(57)【要約】【課題】化学強化工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、化学強化工程に起因してガラス基板に欠陥が生じることや異物が付着することを抑制し、高い平滑性を有する磁気ディスク用ガラス基板を提供することを目的の一とする。【解決手段】ガラス基板を化学強化処理液に浸漬して、ガラス基板に化学強化処理を行う工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、化学強化処理の前にガラス基板の表面に除電処理を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板を化学強化処理液に浸漬して、前記ガラス基板に化学強化処理を行う工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記化学強化処理の前に前記ガラス基板の表面に除電処理を行うことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記除電処理は、イオナイザを用いて行うことを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記化学強化処理の前に前記ガラス基板を洗浄する洗浄処理をさらに有し、前記除電処理を前記洗浄処理と前記化学強化処理の間に行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化技術の高度化に伴い、情報記録技術、特に磁気記録技術は著しく進歩している。磁気記録媒体の一つであるＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等に用いられる磁気ディスクにおいては、急速な小型化、薄板化、及び記録密度の増加とアクセス速度の高速化が続けられている。ＨＤＤでは、円盤状の基板の上に磁性層を備えた磁気ディスクを高速回転し、この磁気ディスク上に磁気ヘッドを浮上飛行させながら記録と再生を行う。
【０００３】
アクセス速度の高速化に伴って磁気ディスクの回転速度も速くなるため、磁気ディスクには、より高い基板強度が求められる。また記録密度の増加に伴い、磁気ヘッドも薄膜ヘッドから、磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）、大型磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）へと推移しており、磁気ヘッドの磁気ディスクからの浮上量が８ｎｍ程度にまで狭くなってきている。このため磁気ディスク面上に凹凸形状があると、磁気ヘッドが衝突するクラッシュ障害や、空気の断熱圧縮または接触により加熱して読み出しエラーを生じるサーマルアスペリティ障害を生じる場合がある。このような磁気ヘッドに生じる障害を抑制するには、磁気ディスクの主表面を極めて平滑な面として仕上げておくことが重要となる。
【０００４】
そこで現在では、磁気ディスク用の基板として、従来のアルミニウム基板に代えて、ガラス基板が用いられるようになってきている。軟質材料である金属からなるアルミニウム基板に比べて、硬質材料であるガラスからなるガラス基板は、基板表面の平坦性、基板強度、および剛性に優れているためである。一方で、ガラス基板は、脆性材料であるという側面も有している。そのため、従来から様々なガラス基板の強化方法が提案されている。例えば特許文献１には、４００℃程度に加熱した化学強化塩溶解液にガラス基板を浸漬し、ガラス基板表層のリチウムイオン、ナトリウムイオンを化学強化塩溶解液中のナトリウムイオン、カリウムイオンにそれぞれイオン交換することにより、ガラス基板の表層に圧縮応力層を形成して強化する構成が記載されている。
【０００５】
このように、化学強化処理を行うことによりガラス基板の耐衝撃性や耐振動性を向上させることができ、衝撃や振動によってガラス基板が破損するのを防止できるが、一方で、化学強化処理前にガラス基板表面に異物が付着すると、付着部分において異物がイオン交換の妨げとなる。これにより、ガラス基板の異物が付着した部分では圧縮応力層の形成が不十分となり、ガラス基板の表面においてくぼみ状の欠陥（クレーター）が発生してしまう。また、化学強化処理前にガラス基板の表面に付着した異物は、化学強化処理を経ることによってガラス基板へ強固に付着する場合もあり、ガラス基板表面に強固に付着した異物に関しては、その後の洗浄処理では除去が困難となる（図３（Ａ）〜（Ｄ）参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１２１０５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような問題を解決するための一つの方策として、化学強化処理後にガラス基板の主表面を研磨し、主表面の圧縮応力層を除去する方法がある。しかし、化学強化処理後にガラス基板の表面を研磨して除去する方法においては、化学強化処理による圧縮応力層を残すように研磨する必要があり、研磨の取り代量が制限される。さらに、ガラス基板に形成された欠陥や付着した異物が大きい場合には圧縮応力層を大幅に研磨する必要があり、圧縮応力層を必要以上に除去するとガラス基板の強度が低下するという問題が生じる。したがって、磁気ヘッドの浮上量のさらなる低減を達成するためには、化学強化処理を行う前に当該ガラス基板の表面に付着した異物を完全になくすことが好ましい。
【０００８】
ガラス基板の表面に付着した異物を除去する方法としては、化学強化処理を行う前にガラス基板に洗浄処理を行う洗浄工程を設ける方法が考えられる。しかしながら、洗浄工程で異物を除去したとしても、ガラス基板の主表面が帯電することによって化学強化処理までの間に再度ガラス基板に異物が付着してしまう場合がある。
【０００９】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、化学強化工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、化学強化工程に起因してガラス基板に欠陥が生じることや異物が付着することを抑制し、高い平滑性を有する磁気ディスク用ガラス基板を提供することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一態様は、ガラス基板を化学強化処理液に浸漬して当該ガラス基板に化学強化処理を行う前に、ガラス基板の表面に除電処理を行うことを特徴としている。
【００１１】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一態様において、除電処理を、イオナイザを用いて行うことが好ましい。
【００１２】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一態様において、化学強化処理の前にガラス基板を洗浄する洗浄処理をさらに有し、除電処理を洗浄処理と化学強化処理の間に行うことが好ましい。この構成によれば、洗浄処理によりガラス基板に付着した異物を除去し、且つ除電処理によりガラス基板に異物が再付着することを抑制できるため、化学強化工程に起因してガラス基板に欠陥が生じることや異物が付着することを効果的に抑制し、高い平滑性を有する磁気ディスク用ガラス基板を作製することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様によれば、除電処理されたガラス基板を化学強化液に浸漬して化学強化処理を行うため、化学強化工程に起因してガラス基板に欠陥が生じることや異物が付着することを効果的に抑制し、高い平滑性を有する磁気ディスク用ガラス基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態に係る除電処理工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を説明する図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る除電処理工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を説明する図である。
【図３】従来技術に係る化学強化工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明の実施の形態を図、実施例等を使用して説明する。なお、これらの図、実施例等および説明は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。
【００１６】
本発明者は、ガラス基板に化学強化処理を行う工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造工程において、化学強化処理工程後にガラス基板の表面にくぼみ状の欠陥（クレーター）が発生してしまうという問題に直面した。この問題についてさらに検討したところ、ガラス基板の表面に形成されるくぼみ状の欠陥は、帯電したガラス基板の表面に異物が付着し、当該付着した異物が化学強化処理時におけるイオン交換の障害となり、異物が付着した領域における圧縮応力層が他の領域と比較して薄くなることにより発生することを突きとめた。また、洗浄工程から化学強化工程までの時間が長くなるにつれて化学強化工程後のガラス基板表面に形成される欠陥が増大する傾向があることが分かった。
【００１７】
そこで、本発明者は、化学強化工程の前にガラス基板の主表面に除電処理を行うことによって、ガラス基板の帯電に起因する異物の付着を抑制できるとの知見を得た。以下に、ガラス基板に化学強化処理を行う工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、除電処理を行う場合について図１を参照して説明する。
【００１８】
まず、研削工程や研磨工程を経て表面が平滑化されたガラス基板１００を形成する（図１（Ａ）参照）。研磨工程の後にガラス基板１００を洗浄して付着している異物を除去しておくことが好ましい。次に、ガラス基板１００の主表面に除電処理を行う（図１（Ｂ）参照）。除電処理は、イオナイザ１０１を用いて行うことができる。イオナイザ１０１より発生したプラスイオンとマイナスイオンによって帯電したガラス基板の静電気を中和することができる。次に、ガラス基板１００を化学強化液１０２に浸漬して、ガラス基板１００の表層に圧縮応力層１０３を形成する（図１（Ｃ）参照）。以上の工程により、化学強化されたガラス基板１００を形成することができる（図１（Ｄ）参照）。
【００１９】
上記図１（Ｂ）において、除電処理は、ガラス基板１０１の両主表面に行うことが好ましい。ガラス基板１０１の一方の主表面のみを磁気ディスクとして用いる場合には、磁気ディスクとして用いる主表面のみに除電処理を行ってもよいが、一方の主表面の圧縮応力層のみに欠陥等が生じることによってガラス基板１００にうねり等が生じることを考慮すると、ガラス基板１０１の両方の主表面に除電処理を行うことが好ましい。また、本実施の形態では、ガラス基板１００に除電処理を行った後に、連続して除電処理が行われたガラス基板１００を化学強化液１０２に浸漬することが望ましい。除電処理を行った後に連続して化学強化処理を行うことにより、除電処理後に再度ガラス基板１００が帯電して異物を付着することを抑制することができるためである。
【００２０】
このように、化学強化工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、除電処理されたガラス基板を化学強化液に浸漬して化学強化処理を行うことにより、化学強化工程に起因してガラス基板に欠陥が生じることや異物が付着することを効果的に抑制し、高い平滑性を有する磁気ディスク用ガラス基板を製造することができる。
【００２１】
以下に、磁気ディスク用ガラス基板及び当該磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクの製造工程について詳しく説明する（図２参照）。なお、各工程の順序は以下の記載に限定されず、適宜入れ替えることが可能である。
【００２２】
（１）素材加工工程
素材加工工程では、ガラス母材を切断してディスク状のガラス基板を形成する。ガラス母材は、板状のガラスの表面をラッピング（研削）加工して得られ、板状ガラスとしては、様々な板状のガラスを用いることができる。ガラスとしては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス、アルミニウム−マグネシウム合金などを用いることができる。特に、主表面の平坦性及び基板強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を提供することができるという点では、アルミノシリケートガラスを用いることが好ましい。板状ガラスは、これらのガラスを材料として、プレス法やフロート法、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法など、公知の製造方法を用いて製造することができる。これらの方法うち、プレス法を用いれば、板状ガラスを廉価に製造することができる。
【００２３】
（２）第１研削（ラッピング）工程
第１ラッピング工程では、ディスク状のガラス基板の主表面をラッピング加工し、ガラス基板の形状を整える。第１のラッピング工程は、遊星歯車機構を利用した両面研削装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行うことができる。具体的には、ディスク状のガラス基板の両面に上下からラップ定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液をガラス基板の主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行う。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス基板を得ることができる。
【００２４】
（３）形状加工工程（穴部を形成するコアリング工程、端部（外周端部及び内周端部）に面取り面を形成するチャンファリング工程（面取り面形成工程））
コアリング工程では、例えば、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、ディスク状のガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とすることができる。チャンファリング工程においては、内周端面及び外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、ガラス基板に所定の面取り加工を施す。なお、コアリング工程及び／又はチャファリング工程を第１のラッピング工程の前に行ってもよい。
【００２５】
（４）第２ラッピング工程
第２ラッピング工程では、得られたガラス基板の両主表面について、第２ラッピング加工を行う。第２ラッピング工程を行うことにより、前工程である形状加工工程においてガラス基板の主表面に形成された微細な凹凸形状を除去することができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることが可能となる。なお、第２ラッピング工程は、遊星歯車機構を利用した両面研削装置を用いて上記第１ラッピング加工と同様に行うことができる。
【００２６】
（５）端面研磨工程
端面研磨工程では、ガラス基板の外周端面及び内周端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行う。このとき、研磨砥粒としては、例えば、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いることができる。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、ナトリウムやカリウムの析出の発生を防止できる鏡面状態になる。
【００２７】
（６）主表面研磨工程（第１研磨工程）
主表面研磨工程として、まず第１研磨工程を施す。第１研磨工程は、前述のラッピング工程で両主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とする工程である。この第１研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、両主表面の研磨を行う。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いることができる。また、第１研磨工程を終えたガラス基板は、中性洗剤、純水、ＩＰＡ等で洗浄することが好ましい。
【００２８】
なお、両面研磨装置としては、上下側定盤の主表面部に、一対の研磨布（硬質樹脂ポリッシャの研磨パッド）を貼付して使用することができる。この両面研磨装置においては、上下側定盤に貼付された研磨布間にガラス基板を設置し、上下側定盤の一方又は双方を移動させて、ガラス基板の両主表面を研磨することができる。
【００２９】
（７）主表面研磨工程（最終研磨工程）
最終研磨工程として、第２研磨工程を施す。第２研磨工程は、両主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする工程である。第２研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、両主表面の鏡面研磨を行う。スラリーとしては、第１研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細な酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカなどを用いることがきる。この最終研磨工程において、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置を用いて上記第１研磨工程と同様に行うことができる。
【００３０】
（８）洗浄工程
洗浄工程では、研磨工程により表面が平滑化されたガラス基板に洗浄処理を施してガラス基板の表面に付着した異物等を除去する。例えば、最終研磨工程を終えたガラス基板を、ＫＯＨ水溶液に浸漬してアルカリ洗浄を行った。なお、洗浄は超音波を印加して行うことができる。また、アルカリ洗浄の後に、さらに、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄してもよい。
【００３１】
（９）除電処理工程
除電処理工程では、上記図１に示したように、イオナイザ等を用いてガラス基板の表面にプラスイオンやマイナスイオンを供給する。これにより、ガラス基板が帯電している場合であっても、当該ガラス基板の除電を可能とし、ガラス基板の帯電に起因して異物が付着することを抑制することができる。
【００３２】
（１０）化学強化工程
化学強化工程においては、前述の除電処理工程を経て、除電されたガラス基板を化学強化液に浸漬して化学強化処理を施す。化学強化処理に用いる化学強化液としては、例えば、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）の混合溶液などを用いることができる。化学強化処理においては、化学強化液を３００℃〜４００℃に加熱し、洗浄済みのガラス基板を２００℃〜３００℃に予熱し、化学強化溶液中に３時間〜４時間浸漬することによって行う。この浸漬の際には、ガラス基板の両表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行うことが好ましい。
【００３３】
このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化溶液中の相対的にイオン半径の大きなナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。また、本実施の形態では、化学強化工程の前にガラス基板に除電処理を行うため、化学強化工程後にガラス基板にくぼみ状の欠陥が生じることや異物が強固に付着することを抑制することができる。さらに、洗浄処理と除電処理を組み合わせることにより、化学強化処理前にガラス基板の表面に付着した異物を大幅に低減することができる。なお、化学強化処理されたガラス基板は、硫酸で洗浄した後に、純水、ＩＰＡ等で洗浄すればよい。
【００３４】
（１１）磁気ディスク製造工程（記録層等形成工程）
上述した工程を経て得られたガラス基板の一方の主表面に、例えば、付着層、軟磁性層、非磁性下地層、垂直磁気記録層、保護層、及び潤滑層を順次成膜することにより、垂直磁気記録ディスクを製造することができる。付着層を構成する材料としては、Ｃｒ合金などを挙げることができる。軟磁性層を構成する材料としては、ＣｏＴａＺｒ基合金などを挙げることができる。非磁性下地層としては、グラニュラー非磁性層などを挙げることができる。垂直磁気記録層としては、グラニュラー磁性層などを挙げることができる。保護層を構成する材料としては、水素化カーボンなどを挙げることができる。潤滑層を構成する材料としては、フッ素樹脂などを挙げることができる。例えば、これらの記録層等は、より具体的には、インライン型スパッタリング装置を用いて、ガラス基板の上に、ＣｒＴｉの付着層、ＣｏＴａＺｒ／Ｒｕ／ＣｏＴａＺｒの軟磁性層、ＣｏＣｒＳｉＯ２の非磁性グラニュラー下地層、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２・ＴｉＯ２のグラニュラー磁性層、水素化カーボン保護膜を順次成膜し、さらに、ディップ法によりパーフルオロポリエーテル潤滑層を成膜することができる。
【００３５】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
【００３６】
（実施例）
（１）素材加工工程
溶融させたアルミノシリケートガラスを上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスによりディスク形状に成型し、アモルファスの板状ガラスを得た。なお、アルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：５８重量％〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５重量％〜２３重量％、Ｌｉ２Ｏ：３重量％〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４重量％〜１３重量％を主成分として含有するガラスを使用した。
【００３７】
（２）第１研削（ラッピング）工程
次に、ディスク状のガラス基板の両主表面をラッピング加工した。このラッピング加工は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行った。具体的には、ガラス基板の両面に上下から定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液を板状ガラスの主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行った。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス基板を得た。
【００３８】
（３）形状加工工程（コアリング、チャンファリング）
次に、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、このガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とした（コアリング）。そして内周端面及び外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を施した（チャンファリング）。
【００３９】
（４）第２ラッピング工程
次に、得られたガラス基板の両主表面について、第１ラッピング工程と同様に、第２ラッピング加工を行った。この第２ラッピング工程を行うことにより、前工程である切り出し工程や端面研磨工程において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることができるようになる。
【００４０】
（５）端面研磨工程
次に、ガラス基板の外周端面及び内周端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行った。このとき、研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いた。そして、端面研磨工程を終えたガラス基板を水洗浄した。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、ナトリウムやカリウムの析出の発生を防止できる鏡面状態に加工された。
【００４１】
（６）主表面研磨工程（第１研磨工程）
主表面研磨工程として、まず第１研磨工程を施した。この第１研磨工程は、前述のラッピング工程において主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とするものである。この第１研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、主表面の研磨を行った。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いた。
【００４２】
この第１研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
【００４３】
（７）主表面研磨工程（最終研磨工程）
次に、主表面研磨工程として、第２研磨工程を施した。この第２研磨工程は、主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする。この第２研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研磨剤としては、第１研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細なコロイダルシリカ砥粒（平均粒子径５０ｎｍ〜８０ｎｍ）を用いたスラリーを使用した。
【００４４】
（８）洗浄工程
最終研磨工程を終えたガラス基板を、濃度０．１〜５重量％のＫＯＨ水溶液に浸漬してアルカリ洗浄を行った。なお、洗浄は超音波を印加して行った。さらに、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。
【００４５】
（９）除電処理工程
次に、ガラス基板の表面に除電処理を行った。本実施例では、イオナイザ（ＫＥＹＥＮＣＥ社製を用いて、ガラス基板の両主表面に除電処理を行った。
【００４６】
（１０）化学強化工程
次に、前述の端面研磨工程及び第１種表面研磨工程を終えたガラス基板に、化学強化処理（イオン交換処理）を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を４００℃に加熱しておくとともに、洗浄済みのガラス基板を３００℃に予熱し、化学強化溶液中に約３時間浸漬することにより行った。この浸漬の際には、ガラス基板の表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行った。
【００４７】
このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化溶液中のナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層の厚さは、約１００μｍ〜２００μｍであった。
【００４８】
化学強化処理を終えたガラス基板を、２０℃の水槽に浸漬して急冷し、約１０分間維持した。そして、急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加熱した硫酸に浸漬して洗浄を行った。さらに、硫酸洗浄を終えたガラス基板を純水、ＩＰＡの各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。
【００４９】
以上の工程により、磁気ディスク用ガラス基板を作製した。
【００５０】
（欠陥検査）
得られたガラス基板に対して、光学式欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製、商品名：ＯＳＡ６１００）を用いて、主表面に存在する欠陥を検査した。このとき、測定条件としては、レーザパワ２５ｍＷのレーザ波長４０５ｎｍ、レーザスポット径５μｍとし、基板の中心から１５ｍｍ〜３１．５ｍｍの間の領域を測定した。その結果、基板当たり（1ｃｍ２当たり）サイズ０．１um以上として検出された欠陥が０．２５個以下であった。また、除電処理工程から２４時間経過した後に化学強化工程を行った場合であっても、くぼみ状の欠陥は０個以下であった。
【００５１】
（比較例）
実施例と同様の素材加工工程を経たガラス基板に対して、除電処理工程を行わずに得られたガラス基板について、光学式欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製、商品名：ＯＳＡ６１００）を用いて、主表面に存在する欠陥の個数を実施例と同様にして調べた。その結果、基板当たり（1ｃｍ２当たり）サイズ０．１ｕｍ以上として検出された欠陥が２．５個であり、除電工程を行った場合に比べて多かった。また、洗浄工程から化学強化工程までの時間が経過するにつれて、化学強化工程後にガラス基板表面に発生するくぼみ状の欠陥数が増大することが確認された。
【００５２】
本発明は上記実施の形態に限定されず、適宜変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態では、磁気ディスク用基板として、ガラス基板を用いる例を示したが、それには限定されず、例えばアルミニウム−マグネシウム合金などで構成された金属板等でも良い。
【００５３】
なお、上記実施の形態における材料、サイズ、処理手順、検査方法などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１００  ガラス基板
１０１  イオナイザ
１０２  化学強化液
１０３  圧縮応力層
【図１】
2011076647.tif 000003
【図２】
2011076647.tif 000004
【図３】
2011076647.tif 000005