(57)【要約】【課題】半導体基板上に形成された酸化膜等の絶縁膜や金属膜等を化学的機械的研磨する際などにおいて特に有用な研磨パッドであって、高い研磨速度が得られ、研磨均一性および平坦化性能にも優れる研磨パッドを提供すること。【解決手段】研磨層１の研磨側表面１ａに、放射溝２と同心円溝３とを設ける。放射溝２と同心円溝３との交差部分が放射溝２に属するものであるとして、下記条件（Ａ）および（Ｂ）を満たすように、放射溝２と同心円溝３とを形成し、研磨パッドとする。  （Ａ）研磨側表面において、放射溝の面積（ｓ１）と同心円溝の面積（ｓ２）との和（ｓ１＋ｓ２）に占める、放射溝の面積（ｓ１）の割合が、８〜１７％である。  （Ｂ）研磨側表面において、該研磨側表面の面積（Ｓ）に占める、放射溝の面積（ｓ１）と同心円溝の面積（ｓ２）との和（ｓ１＋ｓ２）の割合が、１８〜２５％である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも研磨層を有する研磨パッドであって、
研磨層の研磨側表面には、放射溝と同心円溝とが、中心を共有しかつ互いに交差するように開口しており、
放射溝と同心円溝との交差部分が放射溝に属するものであるとして、これら放射溝と同心円溝とが、下記条件（Ａ）および（Ｂ）を満たすことを特徴とする研磨パッド。
（Ａ）研磨側表面において、放射溝の面積（ｓ１）と同心円溝の面積（ｓ２）との和（ｓ１＋ｓ２）に占める、放射溝の面積（ｓ１）の割合が、８〜１７％である。
（Ｂ）研磨側表面において、該研磨側表面の面積（Ｓ）に占める、放射溝の面積（ｓ１）と同心円溝の面積（ｓ２）との和（ｓ１＋ｓ２）の割合が、１８〜２５％である。
【請求項２】
放射溝の幅が０．２〜１．５ｍｍであり、同心円溝の幅が０．２〜３．５ｍｍである、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
隣接する同心円溝同士の間に同心円状に存在する凸部の、上面の半径方向の長さが、２〜１０ｍｍである、請求項１または２に記載の研磨パッド。
【請求項４】
研磨層が無発泡構造である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨パッド。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の研磨パッドを用い、半導体基板上に形成された絶縁膜および配線材料のいずれか一方または両方を研磨することを特徴とする、研磨方法。
【請求項６】
半導体基板上に形成された絶縁膜および配線材料のいずれか一方または両方を、研磨パッド上に研磨スラリーを流しながら研磨し、その際に、
研磨スラリーの流量（ｆ）と、研磨パッドの研磨層に形成された放射溝の溝内容積（ｖ）との比（ｆ／ｖ）が下記式（Ｃ）を満たす請求項５に記載の研磨方法。
（Ｃ）２０≦（ｆ／ｖ）≦１００
（ただし、上記式（Ｃ）における、ｆの単位は〔ｃｍ３／ｍｉｎ〕であり、ｖの単位は〔ｃｍ３〕である。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ等を研磨する際に有用な研磨パッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハを鏡面加工したり、半導体デバイス製造時に絶縁膜や導電体膜の凹凸を平坦化加工したりする際に用いられる研磨パッドとしては、不織布にポリウレタン樹脂を含浸させた比較的軟質の研磨パッドや、発泡ポリウレタンからなる研磨パッドなどが使用されている（例えば、特許文献１〜７等を参照）。
【０００３】
前記のような研磨パッドのうち、半導体デバイス製造用途においては、研磨対象物上の研磨すべき部分である凸部の研磨速度（磨耗していく速度）をより大きくし、一方、研磨すべきべきでない部分である凹部の研磨速度をより小さくして、研磨対象物を平坦化する性能が求められる。
このような平坦化への要求に応じるべく、従来は、一般的に、発泡ポリウレタンからなる比較的硬質の研磨パッドが採用されている。
【０００４】
研磨されるウェハ表面に研磨スラリーを均一かつ十分に供給することを目的として、また、ウェハ表面にスクラッチを発生させる原因となる研磨屑を排出することを目的として、さらには、研磨パッドが吸着してウェハが破損するのを防止することなどを目的として、前記のような発泡ポリウレタンからなる研磨パッドの研磨側表面には、通常、溝や穴が形成されている（例えば、上記特許文献１〜７等を参照）。
【０００５】
しかしながら、研磨パッドの表面に単独の溝や穴を形成した構成では、上記の目的を全て満たすことが困難である。
先ず、研磨パッド表面に溝を形成した構成、とりわけ、その溝の形成パターンが同心円状である場合には、研磨パッド表面での研磨スラリーの流動性が低いために、新しい研磨スラリーを均一に供給できず、ウェハの各地点同士の間の研磨均一性（ウェハの各地点の磨耗速度にバラツキがない性能を示すウェハの各地点において研磨速度にバラツキを生じさせない性質）が低下する傾向がある。
また、同心円状の溝の場合には、研磨屑の排出性が低いためにウェハ表面にスクラッチが発生しやすく、これを抑制するために低圧高速回転の条件で研磨を行うと、パッドとウェハとの間が流体潤滑となりやすく、研磨速度が低下したり、研磨均一性がさらに低下したりし易い。
一方、格子状単独の溝や放射状単独の溝では、研磨パッド表面での研磨スラリーの流動性は高いものの、排出性も高いため、ウェハ表面に十分な量の研磨スラリーを供給することが困難となり、研磨速度や研磨均一性が低下し易い。これを改善するために研磨スラリーの供給量を増やすと、ランニングコストが高くなってしまう。また、研磨速度を改善するために研磨パッドの回転数を上げた場合には、研磨スラリーの排出性も高くなってしまい、研磨速度がかえって低下することもある。
一方、研磨パッド表面に穴を形成した場合は、同心円状の溝の場合と同様に、研磨パッド上での研磨スラリーの流動性が劣るため、ウェハ表面への研磨スラリーの供給性が低下して研磨速度や研磨均一性が低下し易い。その上、研磨屑の排出性が低いためウェハ表面にスクラッチが発生し易い。
【０００６】
上記の問題を解決するため、同心円状の溝と放射状の溝とを併用することも行われているが（上記特許文献２〜４、６および７を参照）、上記した課題の全てを満足できていない。
特許文献２に記載の発明では、同心円状の溝と放射状の溝とによって区切られた扇形を
した凸部の一辺の最大長さを１０ｍｍ以下としているため、放射溝の本数や面積が多くなって研磨スラリーの排出性が高過ぎるために、ウェハ表面への研磨スラリーの供給性が不足し、研磨速度や研磨均一性が低下し易い。
特許文献３および４に記載の発明では、好ましい範囲や実施例として記載されている溝では、研磨層における溝の面積の割合や同心円溝と放射溝の割合が必ずしも適切でなく、例えば、実施例に記載されている放射溝では、研磨スラリーの排出性が高過ぎるために、ウェハ表面への研磨スラリーの供給性が不足し、研磨速度や研磨均一性が低下し易い。
特許文献６および７では、それら文献の実施例において、パターンが無いウエハに対して良好な研磨特性を示すことが記載されているが、パターンを有するウエハの研磨に対しては必ずしも最適な溝形状ではない。特に研磨層が無発泡構造である場合にはスラリーを保持する気孔が存在しないため、特許文献６および７の実施例に記載の溝形状では、パッドとウエハの間の潤滑状態の制御が比較的困難であり、良好な研磨特性、とりわけ平坦化性能を発現しにくい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平７−３２１０７６号公報
【特許文献２】特開平１１−１５６６９９号公報
【特許文献３】特開２０００−２８６２１８号公報
【特許文献４】特開２０００−３５４９５２号公報
【特許文献５】特開２００４−３１４２１５号公報
【特許文献６】特開２００６−５３３９号公報
【特許文献７】特開２００７−２０１４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、高い研磨速度が得られ、研磨均一性および平坦化性に優れ、スクラッチの発生も少ないなど、優れた研磨性能を有する研磨パッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成すべく本発明者らは鋭意検討を重ねてきた。その結果、特定の放射溝および同心円溝が形成された研磨層を有する研磨パッドにより上記目的を達成することができることを見出し、その知見に基づいてさらに検討を重ねて本発明を完成させた。
【００１０】
本発明の主たる構成は、次のとおりである。
〔１〕少なくとも研磨層を有する研磨パッドであって、
研磨層の研磨側表面には、放射溝と同心円溝とが、中心を共有しかつ互いに交差するように開口しており、
放射溝と同心円溝との交差部分が放射溝に属するものであるとして、これら放射溝と同心円溝とが、下記条件（Ａ）および（Ｂ）を満たすことを特徴とする研磨パッド。
（Ａ）研磨側表面において、放射溝の面積（ｓ１）と同心円溝の面積（ｓ２）との和（ｓ１＋ｓ２）に占める、放射溝の面積（ｓ１）の割合が、８〜１７％である。
（Ｂ）研磨側表面において、該研磨側表面の面積（Ｓ）に占める、放射溝の面積（ｓ１）と同心円溝の面積（ｓ２）との和（ｓ１＋ｓ２）の割合が、１８〜２５％である。
〔２〕放射溝の幅が０．２〜１．５ｍｍであり、同心円溝の幅が０．２〜３．５ｍｍである、上記〔１〕に記載の研磨パッド。
〔３〕隣接する同心円溝同士の間に同心円状に存在する凸部の、上面の半径方向の長さが、２〜１０ｍｍである、上記〔１〕または〔２〕に記載の研磨パッド。
〔４〕研磨層が無発泡構造である、上記〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の研磨パッド。〔５〕上記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の研磨パッドを用い、半導体基板上に形成された絶縁膜および配線材料のいずれか一方または両方を研磨することを特徴とする、研磨方法。
〔６〕半導体基板上に形成された絶縁膜および配線材料のいずれか一方または両方を、研
磨パッド上に研磨スラリーを流しながら研磨し、その際に、
研磨スラリーの流量（ｆ）と、研磨パッドの研磨層に形成された放射溝の溝内容積（ｖ）との比（ｆ／ｖ）が下記式（Ｃ）を満たす、上記〔５〕に記載の研磨方法。
（Ｃ）２０≦（ｆ／ｖ）≦１００
（ただし、上記式（Ｃ）における、ｆの単位は〔ｃｍ３／ｍｉｎ〕であり、ｖの単位は〔ｃｍ３〕である。）
【発明の効果】
【００１１】
本発明の研磨パッドは、研磨層の研磨側表面に開口する特定の放射溝と特定の同心円溝の両方を特定の比率で有することにより、研磨速度、研磨均一性、平坦化性などの研磨性能がバランス良く改善されており、スクラッチの発生も少ないものとなっている。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本願発明の研磨パッドの態様の一例を模式的に示した図であって、研磨層１の研磨側表面を見た図である。同図の例では、研磨側表面に設けられた放射溝と同心円溝を線で表現している。
【図２】図２（ａ）は、図１に示した研磨側表面の外周縁の付近を部分的に拡大して示した模式図である。図２（ｂ）、（ｃ）は、図２（ａ）のＹ−Ｙ断面矢視図である。
【図３】図３は、本願発明による研磨パッドの研磨側表面の各部の寸法を説明するために、外周縁部の付近をさらに拡大して示した模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の研磨パッドの構成について詳細に説明する。
先ず、当該研磨パッドは、少なくとも研磨層を有してなる。即ち、当該研磨パッドは、研磨層のみからなる単層構造であってもよいし、例えば、後述のように、クッション層や支持体層などの他の層と研磨層とを積層した２層以上の積層体であってもよい。
図１は本願発明の具体的な態様の一例を模式的に示した図であって、研磨層の研磨側表面を見せており、図２（ａ）は、研磨側表面の周辺部分をさらに拡大した図である。
図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、研磨側表面１ａは、研磨層１の主面の１つであって、研磨すべき対象物に接して該対象物を磨耗させるための面である。図１、図２に示すように、研磨層１の研磨側表面には、放射溝２と同心円溝３とが設けられ、開口している。
放射溝２は、所定の中心点から外側へと複数の溝が放射状に配置されてなる溝の集合体である。また、同心円溝３は、前記の中心点の周りに、複数の円環状溝が同心状に配置されてなる溝の集合体である。図１に示すように、放射溝２と同心円溝３とは、中心点を共有しており、放射溝２は、同心円溝３と交差しながら、外側へと広がっている。
また、通常の好ましい態様では、これら放射の中心点と、同心の中心点は、研磨側表面の中心点（研磨側表面の外周形状が円であれば該円の中心点であり、円以外の形状であれば、その形状の図心）と一致している。
ここで、当該研磨パッドの重要な特徴は、これら放射溝２と同心円溝３が、下記条件（Ａ）および（Ｂ）を満たすように形成されていることである。該条件を満たすことによって、当該研磨パッドは、上記効果を示す。
（Ａ）研磨側表面において、放射溝の面積（ｓ１）と同心円溝の面積（ｓ２）との和（ｓ１＋ｓ２）に占める、放射溝の面積（ｓ１）の割合が、８〜１７％である。
即ち、ｓ１÷（ｓ１＋ｓ２）×１００＝８〜１７〔％〕である。
（Ｂ）研磨側表面において、該研磨側表面の面積（Ｓ）に占める、放射溝の面積（ｓ１）と同心円溝の面積（ｓ２）との和（ｓ１＋ｓ２）の割合が、１８〜２５％である。即ち、（ｓ１＋ｓ２）÷Ｓ×１００＝１８〜２５％である。
ここで、上記条件（Ａ）および（Ｂ）において、「研磨側表面の面積」とは、該研磨側表面の外周縁の形状によって規定される面積であって、該研磨側表面に放射溝および同心円溝が形成されていない場合の、該研磨側表面全体の面積である。
また、「放射溝の面積」および「同心円溝の面積」とは、「研磨側表面において」という条件のとおり、研磨側表面という平面内におけるそれぞれの溝の開口の面積であって、溝内の壁面や底面の面積は含まれない。
また、図３に示すように、放射溝２と同心円溝３とは交差しているので、その交差部分（ハッチングを施した部分）２３において両溝の面積が重複しないように、放射溝２と同心円溝３との交差部分２３は、放射溝２に属するものとして、それぞれの溝の面積を計算する。
【００１４】
上記条件（Ａ）は、研磨スラリーの流動性と、研磨屑の排出性とに深く関係する。上記条件（Ａ）における割合｛ｓ１÷（ｓ１＋ｓ２）×１００｝が８％未満の場合、研磨スラリーの排出性が低いために、研磨パッド上での研磨スラリーの流動性が不足し、研磨均一性が低下し易い。また、研磨屑の排出性も低いため、ウェハ表面にスクラッチが発生し易い。
一方、前記割合｛ｓ１÷（ｓ１＋ｓ２）×１００｝が１７％を超えると、研磨スラリーの排出性が高過ぎるためにウェハ表面への研磨スラリーの供給が不足し、研磨速度や研磨均一性が低下し易い。さらに、平坦化性能も低下する傾向がある。
前記割合｛ｓ１÷（ｓ１＋ｓ２）×１００｝は、９〜１６％が好ましく、１０〜１５％であることがより好ましい。
【００１５】
上記条件（Ｂ）は、研磨速度、研磨均一性に深く関係する。
上記条件（Ｂ）における割合｛（ｓ１＋ｓ２）÷Ｓ×１００｝は、１０〜３６％であれば比較的好ましい作用効果が得られるが、さらに範囲を限定し、｛（ｓ１＋ｓ２）÷Ｓ×１００｝＝１８〜２５％とすることによって、本発明の目的が十分に達成される。
上記条件（Ｂ）における割合｛（ｓ１＋ｓ２）÷Ｓ×１００｝が１８％未満の場合、研磨層表面と研磨対象物（例えば、ウェハ）との間の潤滑状態が流体潤滑となりやすく、研磨速度が低下したり、研磨均一性がさらに低下したりし易くなる。
一方、前記割合｛（ｓ１＋ｓ２）÷Ｓ×１００｝が２５％を超えると、研磨スラリーが溝に流入し易くなり過ぎるため、研磨層表面と研磨対象物との間に充分な研磨スラリーが存在し難くなり、研磨速度や研磨均一性が低下し易い。さらに、平坦化性能も低下する傾向がある。
前記割合｛（ｓ１＋ｓ２）÷Ｓ×１００｝は、１９〜２４％がより好ましい。
【００１６】
本発明では、放射溝、同心円溝は、上記条件（Ａ）、（Ｂ）を満たすものであれば、特に限定はされないが、当該研磨パッドを実際に製作する場合の、放射溝、同心円溝の好ましい幅は、放射溝２の幅が０．２〜１．５ｍｍであり、同心円溝３の幅が０．２〜３．５ｍｍである。放射溝の幅と、同心円溝の幅が、それぞれ前記範囲となって上記条件（Ａ）、（Ｂ）を満たすとき、本発明の作用効果はより顕著となり、本発明の目的はより高度に達成させる。
図３に例示する各溝２、３のそれぞれの幅Ｗ２、Ｗ３は、研磨側表面において測定した開口の幅である。溝の内壁面と研磨側表面とが交わるエッジ部分（いわゆる、開口の口元）に、微小な丸みや面取りが設けられている場合には、溝の実体的な作用を重視する面から、溝の内壁面と研磨側表面とが交わる架空の線をもって溝幅を規定する。
【００１７】
当該研磨パッドを実際に製作する場合、放射溝の幅が０．２ｍｍ未満では、研磨スラリーの排出性が低いために研磨パッド上での研磨スラリーの流動性が不足し、研磨均一性が低下し易い。また、研磨屑の排出性も低いため、ウェハ表面にスクラッチが発生し易い。一方、放射溝の幅が１．５ｍｍを超えると、ウェハ表面に十分な量の研磨スラリーを供給することが困難となり、研磨速度や研磨均一性、平坦化性能が低下し易い。
放射溝の実際の幅は、０．３〜１．３ｍｍがより好ましく、０．４〜１．１ｍｍがさらに好ましい。
【００１８】
また、当該研磨パッドを実際に製作する場合、同心円溝の幅が０．２ｍｍ未満では、上記条件（Ａ）、（Ｂ）を満たすためには、同心円溝同士の間隔を過度に狭くしなければならず、それによって、残された研磨層の剛性が低下し、平坦化性能が低下し易くなる。一方、同心円溝の幅が３．５ｍｍを超えると、上記条件（Ａ）、（Ｂ）を満たすためには、同心円溝の間隔を過度に広くしなければならなくなり、研磨側表面上での研磨スラリーの流動性が不足し、研磨均一性が低下し易くなる。
同心円溝の幅は、０．３〜３．０ｍｍがより好ましく、０．４〜２．５ｍｍがさらに好ましい。
【００１９】
研磨側表面の外周形状は、特に限定はされないが、円が好ましい。
また、放射溝の一端部が、研磨側表面の外周縁に達していることが好ましく、このとき、該放射溝と該外周縁との交差部分の数（ｎ）と、研磨側表面の外周形状である円の半径（ｒ）との比（ｎ／ｒ）、即ち、ｎをｒで除した値が、０．４≦（ｎ／ｒ）≦２．４を満たしていることが好ましい。ただし、ｒの単位は〔ｃｍ〕である。記号「／」は、除算を示す記号「÷」と同義である。
上記比（ｎ／ｒ）が０．４より小さい場合には、研磨スラリーの排出性が低いために、研磨パッド上での研磨スラリーの流動性が不足し、研磨均一性が低下し易い。また、研磨屑の排出性も低いため、ウェハ表面にスクラッチが発生し易い。
一方、比（ｎ／ｒ）が２．４より大きい場合には、研磨スラリーの排出性が高過ぎるためにウェハ表面への研磨スラリーの供給が不足し、研磨速度や研磨均一性、平坦化性能が低下し易い。
前記比（ｎ／ｒ）の値は、０．６≦（ｎ／ｒ）≦２．２がより好ましく、０．８≦（ｎ／ｒ）≦２．０がさらに好ましい。
実際の研磨パッドの製作では、放射溝の幅が０．２〜１．５ｍｍの範囲にあり、同心円溝の幅が０．２〜３．５ｍｍの範囲にあって、上記条件（Ａ）、（Ｂ）を満たし、かつ、０．４≦（ｎ／ｒ）≦２．４を満たしているとき、本発明の作用効果はさらに顕著となり、本発明の目的はさらに高度に達成される。
【００２０】
研磨側表面において、放射溝がその放射の中心点の付近で過密に集合するのを防ぐため、図１に例示するように、放射溝は、その中心点まで達していなくても良い。
研磨側表面の外周形状が円であって、円の中心点と放射溝の放射の中心点とが一致しており、放射溝の端部を中心点から離す場合、該円の中心点と、放射溝の中心点側の端部との間の距離ｘは、下記式を満たすことが好ましい。
ｒ／５０≦ｘ≦ｒ／５
上記式中、ｒは該円の半径（＝研磨側表面の半径＝当該研磨パッドの半径）を表し、ｘおよびｒの単位は、〔ｃｍ〕である。
また、放射溝の端部と中心点との距離ｘを複数種類とし、大小交互に混在させることで、中心点の近傍において、隣り合った放射溝同士の間の凸部の幅が、過度に狭くならないようにすることができる。図１の態様では、放射溝の端部と中心点との距離ｘには（小、中、大）の３種類が存在し、距離ｘが小さい２条の放射溝２Ｓ同士の間の中間に、距離ｘが中程度の１条の放射溝２Ｍが配置され、さらにそれぞれの放射溝２Ｓと放射溝２Ｍとの間の中間に、距離ｘが大きい１条の放射溝２Ｌが配置されたパターンとなっている。
【００２１】
研磨側表面において、隣接する放射溝同士の間の間隔（図３において、２条の放射溝２の間に残された凸部の上面の幅Ｗ１１）は、２ｍｍ以上が好ましく、３ｍｍ以上がより好ましく、４ｍｍ以上がさらに好ましい。
一方、隣接する同心円溝同士の間の間隔（図３において、２つの同心円溝３の間に残された凸部の上面の半径方向の長さＷ１２）は、上記条件（Ａ）および（Ｂ）を満たすためには、２〜１０ｍｍが好ましく、３〜９ｍｍがより好ましく、４〜８ｍｍがさらに好ましい。
【００２２】
放射溝および同心円溝のそれぞれの深さは、研磨スラリーの適度な保持性と排出性を両立するために、いずれも０．２〜２．５ｍｍが好ましく、０．３〜２．０ｍｍがより好ましく、０．４〜１．５ｍｍがさらに好ましい。
放射溝と同心円溝の深さは、互いに同じであっても、異なっていても良い。
【００２３】
放射溝と同心円溝のそれぞれの断面形状（溝の長手方向に垂直に切断したときの断面の形状）は、長方形、台形、三角形、半円形などのいずれであっても良いが、研磨層が摩耗しても溝幅が変わらず研磨性能が変化し難いことから、放射溝および同心円溝とも断面形状が長方形であることが好ましい。
【００２４】
研磨層は、無発泡構造の材料（即ち、発泡性でない材料）によって形成するのが好ましい。無発泡構造の材料は、研磨層の硬度が高く、より優れた平坦化性能を示す上、溝や穴の側面に露出した気孔が存在しないことにより、研磨スラリー中の砥粒が気孔中で凝集・凝着してウェハ表面にスクラッチを発生させる恐れがないからである。
【００２５】
研磨層のＤ硬度は、平坦化性能の向上とウェハ表面でのスクラッチ発生の抑制の観点から、５０〜８０の範囲内であることが好ましく、５３〜７７の範囲内であることがより好ましく、５６〜７４の範囲内であることがさらに好ましい。尚、研磨層の材料のＤ硬度を測定することにより、それを研磨層のＤ硬度とみなすことができる。
【００２６】
研磨層の材料は、特に限定されるものではなく、公知の合成または天然の高分子を、１種単独または２種以上を併用してもよい。研磨層の材料として使用される高分子としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ブチラール樹脂、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミドなどが挙げられる。これらの中でも、平坦化性能に優れ、またウェハ表面にスクラッチが発生し難いなど研磨性能に特に優れた研磨パッドとなることから、ポリウレタンが好ましく、高分子ジオール、有機ジイソシアネートおよび鎖伸長剤を反応させることにより得られる熱可塑性ポリウレタンがより好ましい。
【００２７】
上記の高分子ジオールとしては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等のポリエーテルジオール；ポリ（ノナメチレン  アジペート）ジオール、ポリ（２−メチル−１，８−オクタメチレン  アジペート）ジオール、ポリ（２−メチル−１，８−オクタメチレン−ｃｏ−ノナメチレン  アジペート）ジオール、ポリ（メチルペンタメチレン  アジペート）ジオール等のポリエステルジオール；ポリ（ヘキサメチレン  カーボネート）ジオール、ポリ（ヘキサメチレン−ｃｏ−２，２−ジメチル−１，３−プロピレン  カーボネート）ジオール等のポリカーボネートジオールなどが挙げられる。これらの高分子ジオールは１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２８】
上記の有機ジイソシアネートとしては、通常のポリウレタンの製造に従来から使用されている有機ジイソシアネートのいずれを使用してもよく、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネートなどの脂肪族または脂環式ジイソシアネート；４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，５−ナフチレンジイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネートを挙げることができる。これらの有機ジイソシアネートは１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートが得られる研磨パッドの耐摩耗性などの点から好ましい。
【００２９】
上記の鎖伸長剤としては、通常のポリウレタンの製造に従来から使用されている鎖伸長
剤のいずれを使用してもよい。鎖伸長剤としては、イソシアネート基と反応し得る活性水素原子を分子中に２個以上有する分子量３５０以下の低分子化合物を使用することが好ましく、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，６−ヘキサンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，４−ビス（β−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン、１，４−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール（１，４−シクロヘキサンジメタノール等）、ビス（β−ヒドロキシエチル）テレフタレート、１，９−ノナンジオール、スピログリコール等のジオール類；エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、ヒドラジン、キシリレンジアミン、イソホロンジアミン、ピペラジン、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、アジピン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル等のジアミン類などが挙げられる。これらの鎖伸長剤は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、１，４−ブタンジオールおよび／または１，４−シクロヘキサンジメタノールが好ましい。
【００３０】
上記の熱可塑性ポリウレタンは、上記の高分子ジオール、有機ジイソシアネートおよび鎖伸長剤を原料として使用し、プレポリマー法やワンショット法などの公知の方法により製造することができるが、実質的に溶媒の不存在下に上記の高分子ジオール、有機ジイソシアネートおよび鎖伸長剤を、所定の比率で溶融混練することにより製造することが好ましく、多軸スクリュー型押出機を使用して連続溶融重合する方法により製造することがより好ましい。
【００３１】
上記各成分の使用比率は、耐摩耗性等、熱可塑性ポリウレタンからなる研磨層に付与すべき物性などを考慮して適宜決定されるが、高分子ジオールおよび鎖伸長剤に含まれる活性水素原子１モルに対して、有機ジイソシアネートに含まれるイソシアネート基が０．９５〜１．３モルとなる割合で各成分を使用することが好ましい。
上記割合が０．９５モル未満であると、得られる熱可塑性ポリウレタンからなる研磨層の機械的強度および耐摩耗性が低下する傾向があり、１．３モルを超えると熱可塑性ポリウレタンの生産性や保存安定性が低下する傾向がある。
得られる研磨層の機械的強度や耐摩耗性および熱可塑性ポリウレタンの生産性や保存安定性の観点から、高分子ジオールおよび鎖伸長剤に含まれる活性水素原子１モルに対して、有機ジイソシアネートに含まれるイソシアネート基が０．９６〜１．１モルとなる割合で各成分を使用することがより好ましく、０．９７〜１．０５モルとなる割合で各成分を使用することがさらに好ましい。
【００３２】
研磨層は、上記した高分子のみから形成されていてもよいが、得られる研磨パッドが本発明の効果を奏する限り、上記した高分子以外の他の成分を含有していてもよい。このような他の成分としては、例えば、架橋剤、充填剤、架橋促進剤、架橋助剤、軟化剤、粘着付与剤、老化防止剤、発泡剤、加工助剤、密着性付与剤、結晶核剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、帯電防止剤、着色剤、滑剤、難燃剤、難燃助剤（酸化アンチモンなど）、ブルーミング防止剤、離型剤、増粘剤、酸化防止剤、導電剤などが挙げられる。
研磨層における上記他の成分の含有量は５０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることがさらに好ましい。
【００３３】
研磨層の製造方法は、特に制限されるものではなく、上記した１種類もしくは２種類以上の高分子もしくは高分子組成物または必要に応じてこれらにさらに上記した他の成分を配合した高分子組成物からなるシートを製造し、該シートから研磨層を製造することができる。
該シートは、上記高分子または高分子組成物を押出機により押出して製造することができ、具体的には、例えば、Ｔ−ダイを装着した押出機を使用して、上記高分子または高分子組成物を溶融押出する方法を採用することができる。
押出機としては、単軸押出機、二軸押出機等を使用することができる。また上記シートは、上記した高分子または高分子組成物からなるブロックを予め製造しておき、これをスライスして製造することもできる。
得られたシートは、必要に応じて、裁断、打ち抜き、切削等により所望の寸法、形状に加工したり、研削等により所望の厚さに加工して研磨層とすることができる。
【００３４】
研磨層の研磨側表面に開口する溝の形成方法は、特に限定されるものではないが、具体的には、
上記のシートを切削加工することにより溝を形成する方法；
上記のシートに、加熱された金型や金属線を接触させたり、レーザー光等の光線を照射したりして、その部分を溶解または分解・揮散させることにより溝を形成する方法；
溝を形成するための凸部を有する金型を使用し、これに上記高分子もしくは高分子組成物の溶融物を流し込んだ後に固化させるか、または、未硬化の高分子原料を流し込んだ後に硬化させるなどして、予め溝が形成されたシートを製造する方法；
などが挙げられる。
【００３５】
本発明の研磨パッドは、図２（ｂ）に示すように、研磨層のみからなる単層構造であってもよいが、ウェハ面内での研磨均一性を向上させるために、図２（ｃ）に示すように、研磨層１の裏面（研磨側表面と反対側の面）にクッション層４を積層することが好ましい。
研磨層とクッション層との積層は、公知の粘着剤あるいは接着剤を用いて行うことができる。クッション層のＡ硬度は３０〜９０であることが好ましい。クッション層の素材は特に限定されないが、例えば、無発泡構造または発泡構造のエラストマーや、不織布に樹脂を含浸させたものを用いることができる。
【００３６】
研磨層の厚さは、研磨性能と作業性の観点から、０．６〜３．０ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．７〜２．５ｍｍの範囲内であることがより好ましく、０．８〜２．０ｍｍの範囲内であることがさらに好ましい。研磨層の厚さが０．６ｍｍより小さいと、研磨装置の定盤の硬さの影響や、下層にクッション層を積層した場合などにおいてそのクッション層の硬さの影響を受けることで、研磨層の摩耗に伴い研磨性能が安定しない傾向がある。一方、研磨層の厚さが３．０ｍｍより大きいと、研磨パッドの曲げ剛性が大きくなり、下層にクッション層を積層しても研磨層が変形しにくくなることから、研磨均一性が低下する場合がある。
また、本発明の研磨パッドは、研磨層側表面に開口する溝の深さを研磨層の厚さの３０〜９０％とすると、下層にクッション層を積層した場合において、研磨均一性と平坦化性能を両立させることができることから好ましい。溝の深さが研磨層の厚さの３５〜８５％であることがより好ましく、４０〜８０％であることがさらに好ましい。
【００３７】
本発明の研磨方法は、上記で説明した本発明による研磨パッドを用いて、半導体基板上に形成された絶縁膜および配線材料のいずれか一方または両方を研磨するものである。
研磨に際しては、公知の研磨スラリーを用いて、化学的機械的研磨を行うことができる。
研磨スラリーは、例えば、水やオイル等の液状媒体；シリカ、アルミナ、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、炭化ケイ素等の研磨剤；塩基、酸、酸化剤、界面活性剤、キレート剤などの成分を含有している。また、化学的機械的研磨を行うに際し、必要に応じ、研磨スラリーとともに、潤滑油、冷却剤等を併用してもよい。
【００３８】
化学的機械的研磨は、公知の化学的機械的研磨用装置を使用し、研磨スラリーを介して被研磨面と研磨パッドを、加圧下、所定速度で、所定時間接触させることによって実施することができる。
研磨前や研磨中には、ダイヤモンドドレッサー等のドレッサーを使用して研磨パッドをコンディショニングし、研磨パッドの表面を整えることが好ましい。
【００３９】
研磨の対象となる物品には特に制限はなく、例えば、
シリコンや炭化ケイ素、窒化ガリウム、ガリウムヒ素、酸化亜鉛、サファイヤ、ゲルマニウム、ダイヤモンドなどの半導体基板；
半導体基板上に形成された、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ｌｏｗ−ｋ膜などの絶縁膜や、銅、アルミニウム、タングステンなどの配線材料；
ガラス、水晶、光学基板、ハードディスク等；
が挙げられる。とりわけ、本発明の研磨パッドは、半導体基板上に形成された絶縁膜や配線材料を研磨する用途に好ましく使用することができる。特に、８インチ以上、さらには１２インチ以上の直径を有する半導体基板は、従来の研磨パッドでは、研磨時に研磨パッドとの相対速度が速くなりやすく、また大面積のため研磨性能の制御が困難となりやすいが、本発明の研磨パッドによれば、優れた研磨性能を有するとともに長寿命であることから、このような半導体基板上に形成された絶縁膜や配線材料であっても、好ましく研磨することができる。
【００４０】
本発明による研磨パッドを用い、研磨スラリーを流しながら研磨を行う場合、その際の研磨スラリーの流量（ｆ）と、研磨パッドの研磨層に形成された放射溝の溝内容積（ｖ）との比（ｆ／ｖ）は、研磨パッド上に充分な研磨スラリーが存在し、良好な研磨速度や研磨均一性が得られることから、下記式（Ｃ）を満たすことが好ましい。
（Ｃ）２０≦（ｆ／ｖ）≦１００
（ただし、上記式（Ｃ）において、ｆはスラリーの流量を表し、単位はｃｍ３／ｍｉｎであり、ｖは放射溝の体積を表し、単位はｃｍ３である。）
ｆ／ｖが２０より小さい場合には、放射溝からの研磨スラリーの排出に対して研磨スラリーの供給が不足し、研磨速度や研磨均一性が低下し易い。一方、ｆ／ｖが１００より大きい場合には、研磨スラリーが必要以上に供給されており、コスト的に無駄である。
ｆ／ｖは、２２〜９０の範囲であることがより好ましい。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
本実施例では、本発明による研磨パッドの各部の寸法や構成を本発明の範囲内において種々変更した実施例サンプルを作製し、また、本発明に該当しない構成を有する研磨パッドを作製して比較例サンプルとし、これらのサンプルを用いて、次の４種類の研磨性能を評価する実験を行った。
（ｉ）平坦な絶縁膜を研磨対象とした、研磨速度と研磨均一性とを評価する実験
（ii）パターン形成された酸化膜を研磨対象とした、平坦化能力を評価する実験
（iii）平坦な銅膜を研磨対象とした、研磨速度と研磨均一性とを評価する実験
（iv）パターン形成された銅膜を研磨対象とした、平坦化能力を評価する実験
これらの実験の詳細な手順を次に示す。
【００４２】
［絶縁膜、酸化膜に対する研磨性能の確認実験の手順］
（ｉ）平坦な絶縁膜を研磨対象とした、研磨速度と研磨均一性とを評価する実験の手順
表面に絶縁膜としてＰＥＴＥＯＳ（プラズマ促進テトラエチルオキシシラン）膜が形成された直径８インチのシリコンウェハを用意し、該ＰＥＴＥＯＳ膜に対する研磨性能を確認した。前記ＰＥＴＥＯＳ膜は、パターニングされていない平坦な膜であって、膜厚は１
０００ｎｍである。
先ず、当該研磨パッドを、アプライドマテリアルズ社製研磨装置「ＭＩＲＲＡ」に設置し、旭ダイヤモンド工業株式会社製ダイヤモンドドレッサー（ダイヤ番手＃１４０）を用い、超純水を２００ｍＬ／分の速度で流しながらドレッサー回転数１２０ｒｐｍ、研磨パッド回転数５０ｒｐｍ、ドレッサー荷重１８Ｎにて、３０分間研磨パッド表面を研磨した。以下、研磨側表面に対して、当該研磨表面上の凹凸や削りカスを取り除くためにドレッサーを回転させて当該研磨側表面を研磨する工程を「コンディショニング」と称する。
次に、ドレッサー回転数１２０ｒｐｍ、研磨パッド回転数８０ｒｐｍ、ウェハ回転数７０ｒｐｍ、研磨圧力２４ｋＰａ、ドレッサー荷重１８Ｎの条件において、研磨スラリー（日立化成工業株式会社製研磨スラリー「ＨＳ−８００５」、日立化成工業株式会社製添加剤「ＨＳ−７３０３」、及び超純水を１：１：８の比率で混合したもの）を２００ｍＬ／分の速度で供給しつつ、ＰＥＴＥＯＳ膜を６０秒間研磨した。尚、研磨に際しては、回転する研磨側表面のうち、ウェハに占有されていない領域に対してコンディショニングを行なうことによって、コンディショニングをしながら同時に研磨を行うこととした。
その後、ウェハを交換してコンディショニングと研磨とを繰り返し、計１０枚のウェハのそれぞれのＰＥＴＥＯＳ膜を研磨した。
【００４３】
（ii）パターン形成された酸化膜を研磨対象とした、平坦化能力を評価する実験の手順
線状の凸部と凹部がストライプ状に交互に繰り返し並んだ凹凸パターンのある酸化膜を表面に有する直径８インチのシリコンウェハ（株式会社アドバンテック製「ＣＭＰ４６４−Ｈ６０００」）を１枚研磨した。
該パターンの凸部と凹部の初期段差は約５００ｎｍであり、パターン凸部はシリコンウェハ上に膜厚１５０ｎｍの窒化ケイ素膜、さらにその上に膜厚６００ｎｍのＨＤＰ（高密度プラズマ）酸化膜を積層した構造であり、パターン凹部はシリコンウェハを３５０ｎｍエッチングして溝を形成した後に膜厚６００ｎｍのＨＤＰ酸化膜を形成した構造である。
ウェハ中心から約５０ｍｍの位置にある凸部幅１００μｍ、凹部幅１００μｍのパターンにおいて、パターン凸部のＨＤＰ酸化膜が完全に除去されて窒化ケイ素膜が表面に露出するまで研磨を行った。
【００４４】
（上記（ｉ）の実験の評価）
上記（ｉ）の実験で研磨を行った、パターンのないＰＥＴＥＯＳ膜を表面に有する１０枚のウェハのうち、１０枚目に研磨した試料について、研磨前および研磨後のＰＥＴＥＯＳ膜の膜厚をウェハ面内で各４９点測定し、各点での研磨速度を求めた。
４９点の研磨速度の平均値を研磨速度（Ｒ）とし、研磨均一性は、次式により求めた不均一性により評価した。
不均一性（％）＝（σ／Ｒ）×１００
（ただし、σは４９点の研磨速度の標準偏差、Ｒは４９点の研磨速度の平均値を表す。）
不均一性の値が小さいほど、ウェハ面内でＰＥＴＥＯＳ膜が均一に研磨されており研磨均一性が優れている。
【００４５】
（上記（ii）の実験の評価）
上記（ii）の実験で研磨を行った、パターンのあるＨＤＰ酸化膜を有するウェハについて、ウェハ中心から約１０ｍｍ、約５０ｍｍ、約９０ｍｍの位置にある凸部幅１００μｍ、凹部幅１００μｍのパターンの段差を測定した。
段差が小さいほど、ウェハ表面が平坦化されているため好ましい。
【００４６】
［銅膜に対する研磨性能の確認］
（iii）平坦な銅膜を研磨対象とした、研磨速度と研磨均一性とを評価する実験の手順
研磨パッドを前述の方法でコンディショニングした後、研磨パッド回転数８０ｒｐｍ、ウェハ回転数７０ｒｐｍ、研磨圧力２０ｋＰａの条件において、研磨スラリー（株式会社
フジミインコーポレーテッド製研磨スラリー「ＰＬ−７１０５」、超純水、３１％濃度の過酸化水素水を１：２：０．０９の比率で混合したもの）を２００ｍＬ／分の速度で供給しつつ、膜厚が１０００ｎｍでパターンのない銅膜を表面に有する直径８インチのシリコンウェハを６０秒間研磨した。
その後、超純水を２００ｍＬ／分の速度で流しながらドレッサー回転数１２０ｒｐｍ、研磨パッド回転数８０ｒｐｍ、ドレッサー荷重２６Ｎにて３０秒間コンディショニングを行った。
その後、ウェハを交換して再度研磨およびコンディショニングを交互に繰り返し、計１０枚のウェハを研磨した。
【００４７】
（iv）パターン形成された銅膜を研磨対象とした、平坦化能力を評価する実験の手順
線状の凸部と凹部が交互に繰り返し並んだ凹凸パターンのある膜厚約１１００ｎｍの銅膜を表面に有する直径８インチのシリコンウェハ（ＡＴＤＦ社製「８５４ＣＭＰ０００」）を１枚研磨した。
該パターンの凸部と凹部の初期段差は約５００ｎｍであり、研磨装置付属の光学式終点検出で銅膜が除去されたと判定されるまで研磨を行った。
【００４８】
（上記（iii）の実験の評価）
上記（iii）の実験で研磨を行った、１０枚目に研磨したパターンのない銅膜を表面に
有するウェハについて、研磨前および研磨後の銅膜の膜厚をウェハ面内で各４９点測定し、各点での研磨速度を求めた。
４９点の研磨速度の平均値を研磨速度（Ｒ）とし、研磨均一性は、上記（ｉ）の実験の評価と同様に、〔不均一性（％）＝（σ／Ｒ）×１００〕の式によって求めた不均一性により評価した。
不均一性の値が小さいほど、ウェハ面内で銅膜が均一に研磨されており研磨均一性が優れている。
【００４９】
（上記（iv）の実験の評価）
上記（iv）の実験で研磨を行った、パターンのある銅膜を有するウェハについて、ウェハ中心から約１０ｍｍ、約５０ｍｍ、約９０ｍｍの位置にある凸部幅１００μｍ、凹部幅１００μｍのパターンの段差を測定した。
段差が小さいほど、ウェハ表面が平坦化されているため好ましい。
【００５０】
［実施例１］
〔研磨層の材料である熱可塑性ポリウレタンの製造〕
数平均分子量２０００のポリテトラメチレングリコール［略号：ＰＴＭＧ］、
数平均分子量２０００のポリ（２−メチル−１，８−オクタメチレン−ｃｏ−ノナメチレン  アジペート）ジオール［略号：ＰＮＯＡ；ノナメチレン単位と２−メチル−１，８−オクタメチレン単位とのモル比＝７対３］、
１，４−シクロヘキサンジメタノール［略号：ＣＨＤＭ］、１，４−ブタンジオール［略号：ＢＤ］、および、
４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート［略号：ＭＤＩ］を、
ＰＴＭＧ：ＰＮＯＡ：ＣＨＤＭ：ＢＤ：ＭＤＩの質量比が２４．５：１０．５：５．０：１２．５：４７．５となるような割合で用いて、定量ポンプにより、同軸で回転する２軸押出機に連続的に供給して、連続溶融重合を行って熱可塑性ポリウレタンを製造した。
生成した熱可塑性ポリウレタンの溶融物を、ストランド状に水中に連続的に押出した後、ペレタイザーで細断してペレットを得た。このペレットを７０℃で２０時間除湿乾燥することにより、熱可塑性ポリウレタンを製造した。
【００５１】
〔研磨層の形成〕
上記で得られた熱可塑性ポリウレタンを単軸押出成形機に仕込み、Ｔ−ダイより押出して厚さ２ｍｍのシートを成形した後、得られたシートの表面を研削して厚さ０．９ｍｍの均一なシートとした。ＪＩＳ  Ｋ  ７３１１に準じて、測定温度２５℃の条件で測定したＤ硬度は６３であった。
次いで、このシートを直径５１ｃｍの円形状に切り抜き、その一方の表面に溝幅２．０ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍ、溝間の凸部の幅が７．０ｍｍの同心円状の溝（断面形状は長方形）を、切削加工することにより形成した。
さらに、同心円溝を形成した表面と同じ側の面に、中心から１５ｍｍの地点から研磨側表面の外周縁まで直線状に延びた、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を３０°間隔で計１２本を形成し、隣り合った放射溝同士の間の中間に、中心から３０ｍｍの地点から研磨側表面の外周縁まで直線状に延びた、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を３０°間隔で計１２本を形成した。
従って、放射溝は１５°間隔で計２４本形成されている。なお、放射溝の間隔は、隣接した放射溝を研磨層中心まで延長した際に形成される鋭角の角度で示している。
次に、放射溝および同心円溝を形成した表面とは反対側の面に、厚さ１．２ｍｍの発泡ポリウレタンシート（Ａ硬度４６）を粘着テープにより貼り合わせて積層構造の研磨パッドを作製した。
【００５２】
当該研磨パッドの各部の値、即ち、放射溝に関しては、溝幅、研磨側表面の外周縁との交差部分の数（ｎ）、総面積（ｓ１）、同心円溝に関しては、溝幅、総面積（ｓ２）を、下記表１に示す。また、
条件（Ａ）：溝の総面積（ｓ１＋ｓ２）に占める放射溝の面積（ｓ１）の割合、
条件（Ｂ）：研磨側表面の面積（Ｓ）に占める、溝の総面積（ｓ１＋ｓ２）の割合、
交差部分の数（ｎ）と円の半径（ｒ）との比（ｎ／ｒ）、
をも、下記表１に示す。ｒの単位はｃｍである。
また、上記（ｉ）、（ii）の実験により絶縁膜、酸化膜に対する研磨性能を評価した結果を下記表２に示す。また、表２には、放射溝の溝内容積（ｖ）を示し、スラリーの流量（ｆ）を（ｖ）で割った値（ｆ／ｖ）をも示す。ｆの単位は、ｃｍ３／ｍｉｎである。
以下に示す実施例２〜６、及び、比較例１〜１２における各部の値、および上記（ｉ）〜（iv）の実験によってそれらの研磨性能を評価した結果についても、表１〜表３にまとめて記載する。
本実施例では、研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は９％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は２４％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は２４であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は０．９４である。
上記した方法により絶縁膜の研磨性能を評価した結果、下記の表２に示すように、研磨速度、研磨均一性および平坦化性能に優れていた。なお、放射溝の体積（Ｖ）は２．７ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は７５であった。
【００５３】
［実施例２］
実施例１と同様にして、厚さ０．９ｍｍ、直径５１ｃｍの円形状のシートを得た後、その一方の表面に、同心円状の溝（断面形状は長方形）を形成した。該同心円状の溝の、溝幅は、１．５ｍｍ、溝深さは、０．６ｍｍ、溝間の凸部の幅は６．０ｍｍである。
さらに、該同心円状の溝を形成した表面と同じ側の面に、中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を２０°間隔で計１８本と、該放射溝のそれぞれの中間に、中心から３０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を２０°間隔で計１８本形成した。従って、放射溝は１０°間隔で計３６本形成されている。
次に、放射溝および同心円溝を形成した表面とは反対側の面に、厚さ１．２ｍｍの発泡ポリウレタンシート（Ａ硬度４６）を粘着テープにより貼り合わせて積層構造の研磨パッドを作製した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は９％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は２２％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は３６であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は１．４１である。
上記した方法により絶縁膜の研磨性能を評価した結果、下記の表２に示すように、研磨速度、研磨均一性および平坦化性能に優れていた。なお、放射溝の体積（Ｖ）は２．５ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は８０であった。
【００５４】
［実施例３］
実施例１と同様にして厚さ１．４ｍｍ、直径５１ｃｍの円形状のシートを得た後、その一方の表面に溝幅１．０ｍｍ、溝深さ１．０ｍｍ、溝間の凸部の幅が４．５ｍｍの同心円状の溝（断面形状は長方形）を形成した。さらに、同心円溝を形成した表面と同じ側の面に、中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ１．０ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を２４°間隔で計１５本と、該放射溝のそれぞれの中間に、中心から３０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ１．０ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を２４°間隔で計１５本形成した。従って、放射溝は１２°間隔で計３０本形成されている。
次に、放射溝および同心円溝を形成した表面とは反対側の面に、厚さ１．２ｍｍの発泡ポリウレタンシート（Ａ硬度４６）を粘着テープにより貼り合わせて積層構造の研磨パッドを作製した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は１３％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は２０％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は３０であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は１．１８である。
上記した方法により絶縁膜の研磨性能を評価した結果、下記の表２に示すように、研磨速度、研磨均一性および平坦化性能に優れていた。なお、放射溝の体積（Ｖ）は５．６ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は３６であった。
【００５５】
〔実施例４〕
実施例１と同様にして、厚さ１．４ｍｍ、直径５１ｃｍの円形状のシートを得た後、その一方の表面に、溝幅１．０ｍｍ、溝深さ１．０ｍｍ、溝間の凸部の幅が５．０ｍｍの同心円状の溝（断面形状は長方形）を、切削加工することにより形成した。
さらに、同心円溝を形成した表面と同じ側の面に、中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ１．０ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を、切削加工することにより２０°間隔で計１８本形成し、隣り合った放射溝同士の間の中間に、中心から３０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ１．０ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を、切削加工することにより２０°間隔で計１８本形成した。従って、放射溝は１０°間隔で計３６本形成されている。
次に、放射溝および同心円溝を形成した表面とは反対側の面に、厚さ１．２ｍｍの発泡ポリウレタンシート（Ａ硬度４６）を粘着テープにより貼り合わせて積層構造の研磨パッドを作製した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は１１％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は１８％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は３６であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は１．４１である。
上記した方法により絶縁膜の研磨性能を評価した結果、下記の表２に示すように、研磨速度、研磨均一性および平坦化性能に優れていた。なお、放射溝の体積（Ｖ）は４．２ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は４８であった。
【００５６】
［比較例１］
放射溝の本数を変更すること以外は、実施例１と同様にして、積層構造の研磨パッドを作製した。放射溝は、研磨層の中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を３０°間隔で計１２本形成した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は５％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は２３％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は１２であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は０．４７である。
上記した方法により絶縁膜の研磨性能を評価した結果、下記の表２に示すように、研磨均一性および平坦化性能が劣る結果であった。なお、放射溝の体積（Ｖ）は１．４ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は１４５であった。
【００５７】
［比較例２］
放射溝の本数を変更すること以外は、実施例２と同様にして、積層構造の研磨パッドを作製した。放射溝は、研磨層の中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を８°間隔で計４５本と、該放射溝のそれぞれの中間に、中心から３０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を８°間隔で計４５本形成した。従って、放射溝は４°間隔で計９０本形成されている。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は２１％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は２４％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は９０であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は３．５３である。
上記した方法により絶縁膜の研磨性能を評価した結果、下記の表２に示すように、研磨速度、研磨均一性および平坦化性能が劣る結果であった。なお、放射溝の体積（Ｖ）は６．３ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は３２であった。
【００５８】
［比較例３］
実施例１と同様にして厚さ０．９ｍｍ、直径５１ｃｍの円形状のシートを得た後、その一方の表面に溝幅０．８ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍ、溝間の凸部の幅が５．０ｍｍの同心円状の溝（断面形状は長方形）を形成した。さらに、同心円溝を形成した表面と同じ側の面に、中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を２４°間隔で計１５本と、該放射溝のそれぞれの中間に、中心から３０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を２４°間隔で計１５本形成した。従って、放射溝は１２°間隔で計３０本形成されている。
次に、放射溝および同心円溝を形成した表面とは反対側の面に、厚さ１．２ｍｍの発泡ポリウレタンシート（Ａ硬度４６）を粘着テープにより貼り合わせて積層構造の研磨パッドを作製した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は１２％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は１５％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は３０であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は１．１８である。
上記した方法により絶縁膜の研磨性能を評価した結果、下記の表２に示すように、研磨速度、研磨均一性および平坦化性能が劣る結果であった。なお、放射溝の体積（Ｖ）は２．２ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は９３であった。
【００５９】
［比較例４］
実施例１と同様にして厚さ０．９ｍｍ、直径５１ｃｍの円形状のシートを得た後、その一方の表面に溝幅０．８ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍ、溝間の凸部の幅が２．０ｍｍの同心円状の溝（断面形状は長方形）を形成した。
さらに、同心円溝を形成した表面と同じ側の面に、中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を２０°間隔で計１８本と、該放射溝のそれぞれの中間に、中心から３０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を２０°間隔で計１８本形成した。従って、放射溝は１０°間隔で計３６本形成されている。
次に、放射溝および同心円溝を形成した表面とは反対側の面に、厚さ１．２ｍｍの発泡ポリウレタンシート（Ａ硬度４６）を粘着テープにより貼り合わせて積層構造の研磨パッドを作製した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は１１％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は３１％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は３６であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は１．４１である。
上記した方法により絶縁膜の研磨性能を評価した結果、下記の表２に示すように、研磨均一性および平坦化性能が劣る結果であった。なお、放射溝の体積（Ｖ）は４．０ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は５０であった。
【００６０】
［比較例５］
放射溝を形成しないこと以外は、実施例１と同様にして、積層構造の研磨パッドを作製した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は０％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は２２％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は０であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は０である。
上記した方法により絶縁膜の研磨性能を評価した結果、下記の表２に示すように、研磨均一性および平坦化性能が劣る結果であった。なお、放射溝は形成されていないため、放射溝の体積（Ｖ）は０ｃｍ３であった。
【００６１】
［比較例６］
実施例１と同様にして厚さ０．９ｍｍ、直径５１ｃｍの円形状のシートを得た後、その一方の表面に、中心から２５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅２．０ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を８°間隔で計４５本と、該放射溝のそれぞれの中間に、中心から５０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅２．０ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を８°間隔で計４５本形成した。従って、放射溝は４°間隔で計９０本形成されている。
次に、放射溝および同心円溝を形成した表面とは反対側の面に、厚さ１．２ｍｍの発泡ポリウレタンシート（Ａ硬度４６）を粘着テープにより貼り合わせて積層構造の研磨パッドを作製した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は１００％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は１９％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は９０であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は３．５３である。
上記した方法により絶縁膜の研磨性能を評価した結果、下記の表２に示すように、研磨速度、研磨均一性および平坦化性能が劣る結果であった。なお、放射溝の体積（Ｖ）は２３．５ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は９であった。
【００６２】
［実施例５］
実施例１と同様にして厚さ１．２ｍｍ、直径５１ｃｍの円形状のシートを得た後、その一方の表面に溝幅１．０ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍ、溝間の凸部の幅が４．５ｍｍの同心円状の溝（断面形状は長方形）を形成した。さらに、同心円溝を形成した表面と同じ側の面に、中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を２０°間隔で計１８本と、該放射溝のそれぞれの中間に、中心から３０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を２０°間隔で計１８本形成した。従って、放射溝は１０°間隔で計３６本形成されている。
次に、放射溝および同心円溝を形成した表面とは反対側の面に、厚さ１．２ｍｍの発泡ポリウレタンシート（Ａ硬度４６）を粘着テープにより貼り合わせて積層構造の研磨パッドを作製した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は１６％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は２１％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は３６であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は１．４１である。
上記した方法により銅膜の研磨性能を評価した結果、下記の表３に示すように、研磨速度、研磨均一性および平坦化性能に優れていた。なお、放射溝の体積（Ｖ）は３．３ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は６０であった。
【００６３】
［実施例６］
放射溝の本数を変更すること以外は、実施例５と同様にして、積層構造の研磨パッドを作製した。放射溝は、研磨層の中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を１８°間隔で計２０本と、該放射溝のそれぞれの中間に、中心から３０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を１８°間隔で計２０本形成した。従って、放射溝は９°間隔で計４０本形成されている。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は１２％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は１９％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は４０であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は１．５７である。
上記した方法により銅膜の研磨性能を評価した結果、下記の表３に示すように、研磨速度、研磨均一性および平坦化性能に優れていた。なお、放射溝の体積（Ｖ）は２．３ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は８７であった。
【００６４】
［実施例７］
実施例５と同様にして厚さ１．６ｍｍ、直径５１ｃｍの円形状のシートを得た後、その一方の表面に溝幅０．８ｍｍ、溝深さ１．１ｍｍ、溝間の凸部の幅が４．０ｍｍの同心円状の溝（断面形状は長方形）を形成した。さらに、同心円溝を形成した表面と同じ側の面に、中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ１．１ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を１５°間隔で計２４本と、該放射溝のそれぞれの中間に、中心から３０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ１．１ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を１５°間隔で計２４本形成した。従って、放射溝は７．５°間隔で計４８本形成されている。
次に、放射溝および同心円溝を形成した表面とは反対側の面に、厚さ１．２ｍｍの発泡ポリウレタンシート（Ａ硬度４６）を粘着テープにより貼り合わせて積層構造の研磨パッドを作製した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は１４％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は１９％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は４８であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は１．８８である。
上記した方法により銅膜の研磨性能を評価した結果、下記の表３に示すように、研磨速度、研磨均一性および平坦化性能に優れていた。なお、放射溝の体積（Ｖ）は６．１ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は３３であった。
【００６５】
［実施例８］
実施例５と同様にして、厚さ１．２ｍｍ、直径５１ｃｍの円形状のシートを得た後、その一方の表面に溝幅１．０ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍ、溝間の凸部の幅が５．０ｍｍの同心円状の溝（断面形状は長方形）を、切削加工することにより形成した。
さらに、同心円溝を形成した表面と同じ側の面に、中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を、切削加工することにより１５°間隔で計２４本形成し、隣り合った放射溝同士の間の中間に、中心から３０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を、切削加工することにより１５°間隔で計２４本形成した。従って、放射溝は７．５°間隔で計４８本形成されている。
次に、放射溝および同心円溝を形成した表面とは反対側の面に、厚さ１．２ｍｍの発泡ポリウレタンシート（Ａ硬度４６）を粘着テープにより貼り合わせて積層構造の研磨パッドを作製した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は１４％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は１９％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は４８であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は１．８８である。
上記した方法により銅膜の研磨性能を評価した結果、下記の表３に示すように、研磨速度、研磨均一性および平坦化性能に優れていた。なお、放射溝の体積（Ｖ）は２．８ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は７１であった。
【００６６】
［比較例７］
放射溝の本数を変更すること以外は、実施例４と同様にして、積層構造の研磨パッドを作製した。放射溝は、研磨層の中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を３６°間隔で計１０本形成した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は５％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は１９％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は１０であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は０．３９である。
上記した方法により銅膜の研磨性能を評価した結果、下記の表３に示すように、研磨均一性および平坦化性能が劣る結果であった。なお、放射溝の体積（Ｖ）は１．０ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は２０８であった。
【００６７】
［比較例８］
放射溝の本数を変更すること以外は、実施例４と同様にして、積層構造の研磨パッドを作製した。放射溝は、研磨層の中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を１２°間隔で計３０本と、該放射溝のそれぞれの中間に、中心から３０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を１２°間隔で計３０本形成した。従って、放射溝は６°間隔で計６０本形成されている。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は２４％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は２３％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は６０であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は２．３５である。
上記した方法により銅膜の研磨性能を評価した結果、下記の表３に示すように、研磨均一性および平坦化性能が劣る結果であった。なお、放射溝の体積（Ｖ）は５．６ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は３６であった。
【００６８】
［比較例９］
実施例４と同様にして厚さ１．２ｍｍ、直径５１ｃｍの円形状のシートを得た後、その一方の表面に溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍ、溝間の凸部の幅が４．０ｍｍの同心円状の溝（断面形状は長方形）を形成した。さらに、同心円溝を形成した表面と同じ側の面に、中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を２０°間隔で計１８本と、該放射溝のそれぞれの中間に、中心から３０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を２０°間隔で計１８本形成した。従って、放射溝は１０°間隔で計３６本形成されている。
次に、放射溝および同心円溝を形成した表面とは反対側の面に、厚さ１．２ｍｍの発泡ポリウレタンシート（Ａ硬度４６）を粘着テープにより貼り合わせて積層構造の研磨パッドを作製した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は１６％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は１３％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は３６であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は１．４１である。
上記した方法により銅膜の研磨性能を評価した結果、下記の表３に示すように、研磨均一性および平坦化性能が劣る結果であった。なお、放射溝の体積（Ｖ）は２．１ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は９６であった。
【００６９】
［比較例１０］
実施例４と同様にして厚さ１．２ｍｍ、直径５１ｃｍの円形状のシートを得た後、その一方の表面に溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍ、溝間の凸部の幅が１．５ｍｍの同心円状の溝（断面形状は長方形）を形成した。さらに、同心円溝を形成した表面と同じ側の面に、中心から１５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を１５°間隔で計２４本と、該放射溝のそれぞれの中間に、中心から３０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を１５°間隔で計２４本形成した。従って、放射溝は７．５°間隔で計４８本形成されている。次に、放射溝および同心円溝を形成した表面とは反対側の面に、厚さ１．２ｍｍの発泡ポリウレタンシート（Ａ硬度４６）を粘着テープにより貼り合わせて積層構造の研磨パッドを作製した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は１５％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は２８％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は４８であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は１．８８である。
上記した方法により銅膜の研磨性能を評価した結果、下記の表３に示すように、研磨均一性および平坦化性能が劣る結果であった。なお、放射溝の体積（Ｖ）は４．５ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は４５であった。
【００７０】
［比較例１１］
放射溝を形成しないこと以外は、実施例４と同様にして、積層構造の研磨パッドを作製した。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は０％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は１８％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は０であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は０である。
上記した方法により銅膜の研磨性能を評価した結果、下記の表３に示すように、研磨均一性および平坦化性能が劣る結果であった。なお、放射溝は形成されていないため、放射溝の体積（Ｖ）は０ｃｍ３であった。
【００７１】
［比較例１２］
実施例１と同様にして厚さ１．２ｍｍ、直径５１ｃｍの円形状のシートを得た後、その一方の表面に、中心から２５ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅１．５ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を６°間隔で計６０本と、該放射溝のそれぞれの中間に、中心から５０ｍｍの地点からパッド外周まで直線状に延びた、溝幅１．５ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍの放射溝（断面形状は長方形）を６°間隔で計６０本形成した。従って、放射溝は３°間隔で計１２０本形成されている。
研磨パッド研磨層の研磨側表面における溝の総面積に占める、放射溝の面積の割合は１００％であり、該研磨層の研磨側表面の面積に占める、溝の総面積の割合は１９％である。また、放射溝と研磨パッド外周との交点の数（ｎ）は１２０であり、パッド半径の数値（ｒ，単位はｃｍ）で割った値（ｎ／ｒ）は４．７１である。
上記した方法により銅膜の研磨性能を評価した結果、下記の表３に示すように、研磨速度、研磨均一性および平坦化性能が劣る結果であった。なお、放射溝の体積（Ｖ）は１９．６ｃｍ３であり、スラリー流量の数値（ｆ，単位はｃｍ３／ｍｉｎ）をＶで割った値（ｆ／ｖ）は１０であった。
【００７２】
【表１】
2011177884.tif 000003
【００７３】
【表２】
2011177884.tif 000004
【００７４】
【表３】
2011177884.tif 000005
【００７５】
上記表１〜３の結果から、本発明による条件を満たすことによって、高い研磨速度が得られ、十分に優れた研磨均一性および平坦化性能が得られることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明によれば、高い研磨速度が得られ、研磨均一性および平坦化性能にも優れる研磨パッドが提供される。当該研磨パッドは、半導体基板上に形成された酸化膜等の絶縁膜や金属膜等の配線材料を化学的機械的研磨する際などにおいて特に有用である。
【符号の説明】
【００７７】
１  研磨層
２  放射溝
３  同心円溝
【図１】
2011177884.tif 000006
【図２】
2011177884.tif 000007
【図３】
2011177884.tif 000008