(57)【要約】【課題】有機薄膜トランジスタのプロセスダメージによる劣化を防止し、かつ基板側からの水分や酸素の浸入による有機電界発光素子の劣化を防止することで、表示特性の向上が図られた表示装置を提供する。【解決手段】基板１１上に設けられた有機薄膜トランジスタＴｒと、有機薄膜トランジスタＴｒを覆う状態で基板１１上に設けられた保護層２１と、基板１１上に設けられた有機電界発光素子ＥＬとを備えている。さらに保護層２１の上で、かつ有機電界発光素子ＥＬを構成する有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂの下層において基板１１上の全面を覆うバリア層２７，３１が設けられている。【選択図】図１
2011090827.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた有機薄膜トランジスタと、
前記有機薄膜トランジスタを覆う状態で前記基板上に設けられた保護層と、
前記基板上に設けられた有機電界発光素子と、
前記保護層よりも上層で前記有機電界発光素子を構成する有機発光機能層よりも下層において前記基板上の全面を覆うバリア層とを備えた
表示装置。
【請求項２】
前記有機電界発光素子で発生した光が前記基板と反対側から取り出される
請求項1記載の表示装置。
【請求項３】
前記バリア層は、前記有機電界発光素子を構成する画素電極と、当該画素電極の周縁を覆うウインドウ絶縁膜とからなる
請求項1記載の表示装置。
【請求項４】
前記基板および前記画素電極は光透過性材料からなり、
前記有機電界発光素子で発生した光が前記基板側から取り出される
請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記バリア層は、前記保護層と前記有機電界発光素子との間に設けられた絶縁性材料膜からなる
請求項1記載の表示装置。
【請求項６】
前記バリア層は、前記有機薄膜トランジスタを覆う平坦化絶縁膜からなる
請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記バリア層は、水分および酸素の浸入を防止するための層であり、
前記保護層は、前記有機薄膜トランジスタを保護するための層である
請求項１〜６の何れかに記載の表示装置。
【請求項８】
前記有機電界発光素子の画素電極は、前記有機薄膜トランジスタに接続されている
請求項１〜７の何れかに記載の表示装置。
【請求項９】
基板上に有機薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記有機薄膜トランジスタを覆う状態で前記基板上に保護層を形成する工程と、
前記保護層が形成された前記基板上をバリア層で覆う工程と、
前記バリア層で覆われた前記基板上に有機電界発光素子を形成する工程とを行う
表示装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上に設けられた有機薄膜トランジスタと、
前記有機薄膜トランジスタを覆う状態で前記基板上に設けられた保護層と、
前記基板上に設けられた有機電界発光素子と、
前記保護層よりも上層で前記有機電界発光素子を構成する有機発光機能層よりも下層において前記基板上の全面を覆うバリア層とを備えた表示パネルを有する
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置、表示装置の製造方法、および電子機器に関し、特には有機薄膜トランジスタによって駆動される有機電界発光素子を備えた表示装置とその製造方法、およびこの表示装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子を用いた表示装置は、酸素や水分による有機発光機能層の劣化が表示特性に大きな影響を及ぼす。特にプラスチック基板上に、有機電界発光素子と共に有機薄膜トランジスタとを配列して構成されるフレキシブルディスプレイにおいては、プラスチック基板が酸素や水分に対する透過性を有する。このため、プラスチック基板からの水分や酸素の浸入を抑制することが、良好な表示特性を維持するための必須の技術となっている。
【０００３】
そこで、プラスチック基板上に、酸化シリコン（ＳｉＯ2）バリア層を設け、この上部に有機薄膜トランジスタを設けて保護層で覆い、この保護層上に有機電界発光素子を設ける構成が提案されている。このような構成により、プラスチック基板からの水分や酸素の浸入は、ＳｉＯ2バリア層によって阻止される。また、有機薄膜トランジスタを覆う保護層を設けたことにより、有機電界発光素子の製造プロセスの影響によって有機薄膜トランジスタがダメージを受けることが防止される（下記非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】「第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集 No.3」、２００８年、ｐ．１１９６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら上述した構成の表示装置においては、水分や酸素の浸入を防止するためのバリア層上に有機薄膜トランジスタを設けた構成である。このため、有機薄膜トランジスタの製造プロセスの影響によってバリア層にダメージが加わり、水分や酸素の浸入を防止するバリア性能が劣化する。
【０００６】
そこで本発明は、有機薄膜トランジスタのプロセスダメージによる劣化を防止し、かつ基板側からの水分や酸素の浸入による有機電界発光素子の劣化を防止することで、表示特性の向上が図られた表示装置とその製造方法、および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的を達成するための本発明の表示装置は、基板上に設けられた有機薄膜トランジスタと、この有機薄膜トランジスタを覆う状態で基板上に設けられた保護層と、この基板上に設けられた有機電界発光素子とを備えている。そして、保護層よりも上層で、有機電界発光素子を構成する有機発光機能層よりも下層に、基板上の全面を覆うバリア層を備えたことを特徴としている。
【０００８】
このような構成の表示装置では、有機薄膜トランジスタを覆う保護層上にバリア層が設けられているため、バリア層及びこれよりも上層の製造プロセスが有機薄膜トランジスタに影響を及ぼすことを防止できる。さらに、有機薄膜トランジスタの製造プロセスがバリア層に対して影響を及ぼすことはないため、バリア層においてのバリア性が確保される。これにより、基板側から侵入した水分や酸素がバリア層を透過することが阻止され、バリア層上に設けられた有機電界発光素子の有機発光機能層に達することが防止される。
【０００９】
また本発明はこのような表示装置の製造方法である。さらに本発明は、このような表示装置を表示部に設けた電子機器でもある。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように本発明によれば、有機薄膜トランジスタのプロセスダメージによる劣化を防止でき、かつ有機電界発光素子における有機発光機能層の水分及び酸素による劣化を防止できる。この結果、有機薄膜トランジスタと有機電界発光素子とを備えた表示装置においての表示駆動特性および寿命特性の向上を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態の表示装置の構成を示す断面図である。
【図２】第１実施形態の表示装置の製造工程図（その１）である。
【図３】第１実施形態の表示装置の製造工程図（その２）である。
【図４】本発明の表示装置の回路構成の一例を示す図である。
【図５】第２実施形態の表示装置の構成を示す断面図である。
【図６】第３実施形態の表示装置の構成を示す断面図である。
【図６−１】第３実施形態の変形例を示す断面図である。
【図７】第４実施形態の表示装置の構成を示す断面図である。
【図８】第５実施形態の表示装置の構成を示す断面図である。
【図９】第６実施形態の表示装置の構成を示す断面図である。
【図１０】第６実施形態の表示装置の製造工程図である。
【図１１】本発明の表示装置を用いたテレビを示す斜視図である。
【図１２】本発明の表示装置を用いたデジタルカメラを示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１３】本発明の表示装置を用いたノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１４】本発明の表示装置を用いたビデオカメラを示す斜視図である。
【図１５】本発明の表示装置を用いた携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す斜視図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下本発明の実施の形態を図面に基づいて、次に示す順に実施の形態を説明する。
１．第１実施形態（ウインドウ絶縁膜と画素電極をバリア層とした表示装置例−１）
２．第２実施形態（ウインドウ絶縁膜と画素電極をバリア層とした表示装置例−２）
３．第３実施形態（画素電極の下層にバリア層を設けた表示装置例）
４．第４実施形態（画素電極の下層の平坦化絶縁膜をバリア層として設けた表示装置例）
５．第５実施形態（平坦化絶縁膜の下層にバリア層を設けた表示装置例）
６．第６実施形態（基板透過型の表示装置に適する表示装置例）
７．第７実施形態（表示装置を用いた電子機器の構成例）
尚、各実施形態においては同一の構成要素に同一の符号を付し、重複する説明の一部を省略した。
【００１３】
≪第１実施形態≫
［表示装置の層構成］
図１は、第１実施形態の表示装置１ａの３画素分の構成図である。この図に示すように、本第１実施形態の表示装置１ａは、基板１１上の各画素ａに、有機薄膜トランジスタＴｒを用いた画素回路と、これに接続された有機電界発光素子ＥＬとが配列されたアクティブマトリックス型の表示装置１ａである。各有機電界発光素子ＥＬは、画素電極２７上に、有機発光機能層３３ｒ，３３ｂ，３３ｂと共通電極３５とを積層させてなり、画素電極２７が有機薄膜トランジスタＴｒに接続された構成となっている。
【００１４】
特に本第１実施形態の表示装置１ａの特徴の１つは、画素回路を構成する有機薄膜トランジスタｔｒを覆う状態で基板１１上の全面に保護層２１が設けられているところにある。この保護層２１は、いわゆるパッシベーション層であって有機薄膜トランジスタＴｒを上層の製造プロセスから保護するための膜であり、有機薄膜トランジスタＴｒに対してもダメージを与えることのない成膜方法によって成膜されたものである。
【００１５】
また特徴の２つめは、有機電界発光素子ＥＬを構成する画素電極２７と共に、有機電界発光素子ＥＬを素子分離するために画素電極２７の周縁を覆う状態で設けられたウインドウ絶縁膜３１とがバリア層として機能するところが特徴的である。ここでバリア層（２７，３１）とは、水分や酸素、さらには他の汚染源となる原子や分子の透過を防止するための層であり、緻密な膜質を有するものである。
【００１６】
［表示装置の製造方法］
以下、各第１実施形態の表示装置１ａの各構成要素の詳細を、図２、図３の断面工程図に基づいて製造工程順に説明する。
【００１７】
先ず、図２（1）に示すように、基板１１上の各画素ａに、ゲート電極１３、ゲート絶縁膜１５、ソース電極１７ｓ／ドレイン電極１７ｄ、および有機半導体層１９をこの順に形成してなる有機薄膜トランジスタＴｒを形成する。このトランジスタは図４におけるＴｒ２を示している。ここでは、一例としてボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタＴｒを例示するが、有機薄膜トランジスタＴｒの積層型が特に限定されることはない。これは以降に説明する他の実施形態でも同様である。
【００１８】
ここで基板１１は、少なくとも表面が絶縁性に保たれていれば良く、例えば、ＰＥＳ（ポリエーテルスルフォン）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）などからなるプラスチック基板が用いられる。またステンレス（ＳＵＳ）等の金属箔を樹脂でラミネートした基板、さらにはガラス基板等を用いても良い。フレキシブルな屈曲性を得るためには、プラスチック基板や金属箔を用いた基板が適用される。また酸素や水蒸気の透過率が低い膜が形成されたプラスチック基板も適用できる。ここでは、例えば有機薄膜トランジスタＴｒや有機電界発光素子の製造プロセスでの熱工程に耐え得る、優れた耐熱性を有するＰＥＳ基板を用いることとする。
【００１９】
ゲート電極１３の形成は、蒸着法やスパッタ法などの適宜選択された方法によって金属材料膜を成膜し、この上部にフォトリソグラフィー法によってレジストパターンを形成し、これをマスクにして金属材料膜をパターンエッチングすることによって行われる。金属材料としては、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等が用いられる。金（Ａｕ）を用いる場合であれば、下地層としてクロム（Ｃｒ）を積層させることにより、基板１１との密着性の向上を図ることができる。尚、ゲート電極１３の形成には、上述したほかにも、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェットなどの印刷技術を適用しても良い。
【００２０】
ゲート絶縁膜１５としては、ＰＶＰ（ポリビニルフェノール）、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などの有機絶縁膜が好適に用いられる。有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１５を成膜する場合であれば、スピンコート法、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット法のような、印刷法を含む塗布法を適用した成膜が行われる。
【００２１】
ここでは一例として、ＰＶＰ（ポリビニルフェノール）からなるゲート絶縁膜１５を、スピンコート法を適用して塗布することとする。この場合、架橋剤が添加されたＰＶＰ溶液を塗布成膜し、その後１８０℃で１時間のベークを行うことにより架橋されたＰＶＰからなるゲート絶縁膜１５が形成される。これにより、以降の工程でゲート絶縁膜１５上においてのリソグラフィー処理が可能になる。
【００２２】
尚、表示装置に屈曲性を求めない場合であれば、ゲート絶縁膜１５としては、有機絶縁性材料の他にも、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの無機絶縁膜を用いることができる。この場合、蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法を適用した成膜が行われる。
【００２３】
ソース電極１７ｓおよびドレイン電極１７ｄの形成は、ゲート電極１３の形成と同様に行われる。ここでは例えば金（Ａｕ）からなるソース電極１７ｓおよびドレイン電極１７ｄを形成することとする。
【００２４】
有機半導体層１９には、例えばｐ型半導体材料であるペンタセンを用いる。ペンタセンを用いた有機半導体層１９の成膜には蒸着法が適用される。成膜条件は一例として、加熱温度６０℃、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒、成膜膜厚５０ｎｍである。蒸着時にシャドウマスクを用いることで、所定のエリアのみにペンタセンを成膜して有機半導体層１９をパターン形成することができる。ここでソース電極１７ｓおよびドレイン電極１７ｄを構成する金（Ａｕ）は仕事関数が高く、高移動度を示すペンタセンなどのｐ型有機半導体材料に対して接触抵抗を低減することが出来る。
【００２５】
次に、図２（２）に示すように、基板１１上の全面に有機薄膜トランジスタＴｒを覆う状態で保護層２１を成膜する。この保護層２１は、いわゆるパッシベーション膜であり、有機薄膜トランジスタＴｒに対してダメージを与えることのない成膜方法によって成膜される。ここでは一例として、ポリパラキシリレンからなる保護層２１を蒸着重合によって成膜する。これにより有機薄膜トランジスタＴｒの特に有機半導体層１９に対してダメージを与えることなく、保護層２１を成膜する。尚、このような保護層２１の成膜方法としては、蒸着法の他に、ＣＶＤ法、スパッタ法などが適用される。またその他に適正な溶媒に溶解したフッ素樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂などの材料をスピンコート法などの塗布法により有機半導体層にダメージを与えることなく保護層２１を形成することができる。次にフォトリソを用いて接続孔２５を形成する。この時酸素プラズマを用いたアッシング処理により、保護層２１のエッチングを行うことができる。
【００２６】
次に図２（３）に示すように保護層２１上に平坦化絶縁膜２３を成膜する。ここでは、有機材料をスピンコート法によって成膜することにより、有機薄膜トランジスタＴｒによる凹凸形状を埋め込んで表面が平坦化された平坦化絶縁膜２３を得る。
【００２７】
次いで図２（４）に示すように、先に保護膜２１に形成した接続孔２５に連通させる状態で、平坦化絶縁膜２３にも保護膜２５を形成し、平坦化絶縁膜２３および保護膜２１に、有機薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極１７ｄに達する接続孔２５を形成する。ここでは、例えば平坦化絶縁膜２３が感光性レジスト材料からなる場合であれば、リソグラフィーによって平坦化絶縁膜２３に接続孔２５を形成する。尚、この接続孔２５は、平坦化絶縁膜２３と保護膜２５とに対して、連続する工程で形成しても良い。
【００２８】
その後、平坦化絶縁膜２３上に、接続孔２５を介して有機薄膜トランジスタＴｒに接続された画素電極２７をパターン形成する。この画素電極２７は、例えば陽極として形成され、さらにここで作製する表示装置が基板１１と反対側から発光光を取り出す上面発光型であれば反射電極として形成されることとする。また各画素電極２７は、上述したようにバリア層の一部を構成するものとして形成される。しがたって、金属材料のような水分や酸素などを透過しない材質で構成されることが好ましい。
【００２９】
このような画素電極２７としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはアルミニウムーネオジウム（ＡｌＮｄ）が用いられ、これらの材料膜を成膜した後にレジストパターンをマスクにして材料膜をパターンエッチングすることによって形成される。
【００３０】
次に、図３（１）に示すように、画素電極２７の周縁を覆う第１ウインドウ絶縁膜２９を形成する。この第１ウインドウ絶縁膜２９は、例えば感光性レジスト材料を用いたリソグラフィー法を適用して形成され、画素電極２７の中央を画素開口として広く露出させる形状に形成される。ここで用いる感光性レジスト材料は、焼成（ベーキング）温度が低温であるものが好ましく用いられる。
【００３１】
次に図３（２）に示すように、第１ウインドウ絶縁膜２９を、さらに第２ウインドウ絶縁膜３１で覆って２層構造とする。ここで設ける第２ウインドウ絶縁膜３１が、画素電極２７と共に上述したようにバリア層の一部を構成するものとして形成される。しがたって、水分や酸素などを透過しない緻密な材質で構成されることが好ましい。
【００３２】
このような第２ウインドウ絶縁膜３１は、窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）、さらにはポリパラキシリレンが用いられる。これらの材料からなる第２ウインドウ絶縁膜３１は、これらの材料を単層もしくは積層させた構成であることとする。特に、ポリパラキシリレンのような有機材料と、他の無機材料との積層構造とすることにより、酸素や水に対する高いバリア性を有するだけでなく柔軟性の高いバリア層を構成することができる。
【００３３】
ここでは一例としてプラズマＣＶＤ法を適用して成膜した窒化シリコン膜を用い、レジストパターンをマスクにして窒化シリコン膜をパターンエッチングすることによってバリア層となる第２ウインドウ絶縁膜３１を形成することとする。プラズマＣＶＤ法の適用により、カバレージ性良好に窒化シリコン膜を成膜することができ、画素開口のエッジ部では緩やかなテーパー角が維持される。また窒化シリコン膜のパターンエッチングには、テトラフルオロメタン（ＣＦ4）をプロセスガスに用いた反応性イオンエッチング（reactive ion etching）を適用することができる。ここでは第２ウインドウ絶縁膜３１によって第１ウインドウ絶縁膜２９が完全に覆われ、第２ウインドウ絶縁膜３１と画素電極２７とによって基板１１の上方が完全に覆われるように、当該第２ウインドウ絶縁膜３１のパターンを得ることが重要である。
【００３４】
次に、図３（３）に示すように、画素電極２７の露出面を完全に覆う形状で、各画素ａに各色の有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂを形成し、さらにこれらを覆う状態で各画素ａに共通の共通電極３５を形成する。各有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂは、少なくとも有機発光層を備えた積層構造からなり、少なくとも有機発光層が画素毎に異なる構成でパターン形成されており、各画素に共通の層を有していても良い。共通電極３５は、例えば陰極として形成され、さらにここで作製する表示装置が基板１１と反対側から発光光を取り出す上面発光型であれば光透過電極として形成されることとする。
【００３５】
以上により、画素電極２７と共通電極３５との間に有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂが挟持された各画素ａ部分に、有機電界発光素子ＥＬが形成される。尚、ここでの図示は省略したが、これらの有機電界発光素子ＥＬが形成された基板１１上には、さらに保護層を成膜することが好ましい。
【００３６】
以上の後には、図１に示したように、基板１１における有機電界発光素子ＥＬ側に封止基板４０を貼り合わせる。ここで封止基板４０の基板１１側の面にはバリア層４１が設けられていることとする。そしてこのような封止基板４０と基板１１とを、接着剤４３を介して貼り合わせる。この表示装置１ａが、有機電界発光素子ＥＬで発生させた光を封止基板４０側から取り出す上面発光型である場合、封止基板４０、バリア層４１、及び接着剤４３は光透過性を有する材料で構成する。
【００３７】
以上により、表示装置１ａが完成する。
【００３８】
以上説明した第１実施形態では、有機薄膜トランジスタＴｒを覆う保護層２１よりも上方に、水分や酸素などの浸入を防止するためのバリア層となる第２ウインドウ絶縁膜３１および画素電極２７が設けられている。
【００３９】
このため、これらのバリア層となる第２ウインドウ絶縁膜３１および画素電極２７、さらには有機電界発光素子ＥＬの製造プロセスが、有機薄膜トランジスタＴｒに影響を及ぼすことを防止できる。したがって、特性の良好な有機薄膜トランジスタＴｒによって、有機電界発光素子ＥＬの駆動を行うことが可能になる。
【００４０】
さらに、有機薄膜トランジスタＴｒの製造プロセスがバリア層となる第２ウインドウ絶縁膜３１および画素電極２７に対して影響を及ぼすことがない。特に、ゲート絶縁膜１５の形成においてベーキングを行う場合の加熱が、バリア層となる第２ウインドウ絶縁膜３１および画素電極２７に対して影響を及ぼすことがない。このため、バリア層においてのバリア性が確保される。これにより、基板１１側から侵入した水分や酸素が第２ウインドウ絶縁膜３１および画素電極２７からなるバリア層を透過することが阻止される。したがって、バリア層上に設けられた有機電界発光素子ＥＬの有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂに、水分や酸素が達することによる有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂの膜質劣化が防止され、有機電界発光素子ＥＬの寿命特性の向上が図られる。
【００４１】
［表示装置の回路構成］
図４には、表示装置１ａの回路構成図の一例を示す。尚ここで説明する回路構成は、あくまでも一例であり、以降に説明する他の実施形態の各表示装置にも同様に適用されるため、各実施形態での説明は省略する。
【００４２】
図４に示すように、表示装置１ａの基板１１上には、表示領域１１ａとその周辺領域１１ｂとが設定されている。表示領域１１ａには、複数の走査線５１と複数の信号線５３とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して１つの画素ａが設けられた画素アレイ部として構成されている。また周辺領域１１ｂには、走査線５１を走査駆動する走査線駆動回路５５と、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線５３に供給する信号線駆動回路５７とが配置されている。
【００４３】
走査線５１と信号線５３との各交差部に設けられる画素回路は、例えばスイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２、保持容量Ｃｓ、および有機電界発光素子ＥＬで構成されている。
【００４４】
この表示装置１ａは、走査線駆動回路５５による駆動により、スイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１を介して信号線５３から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持される。そして保持された信号量に応じた電流が駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２から有機電界発光素子ＥＬに供給され、この電流値に応じた輝度で有機電界発光素子ＥＬが発光する。尚、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２は、共通の電源供給線（Ｖｃｃ）５９に接続されている。また有機電界発光素子の陰極側は共通のカソード電源（Ｖｃａｔｈ）５９’に接続されている。
【００４５】
尚、以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域１１ｂには、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路が追加される。
【００４６】
また図１〜図３は、以上のような回路構成の表示装置１ａにおける３画素分の断面図として、薄膜トランジスタＴｒ２（Ｔｒ）と有機電界発光素子ＥＬとが積層された部分の断面図を示している。スイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１および容量素子Ｃｓも、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２（Ｔｒ）と同一層に形成されている。
【００４７】
また特に、レジスト材料からなる第１ウインドウ絶縁膜２９を、バリア層となる第２ウインドウ絶縁膜３１で覆った構成であるため、第１ウインドウ絶縁膜２９からの出ガスの影響による有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂの劣化を防止することも可能である。
【００４８】
≪第２実施形態≫
［表示装置の層構成］
図５は、第２実施形態の表示装置１ｂの３画素分の構成図である。この図に示す第２実施形態の表示装置１ｂが、第１実施形態の表示装置（１ａ）と異なるところは、ウインドウ絶縁膜２９’の全体がバリア層として構成されている点にあり、他の構成は同様である。
【００４９】
すなわち、表示装置１ｂにおいては、有機電界発光素子ＥＬを構成する画素電極２７と、ウインドウ絶縁膜２９’の全体とが、水分や酸素、さらには他の汚染源となる原子や分子の透過を防止するためのバリア層として機能するところが特徴的である。
【００５０】
［表示装置の製造方法］
以上のような表示装置１ｂの製造は、図２および図３を用いて説明した第１実施形態の表示装置１ａの製造工程において、ウインドウ絶縁膜２９’の製造工程を以下のように変更すれば良い。
【００５１】
すなわち、基板１１上の各画素ａに画素電極２７を形成した後、画素電極２７の周縁を覆うウインドウ絶縁膜２９’を形成する際には、画素電極２７と共にバリア層となるような水分や酸素などを透過しない緻密な材質からなるウインドウ絶縁膜２９’を形成する。
【００５２】
このようなウインドウ絶縁膜２９’は、窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）、さらにはポリパラキシリレンが用いられる。これらの材料からなるウインドウ絶縁膜２９’は、これらの材料を単層もしくは積層させた構成であることとする。特に、ポリパラキシリレンのような有機材料と、他の無機材料との積層構造とすることにより、酸素や水に対する高いバリア性を有するだけでなく柔軟性の高いバリア層を構成することができる。
【００５３】
ここでは一例としてプラズマＣＶＤ法を適用して成膜した窒化シリコン膜を用い、レジストパターンをマスクにして窒化シリコン膜をパターンエッチングすることによってバリア層となるウインドウ絶縁膜２９’を形成することとする。プラズマＣＶＤ法の適用により、カバレージ性良好に窒化シリコン膜を成膜することができる。また窒化シリコン膜のパターンエッチングには、テトラフルオロメタン（ＣＦ4）をプロセスガスに用いた反応性イオンエッチング（reactive ion etching）を適用することができる。この際、エッチング条件を制御することにより、画素開口のエッジが緩やかなテーパー角となるように窒化シリコン膜をパターンエッチングしたウインドウ絶縁膜２９’を形成することが出来る。尚ここでは、ウインドウ絶縁膜２９’と画素電極２７とで基板１１の上方が完全に覆われるように、当該ウインドウ絶縁膜２９’のパターンを得ることが重要である。
【００５４】
以上説明した第２実施形態では、有機薄膜トランジスタＴｒを覆う保護層２１よりも上方に、水分や酸素などの浸入を防止するためのバリア層となるウインドウ絶縁膜２９’および画素電極２７が設けられている。
【００５５】
このため第１実施形態と同様に、バリア層となるウインドウ絶縁膜２９’および画素電極２７、さらには有機電界発光素子ＥＬの製造プロセスが、有機薄膜トランジスタＴｒに影響を及ぼすことを防止できる。したがって、特性の良好な有機薄膜トランジスタＴｒによって、有機電界発光素子ＥＬの駆動を行うことが可能になる。
【００５６】
さらに、第１実施形態と同様に、有機薄膜トランジスタＴｒの製造プロセスがバリア層となるウインドウ絶縁膜２９’および画素電極２７に対して影響を及ぼすことはないため、バリア層においてのバリア性が確保される。したがって、バリア層上に設けられた有機電界発光素子ＥＬの有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂに、水分や酸素が達することによる有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂの膜質劣化が防止され、有機電界発光素子ＥＬの寿命特性の向上が図られる。
【００５７】
≪第３実施形態≫
［表示装置の層構成］
図６は、第３実施形態の表示装置１ｃの３画素分の構成図である。この図に示す第３実施形態の表示装置１ｃが、先の第１実施形態の表示装置（１ａ）および第２実施形態の表示装置（１ｂ）と異なるところは、平坦化絶縁膜２３と画素電極２７との間に、バリア層６１を設けたところにある。以下、第１実施形態及び第２実施形態と異なる構成部分を説明する。
【００５８】
すなわち、表示装置１ｃにおいては、平坦化絶縁膜２３と画素電極２７との間に、水分や酸素、さらには他の汚染源となる原子や分子の透過を防止するためのバリア層６１が設けられているところが特徴的である。このバリア層６１は、基板１１上の全面に設けられた絶縁膜として設けられている。
【００５９】
これにより、ウインドウ絶縁膜２９には特にバリア性が要求されることはない。また、画素電極２７の下層に設けられたバリア層６１には、平坦化絶縁膜２３および保護層２１に設けられた接続孔２５が連通して設けられ、この接続孔２５を介して画素電極２７が有機薄膜トランジスタＴｒに接続された構成となっている。
【００６０】
［表示装置の製造方法］
以上のような表示装置１ｃの製造は、図２および図３を用いて説明した第１実施形態の表示装置１ａの製造工程において、平坦化絶縁膜２３に接続孔２５を形成した後で、画素電極２７を形成する前に、バリア層６１の形成を行う。
【００６１】
このバリア層６１は、窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）、さらにはポリパラキシリレンが用いられる。これらの材料からなるバリア層６１は、これらの材料を単層もしくは積層させた構成であることとする。特に、ポリパラキシリレンのような有機材料と、他の無機材料との積層構造とすることにより、酸素や水に対する高いバリア性を有するだけでなく柔軟性の高いバリア層を構成することができる。
【００６２】
ここでは一例としてプラズマＣＶＤ法を適用して成膜した窒化シリコンからなるバリア層６１を形成する。プラズマＣＶＤ法の適用により、カバレージ性良好に窒化シリコン膜を成膜することができるため、平坦化絶縁膜２３表面の平坦性を維持することができる。
【００６３】
次に、リソグラフィー法を適用して形成したレジストパターンをマスクに用いてバリア層６１をエッチングし、平坦化絶縁膜２３および保護膜２１に形成されている接続孔２５内のバリア層６１を除去し、バリア層６１部分にも接続孔２５を延設する。ここでは、窒化シリコンからなるバリア層６１を、テトラフルオロメタン（ＣＦ4）をプロセスガスに用いて反応性イオンエッチング（reactive ion etching）する。尚、ここでは、図６-1に示すように、平坦化絶縁膜２３および保護膜２１に形成されている接続孔２５の側壁にバリア層６１を残しても良い。この場合、バリア層６１を成膜する際には、接続孔２５内がバリア層６１で埋め込まれることのないように、接続孔２５の内壁に沿ってバリア層６１を形成することが重要である。その後はレジストパターンをマスクに用いて接続孔２５の底部のバリア層６１のみエッチング除去することで、平坦化絶縁膜２３上の全面と共に接続孔２５の側壁にもバリア層６１を残す。このような構成とすることにより、接続孔２５の側壁部分のバリア性能を高めることができる。
【００６４】
その後は、第１実施形態において説明したと同様に画素電極２７の形成以降の工程を行えば良い。この際ウインドウ絶縁膜２９は、バリア性を有する必要はなく、焼成（ベーキング）温度が低温である感光性レジスト材料を用いて形成することが好ましが、第１実施形態と同様の構成または第２実施形態と同様の構成で形成しても良い。
【００６５】
以上説明した第３実施形態では、有機薄膜トランジスタＴｒを覆う保護層２１よりも上方に、水分や酸素などの浸入を防止するためのバリア層６１が設けられている。したがって、第１実施形態と同様に、バリア層６１および有機電界発光素子ＥＬの製造プロセスが、有機薄膜トランジスタＴｒに影響を及ぼすことを防止できる。したがって、特性の良好な有機薄膜トランジスタＴｒによって、有機電界発光素子ＥＬの駆動を行うことが可能になる。さらに、第１実施形態と同様に、有機薄膜トランジスタＴｒの製造プロセスがバリア層６１に対して影響を及ぼすことはないため、バリア層６１においてのバリア性が確保される。したがって、バリア層６１上に設けられた有機電界発光素子ＥＬの有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂに、水分や酸素が達することによる有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂの膜質劣化が防止され、有機電界発光素子ＥＬの寿命特性の向上が図られる。
【００６６】
≪第４実施形態≫
［表示装置の層構成］
図７は、第４実施形態の表示装置１ｄの３画素分の構成図である。この図に示す第４実施形態の表示装置１ｄが、先の第１〜第３実施形態の表示装置と異なるところは、平坦化絶縁膜２３’が、バリア層として設けられているところにある。以下、先の第１〜第３実施形態と異なる構成部分を説明する。
【００６７】
すなわち、表示装置１ｄにおいては、画素電極２７下の平坦化絶縁膜２３’が、水分や酸素、さらには他の汚染源となる原子や分子の透過を防止するためのバリア層として設けられているところが特徴的である。したがって、ウインドウ絶縁膜２９には特にバリア性が要求されることはない。
【００６８】
［表示装置の製造方法］
以上のような表示装置１ｄの製造は、図２および図３を用いて説明した第１実施形態の表示装置１ａの製造工程において、保護層２１および接続孔２５を形成した後で、画素電極２７を形成する前に、バリア性を有する平坦化絶縁膜２３’の形成を行う。
【００６９】
この平坦化絶縁膜２３’は、窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）、さらにはポリパラキシリレンが用いられる。これらの材料からなるバリア層２３’は、これらの材料を単層もしくは積層させた構成であることとする。特に、ポリパラキシリレンのような有機材料と、他の無機材料との積層構造とすることにより、酸素や水に対する高いバリア性を有するだけでなく柔軟性の高いバリア層を構成することができる。
【００７０】
ここでは一例として、先ずプラズマＣＶＤ法を適用して成膜した窒化シリコン膜を成膜する。その後、窒化シリコン膜の全面をエッチバックすることにより、表面を平坦化処理して窒化シリコンからなる平坦化絶縁膜２３’を形成する。エッチバックにはＣＭＰを適用することができる。
【００７１】
次に、このバリア層となる平坦化絶縁膜２３’に、接続孔２５を形成する。この際、リソグラフィー法を適用して形成したレジストパターンをマスクに用いて平坦化絶縁膜２３’をエッチングすることにより、先に保護膜２１に形成されている接続孔２５に連通させる状態で、平坦化絶縁膜２３’に接続孔２５を延設させる。ここでは、窒化シリコンからなる平坦化絶縁膜２３’をテトラフルオロメタン（ＣＦ4）をプロセスガスに用いて反応性イオンエッチング（reactive ion etching）する。
【００７２】
その後は、第１実施形態において説明したと同様に画素電極２７の形成以降の工程を行えば良い。この際ウインドウ絶縁膜２９は、バリア性を有する必要はなく、焼成（ベーキング）温度が低温である感光性レジスト材料を用いて形成することが好ましが、第１実施形態と同様の構成または第２実施形態と同様の構成で形成しても良い。
【００７３】
以上説明した第４実施形態では、有機薄膜トランジスタＴｒを覆う保護層２１よりも上方に、水分や酸素などの浸入を防止するためのバリア層として平坦化絶縁膜２３’が設けられている。したがって、第１実施形態と同様に、バリア層となる平坦化絶縁膜２３’および有機電界発光素子ＥＬの製造プロセスが、有機薄膜トランジスタＴｒに影響を及ぼすことを防止できる。したがって、特性の良好な有機薄膜トランジスタＴｒによって、有機電界発光素子ＥＬの駆動を行うことが可能になる。さらに、第１実施形態と同様に、有機薄膜トランジスタＴｒの製造プロセスがバリア層となる平坦化絶縁膜２３’に対して影響を及ぼすことはないため、バリア層においてのバリア性が確保される。したがって、バリア層となる平坦化絶縁膜２３’上に設けられた有機電界発光素子ＥＬの有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂに、水分や酸素が達することによる有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂの膜質劣化が防止され、有機電界発光素子ＥＬの寿命特性の向上が図られる。
【００７４】
≪第５実施形態≫
［表示装置の層構成］
図８は、第５実施形態の表示装置１ｅの３画素分の構成図である。この図に示す第５実施形態の表示装置１ｅが、先の第１〜第４実施形態の表示装置と異なるところは、保護層２１と平坦化絶縁膜２３との間に、バリア層６３を設けたところにある。以下、先の第１〜第４実施形態と異なる構成部分を説明する。
【００７５】
すなわち、表示装置１ｅにおいては、保護層２１と平坦化絶縁膜２３との間に、水分や酸素、さらには他の汚染源となる原子や分子の透過を防止するためのバリア層６３が設けられているところが特徴的である。このバリア層６３は、基板１１上の全面に設けられた絶縁膜として設けられている。
【００７６】
これにより、ウインドウ絶縁膜２９には特にバリア性が要求されることはない。バリア層６３には、平坦化絶縁膜２３および保護層２１に設けられた接続孔２５が連通して設けられ、この接続孔２５を介して画素電極２７が有機薄膜トランジスタＴｒに接続された構成となっている。
【００７７】
［表示装置の製造方法］
以上のような表示装置１ｅの製造は、図２および図３を用いて説明した第１実施形態の表示装置１ａの製造工程において、保護層２１および接続孔２５を形成した後で、平坦化絶縁膜２３を形成する前に、バリア層６３の形成を行う。
【００７８】
このバリア層６３は、窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）、さらにはポリパラキシリレンが用いられる。これらの材料からなるバリア層６３は、これらの材料を単層もしくは積層させた構成であることとする。特に、ポリパラキシリレンのような有機材料と、他の無機材料との積層構造とすることにより、酸素や水に対する高いバリア性を有するだけでなく柔軟性の高いバリア層を構成することができる。
【００７９】
ここでは一例としてプラズマＣＶＤ法を適用して成膜した窒化シリコンからなるバリア層６３を形成する。プラズマＣＶＤ法の適用により、カバレージ性良好に窒化シリコン膜を成膜することができる。
【００８０】
次に、バリア層６３に接続孔２５を形成する。この際、リソグラフィー法を適用して形成したレジストパターンをマスクに用いてこれらの層をエッチングする。窒化シリコンからなるバリア層６３のエッチングには、テトラフルオロメタン（ＣＦ4）をプロセスガスに用いた反応性イオンエッチング（reactive ion etching）を適用する。次に感光性レジスト材料からなる平坦化絶縁膜２３を形成し、リソグラフィーによって平坦化絶縁膜２３に接続孔２５を形成する。
【００８１】
その後は、第１実施形態において説明したと同様に画素電極２７の形成以降の工程を行えば良い。この際ウインドウ絶縁膜２９は、バリア性を有する必要はなく、焼成（ベーキング）温度が低温である感光性レジスト材料を用いて形成することが好ましが、第１実施形態と同様の構成または第２実施形態と同様の構成で形成しても良い。
【００８２】
以上説明した第５実施形態では、有機薄膜トランジスタＴｒを覆う保護層２１の上層に、水分や酸素などの浸入を防止するためのバリア層６３が設けられている。したがって、第１実施形態と同様に、バリア層６３および有機電界発光素子ＥＬの製造プロセスが、有機薄膜トランジスタＴｒに影響を及ぼすことを防止できる。したがって、特性の良好な有機薄膜トランジスタＴｒによって、有機電界発光素子ＥＬの駆動を行うことが可能になる。さらに、第１実施形態と同様に、有機薄膜トランジスタＴｒの製造プロセスがバリア層６３に対して影響を及ぼすことはないため、バリア層６３においてのバリア性が確保される。したがって、バリア層６３上に設けられた有機電界発光素子ＥＬの有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂに、水分や酸素が達することによる有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂの膜質劣化が防止され、有機電界発光素子ＥＬの寿命特性の向上が図られる。
【００８３】
≪第６実施形態≫
［表示装置の層構成］
図９は、第６実施形態の表示装置２ａの３画素分の構成図である。この図に示す第６実施形態の表示装置２ａが、先の第１〜第５実施形態の表示装置と異なるところは、有機薄膜トランジスタＴｒと同一層を用いて有機電界発光素子ＥＬの一部が構成されているところにある。このような構成の表示装置２ａは、有機電界発光素子ＥＬで発生させた光を基板１１’側から取り出す、いわゆる基板透過型の表示装置に適する例である。
【００８４】
すなわちこの表示装置２ａは、基板１１’上の各画素ａに、有機薄膜トランジスタＴｒを用いた画素回路と、これに接続された有機電界発光素子ＥＬとが配列されたアクティブマトリックス型の表示装置２ａである。各有機電界発光素子ＥＬは、薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極１７ｄを延設してなる画素電極２７’を有し、この上部に有機発光機能層３３ｒ，３３ｂ，３３ｂと共通電極３５とを積層させた構成となっている。
【００８５】
特に本第６実施形態の表示装置２ａの特徴の１つは、画素回路を構成する有機薄膜トランジスタｔｒを覆う状態で保護層２１’が設けられているところにある。この保護層２１’は、いわゆるパッシベーション層であって有機薄膜トランジスタＴｒを上層の製造プロセスから保護するための膜であり、有機薄膜トランジスタＴｒに対してもダメージを与えることのない成膜方法によって成膜されたものである。しかもこの保護層２１’は、有機電界発光素子ＥＬを素子分離するために画素電極２７’の周縁を覆う状態で設けられたウインドウ絶縁膜として設けられている。
【００８６】
また特徴の２つめは、保護層２１’を覆う状態で、バリア層６５が設けられているところにある。このバリア層６５は、水分や酸素、さらには他の汚染源となる原子や分子の透過を防止するための層である。しかもこのバリア層６５は、有機電界発光素子ＥＬを素子分離するために画素電極２７’の周縁を覆う状態で設けられたウインドウ絶縁膜として設けられており、画素電極２７’と共にバリア層を構成しているのである。
【００８７】
［表示装置の製造方法］
以下、各第６実施形態の表示装置２ａの各構成要素の詳細を、図１０の断面工程図に基づいて製造工程順に説明する。
【００８８】
先ず、図１０（1）に示すように、基板１１’上の各画素ａに、ゲート電極１３、ゲート絶縁膜１５、ソース電極１７ｓ／ドレイン電極１７ｄ、および有機半導体層１９をこの順に形成してなる有機薄膜トランジスタＴｒを形成する。ここでは、一例としてボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタＴｒを例示するが、有機薄膜トランジスタＴｒの積層型が特に限定されることはない。これは以降に説明する他の実施形態でも同様である。
【００８９】
このような有機薄膜トランジスタＴｒの製造は、第１実施形態において図２（1）を用いて説明した手順と以下の２点において異なり、他の手順は同様である。
【００９０】
先ず第１点は、ソース電極１７ｓ／ドレイン電極１７ｄを形成する際に、ドレイン電極１７ｄを延設して画素電極２７’を形成する。この場合、ソース電極１７ｓ／ドレイン電極１７ｄと同一層を用いた同一工程で画素電極２７’を形成しても良いし、ドレイン電極１７ｄから延設される別層として画素電極２７’を形成しても良い。
【００９１】
第２点は、ここで作製する表示装置２ａが、基板１１’側から表示光を取り出すいわゆる基板透過型である場合、基板１１’および画素電極２７’は、第１実施形態で説明した特性に加えて光透過性を有する材料を用いて構成されることが重要である。また特に画素電極２７’は、バリア層としても用いられるため、水分や酸素を透過しない緻密な材質を適用して構成されることが重要である。このような光透過性とバリア性とを有する材料として、例えばＩＴＯ、ＩＺＯなどを用いて画素電極２７’が構成される。
【００９２】
次に、図１０（２）に示すように、基板１１’上に有機薄膜トランジスタＴｒを覆う保護層２１’を、画素電極２７’の周縁を覆う第１ウインドウ絶縁膜として形成する。この保護層２１’は、いわゆるパッシベーション膜であり、有機薄膜トランジスタＴｒに対してダメージを与えることのない成膜方法によって成膜される。ここでは一例として、ポリパラキシリレンからなる保護層２１’を蒸着重合によって成膜する。これにより有機薄膜トランジスタＴｒの特に有機半導体層１９に対してダメージを与えることなく、保護層２１’を成膜する。尚、このような保護層２１’の成膜方法としては、蒸着法の他に、ＣＶＤ法、スパッタリング法等が適用される。またその他に適正な溶媒に溶解したフッ素樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂などの材料をスピンコート法などの塗布法により有機半導体層にダメージを与えることなく保護層２１を形成することができる。
【００９３】
その後、レジストパターンをマスクにして保護層２１’をパターンエッチングすることにより、画素電極２７’を広く露出させた画素開口を形成してウインドウ絶縁膜の形状とする。この際、保護層２１’がポリパラキシリレンのような有機材料からなる場合であれば、酸素プラズマを用いたアッシング処理により、保護層２１’のエッチングを行う。この際、エッジ形状がなだらかな順テーパー形状となるように保護膜２１’のエッチングを行う。
【００９４】
次に図１０（３）に示すように、保護層２１’を覆うバリア層６５を、画素電極２７’の周縁を覆う第２ウインドウ絶縁膜として形成する。このバリア層６５は、画素電極２７’と共に上述したようにバリア層を構成するものとして形成される。しがたって、水分や酸素などを透過しない緻密な材質で構成されることが好ましい。
【００９５】
このようなバリア層６５は、窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）、さらにはポリパラキシリレンが用いられる。これらの材料からなるバリア層６５は、これらの材料を単層もしくは積層させた構成であることとする。
【００９６】
ここでは一例としてプラズマＣＶＤ法を適用して成膜した窒化シリコン膜を用い、レジストパターンをマスクにして窒化シリコン膜をパターンエッチングすることによってバリア層６５を形成することとする。プラズマＣＶＤ法の適用により、カバレージ性良好に窒化シリコン膜を成膜することができる。この結果、下地となる保護膜２１’のなだらかな順テーパー形状のエッジ形状が反映され、保護膜２１’のエッジを覆うバリア層６５部分は緩やかなテーパーが維持される。また窒化シリコン膜のパターンエッチングには、テトラフルオロメタン（ＣＦ4）をプロセスガスに用いた反応性イオンエッチング（reactive ion etching）を適用することができる。ここではバリア層６５によって保護層２１’が完全に覆われ、バリア層６５と画素電極２７’とで基板１１の上方が完全に覆われるように、バリア層６５をパターン形成することが重要である。この時適切なエッチング条件を使用することにより開口部のテーパーを緩やかに形成することができる。その結果上層に形成される共通電極３５は段切れすることなく連続膜として形成することができる。
【００９７】
以上の後には、図１０（４）に示すように、画素電極２７’の露出面を完全に覆う形状で、各画素ａに各色の有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂを形成し、さらにこれらを覆う状態で各画素ａに共通の共通電極３５を形成する。各有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂは、少なくとも有機発光層を備えた積層構造からなり、少なくとも有機発光層が画素毎に異なる構成でパターン形成されており、各画素に共通の層を有していても良い。共通電極３５は、例えば陰極として形成され、さらにここで作製する表示装置が基板１１’と反対側からも発光光を取り出す構成であれば光透過電極として形成されることとする。
【００９８】
以上により、画素電極２７’と共通電極３５との間に有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂが挟持された各画素ａ部分に、有機電界発光素子ＥＬが形成される。尚、ここでの図示は省略したが、これらの有機電界発光素子ＥＬが形成された基板１１’上にも保護層を成膜することが好ましい。
【００９９】
以上の後には、図９に示したように、基板１１’における有機電界発光素子ＥＬ側に封止基板４０を貼り合わせる。ここで封止基板４０の基板１１側の面にはバリア層４１が設けられていることとする。そしてこのような封止基板４０と基板１１とを、接着剤４３を介して貼り合わせる。さらにここで作製する表示装置２ａが、基板１１’と反対側からも発光光を取り出す構成であれば、封止基板４０、バリア層４１、及び接着剤４３も光透過性を有する材料で構成する。
【０１００】
以上により、表示装置２ａが完成する。
【０１０１】
以上説明した第６実施形態では、有機薄膜トランジスタＴｒを覆う保護層２１’の上層に、水分や酸素などの浸入を防止するためのバリア層６５が設けられ、さらにこのバリア層６５と共にバリア層を構成する画素電極２７’によって基板１１’上の全面が覆われている。したがって、第１実施形態と同様に、バリア層６５および画素電極２７’、さらには有機電界発光素子ＥＬの製造プロセスが、有機薄膜トランジスタＴｒに影響を及ぼすことを防止できる。したがって、特性の良好な有機薄膜トランジスタＴｒによって、有機電界発光素子ＥＬの駆動を行うことが可能になる。さらに、第１実施形態と同様に、有機薄膜トランジスタＴｒの製造プロセス、特に加熱を必要とするゲート絶縁膜１５の形成工程等がバリア層６５および画素電極２７’に対して影響を及ぼすことが抑えられるため、バリア層６５および画素電極２７’においてのバリア性が確保される。したがって、バリア層６５および画素電極２７’上に設けられた有機電界発光素子ＥＬの有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂに、水分や酸素が達することによる有機発光機能層３３ｒ，３３ｇ，３３ｂの膜質劣化が防止され、有機電界発光素子ＥＬの寿命特性の向上が図られる。
【０１０２】
≪７．第７実施形態≫
図１１〜１５には、以上説明した本発明に係る表示装置を表示部として用いた電子機器の一例を示す。本発明の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、さらに電子機器内で生成した映像信号を表示するあらゆる分野の電子機器における表示部に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
【０１０３】
図１１は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。
【０１０４】
図１２は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【０１０５】
図１３は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。 
【０１０６】
図１４は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【０１０７】
図１５は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【符号の説明】
【０１０８】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｃ’，１ｄ，１ｅ，２ａ…表示装置、１１，１１’…基板、２１，２１’…保護層、２３’…平坦化絶縁膜（バリア層）、２７，２７’…画素電極、２９’…ウインドウ絶縁膜（バリア層）、３１…第２ウインドウ絶縁膜（バリア層）、３５ｒ，３５ｇ，３５ｂ…有機発光機能層、５９…Ｖｃｃ、５９’…Ｖｃａｔｈ、６１，６３…バリア層、６５…バリア層（ウインドウ絶縁膜）、ＥＬ…有機電界発光素子、Ｔｒ…有機薄膜トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図６−１】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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