(57)【要約】  【課題】高線速度記録が可能で、広い線速度範囲で高品質の信号が得られ、かつ信号保存性に優れた情報記録媒体を提供する。【解決手段】本発明の情報記録媒体は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層１５を有する情報記録媒体１である。前記記録層１５は、第１構成層〜第Ｘ構成層（Ｘは２以上の整数）を、前記記録層１５の厚み方向に順に配置することによって形成されている。前記第１構成層〜前記第Ｘ構成層のうち少なくとも何れか１つの構成層である第ｍ構成層（ｍは１≦ｍ≦Ｘを満たす整数）が、Ｇｅ−ＳｂまたはＴｅを含む。【選択図】図２
2011154781.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層を有する情報記録媒体において、
前記記録層は、第１構成層〜第Ｘ構成層（Ｘは２以上の整数）を、前記記録層の厚み方向に順に配置することによって形成されており、
前記第１構成層〜前記第Ｘ構成層のうち少なくとも何れか１つの構成層である第ｍ構成層（ｍは１≦ｍ≦Ｘを満たす整数）が、Ｇｅ−ＳｂまたはＴｅを含む、情報記録媒体。
【請求項２】
前記第１構成層〜前記第Ｘ構成層の各膜厚ｄｍ（ｎｍ）が、０．０５≦ｄｍ≦２５を満たす、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記第ｍ構成層が、元素Ｍ（但し、Ｍは、Ｎ、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙより選ばれる少なくとも何れか１つの元素）をさらに含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記ｍ構成層における前記元素Ｍの含有量が１５原子％以下である、請求項３に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記元素Ｍが、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、ＩｎおよびＭｎより選ばれる少なくとも何れか１つの元素である、請求項３に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記第ｍ構成層が、ＧｅpＳｂ100-p（原子％）（ｐは、０＜ｐ＜１００を満たす）またはＧｅqＴｅ100-q（原子％）（ｑは、０≦ｑ＜１００を満たす）の組成式で表される材料を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
ｐが５≦ｐ≦３５を満たす、または、ｑが０≦ｑ≦６０を満たす、請求項６に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
ｐが１０≦ｐ≦２０を満たす、または、ｑが０≦ｑ≦６０を満たす、請求項６に記載の情報記録媒体。
【請求項９】
レーザビーム入射側と反対側から順に配置された第１情報層〜第Ｎ情報層を備えており、前記第１情報層〜前記第Ｎ情報層のうち少なくとも何れか１つの情報層が前記記録層を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
前記記録層に隣接して配置される第１の隣接層および第２の隣接層をさらに含み、
前記第１の隣接層および第２の隣接層の少なくとも何れか一方が、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、ＹおよびＤｙより選ばれる少なくとも何れか１つの元素の酸化物を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１１】
レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層を有する情報記録媒体の製造方法であって、
前記記録層は、第１構成層〜第Ｘ構成層（Ｘは２以上の整数）を、前記記録層の厚み方向に順に配置することによって形成されており、
前記第１構成層〜前記第Ｘ構成層のうち少なくとも何れか１つの構成層である第ｍ構成層（ｍは１≦ｍ≦Ｘを満たす整数）を、Ｇｅ−ＳｂまたはＴｅを含むターゲットを用いて成膜する工程を含む、情報記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
前記ターゲットが、さらに元素Ｍ（但し、Ｍは、Ｎ、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙより選ばれる少なくとも何れか１つの元素）を含み、
前記工程において、前記ターゲットを用いて前記第ｍ構成層を成膜する、請求項１１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記工程において、
前記ターゲットを用いて、ＧｅpＳｂ100-p（原子％）（ｐは、０＜ｐ＜１００を満たす）またはＧｅqＴｅ100-q（原子％）（ｑは、０≦ｑ＜１００を満たす）の組成式で表される材料を含む前記第ｍ構成層を成膜する、請求項１１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記情報記録媒体は、レーザビーム入射側と反対側から順に配置された第１情報層〜第Ｎ情報層を備えており、前記第１情報層〜前記第Ｎ情報層のうち少なくとも何れか１つの情報層が前記記録層を含み、
前記工程において、前記ターゲットを用いて前記記録層における前記第ｍ構成層を成膜する、請求項１１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記情報記録媒体は、前記記録層に隣接して配置される第１の隣接層および第２の隣接層をさらに含んでおり、
前記第１の隣接層および前記第２の隣接層の少なくとも何れか一方を、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、ＹおよびＤｙより選ばれる少なくとも何れか１つの元素の酸化物を含むターゲットを用いて成膜する工程をさらに含む、請求項１１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的手段または電気的手段によって情報を記録または再生する情報記録媒体とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光学的情報記録媒体の一例として、レーザビームを用いて光学的手段により情報を記録、書換え、消去する相変化形情報記録媒体がある。相変化形情報記録媒体の記録、消去、書換えは、その記録層において相変化材料が結晶と非晶質の間で可逆変化を起こすことにより行われる。一般に、情報の記録は高パワーのレーザビームを照射させ記録層を融点より高温まで加熱させ、照射部を溶融させた後、急冷させることにより、非晶質相を形成することにより行われる。一方、情報の消去は、記録時より低パワーのレーザビームを照射させて、記録層をその結晶化温度よりは高く、融点より低い温度に加熱することによって記録層を昇温した後、徐冷することによって結晶相を形成し、情報を消去する。これらの形成された結晶部と非晶質部で反射率差が生じ、情報を再生することができる。したがって、良好な再生信号品質を得るためには、この反射率差を大きくする必要がある。
【０００３】
相変化形情報記録媒体の一例としては、現在商品化されているＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃメディアがある。このＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃはデジタルハイビジョン放送に対応したメディアとして、記録容量は２５ＧＢ（１層）および５０ＧＢ（片面２層）を有し、転送速度も３６Ｍｂｐｓ（１倍速）である。この１倍速書換え形Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃメディアへ搭載されている記録層材料は、例えばＧｅ50Ｔｅ50とＳｂ40Ｔｅ60を結ぶライン上の組成を有するもの（特許文献１参照）やＳｂをＢｉに置き換えたＧｅ50Ｔｅ50とＢｉ40Ｔｅ60を結ぶライン上の組成を有するもの（特許文献２参照）がある。
【０００４】
今後はさらなる大容量化、高転送速度化が望まれており、それに応じた様々な技術の検討がなされている。大容量化の技術の１つとして、片面２層以上の情報層を備えることが考えられている。この技術を用いる場合、情報記録媒体の片面側から入射するレーザビームにより各記録層の反射率変化を再生するため、レーザビーム入射側になるほどその情報層にはレーザビームを透過する高透過性が求められる。このため、レーザビーム入射側の情報層では記録層を薄くし、透過性を高めなければならない。しかしながら、記録層の膜厚を薄くすると、原子の移動が行われにくくなるため、記録層の結晶化速度が低下する。よって、記録層を薄くした場合には、それに応じ結晶化速度を向上させた相変化材料を適用しなければならない。
【０００５】
また高転送速度になることで、記録層へのレーザビーム照射時間が短くなるため、記録層が結晶化に要する時間を短くしなければならない。このためさらなる結晶化速度を向上させた相変化材料が必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６３−２２５９３４号公報
【特許文献２】特開昭６３−２２５９３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述のように情報記録媒体の高速化には、その記録層の結晶化速度を向上させなければならない。そのためＧｅ50Ｔｅ50とＳｂ40Ｔｅ60を結ぶライン上の組成においてはＳｂ40Ｔｅ60の組成比を、Ｇｅ50Ｔｅ50とＢｉ40Ｔｅ60を結ぶライン上の組成においてはＢｉ40Ｔｅ60の組成比を、それぞれ増やさなければならない。本発明者の実験によれば、それらのライン上の組成を適用した場合、高線速度記録に応じ結晶化速度を向上させた組成を用いても、記録マークの消去率が低いことを確認した。
【０００８】
消去率が低い要因としては、結晶部と非晶質部の光の吸収率の差によるマークのひずみ（吸収ひずみ）が考えられる。現在のＨｉｇｈ−ｔｏ−Ｌｏｗ構成（未記録部に記録した際、記録部の反射率が未記録部より下がる構成）においては、結晶部の吸収率が非晶質部の吸収率よりも小さい。そのため情報記録媒体の同一トラックにおいて結晶部と非晶質部で溶解しやすさが異なり、マーク形成に差が生じるため、消去率が低下する。このような吸収ひずみは、レーザビーム照射時間が短くなる高速記録時ほど顕著に現れる。青紫色レーザを用いて記録する情報記録媒体においては、この吸収ひずみの影響を低減するように結晶部と非晶質部との吸収率差を小さく設計することは困難であることも、本発明者により確認されている。よって高速記録においては、別の結晶化メカニズムを有する記録層材料が必要となる。
【０００９】
また、前述したＧｅ50Ｔｅ50とＳｂ40Ｔｅ60とを結ぶライン上およびＧｅ50Ｔｅ50とＢｉ40Ｔｅ60とを結ぶライン上で結晶化速度を向上させた組成の場合、その結晶部と非晶質部での屈折率および消衰係数の光学変化小さくなり、情報記録媒体の結晶部と非晶質部での反射率差が小さくなる。このため再生信号品質が悪化する。さらに、このように結晶化速度を向上させた組成においては、結晶化温度も低下する。つまりこれは、信号の保存性が悪化することつながる。以上のことも、本発明者の実験により確認された。
【００１０】
一方、大容量化に伴う情報層の多層化においては、前述のように各層に求められる結晶化速度に応じた記録層材料が必要となる。そのため記録層を１つのターゲットから形成する場合、例えば、４つの情報層を有する情報記録媒体においては、多ければ４種類のターゲットが必要となる。このためターゲットの購入コストがかがり、また成膜室の増加に伴う費用が生じるため情報記録媒体の低コスト化が困難となる。
【００１１】
本発明は、記録層の膜厚が薄くても高速記録が可能で信号保存性も良好な情報記録媒体を提供することを目的とする。また、本発明は、限られたターゲットから、期待する結晶化速度を有する記録層を形成することによって、記録層の膜厚が薄くても高速記録が可能で信号保存性も良好な情報記録媒体を低コストで提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、記録層の膜厚が薄くても高速記録が可能で信号保存性も良好な情報記録媒体を提供することを目的とする。また、本発明は、限られたターゲットから、期待する結晶化速度を有する記録層を形成することによって、記録層の膜厚が薄くても高速記録が可能で信号保存性も良好な情報記録媒体を低コストで提供することも目的とする。
【００１３】
本発明の第１の情報記録媒体は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層を有する情報記録媒体において、前記記録層は、必須成分であるＧｅおよびＳｂと任意成分であるＴｅとからなる組成物を主成分として含み、前記組成物は、図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）で表した場合、
点（ａ）（３５，６５，０）、
点（ｂ）（３６．９，６０，３．１）、
点（ｃ）（３．２，６０，３６．８）および
点（ｄ）（５，９５，０）
で囲まれる領域内（但し、点（ｂ）はＧｅ60Ｔｅ40−Ｇｅ35Ｓｂ65上のＳｂ＝６０の点、点（ｃ）はＴｅ−Ｇｅ5Ｓｂ95上のＳｂ＝６０の点に相当し、点（ａ）−点（ｂ）、点（ｂ）−点（ｃ）、点（ｃ）−点（ｄ）および点（ｄ）−点（ａ）の各ライン上を含む。）の組成を有する。
【００１４】
ここで、例えば「Ｇｅ60Ｔｅ40−Ｇｅ35Ｓｂ65上」とは、図１に示す三角座標上で、点Ｇｅ60Ｔｅ40と点Ｇｅ35Ｓｂ65とを結ぶライン上のことである。以下、本明細書においては、同様の表現を同様の趣旨で用いる。また、「必須成分であるＧｅおよびＳｂと任意成分であるＴｅとからなる組成物」とは、ＧｅおよびＳｂからなる２元系組成物と、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅからなる３元系組成物との両方を含むものである。さらに、本明細書において、「記録層が組成物を主成分として含む」とは、記録層に含まれる全ての原子の合計を１００原子％とした場合に、前記組成物に含まれる全ての原子の合計が８５原子％以上、好ましくは９０原子％以上であることをいう。
【００１５】
本発明の第２の情報記録媒体は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層を有する情報記録媒体において、前記記録層は、第１構成層〜第Ｘ構成層（Ｘは２以上の整数）を、前記記録層の厚み方向に順に配置することによって形成されており、前記第１構成層〜前記第Ｘ構成層のうち少なくとも何れか１つの構成層である第ｍ構成層（ｍは１≦ｍ≦Ｘを満たす整数）が、Ｇｅ−ＳｂまたはＴｅを含む。
【００１６】
本発明の第１の情報記録媒体の製造方法は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層を有する情報記録媒体の製造方法であって、図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）で表した場合、
点（ａ）（３５，６５，０）、
点（ｂ）（３６．９，６０，３．１）、
点（ｃ）（３．２，６０，３６．８）および
点（ｄ）（５，９５，０）
で囲まれる領域内（但し、点（ｂ）はＧｅ60Ｔｅ40−Ｇｅ35Ｓｂ65上のＳｂ＝６０の点、点（ｃ）はＴｅ−Ｇｅ5Ｓｂ95上のＳｂ＝６０の点に相当し、点（ａ）−点（ｂ）、点（ｂ）−点（ｃ）、点（ｃ）−点（ｄ）および点（ｄ）−点（ａ）の各ライン上を含む。）の組成を有する組成物を主成分として含む前記記録層を、前記本発明のターゲットを用いて成膜する工程を含む。
【００１７】
本発明の第２の情報記録媒体の製造方法は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層を有する情報記録媒体の製造方法であって、前記記録層は、第１構成層〜第Ｘ構成層（Ｘは２以上の整数）を、前記記録層の厚み方向に順に配置することによって形成されており、前記第１構成層〜前記第Ｘ構成層のうち少なくとも何れか１つの構成層である第ｍ構成層（ｍは１≦ｍ≦Ｘを満たす整数）を、Ｇｅ−ＳｂまたはＴｅを含むターゲットを用いて成膜する工程を含む。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の第１および第２の情報記録媒体の記録層に用いられる相変化材料（記録層材料）は、結晶化速度が速く、その膜厚が薄くても高線速度において記録が可能である。また、低線速度においても安定してマークを形成でき、従来よりも広い線速度マージンを有する。またその信号保存性も良好である。
【００１９】
上記の効果は、記録層が主成分として含む組成物にＳｂが６０％以上含まれることによって記録層に高結晶化能をもたせ、そこにＧｅを含有させることによって非晶質マークを安定化できるので、得られると考えられる。またＴｅを含有させることで、より大きな光学変化が得られ、情報記録媒体の信号特性も良好となると考えられる。
【００２０】
また、本発明の第２の情報記録媒体のように、記録層が複数の構成層によって形成されることによって、記録層が複数層設けられた構成にする場合（情報層が多層化された構成の場合）でも、上記と同様の記録特性を得ることができる。さらに、複数の記録層が互いに異なる組成比を有するときでも、その積層膜厚比を変えることによって同じターゲットを用いて形成できる。よって、本発明の第２の情報記録媒体では、１つの情報記録媒体において記録層組成の数に応じたターゲットを用意する必要がなくなり、情報記録媒体の低コスト化が可能である。
【００２１】
また、本発明の第１および第２の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を有する第１および第２の情報記録媒体を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの三角図である。
【図２】本発明の実施の形態１における情報記録媒体の一部断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２における情報記録媒体の一部断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３における情報記録媒体の一部断面図である。
【図５】本発明の実施の形態４における情報記録媒体の一部断面図である。
【図６】本発明の実施の形態５における情報記録媒体の一部断面図である。
【図７】本発明の情報記録媒体に対して情報の記録再生を行う記録再生装置の一部構成の概略図である。
【図８】本発明の情報記録媒体および電気的情報記録再生装置について構成の一部を示す概略図である。
【図９】本発明の大容量の電気的情報記録媒体について構成の一部を示す概略図である。
【図１０】本発明の電気的情報記録媒体とその記録再生システムについて構成の一部を示す模式図である。
【図１１】実施例で適用した組成を示すＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅの三角図の一部拡大図である。
【図１２】実施例より示される最適な組成領域を示すＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅの三角図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
まず、本発明の第１の情報記録媒体について説明する。
【００２４】
本発明の第１の情報記録媒体は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層を有する情報記録媒体である。前記記録層は、必須成分であるＧｅおよびＳｂと任意成分であるＴｅとからなる組成物を主成分として含む。前記組成物は、図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）で表した場合、
点（ａ）（３５，６５，０）、
点（ｂ）（３６．９，６０，３．１）、
点（ｃ）（３．２，６０，３６．８）および
点（ｄ）（５，９５，０）
で囲まれる領域内（但し、点（ｂ）はＧｅ60Ｔｅ40−Ｇｅ35Ｓｂ65上のＳｂ＝６０の点、点（ｃ）はＴｅ−Ｇｅ5Ｓｂ95上のＳｂ＝６０の点に相当し、点（ａ）−点（ｂ）、点（ｂ）−点（ｃ）、点（ｃ）−点（ｄ）および点（ｄ）−点（ａ）の各ライン上を含む。）の組成を有する。
【００２５】
このような組成物を用いて記録層が作製されることにより、例えば記録層の膜厚を薄くした場合（例えば膜厚を２〜７ｎｍ程度に薄くした場合）でも、青紫色レーザを用いて高速記録が可能であり、さらに信号保存性も良好な情報記録媒体を提供することができる。
【００２６】
前記組成物は、図１に示す三角座標上で、
点（ｅ）（２５，７５，０）、
点（ｆ）（２５，６５，１０）、
点（ｇ）（７．２，６５，２７．８）および
点（ｈ）（１０，９０，０）
で囲まれる領域内（但し、点（ｇ）はＴｅ−Ｇｅ10Ｓｂ90上のＳｂ＝６５の点に相当し、点（ｅ）−点（ｆ）、点（ｆ）−点（ｇ）、点（ｇ）−点（ｈ）および点（ｈ）−点（ｅ）の各ライン上を含む。）の組成を有することが好ましい。このような組成物を記録層に適用することで、より高速記録に適し、再生信号品質も良好となる。
【００２７】
さらに、前記組成物は、図１に示す三角座標上で、
点（ｊ）（２０．９，７０，９．１）、
点（ｋ）（１１．８，７０，１８．２）、
点（ｍ）（１４．５，８５．５，０）および
点（ｎ）（２０，８０，０）
で囲まれる領域内（但し、点（ｊ）はＧｅ50Ｔｅ50−Ｇｅ14.5Ｓｂ85.5上のＳｂ＝７０の点、点（ｋ）はＴｅ−Ｇｅ14.5Ｓｂ85.5上のＳｂ＝７０の点に相当し、点（ｊ）−点（ｋ）、点（ｋ）−点（ｍ）、点（ｍ）−点（ｎ）および点（ｎ）−点（ｊ）の各ライン上を含む。）の組成を有することが、より好ましい。このような組成物を記録層に適用することで、より高速記録に適し、再生信号品質も良好となる。
【００２８】
また、前記記録層が、さらに元素Ｍ（但し、Ｍは、Ｎ、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙより選ばれる少なくとも何れか１つの元素）を含んでいてもよい。
【００２９】
この場合、前記記録層において、前記元素Ｍの含有量が１５原子％以下であることが好ましい。この組成物を適用することで、より高速記録に適し、再生信号品質も良好となる。
【００３０】
さらに、前記元素Ｍが、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、ＩｎおよびＭｎより選ばれる少なくとも何れか１つの元素であることが好ましい。これらの元素を適用することで、より高速記録に適し、再生信号品質も良好となる。
【００３１】
また、本発明の第１の情報記録媒体は、レーザビーム入射側と反対側から順に配置された第１情報層〜第Ｎ情報層を備えており、前記第１情報層〜前記第Ｎ情報層のうち少なくとも何れか１つの情報層が前記記録層を含んでいてもよい。
【００３２】
この場合、前記第１情報層が前記記録層を有し、前記記録層の膜厚が３０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３３】
さらに、前記第２情報層および第３情報層の少なくとも何れか一方が前記記録層を有し、前記記録層の膜厚が１５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３４】
さらに、前記Ｎが４以上であり、第４情報層〜第Ｎ情報層のうち少なくとも何れか１つの情報層が前記記録層を含み、前前記記録層の膜厚が４ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３５】
また、本発明の第１の情報記録媒体が、前記記録層に隣接して配置される第１の隣接層および第２の隣接層をさらに含み、前記第１の隣接層および前記第２の隣接層の少なくとも何れか一方が、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、ＹおよびＤｙより選ばれる少なくとも何れか１つの元素の酸化物を含んでいてもよい。
【００３６】
本発明の第１の情報記録媒体は、記録層が上記に示した組成を有する組成物を主成分として含むことが特徴であり、この記録層が実質的に前記組成物からなるものであってもよい。なお、本明細書において、「実質的に、ある組成物からなる」とは、他の成分が含まれないか、または、他の成分が含まれている場合でもその含有量が不純物として混入する程度であり、具体的には１原子％未満であることをいう。
【００３７】
また、前記組成物には、ＧｅおよびＳｂからなる２元系組成物と、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅからなる３元系組成物との両方が含まれる。これらの組成物を用いて作製された記録層は、Ｓｂリッチであるため高結晶化能を有し、Ｇｅが含まれているため非晶質マークを安定化できる。ＳｂおよびＧｅにさらにＴｅが含まれた３元系組成物を用いて作製される記録層では、結晶状態と非晶質状態との間の光学変化量がより大きくなるので、２元系組成物を用いた場合よりも良好な信号品質を得ることができる。したがって、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅからなる３元系組成物を用いることによって、より大きな光学変化を得ることができ、情報記録媒体の信号品質をより向上させることが可能となる。
【００３８】
次に、本発明の第２の情報記録媒体について説明する。
【００３９】
本発明の第２の情報記録媒体は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層を有する情報記録媒体において、前記記録層は、第１構成層〜第Ｘ構成層（Ｘは２以上の整数）を、前記記録層の厚み方向に順に配置することによって形成されており、前記第１構成層〜前記第Ｘ構成層のうち少なくとも何れか１つの構成層である第ｍ構成層（ｍは１≦ｍ≦Ｘを満たす整数）が、Ｇｅ−ＳｂまたはＴｅを含む。
【００４０】
Ｘが３以上、すなわち前記記録層が３層以上の構成層を含む場合、第１構成層と第Ｘ構成層が同じ材料であってもよい。また、第１構成層と第Ｘ構成層が異なる材料であってもよい。
【００４１】
前記第１構成層〜前記第Ｘ構成層の各膜厚ｄｍ（ｎｍ）は、０．０５≦ｄｍ≦２５を満たすことが好ましい。
【００４２】
また、前記第ｍ構成層は、元素Ｍ（但し、Ｍは、Ｎ、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙより選ばれる少なくとも何れか１つの元素）をさらに含んでいてもよい。
【００４３】
前記ｍ構成層における前記元素Ｍの含有量は、１５原子％以下であることが好ましい。この組成を適用することで、より高速記録に適し、再生信号品質も良好となる。
【００４４】
さらに前記元素Ｍが、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、ＩｎおよびＭｎより選ばれる少なくとも何れか１つの元素であることが好ましい。これらの元素を適用することで、より高速記録に適し、再生信号品質も良好となる。
【００４５】
前記第ｍ構成層が、ＧｅpＳｂ100-p（原子％）（ｐは、０＜ｐ＜１００を満たす）またはＧｅqＴｅ100-q（原子％）（ｑは、０≦ｑ＜１００を満たす）の組成式で表される材料を含んでいてもよい。
【００４６】
さらに、ｐが５≦ｐ≦３５を満たす、または、ｑが０≦ｑ≦６０を満たすことが好ましい。これらの組成を適用することで、より高速記録に適し、再生信号品質も良好となる。
【００４７】
さらに、ｐが１０≦ｐ≦２０を満たす、または、ｑが０≦ｑ≦６０を満たすことがより好ましい。これらの組成を適用することで、より高速記録に適し、再生信号品質も良好となる。
【００４８】
本発明の第２の情報記録媒体は、レーザビーム入射側と反対側から順に配置された第１情報層〜第Ｎ情報層を備えており、前記第１情報層〜前記第Ｎ情報層のうち少なくとも何れか１つの情報層が前記記録層を含んでいてもよい。
【００４９】
本発明の第２の情報記録媒体は、前記記録層に隣接して配置される第１の隣接層および第２の隣接層をさらに含み、前記第１の隣接層および第２の隣接層の少なくとも何れか一方が、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、ＹおよびＤｙより選ばれる少なくとも何れか１つの元素の酸化物を含んでいてもよい。
【００５０】
次に、本発明の第１の情報記録媒体の製造方法（以下、単に第１の製造方法と記載する。）について説明する。本発明において、情報記録媒体の記録層はスパッタリング法により形成できる。
【００５１】
本発明のターゲットは、本発明の第１の製造方法に用いることができるものであり、図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）で表した場合、
点（ａ）（３５，６５，０）、
点（ｂ）（３６．９，６０，３．１）、
点（ｃ）（３．２，６０，３６．８）および
点（ｄ）（５，９５，０）
で囲まれる領域内（但し、点（ｂ）はＧｅ60Ｔｅ40−Ｇｅ35Ｓｂ65上のＳｂ＝６０の点、点（ｃ）はＴｅ−Ｇｅ5Ｓｂ95上のＳｂ＝６０の点に相当し、点（ａ）−点（ｂ）、点（ｂ）−点（ｃ）、点（ｃ）−点（ｄ）および点（ｄ）−点（ａ）の各ライン上を含む。）の組成を有する組成物を主成分として含む。
【００５２】
本発明の第１の製造方法は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層を有する情報記録媒体の製造方法であって、図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）で表した場合、
点（ａ）（３５，６５，０）、
点（ｂ）（３６．９，６０，３．１）、
点（ｃ）（３．２，６０，３６．８）および
点（ｄ）（５，９５，０）
で囲まれる領域内（但し、点（ｂ）はＧｅ60Ｔｅ40−Ｇｅ35Ｓｂ65上のＳｂ＝６０の点、点（ｃ）はＴｅ−Ｇｅ5Ｓｂ95上のＳｂ＝６０の点に相当し、点（ａ）−点（ｂ）、点（ｂ）−点（ｃ）、点（ｃ）−点（ｄ）および点（ｄ）−点（ａ）の各ライン上を含む。）の組成を有する組成物を主成分として含む前記記録層を、前記本発明のターゲットを用いて成膜する工程を含む。
【００５３】
さらに、前記工程において、図１に示す三角座標上で、
点（ｅ）（２５，７５，０）、
点（ｆ）（２５，６５，１０）、
点（ｇ）（７．２，６５，２７．８）および
点（ｈ）（１０，９０，０）
で囲まれる領域内（但し、点（ｇ）はＴｅ−Ｇｅ10Ｓｂ90上のＳｂ＝６５の点に相当し、点（ｅ）−点（ｆ）、点（ｆ）−点（ｇ）、点（ｇ）−点（ｈ）および点（ｈ）−点（ｅ）の各ライン上を含む。）の組成を有する組成物を主成分として含む前記記録層を、前記ターゲットを用いて成膜してもよい。
【００５４】
さらに、前記工程において、図１に示す三角座標上で、
点（ｊ）（２０．９，７０，９．１）、
点（ｋ）（１１．８，７０，１８．２）、
点（ｍ）（１４．５，８５．５，０）および
点（ｎ）（２０，８０，０）
で囲まれる領域内（但し、点（ｊ）はＧｅ50Ｔｅ50−Ｇｅ14.5Ｓｂ85.5上のＳｂ＝７０の点、点（ｋ）はＴｅ−Ｇｅ14.5Ｓｂ85.5上のＳｂ＝７０の点に相当し、点（ｊ）−点（ｋ）、点（ｋ）−点（ｍ）、点（ｍ）−点（ｎ）および点（ｎ）−点（ｊ）の各ライン上を含む。）の組成を有する組成物を主成分として含む前記記録層を、前記ターゲットを用いて成膜してもよい。
【００５５】
また、前記ターゲットが、さらに元素Ｍ（但し、Ｍは、Ｎ、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙより選ばれる少なくとも何れか１つの元素）を含み、前記工程において、前記ターゲットを用いて前記記録層を成膜してもよい。
【００５６】
また、前記ターゲットが、さらに元素Ｍ（但し、Ｍは、Ｎ、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙより選ばれる少なくとも何れか１つの元素）を含んでいてもよい。
【００５７】
この場合、前記ターゲットにおいて、前記元素Ｍの含有量が１５原子％以下であることが好ましい。
【００５８】
さらに、前記元素Ｍが、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、ＩｎおよびＭｎより選ばれる少なくとも何れか１つの元素であることが好ましい。
【００５９】
また、前記情報記録媒体が、レーザビーム入射側と反対側から順に配置された第１情報層〜第Ｎ情報層を備え、前記第１情報層〜前記第Ｎ情報層のうち少なくとも何れか１つの情報層が前記記録層を含んでいる場合、前記工程において、前記ターゲットを用いて前記記録層を成膜してもよい。
【００６０】
また、本発明の第１の製造方法は、前記情報記録媒体が前記記録層に隣接して配置される第１の隣接層および第２の隣接層をさらに含んでいる場合、前記第１の隣接層および前記第２の隣接層の少なくとも何れか一方を、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、ＹおよびＤｙより選ばれる少なくとも何れか１つの元素の酸化物を含むターゲットを用いて成膜する工程をさらに含んでいてもよい。
【００６１】
次に、本発明の第２の情報記録媒体の製造方法（以下、単に第２の製造方法と記載する。）について説明する。本発明において、情報記録媒体の記録層はスパッタリング法により形成される。
【００６２】
本発明の第２の製造方法は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層を有する情報記録媒体の製造方法であって、前記記録層は、第１構成層〜第Ｘ構成層（Ｘは２以上の整数）を、前記記録層の厚み方向に順に配置することによって形成されており、前記第１構成層〜前記第Ｘ構成層のうち少なくとも何れか１つの構成層である第ｍ構成層（ｍは１≦ｍ≦Ｘを満たす整数）を、Ｇｅ−ＳｂまたはＴｅを含むターゲットを用いて成膜する工程を含む。
【００６３】
前記ターゲットが、さらに元素Ｍ（但し、Ｍは、Ｎ、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙより選ばれる少なくとも何れか１つの元素）を含み、前記工程において、前記ターゲットを用いて前記第ｍ構成層を成膜してもよい。
【００６４】
この場合、前記ターゲットにおいて、前記元素Ｍの含有量が１５原子％以下であることが好ましい。
【００６５】
さらに、前記元素Ｍが、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、ＩｎおよびＭｎより選ばれる少なくとも何れか１つの元素であることが好ましい。
【００６６】
また、前記工程において、前記ターゲットを用いて、ＧｅpＳｂ100-p（原子％）（ｐは、０＜ｐ＜１００を満たす）またはＧｅqＴｅ100-q（原子％）（ｑは、０≦ｑ＜１００を満たす）の組成式で表される材料を含む前記第ｍ構成層を成膜してもよい。
【００６７】
さらに、前記第ｍ構成層において、ｐが５≦ｐ≦３５を満たす、または、ｑが０≦ｑ≦６０を満たすことが好ましい。
【００６８】
さらに、前記第ｍ構成層において、ｐが１０≦ｐ≦２０を満たす、または、ｑが０≦ｑ≦６０を満たすことがより好ましい。
【００６９】
前記情報記録媒体が、レーザビーム入射側と反対側から順に配置された第１情報層〜第Ｎ情報層を備えており、前記第１情報層〜前記第Ｎ情報層のうち少なくとも何れか１つの情報層が前記記録層を含む場合、前記工程において、前記ターゲットを用いて前記記録層における前記第ｍ構成層を成膜してもよい。
【００７０】
本発明の第２の製造方法において、前記情報記録媒体が前記記録層に隣接して配置される第１の隣接層および第２の隣接層をさらに含んでいる場合、前記第１の隣接層および前記第２の隣接層の少なくとも何れか一方を、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、ＹおよびＤｙより選ばれる少なくとも何れか１つの元素の酸化物を含むターゲットを用いて成膜する工程をさらに含んでいてもよい。
【００７１】
以下に、本発明の第１および第２の情報記録媒体、さらに本発明の第１および第２の製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態では、同一の部材については同一の符号を付して、重複する説明を省略する場合がある。
【００７２】
（実施の形態１）＊シングル６層
本発明の実施の形態１として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体の一例（本発明の第１の情報記録媒体の一例）を説明する。図２に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。
【００７３】
図２に示す情報記録媒体１は、基板１１の表面上に、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７、カバー層１８がこの順に配置されることにより形成されている。この情報記録媒体１には、第１の誘電体層１７側から記録・再生用のエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９が照射される。
【００７４】
カバー層１８は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいことが好ましい。カバー層１８には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。これらの材料を使用する場合は、カバー層１８を、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂によって第１の誘電体層１７に貼り合わせることにより形成する。
【００７５】
基板１１は円盤状の透明な基板である。基板１１の材料には、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１１の記録層１５側の表面には、必要に応じてレーザ光を導くための案内溝（トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されていてもよい。基板１１における記録層１５と反対側の面は、平滑であることが好ましい。なお、基板１１の厚さは５００μｍ〜１３００μｍ程度であるが、特にカバー層１８の厚みが１００μｍ程度（開口数（ＮＡ）＝０．８５で良好な記録・再生が可能な厚みである。）の場合、基板１１の厚みは１０５０μｍ〜１１５０μｍの範囲にあることが好ましい。
【００７６】
反射層１２は、記録層１５に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反射層１２は、記録層１５で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層１５を非晶質化しやすくするという熱的な機能も有する。さらに、反射層１２は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
【００７７】
反射層１２の材料には、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、ＴｉおよびＷといった熱伝導率が高い単体金属を用いることができる。また、ＡｌにＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉなどを添加したＡｌ合金、ＡｕにＣｕ、Ｃｒ、Ｎｄなどを添加したＡｕ合金、ＡｇにＣｕ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｄなどを添加したＡｇ合金、Ａｇ−ＣｕにＰｄ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｇｄ、Ｙなどを添加したＡｇ合金、またはＡｇ−ＮｄにＡｕやＰｄなどを添加したＡｇ合金、Ａｇ−ＩｎにＳｎやＧａなどを添加したＡｇ合金、またＡｇ−Ｇａ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｇａ−Ｙ、Ａｇ−Ｇａ−Ａｌ、Ａｇ−Ｚｎ−Ａｌ、Ｃｕ−Ｓｉといった合金を用いることもできる。特にＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、反射層１２の材料として好ましい。なお、Ａｇ合金に添加する金属の添加濃度は、３原子％以下が好ましい。反射層１２の膜厚は、熱拡散機能が十分となる３０ｎｍ以上であることが好ましい。この範囲内においても、反射層１２が２４０ｎｍより厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて記録感度が低下する場合がある。したがって、反射層１２の膜厚は３０ｎｍ〜２４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００７８】
第２の誘電体層１３は、光学的距離を調節して記録層１５の光吸収率を高める働きと、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。また記録層１５において発生した熱を速やかに反射層１２へ拡散させ、記録層１５を冷却する働きも有する。この熱拡散効果が優れている場合、記録層１５への熱的負荷が軽減されて、良好な繰り返し書き換え特性が得られる。第２の誘電体層１３の材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＺｒＳｉＯ4、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3およびＤｙ2Ｏ3等の酸化物、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＺｎＳ等の硫化物およびＬａＦ3、ＣｅＦ3およびＹＦ3等のフッ化物を用いることができる。またそれらより２種以上が選ばれた混合物でもよい。具体的な例として、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3（安定化ジルコニアもしくは部分安定化ジルコニア）、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＳｉＯ4−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＺｎＯ、ＺｒＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｔｉ2Ｏ3、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2、ＴｉＯ2−Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2−Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2−Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｄｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｄｙ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2、ＺｒＯ2−ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3−ＡｌＮ、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＣ、ＳｎＯ2−ＳｉＣ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＺｎＳ、ＳｉＯ2−ＺｎＳ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＬａＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3、ＺｒＯ2−ＣｅＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＣｅＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＣｅＦ3、Ｄｙ2Ｏ3−ＣｅＦ3およびＺｒＯ2−Ｄｙ2Ｏ3−ＣｅＦ3等が挙げられる。第２の誘電体層１３の膜厚として、２ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましく、より反射光量の変化率を大きくするためには３ｎｍ〜３５ｎｍであることがより好ましい。
【００７９】
第１の界面層１６および第２の界面層１４は、記録層１５に隣接して配置されている層であり、本発明の第１の情報記録媒体における第１の隣接層および第２の隣接層に該当する。第２の界面層１４および第１の界面層１６は、記録層１５への元素の拡散や水分の混入を防止するバリアとしての働きを有する。また、記録層１５と接して設けられているため記録層１５の結晶化速度を促進または抑制する効果があり、カルコゲナイド材料からなる記録層１５と密着性に優れていることが望まれる。これらの界面層には光吸収の少ない材料を適用することが好ましく、界面層１４および１６の材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＺｒＳｉＯ4、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3およびＤｙ2Ｏ3等の酸化物、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＺｎＳ等の硫化物およびＬａＦ3、ＣｅＦ3およびＹＦ3等のフッ化物を用いることができる。またそれらより２種以上が選ばれた混合物でもよい。また、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、ＹおよびＤｙより選ばれる少なくとも１つの酸化物を含んでいることが好ましく、具体的には、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3（安定化ジルコニアもしくは部分安定化ジルコニア）、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＳｉＯ4−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｔｉ2Ｏ3、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2、ＴｉＯ2−Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2−Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｄｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｄｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＣ、ＳｎＯ2−ＳｉＣ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＺｎＳ、ＳｉＯ2−ＺｎＳ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＬａＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3、ＺｒＯ2−ＣｅＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＣｅＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＣｅＦ3、Ｄｙ2Ｏ3−ＣｅＦ3およびＺｒＯ2−Ｄｙ2Ｏ3−ＣｅＦ3等が挙げられる。界面層１４および１６の膜厚は１ｎｍ〜１２ｎｍであることが好ましい。界面層の膜厚が薄すぎると、バリアとしての十分な効果が得られず、記録層１５への元素の拡散や水分の混入を招き、信号品質が悪化する。また、膜厚が厚すぎると記録層１５に対する結晶化促進または抑制効果が大きくなりすぎ、記録・再生特性が悪化する。このため膜厚はさらに３ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましい。
【００８０】
第１の誘電体層１７は、記録層１５を水分等から保護する働きに加え、第２の誘電体層１３と同様に、光学的距離を調節して記録層１５の光吸収率を高める働きと、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。第１の誘電体層１７には、例えば、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5およびＡｌ2Ｏ3等の酸化物やＣ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることができる。また、ＺｎＳ等の硫化物やＳｉＣ等の炭化物も用いることができる。また、上記材料の混合物も用いることができる。また、第２の誘電体層１３で説明した酸化物−フッ化物誘電体を用いることもできる。これらの材料において、例えば、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物は非晶質材料で、成膜速度が速く、屈折率が高く、機械的強度や耐湿性が良好であるため、第１の誘電体層１７に適用する材料として特に優れている。第１の誘電体層１７の膜厚は、マトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により、記録層１５が結晶相の場合と非晶質相の場合との反射光量の変化率を大きくし、また記録層１５での光吸収が大きくなる条件により、決定することができる。具体的な膜厚としては、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、２５ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００８１】
記録層１５は本発明の特徴を成す部分である。記録層１５の材料には、レーザビーム１９の入射により相変化を起こす材料を用いることができる。記録層１５は、必須成分であるＧｅおよびＳｂと任意成分であるＴｅとからなる組成物を主成分として含む。この組成物は、図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）で表した場合、
点（ａ）（３５，６５，０）、
点（ｂ）（３６．９，６０，３．１）、
点（ｃ）（３．２，６０，３６．８）および
点（ｄ）（５，９５，０）
で囲まれる領域内（但し、点（ｂ）はＧｅ60Ｔｅ40−Ｇｅ35Ｓｂ65上のＳｂ＝６０の点、点（ｃ）はＴｅ−Ｇｅ5Ｓｂ95上のＳｂ＝６０の点に相当し、点（ａ）−点（ｂ）、点（ｂ）−点（ｃ）、点（ｃ）−点（ｄ）および点（ｄ）−点（ａ）の各ライン上を含む。）の組成を有する。この範囲内の組成を適用することで、結晶化温度が高く熱的安定性があり、結晶部と非晶質部（記録部と未記録部）の間の光学変化も大きく、且つ高線速度で書換え可能な情報記録媒体を得ることができる。本実施の形態では、記録層１５が実質的に上記組成物からなる場合について説明する。
【００８２】
またこの範囲内の組成において、Ｓｂ量が増えるほど結晶化が促進され、結晶化速度が速くなる。このため高線速度記録においては、記録層１５が、図１に示す三角座標上で、
点（ｅ）（２５，７５，０）、
点（ｆ）（２５，６５，１０）、
点（ｇ）（７．２，６５，２７．８）および
点（ｈ）（１０，９０，０）
で囲まれる領域内（但し、点（ｇ）はＴｅ−Ｇｅ10Ｓｂ90上のＳｂ＝６５の点に相当し、点（ｅ）−点（ｆ）、点（ｆ）−点（ｇ）、点（ｇ）−点（ｈ）および点（ｈ）−点（ｅ）の各ライン上を含む。）の組成を有することが好ましく、さらに、
点（ｊ）（２０．９，７０，９．１）、
点（ｋ）（１１．８，７０，１８．２）、
点（ｍ）（１４．５，８５．５，０）および
点（ｎ）（２０，８０，０）
で囲まれる領域内（但し、点（ｊ）はＧｅ50Ｔｅ50−Ｇｅ14.5Ｓｂ85.5上のＳｂ＝７０の点、点（ｋ）はＴｅ−Ｇｅ14.5Ｓｂ85.5上のＳｂ＝７０の点に相当し、点（ｊ）−点（ｋ）、点（ｋ）−点（ｍ）、点（ｍ）−点（ｎ）および点（ｎ）−点（ｊ）の各ライン上を含む。）の組成を有することがより好ましい。
【００８３】
また、記録層１５が元素Ｍ（但し、ＭはＮ、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙより選ばれる少なくとも何れか１つの元素）をさらに含むことで、結晶部と非晶質部の光学変化を大きくすることができ、再生信号品質を向上させることができる。ただし、過剰添加により結晶化速度の低下も考えられるので、元素Ｍの添加量としては１５％以下が好ましい。また元素ＭをＣ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、ＩｎおよびＭｎより選ばれる少なくとも何れか１つの元素とする場合、より再生信号品質を向上することができる。
【００８４】
また、記録層１５の膜厚としては、厚くしすぎると熱容量が大きくなり、より大きな記録パワーが必要となるため、３０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００８５】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体１の製造方法（本発明の第１の製造方法の一例）について説明する。
【００８６】
反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６および第１の誘電体層１７は、気相成膜法の１つであるスパッタリング法により形成できる。まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
【００８７】
続けて、まず、反射層１２を成膜する。このとき、基板１１に案内溝が形成されているときは、この案内溝側に反射層１２を成膜する。反射層１２は、反射層１２を構成する金属または合金からなるターゲットを、希ガス（例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれでもよい。なかでも低コストであるＡｒガスが好ましく用いられる。これ以下に述べる希ガスについても同様である。）雰囲気中、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガスや窒素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。
【００８８】
続いて、反射層１２上に第２の誘電体層１３を成膜する。第２の誘電体層１３は第２の誘電体層１３を構成する混合物からなるターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。
【００８９】
続いて、第２の誘電体層１３上に第２の界面層１４を成膜する。第２の界面層１４は、第２の界面層１４を構成する誘電体の混合物からなるターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、第２の界面層１４を構成する金属元素を含むターゲットを用いて、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングによっても、第２の界面層１４を形成できる。
【００９０】
続いて、第２の界面層１４上に記録層１５を成膜する。記録層１５は、その組成に応じて、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金またはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｍ合金などからなるターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中またはＫｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、記録層１５は、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、または元素Ｍの各々のターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。また、記録層１５は、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、またはＭのうちいずれかの元素を組み合わせた２元ターゲットや３元ターゲットなどを、複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらの場合でも、希ガス雰囲気中、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中またはＫｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。本実施の形態で用いる記録層１５用のターゲットには、図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）で表した場合、
点（ａ）（３５，６５，０）、
点（ｂ）（３６．９，６０，３．１）、
点（ｃ）（３．２，６０，３６．８）および
点（ｄ）（５，９５，０）
で囲まれる領域内（但し、点（ｂ）はＧｅ60Ｔｅ40−Ｇｅ35Ｓｂ65上のＳｂ＝６０の点、点（ｃ）はＴｅ−Ｇｅ5Ｓｂ95上のＳｂ＝６０の点に相当し、点（ａ）−点（ｂ）、点（ｂ）−点（ｃ）、点（ｃ）−点（ｄ）および点（ｄ）−点（ａ）の各ライン上を含む。）の組成を有する組成物を主成分として含むターゲットを用いることができる。
【００９１】
続いて、記録層１５上に第１の界面層１６を成膜する。第１の界面層１６は、第１の界面層１６を構成する混合物からなるターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、第１の界面層１６を構成する金属元素を含むターゲットを用いて、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングによっても、第１の界面層１６を形成できる。
【００９２】
続いて、第１の界面層１６上に第１の誘電体層１７を成膜する。第１の誘電体層１７は、第１の誘電体層１７を構成する混合物からなるスパタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、第１の誘電体層１７を構成する金属元素を含むターゲットを用いて、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングによっても、第１の誘電体層１７を形成できる。
【００９３】
上記各スパッタリング工程における電源は、直流（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源および高周波（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源を用いることができ、供給電力はともに１Ｗ〜１０ｋＷとしてよい。なお、ＤＣ電源を用いて行うスパッタリングをＤＣスパッタリング、ＲＦ電源を用いて行うスパッタリングをＲＦスパッタリングと呼ぶ。
【００９４】
また、スパッタリング中における成膜室の圧力は、例えば０．０１Ｐａ〜１００Ｐａとできる。
【００９５】
最後に、第１の誘電体層１７上にカバー層１８を形成する。カバー層１８は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第１の誘電体層１７上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。またカバー層１８には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスの円盤状の基板を用いてもよい。この場合は、第１の誘電体層１７に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、これらの基板を密着させ、スピンコートにより均一に延ばし、樹脂を硬化させることで形成できる。
【００９６】
なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。
【００９７】
なお、第１の誘電体層１７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化は、レーザ光の照射により行うことができる。
【００９８】
（実施の形態２）＊シングル５層
本発明の実施の形態２として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体のさらに別の一例（本発明の第１の情報記録媒体の別の例）を説明する。図３に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。
【００９９】
図３に示す情報記録媒体２は、基板１１の表面上に、反射層１２、第２の誘電体層１３、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７、カバー層１８がこの順に積層されることにより形成されている。この情報記録媒体２には、第１の誘電体層１７側から記録・再生用のエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９が照射される。なお、情報記録媒体２では、第２の誘電体層１３および第１の界面層１６が記録層１５に隣接する層（第１の隣接層および第２の隣接層）である。
【０１００】
基板１１、反射層１２、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７およびカバー層１８は、それぞれ実施の形態１で示したものと材料、機能および形状も同様である。
【０１０１】
第２の誘電体層１３の材料は、実施の形態１で示したものと同様である。機能は、実施の形態１の場合に加え、記録層１５と接して設けられているため記録層１５の結晶化速度を促進または抑制する効果がある。また、カルコゲナイド材料からなる記録層１５と密着性に優れていることが望まれる。よって、材料として実施の形態１における第２の界面層１４と同様であることがより好ましい。第２の誘電体層１３の膜厚は実施の形態１同様、マトリクス法に基づく計算により、決定することができる。具体的な膜厚としては、２ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、４ｎｍ〜４５ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【０１０２】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体２の製造方法（本発明の第１の製造方法の別の例）について説明する。
【０１０３】
まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
【０１０４】
続けて、反射層１２、第２の誘電体層１３、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７を順次成膜する。形成方法はそれぞれ実施の形態１で示したものと同様である。最後にカバー層１８を実施の形態１と同様の方法で形成する。
【０１０５】
なお、第１の誘電体層１７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化は、レーザ光の照射により行うことができる。
【０１０６】
（実施の形態３）＊多層Ｎ層
本発明の実施の形態３として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体のさらに別の一例（本発明の第１の情報記録媒体の別の例）を説明する。図４に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体３は、情報を記録再生する情報層をＮ層（Ｎは２以上の整数）含んでおり、片面からのエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９の照射により、各情報層に対して情報を記録再生できる多層光学的情報記録媒体である。情報記録媒体３には、光学分離層３２、３４、３５、３７などを介して順次情報層が積層されることによって、第１情報層３１〜第Ｎ情報層３８が設けられている。
【０１０７】
基板１１およびカバー層１８はそれぞれ実施の形態１で示したものと材料、機能および形状も同様である。
【０１０８】
光学分離層３２、３４、３５、３７などは、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいことが好ましい。光学分離層３２、３４、３５、３７などは、第１情報層３１、第２情報層３３、第ｎ情報層３６（ｎは２≦ｎ≦Ｎなる整数）および第Ｎ情報層３８のフォーカス位置を区別するために用いられ、厚さは対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）2｝で近似できる。また、光学分離層３２、３４、３５、３７などにおいてレーザ光の入射側に案内溝が形成されていてもよい。
【０１０９】
まず、第１情報層３１の構成について説明する。第１情報層３１は基板１１の表面上に、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７がこの順に配置されることにより形成されている。基板１１、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６および第１の誘電体層１７は、それぞれ実施の形態１で示したものと材料、機能および形状も同様である。すなわち、本実施の形態の情報記録媒体３では、第１情報層３１に含まれる記録層１５が、本発明の第１の情報記録媒体における記録層に相当する。なお、第１情報層３１において、第２の界面層１４は必ずしも設ける必要はない。
【０１１０】
次に第ｎ情報層３６の構成について説明する。第ｎ情報層３６の構成を図４に示す。第ｎ情報層３６は光学分離層３５の表面上に、透過率調整層３０１、反射層３０２、第２の誘電体層３０３、記録層３０４、第１の界面層３０５、第１の誘電体層３０６がこの順に配置されることにより形成されている。
【０１１１】
透過率調整層３０１は、第ｎ情報層３６の透過率を調整する働きを有する。この層を設けることにより、記録層が結晶状態における第ｎ情報層３６の透過率Ｔc（％）と、記録層３０４が非晶質状態における第ｎ情報層３６の透過率Ｔa（％）を共に高くすることができる。具体的には、透過率調整層３０１を設けた場合、透過率調整層３０１が無い場合に比べ、ＴcおよびＴaを２〜１０％向上させることができる。また、記録層３０４において発生した熱を速やかに反射層３０２へ拡散させ、記録層３５を冷却する働きも有する。透過率をより高めるため、透過率調整層３０１の屈折率ｎ１および減衰係数ｋ１は、ｎ１≧２．０およびｎ１≦０．１を満たすことが好ましく、さらに２．０≦ｎ１≦３．０およびｋ１≦０．０５を満たすことがより好ましい。透過率調整層３０１には、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3およびＣｅＯ2等の酸化物や、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることができ、その膜厚ｄ１は、（１／１６）λ／ｎ１≦ｄ１≦（７／３２）λ／ｎ１または（９／１６）λ／ｎ１≦ｄ１≦（２１／３２）λ／ｎ１を満たすことが好ましい。
【０１１２】
反射層３０２には、実施の形態１で示した反射層１２と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。膜厚は、情報層に透過性を持たせるため、２０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１１３】
第２の誘電体層３０３の材料には、実施の形態１における第２の誘電体層１３や第２の界面層１４の材料を用いることができる。第２の誘電体層３０３は、光学的距離を調節して記録層３０４の光吸収率を高める働きや、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きを有する。また、記録層３０４において発生した熱を速やかに反射層３０２へ拡散させ、記録層３０４を冷却する働きも有する。また、記録層３０４と接して設けられているため記録層の結晶化速度を促進または抑制する効果もある。膜厚はマトリクス法に基づく計算により、決定することができる。
【０１１４】
記録層３０４は、実施の形態１で示した記録層１５と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様であるが、膜厚はレーザ光の透過率を上げるため、なるべく薄くすることが好ましい。第ｎ情報層３６が第２および第３情報層の場合は、記録層３０４の膜厚は１５ｎｍ以下であることが好ましく、第４情報層以上（第４情報層〜第Ｎ情報層）の場合は、記録層３０４の膜厚は４ｎｍ以下が好ましい。
【０１１５】
Ｎ層の情報層を有する多層光学的情報記録媒体において、少なくとも１つの情報層の記録層で本発明における相変化材料（実施の形態１における記録層１５の材料）を適用した場合、他の情報層の記録層は本発明における相変化材料に限らない。例えば、組成式：ＧｅrＭ１sＭ２tＴｅ100-(r+s+t)（原子％）で表される材料を用いることができる。Ｍ１はＳｂ、ＢｉおよびＳｎより選ばれる元素である。Ｍ２はＳｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｅ、Ｒｕ、Ｒｓ、Ｐｄ、Ｍｎ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔａ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｗ、ＰｔおよびＡｕより選ばれる元素である。ｒは３０≦ｒ≦５０を満たすことが好ましく、さらにｓは３５≦ｓ≦６０を満たすことが好ましい。また、ｔは０＜ｔ≦２０を満たすことが好ましい。また、他にも、例えばＳｂと元素Ｍ３（但し、Ｍ３はＡｌ、Ｖ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、ＺｎおよびＡｕから選ばれる少なくとも１つの元素）を含む材料で形成することもできる。具体的には、ＳｂuＭ３100-u（原子％）で表される材料で形成できる。ｕが、５０≦ｕ≦９５を満たす場合には、記録層が結晶相の場合と非晶質相の場合との間の情報記録媒体の反射率差を大きくでき、良好な記録再生特性が得られる。その中でも、７５≦ｕ≦９５の場合には、結晶化速度が特に速く、高い転送レートにおいて良好な書き換え性能が得られる。また、５０≦ｕ≦７５の場合には、非晶質相が特に安定で、低い転送レートにおいて良好な記録性能が得られる。
【０１１６】
また、非可逆的相変化材料で形成することができる。非可逆的相変化材料としては、例えば特開平７−２５２０９号公報（特許第２００６８４９号）に開示されるように、ＴｅＯｘ＋Ｍ４（但し、Ｍ４はＰｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｂｉなどの元素。）を用いることが好ましい。記録層が非可逆的相変化材料の場合、１回のみ書き込み可能な追記型の情報記録媒体となるが、そのような情報記録媒体においても、記録感度、信号保存性の課題を改善するため、本発明が好ましく適用される。
【０１１７】
第１の界面層３０５は、実施の形態１で示した第１の界面層１６と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。
【０１１８】
第１の誘電体層３０６は、実施の形態１で示した第１の誘電体層１７と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。膜厚はマトリクス法に基づく計算により、決定することができる。
【０１１９】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体３の製造方法（本発明の第１の製造方法の別の例）について説明する。
【０１２０】
まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
【０１２１】
続けて第１情報層３１を形成のため、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７を順次成膜する。形成方法はそれぞれ実施の形態１で示したものと同様である。
【０１２２】
続いて、第１の誘電体層１７上に光学分離層３２を形成する。光学分離層３２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第１情報層３１上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。なお、光学分離層３２に案内溝を設ける場合は、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂上に設置した後、基板１１と転写用基板とをスピンコートすることにより密着させる。その後、樹脂を硬化させる。さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がすことにより、所定の案内溝が形成された光学分離層３２が形成できる。
【０１２３】
続けて第２情報層３３を形成し、続けて光学分離層３２同様に光学分離層３４を形成する。第２情報層３３の形成方法は、下記に示す第ｎ情報層と同様である。
【０１２４】
光学分離層３２と同様の方法で光学分離層３５を形成し、続けて第ｎ情報層３６を形成する。第ｎ情報層３６を形成する際、まず透過率調整層３０１を形成する。透過率調整層３０１は、透過率調整層３０１を構成する誘電体からなるターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、透過率調整層３２は、構成する金属元素を含むターゲットを用いて、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングによっても形成できる。
【０１２５】
続けて、透過率調整層３０１上に反射層３０２を形成する。反射層３０２は、実施の形態１で説明した反射層１２と同様の方法で形成できる。
【０１２６】
続けて、反射層３０２上に第２の誘電体層３０３を形成する。第２の誘電体層３０３は、実施の形態１で説明した第２の誘電体層１３または第２の界面層１４と同様の方法で形成できる。
【０１２７】
続けて、第２の誘電体層３０３上に記録層３０４を形成する。記録層３０４は、実施の形態１で説明した記録層１５と同様の方法で形成できる。
【０１２８】
続けて、記録層３０４上に第１の界面層３０５を形成する。第１の界面層３６は、実施の形態１で説明した第１の界面層１６と同様の方法で形成できる。
【０１２９】
続けて、第１の界面層３０５上に第１の誘電体層３０６を形成する。第１の誘電体層３０６は、実施の形態１で説明した第１の誘電体層１７と同様の方法で形成できる。
【０１３０】
続けて、光学分離層を介して第ｎ＋１〜第Ｎ−１情報層を作製した後、光学分離層３２と同様の方法で光学分離層３７を形成し、第Ｎ情報層３８を形成する。最後に、第Ｎ情報層３８上にカバー層１８を実施の形態１と同様の方法で形成する。
【０１３１】
なお、各々の情報層を形成した後またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて各々の情報層の記録層の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。いずれの場合の初期化も、レーザ光の照射により行うことができる。
【０１３２】
（実施の形態４）＊２層
本発明の実施の形態４として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体のさらに別の一例（本発明の第１の情報記録媒体の別の例）を説明する。図５に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体４は、情報を記録再生する情報層を２つ（第１情報層３１および第２情報層４２）含んでおり、片面からのエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９の照射により、各情報層に対して情報を記録再生できる情報記録媒体である。
【０１３３】
基板１１、第１情報層３１、光学分離層３２およびカバー層１８は、実施の形態３で示したものと同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。
【０１３４】
第２情報層４２の構成について説明する。第２情報層４２は光学分離層３２の表面上に、透過率調整層４０１、反射層４０２、第２の誘電体層４０３、記録層４０４、第１の界面層４０５、第１の誘電体層４０６がこの順に積層されることにより形成されている。
【０１３５】
透過率調整層４０１には、実施の形態３で示した透過率調整層３０１と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。具体的な膜厚としては、８ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。
【０１３６】
反射層４０２には、実施の形態３で示した反射層３０１と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。具体的な膜厚としては、３ｎｍ〜２０ｎｍであることが好ましい。
【０１３７】
第２の誘電体層４０３の材料には、実施の形態３における第２の誘電体層３０３の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。具体的な膜厚としては、３ｎｍ〜４５ｎｍの範囲内にあることが望ましく、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【０１３８】
記録層４０４は、実施の形態３で示した記録層４０３と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。具体的な膜厚としては、１５ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１３９】
第１の界面層４０５は、実施の形態３で示した第１の界面層３０５と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。具体的な膜厚としては、２ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましい。
【０１４０】
第１の誘電体層４０６は、実施の形態３で示した第１の誘電体層３０６と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。膜厚としては、１０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、２０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【０１４１】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体４の製造方法（本発明の第１の製造方法の別の例）について説明する。
【０１４２】
まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
【０１４３】
続けて第１情報層３１を形成のため、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７を順次成膜する。形成方法はそれぞれ実施の形態１で示したものと同様である。
【０１４４】
続いて、第１の誘電体層１７上に光学分離層３２を形成する。形成方法は実施の形態３で示したものと同様である。
【０１４５】
続けて第２情報層４２を形成する。第２情報層４２を形成する際には、まず透過率調整層４０１を形成する。透過率調整層４０１は、実施の形態３で説明した透過率調整層３０１と同様の方法で形成できる。
【０１４６】
続けて、透過率調整層４０１上に反射層４０２を形成する。反射層４０２は、実施の形態３で説明した反射層３０２と同様の方法で形成できる。
【０１４７】
続けて、反射層４０２上に第２の誘電体層４０３を形成する。第２の誘電体層４０３は、実施の形態３で説明した第２の誘電体層３０３と同様の方法で形成できる。
【０１４８】
続けて、第２の誘電体層４０３上に記録層４０４を形成する。記録層４０４は、実施の形態３で説明した記録層３０４と同様の方法で形成できる。
【０１４９】
続けて、記録層４０４上に第１の界面層４０５を形成する。第１の界面層４０５は、実施の形態３で説明した第１の界面層３０５と同様の方法で形成できる。
【０１５０】
続けて、第１の界面層４０５上に第１の誘電体層４０６を形成する。第１の誘電体層４０６は、実施の形態３で説明した第１の誘電体層３０６と同様の方法で形成できる。
【０１５１】
最後に、第１の誘電体層４０６上に、カバー層１８を実施の形態１と同様の方法で形成する。
【０１５２】
なお、第１の誘電体層１７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。また、第１の誘電体層４０６を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層４０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。いずれの場合の初期化も、レーザ光の照射により行うことができる。
【０１５３】
（実施の形態５）＊ＲＡＭ
本発明の実施の形態５として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体のさらに別の一例（本発明の第１の情報記録媒体の別の例）を説明する。図６に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。
【０１５４】
図６に示す情報記録媒体５は、基板５３の表面上に、第１の誘電体層１７、第１の界面層１６、記録層１５、第２の界面層１４、第２の誘電体層１３、反射層１２、接着層５２、ダミー基板５１がこの順に配置されることにより形成されている。この情報記録媒体には、第１の誘電体層１７側から記録・再生用のエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９が照射される。
【０１５５】
基板５３およびダミー基板５１は、透明で円盤状の基板である。基板５３およびダミー基板５１には、実施の形態１の基板１１と同様に、例えば、ポリカーボネートやアモルファスポリオレフィンやＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラスを用いることができる。基板５３の第１誘電体層１７側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝（トラックピッチ０．６１５μｍ）が形成されていてもよい。基板５３の第１誘電体層１７側と反対側の表面およびダミー基板５１の接着層５２側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。なお、基板５３およびダミー基板５１の厚さは、十分な強度があり、且つ情報記録媒体５の厚さが１．２ｍｍ程度となるよう、０．３ｍｍ〜０．９ｍｍの範囲内であることが好ましい。
【０１５６】
接着層５２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、使用するレーザビーム１９に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。なお、接着層５２の厚さは、０．２μｍ〜５０μｍの範囲内にあることが好ましい。
【０１５７】
反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５および第１の界面層１６および第１の誘電体層１７はそれぞれ実施の形態１で示したものと材料、機能および形状も同様である。記録層１５の膜厚としては、具体的には３０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１５８】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体５の製造方法（本発明の第１の製造方法の別の例）について説明する。
【０１５９】
まず、基板５３（例えば、厚み６００μｍ）を成膜装置内に配置する。
【０１６０】
続けて、第１の誘電体層１７、第１の界面層１６、記録層１５、第２の界面層１４、第２の誘電体層１３、反射層１２を順次成膜する。形成方法はそれぞれ実施の形態１で示したものと同様である。次に、情報層が積層された基板５３およびダミー基板５１（例えば、厚み６００μｍ）を、接着層５２を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂をダミー基板５１上に塗布して、情報層が積層された基板５３をダミー基板５１上に密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させるとよい。また、ダミー基板５１上に予め粘着性の樹脂を均一に塗布し、それを情報層が積層された基板５３に密着させることもできる。
【０１６１】
なお、基板５３およびダミー基板５１を密着させた後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化は、レーザ光の照射により行うことができる。
【０１６２】
（実施の形態６）＊Ｓｕｐｅｒ−Ｌａｔｔｉｃｅ  シングル
本発明の実施の形態６として、実施の形態１および２で示した情報記録媒体１または２の記録層１５の異なる構成（本発明の第２の情報記録媒体の一例）について説明する。なお、便宜上、図２または図３を参照しながら、本実施の形態の情報記録媒体を説明する。
【０１６３】
基板１１、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２界面層１４、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７、カバー層１８は実施の形態１および２で示したものと同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。
【０１６４】
本実施の形態における記録層１５は、相変化を起こす材料で、厚み方向に１番目からＸ番目（Ｘは２以上の整数）まで順に配置された構成層（第１構成層〜第Ｘ構成層）からなる。第１構成層〜第Ｘ構成層のうち少なくとも１つの構成層である第ｍ構成層（ｍは１≦ｍ≦Ｘを満たす整数）が、Ｇｅ−ＳｂまたはＴｅを含んでいる。このように、記録層を複数の構成層によって形成して各構成層の組成や膜厚を適宜調整することによって、記録層全体としてみれば、例えば実施の形態１および２で示した記録層材料と同様の機能を備えた記録層材料を実現できる。したがって、限られた枚数のターゲット（例えば、第１〜第Ｘ構成層がＧｅ−Ｓｂを含む層とＴｅを含む層とで形成されている場合は、Ｇｅ−Ｓｂを含むターゲットとＴｅを含むターゲットの２種類のターゲット）から記録層１５を形成でき、情報記録媒体の低コスト化が可能となる。また、第１構成層と第Ｘ構成層（Ｘは３以上）が同じ材料を含んでいてもよいし、第１構成層と第Ｘ構成層が異なる材料を含でいてもよい。各構成層の膜厚ｄｍ（ｎｍ）は０．０５≦ｄｍ≦２５であることが好ましく、また記録層１５の膜厚としては３０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１６５】
また、第ｍ構成層が元素Ｍ（但し、ＭはＮ、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙより選ばれる少なくとも１つの元素）を含むことで、結晶部と非晶質部の光学変化を大きくすることができ、再生信号品質を向上させることができる。ただし、過剰添加により結晶化速度の低下も考えられるため、元素Ｍの添加量としては１５原子％以下が好ましい。また、元素ＭがＣ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、ＩｎおよびＭｎより選ばれる少なくとも１つであるとき、より再生信号品質を向上させることができる。
【０１６６】
また、第ｍ構成層が、ＧｅpＳｂ100-p（０＜ｐ＜１００）（原子％）またはＧｅqＴｅ100-q（０≦ｑ＜１００）（原子％）の組成式で表される材料を含むことで、より再生信号品質を向上させることができる。このとき、高線速度記録に対して、５≦ｐ≦３５または０≦ｑ≦６０の範囲であることが好ましく、１０≦ｐ≦２０または０≦ｑ≦６０の範囲であることがより好ましい。
【０１６７】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体の製造方法（本発明の第２の製造方法の一例）について説明する。
【０１６８】
まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
【０１６９】
続いて、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４を順次形成する。形成方法は、実施の形態１で説明した方法と同様である。
【０１７０】
続けて、第２の界面層１４上に記録層１５を形成する。本実施の形態における記録層１５は、第１構成層から第Ｘ構成層までを順次スパッタリング法により成膜してくことにより形成できる。第ｍ構成層の形成方法は、その組成に応じて、Ｇｅ−Ｓｂ合金、Ｔｅ、元素Ｍなどからなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中またはＫｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。
【０１７１】
続けて、記録層１５上に第１の界面層１６、第１の誘電体層１７を順次形成する。形成方法は、実施の形態１で説明した方法と同様である。
【０１７２】
最後に、第１の誘電体層１７上にカバー層１８を実施の形態１と同様の方法で形成する。
【０１７３】
なお、第１の誘電体層１７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。
【０１７４】
（実施の形態７）＊Ｓｕｐｅｒ−Ｌａｔｔｉｃｅ  多層Ｎ層
本発明の実施の形態７として、実施の形態３で示した情報記録媒体３の記録層１５および３０４の異なる構成（本発明の第２の情報記録媒体の別の例）について説明する。なお、便宜上、図４を参照しながら、本実施の形態の情報記録媒体を説明する。
【０１７５】
記録層１５および３０４を除く他の層の材料、また機能および形状は実施の形態３と同様である。
【０１７６】
記録層１５および３０４の少なくとも１つに、実施の形態６で示す記録層１５の構成（厚み方向に１番目からＸ番目（Ｘは２以上の整数）まで積層された構成層からなる構成）を適用する。第ｍ構成層に適用される材料は、実施の形態６で示すものと同様である。各構成層の膜厚ｄｍ（ｎｍ）としは０．０５≦ｄｍ≦２５であることが好ましい。また記録層１５の膜厚としては３０ｎｍ以下が好ましい。記録層３０４の膜厚としては、透過率を上げるため、なるべく薄くすることが好ましく、１５ｎｍ以下が好ましい。なお、記録層３０４が第２および第３情報層の記録層の場合は、その膜厚は１５ｎｍ以下であることが好ましく、第４情報層以上（第４情報層〜第Ｎ情報層）の記録層の場合は、その膜厚は４ｎｍ以下が好ましい。
【０１７７】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体の製造方法について説明する。
【０１７８】
まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
【０１７９】
続けて第１情報層３１を形成するため、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４を順次成膜する。形成方法はそれぞれ実施の形態３で示したものと同様である。
【０１８０】
続けて第２の界面層１４上に記録層１５を形成する。形成方法は実施の形態６で示した記録層１５の形成方法と同様である。
【０１８１】
続けて記録層１５上に第１の界面層１６、第１の誘電体層１７を順次成膜する。形成方法はそれぞれ実施の形態３で示したものと同様である。
【０１８２】
続いて、第１の誘電体層１７上に光学分離層３２を形成する。形成方法はそれぞれ実施の形態３で示したものと同様である。
【０１８３】
続けて第２情報層３３を形成し、続けて光学分離層３２同様に光学分離層３４を形成する。形成方法はそれぞれ実施の形態３で示したものと同様である。
【０１８４】
同様にして光学分離層３５を形成し、続けて第ｎ情報層３６を形成する。第ｎ報層３６の形成にはまず透過率調整層３０１を形成する。続けて、反射層３０２、第２の誘電体層３０３を順次形成する。形成方法はそれぞれ実施の形態３で示したものと同様である。
【０１８５】
続けて第２の誘電体３０３上に記録層３０４を形成する。形成方法は実施の形態６で示した記録層１５の形成方法と同様である。
【０１８６】
続けて、記録層３０４上に第１の界面層３０５、第１の誘電体層３０６を形成する。形成方法はそれぞれ実施の形態３で示したものと同様である。
【０１８７】
続けて、光学分離層を介して第ｎ＋１〜第Ｎ−１情報層を作製した後、光学分離層３２と同様の方法で光学分離層３７を形成し、第Ｎ情報層３８を形成する。最後に、第Ｎ情報層３８上にカバー層１８を実施の形態３と同様の方法で形成する。
【０１８８】
なお、各々の情報層を形成した後、必要に応じて各々の情報層の記録層の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。いずれの場合の初期化も、レーザ光の照射により行うことができる。
【０１８９】
（実施の形態８）＊Ｓｕｐｅｒ−Ｌａｔｔｉｃｅ  ２層
本発明の実施の形態８として、実施の形態４で示した情報記録媒体４の記録層１５および４０４の異なる構成（本発明の第２の情報記録媒体の別の例）について説明する。なお、便宜上、図５を参照しながら、本実施の形態の情報記録媒体を説明する。
【０１９０】
記録層１５および４０４を除く他の層の材料、また機能および形状は実施の形態４と同様である。
【０１９１】
記録層１５および４０４の少なくとも１つに、実施の形態６で示す記録層１５の構成（厚み方向に１番目からＸ番目（Ｘは２以上の整数）まで積層された構成層からなる構成）を適用する。第ｍ構成層に適用される材料は、実施の形態６で示すものと同様である。各構成層の膜厚ｄｍ（ｎｍ）としは０．０５≦ｄｍ≦２５であることが好ましく、また記録層１５の膜厚としては３０ｎｍ以下が好ましい。また、第２情報層の記録層４０４の膜厚としては、透過率を上げるため、なるべく薄くすることが好ましく、１５ｎｍ以下が好ましい。
【０１９２】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体の製造方法（本発明の第２の製造方法の別の例）について説明する。
【０１９３】
まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
【０１９４】
続けて第１情報層３１を形成のため、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４を順次成膜する。形成方法はそれぞれ実施の形態４で示したものと同様である。
【０１９５】
続けて第２の界面層１４上に記録層１５を形成する。形成方法は実施の形態６で示した記録層１５の形成方法と同様である。
【０１９６】
続けて記録層１５上に、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７を順次成膜する。形成方法はそれぞれ実施の形態４で示したものと同様である。
【０１９７】
続いて、第１の誘電体層１７上に光学分離層３２を形成する。形成方法はそれぞれ実施の形態４で示したものと同様である。
【０１９８】
続けて第２情報層４２を形成する。第２情報層４２の形成にはまず透過率調整層４０１を形成する。続けて、反射層４０２、第２の誘電体層４０３を順次形成する。形成方法はそれぞれ実施の形態４で示したものと同様である。
【０１９９】
続けて第２の誘電体層４０３上に記録層４０４を形成する。形成方法は実施の形態６で示した記録層１５の形成方法と同様である。
【０２００】
続けて、記録層４０４上に第１の界面層４０５、第１の誘電体層４０６を形成する。形成方法はそれぞれ実施の形態４で示したものと同様である。
【０２０１】
最後に、第１の誘電体層４０６上にカバー層１８を実施の形態４と同様の方法で形成する。
【０２０２】
なお、第１の誘電体層１７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。また、第１の誘電体層４０６を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層４０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。いずれの場合の初期化も、レーザ光の照射により行うことができる。
【０２０３】
（実施の形態９）＊記録再生
本発明の実施の形態９として、実施の形態１、２、３、４、６、７および８で説明した情報記録媒体１、２、３および４に対して、情報の記録再生を行う方法について説明する。図７に、本実施の形態の記録再生方法に用いられる記録再生装置９の一部の構成を模式的に示している。記録再生装置９は、情報記録媒体７５を回転させるスピンドルモータ７１と、半導体レーザ７２を備える光学ヘッド７３と、半導体レーザ７２から出射されるレーザ光７６を集光する対物レンズ７４とを備える。
【０２０４】
対物レンズ７４の開口数（ＮＡ）は、レーザ光７６のスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．０の範囲内であることが好ましい。レーザ光７６の波長は４５０ｎｍ以下（より好ましくは３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの青紫領域）であることが好ましい。情報を記録再生する際の線速度は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去率が得られる３ｍ／秒〜２０ｍ／秒の範囲内であることが好ましい。
【０２０５】
情報記録媒体への情報の記録、消去および上書き記録は、レーザ光のパワーを高パワーのピークパワーと低パワーのバイアスパワーとの変調により行う。ピークパワーのレーザ光を照射することにより、情報記録媒体の記録膜の局所的な一部に非晶質相が形成され、その非晶質相が記録部（記録マーク）となる。記録マーク間ではバイアスパワーのレーザ光が照射され、結晶相が形成され、その結晶相が消去部となる。ピークパワーのレーザ光を照射するときには、パルス列で形成するマルチパルスとするのが一般的である。マルチパルスはピークパワーとバイアスパワーのパワーレベルで変調させてもよいし、０ｍＷからピークパワーの任意のパワーレベルで変調されてよい。
【０２０６】
なお、基板に案内溝が設けられている場合、情報は、レーザ光の入射側から遠い溝面（グルーブ）、またはレーザ光の入射側から近い溝面（ランド）、またはその両方に記録してもよい。
【０２０７】
また、情報の再生はレーザ光を情報記録媒体に照射し、情報記録媒体からの信号を検出器で読み取ることにより行われる。再生時におけるレーザ光パワーは、記録マークの光学的な状態が影響を受けず、且つ情報記録媒体の記録マーク検出のための十分な反射光量が得られるパワーとする。
【０２０８】
（実施の形態１０）＊ＲＡＭ再生
本発明の実施の形態１０として、実施の形態５で説明した情報記録媒体５に対して、情報の記録再生を行う方法について説明する。本発明の記録再生方法に用いられる記録再生装置５の一部の構成は実施の形態９と同様であり図７に示す。ここで、実施の形態９と重複する箇所についてはその説明を省略する。
【０２０９】
対物レンズ７４の開口数（ＮＡ）は、レーザ光のスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．０の範囲内であることが好ましい。レーザ光の波長は７００ｎｍ以下（より好ましくは、７００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲内）であることが好ましい。再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去率が得られる３ｍ／秒〜２０ｍ／秒の範囲内であることが好ましい。
【０２１０】
（実施の形態１１）＊電気メモリ
本発明の実施の形態１１として、電気的エネルギーの印加による情報の記録および再生を実施する情報記録媒体の一例を示す。図８に、その電気的情報記録媒体（メモリ）８６の一部断面を示す。
【０２１１】
基板８１の材料としては、ポリカーボネート等の樹脂基板、ガラス基板、Ａｌ2Ｏ3等のセラミック基板、Ｓｉ等の各種半導体基板、Ｃｕ等の各種金属基板を用いることができる。ここでは、基板としてＳｉ基板を用いた場合について説明する。電気的情報記録媒体８６は、基板８１上に下部電極８２、第１の界面層８０１、第１の記録層８３、第２の界面層８０２、第３の界面層８０３、第２の記録層８４、第４の界面層８０４、上部電極８５を順に配置した構造である。下部電極８２および上部電極８５は、第１の記録層８３および第２の記録層８４に電流を印加するために形成される。なお、第１の界面層８０１および第２の界面層８０２は第１の記録層８３の結晶化時間を調整し、第３の界面層８０３および第４の界面層８０４は第２の記録層８４の結晶化時間を調整するために設置される。
【０２１２】
第１の界面層８０１、第２の界面層８０２、第３の界面層８０３、第４の界面層８０４の材料は、実施の形態１の第１の界面層１６と同様の材料を用いることができる。
【０２１３】
第１の記録層８３および第２の記録層８４は、電流の印加により発生するジュール熱によって結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす材料であり、結晶相と非晶質相との間で抵抗率が変化する現象を情報の記録に利用し、実施の形態１の記録層１５と同様の材料を用いることができる。
【０２１４】
第１の記録層８３および第２の記録層８４は、実施の形態１の記録層１５と同様の方法で形成できる。
【０２１５】
また、下部電極８２および上部電極８５には、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ等の単体金属材料、あるいはこれらのうちの１つまたは複数の元素を主成分とし、耐湿性の向上あるいは熱伝導率の調整等のために適宜１つまたは複数の他の元素を添加した合金材料を用いることができる。下部電極８２および上部電極８５は、希ガス雰囲気中で材料となる金属母材または合金母材をスパッタリングすることによって形成できる。なお、各層の成膜方法としては、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法等を用いることも可能である。
【０２１６】
（実施の形態１２）＊電気メモリ
本発明の実施の形態１２として、実施の形態１１で説明した電気的情報記録媒体（メモリ）８６を使用するシステムの一例を示す。図８にそのシステムの模式図を示す。
【０２１７】
電気的情報記録媒体８６に、印加部８７を介して電気的情報記録再生装置９２を電気的に接続する。この電気的情報記録再生装置９２により、下部電極８２と上部電極８５の間には、第１の記録層８３および第２の記録層８４に電流パルスを印加するためにパルス電源９０がスイッチ８９を介して接続される。また、第１の記録層８３および第２の記録層８４の相変化による抵抗値の変化を検出するために、下部電極８２と上部電極８５の間にスイッチ９１を介して抵抗測定器８８が接続される。非晶質相（高抵抗状態）にある第１の記録層８３または第２の記録層８４を結晶相（低抵抗状態）に変化させるためには、スイッチ８９を閉じて（スイッチ９１は開く）電極間に電流パルスを印加し、電流パルスが印加される部分の温度が、材料の結晶化温度より高く、且つ融点より低い温度で、結晶化時間の間保持されるようにする。結晶相から再度非晶質相に戻す場合には、結晶化時よりも相対的に高い電流パルスをより短い時間で印加し、記録層を融点より高い温度にして溶融した後、急激に冷却する。なお、電気的情報記録再生装置９２のパルス電源９０は記録・消去パルス波形を出力する電源である。
【０２１８】
この電気的情報記録媒体８６をマトリクス的に多数配置することによって、図９に示すような大容量の電気的情報記録媒体９３を構成することができる。各メモリセル９６には、微小領域に電気的情報記録媒体８６と同様の構成が形成されている。各々のメモリセル９６への情報の記録再生は、ワード線９４およびビット線９５をそれぞれ１つ指定することによって行う。
【０２１９】
図１０は電気的情報記録媒体９３を用いた、情報記録システムの一構成例を示したものである。記憶装置９８は、電気的情報記録媒体９３と、アドレス指定回路９７によって構成される。アドレス指定回路９７により、電気的情報記録媒体９３のワード線９４およびビット線９５がそれぞれ指定され、各々のメモリセル９６への情報の記録再生を行うことができる。また、記憶装置９８を、少なくともパルス電源１００と抵抗測定器１０１から構成される外部回路９９に電気的に接続することにより、電気的情報記録媒体９３への情報の記録再生を行うことができる。
【実施例】
【０２２０】
（実施例１）  ＊シングル６層組成依存
以下に、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
【０２２１】
本実施例では図２に示す情報記録媒体１の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１の製造方法である。
【０２２２】
まず、基板１１として、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板を用意した。その基板上に、反射層１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を１００ｎｍ、第２の誘電体層１３としてＴｉＯ2を６ｎｍ、第２の界面層１４として、（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、記録層１５を１０ｎｍ、第１の界面層１６として、（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、第１の誘電体層１７として、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。その後に紫外線硬化型樹脂を第１の誘電体層１７に塗布し、ポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ７０μｍ）を密着させ、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１８を形成し、情報記録媒体１を作製した。最後に、記録層１５の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０２２３】
第１の誘電体層１７の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層１５が結晶状態の情報記録媒体の反射率（基板鏡面部）が１５％〜２５％、記録層１５が非晶質状態の情報記録媒体の反射率（基板鏡面部）が１％〜７％となるように決定した。
【０２２４】
記録層１５の材料を変化させて以上のように作製された情報記録媒体１および従来例（比較例）の情報記録媒体について、４倍速および２倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率、９Ｔマークの保存性、２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性を評価した。評価方法の詳細を以下に述べる。
【０２２５】
いずれの評価も、図７で示した記録再生装置９を用いて行った。レーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５、１倍速の線速度は４．９ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍであり、グルーブに情報の記録を行った。再生はいずれの評価においても１倍速、０．３５ｍＷで行った。また、加速試験は８０℃、２０％ＲＨ、５０時間の条件の恒温槽にて行った。
【０２２６】
９Ｔマークの変調度の評価は、オシロスコープで再生信号を取り込み、結晶（未記録）レベルと非晶質（記録）レベルの差を読み取り、計算することで行った。変調度が４５％以上を◎、４０％以上を○、３５％以上を△、３５％より低いものを×とした。
【０２２７】
９Ｔマークの消去率とは、９Ｔマークを１０回記録し、その上に２Ｔマークを１回記録することでの９Ｔマークの消去度合いを意味する。評価はスペクトラムアナライザを用いることで行った。消去率が３０ｄＢ以上を◎、２５ｄＢ以上を○、２０ｄＢ以上を△、２０ｄＢより低いものを×とした。
【０２２８】
９Ｔマークの保存性とは、加速試験における１０回記録した９Ｔマークの劣化度合いを意味する。評価はスペクトラムアナライザを用い、加速試験前後でのＣＮＲの差を測定することで行った。ＣＮＲ低下量（加速前のＣＮＲ−加速後のＣＮＲ）が０．０ｄＢ以下を◎、１．０ｄＢ以下を○、３．０ｄＢ以下を△、３．０ｄＢより大きいものを×とした。
【０２２９】
２ＴマークのＣＮＲの評価は、スペクトラムアナライザを用いることで行った。ＣＮＲが４３ｄＢ以上を◎、４０ｄＢ以上を○、３７ｄＢ以上を△、３７ｄＢより低いものを×とした。
【０２３０】
２Ｔマークの消去率とは、２Ｔマークを１０回記録し、その上に９Ｔマークを１回記録することでの２Ｔマークの消去度合いを意味する。評価はスペクトラムアナライザを用いることで行った。消去率が３０ｄＢ以上を◎、２５ｄＢ以上を○、２０ｄＢ以上を△、２０ｄＢより低いものを×とした。
【０２３１】
２Ｔマークの保存性とは、加速試験における１０回記録した２Ｔマークの劣化度合いを意味する。評価はスペクトラムアナライザを用い、加速試験前後でのＣＮＲの差を測定することで行った。ＣＮＲ低下量（加速前のＣＮＲ−加速後のＣＮＲ）が０．０ｄＢ以下を◎、１．０ｄＢ以下を○、３．０ｄＢ以下を△、３．０ｄＢより大きいものを×とした。
【０２３２】
本実施例の情報記録媒体１の一例として、記録層１５に、図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）おいて、（ｘ，ｙ，ｚ）＝ａ（３５，６５，０）、ｂ（３６．９，６０，３．１）、ｃ（３．２，６０，３６．８）、ｄ（５，９５，０）、（１）（３０，７０，０）、（２）（３０，６５，５）、（３）（１９，６２，１９）、（４）（１１，６２，２７）、（５）（５，７５，２０）、（６）（７．５，９０，２．５）、ｅ（２５，７５，０）、ｆ（２５，６５，１０）、ｇ（７．２，６５，２７．８）、ｈ（１０，９０，０）、（７）（２２．５，７７．５，０）、（８）（２３，７０，７）、（９）（１６，６８，１６）、（１０）（１２，６８，２０）、（１１）（１２．５，７５，１２．５）、（１２）（１２，８１，７）、（１３）（１３，８７，０）、ｊ（２０．９，７０，９．１）、ｋ（１１．８，７０，１８．２）、ｍ（１４．５，８５．５，０）、ｎ（２０，８０，０）、（１４）（１８，８２，０）、（１５）（２０，７５，５）、（１６）（１５，７０，１５）、（１７）（１４，７９，７）、（１８）（１７，７８，５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−１０１〜１−１３０とする。なお、上記の組成について、図１１の三角図の拡大図に示す。
【０２３３】
また、従来の記録層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における、記録層１５として、Ｇｅ35.3Ｓｂ11.8Ｔｅ52.9、Ｇｅ38.1Ｓｂ9.5Ｔｅ52.4およびＧｅ38.1Ｂｉ9.5Ｔｅ52.4を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を１−００１〜１−００３とする。）と、Ｇｅ30Ｓｂ55Ｔｅ15、Ｇｅ20Ｓｂ57Ｔｅ23およびＧｅ5Ｂｉ58Ｔｅ37を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を１−０１１〜１−０１３とする。）を作製し、同様の評価を行った。
【０２３４】
４倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表１に示す。また４倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表２に示す。
【０２３５】
【表１】
2011154781.tif 000003
【０２３６】
【表２】
2011154781.tif 000004
【０２３７】
表１、表２に示すように４倍速記録時におけるいずれの特性に関しても、本実施例におけるいずれの情報記録媒体１（ディスクＮｏ．１−１０１〜１−１３０）において、従来例１−００１〜１−００３、１−０１１〜１−０１３よりも大きく改善した結果が得られた。また図１２における組成範囲（Ｉ）（組成範囲（Ｉ）は点（ａ）、点（ｂ）、点（ｃ）、点（ｄ）、点（ｈ）、点（ｇ）、点（ｆ）および点（ｅ）で囲まれる領域の組成。）内の組成では、９Ｔマークの変調度、消去率および保存性、または２ＴマークのＣＮＲ、消去率および保存性のいずれかの特性において、評価結果が△となり、情報記録媒体としてやや不足している特性があるが、組成範囲（II）（組成範囲（II）は点（ｅ）、点（ｆ）、点（ｇ）、点（ｈ）、点（ｍ）、点（ｋ）、点（ｊ）および点（ｎ）で囲まれる領域の組成。）内の組成では、評価結果が△の特性がなくなり、４倍速記録により適した組成範囲であることが示された。さらに、組成範囲（III）（組成範囲（III）は点（ｊ）、点（ｋ）、点（ｍ）および点（ｎ）で囲まれる領域の組成。）内の組成では、◎と評価される特性が２つ有し、組成範囲（III）は組成範囲（II）よりもより４倍速記録に適した組成範囲であることが示された。
【０２３８】
次に、２倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表３に示す。また２倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表４に示す。
【０２３９】
【表３】
2011154781.tif 000005
【０２４０】
【表４】
2011154781.tif 000006
【０２４１】
表３、表４に示すように２倍速記録時におけるいずれの特性に関しても、本実施例におけるいずれの情報記録媒体１（ディスクＮｏ．１−１０１〜１−１３０）において、従来例１−００１〜１−００３、１−０１１〜１−０１３よりも大きく改善した結果が得られた。
【０２４２】
以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。
【０２４３】
（実施例２）  ＊シングル５層組成依存
本実施例では図３に示す情報記録媒体２の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体２の製造方法である。
【０２４４】
まず、基板１１として、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板を用意した。その基板上に、反射層１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を１００ｎｍ、第２の誘電体層１３として、（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）40（Ｉｎ2Ｏ3）10（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、記録層１５を１０ｎｍ、第１の界面層１６として、（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、第１の誘電体層１７して、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。その後に紫外線硬化型樹脂を第１の誘電体層１７に塗布し、ポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ７０μｍ）を密着させ、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１８を形成し、情報記録媒体１を作製した。最後に、記録層１５の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０２４５】
第１の誘電体層１７の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層１５が結晶状態の情報記録媒体の反射率（基板鏡面部）が１５％〜２５％、記録層１５が非晶質状態の情報記録媒体の反射率（基板鏡面部）１％〜７％となるように決定した。
【０２４６】
以上のように作製された情報記録媒体２および従来例の情報記録媒体について、実施例１同様に、２倍速および４倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率、９Ｔマークの保存性、２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性を評価した。
【０２４７】
本実施例の情報記録媒体２の一例として、記録層１５に、図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）おいて、（ｘ，ｙ，ｚ）＝ａ（３５，６５，０）、ｂ（３６．９，６０，３．１）、ｃ（３．２，６０，３６．８）、ｄ（５，９５，０）、（１）（３０，７０，０）、（２）（３０，６５，５）、（３）（１９，６２，１９）、（４）（１１，６２，２７）、（５）（５，７５，２０）、（６）（７．５，９０，２．５）、ｅ（２５，７５，０）、ｆ（２５，６５，１０）、ｇ（７．２，６５，２７．８）、ｈ（１０，９０，０）、（７）（２２．５，７７．５，０）、（８）（２３，７０，７）、（９）（１６，６８，１６）、（１０）（１２，６８，２０）、（１１）（１２．５，７５，１２．５）、（１２）（１２，８１，７）、（１３）（１３，８７，０）、ｊ（２０．９，７０，９．１）、ｋ（１１．８，７０，１８．２）、ｍ（１４．５，８５．５，０）、ｎ（２０，８０，０）、（１４）（１８，８２，０）、（１５）（２０，７５，５）、（１６）（１５，７０，１５）、（１７）（１４，７９，７）、（１８）（１７，７８，５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２−１０１〜２−１３０とする。
【０２４８】
また、従来の記録層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における記録層１５として、Ｇｅ35.3Ｓｂ11.8Ｔｅ52.9、Ｇｅ38.1Ｓｂ9.5Ｔｅ52.4およびＧｅ38.1Ｂｉ9.5Ｔｅ52.4を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を２−００１〜２−００３とする。）およびＧｅ30Ｓｂ55Ｔｅ15、Ｇｅ20Ｓｂ57Ｔｅ23およびＧｅ5Ｂｉ58Ｔｅ37を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を２−０１１〜２−０１３とする。）を作製し、同様の評価を行った。
【０２４９】
４倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表５に示す。また４倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表６に示す。
【０２５０】
また、２倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表７に示す。また２倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表８に示す。
【０２５１】
【表５】
2011154781.tif 000007
【０２５２】
【表６】
2011154781.tif 000008
【０２５３】
【表７】
2011154781.tif 000009
【０２５４】
【表８】
2011154781.tif 000010
【０２５５】
表５〜８に示すように４倍速および２倍速記録時におけるいずれの特性に関しても、本実施例におけるいずれの情報記録媒体２（ディスクＮｏ．２−１０１〜２−１３０）において、従来例２−００１〜２−００３、２−０１１〜２−０１３よりも大きく改善した結果が得られた。また実施例１同様、４倍速記録時において、図１２における組成範囲（Ｉ）内の組成では、９Ｔマークの変調度、消去率および保存性、または２ＴマークのＣＮＲ、消去率および保存性のいずれかの特性において、評価結果が△となり、情報記録媒体としてやや不足している特性があるが、組成範囲（II）内の組成では、評価結果が△の特性がなくなり、４倍速記録により適した組成範囲であり、組成範囲（III）内の組成では、◎と評価される特性が２つ有し、組成範囲（III）は組成範囲（II）よりもより４倍速記録に適した組成範囲であることが示された。
【０２５６】
（実施例３）  ＊４層Ｌ２組成依存
本実施例では図４に示す情報記録媒体３の一例を説明する。本実施例では、４つの情報層を有し、第３情報層の記録層に本発明における記録層材料を適用した例（Ｎ＝４、ｎ＝３）を示す。以下、本実施例の情報記録媒体３の製造方法である。
【０２５７】
情報記録媒体３の第１情報層３１の形成方法は実施例１と同様である。記録層１５には、Ｇｅ5Ｓｂ79Ｔｅ16を適用した。また他の情報層がない場合に、記録層１５が結晶状態における第１情報層３１の反射率（基板鏡面部）が２５％〜３５％となるように、第１の誘電体層１７の膜厚を調整した。
【０２５８】
続けて、第１情報層３１上に案内溝の設けられた光学分離層３２を形成し、その後、記録層１５の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０２５９】
続けて、光学分離層３２上に第２情報層３３を形成する。他の情報層がない場合に、記録層が結晶状態における第２情報層３３の反射率（基板鏡面部）が１０％〜２０％、透過率（基板鏡面部）が６０％〜７０％となるように設定した。
【０２６０】
続けて、第２情報層３３上に案内溝の設けられた光学分離層３５を形成し、その後、第２情報層３３の記録層の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０２６１】
続けて、光学分離層３５上に第３情報層３６を形成する。第３情報層３６は、透過率調整層３０１としてＴｉＯ2を１８ｎｍ、反射層３０２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を５ｎｍ、第２の誘電体層３０３として、（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、記録層３０４を５ｎｍ、第１の界面層３０５として、（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、第１の誘電体層３０６として、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。
【０２６２】
第１の誘電体層３０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、他の情報層がない場合に、記録層３０４が結晶状態における第３情報層の反射率（基板鏡面部）が５％〜１２％、透過率（基板鏡面部）が７０％〜７５％となるように設定した。
【０２６３】
続けて、第３情報層３６上に案内溝の設けられた光学分離層３７を形成し、その後、第３情報層３６の記録層３０４の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０２６４】
続けて、光学分離層３７上に第４情報層３８を形成する。他の情報層がない場合に、記録層が結晶状態における第４情報層３８の反射率（基板鏡面部）が３％〜７％、透過率（基板鏡面部）が７０％〜８０％となるように設定した。
【０２６５】
その後に、紫外線硬化型樹脂を第４情報層３８上に塗布し、ポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ７０μｍ）を密着させ、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１８を形成し、情報記録媒体３を作製した。最後に、第４情報層３８の記録層の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０２６６】
以上のように作製された情報記録媒体３および従来例の情報記録媒体について、第３情報層３６に対して記録・再生動作を行い、２倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率、９Ｔマークの保存性、２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性を評価した。本実施例においては、再生はいずれの評価においても１倍速、０．７０ｍＷで行った。
【０２６７】
９Ｔマークの変調度の評価は、実施例１同様に行い、変調度が３５％以上を○、３０％以上を△、３０％より低いものを×とした。
【０２６８】
９Ｔマークの消去率の評価は、実施例１同様に行い、消去率が２０ｄＢ以上を○、１５ｄＢ以上を△、１５ｄＢより低いものを×とした。
【０２６９】
９Ｔマークの保存性の評価は、実施例１同様に行い、ＣＮＲ低下量（加速前のＣＮＲ−加速後のＣＮＲ）が０．０ｄＢ以下を○、３．０ｄＢ以下を△、３．０ｄＢより大きいものを×とした。
【０２７０】
２ＴマークのＣＮＲの評価は、実施例１同様に行い、ＣＮＲが３５ｄＢ以上を○、３０ｄＢ以上を△、３０ｄＢより低いものを×とした。
【０２７１】
２Ｔマークの消去率の評価は、実施例１同様に行い、消去率が２０ｄＢ以上を○、１５ｄＢ以上を△、１５ｄＢより低いものを×とした。
【０２７２】
２Ｔマークの保存性の評価は、実施例１同様に行い、ＣＮＲ低下量（加速前のＣＮＲ−加速後のＣＮＲ）が０．０ｄＢ以下を○、３．０ｄＢ以下を△、３．０ｄＢより大きいものを×とした。
【０２７３】
本実施例の情報記録媒体３の一例として、記録層３０４に図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）おいて、（ｘ，ｙ，ｚ）＝ａ（３５，６５，０）、ｂ（３６．９，６０，３．１）、ｃ（３．２，６０，３６．８）、ｄ（５，９５，０）、（１）（３０，７０，０）、（２）（３０，６５，５）、（３）（１９，６２，１９）、（４）（１１，６２，２７）、（５）（５，７５，２０）、（６）（７．５，９０，２．５）、ｅ（２５，７５，０）、ｆ（２５，６５，１０）、ｇ（７．２，６５，２７．８）、ｈ（１０，９０，０）、（７）（２２．５，７７．５，０）、（８）（２３，７０，７）、（９）（１６，６８，１６）、（１０）（１２，６８，２０）、（１１）（１２．５，７５，１２．５）、（１２）（１２，８１，７）、（１３）（１３，８７，０）、ｊ（２０．９，７０，９．１）、ｋ（１１．８，７０，１８．２）、ｍ（１４．５，８５．５，０）、ｎ（２０，８０，０）、（１４）（１８，８２，０）、（１５）（２０，７５，５）、（１６）（１５，７０，１５）、（１７）（１４，７９，７）、（１８）（１７，７８，５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−１０１〜３−１３０とする。
【０２７４】
また、従来の記録層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における、記録層３０４としてＧｅ35.3Ｓｂ11.8Ｔｅ52.9、Ｇｅ38.1Ｓｂ9.5Ｔｅ52.4およびＧｅ38.1Ｂｉ9.5Ｔｅ52.4を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を３−００１〜３−００３とする。）およびＧｅ30Ｓｂ55Ｔｅ15、Ｇｅ20Ｓｂ57Ｔｅ23およびＧｅ5Ｂｉ58Ｔｅ37を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を３−０１１〜３−０１３とする。）を作製し、同様の評価を行った。
【０２７５】
２倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表９に示す。また２倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表１０に示す。
【０２７６】
【表９】
2011154781.tif 000011
【０２７７】
【表１０】
2011154781.tif 000012
【０２７８】
表９、１０に示すように２倍速記録時におけるいずれの特性に関しても、本実施例におけるいずれの情報記録媒体３（ディスクＮｏ．３−１０１〜３−１３０）において、従来例３−００１〜３−００３、３−０１１〜３−０１３よりも大きく改善した結果が得られた。図１２における組成範囲（Ｉ）内の組成では、９Ｔマークの変調度、消去率および保存性、または２ＴマークのＣＮＲ、消去率および保存性のいずれかの特性において、△の評価結果が２つとなり、情報記録媒体としてやや不足している特性があるが、組成範囲（II）および組成範囲（III）内の組成では、△の評価結果が１つ以下となり、第３情報層３６の記録層としてより適した組成範囲であることが示された。
【０２７９】
（実施例４）  ＊４層Ｌ３組成依存
本実施例では図４に示す情報記録媒体３の一例を説明する。本実施例では、４つの情報層を有し、第４情報層の記録層に本発明における記録層材料を適用した例（Ｎ＝４、ｎ＝４）を示す。以下、本実施例の情報記録媒体３の製造方法である。
【０２８０】
情報記録媒体３の第１情報層３１から第３情報層までの形成方法は実施例３と同様である。
【０２８１】
第３情報層上に案内溝の設けられた光学分離層３５を形成し、その後、第３情報層の記録層の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０２８２】
続けて、光学分離層３５上に第４情報層３６を形成する。第４情報層３６は、透過率調整層３０１としてＴｉＯ2を１８ｎｍ、反射層３０２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を３ｎｍ、第２の誘電体層３０３として、（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、記録層３０４を３ｎｍ、第１の界面層３０５として、（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、第１の誘電体層３０６として、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。
【０２８３】
第１の誘電体層３０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、他の情報層がない場合に、記録層３０４が結晶状態における第３情報層の反射率（基板鏡面部）が３％〜７％、透過率（基板鏡面部）が７０％〜８０％となるように設定した。
【０２８４】
その後に紫外線硬化型樹脂を第４情報層３６上に塗布し、ポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ７０μｍ）を密着させ、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１８を形成し、情報記録媒体３を作製した。最後に、第４情報層の記録層の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０２８５】
以上のように作製された情報記録媒体３および従来例の情報記録媒体について、第４情報層３６に対して記録・再生動作を行い、２倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率、９Ｔマークの保存性、２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性を評価した。本実施例においては、再生はいずれの評価においても１倍速、０．７０ｍＷで行った。
【０２８６】
９Ｔマークの変調度の評価は、実施例１同様に行い、変調度が３０％以上を○、２５％以上を△、２５％より低いものを×とした。
【０２８７】
９Ｔマークの消去率の評価は、実施例１同様に行い、消去率が２０ｄＢ以上を○、１５ｄＢ以上を△、１５ｄＢより低いものを×とした。
【０２８８】
９Ｔマークの保存性の評価は、実施例１同様に行い、ＣＮＲ低下量（加速前のＣＮＲ−加速後のＣＮＲ）が０．０ｄＢ以下を○、３．０ｄＢ以下を△、３．０ｄＢより大きいものを×とした。
【０２８９】
２ＴマークのＣＮＲの評価は、実施例１同様に行い、ＣＮＲが３２ｄＢ以上を○、２７ｄＢ以上を△、２７ｄＢより低いものを×とした。
【０２９０】
２Ｔマークの消去率の評価は、実施例１同様に行い、消去率が２０ｄＢ以上を○、１５ｄＢ以上を△、１５ｄＢより低いものを×とした。
【０２９１】
２Ｔマークの保存性の評価は、実施例１同様に行い、ＣＮＲ低下量（加速前のＣＮＲ−加速後のＣＮＲ）が０．０ｄＢ以下を○、３．０ｄＢ以下を△、３．０ｄＢより大きいものを×とした。
【０２９２】
本実施例の情報記録媒体３の一例として、記録層３０４に、図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）おいて、（ｘ，ｙ，ｚ）＝ａ（３５，６５，０）、ｂ（３６．９，６０，３．１）、ｃ（３．２，６０，３６．８）、ｄ（５，９５，０）、（１）（３０，７０，０）、（２）（３０，６５，５）、（３）（１９，６２，１９）、（４）（１１，６２，２７）、（５）（５，７５，２０）、（６）（７．５，９０，２．５）、ｅ（２５，７５，０）、ｆ（２５，６５，１０）、ｇ（７．２，６５，２７．８）、ｈ（１０，９０，０）、（７）（２２．５，７７．５，０）、（８）（２３，７０，７）、（９）（１６，６８，１６）、（１０）（１２，６８，２０）、（１１）（１２．５，７５，１２．５）、（１２）（１２，８１，７）、（１３）（１３，８７，０）、ｊ（２０．９，７０，９．１）、ｋ（１１．８，７０，１８．２）、ｍ（１４．５，８５．５，０）、ｎ（２０，８０，０）、（１４）（１８，８２，０）、（１５）（２０，７５，５）、（１６）（１５，７０，１５）、（１７）（１４，７９，７）、（１８）（１７，７８，５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−２０１〜３−２３０とする。
【０２９３】
また、従来の記録層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における、記録層３０４としてＧｅ35.3Ｓｂ11.8Ｔｅ52.9、Ｇｅ38.1Ｓｂ9.5Ｔｅ52.4およびＧｅ38.1Ｂｉ9.5Ｔｅ52.4を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を３−００４〜３−００６とする。）およびＧｅ30Ｓｂ55Ｔｅ15、Ｇｅ20Ｓｂ57Ｔｅ23およびＧｅ5Ｂｉ58Ｔｅ37を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を３−０１４〜３−０１６とする。）を作製し、同様の評価を行った。
【０２９４】
２倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表１１に示す。また２倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表１２に示す。
【０２９５】
【表１１】
2011154781.tif 000013
【０２９６】
【表１２】
2011154781.tif 000014
【０２９７】
表１１、１２に示すように２倍速記録時におけるいずれの特性に関しても、本実施例におけるいずれの情報記録媒体３（ディスクＮｏ．３−２０１〜３−２３０）において、従来例３−００４〜３−００６、３−０１４〜３−０１６よりも大きく改善した結果が得られた。図１２における組成範囲（Ｉ）内の組成では、９Ｔマークの変調度、消去率および保存性、または２ＴマークのＣＮＲ、消去率および保存性のいずれかの特性において、△の評価結果が２つとなり、情報記録媒体としてやや不足している特性があるが、組成範囲（II）および組成範囲（III）内の組成では、△の評価結果が１つ以下となり、第４情報層３６の記録層としてより適した組成範囲であることが示された。
【０２９８】
（実施例５）  ＊２層Ｌ０組成依存
本実施例では図５に示す情報記録媒体４の一例を説明する。本実施例では、第１情報層３１の記録層１５に本発明における記録層材料を適用した例を示す。以下、本実施例の情報記録媒体４の製造方法である。
【０２９９】
情報記録媒体４の第１情報層３１の形成方法は実施例１と同様である。他の情報層がない場合に、記録層１５が結晶状態おける第１情報層３１の反射率（基板鏡面部）が１５％〜３０％となるように、第１の誘電体層１７の膜厚を調整した。
【０３００】
続けて、第１情報層３１上に案内溝の設けられた光学分離層３２を形成し、その後、第１情報層３１の記録層の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０３０１】
続けて、光学分離層３２上に第２情報層４２を形成する。第２情報層４２は、透過率調整層４０１としてＴｉＯ2を１８ｎｍ、反射層４０２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を１０ｎｍ、第２の誘電体層４０３として、（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、記録層４０４としてＧｅ16Ｓｂ77Ｔｅ7を６ｎｍ、第１の界面層４０５として、（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、第１の誘電体層４０６として、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。
【０３０２】
第１の誘電体層４０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、他の情報層がない場合に、記録層４０４が結晶状態における第２情報層４２の反射率（基板鏡面部）が３％〜８％、透過率（基板鏡面部）が４０％〜５５％となるように設定した。
【０３０３】
その後に紫外線硬化型樹脂を第１の誘電体層４０６上に塗布し、ポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ７０μｍ）を密着させ、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１８を形成し、情報記録媒体４を作製した。最後に、第２情報層４２の記録層の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０３０４】
以上のように作製された情報記録媒体４および従来例の情報記録媒体について、第１情報層３１に対して記録・再生動作を行い、４倍速および２倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率、９Ｔマークの保存性、２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性を評価した。本実施例においては、再生はいずれの評価においても１倍速、０．７０ｍＷで行った。
【０３０５】
９Ｔマークの変調度の評価は、実施例１同様に行い、変調度が４５％以上を◎、４０％以上を○、３５％以上を△、３５％より低いものを×とした。
【０３０６】
９Ｔマークの消去率の評価は、実施例１同様に行い、消去率が３０ｄＢ以上を◎、２５ｄＢ以上を○、２０ｄＢ以上を△、２０ｄＢより低いものを×とした。
【０３０７】
９Ｔマークの保存性の評価は、実施例１同様に行い、ＣＮＲ低下量（加速前のＣＮＲ−加速後のＣＮＲ）が０．０ｄＢ以下を◎、１．０ｄＢ以下を○、３．０ｄＢ以下を△、３．０ｄＢより大きいものを×とした。
【０３０８】
２ＴマークのＣＮＲの評価は、実施例１同様に行い、ＣＮＲが４３ｄＢ以上を◎、４０ｄＢ以上を○、３７ｄＢ以上を△、３７ｄＢより低いものを×とした。
【０３０９】
２Ｔマークの消去率の評価は、実施例１同様に行い、消去率が３０ｄＢ以上を◎、２５ｄＢ以上を○、２０ｄＢ以上を△、２０ｄＢより低いものを×とした。
【０３１０】
２Ｔマークの保存性の評価は、実施例１同様に行い、ＣＮＲ低下量（加速前のＣＮＲ−加速後のＣＮＲ）が０．０ｄＢ以下を◎、１．０ｄＢ以下を○、３．０ｄＢ以下を△、３．０ｄＢより大きいものを×とした。
【０３１１】
本実施例の情報記録媒体４の一例として、記録層１５に、図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）おいて、（ｘ，ｙ，ｚ）＝ａ（３５，６５，０）、ｂ（３６．９，６０，３．１）、ｃ（３．２，６０，３６．８）、ｄ（５，９５，０）、（１）（３０，７０，０）、（２）（３０，６５，５）、（３）（１９，６２，１９）、（４）（１１，６２，２７）、（５）（５，７５，２０）、（６）（７．５，９０，２．５）、ｅ（２５，７５，０）、ｆ（２５，６５，１０）、ｇ（７．２，６５，２７．８）、ｈ（１０，９０，０）、（７）（２２．５，７７．５，０）、（８）（２３，７０，７）、（９）（１６，６８，１６）、（１０）（１２，６８，２０）、（１１）（１２．５，７５，１２．５）、（１２）（１２，８１，７）、（１３）（１３，８７，０）、ｊ（２０．９，７０，９．１）、ｋ（１１．８，７０，１８．２）、ｍ（１４．５，８５．５，０）、ｎ（２０，８０，０）、（１４）（１８，８２，０）、（１５）（２０，７５，５）、（１６）（１５，７０，１５）、（１７）（１４，７９，７）、（１８）（１７，７８，５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ４−１０１〜４−１３０とする。
【０３１２】
また、従来の記録層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における、記録層３０４としてＧｅ35.3Ｓｂ11.8Ｔｅ52.9、Ｇｅ38.1Ｓｂ9.5Ｔｅ52.4およびＧｅ38.1Ｂｉ9.5Ｔｅ52.4を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を４−００１〜４−００３とする。）およびＧｅ30Ｓｂ55Ｔｅ15、Ｇｅ20Ｓｂ57Ｔｅ23およびＧｅ5Ｂｉ58Ｔｅ37を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を４−０１１〜４−０１３とする。）を作製し、同様の評価を行った。
【０３１３】
４倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表１３に示す。また４倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表１４に示す。
【０３１４】
また、２倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表１５に示す。また２倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表１６に示す。
【０３１５】
【表１３】
2011154781.tif 000015
【０３１６】
【表１４】
2011154781.tif 000016
【０３１７】
【表１５】
2011154781.tif 000017
【０３１８】
【表１６】
2011154781.tif 000018
【０３１９】
表１３〜１６に示すように４倍速および２倍速記録時におけるいずれの特性に関しても、本実施例におけるいずれの情報記録媒体４（ディスクＮｏ．４−１０１〜４−１３０）において、従来例４−００１〜４−００３、４−０１１〜４−０１３よりも大きく改善した結果が得られた。また実施例１同様、４倍速記録時において、図１２における組成範囲（Ｉ）内の組成では、９Ｔマークの変調度、消去率および保存性、または２ＴマークのＣＮＲ、消去率および保存性のいずれかの特性において、評価結果が△となり、情報記録媒体としてやや不足している特性があるが、組成範囲（II）内の組成では、評価結果が△の特性がなくなり、４倍速記録により適した組成範囲であり、組成範囲（III）内の組成では、◎と評価される特性が２つ有し、組成範囲（III）は組成範囲（II）よりもより４倍速記録に適した組成範囲であることが示された。
【０３２０】
（実施例６）  ＊２層Ｌ１組成依存
本実施例では図５に示す情報記録媒体４の一例を説明する。本実施例では、第２情報層４２の記録層４０４に本発明における記録層材料を適用した例を示す。以下、本実施例の情報記録媒体４の製造方法である。
【０３２１】
情報記録媒体４の第１情報層３１の形成方法は実施例１と同様である。記録層１５には、Ｇｅ5Ｓｂ79Ｔｅ16を適用した。また他の情報層がない場合に、記録層１５が結晶状態における第１情報層３１の反射率（基板鏡面部）が１５％〜３０％となるように、第１の誘電体層１７の膜厚を調整した。続けて、第１情報層３１上に案内溝の設けられた光学分離層３２を形成し、その後、第１情報層３１の記録層の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０３２２】
続けて、光学分離層３２上に第２情報層４２を形成する。第２情報層４２の形成方法は実施例５と同様である。
【０３２３】
第１の誘電体層４０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、他の情報層がない場合に、記録層４０４が結晶状態における第２情報層４２の反射率（基板鏡面部）が３％〜８％、透過率（基板鏡面部）が４０％〜５５％となるように設定した。
【０３２４】
その後に紫外線硬化型樹脂を第１の誘電体層４０６上に塗布し、ポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ７０μｍ）を密着させ、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１８を形成し、情報記録媒体４を作製した。最後に、第２情報層４２の記録層の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０３２５】
以上のように作製された情報記録媒体４および従来例の情報記録媒体について、第２情報層４２に対して記録・再生動作を行い、４倍速および２倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率、９Ｔマークの保存性、２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性を評価した。本実施例においては、再生はいずれの評価においても１倍速、０．７０ｍＷで行った。
【０３２６】
９Ｔマークの変調度の評価は、実施例１同様に行い、変調度が４０％以上を◎、３５％以上を○、３０％以上を△、３０％より低いものを×とした。
【０３２７】
９Ｔマークの消去率の評価は、実施例１同様に行い、消去率が２８ｄＢ以上を◎、２３ｄＢ以上を○、１８ｄＢ以上を△、１８ｄＢより低いものを×とした。
【０３２８】
９Ｔマークの保存性の評価は、実施例１同様に行い、ＣＮＲ低下量（加速前のＣＮＲ−加速後のＣＮＲ）が０．０ｄＢ以下を◎、１．０ｄＢ以下を○、３．０ｄＢ以下を△、３．０ｄＢより大きいものを×とした。
【０３２９】
２ＴマークのＣＮＲの評価は、実施例１同様に行い、ＣＮＲが４０ｄＢ以上を◎、３７ｄＢ以上を○、３４ｄＢ以上を△、３４ｄＢより低いものを×とした。
【０３３０】
２Ｔマークの消去率の評価は、実施例１同様に行い、消去率が２８ｄＢ以上を◎、２３ｄＢ以上を○、１８ｄＢ以上を△、１８ｄＢより低いものを×とした。
【０３３１】
２Ｔマークの保存性の評価は、実施例１同様に行い、ＣＮＲ低下量（加速前のＣＮＲ−加速後のＣＮＲ）が０．０ｄＢ以下を◎、１．０ｄＢ以下を○、３．０ｄＢ以下を△、３．０ｄＢより大きいものを×とした。
【０３３２】
本実施例の情報記録媒体４の一例として、記録層４０４に、図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）おいて、（ｘ，ｙ，ｚ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）＝ａ（３５，６５，０）、ｂ（３６．９，６０，３．１）、ｃ（３．２，６０，３６．８）、ｄ（５，９５，０）、（１）（３０，７０，０）、（２）（３０，６５，５）、（３）（１９，６２，１９）、（４）（１１，６２，２７）、（５）（５，７５，２０）、（６）（７．５，９０，２．５）、ｅ（２５，７５，０）、ｆ（２５，６５，１０）、ｇ（７．２，６５，２７．８）、ｈ（１０，９０，０）、（７）（２２．５，７７．５，０）、（８）（２３，７０，７）、（９）（１６，６８，１６）、（１０）（１２，６８，２０）、（１１）（１２．５，７５，１２．５）、（１２）（１２，８１，７）、（１３）（１３，８７，０）、ｊ（２０．９，７０，９．１）、ｋ（１１．８，７０，１８．２）、ｍ（１４．５，８５．５，０）、ｎ（２０，８０，０）、（１４）（１８，８２，０）、（１５）（２０，７５，５）、（１６）（１５，７０，１５）、（１７）（１４，７９，７）、（１８）（１７，７８，５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ４−２０１〜４−２３０とする。
【０３３３】
また、従来の記録層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における、記録層３０４としてＧｅ35.3Ｓｂ11.8Ｔｅ52.9、Ｇｅ38.1Ｓｂ9.5Ｔｅ52.4およびＧｅ38.1Ｂｉ9.5Ｔｅ52.4を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を４−００４〜４−００６とする。）およびＧｅ30Ｓｂ55Ｔｅ15、Ｇｅ20Ｓｂ57Ｔｅ23およびＧｅ5Ｂｉ58Ｔｅ37を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を４−０１４〜４−０１６とする。）を作製し、同様の評価を行った。
【０３３４】
４倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表１７に示す。また４倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表１８に示す。
【０３３５】
また、２倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表１９に示す。また２倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表２０に示す。
【０３３６】
【表１７】
2011154781.tif 000019
【０３３７】
【表１８】
2011154781.tif 000020
【０３３８】
【表１９】
2011154781.tif 000021
【０３３９】
【表２０】
2011154781.tif 000022
【０３４０】
表１７〜２０に示すように４倍速および２倍速記録時におけるいずれの特性に関しても、本実施例におけるいずれの情報記録媒体４（ディスクＮｏ．４−２０１〜４−２３０）においても、従来例４−００４〜４−００６、４−０１４〜４−０１６よりも大きく改善した結果が得られた。また実施例１同様、４倍速記録時において、図１２における組成範囲（Ｉ）内の組成では、９Ｔマークの変調度、消去率および保存性、または２ＴマークのＣＮＲ、消去率および保存性のいずれかの特性において、評価結果が△となり、情報記録媒体としてやや不足している特性があるが、組成範囲（II）内の組成では、評価結果が△の特性がなくなり、４倍速記録により適した組成範囲であり、組成範囲（III）内の組成では、◎と評価される特性が２つ有し、組成範囲（III）は組成範囲（II）よりもより４倍速記録に適した組成範囲であることが示された。
【０３４１】
（実施例７）  ＊２層Ｌ１  記録層元素添加
本実施例では実施例６に記述の情報記録媒体４において、第２情報層４２の記録層４０４として、Ｇｅ16Ｓｂ79Ｔｅ5に対しさらに元素Ｍ（但し、ＭはＮ、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙより選ばれる少なくとも１つの元素）を添加した例を示す。本実施例の情報記録媒体４の製造方法は実施例６と同様であり、記録層４０４の膜厚は６ｎｍである。
【０３４２】
本実施例の情報記録媒体４の一例として、記録層４０４に、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、ＺｒおよびＴｂを、いずれの元素についても７原子％添加したものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ４−３０１〜４−３１５とした。また、Ｍｎ、ＺｎおよびＴｂについては、さらに１５原子％添加したものを作製し、ディスクＮｏ．をそれぞれ４−３１６〜４−３１８、さらに２０原子％添加したものを作製し、ディスクＮｏ．をそれぞれ４−３１９〜４−３２１とした。これらの情報記録媒体４と比較するため、ＣａおよびＩｒをそれぞれ１５原子％添加したもの（ディスクＮｏ．４−００７および４−００８）を従来例（比較例）の情報記録媒体として作製した。
【０３４３】
以上のように作製された情報記録媒体４および従来例の情報記録媒体について、実施例６同様、第２情報層４２に対して記録・再生動作を行い、４倍速における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率、９Ｔマークの保存性、２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性を評価した。
【０３４４】
４倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表２１に示す。また４倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表２２に示す。
【０３４５】
【表２１】
2011154781.tif 000023
【０３４６】
【表２２】
2011154781.tif 000024
【０３４７】
表２１、２２に示すように、本実施例におけるいずれの情報記録媒体４（ディスクＮｏ．４−３０１〜４−３２１）においても、比較例４−００７および４−００８よりも良好な特性が得られた。また添加元素としては、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、ＩｎおよびＭｎがより好ましく、また添加量としては、いずれの元素Ｍにおいても１５原子％以下がより好ましいことが示された。
【０３４８】
また同様に２倍速記録の評価も行ったが、４倍速記録時と同様、比較例よりも良好な特性が得られた。
【０３４９】
（実施例８）  ＊２層Ｌ１  誘電体層材料
本実施例では実施例６に記述の情報記録媒体４において、第２情報層４２の記録層４０４として、Ｇｅ16Ｓｂ79Ｔｅ5を適用し、第１の界面層４０５および第２の誘電体層４０３のいくつかの誘電体材料を適用した例を示す。本実施例の情報記録媒体４の製造方法は実施例６と同様である。
【０３５０】
本実施例の情報記録媒体４の一例として、記録層に隣接して配置される第１の界面層４０５および第２の誘電体層４０３に、［第１の界面層４０５，第２の誘電体層４０３］＝［（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50］、［（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＨｆＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50］、［（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）50（ＴｉＯ2）50］、［（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）50（Ｎｂ2Ｏ5）50］、［（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）50（Ｄｙ2Ｏ3）50］、［（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）65（Ｉｎ2Ｏ3）35］、［（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）65（Ｇａ2Ｏ3）35］、［（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）65（Ａｌ2Ｏ3）35］、［（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50］、［（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）50（ＳｉＯ2）15（Ｉｎ2Ｏ3）35］、［（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）50（ＳｉＯ2）15（Ｇａ2Ｏ3）35］、［（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）30（ＳｉＯ2）10（Ｉｎ2Ｏ3）20（Ｃｒ2Ｏ3）40］、［（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50］、［（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）50（ＴｉＯ2）50］、［（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）50（Ｄｙ2Ｏ3）50］、［（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50］、［（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）30（ＳｉＯ2）10（Ｉｎ2Ｏ3）20（Ｃｒ2Ｏ3）40］、［（ＺｒＯ2）45（Ｙ2Ｏ3）5（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50］、［（ＺｒＯ2）45（Ｙ2Ｏ3）5（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）50（ＴｉＯ2）50］、［（ＺｒＯ2）45（Ｙ2Ｏ3）5（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）50（Ｄｙ2Ｏ3）50］、［（ＺｒＯ2）45（Ｙ2Ｏ3）5（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50］、［（ＺｒＯ2）45（Ｙ2Ｏ3）5（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｒＯ2）30（ＳｉＯ2）10（Ｉｎ2Ｏ3）20（Ｃｒ2Ｏ3）40］、［（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20］、［（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20，（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50］および［（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20］を適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ４−４０１〜４−４２５とした。これらの情報記録媒体４を、従来例４−００４〜４−００６と比較した。
【０３５１】
以上のように作製された情報記録媒体４および従来例の情報記録媒体について、実施例６同様、第２情報層４２に対して記録・再生動作を行い、４倍速における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率、９Ｔマークの保存性、２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性を評価した。
【０３５２】
４倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表２３に示す。また４倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表２４に示す。
【０３５３】
【表２３】
2011154781.tif 000025
【０３５４】
【表２４】
2011154781.tif 000026
【０３５５】
表２３、２４に示すように、本実施例におけるいずれの情報記録媒体４（ディスクＮｏ．４−４０１〜４−４２５）において、従来例４−００４〜４−００６より大きく改善した結果が得られた。またディスクＮｏ．４−４０１〜４−４２２の特性がディスクＮｏ．４−４２３〜４−４２５の特性よりも優れており、第１の界面層４０５および第２の誘電体層４０３がＳｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、ＹおよびＤｙより選ばれる少なくとも１つの酸化物であることがより好ましいことが示された。
【０３５６】
（実施例９）  ＊ＲＡＭ
本実施例では図６に示す情報記録媒体５の一例を説明する。
【０３５７】
以下、本実施例の情報記録媒体の製造方法である。
【０３５８】
まず、基板５３として、案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板を用意した。その基板上に、第１の誘電体層１７して、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）、第１の界面層１６として、（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、記録層１５を１０ｎｍ、第２の界面層１４として、（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、第２の誘電体層１３としてＴｉＯ2を２０ｎｍ、反射層１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を１２０ｎｍ、を順次スパッタリング法により成膜した。その後、紫外線硬化型樹脂をダミー基板５１上に塗布し、基板５３の反射層１２をダミー基板５１に密着し回転させることによって均一な樹脂層（厚さ２０μｍ）を形成したのち、紫外線を照射して樹脂を硬化させることによって、接着層５２を介して基板５３とダミー基板５１を接着させた。最後に、記録層１５の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０３５９】
第１の誘電体層１７の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、６６０ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層１５が結晶状態の情報記録媒体の反射率（基板鏡面部）が１３％〜２０％、記録層１５が非晶質状態の情報記録媒体の反射率（基板鏡面部）が０．５％〜４％となるように決定した。
【０３６０】
以上のように作製された情報記録媒体５および従来例の情報記録媒体について、８倍速における１１Ｔマークの変調度、１１Ｔマークの消去率、３Ｔマークの保存性、３ＴマークのＣＮＲ、３Ｔマークの消去率および３Ｔマークの保存性を評価した。評価方法の詳細を以下に述べる。
【０３６１】
いずれの評価も、図７で示した記録再生装置９を用いて行った。レーザ光の波長は６６０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．６５、１倍速の線速度は４．１ｍ／ｓ、最短マーク長（３Ｔ）は０．４２μｍであり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。再生はいずれの評価においても２倍速８．２ｍ／ｓ、１．０ｍＷで行った。また、加速試験は８０℃、２０％ＲＨ、５０時間の条件の恒温槽にて行った。
【０３６２】
１１Ｔマークの変調度の評価は、オシロスコープで再生信号を取り込み、結晶（未記録）レベルと非晶質（記録）レベルの差を読み取り、計算することで行った。変調度が５０％以上を◎、４５％以上を○、４０％以上を△、４０％より低いものを×とした。
【０３６３】
１１Ｔマークの消去率とは、１１Ｔマークを１０回記録し、その上に３Ｔマークを１回記録することでの１１Ｔマークの消去度合いを意味する。評価はスペクトラムアナライザを用いることで行った。消去率が３０ｄＢ以上を◎、２５ｄＢ以上を○、２０ｄＢ以上を△、２０ｄＢより低いものを×とした。
【０３６４】
１１Ｔマークの保存性とは、加速試験における１０回記録した１１Ｔマークの劣化度合いを意味する。評価はスペクトラムアナライザを用い、加速試験前後でのＣＮＲの差を測定することで行った。ＣＮＲ低下量（加速前のＣＮＲ−加速後のＣＮＲ）が０．０ｄＢ以下を◎、１．０ｄＢ以下を○、３．０ｄＢ以下を△、３．０ｄＢより大きいものを×とした。
【０３６５】
３ＴマークのＣＮＲの評価は、スペクトラムアナライザを用いることで行った。ＣＮＲが５０ｄＢ以上を◎、４７ｄＢ以上を○、４４ｄＢ以上を△、４４ｄＢより低いものを×とした。
【０３６６】
３Ｔマークの消去率とは、３Ｔマークを１０回記録し、その上に１１Ｔマークを１回記録することでの３Ｔマークの消去度合いを意味する。評価はスペクトラムアナライザを用いることで行った。消去率が３０ｄＢ以上を◎、２５ｄＢ以上を○、２０ｄＢ以上を△、２０ｄＢより低いものを×とした。
【０３６７】
３Ｔマークの保存性とは、加速試験における１０回記録した３Ｔマークの劣化度合いを意味する。評価はスペクトラムアナライザを用い、加速試験前後でのＣＮＲの差を測定することで行った。ＣＮＲ低下量（加速前のＣＮＲ−加速後のＣＮＲ）が０．０ｄＢ以下を◎、１．０ｄＢ以下を○、３．０ｄＢ以下を△、３．０ｄＢより大きいものを×とした。
【０３６８】
本実施例の情報記録媒体５の一例として、記録層１５に、図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）おいて、（ｘ，ｙ，ｚ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）＝ａ（３５，６５，０）、ｂ（３６．９，６０，３．１）、ｃ（３．２，６０，３６．８）、ｄ（５，９５，０）、（１）（３０，７０，０）、（２）（３０，６５，５）、（３）（１９，６２，１９）、（４）（１１，６２，２７）、（５）（５，７５，２０）、（６）（７．５，９０，２．５）、ｅ（２５，７５，０）、ｆ（２５，６５，１０）、ｇ（７．２，６５，２７．８）、ｈ（１０，９０，０）、（７）（２２．５，７７．５，０）、（８）（２３，７０，７）、（９）（１６，６８，１６）、（１０）（１２，６８，２０）、（１１）（１２．５，７５，１２．５）、（１２）（１２，８１，７）、（１３）（１３，８７，０）、ｊ（２０．９，７０，９．１）、ｋ（１１．８，７０，１８．２）、ｍ（１４．５，８５．５，０）、ｎ（２０，８０，０）、（１４）（１８，８２，０）、（１５）（２０，７５，５）、（１６）（１５，７０，１５）、（１７）（１４，７９，７）、（１８）（１７，７８，５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ５−１０１〜５−１３０とする。
【０３６９】
また、従来の記録層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における記録層１５として、Ｇｅ35.3Ｓｂ11.8Ｔｅ52.9、Ｇｅ38.1Ｓｂ9.5Ｔｅ52.4およびＧｅ38.1Ｂｉ9.5Ｔｅ52.4を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を５−００１〜５−００３とする。）を作製し、同様の評価を行った。
【０３７０】
本実施例の評価において、グルーブ記録とランド記録では同様の結果が得られたので、これらの評価結果は１つの表にまとめて示す。８倍速記録における１１Ｔマークの変調度、１１Ｔマークの消去率および１１Ｔマークの保存性の評価結果を表２５に示す。また８倍速記録における３ＴマークのＣＮＲ、３Ｔマークの消去率および３Ｔマークの保存性の評価結果を表２６に示す。
【０３７１】
【表２５】
2011154781.tif 000027
【０３７２】
【表２６】
2011154781.tif 000028
【０３７３】
表２５、２６に示すように８倍速記録時におけるいずれの特性に関しても、本実施例におけるいずれの情報記録媒体５（ディスクＮｏ．５−１０１〜５−１３０）においても、従来例５−００１〜５−００３よりも大きく改善した結果が得られた。また、図１２における組成範囲（Ｉ）内の組成では、１１Ｔマークの変調度、消去率および保存性、または３ＴマークのＣＮＲ、消去率および保存性のいずれかの特性において、評価結果が△となり、情報記録媒体としてやや不足している特性があるが、組成範囲（II）内の組成では、評価結果が△の特性がなくなり、より適した組成範囲であり、組成範囲（III）内の組成では、◎と評価される特性が２つ有し、組成範囲（III）は組成範囲（II）よりもより適した組成範囲であることが示された。
【０３７４】
以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。
【０３７５】
（実施例１０）  ＊Ｓｕｐｅｒ−Ｌａｔｔｉｃｅシングル
本実施例では実施の形態６で説明した情報記録媒体（図２、３参照）の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体の製造方法について説明する。
【０３７６】
記録層１５を成膜する工程を除き、製造方法は実施例１と同様である。
【０３７７】
記録層１５については、実施の形態６で記載した方法により形成した。
【０３７８】
以上のように作製された本発明の実施例の情報記録媒体と従来例の情報記録媒体とについて、実施例１と同様の手法により、４倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率、９Ｔマークの保存性、２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性を評価した。
【０３７９】
本実施例の記録層１５は、Ｇｅ17Ｓｂ83とＴｅが交互にＸ番目まで積層された構成とした。第１構成層がＧｅ17Ｓｂ83であり、Ｘ＝２、３、５および７の場合について、情報記録媒体の作製を行った。Ｘと記録層１５を構成するＧｅ17Ｓｂ83とＴｅの膜厚の関係が以下の通りとなる情報記録媒体の作製を行った。
【０３８０】
（Ｘ，Ｇｅ17Ｓｂ83，Ｔｅ）＝（２，９．５ｎｍ，０．５ｎｍ）、（２，９．０ｎｍ，１．０ｎｍ）、（３，４．８ｎｍ，０．５ｎｍ）、（３，４．５ｎｍ，１．０ｎｍ）、（５，３．２ｎｍ，０．２５ｎｍ）、（５，３．０ｎｍ，０．５ｎｍ）、（７，２．４ｎｍ，０．１７ｎｍ）および（７，２．３ｎｍ，０．３４ｎｍ）。
【０３８１】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ６−１０１〜６−１０８とする。
【０３８２】
ここで、上記のディスクのうち６−１０１、６−１０３および６−１０５について基板側より記録層１５の構成を明記すると、以下のようである。
【０３８３】
６−１０１（２，９．５ｎｍ，０．５ｎｍ）：Ｇｅ17Ｓｂ83（９．５ｎｍ）／Ｔｅ（０．５ｎｍ）、
６−１０３（３，４．８ｎｍ，０．５ｎｍ）：Ｇｅ17Ｓｂ83（４．８ｎｍ）／Ｔｅ（０．５ｎｍ）／Ｇｅ17Ｓｂ83（４．８ｎｍ）、
６−１０５（５，３．２ｎｍ，０．２５ｎｍ）：Ｇｅ17Ｓｂ83（３．２ｎｍ）／Ｔｅ（０．２５ｎｍ）／Ｇｅ17Ｓｂ83（３．２ｎｍ）／Ｔｅ（０．２５ｎｍ）／Ｇｅ17Ｓｂ83（３．２ｎｍ）。
【０３８４】
また同様に、記録層１５が、Ｇｅ17Ｓｂ83からなる構成層とＧｅ50Ｔｅ50からなる構成層とが交互にＸ番目まで積層された構成で、第１構成層がＧｅ17Ｓｂ83であり、Ｘ＝２、３、５および７の場合について、情報記録媒体の作製を行った。Ｘと、記録層１５を構成するＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層およびＧｅ50Ｔｅ50からなる構成層の膜厚との関係が以下の通りとなる情報記録媒体を作製した。
【０３８５】
（Ｘ，Ｇｅ17Ｓｂ83，Ｇｅ50Ｔｅ50）＝（２，９．０ｎｍ，１．０ｎｍ）、（２，８．０ｎｍ，２．０ｎｍ）、（３，４．５ｎｍ，１．０ｎｍ）、（３，４．０ｎｍ，２．０ｎｍ）、（５，３．０ｎｍ，０．５ｎｍ）、（５，２．７ｎｍ，１．０ｎｍ）、（７，２．３ｎｍ，０．３３ｎｍ）および（７，２．０ｎｍ，０．６７ｎｍ）。
【０３８６】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ６−１０９〜６−１１６とする。
【０３８７】
また同様に、記録層１５がＧｅ50Ｔｅ50からなる構成層とＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層とが交互にＸ番目まで積層された構成で、第１構成層がＧｅ50Ｔｅ50であり、Ｘ＝２、３、５および７の場合について、情報記録媒体の作製を行った。Ｘと、記録層１５を構成するＧｅ50Ｔｅ50からなる構成およびＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層の膜厚との関係が以下の通りとなる情報記録媒体を作製した。
【０３８８】
（Ｘ，Ｇｅ50Ｔｅ50，Ｇｅ17Ｓｂ83）＝（２，１．０ｎｍ，９．０ｎｍ）、（２，２．０ｎｍ，８．０ｎｍ）、（３，０．５ｎｍ，９．０ｎｍ）、（３，１．０ｎｍ，８．０ｎｍ）、（５，０．３３ｎｍ，４．５ｎｍ）、（５，０．６７ｎｍ，４．０ｎｍ）、（７，０．２５ｎｍ，３．０ｎｍ）および（７，０．５ｎｍ，２．７ｎｍ）。
【０３８９】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ６−１１７〜６−１２４とする。
【０３９０】
上記の本発明の実施例である情報記録媒体と、従来例１−００１〜１−００３の情報記録媒体と比較した。
【０３９１】
４倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表２７に示す。また４倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表２８に示す。
【０３９２】
【表２７】
2011154781.tif 000029
【０３９３】
【表２８】
2011154781.tif 000030
【０３９４】
表２７、２８に示すように４倍速記録時におけるいずれの特性に関しても、本実施例の全ての情報記録媒体（ディスクＮｏ．６−１０１〜６−１２４）で、従来例１−００１〜１−００３よりも大きく改善した結果が得られた。同様に２倍速記録の評価も行ったが、４倍速記録時と同様、従来例を上回る良好な結果が得られた。
【０３９５】
以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。
【０３９６】
（実施例１１）  ＊Ｓｕｐｅｒ−Ｌａｔｔｉｃｅ  Ｌ３
本実施例では実施の形態７で説明した情報記録媒体（図４参照）の一例を説明する。本実施例では、４つの情報層を有する情報記録媒体において、第４情報層の記録層を実施の形態７に記載の方法で形成した例を示す。以下、本実施例の情報記録媒体の製造方法を説明する。
【０３９７】
第４情報層の記録層３０４を成膜する工程を除き、製造方法は実施例４と同様である。
【０３９８】
記録層３０４については、実施の形態７に記載した方法により形成した。
【０３９９】
以上のように作製された本発明の実施例の情報記録媒体および従来例の情報記録媒体について、実施例４と同様の手法により、２倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率、９Ｔマークの保存性、２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性を評価した。
【０４００】
本実施例の情報記録媒体の一例として、記録層３０４がＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層とＴｅからなる構成層とが交互にＸ番目まで積層された構成で、第１構成層がＧｅ17Ｓｂ83であり、Ｘ＝２、３、５および７の場合について、情報記録媒体の作製を行った。Ｘと、記録層３０４を構成するＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層およびＴｅからなる構成層の膜厚との関係が以下の通りとなる情報記録媒体を作製した。
【０４０１】
（Ｘ，Ｇｅ17Ｓｂ83 ，Ｔｅ）＝（２，２．８ｎｍ，０．２ｎｍ）、（３，１．４ｎｍ，０．２ｎｍ）、（５，０．９ｎｍ，０．１ｎｍ）および（７，０．７ｎｍ，０．０６７ｎｍ）。
【０４０２】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ７−１０１〜７−１０４とする。
【０４０３】
また同様に、記録層３０４がＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層とＧｅ50Ｔｅ50からなる構成層とが交互にＸ番目まで積層された構成で、第１構成層がＧｅ17Ｓｂ83であり、Ｘ＝２、３、５および７の場合について、情報記録媒体の作製を行った。Ｘと、記録層３０４を構成するＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層およびＧｅ50Ｔｅ50からなる構成層との膜厚の関係が以下の通りとなる情報記録媒体を作製した。
【０４０４】
（Ｘ，Ｇｅ17Ｓｂ83 ，Ｔｅ）＝（２，２．６ｎｍ，０．４ｎｍ）、（３，１．３ｎｍ，０．４ｎｍ）、（５，０．９ｎｍ，０．２ｎｍ）および（７，０．６５ｎｍ，０．１３ｎｍ）。
【０４０５】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ７−１０５〜７−１０８とする。
【０４０６】
また同様に、記録層１５がＧｅ50Ｔｅ50からなる構成層とＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層とが交互にＸ番目まで積層された構成で、第１構成層がＧｅ50Ｔｅ50であり、Ｘ＝２、３、５および７の場合について、情報記録媒体の作製を行った。Ｘと、記録層３０４を構成するＧｅ50Ｔｅ50からなる構成層およびＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層の膜厚との関係が以下の通りとなる情報記録媒体の作製を行った。
【０４０７】
（Ｘ，Ｇｅ50Ｔｅ50 ，Ｇｅ17Ｓｂ83）＝（２，０．４ｎｍ，２．６ｎｍ）、（３，０．２ｎｍ，２．６ｎｍ）、（５，０．１３ｎｍ，１．３ｎｍ）および（７，０．１ｎｍ，０．９ｎｍ）。
【０４０８】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ７−１０９〜７−１１２とする。
【０４０９】
上記の本実施例の情報記録媒体と従来例３−００４〜３−００６の情報記録媒体と比較した。
【０４１０】
２倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表２９に示す。また４倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表３０に示す。
【０４１１】
【表２９】
2011154781.tif 000031
【０４１２】
【表３０】
2011154781.tif 000032
【０４１３】
表２９、３０に示すように２倍速記録時におけるいずれの特性に関しても、本実施例の全ての情報記録媒体（ディスクＮｏ．７−１０１〜７−１１２）で、従来例３−００４〜３−００６よりも大きく改善した結果が得られた。
【０４１４】
以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。
【０４１５】
（実施例１２）  ＊Ｓｕｐｅｒ−Ｌａｔｔｉｃｅ  Ｌ１
本実施例では実施の形態８で説明した情報記録媒体（図５参照）の一例を説明する。本実施例では、実施の形態８の情報記録媒体において、第２情報層４２の記録層４０４を実施の形態８に記載の方法で形成した例を示す。以下、本実施例の情報記録媒体の製造方法について説明する。
【０４１６】
第２情報層４２の記録層４０４を成膜する工程を除き、製造方法は実施例６と同様である。
【０４１７】
記録層４０４については、実施の形態８で記載した方法により形成した。
【０４１８】
以上のように作製された本実施例の情報記録媒体および従来例の情報記録媒体について、実施例６と同様の手法により、４倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率、９Ｔマークの保存性、２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性を評価した。
【０４１９】
本実施例の情報記録媒体の一例として、記録層４０４がＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層とＴｅからなる構成層とが交互にＸ番目まで積層された構成で、第１構成層がＧｅ17Ｓｂ83であり、Ｘ＝２、３、５および７の場合について、情報記録媒体の作製を行った。Ｘと、記録層４０４を構成するＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層およびＴｅからなる構成層の膜厚との関係が以下の通りとなる情報記録媒体を作製した。
【０４２０】
（Ｘ，Ｇｅ17Ｓｂ83 ，Ｔｅ）＝（２，５．７ｎｍ，０．３ｎｍ）、（２，５．４ｎｍ，０．６ｎｍ）、（３，２．９ｎｍ，０．３ｎｍ）、（３，２．７ｎｍ，０．６ｎｍ）、（５，１．９ｎｍ，０．１５ｎｍ）、（５，１．８ｎｍ，０．３ｎｍ）、（７，１．４３ｎｍ，０．１ｎｍ）および（７，１．３５ｎｍ，０．２ｎｍ）。
【０４２１】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ８−１０１〜８−１０８とする。
【０４２２】
また同様に、記録層４０４がＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層とＧｅ50Ｔｅ50からなる構成層とが交互にＸ番目まで積層された構成で、第１構成層がＧｅ17Ｓｂ83であり、Ｘ＝２、３、５および７の場合について、情報記録媒体の作製を行った。Ｘと、記録層４０４を構成するＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層およびＧｅ50Ｔｅ50からなる構成層の膜厚との関係が以下の通りとなる情報記録媒体を作製した。
【０４２３】
（Ｘ，Ｇｅ17Ｓｂ83 ，Ｇｅ50Ｔｅ50）＝（２，５．５ｎｍ，０．５ｎｍ）、（２，５．０ｎｍ，１．０ｎｍ）、（３，２．８ｎｍ，０．５ｎｍ）、（３，２．５ｎｍ，１．０ｎｍ）、（５，１．８ｎｍ，０．２５ｎｍ）、（５，１．７ｎｍ，０．５ｎｍ）、（７，１．３８ｎｍ，０．１７ｎｍ）および（７，１．２５ｎｍ，０．３３ｎｍ）。
【０４２４】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ８−１０９〜８−１１６とする。
【０４２５】
また同様に、記録層４０４がＧｅ50Ｔｅ50からなる構成層とＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層とが交互にＸ番目まで積層された構成で、第１構成層がＧｅ50Ｔｅ50であり、Ｘ＝２、３、５および７の場合について、情報記録媒体の作製を行った。Ｘと、記録層４０４を構成するＧｅ50Ｔｅ50からなる構成層およびＧｅ17Ｓｂ83からなる構成層の膜厚との関係が以下の通りとなる情報記録媒体を作製した。
【０４２６】
（Ｘ，Ｇｅ50Ｔｅ50 ，Ｇｅ17Ｓｂ83）＝（２，０．５ｎｍ，５．５ｎｍ）、（２，１．０ｎｍ，５．０ｎｍ）、（３，０．２５ｎｍ，５．５ｎｍ）、（３，１．０ｎｍ，５．０ｎｍ）、（５，０．１７ｎｍ，２．８ｎｍ）、（５，０．３３ｎｍ，２．５ｎｍ）、（７，０．１３ｎｍ，１．８３ｎｍ）および（７，０．２５ｎｍ，１．６７ｎｍ）。
【０４２７】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ８−１１７〜８−１２４とする。
【０４２８】
上記の情報記録媒体８と従来例４−００４〜４−００６と比較した。
【０４２９】
４倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表３１に示す。また４倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表３２に示す。
【０４３０】
【表３１】
2011154781.tif 000033
【０４３１】
【表３２】
2011154781.tif 000034
【０４３２】
表３１、３２に示すように４倍速記録時におけるいずれの特性に関しても、本実施例にの全ての情報記録媒体（ディスクＮｏ．８−１０１〜８−１２４）で、従来例４−００４〜４−００６よりも大きく改善した結果が得られた。同様に２倍速記録の評価も行ったが、４倍速記録時と同様、従来例を上回る良好な結果が得られた。
【０４３３】
以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。
【０４３４】
（実施例１３）  ＊Ｓｕｐｅｒ−Ｌａｔｔｉｃｅ  Ｌ１  Ｍ挿入
本実施例では実施の形態８で説明した情報記録媒体（図５参照）の一例を説明する。本実施例では、第２情報層４２の記録層４０４の第３構成層が、元素Ｍ（但し、ＭはＮ、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙより選ばれる少なくとも１つの元素）を含む情報記録媒体を、実施の形態８に記載の方法で作製した。以下、本実施例の情報記録媒体の製造方法について説明する。
【０４３５】
情報記録媒体の第２情報層４２の記録層４０４を成膜する工程を除き、製造方法は実施例６と同様である。
【０４３６】
記録層４０４については、実施の形態８で記載した方法により形成した。
【０４３７】
以上のように作製された本実施例の情報記録媒体および従来例の情報記録媒体について、実施例６と同様の手法により、４倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率、９Ｔマークの保存性、２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性を評価した。
【０４３８】
本実施例の情報記録媒体の一例として、記録層４０４が、Ｇｅ17Ｓｂ83からなる構成層、Ｔｅからなる構成層、元素Ｍを含む金属・半導体からなる構成層が、この順に第１構成層から積層された情報記録媒体の作製を行った。第１構成層および第４構成層のＧｅ17Ｓｂ83の膜厚は２．８ｎｍ、第２構成層および第５構成層のＴｅの膜厚は０．１ｎｍ、第３構成層の膜厚は０．３ｎｍとした。第３構成層として、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ50Ｔｅ50、Ｉｎ40Ｔｅ60、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴｂおよびＤｙを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ８−２０１〜８−２１７とする。これらの情報記録媒体と比較するため、ＣａおよびＩｒを適用したもの（ディスクＮｏ．８−００１および８−００２）を作製した。
【０４３９】
４倍速記録における９Ｔマークの変調度、９Ｔマークの消去率および９Ｔマークの保存性の評価結果を表３３に示す。また４倍速記録における２ＴマークのＣＮＲ、２Ｔマークの消去率および２Ｔマークの保存性の評価結果を表３４に示す。
【０４４０】
【表３３】
2011154781.tif 000035
【０４４１】
【表３４】
2011154781.tif 000036
【０４４２】
表３３、３４に示すように４倍速記録時におけるいずれの特性に関しても、本実施例の全ての情報記録媒体（ディスクＮｏ．８−２０１〜８−２１７）で、比較例８−００１および８−００２よりも良好な特性が得られた。同様に２倍速記録の評価も行ったが、４倍速記録時と同様、比較例より良好な特性が得られた。
【０４４３】
以上のように、本発明において、良好な特性を有する情報記録媒体が得られた。
【０４４４】
（実施例１４）  ＊電気メモリ
本実施例では図８に示す電気的情報記録媒体（メモリ）８６の一例を説明する。
【０４４５】
以下、本実施例の情報記録媒体の作製方法である。
【０４４６】
基板８１として、表面を窒化処理したＳｉ基板を準備し、その上に下部電極８２としてＰｔを面積６μｍ×６μｍで厚さ０．１μｍ、第１の界面層８０１として（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50を４．５μｍ×５μｍで厚さ０．０１μｍ、第１の記録層８３を面積５μｍ×５μｍで厚さ０．１μｍ、第２の界面層８０２として（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50を４．５μｍ×５μｍで厚さ０．０１μｍ、第３の界面層８０３として（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50を４．５μｍ×５μｍで厚さ０．０１μｍ、第２の記録層８４を面積５μｍ×５μｍで厚さ０．１μｍ、第４の界面層８０４として（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）15（Ｃｒ2Ｏ3）50を４．５μｍ×５μｍで厚さ０．０１μｍ、上部電極８５としてＰｔを面積５μｍ×５μｍで厚さ０．１μｍに順次スパッタリング法により積層した。第１の界面層８０１、第２の界面層８０２、第３の界面層８０３および第４の界面層８０４は絶縁体である。従って、第１の記録層８３および第２の記録層８４に電流を流すため、第１の界面層８０１、第２の界面層８０２、第３の界面層８０３および第４の界面層８０４を第１の記録層８３および第２の記録層８４より小さい面積で成膜し、下部電極８２、第１の記録層８３、第２の記録層８４および上部電極８５が接する部分を設けている。
【０４４７】
その後、下部電極８２および上部電極８５にＡｕリード線をボンディングし、印加部８７を介して電気的情報記録再生装置９２を電気的情報記録媒体８６に接続した。この電気的情報記録再生装置９２により、下部電極８２と上部電極８５の間には、パルス電源９０がスイッチ８９を介して接続され、さらに、第１の記録層８３および第２の記録層８４の相変化による抵抗値の変化が、下部電極８２と上部電極８５の間にスイッチ９１を介して接続された抵抗測定器８８によって検出される。
【０４４８】
ここで、本実施例の情報記録媒体８６の一例として、第１の記録層８３および第２の記録層８４に、図１に示す三角座標上で、座標（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）おいて、（ｘ，ｙ，ｚ）＝ａ（３５，６５，０）、ｂ（３６．９，６０，３．１）、ｃ（３．２，６０，３６．８）、ｄ（５，９５，０）、（１）（３０，７０，０）、（２）（３０，６５，５）、（３）（１９，６２，１９）、（４）（１１，６２，２７）、（５）（５，７５，２０）、（６）（７．５，９０，２．５）、ｅ（２５，７５，０）、ｆ（２５，６５，１０）、ｇ（７．２，６５，２７．８）、ｈ（１０，９０，０）、（７）（２２．５，７７．５，０）、（８）（２３，７０，７）、（９）（１６，６８，１６）、（１０）（１２，６８，２０）、（１１）（１２．５，７５，１２．５）、（１２）（１２，８１，７）、（１３）（１３，８７，０）、ｊ（２０．９，７０，９．１）、ｋ（１１．８，７０，１８．２）、ｍ（１４．５，８５．５，０）、ｎ（２０，８０，０）、（１４）（１８，８２，０）、（１５）（２０，７５，５）、（１６）（１５，７０，１５）、（１７）（１４，７９，７）、（１８）（１７，７８，５）としたものをそれぞれに適用した。
【０４４９】
結果として、第１の記録層８３および第２の記録層８４のいずれにおいても、それぞれを結晶状態と非晶質状態との間で電気的に可逆変化させることができた。また、電気的情報記録媒体８６の繰り返し書換え回数を測定したところ、第１の記録層８３および第２の記録層８４のいずれにおいても、書換え回数１０10回以上の結果が得られ、電気的情報記録媒体として、良好な特性を有していることがわかった。
【０４５０】
以上、本発明の実施の形態について例を取り上げ説明したが、前述したように本発明は上記の実施の形態に限定されず本発明の技術発想に基づいて他の実施の形態にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０４５１】
本発明の情報記録媒体とその製造方法は、優れた記録層材料を有し、高速記録可能で大容量な光学的情報記録媒体として、例えばＢｌｕ−ｒａｙ  ＤｉｓｃやＤＶＤ−ＲＡＭのようなＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）に有用である。また、直径６ｃｍや８ｃｍのような小径ディスクに応用することもできる。さらに、電気的情報記録媒体として、電気的なスイッチング素子としても有用である。
【符号の説明】
【０４５２】
１、２、３、４、５、７５    光学的情報記録媒体
１１、５３、８１    基板
１２、３０２、４０２    反射層
１３、３０３、４０３    第２の誘電体層
１４、８０２    第２の界面層
１５、３０４、４０４    記録層
１６、３０５、４０５、８０１    第１の界面層
１７、３０６、４０６    第１の誘電体層
１８    カバー層
１９    エネルギービーム（レーザ光）
３１、３３、３６、３８    情報層
３２、３４、３５、３７    光学分離層
３０１、４０１    透過率調整層
５１    ダミー基板
５２    接着層
９    記録再生装置
７１    スピンドルモータ
７２    半導体レーザ
７３    光学ヘッド
７４    対物レンズ
７６    レーザ光
８２    下部電極
８３    第１の記録層
８４    第２の記録層
８５    上部電極
８０１    第１の界面層
８０２    第２の界面層
８０３    第３の界面層
８０４    第４の界面層
８６、９３    電気的情報記録媒体
８７    印加部
８８、１０１    抵抗測定器
８９、９１    スイッチ
９０、１００    パルス電源
９２    電気的情報記録再生装置
９４    ワード線
９５    ビット線
９６    メモリセル
９７    アドレス指定回路
９８    記憶装置
９９    外部回路
【図１】
2011154781.tif 000037
【図２】
2011154781.tif 000038
【図３】
2011154781.tif 000039
【図４】
2011154781.tif 000040
【図５】
2011154781.tif 000041
【図６】
2011154781.tif 000042
【図７】
2011154781.tif 000043
【図８】
2011154781.tif 000044
【図９】
2011154781.tif 000045
【図１０】
2011154781.tif 000046
【図１１】
2011154781.tif 000047
【図１２】
2011154781.tif 000048