装着した石英坩堝の拡大断面説明図である。
【図３】本発明の実施形態である坩堝開口部保持部材を装着した石英坩堝の上面図である。
【図４】本発明の実施形態である坩堝開口部保持部材を使用した単結晶シリコンの製造方法を示すフロー図である。
【図５】本発明の他の実施形態である坩堝開口部保持部材を装着した石英坩堝の上面図である。
【図６】本発明の他の実施形態である坩堝開口部保持部材を装着した石英坩堝の上面図である。
【図７】本発明の実施形態である坩堝開口部保持部材を備えた他の単結晶シリコンの製造装置を示す説明図である。
【図８】図７に示す単結晶シリコンの製造装置に備えられた残存シリコン融液吸引器の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施の形態について添付した図面を参照して説明する。
まず、本実施形態である坩堝開口部保持部材を備えた単結晶シリコンの製造装置について説明する。
図１に示す単結晶シリコンの製造装置１０においては、耐圧気密に構成されたチャンバ１１と、シリコン融液Ｍが貯留される石英坩堝２０と、この石英坩堝２０を支持する坩堝支持台２２と、石英坩堝２０を加熱する加熱ヒータ４０と、石英坩堝２０の周囲を包囲する保温筒部５０と、種結晶（シード）を保持するシードチャック２７と、このシードチャック２７を駆動するシードチャック駆動機構３０と、本実施形態である坩堝開口部保持部材６０と、を備えている。
【００１９】
チャンバ１１は、メインチャンバ１２と、メインチャンバ１２の上方に接続されたトップチャンバ１８と、トップチャンバ１８の上方に接続されたプルチャンバ１９とを備え、メインチャンバ１２は底部１３と底部１３に立設する筒状部１５とから構成され、中心部には石英坩堝２０が配置され、排気孔に図示しない真空ポンプが接続されてチャンバ１１内を減圧又は真空状態とすることが可能な構成とされている。
【００２０】
また、メインチャンバ１２の底部１３には、スピルトレイ１６が配置されていて、石英坩堝２０が破損してシリコン融液Ｍが流出することがあった場合に、シリコン融液Ｍが底部１３と直接接触して、チャンバ１１が破損するのを防止する構成とされている。
プルチャンバ１９は、略円筒形状に形成され、引き上げられた単結晶シリコンＴを収納する空間を有しており、トップチャンバ１８によってメインチャンバ１２と接続されている。
また、トップチャンバ１８には、チャンバ１１の内部と外部とを連通する連通孔部１８Ａが形成されており、この連通孔部１８Ａには蓋部材１８Ｂが装着されている。これにより、チャンバ１１内は気密状態に保持されることになる。
【００２１】
シードチャック２７は、その先端側がカーボンにより形成されたカーボンチャック部２８とされ、カーボンチャック部２８の先端面中央には、先端側から基端側に向かって孔が形成されており、孔にはシード（種結晶）Ｓが挿入されて、固定されている。
シードチャック２７は、基端側がワイヤＷに接続され、ワイヤＷがシードチャック駆動機構３０に接続されることにより、シードＳがメインチャンバ１２に対して相対的に回転及び昇降自在とされている。
【００２２】
シードチャック駆動機構３０は、プルチャンバ１９の上部に設けられ、ワイヤＷの基端側が接続されるとともに巻回されるプーリ３１と、ワイヤＷを回転軸線Ｏとしてプルチャンバ１９に対して相対的に回転可能とされる回転駆動部３２とを備えている。また、このプーリ３１を駆動させてワイヤＷを巻き取る引上駆動モータ３３と、回転駆動部３２を回転させる回転駆動モータ３４と、を備えており、プーリ３１がワイヤＷを巻き取ることによりシードチャック２７が昇降し、回転駆動部３２が回転することによりシードチャック２７が軸線Ｏ回りに回転するようになっている。
【００２３】
チャンバ１１内に配置された保温筒５０は、円筒状の黒鉛からなる内側保温筒５１と内側保温筒５１の外方に配置された円筒状の多孔質黒鉛からなる外側保温筒５２とを有している。この保温筒５０は、内側保温筒５１の内径と略同じ内径の孔が形成された円板状のロアリング５４に載置されるとともに上方には内側保温筒５１の内径と略同じ内径の孔が形成された円板状のアッパリング５５が配置されている。
また、保温筒部５０の上端にはアッパリング５５、アダプタ４７を介してフロー管４８が取り付けられている。このフロー管４８は、下端開口部より上端開口部が大径とされた逆円錐台形状の中空筒とされ、黒鉛またはＳｉＣにより形成されている。
【００２４】
保温筒５０の内周側には、円筒状をなす加熱ヒータ４０が配置されている。
この加熱ヒータ４０は、周方向の一部において、下方が電極継手４１にボルト４２で固定され、電極継手４１はスピルトレイ１６に形成された貫通孔に配置された黒鉛電極４３を介して図示しない電源と接続されている。
【００２５】
そして、円筒状をなす加熱ヒータ４０の内周側に、本実施形態である坩堝開口部保持部材６０が装着された石英坩堝２０が配設されている。
石英坩堝２０は、その凹部に単結晶シリコンの原料である塊状の多結晶シリコン（シリコン原料）を保持可能とするとともに多結晶シリコンが加熱、溶融されて生成したシリコン融液Ｍを貯留可能とされている。ここで、石英坩堝２０は、黒鉛坩堝２１に収納されている。
【００２６】
黒鉛坩堝２１は、坩堝支持台２２の上面に配置されたペディスタル２４に保持されることにより一体に組み合わせて形成されている。坩堝支持台２２はその支持軸２３がメインチャンバ１２の底部１３の中心部にて底部１３及びスピルトレイ１６を貫通して形成された貫通孔１４に挿入されており、支持軸２３に接続された駆動モータ２５によって、メインチャンバ１２に対して相対的に回転及び昇降が可能とされている。
【００２７】
ここで、石英坩堝２０が黒鉛坩堝２１に収容された状態においては、図１及び図２に示すように、石英坩堝２０の側壁部の上端が黒鉛坩堝２１から上方に突出するように構成されており、この突出した部分に、本実施形態である坩堝開口部保持部材６０が装着されている。
【００２８】
坩堝開口部保持部材６０は、図３に示すように、石英坩堝２０の開口部がなす円に沿った円環状をなしており、石英坩堝２０の側壁部の上端が挿入される環状溝６１が形成されている。この環状溝６１により、この坩堝開口部保持部材６０には、図２に示すように、石英坩堝２０の側壁部の外周面に密着させられる本体部６２と、石英坩堝２０の側壁部の内周面に係止される係止部６３と、本体部６２と係止部６３とを連結する連結部６４と、が画成されることになる。
【００２９】
係止部６３は、図２に示すように、石英坩堝２０の側壁部の内周面に密着させられることになり、石英坩堝２０の側壁部の開口端を径方向外方に向けて押圧する構成とされている。
そして、本実施形態では、図２に示すように、黒鉛坩堝２１の上端に本体部６２が位置するようにして、坩堝開口部保持部材６０が配設されている。また、石英坩堝２０の内周側に配置される係止部６３を含めて坩堝開口保持部材６０の全体が、石英坩堝２０よりも高温強度が高い材料である炭化珪素で構成されている。
【００３０】
次に、単結晶シリコンの製造装置１０を用いた単結晶シリコンの製造方法について、図４に示すフロー図を用いて説明する。
まず、石英坩堝２０内に原料となる塊状の多結晶シリコンを充填する（シリコン原料充填工程Ｓ１）。多結晶シリコンが充填された石英坩堝２０を移送して、黒鉛坩堝２１内に収容するとともに石英坩堝２０の上端に坩堝開口保持部材６０を装着する（石英坩堝装着工程Ｓ２）。
【００３１】
次に、加熱ヒータ４０で石英坩堝２０を加熱して石英坩堝２０内の多結晶シリコンを溶解して１４２０℃のシリコン融液Ｍとし、シードＳを浸漬する部分近傍のシリコン融液Ｍを過冷却状態とする（シリコン溶融工程Ｓ３）。
そして、カーボンチャック部２８にシードＳを挿入して固定し、シードチャック駆動機構３０を駆動して、シードチャック２７を下降させてシードＳをシリコン融液Ｍに浸漬し、シードＳをシリコン融液Ｍになじませる（シード浸漬工程Ｓ４）。
【００３２】
シードＳがシリコン融液Ｍになじんだら、シードチャック２７を、例えば５ｒｐｍから２０ｒｐｍで平面視右回転させながら、０．５ｍｍ／分から３．５ｍｍ／分の速度で上昇させて、単結晶シリコンＴを成長させることにより、断面円形をなす単結晶シリコンＴを成長させる（引き上げ工程Ｓ５）。なお、この引き上げ工程Ｓ５においては、石英坩堝２０を例えば０．１ｒｐｍから５ｒｐｍで平面視左回転させている。
【００３３】
そして、単結晶シリコンＴの引き上げが終了した後には、単結晶シリコンＴを取り出して、次の単結晶シリコンの製造準備を行う。
まず、チャンバ１１内にガスを導入して大気圧とし、トップチャンバ１８に設けられた連通孔部１８Ａに装着された蓋部材１８Ｂを外して、連通孔部１８Ａを通じて石英坩堝２０内に残存したシリコン融液を、図示しない吸引装置によって吸引除去する（残存シリコン融液除去工程Ｓ６）。
【００３４】
次に、使用後の石英坩堝２０を取り出し、使用後の石英坩堝２０の内周面に石英膜をコーティングする（石英膜コーティング工程Ｓ７）。
そして、石英膜をコーティングした石英坩堝２０に、原料となる多結晶シリコンを充填し、次の単結晶シリコンの引き上げの準備を行う。
【００３５】
以上のような構成とされた本実施形態である坩堝開口保持部材６０を使用した単結晶シリコンの製造方法及び単結晶シリコンの製造装置１０によれば、石英坩堝２０に、石英坩堝２０の側壁部の内周面に係止される係止部６３を備えた坩堝開口部保持部材６０が装着されているので、単結晶シリコンＴの引き上げ終了後においても、石英坩堝２０の開口部が内周側に倒れこむように変形することがなく、使用後の石英坩堝２０の開口部を使用前と同様の形状に保持することができ、使用後の石英坩堝２０を再度使用することができる。よって、単結晶シリコンの製造コストの削減及び環境負荷の削減を図ることができる。
【００３６】
また、坩堝開口部保持部材６０においては、石英坩堝２０の内周側に配置される係止部６３を含めて坩堝開口保持部材６０の全体が、石英坩堝２０よりも高温強度が高い材料である炭化珪素で構成されているので、１４００℃を超えるような高温状況下においても、係止部６３を含めた坩堝開口保持部材６０全体の剛性が確保され、石英坩堝２０の開口部の変形を確実に防止することができる。また、石英坩堝２０の内周側に配置される係止部６３が破損しにくく、石英坩堝２０内に貯留されたシリコン融液Ｍ内に不純物が混入することを防止でき、高品質の単結晶シリコンＴを製出することができる。
【００３７】
さらに、本実施形態では、石英坩堝２０が黒鉛坩堝２１に収容されており、収容状態において、石英坩堝２０の側壁部の上端が黒鉛坩堝２１から上方に突出するように構成され、黒鉛坩堝２１の上端に本体部６２が位置するようにして、坩堝開口部保持部材６０が配設されているので、石英坩堝２０に装着した坩堝開口部保持部材６０が、シードＳ及びシードチャック２７、フロー管４８等と干渉するおそれがなく、単結晶シリコンＴの引き上げを安定して行うことができる。
【００３８】
また、使用後の石英坩堝２０の内周面に石英膜をコーティングする石英膜コーティング工程Ｓ７を備えているので、使用によって劣化した石英坩堝２０の内周面に新たな石英膜を形成することにより、新規の石英坩堝と同様に使用後の石英坩堝２０を使用することが可能となる。これにより、使用後の石英坩堝２０を再使用した場合であっても、高品質の単結晶シリコンＴを製出することができる。
【００３９】
さらに、本実施形態では、トップチャンバ１８に設けられた連通孔部１８Ａを通じて石英坩堝２０内に残存したシリコン融液を、図示しない吸引装置によって吸引除去する残存シリコン融液除去工程Ｓ６を備えているので、冷却過程において石英坩堝２０に割れが発生することを抑制でき、石英坩堝２０を確実に再利用することができる。
【００４０】
以上、本発明の一実施形態である坩堝開口部保持部材、この坩堝開口部保持部材を用いた単結晶シリコンの製造方法及び製造装置について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、環状溝を有し、この環状溝に石英坩堝の側壁部の上端が挿入される構成として説明したが、これに限定されることはなく、例えば図５に示すように、石英坩堝２０の外周側に円環状の本体部１６２が設けられ、この本体部１６２から円周方向において分割された複数の連結部１６４及び係止部１６３が突設された坩堝開口部保持部材１６０であってもよい。
【００４１】
また、図６に示すように、石英坩堝２０の外周側に本体部２６２が円周方向に分割されて配置されており、石英坩堝２０の内周側に位置する係止部２６３が円環状をなすように構成された坩堝開口部保持部材２６０であってもよい。
さらに、坩堝開口部保持部材全体を炭化珪素で構成したものとして説明したが、これに限定されることはなく、坩堝開口部保持部材を構成する材料は、石英坩堝よりも高温強度が高い材料であればよい。
また、チャンバ、シードチャック及びシードチャック駆動機構の構成は、本実施形態に記載されたものに限定されることはなく、適宜設計変更してもよい。
【００４２】
さらに、残存シリコン融液除去工程において、チャンバの外部から吸引装置を用いて石英坩堝内のシリコン融液を除去するものとして説明したが、これに限定されることはなく、例えば図７及び図８に示す残存シリコン融液吸引器７０を用いてシリコン融液を吸引除去してもよい。この残存シリコン融液吸引器７０は、ノズル部７３が石英坩堝２０内の残存シリコン融液内に浸漬されるように配置しておき、チャンバ１１に不活性ガスであるアルゴンガス等を導入することにより、チャンバ１１内と残存シリコン融液吸引器７０の貯留空間７１との間に差圧を生じさせ、この差圧によって残存シリコン融液を吸引除去するものである。
【００４３】
さらに、図２において、係止部６３は、石英坩堝２０の内径よりも径方向内方に突出した構造としたが、これに限定されることはなく、石英坩堝２０の上端を内周面から径方向外方に向けて傾斜をつけ、合わせ構造として石英坩堝２０の内周面に一致するように構成することもできる。これによって、石英坩堝２０の上部にシリコンの蒸発物の付着を低減することが可能となる（図示なし）。また、黒鉛坩堝２１の上部を係止部６３と嵌め合いとして、石英坩堝２０及び黒鉛坩堝２１の上部のズレを防止することもできる（図示なし）。
【符号の説明】
【００４４】
１０  単結晶シリコンの製造装置
１１  チャンバ
２０  石英坩堝
２１  黒鉛坩堝
６０、１６０、２６０  坩堝開口部保持部材
６３、１６３、２６３  係止部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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