(57)【要約】  【課題】  高周波領域で使用可能な量産性に優れた終端器を提供する。  【解決手段】  上側の管壁11，下側の管壁12，側壁13ａ，13ｂで囲まれた導波領域を高周波信号が伝播する方形導波管型高周波線路の導波領域全体で高周波信号を伝送する伝送部20と、上側の管壁11，下側の管壁12の間に配置された分割用導体壁14によって、導波領域が減衰用導波路30ａ，30ｂに分割された減衰部40とを具備し、減衰用導波路30ａ，30ｂの伝送部20に接続された側と反対側の各々の端部は、終端導体壁15ａ，15ｂで終端されているとともに、終端導体壁15ａ，15ｂによって反射された高周波信号の反射波の各々が、減衰部40と伝送部20との接続面において互いに打ち消し合うように、減衰用導波路30ａ，30ｂの移相量が異なっている終端器とする。特定周波数で無反射終端として機能する終端器が得られる。【選択図】  図２
2011010260.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側の管壁，下側の管壁および２つの側壁で囲まれた導波領域を高周波信号が伝播する方形導波管型高周波線路の前記導波領域全体で前記高周波信号を伝送する伝送部と、前記上側の管壁および前記下側の管壁の間に前記２つの側壁に渡って水平に配置された１つ以上の分割用導体壁によって、前記導波領域が２つ以上の減衰用導波路に分割された減衰部とを具備し、
前記減衰用導波路の前記伝送部に接続された側と反対側の各々の端部は、それぞれ終端導体壁で終端されているとともに、
特定の周波数において前記終端導体壁によって反射された前記高周波信号の反射波の各々が、前記減衰部と前記伝送部との接続面において互いに打ち消し合うように、各々の前記減衰用導波路の移相量が異なっていることを特徴とする終端器。
【請求項２】
各々の前記減衰用導波路は、長さが異なることにより移相量が異なっていることを特徴とする請求項１に記載の終端器。
【請求項３】
多数の貫通孔が、前記分割用導体壁の壁面の全体に渡って、該壁面の半分以上の面積を占めるように形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の終端器。
【請求項４】
複数の誘電体層が積層された積層体と、該積層体の上面に配置されて前記上側の管壁となる上側導体層と、前記積層体の下面に配置されて前記下側の管壁となる下側導体層と、前記積層体の層間に配置されて前記分割用導体壁となる分割用導体層と、前記高周波信号の伝播方向に前記高周波信号の波長の１／２未満の繰り返し間隔で配置されて前記側壁となる側壁用貫通導体群と、前記高周波信号の伝播方向と直交する方向に前記高周波信号の波長の１／２未満の繰り返し間隔で配置されて前記終端導体壁となる終端導体壁用貫通導体群とを備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の終端器。
【請求項５】
請求項４に記載の終端器の最も上側に位置する前記減衰用導波路における前記終端導体壁側の前記積層体の上面を前記上側導体層の非形成領域となし、該上側導体層の非形成領域に一方端が前記上側導体層に接続された帯状導体を配置して、該帯状導体を介して電気信号を取り出して電気特性を測定した後に、前記上側導体層の非形成領域に前記上側導体層を形成することを特徴とする電気特性測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミリ波等の高周波領域で使用される終端器および電気特性測定方法に関するものであり、特に方形導波管型高周波線路を用いた終端器および電気特性測定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ミリ波等の高周波領域で使用される終端器として、方形導波管の内部に電波吸収体を挿入した構造を有する終端器が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】実開平１−86701号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１にて提案された終端器においては、導波管内部の適切な位置に適切な形状の電波吸収体を挿入して固定する必要があるため、製造工程が複雑で量産性が悪いとともに、誘電体中に方形導波管型高周波線路を形成した積層型導波管線路への適用が困難であるという問題があった。
【０００５】
本発明はこのような従来の技術における問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、高周波領域で使用可能な量産性に優れた終端器および電気特性測定方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の終端器は、上側の管壁，下側の管壁および２つの側壁で囲まれた導波領域を高周波信号が伝播する方形導波管型高周波線路の前記導波領域全体で前記高周波信号を伝送する伝送部と、前記上側の管壁および前記下側の管壁の間に前記２つの側壁に渡って水平に配置された１つ以上の分割用導体壁によって、前記導波領域が２つ以上の減衰用導波路に分割された減衰部とを具備し、前記減衰用導波路の前記伝送部に接続された側と反対側の各々の端部は、それぞれ終端導体壁で終端されているとともに、特定の周波数において前記終端導体壁によって反射された前記高周波信号の反射波の各々が、前記減衰部と前記伝送部との接続面において互いに打ち消し合うように、各々の前記減衰用導波路の移相量が異なっていることを特徴とするものである。
【０００７】
また、本発明の終端器は、上記構成において、各々の前記減衰用導波路は、長さが異なることにより移相量が異なっていることを特徴とするものである。
【０００８】
さらに、本発明の終端器は、上記各構成において、多数の貫通孔が、前記分割用導体壁の壁面の全体に渡って、該壁面の半分以上の面積を占めるように形成されていることを特徴とするものである。
【０００９】
またさらに、本発明の終端器は、上記各構成において、複数の誘電体層が積層された積層体と、該積層体の上面に配置されて前記上側の管壁となる上側導体層と、前記積層体の下面に配置されて前記下側の管壁となる下側導体層と、前記積層体の層間に配置されて前記分割用導体壁となる分割用導体層と、前記高周波信号の伝播方向に前記高周波信号の波長の１／２未満の繰り返し間隔で配置されて前記側壁となる側壁用貫通導体群と、前記高周波信号の伝播方向と直交する方向に前記高周波信号の波長の１／２未満の繰り返し間隔で配置されて前記終端導体壁となる終端導体壁用貫通導体群とを備えることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の電気特性の測定方法は、上記構成の終端器の最も上側に位置する前記減衰用導波路の前記終端導体壁側における前記積層体の上面を前記上側導体層の非形成領域となし、該上側導体層の非形成領域に一方端が前記上側導体層に接続された帯状導体を配置して、該帯状導体を介して電気信号を取り出して電気特性を測定した後に、前記上側導体層の非形成領域に前記上側導体層を形成することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の終端器によれば、上側の管壁と、下側の管壁と、２つの側壁と、１つ以上の分割用導体壁と、２つ以上の終端導体壁とによって構成されていることから、電波吸収体を必要としないので、構造が単純で製造が容易な終端器を得ることができる。
【００１２】
また、本発明の終端器によれば、２つの側壁に渡って水平に配置された１つ以上の分割用導体壁を備えることから、減衰用導波路を伝播する高周波信号に起因して分割用導体壁に生じる電流によって反射波を減衰させることができるので、広い周波数範囲に渡って反射波が小さく小型の終端器を得ることができる。
【００１３】
さらに、本発明の終端器によれば、特定の周波数において終端導体壁によって反射された高周波信号の反射波の各々が、減衰部と伝送部との接続面において互いに打ち消し合うように、各々の減衰用導波路の移相量が異なっていることから、特定の周波数における反射波を非常に小さくすることができるので、特定の周波数において無反射終端器として機能する終端器を得ることができる。
【００１４】
またさらに、本発明の終端器によれば、各々の減衰用導波路は、長さが異なることにより移相量が異なっているときには、各々の減衰用導波路における移相量の設定が容易な終端器を得ることができる。
【００１５】
さらにまた、本発明の終端器によれば、多数の貫通孔が、分割用導体壁の壁面の全体に渡って、壁面の半分以上の面積を占めるように形成されているときには、減衰用導波路を伝播する高周波信号によって分割用導体壁に生じる電流を流れにくくすることができるので、広い周波数範囲に渡って反射波が小さく、さらに小型の終端器を得ることができる。
【００１６】
またさらに、本発明の終端器によれば、複数の誘電体層が積層された積層体と、上側の管壁となる上側導体層と、下側の管壁となる下側導体層と、分割用導体壁となる分割用導体層と、側壁となる側壁用貫通導体群と、終端導体壁となる終端導体壁用貫通導体群とを備えるときには、終端器を誘電体中に形成することができるので、小型の終端器を得ることができる。
【００１７】
本発明の電気特性の測定方法によれば、終端器の最も上側に位置する減衰用導波路における終端導体壁側の積層体の上面を上側導体層の非形成領域となし、上側導体層の非形成領域に一方端が上側導体層に接続された帯状導体を配置して、帯状導体を介して電気信号を取り出して電気特性を測定した後に、上側導体層の非形成領域に上側導体層を形成する。よって、電気特性の測定後には、特定の周波数で無反射終端として機能する優れた終端器が構造物として残るので、電気特性の測定のための構造が測定後の電気特性に与える悪影響が低減された電気特性測定方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態の第１の例の終端器を模式的に示す外観斜視図である。
【図２】図１に示す終端器のＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】本発明の実施の形態の第２の例の終端器を模式的に示す外観斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態の第３の例の終端器を模式的に示す外観斜視図である。
【図５】（ａ）は図４に示す終端器の分割用導体層54ａおよびその上の部分を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は図４に示す終端器の分割用導体層54ａ，54ｂの間に位置する部分および分割用導体層54ｂを模式的に示す平面図であり、（ｃ）は図４に示す終端器の分割用導体層54ｂと下側導体層52との間に位置する部分および下側導体層52を模式的に示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態の第４の例の電気特性測定方法に用いる終端器の例の電気特性測定時の構造を模式的に示す外観斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態の第４の例の電気特性測定方法に用いる終端器の例の電気特性測定後の構造を模式的に示す外観斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態の第３の例の終端器の電気特性の測定結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の終端器を添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。
（実施の形態の第１の例）
図１は本発明の実施の形態の第１の例の終端器を模式的に示す外観斜視図である。図２は図１に示す終端器のＡ−Ａ’線断面図である。
【００２０】
本例の終端器は、図１および図２に示すように、上側の管壁11と、下側の管壁12と、側壁13ａ，13ｂと、分割用導体壁14と、終端導体壁15ａ，15ｂと、減衰用導波路30ａ，30ｂと、伝送部20と、減衰部40とを備えている。
【００２１】
上側の管壁11，下側の管壁12および２つの側壁13ａ，13ｂで方形導波管が構成されており、伝送部20では、これらに囲まれた導波領域全体で高周波信号が伝送される。減衰部40では、上側の管壁11および下側の管壁12の間に２つの側壁13ａ，13ｂに渡って水平に配置された分割用導体壁14によって、導波領域が２つの減衰用導波路30ａ，30ｂに分割されている。そして、減衰用導波路30ａ，30ｂの伝送部20に接続された側と反対側の各々の端部は、それぞれ終端導体壁15ａ，15ｂで終端されている。なお、上側の管壁11，下側の管壁12および分割用導体壁14は互いに平行に、側壁13ａ，13ｂはこれらに直交するように配置されて互いに接続されている。終端導体壁15ａは、減衰用導波路30ａの端部に高周波信号の伝播方向に直交するように配置されており、上側の管壁11，分割用導体壁14および側壁13ａ，13ｂに接続されている。終端導体壁15ｂは、減衰用導波路30ｂの端部に高周波信号の伝播方向に直交するように配置されており、下側の管壁12，分割用導体壁14および側壁13ａ，13ｂに接続されている。
【００２２】
このような構成を備える本例の終端器によれば、上側の管壁11と、下側の管壁12と、側壁13ａ，13ｂと、分割用導体壁14と、終端導体壁15ａ，15ｂとによって構成されていることから、電波吸収体を必要としないので、構造が単純で製造が容易な終端器を得ることができる。
【００２３】
また、本例の終端器によれば、方形導波管の導波領域が分割用導体壁14によって２つの減衰用導波路30ａ，30ｂに分割されていることから、減衰用導波路30ａ，30ｂを伝播する高周波信号に起因して分割用導体壁14に生じる電流によって反射波を減衰させることができるので、広い周波数範囲に渡って反射波が小さく小型の終端器を得ることができる。なお、減衰用導波路30ａ，30ｂの長さは、許容できる反射波のレベルと、減衰用導波路30ａ，30ｂを伝播する高周波信号の単位長さあたりの減衰量に応じて設定される。また、さらに多数の分割用導体壁によって方形導波管の導波領域を多数の減衰用導波路に分割されるようにすることにより、反射波の減衰作用を大きくすることができるので、より小型の終端器を得ることができる。
【００２４】
また、多数の貫通孔が、分割用導体壁14の壁面の全体に渡って、壁面の半分以上の面積を占めるように形成された構造にすることにより、減衰用導波路30ａ，30ｂを伝播する高周波信号によって分割用導体壁14に生じる電流の流れを妨げることができる。これによって分割用導体壁14による反射波の減衰作用を大きくすることができるので、広い周波数範囲に渡って反射波が小さいさらに小型の終端器を得ることができる。さらに、分割用導体壁14の高周波抵抗を上側の管壁11，下側の管壁12および側壁13ａ，13ｂよりも大きくすると、分割用導体壁14による反射波の減衰作用を大きくすることができる。分割用導体壁14の高周波抵抗を大きくする手段としては、分割用導体壁14を構成する導体の抵抗率を高くすることや、分割用導体壁14の表面に多数の凹部や凸部を形成することが例示できる。
【００２５】
さらに、本例の終端器によれば、減衰用導波路30ａの長さＢと減衰用導波路30ｂの長さＣとが異なっており、その差は特定周波数の高周波信号の減衰用導波路30ａ，30ｂ内における波長の１／４に設定されている。これにより、特定周波数の高周波信号に対して、減衰用導波路30ａ，30ｂの移相量の差はπ／２であり、減衰用導波路30ａを往復した高周波信号と減衰用導波路30ｂを往復した高周波信号との位相差はπになる。このような構成により、特定の周波数において、終端導体壁15ａによって反射された高周波信号の反射波と、終端導体壁15ｂによって反射された高周波信号の反射波とが、減衰部40と伝送部20との接続面Ｄ−Ｄ’において合成されて互いに打ち消し合う現象を生じさせることができる。これにより、特定の周波数における反射波を非常に小さくすることができるので、特定の周波数において無反射終端器として機能する終端器を得ることができる。
【００２６】
（実施の形態の第２の例）
図３は本発明の実施の形態の第２の例の終端器を模式的に示す縦断面図である。なお、本例においては前述した第１の例と異なる点のみについて説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。
【００２７】
図３に示す本例の終端器は、図２に示す第１の例の終端器と比較するとわかるように、上側の管壁11の高周波信号の伝播に寄与しない不要な部分が取り除かれている。このような構成を備える本例の終端器によれば、単純な構造を備える通常の方形導波管を複数組み合わせることによって本例の終端器を構成することが可能になるので、さらに製造が容易な終端器を得ることができる。
【００２８】
（実施の形態の第３の例）
図４は本発明の実施の形態の第３の例の終端器を模式的に示す外観斜視図である。図５（ａ）は図４に示す終端器の分割用導体層54ａおよびその上の部分を模式的に示す平面図であり、図５（ｂ）は図４に示す終端器の分割用導体層54ａ，54ｂの間に位置する部分および分割用導体層54ｂを模式的に示す平面図であり、図５（ｃ）は図４に示す終端器の分割用導体層54ｂと下側導体層52との間に位置する部分および下側導体層52を模式的に示す平面図である。なお、終端器の内部構造をわかり易くするために、図４および図５（ａ）〜（ｃ）においては終端器を構成する積層体の図示を省略しており、さらに、図４においては上側の管壁となる上側導体層を取り除いた状態を示している。また、本例においては前述した実施の形態の例と異なる点のみについて説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。
【００２９】
本例の終端器は、図４および図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、積層体（図示せず）と、上側導体層（図示せず）と、下側導体層52と、側壁用貫通導体群53ａ，53ｂと、分割用導体層54ａ，54ｂと、終端導体壁用貫通導体群55ａ，55ｂ，55ｃと、補助貫通導体群56と、減衰用導波路30ｃ，30ｄ，30ｅとを備えている。
【００３０】
積層体（図示せず）は、複数の誘電体層が積層されて構成されている。下側導体層52は、積層体の下面に配置されて方形導波管型高周波線路の下側の管壁となる。上側導体層（図示せず）は、下側導体層52と同一形状をしており、積層体の上面に配置されて方形導波管型高周波線路の上側の管壁となる。側壁用貫通導体群53ａ，53ｂは、積層体中に高周波信号の伝播方向に高周波信号の波長の１／２未満の繰り返し間隔で配置されて、方形導波管型高周波線路の側壁となる。上側導体層（図示せず）および下側導体層52は互いに平行に配置されており、それぞれ側壁用貫通導体群53ａ，53ｂに接続されている。そして、伝送部20においては、上側導体層（図示せず），下側導体層52および側壁用貫通導体群53ａ，53ｂに囲まれた導波領域全体で高周波信号が伝送される。
【００３１】
分割用導体層54ａ，54ｂは、減衰部40において、上側導体層（図示せず）と下側導体層52との間に位置する積層体の層間に配置されており、方形導波管型高周波線路の導波領域を上下方向に分割する分割用導体壁として機能する。分割用導体層54ａ，54ｂは、上側導体層（図示せず）および下側導体層52に平行に配置されており、側壁用貫通導体群53ａ，53ｂに接続されている。減衰部40においては、導波領域が分割用導体層54ａ，54ｂによって上下方向に３分割されて、減衰用導波路30ｃ，30ｄ，30ｅが形成されている。
【００３２】
終端導体壁用貫通導体群55ａ，55ｂ，55ｃは、それぞれ積層体中の減衰用導波路30ｃ，30ｄ，30ｅの端部に、高周波信号の伝播方向と直交する方向に高周波信号の波長の１／２未満の繰り返し間隔で配置されており、終端導体壁として機能する。また、側壁用貫通導体群53ａ，53ｂおよび終端導体壁用貫通導体群55ａ，55ｂ，55ｃの外側には補助貫通導体群56が配置されており、これによって高周波信号の漏洩が防止されている。このような構成を備える本例の終端器によれば、誘電体中に終端器が構成されているので、小型の終端器を得ることができる。
【００３３】
また、本例の終端器は、図５に示すように、終端導体壁用貫通導体群55ａ，55ｂ，55ｃの位置が異なることにより、減衰用導波路30ｃ，30ｄ，30ｅの長さが異なっており、これにより、特定周波数の高周波信号に対して、減衰用導波路30ｄの移相量は減衰用導波路30ｅの移相量よりも60°大きく、減衰用導波路30ｃの移相量は減衰用導波路30ｄの移相量よりも60°大きくなるようにされている。このため、減衰用導波路30ｃを往復した高周波信号と減衰用導波路30ｄを往復した高周波信号との位相差は120°となり、減衰用導波路30ｄを往復した高周波信号と減衰用導波路30ｅを往復した高周波信号との位相差は120°となり、減衰用導波路30ｃを往復した高周波信号と減衰用導波路30ｅを往復した高周波信号との位相差は240°となる。これにより、特定の周波数において、終端導体壁用貫通導体群55ａ，55ｂ，55ｃによってそれぞれ反射された高周波信号の反射波が減衰部40と伝送部20との接続面Ｄにおいて合成されて互いに打ち消し合う現象を生じさせることができる。これにより、特定の周波数における反射波を非常に小さくすることができるので、特定の周波数において無反射終端器として機能する終端器を得ることができる。
【００３４】
さらに、本例の終端器によれば、減衰用導波路30ｃ，30ｄ，30ｅは、側壁用貫通導体群53ａ，53ｂ同士の間隔が伝送部20における側壁用貫通導体群53ａ，53ｂ同士の間隔と等しい幅広部と、側壁用貫通導体群53ａ，53ｂ同士の間隔が、伝送部20における側壁用貫通導体群53ａ，53ｂ同士の間隔よりも小さく、且つ減衰用導波路30ｃ，30ｄ，30ｅ内を伝播する高周波信号の波長の１／２より大きく設定された幅狭部と、幅狭部と幅広部とを接続するとともに側壁用貫通導体群53ａ，53ｂ同士の間隔が漸次的に変化する接続部とを備えている。これにより減衰用導波路30ｃ，30ｄ，30ｅの幅狭部を伝播する高周波信号をさらに減衰させることができるため、減衰用導波路30ｃ，30ｄ，30ｅの長さをさらに短縮することができるので、広い周波数範囲に渡って反射波が小さく、さらに小型の終端器を得ることができる。
【００３５】
本例の終端器において、終端器を構成する誘電体層の比誘電率は、例えば２〜20程度とされる。誘電体層の材質としては、高周波信号の伝送を妨げない特性を有するものであれば特に限定するものではなく、ガラスエポキシ等の樹脂を使用することも可能であるが、終端器を形成する際の精度および製造の容易性の点からは誘電体セラミックスを使用することが望ましい。上側導体層（図示せず），下側導体層52および分割用導体層54ａ，54ｂは、良導電性の金属からなり、その厚みは、例えば、３μｍ〜50μｍ程度とされる。側壁用貫通導体群53ａ，53ｂおよび終端導体壁用貫通導体群55ａ，55ｂ，55ｃの繰り返し間隔は、高周波信号の漏洩を防止する観点から、終端器を伝送する高周波信号の波長の１／２未満であることが必要であり、１／４未満であることが好ましい。側壁用貫通導体群53ａ，53ｂ、終端導体壁用貫通導体群55ａ，55ｂ，55ｃおよび補助貫通導体群56としてはビアホールやスルーホールを用いることができ、その直径は、例えば0.05ｍｍ〜0.5ｍｍ程度とされる。
【００３６】
本例の終端器は、例えば、次のようにして作製することができる。まず、ガラス，アルミナ，窒化アルミニウム等を主成分とするセラミック原料粉末に適当な有機溶剤と溶媒とを添加混合して得た泥漿を用いて、ドクターブレード法やカレンダーロール法等によってセラミックグリーンシートを作製する。次に、得られたセラミックグリーンシートにパンチングマシーン等を用いて側壁用貫通導体群53ａ，53ｂ、終端導体壁用貫通導体群55ａ，55ｂ，55ｃおよび補助貫通導体群56を形成するための貫通孔を形成し、金属粉末に適当なアルミナ・シリカ・マグネシア等の酸化物や有機溶剤等を添加混合してペースト状にしたものを、厚膜印刷法により貫通孔に充填するとともにセラミックグリーンシートの表面に塗布して導体ペースト付きセラミックグリーンシートを作製する。次に、得られた導体ペースト付きセラミックグリーンシートを積層し、ホットプレス装置を用いて圧着して積層体を形成する。そして、得られた積層体を、誘電体層がガラスセラミックスの場合は850℃〜1000℃程度、アルミナ質セラミックスの場合は1500℃〜1700℃程度、窒化アルミニウム質セラミックスの場合は1600℃〜1900℃程度のピーク温度で焼成することによって作製される。なお、金属粉末としては、誘電体層がガラスセラミックスの場合は銅，金または銀が、誘電体層がアルミナ質セラミックスまたは窒化アルミニウム質セラミックスの場合にはタングステンまたはモリブデンが好適である。
【００３７】
（実施の形態の第４の例）
図６は本発明の実施の形態の第４の例の電気特性測定方法に用いる終端器の例の電気特性測定時の構造を模式的に示す外観斜視図であり、図７は電気特性測定後の構造を模式的に示す外観斜視図である。なお、終端器の内部構造をわかり易くするために、図６および図７においては終端器を構成する積層体の図示を省略している。また、図６および図７に示す終端器においては図４および図５に示した終端器と異なる点について説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。
【００３８】
図６および図７に示す終端器は、積層体（図示せず）と、上側導体層51と、下側導体層52と、側壁用貫通導体群53ａ，53ｂと、分割用導体層54ａと、終端導体壁用貫通導体群55ａ，55ｂと、減衰用導波路30ｃ，30ｄとを備えている。図６および図７に示す終端器は、減衰部が２つの減衰用導波路30ｃ，30ｄに分割されているため、分割用導体層54ｂ，減衰用導波路30ｅおよび終端導体壁用貫通導体群55ｃを備えていない。また、補助貫通導体群56を備えていない。そして、図６および図７に示す終端器においては、減衰用導波路30ａの長さと減衰用導波路30ｂの長さとの差が特定周波数の高周波信号の減衰用導波路30ａ，30ｂ内における波長の１／４に設定されている。これにより、図７に示す終端器において、特定の周波数において、終端導体壁15ａによって反射された高周波信号の反射波と、終端導体壁15ｂによって反射された高周波信号の反射波とが互いに打ち消し合う現象を生じさせることができるので、特定の周波数において無反射終端器として機能する。
【００３９】
また、図６に示す終端器においては、終端器の最も上側に位置する減衰用導波路30ｃの終端導体壁側（終端導体壁を構成する終端導体壁用貫通導体群55ａ側）における積層体（図示せず）の上面は、上側導体層51が配置されていない上側導体層の非形成領域とされている。そして、上側導体層の非形成領域に一方端が上側導体層51に接続されて他方端が開放端とされた帯状導体57が配置されている。また、上側導体層の非形成領域における帯状導体57の他方端（開放端）の周囲には、帯状導体57と間隔を開けて帯状導体57の他方端の周囲を囲むようにコの字型の接地端子用導体58が配置されている。なお、図６に示す終端器においては、帯状導体57，分割用導体層54ａおよび両者の間に位置する誘電体層によって、マイクロストリップ型の高周波線路が構成されている。
【００４０】
本例の電気特性測定方法によれば、このような構成を備える図６に示す終端器を用いて、例えば、中央の信号端子およびその両側に配置された接地端子を備える３端子型のプローブの信号端子を帯状導体57の他方端に接触させるとともに、２つの接地端子を接地端子用導体58に接触させることにより、伝送部20および減衰用導波路30ｃを伝播して来た電気信号を、帯状導体57を介して取り出して測定する。これにより、終端器およびそれに接続された高周波回路の電気特性を測定することができる。すなわち、終端器の伝送部20側の端部にポートを設けた場合には終端器のみの電気特性を測定することができる。また、電気特性を測定したい高周波回路に終端器の伝送部20側の端部を接続することにより、高周波回路の電気特性を終端器を含んだ状態で測定することができる。なお、測定結果から終端器の影響を取り除くことにより、高周波回路のみの電気特性を知ることができる。
【００４１】
また、本例の電気特性測定方法によれば、帯状導体57の他方端にプローブを接触させて電気特性を測定した後に、図６に示す終端器の上側導体層の非形成領域に、図７に示す終端器のように、上側導体層51’を形成する。上側導体層51’は、上側導体層の非形成領域の全面を覆うように（上側導体層の非形成領域がなくなるように）、また、以前から形成されていた上側導体層51と一体になるように形成される。そして、上側導体層51および上側導体層51’によって方形導波管型高周波線路の上側の管壁が構成される。
【００４２】
なお、図７に示す上側導体層51’は、例えば、図６に示す終端器の上側導体層の非形成領域に、金属粉末に適当なアルミナ・シリカ・マグネシア等の酸化物や有機溶剤等を添加混合してペースト状にしたものを、厚膜印刷法を用いて塗布した後に焼成することにより形成することができる。また、金属粉末が樹脂中に混入された導電ペーストを塗布した後に加熱等によって硬化させて形成しても構わない。
【００４３】
このような本例の電気特性測定方法によれば、電気特性の測定後には、特定の周波数で無反射終端として機能する優れた終端器が構造物として残るので、電気特性の測定のための構造が測定後の電気特性に与える悪影響が非常に低減された、優れた電気特性測定方法を得ることができる。
【００４４】
（変形例）
本発明は前述した実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更，改良が可能である。
【００４５】
例えば、図１〜図３に示した終端器においては、２つの減衰用導波路30ａ，30ｂを備えた例を示し、図４および図５に示した終端器においては、３つの減衰用導波路30ｃ，30ｄ，30ｅを備えた例を示したが、伝送部20と減衰部40との接続面において各々の終端導体壁からの反射波が打ち消し合うという条件さえ満たせば、さらに多数の減衰用導波路を備えるようにしても構わない。但し、通常は５つ以下程度に設定される。
【００４６】
また、図４〜図５に示した終端器においては、積層体（図示せず）の上面に上側導体層51，51’が配置され、積層体の下面に下側導体層52が配置された例を示したが、上側導体層の上側にさらに誘電体層が配置されてもよく、下側導体層52の下側にさらに誘電体層が配置されるようにしても構わない。
【００４７】
さらに、本発明の実施の形態の第４の例の電気特性測定方法においては、中央の信号端子およびその両側に配置された接地端子を備える３端子型のプローブを用いた例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、１つの信号端子および１つの接地端子を備えるプローブを用いてもよく、信号端子のみを備えるプローブを用いても構わない。よって、図６に示した接地端子用導体58は必ず必要なものではない。
【００４８】
またさらに、本発明の実施の形態の第４の例の電気特性測定方法においては、帯状導体57の他方端に直接プローブを接触させる例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、帯状導体57の他方端に接続された端子電極を設けて、この端子電極にプローブを接触させても構わない。また、必ずしもプローブを用いる必要はなく、例えば、測定器に接続された導線を直接半田付け等によって端子電極または帯状導体57に接続しても構わない。
【実施例】
【００４９】
次に、本発明の終端器の具体例について説明する。
【００５０】
図４および図５に示した実施の形態の第３の例の終端器を作製してその電気特性を測定した。終端器を構成する誘電体層は、比誘電率が9.4で誘電正接が0.003のアルミナからなり、厚み0.15ｍｍの層が３層積層された総厚0.45ｍｍの誘電体層とした。また、終端器を構成する上側導体層，下側導体層52，分割用導体層54ａ，54ｂ，側壁用貫通導体群53ａ，53ｂ，終端導体壁用貫通導体群55ａ，55ｂ，55ｃおよび補助貫通導体群56の材質はモリブデンとした。側壁用貫通導体群53ａ，53ｂおよび終端導体壁用貫通導体群55ａ，55ｂ，55ｃは直径0.1ｍｍのビアホールが0.3ｍｍ程度の繰り返し間隔で配置されたものとした。２列の側壁用貫通導体群53ａ，53ｂ同士の間隔は、伝送部20において1.15ｍｍとし、減衰用導波路30ｃ，30ｄ，30ｅにおいて0.7ｍｍとした。また、減衰用導波路30ｃの長さは減衰用導波路30ｄの長さより0.32ｍｍ長く、減衰用導波路30ｄの長さは減衰用導波路30ｅの長さより0.32ｍｍ長いようにした。
【００５１】
そして、伝送部20における減衰用導波路30ｃ，30ｄ，30ｅに接続された側と反対側の端部をポート１とし、電気特性として反射特性（Ｓ11）を測定した。図８はその結果を示すグラフであり、横軸は周波数を表し、縦軸は減衰量を表している。図８に示すグラフによれば、73ＧＨｚ〜83ＧＨｚの非常に広い周波数範囲においてＳ11が−20ｄＢ以上であるとともに、77ＧＨｚおよび80ＧＨｚ付近においてはＳ11が−40ｄＢに達していることがわかる。これにより本発明の有効性が確認できた。
【符号の説明】
【００５２】
11：上側の管壁
12：下側の管壁
13ａ，13ｂ：側壁
14：分割用導体壁
15ａ，15ｂ：終端導体壁
20：伝送部
30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄ，30ｅ：減衰用導波路
40：減衰部
51，51’：上側導体層
52：下側導体層
53ａ，53ｂ：側壁用貫通導体群
54ａ，54ｂ：分割用導体層
55ａ，55ｂ，55ｃ：終端導体壁用貫通導体群
57：帯状導体
58：接地端子用導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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