(57)【要約】【課題】電気光学装置用基板の接続端子と外部接続部品とを熱圧着して接続する際の無機絶縁膜の破損による歩留まり低下を抑制する。【解決手段】電気光学装置用基板（１０）は、無機絶縁膜と、外部接続部品に接続される接続端子（１４）とを備える。接続端子（１４）は、無機絶縁膜が設けられていない領域に設けられているので、外部接続部品を接続端子（１４）に熱圧着したとしても、無機絶縁膜の破損に起因する製品の歩留まり低下を抑制できる。【選択図】図１
2011138090.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層と、
前記樹脂層上の第１の領域に設けられた半導体層と、
前記樹脂層上の前記第１の領域に設けられた複数の絶縁膜と、
前記樹脂層上の第２の領域に設けられ、外部接続部品に接続される接続端子と、
を備える電子デバイス用基板であって、
前記接続端子は、前記複数の絶縁膜のうち無機材料からなる絶縁膜と平面的に重ならないことを特徴とする電子デバイス用基板。
【請求項２】
請求項１に記載の電子デバイス用基板と、
熱硬化性接着剤を介して前記接続端子と接続された外部接続部品と、
を備える電子デバイス。
【請求項３】
樹脂層と、
前記樹脂層上の第１の領域に設けられた半導体層と、
前記樹脂層上の前記第１の領域に設けられた複数の絶縁膜と、
前記樹脂層上の第２の領域に設けられ、外部接続部品に接続される接続端子と、
を備える電子デバイス用基板の製造方法であって、
前記半導体層および前記複数の絶縁膜を前記樹脂層上の前記第１の領域に形成する工程と、
前記接続端子を、前記複数の絶縁膜のうち無機材料からなる絶縁膜と平面的に重ならないように前記樹脂層上の前記第２の領域に形成する工程と、
を備える電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項４】
半導体層および複数の絶縁膜を、第１の基板の一の面の第１の領域に形成する工程と、
外部接続部品に接続される接続端子を、前記複数の絶縁膜のうち無機材料からなる絶縁膜と平面的に重ならないように前記一の面の第２の領域に形成する工程と、
前記半導体層と前記複数の絶縁膜と前記接続端子とを、前記第１の基板から第２の基板に転写する工程と、
前記半導体層と前記複数の絶縁膜と前記接続端子とを、前記第２の基板から樹脂層に転写する工程と、
を備える電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の電子デバイス用基板の製造方法によって製造された電子デバイス用基板と、外部接続部品と、を含む電子デバイスの製造方法であって、前記外部接続部品を、熱硬化性接着剤を介して前記接続端子に接続する工程をさらに含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子デバイス用基板、電子デバイス及びこれらの製造方法並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶ディスプレイやＥＬディスプレイ、指紋センサ等の電子デバイスは、複数の薄膜トランジスタが設けられたＴＦＴ基板を備える。ＴＦＴ基板には、各薄膜トランジスタを駆動するためのドライバＩＣをＴＦＴ基板に接続する接続端子が設けられている。あるいは、ＴＦＴ基板には各薄膜トランジスタを駆動するためのドライバ回路が設けられており、ドライバ回路に電気信号を供給するための外部接続部品をＴＦＴ基板に接続する接続端子が設けられている。
【０００３】
ＴＦＴ基板とドライバＩＣ等の外部接続部品とを接続する方法として、例えば、特開２００８−２１８５４２号公報に開示されているように、異方性導電フィルムを介して両者を熱圧着する方法が知られている。異方性導電フィルムは、熱硬化性接着剤のフィルム中に導電性粒子が分散されており、フィルムの厚さ方向に熱圧着されると、熱硬化性接着剤が流動化すると同時に、フィルム内部の導電性粒子がＴＦＴ基板の接続端子とドライバＩＣの接続端子との間に捕捉かつ圧縮され、熱硬化した接着剤により変形が保持されて、端子間の電気的接続を得るものである。
【０００４】
また、近年、フレキシブルな電子デバイスを実現するために、可撓性のある樹脂基板をＴＦＴ基板として用いることが、特開２００８−２７６２１２号公報に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２１８５４２号公報
【特許文献２】特開２００８−２７６２１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、ＴＦＴ基板には、薄膜トランジスタを形成するために、下地保護膜、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、平坦化膜、上面保護膜などの絶縁膜が形成される。これらの絶縁膜には、通常、無機材料（例えば、酸化珪素又は窒化珪素）が使用される。ＴＦＴ基板として可撓性の樹脂基板を用い、これらの絶縁膜として無機材料を用いた場合、異方性導電フィルムを介してＴＦＴ基板と外部接続部品とを熱圧着するために、ＴＦＴ基板を高温（例えば、１５０℃〜２００℃）かつ高圧（例えば、２Ｍｐａ〜５ＭＰａ）の環境下におくと、柔軟な樹脂基板が圧力によって変形し、これらの絶縁膜にクラック等が生じる。そのため、無機絶縁膜の上に設けられている配線が断線し、製品の歩留まりが低下する。
【０００７】
そこで、本発明は、電子デバイス用基板の接続端子と外部接続部品とを熱圧着して接続する際の歩留まり低下を抑制することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明に係わる電子デバイス用基板は、樹脂層と、樹脂層上の第１の領域に設けられた半導体層と、樹脂層上の第１の領域に設けられた複数の絶縁膜と、樹脂層上の第２の領域に設けられ、外部接続部品に接続される接続端子と、を備える電子デバイス用基板であって、接続端子は、複数の絶縁膜のうち無機材料からなる絶縁膜と平面的に重ならないことを特徴とする。少なくとも複数の接続端子と平面視で重なる領域には無機絶縁膜が設けられていないため、外部接続部品を接続端子に熱圧着した時、たとえ圧力によって接続端子の下層に存在する樹脂層が変形しても、樹脂層の上に設けられた配線に損傷が生じることはなく、無機絶縁膜の破損に起因する製品の歩留まり低下を抑制できる。本明細書において、樹脂層とは、それ自身で形状を保てる程度の剛性を持つ可撓性の樹脂基板や、基板上に形成されたフィルム状の樹脂層などを意味する。
【０００９】
本発明に係わる電子デバイスは、本発明に係わる電子デバイス用基板と、熱硬化性接着剤を介して接続端子と接続された外部接続部品と、を備える。本発明に係わる電子機器は、本発明に係わる電子デバイスを備える。
【００１０】
本発明に係わる電子デバイス用基板の製造方法は、樹脂層と、樹脂層上の第１の領域に設けられた半導体層と、樹脂層上の第１の領域に設けられた複数の絶縁膜と、樹脂層上の第２の領域に設けられ、外部接続部品に接続される接続端子と、を備える電子デバイス用基板の製造方法であって、半導体層および複数の絶縁膜を樹脂層上の第１の領域に形成する工程と、接続端子を、複数の絶縁膜のうち無機材料からなる絶縁膜と平面的に重ならないように樹脂層上の第２の領域に形成する工程と、を備えることを特徴とする。少なくとも複数の接続端子と平面視で重なる領域には、無機絶縁膜が設けられていないため、外部接続部品を接続端子に熱圧着した時、たとえ圧力によって接続端子の下層に存在する樹脂層が変形しても、樹脂層の上に設けられた配線に損傷が生じることはなく、無機絶縁膜の破損に起因する製品の歩留まり低下を抑制できる。本明細書において、樹脂層とは、それ自身で形状を保てる程度の剛性を持つ可撓性の樹脂基板や、基板上に形成されたフィルム状の樹脂層などを意味する。
【００１１】
本発明に係わる電子デバイス用基板の製造方法は、半導体層および複数の絶縁膜を、第１の基板の一の面の第１の領域に形成する工程と、外部接続部品に接続される接続端子を、複数の絶縁膜のうち無機材料からなる絶縁膜と平面的に重ならないように一の面の第２の領域に形成する工程と、半導体層と複数の絶縁膜と接続端子とを、第１の基板から第２の基板に転写する工程と、半導体層と複数の絶縁膜と接続端子とを、第２の基板から樹脂層に転写する工程と、を備える。
【００１２】
本発明に係わる電子デバイスの製造方法は、本発明に係わる電子デバイス用基板の製造方法によって製造された電子デバイス用基板と、外部接続部品と、を含む電子デバイスの製造方法であって、外部接続部品を、熱硬化性接着剤を介して接続端子に接続する工程をさらに含むことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態に係わる電子デバイス用基板の平面図である。
【図２】本実施形態に係わる電子デバイス用基板の一部省略平面図である。
【図３】実施例１に係わる電子デバイス用基板の製造工程断面図である。
【図４】実施例１に係わる電子デバイス用基板の製造工程断面図である。
【図５】実施例１に係わる電子デバイス用基板の製造工程断面図である。
【図６】実施例１に係わる電子デバイス用基板の製造工程断面図である。
【図７】実施例１に係わる電子デバイス用基板の製造工程断面図である。
【図８】実施例１に係わる電子デバイス用基板の製造工程断面図である。
【図９】実施例２に係わる電子デバイス用基板の製造工程断面図である。
【図１０】実施例２に係わる電子デバイス用基板の製造工程断面図である。
【図１１】実施例２に係わる電子デバイス用基板の製造工程断面図である。
【図１２】実施例２に係わる電子デバイス用基板の製造工程断面図である。
【図１３】実施例３に係わる電子デバイス用基板の製造工程断面図である。
【図１４】実施例４に係わる電子デバイス用基板の製造工程断面図である。
【図１５】実施例４に係わる電子デバイス用基板の製造工程断面図である。
【図１６】実施例６に係わる電子機器の説明図である。
【図１７】実施例６に係わる電子機器の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。ただし、以下の実施形態はあくまで本発明の一例に過ぎず、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
なお、本願の電子デバイスとは、液晶表示装置や電気泳動表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、エレクトロクロミック表示装置などの表示装置、あるいは、静電容量センサや光学センサ、圧力センサなどの各種センサ装置、あるいは、ＤＲＡＭやＳＲＡＭ、ＦｅＲＡＭなどの揮発性乃至は不揮発性記憶装置、あるいは、マイクロプロセッサーやデジタルシグナルプロセッサーなどの演算装置、あるいは此等装置を組み合わせた複合電子装置を指す。又、電子デバイス基板とは、此等電子デバイスに使用されて居り、樹脂層上に形成された薄膜トランジスタ回路や接続端子が設けられた基板を指す。
【００１５】
図１は、本発明に係わる電子デバイス用基板１０の平面図である。本発明において、電子デバイス用基板１０は、基板１１として可撓性のある樹脂基板が用いられおり、少なくとも第１の領域と第２の領域とを有して居る。第１の領域とは、半導体膜や電極、絶縁膜等が設けられており、薄膜トランジスタが形成されている。此の第１の領域を素子部１２と呼ぶ。一方、第２の領域には、外部接続部品（例えば、ドライバＩＣ又はフレキシブル配線基板など）が接続される複数の接続端子１４が設けられており、第２の領域を接続部１３と呼ぶ。接続端子１４を介して、電気信号が外部接続部品から素子部１２に供給される。
【００１６】
素子部１２には薄膜トランジスタや薄膜ダイオード、薄膜抵抗などからなる薄膜半導体回路が形成されている。薄膜半導体回路は例えば、トランジスタと画素電極とから成る表示装置で有ったり、薄膜ダイオードや薄膜コンデンサを用いたセンサ装置で有ったりする。
【００１７】
素子部１２に設けられているトランジスタは、半導体膜、電極（ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極）、及び絶縁膜（ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、下地保護膜、平坦化膜など）を備えている。一方、接続部１３には、無機絶縁膜は設けられていない。すなわち、素子部１２に設けられている絶縁膜は、すべて無機絶縁膜であってもよいし、そのうち一部の絶縁膜は有機絶縁膜であってもよいが、熱硬化性接着剤を含む異方性導電フィルム等を介して外部接続部品を接続部１３に熱圧着する際に破損する虞のある無機絶縁膜は、少なくとも複数の接続端子１４と平面視で重なる領域には、設けられていない。言い換えれば、複数の接続端子１４は平面視でいずれの無機絶縁膜と重なっていない。
電子デバイス用基板１０の製造過程において、基板１１上の接続部１３にも無機絶縁膜が形成されてもよいが、少なくとも複数の接続端子１４が形成されるべき領域に設けられた無機絶縁膜は、複数の接続端子１４を形成する前に除去される。本発明によれば、異方性導電フィルムを介して外部接続部品を複数の接続端子１４に熱圧着した時、たとえ圧力によって接続端子１４の下層に存在する樹脂層が変形しても、少なくとも複数の接続端子１４と平面視で重なる領域にはいずれの無機絶縁膜も設けられていないため、基板１１上に設けられた配線（図示せず）に損傷が生じることはなく、製品の歩留まり低下を効果的に抑制できる。
【００１８】
外部接続部品は、前述したようにドライバＩＣやフレキシブル配線基板などである。
ドライバＩＣやフレキシブル配線基板には、接続端子１４に接続される接続電極が設けられている。接続端子１４と接続電極とが異方性導電フィルムを介して互いに重なり合う領域において、基板１１に最も大きな圧力が加わる。従って、少なくとも接続端子１４が平面視でいずれの無機絶縁膜とも重なっていなければ、製品の歩留まり低下を抑制する効果が得られる。
【００１９】
しかし、接続端子１４と接続電極とが異方性導電フィルムを介して互いに重なり合わない領域においても、異方性導電フィルムを介して圧力がいくらか基板１１に加わって、配線が損傷する恐れがある。また、外部接続部品６０を基板１１に接続するとき、位置合わせ誤差のために、外部接続部品６０が無機絶縁膜と重なってしまい、配線が損傷する恐れがある。そこで、無機絶縁膜を設けない領域の大きさを、以下に述べるように決めると良い。
【００２０】
図２は、外部接続部品６０としてフレキシブル配線基板を電子デバイス用基板１０に実装した状態を示す、一部を省略した平面図である。外部接続部品６０の幅をＬｆ、接続部１３の幅をＬｉとすると、０．２５ｍｍ≦Ｌｉ−Ｌｆ≦３ｍｍという関係を満たすことが好ましい。０．２５ｍｍ≦Ｌｉ−Ｌｆであれば、外部接続部品６０を電子デバイス用基板１０に実装する時に、位置合わせ誤差があっても、外部接続部品６０が無機絶縁膜と重なることをほとんど回避できる。一方、金属配線と有機樹脂層との間の接着力は、金属配線と無機絶縁膜との間の接着力よりも弱いため、金属配線が有機樹脂層上に設けられている部分が長いと、金属配線が剥がれ易くなる。金属配線が剥がれ易くなることを防止するためには、Ｌｉ−Ｌｆ≦３ｍｍであることが好ましい。無機絶縁膜が設けられて居ない第２の領域は、実施例１に後述する転写法では工程途中で仮接着剤３１が剥き出しになる状態がある（図７Ｂ）。又、実施例２に後述する直接形成法では有機樹脂層が剥き出しになる工程（例えば図９Ｂや図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２Ａ等）がある。斯うした状態では、転写法の場合仮接着剤が剥き出しの状態で劣化したり、直接形成法では樹脂がエッチングされたり膨潤伸縮するとの課題が生じ得る。斯うした課題を克服するには第２の領域は出来る限り小さい事が望ましく、経験的にＬｉ−Ｌｆ≦３ｍｍとされる。
【００２１】
なお、電子デバイス用基板１０の素子部１２を形成するトランジスタ素子の構造は、ボトムゲート型トランジスタ又はトップゲート型トランジスタの何れでもよい。
【実施例１】
【００２２】
以下、図３乃至図８を参照しながら転写法を用いた電子デバイス基板１０１の製造方法とその電子デバイス基板への外部接続部品の接続方法について説明する。尚、此等の図は電子デバイス基板の断面を描いており、図面の左側は薄膜素子が形成されている第１の領域１２を示し、図面の右側は接続端子が形成される第２の領域１３を示している。又、実施例１では電子デバイスとして画素電極を有する表示装置を例に取って説明する。
【００２３】
まず、図３（Ａ）に示すように、第１の基板２０上に剥離層２１及び下地保護膜２２を形成する。第１の基板２０の剥離層２１及び下地保護膜２２が形成された面を第１の基板２０の表側の面とする。第１の基板２０にはガラス基板や石英基板等の透光性を備えた基板が用いられる。第１の基板２０は、適度な機械的強度を有しており、プロセス温度に耐え得るような耐熱性を備えていることが必要である。例えば、最高プロセス温度をＴｍａｘとしたとき、歪点（ガラス転移温度Ｔｇ又は軟化点）がＴｍａｘ以上の第１の基板２０を用いることが好ましい。薄膜トランジスタの半導体層に低温ポリシリコン半導体を利用するには、歪点が３５０℃以上であることが好ましく、５００℃以上であることがより好ましい。
【００２４】
剥離層２１は、エネルギー付与によって、剥離層２１の層内、又は剥離層２１と他の薄膜との間の界面に剥離（以下、「層内剥離」又は「界面剥離」という）を生じるような性質を有しており、好ましくは、光の照射により剥離層２１を構成する物質の原子間又は分子間の結合力が消失又は減少する性質、即ち、アブレーションが生じて層内剥離又は界面剥離に至る性質を有しているものが好ましい。剥離層２１への光照射により剥離層２１から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。即ち、剥離層２１に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、剥離層２１が光を吸収して一瞬気体となり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。剥離層２１としては、例えば、アモルファスシリコン、水素含有アモルファスシリコン、窒素含有アモルファスシリコン、水素含有合金、窒素含有合金、等、公知の材料を用いることができる。
【００２５】
下地保護膜２２として、例えば、窒化珪素膜や酸化珪素膜等の無機絶縁膜を用いることができる。下地保護膜２２の成膜法として、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法などの公知の薄膜プロセスを適用できる。
【００２６】
次に、図３（Ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、スパッタ法などの公知の薄膜プロセスを用いて、下地保護膜２２上にノンドープの半導体層２３を島状に形成する。続いて、図３（Ｃ）に示すように、半導体層２３の表面を含む基板全面にゲート絶縁膜２４を形成する。ゲート絶縁膜２４として、例えば、窒化珪素膜や酸化珪素膜等の無機絶縁膜を用いることができる。
【００２７】
続いて、図４（Ａ）に示すように、ゲート絶縁膜２４上にゲート電極２５を形成し、ゲート電極２５をマスクとして、半導体層２３に低濃度の不純物をイオン注入することにより、半導体層２３に低濃度のソース領域及びドレイン領域を形成する。
【００２８】
次に、図４（Ｂ）に示すように、層間絶縁膜２６を堆積し、ソース電極及びドレイン電極が形成されるべき位置にコンタクトホール２６ａ，２６ｂを開口する。層間絶縁膜２６として、例えば、窒化珪素膜や酸化珪素膜等の無機絶縁膜を用いることができる。コンタクトホール開口時に、同時に、接続端子１４が形成されるべき領域（図５（Ａ）１４が形成されるべき領域）に設けられている下地保護膜２２、ゲート絶縁膜２４、及び層間絶縁膜２６を除去し、剥離層２１を表面に露出させる。この工程により、接続端子１４が形成されるべき領域からすべての無機絶縁膜が除去される。この様に接続端子１４が形成されるべき領域から無機絶縁膜を除去する工程と、コンタクトホール２６ａ，２６ｂを開口する工程とを一括して同時に実施することにより、製造プロセスの増加を抑制できる。
【００２９】
下地保護膜２２、ゲート絶縁膜２４及び層間絶縁膜２６を除去する場合、これらの絶縁膜の端部は基板２０に対して鈍角となる様ななだらかな斜面形状に加工することが望ましい。鈍角な斜面形状とは絶縁膜斜面の基板に対する開口側角度が概ね１３５°以上（絶縁膜側角度が４５°以下）になっている状態を指す。絶縁膜の端部が９０°近傍の急峻であると、絶縁膜の端部を跨いで設けられる配線（即ち接続端子１４を為す金属配線）が断線する可能性があるが、端部がなだらかであれば、断線の可能性が低下するからである。さらに断線を防ぐためには、接続端子１４を為す金属の厚さが、此等無機絶縁膜の厚さの総和（本実施例では、下地保護膜２２の厚さとゲート絶縁膜２４の厚さと無機層間絶縁膜２６の厚さの和）よりも大きい方が好ましい。尚、ここでは、接続端子１４が形成されるべき領域に無機絶縁膜を積層した後にすべての無機絶縁膜を除去する例を示したが、マスクを用いた蒸着法などによって、接続端子１４が形成されるべき領域を避けて無機絶縁膜を形成してもよい。要するに、少なくとも接続端子１４が形成されるべき領域に、いずれの無機絶縁膜も設けられていなければよい。
【００３０】
次に、図５（Ａ）に示すように、スパッタ法等の公知の薄膜プロセスを用いて低抵抗の導電膜を堆積する。低抵抗の導電膜を所定の形状にパターニングすることで、コンタクトホール２６ａ，２６ｂを介して半導体層２３のソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続するソース電極２７ａ及びドレイン電極２７ｂを形成する。このとき、接続端子１４が形成されるべき領域に堆積されている導電膜も同時に所定の形状にパターニングすることで、接続端子１４を形成する。ソース電極２７ａ及びドレイン電極２７ｂを形成する工程と、接続端子１４を形成する工程とを一括して同時に実施することにより、製造プロセスの増加を抑制できる。
【００３１】
次に、図５（Ｂ）に示すように、基板全面に平坦化膜２８を堆積する。平坦化膜２８は、有機絶縁膜でもよく、或いは無機絶縁膜でもよい。また、平坦化膜２８は、必須ではなく省略してもよい。有機絶縁膜の材質として、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートのようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレンのようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３２】
次に、図６（Ａ）に示すように、ドレイン電極２７ｂに接続するコンタクトホールを平坦化膜２８に開口するとともに、接続端子１４が設けられている領域にある平坦化膜２８を除去し、接続端子１４及び剥離層２１を表面に露出させる。続いて、基板全面に透明電極材料を成膜し、これを所定の形状にパターニングすることにより、ドレイン電極２７ｂに接続する画素電極２９ａを形成する。なお、接続端子１４の露出面を透明電極材料２９ｂで被覆し、接続端子１４を保護するのが好ましい。この場合、接続端子１４を為す金属は表面に露出していないが、電気的には透明電極材料２９ｂを介して導通しているので、接続端子１４は電気的に表面に露出して居ることになる。なお、必ずしも接続端子１４の表面全体を透明電極材料２９ｂで覆う必要はなく、少なくとも接続端子１４の端部を覆うように透明電極材料２９ｂを設ければ、接続端子１４の剥離を抑制できる。透明電極材料としては、ＩＴＯなどが好適である。尚、此処では電子デバイスの例として表示装置を挙げたので、画素電極を設けたが、記憶装置や演算装置等、画素電極が不要な電子デバイスでは当然、この工程は省かれる。反対に演算装置等で積層配線が求められる場合は図５Ｂに示す絶縁膜堆積と図６Ａに示すコンタクトホール開口並びに接続部からの絶縁膜除去と金属配線形成とを複数回繰り返すことになる。その場合、接続端子１４を為す金属配線は必ずしもソース電極２７ａやドレイン電極２７ｂと同じ金属である必然性はなく、積層配線を為す一層乃至複数層が用いられる。何れにしても接続部１３では剥離層２１上に直接接続端子１４が形成され、その端子が電気的に表面に露出している。
【００３３】
次に、図６（Ｂ）に示すように、仮接着剤３１を用いて第１の基板２０の表側の面を第２の基板３０に貼り合わせ、第１の基板２０の裏面側から光を照射する。第２の基板３０は、第１の基板２０に比べて耐熱性や耐食性に劣るものでも良い。第２の基板３０に要求される特性（特に耐熱性）はこの後に行われる転写工程に耐える水準を満たせば良い。
【００３４】
仮接着剤３１としては、例えば、反応性硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤（紫外線硬化型接着剤等）、嫌気硬化型接着剤、その他の各種硬化型接着剤を用いることができる。具体的には、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、シリコン系接着剤、天然ゴム系接着剤、ポリウレタン系接着剤、フェノール系接着剤、酢酸ビニル系接着剤、シアノアクリレート系接着剤、ポリビニルアルコール系接着剤、ポリイミド系接着剤、ポリアミド系接着剤等を用いることができる。
【００３５】
第１の基板２０の裏面側から光を照射することにより、剥離層２１の密着力が弱められる。剥離層２１は、光が照射されると、層内剥離又は界面剥離を生じる。層内剥離又は界面剥離が生じる原理は、剥離層２１の構成材料にアブレーションが生じること、また剥離層２１に含まれるガスの放出、更には、照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものである。アブレーションとは、照射光を吸収した剥離層２１の構成材料が光化学的又は熱的に励起され、その表面や内部の原子又は分子の結合が切断されて放出することをいい、主に剥離層２１の構成材料の全部又は一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。剥離層２１が層内剥離を生じるか界面剥離を生じるか又はその両方であるかは、剥離層２１の組成やその他種々の要因に左右され、その要因の一つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。
【００３６】
剥離層２１に照射される光としては、剥離層２１に層内剥離又は界面剥離を起こさせる光であればよく、特に限定されるものではない。例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α波、β波、γ波）等が挙げられる。特に、剥離層２１の剥離（アブレーション）を生じさせ易く、且つ高精度の局部照射が可能である点でレーザ光が好ましい。レーザ光は、コヒーレント光であり、第１の基板２０を介して剥離層２１に高出力パルス光を照射して高精度で所望部分に剥離を生じさせるのに好適である。したがって、レーザ光の使用によって容易に且つ確実に剥離層２１を剥離させることができる。
【００３７】
次に、図７（Ａ）に示すように、剥離層２１の結合力を弱めたら、第１の基板２０と第２の基板３０とを引き離す力を加え、第１の基板２０を第２の基板３０から剥離する。続いて、図７（Ｂ）に示すように、デバイス層の裏面に付着している剥離層２１を除去する。剥離層２１を除去する方法として、例えば、エッチング、アッシング、研磨等を挙げることができる。なお、剥離層２１を除去すると、仮接着剤３１の一部は接続部１３にて大気中に露出する。大気中に仮接着剤が露出すると、仮接着剤が大気の水分を吸収して膨潤や変形をする可能性があるため、剥離層除去後は後述の接着工程（図８（Ａ））を速やかに（好ましくは図７Ａの剥離工程から基板接着工程を２４時間以内に）実施するのが望ましい。先にも述べた様に電子デバイス用基板１０１の全体面積に占める接続部１３の面積の割合をできるだけ小さくしてＬｉ−Ｌｆ≦３ｍｍとすると、仮接着剤３１の膨潤や変形を抑制する上で効果的である。
【００３８】
次に、図８（Ａ）に示すように、デバイス層の裏面に接着剤（図示せず）を塗布し、デバイス層と基板１１とを接着する。基板１１は、前述したように、可撓性のある樹脂基板である。続いて、仮接着剤３１及び第２の基板３０を除去する。これにより、電子デバイス用基板１０１の製造工程は完了する。
【００３９】
図８（Ｂ）は、半導体チップを外部接続部品６０として電子デバイス用基板１０１に実装するための実装工程を示している。熱硬化性接着剤を含む異方性導電フィルム５０を接続端子１４上に塗布し、外部接続部品６０を接続端子１４に熱圧着することにより、外部接続部品６０を接続端子１４に接続する。熱圧着行程における温度は、例えば１１０度乃至１５０度、圧力は、例えば０．５ＭＰａ乃至５ＭＰａに設定される。接続部１３には、無機絶縁膜が除去されているため、異方性導電フィルム５０を介して外部接続部品６０を接続端子１４に熱圧着した時、接続部１３に設けられた配線（図示せず）に損傷が生じることはなく、製品の歩留まり低下を効果的に抑制できる。このように、本実施例によれば、特に新たな工程を追加せずとも、１１０度乃至１５０度、及び０．５ＭＰａ乃至５ＭＰａ程度の加熱加圧条件において安定的に外部接続部品６０を実装することが可能になる。
【００４０】
実施例１では、基板１１として可撓性のある樹脂基板を用いたが、表面に樹脂層が設けられた可撓性を有する金属などの基板や、表面に樹脂層が設けられた可撓性を有さない金属などの基板、あるいは、非常に柔らかいフィルム状の樹脂基板を用いてもよい。
【００４１】
なお、上述の説明では、第１の基板２０に形成されたデバイス層（素子部１２及び接続部１３を構成するデバイス層）を剥離層２１に光照射して基板１１に転写することによって電子デバイス用基板１０１を製造する方法を例示したが、本実施例は、これに限られるものではない。転写方法としては剥離層の代わりにガラスに対するエッチングストッパ層２１を設けて、ガラスを裏面からエッチングして図７Ａの構造としてフレキシブル電子デバイス用基板１０１を作成しても良い。また、柔軟な基板１１上にデバイス層を直接形成してもよい。この場合、樹脂層としては、金属との接着性に優れた官能基を含む樹脂層（エポキシ樹脂、イミド樹脂、アクリル樹脂等）が好適である。此に関しては実施例２にて詳述する。
【００４２】
又、上述の説明では、外部接続部品６０と接続端子１４とを接続するための手段として、異方性導電フィルムを例示したが、異方性導電ペーストを用いてもよい。また、上述の説明では、半導体チップを外部接続部品６０の一例として説明したが、フレキシブル配線基板や、半導体チップが実装されたフレキシブル配線基板を外部接続部品６０として電子デバイス用基板１０１に実装してもよく、この場合においても、接続部１３に設けられた配線に損傷が生じることはなく、製品の歩留まり低下を効果的に抑制できる。
【実施例２】
【００４３】
図９乃至図１２を参照しながら実施例２に係わる電子デバイス用基板１０２の製造方法とその電子デバイス基板への外部接続部品の接続方法について説明する。尚、此等の図は電子デバイス基板の断面を描いており、図面の右側は薄膜素子が形成されている第１の領域１２を示し、図面の左側は接続端子が形成される第２の領域１３を示している。実施例２では柔軟性を有する基板１１上に直接半導体回路を形成する方法を述べる。
【００４４】
電子デバイス用基板１０２には、複数の薄膜トランジスタなどの電子素子が設けられている。また、電子デバイス用基板１０２は、基板１１を含む。基板１１は、プラスティックフィルムなどの樹脂基板でも良いし、ガラス基板等の支持基板上に形成された厚さ数ミクロンから１００ミクロン程度の樹脂層であっても良い。樹脂層は、薄膜トランジスタなどの電子素子が形成された後に支持基板から取り外されて、フレキシブル基板として用いられても良い。なお、実施例１と同一の部材については、同一の符号を付すものとし、重複する説明を省略する。
【００４５】
まず、図９（Ａ）に示すように、基板１１の表側の面に下地保護膜２２を堆積し、接続端子１４が形成されるべき領域にある下地保護膜２２を除去する。なお、下地保護膜２２は必須ではなく、省略してもよい。
【００４６】
次に、図９（Ｂ）に示すように、スパッタ法等の公知の薄膜プロセスを用いて基板全面に低抵抗の導電膜を堆積する。低抵抗の導電膜を所望の形状にパターニングすることにより、接続端子１４を形成すると同時に、下地保護膜２２上にゲート電極２５を形成する。このように、接続端子１４を形成する工程と、ゲート電極２５を形成する工程とを一括して同時に実施することにより、製造プロセスの増加を抑制できる。なお、同図に示す接続端子１４は、ゲート電極２５に接続されており、トランジスタ素子に走査信号を供給する。
【００４７】
次に、図１０（Ａ）に示すように、プラズマＣＶＤ法等の公知の薄膜プロセスを用いて基板全面にゲート絶縁膜２４、真性半導体膜４１、及びエッチングストッパー４２を順次積層し、エッチングストッパー４２をパターニングする。真性半導体膜４１として、例えば、真性半導体アモルファスシリコンを用いることができる。エッチングストッパー４２として、例えば、ゲート絶縁膜２４と同じ材質（窒化珪素など）を用いることができる。
【００４８】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法等の公知の薄膜プロセスを用いてｎ+型微結晶シリコン層を成膜し、これをパターニングすることにより、オーミックコンタクト層４３ａ，４３ｂを形成する。このとき、真性半導体膜４１も所定形状に一括してパターニングする。
【００４９】
続いて、図１１（Ａ）に示すように、接続端子１４が設けられている領域にあるゲート絶縁膜２４を除去する。但し、接続端子１４の露出面の一部を被覆するようにゲート絶縁膜２４を残存させるのが好ましい。これにより、基板１１からの接続端子１４の剥離を抑制できる。
【００５０】
電子デバイス用基板１０２を例えば液晶表示装置として用いる場合には、次に、図１１（Ｂ）に示すように、基板全面に透明電極材料を堆積し、これを所定の形状にパターニングすることにより、画素電極２９ａを形成する。なお、接続端子１４の露出面を透明電極材料２９ｂで被覆し、接続端子１４を保護するのが好ましい。続いて、図１２（Ａ）に示すように、スパッタ法等の公知の薄膜プロセスを用いて、低抵抗の導電膜を堆積し、これを所定の形状にパターニングして、画素電極２９ａとオーミックコンタクト層４３ｂとに接続するドレイン電極４４ｂと、オーミックコンタクト層４３ａに接続するソース電極４４ａと、ソース電極４４ａに画像信号を供給する接続端子１４ａとを形成する。これにより、電子デバイス用基板１０２の製造工程は完了する。
【００５１】
図１２（Ｂ）は、外部接続部品６０を電子デバイス用基板１０２に実装するための実装工程を示している。熱硬化性接着剤を含む異方性導電フィルム５０を接続端子１４，１４ａ上に塗布し、外部接続部品６０を接続端子１４，１４ａに熱圧着することにより、外部接続部品６０を接続端子１４，１４ａに接続する。本発明によれば、異方性導電フィルムを介して外部接続部品を複数の接続端子１４に熱圧着した時、たとえ圧力によって接続端子１４の下層に存在する樹脂基板あるいは樹脂層が変形しても、少なくとも複数の接続端子１４と平面視で重なる領域にはいずれの無機絶縁膜も設けられていないため、基板１１上に設けられた配線（図示せず）に損傷が生じることはなく、製品の歩留まり低下を効果的に抑制できる。
【００５２】
上述の説明では、ゲート電極２５に接続される接続端子１４と、ソース電極４４ａに画像信号を供給する接続端子１４ａとを、図１に示したように１カ所に集めて設けた例を示した。しかし、電子デバイス用基板１０２が有する複数の端部のうち、たとえば互いに隣接する２つの端部各々に接続部１３を設け、一方の接続部には接続端子１４をまとめて配置し、他方の接続部には接続端子１４ａをまとめて配置してもよい。または、１つの端部に複数の接続部１３を設けてもよい。
【００５３】
電子デバイス用基板１０２に複数の接続部１３を設ける場合は、複数の接続部１３各々において無機絶縁膜を設けないが、互いに隣り合う２つの接続部１３間の領域では無機絶縁膜を設けることが好ましい。互いに隣り合う２つの接続部１３間の領域に無機絶縁膜を設けておくことによって、基板１１が必要以上に撓みやすくなることを防止し、また、素子部１２に設けられた無機絶縁膜が剥がれやすくなることを防止する効果が得られる。
【実施例３】
【００５４】
実施例３では、本発明に係る電子デバイス用基板１０を指紋センサ用基板として適用する。本実施例においても実施例１と同様、電子デバイス用基板１０は、基板１１と、基板１１の上に設けられたデバイス層とを備えている。デバイス層のうち第１の領域には、接触した指との間の静電容量を検出するための、センサ電極やトランジスタなどが設けられている。また、第２の領域には、外部接続部品（例えば、ドライバＩＣ又はフレキシブル配線基板など）が接続される複数の接続端子１４が設けられている。実施例１と異なるのは、基板１１として、表面に樹脂層が設けられた可撓性を有さない金属基板を用いた点である。ここで、金属基板は樹脂層の支持層であるとみなすことができる。
【００５５】
図１３は、センサ電極を中心とする静電容量検出回路の断面図である。図１３に示すように、静電容量検出回路１３１には、指紋の凹凸情報を担う検出信号を出力する信号増幅トランジスタ１３４と、被検者の指先Ｆとの間に静電容量１３３を形成するためのセンサ電極１７２とが形成されている。信号増幅トランジスタ１３４は、ゲート電極１６８、ゲート絶縁膜１６７、多結晶シリコン層（活性層）１６３、ソース電極１６５、ドレイン電極１６６を含んで構成されるトランジスタである。静電容量１３３は指紋の凹凸パターンに応じてその容量値が変化する可変容量である。指先Ｆの電位は基準電位に設定されている。センサ電極１７２はゲート電極１６８に接続しており、指紋の凹凸による検出容量Ｃｄの変化を信号増幅トランジスタ１３４に伝達し、チャネルを流れるドレイン電流の増幅作用によって静電容量変化をセンシングできるように構成されている。
【００５６】
本実施例に係る電子デバイス用基板１０においても、素子部１２に設けられているトランジスタは、半導体膜、電極（ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極）、及び絶縁膜（ゲート絶縁膜、層間絶縁膜など）を備えている。一方、接続部１３には、無機絶縁膜は設けられていない。すなわち、素子部１２に設けられている絶縁膜は、すべて無機絶縁膜であってもよいし、そのうち一部の絶縁膜は有機絶縁膜であってもよいが、熱硬化性接着剤を含む異方性導電フィルム等を介して外部接続部品を接続部１３に熱圧着する際に破損する虞のある無機絶縁膜は、少なくとも複数の接続端子１４と平面視で重なる領域には、設けられていない。言い換えれば、複数の接続端子１４は平面視でいずれの無機絶縁膜と重なっていない。
【００５７】
電子デバイス用基板１０の製造過程において、基板１１上の接続部１３にも無機絶縁膜が形成されてもよいが、少なくとも複数の接続端子１４が形成されるべき領域に設けられた無機絶縁膜は複数の接続端子１４を形成する前に除去される。本発明によれば、異方性導電フィルムを介して外部接続部品を複数の接続端子１４に熱圧着した時、たとえ圧力によって接続端子１４の下層に存在する樹脂層が変形しても、少なくとも複数の接続端子１４と平面視で重なる領域にはいずれの無機絶縁膜も設けられていないため、樹脂層（基板１１）上に設けられた配線（図示せず）に損傷が生じることはなく、製品の歩留まり低下を効果的に抑制できる。
【００５８】
外部接続部品は、前述したようにドライバＩＣやフレキシブル配線基板などである。ドライバＩＣやフレキシブル配線基板には、接続端子１４に接続される接続電極が設けられている。接続端子１４と接続電極とが異方性導電フィルムを介して互いに重なり合う領域において、基板１１に最も大きな圧力が加わる。従って、少なくとも接続端子１４が平面視でいずれの無機絶縁膜とも重なっていなければ、製品の歩留まり低下を抑制する効果が得られる。
【００５９】
本実施例に係る電子デバイス用基板１０も、実施例１で説明した製造方法と同様な製造方法で製造することができるため、製造方法は省略する。
【実施例４】
【００６０】
実施例４では、本発明に係る電子デバイス用基板１０を、電気泳動表示装置用の基板として適用する。本実施例においても実施例１と同様、電子デバイス用基板１０は、基板１１と、基板１１の上に設けられたデバイス層とを備えている。実施例１と同様、基板１１として、可撓性を有する樹脂基板を用いた。樹脂基板の厚さは約１００μｍである。デバイス層のうち第１の領域には、電気泳動素子に含まれる粒子の分布を制御して画像表示するための回路素子が設けられている。回路素子は例えば、トランジスタ、画素電極などである。また、第２の領域には、外部接続部品（例えば、ドライバＩＣ又はフレキシブル配線基板など）が接続される複数の接続端子１４が設けられている。
【００６１】
図１４は、本発明に係る電子デバイス用基板１０を電気泳動表示装置用の基板１１として適用した電気泳動表示装置の部分断面図である。図示したように、電気泳動表示装置は、電気泳動表示装置用の基板１１と対向電極１２２が設けられた対向基板１２０との間に電気泳動層１２３を挟持することによって構成されている。
【００６２】
本実施例に係る電子デバイス用基板１１においても、素子部１２に設けられているトランジスタは、半導体膜、電極（ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極）、及び絶縁膜（ゲート絶縁膜、層間絶縁膜など）を備えている。一方、実施例１と同様、接続部１３には、無機絶縁膜は設けられていない。すなわち、素子部１２に設けられている絶縁膜は、すべて無機絶縁膜であってもよいし、そのうち一部の絶縁膜は有機絶縁膜であってもよいが、熱硬化性接着剤を含む異方性導電フィルム等を介して外部接続部品を接続部１３に熱圧着する際に破損する虞のある無機絶縁膜は、少なくとも複数の接続端子１４と平面視で重なる領域には、設けられていない。言い換えれば、複数の接続端子１４は平面視でいずれの無機絶縁膜と重なっていない。
【００６３】
尚、図１４において、符号１０ａは表示領域を示し、符号１５１は対向基板１２０を保護基板（図示せず）に接着するための接着層を示し、符号１２２は共通電極を示し、符号１２３は電気泳動層を示し、符号１８２は白色粒子（電気泳動粒子）を示し、符号１８３は黒色粒子（電気泳動粒子）を示し、符号１８０はマイクロカプセルを示し、符号１８５はバインダを示し、符号２０９は画素電極を示し、符号２３０はＴＦＴを示し、符号２３２はゲート電極を示し、符号２３３はソース・ドレイン電極を示し、符号３１１はチャネル領域を示し、符号３１２はソース・ドレイン領域を示し、符号２３１は半導体層を示し、符号２４１，２４２は層間絶縁膜を示し、符号２０２はゲート絶縁膜を示し、符号２０５は絶縁膜を示す。
【００６４】
次に、図１５を用いて、実施例４に係る電子デバイス用基板１０の製造方法を説明する。但し、第１の基板２０に形成したデバイス層を第２の基板３０に転写するまでは、実施例１で説明した製造方法と同様である。したがって、ここでは、第２の基板３０に転写されたデバイス層から剥離層２１を除去する工程（図７参照）の次の工程から説明する。
【００６５】
図１５（Ａ）に示すように、デバイス層の裏面に接着剤（図示せず）を塗布し、デバイス層と基板１１とを接着する。本実施例において、基板１１は、粘着層５１を介して支持基板５２に貼り付けられている。続いて、仮接着剤３１及び第２の基板３０を除去する。
【００６６】
次に、図１５（Ｂ）に示すように、基板１１と対向基板１２０との間に電気泳動層１２３を挟む。さらに、半導体チップを外部接続部品６０として電気泳動表示装置用の基板１１に実装する。最後に、基板１１を支持基板５２から剥離する。これにより、電気泳動表示装置の製造工程は完了する。
【００６７】
本発明によれば、異方性導電フィルムを介して外部接続部品を複数の接続端子１４に熱圧着した時、たとえ圧力によって接続端子１４の下層に存在する樹脂基板（基板１１）が変形しても、少なくとも複数の接続端子１４と平面視で重なる領域にはいずれの無機絶縁膜も設けられていないため、樹脂基板（基板１１）上に設けられた配線（図示せず）に損傷が生じることはなく、製品の歩留まり低下を効果的に抑制できる。
【実施例５】
【００６８】
実施例４では、基板１１として厚さ約１００μｍの可撓性を有する樹脂基板を用いたが、本実施例では、基板１１として厚さ約１０μｍのフィルム状の樹脂層を用いた。実施例４と異なる点は、基板１１の厚さと製造方法だけであるので、製造方法について説明する。
【００６９】
実施例４では、デバイス層の最終的な転写先基板は、支持基板５２に貼り付けられた可撓性を有する樹脂基板（基板１１）であった。しかし、本実施例では、デバイス層は支持基板５２上に固定された膜厚が１０μｍのフィルム状基板１１に直接形成される。この場合、粘着層５１がスピンコート法などによって支持基板５２上に形成された後にフィルム状基板１１が固定される。そして、図３乃至図６および図１５（Ｂ）に示したのと同様な工程を経て、非常に薄い電気泳動表示装置が製造される。
【００７０】
すなわち、支持基板５２上に固定されたフィルム状基板１１にデバイス層を形成する。次に、基板１１と対向基板１２０との間に電気泳動層１２３を挟む。さらに、半導体チップを外部接続部品６０として電気泳動表示装置用の基板１１に実装する。最後に、支持基板５２をフィルム状基板１１から剥離する。これにより、非常に薄い電気泳動表示装置の製造工程は完了する。
【００７１】
本発明によれば、異方性導電フィルムを介して外部接続部品を複数の接続端子１４に熱圧着した時、たとえ圧力によって接続端子１４の下層に存在する樹脂層（基板１１）が変形しても、少なくとも複数の接続端子１４と平面視で重なる領域にはいずれの無機絶縁膜も設けられていないため、樹脂層（基板１１）上に設けられた配線（図示せず）に損傷が生じることはなく、製品の歩留まり低下を効果的に抑制できる。
【００７２】
以上、液晶表示装置や電気泳動表示装置、指紋センサを用いて本発明に係る電子デバイス用基板１０について説明したが、電子デバイス用基板１０は、有機ＥＬ装置、無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等の表示装置用基板や、演算装置（CPU）、メモリーなどの電子回路用基板にも適用できる。要は、少なくとも接続端子１４が、素子部１２に設けられている無機絶縁膜と平面視で重なっていなければ、外部接続部品を接続部１３に熱圧着する際に、たとえ圧力によって接続端子１４の下層に存在する樹脂層が変形しても、樹脂層（基板１１）に設けられた配線に損傷が生じることはなく、製品の歩留まり低下を効果的に抑制できる。
【実施例６】
【００７３】
次に、本発明に係わる電子機器の具体例について説明する。図１６は、電子機器の具体例として、携帯電話５３０、ビデオカメラ５４０、テレビジョン５５０、及びロールアップ式テレビジョン５６０を例示する。図１６（Ａ）に示すように、携帯電話５３０は、アンテナ部５３１、音声出力部５３２、音声入力部５３３、操作部５３４及び電気光学装置（表示部）５００を備える。
図１６（Ｂ）に示すように、ビデオカメラ５４０は、受像部５４１、操作部５４２、音声入力部５４３、及び電気光学装置（表示部）５００を備える。
図１６（Ｃ）に示すように、テレビジョン５５０は、電気光学装置（表示部）５００を備える。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置（電気光学装置）にも適用することができる。
図１６（Ｄ）に示すように、ロールアップ式テレビジョン５６０は、電気光学装置（表示部）５００を備えている。
上記の電気光学装置（表示部）５００は、本発明に係る電子デバイス用基板１０を備えている。電子デバイス用基板１０を備える電気光学装置としては、液晶表示装置や電気泳動表示装置だけでなく、有機ＥＬ装置、無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等が挙げられる。
【００７４】
図１７は、本発明に係わる電子デバイス用基板１０を備える指紋センサを搭載したスマートカード８１である。スマートカード８１は、指紋センサ１と、ＣＰＵやメモリー素子などを実装したＩＣチップ８２と、液晶表示装置などの表示装置８３を備えている。ＩＣチップ８２には、バイオメトリクス情報として、カード所有者の指紋情報が登録されている。指紋センサで検出した指紋と登録された指紋とを比較することによって、本人であるか否かが認証される。本発明は、このような電子デバイスにも適用される。
【００７５】
なお、本実施例に係わる電子機器としては、上述の他、例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ等がある。
【００７６】
上述の実施例は、用途に応じて適宜に組み合わせて、又は変更若しくは改良を加えて用いることができ、本発明は上述の実施例に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００７７】
１０…電子デバイス用基板  １１…基板  １２…素子部  １３…接続部  １４…接続端子  ２０…第１の基板  ２１…剥離層乃至はエッチングストッパ層  ２２…下地保護膜  ２３…半導体層  ２４…ゲート絶縁膜  ２５…ゲート電極  ２６…層間絶縁膜  ２６ａ，２６ｂ…コンタクトホール  ２７ａ…ソース電極  ２７ｂ…ドレイン電極  ２８…平坦化膜  ２９ａ…画素電極  ２９ｂ…透明電極材料  ３０…第２の基板  ３１…仮接着剤  ５０…異方性導電フィルム  ６０…外部接続部品  ４１…真性半導体膜  ４２…エッチングストッパー  ４３ａ，４３ｂ…オーミックコンタクト層  ４４ａ…ソース電極  ４４ｂ…ドレイン電極  ５００…電気光学装置  ５３０…携帯電話  ５３１…アンテナ部  ５３２…音声出力部  ５３３…音声入力部  ５３４…操作部  ５４０…ビデオカメラ  ５４１…受像部  ５４２…操作部  ５４３…音声入力部  ５５０…テレビジョン  ５６０…ロールアップ式テレビジョン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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