(57)【要約】【課題】従来のＦＣ実装型ＬＥＤは、発光効率が高く、かつフリップチップ実装における位置決め及び実装のときの電気的接続の信頼性が高いＦＣ実装型ＬＥＤを実現することが困難であった。【解決手段】透明基板１上に形成されたｎ型窒化物半導体層２及びｐ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層２及びｐ型窒化物半導体層３上に形成されたｎ側電極４及びｐ側電極５とを有するＦＣ実装型ＬＥＤ１０において、ｎ型窒化物半導体層２及びｐ型窒化物半導体層３上に、ｎ側電極４及びｐ側電極５の部分に貫通孔を有して形成された絶縁層６と、絶縁層６の上面に平行に形成された２個の略長方形の外部接続用電極７，８とを有し、この２個の外部接続用電極７，８が、貫通孔を通してｎ側電極４及びｐ側電極５に接続された構成を採用した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の上面に形成された、ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層上に形成された、ｎ側電極及びｐ側電極とを有するフリップチップ実装型ＬＥＤにおいて、
前記ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層上に、ｎ側電極及びｐ側電極の部分に貫通孔を有して形成された絶縁層と、前記絶縁層の上面に平行に形成された２個の略長方形の外部接続用電極とを有し、
前記２個の外部接続用電極は、前記貫通孔を通して前記ｎ側電極及びｐ側電極にそれぞれ接続されていることを特徴とするフリップチップ実装型ＬＥＤ。
【請求項２】
前記ｎ側電極が、前記ｎ型窒化物半導体層のコーナー部分に形成された、前記ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との非積層部分に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ実装型ＬＥＤ。
【請求項３】
前記絶縁層が、樹脂絶縁層であることを特徴とする請求項１または２に記載のフリップチップ実装型ＬＥＤ。
【請求項４】
前記フリップチップ実装型ＬＥＤの透明基板の下面と、ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層の形成された側面を、蛍光体を分散させた樹脂で被覆したことを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載のフリップチップ実装型ＬＥＤ。
【請求項５】
前記透明基板および前記絶縁層の側面を反射性樹脂で囲み、当該反射性樹脂から露出する前記透明基板の表面に、蛍光体層が設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のフリップチップ実装型ＬＥＤ。
【請求項６】
透明基板の上面にｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層を形成する工程と、
前記ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層上に、ｎ側電極及びｐ側電極を形成する工程と、
前記ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層上に、前記ｎ側電極及びｐ側電極の部分に貫通孔を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上の前記貫通孔の位置に、２個の略長方形の開口を有するメッキレジスト層を形成する工程と、
前記貫通孔及び開口内に、金属層を形成するメッキ工程と、
前記メッキレジスト層を除去して、前記開口内の前記金属層を、外部接続用電極として形成する工程とを有する
ことを特徴とするフリップチップ実装型ＬＥＤの製造方法。
【請求項７】
大判の透明基板上に、前記フリップチップ実装型ＬＥＤを複数個形成し、切断分離工程により複数のフリップチップ実装型ＬＥＤを同時に製造することを特徴とする請求項６に記載のフリップチップ実装型ＬＥＤの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフリップチップ実装型ＬＥＤの構成及び製造方法に関するものであり、詳しくはフリップチップ実装に適した外部接続用電極を有し、かつ発光効率の高いフリップチップ実装型ＬＥＤの構成及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤ素子（以下ＬＥＤと略記する）は半導体素子であるため、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く鮮やかな発光色を有することから、カラー表示装置のバックライトや照明等に広く利用されるようになってきた。
【０００３】
特に近年、青色ＬＥＤとＹＡＧ蛍光体との組み合わせによる白色発光素子が開発されるに至り、そのＬＥＤ構成としてフリップチップ実装型ＬＥＤが適することから、このフリップチップ実装に適したＬＥＤの構成が提案されている（例えば特許文献１、特許文献２）。
【０００４】
［特許文献１のＦＣ実装型ＬＥＤの構成の説明（図７−図９）］
以下に、従来のフリップチップ実装型ＬＥＤ（以下、「ＦＣ実装型ＬＥＤ」と略記する）について説明する。図７は、特許文献１におけるＦＣ実装型ＬＥＤの断面図である。図８は、ＦＣ実装型ＬＥＤの下面図であり、図９が、そのＬＥＤから絶縁層を除去して電極構成を露出させた下面図である。
【０００５】
図７に示す様に、ＦＣ実装型ＬＥＤ１００は、透明基板１０１上に形成されたｎ型窒化物半導体層１０２及びｐ型窒化物半導体層１０３と、ｎ型窒化物半導体層１０２及びｐ型窒化物半導体層１０３上にｎ側電極１０４及びｐ側電極１０５が形成された構成となっている。また、樹脂材料より構成される絶縁層１０６には、スルーホール１０６ａ，１０６ｂが設けられており、絶縁層１０６の下側に設けられて外部接続電極１０７，１０８は、スルーホール１０６ａ，１０６ｂの内部に設けられた接続電極１１１，１１２を介して、ｎ側電極１０４及びｐ側電極１０５に接続され、外部からＬＥＤに電流供給出来る様になっている。
【０００６】
なお、図８に示す如くこの外部接続電極１０７，１０８は、絶縁層１０６の下面に、フリップチップボンディングに必要な面積を確保するために、略正方形または円形に構成されている。
【０００７】
また、図９に示す様に、透明基板１０１の略全面に形成されたｎ型窒化物半導体層１０２のコーナー部分には、小さな露出部分１０２ａを残して、ｐ型窒化物半導体層１０３が形成されており、このｎ型窒化物半導体層１０２とｐ型窒化物半導体層１０３とが積層された部分（ｐ型窒化物半導体層１０３の同じ面積）が、ＬＥＤとしての発光面Ｈとなる。
【０００８】
そして、一般に製造販売されているＦＣ実装型ＬＥＤの構成は、発光面の面積を出来るだけ大きくして発光効率を上げる必要があるために、ｎ型窒化物半導体層１０２のコーナー部分に設けられた、ｎ型窒化物半導体層１０２と、ｐ型窒化物半導体層１０３とが積層されない部分、すなわち、非積層部分１０２ａの面積を出来るだけ小さくする高光利用効率の構成が採用されている。このため、この従来のＦＣ実装型ＬＥＤ構成では、ｎ側電極１０４の面積が大きくできず、外部接続電極１０７，１０８もあまり大きくできなかった。
【０００９】
［特許文献２のＦＣ実装型ＬＥＤの構成の説明（図１０−図１２）］
次に、特許文献２に記載されているＦＣ実装型ＬＥＤについて説明する。
図１０は、特許文献２におけるＦＣ実装型ＬＥＤの断面図を示し、図１１は、その下面図を、図１２が、図１１における絶縁層を除去した下面図を示している。
【００１０】
図１０において、この従来のＦＣ実装型ＬＥＤ２００は、透明基板２０１上に形成されたｎ型窒化物半導体層２０２及びｐ型窒化物半導体層２０３と、ｎ型窒化物半導体層２０２及びｐ型窒化物半導体層２０３上に、ｎ側電極２０４及びｐ側電極２０５が形成された構成となっている。そして、このｎ側電極２０４及びｐ側電極２０５が、それぞれ長方形になるように形成されている。
【００１１】
また、ＳｉＯ２等からなる絶縁性の保護膜２０６は、ｎ型窒化物半導体層２０２及びｐ型窒化物半導体層２０３を保護すると共に、ｎ側電極２０４及びｐ側電極２０５上に、長方形の開口部２０６ａ、２０６ｂが形成されている。そして、図１１に示す如く、外部接続電極２０７，２０８は、絶縁層２０６の下面に開口部２０６ａ、２０６ｂに規制されて長方形に形成されている。
【００１２】
また、図１２に示す様に、透明基板２０１の略全面に形成されたｎ型窒化物半導体層２０２には、片側の辺に沿って長方形の露出部分２０２ａを残して、ｐ型窒化物半導体層２０３が形成されており、このｎ型窒化物半導体層２０２とｐ型窒化物半導体層２０３とが積層された部分（ｐ型窒化物半導体層２０３と同じ面積）が、ＬＥＤとしての発光面Ｈとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００６−１１４８２０号公報（図１，図２）
【特許文献２】特開２００１−１２７３４８号公報（図１，図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
図７〜図９に示した特許文献１に記載のＦＣ実装型ＬＥＤは、ＬＥＤの発光面の構成として、非積層部分の面積を出来るだけ小さくした高効率構成を採用しており、ｎ型窒化物半導体層１０２、ｐ型窒化物半導体層１０３、ｎ側電極１０４、ｐ側電極１０５が形成されている発光素子形成面を、樹脂材料よりなる絶縁層１０６で被覆し、この絶縁層１０６の下面側にスルーホール１０６ａ，１０６ｂを介して外部接続電極１０７，１０８を設けているため、発光効率の良いＦＣ実装型ＬＥＤを得ることができるという長所を有する。ところが、この従来の構成では、外部接続電極１０７，１０８の形状として四角形の小型電極としているため、フリップチップ実装における位置決めが困難で、実装のときの電気的接続の信頼性に問題がある。
【００１５】
つまり、この従来のＦＣ実装型ＬＥＤを実装するときに、素子形状が大きく、外部接続電極の形状も大きい場合にはあまり問題にならないが、現在の市場動向に従って素子の外形形状が小型化されると、それに伴って外部接続電極の形状が小さくなり、フリップチップ実装における位置決め、及び実装のときの電気的接続の信頼性が、大きな問題となる。
【００１６】
また、図１０〜図１２に示した特許文献２に記載のＦＣ実装型ＬＥＤは、外部接続電極２０７，２０８の形状を、絶縁層２０６の下面の開口部２０６ａ、２０６ｂに合わせて長方形に形成しており、この２本の長方形状を有する外部接続電極２０７，２０８を平行に並べる構成によって、フリップチップ実装における位置決めが容易で、実装のときの電気的接続の信頼性を高めるという長所を有する。ところが、この従来の構成は、長方形の外部接続電極２０７を、ｎ型窒化物半導体層２０２の露出部分２０２ａに直接形成しているため、ｎ型窒化物半導体層２０２とｐ型窒化物半導体層２０３との積層部分、すなわちＬＥＤとしての発光面Ｈの面積が小さくなり、ＬＥＤ外形サイズに比してＬＥＤとしての発光効率が低くなるという問題がある。
【００１７】
そこで、本発明の目的は上記問題点を解決しようとするものであり、ＦＣ実装型ＬＥＤにおいて、発光効率が高く、フリップチップ実装における位置決め、及び実装のときの電気的接続の信頼性が高い、ＦＣ実装型ＬＥＤ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明においては、透明基板の上面に形成された、ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層上に形成された、ｎ側電極及びｐ側電極とを有するＦＣ実装型ＬＥＤにおいて、ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層上に、ｎ側電極及びｐ側電極の部分に貫通孔を有して形成された絶縁層と、絶縁層の上面に平行に形成された２個の略長方形の外部接続用電極とを有し、この２個の外部接続用電極は、貫通孔を通してｎ側電極及びｐ側電極にそれぞれ接続されていることを特徴とする。
【００１９】
上記構成によれば、絶縁層の上面に２個の平行配置された略長方形の外部接続用電極を形成し、この２個の外部接続用電極を絶縁層に形成された貫通孔を通してｎ側電極及びｐ側電極に接続しているので、発光効率が高く、フリップチップ実装における位置決め及び実装のときの電気的接続の信頼性が高いＦＣ実装型ＬＥＤを提供することができる。
【００２０】
また、ｎ側電極が、ｎ型窒化物半導体層のコーナー部分に形成された、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との非積層部分に設けられていると良く、さらに絶縁層が、樹脂絶縁層であると良い。
【００２１】
また、ＦＣ実装型ＬＥＤの透明基板の下面と、ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層の形成された側面を、蛍光体を分散させた樹脂で被覆すると良い。それに代えて、透明基板および絶縁層の側面を反射性樹脂で囲み、当該反射性樹脂から露出する前記透明基板の表面に、蛍光体層が設けられた構成としても良い。
【００２２】
上記目的を達成するため、本発明においては、透明基板上にｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層を形成する工程と、ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層上に、ｎ側電極及びｐ側電極を形成する工程と、ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層上に、ｎ側電極及びｐ側電極の部分に貫通孔を有する絶縁層を形成する工程と、絶縁層上の貫通孔の位置に２個の略長方形の開口を有するメッキレジスト層を形成する工程と、貫通孔及び開口内に金属層を形成するメッキ工程と、メッキレジスト層を除去して開口内の金属層を外部接続用電極として形成する工程とを有することを特徴とする。
【００２３】
また、大判の透明基板上に、ＦＣ実装型ＬＥＤを複数個形成し、切断分離工程により複数のＦＣ実装型ＬＥＤを同時に製造すると良い。
【発明の効果】
【００２４】
上記の如く、本発明によれば、絶縁層の上面に２個の平行配置された略長方形の外部接続用電極を形成し、この２個の外部接続用電極を絶縁層に形成された貫通孔を通して、ｎ側電極及びｐ側電極に接続しているので、発光効率が高く、フリップチップ実装における位置決め及び実装のときの電気的接続の信頼性が高いＦＣ実装型ＬＥＤ及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるＦＣ実装型ＬＥＤの構成を示す断面図である。
【図２】図１に示すＦＣ実装型ＬＥＤの下面図である。
【図３】図１に示すＦＣ実装型ＬＥＤの絶縁層を除去した下面図である。
【図４−１】本発明の第２の実施形態である、集合方式によるＦＣ実装型ＬＥＤの製造方法を示す工程図である。
【図４−２】図４−１の続きの工程を示す工程図である。
【図５】本発明の蛍光型ＬＥＤの構成を示す断面図である。
【図６】本発明の他の蛍光型ＬＥＤの構成を示す断面図である。
【図７】従来のＦＣ実装型ＬＥＤの構成を示す断面図である。
【図８】図７に示すＦＣ実装型ＬＥＤの下面図である。
【図９】図７に示すＦＣ実装型ＬＥＤの絶縁層を除去した下面図である。
【図１０】従来のＦＣ実装型ＬＥＤの他の構成を示す断面図である。
【図１１】図１０に示すＦＣ実装型ＬＥＤの下面図である。
【図１２】図１０に示すＦＣ実装型ＬＥＤの絶縁層を除去した下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
［第１の実施形態：ＦＣ実装型ＬＥＤの構成の説明（図１−図３）］
以下図面により、本発明の実施形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態における、ＦＣ実装型ＬＥＤの断面図である。図２は、そのＬＥＤ下面図であり、図３が、図２における絶縁層を除去して、ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層と、ｎ側電極及びｐ側電極の構成を見えるようにした、ＬＥＤ下面図である。
【００２７】
図１において、ＦＣ実装型ＬＥＤ１０は、透明基板１であるサファイア基板上に形成された、ｎ型窒化物半導体層２及びｐ型窒化物半導体層３と、このｎ型窒化物半導体層２及びｐ型窒化物半導体層３上に形成された、ｎ側電極４及びｐ側電極５を有して構成されている。また、これら半導体層は、樹脂材料より構成される絶縁層６で被覆されている。なお、この絶縁層６には、スルーホール６ａ，６ｂが設けられており、絶縁層６の下面側に設けられた外部接続電極７，８は、スルーホール６ａ，６ｂの内部に設けられた接続電極１１，１２を介して、ｎ側電極４及びｐ側電極５にそれぞれ接続されている。
【００２８】
また、図２に示す様に、この外部接続電極７，８は、絶縁層６の下面に長方形状に、ＦＣ実装型ＬＥＤ１０の側方に沿って平行に配設されている。なお、図中の点線で示す矩形形状は、ＬＥＤで発光する光を反射する部材で形成された、ｎ側電極４及びｐ側電極５を示し、点線で示す円形形状は、絶縁層６に設けたスルーホール６ａ，６ｂを示している。
【００２９】
なお、このｐ側電極は、ｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層３間で発生する光を、図１の矢印で示す方向に効率良く導き出すために、ｐ型窒化物半導体層３表面の略全面に形成してある。また、ここで外部接続電極７，８の形状は、素子の外形サイズが小さくなったとしても、実装基板との接続が容易とする為に、ｐ型窒化物半導体層３表面の略全面に形成した。その理由については、後段で詳細に説明する。
【００３０】
また、図３に示す様に、透明基板１の略全面に形成されたｎ型窒化物半導体層２のコーナー部分には、小さな露出部分２ａを残して、ｐ型窒化物半導体層３が形成されており、このｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層３とが積層された部分（ｐ型窒化物半導体層３の同じ面積であって、ｐ側電極が形成された領域）が、ＬＥＤとしての発光面Ｈとなる。そして、ｎ型窒化物半導体層２の露出部分２ａに形成されたｎ側電極４と、ｐ型窒化物半導体層３に形成されたｐ側電極５は、図１に示す如く、接続電極１１，１２を介して外部接続電極７，８に接続される。
【００３１】
すなわち、本実施形態におけるＬＥＤの構成は、図３に示す如く、ｎ型窒化物半導体層２の露出部分２ａの面積を小さくし、発光面Ｈの面積を出来るだけ大きくして発光効率を上げられるＬＥＤ構成としている。そして、外部接続電極７，８の構成は、図１、図２に示す如く、絶縁層６の下面側に、大面積で長方形の電極をＦＣ実装型ＬＥＤ１０の側方に沿って平行に配設されて、この外部接続電極７，８が、スルーホール６ａ，６ｂの内部に設けられた接続電極１１，１２を介して、小面積のｎ側電極４及びｐ側電極５に接続されている。
【００３２】
上記構成によれば、ＦＣ実装型ＬＥＤ１０を外部装置の回路基板に実装するときに、ＦＣ実装型ＬＥＤ１０の側方に沿って平行に配設された外部接続電極７，８が、外部装置の回路基板に設けられた電極パターン上に平行に載置されるため、フリップチップ実装におけるＬＥＤの位置決めが容易となる。また本構成は、ＬＥＤ素子外形に対して外部接続端子７，８を十分大きくすることができる形態であるので、回路基板との電気的接続の信頼性が、極めて高いものとなる。また、本発明の構成は、ＦＣ実装型ＬＥＤ１０の形状が小さくて、回路基板との実装が難しい場合に、特に有効となる。
【００３３】
なお、このｐ型窒化物半導体層３が除去されたエリアは、ＬＥＤが発光しない領域となるが、この部分には反射性の高い材料で形成されたｎ側電極が形成してあるので、発光面Ｈで発生する光の漏れ光を、図１の矢印の方向に反射させることが出来る。
【００３４】
また、上記説明では、図１に示す様に、ｐ側電極５をｐ型窒化物半導体層３の略全面に形成した例を示したが、ここでは図示しないが、このｐ側電極５をｎ側電極４程度の大きさとし、絶縁層６の表面に設ける外部接続電極７，８を、反射性が高い金属材料でもって絶縁層６の略全面に形成した形態としても良い。
【００３５】
上記構成すれば、回路基板との電気的接続の信頼性をより向上させるだけでなく、図１の矢印とは反対側に導出される漏れ光を、絶縁層６表面に大きく形成された外部接続電極７，８でもって矢印方向に導くことができる。これにより、従来の構成に比べ、自発光する光の光利用効率がより向上する。さらに、上記構成によれば、外部接続電極７、８を介して接続する、外部回路の回路基板に対する発光面の水平を容易に確保できるので、ＦＣ実装型ＬＥＤを実装した後の光指向特性が、常に一定となるという利点もある。
【００３６】
［第２の実施形態：ＦＣ実装型ＬＥＤの製造方法の説明（図４−１、図４−２、図５）］
次に、図４−１、図４−２、および図５により、本発明の第２の実施形態である、集合方式によるＦＣ実装型ＬＥＤの製造方法について説明する。図４−１は、本発明の第２の実施形態である、集合方式によるＦＣ実装型ＬＥＤの製造方法を示す工程図である。図４−２は、図４−１の続きの工程図である。また、図５は、本実施形態におけるＦＣ実装型ＬＥＤの完成体を示す断面図である。
【００３７】
まず、図４−１において、まず（Ａ）半導体層形成工程により、サファイア基板である透明基板１上に、ｎ型窒化物半導体層２及びｐ型窒化物半導体層３を、ＭＯＣＶＤ法により順次形成する。なお、このとき集合方式によるＦＣ実装型ＬＥＤの製造方法を採用する場合には、大判の透明基板１上に複数個のＬＥＤを形成できるように、ｎ型窒化物半導体層２及びｐ型窒化物半導体層３を設ける必要がある。したがって、ここでは透明基板１上の略全面にｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層３を形成した後に、フォトリソグラフィー法により、このｎ型窒化物半導体層２の露出部分２ａを形成している。
【００３８】
次に、（Ｂ）素子面電極形成工程により、ｎ型窒化物半導体層２の露出部分２ａにｎ側電極４を形成し、ｐ型窒化物半導体層３表面の略全面にｐ側電極５を形成する。次に、（Ｃ）絶縁層形成工程により、素子及び電極が形成された全面を覆うように絶縁層６を形成し、フォトグラフィー法によりスルーホール６ａ，６ｂを形成する。なお、本実施形態においては絶縁層６としてポリイミド樹脂を用いたが、本発明はこれに限定されず、他の樹脂層や、ＳｉＯ２やセラミック等の無機系絶縁層を使用しても良い。
【００３９】
次に、（Ｄ）メッキレジスト形成工程により、絶縁層６の上面にメッキレジスト膜１５を形成する。メッキレジスト膜１５の材料としては、ネガ型またはポジ型の感光性レジストを用いることができる。この感光性レジストは、スピンコートやスプレーコート等の知られた方法で塗布したのち、乾燥することで１０μｍ程度の膜厚に制膜できる。その後、フォトマスクを使った露光現像処理を行うことで、所望のパターンのメッキレジスト膜１５を得ることができる。なお、このメッキレジスト膜１５には、絶縁層６のスルーホール６ａ，６ｂの位置に電極形成用開口１５ａ，１５ｂが形成されている。
【００４０】
次に、図４−２に示す（Ｅ）メッキ工程により、Ｎｉ、Ａｕ等の金属メッキを行うことにより、メッキレジスト膜１５の電極形成用開口１５ａ，１５ｂの部分に金属層１６を形成する。
【００４１】
次に、（Ｆ）レジスト剥離工程により、剥離液浴槽に所定の時間浸漬することで、不要となったメッキレジスト膜１５を除去することにより、絶縁層６の上面に、金属層１６を露出させる。なお、前述のネガ型感光性レジストの剥離液としては、アルキルベンゼンスルフォン酸を主成分とする有機薬液を用いることができる。また、アルカリ可溶樹脂を主成分とするポジ型感光性レジストの剥離液としては、有機アミンと極性溶剤の混合物を用いることができる。これにより、メッキレジスト膜１５の電極形成用開口１５ａの位置には外部接続電極７が、電極形成用開口１５ｂの位置には外部接続電極８が形成される。なお、この外部接続電極７、８は、金属層１６を形成するメッキ金属によって、ｎ側電極４及びｐ側電極５にそれぞれ接続されている。
【００４２】
次に、（Ｇ）切断分離工程により、（Ｆ）工程にて形成された構造体をブレード１７によって切断することにより、大判の透明基板１から単個のＬＥＤを分離する。上記工程を経ることで、（Ｈ）工程に示した複数のＦＣ実装型ＬＥＤ１０を得ることが出来る。
【００４３】
最後に、図５に示す様に、単個に切断したＦＣ実装型ＬＥＤ１０の透明基板１の外周および上部表面に、蛍光粒子を含有する樹脂キャップ（蛍光樹脂２１）を被せて固定することで、目的の蛍光型ＬＥＤ２０が完成する。なおここでは、ＬＥＤとして青色ＬＥＤを、蛍光樹脂として、ＹＡＧ蛍光粒子を混入した樹脂を用いているので、この蛍光型ＬＥＤ２０が疑似白色ＬＥＤとなる。
【００４４】
この様に、上述した図４−１、図４−２および図５に示した上記集合方式によるＦＣ実装型ＬＥＤの製造方法によれば、メッキレジスト膜１５を用いた金属メッキにより、メッキレジスト膜１５の電極形成用開口１５ａ，１５ｂの部分に、金属層１６を形成することができ、外部接続電極７、８と接続電極１１，１２を同時に形成することができる。この結果、大面積で長方形の外部接続電極７、８を備えた複数のＦＣ実装型ＬＥＤ１０を、容易に量産製造することができる。
【００４５】
［第３の実施形態：蛍光型ＬＥＤの他の構成の説明（図６）］
次に、図６により本発明の第３の実施形態について説明する。図６は、本発明の第３の実施形態における蛍光型ＬＥＤ３０の構成を示す断面図である。
【００４６】
図６に示す様に、本実施形態の蛍光型ＬＥＤ３０は、第１の実施形態と同様に、透明基板１の一方の主面上にｎ型窒化物半導体層２、ｐ型窒化物反動体層３、ｎ側電極４、ｐ側電極５、絶縁層６、接続電極１１、１２、外部接続電極７、８を備えたＦＣ実装型ＬＥＤ１０を有する。このＦＣ実装型ＬＥＤ１０の構成は、図１に示すＦＣ実装型ＬＥＤ１０と同じであり、同一部材には同一番号を付し、ここでの重複する説明は省略する。
【００４７】
更に、本実施形態の蛍光型ＬＥＤ３０は、ＦＣ実装型ＬＥＤ１０の透明基板１及び絶縁層６の側面を、ＬＥＤからの発光を反射する、例えば白色顔料を混入した反射性樹脂３２でもって囲み、図中の透明基板１の最表面から露出する透明基板１を、蛍光粒子を混入する蛍光樹脂３１で被覆した形態としている。なおここでは、ＬＥＤとして青色ＬＥＤを、蛍光樹脂として、ＹＡＧ蛍光粒子を混入した樹脂を用いているので、蛍光型ＬＥＤ３０は疑似白色ＬＥＤとなる。
【００４８】
上記形態とすれば、反射性樹脂３２と、発光面Ｈの殆どを覆って形成されたｎ側電極４およびｐ側電極５でもって、ＬＥＤからの発光を効率良く図中の上部方向に向けて出射させることが出来る。
【００４９】
次に、上記蛍光型ＬＥＤ３０の製造方法を示す。
まず、第２の実施形態に示したと同様に、図４−１（Ａ）〜（Ｄ）工程、図４−２（Ｅ）〜（Ｆ）工程を行い、（Ｆ）工程の構成体を得る。
【００５０】
次に、ここでは図示しないが、ブレード１７で、発光面および電極形成領域を避けて、隣り合うＬＥＤの中間の位置から（図の上側から）、透明基板１が露出する程度までの溝（ハーフダイシング溝）を設ける。なお、ここで形成する溝は、ＬＥＤの外周を囲んで形成される。その後、この溝に白色顔料を混入した反射性樹脂をスクリーン印刷法等により充填する。
【００５１】
次に、この溝に充填された反射性樹脂の表面と、露出している透明基板１の表面に、ＹＡＧ蛍光粒子を含む樹脂材料をスクリーン印刷法により塗布する。なおここで用いる樹脂材料は、熱硬化性樹脂材料である。その後、加熱処理等を行うことで、この樹脂材料を完全に硬化させて、ＦＣ実装型ＬＥＤ１０の表面に蛍光樹脂３１を固着させる。
【００５２】
その後の工程は、第２の実施形態と同じで、図４における工程（Ｇ）切断分離工程で、上記溝に充填した反射性樹脂の直上から、ハーフダイシングのときの溝幅よりも狭幅のブレードで個々のＦＣ実装型ＬＥＤ１０の分離することで、透明基板１の外周が反射性樹脂で囲まれた、目的の蛍光型ＬＥＤ３０（図６）が完成する。
【００５３】
上記製造工程によれば、第２の実施形態で示した製造方法と同様に、大面積で長方形の外部接続電極７、８を備えた複数の蛍光型ＬＥＤ３０を、容易に製造することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１、１０１，２０１              透明基板
２、１０２，２０２              ｎ型窒化物半導体層
２ａ，１０２ａ、２０２ａ        露出部
３，１０３，２０３              ｐ型窒化物半導体層
４，１０４，２０４              ｎ側電極
５，１０５，２０５              ｐ側電極
６，１０６，２０６              絶縁層
６ａ、６ｂ、１０６ａ、１０６ｂ  スルーホール
７，１０７，２０７              外部接続電極
８，１０８，２０８              外部接続電極
１０，１００，２００            ＦＣ実装型ＬＥＤ
１１、１２、１１１，１１２      接続電極
１５                            メッキレジスト膜
１５ａ，１５ｂ                  電極形成用開口
１６                            金属層
１７                            ブレード
２０、３０                      蛍光型ＬＥＤ
２１、３１                      蛍光樹脂
３２                            反射性樹脂
２０６ａ，２０６ｂ              開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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