(57)【要約】【課題】液晶分子のプレチルト角を良好に制御することで信頼性の高い表示品質を得ることができる液晶表示装置及びプロジェクターを提供する。【解決手段】一対の基板１５，２５間に負の誘電率異方性を有する液晶層３０を挟持する液晶表示装置１である。一対の基板１５，２５の各々は、基材部１１，２３と、基材部１１，２３の表面に形成され液晶層３０に接する配向膜１２，２２と、を含んでおり、基材部１１，２３における配向膜１２，２２が形成される面の表面粗さが４ｎｍ未満となっている。【選択図】図１
2011154156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に負の誘電率異方性を有する液晶層を挟持する液晶表示装置において、
前記一対の基板の各々は、基材部と、該基材部の表面に形成され前記液晶層に接する配向膜と、を含み、
前記基材部における前記配向膜が形成される面の表面粗さが４ｎｍ未満であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記配向膜がシリコン酸化物からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記一対の基板の少なくとも一方における前記基材の最上層には、インジウム錫酸化物或いはインジウム亜鉛酸化物から構成される透明電極層が設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記一対の基板の少なくとも一方における前記基材の最上層には、アルミニウム或いは銀から構成される反射電極層が設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記一対の基板の少なくとも一方における前記基材の最上層には、シリコン酸化物、シリコン窒化物、或いはアルミニウム酸化物から構成されるパッシベーション膜が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記配向膜の表面粗さが４ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とするプロジェクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びプロジェクターに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年プロジェクターに用いられる液晶表示装置においては高輝度化に伴い、光による配向膜の劣化が問題となっており、ポリイミド等の有機材料に比べて耐熱性、耐光性に優れた無機配向膜が採用されるようになってきている。
【０００３】
このようなプロジェクター用途の液晶表示装置では、液晶モードとして垂直配向モードが用いられている。このような垂直配向モードの液晶表示装置は、電圧印加時に液晶分子を傾斜配向させて複屈折性を得るようになっており、電界無印加時において液晶分子に所定のプレチルト角を与えるようにしている。
【０００４】
特許文献１には、無機配向膜のプレチルト角を安定化させるために、アルキル基を持った塗布型の無機配向膜を形成した後、ＳｉＯｘの斜方蒸着による配向膜を形成している。また、特許文献２には、プロジェクター用途の液晶表示装置において、斜方蒸着による配向膜のプレチルトの変動要因が蒸着角と膜厚であると記載されている。また、特許文献３には、斜方蒸着において蒸着源と基板との間にスリットを設け、基板を移動することで配向膜の均一性を向上することが開示されている。この方法においてはスリットを通過する蒸着物のみが基板に到達する事から、膜厚と蒸着角のばらつきをスリットの大きさで抑制する事が可能である。また、特許文献４には、透明電極であるＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を蒸着によって形成する際、その表面粗さを４ｎｍ以上１２ｎｍ以下とすることでプレチルトが２度以上５度以下となる配向膜が作製できることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１２６４６３号公報
【特許文献２】特開２００８−５６９５２号公報
【特許文献３】特開昭６３−５６９５２号公報
【特許文献４】特開２００８−１７０６６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に開示の技術では、アルキル基を持った無機配向膜を形成する必要があるため、生産効率が悪いという課題がある。また、上記特許文献２、３に開示の技術では、蒸着角度及び膜厚を管理しただけでは、依然としてプレチルト角を制御することができないという課題がある。また、上記特許文献４に開示の技術では、液晶表示装置のプレチルトの値についてのみ着目しており、表示特性、特にコントラストについては考慮していない。すなわち、実際にはＩＴＯの表面粗さが４ｎｍ以上となると、配向膜近傍の液晶の配向性が低下することでコントラストが低下するため、実用性が低くなるという課題がある。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液晶分子のプレチルト角を良好に制御することで信頼性の高い表示品質を得ることができる液晶表示装置及びプロジェクターを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明者は、鋭意研究の結果、プレチルト角の制御性向上の手段として配向膜下層の表面粗さを制御する事が重要であることを見出した。そして、この知見に基づいて本発明を完成させた。
本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に負の誘電率異方性を有する液晶層を挟持する液晶表示装置において、前記一対の基板の各々は、基材部と、該基材部の表面に形成され前記液晶層に接する配向膜と、を含み、前記基材部における前記配向膜が形成される面の表面粗さが４ｎｍ未満であることを特徴とする。
【０００９】
本発明の液晶表示装置によれば、配向膜の下層となる基材部の表面粗さが４ｎｍ未満とされるので、基材部上に形成される配向膜におけるプレチルト角を所望の範囲に設定することができ、動画表示時にドメインが発生しない高コントラストな表示を得ることができる。
【００１０】
また、上記液晶表示装置においては、前記配向膜がシリコン酸化物からなるのが好ましい。
この構成によれば、シリコン酸化物からなる配向膜を備えることとなるので、耐熱性及び耐光性に優れた液晶表示装置となる。したがって、プロジェクター用途として最適な液晶表示装置を得ることができる。
【００１１】
また、上記液晶表示装置においては、前記一対の基板の少なくとも一方における前記基材の最上層には、インジウムスズ酸化物或いはインジウム亜鉛酸化物から構成される透明電極層が設けられるのが好ましい。
この構成によれば、透明電極層を備えた透過型の液晶表示装置であって高コントラスト表示を得ることができる。
【００１２】
また、上記液晶表示装置においては、前記一対の基板の少なくとも一方における前記基材の最上層には、アルミニウム或いは銀から構成される反射電極層が設けられるのが好ましい。
この構成によれば、反射電極層を備えた反射型の液晶表示装置であって高コントラスト表示を得ることができる。
【００１３】
また、上記液晶表示装置においては、前記一対の基板の少なくとも一方における前記基材の最上層には、シリコン酸化物、シリコン窒化物、或いはアルミニウム酸化物から構成されるパッシベーション膜が設けられているのが好ましい。
この構成によれば、パッシベーション膜を備えた液晶表示装置においても高コントラストの表示を得ることができる。
【００１４】
また、上記液晶表示装置においては、前記配向膜の表面粗さが４ｎｍ未満であるのが好ましい。
通常、基材部上に形成される配向膜の表面粗さは、基材部の表面粗さに比べて低くなる。すなわち、配向膜の表面粗さが４ｎｍ未満の基材部上に形成される配向膜における表面粗さは４ｎｍ未満となる。このような表面粗さを有する配向膜は、上述のように高コントラストな表示を得ることができる。
【００１５】
また、本発明のプロジェクターにおいては、本発明の液晶表示装置を備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明のプロジェクターによれば、高いプレチルト制御性を備え、高コントラスト表示が可能な液晶表示装置を備えるので、表示品質が高く信頼性の高いプロジェクターを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１実施形態に係る液晶表示装置の概略断面図である。
【図２】第２実施形態に係る液晶表示装置の概略断面図である。
【図３】プロジェクターの概略構成を示す図である。
【図４】本発明の効果を説明するためのグラフである。
【図５】本発明の効果を説明するためのグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しながら、本発明の液晶表示装置に係る実施形態について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００１９】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置１の断面構造を模式的に示した概略断面図である。液晶表示装置１は、回路基板（一方の基板）１０とこれに対向配置された対向基板（他方の基板）２５との間に、誘電率異方性が負の液晶材料からなる液晶層３０が挟持されており、初期配向状態が垂直配向となっている。本実施形態の液晶表示装置１は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin-Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス型の透過型液晶装置である。
【００２０】
回路基板１５は、基材部１１と、基材部１１の一方面側に設けられる第１の配向膜１２と、を含んでいる。第１の配向膜１２は、液晶分子３０ａに所定方向へのプレチルト角を付与するためのものである。第１の配向膜１２は、例えば蒸着角度５０°、真空度５．５×１０−３Ｐａとする条件で斜方蒸着を行うことで成膜されたものである。
【００２１】
基材部１１は、ガラス等の透光性材料からなる基板本体１０を主体として構成されており、該基板本体１０の内面にはインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯ）等の透明導電性材料からなる画素電極９が形成されている。また、基板本体１０の外面には偏光板４１が形成されている。
【００２２】
また、回路基板１５は、画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子、画像信号が供給されるデータ線、走査線（いずれも図示略）等を備えている。また、データ線や走査線は、遮光膜としての機能を有することもある。
【００２３】
対向基板２５は、基材部２３と、該基材部２３の一方面側に設けられる第２の配向膜２２と、を含んでいる。第２の配向膜２２は、液晶分子３０ａに所定方向へのプレチルト角を付与するためのものである。第２の配向膜２２は、例えば蒸着角度５０°、真空度５．５×１０−３Ｐａとする条件で斜方蒸着を行うことで成膜されたものである。
【００２４】
基材部２３は、ガラス等の透光性材料からなる基板本体２０を主体として構成されており、該基板本体２０の内面にはＩＴＯ等の透明導電性材料からなる共通電極２１が形成されている。また、基板本体２０の外面には偏光板４２が形成されている。共通電極２１は基板本体２０Ａ上に全面ベタ状に形成されている。また、対向基板２５はカラーフィルタや遮光膜を備えている。
【００２５】
回路基板１５と対向基板２５との間には、第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２によって初期配向状態が垂直配向を呈する液晶層３０が挟持されている。液晶層３０は、液晶分子３０ａの初期配向状態（電圧無印加時の配向状態）が垂直配向を呈している。
【００２６】
回路基板１５と対向基板２５との外側に設けられた一対の偏光板４１，４２は、その偏光軸が液晶の方位角（基準０°）に対して略４５°および略１３５°の角度をなしており、互いの偏光軸が略直交（クロスニコル）している。
【００２７】
第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２は、斜方蒸着法を用いて配向膜の形成材料を基板本体１０，２０上に蒸着させることによって得られる。そのため第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２は、複数の柱状の積層物を有しており、凹凸を備えたポーラスな表面となっている。複数の柱状積層物は、斜方蒸着時の入射角に対応する表面形状を有しており、この表面形状によって表面に接する液晶層の液晶分子にプレチルト角（基板本体１０，２０の法線方向に対する角度）を付与し、液晶分子３０ａを駆動させる際の傾斜方向を規定している。第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２の材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を用いることができる。ここで、酸化シリコンとは、ＳｉＯ２及びＳｉＯのいずれか１種類以上の材料を含む無機材料である。なお、酸化シリコンの他に、ＳｉＯＮやＳｉＮなどの無機材料を用いることもできる。
【００２８】
ところで、従来、プレチルト角は、蒸着角度、膜厚等の条件を変更することで制御されている。ここで、蒸着角度とは、基板等の被蒸着対象物の表面の法線に対する蒸着物の入射角度を示している。
【００２９】
しかしながら、この制御方法によって設定されるプレチルト角にはばらつきが大きく、信頼性に欠けるものであった。本発明者は、鋭意研究の結果、これら第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２の下層における表面粗さを制御することで配向膜近傍のプレチルト角の制御性を向上できるとの知見を得た。すなわち、第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２の下層（基材部１１）の表面粗さを４ｎｍ未満に設定するようにした。
【００３０】
具体的に本実施形態では、基材部１１、２３の最表面に形成される画素電極９及び共通電極２１の表面粗さをいずれも３．３ｎｍに設定するようにした。本実施形態に係る液晶表示装置１は、このように第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２が形成される画素電極９及び共通電極２１の表面粗さを所定の値（４．０ｎｍ）よりも小さくしているので、後述するようにプレチルト角度を良好に制御することができ、高コントラストな表示が得ることができる。
【００３１】
（第２実施形態）
図２は第２実施形態に係る液晶表示装置１００の断面構造を模式的に示した概略断面図である。本実施形態に係る液晶表示装置１００と第１の実施形態に係る液晶表示装置１との違いは、反射型の液晶表示装置である点及び配向膜の下層がパッシベーション膜である点である。以下の説明では、上記実施形態と同一の構成及び同一部材については、同一の符号を付し、その説明については省略若しくは簡略化する。
【００３２】
本実施形態に係る回路基板１５は、基材部１１１と、基材部１１の一方面側に設けられる第１の配向膜１２と、を含んでいる。基材部１１１は、基板本体１０を主体として構成され、基板本体１０の内面にはＡｌ或いはＡｇ等の反射性の高い導電性材料からなる反射電極９０が形成されている。この反射電極９０は、画素電極として機能するものである。反射電極９０上には、シリコン酸化物としての酸化シリコン（ＳｉＯｘ）からなるパッシベーション膜１１２が例えば真空蒸着法やスパッタ法（ＤＣスパッタ）などのＰＶＤ法、またはＣＶＤ法により成膜されている。なお、パッシベーション膜１１２の形成材料としては、シリコン窒化物としての窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、或いはアルミニウム酸化物としての酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）を用いることもできる（ｘ、ｙは正の整数）。
【００３３】
一方、対向基板２５は、基材部１２３と、該基材部１２３の一方面側に設けられる第２の配向膜２２と、を含んでいる。
基材部１２３は、基板本体２０を主体として構成され、基板本体２０の内面にはＩＴＯ等の透明導電性材料からなる共通電極１２１が形成されている。共通電極１２１上には、パッシベーション膜１２２が例えばＣＶＤ法により形成されている。パッシベーション膜１２２の形成材料としては、上記パッシベーション膜１１２と同一の材料から構成されている。本実施形態では、基板本体２０の外面にのみ偏光板４２が形成されている。
【００３４】
本実施形態では、基材部１１１の最表面に形成されるパッシベーション膜１１２の表面粗さが２．３ｎｍとなるように上述のＣＶＤ法により成膜している。さらに、パッシベーション膜１２２の表面粗さが０．５ｎｍとなるようにＣＶＤ法により成膜しＣＭＰ法により研磨を行い、平坦化を行なっている。
【００３５】
本実施形態に係る反射型の液晶表示装置１００は、第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２が形成されるパッシベーション膜１１２，１２２の表面粗さを所定の値（４．０ｎｍ）よりも小さくしているので、後述するようにプレチルト角度を良好に制御することができ、高コントラストな表示を得ることができる。
【００３６】
（プロジェクター）
次に、第１実施形態の透過型の液晶表示装置１を光変調手段として備えたプロジェクター（投射型表示装置）の構成について、図３を参照して説明する。図３は、液晶表示装置１を光変調装置として用いたプロジェクターの要部を示す概略構成図である。図３において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は液晶光変調装置、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投写レンズを示す。
【００３７】
光源８１０はメタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、上述の本発明の一例たる液晶表示装置１を備えた赤色光用液晶光変調装置８２２に入射される。
【００３８】
一方、ダイクロイックミラー８１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー８１４によって反射され、上述の本発明の一例たる液晶表示装置１を備えた緑色光用液晶光変調装置８２３に入射される。なお、青色光は第２のダイクロイックミラー８１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられ、これを介して青色光が上述の本発明の一例たる液晶表示装置１を備えた青色光用液晶光変調装置８２４に入射される。
【００３９】
なお、本発明の液晶表示装置１は、シリコン酸化物等の無機材料から構成された配向膜を備えているので、プロジェクター用途として要求される耐光性及び耐熱性を備えたものとなっている。したがって、赤色、緑色、青色光用液晶光変調装置８２２、８２３、８２４は、信頼性の高い表示を行うことが可能となっている。
【００４０】
各光変調装置により変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００４１】
上記構造を有するプロジェクターは、上述の本発明の一例たる液晶表示装置を備えたものであるので、高コントラストで表示品質の高い信頼性の高い表示装置となる。
【００４２】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。例えば、画素電極９及び共通電極２１として、ＩＴＯに代えてＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）を用いるようにしてもよい。
【００４３】
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、配向膜が成膜される基材部の表面粗さが異なる液晶表示装置を用意し、それぞれに関するプレチルト角、コントラストを確認することで、本発明の効果を検証した。
【００４４】
具体的には、第１実施形態に係る液晶表示装置を基本構造とし、画素電極９及び共通電極２１の表面粗さの値を異ならせた液晶表示装置を用いて表面粗さとコントラストとの関係、或いはこの表面粗さと第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２が液晶分子３０ａに付与するプレチルト角（単位：°）との関係を図４、５のグラフに示した。
【００４５】
図４は、画素電極９及び共通電極２１の表面粗さ（単位；ｎｍ）とコントラストとの関係を示すグラフである。すなわち、配向膜が形成される基材部の表面粗さとコントラストとの関係を示すものである。なお、このグラフは、第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２を形成する蒸着条件を一定（例えば、蒸着角度４５°、真空度５．５×１０−３Ｐａ）とした。
【００４６】
図５は、画素電極９及び共通電極２１の表面粗さ（単位；ｎｍ）と第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２により液晶分子３０ａに付与するプレチルト角（°）との関係を示すグラフである。すなわち、配向膜が形成される基材部の表面粗さとプレチルト角との関係を示すものである。なお、蒸着条件は、図４に示すグラフと同様のものとした。
【００４７】
図４のグラフからは、画素電極９及び共通電極２１の表面粗さが４ｎｍ未満の場合、液晶表示装置は高いコントラスト（コントラスト比５００：１以上）の表示が得られることが確認できた。
【００４８】
また図５のグラフからは、画素電極９及び共通電極２１の表面粗さが４ｎｍ未満の場合、第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２として液晶分子３０ａに実用的なプレチルト角を付与するものが得られることが確認できた。ここで、プレチルト角が大きすぎるとコントラストが低下し、反対にプレチルト角が小さすぎると動画表示時にドメインが発生するおそれがある。すなわち、実用的なプレチルト角とは、ドメインの発生を防止しつつ、高コントラストな表示を可能な範囲のプレチルト角を意味する。
【００４９】
ここで、第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２は下層に形成される画素電極９及び共通電極２１の表面形状に倣って形成されるので、第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２における表面粗さは画素電極９及び共通電極２１の表面粗さに比べて同等若しくは小さくなるものと考えられる。
【００５０】
すなわち、画素電極９及び共通電極２１の表面粗さを４ｎｍ未満に設定することで、表面粗さが４ｎｍ未満の第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２を備えた液晶表示装置を得ることができた。このような表面粗さが４ｎｍ未満の第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２を備えた液晶表示装置は、液晶分子３０ａに対して良好なプレチルト角を付与することができ、ドメインが発生せず、高コントラストの表示が得られることが確認できた。
【００５１】
以上述べたように、第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２の下層に形成される画素電極９及び共通電極２１の表面粗さを４ｎｍ未満とする液晶表示装置によれば、動画を表示する際にドメインが発生することのない高コントラストの表示を行うことができることが確認できた。
【００５２】
以下、本発明の実施例１〜３及び比較例１、２に関する液晶表示装置における表面粗さとプレチルト角及びコントラストとの関係について評価した結果を下記の表１に示す。なお、本評価では、コントラスト比が５００：１以上のものを高コントラストが得られているものと判定し、表１には○を記載した。また、コントラスト比が５００：１以下のものについては、表１に×を記載した。
【００５３】
【表１】
2011154156.tif 000003
【００５４】
表１の実施例１は、第１実施形態に係る液晶表示装置に対応するものである。また、表１の実施例２は、第２実施形態に係る液晶表示装置に対応するものである。また、表３の実施例３は、第１実施形態に係る液晶表示装置と同様の基本構成において、第１の配向膜１２及び第２の配向膜２２の下層である画素電極９及び共通電極２１の表面粗さをいずれも２．８ｎｍに設定したものである。また、表１の比較例１は、第１実施形態に係る液晶表示装置と同様の基本構成において、画素電極９及び共通電極２１の表面粗さをいずれも６．１ｎｍに設定したものである。また、表１の比較例２は、第１実施形態に係る液晶表示装置と同様の基本構成において、画素電極９の表面粗さを２．３ｎｍに設定し、共通電極２１の表面粗さを７．４ｎｍに設定したものである。
【００５５】
評価の結果、実施例１の液晶表示装置は、プレチルト角が６．０度となり、ドメインが発生しない高コントラスト表示を得ることが確認された。また、実施例２の液晶表示装置は、プレチルト角が５．２度となり、ドメインが発生しない高コントラスト表示を得ることが確認された。また、実施例３の液晶表示装置は、プレチルト角が４．９度となり、ドメインが発生しない高コントラスト表示を得ることが確認された。
【００５６】
一方、比較例１の液晶表示装置は、画素電極９及び共通電極２１の表面粗さが６．１ｎｍ、すなわち４．０ｎｍ以上となっている。そのため、プレチルト角が７．７度と大きくなり、コントラストの低い表示となることが確認された。また、比較例２の液晶表示装置は、共通電極２１の表面粗さのみが７．４ｎｍ、すなわち４．０ｎｍ以上となっている。そのため、プレチルト角が実施例１〜３に比べ、６．４度と大きくなり、コントラストの低い表示となることが確認された。
【００５７】
以上述べた実施例１〜３、及び比較例１、２の評価結果からも、液晶表示装置における配向膜の下層の表面粗さを４．０ｎｍ未満に設定することで、プレチルト角を実用範囲内に設定することができ、高コントラストの表示を得ることが確認できた。
したがって、本発明の構成が課題解決に有効であることが確かめられた。
【符号の説明】
【００５８】
１,１００…液晶表示装置、９…画素電極、１１，２３…基材部、１２…第１の配向膜、２２…第２の配向膜、２１…透明電極、３０…液晶層、３０ａ…液晶分子、１１１，１２３…基材部、１１２，１２１…パッシベーション膜
【図１】
2011154156.tif 000004
【図２】
2011154156.tif 000005
【図３】
2011154156.tif 000006
【図４】
2011154156.tif 000007
【図５】
2011154156.tif 000008