(57)【要約】【課題】たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を良好に生産することが可能な積層体、準備用支持体、積層体の製造方法、及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】支持体２Ａ、光熱変換層３Ａ、光遮断層４Ａ、粘着層５Ａ、フレキシブル基板６Ａ、素子７Ａ、を有し、支持体２Ａが光熱変換層３Ａに光を照射することによって剥離可能となっている積層体１Ａであって、粘着層５Ａが、光遮断層４Ａの側面を覆うように形成される積層体１Ａとすることで上記課題を解決する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、該支持体上に設けられた光熱変換層、該光熱変換層上に形成された光遮断層、該光遮断層上に形成された粘着層、該粘着層上に形成されたフレキシブル基板、該フレキシブル基板上に形成された素子、を有し、前記支持体が該光熱変換層に光を照射することによって剥離可能となっている積層体であって、
前記粘着層が、前記光遮断層の側面を覆うように形成される、
ことを特徴とする積層体。
【請求項２】
前記粘着層が、さらに前記光熱変換層の側面を覆うように形成される、請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
前記光遮断層が光反射層として機能する、請求項１又は２に記載の積層体。
【請求項４】
前記光熱変換層に光を集光するための集光位置確認用マークが、前記支持体上に設けられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項５】
ガラス基板を前記フレキシブル基板として用いるとともに、該フレキシブル基板の端部近傍に前記素子が形成されない領域が存在し、該領域に、前記素子を囲むように前記フレキシブル基板に切り込みが設けられている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項６】
前記素子が、有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、及び太陽電池素子のいずれかである請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の積層体に用いる準備用支持体であって、前記支持体、該支持体上に設けられた前記光熱変換層を有することを特徴とする準備用支持体。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の積層体の製造方法であって、
支持体上に光熱変換層を形成する光熱変換層形成工程、
前記光熱変換層上に光遮断層を形成する光遮断層形成工程、
前記光遮断層上に、該光遮断層の側面を覆うように粘着層を形成する粘着層形成工程、
前記粘着層上にフレキシブル基板を形成するフレキシブル基板形成工程、
前記フレキシブル基板上に、酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程を少なくとも経て素子を形成する素子形成工程、
を有することを特徴とする積層体の製造方法。
【請求項９】
フレキシブル基板上に素子が形成されたデバイスの製造方法であって、
支持体上に光熱変換層を形成する光熱変換層形成工程、
前記光熱変換層上に光遮断層を形成する光遮断層形成工程、
前記光遮断層上に、該光遮断層の側面を覆うように粘着層を形成する粘着層形成工程、
前記粘着層上にフレキシブル基板を形成するフレキシブル基板形成工程、
前記フレキシブル基板上に、酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程を少なくとも経て素子を形成する素子形成工程、
前記光熱変換層に光を照射して、前記支持体及び前記光熱変換層を剥離する光熱変換層剥離工程、
前記粘着層を前記フレキシブル基板から分離する粘着層分離工程
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記粘着層形成工程において、前記粘着層がさらに前記光熱変換層の側面を覆うように形成される、請求項９に記載のデバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記光遮断層形成工程において、アルミニウムを蒸着することによって前記光遮断層が形成される、請求項９又は１０に記載のデバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記光熱変換層に光を集光するための集光位置確認用マークを前記支持体上に設ける集光位置確認用マーク形成工程をさらに有する、請求項９〜１１のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記フレキシブル基板形成工程において、ガラス基板を前記フレキシブル基板として用い、該フレキシブル基板の端部近傍に前記素子が形成されない領域を設け、該領域に、前記素子が形成される領域を囲むように前記フレキシブル基板に切り込みを設ける、請求項９〜１２のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記素子が、有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、及び太陽電池素子のいずれかである請求項９〜１３のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体、この積層体を製造するための準備用支持体、積層体の製造方法、及びデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の技術分野においては、パッケージの薄型化やチップ積層技術による高密度化に対応するために、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という場合がある。）の薄肉化が検討されている。そして、薄肉化は、パターン形成されたウエハの面とは反対側の面を研削する、いわゆる裏面研削によってなされる。しかし、ウエハが薄肉化されることで反ったりするために、研削時の厚み均一性が確保しにくくなる問題、ウエハの搬送が難しくなる問題、ダイジング工程で個々のチップに切断される際にチッピング（エッジ欠け）が発生するという問題がある。そこで、こうした均一性の高い裏面研削の実施、ウエハの搬送の容易化、チッピングの発生の抑制のために、薄肉化前のウエハを硬い支持体に固定して、裏面研削・搬送・ダイジングを行い、薄肉化後にウエハ又は個々のチップを硬い支持体から剥離するという手法が採用されている。
【０００３】
特許文献１には、被研削基材が支持体上に固定された積層体であって、この被研削基材を支持体から容易に剥離することが可能である積層体等を提供することを目的として、被研削基材と、この被研削基材と接している接合層と、光吸収剤及び熱分解性樹脂を含む光熱変換層と、光透過性支持体と、を含む積層体が記載されている。そして、積層体の上記の光熱変換層は、上記の接合層とは反対側の上記の被研削基材の表面を研削した後に、放射エネルギーが照射されたときに分解して、研削後の基材と上記の光透過性支持体とを分離するようになっている。
【０００４】
特許文献２には、半導体ウエハをダイシングする工程を含む半導体チップの製造方法において、ダイシング時のチッピングを効果的に防止することができる方法を提供することを目的として、半導体チップの所定の製造方法が記載されている。具体的には、光吸収剤及び熱分解性樹脂を含む光熱変換層を光透過性支持体上に適用する工程（但し、光熱変換層は放射エネルギーが照射されたときに放射エネルギーを熱に変換し、そしてその熱により分解するものである）、回路パターンを有する回路面とこの回路面とは反対側の非回路面とを有する半導体ウエハを用意し、回路面と光熱変換層とが対向するようにして、半導体ウエハと光透過性支持体とを光硬化型接着剤を介して貼り合わせ、光透過性支持体側から光を照射して光硬化型接着剤層を硬化させ、非回路面を外側に有する積層体を形成する工程、半導体ウエハが所望の厚さになるまで半導体ウエハの非回路面を研削する工程、研削された半導体ウエハを非回路面側からダイシングして、複数の半導体チップへと切断する工程、光透過性支持体側から放射エネルギーを照射し、光熱変換層を分解し、接着剤層を有する半導体チップと、光透過性支持体とに分離する工程、及び、半導体チップから接着剤層を除去する工程、を含む、半導体チップの製造方法とする。
【０００５】
また、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の技術分野においても、ＬＣＤは、透明基板上に薄型トランジスタをＣＶＤ等により形成する工程を経て製造される。ここで、透明基板には高度の耐熱性が必要とされるため、石英ガラスや耐熱ガラスが用いられる。しかし、こうした石英ガラスや耐熱ガラスは割れやすく、重量が大きいために、大型のＬＣＤを製造する場合に製造時のハンドリングが困難となる問題がある。そこで、別の硬い支持体上に薄型トランジスタを形成した後に転写体としての石英ガラスや耐熱ガラスを積層し、次いで上記支持体を剥離するという手法が用いられる。
【０００６】
特許文献３には、被剥離物の特性、条件等にかかわらず、容易に剥離することができ、特に、種々の転写体への転写が可能な剥離方法を提供することを目的として、所定の剥離方法が記載されている。具体的には、基板上に複数の層の積層体よりなる分離層を介して存在する被剥離物を基板から剥離する剥離方法であって、分離層に照射光を照射して、分離層の層内及び／又は界面において剥離を生ぜしめ、被剥離物を基板から離脱させる剥離方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−６４０４０号公報（請求項１、第０００５段落）
【特許文献２】特開２００５−１５９１５５号公報（請求項１、第０００７段落）
【特許文献３】特開平１０−１２５９２９号公報（請求項１、第０００６段落）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように、半導体の技術分野やＬＣＤの技術分野では、ウエハや薄型トランジスタを製造する際のウエハのたわみや反り、薄型トランジスタが形成される基板の割れによる製造時の処理やハンドリングの困難性を克服するために、硬い支持体上に固定した状態でウエハや薄型トランジスタを製造した後に、この硬い支持体を剥離するという技術が利用されている。
【０００９】
そして、上記各部材のたわみ、反り、基板の割れによる製造時の処理やハンドリングの困難性の問題は、有機エレクトロルミネッセンスデバイス（有機ＥＬデバイス）、有機トランジスタデバイス、及び太陽電池デバイスのように、フレキシブル基板上に素子を設けた薄型のデバイスを製造する際にも起こるものである。具体的には、大型のフレキシブル基板は、用いる材料に応じてたわみやすかったり、又は割れやすかったりする。その結果、大型のフレキシブル基板は、水平に保ったまま搬送したり、安定して搬送したりすることが困難となり、このフレキシブル基板上に素子を形成することが困難となる。
【００１０】
このため、薄型のデバイスを安定的に生産することを可能とするため、半導体ウエハやＬＣＤの分野で採用されている上記技術の応用が課題となっている。より具体的には、フレキシブル基板を、粘着層及びレーザー光の照射により剥離可能な光熱変換層を介して、硬い支持体上に固定する。そして、支持体に固定した状態でフレキシブル基板上に素子を形成した後に、光熱変換層にレーザー光等を照射して、光熱変換層を分解させて硬い支持体を剥離するという技術の採用が課題となっている。
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その第１の目的は、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を良好に生産することが可能な積層体を提供することにある。
【００１２】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その第２の目的は、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を良好に生産することが可能な積層体に用いる準備用支持体を提供することになる。
【００１３】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その第３の目的は、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を良好に生産することが可能な積層体の製造方法を提供することにある。
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その第４の目的は、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を有するデバイスを良好に生産することが可能なデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者等が、フレキシブル基板を、粘着層及びレーザー光の照射により剥離可能な光熱変換層を介して、硬い支持体上に固定してハンドリングし、フレキシブル基板上に素子を形成した後に、光熱変換層にレーザー光等を照射して、光熱変換層を分解させて硬い支持体を剥離するという技術の採用の可否を検討した結果、以下の２つの課題があることが新たに判明した。
【００１６】
すなわち、第１の課題として、素子が有機化合物で構成される有機ＥＬデバイスや有機トランジスタデバイスの場合においては、素子が有機化合物を含有するために熱や光の照射に相対的に弱く、光熱変換層にレーザー等を照射して支持体の剥離を行う際に、光熱変換層から漏れる光によって素子が破壊されるという課題がある。この課題については、本発明者等は、フレキシブル基板及び素子と、支持体及び光熱変換層との間に、光熱変換層に照射されるレーザー光が素子に到達しないように光遮断層（例えば、アルミニウムの薄膜による反射層）を設ける必要があることを見出した。
【００１７】
ところが、第２の課題として、素子の製造の際に電極等の部材を微細加工するために酸エッチングやアルカリ処理を行う必要があるが、酸やアルカリで上記の光遮断層等の部材が劣化するという課題がある。
【００１８】
そこで、上記の２つの課題を克服するために本発明者等が鋭意検討をした結果、粘着層の形成方法を工夫して光遮断層を保護することにより上記問題が解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【００１９】
上記課題を解決するための本発明の積層体は、支持体、該支持体上に設けられた光熱変換層、該光熱変換層上に形成された光遮断層、該光遮断層上に形成された粘着層、該粘着層上に形成されたフレキシブル基板、該フレキシブル基板上に形成された素子、を有し、前記支持体が該光熱変換層に光を照射することによって剥離可能となっている積層体であって、前記粘着層が、前記光遮断層の側面を覆うように形成される、ことを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、支持体、この支持体上に設けられた光熱変換層、この光熱変換層上に形成された光遮断層、この光遮断層上に形成された粘着層、この粘着層上に形成されたフレキシブル基板、このフレキシブル基板上に形成された素子、を有し、支持体が光熱変換層に光を照射することによって剥離可能となっている積層体であって、粘着層が、光遮断層の側面を覆うように形成されるので、光熱変換層を分解して支持体を剥離するために光熱変換層に光を照射した場合においても、光遮断層が素子側に漏れる光を遮断して素子が保護されるとともに、素子の製造時に酸又はアルカリ処理が行われた場合でも、粘着層が光遮断層の側面を覆って光遮断層を保護しているので、光遮断層の劣化が抑制され、その結果、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を良好に生産することが可能な積層体を提供することができる。なお、本発明において、フレキシブル基板とは、厚さが薄く柔軟性がありたわみやすい性質を有する基板（例えば、プラスチック基板やプラスチックフィルム）、又は、硬いものの厚さが薄いために割れやすい性質を有する基板（例えば、ガラス基板）等をいい、この基板の上に所定の素子を製造するためには、硬い支持体上に固定して素子の製造を行うべき基板をいう。
【００２１】
本発明の積層体の好ましい態様においては、前記粘着層が、さらに前記光熱変換層の側面を覆うように形成される。
【００２２】
この発明によれば、粘着層が、さらに光熱変換層の側面を覆うように形成されるので、素子製造時の酸・アルカリ処理による光熱変換層の劣化が抑制されるようになり、その結果、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子をより良好に生産することが可能な積層体を提供することができる。
【００２３】
本発明の積層体の好ましい態様においては、前記光遮断層が光反射層として機能する。
【００２４】
この発明によれば、光遮断層が光反射層として機能するので、光熱変換層を分解して支持体を剥離するために光熱変換層に光を照射した場合においても、光遮断層が素子側に漏れる光を良好に遮断しやすくなる一方で、素子製造時の酸・アルカリ処理によって劣化がしやすくなるので、その結果、粘着層で光遮断層の側面を保護する意義がより大きくなる。
【００２５】
本発明の積層体の好ましい態様においては、前記光熱変換層に光を集光するための集光位置確認用マークが、前記支持体上に設けられている。
【００２６】
この発明によれば、光熱変換層に光を集光するための集光位置確認用マークが、支持体上に設けられているので、光熱変換層を分解して支持体を剥離するために光熱変換層に光を照射した場合において、光熱変換層に光がより確実に照射されることになり素子側への漏れ光の発生が抑制され、その結果、素子をより保護しやすくなる。
【００２７】
本発明の積層体の好ましい態様においては、ガラス基板を前記フレキシブル基板として用いるとともに、該フレキシブル基板の端部近傍に前記素子が形成されない領域が存在し、該領域に、前記素子を囲むように前記フレキシブル基板に切り込みが設けられている。
【００２８】
この発明によれば、ガラス基板をフレキシブル基板として用いるとともに、フレキシブル基板の端部近傍に素子が形成されない領域が存在し、この領域に、素子を囲むようにフレキシブル基板に切り込みが設けられているので、フレキシブル基板が割れやすい薄いガラス基板で形成され端部に微小クラックが存在する場合において、製造工程時の熱歪み等を原因として上記微小クラックが亀裂に発展しても、この亀裂の進行を上記切り込みで食い止めやすくなるとともに、切り込みが設けられた箇所を折って粘着層を剥がせばよいので粘着層の剥離をより容易に行いやすくなる。
【００２９】
本発明の積層体の好ましい態様においては、前記素子が、有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、及び太陽電池素子のいずれかである。
【００３０】
この発明によれば、素子が、有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、及び太陽電池素子のいずれかであるので、支持体の剥離のために光熱変換層に光を照射した場合に発生した漏れ光によって劣化しやすい傾向となる一方で、微細加工のために素子製造時における酸・アルカリ処理工程を採用せざるを得ず、その結果、本発明を適用する意義がより大きくなる。
【００３１】
上記課題を解決するための本発明の準備用支持体は、本発明の積層体に用いる準備用支持体であって、前記支持体、該支持体上に設けられた前記光熱変換層を有することを特徴とする。
【００３２】
この発明によれば、本発明の積層体に用いる準備用支持体であって、支持体、この支持体上に設けられた光熱変換層を有することとするので、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を良好に生産することが可能な積層体に用いる準備用支持体を提供することができる。
【００３３】
上記課題を解決するための本発明の積層体の製造方法は、本発明の積層体の製造方法であって、支持体上に光熱変換層を形成する光熱変換層形成工程、前記光熱変換層上に光遮断層を形成する光遮断層形成工程、前記光遮断層上に、該光遮断層の側面を覆うように粘着層を形成する粘着層形成工程、前記粘着層上にフレキシブル基板を形成するフレキシブル基板形成工程、前記フレキシブル基板上に、酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程を少なくとも経て素子を形成する素子形成工程、を有することを特徴とする。
【００３４】
この発明によれば、本発明の積層体の製造方法であって、支持体上に光熱変換層を形成する光熱変換層形成工程、光熱変換層上に光遮断層を形成する光遮断層形成工程、光遮断層上に、この光遮断層の側面を覆うように粘着層を形成する粘着層形成工程、粘着層上にフレキシブル基板を形成するフレキシブル基板形成工程、フレキシブル基板上に、酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程を少なくとも経て素子を形成する素子形成工程、を有するので、光熱変換層を分解して支持体を剥離するために光熱変換層に光を照射した場合においても、光遮断層が素子側に漏れる光を遮断して素子が保護されるとともに、素子の製造時に酸又はアルカリ処理が行われた場合でも、粘着層が光遮断層の側面を覆って光遮断層を保護しているので、光遮断層の劣化が抑制され、その結果、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を良好に生産することが可能な積層体の製造方法を提供することができる。
【００３５】
上記課題を解決するための本発明のデバイスの製造方法は、フレキシブル基板上に素子が形成されたデバイスの製造方法であって、支持体上に光熱変換層を形成する光熱変換層形成工程、前記光熱変換層上に光遮断層を形成する光遮断層形成工程、前記光遮断層上に、該光遮断層の側面を覆うように粘着層を形成する粘着層形成工程、前記粘着層上にフレキシブル基板を形成するフレキシブル基板形成工程、前記フレキシブル基板上に、酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程を少なくとも経て素子を形成する素子形成工程、前記光熱変換層に光を照射して、前記支持体及び前記光熱変換層を剥離する光熱変換層剥離工程、前記粘着層を前記フレキシブル基板から分離する粘着層分離工程を有することを特徴とする。
【００３６】
この発明によれば、フレキシブル基板上に素子が形成されたデバイスの製造方法であって、支持体上に光熱変換層を形成する光熱変換層形成工程、光熱変換層上に光遮断層を形成する光遮断層形成工程、光遮断層上に、この光遮断層の側面を覆うように粘着層を形成する粘着層形成工程、粘着層上にフレキシブル基板を形成するフレキシブル基板形成工程、フレキシブル基板上に、酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程を少なくとも経て素子を形成する素子形成工程、光熱変換層に光を照射して、支持体及び光熱変換層を剥離する光熱変換層剥離工程、粘着層を前記フレキシブル基板から分離する粘着層分離工程を有するので、光熱変換層を分解して支持体を剥離するために光熱変換層に光を照射した場合においても、光遮断層が素子側に漏れる光を遮断して素子が保護されるとともに、素子の製造時に酸又はアルカリ処理が行われた場合でも、粘着層が光遮断層の側面を覆って光遮断層を保護しているので、光遮断層の劣化が抑制され、その結果、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を有するデバイスを良好に生産することが可能なデバイスの製造方法を提供することができる。
【００３７】
本発明のデバイスの製造方法の好ましい態様においては、前記粘着層形成工程において、前記粘着層がさらに前記光熱変換層の側面を覆うように形成される。
【００３８】
この発明によれば、粘着層形成工程において、粘着層がさらに光熱変換層の側面を覆うように形成されるので、素子製造時の酸・アルカリ処理による光熱変換層の劣化が抑制されるようになり、その結果、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を有するデバイスをより良好に生産することが可能なデバイスの製造方法を提供することができる。
【００３９】
本発明のデバイスの製造方法の好ましい態様においては、前記光遮断層形成工程において、アルミニウムを蒸着することによって前記光遮断層が形成される。
【００４０】
この発明によれば、光遮断層形成工程において、アルミニウムを蒸着することによって光遮断層が形成されるので、光熱変換層を分解して支持体を剥離するために光熱変換層に光を照射した場合においても、光遮断層が素子側に漏れる光を良好に遮断しやすくなる一方で、素子製造時の酸・アルカリ処理によって劣化がしやすくなるので、その結果、粘着層で光遮断層の側面を保護する意義がより大きくなる。
【００４１】
本発明のデバイスの製造方法の好ましい態様においては、前記光熱変換層に光を集光するための集光位置確認用マークを前記支持体上に設ける集光位置確認用マーク形成工程をさらに有する。
【００４２】
この発明によれば、光熱変換層に光を集光するための集光位置確認用マークを支持体上に設ける集光位置確認用マーク形成工程をさらに有するので、光熱変換層を分解して支持体を剥離するために光熱変換層に光を照射した場合において、光熱変換層に光がより確実に照射されることになり素子側への漏れ光の発生が抑制され、その結果、素子をより保護しやすくなる。
【００４３】
本発明のデバイスの製造方法の好ましい態様においては、前記フレキシブル基板形成工程において、ガラス基板を前記フレキシブル基板として用い、該フレキシブル基板の端部近傍に前記素子が形成されない領域を設け、該領域に、前記素子が形成される領域を囲むように前記フレキシブル基板に切り込みを設ける。
【００４４】
この発明によれば、フレキシブル基板形成工程において、ガラス基板をフレキシブル基板として用い、フレキシブル基板の端部近傍に素子が形成されない領域を設け、この領域に、素子が形成される領域を囲むようにフレキシブル基板に切り込みを設けるので、フレキシブル基板が割れやすい薄いガラス基板で形成され端部に微小クラックが存在する場合において、製造工程時の熱歪み等を原因として上記微小クラックが亀裂に発展しても、この亀裂の進行を上記切り込みで食い止めやすくなるとともに、切り込みが設けられた箇所を折って粘着層を剥がせばよいので粘着層の剥離をより容易に行いやすくなる。
【００４５】
本発明のデバイスの製造方法の好ましい態様においては、前記素子が、有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、及び太陽電池素子のいずれかである。
【００４６】
この発明によれば、素子が、有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、及び太陽電池素子のいずれかであるので、支持体の剥離のために光熱変換層に光を照射した場合に発生した漏れ光によって劣化しやすい傾向となる一方で、微細加工のために素子製造時における酸・アルカリ処理工程を採用せざるを得ず、その結果、本発明を適用する意義がより大きくなる。
【発明の効果】
【００４７】
本発明の積層体によれば、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を良好に生産することが可能な積層体を提供することができる。
【００４８】
本発明の準備用支持体によれば、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を良好に生産することが可能な積層体に用いる準備用支持体を提供することができる。
【００４９】
本発明の積層体の製造方法によれば、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を良好に生産することが可能な積層体の製造方法を提供することができる。
【００５０】
本発明のデバイスの製造方法によれば、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を有するデバイスを良好に生産することが可能なデバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の積層体の一例を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明の積層体の他の一例を示す模式的な断面図である。
【図３】本発明の積層体のさらに他の一例を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明の積層体のさらに他の一例を示す模式的な断面図である。
【図５】本発明の積層体のさらに他の一例を示す模式的な断面図と平面図である。
【図６】本発明の準備用支持体の一例を示す模式的な断面図である。
【図７】本発明のデバイスの製造方法における光熱変換層剥離工程の一例を示す模式的な断面図である。
【図８】本発明のデバイスの製造方法における粘着層分離工程の一例を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５２】
次に、本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
【００５３】
（積層体）
図１は、本発明の積層体の一例を示す模式的な断面図である。
【００５４】
積層体１Ａは、支持体２Ａ、支持体２Ａ上に設けられた光熱変換層３Ａ、光熱変換層３Ａ上に形成された光遮断層４Ａ、光遮断層４Ａ上に形成された粘着層５Ａ、粘着層５Ａ上に形成されたフレキシブル基板６Ａ、フレキシブル基板６Ａ上に形成された素子７Ａ、を有し、支持体２Ａが光熱変換層３Ａに光を照射することによって剥離可能となっており、粘着層５Ａが、光遮断層４Ａの側面を覆うように形成されている。これにより、光熱変換層３Ａを分解して支持体２Ａを剥離するために光熱変換層３Ａに光を照射した場合においても、光遮断層４Ａが素子７Ａ側に漏れる光を遮断して素子７Ａが保護されるとともに、素子７Ａの製造時に酸又はアルカリ処理が行われた場合でも、粘着層５Ａが光遮断層４Ａの側面を覆って光遮断層４Ａを保護しているので、光遮断層４Ａの劣化が抑制され、その結果、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板６Ａ上に形成された薄型の素子７Ａを良好に生産することが可能な積層体１Ａを提供することができる。
【００５５】
積層体１Ａは、フレキシブル基板６Ａ上に素子７Ａが形成されたデバイス８Ａの製造を容易にするために用いられるものである。フレキシブル基板６Ａは薄くたわみやすい又は硬いが薄く割れやすいという性質を有するので、デバイス８Ａを製造する場合に、フレキシブル基板６Ａのハンドリングが難しくなり、フレキシブル基板６Ａ上への素子７Ａの形成が困難となる。そこで、光熱変換層３Ａ、光遮断層４Ａ、及び粘着層５Ａを介して、フレキシブル基板６Ａを支持体２Ａに固定することにより、フレキシブル基板６Ａのたわみ、反り、割れを抑制でき、素子７Ａの形成が容易となる。そして、フレキシブル基板６Ａ上に素子７Ａが設けられ、デバイス８Ａが形成された後には、レーザー光等の光を光熱変換層３Ａに照射して、光熱変換層３Ａを構成する材料を分解させて、支持体２Ａを剥離する。さらに、フレキシブル基板６Ａ側に残留する光熱変換層３Ａ、光遮断層４Ａ、及び粘着層５Ａを取り除けば、デバイス８Ａを得ることができる。なお、デバイス８Ａの製造方法についての詳細は、後述する。
【００５６】
積層体１Ａは、支持体２Ａ、光熱変換層３Ａ、光遮断層４Ａ、粘着層５Ａ、フレキシブル基板６Ａ、及び素子７Ａから形成されているが、積層体においては、上記各層以外の他の層を挿入してもよい。以下、積層体１Ａを構成する各層について説明する。
【００５７】
支持体２Ａは、フレキシブル基板６Ａを固定して、デバイス８Ａの製造を容易にできるだけの厚みや剛性を有すればよく、特に制限はない。支持体２Ａに所定の剛性を確保するために、支持体２Ａの材料を、アクリル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、及びガラス等とすることが好ましい。また、製造する素子７Ａの種類によって支持体２Ａに所定の耐熱性が必要とされる場合には、支持体２Ａに所定の耐熱性を付与することが好ましい。より具体的には、支持体２Ａを構成する材料に、歪点が、好ましくは３５０℃以上、より好ましくは５００℃以上のものを用いる。さらに、素子７Ａの製造が、少なくとも酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程を経て行われるので、支持体２Ａを構成する材料として、所定の耐薬品性を有することが好ましい。このような材料としてはガラスを挙げることができ、好ましくは、石英ガラス、ソーダガラス等を挙げることができる。具体的な商品名でいえば、例えば、パイレックス（登録商標）、テンパックス（登録商標）、コーニング＃１７３７及び＃７０５９等を挙げることができる。
【００５８】
支持体２Ａは、繰り返し使用される場合を考慮して、所定の耐スクラッチ性を有することが好ましい。そして、繰り返し使用するためには、光熱変換層３Ａへの光の照射によって支持体２Ａが劣化することを抑制するために、支持体２Ａは所定の耐光性を有することが好ましい。こうした見地からも、支持体２Ａの材料としてガラスを用いることが好ましい。
【００５９】
支持体２Ａは、支持体２Ａの剥離のために光熱変換層３Ａに光を照射するので、照射する光に対して透過性を有するものを用いることが好ましい。具体的には、支持体２Ａの光透過性は、照射する光に対して、通常５０％以上とすればよい。また、光熱変換層３Ａや粘着層５ＡにＵＶ硬化型の樹脂を用いる場合には、支持体２Ａが紫外線透過性であることが好ましい。
【００６０】
支持体２Ａは、光熱変換層３Ａ等の隣接する層との接着力を高めるために、シランカップリング剤を用いる等して適宜表面処理をしていてもよい。また、図１には図示していないが、必要に応じて、支持体２Ａと光熱変換層３Ａとの間にプライマー層等の接着層を設けてもよい。
【００６１】
支持体２Ａは、フレキシブル基板６Ａのハンドリングを容易にするだけの厚さを有するようにすることが好ましい。こうした見地から、支持体２Ａの厚さは、通常０．１ｍｍ以上、好ましくは０．５ｍｍ以上、通常５ｍｍ以下、好ましくは１．５ｍｍ以下とする。また、フレキシブル基板６Ａ上で素子７Ａを良好に形成するために、支持体２Ａの厚さのばらづきを±２μｍ以下とすることが好ましい。
【００６２】
光熱変換層３Ａは、光の照射によって分解するような材料を用いて形成すればよい。照射する光としては、本発明の要旨の範囲内で制限されることはないが、一定の強度を確保する見地から、レーザー光を用いることが好ましい。レーザー光としては、通常、３００〜２０００ｎｍの波長のレーザー光が考えられ、具体的には、ＹＡＧレーザー（波長：１０６４ｎｍ）、２倍高調波ＹＡＧレーザー（波長：５３２ｎｍ）、半導体レーザー（波長：７８０〜１３００ｎｍ）が挙げられる。そして、光の照射による分解という見地から、光熱変換層３Ａには、通常、光吸収剤と熱分解性樹脂とを含有させる。これにより、レーザー光等によって照射された放射エネルギーは、光吸収剤によって吸収されて熱エネルギーに変換される。次いで、この熱エネルギーが光熱変換層３Ａの温度を急激に上昇させ、光熱変換層３Ａ中の温度が、熱分解性樹脂（有機成分）の熱分解温度に達することによって熱分解性樹脂が熱分解（炭化）する。そして、熱分解によって発生したガスは光熱変換層３Ａ内でボイド層（空隙）となり、光熱変換層３Ａが２つに分離される。その結果、支持体２Ａを剥離することができるようになる。
【００６３】
光熱変換層３Ａに用いる光吸収剤は、照射する光の放射エネルギーを吸収するものであればよく、特に制限はない。光吸収剤としては、照射する光としてレーザー光を用いる場合には、例えば、カーボンブラック、グラファイト粉、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、コバルト、マンガン、クロム、亜鉛、テルル等の微粒子金属粉末、黒色酸化チタンなどの金属酸化物粉末、又は、芳香族ジアミノ系金属錯体、脂肪族ジアミン系金属錯体、芳香族ジチオール系金属錯体、メルカプトフェノール系金属錯体、スクアリリウム系化合物、シアニン系色素、メチン系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素等の染料又は顔料等を挙げることができる。また、光吸収剤は、金属蒸着膜を含む膜状の形態などであってもよい。光熱変換層３Ａの分離を容易にする見地から、光吸収剤として、カーボンブラックを用いることが好ましい。光吸収剤の粒径は、本発明の要旨の範囲内において特に制限はないが、通常１ｎｍ以上、１μｍ以下とする。
【００６４】
光熱変換層３Ａ中の光吸収剤の含有量は、本発明の要旨の範囲内において特に制限はない。例えば、光吸収剤としてカーボンブラックを用いる場合には、通常５体積％以上、通常７０体積％以下とする。上記範囲とすれば、光熱変換層３Ａの接着性を確保しつつ、熱分解性樹脂を分解させやすくなる。
【００６５】
光熱変換層３Ａに用いる熱分解性樹脂は、所定の温度で熱分解するような材料であればよく特に制限はない。熱分解性樹脂としては、例えば、ゼラチン、セルロース、セルロースエステル（例えば、酢酸セルロース、ニトロセルロース）、ポリフェノール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオルトエステル、ポリアセタール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、塩化ビニリデンとアクリロニトリルとの共重合体、ポリ（メタ）アクリレート、ポリ塩化ビニル、シリコーン樹脂及び／又はポリウレタン単位を含むブロックコポリマー等を挙げることができる。熱分解性樹脂は、上記樹脂を単独で又は２種以上混合して用いればよい。また、熱分解性樹脂の熱分解によりボイド層を形成して分離した光熱変換層３Ａが再接着しないように、熱分解性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、室温（２０℃）以上とすることが好ましく、１００℃以上とすることがより好ましい。
【００６６】
光熱変換層３Ａに用いる熱分解性樹脂は、支持体２Ａにガラスを用いる場合には、支持体２Ａ（ガラス）と光熱変換層３Ａとの接着力を高めるために、ガラス表面のシラノール基と水素結合しうる極性基（例えば、−ＣＯＯＨ、−ＯＨなど）を分子内に持つ熱分解性樹脂を用いることが好ましい。また、素子７Ａの製造が、少なくとも酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程を経て行われるので、光熱変換層３Ａに耐薬品性を付与することが好ましい。この見地から、熱処理により自己架橋しうる官能基を分子内に持つ熱分解性樹脂や、紫外線・可視光で架橋可能な熱分解性樹脂（ＵＶ硬化型樹脂）又はその前駆体（モノマー・オリゴマーの混合物など）を用いることもできる。また、光熱変換層３Ａに粘着性を付与する場合には、熱分解性樹脂として、ポリ（メタ）アクリレートなどから形成された粘着性ポリマーを用いることもできる。
【００６７】
光熱変換層３Ａは、必要に応じて、フィラーを所定の含有量で含有させることが好ましい。フィラーは、熱分解性樹脂の熱分解によりボイド層を形成して分離した光熱変換層３Ａの再接着を抑制するように作用する。フィラーとしては、例えば、シリカ、タルク、硫酸バリウム等を挙げることができる。
【００６８】
光熱変換層３Ａは、さらに、他の添加剤を含有させてもよい。例えば、熱分解性樹脂をモノマーもしくはオリゴマーの形態で塗布し、その後、重合や硬化を行うことにより光熱変換層３Ａを形成する場合には、添加剤として光重合開始剤を用いればよい。また、添加剤としては、支持体２Ａと光熱変換層３Ａとの接着力を高めるためのカップリング剤、耐薬品性向上のための架橋剤等を用いてもよい。さらに、光熱変換層３Ａの分解による分離を促進するために、添加剤として低温ガス発生体を用いることもでき。代表的な低温ガス発生体としては発泡剤や昇華剤が利用できる。発泡剤としては、例えば、炭酸水素ナトリウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸亜鉛、アゾジカーボンアミド、アゾビスイソブチロニトリル、Ｎ，Ｎ’−ジニトロソペンタメチレンテトラミン、ｐ−トルエンスルホニルヒドラジン、ｐ，ｐ−オキシビス（ベンゼンスルホヒドラジド）等を挙げることができる。また、昇華剤としては、２−ジアゾー５，５−ジメチルシクロヘキサン−１，３−ジオン、樟脳、ナフタレン、ボルネアール（ｂｏｒｎｅａｌ）、ブチラミド、バレラミド、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、フラン−２−カルボン酸、無水コハク酸、１−アダマンタノール、２−アダマンタノン等を挙げることができる。
【００６９】
光熱変換層３Ａの厚さは、支持体２Ａの剥離を可能にするかぎり限定されないが、通常０．１μｍ以上、好ましくは０．３μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、また通常５μｍ以下、好ましくは３μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下とする。この範囲とすれば、十分な光吸収が可能となるとともに、光熱変換層３Ａが光透過性を有するとともに分離を容易にしやすくなる。
【００７０】
光遮断層４Ａは、光熱変換層３Ａを分解させるために照射する光が、素子７Ａの側に漏れて素子７Ａを劣化することを防ぐために用いられるものである。すなわち、素子７Ａを有機ＥＬ素子や有機トランジスタ素子とする場合には、素子７Ａは有機化合物が含有されることになるが、有機化合物は光や熱に弱いため、光が漏れ込むとその放射エネルギー等によって分解等劣化する場合がある。そこで、光熱変換層３Ａを通過した光を、反射又は吸収するために光遮断層４Ａを用いる。
【００７１】
光遮断層４Ａは、通常、光を反射する機能又は光を吸収する機能を付与する。光遮断層４Ａを光反射層として機能させる場合には、光遮断層４Ａを金属で形成することが好ましく、金属としては、例えば、アルミニウム、銅、鉄、金、銀、クロム、及びチタン等を挙げることができる。また、これら金属を合金として用いてもよく、合金とする場合の原子数比は、本発明の要旨の範囲内で任意に調整することができる。これら材料のうち、製造コストの低減の見地、工業生産上の扱いやすさ、及び素子７Ａ製造時の酸又はアルカリ処理により劣化を受けるという見地から、アルミニウム、金、銀、クロム、及びチタンのいずれかとすることが好ましく、アルミニウムを用いることがより好ましい。すなわち、光遮断層４Ａが光反射層として機能することが好ましい。また、光遮断層４Ａはアルミニウムから形成されることがより好ましい。これにより、光熱変換層３Ａを分解して支持体２Ａを剥離するために光熱変換層３Ａに光を照射した場合においても、光遮断層４Ａが素子７Ａ側に漏れる光を良好に遮断しやすくなる一方で、素子７Ａ製造時の酸・アルカリ処理によって劣化がしやすくなるので、その結果、粘着層５Ａで光遮断層４Ａの側面を保護する意義がより大きくなる。
【００７２】
光遮断層４Ａを光吸収層として機能させる場合には、光熱変換層３Ａに照射する光に対して吸収を有する材料を用いればよい。照射する光としてＹＡＧレーザーを用いる場合には、例えば、ジインモニウム塩系化合物等の赤外線吸収材料を用いることができる。また、照射する光として半導体レーザーを用いる場合には、フタロシアニン系色素、シアニン系色素等を用いることができる。光遮断層４Ａは、上記赤外線吸収材料や色素を蒸着膜として用いたり、樹脂に分散させて成膜することによって形成することができる。
【００７３】
光遮断層４Ａには、上記した材料以外にも、本発明の要旨の範囲内において任意の添加剤を任意の添加量で含有させることもできる。
【００７４】
光遮断層４Ａの厚さは、光熱変換層３Ａから漏れてくる光を反射又は吸収できるだけの厚さとすればよく、通常５ｎｍ以上、通常５μｍ以下とする。
【００７５】
粘着層５Ａは、図１に示すように、光遮断層４Ａの側面を覆うように形成されている。これにより、素子７Ａの製造が、少なくとも酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程を経て行われた場合においても、光遮断層４Ａの側面を覆う粘着層５Ａが、光遮断層４Ａへの酸又はアルカリの侵入を防き、光遮断層４Ａの劣化が抑制される。
【００７６】
粘着層５Ａは、フレキシブル基板６Ａを、光熱変換層３Ａを介して支持体２Ａに固定するために用いられる。光熱変換層３Ａへ光を照射して分解させ支持体２Ａを剥離した後は、粘着層５Ａ、光遮断層４Ａ、及び光熱変換層３Ａの残留物がフレキシブル基板６Ａ（デバイス８Ａ）に付着した状態となる。このため、粘着層５Ａは、通常、フレキシブル基板６Ａから容易に剥がせるような材料で形成する。すなわち、粘着層５Ａは、通常、フレキシブル基板６Ａを支持体２Ａに固定するために必要な接着力を有しうつつも、フレキシブル基板６Ａから容易に剥がせるような材料を用いて形成する。こうした材料として、例えば、ゴム、エラストマー等のゴム系接着剤、エポキシ、ウレタン等をベースとする一液熱硬化型接着剤、エポキシ、ウレタン、アクリル等をベースとする二液混合反応型接着剤、ホットメルト型接着剤、アクリル、エポキシ等をベースとする紫外線（ＵＶ）もしくは電子線硬化型接着剤、水分散型接着剤等を挙げることができる。これらのうち、均一性を確保しやすい等の見地から、ＵＶ硬化型接着剤を用いることが好ましい。ＵＶ硬化型接着剤としては、アクリル系樹脂を用いることが好ましく、より好ましくは、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート若しくはポリエステルアクリレート等の重合性ビニル基を有するオリゴマー、及び／又はアクリル若しくはメタクリルモノマーに光重合開始剤、並びに、場合により添加剤を添加した接着剤を用いる。添加剤としては、増粘剤、可塑剤、分散剤、上記フィラー以外のフィラー、難燃剤及び熱老化防止剤などが挙げられる。
【００７７】
粘着層５Ａとして、両面接着テープを用いることもできる。両面接着テープは、通常、フィルムの両面に粘着剤層が設けられたものである。そして、粘着剤層に使用可能な粘着剤としては、アクリル、ウレタン、天然ゴム等を主成分とする粘着剤、又は、これらに加えて架橋剤を含む粘着剤が挙げられる。好ましくは２−エチルヘキシルアクリレート又はブチルアクリレートを主成分とする共重合体を含む粘着剤である。また、両面接着テープに用いるフィルムとしては紙やプラスティックなどのフィルムが用いられる。ここで、フィルムは、フレキシブル基板６Ａから粘着層５Ａを容易に剥がすことをできるようにするために、可撓性を有することが好ましい。
【００７８】
粘着層５Ａの厚さは、本発明の要旨の範囲内において特に制限はないが、通常１０μｍ以上、好ましくは２０μｍ以上、また通常１５０μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下とする。
【００７９】
フレキシブル基板６Ａには、厚さが薄く柔軟性がありたわみやすい性質を有する基板（例えば、プラスチック基板やプラスチックフィルム）、又は、硬いものの厚さが薄いために割れやすい性質を有する基板（例えば、ガラス基板）等を用いる。フレキシブル基板６Ａは、結局は、フレキシブル基板の上に素子７Ａを製造するためには、硬い支持体２Ａ上への固定が必要となるものをいう。
【００８０】
フレキシブル基板６Ａをプラスチック基板又はプラスチックフィルムとする場合に用いるプラスチック材料（樹脂材料）としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、シクロポリオレフィン（ＣＰＯ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、及びポリアミド（ＰＡ）等を挙げることができる。これらのうち、例えば、ディスプレイ用途では透明である程度の耐熱性が必要とされるので、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーポネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、透明ポリイミド（ＰＩ）、シクロポリオレフィン（ＣＰＯ）、及びポリアリレート（ＰＡＲ）を用いることが好ましい。また、上記樹脂材料は、本発明の要旨の範囲内において、任意の２種類以上を任意の割合で適宜混合して用いてもよい。
【００８１】
フレキシブル基板６Ａをガラス基板とする場合には、薄ガラスを用いることが好ましい。薄ガラスの材料としては、支持体２Ａで説明したものと同様のものを用いることができる。
【００８２】
フレキシブル基板６Ａは透明であることが好ましい。これによりフレキシブル基板６Ａを、例えば、有機ＥＬディスプレイ素子等のディスプレイ装置の発光面や映像面側に設けることができるようになる。より具体的には、例えば４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内でのフレキシブル基板６Ａの平均光透過度が８０％以上の透明性を有するように構成することが好ましい。こうした光透過度はフレキシブル基板６Ａの材質と厚さに影響されるので両者を考慮して構成される。
【００８３】
フレキシブル基板６Ａの表面は、コロナ処理、火炎処理、プラズマ処理、グロー放電処理、粗面化処理、加熱処理、薬品処理、及び易接着処理等の表面処理を行ってもよい。こうした表面処理の具体的な方法は従来公知のものを適宜用いることができる。
【００８４】
フレキシブル基板６Ａの厚さは、可撓性及び形態保持性の観点から、通常１０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以上、また、通常５ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以下、更に好ましくは５００μｍ以下、特に好ましくは２００μｍ以下とする。
【００８５】
素子７Ａは、少なくとも酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程を経て製造が行われるものを用いればよく、特に制限はない。こうした素子７Ａとして、有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、及び太陽電池素子のいずれかを用いることが好ましい。こうした素子７Ａを用いることにより、支持体２Ａの剥離のために光熱変換層３Ａに光を照射した場合に発生した漏れ光によって素子７Ａが劣化しやすい傾向となる一方で、微細加工のために素子７Ａ製造時における酸・アルカリ処理工程を採用せざるを得ず、その結果、本発明を適用する意義がより大きくなる。
【００８６】
素子７Ａを、有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、及び太陽電池素子のいずれかとする場合においては、その構成要素は従来公知のものを適宜用いることができる。例えば、素子７Ａを有機ＥＬ素子とする場合には、有機ＥＬ素子は、基本的には、陽極、正孔輸送層、発光層、及び陰極から形成され、各構成部材の材料や厚さ等は従来から用いられているものをそのまま使用することができる。素子７Ａには、水分の吸着による素子性能の劣化を防ぐため、封止基材を貼り合わせてもよい。有機ＥＬ素子を用いる場合を例にとれば、陰極を形成した後、封止基材としてのガスバリア性フィルムを、接着剤や粘着剤等を用いて有機ＥＬ素子を覆うようにして貼り合わせればよい。ここで、接着剤や粘着剤として熱硬化や紫外線（ＵＶ）硬化型のものを用いることができる。そして、接着剤や粘着剤は、有機ＥＬ素子全面に塗布する場合と、有機ＥＬ素子の周辺のフレキシブル基板６Ａ上に枠状に塗布する場合とを挙げることができる。さらに、図１には図示していないが、素子７Ａに配線を接続することも可能である。
【００８７】
素子７Ａとして有機ＥＬ素子を用いる場合には、製造工程における酸又はアルカリでの処理が必須となる。具体的には、ＩＴＯ電極等の電極又は補助電極をパターニングする際に酸エッチングを行い、絶縁層を形成する場合のレジストパターニングの際にアルカリ処理が用いられ、カソードセパレータの形成にもアルカリ現像が使用される。このため、上記の酸・アルカリでの処理において、光遮断層４Ａが劣化するのを防ぐために、光遮断層４Ａの側面を粘着層５Ａで覆うようにする。
【００８８】
素子７Ａは、薄型の素子となっている。その結果、フレキシブル基板６Ａとあわせて、デバイス８Ａも薄型のデバイスとなる。薄型の素子とする見地から、素子７Ａの厚さは、通常５ｎｍ以上、通常５ｍｍ以下である。
【００８９】
積層体１においては、図１からわかるように、光遮断層４Ａが光熱変換層３Ａ上の全面に形成されていないために、光熱変換層３Ａに光を照射した場合に、光熱変換層３Ａの端部の光遮断層４Ａが上に形成されていない領域においては、漏れ光が発生してこれにより素子７Ａの端部が劣化する場合が発生することになる。しかしながら、工業生産において、素子７Ａの端部は有効エリアとしては用いられないので、上記漏れ光があっても特に問題はない。
【００９０】
図２は、本発明の積層体の他の一例を示す模式的な断面図である。
【００９１】
積層体１Ｂは、粘着層５Ｂが、さらに光熱変換層３Ｂの側面を覆うように形成されていること以外は、積層体１Ａと同様の構成となっている。すなわち、粘着層５Ｂの両端部が、光遮断層４Ｂ及び光熱変換層３Ｂの側面を覆い、支持体２Ｂまで形成されている。これにより、素子７Ｂ製造時の酸・アルカリ処理による光熱変換層３Ｂの劣化が抑制されるようになり、その結果、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板６Ｂ上に形成された薄型の素子７Ｂをより良好に生産することが可能な積層体１Ｂを提供することができる。
【００９２】
積層体１Ｂは、上記点以外は積層体１Ａと同様の構成を採用しているので、説明の重複を避けるため、積層体１Ｂの他の構成についての説明は省略する。
【００９３】
図３は、本発明の積層体のさらに他の一例を示す模式的な断面図である。
【００９４】
積層体１Ｃは、光熱変換層３Ｃに光を集光するための集光位置確認用マーク９Ａ，９Ｂが、支持体上２Ｃに設けられていること以外は、積層体１Ａと同様の構成となっている。すなわち、積層体１Ｃは、支持体２Ｃ、光熱変換層３Ｃ、光遮断層４Ｃ、粘着層５Ｃ、フレキシブル基板６Ｃ、及び素子７Ｃを有し、フレキシブル基板６Ｃ及び素子７Ｃでデバイス８Ｃが形成されている点は、積層体１Ａと同様であるが、支持体２Ｃ上に集光位置確認用マーク９Ａ，９Ｂが設けられている点で異なる。集光位置確認用マーク９Ａ，９Ｂの採用により、光熱変換層３Ｃを分解して支持体２Ｃを剥離するために光熱変換層３Ｃに光を照射した場合において、光熱変換層３Ｃに光がより確実に照射されることになり素子７Ｃ側への漏れ光の発生が抑制され、その結果、素子７Ｃをより保護しやすくなる。
【００９５】
積層体１Ｃにおいて、集光位置確認用マーク９Ａ，９Ｂを設ける意義を説明する。
【００９６】
積層体１Ｃにおいて、素子７Ｃが大型化すると、フレキシブル基板６Ｃも大型化してよりたわみやすく、反りやすく、又は割れやすくなる。このため、積層体１Ｃを製造する際にフレキシブル基板６Ｃの水平を確保することがより困難となり、粘着層５Ｃとフレキシブル基板７Ｃとを貼り合わせた場合に、両者の界面に気泡が形成される場合がある。こうした気泡は、理想的には全く発生させないように粘着層５Ｃとフレキシブル基板６Ｃとを貼り合わせるべきであるものの、フレキシブル基板６Ｃが大型化してよりハンドリングが困難となると、気泡を根絶することは実質的には不可能となる。そして、本発明者等がこうした気泡が発生した箇所についてさらに検討を行った結果、光熱変換層３Ｃに光を照射して光熱変換層３Ｃを分解して支持体２Ｃを剥離する際に、気泡の発生した箇所では光遮断層４Ｃの存在にもかかわらず漏れ光が発生して、素子７Ｃが破壊されることが判明した。より具体的には、素子７Ｃとして有機ＥＬ素子を用いた場合に、有機ＥＬ素子を構成する１つの画素の中で発光しない領域が発生することがわかった。
【００９７】
積層体１Ｃにおける、素子７Ｃの大型化に伴う気泡の発生によって、上記素子７Ｃの破壊が発生する原因については現時点では明らかとはなっていない。しかしながら、光熱変換層３Ｃの分解をより確実に行うために、レーザー光（ＹＡＧレーザー）を光熱変換層３Ｃに２回照射した場合に素子７Ｃの破壊が確認されていることに鑑みれば、おそらく以下のような現象が起こっているのではないかと推測される。すなわち、気泡が存在する領域は、気泡が存在するために、粘着層５Ｃの厚さが相対的に薄くなっていると考えられる。そして、厚さが相対的に薄い分、気泡の存在する領域（粘着層５Ｃが薄い領域）の剛性が十分ではないために、１回目のレーザー光の照射において光熱変換層３Ｃ中の熱分解性樹脂が熱分解して発生したガスが、気泡の存在する領域に対応する光遮断層４Ｃの領域に亀裂を生じさせるのではないかと考えられる。その結果、第２回目のレーザー光の照射の際に、光遮断層４Ｃの亀裂部分からの素子７Ｃ側への漏れ光が発生し、気泡の存在する領域に対応する素子７Ｃの領域において素子７Ｃが破壊されるものと推測される。
【００９８】
積層体１Ｃにおける、気泡の発生に伴う光照射時の素子７Ｃの破壊については、上記のようなメカニズムの発生が予想される。そこで、こうした素子７Ｃの破壊の抑制につき本発明者等がさらに検討を行った結果、光熱変換層３Ｃへの光照射の際に、光熱変換層３Ｃに光の焦点をあわせることにより、光遮断層４Ｃに到達する光を極力少なくすることが有効であることを見出した。そこで、積層体１Ｃでは、支持体２Ｃに集光位置確認用マーク９Ａ，９Ｂを設けることとした。そして、光熱変換層３Ｃに光を照射するに先立って、光の焦点を集光位置確認用マーク９Ａ，９Ｂに一度合わせてから、上記光の照射を行うこととした。
【００９９】
積層体１Ｃにおける、集光位置確認用マーク９Ａ，９Ｂは、図３に示すように、支持体２Ｃの端部の近くに設けられているが、端部の近く以外に集光位置確認用マークを設けてもよい。また、集光位置確認用マーク９Ｂについては便宜的にその平面図も示してあることからわかるように、集光位置確認用マーク９Ｂは十字型となっている。もっとも、集光位置確認用マークは光の焦点合わせのために用いられるものであり、その形状は十字型に限定されるものではない。集光位置確認用マーク９Ａ，９Ｂの材質としては、例えば、金属、無機物、有機物等を用いることができる。集光位置確認用マーク９Ａ，９Ｂの材質として金属を用いる場合には、アルミニウムが通常用いられ、無機物を用いる場合には、ガラスが通常用いられ、有機物を用いる場合には、熱硬化性又は紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂が通常用いられる。この場合、集光位置確認用マーク９Ａ，９Ｂの厚さは、通常１０ｎｍ以上、通常２０００ｎｍ以下とする。なお、図３には図示していないが、支持体をガラスで形成する際には、支持体を加工して、支持体の表面上に集光位置確認用マークを形成してもよい。この場合、集光位置確認用マークの深さは、通常１０ｎｍ以上、通常２０００ｎｍ以下とする。このように、本発明においては、支持体を加工して集光位置確認用マークを支持体に形成する場合も、集光位置確認用マークが支持体上に設けられる場合に含まれるものとする。
【０１００】
積層体１Ｃは、上記点以外は積層体１Ａと同様の構成を採用しているので、説明の重複を避けるため、積層体１Ｃの他の構成についての説明は省略する。
【０１０１】
図４は、本発明の積層体のさらに他の一例を示す模式的な断面図である。
【０１０２】
積層体１Ｄは、支持体２Ｄ上に光を集光するための集光位置確認用マーク９Ｃ，９Ｄが設けられている点では、積層体１Ｃと同様の構成をとるが、集光位置確認用マーク９Ｃ，９Ｄが設けられている部分に光熱変換層３Ｄ及び光遮断層４Ｄが設けられておらず、粘着層５Ｄが光熱変換層３Ｄ及び光遮断層４Ｄの側面を覆うように形成されている点において、積層体１Ｃと相違する。すなわち、積層体１Ｄは、支持体２Ｄ、光熱変換層３Ｄ、光遮断層４Ｄ、粘着層５Ｄ、フレキシブル基板６Ｄ、及び素子７Ｄを有し、フレキシブル基板６Ｄ及び素子７Ｄでデバイス８Ｄが形成されている点は、積層体１Ｃと同様であるが、支持体２Ｄ上に設けられた集光位置確認用マーク９Ｃ，９Ｄが、光熱変換層３Ｄ及び光遮断層４Ｄよりも外側に設けられ、粘着層５Ｄで覆われている点で異なる。
【０１０３】
積層体１Ｄは、光熱変換層が不透明で光の焦点を集光位置確認用マーク９Ｃ，９Ｄにあわせることが難しくなる場合に採用される態様である。なお、図４においては、説明の便宜上、支持体２Ｄ上における光熱変換層３Ｄ及び光遮断層４Ｄが形成されていない領域（集光位置確認用マーク９Ｃ，９Ｄが形成された領域）が広く図示されている。しかし、実際の積層体においては、支持体上の端部近傍以外のほとんどの領域に光熱変換層及び光遮断層が形成され、光熱変換層及び光遮断層の存在しない支持体の端部近傍の微小な領域に集光位置確認用マークが形成されることになる。
【０１０４】
積層体１Ｄは、上記相違点以外は積層体１Ｃと同様の構成を採用しているので、説明の重複を避けるため、積層体１Ｄの他の構成についての説明は省略する。
【０１０５】
図５は、本発明の積層体のさらに他の一例を示す模式的な断面図と平面図である。より具体的には、図５の上段は、積層体１Ｅの模式的な断面図を示し、図５の下段は、積層体１Ｅの模式的な平面図を示している。
【０１０６】
積層体１Ｅは、ガラス基板をフレキシブル基板６Ｅとして用いるとともに、フレキシブル基板６Ｅの端部近傍に素子７Ｅが形成されない領域が存在し、この領域に、素子７Ｅを囲むようにフレキシブル基板６Ｅに切り込み１２が設けられている。これにより、フレキシブル基板６Ｅが割れやすい薄いガラス基板で形成され端部に微小クラックが存在する場合において、製造工程時の熱歪み等を原因として上記微小クラックが亀裂に発展しても、この亀裂の進行を切り込み１２で食い止めやすくなるとともに、切り込み１２が設けられた箇所を折って粘着層５Ｅを剥がせばよいので粘着層５Ｅの剥離をより容易に行いやすくなる。
【０１０７】
積層体１Ｅは、図５の上段の模式的な断面図に示すように、支持体２Ｅ、光熱変換層３Ｅ、光遮断層４Ｅ、粘着層５Ｅ、フレキシブル基板６Ｅ、及び素子７Ｅを有し、フレキシブル基板６Ｅ及び素子７Ｅでデバイス８Ｅが形成されている点や、集光位置確認用マーク９Ｅ，９Ｆが設けられている点は、積層体１Ｃと同様であるが、フレキシブル基板６Ｅの端部近傍の素子７Ｅが形成されない領域が広く設けられ、図５の下段にも示すように、この領域に、切り込み１２が素子７Ｅを囲む様に設けられている点で異なる。切り込み１２は、例えば、ガラスカッター等を用いてガラス状のフレキシブル基板６Ｅに形成される。なお、図５において切り込み１２は、略四角形に形成されているが、切り込みの形状は制限されず、例えば星形や円形、また四角形を構成する各角が丸みを帯びていてもよい。
【０１０８】
積層体１Ｅは、上記相違点以外は積層体１Ｃと同様の構成を採用しているので、説明の重複を避けるため、積層体１Ｅの他の構成についての説明は省略する。
【０１０９】
（準備用支持体）
図６は、本発明の準備用支持体の一例を示す模式的な断面図である。
【０１１０】
準備用支持体１０は、積層体１に用いられるものであって、支持体２Ｆ、支持体２Ｆ上に設けられた光熱変換層３Ｆを有することを特徴とする。これにより、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板６上に形成された薄型の素子７を良好に生産することが可能な積層体１に用いる準備用支持体１０を提供することができる。
【０１１１】
準備用支持体１０を構成する支持体２Ｆ、光熱変換層３Ｆについては、積層体１の説明において説明したとおりであるので、説明の重複を避けるため、ここでの説明は省略する。
【０１１２】
（積層体の製造方法）
本発明の積層体の製造方法は、本発明の積層体の製造方法であって、支持体上に光熱変換層を形成する光熱変換層形成工程、光熱変換層上に光遮断層を形成する光遮断層形成工程、光遮断層上に、この光遮断層の側面を覆うように粘着層を形成する粘着層形成工程、粘着層上にフレキシブル基板を形成するフレキシブル基板形成工程、フレキシブル基板上に、酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程を少なくとも経て素子を形成する素子形成工程、を有する。これにより、光熱変換層を分解して支持体を剥離するために光熱変換層に光を照射した場合においても、光遮断層が素子側に漏れる光を遮断して素子が保護されるとともに、素子の製造時に酸又はアルカリ処理が行われた場合でも、粘着層が光遮断層の側面を覆って光遮断層を保護しているので、光遮断層の劣化が抑制され、その結果、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を良好に生産することが可能な積層体の製造方法を提供することができる。
【０１１３】
以下、各工程について説明する。
【０１１４】
光熱変換層形成工程は、支持体上に光熱変換層を形成する工程である。支持体や光熱変換層に用いる材料については、上記積層体の説明欄において説明したとおりである。例えば、光熱変換層形成工程は、まず、カーボンブラック等の所定の光吸収剤と、所定の熱分解性樹脂と、その他の添加剤（例えばフィラー）とを所定の溶媒に溶解又は分散させた光熱変換層形成用の塗布液を準備する。そして、この塗布液を支持体上に塗布、乾燥させることによって光熱変換層を形成することができる。
【０１１５】
光熱変換層形成工程は、上記塗布液を用いる代わりに、熱分解性樹脂として硬化性の樹脂を用いて行うこともできる。例えば、熱分解性樹脂にＵＶ硬化型樹脂を用いる場合には、所定の光吸収剤、熱分解性樹脂の原料となるモノマーもしくはオリゴマー、必要に応じて光重合開始剤などの添加剤、及び必要に応じて溶剤を混合して、樹脂前駆体溶液を作製する。そして、この樹脂前駆体溶液を支持体上に塗布し、乾燥し、重合・硬化することによっても形成できる。
【０１１６】
光熱変換層形成工程における光熱変換層形成用の塗布液又は樹脂前駆体溶液の塗布は、特に制限はないが、例えば、スピンコーティング法、ダイコーティング法、ロールコーティング法、及びスクリーン印刷法等を用いることができる。また、乾燥は、用いる材料に応じて乾燥温度や乾燥時間を適宜選択すればよい。さらに、重合・硬化は、用いる熱分解性樹脂が紫外線硬化性樹脂であれば紫外線を照射すればよく、熱硬化性樹脂であれば加熱すればよい。
【０１１７】
光遮断層形成工程は、光熱変換層上に光遮断層を形成する工程である。光遮断層の形成は、光遮断層に用いる材料に応じて適宜選択すればよい。そして、光遮断層に用いる材料については、上記積層体の説明欄において説明したとおりである。例えば、光遮断層を光反射層として機能させる場合には、光遮断層を金属で形成することが好ましいので、光遮断層を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法やＣＶＤ法、金属ペーストを用いたスクリーン印刷等を用いて形成することができる。そして、例えば、図１の積層体１Ａにおいては、光熱変換層３Ａの両端部には光遮断層４Ａが設けられていないが、これは、適宜マスク等を用いることによって、光遮断層４Ａの成膜領域を制御することによって実現することができる。より具体的には、光遮断層形成工程において、アルミニウムを蒸着することによって光遮断層が形成されることが好ましい。これにより、光熱変換層を分解して支持体を剥離するために光熱変換層に光を照射した場合においても、光遮断層が素子側に漏れる光を良好に遮断しやすくなる一方で、素子製造時の酸・アルカリ処理によって劣化がしやすくなるので、その結果、粘着層で光遮断層の側面を保護する意義がより大きくなる。
【０１１８】
光遮断層形成工程において、光遮断層を光吸収層として機能させる場合には、上記積層体の説明欄において説明したように、光熱変換層に照射する光を吸収する性質を有する材料を用いて光遮断層を形成すればよい。より具体的には、例えば、真空蒸着法を用いて赤外線吸収材料や色素を光熱変換層上に成膜して光遮断層を形成してもよい。また、例えば、樹脂を溶解させた溶液に赤外線吸収材料や色素を分散させた光遮断層形成用の塗布液を作製し、この塗布液を光熱変換層上に塗布し、乾燥させることによって光遮断層を形成してもよい。塗布や乾燥については、光熱変換層形成工程において説明したものと同様の方法を用いることができる。
【０１１９】
粘着層形成工程は、光遮断層上に、この光遮断層の側面を覆うように粘着層を形成する工程である。なお、本発明における粘着層とは、硬化・乾燥前のものと硬化・乾燥後のものの両方を含む。また、粘着層に用いる材料については、上記積層体の説明欄で説明したとおりである。また、上記積層体の説明欄で説明したように、粘着層形成工程において、光遮断層だけでなく、光熱変換層の側面をも覆うように粘着層を形成することが好ましい。これにより、素子製造時の酸・アルカリ処理による光熱変換層の劣化が抑制されるようになり、その結果、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を有するデバイスをより良好に生産することが可能な積層体の製造方法を提供することができる。
【０１２０】
粘着層形成工程における粘着層の形成方法につき、特に制限はないが、粘着層を均一な厚さとするためには、粘着層を形成するために用いられる接着剤等は塗布時及び貼り合わせ時に液状であることが好ましい。そして、塗布及び貼り合わせ作業の際の温度（例えば、２５℃）で、粘度が１００００ｃｐｓ未満であることがより好ましい。粘着層の形成は、所定の溶媒に溶解又は分散させた接着剤又は硬化前の液体状の接着剤を、例えば、スピンコーティング法、ダイコーティング法、ロールコーティング法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、及びディスペンサー、インクジェット等の吐出法等を用いて成膜することによって行えばよい。また、これら方法を用いれば、粘着層の厚さを均一にしやすくなるとともに、プロセススピードが向上して生産性も確保しやすくなる。
【０１２１】
粘着層形成工程において、粘着層を形成するために用いる接着剤は、溶媒系の接着剤では接着剤の溶媒除去後、硬化型接着剤では硬化後、ホットメルト型接着剤では常温固化後の使用に供される状況において、２５℃での接着剤の弾性率が１００ＭＰａ以上であり、また、５０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上であることが好ましい。これによって、粘着層が歪みにくくなる。
【０１２２】
フレキシブル基板形成工程は、粘着層上にフレキシブル基板を形成する工程である。フレキシブル基板としては、上記積層体の説明欄において説明したものを用いればよい。こうしたものとして、プラスチック基板、プラスチックフィルム、及び薄ガラスを挙げることができる。
【０１２３】
フレキシブル基板形成工程においては、例えば、粘着層が乾燥・硬化する前に、フレキシブル基板を粘着層（塗布液）上に設置し、その後粘着層を乾燥・硬化させればよい。なお、フレキシブル基板を未硬化の粘着層上に設置する際には、フレキシブル基板と未硬化の粘着層との間に気泡が入らないように十分に注意する必要がある。より具体的には、例えば、貼り合せは真空下で行い、貼り合せ方法としては、支持体に対して平行に設置して平行状態を保ちながら貼り合せて、環境を瞬間的に大気圧に戻すことによって均一に粘着層上にフレキシブル基板を貼り合せる方法や、ゴムローラー等を使用して端部から徐々に貼り合せていく方法がある。なお、粘着層を形成する接着剤の硬化をＵＶ照射によって行う場合は、フレキシブル基板側からＵＶ光を照射すればよい。これはフレキシブル基板と支持体との間に光遮断層が形成されているためである。
【０１２４】
フレキシブル基板形成工程において、ガラス基板をフレキシブル基板として用い、フレキシブル基板の端部近傍に素子が形成されない領域を設け、この領域に、素子が形成される領域を囲むようにフレキシブル基板に切り込みを設けることが好ましい。これにより、フレキシブル基板が割れやすい薄いガラス基板で形成され端部に微小クラックが存在する場合において、製造工程時の熱歪み等を原因として上記微小クラックが亀裂に発展しても、この亀裂の進行を上記切り込みで食い止めやすくなるとともに、切り込みが設けられた箇所を折って粘着層を剥がせばよいので粘着層の剥離をより容易に行いやすくなる。切り込みは、例えば、ガラス基板の所定箇所にガラスカッター等を用いて形成すればよい。また、フレキシブル基板形成工程において、あらかじめフレキシブル基板に切り込みを設けてから、粘着層と貼り合わせてもよいし、粘着層と貼り合わせた後にフレキシブル基板の所定箇所に切り込みを設けるようにしてもよい。
【０１２５】
素子形成工程は、フレキシブル基板上に、酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程を少なくとも経て素子を形成する工程である。素子としては、上記積層体の説明欄において説明したように、有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、及び太陽電池素子のいずれかであることが好ましい。これにより、支持体の剥離のために光熱変換層に光を照射した場合に発生した漏れ光によって劣化しやすい傾向となる一方で、微細加工のために素子製造時における酸・アルカリ処理工程を採用せざるを得ず、その結果、本発明を適用する意義がより大きくなる。
【０１２６】
素子形成工程で製造する素子は、従来公知の方法を適宜用いて、フレキシブル基板上に形成すればよい。素子として有機ＥＬ素子を用いる場合には、基本的には、フレキシブル基板上に、陽極、正孔輸送層、発光層、及び陰極を形成すればよい。そして、酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程としては、例えば、ＩＴＯ電極等の電極又は補助電極をパターニングする際の酸エッチングの工程、絶縁層を形成する場合のレジストパターニングの際に行われるアルカリ処理工程、カソードセパレータの形成の際に行われるアルカリ現像工程を挙げることができる。
【０１２７】
本発明の積層体の製造方法においては、光熱変換層形成工程、光遮断層形成工程、粘着層形成工程、フレキシブル基板形成工程、及び素子形成工程を行うことが基本となるが、これら工程以外の工程を適宜行ってもよい。このような工程としては、例えば、支持体を準備する準備工程、集光位置確認用マーク形成工程等種々挙げることができるが、集光位置確認用マーク形成工程を行うことが好ましい。
【０１２８】
集光位置確認用マーク形成工程は、光熱変換層に光を集光するための集光位置確認用マークを支持体上に設ける工程である。これにより、光熱変換層を分解して支持体を剥離するために光熱変換層に光を照射した場合において、光熱変換層に光がより確実に照射されることになり素子側への漏れ光の発生が抑制され、その結果、素子をより保護しやすくなる。集光位置確認用マークの材料、形状、高さ（深さ）等については、上記積層体の説明欄で説明したとおりである。
【０１２９】
集光位置確認用マーク形成工程を、本発明の積層体の製造方法の各工程のどのタイミングで行うかについては特に制限はない。集光位置確認用マーク形成工程は、例えば、光熱変換層形成工程の前に行ってもよいし、光熱変換層形成工程と同時に行ってもよいし、光遮断層形成工程と同時に行ってもよい。
【０１３０】
集光位置確認用マーク形成工程における、集光位置確認用マークの形成方法としては、特に制限はないが、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法やＣＶＤ法、また金属ペーストを用いたスクリーン印刷等を挙げることができる。また、光熱変換層が不透明で光の焦点を集光位置確認用マークにあわせることが難しくなる場合には、光熱変換層が存在しない領域を設け、この領域において支持体上に集光位置確認用マークを形成すればよい（図４に示す積層体１Ｄ参照）。この場合において、集光位置確認用マークと光遮断層との材質を同一とする場合には、集光位置確認用マークと光遮断層とを同時に形成してもよい。すなわち、集光位置確認用マーク形成工程と、光遮断層形成工程とを同時に行ってもよい。例えば、集光位置確認用マーク及び光遮断層にアルミニウムを用いる場合には、マスクを用いて、真空蒸着法により同時に成膜を行えばよい。
【０１３１】
（デバイスの製造方法）
本発明のデバイスの製造方法は、フレキシブル基板上に素子が形成されたデバイスの製造方法であって、支持体上に光熱変換層を形成する光熱変換層形成工程、光熱変換層上に光遮断層を形成する光遮断層形成工程、光遮断層上に、この光遮断層の側面を覆うように粘着層を形成する粘着層形成工程、粘着層上にフレキシブル基板を形成するフレキシブル基板形成工程、フレキシブル基板上に、酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程を少なくとも経て素子を形成する素子形成工程、光熱変換層に光を照射して、支持体及び光熱変換層を剥離する光熱変換層剥離工程、粘着層をフレキシブル基板から分離する粘着層分離工程を有する。これにより、光熱変換層を分解して支持体を剥離するために光熱変換層に光を照射した場合においても、光遮断層が素子側に漏れる光を遮断して素子が保護されるとともに、素子の製造時に酸又はアルカリ処理が行われた場合でも、粘着層が光遮断層の側面を覆って光遮断層を保護しているので、光遮断層の劣化が抑制され、その結果、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を有するデバイスを良好に生産することが可能なデバイスの製造方法を提供することができる。
【０１３２】
光熱変換層形成工程は、支持体上に光熱変換層を形成する工程である。この工程は、上記積層体の製造方法の説明欄で説明したとおりのものとすればよい。
【０１３３】
光遮断層形成工程は、光熱変換層上に光遮断層を形成する工程である。この工程は、上記積層体の製造方法の説明欄で説明したとおりのものとすればよい。例えば、同工程において、アルミニウムを蒸着することによって光遮断層が形成されることが好ましい。これにより、光熱変換層を分解して支持体を剥離するために光熱変換層に光を照射した場合においても、光遮断層が素子側に漏れる光を良好に遮断しやすくなる一方で、素子製造時の酸・アルカリ処理によって劣化がしやすくなるので、その結果、粘着層で光遮断層の側面を保護する意義がより大きくなる。
【０１３４】
粘着層形成工程は、光遮断層上に、この光遮断層の側面を覆うように粘着層を形成する工程である。この工程は、上記積層体の製造方法の説明欄で説明したとおりのものとすればよい。例えば、同工程において、粘着層がさらに光熱変換層の側面を覆うように形成されることが好ましい。これにより、素子製造時の酸・アルカリ処理による光熱変換層の劣化が抑制されるようになり、その結果、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を有するデバイスをより良好に生産することが可能なデバイスの製造方法を提供することができる。
【０１３５】
フレキシブル基板形成工程は、粘着層上にフレキシブル基板を形成する工程である。この工程は、上記積層体の製造方法の説明欄で説明したとおりのものとすればよい。例えば、同工程において、ガラス基板をフレキシブル基板として用い、フレキシブル基板の端部近傍に素子が形成されない領域を設け、この領域に、素子が形成される領域を囲むようにフレキシブル基板に切り込みを設けることが好ましい。これにより、フレキシブル基板が割れやすい薄いガラス基板で形成され端部に微小クラックが存在する場合において、製造工程時の熱歪み等を原因として上記微小クラックが亀裂に発展しても、この亀裂の進行を上記切り込みで食い止めやすくなるとともに、切り込みが設けられた箇所を折って粘着層を剥がせばよいので粘着層の剥離をより容易に行いやすくなる。
【０１３６】
素子形成工程は、フレキシブル基板上に、酸による処理又はアルカリによる処理が行われる工程を少なくとも経て素子を形成する工程である。この工程は、上記積層体の製造方法の説明欄で説明したとおりのものとすればよい。例えば、同工程において製造される素子が、有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、及び太陽電池素子のいずれかであることが好ましい。これにより、支持体の剥離のために光熱変換層に光を照射した場合に発生した漏れ光によって素子が劣化しやすい傾向となる一方で、微細加工のために素子製造時における酸・アルカリ処理工程を採用せざるを得ず、その結果、本発明を適用する意義がより大きくなる。
【０１３７】
本発明のデバイスの製造方法においては、上記各工程以外の工程を設けてもよいことは、上記積層体の製造方法の説明欄で説明したとおりである。例えば、光熱変換層に光を集光するための集光位置確認用マークを支持体上に設ける集光位置確認用マーク形成工程を有することが好ましい。この工程は、上記積層体の製造方法の説明欄で説明したとおりのものとすればよい。これにより、光熱変換層を分解して支持体を剥離するために光熱変換層に光を照射した場合において、光熱変換層に光がより確実に照射されることになり素子側への漏れ光の発生が抑制され、その結果、素子をより保護しやすくなる。
【０１３８】
光熱変換層剥離工程は、光熱変換層に光を照射して、支持体及び光熱変換層を剥離する工程である。図７は、本発明のデバイスの製造方法における光熱変換層剥離工程の一例を示す模式的な断面図である。具体的には、図７（ａ）は、光熱変換層形成工程、光遮断層形成工程、粘着層形成工程、フレキシブル基板形成工程、及び素子形成工程を経て製造した積層体１Ａ（図１参照）に対して、光熱変換層３Ａにレーザー光１１（ＹＡＧレーザー）を照射して光熱変換層３Ａの分解を行う操作を示したものである。図７（ｂ）は、レーザー光１１を照射した後に光熱変換層３Ａを分離して、支持体２Ａを剥離する操作を示したものである。以下、光熱変換層剥離工程についてより具体的に説明する。
【０１３９】
光熱変換層剥離工程では、図７（ａ）に示すように、レーザー光１１を光熱変換層３Ａに照射する。そして、照射の際に、レーザー光１１を光熱変換層３Ａに沿ってスキャンさせて、レーザー光１１が光熱変換層３Ａ全体に照射されるようにする。
【０１４０】
光熱変換層剥離工程におけるレーザー光１１のスキャンの回数（光熱変換層３Ａへの照射回数）は、光熱変換層３Ａを確実に分解できる回数とすればよい。もっとも、生産効率をより向上させる見地から、レーザー光１１のスキャン回数は１回が好ましいが、光熱変換層３Ａの分離を確実に行って歩留まりを向上させる等の見地から、スキャン回数を２回以上としてもよい。そして、スキャン回数を２回以上行う場合には、上記の積層体の説明欄で説明したように、フレキシブル基板６Ａと粘着層５Ａとの間に気泡が存在し、この気泡の存在領域において、レーザー光１１の漏れ光の照射による素子７Ａの破壊が起こる場合がある。そこで、こうした場合には、図７には図示していないが、上記の積層体の説明欄で説明したとおり、光熱変換層にレーザー光等の光の照射を集中的に行うために、支持体上に集光位置確認用マークを設けることが好ましい。より具体的には、積層体として、図１に示す積層体１Ａの代わりに、図３に示す積層体１Ｃを用いればよい。そして、レーザー照射装置等でレーザー光の焦点を集光位置確認用マークに合わせた後に、光熱変換層へのレーザー光の照射を行えばよい。なお、図７ではレーザー光１１としてＹＡＧレーザー（波長：１０６４ｎｍ）を用いているが、積層体の説明欄で説明したとおり、照射する光はレーザー光に限られず、光熱変換層３Ａの分解を行うことが可能となる光であればよい。
【０１４１】
光熱変換層剥離工程では、レーザー光１１を照射することによって光熱変換層３Ａを分解させる。こうした分解のメカニズムや、分解のメカニズムを発生させるための光熱変換層３Ａの組成も特に制限されるわけではないが、光熱変換層３Ａには、通常、光吸収剤と熱分解性樹脂とが含有されている。その結果、レーザー光１１によって照射された放射エネルギーは、光吸収剤によって吸収されて熱エネルギーに変換される。次いで、この熱エネルギーが光熱変換層３Ａの温度を急激に上昇させ、光熱変換層３Ａ中の温度が、熱分解性樹脂（有機成分）の熱分解温度に達することによって熱分解性樹脂が熱分解（炭化）する。そして、熱分解によって発生したガスは光熱変換層３Ａ内でボイド層（空隙）となり、光熱変換層３Ａが２つに分離される。
【０１４２】
光熱変換層剥離工程では、次いで、図７（ｂ）に示すように、層内剥離が起きて光熱変換層３Ａ及び支持体２Ａをデバイス８Ａ側から剥離する。なお、図７（ｂ）においては、光熱変換層３Ａの層内で分解・剥離が起きているが、分解・剥離は、光熱変換層３Ａと支持体２Ａとの界面、又は光熱変換層３Ａと光遮断層４Ａとの界面で発生する場合もある。以上の操作を経て、支持体２Ａを剥離することができるようになる。なお、光熱変換層３Ａと支持体２Ａとの剥離が容易に行えない場合には、光熱変換層３Ａと支持体２Ａとの間にカッターなどの鋭角なものを挿入して剥離しやすくすればよい。
【０１４３】
粘着層分離工程は、粘着層をフレキシブル基板から分離する工程である。図８は、本発明のデバイスの製造方法における粘着層分離工程の一例を示す模式的な断面図である。粘着層５Ａは、上記の積層体の説明欄で説明した材料から構成されているので、フレキシブル基板６Ａを支持体２Ａに固定するために必要な接着力を有しうつつも、フレキシブル基板６Ａから容易に剥がせるようになっている。このため、図８に示すように、粘着層５Ａとフレキシブル基板６Ａとの界面において、粘着層５Ａ、光遮断層４Ａ、及び光熱変換層３Ａの残留物を、デバイス８Ａから剥離すればよい。また、図８には図示していないが、分離を容易にするために、分離する粘着層５Ａ側にピールテープを貼って分離を行うという手法を用いてもよい。
【０１４４】
（デバイス）
本発明のデバイスは、本発明のデバイスの製造方法によって製造される。これにより、光熱変換層を分解して支持体を剥離するために光熱変換層に光を照射した場合においても、光遮断層が素子側に漏れる光を遮断して素子が保護されるとともに、素子の製造時に酸又はアルカリ処理が行われた場合でも、粘着層が光遮断層の側面を覆って光遮断層を保護しているので、光遮断層の劣化が抑制され、その結果、たわみやすい又は割れやすいフレキシブル基板上に形成された薄型の素子を有するデバイスを良好に生産することが可能なデバイスの製造方法によって製造されたデバイスを提供することができる。
【０１４５】
こうしたデバイスとしては、有機ＥＬデバイス、有機トランジスタデバイス、及び太陽電池デバイスを好ましく用いることができる。本発明のデバイスは、本発明のデバイスの製造方法によって製造されるので、薄型のデバイスとすることができる。薄型のデバイスの厚さは、封止基材が厚くなることがあるので、通常５μｍ以上、５ｍｍ以下となる。こうしたデバイスを構成するフレキシブル基板及び素子については、上記積層体の説明欄で説明したとおりであるので、ここでの説明は省略する。
【実施例】
【０１４６】
次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【０１４７】
（実施例１）
＜積層体の製造＞
支持体として厚さ０．７ｍｍのガラス板を用いた。そして、この支持体上に、光熱変換層を形成した（光熱変換層形成工程）。具体的には、アクリル系のＵＶ硬化型樹脂にカーボンブラックを分散させ、光重合開始剤を含有する樹脂前駆体溶液を準備し、この溶液をスピンコートにより支持体上に塗布した後、紫外線を照射して硬化させて、厚さ１μｍの光熱変換層を形成した。
【０１４８】
次いで、光熱変換層上に光遮断層を形成した（光遮断層形成工程）。具体的には、アルミニウムを真空蒸着法により光熱変換層上に成膜して、厚さ３００ｎｍのアルミニウム蒸着膜を光遮断層として形成した。なお、このとき、光熱変換層の全面に光遮断層を形成することはぜず、マスクを用いて、光熱変換層の端部から５ｍｍの領域には、光遮断層が形成されないようにした。
【０１４９】
次いで、光遮断層上に、光遮断層の側面を覆うように粘着層を形成した（粘着層形成工程）。そして、粘着層上にフレキシブル基板を形成した（フレキシブル基板形成工程）。具体的には、アクリル系のＵＶ硬化型接着剤をスクリーン印刷法により光遮断層、及び光遮断層が存在しない光熱変換層の端部に塗布して粘着層を形成した。そして、厚さ１００μｍの薄ガラスをフレキシブル基板として用い、この薄ガラスを上記未硬化の粘着層の上に設置した。そして、薄ガラス側から紫外線を照射して粘着層を硬化させた。粘着層の厚さは、２０μｍであった。
【０１５０】
次いで、フレキシブル基板（薄ガラス）上に、有機ＥＬ素子を形成した。有機ＥＬ素子は、フレキシブル基板上に、陽極、正孔輸送層、発光層、及び陰極を形成することによって製造した。そして、製造の際に、陽極としてＩＴＯ電極を用い、そのパターニングを酸エッチングにより行った。また、有機ＥＬ素子の各画素を形成するために、陰極を分断させるためのカソートセパレータをアルカリ現像により形成した。有機ＥＬ素子製造時に、上記のような酸・アルカリ処理を行ったが、光遮断層（アルミニウム蒸着膜）が劣化・浸食されるような現象は発生しなかった。その後、陰極側を覆うように封止基材（ガスバリア性フィルム）を貼り合わせるとともに、ＩＴＯ電極にＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ）を接続することにより配線接続を行った。
【０１５１】
＜デバイスの製造＞
以上のようにして得た積層体に対して、光熱変換層にレーザー光を照射して、支持体及び光熱変換層を剥離した（光熱変換層剥離工程）。具体的には、ＹＡＧレーザーを支持体側から照射して光熱変換層全面をスキャンさせた。そしてこうしたスキャンを２回繰り返した。この操作により、光熱変換層中のアクリル系の樹脂を炭化させた。そして、光熱変換層を層内剥離させて、支持体及び光熱変換層の一部をフレキシブル基板側から剥離した。ＹＡＧレーザーの照射条件は、レーザーパワー：１７Ｗ、レーザー径：２００μｍ、照射ピッチ：２００μｍとした。
【０１５２】
次いで、粘着層をフレキシブル基板から分離した（粘着層分離工程）。具体的には、フレキシブル基板側を吸着して固定し、粘着層にピールテープを貼って薄ガラスから剥がすことで、粘着層、光遮断層、及び光熱変換層の残部をフレキシブル基板から分離した。
【０１５３】
以上の工程を経て、有機ＥＬ素子が形成されたフレキシブル基板（薄ガラス）を得た。
【０１５４】
＜発光特性の評価＞
こうして得た有機ＥＬデバイスを発光させて、１ｍｍ×１ｍｍの発光エリアを観察したところ、全面発光していることが確認された。もっとも、画素レベルで詳細に観察をしたところ、ごく一部の画素において有機ＥＬ素子にダメージが発生している（発光が弱い）領域があることがわかった。このダメージの発生につき、製造工程を精査したところ、ダメージが発生している領域は、フレキシブル基板（薄ガラス）と、粘着層との間に気泡が発生した領域に対応することがわかった。すなわち、気泡が発生した領域中に存在する有機ＥＬ素子の各画素の一部にダメージが発生していることがわかった。
【０１５５】
（実施例２）
光熱変換層に集光位置確認用マークを設けたこと以外は、実施例１と同様にして積層体及びデバイスを製造した。具体的には、図４の積層体１Ｄに示すように、光熱変換層３Ｄを形成しない領域を設け、アルミニウムを材料として、マスクを用いて真空蒸着法の操作を行うことによって、支持体上に、図４に示す十字型の集光位置確認用マーク９Ｃ，９Ｄを５箇所形成した（集光位置確認用マーク形成工程）。そして、光熱変換層剥離工程において、レーザー照射装置を用いてＹＡＧレーザーの焦点を集光位置確認用マークに合わせた後に、光熱変換層にレーザー光を照射した。
【０１５６】
こうして得たデバイスの発光特性を実施例１と同様にして確認したところ、１ｍｍ×１ｍの発光エリアでの全面発光が確認され、さらに、気泡に対応する領域上に形成された有機ＥＬ素子の各画素についてもダメージの発生は確認されなかった。
【０１５７】
（比較例２）
光遮断層を形成しなかったこと（光遮断層形成工程を行わなかったこと）以外は、実施例１と同様にして積層体及びデバイスを製造した。こうして得たデバイスの発光特性を実施例１と同様にして確認したところ、１ｍｍ×１ｍｍの発光エリアにおいて、発光しない領域がＹＡＧレーザーのスキャン方向に沿って縞状に観察された。すなわち、光遮断層が存在しないことにより、光熱変換層を分離させるために照射したＹＡＧレーザーが、有機ＥＬ素子全面にダメージを与えていることがわかった。
【符号の説明】
【０１５８】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ  積層体
２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ，２Ｅ，２Ｆ  支持体
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ，３Ｆ  光熱変換層
４，４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ，４Ｅ  光遮断層
５，５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ，５Ｅ  粘着層
６，６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ  フレキシブル基板
７，７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ  素子
８，８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ，８Ｅ  デバイス（薄型のデバイス）
９，９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄ，９Ｅ，９Ｆ  集光位置確認用マーク
１０  準備用支持体
１１  レーザー光
１２  切り込み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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