(57)【要約】【課題】イメージセンサを有する半導体素子が主走査方向に並べられて保持体に実装される場合に、副走査方向における半導体素子間の実装のずれを測定する。【解決手段】半導体素子であるセンサチップ２３１は、光電変換素子である画素部が副走査方向に沿って複数並べて配置された画素群２３２を有する。このセンサチップ２３１が、保持体に主走査方向に沿って複数並べて実装され、光源部等と共にラインセンサ部を構成する。ここで基準となる測定用の画像と、ラインセンサ部が読み取った測定用の画像とを比較し、センサチップ２３１の実装における位置ずれ量を測定する。そして、制御部は、通常の画像を読み取る画像読取処理においては、測定された位置ずれ量により選択された代表画素部に係る電気信号から、各画素群２３２を最低単位のドットとして表す画像を示す画像情報を生成する。【選択図】図７
2011010003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子である画素部が少なくとも第１の方向に沿って複数設けられた画素群を有する半導体素子と、
前記半導体素子が前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って複数並べられて配置された保持体と、
被読取体から前記画素部に到達する光が当該画素部において光電変換されることにより生成される信号を取得することにより、前記被読取体に示される画像を読み取る読取手段と、
基準被読取体に示される画像であって、前記読取手段が当該基準被読取体を読み取った場合に、前記各半導体素子において、前記画素群の一部の前記画素部で生成される信号が、当該一部以外の前記画素部で生成される信号と異なるものとなるように決められた画像を示す基準画像情報を記憶する記憶手段と、
前記読取手段によって前記画素群の一部の前記画素部で生成される信号が、当該一部以外の前記画素部で生成される信号と異なるものとなるように前記基準被読取体から読み取った画像と、前記記憶手段に記憶された基準画像情報が示す画像とを比較し、前記保持体に並べられた半導体素子間の前記第１の方向についてのずれ量を測定する測定手段と
を具備することを特徴とする位置ずれ検出装置。
【請求項２】
前記半導体素子は、複数の前記画素群が前記第２の方向に沿って並べられ、
前記測定手段は、さらに前記保持体に並べられた半導体素子の各々について、前記第２の方向に対する傾きの大きさを示すずれ量を測定する
ことを特徴とする請求項１に記載の位置ずれ検出装置。
【請求項３】
前記画素群が有する画素部は、さらに前記第２の方向に沿って複数設けられることにより、マトリクス状に配置され、
前記測定手段は、さらに前記保持体に並べられた半導体素子の各々について、前記第２の方向に対する傾きの大きさを示すずれ量を測定する
ことを特徴とする請求項１に記載の位置ずれ検出装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の位置ずれ検出装置と、
前記測定手段によって測定されたずれ量に応じて、前記保持体に並べられた半導体素子の各々について、前記画素群から１以上の画素部を選択し、選択した画素部を当該画素群の代表画素部として設定する設定手段と、
前記被読取体が前記保持体に対して前記第２の方向とは異なる方向に相対的に移動するように、当該被読取体と前記保持体との位置関係を相対的に移動させて前記読取手段によって取得される信号のうち、前記代表画素部に係る信号に応じた読取信号を取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得された読取信号を用いて、前記読取手段によって読み取られる被読取体に示される画像であって当該画像の最低単位のドットを前記画素群単位で表す画像を示す画像情報を生成する画像情報生成手段と
を具備することを特徴とする画像読取装置。
【請求項５】
光電変換素子である画素部が少なくとも第１の方向に沿って複数設けられた画素群を有する半導体素子と、
前記半導体素子が前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って複数並べられた保持体と、
前記保持体に並べられた半導体素子間の前記第１の方向についてのずれ量に応じて、前記保持体に並べられた半導体素子の各々について前記画素群から選択された１以上の画素部を代表画素部として設定する設定手段と、
被読取体から前記画素部に到達する光が当該画素部において光電変換されることにより生成される信号を取得することにより、前記被読取体に示される画像を読み取る読取手段と、
前記被読取体が前記保持体に対して前記第２の方向とは異なる方向に相対的に移動するように、当該被読取体と前記保持体との位置関係を相対的に移動させて前記読取手段によって取得される信号のうち、前記代表画素部に係る信号に応じた読取信号を取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得された読取信号を用いて、前記読取手段によって読み取られる被読取体に示される画像であって当該画像の最低単位のドットを前記画素群単位で表す画像を示す画像情報を生成する画像情報生成手段と
を具備することを特徴とする画像読取装置。
【請求項６】
前記半導体素子は、複数の前記画素群が前記第２の方向に沿って並べられ、
前記設定手段は、さらに前記保持体に並べられた半導体素子の各々についての前記第２の方向に対する傾きの大きさを示すずれ量に応じて、前記保持体に並べられた半導体素子の各々について前記画素群から選択された１以上の画素部を当該画素群毎に代表画素部として設定する
ことを特徴とする請求項５に記載の画像読取装置。
【請求項７】
前記画素群が有する画素部は、さらに前記第２の方向に沿って複数設けられることにより、マトリクス状に配置され、
前記設定手段は、さらに前記保持体に並べられた半導体素子の各々についての前記第２の方向に対する傾きの大きさを示すずれ量に応じて、前記保持体に並べられた半導体素子の各々について前記画素群から選択された１以上の画素部を代表画素部として設定する
ことを特徴とする請求項５に記載の画像読取装置。
【請求項８】
前記取得手段は、前記画素群の各々の前記代表画素部に係る信号に対して、前記画素群における前記代表画素部の占有割合に応じて決められた増幅率で増幅した信号を読取信号として取得する
ことを特徴とする請求項４乃至請求項７のいずれかに記載の画像読取装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位置ずれ検出装置および画像読取装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
密着型イメージセンサを用いた画像読取装置において、密着型イメージセンサを構成するセンサチップの実装の精度を向上させる技術が知られている。特許文献１では、隣り合うラインセンサチップ同士の間隔を削減するため、ブレードの位置と角度を変えて２回切り込みを入れる技術が提案されている。特許文献２では、高さと端面の形状を変えた２種類のラインセンサチップを形成することで、互い違いに並べてラインセンサチップ間の間隔を狭くする技術が提案されている。
【０００３】
一方、ラインセンサチップの実装のずれを他の方法で補完する技術も提案されている。特許文献３では、ラインセンサチップ間の間隔を狭くする代わりに、２列のラインセンサチップを主走査方向に少しずらして実装し、ラインセンサチップ間の隙間の領域の画像読み取りを補完する技術が提案されている。特許文献４では、斜線パターンの読み取りから画素部の位置ずれ量を検知して、位置誤差データをもとに画像を補正する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２７４００６号公報
【特許文献２】特開平１１−３３１４９２号公報
【特許文献３】特開２０００−２０９３９２号公報
【特許文献４】特開平１０−１２６５８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、イメージセンサを有する半導体素子が並べられて保持体に実装される場合に、この半導体素子の並ぶ方向と異なる方向における半導体素子間の実装のずれを測定することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１に係る位置ずれ検出装置は、光電変換素子である画素部が少なくとも第１の方向に沿って複数設けられた画素群を有する半導体素子と、前記半導体素子が前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って複数並べられて配置された保持体と、被読取体から前記画素部に到達する光が当該画素部において光電変換されることにより生成される信号を取得することにより、前記被読取体に示される画像を読み取る読取手段と、基準被読取体に示される画像であって、前記読取手段が当該基準被読取体を読み取った場合に、前記各半導体素子において、前記画素群の一部の前記画素部で生成される信号が、当該一部以外の前記画素部で生成される信号と異なるものとなるように決められた画像を示す基準画像情報を記憶する記憶手段と、前記読取手段が、前記各半導体素子において、前記画素群の一部の前記画素部と当該一部以外の前記画素部とで異なる信号を取得することにより前記基準被読取体から読み取った画像と、前記記憶手段に記憶された基準画像情報が示す画像とを比較し、前記保持体に並べられた半導体素子間の前記第１の方向についてのずれ量を測定する測定手段とを具備することを特徴とする。
【０００７】
本発明の請求項２に係る位置ずれ検出装置は、請求項１に係る構成において、前記半導体素子は、複数の前記画素群が前記第２の方向に沿って並べられ、前記測定手段は、さらに、前記保持体に並べられた半導体素子の各々について、前記第２の方向に対する傾きの大きさを示すずれ量を測定することを特徴とする。
【０００８】
本発明の請求項３に係る位置ずれ検出装置は、請求項１に係る構成において、前記画素群が有する画素部は、さらに前記第２の方向に沿って複数設けられることにより、マトリクス状に配置され、前記測定手段は、さらに、前記保持体に並べられた半導体素子の各々について、前記第２の方向に対する傾きの大きさを示すずれ量を測定することを特徴とする。
【０００９】
本発明の請求項４に係る画像読取装置は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の位置ずれ検出装置と、前記測定手段によって測定されたずれ量に応じて、前記保持体に並べられた半導体素子の各々について、前記画素群から１以上の画素部を選択し、選択した画素部を当該画素群の代表画素部として設定する設定手段と、前記被読取体が前記保持体に対して前記第２の方向とは異なる方向に相対的に移動するように、当該被読取体と前記保持体との位置関係を相対的に移動させて前記読取手段によって取得される信号のうち、前記代表画素部に係る信号に応じた読取信号を取得する取得手段と、前記取得手段によって取得された読取信号を用いて、前記読取手段によって読み取られる被読取体に示される画像であって当該画像の最低単位のドットを前記画素群単位で表す画像を示す画像情報を生成する画像情報生成手段とを具備することを特徴とする。
【００１０】
本発明の請求項５に係る画像読取装置は、光電変換素子である画素部が少なくとも第１の方向に沿って複数設けられた画素群を有する半導体素子と、前記半導体素子が前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って複数並べられた保持体と、前記保持体に並べられた半導体素子間の前記第１の方向についてのずれ量に応じて、前記保持体に並べられた半導体素子の各々について前記画素群から選択された１以上の画素部を代表画素部として設定する設定手段と、被読取体から前記画素部に到達する光が当該画素部において光電変換されることにより生成される信号を取得することにより、前記被読取体に示される画像を読み取る読取手段と、前記被読取体が前記保持体に対して前記第２の方向とは異なる方向に相対的に移動するように、当該被読取体と前記保持体との位置関係を相対的に移動させて前記読取手段によって取得される信号のうち、前記代表画素部に係る信号に応じた読取信号を取得する取得手段と、前記取得手段によって取得された読取信号を用いて、前記読取手段によって読み取られる被読取体に示される画像であって当該画像の最低単位のドットを前記画素群単位で表す画像を示す画像情報を生成する画像情報生成手段とを具備することを特徴とする。
【００１１】
本発明の請求項６に係る画像読取装置は、請求項５に係る構成において、前記半導体素子は、複数の前記画素群が前記第２の方向に沿って並べられ、前記設定手段は、さらに前記保持体に並べられた半導体素子の各々についての前記第２の方向に対する傾きの大きさを示すずれ量に応じて、前記保持体に並べられた半導体素子の各々について前記画素群から選択された１以上の画素部を当該画素群毎に代表画素部として設定することを特徴とする。
【００１２】
本発明の請求項７に係る画像読取装置は、請求項５に係る構成において、前記画素群が有する画素部は、さらに前記第２の方向に沿って複数設けられることにより、マトリクス状に配置され、前記設定手段は、さらに前記保持体に並べられた半導体素子の各々についての前記第２の方向に対する傾きの大きさを示すずれ量に応じて、前記保持体に並べられた半導体素子の各々について前記画素群から選択された１以上の画素部を代表画素部として設定することを特徴とする。
【００１３】
本発明の請求項８に係る画像読取装置は、請求項４乃至請求項７のいずれかに係る構成において、前記取得手段は、前記画素群の各々の前記代表画素部に係る信号に対して、前記画素群における前記代表画素部の占有割合に応じて決められた増幅率で増幅した信号を読取信号として取得することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に係る位置ずれ検出装置によれば、半導体素子の並ぶ方向と異なる方向への半導体素子の実装の位置ずれ量を測定することができる。
請求項２に係る位置ずれ検出装置によれば、半導体素子の並ぶ方向に対する傾きの大きさを示す半導体素子の実装の位置ずれ量を測定することができる。
請求項３に係る位置ずれ検出装置によれば、半導体素子の並ぶ方向に対する傾きの大きさを示す半導体素子の実装の位置ずれ量を測定することができる。
請求項４に係る画像読取装置によれば、半導体素子の並ぶ方向と異なる方向への半導体素子の実装の位置ずれ量に応じて補正された画像情報を生成することができる。
請求項５に係る画像読取装置によれば、半導体素子の並ぶ方向と異なる方向への半導体素子の実装の位置ずれ量に応じて補正された画像情報を生成することができる。
請求項６に係る画像読取装置によれば、半導体素子の並ぶ方向に対する傾きの大きさを示す半導体素子の実装の位置ずれ量に応じて補正された画像情報を生成することができる。
請求項７に係る画像読取装置によれば、半導体素子の並ぶ方向に対する傾きの大きさを示す半導体素子の実装の位置ずれ量に応じて補正された画像情報を生成することができる。
請求項８に係る画像読取装置によれば、半導体素子の実装の位置ずれ量に応じた補正を行う場合と行わない場合とにおいて、半導体素子から出力される電気信号の出力レベルの差を少なくすることできる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態における画像読取装置の構成を示すブロック図である。
【図２】実施形態におけるセンサ部の構成を説明する図である。
【図３】実施形態における画素群の構成を説明する図である。
【図４】実施形態における信号読出部の構成についての説明図である。
【図５】実施形態における位置ずれ量測定動作のフローチャート図である。
【図６】実施形態における測定用の画像とこの画像を読み取った画像情報についての説明図である。
【図７】実施形態における指定された有効エリアの一例を示す模式図である。
【図８】実施形態における通常の画像読取動作のフローチャート図である。
【図９】変形例４におけるセンサ部の模式図である。
【図１０】変形例５におけるセンサ部の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１７】
＜実施形態＞
[構成]
【００１８】
図１は、本実施形態に係る密着型イメージセンサを用いた画像読取装置１０の構成を示すブロック図である。ラインセンサ部２０は、上述の光源部２１及び結像部２２、センサ部２３、信号読出部２４、保持体２５およびアンプ部２６を有し、各部が機能することで画像読み取りを行う装置である。光源部２１は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の光源を有し、図示しない原稿台に設置される被読取体である原稿に光を照射する。結像部２２は、レンズ等の光学部品を有し、原稿に反射された反射光をセンサ部２３に結像させる。センサ部２３は、フォトダイオード等の光電変換素子（以後、画素部と言う）を複数有し、原稿からの反射光が到達すると、光電変換により電荷を蓄積する。
【００１９】
図２は、センサ部２３の構成を説明する図である。センサ部２３は、保持体２５に並べて実装される半導体素子であるセンサチップ２３１−１、２３１−２、・・・２３１−Ｎ（以下、それぞれを区別しない場合には、センサチップ２３１という）を有する。矢印ＤＲ２が示すこのセンサチップ２３１が並べられている方向を主走査方向（第２の方向）と言う。
【００２０】
センサチップ２３１には、画素群２３２−１、２３２−２、・・・、２３２−ｎ（以下、それぞれを区別しない場合には、画素群２３２という）が主走査方向に並ぶように設けられている。各画素群２３２は、少なくとも矢印ＤＲ１が示す副走査方向（第１の方向）に沿って並べて配置（この例においては、副走査方向および主走査方向に沿って並べられたマトリクス状に配置）された複数の画素部を有する。ここで、主走査方向と副走査方向は異なる方向であり、この例においては、９０度異なる方向である。
【００２１】
図３は、画素群２３２の構成を説明する図である。密着型イメージセンサの画素部は、一般に一辺が４２μｍ程度の大きさの正方形を単位として形成される。しかし本実施形態では、画素群２３２については一辺が４２μｍの正方形を単位とし、画素群２３２を構成する各画素部２３２０（１，１）、２３２０（１，２）、・・・２３２０（２１，２１）（以下、それぞれを区別しない場合には、画素部２３２０という）は一辺が２μｍの正方形を単位とする。すなわち、画素群２３２には、複数の画素部２３２０が主走査方向に２１個、副走査方向に２１個並べられている。ここで、副走査方向に並んだ複数の画素部２３２０（例えば、２３２０（１，１）、２３２０（１，２）、・・・２３２０（１，２１））の組については、以下、画素列という。
【００２２】
図１に戻って説明を続ける。信号読出部２４は、センサ部２３の各画素部２３２０に接続する回路、シフトレジスタなどの回路を有し、各画素部２３２０とアンプ部２６を順次接続して、各画素部２３２０に蓄積された電荷を電気信号に変換して読み出し、アンプ部２６に出力する。アンプ部２６は、増幅回路を有し、信号読出部２４が読み出した電気信号を受け取り、増幅する。信号読出部２４の具体的な構成について、図４を用いて説明する。
【００２３】
図４は、信号読出部２４の構成についての説明図である。信号読出部２４は、各画素部２３２０に接続されたトランジスタなどにより構成されるスイッチＳＷと、副走査方向に沿って並んだ各画素部２３２０に接続されたスイッチＳＷ群を単位として接続されるシフトレジスタとを有する。制御部５０による各スイッチＳＷとシフトレジスタとの制御により、画素部２３２０の各々とアンプ部２６とを順次接続することで、画素部２３２０の各々に蓄積された電荷が順に電気信号として取り出されて、アンプ部２６に出力される。このようにして、保持体２５に並べられたセンサチップ２３１に設けられた全ての画素部２３２０からの電気信号がアンプ部２６において増幅される。
【００２４】
ここで、各画素部２３２０からの電気信号の読み出しは、例えばセンサ部２３の端部にある画素列から、もう一方の端部にある画素列に向かって、すなわち主走査方向に順番に行われる。
【００２５】
再び図１に戻って説明を続ける。読取位置移動部３０は、モーター等によって、ラインセンサ部２０を副走査方向に移動させる。これは、原稿に光を照射するときに行われ、原稿全体からの反射光を得るように、ラインセンサ部２０が原稿に対して相対的に移動するようになっている。なお、相対的に副走査方向の移動になっていればよいから、原稿を移動させるものであってもよいし、ラインセンサ部２０と原稿とを移動させるものであってもよい。
【００２６】
記憶部４０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ハードディスク、半導体メモリ等の記憶装置を備え、画像を示す画像情報などの各種情報を記憶する。画像情報には、制御部５０によって生成される画像情報、ずれ量の測定用の基準となる原稿（以下、基準原稿という）の画像を示す基準画像情報などがある。また、各種情報には、後述する画像読取処理における動作条件を示す各設定を示す設定情報が含まれる。
【００２７】
制御部５０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算装置やＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリなどの記憶手段を備え、上述した各部の動作、および以下に説明する位置ずれ量測定処理、画像読取処理などにおける動作を制御する。ＲＡＭは、後述する画像情報を生成するときの補正処理等が行われるワークエリアとなる。操作部６０は、タッチパネルまたはボタン等のインターフェースを持ち、画像読取装置１０の動作方式の選択や設定の入力等を受け付ける。
【００２８】
光源部２１が被読取体である原稿に光を照射し、この反射光を結像部２２がセンサ部２３に結像させ、反射光を受けたセンサ部２３の各画素部２３２０が光電変換をして生成した電荷を信号読出部２４が電気信号として読み出し、この電気信号をアンプ部２６が増幅して制御部５０に伝達する一連の動作を主走査と言う。
【００２９】
また、読取位置移動部３０がラインセンサ部２０を副走査方向に移動させる動作を副走査と言う。上述した主走査と副走査を繰り返して、ラインセンサ部２０は、原稿に示される画像を読み取り、読み取った画像に応じた読取信号を出力する。
【００３０】
[動作]
図５は、本実施形態に係る位置ずれ量測定処理の動作を表すフローチャートである。位置ずれ量測定処理とは、保持体２５に並べられたセンサチップ２３１間における主操作方向に沿った方向からの副走査方向へのずれ量を測定し、そのずれ量に応じて通常用いられる原稿の読み取り（画像読取処理）において行うべき補正などの各種設定内容を決定する処理である。最初に、操作部６０の操作などによる位置ずれ量測定処理の開始指示により、ラインセンサ部２０が、位置ずれ量の測定用の画像が示された基準原稿を読み取る（ステップＳ２１）。
【００３１】
この測定用の画像は、例えば、センサ部２３の長さに対応する直線である。この直線が主走査方向に沿った方向になるように原稿台に原稿を設置し、ラインセンサ部２０が主走査をして基準原稿に示された画像を読み取ることにより出力される読取信号から、制御部５０は、画像情報を生成する。生成された画像情報は、制御部５０により記憶部４０に記憶される。なお、基準原稿における測定用の画像は、直線でなくてもよいが、この測定用の画像を読み取ったときに、各センサチップ２３１において、各画素群２３２の一部の画素部２３２０からの電気信号が、その他の画素部２３２０からの電気信号とは異なるものとなるように決められた画像であることを要する。例えば、曲線、斜線群などであってもよい。また、画像の境界線が直線、曲線になるようにして、その境界線を含むようにして画像を読み取るようにしてもよい。
【００３２】
このように生成された画像情報が示す画像と、記憶部４０に記憶された基準画像情報が示す測定用の画像とを比較し、副走査方向に対する位置のずれの有無を判断する（ステップＳ２２）。以下、図６を用いて、位置のずれの有無の判断について説明する。
【００３３】
図６は、測定用の画像（直線）と、この直線の画像を読み取ることにより生成された画像情報が示す画像の一例を示す模式図である。この直線は、例えば、センサチップ２３１−１、２３１−２、２３１−３に設けられた画素群２３２により読み取られる範囲を示す。以下の説明においては、全センサチップ２３１のうち、センサチップ２３１−１、２３１−２、２３１−３の部分を抜き出して説明する。
【００３４】
ラインセンサ部２０が図６（ａ）に示す直線の画像を読み取ると、制御部５０は、まず、センサチップ２３１間のずれが無いものとして、読み取った画像を示す画像情報を生成する。この結果、生成された画像情報が示す画像は、図６（ｂ）に示す画像であるものとする。この場合、制御部５０は、基準画像情報が示す画像（直線）と生成した画像情報が示す画像とを比較し、センサチップ２３１−１と２３１−２との位置ずれ量はＧ１であり、センサチップ２３１−２と２３１−３との位置ずれ量はＧ２であると測定する。
【００３５】
制御部５０は、各センサチップ２３１間の位置ずれ量（この例においてはＧ１、Ｇ２）が予め決められたしきい値より小さいと、位置のずれが無いと判断（ステップＳ２２；Ｎｏ）する。なお、基準となるセンサチップ２３１を決めて、その基準に対しての他のセンサチップ２３１の位置ずれ量が全て予め決められたしきい値より小さいときに、位置のずれが無いと判断してもよい。
【００３６】
この場合、画像読取処理において補正が不要であり、制御部５０は、予め決められた初期状態（後述する代表画素部を全ての画素部２３２０とし、補正係数等を予め決められた値とする）の設定（ステップＳ３０）として決定し、この設定を示す設定情報を記憶部４０に記憶して、位置ずれ量測定処理を終了する。
【００３７】
一方、制御部５０は、位置ずれ量が予め決められたしきい値以上であると、位置のずれがあると判断（ステップＳ２２；Ｙｅｓ）する。この場合、画像読取処理において補正が必要であり、以下に説明する位置ずれ設定処理（ステップＳ２３からステップＳ２８）を行う。以下、位置ずれ設定処理の一例を説明する。
【００３８】
図７は、測定された位置ずれ量により推定されるセンサチップ２３１−１、２３１−２、２３１−３が実装されている位置を示す模式図である。まず、制御部５０は、測定した位置ずれ量Ｇ１、Ｇ２から、図７に示す位置関係でセンサチップ２３１−１、２３１−２、２３１−３が保持体２５に実装されていることを推定する。
【００３９】
制御部５０は、推定した各センサチップ２３１の位置を元に、主走査方向に沿った直線である有効エリア境界線Ｖａｌｉｄ１、Ｖａｌｉｄ２を設定する（ステップＳ２３）。有効エリア境界線Ｖａｌｉｄ１、Ｖａｌｉｄ２は、双方に挟まれた範囲の領域（以下、有効エリアＶＡＬＩＤという）において、全てのセンサチップ２３１における画素部２３２０が存在するように設定される。このとき、有効エリア境界線Ｖａｌｉｄ１、Ｖａｌｉｄ２は、有効エリアＶＡＬＩＤに含まれる画素部２３２０の数が最大となるように設定することが望ましい。制御部５０は、このようにして設定された有効エリアＶＡＬＩＤに含まれる画素部２３２０を代表画素部として選択する。
【００４０】
なお、この有効エリアＶＡＬＩＤに含まれる画素部２３２０の選択は、図示しない表示部などに、制御部５０によって推定された各センサチップ２３１の位置関係を表示させ、その表示を確認した作業者が代表画素部を判断し、操作部６０を用いて入力することにより代表画素部を選択してもよい。また、有効エリア境界線Ｖａｌｉｄ１、Ｖａｌｉｄ２と交わる画素部２３２０も、有効エリアＶＡＬＩＤに含まれる画素部２３２０として選択されてもよい。
【００４１】
そして、制御部５０は、選択された画素部２３２０である代表画素部を記憶部４０に記憶されている設定情報に記録して設定する（ステップＳ２４）。
【００４２】
次に、隣接センサチップ２３１間の補間処理について説明する。従来から隣接するセンサチップ２３１の境界は、画素部２３２０の間隔が大きくなるため、この境界側の端部に設けられた画素部２３２０からの電気信号を元に、補間処理を行っている。
【００４３】
そこで、隣接するセンサチップ２３１の境界側端部に設けられた画素列から、上述した有効エリアＶＡＬＩＤに含まれる画素部２３２０を、有効主走査方向エリアＶａｌｉｄＡ、ＶａｌｉｄＢとして選定する（ステップＳ２５）。この有効主走査方向エリアＶａｌｉｄＡ、ＶａｌｉｄＢとして選定された画素部２３２０の位置を示す座標情報は、記憶部４０に記憶される。すなわち、選択された代表画素部のうち、各センサチップ２３１の境界側端部の画素部２３２０が有効主走査方向エリアに対応する。
【００４４】
そして、選定された有効主走査方向エリアＶａｌｉｄＡ、ＶａｌｉｄＢに含まれる画素部２３２０からの電気信号と、それらの画素部２３２０の座標情報とに基づき、補間処理を行う（ステップＳ２６）。この補間処理は、従来から知られる公知の技術により行えばよい。
【００４５】
この補間処理の結果に基づき、有効主走査方向エリアＶａｌｉｄＡ、ＶａｌｉｄＢ間における補正を行う補間係数を、記憶部４０に記憶された設定情報に記録して設定する（ステップＳ２７）。ここでは、センサチップ２３１−１、２３１−２の境界を例にとって説明したが、他の隣接するセンサチップ２３１間の境界においても、補間係数を設定する。
【００４６】
ここで、本実施形態において、後述するように、制御部５０は、画素群２３２を最低単位のドットである１ドットとした解像度の画像を示す画像情報を生成する。そして、代表画素部として選択される画素部２３２０の数は、位置ずれが無い場合、すなわち初期状態として設定されたときに比べて減少する場合がある。そこで、制御部５０は、後述するように画像読取処理において取得される電気信号を増幅する補正を行う場合の係数（以下、出力ゲインという）を設定する。すなわち、各画素群２３２において、全体の画素部２３２０の数（２１×２１個）に対する代表画素部の数の割合の逆数を出力ゲインとして、記憶部４０に記憶された設定情報に記録して設定する（ステップＳ２８）。なお、それぞれの画素群２３２間において代表画素の割合が異なる場合には、画素群２３２毎に出力ゲインを設定してもよい。この調整により、光源部及び結像部の各部品バラツキや組立てバラツキへの補正含めた調整が可能となる。また、後述する画像情報の生成において、コントラストの調整などを行うことにより、出力ゲインの設定を行わなくてもよい。
【００４７】
このようにして、制御部５０は、各センサチップ２３１の位置ずれ量の測定を行うとともに、この位置ずれ量に応じて画像読取処理において施される補正処理のための設定を行う。次に、これらの設定に応じて、画像読取装置１０が通常使用される際の動作である画像読取処理を説明する。
【００４８】
図８は、画像読取装置１０における画像読取処理の動作を表すフローチャートである。操作部６０の操作などにより画像読取処理が開始されると、ラインセンサ部２０および読取位置移動部３０が、前述した主走査と副走査を繰り返し、原稿台に設置された原稿の画像を読み取り、読み取られた画像を示す電気信号である読取信号は、制御部５０によって取得される。
【００４９】
次に、制御部５０は、記憶部４０に記憶された設定情報を参照し、取得した読取信号から代表画素部に対応する信号を抽出する（ステップＳ５１）。
【００５０】
そして、制御部５０は、ステップＳ５１において抽出した信号に対して、記憶部４０に記憶された設定情報を参照し、各センサチップ２３１間に対応して設定された補間係数に応じて、隣接するセンサチップ２３１間の境界に対応する補間処理、設定された出力ゲインによる増幅処理などの補正処理を行う（ステップＳ５２）。
【００５１】
このようにして各処理が行われた読取信号から、制御部５０は、各画素群２３２が１ドットとなる解像度の画像を示す画像情報を生成（ステップＳ５３）して、記憶部４０に記憶する。例えば、各画素群２３２における代表画素部からの電気信号を加算し、各画素群２３２からの電気信号を１ドットの信号として扱う。なお、各画素群２３２からの電気信号として、その画素群２３２における代表画素部からの電気信号をまとめればよいから、加算に限らず、平均、予め決められた算出方法などによってもよい。
【００５２】
このように、本実施形態に係る画像読取装置１０においては、一般的な密着型イメージセンサに用いられる画素部を複数に分割し、複数の画素部２３２０を有する画素群２３２を用いて、基準原稿を読み取ることにより、各センサチップ２３１間の副走査方向の位置ずれ量を測定する。そして、測定したずれ量に応じた補正を施して画素群２３２を１ドットの単位とした解像度の画像を示す画像情報を生成することにより、その画像情報が示す画像は、センサチップ２３１間における実装のずれがあっても、そのずれの影響を低減したものとなる。
【００５３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は以下のように、さまざまな形態で実施可能である。
【００５４】
＜変形例１＞
上述した実施形態においては、制御部５０が、記憶部４０に記憶された設定情報を参照し、取得した読取信号から代表画素部に対応する読取信号を抽出したが、画像読取処理においては、制御部５０が、信号読出部２４を制御して、各代表画素部の電気信号を選択して読み出すように設定してもよい。
【００５５】
＜変形例２＞
上述した実施形態においては、制御部５０が、信号読出部２４を制御して、各画素部２３２０から順番に電気信号を読み出したが、画像読取処理においては、制御部５０が、画素群２３２に含まれる複数の画素部２３２０からまとめて電気信号を読み出すように、信号読出部２４を制御するように設定してもよい。このように複数の画素部２３２０からまとめて電気信号を読み出すことで、読み出し時間が短縮される。
【００５６】
＜変形例３＞
上述した実施形態においては、各画素部２３２０は一辺が２μｍの正方形であったが、この画素部２３２０は、副走査方向に複数並んで設けられるようにすれば、他の長さや形状であってもよい。また、各画素群２３２も一辺が４２μｍの正方形に限らず、他の長さや形状であってもよい。すなわち、１ドットとして扱われる画素に対応する画素部２３２０が複数であり、副走査方向に沿って並べられて設けられることにより画素群２３２を構成していればよい。
【００５７】
＜変形例４＞
上述した実施形態では、センサチップ２３１が主走査方向に沿った向きのまま、副走査方向に位置がずれて設置されたときのずれ量を測定する例を説明したが、センサチップ２３１が主走査方向に対して角度をなしてずれて設置されたときのずれ量、すなわち主走査方向に対する傾きの大きさを示すずれ量を測定するようにしてもよい。
【００５８】
図９は、変形例４に係るセンサ部２３を説明する図である。図９（ａ）は、センサチップ２３１−４が、主走査方向に対して角度αをなして保持体２５上に設置されていることを示す図である。図９（ｂ）は、このセンサチップ２３１−４と有効エリアＶＡＬＩＤ及び代表画素部の詳細な関係を示す図である。この場合、画素群２３２−１からは代表画素部ＶＡＬＩＤ２３２−１が設定され、画素群２３２−ｎからは代表画素部ＶＡＬＩＤ２３２−ｎが設定される。そして代表画素部設定後は、上述した実施形態の一連の動作に沿って画像読取処理が行われる。
【００５９】
＜変形例５＞
上述した実施形態においては、画素部２３２０から代表画素部が選定された場合は、出力ゲインを用いた補正処理（Ｓ２８）を行ったが、代表画素部を選択しても、出力ゲインの補正処理が不要となる画素部２３２０の数が得られるように、あらかじめ副走査方向に画素部２３２０の数を増やした画素列を形成してもよい。
【００６０】
図１０は、変形例５に係るセンサ部２３−１を説明する図である。センサ部２３−１は、あらかじめ、上述した実施形態に係る画素列に比べて長い画素列を形成している。このセンサ部２３−１において、選定された有効エリアＶＡＬＩＤの副走査方向の幅が、位置ずれがなかった場合の有効エリアＦＵＬＬ−ＶＡＬＩＤの幅以上であれば、全ての画素列で、位置ずれがなかった場合と同じ数の画素部２３２０が選定される。そのため、ゲイン出力による補正が不要となり、読み取りの度にゲイン処理を行うことなく画像情報が取得される。
【００６１】
＜変形例６＞
上述した実施形態においては、副走査方向は、主走査方向に対して、概ね９０度の角度をなしていたが、９０度以外の角度をとってもよい。例えば、読取位置移動部３０が、ラインセンサ部２０を、主走査方向に対して概ね４５度をなす方向に移動させてもよい。また、ラインセンサ部２０が移動される副走査方向は、主走査方向と異なっていればよく、この副走査方向と、画素列が並ぶ方向とは必ずしも一致していなくてもよい。この場合においても、位置ずれ量の測定は、測定用の画像と、この測定用の画像を主走査して生成された画像情報が示す画像とを比較して行えばよい。
【００６２】
＜変形例７＞
上述した実施形態においては、位置ずれ量測定処理と、画像読取処理をどちらも画像読取装置１０で行ったが、これらの処理を行う装置は別々であってもよい。例えば、画像読取処理は行わずに位置ずれ量測定処理を行う装置、すなわち位置ずれ測定装置としてもよい。また、これとは逆に、画像読取処理を行って、位置ずれ量測定処理は行わない画像読取装置であってもよい。この場合には、ラインセンサ部２０又はセンサ部２３を別の位置ずれ測定装置に設置して事前に各センサチップ２３１の位置ずれ量を測定しておき、測定された位置ずれ量に応じて代表画素部、補正係数などを操作部６０の操作等により設定する構成を設けておけばよい。
【符号の説明】
【００６３】
１０…画像読取装置、２０…ラインセンサ部、２１…光源部、２２…結像部、２３、２３−１…センサ部、２４…信号読出部、２５…保持体、２６…アンプ部、３０…読取位置移動部、４０…記憶部、５０…制御部、６０…操作部、２３１、２３１−１、２３１−２、２３１−３、２３１−４、２３１−５、２３１−Ａ、２３１−Ｂ、２３１−Ｃ、２３１−Ｎ…センサチップ、２３２、２３２−１、２３２−２、２３２−３、２３２−ｎ…画素群、２３２０（１、１）、２３２０（１、２１）、２３２０（２１、１）、２３２０（２１、２１）…画素部、ＶＡＬＩＤ２３２−１、ＶＡＬＩＤ２３２−ｎ…代表画素部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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