(57)【要約】【課題】他色光の照射に起因する電流劣化による焼付きをも考慮した焼付き補正を行えるようにする。【解決手段】例えば、Ｇ（緑色）光の画素の焼付き補正にあって、Ｇ光を発光するＧのダミー画素と、Ｇ光およびＢ（青色）光を同時発光するＣｙ（シアン）のダミー画素とを設ける。そして、劣化量算出部８２において、Ｇのダミー画素の輝度検出結果に基づいてＧの有機ＥＬ素子の劣化量を求める。また、Ｇのダミー画素の輝度検出結果に基づいて得られる劣化量と、Ｃｙのダミー画素の輝度検出結果に基づいて得られる劣化量との差分をとることで、画素内のトランジスタ特性のＢ光の照射の影響による劣化量を求める。このようにして求めた劣化量に基づいて、補正処理部８３において、焼付きが生じる領域の有効画素２０の特性劣化を予測して焼付き補正量を決定し、この決定した焼付き補正量を基に焼付き補正を行う。【選択図】図４
2011076025.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域の各画素の発光色に対応した第１色光を発光する自発光素子を含む第１のダミー画素と、
前記第１色光を発光する自発光素子と第２色光を発光する自発光素子とを含み、両自発光素子が同時に発光する第２のダミー画素と、
前記第１のダミー画素の輝度検出結果を基に前記第１色光を発光する自発光素子の輝度の劣化量を求めるとともに、前記第１、第２のダミー画素の各輝度検出結果を基に前記第１色光を発光する自発光素子に流れ電流の劣化量を求める劣化量算出部と、
前記劣化量算出部で求めた前記輝度の劣化量および前記電流の劣化量を基に画像表示に寄与する有効画素の輝度を補正する補正処理部と
を備える表示装置。
【請求項２】
前記劣化量算出部は、前記第１のダミー画素の輝度検出結果を基に得られる劣化量と、前記第２のダミー画素の輝度検出結果を基に得られる劣化量との差分を求め、当該差分を前記電流の劣化量とする
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１色光を緑色光、赤色光とするとき、前記第２色光は青色光である
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１、第２のダミー画素は、異なる発光輝度で発光する複数のダミー画素からなる
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記有効画素は、自発光素子を駆動する駆動トランジスタに流れる電流に応じた補正量で当該駆動トランジスタのゲート−ソース間の電位差に負帰還をかける移動度補正処理の機能を有する
請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記有効画素は、映像信号を書き込む書込みトランジスタを有し、当該書込みトランジスタの導通期間によって前記移動度補正処理の補正期間を決める
請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記劣化量算出部は、前記第１のダミー画素の輝度検出結果を基に得られる劣化量と、前記第２のダミー画素の輝度検出結果を基に得られる劣化量との差分から、前記書込みトランジスタの特性の劣化量を求める
請求項６記載の表示装置。
【請求項８】
表示領域の各画素の発光色に対応した第１色光を発光する自発光素子を含む第１のダミー画素と、
前記第１色光を発光する自発光素子と第２色光を発光する自発光素子とを含み、両自発光素子が同時に発光する第２のダミー画素と
を備える表示装置の駆動にあって、
前記第１のダミー画素の輝度検出結果を基に前記第１色光を発光する自発光素子の輝度の劣化量を求めるとともに、前記第１、第２のダミー画素の各輝度検出結果を基に前記第１色光を発光する自発光素子に流れ電流の劣化量を求め、
前記劣化量算出部で求めた前記輝度の劣化量および前記電流の劣化量を基に画像表示に寄与する有効画素の輝度を補正する
表示装置の駆動方法。
【請求項９】
表示領域の各画素の発光色に対応した第１色光を発光する自発光素子を含む第１のダミー画素と、
前記第１色光を発光する自発光素子と第２色光を発光する自発光素子とを含み、両自発光素子が同時に発光する第２のダミー画素と、
前記第１のダミー画素の輝度検出結果を基に前記第１色光を発光する自発光素子の輝度の劣化量を求めるとともに、前記第１、第２のダミー画素の各輝度検出結果を基に前記第１色光を発光する自発光素子に流れ電流の劣化量を求める劣化量算出部と、
前記劣化量算出部で求めた前記輝度の劣化量および前記電流の劣化量を基に画像表示に寄与する有効画素の輝度を補正する補正処理部と
を備える表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器に関し、特に電気光学素子を含む画素が行列状（マトリクス状）に２次元配置されてなる平面型（フラットパネル型）の表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、電気光学素子として自発光型の素子（自発光素子）を用いた画素（画素回路）が行列状に配置されてなる平面型の自発光表示装置が急速に普及している。自発光素子としては、例えば、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子が知られている。有機ＥＬ素子は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、いわゆる電流駆動型の電気光学素子である。
【０００３】
有機ＥＬ素子を電気光学素子として用いた有機ＥＬ表示装置は、次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために消費電力が小さい。有機ＥＬ素子は、自発光素子であることから、画素ごとに液晶にて光源からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高い。しかも、バックライト等の照明部材を必要としないために軽量化および薄型化が容易である。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。
【０００４】
一方で、有機ＥＬ素子は一般的に、発光量と発光時間に比例して輝度効率が低下することが知られている。かかる特性の有機ＥＬ素子を用いた表示装置では、表示画面上の特定の表示領域に例えば時刻表示の場合のように固定パターンの画像が繰り返して表示されると、当該特定の表示領域の有機ＥＬ素子は、他の表示領域の有機ＥＬ素子に比べて劣化の進行の度合いが速い。
【０００５】
劣化が進行した特定の表示領域の有機ＥＬ素子の輝度は、他の表示領域の有機ＥＬ素子の輝度に比して相対的に低下するために、当該特定の表示領域の部分が輝度ムラとして視認される。すなわち、表示画面上の特定の表示領域に固定パターンの画像が繰り返して表示される場合などに、当該特定の表示領域の表示箇所が固定的な輝度ムラとして視認される、一般的に焼付きと呼ばれる現象が生ずる。
【０００６】
この焼付き現象の解消は、有機ＥＬ表示装置に代表される自発光表示装置の最重要課題である。そのため、従来は、焼付き現象を信号処理の面から補正するために、画素アレイ部（表示領域）の外に画像表示に寄与しないダミー画素を設け、当該ダミー画素の輝度劣化の状態を検出し、その検出結果を基に焼付きを補正するようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−１５６０４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、有機ＥＬ素子の輝度は自身の発光状態に起因して劣化する。これに対して、画素内のトランジスタは、自画素の発光色以外の他色光が照射されることにより、トランジスタ特性が変化する。画素内のトランジスタの特性が変化すると、有機ＥＬ素子に流れる電流が変化する。このときの電流の変化は、他色光の照射に起因する電流劣化となる。この電流劣化は、有機ＥＬ素子の輝度劣化につながるため、焼付き現象の発生を招く一因となる。したがって、焼付き補正を行うに当たっては、他色光の照射に起因する電流劣化による焼付きをも考慮した補正を行う必要がある。
【０００９】
そこで、本発明は、他色光の照射に起因する電流劣化による焼付きをも考慮した焼付き補正を行うことが可能な表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、
表示領域の各画素の発光色に対応した第１色光を発光する自発光素子を含む第１のダミー画素と、
前記第１色光を発光する自発光素子と第２色光を発光する自発光素子とを含み、両自発光素子が同時に発光する第２のダミー画素と
を備える表示装置の駆動にあって、
前記第１のダミー画素の輝度検出結果を基に前記第１色光を発光する自発光素子の輝度の劣化量を求めるとともに、前記第１、第２のダミー画素の各輝度検出結果を基に前記第１色光を発光する自発光素子に流れ電流の劣化量を求め、
前記劣化量算出部で求めた前記輝度の劣化量および前記電流の劣化量を基に画像表示に寄与する有効画素の輝度を補正する
構成を採っている。
【００１１】
第１色光を発光する第１のダミー画素の輝度検出結果からは第１色光を発光する自発光素子の輝度の劣化量が得られる。一方、第１色光と第２色光とを同時に発光する第２のダミー画素の輝度検出結果からは第１色光を発光する自発光素子に流れ電流の劣化量が求められる。そして、これら求めた輝度の劣化量および電流の劣化量を基に画像表示に寄与する有効画素の輝度を補正することで、第１色光を発光する自発光素子の輝度劣化による焼付きだけでなく、第１色光以外の第２色光の照射に起因する電流劣化による焼付きをも考慮した焼付き補正を実現できる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、第１色光以外の第２色光の照射に起因する電流劣化による焼付きをも考慮した焼付き補正を行うことができるために、輝度劣化に対する焼付き補正だけを行う場合に比べてより的確な焼付き補正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の画素（画素回路）の回路構成を示す回路図である。
【図３】本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の基本的な回路動作の説明に供するタイミング波形図である。
【図４】本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の基本的な回路動作の動作説明図（その１）である。
【図５】本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の基本的な回路動作の動作説明図（その２）である。
【図６】駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。
【図７】駆動トランジスタの移動度μのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。
【図８】閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係の説明に供する特性図である。
【図９】負バイアス印加時の閾値電圧Ｖｔｈの変動特性の一例を示す図である。
【図１０】書込みパルスＷＳの立ち上がり波形と移動度補正の最適な補正時間ｔとの関係を示す波形図である。
【図１１】発光期間での負バイアスによる書込みトランジスタのＶｔｈ特性のデプレッションへのシフトに起因する不具合の説明に供する波形図である。
【図１２】緑色（Ｇ）の画素について輝度劣化特性が表示色によって異なる様子を示す図である。
【図１３】青色（Ｂ）光が照射されるメカニズムについて説明するための画素の断面構造図である。
【図１４】本実施形態に係る焼付き補正回路の構成の一例を示すブロック図である。
【図１５】ダミー画素部の具体的な構成の一例を示す概略図である。
【図１６】Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｃｙ，Ｍｇの発光色について１００ｎｉｔ、２００ｎｉｔ、４００ｎｉｔの輝度ごとの発光時間−輝度の特性を示す図である。
【図１７】本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。
【図１８】本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１９】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。
【図２０】本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。
【図２１】本発明が適用される携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、発明を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．本発明が適用される表示装置（有機ＥＬ表示装置の例）
１−１．システム構成
１−２．回路動作
２．焼付き現象
２−１．有機ＥＬ素子の輝度劣化に起因する焼付き現象
２−２．電流劣化に起因する焼付き現象
２−３．青色光の影響による輝度劣化
３．実施形態
３−１．焼付き補正回路
３−２．実施形態の作用効果
４．変形例
５．適用例（電子機器）
【００１５】
＜１．本発明が適用される表示装置＞
［１−１．システム構成］
図１は、本発明が適用されるアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子を画素（画素回路）の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。
【００１６】
図１に示すように、本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状に２次元配置された画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置された駆動部とを有する構成となっている。駆動部は、書込み走査回路４０、電源供給部としての電源供給走査回路５０および信号出力回路６０等からなり、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。
【００１７】
ここで、有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、１つの画素は複数の副画素（サブピクセル）から構成され、この副画素が画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示用の表示装置では、１つの画素は、赤色光（Ｒ）を発光する副画素、緑色光（Ｇ）を発光する副画素、青色光（Ｂ）を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【００１８】
ただし、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素にさらに１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色光（Ｗ）を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００１９】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向）に沿って走査線３１−１〜３１−ｍと電源供給線３２−１〜３２−ｍとが画素行ごとに配線されている。さらに、列方向（画素列の画素の配列方向）に沿って信号線３３−１〜３３−ｎが画素列ごとに配線されている。
【００２０】
走査線３１−１〜３１−ｍは、書込み走査回路４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。電源供給線３２−１〜３２−ｍは、電源供給走査回路５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３−１〜３３−ｎは、信号出力回路６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【００２１】
画素アレイ部３０は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成されている。これにより、有機ＥＬ表示装置１０は、平面型（フラット型）のパネル構造となっている。画素アレイ部３０の各画素２０の駆動回路は、アモルファスシリコンＴＦＴまたは低温ポリシリコンＴＦＴを用いて形成することができる。低温ポリシリコンＴＦＴを用いる場合には、図１に示すように、書込み走査回路４０、電源供給走査回路５０および信号出力回路６０についても、画素アレイ部３０を形成する表示パネル（基板）７０上に実装することができる。
【００２２】
書込み走査回路４０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成されている。この書込み走査回路４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の書込みに際して、走査線３１−１〜３１−ｍに対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ１〜ＷＳｍ）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査（線順次走査）する。
【００２３】
電源供給走査回路５０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成されている。この電源供給走査回路５０は、書込み走査回路４０による線順次走査に同期して、第１電源電位Ｖｃｃｐと当該第１電源電位Ｖｃｃｐよりも低い第２電源電位Ｖｉｎｉで切り替わる電源電位ＤＳ（ＤＳ１〜ＤＳｍ）を電源供給線３２−１〜３２−ｍに供給する。後述するように、電源電位ＤＳのＶｃｃｐ／Ｖｉｎｉの切替えにより、画素２０の発光／非発光の制御が行なわれる。
【００２４】
信号出力回路６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖｓｉｇと基準電位Ｖｏｆｓとを選択的に出力するセレクタ構成となっている。ここで、基準電位Ｖｏｆｓは、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの基準となる電位（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電位）である。
【００２５】
信号出力回路６０から出力される信号電圧Ｖｓｉｇ／基準電位Ｖｏｆｓは、信号線３３−１〜３３−ｎを介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して行単位で書き込まれる。すなわち、信号出力回路６０は、信号電圧Ｖｓｉｇを行（ライン）単位で書き込む線順次書き込みの駆動形態を採っている。
【００２６】
（画素回路）
図２は、画素（画素回路）２０の具体的な回路構成を示す回路図である。
【００２７】
図２に示すように、画素２０は、自発光素子、例えばデバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である有機ＥＬ素子２１と、当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線（いわゆる、ベタ配線）された共通電源供給線３４にカソード電極が接続されている。
【００２８】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３および保持容量２４を有する構成となっている。ここでは、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３として、Ｎチャネル型のトランジスタ、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）を用いている。ただし、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００２９】
なお、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３としてＮチャネル型のＴＦＴを用いると、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）プロセスを用いることができる。ａ−Ｓｉプロセスを用いることで、ＴＦＴを作成する基板の低コスト化、ひいては本有機ＥＬ表示装置１０の低コスト化を図ることが可能になる。また、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３を同じ導電型の組み合わせにすると、両トランジスタ２２，２３を同じプロセスで作成することができるために低コスト化に寄与できる。
【００３０】
駆動トランジスタ２２は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）に接続されている。
【００３１】
書込みトランジスタ２３は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。また、書込みトランジスタ２３のゲート電極は、走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に接続されている。
【００３２】
駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３において、一方の電極とは、ソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言い、他方の電極とは、ドレイン／ソース領域に電気的に接続された金属配線を言う。また、一方の電極と他方の電極との電位関係によって一方の電極がソース電極ともなればドレイン電極ともなり、他方の電極がドレイン電極ともなればソース電極ともなる。
【００３３】
保持容量２４は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２の他方の電極および有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。
【００３４】
なお、有機ＥＬ素子２１の駆動回路としては、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３の２つのトランジスタと保持容量２４の１つの容量素子とからなる回路構成のものに限られるものではない。
【００３５】
他の回路例としては、例えば、一方の電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に、他方の電極が固定電位にそれぞれ接続されることで、有機ＥＬ素子２１の容量不足分を補う補助容量を必要に応じて設けた回路構成を採ることも可能である。さらには、駆動トランジスタ２２に対して直列にスイッチングトランジスタを接続し、当該スイッチングトランジスタの導通／非導通によって有機ＥＬ素子２１の発光／非発光の制御を行う回路構成を採ることも可能である。
【００３６】
上記構成の画素２０において、書込みトランジスタ２３は、書込み走査回路４０から走査線３１を通してゲート電極に印加されるＨｉｇｈアクティブの書込み走査信号ＷＳに応答して導通状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３は、信号線３３を通して信号出力回路６０から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇまたは基準電位Ｖｏｆｓをサンプリングして画素２０内に書き込む。この書き込まれた信号電圧Ｖｓｉｇまたは基準電位Ｖｏｆｓは、駆動トランジスタ２２のゲート電極に印加されるとともに保持容量２４に保持される。
【００３７】
駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）の電位ＤＳが第１電源電位Ｖｃｃｐにあるときには、一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極となって飽和領域で動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２から電流の供給を受けて有機ＥＬ素子２１を電流駆動にて発光駆動する。より具体的には、駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作することにより、保持容量２４に保持された信号電圧Ｖｓｉｇの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給し、当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動することによって発光させる。
【００３８】
駆動トランジスタ２２はさらに、電源電位ＤＳが第１電源電位Ｖｃｃｐから第２電源電位Ｖｉｎｉに切り替わったときには、一方の電極がソース電極、他方の電極がドレイン電極となってスイッチングトランジスタとして動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１への駆動電流の供給を停止し、有機ＥＬ素子２１を非発光状態にする。すなわち、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するトランジスタとしての機能をも併せ持っている。
【００３９】
この駆動トランジスタ２２のスイッチング動作により、有機ＥＬ素子２１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、有機ＥＬ素子２１の発光期間と非発光期間の割合（デューティ）を制御することができる。このデューティ制御により、１フレーム期間に亘って画素が発光することに伴う残像ボケを低減できるために、特に動画の画品位をより優れたものとすることができる。
【００４０】
電源供給走査回路５０から電源供給線３２を通して選択的に供給される第１，第２電源電位Ｖｃｃｐ，Ｖｉｎｉのうち、第１電源電位Ｖｃｃｐは有機ＥＬ素子２１を発光駆動する駆動電流を駆動トランジスタ２２に供給するための電源電位である。また、第２電源電位Ｖｉｎｉは、有機ＥＬ素子２１に対して逆バイアスを掛けるための電源電位である。この第２電源電位Ｖｉｎｉは、基準電位Ｖｏｆｓよりも低い電位、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧をＶｔｈとするときＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも低い電位、好ましくはＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも十分に低い電位に設定される。
【００４１】
［１−２．回路動作］
続いて、上記構成の有機ＥＬ表示装置１０の基本的な回路動作について、図３のタイミング波形図を基に図４および図５の動作説明図を用いて説明する。なお、図４および図５の動作説明図では、図面の簡略化のために、書込みトランジスタ２３をスイッチのシンボルで図示している。また、有機ＥＬ素子２１の等価容量２５についても図示している。
【００４２】
図３のタイミング波形図には、走査線３１の電位（書込み走査信号）ＷＳ、電源供給線３２の電位（電源電位）ＤＳ、信号線３３の電位（Ｖｓｉｇ／Ｖｏｆｓ）、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓのそれぞれの変化を示している。
【００４３】
（前フレームの発光期間）
図３のタイミング波形図において、時刻ｔ１１以前は、前のフレーム（フィールド）における有機ＥＬ素子２１の発光期間となる。この前フレームの発光期間では、電源供給線３２の電位ＤＳが第１電源電位（以下、「高電位」と記述する）Ｖｃｃｐにあり、また、書込みトランジスタ２３が非導通状態にある。
【００４４】
このとき、駆動トランジスタ２２は飽和領域で動作するように設計されている。これにより、図４（Ａ）に示すように、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに応じた駆動電流（ドレイン−ソース間電流）Ｉｄｓが、電源供給線３２から駆動トランジスタ２２を通して有機ＥＬ素子２１に供給される。よって、有機ＥＬ素子２１が駆動電流Ｉｄｓの電流値に応じた輝度で発光する。
【００４５】
（閾値補正準備期間）
時刻ｔ１１になると、線順次走査の新しいフレーム（現フレーム）に入る。そして、図４（Ｂ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが高電位Ｖｃｃｐから、信号線３３の基準電位Ｖｏｆｓに対してＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも十分に低い第２電源電位（以下、「低電位」と記述する）Ｖｉｎｉに切り替わる。
【００４６】
ここで、有機ＥＬ素子２１の閾値電圧をＶｔｈｅｌ、共通電源供給線３４の電位（カソード電位）をＶｃａｔｈとする。このとき、低電位ＶｉｎｉをＶｉｎｉ＜Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔｈとすると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが低電位Ｖｉｎｉにほぼ等しくなるために、有機ＥＬ素子２１は逆バイアス状態となって消光する。
【００４７】
次に、時刻ｔ１２で走査線３１の電位ＷＳが低電位側から高電位側に遷移することで、図４（Ｃ）に示すように、書込みトランジスタ２３が導通状態となる。このとき、信号出力回路６０から信号線３３に対して基準電位Ｖｏｆｓが供給されているために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが基準電位Ｖｏｆｓになる。また、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓは、基準電位Ｖｏｆｓよりも十分に低い電位Ｖｉｎｉにある。
【００４８】
このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｏｆｓ−Ｖｉｎｉとなる。ここで、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくないと、後述する閾値補正処理を行うことができないために、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉ＞Ｖｔｈなる電位関係に設定する必要がある。
【００４９】
このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇを基準電位Ｖｏｆｓに、ソース電位Ｖｓを低電位Ｖｉｎｉにそれぞれ固定して（確定させて）初期化する処理が、後述する閾値補正処理を行う前の準備（閾値補正準備）の処理である。したがって、基準電位Ｖｏｆｓおよび低電位Ｖｉｎｉが、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの各初期化電位となる。
【００５０】
（閾値補正期間）
次に、時刻ｔ１３で、図４（Ｄ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが低電位Ｖｉｎｉから高電位Ｖｃｃｐに切り替わると、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが保たれた状態で閾値補正処理が開始される。すなわち、ゲート電位Ｖｇから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを減じた電位に向けて駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇を開始する。
【００５１】
ここでは、便宜上、駆動トランジスタ２２のゲート電極の初期化電位Ｖｏｆｓを基準として、当該初期化電位Ｖｏｆｓから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを減じた電位に向けてソース電位Ｖｓを変化させる処理を閾値補正処理と呼んでいる。この閾値補正処理が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに収束する。この閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧は保持容量２４に保持される。
【００５２】
なお、閾値補正処理を行う期間（閾値補正期間）において、電流が専ら保持容量２４側に流れ、有機ＥＬ素子２１側には流れないようにするために、有機ＥＬ素子２１がカットオフ状態となるように共通電源供給線３４の電位Ｖｃａｔｈを設定しておくこととする。
【００５３】
次に、時刻ｔ１４で走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、図５（Ａ）に示すように、書込みトランジスタ２３が非導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート電極が信号線３３から電気的に切り離されることによってフローティング状態になる。しかし、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに等しいために、当該駆動トランジスタ２２はカットオフ状態にある。したがって、駆動トランジスタ２２にドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは流れない。
【００５４】
（信号書込み＆移動度補正期間）
次に、時刻ｔ１５で、図５（Ｂ）に示すように、信号線３３の電位が基準電位Ｖｏｆｓから映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに切り替わる。続いて、時刻ｔ１６で、走査線３１の電位ＷＳが高電位側に遷移することで、図５（Ｃ）に示すように、書込みトランジスタ２３が導通状態になって映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇをサンプリングして画素２０内に書き込む。
【００５５】
この書込みトランジスタ２３による信号電圧Ｖｓｉｇの書込みにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが信号電圧Ｖｓｉｇとなる。そして、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが保持容量２４に保持された閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧と相殺される。この閾値キャンセルの原理の詳細については後述する。
【００５６】
このとき、有機ＥＬ素子２１はカットオフ状態（ハイインピーダンス状態）にある。したがって、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに応じて電源供給線３２から駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）は有機ＥＬ素子２１の等価容量２５に流れ込み、当該等価容量２５の充電が開始される。
【００５７】
有機ＥＬ素子２１の等価容量２５の充電により、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが時間の経過と共に上昇していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきがキャンセルされており、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは当該駆動トランジスタ２２の移動度μに依存したものとなる。
【００５８】
ここで、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに対する保持容量２４の保持電圧Ｖｇｓの比率、即ち書込みゲインＧが１（理想値）であると仮定する。すると、駆動トランジスタ２２のソース電位ＶｓがＶｏｆｓ−Ｖｔｈ＋ΔＶの電位まで上昇することで、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶとなる。
【００５９】
すなわち、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは、保持容量２４に保持された電圧（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ）から差し引かれるように、換言すれば、保持容量２４の充電電荷を放電するように作用し、負帰還がかけられたことになる。したがって、ソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは負帰還の帰還量となる。
【００６０】
このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じた帰還量ΔＶでゲート‐ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかけることで、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消すことができる。この打ち消す処理が、駆動トランジスタ２２の移動度μの画素ごとのばらつきを補正する移動度補正処理である。
【００６１】
より具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる映像信号の信号振幅Ｖｉｎ（＝Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）が高いほどドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなるために、負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなる。したがって、発光輝度レベルに応じた移動度補正処理が行われる。
【００６２】
また、映像信号の信号振幅Ｖｉｎを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなるために、画素ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。したがって、負帰還の帰還量ΔＶは移動度補正の補正量とも言える。移動度補正の原理の詳細については後述する。
【００６３】
（発光期間）
次に、時刻ｔ１７で走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、図５（Ｄ）に示すように、書込みトランジスタ２３が非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電極は、信号線３３から電気的に切り離されるためにフローティング状態になる。
【００６４】
ここで、駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態にあるときは、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間に保持容量２４が接続されていることにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの変動に連動してゲート電位Ｖｇも変動する。このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇがソース電位Ｖｓの変動に連動して変動する動作が、保持容量２４によるブートストラップ動作である。
【００６５】
駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態になり、それと同時に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、当該電流Ｉｄｓに応じて有機ＥＬ素子２１のアノード電位が上昇する。
【００６６】
そして、有機ＥＬ素子２１のアノード電位がＶｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔｈを越えると、有機ＥＬ素子２１に駆動電流が流れ始めるため有機ＥＬ素子２１が発光を開始する。また、有機ＥＬ素子２１のアノード電位の上昇は、即ち駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇に他ならない。駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇すると、保持容量２４のブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇも連動して上昇する。
【００６７】
このとき、ブートストラップゲインが１（理想値）であると仮定した場合、ゲート電位Ｖｇの上昇量はソース電位Ｖｓの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶで一定に保持される。そして、時刻ｔ１８で信号線３３の電位が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇから基準電位Ｖｏｆｓに切り替わる。
【００６８】
以上説明した一連の回路動作において、閾値補正準備、閾値補正、信号電圧Ｖｓｉｇの書込み（信号書込み）および移動度補正の各処理動作は、１水平走査期間（１Ｈ）において実行される。また、信号書込みおよび移動度補正の各処理動作は、時刻ｔ６−ｔ７の期間において並行して実行される。
【００６９】
なお、ここでは、閾値補正処理を１回だけ実行する駆動法を採る場合を例に挙げて説明したが、この駆動法は一例に過ぎず、この駆動法に限られるものではない。例えば、閾値補正処理を移動度補正および信号書込み処理と共に行う１Ｈ期間に加えて、当該１Ｈ期間に先行する複数の水平走査期間に亘って分割して複数回実行する、いわゆる分割閾値補正を行う駆動法を採ることも可能である。
【００７０】
この分割閾値補正の駆動法を採用することにより、高精細化に伴う多画素化によって１水平走査期間に割り当てられる時間が短くなったとしても、閾値補正期間として複数の水平走査期間に亘って十分な時間を確保することができるために、閾値補正処理を確実に行うことができる。
【００７１】
〔閾値キャンセルの原理〕
ここで、駆動トランジスタ２２の閾値キャンセル（即ち、閾値補正）の原理について説明する。駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。これにより、有機ＥＬ素子２１には駆動トランジスタ２２から、次式（１）で与えられる一定のドレイン−ソース間電流（駆動電流）Ｉｄｓが供給される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2     ……（１）
ここで、Ｗは駆動トランジスタ２２のチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘは単位面積当たりのゲート容量である。
【００７２】
図６に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ対ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの特性を示す。
【００７３】
この特性図に示すように、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきに対するキャンセル処理を行わないと、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ１のとき、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ１になる。
【００７４】
これに対して、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ２（Ｖｔｈ２＞Ｖｔｈ１）のとき、同じゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ２（Ｉｄｓ２＜Ｉｄｓ）になる。すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定であってもドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動する。
【００７５】
一方、上記構成の画素（画素回路）２０では、先述したように、発光時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶである。したがって、これを式（１）に代入すると、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、次式（２）で表される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ−ΔＶ）2 
……（２）
【００７６】
すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に供給されるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに依存しない。その結果、駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化により、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが画素ごとに変動したとしても、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動しないために、有機ＥＬ素子２１の発光輝度を一定に保つことができる。
【００７７】
〔移動度補正の原理〕
次に、駆動トランジスタ２２の移動度補正の原理について説明する。図７に、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に大きい画素Ａと、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に小さい画素Ｂとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ２２をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Ａや画素Ｂのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。
【００７８】
画素Ａと画素Ｂで移動度μにばらつきがある状態で、駆動トランジスタ２２のゲート電極に例えば両画素Ａ，Ｂに同レベルの信号振幅Ｖｉｎ（＝Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）を書き込んだ場合を考える。この場合、何ら移動度μの補正を行わないと、移動度μの大きい画素Ａに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１′と移動度μの小さい画素Ｂに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２′との間には大きな差が生じてしまう。このように、移動度μの画素ごとのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに画素間で大きな差が生じると、画面のユニフォーミティが損なわれる。
【００７９】
ここで、先述した式（１）のトランジスタ特性式から明らかなように、移動度μが大きいとドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなる。したがって、負帰還における帰還量ΔＶは移動度μが大きくなるほど大きくなる。図７に示すように、移動度μの大きな画素Ａの帰還量ΔＶ１は、移動度の小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて大きい。
【００８０】
そこで、移動度補正処理によって駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じた帰還量ΔＶでゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかけることにより、移動度μが大きいほど負帰還が大きくかかることになる。その結果、移動度μの画素ごとのばらつきを抑制することができる。
【００８１】
具体的には、移動度μの大きな画素Ａで帰還量ΔＶ１の補正をかけると、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ１′からＩｄｓ１まで大きく下降する。一方、移動度μの小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ２は小さいために、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ２′からＩｄｓ２までの下降となり、それ程大きく下降しない。結果的に、画素Ａのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１と画素Ｂのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２とはほぼ等しくなるために、移動度μの画素ごとのばらつきが補正される。
【００８２】
以上をまとめると、移動度μの異なる画素Ａと画素Ｂがあった場合、移動度μの大きい画素Ａの帰還量ΔＶ１は移動度μの小さい画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて大きくなる。つまり、移動度μが大きい画素ほど帰還量ΔＶが大きく、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの減少量が大きくなる。
【００８３】
したがって、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じた帰還量ΔＶで、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかけることで、移動度μの異なる画素のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの電流値が均一化される。その結果、移動度μの画素ごとのばらつきを補正することができる。すなわち、駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）に応じた帰還量ΔＶで、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかける処理が移動度補正処理となる。
【００８４】
ここで、図２に示した画素（画素回路）２０において、閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと駆動トランジスタ２２のドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係について図８を用いて説明する。
【００８５】
図８において、（Ａ）は閾値補正および移動度補正を共に行わない場合、（Ｂ）は移動度補正を行わず、閾値補正のみを行った場合、（Ｃ）は閾値補正および移動度補正を共に行った場合をそれぞれ示している。図８（Ａ）に示すように、閾値補正および移動度補正を共に行わない場合には、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに画素Ａ，Ｂ間で大きな差が生じることになる。
【００８６】
これに対し、閾値補正のみを行った場合は、図８（Ｂ）に示すように、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓのばらつきをある程度低減できるものの、移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの差は残る。そして、閾値補正および移動度補正を共に行うことで、図８（Ｃ）に示すように、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの差をほぼ無くすことができる。したがって、どの階調においても有機ＥＬ素子２１の輝度ばらつきは発生せず、良好な画質の表示画像を得ることができる。
【００８７】
また、図２に示した画素２０は、閾値補正および移動度補正の各補正機能に加えて、先述した保持容量２４によるブートストラップ動作の機能を備えていることで、次のような作用効果を得ることができる。
【００８８】
すなわち、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性の経時変化に伴って駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが変化したとしても、保持容量２４によるブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電位Ｖｇｓを一定に維持することができる。したがって、有機ＥＬ素子２１に流れる電流は変化せず一定となる。その結果、有機ＥＬ素子２１の発光輝度も一定に保たれるために、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が経時変化したとしても、それに伴う輝度劣化のない画像表示を実現できる。
【００８９】
＜２．焼付き現象＞
［２−１．有機ＥＬ素子の輝度劣化に起因する焼付き現象］
前にも述べたように、有機ＥＬ素子２１の輝度は自身の発光状態に起因して劣化する。そして、有機ＥＬ表示装置では、劣化が進行した特定の表示領域の有機ＥＬ素子の輝度が他の表示領域の有機ＥＬ素子に比べて相対的に低下することに起因して、当該特定の表示領域の表示箇所が固定的な輝度ムラとして視認される焼付き現象が発生する。
【００９０】
ここで、有機ＥＬ素子の劣化の進行度合いが速い特定の表示領域とは、例えば時刻表示（時計表示）の場合のように固定パターンの画像が繰り返して表示される領域を言う。この焼付き現象を解消するために、有機ＥＬ表示装置１０は、焼付き現象を信号処理の面から補正する機能（焼付き補正機能）を備えている。
【００９１】
焼付き現象を信号処理の面から補正するに当たっては、表示パネル７０上の画素アレイ部（表示領域）３０の外に画像表示に寄与しないダミー画素を設け、当該ダミー画素を表示領域の有効画素（画素２０）と同様に駆動することにより輝度を劣化させる。そして、ダミー画素の輝度劣化の状態を光検出センサによって検出するようにする。
【００９２】
画像表示に寄与する有効画素２０と同じ表示パネル７０上にダミー画素を作製し、当該ダミー画素を基本的に有効画素２０と同様に駆動することで、ダミー画素の輝度劣化の状態から各画素２０の輝度劣化の状態を予測することができる。したがって、ダミー画素の輝度劣化の状態を検出し、その検出結果を基に焼付き現象が生ずる特定の表示領域の各画素２０の輝度制御を行うことで、焼付き現象が生じないようにするための焼付き補正を行うことができる。
【００９３】
ダミー画素は、例えば画素アレイ部３０の各画素２０と同様の構成を採る。すなわち、ダミー画素は、画素２０と同様に、有機ＥＬ素子、駆動トランジスタ、書込みトランジスタおよび保持容量を有する。したがって、ダミー画素を画素２０と同じプロセスで作製できるために、ダミー画素を設けることによる表示パネル７０の生産上の難易度が上がることやコストが増加することはほとんど発生しない。
【００９４】
［２−２．電流劣化に起因する焼付き現象］
前にも述べたように、画素２０内のトランジスタ（駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３）は、自画素の発光色以外の他色光が照射されることにより、トランジスタ特性が変化する。他色光の中でも特に青色光（Ｂ光）は、他の赤色光（Ｒ光）や緑色光（Ｂ光）に比べてエネルギーが強い。そのため、他色光でも特に青色光が照射されることにより、画素２０内のトランジスタの特性が変化し易い。
【００９５】
ここで、画素２０内のトランジスタのうち、特に書込みトランジスタ２３について考察する。有機ＥＬ素子２１の発光期間においては、書込みトランジスタ２３のゲート電極に負のバイアス電圧、例えば−３Ｖ程度の電圧が印加されることによって書込みトランジスタ２３は非導通状態となる。また、発光期間では、有機ＥＬ素子２１に電流が流れているため、有機ＥＬ素子２１のアノード電位（駆動トランジスタ２２のソース電位）が一定電位、例えば５Ｖ程度まで上昇する。
【００９６】
そして、白階調の表示時などでは、白階調の信号電圧Ｖｓｉｇを例えば５Ｖとすると、駆動トランジスタ２２のゲート電位は、ソース電位よりもさらに５Ｖ高くなり、１０Ｖ程度になる。一方で、自身の画素行が発光期間にあるときに他の画素行では映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの書込みが行われ、このときの信号線３３の電位により書込みトランジスタ２３の信号線３３側の電位（ソース電位）が０〜６Ｖ程度の電位となる。
【００９７】
これにより、書込みトランジスタ２３のゲート電極に−３Ｖ程度の電圧が、信号線３３側の電極（ソース電極）に０〜６Ｖ程度の電圧が印加される。その結果、書込みトランジスタ２３には負バイアスがかかった状態になるとともに、ゲート−ドレイン間に１３Ｖ程度の高い電圧が印加された状態になる。ここで、負バイアスとは、ソース電位に対してゲート電位が負となるバイアス状態を言う。
【００９８】
この負バイアスにより、書込みトランジスタ２３のトランジスタ特性、具体的には閾値電圧Ｖｔｈ（以下、「Ｖｔｈ特性」と記述する）が低くなる方向に変動する、即ち書込みトランジスタ２３のＶｔｈ特性がエンハンスメントからデプレッションにシフトする。ここで、エンハンスメントとは、ゲート電極に書込みパルス（走査信号）ＷＳを印加したときにチャネルが形成されてソース−ドレイン間に電流が流れる状態を言う。また、デプレッションとは、ゲート電極に書込みパルスＷＳを印加しない状態でソース−ドレイン間に電流が流れる状態を言う。
【００９９】
図９に、負バイアス印加時の閾値電圧Ｖｔｈの変動特性の一例を示す。図９において、横軸は書込みトランジスタ２３のゲート電極に負バイアスを印加しているストレス時間を示し、縦軸は閾値電圧Ｖｔｈの変動量ΔＶｔｈを示している。同図から明らかなように、ストレス時間が長くなるにつれて閾値電圧Ｖｔｈが低くなることがわかる。
【０１００】
一方、移動度補正の最適補正時間ｔは、
ｔ＝Ｃ／（ｋμＶｓｉｇ）                                      ……（３）
なる式で与えられる。ここで、定数ｋはｋ＝（１／２）（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘである。また、Ｃは移動度補正を行うときに放電されるノードの容量であり、図２の回路例では有機ＥＬ素子２１の等価容量と保持容量２４の合成容量となる。
【０１０１】
また、移動度補正の最適補正時間ｔは、書込みトランジスタ２３が導通状態から非導通状態に移行するタイミングで決まる。そして、書込みトランジスタ２３は、ゲート電位と信号線３３の電位との間の電位差、即ちゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈになったところでカットオフする、即ち導通状態から非導通状態に移行する。
【０１０２】
ところで、出願人は、移動度補正の補正時間ｔを映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに反比例するように設定することで、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性をより確実に打ち消すことができることを確認している。より具体的には、信号電圧Ｖｓｉｇが大きいときには補正時間ｔが短くなるように、信号電圧Ｖｓｉｇが小さいときには補正時間ｔが長くなるように設定することで、移動度μの画素ごとのバラツキをより確実に補正できる。
【０１０３】
このことから、書込みトランジスタ２３のゲート電極に印加する書込みパルスＷＳを、ハイレベルからローレベルに遷移するときの立ち下がり波形が、図１０に示すように、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに対して反比例する波形になるように設定している。なお、書込みトランジスタ２３がＰチャネルのときは立ち上がり波形が、信号電圧Ｖｓｉｇに対して反比例するような波形となる。
【０１０４】
書込みパルスＷＳの立ち下がり波形を、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに対して反比例するような波形に設定することにより、書込みトランジスタ２３のゲート−ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈになったところで当該書込みトランジスタ２３がカットオフする。したがって、移動度補正の最適補正時間ｔを映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに反比例するように設定することができる。
【０１０５】
具体的には、図１０から明らかなように、白レベルに対応した信号電圧Ｖｓｉｇ（白）のときは、ゲート−ソース間電圧がＶｓｉｇ（白）＋Ｖｔｈになったところで書込みトランジスタ２３がカットオフするために移動度補正の補正時間ｔ（白）が一番短く設定される。グレーレベルに対応した信号電圧Ｖｓｉｇ（グレー）のときは、ゲート−ソース間電圧がＶｓｉｇ（グレー）＋Ｖｔｈになったところで書込みトランジスタ２３がカットオフするために補正時間ｔ（グレー）が補正時間ｔ（白）よりも長く設定されることになる。
【０１０６】
このように、移動度補正の最適補正時間ｔを映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに反比例するように設定することで、当該最適補正時間ｔを信号電圧Ｖｓｉｇに対応して設定できる。その結果、黒レベルから白レベルまで信号電圧Ｖｓｉｇの全レベル範囲（全階調）に亘って駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性をより確実に打ち消すことができる、即ち移動度μの画素ごとのバラツキをより確実に補正できる。
【０１０７】
ここで、先述したように、発光期間で負バイアスにより書込みトランジスタ２３のＶｔｈ特性がデプレッションにシフトする場合を考える。具体的には、図１１に示すように、書込みトランジスタ２３の閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ１の初期状態からそれよりも低いＶｔｈ２に変動すると、移動度補正の動作点がずれ、移動度補正の最適補正時間ｔが初期状態の時間ｔ１からそれよりも長い時間ｔ２に変化する。
【０１０８】
そして、移動度補正の最適補正時間ｔが長くなると、移動度補正について過補正が行われることになる。ここで、有機ＥＬ素子２１の発光電流（駆動電流）Ｉｄｓは、次式（４）で与えられる。
Ｉｄｓ＝ｋμ［Ｖｓｉｇ／｛１＋Ｖｓｉｇ（ｋμ／Ｃ）ｔ｝］2    ……（４）
上記の式（４）から明らかなように、移動度補正の最適補正時間ｔが長くなり、過補正が行われると、有機ＥＬ素子２１の発光電流Ｉｄｓが徐々に低下していってしまう。この電流劣化も焼付き現象の一因となる。
【０１０９】
［２−３．青色光の影響による輝度劣化］
書込みトランジスタ２３のＶｔｈ特性は、負バイアスの電圧印加に加えて、自画素の発光色以外の他色光、特に青色光（Ｂ光）が照射されることによってもデプレッションにシフトする。そして、青色光の影響により、輝度劣化特性が表示色によって異なる。具体的には、緑色（Ｇ）の画素の場合を例に挙げると、図１２に示すように、Ｇ表示とＷ（白）表示またはＣｙ（シアン）表示で異なる。
【０１１０】
すなわち、Ｇ表示の場合はＧ光単独の発光となるためにＢ光の影響を受けない。これに対して、Ｗ表示の場合はＲ光、Ｇ光、Ｂ光の同時発光となるためにＢ光の影響を受ける。そして、Ｗ表示の場合は、Ｂ光の影響を受けるために、Ｇ表示の場合に比べて輝度の劣化速度が速くなる。
【０１１１】
ここで、青色光が照射されるメカニズムについて、図１３に示す画素の断面構造図を用いて説明する。
【０１１２】
先ず、図１３に示す画素構造について説明する。図１３に示すように、透明基板である例えばガラス基板７０１上には、書込みトランジスタ２３等を含む駆動回路が形成されている。ここでは、駆動回路の各構成素子のうち、書込みトランジスタ２３のみを図示し、他の構成素子については省略している。
【０１１３】
書込みトランジスタ２３は、ゲート電極２３１と、ポリシリコン半導体層２３２の両側に設けられたソース／ドレイン領域２３３，２３４と、ポリシリコン半導体層２３２のゲート電極２３１と対向する部分のチャネル形成領域２３５とから構成されている。ソース／ドレイン領域２３３，２３４には、ソース／ドレイン電極２３６，２３７が電気的に接続されている。
【０１１４】
ガラス基板７０１上にはさらに、絶縁膜７０２および絶縁平坦化膜７０３を介して自発光素子である有機ＥＬ素子２１が形成されている。有機ＥＬ素子２１は、アノード電極２１１、有機層２１２およびカソード電極２１３を有する構成となっている。アノード電極２１１は金属等からなり、カソード電極２１３は有機層２１２上に全画素共通に形成された透明導電膜等からなる。
【０１１５】
この有機ＥＬ素子２１において、有機層２１２は、アノード電極２１１上にホール輸送層/ホール注入層、発光層、電子輸送層および電子注入層が順次堆積されることによって形成される。そして、図２に示す駆動トランジスタ２２による電流駆動の下に、アノード電極２１１を通して有機層２１２に電流が流れることで、当該有機層２１２内の発光層において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。
【０１１６】
そして、ガラス基板７０１上に、絶縁膜７０２を介して有機ＥＬ素子２１が画素単位で形成された後は、パッシベーション膜７０４を介して透明基板である例えばガラス基板７０５が接合される。このガラス基板７０５によって有機ＥＬ素子２１が封止されることにより表示パネル７０が形成される。
【０１１７】
画素アレイ部３０の周囲には、画素アレイ部３０の有効画素２０の各々に対してカソード電位Ｖｃａｔｈを与えるための補助配線７０６が配線される。この補助配線７０６は、画素間にもメッシュ状に配線される。これにより、補助配線７０６は、カソード配線（図２の共通電源供給線３４に相当）の配線抵抗を下げる作用を為す。
【０１１８】
上述した画素構造において、右側の画素が青色光を発光する有機ＥＬ素子２１である場合に、当該有機ＥＬ素子２１から発せられる青色光は内部散乱し、ガラス基板７０５の界面等で反射されて隣の画素の書込みトランジスタ２３に飛び込む。この隣接画素からの青色光の飛び込みにより、当該青色光の影響を受けて書込みトランジスタ２３のＶｔｈ特性がデプレッションにシフトする。
【０１１９】
そして、書込みトランジスタ２３のＶｔｈ特性がシフトすると、先述したように、有機ＥＬ素子２１に流れる電流が変化する。このときの電流の変化は、他色光、本例では青色光の照射に起因する電流劣化となる。この電流劣化は、前にも述べたように、有機ＥＬ素子２１の輝度劣化につながるため、焼付き現象の発生を招く一因となる。したがって、焼付き補正を行うに当たっては、他色光の照射に起因する電流劣化による焼付きをも考慮した補正を行う必要がある。
【０１２０】
＜３．実施形態＞
前にも述べたように、有機ＥＬ表示装置では、劣化が進行した特定の表示領域の有機ＥＬ素子の輝度が他の表示領域の有機ＥＬ素子に比べて相対的に低下することに起因して、当該特定の表示領域の表示箇所が固定的な輝度ムラとして視認される焼付き現象が発生する。この焼付き現象を解消するために、有機ＥＬ表示装置１０は、焼付き現象を信号処理の面から補正する機能（焼付き補正機能）を備えている。
【０１２１】
焼付き現象を信号処理の面から補正するに当たっては、表示パネル７０上の画素アレイ部（表示領域）３０の外に画像表示に寄与しないダミー画素を設け、当該ダミー画素を表示領域の有効画素（画素２０）と同様に駆動することにより輝度を劣化させる。そして、ダミー画素の輝度劣化の状態を光検出センサによって検出するようにする。
【０１２２】
画像表示に寄与する有効画素２０と同じ表示パネル７０上にダミー画素を作製し、当該ダミー画素を基本的に有効画素２０と同様に駆動することで、ダミー画素の輝度劣化の状態から各画素２０の輝度劣化の状態を予測することができる。したがって、ダミー画素の輝度劣化の状態を検出し、その検出結果を基に焼付き現象が生ずる特定の表示領域の各画素２０の輝度制御を行うことによって焼付き補正を行うことができる。
【０１２３】
本実施形態に係る焼付き補正のための回路（焼付き補正回路）は、有機ＥＬ素子２１の輝度劣化による焼付き現象のみならず、自画素の発光色以外の他色光、特に青色光の照射に起因する電流劣化による焼付き現象をも考慮した補正を行うことを特徴としている。具体的には、ダミー画素の輝度劣化を検出し、その検出結果から有効画素（画素２０）の輝度劣化を予測して焼付き補正量を算出するに当たり、検出対象の発光色の有機ＥＬ素子を発光させるときに他色光の有機ＥＬ素子も同時に発光させる。
【０１２４】
このように、検出対象の発光色の有機ＥＬ素子と同時に他色光の有機ＥＬ素子も発光させることで、有機ＥＬ素子の輝度の劣化状態だけでなく、ダミー画素を構成するトランジスタの他色光の照射の影響による特性の劣化状態についても検出（モニター）できる。そして、光検出センサの検出結果を基に焼付き補正を行うことで、有機ＥＬ素子２１の輝度劣化による焼付き現象のみならず、自画素の発光色以外の他色光の照射に起因する電流劣化による焼付き現象をも考慮した補正を行うことができる。
【０１２５】
［３−１．焼付き補正回路］
以下、有機ＥＬ素子２１の輝度劣化による焼付き現象のみならず、自画素の発光色光（第１色光）以外の他色光（第２色光）の照射に起因する電流劣化による焼付き現象をも考慮した補正を行う焼付き補正回路の具体的な実施例については説明する。
【０１２６】
図１４は、本実施形態に係る焼付き補正回路の構成の一例を示すブロック図である。ここでは、本実施形態に係る焼付き補正回路を用いる有機ＥＬ表示装置は、画素アレイ部３０の各画素（副画素）２０がＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３原色を基本発光色とするカラー表示用の表示装置であるとする。
【０１２７】
図１４に示すように、本実施形態に係る焼付き補正回路８０は、ダミー画素部８１、劣化量算出部８２および補正処理部８３を有する構成となっている。ダミー画素部８１は、表示パネル７０上における画素アレイ部（表示領域）３０外の領域に設けられる。ダミー画素部８１には、Ｒ，Ｇ，Ｂの原色系のダミー画素部８１Ａと、Ｃｙ（シアン），Ｍｇ（マゼンタ）の補色系のダミー画素部８１Ｂが設けられている。
【０１２８】
ここで、原色系のダミー画素部８１Ａにおいて、例えば、Ｇのダミー画素の有機ＥＬ素子を発光させて輝度劣化を検出する。この検出結果からはＧの有効画素２０の有機ＥＬ素子の輝度劣化を予測することができる。また、補色系のダミー画素部８１Ｂにおいて、Ｃｙのダミー画素のＧの有機ＥＬ素子とＢの有機ＥＬ素子とを同時に駆動してＣｙ光を発光させて輝度劣化を検出する。この検出結果からは、Ｇの有効画素２０を構成するトランジスタのＢ光の照射の影響による特性劣化を予測することができる。
【０１２９】
図１５は、ダミー画素部８１の具体的な構成の一例を示す概略図である。図１５に示すように、ダミー画素部８１には、Ｒ，Ｇ，Ｂの原色系のダミー画素部８１Ａと、Ｃｙ，Ｍｇの補色系のダミー画素部８１Ｂとが設けられている。
【０１３０】
原色系のダミー画素部８１Ａには、Ｒ，Ｇ，Ｂの各有効画素２０のそれぞれに対応する３色のダミー画素８１１Ｒ，８１１Ｇ，８１１Ｂが設けられている。すなわち、ダミー画素８１１Ｒ，８１１Ｇ，８１１Ｂは表示領域の基本発光色に対応する色依存性を持っている。ダミー画素８１１Ｒ，８１１Ｇ，８１１Ｂはさらに、異なる複数の発光輝度に対応して各色ごとに複数個ずつ設けられることによって輝度依存性をも持っている。
【０１３１】
具体的には、Ｒのダミー画素８１１Ｒは、３種類の発光輝度、例えば１００ｎｉｔ、２００ｎｉｔ、４００ｎｉｔに対応して３個のダミー画素８１１Ｒ１，８１１Ｒ２，８１１Ｒ３からなる。同様に、Ｇのダミー画素８１１Ｇは、３種類の発光輝度に対応して３個のダミー画素８１１Ｇ１，８１１Ｇ２，８１１Ｇ３からなり、Ｂのダミー画素８１１Ｂは、３種類の発光輝度に対応して３個のダミー画素８１１Ｂ１，８１１Ｂ２，８１１Ｂ３からなる。
【０１３２】
Ｒのダミー画素８１１Ｒ１，８１１Ｒ２，８１１Ｒ３、Ｇのダミー画素８１１Ｇ１，８１１Ｇ２，８１１Ｇ３、Ｂのダミー画素８１１Ｂ１，８１１Ｂ２，８１１Ｂ３は、それぞれの色に対応しかつ３種類の発光輝度に対応したダミー画素用の表示信号により駆動される。以下、これら各発光色および各発光輝度のダミー画素を総称してダミー画素８１１Ａと記述する。
【０１３３】
原色系のダミー画素部８１Ａにはダミー画素８１１Ａに加えて、光検出センサ８１２Ａ（８１２Ｒ１，８１２Ｒ２，８１２Ｒ３／８１２Ｇ１，８１２Ｇ２，８１２Ｇ３／８１２Ｂ１，８１２Ｂ２，８１２Ｂ３）が設けられている。光検出センサ８１２Ａは、各発光色および各発光輝度のダミー画素８１１Ａが発する光をそれぞれ検出することで、これらのダミー画素８１１Ａの輝度を測定する。
【０１３４】
補色系のダミー画素部８１Ｂには、Ｃｙ，Ｍｇのダミー画素８１１Ｃｙ，８１１Ｍｇが設けられている。Ｃｙのダミー画素８１１Ｃｙは、Ｇ光（第１色光）を発光する有機ＥＬ素子とＢ光（第２色光）を発光する有機ＥＬ素子とを少なくとも有し、これらＧ，Ｂの各有機ＥＬ素子が同時に駆動されることによってＣｙ光を発光する。Ｍｇのダミー画素８１１Ｍｇは、Ｒ光（第１色光）を発光する有機ＥＬ素子とＢ光（第２色光）を発光する有機ＥＬ素子とを少なくとも有し、これらＲ，Ｂの各有機ＥＬ素子が同時に駆動されることによってＭｇ光を発光する。
【０１３５】
これらダミー画素８１１Ｃｙ，８１１Ｍｇは、原色系と同様に、異なる複数の発光輝度に対応して各色ごとに複数個ずつ設けられることによって輝度依存性をも持っている。具体的には、Ｃｙのダミー画素８１１Ｃｙは、３種類の発光輝度に対応して３個のダミー画素８１１Ｃｙ１，８１１Ｃｙ２，８１１Ｃｙ３からなる。同様に、Ｍｇのダミー画素８１１Ｍｇは、３種類の発光輝度に対応して３個のダミー画素８１１Ｍｇ１，８１１Ｍｇ２，８１１Ｍｇ３からなる。以下、これら各発光色および各発光輝度のダミー画素を総称してダミー画素８１１Ｂと記述する。
【０１３６】
補色系のダミー画素部８１Ｂにはダミー画素８１１Ｂに加えて、光検出センサ８１２Ｂ（８１２Ｃｙ１，８１２Ｃｙ２，８１２Ｃｙ３／８１２Ｍｇ１，８１２Ｍｇ２，８１２Ｍｇ３）が設けられている。光検出センサ８１２Ｂは、各発光色および各発光輝度のダミー画素８１１Ｂが発する光をそれぞれ検出することで、これらのダミー画素８１１Ｂの輝度を測定する。
【０１３７】
ここで、補色系のダミー画素部８１Ｂにイエローのダミー画素を設けていないのは、Ｒ光およびＧ光はＢ光に比べて画素内のトランジスタに及ぼす影響が小さいからである。ただし、補色系のダミー画素部８１Ｂにイエローのダミー画素を設けても良いことは勿論である。
【０１３８】
光検出センサ８１２Ａ，８１２Ｂは、例えばダミー画素８１１Ａ，８１１Ｂの発光面に対向して設けられる。光検出センサ８１２Ａ，８１２Ｂには周知の光検出素子を用いることができる。一例として、アモルファスシリコン半導体を用いた可視光センサを用いることができる。光検出センサ８１２Ａ，８１２Ｂは、例えば、電流値として検出される輝度情報（光量情報）を電圧値として出力する。光検出センサ８１２Ａ，８１２Ｂの検出結果である輝度情報は、劣化量算出部８２に供給される。
【０１３９】
前にも述べたように、ダミー画素８１１Ａ，８１１Ｂの自発光素子である有機ＥＬ素子は、発光輝度（発光量）と発光時間に比例して輝度効率が低下する。この輝度効率が低下する度合いは発光色ごとに異なる。図１６に、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｃｙ，Ｍｇの発光色について１００ｎｉｔ、２００ｎｉｔ、４００ｎｉｔの輝度ごとの発光時間−輝度の特性を示す。図１６において、ある発光時間ｔ１までは実測の特性を示し、時間ｔ１以降は推定の特性を示している。
【０１４０】
劣化量算出部８２は、各発光色および各発光輝度のダミー画素８１１Ａ，８１１Ｂに対応する光検出センサ８１２Ａ，８１２Ｂの検出結果（輝度情報）から、先ず画素アレイ部（表示領域）３０のＲ，Ｇ，Ｂの各発光色での輝度の劣化特性を検出する。この輝度劣化特性の検出について、表示領域のＲ，Ｇ，Ｂの有効画素２０のうち、例えばＧ画素を検出対象画素とする場合を例に挙げてより具体的に説明する。
【０１４１】
ダミー画素部８１において、検出対象のＧのダミー画素８１１Ｇだけでなく、Ｇ光を発光する有機ＥＬ素子とＢ光を発光する有機ＥＬ素子の組からなるＣｙのダミー画素８１１Ｃｙも同時に発光させる。この状態において、劣化量算出部８２は、光検出センサ８１２Ｇの検出結果からＧのダミー画素８１１Ｇの劣化量を求めるとともに、光検出センサ８１２Ｃｙの検出結果からＣｙのダミー画素８１１Ｃｙの劣化量を求める。
【０１４２】
ここで、Ｇのダミー画素８１１Ｇの発光状態はＧ光単独の発光状態であることから、光検出センサ８１２Ｇの検出結果から求められる劣化量は、Ｇ光を発光する有機ＥＬ素子の劣化量となる。そして、この劣化量から表示領域のＧの有効画素２０の有機ＥＬ素子の輝度劣化を予測することができる。
【０１４３】
一方、Ｃｙのダミー画素８１１Ｃｙの発光状態は、Ｇ光およびＢ光の同時発光であるために、Ｇのダミー画素８１１Ｇに対してＢ光が照射されたときと同じ状態である言うことができる。したがって、光検出センサ８１２Ｃｙの検出結果から求められる劣化量は、Ｇ光を発光する有機ＥＬ素子の劣化量と、画素内のトランジスタのＢ光の照射の影響による劣化量とが合わさった劣化量となる。
【０１４４】
そこで、劣化量算出部８２は、光検出センサ８１２Ｇの検出結果から求められる劣化量と、光検出センサ８１２Ｃｙの検出結果から求められる劣化量との差分をとる。この差分は、画素内のトランジスタのＢ光の照射の影響による特性の劣化量となる。これにより、劣化量算出部８２は、光検出センサ８１２Ｇの検出結果から有機ＥＬ素子の劣化量を求めることができるとともに、上記差分として画素内のトランジスタのＢ光の照射の影響による特性の劣化量を求めることができる。
【０１４５】
補正処理部８３は、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）などによって構成される。補正処理部８３は、劣化量算出部８２で算出された有機ＥＬ素子の劣化量および画素内のトランジスタのＢ光の照射の影響による劣化量を基に焼付き補正量を算出する。そして、補正処理部８３は、算出した焼付き補正量に応じて焼付きが生じる領域の有効画素２０を駆動する映像信号ＳＩＧのレベルを制御することで、当該有効画素２０の発光輝度を補正する。
【０１４６】
この輝度補正により、自発光素子である有機ＥＬ素子の特性の劣化に起因する焼付き現象に加えて、Ｂ光の照射に起因する電流劣化による焼付き現象についても、信号処理の面から補正することができる。ここで、Ｂ光の照射に起因する電流劣化による焼付き現象とは、前にも述べたように、画素内のトランジスタの内、特に書込みトランジスタ２３のＶｔｈ特性がＢ光の照射の影響を受けてシフトした際に、有機ＥＬ素子２１に流れる電流が劣化することによる焼付き現象である。
【０１４７】
補正処理部８３で補正された映像信号は、表示パネル７０の有効画素２０を駆動することによって画像表示を行うドライバ９０に供給される。このドライバ９０などのモジュールは、表示パネル７０の裏面側に設けられる。ドライバ９０は、図２に示す信号出力回路（セレクタ）６０に対して映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを供給する。
【０１４８】
このように、焼付き現象を信号処理の面から補正する、本実施形態に係る焼付き補正回路８０は、ダミー画素８１１Ａ，８１１Ｂ→光検出センサ８１２Ａ，８１２Ｂ→劣化量算出部８２→補正処理部８３→ドライバ９０の経路によって構成されている。なお、焼付き補正機能を実現する回路としては、上記構成の焼付き補正回路８０に限られるものではなく、焼付き現象を信号処理の面から補正できるものであればその構成は問わない。
【０１４９】
［３−２．実施形態の作用効果］
以上説明したように、第１色光を発光する発光素子を含む第１のダミー画素と、第１色光を発光する発光素子と当該第１色光以外の他色光である第２色光を発光する発光素子とを含む第２のダミー画素とを備えることで、次のような作用効果を得ることができる。先ず、第１のダミー画素の輝度検出結果に基づいて有機ＥＬ素子の輝度の劣化量を求めることができる。
【０１５０】
加えて、第１のダミー画素の輝度検出結果に基づいて得られる劣化量と、第２のダミー画素の輝度検出結果に基づいて得られる劣化量との差分をとることで、画素内のトランジスタ特性のＢ光の照射の影響による劣化量を求めることができる。前にも述べたように、画素内のトランジスタ特性、特に書込みトランジスタ２３のＶｔｈ特性のシフトにより、有機ＥＬ素子２１に流れる電流が劣化する。すなわち、上記差分は、Ｂ光の照射の影響による有機ＥＬ素子２１に流れる電流の劣化量となる。
【０１５１】
このようにして求めた劣化量、即ち有機ＥＬ素子の輝度の劣化量とＢ光の照射の影響による有機ＥＬ素子２１に流れる電流の劣化量とに基づいて、焼付きが生じる領域の有効画素２０の特性劣化を予測して焼付き補正量を決定する。そして、この決定した焼付き補正量を基に焼付き補正を行うことにより、自発光素子の特性劣化に起因する焼付き現象のみならず、自発光素子以外の発光素子による他色光の照射に起因する電流劣化による焼付き現象をも考慮した焼付き補正を行うことができる。
【０１５２】
＜４．変形例＞
上記実施形態では、画素２０の電気光学素子（発光素子）として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではない。すなわち、本発明は、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子などの自発光素子を画素２０の電気光学素子として用いる自発光型の表示装置全般に対して適用可能である。
【０１５３】
＜５．適用例＞
以上説明した本発明による表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。一例として、図１７〜図２１に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなどの表示装置に適用することが可能である。
【０１５４】
このように、あらゆる分野の電子機器の表示装置として本発明による表示装置を用いることにより、各種の電子機器において高品位な画像表示を行うことができる。すなわち、先述した実施形態の説明から明らかなように、本発明による表示装置は、自発光素子の特性劣化に起因する焼付き現象のみならず、他色光の照射に起因する電流劣化による焼付き現象をも考慮した焼付き補正を行うことができるために高品質な表示画像を得ることができる。
【０１５５】
本発明による表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部３０に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。なお、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。
【０１５６】
以下に、本発明が適用される電子機器の具体例について説明する。
【０１５７】
図１７は、本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。本適用例に係るテレビジョンセットは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１５８】
図１８は、本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１５９】
図１９は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１６０】
図２０は、本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１６１】
図２１は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含んでいる。そして、ディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明による表示装置を用いることにより本適用例に係る携帯電話機が作製される。
【符号の説明】
【０１６２】
１０…有機ＥＬ表示装置、２０…画素、２１…有機ＥＬ素子、２２…駆動トランジスタ、２３…書込みトランジスタ、２４…保持容量、３０…画素アレイ部、３１（３１−１〜３１−ｍ）…走査線、３２（３２−１〜３２−ｍ）…電源供給線、３３（３３−１〜３３−ｎ）…信号線、３４…共通電源供給線、４０…書込み走査回路、５０…電源供給走査回路、６０…信号出力回路、７０…表示パネル、８０…焼付き補正回路、８１…ダミー画素部、８１Ａ…原色系のダミー画素部、８１Ｂ…補色系のダミー画素部、８２…劣化量算出部、８３…補正処理部、９０…ドライバ、８１１Ａ，８１１Ｂ…ダミー画素、８１２Ａ，８１２Ｂ…光検出センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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