(57)【要約】      （修正有）【課題】高電圧印加時にフィールドプレート構造端に集中する電界強度を緩和し、高耐圧で信頼性の高い窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】フィールドプレート構造を備えた窒化物半導体装置において、ゲート電極１８に、オフ制御の制御電圧を印加するとき、フィールドプレート構造の傾斜面部直下の窒化物半導体層中１３にはキャリアが存在しないようにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ガリウム、アルミニウム、ホウ素およびインジウムからなる群のうち少なくとも１つからなるIII族元素と、窒素、リンおよび砒素からなる群の少なくとも窒素を含むＶ族元素とで構成されたIII−Ｖ族窒化物半導体からなる窒化物半導体層表面に、該窒化物半導体層にショットキ接触する、あるいは絶縁膜を介して接触する第１の電極と、該第１の電極に印加する制御電圧によって、一方の電極から他方の電極へ流れる電流を制御される少なくとも２つの第２の電極と、前記第１の電極と連続し、第２の電極のいずれか一方の電極側に延出するフィールドプレート構造を備えた窒化物半導体装置において、
前記フィールドプレート構造は、前記第１の電極が前記窒化物半導体層と直接、あるいは絶縁膜を介して接触する開口部と該開口部につながる傾斜面部とを備えた絶縁膜上に、前記傾斜部を被覆するように前記第１の電極が積層形成された構造であり、
前記第１の電極に、オフ制御の前記制御電圧を印加するとき、前記フィールドプレート構造の傾斜面部直下の前記窒化物半導体層中にはキャリアが存在しないことを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の窒化物半導体装置において、
ｄ≧Ｖ／Ｅ  かつ  Ｎｓ≦Ｅ・εｒ・５．５３×１０5
ここで、ｄは絶縁膜の厚さ、Ｖはオフ制御時の制御電圧、Ｅは絶縁膜に加わる電界強度、Ｎｓはシートキャリア濃度、εｒは絶縁膜の誘電率
を満足することを特徴とする窒化物半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、III−Ｖ族窒化物半導体層を用いた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）やショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）等のような高電力用スイッチング素子として用いられる窒化物半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８は、従来のIII−Ｖ族窒化物半導体からなる窒化物半導体装置の断面図である。図８に示す窒化物半導体装置は、いわゆるＨＥＭＴ構造を示しており、サファイア基板等からなる基板３１上に、窒化ガリウムからなるバッファ層３２、窒化ガリウムからなるチャネル層３３、ノンドープの窒化アルミニウムガリウムからなるショットキ層３４が順次積層した構造となっている。チャネル層３３とショットキ層３４とからなるヘテロ接合界面近傍には、ポテンシャル井戸からなる電子移動度が極めて大きい２次元電子ガス層が形成されている。このような構造の窒化物半導体装置では、ショットキ層３４にショットキ接触するゲート電極３８に印加する電圧を制御することにより、ソース電極３５ａとドレイン電極３５ｂとの間に流れるキャリアを制御している。３６は、酸化珪素（ＳｉＯ2）からなるキャップ層である。
【０００３】
図８に示すような従来構造の窒化物半導体装置の耐圧は、ゲート金属と窒化物半導体層との接触で形成されるショットキ特性、２次元電子ガス濃度に左右されている。一般的に窒化物半導体層、例えば窒化アルミニウムガリウム層や窒化ガリウム層上に形成されるゲート金属のショットキ特性は、高いゲートリーク電流がみられ、これが衝突イオン化のトリガーとなり、高出力素子の窒化物半導体装置の重要なパラメータであるオフ耐圧（電界効果トランジスタがオフ状態でのドレイン耐圧）を予想される数値よりも低下させ、ワイドギャップ材料の高耐圧という特性を十分に引き出すことができないという問題点があった。また、窒化物半導体層の表面準位にトラップされる電子により、表面のポテンシャルが揺らぎ、電流−電圧特性の周波数分散（電流コラプス）が生じるという問題があった。
【０００４】
そこで、図９に示すようなΓ型のフィールドプレート構造を用いることで、耐圧が改善されることが知られている。従来のフィールドプレート構造は、ゲート電極３８の一部が、酸化珪素層３６上でドレイン電極３５ｂ側に延出する構造となっている（例えば、特許文献１）。なお、図９では、ゲート電極３８がショットキ層３４に接触する開口部の側壁がほぼ垂直な構造としているが、なだらかに傾斜する場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２００２４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、大電力用のスイッチ素子として用いられる窒化物半導体装置では、図９に示すような従来のフィールドプレート構造を備えていても、十分ではない。例えば、従来の窒化物半導体装置では、ドレイン電極に電圧Ｖを印加するとき、ドレイン電極側のゲート電極３８端に加わる電界強度Ｅは、Ｅ≧Ｖ／ｄで表すことができる。ここで、ｄは酸化珪素層３６の厚さである。
【０００７】
スイッチング動作において、オフ状態の場合、最大定格６００Ｖで、酸化珪素層３６の厚さが１μｍ、２次元電子ガス濃度（シートキャリア密度）が１．５×１０13ｃｍ-2とすると、フィールドプレート構造と２次元電子ガスとの間に、少なくとも６×１０6Ｖ／ｃｍの電界が印加されることになる。一方、従来の窒化物半導体装置では、オフ状態において、フィールドプレート構造直下に、２次元電子ガスが残った状態となっている。そのため、スイッチング動作を繰り返す毎に、印加される高電界により電子が徐々に酸化珪素層３６に注入され、最後には絶縁破壊してしまうという問題点があった。
【０００８】
本発明は上記問題点を解消し、高電圧印加時にフィールドプレート構造端に集中する電界強度を緩和し、高耐圧で信頼性の高い窒化物半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本願請求項１に係る発明は、基板上に、ガリウム、アルミニウム、ホウ素およびインジウムからなる群のうち少なくとも１つからなるIII族元素と、窒素、リンおよび砒素からなる群の少なくとも窒素を含むＶ族元素とで構成されたIII−Ｖ族窒化物半導体からなる窒化物半導体層表面に、該窒化物半導体層にショットキ接触する、あるいは絶縁膜を介して接触する第１の電極と、該第１の電極に印加する制御電圧によって、一方の電極から他方の電極へ流れる電流を制御される少なくとも２つの第２の電極と、前記第１の電極と連続し、第２の電極のいずれか一方の電極側に延出するフィールドプレート構造を備えた窒化物半導体装置において、前記フィールドプレート構造は、前記第１の電極が前記窒化物半導体層と直接、あるいは絶縁膜を介して接触する開口部と該開口部につながる傾斜面部とを備えた絶縁膜上に、前記傾斜部を被覆するように前記第１の電極が積層形成された構造であり、前記第１の電極に、オフ制御の前記制御電圧を印加するとき、前記フィールドプレート構造の傾斜面部直下の前記窒化物半導体層中にはキャリアが存在しないことを特徴とする。
【００１０】
また本願請求項２に係る発明は、請求項１記載の窒化物半導体装置において、ｄ≧Ｖ／Ｅ  かつ  Ｎｓ≦Ｅ・εｒ・５．５３×１０5（ここで、ｄは絶縁膜の厚さ、Ｖはオフ制御時の制御電圧、Ｅは絶縁膜に加わる電界強度、Ｎｓはシートキャリア濃度、εｒは絶縁膜の誘電率）を満足することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
ゲート電極に、オフ制御の制御電圧を印加するとき、フィールドプレート構造の傾斜部直下の窒化物半導体層中にキャリアが存在しないように、絶縁膜の厚さ、シートキャリア濃度を設定することで、高電界による絶縁膜中へのキャリアの注入が抑えられ、高耐圧で信頼性の高い窒化物半導体装置を得ることができる。
【００１２】
具体的には、オフ耐圧が１５００Ｖ、スイッチング動作における平均故障時間（ＭＴＴＦ；Mean Time To Failure）が従来構造の２倍の窒化物半導体装置を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施例の窒化物半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の窒化物半導体装置の製造方法の説明図である。
【図３】本発明の第２の実施例の窒化物半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の第３の実施例の窒化物半導体装置の断面図である。
【図５】本発明の第４の実施例の窒化物半導体装置の断面図である。
【図６】本発明の第４の実施例の窒化物半導体装置の製造方法の説明図である。
【図７】本発明の第５の実施例の窒化物半導体装置の断面図である。
【図８】従来の窒化物半導体装置の説明図である。
【図９】従来のこの種のフィールドプレート構造を備えた窒化物半導体装置の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、オフ制御時に、フォールドプレート構造直下の窒化物半導体層中にキャリアが存在しない状態とすることが大きな特徴である。ここで、キャリアが存在しないようにするために、フィールドプレート構造を構成する絶縁膜（以下の実施例では酸化珪素層）の厚さｄ、シートキャリア濃度Ｎｓを適宜設定することになる。即ち、
ｄ≧Ｖ／Ｅ  かつ  Ｎｓ≦Ｅ・εｒ・５．５３×１０5
を満たすように、絶縁膜の厚さｄとシートキャリア濃度Ｎｓを設定する。
なお、Ｖはオフ制御時の制御電圧、Ｅは絶縁膜に加わる電界強度、εｒは絶縁膜の誘電率をそれぞれ示している。
【００１５】
当然ながら、絶縁膜の厚さの上限およびシートキャリア濃度の下限は、窒化物半導体装置が所望の動作を行う範囲で決まることになる。
以下、実施例に従い、詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、本発明の第１の実施例の窒化物半導体装置の断面図で、ゲート電極１８にオフ制御のための制御電圧が印加されている状態を示している。即ち、フィールドプレート構造直下の窒化物半導体層中にキャリアが存在しない状態となっている。このような構造の窒化物半導体装置は、次のように形成される。以下、図２に従い、製造方法について詳述する。
【００１７】
まず、サファイア基板等からなる基板１１上に、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学的気相堆積）法、ＭＢＥ（電子ビームエピタキシャル）法等により、厚さ３０ｎｍ程度の低温成長窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるバッファ層１２、厚さ３．０μｍのノンドープ窒化ガリウムからなるチャネル層１３、チャネル層１３のエネルギーギャップより大きいエネルギーギャップを有する厚さ２５ｎｍのノンドープ窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ）からなるショットキ層１４を積層形成する。このような構造とすることで、チャネル層１３とショットキ層１４との界面に、ピエゾ電界によりキャリアとなる電子が蓄積し、２次元電子ガスからなるチャネルが形成される（図２ａ）。ここで、２次元電子ガス濃度は、例えば、６×１０12ｃｍ-2となるように、チャネル層１３、ショットキ層１４の厚さやアルミニウム組成比を適宜設定する。
【００１８】
次に、リフトオフ法により、ショットキ層１４上にチタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）からなる金属膜を積層した後、６５０℃、３０秒の急速加熱を行い、ショットキ層１４にオーミック接触するソース電極１５ａ、ドレイン電極１５ｂを形成する（図２ｂ）。
【００１９】
全面に、厚さ３μｍで不純物をドープしていない酸化珪素層１６ａと厚さ０．１μｍで、例えば不純物としてリンをドープした酸化珪素層１６ｂ積層形成する（図２ｂ）。酸化珪素層は、例えばプラズマＣＶＤ法により形成することができ、酸化珪素層１６ａは、シラン系ガスと亜酸化窒素ガスを反応ガスとして用いて積層形成することができ、リンをドープした酸化珪素層１６ｂは、さらにテトラメチルホスフィド（ＴＭＰ）ガスを微量に混入することで形成することができる。
【００２０】
酸化珪素層１６上に、フォトレジスト等のマスク材１７を形成し、ソース電極１５ａ、ドレイン電極１５ｂ間のゲート電極形成予定領域を開口するようにパターニングする。その後、マスク材１７をエッチングマスクとして使用し、リンをドープした酸化珪素層１６ｂおよび酸化珪素層１６ａを凹状に除去し、その底部にショットキ層１４を露出させる（図２ｄ）。
【００２１】
ここで、エッチング液としてバッファードフッ酸を使用する。このバッファードフッ酸は、不純物をドープしていない酸化珪素のエッチングレートと不純物をドープした酸化珪素のエッチングレートが大きく異なり、不純物をドープした酸化珪素のエッチングレートが大きいことが知られている。そのため、マスク材１７の直下のリンをドープした酸化珪素層１６ｂが開口を拡げる方向に早くエッチングされ、露出した酸化珪素層１６ａのエッチングが進み、凹部の断面形状は緩やかな傾斜部（傾斜角度が約２０度）を有することになる。
【００２２】
マスク材１７を除去し、通常のフォトリソグラフ法により、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の積層体等からなるゲート電極１８を形成する。このゲート電極１８は、ショットキ層１４にショットキ接触している。また図２（ｅ）に示すように、緩やかな傾斜部上を被覆する構造とすることで、電界集中を緩和するフィールドプレート構造が形成されている。
【００２３】
本発明は、酸化珪素層１６ａの厚さ、あるいは２次元電子ガス濃度、あるいは酸化珪素層１６ａの厚さ及び２次元電子ガス濃度を適宜設定し、オフ動作とするためゲート電極１８に制御電圧を印加するとき、ゲート電極１８直下にキャリアとなる電子（図中点線で示す）が存在しない状態とする。即ち、酸化珪素層１６ａの厚さが薄い程、あるいは２次元電子ガス濃度を小さい程、制御電圧が小さい状態で、ゲート電極１８直下にキャリアとなる電子が存在しない状態とすることができる。
【００２４】
その結果、酸化珪素層１６ａ、１６ｂに印加される電界強度は、ゲート電圧に６００Ｖ印加時においても、２×１０6Ｖ／ｃｍと十分に低減することができた。さらにスイッチング動作における信頼性が改善され、平均故障時間（ＭＴＴＦ）は従来の２倍以上になり、信頼性向上を図ることができた。
【実施例２】
【００２５】
次に第２の実施例について説明する。図３は、本発明の第２の実施例の窒化物半導体装置の断面図である。前述の第１の実施例同様、サファイア基板等からなる基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法等により、厚さ３０ｎｍ程度の低温成長窒化ガリウムからなるバッファ層１２、厚さ３．０μｍのノンドープ窒化ガリウムからなるチャネル層１３、チャネル層１３のエネルギーギャップより大きいエネルギーギャップを有する厚さ２５ｎｍのノンドープ窒化アルミニウムガリウムからなるショットキ層１４を積層形成する。このような構造とすることで、チャネル層１３とショットキ層１４との界面に、ピエゾ電界によりキャリアとなる電子が蓄積し、二次元電子ガスからなるチャネルが形成される（図２ａ）。ここで、２次元電子ガス濃度は、例えば、６×１０12ｃｍ-2となるように、チャネル層１３、ショットキ層１４の厚さやアルミニウム組成比を適宜設定する。
【００２６】
次に、リフトオフ法により、ショットキ層１４上にチタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）からなる金属膜を積層した後、６５０℃、３０秒の急速加熱を行い、ショットキ層１４にオーミック接触するソース電極１５ａ、ドレイン電極１５ｂを形成する（図２ｂ）。
【００２７】
全面に、厚さ３μｍで不純物をドープしていない酸化珪素層１６ａと厚さ０．１μｍで、例えば不純物としてリンをドープした酸化珪素層１６ｂを積層形成する（図２ｂ）。酸化珪素層は、例えばプラズマＣＶＤ法により形成することができ、酸化珪素層１６ａは、シラン系ガスと亜酸化窒素ガスを反応ガスとして用いて積層形成することができ、リンをドープした酸化珪素層１６ｂは、さらにテトラメチルホスフィド（ＴＭＰ）ガスを微量に混入することで形成することができる。
【００２８】
酸化珪素層１６上に、フォトレジスト等のマスク材１７を形成し、ソース電極１５ａ、ドレイン電極１５ｂ間のゲート電極形成予定領域を開口するようにパターニングする。その後、マスク材１７をエッチングマスクとして使用し、リンをドープした酸化珪素層１６ｂおよび酸化珪素層１６ａを凹状に除去する。ここで本実施例では、酸化珪素層１６ａを完全に除去せず、凹状部の底部に酸化珪素層１６ａを２０ｎｍ以下で残すようにする。
【００２９】
ここで、エッチング液としてバッファードフッ酸を使用する。このバッファードフッ酸は、不純物をドープしていない酸化珪素のエッチングレートと不純物をドープした酸化珪素のエッチングレートが大きく異なり、不純物をドープした酸化珪素のエッチングレートが大きいことが知られている。そのため、マスク材１７の直下のリンをドープした酸化珪素層１６ｂが開口を拡げる方向に早くエッチングされ、露出した酸化珪素層１６ａのエッチングが進み、凹部の断面形状は、緩やかな傾斜部（傾斜角度が約２０度）を有することになる。またバッファードフッ酸の酸化珪素層１６ａに対するエッチングレートは、制御可能な程度に遅く、エッチング時間を制御することで、所望の厚さの酸化珪素層１６ａを凹状部の底部に残すことが可能となる。
【００３０】
マスク材１７を除去し、通常のフォトリソグラフ法により、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の積層体等からなるゲート電極１８を形成する。このゲート電極１８は、薄く残る酸化珪素層１６ａを介してショットキ層１４にショットキ接触している。また図３に示すように、緩やかな傾斜部上を被覆する構造とすることで、電界集中を緩和するフィールドプレート構造が形成されている。
【００３１】
本発明においても、酸化珪素層１６ａの厚さ、あるいは２次元電子ガス濃度、あるいは酸化珪素層１６ａの厚さ及び２次元電子ガス濃度を適宜設定し、オフ動作とするためゲート電極１８に制御電圧を印加するとき、ゲート電極１８直下にキャリアとなる電子（図中点線で示す）が存在しない状態とする。
【００３２】
その結果、酸化珪素層１６ａに印加される電界強度は、ゲート電圧に６００Ｖ印加時においても、２×１０6Ｖ／ｃｍと十分に低減することができた。さらに特にゲート絶縁膜を備える構造とすることでゲートリーク電流が減少し、電流コラプス減少も抑制された。さらにまた、スイッチング動作における信頼性が改善され、平均故障時間（ＭＴＴＦ）は従来の２倍以上になり、信頼性向上を図ることができた。
【実施例３】
【００３３】
次に第３の実施例について説明する。図４は、本発明の第３の実施例の窒化物半導体装置の断面図である。上述の第２の実施例において、酸化珪素層１６ａを形成する前に、ショットキ層１４の一部を除去して凹部形状として、その後、酸化珪素層１６ａ、１６ｂを形成し、上述の方法によりフィールドプレート構造を形成することも可能である。その場合、ゲート電極に印加する制御電圧が０Ｖの場合にも、開口部直下の２次元電子ガスは存在しない状態となり、ノーマリーオフ動作が可能となる。なお、ショットキ層１４の全部を除去し、凹部形状の底面部にチャネル層１３が露出する構造とすることも可能である。
【実施例４】
【００３４】
次に、第４の実施例について説明する。図５は、本発明の第４の実施例の窒化物半導体装置の断面図である。この構造の窒化物半導体装置は、次のように形成される。以下、図６に従い、製造方法について詳述する。
【００３５】
まず、シリコン基板からなる基板２１上に、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法等により、主に窒化アルミニウムと窒化ガリウムの積層構造からなる厚さ３．０μｍのバッファ層２２、厚さ１．０μｍ程度のｐ型窒化ガリウムからなる動作層２３をエピタキシャル成長する。ｐ型ドーパントとしては、熱処理後のホールキャリア濃度が１×１０15ｃｍ-3〜５×１０17ｃｍ-3程度となるようにマグネシウム（Ｍｇ）をドーピングする（図６ａ）。
【００３６】
次に所望のマスク材を形成し、シリコン等のｎ型ドーパントをイオン注入し、ソースコンタクト領域２４ａ及びドレインコンタクト領域２４ｂを形成する。次に別のマスク材を形成し、同様に、ｎ型のＲＥＳＵＲＦ領域２５を形成する。このＲＥＳＵＲＦ領域２５は、イオン注入法により、加速エネルギーを所定の値に設定することで、深さを３０ｎｍ程度とし、ドーズ量は設定するシートキャリア密度と同等量の６×１０12ｃｍ-2程度として形成し、活性化のための熱処理を行い形成される（図６ｂ）。
【００３７】
次に、ソースコンタクト領域２４ａ、ドレインコンタクト領域２４ｂ上に、チタン／アルミニウム等のリフトオフ法により形成し、６５０℃、３０秒間の急速加熱を行い、ソースコンタクト領域２４ａ、ドレインコンタクト領域２４ｂにそれぞれオーミック接触するソース電極２６ａ、ドレイン電極２６ｂを形成する（図６ｃ）。
【００３８】
全面に、厚さ３μｍで不純物をドープしていない酸化珪素層２７ａと、厚さ０．１μｍで、例えば不純物としてリンをドープした酸化珪素層２７ｂを積層形成する（図６ｄ）。酸化珪素層は、例えばプラズマＣＶＤ法により形成することができ、酸化珪素層２７ａは、シラン系ガスと亜酸化窒素ガスを反応ガスとして用いることができ、リンをドープした酸化珪素層２７ｂは、さらにテトラメチルホスフィド（ＴＭＰ）ガスを微量に混合することで形成することができる。
【００３９】
酸化珪素層２７上に、フォトレジスト等のマスク材を形成し、ソース電極２６ａ、ドレイン電極２６ｂ間のゲート電極形成予定領域を開口するようにパターニングする。その後、マスク材をエッチングマスクとして使用し、リンをドープした酸化珪素層２７ｂおよび酸化珪素層２７ａを凹状に除去する。ここで、本実施例では、酸化珪素層２７ａを完全に除去せず、凹状部の底部に酸化珪素層２６ａを２０ｎｍ以下で残すようにする。
【００４０】
ここで、エッチング液としてバッファードフッ酸を使用する。このバッファードフッ酸は、不純物をドープしていない酸化珪素のエッチングレートと不純物をドープした酸化珪素のエッチングレートが大きく異なり、不純物をドープした酸化珪素のエッチングレートが大きいことが知られている。そのため、マスク材の直下のリンをドープした酸化珪素層２７ｂが開口を拡げる方向に早くエッチングされ、露出した酸化珪素層２７ａのエッチングが進み、凹部の断面形状は、緩やかな傾斜部（傾斜角度が約２０度）を有することになる。またバッファードフッ酸の酸化珪素層２７ａに対するエッチングレートは、制御可能な程度に遅く、エッチング時間を制御することで、所望の厚さの酸化珪素層２７ａを凹状部の底部に残すことが可能となる。
【００４１】
マスク材を除去し、通常のフォトリソグラフ法により、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の積層体等からなるゲート電極２８を形成する（図６ｅ）。このゲート電極２８は、薄く残る酸化珪素層２７ａを介して動作層２３にショットキ接触している。また図６（ｅ）に示すように、緩やかな傾斜部上を被覆する構造とすることで、電界集中を緩和するフィールドプレート構造が形成されている。
【００４２】
本実施例においては、ＲＥＳＵＲＦ領域２５のシートキャリア濃度を適宜設定し、オフ動作とするためゲート電極２８に制御電圧を印加するとき、ゲート電極２８直下の動作層２３およびＲＥＳＵＲＦ領域２５にキャリアが存在しない状態とする。その結果、酸化珪素層２７に印加される電界強度は、ゲート電圧に６００Ｖ印加時においても２×１０6Ｖ／ｃｍと十分に低減することができた。さらに特にゲート絶縁膜を備える構造とすることでゲートリーク電流が減少し、電流コラプス減少も抑制された。さらにまた、スイッチング動作における信頼性が改善され、平均故障時間（ＭＴＴＦ）は従来の２倍以上になり、信頼性向上を図ることができた。
【実施例５】
【００４３】
次に第５の実施例について説明する。図７は、本発明の第５の実施例の窒化物半導体装置の断面図である。前述の第４の実施例では、ＲＥＳＵＲＦ領域２５をイオン注入法により形成したが、図７に示すように、ＧａＮ層を選択成長して形成することも可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１１、２１、３１：基板、１２、２２、３２；バッファ層、１３、３３：チャネル層、１４、３４：ショットキ層、１５ａ、２６ａ、３５ａ：ソース電極、１５ｂ、２６ｂ、３５ｂ：ドレイン電極、１６ａ、２７ａ：酸化珪素層、１６ｂ、２７ｂ：リンをドープした酸化珪素層、１７：マスク材、１８、２８、３８；ゲート電極、２３：動作層、２４ａ：ソースコンタクト領域、２４ｂ：ドレインコンタクト領域、２５：ＲＥＳＵＲＦ領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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