(57)【要約】      （修正有）【課題】配線が露出しない配線基板を備える、信頼性の高い、安定して形成できる半導体装置を提供する。【解決手段】配線基板２０の一主面の外周縁部Ｘより内側に、配線２２、及び配線２２を被覆する保護層６１を配設し、配線２２及び保護層６１が配設されない外周縁部Ｘに、絶縁シート８０を周設する。配線基板２０の一主面側に半導体素子４０を搭載して配線２２に電気的に接続し、半導体素子４０の搭載面側を封止樹脂９０で封止する。【選択図】図１
2011009443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１主面の外周縁部より内側に配設された第１配線と、
前記第１主面の外周縁部より内側に配設され、前記第１配線を被覆する第１絶縁層と、
前記第１主面の外周縁部に周設された第２絶縁層と、
前記基板の上方に配設され、前記第１配線に電気的に接続された半導体素子と、
前記半導体素子を封止する樹脂と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子は、前記第１主面の上方に配設されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子は、前記基板の第２主面の上方に配設されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２絶縁層は、前記第１配線と前記第１絶縁層との積層部の厚さと同等の厚さであることを特徴とする請求項１乃至３に記載の半導体装置。
【請求項５】
基板の第１主面における第１領域の外周縁部より内側に、第１配線と、前記第１配線を被覆する第１絶縁層とを配設する工程と、
前記第１領域の外周縁部に第２絶縁層を周設する工程と、
半導体素子を、前記第１領域の上方に配設し、前記第１配線に電気的に接続する工程と、
前記半導体素子を樹脂で封止する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂による封止後に、前記第１領域の外周縁部内の位置でダイシングを行う工程を更に含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
基材と、
前記基材の第１主面における第１領域の外周縁部より内側に配設された第１配線と、
前記第１領域の外周縁部より内側に配設され、前記第１配線を被覆する第１絶縁層と、
前記第１領域の外周縁部に周設された第２絶縁層と、
を有することを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を含む半導体装置及びその製造方法、並びに半導体素子が搭載される配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器には、配線等の導電パターンを形成した配線基板（パッケージ基板）に半導体素子（半導体チップ）を搭載し、当該半導体素子を封止樹脂で封止した半導体装置（半導体パッケージ）が広く利用されている。
【０００３】
当該半導体装置に用いられる配線基板の導電パターン形成方法のひとつに、電解めっき技術を利用する方法がある。
配線基板の導電パターンを電解めっきにより形成する場合には、例えば、配線基板を形成する領域（配線基板領域）を含むシート状基板が用いられる。当該シート状基板に、配線基板領域から引き出された引き出し線を設け、更に、当該引き出し線に接続された給電線を配線基板領域外に設ける。電解めっき時には、当該給電線から、引き出し線を介して、配線基板領域に電流が供給され、配線基板領域内の電解めっきが行われる。電解めっき後、最終的には、当該配線基板領域がシート状基板から分離され、それにより、導電パターンの形成された配線基板が得られる。
【０００４】
ところが、このようにしてシート状基板から配線基板領域を分離すると、電解めっき時の引き出し線及び給電線の配置上、得られる配線基板の側端面に引き出し線の端面が露出する。
【０００５】
当該配線基板を用い、封止まで行って半導体装置を形成した場合に、その半導体装置の側端面から引き出し線の端面が露出していると、エレクトロマイグレーション等の不具合が発生する恐れがある。また、当該配線基板を用いて形成される半導体装置をマザー基板等の他の配線基板に実装する際に、半田等の導電性異物が飛散した場合、その異物が、異なる引き出し線間を跨って付着し、ショートを招く恐れがある。
【０００６】
これまでには、シート状基板からの配線基板の分離後に、引き出し線の露出端面を絶縁樹脂層で被覆する技術、シート状基板からの分離前に、配線基板領域の縁部に形成されている引き出し線をエッチング等で除去する技術等が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−９３９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、これまでの技術では、特に複数の配線基板を取得する場合には、配線基板形成に要する工数が増加してしまうという問題点があった。
また、シート状基板の配線基板領域縁部の引き出し線をエッチングで除去するプロセスにおいては、引き出し線のエッチングにより、配線基板領域縁部に段差ができる。当該段差は、封止工程等、その上層部に所定の部材を形成する後続工程において、不具合を生じさせる場合があった。その結果、個片化を経て最終的に得られる半導体装置の信頼性を低下させてしまう場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一観点によれば、基板と、前記基板の第１主面の外周縁部より内側に配設された第１配線と、前記第１主面の外周縁部より内側に配設され、前記第１配線を被覆する第１絶縁層と、前記第１主面の外周縁部に周設された第２絶縁層と、前記基板の上方に配設され、前記第１配線に電気的に接続された半導体素子と、前記半導体素子を封止する樹脂と、を含む半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
開示の技術により、配線が露出しない、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能になる。また、信頼性の高い半導体装置を安定して形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。
【図２】配線基板の内部構造の例を示す図である。
【図３】第１の実施の形態に係る配線形成工程の一例を示す図である。
【図４】第１の実施の形態に係る保護層形成工程の一例を示す図である。
【図５】第１の実施の形態に係るマスク形成工程の一例を示す図である。
【図６】第１の実施の形態に係る表面処理層形成工程の一例を示す図である。
【図７】第１の実施の形態に係るマスク除去工程の一例を示す図である。
【図８】第１の実施の形態に係る引き出し線部の一部除去工程の一例を示す図である。
【図９】第１の実施の形態に係る絶縁シート配置工程の一例を示す図である。
【図１０】第１の実施の形態に係る半導体素子搭載工程の一例を示す図である。
【図１１】第１の実施の形態に係る半導体素子と配線基板領域との接続工程の一例を示す図である。
【図１２】第１の実施の形態に係る封止工程の一例を示す図である。
【図１３】第１の実施の形態に係る突起状電極接続工程の一例を示す図である。
【図１４】第１の実施の形態に係る個片化工程の一例を示す図である。
【図１５】第２の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。
【図１６】第２の実施の形態に係る配線形成工程の一例を示す図である。
【図１７】第２の実施の形態に係る保護層形成工程の一例を示す図である。
【図１８】第２の実施の形態に係るマスク形成工程の一例を示す図である。
【図１９】第２の実施の形態に係る表面処理層形成工程の一例を示す図である。
【図２０】第２の実施の形態に係るマスク除去工程の一例を示す図である。
【図２１】第２の実施の形態に係る引き出し線部の一部除去工程の一例を示す図である。
【図２２】第２の実施の形態に係る絶縁シート配置工程の一例を示す図である。
【図２３】第２の実施の形態に係る半導体素子搭載工程の一例を示す図である。
【図２４】第２の実施の形態に係る半導体素子と配線基板領域との接続工程の一例を示す図である。
【図２５】第２の実施の形態に係る封止工程の一例を示す図である。
【図２６】第２の実施の形態に係る突起状電極接続工程の一例を示す図である。
【図２７】第２の実施の形態に係る個片化工程の一例を示す図である。
【図２８】第３の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。
【図２９】第４の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。
【図３０】第４の実施の形態に係るレジストマスク形成工程の一例を示す図である。
【図３１】第４の実施の形態に係る絶縁層形成工程の一例を示す図である。
【図３２】第４の実施の形態に係るレジストマスク除去工程の一例を示す図である。
【図３３】半導体装置の別例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は第１の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図であって、（Ａ）は要部平面模式図、（Ｂ）は底面模式図、（Ｃ）は（Ａ）のＬ１−Ｌ１断面模式図である。
【００１３】
図１に示す半導体装置１０は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体パッケージである。尚、図１（Ａ）では、図１（Ｃ）に示す封止樹脂９０の図示を省略している。
半導体装置１０は、図１（Ｃ）に示す如く、コア材２１の一方の主面側と他方の主面側に、それぞれ配線２２，２３が形成された配線基板（パッケージ基板）２０を備えている。
【００１４】
更に、半導体装置１０は、図１（Ａ），（Ｃ）に示す如く、当該配線基板２０の一方の主面側にダイアタッチ材１１０を用いて搭載され、配線２２にワイヤ３０で電気的に接続された、半導体素子（半導体チップ）４０を備えている。
【００１５】
更にまた、半導体装置１０は、図１（Ｂ），（Ｃ）に示す如く、当該配線基板２０の他方の主面側に搭載され、配線２３に電気的に接続された、複数の突起状電極５０を備えている。突起状電極５０には、例えば、半田ボールを用いることができる。
【００１６】
ここで、コア材２１は、図１（Ｃ）では図示を省略するが、例えば、次の図２（Ａ），（Ｂ）に示す如く、その両面に形成される配線２２，２３間を電気的に接続する構造を含んでいる。
【００１７】
即ち、コア材２１は、例えば、図２（Ａ）に示す如く、当該コア材２１を貫通するビア２１ａによって、当該両面の配線２２，２３間が電気的に接続される構造とすることができる。また、コア材２１は、例えば、図２（Ｂ）に示す如く、当該コア材２１内に形成されたビア２１ｂ及び配線２１ｃによって、当該両面の配線２２，２３間が電気的に接続される構造とすることもできる。
【００１８】
配線２２は、図１（Ａ），（Ｃ）に示す如く、コア材２１の一方の主面側に搭載される半導体素子４０の搭載領域を囲んで形成された電極部２２ａと、当該電極部２２ａから半導体装置１０の側端面に向かって延在する引き出し線部２２ｂとを含んでいる。
【００１９】
電極部２２ａ及び引き出し線部２２ｂは、図１（Ａ），（Ｃ）に示す如く、コア材２１の一方の主面の外周縁部Ｘより内側の領域内に形成されている。尚、外周縁部Ｘは、電極部２２ａが形成される領域より外側（或いは引き出し線部２２ｂが形成される領域）で、半導体装置１０の側端面に達する領域であれば、図１（Ｃ）に示す幅に限定されるものではない。
【００２０】
配線２２は、電極部２２ａの上面の一部、及び引き出し線部２２ｂの延在方向の側端面を除く表面を、絶縁性の保護層（絶縁層）６１によって被覆（保護）されている。保護層６１には、例えば、ソルダレジスト等の有機材料、セラミックス等の無機材料を用いることができる。
【００２１】
保護層６１から露出する電極部２２ａの上面には、導電性の表面処理層７１が形成されている。当該表面処理層７１には、一端が半導体素子４０に接続されたワイヤ３０の他端が接続されている。これにより、配線基板２０と半導体素子４０とが電気的に接続された状態になっている。
【００２２】
尚、表面処理層７１は、例えば、電解めっき技術を利用して形成される。その場合、引き出し線部２２ｂは、保護層６１から露出する電極部２２ａ上面に表面処理層７１を電解めっきにより形成する際の、給電線の一部となる。
【００２３】
引き出し線部２２ｂは、表面処理層７１の形成時には、外周縁部Ｘにも延在されているが、表面処理層７１の形成後には、外周縁部Ｘに延在する部分が除去され、それにより、上記の如く外周縁部Ｘより内側の領域に形成された引き出し線部２２ｂが得られる。尚、このような形成プロセスの詳細については後述する。
【００２４】
引き出し線部２２ｂ及び保護層６１が形成されていない外周縁部Ｘには、図１（Ａ），（Ｃ）に示す如く、絶縁シート（絶縁層）８０が設けられている。
絶縁シート８０には、例えば、エポキシ系或いはポリイミド系の材料を用いることができ、保護層６１に用いる材料と同等の線膨張係数を有する材料を用いることが望ましい。
【００２５】
絶縁シート８０は、例えば、配線２２（電極部２２ａ及び引き出し線部２２ｂ）と保護層６１との合計厚さ（配線２２と保護層６１との積層部の厚さ）と同等の厚さとされる。尚、同等の厚さとすることには、絶縁シート８０の厚さと、配線２２と保護層６１との合計厚さとが同一である場合のほか、略同一である場合（例えば、製造上の公差範囲内である場合）を含むものとする。
【００２６】
配線２３は、図１（Ｂ），（Ｃ）に示す如く、半田ボール等の突起状電極５０が接続されるランド部２３ａを含んでいる。配線２３は、ここでは、半導体装置１０の側端面より内側の領域に形成されており、配線２３のランド部２３ａを除く表面は、絶縁性の保護層（絶縁層）６２によって被覆されている。当該保護層６２には、反対の主面側において配線２２を部分的に被覆している上記保護層６１と同じ材料を用いることができる。
【００２７】
突起状電極５０は、保護層６２から露出するランド部２３ａの表面に形成された、導電性の表面処理層７２上に接続されている。これにより、配線基板２０と突起状電極５０とが電気的に接続された状態になっている。表面処理層７２は、上記表面処理層７１と同様、例えば、電解めっき技術を利用して形成される。
【００２８】
半導体素子４０及び突起状電極５０が接続された配線基板２０の、半導体素子４０が搭載された一方の主面側には、封止樹脂９０が設けられている（図１（Ａ）では図示を省略）。半導体素子４０、ワイヤ３０、表面処理層７１及び保護層６１は、封止樹脂９０によって封止されている。また、封止樹脂９０は、絶縁シート８０の側端面を除き、当該絶縁シート８０の上面にも形成されている。
【００２９】
上記半導体装置１０では、配線２２の引き出し線部２２ｂが外周縁部Ｘより内側に設けられ、その外周縁部Ｘには絶縁シート８０が設けられている。そのため、半導体装置１０は、その側端面から引き出し線部２２ｂが露出しない構造となっている。
【００３０】
引き出し線部２２ｂを半導体装置１０の側端面から露出させないため、引き出し線部２２ｂからのエレクトロマイグレーションを効果的に抑制し、半導体装置１０の耐湿性を向上させることができる。
【００３１】
更に、半導体装置１０では、マザー基板等の他の配線基板への実装時に、半田等の導電性異物が飛散した場合にも、その異物が、引き出し線部２２ｂに付着することがない。そのため、半導体装置１０では、異物が異なる引き出し線部２２ｂ間を跨って付着することによるショートの発生を効果的に抑制することができる。
【００３２】
上記の如く、外周縁部Ｘに絶縁シート８０を設けることにより、半導体装置１０の信頼性を高めることができる。
また、外周縁部Ｘに絶縁シート８０を設けることにより、高信頼性の半導体装置１０を、安定して形成することが可能になる。以下に、半導体装置１０の形成方法の一例について説明する。
【００３３】
まず、配線２２，２３の形成工程の一例を図３に示す。図３（Ａ）は平面模式図、図３（Ｂ）は底面模式図、図３（Ｃ）は図３（Ａ）のＬ３−Ｌ３断面模式図である。
ここでは、上記配線基板２０を複数取得可能なシート状のコア材２１を使用し、当該シート状のコア材２１における各配線基板２０の領域（配線基板領域）２０Ａにそれぞれ、配線２２，２３を形成する。
【００３４】
尚、図３、及び以下の図４〜図８においては、シート状のコア材２１における、１つの配線基板領域２０Ａのみを図示している。
コア材２１には、例えば、ポリイミドテープ等の可撓性絶縁材、セラミック等の絶縁基板等を用いることができる。
【００３５】
コア材２１の一方の主面（後に半導体素子４０を搭載する側の主面）には、図３（Ａ），（Ｃ）に示す如く、電極部２２ａと、当該電極部２２ａから配線基板領域２０Ａ外まで延在する引き出し線部２２ｂとを含む、配線２２を複数形成する。引き出し線部２２ｂはそれぞれ、当該一方の主面側の配線基板領域２０Ａ外に設けた、図示しない給電線に、接続されたパターン形状とする。
【００３６】
また、コア材２１の他方の主面（後に突起状電極５０を接続する側の主面）には、図３（Ｂ），（Ｃ）に示す如く、配線基板領域２０Ａの縁部より内側の領域に、ランド部２３ａを含む島状の配線２３を複数形成する。
【００３７】
尚、配線２２，２３間を電気的に接続する構造は、例えば、配線２２，２３の形成と共に、形成することができる。
例えば、まず、シート状のコア材２１の両面に導電膜を形成し、一方の主面側について、エッチング技術、電解めっき技術等を用いて配線２２のパターンを形成する。そして、当該シート状のコア材２１の配線基板領域２０Ａ内に、他方の主面側の導電膜に達するビアを形成し、更に、他方の主面側に、エッチング技術、電解めっき技術等を用いて配線２３のパターンを形成する。尚、他方の主面側に配線２３のパターンを形成した後、ビアの形成を行い、次いで一方の主面側に配線２２のパターンを形成するようにしてもよい。
【００３８】
或いは、シート状のコア材２１の両面に、当該コア材２１を貫通するビアによって電気的に接続された所定の配線パターンを形成した後、その両面に更に、絶縁層と配線パターンとを積層した配線層を形成する。この場合、当該両面に形成した配線層の、それぞれの最外層の配線パターンが、上記の配線２２，２３に相当する。また、当該配線層内の異なる層の配線パターン間は、ビアにより電気的に接続すればよい。
【００３９】
シート状のコア材２１への配線２２，２３の形成後は、保護層６１，６２の形成を行う。保護層６１，６２の形成工程の一例を図４に示す。図４（Ａ）は平面模式図、図４（Ｂ）は底面模式図、図４（Ｃ）は図４（Ａ）のＬ４−Ｌ４断面模式図である。
【００４０】
コア材２１の一方の主面側には、図４（Ａ），（Ｃ）に示す如く、配線２２の電極部２２ａ、及び配線基板領域２０Ａの外周縁部Ｘを露出させて、保護層６１を形成する。
また、コア材２１の他方の主面側には、図４（Ｂ），（Ｃ）に示す如く、配線２３のランド部２３ａを露出させて、保護層６２を形成する。
【００４１】
保護層６１，６２の形成後は、配線２２，２３の表面処理（電解めっき）時に使用するマスクの形成を行う。マスク形成工程の一例を図５に示す。図５（Ａ）は平面模式図、図５（Ｂ）は底面模式図、図５（Ｃ）は図５（Ａ）のＬ５−Ｌ５断面模式図である。
【００４２】
保護層６１，６２の形成後、コア材２１の配線２２を形成した一方の主面側で、保護層６１を形成していない外周縁部Ｘに、レジスト等を用いてマスク１００を形成する。マスク１００にレジストを用いる場合には、当該レジストを、印刷法により、外周縁部Ｘに形成することができる。
【００４３】
マスク１００の形成により、保護層６１から露出していた外周縁部Ｘの引き出し線部２２ｂが被覆される。
尚、マスク１００には、保護層６１，６２とは異なる材質のものを用いることが望ましい。後述するが、マスク１００は、表面処理後、選択的に除去するため、保護層６１，６２との間に除去選択性を有していることが、プロセス上有利なためである。
【００４４】
マスク１００の形成後は、表面処理層７１，７２の形成を行う。表面処理層７１，７２の形成工程の一例を図６に示す。図６（Ａ）は平面模式図、図６（Ｂ）は底面模式図、図６（Ｃ）は図６（Ａ）のＬ６−Ｌ６断面模式図である。
【００４５】
表面処理層７１，７２は、例えば、電解めっき技術を利用して形成する。その場合は、まず、シート状のコア材２１を、所定成分を所定濃度で含有するめっき液に浸漬する。そして、その状態で、引き出し線部２２ｂと接続された給電線に所定電流密度で電流を流すことで、図６に示す如く、電極部２２ａ及びランド部２３ａの表面に、表面処理層７１，７２となるめっき層を形成する。
【００４６】
ここでは、表面処理層７１，７２として、例えば、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）めっき層を形成する。
その場合は、まず、ニッケルを含有するめっき液に、マスク１００の形成まで行った基板を浸漬し、引き出し線部２２ｂと接続された給電線から、配線２２、及び配線２２と電気的に接続されている配線２３に、通電を行う。それにより、保護層６１，６２及びマスク１００から露出する電極部２２ａ及びランド部２３ａの表面に、ニッケルめっき層が形成される。そして、ニッケルめっき層形成後の基板を、金を含有するめっき液に浸漬し、配線２２，２３及びニッケルめっき層に通電を行うことで、ニッケルめっき層表面に金めっき層が形成される。
【００４７】
表面処理層７１，７２の形成後は、マスク１００の除去を行う。マスク１００の除去工程の一例を図７に示す。図７（Ａ）は平面模式図、図７（Ｂ）は底面模式図、図７（Ｃ）は図７（Ａ）のＬ７−Ｌ７断面模式図である。
【００４８】
表面処理層７１，７２の形成後、マスク１００を選択的に除去する。マスク１００の除去は、その材質により、ドライプロセス又はウェットプロセスで行うことができる。マスク１００を除去することにより、外周縁部Ｘの引き出し線部２２ｂが、保護層６１から露出した状態が得られる。
【００４９】
マスク１００の除去後は、外周縁部Ｘに露出する引き出し線部２２ｂの除去を行う。引き出し線部２２ｂの一部除去工程の一例を図８に示す。図８（Ａ）は平面模式図、図８（Ｂ）は底面模式図、図８（Ｃ）は図８（Ａ）のＬ８−Ｌ８断面模式図である。
【００５０】
外周縁部Ｘに露出する引き出し線部２２ｂは、エッチング技術を利用して除去することができる。
例えば、電極部２２ａに形成された表面処理層７１、及び外周縁部Ｘの引き出し線部２２ｂが、保護層６１から露出しているコア材２１の一方の主面側に対し、エッチバックを行う。これにより、表面処理層７１及び保護層６１がエッチングマスクとなり、外周縁部Ｘに露出する引き出し線部２２ｂが、選択的にエッチング（除去）される。
【００５１】
以上の図３〜図８に示した工程により、図１（Ｃ）に示した配線基板２０の基本構造（図３〜図８に示した配線基板領域２０Ａ）の集合体（シート状基板）が得られる。
シート状基板の形成後は、当該シート状基板を用いた半導体装置１０の組み立て工程に移る。組み立て工程は、半導体チップ搭載、ワイヤボンディング、封止、捺印、突起状電極の接続、及び個片化に大別される。
【００５２】
ここでは一例として、半導体装置１０の組み立てに際し、まず、シート状基板の上に、絶縁シート８０を配置する。絶縁シート８０の配置工程の一例を図９に示す。図９（Ａ）は絶縁シート８０配置前の平面模式図、図９（Ｂ）は絶縁シート８０配置後の平面模式図、図９（Ｃ）は図９（Ｂ）のＬ９−Ｌ９断面模式図である。
【００５３】
尚、図９、及び以下の図１０〜図１４において、シート状基板２０Ｂ（複数の配線基板領域２０Ａの集合体）は、各配線基板領域２０Ａの電極部２２ａ及びランド部２３ａの配置を簡略化して図示したものである。
【００５４】
上記の図３〜図８に示した工程により、シート状基板２０Ｂを形成した後は、図９に示す如く、当該シート状基板２０Ｂの電極部２２ａ形成面側に、絶縁シート８０を配置する。
【００５５】
配置する絶縁シート８０は、予め、上記の図８に示した如く各配線基板領域２０Ａの外周縁部Ｘの引き出し線部２２ｂを除去した領域の平面形状に対応した平面形状とされている。尚、図９（Ａ）には、１枚の絶縁シート８０を用いる場合を例示したが、例えば、各配線基板領域２０Ａの外周に配置可能な複数枚の絶縁シートを用いてもよい。
【００５６】
絶縁シート８０には、例えば、エポキシ系或いはポリイミド系の材料で、シート状基板２０Ｂ内の保護層６１，６２と同等の線膨張係数を有しているものを用いる。また、絶縁シート８０には、例えば、絶縁シート８０自体に接着性があるものを用いる。
【００５７】
上記絶縁シート８０を、図９（Ａ）〜（Ｃ）に示す如く、シート状基板２０Ｂの電極部２２ａ形成面側に配置（貼付）する。尚、絶縁シート８０自体に接着性がない場合には、絶縁性の接着剤を用いてシート状基板２０Ｂに接着すればよい。
【００５８】
絶縁シート８０には、例えば、シート状基板２０Ｂ上へ配置したときに、当該絶縁シート８０の表面高さと、シート状基板２０Ｂの表面高さとが、同等になるものを用いる。
これにより、図９（Ｃ）に示す如く、各配線基板領域２０Ａの外周縁部Ｘに段差のない（或いは段差が軽減された）シート状基板２０Ｂが得られる。
【００５９】
絶縁シート８０の配置後は、各配線基板領域２０Ａに、半導体素子４０をそれぞれ搭載する。半導体素子４０の搭載工程の一例を図１０に示す。図１０（Ａ）は平面模式図、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＬ１０−Ｌ１０断面模式図である。
【００６０】
半導体素子４０は、各配線基板領域２０Ａの、電極部２２ａより内側の領域に、ダイアタッチ材１１０を用いて搭載する。ダイアタッチ材１１０としては、例えば、熱硬化型樹脂又はエポキシ系樹脂のフィルム、ペーストのほか、銀（Ａｇ）等を含む熱伝導性ペースト等を用いることができる。
【００６１】
尚、ここでは、上記の如く、絶縁シート８０の配置後、半導体素子４０の搭載を行う場合を例示したが、半導体素子４０の搭載後に、絶縁シート８０の配置を行うようにしてもよい。
【００６２】
絶縁シート８０の配置、及び半導体素子４０の搭載まで行った後は、搭載した各半導体素子４０と、シート状基板２０Ｂの各配線基板領域２０Ａとの電気的接続を行う。半導体素子４０と配線基板領域２０Ａとの接続工程の一例を図１１に示す。図１１（Ａ）は平面模式図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＬ１１−Ｌ１１断面模式図である。
【００６３】
各半導体素子４０は、各配線基板領域２０Ａに、金等のワイヤ３０を用いたワイヤボンディング技術により、電気的に接続する。
ワイヤボンディング後は、封止樹脂９０による封止を行う。封止工程の一例を図１２に示す。
【００６４】
封止には、例えば、金型（上金型）１２１及び金型（下金型）１２２を用いる。図１２（Ａ）に示す如く、ワイヤボンディング後のシート状基板２０Ｂを上金型１２１と下金型１２２との間に配置した後、図１２（Ｂ）に示す如く、当該上金型１２１と下金型１２２との間に封止樹脂９０を充填する。
【００６５】
当該封止時には、シート状基板２０Ｂの各配線基板領域２０Ａの外周縁部Ｘに絶縁シート８０を配置しているため、当該外周縁部Ｘには段差がない（或いは段差が軽減されている）。そのため、封止樹脂９０をシート状基板２０Ｂの上部に均一に充填することができる。
【００６６】
絶縁シート８０を配置しなかった場合、封止前のシート状基板２０Ｂ表面には、段差ができる。この場合、当該段差に起因して、最終的に得られる個々の半導体装置１０の中央部と外周部の封止樹脂９０のバランスが悪化し、最終的に得られる半導体装置１０の反り挙動が悪化してしまう恐れがある。封止前に各配線基板領域２０Ａの外周縁部Ｘに絶縁シート８０を配置しておくことで、このような反り挙動の悪化を効果的に回避することが可能になっている。
【００６７】
封止後は、封止樹脂９０上への捺印工程を経て、シート状基板２０Ｂの各配線基板領域２０Ａの底面に、突起状電極５０を接続する。突起状電極５０の接続工程の一例を図１３に示す。図１３（Ａ）は底面模式図、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）のＬ１３−Ｌ１３断面模式図である。
【００６８】
図１３に示す如く、シート状基板２０Ｂの各配線基板領域２０Ａ底面の、ランド部２３ａ上に、それぞれ突起状電極５０を接続する。
突起状電極５０の接続後は、個片化を行う。個片化工程の一例を図１４に示す。図１４（Ａ）は斜視模式図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のＬ１４−Ｌ１４断面模式図である。
【００６９】
封止樹脂９０の充填、及び突起状電極５０の接続まで行ったシート状基板２０Ｂを、図１４（Ａ）に示す如く、ダイサー１３０を用いたダイシングにより個片化する。ダイシングは、図１４（Ｂ）に示す如く、絶縁シート８０を配置している領域をダイシングエリア１３１として行う。
【００７０】
以上の工程により、上記図１に示した構成を有する半導体装置１０を得る。
個々の半導体装置１０を形成するにあたっては、上記の通り、個片化前のシート状基板２０Ｂの、各配線基板領域２０Ａの外周縁部Ｘに、絶縁シート８０を配置し、半導体素子４０の搭載等を経て、個々の半導体装置１０に個片化する。
【００７１】
そのため、１枚のシート状基板２０Ｂから複数の半導体装置１０を、その側端面に引き出し線部２２ｂを露出させない状態で取得することができる。従って、個片化後の複数の半導体装置についてそれぞれ、引き出し線部の露出端面を絶縁樹脂層等で被覆する工程は不要となる。
【００７２】
また、個片化前のシート状基板２０Ｂの、各配線基板領域２０Ａの外周縁部Ｘに、絶縁シート８０を配置することで、封止時の不具合を抑え、封止樹脂９０がバランス良く充填された個々の半導体装置１０を得ることができる。その結果、封止樹脂９０のバランス不良に起因した、加熱時に生じる、個々の半導体装置１０の反り挙動の悪化を、効果的に抑えることができる。
【００７３】
更に、外周縁部Ｘに配置する絶縁シート８０として、保護層６１と同等の線膨張係数を有するものを用いることで、配線基板２０表面の線膨張係数が均一化されるため、個々の半導体装置１０の反り挙動の悪化を、一層効果的に抑えることができる。
【００７４】
次に、第２の実施の形態について説明する。
上記第１の実施の形態では、配線基板の半導体素子を搭載する面側に、給電線に接続された引き出し線部が設けられている場合を例示した。このほか、給電線に接続する引き出し線部は、配線基板の突起状電極を接続する面側に設けることもできる。
【００７５】
図１５は第２の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図であって、（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は底面模式図、（Ｃ）は（Ｂ）のＬ１５−Ｌ１５断面模式図である。尚、図１５（Ａ）では、図１５（Ｃ）に示す封止樹脂９０の図示を省略している。
【００７６】
図１５に示す半導体装置１０ａの配線基板２０ａには、コア材２１の一方の主面側に、電極部２２ａを含む配線２２が形成され、他方の主面側に、ランド部２３ａ及び引き出し線部２３ｂを含む配線２３が形成されている。
【００７７】
配線２２は、半導体装置１０ａの側端面より内側（半導体装置１０ａの側端面から露出しない状態）に形成され、電極部２２ａに形成された表面処理層７１を露出させて、保護層６１で被覆されている。保護層６１は、半導体装置１０ａの側端面まで形成されている。
【００７８】
半導体素子４０は、配線基板２０ａの配線２２形成面側にダイアタッチ材１１０を用いて搭載され、電極部２２ａにワイヤ３０で電気的に接続されている。配線基板２０ａの半導体素子４０搭載面側は、封止樹脂９０によって封止されている。
【００７９】
配線２３のランド部２３ａ及び引き出し線部２３ｂは、外周縁部Ｚより内側に形成され、ランド部２３ａに形成された表面処理層７２を露出させて、保護層６２で被覆されている。尚、外周縁部Ｚは、半導体装置１０ａの最も側端面側のランド部２３ａが形成される領域より外側（或いは引き出し線部２３ｂが形成される領域）で、半導体装置１０ａの側端面に達する領域であれば、図１５（Ｃ）に示す幅に限定されるものではない。
【００８０】
外周縁部Ｚには、配線２３（ランド部２３ａ及び引き出し線部２３ｂ）と保護層６２との合計厚さ（配線２３と保護層６２との積層部の厚さ）と同等の厚さを有する絶縁シート８０が配置されている。
【００８１】
突起状電極５０は、表面処理層７２が形成された、配線２３のランド部２３ａに、電気的に接続されている。
上記半導体装置１０ａでは、絶縁シート８０により、配線２３の引き出し線部２３ｂが、半導体装置１０ａの側端面から露出しない構造となっている。そのため、引き出し線部２３ｂからのエレクトロマイグレーション、及び異物付着による引き出し線部２３ｂ間でのショートを、効果的に抑制することができる。
【００８２】
上記半導体装置１０ａは、例えば、以下のような方法で形成することができる。
まず、配線２２，２３の形成工程の一例を図１６に示す。図１６（Ａ）は平面模式図、図１６（Ｂ）は底面模式図、図１６（Ｃ）は図１６（Ｂ）のＬ１６−Ｌ１６断面模式図である。
【００８３】
尚、図１６、及び以下の図１７〜図２１においては、シート状のコア材２１における、１つの配線基板領域２０Ｃのみを図示している。
コア材２１の一方の主面（後に半導体素子４０を搭載する側の主面）には、図１６（Ａ），（Ｃ）に示す如く、外周縁部を除く領域に、電極部２２ａを含む配線２２を複数形成する。
【００８４】
また、コア材２１の他方の主面（後に突起状電極５０を接続する側の主面）には、図１６（Ｂ），（Ｃ）に示す如く、ランド部２３ａと、当該ランド部２３ａから配線基板領域２０Ｃ外まで延在する引き出し線部２３ｂとを含む、配線２３を複数形成する。引き出し線部２３ｂはそれぞれ、当該他方の主面側の配線基板領域２０Ｃ外に設けた、図示しない給電線に、接続されたパターン形状とする。
【００８５】
続いて、保護層６１，６２の形成工程の一例を図１７に示す。図１７（Ａ）は平面模式図、図１７（Ｂ）は底面模式図、図１７（Ｃ）は図１７（Ｂ）のＬ１７−Ｌ１７断面模式図である。
【００８６】
コア材２１の一方の主面側には、図１７（Ａ），（Ｃ）に示す如く、配線２２の電極部２２ａを露出させて、保護層６１を形成する。
また、コア材２１の他方の主面側には、図１７（Ｂ），（Ｃ）に示す如く、配線２３のランド部２３ａ及び外周縁部Ｚの引き出し線部２３ｂを露出させて、保護層６２を形成する。
【００８７】
続いて、マスク形成工程の一例を図１８に示す。図１８（Ａ）は平面模式図、図１８（Ｂ）は底面模式図、図１８（Ｃ）は図１８（Ｂ）のＬ１８−Ｌ１８断面模式図である。
保護層６１，６２の形成後、保護層６２を形成していない外周縁部Ｚに、レジスト等を用いてマスク１００を形成する。
【００８８】
続いて、表面処理層７１，７２の形成工程の一例を図１９に示す。図１９（Ａ）は平面模式図、図１９（Ｂ）は底面模式図、図１９（Ｃ）は図１９（Ｂ）のＬ１９−Ｌ１９断面模式図である。
【００８９】
電解めっき技術を利用し、表面処理層７１，７２として、例えば、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）めっき層を形成する。即ち、マスク１００の形成まで行った基板を、所定のめっき液に浸漬し、給電線から引き出し線部２３ｂを経由して配線２３及び配線２２に電流を供給し、ニッケルめっき層及び金めっき層を形成する。
【００９０】
続いて、マスク１００の除去工程の一例を図２０に示す。図２０（Ａ）は平面模式図、図２０（Ｂ）は底面模式図、図２０（Ｃ）は図２０（Ｂ）のＬ２０−Ｌ２０断面模式図である。
【００９１】
表面処理層７１，７２の形成後、マスク１００を選択的に除去する。これにより、外周縁部Ｚの引き出し線部２３ｂが、保護層６２から露出した状態が得られる。
続いて、引き出し線部２３ｂの一部除去工程の一例を図２１に示す。図２１（Ａ）は平面模式図、図２１（Ｂ）は底面模式図、図２１（Ｃ）は図２１（Ｂ）のＬ２１−Ｌ２１断面模式図である。
【００９２】
コア材２１の配線２３形成面側に対し、表面処理層７２及び保護層６２をマスクにしたエッチバックを行う。これにより、外周縁部Ｚに露出する引き出し線部２３ｂを選択的に除去する。
【００９３】
以上の図１６〜図２１に示した工程により、図１５（Ｃ）に示した配線基板２０ａの基本構造（図１６〜図２１に示した配線基板領域２０Ｃ）の集合体（シート状基板）が得られる。
【００９４】
続いて、絶縁シート８０の配置工程の一例を図２２に示す。図２２（Ａ）は絶縁シート８０配置前の底面模式図、図２２（Ｂ）は絶縁シート８０配置後の底面模式図、図２２（Ｃ）は図２２（Ｂ）のＬ２２−Ｌ２２断面模式図である。
【００９５】
尚、図２２、及び以下の図２３〜図２７において、シート状基板２０Ｄ（複数の配線基板領域２０Ｃの集合体）は、各配線基板領域２０Ｃの電極部２２ａ及びランド部２３ａの配置を簡略化して図示したものである。
【００９６】
上記の図１６〜図２１に示した工程により、シート状基板２０Ｄを形成した後は、図２２に示す如く、当該シート状基板２０Ｄのランド部２３ａ形成面側に、絶縁シート８０を配置する。
【００９７】
配置する絶縁シート８０は、予め、上記の図２１に示した如く各配線基板領域２０Ｃの外周縁部Ｚの引き出し線部２３ｂを除去した領域の平面形状に対応した平面形状とされている。配置する絶縁シート８０として、例えば、シート状基板２０Ｄ上へ配置したときに、当該絶縁シート８０の表面高さと、シート状基板２０Ｄの表面高さとが、同等になるものを用いる。
【００９８】
これにより、図２２（Ｃ）に示す如く、各配線基板領域２０Ｃの外周縁部Ｚに段差のない（或いは段差が軽減された）シート状基板２０Ｄが得られる。
続いて、半導体素子４０の搭載工程の一例を図２３に示す。図２３（Ａ）は平面模式図、図２３（Ｂ）は図２３（Ａ）のＬ２３−Ｌ２３断面模式図である。
【００９９】
半導体素子４０を、各配線基板領域２０Ｃの、絶縁シート８０を形成していない、配線２２の形成面側で、電極部２２ａより内側の領域に、ダイアタッチ材１１０を用いて搭載する。
【０１００】
尚、ここでは、絶縁シート８０の配置後、半導体素子４０の搭載を行う場合を例示したが、半導体素子４０の搭載後に、絶縁シート８０の配置を行うようにしてもよい。
続いて、半導体素子４０と配線基板領域２０Ｃとの接続工程の一例を図２４に示す。図２４（Ａ）は平面模式図、図２４（Ｂ）は図２４（Ａ）のＬ２４−Ｌ２４断面模式図である。
【０１０１】
各半導体素子４０は、各配線基板領域２０Ｃに、金等のワイヤ３０を用いてワイヤボンディングする。
続いて、封止工程の一例を図２５に示す。
【０１０２】
図２５（Ａ）に示す如く、ワイヤボンディング後のシート状基板２０Ｄを上金型１２１と下金型１２２との間に配置し、図２５（Ｂ）に示す如く、当該上金型１２１と下金型１２２との間に封止樹脂９０を充填する。
【０１０３】
当該封止時には、半導体素子４０搭載面側と反対側の外周縁部Ｚに絶縁シート８０を配置しているため、当該外周縁部Ｚには段差がない（或いは段差が軽減されている）。
絶縁シート８０を配置しなかった場合には、シート状基板２０Ｄと下金型１２２との間に隙間ができてしまう。当該隙間ができていると、封止樹脂９０充填時のトランスファ圧力により、シート状基板２０Ｄが上金型１２１側から下金型１２２側に押され、当該隙間部分で変形してしまう場合がある。封止前に各配線基板領域２０Ｃの外周縁部Ｚに絶縁シート８０を配置しておくことで、このようなシート状基板２０Ｄの変形を効果的に回避することが可能になっている。
【０１０４】
続いて、突起状電極５０の接続工程の一例を図２６に示す。図２６（Ａ）は底面模式図、図２６（Ｂ）は図２６（Ａ）のＬ２６−Ｌ２６断面模式図である。
図２６に示す如く、ランド部２３ａ上に、それぞれ突起状電極５０を接続する。
【０１０５】
突起状電極５０の接続後は、個片化を行う。個片化工程の一例を図２７に示す。図２７（Ａ）は斜視模式図、図２７（Ｂ）は図２７（Ａ）のＬ２７−Ｌ２７断面模式図である。
封止樹脂９０の充填、及び突起状電極５０の接続後は、図２７（Ａ）に示す如く、ダイサー１３０を用いで個片化する。ダイシングは、図２７（Ｂ）に示す如く、絶縁シート８０を配置している領域をダイシングエリア１３１として行う。
【０１０６】
以上の工程により、上記図１５に示した構成を有する半導体装置１０ａを得る。
個々の半導体装置１０を形成するにあたっては、上記の通り、個片化前のシート状基板２０Ｄの、各配線基板領域２０Ｃの外周縁部Ｚに、絶縁シート８０を配置する。そのため、封止時には、下金型１２２との間に隙間がない（或いは隙間が小さい）状態が得られる。
【０１０７】
封止時に、当該隙間に起因してシート状基板に変形が生じていると、当該変形箇所でダイシングが行われるため、配線基板の外周縁部に、変形による歪みの残った、半導体装置が得られてしまう。このような半導体装置では、半田リフロー処理等の加熱時に、封止樹脂９０及び配線基板２０ａの線膨張係数差に起因して、封止樹脂９０及び配線基板２０ａの熱収縮により生じる内部応力のバランスが偏ってしまう。その結果、半田リフロー処理等の加熱に対する耐熱性が劣化してしまう場合がある。
【０１０８】
上記半導体装置１０ａでは、絶縁シート８０を配置していることにより、このような封止時の不具合を抑えることができる。絶縁シート８０を配置することで、信頼性の高い半導体装置１０ａを、安定して形成することができる。
【０１０９】
次に、第３の実施の形態について説明する。
図２８は第３の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図であって、（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は底面模式図、（Ｃ）は（Ａ）のＬ２８−Ｌ２８断面模式図である。尚、図２８（Ａ）では、図２８（Ｃ）に示す封止樹脂９０の図示を省略している。
【０１１０】
図２８に示す半導体装置１０ｂは、コア材２１の一方の主面側（半導体素子４０の搭載面側）と、他方の主面側（突起状電極５０の接続面側）とにそれぞれ、絶縁シート８０が配置された配線基板２０ｂを備えている。
【０１１１】
この点で、半導体素子４０の搭載面側にのみ絶縁シート８０を配置した、上記第１の実施の形態の半導体装置１０、及び突起状電極５０の接続面側にのみ絶縁シート８０を配置した、上記第２の実施の形態の半導体装置１０ａと相違する。
【０１１２】
上記半導体装置１０ｂを形成する場合には、例えば、配線基板２０ｂの半導体素子４０の搭載面側について、上記第１の実施の形態で述べた形成方法を用いると共に、突起状電極５０の接続面側について、上記第２の実施の形態で述べた形成方法を用いる。
【０１１３】
これにより、半導体装置１０ｂの側端面から配線２２，２３が露出しない、信頼性の高い半導体装置１０ｂを、安定して形成することができる。
次に、第４の実施の形態について説明する。
【０１１４】
図２９は第４の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図であって、（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は底面模式図、（Ｃ）は（Ａ）のＬ２９−Ｌ２９断面模式図である。尚、図２９（Ａ）では、図２９（Ｃ）に示す封止樹脂９０の図示を省略している。
【０１１５】
図２９に示す半導体装置１０ｃは、コア材２１の一方の主面側（半導体素子４０の搭載面側）の外周縁部Ｘに、絶縁層１４０が形成された配線基板２０ｃを用いている点で、上記第１の実施の形態の半導体装置１０と相違する。
【０１１６】
絶縁層１４０としては、保護層６１，６２と同等の線膨張係数を有しているものを形成することが望ましい。絶縁層１４０は、例えば、配線２２と保護層６１との合計厚さと同等の厚さとされる。
【０１１７】
この図２９に示す半導体装置１０ｃによっても、上記第１の実施の形態で述べた半導体装置１０と同様、側端面から配線２２，２３を露出させず、高い信頼性を確保することができる。
【０１１８】
上記半導体装置１０ｃは、例えば、以下のような方法で形成することができる。なお、上記半導体装置１０ｃの形成方法においては、上記第１の実施の形態で述べた半導体装置１０の形成方法における、図３〜図８の工程は同じとすることができる。ここでは、図３〜図８の工程以後の工程について、説明する。
【０１１９】
図３０はレジストマスクの形成工程の一例を示す図であって、（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は底面模式図、（Ｃ）は（Ａ）のＬ３０−Ｌ３０断面模式図である。
上記の図８に示した如く、配線２２形成面側の外周縁部Ｘに露出する引き出し線部２２ｂをエッチバックにより除去した後、外周縁部Ｘより内側の領域にレジストマスク１５０を形成する。レジストマスク１５０には、保護層６１と除去選択性があるものを用いる。
【０１２０】
続いて、絶縁層１４０の形成工程の一例を図３１に示す。図３１（Ａ）は平面模式図、図３１（Ｂ）は底面模式図、図３１（Ｃ）は図３１（Ａ）のＬ３１−Ｌ３１断面模式図である。
【０１２１】
レジストマスク１５０の形成後、当該レジストマスク１５０で覆われていない外周縁部Ｘに、絶縁層１４０の前駆体である流動性の絶縁材料１４０ａ（例えば液状樹脂）を形成する。絶縁材料１４０ａには、例えば、保護層６１，６２と同じ材料、或いは硬化後に保護層６１，６２と同等の線膨張係数を有する材料を用いる。
【０１２２】
このような絶縁材料１４０ａを、レジストマスク１５０をマスクにして、配線２２形成面側に、印刷法により塗布する。その後、硬化させ、絶縁層１４０を形成する。
続いて、レジストマスク１５０の除去工程の一例を図３２に示す。図３２（Ａ）は平面模式図、図３２（Ｂ）は底面模式図、図３２（Ｃ）は図３２（Ａ）のＬ３２−Ｌ３２断面模式図である。
【０１２３】
絶縁層１４０の形成後は、レジストマスク１５０を剥離する等して除去する。これにより、配線２２形成面側の外周縁部Ｘに、上記絶縁シート８０に替えて、絶縁層１４０が形成された配線基板を含むシート状基板が得られる。
【０１２４】
以後は、上記の図１０〜図１４に示したのと同様にして、半導体素子４０の搭載、ワイヤ３０を用いたワイヤボンディング、封止樹脂９０による封止、捺印、突起状電極５０の接続、及びダイサー１３０を用いた個片化を行う。これにより、図２９に示したような個々の半導体装置１０ｃが得られる。
【０１２５】
絶縁層１４０を配置することで、封止樹脂９０がバランス良く充填された個々の半導体装置１０ｃを得ることができ、その結果、半導体装置１０ｃの反り挙動の悪化を、効果的に抑えることができる。
【０１２６】
尚、ここでは半導体素子４０の搭載面側に絶縁層１４０を形成する場合を例示した。このほか、上記第２の実施の形態で述べた半導体装置１０ａの絶縁シート８０に替えて絶縁層１４０を形成し、突起状電極５０の接続面側に絶縁層１４０を形成した半導体装置を得ることもできる。
【０１２７】
また、上記第３の実施の形態で述べた半導体装置１０ｂの絶縁シート８０に替えて絶縁層１４０を形成し、半導体素子４０の搭載面側と突起状電極５０の接続面側の双方にそれぞれ、絶縁層１４０を形成した半導体装置を得ることもできる。
【０１２８】
尚、以上の説明では、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体装置を例示した。このほか、上記手法は、図３３（Ａ）に示す如く、配線基板２０ｄの半導体素子４０搭載面側と反対側に、表面処理層７２を含むランド部２３ａが配置された、ＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体装置１０ｄにも、同様に適用可能である。図３３（Ａ）には、半導体素子４０搭載面側に絶縁シート８０を配置したＬＧＡ型の半導体装置１０ｄを例示している。
【０１２９】
また、上記手法を用いることにより、図３３（Ｂ）に例示するような、配線基板２０ｅのランド部２３ａ側に絶縁シート８０を配置したＬＧＡ型の半導体装置１０ｅを形成することも可能である。或いは、上記手法を用いることにより、図３３（Ｃ）に例示するような、配線基板２０ｆの半導体素子４０搭載面側とランド部２３ａ側とに絶縁シート８０を配置したＬＧＡ型の半導体装置１０ｆを形成することも可能である。
【０１３０】
また、図３３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に例示した半導体装置１０ｄ，１０ｅ，１０ｆにおいては、絶縁シート８０に替えて、流動性の絶縁材料１４０ａから得られる、絶縁層１４０を形成することもできる。
【０１３１】
尚、以上の説明では、ＢＧＡ型或いはＬＧＡ型の半導体装置に用いる配線基板を例にして述べたが、上記手法は、上記の如く給電線及び引き出し線を用いて形成可能な様々な形態の配線基板に対しても、同様に適用可能である。
【０１３２】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  基板と、
前記基板の第１主面の外周縁部より内側に配設された第１配線と、
前記第１主面の外周縁部より内側に配設され、前記第１配線を被覆する第１絶縁層と、
前記第１主面の外周縁部に周設された第２絶縁層と、
前記基板の上方に配設され、前記第１配線に電気的に接続された半導体素子と、
前記半導体素子を封止する樹脂と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【０１３３】
（付記２）  前記半導体素子は、前記第１主面の上方に配設されていることを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
（付記３）  前記基板の第２主面の外周縁部より内側に配設され、前記第１配線に電気的に接続された第２配線と、
前記第２主面の外周縁部より内側に配設され、前記第２配線を被覆する第３絶縁層と、
前記第２主面の外周縁部に周設された第４絶縁層と、
を更に含むことを特徴とする付記２に記載の半導体装置。
【０１３４】
（付記４）  前記半導体素子は、前記基板の第２主面の上方に配設されていることを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
（付記５）  前記第２絶縁層は、前記第１配線と前記第１絶縁層との積層部の厚さと同等の厚さであることを特徴とする付記１乃至４に記載の半導体装置。
【０１３５】
（付記６）  前記第４絶縁層は、前記第２配線と前記第３絶縁層との積層部の厚さと同等の厚さであることを特徴とする付記３に記載の半導体装置。
（付記７）  基板の第１主面における第１領域の外周縁部より内側に、第１配線と、前記第１配線を被覆する第１絶縁層とを配設する工程と、
前記第１領域の外周縁部に第２絶縁層を周設する工程と、
半導体素子を、前記第１領域の上方に配設し、前記第１配線に電気的に接続する工程と、
前記半導体素子を樹脂で封止する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１３６】
（付記８）  前記樹脂による封止後に、前記第１領域の外周縁部内の位置でダイシングを行う工程を更に含むことを特徴とする付記７に記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）  前記第１配線と前記第１絶縁層とを配設する工程は、
前記第１領域の外周縁部を含む領域に、前記第１配線を形成する工程と、
前記第１領域の外周縁部より内側に、前記第１配線を被覆する前記第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１領域の外周縁部において前記第１絶縁層から露出する前記第１配線を除去する工程と、
を含むことを特徴とする付記７又は８に記載の半導体装置の製造方法。
【０１３７】
（付記１０）  前記第２絶縁層を周設する工程では、前記第１領域の外周縁部の平面形状に対応する平面形状の絶縁シートを、前記第１領域の外周縁部に配設することを特徴とする付記７乃至９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【０１３８】
（付記１１）  前記第２絶縁層を周設する工程では、前記第１領域の外周縁部に、液状の絶縁物質を配設し、配設した前記液状の絶縁物質を固化することを特徴とする付記７乃至９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【０１３９】
（付記１２）  基材と、
前記基材の第１主面における第１領域の外周縁部より内側に配設された第１配線と、
前記第１領域の外周縁部より内側に配設され、前記第１配線を被覆する第１絶縁層と、
前記第１領域の外周縁部に周設された第２絶縁層と、
を有することを特徴とする配線基板。
【０１４０】
（付記１３）  前記第２絶縁層は、前記第１配線と前記第１絶縁層との積層部の厚さと同等の厚さであることを特徴とする付記１２に記載の配線基板。
（付記１４）  前記基材の第２主面における第２領域の外周縁部より内側に配設され、前記第１配線に電気的に接続された第２配線と、
前記第２領域の外周縁部より内側に配設され、前記第２配線を被覆する第３絶縁層と、
前記第２領域の外周縁部に周設された第４絶縁層と、
を更に含むことを特徴とする付記１２又は１３に記載の配線基板。
【０１４１】
（付記１５）  前記第４絶縁層は、前記第２配線と前記第３絶縁層との積層部の厚さと同等の厚さであることを特徴とする付記１４に記載の配線基板。
【符号の説明】
【０１４２】
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ  半導体装置
２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆ  配線基板
２０Ａ，２０Ｃ  配線基板領域
２０Ｂ，２０Ｄ  シート状基板
２１  コア材
２１ａ，２１ｂ  ビア
２１ｃ，２２，２３  配線
２２ａ  電極部
２２ｂ，２３ｂ  引き出し線部
２３ａ  ランド部
３０  ワイヤ
４０  半導体素子
５０  突起状電極
６１，６２  保護層
７１，７２  表面処理層
８０  絶縁シート
９０  封止樹脂
１００  マスク
１１０  ダイアタッチ材
１２１  上金型
１２２  下金型
１３０  ダイサー
１３１  ダイシングエリア
１４０  絶縁層
１４０ａ  絶縁材料
１５０  レジストマスク
Ｘ，Ｚ  外周縁部
【図１】
2011009443.tif 000003
【図２】
2011009443.tif 000004
【図３】
2011009443.tif 000005
【図４】
2011009443.tif 000006
【図５】
2011009443.tif 000007
【図６】
2011009443.tif 000008
【図７】
2011009443.tif 000009
【図８】
2011009443.tif 000010
【図９】
2011009443.tif 000011
【図１０】
2011009443.tif 000012
【図１１】
2011009443.tif 000013
【図１２】
2011009443.tif 000014
【図１３】
2011009443.tif 000015
【図１４】
2011009443.tif 000016
【図１５】
2011009443.tif 000017
【図１６】
2011009443.tif 000018
【図１７】
2011009443.tif 000019
【図１８】
2011009443.tif 000020
【図１９】
2011009443.tif 000021
【図２０】
2011009443.tif 000022
【図２１】
2011009443.tif 000023
【図２２】
2011009443.tif 000024
【図２３】
2011009443.tif 000025
【図２４】
2011009443.tif 000026
【図２５】
2011009443.tif 000027
【図２６】
2011009443.tif 000028
【図２７】
2011009443.tif 000029
【図２８】
2011009443.tif 000030
【図２９】
2011009443.tif 000031
【図３０】
2011009443.tif 000032
【図３１】
2011009443.tif 000033
【図３２】
2011009443.tif 000034
【図３３】
2011009443.tif 000035