(57)【要約】【課題】  導体膜占有率が部分的に高い領域が存在しても、基板の反りを発生しにくくした多層配線基板を提供する。【解決手段】  導体膜が形成された多層配線基板において、該多層配線基板全領域の中で、導体膜占有率が比較的高い領域の導体膜厚が、導体膜占有率の比較的低い領域の導体膜厚に対し、薄く形成されたことを特徴とする多層配線基板。【選択図】        図３
2011009364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体膜が形成された多層配線基板において、該多層配線基板全領域の中で、導体膜占有率が比較的高い領域の導体膜厚が、導体膜占有率の比較的低い領域の導体膜厚に対し、薄く形成されたことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
導体膜が形成された多層配線基板において、基板の積層方向の中で、導体膜占有率が比較的高い領域の導体膜厚が、導体膜占有率の比較的低い領域の導体膜厚に対し、薄く形成されたことを特徴とする多層配線基板。
【請求項３】
導体膜が形成された多層配線基板において、基板の水平方向の中で、導体膜占有率が比較的高い領域の導体膜厚が、導体膜占有率の比較的低い領域の導体膜厚に対し、薄く形成されたことを特徴とする多層配線基板。
【請求項４】
前記多層配線基板の基板材料が、液晶ポリマーであることを特徴とする請求項１ないし３のうち少なくとも１項に記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板に関するもので、特に、平坦性を高めた多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７は、従来の多層配線基板の断面図である。多層配線基板４０１は絶縁体層４０２ａ~４０２ｄと導体膜４０５とビアホール導体ｂ４０１とから構成されている。ここで、絶縁体層４０２ａと４０２ｂにおいては、絶縁体層２層に対し、導体膜が９箇所形成されているのに対し、絶縁体層４０２ｃと４０２ｄにおいては、絶縁体層２層に対し形成されている導体膜は６箇所である。つまり、絶縁体層４０２ａと４０２ｂにおける、絶縁体層に対する導体膜の比率(以後、導体膜占有率と略す)が、絶縁体層４０２ｃと４０２ｄにおける導体膜占有率に対し高い状態になっている。このような多層配線基板は、例えば特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２０９９０４号公報
【発明の概要】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、絶縁体層間で、導体膜占有率に高低差がついた状態になると、絶縁体層を熱圧着した際に、多層配線基板全領域の中における、収縮率のばらつきが大きくなり、反りが発生しやすくなるという問題がある。また、絶縁体層間に限らず、絶縁体層内で、導体膜占有率に高低差がついていたとしても同様に反りが発生することが想定される。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、多層配線基板の全領域内において、導体膜占有率に高低差がついた状態であっても、反りを発生しにくくした多層配線基板を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題点を解決するために、本発明に係る多層配線基板は、導体膜が形成された多層配線基板において、該多層配線基板全領域の中で、導体膜占有率が比較的高い領域の導体膜厚が、導体膜占有率の比較的低い領域の導体膜厚に対し、薄く形成されたことを特徴としている。
【０００８】
また、本発明に係る多層配線基板は、好ましくは導体膜が形成された多層配線基板において、基板の積層方向の中で、導体膜占有率が比較的高い領域の導体膜厚が、導体膜占の有率の比較的低い領域の導体膜厚に対し、薄く形成されている。
【０００９】
また、本発明に係る多層配線基板は、好ましくは導体膜が形成された多層配線基板において、基板の水平方向の中で、導体膜占有率が比較的高い領域の導体膜厚が、導体膜占有率の比較的低い領域の導体膜厚に対し、薄く形成されている。
【００１０】
また、本発明に係る多層配線基板は、好ましくは、多層配線基板の基板材料が、液晶ポリマーである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る多層配線基板は、多層配線基板の全領域の中で、導体膜占有率が比較的高い部分と比較的低い部分とが混在していても、多層配線基板の反りの発生を抑制することができる。
【００１２】
また、前記多層配線基板の基板材料を液晶ポリマーとした場合、反り発生の抑制効果がより大きくなるため好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の多層配線基板の一例を示す斜視図である。
【図２】図１の多層配線基板の分解斜視図である。
【図３】図１の多層配線基板のＡ１−Ａ２における断面構造図である。
【図４】本発明の多層配線基板の別の例を示す斜視図である。
【図５】図４の多層配線基板の分解斜視図である。
【図６】図４の多層配線基板のＢ１−Ｂ２における断面構造図である。
【図７】従来の多層配線基板の断面構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の実施形態に係る多層配線基板の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る多層配線基板１の外観斜視図である。図２は、図１の多層配線基板１の分解斜視図である。図３は、図１の多層配線基板１のＡ１−Ａ２における断面構造図である。図１ないし図３において、多層配線基板１の形成時に、絶縁体層２ａ〜２ｆが積層される方向を積層方向と定義する。そして、この積層方向をｚ軸方向とし、多層配線基板１の長辺に沿った方向をｘ軸方向とし、多層配線基板１の短辺に沿った方向をｙ軸方向とする。
【００１５】
多層配線基板１は、図２に示すように、可撓性材料からなる長方形状の絶縁体層２ａ〜２ｆから構成されている。ここで、絶縁体層２ａ〜２ｆの表面とは、ｚ軸方向の正方向側の主面を指し、絶縁体層２ａ〜２ｆの裏面とは、ｚ軸方向の負方向側の主面を指すものとする。
【００１６】
絶縁体層２ａは、表面に外部導体膜３ａ~３ｄが形成されており、該絶縁体層２ａをｚ軸方向に貫通するビアホール導体ｂ１~ｂ４が形成されている。また、該外部導体膜３ａ〜３ｄの表面側の投影面積は同一である。
【００１７】
絶縁体層２ｂ〜２ｄの表面には、内部導体膜５ａ〜５ｌが形成されており、該内部導体膜５ａ〜５ｌによりコンデンサが形成されている（以後、内部導体膜５ａ〜５ｌをコンデンサ導体膜と略す）。また、コンデンサ導体膜５ａ〜５ｌの表面側の投影面積は同一であり、絶縁体層２ｂ〜２ｄのうち１層あたりのコンデンサ導体膜の表面側の投影面積の合計は、前記外部導体膜３ａ〜３ｄの表面側の投影面積の合計に対し大きくなるように形成されている。また、絶縁体層２ｂに形成されたコンデンサ導体膜５ａ〜５ｄは、それぞれ前記ビアホール導体ｂ１〜ｂ４を介して、前記外部導体膜３ａ〜３ｄに接続されている。
【００１８】
絶縁体層２ｅは、表面にグランド導体膜６が形成されており、該絶縁体層２ｅをｚ軸方向に貫通するビアホール導体ｂ９〜ｂ１６が形成されている。また、グランド導体膜６の表面側の投影面積は、前記絶縁体層２ｂ〜２ｄのうち１層あたりのコンデンサ導体膜の表面側の投影面積の合計に対し小さく、前記外部導体膜３ａ〜３ｄの表面側の投影面積の合計に対し大きくなるように形成されている。
【００１９】
絶縁体層２ｆの裏面には、外部導体膜４ａ〜４ｈが形成されており、該絶縁体層２ｆをｚ軸方向に貫通するビアホール導体ｂ１７〜ｂ２４が形成されている。また、外部導体膜４ａ〜４ｈの裏面側の投影面積は同一であり、該投影面積の合計は、前記グランド導体６の表面側の投影面積に対し小さく、前記外部導体３ａ〜３ｄの表面側の投影面積の合計に対し大きくなるように形成されている。また、外部導体膜４ａは、ビアホール導体ｂ５、ｂ９、ｂ１７を介して、コンデンサ導体膜５ｉと接続されている。外部導体膜４ｄは、ビアホール導体ｂ６、ｂ１２、ｂ２０を介して、コンデンサ導体膜５ｊと接続されている。外部導体膜４ｅは、ビアホール導体ｂ７、ｂ１３、ｂ２１を介して、コンデンサ導体膜５ｋと接続されている。外部導体膜４ｈは、ビアホール導体ｂ８、ｂ１６、ｂ２４を介して、コンデンサ導体膜５ｌと接続されている。また、外部導体膜４ｂ、４ｃ、４ｆ、４ｇは、ビアホール導体ｂ１０、ｂ１１、ｂ１４、ｂ１５およびビア導体ｂ１８、ｂ１９、ｂ２２、ｂ２３を介して、グランド導体膜６と接続されている。
【００２０】
以上のような構成である絶縁体層２ａ〜２ｆが、熱圧着されることにより、図１に示す多層配線基板１が得られる。この時、絶縁体層２ａ〜２ｆ各層の導体膜占有率の関係は、絶縁体層２ｂ、２ｃ、２ｄが最も高く、次いで絶縁体層２ｅ、次いで絶縁体層２ｆ、そして絶縁体層２ａが最も小さい状態となり、多層配線基板１の積層方向の中で、導体膜占有率に高低差がついた構造となっている。この時に、絶縁体層２ａ〜２ｆに形成されている各導体膜の膜厚の関係が次に示すとおりになるようにする。
【００２１】
外部導体膜３ａ〜３ｄの膜厚＞外部導体膜４ａ〜４ｈの膜厚＞グランド導体膜６の膜厚＞コンデンサ導体膜５ａ〜５ｌの膜厚
このようにすることにより、絶縁体層２ａ〜２ｆにおける熱圧着時の収縮率のばらつきが緩和され、多層配線基板１における反りの発生を防止できる。
【００２２】
なお、この実施形態に示した多層配線基板の実施形態は一例であって、これ以外にもこの発明内容の範囲内であれば種々の変形を行うことは差し支えない。
【００２３】
上記実施形態では、基板の積層方向の中で、導体膜占有率が異なる構造を示したが、別の実施形態として、基板の水平方向の中においても、導体膜占有率が異なる構造も考えられる。図４は、本発明の別の実施形態に係る多層配線基板１０１の外観斜視図、図５は、図４の多層配線基板１０１の分解斜視図、図６は、図４の多層配線基板１０１のＢ１−Ｂ２における断面構造図を示したものである（図１〜図３を部分的に変形した形態であるため、詳細構造の説明は割愛する）。
【００２４】
図５において絶縁体層１０２ａには、表面側の投影面積が同一である外部導体膜１０３ａ〜１０３ｄが形成されている。
【００２５】
絶縁体層１０２ｂ〜１０２ｄには、コンデンサ導体膜１０５ａ〜１０５ｌが形成されている。絶縁体層１０２ｂ〜１０２ｄのうち１層あたりのコンデンサ導体膜の表面側の投影面積の合計は、前記外部導体膜１０３ａ〜１０３ｄに対し大きくなるように形成されている。また、コンデンサ導体膜が形成された各絶縁体層において、ｘ軸の正方向側に位置し、ｙ軸に沿って並ぶ２個のコンデンサ導体膜（例、絶縁体層１０２ｂにおいては、１０５ｇと１０５ｈを指す）の表面側の投影面積の合計は、ｘ軸の負方向側に位置し、ｘ軸に沿って並ぶ２個のコンデンサ導体膜（例、絶縁体層１０２ｂにおいては、１０５ａと１０５ｂを指す）の表面側の投影面積の合計に対し大きくなるように形成されている。
【００２６】
絶縁体層１０２ｅには、グランド導体膜１０６が形成されている。該グランド導体膜１０６の表面側の投影面積は、前記絶縁体層１０２ｂ〜１０２ｄのうち１層あたりのコンデンサ導体膜の表面側の投影面積の合計に対し小さく、前記外部導体膜１０３ａ〜１０３ｄの表面側の投影面積の合計に対し大きくなるように形成されている。
【００２７】
絶縁体層１０２ｆの裏面には、裏面側の投影面積が同一である外部導体膜１０４ａ〜１０４ｈが形成されている。該外部導体膜１０４ａ〜１０４ｈの裏面側の投影面積の合計は、前記グランド導体１０６の表面側の投影面積より小さく、前記外部導体膜１０３ａ〜１０３ｄの表面側の投影面積の合計に対し大きくなるように形成されている。
【００２８】
この時、絶縁体層１０２ａ〜１０２ｆ各層間の導体膜占有率の関係は、絶縁体層１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄが最も高く、次いで、絶縁体層１０２ｅ、次いで、絶縁体層１０２ｆそして、絶縁体層１０２ａが最も小さい状態となる。さらに、絶縁体層１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄの各層における導体膜占有率は、各層ともｘ軸の正方向側の導体膜占有率が、ｘ軸の負方向側の導体膜占有率に対し高い状態になり、多層配線基板１０１の積層方向および水平方向の中で、導体膜占有率に高低差がついた構造となっている。この時に、絶縁体層１０２ａ〜１０２ｆに形成されている各導体膜の膜厚の関係が次に示すとおりになるようにする。
【００２９】
外部導体膜１０３ａ〜１０３ｄの膜厚＞外部導体膜１０４ａ〜１０４ｈの膜厚＞グランド導体膜１０６の膜厚＞コンデンサ導体膜１０５ａ〜１０５ｆの膜厚＞コンデンサ導体膜１０５ｇ〜１０５ｌの膜厚
このようにすることにより、絶縁体層１０２ａ〜１０２ｆにおける熱圧着時の収縮率のばらつきが緩和され、多層配線基板１０１における反りの発生を防止できる。
【００３０】
なお、上記実施形態では、導体膜占有率が同一の領域の導体膜の膜厚が同じになるようにしたが、大部分の膜厚が同じ水準であれば、反り抑制の効果を得ることができ、導体膜占有率が同一の領域の中で、部分的に膜厚が異なる箇所が存在しても良い。
【００３１】
（具体例）
本発明の多層配線基板の反りの発生度合いと、従来の多層配線基板の反りの発生度合いを比較した。多層配線基板の構成は、図１〜図３と同一として、構成の詳細を表１に示した。また、各導体膜間の面積の比率は次に示すとおりとした。
【００３２】
外部導体膜３ａ〜３ｄの面積の合計：外部導体膜４ａ〜４ｈの面積の合計：グランド導体膜６の面積：絶縁体層1層あたりのコンデンサ導体の面積の合計=１：１．５：３：４．５
絶縁体層の材料である液晶ポリマーは、薄層基板向けの代表的な材料であり、薄層基板においては本発明の効果が特に顕著になると推察した。
【００３３】
反りの発生度合いを測定した結果、本発明の多層配線基板の反り量が３００μｍ以下で、従来の多層配線基板は、６００μｍ程度であることを確認した。
【００３４】
【表１】
2011009364.tif 000003
【符号の説明】
【００３５】
１、１０１  ４０１  多層配線基板
２ａ〜２ｆ、１０２ａ〜１０２ｆ、４０２ａ〜４０２ｄ  絶縁体層
３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｈ、１０３ａ〜１０３ｄ、１０４ａ〜１０４ｅ  外部
導体膜
５ａ〜５ｌ、１０５ａ〜１０５ｌ  コンデンサ導体
６、１０６  グランド導体
４０５  内部配線膜
ｂ１〜ｂ２４、ｂ４０１  ビアホール導体
Ｃ  コンデンサ
【図１】
2011009364.tif 000004
【図２】
2011009364.tif 000005
【図３】
2011009364.tif 000006
【図４】
2011009364.tif 000007
【図５】
2011009364.tif 000008
【図６】
2011009364.tif 000009
【図７】
2011009364.tif 000010