(57)【要約】【課題】  各画素を最適な発光面に色分けすることで画質の向上等が可能な構造および方法が望まれている。【解決手段】  第１色、第２色および第３色の画素が順番に繰り返し並んだ画素群を備え、第２色の画素の発光領域が第１色および第３色の画素のそれぞれの発光領域より大きい面積を有し、かつ、第１色の画素とこれに隣合う第２色の画素との間、および第２色の画素とこれに隣合う第３色の画素との間に形成されたそれぞれの非発光領域が、前記第１色の画素とこれに隣合う前記第２色以外の画素との間に形成された非発光領域より小さい面積であることを特徴とする画像表示装置とする。【選択図】  図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１色、第２色および第３色の画素が順番に繰り返し並んだ画素群を備え、前記第２色の画素の発光領域が前記第１色および前記第３色の画素のそれぞれの発光領域より大きい面積を有し、かつ、前記第１色の画素とこれに隣合う前記第２色の画素との間、および前記第２色の画素とこれに隣合う前記第３色の画素との間に形成されたそれぞれの非発光領域が、前記第１色の画素とこれに隣合う前記第２色以外の画素との間に形成された非発光領域より小さい面積であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像表示装置であって、前記非発光領域は前記画素を構成する発光層とこの画素に隣合う画素を構成する発光層とが重なって形成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の画像表示装置の製造方法であって、１枚の蒸着マスクを用いた蒸着法により前記画素を構成する発光層とこの画素に隣合う画素の発光層とを形成する工程を含むことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
例えば有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ装置等の画像表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子を用いた画像表示装置では、複数の画素（ｓｕｂ  ｐｉｘｅｌ）で構成された絵素（ｐｉｘｅｌ）の多数を縦横のマトリックス状に配列したものが一般的であり、複数の画素が異なる色の光を発することにより、画像を表示することができる。
【０００３】
画素の発する光の色を異ならせるために、蒸着マスク等を用いて各画素を構成する発光層を形成して色分けする技術が知られている（例えば、下記特許文献１を参照）。
【０００４】
現在、各画素を最適な発光面に色分けすることで画質の向上等が可能な構造および方法が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３６７０９２３号公報
【発明の概要】
【０００６】
本発明に係る画像表示装置は、第１色、第２色および第３色の画素が順番に繰り返し並んだ画素群を備え、この画素群において、前記第２色の画素の発光領域が前記第１色および前記第３色の画素のそれぞれの発光領域より大きい面積を有し、かつ、前記第１色の画素とこれに隣合う前記第２色の画素との間、および前記第２色の画素とこれに隣合う前記第３色の画素との間に形成されたそれぞれの非発光領域が、前記第１色の画素とこれに隣合う前記第２色以外の画素との間に形成された非発光領域より小さい面積であることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明に係る画像表示装置の製造方法は、１枚の蒸着マスクを用いた蒸着法により前記画素を構成する発光層とこの画素に隣合う画素の発光層とを形成する工程を含むことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一形態に係る画像表示装置を模式的に説明する平面図である。
【図２】本発明の一形態に係る画像表示装置を模式的に説明する図であり、発光領域およびその近傍の拡大断面図である。
【図３】発光面の配置を模式的に説明する平面図である。
【図４】蒸着マスクを模式的に説明する平面図である。
【図５】発光層を形成する様子を模式的に説明する断面図である。
【図６】発光層を形成する様子を模式的に説明する断面図である。
【図７】蒸着マスクの開口幅と発光層の寿命比との関係を示すグラフである。
【図８】発光層を形成する様子を模式的に説明する断面図である。
【図９】本発明に係る一実施形態の表示領域における発光面の配置例を模式的に説明する平面図である。
【図１０】本発明に係る一実施形態の表示領域における発光面の配置例を模式的に説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面は模式的に示したものであり、寸法比等を正確にあらわしたものではない。
【００１０】
＜画像表示装置＞
画像表示装置の全体構成の概略について説明する。図１に示す画像表示装置１は、テレビ等の家電機器、携帯電話又はコンピュータ機器等の電子機器に用いるものであり、素子基板２と、この素子基板２上に形成された複数の絵素３と、これら絵素３の発光を制御する駆動ＩＣ４と、を含んで構成されている。
【００１１】
素子基板２は例えばガラス又はプラスチックから成る。素子基板２の表示領域Ｄ１には縦横のマトリックス状に配列された多数の絵素３が形成されている。また、素子基板２の端部に位置する非表示領域Ｄ２には駆動ＩＣ４が実装されている。絵素３は後記する複数の画素から構成されており、例えば、三色の画素がその幅方向（Ｘ方向）へ順番に繰り返し並んだ画素群を形成している。各画素には、後記する有機ＥＬ素子が設けられており、この有機ＥＬ素子による発光領域が形成されている。また、各画素は例えば赤色、緑色又は青色のいずれかの色を発光することができ、有機ＥＬ素子を構成する材料を選択することによって、発光する色を決定することができる。
【００１２】
次に、上記発光領域とその近傍の断面における様子について説明する。図２に示すように、素子基板２上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）および電気配線等から成り、図１の駆動ＩＣ４からの電気信号が入力される回路層７が形成されている。この回路層７上には、回路層７における所定領域以外が電気的に短絡しないように、例えば、窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等から成る第１絶縁層８が形成されている。
【００１３】
第１絶縁層８上には、回路層７および第１絶縁層８に起因する表面の凹凸を低減するために、平坦化膜９が形成されている。この平坦化膜９を形成することによって、有機ＥＬ素子６（第１電極層１０、発光層１３および第２電極層１２）を構成する電極層同士が短絡することなく良好に発光させることができる。この平坦化膜９は、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂等の絶縁性を有する有機材料を用いることができる。なお、平坦化膜９の厚みは、例えば２μｍ以上５μｍ以下に設定されている。平坦化膜９には、平坦化膜９を貫通するコンタクトホールＳが形成されている。
【００１４】
コンタクトホールＳは、上部よりも下部が幅狭に形成され、各画素５に対応して形成されており、その底部には回路層７の一部が露出されている。コンタクトホールＳの内壁面から平坦化膜９の上面にかけて第１電極層１０が形成されている。コンタクトホールＳ内に位置する第１電極層１０の一部は、コンタクトホールＳの底部に位置する回路層７の一部と電気的に接続されている。また、第１電極層１０は発光領域Ｌにも形成されており、各画素５に設けられている。さらに、第１電極層１０は隣接する画素５における第１電極層と離間して設けられている。なお、第１電極層１０は例えばアルミニウム、銀、銅又は金等の金属、あるいはこれらの合金等の材料から成る。第１電極層１０の厚みは例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定されている。
【００１５】
発光領域Ｌを取り囲むように、第１電極層１０上に第２絶縁層（エッジ・インシュレーター）１１が形成されている。第２絶縁層１１は第１電極層１０と第２電極層１２とが短絡するのを防止している。第２絶縁層１１は例えばフェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料、あるいは窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等の無機絶縁材料から成る。
【００１６】
発光領域Ｌには、発光層１３が形成されている。発光層１３は第１電極層１０上から第２絶縁層１１上にかけて形成されている。発光層１３は一層以上から構成されており、正孔と電子が結合することによって光を発することができる。ここで、発光領域Ｌとは、発光層が光を発することが可能な面領域であって、第１電極層１０と第２電極層１２と直接接して挟まれている箇所をいい、電圧が加えられて発光層１３に電流が流れると発光する発光面を形成している。本実施形態では、例えば、一色の画素の発光領域が他の二色の画素のそれぞれの発光領域より大きい面積を有し、かつ、一色の画素と、これと隣り合う他の二色の画素のそれぞれとの間に形成された非発光領域が、隣り合う他の二色の画素間に形成された非発光領域より小さい面積としている。つまり、第１色、第２色および第３色の画素が順番に繰り返し並んだ画素群において、第２色の画素の発光領域が第１色および第３色の画素のそれぞれの発光領域より大きい面積を有し、かつ、第１色の画素とこれに隣合う第２色の画素との間、および第２色の画素とこれに隣合う第３色の画素との間に形成されたそれぞれの非発光領域が、第１色の画素とこれに隣合う前記第２色以外の画素（絵素が三色の画素から構成される場合は第３色）との間に形成された非発光領域より小さい面積になっている。
【００１７】
発光層１３は、赤色の光を発する場合、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム、１，４−フェニレンビス（トリフェニルシラン）、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、１，３，５−トリ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ベンゼン、ＣＢＰ、Ａｌｑ３又はＳＤＰＶＢｉ等のホスト材料にビス［２−（２−ベンゾチアゾイル−ｋＮ３）フェニル−ｋＣ］（２，４−ペンタジオナト−ｋＯ，ｋＯ’）イリジウム等の有機イリジウム化合物、有機白金化合物、ＤＣＪＴＢ、クマリン、キナクリドン、フェナンスレン基を有するペリノン誘導体、オリゴチオフェン誘導体又はペリレン誘導体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。
【００１８】
また発光層１３は、緑色の光を発する場合、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム、１，４−フェニレンビス（トリフェニルシラン）、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、１，３，５−トリ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ベンゼン、ＣＢＰ、Ａｌｑ３又はＳＤＰＶＢｉ等のホスト材料、あるいはこれらのホスト材料にビス［ピリジニル−ｋＮ−フェニル−ｋＣ］（２，４−ペンタジオナト−ｋＯ，ｋＯ’）イリジウム、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）、スチリルアミン、ペルリン、ベンゼン環を有するシロール誘導体、フェナンスレン基を有するペリノン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ペリレン誘導体又はアゾメチン亜鉛錯体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。
【００１９】
また発光層１３は、青色の光を発する場合、例えば、ＣＢＰ又はＳＤＰＶＢｉ等のホスト材料、あるいはこれらのホスト材料にテトラ（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナト）ホウ素リチウム、スチリルアミン、ペルリン、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジェン、トリフェニルアミン構造とビニル基が結合した化合物、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体又はベンゼン環を有するシロール誘導体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。なお、発光層１３の厚みは、例えば２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定されている。
【００２０】
第２電極層１２は、発光層１３上から第２絶縁層１１上にかけて形成される。さらに、第２電極層１２は、表示領域Ｄ１を被覆するように形成されており、隣接する画素同士にて第２電極層１２は共通電極として機能している。
【００２１】
第２電極層１２は、発光層１３から放出される光が透過することができる材料から構成され、例えばインジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）又は錫酸化膜等の光透過性を有する導電材料を用いて形成される。また、第２電極層１２は、例えばマグネシウム、銀、アルミニウム又はカルシウム等の材料、あるいはこれらの合金等を用いることができ、その厚みを３０ｎｍ以下にすることによって、光透過性の電極とすることができる。その結果、発光層１３から放出された光が、第２電極層１２を透過して外部に出射される。
【００２２】
第２絶縁層１１の上にはリブ１４が形成されている。このリブ１４は発光層１３の最大高さ位置よりも頂部１４ａの高さ位置が上方に位置して設けられている。なお、頂部１４ａとは、素子基板２に対して垂直な方向（Ｚ方向）においてリブ１４の一部が素子基板２側から封止基板１７に向けて最も高くなる箇所である。リブ１４の頂部１４ａの高さ位置が、発光領域Ｌの高さ位置よりも上方に位置することにより、蒸着マスクをリブ１４上に載置することができ、発光領域Ｌの色を塗り分けることができる。リブ１４は、蒸着法を用いて発光層１３を形成する際に、蒸着マスクを支持する台としての機能を有している。なお、リブ１４は、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素又は酸化窒化ケイ素等の無機絶縁材料、あるいはフェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料から成る。
【００２３】
有機ＥＬ素子６を被覆するように、表示領域Ｄ１上には保護層１５が形成されている。保護層１５は、有機ＥＬ素子６を封止し、有機ＥＬ素子６を水分又は外気から保護するものであって、光透過性の機能を有し、例えば窒化珪素、酸化珪素又は窒化炭化珪素等の無機材料から成る。なお、保護層１５の厚みは、例えば１００ｎｍ以上５μｍ以下に設定されている。
【００２４】
素子基板２の表示領域Ｄ１には、表示領域Ｄ１を被覆するようにシール材１６が形成されており、素子基板２と封止基板１７とシール材１６によって各画素３を密封している。各画素３を密封することによって、各画素３に酸素又は水分が浸入するのを低減し、各画素３が劣化するのを抑制することができる。また、シール材１６は、接着材としての機能を有し、硬化することによって素子基板２と封止基板１７とを固着することができる。かかるシール材１６は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂又はシリコーン樹脂等の光硬化性樹脂、あるいは熱硬化性の樹脂を用いることができる。なお、本実施形態においては、紫外線の照射により硬化する光硬化性のエポキシ樹脂を用いる。
【００２５】
素子基板２上には、素子基板２に対して対向するように配置された封止基板１７が形成されている。封止基板１７は透明の基板から成り、例えばガラス又はプラスチックを用いることができる。なお、本実施形態においては、素子基板２側から封止基板１７側に向けて光が発せられるトップエミッション型の有機ＥＬディスプレイであるため、封止基板１７は透明の部材が用いられる。
【００２６】
＜画像表示装置の製造方法＞
以下に、画像表示装置１の製造方法について説明する。まず、回路層７、第１絶縁層８および平坦化膜９を上面に積層した素子基板２を準備する。なお、回路層７および絶縁層８は、従来周知のＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタリング法等の薄膜形成技術、エッチング法やフォトリソグラフィー法等の薄膜加工技術を用いて、所定パターンに形成される。また、平坦化膜９は、例えば従来周知のスピンコート法を用いて、第１絶縁層８上に形成する。
【００２７】
次に、平坦化膜９上に露光マスクを用いて平坦化膜９を露光し、さらに現像、ベーキング処理を行い、回路層７の一部を露出させて、上部よりも下部が幅狭なコンタクトホールＳを有する平坦化膜９を形成する。さらに、コンタクトホールＳを形成した平坦化膜９上に、例えばアルミニウムから成る金属膜を形成する。そして、金属膜をパターニングして、第１電極層１０を形成する。
【００２８】
次に、例えばスピンコート法を用いて、第１電極層１０および一部露出した平坦化膜９上に、例えばアクリル樹脂から成る有機絶縁材料層を形成する。そして、有機絶縁材料層に対してフォトリソグラフィー法を用いて、有機絶縁材料層をパターニングして、第２絶縁層１１を形成する。なお、第２絶縁層１１は、発光領域Ｌを取り囲むように形成され、第１電極層１０の上面の一部を露出している。
【００２９】
次に、第２絶縁層１１上に、従来周知のフォトリソグラフィー法を用いて、リブ１４を形成する。かかるリブ１４は、蒸着マスクを基板に対向させた際に、素子基板２と蒸着マスクが接触し、素子基板２を損傷しないように設けられている。
【００３０】
次に、リブ１４上に蒸着マスクの桟を接触させて、蒸着法にて後述する態様で発光層１３を順次形成する。この際、１枚の蒸着マスクを素子基板２に対して所定方向へ相対的に移動させて、非発光領域が画素を構成する発光層とこの画素に隣合う画素を構成する発光層とが重なって形成されるようにする。このようにして、１枚の蒸着マスクを用いた簡便な蒸着法により発光層１３を形成できる。
【００３１】
次に、例えば従来周知の蒸着法を用いて、表示領域Ｄ１を被覆するように、発光層１３上に、例えばマグネシウム３３質量％と銀６７質量％との混合物から成る厚さ１５ｎｍの第２電極層１２を形成する。第２電極層１２は、隣接する画素同士で共通しており、共通電極として機能する。第２電極層１２を共通電極とすることで、微細な空孔を備えた蒸着マスクを用いずに第２電極層１２を形成することができるので、製造工程を単純化することができる。このようにして、有機ＥＬ素子６を形成することができる。
【００３２】
次に、例えば化学気相成長法（熱ＣＶＤ法）を用いて、表示領域Ｄ１全面に、有機ＥＬ素子６が劣化しないように、窒化ケイ素から成る厚さ１．５μｍの保護層１５を形成する。
【００３３】
次に、有機ＥＬ素子６が形成された素子基板２に対して、封止基板１７を対向配置し、両者をシール材１６を介して接着する。具体的には、封止基板１７に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて予めシール材１６を被着させておく。そして、素子基板２に対してシール材１６を介して封止基板１７を固着させる。なお、封止基板１７をシール材１６によって、素子基板２に固定する作業は、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中や、高真空中で行うことによって、素子基板２と封止基板１７との間に酸素や水分が含まれるのを抑制することができる。
【００３４】
そして、非表示領域Ｄ２に駆動ＩＣ４を実装することで、有機ＥＬディスプレイの画像表示装置を作製することができる。
【００３５】
＜発光層の形成＞
以下に、画質等を向上させるために最適な発光面にすることが可能な発光層の構造およびその方法について具体的に説明する。図３に示すように、例えばストライプ配列の画素配置は、赤色の発光層の発光領域（以下、Ｒという）、緑色の発光層の発光領域（以下、Ｇという）、青色の発光層の発光領域（以下、Ｂという）を備えた３画素で１絵素を構成する。絵素ピッチがａの場合、画素寸法は横ａ／３、縦ａの長方形となる。
【００３６】
ここで、Ｒ，Ｇ，Ｂを同一の蒸着マスクで蒸着するためには、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素は同一の蒸着形状および蒸着寸法でなければならない。図４に示すように、使用する蒸着マスク２０は、斜線部で示す開口部２１の寸法は横ｘ、縦ｙである。ここで、ｙは蒸着精度ではなく、蒸着マスク２０の強度および画素のコンタクト位置で決定される。
【００３７】
図５に示すように、蒸着マスク２０の開口部２１の端部からはみ出して蒸着される部分の幅をｄ１、蒸着マスクの開口部２１内で均質な膜厚が得られる領域の端から開口部２１の端までの距離をｄ２とすると、非発光領域の幅ｄは、ｄ＝ｄ１＋ｄ２と表される。よって、最適な発光領域の幅ｗは、絵素幅ａを用いて、ｗ＝（ａ／３）−ｄと表される。蒸着マスク２０の開口部２１の幅ｘは、ｘ＝ｗ＋２ｄ２と表される。基板上の正しく蒸着されない領域には、第２絶縁層１１を形成して導通を防ぐ。この第２絶縁層１１は発光領域Ｌの形状および寸法を定める。
【００３８】
発光層を有する有機ＥＬ素子は電流密度と輝度が比例し、また電流密度が高いと劣化が速いことが知られている。一定の輝度劣化率に達する時間を寿命と定義すると、一般に有機ＥＬ素子の寿命は電流密度のｎ乗に反比例し、１＜ｎ＜２である。画素の輝度は発光層の輝度に、絵素面積に対する開口面積の比とデューティー（１フレームにおける発光時間の比）とを乗じたものである。例えば発光層の輝度が１０００ｃｄ／ｍ２、開口率が２１．３％、デューティーが３０％ならば、視認される輝度は２１．３ｃｄ／ｍ２である。ここで、開口率が例えば２７．０％に上がれば、同じ視認輝度を得るのに、発光層の輝度は７９０ｃｄ／ｍ２で良くなるので、有機ＥＬ素子の寿命が伸びる。
【００３９】
図６に示すように、絵素寸法ａを２１９μｍ、蒸着のはみ出し幅ｄ１を１２μｍ、膜厚不均一部の幅ｄ２を１５μｍとする。発光領域の幅ｗをＲ，Ｇ，Ｂともにｗ＝（ａ／３）−ｄ＝４６μｍ、蒸着マスク開口部の幅ｘをｘ＝ｗ＋２ｄ２＝７６μｍとすると、発光領域面積が最も大きくなる。
【００４０】
発光層１３の寿命は各色で異なるのが普通であるため、寿命の短い色は発光領域を大きくして、電流密度を下げるのがよいが、１枚の蒸着マスクで３色を蒸着する手法では、各色を同じ発光領域面積にしていた。複数の蒸着マスクを用いて色に応じて発光領域面積を変えることが可能であるが、この場合、作業工程等が複雑になる。そこで、上述したように１枚の蒸着マスクで異なる面積の発光領域を形成することにより、これらの課題が解消できる。
【００４１】
図６に示すように、同じ発光面積の場合、Ｒ，Ｇに比べてＢの寿命が０．２８６７倍だとする。つまりＲ，Ｇが１００００時間で２０％輝度低下する場合、Ｂは２８６７時間で２０％輝度低下するということである。同じく絵素寸法ａを２１９μｍ、蒸着のはみ出し幅ｄ１を１２μｍ、膜厚不均一部の幅ｄ２を１５μｍとする。通常ならば、発光領域の幅ｗは４６μｍであるが、これではＢの寿命によりパネル寿命が決定される。
【００４２】
蒸着マスクの開口幅を変えて、Ｂの発光領域幅を１μｍずつ大きくし、その分ＲとＧの一部を重畳して蒸着した場合の発光層の寿命（Ｒ，Ｇ，Ｂのうちの最短寿命）の関係を図７に示す。
【００４３】
図７において、グラフ中の縦実線は開口幅が７６μｍの場合を示す。この場合の寿命を１とする。これより蒸着マスク開口幅が小さい場合、Ｒ，Ｇ，Ｂ画素の発光領域幅は単純に蒸着マスク開口幅から３０μｍ（２ｄ２）を減じた値となる。したがって、開口幅が３０μｍにおいて寿命は０となる。この時、Ｂの寿命がパネル寿命である。蒸着マスク開口幅が７６μｍを超えると、ＲとＧは、重畳して蒸着されるため発光領域幅が小さくなっていく。
【００４４】
すなわち、蒸着マウスの開口幅を１μｍ大きくするごとに、Ｂの発光領域幅が１μｍ大きくなり、Ｒ，Ｇの発光領域幅が２μｍ小さくなり、Ｒ−Ｇ発光部間の距離が３μｍ大きくなり、Ｒ，Ｇの寿命は短くなっていく。しかし、依然としてＢの寿命の方が短いため、Ｂの発光領域幅を大きくすることでＢの寿命が伸び、結局、パネル寿命が長くなる。そして寿命が最大になるのは、開口幅が８６μｍの場合であり、Ｂの発光領域幅は５６μｍ、ＲとＧの発光領域幅は２６μｍ、Ｂ−Ｒ発光部間およびＢ−Ｇ発光部間の距離は２７μｍ、Ｒ−Ｇ発光部間の距離は５７μｍである。この場合、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光領域の面積比は寿命の１．５乗根に反比例してほぼ１：１：１／（０．２８６７１／１．５）になっており、Ｒ，Ｇ，Ｂの寿命はほぼ等しくなる。これを超えると、Ｒ，Ｇの寿命の方がＢの寿命より短くなる。計算上、蒸着マスク幅が９９μｍになると、Ｒ，Ｇの発光領域幅が０μｍになる。パネル寿命が最大になる場合の設計例を図８に示す。
【００４５】
ある色の発光領域幅をｕ大きくし（ここでは１０μｍ）、他の二色の発光領域幅を２ｕ小さくし（ここでは２０μｍ）、この二色間の非発光領域幅を３ｕ大きくする（ここでは３０μｍ）。これにより、最適な発光領域面積を得ることができ、寿命を最適化できる。
【００４６】
以下に、一般式を示す。発光領域が等面積の時の三色の寿命を、短い順にｔ１，ｔ２，ｔ３とする。絵素ピッチをａ、蒸着マスクの開口部端からはみ出して蒸着される部分の幅をｄ１、蒸着マスクの開口部内で均質な膜厚が得られる領域の端から開口部端までの距離をｄ２、ｄ＝ｄ１＋ｄ２とし、有機ＥＬ素子の寿命は、電流密度のｎ乗に反比例する、すなわち発光領域面積のｎ乗に比例する、とする。通常の設計では、発光領域幅は（ａ／３）−ｄとなる。寿命が最短の色の発光領域幅をｕ大きくすると、寿命比はそれぞれ
ｔ１（（ａ／３）−ｄ＋ｕ）ｎ  、
ｔ２（（ａ／３）−ｄ−２ｕ）ｎ  、
ｔ３（（ａ／３）−ｄ−２ｕ）ｎ  、
となる。パネル寿命を決めるのは上記二つの式うち小さいほうであり、パネル寿命が最大となるのはその二つの式の値が等しいときであるから、
ｔ１（（ａ／３）−ｄ＋ｕ）ｎ＝ｔ２（（ａ／３）−ｄ−２ｕ）ｎ
⇔ｔ１１／ｎ（（ａ／３）−ｄ＋ｕ）＝ｔ２１／ｎ（（ａ／３）−ｄ−２ｕ）
⇔（２ｔ２１／ｎ＋ｔ１１／ｎ）ｕ＝（ｔ２１／ｎ−ｔ１１／ｎ）（（ａ／３）−ｄ）
⇔ｕ＝｛（ｔ２１／ｎ−ｔ１１／ｎ）／（２ｔ２１／ｎ＋ｔ１１／ｎ）｝（（ａ／３）−ｄ）  、
となるｕを求めれば良い。なお、図７の条件において、上記式からｕを求めると、ｕ＝１０．６８μｍとなる。
【００４７】
この場合の発光層の平面配置図は、絵素内のＲ，Ｇ，Ｂという画素配置を、例えば図９に示すようにＧ（第１色），Ｂ（第２色），Ｒ（第３色）、あるいは図１０に示すようにＲ（第１色），Ｂ（第２色），Ｇ（第３色）のようにする。そして、第２色（図９，１０の場合Ｂ）の画素の発光領域が他の二色（Ｇ，Ｒ）の画素のそれぞれの発光領域より大きく、かつ、一色（Ｂ）の画素と、これと隣り合う他の二色（Ｇ，Ｒ）の画素のそれぞれとの間に形成された非発光領域Ｅ１，Ｅ２が、隣り合う他の二色（Ｇ，Ｒ）の画素間に形成された非発光領域Ｅ３より小さい。
【００４８】
つまり図９においては、第２色の画素の発光領域Ｂが、第１色の画素の発光領域Ｇおよび第３色の画素の発光領域Ｒのそれぞれより大きい面積を有し、かつ、第１色の画素とこれに隣合う第２色の画素との間の第１非発光領域Ｅ１、および第２色の画素とこれに隣合う第３色の画素との間に形成された第２非発光領域Ｅ２が、前記第１色の画素とこれに隣合う前記第２色以外の画素との間に形成された非発光領域（第３色の画素とこれに隣り合う第１色の画素との間に形成された第３非発光領域Ｅ３）より小さい面積である。
【００４９】
同様に、図１０においても、第２色の画素の発光領域Ｂが、第１色の画素の発光領域Ｒおよび第３色の画素の発光領域Ｇのそれぞれより大きい面積を有し、かつ、第１色の画素とこれに隣合う第２色の画素との間の第１非発光領域Ｅ１、および第２色の画素とこれに隣合う第３色の画素との間に形成された第２非発光領域Ｅ２が、第３色の画素とこれに隣り合う第１色の画素との間に形成された第３非発光領域Ｅ３より小さい面積である。
【００５０】
これらの態様により、絵素と絵素の境界を大きくすることができ、絵素が三色の画素に分かれて見えることが減るので、画質を向上させることができる。
【００５１】
以上により、本実施形態の画像表示装置によれば、既存のトランジスタ基板および蒸着装置を用いて簡便に最適な発光領域面積が得られる。これにより、画質を向上させることができる上にパネル寿命を延ばすことができる。
【００５２】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上述した実施形態においては、トップエミッションの有機ＥＬ素子について説明したが、本発明の作用効果を奏するのであれば、ボトムエミッションの有機ＥＬ素子であっても構わない。また、絵素を構成する画素の色数においても三色より多くてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１：画像表示装置
２：素子基板
３：絵素
４：駆動ＩＣ
５：画素
６：有機ＥＬ素子
７：回路層
８：第１絶縁層
９：平坦化膜
１０：第１電極層
１１：第２絶縁層
１２：第２電極層
１３：発光層
１４：リブ
１５：保護層
１６：シール材
１７：封止基板
２０：蒸着マスク
２１：開口部
Ｄ１：表示領域
Ｄ２：非表示領域
Ｌ：発光領域
Ｓ：コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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