(57)【要約】【課題】融着部により取出電極と取出配線とを接合する場合にも、取出電極が剥離し易くなることを抑制することにより信頼性が低下してしまうことを抑制することが可能な薄膜太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】この薄膜太陽電池モジュール１は、複数の薄膜太陽電池セルからなる発電部と、発電部の端部に位置する薄膜太陽電池セルに接続された表面電極４１を含む電気取出部４と、電気取出部４上に形成され、発電部により発電された電気を取り出すためのタブ電極６と、表面電極４１とタブ電極６とを接合する半田５と、タブ電極６から電気を取り出すために設けられ、平面的に見て半田５と重ならないようにずれた位置において半田８によりタブ電極６に接合されたタブ配線９とを備えている。【選択図】図２
2011009459.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された表面電極と、前記表面電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された裏面電極とを含む複数の薄膜太陽電池セルからなる発電部と、
前記発電部の端部に位置する前記薄膜太陽電池セルに接続された接続部を含む電気取出部と、
前記電気取出部上に形成され、前記発電部により発電された電気を取り出すための取出電極と、
前記接続部と前記取出電極とを接合する第１融着部と、
前記取出電極から電気を取り出すために設けられ、平面的に見て前記第１融着部と重ならないようにずれた位置において第２融着部により前記取出電極に接合された取出配線とを備える、薄膜太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記電気取出部において、前記第１融着部は、前記取出電極の延びる方向に沿って所定の間隔を隔てて複数箇所において前記接続部と前記取出電極とを接合するように複数設けられており、
平面的に見て、前記取出電極と前記取出配線とは、隣り合う２つの前記第１融着部の間の位置において接合されている、請求項１に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記第１融着部が前記発電部の上面よりも上方に突出した高さ位置で前記取出電極の下面に接合されることにより、前記取出電極の前記第１融着部に対応する接合部分が上方に突出しており、
平面的に見て、前記取出配線は、上方に突出した前記接合部分と重ならないようにずれた位置において前記取出電極と接合されている、請求項１または２に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項４】
前記取出電極の下面に前記第１融着部が接合されており、
前記取出電極の上面と前記取出配線の下面とが前記第２融着部により接合されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項５】
前記電気取出部は、前記接続部を露出する開口部を有し、
前記第１融着部は、前記開口部の内側面から離間して設けられるとともに、前記開口部を介して前記接続部と前記取出電極とを接合している。請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、薄膜太陽電池モジュールに関し、特に、発電部により発電された電気を取り出すための取出電極と、取出電極から電気を取り出すために融着部により取出電極に接合された取出配線とを備える薄膜太陽電池モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発電部により発電された電気を取り出すための取出電極と、取出電極から電気を取り出すために融着部により取出電極に接合された取出配線とを備える薄膜太陽電池モジュールが知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、ガラス基板の表面上に形成された表面電極と、表面電極の表面上に形成された光電変換層と、光電変換層の表面上に形成された裏面電極とを含む薄膜太陽電池セルが複数形成された薄膜太陽電池モジュールが開示されている。複数の薄膜太陽電池セルは、所定の方向に並んで直列に接続されており、複数の薄膜太陽電池セルから発電部が構成されている。また、薄膜太陽電池セルにおいて発電された電気を取り出すために、発電部の端部に位置する薄膜太陽電池セルに接続された接続部を有する電気取出部が設けられている。電気取出部の接続部の上方には取出電極が配置されているとともに、取出電極の下面と接続部とが第１半田を介して接合されている。また、上記特許文献１では、取出電極から電気を取り出すための取出配線が第２半田により取出電極の上面に接合されている。取出配線は、取出電極が第１半田により接続部に接合された状態で取出配線と取出電極とを加熱することにより、第２半田を介して取出電極に接合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−７７３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１では、取出配線と取出電極とを取出電極のどの位置で接合するかについては特に記載されていない。しかしながら、平面的に見て第１半田（第１融着部）が設けられた領域と重なる領域において取出配線と取出電極とを接合した場合には、第２半田（第２融着部）を加熱して融着させて接合する際に、接続部と取出電極とを接合している第１半田にも熱が加わってしまうため、第１半田が再溶融してしまうという不都合がある。この場合、第１半田（第１融着部）が再溶融することに起因して、取出電極が接続部から剥離し易くなるので、薄膜太陽電池モジュールの信頼性が低下してしまうという問題点がある。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、融着部により取出電極と取出配線とを接合する場合にも、取出電極が剥離し易くなることを抑制することにより信頼性が低下してしまうことを抑制することが可能な薄膜太陽電池モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面における薄膜太陽電池モジュールは、基板と、基板上に形成された表面電極と、表面電極上に形成された光電変換層と、光電変換層上に形成された裏面電極とを含む複数の薄膜太陽電池セルからなる発電部と、発電部の端部に位置する薄膜太陽電池セルに接続された接続部を含む電気取出部と、電気取出部上に形成され、発電部により発電された電気を取り出すための取出電極と、接続部と取出電極とを接合する第１融着部と、取出電極から電気を取り出すために設けられ、平面的に見て第１融着部と重ならないようにずれた位置において第２融着部により取出電極に接合された取出配線とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
上記一の局面による薄膜太陽電池モジュールでは、上記の構成により、融着部により取出電極と取出配線とを接合する場合にも、取出電極が剥離し易くなることを抑制することにより信頼性が低下してしまうことを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態による集積型の薄膜太陽電池モジュールを裏面側（光入射側と反対側）から見た平面図である。
【図２】図１の１００−１００線に沿った断面図である。
【図３】図１の２００−２００線に沿った断面図である。
【図４】図１の３００−３００線に沿った断面図である。
【図５】本発明の一実施形態の変形例による薄膜太陽電池モジュールを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１１】
まず、図１〜図４を参照して、本発明の一実施形態による集積型の薄膜太陽電池モジュール１の構成について説明する。
【００１２】
本実施形態による集積型の薄膜太陽電池モジュール１は、図１〜図４に示すように、光入射側に設けられた基板２（図２〜図４参照）と、基板２の表面上に形成され、Ｘ方向に直列に接続された複数の薄膜太陽電池セル３と、基板２の表面上に形成され、Ｘ方向の両端部に配置された薄膜太陽電池セル３に接続された電気取出部４と、電気取出部４と半田５により接続され、薄膜太陽電池セル３により発電された電気を外部に取り出すための一対のタブ電極６とを備えている。また、薄膜太陽電池モジュール１は、薄膜太陽電池セル３の上面を覆うように設けられた絶縁性テープ７と、一対のタブ電極６にそれぞれ半田８を介して接合された一対のタブ配線９と、タブ電極６などを覆うように設けられた一対の絶縁性テープ１０と、タブ配線９に接続された端子ボックス１１（図１参照）とをさらに備えている。また、薄膜太陽電池モジュール１の裏面側には、ガラスからなるバックシート（図示せず）が接着されている。平面的に見て、各薄膜太陽電池セル３は、Ｘ方向と直交するＹ方向に長辺を有する矩形状に形成されている。電気取出部４は、平面的に見て、Ｙ方向に延びるように形成されている。
【００１３】
基板２は、絶縁性表面を有するとともに、透光性を有するガラスからなる。この基板２は、約１ｍｍ以上約５ｍｍ以下の厚みを有している。
【００１４】
薄膜太陽電池セル３は、基板２の表面上に形成された表面電極３１と、表面電極３１の表面上に形成された光電変換ユニット３２と、光電変換ユニット３２の表面上に形成された裏面電極３３とを含んでいる。なお、光電変換ユニット３２は、本発明の「光電変換層」の一例である。
【００１５】
表面電極３１は、約８００ｎｍの厚みを有するとともに、導電性および透光性を有する酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）からなる。互いに隣接する薄膜太陽電池セル３の表面電極３１は、開溝部３１ａにより分離されている。
【００１６】
光電変換ユニット３２は、ｐｉｎ型の非晶質（アモルファス）シリコン系半導体からなる。このｐｉｎ型のアモルファスシリコン系半導体からなる光電変換ユニット３２は、約１０ｎｍ以上約２０ｎｍ以下の厚みを有するｐ型水素化アモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）層と、約２５０ｎｍ以上約３５０ｎｍ以下の厚みを有するｉ型水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層と、約２０ｎｍ以上約３０ｎｍ以下の厚みを有するｎ型水素化アモルファスシリコン層とにより構成されている。また、互いに隣接する薄膜太陽電池セル３の光電変換ユニット３２は、開溝部３２ａにより分離されている。
【００１７】
光電変換ユニット３２の上面上には、裏面電極３３が形成されている。また、裏面電極３３は、約２００ｎｍ以上約４００ｎｍ以下の厚みを有するとともに、銀（Ａｇ）を主成分とする金属材料からなる。また、裏面電極３３は、基板２の下面側から入射して裏面電極３３に到達した光を反射することにより、光電変換ユニット３２に再度入射させる機能を有している。互いに隣接する薄膜太陽電池セル３の裏面電極３３は、開溝部３２ａに対応する領域に形成された開溝部３３ａにより分離されている。開溝部３３ａは、さらに光電変換ユニット３２を分離して、表面電極３１の表面にまで達している。なお、光電変換ユニット３２と裏面電極３３との間（後述する半導体層４２と裏面電極４３との間）に、約１００ｎｍの厚みを有するＴＣＯ（例えば、ＺｎＯまたはＩＴＯ）を形成してもよい。
【００１８】
互いに隣接する２つの薄膜太陽電池セル３のうちの一方の薄膜太陽電池セル３の表面電極３１と他方の薄膜太陽電池セル３の裏面電極３３とが接続されることにより、直列に接続された集積型の複数の薄膜太陽電池セル３が構成されている。複数の薄膜太陽電池セル３により、本発明の「発電部」が構成されている。
【００１９】
また、電気取出部４は、薄膜太陽電池モジュール１の正極となるＸ方向の一方端に配置された電気取出部４ａと、薄膜太陽電池モジュール１の負極となるＸ方向の他方端に配置された電気取出部４ｂとからなる。電気取出部４（４ａおよび４ｂ）は、基板２の表面上に形成された表面電極４１と、表面電極４１の表面上に形成された半導体層４２と、半導体層４２の表面上に形成された裏面電極４３とを含んでいる。表面電極４１、半導体層４２および裏面電極４３のそれぞれの材質、厚みなどの構成は、薄膜太陽電池セル３の表面電極３１、光電変換ユニット３２および裏面電極３３と同様である。また、電気取出部４の表面電極４１は、隣接する薄膜太陽電池セル３の表面電極３１と一体的に形成されている。なお、表面電極４１は、本発明の「接続部」の一例である。
【００２０】
ここで、電気取出部４（電気取出部４ａおよび４ｂ）には、裏面電極４３および半導体層４２を貫通して表面電極４１を露出するように、複数の穴状の開口部４４が形成されている。複数の開口部４４は、Ｙ方向に所定の間隔（本実施形態では、約３０ｍｍ）を隔てて配置されている。それぞれの開口部４４は、平面的に見て、一辺が約４ｍｍの正方形状に形成されている。
【００２１】
また、それぞれの開口部４４内に、露出した表面電極４１と接合された半田５が設けられている。すなわち、半田５は、Ｙ方向に所定の間隔（本実施形態では、約３０ｍｍ）を隔ててドット状に複数設けられている。また、半田５は、平面的に見て、約２ｍｍの直径を有する円形状に形成されている。すなわち、平面的に見て約２ｍｍの直径を有する半田５が、一辺が約４ｍｍの正方形状の開口部４４内に配置されている。つまり、開口部４４のＸ方向の幅（約４ｍｍ）は、半田５のＸ方向の幅（約２ｍｍ）よりも大きいとともに、開口部４４のＹ方向の幅（約４ｍｍ）は、半田５のＹ方向の幅（約２ｍｍ）よりも大きい。また、半田５は開口部４４の略中央部に配置されている。これにより、円形状の半田５の外周面は正方形状の開口部４４の内側面４４ａの全周から離間するように設けられている。半田５は、通常の半田材料（半田８の材料）とは異なり、表面電極４１（金属酸化物）に接合し易い半田材料（商品名：セラソルザ）からなる。半田５は、超音波半田コテを用いて表面電極４１に接合されている。なお、半田５は、本発明の「第１融着部」の一例である。
【００２２】
また、複数の開口部４４を跨ぐように、電気を外部に取り出すためのタブ電極６がＹ方向に延びるように設けられており、複数の開口部４４にそれぞれ設けられた半田５とタブ電極６とが接合されている。タブ電極６は、Ｃｕからなる芯線６ａの表面が半田６ｂにより被覆（メッキ）された構造を有し、約１５０μｍの厚みを有する扁平形状に形成されている。タブ電極６は、開口部４４のＸ方向の幅よりも小さいＸ方向の幅（本実施形態では、約２ｍｍ）を有している。半田５は開口部４４の内側面４４ａの全周から離間した状態で、表面電極４１とタブ電極６とを接合するように配置されている。
【００２３】
ここで、本実施形態では、図２に示すように、発電部の上面（裏面電極４３の上面）よりも上方に突出した高さ位置でタブ電極６の下面と半田５とが接合されている。タブ電極６と半田５との接合部分以外の部分においては、タブ電極６の下面が裏面電極４３の上面に接触して支持されている。すなわち、タブ電極６の下面が発電部の上面（裏面電極４３の上面）と同じ高さ位置に位置している。このため、タブ電極６と半田５との接合部分におけるタブ電極６の上面は、接合部分以外の領域のタブ電極６の上面よりも上方に突出している。なお、タブ電極６は、本発明の「取出電極」の一例である。
【００２４】
タブ配線９は、約１００μｍの厚みと、約５ｍｍの幅とを有しているとともに、タブ電極６と同様に、Ｃｕからなる芯線９ａの表面が半田９ｂにより被覆（メッキ）された構造を有している。なお、タブ配線９は、本発明の「取出配線」の一例である。また、タブ配線９の端部の下面とタブ電極６の上面とが半田８により接合されている。本実施形態では、平面的に見て隣り合う２つの半田５の間の領域の略中央位置において、タブ配線９の端部の下面とタブ電極６の上面とが半田８により接合されている。これにより、平面的に見て、半田８は、半田５（半田５とタブ電極６との接合部分）と重ならないようにずれた位置（半田５から最も離れた位置）に配置されている。すなわち、半田８は、タブ電極６のうち上方に突出していない位置においてタブ電極６と接合されている。なお、半田８は、本発明の「第２融着部」の一例である。
【００２５】
また、絶縁性テープ７は、タブ配線９と薄膜太陽電池セル３（発電部）との電気的短絡を防止するために発電部の上面の一部（タブ配線９に対応する領域）を覆うように設けられている。絶縁性テープ１０は、開口部４４、半田５、タブ電極６およびタブ配線９（タブ電極６とタブ配線９との接合箇所の近傍）などを覆うように設けられている。この絶縁性テープ１０により、ＥＶＡ（Ｅｔｈｙｌｅｎ−Ｖｉｎｙｌ  Ａｃｅｔａｔｅ）などの封止材により封止する際に、液状の封止材が表面電極４１とタブ電極６との接合箇所およびタブ電極６とタブ配線９との接合箇所などに入りこむことを抑制している。
【００２６】
次に、図１〜図４を参照して、本発明の一実施形態による薄膜太陽電池モジュール１の製造プロセスについて説明する。
【００２７】
まず、基板２上に薄膜太陽電池セル３および電気取出部４を形成する。
【００２８】
具体的には、まず、絶縁性表面を有する基板２の上面上に、熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、約８００ｎｍの厚みを有する酸化錫からなる表面電極３１および表面電極４１を形成する。
【００２９】
次に、表面電極３１に、波長約１０６４ｎｍ、発振周波数約２０ｋＨｚ、平均パワー約１４．０ＷのＮｄ：ＹＡＧレーザの基本波を基板２側から走査することにより、開溝部３１ａを形成する。
【００３０】
次に、表面電極３１および表面電極４１の上面上に、プラズマＣＶＤ法により、約１０ｎｍ以上約２０ｎｍ以下の厚みを有するｐ型水素化アモルファスシリコンカーバイド層と、約２５０ｎｍ以上約３５０ｎｍ以下の厚みを有するｉ型水素化アモルファスシリコン層と、約２０ｎｍ以上約３０ｎｍ以下の厚みを有するｎ型水素化アモルファスシリコン層とを順次形成することにより、アモルファスシリコン系半導体からなる光電変換ユニット３２および半導体層４２が形成される。そして、開溝部３１ａに隣接するように、波長約５３２ｎｍ、発振周波数約１２ｋＨｚ、平均パワー約２３０ｍＷのＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波を基板２側から走査することにより、開溝部３２ａを形成する。
【００３１】
その後、光電変換ユニット３２および半導体層４２の上面上に、スパッタリング法により、約２００ｎｍ以上約４００ｎｍ以下の厚みを有するとともに、銀を主成分とする金属材料からなる裏面電極３３および４３が形成される。この際、複数の薄膜太陽電池セル３を直列に接続するために、裏面電極３３は、開溝部３２ａを介して、隣接する薄膜太陽電池セル３の表面電極３１と接続される。なお、光電変換ユニット３２および半導体層４２と、裏面電極３３および４３との間に、約１００ｎｍの厚みを有するＴＣＯ（例えば、ＺｎＯまたはＩＴＯ）を形成してもよい。
【００３２】
次に、開溝部３２ａに隣接するように、波長約５３２ｎｍ、発振周波数約１２ｋＨｚ、平均パワー約２３０ｍＷのＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波を基板２側から走査することにより、裏面電極３３および光電変換ユニット３２（裏面電極４３および半導体層４２）を分離する開溝部３３ａを形成する。これにより、基板２上に薄膜太陽電池セル３および電気取出部４が形成される。
【００３３】
次に、電気取出部４に、波長約５３２ｎｍ、発振周波数約１２ｋＨｚ、平均パワー約２３０ｍＷのＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波を基板２側から走査することにより、複数の開口部４４を形成する。
【００３４】
その後、超音波半田コテ（図示せず）を用いて、それぞれの開口部４４内に、開口部４４により露出された表面電極４１と半田５とを接合する。この後、図１および図２に示すように、タブ電極６を複数の開口部４４を跨ぐように配置するとともに、タブ電極６上から開口部４４に設けられた半田５を半田コテ（図示せず）を用いて加熱することにより、タブ電極６と半田５とを接合する。
【００３５】
この後、図１に示すように、薄膜太陽電池セル３（発電部）の上面上（裏面電極３３の上面上）を覆うように絶縁性テープ７を接着する。そして、一対のタブ配線９のそれぞれの端部を半田８を挟んで一対のタブ電極６上に配置する。ここで、本実施形態では、タブ配線９の端部を、平面的に見て互いに隣り合う半田５同士の略中央位置に配置する。そして、図１、図２および図４に示すように、タブ配線９の上面側から半田コテ（図示せず）を用いて加熱することにより、タブ電極６の所定の部位（平面的に見て互いに隣り合う半田５同士の略中央位置）とタブ配線９の端部とを半田８により接合する。その後、図１〜図４に示すように、タブ電極６およびタブ配線９の上面を覆うように絶縁性テープ１０を接着する。最後に、ＥＶＡからなる封止材により薄膜太陽電池セル３、電気取出部４、半田５、タブ電極６、絶縁性テープ７、半田８、タブ配線９の一部および絶縁性テープ１０などを封止するとともに、バックシート（図示せず）を接着する。
【００３６】
このようにして、本実施形態による薄膜太陽電池モジュール１が形成される。
【００３７】
本実施形態による薄膜太陽電池モジュール１では、以下のような効果を得ることができる。
【００３８】
（１）平面的に見て半田５と重ならないようにずれた位置において半田８によりタブ電極６とタブ配線９とを接合している。これによって、半田８を加熱して融着させて接合する際に、加熱する位置を半田５から離すことができる。これにより、表面電極４１とタブ電極６とを接合している半田５に熱が加わってしまうことを抑制することができるので、半田５が再溶融してしまうことを抑制することができる。これにより、タブ電極６が剥離し易くなることを抑制することができるので、薄膜太陽電池モジュール１の信頼性が低下してしまうことを抑制することができる。
【００３９】
（２）平面的に見て、タブ電極６とタブ配線９とは、隣り合う２つの半田５の間の位置において接合することによって、容易に、半田８を加熱して融着させて接合する際に、加熱する位置を半田５から離すことができる。
【００４０】
（３）平面的に見て、タブ電極６とタブ配線９とを、隣り合う２つの半田５の間の略中央位置において接合することによって、最も半田５から離れた位置において加熱を行うことにより半田８を融着させて接合することができるので、より有効に半田５が再溶融することを抑制することができる。
【００４１】
（４）平面的に見て、上方に突出したタブ電極６と半田５との接合部分と重ならないようにずれた位置においてタブ配線９とタブ電極６とを接合することによって、タブ電極６のうち上方に突出していない部分（低い部分）とタブ配線９とを接合することができる。これにより、タブ電極６の低い部分にタブ配線９および半田８の厚みが加わることになるので、ラミネート処理を行う前において、薄膜太陽電池モジュール１の最も高い部分と最も低い部分との高低差を小さくすることができる。これにより、ラミネート処理を容易に行うことができるとともに、ＥＶＡなどの封止材の厚みを小さくすることができる。
【００４２】
（５）タブ電極６の下面に半田５を接合し、タブ電極６の上面にタブ配線９の下面を半田８により接合することによって、容易にタブ配線９をタブ電極６に接合することができる。
【００４３】
（６）表面電極４１とタブ電極６とを接合するための半田５を、電気取出部４の開口部４４の内側面４４ａから離間して設けた。これによって、電気取出部４の表面電極４１と半導体層４２との界面または半導体層４２と裏面電極４３との界面において剥離が生じた場合にも、その剥離しようとする力が半田５に加わらないようにすることができる。これにより、表面電極４１と半田５との界面において剥離が発生してしまうことを抑制することができるので、薄膜太陽電池モジュール１の信頼性が低下することを抑制することができる。
【００４４】
（７）タブ電極６の延びる方向であるＹ方向に沿って所定の間隔を隔てて複数の開口部４４を電気取出部４に設け、複数の開口部４４のそれぞれを介して複数箇所において半田５により表面電極４１とタブ電極６とを接合した。これによって、タブ電極６と表面電極４１との接合箇所同士（開口部４４同士）の間の領域には、電気取出部４を構成する開口部４４以外の部分（半導体層４２および裏面電極４３）が配置される。これにより、タブ電極６と表面電極４１との接合箇所同士（開口部４４同士）の間の領域において、電気取出部４を構成する開口部４４以外の部分（半導体層４２および裏面電極４３）によってタブ電極６を下方から支持することができる。このようにタブ電極６を接合箇所以外の領域において下方から支持させることによって、外部からタブ電極６を下方に押圧する方向の力が加わった場合にも、その力を下方から受けることができる。このため、その力が接合箇所に集中して加わることを抑制することができる。したがって、接合箇所においてタブ電極６および半田５に加わる力を低減することができるので、表面電極４１と半田５との界面において剥離が生じてしまうことを抑制することができる。その結果、薄膜太陽電池モジュール１の信頼性が低下することを抑制することができる。
【００４５】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００４６】
たとえば、上記実施形態では、隣り合う半田５の略中央位置において半田８によりタブ電極６とタブ配線９とを接合した例を示したが、本発明はこれに限らず、平面的に見て半田５と重ならないようにずれた位置において半田８によりタブ電極６とタブ配線９とを接合すればよい。
【００４７】
また、上記実施形態では、平面的に見て半田８を半田５に対してタブ電極６が延びる方向（Ｙ方向）にずれた位置に配置する例を示したが、本発明はこれに限らず、平面的に見て半田８を半田５に対してＸ方向にずれた位置に配置してもよい。
【００４８】
また、上記実施形態では、複数のドット状に配置された半田５により表面電極４１とタブ電極６とを接合した例を示したが、本発明はこれに限らず、Ｙ方向に延びるライン状に配置された半田（第１融着部）を所定の間隔を隔てて配置することにより表面電極４１とタブ電極６とを接合してもよい。このようにライン状の半田（第１融着部）が所定の間隔を隔てて複数設けられている場合には、平面的に見てその半田（第１融着部）の間の領域において半田（第１融着部）と重ならないようにタブ電極６とタブ配線９とを半田（第２融着部）により接合すればよい。
【００４９】
また、上記実施形態では、タブ電極６とタブ配線９とにより半田８を挟んだ状態で半田コテにより加熱してタブ電極６とタブ配線９とを接合した例を示したが、本発明はこれに限らず、半田８を用いずに、タブ電極６のメッキ半田６ｂと、タブ配線９のメッキ半田９ｂとによってタブ電極６とタブ配線９とを接合してもよい。この場合、接合部分における融着したメッキ半田６ｂおよびメッキ半田９ｂが本発明の「第２融着部」の一例である。
【００５０】
また、上記実施形態では、半田５および半田８のそれぞれを本発明の「第１融着部」および「第２融着部」として用いた例を示したが、本発明はこれに限らず、半田以外の融着材を本発明の「第１融着部」および「第２融着部」として用いてもよい。
【００５１】
また、上記実施形態では、タブ電極６の上面とタブ配線９の下面とを半田８により接合した例を示したが、本発明はこれに限らず、図５に示す変形例による薄膜太陽電池モジュール１０１のように、平面的に見て半田５の間の領域において半田５と重ならないようにずれた位置（図１および図２に示した位置と同様の位置）において、タブ電極６の下面とタブ配線９の上面とを半田８ａにより接合してもよい。この場合にも、上記実施形態と同様に、「タブ電極６が剥離し易くなることを抑制することができるので、薄膜太陽電池モジュール１の信頼性が低下してしまうことを抑制することができる」という効果を得ることができる。
【００５２】
また、上記実施形態では、開口部４４を正方形状に形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、円形状、楕円形状、長方形状など他の形状であってもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１、１０１  薄膜太陽電池モジュール
２  基板
３  薄膜太陽電池セル
３１  表面電極
３２  光電変換ユニット（光電変換層）
３３  裏面電極
４  電気取出部
４１  表面電極（接続部）
５  半田（第１融着部）
６  タブ電極（取出電極）
８  半田（第２融着部）
９  タブ配線（取出配線）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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