(57)【要約】【課題】液晶ライトバルブ等の電気光学装置において、光リーク電流の発生を抑制することによって、表示画像の高品位化を図る。【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、走査線（１１）と、データ線（６）と、第１チャネル領域（３０ａ２）、第１ドレイン領域（３０ａ３）、及びデータ線に接続された第１ソース領域（３０ａ１）を有する第１半導体層（３０ａ）、並びに第１ゲート電極（３０ｂ）を有する第１トランジスタ（３０）と、第２チャネル領域（３１ａ２）、第２ドレイン領域（３１ａ３）、及び第１ドレイン領域に接続された第２ソース領域（３１ａ１）を有する第２半導体層（３１ａ）並びに第２ゲート電極（３１ｂ）を有する第２トランジスタ（３１）と、第１ドレイン領域に接続された第１画素電極（９ｂ）と、第２ドレイン領域に接続された第２画素電極（９ａ）と、第１ドレイン領域に接続された第１蓄積容量（７０）とを備える。【選択図】図４
2011075778.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
走査線と、
データ線と、
第１チャネル領域、第１ドレイン領域、及び前記データ線に電気的に接続された第１ソース領域を有する第１半導体層、並びに前記第１チャネル領域に対向するように配置され、前記走査線に電気的に接続された第１ゲート電極を有する第１トランジスタと、
第２チャネル領域、第２ドレイン領域、及び前記第１ドレイン領域に電気的に接続された第２ソース領域を有する第２半導体層並びに前記第２チャネル領域に対向するように配置され、前記走査線に電気的に接続された第２ゲート電極を有する第２トランジスタと、
前記第１ドレイン領域に電気的に接続された第１画素電極と、
前記第２ドレイン領域に電気的に接続された第２画素電極と、
前記第１ドレイン領域に電気的に接続された第１蓄積容量と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記データ線及び前記走査線は、前記基板上の表示領域で互いに交差するように配置されることにより、前記表示領域を複数の画素に区画し、
前記複数の画素各々は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極を含んでなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２ドレイン領域に電気的に接続された第２蓄積容量を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１ドレイン領域は、前記第１画素電極を介することにより前記第２ソース領域に間接的且つ電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２領域は、前記基板上で平面的に見て、前記画素の中央部を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１半導体層及び前記第２半導体層は、前記基板上で平面的に見て、前記表示領域のうち表示光が透過又は反射できない領域である非開口領域において、夫々の長手方向が交差するように配置されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Trａnsistor）を備えることにより、アクティブマトリクス駆動可能に構成されている。アクティブマトリクス駆動では、走査線から走査信号を供給することで画素スイッチング用のＴＦＴの動作を制御すると共に、該ＴＦＴがＯＮ（オン）駆動されるタイミングでデータ線に画像信号を供給することによって、画像表示を実現することができる。
【０００３】
このような電気光学装置では、一の画素に対して複数のトランジスタを設けることにより表示画像の高品位化を図ることができるとされている。例えば、特許文献１では、複数の副画素から一の画素を形成することにより、視野角特性を向上することができるとされている。特許文献２では、副画素に対応する副画素電極に夫々印加される駆動電圧の不均衡を軽減することによって、表示画像におけるフリッカーの発生を抑制できるとされている。また特許文献３には、一の画素を複数の副画素に分割して駆動する場合に、消費電力を軽減しつつデジタル画像信号に基づいた表示が可能な液晶表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２８７０２１号公報
【特許文献２】特開２００６−３３８０２４号公報
【特許文献３】特開２００２−３３３８７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば投影型の電気光学装置の場合、その動作中には、光源から強力な光が照射されることによって画像表示が行われる。その際、画素スイッチング用のＴＦＴが光に曝されると、光リーク電流が生じることによって、画素の画像信号に対する保持特性が低下してしまう。その結果、表示画像にフリッカー等が増加し、画質が低下してしまうという問題点がある。この問題点への対応策として、ＴＦＴへの入射光を遮る遮光手段を積層構造中に取り込むことが考えられるが、基板上の積層構造のレイアウトの自由度は制限されるため、必ずしも十分な遮光手段を構築することができない場合が考えられる。特に、一の画素に対して複数のトランジスタを備える場合、基板上の積層構造が複雑化するため、このような問題点はより一層顕著となる。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、光リーク電流の発生を抑制することによって高品位な画像表示が可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電気光学装置は、基板上に、走査線と、データ線と、第１チャネル領域、第１ドレイン領域、及び前記データ線に電気的に接続された第１ソース領域を有する第１半導体層、並びに前記第１チャネル領域に対向するように配置され、前記走査線に電気的に接続された第１ゲート電極を有する第１トランジスタと、第２チャネル領域、第２ドレイン領域、及び前記第１ドレイン領域に電気的に接続された第２ソース領域を有する第２半導体層並びに前記第２チャネル領域に対向するように配置され、前記走査線に電気的に接続された第２ゲート電極を有する第２トランジスタと、前記第１ドレイン領域に電気的に接続された第１画素電極と、前記第２ドレイン領域に電気的に接続された第２画素電極と、前記第１ドレイン領域に電気的に接続された第１蓄積容量とを備える。
【０００８】
本発明の電気光学装置では、基板上に、例えば、走査線、データ線等の配線や画素スイッチング用のトランジスタ等の電子素子が、絶縁膜を介して相互に絶縁されつつ必要に応じて積層されることで画素電極を駆動するための回路が構成され、その上層側に画像電極が配置されている。電気光学装置の動作時には、例えば、走査線を通じて、画素電極に電気的に接続された画素スイッチング用のＴＦＴのスイッチング動作が制御されると共に、データ線を通じて画像信号が供給されることで、該ＴＦＴを介して画素電極に対し、画像信号に応じた電圧を印加する。これにより、複数の画素電極が配列された表示領域（又は「画像表示領域」とも呼ぶ）における画像表示が可能となる。尚、表示領域は「画素領域」若しくは「画素アレイ領域」と呼ばれることもある。
【０００９】
本発明に係る第１トランジスタは、第１ソース領域、第１チャネル領域及び第１ドレイン領域を有する第１半導体層と、第１チャネル領域に対向配置され、走査線に電気的に接続された第１ゲート電極を有する。第１ソース領域にはデータ線が電気的に接続されており、データ線から画像信号が供給される。また、第１ドレイン領域は第１画素電極に電気的に接続されている。第１ゲート電極には走査線から走査信号が供給されることによって、第１トランジスタがオン駆動されるタイミングで、第１ソース領域に供給された画像信号が第１ドレイン領域から出力され、第１ドレイン領域に電気的に接続されている第１画素電極に画像信号が印加される。尚、第１トランジスタはダブルゲート構造を有してもよい。
【００１０】
本発明に係る第２トランジスタは、第２ソース領域、第２チャネル領域及び第２ドレイン領域を有する第２半導体層と、第２チャネル領域に対向配置され、走査線に電気的に接続された第２ゲート電極を有する。第２ソース領域には第１トランジスタの第１ドレイン領域が電気的に接続されており、第１ドレイン領域から出力された画像信号が供給される。また、第２ドレイン領域は第２画素電極に電気的に接続されている。第２ゲート電極には、第１トランジスタの第１ゲート電極に電気的に接続されている走査線から走査信号が供給されることによって、第２トランジスタがオン駆動されるタイミングで、第２ソース領域に供給された画像信号が第２ドレイン領域から出力され、第２ドレイン領域に電気的に接続されている第２画素電極に画像信号が印加される。つまり、第１ゲート電極及び第２ゲート電極は共通の一の走査線に電気的に接続されており、第１トランジスタと第２トランジスタは、同じタイミングでオンオフの状態が切り換えられる。尚、第２トランジスタはダブルゲート構造を有してもよい。
【００１１】
本発明に係る第１蓄積容量は、第１ドレイン領域に電気的に接続されている。このように第１蓄積容量を設けることにより、第１ドレイン領域に電気的に接続されている第１画素電極の画像信号に対する保持特性を向上させることができる。また、第１ドレイン領域には、第２ソース領域もまた電気的に接続されているので、保持期間（即ち第１トランジスタ及び第２トランジスタがオフ状態になっている期間）における第２ソース領域に供給される画像信号の変化は小さくなる。
【００１２】
ここで、第１トランジスタ及び第２トランジスタに対して光が照射された場合、各々の主にチャネル領域近傍での電子や正孔の生成により、光リーク電流が発生することによって、保持された電圧が低下してしまうことが考えられる。本願発明者の研究によれば、この光リーク電流の大きさはトランジスタのソース領域及びドレイン領域間の電位差に比例して大きくなることが判明している。
【００１３】
まず、第１トランジスタについて考察してみると、第１ソース領域にはデータ線が直接電気的に接続されているため、データ線から供給される画像信号がそのまま印加される。そのため、第１ソース領域の電位は、データ線から供給される画像信号に応じて比較的大きく変化する。従って、第１トランジスタに光が照射された場合、比較的大きな光リーク電流が生じるため、保持電圧の低下の度合いが比較的大きくなる。
【００１４】
一方、第２トランジスタについて考察してみると、第２ソース領域には第１トランジスタの第１ドレイン領域が電気的に接続されている。ここで、第１ドレイン領域の電圧は、基本的には第１ドレイン領域に電気的に接続された第１蓄積容量によって保持されている（但し、上述のように第１トランジスタに光が照射される等の事由により光リーク電流が発生し保持電圧の低下が生じる）。そのため、第２ソース領域における電圧の変化幅、即ち第１ドレイン領域における保持電圧の低下幅は、第１ソース領域における電圧の変化幅に比べて格段に小さくなる。つまり、第１トランジスタ及び第２トランジスタに光が照射された場合、第２ソース領域における電圧の変化幅は、第１ソース領域における電圧の変化幅に比べて十分小さいので、第２トランジスタにおいて第２ソース領域及び第２ドレイン領域における電位差は、第１トランジスタにおける第１ソース領域及び第１ドレイン領域における電位差に比べて十分小さくなる。従って、第２トランジスタは光が照射されたとしても、第２ソース領域及び第２ドレイン領域における電位差が小さいので、生じうる光リーク電流もまた小さくなる。その結果、第２トランジスタは第１トランジスタに比べて極めて優れた保持特性を有することとなる。
【００１５】
第２画素電極は、このように優れた保持特性を有する第２トランジスタの第２ドレイン領域に電気的に接続されているので、供給される画像信号を極めて良好に保持することができる。その結果、第２画素電極によって表示される画像はフリッカー等の表示不具合が少なく、高画質なものとなる。
【００１６】
また、実践的な問題として、基板上に形成されたトランジスタにはその電気特性や保持特性に個体差が存在する。例えば、同一行程で形成されたトランジスタであっても、一定の確率で光リーク電流の発生しやすい特性を有するトランジスタが形成されてしまう場合がある。本発明に係る電気光学装置は、一つの画素に対して二つのトランジスタを有しているため、仮に一方のトランジスタが光リーク電流を生じやすい特性を有することになったとしても、他方のトランジスタが正常であれば、画素全体としての光リーク電流が著しく増大してしまうことを回避することができる。即ち、一つの画素に含まれる二つのトランジスタの双方が光リーク電流を発生しやすい特性に形成される確率は極めて低い。その結果、画素毎に単一のトランジスタを有する場合に比べて、特定の画素のリーク電流が極端に増大することによって生じるリークビット輝点等の表示不良が発生することを、効果的に抑制することができる。
【００１７】
ここで、第２ソース領域には第１トランジスタを介して画像信号が供給されるので、データ線に直接接続されている第１ソース領域に比べて、画像信号が供給されるタイミングが多かれ少なかれ遅延することが考えられる。そのため、第１トランジスタは第２トランジスタに比べて、供給される画像信号に対する応答特性が優れている。従って、第１トランジスタの第１ドレイン領域に電気的に接続されている第１画素電極は、第２トランジスタの第２ドレイン領域に電気的に接続されている第２画素電極に比べて優れた応答特性を有する。
【００１８】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置は、優れた応答特性を有する第１画素電極と、優れた保持特性を有する第２画素電極とによって画像表示を行うことにより、優れた保持特性及び応答特性を両立した、高品位な画像表示が可能となる。
【００１９】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記データ線及び前記走査線は、前記基板上の表示領域で互いに交差するように配置されることにより、前記表示領域を複数の画素に区画し、前記複数の画素各々は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極を含んでなる。
【００２０】
この態様によれば、表示領域はデータ線及び走査線によって区画されることにより、複数の画素に分割されている。第１画素電極及び第２画素電極は、夫々、画素毎に配置されている。例えば、第１画素電極は、一の画素のうち表示光が透過又は反射可能な領域である開口領域の一部である第１領域に形成されており、一方、第２画素電極は、当該一の画素の開口領域のうち第１領域を除く他の領域の少なくとも一部である第２領域に形成されるとよい。一の画素における第１領域及び第２領域の占める割合は、表示画像の特性により適宜変更するとよい。例えば、上述のように第１画素電極及び第２画素電極が配置される領域を夫々第１領域及び第２領域と仮定すると、静止画等の動作の少ない画像を表示する場合には、保持特性に優れた第２画素電極が占める第２領域を第１領域に比べて大きくすればよいし、動画等の動作の多い画像を表示する場合には、応答特性に優れた第１画素電極が占める第１領域を第２領域に比べて大きくすればよい。
【００２１】
尚、開口領域は、電気光学装置が透過型表示を行う場合、各画素のうち、変調された表示光を透過可能な領域を意味し、電気光学装置が反射型表示を行う場合、各画素のうち、変調された表示光を反射可能な領域を意味する。
【００２２】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第２ドレイン領域に電気的に接続された第２蓄積容量を備える。
【００２３】
上述のように、本発明に係る電気光学装置は、第２トランジスタの前段に第１トランジスタを設けることによって、第２画素電極の保持特性が高められている。この態様では、第２画素電極に電気的に接続された第２ドレイン領域にも蓄積容量を設けることによって、更に第２画素電極の保持特性を高めることができる。
【００２４】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第１ドレイン領域は、前記第１画素電極を介することにより前記第２ソース領域に間接的且つ電気的に接続されている。
【００２５】
この態様によれば、第１ドレイン領域は第２ソース領域に直接的に接続されているのではなく、第１画素電極を介して間接的に接続されている。即ち「間接的」とは、間に配線、電極等の導電性部材を介して或いは中継しての意味であり、直接接触しないという意味である。補足して説明すると、電気回路として考えた場合、第１ドレイン領域及び第２ソース領域間が直接的に接続されていても、間接的に接続されていても同様であると考えることができるが、実際基板上に上述の各種配線及び素子等を形成しようとする場合、基板上に形成した他の積層構造との兼ね合いから、第１ドレイン領域を第２ソース領域に直接電気的に接続することが困難な場合が考えられる。本態様では、第１ドレイン領域及び第２ソース領域間を、第１画素電極を経由して電気的に接続することができるため、基板上のレイアウトの自由度を著しく広げることができ、実践上、大変有利である。
【００２６】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第２領域は、前記基板上で平面的に見て、前記画素の中央部を含む。
【００２７】
この態様によれば、優れた保持特性を有する第２画素電極が配置される領域である第２領域は、画素の中央部を含むように配置される。ここに「中央部」とは、基板上で平面的に見て、各画素内における周辺寄り部分よりも相対的に中央寄りに位置する部分を意味し、典型的には画素のうちその幾何学的な中心点（例えば重心）を含む一部の領域であるが、多少偏っていてもかまわない。少なくとも画素内に一定の領域を占める周辺寄り部分を残して、中央部が規定される。画素の中央部は、その周囲、即ち周辺寄り部分に比べて、表示画像の画質に多く影響を与えると考えられる。本態様では優れた保持特性を有する第２画素電極を画素の中央部を含む第２領域に配置することにより、実質的に表示画像の高品位化を効果的に促進することができる。例えば、第２領域の占める面積が同じであっても、このように第２領域を配置することによって、より高い画質の向上を期待することができる。
【００２８】
尚、本態様では、第１画素電極が配置される第１領域は、第２領域を除く領域に適宜配置するとよい。例えば、第２領域が画素の中央部に島状に形成されている場合には、その周囲を囲むように配置するとよい。その結果、第２画素電極によって保持特性を向上させつつ、第１画素電極によって応答特性を高めることが可能となる。
【００２９】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第１半導体層及び前記第２半導体層は、前記基板上で平面的に見て、前記表示領域のうち表示光が透過又は反射できない領域である非開口領域において、夫々の長手方向が交差するように配置されている。
【００３０】
この態様によれば、第１半導体層と第２半導体層の長手方向（即ち、夫々のトランジスタについてチャネル長の方向に沿った方向）が交差するように配置することによって、基板上の回路レイアウトを効率的に構築することができる。この種の電気光学装置では、明るく鮮明な画像を表示するために、電気光学装置の画像表示領域において、表示光が透過しない領域である非開口領域が占める面積を少なくすることが求められる。また、第１半導体層及び第２半導体層は、光リーク電流の発生を抑制するために、非開口領域に配置されることが好ましい。そのため、電気光学装置の表示画像の高品位化を達成するために、第１半導体層及び第２半導体層を非開口領域内に効率的に配置することが求められる。本態様では、第１半導体層及び第２半導体層の長手方向を、例えば互いに交差するデータ線及び走査線が夫々延在する方向に沿って配置することによって、限られた非開口領域内に効率的なレイアウトで第１半導体層及び第２半導体層を形成することが可能となる。その結果、開口率（即ち、画像表示領域内における開口領域の占める割合）が高く、明るく、鮮明な画像を表示可能な電気光学装置を実現することができる。逆に言えば、第１半導体層及び第２半導体層を少ないスペース内に効率的に配置することが可能となるので、電気光学装置の精細化を達成することもできる。
【００３１】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。
【００３２】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００３３】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。
【図４】第１実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における配線等の位置関係を透過的に示す模式図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´断面図である。
【図６】比較例に係る液晶装置における画素電極の保持特性を表すグラフ図である。
【図７】本実施形態に係る液晶装置における第１電極層及び第２電極層の保持特性を表すグラフ図である。
【図８】第２実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。
【図９】第２実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における配線等の位置関係を透過的に示す模式図である。
【図１０】図９のＢ−Ｂ´断面図である。
【図１１】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００３６】
＜液晶装置＞
＜第１実施形態＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００３７】
図１は、ＴＦＴアレイ基板１０を、その上に形成された各構成要素と共に、対向基板２０の側から見た液晶装置の構成を示す概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【００３８】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。対向基板２０も例えばＴＦＴアレイ基板１０と同様の材料からなる基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、電気光学動作の行われる画像表示領域１０ａの周囲に設けられたシール材５５により相互に接着されている。
【００３９】
シール材５５は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５５中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。
【００４０】
シール材５５の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４１】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺には、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１９、走査線駆動回路１０４及び外部回路接続端子１０２が夫々形成されている。
【００４２】
ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てシール材５５より外周側には、データ線駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に夫々沿って設けられている。
【００４３】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てシール材５５より内側には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路１９が配置されている。
【００４４】
また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４５】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられている。
【００４６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層側に画素電極９がマトリクス状に設けられている。本実施形態では特に、画素電極９は、ＩＴＯ膜からなる透明電極として形成されている。画素電極９上には、配向膜１６が形成されている。
【００４７】
尚、本実施形態では特に、画像表示領域１０ａに形成されている画素電極９は、第１電極層９ａと第２電極層９ｂを含んでなるが、図１及び図２では液晶装置の構造をわかりやすくするために、第１電極層９ａと第２電極層９ｂをまとめて画素電極９として説明する。尚、第１電極層９ａと第２電極層９ｂは、夫々、本発明における「第１電極」及び「第２電極」の一例である。
【００４８】
他方、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の対向面上には、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性を有する金属膜或いは樹脂等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２において遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２において対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。
【００４９】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜（即ち配向膜１６及び２２）間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９と対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。
【００５０】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００５１】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５２】
図３において、画像表示領域１０ａには、データ線６及び走査線１１が、夫々Ｘ及びＹ方向に延在するように配置されている。つまり、画像表示領域１０ａにおいて各画素はマトリクス状に配列されている。
【００５３】
画像表示領域１０ａを構成する複数の画素の各々には、走査線１１からの走査信号の供給タイミングに従って画素をスイッチング制御するためのＴＦＴが備えられている。本実施形態では特に、各画素には第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１という２つのスイッチング用ＴＦＴが備えられている。ここで、第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１は、夫々、本発明に係る「第１トランジスタ」及び「第２トランジスタ」の一例である。第１ＴＦＴのソース領域はデータ線６に電気的に接続されることにより、第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１は、互いに電気的に接続されている。
【００５４】
第１ＴＦＴ３０のドレイン領域及び第２ＴＦＴ３１のドレイン領域には、夫々、第１電極層９ａ及び第２電極層９ｂに電気的に接続されている。本実施形態に係る液晶装置では、上述の画素電極９は、第１電極層９ａ及び第２電極層９ｂから構成されている。
【００５５】
データ線６には画像信号が供給されており、ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６に書き込まれる画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給されてもよい。
【００５６】
第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１の夫々のゲート電極には、走査線１１が電気的に接続されている。走査線１１からは、所定のタイミングで、パルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順で線順次で印加されるように構成されている。図３に示すように第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１のゲート電極には、一の走査線１１が電気的に接続されているので、第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１は共に、同じタイミングでオンオフ駆動される。
【００５７】
第１電極層９ａ及び第２電極層９ｂは、夫々、第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子である第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１のソース領域に供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。
【００５８】
補足して説明すると、第１ＴＦＴ３０には画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがデータ線６から直接供給される。一方、第２ＴＦＴ３１には、第１ＴＦＴ３０がオン駆動されることにより、第１ＴＦＴ３０のドレイン領域から出力された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給される（即ち、第２ＴＦＴ３１には第１ＴＦＴ３０を介してデータ線から間接的に画像信号が供給される）。第１電極層９ａ及び第２電極層９ｂを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。
【００５９】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００６０】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、第１電極層９ａ及び第２電極層９ｂと、対向電極２１（図２参照）との間に夫々形成される液晶容量に対して電気的に並列に、第１蓄積容量７０及び第２蓄積容量８０が付加されている。第１蓄積容量７０の一方の電極は、第１電極層９ａと並列して第１ＴＦＴ３０のドレイン領域に電気的に接続され、他方の電極は、所定電位となるように、電位固定の固定電位供給線３００に接続されている。同様に、第２蓄積容量８０の一方の電極は、第２電極層９ｂと並列して第２ＴＦＴ３０のドレイン領域に電気的に接続され、他方の電極は、所定電位となるように、電位固定の固定電位供給線３００に接続されている。本実施形態では特に固定電位供給線３００には所定電位として一定の固定電位が供給されているが、例えば、所定周期で反転する電位が供給されていてもよい。
【００６１】
次に、図４及び図５を参照して、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおいて、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された積層構造について詳しく説明する。
【００６２】
図４は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を透過的に示した模式図である。図５は、図４のＡ−Ａ´線における断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。尚、図示された内容の理解を容易にするために、図４では図５に表された構造の一部を部分的に省略している。
【００６３】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１が形成されている。ここで、走査線１１は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てＸ方向に延在するように形成されている。走査線１１は、遮光性の導電材料、例えば、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）等から形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０の裏側（即ち図５において下方側から）から入射しようとする光を遮光することにより、走査線１１より上層側に形成された配線、素子等が光に曝されることを防止する。本実施形態では特に、ＴＦＴの半導体層（即ち、第１半導体層３０ａ及び第２半導体層３１ａ）が光に曝されることにより、リーク電流が発生し、ＴＦＴの保持特性が低下することを抑制するために、走査線１１はＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１が形成されている領域よりも幅広に形成されている。このように走査線１１を幅広に形成することにより、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴの半導体層を殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、液晶装置の動作時に、発生する光リーク電流は低減され、表示画像のコントラスト比を向上させることによって、高品位の画像表示が可能となる。
【００６４】
走査線１１の上層側には、第１層間絶縁膜１２を介して、第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１が形成されている。第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、下層側にＸ方向に延在するように形成された前述の走査線１１と、上層側にＹ方向に延在するように形成されたデータ線６との交差に対応するように、画素毎に配置されている。本実施形態では特に、第１ＴＦＴ３０の半導体層である第１半導体層３０ａの長手方向と、第２ＴＦＴ３１の半導体層である第２半導体層３１ａの長手方向とが、夫々、Ｘ方向及びＹ方向になるように配置されている。このように第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１を配置することで、効率的なレイアウトで限られた非開口領域（即ち、画像表示領域１０ａのうち表示光が透過しない領域）内に夫々の半導体層を収め、遮光性を向上させることができる。
【００６５】
第１ＴＦＴ３０は、第１半導体層３０ａと、その上層側にゲート絶縁膜１３を介して配置された第１ゲート電極３０ｂとを含んで構成されている。ここで、第１半導体層３０ａは、第１ソース領域３０ａ１、第１チャネル領域３０ａ２及び第１ドレイン領域３０ａ３から構成されている（図５参照）。尚、第１チャネル領域３０ａ２と第１ソース領域３０ａ１、又は、第１チャネル領域３０ａ２と第１ドレイン領域３０ａ３との界面にはＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌＹ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域が形成されていてもよい。
【００６６】
第１ゲート電極３０ｂは、ゲート絶縁膜１３を介して第１半導体層３０ａの上層側に、第１チャネル領域３０ａ２に対向するように形成されている。そして、第１ゲート電極３０ｂは、第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１３に開孔されたコンタクトホール４１を介して、走査線に電気的に接続されている（図４参照）。
【００６７】
第２ＴＦＴ３１は、第２半導体層３１ａと、その上層側にゲート絶縁膜１３を介して配置された第２ゲート電極３１ｂとを含んで構成されている。ここで、第２半導体層３１ａは、第２ソース領域３１ａ１、第２チャネル領域３１ａ２及び第２ドレイン領域３１ａ３から形成されている（図５参照）。尚、第２チャネル領域３１ａ２と第２ソース領域３１ａ１、又は、第２チャネル領域３１ａ２と第２ドレイン領域３１ａ３との界面にはＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌＹ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域が形成されていてもよい。
【００６８】
第２ゲート電極３１ｂは、ゲート絶縁膜１３を介して第２半導体層３１ａの上層側に、第２チャネル領域３１ａ２に対向するように形成されている。そして、第２ゲート電極３１ｂは、第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１３に開孔されたコンタクトホール４２を介して、走査線に電気的に接続されている（図４参照）。
【００６９】
第１ソース領域３０ａ１は、ゲート絶縁膜１３及び第２層間絶縁膜１４に開孔されたコンタクトホール３２を介して、上層側に形成されたデータ線６に電気的に接続されている。データ線６は、遮光性の導電材料、例えば、Ａｌ（アルミニウム）等から形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０の表側（即ち図５において上方側から）から入射しようとする光を遮光することにより、データ線６より下層側に形成された配線、素子等が光に曝されることを防止することができる。本実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１が形成されている領域よりも幅広にデータ線６を形成することにより、第１半導体層３０ａが光に曝されることによりリーク電流が発生することを抑制している。その結果、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対して第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１を殆ど或いは完全に遮光でき、高品位の画像表示が可能となる。
【００７０】
第１ドレイン領域３０ａ３は、ゲート絶縁膜１３及び第２層間絶縁膜１４に開孔されたコンタクトホール３３を介して、第１中継層７に電気的に接続されている。ここで第１中継層７は、データ線６と同層に形成されている。第１中継層７はデータ線６と同種の材料から形成されており、例えば第２層間絶縁膜１４上にベタ状に形成された導電層をパターニングすることにより、データ線６と同時且つ同層に形成されている。
【００７１】
第２中継層７１は、第１中継層７より上層側に形成されており、第３層間絶縁膜１５及び第４層間絶縁膜１６に開孔されたコンタクトホール３４を介して第１中継層７に電気的に接続されている。尚、第２中継層７１は、画素電極９ａ及び第１ドレイン領域３０ａ３間を中継接続するという中継配線として機能すると共に、第１蓄積容量７０を構成する一対の容量電極の一方としても機能する。
【００７２】
データ線６及び第２中継層７１間には、シールド層８が形成されている。画像表示領域１０ａの外側の領域において、シールド層８は固定電位供給線３００（図３参照）に電気的に接続されており、電位が一定に保たれている。このようにシールド層８が配置されることにより、データ線６と第２中継配線７１との間の電位差に基づいて生じる電界を遮断することができるので、データ線６及び第２中継配線７１に夫々印加されている画像信号が互いに電磁ノイズによって影響を受けること（即ちカップリングが生ずること）を効果的に抑制することができる。
【００７３】
第２中継層７１の上層側には、第１容量絶縁膜７２を介して第１容量電極７３が形成される。つまり、第２中継層７１及び第１容量電極７３は、第１容量絶縁膜７２を挟持することによって、第１ＴＦＴ３０に対して並列に挿入された第１蓄積容量７０を構成している。ここで、第１容量電極７３は固定電位供給線３００（図３参照）に電気的に接続されることによって電位が一定に保たれ、第１蓄積容量７０を構成する一対の容量電極の一方として機能する。
【００７４】
第１電極層９ａは、第２中継層７１より上層側に形成されており、第５層間絶縁膜１７に開孔されたコンタクトホール３５を介して第２中継層７１に電気的に接続されている。第１電極層９ａは、本発明における「第１電極」の一例である。このように、第１電極層９ａは、第１中継層７及び第２中継層７１を介して、第１ドレイン領域３０ａ３に電気的に接続されている。その結果、第１ＴＦＴ３０がオン駆動されるタイミングで、第１電極層９ａには、画像信号が供給される。
【００７５】
第１中継層７は、第１ドレイン領域３０ａ３を第２中継層７１に中継接続するに加え、第１ドレイン領域３０ａを第２ソース領域３１ａ１に電気的に接続している。第１中継層７は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て第２ＴＦＴ３１が形成されている領域において、ゲート絶縁膜１３及び第２層間絶縁膜１４に開孔されたコンタクトホール３６を介して第２ソース領域３１ａ１に電気的に接続されている。その結果、第１ドレイン領域３０ａ３から出力された画像信号は、第２ソース領域３１ａ１に供給されることとなる。
【００７６】
ここで、第２ＴＦＴ３１を構成する第２半導体層３１ａ及び第２ゲート電極３１ｂは、夫々、第１半導体層３０ａ及び第１ゲート電極３０ｂと同層に形成されている。特に本実施形態では、第２半導体層３１ａ及び第２ゲート電極３１ｂは、第１半導体層３０ａ及び第１ゲート電極３０ｂと同種の材料からなり、例えばベタ状に形成した膜をパターニングすることにより同時且つ同層に形成されている。
【００７７】
第２ドレイン領域３１ａ３は、ゲート絶縁膜１３及び第２層間絶縁膜１４に開孔されたコンタクトホール３７を介して第３中継層１８に電気的に接続されている。第２中継層１８は、更に、第３層間絶縁膜１５及び第４層間絶縁膜１６に開孔されたコンタクトホール３８を介して第４中継層８１に電気的に接続されている。尚、第４中継層８１は、第２電極層９ｂ及び第２ドレイン領域３１ａ３間を中継接続するという中継配線として機能すると共に、第２蓄積容量８０を構成する一対の容量電極の一方としても機能する。
【００７８】
第１中継層７及び第４中継層８１間には、上述のシールド層８が形成されている。シールド層８は電位が一定に保たれているので、第１中継層７及び第４中継層８１間の電位差に基づいて生じる電界を遮断することができるので、第１中継層７及び第４中継層８１に夫々印加されている画像信号が互いに電磁ノイズによって影響を受けること（即ちカップリングが生じること）を防ぐことができる。
【００７９】
第４中継層８１の上層側には、第２容量絶縁膜８２を介して第２容量電極８３が形成されている。つまり、第４中継層８１及び第２容量電極８３は、第２容量絶縁膜８２を挟持することで、第２ＴＦＴ３１に対して並列に挿入された第２蓄積容量８０を構成している。ここで、第２容量電極８３は固定電位供給線３００（図３参照）に電気的に接続されることによって電位が一定に保たれ、第２蓄積容量８０を構成する一対の容量電極の一方として機能する。
【００８０】
第２電極層９ｂは、第４中継層８１より上層側に形成されており、第５層間絶縁膜１７に開孔されたコンタクトホール３９を介して第４中継層８１と電気的に接続されている。第２電極層９ｂは、本発明における「第２電極」の一例である。このように、第２電極層９ｂは、第３中継層１８及び第４中継層８１を介して、第２ドレイン領域３１ａ３に電気的に接続されている。その結果、第２ＴＦＴ３１がオン駆動されるタイミングで、第２電極層９ｂに画像信号が供給される。
【００８１】
ここで、図６及び図７を参照して、第１電極層９ａ及び第２電極層９ｂの画像信号に対する保持特性について説明する。図６は、各画素に画素電極が一つずつ設けられた液晶装置（以下適宜「比較例」と呼ぶ）における画素電極の保持特性を表すグラフ図である。尚、図６における比較例とは、例えば本願明細書の図１及び図２に関する記載に対応する特徴を有する典型的な液晶装置である。図７は、本実施形態に係る液晶装置における第１電極層９ａ及び第２電極層９ｂの画像信号に対する保持特性を表すグラフ図である。
【００８２】
まず、図６に示すように、画素電極に画像信号が書き込まれる（即ち画素スイッチング用のＴＦＴがオン駆動され、ＴＦＴのドレイン領域から画素電極に画像信号が供給される）と、画素電極の電位は時間と共に増加する（図６の期間（ａ）を参照）。その後、画素スイッチング用のＴＦＴがオフに切り換えられと、画素電極に印加された画像信号は保持され、画素電極の電位は保持される（図６の期間（ｂ）を参照）。ここで、画素電極の電位は、液晶容量及び液晶容量に対して並列に付加された蓄積容量によって保持されるが、上述したように、画素スイッチング用のＴＦＴに光が照射される等の事由によって光リーク電流が発生し、画素電極の電位が少なからず低下してしまう。
【００８３】
尚、期間（ｃ）では画素電極には、液晶の焼き付きを防止するために、期間（ａ）において印加された画像信号とは逆の極性を有する画像信号が書き込まれ、期間（ｄ）において保持される。
【００８４】
続いて、図７では、本実施形態に係る液晶装置における第１電極層９ａ及び第２電極層９ｂの画像信号に対する保持特性を表している。図７では、第１電極層９ａの保持特性を一点鎖線で表示し、第２電極層９ｂの保持特性を実線で表示している。
【００８５】
第１電極層９ａの保持特性に着目すると、図６に示す比較例の場合と同様に、期間（ａ）及び（ｃ）において第１電極層９ａに画像信号が書き込まれた後、期間（ｂ）及び（ｄ）において、書き込まれた画像信号が保持される。そして、期間（ｂ）及び（ｄ）においては、第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１に光が照射される等の事由により光リーク電流が発生し、第１電極層９ａの電位が少なからず低下する。一方、第２電極層９ｂの保持特性に着目すると、期間（ｂ）及び（ｄ）において（即ち第２電極層９ｂに画像信号が保持される期間において）、比較例の場合（図６参照）や、第１電極層９ａの場合（図７の一点鎖線を参照）に比べて、保持された第２電極層９ｂの電位の低下の度合いが格段に小さい。
【００８６】
本願発明者の研究によると、画素電極における電位の低下の度合いは、主に画素スイッチング用のＴＦＴのソース領域及びドレイン領域間の電位差の大きさに依存することが判明している。比較例（図６参照）の場合や、第１電極層９ａの場合は、対応する画素スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域間の電位差が、第２電極層９ｂの場合に比べて大きい。つまり、第２ＴＦＴ３１に供給される画像信号は、その前段に配置された第１ＴＦＴ３０によってある程度保持されているため、第２ＴＦＴ３１は、第１ＴＦＴ３０に比べてソース領域及びドレイン領域間の電位差が小さくなる。特に、第２ＴＦＴ３０に供給される画像信号は、第１ＴＦＴ３０によって保持される際に、第１蓄積容量７０によって保持特性が高められているため、第２ＴＦＴ３１におけるソース領域及びドレイン領域間の電位差は、第１ＴＦＴ３０や比較例の場合に比べてより一層小さくなる。その結果、図７に示すように、第２電極層９ｂは、供給された画像信号を極めて良好に保持することが可能となる。
【００８７】
一方、第１電極層９ａは、データ線６が直接的に接続されている第１ＴＦＴ３０に接続されているため、第２電極層９ｂに比べて良好な応答特性を有する。第２電極層９ｂの場合、第１ＴＦＴ３０を介して間接的にデータ線６に接続されている第２ＴＦＴ３１に接続されているため、第１電極層９ａに比べて、画像信号が供給されるタイミングに多かれ少なかれ遅延が生じる。従って、第１電極層９ａは、図７に示すように保持特性という観点では第２電極層９ｂに比べて劣っているものの、応答特性という観点では第２電極層９ｂに比べて優れている。
【００８８】
本実施形態に係る液晶装置では、図４に示すように、第１電極層９ａ及び第２電極層９ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見た場合に、応答特性に優れた第１電極層９ａを、表示光が透過可能な開口領域のうち、主にその縁部を沿うように形成すると共に、保持特性に優れた第２電極層９ｂを、主に第１電極層９ａより内側（即ち当該画素の中央部を含む領域）に形成している。即ち、図４において第１電極層９ａが形成されている領域は、本発明における「第１領域」の一例であり、第２電極層９ｂが形成されている領域は、本発明における「第２領域」の一例である。このように、第１電極層９ａ及び第２電極層９ｂを配置することによって、当該画素における画像表示の保持特性と応答特性を両立しつつ、向上させている。
【００８９】
本実施形態では特に、ユーザが画像表示領域を観察することにより画像を認識する際に、ユーザの視覚に影響を与えやすい、各画素の中央部を含む領域に、保持特性に優れた第２電極層９ｂを配置することにより、表示画像全体の保持特性を実質的に向上させている。その一方で、画素の縁部付近に応答特性に優れた第１電極層９ａを配置することにより、表示画像の応答特性を補完的に向上させている。
【００９０】
尚、図４に示す第１電極層９ａ及び第２電極層９ｂの配置は一例に過ぎず、各種変更が可能である。例えば、表示画像の保持特性を更に向上させたい場合（例えば、経時変化の少ない画像、例えば静止画等の応答特性に比べて保持特性が画質にとって重要である場合）には、画像表示領域１０ａにおける第２電極層９ｂの占める割合を増大させればよい。また、表示画像の応答特性を更に向上させたい場合（例えば、経時変化の大きい画像、例えば動画等の保持特性に比べて応答特性が画質にとって重要である場合）には、画像表示領域１０ａにおける第１電極層９ａの占める割合を増大させればよい。このように、画像表示領域１０ａにおける第１電極層９ａ及び第２電極層９ｂの配置は、液晶装置の用途・目的等に応じて、適宜変更することが可能である。
【００９１】
＜第２実施形態＞
続いて、図８及び図９を参照して第２実施形態に係る液晶装置の構造について説明する。尚、第２実施形態に係る液晶装置の概要は、基本的に上述の第１実施形態に係る液晶装置と同様な構造を有している。例えば、図１及び図２に示す概略的な平面図、断面図及び回路図に関しては、第１実施形態と共通するため、ここでは説明を省略する。
【００９２】
まず、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の電気的な構成について、図８を参照して説明する。ここに図８は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００９３】
本実施形態では、第１ＴＦＴ３０を第２ＴＦＴ３１に接続する際に、第１ＴＦＴ３０のドレイン領域が第１電極層９ａを介して第２ＴＦＴ３１のソース領域に間接的に接続されている点において、上述の第１実施形態に係る液晶装置と異なる。つまり、図８に示すように、第１ＴＦＴ３０のドレイン領域は、第２ＴＦＴ３１のソース領域に直接的に接続されていない。これは電気回路図上では、上述の第１電気光学装置の場合（図３参照）と実質的に同じであるとも考えられるが、以下に説明するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造のレイアウトの自由度に大きく影響を与える。尚、図８におけるその他の配線及び素子等は、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００９４】
次に、図９及び図１０を参照して、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された積層構造について詳しく説明する。
【００９５】
図９は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を透過的に示した模式図である。図１０は、図９のＢ−Ｂ´線における断面図である。尚、図９及び図１０では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。尚、上述したように、本実施形態は第１実施形態と基本的な概略構造を共通しているので、図９及び図１０については、図４及び図５と共通する部分に関しては、共通の符号を付し、適宜説明を省略することとする。
【００９６】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１が形成されており、その上層側に第１層間絶縁膜１２を介して第１ＴＦＴ３０が形成されている。第１ソース領域３０ａ１は、上層側に形成されたデータ線６に電気的に接続されている。一方、第１ＴＦＴ３０の第１ドレイン領域３０ａ３は、第１中継層７及び第２中継層７１を介して、第１電極層９ａに電気的に接続されている。
【００９７】
第１電極層９ａは、図９に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、第２ＴＦＴ３１の第２ソース領域３１ａ１に電気的に接続された第５中継層５１が形成された領域にまで延在されている。そして、当該領域において、第１電極層９ａは第５層間絶縁膜１７を介して下層側に形成された第５中継層５１に、第５層間絶縁膜１７に開孔されたコンタクトホール４３を介して電気的に接続されている。
【００９８】
第５中継層５１は、下層側に形成された第６中継層５２に、第３層間絶縁膜１５及び第４層間絶縁膜１６に開孔されたコンタクトホール４４を介して電気的に接続されている。また、第６中継層５２は、下層側に配置された第２ソース領域３１ａ１に、ゲート絶縁膜１３及び第２層間絶縁膜１４に開孔されたコンタクトホール４５を介して電気的に接続されることによって、第２ソース領域３１ａ１に接続されている。
【００９９】
第２ドレイン領域３１ａ３は、第１実施形態と同様に、第３中継層１８及び第４中継層８１を介して第２電極層９ｂに電気的に接続されると共に、第４中継層８１を一方の電極とする第２蓄積容量８０が形成されている。
【０１００】
ＴＦＴアレイ基板１０上にこのような積層構造を形成することによっても、第１実施形態と同様に、当該画素における画像表示の保持特性と応答特性を両立しつつ、向上させることが可能となる。
【０１０１】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【０１０２】
図１１は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【０１０３】
図１１に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１０４】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１０５】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１０６】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１０７】
尚、図１１を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１０８】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１０９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１１０】
６  データ線、  ７  第１中継層、  ９  画素電極、  ９ａ  第１電極層、  ９ｂ  第２電極層、  １０  ＴＦＴアレイ基板、  １０ａ  画像表示領域、  １１  走査線、  ３０  第１ＴＦＴ、  ３０ａ  第１半導体層、  ３１  第２ＴＦＴ、  ３１ａ  第１半導体層、  ３３  コンタクトホール、  ５０  液晶、  ７０  第１蓄積容量、  ８０  第２蓄積容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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