(57)【要約】【課題】磁性層のパターンが不鮮明になることなく高記録密度の磁気記録媒体が得られるとともに、簡便な製造工程とすることができ、高い生産性で歩留まり良く製造することが可能な磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体並びに磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】非磁性基板１上に磁性層２を形成する工程（Ａ）と、磁性層２の上に磁気記録パターンを形成するためのパターニングした放射線反応層３を形成する工程（Ｂ）〜（Ｄ）と、放射線反応層３に放射線Ｒを照射して放射線反応層３から酸または塩基を発生させる工程（Ｅ）と、放射線反応層３から発生した酸または塩基と磁性層２とを反応させ、この部位２１の磁気特性を改質する工程（Ｆ）とをこの順で有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法であって、
非磁性基板上に磁性層を形成する工程と、
前記磁性層の上に磁気記録パターンを形成するためのパターニングした放射線反応層を形成する工程と、
前記放射線反応層に放射線を照射して該放射線反応層から酸または塩基を発生させる工程と、
前記放射線反応層から発生した酸または塩基と前記磁性層とを反応させ、該反応箇所の磁気特性を改質する工程と、をこの順で有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記放射線反応層が放射線分解性化合物を含み、該放射線分解性化合物は放射線の照射により分解生成物として酸または塩基を生じさせるか、または、生じた前記分解生成物が他の物質と反応して酸または塩基を生じさせる物質であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記放射線反応層を光酸発生剤により形成し、該放射線反応層に照射する放射線として紫外線または熱線を用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記パターニングした放射線反応層を形成する工程において、ナノインプリント法を用いることを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記放射線反応層にナノインプリントを施した後、該放射線反応層に湿式エッチングを行い、パターニングした放射線反応層を形成することを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記光酸発生剤が、シクロヘキシルスルフォニル・ジアゾメタン、ｔ−ブチルスルフォニル・ジアゾメタン、ｐ−トルエンスルフォニル・ジアゾメタン、トリフェニルスルフォニウムとトリフルオロネタンスルフォネートとの混合物、ジフェニル−４−メチルフェニルスルフォニウムとトリフルオロメタンスルフォネートとの混合物、ジフェニル−２，４，６−トリメチルフェニルスルフォニウムとｐ−トルエンスルフォネートとの混合物の何れか一種以上を含むことを特徴とする請求項３〜請求項５の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記磁性層の磁気特性を改質する工程の後、放射線と反応後の前記放射線反応層を湿式洗浄により除去することを特徴とする請求項１〜請求項６の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜請求項７の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造される磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項８に記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを少なくとも具備してなることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置等の磁気記録再生装置に用いられる磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体、並びに磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置、フレキシブルディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上が図られつつある。特に、ＭＲヘッドおよびＰＲＭＬ技術の導入以来、面記録密度の上昇はさらに激しさを増し、近年ではさらにＧＭＲヘッド、ＴＭＲヘッドなども導入され、１年に約１．５倍ものペースで増加を続けている。
【０００３】
これらの磁気記録媒体については、今後、更に高記録密度を達成することが要求されており、磁性層の高保磁力化と高信号対雑音比（ＳＮＲ）や高分解能を達成することが求められている。また、近年では、線記録密度の向上と同時に、トラック密度の増加によって面記録密度を向上させる努力も続けられており、特に、最新の磁気記録装置においてはトラック密度が２５０ｋＴＰＩにも達している。
【０００４】
磁気記録媒体の面記録密度を上げるためには、トラック間またはビット間のピッチを低減し、溝の間隔も低減する必要がある。しかしながら、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となってＳＮＲを損なうという問題が生じやすくなる。このことは、そのままビットエラーレート（Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅ）の悪化につながるため、記録密度の向上に対して障害となっている。このため、高密度、且つ、高ビットエラーレートの磁気記録媒体を実現するためには、同一ピッチにおいて可能な限り信号強度を上げることが求められ、信号記録部分、即ちランド部分の幅（面積）を広くするとともに、溝部分を狭くするパターン構造とすることが求められている。
【０００５】
また、磁気記録媒体の線記録密度を増大させるためには、媒体の高保磁力化および熱安定化が必要であり、それには、記録層における磁性体の異方性磁界を増大させることが不可欠である。また、これに対応してヘッドによる記録磁界を増大させる必要がある。
しかしながら、磁気記録の磁界を増大させ、なお且つ、微小領域へ磁力を印加した場合には、隣接トラックへのクロストークが増大し、これに伴ってノイズも増大するため、トラック密度を増大することが困難であるという問題がある。このため、高密度の磁気記録再生装置（ハードディスク装置）においては、ディスクリートトラック型及びビットパターンド型の磁気記録媒体が開発され、トラック間またはビット間の磁性体を除去あるいは減少することにより、クロストークを抑制することが提案されている。上述のディスクリートトラック型とは、磁気記録媒体の表面にトラックに沿った凹凸を形成し、記録トラック同士を物理的に分離することによってトラック密度を向上させ、熱安定化やＳＮＲ、あるいは十分な出力を確保する技術である。また、その他の磁気記録媒体を製造する方法としては、磁性層の一部をイオンミリングにより加工して磁気記録パターンを形成し、加工箇所に非磁性材料を充填することで表面を平滑化する方法もある。
【０００６】
上述のようなディスクリートトラック型の記録媒体の一例として、表面に凹凸パターンを形成した非磁性基板に磁気記録媒体を形成することにより、物理的に分離した磁気記録トラック及びサーボ信号パターンが形成されてなる磁気記録媒体を製造することが知られている（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１によれば、表面に複数の凹凸のある基板の表面に軟磁性層を介して強磁性層を形成し、その表面に保護膜を形成する技術である。このようにして得られる磁気記録媒体では、凸部領域に周囲と物理的に分断された磁気記録領域が形成される。特許文献１によれば、軟磁性層での磁壁発生を抑制できるため、熱揺らぎの影響が出にくく、隣接する信号間の干渉もないので、ノイズの少ない高密度磁気記録媒体を形成できるとされている。
【０００７】
また、ディスクリートトラック型の磁気記録媒体を製造する方法としては、例えば、何層かの薄膜からなる磁気記録媒体を形成した後にトラックを形成する方法と、あらかじめ基板表面に直接、あるいはトラック形成のための薄膜層に凹凸パターンを形成した後に、磁気記録媒体の薄膜形成を行う方法がある（例えば、特許文献２、３を参照）。
【０００８】
また、ディスクリートトラック媒体の磁気トラック間領域を、あらかじめ形成した磁性層に窒素、酸素等のイオンを注入するか、または、レーザを照射することにより、その部分の磁気的な特性を変化させて形成する方法が開示されている（例えば、特許文献４〜６を参照）。
【０００９】
また、従来の磁気記録媒体を製造する工程としては、例えば、図３（ａ）〜（ｊ）に示すように、まず、磁性層１０２の上にマスク層１０３を形成した後、その上にレジスト層１０４を形成し、このレジスト層１０４にスタンパ１０５を用いてパターン転写を行う。そして、このパターンを用いてマスク層１０３を加工した後、磁性層１０２の加工及び改質を行ってマスク層１０３を除去し、必要に応じて、エッチングによって磁性層１０２の表面に生じた凹部に非磁性材料１０５を埋め込むことで凹凸を平坦化する方法が採用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−１６４６９２号公報
【特許文献２】特開２００４−１７８７９３号公報
【特許文献３】特開２００４−１７８７９４号公報
【特許文献４】特開平５−２０５２５７号公報
【特許文献５】特開２００６−２０９９５２号公報
【特許文献６】特開２００６−３０９８４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、図３（ａ）〜（ｊ）に示すような従来の製造工程においては、上述のように工程数が多く、また、設定すべきパラメータが多いために制御が複雑なことから、以下に説明するように制御が難しくなるという問題があった。
【００１２】
まず、上記製造工程においては、レジスト層１０４のパターンのみでは磁性層１０２を加工する際のミリングイオンの遮蔽性が不十分なことから、マスク層１０３を用いて加工を行っている。しかしながら、マスク層１０３のような層が増えると、工程が複雑になることのみならず、磁性層１０２を加工した後のマスク除去工程において、磁性層１０２のパターンのエッジ部も削られてしまう。このため、磁性層１０２のエッジ部が丸みを帯び、磁性層１０２のパターンがぼやけて不鮮明な状態となる。
【００１３】
ここで、図３（ａ）〜（ｊ）に示すような従来の製造工程においては、図３（ｂ）に示す転写パターンとされたレジスト層１０４のエッジ部が最もシャープであり、この工程以降、エッジ部が徐々に丸くなり、工程が増えるほどパターンがぼやけて不鮮明となることがわかる。特に、図３（ｄ）〜（ｆ）の工程間におけるマスク層１０３の除去処理では、磁性層１０２のエッジ部までも削ってしまうことから、磁気記録部の矩形性が低下し、その箇所からの信号が減少してエラーレートが低下するという問題があった。
【００１４】
また、製造工程が複雑になることから、各工程を制御するためのパラメータが多くなってこれらの制御が難しくなり、製造歩留まりが低下するという問題が生じていた。さらに、その後、磁性層１０２に生じた凹凸を平坦化する埋め込み工程においては、磁性層１０２の膜厚の少なくとも２倍以上の膜厚の埋め込み材を形成する必要があることから、工程時間が２倍以上になるという問題があった。また、その後の平坦化工程では、磁性層の表面を完全に平坦化することは困難であり、表面に残存する凹凸により、磁気ヘッドの浮上特性が悪化するという問題があった。加えて、上述の製造工程上の問題点に伴い、製造コストも上昇してしまうという大きな問題があった。
【００１５】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、磁性層のパターンが不鮮明になることなく高記録密度の磁気記録媒体が得られるとともに、簡便な製造工程とすることができ、高い生産性で歩留まり良く製造することが可能な、磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、上記本発明の製造方法によって得られ、優れた記録再生特性を備え、高記録密度に対応可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
また、本発明は、上記本発明の磁気記録媒体を備え、高記録密度特性に優れた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者等は、上記問題を解決するために鋭意研究を行った。その結果、磁性層の表面に酸発生層を形成し、その酸発生層にスタンパで磁気記録パターンの分離領域部分をインプリントした後、酸発生層の余分な部分を湿式エッチング（又は乾式エッチング）によって除去し、次いで、酸発生層に反応光を照射して酸を発生させ、その酸を磁性層と反応させてその箇所の磁気特性を改質し、その後、湿式エッチング等で反応後の酸発生層を除去する方法とすることにより、磁性層のエッジ部が削られることなく鮮明なパターンを形成することが可能となることを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明は以下に示す構成を採用するものである。
【００１７】
［１］  磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法であって、非磁性基板上に磁性層を形成する工程と、前記磁性層の上に磁気記録パターンを形成するためのパターニングした放射線反応層を形成する工程と、前記放射線反応層に放射線を照射して該放射線反応層から酸または塩基を発生させる工程と、前記放射線反応層から発生した酸または塩基と前記磁性層とを反応させ、該反応箇所の磁気特性を改質する工程と、をこの順で有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１８】
［２］  前記放射線反応層が放射線分解性化合物を含み、該放射線分解性化合物は放射線の照射により分解生成物として酸または塩基を生じさせるか、または、生じた前記分解生成物が他の物質と反応して酸または塩基を生じさせる物質であることを特徴とする上記［１］に記載の磁気記録媒体の製造方法。
［３］  前記放射線反応層を光酸発生剤により形成し、該放射線反応層に照射する放射線として紫外線または熱線を用いることを特徴とする上記［１］または［２］に記載の磁気記録媒体の製造方法。
［４］  前記パターニングした放射線反応層を形成する工程において、ナノインプリント法を用いることを特徴とする上記［１］〜［３］の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
［５］  前記放射線反応層にナノインプリントを施した後、該放射線反応層に湿式エッチングを行い、パターニングした放射線反応層を形成することを特徴とする上記［４］に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００１９】
［６］  前記光酸発生剤が、シクロヘキシルスルフォニル・ジアゾメタン、ｔ−ブチルスルフォニル・ジアゾメタン、ｐ−トルエンスルフォニル・ジアゾメタン、トリフェニルスルフォニウムとトリフルオロネタンスルフォネートとの混合物、ジフェニル−４−メチルフェニルスルフォニウムとトリフルオロメタンスルフォネートとの混合物、ジフェニル−２，４，６−トリメチルフェニルスルフォニウムとｐ−トルエンスルフォネートとの混合物の何れか一種以上を含むことを特徴とする上記［３］〜［５］の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
［７］  前記磁性層の磁気特性を改質する工程の後、放射線と反応後の前記放射線反応層を湿式洗浄により除去することを特徴とする上記［１］〜［６］の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００２０】
［８］  上記［１］〜［７］の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造される磁気記録媒体。
［９］  上記［８］に記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを少なくとも具備してなることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、非磁性基板上に磁性層を形成する工程と、磁性層の上に磁気記録パターンを形成するためのパターニングした放射線反応層を形成する工程と、放射線反応層に放射線を照射して該放射線反応層から酸または塩基を発生させる工程と、放射線反応層から発生した酸または塩基と磁性層とを反応させ、該反応箇所の磁気特性を改質する工程と、をこの順で有することにより、磁性層のエッジ部が削られることなく、鮮明なパターンの磁気記録部分並びに非磁性部分を形成できるので、耐食性が良好となり、生産性及び歩留まりが向上する。また、放射線反応層のパターンを、エッチング処理の時間のみで正確に制御することができるので、磁気記録部分の幅を広く形成することができ、シグナル強度の高い、高ビットエラーレートが確保された磁気記録媒体を製造することが可能となる。従って、簡便な工程で、製造コストを大幅に低減することができるとともに、高い生産性で歩留まり良く、高記録密度の磁気記録媒体を製造することが可能となる。
【００２２】
また、本発明の磁気記録媒体によれば、上記本発明の製造方法によって得られる磁気記録媒体なので、優れた記録再生特性を備え、高記録密度に対応可能な磁気記録媒体が実現できる。
また、本発明の磁気記録再生装置は、上記本発明の磁気記録媒体を備えたものなので、高記録密度特性に優れた磁気記録再生装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体を模式的に説明する図であり、非磁性基板上に各層を成膜する各工程を示す断面図である。
【図２】本発明に係る磁気記録媒体が用いられてなる磁気記録再生装置を模式的に示す概略図である。
【図３】従来の磁気記録媒体の製造方法の各工程を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体、並びに磁気記録再生装置の一実施形態について、図面を適宜参照して説明する。
図１（Ａ）〜（Ｈ）は本実施形態の磁気記録媒体の製造方法の各工程、並びにそれによって得られる磁気記録媒体を模式的に説明する断面図であり、図２は本実施形態の磁気記録媒体が備えられてなる磁気記録再生装置の一例を模式的に説明する概略図である。なお、以下の説明において参照する図面は、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体、並びに磁気記録再生装置を説明するための図面であって、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の磁気記録媒体等の寸法関係とは異なっている。
【００２５】
本実施形態の磁気記録媒体１０の製造方法は、非磁性基板１上に磁性層２を形成する工程と、磁性層２の上に磁気記録パターンを形成するためのパターニングした放射線反応層３を形成する工程と、放射線反応層３に放射線を照射して該放射線反応層３から酸または塩基を発生させる工程と、放射線反応層３から発生した酸または塩基と磁性層２とを反応させ、該反応箇所の磁気特性を改質する工程と、をこの順で有する方法である。
【００２６】
［磁気記録媒体］
本実施形態の製造方法で得られる磁気記録媒体１０について、図１（Ｈ）に示す模式断面図、及び、図２に示す磁気記録再生装置５０の例を用いて詳細に説明する。図１は、非磁性基板１上に各層を形成する工程、並びにそれによって得られる磁気記録媒体１０の層構造を示す縦断面図である。
また、本実施形態の磁気記録媒体１０は、非磁性基板１上に、磁気的に分離した図示略の磁気記録パターンを有するものであり、平面視略ドーナツ型の板状とされている（図２中の磁気記録再生装置５０における符号１０を参照）。
【００２７】
図１（Ｈ）に示すように、本実施形態の磁気記録媒体１０は、非磁性基板１上に、磁気パターンが形成された磁性層２、保護層９が順次積層されることで概略構成される。また、本実施形態で説明する例の磁気記録媒体１０は、詳細な図示を省略するが、非磁性基板１と磁性層２との間に、例えば、軟磁性層や配向制御層等からなる下地層、中間層を配し、保護層９上に潤滑層を設けた構成とすることも可能である。これらの各層の内、非磁性基板１及び磁性層２以外の層については、適宜選択して設けることができる。
【００２８】
また、磁気記録媒体１０は、非磁性基板１の垂直方向に磁化が付与される磁性層２を備えたものであり、読み出しヘッド及び書き込みヘッドを備えた磁気ヘッド５７（図２の磁気記録再生装置５０を参照）により、図示略の磁気記録パターンへの情報信号の書き込み及び読み出しが行われる。
【００２９】
非磁性基板１としては、例えば、アルミニウムや、Ａｌ−Ｍｇ合金等のアルミニウム合金の金属材料からなる金属基板等を用いることができる他、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、チタン、カーボン、各種樹脂等、非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよい。
【００３０】
非磁性基板１に用いられるガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがある。これらの内、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケート系ガラスを用いることができ、また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。また、セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素等を主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物等が使用可能である。また、非磁性基板１としては、上述のような金属基板又は非金属基板の表面に、メッキ法やスパッタ法を用いて、ＮｉＰ層又はＮｉＰ合金層が形成されたものを用いることも可能である。
本実施形態で用いる非磁性基板１としては、上記各材料の中でも、アルミニウム合金や、結晶化ガラス、又はシリコンからなる基板を用いることが好ましい。
【００３１】
非磁性基板１は、平均表面粗さＲａが１ｎｍ（１０Å）以下、より好ましくは０．５ｎｍ（５Å）以下であるとことが、磁気ヘッドを低浮上させた高記録密度記録において好適である。
また、非磁性基板１は、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下、より好ましくは０．２５ｎｍ以下であることが、上記同様、磁気ヘッドを低浮上させた高記録密度記録において好適である。
【００３２】
また、非磁性基板１は、端面のチャンファー部の面取り部、及び、側面部の内、少なくとも一方の表面平均粗さＲａが１０ｎｍ以下、より好ましくは９．５ｎｍ以下のものを用いることが、磁気ヘッドの飛行安定性の点から好適である。
ここで、本実施形態において説明する微少うねり（Ｗａ）は、例えば、表面荒粗さ測定装置（型番：Ｐ−１；ＫＬＭ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。
【００３３】
非磁性基板１の表面、即ち、磁性層２側には密着層を設けることがより好ましい。非磁性基板１と、Ｃｏ又はＦｅが主成分となる図示略の軟磁性層（下地層）とが直に接する場合、非磁性基板１の表面の吸着ガス、水分の影響、又は基板成分の拡散により、腐食が進行する可能性がある。このような腐食の進行を抑制するため、非磁性基板１上に密着層を設けることが好ましい。密着層を構成する材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金など適宜選択することが可能であり、その厚さを３０Å以上とすることが好ましい。
【００３４】
軟磁性層は、磁気ヘッドから発生する磁束の非磁性基板に対する垂直方向成分を大きくするために、また、情報が記録される磁性層２の磁化の方向を、より強固に非磁性基板１と垂直な方向に固定することを目的として設けることができる。このような軟磁性層を設けることで得られる作用は、特に、磁気記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、より顕著なものとなるので好ましい。このような軟磁性層としては、軟磁性材料からなるもの、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料を用いることができる。
【００３５】
軟磁性層の上には、図示略の配向制御層を設けることができる。この配向制御層を設けることにより、磁性層２の結晶粒を微細化して、記録再生特性を改善することが可能となる。配向制御層を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造、アモルファス構造を有するものが好ましい。特に、Ｒｕ系合金、Ｎｉ系合金、Ｃｏ系合金、Ｐｔ系合金、Ｃｕ系合金が特に好ましく、また、これらの合金を多層化して用いても良い。また、配向制御層の表面形状は、磁性層２の配向性や表面形状に影響を与えるため、最適な表面形状及び適度な粗さにすることが好ましい。
【００３６】
また、配向制御層と後述の磁性層２との間には、さらに図示略の非磁性の中間層を設けることがより好ましい。配向制御層直上の磁性層２の初期部分には、結晶成長の乱れが生じやすく、これがノイズの原因となる。このような、結晶生長の乱れが生じた磁性層２の初期部分を非磁性の中間層に置き換えることで、ノイズの発生を抑制することができる。このような中間層としては、例えば、Ｃｏを主成分とし、さらに酸化物を含んだ材料を採用することが好ましい。また、中間層を構成する酸化物としては、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏの酸化物であることが好ましく、特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２が好適である。
【００３７】
磁性層２は、非磁性基板１上に設けられる磁気記録層であり、例えば、上述のような非磁性基板１上に適宜設けられる下地層や中間層の上に形成される。
本実施形態の磁気記録媒体１０に備えられる磁性層２は、面内磁性層及び垂直磁性層の何れであっても構わないが、より高記録密度を実現するためには、垂直磁性層とすることが好ましい。
【００３８】
磁性層２は、主としてＣｏを主成分とする合金から形成するのが好ましい。
面内磁気記録媒体用の磁性層２としては、例えば、非磁性のＣｒＭｏ下地層と強磁性のＣｏＣｒＰｔＴａ磁性層からなる積層構造が利用できる。また、垂直磁気記録媒体用の磁性層２としては、例えば、軟磁性のＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢ、ＦｅＣｏＺｒＢＣｕなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮＢ、ＣｏＢなど）等からなる裏打ち層と、Ｐｔ、Ｐｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＦｅＣｒなどの配向制御膜と、必要によりＲｕ等の中間膜、及び６０Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ合金や７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２合金からなる磁性層を積層したものを利用することがきる。
【００３９】
磁性層２の垂直保磁力（Ｈｃ）は、３０００［Ｏｅ］以上とすることが好ましい。磁性層２の垂直保磁力が３０００［Ｏｅ］未満だと、記録再生特性、特に周波数特性が低下し、また、熱揺らぎ特性も低下することから、高密度記録媒体として好ましくない。
【００４０】
また、磁性層２の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、１５００［Ｏｅ］以上であることが好ましい。磁性層２の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が１５００［Ｏｅ］未満だと、熱揺らぎ耐性に劣ることから好ましくない。
【００４１】
磁性層２は、磁性粒子の平均粒径が３〜１２ｎｍであることが好ましい。この平均粒径は、例えば、磁性層２をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で観察し、観察像を画像処理することにより求めることができる。
【００４２】
磁性層２の全体の厚さは、下限が３ｎｍであることが好ましく、５ｎｍであることがより好ましい。また、磁性層２の厚さの上限は、２０ｎｍであることが好ましく、１５ｎｍであることがより好ましい。磁性層２の厚さが上記未満だと、充分な再生出力が得られず、また、熱揺らぎ特性も低下する。また、磁性層２の厚さが上記範囲を超えると、垂直磁性層中の磁性粒子の肥大化が生じ、記録再生時におけるノイズが増大し、Ｓ／Ｎ比や記録特性（ＯＷ）に代表される記録再生特性が低下するので好ましくない。
【００４３】
また、磁性層２は、使用する磁性合金の種類や積層構造等に合わせ、十分なヘッド出入力が得られるような膜厚で形成すればよい。磁性層２の膜厚は、再生時に一定以上の出力を得るためには、ある程度以上の厚さであることが必要であり、一方、記録再生特性を表す各パラメータは、出力の上昇とともに劣化するのが通例であるため、最適な膜厚に設定する必要がある。
【００４４】
本発明の磁気記録媒体１０に備えられる磁性層２は、後述する製造方法に備えられ、パターニングされた放射線反応層３に放射線Ｒを照射して酸または塩基を発生させる工程（Ｅ）と、これら酸または塩基と磁性層２とを反応させ、反応箇所（部位２１）の磁気特性を改質する工程（Ｆ）の各工程により、非磁性化又は弱磁性化された部位２１によって分離された磁気記録パターンが形成されるものである。
【００４５】
なお、本発明に係る磁気記録媒体は、図１（Ｈ）に示す例には限定されず、磁性層２を複数の磁性層からなる多層膜として構成することも可能である。例えば、磁性層２を、図示略の下部磁性層、中間磁性層及び上部磁性層からなる多層膜構成とすることもでき、この場合、さらに、各層の間に非磁性層を設けることがより好ましい。
また、磁性層２を複数の磁性層から構成した場合、非磁性基板１側の下部磁性層をグラニュラー構造の磁性層とし、後述の保護層９側の上部磁性層を、酸化物を含まない非グラニュラー構造の磁性層とすることが好ましい。このような構成とすることにより、磁気記録媒体の熱安定化特性、記録特性（ＯＷ）、Ｓ／Ｎ比等の各特性の制御・調整をより容易に行うことが可能となる。
【００４６】
また、磁性層２を構成する複数の磁性層の間に非磁性層を設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができる。これにより、磁気記録媒体１０のＳ／Ｎ比をより向上させることが可能となる。このような非磁性層としては、ｈｃｐ構造を有する材料を用いることが好ましく、例えば、ＣｏＣｒ合金等が挙げられる。
【００４７】
本実施形態の磁気記録媒体１０は、図１に示すように、さらに、磁性層２上に保護層９を設けることが好ましい。保護層９は、磁性層２の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッド（図２の符号５７を参照）が磁気記録媒体に接触した際に、媒体表面の損傷を防ぐためのものである。このような保護層９としては、従来公知の材料を使用でき、例えば、Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ、炭素（Ｃ）、水素化炭素（ＨｘＣ）、窒素化炭素（ＣＮ）、アルモファスカーボン、炭化珪素（ＳｉＣ）等の炭素質層や、ＳｉＯ２、Ｚｒ２Ｏ３、ＴｉＮ等、通常用いられる保護膜材料を含むものが使用可能である。
【００４８】
保護層９の厚さとしては、１〜１０ｎｍの範囲とすることが、磁気ヘッドと磁気記録媒体の距離を小さくできるので、高記録密度の観点から好ましい。保護層の膜厚が上記範囲を超えると、磁気ヘッドと磁性層２との間の距離が大きくなり、十分な強さの出入力信号が得られなくなる虞がある。
また、保護層９が２層以上の層から構成されていてもよい。
【００４９】
なお、本実施形態の磁気記録媒体１０では、上述したように、保護層９の上に、さらに図示略の潤滑層を形成することがより好ましい。潤滑層に用いる潤滑剤としては、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸等のフッ素系潤滑剤の他、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。また、潤滑層は、通常１〜４ｎｍの厚さで形成される。
【００５０】
磁気記録媒体１０は、上記各構成により、磁性層２によって形成される図示略の磁気記録パターンに、磁気ヘッド（図２に示す磁気記録再生装置５０の磁気ヘッド５７を参照）によって磁気記録あるいは再生を行なうことが可能な構成とされる。また、本実施形態の磁気記録媒体１０は、下記の本発明に係る製造方法によって得られるものなので、優れた記録再生特性が確保され、高記録密度に対応可能なものとなる。
【００５１】
［磁気記録媒体の製造方法］
以下、図１（Ａ）〜（Ｈ）を適宜参照しながら、本実施形態の磁気記録媒体の製造方法について、以下に詳しく説明する。
上述したように、本実施形態の磁気記録媒体１０の製造方法は、非磁性基板１上に磁性層２を形成する工程（Ａ）と、磁性層２の上に磁気記録パターンを形成するためのパターニングした放射線反応層３を形成する工程（Ｂ）〜（Ｄ）と、放射線反応層３に放射線Ｒを照射して該放射線反応層３から酸または塩基を発生させる工程（Ｅ）と、放射線反応層３から発生した酸または塩基と磁性層２とを反応させ、該反応箇所の磁気特性を改質する工程（Ｆ）とを、この順で有する。また、図１（Ａ）〜（Ｈ）に示す例では、上記工程（Ｆ）の後に、さらに、放射線Ｒと反応後の放射線反応層３をドライエッチングで除去する工程（Ｇ）と、磁性層２の表面を保護層９で覆う工程（Ｈ）とが、この順で備えられている。
【００５２】
なお、本発明に係る磁気記録媒体１０の製造方法では、図１（Ａ）〜（Ｈ）に示す磁性層２、放射線反応層３を形成する工程以外の工程については、従来公知の方法を用いることができる。従って、本実施形態では、図示略の下地層や中間層の他、保護層９と、その上の潤滑層を形成する各々の工程については、その詳細な説明を省略する。
以下、各工程について詳細に説明する。
【００５３】
「工程（Ａ）」
まず、工程（Ａ）において、非磁性基板１上に磁性層２を形成する。
具体的には、図１（Ａ）に示すように、例えば、非磁性基板１上に、スパッタ法を用いて、上述したようなＣｏを主成分とする合金を堆積させ、磁性層２を形成する。
一般に、磁性層２を形成する方法としてはスパッタ法を用いるが、その他の公知の方法も含め、適宜採用することが可能である。
【００５４】
「工程（Ｂ）〜（Ｄ）」
次に、図１（Ｂ）〜（Ｄ）に示すように、工程（Ａ）で形成した磁性層２の上に、磁気記録パターンを形成するためのパターニングした放射線反応層３を形成する。
【００５５】
具体的には、図１（Ｂ）に示すように、まず、工程（Ｂ）として、磁性層２の上に放射線反応層３を形成する。本発明においては、放射線反応層３を形成する方法としては特に宣言されず、例えば、磁性層２と同様、スパッタ法を用いて形成することができる。
【００５６】
本発明においては、放射線反応層３として、放射線分解性化合物を含む材料を用いることが好ましい。
ここで、本発明において説明する放射線分解性化合物とは、放射線の照射により分解生成物として酸または塩基を生じさせるか、または、生じた分解生成物が他の物質と反応して酸または塩基を生じさせる物質である。即ち、このような化合物をパターニングした放射線反応層３に含有させることにより、磁性層２を構成する磁性粒子と、酸または塩基とを部分的に反応させ、この反応箇所の磁気特性を改質し、磁気記録パターンを容易に形成することが可能となる。従って、従来から用いられていた製造プロセスを飛躍的に簡便にして、鮮明な磁気記録パターンを有する磁性層２を形成することができ、磁気記録媒体１０を、高い生産性で歩留まり良く製造することが可能となる。
【００５７】
本発明で説明する放射線分解性化合物は、具体的には、上述したように、必要な特性、即ち放射線への露光によって選択的に酸または塩基を生成するか、又は分解する特性を有する任意の化合物を使用することもできる。例えば、４、４´−ジピリジル化合物等のジピリジル化合物及び１、２−ジフェニルシクロプロペノン等の感光性シクロプロペノン化合物の混合物であって、熱線を加えた際に（加熱した際に）反応してオキソインドリジンを生成する物質、光化学反応物質であるオルトギ酸トリエチル等のトリアルキルオルトエステル、１、１−ビス（４´−ジアルキルアミノ）フェニルエチレン等のジアルキルアミノフェニルエチレン及びトリアリールスルホニウム、放射線に露光して加熱すると近赤外線吸収物質を生成するオルトギ酸トリエチル、オルト酢酸トリエチル、オルト安息香酸トリメチル等の種々のトリアルキルオルトエステル等、放射線に露光させると強酸を放出するジアリールインドニウム塩及びトリアリールスルホニウム塩等、紫外線または電子線に露光させると塩化水素及びその他のハロゲン化水素を発生することが知られる四臭化炭素、ヘキサブロモエタン、トリス（トリクロロメチル）トリアジン、トリクロロメチルピロン、並びに塩化ビニルのポリマー及びコポリマー等のハロゲン化物質を用いることができる。
【００５８】
本発明においては、特に、放射線反応層３に用いられる放射線分解性化合物として、光酸発生剤を用いることが好ましい。これは、磁性粒子は、特に、酸によってその磁気特性を改質されやすく、短時間で鮮明な磁気記録パターンを形成するのに適しているからである。このような光酸発生剤として、例えば、シクロヘキシルスルフォニル・ジアゾメタン（和光純薬工業株式会社製、ＷＰＡＧ−１４５）、ｔ−ブチルスルフォニル・ジアゾメタン（和光純薬工業株式会社製、ＷＰＡＧ−１７０）、ｐ−トルエンスルフォニル・ジアゾメタン（和光純薬工業株式会社製、ＷＰＡＧ−１９９）、トリフェニルスルフォニウムとトリフルオロネタンスルフォネートとの混合物（和光純薬工業株式会社製、ＷＰＡＧ−２８１）、ジフェニル−４−メチルフェニルスルフォニウムとトリフルオロメタンスルフォネートとの混合物（和光純薬工業株式会社製、ＷＰＡＧ−３３６）、ジフェニル−２，４，６−トリメチルフェニルスルフォニウムとｐ−トルエンスルフォネートとの混合物（和光純薬工業株式会社製、ＷＰＡＧ−３６７）等を用いることが特に好ましい。
【００５９】
次いで、工程（Ｃ）として、放射線反応層３に対し、ナノインプリント法を用いて磁気記録パターンのネガパターンを転写する。
具体的には、図１（Ｃ）に示すように、放射線反応層３に対して図示略のナノインプリントスタンプを押し付けることにより、磁気記録パターンのネガパターンを放射線反応層３に転写する。
【００６０】
本発明で用いるナノインプリント法としては、従来公知の方法を何ら制限無く用いることができ、例えば、ナノインプリントスタンプとして、ガラス製のスタンプの他、金属製または樹脂製のスタンプを用いることもできる。また、ナノインプリントスタンプとしては、通常のデータを記録するトラックパターンの他、例えば、バーストパターン、グレイコードパターン、プリアンブルパターン、アドレスパターンといったサーボ信号のパターン等、各種磁気記録パターンのネガパターンが形成されたものを用いることができる。
【００６１】
また、放射線反応層３に磁気記録パターンのネガパターンを転写した後の、放射線反応層３のネガパターンに対応する部位３１の厚さＬを、０〜１０ｎｍの範囲内とするのが好ましい。放射線反応層３の部位３１の厚さＬをこの範囲とすることにより、放射線反応層３を湿式エッチングする後述の工程（Ｄ）において、放射線反応層３のエッジの部分のダレを無くし、放射線反応層３のエッチャントに対する遮蔽性を向上させ、放射線反応層３による磁気記録パターン形成特性を向上させることが可能となる。
【００６２】
次いで、工程（Ｄ）として、上記手順でナノインプリントを施した放射線反応層３に対して湿式エッチングを行うことにより、磁気記録パターンのネガパターンをパターニングした放射線反応層３を形成する。
具体的には、図１（Ｄ）に示すように、エッチング液を用いて放射線反応層３の部位３１を溶解除去することにより、放射線反応層３を磁気記録パターンのネガパターンにパターニングする。また、この際に用いる湿式エッチング法としては、従来公知の方法を何ら制限無く用いることができる。
【００６３】
「工程（Ｅ）」
次に、工程（Ｅ）では、放射線反応層３に放射線Ｒを照射して、放射線反応層３から酸または塩基を発生させる。
具体的には、図１（Ｅ）に示すように、パターニングされた放射線反応層３に対して放射線Ｒを照射することにより、放射線反応層３から酸または塩基を発生させる（図中における符号Ａを参照）。この際に放射線反応層３に対して照射する放射線Ｒとしては、例えば、紫外線または熱線を用いることができ、その他、可視光線やＸ線、ガンマ線等の広い概念の電磁波を用いることが可能である。また、放射線反応層３に光酸発生剤を採用した場合には、放射線Ｒとして紫外線または熱線を用いることが、放射線反応層３から酸または塩基を、より効果的に発生させることができる点から好ましい。
【００６４】
なお、図１（Ｅ）に示す例では、放射線反応層３に加え、この放射線反応層３のパターン間から露出した磁性層２に対しても放射線Ｒが照射されるが、磁性層２は放射線Ｒの照射による影響を受けないので、特に問題は無い。
【００６５】
「工程（Ｆ）」
次に、工程（Ｆ）では、放射線反応層３から発生した酸または塩基と磁性層２とを反応させ、該反応箇所の磁気特性を改質する。
具体的には、図１（Ｆ）に示すように、放射線反応層３から発生した酸または塩基と、磁性層２において放射線反応層３に覆われた箇所とを反応させる（図中における部位２１を参照）。これにより、磁性層２の当該反応箇所、即ち、パターニングされた放射線反応層３に対応する部位２１の磁気特性が改質され、非磁性化又は弱磁性化された部位２１によって分離された磁気記録パターンが形成される。
【００６６】
本発明の製造方法によれば、上記工程（Ｂ）〜（Ｆ）によって磁性層２に磁気記録パターンを形成することにより、磁性層２のエッジ部が削られることなく、鮮明なパターンの磁気記録部分並びに非磁性部分（図１（Ｆ）中の部位２１を参照）を形成できる。これにより、磁性層２の耐食性が良好となり、生産性及び製造歩留まりが向上するという効果が得られる。
また、放射線反応層３のパターンを、上記工程（Ｄ）におけるエッチング処理の時間のみで正確に制御することができるので、磁気記録パターンの幅を広く形成することができる。これにより、シグナル強度の高い、高ビットエラーレートが確保された磁気記録媒体１０を製造することが可能となる。
【００６７】
「工程（Ｇ）」
次に、工程（Ｇ）では、磁性層２の上に残留した、放射線Ｒと反応した後の放射線反応層３を湿式エッチングで除去する。
具体的には、図１（Ｇ）に示すように、上記工程（Ｄ）と同様に、エッチング液を用いて磁性層２の上の放射線反応層３を選択的に除去する。この際に用いる湿式エッチング法としては、従来公知の方法を何ら制限無く用いることができる。
【００６８】
なお、本実施形態では、反応後に在留した放射線反応層３の除去方法として湿式エッチング法を用いた方法を説明しているが、これに限定されるものではない。例えば、反応性イオンエッチングやイオンミリング等の方法の他、一般的な乾式エッチング法を用いることもでき、適宜採用することが可能である。
【００６９】
「工程（Ｈ）」
次に、工程（Ｈ）では、磁性層２の表面を保護層９で覆う。
具体的には、図１（Ｈ）に示すように、例えば、Ｐ−ＣＶＤ法等の方法を用いて、磁性層２上に保護膜材料を薄膜として堆積させることにより、保護層９を形成する。また、保護層９の形成方法としては、上記のＰ−ＣＶＤ法に限定されるものではなく、従来公知の方法、例えば、ＭＯＣＶＤ法等を適宜採用することも可能である。
【００７０】
保護層９の材料としては、上述したように、一般的に当該分野で用いられるＤｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ等の他、通常用いられる保護膜材料を含むものを使用することができる。
【００７１】
さらに、本発明の製造方法においては、工程（Ｈ）において保護層９を形成した後、この保護層９の上に、さらに、上記同様の方法を用いて、図示略の潤滑剤材料からなる潤滑層を形成することがより好ましい。
【００７２】
以上の工程により、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁性層２が形成される。そして、磁気的に分離した磁気記録パターンが形成されることで、磁気記録媒体１０に磁気記録を行う際の書きにじみをなくし、高い面記録密度の磁気記録媒体１０を提供することが可能となる。特に、本発明の製造方法における磁気記録パターンの形成方法は、磁性層２の物理的な加工工程、及び、加工部への非磁性材料等の埋め込み工程が不要であり、磁気記録媒体１０の表面の清浄性、平坦性を高めることが可能となる。
【００７３】
なお、本発明において説明する磁気的に分離した磁気記録パターンとは、磁気記録媒体１０を表面側（図１（Ｈ）における上側）から見た場合に、磁性層２が改質（非磁性化または弱磁性化）された部位２１によって分離された状態を指す。即ち、磁気記録媒体１０を表面側から見て、磁性層２が磁気特性の改質によって分離されていれば、例え底部において分離されていなくとも問題は無く、このような場合も磁気的に分離した磁気記録パターンの概念に含まれる。
【００７４】
また、本発明でいう磁気記録パターンは、改質された部位２１が完全に非磁性である必要はない。即ち、部位２１が僅かに保磁力や飽和磁化を有している場合であっても、磁気ヘッドが磁気記録パターン部に読み書きを行うことが可能であれば、磁気的に分離した磁気記録パターンとすることができる。
【００７５】
また、本発明でいう磁気記録パターンとは、磁気記録パターンが１ビットごとに一定の規則性をもって配置された、所謂パターンドメディアや磁気記録パターンがトラック状に配置されたメディアや、その他、サーボ信号パターン等を含んでいる。これらの中でも、特に、磁気的に分離した磁気記録パターンが、磁気記録トラック及びサーボ信号パターンである、所謂ディスクリート型の磁気記録媒体に適用することが、その製造工程における簡便性を向上させられる点から好ましい。
【００７６】
以上説明したような、本発明に係る磁気記録媒体１０の製造方法によれば、非磁性基板１上に磁性層２を形成する工程と、磁性層２の上に磁気記録パターンを形成するためのパターニングした放射線反応層３を形成する工程と、放射線反応層３に放射線Ｒを照射して該放射線反応層３から酸または塩基を発生させる工程と、放射線反応層３から発生した酸または塩基と磁性層２とを反応させ、該反応箇所の磁気特性を改質する工程とをこの順で有することにより、磁性層２のエッジ部が削られることなく、鮮明なパターンの磁気記録部分並びに非磁性部分を形成できるので、耐食性が良好となり、生産性及び歩留まりが向上する。また、放射線反応層３のパターンを、エッチング処理の時間のみで正確に制御することができるので、磁気記録部分の幅を広く形成することができ、シグナル強度の高い、高ビットエラーレートが確保され、表面平滑性の優れた磁気記録媒体１０を製造することが可能となる。従って、簡便な工程で、製造コストを大幅に低減することができるとともに、高い生産性で歩留まり良く、高記録密度の磁気記録媒体１０を製造することが可能となる。
【００７７】
［磁気記録再生装置］
次に、本発明に係る磁気記録再生装置（ハードディスクドライブ）の構成を図２に示す。本発明に係る磁気記録再生装置５０は、図２に示すように、上述の本発明に係る磁気記録媒体１０と、これを記録方向に駆動する媒体駆動部５１と、記録部と再生部からなる磁気ヘッド５７と、磁気ヘッド５７を磁気記録媒体１０に対して相対運動させるヘッド駆動部５８と、磁気ヘッド５７への信号入力と磁気ヘッド５７からの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段を組み合わせた記録再生信号系５９とを具備して構成される。これらを組み合わせることにより、記録密度の高い磁気記録再生装置５０を構成することが可能となる。
【００７８】
本実施形態の磁気記録再生装置５０は、上記構成の磁気記録媒体１が用いられてなるものなので、十分な再生出力と高いＳＮＲを備え、また、磁気ヘッド５７の浮上特性に優れ、正確な磁気記録再生動作を行なうことが可能となり、優れた高密度記録特性を有するものとなる。
【００７９】
また、この磁気ヘッド５７の浮上量を０．００５μｍ〜０．０１０μｍと、従来よりも低い高さで浮上させると、出力が向上して高い装置ＳＮＲが得られ、大容量で信頼性の高い磁気記録再生装置５０を提供することができる。加えて、最尤復号法による信号処理回路を組み合わせた場合には、さらに記録密度を向上でき、例えば、トラック密度３００ｋトラック／インチ以上、線記録密度１０００ｋビット／インチ以上、１平方インチ当たり３００Ｇビット以上の高記録密度で記録・再生する場合にも十分なＳＮＲが得られる。
【００８０】
さらに、本実施形態では、上述の磁気ヘッド５７の再生素子を、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲヘッドやＴＭＲヘッド等から構成することにより、高記録密度においても充分な信号強度を得ることができ、高記録密度を有する磁気記録再生装置が実現可能となる。
【実施例】
【００８１】
次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体、並びに磁気記録再生装置を、実施例および比較例を示してより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
【００８２】
（実施例）
まず、洗浄済みのＨＤ用ガラス基板を内部にセットした真空チャンバを、あらかじめ１．０×１０−５Ｐａ以下に真空排気した。ここで使用したガラス基板は、Ｌｉ２Ｓｉ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３−Ｋ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３−Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ−Ｐ２Ｏ５、Ｓｂ２Ｏ３−ＺｎＯを構成成分とする結晶化ガラスを材質とし、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、平均表面粗さ（Ｒａ）は２オングストロームである。
【００８３】
次に、上記ガラス基板上に、ＤＣスパッタリング法を用いて、密着層としてＣｒＴｉ層、軟磁性層としてＦｅＣｏＢ、中間層としてＲｕ、磁性層として７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２合金の順に薄膜を積層した。これら各層の膜厚は、ＣｒＴｉ密着層：５ｎｍ、ＦｅＣｏＢ軟磁性層：６０ｎｍ、Ｒｕ中間層：１０ｎｍ、磁性層：１５ｎｍとした。
【００８４】
以上の工程で製造した磁気記録媒体（製造中間品）のサンプルについて、Ｋｅｒｒ効果測定機によって評価試験を行ったところ、保磁力（Ｈｃ）は４８００Ｏｅ、カー回転角強度（θｋ）は０．１２（任意単位）であった。
【００８５】
次に、上記工程で製造した磁気記録媒体（製造中間品）の磁性層の上に、スピンコート法を用いて放射線反応層を形成した。この放射線反応層の材料には、光酸発生剤であるシクロヘキシルスルフォニル・ジアゾメタン（和光純薬工業株式会社製、ＷＰＡＧ−１４５）を使用し、層厚は４０ｎｍとした。また、放射線反応層のコーティング時には、光酸発生剤を約１３０℃の温度に加熱して塑化した。
【００８６】
そして、放射線反応層に、トラックピッチ８１ｎｍ、トラック幅３０ｎｍ、記録領域幅５１ｎｍのパターンを有するガラス製のスタンプを、１ＭＰａ（約８．８ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力で押しあてた。その後、基板を冷却して放射線反応層を固化し、スタンプのパターンを転写した。ここで、転写したパターンの溝部分（記録領域となる幅５１ｎｍの部分）の膜厚は、１５ｎｍ〜１８ｎｍであった。
上記工程により、ナノインプリント法を用いて、放射線反応層に磁気記録パターンのネガパターンを形成した。
【００８７】
次に、純水洗浄により、放射線反応層（光酸発生剤）に形成されたパターンにおける溝部分を除去した。
次いで、パターン形成された放射線反応層の表面に波長２５４ｎｍの紫外線を１５分間照射し、放射線反応層をなす光酸発生剤から発生した酸と磁性層とを反応させ、磁性層における当該反応箇所の磁気特性を改質した。
その後、純水洗浄により、反応後の放射線反応層を除去した。
【００８８】
以上の工程で製造した磁気記録媒体について、磁性層における反応した部分の磁気特性を、Ｋｅｒｒ効果測定機の測定ループを分解することによって算出したところ、Ｈｃは１２００Ｏｅ、θｋは＝０．０３であった。
【００８９】
そしてさらに、本実施例においては、磁性層の表面に、ＣＶＤ法を用いてカーボン保護膜材料からなる保護層を４ｎｍの膜厚で成膜し、その後、潤滑剤を１．５ｎｍ塗布して磁気記録媒体を完成した。
【００９０】
以上の方法で製造した磁気記録媒体について、電磁変換特性（ＳＮＲ及び３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ）、並びにヘッド浮上高さ（グライドアバランチ）を測定した。
ここで、電磁変換特性の評価はスピンスタンドを用いて実施し、この際の評価用のヘッドには、記録用として垂直記録ヘッド、読み込み用としてＴｕＭＲヘッドを用い、７５０ｋＦＣＩの信号を記録した場合のＳＮＲ値及び３Ｔ−ｓｑｕａｓｈを測定した。
【００９１】
本実施例において製造された磁気記録媒体は、ＳＮＲが１３．９ｄＢ、３Ｔ−ｓｑｕａｓｈが９０％であり、ＲＷ特性に優れ、また、ヘッド浮上高さ測定器による最低浮上高さは６ｎｍであり、ヘッド浮上特性も安定していることが確認できた。即ち、磁気記録媒体表面の平滑性が高く、磁性層のトラック間の非磁性部による分離特性が優れていることが確認できた。
【００９２】
（比較例）
磁性層に磁気記録パターンを形成する工程を、図３（ａ）〜（ｊ）に示すような従来の製造工程で行った点を除き、上記実施例と同様の手順で磁気記録媒体を製造した。
即ち、上記実施例と同様の手順で磁性層を形成した後、その表面にカーボンマスク層を３０nmの厚さで成膜し、さらに、その表面にＵＶ硬化性樹脂を２００ｎｍの厚さで塗布した後、またさらに、この上に実施例と同様のパターンのインプリントを施した。
【００９３】
次に、上記インプリントを施した表面のレジストを、ＣＦ４ガスを使用したイオンミリングによって除去し、また、その下のカーボン層を、アルゴンと酸素の混合ガスを使用したイオンミリングによって除去することにより、磁性層の加工箇所を表出させた。
次に、磁性層の加工は、アルゴンガスを使用したイオンミリングによって行い、磁性層の厚さ方向に約１４ｎｍエッチングした。その後、表面に残留する樹脂及びカーボンマスク層を、酸素ガスを用いてアッシング除去した。その後、磁性層の表面にＣｒＴｉ膜を約３０ｎｍ厚さでスパッタリング成膜し、その表面を、ダイヤモンドスラリーを用いたＣＭＰによって平坦化した。
そして、上記平坦化した表面に、ＣＶＤ法を用いてカーボン保護膜材料からなる保護層を４ｎｍの膜厚で成膜し、その後、潤滑剤を１．５ｎｍの膜厚で塗布して磁気記録媒体を完成した。
【００９４】
本比較例において製造された磁気記録媒体は、ＳＮＲが１２．８ｄＢ、３Ｔ−ｓｑｕａｓｈが９０％であった。しかしながら、ヘッド浮上高さ測定器による最低浮上高さは９ｎｍであり、上記実施例の磁気記録媒体に比べてヘッド浮上特性が劣り、磁気記録媒体表面の平滑性が劣っていることが確認された。
【００９５】
以上、本実施例の結果により、本発明に係る製造方法によって得られる磁気記録媒体が、優れた記録再生特性を備え、電磁変換特性に優れ、高記録密度に対応可能であることが明らかとなった。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、磁気記録再生装置、所謂ハードディスクドライブに用いられる磁気記録媒体の製造工程に適用することで、電磁変換特性に優れた磁気記録媒体を高い生産性で製造することが可能となり、産業上の利用可能性は計り知れない。
【符号の説明】
【００９７】
１…非磁性基板、２…磁性層、２１…部位（反応箇所）、３…放射線反応層、１０…磁気記録媒体、５０…磁気記録再生装置、５７…磁気ヘッド、Ｒ…放射線、Ａ…放射線反応層から発生した酸または塩基（放射線反応層から生じた分解性生物が他の物質と反応して生じた酸または塩基）
【図１】
2011090731.tif 000003
【図２】
2011090731.tif 000004
【図３】
2011090731.tif 000005