(57)【要約】【課題】試料上における任意の位置を中心とする円周もしくは円形の加工を、ベクタースキャン方式によらず、ラスタースキャン機能等を用いて実施することができる試料加工方法及び試料加工装置を提供する。【解決手段】試料上の走査像３１を取得し、該走査像３１を表示し、表示された走査像３１内において指定された箇所３４に対応する試料上の部分にイオンビームを照射し、該イオンビームの照射を継続しながら、該走査像３１の中心３６に対応する軸を回転軸としてイオンビームの回転偏向を行ない、これによりイオンビームが照射された試料上の領域をエッチングする。【選択図】図２
2011090844.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料上の走査像を取得する工程と、該走査像を表示する工程と、表示された走査像内において指定された箇所に対応する試料上の部分にイオンビームを照射する工程と、該イオンビームの照射を継続しながら、該走査像の中心に対応する軸を回転軸としてイオンビームの回転偏向を行なう工程とを有し、イオンビームが照射された試料上の領域をエッチングすることを特徴とする試料加工方法。
【請求項２】
前記イオンビームの回転偏向は、試料上での該イオンビームによる当該部分の走査とともに行われることを特徴とする請求項１記載の試料加工方法。
【請求項３】
前記イオンビームの回転偏向は、試料上での該イオンビームによる当該部分のスポット照射とともに行われることを特徴とする請求項１記載の試料加工方法。
【請求項４】
試料上の走査像を取得する手段と、該走査像を表示する手段と、表示された走査像内における任意の箇所を指定する手段と、該走査像内において指定された箇所に対応する試料上の部分にイオンビームを照射する手段と、該イオンビームの照射を継続しながら、該走査像の中心に対応する軸を回転軸としてイオンビームの回転偏向を行なう手段とを備え、イオンビームが照射された試料上の領域をエッチングすることを特徴とする試料加工装置。
【請求項５】
前記イオンビームの回転偏向は、試料上での該イオンビームによる当該部分の走査とともに行われることを特徴とする請求項４記載の試料加工装置。
【請求項６】
前記イオンビームの回転偏向は、試料上での該イオンビームによる当該部分のスポット照射とともに行われることを特徴とする請求項４記載の試料加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工対象となる試料に対して、集束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）を照射することにより、試料の加工を行なうことのできる試料加工方法及び試料加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、微細なデバイスや機械部品の作成、もしくは透過電子顕微鏡用の試料作成を行なうために、加工対象となる試料に対して集束イオンビームを照射し、これにより試料加工を実施する試料加工装置が用いられている。
【０００３】
このような試料加工装置においては、該装置内に配置された試料に対して、集束イオンビームの照射を行なう。試料上において、集束イオンビームが照射された部分は、集束イオンビームによってエッチングされる。これにより、試料の加工が施される。
【０００４】
試料加工時における集束イオンビームの照射方法としては、試料上の所定領域を集束イオンビームによってラスタースキャンする方法が知られている。このラスタースキャンによる方法では、試料上の所定の矩形領域内を集束イオンビームにより順次走査していくことによって、該矩形領域がエッチングされる。これにより、試料において、該矩形領域に対応する凹部もしくは開口が形成される。
【０００５】
このようなラスタースキャン機能を備える試料加工装置において、装置内の回転台（試料台）に試料を載置し、回転台を連続回転させながら回転台上の試料をＦＩＢ等の荷電粒子ビームでエッチングすることにより、回転対称な３次元形状構造物を作成するものもある（特許文献１参照）。
【０００６】
また、イオンビーム走査方向を電気的に回転座標変換させ、３６０°任意方向に偏向走査可能とすることにより、Ｘ−Ｙ座標軸方向のみならず斜め方向でのイオンビーム局所膜付け等の試料表面加工を行なうことのできるものもある（特許文献２参照）。
【０００７】
なお、試料上で、任意形状の加工を施す場合には、ベクタースキャン機能を備える試料加工装置を用いる場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−３１０７５７号公報
【特許文献２】特開昭６３−２４１９５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
集束イオンビームによるラスタースキャンを用いたエッチング等の試料加工では、通常、試料上での矩形形状の加工は可能であるが、試料上での所定の円周に沿って行なう加工、もしくは所定の円形（当該円内部を含む）の加工を行なうことは困難であった。
【００１０】
なお、特許文献１に記載された試料加工装置においては、試料を載置している回転台を連続回転させながら、試料を荷電粒子ビームでエッチングすることにより、試料加工を行なうことが可能である。
【００１１】
よって、特許文献１記載の試料加工装置では、荷電粒子ビームのラスタースキャンを用いるとともに、回転台によって試料自体を回転させることにより、その回転軸を中心とする所定の円周に沿う加工、もしくは所定の円形の加工を行なうことが可能となる。
【００１２】
しかしながら、この場合では、試料が回転台に載置された状態における回転台の回転軸を中心とする円周もしくは円形の加工に限定されることとなる。
【００１３】
従って、特許文献１記載の試料加工装置においては、回転台に載置された試料上における任意の位置を中心軸とする円周もしくは円形の加工を施すことはできず、試料加工に制限が生じる。
【００１４】
なお、ベクタースキャン方式を用いれば、試料上における任意の位置を中心とする円周もしくは円形の加工を施すことが可能である。しかしながら、ラスタースキャン機能が既に備えられている試料加工装置に、ベクタースキャン方式の機能を取り入れる際には、ベクタースキャン方式を実施するためのハードウエアを該装置に追加する必要があり、大きなコストアップを伴うこととなる。
【００１５】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、試料上における任意の位置を中心とする円周もしくは円形の加工を、ベクタースキャン方式によらず、ラスタースキャン機能等を用いて実施することができる試料加工方法及び試料加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明における試料加工方法は、試料上の走査像を取得する工程と、該走査像を表示する工程と、表示された走査像内において指定された箇所に対応する試料上の部分にイオンビームを照射する工程と、該イオンビームの照射を継続しながら、該走査像の中心に対応する軸を回転軸としてイオンビームの回転偏向を行なう工程とを有し、イオンビームが照射された試料上の領域をエッチングすることを特徴とする。
【００１７】
本発明における試料加工装置は、試料上の走査像を取得する手段と、該走査像を表示する手段と、表示された走査像内における任意の箇所を指定する手段と、該走査像内において指定された箇所に対応する試料上の部分にイオンビームを照射する手段と、該イオンビームの照射を継続しながら、該走査像の中心に対応する軸を回転軸としてイオンビームの回転偏向を行なう手段とを備え、イオンビームが照射された試料上の領域をエッチングすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、試料上の走査像内において指定された箇所に対応する試料上の部分にイオンビームを照射し、該イオンビームの照射を継続しながら該走査像の中心に対応する軸を回転軸としてイオンビームの回転偏向を行ない、これによりイオンビームが照射された試料上の領域のエッチング加工を行なう。
【００１９】
このとき、当該指定された箇所に対応する試料上の部分へのイオンビームの照射は、当該部分へのイオンビームの走査（ラスタースキャン）によって行なうことができる。
【００２０】
また、ラスタースキャン機能を備える試料加工装置においても、当該指定された箇所に対応する試料上の部分へのイオンビームの照射は、当該部分へのイオンビームのスポット照射によっても行なうことができる。
【００２１】
本発明においては、このような構成により、取得される走査像の中心を試料上で適宜設定することによって、試料上における任意の位置を中心とする円周もしくは円形の加工を、ベクタースキャン方式によらず、ラスタースキャン等を用いて行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明における試料加工装置を示す概略構成図である。
【図２】走査画像（ＳＩＭ像）の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して、本発明に基づく試料加工方法及び試料加工装置について説明する。図１は、本発明における試料加工装置を示す概略構成図である。
【００２４】
同図において、イオンビーム源であるイオン銃１から放出されたイオンビーム１０は、集束レンズ２及び対物レンズ３により集束されて、試料７上に到達する。これにより、イオン銃１からのイオンビーム１０が、集束イオンビーム（ＦＩＢ）として、試料７上に照射される。
【００２５】
このとき、Ｈ方向偏向器４及びＶ方向偏向器５による偏向作用によりイオンビーム１０は適宜偏向され、該イオンビーム１０は試料７上の所定領域を走査（ラスタースキャン）する。なお、これら偏向器４，５による偏向状態を変えることなく所定時間の間一定に保持しておけば、イオンビーム１０は、その時間の間、試料７上の所定箇所をスポット照射することとなる。
【００２６】
このようにして、集束イオンビーム１０が照射された試料７の部分は、エッチング加工が施される。そして、ラスタースキャンにより、集束イオンビーム１０が試料７上の所定の矩形領域内を走査すると、該矩形領域内部がエッチング加工され、該矩形形状の凹部または開口が試料７に形成される。
【００２７】
なお、集束レンズ２と偏向器４，５との間には、制限絞り６が配置されている。制限絞り６には、集束レンズ２を通過したイオンビーム１０の一部を通過させるための孔６ａが形成されている。制限絞り６に設けられた孔６ａを通過したイオンビーム１０は、偏向器４，５及び対物レンズ３を経由して、試料７に到達する。
【００２８】
ここで、イオン銃１、集束レンズ２、制限絞り６、偏向器４，５及び対物レンズ３等によって、イオンビーム鏡筒１２が構成されている。
【００２９】
この試料加工装置は、集束イオンビームによる通常の試料加工装置と同様に、試料７のエッチング加工を行なうことができるとともに、集束イオンビーム１０を用いた試料７の走査像の取得も行なうことができる。
【００３０】
すなわち、イオンビーム鏡筒１２からの集束イオンビーム１０が試料７上の所定領域をラスタースキャンしたときに、該スキャンによって試料７から発生する二次電子１１を電子検出器８により検出する。
【００３１】
このとき、電子検出器８は、検出した二次電子１１の検出量に基づく検出信号を出力する。この検出信号は、アンプ（図示せず）により増幅され、さらにＡ／Ｄ変換器（図示せず）によりＡ／Ｄ変換された後に、画像データ作成部９に送られる。
【００３２】
画像データ作成部９では、集束イオンビーム１０の当該ラスタースキャン時での走査制御信号とＡ／Ｄ変換後の当該検出信号とに基づき、走査画像データを作成する。このようにして作成される走査画像は、ＳＩＭ(Scanning Ion Microscope)像となる。当該走査画像データは、バスライン１３を介して、記憶部１８に一旦格納される。
【００３３】
ここで、イオン銃１、集束レンズ２及び対物レンズ３は、それぞれ対応する各駆動部１ａ〜３ａにより駆動される。そして、各駆動部１ａ〜３ａは、バスライン１３を介して、演算制御部１７により制御される。この結果、イオン銃１、集束レンズ２及び対物レンズ３は、対応する各駆動部１ａ〜３ａを介して、演算制御部１７によって駆動制御されることとなる。
【００３４】
また、Ｈ方向偏向器４及びＶ方向偏向器５は、それぞれ対応するＨ偏向駆動部４ａ及びＶ偏向駆動部５ａにより駆動される。Ｈ偏向駆動部４ａには、加算器２３からＨ偏向信号が供給される。Ｖ偏向駆動部５ａには、加算器２４からＶ偏向信号が供給される。
【００３５】
加算器２３には、回転走査変換回路１６から送られる走査信号Ｈ´と、Ｈシフト信号発生回路２１から送られるＨシフト信号ΔＨとが供給される。また、加算器２４には、回転走査変換回路から送られる走査信号Ｖ´と、Ｖシフト信号発生回路２２から送られるＶシフト信号ΔＶとが供給される。
【００３６】
加算器２３は、走査信号Ｈ´とＨシフト信号ΔＨとの加算信号ＨＡを、Ｈ偏向信号としてＨ偏向駆動部４ａに送る。加算器２４は、走査信号Ｖ´とＶシフト信号ΔＶとの加算信号ＶＡを、Ｖ偏向信号としてＶ偏向駆動部５ａに送る。
【００３７】
回転走査変換回路１６には、Ｈ走査信号発生回路１４及びＶ走査信号発生回路１５から、それぞれＨ走査信号（走査信号Ｈ）及びＶ走査信号（走査信号Ｖ）が供給される。Ｈ走査信号発生回路１４及びＶ走査信号発生回路１５には、演算制御部１７からバスライン１３を介して、それぞれの走査制御信号が供給される。
【００３８】
また、さらに回転走査変換回路１６には、バスライン１３を介して、演算制御部１７から回転角度情報（回転角度信号θ）が送られる。
【００３９】
そして、Ｈシフト信号発生回路２１には、バスライン１３を介して、演算制御部１７からＨ方向シフト量情報（Ｈシフト制御信号Ｐ）及び上記回転角度信号θが送られる。また、Ｖシフト信号発生回路２２には、バスライン１３を介して、演算制御部１７からＶ方向シフト量情報（Ｖシフト制御信号Ｑ）及び当該回転角度信号θが送られる。
【００４０】
バスライン１３には、表示部１９及び入力部２０が接続されている。表示部１９には、ＬＣＤやＣＲＴ等の表示手段が備えられている。また、入力部２０は、キーボード等のキー入力デバイス及びマウス等のポインティングデバイスから構成されている。
【００４１】
なお、試料７は、図示しない試料ステージ上に載置されている。該試料ステージは、イオンビーム鏡筒１２の先端側（対物レンズ３側）と連通している試料室（図示せず）の内部に配置されている。
【００４２】
そして、演算制御部１７は、上述した各駆動部１ａ〜５ａ、画像データ作成部９、各走査信号発生回路１４，１５、回転走査変換回路１６、記憶部１８、表示部１９、Ｈシフト信号発生回路２１、Ｖシフト信号発生回路２２及び試料ステージの各動作の制御を行なう。
【００４３】
以上が、本発明における試料加工装置の構成である。次に、本試料加工装置の動作（試料加工方法）について説明する。
【００４４】
加工対象となる試料７を、試料室内の試料ステージ上に載置する。その後、イオンビーム鏡筒１２から照射される集束イオンビーム１０を、試料７上で走査（ラスタースキャン）する。このときの集束イオンビーム１０の電流量及び加速電圧は、ＳＩＭ像を取得するための条件に設定される。
【００４５】
試料７上において、集束イオンビーム１０が走査された走査領域からは、二次電子１１が発生する。これにより発生した二次電子１１は、電子検出器８によって検出される。電子検出器８は、検出した二次電子１１の検出量に基づく検出信号を出力する。当該検出信号は、増幅された後にＡ／Ｄ変換されて、画像データ作成部９に送られる。
【００４６】
画像データ作成部９には、演算制御部１７から当該ラスタースキャン時における走査制御信号が供給されており、画像データ作成部９は、走査制御信号とＡ／Ｄ変換後の当該検出信号とに基づいて、走査画像データを作成する。作成された走査画像データは、バスライン１３を介して、記憶部１８に格納される。
【００４７】
その後、演算制御部１７による制御により、記憶部１８から当該走査画像データが読み出されて、表示部１９に送られる。表示部１９は、当該走査画像データに基づく走査画像の表示を行なう。これにより表示された走査画像は、ＳＩＭ像となる。
【００４８】
そして、本装置の操作を行なうオペレータは、表示された走査画像を目視で確認し、試料７上で、加工対象となる領域を含むエリアが走査画像中に含まれているか否かを確認する。該エリアが走査画像中に入っていない場合には、オペレータは、試料７の移動又は／及び試料７上での走査領域の移動を行なう操作を入力部を介して行なう。
【００４９】
このようにして、加工対象となる領域を含むエリアが走査画像中に入っており、かつ所望とする回転軸が該走査画像の中心に位置する状態の走査像の走査画像データの取得（格納）及び表示が終了した後には、集束イオンビーム１０の試料７上への照射（走査）を一旦終了する。
【００５０】
その後、以下のごとく、該走査画像内でのエッチング加工領域の指定を行なう。
【００５１】
図２に、このときに表示される走査画像（ＳＩＭ像）の例を示す。図２において、３１は走査画像である。オペレータは、取得済みの走査画像３１を目視で確認しながら、入力部２０のポインティングデバイス（マウス等）の操作を行なうことにより、走査画像３１内でエッチング加工されるべき領域の一部を指定する。
【００５２】
ずなわち、画像３１中に表示されているカーソル３５を、オペレータがポインティングデバイスの操作によって移動させ、画像３１内において矩形領域３４の指定を行なう。例えば、画像３１内において、上記一部に相当する矩形領域の輪郭を、ポインティングデバイスの操作に基づくカーソル３５の移動によってオペレータが指定することによって、該矩形領域３４の指定が行なわれる。
【００５３】
この領域指定が行なわれると、画像３１中での矩形領域３４の位置（画像３１の中心３６を原点とする位置）及び大きさの情報が、入力部２０からバスライン１３を介して、演算制御部１７に送られる。演算制御部１７は、当該情報に基づいて、該矩形領域３４に対応する試料７上の部分にイオンビーム１０を走査するためのＨ走査制御信号及びＶ走査制御信号並びにＨシフト制御信号Ｐ及びＶシフト制御信号Ｑを生成することとなる。
【００５４】
上記の領域指定が行なわれた後、試料７のエッチング加工を行なうときには、演算制御部１７によって、イオン銃１、集束レンズ２、対物レンズ３、Ｈ方向偏向器４及びＶ方向偏向器５の駆動制御が行なわれ、イオンビーム鏡筒１２から試料７上に集束イオンビーム１０が照射される。このとき、演算制御部１７で生成された当該Ｈ偏向走査制御信号が、Ｈ走査信号発生回路１４に送られる。また、演算制御部１７で生成された当該Ｖ偏向走査制御信号が、Ｖ走査信号発生回路１５に送られる。
【００５５】
Ｈ走査信号発生回路１４は、演算制御部１７から送られてきたＨ偏向走査制御信号に基づいて、Ｈ偏向信号（走査信号Ｈ）を回転走査変換回路１６に供給する。また、Ｖ走査信号発生回路１５は、演算制御部１７から送られてきたＶ偏向走査制御信号に基づいて、Ｖ偏向信号（走査信号Ｖ）を回転走査変換回路１６に供給する。
【００５６】
さらに、回転走査変換回路１６には、演算制御部１７から、回転角度情報（回転角度信号θ）が供給される。本発明において、この回転角度情報は、θ＝０°からθ＝３６０°まで、時間経過とともに順次変化（増加）していくこととなる。
【００５７】
回転走査変換回路１６では、以下の数式に基づく座標変換が行なわれるように、各走査信号Ｈ，Ｖの変換が施される。
【００５８】
【数１】
2011090844.tif 000003
当該変換が施された後のＨ偏向信号（走査信号Ｈ´）及びＶ偏向信号（走査信号Ｖ´）は、それぞれ対応する加算器２３，２４に送られる。
【００５９】
また、これと並行して、Ｈシフト信号発生回路２１には、矩形領域３４の位置情報に基づく演算制御部１７からのＨシフト制御信号Ｐと上記回転角度信号θとが供給されている。そして、Ｖシフト信号発生回路２２には、矩形領域３４の位置情報に基づく演算制御部１７からのＶシフト制御信号Ｑと当該回転角度信号θとが供給されている。Ｈシフト信号発生回路２１及びＶシフト信号発生回路２２に供給される回転角度情報は、回転走査変換回路１６に供給される回転角度信号と同じくθ＝０°からθ＝３６０°まで、同タイミングで時間経過とともに順次変化（増加）していく。
【００６０】
この結果、Ｈシフト信号発生回路２１は、上述と同タイミングで順次変化するＨシフト信号ΔＨを加算器２３に供給する。また、Ｖシフト信号発生回路２２も、上述と同タイミングで順次変化するＶシフト信号ΔＶを加算器２４に供給する。これらΔＨ及びΔＶの各信号は、試料７上でエッチング加工される矩形領域の位置（画像３１の中心３６を原点とする位置）に対応しており、回転角度情報がθ＝０°から３６０°まで順次変化していくことにより、当該位置が画像３１の中心３６を中心軸として一回転することとなる。
【００６１】
そして、加算器２３からは、走査信号Ｈ´とＨシフト信号ΔＨとの加算信号ＨＡが、Ｈ偏向信号としてＨ偏向駆動部４ａに送られる。また、加算器２４からは、走査信号Ｖ´とＶシフト信号ΔＶとの加算信号ＶＡが、Ｖ偏向信号としてＶ偏向駆動部５ａに送られる。
【００６２】
Ｈ偏向駆動部４ａは、送られてきた加算信号ＨＡに基づくＨ偏向駆動信号をＨ方向偏向器４に供給する。また、Ｖ偏向駆動部５ａは、送られてきた加算信号ＶＡに基づくＶ偏向駆動信号をＶ方向偏向器５に供給する。
【００６３】
これに基づき、Ｈ方向偏向器４及びＶ方向偏向器５が駆動されて、イオンビーム１０の偏向が行なわれる。これにより、各偏向器４，５によって偏向された集束イオンビーム１０による試料７上での走査が実行される。なお、このときの集束イオンビーム１０の電流量及び加速電圧は、エッチング加工を行なうための条件に設定されている。
【００６４】
上記による試料７上での集束イオンビーム１０の走査により、当初（演算制御部１７から回転走査変換回路１６に送られる回転角度信号θ＝０°の時）、上述した矩形領域３４に対応する試料７上の一部のエッチング加工が行なわれる。そして、時間が経過するのに伴って回転角度信号θが０°から増加していくと、上記取得済みの走査画像３１の画像中心３６を中心とする円周に沿って、矩形領域３４が矢印Ａの方向に順次移動することとなる。これにより、集束イオンビーム１０による試料７上での加工領域（矩形領域３４に対応する試料７上の部分）が順次移動し、時間経過に伴う各時点で位置する加工領域のエッチングが実行される。
【００６５】
この結果、回転角度信号θが０°から順次増加して３６０°に到達した時点で、中心３６を中心（回転軸）とする円周に沿って、矩形領域３４が一周することとなる。これにより、試料７上での円周状（ドーナッツ形状部分）のエッチング加工が行なわれる。すなわち、図２において３２及び３３で示す両点線（大小２つの円）の間に対応する領域が、順次エッチングされることとなる。
【００６６】
ここで、演算制御部１７から回転偏向変換部１６に送られる回転角度信号θの変化（増加）速度に応じて、試料７に施されるエッチング量（エッチング深さ）が設定されることとなる。すなわち、当該変化速度が遅くなるのに従って、該エッチング量が大きくなる。
【００６７】
また、走査画像３１内において、走査画像中心３６が、上記により指定された矩形領域の内部に位置している場合には（図２における矩形領域３４ａを参照）、該中心３６を回転中心として矩形領域３４ａが順次回転していくこととなる。この場合には、試料７上において、該中心３６を中心とする円形（該円形内部を含む）のエッチング加工が行なわれることとなる。
【００６８】
さらに、上記例においては、ポインティングデバイスを用いてオペレータにより指定された矩形領域３４に対応する試料７上の部分をイオンビーム１０によって走査する例であった。しかしながら、このような形態に限定される必要はない。例えば、走査画像３１内の任意のポイント（箇所）を、オペレータがポインティングデバイスを用いて指定し、該ポイントに対応する箇所を集束イオンビーム１０によってスポット照射してエッチングを行なうようにしてもよい。この場合は、試料７上での集束イオンビーム１０のスポット径を幅とする円周状のエッチング加工が施される。
【００６９】
なお、試料７上でエッチング加工される矩形領域（又はスポット領域）の位置を、画像３１の中心３６を中心軸として一回転させる手段としては、上記の構成（加算器２３，２４を用いる構成）に限定されるわけではない。
【００７０】
上記構成の他に、変形例として、イオンビーム鏡筒１２に、Ｈ方向追加偏向器及びＶ方向追加偏向器をさらに設置し、当該Ｈ方向追加偏向器及びＶ方向追加偏向器をそれぞれ駆動するための各駆動部（追加設置）に対して、Ｈシフト信号発生回路２１からの信号ΔＨ及びＶシフト信号発生回路２２からの信号ΔＶを供給するようにすることもできる。これに基づくＨ方向追加偏向器及びＶ方向追加偏向器によるイオンビーム１０への偏向作用によって、試料７上でエッチング加工される矩形領域（又はスポット領域）の位置を、画像３１の中心３６を中心軸として一回転させることができる。
【００７１】
このように、本発明における試料加工方法は、試料７上の走査像３１を取得する工程と、該走査像３１を表示する工程と、表示された走査像３１内において指定された箇所（矩形領域３４）に対応する試料７上の部分にイオンビーム１０を照射する工程と、該イオンビーム１０の照射を継続しながら、該走査像３１の中心３６に対応する軸を回転軸としてイオンビームの回転偏向を行なう工程とを有し、イオンビーム１０が照射された試料７上の領域をエッチングする。
【００７２】
また、本発明における試料加工装置は、試料７上の走査像３１を取得する手段（電子検出器８及び画像データ作成部９）と、該走査像３１を表示する手段（表示部１９）と、表示された走査像３１内における任意の箇所を指定する手段（入力部２０）と、該走査像３１内において指定された箇所に対応する試料７上の部分にイオンビーム１０を照射する手段（イオンビーム鏡筒１２及び演算制御部１７等）と、該イオンビーム１０の照射を継続しながら、該走査像３１の中心３６に対応する軸を回転軸としてイオンビーム１０の回転偏向を行なう手段（イオンビーム鏡筒１２及び演算制御部１７等）とを備え、イオンビーム１０が照射された試料７上の領域をエッチングする。
【００７３】
このときのイオンビーム１０の回転偏向は、試料７上での該イオンビーム１０による当該部分の走査とともに行われる。
【００７４】
また、イオンビーム１０の回転偏向は、試料７上での該イオンビーム１０による当該部分のスポット照射とともに行われるようにすることもできる。
【００７５】
本発明においては、このような構成により、ベクタースキャン機能を備えない装置においても、エッチングされる矩形領域３４（３４ａ）もしくはスポット照射領域を、エッチング加工中に画像中心３６を中心軸として３６０°回転させることにより、試料７上での円周状の加工もしくは円形の加工が可能となる。ここで、円周状の加工によれば、例えば電子銃で用いられるのエミッタ等の微小部品の作成を行なうことができ、また円形の加工によれば、例えば微小な開口を備えるアパーチャを作成する（アパーチャのエッジ仕上げ等を行なう）ことができる。
【００７６】
この結果、ベクタースキャン機能を搭載するためのハードウエアを装置に追加することなく、円周状又は円形の加工が可能となり、装置のコストアップを招くことがない。
【００７７】
なお、ラスタースキャンとブランキング機能とを併用することにより、取得済みの走査画像に対応する試料上の領域全体を、エッチング加工時にイオンビームで走査するようにするとともに、試料上での加工対象領域となる円周部分もしくは円形部分にイオンビームが照射されるタイミングのみにブランキングを解除するように制御することによって、ベクタースキャン機能を備えない装置を用いて、円周状もしくは円形の加工も可能である。
【００７８】
しかしながら、この方法では、当該円周部分もしくは円形部分以外の試料上の領域に対応する走査時間（この走査時間の期間は、イオンビームはブランキングされている）が必要となり、長い加工時間が必要となる。
【００７９】
これに対して、本発明では、実際に加工される領域のみを順次走査してくので、短時間での加工が可能となる。
【符号の説明】
【００８０】
１…イオン銃、２…集束レンズ、３…対物レンズ、４…Ｈ方向偏向器、５…Ｖ方向偏向器、１ａ〜５ａ…駆動部、６…制限絞り、７…試料、８…電子検出器、９…画像データ作成部、１０…イオンビーム、１１…二次電子、１２…イオンビーム鏡筒、１３…バスライン、１４…Ｈ走査信号発生回路、１５…Ｖ走査信号発生回路、１６…回転走査変換回路、１７…演算制御部、１８…記憶部、１９…表示部、２０…入力部、２１…Ｈシフト信号発生回路、２２…Ｖシフト信号発生回路、２３…，２４…加算器、３１…走査画像、３２，３３…円、３４，３４ａ…矩形領域、３５…カーソル、３６…画像中心
【図１】
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【図２】
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