(57)【要約】【課題】共通電位の適正値からのずれを減らす。【解決手段】本発明の液晶装置１００Ａは、第１の基板１０の液晶層５０側に設けられた第１の配向膜１６Ａと、第２の基板２０の液晶層５０側に設けられた第２の配向膜２２Ａと、を備える。第１の配向膜１６Ａは、第１の無機層１６１Ａの液晶層５０側に液晶層５０と当接して配置されて第１の無機層１６１Ａと柱状構造の方位角が異なる第２の無機層１６２Ａを有する。第２の配向膜２２Ａは、第３の無機層２２１Ａの液晶層５０側に液晶層５０と当接して配置されて第３の無機層２２１Ａと柱状構造の方位角が異なる第４の無機層２２２Ａを有する。第１の無機層１６１Ａの厚みに対する第２の無機層１６２Ａの厚みの比率が、第３の無機層２２１Ａの厚みに対する第４の無機層２２２Ａの厚みの比率と、異なっている。【選択図】図３
2011154158.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板との間に液晶層が設けられた液晶装置であって、
前記第１の基板の前記液晶層側に設けられて柱状構造を有する２以上の無機層を含んだ第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記液晶層側に設けられて柱状構造を有する２以上の無機層を含んだ第２の配向膜と、
を備え、
前記第１の配向膜は、第１の前記無機層と、前記第１の無機層の前記液晶層側に前記液晶層と当接して配置されて前記第１の無機層と前記柱状構造の方位角が異なる第２の前記無機層と、を有し、
前記第２の配向膜は、第３の前記無機層と、前記第３の無機層の前記液晶層側に前記液晶層と当接して配置されて前記第３の無機層と前記柱状構造の方位角が異なる第４の前記無機層と、を有し、
前記第１の無機層の厚みに対する前記第２の無機層の厚みの比率が、前記第３の無機層の厚みに対する前記第４の無機層の厚みの比率と、異なっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１の無機層の厚みに対する前記第２の無機層の厚みの大小関係が、前記第３の無機層の厚みに対する前記第４の無機層の厚みの大小関係と、反対になっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記液晶層に含まれるイオンの前記第１の基板側への吸着性と、前記イオンの前記第２の基板側への吸着性とが異なっており、その吸着性の差を減らすように、前記比率が設定されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１の基板と前記第１の配向膜との間に設けられた反射電極と、
前記第２の基板と前記第２の配向膜との間に設けられた透明電極と、
を備え、
前記反射電極の仕事関数と前記透明電極の仕事関数の違いによる前記吸着性の差を減らすように前記比率が設定されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記反射電極と前記第１の配向膜との間、および前記透明電極と前記第２の配向膜との間にパッシベーション膜が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
第１の基板および第２の基板の間に液晶層が設けられた液晶装置であって、
前記第１の基板の前記液晶層側に設けられて柱状構造を有する２以上の無機層を含んだ第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記液晶層側に設けられて柱状構造を有する２以上の無機層を含んだ第２の配向膜と、
を備え、
前記第１の配向膜は、第１の前記無機層と、前記第１の無機層の前記液晶層側に前記液晶層と当接して配置されて前記第１の無機層と前記柱状構造の方位角が異なる第２の前記無機層と、を有し、
前記第２の配向膜は、第３の前記無機層と、前記第３の無機層の前記液晶層側に前記液晶層と当接して配置されて前記第３の無機層と前記柱状構造の方位角が異なる第４の前記無機層と、を有し、
前記第１の無機層の厚みに対する前記第２の無機層の厚みの比率が、前記第３の無機層の厚みに対する前記第４の無機層の厚みの比率と同じになっているとともに、前記第１の無機層と前記第２の無機層の総厚が、前記第３の無機層と前記第４の無機層の総厚と異なっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
第１の基板と第２の基板との間に液晶層が設けられた液晶装置の製造方法であって、
前記第１の基板に第１の配向膜を形成する第１の形成工程と、
前記第２の基板に第２の配向膜を形成する第２の形成工程と、
を有し、
前記第１の形成工程は、前記第１の基板に第１の無機材料を蒸着法またはスパッタ法で成膜して第１の無機層を形成する処理を行った後に、該処理と異なる成膜角度で前記第１の無機材料を蒸着法またはスパッタ法で成膜して第２の無機層を形成して、前記第１の無機層および前記第２の無機層を含んだ前記第１の配向膜を形成し、
前記第２の形成工程では、前記第２の基板に第２の無機材料を蒸着法またはスパッタ法で成膜して第３の無機層を形成する処理を行った後に、該処理と異なる成膜角度で前記第２の無機材料を蒸着法またはスパッタ法で成膜して第４の無機層を形成して、前記第３の無機層および前記第４の無機層を含んだ前記第２の配向膜を形成し、
前記第１の形成工程および前記第２の形成工程で、前記第１の無機層の厚みに対する前記第２の無機層の厚みの比率と、前記第３の無機層の厚みに対する前記第４の無機層の厚みの比率とを異ならせることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の形成工程では、前記第１の基板の法線方向から前記第１の無機材料を成膜して前記第１の無機層を形成し、前記第２の形成工程では、前記第２の基板の法線方向から前記第２の無機材料を成膜して前記第３の無機層を形成することを特徴とする請求項７に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、直視型の表示パネルやプロジェクター、カメラ等のビューファインダー等に、液晶装置が用いられている。液晶装置の構成例として、素子基板と対向基板との間に液晶層が封入された構成が挙げられる。素子基板は、画素ごとに設けられた複数の画素電極を有しており、対向基板は複数の画素で共通の共通電極を有している。共通電極は共通電位に保持された状態で、画素電極の電位が駆動電圧波形により共通電位に対する高電位と低電位とに交互に切替えられて、液晶層は画素ごとに交流駆動される。液晶層が駆動されると、液晶層の配向状態が変化して、液晶層を通る光の偏光状態が液晶層の配向状態に応じて変化する。液晶層を通った光は、偏光状態に応じてその一部が偏光板に吸収されて所望の階調の光になり、画像を示す光になる。
【０００３】
電圧が印加されていないときの液晶層の配向状態は、有機配向膜や無機配向膜等の配向膜により制御されている。耐光性を高める観点では、スパッタ法や蒸着法等により形成された無機配向膜の方が、有機配向膜よりも優れている。無機配向膜を用いた液晶装置としては、例えば特許文献１に開示されているものが挙げられる。
【０００４】
特許文献１では、複数の蒸着層を有する無機配向膜を用いており、複数の蒸着層は、液晶層に接して形成される配向層を含んでいる。最下層の蒸着層が９０度の成膜角度で形成されており、最下層の蒸着層が緻密な膜になるので、配向膜の信頼性を向上させることができる、とされている。
【０００５】
ところで、液晶層に印加される実効電圧波形の共通電位に対する正負のバランスが崩れていると、フリッカーや焼付き等の発生原因になってしまう。実効電圧波形の正負のバランスが崩れる原因として、以下のようなメカニズムが考えられる。
【０００６】
一般に、素子基板側と対向基板側とで構成が異なっており、液晶層に含まれる不純物（特にイオン）を素子基板側に引き寄せる力は、イオンを対向基板側に引き寄せる力と液晶層に対して非対称になっている。したがって、イオンが素子基板側または対向基板側に偏って吸着し、吸着したイオンによる電界の影響により実効電圧波形がシフトする。よって、予め設定された共通電位が、実効電圧波形の正負のバランスをとる上で適切な値でなくなってしまう。
【０００７】
このような不都合を解消する技術として、例えば特許文献２に開示されている技術が挙げられる。特許文献２の反射型液晶表示装置は、光反射材料からなる画素電極と、光透過材料からなる共通電極とを有している。画素電極の上に、共通電極よりも仕事関数が大きい仕事関数調整層を設けて、画素電極と仕事関数調整層を合わせた仕事関数が、共通電極に近づくようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−２１０７６６号公報
【特許文献２】特開２００５−４９８１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献２の技術にあっては、画素電極と共通電極とで仕事関数が異なることによる、実効電圧波形の正負のバランスの崩れを回避可能になると考えられるが、次に説明するように、改善すべき点がある。
【００１０】
液晶層のイオンの偏りは、例えば画素電極が共通電極と同一の電極材料からなる場合であっても生じる。すなわち、イオンの偏りの原因は電極材料の違い以外にもあるので、特許文献１の技術によるイオンの偏り防止効果には限界がある。また、仕事関数調整層を形成するので、仕事関数調整により液晶装置の電気特性や表示特性等が影響を受けてしまうことや、装置構成が複雑になること、工数が増えて製造効率が低下すること等の不都合を招くおそれもある。
【００１１】
本発明は、前記事情に鑑み成されたものであって、装置構成が複雑化や製造効率の低下を招くことなく、共通電位の適正値からのずれを低減可能な液晶装置、および液晶装置の製造方法を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明では、前記目的を達成するために以下の手段を採用している。
本発明の第１の液晶装置は、第１の基板と第２の基板との間に液晶層が設けられた液晶装置であって、前記第１の基板の前記液晶層側に設けられて柱状構造を有する２以上の無機層を含んだ第１の配向膜と、前記第２の基板の前記液晶層側に設けられて柱状構造を有する２以上の無機層を含んだ第２の配向膜と、を備え、前記第１の配向膜は、第１の前記無機層と、前記第１の無機層の前記液晶層側に前記液晶層と当接して配置されて前記第１の無機層と前記柱状構造の方位角が異なる第２の前記無機層と、を有し、前記第２の配向膜は、第３の前記無機層と、前記第３の無機層の前記液晶層側に前記液晶層と当接して配置されて前記第３の無機層と前記柱状構造の方位角が異なる第４の前記無機層と、を有し、前記第１の無機層の厚みに対する前記第２の無機層の厚みの比率が、前記第３の無機層の厚みに対する前記第４の無機層の厚みの比率と、異なっていることを特徴とする。
【００１３】
このようにすれば、第１の無機層と第２の無機層とで柱状構造の方位角が異なっているので、第１の無機層の厚みに対する第２の無機層の厚みの比率を調整することにより、第１の配向膜が液晶層のイオンに及ぼす影響を調整可能になる。同様に、第３の無機層の厚みに対する第４の無機層の厚みの比率を調整することにより、第２の配向膜が液晶層のイオンに及ぼす影響を調整可能になる。
【００１４】
第１の無機層の厚みに対する第２の無機層の厚みの比率が、第３の無機層の厚みに対する第４の無機層の厚みの比率と異なっているので、第１の配向膜が液晶層のイオンに及ぼす影響が、第２の配向膜が液晶層のイオンに及ぼす影響と異なるようになる。したがって、第１の配向膜を除いた第１の基板がイオンに及ぼす影響と、第２の配向膜を除いた第２の基板がイオンに及ぼす影響との差を減らすように、第１の配向膜がイオンに及ぼす影響を、第２の配向膜がイオンに及ぼす影響とを異ならせることが可能になる。よって、第１の基板側と第２の基板側とでイオンが偏ることを回避可能になり、イオンの偏りによる共通電位の適正値からのずれを低減することができる。
【００１５】
また、第２、第４の無機層が液晶層と当接して設けられているので、第２、第４の無機層に対して液晶層の反対に配置される液晶装置の構成要素がイオンに及ぼす影響を包括的に加味して、第１、第２の配向膜のイオンに及ぼす影響を設定することが可能になり、イオンの偏りによる共通電位の適正値からのずれを格段に低減することができる。
【００１６】
また、配向膜自体は通常の液晶装置にも設けられているので、イオンが偏りを低減する上で新たな部材を追加する必要性が低くなり、新たな部材の追加による液晶装置の特性変化や、装置構成の複雑化、製造効率の低下を回避することができる。
【００１７】
本発明に係る第１の液晶装置は、代表的な態様として以下のような態様をとりえる。
【００１８】
前記第１の無機層の厚みに対する前記第２の無機層の厚みの大小関係が、前記第３の無機層の厚みに対する前記第４の無機層の厚みの大小関係と、反対になっているとよい。
【００１９】
まず、第１の配向膜を除いた第１の基板がイオンに及ぼす影響が、第２の配向膜を除いた第２の基板がイオンに及ぼす影響よりも大きい場合について説明する。第１の配向膜を除いた第１の基板がイオンに及ぼす影響を減らすように、第１の配向膜における厚みの比率を設定すると、第２の配向膜は、第２の配向膜を除いた第２の基板がイオンに及ぼす影響を増すようになる。したがって、第１の配向膜および第２の配向膜が、いずれも、第１の基板側と第２の基板側のイオンに及ぼす影響の差を減らすようになり、第１の基板側と第２の基板側のイオンに及ぼす影響を揃えることが容易になる。
【００２０】
第１の配向膜を除いた第１の基板がイオンに及ぼす影響が、第２の配向膜を除いた第２の基板がイオンに及ぼす影響よりも小さい場合には、第１の配向膜を除いた第１の基板がイオンに及ぼす影響を増すように、第１の配向膜における厚みの比率を設定すると、上記の説明と同様の理由により、第１の基板側と第２の基板側のイオンに及ぼす影響を揃えることが容易になる。
【００２１】
前記液晶層に含まれるイオンの前記第１の基板側への吸着性と、前記イオンの前記第２の基板側への吸着性とが異なっており、その吸着性の差を減らすように、前記比率が設定されているとよい。
【００２２】
このようにすれば、第１の基板側と第２の基板側とでイオンの吸着性を揃えるので、第１の基板と第２の基板との間にイオンの吸着量の差による電界を生じることが回避され、この電界により液晶層に直流成分が印加されることが回避される。したがって、直流成分により液晶層が劣化しやすくなることが回避され、また直流成分により第１の基板側と第２の基板側とでイオンの吸着性の差が増すことが回避される。
【００２３】
前記第１の基板と前記第１の配向膜との間に設けられた反射電極と、前記第２の基板と前記第２の配向膜との間に設けられた透明電極と、を備え、前記反射電極の仕事関数と前記透明電極の仕事関数の違いによる前記吸着性の差を減らすように前記比率が設定されているとよい。
【００２４】
このようにすれば、第１、第２の配向膜における厚みの比率を調整することにより、反射電極の仕事関数と透明電極の仕事関数の違いによるイオンの吸着性の差を減らすことができる。したがって、装置構成が複雑化や製造効率の低下を招くことなく、共通電位の適正値からのずれを低減可能な反射型の液晶装置を実現することができる。
【００２５】
前記反射電極と前記第１の配向膜との間、および前記透明電極と前記第２の配向膜との間にパッシベーション膜が設けられているとよい。
【００２６】
このようにすれば、反射電極をパッシベーション膜により保護することができる。また、反射電極と透明電極の材質の違いがイオンの吸着性に及ぼす影響を減らすことができ、第１の基板側と第２の基板側とで、イオンの吸着性の差を減らすことができる。
【００２７】
本発明に係る第２の液晶装置は、第１の基板および第２の基板の間に液晶層が設けられた液晶装置であって、前記第１の基板の前記液晶層側に設けられて柱状構造を有する２以上の無機層を含んだ第１の配向膜と、前記第２の基板の前記液晶層側に設けられて柱状構造を有する２以上の無機層を含んだ第２の配向膜と、を備え、前記第１の配向膜は、第１の前記無機層と、前記第１の無機層の前記液晶層側に前記液晶層と当接して配置されて前記第１の無機層と前記柱状構造の方位角が異なる第２の前記無機層と、を有し、前記第２の配向膜は、第３の前記無機層と、前記第３の無機層の前記液晶層側に前記液晶層と当接して配置されて前記第３の無機層と前記柱状構造の方位角が異なる第４の前記無機層と、を有し、前記第１の無機層の厚みに対する前記第２の無機層の厚みの比率が、前記第３の無機層の厚みに対する前記第４の無機層の厚みの比率と同じになっているとともに、前記第１の無機層と前記第２の無機層の総厚が、前記第３の無機層と前記第４の無機層の総厚と異なっていることを特徴とする。
【００２８】
このようにすれば、第１の配向膜での無機層の厚みの比率が、第２の配向膜での無機層の厚みの比率と同じになっているとともに、第１の無機層と第２の無機層の総厚が、第３の無機層と第４の無機層の総厚と異なっているので、第１の配向膜が液晶層のイオンに及ぼす影響が、第２の配向膜が液晶層のイオンに及ぼす影響と異なるようになる。したがって、本発明の第１の液晶装置と同様の理由により、新たな部材の追加による液晶装置の特性変化や、装置構成の複雑化、製造効率の低下を招くことなく、共通電位の適正値からのずれを格段に低減することができる。
【００２９】
本発明の液晶装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板との間に液晶層が設けられた液晶装置の製造方法であって、前記第１の基板に第１の配向膜を形成する第１の形成工程と、前記第２の基板に第２の配向膜を形成する第２の形成工程と、を有し、前記第１の形成工程は、前記第１の基板に第１の無機材料を蒸着法またはスパッタ法で成膜して第１の無機層を形成する処理を行った後に、該処理と異なる成膜角度で前記第１の無機材料を蒸着法またはスパッタ法で成膜して第２の無機層を形成して、前記第１の無機層および前記第２の無機層を含んだ前記第１の配向膜を形成し、前記第２の形成工程では、前記第２の基板に第２の無機材料を蒸着法またはスパッタ法で成膜して第３の無機層を形成する処理を行った後に、該処理と異なる成膜角度で前記第２の無機材料を蒸着法またはスパッタ法で成膜して第４の無機層を形成して、前記第３の無機層および前記第４の無機層を含んだ前記第２の配向膜を形成し、前記第１の形成工程および前記第２の形成工程で、前記第１の無機層の厚みに対する前記第２の無機層の厚みの比率と、前記第３の無機層の厚みに対する前記第４の無機層の厚みの比率とを異ならせることを特徴とする。
【００３０】
このようにすれば、第１の形成工程で、成膜角度を異ならせて同じ無機材料を成膜することにより第１、第２の無機層を形成するので、成膜条件を調整することにより第１の配向膜を形成することができ、第１の配向膜を効率よく形成することができる。第２の配向膜についても同様の理由により効率よく形成することができ、共通電位の適正値からのずれを低減可能な液晶装置を効率よく製造することができる。
【００３１】
前記第１の形成工程では、前記第１の基板の法線方向から前記第１の無機材料を成膜して前記第１の無機層を形成し、前記第２の形成工程では、前記第２の基板の法線方向から前記第２の無機材料を成膜して前記第３の無機層を形成するとよい。
【００３２】
このようにすれば、第１の基板の法線方向から第１の無機材料を成膜するので、緻密な膜質の第１の無機層を形成することができる。緻密な膜質の第１の無機層の上に、第１の無機層と同じ無機材料で第２の無機層を形成するので、良質な膜質の第２の無機層を形成することができ、高信頼性の第１の配向膜を形成することができる。同様の理由により、高信頼性の第２の配向膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】（ａ）は液晶装置１００の平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図２】（ａ）は、ゲート電圧および駆動電圧波形を、（ｂ）は液晶層の実効電圧波形を、（ｃ）は駆動時間経過後の液晶層の実効電圧波形を、それぞれ示すチャートである。
【図３】（ａ）は実施例１の第１、第２の配向膜の拡大図、（ｂ）は比較例１の第１、第２の配向膜の拡大図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、液晶装置の製造方法を概略して示す断面工程図である。
【図５】成膜角度の定義を示す図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は第２実施形態に係る実施例３、４の配向膜の断面図、（ｃ）は比較例２の配向膜の断面図である。
【図７】第３実施形態に係る実施例５の配向膜の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。説明に用いる図面において、特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造の寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせている場合がある。また、実施形態において同様の構成要素については、同じ符号を付して図示し、その詳細な説明を省略する場合がある。
【００３５】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態の液晶装置１００の構成を示す図である。図１（ａ）は、液晶装置１００の平面構成図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う断面構成図である。
図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、液晶装置１００は、第１の基板（以下、素子基板という）１０と、第２の基板（以下、対向基板という）２０とが、平面視略矩形枠状のシール材５２を介して貼り合わされ、シール材５２に囲まれた領域内に液晶層５０が封入された構成になっている。シール材５２の内周側に沿って平面視矩形枠状の額縁５３が形成され、額縁５３の内側の領域が表示領域１１となっている。
【００３６】
表示領域１１の内側には、複数の画素１２がマトリクス状に設けられている。画素１２は、表示領域１１の最小表示単位を構成している。シール材５２の外側の領域には、素子基板１０の１辺（図示下辺）に沿って、データ線駆動回路１０１および外部回路実装端子１０２が形成されており、この１辺に隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路１０４が形成されて周辺回路を構成している。
【００３７】
素子基板１０の残る１辺（図示上辺）には、表示領域１１の両側の走査線駆動回路１０４間を接続する複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０の各角部においては、素子基板１０と対向基板２０との間の電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。
【００３８】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側には、複数の画素電極９が配列形成されている。画素電極９は、画素１２ごとに設けられている。素子基板１０には、複数のスイッチング素子（図示略）が設けられている。スイッチング素子は、例えば薄膜トランジスターにより構成され、画素１２ごとに設けられている。スイッチング素子のソース領域は、図示略のデータ線を介してデータ線駆動回路１０１と電気的に接続されている。スイッチング素子のゲート電極は、図示略の走査線を介して走査線駆動回路１０４と電気的に接続されている。スイッチング素子のドレイン領域は、画素電極９と電気的に接続されている。
【００３９】
複数の画素電極９を覆うように、第１の配向膜１６が形成されている。対向基板２０の液晶層５０側に、額縁５３および遮光膜２３が形成されている。額縁５３および遮光膜２３の上に平面ベタ状の共通電極２１が形成されている。共通電極２１を覆うように第２の配向膜２２が形成されている。液晶層５０に電界が印加されていない状態の液晶層５０の配向状態は、第１の配向膜１６および第２の配向膜２２により制御されている。
【００４０】
本実施形態の液晶装置１００は、透過型の液晶装置として構成されている。画素電極９および共通電極２１は、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯという）等の透明導電性材料で構成されている。表示すべき画像の画像信号は、液晶装置１００の外部から外部回路実装端子１０２を介して供給される。データ線駆動回路１０１は、画像信号に含まれる画素ごとの階調値を示す画像データに基づいて、液晶層５０を駆動する駆動電圧波形をスイッチング素子に出力する。走査線駆動回路１０４は、画像信号に含まれる画素の表示タイミングを示すデータに基づいて、スイッチング素子のゲート電極に電圧を印加し、スイッチング素子のオンオフを制御する。スイッチング素子がオンになると、上記の駆動電圧波形が画素電極９に供給され、画素電極９に電圧が印加される。共通電極２１の電位は、例えば複数の画素１２で共通の共通電位に保持されている。液晶層５０には、画素電極９と共通電極２１との間の電位差に相当する電圧が印加される。この電圧により生じる電界によって、液晶層５０の配向状態が変化する。液晶層５０に入射した光は、液晶層５０の配向状態に応じて画素１２ごとに偏光状態が変化する。液晶層５０から射出された光を偏光板（図示略）に通すことにより、画像データに応じた階調値の光が偏光板から射出される。このようにして、画像データに対応する画像を表示することが可能になっている。
【００４１】
図２（ａ）は、ゲート電圧および駆動電圧波形を示すチャート、図２（ｂ）は液晶層の実効電圧波形を示すチャート、図２（ｃ）は、図２（ｂ）からある程度の駆動時間経過後の液晶層の実効電圧波形を示すチャートである。実効電圧の正負のバランスを示す概念図である。図２（ａ）〜図２（ｃ）において、横軸は時間経過を示し、縦軸は電位を示す。
【００４２】
図２（ａ）に示すように駆動電圧波形ＶＤの電位は、ゲート電圧ＶＧの立ち上がりと同期して、高電位Ｈ（例えば１２Ｖ）と低電位Ｌ（例えば２Ｖ）とが交互に切替わるようになっている。
【００４３】
図２（ｂ）に示すように、ゲート電圧ＶＧが立ち上がるとスイッチング素子がオンになり、画素電極９が充電される。液晶層５０の実効電圧波形ＶＬ１の電位は、概ね低電位Ｌから高電位Ｈまで上昇する。スイッチング素子が、薄膜トランジスターにより構成されている場合に、スイッチング素子がオフになると、突き抜け電圧が生じることがある。
【００４４】
すなわち、スイッチング素子のゲート電極とチャネル領域等との容量に蓄積された電荷が画素電極９に流れることによって、電圧降下Ｖ１（突き抜け電圧）が生じる。また、スイッチング素子がオフの状態でチャネル領域をリーク電流が流れることによる、電圧降下Ｖ２が生じることもある。次にゲート電圧ＶＧが立ち上がるときに、実効電圧波形ＶＬ１の電位は、電圧降下Ｖ１、Ｖ２の分だけ高電位Ｈよりも低くなっている。
【００４５】
次にゲート電圧ＶＧが立ち上がると、駆動電圧波形ＶＤが低電位Ｌになり、画素電極９が放電される。液晶層５０の実効電圧波形ＶＬ１の電位は、低電位Ｌまで降下する。スイッチング素子がオフになると、突き抜け電圧による電圧降下Ｖ３が生じ、またリーク電流による電圧上昇Ｖ４が生じる。
【００４６】
共通電極２１の電位は、共通電位ＬＣｃｏｍ１に保持されている。共通電位ＬＣｃｏｍ１は、実効電圧波形ＶＬ１の共通電位ＬＣｃｏｍ１に対する高電位側と低電位側とのバランスを取るように、予め設定されている。共通電位ＬＣｃｏｍ１は、電圧降下Ｖ１〜Ｖ３、電圧上昇Ｖ４を加味して設定され、一般に、高電位Ｈと低電位Ｌとの中間電位Ｍ（例えば７Ｖ）と異なる値になる。例えば、実効電圧波形ＶＬ１と共通電位ＬＣｃｏｍ１との差分の時間積分値の絶対値が、駆動電圧波形ＶＤが高電位Ｈである期間と低電位Ｌである期間とで略等しくなるように最適化された値が、共通電位ＬＣｃｏｍ１として設定される。
【００４７】
図２（ｃ）に示すように、ある程度の期間だけ液晶層５０を駆動した後の実効電圧波形ＶＬ２は、駆動開始直後の実効電圧波形ＶＬ１からシフトすることが多い。実効電圧波形ＶＬ２は、電位の正負方向のいずれにシフトする場合もあるが、図２（ｃ）には負方向にシフトしている状態を図示している。シフトした実効電圧波形ＶＬ２に対して、正負のバランスを取るように最適化された共通電位ＬＣｃｏｍ２を考える。シフト後の共通電位ＬＣｃｏｍ２は、シフト前の共通電位ＬＣｃｏｍ１からずれることになる。
【００４８】
共通電位ＬＣｃｏｍ１と共通電位ＬＣｃｏｍ２との差分（以下、ＬＣｃｏｍずれという）が、ある程度以上に大きくなると、低電位側の期間と高電位側の期間とで液晶層５０の変調作用の差が大きくなる。すると、表示された画像において、低電位側の期間に変調された光の光量と、高電位側の期間に変調された光の光量との違いが視認されて、画像のちらつき（フリッカー）を生じてしまう。また、ＬＣｃｏｍずれに応じた直流成分が、液晶層５０に印加されていることになり、液晶層５０が劣化しやすくなる。また、上記の直流成分によって、液晶層５０に含まれる不純物（特にイオン）が、素子基板１０側と対向基板２０側とで偏ってしまい、イオンの偏りにより生じる電界によってＬＣｃｏｍずれがさらに増加してしまう。特に、イオンが素子基板１０の第１の配向膜１６または対向基板２０の第２の配向膜に偏って付着すると、付着したイオンによる電界により液晶層５０の変調作用の一部が固定されてしまい、焼付きを生じてしまう。
【００４９】
このようなＬＣｃｏｍずれを生じる一因としては、素子基板１０側の構成と対向基板２０側の構成とが異なることにより、イオンの吸着性が、素子基板１０側と対向基板２０側とでアンバランスになるになることが考えられる。イオンの吸着性は、イオンを引き寄せる力や吸着させる力のことであり、素子基板１０あるいは対向基板２０を構成する各種構成要素の誘電率や透磁率、容量等の特性によって変化すると考えられる。イオンの吸着性は、第１の配向膜１６と第２の配向膜２２とで、下地が異なることにより平坦性が異なることや、表面積が異なること等にも影響されると考えられる。
【００５０】
本発明では、第１の配向膜１６がイオンに及ぼす影響と、第２の配向膜２２がイオンに及ぼす影響とをアンバランスに設定することにより、素子基板１０側のイオンの吸着性と、対向基板２０側のイオンの吸着性との差を減らすようになっている。以下、数値例を示しつつ、第１の配向膜１６、および第２の配向膜２２の構成、並びにＬＣｃｏｍずれの低減効果について説明する。
【００５１】
図３（ａ）は、本発明を適用した実施例１の第１、第２の配向膜を拡大して示す概略断面図、図３（ｂ）は比較例１の第１、第２の配向膜を拡大して示す概略断面図である。図３（ａ）、（ｂ）には、素子基板１０、対向基板２０の構成要素を省略して図示している。
【００５２】
図３（ａ）に示すように、実施例１の液晶装置１００Ａは、素子基板１０、画素電極９Ａ、第１の配向膜１６Ａ、対向基板２０、共通電極２１Ａ、第２の配向膜２２Ａ、液晶層５０を備えている。画素電極９Ａおよび共通電極２１Ａは、ＩＴＯからなっている。第１の配向膜１６Ａは、第１の無機層１６１Ａおよび第２の無機層１６２Ａにより構成されている。第２の配向膜２２Ａは、第３の無機層２２１Ａおよび第４の無機層２２２Ａにより構成されている。第１〜第４の無機層は、いずれもシリコン酸化物を蒸着法またはスパッタ法により成膜したものであり、柱状構造を有している。
【００５３】
第１の配向膜１６Ａの下層である第１の無機層１６１Ａは、画素電極９Ａの上に形成されており、柱状構造の軸方向が画素電極９Ａの法線方向となす角度（方位角）が略０°である。第１の無機層１６１Ａの厚みは、略２０ｎｍである。
第１の配向膜１６Ａの上層である第２の無機層１６２Ａは、第１の無機層１６１Ａの上に形成されており、液晶層５０と当接している。第２の無機層１６２Ａは、柱状構造の方位角が略１５°であり、厚みが略６０ｎｍのものである。
【００５４】
このように第１の配向膜１６Ａは、総厚が略８０ｎｍであり、第１の無機層１６１Ａの厚みに対する第２の無機層１６２Ａの厚みの比率が略３のものである。柱状構造の方位角は、第１の無機層１６１Ａと第２の無機層１６２Ａとで異なっている。第１の配向膜１６Ａでは、液晶層５０側に配置されている第２の無機層１６２Ａの厚みが、第１の無機層１６１Ａの厚みよりも大きくなっている。
【００５５】
第２の配向膜２２Ａの下層である第３の無機層２２１Ａは、共通電極２１Ａの上に形成されており、柱状構造の軸方向が共通電極２１Ａの法線方向となす角度（方位角）が略０°である。第３の無機層２２１Ａの厚みは、略６０ｎｍである。
第２の配向膜２２Ａの上層である第４の無機層２２２Ａは、第３の無機層２２１Ａの上に形成されており、液晶層５０と当接している。第４の無機層２２２Ａは、柱状構造の方位角が略１５°であり、厚みが略２０ｎｍのものである。
【００５６】
このように第２の配向膜２２Ａは、厚みが略８０ｎｍであり、第３の無機層２２１Ａの厚みに対する第４の無機層２２２Ａの厚みの比率が略１／３のものである。柱状構造の方位角は、第３の無機層２２１Ａと第４の無機層２２２Ａとで異なっている。第２の配向膜２２Ａでは、液晶層５０側に配置されている第４の無機層２２２Ａの厚みが、第３の無機層２２１Ａの厚みよりも小さくなっている。
【００５７】
第２の配向膜２２Ａにおける上下層機層の厚みの比率（ここでは１／３）は、第１の配向膜１６Ａにおける無機層の厚みの比率（ここでは３）と異なっている。第１、第２の配向膜の各々について、上下層で厚みの大小関係に着目すると、第１の配向膜１６Ａでは上層の方が厚く、第２の配向膜２２Ａでは下層の方が厚くなっており、上下層の厚みの大小関係が、第１の配向膜１６Ａと第２の配向膜２２Ａとで反対になっている。
【００５８】
第１、第２の配向膜の各々において、下層の厚みを変化させると、下層自体の容量や、下層の液晶層５０側の面（上層の下地となる面）の平坦性、上層の膜質（例えば緻密さ）、下層の下地側と液晶層５０との間の誘電率や透磁率等のような特性が変化する。上層の厚みを変化させると、液晶層５０に対して微細な凹凸をなす柱状構造の長さが変化することによる上層と液晶層５０との実質的な接触面積や、上層の下地側と液晶層５０との間の誘電率や透磁率等のような特性が変化する。
【００５９】
このような特性変化に伴い、液晶層５０のイオンの素子基板１０側の吸着性、すなわち液晶層５０に含まれるイオンを素子基板１０側に引き寄せる力や単位時間当たりにイオンが第１の配向膜１６Ａに吸着する量は、第１の配向膜１６Ａの上下層の厚みの比率に応じて変化する。液晶層５０のイオンの対向基板２０側の吸着性についても同様に、第２の配向膜２２Ａの上下層の厚みの比率に応じて変化する。
【００６０】
第１の配向膜１６Ａと第２の配向膜２２Ａとで、上下層の厚みの比率を異ならせているので、素子基板１０側と対向基板２０側とで、液晶層５０のイオンの吸着性の差を減らすように調整することができる。
【００６１】
特に、第１の配向膜１６Ａと第２の配向膜２２Ａとで、上下層の厚みの大小関係が反対になっているので、素子基板１０側と対向基板２０側の片方は、イオンの吸着性が増すように調整され、もう片方はイオンの吸着性が減るように調整される。したがって、素子基板１０側と対向基板２０側のイオンの吸着性が大きく異なる場合でも、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオンの吸着性を揃えることができる。
【００６２】
図３（ｂ）に示すように、比較例１の液晶装置Ｃ１は、第１の配向膜Ｃ１０および第２の配向膜Ｃ２０を除いた構成については、実施例１と同じである。第１の配向膜Ｃ１０は、第１の無機層Ｃ１１および第２の無機層Ｃ１２により構成されている。第２の配向膜Ｃ２０は、第３の無機層Ｃ２１および第４の無機層Ｃ２２により構成されている。
【００６３】
比較例１は、実施例１と無機層の厚みの比率が異なっており、無機層の厚みの比率以外の点については実施例１と同様である。比較例１では、第１〜第４の無機層の厚みは、いずれも略４０ｎｍである。比較例１では、第１の無機層Ｃ１１の厚みに対する第２の無機層Ｃ１２の厚みの比率が略１であり、第３の無機層Ｃ２１の厚みに対する第４の無機層Ｃ２２の厚みの比率が略１である。すなわち、比較例１では、第１の配向膜Ｃ１０における無機層の比率が、第２の配向膜Ｃ２０における無機層の比率と同じになっている。
【００６４】
以上のような構成の実施例１、比較例１の液晶装置について、下記の条件でＬＣｃｏｍずれを比較した。駆動電圧波形を６０Ｈｚの矩形波に設定し、同じ駆動電圧波形により実施例１、比較例１の液晶装置をそれぞれ交流駆動した。このとき、共通電位に対する液晶層の実効電圧波形の正負のバランスがとれるように、共通電位を最適化した。最適化された共通電位を保持して、実施例１、比較例１の液晶装置を、それぞれ、８０℃の温度で６０分間駆動した。その後に、実施例１、比較例１の液晶装置の各々について、共通電位に対する液晶層の実効電圧波形の正負のバランスがとれるように、共通電位を再度最適化した。再度最適化された共通電位と、最初の最適化した共通電位との差をＬＣｃｏｍずれとして求めた。その結果、比較例１のＬＣｃｏｍずれが０．３Ｖであったのに対して、実施例１のＬＣｃｏｍずれは０．０５Ｖであった。このように、本発明を適用した実施例１では、通常同様の比較例１よりもＬＣｃｏｍずれが格段に低減されることが確認された。
【００６５】
本発明者は、ＬＣｃｏｍずれの許容範囲について調査したところ、ＬＣｃｏｍの絶対値が０．２Ｖ以下であれば、フリッカーや焼付きを生じにくいという知見を得ている。実際に、実施例１の液晶装置に同じ表示パターンを１０時間連続で表示させたところ、焼付きやフリッカーが視認されないことが確認された。また、下記のような実施例２の液晶装置を作成し、ＬＣｃｏｍずれについて調査した。
【００６６】
実施例２の液晶装置は、その詳細な構成を図示しないが、第１〜第４の無機層の厚み以外の点について、実施例１、比較例１と同様である。実施例２では、第１の配向膜について、下層である第１の無機層の厚みを略２０ｎｍとし、上層である第２の無機層の厚みを略８０ｎｍとした。また、第２の配向膜について、下層である第３の無機層の厚みを略８０ｎｍとし、上層である第４の無機層の厚みを略２０ｎｍとした。第１の配向膜における無機層の厚みの比率（ここでは４）は、第２の配向膜における無機層の厚みの比率（ここでは１／４）と異なっている。上層と下層で厚みの大小関係に着目すると、上下層の厚みの大小関係が、第１の配向膜と第２の配向膜とで反対になっている。
【００６７】
実施例２の液晶装置に対して、実施例１および比較例１と同様の条件で駆動してＬＣｃｏｍずれについて調査したところ、実施例２のＬＣｃｏｍずれは−０．０５Ｖであった。実施例２の液晶装置に同じ表示パターンを１０時間連続で表示させたところ、焼付きやフリッカーが視認されないことが確認された。
【００６８】
実施例１、２から分かるように、第１の無機層の厚みに対する第２の無機層の厚みの比率を増すと、ＬＣｃｏｍずれが負電位側にシフトする。このことから、例えば下記のようにしてＬＣｃｏｍずれを最小化することができる。まず、例えば比較例１のように、第１、第２の配向膜における無機層の厚みの比率を仮の値として設定して試験用の液晶装置を構成する。そして、試験用の液晶装置についてＬＣｃｏｍずれを求め、ＬＣｃｏｍずれが正電位で場合には、第１の無機層の厚みに対する第２の無機層の厚みの比率を増すことにより、ＬＣｃｏｍの絶対値を０に近づけることができる。ＬＣｃｏｍずれが負電位で場合には、第１の無機層の厚みに対する第２の無機層の厚みの比率を減らすことにより、ＬＣｃｏｍずれの絶対値を０に近づけることができる。
【００６９】
以上のように、第１実施形態の液晶装置（例えば実施例１の液晶装置１００Ａ）にあっては、第１の無機層１６１Ａの厚みに対する第２の無機層１６２Ａの厚みの比率が、第３の無機層２２１Ａの厚みに対する第４の無機層２２２Ａの厚みの比率と異なっているので、共通電位の適正値からのずれ（ＬＣｃｏｍずれ）の絶対値を減らすことができる。したがって、フリッカーや焼付きが生じにくくなり、高品質な画像を表示可能になる。本発明を適用した液晶装置を用いて、直視型の表示パネルやプロジェクター、カメラ等のビューファインダー等の電子機器を構成すると、高品質が画像を表示可能な電子機器にすることが可能になる。
【００７０】
第１、第２の配向膜は、液晶層５０と当接して設けられているので、イオンの吸着性を直接的に制御することができる。したがって、第１、第２の配向膜を構成する無機層の厚みの比率に対するＬＣｃｏｍずれの関係性が単純（例えば線形的）になり、ＬＣｃｏｍずれを減らす上で最適な無機層の厚みの比率を求めることが容易になる。また、第１、第２の配向膜に対して液晶層５０の反対側に配置されている構成要素によるイオンの吸着性を、端的には全ての構成要素について包括的に加味して、無機層の厚みの比率を設定することができる。ＬＣｃｏｍずれを減らす観点で構成要素ごとに特性を調整する手法と比較すると、構成要素の材料選択の自由度や設計容易性を高めることができる。
【００７１】
配向膜自体は通常の液晶装置にも設けられているので、第１、第２の配向膜を構成する無機層の厚みの比率を調整したことによる悪影響（背反事項）を生じにくい。また、ＬＣｃｏｍずれを減らす上で新たな部材を追加する必要性や駆動方法を工夫する必要性が低くなるので、液晶装置の電気特性や表示特性の変化、装置構成の複雑化、製造効率の低下等を回避することができる。
【００７２】
次に、実施例１の液晶装置の構成に基づいて、本発明に係る液晶装置の製造方法の一実施形態について説明する。
【００７３】
図４（ａ）〜（ｄ）は、液晶装置の製造方法を概略して示す断面工程図、図５は、成膜角度の定義を示す図である。
液晶装置を製造するには、図４（ａ）に示すように画素電極９Ａが形成された素子基板１０を用意し、画素電極９Ａを覆うように第１の無機材料を蒸着法またはスパッタ法により成膜することにより、第１の無機層１６１Ａを形成する。ここでは、真空度４×１０−３パスカルの雰囲気、成膜角度０°で、第１の無機材料としてシリコン酸化物を２０ｎｍの厚みで蒸着する。ここでいう成膜角度は、図５に示すように、蒸着法で用いる蒸着源またはスパッタ法で用いるターゲットから蒸着粒子またはスパッタ粒子が基板に入射する方向と、基板の法線方向とがなす角度である。
【００７４】
次いで、図４（ｂ）に示すように、第１の無機層１６１Ａの形成時と成膜角度を異ならせて、第１の無機層１６１Ａを覆うように無機材料を蒸着することにより、第２の無機層１６２Ａを形成する。ここでは、真空度４×１０−３パスカルの雰囲気、成膜角度４８°で、シリコン酸化物を６０ｎｍの厚みで蒸着する。
以上のようにして、第１の無機層１６１Ａおよび第２の無機層１６２Ａからなる第１の配向膜１６Ａを形成する。
【００７５】
また、図４（ｃ）に示すように共通電極２１Ａが形成された対向基板２０を用意し、共通電極２１Ａを覆うように第２の無機材料を蒸着することにより、第３の無機層２２１Ａを形成する。第２の無機材料は、第１の無機材料と同じでもよいし異なっていてもよい。ここでは、真空度４×１０−３パスカルの雰囲気、成膜角度０°で、第２の無機材料としてシリコン酸化物を６０ｎｍの厚みで蒸着する。
【００７６】
次いで、図４（ｄ）に示すように、第３の無機層２２１Ａの形成時と成膜角度を異ならせて、第３の無機層２２１Ａを覆うように無機材料を蒸着することにより、第４の無機層２２２Ａを形成する。ここでは、真空度４×１０−３パスカルの雰囲気、成膜角度４８°で、シリコン酸化物を２０ｎｍの厚みで蒸着する。
以上のようにして、第３の無機層２２１Ａおよび第４の無機層２２２Ａからなる第２の配向膜２２Ａを形成する。
なお、第１の配向膜１６Ａを形成する第１の形成工程と、第２の配向膜２２Ａを形成する第２の形成工程の順番については限定されない。
【００７７】
次いで、第１の配向膜１６Ａと第２の配向膜２２Ａとが互いに向き合うように、素子基板１０と対向基板２０とを互いに対向させた状態で、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０を封入する。また、偏光板や周辺回路を設けることなどにより、図１（ａ）、図１（ｂ）に示した液晶装置１００と同様の液晶装置が得られる。
【００７８】
このような液晶装置の製造方法によれば、第１の無機層１６１Ａの形成時と、第２の無機層１６２Ａの形成時とで、成膜角度や蒸着時間等のプロセス条件を異ならせることにより、第１の配向膜１６Ａを形成することができる。したがって、通常の配向膜の形成時と比較してプロセスの複雑化や工数の増加を招くことがほとんどなく、第１の配向膜１６Ａを効率よく形成することができる。第２の配向膜２２Ａについても同様の理由により、効率よく形成することができ、上述のようにフリッカーや焼付きを生じにくい影響装置を効率よく製造することができる。
【００７９】
［第２実施形態］
次に、本発明に係る第２実施形態を説明する。第２実施形態が第１実施形態と異なる点は、画素電極が反射電極であり共通電極と材質が異なっている点と、ＬＣｃｏｍずれが正電位にシフトするように厚みの比率を設定している点である。
【００８０】
図６（ａ）、（ｂ）は第２実施形態に係る実施例３、実施例４の第１、第２の配向膜を拡大して示す概略断面図、図６（ｃ）は比較例２の第１、第２の配向膜を拡大して示す概略断面図である。
【００８１】
図６（ａ）に示すように、実施例３の液晶装置１００Ｂは、素子基板１０、画素電極９Ｂ、第１の配向膜１６Ｂ、対向基板２０、共通電極２１Ａ、第２の配向膜２２Ｂ、液晶層５０を備えている。
【００８２】
実施例３、４の液晶装置１００Ｂ、１００Ｃは、反射型の液晶装置として構成されている。画素電極９Ｂは、光反射材料（ここではアルミニウム）からなり、反射電極として機能する。共通電極２１Ａは、ＩＴＯからなり、透明電極として機能する。第１の配向膜１６Ｂは、第１の無機層１６１Ｂおよび第２の無機層１６２Ｂにより構成されている。第２の配向膜２２Ｂは、第３の無機層２２１Ｂおよび第４の無機層２２２Ｂにより構成されている。第１〜第４の無機層は、いずれもシリコン酸化物を蒸着法により成膜したものであり、柱状構造を有している。第２実施形態に係る液晶装置１００Ｂ、１００Ｃについても、第１実施形態で説明した製造方法を適用して製造可能であり、第１〜第４の無機層をスパッタ法で形成してもよい。
【００８３】
下層である第１の無機層１６１Ｂは、画素電極９Ｂの上に形成されており、柱状構造の方位角が略０°である。第１の無機層１６１Ｂの厚みは、略６０ｎｍである。上層である第２の無機層１６２Ｂは、第１の無機層１６１Ｂの上に形成されており、液晶層５０と当接している。第２の無機層１６２Ｂは、柱状構造の方位角が略１５°であり、厚みが略２０ｎｍのものである。
【００８４】
このように第１の配向膜１６Ｂは、厚みが略８０ｎｍであり、第１の無機層１６１Ｂの厚みに対する第２の無機層１６２Ｂの厚みの比率が略１／３のものである。柱状構造の方位角は、第１の無機層１６１Ｂと第２の無機層１６２Ｂとで異なっている。第１の配向膜１６Ｂについて、上述の上下層の厚みの大小関係に着目すると、上層の方が下層よりも薄くなっている。
【００８５】
下層である第３の無機層２２１Ｂは、共通電極２１Ａの上に形成されており、柱状構造の方位角が略０°である。第３の無機層２２１Ｂの厚みは、略２０ｎｍである。上層である第４の無機層２２２Ｂは、第３の無機層２２１Ｂの上に形成されており、液晶層５０と当接している。第４の無機層２２２Ｂは、柱状構造の方位角が略１５°であり、厚みが略６０ｎｍのものである。
【００８６】
このように第２の配向膜２２Ｂは、厚みが略８０ｎｍであり、第３の無機層２２１Ｂの厚みに対する第４の無機層２２２Ｂの厚みの比率が略３のものである。柱状構造の方位角は、第３の無機層２２１Ｂと第４の無機層２２２Ｂとで異なっている。第２の配向膜２２Ｂについて、上下層の厚みの大小関係に着目すると、上層の方が下層よりも厚くなっている。
【００８７】
以上のように、第２の配向膜２２Ｂにおける無機層の厚みの比率は、第１の配向膜１６Ｂにおける無機層の厚みの比率と異なっている。第１、第２の配向膜について、上下層で厚みの大小関係に着目すると、第１の配向膜１６Ｂでは下層の方が厚く、第２の配向膜２２Ｂでは下層の方が厚くなっており、上下層の厚みの大小関係が、第１の配向膜１６Ｂと第２の配向膜２２Ｂとで反対になっている。
【００８８】
図６（ｂ）に示すように実施例４の液晶装置１００Ｃは、画素電極９Ｂと第１の配向膜１６Ｂとの間に、パッシベーション膜１７が設けられている点、および共通電極２１Ａと第２の配向膜２２Ｂとの間に、パッシベーション膜２４が設けられている点を除くと、実施例３の液晶装置１００Ｂと同様の構成になっている。パッシベーション膜１７は、例えばシリコン酸化物等の絶縁材料により形成され、第１の配向膜１６Ｂの下地を平坦化するとともに画素電極９Ｂを保護するようになっている。パッシベーション膜１７は、例えばＴＥＯＳガスを原料ガスに用いたプラズマＣＶＤ法により形成される。
【００８９】
図６（ｃ）に示すように、比較例２の液晶装置Ｃ２は、第１の配向膜Ｃ３０および第２の配向膜Ｃ４０を除いた構成については、実施例３と同じである。第１の配向膜Ｃ３０は、第１の無機層Ｃ３１および第２の無機層Ｃ３２により構成されている。第２の配向膜Ｃ２０は、第３の無機層Ｃ４１および第４の無機層Ｃ４２により構成されている。
【００９０】
比較例２は、実施例３と無機層の厚みが異なっており、厚みを除いた点については実施例３と同様である。比較例２では、第１〜第４の無機層の厚みは、いずれも略４０ｎｍである。比較例２では、第１の無機層Ｃ３１の厚みに対する第２の無機層Ｃ３２の厚みの比率が略１であり、第３の無機層Ｃ４１の厚みに対する第４の無機層Ｃ４２の厚みの比率が略１である。すなわち、比較例２では、第１の配向膜Ｃ１０における無機層の比率（ここでは１）が、第２の配向膜Ｃ２０における無機層の比率（ここでは１）と同じになっている。
【００９１】
以上のような構成の実施例３、実施例４、および比較例２の液晶装置について、第１実施形態で説明した実施例１と同じ条件でＬＣｃｏｍずれを比較した。その結果、比較例２のＬＣｃｏｍずれが−０．４Ｖであったのに対して、実施例３のＬＣｃｏｍずれは−０．１Ｖ、実施例４のＬＣｃｏｍずれは０．０５Ｖであった。実施例３および実施例４の液晶装置に同じ表示パターンを１０時間連続で表示させたところ、焼付きやフリッカーが視認されないことが確認された。
【００９２】
一般に反射型の液晶装置は、透過型の液晶装置と比較して、画素の開口率を高めることや駆動電圧を下げることができる。一方で、素子基板と対向基板の片方に反射電極等の反射部材が設けられることにより、素子基板側と対向基板側とでイオンの吸着性の差が大きくなると考えられる。
【００９３】
第２実施形態の液晶装置にあっては、第１、第２の配向膜を構成する無機層の厚みの比率が第１の配向膜と第２の配向膜とで異なっている。第１実施形態で説明した理由により、画素電極９Ｂと共通電極２１Ａの材質の違い起因するイオンの吸着性の差を含めて、素子基板１０側と対向基板２０側のイオンの吸着性の差を減らすことができ、ＬＣｃｏｍずれの絶対値を減らすことができる。したがって、フリッカーや焼付きが生じにくくなり、高品質な画像を表示可能になる。
【００９４】
実施例４のように、画素電極９Ｂと第１の配向膜１６Ｂとの間、および共通電極２１Ａと第２の配向膜２２Ｂとの間にパッシベーション膜１７、２３が設けられていれば、画素電極９Ｂをパッシベーション膜により保護することができる。また、画素電極９Ｂと共通電極２１Ａの材質の違いがイオンの吸着性に及ぼす影響を減らすことができ、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオンの吸着性の差を減らすことができる。
【００９５】
［第３実施形態］
次に、本発明に係る第３実施形態を説明する。第３実施形態が第１実施形態と異なる点は、第１の配向膜の上下層の厚みの比率と、第２の配向膜の上下層の厚みの比率とが同じであるが、第１の配向膜の上下層の総厚と、第２の配向膜の上下層の総厚とが異なっている点である。
【００９６】
図７は、第３実施形態に係る実施例５の第１、第２の配向膜を拡大して示す概略断面図である。
図７に示すように、実施例５の液晶装置１００Ｄは、素子基板１０、画素電極９Ａ、第１の配向膜１６Ｄ、対向基板２０、共通電極２１Ａ、第２の配向膜２２Ｄ、液晶層５０を備えている。第１の配向膜１６Ｄは、第１の無機層１６１Ｄおよび第２の無機層１６２Ｄにより構成されている。第２の配向膜２２Ｄは、第３の無機層２２１Ｄおよび第４の無機層２２２Ａにより構成されている。第１の無機層１６１Ｄと第２の無機層１６２Ｄの総厚（第１の配向膜１６Ｄの総厚）は、第３の無機層２２１Ｄと第４の無機層２２２Ａの総厚（第２の配向膜２２Ｄの総厚）と異なっている。第１〜第４の無機層は、いずれもシリコン酸化物を蒸着法により成膜したものであり、柱状構造を有している。
【００９７】
第１の無機層１６１Ｄは、画素電極９Ａの上に形成されており、柱状構造の方位角が略０°である。第２の無機層１６２Ｄは、第１の無機層１６１Ｄの上に形成されており、液晶層５０と当接している。第２の無機層１６２Ｂは、柱状構造の方位角が略１５°でありる。ここでは、第１の無機層１６１Ｄの厚みが、第２の無機層１６２Ｄの厚みと略同じになっている。
【００９８】
第３の無機層２２１Ｄは、共通電極２１Ａの上に形成されており、柱状構造の方位角が略０°である。第４の無機層２２２Ｄは、第３の無機層２２１Ｄの上に形成されており、液晶層５０と当接している。第４の無機層２２２Ｄは、柱状構造の方位角が略１５°である。ここでは、第３の無機層２２１Ｄの厚みが、第４の無機層２２２Ｄの厚みと略同じになっている。
【００９９】
以上のような第３実施形態の液晶装置にあっては、第１の無機層１６１Ｄと第２の無機層１６２Ｄとで柱状構造の方位角が異なっている。第１の無機層１６１Ｄの厚みに対する第２の無機層１６２Ｄの厚みの比率を調整することにより、素子基板１０側の液晶層５０のイオンの吸着性に及ぼす第１の配向膜１６Ｄの影響を調整することができ、素子基板１０側のイオンの吸着性を調整することができる。第３の無機層２２１Ｄの厚みに対する第４の無機層２２２Ｄの厚みの比率を調整することにより、対向基板２０側のイオンの吸着性を調整することができる。また、第１の配向膜１６Ｄの総厚が第２の配向膜２２Ｄの総厚と異なっているので、素子基板１０側と対向基板２０側のイオンの吸着性の差を減らすことができる。
【０１００】
なお、本発明の技術範囲は前記実施形態に限定されるものではない。本発明の主旨を逸脱しない範囲内で多様な変形が可能である。例えば、実施例１〜４では、比較例との比較のために第１の配向膜の総厚と第２の配向膜の総厚を略同じにしているが、第１の配向膜の総厚が第２の配向膜の総厚と異なっていてもよい。第１、第２の配向膜が、３以上の層からなっていてもよい。この場合には、液晶層側の最表層が第２の無機層（第４の無機層）となっており、最表層に対して液晶層の反対に第１の無機層（第４の無機層）が配置されていればよい。
【符号の説明】
【０１０１】
９、９Ａ、９Ｂ・・・画素電極、１０・・・素子基板（第１の基板）、
１１・・・表示領域、１２・・・画素、
１６、１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｄ・・・第１の配向膜、
１７・・・パッシベーション膜、２０・・・対向基板（第２の基板）、
２１、２１Ａ・・・共通電極、２２、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｄ・・・第２の配向膜、
２３・・・遮光膜、２４・・・パッシベーション膜、５０・・・液晶層、
５２・・・シール材、５３・・・額縁、１００、１００Ａ〜１００Ｃ・・・液晶装置、
１０１・・・データ線駆動回路、１０２・・・外部回路実装端子、
１０４・・・走査線駆動回路、１０５・・・配線、１０６・・・基板間導通材、
１６１Ａ、１６１Ｂ、１６１Ｄ・・・第１の無機層、
１６２Ａ、１６２Ｂ、１６２Ｄ・・・第２の無機層、
２２１Ａ、２２１Ｂ、２２１Ｄ・・・第３の無機層、
２２２Ａ、２２２Ｂ、２２２Ｄ・・・第４の無機層、
Ｃ１、Ｃ２・・・比較例の液晶装置、Ｃ１０・・・第１の配向膜、
Ｃ１１・・・第１の無機層、Ｃ１２・・・第２の無機層、Ｃ２０・・・第２の配向膜、
Ｃ２１・・・第３の無機層、Ｃ２２・・・第４の無機層、Ｃ３０・・・第１の配向膜、
Ｃ３１・・・第１の無機層、Ｃ３２・・・第２の無機層、Ｃ４０・・・第２の配向膜、
Ｃ４１・・・第３の無機層、Ｃ４２・・・第４の無機層、Ｈ・・・高電位、
Ｌ・・・低電位、ＬＣｃｏｍ１、ＬＣｃｏｍ２・・・共通電位、Ｍ・・・中間電位、
Ｖ１〜Ｖ３・・・電圧降下、Ｖ４・・・電圧上昇、ＶＤ・・・駆動電圧波形、
ＶＧ・・・ゲート電圧、ＶＬ１、ＶＬ２・・・実効電圧波形
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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