(57)【要約】【課題】不要な漏洩磁束が生じないシールドを提供する。【解決手段】ＡＢＳに露出する下端部１０Ｓに一対の角部を有する本体１０と、一対の角部に取り付けられたタブ２０とを備える。タブ２０は第１から第３の部分６１〜６３を有する。第１の部分６１は、下端部１０Ｓの外延にある第１の下面６１ＳＬと、ＡＢＳに対して傾斜し、第１の下面６１ＳＬから所定距離にある第１の上面６１ＳＵとを含む。第２の部分６２は、第１の部分６１に直接接合され、第１の下面６１ＳＬの延長上にある第２の下面６２ＳＬと、これと平行であり第１の上面６１ＳＵと段差を形成することなく接する第２の上面６２ＳＵとを有する。第３の部分６３は、その一端が第２の部分６２に直接接合されており、互いに平行に延在する第３の下面６３ＳＬおよび第３の上面６３ＳＵを有し、所定角度でＡＢＳから離れるように延在している。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁気記録デバイスに適用可能なシールドであって、
エアベアリング面に露出する下端に一対の角部を有する本体と、
前記一対の角部の各々に一つずつ取り付けられ、前記本体から遠ざかるようにエアベアリング面と平行に延在する部分を含むタブと
を備え、
前記タブは第１から第３の部分を有し、
前記第１の部分は、前記本体の下端の外延にある第１の下面と、前記本体の下端から少なくとも１μｍ上方において前記本体に突き当たる第１の上面とを含み、
前記第１の上面は、エアベアリング面に対して傾斜し、前記第１の下面から０．２μｍ以上２μｍ以下の距離にあり、
前記第２の部分は、前記第１の部分に直接接合されており、前記第１の下面の延長上にある第２の下面と、前記第２の下面に平行であり前記第１の上面と段差を形成することなく接する第２の上面とを有し、
前記第３の部分は、その一端が前記第２の部分に直接接合されており、０．２μｍ以上２μｍ以下の間隔で互いに平行に延在する第３の下面および第３の上面を有し、エアベアリング面に対して５°以上２０°以下の角度でエアベアリング面から離れるように延在している
シールド。
【請求項２】
前記第１の部分は、１μｍ以上６μｍ以下の長さを有する請求項１記載のシールド。
【請求項３】
前記第２の部分は、５μｍ以下の長さを有する請求項１記載のシールド。
【請求項４】
前記第３の部分は、２μｍ以上１０μｍ以下の長さを有する請求項１記載のシールド。
【請求項５】
前記第１の上面は平坦である請求項１記載のシールド。
【請求項６】
前記第１の上面は凹面である請求項１記載のシールド。
【請求項７】
前記第２の上面と前記第２の下面との間隔は０．２μｍ以上２μｍ以下である請求項１記載のシールド。
【請求項８】
前記本体は矩形状を有している請求項１記載のシールド。
【請求項９】
前記本体は六角形を有している請求項１記載のシールド。
【請求項１０】
前記本体は台形を有している請求項１記載のシールド。
【請求項１１】
垂直磁気記録ヘッドに適用可能なシールドの製造方法であって、
基体を用意したのち、その基体上に導電性シード層を形成することと、
前記導電性シード層の上に、フォトレジスト層を形成することと、
前記フォトレジスト層を加工し、のちに形成されるエアベアリング面に沿って延在すると共に犠牲部と接続された主部を含むパターンを規定するための開口を備えたモールドを形成し、前記導電性シード層の一部を露出させることと、
前記開口と対応する領域において露出した前記導電性シード層の上に、磁気シールドとして好適な材料からなる層を電解析出（electro-depositing）法により形成することと、
前記モールドを除去し、露出面を全て覆うように誘電体層を形成することと、
化学機械研磨により、全体構造を平坦化することと
を含み、
前記パターンを、互いに対向した一対のタブを含み、それら一対のタブが、のちに形成されるエアベアリング面に平行な方向にある前記主部から離れる方向へ延在するように形成し、
前記タブを、それぞれ第１から第３の部分を有するように形成し、
前記第１の部分を、のちに形成されるエアベアリング面の延長上にある第１の下面と、のちのエアベアリング面となる位置から少なくとも１μｍ上方において前記本体に突き当たる第１の上面とを含むように形成し、
前記第１の上面をエアベアリング面に対して傾斜させ、前記第１の下面から０．２μｍ以上２μｍ以下の距離を有するようにし、
前記第２の部分を、前記第１の部分と連続させ、前記第１の下面の延長上にある第２の下面と、前記第２の下面に平行であり前記第１の上面と段差を形成することなく接する第２の上面とを有するように形成し、
前記第３の部分を、その一端を前記第２の部分と連続させ、０．２μｍ以上２μｍ以下の間隔で互いに平行に延在する第３の下面および第３の上面を有し、前記一端から他端へ向けて、前記エアベアリング面に対して５°以上２０°以下の角度で前記犠牲部から離れるように延在させる
シールドの製造方法。
【請求項１２】
アルミニウム酸化物を用いて前記誘電体層を形成する請求項１１記載のシールドの製造方法。
【請求項１３】
前記磁気シールドとして好適な材料からなる層を、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅを用いて形成する
請求項１１記載のシールドの製造方法。
【請求項１４】
前記磁気シールドとして好適な材料からなる層を、０．２μｍ以上２．０μｍ以下の厚さとなるように形成する
請求項１１記載のシールドの製造方法。
【請求項１５】
前記導電性シード層を、Ｃｕ（銅），ＮｉＦｅ，ＣｏＦｅ，ＣｏＮｉＦｅ，Ｒｕ（ルテニウム），Ｃｒ（クロム），Ｔｉ（チタン），Ｔａ（タンタル）およびＡｕ（金）のうちの少なくとも１種を用いて形成する
請求項１１記載のシールドの製造方法。
【請求項１６】
ＧＭＲ再生ヘッドに適用される請求項１１記載のシールドの製造方法。
【請求項１７】
ＭＴＪ再生ヘッドに適用される請求項１１記載のシールドの製造方法。
【請求項１８】
前記基体として、垂直磁気記録ヘッドのキャップ層を用いる請求項１１記載のシールドの製造方法。
【請求項１９】
前記基体として、第１の再生ヘッド用シールド、第２の再生ヘッド用シールドの形成が可能な状態の完成した再生センサ、または第１の記録ヘッド用シールドの形成が可能な状態の第２の再生ヘッド用シールドを形成するための、平坦化され、かつ、Ａｌ2 Ｏ3 に覆われたＡｌＴｉＣウェハを用いる請求項１１記載のシールドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録ヘッドに適用可能なシールドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直磁気記録（ＰＭＲ）においては、主磁極の機能を通じて記録磁界の向上を図るために軟質磁性下地層（ＳＵＬ）が必要不可欠である。しかしながら、ＳＵＬは、読出装置および記録装置のシールドの角部などの望ましくない場所での漂遊磁界（stray field）の増大をも招いてしまう。そこで、シールド形状の改善を図ることにより、ＰＭＲヘッドのための外部磁場強度（ＥＦＲ；external field robustness）の向上を実現するための試みがなされている。
【０００３】
単純な従来例を図１に示す。図１は、特許文献１（後述）の図５に示されたものであり、下部の両角部に緩やかな角度をもつ傾斜面１１１が設けられた本体１１０を有するシールドが記載されている。図１には、併せて記録媒体１１３が記載されている。面１１２は、エアベアリング面である。この形状は、今日の製品にも使用されている。
【０００４】
他の従来構造として、シールドの両サイドから突き出したタブを備えたものがある。これらのタブは、シールドの本体１１０の両端下部において、例えば三角形（図２Ａのタブ１２１）や矩形（図２Ｂのタブ１２２）をなしている。さらには、図２Ｃに示したように、タブ１２２の下面（記録媒体１１３と対向する面、すなわちＡＢＳ）がその一部に緩やかな傾斜面１１１を含むものも知られている。図２Ａ〜２Ｃに示された３種類の形状のなかでは、ＡＢＳにおいて緩やかな傾斜面を角部に有するもの（図２Ｃに示したもの）が最も良好なＥＦＲ特性を示す。他の２つの例（図２Ａおよび図２Ｂ）では、より鋭利な角部形状を有するので、局所的な磁荷の蓄積を招き、消去磁界の増大を引き起こす可能性があるからである。
【０００５】
ＥＦＲの改善に関する方法については、以下の先行技術文献が存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０２４５１１４号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００６／０２４５１１３号明細書
【特許文献３】米国特許第７４６０３４２号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００５／０２１９７４７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、有限要素モデル（ＦＥＭ）によって理解されるように、図２ＣのようなＡＢＳにおいて緩やかな傾斜面を角部に有する形状のタブであっても限界が生じる。
【０００８】
図３は、４００Ｏｅの外部垂直磁界の環境下において、角部に緩やかな傾斜面を有するタブについてのＦＥＭの結果を示している。タブの厚さ（ＡＢＳと直交する方向の寸法）は０．２μｍであり、消磁効果は磁束が面内に留まるように作用する。その結果、緩やかな傾斜面の角部（ポイントＢ）でのホットスポットが除去される。しかしながら、タブとシールド本体との境界部分（ポイントＡ）では、かなり大きな磁束が集中し、磁荷が蓄積される。その結果、角部では、新たな消去スポットが生じることとなる。一方で、ＦＥＭは、タブの厚さが大きくなる（例えば２μｍ程度となる）と、ポイントＡでの磁束集中は軽減されるものの、ホットスポットは（タブの厚さの増大に起因して）消磁効果が弱まることにより、ポイントＢへ移動することを示している。
【０００９】
図４は、記録媒体から（シールド構造における）角部へ及ぶ最大の垂直磁界がタブの厚さにどのように依存するかを示している。ここでは、傾斜面の傾斜角度を全て１０°とした。図４では、横軸がタブの厚さを示し、縦軸が垂直磁界の最大値を示す。タブの厚さの各水準において、向かって左側のヒストグラムが図３におけるポイントＡでの最大の垂直磁界を表し、向かって右側のヒストグラムが図３におけるポイントＢでの最大の垂直磁界を表す。図４では、タブの厚さの増大に伴い、ホットスポットがＡからＢへ移動する様子が明確に示されている。
【００１０】
図５は、図４に示した各厚さにおいて、ポイントＡおよびポイントＢのうち、大きいほうの最大垂直磁界を示すものである。また、符号Ｒｅｆは、図１に示した形状を有する比較例であり、傾斜面の傾斜角度を１０°とした場合の結果である。図５に示した結果は、僅か１．０μｍの厚さの違いが消去磁界の大きさに対して重要であることを示している。タブの厚さが０．４μｍ以下では、比較例よりも消去磁界が大きくなってしまう。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、垂直磁気記録ヘッドに好適な磁気シールドを提供することにある。すなわち、記録エラーを生じさせるような不要な漏洩磁束が生じないシールドを提供することにある。さらに、本発明の他の目的は、磁束の痕跡（traces）が自らの面内（角部以外）に残存し、角部においてはなんらのホットスポットが存在しないように構成されたシールドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
これらの目的は、シールド本体の下方の両角部に一対のタブを加えることにより達成される。各タブは、３つの部分からなる。第１の部分は、シールドの本体に取り付けられた部分であり、本体との接合部分において最も大きな幅を有している。第１の部分の幅は、本体から離れて第２の部分に到達するまで、次第に狭くなっている。第２の部分は、ＡＢＳと平行な一対の上面および下面を有している。第３の部分は、第２の部分と同一の厚さを有しているが、ＡＢＳから離れる方向（上方）へ向けて傾斜している。その傾斜角度は約１０°である。この第３の部分は、起点から上方へ約０．２μｍから３μｍだけ離れた位置に至るまで延在している。より具体的には、以下の構成により上記目的が達成される。
【００１３】
本発明のシールドは、垂直磁気記録デバイスに適用可能なものであって、エアベアリング面に露出する下端に一対の角部を有する本体と、一対の角部の各々に一つずつ取り付けられ、前記本体から遠ざかるようにエアベアリング面と平行に延在する部分を含むタブとを備える。タブは第１から第３の部分を有する。第１の部分は、本体の下端の外延にある第１の下面と本体の下端から少なくとも１μｍ上方において本体に突き当たる第１の上面とを含み、第１の上面は、エアベアリング面に対して傾斜し、第１の下面から０．２μｍ以上２μｍ以下の距離にある。第２の部分は、第１の部分に直接接合されており、第１の下面の延長上にある第２の下面と、この第２の下面に平行であり第１の上面と段差を形成することなく接する第２の上面とを有する。第３の部分は、その一端が第２の部分に直接接合されており、０．２μｍ以上２μｍ以下の間隔で互いに平行に延在する第３の下面および第３の上面を有し、エアベアリング面に対して５°以上２０°以下の角度でエアベアリング面から離れるように延在している。
【００１４】
本発明のシールドの製造方法は、垂直磁気記録ヘッドに適用可能なシールドの製造方法であって、基体を用意したのち、その基体上に導電性シード層を形成することと、導電性シード層の上に、フォトレジスト層を形成することと、フォトレジスト層を加工し、のちに形成されるエアベアリング面に沿って延在すると共に犠牲部と接続された主部を含むパターンを規定するための開口を備えたモールドを形成し、導電性シード層の一部を露出させることと、開口と対応する領域において露出した導電性シード層の上に、磁気シールドとして好適な材料からなる層を電解析出法により形成することと、モールドを除去し、露出面を全て覆うように誘電体層を形成することと、化学機械研磨により、全体構造を平坦化することとを含む。ここで、パターンについては、互いに対向した一対のタブを含み、それら一対のタブがのちに形成されるエアベアリング面に平行な方向にある主部から離れる方向へ延在するように形成する。タブについては、それぞれ第１から第３の部分を有するように形成する。第１の部分については、のちに形成されるエアベアリング面の延長上にある第１の下面と、のちのエアベアリング面となる位置から少なくとも１μｍ上方において本体に突き当たる第１の上面とを含むように形成する。第１の上面については、エアベアリング面に対して傾斜させ、第１の下面から０．２μｍ以上２μｍ以下の距離を有するように形成する。第２の部分については、第１の部分と連続させ、第１の下面の延長上にある第２の下面と、この第２の下面に平行であり第１の上面と段差を形成することなく接する第２の上面とを有するように形成する。第３の部分については、その一端を第２の部分と連続させ、０．２μｍ以上２μｍ以下の間隔で互いに平行に延在する第３の下面および第３の上面を有し、一端から他端へ向けて、エアベアリング面に対して５°以上２０°以下の角度で犠牲部から離れるように延在させる。
【００１５】
本発明のシールドおよびその製造方法では、本体のＡＢＳ側の両角部に各々第１〜第３の部分からなる一対のタブを加え、第１の部分がＡＢＳに対して傾斜した第１の上面を有し、第３の部分がＡＢＳに対して所定角度でＡＢＳから離れるように延在するようにしたので、局所的な磁束の集中が回避される。
【００１６】
本発明のシールドおよびその製造方法では、第１の部分が１μｍ以上６μｍ以下の長さを有し、  第２の部分が５μｍ以下の長さを有し、第３の部分が２μｍ以上１０μｍ以下の長さを有するようにするとよい。また、第１の上面は平坦であってもよいし、凹面であってもよい。また、第２の上面と第２の下面との間隔は０．２μｍ以上２μｍ以下とするとよい。
【００１７】
本発明のシールドの製造方法では、アルミニウム酸化物を用いて誘電体層を形成することができる。また、磁気シールドとして好適な材料からなる層を、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅを用いて形成し、その厚さを０．２μｍ以上２．０μｍ以下とするとよい。また、導電性シード層を、Ｃｕ，ＮｉＦｅ，ＣｏＦｅ，ＣｏＮｉＦｅ，Ｒｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＴａおよびＡｕのうちの少なくとも１種を用いて形成する。また、基体として、垂直磁気記録ヘッドのキャップ層を用いるようにしてもよいし、第１の再生ヘッド用シールド、第２の再生ヘッド用シールドの形成が可能な状態の完成した再生センサ、または第１の記録ヘッド用シールドの形成が可能な状態の第２の再生ヘッド用シールドを形成するための、平坦化され、かつ、Ａｌ2 Ｏ3 に覆われたＡｌＴｉＣウェハを用いることもできる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のシールドおよびその製造方法によれば、本体に所定形状のタブを設け、ＡＢＳの近傍において局所的な磁束の集中を回避するようにしたので、意図しない領域での消去磁界の発生を抑制しつつ、垂直磁気記録に必要とされるＥＦＲを十分に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】両端部に傾斜部を有する従来のシールド構造を表す模式図である。
【図２】タブを有する従来のシールド構造を表す模式図である。
【図３】タブ近傍のＦＥＭを表す模式図である。
【図４】角部における記録媒体から及ぶ最大の垂直磁界と、タブの厚さとの関係を表す説明図である。
【図５】角部における記録媒体から及ぶ最大の垂直磁界と、タブの厚さとの関係を表す他の説明図である。
【図６】本発明の一形態としてのシールドを表す模式図である。
【図７】図６に示したシールドのタブについてのＦＥＭを表す模式図である。
【図８】消去磁界とタブの厚さとの関係を表す説明図である。
【図９】消去磁界とタブの厚さとの関係を表す他の説明図である。
【図１０】図６に示したシールドのタブの一部を拡大して表す模式図である。
【図１１】本発明の第２および第３の形態としてのシールドを表す模式図である。
【図１２】本発明のシールドの製造方法におけるいくつかの工程を表す断面図である。
【図１３】ＡＢＳの形成を行う前のシールドを表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明の一形態におけるシールドの構成について説明する。このシールドは、垂直磁気記録デバイスに適用可能なシールドであり、従来技術と比較して、さらなるＥＦＲ特性の改善が見込まれるものである。
【００２１】
図６（Ａ）は、本形態としてのシールドを表し、図６（Ｂ）は、その要部を拡大して表している。このシールドは、エアベアリング面（ＡＢＳ）に露出する下端部１０Ｓの両端部に一対の角部を有する本体１０と、一対の角部の各々に一つずつ取り付けられ、本体１０から遠ざかるようにＡＢＳと平行に延在する部分（後出の第２の部分６２）を含む一対のタブ２０とを備える。
【００２２】
一対のタブ２０は、それぞれ、本体２０に近い側から第１の部分６１と、第２の部分６２と、第３の部分６３とを有する。第１の部分６１は、下端部１０Ｓの外延にある第１の下面６１ＳＬと、下端部１０Ｓから少なくとも１μｍ上方において本体１０に突き当たる第１の上面６１ＳＵとを含んでいる。第１の上面６１ＳＵは、ＡＢＳに対して傾斜しており、第１の下面６１ＳＬからの距離が０．２μｍ以上２μｍ以下の範囲となっている。第２の部分６２は、第１の部分６１に直接接合されており、第１の下面６１ＳＬの延長上にある第２の下面６２ＳＬと、第２の下面６２ＳＬに平行であり第１の上面６１ＳＵと段差を形成することなく接する第２の上面６２ＳＵとを有する。第３の部分６３は、一端が第２の部分６２に直接接合された接続端であり、他端が解放端６３Ｔとなっているものである。第３の部分６３は、０．２μｍ以上２μｍ以下の間隔で互いに平行に延在する第３の下面６３ＳＬおよび第３の上面６３ＳＵを有し、ＡＢＳに対して５°以上２０°以下の角度でＡＢＳから離れるように延在している。すなわち、本体１０から最も遠くに位置する解放端６３Ｔは、ＡＢＳから後退した位置にある。また、第１の部分６１は、例えば１μｍ以上６μｍ以下の長さＬ１を有し、第２の部分６２は、例えば５μｍ以下の長さＬ２を有し、第３の部分６３は、例えば２μｍ以上１０μｍ以下の長さＬ３を有するとよい。また、第２の上面６２ＳＵと第２の下面６２ＳＬとの間隔（すなわち第２の部分の厚さ）は０．２μｍ以上２μｍ以下である。
【００２３】
詳細には、このシールドは、以下の主要な特徴（１）〜（３）を有している。これらの特徴は、ＥＦＲ特性の改善を図る上で重要なものである。
（１）本体１０と一対のタブ２０との接続部分（すなわち、第１の部分６１）において、タブ２０は、本体１０から離れる方向における中央部分（すなわち、第２の部分６２）の厚さＴ１よりも大きな厚さ（Ｔ１+Ｔ２）を有している。第１の部分６１は、第２の部分６２に近づくほど徐々に厚さが減少するようになっている（三角形状を有するようになっている）。
（２）タブ２０は、第２の部分６２の一端から本体１０から離れる方向において、図２（Ｂ）および図２（Ｃ）に示した構造のようにＡＢＳと平行に延在し、または図３（Ａ）に示した構造のようにＡＢＳへ近づくように傾斜する面を有するのではなく、ＡＢＳ（もしくは図７に示した記録媒体１３）から離れるように傾斜角度αで傾斜する面（第３の下面６３ＳＬ）を有している。
（３）第２の部分６２が十分に薄い（好ましくは０．５μｍの厚さである）。
以下に示すように、これら（１）〜（３）の特徴の組み合わせは、外部磁界の環境下において、タブ２０と本体１０との接続部分だけでなく、タブ２０の傾斜部分においてもホットスポットを形成することなく、磁束がタブに沿ってより均質に分散することを確実にする。
【００２４】
図７は、本形態のシールドにおける、４００Ｏｅの垂直磁界の下でのＦＥＭを表す模式図である。図７に示したように、タブ２０における中央部分（第２の部分６２）から本体１０へ向かう部分（第１の部分６１）が、本体１０に近づくほど大きな厚さを有する構造を採用したことにより、タブ２０と本体１０との接続部分でのホットスポットを形成することなく、本体１０からタブ２０への、より円滑な磁束の流れを促進したことは明白である。加えて、タブ２０は、磁束をＡＢＳと平行に向けるのに十分に薄いので、タブ２０の傾斜部分（第３の部分６３）における磁界強度をも十分に低く抑えることができる。
【００２５】
図８は、本形態のシールドの２つの角部（図７に示したポイントＡおよびポイントＢ）における、記録媒体１３から及ぶ最大の垂直磁界を表している。ここでは、タブの最小厚さＴ１を０．６μｍとした。なお、図８には、図４に示した従来構造の結果についても比較のために掲載する。図８では、図４と同様に、横軸がタブの厚さを示し、縦軸が垂直磁界の最大値を示す。タブの厚さの各水準において、向かって左側のヒストグラムが図７におけるポイントＡＡでの最大の垂直磁界を表し、向かって右側のヒストグラムが図７におけるポイントＢＢでの最大の垂直磁界を表す。図８に示したように、本形態では、従来構造と比較して、２つの角部における垂直磁界強度のばらつきが小さくなっている。
【００２６】
図９は、最大の消去磁界について、本形態のシールド（図９の最も右側のヒストグラム）と、図１に示した従来構造（図９の最も左側のヒストグラム）と、図３に示した従来構造においてタブの厚さを０．１μｍとしたもの（図９の中央のヒストグラム）とを比較して表したものである。本形態のシールドでは、従来構造と比較して消去磁界強度が３４％もしくは１９％減少した。
【００２７】
タブの上面（ＡＢＳと反対側の面）を傾斜させることは、磁気特性および製造可能性の双方にとって必要である。もしも傾斜させず、ＡＢＳに平行に延在するようにした場合には、（本体との接続部分において）鋭利な角部が生じてしまうからである。すなわち、そのような鋭利な角部により、もう１つの磁気ホットスポットを形成してしまうからである。また、製造上の問題として、比較的狭い幅の溝の内部にシールド材料を堆積させる必要があり、所定形状を形成することが困難であることが挙げられる。表１に、タブ２０の各部寸法の好ましい数値の組み合わせ、および最適値の組み合わせを示す。なお、表１に示した各数値は、±１０％の範囲を許容するものである。
【００２８】
【表１】
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【００２９】
タブ２０の第１の部分６１（本体との接続部分）の形状は、図１０（Ａ）に示したように、その上面６１ＳＵが平坦な三角形状であってもよいし、図１０（Ｂ）に示したように、その上面６１ＳＵがＡＢＳ側へ湾曲した形状を有するものであってもよい。
【００３０】
＜製造方法＞
図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）などを参照し、上述したシールドの製造方法について以下説明する。
【００３１】
この製造方法は、まず、図１２（Ａ）に示したように好ましい基体９５（例えば垂直磁気記録ヘッドにおける書込磁極を覆うキャップ層）を用意し、その上に導電性シード層（図示せず）を形成することから始まる。導電性シード層については、Ｃｕ（銅），ＮｉＦｅ，ＣｏＦｅ，ＣｏＮｉＦｅ，Ｒｕ（ルテニウム），Ｃｒ（クロム），Ｔｉ（チタン），Ｔａ（タンタル）およびＡｕ（金）のうちの少なくとも１種を用いて形成するとよい。続いて導電性のシード層の上にフォトレジスト層を形成したのち、そのフォトレジスト層をパターニングすることにより開口９４Ｋを有するモールド９４を形成する。モールド９４の開口９４Ｋは、そののちに形成されるシールドの形状を規定することとなる。
【００３２】
図１２（Ｂ）に示したように、磁気シールドとして機能するために適当な材料（好ましくはＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ）を、開口９４Ｋで規定される枠内で導電性シード層上に電解析出させることによりモールドパターン９６を形成する。図１３は、モールドパターン９６の平面形状を表す平面図である。モールドパターン９６の厚さは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下とするとよい。
【００３３】
図１３に示したように、モールドパターン９６は、本体１０から離れるように（破線で表したＡＢＳとなる位置を挟んで反対側へ）延在する下方部分９８を含んでいる。下方部分９８は、最終的にＡＢＳを形成するための工程において摩滅する。モールドパターン９６を形成したのちフォトレジスト層を除去し、全体を覆うように誘電体層９７（典型的にアルミニウム酸化物からなる層）を形成する（図１２（Ｃ））。最後に、誘電体層９７のうちの過剰な部分を除去し、誘電体層９７とモールドパターン９６とが共通の平坦面を形成するようにＣＭＰ処理を行う。以上により、シールドの製造が完了する。
【００３４】
このように、本実施の形態では、本体１０のＡＢＳ側の両角部に各々第１〜第３の部分６１〜６３からなる一対のタブ２０を加え、第１の部分６１がＡＢＳに対して傾斜した第１の上面６１ＳＵを有し、第３の部分６３がＡＢＳに対して所定角度でＡＢＳから離れるように延在するようにしたので、局所的な磁束の集中が回避される。その結果、意図しない領域での消去磁界の発生を抑制しつつ、垂直磁気記録に必要とされるＥＦＲを十分に得ることができる。
【００３５】
＜変形例＞
図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）は、本体１０の形状を変更した例である。  具体的には、図１１（Ａ）に示した本体１１は、ＡＢＳに平行に延在する長い辺を含む六角形状を有するものである。図１１Ｂに示した本体１２は、台形状をなしており、一対の平行な辺のうち、長い方がＡＢＳに露出している。図１１（Ａ）の本体１１および図１１（Ｂ）の本体１２は、いずれも、図１０（Ａ）に示した三角形状の第１の部分６１を有するタブよりも、図１０（Ｂ）に示した湾曲部を含む形状の第１の部分６１を有するタブのほうが接続性に優れる。矩形の本体１０と比較すると、図１１（Ａ）の本体１１および図１１（Ｂ）の本体１２は、シールド効果の安定性を向上させ、磁気特性の向上および読出性能の安定化をもたらす。
【００３６】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態において説明した態様に限定されず、本発明の趣旨から外れることがない限りにおいて、種々の変形が可能である。例えば、ＧＭＲ再生ヘッドやＭＴＪ再生ヘッドに適用されるシールドであってもよい。
【符号の説明】
【００３７】
１０〜１２…本体、２０…タブ、６１〜６３…第１〜第３の部分、１３…記録媒体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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