(57)【要約】【課題】低圧で高電圧電気接続を行うために適した電気接続システムを提供する。【解決手段】電気接続システムが開示される。電気接続システムは、ハウジングと、細長導体と、可撓性平面電気コネクタとを含む。ハウジングは、導電性表面を有する前プレートおよび導電性表面を有する後プレートを含む。細長導体は前プレートを通って延在する。可撓性平面電気コネクタは、順番に、第１可撓性平面絶縁層と、電流を運ぶように構成された導体と、第２可撓性平面絶縁層とを含む積層物を含む。可撓性平面電気コネクタは、前プレートと後プレートとに挟まれてそれらを超えて延在する。細長導体は、平面コネクタの導体に電気的に接続される。【選択図】図８
2011009217.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性表面を有する前プレートを含むハウジングと、
前記前プレートを通って延在する細長導体と、
導体を含む可撓性平面電気コネクタと、
前記前プレートの前記導電性表面から前記細長導体を電気的に絶縁するブッシングとを含み、
前記細長導体は前記平面コネクタの前記導体に電気的に接続される、電気接続システム。
【請求項２】
前記細長導体は、前記細長導体の末端において前記平面コネクタの前記導体に接続される、請求項１に記載の電気接続システム。
【請求項３】
前記ブッシングは一体の構成要素である、請求項１または２に記載の電気接続システム。
【請求項４】
前記ブッシングはフルオロポリマーエラストマーから成る、請求項１〜３のうちのいずれかに記載の電気接続システム。
【請求項５】
前記ハウジングは導電性表面を有する後プレートをさらに含んでおり、前記可撓性平面電気コネクタは、前記前プレートと前記後プレートとに挟まれてそれらを超えて延在する、請求項１〜４のうちのいずれかに記載の電気接続システム。
【請求項６】
前記平面コネクタは、順番に、以下の層、
第１可撓性平面絶縁層と、
電流を運ぶように構成された導体と、
第２可撓性平面絶縁層と
を含む積層物を含む、請求項１〜５のうちのいずれかに記載の電気接続システム。
【請求項７】
導電性表面を有する前プレートおよび導電性表面を有する後プレートを含むハウジングと、
前記前プレートを通って延在する細長導体と、
可撓性平面電気コネクタであって、順番に、以下の層、
第１可撓性平面絶縁層と、
電流を運ぶように構成された導体と、
第２可撓性平面絶縁層と
を含む積層物を含む可撓性平面電気コネクタとを含み、
前記可撓性平面電気コネクタは、前記前プレートと前記後プレートとに挟まれてそれらを超えて延在し、
前記細長導体は前記平面コネクタの前記導体に電気的に接続される、電気接続システム。
【請求項８】
前記前プレートの前記導電性表面から前記細長導体を電気的に絶縁するブッシングをさらに含む、請求項７に記載の電気接続システム。
【請求項９】
前記ブッシングは、前記細長導体と前記前プレートとの間の実質的に全領域を占有する、請求項１、８または９のいずれかに記載の電気接続システム。
【請求項１０】
前記平面コネクタの前記導体および前記絶縁層は、第１平面導電層と第２平面導電層とに挟まれており、前記第２平面導電層は、
前記平面コネクタの前記導体に電気的に接続された導体部分と、
前記導体部分を囲み、かつ前記導体部分から電気的に絶縁された遮蔽部分とを含み、
前記細長導体は前記導体部分に電気的に接続される、請求項１〜９のうちのいずれかに記載の電気接続システム。
【請求項１１】
前記細長導体は同軸ケーブルの内部導体であり、好ましくは前記同軸ケーブルの外部導体は前記前プレートの前記導電性表面に電気的に接続される、請求項１〜１０のうちのいずれかに記載の電気接続システム。
【請求項１２】
前記可撓性平面電気コネクタは、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に複数の導体を含んでおり、好ましくは、各々が前記前プレートを通って延在し、かつ前記可撓性平面電気コネクタの対応する導体に電気的に接続された複数の細長導体がある、請求項１〜１１のうちのいずれかに記載の電気接続システム。
【請求項１３】
前記前プレートおよび／または前記後プレートは、５ｍｍ以上および／または１０ｍｍ以下の厚さを有する、請求項１〜１２のうちのいずれかに記載の電気接続システム。
【請求項１４】
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板を前記基板テーブルに保持する静電チャックであって、誘電材料から成る平面部材を含み、かつ前記基板テーブルとは別個の物体である、静電チャックと、
第１クランプ電極および第２クランプ電極であって、前記第１クランプ電極は前記基板テーブル上に設けられ、前記第２クランプ電極は前記基板上に導電層として設けられる、第１クランプ電極および第２クランプ電極と、
前記第１クランプ電極と前記第２クランプ電極との間に電位差を加える電源であって、前記電位差を加えることにより、前記静電チャックが前記基板テーブルの表面上に配置され、かつ前記基板が前記静電チャック上に配置された場合、前記基板テーブルと前記静電チャックとの間、および前記静電チャックと前記基板との間に静電クランプ力が生成される、電源とを含み、
前記第１電極および前記第２電極のうちの少なくとも１つは、請求項１〜１３のうちのいずれかに記載の前記電気接続システムを用いて前記電源に接続される、リソグラフィ装置。
【請求項１５】
細長導体を可撓性平面電気コネクタに接続するように構成された電気接続システムを製造する方法であって、
前記細長導体の末端にブッシングを取り付けることと、
前記取り付けられたブッシングとともに前記末端を導電性表面を有する前プレートを通って延在する孔の中に挿入することであって、それによって前記ブッシングが前記前プレートの前記導電性表面から前記細長導体を電気的に絶縁する、ことと、
前記平面コネクタに含まれる導体に前記末端を電気的に接続することとを含み、
任意的に、
前記平面コネクタが前記前プレートおよび前記後プレートを超えて延在するように前記前プレートと導電性表面を有する後プレートとの間に前記平面コネクタを挟むことと
をさらに含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、電気接続システム、リソグラフィ装置、デバイスを製造する方法および電気接続システムを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置のいくつかの移動部分は、高電圧電源によって電力供給される。さらに、一部のリソグラフィプロセスに対しては、リソグラフィ装置の一部分は非常に低圧で保たれる。特に、非常に低圧においては、高電圧電源は、リソグラフィ装置の一部分であり得るあらゆるアクチュエータ、ブレードまたはクランプに電力供給するために使用することができる。アクチュエータは、基板が上に配置されたテーブルを位置決めするために使用される。アクチュエータは、投影ビームの一部を遮断するブレードに電力の供給もする。クランプは、マスクまたは基板をテーブルに保持する。クランプの一例は、電源に接続された電極を含む静電クランプである。
【０００４】
[0004]  高電圧が使用されるという事実により、また、特に構成要素が非常に低圧の環境で位置されるため、絶縁破壊(electrical breakdown)という問題が生じ得る。絶縁破壊の可能性は、電力線の電圧を制限し、安全性の問題をもたらす。破壊が生じた場合、光学面にダメージを与え、敏感な電子機器を妨害する電磁干渉を生成し、人間への安全性の問題をもたらす場合がある。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  例えば、絶縁崩壊が減少または除去される、低圧で高電圧電気接続を行うために適した電気接続システムを提供することが望ましい。
【０００６】
[0006]  本発明の一態様によると、電気接続システムが提供される。電気接続システムは、ハウジングと、細長導体と、可撓性平面電気コネクタと、ブッシングとを含む。ハウジングは、導電性表面を有する前プレートを含む。細長導体は前プレートを通って延在する。可撓性平面電気コネクタは導体を含む。ブッシングは、前プレートの導電性表面から細長導体を電気的に絶縁する。細長導体は平面コネクタの導体に電気的に接続される。
【０００７】
[0007]  本発明のさらなる態様によると、電気接続システムが提供される。電気接続システムは、ハウジングと、細長導体と、可撓性平面電気コネクタとを含む。ハウジングは、導電性表面を有する前プレートおよび導電性表面を有する後プレートを含む。細長導体は前プレートを通って延在する。可撓性平面電気コネクタは、順番に、第１可撓性平面絶縁層と、電流を運ぶように構成された導体と、第２可撓性平面絶縁層とを含む積層物を含む。可撓性平面電気コネクタは、前プレートと後プレートとに挟まれてそれらを超えて延在する。細長導体は平面コネクタの導体に電気的に接続される。
【０００８】
[0008]  本発明のさらなる態様によると、細長導体を可撓性平面電気コネクタに接続するように構成された電気接続システムを製造する方法が提供される。かかる方法は、細長導体の末端にブッシングを取り付けることと、取り付けられたブッシングとともに末端を導電性表面を有する前プレートを通って延在する孔の中に挿入することであって、それによってブッシングが前プレートの導電性表面から細長導体を電気的に絶縁する、ことと、平面コネクタに含まれる導体に前記末端を電気的に接続することとを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
[0009]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００１０】
【図１】[0009]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0009]  図２は、本発明の一実施形態の概略図を示す。
【図３】[0009]  図３は、本発明の一実施形態による可撓性平面電気コネクタの概略図を示す。
【図４】[0009]  図４は、空気内の平行板に対する理論上のパッシェン曲線のグラフを示しており、グラフはメートルにおける間隙距離のｘ軸およびボルトにおける破壊電圧のｙ軸を有する。
【図５】[0009]  図５は、本発明の一実施形態による接続システムによって電源に接続されたビーム遮断器を示す。
【図６】[0009]  図６は、本発明の一実施形態による接続システムによって電源に接続された静電クランプを示す。
【図７】[0009]  図７は、本発明の一実施形態による可撓性平面電気コネクタに接続された静電クランプを示す。
【図８】[0009]  図８は、本発明の一実施形態の概略図を示す。
【図９】[0009]  図９は、本発明の一実施形態の概略図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[0010]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。装置は、
-  放射ビームＢ（例えば、紫外線またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
-  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
-  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
-  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１２】
[0011]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１３】
[0012]  サポート構造は、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１４】
[0013]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００１５】
[0014]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１６】
[0015]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１７】
[0016]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００１８】
[0017]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００１９】
[0018]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２０】
[0019]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２１】
[0020]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２２】
[0021]  イルミネータＩＬには、照明されるパターニング手段上のエリアを画定するマスキングデバイスが含まれてよい。マスキングデバイスは、例えば４枚などの複数のブレードを含んでよく、それらの位置は、ビームの断面を画定できるように、例えばステッパモータなどのアクチュエータにより制御可能である。マスキングデバイスは、パターニング手段の近傍に位置決めされる必要はなく、概してパターニング手段上に結像される平面（パターニング手段の共役平面）に配置されることに留意されたい。マスキング手段の開放エリアは、照明されるパターニング手段上のエリアを画定するが、例えば介在する光学系が１とは異なる倍率を有している場合、そのエリアと全く同じでなくてもよい。
【００２３】
[0022]  本発明の一実施形態によると、マスキングデバイスはビーム遮断器２１０を含んでおり、かかるビーム遮断器２１０は、図５に示すように、放射ビームＢの一部を遮断するように構成された不透明ブレード２１１、２１２、２１３および２１４を含む。ブレード２１１、２１２、２１３および２１４は、マスクＭＡ上、よってターゲット部分Ｃ上の露光投影ビームＢのサイズおよび形状を操作する。ブレード２１１、２１２、２１３および２１４の移動および位置決めは、制御システム２２０によって制御される。投影されたターゲット部分Ｃが基板Ｗ上に完全に位置決めされていない場合、制御システム２２０は、この特定のターゲット部分Ｃに対して新しいサイズを画定し、それに応じてビーム遮断器２１０を駆動するように構成される。
【００２４】
[0023]  パターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）は、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上で保持され、パターニングデバイスによってパターン付けされる。マスクＭＡは、その両方の表面をマスクテーブルＭＴにクランプすることができる。マスクＭＡの両方の表面をクランプすることにより、滑りまたは変形を伴うことなくマスクは大きな加速度を受けることができる。クランプ力または保持力は、マスクの変形をさらに防止する薄膜を用いて加えられてよい。クランプによってマスクおよびマスクテーブルＭＴの隣接面の間に法線力が生成され、マスクおよびマスクテーブルの接触面の間に摩擦が結果として生ずる。マスクＭＡの表面へのクランプ力は、静電または機械クランプ技術を用いて生成することができる。
【００２５】
[0024]  リソグラフィプロセスにおいては、静電クランプを使用してマスクＭＡをマスクテーブルＭＴに、および／または基板Ｗを基板テーブルＷＴにクランプすることができる。図６は、本発明の一実施形態による、電気接続システム２１を介して電源２０に接続された例示的静電クランプを示す。図６に示す例示的静電クランプでは、チャック６０は、埋め込まれた電極６２を有する誘電体または少し導電性のある物体６１を含む。電源２０は、マスクＭＡまたは基板Ｗとチャック６０との間、ならびにチャック６０とテーブルＭＴおよびＷＴとの間に電位差を付与するために使用され、それによって静電力は、マスクＭＡまたは基板Ｗおよびチャック６０をテーブルＭＴおよびＷＴにクランプする。埋め込まれた電極６２は、電源２０に接続される。
【００２６】
[0025]  図７は、本発明の一実施形態による電気接続システム２１の一部を含む可撓性平面電気コネクタ２５をどのようにマスクテーブルＭＴまたは基板テーブルＷＴの電極７１に接続することができるかを概略的に示す。可撓性電気コネクタ２５の導体３３は、電極７１と接触する。可撓性コネクタ２５は、クリップ７２によって電極７１に保持される。クリップは可撓性であり、コネクタ２５をテーブルへと押す力を与える。これは、可撓性コネクタ２５と電極７１との間に安全な電気接続を提供する。
【００２７】
[0026]  任意的に、電気コネクタ２５は、クリップ７２とピン７３との組み合わせにより電極７１に保持される。ピン７３は、クリップ７２に接続され、電気コネクタ２５内の孔を通って延在して電極７１が上に形成されたテーブルに接触する。
【００２８】
[0027]  放射ビームＢは、パターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射する。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２９】
[0028]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３０】
[0029]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３１】
[0030]  第１ポジショナＰＭ、第２ポジショナＰＷ、マスキングデバイスに含まれ得るあらゆるブレードを制御するモータ、およびリソグラフィ投影装置に含まれ得るあらゆるクランプは、高電圧電源によって電力供給される。特に、近真空状況で基板Ｗを基板テーブルＷＴに、またはマスクＭをマスクテーブルＭＴにクランプするために使用される静電クランプの電極は、二極式高電圧源に接続される。
【００３２】
[0031]  高電圧は、電源が数百または数千程度のボルトの出力を生成することを意味するとされる。一実施形態では、電源の出力は、０．１ｋＶより大きく、０．２ｋＶより大きく、０．５ｋＶより大きく、１ｋＶより大きく、２ｋＶより大きく、５ｋＶより大きく、あるいは１０ｋＶより大きい。
【００３３】
[0032]  いくつかのリソグラフィ製造方法は、１００Ｐａ、５０Ｐａ、１０Ｐａまたは５Ｐａなどの非常に低圧で行われることが要求されている。例えば、ＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ方法は、非常に低圧で行われる必要がある。これは、空気がＥＵＶ放射を吸収するからである。したがって、リソグラフィ装置の各構成要素は、低圧での使用に適する必要がある。これは、リソグラフィ装置の１つ以上の構成要素を高電圧電源に接続する電気コネクタを含む。
【００３４】
[0033]  図２は、本発明の一実施形態による電気接続システムを概略的に示す。電気接続システム２１は、細長導体２４を可撓性平面電気コネクタ２５に接続する。
【００３５】
[0034]  電気接続システム２１は、ハウジング、細長導体２４および可撓性平面電気コネクタ２５を含む。細長導体２４は、平面コネクタ２５に電気的に接続される。ハウジングは、２つのプレート、前プレート２２および後プレート２３を含む。平面コネクタ２５は、プレート２２および２３に挟まれている。平面コネクタ２５は、プレート２２および２３を超えて延在する。そのように、平面コネクタ２５の外側平面の一部は、接続システム２１の環境にさらされている。平面コネクタ２５および細長導体２４は、他の電気コネクタまたは電子デバイスに電気的に接続されてよい。特に、電気接続システム２１は、高電圧電源に接続されてよい。
【００３６】
[0035]  ハウジングのプレートは導電性材料から成ってよい。あるいは、ハウジングのプレートは電気絶縁性材料から成ってもよいが、導電性表面を有する。例えば、プレートはプラスチックから成って導電性材料でめっきされてもよい。プレートはダイカストされてもよい。望ましくは、プレートは耐食性である。好ましくは、平面コネクタ２５に接触するプレート２２および２３の表面は平らである。以下に説明するように、プレート２２および２３は電気的に接地される。
【００３７】
[0036]  ハウジングの目的は、細長導体２４および可撓性平面電気コネクタ２５によって生成される電界を制御することである。細長導体２４および可撓性平面電気コネクタ２５が使用される多くのリソグラフィ用途に対しては、導体の電圧は非常に高く、例えば数百または数千ボルトである。電界が制御、抑制または遮断されないかぎり、細長導体２４または平面電気コネクタ２５からリソグラフィ装置の別の構成要素へとアーキングが発生する危険性がある。
【００３８】
[0037]  ハウジングは、電子が危険レベルの運動エネルギーに達する前にその自由電子を電気コネクタ２４および２５から捕捉することによって、および／または電子が接続システムの環境のガスを通って危険な方向に加速することを防ぐことによって電界を制御する。そのように、導電性表面を有するプレート２２および２３が接地電位に電気的に接続されることが望ましい。したがって、任意的に、前プレート２２および／または後プレート２３は、接地電位に接続するように構成された接続領域を外側表面に有する。
【００３９】
[0038]  したがって、本発明の一実施形態によるハウジングは、従来の電気接続システムのハウジングとは異なる機能を果たす。例えば、いくつかの従来の電気接続システムは絶縁性プラスチックなどの絶縁性材料から成るハウジングを有する。これは、接続に対して機械的保護を提供する。そのような接続システムは低電圧での使用に適することもあるが、電気線から他の導電性構成要素へのアーキングにより、高電圧の電気線を接続することを要求する用途においては機能しない場合がある。
【００４０】
[0039]  遮蔽導体を接続する標準の電気コネクタでは、コネクタの外側ハウジングは、接続ポイントで遮蔽導体を完全に囲う接地スクリーンを形成するために必要である。これの目的は、電界を遮蔽導体とハウジングとの間の空間に閉じ込めるためである。ハウジング内の唯一の割れ目は、電界をあまり妨害しないほどに十分に小さい通気孔であり得る。
【００４１】
[0040]  本発明の一実施形態による電気接続システムは、接続された電気線の周りに途切れていない接地スクリーンを形成することをハウジングに要求しないといった異なる原理によって機能する。
【００４２】
[0041]  前プレート２２は孔２８を含んでおり、細長導体２４がこの孔２８を通って延在する。前プレート２２および後プレート２３は、可撓性平面電気コネクタ２５が２つのプレートの間に位置決めされるように構成される。接続システム内では、細長導体２４は平面コネクタ２５に電気的に接続される。プレート２２および２３の厚さは、例えば５ｍｍから１０ｍｍの間である。
【００４３】
[0042]  任意的に、細長導体２４は、可撓性平面電気コネクタ２５を通って延在する。細長導体２４が後プレート２３と電気接触しないことを確実にする必要がある。これは、細長導体２４と後プレート２３との間に大きな電位差があり、放電が細長導体の電圧を下げるからである。したがって、後プレート２３は、任意的に、細長導体２４に電気的に接続された可撓性平面電気コネクタ２５の部分に隣接するくぼみ２６を含む。
【００４４】
[0043]  電気線を接続するために使用される電気コネクタでは、複数の電気線のうちの１本とリソグラフィ装置の別の電気部品との間のアーキングの危険性に加えて、接続システム内の１本の電気線と別の１つ導電性材料との間のアーキングというさらなる危険性がある。電気接続システム２１内の電気線と接続システム２１内の別の１つの導電性材料との間に十分な最小距離が設けられてよい。最小距離は電気線の電圧に依存してよい。さらに、または代替的に、最大距離が設けられてもよい。
【００４５】
[0044]  本発明の電気接続システムでは、細長導体２４の端と後プレート２３の表面との距離は、例えば３ｍｍなどの閾値距離より下に設定されてよい。これは、電気接続システム２１が低圧環境で使用された場合の絶縁破壊を減少または回避する。
【００４６】
[0045]  非常に低圧において間隙距離に対する上限を設定することは、絶縁破壊を防ぐ。なぜなら、破壊電圧と間隙距離との関係は、気圧と比較して低圧では異なるからである。特に、気圧では、間隙距離を縮小するにつれて、破壊電圧がそれに応じて減少する。しかしながら、圧力が十分に低い場合、破壊電圧は、間隙距離が閾値距離より下に減少されるにつれて劇的に上昇する。１０Ｐａの圧力における間隙距離（ｘ軸）と破壊電圧（ｙ軸）との関係のグラフ形状を図４に示す。
【００４７】
[0046]  十分に低い圧力状況下では、絶縁破壊は、短い経路より電気導体と電気導体との間のより長い間隙に沿って起こりやすい。これは、電気コネクタ内の電気導体間の距離が十分に小さく、圧力が十分に小さければ、破壊電圧は、絶縁破壊が起こるには高すぎるということを意味する。
【００４８】
[0047]  実際、理論上の破壊電圧は、以下の式
【数１】
2011009217.tif 000003
による間隙距離と圧力との積に関連する。
【００４９】
[0048]  定数ＡおよびＢの値は、導体が位置するガスの組成、導体の材料および形状に依存する。空気内の平行板に対しては
【数２】
2011009217.tif 000004
であり、ここでは、Ｖはボルトで測定され、ｐはパスカルで測定され、ｄはメートルで測定される。上記したように、この式を使用して導体間の理論上の絶縁破壊電圧を予測することはできるが、ある状況における実際の絶縁破壊電圧は、この式によって求められる値とは異なる場合がある。
【００５０】
[0049]  Ｖの最小値は
【数３】
2011009217.tif 000005
で生じる。曲線（「ひじ(elbow)」）におけるこのターニングポイントの右では、破壊電圧は、間隙距離および圧力の両方がともに上昇するといった周知の態様で機能することが見られる。ひじの左では、破壊電圧は、間隙距離または圧力のいずれかが低下するにつれて劇的に上昇する。したがって、放電は、積ｐｄがひじの左にあることを確実にすることによって減少または回避することができる。
【００５１】
[0050]  可撓性平面電気コネクタは、順番に、第１可撓性平面絶縁層、電流を運ぶように構成された導体３３、および第２可撓性平面絶縁層を含む積層物を含む。細長導体は、導体３３に電気的に接続される。
【００５２】
[0051]  第１絶縁層および第２絶縁層は、導体３３とハウジングとの間の絶縁破壊を防ぐために十分である必要がある。任意的に、絶縁層の絶縁性材料は、４０ｋＶｍｍ−１より大きい、６０ｋＶｍｍ−１より大きい、８０ｋＶｍｍ−１より大きい、あるいは１００ｋＶｍｍ−１より大きい絶縁耐力(dielectric strength)を有する。絶縁性材料は、ポリイミド、液晶ポリマおよびガラスからなる群から選択されてよい。任意的に、第１絶縁層および第２絶縁層は、ポリ（４，４’−オキシジフェニレン−ピロメリトイミド）からなる。
【００５３】
[0052]  絶縁層は、平面電気コネクタ２５の可撓性を改善するために薄いことが望ましい。任意的に、絶縁層の厚さは、０．３ｍｍ未満、０．２ｍｍ未満、０．１５ｍｍ未満、０．１ｍｍ未満、あるいは０．０５ｍｍ未満である。
【００５４】
[0053]  任意的に、電気コネクタは、第１平面導電層と第２平面導電層とに挟まれる。導電層は銅からなってもよい。第２導電層は、平面コネクタの導体３３に電気的に接続された信号部分３１、および信号部分３１を囲み、かつ信号部分３１から電気的に絶縁された遮蔽部分３２を含む。この場合、細長導体は、第２導電層の信号部分３１に電気的に接続される。
【００５５】
[0054]  任意的に、信号部分３１と遮蔽部分３２との間の最小距離は、少なくとも０．５ｍｍ、少なくとも１ｍｍ、少なくとも１．５ｍｍ、あるいは少なくとも２ｍｍである。任意的に、信号部分３１と遮蔽部分３２との間の最小距離は、最大で３ｍｍである。遮蔽部分３２は、絶縁体３４によって信号部分３１から絶縁される。
【００５６】
[0055]  図３は、第２導電層の側面から可撓性電気コネクタ２１の表面を概略的に示す。点線は、第２導電層の下で導体３３が形成される層の導電領域と絶縁領域との間の区分の延長を表す。第２導電層の信号部分３１および遮蔽部分３２が示されている。導電層では、導体３３は、絶縁性材料３５によりその層内の導電遮蔽から離されている。導体３３は銅から成ってもよい。
【００５７】
[0056]   導電層の目的は、導体３３を電気的に遮蔽することである。これは、同軸ケーブルと同じ原理であるが、この場合、導電層は、導体３３の周りの完全なシールドのみに近似(approximate)する。任意的に、１層以上の導電層が電気接地に接続される。
【００５８】
[0057]  平面電気コネクタ２１は、プリント基板として構成されてもよい。任意的に、平面コネクタ２５の導体３３はビアによって第２導電層の信号部分３１に電気的に接続される。この場合、細長導体２４がビア内に挿入されてもよい。別のビアは、第２導電層の遮蔽部分３２を第１導電層に接続してもよい。
【００５９】
[0058]  任意的に、細長導体２４は裸導体ではなく、細長導体２４を囲み、かつ前プレート２２の導電性表面から導体２４を電気的に絶縁する絶縁体を有する。例えば、細長導体２４は、図２に示すように同軸ケーブルの内部導体であってもよい。この場合、同軸ケーブルの外部導体２７は、前プレート２２の導電性表面に電気的に接続されてよい。これは、細長導体２４の周りに連続的電気シールドを提供する。
【００６０】
[0059]  本発明は、単一の細長導体２４を可撓性平面電気コネクタ２５の単一の導体３３に接続することに限定されない。可撓性コネクタ２５は、第１絶縁層と第２絶縁層との間に複数の導体３３を含んでもよい。この場合、導体３３は導電遮蔽によってお互いから離されてもよい。例えば、導体３３は単層の銅から成ってもよく、導体３３および中間遮蔽部分３５はエッチング動作によって形成される。絶縁性材料は、中間遮蔽部分３５を導体３３から絶縁する。
【００６１】
[0060]  さらに、各々が前プレート２２を通って延在し、かつ各々が可撓性平面電気コネクタ２５に電気的に接続された複数の細長導体２４があってもよい。この場合、対応する複数の孔２８が前プレート２２にある必要がある。そのような構成では、複数の細長導体２４は、可撓性平面電気コネクタ２５内の対応する複数の導体３３に接続されてよい。
【００６２】
[0061]  本発明は、ポッティング材(potting material)の必要を伴わずに可撓性コネクタをコード(flex)に安全に接続することを可能にする。つまり、細長導体２４を含むケーブルに不可欠なあらゆる絶縁性材料および可撓性コネクタ２５に不可欠なあらゆる絶縁性材料以外に、電気接続システム２１内に絶縁性材料はない。
【００６３】
[0062]  一実施形態では、電気接続システム２１の部分間の絶縁破壊を防ぐために固体絶縁が使用される。固体絶縁は、例えば、細長導体２４と前プレート２２との間、または平面コネクタ２５の信号部分３１と平面コネクタ２５の遮蔽部分３２との間の電圧破壊を防ぐことができる。
【００６４】
[0063]  上記した電気接続システム２１の構成要素間の空間は、絶縁体によって埋められてよい。このプロセスをポッティングと呼ぶ。望ましくは、ポッティングで使用される材料はエポキシである。任意的に、ポッティング材は透明であってもよい。
【００６５】
[0064]  電気接続システム２１内の空間をポッティングする利点は、システムの絶縁破壊閾値が周囲圧力にあまり依存しないことである。電気接続システム２１は、種々の真空圧であり得る、幅広い種類の異なる圧力で使用されてよい。
【００６６】
[0065]  以下の説明は、ポッティングが採用される電気接続システム２１を生成する方法である。前プレート２２は平面コネクタ２５に取り付けられてよい。一実施形態では、前プレートは平面コネクタ２５に接着されている。グルーは、例えば４０℃などの適切な温度で硬化されてよい。
【００６７】
[0066]  細長導体２４は、例えば絶縁線または同軸ケーブルの一部であってよい。線またはケーブルは剥離またはエッチングされてもよい。前プレート２２は、例えば光学的透明エポキシなどのポッティング材でコーティングされてもよい。
【００６８】
[0067]  細長導体２４の末端は、平面コネクタの導体３３に取り付けられる。電気接続は平面コネクタ２５の信号部分３１を介して行われてよい。電気接続ははんだ付けを介して行われてよい。
【００６９】
[0068]  細長導体２４と前プレート２２との間の空間はポッティングされる。望ましくは、ポッティング材は平面コネクタ２５の信号部分３１と遮蔽部分３２との間の空間を埋める。ポッティング材は、例えば４０℃などの適切な温度で硬化することが可能であってよい。硬化ステップは数時間かかる場合がある。
【００７０】
[0069]  後プレート２３は平面コネクタ２５の反対側に取り付けられており、それによって平面コネクタ２５を前プレート２２と後プレート２３との間で挟む。第２のポッティングステップは、後プレート２３と細長導体２４との間の空間を埋めるために行われてよい。さらなる硬化ステップが必要な場合もある。
【００７１】
[0070]  一度組み立てられると、電気接続システム２１は、絶縁破壊を伴わずに機能することを確実にし、および／または電気接続システム２１がいくらかのガス放出要件を満たしているか否かを決定するために試験されてよい。選択される材料は ガス放出を減少するように選ばれるが、ガス放出を完全に排除することができない場合もある。したがって、ガス放出を減少させる電気接続システム２１が望ましい。
【００７２】
[0071]  図８は、電気接続システム２１に電気絶縁を提供するためにポッティング材の代わりにブッシング(bushing)８１が使用される一実施形態を示す。ポッティングの代わりにブッシング８１を使用することの利点は、製造方法における上記のポッティングおよびエッチングステップが不必要なことである。これは、単純な製造プロセスという結果となり、故障があった場合に電気接続システム２１に対する問題を直すことをより簡単にする。ブッシング８１を使用した場合、ねじりやクリンピング等の単純な機械的動作のみを用いて電気接続システム２１を製造することが可能である。
【００７３】
[0072]  望ましくは、ブッシング８１は、前プレート２２の導電性表面から細長導体２４を電気的に絶縁する。ブッシング８１の電気絶縁特性は、電気接続システム２１の周囲圧力とは無関係である。したがって、リソグラフィ装置が使用される所における可変圧力によって引き起こされる問題はない。望ましくは、ブッシング８１は、平面コネクタ２５の遮蔽部分３２から平面コネクタ２５の信号部分３１を電気的に絶縁する。ブッシング８１は、電気接続システム２１内の実質的に全ての空間を埋めてよい。ブッシング８１は細長導体２４の一部を囲む。
【００７４】
[0073]  ブッシングは、細長導体２１の末端に取り付けられてよい。ブッシング８１は、絶縁破壊が起こり得る間隙がないように細長導体２４と前プレート２２の対向する導電性表面との間の全領域を埋めてよい。
【００７５】
[0074]  ブッシング８１は一体の構成要素であってよい。これは、ポッティング材による細長導体２４を囲う空間のポッティングとは異なる。このポッティングの場合、ポッティング材は一体の構成要素を形成せず、その代わりに細長導体２４が平面コネクタ２５の導体３３に電気的に接続された後にポッティング材から形成される。ブッシングはフルオロポリマーエラストマーから成ってよい。一実施形態では、ブッシングはＶｉｔｏｎ（登録商標）ブッシングである。ブッシングに対して他のタイプの材料を使用してもよい。ブッシングは、電気絶縁を提供する特性を有する。
【００７６】
[0075]  ブッシング８１の使用は、電気接続システム２１のガス放出が、電気絶縁を提供するためにポッティングが使用される電気接続システム２１と比較して減少するという利点を有する。ブッシング８１を使用する電気接続システム２１は、プロセスステップの減少（例えば、ポッティングおよびエッチングステップ）により、ポッティングを伴う電気接続システム２１と比較して生成が速く、かつ生成があまり高額ではない場合がある。
【００７７】
[0076]  ブッシング８１を含む電気接続システム２１は、以下のように製造することができる。ブッシング８１は細長導体２４の末端に取り付けられる。この取り付けの前に、細長導体２４は、例えば同軸ケーブルまたは絶縁線の一部として含まれる場合、剥離される必要があり得る。ブッシング８１は、細長導体２４の末端上にクリンプされてよい。
【００７８】
[0077]  ブッシング８１が取り付けられた末端は、前プレート２２を通って延在する孔２８内に挿入される。ブッシング８１は、前プレート２２の導電性表面から細長導体２４を電気的に絶縁する。
【００７９】
[0078]  細長導体２４の末端は、平面コネクタ２５の導体に電気的に接続される。電気接続は、例えばはんだ付けによって行われてよい。
【００８０】
[0079]  次いで、プロセスは前プレート２２と後プレート２３との間に平面コネクタ２５を挟むことを含んでよい。
【００８１】
[0080]  図９は、電気接続システム２１内の電気絶縁を提供するために少なくとも１つのブッシング８１が使用される一実施形態を示す。ブッシングは固体絶縁体である。ブッシング８１は圧縮性であってよい。使用中、ブッシング８１は圧縮状態で配置される。ブッシング８１は孔２８に配置される。望ましくは、ブッシング８１の直径は孔２８の直径より大きい。この構成の目的は、ブッシング８１が孔２８に挿入されたときに圧縮状態であることを確実にするためである。これは、ブッシング８１の安全なはめ込みを確実にする。別の実施形態では、ブッシング８１は圧縮性ではない。
【００８２】
[0081]  ブッシング８１の端は先細り状であってよい。図９に示すように、ブッシング８１は、その端に接触トランペット(trumpet)８２を有してよい。接触トランペット８２は、平面コネクタ２５と接触する。望ましくは、接触トランペット８２は、平面コネクタ２５の導体部分３１から平面コネクタ２５の遮蔽部分３２を電気的に絶縁する。
【００８３】
[0082]  図９に示すように、電気接続システムは第２ハウジング８５を含んでよい。細長導体２４は、第２ハウジング８５を通って延在する。望ましくは、細長導体２４は第２ハウジング８５内で直角に曲がる。第２ハウジング８５は導電性表面を有する。第２ブッシング８３は第２ハウジング８５内に配置されてよい。第２ブッシング８３は細長導体２４の一部の周りに配置されてよい。第２ブッシング８３は圧縮状態で配置されてもよい。第２ブッシング８３はクリンプされてもよい。第２ブッシングの目的は、細長導体に張力緩和を与え、かつ第２ハウジング８５から細長導体２４を電気的に遮蔽することである。
【００８４】
[0083]  電気接続システム２１にはスクイーズ(squeeze)機構８４が設けられてよい。スクイーズ機構８４は、前プレート２２および後プレート２３を一緒に押す押付力を提供する。第２ハウジング８５にはスクイーズ機構が設けられてよい。
【００８５】
[0084]  電気接続システム２１は、細長導体２４（例えば、同軸ケーブルまたは絶縁線の一部）を平面コネクタ２５（例えば、可撓性プリント基板）の一部分に電気的に接続するために使用されてよい。電気接続システム２１の平面コネクタ２５は、可撓性プリント基板のさらなる部分に接続されてよい。そのような可撓性プリント基板はリソグラフィ装置内の配線として使用されてよい。配線として使用される可撓性プリント基板の他端は、プリント回路アセンブリに接続されてよい。
【００８６】
[0085]  あるいは、電気接続システム２１は細長導体２４をプリント回路アセンブリに直接電気的に接続するために使用されてよく、この場合電気接続システム２１の平面コネクタ２５はプリント回路アセンブリそのものである。この構成は、可撓性平面コネクタ間の２つの接続の要件を回避するという利点を有する。
【００８７】
[0086]  本発明の電気接続システム２１は、任意的にリソグラフィ装置に含まれる。任意的に、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置は、圧力が閾値（例えば、１０Ｐａ）より低い場合、状態は安全であるという信号を表示する表示手段を制御するためのコントローラを含む。圧力センサは、真空容器内の圧力を検出する。圧力が閾値より上に上昇したことを圧力センサが検出した場合、コントローラは信号が表示されることを止める。任意的に、コントローラは、予期していない漏れがあった場合に真空容器内の圧力が所定値（例えば、２０Ｐａ）より上に上昇することを防ぐ。
【００８８】
[0087]  任意的に、リソグラフィ装置は、セーフティ・カットアウトシステムを含む。コントローラは、圧力が特定の圧力より上に上昇した場合に電源を切る信号を送る。例えば、圧力センサは圧力を検出する。圧力が２０Ｐａより大きいと検出された場合、例えば、コントローラは切スイッチ信号を電源ユニットに送る。
【００８９】
[0088]  本発明の電気コネクタおよび電気接続システム２１の上記した実施形態は、マスクテーブルまたは基板テーブルのいずれかのアクチュエータを電源２０に接続するためにリソグラフィ装置における使用に適している。さらに、本発明の実施形態は、あらゆるビーム遮断器２１０（例えば、ブレード）のアクチュエータまたはコントローラ、あるいはリソグラフィ装置の一部を形成し得るあらゆる静電クランプの電極を接続するために使用されてよい。しかしながら、本発明の実施形態による電気コネクタおよび電気接続システムは、リソグラフィ装置の一部としての使用に限定されない。電気コネクタおよび電気接続システムは、低圧環境において高電圧を有する電気線を接続することが望ましい他の状況で適用可能である。
【００９０】
[0089]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００９１】
[0090]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００９２】
[0091]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００９３】
[0092]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００９４】
[0093]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００９５】
[0094]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。 
【図１】
2011009217.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011009217.tif 000012
【図８】
2011009217.tif 000013
【図９】
2011009217.tif 000014
【外国語明細書】
2011009217000001.pdf