(57)【要約】【課題】片面のみに磁性層を備える磁気ディスク用ガラス基板を効率よく加工することができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。【解決手段】溶融したガラスを切断してプレスされたガラスブランクを用いて、磁気ディスク用ガラス基板を製造する方法であって、表面粗さＲａが０．０１μｍ以上１０μｍ以下である第１主表面と、シアマークを備える第２主表面と、を備え、かつ、磁気ディスク用ガラス基板として必要な平坦度を有するガラスブランクを成形するガラスブランク成形工程と、ガラスブランクの第１主表面のみを加工する表面加工工程と、を有することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。【選択図】図３
2011138590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融したガラスを切断してプレスされたガラスブランクを用いて、磁気ディスク用ガラス基板を製造する方法であって、
表面粗さＲａが０．０１μｍ以上１０μｍ以下である第１主表面と、シアマークを備える第２主表面と、を備え、かつ、磁気ディスク用ガラス基板として必要な平坦度を有するガラスブランクを成形するガラスブランク成形工程と、
前記ガラスブランクの第１主表面のみを加工する表面加工工程と、
を有することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記ガラスブランク成形工程は、
溶融したガラスを切断する切断工程と、
前記切断工程によって切断されることにより形成されたガラスの塊を落下させる工程と、
表面粗さＲａが０．０１μｍ以上１０μｍ以下である第１の型と、第２の型と、を用いて、前記ガラスの塊が落下している間に、前記ガラスの塊を略水平方向からプレスすることにより、第１の型が第１主表面を成形し、第２の型がシアマークを備える第２主表面を成形するプレス工程と、
を有する、請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記プレス工程は、表面粗さＲａが０．０１μｍ以上１０μｍ以下である第１の型と、表面粗さＲａが０．００５μｍ以下である第２の型と、を用いて前記ガラスの塊をプレスする、請求項２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記プレス工程は、表面粗さＲａが０．０１μｍ以上１μｍ以下である第１の型と、表面粗さＲａが０．００５μｍ以下である第２の型と、を用いて前記ガラスの塊をプレスする、請求項２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記ガラスブランク成形工程と前記表面加工工程との間に、前記ガラスブランクをスクライブするスクライブ工程を有する、
請求項４に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記表面加工工程は、
固定砥粒を用いて第１主表面を研削する研削工程と、
前記研削工程の後に、遊離砥粒を用いて第１主表面を研磨する研磨工程と、
を有する、請求項１乃至５のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項７】
前記研削工程は、ダイヤモンド粒子を含む固定砥粒を用いて研削する、請求項６に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項８】
磁気ディスク用ガラス基板として必要な平坦度は４μｍ以下である、請求項１乃至７のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板と、
前記磁気ディスク用ガラス基板の主表面のうち、前記ガラスブランクの第１主表面を加工した側の主表面のみに形成される磁性層と、
を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置に用いられるガラス基板の製造方法及び磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ハードディスクドライブ装置（ＨＤＤ装置）には、円環状の磁気ディスクが広く用いられている。磁気ディスクは、一般的に、ブランク材に形状加工工程（コアリング、チャンファリングなど）、研削工程（ラッピング）、研磨工程（ポリッシング）などを施して、磁気ディスク用基板を製造した後、主表面に磁性層等を成膜することにより製造される。
今日、ハードディスクドライブ装置は、パーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、あるいはＤＶＤ（Digital Versatile Disc）記録装置等に内蔵されている。特に、ノート型パーソナルコンピュータ等の可搬性を前提とした機器に用いられるハードディスク装置では、金属基板等に比べて塑性変形をしにくい性質を持つことから、ガラス基板が好適に用いられている。
【０００３】
磁気ディスク用基板の製造方法における主表面の研磨工程では、一対の定盤（上定盤及び下定盤）の間に磁気ディスク用基板を保持したキャリアを設置し、上下定盤で圧力を負荷してキャリアを挟み込み、上定盤と下定盤を逆回転させ、研磨剤を供給しながら磁気ディスク用基板の両主表面を研磨する（特許文献１）。
【０００４】
磁気ディスクの記録密度は年々増加しており、片面で１００ＧＢ以上の磁気ディスクも開発されている。磁気ディスクは、両面合わせて必要とする記録密度を満足しているが、高い記録密度を必要としない電子機器では、片面だけで必要とする記録密度を満足することが可能となる。
片面だけで必要とする記録密度を満足することが可能となれば、ＨＤＤ装置側でも１枚の磁気ディスクに対する磁気ヘッドを１つとすることが可能となり、コストの低減や装置の薄型化を実現することができる。したがって、片面のみに磁性層を設けた磁気ディスクのニーズは今後高まることが予想される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−９０４５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
片面のみに磁性層を備える磁気ディスク用ガラス基板を製造する場合、磁性層が形成されない面（非記録面）に要求される表面品質は、磁性層が形成される面（記録面）に要求される表面品質ほど高くない。求められる表面品質は、例えば、磁気ディスク用ガラス基板の表面粗さ等である。
【０００７】
本発明は、片面のみに磁性層を備える磁気ディスク用ガラス基板を効率よく加工することができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、溶融したガラスを切断してプレスされたガラスブランクを用いて、磁気ディスク用ガラス基板を製造する方法であって、表面粗さＲａが０．０１μｍ以上１０μｍ以下である第１主表面と、シアマークを備える第２主表面と、を備え、かつ、磁気ディスク用ガラス基板として必要な平坦度を有するガラスブランクを成形するガラスブランク成形工程と、前記ガラスブランクの第１主表面のみを加工する表面加工工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
また、前記ガラスブランク成形工程は、溶融したガラスを切断する切断工程と、前記切断工程によって切断されることにより形成されたガラスの塊を落下させる工程と、表面粗さＲａが０．０１μｍ以上１０μｍ以下である第１の型と、第２の型と、を用いて、前記ガラスの塊が落下している間に、前記ガラスの塊を略水平方向からプレスすることにより、第１の型が第１主表面を成形し、第２の型がシアマークを備える第２主表面を成形するプレス工程と、を有することが好ましい。
【００１０】
また、前記プレス工程は、表面粗さＲａが０．０１μｍ以上１０μｍ以下である第１の型と、表面粗さＲａが０．００５μｍ以下である第２の型と、を用いて前記ガラスの塊をプレスすることが好ましい。
【００１１】
また、前記プレス工程は、表面粗さＲａが０．０１μｍ以上１μｍ以下である第１の型と、表面粗さＲａが０．００５μｍ以下である第２の型と、を用いて前記ガラスの塊をプレスすることが好ましい。
【００１２】
また、前記ガラスブランク成形工程と前記表面加工工程との間に、前記ガラスブランクをスクライブするスクライブ工程を有することが好ましい。
【００１３】
また、前記表面加工工程は、固定砥粒を用いて第１主表面を研削する研削工程と、前記研削工程の後に、遊離砥粒を用いて第１主表面を研磨する研磨工程と、を有することが好ましい。
【００１４】
前記研削工程は、ダイヤモンド粒子を含む固定砥粒を用いて研削することが好ましい。
【００１５】
また、磁気ディスク用ガラス基板として必要な平坦度は４μｍ以下であることが好ましい。
【００１６】
また、本発明の磁気記録媒体は、上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板と、前記磁気ディスク用ガラス基板の主表面のうち、前記ガラスブランクの第１主表面を加工した側の主表面のみに形成される磁性層と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、片面のみに磁性層を備える磁気ディスク用ガラス基板を効率よく加工することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ）は、本実施形態の製造方法により製造される磁気ディスク用ガラス基板の一例を示す図であり、（ｂ）は、ガラスブランクの一例を示す図である。
【図２】本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、ガラスブランク成形工程の一例を示す図である。
【図４】（ａ）は、本実施形態で用いる表面加工装置の全体図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す表面加工装置に用いられるキャリアを示す図である。
【図５】図４（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、ガラスブランク成形工程の他の例を示す図である。
【図７】研削工程の一例を示す図である。
【図８】研削工程の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について、実施形態に基づいて説明する。
＜第１の実施形態＞
本実施形態において製造される磁気ディスク用ガラス基板について説明する。図１（ａ）は、本実施形態において製造される磁気ディスク用ガラス基板の一例を示す図である。図１（ａ）に示されるように、本実施形態において製造される磁気ディスク用ガラス基板は、磁気データの書き込みが行われる主表面（記録面）と、磁気データの書き込みが行われない主表面（非記録面）と、を備える。
記録面には磁性層が形成され、磁気データの書き込みが行われるため、高い表面品質が要求される。一方、非記録面は磁気データの書き込みが行われないため、記録面ほど高い表面品質は要求されない。
図１（ｂ）は、図１（ａ）に示される磁気ディスク用ガラス基板の元となるガラスブランクＢの一例を示す図である。後述するように、ガラスブランクＢの第１主表面に表面加工工程を施すことにより磁気ディスク用ガラス基板の記録面が形成される。また、ガラスブランクＢの第２主表面は、磁気ディスク用ガラス基板の非記録面となる。ガラスブランクＢの第１主表面の表面粗さＲａは、第２主表面の表面粗さＲａよりも大きい。
【００２０】
なお、後述するように、プレス成形によって成形されたガラスブランクにはシアマークが形成されることがある。シアマークは、円盤状ガラスの中心付近で、その表面から一定の深さの間に密集する小さい気泡の集まりである。シアマークは、溶融ガラスを切断した際の切断面によって形成されることが明らかにされている。
シアマークがガラス基板の記録面に形成されていると磁気データの書き込みに支障を来たす可能性がある。そのため、シアマークがガラス基板の記録面となる側のガラスブランクの主表面に形成されている場合、研削や研磨によりシアマークを除去する必要があるが、シアマークの状態によっては、研削や研磨によってもシアマークを除去しきれないことがある。これに対し、非記録面には磁気データの書き込みが行われないため、シアマークがガラス基板の非記録面に形成されている場合、研削や研磨によりシアマークを除去する必要はない。
そのため、本実施形態では、ガラスブランクについて、シアマークが形成された側の主表面を磁気ディスクの非記録面とすべくガラスブランクを加工することにより、要求される表面品質を満足する磁気ディスク用ガラス基板を作製する。
【００２１】
以下、図２を参照して、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について説明する。図２は、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。図２に示されるように、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、ガラスブランク成形工程と、表面加工工程と、を主に含む。ここで、表面加工工程は、研削工程と、第１研磨工程と、第２研磨工程と、を含む。更に、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、スクライブ工程と、形状加工工程と、端面研磨工程と、化学強化工程と、を含む。以下、各工程について詳細に説明する。
【００２２】
（ガラスブランク成形工程）
図３を参照して、ガラスブランク成形工程（ステップＳ１００）について説明する。ガラスブランク成形工程では、溶融したガラスの塊（ゴブ）をプレスして、ガラスブランクＢを成形する。図３は、ガラスブランク成形工程の一例を示す図である。図３（ａ）は、ゴブが形成される前の状態を示す図である。図３（ｂ）は、ゴブが形成された状態を示す図である。図３（ｃ）は、ゴブがプレスされた状態を示す図である。
【００２３】
まず、図３（ａ）に示されるように、溶融ガラスＬＧが、ガラス流出口１００から連続的に流出される。次に、図３（ｂ）に示されるように、ガラス流出口１００の下方に設けられた切断刃１１０が、ガラス流出口１００から連続的に流出される溶融ガラスＬＧを切断する。切断された溶融ガラスＬＧは、表面張力により略球状のゴブＧＧとなる。このように、溶融したガラスの塊（ゴブ）ＧＧが形成される。
本実施形態では、切断刃１１０により溶融ガラスＬＧを切断する度に、半径１０ｍｍ程度のゴブＧＧが形成されるように、溶融ガラスＬＧの流出速度、切断刃１１０が溶融ガラスＬＧを切断するタイミングが制御されている。
【００２４】
溶融ガラスＬＧが切断刃１１０によって切断されることにより形成された略球状のゴブＧＧは、鉛直方向に落下する。図３（ｂ）に示されるように、ゴブＧＧが落下する経路の両側には、第１の型１２０と、第２の型１３０と、が配置されている。
第１の型１２０のプレス面である第１プレス面１２２と、第２の型１３０のプレス面である第２プレス面１３２とは、表面粗さＲａが互いに異なる。具体的には、第２の型１３０の第２プレス面１３２の表面粗さＲａは、第１の型１２０の第１プレス面１２２の表面粗さＲａよりも小さい。
また、後述するように、第１の型１２０と第２の型１３０とでゴブＧＧをプレスした際の第１プレス面１２２と第２プレス面１３２との間隔を一定にするため、第１の型１２０は、第１プレス面１２２側に、突起状のスペーサ１２４を備える。
【００２５】
後述するように、ガラスブランクＢの主表面のうち、第１プレス面１２２でプレスされた主表面（第１主表面）はガラス基板の記録面として用いられ、第２プレス面１３２でプレスされた主表面（第２主表面）はガラス基板の非記録面として用いられる。
前述したように、ガラス基板の記録面は、高い表面品質を要求される。ガラス基板の記録面に要求される表面粗さＲａは、例えば、０．２ｎｍ以下である。また、ガラス基板の記録面は、表面粗さＲａ以外に、平坦度などの表面品質も要求される。ガラスブランク成形工程のみによって記録面に要求される表面品質を満足することは困難であるため、ガラスブランクＢの第１主表面には、後述する研削工程や研磨工程を施す必要がある。そのため、ガラスブランクＢの第１主表面に、後述する研削工程や研磨工程を施すことにより、記録面に要求される表面品質を満たすガラス基板が作製される。
【００２６】
ガラス基板の材料としては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。
アルミノシリケートガラスとして、モル％表示で、ＳｉＯ２を５７〜７４％、ＺｎＯ２を０〜２．８％、Ａｌ２Ｏ３を３〜１５％、ＬｉＯ２を７〜１６％、Ｎａ２Ｏを４〜１４％、を主成分として含有する、化学強化用ガラス材を用いることが好ましい。
【００２７】
一方、ガラス基板の非記録面に要求される表面品質は、記録面に要求される表面品質ほど高くないが、ガラス基板の非記録面に要求される表面粗さＲａの上限は、０．００５μｍである。ガラス基板の非記録面の表面粗さＲａが０．００５μｍよりも大きい場合、ガラス基板の非記録面にパーティクルが付着している、又は、非記録面の表面凹凸にパーティクルが食い込んでいる可能性が高い。ガラス基板の非記録面にパーティクルが付着していると、磁気ディスクが回転している際にパーティクルが飛散し、磁気ディスク表面に付着することにより、サーマルアスペリティやヘッドクラッシュを引き起こす可能性が高い。
そのため、ガラスブランク成形工程において成形されるガラスブランクＢの第２主表面が、ガラス基板の非記録面に要求される表面品質を満たせば、ガラスブランクＢの第２主表面に対して、研削工程や研磨工程を行う必要がない。なお、第２主表面におけるパーティクルの発生をより防止するために、後述する第１研磨工程を第２主表面に対して行ってもよい。
【００２８】
本実施形態では、第１プレス面１２２の表面粗さＲａは、０．０１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。また、第２プレス面１３２の表面粗さＲａは、０．００５μｍ以下であることが好ましい。
なお、後述するように、ガラスブランクＢの外径が最終製品の外径である６５ｍｍよりも大きく、そのままでは加工することができない場合にはスクライブ工程を行うことが好ましい。スクライブ工程において好適に切断線を形成するため、第１プレス面１２２の表面粗さＲａは、０．０１μｍ以上１μｍ以下であることがより好ましい。
【００２９】
ここで、平坦度は、例えば、Ｎｉｄｅｋ社製フラットネステスターＦＴ−９００を用いて測定することができる。また、主表面の粗さはＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１により規定され算術平均粗さＲａで表され、０．００６μｍ以上２００μｍ以下の場合は、例えば、ミツトヨ社製粗さ測定機ＳＶ−３１００で測定し、ＪＩＳ  Ｂ０６３３：２００１で規定される方法で算出できる。その結果粗さが０．０３μｍ以下であった場合は、例えば、エスアイアイナノテクノロジーズ社製走査型プローブ顕微鏡（原子間力顕微鏡）で計測しＪＩＳ  Ｒ１６８３：２００７で規定される方法で算出できる。
今回は、板状ガラス素材の表面粗さについては、ミツトヨ社製粗さ測定機ＳＶ−３１００を用いて測定した結果を用い、研磨後のガラス基板の表面粗さについては上記走査型プローブ顕微鏡（原子間力顕微鏡）にて測定した結果を用いた。
【００３０】
次に、鉛直方向に落下しているゴブＧＧが第１の型１２０と第２の型１３０との間を通過しているときに、第１の型１２０と第２の型１３０とが互いに近づく略水平方向に、第１の型１２０と第２の型１３０とが動かされる。その後、図３（ｃ）に示されるように、第１の型１２０と第２の型１３０との間でゴブＧＧがプレスされる。
第１の型１２０と第２の型１３０とが互いに近づく方向に移動し、ゴブＧＧが第１プレス面１２２又は第２プレス面１３２に接触してから、スペーサ１２４が第２プレス面１３２に当接し、第１の型１２０と第２の型１３０とが完全に閉じられた状態となるまでの時間は、例えば、約０．０６秒である。
【００３１】
以上のようにして第１の型１２０と第２の型１３０とがゴブＧＧをプレスすると、ゴブＧＧは第１プレス面１２２と第２プレス面１３２との間を円盤状に広がりながら、急激に冷却されて非晶質のガラスとして固化する。第１の型１２０は突起状のスペーサ１２４を備えるため、第１の型１２０と第２の型１３０とでゴブＧＧをプレスすることにより、所定の厚さのガラスブランクＢが成形される。
本実施形態では、例えば、直径６５ｍｍ〜８０ｍｍ、厚さ約１ｍｍの円盤状のガラスブランクＢが成形される。
【００３２】
上述したように、０．１秒以内のように極めて短い時間の間に、第１の型１２０と第２の型１３０とが閉じられると、ゴブＧＧは、第１プレス面１２２及び第２プレス面１３２に略同時に接触する。そのため、第１プレス面１２２や第２プレス面１３２が局所的に加熱されるのを抑制することができる。
また、ゴブＧＧの熱が第１の型１２０や第２の型１３０へ移動する前に、ゴブＧＧから円盤状のガラスブランクＢが成形されるため、ガラスブランクＢの温度分布は略一様となる。その結果、ガラスブランクＢが冷却される際に、局所的な収縮率の分布に起因して生じるゆがみの発生を抑制することができる。
すなわち、ゴブに対してプレスを開始し、ガラスブランクＢとなるまでの間、第１主表面と第２主表面との間で略熱的に均衡であり、熱歪みを生じないため平坦性に優れるガラスブランクを成形することが可能である。この点は従来のプレス法では達成し得なかった点である。
【００３３】
ガラスブランクＢには、第１プレス面１２２、第２プレス面１３２の形状が転写される。そのため、ガラスブランクＢの第１主表面の表面粗さＲａが０．０１μｍ以上１０μｍ以下であり、第２主表面の表面粗さＲａが０．００５μｍ以下であるガラスブランクＢを成形することができる。
【００３４】
ガラスブランクＢの第１主表面の表面粗さＲａを０．０１μｍ以上とすることにより、後述する固定砥粒による研削を効率よく行うことができる。また、ガラスブランクＢの第１主表面の表面粗さＲａを１０μｍ以下とすることにより、後述する研削により生じたクラックを除去するために、研磨工程で必要となる取り代（研磨量）が大きくなるのを抑制することができる。また、ガラスブランクの第１主表面の表面粗さＲａを１０μｍ以下とすることにより、磁気ディスク用ガラス基板として求められるＲａに確実に調整することが可能となる。更に、ガラスブランクＢの第１主表面の表面粗さＲａを０．０１μｍ以上１μｍ以下とすることにより、後述するスクライブを効率よく行うことができる。
【００３５】
ここで、切断刃が溶融ガラスを切断する際、切断箇所において溶融ガラスは局所的に急冷される。そのため、切断箇所の粘度が上昇し、溶融ガラスがプレスされた後のガラスブランクに、切断箇所がシアマークとして形成されることが一般に知られている。本実施形態のガラスブランク成形工程においても、溶融ガラスＬＧがプレスされた後のガラスブランクＢに、切断箇所がシアマークとして形成される。
【００３６】
また、シアマークは第１の型１２０の側、又は、第２の型１３０の側のいずれかの同じ側に常に形成される。シアマークが同じ側に形成されることの詳しいメカニズムは解明されていない。第１プレス面１２２と第２プレス面１３２とによってゴブＧＧがプレスされる際、ゴブＧＧは第１プレス面１２２と第２プレス面１３２との両方に厳密に同時に接触するのではなく、第１プレス面１２２又は第２プレス面１３２のいずれかに対して、わずかに早く接触すると考えられる。そのため、ゴブＧＧが第１プレス面１２２又は第２プレス面１３２のうち早く接触した方、又は、遅く接触した方に、シアマークが形成されるものと考えられる。そのため、溶融ガラスＬＧの流出速度、切断刃１１０が溶融ガラスＬＧを切断するタイミング、第１の型１２０と第２の型１３０が動く速さやタイミングなどの条件が同一であれば、シアマークを常に同じ側に形成することができる。
【００３７】
本実施形態では、第２プレス面１３２でプレスされた第２主表面に常にシアマークが形成されるように、予め、溶融ガラスＬＧの流出速度、切断刃１１０が溶融ガラスＬＧを切断するタイミング、第１の型１２０と第２の型１３０が動く速さやタイミングなどの条件を調整しておく。そのため、ガラスブランクＢの第２主表面に、常にシアマークが形成される。
しかし、上述したように、本実施形態では、ガラスブランクＢの第２主表面はガラス基板の非記録面として用いられるため、研削や研磨によりシアマークを除去する必要がない。
【００３８】
以上説明したように、本実施形態のガラスブランク成形工程によれば、後述する研削工程や研磨工程において、ガラスブランクＢの第１主表面のみに研削や研磨を行うことにより、要求される表面品質のガラス基板の製造が可能なガラスブランクＢを成形することができる。
【００３９】
（スクライブ工程）
次に、スクライブ工程（ステップＳ１１０）について説明する。スクライブ工程では、スクライバを用いて、ガラスブランクＢの主表面に２つの同心円状の切断線を形成する。スクライバの刃は、例えば、超鋼合金やダイヤモンド粒子により形成される。
スクライブされたガラスブランクＢを部分的に加熱すると、ガラスブランクＢの熱膨張率の差異により、外側の同心円の部分の切断線において、ガラスブランクＢが分離する。このようにして、ガラスブランクＢは円環状に加工される。
【００４０】
ここで、一般に、表面粗さＲａが１μｍよりも大きい面をスクライブする場合、スクライバが表面凹凸に追従せず、切断線を一様に設けることが難しくなる。第１主表面側にスクライブを行う場合には、スクライバを用いて好適に切断線を形成するために、前述したガラスブランクＢの第１主表面の表面粗さＲａを１μｍ以下としておくことが好ましい。
【００４１】
（形状加工工程）
次に、形状加工工程（ステップＳ１２０）について説明する。形状加工工程は、コアリング工程と、チャンファリング工程と、を含む。
コアリング工程では、例えば、上記スクライブ工程を行わない場合に、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、円盤状に加工されたガラスブランクＢに孔を形成する。このようにして、ガラスブランクＢは円環状に加工される。
チャンファリング工程では、内周端面および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、円環状に加工されたガラスブランクＢに所定の面取り加工を施す。
【００４２】
（研削工程）
次に、研削工程（ステップＳ１３０）について説明する。円環状に加工されたガラスブランクＢに、固定砥粒による研削が施される。固定砥粒の粒子サイズは、例えば、１０μｍ程度である。研削工程による取り代（研削量）は、例えば、数μｍ〜１００μｍ程度である。
ここで、図４及び図５を参照して、表面加工装置２００の構成について説明する。図４（ａ）は、表面加工装置２００の全体構成を示す図であり、図４（ｂ）は、表面加工装置２００に用いられるキャリアを示す図である。図５は、図４（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００４３】
図４及び図５に示されるように、表面加工装置２００は、下定盤２０２と、上定盤２０４と、インターナルギヤ２０６と、キャリア２０８と、ダイヤモンドシート２１０と、板状体２１１と、太陽ギヤ２１２と、インターナルギヤ２１４と、容器２１６と、を備える。
表面加工装置２００は、上下方向から、下定盤２０２と上定盤２０４との間にインターナルギヤ２０６を挟む。インターナルギヤ２０６内には、研削時に複数のキャリア２０８が保持される。図４（ｂ）には、５つのキャリア２０８が示されている。下定盤２０２には、ダイヤモンドシート２１０が平面的に接着されている。上定盤２０４には、板状体２１１が平面的に接着されている。
【００４４】
板状体２１１の材質は、例えば、エポキシガラスやＳＵＳ（ステンレススチール）が用いられる。板状体２１１の材質は、ガラスブランクＢの非記録面が研磨されるのを防ぐことができるものであれば、特に限定されるものではない。また、板状体２１１の厚さや形状も特に限定されるものではない。
【００４５】
図５に示されるように、下定盤２０２上のダイヤモンドシート２１０にガラスブランクＢの第１主表面が当接し、上定盤２０４上の板状体２１１にガラスブランクＢの第２主表面が当接するように、キャリア２０８が配置される。このような状態で研削を行うことにより、円環状に加工されたガラスブランクＢの第１主表面のみを研削することができる。なお、ガラスブランクＢの第２主表面は、実質的には研削されない。
【００４６】
図４（ｂ）に示されるように、各キャリア２０８に設けられた円形状の孔に、円環状のガラスブランクＢが保持される。一方、ガラスブランクＢは、下定盤２０２の上で、外周にギヤ２０９を有するキャリア２０８に保持される。キャリア２０８は、下定盤２０２に設けられた太陽ギヤ２１２、インターナルギヤ２１４と噛合する。太陽ギヤ２１２を図４（ｂ）に示される矢印方向に回転することにより、各キャリア２０８はそれぞれの矢印方向に遊星歯車として自転しながら公転する。これにより、ガラスブランクＢは、ダイヤモンドシート２１０を用いて研削が行われる。
【００４７】
図４（ａ）に示されるように、容器２１６にはクーラント２１８が収容されている。容器２１６に収容されているクーラント２１８は、ポンプ２２０によって上定盤２０４内に供給され、下定盤２０２から回収される。回収されたクーラント２１８は、容器２１６に戻される。クーラント２１８は、研削中に生じた切子を研削面から除去する。具体的には、表面加工装置２００は、クーラント２１８を循環させる際に、下定盤２０２内に設けられたフィルタ２２２でクーラント２１８を濾過し、フィルタ２２２に切子を滞留させる。
【００４８】
ガラスブランクＢの第１主表面の表面粗さＲａが０．０１μｍ未満の場合、ダイヤモンドシート２１０などの固定砥粒を用いた研削を行うのは困難である。上述したように、本実施形態のガラスブランクＢは、第１主表面の表面粗さＲａが０．０１μｍ以上であるため、ダイヤモンドシートなどの固定砥粒を用いた研削を施すことができる。
また、本発明においては、平坦度に優れるガラスブランク、具体的には磁気ディスクに求められる平坦度（例えば、４μｍ以下）を有するガラスブランクを用いることにより、従来のように、固定砥粒を用いた研削工程の前に、平坦度を調整するための研削工程（アルミナ等の遊離砥粒を用いて定盤により研削を行う）を行う必要がない。
【００４９】
（端面研磨工程）
次に、端面研磨工程（ステップＳ１４０）について説明する。端面研磨工程では、ガラスブランクＢの内周側端面及び外周側端面について、ブラシ研磨法により、鏡面研磨を行う。このとき、研磨砥粒としては、例えば、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いることができる。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面における汚染、ダメージ、傷の除去を行うことで、ナトリウムやカリウムのようなコロージョンの原因となるイオン析出の発生を抑制することができる。
【００５０】
（第１研磨工程）
次に、第１研磨工程（ステップＳ１５０）について説明する。第１研磨工程では、ガラスブランクＢの第１主表面に研磨が施される。第１研磨工程における取り代（研磨量）は、例えば、数μｍ〜１０μｍ程度である。なお、ガラスブランクＢの第２主表面は、実質的には研磨されない。
第１研磨工程では、固定砥粒による研削により記録面に残留したキズ、歪みを除去する。第１研磨工程では、上述した研削工程（ステップＳ１３０）において用いた表面加工装置２００を用いる。
【００５１】
第１研磨工程では、スラリーに混濁した遊離砥粒を用いる点、クーラントを用いない点、ダイヤモンドシート２１０の代わりに樹脂ポリッシャを用いる点が研削工程と異なる。それ以外は、研削工程で説明したのと同様である。
第１研磨工程で用いる遊離砥粒は、例えば、スラリーに混濁させた酸化セリウム等の微粒子が用いられる。微粒子のサイズは、直径が１μｍ〜２μｍ程度である。
【００５２】
（化学強化工程）
次に、化学強化工程（ステップＳ１６０）について説明する。
化学強化工程では、化学強化液が、例えば、３００℃〜４００℃に加熱される。また、洗浄したガラスブランクＢが、例えば、２００℃〜３００℃に加熱された後、ガラスブランクＢを化学強化液に、例えば、３時間〜４時間、浸漬する。この際、ガラスブランクＢの両主表面全体が化学強化されるように、複数のガラスブランクＢが端面で保持されるように、ホルダに収納した状態でガラスブランクＢを化学強化液に浸漬することが好ましい。化学強化液として、例えば、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）の混合液を用いられる。
【００５３】
このように、ガラスブランクＢを化学強化液に浸漬することによって、ガラスブランクＢの表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換される。これにより、ガラスブランクＢが化学強化される。
【００５４】
（第２研磨工程）
次に、第２研磨工程（ステップＳ１７０）について説明する。
第２研磨工程では、化学強化されて十分に洗浄されたガラスブランクＢの第１主表面に研磨が施される。第２研磨工程における取り代（研磨量）は、例えば、１μｍ程度である。
第２研磨工程では、ガラスブランクＢの第１主表面を鏡面研磨する。第２研磨工程では、上述した固定砥粒による研削工程（ステップＳ１３０）、第１研磨工程（ステップＳ１５０）において用いた表面加工装置を用いる。なお、ガラスブランクＢの第２主表面は、実質的には研磨されない。
【００５５】
第２研磨工程では、遊離砥粒の種類や粒子サイズが第１研磨工程と異なる。また、第１研磨工程で用いた樹脂ポリッシャの硬度が異なる。それ以外は、第１研磨工程で説明したのと同様である。
第２研磨工程で用いられる遊離砥粒は、例えば、スラリーに混濁させたコロイダルシリカ等の微粒子が用いられる。微粒子のサイズは、直径が０．１μｍ程度である。
【００５６】
第２研磨工程で研磨されたガラスブランクＢは、例えば、中性洗剤、純粋、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）により洗浄される。
第２研磨工程により、記録面の表面粗さＲａが０．２ｎｍ以下である磁気ディスク用ガラス基板が得られる。この磁気ディスク用ガラス基板の記録面に磁性層が積層されることにより、磁気ディスクが形成される。
【００５７】
本実施形態のガラスブランク成形工程によれば、表面粗さＲａが０．０１μｍ以上１０μｍ以下である第１主表面と、シアマークを備える第２主表面と、を備えるガラスブランクを成形することができる。
また、本実施形態によれば、ガラスブランク成形工程において、第１プレス面１２２がガラスブランクＢの第１主表面に略転写され、第２プレス面１３２がガラスブランクＢの第２主表面に略転写される。そのため、第１プレス面１２２と第２プレス面１３２の表面粗さＲａを異ならせることにより、第１主表面の表面粗さＲａと第２主表面の表面粗さＲａとが異なるガラスブランクを成形することができる。その結果、表面粗さＲａが０．０１μｍ以上１０μｍ以下である第１主表面と、表面粗さＲａが０．００５μｍ以下である第２主表面と、を備えるガラスブランクを成形することができる。
【００５８】
第１主表面の表面粗さＲａを０．０１μｍ以上とするのは、固定砥粒による研削を効率よく行うためである。また、第１主表面の表面粗さＲａを１０μｍ以下とするのは、研磨工程で必要となる取り代（研磨量）が大きくなるのを抑制するとともに、従来の平坦度を調整するための研削工程を行うことなく確実に磁気ディスク用ガラス基板として必要な表面粗さに調整するためである。また、第２主表面の表面粗さＲａを０．００５μｍ以下とするのは、第２主表面からの異物等が第１主表面に周りこみ、サーマルアスペリティやヘッドクラッシュ等の問題が生じるのを抑制するためである。
なお、固定砥粒による研削は、遊離砥粒を用いた研削と異なり、ガラスブランクＢの第１主表面の凹凸のうち凸部が選択的に研削されるため、効率的に研削を施すことができる。
【００５９】
このように、表面加工工程を施す前のガラスブランクＢの第１主表面の表面粗さＲａを第２主表面の表面粗さＲａに比べて大きな値に調整するのは、第１主表面に対して固定砥粒による研削を効率よく施すためである。この際、第１主表面の表面粗さＲａの上限を１０μｍとするため、研削及び研磨による取り代（研削量、研磨量）を抑制することができる。また、表面加工工程を施すことにより、ガラス基板の記録面の表面粗さＲａを記録面としての必要な粗さ（例えば、０．２ｎｍ以下）とすることができる。
【００６０】
なお、本実施形態では、ガラスブランクの第２主表面にシアマークが形成されている。しかし、ガラスブランクの第２主表面は磁気ディスク用ガラス基板の非記録面として用いられるため、ガラスブランクの第２主表面の表面粗さＲａなどの条件が、ガラス基板の非記録面に要求される表面品質を満たしていれば、研削や研磨を第２主表面に施さなくても、磁気ディスク用ガラス基板の非記録面に要求される表面品質を満足することができる。
その結果、以上説明した本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、片面のみに磁性層を備える磁気ディスク用ガラス基板を効率よく加工することができる。
【００６１】
なお、上述したガラスブランク成形工程は一例であり、表面粗さＲａが０．０１μｍ以上１０μｍ以下である第１主表面と、シアマークを備える第２主表面と、を備えるガラスブランクを成形することができれば、その成形方法は上述した方法に限られるものではない。
また、図２を参照して説明した磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は一例であり、各工程の順序はこれに限定されるものではない。ガラスブランク成形工程（ステップＳ１００）、研削工程（ステップＳ１３０）、第１研磨工程（ステップＳ１５０）、第２研磨工程（ステップＳ１７０）がこの順番で行われる限り、スクライブ工程（ステップＳ１１０）、形状加工工程（ステップＳ１２０）、端面研磨工程（ステップＳ１４０）、及び化学強化工程（ステップＳ１６０）の各工程の順序は、適宜、変更することができる。
【００６２】
（変形例１）
第１の実施形態のガラスブランク成形工程においては、切断刃１１０を用いて、ガラス流出口１００から流出する溶融ガラスＬＧを切断することによって、略球状のゴブＧＧを形成した。しかし、溶融ガラスＬＧの粘度が小さい場合、溶融ガラスＬＧを切断するのみでは、切断されたガラス材料が略球状とならない。そのため、このような場合、ガラスブランク成形工程において、ゴブを形成するためのゴブ成形型を併用することが好ましい。以下、図６を参照して、本変形例のガラスブランク成形工程について説明する。
【００６３】
図６は、本変形例のガラスブランク成形工程を示す図である。図６（ａ）は、ゴブが形成される前の状態を示す図である。図６（ｂ）は、ゴブが形成された状態を示す図である。図６（ｃ）は、ゴブがプレスされた状態を示す図である。
図６に示されるように、ゴブ成形型１１２は、切断刃１１０の下方に配置される。ゴブ成形型１１２は、その上部に半球状の凹部１１２ａが形成されたブロック状の部材であり、凹部１１２ａを中心に、左右のブロック１１３，１１４に二分割される。
【００６４】
図６（ａ）の状態では、切断刃１１０は互いに離れている。また、ゴブ成形型１１２のブロック１１３，１１４は互いに密着して、凹部１１２ａが形成されている。この状態では、ガラス流出口１００から連続的に流出される溶融ガラスＬＧは、ゴブ成形型１１２の凹部１１２ａに受け止められる。
次に、図６（ｂ）に示されるように、ガラス流出口１００の下方に設けられた切断刃１１０が、ガラス流出口１００から連続的に流出される溶融ガラスＬＧを切断する。更に、ブロック１１３，１１４を互いに離間させるように移動させる。これにより、ゴブ成形型１１２の凹部１１２ａに保持されている溶融ガラスＬＧが落下し、溶融ガラスＬＧの表面張力によって略球状のゴブＧＧとなる。このように、溶融したガラスの塊（ゴブ）ＧＧが形成される。
【００６５】
溶融ガラスＬＧが切断刃１１０によって切断されることにより形成された略球状のゴブＧＧは、鉛直方向に落下する。次に、鉛直方向に落下しているゴブＧＧが第１の型１２０と第２の型１３０との間を通過しているときに、第１の型１２０と第２の型１３０とが互いに近づく方向に、第１の型１２０と第２の型１３０とが動かされる。その後、図６（ｃ）に示されるように、第１の型１２０と第２の型１３０との間でゴブＧＧがプレスされる。第１の実施形態と同様、第２の型１３０の第２プレス面１３２の表面粗さＲａは、第１の型１２０の第１プレス面１２２の表面粗さＲａよりも小さい。また、本変形例においても、第２プレス面１３２でプレスされた第２主表面に常にシアマークが形成されるように、予め、溶融ガラスＬＧの流出速度、切断刃１１０が溶融ガラスＬＧを切断するタイミング、第１の型１２０と第２の型１３０が動く速さやタイミングなどの条件を調整しておく。そのため、ガラスブランクＢの第２主表面に、常にシアマークが形成される。
この工程は、図３（ｃ）を参照して説明した第１の実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００６６】
以上説明したように、本変形例では、上部に半球状の凹部１１２ａが形成されたゴブ成形型１１２を用いるため、溶融ガラスＬＧの粘度が小さい場合であっても、略球状のゴブＧＧを形成することができる。これにより、表面粗さＲａが０．０１μｍ以上１０μｍ以下である第１主表面と、シアマークを備える第２主表面と、を備えるガラスブランクを成形することができる。
【００６７】
（変形例２）
第１の実施形態では、下定盤２０２上のダイヤモンドシート２１０にガラスブランクＢの第１主表面が当接し、上定盤２０４上の板状体２１１にガラスブランクＢの第２主表面が当接するように、キャリア２０８が配置されるが、ダイヤモンドシート２１０、板状体２１１、キャリア２０８の配置はこれに限定されるものではない。
以下、図７を参照して、本変形例の研削工程を説明する。なお、以下の説明では研削工程について説明するが、研磨工程においても同様に本変形例を適用することができる。
【００６８】
図７は、本変形例の研削工程の一例を示す図である。図７に示されるように、下定盤２０２には板状体２１１が平面的に接着されている。上定盤２０４には、ダイヤモンドシート２１０が平面的に接着されている。その他の構成は、第１の実施形態と同様である。
図７に示されるように、下定盤２０２上の板状体２１１にガラスブランクＢの第２主表面が当接し、上定盤２０４上のダイヤモンドシート２１０にガラスブランクＢの第１主表面が当接するように、キャリア２０８が配置される。このような状態で研削を行うことにより、円環状に加工されたガラスブランクＢの第１主表面のみを研削することができる。
本変形例によれば、ガラスブランクＢの第１主表面のみを研削することができる。ガラス基板の片面のみを磁気記録層として用いる場合など、研削する必要がない第２主表面を保護して研削することができる。特に、シアマークがガラスブランクＢの第２主表面に形成されている場合には、シアマークを除去する必要がないため、ガラスブランクＢを効率よく表面加工することができる。
【００６９】
（変形例３）
第１の実施形態や変形例２では、下定盤２０２と上定盤２０４との間には、定盤に垂直な方向において１つのキャリア２０８を用いてガラスブランクＢを研削する工程を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
以下、図８を参照して、本変形例の研削工程を説明する。なお、以下の説明では研削工程について説明するが、研磨工程においても同様に本変形例を適用することができる。
【００７０】
図８は、本変形例の研削工程の一例を示す図である。図８に示されるように、下定盤２０２にはダイヤモンドシート２１０が平面的に接着されている。上定盤２０４には、ダイヤモンドシート２１０が平面的に接着されている。
下定盤２０２上のダイヤモンドシート２１０にガラスブランクＢの第１主表面が当接するように、１つのキャリア２０８を配置する。また、上定盤２０４上のダイヤモンドシート２１０にガラスブランクＢの第１主表面が当接するように、他のキャリア２０８を配置する。そして、２つのキャリア２０８の間に板状体２１１を配置する。このような状態で研削を行うことにより、上側のキャリア２０８に保持されたガラスブランクＢは上面（第１主表面）のみが研削され、下側のキャリア２０８に保持されたガラスブランクＢは下面（第１主表面）のみが研削される。
【００７１】
本変形例によれば、ガラスブランクＢの第１主表面のみを研削することができる。ガラス基板の片面のみを磁気記録層として用いる場合など、研削する必要がない第２主表面を保護して研削することができる。特に、本変形例によれば、２つのキャリア２０８を用い、２つのキャリア２０８の間に板状体２１１を配置することにより、生産効率を２倍にすることができる。
【００７２】
このようにして得られた磁気ディスク用ガラス基板の記録面に対して、付着層、軟磁性層、非磁性下地層、垂直磁気記録層、保護層および潤滑層が順次積層することにより、磁気ディスクを作製することができる。付着層には、例えばＣｒ合金等が用いられ、ガラス基板との接着層として機能する。軟磁性層には、例えばＣｏＴａＺｒ合金等が用いられる。非磁性下地層には、例えばグラニュラー非磁性層等が用いられる。垂直磁気記録層には、例えばグラニュラー磁性層等が用いられる。また、保護層には、水素カーボンからなる材料が用いられ、潤滑層には、例えばフッ素系樹脂等が用いられる。
【００７３】
より具体的な例で説明すると、ガラス基板に対して、インライン型スパッタリング装置を用いて、ガラス基板の両主表面に、ＣｒＴｉの付着層、ＣｏＴａＺｒ／Ｒｕ／ＣｏＴａＺｒの軟磁性層、ＣｏＣｒＳｉＯ2の非磁性グラニュラー下地層、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2・ＴｉＯ2のグラニュラー磁性層、水素化カーボン保護膜が順次成膜される。さらに、成膜された最上層にディップ法によりパーフルオロポリエーテル潤滑層が成膜される。
【００７４】
磁気ディスクは、ハードディスク装置の磁気ヘッドが、磁気ディスクの高速回転、例えば７２００ｒｐｍの回転に伴って磁気ディスクの表面から約５ｎｍ浮上する。この状態で、磁気ヘッドは、磁性層に情報を記録し、あるいは読み出しを行う。この磁気ヘッドの浮上によって、磁気ディスクに対して摺動することなく、しかも近距離で磁性層に対して記録あるいは読み出しを行うので、磁気記録情報エリアの微細化と磁気記録の高密度化を実現する。
【実施例】
【００７５】
本発明の効果を確認するために、第１主表面の表面粗さＲａが異なる複数のガラスブランクＢを成形し、その後、図２に示される各工程により、磁気ディスク用ガラス基板を作製した。各実施例、各比較例の第１主表面の表面粗さＲａ、第２主表面の表面粗さＲａ、平坦度は、表１に示される通りである。
ガラス材は、アルミノシリケートガラス（ＳｉＯ2を５７〜７４％、ＺｎＯ2を０〜２．８％、Ａｌ2Ｏ3を３〜１５％、ＬｉＯ2を７〜１６％、Ｎａ2Ｏを４〜１４％）を用いた。また、実施例１〜７、比較例２〜６においては、ガラスブランクＢの第２主表面にシアマークが形成されるが、比較例１においては、ガラスブランクＢの第１主表面にシアマークが形成される。
【表１】
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【００７６】
各実施例、各比較例のガラスブランクＢに対して、ステップＳ１１０で示したスクライブを施した。
表１に示されるように、実施例１〜５、比較例１，２のガラスブランクＢは、第１主表面の表面粗さＲａが１μｍ以下であるため、スクライブ工程（ステップＳ１１０）において、スクライバを用いて第１主表面側に、好適に切断線を形成することができた。これに対し、実施例６，７、比較例３〜６のガラスブランクＢは、第１主表面の表面粗さＲａが１μｍよりも大きいため、スクライブ工程（ステップＳ１１０）において、スクライバを用いて切断線を一様に形成することが困難であった。
ここで、実施例６，７、比較例３〜６のガラスブランクＢは、第１主表面の表面粗さＲａが１μｍよりも大きいが、第２主表面の表面粗さＲａは１μｍ以下であるため、第２主表面側に切断線を形成することができた。
なお、ガラスブランクＢが真円であり、かつ、外径のサイズを調整する必要がない場合には、スクライブを行う必要はなく、コアドリル等を用いて内孔を形成すればよい。
【００７７】
また、各実施例、各比較例のガラスブランクＢに対して、ステップＳ１３０で示した固定砥粒による研削を施した。
表１に示されるように、実施例１〜７、比較例１，３〜６のガラスブランクＢは、第１主表面の表面粗さＲａが０．０１μｍ以上であるため、研削工程（ステップＳ１３０）において、固定砥粒による研削を施すことができた。これに対し、比較例２のガラスブランクＢは、第１主表面の表面粗さＲａが０．０１μｍよりも小さいため、研削工程（ステップＳ１３０）において、固定砥粒による研削を施すことができなかった。
【００７８】
また、各実施例、各比較例（比較例２を除く）のガラスブランクＢに対して、更に、第１研磨工程（ステップＳ１５０）、第２研磨工程（ステップＳ１７０）を施した。
第１研磨工程（ステップＳ１５０）では、酸化セリウム（平均粒子サイズ；直径１〜２μｍ）、硬質ウレタンパッドを使用して研磨した。また、取り代（研磨量）は３μｍとした。
第２研磨工程（ステップＳ１７０）では、コロイダルシリカ（平均粒子サイズ；直径０．１μｍ）、軟質ポリウレタンパッドを使用して研磨した。また、取り代（研磨量）は１μｍとした。
【００７９】
作製されたガラス基板の記録面に、インライン型スパッタリング装置を用いて、ＣｒＴｉの付着層、ＣｏＴａＺｒ／Ｒｕ／ＣｏＴａＺｒの軟磁性層、ＣｏＣｒＳｉＯ2の非磁性グラニュラー下地層、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2・ＴｉＯ2のグラニュラー磁性層、水素化カーボン保護膜を順次成膜した。この後、成膜された最上層にディップ法によりパーフルオロポリエーテル潤滑層を成膜した。これにより、磁気ディスクを得た。
【００８０】
得られた磁気ディスクに対する磁気ヘッドの浮上安定性を評価するため、ＬＵＬ耐久試験（６０万回）を行って評価した。ＬＵＬ耐久試験とは、ＨＤＤを温度７０℃、湿度８０％の恒温恒湿槽に入れた状態で、ヘッドを、ランプ→ＩＤストップ→ランプ→ＩＤストップ→・・・というサイクルで動かし、エラーの発生状況や試験後のヘッドの汚れや摩耗等の異常発生を調査する試験のことである。１つの実験水準に対して１０台を用い、８万回／日×７．５日＝６０万回のＬＵＬ試験の結果、ＨＤＤ１台でも異常が見られる場合は不合格として評価した。
実施例１〜７、比較例１，３〜６における加工後の平坦度、加工後の表面粗さ、ＬＵＬ耐久試験結果（合格、不合格）を表１に示す。
【００８１】
表１に示されるように、実施例１〜７、比較例１，３のガラスブランクＢは、平坦度が４μｍ以下であるため、加工後のガラス基板の平坦度を４μｍ以下とすることができた。これに対し、比較例４〜６のガラスブランクＢは、平坦度が４μｍよりも大きいため、加工後のガラス基板の平坦度が４μｍよりも大きくなった。
【００８２】
また、表１に示されるように、実施例１〜７、比較例１，４〜６のガラスブランクＢは、第１主表面の表面粗さＲａが１０μｍ以下であるため、研削工程（ステップＳ１３０）において生じるクラックを除去するために、第１研磨工程（ステップＳ１５０）、第２研磨工程（ステップＳ１７０）において必要となる取り代（研磨量）が大きくなるのを抑制することができる。そのため、第１研磨工程（ステップＳ１５０）、第２研磨工程（ステップＳ１７０）を施すことにより、加工後の表面粗さＲａが０．２ｎｍ以下の磁気ディスク用ガラス基板を製造することができる。このようにして、磁気ディスク用ガラス基板として求められるＲａに調整することが可能となる。
これに対し、比較例３のガラスブランクＢは、第１主表面の表面粗さＲａが１０μｍよりも大きいため、研削工程（ステップＳ１３０）において生じるクラックを除去するために、第１研磨工程（ステップＳ１５０）、第２研磨工程（ステップＳ１７０）において必要となる取り代（研磨量）が、実施例１〜７、比較例１，４〜６に比べて大きくなる。そのため、第１研磨工程（ステップＳ１５０）、第２研磨工程（ステップＳ１７０）を施すことにより、加工後の表面粗さＲａが０．２ｎｍ以下の磁気ディスク用ガラス基板を製造することができなかった。
【００８３】
また、実施例１〜７のガラスブランクＢは、第２主表面の表面粗さＲａが０．００５μｍ以下であるため、ＬＵＬ耐久試験の結果は合格であった。しかし、比較例１のガラスブランクＢは、第１主表面にシアマークが形成されたため、ＬＵＬ耐久試験の結果は不合格であった。
【００８４】
なお、本発明は上記実施形態や変形例、実施例の形態に限定されず、適宜変更して実施することができる。上記実施形態や変形例における数値、材質、サイズ、処理手順などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において、適宜変更して実施することができる。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて、適宜変更して実施することができる。
【符号の説明】
【００８５】
１００  ガラス流出口
１１０  切断刃
１１２  ゴブ成形型
１１３，１１４  ブロック
１２０  第１の型
１２２  第１プレス面
１２４  スペーサ
１３０  第２の型
１３２  第２プレス面
２００  表面加工装置
２０２  下定盤
２０４  上定盤
２０６  インターナルギヤ
２０８  キャリア
２０９  ギヤ
２１０  ダイヤモンドシート
２１１  板状体
２１２  太陽ギヤ
２１４  インターナルギヤ
２１６  容器
２１８  クーラント
２２０  ポンプ
２２２  フィルタ
Ｂ  ガラスブランク
ＬＧ  溶融ガラス
ＧＧ  ゴブ
【図１】
2011138590.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2011138590.tif 000009
【図７】
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【図８】
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