(57)【要約】      （修正有）【課題】改良された熱特性を有する非等長コンタクトを含む電気的にプログラム可能なヒューズ、及びその製造方法を提供する。【解決手段】その上に形成されたシリサイド層を有するポリシリコン層から形成されたアノード・コンタクト領域１１０及びカソード・コンタクト領域１１８と、カソード・コンタクト領域とアノード・コンタクト領域とを導電接続する、プログラミング電流を印加することによってプログラム可能なヒューズリンク１１６と、カソード・コンタクト領域のシリサイド層上又はカソード・コンタクト領域とアノード・コンタクト領域の両方のシリサイド層上にそれぞれ所定の構成で形成された複数の非等長コンタクト１２０とを含む、電気的にプログラム可能なヒューズである。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上にシリサイド層を有するポリシリコン層から形成された、アノード・コンタクト領域及びカソード・コンタクト領域と、
前記カソード・コンタクト領域と前記アノード・コンタクト領域とを導電的に接続するヒューズリンクであって、プログラミング電流を印加することによってプログラム可能なヒューズリンクと、
前記カソード・コンタクト領域及び前記アノード・コンタクト領域の前記シリサイド層上にそれぞれ所定の構成で形成された複数の非等長コンタクトと、
を含む、電気的にプログラム可能なヒューズ。
【請求項２】
前記非等長コンタクトが、横並びの配列で形成される、請求項１に記載の電気的にプログラム可能なヒューズ。
【請求項３】
前記アノード及びカソード・コンタクト領域の幅が、前記電気的にプログラム可能なヒューズの電流の流れ方向における各々の非等長コンタクトの長さより短い、請求項２に記載の電気的にプログラム可能なヒューズ。
【請求項４】
前記非等長コンタクトが、前記アノード及びカソード・コンタクト領域に直交して形成される、請求項１に記載の電気的にプログラム可能なヒューズ。
【請求項５】
前記複数の非等長コンタクトが、前記アノード・コンタクト領域及び前記カソード・コンタクト領域上にそれぞれ形成された一対の非等長コンタクトを含む、請求項２に記載の電気的にプログラム可能なヒューズ。
【請求項６】
前記非等長コンタクトが、ｎ×１配列で位置合わせされ、ここで、ｎは１より大きい整数である、請求項１に記載の電気的にプログラム可能なヒューズ。
【請求項７】
前記電気的にプログラム可能なヒューズの電流の流れ方向における各々の非等長コンタクトの長さが、各々の非等長コンタクトの幅より大きい、請求項１に記載の電気的にプログラム可能なヒューズ。
【請求項８】
前記ヒューズリンクの幅が、各々の非等長コンタクトの幅より小さく、かつ各々の非等長コンタクトの幅が、該ヒューズリンクの幅の３倍より小さい、請求項７に記載の電気的にプログラム可能なヒューズ。
【請求項９】
ポリシリコン層を基板上に堆積させることと、
アノード・コンタクト領域、カソード・コンタクト領域、及び前記カソード・コンタクト領域と前記アノード・コンタクト領域とを導電的に接続する、プログラミング電流を印加することによってプログラム可能なヒューズリンクをパターン形成することと、
シリサイド層を前記ポリシリコン層上に堆積させることと、
前記カソード・コンタクト領域及び前記アノード・コンタクト領域の前記シリサイド層上に、複数の非等長コンタクトをそれぞれ所定の構成で形成することと、
を含む、電気的にプログラム可能なヒューズの製造方法。
【請求項１０】
前記複数の非等長コンタクトを形成することが、前記非等長コンタクトを横並びの配列で形成することを含む、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の非等長コンタクトを形成することが、前記非等長コンタクトを前記アノード及びカソード・コンタクト領域に直交するように形成することを含む、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記複数の非等長コンタクトを形成することが、前記非等長コンタクトをｎ×１配列で形成することを含み、ここで、ｎは１より大きい整数である、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１３】
上にシリサイド層を有するポリシリコン層から形成された、アノード・コンタクト領域及びカソード・コンタクト領域と、
前記カソード・コンタクト領域と前記アノード・コンタクト領域とを導電的に接続するヒューズリンクであって、プログラミング電流を印加することによってプログラム可能なヒューズリンクと、
それぞれ所定の構成で前記カソード・コンタクト領域の前記シリサイド層上に形成された複数の非等長コンタクトと、前記アノード・コンタクト領域上に形成された複数の対称コンタクトと、
を含む、電気的にプログラム可能なヒューズ。
【請求項１４】
前記非等長コンタクトが、横並びの配列である、請求項１３に記載の電気的にプログラム可能なヒューズ。
【請求項１５】
前記非等長コンタクトが、前記カソード・コンタクト領域に直交して形成される、請求項１３に記載の電気的にプログラム可能なヒューズ。
【請求項１６】
前記アノード及びカソード・コンタクト領域の幅が、前記電気的にプログラム可能なヒューズの電流の流れ方向における各々の非等長コンタクトの長さより短い、請求項１３に記載の電気的にプログラム可能なヒューズ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的にプログラム可能なヒューズに関し、特に非等長（anisometric）コンタクトを含む電気的にプログラム可能なヒューズ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気的にプログラム可能なヒューズは、半導体産業における多くの先進技術に使用されてきた。これらのヒューズは、アレイの冗長性の実装、フィールド・プログラマブル・アレイ及びイン・チップＩＤのような種々の集積回路用途、並びにアナログ・トリミング回路のために利用されている。これらのヒューズは、例えば、データを集積回路上に格納すること、回路上のコンポーネントを調整すること、又は回路上の論理をプログラムすることのためにプログラムすることができる。典型的な電気的にプログラム可能なヒューズにおいて、コンタクトは、印刷及びコンタクト処理の最適化をより容易にするために対称的に位置決めされる。対称的という用語は、コンタクトの数、及び主として正方形（すなわち、対称）のコンタクトの形状のことを指す。従来のヒューズはさらに、典型的には、コンタクトのための実際のヒューズリンク幅の数倍もの大きな端子領域（landing region）を有する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来のヒューズにおけるコンタクトに付随する幾つかの問題がある。例えば、プログラミング電流を流したときのエレクトロマイグレーションの間に、発熱がヒューズリンクの中央部に限定されずにその代わりコンタクトの温度が上昇することによって、コンタクトの劣化が引き起こされる可能性があり、そのことにより、ヒューズがプログラムされた状態を維持できないことがある。大型の対称コンタクトを用いると、コンタクトの劣化の問題は解決されるが、系の熱容量（thermal mass）が増大することにより、非常に大きなプログラミング電流が必要とされる。従来のヒューズの大きなコンタクト端子領域も熱容量に寄与するので、高いプログラミング電流を必要とし、コンタクトの劣化のリスクを増大させる。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上で示された問題を解決するために、本発明は、非等長の側部を有するコンタクトを含む電気的にプログラム可能なヒューズ、及びその製造方法を提供する。
【０００５】
本発明の実施形態によれば、電気的にプログラム可能なヒューズが提供される。電気的にプログラム可能なヒューズは、上にシリサイド層を有するポリシリコン層から形成されたアノード・コンタクト領域及びカソード・コンタクト領域と、カソード・コンタクト領域とアノード・コンタクト領域とを導電的に接続する、プログラミング電流を印加することによってプログラム可能なヒューズリンクと、カソード・コンタクト領域及びアノード・コンタクト領域のシリサイド層上にそれぞれ所定の構成で形成された複数の非等長コンタクトとを含む。
【０００６】
本発明の別の実施形態によれば、電気的にプログラム可能なヒューズを製造するための製造方法が提供される。この方法は、ポリシリコン層を基板上に堆積させることと、アノード・コンタクト領域、カソード・コンタクト領域、及びカソード・コンタクト領域とアノード・コンタクト領域とを導電的に接続する、プログラミング電流を印加することによってプログラム可能なヒューズリンクをパターン形成することと、シリサイド層をポリシリコン層上に堆積させることと、カソード・コンタクト領域及びアノード・コンタクト領域のシリサイド層上に複数の非等長コンタクトをそれぞれ所定の構成で形成することとを含む。
【０００７】
本発明のさらに別の実施形態によれば、電気的にプログラム可能なヒューズが提供される。電気的にプログラム可能なヒューズは、上にシリサイド層を有するポリシリコン層から形成されたアノード・コンタクト領域及びカソード・コンタクト領域と、カソード・コンタクト領域とアノード・コンタクト領域とを導電的に接続する、プログラミング電流を印加することによってプログラム可能なヒューズリンクと、それぞれ所定の構成でカソード・コンタクト領域のシリサイド層上に形成された複数の非等長コンタクトとアノード・コンタクト領域上に形成された複数の対称コンタクトとを含む。
【０００８】
さらなる特徴及び利点が、本発明の技術によって実現される。本発明の他の実施形態及び態様は、本明細書において詳細に説明されており、特許請求される本発明の一部と見なされる。本発明を利点及び特徴と共により良く理解するために、説明及び図面を参照されたい。
【０００９】
本発明とみなされる主題は、本明細書の結論部の特許請求の範囲において具体的に指し示され、明確に特許請求される。本発明の上述及び他の目的、特徴及び利点は、以下の詳細な説明を添付の図面と共に参照することで明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】従来の電気的にプログラム可能なヒューズの平面図である。
【図２】従来の電気的にプログラム可能なヒューズの平面図である。
【図３】本発明の実施形態の範囲内で実施することができる幅の狭いコンタクト領域を有する電気的にプログラム可能なヒューズの平面図である。
【図４】本発明の実施形態の範囲内で実施することができる電気的にプログラム可能なヒューズの平面図である。
【図５】本発明の実施形態の範囲内で実施することができる電気的にプログラム可能なヒューズの側面図である。
【図６】本発明の代替的な実施形態の範囲内で実施することができる電気的にプログラム可能なヒューズの平面図である。
【図７】本発明の代替的な実施形態の範囲内で実施することができる電気的にプログラム可能なヒューズの平面図である。
【図８】本発明の代替的な実施形態の範囲内で実施することができる電気的にプログラム可能なヒューズの平面図である。
【図９】従来の電気的にプログラム可能なヒューズに対する、幅の狭いコンタクト領域を有する電気的にプログラム可能なヒューズ及び本発明の実施形態による電気的にプログラム可能なヒューズのプログラムされた抵抗の分布を示す、つり鐘型曲線である。
【図１０】本発明の実施形態の範囲内で実施することができる電気的にプログラム可能なヒューズの製造方法の操作を示す、それぞれ、平面図（Ａ）及び側面図（Ｂ）である。
【図１１】本発明の実施形態の範囲内で実施することができる電気的にプログラム可能なヒューズの製造方法の操作を示す、それぞれ、平面図（Ａ）及び側面図（Ｂ）である。
【図１２】本発明の実施形態の範囲内で実施することができる電気的にプログラム可能なヒューズの製造方法の操作を示す、それぞれ、平面図（Ａ）及び側面図（Ｂ）である。
【図１３】本発明の実施形態の範囲内で実施することができる電気的にプログラム可能なヒューズの製造方法の操作を示す、それぞれ、平面図（Ａ）及び側面図（Ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
詳細な説明は、例として図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を利点及び特徴と共に記載する。
【００１２】
ここで、より詳細に図面を参照すると、図１及び図２は、それぞれ、従来の電気的にプログラム可能なヒューズ２０及び３０を示していることがわかる。図１において、従来の電気的にプログラム可能なヒューズ２０は、３×３配列で位置決めされた対称コンタクト２５のアレイを含み、図２において、従来の電気的にプログラム可能なヒューズ３０は、２×１配列で位置決めされた対称コンタクト３５のアレイを含む。図１及び図２でわかるように、コンタクト２５及び３５がそれぞれ形成されるコンタクト領域は、コンタクトの加工のために大きな面積を有する。従来の電気的にプログラム可能なヒューズに付随する１つの問題は、プログラミング電流がヒューズに印加され、熱がコンタクトに加えられたときの、エレクトロマイグレーションの間のコンタクトの劣化の可能性である。
【００１３】
図１及び図２における従来の電気的にプログラム可能なヒューズに付随するコンタクトの劣化のような幾つかの問題を解消するために、本発明の実施形態による幅の狭いコンタクト領域を有する電気的にプログラム可能なヒューズ４０が、図３に提示される。電気的にプログラム可能なヒューズ４０は、ヒューズリンク４２、アノード・コンタクト領域４３及びカソード・コンタクト領域４４を含み、ヒューズリンク４２は、カソード・コンタクト領域４４とアノード・コンタクト領域４３とを導電的に接続しており、プログラミング電流を印加することによってプログラム可能である。本発明の実施形態によれば、アノード及びカソード・コンタクト領域４３及び４４は、図１及び図２に示されるものよりも幅が狭い。幅の狭いコンタクト領域４３及び４４は、システムの熱容量を減少させ、それにより、ヒューズをプログラムするために必要な電流が低減される。対称コンタクト４５は、アノード及びカソード・コンタクト領域４３及び４４の各々の上に１×４配列で形成される。電流の流れ方向におけるコンタクト４５のサイズは、電流の流れ方向に垂直な方向のコンタクトのサイズに等しい。本発明は、図４から図８までを参照して後述されるように、いかなる特定のコンタクトの数又はコンタクトの形状にも限定されない。さらに、金属層４６が、コンタクト４５の上を覆って形成され、アノード及びカソード・コンタクト領域４３及び４４のためのヒートシンクとして機能する。金属層４６は、ヒューズリンク４２から隔離されている。
【００１４】
図４に、本発明の好ましい実施形態による電気的にプログラム可能なヒューズ１００が示される。電気的にプログラム可能なヒューズ１００は、アノード・コンタクト領域１１０と、カソード・コンタクト領域１１８と、カソード・コンタクト領域１１８とアノード・コンタクト領域１１０とを導電的に接続するヒューズリンク１１６とを含む。ヒューズリンク１１６は、プログラミング電流を印加することによってプログラム可能である。電気的にプログラム可能なヒューズ１００は、アノード及びカソード・コンタクト領域１１０及び１１８上にそれぞれ位置決めされた複数の非等長コンタクト１２０を含む。本発明の好ましい実施形態によれば、「非等長」とは、一方向におけるコンタクトの寸法が他の方向におけるコンタクト１２０の寸法に等しくないことをいう（例えば、コンタクト１２０の幅は、コンタクト１２０の長さに等しくない）。金属層１２５は、アノード及びカソード・コンタクト領域１１０及び１１８に接触する。図４にさらに示されるように、Ｗｆは、ヒューズリンク１１６の幅を表し、Ｌｃは、各コンタクト１２０の長い方の寸法を表し、Ｗｃは、各コンタクト１２０の短い方の寸法を表す。本発明の好ましい実施形態によれば、Ｗｆ＜Ｗｃ＜３Ｗｆ、かつ２＜Ｌｃ／Ｗｃ＜１０である。コンタクト長Ｌｃは、コンタクト幅Ｗｃより大きい。コンタクト１２０間の距離は、コンタクト幅Ｗｃより大きい。本発明の好ましい実施形態によれば、Ｗｆは、所与の技術における公称ゲート長に等しく、およそ２２ｎｍからおよそ３５０ｎｍまでの範囲にわたることができる。例えば、所与の技術ノードについて、Ｗｆ＝４５ｎｍとすると、Ｗｃは、およそ６０ｎｍから１３５ｎｍまでの範囲にわたり、Ｌｃは、およそ１２０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲にわたる。図４に示されるように、本発明の好ましい実施形態によれば、非等長コンタクト１２０は、アノード及びカソード・コンタクト領域１１０及び１１８上にそれぞれ１×２配列のような横並びの配列で位置合わせされた、一対の非等長コンタクトを含む。本発明の実施形態によれば、アノード及びカソード・コンタクト領域１１０及び１１８の幅は、電気的にプログラム可能なヒューズ１００の電流の流れ方向における各々の非等長コンタクト１２０の長さより短い。別の実施形態によれば、コンタクト１２０は、アノード及びカソード・コンタクト領域１１０及び１１８に対して直交するように位置合わせされてもよい（例えば、図７に示されるように）。本発明は、いかなる特定の配列及びコンタクトの数にも限定されず、適宜、変えることができる。非等長コンタクトの配列の代替的な実施形態は、図６及び図７を参照して後述する。ヒューズ１００は非等長コンタクト１２０を含むので、プログラミング電流をヒューズに印加したときに、非等長コンタクト１２０は、匹敵する大きさの対称コンタクトほどには加熱されない。対称コンタクトの場合とは対照的に、非等長コンタクトは、熱容量の大部分をヒューズリンク１１６から遠い方に配置するので、その結果、コンタクト界面における温度がより低くなり、そのことによってコンタクト１２０におけるライナ材料の破壊並びにコンタクト領域１１０及び１１８の劣化が防止される。こ���した劣化は、典型的にはヒューズリンク１１６内への銅の拡散をもたらし、ヒューズ１００の故障を引き起こす。
【００１５】
図５に示されるように、本発明の実施形態によれば、電気的にプログラム可能なヒューズ１００は、ポリシリコン層２１０を基板上に形成し、シリサイド層２１５をポリシリコン層２１０の上に形成することによって形成される。その上に非等長コンタクト１２０がシリサイド層２１５上に形成され、金属層１２５がコンタクト１２０に接する。電気的にプログラム可能なヒューズ１００を形成するための製造方法に関するさらなる詳細は、図１０から図１３までを参照して後述する。
【００１６】
上述のように、本発明は図４及び図５に示される構成に限定されるものではなく、ここで図６、図７及び図８を参照して、その構成の代替的な実施形態を説明する。図６に示されるように、電気的にプログラム可能なヒューズ３００は、アノード・コンタクト領域３０５と、カソード・コンタクト領域３１０と、複数の非等長コンタクト３１５と、ヒューズリンク３２０とを含む。この実施形態において示されるように、コンタクト３１５は、互いに隣接して２×１配列で位置決めされ、アノード及びカソード・コンタクト領域３０５及び３１０は、図４に示されているものと比べて幅広になっている。このように、本発明の１つの実施形態によれば、コンタクト３１５は、ｎ×１配列とすることができ、ここで、ｎは１より大きい。図７は、本発明のさらに別の実施形態による電気的にプログラム可能なヒューズ３５０を示す。図７に示されるように、電気的にプログラム可能なヒューズ３５０は、アノード・コンタクト領域３５５と、カソード・コンタクト領域３６０と、複数の非等長コンタクト３６５と、ヒューズリンク３７０とを含む。この実施形態において、コンタクト３６５は、縦方向に（すなわち、アノード及びカソード・コンタクト領域３５５及び３６０と直交して）位置決めされる。アノード及びカソード・コンタクト領域３５５及び３６０は、図４に示されているものと同じ多い大きさである。図８は、本発明のさらに別の実施形態による電気的にプログラム可能なヒューズ４００を示す。図８に示されるように、電気的にプログラム可能なヒューズ４００は、アノード・コンタクト領域４５５と、カソード・コンタクト領域４６０と、カソード・コンタクト領域４６０上のみに複数の非等長コンタクト４６５と、アノード・コンタクト領域４５５上に対称コンタクト４５６と、ヒューズリンク４７０とを含む。カソード・コンタクト領域４６０上のみに非等長コンタクト４６５を形成する目的は、エレクトロマイグレーションの間のコンタクトの劣化が、典型的にはヒューズのカソードにおいて発生することにある。本発明の１つの実施形態によれば、非等長コンタクト４６５は、カソード・コンタクト領域４６０と直交して形成される。本発明は、非等長コンタクトのいかなる特定の数にも限定されず、適宜、変えることができる。
【００１７】
図９は、従来の電気的にプログラム可能なヒューズ（参照数字６０によって示される）に対して、幅の狭いコンタクト領域を有する電気的にプログラム可能なヒューズ（参照数字６５によって示される）及び本発明の実施形態による電気的にプログラム可能なヒューズ（参照数字７０によって示される）のプログラムされた抵抗の分布を示す、つり鐘型曲線である。図９に示されるように、本発明の電気的にプログラム可能なヒューズの分布は、より高い抵抗中央値及びより急峻な分布を生じさせ、より優れた検知性能を可能にする。典型的には、対称コンタクトを有する従来の電気的にプログラム可能なヒューズは、プログラムされた抵抗の中央値が１×１０４オームとなり（参照数字６０によって示される）、分布のテール部のヒューズは１×１０３オームという低さになる。幅の狭いコンタクト領域を有する電気的にプログラム可能なヒューズは、１×１０５オームを超える僅かに高い抵抗中央値を有し（参照数字６５によって示される）、分布のテール部のヒューズは１×１０４オームを下回るところまで達する。他方、本発明の実施形態による非等長コンタクトを有する電気的にプログラム可能なヒューズは、およそ１×１０６オームを超える、より高い抵抗中央値を有し（参照番号７０によって示される）、テール部のヒューズが１×１０４オームを下回る抵抗となることはめったになく、そのことにより、検知回路が広い動作限界で作動することが可能になる。
【００１８】
図１０（Ａ）から図１３（Ｂ）は、本発明の実施形態の範囲内で実施することができる電気的にプログラム可能なヒューズの製造方法を示す、それぞれ平面図及び側面図である。ここで、例として図４に示される電気的にプログラム可能なヒューズ１００を製造するための製造方法を以下、説明する。
【００１９】
図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）において、シリコン基板２００を準備し、シャロー・トレンチ分離（ＳＴＩ）２０５をシリコン基板２００の上を覆って形成する。次に、ポリシリコン層２１０をＳＴＩ２０５の上を覆って堆積させる。
【００２０】
次に、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）において、アノード・コンタクト領域１１０、カソード・コンタクト領域１１８及びヒューズリンク１１６を、リソグラフィ・パターン形成プロセスによって形成する。しかしながら、本発明は、これに限定されるものではなく、いずれの適切なプロセスを用いることもできる。
【００２１】
図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）において、次に、シリサイド層２１５を、ポリシリコン層２１０の上を覆って、アノード・コンタクト領域１１０、カソード・コンタクト領域１１８及びヒューズリンク１１６の上に堆積させる。
【００２２】
次に、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）において、複数の非等長コンタクト１２０を、アノード・コンタクト領域１１０及びカソード・コンタクト領域１１８のシリサイド層２１５の上にそれぞれ所定の構成で形成する。
【００２３】
本発明は、ヒューズを大きくすることなく十分なコンタクト面積を可能にする非等長コンタクトを提供する。従って、本発明は、コンタクト・パッドのサイズを大きくしないので、高い密度、改良された信頼性及び改良されたプログラム可能性が維持される。すなわち、非等長コンタクトの改良された熱特性は、より長いプログラミング時間及びより高いプログラミング電流を可能にするという点での利点も有し、このことが、より高いプログラミング後抵抗を可能にし、それゆえ、より単純でよりロバストな検知回路が可能になる。
【００２４】
本発明の好ましい実施形態を説明してきたが、当業者であれば、現在においても将来においても、以下の特許請求の範囲内に含まれる種々の改良及び拡張を行うことができることを理解するであろう。これらの請求項は、最初に記載された本発明についての適正な保護を維持するものであると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００２５】
２０、３０、４０、１００、３００、３５０、４００：電気的にプログラム可能なヒューズ
２５、３５、４５、４５６：対称コンタクト
４３、１１０、３０５、３５５、４５５：アノード・コンタクト領域
４２、１１６、３２０、３７０、４７０：ヒューズリンク
４４、１１８、３１０、３６０、４６０：カソード・コンタクト領域
１２０、３１５、３６５、４６５：非等長コンタクト
４６、１２５：金属層
２００：シリコン基板
２０５：シャロー・トレンチ分離
２１０：ポリシリコン層
２１５：シリサイド層
【図１】
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【図２】
2011009745.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011009745.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2011009745.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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