(57)【要約】【課題】  本発明は、比誘電率が高く、また静電容量の温度変化の小さい積層セラミックコンデンサを得ることができる誘電体磁器組成物を提供することを目的としている。  【解決手段】  本発明に係る誘電体磁器組成物は、８６.３２〜９７.６４モル％のＢａＴｉＯ3、０.０１〜１０.００モル％のＹ2Ｏ3、０.０１〜１０.００モル％のＭｇＯ、０.００１〜０.２００モルのＶ2Ｏ5からなる誘電体主成分と、ＭｎＯ，Ｃｒ2Ｏ3，Ｃｏ2Ｏ3からなる群から選ばれる一種以上の第１添加物０.０１〜１.０モル％と、｛Ｂａα，Ｃａ（１−α）｝ＳｉＯ3（ただし、０≦α≦１）である第２添加物０.５〜１０.０モル％と、ＢａＴｉＯ3１００重量部に対し、Ｓｒ：１０〜５００ｐｐｍ  Ｓ：１０〜５０ｐｐｍ  Ａｌ：１０〜５０ｐｐｍ  Ｆｅ：１０〜５０ｐｐｍ  Ｚｒ：１００〜８００ｐｐｍ  Ｙ：１０〜１００ｐｐｍ  Ｈｆ：１０〜１００ｐｐｍを含むことを特徴としている。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
８６.３２〜９７.６４モル％のＢａＴｉＯ3、０.０１〜１０.００モル％のＹ2Ｏ3、０.０１〜１０.００モル％のＭｇＯ、０.００１〜０.２００モルのＶ2Ｏ5からなる誘電体主成分と、
ＭｎＯ，Ｃｒ2Ｏ3，Ｃｏ2Ｏ3からなる群から選ばれる一種以上の第１添加物０.０１〜１.０モル％と、
｛Ｂａα，Ｃａ（１−α）｝ＳｉＯ3（ただし、０≦α≦１）である第２添加物０.５〜１０.０モル％と、
ＢａＴｉＯ3１００重量部に対し、
Ｓｒ：１０〜５００ｐｐｍ
Ｓ：１０〜５０ｐｐｍ
Ａｌ：１０〜５０ｐｐｍ
Ｆｅ：１０〜５０ｐｐｍ
Ｚｒ：１００〜８００ｐｐｍ
Ｙ：１０〜１００ｐｐｍ
Ｈｆ：１０〜１００ｐｐｍを含む誘電体磁器組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体磁器組成物に関し、特に比誘電率が高く、また静電容量の温度変化の小さい積層セラミックコンデンサを得ることができる誘電体磁器組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、急速に進む電気機器の高性能化に伴い、電気回路の小型化、複雑化もまた急速に進んでいる。そのため、電子部品もより一層の小型化、高性能化が求められている。すなわち、良好な温度特性を維持しつつ、小型化においても静電容量を維持するために、誘電率が高い誘電体磁器組成物及び電子部品が求められている。
【０００３】
セラミックコンデンサなどに用いられる誘電体磁器組成物としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３  ）などの高誘電率系が知られている。この種の組成物では、比誘電率を高くできるが、容量温度変化率が大きい。
【０００４】
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）の製法には、一般に蓚酸塩法、アルコキシド法、水熱合成法などの液相法と、原料粉末を固相で反応させる固相法とが広く知られている。しかし、液相法により得られるチタン酸バリウムには、反応系に由来する水酸基（ＯＨ基）が残留する。加熱処理を行うことでＯＨ基を除去することは可能であるが、その際に粒子内部に空孔が生成し、電気特性に優れたチタン酸バリウムは得られない。固相法により得られる誘電体粒子は、欠陥がなく、優れた誘電特性が期待される。しかし、一方で、結晶性が十分に高くならないため、期待されるほどには比誘電率や容量温度変化率等の誘電特性が向上しない。
【０００５】
このため、比誘電率や容量温度変化率等の誘電特性の向上を図るため、誘電体磁器組成物の製法や組成について種々の検討がなされている。
【０００６】
特許文献１（特開平６−２１５９７９号公報）では、誘電体磁器組成物の組成についての検討がなされている。具体的には、特許文献１には、８６.３２〜９７.６４モルのＢａＴｉＯ3、０.０１〜１０.００モルのＹ2Ｏ3、０.０１〜１０.００モルのＭｇＯ、０.００１〜０.２００モルのＶ2Ｏ5からなる誘電体主成分と、
任意に、ＭｎＯ，Ｃｒ2Ｏ3，Ｃｏ2Ｏ3からなる群から選ばれる一種以上の第１添加物０.０１〜１.０モル％と、
任意に、｛Ｂａα，Ｃａ（１−α）｝ＳｉＯ3（ただし、０≦α≦１）である第２添加物０.５〜１０.０モル％とからなる誘電体磁器組成物が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平６−２１５９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、機器の小型化、高性能化が要求されている現状では、特許文献１記載の誘電体磁器組成物によっても、なお誘電特性の向上が要望されている。
【０００９】
したがって、本発明は、比誘電率が高く、また静電容量の温度変化の小さい積層セラミックコンデンサを得ることができる誘電体磁器組成物を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するべく本発明者らが鋭意検討したところ、特許文献１記載の誘電体磁器組成物において、さらに特定量の副成分を添加することで、比誘電率が高く、また静電容量の温度変化の小さな誘電体磁器組成物が得られることを見出して本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、本発明に係る誘電体磁器組成物は、
８６.３２〜９７.６４モル％のＢａＴｉＯ3、０.０１〜１０.００モル％のＹ2Ｏ3、０.０１〜１０.００モル％のＭｇＯ、０.００１〜０.２００モルのＶ2Ｏ5からなる誘電体主成分と、
ＭｎＯ，Ｃｒ2Ｏ3，Ｃｏ2Ｏ3からなる群から選ばれる一種以上の第１添加物０.０１〜１.０モル％と、
｛Ｂａα，Ｃａ（１−α）｝ＳｉＯ3（ただし、０≦α≦１）である第２添加物０.５〜１０.０モル％と、
ＢａＴｉＯ3１００重量部に対し、
Ｓｒ：１０〜５００ｐｐｍ
Ｓ：１０〜５０ｐｐｍ
Ａｌ：１０〜５０ｐｐｍ
Ｆｅ：１０〜５０ｐｐｍ
Ｚｒ：１００〜８００ｐｐｍ
Ｙ：１０〜１００ｐｐｍ
Ｈｆ：１０〜１００ｐｐｍを含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、誘電率が高く、また静電容量の温度変化の小さい積層セラミックコンデンサを得ることができる誘電体磁器組成物が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を、その最良の形態を含めて、さらに具体的に説明する。
【００１４】
本発明に係る誘電体磁器組成物は、
ＢａＴｉＯ3、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＶ2Ｏ5からなる誘電体主成分と、
ＭｎＯ，Ｃｒ2Ｏ3，Ｃｏ2Ｏ3からなる群から選ばれる一種以上の第１添加物と、
｛Ｂａα，Ｃａ（１−α）｝ＳｉＯ3（ただし、０≦α≦１）である第２添加物と、
所定量のＳｒ、Ｓ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｚｒ、ＹおよびＨｆを含む。
【００１５】
ここで、ＢａＴｉＯ3、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｖ2Ｏ5、ＭｎＯ、Ｃｒ2Ｏ3、Ｃｏ2Ｏ3における金属／酸素比は、厳密なものではなく、若干化学量論組成からずれていてもよい。
【００１６】
本発明の誘電体磁器組成物において、誘電体主成分を構成するＢａＴｉＯ3、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＶ2Ｏ5の成分比は、誘電体主成分、第１添加物および第２添加物の合計に対して、
ＢａＴｉＯ3は、８６.３２〜９７.６４モル％あり、
Ｙ2Ｏ3は、０.０１〜１０.００モル％、好ましくは０．１〜５モル％、さらに好ましくは０．５〜３モル％であり、
ＭｇＯは、０.０１〜１０.００モル％、好ましくは０．１〜５モル％、さらに好ましくは０．５〜３モル％であり、
Ｖ2Ｏ5は、０.００１〜０.２００モル％、好ましくは０．００５〜０．１モル％、さらに好ましくは０．０１〜０．１モル％である。
【００１７】
誘電体主成分の組成が上記範囲にあると、得られる誘電体磁器組成物の誘電率が高く、また静電容量の温度変化が小さくなり、しかも誘電損失が軽減され、また絶縁抵抗も高く、優れた積層セラミックコンデンサを提供することが可能になる。
【００１８】
第１添加物は、ＭｎＯ，Ｃｒ2Ｏ3およびＣｏ2Ｏ3からなる群から選ばれる一種以上である。第１添加物の成分比は、誘電体主成分、第１添加物および第２添加物の合計に対して、０.０１〜１.０モル％、好ましくは０．０５〜１モル％、さらに好ましくは０．０５〜０．５モル％である。第１添加物は、誘電特性を制御するために配合され、第１添加物を配合しない場合には、焼結体が半導体化し、誘電体が得られないおそれがある。また、第１添加物の配合量が過剰であると、絶縁抵抗が低下するおそれがある。
【００１９】
第２添加物は、｛Ｂａα，Ｃａ（１−α）｝ＳｉＯ3（以下、「ＢＣＧ」と略記することがある）で示される焼結助剤である。ここで、αは０〜１、好ましくは０．３〜０．８である。第２添加物の成分比は、誘電体主成分、第１添加物および第２添加物の合計に対して、０.５〜１０.０モル％、好ましくは０．５〜５モル％、さらに好ましくは１〜５モル％である。第２添加物は、焼結助剤として用いられる。したがって、第２添加物を配合しない場合には、焼結体の製造が困難になる。また、第２添加物の配合量が過剰であると、誘電損失の増大、絶縁抵抗の低下、および温度特性の劣化を招くおそれがある。
【００２０】
本発明の誘電体磁器組成物には、上記誘電体主成分、第１添加物および第２添加物に加えて、さらにＳｒ、Ｓ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｚｒ、ＹおよびＨｆを含有する（以下、これら成分を「微量成分」と略記することがある）。微量成分の成分比は、誘電体主成分におけるＢａＴｉＯ3１００重量部に対し、
Ｓｒ：１０〜５００ｐｐｍ、好ましくは５０〜５００ｐｐｍ
Ｓ：１０〜５０ｐｐｍ、好ましくは１０〜３０ｐｐｍ
Ａｌ：１０〜５０ｐｐｍ、好ましくは１０〜３０ｐｐｍ
Ｆｅ：１０〜５０ｐｐｍ、好ましくは１０〜３０ｐｐｍ
Ｚｒ：１００〜８００ｐｐｍ、好ましくは３００〜８００ｐｐｍ
Ｙ：１０〜１００ｐｐｍ、好ましくは１０〜５０ｐｐｍ
Ｈｆ：１０〜１００ｐｐｍ、好ましくは１０〜５０ｐｐｍである。
なお、微量成分としてのＹの成分量には、主成分に含まれるＹ２Ｏ３由来のＹの量は含まない。
【００２１】
上記のような微量成分を配合することで、結晶性が高く、緻密であり、比誘電率の高い誘電体磁器組成物が提供される。このため、得られる電子部品の耐久性、温度特性にも優れる。
【００２２】
本発明に係る誘電体磁器組成物は、上記組成を満たす限り、その製法は特に限定はされない。たとえば、上記組成を満たすように原料粉末を秤量、混合して、焼結することで、本発明の誘電体磁器組成物を得ることもできる。
【００２３】
また、主成分となるＢａＴｉＯ3と、第１添加剤および／または微量成分とが所定の組成を満たすように原料粉末を秤量、混合して、仮焼きをし、次いで仮焼きして得た誘電体粉末を粉砕し、残余の成分および第２添加物（ＢＣＧ）を添加して、焼結して誘電体磁器組成物を得ることもできる。特に本発明においては、主成分となるＢａＴｉＯ3と、微量成分とが所定の組成を満たすように原料粉末を秤量、混合して、仮焼きをし、次いで仮焼きして得た誘電体粉末を粉砕し、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｖ2Ｏ5、第１添加物（ＭｎＯ，Ｃｒ2Ｏ3および／またはＣｏ2Ｏ3）、第２添加物（ＢＣＧ）を添加して、所定のバインダおよび溶剤を加えてペースト化し、これを用いてグリーンシートを得て、焼結することで誘電体磁器組成物を製造することが好ましい。
【００２４】
主成分となるＢａＴｉＯ3と、微量成分とが所定の組成を満たすように原料粉末を秤量、混合して、仮焼きをし、所定の粒度まで粉砕して得られる誘電体粉末は、好ましくは下記特性を有する。
【００２５】
すなわち、Ｘ線ＣｕＫα線を用いた、誘電体粉末の粉末Ｘ線回折パターンにおいて、（２００）面と（００２）面のピーク点の中間点におけるＸ線強度（Ｉｂ）と（２００）面の回折線強度Ｉ（２００）の比（Ｉ（２００）／Ｉｂ、以下「Ｋ値」とする）が１０〜２０であり、好ましくは１１〜２０であり、さらに好ましくは１１〜１７である。Ｋ値が高いほど結晶性が高い。
【００２６】
Ｘ線回折分析により求められるｃ軸とa軸の比であるｃ／ａ値は、１．００９５〜１．０１１０であり、好ましくは１．０１００〜１．０１１０、さらに好ましくは１．０１００〜１．０１０７である。ｃ／ａ値が上記範囲にある誘電体粉末は、結晶性、特に正方晶性に優れる。
【００２７】
また、上記誘電体粉末は、その一次粒子中に直径１０ｎｍ以上の空孔が実質的に存在しない緻密な構造を有する。ここで、空孔の存在は、一次粒子のＴＥＭ（透過電子顕微鏡）観察により確認され、「実質的に存在しない」とは、任意に選択した２００個の一次粒子の観察の結果、直径１０ｎｍ以上の空孔が観察される粒子の数が１個以下であることをいう。
【００２８】
さらに、上記誘電体粉末は、ＢＥＴ法による比表面積が好ましくは２．０〜５．５ｍ２／ｇ、好ましくは２．５〜５．５ｍ２／ｇ、さらに好ましくは２．５〜５．０ｍ２／ｇである。
【００２９】
上記の誘電体粉末は、結晶性が高く、粒内に実質的に空孔を有しない緻密な構造を有するため、これを焼結することで、優れた誘電特性の誘電体磁器を提供することができる。上記の誘電体粉末は、そのままペースト化することもできるが、誘電体層を薄層化する場合には、粉砕して使用してもよい。この誘電体粉末は、結晶性、緻密性が高いため、粉砕によるダメージが小さく、粉砕後であっても高い結晶性、緻密性を有するため、誘電体層の薄層化に寄与しうる。具体的には、誘電体粉末を、平均粒子径が２００〜４５０ｎｍ程度にまで粉砕して使用することが好ましい。
【００３０】
また、誘電体粉末の原料粉末として炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）を使用した場合、得られる誘電体粉末中における未反応炭酸バリウム量は、１．０重量％以下であることが特に好ましい。未反応炭酸バリウムは、焼結時にガス成分を発生し、空孔生成の要因となるが、上記のように未反応炭酸バリウムを制御することで、焼結時の空孔生成が防止される。
【００３１】
上記誘電体粉末は、原料である酸化物および／または炭酸塩を混合し、必要に応じて所定量の微量成分を添加した混合粉末を焼成して得られる。
【００３２】
より具体的には、二酸化チタン粒子、炭酸バリウム粒子および前記した微量成分組成を実現するための各種化合物粒子からなる混合粉末を熱処理することで本発明の誘電体粉末が得られる。
【００３３】
混合粉末における炭酸バリウム粒子と二酸化チタン粒子との比率は、チタン酸バリウムを生成しうる化学量論組成近傍であれば特に問題はない。したがって、混合粉末におけるＢａ／Ｔｉ（モル比）は０．９９０〜１．０１０であればよい。Ｂａ／Ｔｉが１．０１０を超えると、未反応の炭酸バリウムが残留することがあり、０．９９０未満では、Ｔｉを含む異相が生成することがある。
【００３４】
また、上記二酸化チタン粒子および炭酸バリウム粒子に加えて、前記した微量成分組成を実現するための各種化合物粒子を添加する。具体的には、生成するチタン酸バリウム１００重量部に対し、Ｓｒ、Ｓ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｚｒ、ＹおよびＨｆ源となる化合物を前述した微量成分組成となるように添加する。
【００３５】
Ｓｒ源となる化合物としては、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、硫酸ストロンチウム（ＳｒＳＯ４）があげられ、
Ｓ源となる化合物としては、硫酸ストロンチウム（ＳｒＳＯ４）があげられ、
Ａｌ源となる化合物としては、Ａｌ２Ｏ３があげられ、
Ｆｅ源となる化合物としては、Ｆｅ２Ｏ３があげられ、
Ｚｒ源となる化合物としては、ＺｒＯ２があげられ、
Ｙ源となる化合物としては、Ｙ２Ｏ３があげられ、
Ｈｆ源となる化合物としては、ＨｆＯ２があげられる。また、これらの複合化合物であってもよい。
【００３６】
混合粉末の調製法は特に限定はされず、ボールミルを用いた湿式法などの常法を採用すればよい。得られた混合粉末を、乾燥後、熱処理してチタン酸バリウム粒子を主成分とする誘電体粉末が得られる。
【００３７】
熱処理条件は、特に限定はされないが、一般的には、大気雰囲気中、１０００℃〜１１００℃程度の温度範囲で、２〜４時間が好適である。焼成温度が高すぎたり、焼成時間が長すぎると、結晶性、緻密性は向上するものの、粒成長が起こり、粗大粒子が生成する。
【００３８】
得られるチタン酸バリウムを主成分とする誘電体粉末は、必要に応じ粉砕され、その後、誘電体セラミックスの製造原料や、電極層を形成するためのペーストに添加される共材として用いられる。誘電体セラミックスの製造には、各種公知の手法を、特に制限されることなく採用できる。具体的には、得られた誘電体粉末に、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｖ2Ｏ5、第１添加物（ＭｎＯ，Ｃｒ2Ｏ3および／またはＣｏ2Ｏ3）、第２添加物（ＢＣＧ）を所定量添加して、所定のバインダ、溶剤を加えてペースト化し、これを用いてグリーンシートを得て、焼結することで本発明の誘電体磁器組成物が得られる。また、ペースト、グリーンシートの調製、電極層の形成、グリーン体の焼結については、適宜に公知手法に準じて行えばよい。
【００３９】
本発明によれば、誘電率が高く、また静電容量の温度変化の小さい積層セラミックコンデンサを得ることができる誘電体磁器組成物が提供される。何ら限定されるものではないが、本発明の実施態様によれば、比誘電率εｓが２８００以上、誘電損失（ｔａｎδ）が３％以下、絶縁抵抗ＩＲが１×１０１０以上であり、静電容量の温度変化が−５５〜１２５℃の範囲で±１５％以下のセラミックコンデンサの製造が可能になる。
【００４０】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。なお、実施例および比較例において、各種物性は以下のように測定した。
【００４１】
（比表面積）
製造例で得た誘電体粉末の比表面積をＢＥＴ法により求めた。具体的には、ＮＯＶＡ２２００（高速比表面積計）を用い、紛量１ｇ、窒素ガス、１点法  脱気条件３００℃で１５分保持、の条件で測定した。
【００４２】
（Ｋ値、ｃ／ａ値、炭酸バリウム量）
製造例で得た誘電体粉末のＸ線回折分析によりＫ値、ｃ／ａ値および残留した炭酸バリウム量を求めた。具体的には、ＢＲＵＫＥＲ  ＡＸＳ社製、全自動多目的Ｘ線回折装置  Ｄ８  ＡＤＶＡＮＣＥを用いて、Ｃｕ−Ｋα、４０ｋＶ、４０ｍＡ、２θ：２０〜１２０ｄｅｇで測定し、１次元高速検出器ＬｙｎｘＥｙｅ、発散スリット０．５ｄｅｇ、散乱スリット０．５ｄｅｇを用いた。また、スキャン：０．０１〜０．０２ｄｅｇ、スキャンスピード：０．３〜０．８ｓ／ｄｉｖでスキャンした。解析には、Ｒｉｅｔｖｅｌｄ解析ソフト（Ｔｏｐａｓ（ＢｒｕｋｅｒＡＸＳ社製））を用いた。
【００４３】
なお、Ｋ値は、（００２）面の回折線のピーク点の角度と（２００）面の回折線のピーク点の角度との中間点における強度（Ｉｂ）に対する、（２００）面の回折線のピーク強度（Ｉ（２００））の比（Ｉ（２００）／Ｉｂ）により定義されるが、Ｘ線回折結果において、回折線の判別が困難な場合には、便宜上以下のようにＫ値を記載した。
【００４４】
（２００）面の回折線と（００２）面の回折線とが明確ではない場合には、Ｋ値＝１．５と記載し、ｃ／ａ値が１．００８以下で正方晶と立方晶の区別が困難な場合はＫ値＝１．０と記載した。
【００４５】
（積層セラミックコンデンサの誘電特性評価）
実施例および比較例で作成した内部電極の積層数が４である積層セラミックコンデンサについて、比誘電率「εｓ」、誘電損失「ｔａｎδ」、絶縁抵抗「ＩＲ」静電容量の温度特性「Ｔ・Ｃ」および「推定故障率」の評価を行った。
【００４６】
ここで、比誘電率「εｓ」及び誘電損失「ｔａｎδ」は温度２０℃、周波数１ＫＨｚ、１Ｖｒｍｓにおける値であり、絶縁抵抗「ＩＲ」は温度２０℃において１０Ｖを３０秒間印加した後の測定値、静電容量の温度特性「Ｔ・Ｃ」は各温度における静電容量の温度２５℃における靜電容量に対する温度特性、「推定故障率」は、加速寿命から推算した８５℃、２０Ｖ、１０００時間での故障率である。
（製造例）
二酸化チタンと、炭酸バリウムとを所定量秤量し、得られるチタン酸バリウム１００重量部に対し、微量成分含量がＳｒ４００ｐｐｍ、Ｓ３０ｐｐｍ、Ａｌ１０ｐｐｍ、Ｆｅ１０ｐｐｍ、Ｚｒ６００ｐｐｍ、Ｙ８０ｐｐｍ、Ｈｆ２０ｐｐｍとなるように原料化合物を準備した。
【００４７】
上記原料粉末を秤量し、ジルコニア（ＺｒＯ２）２ｍｍ径のメディアを用いた容量１リットルのポットにより２４時間湿式混合し、その後、１５０℃の熱風乾燥機中で乾燥して、混合粉末を得た。湿式混合は、スラリー濃度を５０重量％とし、ポリカルボン酸塩系の分散剤を０．４重量％添加する条件で行った。
【００４８】
次いで得られた混合粉末を、電気炉により大気圧力中、大気雰囲気で、昇温速度３．３℃／分（２００℃／時間）にて、１０６０℃まで昇温し、４時間焼成した後、所定の粒度まで粉砕した。粉砕は湿式粉砕であり、狙い粒度は累積頻度５０％（Ｄ５０）で０．７５μｍとした。粒度の測定は日機装製マイクロトラックＭＴ３０００IIを用いてレーザー回折法により行った。
【００４９】
得られた誘電体粉末の比表面積は３．１ｍ２／ｇ、Ｋ値１４、ｃ／ａ値１．０１０５、残留炭酸バリウム量０．７重量％であった。
【００５０】
（実施例および比較例）
（１）焼成後の組成が表１に示す配合になるように誘電体粉末（ＢａＴｉＯ3基準）、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｖ2Ｏ5、第１添加物（ＭｎＯ，Ｃｒ2Ｏ3および／またはＣｏ2Ｏ3）、第２添加物（ＢＣＧ）を秤量して調合する。
【００５１】
（１）有機バインダ、溶剤を適当量加え、混合しエナメル化する。
（２）ドクターブレード法により、厚さ６μｍでフィルム上に塗布し、グリーンシートを成形する。
（３）得られたグリーンシートに内部電極材料であるニッケルペーストを印刷により成形する。
（４）これを４層に積層し、さらに最上層にグリーンシートを積層し、熱圧着し積層体を得る。
（５）得られた積層体を、長さ３.２×１.６mmである３２１６形状に切断する。
（６）２００℃〜３００℃の温度で安定させて１２時間脱バインダ処理を行う。
（７）酸素分圧を１×１０-１３〜５×１０-９ａｔｍに制御し、焼成温度１２００℃〜１３００℃で安定させて２時間焼成する。
（８）中性雰囲気中で、酸素分圧を２×１０-８〜５×１０-６ａｔｍに制御し、８００℃〜１１００℃で安定させて２時間再酸化処理を行う。
（９）インジウム−ガリウム（Ｉｎ−Ｇａ）合金の端子電極を取り付け、試料コンデンサを得る。
【００５２】
これらの試料コンデンサについて、比誘電率「εｓ」、誘電損失「ｔａｎδ」、絶縁抵抗「ＩＲ」（Ω）、静電容量の温度特性「ＴＣ」（％）、推定故障率（ｐｐｍ）を測定した結果を表１に示す。
【００５３】
なお、表中のサンプル番号にアスタリスク＊を付したサンプルは、本発明の比較例に相当するものであり、組成中のアスタリスク＊を付した成分量が本発明で規定する範囲を外れる。
【００５４】
【表１】
2011105547.tif 000002