(57)【要約】      （修正有）【課題】３次元的に形成したＤＲＡＭ用のトランジスタやサイリスタのリーク電流を低減する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板１０の主面に対してほぼ垂直に形成されたシリコンピラー１２と、シリコンピラー１２の下部及び上部にそれぞれ設けられた第１及び第２の不純物拡散層１４，１６と、シリコンピラー１２を水平方向に貫いて設けられたゲート電極１８と、ゲート電極１８とシリコンピラー１２との間に設けられたゲート絶縁膜２０とを備える。これによれば、シリコンピラー１２の体積が小さくなるので、シリコンピラー１２内に形成されるトランジスタやサイリスタのリーク電流を低減できる。【選択図】図２
2011138883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面に対してほぼ垂直に形成されたシリコンピラーと、
前記シリコンピラーの下部及び上部にそれぞれ設けられた第１及び第２の不純物拡散層と、
前記シリコンピラーを水平方向に貫いて設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記シリコンピラーとの間に設けられたゲート絶縁膜と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
下部電極が前記第２の不純物拡散層の上端に接するキャパシタ
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置は、直交するワード線とビット線を用いる半導体記憶装置であり、
前記シリコンピラーはマトリクス状に複数形成され、
前記ゲート電極は、ワード線方向に並ぶ複数の前記シリコンピラーを貫いて設けられて前記ワード線を構成し、
前記第１の不純物拡散層は、ビット線方向に並ぶ複数の前記シリコンピラーに共通に設けられて前記ビット線を構成する
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の不純物拡散層の上端に接して設けられた第３の不純物拡散層と、
前記第３の不純物拡散層の上端に接して設けられた配線パターンとをさらに備え、
前記第１及び第２の不純物拡散層は、シリコン及び該シリコンに注入された第１の導電型の不純物により構成され、
前記第３の不純物拡散層は、シリコン及び該シリコンに注入された第２の導電型の不純物により構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体装置は、直交するワード線とビット線を用いる半導体記憶装置であり、
前記シリコンピラーはマトリクス状に複数形成され、
前記ゲート電極は、ワード線方向に並ぶ複数の前記シリコンピラーを貫いて設けられて前記ワード線を構成し、
前記第３の不純物拡散層は、ビット線方向に並ぶ複数の前記シリコンピラーに共通に設けられて前記ビット線を構成する
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
マスク絶縁膜を用いてシリコン基板をエッチングすることによりシリコンピラーを形成するとともに、前記シリコンピラーの下部に第１の不純物拡散層を形成する工程と、
前記シリコンピラー及び前記マスク絶縁膜の周囲を埋めるように第１の絶縁膜を成膜する工程と、
前記マスク絶縁膜を除去する工程と、
前記マスク絶縁膜の除去により形成される第１の開口部の内壁にサイドウォール絶縁膜を形成する工程と、
前記サイドウォール絶縁膜及び前記第１の絶縁膜をマスクとして用いて前記シリコンピラーをエッチングする工程と、
前記シリコンピラーのエッチングにより形成される第２の開口部の内壁を酸化することによりゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の開口部内に、少なくとも上側を第２の絶縁膜で覆われたゲート電極を形成する工程と、
前記シリコンピラーの上端及び前記第２の絶縁膜の上端に接する第２の不純物拡散層を形成する工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の不純物拡散層を形成する工程は、
選択的エピタキシャル成長により、前記シリコンピラーの上端及び前記第２の絶縁膜の上端に接するシリコンを成長させる工程と、
前記シリコンに不純物を注入する工程と
を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
下部電極が前記第２の不純物拡散層の上端に接するキャパシタを形成する工程
をさらに備えることを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体装置は、直交するワード線とビット線を用いる半導体記憶装置であり、
前記ゲート電極及び前記第１の不純物拡散層はそれぞれ、前記ワード線及び前記ビット線を構成し、
前記シリコンピラー及び前記第１の不純物拡散層を形成する工程は、
ビット線方向に延伸する第１のマスク絶縁膜を用いて前記シリコン基板をエッチングする工程と、
前記シリコン基板のエッチングにより形成される第３の開口部の底面に不純物を注入する工程と、
前記第１のマスク絶縁膜を用いて前記シリコン基板及び前記第１の不純物拡散層をエッチングすることにより前記第１の不純物拡散層を形成する工程と、
前記第３の開口部の内部を埋めるように第３の絶縁膜を成膜する工程と、
前記第１のマスク絶縁膜を除去し、ワード線方向に延伸する第２のマスク絶縁膜を形成する工程と、
前記第２のマスク絶縁膜を用いて前記シリコン基板及び前記第３の絶縁膜を、前記第１の不純物拡散層を貫通しない深さまでエッチングすることにより前記シリコンピラーを形成する工程と
を有することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の不純物拡散層の上端に接する第３の不純物拡散層を形成する工程と、
前記第３の不純物拡散層の上端に接する配線パターンを形成する工程とをさらに備え、
前記第１及び第２の不純物拡散層は、シリコン及び該シリコンに注入された第１の導電型の不純物により構成され、
前記第３の不純物拡散層は、シリコン及び該シリコンに注入された第２の導電型の不純物により構成されることを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体装置は、直交するワード線とビット線を用いる半導体記憶装置であり、
前記ゲート電極及び前記配線パターンはそれぞれ、前記ワード線及び前記ビット線を構成し、
前記シリコンピラー及び前記第１の不純物拡散層を形成する工程は、
ビット線方向に延伸する第１のマスク絶縁膜を用いて前記シリコン基板をエッチングする工程と、
前記シリコン基板のエッチングにより形成される第３の開口部の内部を埋めるように第３の絶縁膜を成膜する工程と、
前記第１のマスク絶縁膜を除去し、ワード線方向に延伸する第２のマスク絶縁膜を形成する工程と、
前記第２のマスク絶縁膜を用いて前記シリコン基板及び前記第３の絶縁膜をエッチングすることにより前記シリコンピラーを形成する工程と、
前記シリコンピラーの下方に位置する前記シリコン基板の表面に不純物を注入することにより、前記第１の不純物拡散層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記シリコンピラーは、マトリクス状に複数形成されることを特徴とする請求項６乃至１１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、特に、３次元的に形成したトランジスタやサイリスタを用いる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまで、半導体装置の集積度向上は、主にトランジスタの微細化によって達成されてきたが、トランジスタの微細化はもはや限界に近づいており、これ以上トランジスタサイズを縮小すると、短チャネル効果などによって正しく動作しないおそれが生じている。
【０００３】
このような問題を根本的に解決する方法として、半導体基板を立体加工し、これによりトランジスタを３次元的に形成する方法が提案されている。中でも、半導体基板の主面に対して垂直方向に延びるシリコンピラーをチャネルとして用いるタイプの３次元トランジスタは、占有面積が小さく且つ完全空乏化によって大きなドレイン電流が得られるという利点を有しており、４Ｆ２（Ｆは最小加工寸法）の最密レイアウトも実現可能である（特許文献１参照）。
【０００４】
また、半導体装置のうち特にＤＲＡＭ(Dynamic Random Access Memory)では、これまでキャパシタを用いて情報を記憶する方式が一般的であったが、集積度向上に伴ってキャパシタも微細化し、キャパシタの静電容量を確保するのが難しくなっている。そこで近年、キャパシタを用いないでメモリセルを構成するキャパシタレスＤＲＡＭが提案されている。特許文献２には、３次元的に形成したサイリスタを用いて構成したキャパシタレスＤＲＡＭの例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−０１０３６６号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００９／０２１３６４８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、３次元的に形成したトランジスタやサイリスタを用いる半導体装置では、微細化の影響により、キャパシタやサイリスタ内に蓄積される電荷量が従来に比べて小さくなっている。そのために、情報保持特性に対するリーク電流の影響が大きくなっており、したがって、トランジスタやサイリスタのリーク電流を低減することが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による半導体装置は、基板の主面に対してほぼ垂直に形成されたシリコンピラーと、前記シリコンピラーの下部及び上部にそれぞれ設けられた第１及び第２の不純物拡散層と、前記シリコンピラーを水平方向に貫いて設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記シリコンピラーとの間に設けられたゲート絶縁膜とを備えることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明による半導体装置の製造方法は、マスク絶縁膜を用いてシリコン基板をエッチングすることによりシリコンピラーを形成するとともに、前記シリコンピラーの下部に第１の不純物拡散層を形成する工程と、前記シリコンピラー及び前記マスク絶縁膜の周囲を埋めるように第１の絶縁膜を成膜する工程と、前記マスク絶縁膜を除去する工程と、前記マスク絶縁膜の除去により形成される第１の開口部の内壁にサイドウォール絶縁膜を形成する工程と、前記サイドウォール絶縁膜及び前記第１の絶縁膜をマスクとして用いて前記シリコンピラーをエッチングする工程と、前記シリコンピラーのエッチングにより形成される第２の開口部の内壁を酸化することによりゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第２の開口部内に、少なくとも上側を第２の絶縁膜で覆われたゲート電極を形成する工程と、前記シリコンピラーの上端及び前記第２の絶縁膜の上端に接する第２の不純物拡散層を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、シリコンピラーの体積が小さくなるので、シリコンピラー内に形成されるトランジスタやサイリスタのリーク電流を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図１のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の等価回路を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図５】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図４のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図７】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図６のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図９】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図８のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図１０のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図１２のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図１５】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図１４のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図１７】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図１６のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図１９】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図１８のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図２１】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図２０のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図２３】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図２２のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図２４】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図２５】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図２４のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図２６】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図２７】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図２６のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図２８】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図２９】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図２８のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図３０】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図３１】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図３０のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図３２】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図である。
【図３３】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図３２のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図３４】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の等価回路を示す図である。
【図３５】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図３６】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図３５のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図３７】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図３８】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図３７のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図３９】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図４０】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図３９のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図４１】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図４２】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図４１のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図４３】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図４４】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図４３のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図４５】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図４６】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図４５のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図４７】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図４８】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図４７のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図４９】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図５０】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図４９のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図５１】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図５２】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図５１のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図５３】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図５４】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図５３のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図５５】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図５６】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図５５のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図５７】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図５８】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図５７のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図５９】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図６０】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図５９のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【図６１】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の平面図であり、半導体装置の製造工程を示している。
【図６２】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図６１のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００１２】
図１は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置１の平面図である。ただし、同図には、実際には表面に現れないワード線ＷＬとビット線ＢＬの位置も示している。図２（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図１のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【００１３】
本実施の形態による半導体装置１はメモリセルキャパシタを利用する半導体記憶装置（ＤＲＡＭ）であり、シリコン基板１０の表面に設けられたＰ型（第２の導電型）の領域ＰＷＥＬＬ（不図示）内及びその上方に形成される。
【００１４】
図１に示すように、半導体装置１には、図面縦方向に延伸する複数ワード線ＷＬと、図面横方向に延伸する複数のビット線ＢＬとが設けられる。複数のワード線ＷＬと複数のビット線ＢＬはそれぞれ、２Ｆ間隔（中心距離）で配置される。ワード線ＷＬとビット線ＢＬの交点には、セルトランジスタ１１（ＭＯＳトランジスタ）が配置される。
【００１５】
セルトランジスタ１１は、シリコン基板１０の主面に対してほぼ垂直に形成されたシリコンピラー１２によって構成される。
【００１６】
シリコン基板１０の上面には、図２の各図に示すように、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）などの絶縁体により構成される層間絶縁膜４６と、酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの絶縁膜により構成される層間絶縁膜４７とがこの順で積層されており、各シリコンピラー１２は、これら層間絶縁膜４６，４７を垂直方向に貫いて設けられる。
【００１７】
各シリコンピラー１２の中ほどより下の部分はワード線方向の中心線を挟んで２つに分割されており、分割された部分の間には、図２（ｃ）に示すように、セルトランジスタ１１のゲート電極１８（ワード線ＷＬ）が設けられる。別の見方をすれば、ワード線ＷＬは、シリコンピラー１２を水平方向（ワード線方向）に貫いて設けられている。ゲート電極１８の側面とシリコンピラー１２の内壁面との間には比較的薄いゲート絶縁膜２０が設けられる。また、ゲート電極１８の上面及び下面にはそれぞれ、比較的厚い絶縁膜２２，２４が設けられている。絶縁膜２２，２４は、それぞれＧＩＤＬ(Gate Induced Drain Leakage)、ＧＩＳＬ(Gate Induced Source Leakage)低減の目的で設けられているものである。
【００１８】
各シリコンピラー１２の下部には、セルトランジスタ１１のソース／ドレインの一方を構成する第１の不純物拡散層１４が設けられる。第１の不純物拡散層１４はシリコン基板１０内にも拡散しており、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、ビット線方向に隣接するシリコンピラー１２の間でつながっている。こうしてビット線方向に連続する第１の不純物拡散層１４により、ビット線ＢＬが構成される。第１の不純物拡散層１４は、シリコン内にＮ型（第１の導電型）の不純物を拡散させることにより形成される。
【００１９】
各シリコンピラー１２の上部には、セルトランジスタ１１のソース／ドレインの他方を構成する第２の不純物拡散層１６が、シリコンピラー１２ごとに設けられる。第２の不純物拡散層１６も、シリコン内にＮ型不純物を拡散させることにより形成される。第２の不純物拡散層１６は、上単を層間絶縁膜４７の上面から少し突き出して構成される。第２の不純物拡散層１６及び層間絶縁膜４７の上側の全面には、第２の不純物拡散層１６の上端を覆うようにして、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）などの絶縁体により構成される層間絶縁膜４９が形成される。
【００２０】
第２の不純物拡散層１６の上面には、筒型の下部電極３１を有するセルキャパシタ３０が形成される。下部電極３１は、層間絶縁膜４９と、さらにその上面に形成された酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの絶縁膜により構成される層間絶縁膜５０とを、垂直方向に貫通して設けられる。下部電極３１の下面は、対応する第２の不純物拡散層１６と接触・導通している。下部電極３１は、窒化チタンなどの金属膜により構成される。
【００２１】
筒型の下部電極３１の内璧面には、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、又はこれらの積層体などの高誘電体膜により構成される薄い容量絶縁膜３２が形成される。そして、容量絶縁膜３２のさらに内側には、セルキャパシタ３０の上部電極３３が形成される。上部電極３３も、窒化チタンなどの金属膜により構成される。上部電極３３の上面には配線パターン３４が形成される。
【００２２】
図３は、本実施の形態による半導体装置１の等価回路を示す図である。ただし、同図には、メモリセル４つ分のみを抜き出して示している。同図に示すように、本実施の形態による半導体装置１では、ワード線ＷＬとビット線ＢＬの交点ごとに、セルトランジスタ１１とセルキャパシタ３０とを有するメモリセルＭＣが形成される。複数のワード線ＷＬのうちの１つを活性化すると、そのワード線ＷＬによって貫かれているシリコンピラー１２内にチャネルが形成されてセルトランジスタ１１がオン状態となる。したがって、対応するビット線ＢＬと下部電極３１とが電気的に接続され、対応するビット線ＢＬを介してセルキャパシタ３０にアクセスすることが可能になる。
【００２３】
以上説明したように、本実施の形態による半導体装置１では、ワード線ＷＬがシリコンピラー１２を水平方向に貫くようにしたので、シリコンピラー１２の体積を小さくすることが可能になっている。したがって、シリコン結晶中の点欠陥の数が従来より少なくなり、セルトランジスタの接合リーク電流が低下していることから、セルキャパシタの容量が小さくても十分なリテンション特性を確保することが可能になっている。
【００２４】
次に、本実施の形態による半導体装置１の製造方法について、図４〜図３１を参照しながら説明する。図４〜図３１のうち、偶数番号の図面は半導体装置１の平面図であり、奇数番号の図面の（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、直前の偶数番号の図面のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【００２５】
まず、図４及び図５に示すように、シリコン基板１０を用意し、その上面を酸化することにより５ｎｍ程度の薄いシリコン酸化膜４０を形成し、Ｐ型不純物を注入することによりＰＷＥＬＬ（不図示）を形成する。次いで、６０ｎｍ程度のシリコン窒化膜を堆積し、フィールドＰＲ(Photo Resist)を行うことにより、ビット線方向に延伸するマスクパターン４１（第１のマスク絶縁膜）を形成する。なお、本製造方法では、シリコンピラー１２は、いわゆるダブルパターニング法により形成される。つまり、ビット線方向に延伸するマスクパターン４１と、ワード線方向に延伸するマスクパターン４４（後述）という２つのマスクパターンを用いて形成される。
【００２６】
マスクパターン４１を形成したら、２００ｎｍ程度の深さまでドライエッチングを行い、トレンチ６０（第３の開口部）を形成する。このトレンチ６０により、ビット線方向に延伸する壁状のシリコンピラー４２が形成される。この後、シリコンピラー４２の側面を含むシリコン基板１０表面を熱酸化することにより６ｎｍ程度の薄い酸化膜（不図示）を形成し、その後、トレンチ６０の底部にＮ型不純物を注入し、さらにアニールを行うことで、第１の不純物拡散層１４を形成する。
【００２７】
次に、図６及び図７に示すように、マスクパターン４１をマスクとするドライエッチングをもう一度行い、トレンチ６０をさらに５０ｎｍ程度掘り進める。これにより、第１の不純物拡散層１４がシリコンピラー４２ごとの部分に分離され、ビット線ＢＬが完成する。
【００２８】
次に、全体の表面をＩＳＳＧ(In-Situ Steam Generation)酸化し、マスクパターン４１の表面を含む全体の表面に６ｎｍ程度の薄いＩＳＳＧ酸化膜（不図示）を形成する。その後、図８及び図９に示すように、アンドープ化したＤＯＰＯＳ(Doped Poly-Si)膜４３（第３の絶縁膜）を成膜し、トレンチ６０の内部をＤＯＰＯＳ膜４３で埋める。そして、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、マスクパターン４１の上端が突出するまでＤＯＰＯＳ膜４３のエッチバック（酸化膜高選択ＤＯＰＯＳドライエッチバック）を行う。なお、ＤＯＰＯＳ膜４３をアンドープ化しておくのは、ゲート絶縁膜２０を形成するためにシリコンピラー１２内璧面の酸化（後述）を行う際、ＤＯＰＯＳ膜４３からシリコンピラー１２内に不純物が拡散することを防止するためである。
【００２９】
次に、ＤＯＰＯＳ膜４３のウエットエッチングを行うとともにマスクパターン４１の除去を行い、図１０及び図１１に示すように、表面を平坦化する。
【００３０】
次に、平坦化された表面に、６０ｎｍ程度のシリコン窒化膜を堆積し、フィールドＰＲ(Photo Resist)を行うことにより、図１２及び図１３に示すように、ワード線方向に延伸するマスクパターン４４（第２のマスク絶縁膜）を形成する。
【００３１】
マスクパターン４４を形成したら、第１の不純物拡散層１４の上面が露出しつつ、第１の不純物拡散層１４を貫通しない程度の深さまでシリコンとシリコン酸化膜の同時エッチングを行い、トレンチ６１を形成する。ここまでの処理により、図１４及び図１５に示すように、ワード線ＷＬとビット線ＢＬの交点ごとに、シリコンピラー４５が形成される。
【００３２】
次に、図１６及び図１７に示すように、シリコンピラー４５及びマスクパターン４４の周囲を埋めるように絶縁膜（第１の絶縁膜）を成膜する。具体的には、シリコンピラー４５の側面を含むシリコン基板１０表面を熱酸化することにより８ｎｍ程度の薄い酸化膜（不図示）を形成し、さらに、シリコン窒化膜４６を堆積してウエットエッチバック又はドライエッチバックを行う。その後、さらにシリコン酸化膜４７を堆積し、マスクパターン４４の表面が露出するまでＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)を行うことにより、表面を平坦化する。
【００３３】
次に、熱リン酸によりマスクパターン４４を除去し、薄くシリコン窒化膜を堆積した後、エッチバックを行う。これにより、図１８及び図１９に示すように、マスクパターン４４を除去してできた開口部６２（第１の開口部）内に、７ｎｍ程度の厚さのサイドウォール窒化膜４８が形成される。
【００３４】
次に、サイドウォール窒化膜４８及びシリコン酸化膜４７をマスクとして用いて、シリコンピラー４５とＤＯＰＯＳ膜４３とをエッチングし、図２０及び図２１に示すように、シリコンピラー４５を水平方向に貫通するトレンチ６３（第２の開口部）を形成する。これにより、ワード線方向の中心線を挟んで２つに分割されたシリコンピラー１２の一部（上端部分以外の部分）が形成される。なお、このエッチングではシリコン酸化膜４７もエッチングされるが、エッチングの後にも層間絶縁膜として十分な膜厚のシリコン酸化膜４７が残るよう、エッチング選択比とシリコン酸化膜４７の厚さとを適宜調整する。
【００３５】
次に、トレンチ６３の内壁の酸化（ゲート酸化）を行い、図２２及び図２３に示すゲート絶縁膜２０を形成する。その後、シリコン窒化膜の堆積及びエッチバックと、ＤＯＰＯＳ膜の堆積及びエッチバックとを順次行う。これにより、トレンチ６３の内部に、図２２及び図２３に示すように、シリコンピラー１２を水平方向に貫通するゲート電極１８（ワード線ＷＬ）と、ゲート電極１８の下面とシリコン基板１０及びシリコンピラー１２とを絶縁するための絶縁膜２４とが形成される。
【００３６】
その後、さらにシリコン窒化膜の堆積と、熱リン酸によるエッチバックとを行い、図２４及び図２５に示すように、ゲート電極１８の上面とシリコンピラー１２とを絶縁するための絶縁膜２２を形成するとともに、サイドウォール窒化膜４８を除去する。
【００３７】
次に、シリコン酸化膜４０と、ゲート絶縁膜２０の露出部分とを除去したうえで、シリコンピラー１２を上方に延設し、図２６及び図２７に示すように、上端部１２ａを形成する。具体的には、トレンチ６３内壁のシリコンピラー１２露出部分を利用して、単結晶シリコンを選択的エピタキシャル成長させる。そして、Ｎ型不純物を注入し、さらにアニールを行うことで、図２８及び図２９に示すように、上端部１２ａ内に第２の不純物拡散層１６を形成する。
【００３８】
第２の不純物拡散層１６を形成した後には、上述したマスクパターン４１と同様のマスクパターン（不図示）を形成し、シリコンのドライエッチングを行う。これにより、図３０及び図３１に示すように、第２の不純物拡散層１６がシリコンピラー１２ごとに分離される。以上の処理により、図１乃至図３に示したセルトランジスタ１１が完成する。
【００３９】
この後、図２に示したように、層間絶縁膜４９，５０の成膜、キャパシタ３０の形成、配線パターン３４の形成を行うことで、半導体装置１が完成する。
【００４０】
以上説明したように、本製造方法によれば、メモリセル内にキャパシタを有する半導体装置１において、シリコンピラー１２を水平方向に貫くワード線ＷＬを形成することが可能になる。また、シリコンピラー１２の上端部１２ａを形成する際に選択的エピタキシャル成長を用いていることから、コンタクト抵抗の上昇を抑制することが可能になっている。
【００４１】
図３２は、本発明の第２の実施の形態による半導体装置１の平面図である。ただし、同図には、実際には表面に現れないワード線ＷＬとビット線ＢＬの位置も示している。図３３（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図３２のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【００４２】
本実施の形態による半導体装置１はメモリセルキャパシタを利用しない、いわゆるキャパシタレスタイプの半導体記憶装置（ＤＲＡＭ）であり、シリコン基板１０の表面に設けられたＰ型の領域ＰＷＥＬＬ（不図示）内及びその上方に形成される。
【００４３】
ワード線ＷＬとビット線ＢＬの配置は、第１の実施の形態による半導体装置１と同様である。ワード線ＷＬとビット線ＢＬの交点には、セルトランジスタではなくサイリスタ７１が配置される。
【００４４】
サイリスタ７１は、第１の実施の形態で説明したセルトランジスタと同様に、シリコン基板１０の主面に対してほぼ垂直に形成されたシリコンピラー１２によって構成される。シリコンピラー１２は、第１の実施の形態と同様、層間絶縁膜４６，４７を垂直方向に貫いて設けられる。
【００４５】
サイリスタ７１は、シリコンピラー１２の下側から順にＮ型不純物拡散層とＰ型不純物拡散層とが２層ずつ交互に積層したＮＰＮＰ型の４重構造を有する素子である。図３３（ｃ）を参照しながら、これら４つの層と図面に現れる層との対応関係を説明すると、各シリコンピラー１２の下部に設けられる第１の不純物拡散層１４が最下層のＮ型不純物拡散層に相当し、Ｎ型不純物拡散層１４の上側に位置するシリコンピラー１２内の領域（ＰＷＥＬＬ）が下から２番目のＰ型不純物拡散層に相当し、その上に位置する第２の不純物拡散層１６が下から３番目のＮ型不純物拡散層に相当し、第２の不純物拡散層１６の上端に接して設けられる第３の不純物拡散層１７が最上層のＰ型不純物拡散層に相当する。
【００４６】
最下層のＮ型不純物拡散層に相当する第１の不純物拡散層１４は、シリコン内にＮ型不純物を拡散させることにより形成される。第１の不純物拡散層１４は、図３３の各図に示すようにシリコン基板１０内にも拡散しており、隣接するシリコンピラー１２の間でつながっている。したがって、ソース線ＳＬは、すべてのサイリスタ７１に共通に接続している。
【００４７】
下から２番目のＰ型不純物拡散層に相当するシリコンピラー１２内の領域においては、第１の実施の形態と同様、シリコンピラー１２がワード線方向の中心線を挟んで２つに分割されており、分割された部分の間には、図３３（ｃ）に示すように、ゲート電極１８（ワード線ＷＬ）が設けられる。ゲート電極１８の側面とシリコンピラー１２の内壁面との間に比較的薄いゲート絶縁膜２０が設けられる点、及びゲート電極１８の上面及び下面に比較的厚い絶縁膜２２，２４が設けられる点も、第１の実施の形態と同様である。
【００４８】
下から３番目のＮ型不純物拡散層に相当する第２の不純物拡散層１６は、シリコン内にＮ型不純物を拡散させることにより形成される。第２の不純物拡散層１６は、シリコンピラー１２ごとに独立して設けられる。
【００４９】
最上層のＰ型不純物拡散層に相当する第３の不純物拡散層１７は、シリコン内にＰ型不純物を拡散させることにより形成される。第３の不純物拡散層１７は、図３３（ａ）〜（ｃ）に示すように、ビット線方向に隣接するシリコンピラー１２の間でつながっている。ビット線ＢＬは、第３の不純物拡散層１７の上端に接して形成された、窒化タングステン（ＷＮ）及びタングステン（Ｗ）の積層膜５１（ＷＮ／Ｗ膜）により構成される。ビット線ＢＬのさらに上層には、シリコン窒化膜５２が形成される。
【００５０】
なお、図３３（ａ）（ｂ）（ｄ）に示すように、第２の不純物拡散層１６、第３の不純物拡散層１７、積層膜５１（ビット線ＢＬ）、シリコン窒化膜５２は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの絶縁膜により構成される層間絶縁膜５３を垂直方向に貫いて設けられる。層間絶縁膜５３は、これらの各層（膜）を、ワード線方向に隣接するサイリスタ７１の間で電気的に分離する役割を担っている。
【００５１】
図３４は、本実施の形態による半導体装置１の等価回路を示す図である。ただし、同図には、メモリセル４つ分のみを抜き出して示している。同図に示すように、本実施の形態による半導体装置１では、ワード線ＷＬとビット線ＢＬの交点ごとに、サイリスタ７１を有するメモリセルが形成される。また、ソース線ＳＬは接地される。この構成によれば、ワード線ＷＬとビット線ＢＬに印加する電圧の組み合わせにより、特定のメモリセル内のサイリスタ７１について、下から２番目のＰ型不純物拡散層内（シリコンピラー１２の中ほどの領域）に電荷を蓄積し、或いは蓄積している電荷の量を読み出すことが可能になる。つまり、サイリスタ７１に対して書き込み及び読み出しを行うことが可能になっている。
【００５２】
以上説明したように、本実施の形態による半導体装置１によっても、ワード線ＷＬがシリコンピラー１２を水平方向に貫くようにしたので、シリコンピラー１２の体積を小さくすることが可能になっている。したがって、シリコン結晶中の点欠陥の数が従来より少なくなり、サイリスタの接合リーク電流が低下していることから、サイリスタに蓄積できる電荷の量が小さくても十分なリテンション特性を確保することが可能になっている。
【００５３】
次に、本実施の形態による半導体装置１の製造方法について、図３５〜図６２を参照しながら説明する。図３５〜図６２のうち、奇数番号の図面は半導体装置１の平面図であり、偶数番号の図面の（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、直前の奇数番号の図面のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、Ｄ−Ｄ線断面に対応する断面図である。
【００５４】
まず、図３５及び図３６に示すように、シリコン基板１０を用意し、その上面を酸化することにより５ｎｍ程度の薄いシリコン酸化膜４０を形成し、Ｐ型不純物を注入することによりＰＷＥＬＬ（不図示）を形成する。次いで、６０ｎｍ程度のシリコン窒化膜を堆積し、フィールドＰＲ(Photo Resist)を行うことにより、ビット線方向に延伸するマスクパターン４１（第１のマスク絶縁膜）を形成する。なお、本製造方法でも、シリコンピラー１２は、いわゆるダブルパターニング法により形成される。
【００５５】
マスクパターン４１を形成したら、２５０ｎｍ程度の深さまでドライエッチングを行い、トレンチ６０（第３の開口部）を形成する。このトレンチ６０により、ビット線方向に延伸する壁状のシリコンピラー４２が形成される。
【００５６】
次に、全体の表面をＩＳＳＧ(In-Situ Steam Generation)酸化し、マスクパターン４１の表面を含む全体の表面に６ｎｍ程度の薄いＩＳＳＧ酸化膜（不図示）を形成する。その後、図３７及び図３８に示すように、アンドープ化したＤＯＰＯＳ(Doped Poly-Si)膜４３（第３の絶縁膜）を成膜し、トレンチ６０の内部をＤＯＰＯＳ膜４３で埋める。そして、図３８（ａ）及び（ｂ）に示すように、マスクパターン４１の上端が突出するまでＤＯＰＯＳ膜４３のエッチバック（酸化膜高選択ｐｏｌｙ−Ｓｉドライエッチバック）を行う。なお、ＤＯＰＯＳ膜４３をアンドープ化しておくのは、ゲート絶縁膜２０を形成するためにシリコンピラー１２内璧面の酸化（後述）を行う際、ＤＯＰＯＳ膜４３からシリコンピラー１２内に不純物が拡散することを防止するためであるとともに、後のエッチング（後述するトレンチ６１を形成するためのエッチング）を容易にするためである。
【００５７】
次に、ＤＯＰＯＳ膜４３のウエットエッチングを行うとともにマスクパターン４１の除去を行い、図３９及び図４０に示すように、表面を平坦化する。
【００５８】
次に、平坦化された表面に、６０ｎｍ程度のシリコン窒化膜を堆積し、フィールドＰＲ(Photo Resist)を行うことにより、図４１及び図４２に示すように、ワード線方向に延伸するマスクパターン４４（第２のマスク絶縁膜）を形成する。
【００５９】
マスクパターン４４を形成したら、シリコンとシリコン酸化膜の同時エッチングを行ってトレンチ６１を形成する。ここまでの処理により、図４３及び図４４に示すように、ワード線ＷＬとビット線ＢＬの交点ごとに、シリコンピラー４５が形成される。
【００６０】
次に、シリコンピラー４５の側面を含むシリコン基板１０表面を熱酸化することにより５ｎｍ程度の薄い酸化膜（不図示）を形成し、その後、トレンチ６１の底部にＮ型不純物を注入し、さらにアニールを行うことで、図４５及び図４６に示すように、第１の不純物拡散層１４を形成する。なお、第１の不純物拡散層１４は、気相ドーピングを用いて形成することとしてもよい。また、シリコンピラー４５の側面にサイドウォール絶縁膜をつけてから第１の不純物拡散層１４の形成を行うこととしてもよい。
【００６１】
次に、図４７及び図４８に示すように、シリコンピラー４５及びマスクパターン４４の周囲を埋めるように絶縁膜（第１の絶縁膜）を成膜する。具体的には、シリコン窒化膜４６を堆積し、熱リン酸によるエッチバックを行う。その後、さらにシリコン酸化膜４７を堆積し、マスクパターン４４の表面が露出するまでＣＭＰを行うことにより、表面を平坦化する。このシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の積層構造は、狭いトレンチの中にウエットエッチング速度が遅い緻密な絶縁膜を形成するために有効なものである。
【００６２】
次に、酸化膜のウエットエッチングを行い、さらに熱リン酸によりマスクパターン４４を除去する。そして、薄くシリコン窒化膜を堆積した後、エッチバックを行う。これにより、図４９及び図５０に示すように、マスクパターン４４を除去してできた開口部６２（第１の開口部）内に、７ｎｍ程度の厚さのサイドウォール窒化膜４８が形成される。
【００６３】
次に、サイドウォール窒化膜４８及びシリコン酸化膜４７をマスクとして用いて、シリコンピラー４５とＤＯＰＯＳ膜４３とをエッチングし、図５１及び図５２に示すように、シリコンピラー４５を水平方向に貫通するトレンチ６３（第２の開口部）を形成する。トレンチ６３の深さは、第１の不純物拡散層１４の上面が露出しつつ、第１の不純物拡散層１４を貫通しない程度とし、具体的には２５０ｎｍ〜３００ｎｍとすることが好ましい。これにより、ワード線方向の中心線を挟んで２つに分割されたシリコンピラー１２の一部（上端部分以外の部分）が形成される。分割部分の厚みは５ｎｍ未満とすることが好ましい。なお、このエッチングではシリコン酸化膜４７もエッチングされるが、エッチングの後にも層間絶縁膜として十分な膜厚のシリコン酸化膜４７が残るよう、エッチング選択比とシリコン酸化膜４７の厚さとを適宜調整しておく。
【００６４】
次に、トレンチ６３の内壁の酸化（ゲート酸化）を行い、図５３及び図５４に示すゲート絶縁膜２０を形成する。その後、シリコン窒化膜の堆積及びエッチバックと、Ｎ型ＤＯＰＯＳ膜の堆積及びエッチバックとを順次行う。これにより、トレンチ６３の内部に、図５３及び図５４に示すように、シリコンピラー１２を水平方向に貫通するゲート電極１８（ワード線ＷＬ）と、ゲート電極１８の下面とシリコン基板１０及びシリコンピラー１２とを絶縁するための絶縁膜２４とが形成される。なお、ゲート電極１８の膜厚は１００ｎｍ程度とすることが好ましい。
【００６５】
その後、さらにシリコン窒化膜の堆積と、熱リン酸によるエッチバックとを行い、図５５及び図５６に示すように、ゲート電極１８の上面とシリコンピラー１２とを絶縁するための絶縁膜２２を形成するとともに、サイドウォール窒化膜４８を除去する。なお、絶縁膜２２の膜厚は５０ｎｍ程度とすることが好ましい。
【００６６】
次に、シリコン酸化膜４０と、ゲート絶縁膜２０の露出部分とを除去したうえで、シリコンピラー１２を上方に延設し、図５７及び図５８に示すように、上端部１２ａを形成する。具体的には、トレンチ６３内壁のシリコンピラー１２露出部分を利用して、単結晶シリコンを選択的エピタキシャル成長させる。そして、Ｎ型不純物を注入し、さらにアニールを行うことで、図５９及び図６０に示すように、上端部１２ａ内に第２の不純物拡散層１６を形成する。
【００６７】
第２の不純物拡散層１６を形成した後には、全面にノンドープのアモルファスシリコンを積層し、Ｐ型不純物イオンを注入することにより、図６２に示す第３の不純物拡散層１７を形成する。その後、第３の不純物拡散層１７の上面に窒化タングステン（ＷＮ）及びタングステン（Ｗ）の積層膜５１を形成する。そしてさらに、シリコン窒化膜を堆積してフィールドＰＲ(Photo Resist)を行うことにより、ビット線形成用のマスクパターン５２を形成する。
【００６８】
マスクパターン４１を形成したら、ドライエッチングにより積層膜５１、第３の不純物拡散層１７、第２の不純物拡散層１６を順次エッチングし、図６１及び図６２に示すように、積層膜５１、第３の不純物拡散層１７、第２の不純物拡散層１６をビット線ＢＬごとに分離する。この際、オーバーエッチングを行うことにより、ビット線ＢＬ間の領域に形成されている第２の不純物拡散層１６（図６０（ｄ））を完全に取り除くようにすることが好ましい。
【００６９】
以上説明したように、本製造方法によれば、メモリセル内にキャパシタを有しない半導体装置１において、シリコンピラー１２を水平方向に貫くワード線ＷＬを形成することが可能になる。また、シリコンピラー１２の上端部１２ａを形成する際に選択的エピタキシャル成長を用いていることから、コンタクト抵抗の上昇を抑制することが可能になっている。
【００７０】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００７１】
例えば、上記実施の形態では半導体装置１をＤＲＡＭとしたが、本発明は、例えばＰＲＡＭ(Phase change Random Access Memory)などの他の種類の半導体装置にも適用可能である。
【００７２】
また、上記実施の形態では第１及び第２の導電型をそれぞれＮ型及びＰ型としたが、この対応関係を入れ替えても構わない。例えば、第１の実施の形態に関して例示すると、半導体装置１を、シリコン基板１０の表面に設けられたＮ型の領域ＮＷＥＬＬ内及びその上方に形成し、第１及び第２の不純物拡散層１４，１６をＰ型不純物の拡散層としてもよい。
【符号の説明】
【００７３】
１      半導体装置
１０    シリコン基板
１１    セルトランジスタ
１２，４２，４５  シリコンピラー
１２ａ  シリコンピラー上端部
１４    第１の不純物拡散層
１６    第２の不純物拡散層
１７    第３の不純物拡散層
１８    ゲート電極
２０    ゲート絶縁膜
２２，２４  絶縁膜
３０    セルキャパシタ
３１    下部電極
３２    容量絶縁膜
３３    上部電極
３４    配線パターン
４０    シリコン酸化膜
４１，４４，５２  マスクパターン
４２    シリコンピラー
４３    ＤＯＰＯＳ膜
４６    層間絶縁膜（シリコン窒化膜）
４７    層間絶縁膜（シリコン酸化膜）
４８    サイドウォール窒化膜
４９，５０，５３  層間絶縁膜
５１    ＷＮ／Ｗ膜
６０，６１，６３  トレンチ
６２    開口部
７１    サイリスタ
【図１】
2011138883.tif 000003
【図２】
2011138883.tif 000004
【図３】
2011138883.tif 000005
【図４】
2011138883.tif 000006
【図５】
2011138883.tif 000007
【図６】
2011138883.tif 000008
【図７】
2011138883.tif 000009
【図８】
2011138883.tif 000010
【図９】
2011138883.tif 000011
【図１０】
2011138883.tif 000012
【図１１】
2011138883.tif 000013
【図１２】
2011138883.tif 000014
【図１３】
2011138883.tif 000015
【図１４】
2011138883.tif 000016
【図１５】
2011138883.tif 000017
【図１６】
2011138883.tif 000018
【図１７】
2011138883.tif 000019
【図１８】
2011138883.tif 000020
【図１９】
2011138883.tif 000021
【図２０】
2011138883.tif 000022
【図２１】
2011138883.tif 000023
【図２２】
2011138883.tif 000024
【図２３】
2011138883.tif 000025
【図２４】
2011138883.tif 000026
【図２５】
2011138883.tif 000027
【図２６】
2011138883.tif 000028
【図２７】
2011138883.tif 000029
【図２８】
2011138883.tif 000030
【図２９】
2011138883.tif 000031
【図３０】
2011138883.tif 000032
【図３１】
2011138883.tif 000033
【図３２】
2011138883.tif 000034
【図３３】
2011138883.tif 000035
【図３４】
2011138883.tif 000036
【図３５】
2011138883.tif 000037
【図３６】
2011138883.tif 000038
【図３７】
2011138883.tif 000039
【図３８】
2011138883.tif 000040
【図３９】
2011138883.tif 000041
【図４０】
2011138883.tif 000042
【図４１】
2011138883.tif 000043
【図４２】
2011138883.tif 000044
【図４３】
2011138883.tif 000045
【図４４】
2011138883.tif 000046
【図４５】
2011138883.tif 000047
【図４６】
2011138883.tif 000048
【図４７】
2011138883.tif 000049
【図４８】
2011138883.tif 000050
【図４９】
2011138883.tif 000051
【図５０】
2011138883.tif 000052
【図５１】
2011138883.tif 000053
【図５２】
2011138883.tif 000054
【図５３】
2011138883.tif 000055
【図５４】
2011138883.tif 000056
【図５５】
2011138883.tif 000057
【図５６】
2011138883.tif 000058
【図５７】
2011138883.tif 000059
【図５８】
2011138883.tif 000060
【図５９】
2011138883.tif 000061
【図６０】
2011138883.tif 000062
【図６１】
2011138883.tif 000063
【図６２】
2011138883.tif 000064