(57)【要約】【課題】レチクルの特定半導体素子パターンが露光された転写パターンを検査する際に、レチクルの半導体素子パターンが多数ある場合でも、半導体基板上で特定半導体素子パターンを容易且つ正確に短時間で探し当てることを可能とし、極めて効率良く検査を行う。【解決手段】複数の半導体素子パターン１２と、半導体素子パターン１２から、複数の半導体素子パターン１２のうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子パターン１２Ａまでの方向及び距離を示す識別用パターン１３とを有するレチクル１１を用いて、半導体基板上のフォト・レジストに露光し、識別用パターン１３の転写パターンを用いて、特定半導体素子パターン１２Ａの転写パターンの検査を行う。【選択図】図１
2011138803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の主面にフォト・レジスト層を形成する工程と、
複数個の半導体素子パターンと、前記半導体素子パターンから複数個の前記半導体素子パターンのうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子パターンまでの方向及び距離を示す識別用パターンとを有するレチクルを用いて、前記フォト・レジスト層に対して露光処理を行う工程と、
前記フォト・レジスト層を現像する工程と、
前記識別用パターンを指標として用い、前記特定半導体素子パターンを検知する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記レチクルは、前記半導体素子パターンから、前記レチクルの４隅部のうちで当該半導体素子パターンに最も近接する隅部までの方向及び距離を示す隅部認識用パターンを更に有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記特定半導体素子パターンはＮ個（ＮはＮ≧２を満たす整数）設けられ、前記各特定半導体素子パターンの観察順序が予め規定されており、
前記識別用パターンは、観察順序が１番目の前記特定半導体素子パターンを検知するためのものであり、
前記レチクルは、観察順序がＭ番目（Ｍは１≦Ｍ≦Ｎ−１を満たす整数）の前記特定半導体素子パターンからＭ＋１番目の前記特定半導体素子パターンへ到る経路を示す経路表示パターンを有しており、
前記識別用パターンを指標として用い、観察順序が１番目の前記特定半導体素子パターンを検知した後、前記経路表示パターンを用いてＮ−１個の前記特定半導体素子パターンを順次に検知する工程を更に具備することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
複数個の半導体素子パターンと、
前記半導体素子パターンから、複数個の前記半導体素子パターンのうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子パターンまでの方向及び距離を示す識別用パターンと
を具備してなることを特徴とするレチクル。
【請求項５】
一方の主面に、複数個の半導体素子と、
前記半導体素子から複数個の前記半導体素子のうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子までの方向及び距離を示す識別用パターンと
を具備してなることを特徴とする半導体基板。
【請求項６】
前記識別用パターンが前記半導体素子の周縁部に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、縮小投影露光を用いた半導体装置の製造方法、レチクル及び半導体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路素子（以下、単に半導体素子と記す）においては、半導体基板の一方の主面に、トランジスタ、抵抗素子などの機能素子が複数個配設され、当該機能素子間を相互に接続する配線層をもって電子回路が形成されている。
【０００３】
当該半導体素子を製造する際には、所謂フォト・リソグラフィ技術が適用されて、素子間分離領域、電極、不純物注入用マスク層、コンタクト孔、配線等の各種パターンが形成される。
当該フォト・リソグラフィ技術にあっては、前記素子間分離領域、電極、選択的不純物注入層、コンタクト孔、或いは配線等の半導体素子パターンのそれぞれに対応する複数枚のレチクル（フォト・マスク）が適用される。
そして、露光装置において、前記レチクルにおける半導体素子パターンが、半導体基板上のフォト・レジスト層に露光・転写される。
【０００４】
近年、電子機器の多機能化、小型化ならびに高速動作化のために、当該電子機器に搭載される半導体素子に対しても、より微細化、高集積化が求められている。
一方、当該半導体素子の量産化に向けて、半導体基板の大判化がなされ、例えばΦ３００ｍｍのシリコン基板が適用されている。
このような大判の半導体基板に対しては、所謂縮小投影露光法により、多数の半導体素子パターンを形成する。
【０００５】
即ち、複数個の半導体素子パターンを含むレチクルを用い、当該レチクルの含む半導体素子パターンを、縮小投影露光法により、半導体基板上に形成されたフォト・レジスト層に対して、横方向ならびに縦方向に複数個並べて露光・転写する。
かかる露光処理において、１つのレチクルを用いその１回の露光処理により形成される被露光領域を「露光ショット領域」と称する。当該露光ショット領域には、複数個の半導体素子パターンが含まれている。
即ち、縮小投影露光法が適用されることにより、半導体基板上に形成されたフォト・レジスト層においては、前記露光ショット領域が複数個形成される。
【０００６】
レチクルを用いた露光工程の後には、露光されたフォト・レジストを現像して得られた半導体素子パターンの検査が行われる。また、半導体製造工程を経て作製された半導体素子についても検査が行われる。半導体素子パターンの検査としては、半導体素子パターンを構成するフォト・レジストパターンが所望の寸法及び形状に形成されているか否かを観察及び測定して判断する検査等がある。半導体素子の検査としては、作製された半導体素子の電気特性等が所望の基準値を満たしているか否かを測定して判断する検査等がある。
なお、半導体素子パターンの検査を行うため、検査マークを半導体基板の所謂スクライブ領域に設ける例が、先行文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−３３５４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
フォト・リソグラフィ工程では、半導体基板上に多数の半導体素子パターンが形成される。半導体素子パターンの検査を行う際に、これら半導体素子パターンを全て検査するのでは、検査に極めて長い時間を要し、検査効率に劣ることになる。そこで、半導体素子パターンの検査を行う際には、検査効率等を勘案して、半導体基板上の複数の半導体素子パターンのうち、特定の半導体素子パターン（以下、特定半導体素子パターンと言う。）を検査対象とすることが多い。特定半導体素子パターンは、半導体基板上の複数の半導体素子パターンのうち、所定の位置に形成された１個又は数個の半導体素子パターンが選択され、半導体基板に形成された全ての半導体素子パターンを代表するものとして、検査対象とされるものである。
半導体製造工程を経て作製された半導体素子についても同様に、半導体基板上の複数の半導体素子のうちから選択された１個又は数個の特定の半導体素子（以下、特定半導体素子と言う。）を検査対象とすることが多い。
以下、特定半導体素子パターンを検査対象とする場合を例に採って説明する。
【０００９】
半導体基板に形成された半導体素子パターンの欠陥検査には、光学顕微鏡、或いは走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）が用いられる。（以下、顕微鏡と称する。）
欠陥検査時には、顕微鏡の検査視野内において、被検査半導体基板、半導体素子を観察する。検査視野は、顕微鏡において、対象物を観察する際に視認できる範囲であり、倍率及びレンズの開口数などにより決定される。
【００１０】
顕微鏡による観察時において、露光ショットに属する半導体素子パターンの数が少ない場合には、露光ショット内の観察対象の特定半導体素子パターンを検知することは比較的容易である。しかしながら、露光ショットに属する半導体素子パターンの数が数百個乃至はそれ以上である場合、露光ショット内の特定半導体素子パターンを検知するには極めて困難である。特定半導体素子パターンは露光ショット内に１個〜数個程度とされており、例えば数百個の半導体素子パターンの中から、顕微鏡の狭い検査視野内に特定半導体素子パターンを収めるには長時間を要し、半導体製造工程の遅延化の一要因とされている。
【００１１】
本発明は、上記の課題を解決すべくなされたものであって、レチクルの特定半導体素子パターンが露光された転写パターンを検査する際に、レチクルの半導体素子パターンが多数ある場合でも、半導体基板上で特定半導体素子パターンを容易且つ正確に短時間で探し当てることを可能とし、極めて効率良く検査を行うことのできる半導体装置の製造方法、レチクル及び半導体基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
半導体装置の製造方法の一態様は、半導体基板の一方の主面にフォト・レジスト層を形成する工程と、複数個の半導体素子パターンと、前記半導体素子パターンから複数個の前記半導体素子パターンのうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子パターンまでの方向及び距離を示す識別用パターンとを有するレチクルを用いて、前記フォト・レジスト層に対して露光処理を行う工程と、前記フォト・レジスト層を現像する工程と、前記識別用パターンを指標として用い、前記特定半導体素子パターンを検知する工程とを具備する。
【００１３】
レチクルの一態様は、複数個の半導体素子パターンと、前記半導体素子パターンから、複数個の前記半導体素子パターンのうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子パターンまでの方向及び距離を示す識別用パターンとを具備してなる。
【００１４】
半導体基板の一態様は、一方の主面に、複数個の半導体素子と、前記半導体素子から複数個の前記半導体素子のうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子までの方向及び距離を示す識別用パターンとを具備してなる。
【発明の効果】
【００１５】
上記の各態様によれば、レチクルの特定半導体素子パターンが露光された転写パターンを検査する際に、レチクルの半導体素子パターンが多数ある場合でも、半導体基板上で特定半導体素子パターンを容易且つ正確に短時間で探し当てることを可能とし、極めて効率良く検査を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態によるレチクルを示す概略平面図である。
【図２】第１の実施形態によるレチクルにおける第１の識別用パターンの他の例を示す概略平面図である。
【図３】図１のレチクルを用いて露光された半導体基板の一部を拡大して示す概略平面図である。
【図４】図１のレチクルを用いて露光された半導体基板の一部を拡大して示す概略平面図である。
【図５】図４における１つの露光ショット領域を示す概略平面図である。
【図６】本実施形態の自動検査装置の概略構成を示すブロック図である。
【図７】第１の実施形態の第１の識別用パターン有するレチクルを含む複数のレチクルを作製するためのフロー図である。
【図８】第１の実施形態による半導体装置の製造方法を工程順に示すフロー図である。
【図９】第１の実施形態による半導体基板の一部を拡大して示す概略平面図である。
【図１０】第１の実施形態による半導体基板の一部を拡大して示す概略平面図である。
【図１１】図９又は図１０における１つの露光ショット領域を示す概略平面図である。
【図１２】半導体素子領域における、各識別用パターンの具体的な形成部位を示す概略平面図である。
【図１３】第１の実施形態によるレチクルの他の例を示す概略平面図である。
【図１４】第２の実施形態によるレチクルを示す概略平面図である。
【図１５】図１４のレチクルを用いて露光された半導体基板における１つの露光ショット領域を示す概略平面図である。
【図１６】第２の実施形態によるレチクルの他の例を示す概略平面図である。
【図１７】第３の実施形態によるレチクルを示す概略平面図である。
【図１８】図１７のレチクルを用いて露光された半導体基板における１つの露光ショット領域を示す概略平面図である。
【図１９】第４の実施形態によるレチクルを示す概略平面図である。
【図２０】図１９のレチクルを用いて露光された半導体基板における１つの露光ショット領域を示す概略平面図である。
【図２１】第４の実施形態による半導体基板の一部を拡大して示す概略平面図である。
【図２２】図２１の半導体領域の一部を取り出して示す概略平面図である。
【図２３】図２１の半導体領域の一部を拡大して示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、好適な諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明するが、以下の諸実施形態に限定されるものではない。
以下、本実施形態における「検査」とは、露光されたフォト・レジストを現像して得られた半導体素子パターンの検査、及び半導体製造工程を経て作製された半導体素子の検査のことを言う。半導体素子パターンの検査としては、半導体素子パターンを構成するフォト・レジストパターンが所望の寸法及び形状に形成されているか否かを観察及び測定して判断する検査等がある。半導体素子の検査としては、作製された半導体素子の電気特性等が所望の基準値を満たしているか否かを測定して判断する検査等がある。
以下の説明において、「隣り合う２つの半導体素子パターン」とは、当該２つの半導体素子パターンの間には他の半導体素子パターンが存在しないことを意味する。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１は第１の実施形態による１枚のレチクルを、図３及び図４は図１のレチクルを用いて露光された半導体基板をそれぞれ示す概略平面図である。
本実施形態では、複数のレチクルのうち、少なくとも１枚が図１のレチクルとされている。図３及び図４には図１のレチクルによって半導体基板上のフォト・レジストに転写された状態を示す。
【００１９】
本実施形態によるレチクル１１には、図１に示すように、例えば１１×１１個（１２１個）の半導体素子パターン１２が互いに離間して縦横に配置されている。レチクル１１は、縮小投影露光処理において、１つの露光ショット領域を形成するものである。レチクル１１において、個々の半導体素子パターン１２は、１つの半導体素子を形成することに対応する寸法・形状を有し、当該半導体素子の製造工程において適用される一つのパターン、例えば素子間分離領域（アイソレーション領域）を画定するパターンを含んでいる。但し、ここでは当該パターンの表示は行わない。
【００２０】
１２１個の半導体素子パターン１２は、スクライブ領域１６を挟んで、互いに分離して配置されている。スクライブ領域１６は、縦方向（Ｙ軸方向）及び横方向（Ｘ軸方向）の何れにおいても、等しい幅を有している。１２１個の半導体素子パターン１２の周囲には、これらを囲繞して、スクライブ領域１６と等しい幅を有するスクライブ領域１８が配設されている。
【００２１】
１２１個の半導体素子パターン１２のうち、例えば中央部分の半導体素子パターン１２が、半導体基板に転写された際に、検査時の観察対象となる特定の半導体素子パターン（以下、特定半導体素子パターン１２Ａとする。）である。特定半導体素子パターン１２Ａは、レチクル１１の設計段階から検査時の観察対象用の半導体素子パターンとして規定されたものである。
【００２２】
特定半導体素子パターン１２Ａを除く各半導体素子パターン１２には、例えば周縁部に、当該半導体素子パターン１２から特定半導体素子パターン１２Ａまでの方向及び距離を示す識別用パターン１３が形成されている。識別用パターン１３は、短時間で検査を確実に行う観点から、特定半導体素子パターン１２Ａを除く全ての半導体素子パターン１２に設けるのが好適である。しかしながら、必ずしも全ての半導体素子パターン１２に識別用パターン１３を設けなくとも良い。
以下、特定半導体素子パターン１２Ａを除く全ての半導体素子パターン１２に識別用パターン１３を設ける場合を例に採って説明する。
レチクル１１の４隅には、露光された際に露光ショット領域を識別するための例えば矩形状のショット認識用パターン１７が形成されている。
【００２３】
識別用パターン１３は、半導体素子パターン１２の４隅のいずれか１つを起点として、周縁部に沿った所定幅の２本の矢印とされている。半導体素子パターン１２の４隅のうちで識別用パターン１３の起点となる隅部は、レチクル１１の４隅のうち、当該半導体素子パターン１２が最も近接する隅部に対応している。例えば、レチクル１１において当該半導体素子パターン１２の位置がレチクル１１の４隅のうちで右上（右下、左上、左下）の隅部に最も近ければ、識別用パターン１３の起点となる隅部も右上（右下、左上、左下）の隅部となる。
【００２４】
例えば、レチクル１１の各半導体素子パターン１２のうちで、右上隅から横方向左方に３つ目、縦方向下方に４つ目に位置する半導体素子パターン１２（図１中で１２ａとする。）に着目する。半導体素子パターン１２ａから特定半導体素子パターン１２Ａまでには、横方向左方に３つの半導体素子パターン１２、縦方向下方に２つの半導体素子パターン１２が存在している。半導体素子パターン１２ａには、特定半導体素子パターン１２Ａとの位置関係に対応した識別用パターン１３が形成されている。識別用パターン１３は、半導体素子パターン１２の右上隅を起点として、横方向左方に「３」に対応する割合の長さの矢印１３ａと、縦方向下方に「２」に対応する割合の長さの矢印１３ｂとから構成される。
【００２５】
また、レチクル１１の各半導体素子パターン１２のうちで、右下隅に位置する半導体素子パターン１２（図１中で１２ｂとする。）に着目する。半導体素子パターン１２ｂから特定半導体素子パターン１２Ａまでには、横方向左方に５つの半導体素子パターン１２、縦方向上方に５つの半導体素子パターン１２が存在している。半導体素子パターン１２ｂには、特定半導体素子パターン１２Ａとの位置関係に対応した識別用パターン１３が形成されている。識別用パターン１３は、半導体素子パターン１２の右下隅を起点として、横方向左方に「５」に対応する割合の長さの矢印１３ａと、縦方向上方に「５」に対応する割合の長さの矢印１３ｂとから構成される。
【００２６】
また、レチクル１１の各半導体素子パターン１２のうちで、左上隅から横方向右方に４つ目、縦方向下方に６つ目に位置する半導体素子パターン１２（図１中で１２ｃとする。）に着目する。半導体素子パターン１２ｃから特定半導体素子パターン１２Ａまでには、横方向右方に２つの半導体素子パターン１２が存在している。半導体素子パターン１２ｃには、特定半導体素子パターン１２Ａとの位置関係に対応した識別用パターン１３が形成されている。識別用パターン１３は、半導体素子パターン１２の左上隅を起点として、横方向右方に「２」に対応する割合の長さの矢印１３ａから構成される。
【００２７】
半導体素子パターン１２ｃは、特定半導体素子パターン１２Ａの真横に位置している。そのため、半導体素子パターン１２ｃの位置から特定半導体素子パターン１２Ａを探す際には、横方向のみの移動で足り、縦方向に移動する必要がないことから、識別用パターン１３を横方向の矢印１３ａのみから構成している。また、半導体素子パターン１２ｃは、レチクル１１の４隅のうちで最も近接する隅部は左上又は左下の隅部となり、識別用パターン１３の起点となる隅部は左上又は左下の隅部となる。ここでは、左上の隅部を識別用パターン１３の起点とした場合を例示している。
【００２８】
なお、特定半導体素子パターン１２Ａの例えば真上（真下）に位置する半導体素子パターン１２では、当該半導体素子パターン１２の位置から特定半導体素子パターン１２Ａを探す際には、縦方向のみの移動で足り、横方向に移動する必要がないことから、識別用パターン１３を縦方向の矢印１３ｂのみから構成する。この場合、レチクル１１の４隅のうちで最も近接する隅部は左上又は右上（左下又は右下）の隅部であるため、当該半導体素子パターン１２における識別用パターン１３の起点となる隅部は左上又は右上（左下又は右下）の隅部となる。
【００２９】
また、レチクル１１の各半導体素子パターン１２のうちで、左下隅から横方向右方に３つ目、縦方向上方に４つ目に位置する半導体素子パターン１２（図１中で１２ｄとする。）に着目する。半導体素子パターン１２ｄから特定半導体素子パターン１２Ａまでには、横方向右方に３つの半導体素子パターン１２、縦方向上方に２つの半導体素子パターン１２が存在している。半導体素子パターン１２ｄには、特定半導体素子パターン１２Ａとの位置関係に対応した識別用パターン１３が形成されている。識別用パターン１３は、半導体素子パターン１２の左下隅を起点として、横方向右方に「３」に対応する割合の長さの矢印１３ａと、縦方向上方に「２」に対応する割合の長さの矢印１３ｂとから構成される。
【００３０】
図１において、半導体素子パターン１２を破線で囲んだ矩形で示すが、実際には、当該矩形内には、対応する層に応じたレチクルパターンが形成されている。例えば対応する層が配線層であれば、当該矩形内に配線形状のレチクルパターンが形成されることになる。後述する図１３、図１４、図１６、図１７でも同様である。
【００３１】
識別用パターン１３の各矢印１３ａ，１３ｂの長さは、予め規定された規則に従って、特定半導体素子パターン１２Ａまでの距離を相対的に示していれば良い。
また、識別用パターン１３としては、当該識別用パターン１３の形成された半導体素子パターン１２から特定半導体素子パターン１２Ａまでの方向及び距離が認識できるものであれば、矢印形状以外のものでも良い。例えば識別用パターン１３を、矢印の先端部分を有しない直線からなるＬ字形状としても良い。例えば、半導体素子パターン１２ａにおいて、直線からなるＬ字形状に形成された識別用パターン１３の例を、図２に示す。
【００３２】
フォト・リソグラフィ処理においては、かかる構成を有するレチクル１１を用いて、半導体基板の一方の主面に形成されたフォト・レジスト層に対し、縮小投影露光を行う。
即ち、ここでは、当該レチクル１１に含まれるところの、半導体素子パターン、識別用パターン並びにスクライブ領域が、１つの露光単位として適用される。レチクル１１を用い、横方向ならびに縦方向に複数回の露光・転写がなされ、複数の露光ショット領域とされる。
【００３３】
このとき、当該レチクル１１により与えられる露光ショット領域１１−Ａは、図３のように形成される。即ち露光ショット領域１１−Ａは、半導体基板１００の一方の主面に形成されたフォト・レジスト層（図示せず）に対し、半導体素子パターンを囲繞して配設されているスクライブ領域１８−Ａを重畳して、且つ縦方向（Ｙ軸方向）及び横方向（Ｘ軸方向）に隣り合って形成される。
なお、図３にあっては、各露光ショット領域１１−Ａ内における、１２１個の半導体素子パターンについては図示していない。
【００３４】
図３にあっては、露光ショット領域１１−Ａ１については右下がりのハッチングを付し、露光ショット領域１１−Ａ２については左下がりのハッチングを付して、隣り合う露光ショット領域の位置関係、重畳関係を例示している。
また、半導体素子パターンを囲繞して配設されているスクライブ領域１８−Ａについては、一点鎖線を用いて示している。前述の如く、当該スクライブ領域１８−Ａは、１２１個の半導体素子パターンの間におけるスクライブ領域と等しい幅を有している。ここで、「半導体素子パターン」は、各露光ショット領域１１−Ａ内に設けられ、後に半導体素子（半導体チップ）となる部位であり、「スクライブ領域」は、隣り合う半導体素子パターン間の領域である。
【００３５】
このように、露光ショット領域１１−Ａは、１２１個の半導体素子パターン１２−Ａを囲繞して配設されているスクライブ領域１８−Ａを重畳して、且つ縦方向（Ｙ軸方向）及び横方向（Ｘ軸方向）に隣り合って連続して、半導体基板１００の一方の主面のフォト・レジスト層に複数個形成される。
【００３６】
４個の露光ショット領域１１Ａが縦横に並べられた状態を、図４に示す。
ここでは、露光ショット領域１１−Ａａについては右下がりのハッチングを付し、露光ショット領域１１−Ａｂについては左下がりのハッチングを付して、隣り合う露光ショット領域の位置関係、重畳関係を示している。
４つの露光ショット領域１１−Ａには、それぞれレチクル１１の１２１個の半導体素子パターン１２が転写された半導体素子パターン１２−Ａが形成され、半導体基板１００上の４個の露光ショット領域には１２１×４（４８４）個の半導体素子パターン１２−Ａが形成される。
【００３７】
１つの露光ショット領域１１−Ａを、図５に示す。
露光ショット領域１１−Ａの中央部分の半導体素子パターン１２−Ａは、それぞれ、特定半導体素子パターン１２Ａが転写された特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａとされている。特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａは、製品として供することなく検査専用のものとしても、製品として供するものとしても良い。隣り合う半導体素子パターン１２−Ａ間の領域は、レチクル１１の領域１６が転写されたスクライブ領域１６−Ａである。スクライブ領域１６−Ａ，１８−Ａは、個々の半導体素子を分離する際のダイシング部となる。ショット認識用パターン１７−Ａは、レチクル１１のショット認識用パターン１７が転写されたものであり、露光された際に露光ショット領域を識別するための標識である。
【００３８】
露光ショット領域１１−Ａにはそれぞれ、各半導体素子パターン１２−Ａの周縁部に、レチクル１１の識別用パターン１３が転写された識別用パターン１３−Ａが形成される。
識別用パターン１３−Ａは、各露光ショット領域１１−Ａの夫々において、各半導体素子パターン１２−Ａの周縁部に形成されており、当該半導体素子パターン１２−Ａから検査時の観察対象に規定された特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａまでの方向及び距離を示す指標である。
ここでは、１２１個の半導体素子パターン１２について、特定半導体素子パターン１２Ａを除く全てに識別用パターン１３が設けられたレチクル１１を用いてフォト・リソグラフィを行う場合を例示している。そのため、露光ショット領域１１−Ａでも同様に、特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａを除く全ての半導体素子パターン１２−Ａに識別用パターン１３−Ａが形成される。特定半導体素子パターン１２Ａを除く半導体素子パターン１２のうち、識別用パターン１３−Ａを有しない半導体素子パターン１２が存在するレチクルを用いてフォト・リソグラフィを行う場合には、当該レチクルのパターンに対応して識別用パターン１３−Ａを有しない半導体素子パターン１２を含む露光ショット領域となる。
また、各露光ショット領域１１−Ａにはそれぞれ、レチクル１１のショット認識用パターン１７が転写されたショット認識用パターン１７−Ａが形成される。
【００３９】
識別用パターン１３−Ａは、レチクル１１の識別用パターン１３に対応しており、半導体素子パターン１２−Ａから特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａまでの方向及び距離を、半導体素子パターン１２−Ａの４隅のいずれか１つを起点として、周縁部に沿った２本の矢印とされている。即ち識別用パターン１２−Ａは、図１の矢印１３ａ，１３ｂに対応して、横方向の矢印１３ａ−Ａ及び縦方向の矢印１３ｂ−Ａで構成されている。図５では、半導体素子パターン１２ａ−Ａ，１２ｂ−Ａ，１２ｃ−Ａ，１２ｄ−Ａは、それぞれ図１の半導体素子パターン１２ａ〜１２ｄに対応している。
【００４０】
識別用パターン１３−Ａの各矢印１３ａ−Ａ，１３ｂ−Ａの長さは、予め規定された規則に従って、特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａまでの距離を相対的に示していれば良い。
また、識別用パターン１３−Ａとしては、当該識別用パターン１３−Ａの形成された半導体素子パターン１２−Ａから特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａまでの方向及び距離が認識できるものであれば、矢印形状以外のものでも良い。例えば矢印の先端部分を形成しなくても良い。
【００４１】
また図４及び図５では、半導体素子パターン１２−Ａを破線で囲んだ矩形で示すが、実際には、当該矩形内に、対応する層に応じたフォト・レジストパターンが形成される。このフォト・レジストパターンの一部として、識別用パターン１３−Ａが形成される。例えば対応する層が配線層であれば、当該矩形内に配線形状のフォト・レジストパターンが形成され、当該フォト・レジストパターンの一部として、識別用パターン１３−Ａが形成されることになる。後述する図１４、図１７でも同様である。
【００４２】
以下、図４及び図５を用いて、半導体基板１００に形成された特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａの検査を行う場合について説明する。
この検査は、半導体素子パターン１２−Ａを構成するフォト・レジストパターンが所望の寸法及び形状、電気特性等に形成されているか否かを観察及び測定して判断するものである。予め規定された特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａを観察対象とする。検査には、光学顕微鏡又はＳＥＭ等（以下、単に顕微鏡と言う。）が用いられる。
【００４３】
先ず、図４に示すように、露光ショット領域１１−Ａの４つのショット認識用パターン１７−Ａが隣り合う部分を顕微鏡の検査視野内に捉える。これら４つのショット認識用パターン１７−Ａを指標として、検査する露光ショット領域を決定する。例えば、４つのショット認識用パターン１７−Ａのうちで右下のショット認識用パターン１７−Ａを指標として、４つの露光ショット領域のうちで右下の露光ショット領域１１−Ａｂを検査対象として決定する。
【００４４】
次に、決定された露光ショット領域のうち、検査対象である特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａを探す。
露光ショット領域１１−Ａ内の半導体素子パターン１２−Ａの周縁部には、それぞれ識別用パターン１３−Ａが形成されている。ある半導体素子パターン１２−Ａを顕微鏡の検査視野内に捉えた場合、検査視野内の半導体素子パターン１２−Ａに配された識別用パターン１３−Ａの矢印１３ａ−Ａ，１３ｂ−Ａを視認することにより、特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａの位置を的確に推認することができる。１つの半導体素子パターン１２−Ａを検査視野内に捉え、識別用パターン１３−Ａの矢印１３ａ−Ａ，１３ｂ−Ａを視認しただけでは、特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａの位置を直ちに正確に認知できない場合もあり得る。しかしながら、識別用パターン１３−Ａに基づいて検査視野を適宜に移動させれば、検査視野内に入る識別用パターン１３−Ａが変化してゆき、短時間で特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａに辿り着くことができる。
【００４５】
本実施形態では、顕微鏡を用いたユーザの目視による欠陥検査を行う代わりに、自動的に検査を行うようにしても良い。本実施形態の自動検査装置は、例えば図６に示すように、ＳＥＭ１、認識部２、演算部３、データベース４、検査視野調節部５、及び制御部６を備える。
【００４６】
認識部２は、ＳＥＭ１で得られた、ある半導体素子パターン１２−Ａの検査視野画像をパターン認識する。演算部３は、認識部２で認識された画像パターンから演算処理を行う。例えばデータベース４に複数のテンプレートを予め用意しておく。テンプレートは、識別用パターン１３−Ａの矢印１３ａ−Ａ，１３ｂ−Ａに対応している。演算部３は、認識された画像パターンをテンプレートと比較し、所定のテンプレートと一致又は類似する場合に、当該テンプレートに対応した画像であると判断する。演算部３は、当該テンプレートに基づいて、半導体素子パターン１２−Ａから特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａまでの方向及び距離を算出する。
【００４７】
検査視野調節部５は、ＳＥＭ１の検査視野の移動及び停止等を自動的に行う。検査視野調節部５は、演算部３の算出結果に基づいて、検査視野を特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａを捉えるまで自動的に移動させ、停止させる。検査視野調節部５は、ＳＥＭ１の機能の一つとしてＳＥＭ１に持たせることもできる。
【００４８】
制御部６は、認識部２、演算部３及び検査視野調節部５を統括制御する。認識部２、演算部３、及び制御部６等の機能は、例えばＲＯＭ又はハードディスク等の記憶媒体から読み出したプログラムをコンピュータのＣＰＵで実行することにより実現される。
【００４９】
前述の如く、シリコン（Ｓｉ）半導体基板等の半導体基板に、半導体集積回路素子等の半導体素子を形成するためには、当該半導体素子の構造に対応して、当該素子構造を実現するためのフォト・リソグラフィ工程に対応した半導体素子パターンを有する複数枚のレチクルを必要とする。
本実施形態にあっては、複数枚のレチクルを作製する際に、如何なる工程に適用するレチクルに対して、識別用パターンを配設するかを選択することができる。
【００５０】
前記レチクルを作製する際には、先ず、例えば石英ガラス基板の一方の主面上を覆ってクロム（Ｃｒ）層を堆積する。
次いで、当該クロム層上にフォト・レジスト層を塗布形成し、当該フォト・レジスト層に、図形パターンデータに従って、半導体素子パターン１２及び識別用パターン１３の潜像を、例えば電子線露光装置を用いて描画する。
そして、当該フォト・レジスト層の現像処理等を行って、レジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとして、前記クロム層を選択エッチングし、石英ガラス基板上に半導体素子パターン１２、識別用パターン１３、及びショット認識用パターン１７を形成する。
これにより、石英ガラス基板の一方の主面に、マスク層として、半導体素子パターン１２、識別用パターン１３、及びショット認識用パターン１７を含むクロム層が選択的に配設されたレチクルが形成される。
【００５１】
本実施形態における識別用パターンを具備するレチクルを含む、複数のレチクルを作製するための製造工程フローを図７に示す。
ここでは、半導体基板に半導体素子を作製するためのレチクルセットにおいて、どのレチクルに本発明にかかる識別用パターンを形成するかを決定したうえで、各レチクルを作製する。
【００５２】
図７のレチクル作製フローでは、先ず、複数（例えばＫ枚）のレチクルを構成する各レチクルのうち、１枚目のレチクル（Ｎ＝１）を選択する（ステップＳ１）。以下、作製対象であるレチクルがＮ枚目（Ｎ＝１，２，・・・，Ｋ）として説明する。
【００５３】
続いて、当該レチクルをフォト・レジストに露光して形成された半導体素子パターンについて、検査を要するか、即ち特定半導体素子パターンの検査を行うか否かを判定する（ステップＳ２）。
特定半導体素子パターンの検査を行うと判定された場合にはステップＳ３へ進む。一方、特定半導体素子パターンの検査を行わないと判定された場合には、識別用パターンを形成することなく当該レチクルを作製し（ステップＳ１１）、ステップＳ７へ進む。
【００５４】
特定半導体素子パターンの検査を行うことを要しない半導体素子パターンの一例としては、形成状態に比較的精緻性が要求されないイオン注入のためのフォト・レジストマスクがある。形成状態に比較的精緻性が要求されないイオン注入のためのフォト・レジストマスクを形成する場合、レチクル（当該マスクに対応した第１の半導体素子パターンを有するレチクル）には、識別用パターンを要さず、半導体素子パターンについて幅等を測定する検査を行わない場合が多い。
【００５５】
ステップＳ３では、当該レチクルを用いた半導体素子パターンの形成工程以前の各パターン形成工程のいずれかで識別用パターンが形成されるか否かを判定する。即ち、当該レチクルを用いたパターン形成工程をＳ（Ｍ）（１≦Ｍ≦Ｋ）とすると、以前の各パターン形成工程であるＳ（Ｍ−１），Ｓ（Ｍ−２）・・・Ｓ（１）のいずれかで第２の識別用パターンが形成されるか否かを判定する。
【００５６】
以前の各パターン形成工程で識別用パターンが形成されていると判定された場合にはステップＳ４へ進む。一方、以前の各パターン形成工程で識別用パターンが形成されていないと判定された場合には、当該レチクルに識別用パターンを要すると判断し（ステップＳ８）、識別用パターンを含むようにレチクルを作製する（ステップＳ９）。そして、当該レチクルを用いて形成された半導体素子パターンの欠陥検査時には、識別用パターンを使用するように認識して（ステップＳ１０）、ステップＳ７へ進む。
なお、Ｎ＝１のときには、前のレチクルは存在しないため、ステップＳ８〜Ｓ１０を経てステップＳ７へ進む。
【００５７】
ステップＳ４では、当該レチクルを用いた露光により形成される特定半導体素子パターンについて検査を行う際に、当該レチクルを用いて露光する以前の露光工程で使用されたレチクルの露光によって形成された識別用パターンが認識できるか否かを判定する。例えば、当該レチクルで配線層を形成する場合（当該レチクルの半導体素子パターンが配線層に対応する場合）、半導体基板上には配線材料を全面に形成し、配線材料上にフォト・レジストを塗布する。このとき、以前のレチクルの露光によって形成された識別用パターンが、半導体基板の全面を覆う配線材料の存在により視認できなくなることがある。
以前のレチクルを用いて形成された識別用パターンが認識できると判定された場合には、識別用パターンを形成することなく当該レチクルを作製する（ステップＳ５）。そして、当該レチクルを用いて形成された特定半導体素子パターンの検査時には、既存の識別用パターンを使用するように認識して（ステップＳ６）、ステップＳ７へ進む。一方、以前のレチクルを用いて形成された識別用パターンが認識できないと判定された場合には、ステップＳ８〜Ｓ１０を経てステップＳ７へ進む。
【００５８】
そして、ステップＳ７では、当該レチクルが最終のレチクル（Ｎ＝Ｋ）であるか否かを判定する。最終のレチクルであると判定された場合にはフローを終了する。一方、最終のレチクルではないと判定された場合には、Ｎ＝Ｎ＋１として例えば工程カウンタに加算し（ステップＳ１２）、再びステップＳ２〜Ｓ１１を適宜繰り返し実行する。
【００５９】
以下、本実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。
ここでは、半導体基板上に、機能素子としてＭＯＳトランジスタを含む複数の半導体素子を形成する場合を例示する。
【００６０】
本実施形態による半導体装置の製造フローを、図８に示す。
本実施形態では、レチクルＡ１〜Ｈ１を用いてフォト・リソグラフィ処理を行う。レチクルＡ１〜Ｈ１は、前記図７に示すレチクル作製フローに従って作製されたものである。
ここでは、レチクルＡ１〜Ｈ１に、半導体素子パターンと共に識別用パターンが形成されたものとして説明する。
【００６１】
シリコン（Ｓｉ）半導体基板の一方の主面に、先ず、素子間分離領域（アイソレーション領域）を形成する。
このため、素子間分離領域形成パターンに対応したレチクルＡ１を用いる。
当該レチクルＡ１には、半導体素子における素子間分離領域に対応した半導体素子パターン及び識別用パターンを含む。
【００６２】
当該レチクルＡ１を用いたフォト・リソグラフィ処理により、半導体基板に素子間分離領域形成部位を規定するフォト・レジスト層Ａ２を形成する。
当該フォト・レジスト層Ａ２は、半導体素子の素子間分離領域を形成するためのレジストパターンを有する半導体素子パターンと、半導体素子パターンから特定半導体素子パターンまでの方向及び距離を示す識別用パターンとが形成されている。
そして、当該フォト・レジスト層Ａ２について、識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
【００６３】
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層Ａ２をマスクとして用い、半導体基板をドライエッチングして素子間分離用溝を形成する。
しかる後、当該フォト・レジスト層Ａ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【００６４】
検査の結果、不良箇所が発見された場合には、フォト・レジスト層Ａ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。そして再びレチクルＡ１を用いたフォト・リソグラフィ処理を行ってフォト・レジスト層Ａ２を形成する。
【００６５】
なお、フォト・レジスト層Ａ２に生じる欠陥としては、レチクルＡ１に起因する転写性のものと、欠陥が発見された半導体素子パターンのレジスト材料或いはレジストパターンと半導体基板との界面の状態に起因する非転写性のものとがある。
発見された欠陥がレチクルＡ１に起因する転写性のものである場合、当該欠陥の原因がレチクルＡ１のペリクル上に付着した異物であるときには、窒素ブロー等を用いて当該異物を除去する。また、欠陥の原因がレチクルＡ１のペリクルにおける傷であるときには、当該ペリクルの張り替えを行う。
発見された欠陥が非転写性のもののうちで半導体素子パターンのレジスト材料に起因するものである場合、当該欠陥は、半導体基板にフォト・レジストを塗布する際に当該フォト・レジストに付着した異物、フォト・レジストの変質、或いはフォト・レジスト自体に生じた傷等に起因して発生すると考えられる。
発見された欠陥が非転写性のもののうちでレジストパターンと半導体基板との界面の状態に起因するものである場合、当該欠陥は、半導体基板の表面の突起、段差等に起因して発生するものと考えられる。
【００６６】
次いで、化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、素子間分離用溝を埋め込む絶縁膜（例えばシリコン酸化膜等）を堆積し、化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）法等により平坦化して、素子間分離用溝内が絶縁物により充填された所謂ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）素子間分離構造を形成する（ステップＳ２１）。
【００６７】
次いで、熱酸化法等により、半導体基板の表面に、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層を形成した後、当該絶縁層上にＣＶＤ法等により多結晶シリコン層を堆積する。
前記絶縁層は、ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁層を、また多結晶シリコン層は、ＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成するものである。
【００６８】
そして、ゲート電極形成パターンに対応したレチクルＢ１を適用して、前記多結晶シリコン層及び絶縁層を一括してパターニングする。
当該レチクルＢ１は、半導体素子のゲート電極に対応した半導体素子パターン及び識別用パターンを含む。
【００６９】
即ち、当該レチクルＢ１を用いたフォト・リソグラフィ処理により、多結晶シリコン層上にゲート電極用のフォト・レジスト層Ｂ２を形成する。
フォト・レジスト層Ｂ２には、半導体素子のゲート電極を形成するためのレジストパターンを有する半導体素子パターンと、半導体素子パターンから特定半導体素子パターンまでの方向及び距離を示す識別用パターンとが形成されている。
そして、当該フォト・レジスト層Ｂ２について、識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層Ｂ２をマスクとして用い、多結晶シリコン層及び絶縁層をドライエッチングし、半導体基板上にゲート絶縁層を介してゲート電極を形成する（ステップＳ２２）。
その後、フォト・レジスト層Ｂ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【００７０】
検査の結果、不良箇所が発見された場合には、フォト・レジスト層Ｂ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。そして再びレチクルＢ１を用いたフォト・リソグラフィ処理を行ってフォト・レジスト層Ｂ２を形成する。
【００７１】
次いで、ゲート電極をマスクとして、半導体基板の表面に不純物（硼素（Ｂ+）、或いは燐（Ｐ+）又は砒素（Ａｓ+）等）を、所定のドーズ量及び加速エネルギーをもってイオン注入し、ゲート電極の両側にエクステンション領域を形成する（ステップＳ２３）。
【００７２】
次いで、ＣＶＤ法等により、ゲート電極を含む半導体基板の全面に絶縁皮膜（例えばシリコン酸化膜）を堆積する。
そして、当該絶縁皮膜に対して異方性ドライエッチング（エッチバック）処理を施し、前記ゲート電極及びゲート絶縁膜の両側面にのみ絶縁皮膜を残して、所謂サイドウォール絶縁膜を形成する（ステップＳ２４）。
【００７３】
次いで、ゲート電極及びサイドウォール絶縁膜をマスクとして、半導体基板の表面近傍に不純物（硼素（Ｂ+）、或いは燐（Ｐ+）又は砒素（Ａｓ+）等）を、所定のドーズ量及び加速エネルギーでイオン注入する。
当該イオン注入により、サイドウォール絶縁膜の両側にエクステンション領域と一部重畳されたソース領域／ドレイン領域を形成する（ステップＳ２５）。
【００７４】
なお、前記エクステンション領域ならびにソース領域／ドレイン領域を形成するために注入される不純物は、形成されるＭＯＳ型トランジスタのチャネルの導電型式（Ｎ−チャネル型或いはＰ−チャネル型）に対応して選択される。
【００７５】
従って、当該半導体基板に、所謂ＣＭＯＳトランジスタ構成をもって半導体素子を形成する場合には、前記ステップＳ２３及びステップＳ２５において、Ｐ−チャネル型ＭＯＳトランジスタ領域、或いはＮ−チャネル型ＭＯＳトランジスタ領域を選択的に被覆するフォト・レジスト層を形成することを要する。
即ち、Ｐ−チャネル型ＭＯＳトランジスタを形成する際には、Ｎ−チャネル型ＭＯＳトランジスタの形成領域を覆い、Ｐ−チャネル型ＭＯＳトランジスタの形成領域を露出するフォト・レジスト層を形成し、当該フォト・レジスト層をマスクとして、半導体基板中にＰ型不純物（硼素（Ｂ+））をイオン注入する。
【００７６】
当該フォト・レジスト層を形成する際に、Ｐ−チャネル型ＭＯＳトランジスタ形成用の半導体素子パターン及び識別用パターンが形成されたレチクルＣ１を用いる。
【００７７】
当該レチクルＣ１を用いたフォト・リソグラフィ処理により、半導体基板上には、半導体素子パターンと、半導体素子パターンから特定半導体素子パターンまでの方向及び距離を示す識別用パターンとを有するフォト・レジスト層Ｃ２が形成される。
そして、当該フォト・レジスト層について、識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層Ｃ２をマスクとしてＰ型不純物のイオン注入を行なう。
その後、フォト・レジスト層Ｃ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【００７８】
一方、Ｎ−チャネル型ＭＯＳトランジスタを形成する際には、Ｐ−チャネル型ＭＯＳトランジスタの形成領域を覆い、Ｎ−チャネル型ＭＯＳトランジスタの形成領域を露出するフォト・レジスト層Ｄ２を形成し、当該フォト・レジスト層Ｄ２をマスクとして半導体基板中にＮ型不純物をイオン注入する。
このレジストマスク層Ｄ２を形成する際に、Ｎ−チャネル型ＭＯＳトランジスタ形成用の半導体素子パターン及び識別用パターンが形成されたレチクルＤ１を用いる。
【００７９】
当該レチクルＤ１を用いたフォト・リソグラフィ処理により、半導体基板上には、半導体素子パターンと、半導体素子パターンから特定半導体素子パターンまでの方向及び距離を示す識別用パターンとを有するフォト・レジスト層Ｄ２が形成される。
そして、当該フォト・レジスト層Ｄ２について、識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層Ｄ２をマスクとしてＮ型不純物のイオン注入を行なう。
その後、フォト・レジスト層Ｄ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
なお、ステップＳ２５（ソース／ドレイン形成工程）の段階において、ステップＳ２２（ゲート電極の形成工程）で形成された識別パターンが視認可能となる場合もある。このような場合、ステップＳ２５では、識別用パターンを必要としない。
【００８０】
しかる後、ＣＶＤ法等により、半導体基板上の全面に、ゲート電極を埋め込む膜厚を有する絶縁膜を堆積して、第１層間絶縁膜を形成する（ステップＳ２６）。
当該第１層間絶縁膜を形成する絶縁物としては、酸化シリコンが適用される。
【００８１】
そして、第１層間絶縁膜に選択的に開孔処理を施して、所謂層間接続孔（コンタクト孔）を形成する。
当該層間接続孔形成パターンに対応したレチクルＥ１を適用して、第１層間絶縁膜をパターニングする。
当該レチクルＥ１は、層間接続孔に対応した半導体素子パターン及び識別用パターンを含む。
【００８２】
即ち、当該レチクルＥ１を用いたフォト・リソグラフィ処理により、第１層間絶縁膜に層間接続孔形成用のフォト・レジスト層Ｅ２を形成する。
フォト・レジスト層Ｅ２には、層間接続孔形成パターンを有する半導体素子パターンと、半導体素子パターンから特定半導体素子パターンまでの方向及び距離を示す識別用パターンとが形成されている。但し、ステップＳ２２（ゲート電極の形成工程）で形成された識別パターンが、第１層間絶縁膜の形成後も容易に視認可能な場合には、識別用パターンは必ずしも必要ではない。
そして、当該フォト・レジスト層Ｅ２について、識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層Ｅ２をマスクとして第１層間絶縁膜に層間接続孔を形成する（ステップＳ２７）。
その後、フォト・レジスト層Ｅ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【００８３】
検査の結果、不良箇所が発見された場合には、フォト・レジスト層Ｅ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。そして再びレチクルＥ１を用いたフォト・リソグラフィ処理を行ってフォト・レジスト層Ｅ２を形成する。
【００８４】
次いで、所定のグルー膜等を介して層間接続孔内を埋め込むように、例えばタングステン（Ｗ）からなる導電材料を、ＣＶＤ法等により第１層間絶縁膜上に被着する。
そして、当該導電材料をＣＭＰ法等により平坦化して、層間接続孔内が導電材料により充填された、所謂コンタクトプラグ構造とする（ステップＳ２８）。
【００８５】
続いて、第１層間絶縁膜上に、例えばアルミニウム（Ａｌ）合金からなる配線材料層を被着する。当該アルミニウム合金を被着する際には、スパッタリング法等を適用することができる。
そして、当該配線材料層を選択的に除去して、電極配線層を形成する。
【００８６】
当該電極配線層形成パターンに対応したレチクルＦ１を適用して、配線材料層をパターニングする。
当該レチクルＦ１は、半導体素子の電極配線層に対応した半導体素子パターン及び識別用パターンを含む。
【００８７】
即ち、当該レチクルＦ１を用いたフォト・リソグラフィ処理により、配線材料層上に電極配線層形成用のフォト・レジスト層Ｆ２を形成する。
フォト・レジスト層Ｆ２には、電極配線層形成用パターンを有する半導体素子パターンと、半導体素子パターンから特定半導体素子パターンまでの方向及び距離を示す識別用パターンとが形成されている。
そして、当該フォト・レジスト層Ｆ２について、識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層Ｆ２をマスクとして配線材料層を選択エッチングして、第１層間絶縁膜上に第１配線層を形成する（ステップＳ２９）。
その後、フォト・レジスト層Ｆ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【００８８】
検査の結果、不良箇所が発見された場合には、フォト・レジスト層Ｆ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。そして再びレチクルＦ１を用いたフォト・リソグラフィ処理を行ってフォト・レジスト層Ｆ２を形成する。
【００８９】
次いで、第１配線層並びに第１層間絶縁膜の露出部を覆って、第２層間絶縁膜を形成する（ステップＳ３０）。
当該第２層間絶縁膜も、その材料として酸化シリコンを適用することができ、またその被着方法としてＣＶＤ法を適用することができる。
【００９０】
そして、当該第２層間絶縁膜に選択的に開孔処理を施して、所謂層間接続孔（ビア孔）を形成する。
当該層間接続孔形成パターンに対応したレチクルＧ１を適用して、第２層間絶縁膜をパターニングする。
当該レチクルＧ１は、層間接続孔に対応した半導体素子パターン及び識別用パターンを含む。
【００９１】
即ち、当該レチクルＧ１を用いたフォト・リソグラフィ処理により、第２層間絶縁膜に層間接続孔形成用のフォト・レジスト層Ｅ２を形成する。
フォト・レジスト層Ｇ２には、層間接続孔形成用パターンを有する半導体素子パターンと、半導体素子パターンから特定半導体素子パターンまでの方向及び距離を示す識別用パターンとが形成されている。
そして、当該フォト・レジスト層Ｇ２について、識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層Ｇ２をマスクとして第２の層間絶縁膜にエッチング処理をして層間接続孔（ビア孔）を形成する（ステップＳ３１）。
その後、フォト・レジスト層Ｅ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【００９２】
検査の結果、不良箇所が発見された場合には、フォト・レジスト層Ｇ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。そして再びレチクルＧ１を用いたフォト・リソグラフィ処理を行ってフォト・レジスト層Ｇ２を形成する。
【００９３】
次いで、所定のグルー膜等を介して層間接続孔内を埋め込むように、例えばタングステン（Ｗ）からなる導電材料を、ＣＶＤ法等により第２層間絶縁膜上に被着する。
そして、当該導電材料をＣＭＰ法等により平坦化して、前記層間接続孔内が導電材料により充填された、所謂コンタクトプラグ構造とする（ステップＳ３２）。
【００９４】
続いて、第２層間絶縁膜上に、例えばアルミニウム（Ａｌ）合金からなる配線材料層を被着する。
そして、当該配線材料層を選択的に除去して、電極配線層を形成する。
当該電極配線層形成パターンに対応したレチクルＨ１を適用して、配線材料層をパターニングする。
当該レチクルＨ１は、電極配線層に対応した半導体素子パターン及び識別用パターンを含む。
【００９５】
即ち、当該レチクルＨ１を用いたフォト・リソグラフィ処理により、配線材料層上に電極配線層形成用のフォト・レジスト層Ｈ２を形成する。
フォト・レジスト層Ｈ２には、電極配線層形成用パターンを有する半導体素子パターンと、半導体素子パターンから特定半導体素子パターンまでの方向及び距離を示す識別用パターンとが形成されている。
そして、当該フォト・レジスト層Ｈ２について、識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層Ｈ２をマスクとして配線材料層を選択エッチングして、第２層間絶縁膜上に第２の配線層を形成する（ステップＳ３３）。
その後、フォト・レジスト層Ｈ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【００９６】
検査の結果、不良箇所が発見された場合には、フォト・レジスト層Ｈ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。そして再びレチクルＨ１を用いたフォト・リソグラフィ処理を行ってフォト・レジスト層Ｈ２を形成する。
【００９７】
次いで、第２配線層ならびに第２層間絶縁膜の露出部を覆って、第３層間絶縁膜を形成する（ステップＳ３４）。
当該第３層間絶縁膜も、その材料として酸化シリコンを適用することができ、またその被着方法としてＣＶＤ法を適用することができる。
【００９８】
そして、必要に応じて、より上層の配線層を、層間絶縁膜を介して形成し、更に窒化シリコンからなる安定化層（パッシベーション層）、外部接続用端子などを形成して、半導体基板の一方の主面に、ＭＯＳトランジスタを含む電子回路を形成する。
【００９９】
なお、前記配線層を構成する配線層材料として、アルミニウム合金等の代わりに、銅（Ｃｕ）を主体とする配線材料を適用することもできる。この場合、当該銅配線は、所謂ダマシン法により形成することができる。
【０１００】
ここで、レチクルを用いたフォト・リソグラフィ処理を行うステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２５，Ｓ２７，Ｓ２９，Ｓ３１，Ｓ３３のうち、第１配線を形成するためのステップＳ２９を例に採って、フォト・リソグラフィ処理を詳細に説明する。
なお、ステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２７，Ｓ３１，Ｓ３３においても、同様に欠陥検査が行われる。
【０１０１】
図８に示される工程（ステップＳ２１〜Ｓ３４）を経て、一方の主面に複数個の半導体素子が形成された半導体基板の一例を、図９及び図１０に示す。
図９に示すように、当該半導体基板１００においては、複数の半導体素子領域１１−Ｂが横方向及び縦方向に並び画定されている。各半導体素子領域１１−Ｂは、露光ショット領域１１Ａの１つに対応している。
【０１０２】
図９では、半導体素子領域１１−Ｂのうち、半導体素子領域１１−Ｂ１ついては左下がりのハッチングを付し、半導体素子領域１１−Ｂ２については右下がりのハッチングを付して、隣り合う半導体素子領域の位置関係、重畳関係を示している。
各半導体素子領域１１−Ｂ内には、例えば１２１個の半導体素子が互いにスクライブ領域（図示せず）を挟んで、縦横に配設されている。
なお、複数個の半導体素子が形成された現実の半導体基板にあっては、個々の露光ショット領域に対応した半導体素子領域を区別することはできない。複数の半導体素子が、スクライブ領域を挟んで、縦横に並ぶ状態が示される。
【０１０３】
当該半導体基板上において、１２１個の半導体素子領域１１−Ｂが、縦横に並べられた状態を、図１０に示す。
ここでは、半導体素子領域１１−Ｂａについては右下がりのハッチングを付し、半導体素子領域１１Ｂｂについては左下がりのハッチングを付して、両半導体素子領域の位置関係、重畳関係を示している。
前述の如く、各半導体素子領域１１−Ｂ内には、１２１個の半導体素子形成部材が互いにスクライブ領域１６−Ｂを挟んで、縦横に配設されている。
これらのスクライブ領域１６−Ｂならびにスクライブ領域１８−Ｂは、互いに同じ幅を有する。
【０１０４】
図９又は図１０の半導体基板１００の１つの半導体素子領域１１−Ｂを図１１に示す。
半導体素子領域１１−Ｂには、例えば中央部分に、検査時の観察対象に規定された特定半導体素子１２Ａ−Ｂが形成されている。また、半導体素子領域１１−Ｂの４隅には、ショット認識用パターン１７−Ｂが積層されている。
【０１０５】
半導体素子領域１１−Ｂにおいて、各半導体素子１２−Ｂの周縁部には、当該半導体素子１２−Ｂから検査時の観察対象に規定された特定半導体素子１２Ａ−Ｂまでの方向及び距離を示す指標である識別用パターン１３−Ｂが形成されている。
識別用パターン１３−Ｂは、半導体素子１２−Ｂから特定半導体素子１２Ａ−Ｂまでの方向及び距離を、半導体素子１２−Ｂの４隅のいずれか１つを起点として、周縁部に沿った２本の矢印とされている。即ち識別用パターン１３−Ｂは、図５の矢印１３ａ−Ａ，１３ｂ−Ａに対応して、横方向の矢印１３ａ−Ｂ及び縦方向の矢印１３ｂ−Ｂで構成されている。図１１では、半導体素子１２ａ−Ｂ，１２ｂ−Ｂ，１２ｃ−Ｂ，１２ｄ−Ｂは、それぞれ図５の半導体素子パターン１２ａ−Ａ〜１２ｄ−Ａに対応している。
【０１０６】
識別用パターン１３−Ｂの基準長さ（半導体素子１２−Ｂと特定半導体素子１２Ａ−Ｂとが最近接する場合に対応した長さ）、幅、及び形状は、作製する半導体素子のチップサイズ及び検査装置の視野範囲に応じて適宜選択される。
識別用パターン１３−Ｂは、半導体素子１２−Ｂの各層の半導体素子パターンを用いたエッチング加工において、当該層の材料がエッチング加工された各識別用パターンが適宜積層されたものである。
【０１０７】
半導体素子領域１１−Ｂにおける、各識別用パターン１３−Ｂの具体的な形成部位について、図１２を用いて説明する。図１２では、識別用パターン１３−Ｂとして、図２の直線からなるＬ字形状の識別用パターン１３に対応して形成された、直線からなるＬ字形状の識別用パターン１３−Ｂを例示する。
【０１０８】
図１２（ａ）には、半導体素子領域１１−Ｂのうち、１個の特定半導体素子１２Ａ−Ｂと、特定半導体素子１２Ａ−Ｂの周囲の１９個の半導体素子１２−Ｂと含む部分のみを示す。
スクライブ領域１６Ｂは、図１２（ａ）中の例えば円Ｃ内を拡大して示す図１２（ｂ）のように、スクライブ領域１６Ｂの長手方向に沿った中央部位の第１領域１６Ｂ−１と、第１領域１６Ｂ−１の両側部位の一対の第２領域１６Ｂ−２とからなる。
第１領域１６Ｂ−１には、例えば半導体素子１２−Ｂに関する各種情報を表すスクライブ内パターン１６Ｂａが形成される。第２領域１６Ｂ−２には、例えば半導体素子１２−Ｂの外部接続端子であるボンディングパッド１６Ｂｂが形成される。
【０１０９】
識別用パターン１３−Ｂは、図１２（ｂ）に示すように、半導体素子１２−Ｂの隅部近傍において、第２領域１６Ｂ−２内でボンディングパッド１６Ｂｂと第１領域１６Ｂ−１の境界との間に存する空き領域１９ａに設けられる。また、空き領域１９ａの代わりに、第２領域１６Ｂ−２内でボンディングパッド１６Ｂｂと半導体素子１２−Ｂの境界との間に存する空き領域１９ｂ、第１領域１６Ｂ−１内でスクライブ内パターン１６Ｂａと第２領域１６Ｂ−２の境界との間に存する空き領域１９ｃ、半導体素子１２−Ｂ内で第２領域１６Ｂ−２の境界との間に存する空き領域１９ｄのいずれかに、識別用パターン１３−Ｂを設けるようにしても良い。なお図１２（ｂ）では、形成部位の異なる識別用パターン１３−Ｂ（上記の例では４種類）について相異なる模様を付して区別している。
なお、スクライブ領域１８Ｂも、スクライブ領域１６Ｂと同様に、第１及び一対の第２領域から構成され、各種の空き領域に識別用パターン１３−Ｂを形成することができる。
【０１１０】
以下、図１０及び図１１を用いて、半導体基板１００に形成された特定半導体素子１２Ａ−Ｂの検査を行う場合について説明する。
この検査は、半導体素子１２−Ｂを構成するパターンが所望の寸法及び形状、電気特性等に形成されているか否かを観察及び測定して判断するものである。予め規定された特定半導体素子１２Ａ−Ｂを観察対象とする。検査には、光学顕微鏡又はＳＥＭ等が用いられる。
【０１１１】
先ず、図１０に示すように、半導体素子領域１１−Ｂの４つのショット認識用パターン１７−Ｂが隣り合う部分を顕微鏡の検査視野内に捉える。これら４つのショット認識用パターン１７−Ｂを指標として、検査する半導体素子領域を決定する。例えば、４つのショット認識用パターン１７−Ｂのうちで右下のショット認識用パターン１７−Ｂを指標として、半導体素子領域１１−Ｂｂを検査対象として決定する。
【０１１２】
次に、決定された半導体素子領域のうち、検査対象である特定半導体素子パターン１２Ａ−Ｂを探す。
半導体素子領域１１−Ｂ内の半導体素子１２−Ｂの周縁部には、それぞれ識別用パターン１３−Ｂが形成されている。ある半導体素子１２−Ｂを顕微鏡の検査視野内に捉えた場合、検査視野内の半導体素子１２−Ｂに配された識別用パターン１３−Ｂの矢印１３ａ−Ｂ，１３ｂ−Ｂを視認することにより、特定半導体素子１２Ａ−Ｂの位置を的確に推認することができる。１つの半導体素子１２−Ｂを検査視野内に捉え、識別用パターン１３−Ｂの矢印１３ａ−Ｂ，１３ｂ−Ｂを視認しただけでは、特定半導体素子１２Ａ−Ｂの位置を直ちに正確に認知できない場合もあり得る。しかしながら、識別用パターン１３Ｂ−Ｂに基づいて検査視野を適宜に移動させれば、検査視野内に入る識別用パターン１３−Ｂが変化してゆき、短時間で特定半導体素子１２Ａ−Ｂに辿り着くことができる。
【０１１３】
半導体基板１００では、スクライブ領域１６−Ｂ，１８−Ｂに沿ってダイシングにより切断し、個々の半導体素子１２−Ｂを分離することができる。
【０１１４】
以上説明したように、本実施形態によれば、レチクル１１の特定半導体素子パターン１２Ａが露光された転写パターンである特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａを検査する際に、半導体素子パターン１２−Ａが多数形成された場合でも、特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａを容易且つ正確に短時間で探し当てることを可能とし、極めて効率良く検査を行うことができる。
【０１１５】
なお、本実施形態では、レチクル１１の全ての半導体素子パターン１２の周縁部に識別用パターン１３が設けられた場合について例示した。そして、半導体基板１００の各露光ショット領域における全ての半導体素子パターン１２−Ａ（半導体素子１２−Ｂ）の周縁部に識別用パターン１３−Ａ（識別用パターン１３−Ｂ）が形成された場合について例示した。しかしながら、本実施形態では、レチクル１１において、全ての半導体素子パターン１２に識別用パターン１３を設ける代わりに、所定の半導体素子パターン１２のみに選択的に識別用パターン１３を設けることが考えられる。例えば、半導体素子パターン１２の１個乃至は数個おきに（例えば千鳥状に）識別用パターン１３を設けるようにしても良い。
【０１１６】
また、本実施形態では、レチクル１１に形成された複数の半導体素子パターン１２のうち、中央部分に位置する半導体素子パターン１２を、露光転写後に検査対象となる特定半導体素子パターン１２Ａとした。しかしながら、本実施形態では、中央部分以外に特定半導体素子パターン１２Ａを配するようにしても良い。例えば図１３に示すように、レチクル１１の複数の半導体素子パターン１２のうち、左下領域に特定半導体素子パターン１２Ａを配する。この場合、例えば円Ｃ内に示す半導体素子パターン１２（図１３中で１２ａとする。）には、当該半導体素子パターン１２から特定半導体素子パターン１２Ａまでの方向及び距離を示す矢印１３ａ，１３ｂからなる識別用パターン１３が設けられる。
【０１１７】
（第２の実施形態）
本実施形態において、第１の実施形態と異なる点は、レチクルに、識別用パターンに加えて隅部認識用パターンが設けられることである。これに伴って、半導体基板には識別用パターンと共に隅部認識用パターンが形成され、半導体基板にも最終的に識別用パターンと共に隅部認識用パターンが形成されることになる。
【０１１８】
第２の実施形態による１枚のレチクルを図１４に、このレチクルを用いて露光された半導体基板における１つの露光ショット領域を図１５にそれぞれ示す。
図１５には、このレチクルによって半導体基板上のフォト・レジストに転写された露光ショット領域の状態を示す。
【０１１９】
図１４に示すように、本実施形態によるレチクル３０には、第１の実施形態の図１のレチクル１１と同様に、例えば１１×１１個（１２１個）の半導体素子パターン１２（特定半導体素子パターン１２Ａを含む。）と、各半導体素子パターン１２の周縁部に識別用パターン１３とが形成されている。
レチクル３０には、レチクル１１とは異なり、ショット認識用パターン１７を有さず、各半導体素子パターン１２の周縁部で識別用パターン１３と異なる部分に、隅部認識用パターン３１が形成されている。
【０１２０】
隅部認識用パターン３１は、レチクル３０の４隅部のうちで識別用パターン１３に最も近接する隅部までの方向及び距離を示す指標である。
隅部認識用パターン３１は、半導体素子パターン１２の４隅のうち、例えば識別用パターン１３の対角部分である隅部を起点として、周縁部に沿った所定幅の２本の線分３１ａ，３１ｂから構成される。
【０１２１】
例えば、図１と同様に、半導体素子パターン１２ａに着目する。半導体素子パターン１２ａに最も近接するレチクル３０の隅部は右上隅であり、半導体素子パターン１２ａから右上隅の半導体素子パターン１２までには横方向右方に２つの半導体素子パターン１２、縦方向上方に３つの半導体素子パターン１２が存在している。半導体素子パターン１２ａには、識別用パターン１３と共に、レチクル３０の右上隅との位置関係に対応した隅部認識用パターン３１が形成されている。隅部認識用パターン３１は、半導体素子パターン１２ａの左下隅を起点として、横方向右方に「２」に対応する割合の長さの線分３１ａと、縦方向上方に「３」に対応する割合の長さの線分３１ｂとから構成される。
【０１２２】
また、図１と同様に、半導体素子パターン１２ｂに着目する。半導体素子パターン１２ｂはレチクル３０の右下隅に形成された半導体素子パターン１２である。半導体素子パターン１２ｂには、識別用パターン１３と共に、半導体素子パターン１２ａの左上隅に自身がレチクル３０の右下隅に存在することを示す小さな線分３１ａ，３１ｂからなる隅部認識パターン３１が形成されている。
【０１２３】
また、図１と同様に、第１の半導体素子パターン１２ｃに着目する。第１の半導体素子パターン１２ｃに最も近接するレチクル３０の隅部は左上隅又は左下隅である。例えば、第１の半導体素子パターン２ｃから左上隅の第１の半導体素子パターン２までには横方向左方に３つの第１の半導体素子パターン１２、縦方向上方に５つの第１の半導体素子パターン２が存在している。半導体素子パターン１２ｃには、識別用パターン１３と共に、レチクル３０の左上隅との位置関係に対応した隅部認識用パターン３１が形成されている。隅部認識用パターン３１は、半導体素子パターン１２ｃの右下隅を起点として、横方向左方に「３」に対応する割合の長さの線分３１ａと、縦方向上方に「５」に対応する割合の長さの線分３１ｂとからなる。
【０１２４】
また、図１と同様に、半導体素子パターン１２ｄに着目する。半導体素子パターン１２ｄに最も近接するレチクル３０の隅部は左下隅である。半導体素子パターン１２ｄから左下隅の半導体素子パターン１２までには横方向左方に２つの半導体素子パターン１２、縦方向下方に３つの半導体素子パターン１２が存在している。半導体素子パターン１２ｄには、識別用パターン１３と共に、レチクル３０の左下隅との位置関係に対応した隅部認識用パターン３１が形成されている。隅部認識用パターン３１は、半導体素子パターン１２ｄの右上隅を起点として、横方向左方に「２」に対応する割合の長さの線分３１ａと、縦方向下方に「３」に対応する割合の長さの線分３１ｂとからなる。
【０１２５】
レチクル３０を用いて、第１の実施形態の図３及び図４と同様に、半導体基板１００上のフォト・レジストに縮小投影露光を複数回行い、現像することにより、複数の露光ショット領域を形成する。図１５には、第１の実施形態の図５に対応した、１つの露光ショット領域３０−Ａの様子を示す。
露光ショット領域３０−Ａには、それぞれレチクル３０の１２１個の半導体素子パターン１２が転写された１２１個の半導体素子パターン１２−Ａが形成される。露光ショット領域３０−Ａの中央部分の半導体素子パターン１２−Ａは、特定半導体素子パターン１２−Ａが転写された特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａとされている。
【０１２６】
露光ショット領域３０−Ａには、各第２の半導体素子パターン１２−Ａの周縁部に、識別用パターン１３が転写された識別用パターン１３−Ａが形成される。同様に、各半導体素子パターン１２−Ａの周縁部で識別用パターン１３−Ａの対角部に、隅部認識用パターン３１が転写された隅部認識用パターン３１−Ａが形成される。
隅部認識用パターン３１−Ａは、露光ショット領域３０−Ａにおいて、各半導体素子パターン１２−Ａの周縁部に形成されており、当該半導体素子パターン１２−Ａに最近接する隅部までの方向及び距離を示す指標である。
【０１２７】
隅部認識用パターン３１−Ａは、隅部認識用パターン３１に対応しており、識別用パターン１２−Ａの対角部分である隅部を起点とした、半導体素子パターン１２−Ａの周縁部に沿った所定幅の２本の線分３１ａ−Ａ，３１ｂ−Ａから構成される。
図１５では、半導体素子パターン１２ａ−Ａ，１２ｂ−Ａ，１２ｃ−Ａ，１２ｄ−Ａは、それぞれ図１４の半導体素子パターン１２ａ〜１２ｄに対応している。
【０１２８】
以下、図１５を用いて、半導体基板１００に形成された特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａの検査を行う場合について説明する。
露光ショット領域内の半導体素子パターン１２−Ａの周縁部には、それぞれ識別用パターン１３−Ａ及び隅部認識用パターン３１−Ａが形成されている。ある半導体素子パターン１２−Ａを顕微鏡の検査視野内に捉えた場合、先ず、検査視野内の半導体素子パターン１２−Ａに配された隅部認識用パターン３１−Ａの矢印３１ａ−Ａ，３１ｂ−Ａを視認することにより、当該半導体素子パターン１２−Ａが属する露光ショット領域の隅部の位置を的確に推認することができる。隅部の位置が判れば、当該半導体素子パターン１２−Ａが属する露光ショット領域を把握することができる。
【０１２９】
第１の実施形態では、露光ショット領域を把握するために、４つの露光ショット領域の４つのショット認識用パターン１７−Ａが隣接する部分を検査視野内に捉えることを要し、検査作業の煩雑化を招く虞もある。本実施形態では、各半導体素子パターン１２−Ａに識別用パターン１３−Ａと共に隅部認識用パターン３１−Ａが設けられているため、短時間で容易且つ正確に露光ショット領域を把握することができる。
【０１３０】
そして、当該露光ショット領域３０−Ａの特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａの検査を行うには、検査視野内の半導体素子パターン１２−Ａに配された識別用パターン１３−Ａの矢印１３ａ−Ａ，１３ｂ−Ａを視認する。この視認により、当該半導体素子パターン１２−Ａが属する露光ショット領域３０−Ａにおける特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａの位置を的確に推認することができる。識別用パターン１３−Ａに従って検査視野を移動させ、短時間で特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａに辿り着くことができる。
【０１３１】
なお、本実施形態でも、第１の実施形態と同様に、図６と同様の自動検査装置を用いて、顕微鏡を用いたユーザの目視による欠陥検査を行う代わりに、自動的に検査を行うようにしても良い。
【０１３２】
また、本実施形態でも、第１の実施形態と同様に、図８に示される工程（ステップＳ２１〜Ｓ３４）を経て、半導体基板において、その一方の主面に複数個の半導体素子が形成される。各半導体素子には、レチクルの識別用パターン１３に対応した識別用パターンと共に、レチクルの隅部認識用パターン３１に対応した隅部認識用パターンが形成される。
【０１３３】
以上説明したように、本実施形態によれば、レチクル３０の特定半導体素子パターン１２Ａが露光された転写パターンである特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａを検査する際に、検査を行う露光ショット領域を的確に選択することができる。そして、半導体素子パターン１２−Ａが多数形成された場合でも、特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａを容易且つ正確に短時間で探し当てることを可能とし、極めて効率良く検査を行うことができる。
【０１３４】
本実施形態では、レチクル３０に形成された複数の半導体素子パターン１２のうち、中央部分に位置する半導体素子パターン１２を、露光転写後に検査対象となる特定半導体素子パターン１２Ａとした。しかしながら、本実施形態では、中央部分以外に特定半導体素子パターン１２Ａを配するようにしても良い。
【０１３５】
例えば図１６に示すように、レチクル３０ａの複数の半導体素子パターン１２のうち、右上領域に特定半導体素子パターン１２Ａを配する。この場合、例えば円Ｃ内に示す半導体素子パターン１２（図１６中で１２ａとする。）には、識別用パターン１３と、隅部認識用パターン３２が設けられる。
【０１３６】
特定半導体素子パターンがレチクルの隅部近傍に設けられている場合、ここでは図１６の場合（特定半導体素子パターン１２Ａがレチクル３０ａの右上隅の近傍に設けられている。）を例に採って説明する。
円Ｃ内に示す半導体素子パターン１２ａから見て、特定半導体素子パターン１２Ａとレチクル３０ａの右上隅とは、共に同一方向（右上方向）に存する。この場合、隅部認識用パターン３２を識別用パターン１３から延長するように一体形成する。このように隅部認識用パターン３２を形成することにより、レチクル３０ａをフォト・レジストに露光して現像してなる露光ショット領域において、当該隅部認識用パターン３２に対応した右上隅を容易に認識することができる。
【０１３７】
具体的に、識別用パターン１３は、当該半導体素子パターン１２ａから特定半導体素子パターン１２Ａまでの方向及び距離を示す矢印１３ａ，１３ｂから構成される。
隅部認識用パターン３２は、レチクル３０の４隅部のうちで識別用パターン１３に最も近接する隅部、ここでは右隅までの方向及び距離を示す指標である。隅部認識用パターン３２は、所定幅の２本の線分３２ａ，３２ｂから構成されている。線分３２ａが識別用パターン１３の矢印１３ａの先端を起点として矢印１３ａと同方向に形成され、線分３２ｂが識別用パターン１３の矢印１３ｂの先端を起点として矢印１３ａと同方向に形成されている。
【０１３８】
（第３の実施形態）
本実施形態では、第２の実施形態と同様に、レチクルに第１の識別用パターンに加えて隅部認識用パターンが設けられる。更に本実施形態では、レチクルに、転写パターンの検査時に観察対象となる特定半導体素子パターンが複数設けられる。
第３の実施形態による１枚のレチクルを図１７に示す。そして、このレチクルを用いて露光された半導体基板における１つの露光ショット領域を図１８に示す。
図１７には、このレチクルによって半導体基板上のフォト・レジストに転写された露光ショット領域の状態を示す。
【０１３９】
図１７に示すように、本実施形態によるレチクル４０には、第１の実施形態の図１のレチクル１１と同様に、例えば１１×１１個（１２１個）の半導体素子パターン１２（特定半導体素子パターン１２Ａを含む。）が形成されている。レチクル４０では、転写パターンの検査時に観察対象となる半導体素子パターン１２が例えば３箇所に設けられており、特定半導体素子パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃとされている。
【０１４０】
各半導体素子パターン１２には、その周縁部に、第２の実施形態と同様の隅部認識用パターン３１と、識別用パターン４１〜４３とが形成されている。
識別用パターン４１は、当該半導体素子パターン１２から特定半導体素子パターン１２Ａまでの方向及び距離を示す指標である。識別用パターン４２は、半導体素子パターン１２から特定半導体素子パターン１２Ｂまでの方向及び距離を示す指標である。識別用パターン４３は、半導体素子パターン１２から特定半導体素子パターン１２Ｃまでの方向及び距離を示す指標である。
【０１４１】
例えば、図１７の円Ｃ内に示す半導体素子パターン１２（図１７中で１２ａとする。）に着目する。
半導体素子パターン１２ａには、特定半導体素子パターン１２Ａとの位置関係に対応した識別用パターン４１が形成されている。半導体素子パターン１２ａから特定半導体素子パターン１２Ａまでには、横方向左方に５つの半導体素子パターン１２、縦方向下方に３つの半導体素子パターン１２が存在している。識別用パターン４１は、半導体素子パターン１２の右上隅を起点として、横方向左方に「５」に対応する割合の長さの矢印４１ａと、縦方向下方に「３」に対応する割合の長さの矢印４１ｂとから構成される。
【０１４２】
更に、半導体素子パターン１２ａには、特定半導体素子パターン１２Ｂとの位置関係に対応した識別用パターン４２が形成されている。半導体素子パターン１２ａから特定半導体素子パターン１２Ｂまでには、横方向左方に３つの半導体素子パターン１２、縦方向上方に２つの半導体素子パターン１２が存在している。識別用パターン４２は、半導体素子パターン１２の右下隅を起点として、横方向左方に「３」に対応する割合の長さの矢印４２ａと、縦方向上方に「２」に対応する割合の長さの矢印４２ｂとから構成される。
【０１４３】
更に、半導体素子パターン１２ａには、特定半導体素子パターン１２Ｃとの位置関係に対応した識別用パターン４３が形成されている。半導体素子パターン１２ａから特定半導体素子パターン１２Ｃまでには、横方向右方に１つの半導体素子パターン１２、縦方向下方に２つの半導体素子パターン１２が存在している。識別用パターン４３は、半導体素子パターン１２の左上隅を起点として、横方向右方に「１」に対応する割合の長さの矢印４３ａと、縦方向下方に「２」に対応する割合の長さの矢印４３ｂとから構成される。
【０１４４】
更に、半導体素子パターン１２ａには、隅部認識用パターン３１が形成されている。半導体素子パターン１２ａに最も近接するレチクル４０の隅部は右上隅であり、半導体素子パターン１２ａから右上隅の半導体素子パターン１２までには横方向右方に２つの半導体素子パターン１２、縦方向上方に４つの半導体素子パターン１２が存在している。隅部認識用パターン３１は、半導体素子パターン１２の左下隅を起点として、横方向右方に「２」に対応する割合の長さの線分３１ａと、縦方向上方に「４」に対応する割合の長さの線分３１ｂとから構成される。
【０１４５】
レチクル４０を用いて、第１の実施形態の図３及び図４と同様に、半導体基板１００上のフォト・レジストに縮小投影露光を複数回行い、現像することにより、複数の露光ショット領域を形成する。図１８には、第２の実施形態の図１５に対応した、１つの露光ショット領域の様子を示す。
露光ショット領域４０−Ａには、それぞれレチクル４０の１２１個の半導体素子パターン１２が転写された１２１個の半導体素子パターン１２−Ａが形成される。露光ショット領域４０−Ａには、特定半導体素子パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃが転写された特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａ，１２Ｂ−Ａ，１２Ｃ−Ａとされている。
【０１４６】
露光ショット領域４０−Ａには、各半導体素子パターン１２−Ａの周縁部に、識別用パターン４１，４２，４３が転写された識別用パターン４１−Ａ，４２−Ａ，４３−Ａが形成される。同様に、各半導体素子パターン１２−Ａの周縁部で識別用パターン４１−Ａの対角部に、隅部認識用パターン３１が転写された隅部認識用パターン３１−Ａが形成される。
【０１４７】
識別用パターン４１−Ａは、識別用パターン４１に対応しており、半導体素子パターン１２−Ａの右上隅を起点とし半導体素子パターン１２−Ａの周縁部に沿った所定幅の２本の矢印４１ａ−Ａ，４１ｂ−Ａから構成される。
識別用パターン４２−Ａは、識別用パターン４２に対応しており、半導体素子パターン１２−Ａの右下隅を起点とし半導体素子パターン１２−Ａの周縁部に沿った所定幅の２本の矢印４２ａ−Ａ，４２ｂ−Ａから構成される。
識別用パターン４３−Ａは、識別用パターン４３に対応しており、半導体素子パターン１２−Ａの左上隅を起点とし半導体素子パターン１２−Ａの周縁部に沿った所定幅の２本の矢印４３ａ−Ａ，４３ｂ−Ａから構成される。
【０１４８】
半導体基板１００に形成された特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａ，１２Ｂ−Ａ，１２Ｃ−Ａの検査を行う場合について説明する。
ある半導体素子パターン１２−Ａを顕微鏡の検査視野内に捉えた場合、先ず、検査視野内の半導体素子パターン１２−Ａに配された隅部認識用パターン３１−Ａの矢印３１ａ−Ａ，３１ｂ−Ａを視認することにより、当該半導体素子パターン１２−Ａが属する露光ショット領域４０−Ａの隅部の位置を的確に推認することができる。隅部の位置が判れば、当該半導体素子パターン１２−Ａが属する露光ショット領域４０−Ａを把握することができる。
【０１４９】
そして、露光ショット領域４０−Ａの特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａの検査を行うには、検査視野内の半導体素子パターン１２−Ａに配された識別用パターン４１−Ａの矢印４１ａ−Ａ，４１ｂ−Ａを視認する。この視認により、露光ショット領域４０−Ａにおける特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａの位置を的確に推認することができる。識別用パターン４１−Ａに従って検査視野を移動させ、短時間で特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａに辿り着くことができる。
【０１５０】
また、当該露光ショット領域４０−Ａの特定半導体素子パターン１２Ｂ−Ａの検査を行うには、検査視野内の半導体素子パターン１２−Ａに配された識別用パターン４２−Ａの矢印４２ａ−Ａ，４２ｂ−Ａを視認する。この視認により、露光ショット領域４０−Ａにおける特定半導体素子パターン１２Ｂ−Ａの位置を的確に推認することができる。識別用パターン４２−Ａに従って検査視野を移動させ、短時間で特定半導体素子パターン１２Ｂ−Ａに辿り着くことができる。
【０１５１】
また、露光ショット領域４０−Ａの特定半導体素子パターン１２Ｃ−Ａの検査を行うには、検査視野内の半導体素子パターン１２−Ａに配された識別用パターン４３−Ａの矢印４３ａ−Ａ，４３ｂ−Ａを視認する。この視認により、露光ショット領域４０−Ａにおける特定半導体素子パターン１２Ｃ−Ａの位置を的確に推認することができる。識別用パターン４３−Ａに従って検査視野を移動させ、短時間で特定半導体素子パターン１２Ｃ−Ａに辿り着くことができる。
【０１５２】
なお、本実施形態でも、第１の実施形態と同様に、図６と同様の自動検査装置を用いて、顕微鏡を用いたユーザの目視による欠陥検査を行う代わりに、自動的に検査を行うようにしても良い。
【０１５３】
また、本実施形態でも、第１の実施形態と同様に、図８に示される工程（ステップＳ２１〜Ｓ３４）を経て、半導体基板において、その一方の主面に複数個の半導体素子が形成される。各半導体素子には、レチクルの識別用パターン４１，４２，４３に対応した各識別用パターンと、レチクルの隅部認識用パターン３１に対応した隅部認識用パターンとが形成される。
【０１５４】
以上説明したように、本実施形態によれば、レチクル４０の特定半導体素子パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃが露光された転写パターンである特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａ，１２Ｂ−Ａ，１２Ｃ−Ａを検査する際に、検査を行う露光ショット領域を的確に選択することができる。そして、半導体素子パターン１２−Ａが多数形成された場合でも、特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａ，１２Ｂ−Ａ，１２Ｃ−Ａを容易且つ正確に短時間で探し当てることを可能とし、極めて効率良く検査を行うことができる。
【０１５５】
（第４の実施形態）
本実施形態では、第３の実施形態と同様に、レチクルに転写パターンの検査時に観察対象となる特定半導体素子パターンが複数設けられている。
第４の実施形態による１枚のレチクルを図１９に示す。そして、このレチクルによって半導体基板上のフォト・レジストに転写された１つの露光ショット領域を図２０に示す。
図１９では、識別用パターン１３として、図２で示した直線からなるＬ字形状の識別用パターン１３を例示する。同様に図２０では、識別用パターン１３−Ａとして、図２で示した直線からなるＬ字形状の識別用パターン１３に対応する、直線からなるＬ字形状の識別用パターン１３−Ａを例示する。
【０１５６】
図１９に示すように、本実施形態によるレチクル５０には、第１の実施形態の図１のレチクル１１と同様に、例えば１１×１１個（１２１個）の半導体素子パターン１２（特定半導体素子パターン１２Ａを含む。）が形成されている。レチクル５０では、転写パターンの検査時に観察対象となる半導体素子パターン１２が複数箇所、例えば３箇所に設けられており、特定半導体素子パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃとされている。本実施形態では、半導体基板のフォト・レジストに転写された際における観察順序が、特定半導体素子パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃの順に予め規定されている。即ち、先ず特定半導体素子パターン１２Ａの検査を行った後に、特定半導体素子パターン１２Ｂの検査、次いで特定半導体素子パターン１２Ｃの検査を順次行う。
【０１５７】
各半導体素子パターン１２には、その周縁部に、第１の実施形態と同様の識別用パターン１３が形成されている。識別用パターン１３は、当該半導体素子パターン１２から特定半導体素子パターン１２Ａまでの方向及び距離を示す指標である。
更に本実施形態では、レチクル５０の１２１個の半導体素子パターン１２のうちで、特定半導体素子パターン１２Ａ，１２Ｂと、特定半導体素子パターン１２Ａ，１２Ｂ間及び特定半導体素子パターン１２Ｂ，１２Ｃ間に存する所定の半導体素子パターン１２とには、識別用パターン１３の他に、経路表示パターン５１Ａ，５１Ｂが形成されている。
【０１５８】
図１９の円Ｃ１内に示す所定の半導体素子パターン１２（図１９中で半導体素子パターン１２ａとする。）に着目する。
図１９中で一点鎖線で囲む領域Ｒ１内には、レチクル５０の１２１個の半導体素子パターン１２のうち、特定半導体素子パターン１２Ａと特定半導体素子パターン１２Ｂとを結ぶ経路を形成する所定数（図示の例では８個）の半導体素子パターン１２が含まれる。半導体素子パターン１２ａは、領域Ｒ１内の半導体素子パターン１２のうちの１つである。当該経路を形成する各半導体素子パターン１２には、特定半導体素子パターン１２Ａを見つけ出すための識別用パターン１３の他に、経路表示パターン５１Ａが形成されている。経路表示パターン５１Ａは、半導体素子パターン１２Ａから特定半導体素子パターン１２Ｂへ到る道筋を明示するものである。
【０１５９】
図１９の円Ｃ２内に示す所定の半導体素子パターン１２（図１９中で半導体素子パターン１２ｂとする。）に着目する。
図１９中で一点鎖線で囲む領域Ｒ２内には、レチクル５０の１２１個の半導体素子パターン１２のうち、特定半導体素子パターン１２Ｂと特定半導体素子パターン１２Ｃとを結ぶ経路を形成する所定数（図示の例では２個）の半導体素子パターン１２が含まれる。半導体素子パターン１２ｂは、領域Ｒ２内の半導体素子パターン１２のうちの１つである。当該経路を形成する各半導体素子パターン１２には、特定半導体素子パターン１２Ａを見つけ出すための識別用パターン１３の他に、経路表示パターン５１Ｂが形成されている。経路表示パターン５１Ｂは、半導体素子パターン１２Ｂから特定半導体素子パターン１２Ｃへ到る道筋を明示するものである。
【０１６０】
ここで、経路表示パターン５１Ａは、半導体素子パターン１２の周縁部のうち対向する２辺部位に、例えば複数（図示の例では４個）の矩形状ドット５２ａが並列して構成される。経路表示パターン５１Ｂは、半導体素子パターン１２の周縁部のうち対向する２辺部位に、矩形状ドット５２ａとは異なる形状、例えば複数（図示の例では４個）の斜線状ドット５２ｂが並列して構成される。
経路表示パターン５１Ａ，５１Ｂは、上記の複数のドットが並列してなる形状以外にも、例えば１本の矢印形状に形成しても好適である。
【０１６１】
レチクル５０を用いて、第１の実施形態の図３及び図４と同様に、半導体基板１００上のフォト・レジストに縮小投影露光を複数回行い、現像することにより、複数の露光ショット領域を形成する。図２０には、第２の実施形態の図１５と同様に、１つの露光ショット領域の様子を示す。
露光ショット領域５０−Ａには、それぞれレチクル５０の１２１個の半導体素子パターン１２が転写された１２１個の半導体素子パターン１２−Ａが形成される。露光ショット領域５０−Ａには、特定半導体素子パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃが転写された特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａ，１２Ｂ−Ａ，１２Ｃ−Ａが形成されている。
【０１６２】
露光ショット領域５０−Ａには、各半導体素子パターン１２−Ａの周縁部に、レチクル５０の識別用パターン１３が転写された識別用パターン１３−Ａが形成される。更に、１２１個の半導体素子パターン１２−Ａのうちで、特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａ，１２Ｂ−Ａと、特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａ，１２Ｂ−Ａ間及び特定半導体素子パターン１２Ｂ−Ａ，１２Ｃ−Ａ間に存する所定の半導体素子パターン１２−Ａには、識別用パターン１３−Ａの他に、経路表示パターン５１−Ａ，５１−Ｂが形成される。
【０１６３】
図２０の円Ｃ１内に示す所定の半導体素子パターン１２−Ａ（図２０中で半導体素子パターン１２ａ−Ａとする。）に着目する。
図２０中で一点鎖線で囲む領域Ｒ１内には、１２１個の半導体素子パターン１２−Ａのうち、特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａと特定半導体素子パターン１２Ｂ−Ａとを結ぶ経路を形成する所定数（図示の例では８個）の半導体素子パターン１２−Ａが含まれる。半導体素子パターン１２ａ−Ａは、領域Ｒ１内の半導体素子パターン１２−Ａのうちの１つである。当該経路を形成する各半導体素子パターン１２−Ａには、その周縁部に、レチクル５０の経路表示パターン５１Ａが転写された経路表示パターン５１Ａ−Ａが形成される。経路表示パターン５１Ａ−Ａは、複数の矩形状ドット５２ａ−Ａが並列して構成される。
【０１６４】
同様に、図２０の円Ｃ２内に示す所定の半導体素子パターン１２−Ａ（図２０中で半導体素子パターン１２ｂ−Ａとする。）に着目する。
図２０中で一点鎖線で囲む領域Ｒ２内には、１２１個の半導体素子パターン１２−Ａのうち、特定半導体素子パターン１２Ｂ−Ａと特定半導体素子パターン１２Ｃ−Ａとを結ぶ経路を形成する所定数（図示の例では２個）の半導体素子パターン１２−Ａが含まれる。半導体素子パターン１２ｂ−Ａは、領域Ｒ２内の半導体素子パターン１２−Ａのうちの１つである。当該経路を形成する各半導体素子パターン１２−Ａには、その周縁部に、レチクル５０の経路表示パターン５１Ｂが転写された経路表示パターン５１Ｂ−Ａが形成される。経路表示パターン５１Ｂ−Ａは、複数の斜線状ドット５２ｂ−Ａが並列して構成される。
【０１６５】
なお、本実施形態では、３つの特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａ，１２Ｂ−Ａ，１２Ｃ−Ａが設けられた場合について例示したが、更に多数、例えばＮ個（ＮはＮ≧４を満たす整数）の特定半導体素子パターンを設ける場合でも同様である。即ちこの場合、Ｎ個の特定半導体素子パターンの観察順序が予め規定されており、識別用パターンは、観察順序が１番目の特定半導体素子パターンを検知するためのものである。レチクルは、観察順序がＭ番目（Ｍは１≦Ｍ≦Ｎ−１を満たす整数）の特定半導体素子パターンからＭ＋１番目の特定半導体素子パターンへ到る経路を示す経路表示パターンを有している。
【０１６６】
半導体基板に形成された特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａ，１２Ｂ−Ａ，１２Ｃ−Ａの検査を行う場合について説明する。本実施形態では、１２Ａ−Ａ，１２Ｂ−Ａ，１２Ｃ−Ａの順に検査する。
先ず、露光ショット領域５０−Ａの特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａの検査を行うに際して、顕微鏡の検査視野内の半導体素子パターン１２−Ａに配された識別用パターン１３−Ａを視認する。視認された識別用パターン１３−Ａにより、露光ショット領域５０−Ａにおける特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａの位置を的確に推認することができる。識別用パターン１３−Ａに従って検査視野を移動させ、短時間で特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａに辿り着くことができる。
【０１６７】
特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａを検査した後、続いて、特定半導体素子パターン１２Ｂ−Ａの検査を行う。この場合、特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａの周縁部に形成された経路表示パターン５１Ａ−Ａを起点として、当該経路表示パターン５１Ａ−Ａが指示する隣りの半導体素子パターン１２−Ａを辿る。更に当該隣りの半導体素子パターン１２−Ａに形成された経路表示パターン５１Ａ−Ａが指示するその隣りの半導体素子パターン１２−Ａを辿る。図２０の例では、経路表示パターン５１Ａ−Ａを辿って、特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａから下方向に３つの半導体素子パターン１２−Ａだけ進み、更に右方向に６つの半導体素子パターン１２−Ａだけ進むことによって特定半導体素子パターン１２Ｂ−Ａに到る。このように、経路表示パターン５１Ａ−Ａに従って半導体素子パターン１２−Ａを辿って顕微鏡の検査視野を移動させて行くことにより、特定半導体素子パターン１２Ｂ−Ａに短時間で容易に辿り着くことができる。
【０１６８】
特定半導体素子パターン１２Ｂ−Ａを検査した後、続いて、特定半導体素子パターン１２Ｃ−Ａの検査を行う。この場合、特定半導体素子パターン１２Ｂ−Ａの周縁部に形成された経路表示パターン５１Ｂ−Ａを起点として、当該経路表示パターン５１Ｂ−Ａが指示する隣りの半導体素子パターン１２−Ａを辿る。更に当該隣りの半導体素子パターン１２−Ａに形成された経路表示パターン５１Ｂ−Ａが指示するその隣りの半導体素子パターン１２−Ａを辿る。図２０の例では、経路表示パターン５１Ｂ−Ａを辿って、特定半導体素子パターン１２Ｂ−Ａから下方向に２つの半導体素子パターン１２−Ａだけ進むことによって特定半導体素子パターン１２Ｃ−Ａに到る。このように、経路表示パターン５１Ｂ−Ａに従って半導体素子パターン１２−Ａを辿って顕微鏡の検査視野を移動させて行くことにより、特定半導体素子パターン１２Ｃ−Ａに短時間で容易に辿り着くことができる。
【０１６９】
また、本実施形態でも、第１の実施形態と同様に、図８に示される工程（ステップＳ２１〜Ｓ３４）を経る。これにより、例えば図２１に示すように、図２０の露光ショット領域５０−Ａに対応する半導体素子領域５０−Ｂにおいて、その一方の主面には、レチクル５０の半導体素子パターン１２に対応した複数個の半導体素子１２−Ｂが形成される。ここで、特定半導体素子１２Ａ−Ｂ，１２Ｂ−Ｂ，１２Ｃ−Ｂは、レチクル５０の特定半導体素子パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃに対応して形成されたものである。各半導体素子１２−Ｂには、レチクル５０の識別用パターン１３に対応した各識別用パターン１３Ｂが形成される。
【０１７０】
図２２に、特定半導体素子１２Ａ−Ｂ，１２Ｂ−Ｂ，１２Ｃ−Ｂと、後述する経路表示パターン５１Ａ−Ｂ，５１Ｂ−Ｂが形成された半導体素子１２−Ｂのみを、図２１から取り出して示す。
特定半導体素子１２Ａ−Ｂと特定半導体素子１２Ｂ−Ｂとを結ぶ経路を形成する各半導体素子１２−Ｂには、その周縁部に、レチクル５０の経路表示パターン５１Ａが転写された経路表示パターン５１Ａ−Ｂが形成される。経路表示パターン５１Ａ−Ｂは、複数の矩形状ドット５２ａ−Ｂが並列して構成される。
特定半導体素子１２Ｂ−Ｂと特定半導体素子１２Ｃ−Ｂとを結ぶ経路を形成する各半導体素子１２−Ｂには、その周縁部に、レチクル５０の経路表示パターン５１Ｂが転写された経路表示パターン５１Ｂ−Ｂが形成される。経路表示パターン５１Ｂ−Ｂは、複数の斜線状ドット５２ｂ−Ｂが並列して構成される。
【０１７１】
図２１の円Ｃ１内に示す領域を拡大した様子を図２３（ａ）に、図２１の円Ｃ２内に示す領域を拡大した様子を図２３（ｂ）にそれぞれ示す。
図２３（ａ）では、識別用パターン１３−Ｂは、半導体素子１２−Ｂの隅部近傍のスクライブ領域１６Ｂにおいて、例えば第２領域１６Ｂ−２内でボンディングパッド１６Ｂｂと第１領域１６Ｂ−１の境界との間に存する空き領域１９ａに設けられる。経路表示パターン５１Ａ−Ｂは、半導体素子１２−Ｂの対向する２辺近傍のスクライブ領域１６Ｂにおいて、例えば第１領域１６Ｂ−１内でスクライブ内パターン１６Ｂａと第２領域１６Ｂ−２の境界との間に存する空き領域１９ｃに形成される。
【０１７２】
図２３（ｂ）では、識別用パターン１３−Ｂは、半導体素子１２−Ｂの隅部近傍のスクライブ領域１６Ｂにおいて、例えば第２領域１６Ｂ−２内でボンディングパッド１６Ｂｂと第１領域１６Ｂ−１の境界との間に存する空き領域１９ａに設けられる。経路表示パターン５１Ｂ−Ｂは、半導体素子１２−Ｂの対向する２辺近傍のスクライブ領域１６Ｂにおいて、例えば第１領域１６Ｂ−１内でスクライブ内パターン１６Ｂａと第２領域１６Ｂ−２の境界との間に存する空き領域１９ｃに形成される。
【０１７３】
半導体基板に形成された特定半導体素子１２Ａ−Ｂ，１２Ｂ−Ｂ，１２Ｃ−Ｂの検査を行う場合について説明する。本実施形態では、１２Ａ−Ｂ，１２Ｂ−Ｂ，１２Ｃ−Ｂの順に検査する。
先ず、半導体素子領域５０−Ｂの特定半導体素子１２Ａ−Ｂの検査を行うに際して、顕微鏡の検査視野内の半導体素子１２−Ｂに配された識別用パターン１３−Ｂを視認する。視認された識別用パターン１３−Ｂにより、半導体素子領域５０−Ｂにおける特定半導体素子１２Ａ−Ｂの位置を的確に推認することができる。識別用パターン１３−Ｂに従って検査視野を移動させ、短時間で特定半導体素子１２Ａ−Ｂに辿り着くことができる。
【０１７４】
特定半導体素子１２Ａ−Ｂを検査した後、続いて、特定半導体素子１２Ｂ−Ｂの検査を行う。この場合、特定半導体素子１２Ａ−Ｂの周縁部に形成された経路表示パターン５１Ａ−Ｂを起点として、当該経路表示パターン５１Ａ−Ｂが指示する隣りの半導体素子１２−Ａを辿る。更に当該隣りの半導体素子１２−Ｂに形成された経路表示パターン５１Ａ−Ｂが指示するその隣りの半導体素子１２−Ｂを辿る。図２１の例では、経路表示パターン５１Ａ−Ｂを辿って、特定半導体素子１２Ａ−Ｂから下方向に３つの半導体素子１２−Ｂだけ進み、更に右方向に６つの半導体素子１２−Ｂだけ進むことによって特定半導体素子１２Ｂ−Ｂに到る。このように、経路表示パターン５１Ａ−Ｂに従って半導体素子１２−Ｂを辿って顕微鏡の検査視野を移動させて行くことにより、特定半導体素子１２Ｂ−Ｂに短時間で容易に辿り着くことができる。
【０１７５】
特定半導体素子１２Ｂ−Ｂを検査した後、続いて、特定半導体素子１２Ｃ−Ｂの検査を行う。この場合、特定半導体素子１２Ｂ−Ｂの周縁部に形成された経路表示パターン５１Ｂ−Ｂを起点として、当該経路表示パターン５１Ｂ−Ｂが指示する隣りの半導体素子１２−Ｂを辿る。更に当該隣りの半導体素子１２−Ｂに形成された経路表示パターン５１Ｂ−Ｂが指示するその隣りの半導体素子１２−Ｂを辿る。図２１の例では、経路表示パターン５１Ｂ−Ｂを辿って、特定半導体素子１２Ｂ−Ｂから下方向に２つの半導体素子１２−Ｂだけ進むことによって特定半導体素子１２Ｃ−Ｂに到る。このように、経路表示パターン５１Ｂ−Ｂに従って半導体素子１２−Ｂを辿って顕微鏡の検査視野を移動させて行くことにより、特定半導体素子１２Ｃ−Ｂに短時間で容易に辿り着くことができる。
【０１７６】
なお、本実施形態では、３つの特定半導体素子１２Ａ−Ｂ，１２Ｂ−Ｂ，１２Ｃ−Ｂが設けられた場合について例示したが、更に多数、例えばＮ個（ＮはＮ≧４を満たす整数）の特定半導体素子を設ける場合でも同様である。即ちこの場合、Ｎ個の特定半導体素子の観察順序が予め規定されており、識別用パターンは、観察順序が１番目の特定半導体素子を検知するためのものである。半導体基板には、観察順序がＭ番目（Ｍは１≦Ｍ≦Ｎ−１を満たす整数）の特定半導体素子からＭ＋１番目の特定半導体素子へ到る経路を示す経路表示パターンが形成されている。
【０１７７】
また、本実施形態でも、第１の実施形態と同様に、図６と同様の自動検査装置を用いて、顕微鏡を用いたユーザの目視による欠陥検査を行う代わりに、自動的に検査を行うようにしても良い。
【０１７８】
以上説明したように、本実施形態によれば、レチクル５０の特定半導体素子パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃが露光された転写パターンである特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａ，１２Ｂ−Ａ，１２Ｃ−Ａをこの順で順次検査する際に、検査の効率性が向上する。即ち、半導体素子パターン１２−Ａが多数形成された場合でも、特定半導体素子パターン１２Ａ−Ａ，１２Ｂ−Ａ，１２Ｃ−Ａを容易且つ正確に短時間で探し当てることが可能となり、極めて効率良く検査を行うことができる。また本実施形態では、特定半導体素子パターン間の所定の半導体素子パターン１２−Ａのみに経路表示パターンを設けることにより、より効率的な半導体装置の設計が可能となり、また検査段階におけるパターンの見間違いの発生が低減される。
【０１７９】
以下、諸態様を付記としてまとめて記載する。
【０１８０】
（付記１）半導体基板の一方の主面にフォト・レジスト層を形成する工程と、
複数個の半導体素子パターンと、前記半導体素子パターンから複数個の前記半導体素子パターンのうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子パターンまでの方向及び距離を示す識別用パターンとを有するレチクルを用いて、前記フォト・レジスト層に対して露光処理を行う工程と、
前記フォト・レジスト層を現像する工程と、
前記識別用パターンを指標として用い、前記特定半導体素子パターンを検知する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１８１】
（付記２）前記レチクルは、前記半導体素子パターンの周縁部に前記識別用パターンを有していることを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１８２】
（付記３）前記レチクルは、前記半導体素子パターンから、前記レチクルの４隅部のうちで当該半導体素子パターンに最も近接する隅部までの方向及び距離を示す隅部認識用パターンを更に有することを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【０１８３】
（付記４）前記レチクルは、前記半導体素子パターンの周縁部に前記隅部認識用パターンを有していることを特徴とする付記３に記載の半導体装置の製造方法。
【０１８４】
（付記５）前記特定半導体素子パターンはＮ個（ＮはＮ≧２を満たす整数）設けられ、前記各特定半導体素子パターンの観察順序が予め規定されており、
前記識別用パターンは、観察順序が１番目の前記特定半導体素子パターンを検知するためのものであり、
前記レチクルは、観察順序がＭ番目（Ｍは１≦Ｍ≦Ｎ−１を満たす整数）の前記特定半導体素子パターンからＭ＋１番目の前記特定半導体素子パターンへ到る経路を示す経路表示パターンを有しており、
前記識別用パターンを指標として用い、観察順序が１番目の前記特定半導体素子パターンを検知した後、前記経路表示パターンを用いてＮ−１個の前記特定半導体素子パターンを順次に検知する工程を更に具備することを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【０１８５】
（付記６）複数個の半導体素子パターンと、
前記半導体素子パターンから、複数個の前記半導体素子パターンのうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子パターンまでの方向及び距離を示す識別用パターンと
を具備してなることを特徴とするレチクル。
【０１８６】
（付記７）一方の主面に、複数個の半導体素子と、前記半導体素子から複数個の前記半導体素子のうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子までの方向及び距離を示す識別用パターンとを具備してなることを特徴とする半導体基板。
【０１８７】
（付記８）前記識別用パターンが前記半導体素子の周縁部に形成されていることを特徴とする付記７に記載の半導体基板。
【０１８８】
（付記９）複数の前記半導体素子により半導体素子群が構成され、前記半導体素子群が複数隣接して配置されていることを特徴とする付記７又は８に記載の半導体基板。
【０１８９】
（付記１０）前記半導体素子群内の前記半導体素子から、当該半導体素子群の４隅部のうちで当該半導体素子に最も近接する隅部までの方向及び距離を示す隅部認識用パターンを更に具備することを特徴とする付記９に記載の半導体基板。
【０１９０】
（付記１１）前記隅部認識用パターンが前記半導体素子の周縁部に形成されていることを特徴とする付記１０に記載の半導体基板。
【０１９１】
（付記１２）前記特定半導体素子はＮ個（ＮはＮ≧２を満たす整数）設けられ、前記各特定半導体素子の観察順序が予め規定されており、
前記識別用パターンは、観察順序が１番目の前記特定半導体素子を検知するためのものであり、
観察順序がＭ番目（Ｍは１≦Ｍ≦Ｎ−１を満たす整数）の前記特定半導体素子からＭ＋１番目の前記特定半導体素子へ到る経路を示す経路表示パターンを有していることを特徴とする付記７〜１１のいずれか１項に記載の半導体基板。
【符号の説明】
【０１９２】
１  ＳＥＭ
２  記録部
３  認識部
４  演算部
５  データベース
６  検査視野調節部
７  制御部
１１，３０，３０ａ，４０  レチクル
１１−Ａ，３０−Ａ，４０−Ａ  露光ショット領域
１１−Ｂ，５０−Ｂ  半導体素子領域
１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２−Ａ，１２ａ−Ａ，１２ｂ−Ａ，１２ｃ−Ａ，１２ｄ−Ａ，１２−Ｂ，１２ａ−Ｂ，１２ｂ−Ｂ，１２ｃ−Ｂ，１２ｄ−Ｂ  半導体素子パターン
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ａ−Ａ，１２Ｂ−Ａ，１２Ｃ−Ａ，１２Ａ−Ｂ  特定半導体素子パターン
１３，４１〜４３，１３−Ａ，４１−Ａ〜４３−Ａ  識別用パターン
１３ａ，１３ｂ，１３ａ−Ａ，１３ｂ−Ａ，１３ａ−Ｂ，１３ｂ−Ｂ，４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ，４１ａ−Ａ，４１ｂ−Ａ，４２ａ−Ａ，４２ｂ−Ａ，４３ａ−Ａ，４３ｂ−Ａ
１６  領域
１６−Ａ，１８，１８−Ａ  スクライブ領域
１７，１７−Ａ  ショット認識用パターン
１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄ  空き領域
３１，３１−Ａ，３２  隅部認識用パターン
３１ａ，３１ａ−Ａ，３１ｂ，３１ｂ−Ａ，３２ａ，３２ｂ  線分
５１Ａ，５１Ｂ，５１Ａ−Ａ，５１Ｂ−Ａ，５１Ａ−Ｂ，５１Ｂ−Ｂ  経路表示パターン
５２ａ，５２ａ−Ａ，５２ａ−Ｂ  区形状ドット
５２ｂ，５２ｂ−Ａ，５２ｂ−Ｂ  斜線状ドット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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