(57)【要約】【課題】ねじり振動モードを利用したＭＥＭＳ共振器において、振動部材の周辺への異物混入を容易に防止可能とする。【解決手段】共振器パッケージ１０１は、平坦な上面３１ｕを有する基材３１と、上面３１ｕに固定されたアンカ部２ａ，２ｂと、上面３１ｕから離隔して梁状に延在する振動部材４と、振動部材４の周囲を取り囲む包囲部下部４５と、振動部材４と同じ材料で同じ高さで形成され、振動部材４の周囲を取り囲むように配置された包囲部上部４６と、アンカ部２ａ，２ｂの上面と包囲部下部４５の上面とに配置された絶縁膜パターン２２ｄ，２２ｅと、包囲部上部４６の上側に配置され、振動部材４からは離隔しつつ、内側の領域を完全に被覆するキャップ部材４３と、上面３１ｕに形成された配線とを備え、前記配線は、前記上面３１ｕに沿うように包囲部下部４５の下側を通過して外側にまで引き出されている。【選択図】図２
2011010216.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な上面を有する基材と、
前記基材の上面に固定されたアンカ部と、
前記基材の上面から離隔して前記アンカ部の上側から側方に梁状に延在する振動部材と、
前記基材の上面において前記アンカ部と同じ材料で同じ高さで形成され、上から見て前記振動部材から離隔しつつ前記振動部材の周囲を取り囲むように配置された包囲部下部と、
前記包囲部下部の上側において前記振動部材と同じ材料で同じ高さで形成され、上から見て前記振動部材から離隔しつつ前記振動部材の周囲を取り囲むように配置された包囲部上部と、
前記アンカ部の上面と前記包囲部下部の上面とに配置された絶縁膜パターンと、
前記包囲部上部の上側に配置され、前記振動部材からは離隔しつつ、前記包囲部上部および前記包囲部下部の内側の領域を完全に被覆するキャップ部材と、
前記振動部材の下面との間に電位差を生じさせることによって前記振動部材の少なくとも一部に対してねじり振動を発生させることができるように、前記振動部材の下面の一部に対して対向して前記基材の上面に形成された配線とを備え、
前記配線は、前記基材の上面に沿うように前記包囲部下部の下側を通過して前記包囲部下部の外側にまで引き出されている、共振器パッケージ。
【請求項２】
前記配線が前記包囲部下部の下側を通過する部分においては、絶縁体を成膜することによって前記通過する部分が封止されている、請求項１に記載の共振器パッケージ。
【請求項３】
前記包囲部下部、前記包囲部上部、前記アンカ部、前記振動部材および前記絶縁膜パターンは、ＳＯＩ基板をエッチングして形成されたものである、請求項１または２に記載の共振器パッケージ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の共振器パッケージを得るための製造方法であって、
第１，第２のシリコン層が両者の間に絶縁膜を挟み込むようにして積層されたＳＯＩ基板を用意する工程と、
前記ＳＯＩ基板において前記第１のシリコン層をエッチングすることによって、前記アンカ部および前記包囲部下部が残るようにパターニングする第１パターニング工程と、
前記ＳＯＩ基板において前記第２のシリコン層をエッチングすることによって、前記振動部材および前記包囲部上部が残るようにパターニングする第２パターニング工程と、
前記主表面に、上から見て前記振動部材に被覆される予定の領域の外側にまで延在するように前記引出配線を設ける工程と、
前記第１，第２パターニング工程のうち少なくとも前記第１パターニング工程が済んだ前記ＳＯＩ基板を、前記アンカ部が前記主表面に接し、かつ、前記振動付与部が前記引出配線と電気的に接続されるように、前記基材に向けて貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせる工程より後に前記絶縁膜をエッチングすることによって、前記アンカ部と前記振動部材との間の前記絶縁膜を介した接続状態、および、前記包囲部下部と前記包囲部上部との間の前記絶縁膜を介した接続状態を維持しつつ、前記包囲部下部および前記包囲部上部と前記アンカ部および前記振動部材との間を分離する工程と、
前記包囲部上部の上側に、前記振動部材からは離隔しつつ、前記包囲部上部および前記包囲部下部の内側の領域を完全に被覆するようにキャップ部材を貼り付ける工程とを含む、共振器パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振器パッケージおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体分野における微細加工技術を利用して、微細な機械構造を電子回路と一体化して形成するＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術が開発されており、フィルタや共振器への応用が検討されている。
【０００３】
なかでもこのようなＭＥＭＳ技術で作成されたマイクロメカニカル共振器は、リモートキーレスエントリシステム、スペクトラム拡散通信等のＲＦ無線に好適に使用される。このようなＭＥＭＳ技術で作成されたマイクロメカニカル共振器を利用したＭＥＭＳフィルタの一例が特開２００６−４１９１１号公報（特許文献１）に開示されている。この文献に記載されたＭＥＭＳフィルタ装置は、共振器を備える。この共振器に含まれる振動子は、正方形の板状のものであって、基板表面と平行で、なおかつ基板から離隔するように配置され、基板表面に連結された円柱で支持されている。共振器の各辺に対して所定間隔を隔てて対向するように形成された固定電極に交流電圧を印加することによって、この振動子と固定電極との間に静電気力が発生し、共振器が振動する仕組みとなっている。この場合、振動子の各辺の中心と角とが水平振動する。共振器同士が連結体で連結されている場合は、連結体は縦振動を伝えることとなる。
【０００４】
また、半導体プロセスと親和性が高いシリコンプロセスを用いたＲＦ−ＭＥＭＳフィルタが、橋村  昭範ら、「ねじり振動を用いたＲＦ−ＭＥＭＳフィルタの開発」，信学技報，社団法人電子情報通信学会発行，IEICE Technical Report MW2005-185(2006-3)（非特許文献１）で提案されている。この文献では、小型化と高Ｑ値化の両立にねじり振動モードを利用した共振器が有効であることが紹介されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−４１９１１号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】橋村  昭範ら、「ねじり振動を用いたＲＦ−ＭＥＭＳフィルタの開発」，信学技報，社団法人電子情報通信学会発行，IEICE Technical Report MW2005-185(2006-3)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ねじり振動モードを利用したＭＥＭＳ共振器としては、基板上に梁状の振動部材を設置したものが考えられる。その場合、振動部材の下面とこの下面に対して振動を付与するための電極とは狭い間隙を介して離隔して対向するように配置される。
【０００８】
このような構造を作製した場合、製造時のみならずその後の使用時においても、この狭い間隙に異物が混入しないようにする必要がある。また、振動部材が正確にねじり振動をするためには、振動部材の周辺の空間にも異物が混入しないようにする必要がある。
【０００９】
そこで、本発明は、ねじり振動モードを利用したＭＥＭＳ共振器において、振動部材の周辺に対する異物混入を容易に防止することができ、容易に作製することができる共振器パッケージを提供すること、および、その製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明に基づく共振器パッケージは、平坦な上面を有する基材と、上記基材の上面に固定されたアンカ部と、上記基材の上面から離隔して上記アンカ部の上側から側方に梁状に延在する振動部材と、上記基材の上面において上記アンカ部と同じ材料で同じ高さで形成され、上から見て上記振動部材から離隔しつつ上記振動部材の周囲を取り囲むように配置された包囲部下部と、上記包囲部下部の上側において上記振動部材と同じ材料で同じ高さで形成され、上から見て上記振動部材から離隔しつつ上記振動部材の周囲を取り囲むように配置された包囲部上部と、上記アンカ部の上面と上記包囲部下部の上面とに配置された絶縁膜パターンと、上記包囲部上部の上側に配置され、上記振動部材からは離隔しつつ、上記包囲部上部および上記包囲部下部の内側の領域を完全に被覆するキャップ部材と、上記振動部材の下面との間に電位差を生じさせることによって上記振動部材の少なくとも一部に対してねじり振動を発生させることができるように、上記振動部材の下面の一部に対して対向して上記基材の上面に形成された配線とを備え、上記配線は、上記基材の上面に沿うように上記包囲部下部の下側を通過して上記包囲部下部の外側にまで引き出されている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ねじり振動をするべき振動部材が、包囲部上部、包囲部下部およびキャップ部材によって取り囲まれているので、振動部材の周囲への異物の混入を容易に防止することができる。また、この構成の共振器パッケージは、容易に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における共振器パッケージからキャップ部材を取り去った状態の平面図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線に関する矢視断面図である。
【図３】図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に関する矢視断面図である。
【図４】図１におけるＩＶ−ＩＶ線に関する矢視断面図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態２における共振器パッケージの製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第１の工程の説明図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第２の工程の説明図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第３の工程の説明図である。
【図８】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第４の工程の説明図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第５の工程の説明図である。
【図１０】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第６の工程の説明図である。
【図１１】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第７の工程の説明図である。
【図１２】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第８の工程の説明図である。
【図１３】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第９の工程の説明図である。
【図１４】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第１０の工程の説明図である。
【図１５】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちガラス基板側で行なう第１の工程の説明図である。
【図１６】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちガラス基板側で行なう第２の工程の説明図である。
【図１７】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちガラス基板側で行なう第３の工程の説明図である。
【図１８】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちガラス基板側で行なう第４の工程の説明図である。
【図１９】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちガラス基板側で行なう第５の工程の説明図である。
【図２０】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうち貼合せ以降の第１の工程の説明図である。
【図２１】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうち貼合せ以降の第２の工程の説明図である。
【図２２】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうち貼合せ以降の第３の工程の説明図である。
【図２３】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうち貼合せ以降の第４の工程の説明図である。
【図２４】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうち貼合せ以降の第５の工程の説明図である。
【図２５】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうち貼合せ以降の第６の工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（実施の形態１）
（構成）
図１〜図４を参照して、本発明に基づく実施の形態１における共振器パッケージについて説明する。この共振器パッケージを上方から見たところを図１に示す。ただし、この図では、説明の便宜のため、キャップ部材４３を取り去った状態で示している。したがって、図１においてはキャップ部材４３の外形線は二点鎖線で示されている。図１におけるＩＩ−ＩＩ線、ＩＩＩ−ＩＩＩ線、ＩＶ−ＩＶ線に関する各矢視断面図を図２、図３および図４にそれぞれ示す。共振器パッケージ１０１は、平坦な上面３１ｕを有する基材としてのガラス層３１と、前記基材の上面３１ｕに固定されたアンカ部２ａ，２ｂと、前記基材の上面３１ｕから離隔して前記アンカ部２ａ，２ｂの上側から側方に梁状に延在する振動部材４と、前記基材の上面において前記アンカ部２ａ，２ｂと同じ材料で同じ高さで形成され、上から見て振動部材４から離隔しつつ振動部材４の周囲を取り囲むように配置された包囲部下部４５と、包囲部下部４５の上側において振動部材４と同じ材料で同じ高さで形成され、上から見て振動部材４から離隔しつつ振動部材４の周囲を取り囲むように配置された包囲部上部４６と、アンカ部２ａ，２ｂの上面と包囲部下部４５の上面とに配置された絶縁膜パターン２２ｄ，２２ｅと、包囲部上部４６の上側に配置され、振動部材４からは離隔しつつ、包囲部上部４６および包囲部下部４５の内側の領域を完全に被覆するキャップ部材４３と、振動部材４の下面との間に電位差を生じさせることによって振動部材４の少なくとも一部に対してねじり振動を発生させることができるように、振動部材４の下面の一部に対して対向して前記基材の上面３１ｕに形成された配線６とを備える。配線６は、前記基材の上面３１ｕに沿うように包囲部下部４５の下側を通過して包囲部下部４５の外側にまで引き出されている。
【００１４】
図１に示すように、振動部材４は、両端に配置されたブロック状部分４ａ，４ｂと中央に配置された梁状部分４ｃとを含む。振動部材４のうち実際にねじり振動をするのは、梁状部分４ｃである。
【００１５】
「絶縁膜パターン」については、アンカ部２ａ，２ｂの上面に配置されたものを「絶縁膜パターン２２ｄ」と呼び、包囲部下部４５の上面に配置されたものを「絶縁膜パターン２２ｅ」と呼んで区別するものとする。絶縁膜パターン２２ｄは、アンカ部２ａ，２ｂと振動部材４との間に挟まれている。絶縁膜パターン２２ｅは、包囲部下部４５と包囲部上部４６との間に挟まれている。
【００１６】
図１では、包囲部上部４６が外周を取囲むように見えているが、この包囲部上部４６の背後には包囲部下部４５が同様のパターンで配置されている。包囲部上部４６と包囲部下部４５と絶縁膜パターン２２ｅとを合わせた構造物を「包囲部」と呼ぶものとする。
【００１７】
包囲部は外周部の１ヶ所に切欠き部１０を有している。切欠き部１０においては基材としてのガラス層３１の上面３１ｕが露出しており、外部接続電極７は、切欠き部１０内に位置するように配置されている。したがって、外部接続電極７への電気的接続は切欠き部１０を利用して行なうことができる。
【００１８】
本実施の形態では、図２、図３に示すように、配線６の一端には、アンカ部２ａ，２ｂや包囲部下部４５と同じくＳｉ層によって形成された振動付与部３が設けられている。振動付与部３は導電性を有するものである。本実施の形態では、振動付与部３は配線６の一部とみなす。
【００１９】
図２〜図４に示すように、配線６のうち振動付与部３以外の部分は、Ｔｉ膜３２、Ｐｔ膜３３およびＡｕ膜３４を下からこの順に積層した３層構造となっている。
【００２０】
振動付与部３の上面は、振動部材４の下面との間に電位差を生じさせることによって振動部材４の少なくとも一部に対してねじり振動を発生させることができるように、振動部材４の下面の一部に対して、間隙１１を介して対向している。
【００２１】
図２〜図４に示すように、キャップ部材４３は下面に凹部４３ｃを有している。この凹部４３ｃがあることによって、キャップ部材４３は、振動部材４に当接せず離隔した構造となっている。
【００２２】
図１、図４に示すように、配線６は包囲部下部４５の下側に設けられた空洞であるトンネル部１２を通過するように配置されている。トンネル部１２の一方の出口は窒化膜９を成膜することによって塞がれている。
【００２３】
（作用・効果）
本実施の形態では、ねじり振動をするべき振動部材が包囲部およびキャップ部材によって取り囲まれているので、振動部材の周囲への異物の混入を容易に防止することができる。また、後述するように容易に作製することができる。
【００２４】
本実施の形態のように、包囲部の内側の空間は、上側をキャップ部材４３によって塞がれ、トンネル部１２を窒化膜９によって塞がれることによって完全に気密状態に封止されていることが好ましい。すなわち、配線６が包囲部下部４５の下側を通過する部分においては、絶縁体を成膜することによって前記通過する部分が封止されていることが好ましい。この構成となっていれば、振動部材４を取り巻く空間に対する異物の混入をより確実に防ぐことができるからである。
【００２５】
包囲部下部４５、包囲部上部４６、アンカ部２ａ，２ｂ、振動部材４および前記絶縁膜パターン５２は、ＳＯＩ基板をエッチングして形成されたものであることが好ましい。この構成となっていれば、容易に作製することができるからである。具体的な製造方法については、実施の形態２で説明する。
【００２６】
（実施の形態２）
（構成）
図５〜図２５、図１および図２を参照して、本発明に基づく実施の形態２における共振器パッケージの製造方法について説明する。これらの図では、説明の便宜のために縦横比を誇張している。
【００２７】
この製造方法では、ＳＯＩ基板とガラス基板との両方においてそれぞれいくつかの工程を行なったのちに両者を貼り合わせる工程を含む。
【００２８】
（ＳＯＩ基板側で行なう工程）
まずＳＯＩ基板側で行なう工程について説明する。
【００２９】
図５に示すようにＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板５１を用意する。このＳＯＩ基板５１の場合、下から順にＳｉ層２１、ＳｉＯ2層２２、Ｓｉ層２３が積層されており、表裏両面に酸化膜２０ａ，２０ｂが形成されている。酸化膜２０ａ，２０ｂはＳｉＯ2の膜である。まず、フッ酸（ＨＦ）によって表裏両面の酸化膜２０ａ，２０ｂを除去し、図６に示す状態に至る。表裏両面の酸化膜が元々形成されていない場合は、フッ酸によるこの工程は不要であり、図６の状態から開始する。
【００３０】
このＳｉ層２１の一部は、のちにアンカ部および振動付与部となる予定のものである。
図７に示すようにＳＯＩ基板５１の下面にＣｒ膜２４を形成する。このＣｒ膜２４をパターニングして、図８に示すようにＣｒパターン２５を形成する。このＣｒパターン２５はアンカ部、振動付与部などの形状に対応している。
【００３１】
Ｃｒパターン２５を覆うようにレジストを塗布し、図９に示すように、レジスト層２６を設ける。フォトリソグラフィを行ない、レジスト層２６をパターニングする。その結果、図１０に示すようにレジストパターン２７を得る。このレジストパターン２７をマスクとしてＳｉ層２１に対して誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma）エッチング（以下「ＩＣＰエッチング」という。）を行なう。その結果、Ｓｉ層２１は部分的に除去されて図１１に示す構造に至る。図１２に示すようにレジストパターン２７を除去する。Ｃｒパターン２５をマスクとしてＳｉ層２１をさらにエッチングして図１３に示す構造を得る。Ｓｉ層２１のうちＣｒパターン２５に覆われていなかった部分は覆われていた部分に比べて除去が進行して低くなっている。Ｃｒパターン２５を除去し、図１４に示す構造を得る。図１３、図１４では説明の便宜のため、Ｓｉ層２１が低くなる部分を同一図内に表示しているが、実際には、Ｓｉ層２１が低くなる部分は、実施の形態１で説明したトンネル部１２に相当する部分である。したがって、振動部材４の長手方向の延長上にあるわけではないので、同一の断面内に見えるわけではないが、ここでは、説明の便宜のためにあえて同一図内に表示している。
【００３２】
この構造体を硫酸過水およびフッ酸で洗浄する。なお、「硫酸過水」とは、硫酸と過酸化水素水を、硫酸と過酸化水素水との混合物である。
【００３３】
（ガラス基板側で行なう工程）
次に、共振器の基材となるべきガラス基板を用いた工程について説明する。
【００３４】
まず、図１５に示すようにガラス基板６１を用意する。図１５に示した状態ではガラス基板６１はガラス層３１からなる。図１６に示すようにガラス基板６１の上面にＴｉ膜３２を形成する。図１７に示すようにガラス基板６１の上面にＰｔ膜３３を形成する。図１８に示すようにガラス基板６１の上面にＡｕ膜３４を形成する。こうしてガラス基板６１の上面には３種類の金属膜の積層体が出来上がる。図１９に示すように、この３種類の金属膜の積層体を、配線の形状となるようにパターニングする。
【００３５】
（貼合せ以降の工程）
図１４に示したＳＯＩ基板５１と図１９に示したガラス基板６１とを陽極接合によって貼り合わせる。こうして図２０に示す構造体を得る。
【００３６】
実施の形態１で示したように、実際には、トンネル部１２は振動部材４の長手方向の延長上にあるわけではないが、ここでは説明の便宜のため、引続きトンネル部１２を同一図内に表示する。
【００３７】
図２１に示すように、上面にレジストを塗布し、レジスト層４１を形成する。レジスト層４１をパターニングし、図２２に示すようにレジストパターン４２を形成する。この構造体の上面に対してレジストパターン４２をマスクとしてＩＣＰエッチングを行なう。その結果、Ｓｉ層２３が部分的に除去されて図２３に示す構造に至る。さらにレジストパターン４２を除去して図２４に示す構造に至る。Ｓｉ層２３のうち中央でアイランド状に分離された部分２３ｉはのちに振動部材４となる予定のものである。必要に応じてＳｉ層２３の全面に対してＩＣＰエッチングを行ない、厚みを調整する。
【００３８】
フッ酸（ＨＦ）により、ＳｉＯ2層２２を除去する。これにより、図２５に示す構造を得ることができる。振動付与部３においては、残っていたＳｉＯ2層２２の面積が狭かったためＳｉＯ2層２２は完全に除去され、振動付与部３と振動部材４との間に間隙１１が形成されている。他の部分においては、ＳｉＯ2層２２の面積が元々広かったため、各部分にあったＳｉＯ2層２２は外周部からいくらかは除去されて面積が縮小しているが完全に除去されるには至っていない。このように利用されるＳｉＯ2層２２は「犠牲層」とも呼ばれる。
【００３９】
この構造体の上側に封止部材４３を被せる。こうして、図２に示した構造を得ることができる。封止部材４３は他のガラス基板を用いて別途作製しておいてもよい。また、電子部品などの封止のために「ＬＩＤ」と称して市販されている蓋部材を封止部材４３として適宜利用してもよい。ただし、封止部材４３は、下面すなわちガラス層３１の側を向く面に凹部４３ｃを有することによって、振動部材４には直接当接しない構造となっている。
【００４０】
図２に示した構造の平面図は、図１に既に示したものである。振動部材４の左右両端には振動部材４の一部である長方形のブロック状部分４ａ，４ｂしか見えていないが、実際にはブロック状部分４ａ，４ｂの背後には、主表面１ｕに接するようにＳｉ層からなるアンカ部２ａ，２ｂがあり、その上に絶縁膜パターン２２ｄがあり、その絶縁膜パターン２２ｄの上側に、Ｓｉ層２３から形成された振動部材４が載る構造となっている。包囲部も上面３１ｕに近い側から順に、Ｓｉ層２１から形成された包囲部下部４５、ＳｉＯ2層２２から形成された絶縁膜パターン２２ｅ、Ｓｉ層２３から形成された包囲部上部４６という積層構造になっている。
【００４１】
包囲部には、いずれかの時点でトンネル部１２と連通する位置に切欠き部１０を形成する。配線６は包囲部の１ヶ所に設けられたトンネル部１２をくぐるようにして包囲部の外側に延在している。配線６は基材の外縁近傍にまで至っており、配線６の終端には外部接続電極７が配置されている。外部接続電極７への電気的接続は切欠き部１０を利用して行なうことができる。図１、図４に示すように、配線６が包囲部の下をくぐるトンネル部１２の一方の出口には、隙間を塞ぐように窒化膜９を成膜することが好ましい。この窒化膜９の形成は、通常、真空状態で行なわれる。すなわち、この共振器パッケージは真空中に置かれることとなり、真空状態の中で窒化膜９を形成して隙間を塞ぐこととなるので、封止された内部空間は真空状態が維持されることとなる。こうして、内部空間が真空となった共振器パッケージを容易に得ることができる。
【００４２】
本実施の形態における製造方法について、発明としての構成要件をまとめると以下のようになる。
【００４３】
この製造方法は、実施の形態１で説明したいずれかの共振器パッケージを得るための製造方法であって、第１，第２のシリコン層が両者の間に絶縁膜を挟み込むようにして積層されたＳＯＩ基板を用意する工程と、前記ＳＯＩ基板において前記第１のシリコン層をエッチングすることによって、前記アンカ部および前記包囲部下部が残るようにパターニングする第１パターニング工程と、前記ＳＯＩ基板において前記第２のシリコン層をエッチングすることによって、前記振動部材および前記包囲部上部が残るようにパターニングする第２パターニング工程と、前記主表面に、上から見て前記振動部材に被覆される予定の領域の外側にまで延在するように前記引出配線を設ける工程と、前記第１，第２パターニング工程のうち少なくとも前記第１パターニング工程が済んだ前記ＳＯＩ基板を、前記アンカ部が前記主表面に接し、かつ、前記振動付与部が前記引出配線と電気的に接続されるように、前記基材に向けて貼り合わせる工程と、前記貼り合わせる工程より後に前記絶縁膜をエッチングすることによって、前記アンカ部と前記振動部材との間の前記絶縁膜を介した接続状態、および、前記包囲部下部と前記包囲部上部との間の前記絶縁膜を介した接続状態を維持しつつ、前記包囲部下部および前記包囲部上部と前記アンカ部および前記振動部材との間を分離する工程と、前記包囲部上部の上側に、前記振動部材からは離隔しつつ、前記包囲部上部および前記包囲部下部の内側の領域を完全に被覆するようにキャップ部材を貼り付ける工程とを含む。
【００４４】
（作用・効果）
本実施の形態における製造方法では、ＳＯＩ基板と基材とで別々に加工を施したものを貼り合わせることによって、包囲部を備える共振器パッケージを構成するものであるので、振動部材が内部に封止された構造の共振器パッケージを容易に正確に作製することができる。
【００４５】
なお、上記各実施の形態では、振動部材４の平面形状が、中央の梁を挟んで両側（図１における上下）に１つずつの合計２つの長方形のフレーム構造を並べた形状（「中」の字形状）である例を示したが、振動部材４の平面形状はねじり振動を生じることができるものであれば、他の形状であってもよい。たとえば、より多くの数の長方形をつなげた形状であってもよい。
【００４６】
上記各実施の形態では、振動付与部３は１ヶ所としたが、振動付与部は１枚の基材上で複数箇所に設けられていてもよい。
【００４７】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【符号の説明】
【００４８】
２ａ，２ｂ  アンカ部、３  振動付与部、４  振動部材、４ａ，４ｂ  ブロック状部分、４ｃ  梁状部分、６  配線、７  外部接続電極、９  窒化膜、１０  切欠き部、１１  間隙、１２  トンネル部、２０ａ，２０ｂ  酸化膜、２１，２３  Ｓｉ層、２２  ＳｉＯ2層、２２ｄ，２２ｅ  絶縁膜パターン、２３ｉ  部分、２４  Ｃｒ膜、２５  Ｃｒパターン、２６，４１  レジスト層、２７，４２  レジストパターン、３１  ガラス層、３１ｕ  上面、３２  Ｔｉ膜、３３  Ｐｔ膜、３４  Ａｕ膜、４３  キャップ部材、４３ｃ  凹部、４５  包囲部下部、４６  包囲部上部、５１  ＳＯＩ基板、６１  ガラス基板、１０１  共振器パッケージ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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