(57)【要約】【課題】封止樹脂である付加硬化型シリコーン樹脂組成物の硬化物の変色が抑制された反射効率の耐久性に優れた光半導体装置を提供する。【解決手段】付加硬化型シリコーン樹脂組成物の中のアルケニル基に対するヒドロシリル基のモル比を０．５〜１．０５とする。【選択図】図１
2011009346.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部底面に銀メッキの厚さが０．５〜５μｍの銅製リードフレームが配されるよう一体成形したカップ状のプレモールドパッケージ内部に、光半導体素子の電極を導電性接着剤又は導電性ワイヤーを介して前記リードフレームに接続し光半導体素子を実装するか、又は光半導体素子の電極を半田バンプを介してフェースダウンし前記リードフレームに一括接続し光半導体素子をＦＣ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ：フリップチップ）実装するかして、前記プレモールドパッケージ内部を付加硬化型シリコーン樹脂組成物で封止し硬化させてなる光半導体装置であって、前記付加硬化型シリコーン樹脂組成物が、
（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中にヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン：成分（Ａ）中のアルケニル基に対する成分（Ｂ）中のヒドロシリル基のモル比（ＳｉＨ基／アルケニル基）が０．５〜１．０５となる量、
（Ｃ）触媒：触媒量
を含有する付加硬化型シリコーン樹脂組成物であることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
プレモールドパッケージのシリコーン成分の含有量が全有機成分の１５質量％以上であることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
更に、付加硬化型シリコーン樹脂組成物に接着付与剤を加えたことを特徴とする請求項１又は２記載の光半導体装置。
【請求項４】
銀メッキ銅製リードフレームにプラズマ処理を施した請求項１乃至３のいずれか１項記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置に関するもので、詳しくは、封止樹脂である付加硬化型シリコーン樹脂組成物の硬化物の変色が抑制された反射効率の耐久性に優れた光半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、光の強度が強く、かつ発熱の大きな高輝度発光ダイオード（ＬＥＤ）が商品化され、幅広く使用されるようになってきた。
このようなＬＥＤ装置は、リードフレームと一体成形したカップ状のプレモールドパッケージが使用され、その内部にＬＥＤを実装し、これを封止樹脂で封止することにより製造される。リードフレームは、ＬＥＤ実装時の導電性確保とＬＥＤの反射効率を高めるため、通常、母材に銅を使用しこれに銀メッキが施されるが、製造コストを削減するため、銀メッキの厚みを薄くする傾向がある。
一方、封止樹脂には、その性質上、硬化物が透明性を有することが要求されており、一般にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂及び酸無水物系硬化剤からなるエポキシ樹脂組成物が用いられている（特許文献１：特許第３２４１３３８号公報、特許文献２：特開平７−２５９８７号公報参照）。しかし、かかるエポキシ樹脂組成物の硬化物は、短波長を有する光線の透過性が低いため、耐光耐久性が低い、或いは光劣化により着色するという問題が生じている。
そこで、ヒドロシリル基（ＳｉＨ基）と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、及びヒドロシリル化触媒からなる付加硬化型シリコーン樹脂組成物が提案されている（特許文献３：特開２００２−３２７１２６号公報、特許文献４：特開２００２−３３８８３３号公報参照）。しかし、かかる付加硬化型シリコーン樹脂組成物の硬化物（封止樹脂）は、上述の銅に薄い銀メッキが施されたリードフレームとの組み合せにおいて、母材の銅原子が薄い銀メッキ層に拡散し、銀メッキ表面や封止樹脂層に到達し茶色に変色し輝度の低下を招くため、ＬＥＤ装置の品質が低下するという問題が生じている。即ち、このような付加硬化型シリコーン樹脂組成物を用いても、その硬化物の変色が抑制された反射効率の耐久性に優れたＬＥＤ装置が得られていないのが実情である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３２４１３３８号公報
【特許文献２】特開平７−２５９８７号公報
【特許文献３】特開２００２−３２７１２６号公報
【特許文献４】特開２００２−３３８８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、封止樹脂である付加硬化型シリコーン樹脂組成物の硬化物の変色が抑制された反射効率の耐久性に優れた光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者等は、上記目的を達成するため、鋭意検討を行なった結果、付加硬化型シリコーン樹脂組成物の硬化物（封止樹脂）と銅に薄い銀メッキが施されたリードフレームとの組み合せにおいて、母材の銅原子が薄い銀メッキ層に拡散し、銀メッキ表面や封止樹脂層に到達し茶色に変色する原因は、銀メッキ表面に生成した酸化銅が封止樹脂に残存するヒドロシリル基（ＳｉＨ基）と反応することによる銅の析出と考え、付加硬化型シリコーン樹脂組成物の中のアルケニル基に対するヒドロシリル基のモル比を０．５〜１．０５とすることにより、銅の析出を抑制でき、その硬化物の変色が抑制された反射効率の耐久性に優れた光半導体装置が得られることを見出し、本発明をなすに至った。
【０００６】
即ち、本発明は、下記光半導体装置を提供する。
請求項１：
内部底面に銀メッキの厚さが０．５〜５μｍの銅製リードフレームが配されるよう一体成形したカップ状のプレモールドパッケージ内部に、光半導体素子の電極を導電性接着剤又は導電性ワイヤーを介して前記リードフレームに接続し光半導体素子を実装するか、又は光半導体素子の電極を半田バンプを介してフェースダウンし前記リードフレームに一括接続し光半導体素子をＦＣ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ：フリップチップ）実装するかして、前記プレモールドパッケージ内部を付加硬化型シリコーン樹脂組成物で封止し硬化させてなる光半導体装置であって、前記付加硬化型シリコーン樹脂組成物が、
（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中にヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン：成分（Ａ）中のアルケニル基に対する成分（Ｂ）中のヒドロシリル基のモル比（ＳｉＨ基／アルケニル基）が０．５〜１．０５となる量、
（Ｃ）触媒：触媒量
を含有する付加硬化型シリコーン樹脂組成物であることを特徴とする光半導体装置。
請求項２：
プレモールドパッケージのシリコーン成分の含有量が全有機成分の１５質量％以上であることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
請求項３：
更に、付加硬化型シリコーン樹脂組成物に接着付与剤を加えたことを特徴とする請求項１又は２記載の光半導体装置。
請求項４：
銀メッキ銅製リードフレームにプラズマ処理を施した請求項１乃至３のいずれか１項記載の光半導体装置。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、封止樹脂である付加硬化型シリコーン樹脂組成物の硬化物の変色が抑制された反射効率の耐久性に優れた光半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一例による光半導体装置の概略断面図である。
【図２】本発明の別の例による光半導体装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明についてより詳細に説明する。
図１及び２は、本発明の例による光半導体装置１及び１’の概略断面図である。
光半導体装置１は、内部底面にリードフレーム６が配されるよう一体成形したカップ状のプレモールドパッケージ２内部に、図示しない光半導体素子の電極を導電性接着剤４又は導電性ワイヤー５を介して前記リードフレーム６に接続し、光半導体素子３を実装すると共に、前記プレモールドパッケージ２内部を封止樹脂７で封止したものである。
光半導体装置１’は、内部底面にリードフレーム６が配されるよう一体成形したカップ状のプレモールドパッケージ２内部に、図示しない光半導体素子３の電極を半田バンプ８を介してフェースダウンし前記リードフレーム６に一括接続し光半導体素子３をＦＣ実装すると共に、前記プレモールドパッケージ２内部を封止樹脂７で封止したものである。
ここで、上記リードフレーム６には母材の銅に０．５〜５μｍの銀メッキしたものが用いられる。また、封止樹脂７に付加硬化型シリコーン樹脂組成物の硬化物を用いる。
【００１０】
このような付加硬化型シリコーン樹脂組成物は、
（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中にケイ素原子に結合した水素原子を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン：成分（Ａ）中のアルケニル基に対する成分（Ｂ）中のヒドロシリル基（ＳｉＨ基）のモル比（ＳｉＨ基／アルケニル基）が０．５〜１．０５となる量、
（Ｃ）白金系触媒：触媒量
を含有するものである。
【００１１】
ここで、上記モル比（ＳｉＨ基／アルケニル基）は、０．５〜１．０５、より好ましくは０．７〜１．０、更に好ましくは０．８〜０．９９である。
モル比が、０．５未満になると組成物の硬化反応が十分に進行せず、封止樹脂たり得ないことがある。またモル比が、１．０５を超えると、未反応のヒドロシリル基が硬化物中に多量に残存してしまうため、リードフレームの母材の銅が銀メッキ表面や封止樹脂中に拡散し、酸化反応によって酸化銅となったものを再び還元反応によって銅に戻してしまう。このようなリードフレーム母材の銅の銀メッキ表面や封止樹脂への拡散後の酸化還元反応は、結果としてリードフレーム母材からの銅の溶出反応を促進させることになり、特に封止樹脂を黄〜茶色に変色させてしまい、光半導体装置の発光素子の輝度を低下させる原因となる。
一方、モル比を０．５〜１．０５とすることにより、硬化反応が十分に進行するので封止樹脂として十分なものとなり、また未反応のヒドロシリル基が硬化物中に残存することもないため、リードフレームの母材の銅が銀メッキ表面に拡散したとしても、酸化反応によって酸化銅となった時点で反応が終了するため、リードフレーム母材からの銅の溶出反応も終了することになり、特に封止樹脂を変色させることもなく、光半導体装置の発光素子の輝度が低下することもない。
【００１２】
以下、付加硬化型シリコーン樹脂組成物の各成分について説明する。
（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサン
成分（Ａ）は、付加硬化型シリコーン樹脂組成物のベース成分であり、１分子中に２個以上（例えば２〜５０個）のビニル基、アリル基等の炭素原子数２〜８、特に２〜６のアルケニル基、好ましくはケイ素原子に結合したアルケニル基を有したオルガノポリシロキサンである。
このようなオルガノシロキサンは、主鎖がジオルガノシロキサン単位の繰り返しからなり、分子鎖両末端がトリオルガノシロキシ基で封鎖された直鎖状のものが一般的であるが、中でも下記一般式（１）で表される分子鎖両末端のケイ素原子上に２個以上のアルケニル基を有する直鎖状オルガノポリシロキサンで、２５℃における粘度が１０〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓのものが作業性、硬化性等の観点から好ましい。
【化１】
2011009346.tif 000003
（式中、Ｒ1は互いに同一又は異種の非置換もしくは置換の一価炭化水素基であり、Ｒ2は互いに同一又は異種の脂肪族不飽和結合を有さない非置換もしくは置換の一価炭化水素基であり、ｘ及びｙはそれぞれ０又は正の整数であり、ｘ＋ｙは０＜ｘ＋ｙ≦１０，０００を満足する０又は正の整数である。）
尚、この直鎖状オルガノポリシロキサンは少量の分岐状構造（三官能性シロキサン単位）を分子鎖中に含有するものであってもよい。また、粘度は例えば回転粘度計等により測定することができる。
【００１３】
一般式（１）において、Ｒ1としては、炭素原子数１〜１０、特に１〜６のものが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基；ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基；及びこれらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基、及びシアノエチル基等が挙げられる。
【００１４】
また、Ｒ2としては、炭素原子数１〜１０、特に１〜６のものが好ましく、上記Ｒ1の具体例と同様のものが挙げられるが、アルケニル基等の脂肪族不飽和結合を含まない。
【００１５】
ｘ及びｙは、０＜ｘ＋ｙ≦１０，０００を満足する０又は正の整数であり、好ましくは５≦ｘ＋ｙ≦２，０００で、０＜ｘ／（ｘ＋ｙ）≦０．２を満足する整数である。
【００１６】
このような一般式（１）で表されるオルガノポリシロキサンとしては、具体的に下記のものを挙げられる。
【化２】
2011009346.tif 000004
（式中、ｔはそれぞれ独立に８〜２，０００の整数である。）
【００１７】
【化３】
2011009346.tif 000005
（上記式において、ｘ及びｙは上述した通りである。）
【００１８】
【化４】
2011009346.tif 000006
【００１９】
【化５】
2011009346.tif 000007
【００２０】
このような一般式（１）で表されるオルガノポリシロキサンは、レジン構造、即ち、三次元網状構造を有するオルガノポリシロキサンを併用して用いることもできる。
このレジン構造（即ち、三次元網状構造）のオルガノポリシロキサンは、ＳｉＯ2単位、Ｒ3kＲ4pＳｉＯ0.5単位及びＲ3qＲ4rＳｉＯ0.5単位（但し、上記式において、Ｒ3はビニル基又はアリル基、Ｒ4は脂肪族不飽和結合を含まない非置換もしくは置換の一価炭化水素基であり、ｋは２又は３、ｐは０又は１で、ｋ＋ｐ＝３、ｑは０又は１、ｒは２又は３で、ｑ＋ｒ＝３である。）からなるレジン構造のオルガノポリシロキサンが好ましい。
尚、Ｒ4の一価炭化水素基としては、上記Ｒ2と同様の炭素数１〜１０、特に１〜６のものが挙げられる。
【００２１】
ここで、レジン構造のオルガノポリシロキサンは、ＳｉＯ2単位をａ単位、Ｒ3kＲ4pＳｉＯ0.5単位をｂ単位、Ｒ3qＲ4rＳｉＯ0.5単位をｃ単位とした場合、これら単位割合は、モル比として、（ｂ＋ｃ）／ａ＝０．３〜３、特に０．７〜１、ｃ／ａ＝０．０１〜１、特に０．０７〜０．１５であることが好ましく、またこのオルガノポリシロキサンは、ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量が５００〜１０，０００の範囲であるものが好適である。
【００２２】
尚、このレジン構造のオルガノポリシロキサンは、ａ単位、ｂ単位、ｃ単位に加えて、更に、二官能性シロキサン単位や三官能性シロキサン単位、即ち、オルガノシルセスキオキサン単位を本発明の目的を損なわない範囲で少量含有するものであってもよい。
【００２３】
このようなレジン構造のオルガノポリシロキサンは、各単位源となる化合物を、上記モル比となるように組み合わせ、例えば酸の存在下で共加水分解を行うことによって容易に合成することができる。
【００２４】
ここで、ａ単位源としては、ケイ酸ソーダ、アルキルシリケート、ポリアルキルシリケート、四塩化ケイ素等が挙げられる。
【００２５】
ｂ単位源としては、下記のものが挙げられる。
【化６】
2011009346.tif 000008
【００２６】
ｃ単位源としては、下記のものが挙げられる。
【化７】
2011009346.tif 000009
【００２７】
このようなレジン構造のオルガノポリシロキサンは、硬化物の物理的強度及び表面のタック性を改善するために配合されるものであり、成分（Ａ）中、２０〜７０質量％の量で配合されることが好ましく、より好ましくは３０〜６０質量％の量で配合される。配合量が２０質量％よりも少ないと、上記効果が十分達成されない場合があり、７０質量％よりも多いと、組成物の粘度が著しく高くなったり、硬化物にクラックが発生し易くなる場合がある。
【００２８】
（Ｂ）オルガノハイドロジェンポリシロキサン
成分（Ｂ）は、架橋剤成分であり、該成分中のヒドロシリル基（ＳｉＨ基）と成分（Ａ）中のアルケニル基とが付加反応することにより硬化物を形成するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。
このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、１分子中にヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を２個以上、好ましくは３個以上有するものであればいずれのものでもよいが、中でも下記一般式（２）で表され、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を少なくとも２個（通常２〜３００個）、好ましくは３個以上（例えば３〜２００個）有するものが好ましい。
Ｈa（Ｒ5）bＳｉＯ(4-a-b)/2            （２）
（式中、Ｒ5は脂肪族不飽和結合を含有しない同一又は異種の非置換もしくは置換の一価炭化水素基であり、ａ及びｂは、０．００１≦ａ＜２、０．７≦ｂ≦２、かつ０．８≦ａ＋ｂ≦３を満たす数である。）
【００２９】
一般式（２）において、Ｒ5は脂肪族不飽和結合を含有しない同一又は異種の非置換もしくは置換の炭素原子数１〜１０、特に炭素原子数１〜７の一価炭化水素基であることが好ましく、例えば、メチル基等の低級アルキル基、フェニル基等のアリール基など、前述の一般式（１）の置換基Ｒ2で例示したものが挙げられる。
また、ａ及びｂは、０．００１≦ａ＜２、０．７≦ｂ≦２、かつ０．８≦ａ＋ｂ≦３を満たす数であり、好ましくは０．０５≦ａ≦１、０．８≦ｂ≦２、かつ１≦ａ＋ｂ≦２．７となる数である。ケイ素原子に結合した水素原子の位置は特に制約はなく、分子の末端でも非末端でもよい。
【００３０】
このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、トリス（ジメチルハイドロジェンシロキシ）メチルシラン、トリス（ジメチルハイドロジェンシロキシ）フェニルシラン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位とから成る共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位と（Ｃ6Ｈ5）ＳｉＯ3/2単位とから成る共重合体等が挙げられる。
【００３１】
また、下記構造で示される単位を使用して得られるオルガノハイドロジェンポリシロキサンも用いることができる。
【化８】
2011009346.tif 000010
【００３２】
このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては下記のものが挙げられる。
【化９】
2011009346.tif 000011
【００３３】
このように、成分（Ｂ）のオルガノハイドロジェンポリシロキサンの分子構造は、直鎖状、環状、分岐状、三次元網状構造のいずれであってもよいが、１分子中のケイ素原子の数（又は重合度）は３〜１，０００、特に３〜３００程度のものを使用することができる。
【００３４】
このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、通常、Ｒ5ＳｉＨＣｌ2、（Ｒ5）3ＳｉＣｌ、（Ｒ5）2ＳｉＣｌ2、（Ｒ5）2ＳｉＨＣｌ（Ｒ5は、前記の通りである）のようなクロロシランを加水分解するか、加水分解して得られたシロキサンを平衡化することにより得ることができる。
【００３５】
（Ｃ）触媒
成分（Ｃ）は、付加硬化反応型シリコーン樹脂組成物の付加硬化反応を生じさせる触媒である。
このような触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系等のものがあるが、コスト等の見地から白金、白金黒、塩化白金酸などの白金系のもの、例えば、Ｈ2ＰｔＣｌ6・ｍＨ2Ｏ，Ｋ2ＰｔＣｌ6，ＫＨＰｔＣｌ6・ｍＨ2Ｏ，Ｋ2ＰｔＣｌ4，Ｋ2ＰｔＣｌ4・ｍＨ2Ｏ，ＰｔＯ2・ｍＨ2Ｏ（ｍは正の整数）等や、これらと、オレフィン等の炭化水素、アルコール又はビニル基含有オルガノポリシロキサンとの錯体等を挙げることができ、これらは単独でも、２種以上の組み合わせでも使用することができる。
【００３６】
これらの触媒成分の配合量は、硬化有効量であり所謂触媒量でよく、通常、前記成分（Ａ）及び（Ｂ）の合計量１００質量部当り、白金族金属の質量換算で０．１〜１，０００ｐｐｍ、特に  ０．５〜２００ｐｐｍの範囲で使用される。
【００３７】
（Ｄ）その他の成分
本発明に使用する付加硬化型シリコーン樹脂組成物は、上述した成分（Ａ）〜（Ｃ）を必須成分とするが、これに必要に応じて公知の各種の添加剤を配合してもよい。
このような添加剤としては、ヒュームドシリカ、ヒュームド二酸化チタン等の補強性無機充填剤、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、二酸化チタン、酸化第二鉄、カーボンブラック、酸化亜鉛等の非補強性無機充填剤、ＢＨＴ、ビタミンＢ等の酸化防止剤、ヒンダードアミン等の光劣化防止剤、ビニルエーテル類、ビニルアミド類、エポキシ樹脂、オキセタン類、アリルフタレート類、アジピン酸ビニル等の反応性希釈剤等が挙げられる。
【００３８】
また、接着付与剤として、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等や、トリメトキシシラン、テトラメトキシシラン及びそのオリゴマー等が挙げられる。これらの接着付与剤剤は、単独でも２種以上混合して使用することも可能である。
接着付与剤の配合量は、組成物全体の１０質量％以下（０〜１０質量％）、特に５質量％以下（０〜５質量％）程度配合することが好ましい。
【００３９】
付加硬化型シリコーン樹脂組成物の調製方法等
付加硬化型シリコーン樹脂組成物は、上記成分（Ａ）〜（Ｃ）、及び所望の上記その他の成分を同時に、又は別々に必要により加熱処理を加えながら攪拌、溶解、混合、及び分散させることにより得ることができる。
但し、通常は、使用前に硬化反応が進行しないように、成分（Ａ）及び（Ｃ）と、成分（Ｂ）とを２液に分けて保存し、使用時に２液を混合して硬化させる。このような２液の分け方をするのは、成分（Ｂ）と成分（Ｃ）の同一配合は、脱水素反応の危険性から避ける必要があるためである。また、アセチレンアルコール等の硬化抑制剤を少量添加して１液として用いることもできる。
攪拌等の操作に用いる装置は特に限定されないが、攪拌、加熱装置を備えたライカイ機、３本ロール、ボールミル、プラネタリーミキサー等を用いることができる。また、これら装置を適宜組み合わせてもよい。
尚、得られた付加硬化型シリコーン樹脂組成物の回転粘度計により測定した２５℃における粘度は、１００〜１０，０００，０００ｍＰａ・ｓ、特には３００〜５００，０００ｍＰａ・ｓ程度が好ましい。
【００４０】
このようにして得られる付加硬化型シリコーン樹脂組成物は、必要によって加熱することにより直ちに硬化して、高い透明性を有し、かつＬＣＰ等のパッケージ材料や金属基板に非常によく接着するため、光半導体素子の封止に有効であり、光半導体素子としては、例えば、ＬＥＤ、フォトダイオード、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ、フォトカプラなどが挙げられ、特にＬＥＤの封止に有効である。
【００４１】
封止方法としては、光半導体素子の種類に応じた公知の方法が採用され、付加硬化型シリコーン樹脂組成物の硬化条件は、特に制限されるものではないが、通常、４０〜２５０℃、好ましくは６０〜２００℃で、５分〜１０時間、好ましくは３０分〜６時間程度で硬化させることができる。
尚、銀メッキしたリードフレームは、上記付加硬化型シリコーン樹脂組成物の濡れ性を高めるため、予め表面処理を施すことが好ましい。このような表面処理は、作業性や設備の保全等の観点から、紫外線処理、オゾン処理、プラズマ処理等の乾式法が好ましく、特にプラズマ処理が好ましい。
また、プレモールドパッケージの材質は、上記付加硬化型シリコーン樹脂組成物の相溶性を高めるため、プレモールドパッケージ中のシリコーン成分の含有量が全有機成分の１５質量％以上とすることが好ましい。ここにいうシリコーン成分とは、Ｓｉ単位を有する化合物及びそのポリマーと定義されるもので、これが全有機成分の１５質量％未満であると、付加硬化型シリコーン樹脂組成物の相溶性が低下するため、樹脂封止する際、付加硬化型シリコーン樹脂組成物とプレモールドパッケージ内壁との間に隙間（空泡）を作ってしまい、その結果クラックの入り易い光半導体装置になってしまうため好ましくない。
【００４２】
このようにして得られる付加硬化型シリコーン樹脂組成物の硬化物で封止された光半導体装置は、上述の通り、硬化物中に未反応のヒドロシリル基が残存することがないため、その結果、硬化物の変色が抑制された反射効率の耐久性に優れた光半導体装置を提供することが可能となる。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例及び比較例に基づき、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【００４４】
［実施例１〜３、比較例１，２］
下記各種材料を表１に記載した通り配合し、均一に混練して各種付加硬化型シリコーン樹脂組成物を得るとともに、これを１５０℃、４時間の条件で加熱、成型にすることにより、１２４ｍｍ（縦）×１１０ｍｍ（横）×１ｍｍ（厚）の各種試験片を作製した。
このようにして得られた試験片を用いて、この厚み方向に４５０ｎｍ波長光を照射し光透過の外観を目視にて観察した。また、ＪＩＳ  Ｋ  ６３０１に準拠して、引張強度、硬度（Ａ型スプリング試験機を用いて測定）及び伸びを測定した。
結果を表１に併記する。
【００４５】
［使用した材料］
１）ポリシロキサン（ＶＦ）：下記式（ｉ）で表されるポリシロキサン
【化１０】
2011009346.tif 000012
２）ビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）：ＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４２．５モル％及びＶｉ3ＳｉＯ0.5単位７．５モル％からなるレジン構造を有するビニルメチルシロキサン
３）ハイドロジェンポリシロキサン：下記式（ｉｉ）で表されるハイドロジェンポリシロキサン
【化１１】
2011009346.tif 000013
４）白金触媒：塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液（白金濃度２質量％）
ｅ）接着付与剤：下記式（ｉｉｉ）で表される接着付与剤
【化１２】
2011009346.tif 000014
【００４６】
【表１】
2011009346.tif 000015
【００４７】
表１に示すように、実施例１〜３及び比較例２については、十分な物理特性（硬度、引張強度、伸び）が認められた。一方、比較例１については、十分な物理特性が認められず、特に引張強度及び伸びは測定できなかった。
【００４８】
また、上記実施例１〜３及び比較例１，２の各種付加硬化型シリコーン樹脂組成物を用い、ＬＥＤ装置を作製し評価を行った。
即ち、底面に厚さ２μｍの銀メッキを施した銅製リードフレームを配したカップ状のＬＥＤ用プレモールドパッケージ（３ｍｍ×３ｍｍ×１ｍｍ、開口部の直径２．６ｍｍ）に対し、減圧下でＡｒプラズマ（出力１００Ｗ、照射時間１０秒）処理を行い、該底面の該リードフレームにＩｎＧａＮ系青色発光素子の電極を銀ペースト（導電性接着剤）を用いて接続すると共に、該発光素子のカウンター電極を金ワイヤーにてカウンターリードフレームに接続し、各種付加硬化型シリコーン樹脂組成物をパッケージ開口部に充填し、６０℃で１時間、更に１５０℃で４時間硬化させて封止した。
このようにして得られたＬＥＤ装置を、２５ｍＡの電流を流して点灯させながら１５０℃雰囲気下で５００時間放置した後、パッケージ内の銀メッキ表面近傍の変色度合いを目視で調べた。
結果を表２に示す。
【００４９】
【表２】
2011009346.tif 000016
【００５０】
表２に示すように、実施例１〜３については、パッケージ内の銀メッキ表面近傍の変色は認められなかった。一方、比較例２については、パッケージ内の銀メッキ表面近傍が黄変しており、実施例１〜３に対して目視観察で明らかな発光強度の低下が認められた。また、比較例１については、パッケージ内の銀メッキ表面近傍がやや黄変しているものの、実施例１〜３に対して目視観察で明らかな発光強度の低下は認められなかった。
【符号の説明】
【００５１】
１  光半導体装置
２  プレモールドパッケージ
３  光半導体素子
４  導電性接着剤
５  導電性ワイヤー
６  銀メッキリードフレーム
７  封止樹脂
８  半田バンプ
【図１】
2011009346.tif 000017
【図２】
2011009346.tif 000018