(57)【要約】      （修正有）【課題】電子部品の接続端子上の封止樹脂にレーザを用いてビア孔を形成せずに、当該接続端子と電極パッドとの配線接続が可能な電子装置の製造方法を提供する。【解決手段】この電子装置１の製造方法は、配線基板２上に接続端子３１を備える電子部品３を配設し、該基板上の接続パッド２１上に電極パッド４を配設し、電子部品３が封止されないように、電極パッド４を第１の封止樹脂５で封止し、電子部品３と、第１の封止樹脂５で封止された電極パッド４とを第２の封止樹脂６で封止して樹脂封止パッケージ７を形成し、該パッケージに電極パッド４に連通するビア孔を形成し、該パッケージの上層部分の第２の封止樹脂６を除去して接続端子３１を露出させ、ビア孔８を経由して電極パッド４と接続端子３１とを接続する配線９を形成する。ここで、第２の封止樹脂６は、第１の封止樹脂５よりもフィラーの含有率が低い。【選択図】図１
2011009325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に、上面に接続端子を備える電子部品を配設する工程と、
前記配線基板上に形成された接続パッド上に、前記電子部品よりも全高が低い電極パッドを配設する工程と、
前記電子部品が封止されないようにして、前記電極パッドを第１の封止樹脂を用いて封止する工程と、
前記電子部品と、前記第１の封止樹脂を用いて封止された電極パッドとを第２の封止樹脂を用いて封止して、樹脂封止パッケージを形成する工程と、
前記樹脂封止パッケージに、前記電極パッドに連通するビア孔を形成する工程と、
前記樹脂封止パッケージの上層部分の前記第２の封止樹脂を除去して、前記電子部品の接続端子を露出させる工程と、
前記ビア孔を経由して前記電極パッドと前記電子部品の接続端子とを接続する配線を形成する工程と、を備え、
前記第２の封止樹脂を形成する材料は、前記第１の封止樹脂を形成する材料よりもフィラーの含有率（ｗｔ％）が低いこと
を特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の封止樹脂を形成する材料は、フィラーの含有率が０〜１０ｗｔ％であること
を特徴とする請求項１記載の電子装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の封止樹脂を形成する材料、および前記第２の封止樹脂を形成する材料として、それぞれエポキシ樹脂が用いられ、
前記フィラーを形成する材料として二酸化ケイ素が用いられること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の電子装置の製造方法。
【請求項４】
前記樹脂封止パッケージの上層部分の第２の封止樹脂を除去する方法として、化学的エッチング方法が用いられること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の製造方法に関し、さらに詳細には、配線基板上に電子部品と電極パッドとが配設される電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板上に電子部品と電極パッドとが配設される従来の電子装置の製造方法として、様々な技術が開示されている（特許文献１、特許文献２参照）。
【０００３】
ここで、図１３を用いて、従来の電子装置１００の製造方法の例を説明する（特許文献１参照）。より詳しくは、電子装置１００の製造方法は、１）先ず、絶縁層Ｉ２とその表面に形成されている導体層Ｌ２とをベース基板として、その導体層Ｌ２の表面に、例えば、フォトレジスト法によりレジスト被膜Ｒを形成し、ＩＣチップ１０１Ａの外部接続電極を固定する電極パッドを形成すると共に、印刷にてＩＣチップ１０１Ｂの固定用の接続材１１２である銀ペーストを塗布する。２）次に、ＩＣチップ１０１Ｂの中心またはＩＣチップ１０１Ｂのアライメントマークを画像認識などで認識して、接続材１１２を介してＩＣチップ１０１Ｂをフェイスアップ状態で導体層Ｌ２にボンディングする。３）次に、接続材１１２を硬化する。４）次に、導体層Ｌ２の他の予め決められた位置に導電性接着剤を塗布するか異方性導電膜（ＡＣＦ）を貼る。５）次に、ＩＣチップ１０１Ａをボンディング装置により仮固定の後、本圧着する。６）次に、実装された両ＩＣチップ１０１Ａ、１０１ＢにそれらＩＣチップ１０１Ａ、１０１Ｂの厚みより少し厚く絶縁樹脂を印刷し、硬化させて絶縁層Ｉ１を形成する。）次に、絶縁層Ｉ１の表面に導体層Ｌ１を形成する。この場合、樹脂付き銅箔を積層するか、銅箔をプリプレグを挟んで積層するなどの積層プレス方法とメッキ処理による方法が用いられる。８）次に、導体層Ｌ１のビアＨ１ａ、Ｈ１ｂを開ける部分の銅箔をエッチングし、除去する。９）次に、銅箔が除去された部分にレーザ装置を用いてビアＨ１ａ、Ｈ１ｂを加工する。レーザとしては、炭酸ガスレーザまたはエキシマレーザを用い、導体層Ｌ１を基準面としてビアＨ１ａ、Ｈ１ｂの底までの距離（深さ）及び径が異なるので出力、加工方法の条件を調整して加工を行う。レーザ加工部分の樹脂残りを除去する（約１［μｍ］程度）。１１）ビアＨ１ａ、Ｈ１ｂにメッキ又は導電性ペーストを埋めて、導電性をもたせる。１２）次に、ビアＨ１ａ、Ｈ１ｂが開けられた導体層Ｌ１の表面に配線回路パターンを形成する。なお、図１３中における他の符号の説明として、１０２は電極パッドを、１０３はバンプを、１１１はパッドを、Ｌ３〜Ｌ８は電気導体層を、Ｉ３〜Ｉ７は絶縁層を、Ｈ２〜Ｈ７はビアを、それぞれ表す。
以上の工程を備えて、電子装置１００の製造が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２８０７１３号公報
【特許文献２】特開２００２−１７０８２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、樹脂封止パッケージのビア孔の形成に関して、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ等のレーザを照射して所定位置の開口を行う方法が知られている。しかし、半導体チップ等の電子部品の接続端子上の封止樹脂にビア孔を形成して、該電子部品と他の電極パッドとの配線接続を行う電子装置においては、電子部品の上面（具体的には、接続端子の上面）にレーザを照射することによって、当該電子部品にダメージを与えてしまうという課題があった。
これに加えて、当該ビア孔の上部に配線接続用の接続パッドを設ける必要が生じるため、当該接続パッドの外径によって、隣接する接続パッド間の配線ピッチが制限されて、微細配線ができないという課題があった。
【０００６】
上記事情に鑑み、電子部品の接続端子上の封止樹脂にレーザを用いてビア孔を形成することなく、当該接続端子と周囲に配設される電極パッドとの配線接続が可能な電子装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態として、以下に開示するような解決手段により、前記課題を解決する。
【０００８】
開示の電子装置の製造方法は、配線基板上に、上面に接続端子を備える電子部品を配設する工程と、前記配線基板上に形成された接続パッド上に、前記電子部品よりも全高が低い電極パッドを配設する工程と、前記電子部品が封止されないようにして、前記電極パッドを第一の封止樹脂を用いて封止する工程と、前記電子部品と、前記第一の封止樹脂を用いて封止された電極パッドとを第二の封止樹脂を用いて封止して、樹脂封止パッケージを形成する工程と、前記樹脂封止パッケージに、前記電極パッドに連通するビア孔を形成する工程と、前記樹脂封止パッケージの上層部分の前記第二の封止樹脂を除去して、前記電子部品の接続端子を露出させる工程と、前記ビア孔を経由して前記電極パッドと前記電子部品の接続端子とを接続する配線を形成する工程と、を備え、前記第二の封止樹脂を形成する材料は、前記第一の封止樹脂を形成する材料よりもフィラーの含有率（ｗｔ％）が低いことを要件とする。
【発明の効果】
【０００９】
開示の電子装置の製造方法によれば、電子部品の接続端子上の封止樹脂にレーザを用いてビア孔を形成することなく、当該接続端子と周囲に配設される電極パッドとの配線接続が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る電子装置の製造方法により製造される電子装置の例を示す概略図である。
【図２】本発明の実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための説明図である。
【図３】本発明の実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための説明図である。
【図４】本発明の実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための説明図である。
【図５】本発明の実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための説明図である。
【図６】本発明の実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための説明図である。
【図７】本発明の実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための説明図である。
【図８】従来の実施形態に係る電子装置の製造方法により製造される電子装置の例を示す概略図である。
【図９】従来の実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための説明図である。
【図１０】従来の実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための説明図である。
【図１１】従来の実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための説明図である。
【図１２】従来の実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための説明図である。
【図１３】従来の実施形態に係る電子装置の製造方法により製造される電子装置の例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
先ず、従来の実施形態に係る電子装置の製造方法について説明する。ここで、当該製造方法により製造される電子装置２００の平面図（概略図）を図８（ａ）に、断面図（図８（ａ）のＢ−Ｂ線断面図）を図８（ｂ）にそれぞれ示す。また、図９〜図１２は、電子装置２００の製造工程を説明するための概略図であって、図８（ｂ）と同位置の断面図として図示している。
【００１２】
先ず、公知の方法（セミアディティブ法、サブトラクティブ法等）によって所定の回路パターンが形成された配線基板２０２を用意する。一例として、配線基板２０２は多層基板であって、接続電極２２３と電気的に接続された配線パターン２２２、接続パッド２２１が設けられ、当該接続パッド２２１は配線基板２０２上に表出するように形成されている。
【００１３】
次いで、図９に示すように、配線基板２０２上の電子部品実装領域に電子部品２０３（一例として、半導体チップ）を配設する工程を実施する。なお、ダイ・アタッチ・フィルムを用いて、電子部品２０３を配線基板２０２に接着する方法を例に挙げるが、これに限定されるものではない。ここで、電子部品２０３の上面２０３ａには、後述の電極パッド２０４と電気的な接続を行うための接続端子２３１が設けられている。
【００１４】
次いで、同図９に示すように、配線基板２０２上に、電極端子となる電極パッド２０４を配設する工程を実施する。なお、ＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）搭載方法を用いる場合を例に挙げるが、これに限定されるものではない。このとき、電極パッド２０４は、はんだペースト等の導電性接合材を用いて、配線基板２０２上に設けられる接続パッド２２１と接続される。
なお、配線基板２０２上に電子部品２０３および電極パッド２０４を配設する順番については、特に限定されるものではない。
【００１５】
次いで、図１０に示すように、封止樹脂２０５を用いて電子部品２０３および電極パッド２０４を封止して、樹脂封止パッケージ２０６を形成する工程を実施する。ここで、封止樹脂２０５を形成する材料のとしては、例えば、エポキシ樹脂が用いられる。なお、製造される電子装置２００の剛性を高めるために、封止樹脂２０５にはフィラー（一例として、二酸化ケイ素）が含有されている。例えば、封止樹脂２０５のフィラー含有率は、５０［ｗｔ％］程度である。
【００１６】
次いで、図１１に示すように、樹脂封止パッケージ２０６において、電子部品２０３の接続端子２３１の上面２３１ａに連通するビア孔２０７、および電極パッド２０４の上面２０４ａに連通するビア孔２０８をそれぞれ形成する工程を実施する。具体的には、公知のレーザ加工法により、樹脂封止パッケージ２０６の上面２０６ａに炭酸ガスレーザ（もしくはエキシマレーザ）を照射して、電子部品２０３の接続端子２３１の上面２３１ａ、および電極パッド２０４の上面２０４ａがそれぞれ露出するように封止樹脂２０５に所定直径の開口部（孔状部）を形成して、ビア孔２０７およびビア孔２０８を形成する。
この工程に関して、電子部品２０３の上面（接続端子２３１の上面２３１ａ）にレーザが照射されることに起因して、電子部品２０３にダメージが発生し得る課題が指摘されていた。
【００１７】
次いで、図１２に示すように、ビア孔２０７およびビア孔２０８を経由して電極パッド２０４と電子部品２０３の接続端子２３１とを接続する配線２０９を形成する工程を実施する。一例として、めっきによってビア孔２０７およびビア孔２０８を埋めて、導電性をもたせる。次に、ビア孔２０７とビア孔２０８とを接続する配線回路パターンを形成する。このようにして、電極パッド２０４と電子部品２０３の接続端子２３１とを接続する配線２０９が形成される。
しかし、図８（ａ）に示すように、電子装置２００においては、形成されたビア孔２０７内のめっき上部に、所定の外径を有する配線接続用の接続パッド２１０を設ける必要があった。この接続パッド２１０の外径は、電子部品２０３の接続端子２３１の外径よりも大きいものであって、隣接する接続パッド２１０間の配線ピッチ（すなわち電子部品２０３における隣接する接続端子２３１間の配線ピッチとも言える）を所定距離以上に設定しなければならないという制限が生じ、微細配線ができないという課題が発生していた。
【００１８】
以上説明した工程を備えて、電子装置２００の製造が行われる。
【００１９】
続いて、本実施形態に係る電子装置の製造方法により製造される電子装置１の概略図を図１に示す。ここで、図１（ａ）は、電子装置１の平面図であり、図１（ｂ）は、電子装置１の断面図（図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図）である。
【００２０】
図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、電子装置１の概略構成として、電子装置１は、配線基板２と、電子部品（一例として、半導体チップ）３と、電極端子となる電極パッド４と、第１の封止樹脂５と、第２の封止樹脂６と、を備える。本実施形態においては、配線基板２の中央部に電子部品３が実装され、周縁部に電極パッド４が立設されている。ここで、電極パッド４は第１の封止樹脂５を用いて封止されており、さらに電子部品３と、第１の封止樹脂を用いて封止された電極パッド４とが、第２の封止樹脂６を用いて封止されている。なお、配線基板２上に電子部品３および電極パッド４が配設されて第１の封止樹脂５および第２の封止樹脂６を用いて封止された構造体を、以下において「樹脂封止パッケージ」と称する（符号７）。また、ビア孔８を経由して電極パッド４と電子部品３の接続端子３１とが配線９により接続されている。
【００２１】
続いて、本発明の実施形態に係る電子装置１の製造方法について説明する。ここで、図２〜図７は、電子装置１の製造工程を説明するための概略図であって、図１（ｂ）と同位置の断面図として図示している。
【００２２】
先ず、公知の方法（セミアディティブ法、サブトラクティブ法等）によって所定の回路パターンが形成された配線基板２を用意する。一例として、配線基板２は多層基板であって、接続電極２３と電気的に接続された配線パターン２２、接続パッド２１が設けられ、当該接続パッド２１は配線基板２上に表出するように形成されている。例えば、配線基板２は矩形状であって一辺の長さが６［ｍｍ］程度、厚さが０．３［ｍｍ］程度である。
【００２３】
次いで、図２に示すように、配線基板２上の電子部品実装領域に電子部品３を配設する工程を実施する。例えば、ダイ・アタッチ・フィルム（不図示）を用いて、電子部品３を配線基板２に接着する方法が採用される。なお、当該配設方法として、ダイ・アタッチ・フィルムを用いる接着方法以外にも、電子部品３の一面側にバンプ（不図示）を設けて、該バンプを配線基板２上の接続パッド（不図示）にフリップチップ接合する方法等を採用することもできる。
一例として、電子部品３は半導体チップであって、上面（配線基板２と対向する面と逆の面）３ａに、後述する電極パッド４と電気的な接続を行うための接続端子３１が設けられている。ここで、電子部品３の形状は、例えば、全長（配線基板２の実装面に平行な方向の一辺の長さ）が２〜３［ｍｍ］程度、全高（配線基板２の実装面から接続端子３１の上面３１ａまでの高さ）Ｈ１が１［ｍｍ］程度である。なお、接続端子３１自体の高さ（電子部品３の上面３ａに垂直な方向の一辺の長さ）は１０〜２０［μｍ］程度である。
【００２４】
次いで、同図２に示すように、配線基板２上に電極パッド４を配設する工程を実施する。一例として、ＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）搭載方法が採用される。このとき、電極パッド４は、はんだペースト等の導電性接合材を用いて、配線基板２上に配設される接続パッド２１と接続される。一例として、電極パッド４は四角柱状であって、全長（配線基板２の実装面に平行な方向の一辺の長さ）が０．５［ｍｍ］程度、全高（配線基板２の実装面に垂直な方向の一辺の長さ）Ｈ２が０．６［ｍｍ］程度である。ここで、本実施形態に特徴的な構成として、電極パッド４の全高Ｈ２を、電子部品３の全高Ｈ１よりも低く形成する。
なお、配線基板２上に電子部品３および電極パッド４を配設する順番については、特に限定されるものではない。
【００２５】
次いで、図３に示すように、第１の封止樹脂５を用いて、電極パッド４を封止する工程を実施する。このとき、電子部品３が第１の封止樹脂５によって封止されないようにする。ここで、第１の封止樹脂５を形成する材料の例としては、フィラー（本実施形態では、二酸化ケイ素）が含有された樹脂材料（本実施形態では、エポキシ樹脂）が用いられる。本製造方法によって製造される電子装置１の剛性を確保するために、第１の封止樹脂５のフィラー含有率を高めに設定（例えば、５０［ｗｔ％］程度）とすることが好適である。
【００２６】
次いで、図４に示すように、電子部品３と、前記工程で第１の封止樹脂５を用いて封止された電極パッド４と、を第２の封止樹脂６を用いて封止して、樹脂封止パッケージ７を形成する工程を実施する。ここで、第２の封止樹脂６を形成する材料の例としては、フィラー（本実施形態では、二酸化ケイ素）が含有された樹脂材料（本実施形態では、エポキシ樹脂）が用いられる。ここで、本実施形態においては、第２の封止樹脂６のフィラー含有率を、第１の封止樹脂５のフィラー含有率よりも低く設定する。具体的には、第２の封止樹脂６のフィラー含有率は、０〜１０［ｗｔ％］程度であることが好適である（理由については後述する）。なお、本実施形態では、第２の封止樹脂６として、厚さ１０［μｍ］程度のシート状に形成されたエポキシ樹脂（フィラー含有）を用いて、熱圧着によって電極パッド４（第１の封止樹脂５で封止されている）および電子部品３の封止を行っている。熱圧着の条件としては、例えば、１１０［℃］の加熱環境下で、０．５［Ｍｐａ］の圧力を２分間印加することによって、シート状の第２の封止樹脂６を圧着させる工程（すなわち、樹脂封止を行う工程）を実施する。
このとき、電極パッド４の全高Ｈ２を、電子部品３の全高Ｈ１よりも低く形成しておくことで、樹脂封止パッケージ７の上面７ａを平坦に形成することができる。
【００２７】
後述するように、本実施形態においては、電子部品３の接続端子３１の上方位置にビア孔を設けないため、当該接続端子上に形成される封止樹脂の厚さ（すなわち第２の封止樹脂６の厚さ）を極めて薄くすることが可能となる。その結果、電子装置１全体の厚さを薄くすることが可能となる。
【００２８】
次いで、図５に示すように、樹脂封止パッケージ７において、電極パッド４の上面４ａに連通するビア孔８を形成する工程を実施する。具体的には、公知のレーザ加工法により、樹脂封止パッケージ７の上面７ａの所定位置（電極パッド４の上面４ａの上方位置）に炭酸ガスレーザ（もしくはエキシマレーザ）を照射して、電極パッド４の上面４ａが露出するように第２の封止樹脂６および第１の封止樹脂５に所定直径の開口部（孔状部）を形成する。この開口部が、ビア孔８となる。
【００２９】
次いで、図６に示すように、デスミア処理を実施して、電子部品３の接続端子３１の上方位置における第２の封止樹脂６を除去することによって、樹脂封止パッケージ７から接続端子３１の上面３１ａを露出させる。このとき、接続端子３１の上面３１ａの高さと、樹脂封止パッケージ７の上面７ａの高さとは、同一程度の高さとなるようにする。なお、デスミア処理を用いる本実施形態の場合には、接続端子３１の上面３１ａが、樹脂封止パッケージ７の上面７ａから、若干量、突出する形状に形成される。
【００３０】
ここで、上記デスミア処理として、化学的エッチング方法が用いられる。一例として、樹脂封止パッケージ７を、過マンガン酸ナトリウムに浸漬（例えば、温度８０［℃］で２０分間）することによって行う。このとき、第２の封止樹脂６におけるフィラー（ここでは二酸化ケイ素）の含有率が１０［ｗｔ％］程度を越えている場合には、第２の封止樹脂６（厳密にはフィラーおよび当該フィラー周囲のエポキシ樹脂）が残渣として接続端子３１の上面３１ａ上に残ってしまい、後の工程において接続端子３１の上面３１ａに配線が接続された場合に、導通不良あるいは断線といった課題が生じ得る。そのため、第２の封止樹脂６のフィラー含有率は、０〜１０［ｗｔ％］程度であることが好適である。すなわち、電子装置１の剛性確保の観点に立てば、第２の封止樹脂６のフィラー含有率についても、前記第１の封止樹脂５と同様に高めに設定する構成が好適であるとも考えられるが、本実施形態においては、敢えて、第２の封止樹脂６のフィラー含有率を第１の封止樹脂５フィラー含有率よりも低く（０〜１０［ｗｔ％］程度）設定することで、上記の本実施形態に特有で顕著な効果が奏される。
なお、本実施形態においては、樹脂封止パッケージ７の上面７ａの全域に渡って、上層部分の第２の封止樹脂６を除去して、電子部品３の接続端子３１の上面３１ａを露出させている。これに代わる別の除去方法として、電子部品３の接続端子３１の上方位置における第２の封止樹脂６のみを、研磨等の方法によって除去してもよい。
【００３１】
次いで、図７に示すように、ビア孔８を経由して電極パッド４と電子部品３の接続端子３１とを接続する配線を形成する工程を実施する。
一例として、樹脂封止パッケージ７の上面７ａに無電解めっきでシード層を形成し、その後にフォトリソグラフィ法にてパターン配線部９ｂの形状に対応したレジストパターン（不図示）を形成する。次に、このレジストパターンをマスクにして電解めっきによりＣｕ（銅）を析出させ、その後にレジストパターンおよび不要なシード層を除去する。これにより同図７に示すように、ビアプラグ部９ａおよびパターン配線部９ｂよりなる配線９が一体的に形成される。このようにして形成された配線９によって、電極パッド４（ここでは上面４ａ）と電子部品３の接続端子３１（ここでは上面３１ａ）とが電気的に接続される。
このように本実施形態においては、電子部品３の接続端子３１の上方位置にビア孔を形成することなく、したがって、ビア孔上部に接続パッドを設けることもなく、配線９の形成が可能となる。その結果、電子部品３における隣接する接続端子３１間の配線ピッチを、従来の電子装置２００の場合よりも狭く設定することが可能となり、微細配線が可能となる効果が生じる。また、電子部品３の接続端子３１の上部にビア孔形成用のレーザを照射することがないため、電子部品３にダメージを与えることもない。
【００３２】
以上説明した工程を備えて、本実施形態に係る電子装置１の製造が行われる。
【００３３】
以上の通り、開示の電子装置の製造方法によれば、電子部品の接続端子上の封止樹脂にレーザを用いてビア孔を形成することなく、当該接続端子と周囲に配設される電極パッドとの配線接続が可能となる。その結果、電子部品の上面（接続端子の上面）にレーザが照射されることに起因する電子部品のダメージ発生を防止することが可能となる。加えて、電子部品の接続端子上方にビア孔を設けないことで、当該接続端子上に形成される封止樹脂の厚さを薄くすることが可能となるため、電子装置全体の厚さを薄くすることが可能となる。
また、電子部品の接続端子の上方位置に大径の接続パッドを設ける必要がないため、配線ピッチの制限が緩和されて、微細配線が可能となる。
【００３４】
なお、本発明は、以上説明した実施例に限定されることなく、本発明を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。特に、配線基板上に半導体チップが実装される電子装置を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００３５】
１  電子装置
２  配線基板
３  電子部品
４  電極パッド
５  第１の封止樹脂
６  第２の封止樹脂
７  樹脂封止パッケージ
８  ビア孔
９  配線
２１  接続パッド
２２  配線パターン
２３  接続電極
３１  接続端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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