(57)【要約】【課題】レンズと基板との接触角を大きくすることで、光取り出し効率をより高めることができ、有機ＥＬ素子の輝度、発光効率等の光学特性を向上させた有機ＥＬ素子及びその製造方法の提供。【解決手段】基板上に２つの電極の間に発光層を有する有機ＥＬ層と、該有機ＥＬ層を封止する封止層と、を備える有機ＥＬ素子であって、前記封止層上に形成された台座と、該台座上に形成されたレンズと、を備え、該レンズが形成される前記台座の上面と前記台座の側面とのなす角が８０度〜９０度であり、前記レンズの屈折率は、前記台座の屈折率よりも大きいことを特徴とする有機ＥＬ素子である。【選択図】図１
2011076800.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に２つの電極の間に発光層を有する有機ＥＬ層と、該有機ＥＬ層を封止する封止層と、を備える有機ＥＬ素子であって、
前記封止層上に形成された台座と、
該台座上に形成されたレンズと、を備え、
該レンズが形成される前記台座の上面と前記台座の側面とのなす角が８０度〜９０度であり、前記レンズの屈折率は、前記台座の屈折率よりも大きいことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
台座の上面と、前記上面に接触している点におけるレンズの接線とのなす角は、７０度〜９５度である請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
台座と封止層とは、同一材料からなる請求項１から２のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
台座の高さは、３μｍ〜７μｍである請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
台座の屈折率が、１．４〜２．０である請求項１から４いずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項６】
レンズの屈折率が、１．５〜２．１である請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項７】
２つの電極の間に発光層を有する有機ＥＬ層を基板上に備える有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記有機ＥＬ層上に封止層を形成する工程と、
前記封止層上に上面と前記台座の側面とのなす角が８０度〜９０度となるように台座を形成する工程と、
前記台座の上面にレンズ材料滴を滴下させて前記台座上に前記台座の屈折率よりも屈折率の小さなレンズを形成する工程と、を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項８】
レンズ材料滴が、台座の上面に滴下後、１秒〜１０秒以内に前記レンズ材料滴を硬化させる請求項７に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項９】
封止層をドライエッチングすることで台座を前記封止層上に形成させる請求項７から８のいずれかに記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１０】
封止層上をプラズマＣＶＤで蒸着することで台座を前記封止層上に形成させる請求項７から８のいずれかに記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ装置（有機電界発光装置）は自発光型の表示装置であり、ディスプレイや照明の用途に用いられる。有機ＥＬディスプレイは、従来のＣＲＴやＬＣＤと比較して視認性が高い、視野角依存性が少ないといった表示性能の利点を有する。また、ディスプレイを軽量化、薄層化できるといった利点もある。また、有機ＥＬ装置は、軽量化、薄層化という利点に加え、フレキシブル基板を用いることで、これまで実現できなかった形状の照明を実現できる可能性を持っている。
【０００３】
このように有機ＥＬ装置は、上記の事項をはじめとし優れた特徴を有するが、一般に、発光層を含め表示装置を構成する各層の屈折率は空気より高い。例えば、有機ＥＬ素子では、発光層などの有機薄膜層の屈折率は１．６〜２．１である。したがって、発光した光は界面で全反射しやすく、その光取り出し効率は２０％に満たず、大部分の光を損失している。
【０００４】
このため、一般的に知られる有機ＥＬ装置における有機ＥＬ素子は、例えば、基板上にレンズを形成して光取り出し効率を向上させる方法が採られている。半球レンズのように、レンズと基板との接触角が大きいと光取り出し効率をより高めることができ、有機ＥＬ素子の輝度、発光効率等の光学特性を向上させることができる。
【０００５】
レンズを形成する方法としては、例えば、レンズ材料である樹脂を有機ＥＬ層又は封止層に塗布し、樹脂上を型で密着させて光硬化させる方法が開示されている（特許文献１参照）。
【０００６】
樹脂を光硬化させるためには、有機ＥＬ層側から光を樹脂に与える必要があるが、電極の存在により、樹脂が十分に硬化しないという問題があり、型を光透過性にして型側から光を樹脂に与えると、型を光透過性にするコストがかかるという問題があった。
【０００７】
このような問題を解決するために、例えば、液体吐出ヘッドからレンズ材料を滴下してレンズを形成させる方法、すなわち、インクジェット法によりレンズを形成する方法が開示されている（特許文献２参照）。
【０００８】
しかし、レンズ材料を液滴状にして滴下すると、レンズと基板との接触角は、ヤングの法則により、液相（樹脂）−固相（基板）−気相（空気）の関係により決定され、接触角の大きいレンズ、すなわち半球レンズを形成させることができないという問題があった。
【０００９】
このような問題を解決するために、例えば、インクジェット法によりレンズの材料を基板上へ一度吐出し、滴下した箇所にさらにレンズの材料を滴下させてレンズと基板との接触角を大きくする方法が開示されている（特許文献３参照）。
【００１０】
しかし、複数回同じ箇所にレンズの材料を滴下させることは極めて困難であり、均一のレンズの形状にすることは困難であり、歩留まりが悪いといった問題があった。
【００１１】
また、基板上に土台部材を形成し、土台部材に撥液処理を施した後インクジェット法によりレンズを土台基材上に形成させ、表面張力を利用してレンズと基板との接触角を大きくする方法が開示されている（特許文献４参照）。
【００１２】
しかし、土台基材上を撥液処理する必要があるので、有機ＥＬ素子を製造する工程数が増加し、コストがかかるといった問題があり、依然として有機ＥＬ素子の輝度、発光効率等の光学特性を向上させるには諸問題があり、その解決が望まれているのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００７−７９２０８号公報
【特許文献２】特開２００４−３６１６４１号公報
【特許文献３】特開２００６−１５０７５１号公報
【特許文献４】特許第３８００１９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、レンズと基板との接触角を大きくすることで、光取り出し効率をより高めることができ、有機ＥＬ素子の輝度、発光効率等の光学特性を向上させた有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者らは、前記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、封止層上に台座を設け、台座の上面と側面とのなす角及び屈折率等を調整することで上記課題を解決できることを見出し、本発明の完成に至った。本発明は、本発明者らにより前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞  基板上に２つの電極の間に発光層を有する有機ＥＬ層と、該有機ＥＬ層を封止する封止層と、を備える有機ＥＬ素子であって、前記封止層上に形成された台座と、該台座上に形成されたレンズと、を備え、該レンズが形成される前記台座の上面と前記台座の側面とのなす角が８０度〜９０度であり、前記レンズの屈折率は、前記台座の屈折率よりも大きいことを特徴とする有機ＥＬ素子である。
＜２＞  台座の上面と、前記上面に接触している点におけるレンズの接線とのなす角は、７０度〜９５度である前記＜１＞に記載の有機ＥＬ素子である。
＜３＞  台座と封止層とは、同一材料からなる前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の有機ＥＬ素子である。
＜４＞  台座の高さは、３μｍ〜７μｍである前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の有機ＥＬ素子である。
＜５＞  台座の屈折率が、１．４〜２．０である前記＜１＞から＜４＞いずれかに記載の有機ＥＬ素子である。
＜６＞  レンズの屈折率が、１．５〜２．１である前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の有機ＥＬ素子である。
＜７＞  ２つの電極の間に発光層を有する有機ＥＬ層を基板上に備える有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機ＥＬ層上に封止層を形成する工程と、前記封止層上に上面と前記台座の側面とのなす角が８０度〜９０度となるように台座を形成する工程と、前記台座の上面にレンズ材料滴を滴下させて前記台座上に前記台座の屈折率よりも屈折率の大きなレンズを形成する工程と、を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法である。
＜８＞  レンズ材料滴が、台座の上面に滴下後、１秒〜１０秒以内に前記レンズ材料滴を硬化させる前記＜７＞に記載の有機ＥＬ素子の製造方法である。
＜９＞  封止層をドライエッチングすることで台座を前記封止層上に形成させる前記＜７＞から＜８＞のいずれかに記載の有機ＥＬ素子の製造方法である。
＜１０＞  封止層上をプラズマＣＶＤで蒸着することで台座を前記封止層上に形成させる前記＜７＞から＜８＞のいずれかに記載の有機ＥＬ素子の製造方法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明による有機ＥＬ素子の製造方法によれば、光取り出し効率をより高めることができ、有機ＥＬ素子の輝度、発光効率等の光学特性を向上した有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明による有機ＥＬ素子の一態様を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１の部分拡大図である。
【図３】図３は、ドライエッチング法により台座を形成する様子を模式的に示した図である。
【図４】図４は、インクジェット法によりレンズ材料滴を滴下する様子を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
（有機ＥＬ素子）
図１は、本発明の有機ＥＬ素子１００の断面図である。本発明により製造される有機ＥＬ素子１００は、基板１と、電極２と、絶縁層３と、有機ＥＬ層４と、電極５と、封止層６と、台座７と、レンズ８とが順で積層された構造であり、更に必要に応じて、レンズ８上にフィルター層（図示せず）等その他の部材を備えるようにしてもよい。
【００１９】
＜基板＞
前記基板１としては、その形状、構造、大きさ、材質等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。また、前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。また、前記材質としては、基板材料として公知のものの中から、適宜選択することができ、例えば、ニッケル、アルミニウム、ガラス、シリコン、石英、透明樹脂、などが挙げられる。これらの基板材料は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、透明性の点から、石英、ガラス、透明樹脂が好ましく、石英が特に好ましい。
【００２０】
前記基板１は、適宜合成したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。前記基板１の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、５０μｍ以上が好ましく、１００μｍ以上がより好ましい。前記基板１の厚みが５０μｍ未満であると製造時の取り扱い及びハンドリング性が困難になることがあり、１００μｍを超えると耐衝撃性があり、壊れにくく取り扱い易くなる。
【００２１】
＜電極＞
前記電極２、５としては、発光層に電界を印加し得るものであれば、特に制限はない。電極２、５は、有機ＥＬ素子１００への配置の形態に応じて、陽極若しくは陰極又は透明若しくは半透明等、適宜選択すればよく、例えば、有機ＥＬ素子１００の発光層からみて、光出射方向に位置する電極を透明としてもよい。
【００２２】
［陽極］
前記陽極の機能としては、通常、有機化合物層を構成する有機発光層に正孔を供給する電極であればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機ＥＬ層４の用途、目的に応じて、公知の電極材料のなかから適宜選択することができる。
【００２３】
前記陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。このなかで好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
【００２４】
なお、前記陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００２５】
前記陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。陽極の厚みが、１０ｎｍ未満であると、十分の厚みの膜厚に至らないなどの製造ばらつきが多く、通電不良が発生することがあり、５０μｍを超えると、製膜に時間がかかり素子全体の厚みが増してしまうことがある。
【００２６】
［陰極］
前記陰極としては、通常、上述の有機ＥＬ層を構成する発光層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、加工対象物の用途、目的に応じて、公知の電極材料のなかから適宜選択することができる。
【００２７】
前記陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としては、アルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、及びイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【００２８】
これらのなかでも、前記陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【００２９】
なお、前記陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの公報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
【００３０】
前記陰極の形成方法としては、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などのなかから、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種単独又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【００３１】
前記陰極の厚みとしては、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度が好ましく、１５ｎｍ〜２５ｎｍがより好ましい。陰極の厚みが、１０ｎｍ未満であると、十分の厚みの膜厚に至らない等の製造ばらつきが多く、通電不良が発生することがあり、５０μｍを超えると、透過率が低下して、取り出し効率が悪くなることがある。また、前記陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【００３２】
＜絶縁層＞
絶縁層３は、有機ＥＬ層４の間の一対の電極間のショートを低減するために形成された層であり、必要に応じて省略してもよい。前記絶縁層３を構成する材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリイミド、ポリパラキシリレン、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物、ポリアリールエーテル、ポリイソインドロキナゾリンジオン、ポリモノリン、ポリキノキサリン等の有機絶縁層、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ３、ＳｒＴｉＯ３、ＳｉＯＮ等の無機絶縁層などが挙げられる。前記絶縁層３の厚みとしては、絶縁性が取れれば特に限定されないが、例えば、５０ｎｍ〜５００ｎｍ好ましい。前記絶縁層３の厚みが５０ｎｍ未満であると、一対の電極間のショートを低減できないことがあり、５００ｎｍを超えると、多層との素子構成膜厚のバランスが悪く、特性が劣化することがある。
【００３３】
＜有機ＥＬ層＞
前記有機ＥＬ層４は、２つの電極２、５の間に正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層を少なくとも含む有機薄膜層を有している。
【００３４】
前記発光層は、電界印加時に、陽極、正孔輸送材料から正孔を受け取り、陰極、電子輸送材料から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
【００３５】
前記発光層としては、電界を印加されて光を発するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。発光層は、有機発光材料からなるものであっても、無機発光材料からなるものであってもよいが、なかでも、発光効率、装置の大型化が可能な点で、有機発光材料が好ましい。
【００３６】
前記発光層の材料としては、所望の色調に応じて選択することが可能であり、例えば、青色から青緑色の発光を得るためには、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などが好ましい。あるいは、また、前述の材料をホスト材料として用い、これにドーパントを添加することによって有機発光層を形成してもよい。ドーパントとして用いることができる材料としては、たとえばレーザー色素としての使用が知られているペリレン（青色）などを用いることができる。
【００３７】
前記正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
【００３８】
前記正孔輸送層を構成する材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、などが挙げられる。
【００３９】
前記正孔輸送層の形成方法としては、特に制限はなく、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、などのいずれによっても好適に形成することができる。
【００４０】
前記正孔輸送層の厚みとしては、駆動電圧を下げるという観点から、５００ｎｍ以下であることが好ましく、１〜４００ｎｍであることが好ましい。特に、マイクロキャビティー構成を採用する場合は、共振ピーク波長にあうように、上部と下部電極間の有機薄膜層全体の厚みを調整層として利用することがあり、その場合、正孔輸送層が調整層となる。
【００４１】
前記電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
【００４２】
前記電子輸送層を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、などが挙げられる。
【００４３】
前記電子輸送層の形成方法としては、特に制限はなく、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、などのいずれによっても好適に形成することができる。
【００４４】
前記電子輸送層の厚みとしては、駆動電圧を下げるという観点から、５００ｎｍ以下であることが好ましく、１〜４００ｎｍであることが好ましい。また、特に、前記正孔輸送層同様、マイクロキャビティー構成を採用する場合は、共振ピーク波長にあうように、上部と下部電極間の有機薄膜層全体の厚みを調整層として利用することがあり、その場合、電子輸送層が調整層となる。
【００４５】
前記電子輸送層は、陰極側の面もしくは陰極側とは反対の面に、電子注入層を有していてもよい。該電子注入層は、電子輸送層の陰極側の面に有することが好ましい。前記電子注入層の材料、及び形成方法については、上述した電子輸送層におけるものと同一のものが好適に挙げられる。
【００４６】
また、前記電子注入層の厚みとしては、５００ｎｍ以下であることが好ましく、０．１〜２００ｎｍであることがより好ましく、０．２〜１００ｎｍであることが更に好ましく、０．５〜５０ｎｍであるのが特に好ましい。前記正孔輸送層の厚みが、１ｎｍ未満であると、通電不良の発生が多発する危険があり、５００ｎｍを超えると、抵抗値が上がり、駆動電圧も上昇することがある。前記電子注入層及び電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００４７】
＜封止層＞
前記封止層６は、外部からの水分の透過を防止することを目的として有機ＥＬ層４上に形成された層である。前記封止層６を構成する材料しては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよく、各種無機化合物又は有機化合物からなる単層構造又は積層構造であってもよい。無機化合物としては、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２が挙げられ、有機化合物としては、シリコン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、アクリル系ポリマー、ウレタン系ポリマーが挙げられる。
【００４８】
前記封止層６の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよいが、１μｍ〜５μｍとすることが好ましい。前記封止層６の厚みが１μｍ未満であると、水分が透過してしまい素子が劣化することがあり、５μｍを超えると光透過性が低下することと、レンズの底上げになり、レンズ効果が十分発揮できなくなることがある。
【００４９】
＜台座＞
前記台座７は、後述するレンズ８が半球レンズとなるように封止層６上に形成された層である。前記台座７としては、レンズ８を形成させる上面７１と、隣接する２つの台座７において互いに対向する面である側面７２と、封止層６と接合されている下面７３と、からなる。前記台座７の配置としては、封止層６上に形成されれば特に制限されないが、有機ＥＬ層４内の発光層の上部に台座７が配置されるように封止層６を形成することが好ましい。このように台座７を形成することで、光取り出し効率を向上させることができる。
【００５０】
前記台座７を構成する材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよく、各種無機化合物又は有機化合物からなる単層構造又は積層構造であってもよい。無機化合物としては、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２が挙げられ、有機化合物としては、シリコン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、アクリル系ポリマー、ウレタン系ポリマーが挙げられる。
【００５１】
台座７は、後述する本発明の有機ＥＬ素子の製造方法において、封止層６をドライエッチングすることで形成させることもある。したがって、台座７としては、封止層６同一の材料であってもよい。
【００５２】
台座７しては、図２に示すように、台座７の上面７１と台座の側面７２とのなす角αが８０度〜９０度であることが好ましく、８５度〜８８度であることがより好ましい。台座７の上面７１と台座の側面７２とのなす角αが、８０度未満であると、レンズの集光面積エリアをせばめることになり、光取りだし効果が薄れることがあり、９０度を超えると（当角度が鈍角になると）、台座７とレンズ８と空気の３相での表面張力が上面７１より外側を向くため、台座７上に形成されたレンズ８の台座上面にとどまる力が弱まり、台座７の上面７１とレンズとの接触角が小さくなることがある。一方、前記上面７１と台座の側面７２とのなす角αが前記特に好ましい範囲内であると、表面張力をより大きく維持することができるので、上面７１を撥液処理しなくても後述する上面７１とレンズ８が上面７１に接触している点からの接線とのなす角を大きくすることができる。
【００５３】
前記上面７１と側面７２とのなす角αは、自動接触角計ＤＭ−３０１（協和界面化学）を用いて計測し、解析ソフトＦＡＭＡＳ（協和界面化学）を用いて解析を行った。具体的には、（１）側面７２の形状が直線の場合、上面７１の端部から封止層６に向かって垂線を引き、該垂線と側面７２とのなす角を求め、直角である９０度を前記なす角で減じることで前記上面７１と前記側面７２とのなす角αを求める。（２）側面７２の形状が凹状又は凸状の弧状である場合、上面７１の端部との点に接線を引く。上面７１の十点平均高さＲｚを測定し、この十点平均高さＲｚを上面７１の平面と仮定し、該平面と前記接線との交差する角度を前記上面７１と前記側面７２とのなす角αとして求める。（３）側面７２の形状が波形の場合、上面７１と下面７３との端部を結ぶ直線を引き、前記上面７１と前記側面７２とのなす角αを求める。この操作を任意の端部から１０点行い、これらの平均値を前記上面７１と前記側面７２とのなす角αとして計測した。
【００５４】
また、台座７の上面７１と下面７３との面積比は、上面／下面が１．０１〜１．０５であることが好ましい。上面／下面が１．０１未満であると、台座７上に形成されたレンズ８の表面張力を大きくすることができず、台座８の上面７１とレンズとの接触角が小さくなることがあり、１．０５を超えると、集光エリアとなるレンズ底面が小さくなるため、光取りだし効果が十分発揮されないことがある。
【００５５】
台座７の高さｈとしては、３μｍ〜７μｍであることが好ましい。台座７の高さｈが、３μｍ未満であると、わずかながたつき及び振動で台座から液材が溢れてしまうことがあり、７μｍを超えると半球レンズの底上げになることからレンズの集光効果に光取りだしが十分発揮されないことがある。
【００５６】
前記台座７の高さｈは、表面粗さ測定器（ＤＥＫＴＡＫ８  日本ビーゴ製）を用いて計測した。具体的には、封止層６の上面（台座７の底面７３）から上面７１を通過し、台座をまたいだ封止層６の上面が１直線上に存在するようにラインを引いて、それぞれ２点ずつ位置座標を求めて座標値の差し引した値を台座７の高さｈとした。
【００５７】
前記台座７としては、光取り出しを妨げないように可視光域において高い透過性を有するもので、屈折率としては、有機ＥＬ層４および封止層６に近いほど好ましい。前記台座７の屈折率としては、１．５〜２．０であることが好ましく、レンズ８への光透過性を保つために、レンズ８よりは小さい屈折率値であることが好ましい。例えば、前記台座７の屈折率値が１．２以下になると、発光層との屈折率差が大きくなり、全反射により光が基板内に閉じ込められてしまうため、取り出しの向上効果がなくなってしまうことがある。
【００５８】
屈折率の測定において、材料物性より適当な屈折率を持つ材料を選択使用しているが、エリプソメトリー法に基づいた光学測定系を構築してサンプル試作試料で確認した。なお、屈折率については、その測定系で用いた波長６３２．８ｎｍでの測定値を基準とした。
【００５９】
＜レンズ＞
前記レンズ８は、前記台座７の上面７１上に形成される。前記レンズ８の大きさ（レンズ径）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、台座７の上面７１の面積に依存するので、上面７１の面積を変えることでレンズ８のレンズ径を変えることができる。
【００６０】
前記レンズ８の材料としては、光透過性樹脂であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよく、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリヒドロキシエチルメタクリレート、ポリシクロヘキシルメタクリレートなどのアクリル系樹脂、ポリジエチレングリコールビスアリルカーボネート、ポリカーボネートなどのアクリル系樹脂、メタクリル樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、セルロース系樹脂、ポリアミド系樹脂、フッ素系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリスチレン系樹脂などの熱可塑性又は熱硬化性の樹脂が挙げられ、これらのうち一種があるいは複数種が混合されて用いられる。このような光透過性樹脂にビイミダゾール系化合物などの光重合開始剤を配合することにより、使用する光透過性樹脂を放射線照射硬化型のものとして用いても良い。すなわち、このような光重合開始剤を配合することにより、前記光透過性樹脂に放射線照射硬化性を付与することができる。ここで、放射線とは可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、電子線等の総称であり、特に紫外線が一般的に用いられる。
【００６１】
前記レンズ８の屈折率は、有機ＥＬ層４、封止層６および台座７の屈折率に近いほど好ましい。前記レンズ８の屈折率値としては、１．５〜２．１であることが好ましく、１．５〜１．７であることが更に好ましい。台座７の屈折率と同等もしくは台座７の屈折率より高い屈折率値であることが好ましい。例えば、前記レンズ８の屈折率値が１．５以下になると、発光層との屈折率差が大きくなり、全反射により光が基板内に閉じ込められてしまうため、取り出しの向上効果がなくなってしまうことがあり、１．７を超えると、レンズ８を樹脂製にすると高屈折にするために粒子などの添加剤を加える必要があり、高屈折率性はもたせられるが光透過性が著しく悪くなることがある。
【００６２】
台座７の上面７１と、前記上面７１に接触している点におけるレンズ８の接線ｔとのなす角βは、７０度〜９５度であること好ましい。なす角βが、７０度未満であると、平坦面に撥水加工することで、条件によってはその接触角を作成できることと、角度が小さいため、レンズ硬化が十分に発揮されることができなく本発明の効果を達成することができず、９５度を超えると、台座７よりはみ出す樹脂部ができ、重力と些細な振動及びがたつきで台座７の側面７２に硬化前に樹脂が垂れてしまうという製造上の問題点がある。
【００６３】
前記台座７の上面７１と、前記上面７１に接触している点におけるレンズ８の接線ｔとのなす角βは、自動接触角計ＤＭ−３０１（協和界面化学）を用いて計測し、解析ソフトＦＡＭＡＳ（協和界面化学）を用いて解析を行った。具体的には、上面７１の十点平均高さＲｚを測定し、この十点平均高さＲｚを上面７１の平面と仮定し、該平面と接触している点におけるレンズ８の接線ｔを引き、該接線ｔと前記平面との交差する角度をなす角βとした。
【００６４】
（有機ＥＬ素子の製造方法）
本発明による有機ＥＬ素子の製造方法は、封止層を形成する工程と、台座を形成する工程と、レンズを構成する工程とを有し、必要に応じてその他の工程を有する。
【００６５】
＜有機ＥＬ層の形成工程＞
有機ＥＬ層４の形成工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよく、一対の電極及びこの電極間に配置された発光層を、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、及びスプレー法等によって形成することができる。絶縁層３についても基板上に例えば、スパッタ法、蒸着法、フォトリソグラフィ法等で形成することができる。
【００６６】
＜封止層の形成工程＞
封止層６の形成工程としては、上述した封止層６の構成材料を、例えば、成膜温度が１００℃程度の低温ＣＶＤ法により有機ＥＬ層４上に形成される。なお、防湿層が形成された樹脂フイルムを貼着して封止層６としてもよい。
【００６７】
＜台座の形成工程＞
台座７の形成工程としては、封止層６上に形成することができれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよく、ドライエッチング法、プラズマＣＶＤ法などが挙げられる。ウェットエッチング法で台座７を形成させると、有機ＥＬ層４が破損することがあるので好ましくない。
【００６８】
［ドライエッチングによる台座の形成］
封止層６をドライエッチングすることで、台座７を封止層６上に形成させるようにしてもよい。この場合、上述したが、封止層６と台座７とは同一の材料となる。図３は、ドライエッチング法により台座７を形成させる方法を示す図である。前記ドライエッチング法による台座７の形成としては、凹凸パターンをマスクとして、ドライエッチングにより前記封止層６に凹凸パターンを形成し、凸部が台座７となるようにする。
【００６９】
レジスト層１０を封止層６上に形成させた後（図３（Ａ））、所定の凹凸パターンを形成したモールド構造体１１を用いたインプリント法でレジスト層１０に凹凸パターンを形成させ、レジスト層１０を硬化させる（図３（Ｂ））。なお、インプリント法の代わりにマスクを用いてレジスト層を露光してレジスト層に凹凸パターンを形成させるようにしてもよい。凹凸パターンをレジスト層１０に形成後（図３（Ｃ））、ドライエッチングを行い、封止層６に凹凸パターンを形成させる（図３（Ｄ））。封止層６に凹凸パターンを形成させた後、凸部上のレジスト層１０を除去し、封止層６を冷却することで台座７が形成される（図３（Ｅ））。
【００７０】
前記レジスト層１０の材料としては、ポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料のいずれであってもよく、例えばポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ノボラック樹脂、フッ素樹脂などが挙げられる。
【００７１】
前記レジスト層１０の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の塗布方法の中から適宜選択することができ、例えば、スピンコート法などが好適に挙げられる。前記レジスト層の厚みは、５ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。
【００７２】
前記インプリント法は、ナノメートルサイズの凹凸パターンを表面に形成したモールド構造体１１をレジスト層１０に押し付けて該モールド構造体１１の凹凸パターンをレジスト層１０に転写して、レジスト層１０上にナノメートルサイズの凹凸パターンを形成する方法である。前記インプリント法によれば、広範囲全面での残膜コントロールが可能であり、かつ微細パターンの転写が可能である。
【００７３】
前記モールド構造体１１の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、石英、金属、及び樹脂のいずれかの材料が好適である。前記金属としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の各種金属、又はこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、Ｎｉ、Ｎｉ合金が特に好ましい。前記樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、低融点フッ素樹脂などが挙げられる。
【００７４】
前記ドライエッチング法としては、封止層６に凹凸パターンを形成できるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、などが挙げられる。これらの中でも、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が特に好ましい。
【００７５】
前記イオンミリング法は、イオンビームエッチングとも言われ、イオン源にＡｒなどの不活性ガスを導入し、イオンを生成し、該イオンをグリッドを通して加速し、試料基板に衝突させてエッチングするものである。前記イオン源としては、例えばカウフマン型、高周波型、電子衝撃型、デュオプラズマトロン型、フリーマン型、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）型、などが挙げられる。
【００７６】
前記反応性イオンエッチングでは、反応ガスとしては、塩素系ガス、又は中谷プロセス（ＮＨ３＋ＣＯ）等のカルボニル系化合物を形成するガスを用いることができる。
【００７７】
前記ドライエッチング後の冷却により、ドライエッチングにより温度が上昇した有機ＥＬ素子１００を冷却することができる。前記ドライエッチング後の冷却は、凹凸パターンが形成された封止層６表面に希ガス、Ｎ２ガス、及び還元性ガスのいずれかのガスを吹き付けて行うことが好ましい。前記希ガス、Ｎ２ガス、及び還元性ガスのいずれかのガスとしては、前記冷却と同様のものを用いることができる。
【００７８】
また、前記冷却としては、凹凸パターンが形成された封止層表面に、希ガス、Ｎ２ガス、及び還元性ガスのいずれかのガスを用いたプラズマ処理により行うことが好ましい。前記プラズマ処理としては、Ａｒプラズマ、Ｎ２プラズマ、及びＨ２プラズマのいずれかの弱いプラズマに曝すことにより除冷することがより好ましい。前記後冷却工程における冷却の温度としては、８０℃以下が好ましく、５０℃以下がより好ましい。また、冷却時間は２秒間以上が好ましく、４秒間以上がより好ましい。
【００７９】
［プラズマＣＶＤ法による台座の形成］
前記台座７としては、プラズマＣＶＤ法で蒸着することで形成するようにしてもよい。前記プラズマＣＶＤ法において台座７を形成させる場合は、封止層６と台座７との材料が異なっていてもよく、同一であってもよい。前記プラズマＣＶＤ法は、反応ガスを低温プラズマ状態にし、化学的に活性なイオンやラジカルに分解させることで薄膜を低温形成する方法である。
【００８０】
前記プラズマＣＶＤ法としては、原料ガスを用いて出力３０Ｗ〜３００Ｗ、ガス圧力０．０５Ｐａ〜０．１MＰａ以下の放電解離条件下で行い、必要に応じて、磁気、電界、又は物理的手段により蒸着粒子を固定する手段を含めてもよい。
【００８１】
前記プラズマＣＶＤ法で使用する原料ガスとしては、上記台座７の構成材料のガスの他に必要に応じて、アルゴン、ヘリウム、キセノンなどの希ガス及びメタン、エチレン、アセチレンなどの炭化水素ガス等の希釈ガスを混入させてもよい。
【００８２】
＜レンズ（半球レンズ）の形成工程＞
レンズの形成工程としては、台座７の上面７１上にレンズ８を形成するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよいが、インクジェット法を用いてレンズを台座７の上面７１上に形成することが好ましい。
【００８３】
滴下されたレンズ材料滴８１は、台座７の上面７１に滴下後、１秒から１０秒以内に硬化させることが好ましく、１秒から３秒以内に硬化させることがより好ましい。滴下後に硬化させる時間が１秒未満であると、滴下後の樹脂形状が球形に変化する前の異形となる可能性があり、３秒を超えると、台座上で徐々に微小な形状変化をしているため、場合によってはレンズ用樹脂材料が台座よりはみ出し側面へ垂れていくことがある。微小な形状変化は、重力によって引き起こされる。なお、滴下後１秒以降でレンズ材料滴８１を仮硬化させ、その後、本硬化のプロセスを行う方法でもよい。ここで、本硬化とは、十分の露光量をレンズ材料滴８１に照射することを意味する。
【００８４】
また、前記レンズ８の形成方法により形成されたレンズ８の位置合わせ方法としては、特に制限はないが、インクジェットによる位置決めプリント方法が挙げられる。
【００８５】
このように形成された前記レンズ８としては、特に制限はないが、シート状部の面上に複数のレンズ８が配される光取り出し部材として形成されるようにしてもよい。
【００８６】
＜その他の工程＞
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機ＥＬ装置の製造方法として公知の工程が挙げられる。
【実施例】
【００８７】
次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【００８８】
（実施例１）
＜発光部の形成＞
ＴＦＴ（アクティブマトリックス）基板上に形成された反射電極層（Ａｌ）上に、下記の条件で、正孔注入層、正孔輸送層、青色発光層、緑色発光層、赤色発光層、電子輸送層、電子注入層、及び上部電極層を、この順で形成した。
【００８９】
（緑色発光層）
反射電極層（陽極）上に、ホール注入層として２−ＴＮＡＴＡ〔４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン〕とＭｎＯ３を７：３の割合で、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９０】
次に、ホール注入層上に、第１のホール輸送層として２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱ（２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）を１．０％ドープして１４１ｎｍの厚さとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９１】
次に、第１のホール輸送層上に、第２のホール輸送層としてα−ＮＰＤ〔Ｎ，Ｎ’−（ジナフチルフェニルアミノ）ピレン〕を、厚みが１０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９２】
次に、第２のホール輸送層上に、第３のホール輸送層として下記構造式で表されるホール輸送材料Ａを、厚みが３ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９３】
【化１】
2011076800.tif 000003
【００９４】
次に、第３のホール輸送層上に、発光層を、ホスト材料としてＣＢＰ（４，４’−ジカルバゾール−ビフェニル）と、発光材料として下記構造式で表される発光材料Ｇを、８５：１５の割合で、厚みが２０ｎｍとなるように、真空共蒸着により形成した。
【００９５】
【化２】
2011076800.tif 000004
【００９６】
次に、発光層上に、第１の電子輸送層としてＢＡｌｑ（アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）−４−フェニルフェノレート）を、厚みが３９ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９７】
次に、第１の電子輸送層上に、第２の電子輸送層としてＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナンスロリン）を、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９８】
次に、第２の電子輸送層上に、第１の電子注入層としてＬｉＦを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９９】
次に、第１の電子注入層の上に、第２電子注入層としてＡｌを、厚みが０．５ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１００】
次に、第２電子注入層上に、陰極として銀（Ａｇ）を、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０１】
（赤色発光層）
反射電極層（陽極）上に、ホール注入層として２−ＴＮＡＴＡ〔４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン〕とＭｎＯ３を７：３の割合で、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０２】
次に、ホール注入層上に、第１のホール輸送層として２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱを１．０％ドープして１９６ｎｍの厚さとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０３】
次に、第１のホール輸送層上に、第２のホール輸送層としてα−ＮＰＤ〔Ｎ，Ｎ’−（ジナフチルフェニルアミノ）ピレン〕を、厚みが１０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０４】
次に、第２のホール輸送層上に、発光層を、ホスト材料としてＢＡｌｑと、発光材料として下記構造式で表される発光材料Ｒを、９５：５の割合で、厚みが３０ｎｍとなるように、真空共蒸着により形成した。
【０１０５】
【化３】
2011076800.tif 000005
【０１０６】
次に、発光層上に、第１の電子輸送層としてＢＡｌｑを、厚みが４８ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０７】
次に、第１の電子輸送層上に、第２の電子輸送層としてＢＣＰを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０８】
次に、第２の電子輸送層上に、第１の電子注入層としてＬｉＦを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０９】
次に、第１の電子注入層の上に、第２電子注入層としてＡｌを、厚みが０．５ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１１０】
次に、第２電子注入層上に、陰極として銀（Ａｇ）を、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１１１】
（青色発光層）
反射電極層（陽極）上に、ホール注入層として２−ＴＮＡＴＡ〔４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン〕とＭｎＯ３を７：３の割合で、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１１２】
次に、ホール注入層上に、第１のホール輸送層として２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱを１．０％ドープして１１０ｎｍの厚さとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１１３】
次に、第１のホール輸送層上に、第２のホール輸送層としてα−ＮＰＤ〔Ｎ，Ｎ’−（ジナフチルフェニルアミノ）ピレン〕を、厚みが１０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１１４】
次に、第２のホール輸送層上に、第３のホール輸送層として下記構造式で表されるホール輸送材料Ａを、厚みが３ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１１５】
次に、第３のホール輸送層上に、発光層を、ホスト材料としてｍＣＰ（１，３−ビス（カルバゾーリル）ベンゼン）と、発光材料として下記構造式で表される発光材料Ｂを、８５：１５の割合で、厚みが３０ｎｍとなるように、真空共蒸着により形成した。
【０１１６】
【化４】
2011076800.tif 000006
【０１１７】
次に、発光層上に、第１の電子輸送層としてＢＡｌｑを、厚みが２９ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１１８】
次に、第１の電子輸送層上に、第２の電子輸送層としてＢＣＰを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１１９】
次に、第２の電子輸送層上に、第１の電子注入層としてＬｉＦを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１２０】
次に、第１の電子注入層の上に、第２電子注入層としてＡｌを、厚みが０．５ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１２１】
次に、第２電子注入層上に、陰極として銀（Ａｇ）を、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１２２】
このようにして反射電極上に形成された各色の発光層を有する発光部の発光面の発光面積は、１００×１００μｍであった。
【０１２３】
このようにして形成した上部電極上に、封止層として、ＳｉＯＮ層を低温ＣＶＤ法で３μｍ成膜した。なお、ＳｉＯＮ層は、図１に示すように、有機ＥＬ層を覆うように形成し、成膜した３μｍの膜厚は、発光部の発光面からＳｉＯＮ層の表面までの厚みをいう。
【０１２４】
封止層上に、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるレジスト層の表面に凹凸パターンが形成されたモールド構造体を押し当て、加圧した。次に、レジスト層にモールド構造体を押し当てた際に、系を前記インプリントレジスト液のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、レジスト層が前記インプリントレジスト液のガラス転移温度よりも低下させてレジスト層を硬化させた。これにより、モールド構造体上に形成された凹凸パターンをレジスト層に転写された。次に、モールド構造体をレジスト層から剥離することにより、レジスト層に凹凸パターンを形成された。
【０１２５】
凹凸パターンが転写されたレジスト層をアルゴンイオンミリング法によりドライエッチングを行い、レジスト層に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸パターンを封止層に形成した。その後、凹凸パターンが形成された封止層表面にＨｅガスを吹き付けて冷却することで封止層上に台座を形成させた。
【０１２６】
台座の上面と側面とのなす角αを走査型電子顕微鏡（Ｓ−４１００  日立）を用いてテストパーツ部分の断面観察を行ったところ、形成された台座の上面と側面とのなす角αは、８６度であった。
【０１２７】
台座の高さｈを表面粗さ測定器（ＤＥＫＴＡＫ８  日本ビーゴ製）を用いて計測したところ、台座の高さｈは、５μｍであった。
【０１２８】
台座の屈折率をエリプソメトリー法光学系にてサンプル試作試料の解析を行ったところ、台座の屈折率は、１．５１であった。
【０１２９】
台座を形成後、インクジェット装置マテリアルプリンター（ＤＭＰ−２８３１  富士フイルム製）を用いて、アクリル樹脂（ＵＶ硬化型  スリーボンド社製）からなるレンズ材料滴を台座上（台座の上面）に滴下させた。なお、１レンズの打滴量を７０ピコリットルとした。レンズ材料滴を台座の上面に着弾させて３秒以内に紫外線を照射し、レンズ材料滴を硬化させ、レンズを形成させることで有機ＥＬ素子（実施例１の有機ＥＬ素子）を得た。
【０１３０】
台座の上面と、前記上面に接触している点におけるレンズの接線ｔとのなす角βを測定及び解析を行ったところ、９０度であった。
【０１３１】
前記レンズの屈折率の解析を行ったところ、レンズの屈折率は、１．５２であった。
【０１３２】
（実施例２）
実施例１において、ドライエッチング法で台座を形成したことに代えて、プラズマＣＶＤ法でＳｉＯＮ膜を封止層上にマスク蒸着させて台座を形成したこと以外は、実施例１と同様に行って、有機ＥＬ素子（実施例２の有機ＥＬ素子）を得た。
【０１３３】
（実施例３）
実施例１において、レンズ材料滴を台座の上面に滴下させた滴量を７０ピコリットルから５６ピコリットルに代えた以外は、実施例１と同様に行って、有機ＥＬ素子（実施例３の有機ＥＬ素子）を得た。
【０１３４】
（比較例１）
実施例１において、台座を形成せずに封止層上に直接レンズ材料滴を滴下させた以外は、実施例１と同様に行って、有機ＥＬ素子（比較例１の有機ＥＬ素子）を得た。
【０１３５】
（比較例２）
実施例１において、台座の上面と側面とのなす角を９５度にした以外は、実施例１と同様に行って、有機ＥＬ素子（比較例２の有機ＥＬ素子）を得た。
【０１３６】
（比較例３）
実施例１において、台座の上面と側面とのなす角を７５度にした以外は、実施例１と同様に行って、有機ＥＬ素子（比較例３の有機ＥＬ素子）を得た。
【０１３７】
（比較例４）
実施例１において、レンズ材料をフッ素系樹脂サイトップ（旭硝子）（屈折率１．４０）を用いた以外は、実施例１と同様に行って、有機ＥＬ素子（比較例４の有機ＥＬ素子）を得た。
【０１３８】
（比較例５）
実施例１において、台座の高さを２μｍにした以外は、実施例１と同様に行って、有機ＥＬ素子（比較例５の有機ＥＬ素子）を得た。
【０１３９】
（比較例６）
実施例１において、台座の高さを８μｍにした以外は、実施例１と同様に行って、有機ＥＬ素子（比較例６の有機ＥＬ素子）を得た。
【０１４０】
実施例１から実施例３及び比較例１から比較例６で得た有機ＥＬ素子の台座の上面と側面のなす角（表１中では「なす角α」という。）、台座の高さ、台座の屈折率、台座の上面と、前記上面に接触している点におけるレンズの接線ｔとのなす角（表１中では「なす角β」という。）を表１にまとめた。
【０１４１】
【表１】
2011076800.tif 000007
【０１４２】
実施例１で得た有機ＥＬ素子について、分光輝度計（トップコム社製：ＳＲ−３）を用いて、輝度を測定した。輝度計は、発光表示素子の中心と鉛直方向に同じ高さとなり発光表示素子から１メートル離れた位置に設置して測定した。
【０１４３】
この状態で、有機ＥＬ素子に２．５ｍＡ／ｃｍ２で通電して緑色発光の１点（パネル中央付近）を点灯させて輝度（単位：ｃｄ／Ａ）を測定した。実施例２から実施例３及び比較例１から比較例６で得た有機ＥＬ素子についても同様に行った。結果を表２及び表３に示す。
【０１４４】
有機ＥＬ素子の緑色発光素子に一定電流が加わるように駆動させ、発光させた。その発光スペクトル（光量）を、トプコン社製輝度計ＳＲ−３を用いて測定し、発光スペクトル（光量）、及び測定時の電流から発光効率（発光の配光をランバーシアンと仮定）を算出した。
【０１４５】
【表２】
2011076800.tif 000008
【０１４６】
【表３】
2011076800.tif 000009
【０１４７】
表１、表２及び表３から、台座の上面と側面とのなす角が８０度から９０度にし、レンズの屈折率が台座の屈折率よりも大きい場合は、台座の上面に撥液処理を施さなくてもレンズと台座の上面との接触角を大きくすることができ、輝度、発光効率が向上していることがわかる。また、台座の高さが３μｍから７μｍの範囲内にすると、より輝度、発光効率を向上させることができることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本発明による有機ＥＬ素子は、高精彩なフルカラー表示が可能であるため、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、ＴＶモニター、又は一般照明を含む幅広い分野、好適に利用可能である。
【符号の説明】
【０１４９】
１００    有機ＥＬ素子
１        基板
２        電極
３        絶縁層
４        有機ＥＬ層
５        電極
６        封止層
７        台座
７１      上面
７２      側面
７３      下面
８        レンズ
８１      レンズ材料滴
９        インクジェットノズル
１０      レジスト層
１１      モールド構造体
【図１】
2011076800.tif 000010
【図２】
2011076800.tif 000011
【図３】
2011076800.tif 000012
【図４】
2011076800.tif 000013