(57)【要約】【課題】露光マスク上に現れる周期的誤差あるいは系統的誤差であるグリッドずれに起因する固体撮像装置の受光面や画像表示装置の表示面のスジムラを抑制する。【解決手段】少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成し（ＳＴ１１）、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出し（ＳＴ１３）、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行い（ＳＴ１４）、部分補正されたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する。【選択図】図２
2011090065.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する工程と、
パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出する工程と、
前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを前記他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行う工程と、
前記部分補正されたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する工程と
を有する露光マスクの製造方法。
【請求項２】
設計パターンデータを形成する工程と前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出する工程の間に、前記設計パターンデータを所定の倍率で変倍補正する工程と、変倍補正した設計パターンデータのエッジが最近接グリッドに乗るようにエッジを移動する工程とを有し、
パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出する工程と前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを前記他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行う工程を、前記変倍補正後の前記設計パターンデータに対して行い、
前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを前記他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行う工程と前記部分補正されたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する工程の間に、前記部分補正された前記変倍補正後の前記設計パターンデータを描画パターンデータに変換する工程を有し、
前記補正されたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する工程において、前記描画パターンデータにより形成する
請求項１に記載の露光マスクの製造方法。
【請求項３】
設計パターンデータを形成する工程と前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出する工程の間に、前記設計パターンデータを描画パターンのデータに変換する工程と、得られた描画パターンデータのエッジが最近接グリッドに乗るようにエッジを移動する工程とを有し、
パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出する工程と前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを前記他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行う工程を、前記描画パターンデータに対して行い、
前記補正されたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する工程において、前記部分補正された前記描画パターンデータにより形成する
請求項１に記載の露光マスクの製造方法。
【請求項４】
前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを前記他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行う工程において、前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの１列おきまたは１行おきのパターンを補正する
請求項１に記載の露光マスクの製造方法。
【請求項５】
前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの１列おきまたは１行おきのパターンを補正する際に、前記１列おきまたは１行おきのパターンを前記他の行または列のパターン寸法に合わせるように補正する
請求項４に記載の露光マスクの製造方法。
【請求項６】
前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの１列おきまたは１行おきのパターンを補正する際に、さらに前記他の行または列から任意に選択されたパターンを前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列のパターン寸法に合わせるように補正する
請求項４に記載の露光マスクの製造方法。
【請求項７】
少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する工程と、
前記設計パターンデータを所定の倍率で変倍補正する工程または描画パターンのデータに変換する工程と、
前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジについて、グリッドサイズｇ、前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジと最近接グリッドとの距離であるグリッドずれ量α、行方向または列方向に一列に並んだ前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのパターン総数ｍ、最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせるパターン数ｎについて、α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを決定し、決定されたｎ個のパターンを任意に選択して最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせ、残りの（ｍ−ｎ）個のパターンを最近接グリッドに合わせる工程と、
前記グリッドが合わせられたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する工程と
を有する露光マスクの製造方法。
【請求項８】
少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する設計パターン形成部と、
パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出する検出部と、
前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを前記他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行う部分補正部と
を有する露光マスクの設計装置。
【請求項９】
前記検出部と部分補正部とがプログラムが動作されたコンピュータ上に実現されている
請求項８に記載の露光マスクの設計装置。
【請求項１０】
少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する設計パターン形成部と、
設計パターンデータを所定の倍率で変倍補正する変倍補正部または描画パターンのデータに変換するデータ変換部と、
前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジについて、グリッドサイズｇ、前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジと最近接グリッドとの距離であるグリッドずれ量α、行方向または列方向に一列に並んだ前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのパターン総数ｍ、最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせるパターン数ｎについて、α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを決定し、決定されたｎ個のパターンを任意に選択して最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせ、残りの（ｍ−ｎ）個のパターンを最近接グリッドに合わせるグリッド合わせ部と
を有する露光マスクの設計装置。
【請求項１１】
前記変倍補正部または前記データ変換部と前記グリッド合わせ部とがプログラムが動作されたコンピュータ上に実現されている
請求項１０に記載の露光マスクの設計装置。
【請求項１２】
繰り返しパターンを有し、
少なくとも行と列のいずれかの方向に前記繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する工程と、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出する工程と、前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを前記他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行う工程と、前記部分補正されたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する工程とを有する露光マスクの製造方法により製造された露光マスクを用いて、前記繰り返しパターンが形成された
電子機器。
【請求項１３】
前記繰り返しパターンとして受光画素を有する固体撮像装置である
請求項１２に記載の電子機器。
【請求項１４】
前記繰り返しパターンとして表示画素を有する画像表示装置である
請求項１２に記載の電子機器。
【請求項１５】
繰り返しパターンを有し、
少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する工程と、設計パターンデータを所定の倍率で変倍補正する工程または描画パターンのデータに変換する工程と、前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジについて、グリッドサイズｇ、前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジと最近接グリッドとの距離であるグリッドずれ量α、行方向または列方向に一列に並んだ前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのパターン総数ｍ、最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせるパターン数ｎについて、α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを決定し、決定されたｎ個のパターンを任意に選択して最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせ、残りの（ｍ−ｎ）個のパターンを最近接グリッドに合わせる工程と、前記グリッドが合わせられたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する工程とを有する露光マスクの製造方法により製造された露光マスクを用いて、前記繰り返しパターンが形成された
電子機器。
【請求項１６】
前記繰り返しパターンとして受光画素を有する固体撮像装置である
請求項１５に記載の電子機器。
【請求項１７】
前記繰り返しパターンとして表示画素を有する画像表示装置である
請求項１５に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は露光マスクの製造方法と設計装置及び電子機器に関し、特に、画素がマトリクス状に並べられた受光面あるいは表示面を有する電子機器の製造用の露光マスクの製造方法及び設計装置、並びにそれによって製造された電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＯＳイメージセンサなどの固体撮像素子あるいは液晶表示装置などの画像表示装置を製造するための露光マスクのレイアウトパターンにおいて、瞳補正を目的にパターン位置を補正する技術が知られている。これは、パターン全体を特定の倍率で縮小などを行うことから変倍補正とも称せられ、例えば非特許文献１などに記載されている。
【０００３】
図１０（ａ）は、固体撮像装置の平面図である。例えば、受光面１０は受光部を有する画素がマトリクス状に並べられて構成されている。受光面１０の外周部あるいは周辺領域に周辺回路１１が形成されている。
【０００４】
例えば、上記の受光面を有する固体撮像装置の製造工程において、瞳補正あるいはその他の目的のために変倍補正を行う場合、製造に用いられる露光マスクのパターンを当該倍率で変倍補正を行う。
図１０（ｂ）は上記の変倍補正について説明するための模式平面図である。例えば、補正前の受光面１０ａに対して変倍補正を行い、縮小した受光面１０ｂとする。図面上は簡単のために大きく変倍させている様子を示すが、実際の変倍量はこれより小さいものである。変倍量は、例えば０．９９%のようにごく小さな変化の場合も多い。この変倍補正を行うと、受光面のある部位１２においても同じ倍率で変倍補正がなされる。
【０００５】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、変倍補正前における図１０（ｂ）における部位１２近傍に相当する領域を拡大した露光マスクの設計パターンを示す模式平面図である。撮像素子や画像表示装置の画素を構成するあるパターンを形成するための露光マスクにおいて、変倍補正前においては、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）のようにＸ方向及びＹ方向に同一ピッチで同一形状のパターンＰａが整然と配列されている。
図１１（ａ）はＸ方向に連続してＹ方向に所定のピッチ及び線幅を有する矩形形状の５Ａ〜５Ｆの各行におけるパターンＰａを示す。図１１（ｂ）はＸ方向及びＹ方向に所定のピッチ及び線幅を有する矩形形状の５Ａ〜５Ｆの各行及びａ〜ｅの各列にマトリクス状に配置されたパターンＰａを示す。
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は矩形形状のパターンの場合を示すが、実際のレイアウトパターンにはＯＰＣ（光学近接効果補正）が施されているなど、単純な矩形形状ではない場合もある。
【０００６】
上記のような変倍補正を行うと周期的に系統的誤差が発生する。系統的誤差は、周期的誤差またはグリッドずれとも称する。グリッドずれについて以下に説明する。
図１２（ａ）は変倍補正前のパターンの模式平面図である。図１２（ｂ）〜図１２（ｄ）は変倍補正後であってエッジの位置調整を行う前のパターンの模式平面図である。図１２（ｅ）〜図１２（ｉ）は変倍補正後であってエッジの位置調整を行った後のパターンの模式平面図である。
【０００７】
図１２（ａ）は、図１１（ｂ）のパターンＰａをさらに拡大した図に相当し、上記の変倍補正前のパターンＰａがグリッドＧ上でどのような配置となっているかを示す模式平面図である。グリッドＧは、露光マスクを構成するパターンを設計する設計装置の設計プログラム上において、パターンのエッジなどの位置決めをするために設けられた格子状のパターンである。
一方、図１２（ｂ）〜図１２（ｄ）は、変倍補正後であってエッジの位置調整を行う前のパターンＰｂ１〜Ｐｂ３がグリッドＧ上でどのような配置となっているかを示す模式平面図である。
変倍補正前の図１２（ａ）の設計パターンＰａに対して、変倍補正の結果、図１２（ｂ）、図１２（ｃ）及び図１２（ｄ）に示すように、パターンＰｂ１〜Ｐｂ３のエッジはグリッドＧからずれている状態となる。
【０００８】
上記のグリッド上に存在していないパターンＰｂ１〜Ｐｂ３のエッジは、いずれかのグリッドＧ、例えば最も距離が近いグリッドＧ上に乗るように、設計装置のプログラム上で自動的に移動される。
【０００９】
例えば、設計装置のプログラム上で自動的に、図１２（ｅ）に示すパターンＰｂ４、図１２（ｆ）に示すパターンＰｂ５、図１２（ｇ）に示すパターンＰｂ６、図１２（ｈ）に示すパターンＰｂ７、図１２（ｉ）に示すパターンＰｂ８のいずれかとなる。いずれのパターンとなるかは、プログラム上で定められたルールに従って行われる。
図１２（ｅ）〜図１２（ｈ）のパターンとなった場合、寸法が変倍補正前の寸法と異なっている。図１２（ｉ）は結果的に寸法が変わらない、即ち、グリッドずれを起こさない場合である。
【００１０】
図１３（ａ）は、変倍補正前のグリッド上のパターンＰａを示す模式平面図であり、図１３（ｂ）は変倍補正後のグリッド上のパターンＰｂを示す模式平面図である。変倍補正の結果、５Ｄの行のパターンは他の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のパターンより小さい寸法のパターンとなっている。これは、５Ｄの行のパターンが、変倍補正により例えば図１２（ａ）のパターンから図１２（ｅ）のパターンに補正されたことに該当する。
【００１１】
変倍補正により例えば図１２（ａ）のパターンから図１２（ｅ）のパターンに補正される場合について、さらに説明する。
図１４（ａ）は、変倍補正前のグリッドＧに対するパターンＰａの位置を示す模式平面図であり、図１２（ａ）に対応する。また、図１４（ｂ）は変倍補正後のグリッドＧに対するパターンの位置を示す模式平面図であり、図１２（ｅ）に対応する。即ち、変倍補正し、その後でさらにグリッド上に存在していないパターンのエッジをグリッド上に乗るように移動して得られたパターンＰｂ４を示す。
【００１２】
また、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、図１４（ｂ）の領域Ｒで示す部分を拡大した模式平面図であり、変倍補正後であってエッジＥの移動前のパターン（Ｐｂ４ａ，Ｐｂ４ｂ）を示す。
図１５（ａ）と図１５（ｂ）に示すように、変倍補正の変倍量に応じて、グリッドに乗らないパターンのエッジＥが現れる。図１５（ａ）と図１５（ｂ）は変倍量が異なってエッジ（Ｅａ，Ｅｂ）の位置が異なることを示している。変倍補正後にグリッド上にないエッジ（Ｅａ，Ｅｂ）を最も距離が近いグリッド上に移動する場合、図１５（ａ）と図１５（ｂ）のいずれの場合もエッジはグリッドＧ１上に移動される。
上記の場合に限らず、変倍補正後のパターンのエッジの位置は配置座標や変倍量などに応じて様々に変化する。
【００１３】
上記のように、変倍補正を行うことでパターンの寸法が変わってしまい、図１３（ｂ）の示す場合では５Ｄの行のパターンの全てで寸法が変化してしまうことがある。変倍補正で寸法が変化したパターンは、例えばＹ方向に周期的に現れ、これを系統的誤差、周期的誤差またはグリッドずれと称する。周期的に出現するグリッドずれは、露光マスク上で線上のスジムラとなって現れる。
露光マスク上にスジムラが出現すると、ウエハやパネル上に転写され、固体撮像素子の受光面上あるいは画像表示装置の表示面上でもムラとなってしまう。
【００１４】
なお図１２（ａ）〜図１２（ｉ）、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）では、説明を簡単にするためにＹ方向に６グリッド程度の図形で説明している。また、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）では、５Ｄの行のパターンと他の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のパターンの寸法の差を視覚的に理解できる程度に大きく描いている。
実際には、例えば１つのパターンは数十から数百グリッド以上で形成されるので、１個分のグリッドがずれただけのグリッドずれは、検図により拡大しないと確認困難な程度となっている。
【００１５】
上記のように、露光マスクの設計において、マスクのパターンを変倍補正する際にグリッドずれが生じてしまう。
【００１６】
また、設計グリッドと異なるグリッドが発生するケースとして、設計グリッドとマスク描画グリッドにおいて異なるピッチを採用している場合がある。
描画グリッドは、実際にマスクを製造する際の製造装置上で機能する位置決めのための格子状のパターンである。設計装置で得られたレイアウトデータ、例えばGDSIIから、描画装置で使用するＥＢ（Electron Beam）データに変換がなされ、描画装置でＥＢデータを用いて露光マスクのパターンの描画が行われる。
例えば、設計グリッドのピッチが２ｎｍ、描画データのグリッドのピッチが２．５ｎｍの場合の系統的誤差あるいは周期的誤差であるグリッドずれについて説明する。
【００１７】
表１は、設計グリッドのピッチが２ｎｍ、描画データのグリッドのピッチが２．５ｎｍの場合の設計グリッドの位置と描画グリッドの位置、並びにそれらの間隔である誤差をまとめたものである。ここで、誤差は設計グリッドの位置を描画データのグリッドに対応させる際に近くに存在するグリッドから選択するために生じる誤差であり、丸め誤差とも称する。
【００１８】
【表１】
2011090065.tif 000003
【００１９】
表１に示すように、丸め誤差は−１．０ｎｍ〜＋１．０ｎｍの値となるが、備考欄に示す誤差に応じたＲ１〜Ｒ５への分類結果からわかるように、例えば１０ｎｍ毎の周期的な誤差となる。
例えば、設計画素ピッチが１５００ｎｍ、設計寸法が５００ｎｍのように２ｎｍと２．５ｎｍの倍数で設計されている場合には、上記のグリッドずれは起きない。しかし、そのような場合を除いて、設計画素ピッチが例えば１３９８ｎｍであり、２．５ｎｍで割り切れない場合、周期的なグリッドずれが発生し、マスク上のスジがデバイスへ影響を与える。
なお、設計グリッド２ｎｍ、描画グリッド２．５ｎｍの場合以外でも上記の問題は生じうる。
【００２０】
先端の描画装置は描画グリッドも小さくなっているが、描画グリッドの大きい旧世代の描画装置を用いればマスクを安価に製造可能である。
また、特にラスタースキャン型の描画装置はグリッドが大きいほど描画速度が速くなり、コストを低減できる。
【００２１】
しかしなら、上に述べた現象により露光マスク上に周期的誤差あるいは系統的誤差であるグリッドずれが発生し、これを用いて製造される固体撮像装置の受光面や画像表示装置の表示面にスジムラが発生してしまう。特に、例えば旧世代の描画装置や描画グリッドを大きくすると問題が顕著となる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００２２】
【非特許文献１】米本和也、ＣＣＤ／ＣＭＯＳイメージセンサの基礎と応用、ＣＱ出版社
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
解決しようとする課題は、露光マスク上に周期的誤差あるいは系統的誤差であるグリッドずれが発生し、これを用いて製造される固体撮像装置の受光面や画像表示装置の表示面にスジムラが発生することである。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明の露光マスクの製造方法は、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する工程と、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出する工程と、前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを前記他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行う工程と、前記部分補正されたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する工程とを有する。
【００２５】
上記の本発明の露光マスクの製造方法は、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する。次に、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出する。次に、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行う。次に、部分補正されたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する。
【００２６】
また、本発明の露光マスクの製造方法は、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する工程と、前記設計パターンデータを所定の倍率で変倍補正する工程または描画パターンのデータに変換する工程と、前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジについて、グリッドサイズｇ、前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジと最近接グリッドとの距離であるグリッドずれ量α、行方向または列方向に一列に並んだ前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのパターン総数ｍ、最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせるパターン数ｎについて、α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを決定し、決定されたｎ個のパターンを任意に選択して最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせ、残りの（ｍ−ｎ）個のパターンを最近接グリッドに合わせる工程と、前記グリッドが合わせられたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する工程とを有する。
【００２７】
上記の本発明の露光マスクの製造方法は、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する。次に、設計パターンデータを所定の倍率で変倍補正する。あるいは、描画パターンのデータに変換する。次に、変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジについて、グリッドサイズｇ、変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジと最近接グリッドとの距離であるグリッドずれ量α、行方向または列方向に一列に並んだ変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのパターン総数ｍ、最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせるパターン数ｎについて、α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを決定し、決定されたｎ個のパターンを任意に選択して最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせ、残りの（ｍ−ｎ）個のパターンを最近接グリッドに合わせる。次に、グリッドが合わせられたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する。
【００２８】
また、本発明の露光マスクの設計装置は、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する設計パターン形成部と、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出する検出部と、前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを前記他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行う部分補正部とを有する。
【００２９】
上記の本発明の露光マスクの設計装置は、設計パターン形成部と、検出部と、部分補正部とを有する。設計パターン形成部は、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する。検出部は、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出する。部分補正部は、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行う。
上記で得られた部分補正されたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成することができる。
【００３０】
また、本発明の露光マスクの設計装置は、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する設計パターン形成部と、前記設計パターンデータを所定の倍率で変倍補正する変倍補正部または描画パターンのデータに変換するデータ変換部と、前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジについて、グリッドサイズｇ、前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジと最近接グリッドとの距離であるグリッドずれ量α、行方向または列方向に一列に並んだ前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのパターン総数ｍ、最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせるパターン数ｎについて、α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを決定し、決定されたｎ個のパターンを任意に選択して最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせ、残りの（ｍ−ｎ）個のパターンを最近接グリッドに合わせるグリッド合わせ部とを有する。
【００３１】
上記の本発明の露光マスクの設計装置は、設計パターン形成部と、変倍補正部またはデータ変換部と、グリッド合わせ部とを有する。設計パターン形成部は、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する。変倍補正部は、設計パターンデータを所定の倍率で変倍補正する。データ変換部は、設計パターンのデータを描画パターンのデータに変換する。グリッド合わせ部は、変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジについて、グリッドサイズｇ、変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジと最近接グリッドとの距離であるグリッドずれ量α、行方向または列方向に一列に並んだ変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのパターン総数ｍ、最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせるパターン数ｎについて、α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを決定し、決定されたｎ個のパターンを任意に選択して最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせ、残りの（ｍ−ｎ）個のパターンを最近接グリッドに合わせる。
上記で得られたグリッドが合わせられたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成することができる。
【００３２】
また、本発明の電子機器は、繰り返しパターンを有し、少なくとも行と列のいずれかの方向に前記繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する工程と、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出する工程と、前記パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを前記他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行う工程と、前記部分補正されたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する工程とを有する露光マスクの製造方法により製造された露光マスクを用いて、前記繰り返しパターンが形成された構成である。
【００３３】
上記の本発明の電子機器は、繰り返しパターンを有する。この繰り返しパターンは、下記のようにして形成された露光マスクを用いて形成されたものである。まず、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成し、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出し、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行い、部分補正されたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する。
【００３４】
また、本発明の電子機器は、繰り返しパターンを有し、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する工程と、設計パターンデータを所定の倍率で変倍補正する工程または描画パターンのデータに変換する工程と、前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジについて、グリッドサイズｇ、前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジと最近接グリッドとの距離であるグリッドずれ量α、行方向または列方向に一列に並んだ前記変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのパターン総数ｍ、最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせるパターン数ｎについて、α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを決定し、決定されたｎ個のパターンを任意に選択して最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせ、残りの（ｍ−ｎ）個のパターンを最近接グリッドに合わせる工程と、前記グリッドが合わせられたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する工程とを有する露光マスクの製造方法により製造された露光マスクを用いて、前記繰り返しパターンが形成された構成である。
【００３５】
上記の本発明の電子機器は、繰り返しパターンを有する。この繰り返しパターンは、下記のようにして形成された露光マスクを用いて形成されたものである。まず、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成し、設計パターンデータを所定の倍率で変倍補正し、または描画パターンのデータに変換し、変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジについて、グリッドサイズｇ、変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジと最近接グリッドとの距離であるグリッドずれ量α、行方向または列方向に一列に並んだ変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのパターン総数ｍ、最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせるパターン数ｎについて、α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを決定し、決定されたｎ個のパターンを任意に選択して最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせ、残りの（ｍ−ｎ）個のパターンを最近接グリッドに合わせ、グリッドが合わせられたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の露光マスクの製造方法は、露光マスク上に現れる周期的誤差あるいは系統的誤差であるグリッドずれに起因する固体撮像装置の受光面や画像表示装置の表示面にスジムラを抑制できる露光マスクを製造できる。
【００３７】
本発明の露光マスクの設計装置は、露光マスク上に現れる周期的誤差あるいは系統的誤差であるグリッドずれに起因する固体撮像装置の受光面や画像表示装置の表示面にスジムラを抑制できる露光マスクを設計できる。
【００３８】
本発明の電子機器は、露光マスク上に現れる周期的誤差あるいは系統的誤差であるグリッドずれに起因する固体撮像装置の受光面や画像表示装置の表示面のスジムラが抑制された電子機器である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１（ａ）は本発明の第１実施形態に係る変倍補正後のパターンを示す模式平面図であり、図１（ｂ）及び図１（ｃ）は変倍補正後であってエッジの位置調整をプログラム上で自動的に行った後のパターンの模式平面図である。
【図２】図２は本発明の第１実施形態に係る露光マスクの設計方法の手順を説明するフローチャートである。
【図３】図３は本発明の第１実施形態に係る露光マスクの設計方法及び露光マスクの製造方法について説明するための露光マスクのパターンを示す模式平面図である。
【図４】図４は本発明の第１実施形態に係る露光マスクの設計装置の模式構成図である。
【図５】図５は本発明の第２実施形態に係る露光マスクの設計方法の手順を説明するフローチャートである。
【図６】図６は本発明の第２実施形態に係る露光マスクの設計方法及び露光マスクの製造方法について説明するための露光マスクのパターンを示す模式平面図である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は比較例及び実施例に係る変倍補正後のパターンエッジの分布を示すグラフである。
【図８】図８は本発明の第３実施形態に係る露光マスクの設計方法の手順を説明するフローチャートである。
【図９】図９（ａ）〜図９（ｃ）は本発明の第３実施形態の露光マスクの設計方法及び露光マスクの製造方法について説明するための示す模式平面図である。
【図１０】図１０（ａ）は従来例に係る固体撮像装置の平面図であり、図１０（ｂ）は変倍補正について説明するための模式平面図である。
【図１１】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は従来例に係る変倍補正前における一部を拡大した露光マスクの設計パターンを示す模式平面図である。
【図１２】図１２（ａ）は従来例に係る変倍補正前のパターンの模式平面図であり、図１２（ｂ）〜図１２（ｄ）は変倍補正後であってエッジの位置調整を行う前のパターンの模式平面図であり、図１２（ｅ）〜図１２（ｉ）は変倍補正後であってエッジの位置調整を行った後のパターンの模式平面図である。
【図１３】図１３（ａ）は従来例に係る変倍補正前のグリッド上のパターンを示す模式平面図であり、図１３（ｂ）は変倍補正後のグリッド上のパターンを示す模式平面図である。
【図１４】図１４（ａ）は従来例に係る変倍補正前のグリッドに対するパターンの位置を示す模式平面図であり、図１４（ｂ）は変倍補正後のグリッドに対するパターンの位置を示す模式平面図である。
【図１５】図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は従来例に係る一部を拡大した模式平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下に、本発明の露光マスクの製造方法と製造装置並びにそれによって製造した電子機器の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００４１】
尚、説明は以下の順序で行う。
１．第１実施形態（グリッドずれを検出及び補正する方法）
２．第２実施形態（グリッドずれを検出及び補正と他の行の補正を同時に行う方法）
３．実施例
４．第３実施形態（変倍補正あるいは描画データへの変換の工程内でグリッドずれの補正を行う方法）
５．第４実施形態（電子機器への適用）
【００４２】
＜第１実施形態＞
［露光マスクのパターンレイアウト］
本実施形態は、ＣＭＯＳイメージセンサなどの繰り返しパターンを有する電子機器を製造する工程に用いられる露光マスクの製造方法及び設計装置に関する。
例えば、繰り返しパターンは、同一形状のパターンが同一ピッチでレイアウトされた露光マスクを用いて、フォトリソグラフィーにより形成される。
露光マスク上にも、同一形状のパターンが同一ピッチでレイアウトされるが、露光マスクの製造工程においては、瞳補正などの目的でパターン全体に対して特定の倍率で縮小などを行う変倍補正が行われる。
【００４３】
変倍補正前においては、全ての行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ，５Ｅ，５Ｆ）のパターンは同じパターン寸法である。
変倍補正の結果、変倍補正前の設計パターンに対して、パターンのエッジはグリッドからずれている状態となる。上記のグリッド上に存在していないパターンのエッジは、例えば最も距離が近いグリッド上に乗るように、設計装置のプログラム上で自動的に移動される。
【００４４】
図１（ａ）は本実施形態に係る変倍補正後のパターンを示す模式平面図である。
例えば、変倍補正後のグリッド上のパターンＰｂは、各行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ，５Ｅ，５Ｆ）のパターン寸法及び各パターン間寸法がＳ１〜Ｓ１１となる。
ここで、行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のパターン寸法（Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ９，Ｓ１１）は等しい寸法である。一方、行５Ｄのパターン寸法Ｓ７は、他の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のパターン寸法（Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ９，Ｓ１１）より小さくなっている。
【００４５】
図１（ｂ）は、変倍補正後であってエッジの位置調整をプログラム上で自動的に行った後の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のグリッドＧ上のパターンＰｂ１の模式平面図である。
図１（ｃ）は、変倍補正後であってエッジの位置調整をプログラム上で自動的に行った後の行５ＤのグリッドＧ上のパターンＰｂ２の模式平面図である。
上記のように、例えば、行５Ｄのパターン寸法Ｓ７は、他の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のパターン寸法（Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ９，Ｓ１１）より１グリッド分小さくなっている。
【００４６】
本実施形態に係る露光マスクにおいては、パターン寸法が他の行より小さい行５Ｄの１列おきのパターンが他の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のパターン寸法（Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ９，Ｓ１１）に近づけるように部分補正がなされている。
例えば、図１（ａ）に示すように、パターン寸法が他の行より小さい行５Ｄの１列おきのパターンが、他の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のパターン寸法（Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ９，Ｓ１１）に合わせられている。即ち、行５Ｄの列（ａ，ｃ，ｅ）のパターンが図１（ｂ）に示すパターンＰｂ１に補正され、パターン寸法がＳ７ａとなっている。
一方、補正されなかった行５Ｄの列（ｂ，ｄ）のパターンは、他の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）より小さいパターン寸法Ｓ７のままである。
【００４７】
［グリッドずれを検出及び補正する方法］
上記のように、本実施形態に係る露光マスクは、パターン寸法が他の行より小さい行５Ｄの１列おきである列（ａ，ｃ，ｅ）のパターンのパターン寸法が、他の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のパターン寸法に合わせられたレイアウトである。
【００４８】
上記のようにパターンをレイアウトする露光マスクの設計方法及び露光マスクの製造方法について説明する。
図２は、露光マスクの設計方法の手順を説明するフローチャートである。
また、図３は露光マスクの設計方法及び露光マスクの製造方法について説明するための露光マスクのパターンを示す模式平面図である。
【００４９】
まず、露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する（ステップＳＴ１１）。
設計パターンデータは、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する。以下では、行方向の繰り返しパターンに関して説明する。
次に、上記のステップＳＴ１１で得られる設計パターンデータに対して、例えば、設計パターンデータを所定の倍率で変倍補正し、変倍補正した設計パターンデータのエッジが最近接グリッドに乗るようにエッジを移動する。
この結果、例えば、系統的周期的誤差であるグリッドずれが生じる。例えば、行５Ｄのパターンのパターン寸法Ｓ７が、他の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のパターン寸法（Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ９，Ｓ１１）より小さくなる。
【００５０】
次に、行方向に繰り返されているパターンについて、行ごとにパターン寸法及びパターン間寸法を取得する（ステップＳＴ１２）。
ここでは、上記の変倍補正をして設計パターンデータのエッジが最近接グリッドに乗るようにエッジを移動したパターンに対して、行ごとにパターン寸法及びパターン間寸法を取得する。例えば、パターン寸法（Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ７，Ｓ９，Ｓ１１）及びパターン間寸法（Ｓ２，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ８，Ｓ１０）を取得する。
【００５１】
次に、パターン寸法が他の行のパターン寸法と異なる行を検出する（ステップＳＴ１３）。これは、グリッドずれが生じている部分を検出することに相当する。
例えば、他の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のパターン寸法（Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ９，Ｓ１１）より小さいパターン寸法Ｓ７の行５Ｄを検出する。
【００５２】
次に、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを他の行のパターン寸法に近づける部分補正を行う（ステップＳＴ１４）。
ここでは、上記の変倍補正をして設計パターンデータのエッジが最近接グリッドに乗るようにエッジを移動したパターンに対して、上記の部分補正を行う。
例えば、パターン寸法が他の行より小さい行５Ｄの１列おきである列（ａ，ｃ，ｅ）のパターンのパターン寸法を、他の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のパターン寸法に合わせて、パターン寸法Ｓ７ａとする。
これは、行５Ｄのパターンのエッジを１列ごとに元のグリッドずれの方向とは逆方向に補正することに相当する。
【００５３】
上記のようにして露光マスクを設計することができる。
上記のステップＳＴ１４の後、上記のようにして得た部分補正されたパターンデータにより、パターンを描画して露光マスクを形成する。
例えば、部分補正された変倍補正後の設計パターンデータを描画パターンデータに変換し、得られた描画パターンデータによりパターンを描画して、露光マスクを形成する。
以上のようにして、露光マスクを製造することができる。
【００５４】
［露光マスクの設計装置］
図４は本実施形態に係る露光マスクの設計装置の模式構成図である。
パターン形成部１、検出及び部分補正部２、出力部３、及びアルゴリズム入力部４を有する。
パターン形成部１は、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトし、設計パターンデータＧＤ１を形成する。
以下では、行方向に繰り返しパターンを有する場合に関して説明する。
【００５５】
検出部は、設計パターンデータＧＤ１が入力され、パターン寸法が他の行のパターン寸法と異なる行を検出する。
部分補正部は、パターン寸法が他の行のパターン寸法と異なる行におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを他の行のパターン寸法に近づける部分補正を行う。
例えば、上記の検出部と部分補正部とは、プログラムが動作されたコンピュータ上に実現される。本実施形態では、一体化した検出及び部分補正部２として示している。
【００５６】
上記のようにして得た部分補正された設計パターンデータＧＤ２が、出力部３に出力される。
【００５７】
上記において、検出及び部分補正部２には、アルゴリズム入力部４から所定のアルゴリズムＡが入力される。
アルゴリズムＡは、上記の検出及び部分補正をどのように行うかを指定するデータである。例えば、行方向に繰り返すパターンに対して、他の行のパターン寸法より小さいパターン寸法の行を検出し、当該パターン寸法が異なる行において１列おきのパターンを他の行のパターン寸法に合わせるというアルゴリズムを入力する。
【００５８】
以上のようにして露光マスクを設計することができる。
例えば、部分補正された変倍補正後の設計パターンデータＧＤ２が描画パターンデータに変換され、得られた描画パターンデータによりパターンを描画して、露光マスクが形成される。
【００５９】
本実施形態の露光マスクの製造方法は、露光マスク上に現れる周期的誤差あるいは系統的誤差であるグリッドずれに起因する固体撮像装置の受光面や画像表示装置の表示面にスジムラを抑制できる露光マスクを製造できる。
【００６０】
本実施形態の露光マスクの設計装置は、露光マスク上に現れる周期的誤差あるいは系統的誤差であるグリッドずれに起因する固体撮像装置の受光面や画像表示装置の表示面にスジムラを抑制できる露光マスクを設計できる。
【００６１】
上記の実施形態においては、設計パターンデータに対する変倍補正におけるグリッドずれに対して部分補正を行うことについて説明している。
一方、上述のように、グリッドずれ自体は設計パターンデータを描画パターンデータに変換するときにも生じるものであり、このグリッドずれに対しても本実施形態を適用可能である。
この場合、露光マスクの製造方法は、以下のようにして実施できる。
まず、設計パターンデータを形成し、設計パターンデータを描画パターンのデータに変換し、得られた描画パターンデータのエッジが最近接グリッドに乗るようにエッジを移動する。
次に、描画パターンに対して、パターン寸法が他の行のパターン寸法と異なる行を検出する。
次に、描画パターンに対して、パターン寸法が他の行のパターン寸法と異なる行におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを他の行パターン寸法に近づける部分補正を行う。
次に、補正された描画パターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する。
【００６２】
また、露光マスクの設計装置としては、パターン形成部１が描画パターンに変換されたパターンデータを形成して描画パターンデータＥＤ１を出力する。
検出部は、描画パターンデータＥＤ１が入力され、パターン寸法が他の行のパターン寸法と異なる行を検出する。
部分補正部は、パターン寸法が他の行のパターン寸法と異なる行におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを他の行のパターン寸法に近づける部分補正を行う。
【００６３】
上記のようにして得た部分補正された描画パターンデータＥＤ２が、出力部３に出力される。
上記を除いて、上記と同様の動作を行う露光マスクの設計装置を実現できる。
上記のようにして、設計グリッドと描画グリッドが異なる場合に生じるスジムラを低減することができる。
【００６４】
＜第２実施形態＞
［グリッドずれを検出及び補正と他の行の補正を同時に行う方法］
本実施形態の露光マスクの製造方法は、第１実施形態と同様に、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの１列おきまたは１行おきのパターンを補正する。
ここで、本実施形態においては、さらに他の行または列から任意に選択されたパターンをパターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列のパターン寸法に合わせるように補正する。
上記を除いて、第１実施形態と同様である。
【００６５】
上記のようにパターンをレイアウトする露光マスクの設計方法及び露光マスクの製造方法について説明する。
図５は、露光マスクの設計方法の手順を説明するフローチャートである。
また、図６は露光マスクの設計方法及び露光マスクの製造方法について説明するための露光マスクのパターンを示す模式平面図である。
【００６６】
まず、露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する（ステップＳＴ２１）。
設計パターンデータは、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する。以下では、行方向の繰り返しパターンに関して説明する。
次に、上記のステップＳＴ２１で得られる設計パターンデータに対して、例えば、設計パターンデータを所定の倍率で変倍補正し、変倍補正した設計パターンデータのエッジが最近接グリッドに乗るようにエッジを移動する。
この結果、例えば、系統的周期的誤差であるグリッドずれが生じる。例えば、行５Ｄのパターンのパターン寸法Ｓ７が、他の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のパターン寸法（Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ９，Ｓ１１）より小さくなる。
【００６７】
次に、行方向に繰り返されているパターンについて、行ごとにパターン寸法及びパターン間寸法を取得する（ステップＳＴ２２）。
ここでは、上記の変倍補正をして設計パターンデータのエッジが最近接グリッドに乗るようにエッジを移動したパターンに対して、行ごとにパターン寸法及びパターン間寸法を取得する。例えば、パターン寸法（Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ７，Ｓ９，Ｓ１１）及びパターン間寸法（Ｓ２，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ８，Ｓ１０）を取得する。
【００６８】
次に、パターン寸法が他の行のパターン寸法と異なる行を検出する（ステップＳＴ２３）。これは、グリッドずれが生じている部分を検出することに相当する。
例えば、他の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のパターン寸法（Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ９，Ｓ１１）より小さいパターン寸法Ｓ７の行５Ｄを検出する。
【００６９】
次に、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを他の行のパターン寸法に近づける部分補正を行う（ステップＳＴ２４）。
ここでは、上記の変倍補正をして設計パターンデータのエッジが最近接グリッドに乗るようにエッジを移動したパターンに対して、上記の部分補正を行う。
例えば、パターン寸法が他の行より小さい行５Ｄの１列おきである列（ａ，ｃ，ｅ）のパターンのパターン寸法を、他の行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｅ，５Ｆ）のパターン寸法に合わせて、パターン寸法Ｓ７ａとする。
これは、行５Ｄのパターンのエッジを１列ごとに元のグリッドずれの方向とは逆方向に補正することに相当する。
【００７０】
次に、他の行から任意に選択されたパターンをパターン寸法が他の行のパターン寸法と異なる行のパターン寸法に合わせるように補正する（ステップＳＴ２５）。
例えば、他の行から任意にパターンを選択するが、ここでは、行５Ｂの列ａのパターン、行５Ｃの列ｄのパターン、行５Ｆの列ｃのパターンが選択される。ここで選択されたパターンのパターン寸法を、行５Ｄのパターン寸法Ｓ７に合わせて補正する。行５Ｂの列ａのパターンは、パターン寸法がＳ３からＳ３ａに補正され、他の選択された行５Ｃの列ｄのパターンと行５Ｆの列ｃのパターンも同様である。
【００７１】
上記のようにして露光マスクを設計することができる。
上記のステップＳＴ２５の後、上記のようにして得た部分補正されたパターンデータにより、パターンを描画して露光マスクを形成する。
例えば、部分補正された変倍補正後の設計パターンデータを描画パターンデータに変換し、得られた描画パターンデータによりパターンを描画して、露光マスクを形成する。
以上のようにして、露光マスクを製造することができる。
【００７２】
［露光マスクの設計装置］
本実施形態に係る露光マスクの設計装置は、第１実施形態と同様の構成である。
但し、アルゴリズム入力部から入力されるアルゴリズムＡとして、以下のアルゴリズムを入力する。
例えば、行方向に繰り返すパターンに対して、他の行のパターン寸法より小さいパターン寸法の行を検出し、当該パターン寸法が異なる行において１列おきのパターンを他の行のパターン寸法に合わせる。さらに、他の行から任意に選択されたパターンをパターン寸法が他の行のパターン寸法と異なる行のパターン寸法に合わせるように補正する。
【００７３】
以上のようにして露光マスクを設計することができる。
例えば、部分補正された変倍補正後の設計パターンデータＧＤ２が描画パターンデータに変換され、得られた描画パターンデータによりパターンを描画して、露光マスクが形成される。
【００７４】
本実施形態の露光マスクの製造方法は、露光マスク上に現れる周期的誤差あるいは系統的誤差であるグリッドずれに起因する固体撮像装置の受光面や画像表示装置の表示面にスジムラを抑制できる露光マスクを製造できる。
【００７５】
本実施形態の露光マスクの設計装置は、露光マスク上に現れる周期的誤差あるいは系統的誤差であるグリッドずれに起因する固体撮像装置の受光面や画像表示装置の表示面にスジムラを抑制できる露光マスクを設計できる。
【００７６】
本実施形態においても、第１実施形態と同様に、設計パターンデータを描画パターンデータに変換するときにも生じるグリッドずれに対しても適用可能である。
上記のようにして、設計グリッドと描画グリッドが異なる場合に生じるスジムラを低減することができる。
【００７７】
＜実施例＞
［シミュレーション］
図７（ａ）及び（ｂ）は比較例及び実施例に係る変倍補正後のパターンエッジの分布を示すグラフである。
図７（ａ）は比較例に係る、変倍補正後のパターンのエッジについて全てを最近接グリッドに合わせたままの場合のエッジ位置の分布を示す。
図７（ｂ）は実施例に係る、変倍補正後のパターンのエッジについて第２実施形態に従ってエッジの位置を補正した場合のエッジ位置の分布を示す。
第２実施形態の露光マスクの製造方法によれば、パターンエッジの分布がより平均化され、固体撮像装置の受光面などに現れるスジムラを抑制できる。
【００７８】
＜第３実施形態＞
［変倍補正あるいは描画データへの変換の工程内でグリッドずれの補正を行う方法］
本実施形態は、ＣＭＯＳイメージセンサなどの繰り返しパターンを有する電子機器を製造する工程に用いられる露光マスクの製造方法及び設計装置に関する。
例えば、繰り返しパターンは、第１実施形態と同様に、同一形状のパターンが同一ピッチでレイアウトされた露光マスクを用いて、フォトリソグラフィーにより形成される。
露光マスク上にも、同一形状のパターンが同一ピッチでレイアウトされるが、露光マスクの製造工程においては、瞳補正などの目的でパターン全体に対して特定の倍率で縮小などを行う変倍補正が行われる。
【００７９】
変倍補正前においては、全ての行（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ，５Ｅ，５Ｆ）のパターンは同じパターン寸法である。
変倍補正の結果、変倍補正前の設計パターンに対して、パターンのエッジはグリッドからずれている状態となる。
従来技術においては、上記のグリッド上に存在していないパターンのエッジは、例えば最も距離が近いグリッド上に乗るように、設計装置のプログラム上で自動的に移動される。
【００８０】
本実施形態においては、選択されたパターン群のエッジが、最も距離が近いグリッドとそれとは逆側のグリッド（２番目に近いグリッド）とに所定の割合で振り分けてプログラム上で移動される。
【００８１】
上記のようにパターンをレイアウトする露光マスクの設計方法及び露光マスクの製造方法について説明する。
図８は、露光マスクの設計方法の手順を説明するフローチャートである。
【００８２】
まず、露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成し、パターン群を選択する（ステップＳＴ３１）。
設計パターンデータは、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する。以下では、行方向の繰り返しパターンに関して説明する。
【００８３】
次に、上記のステップＳＴ３１で得られる設計パターンデータに対して、例えば、設計パターンデータを所定の倍率で変倍補正する。ここで、変倍処理の結果得られるパターンに対して、変倍補正した設計パターンデータのエッジと最近接グリッドとの距離であるグリッドずれ量αを検出する（ステップＳＴ３２）。
【００８４】
次に、α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを決定する（ステップＳＴ３３）。
ここで、ｇはグリッドサイズ、ｍは行方向に一列に並んだ変倍補正した設計パターンデータのパターン総数、ｎは最近接グリッドとは反対方向のグリッド（２番目に近いグリッド）に合わせるパターン数である。
【００８５】
次に、選択したパターン群の中からｎ個のパターンを任意に選択し、最近接グリッドとは反対方向のグリッド（２番目に近いグリッド）に合わせる（ステップＳＴ３４）。残りの（ｍ−ｎ）個のパターンを最近接グリッドに合わせる。
α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを選択しているので、上記の補正の結果エッジの位置が振り分けられたパターン群のエッジの位置の平均は、変倍補正の結果得られるパターンのエッジに近い位置となる。
【００８６】
図９（ａ）〜図９（ｃ）は本実施形態の露光マスクの設計方法及び露光マスクの製造方法について説明するための示す模式平面図である。これは、パターンのエッジを含む２つのグリッドを拡大した平面図である。
図９（ａ）は、変倍補正後のパターンＰｂであって、エッジを最近接グリッドに乗るように移動していないときのパターンＰｂのエッジＥを示す。
エッジを移動する前のパターンから、変倍補正した設計パターンデータのエッジと最近接グリッドとの距離であるグリッドずれ量αが得られる。
【００８７】
αが得られると、α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを決定することができる。
ここでは、選択されたパターン群の中から、任意に選択したｎ個のパターンのエッジを図９（ｃ）に示す最近接グリッドとは反対方向のグリッド（２番目に近いグリッド）に合わせたパターンＰｂ２とする。残りの（ｍ−ｎ）個のパターンについては、図９（ｂ）に示す最近接グリッドに合わせたパターンＰｂ１とする。
【００８８】
上記のようにして露光マスクを設計することができる。
上記のステップＳＴ３４の後、上記のようにして得た部分補正されたパターンデータにより、パターンを描画して露光マスクを形成する。
例えば、部分補正された変倍補正後の設計パターンデータを描画パターンデータに変換し、得られた描画パターンデータによりパターンを描画して、露光マスクを形成する。
以上のようにして、露光マスクを製造することができる。
【００８９】
［露光マスクの設計装置］
パターン形成部、データ変換部、及び出力部を有する。
パターン形成部は、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトし、設計パターンデータを形成する。以下では、行方向に繰り返しパターンを有する場合に関して説明する。
データ変換部では、設計パターンデータ所定の倍率で変倍補正する。
ここで、データ変換部は、グリッド合わせ部を内蔵して形成されている。グリッド合わせ部では、上記のようにエッジを移動する前のパターンから、変倍補正した設計パターンデータのエッジと最近接グリッドとの距離であるグリッドずれ量αを得る。得られたαから、α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを決定する。
上記のｎが決定されたら、任意に選択したｎ個のパターンのエッジを最近接グリッドとは反対方向のグリッド（２番目に近いグリッド）に合わせる。残りの（ｍ−ｎ）個のパターンについては、図９（ｂ）に示す最近接グリッドに合わせる。
【００９０】
例えば、上記のデータ変換部とそれに内蔵されるグリッド合わせ部とは、プログラムが動作されたコンピュータ上に実現される。
【００９１】
以上のようにして露光マスクを設計することができる。
例えば、部分補正された変倍補正後の設計パターンデータが描画パターンデータに変換され、得られた描画パターンデータによりパターンを描画して、露光マスクが形成される。
【００９２】
本実施形態の露光マスクの製造方法は、露光マスク上に現れる周期的誤差あるいは系統的誤差であるグリッドずれに起因する固体撮像装置の受光面や画像表示装置の表示面にスジムラを抑制できる露光マスクを製造できる。
【００９３】
本実施形態の露光マスクの設計装置は、露光マスク上に現れる周期的誤差あるいは系統的誤差であるグリッドずれに起因する固体撮像装置の受光面や画像表示装置の表示面にスジムラを抑制できる露光マスクを設計できる。
【００９４】
本実施形態においても、第１実施形態と同様に、設計パターンデータを描画パターンデータに変換するときにも生じるグリッドずれに対しても適用可能である。
この場合には、ステップＳＴ３２において、設計パターンデータを描画パターンデータに変換し、データ変換の結果得られるパターンに対して、得られた描画パターンデータのエッジと最近接グリッドとの距離であるグリッドずれ量αを検出する。
【００９５】
以下、上記と同様に、α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを決定し、選択したパターン群の中からｎ個のパターンを任意に選択し、最近接グリッドとは反対方向のグリッド（２番目に近いグリッド）に合わせる。残りの（ｍ−ｎ）個のパターンを最近接グリッドに合わせる。
上記のようにして、設計グリッドと描画グリッドが異なる場合に生じるスジムラを低減することができる。
【００９６】
＜第４実施形態＞
［電子機器への適用］
本実施形態に係る電子機器は、繰り返しパターンを有する。例えば、繰り返しパターンとして受光画素を有する固体撮像装置である。
例えば、固体撮像装置であるＣＭＯＳイメージセンサに適用できる。ＣＭＯＳイメージセンサの受光面には、受光部とフローティングディフュージョンなどの信号読み取り部などから構成された受光画素がマトリクス状に繰り返し配置されている。
【００９７】
上記の繰り返しパターンは、上記の第１〜第３実施形態により製造された露光マスクにより形成されたものである。
露光マスクは、以下のように製造される。
まず、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する。
次に、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列を検出する。
次に、パターン寸法が他の行または列のパターン寸法と異なる行または列におけるパターンの少なくとも一部のパターンデータを他の行または列のパターン寸法に近づける部分補正を行う。
次に、部分補正されたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する。
【００９８】
あるいは、露光マスクは、以下のように製造される。
まず、少なくとも行と列のいずれかの方向に繰り返しパターンを有する露光マスクのパターンをレイアウトした設計パターンデータを形成する。
次に、設計パターンデータを所定の倍率で変倍補正する工程または描画パターンのデータに変換する。
次に、変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジについて、α（ｍ−ｎ）−ｎ（ｇ−α）がゼロに最も近くなるようにｎを決定する。ここで、ｇはグリッドサイズである。αは変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのエッジと最近接グリッドとの距離であるグリッドずれ量である。ｍは行方向または列方向に一列に並んだ変倍補正した設計パターンデータまたは得られた描画パターンデータのパターン総数である、ｎは最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせるパターン数である。
次に、決定されたｎ個のパターンを任意に選択して最近接グリッドとは反対方向のグリッドに合わせ、残りの（ｍ−ｎ）個のパターンを最近接グリッドに合わせる。
次に、グリッドが合わせられたパターンデータによりパターンを描画して露光マスクを形成する。
【００９９】
例えば、半導体基板に受光画素を構成するフォトダイオード及びトランジスタなどを形成するための露光マスクは、上記の各実施形態に従って製造された物を用いる。このとき、露光マスクにグリッドずれによるスジムラが低減されるので、受光面においてもスジムラが低減される。
【０１００】
あるいは、本実施形態に係る電子機器は、例えば、繰り返しパターンとして表示画素を有する画像表示装置である。
例えば、画像表示装置である液晶表示装置に適用できる。例えば、液晶表示装置は、表示画素を選択するトランジスタなどがマトリクス状に繰り返し配置された第１基板と、対向して配置された第２基板との間隙に液晶層が封入されて、表示面が構成されている。
例えば、基板に表示画素を構成するトランジスタなどを形成するための露光マスクは、上記の各実施形態に従って製造された物を用いる。このとき、露光マスクにグリッドずれによるスジムラが低減されるので、表示面においてもスジムラが低減される。
【０１０１】
本実施形態の電子機器は、露光マスク上に現れる周期的誤差あるいは系統的誤差であるグリッドずれに起因する固体撮像装置の受光面や画像表示装置の表示面のスジムラが抑制された電子機器である。
【０１０２】
本発明は上記の説明に限定されない。
例えば、ＣＭＯＳイメージセンサ以外の固体撮像装置、例えばＣＣＤイメージセンサなどにも適用できる。また、液晶表示装置以外の画像表示装置、例えばプラズマディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどにも適用できる。さらに、例えばＭＯＳトランジスタアレイなどの繰り返しパターンを有する半導体装置全般に適用できる。
本発明で補正できるパターンのグリッドずれは、行方向だけでなく列方向についても同様に実施することができる。この場合、上記の各実施形態で行を列に読み替えて実施することができる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【０１０３】
１…パターン形成部、２…検出及び部分補正部、３…出力部、４…アルゴリズム入力部、５Ａ〜５Ｆ…行、Ａ…アルゴリズム、ａ〜ｅ…列、Ｅ…グリッド、ＥＤ１，ＥＤ２…描画パターンデータ、Ｇ…グリッド、ＧＤ１，ＧＤ２…設計パターンデータ、Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｂ１〜Ｐｂ８，Ｐｂ４ａ，Ｐｂ４ｂ…パターン、Ｒ…領域、ＳＴ１１〜ＳＴ１４，ＳＴ２１〜ＳＴ２５、ＳＴ３１〜ＳＴ３４…ステップ、１０，１０ａ，１０ｂ…受光面、１１…周辺回路、１２…部位
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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