(57)【要約】【課題】ペリクル等の保護膜の撓みを抑制できる保護装置を提供する。【解決手段】マスク基板１の表面の所定領域を保護する保護装置２であって、その所定領域の周囲の少なくとも一部に配置されてマスク基板１の表面に貼り合わせられるペリクルフレーム４と、その所定領域と対向するようにペリクルフレーム４によって形成される開口部を覆うようにペリクルフレーム４に張設されるペリクル５と、を備え、ペリクルフレーム４はその所定領域に沿って異なる位置に配置される第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂと第３辺部４Ｃ及び第４辺部４Ｄとを含み、マスク基板１の表面の法線方向に関して第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂの剛性が、第３辺部４Ｃ及び第４辺部４Ｄの剛性より低い。【選択図】図２
2011002831.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面の所定領域を保護する保護装置であって、
前記所定領域の周囲の少なくとも一部に配置されて前記基板の表面に貼り合わせられる支持機構と、
前記所定領域と対向するように前記支持機構によって形成される開口部を覆うように前記支持機構に張設される保護膜と、を備え、
前記支持機構は前記所定領域に沿って異なる位置に配置される複数の第１部分及び第２部分を含み、前記基板の表面の法線方向に関して前記第１部分の剛性が、前記第２部分の剛性より低い保護装置。
【請求項２】
前記第１部分は、前記法線方向に可撓性を持つ弾性ヒンジ機構を含む請求項１に記載の保護装置。
【請求項３】
前記弾性ヒンジ機構は、前記基板の表面にほぼ平行に凹部が設けられた平板状の部分を含む請求項２に記載の保護装置。
【請求項４】
前記第１部分は、前記弾性ヒンジ機構の近傍に切り欠き部が設けられた請求項２又は３に記載の保護装置。
【請求項５】
前記複数の第２部分は、前記基板の表面に交差する方向に配置された複数の支柱を含み、
前記第１部分は、前記複数の支柱の間の領域の少なくとも一部を含み、
前記複数の支柱の間の領域を封止するとともに、前記法線方向に関して前記第２部分よりも剛性の低い封止部材を備える請求項１に記載の保護装置。
【請求項６】
前記封止部材は、前記保護膜と同じ材料からなり、前記保護膜と一体的に形成される請求項５に記載の保護装置。
【請求項７】
前記複数の第２部分は、前記基板の表面のうち前記基板が支持される被支持部の近傍に配置される請求項１から６のいずれか一項に記載の保護装置。
【請求項８】
前記複数の第２部分は、前記所定領域に沿って第１方向に前記所定領域を挟むように配置され、
前記複数の第１部分は、少なくとも前記所定領域に沿って前記第１方向と交差する第２方向に前記所定領域を挟むように配置される請求項１から７のいずれか一項に記載の保護装置。
【請求項９】
前記複数の第２部分は、前記所定領域を挟む前記第１方向の両側において、それぞれ前記第２方向に沿って配置され、
前記複数の第１部分は、前記所定領域を挟む前記第２方向の両側において、それぞれ前記第２方向に沿って配置される請求項８に記載の保護装置。
【請求項１０】
前記複数の第２部分は、前記所定領域を挟む前記第１方向の両側において、少なくとも前記所定領域の前記第２方向の両端部の近傍に配置される請求項８又は９に記載の保護装置。
【請求項１１】
表面に所定領域が設けられた基板と、
前記所定領域を覆うように、前記基板の表面に請求項１から１０のいずれか一項に記載の保護装置が設けられたマスク。
【請求項１２】
前記所定領域は、パターンが形成されたパターン領域を含む請求項１１に記載のマスク。
【請求項１３】
基板の表面の所定領域を覆うように、請求項１から７のいずれか一項に記載の保護装置を前記基板の表面に貼り合わせるマスクの製造方法であって、
前記保護装置の前記支持機構と前記基板の表面との間に貼着剤を配置する工程と、
前記支持機構の前記第１部分の剛性を補いながら、前記支持機構を前記貼着剤を介して前記基板の表面に付勢する工程と、
を含むマスクの製造方法。
【請求項１４】
前記支持機構の前記第１部分は、前記基板の表面にほぼ平行に凹部が設けられた平板状の部分を含み、
前記第１部分の剛性を補うために、前記凹部にスペーサを配置する請求項１３に記載のマスクの製造方法。
【請求項１５】
前記支持機構の前記第１部分に切り欠き部が設けられ、
前記保護装置を前記基板の表面に付勢する工程は、前記支持機構の前記第１部分の一部の領域で前記切り欠き部を介して前記第１部分と前記基板の表面との間に通気部を設ける工程を含む請求項１３又は１４に記載のマスクの製造方法。
【請求項１６】
露光光でマスク及び投影光学系を介して物体を露光する露光装置において、
前記マスクとして請求項１１又は１２に記載のマスクを用いる露光装置。
【請求項１７】
請求項１２に記載のマスクに設けられた前記パターンを物体に転写することと、
前記パターンが転写された前記物体を処理することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１８】
前記物体を処理することは、前記パターンに基づいて前記物体を加工することを含む請求項１７に記載のデバイス製造方法。
【請求項１９】
前記パターンを前記物体に転写することは、前記パターンの像を前記物体に投影することを含む請求項１７又は１８に記載のデバイス製造方法。
【請求項２０】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の保護装置が設けられたマスクを支持する支持部と、
前記マスクを支持した前記支持部を駆動する駆動装置と、を備え、
前記支持部は、前記基板の表面のうち前記第２部分の近傍の部分を支持するマスク搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の保護装置、保護装置を備えたマスク、並びにそのマスクを用いる露光技術及びデバイス製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイス等を製造するためのフォトリソグラフィ工程において、マスクを露光光で照明し、そのマスクからの露光光で感光性基板を露光する露光装置が使用される。マスクは、マスク基板（マスクブランクス）と、そのマスク基板の表面のパターン領域に異物が付着することを防止するためにそのパターン領域を保護する保護装置とを備えている。保護装置は、マスク基板に設けられるペリクルフレームと、そのペリクルフレームに張設される例えば透明な高分子膜よりなるペリクルとを備えている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２９６７６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のマスクでは、マスク基板が自重等で撓むと、それに応じて保護装置のペリクルにも撓みが生じる。最近ではマスク基板が大型化しており、マスク基板の大きさに応じてマスク基板の撓み量、ひいてはペリクルの撓み量が大きくなる。このようにペリクルの撓み量が大きくなると、例えば、ペリクルの表面に検出光を照射してその表面状態（例えば、異物の有無）を検出する場合、ペリクル上の位置によって検出光の照射条件やその検出条件等が変化して、検出不良が発生する恐れがある。
【０００５】
本発明の態様は、ペリクル等の保護膜の撓みを抑制できる保護装置及びマスク、並びにそのマスクの製造技術及び搬送技術を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、そのマスクを用いる露光技術及びデバイス製造技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、基板の表面の所定領域を保護する保護装置であって、その所定領域の周囲の少なくとも一部に配置されてその基板の表面に貼り合わせられる支持機構と、その所定領域と対向するようにその支持機構によって形成される開口部を覆うようにその支持機構に張設される保護膜と、を備え、その支持機構はその所定領域に沿って異なる位置に配置される複数の第１部分及び第２部分を含み、その基板の表面の法線方向に関してその第１部分の剛性が、その第２部分の剛性より低い保護装置が提供される。
【０００７】
また、本発明の第２の態様によれば、表面に所定領域が設けられた基板と、その所定領域を覆うように、その基板の表面に本発明の第１の態様による保護装置が設けられたマスクが提供される。
また、本発明の第３の態様によれば、基板の表面の所定領域を覆うように、本発明の第１の態様による保護装置をその基板の表面に貼り合わせるマスクの製造方法であって、その保護装置のその支持機構とその基板の表面との間に貼着剤を配置する工程と、その支持機構のその第１部分の剛性を補いながら、その支持機構をその貼着剤を介してその基板の表面に付勢する工程と、を含むマスクの製造方法が提供される。
【０００８】
また、本発明の第４の態様によれば、露光光でマスク及び投影光学系を介して物体を露光する露光装置において、そのマスクとして本発明の第２の態様によるマスクを用いる露光装置が提供される。
また、本発明の第５の態様によれば、本発明の第２の態様によるマスクに設けられたパターンを物体に転写することと、そのパターンが転写されたその物体を処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００９】
また、本発明の第６の態様によれば、本発明の第１の態様による保護装置が設けられたマスクを支持する支持部と、そのマスクを支持したその支持部を駆動する駆動装置と、を備え、その支持部は、その基板の表面のうちその第２部分の近傍の部分を支持するマスク搬送装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の態様によれば、保護対象の基板が撓むと、支持機構中の剛性の低い第１部分が第２部分よりも大きく撓むため、保護膜の撓みが抑制される。また、保護対象の基板が大型化して、その基板の撓み量が大きくなっても、その保護膜の撓みが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態の露光装置を示す斜視図である。
【図２】（Ａ）は図１中のマスクを示す斜視図、（Ｂ）は図２（Ａ）のマスクを示す側面図、（Ｃ）は図２（Ａ）のIIC−IIC線に沿う拡大断面図、（Ｄ）は図２（Ａ）のIID−IID線に沿う拡大断面図である。
【図３】（Ａ）は異物検出中のマスクを示す斜視図、（Ｂ）は図３（Ａ）のマスク等を示す側面図、（Ｃ）は図３（Ａ）の異物検出装置等を示す正面図、（Ｄ）は図３（Ａ）のIIID−IIID線に沿う拡大断面図、（Ｅ）は図３（Ａ）のIIIE−IIIE線に沿う拡大断面図である。
【図４】（Ａ）はマスクを製造中のマスク製造装置の要部を示す斜視図、（Ｂ）はマスク製造装置の要部を示す一部を切り欠いた正面図、（Ｃ）は図４（Ａ）のIVC-IVC線に沿う断面図である。
【図５】第２の実施形態のマスクを示す図であり、（Ａ）はマスクを示す斜視図、（Ｂ）はマスクを示す一部を切り欠いた側面図、（Ｃ）は異物検査中のマスクを示す側面図、（Ｄ）は図５（Ｃ）のVD−VD線に沿う拡大断面図、（Ｅ）はマスクの側面のシートに弛みがない部分を示す拡大断面図である。
【図６】（Ａ）は第２の実施形態において製造中のマスクを示す斜視図、（Ｂ）は図６（Ａ）の保護装置の側面にシートを張設する状態を示す斜視図である。
【図７】第２の実施形態の変形例のマスクを示す図であり、（Ａ）はマスクを示す斜視図、（Ｂ）はマスクを示す側面図、（Ｃ）は異物検査中のマスクを示す側面図である。
【図８】液晶表示素子の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［第１の実施形態］
以下、本発明の第１の実施形態につき図１〜図４を参照して説明する。以下では、次のように設定される直交座標系（Ｘ，Ｙ，Ｚ）を用いて説明する。即ち、水平面に平行な平面内で直交するようにＸ軸及びＹ軸を取り、その平面に垂直な鉛直上方にＺ軸を取るものとする。
【００１３】
図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの概略構成を示す斜視図である。図１において、露光装置ＥＸは、パターンが形成されたマスクＭのパターン領域を水銀ランプの輝線等の露光光ＥＬで照明する照明システムＩＳと、マスクＭを保持して移動するマスクステージ２１と、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像をプレートＰに投影する投影システムＰＳと、プレートＰを保持して移動するプレートステージ２２と、マスクステージ２１とマスクライブラリー（不図示）との間でマスクＭ等の交換を行うマスク搬送系（不図示）と、を備えている。
【００１４】
図２（Ａ）は図１中のマスクＭを示し、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のマスクＭを＋Ｘ方向に見た側面図である。図２（Ａ）において、マスクＭは、２点鎖線及び点線で示すマスク基板（マスクブランクス）１と、マスク基板１のパターン面（下面）１ａのパターン領域ＰＡを覆うように貼着された矩形の枠状のペリクルフレーム４と、ペリクルフレーム４の下面によって形成される開口部を覆うように張設されたペリクル５とを含み、ペリクルフレーム４及びペリクル５から保護装置２が構成されている。マスク基板１のパターン領域ＰＡに異物が付着すると、その異物の像がそのままプレートＰに転写される。そこで、パターン領域ＰＡに異物が直接付着するのを防止するために保護装置２が設けられている。
【００１５】
マスク基板１は、露光光ＥＬが透過可能な材料（例えば合成石英）よりなる矩形の平板であり、パターン領域ＰＡに回路パターン（マスクパターン）が描画されている。さらに、マスクステージ２１に保持された状態で、＋Ｚ方向から見た場合、マスク基板１は、ほぼＹ軸に平行でＸ方向に対向するように配置される第１側面（第１辺）（−Ｘ方向側の側面）及び第２側面（第２辺）と、ほぼＸ軸に平行でＹ方向に対向するように配置される第３側面（第３辺）（−Ｙ方向側の側面）及び第４側面（第４辺）とからなる４つの側面（４つの辺）で囲まれており、マスク基板１の自重による撓みがない状態（以下、基準状態という。）では、マスク基板１のパターン面１ａはＸＹ平面（水平面）に平行である。
【００１６】
一例として、マスク基板１は、Ｙ方向の幅が１ｍ〜１．５ｍ程度でＸ方向の長さがそれよりも１００〜３００ｍｍ程度長く、厚さが１０ｍｍ程度の矩形の大型の平板である。本実施形態では、マスク基板１のパターン領域ＰＡをＹ方向に挟むようにパターン面１ａに設けられている２つの被固定領域２６Ａ，２６Ｂが、図２（Ｂ）に示すように、マスクステージ２１に配置された吸着パッド２５Ａ，２５Ｂに真空吸着によって固定される。本実施形態では、被固定領域２６Ａ，２６Ｂは、それぞれＸ方向に細長い矩形の領域とされている。
【００１７】
なお、マスクＭのペリクル５の表面が投影システムＰＳの物体面からデフォーカスしていても、ペリクル５の表面に許容範囲を超える大きさの異物があると、その異物の像がプレートＰに転写される。そこで、露光装置ＥＸは、ペリクル５の表面に付着した許容範囲を超える大きさの異物を検出するために、図１に示す異物検出装置５０を備えている。
【００１８】
図１において、プレートＰは、ガラス板よりなる平板状の基材と、その基材の表面に塗布されたフォトレジスト（感光剤）とを含む。プレートＰの表面はＸＹ平面に平行である。プレートＰの基材は、例えばマザーガラスと呼ばれる大型のガラス板でもよい。プレートＰの一辺のサイズは例えば５００ｍｍ以上である。本実施形態においては、プレートＰの基材として、一辺が約３ｍの矩形のガラス板を用いる。
【００１９】
また、照明システムＩＳは、複数（本実施形態では７個）の照明モジュールＩＬを有する。照明システムＩＳの複数の照明モジュールＩＬは、それぞれ露光光ＥＬでマスクＭのパターン面の対応する所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布で照明する。複数の照明領域ＩＲは、Ｙ方向に所定間隔で配列された第１列の４個の照明領域ＩＲと、その第１列の照明領域の間隔を覆うように、かつその第１列の照明領域からＸ方向に離れて配置された第２列の３個の照明領域ＩＲとに分かれている。
【００２０】
投影システムＰＳは、複数の照明モジュールＩＬに対応して配置された複数（本実施形態では７個）の投影光学系ＰＬを有するマルチレンズ型である。複数の投影光学系ＰＬは
、それぞれ例えば反射屈折系よりなり、マスクＭの対応する照明領域ＩＲ内のパターンの所定の投影倍率の像をプレートＰ上の投影領域ＰＲに形成する。一例として、その所定の投影倍率は等倍であり、複数の投影領域ＰＲは複数の照明領域ＩＲと同様にＸ方向に所定間隔で配列された２列の投影領域ＰＲに分かれている。
【００２１】
次に、マスクステージ２１は、不図示のマスクベース上で、例えばリニアモータ等を含む第１駆動システム（不図示）の作動により、照明領域ＩＲに対してマスクＭをＸ方向（走査方向）に移動可能である。マスクステージ２１は、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ軸に平行な軸の回り（θｚ方向）に移動可能である。
また、プレートステージ２２は、プレートＰの裏面の少なくとも一部を支持する支持部を有する。プレートステージ２２は、不図示のベース部材上で例えばリニアモータ等を含む第２駆動システム（不図示）の作動により、投影領域ＰＲに対してプレートＰをＸ方向に移動可能である。プレートステージ２２は、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、Ｘ軸に平行な軸の回り（θｘ方向）、Ｙ軸に平行な軸の回り（θｙ方向）、及びθｚ方向の６自由度の方向に移動可能である。
【００２２】
さらに、露光装置ＥＸは、マスクステージ２１及びプレートステージ２２の位置を計測可能な干渉計システム２３を備えている。干渉計システム２３は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ２１の位置（ひいてはマスクＭの位置）を計測可能な第１干渉計ユニット２３Ａと、ＸＹ平面内におけるプレートステージ２２の位置（ひいてはプレートＰの位置）を計測可能な第２干渉計ユニット２３Ｂとを有する。プレートＰの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、干渉計システム２３の計測結果に基づいて、上記の第１及び第２駆動システムが作動され、マスクステージ２１（マスクＭ）及びプレートステージ２２（プレートＰ）の位置制御が実行される。
【００２３】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭとプレートＰとを投影システムＰＳに対してＸ方向（走査方向）に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像をプレートＰに投影して転写する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパー）である。即ち、プレートＰの露光時、マスクステージ２１は、投影システムＰＳの物体面側でマスクＭを保持してＸ方向に移動し、プレートステージ２２は、投影システムＰＳの像面側でプレートＰを保持してＸ方向に移動する。
【００２４】
また、本実施形態の異物検出装置５０は、マスクＭのペリクル５の表面（被検面）に検出光を照射するＹ方向に細長い照射部５２と、被検面からの検出光を受光するＹ方向に細長い受光部５６とを有する。異物検出装置５０は、例えばマスクステージ２１に対してマスクＭを搬入するときの搬入経路（搬送経路）と、マスクステージ２１からマスクＭを搬出するときの搬出経路（搬送経路）との少なくとも一方に対応して配置される。異物検出装置５０によって、例えばマスクステージ２１に搬入される前のマスクＭのペリクル５の表面に所定の許容範囲を超える大きさの異物が検出された場合には、一例としてマスクＭはマスクライブラリー（不図示）に戻されて、別のマスクが搬入される。
【００２５】
図３（Ｃ）に示すように、異物検出装置５０の照射部５２は、投光用のスリットが形成された円筒状の第１容器５３と、第１容器５３内にＹ方向に沿って配置された放電ランプ５４と、放電ランプ５４から射出される検出光ＤＬをそのスリットを通してマスクＭのペリクル５の表面（被検面）に集光するレンズ５５とを有する。また、受光部５６は、受光用のスリットが形成された円筒状の第２容器５７と、第２容器５７内に設置され、ペリクル５の表面の異物で反射又は散乱されてそのスリットを通過した検出光を集光するレンズ５８と、その集光された検出光を受光する例えばＹ方向に細長い所定の検出領域に配列された複数列の画素を含むＣＣＤ型又はＣＭＯＳ型の２次元の撮像素子を含んで構成される光電センサ５９とを有する。光電センサ５９は、複数個の２次元又は１次元の撮像素子をＹ方向に配列したものでもよく、この場合には、レンズ５８も複数の撮像素子に対応して複数個設けられる。
【００２６】
照射部５２からペリクル５に検出光ＤＬを照射し、ペリクル５からの検出光ＤＬを受光部５６で検出することによって、ペリクル５の表面のＸ方向に所定幅の領域内の異物を検出できる。また、その状態でマスクＭ（ペリクル５）を矢印Ｂ１で示す−Ｘ方向に移動することによって、ペリクル５の全面の所定の大きさ以上の異物を検出できる。
次に、図１のマスクＭの構成につき図２（Ａ）〜図２（Ｄ）を参照して説明する。図２（Ｃ）は図２（Ａ）のIIC−IIC線に沿う拡大断面図、図２（Ｄ）は図２（Ａ）のIID−IID線に沿う拡大断面図である。なお、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）中のマスク基板１は、基準状態（自重による撓みがない状態）を表している。
【００２７】
図２（Ａ）において、マスクＭは、マスク基板１のパターン面１ａに設けられたパターン領域ＰＡを囲むように、ペリクル５が張設された矩形の枠状のペリクルフレーム４を粘着剤６（図２（Ｃ）参照）を介して気密性を保つように貼着して構成されている。ペリクルフレーム４は、例えば黒アルマイト処理されたアルミニウム等の金属によって形成されている。ペリクルフレーム４の一部に、保護装置２の内外気圧差によるペリクル５の伸縮を抑制するための小さい（例えば直径が１ｍｍ程度）複数個（本実施形態では６個）の通気孔７が形成されている。なお、ペリクルフレーム４はセラミックス又は合成樹脂等から形成することも可能である。粘着剤６としては、例えば脱ガスの少ないシリコン系の接着剤が使用できる。
【００２８】
ペリクル５は、例えばセルロース誘導体等の露光光ＥＬが透過可能な高分子膜から形成され、その厚さは数１００ｎｍ〜数μｍ程度の範囲内の例えば１μｍ程度である。ペリクルフレーム４とペリクル５とは、例えばフッ素系樹脂よりなる接着剤を介して気密性を保って固定されている。なお、ペリクルフレーム４とペリクル５とは、例えばオプティカル・コンタクトによる圧着後に溶着して固定してもよい。
【００２９】
また、ペリクルフレーム４は、それぞれＹ方向に細長く、かつＸ方向に所定間隔で平行に配列された第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂと、第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂの−Ｙ方向の端部を連結するＸ方向に細長い第３辺部４Ｃと、第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂの＋Ｙ方向の端部を連結するＸ方向に細長い第４辺部４Ｄとを含む。第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂは、パターン領域ＰＡに沿ってＸ方向にパターン領域ＰＡを挟むようにマスク基板１に配置され、第３辺部４Ｃ及び第４辺部４Ｄは、パターン領域ＰＡに沿ってＹ方向にパターン領域ＰＡを挟むようにマスク基板１に配置される。基準状態では、第１辺部４Ａ、第２辺部４Ｂ、第３辺部４Ｃ、及び第４辺部４ＤのＺ方向の高さ（厚さ）は等しい。さらに、図２（Ｂ）に示すように、第３辺部４Ｃ及び第４辺部４Ｄは断面形状が矩形であり、それぞれマスク基板１の被固定領域２６Ｂ及び２６Ａに沿って（それらの近傍に）配置されている。
【００３０】
また、第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂのマスク基板１に貼着される上面に近い部分には、Ｙ方向に沿って外側からＺ方向の幅ｄ（基準状態での幅、図２（Ｄ）参照）の深い凹部４Ａａ及び４Ｂａが形成されている。さらに、第１辺部４Ａ及び第２辺部４ＢのＹ方向の中央部において、凹部４Ａａ，４Ｂａとマスク基板１の上面との間に浅い凹部よりなる引き込み穴４Ａｂ，４Ｂｂが形成されている。従って、第１辺部４Ａと第２辺部４Ｂとは、Ｙ軸に平行な直線に関して相互に軸対称な形状である。
【００３１】
ペリクルフレーム４の第１辺部４Ａの断面形状は、図２（Ｃ）に示すように、ペリクル５と凹部４Ａａとで挟まれた下端部４Ａｃと、下端部４Ａｃの内側（＋Ｘ方向側）の端部に連結された連結部４Ａｄと、連結部４Ａｄの上端から外側（−Ｘ方向）に伸びる可撓部４Ａｅと、可撓部４Ａｅの先端でマスク基板１に貼着される上端部４Ａｆとを有し、上端部４Ａｆの上面に粘着剤６を介してマスク基板１が貼着される。また、上端部４Ａｆの上面が可撓部４Ａｅの上面より高くなるように段差が形成され、上端部４Ａｆの一部に引き込み穴４Ａｂが形成されている。
【００３２】
一例として、ペリクルフレーム４（第１辺部４Ａ）のＺ方向の高さは５〜１０ｍｍ程度、粘着剤６の厚さは０．１〜０．３ｍｍ程度、第１辺部４ＡのＸ方向の幅は５〜１０ｍｍ程度、可撓部４Ａｅの厚さは１〜２ｍｍ程度であり、上端部４ＡｆのＸ方向の幅は第１辺部４ＡのＸ方向の幅の１／２〜１／３程度である。さらに、上端部４ＡｆのＸ方向の幅は、第３辺部４Ｃ及び第４辺部４ＤのＹ方向の幅とほぼ同じである。
【００３３】
この構成によれば、第１辺部４Ａの下端部４Ａｃと上端部４Ａｆとは、連結部４Ａｄ及び可撓部４Ａｅを介してＺ方向の間隔（凹部４Ａａの幅）が変化できるように弾性ヒンジ機構で連結されている。従って、被固定領域２６Ａ，２６Ｂの位置を固定した状態で、マスク基板１が自重によって−Ｚ方向に撓むと、図２（Ｄ）に示すように、それに応じて可撓部４Ａｅが撓むため、マスク基板１を支持する上端部４Ａｆは、位置Ａ２で示すように−Ｚ方向に変位可能である。この場合、基準状態での凹部４Ａａの幅ｄは、マスク基板１を被固定領域２６Ａ，２６Ｂで吸着固定した際の、マスク基板１の自重による撓み量の最大値よりも広くなるように設定されている。この撓み量の最大値は、実測あるいはシミュレーションに基づいて決定される。このような可撓部４Ａｅの弾性変形による第１辺部４ＡのＺ方向の高さの変化は、第２辺部４Ｂでも同様に生じる。
【００３４】
これに対してペリクルフレーム４の第３辺部４Ｃ及び第４辺部４ＤはＺ方向を含めて殆ど変形しない。従って、第１辺部４Ａ及び第２辺部４ＢのＺ方向の剛性は、第３辺部４Ｃ及び第４辺部４Ｄの剛性よりもかなり小さく設定されている。
次に、本実施形態の露光装置ＥＸにおいて、マスクＭのペリクル５の表面の異物を異物検出装置５０で検出するときの動作の一例につき図３（Ａ）〜図３（Ｅ）を参照して説明する。図３（Ａ）は異物検出中のマスクＭを示す斜視図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のマスクＭ等を＋Ｘ方向に見る側面図、図３（Ｃ）は図３（Ａ）の異物検出装置５０等を示す一部を切り欠いた正面図、図３（Ｄ）は図３（Ａ）のIIID−IIID線に沿う拡大断面図、図３（Ｅ）は図３（Ａ）のIIIE−IIIE線に沿う拡大断面図である。
【００３５】
図３（Ａ）において、マスクＭのマスク基板１は、マスク搬送系中の２点鎖線で示す搬送アーム５１の２箇所の保持部５１ａ，５１ｂによって真空吸着されて保持されている。保持部５１ａ，５１ｂによって保持されるマスク基板１の被固定領域２６Ａ，２６Ｂは、マスクステージ２１によって保持される部分と同じである。また、マスクＭのペリクル５は、図３（Ｃ）に示すように、異物検出装置５０の照射部５２及び受光部５６に対してＺ方向に所定間隔の位置に配置される。この状態で搬送アーム５１を駆動機構（不図示）によって矢印Ｂ１で示す−Ｘ方向に移動することによって、異物検出装置５０によってペリクル５の表面の全面の異物が検出される。
【００３６】
本実施形態において、マスク基板１はＹ方向の両端部が保持部５１ａ，５１ｂで保持されているため、保持部５１ａ，５１ｂの間（被固定領域２６Ａ，２６Ｂの間）でマスク基板１は自重によって−Ｚ方向（鉛直下方）に撓む。マスク基板１のＹ方向の中央部においてその撓み量が最大になる。その中央部では、図３（Ｄ）に示すように、マスク基板１の位置は基準状態の位置Ａ１に対して最も下方に移動する。この場合、第１辺部４Ａの可撓部４Ａｅが大きく撓み、凹部４Ａａの幅は基準状態の幅ｄからほぼマスク基板１の変位を差し引いた最も狭い幅ｄ１になる。これに対して、保持部５１ａ（又は５１ｂ）に近いＹ方向にずれた位置では、マスク基板１の撓み量は少なくなる。従って、そのＹ方向にずれた位置では、図３（Ｅ）に示すように、第１辺部４Ａの可撓部４Ａｅの撓み量は少なくなり、凹部４Ａａの幅ｄ２は幅ｄ１よりも広くなる。言い換えると、第１辺部４ＡのＹ方向の各位置におけるＺ方向の高さ（凹部４Ａａの幅）は、ほぼマスク基板１の自重による変位分だけ小さくなる。このようなマスク基板１の自重による撓み量に応じたＺ方向の高さの減少は第２辺部４Ｂでも同様に生じる。さらに、マスク基板１の撓みよってペリクルフレーム４内の体積が変化するが、ペリクルフレーム４に設けられている通気孔７によって内外の気圧差が生じないため、内外の気圧差によるペリクル５の膨張等は発生しない。
【００３７】
従って、図３（Ｂ）において、マスク基板１が矢印Ａ３で示すように−Ｚ方向に撓んでも、その撓み量に応じてペリクルフレーム４の第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂの高さが変化するため、ペリクルフレーム４の下面に張設されたペリクル５には変形が及ばず、ペリクル５の平面度は基準状態の場合の平面度とほぼ同じに維持される。そのため、異物検出装置５０によってペリクル５の全面の異物を高精度に検出できる。
【００３８】
また、マスクＭを図１のマスクステージ２１によって保持した場合にも、マスク基板１は自重で撓む。この場合にも、ペリクルフレーム４の高さが部分的に変化するため、ペリクル５の平面度は高く維持される。従って、マスクＭのマスク基板１を透過した露光光ＥＬに対するペリクル５の影響が実質的にない状態が維持されるため、結像特性が高く維持される。
【００３９】
次に、マスクＭの製造工程の一部につき図４（Ａ）〜図４（Ｃ）を参照して説明する。図４（Ａ）はマスクＭを製造中のマスク製造装置１０の要部を示す斜視図、図４（Ｂ）はマスク製造装置１０の要部を示す一部を切り欠いた正面図、図４（Ｃ）は図４（Ａ）のIVC-IVC線に沿う断面図である。
図４（Ｂ）において、マスク製造装置１０のベース部材１１の平坦な上面に保護装置２のペリクル５の表面が載置されている。ベース部材１１の上面のペリクルフレーム４の内側の領域に対応する部分には凹部１１ａが形成されている。ベース部材１１の上面に保護装置２をＸ方向に挟むようにＸ軸に平行にガイド部材１３Ａ及び１３Ｂが固定され、ガイド部材１３Ａ及び１３Ｂに沿って駆動機構（不図示）によってＸ方向に移動可能にＹ方向に細長い移動体１２Ａ及び１２Ｂが載置されている。また、移動体１２Ａ及び１２Ｂは、それぞれペリクルフレーム４の第１辺部４Ａの凹部４Ａａ及び第２辺部４Ｂの凹部４Ｂａに嵌合可能なブレード１５Ａ１，１５Ａ２及びブレード１５Ｂ１，１５Ｂ２を備えている。ブレード１５Ａ１，１５Ａ２，１５Ｂ１，１５Ｂ２の先端部はテーパー状であって、先端側ほど薄く形成されている。さらに、移動体１２Ａ及び１２ＢのＹ方向の中央部のＺ駆動部１４Ａ及び１４Ｂに、それぞれ第１辺部４Ａの引き込み穴４Ａｂ及び第２辺部４Ｂの引き込み穴４Ｂｂに差し込むことが可能なレバー部１６Ａ及び１６Ｂが固定されている。Ｚ駆動部１４Ａ及び１４Ｂは、それぞれ引き込み穴４Ａｂ及び４Ｂｂに差し込まれたレバー部１６Ａ及び１６Ｂを−Ｚ方向に移動できる。
【００４０】
また、マスク基板１の上面は、駆動機構（不図示）によってＺ方向に移動可能な昇降部１７に、ペリクルフレーム４とほぼ対向する位置にある矩形の枠状のエアパッド１８を介して吸着保持されている。マスク基板１のパターン面１ａのパターン領域ＰＡには回路パターンが描画されており、ペリクルフレーム４とペリクル５とは接着等で固定されている。
【００４１】
マスク製造装置１０を用いてマスクＭを製造する場合、先ずベース部材１１の上面に保護装置２をペリクルフレーム４の第１辺部４ＡがＹ軸に平行になるように載置した後、ペリクルフレーム４の上面にリング状の粘着剤６を載置する。この状態で、昇降部１７によってマスク基板１をペリクルフレーム４の上方に移動する。
その後、図４（Ａ）に示すように、移動体１２Ａ及び１２Ｂを保護装置２の方向に移動し、移動体１２Ａのブレード１５Ａ１，１５Ａ２及びレバー部１６Ａの先端を凹部４Ａａ及び引き込み穴４Ａｂに差し込み、移動体１２Ｂのブレード１５Ｂ１，１５Ｂ２及びレバー部１６Ｂの先端を凹部４Ｂａ及び引き込み穴４Ｂｂに差し込む。この状態で、単にマスク基板１を粘着剤６を介してペリクルフレーム４に密着させると、複数の通気孔７だけでは内部の空気が迅速に排気されないため、密着後にペリクル５が一時的に膨張する恐れがある。そして、ペリクル５が膨張した状態でマスクＭを搬送すると、ペリクル５が搬送経路の周囲に配置された部材等に接触し、ペリクル５が破損する恐れがある。また、ペリクル５が膨張した状態で異物検出装置５０によって異物検出を行うと、検出不良が発生する恐れがある。
【００４２】
そこで、マスク基板１をペリクルフレーム４に密着させる際の保護装置２の内外の気圧差をできるだけ少なくするために、Ｚ駆動部１４Ａ，１４Ｂによってレバー部１６Ａ，１６Ｂを所定量だけ矢印Ａ４（図４（Ｃ）参照）で示すように−Ｚ方向に移動する。これによって、図４（Ｃ）に示すように、ペリクルフレーム４の第１辺部４Ａにおいて引き込み穴４Ａｂの近傍の上端部４Ａｆが−Ｚ方向に引き下げられて、隙間Ａ６が生じる。同様に、第２辺部４Ｂ側でも隙間が生じる。
【００４３】
この状態で、図４（Ｂ）において、昇降部１７を−Ｚ方向に降下させてマスク基板１を粘着剤６に接触させ、さらにマスク基板１を保護装置２側に加圧する。この際に、保護装置２の内部の空気の少なくとも一部が隙間Ａ６から排気されるため、ペリクル５の膨張が抑制される。その後、Ｚ駆動部１４Ａ，１４Ｂによってレバー部１６Ａ，１６Ｂを矢印Ａ５で示すように＋Ｚ方向に移動した後、移動体１２Ａ，１２Ｂを保護装置２から離れる方向に移動して、凹部４Ａａ，４Ｂａ及び引き込み穴４Ａｂ，４Ｂｂからブレード１５Ａ１，１５Ａ２，１５Ｂ１，１５Ｂ２及びレバー部１６Ａ，１６Ｂの先端を引く抜く。これによって、マスクＭが完成する。
【００４４】
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
（１）本実施形態の保護装置２は、マスク基板１のパターン面１ａ（表面）のパターン領域ＰＡ（所定領域）を保護する保護装置であって、パターン面１ａにパターン領域ＰＡを囲むように貼り合わせられるペリクルフレーム４（支持機構）と、ペリクルフレーム４のパターン領域ＰＡと対向する開口部を覆うようにペリクルフレーム４に張設されるペリクル５（保護膜）と、を備えている。そして、ペリクルフレーム４は、パターン領域ＰＡに沿って配置される第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂ（第１部分）と第３辺部４Ｃ及び第４辺部４Ｄ（第２部分）とを含み、パターン面１ａの法線方向（Ｚ方向）に関して第１辺部４Ａ（及び第２辺部４Ｂ）の剛性は第３辺部４Ｃ（及び第４辺部４Ｄ）の剛性より低くなっている。
【００４５】
また、本実施形態のマスクＭは、転写用のパターンが形成されたパターン領域ＰＡを有するマスク基板１と、マスク基板１のパターン領域ＰＡを保護するように設けられた保護装置２とを備えている。
本実施形態によれば、保護対象のマスク基板１が撓むと、ペリクルフレーム４のうちの剛性の低い第１辺部４Ａ（及び第２辺部４Ｂ）が撓み、第３辺部４Ｃ（及び第４辺部４Ｄ）は殆ど撓まないため、ペリクル５の撓みが抑制される。従って、マスク基板１が大型化して、マスク基板１の自重による撓み量が大きくなっても、ペリクル５がほぼ平面のままに維持されるため、例えばペリクル５の表面の異物検出を高精度に行うことができる。
【００４６】
（２）また、ペリクルフレーム４の第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂは、Ｚ方向に可撓性を持つ可撓部４Ａｅ等を含む弾性ヒンジ機構を含んでいるため、簡単な機構で第１辺部４Ａ及び第２辺部４ＢにＺ方向に可撓性を持たせることができる。
さらに、その弾性ヒンジ機構は、パターン面１ａにほぼ平行に凹部４Ａａ，４Ｂａが設けられた平板状の部分を含んでいる。従って、凹部４Ａａ，４Ｂａを形成するのみで容易に第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂを形成できる。
【００４７】
（３）また、第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂの中央の凹部４Ａａ，４Ｂａ（弾性ヒンジ機構）の近傍に引き込み穴４Ａｂ，４Ｂｂ（切り欠き部）が設けられている。従って、マスクＭの製造時に、引き込み穴４Ａｂ，４Ｂｂを介して上端部４Ａｂ等を引き下げて必要な通気経路（通気部）を確保することによって、ペリクル５の膨張を防止できる。
（４）また、ペリクルフレーム４の２箇所の第３辺部４Ｃ及び第４辺部４Ｄは、マスク基板１がマスクステージＭＳＴ又は搬送アーム５１によって支持される２箇所の被固定領域２６Ａ，２６Ｂの近傍に配置されている。
【００４８】
この場合、被固定領域２６Ａ，２６Ｂ間の領域でマスク基板１が撓んでも、その領域ではその撓みに応じて第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂが撓むため、ペリクル５に歪みが殆ど生じない。
（５）また、本実施形態のマスク搬送系は、マスクＭのマスク基板１を支持する搬送アーム５１（支持部）と、マスクＭを支持した搬送アーム５１を駆動する駆動装置（不図示）とを備え、搬送アーム５１は、マスク基板１のパターン面１ａのうちペリクルフレーム４の第３辺部４Ｃ及び第４辺部４Ｄの近傍の被固定領域２６Ａ，２６Ｂを支持する。従って、被固定領域２６Ａ，２６Ｂの間でマスク基板１が撓んでも、それに応じてペリクルフレーム４の第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂが撓むため、ペリクル５の平面度が高く維持され、ペリクル５の異物検出を高精度に行うことができる。
【００４９】
（６）また、本実施形態のマスクＭの製造方法は、マスク基板１のパターン領域ＰＡを覆うように、マスク基板１に保護装置２を貼り合わせるマスクの製造方法であって、保護装置２のペリクルフレーム４とマスク基板１との間に粘着剤６（貼着剤）を配置する工程（図４（Ｂ））と、ペリクルフレーム４の第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂの剛性を補いながら、ペリクルフレーム４を粘着剤６を介してマスク基板１のパターン面１ａに付勢する工程（図４（Ｃ））とを含んでいる。従って、第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂの剛性が低くとも、ペリクルフレーム４の上面の全面とマスク基板１のパターン面とを貼着できる。
【００５０】
（７）また、その第１辺部４Ａ及び第２辺部４Ｂの剛性を補うために、凹部４Ａａ，４Ｂａにブレード１５Ａ１，１５Ｂ１等（スペーサ）を配置しているため、容易にその剛性を補うことができる。
（８）また、本実施形態の露光装置ＥＸは、露光光ＥＬでマスク及び投影システムＰＳ（投影光学系）を介してプレートＰ（物体）を露光する露光装置において、そのマスクとして本実施形態のマスクＭを用いるものである。この場合、マスクＭのペリクル５の表面の異物の有無を高精度に検出できるため、大型のマスクＭを用いて高いスループットを得ることが可能であり、かつプレートＰに不要なパターンの像が転写されることを防止できる。
【００５１】
なお、本実施形態では以下のような変形が可能である。
（１）マスクＭのマスク基板１は矩形であるが、マスク基板１はほぼ正方形の平板であってもよい。
（２）図２等では、第１辺部４Ａの凹部４Ａａが、第１辺部４ＡのＹ方向の全域に亘って形成されるものとして示されているが、第１辺部のＹ方向の一部分に形成されるようにしてもよい。この場合でもペリクル５の撓みを抑制することができる。なお、ペリクル５の撓みを十分に抑制するには、凹部４ＡａのＹ方向の幅は、ペリクルフレーム４の下面によって形成される開口部のＹ方向の幅（すなわち、第３辺部４Ｃと第４辺部４Ｄとの間隔）と同等以上にすることが好ましい。
（３）粘着剤６の代わりに、いわゆるホットメルト接着剤（例えばアクリル系など）、又は両面テープ等を使用することも可能である。
（４）ペリクルフレーム４に引き込み穴４Ａｂ，４Ｂｂは必ずしも設けなくともよい。引き込み穴４Ａｂ，４Ｂｂがない場合には、マスクＭの製造時に、マスク基板１をペリクルフレーム４の上面に設けられた粘着材６に低速で接触させることが好ましい。
【００５２】
（５）露光装置ＥＸの投影システムＰＳはマルチレンズ型であるため、マスクＭ及びプレートＰが大面積であっても投影システムＰＳを全体として小型化できる。なお、投影光学系ＰＬ及び照明モジュールＩＬは、７つに限定されず、少なくとも１つ設けられていればよい。また、本実施形態の投影光学系ＰＬは、等倍系であるが、縮小系又は拡大系でもよく、倒立像又は正立像のいずれを形成してもよい。また、投影光学系ＰＬは、屈折系又は反射系でもよい。
【００５３】
［第２の実施形態］
次に本発明の第２の実施形態につき図５（Ａ）〜図５（Ｅ）を参照して説明する。図５（Ａ）〜図５（Ｄ）において、図３（Ａ）〜図３（Ｅ）に対応する部分には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。図５（Ａ）は、本実施形態のマスクＭＡを示す斜視図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のマスクＭＡを＋Ｘ方向に見た側面図である。なお、図５（Ｂ）では粘着剤６は断面で表されている。
【００５４】
図５（Ａ）において、マスクＭＡは、マスク基板１と、マスク基板１のパターン面１ａのパターン領域ＰＡを覆うように貼着された保護装置２Ａとを有する。即ち、マスク基板１のパターン領域ＰＡを囲むように、パターン面１ａに矩形の枠状の第１フレーム３１が粘着剤６（図５（Ｂ）参照）を介して貼着されている。また、第１フレーム３１の４箇所の角部に四角柱状のロッド３２Ａ〜３２Ｄが固定され、ロッド３２Ａ〜３２Ｄの下端に第１フレーム３１と同じ形状の第２フレーム３３が固定されている。すなわち、ロッド３２Ａ及び３２Ｂと、ロッド３２Ｃ及び３２Ｄとは、互いにパターン領域ＰＡを挟むＹ方向の両側において、それぞれＸ方向に沿って配置され、パターン領域ＰＡのＸ方向の両端部の近傍に配置されている。ロッド３２Ａ〜３２Ｄは、一例として柱状の高さ（Ｚ方向の長さ）が等しくされている。第２フレーム３３には複数の通気孔７が設けられている。フレーム３１，３３及びロッド３２Ａ〜３２Ｄはアルミニウム等の金属（又はセラミックス等）から形成されている。第１フレーム３１とロッド３２Ａ〜３２Ｄとの固定、及びロッド３２Ａ〜３２Ｄと第２フレーム３３との固定は例えば溶接又はねじ止めである。
【００５５】
また、第２フレーム３３の下面によって形成される開口部（マスク基板１のパターン領域ＰＡに対向する開口部）にはペリクル５が張設され、ロッド３２Ａ，３２Ｂ間の開口部、ロッド３２Ｂ，３２Ｃ間の開口部、ロッド３２Ｃ，３２Ｄ間の開口部、及びロッド３２Ｄ，３２Ａ間の開口部は、それぞれペリクル５と同じ材料の薄膜状のシート８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄによって覆われて気密化されている。なお、通気孔７の位置にあるシート８Ａ〜８Ｄの部分には、通気孔７の通気を確保する開口が形成されている。シート８Ａ〜８Ｄは、ペリクル５と同様に、例えばフッ素系樹脂よりなる接着剤によってフレーム３１，３３及びロッド３２Ａ〜３２Ｄに固定されている。なお、シート８Ａ〜８Ｄも、例えばオプティカル・コンタクトによる圧着後に溶着して固定してもよい。
【００５６】
このように、第１フレーム３１、ロッド３２Ａ〜３２Ｄ、第２フレーム３３、シート８Ａ〜８Ｄ、及びペリクル５から、マスク基板１のパターン領域ＰＡを覆う保護装置２Ａが構成されている。保護装置２Ａにおいて、ロッド３２Ａ〜３２Ｄが設けられた４箇所の角部ではＺ方向の剛性が高く、フレーム３１，３３のＺ方向の間隔は殆ど変化しない。これに対して、ロッド３２Ａ〜３２Ｄ間のシート８Ａ〜８Ｄで覆われた部分を含む４箇所の辺部ではＺ方向の剛性がかなり低いため、フレーム３１，３３のＺ方向の間隔は容易に可変である。
【００５７】
次に、マスクＭＡのペリクル５の表面の異物検査時には、図５（Ｃ）に示すように、マスクＭＡのマスク基板１のＹ方向の両端部の被固定領域２６Ａ，２６Ｂが、搬送アーム５１の保持部５１ａ，５１ｂによって吸着保持される。従って、保護装置２Ａのロッド３２Ａ〜３２Ｄを含む４箇所の角部は、同じ高さ（Ｚ位置）に支持される。これは、マスクＭＡをマスクステージ２１に載置して用いる露光時も同様である。そして、保護装置２Ａのペリクル５の下面の近傍に図３（Ａ）の異物検出装置５０（図５（Ｃ）では不図示）が配置される。この場合、被固定領域２６Ａ，２６Ｂ間の領域ではマスク基板１は自重によって−Ｚ方向に撓み、特にＹ方向の中央部においてその撓み量が最大になる。
【００５８】
その中央部では、図５（Ｄ）の拡大断面図で示すように、マスク基板１の撓み量に応じて第１フレーム３１が−Ｚ方向に撓み、これに応じてシート８Ｄ（及び図５（Ａ）のシート８Ｂ）の弛みが最大になる。これに対して、基準状態では、図５（Ｅ）に示すようにシート８Ｄ（及びシート８Ｂ）の弛みはない。
そして、図５（Ｃ）に示すように、マスク基板１の撓みに応じて第１フレーム３１が−Ｚ方向に撓み、この第１フレーム３１の撓みにともなってシート８Ｄ，８Ｂが弛むため、ペリクル５に変形が及ばず、ペリクル５の平面度は高く維持されて、異物検出装置５０によってペリクル５の表面の異物検出を高精度に行うことができる。
【００５９】
次に、本実施形態のマスクＭＡの製造工程の一部につき図６（Ａ）及び図６（Ｂ）を参照して説明する。この際に、マスク基板１のパターン領域ＰＡに回路パターンが描画され、第１フレーム３１と第２フレーム３３とはロッド３２Ａ〜３２Ｄを介して連結されているものとする。
先ず、図６（Ａ）に示すように、ベース部材（不図示）の上面に第２フレーム３３を載置し、第１フレーム３１の上面にリング状の粘着剤６を設置する。次に、ロッド３２Ａ〜３２Ｄ間の側面の開口部にブレード３４Ａ，３４Ｂ及びブレード３５Ａ，３５Ｂを差し込み、第１フレーム３１の上面に粘着剤６を介してマスク基板１を載置して、マスク基板１の上面の第１フレーム３１に対応する矩形の枠状の部分を加圧して、マスク基板１と第１フレーム３１とを粘着剤６を介して貼着する。
【００６０】
その後、図６（Ｂ）に示すように、ほぼフレーム３１，３３の上端と下端との間の幅を持ち、第１フレーム３１の側面の全周と同じ長さでペリクル５と同じ材料のシート８を用意し、シート８をロッド３２Ａから次第にロッド３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３２Ａまで接着しながら張設し、通気孔７に対応する部分のシート８に開口を設ける。これによって、実質的にシート８Ａ〜８Ｄが張設され、マスクＭＡが完成する。
【００６１】
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
（１）本実施形態のマスクＭＡが備える保護装置２Ａは、マスク基板１のパターン面１ａのパターン領域ＰＡを保護する保護装置であって、パターン面１ａにパターン領域ＰＡを囲むように貼り合わせられる第１フレーム３１、ロッド３２Ａ〜３２Ｄ、及び第２フレーム３３よりなるフレーム機構（支持機構）と、そのフレーム機構のパターン領域ＰＡと対向する開口部を覆うように第２フレーム３３に張設されるペリクル５と、を備えている。そして、そのフレーム機構は、パターン領域ＰＡに沿って配置されるフレーム３１，３３間の開口が設けられた４箇所の辺部（第１部分）と、ロッド３２Ａ〜３２Ｄ（支柱）が設けられた４箇所の角部（第２部分）とを含み、パターン面１ａの法線方向（Ｚ方向）に関して、開口が設けられた辺部の剛性はロッド３２Ａ〜３２Ｄが設けられた角部の剛性より低くなっている。
【００６２】
本実施形態によれば、保護対象のマスク基板１が撓むと、そのフレーム機構中の辺部（ロッド３２Ａ〜３２Ｄ間の部分）が撓み、ロッド３２Ａ〜３２Ｄのある角部は殆ど撓まない（すなわち、Ｚ方向の高さが変化しない）ため、ペリクル５に変形が及ばず、ペリクル５の撓みが抑制される。従って、マスク基板１が大型化しても、ペリクル５の表面の異物検出を高精度に行うことができる。
なお、ロッド３２Ａ〜３２Ｄは、マスク基板１のパターン面１ａに対して垂直な方向から傾斜していてもよい。
【００６３】
（２）また、ロッド３２Ａ〜３２Ｄ間の開口の部分は、Ｚ方向に関してロッド３２Ａ〜３２Ｄよりも剛性の低いシート８Ａ〜８Ｄ（封止部材）によって封止されている。これによって、マスク基板１のパターン領域ＰＡには保護装置２Ａの外部の気体が殆ど流入しないため、パターン領域ＰＡに対する異物の付着がさらに防止できる。
（３）また、シート８Ａ〜８Ｄはペリクル５と同じ材料からなるため、製造が容易である。
【００６４】
なお、例えばペリクル５をロッド３２Ａ〜３２Ｄの間の領域を含むシートから形成し、ペリクル５を第２フレーム３３に張設する際に、ペリクル５の辺部でロッド３２Ａ〜３２Ｄ間の領域を覆うようにしてもよい。このように、シート８Ａ〜８Ｄとペリクル５とを一体的に形成することで、製造工程を簡素化できる。
ただし、例えばロッド３２Ａ〜３２Ｄ間の遮光性を高めたい場合には、シート８Ａ〜８Ｄの代わりに例えば不透明な樹脂製のシートを用いるようにしてもよい。
【００６５】
（４）また、本実施形態では、保護装置２Ａのロッド３２Ａ〜３２Ｄを含む４箇所の角部は、マスク基板１の被固定領域２６Ａ，２６Ｂの近傍に配置されている。従って、Ｚ方向の高さが変化しないため、ロッド３２Ａ，３２Ｄ間の部分及びロッド３２Ｂ，３２Ｃ間の部分でマスク基板１が撓んでも、ペリクル５に変形が及ばず、ペリクル５の平面度が高く維持される。
なお、本実施形態では、図５（Ａ）に点線で示すように、搬送アーム（不図示）において、マスク基板１のパターン面１ａのロッド３２Ａ〜３２Ｄの近傍の４箇所の部分２６Ｃ〜２６Ｆのみを吸着保持してもよい。この場合には、ロッド３２Ａ，３２Ｂ間及びロッド３２Ｃ，３２Ｄ間（Ｙ方向の辺部）でもマスク基板１の自重による撓みが発生するが、そのＹ方向の辺部でも第１フレーム３１が撓むため、ペリクル５の平面度は高く維持されて、異物検出を高精度に行うことができる。
【００６６】
なお、本実施形態の保護装置２Ａはフレーム３１，３３を備えているが、図７（Ａ）の変形例のマスクＭＢで示すように、マスク基板１のパターン面１ａに４本のロッド３５Ａ〜３５Ｄを例えば粘着剤６Ａ〜６Ｄを介して貼着してもよい。図７（Ａ）において、ロッド３５Ａ〜３５Ｄのパターン領域ＰＡに対向する開口部（すなわち、ロッド３５Ａ〜３５Ｄを４箇所の角部とする矩形の領域）にはペリクル５Ａが張設され、ロッド３５Ａ〜３５Ｄの側面の開口（すなわち、ロッド３５Ａ〜３５Ｄのうち隣合う２本のロッドに挟まれた領域）はシート５Ｂ〜５Ｄで気密化されている。ペリクル５Ａの材料は図２（Ａ）のペリクル５の材料と同じであり、シート５Ｂ〜５Ｅは、ペリクル５Ａと同じ材料で、ペリクル５Ａと一体的に形成されている。ロッド３５Ａ〜３５Ｄ、シート５Ｂ〜５Ｅ、及びペリクル５Ａから、マスク基板１のパターン領域ＰＡを覆う保護装置２Ｂが構成されている。
【００６７】
この場合、一例として図７（Ａ）のマスクＭＢの側面図である図７（Ｂ）に示すように、シート５Ｂ，５Ｄ（他のシート５Ｃ，５Ｅも同様）の端部はマスク基板１のパターン面１ａまで伸びており、これによって気密性が確保されているとともに、内外の気体の流通がある程度は可能である。なお、シート５Ｂ〜５Ｅの端部をマスク基板１に密着させて、ロッド３５Ａ〜３５Ｄに通気孔を設けてもよい。
この変形例のマスクＭＢの異物検出時には、図７（Ｃ）に示すように、マスク基板１の被固定領域２６Ａ，２６Ｂが搬送アーム５１の保持部５１ａ，５１ｂで支持される。この場合、被固定領域２６Ａ，２６Ｂの間でマスク基板１が−Ｚ方向に撓んでも、シート５Ｅ及び５Ｃに弛みが生じるのみで、ペリクル５Ａには弛みが及ばず、ペリクル５Ａの平面度は高く維持される。従って、ペリクル５Ａの表面の異物を高精度に検出できる。
【００６８】
このマスクＭＢは構成が簡素であるとともに、ロッド３５Ａ〜３５Ｄの近傍の４箇所のみでマスク基板１を支持した場合にも、ペリクル５Ａの平面度は高く維持される。また、保護装置２Ｂの軽量化、ひいてはマスクＭＢの軽量化を図ることもできる。
なお、マスク基板１に設けたロッド３５Ａ〜３５Ｄの端部に図５（Ａ）のフレーム３３を固定し、フレーム３３の開口を覆うようにペリクル５Ａを張設してもよい。
なお、マスク基板１に設けるロッド３５Ａ〜３５Ｄの数は４本には限定されず、例えば２本、３本、又は５本以上であってもよい。
また、ロッド３５Ａ〜３５Ｄは、マスク基板１に対してオプティカル・コンタクト等で固定してもよい。
【００６９】
また、上記の実施形態の露光装置ＥＸを用いて、基板に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイス（電子デバイス）としての多数の液晶表示素子を得ることもできる。以下、図８のフローチャートを参照して、この製造方法の一例につき説明する。
図８のステップＳ４０１（パターン形成工程）では、先ず、露光対象の基板にフォトレジストを塗布して感光基板（プレートＰ）を準備する塗布工程、上記の露光装置を用いて液晶表示素子用のマスクのパターンをその感光基板の多数のパターン形成領域に転写露光する露光工程、及びその感光基板を現像する現像工程が実行される。この塗布工程、露光工程、及び現像工程を含むリソグラフィ工程によって、その感光基板に所定のレジストパターンが形成される。このリソグラフィ工程に続いて、そのレジストパターンをマスクとしたエッチング工程、及びレジスト剥離工程等を経て、その基板に多数の電極等を含む所定パターンが形成される。そのリソグラフィ工程等は、その基板に形成するレイヤ数に応じて複数回実行される。
【００７０】
その次のステップＳ４０２（カラーフィルタ形成工程）では、赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂに対応した３つの微細なフィルタの組をマトリックス状に多数配列するか、又は赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの３本のストライプ状の複数のフィルタの組を水平走査線方向に配列することによってカラーフィルタを形成する。その次のステップＳ４０３（セル組立工程）では、例えばステップＳ４０１にて得られた所定パターンを有する基板とステップＳ４０２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。
【００７１】
その後のステップＳ４０４（モジュール組立工程）では、そのようにして組み立てられた多数の液晶パネル（液晶セル）に表示動作を行わせるための電気回路、及びバックライト等の部品を取り付けて、液晶表示素子として完成させる。
上述の液晶表示素子の製造方法によれば、上記の実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンを感光基板に露光する工程と、この工程により露光された感光基板を現像等を施して処理する工程とを含んでいる。
【００７２】
また、その製造方法は、上記の実施形態のマスクＭ等のパターン領域ＰＡに設けられたパターンを感光基板（物体）に転写することと、そのパターンが転写された感光基板を処理することとを含んでいる。また、パターンが転写された感光基板を処理することは、転写されたパターンに基づいて感光基板を加工することを含み、その加工として、例えばその転写パターンに基づいて感光基板をエッチングすること、その転写パターンに基づいて感光基板を印刷すること（換言すると、転写パターンに基づいて、例えば導電性インク等の所定材料を塗布すること）等が適用可能である。
この際に、大型のマスクを用いた場合でもペリクルの異物検査を高精度に行うことができるため、高いスループットで高精度にデバイスを製造できる。
【００７３】
なお、本発明は、走査露光型の露光装置のみならず、一括露光型（ステッパー型）の露光装置のマスクにも適用することが可能である。
また、本発明は、上述のように角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、有機ＥＬディスプレイ、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置の製造プロセスのみならず、半導体デバイス、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、ＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems：微小電気機械システム)、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスの製造プロセスにも広く適用できる。また、本発明は、ガラスプレートに限定されず、例えば半導体ウェハ、可撓性を有するシート状の基板（例えば、面積に対する厚さの比がガラスプレートおよび半導体ウェハに比して小さい基板）を露光対象としての感光基板とすることができる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、製造工程にも適用することができる。
【００７４】
このように、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
【符号の説明】
【００７５】
Ｍ，ＭＡ，ＭＢ…マスク、１…マスク基板、２，２Ａ，２Ｂ…保護装置、４…ペリクルフレーム、４Ａ…第１辺部、４Ｂ…第２辺部、４Ｃ…第３辺部、４Ｄ…第４辺部、４Ａｅ，４Ｂｅ…可撓部、５，５Ａ…ペリクル、６…粘着剤、８Ａ〜８Ｄ…シート、１０…マスク製造装置、３２Ａ〜３２Ｄ，３５Ａ〜３５Ｄ…ロッド、５０…異物検出装置、ＥＸ…露光装置、ＰＳ…投影システム、Ｐ…プレート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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