(57)【要約】【課題】種類の異なる複数の接続対象を確実に接続することができる多層配線基板を提供すること。【解決手段】多層配線基板１０は同じ樹脂絶縁材料を主体とした複数の樹脂絶縁層２１〜２４及び複数の導体層２６を交互に積層して多層化した配線積層部３０を有する。配線積層部３０の上面３１側には、接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子４１と接続対象がチップコンデンサであるコンデンサ接続端子４２とが配置されている。配線積層部３０の上面３１にて露出する最外層の樹脂絶縁層２４の表面を基準としたとき、コンデンサ接続端子４２は基準面よりも高く、ＩＣチップ接続端子４１は基準面よりも低くなっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じ樹脂絶縁材料を主体とした複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側のいずれかに向うに従って拡径したビア導体により互いに接続されている多層配線基板であって、
前記第１主面側には、接続対象の異なる少なくとも２種類の第１主面側接続端子が存在するとともに、前記第１主面側接続端子の上面の高さが、前記接続対象の種類ごとに異なっていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記第１主面側には、前記接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子及び前記接続対象が受動部品であり前記ＩＣチップ接続端子よりも面積の大きい受動部品接続端子の２種類が、前記複数の第１主面側接続端子として存在するとともに、
前記第１主面側の最外層にて露出する樹脂絶縁層の表面を基準面としたとき、前記受動部品接続端子の上面の高さが前記基準面よりも高く、前記ＩＣチップ接続端子の上面の高さが前記基準面と同じまたはそれよりも低くなっている
ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記第１主面側の最外層にて露出する樹脂絶縁層には開口部が形成されるとともに、前記開口部内には、上面の高さが前記基準面よりも低くなるような状態で前記ＩＣチップ接続端子が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記開口部の内面は粗化面であり、前記ＩＣチップ接続端子は銅層を主体として構成され、前記銅層は前記粗化面に追従するようにして前記開口部内に充填されていることを特徴とする請求項３に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記第１主面側には、前記接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子及び前記接続対象が受動部品であり前記ＩＣチップ接続端子よりも面積の大きい受動部品接続端子の２種類が、前記複数の第１主面側接続端子として存在するとともに、
前記受動部品接続端子は、主体をなす銅層の上面及び側面を銅以外のめっき層で覆った構造を有し、前記ＩＣチップ接続端子は、主体をなす銅層の上面のみを銅以外のめっき層で覆った構造を有している
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記受動部品接続端子は、上面よりも下面のほうが大きい断面台形状をなしていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
相対的に面積の大きい前記第１主面側接続端子の上面の高さが、相対的に面積の小さい前記第１主面側接続端子の上面の高さよりも高くなっていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項８】
前記複数の樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体は、いずれも前記第２主面側から前記第１主面側に向うに従って拡径した形状を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項９】
前記複数の樹脂絶縁層は、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料の硬化物にて形成されたものであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１０】
前記第２主面上には、光硬化性を付与した樹脂絶縁材料の硬化物を主体としたソルダーレジストが設けられていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同じ樹脂絶縁材料を主体とした複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有する一方でいわゆるコア基板を有しない多層配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなる半導体パッケージを作製し、その半導体パッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。
【０００３】
この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板としては、コア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した多層配線基板が実用化されている。この多層配線基板においては、コア基板として、例えば、補強繊維に樹脂を含浸させた樹脂基板（ガラスエポキシ基板など）が用いられている。そして、そのコア基板の剛性を利用して、コア基板の表面及び裏面に樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層することにより、ビルドアップ層が形成されている。つまり、この多層配線基板において、コア基板は、補強の役割を果たしており、ビルドアップ層と比べて非常に厚く形成されている。また、コア基板には、表面及び裏面に形成されたビルドアップ層間の導通を図るための配線（具体的には、スルーホール導体など）が貫通形成されている。
【０００４】
ところで近年では、半導体集積回路素子の高速化に伴い、使用される信号周波数が高周波帯域となってきている。この場合、コア基板を貫通する配線が大きなインダクタンスとして寄与し、高周波信号の伝送ロスや回路誤動作の発生につながり、高速化の妨げとなってしまう。この問題を解決するために、多層配線基板を、コア基板を有さない基板とすることが提案されている（例えば特許文献１参照）。この多層配線基板は、比較的に厚いコア基板を省略することにより全体の配線長を短くしたものであるため、高周波信号の伝送ロスが低減され、半導体集積回路素子を高速で動作させることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１１７７０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１では、ＩＣチップの搭載面において、ＩＣチップの接続端子に加え、チップコンデンサなどの電子部品の接続端子が形成された多層配線基板が提案されている。つまり、多層配線基板におけるＩＣチップの搭載面には、接続対象の異なる複数種類の接続端子が形成されている。そして、それら複数種類の接続端子の表面は、ＩＣチップの搭載面側の最外層となる絶縁樹脂層の表面と面一となるように形成されている。このように、最外層の絶縁樹脂層の表面と同じ高さで各接続端子が形成されていると、複数種類の部品接続が困難となる場合がある。具体的には、例えばＩＣチップの接続端子に、微細なはんだボールを用いてはんだバンプを形成する場合、ＩＣチップの接続端子の表面と絶縁樹脂層の表面とが面一となっていると、端子上にはんだボールを配置することが困難となる。また、電子部品の接続端子にチップコンデンサなどをはんだ接続する場合、端子上面のみにしかはんだフィレットを形成することができないため、接続強度が不足してしまうことがある。
【０００７】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、種類の異なる複数の接続対象を確実に接続することができる多層配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そして上記課題を解決するための手段としては、同じ樹脂絶縁材料を主体とした複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側のいずれかに向うに従って拡径したビア導体により互いに接続されている多層配線基板であって、前記第１主面側には、接続対象の異なる少なくとも２種類の第１主面側接続端子が存在するとともに、前記第１主面側接続端子の上面の高さが、前記接続対象の種類ごとに異なっていることを特徴とする多層配線基板がある。
【０００９】
従って、上記手段に記載の発明によると、同じ樹脂絶縁材料を主体とした複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層が交互に積層され、コア基板を含まないコアレス配線基板として多層配線基板が形成されている。そして、この多層配線基板において、第１主面側に形成される複数の第１主面側接続端子は、接続対象の種類ごとに上面の高さが異なるので、それら種類に応じて各第１主面側接続端子に接続対象を確実に接続することができる。
【００１０】
積層構造体の第１主面側には、接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子及び接続対象が受動部品でありＩＣチップ接続端子よりも面積の大きい受動部品接続端子の２種類が、複数の第１主面側接続端子として存在するとともに、第１主面側の最外層にて露出する樹脂絶縁層の表面を基準面としたとき、受動部品接続端子の上面の高さが基準面よりも高く、ＩＣチップ接続端子の上面の高さが基準面と同じまたはそれよりも低くなっていることが好ましい。この場合、受動部品接続端子の上面の高さが基準面よりも高くなっているので、受動部品を接続するためのはんだフィレットを受動部品接続端子上に確実に形成することができる。また、ＩＣチップ接続端子の上面の高さが基準面と同じまたはそれよりも低くなっているので、ＩＣチップをフリップチップ接続するためのはんだバンプをＩＣチップ接続端子上に確実に形成することができる。
【００１１】
積層構造体の第１主面側の最外層にて露出する樹脂絶縁層には開口部が形成されるとともに、開口部内には、上面の高さが基準面よりも低くなるような状態でＩＣチップ接続端子が形成されていることが好ましい。このようにすると、ＩＣチップ接続端子がある箇所が凹状となるため、ＩＣチップ接続端子上の開口部内にて比較的微細なはんだボールを容易に位置決めすることができる。ゆえに、ＩＣチップ接続端子上におけるはんだバンプの形成を確実に行うことができる。
【００１２】
開口部の内面は粗化面であり、ＩＣチップ接続端子は銅層を主体として構成され、銅層は前記粗化面に追従するようにして前記開口部内に充填されていることが好ましい。このようにＩＣチップ接続端子を形成すると、ＩＣチップ接続端子と樹脂絶縁層との密着性を高めることができる。この結果、ＩＣチップ接続端子の剥離等を確実に防止することができ、多層配線基板の信頼性を高めることができる。
【００１３】
積層構造体の第１主面側には、接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子及び接続対象が受動部品でありＩＣチップ接続端子よりも面積の大きい受動部品接続端子の２種類が、複数の第１主面側接続端子として存在するとともに、受動部品接続端子は、主体をなす銅層の上面及び側面を銅以外のめっき層で覆った構造を有し、ＩＣチップ接続端子は、主体をなす銅層の上面のみを銅以外のめっき層で覆った構造を有していることが好ましい。このようにすると、受動部品接続端子の上面及び側面に比較的大きなはんだフィレットを確実に形成することができる。また、ＩＣチップ接続端子の上面にはんだバンプを確実に形成することができる。ここで、受動部品接続端子の端子間隔はＩＣチップ接続端子の端子間隔よりも広く、また受動部品接続端子はサイズが比較的大きいため、受動部品接続端子の上面及び側面に形成されたはんだフィレットによって受動部品を十分な強度で確実にはんだ接続することができる。一方、ＩＣチップ接続端子の端子間隔は狭いため、ＩＣチップ接続端子の側面にはんだバンプが膨らむと、端子間のショートが問題となる。これに対して、本発明では、ＩＣチップ接続端子の上面のみにはんだバンプが形成されるため、はんだバンプが横方向に膨らむことがなく、端子間のショートを回避できる。
【００１４】
受動部品接続端子は、上面よりも下面のほうが大きい断面台形状をなしていることが好ましい。受動部品接続端子は、下面が最外層の樹脂絶縁層と接触する。このため、受動部品接続端子を断面台形状とすれば、その下面と樹脂絶縁層との接触面積が大きくなり、受動部品接続端子の強度を十分に確保することができる。
【００１５】
また、相対的に面積の大きい第１主面側接続端子の上面の高さが、相対的に面積の小さい第１主面側接続端子の上面の高さよりも高くなっていることが好ましい。このようにすると、接続面積が大きい部品と接続面積が小さい部品とを高さの異なる第１主面側接続端子の上面に確実に接続することができる。
【００１６】
複数の樹脂絶縁層に形成されたビア導体は、いずれも第２主面側から第１主面側に向うに従って拡径した形状を有していてもよい。また逆に、複数の樹脂絶縁層に形成されたビア導体は、いずれも第１主面側から第２主面側に向うに従って拡径した形状を有していてもよい。このようにすると、コア基板を有さないコアレス配線基板を確実に製造することができる。
【００１７】
複数の樹脂絶縁層は、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料、例えば熱硬化性の樹脂絶縁材料の硬化物を主体とした同じビルドアップ材を用いて形成されたものであることが好ましい。この場合、各接続端子が形成される最外層の樹脂絶縁層は、内層の樹脂絶縁層と同じ絶縁性に優れたビルドアップ材で形成されるため、各接続端子の間隔を狭くすることができ、多層配線基板の高集積化が可能となる。
【００１８】
積層構造体の第２主面上には、光硬化性を付与した樹脂絶縁材料の硬化物を主体としたソルダーレジストが設けられていてもよい。このようにすれば、第２主面をソルダーレジストで保護することができ、搬送時等において第２主面側接続端子が傷つくことを防止することができる。なお、ソルダーレジストの形成材料としては、剛性の低い材料やヤング率の低い材料を用いることが好ましい。このようにすると、樹脂絶縁層とソルダーレジストとの熱膨張係数差に応じて生じる多層配線基板の反りを抑えることができる。
【００１９】
積層構造体の第１主面上においてＩＣチップを搭載する領域の周囲には、光硬化性を付与した樹脂絶縁材料の硬化物を主体としたソルダーレジストが設けられていてもよい。このようにすると、ＩＣチップの搭載領域とその外周側の領域とで段差ができるので、ＩＣチップの搭載領域に充填されるフラックスやアンダーフィルがその搭載領域外にはみ出てしまうといった問題を回避することができる。
【００２０】
積層構造体の第２主面側には、接続対象が母基板でありＩＣチップ接続端子及び受動部品接続端子よりも面積の大きい母基板接続端子が、複数の第２主面側接続端子として存在するとともに、第２主面側の最外層にて露出する樹脂絶縁層の表面を基準面としたとき、母基板接続端子の上面の高さが基準面よりも高くなっていてもよい。このようにすると、母基板接続端子を母基板に確実に接続することができる。
【００２１】
母基板接続端子は、樹脂絶縁層と接触する上面のほうがその反対側の下面よりも大きい断面台形状をなしていることが好ましい。このようにすると、母基板接続端子の上面と樹脂絶縁層との接触面積が大きくなり、母基板接続端子の強度を十分に確保することができる。
【００２２】
積層構造体の第２主面側には、接続対象が母基板である母基板接続端子が存在するとともに、接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子または接続対象が受動部品である受動部品接続端子が存在していてもよい。このようにすると、母基板が接続される第２主面側にＩＣチップまたは受動部品接続端子を搭載することができ、多層配線基板の高集積化を図ることができる。
【００２３】
積層構造体の樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。
【００２４】
積層構造体の導体層、及び接続端子は、主として銅からなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。具体的に言うと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっきなどの手法が適用される。なお、スパッタやＣＶＤ等の手法により薄膜を形成した後にエッチングを行うことで導体層や接続端子を形成したり、導電性ペースト等の印刷により導体層や接続端子を形成したりすることも可能である。
【００２５】
多層配線基板の製造方法としては、一対の金属箔を互いに剥離可能な状態で片面に積層配置してなる基材上にて、同じ絶縁材からなる複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化することにより積層構造体を形成するビルドアップ工程と、前記積層構造体における最外層の樹脂絶縁層に対する全面にめっきを行い、当該樹脂絶縁層にフィルドビア導体を形成しかつ当該樹脂絶縁層を覆う全面めっき層を形成する全面パネルめっき工程と、前記全面パネルめっき工程後、前記一対の金属箔を互いに剥離することで前記基材を除去して前記金属箔を露出させる基材除去工程と、前記基材除去工程後、前記積層構造体における前記全面めっき層及び前記金属箔をサブトラクティブ法でパターニングすることによって、前記第１主面側接続端子及び前記第２主面側接続端子を形成する接続端子形成工程とを含む方法がある。この製造方法において、基材除去工程後の積層構造体には、一方の面に全面めっき層が形成されるとともに他方の面に金属箔が形成された状態となる。この場合、接続端子形成工程において、通常の配線基板と同様に、サブトラクティブ法にて第１主面及び第２主面の両面の各接続端子を同時にパターン形成することができる。
【００２６】
ビルドアップ工程では、積層構造体における最外層の樹脂絶縁層を形成するにあたり、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料を主体としその表面に薄銅箔が形成された薄銅箔付きビルドアップ材を用いるとともに、積層された薄銅箔付きビルドアップ材に対してレーザー穴加工を施すことにより、フィルドビア導体を形成するための開口部を形成し、ビルドアップ工程後かつ全面パネルめっき工程前に、開口部内のスミアを除去するデスミア工程を行うことが好ましい。この製造方法において、デスミア工程を行う際には、最外層の樹脂絶縁層の表面が薄銅箔で覆われているので、その樹脂絶縁層の表面がデスミア工程で粗化されることがない。また、薄銅箔の接触面の粗さが最外層の樹脂絶縁層の表面に転写された状態で表面粗さが設定される。このため、積層構造体における最外層の樹脂絶縁層において、均一な表面粗さの表面を実現することができ、その表面にフラックスやアンダーフィルを適正な状態で設けることができる。
【００２７】
また、多層配線基板の別の製造方法としては、一対の金属箔を互いに剥離可能な状態で片面に積層配置してなる基材上にて、同じ絶縁材からなる複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化することにより積層構造体を形成するとともに、最外層の樹脂絶縁層に対してレーザー穴加工を施すことにより複数の開口部を形成するビルドアップ工程と、無電解めっきを行い、前記複数の開口部内及び前記樹脂絶縁層を覆う全面めっき層を形成する全面めっき工程と、前記第１主面上にめっきレジストを形成した状態で選択的にパターンめっきを行うことで前記複数の開口部のうちの一部のものについてフィルドビア導体を形成するフィルドビア導体形成工程と、前記フィルドビア導体形成工程後、セミアディティブ法でパターニングすることによって、前記フィルドビア導体を残しつつ前記全面めっき層を除去する全面めっき層除去工程と、前記全面めっき層除去工程後、前記一対の金属箔を互いに剥離することで前記基材を除去して前記金属箔を露出させる基材除去工程と、前記基材除去工程後、前記積層構造体における前記金属箔をサブトラクティブ法でパターニングすることによって、前記第２主面側接続端子を形成する接続端子形成工程とを含む方法がある。この製造方法で多層配線基板を製造すれば、第１主面側の最外層にて露出する樹脂絶縁層に均一な深さとなるように複数の開口部を確実に形成することができる。従って、ＩＣチップ接続端子上の開口部内にて比較的微細なはんだボールを容易に位置決めすることができ、ＩＣチップ接続端子上におけるはんだバンプの形成をより確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】第１の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す断面図。
【図２】多層配線基板の概略構成を示す平面図。
【図３】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図４】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図５】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図６】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図７】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図８】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図９】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１０】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１１】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１２】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１３】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１４】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１５】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１６】第２の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す断面図。
【図１７】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１８】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１９】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２０】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２１】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２２】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２３】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２４】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２５】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２６】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２７】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２８】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２９】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図３０】別の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す断面図。
【図３１】別の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す断面図。
【図３２】別の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す断面図。
【図３３】別の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す断面図。
【図３４】別の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
［第１の実施の形態］
以下、本発明を多層配線基板に具体化した第１の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は、本実施の形態の多層配線基板の概略構成を示す拡大断面図であり、図２は、その多層配線基板の平面図である。
【００３０】
図１に示されるように、多層配線基板１０は、コア基板を含まずに形成されたコアレス配線基板であって、同じ樹脂絶縁材料を主体とした４層の樹脂絶縁層２１，２２，２３，２４と銅からなる導体層２６とを交互に積層して多層化した配線積層部３０（積層構造体）を有している。各樹脂絶縁層２１〜２４は、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料、具体的には熱硬化性エポキシ樹脂の硬化物を主体としたビルドアップ材を用いて形成されている。多層配線基板１０において、配線積層部３０の上面３１側（第１主面側）には、複数の接続端子４１，４２（第１主面側接続端子）が配置されている。
【００３１】
図１及び図２に示されるように、本実施の形態の多層配線基板１０では、配線積層部３０の上面３１側に配置される複数の接続端子４１，４２として、接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子４１と、接続対象がチップコンデンサ（受動部品）であるコンデンサ接続端子４２（受動部品接続端子）とが存在している。配線積層部３０の上面３１側において、複数のＩＣチップ接続端子４１は、基板中央部に設けられたチップ搭載領域４３にてアレイ状に配置されている。また、コンデンサ接続端子４２は、ＩＣチップ接続端子４１よりも面積の大きい接続端子であり、チップ搭載領域４３よりも外周側に配置されている。
【００３２】
一方、配線積層部３０の下面３２側（第２主面側）には、接続対象がマザーボード（母基板）であるＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）用の複数の接続端子４５（第２主面側接続端子としての母基板接続端子）がアレイ状に配置されている。これら母基板接続端子４５は、上面３１側のＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２よりも面積の大きな接続端子である。
【００３３】
樹脂絶縁層２１，２２，２３，２４には、それぞれビア穴３３及びフィルドビア導体３４が設けられている。各ビア導体３４は、いずれも同一方向に（図１では下面側から上面側に向かうに従って）拡径した形状を有し、各導体層２６、ＩＣチップ接続端子４１、コンデンサ接続端子４２、及び母基板接続端子４５を相互に電気的に接続している。
【００３４】
配線積層部３０の上面３１側において、最外層に露出する第４層の樹脂絶縁層２４には開口部３５が形成されるとともに、開口部３５内には、上面の高さが樹脂絶縁層２４の表面（基準面）よりも低くなるような状態でＩＣチップ接続端子４１が形成されている。開口部３５の内面は、微細な凹凸からなる粗化面となっている。ＩＣチップ接続端子４１は銅層を主体として構成されており、その銅層は開口部３５の粗化面に追従するようにして開口部３５内に充填されている。さらに、ＩＣチップ接続端子４１は、主体をなす銅層の上面のみを銅以外のめっき層４６（具体的には、ニッケル−金めっき層）で覆った構造を有している。そして、露出したＩＣチップ接続端子４１の上面に、図示しないはんだバンプを介してＩＣチップがフリップチップ接続されるようになっている。
【００３５】
コンデンサ接続端子４２は、銅層を主体として構成されており、その上面の高さが樹脂絶縁層２４の表面よりも高くなるように形成されている。つまり、本実施の形態の多層配線基板１０において、ＩＣチップ接続端子４１の上面とコンデンサ接続端子４２の上面との高さは異なっており、相対的に面積の大きいコンデンサ接続端子４２の上面の高さが、相対的に面積の小さいＩＣチップ接続端子４１の上面の高さよりも高くなっている。また、コンデンサ接続端子４２は、上面よりも下面のほうが大きい断面台形状をなしている。さらに、コンデンサ接続端子４２は、主体をなす銅層の上面及び側面を銅以外のめっき層４７（具体的には、ニッケル−金めっき層）で覆った構造を有している。そして、コンデンサ接続端子４２の上面及び側面に形成される図示しないはんだフィレットを介してチップコンデンサの外部端子が接続されるようになっている。
【００３６】
配線積層部３０の下面３２側に配置される母基板接続端子４５は、銅層を主体として構成されており、その高さが下面３２の最外層に露出する樹脂絶縁層２１の表面よりも高くなるように形成されている。また、母基板接続端子４５は、樹脂絶縁層２１と接触する上面のほうが下面よりも大きい断面台形状をなしている。さらに、母基板接続端子４５は、主体をなす銅層の下面及び側面を銅以外のめっき層４８（具体的には、ニッケル−金めっき層）で覆った構造を有している。そして、母基板接続端子４５の下面及び側面に形成される図示しないはんだフィレットを介してマザーボードに接続されるようになっている。
【００３７】
上記構成の多層配線基板１０は例えば以下の手順で作製される。
【００３８】
先ず、ビルドアップ工程において、十分な強度を有する支持基板（ガラスエポキシ基板など）を準備し、その支持基板上に、樹脂絶縁層２１〜２４及び導体層２６をビルドアップして配線積層部３０を形成する。
【００３９】
詳述すると、図３に示されるように、支持基板５０上に、エポキシ樹脂からなるシート状の絶縁樹脂基材を貼り付けて下地樹脂絶縁層５１を形成することにより、支持基板５０及び下地樹脂絶縁層５１からなる基材５２を得る。そして、図４に示されるように、基材５２の片面（具体的には下地樹脂絶縁層５１の上面）に、積層金属シート体５４を配置する。ここで、下地樹脂絶縁層５１上に積層金属シート体５４を配置することにより、以降の製造工程で積層金属シート体５４が下地樹脂絶縁層５１から剥がれない程度の密着性が確保される。積層金属シート体５４は、２枚の銅箔５５，５６（一対の金属箔）を剥離可能な状態で密着させてなる。具体的には、金属めっき（例えば、クロムめっき、ニッケルめっき、チタンめっき、またはこれらの複合めっき）を介して銅箔５５、銅箔５６が配置された積層金属シート体５４が形成されている。
【００４０】
その後、図５に示されるように、積層金属シート体５４を包むようにシート状の樹脂絶縁層２１を配置し、樹脂絶縁層２１を貼り付ける。ここで、樹脂絶縁層２１は、積層金属シート体５４と密着するとともに、その積層金属シート体５４の周囲領域において下地樹脂絶縁層５１と密着することで、積層金属シート体５４を封止する。
【００４１】
そして、図６に示されるように、例えばエキシマレーザーやＵＶレーザーやＣＯ２レーザーなどを用いてレーザー加工を施すことによって樹脂絶縁層２１の所定の位置にビア穴３３を形成する。次いで、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて各ビア穴３３内のスミアを除去するデスミア工程を行う。なお、デスミア工程としては、エッチング液を用いた処理以外に、例えばＯ２プラズマによるプラズマアッシングの処理を行ってもよい。
【００４２】
デスミア工程の後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴３３内にビア導体３４を形成する。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、樹脂絶縁層２１上に導体層２６をパターン形成する（図７参照）。
【００４３】
また、第２層〜第４層の樹脂絶縁層２２〜２４及び導体層２６についても、上述した第１層の樹脂絶縁層２１及び導体層２６と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層２１上に積層していく。そして、最外層の樹脂絶縁層２４に対してレーザー穴加工を施すことにより複数の開口部３５を形成する（図８参照）。次いで、過マンガン酸カリウム溶液やＯ２プラズマなどにて各開口部３５内のスミアを除去するデスミア工程を行う。このデスミア工程を行うと、開口部３５の内面が粗化されて微細な凹凸からなる粗化面となる。
【００４４】
上述したビルドアップ工程によって、基材５２上に積層金属シート体５４、樹脂絶縁層２１〜２４及び導体層２６を積層した配線積層体６０を形成する。なお図８に示されるように、配線積層体６０において積層金属シート体５４上に位置する領域が、多層配線基板１０の配線積層部３０となる部分である。
【００４５】
そして、図９に示されるように、配線積層体６０における最外層の樹脂絶縁層２４に対する全面にめっきを行い、樹脂絶縁層２４の開口部３５内に銅めっきからなるフィルドビア導体６２を形成しかつ当該樹脂絶縁層２４を覆う全面めっき層６３を形成する（全面パネルめっき工程）。
【００４６】
全面パネルめっき工程後、配線積層体６０をダイシング装置（図示略）により切断し、配線積層部３０の周囲領域を除去する（切断工程）。この際、図９に示すように、配線積層部３０とその周囲部６４との境界（図９では矢印で示す境界）において、配線積層部３０の下方にある基材５２（支持基板５０及び下地樹脂絶縁層５１）ごと切断する。この切断によって、樹脂絶縁層２１にて封止されていた積層金属シート体５４の外縁部が露出した状態となる。つまり、周囲部６４の除去によって、下地樹脂絶縁層５１と樹脂絶縁層２１との密着部分が失われる。この結果、配線積層部３０と基材５２とは積層金属シート体５４のみを介して連結した状態となる。
【００４７】
ここで、図１０に示されるように、積層金属シート体５４における一対の銅箔５５，５６の界面にて剥離することで、配線積層部３０から基材５２を除去して配線積層部３０（樹脂絶縁層２１）の下面上にある銅箔５５を露出させる（基材除去工程）。その後、配線積層部３０における全面めっき層６３及び銅箔５５をサブトラクティブ法でパターニングする（接続端子形成工程）。具体的には、配線積層部３０の上面３１（全面めっき層６３の表面）及び下面３２（銅箔５５の表面）上において、ドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、コンデンサ接続端子４２及び母基板接続端子４５に対応した所定のパターンのエッチングレジスト６６を形成する（図１１参照）。この状態で、配線積層部３０の全面めっき層６３及び銅箔５５に対してエッチングによるパターニングを行う。この結果、樹脂絶縁層２４上にコンデンサ接続端子４２を形成するとともに樹脂絶縁層２１上に母基板接続端子４５を形成する。
【００４８】
またこのとき、開口部３５内に充填されているフィルドビア導体６２（銅層）の上面を露出させることで、ビア導体６２からなるＩＣチップ接続端子４１を形成する。なおここでは、全面めっき層６３及び銅箔５５においてエッチングレジスト６６が設けられていない領域がエッチングによって徐々に溶解除去されていく。つまり、全面めっき層６３はエッチングレジスト６６側である上面側から徐々に溶解除去され、銅箔５５はエッチングレジスト６６側である下面から徐々に溶解除去される。このため、コンデンサ接続端子４２は上面よりも下面のほうが面積の大きい断面台形状に形成され、母基板接続端子４５は下面よりも上面のほうが面積の大きい断面台形状に形成される。そして、各コンデンサ接続端子４２及び母基板接続端子４５に形成されているエッチングレジスト６６を剥離して除去する（図１２参照）。
【００４９】
その後、コンデンサ接続端子４２の表面（上面及び側面）、母基板接続端子４５の表面（下面及び側面）、開口部３５から露出しているＩＣチップ接続端子４１の表面（上面）に対し、無電解ニッケルめっき、無電解金めっきを順次施すことにより、ニッケル−金めっき層４６，４７，４８を形成する（めっき工程）。以上の工程を経ることで図１の多層配線基板１０が製造される。
【００５０】
上述した本実施の形態における多層配線基板１０の製造方法は、以下のように変更してもよい。
【００５１】
図１３に示されるように、ビルドアップ工程において、最外層の第４層の樹脂絶縁層２４を薄銅箔付きビルドアップ材にて形成し、他の樹脂絶縁層２１〜２３については、薄銅箔のない通常のビルドアップ材を用いて形成する。そして、配線積層体６０の上面（最外層となる樹脂絶縁層２４の表面）を銅箔６８で被覆した状態とする。この後、図１４に示されるように、レーザー穴加工を施すことによって樹脂絶縁層２４の所定の位置に銅箔６８を貫通する開口部３５を形成する。次いで各開口部３５内のスミアを除去するデスミア工程を行う。
【００５２】
そして、配線積層体６０における最外層の樹脂絶縁層２４に対する全面にめっきを行い、樹脂絶縁層２４の開口部３５内に銅めっきからなるフィルドビア導体６２を形成しかつ当該樹脂絶縁層２４を覆う全面めっき層６３を形成する（図１５参照）。その後、上述した切断工程、基材除去工程、接続端子形成工程、及びめっき工程等を順次行うことで、図１に示す多層配線基板１０を製造する。
【００５３】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００５４】
（１）本実施の形態の多層配線基板１０では、配線積層部３０の上面３１側に形成される複数の接続端子４１，４２は、接続対象の種類ごとに上面の高さが異なっている。具体的には、複数の接続端子４１，４２として、接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子４１と、接続対象がチップコンデンサであるコンデンサ接続端子４２が存在しており、ＩＣチップ接続端子４１は、最外層にて露出する樹脂絶縁層２４の表面よりも低く、コンデンサ接続端子４２は、樹脂絶縁層２４の表面よりも高くなっている。このようにすると、ＩＣチップをフリップチップ接続するためのはんだバンプをＩＣチップ接続端子４１上に確実に形成することができ、ＩＣチップを確実に接続することができる。また、チップコンデンサを接続するためのはんだフィレットをコンデンサ接続端子４２に確実に形成することができ、チップコンデンサを確実に接続することができる。
【００５５】
（２）本実施の形態の多層配線基板１０において、配線積層部３０の上面３１側に露出する樹脂絶縁層２４には開口部３５が形成されるとともに、開口部３５内には、上面の高さが樹脂絶縁層２４の表面よりも低くなるような状態でＩＣチップ接続端子４１が形成されている。このようにすると、ＩＣチップ接続端子４１の箇所が凹状になるため、ＩＣチップ接続端子４１上の開口部３５内にてはんだボールを容易に位置決めすることができる。ゆえに、ＩＣチップ接続端子４１上におけるはんだバンプの形成をより確実に行うことができる。
【００５６】
（３）本実施の形態の多層配線基板１０では、最外層の樹脂絶縁層２４に形成される開口部３５の内面は粗化面であり、ＩＣチップ接続端子４１を構成するフィルドビア導体６２が粗化面に追従するようにして開口部３５内に充填されている。このようにＩＣチップ接続端子４１を形成すると、ＩＣチップ接続端子４１と樹脂絶縁層２４との密着性を高めることができる。この結果、ＩＣチップ接続端子４１の剥離等を確実に防止することができ、多層配線基板１０の信頼性を高めることができる。
【００５７】
（４）本実施の形態の多層配線基板１０において、コンデンサ接続端子４２は、その上面及び側面をめっき層４７で覆った構造を有しているので、上面及び側面に比較的大きなはんだフィレットを確実に形成することができる。また、ＩＣチップ接続端子４１は、その上面をめっき層４６で覆った構造を有しているので、ＩＣチップ接続端子４１の上面にはんだバンプを確実に形成することができる。ここで、コンデンサ接続端子４２の間隔はＩＣチップ接続端子４１の間隔よりも広く、またコンデンサ接続端子４２はサイズが比較的大きいため、コンデンサ接続端子４２の上面及び側面に形成されたはんだフィレットによってチップコンデンサを十分な強度で確実にはんだ接続することができる。一方、ＩＣチップ接続端子４１の間隔は狭いため、ＩＣチップ接続端子４１の側面にはんだバンプが膨らむと、端子間のショートが問題となる。これに対して、本発明では、ＩＣチップ接続端子４１の上面のみにはんだバンプが形成され、はんだバンプが横方向に膨らむことがないので、はんだバンプを介した端子間のショートを回避することができる。
【００５８】
（５）本実施の形態の多層配線基板１０では、コンデンサ接続端子４２は、樹脂絶縁層２４と接触する下面のほうがその反対側の上面よりも大きい断面台形状をなしているので、コンデンサ接続端子４２の下面と樹脂絶縁層２４との接触面積が大きくなり、コンデンサ接続端子４２の強度を十分に確保することができる。また、母基板接続端子４５は、樹脂絶縁層２１と接触する上面のほうがその反対側の下面よりも大きい断面台形状をなしているので、母基板接続端子４５の上面と樹脂絶縁層２１との接触面積が大きくなり、母基板接続端子４５の強度を十分に確保することができる。
【００５９】
（６）本実施の形態の多層配線基板１０では、相対的に面積の大きいコンデンサ接続端子４２の上面の高さが、相対的に面積の小さいＩＣチップ接続端子４１の上面の高さよりも高くなっている。このようにすると、接続面積が大きいチップコンデンサと接続面積が小さいＩＣチップとを高さの異なる接続端子４１，４２に確実に接続することができる。
【００６０】
（７）本実施の形態の多層配線基板１０において、複数の樹脂絶縁層２１〜２４は、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料の硬化物を主体とした同じビルドアップ材を用いて形成されている。つまり、最外層の樹脂絶縁層２４は、内層の樹脂絶縁層２２，２３と同じ絶縁性に優れたビルドアップ材で形成されている。このため、ＩＣチップ接続端子４１やコンデンサ接続端子４２の端子間隔を狭くすることができ、多層配線基板１０の高集積化が可能となる。また、多層配線基板１０では、最外層にソルダーレジストが形成されていないので、各樹脂絶縁層２１〜２４とソルダーレジストとの熱膨張係数差に起因して生じる多層配線基板１０の反りを回避することができる。
【００６１】
（８）本実施の形態の多層配線基板１０の製造方法において、基材除去工程を経ると、配線積層部３０における上面３１に全面めっき層６３が形成されるとともに下面３２に銅箔５５が形成された状態となる。この場合、接続端子形成工程において、通常の配線基板と同様に、サブトラクティブ法にて上面３１及び下面３２の両面の各接続端子４２，４５を同時にパターン形成することができる。従って、サブトラクティブ法にてパターン形成するための従来の製造設備を使用することができ、多層配線基板１０の製造コストを抑えることができる。
【００６２】
（９）本実施の形態の多層配線基板１０の製造方法において、表面に薄銅箔が形成された薄銅箔付きビルドアップ材を用いる場合、開口部３５のレーザー加工後にデスミア工程を実施する際には、配線積層部３０における最外層の樹脂絶縁層２４の表面が銅箔６８で覆われているので、その樹脂絶縁層２４の表面がデスミア工程で粗化されることがない。またこの場合、銅箔６８の接触面の粗さが樹脂絶縁層２４の表面に転写された状態で表面粗さが設定される。このため、積層構造体３１における最外層の樹脂絶縁層２４について、均一な表面粗さの表面を実現することができる。
［第２の実施の形態］
【００６３】
次に、本実施の形態を具体化した第２の実施の形態を図面に基づき説明する。図１６に示されるように、本実施の形態の多層配線基板１０Ａは、配線積層部３０の上面３１側に形成されるＩＣチップ接続端子４１Ａ及びコンデンサ接続端子４２Ａの形状、及びその製造方法が上記第１の実施の形態と異なる。以下、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００６４】
図１６に示されるように、多層配線基板１０Ａにおいて、最外層となる樹脂絶縁層２４の開口部３５内にはフィルドビア導体が形成されておらず、開口部３５内に形成されるＩＣチップ接続端子４１Ａの上面の高さは、下地パターン層（樹脂絶縁層２３上に形成される導体層２６とほぼ同じ高さとなっている。さらに、開口部３５にて露出するＩＣチップ接続端子４１Ａの上面には、めっき層４６が形成されている。また、コンデンサ接続端子４２Ａは、上面及び下面の面積がほぼ等しくなるよう形成されている。
【００６５】
本実施の形態の多層配線基板１０Ａは以下の手順で作製される。
【００６６】
先ず、第１の実施の形態と同様にビルドアップ工程を行い、図８に示すような配線積層体６０を形成する。その後、図１７に示すように、無電解銅めっきを行い、樹脂絶縁層２４の開口部３５内及び各樹脂絶縁層２１〜２４を覆う全面めっき層７１を形成する（全面めっき工程）。
【００６７】
そして、図１８に示すように、配線積層体６０の上面にドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、コンデンサ接続端子４２Ａに対応したパターンのめっきレジスト７２を形成する。図１９に示すように、めっきレジスト７２を形成した状態で選択的にパターンめっきを行うことで複数の開口部３５のうちの一部のものについてその内部にフィルドビア導体７３を形成するとともに、フィルドビア導体７３の上部にコンデンサ接続端子４２Ａを形成する（フィルドビア導体形成工程）。
【００６８】
フィルドビア導体形成工程後、図２０に示すように、セミアディティブ法でパターニングすることによって、フィルドビア導体７３及びコンデンサ接続端子４２Ａを残しつつ全面めっき層７１を除去する（全面めっき層除去工程）。
【００６９】
全面めっき層除去工程、配線積層体６０をダイシング装置（図示略）により切断し、配線積層部３０の周囲領域を除去する（切断工程）。この際、図２０に示すように、配線積層部３０とその周囲部６４との境界（図２０では矢印で示す境界）において、配線積層部３０の下方にある基材５２（支持基板５０及び下地樹脂絶縁層５１）ごと切断する。この切断によって、樹脂絶縁層２１にて封止されていた積層金属シート体５４の外縁部が露出した状態となる。
【００７０】
ここで、積層金属シート体５４における一対の銅箔５５，５６の界面にて剥離することで、図２１に示すように配線積層部３０から基材５２を除去して配線積層部３０（樹脂絶縁層２１）の下面３２上にある銅箔５５を露出させる（基材除去工程）。
【００７１】
基材除去工程後、配線積層部３０における銅箔５５をサブトラクティブ法でパターニングして母基板接続端子４５を形成する（接続端子形成工程）。具体的には、配線積層部３０の上面３１及び下面３２にドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行う。これにより、配線積層部３０の上面３１には、表面全体を覆うエッチングレジストを形成するとともに、下面３２には母基板接続端子４５に対応した所定のパターンのエッチングレジストを形成する。この状態で、配線積層部３０の下面３２の銅箔５５に対してエッチングによるパターニングを行い、不要な銅箔５５を除去することで樹脂絶縁層２１上に母基板接続端子４５を形成する。接続端子形成工程後、配線積層部３０の上面３１及び下面３２に形成されているエッチングレジストを剥離して除去する（図２２参照）。
【００７２】
その後、コンデンサ接続端子４２Ａ及び母基板接続端子４５の表面（上面及び側面）、開口部３５から露出しているＩＣチップ接続端子４１Ａの表面（上面）に対し、無電解ニッケルめっき、無電解金めっきを順次施すことにより、ニッケル−金めっき層４６，４７，４８を形成する（めっき工程）。以上の工程を経ることで図１６の多層配線基板１０Ａを製造する。
【００７３】
従って、本実施の形態の多層配線基板１０Ａによれば、上記第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施の多層配線基板１０Ａの製造方法によれば、配線積層部３０の上面３１において最外層にて露出する樹脂絶縁層２４に均一な深さとなるように複数の開口部３５を確実に形成することができる。この場合、ＩＣチップ接続端子４１Ａ上の開口部３５内にて微細なはんだボールを容易に位置決めすることができ、ＩＣチップ接続端子４１Ａ上におけるはんだバンプの形成をより確実に行うことができる。
【００７４】
なお、本発明の各実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００７５】
・上記第２の実施の形態では、多層配線基板１０Ａにおいて、上面３１側のコンデンサ接続端子４２Ａをセミアディティブ法でパターン形成し、下面３２側の母基板接続端子４５をサブトラクティブ法でパターン形成するものであったが、これに限定されるものではない。例えば、下面３２側の母基板接続端子４５をセミアディティブ法でパターン形成してもよい。その具体的な製造方法を説明する。
【００７６】
先ず、ビルドアップ工程を行い、図２３に示されるような配線積層体６０Ａを製造する。なお、配線積層体６０Ａにおいては、積層金属シート体５４Ａが厚さの異なる各銅箔５５Ａ，５６Ａで形成されている点が、図８の配線積層体６０と異なっている。積層金属シート体５４Ａにおいて、下面側（基材５２側）に配置される銅箔５６Ａよりも上面側に配置される銅箔５５Ａが薄くなっている。なお、銅箔５５Ａの厚さは、３μｍ〜５μｍ程度である。
【００７７】
ビルドアップ工程後、図２４に示すように、無電解銅めっきを行い、樹脂絶縁層２４の開口部３５内及び各樹脂絶縁層２１〜２４を覆う全面めっき層７１を形成する（全面めっき工程）。
【００７８】
その後、切断工程を行い、配線積層体６０Ａをダイシング装置（図示略）により切断し、配線積層部３０の周囲領域を除去する。そして、基材除去工程を行い、積層金属シート体５４Ａにおける一対の銅箔５５Ａ，５６Ａの界面にて剥離することで、図２５に示すように配線積層部３０から基材５２を除去して配線積層部３０（樹脂絶縁層２１）の下面３２上にある銅箔５５Ａを露出させる。
【００７９】
配線積層部３０の上面３１及び下面３２にドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、コンデンサ接続端子４２Ａ及び母基板接続端子４５Ａに対応したパターンのめっきレジスト７２を形成する（図２６参照）。
【００８０】
この後、図２７に示すように、めっきレジスト７２を形成した状態で選択的にパターンめっきを行う。これにより、配線積層部３０の上面３１において、複数の開口部３５のうちの一部のものについてその内部にフィルドビア導体７３を形成するとともに、フィルドビア導体７３の上部にコンデンサ接続端子４２Ａを形成する。また、配線積層部３０の下面３２において、銅箔５５Ａの下部に母基板接続端子４５Ａを形成する。
【００８１】
そして、図２８に示されるように、セミアディティブ法でパターニングする。このパターニングにより、上面３１におけるコンデンサ接続端子４２Ａ及びフィルドビア導体７３を残しつつ全面めっき層７１を除去する。また、下面３２における母基板接続端子４５Ａを残しつつ銅箔５５Ａを削除する。その後、ＩＣチップ接続端子４１Ａ、コンデンサ接続端子４２Ａ及び母基板接続端子４５Ａの表面に対し、無電解ニッケルめっき、無電解金めっきを順次施すことにより、ニッケル−金めっき層４６，４７，４８を形成する（図２９参照）。以上の工程を経ることで図２９の多層配線基板１０Ｂを製造する。この多層配線基板１０Ｂにおいても、上述した第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８２】
・上記各実施の形態の多層配線基板１０，１０Ａ，１０Ｂにおいて、配線積層部３０を構成する複数の樹脂絶縁層２１〜２４は、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料の硬化物を主体としたビルドアップ材を用いて形成されていた。これら多層配線基板１０，１０Ａ，１０Ｂに対して、光硬化性を付与した樹脂絶縁材料の硬化物を主体としたソルダーレジストを設けてもよい。そのソルダーレジストを設けた多層配線基板１０Ｃ〜１０Ｆの具体例を図３０〜図３４に示す。
【００８３】
図３０の多層配線基板１０Ｃでは、配線積層部３０の下面３２のみにソルダーレジスト８０が設けられており、ソルダーレジスト８０には、母基板接続端子４５を露出させる開口部８１が形成されている。多層配線基板１０Ｃにおいて、ソルダーレジスト８０の開口部８１は母基板接続端子４５よりも小さく、母基板接続端子４５の表面側外周部がソルダーレジスト８０で被覆されている。また、図３１の多層配線基板１０Ｄでも、配線積層部３０の下面３２のみにソルダーレジスト８０が設けられており、ソルダーレジスト８０には、母基板接続端子４５を露出させる開口部８１Ａが形成されている。多層配線基板１０Ｄにおいて、ソルダーレジスト８０の開口部８１Ａは母基板接続端子４５よりも大きく、母基板接続端子４５の下面及び側面全体が露出している。多層配線基板１０Ｃ，１０Ｄのように、配線積層部３０の下面３２にソルダーレジスト８０を設けることによって、母基板接続端子４５を保護することができ、基板搬送時等において母基板接続端子４５が傷つくことが防止される。
【００８４】
図３２の多層配線基板１０Ｅでは、配線積層部３０の下面３２に加えて、上面３１にもソルダーレジスト８３が設けられており、ソルダーレジスト８３には、コンデンサ接続端子４２を露出させる開口部８４が形成されている。ソルダーレジスト８３は、配線積層部３０の上面３１においてチップ搭載領域４３以外の部分（チップ搭載領域４３の外周側の部分）に設けられている（図３３参照）。多層配線基板１０Ｅにおいて、ソルダーレジスト８３の開口部８４はコンデンサ接続端子４２よりも小さく、コンデンサ接続端子４２の表面側外周部がソルダーレジスト８３で被覆されている。
【００８５】
また、図３４の多層配線基板１０Ｆでも、配線積層部３０の下面３２に加えて、上面３１にもソルダーレジスト８３が設けられており、ソルダーレジスト８３には、コンデンサ接続端子４２を露出させる開口部８４Ａが形成されている。多層配線基板１０Ｄにおいて、ソルダーレジスト８３の開口部８４Ａはコンデンサ接続端子４２よりも大きく、コンデンサ接続端子４２の上面及び側面全体が露出している。多層配線基板１０Ｅ，１０Ｆのように、ソルダーレジスト８３を設けることによって、コンデンサ接続端子４２を保護することができる。また、ソルダーレジスト８３を設けることによって、配線積層部３０の上面３１におけるチップ搭載領域４３とその外周部とで段差が形成される。従って、チップ搭載領域４３にフラックスやアンダーフィルを充填する際に、それらが外周部側にはみ出してしまうといった問題を回避することができる。
【００８６】
さらに、多層配線基板１０Ｅ、１０Ｆにおいて、チップ搭載領域４３にもソルダーレジスト８３を設けてもよい。この場合、チップ搭載領域４３のソルダーレジスト８３にＩＣチップ接続端子４１を露出させるための開口部を形成する。ＩＣチップ接続端子４１を露出させる開口部は、搭載するＩＣチップの種類に応じて、ＩＣチップ接続端子４１よりも小さくてもよいし大きくてもよい。
【００８７】
なお、上述した各多層配線基板１０Ｃ〜１０Ｆの配線積層部３０は、上記第１実施の形態と同じ構成である。また、各多層配線基板１０Ｃ〜１０Ｆのようにソルダーレジスト８０，８３を形成すると、配線積層部３０を構成する樹脂絶縁層２１〜２４との熱膨張係数差に応じて基板の反りが発生する場合がある。この対策として、配線積層部３０の上面３１及び下面３２に形成されるソルダーレジストの形成面積を調整したり、ダミー電極を別途設けたりすることによって、反りを防止するように構成してもよい。
【００８８】
・上記各実施の形態では、複数の樹脂絶縁層２１〜２４に形成される複数の導体層２６は、下面３２側から上面３１側に向かうに従って拡径したビア導体３４により互いに接続されていたが、これに限定されるものではない。複数の樹脂絶縁層２１〜２４に形成されるビア導体３４は同一方向に拡径した形状であればよく、上面３１側から下面３２側に向かうに従って拡径したビア導体により、複数の導体層２６を互いに接続してもよい。
【００８９】
・上記各実施の形態では、各接続端子４１，４２，４５を被覆するめっき層４６，４７，４８は、ニッケル−金めっき層であったが、銅以外のめっき層であればよく、例えば、ニッケル−パラジウム−金めっき層などの他のめっき層に変更してもよい。
【００９０】
次に、前述した各実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００９１】
（１）同じ樹脂絶縁材料を主体とした複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側のいずれかに向うに従って拡径したビア導体により互いに接続されている多層配線基板であって、前記第１主面側には、接続対象の異なる少なくとも２種類の第１主面側接続端子が存在するとともに、前記第１主面側接続端子の上面の高さが、前記接続対象の種類ごとに異なっており、前記第１主面上において前記ＩＣチップを搭載する領域の周囲には、光硬化性を付与した樹脂絶縁材料の硬化物を主体としたソルダーレジストが設けられていることを特徴とする多層配線基板。
【００９２】
（２）同じ樹脂絶縁材料を主体とした複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側のいずれかに向うに従って拡径したビア導体により互いに接続されている多層配線基板であって、前記第１主面側には、接続対象の異なる少なくとも２種類の第１主面側接続端子が存在するとともに、前記第１主面側接続端子の上面の高さが、前記接続対象の種類ごとに異なっており、前記第２主面側には、前記接続対象が母基板であり前記ＩＣチップ接続端子及び前記受動部品接続端子よりも面積の大きい母基板接続端子が、前記複数の第２主面側接続端子として存在するとともに、前記第２主面側の最外層にて露出する樹脂絶縁層の表面を基準面としたとき、前記母基板接続端子の上面の高さが前記基準面よりも高くなっていることを特徴とする多層配線基板。
【００９３】
（４）前記母基板接続端子は、前記樹脂絶縁層と接触する上面のほうがその反対側の下面よりも大きい断面台形状をなしていることを特徴とする上記（３）に記載の多層配線基板。
【００９４】
（５）同じ絶縁材からなる複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の樹脂絶縁層にはそれぞれ同一方向に拡径したビア導体が形成されている多層配線基板であって、前記第２主面側には、接続対象の異なる少なくとも２種類の第２主面側接続端子が存在するとともに、前記第２主面側接続端子の上面の高さが、前記接続対象の種類ごとに異なっていることを特徴とする多層配線基板。
【００９５】
（６）前記第２主面側には、前記接続対象が母基板である母基板接続端子が存在するとともに、前記接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子または前記接続対象が受動部品である受動部品接続端子が存在することを特徴とする上記（５）記載の多層配線基板。
【００９６】
（７）同じ絶縁材からなる複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の樹脂絶縁層にはそれぞれ同一方向に拡径したビア導体が形成されている多層配線基板の製造方法であって、一対の金属箔を互いに剥離可能な状態で片面に積層配置してなる基材上にて、同じ絶縁材からなる複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化することにより積層構造体を形成するビルドアップ工程と、前記積層構造体における最外層の樹脂絶縁層に対する全面パネルめっきを行い、当該樹脂絶縁層にフィルドビア導体を形成しかつ当該樹脂絶縁層を覆う全面めっき層を形成する全面パネルめっき工程と、前記全面パネルめっき工程後、前記一対の金属箔を互いに剥離することで前記基材を除去して前記金属箔を露出させる基材除去工程と、前記基材除去工程後、前記積層構造体における前記全面めっき層及び前記金属箔をサブトラクティブ法でパターニングすることによって、前記第１主面側接続端子及び前記第２主面側接続端子を形成する接続端子形成工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【００９７】
（８）前記ビルドアップ工程では、前記積層構造体における最外層の樹脂絶縁層を形成するにあたり、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料を主体としその表面に薄銅箔が形成された薄銅箔付きビルドアップ材を用いるとともに、積層された前記薄銅箔付きビルドアップ材に対してレーザー穴加工を施すことにより、前記フィルドビア導体を形成するための開口部を形成し、前記ビルドアップ工程後かつ前記全面パネルめっき工程前に、前記開口部内のスミアを除去するデスミア工程を行う
ことを特徴とする上記（７）に記載の多層配線基板の製造方法。
【００９８】
（９）同じ絶縁材からなる複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の樹脂絶縁層にはそれぞれ同一方向に拡径したビア導体が形成されている多層配線基板の製造方法であって、一対の金属箔を互いに剥離可能な状態で片面に積層配置してなる基材上にて、同じ絶縁材からなる複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化することにより積層構造体を形成するとともに、最外層の樹脂絶縁層に対してレーザー穴加工を施すことにより複数の開口部を形成するビルドアップ工程と、無電解めっきを行い、前記複数の開口部内及び前記樹脂絶縁層を覆う全面めっき層を形成する全面めっき工程と、前記第１主面上にめっきレジストを形成した状態で選択的にパターンめっきを行うことで前記複数の開口部のうちの一部のものについてフィルドビア導体を形成するフィルドビア導体形成工程と、前記フィルドビア導体形成工程後、セミアディティブ法でパターニングすることによって、前記フィルドビア導体を残しつつ前記全面めっき層を除去する全面めっき層除去工程と、前記全面めっき層除去工程後、前記一対の金属箔を互いに剥離することで前記基材を除去して前記金属箔を露出させる基材除去工程と、前記基材除去工程後、前記積層構造体における前記金属箔をサブトラクティブ法でパターニングすることによって、前記第２主面側接続端子を形成する接続端子形成工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【００９９】
１０，１０Ａ〜１０Ｆ…多層配線基板
２１〜２４…樹脂絶縁層
２６…導体層
３０…積層構造体としての配線積層部
３１…第１主面としての上面
３２…第２主面としての下面
３３…ビア導体
３５…開口部
４１,４１Ａ…ＩＣチップ接続端子
４２,４２Ａ…受動部品接続端子としてのコンデンサ接続端子
４５，４５Ａ…第２主面側接続端子としての母基板接続端子
４６，４７…めっき層
５２…基材
５５…金属箔としての銅箔
６２…銅層としてのフィルドビア導体
８０…ソルダーレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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