(57)【要約】【課題】電子写真プロセスを用いて画像を形成する画像形成装置に用いられる感光体の寿命を延ばすこと。【解決手段】ビーム光を偏向して走査を行う走査手段を備えた光走査装置であって、半導体レーザユニットに２つの半導体レーザ素子を設け、一方の半導体レーザ素子から出力するレーザビームＬＢ１に感光体１６を走査させ、他方の半導体レーザ素子から出力するレーザビームＬＢ２は、感光体１６を走査せずに同期検知センサ１７を通過するように構成した。【選択図】        図２
2011197223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビーム光を偏向して走査を行う走査手段を備えた光走査装置であって、
複数のビーム光を出力するビーム光出力手段と、
前記複数のビーム光のうちの１つのビーム光に、走査対象物を通らない走査ラインを走査させ、それ以外の前記ビーム光を前記走査対象物を通る走査ラインを走査させ、前記特定の１つのビーム光が走査する走査ライン上に同期検知センサを設けたことを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
前記複数のビーム光のうちの１つのビーム光を、それ以外の前記ビーム光と分離する分離手段と、前記複数のビーム光を走査させる走査手段とを備え、前記分離手段が、透過型光学素子であることを特徴とする請求項１記載の光走査装置。
【請求項３】
前記複数のビーム光のうちの１つのビーム光は、それ以外のビーム光とは波長が異なることを特徴とする請求項２に記載の光走査装置。
【請求項４】
前記分離手段は、前記ビーム光の波長の違いによる屈折率の違いを利用して、前記複数のビーム光のうちの１つのビーム光を、それ以外のビーム光と分離することを特徴とする請求項３記載の光走査装置。
【請求項５】
前記同期検知センサの検出信号に基づいて、１ラインの主走査位置を示す主走査カウンタのカウンタ値をリセットすることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の光走査装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載の光走査装置を備えた画像形成装置であって、
感光体を備え、該感光体を前記走査対象物として前記光走査装置によって走査することにより、該感光体上に静電潜像を形成することを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビーム光を偏向して走査を行う走査手段を備えた光走査装置及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真プロセスを用いて画像を形成する画像形成装置では、一様帯電した感光体を露光して静電潜像を形成し、その静電潜像をトナー現像して感光体上にトナー像を形成し、そのトナー像を用紙等に転写し、転写後のトナー像を用紙等に定着するようにしている。
【０００３】
図８は、このような画像形成装置で用いられる感光体を露光するための露光装置における光学系（光走査装置）の構成の一例を示している。
【０００４】
図８において、半導体レーザユニット１０の基板１１には、半導体レーザ素子１２が設けられており、この半導体レーザ素子１２から出力するレーザビームＬＢは、コリメートレンズ１３により平行光に変換された後、回転するポリゴンミラー１４で反射され、ｆθレンズ１５を介して一定速度で感光体１６を主走査方向に走査した後、同期検知センサ１７の受光面を通過する。
【０００５】
このとき、ポリゴンミラー１４の１つの面で反射されたレーザビームＬＢが、感光体１６の１ラインの主走査ラインを露光し、レーザビームＬＢが書き込む情報で変調されている場合には、１主走査ライン分の画像の内容の静電潜像を感光体１６に形成する。また、レーザビームＬＢが同期検知センサ１７の受光面を通過すると、この同期検知センサ１７より１主走査ラインの開始タイミングの基準となる同期検知信号が出力される。
【０００６】
このような露光装置を備えた画像形成装置では、同期検知センサ１７が出力する同期検知信号に同期して、半導体レーザ素子１２に入力する１主走査ライン分の書き込み情報の形成等を行っており、この同期検知信号を検出する前の段階では、同期検知信号を検出するためだけの動作を行っている。
【０００７】
すなわち、例えば、画像書き込みを行う前の段階で、半導体レーザ素子１２を１ラインに相当する時間発光させて書き込み情報で変調していない１ライン分のレーザビームＬＢを出力させ、同期検知センサ１７から同期検知信号が出力されると、それ以降、画像領域について点灯制御して書き込みを行う動作を、主走査ライン単位に行うようにしていた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような従来の画像形成装置では、画像書き込みを行う前に、１ライン分の無変調のレーザビームＬＢで感光体１６が露光されるため、感光体１６の寿命に影響するという不具合を生じていた。
【０００９】
なお、特許文献１では、２軸方向に揺動するミラーを有する揺動偏向器を備え、揺動ミラーの１軸方向の揺動角度を切り換えることで、２波長のレーザビームを用いて、４色分の感光体を露光するフルカラー画像形成装置が記載されている。この特許文献１の装置では、画像光を発生するレーザビームを同期検知センサで検知して、同期検知を行っているので、上述した問題を生じる。
【００１０】
また、特許文献２では、２つのレーザビームを用いて感光体を露光する際、同一の同期検知センサを用いて２つのレーザビームを検出し、それぞれのレーザビームに対応した検出信号を分離するようにした画像形成装置が記載されている。この特許文献２の装置では、感光体を露光するレーザビームを同期検知センサを用いて検出するので、上述した問題を生じる。
【００１１】
この発明は、かかる実情に鑑みてなされたものであり、電子写真プロセスを用いて画像を形成する画像形成装置に用いられる感光体の寿命を延ばすことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明の光走査装置は、ビーム光を偏向して走査を行う走査手段を備えた光走査装置であって、複数のビーム光を出力するビーム光出力手段と、上記複数のビーム光のうちの１つのビーム光に、走査対象物を通らない走査ラインを走査させ、それ以外の上記ビーム光を上記走査対象物を通る走査ラインを走査させ、上記特定の１つのビーム光が走査する走査ライン上に同期検知センサを設けたものである。
【００１３】
上記複数のビーム光のうちの１つのビーム光を、それ以外の上記ビーム光と分離する分離手段と、上記複数のビーム光を走査させる走査手段とを備え、上記分離手段が、透過型光学素子であってよい。
【００１４】
上記複数のビーム光のうちの１つのビーム光は、それ以外のビーム光とは波長が異なるものであってよい。
【００１５】
上記分離手段は、上記ビーム光の波長の違いによる屈折率の違いを利用して、上記複数のビーム光のうちの１つのビーム光を、それ以外のビーム光と分離するとよい。
【００１６】
上記同期検知センサの検出信号に基づいて、１ラインの主走査位置を示す主走査カウンタのカウンタ値をリセットするとよい。
【００１７】
また、本発明の画像形成装置は、上記に記載の光走査装置を備えた画像形成装置であって、感光体を備え、その感光体を上記走査対象物として上記光走査装置によって走査することにより、その感光体上に静電潜像を形成するものである。
【発明の効果】
【００１８】
以上のようなこの発明の光走査装置及び画像形成装置によれば、電子写真プロセスを用いて画像を形成する画像形成装置に用いられる感光体の寿命を延ばすことができるという効果を得る。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施例に係る光走査装置（露光装置の光学系）の構成を示す図である。
【図２】レーザビームＬＢ１とレーザビームＬＢ２の光路の違いを説明するための図である。
【図３】図１に示した光走査装置を用いる画像形成装置（複写機）の信号処理系の概略を示すブロック図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｈ）は、ＦＩＦＯ４２を駆動する際の信号の一例を示した図である。
【図５】ビデオ変調処理ユニット４３の構成例を示すブロック図である。
【図６】ビデオ変調処理ユニット４３の各構成要素の動作の様子を示す図である。
【図７】リードクロック信号ＲＣＫと画像信号ＤＴＰとの関係を例示した図である。
【図８】従来の光学系（光走査装置）の構成の一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照しながら、この発明の実施の形態を詳細に説明する。
〔実施例〕
図１は、本発明の一実施例に係る光走査装置（露光装置の光学系）の構成を示す図である。なお、図１において、図８と同一部分及び相当する部分には、同一符号を付している。また、図１は、光走査装置を上方向から見た平面図である。
【００２１】
図１において、半導体レーザユニット２０の基板２１には、２つの半導体レーザ素子２２，２３が設けられており、一方の半導体レーザ素子２２は走査対象物である感光体１６を露光するために用いられ、他方の半導体レーザ素子２３は走査対象物ではない同期検知センサ１７に同期検知信号を発生させるために用いられる。また、半導体レーザ素子２２と半導体レーザ素子２３が出力するレーザ光は、それぞれ波長が異なるものとなっている。
【００２２】
これらの半導体レーザ素子２２，２３から出力するレーザビームＬＢ１，ＬＢ２は、コリメートレンズ１３により平行光に変換された後、プリズム２４を透過する。その際、レーザビームＬＢ１とレーザビームＬＢ２の波長が異なるので、プリズム２４に入射する際の屈折率、及び、プリズム２４から出射する際の屈折率が異なる。このため、レーザビームＬＢ１とレーザビームＬＢ２の光路が分離され、各々が異なる反射位置で、回転するポリゴンミラー１４で反射される。そして、レーザビームＬＢ１は、ｆθレンズ１５を介して一定速度で感光体１６を主走査方向に走査し、レーザビームＬＢ２（特定のビーム光）は、同期検知センサ１７の受光面を通過する。
【００２３】
図２は、レーザビームＬＢ１とレーザビームＬＢ２の光路の違いを説明するための模式図である。なお、同図は、ポリゴンミラー１４、感光体１６及び同期検知センサ１７とレーザビームＬＢ１，ＬＢ２との位置関係の特徴が分かるように、ポリゴンミラー１４、感光体１６及び同期検知センサ１７の形状や取り付け位置の位置関係を、各々模式的に図示したものであり、実際の形状や取り付け位置の位置関係を示すものではない。
【００２４】
この図２においては、感光体１６の上方向に同期検知センサ１７を配置するように、感光体１６と同期検知センサ１７の位置関係が設定されており、ポリゴンミラー１４により偏向されるレーザビームＬＢ１及びレーザビームＬＢ２が、それぞれ感光体１６及び同期検知センサ１７に入射するように、レーザビームＬＢ１を出射する半導体レーザ素子２２とレーザビームＬＢ２を出射する半導体レーザ素子２３とは、各々の半導体レーザユニット２０の基板２１への取り付け位置及び光軸の俯角が規定されて取り付けられている。
そして、図２に示したように、レーザビームＬＢ１とレーザビームＬＢ２とは異なる光路を進み、レーザビームＬＢ１が同期検知センサ１７を通過することはなく、また、レーザビームＬＢ２が感光体１６上を走査することもない。
【００２５】
したがって、後述のように、同期検知信号を得るために、半導体レーザ素子２３のみを点灯駆動した場合に、半導体レーザ素子２３から出力されるレーザ光により形成されるレーザビームＬＢ２は、同期検知センサ１７のみを通過し、感光体１６上を通過することがないから、非画像形成時において、余分に感光体１６を露光させて感光体１６の寿命に影響を与えるという従来装置の不具合を解消することができる。
【００２６】
一方、レーザビームＬＢ１とレーザビームＬＢ２とは、同一のポリゴンミラー１４により偏向走査されるので、図２に示すように走査する位置がずれているものの、レーザビームＬＢ１とレーザビームＬＢ２とは、同一の周期で、感光体１６及び同期検知センサ１７を走査することとなり、タイミング的に見れば、１つのレーザビームＬＢで感光体１６及び同期検知センサ１７を走査したときと同様の関係で露光周期と同期検知信号の発生タイミングが得られるので、レーザビームＬＢ２により形成される同期検知信号を、レーザビームＬＢ１で感光体１６を露光させる際の１主走査ラインの開始タイミングの基準として用いることができる。
【００２７】
なお、レーザビームＬＢ１とレーザビームＬＢ２とが異なる光路を進むようにするための手段としては、上記したようにレーザビームＬＢ１を出射する半導体レーザ素子２２とレーザビームＬＢ２を出射する半導体レーザ素子２３とを、各々の半導体レーザユニット２０の基板２１への取り付け位置及び光軸の俯角を規定して取り付ける方法の他には、例えば、半導体レーザユニット２０とポリゴンミラー１４との間に、レーザビームＬＢ１，ＬＢ２の光路を互いに走査面が異なるように分離させる１つ以上の光学素子等からなる光学手段を設けることによっても実現することができる。そのような光学手段としては、例えば、コリメートレンズとプリズムとを組み合わせてレーザビームＬＢ１，ＬＢ２の光路を走査面と垂直な方向に分離させるものなどを用いることができる。かかる光学手段が本発明の請求項に記載の分離手段に対応する。
【００２８】
次に、図１の光走査装置を用いる画像形成装置（複写機）について説明する。
図３は、その光走査装置を用いる画像形成装置（複写機）の信号処理系の概略を示すブロック図である。
図３において、この信号処理系は、複写機の画像（原稿）読取装置における画像読取素子であるＣＣＤ（電荷結合素子装置）３０、ＣＣＤ３０を駆動して読取信号を入力すると共に、半導体レーザ素子２２，２３に供給する画像信号ＤＴＰ及び強制発光信号ＢＤを形成するための処理装置４０、及び、処理装置４０から出力される画像信号ＤＴＰと強制発光信号ＢＤに基づいて、半導体レーザ素子２２と半導体レーザ素子２３とを各々駆動する半導体レーザ（ＬＤ）駆動部５０を有する。
【００２９】
また、処理装置４０は、ＣＣＤ３０を駆動すると共に、ＣＣＤ３０の出力信号を入力して、所定のアナログ画像処理及びデジタル画像処理を適用して画像データを形成し、それをＦＩＦＯ４２へ出力する画像処理ユニット（ＩＰＵ）４１、ＦＩＦＯ４２より画像データを読み込んで、半導体レーザ素子２２に供給する画像信号ＤＴＰを形成すると共に、同期検知センサ１７の受光素子（フォトダイオード）１７ａの信号に基づいて、半導体レーザ素子２３に供給する強制発光信号ＢＤを形成するためのビデオ変調処理ユニット（ＧＡＶＤ）４３、及び、画像処理ユニット４１が出力する画像データの出力速度と、ビデオ変調処理ユニット４３が入力する画像データの入力速度とを調整するためのＦＩＦＯ４２から構成されている。また、画像処理ユニット４１及びビデオ変調処理ユニット４３は、各々ＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路装置）により構成されていて、種々のレジスタ類、ＣＰＵなどの制御要素、ＦＩＦＯ、ＲＡＭ、及びＲＯＭなどのメモリ要素、ＤＳＰなどの高速演算要素、及び、必要に応じて設けられるアナログ回路要素などの種々の回路要素等を備えている。
【００３０】
次に、ＦＩＦＯ４２を用いて画像処理ユニット４１とビデオ変調処理ユニット４３との間で行われる画像データのやりとりについて説明する。
図４（ａ）〜（ｈ）は、ＦＩＦＯ４２を駆動する際の信号の一例を示している。
まず、画像処理ユニット４１は、ライトクロック信号ＷＣＫ、書き込み側リセット信号ＷＲＥＳ、ライトイネーブル信号ＷＥを適宜に形成してＦＩＦＯ４２へ出力し、画像処理ユニット４１が形成したライトデータＷＤＡＴＡを、適宜なタイミングでＦＩＦＯ４２へ書き込む。
【００３１】
すなわち、画像処理ユニット４１は、ＦＩＦＯ４２に画像データを書き込む際、まず、論理Ｌレベルのパルス信号である書き込み側リセット信号ＷＲＥＳを出力して（図４（ａ）参照）、ＦＩＦＯ４２の書き込みアドレスを初期化し、ライトイネーブル信号ＷＥを論理Ｌレベルにして（図４（ｂ）参照）、ライトクロック信号ＷＣＫ（図４（ｃ）参照）に同期してライトデータＷＤＡＴＡ（図４（ｄ）参照）をＦＩＦＯ４２へ出力する。そして、ライトデータＷＤＡＴＡの出力を終了すると、ライトイネーブル信号ＷＥを論理ＨレベルにしてＦＩＦＯ４２へのライトデータＷＤＡＴＡの書き込みを終了する。
【００３２】
そして、ビデオ変調処理ユニット４３は、リードクロック信号ＲＣＫ、読み出し側リセット信号ＲＲＥＳ、リードイネーブル信号ＲＥを適宜に形成してＦＩＦＯ４２へ出力し、ビデオ変調処理ユニット４３が読み出す所望のタイミングで、ＦＩＦＯ４２に保存されているデータを、ＦＩＦＯ４２よりリードデータＲＤＡＴＡとして読み出す。
【００３３】
すなわち、ビデオ変調処理ユニット４３は、ＦＩＦＯ４２から画像データを読み込む際、まず、論理Ｌレベルのパルス信号である読み出し側リセット信号ＲＲＥＳを出力して（図４（ｅ）参照）、ＦＩＦＯ４２の読み出しアドレスを初期化し、リードイネーブル信号ＲＥを論理Ｌレベルにした状態で（図４（ｆ）参照）、リードクロック信号ＲＣＫをＦＩＦＯ４２へ出力し、リードクロック信号ＲＣＫ（図４（ｇ）参照）に同期してリードデータＲＤＡＴＡ（図４（ｈ）参照）をＦＩＦＯ４２から読み出す。そして、リードデータＲＤＡＴＡの読み出しを終了すると、リードイネーブル信号を論理ＨレベルにしてＦＩＦＯ４２からのリードデータＲＤＡＴＡの読み出しを終了する。
【００３４】
このようにして、ＦＩＦＯ４２を介して、画像処理ユニット４１からビデオ変調処理ユニット４３に対して、画像データが出力される。
なお、図４（ａ）〜（ｈ）では、画像データの１３単位について、画像処理ユニット４１からビデオ変調処理ユニット４３に受け渡しされる場合について図示しているが、一度にやりとりする画像データの数は、これに限ることはなく、１３より長くても良いし、短くても良い。
【００３５】
次に、ビデオ変調処理ユニット４３の具体的構成及び動作について説明する。
図５は、ビデオ変調処理ユニット４３の構成例を示すブロック図であり、図６は、ビデオ変調処理ユニット４３の各構成要素の動作の様子を示す図であり、図７は、リードクロック信号ＲＣＫと画像信号ＤＴＰとの関係を例示した図である。
【００３６】
図５において、主走査カウンタ６１は、リードクロック信号ＲＣＫを計数し、その計数値ＣＮＴは、コンパレータ６２，６３，６４の各々の入力端Ａに加えられている。コンパレータ６２，６３，６４の各々の入力端Ｂには、強制発光信号ＢＤを作成する際に用いられる所定値ＴＳ１，ＴＳ２，ＴＳ３（後述）が各々加えられている。なお、これらの所定値ＴＳ１，ＴＳ２，ＴＳ３は、例えば、ビデオ変調処理ユニット４３に設けられているレジスタ（図示略）に保持したものを用いることができ、外部より適宜に書き換えが可能なものである。また、所定値ＴＳ１，ＴＳ２，ＴＳ３には、ＴＳ１＞ＴＳ３＞ＴＳ２の大小関係がある。
【００３７】
コンパレータ６２は、入力端Ａに加えられている主走査カウンタ６１の計数値ＣＮＴが、入力端Ｂに加えられている所定値ＴＳ１よりも大きくなると、その出力端（Ａ＞Ｂ）より信号ＢＤ２（正論理）を出力する。この信号ＢＤ２は、オア回路６８の一方の入力端に加えられており、オア回路６８を介し、強制発光信号ＢＤとして半導体レーザ駆動部５０に加えられ（図６（ｂ）参照）、半導体レーザ駆動部５０は、強制発光信号ＢＤを入力している期間、半導体レーザ素子２３を強制発光駆動する。
【００３８】
コンパレータ６３は、入力端Ａに加えられている主走査カウンタ６１の計数値ＣＮＴが、入力端Ｂに加えられている所定値ＴＳ２に等しくなると、その出力端（Ａ＝Ｂ）より正論理の信号を出力し、ＳＲフリップフロップ回路６９の入力端Ｓに入力する。
【００３９】
コンパレータ６４は、入力端Ａに加えられている主走査カウンタ６１の計数値ＣＮＴが、入力端Ｂに加えられている所定値ＴＳ３に等しくなると、その出力端（Ａ＝Ｂ）より正論理の信号を出力し、ＳＲフリップフロップ回路６９の入力端Ｒに入力する。
【００４０】
そして、ＳＲフリップフロップ回路６９は、入力端Ｓが論理Ｈレベルに立ち上がってから、入力端Ｒが論理Ｈレベルに立ち上がるまでの期間、すなわち、主走査カウンタ６１の計数値ＣＮＴが所定値ＴＳ２に一致してから、所定値ＴＳ３に一致するまでの期間、論理Ｈレベルの信号を出力し、それ以外の期間は、論理Ｌレベルの信号を出力する。そして、このＳＲフリップフロップ回路６９の出力信号は、反転回路７１を介して反転された後、リードイネーブル信号ＲＥとして、ＦＩＦＯ４２へ出力している（図６（ｄ）参照）。ＳＲフリップフロップ回路６９の出力Ｑが論理Ｈレベルになっていて、リードイネーブル信号ＲＥが論理Ｌレベルになっている間、ＦＩＦＯ４２からリードクロック信号ＲＣＫに同期してリードデータＲＤＡＴＡが読み出される。
【００４１】
また、同期検知センサ１７のフォトダイオード１７ａのアノードには電源Ｖｃｃが加えられると共に、カソードは抵抗Ｒ１を介して接地されており、抵抗Ｒ１の端子電圧Ｖ１はアナログコンパレータ６５の−側入力端に加えられており、アナログコンパレータ６５の＋側入力端には、図示しない基準電圧発生手段より出力される基準電圧Ｖｒｅｆが加えられている。このアナログコンパレータ６５の出力信号ＸＤＥＴＰ（負論理；図６（ｃ）参照）は、主走査カウンタ６１のリセット端子（負論理）と、Ｄフリップフロップ回路６６のクロック端子に入力されている。
【００４２】
ここで、同期検知センサ１７がレーザビームＬＢ２を検出しない状態では、フォトダイオード１７ａにはほとんど電流が流れないので、抵抗Ｒ１の端子電圧Ｖ１は基準電圧Ｖｒｅｆよりも小さく、アナログコンパレータ６５の出力信号ＸＤＥＴＰが論理Ｈレベルとなる。
【００４３】
また、同期検知センサ１７がレーザビームＬＢ２を検出する状態では、フォトダイオード１７ａには受光量に応じた電流Ｉ１がアノードからカソードの方向に流れるので、抵抗Ｒ１の端子電圧Ｖ１はＶ１＝Ｉ１×Ｒ１の大きさとなり、その端子電圧Ｖ１が基準電圧Ｖｒｅｆよりも大きい値になると、アナログコンパレータ６５の出力信号ＸＤＥＴＰが論理Ｌレベルとなる。
【００４４】
ここで、同期検知センサ１７がレーザビームＬＢ２を検出する時間は、レーザビームＬＢ２がポリゴンミラー１４により偏向走査されている１主走査期間においてわずかな時間であり、出力信号ＸＤＥＴＰは、論理Ｌレベルとなっている期間が短くパルス状に変化する信号となる（図６（ｃ）参照）。
【００４５】
Ｄフリップフロップ回路６６のデータ端子Ｄには、電源Ｖｃｃが加えられており、その負論理のリセット端子には、負論理のリセット信号ＸＲＥＳが加えられている。また、Ｄフリップフロップ回路６６の出力Ｑは、反転回路６７を介して反転され、信号ＢＤ１としてオア回路６８の他方の入力端に加えられている。
【００４６】
したがって、Ｄフリップフロップ回路６６は、リセット信号ＸＲＥＳが論理Ｌレベルになるとリセットされてその出力が論理Ｌレベルになるので、信号ＢＤ１が論理Ｈレベルになり、オア回路６８を介して強制発光信号ＢＤとして半導体レーザ駆動部５０に加えられ、半導体レーザ駆動部５０は、半導体レーザ素子２３を強制発光駆動する（図６（ｂ）参照）。
【００４７】
また、同期検知センサ１７がレーザビームＬＢ２を検出してフォトダイオード１７ａがオンし、アナログコンパレータ６５の出力信号ＸＤＥＴＰが論理Ｌレベルに立ち下がると、Ｄフリップフロップ回路６６は、その立ち下がりエッジで入力端Ｄの状態を保持するので、そのタイミングで出力Ｑが論理Ｈレベルに変化し、反転回路６７を介して出力される信号ＢＤ１が論理Ｌレベルに立ち下がるので、オア回路６８を介して出力されていた強制発光信号ＢＤが停止し、半導体レーザ駆動部５０は、半導体レーザ素子２３の強制発光駆動を終了する（図６（ｂ）参照）。
【００４８】
一方、リードイネーブル信号ＲＥが論理Ｌレベルになっている期間では、ＦＩＦＯ４２からリードクロック信号ＲＣＫに同期してリードデータＲＤＡＴＡが入力し、そのリードデータＲＤＡＴＡは、ＰＷＭ変換部７０により対応するＰＷＭ変調を受け、画像信号ＤＴＰとしてＬＤ駆動部５０へ出力され（図７（ａ），（ｂ）参照）、ＬＤ駆動部５０は、画像信号ＤＴＰに対応して半導体レーザ素子２２を点灯駆動し、それにより、感光体１６が露光される。
ＰＷＭ変換部７０が行うＰＷＭ変調では、入力するリードデータＲＤＡＴＡに対応してパルス幅が制御される。例えば、リードデータＲＤＡＴＡを３ビット８値とすると、リードデータＲＤＡＴＡが「４」の場合には、デューティ５０％のパルスが対応するパルス幅の画像信号ＤＴＰとして出力される。
【００４９】
ここで、所定値ＴＳ２，ＴＳ３は、リードイネーブル信号ＲＥを作り出すための設定値であり、同期検知センサ１７と感光体１６の主走査方向の物理的な位置関係を計測しておき、同期検知位置に対して、主走査方向の画像書き出し位置と画像書き終わり位置が、一定の距離になるように、所定値ＴＳ２，ＴＳ３の値を調整すると良い（図６（ｄ），（ｅ）参照）。
【００５０】
また、所定値ＴＳ１の値は、主走査方向の画像書き終わり位置よりも後で、かつ、同期検知センサ１７を検知する前のタイミングで、信号ＢＤ２が論理Ｈレベルになるような値とすると良い。
【００５１】
上記のように、所定値ＴＳ１，ＴＳ２，ＴＳ３の値をレジスタ等に保持して使用することで、これらの所定値ＴＳ１，ＴＳ２，ＴＳ３の値を適宜に書き換えることができ、その値の調整を円滑に行えることとなる。
【００５２】
次に、走査装置が走査を開始してからの図５のビデオ変調処理ユニット４３の動作について、時間を追って説明する。
まず、ビデオ変調処理ユニット４３が感光体１６の露光の準備を開始するタイミングで、リセット信号ＸＲＥＳを出力すると（図６（ａ）参照）、Ｄフリップフロップ回路６６の出力Ｑが論理Ｌレベルにリセットされるので、信号ＢＤ１が論理Ｈレベルに立ち上がり、オア回路６８を介して強制発光信号ＢＤが半導体レーザ駆動部５０に出力され（図６（ｂ）参照）、半導体レーザ駆動部５０は半導体レーザ素子２３を強制発光駆動する。
【００５３】
それにより、半導体レーザ素子２３が強制発光し、ポリゴンミラー１４によりレーザビームＬＢ２が偏向走査されて、あるタイミングでレーザビームＬＢ２が同期検知センサ１７を通過する。そして、レーザビームＬＢ２が同期検知センサ１７を通過している期間では、上記のようにして、アナログコンパレータ６５の出力信号ＸＤＥＴＰがパルス状に論理Ｌレベルに変化するので（図６（ｃ）参照）、その立ち下がりエッジでＤフリップフロップ回路６６がセットされ、信号ＢＤ１が論理Ｌレベルに立ち下がるので、強制発光信号ＢＤの出力が停止され、それにより、半導体レーザ駆動部５０は、半導体レーザ素子２３の強制発光駆動を停止する。
このように、信号ＢＤ１が強制発光信号ＢＤとして出力される間、主走査カウンタ６１はリードクロック信号ＲＣＫの計数を開始していないので、そのカウント値ＣＮＴが変化せず、したがって、コンパレータ６２から信号ＢＤ２が出力されない。
なお、このとき、Ｄフリップフロップ回路６６の出力Ｑが論理Ｈレベルのままなので、信号ＢＤ１は論理Ｌレベルの状態から変化しない。
【００５４】
一方、信号ＸＤＥＴＰが論理Ｌレベルに立ち下がると、主走査カウンタ６１がリセットされ、信号ＸＤＥＴＰが論理Ｈレベルに立ち上がると、主走査カウンタ６１がリードクロック信号ＲＣＫの計数を開始し、上記したように、その計数値ＣＮＴが所定値ＴＳ２〜ＴＳ３の間、リードイネーブル信号ＲＥが論理Ｌレベルに立ち下がる（図６（ｄ）参照）。
【００５５】
そして、このようにリードイネーブル信号ＲＥが論理Ｌレベルに立ち下がっている期間では、ＦＩＦＯ４２からリードデータＲＤＡＴＡを読み出すので、そのリードデータＲＤＡＴＡがＰＷＭ変換部７０でＰＷＭ変調されて画像信号ＤＴＰに変換され、その画像信号ＤＴＰが半導体レーザ駆動部５０に出力される（図６（ｅ）参照）。
【００５６】
それにより、半導体レーザ駆動部５０は、入力する画像信号ＤＴＰに対応して、半導体レーザ素子２２を点灯駆動し、半導体レーザ素子２２から出力されるレーザビームＬＢ１は、画像信号ＤＴＰにより変調されたビームとなり、ポリゴンミラー１４により偏向走査されて、感光体１６を露光走査し、これにより、１ライン分の画像信号ＤＴＰに対応した静電潜像が、感光体１６に形成される。
【００５７】
また、１ライン分のリードイネーブル信号ＲＥの出力が終わり、主走査カウンタ６１の計数値ＣＮＴが所定値ＴＳ１よりも大きくなると、コンパレータ６２から出力される信号ＢＤ２が論理Ｈレベルとなり、オア回路６８を介して強制発光信号ＢＤとして半導体レーザ駆動部５０に加えられるので（図６（ｂ）参照）、半導体レーザ駆動部５０は半導体レーザ素子２３を強制発光駆動する。
【００５８】
それにより、半導体レーザ素子２３が強制発光し、ポリゴンミラー１４によりレーザビームＬＢ２が偏向走査されて、あるタイミングでレーザビームＬＢ２が同期検知センサ１７を通過する。これにより、上記のリセット信号ＸＲＥＳの出力後の場合と同様に、アナログコンパレータ６５の出力信号ＸＤＥＴＰがパルス状に論理Ｌレベルに変化し（図６（ｃ）参照）、信号ＸＤＥＴＰが論理Ｌレベルに立ち下がると、主走査カウンタ６１がリセットされるので、その時点で、コンパレータ６２から出力される信号ＢＤ２が論理Ｌレベルに立ち下がる（図６（ｂ）参照）。
なお、このとき、Ｄフリップフロップ回路６６の出力Ｑが論理Ｈレベルのままなので、信号ＢＤ１は論理Ｌレベルの状態から変化しない。
【００５９】
それ以降は、主走査カウンタ６１の計数動作に伴い、リードイネーブル信号ＲＥの形成出力、リードデータＲＤＡＴＡの読み込みとＰＷＭ変調後の画像信号ＤＴＰの出力、及び、信号ＢＤ２による強制発光信号ＢＤの形成が繰り返し行われて、後続の主走査ラインの画像の潜像が感光体１６に形成される。
【００６０】
このようにして、レーザビームＬＢ１の感光体１６の露光に先立って、レーザビームＬＢ２による同期検知センサ１７の同期検知のみが行われて、感光体１６の１主走査の開始タイミングが検知される。そして、それ以降は、レーザビームＬＢ１による感光体１６の露光と、レーザビームＬＢ２による同期検知センサ１７の同期検知が繰り返し行われることによって、感光体１６が順次露光されて、静電潜像が形成されることとなる。
【００６１】
それにより、走査対象物でない同期検知センサ１７を通過するレーザビームＬＢ２が同期検知センサ１７を通過することによる同期検知タイミングを基準に、レーザビームＬＢ１による１主走査ラインの露光を開始し、そのレーザビームＬＢ１による１主走査ラインの露光が感光体１６に繰り返されることにより、例えば、画像の１ページ分に対応した静電潜像を感光体１６に形成し、電子写真プロセスの画像形成動作を行って、ＣＣＤ３０で読み取って得た画像データに対応した画像を用紙等に形成することができる。
【００６２】
〔変形例〕
以上で実施形態の説明を終了するが、装置の構成、レーザビームＬＢ１とレーザビームＬＢ２とを水平方向に分離するための光学素子の構成等が上述の実施形態で説明したものに限られないことは勿論である。
【００６３】
例えば、上述した実施例ではレーザビームＬＢ１とレーザビームＬＢ２とを水平方向へ分離するための光学素子としてプリズムを用いているが、代わりに適宜なレンズ等の透過型光学素子を用いることができる。
【００６４】
また、上記した実施例では、２つのレーザビームを発生する半導体レーザユニットを用いているが、さらに多くのレーザビームを発生する半導体レーザユニットを用いた場合にも、同様にして本発明を適用することができる。その場合、複数のレーザビームの１つを同期検知に用い、それ以外のレーザビームを同一の感光体を露光するために用いると良い。また、上記した実施例では、１つの感光体を露光する走査装置について説明したが、複数の感光体を露光する走査装置についても、本発明を同様にして適用することができる。
【００６５】
また、上記した実施例では、レーザビームを偏向走査する手段としてポリゴンミラーを用いているが、それ以外にもＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術により製作されたＭＥＭＳ共振ミラーなどを用いた場合にも、同様にして適用することができる。また、上記した実施例では、画像形成装置の走査装置に本発明を適用した場合について説明したが、本発明が適用される走査装置は、画像形成装置に用いられるものに限られないことは勿論である。
【００６６】
また、以上述べてきた各実施形態の構成及び変形例は、矛盾しない範囲で適宜組み合わせて適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
以上の説明から明らかなように、この発明の光走査装置及び画像形成装置によれば、同期検知用に用いるレーザビームを用意しているので、画像形成以外のタイミングで感光体を露光することが無く、感光体の寿命を損なうような事態を回避することができる。
【００６８】
そして、この発明は、電子写真プロセスを用いる画像形成装置であれば、上記した複写機に限らず、レーザプリンタ装置やデジタル複合機などの他の構成を有する画像形成装置についても同様にして適用することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１４：ポリゴンミラー、１７：同期検知センサ、１７ａ：フォトダイオード、２０：半導体レーザユニット、２２，２３：半導体レーザ素子、２４：プリズム、４１：画像処理ユニット（ＩＰＵ）、４２：ＦＩＦＯ、４３：ビデオ変調処理ユニット（ＧＡＶＤ）、５０：半導体レーザ駆動部、６１：主走査カウンタ、６２，６３，６４：コンパレータ、６５：アナログコンパレータ、６６：Ｄフリップフロップ回路、６７，７１：反転回路、６８：オア回路、６９：ＳＲフリップフロップ回路、７０：ＰＷＭ変換部。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００７０】
【特許文献１】特開２００７−１６３９３１号公報
【特許文献２】特開２００６−２５６０１４号公報
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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