(57)【要約】【課題】共振型のＭＥＭＳデバイスの共振周波数を好適に設定することが可能なＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ミラーを支持して共振状態で揺動させる構造体と、構造体に接着される台座とを有するＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、測定工程と、補正量決定工程と、接着条件決定工程と、接着工程とを含む。測定工程では、構造体の寸法が測定される。補正量決定工程では、測定工程で測定された構造体の寸法から、測定工程で測定対象であった一の構造体を有するＭＥＭＳデバイスの共振周波数を、基準とする共振周波数にするまたは近似させるための補正量が決定される。接着条件決定工程では、補正量決定工程で決定された補正量から、一の構造体と台座とを接着するための接着条件が決定される。接着工程では、接着条件決定工程で決定された接着条件で、一の構造体と台座とが接着される。【選択図】図２
2011197162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミラーを支持して共振状態で揺動させる構造体と、前記構造体に接着される台座とを有するＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記構造体の寸法を測定する測定工程と、
前記測定工程で測定された前記構造体の寸法から、前記測定工程で測定対象であった一の構造体を有するＭＥＭＳデバイスの共振周波数を、基準とする共振周波数にするまたは近似させるための補正量を決定する補正量決定工程と、
前記補正量決定工程で決定された前記補正量から、前記一の構造体と前記台座とを接着するための接着条件を決定する接着条件決定工程と、
前記接着条件決定工程で決定された前記接着条件で、前記一の構造体と前記台座とを接着する接着工程とを含むことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記接着条件決定工程では、前記接着条件として、前記補正量から、前記一の構造体と前記台座とを接着する際の接着層の厚みを決定することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記接着条件決定工程では、前記接着条件として、前記補正量から、前記一の構造体と前記台座とを接着する際に用いる接着剤を、前記接着剤のヤング率から決定することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記接着条件決定工程では、前記接着条件として、前記補正量から、前記一の構造体と前記台座とを接着する際の接着層の厚みと、接着する際に用いる接着剤との組合せを決定するとともに、決定に際し、ヤング率の高い前記接着剤を含む前記組合せを優先することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記接着条件による共振周波数の変化を示す共振周波数シフト量と、前記接着条件との関係を定めた接着条件基準を、前記構造体の基準となる基準構造体を有するＭＥＭＳデバイスを対象として作成する条件基準作成工程を含み、
前記接着条件決定工程では、前記接着条件として、前記補正量に対応する前記共振周波数シフト量に関係付けられた一の接着条件を決定することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記条件基準作成工程では、前記接着条件として、前記一の構造体と前記台座とを接着する際の接着層の厚みそれぞれが、前記共振周波数シフト量それぞれに関係付けられた前記接着条件基準が作成され、
前記接着条件決定工程では、前記接着条件として、前記補正量に対応する前記共振周波数シフト量に関係付けられた一の接着層の厚みを決定することを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記条件基準作成工程では、前記接着条件として、前記一の構造体と前記台座とを接着する際に用いる、ヤング率の異なる接着剤それぞれが、前記共振周波数シフト量それぞれに関係付けられた前記接着条件基準が作成され、
前記接着条件決定工程では、前記接着条件として、前記補正量に対応する前記共振周波数シフト量に関係付けられた一の接着剤を決定することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
基準となる基準構造体の基準寸法に対して、寸法を所定値変化させ、変化させたそれぞれの寸法に関係付けて前記補正量が定められた共振周波数増減基準を作成する増減基準作成工程を含み、
前記補正量決定工程では、前記補正量として、前記一の構造体の寸法に対応した、前記共振周波数増減基準に含まれる寸法に関係付けられた一の補正量を決定することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光源と、光スキャナを備える光走査装置に関する提案がなされている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１の光走査装置の光スキャナは、フレーム基板と、固定部材と、ミラー基板に弾性部材を介して支持されたミラーとを有する。この光スキャナは、弾性部材を捻り回転軸としてミラーを往復振動させて光源からの照射光を偏向する。光スキャナは、ミラーと捻り回転軸としての弾性部材とで決まる固有の共振周波数を調節する調節手段を有する。特許文献１には、調節手段について、ミラーの端面を、ミラーの裏面側からＣＯ２レーザーによるレーザービームで照射し、これによる熱で、端面の微小質量を蒸発させる構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−８４２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１のような構成は、部材の加工精度のばらつきによって生じるミラーの共振周波数のばらつきを調節し、ミラーの振れ角を一定にすることができる点において、好適である。しかし、このような構成では、往復振動するミラーの質量を減少させているので、共振周波数を増加させる方向の調整しか行えない。また、レーザービームの照射が必要となる。さらに、レーザービームの照射によるミラーのひずみに対し、所定の対策が必要となる場合も想定される。
【０００５】
本発明は、共振型のＭＥＭＳデバイスの共振周波数を好適に設定することが可能なＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記従来の課題に鑑みなされた本発明の一側面は、ミラーを支持して共振状態で揺動させる構造体と、前記構造体に接着される台座とを有するＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、前記構造体の寸法を測定する測定工程と、前記測定工程で測定された前記構造体の寸法から、前記測定工程で測定対象であった一の構造体を有するＭＥＭＳデバイスの共振周波数を、基準とする共振周波数にするまたは近似させるための補正量を決定する補正量決定工程と、前記補正量決定工程で決定された前記補正量から、前記一の構造体と前記台座とを接着するための接着条件を決定する接着条件決定工程と、前記接着条件決定工程で決定された前記接着条件で、前記一の構造体と前記台座とを接着する接着工程とを含むことを特徴とする製造方法である。これによれば、ＭＥＭＳデバイスの共振周波数を好適に調整することができる。
【０００７】
このＭＥＭＳデバイスの製造方法は、次のような構成とすることもできる。すなわち、前記接着条件決定工程では、前記接着条件として、前記補正量から、前記一の構造体と前記台座とを接着する際の接着層の厚みを決定することを特徴としてもよい。これによれば、接着層の厚みによってＭＥＭＳデバイスの共振周波数を調整することができる。なお、発明者らは、接着層の厚みを変化させることで、共振周波数が調整できることを見出した。
【０００８】
また、前記接着条件決定工程では、前記接着条件として、前記補正量から、前記一の構造体と前記台座とを接着する際に用いる接着剤を、前記接着剤のヤング率から決定することを特徴としてもよい。これによれば、接着に用いる接着剤のヤング率から決定される一の接着剤によってＭＥＭＳデバイスの共振周波数を調整することができる。なお、発明者らは、接着剤のヤング率を変化させることで、共振周波数が調整できることを見出した。
【０００９】
また、前記接着条件決定工程では、前記接着条件として、前記補正量から、前記一の構造体と前記台座とを接着する際の接着層の厚みと、接着する際に用いる接着剤との組合せを決定するとともに、決定に際し、ヤング率の高い前記接着剤を含む前記組合せを優先することを特徴としてもよい。これによれば、接着層の厚みと、接着剤との組合せによってＭＥＭＳデバイスの共振周波数を調整することができる。組合せの決定に際し、ヤング率の高い接着剤が優先されるようにできる。
【００１０】
また、前記接着条件による共振周波数の変化を示す共振周波数シフト量と、前記接着条件との関係を定めた接着条件基準を、前記構造体の基準となる基準構造体を有するＭＥＭＳデバイスを対象として作成する条件基準作成工程を含み、前記接着条件決定工程では、前記接着条件として、前記補正量に対応する前記共振周波数シフト量に関係付けられた一の接着条件を決定することを特徴としてもよい。これによれば、接着条件基準から一の接着条件を決定することができる。
【００１１】
また、前記条件基準作成工程では、前記接着条件として、前記一の構造体と前記台座とを接着する際の接着層の厚みそれぞれが、前記共振周波数シフト量それぞれに関係付けられた前記接着条件基準が作成され、前記接着条件決定工程では、前記接着条件として、前記補正量に対応する前記共振周波数シフト量に関係付けられた一の接着層の厚みを決定することを特徴としてもよい。これによれば、接着条件基準から、接着条件として一の接着層の厚みを決定することができる。
【００１２】
また、前記条件基準作成工程では、前記接着条件として、前記一の構造体と前記台座とを接着する際に用いる、ヤング率の異なる接着剤それぞれが、前記共振周波数シフト量それぞれに関係付けられた前記接着条件基準が作成され、前記接着条件決定工程では、前記接着条件として、前記補正量に対応する前記共振周波数シフト量に関係付けられた一の接着剤を決定することを特徴としてもよい。これによれば、接着条件基準から、接着条件として所定のヤング率の一の接着剤を決定することができる。
【００１３】
また、基準となる基準構造体の基準寸法に対して、寸法を所定値変化させ、変化させたそれぞれの寸法に関係付けて前記補正量が定められた共振周波数増減基準を作成する増減基準作成工程を含み、前記補正量決定工程では、前記補正量として、前記一の構造体の寸法に対応した、前記共振周波数増減基準に含まれる寸法に関係付けられた一の補正量を決定することを特徴としてもよい。これによれば、共振周波数増減基準から一の補正量を決定することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、共振型のＭＥＭＳデバイスの共振周波数を好適に設定することが可能なＭＥＭＳデバイスの製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）はＭＥＭＳデバイスの平面図である。（ｂ）は図１（ａ）に示すＡ−Ａ断面図である。
【図２】ＭＥＭＳデバイスの製造方法の各工程を示す図である。
【図３】予想周波数変動テーブルを示す図である。
【図４】共振周波数シフトテーブルを示す図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、共振周波数シフトテーブルの作成に用いられる構造解析の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明を実施するための実施形態について、図面を用いて以下に詳細に説明する。本発明は、以下に記載の構成に限定されるものではなく、同一の技術的思想において種々の構成を採用することができる。例えば、以下に示す構成の一部は、省略しまたは他の構成などに置換してもよい。また、他の構成を含むようにしてもよい。
【００１７】
（ＭＥＭＳデバイス）
後述する本実施形態の製造方法によって作製され、図１（ａ），（ｂ）に示されるＭＥＭＳデバイス１０は、共振型の装置である。ＭＥＭＳデバイス１０は、構造体２０と台座５０とを有する。構造体２０は、弾性を有する導電性材料、具体的にはＳＵＳ３０４またはＳＵＳ４３０などのステンレス、チタンまたは鉄などの金属材料によって構成される。ただし、シリコン単結晶などの半導体材料が用いられても差し支えない。構造体２０は、ベース部２２と、２個のピエゾ素子３０と、耳部２８と、梁部３２と、ミラー部３４とを有する。ベース部２２には、開口部２４と、２個の開口部２６とが形成されている。開口部２４は、ミラー部３４が後述するような構成によって設置されるための空間となる。開口部２４は、図１（ａ）に示す第１方向および第２方向における構造体２０（ベース部２２）の中心部を含む範囲に形成されている。
【００１８】
２個のピエゾ素子３０は、それぞれベース部２２に固定されている。具体的に、２個のピエゾ素子３０は、第１方向において開口部２４を挟み、その両側となる各位置にそれぞれ固定されている。ピエゾ素子３０は、所定の電圧が印加されると変形する。構造体２０では、２個のピエゾ素子３０への電圧のオン・オフをそれぞれに対して繰り返して行い、ピエゾ素子３０をそれぞれ繰り返して変形させることで、共振状態が生成される。したがって、２個のピエゾ素子３０は、共振状態を生成するための駆動源として機能する。ピエゾ素子３０それぞれに対する電圧のオン・オフは、構造体２０を有するＭＥＭＳデバイス１０の共振周波数（以下、「ＭＥＭＳデバイス１０の共振周波数」ともいう。）に合わせたタイミングで行われる。
【００１９】
また、２個の開口部２６は、第１方向に細長い形状に形成されている。一の開口部２６は、２個のピエゾ素子３０の第１方向の一辺３０ａそれぞれに、その一部が対向するように形成されている。また、他の開口部２６は、２個のピエゾ素子３０の第１方向の一辺３０ｂそれぞれに、その一部が対向するように形成されている。耳部２８は、開口部２４と一の開口部２６とを隔て、開口部２４と一の開口部２６とが対向する部分と、開口部２４と他の開口部２６とを隔て、開口部２４と他の開口部２６とが対向する部分とに形成されている。耳部２８は、第２方向の幅（耳幅）の基準寸法がｔ１に設定されている。なお、耳幅ｔ１の基準寸法とは、耳部２８を設計した際の設計上の寸法（設計値）である。
【００２０】
梁部３２は、２箇所に形成された耳部２８それぞれから、第２方向にベース部２２の中心側に向けて、開口部２４を第１方向に分割するようにして形成されている。梁部３２は弾性部材によって形成されている。梁部３２は、第１方向の幅（梁幅）の基準寸法がｔ２に設定されている。なお、梁幅ｔ２の基準寸法とは、梁部３２を設計した際の設計上の寸法（設計値）である。梁部３２は、ベース部２２の中心部で、ミラー部３４を支持する。ミラー部３４には、ミラー３６が形成されている。ミラー３６は、入射される光を反射する反射面を含む。また、ミラー部３４は、質量調整部３８を有する。質量調整部３８は、ＭＥＭＳデバイス１０の共振周波数を増加させる場合、例えばＹＡＧレーザーの照射による切断など、所定の方法でカットされる。これによって、構造体２０の質量が軽くなり、共振周波数を増加させることができる。
【００２１】
台座５０は、側壁部５２と底部５４とからなり、凹状の形状を有する。台座５０は、ピエゾ素子３０が固定されているベース部２２の一方側の面とは反対側の他方側の面の外縁部において、構造体２０と接着剤で接着される。具体的に、構造体２０と台座５０とは、側壁部５２の構造体２０に対向する面と、ベース部２２の他方側の面とにおいて接着されている。構造体２０と台座５０とが接着された状態で、両者の間には厚みｔ３の接着層６０が形成される。構造体２０と台座５０とが接着された状態で、構造体２０と底部５４とは平行な位置関係となる。梁部３２によって支持されたミラー部３４は、台座５０の底部５４から浮き上がった状態となる。すなわち、ミラー部３４は、ＭＥＭＳデバイス１０において、梁部３２のみによって支持された状態となっている。
【００２２】
台座５０に接着された構造体２０において、２個のピエゾ素子３０による振動は、耳部２８を介して梁部３２に伝達される。具体的には、第１方向両端における構造体２０と台座５０との接着位置を固定端とし、第１方向の中心軸Ｌの位置を節とした定在波が、構造体２０に生じる。この定在波によって、梁部３２は第１方向の中心軸Ｌを中心として右および左回りに繰り返して捩じれる。梁部３２が捩じれると、これにともないミラー部３４は、中心軸Ｌを中心として梁部３２の捩じれの方向に対応した左右両方向に往復して振動（回転）する。ミラー部３４が左右両方向に往復して振動すると、その振動方向に対応した方向にミラー３６の反射面が揺動される。これによって、ＭＥＭＳデバイス１０に入射された光の走査が実現される。
【００２３】
（ＭＥＭＳデバイスの製造方法）
本実施形態のＭＥＭＳデバイス１０の製造方法は、図２に示す各工程を含む。ＭＥＭＳデバイス１０は、作業者がこれらの各工程を行い作製される。その際、図３に示す予想周波数変動テーブルと、図４に示す共振周波数シフトテーブルとが用いられる。これら各テーブルは、図２に示す各工程の実行に先立ち作成される。
【００２４】
予想周波数変動テーブルは、ベース部２２の板厚ごとに作成される。図３に示す予想周波数変動テーブルは、例えばベース部２２の板厚が１００μｍのときのテーブルである。予想周波数変動テーブルは、耳部２８の基準寸法と、梁部３２の基準寸法とを基準として、設計上許容される許容範囲内で、各基準寸法をそれぞれ変化させたときの、ＭＥＭＳデバイス１０の共振周波数の補正量（増減量）が登録されたテーブルである。
【００２５】
耳部２８と梁部３２とがともに設計値どおりの寸法（基準寸法）であるとき、すなわち、図３に示す予想周波数変動テーブルに基づけば、耳幅ｔ１について基準寸法からの差が０μｍであって、梁幅ｔ２について基準寸法からの差が０μｍであるとき、基準となる共振周波数からの補正量は０Ｈｚとなる。設計値どおりの構造体２０を有するＭＥＭＳデバイス１０が実現されているためである。これに対して、例えば、耳幅ｔ１が、耳幅ｔ１の基準寸法より１０μｍ幅広で、かつ梁幅ｔ２が、梁幅ｔ２の基準寸法より１０μｍ幅広であるとき、基準となる共振周波数からの補正量は３０Ｈｚとなる（図３で網掛けされた部分参照）。補正量が３０Ｈｚであるとは、ＭＥＭＳデバイス１０の共振周波数が、基準となる共振周波数と比較して３０Ｈｚだけ高くなることを示している。この予想周波数変動テーブルは、コンピュータを用いて所定の構造解析を行って作成される。なお、予想周波数変動テーブルにおいて、各基準寸法からの変化量の単位は、種々の点を考慮して決定される。例えば、図３の１０μｍ単位より細かく、例えば５μｍ単位で変化させてもよい。また、これより大きくさせてもよい。
【００２６】
共振周波数シフトテーブルは、構造体２０と台座５０との接着についての接着条件による共振周波数の変化を示す共振周波数シフト量と、接着条件との関係を定めたテーブルである。接着条件として、ヤング率が異なる接着剤（接着剤の種類）と、接着層６０の厚みｔ３とが設定されている。共振周波数シフトテーブルによれば、接着条件として、ヤング率が所定の値の接着剤を用い、かつ接着層６０の厚みｔ３を所定値としたとき、基準寸法の構造体２０を有するＭＥＭＳデバイス１０の共振周波数が、どれだけシフトするかを知ることができる。例えば、ヤング率が３．８ＧＰａの接着剤Ａを用い、接着層６０の厚みｔ３を１μｍとしたとき、共振周波数は、基準の共振周波数から７Ｈｚ低下する。なお、共振周波数シフトテーブルには、接着条件として、次に記載の構造解析で用いた解析条件が設定される。
【００２７】
この共振周波数シフトテーブルは、コンピュータを用いて所定の構造解析を行って作成される。構造解析は、基準寸法の構造体２０を有するＭＥＭＳデバイス１０を対象とし、かつ接着剤のヤング率と接着層６０の厚みｔ３とを解析条件に設定して行われる。なお、接着剤のヤング率および／または接着層６０の厚みｔ３との解析条件は、種々の点を考慮して、各値が決定される。構造解析の結果、例えば図５（ａ）のような結果が得られる。すなわち、構造解析の結果、接着層６０の厚みｔ３が０μｍである場合、つまり基準寸法の構造体２０を有し、かつ接着層６０が形成されていないＭＥＭＳデバイス１０を基準として、接着層６０の厚みｔ３を増加させたときのＭＥＭＳデバイス１０の共振周波数の変化率が求められる。この結果は、接着剤のヤング率ごとに求められる。また、基準寸法の構造体２０を有し、かつ接着層６０が形成されていないＭＥＭＳデバイス１０の共振周波数が求められる。図５（ａ）に示すグラフから、図５（ｂ）の各値が得られる。そして、図５（ｂ）に示す各値から、共振周波数シフトテーブルに登録された共振周波数シフト量がそれぞれ算出される。なお、図５（ａ），（ｂ）に示す結果が得られた構造解析では、接着層６０の厚みｔ３が０μｍであるとき、基準寸法の構造体２０を有するＭＥＭＳデバイス１０の共振周波数として、２９８１Ｈｚが求められている。
【００２８】
例えば、接着剤のヤング率が３．８ＧＰａで、接着層６０の厚みｔ３が０μｍであるときの共振周波数は、上述したとおり図５（ｂ）より、２９８１Ｈｚとなる。また、接着剤のヤング率が３．８ＧＰａで、接着層６０の厚みｔ３が１μｍであるときの共振周波数は、図５（ｂ）より、２９７４Ｈｚとなる。したがって、接着剤のヤング率が３．８ＧＰａであるとき、接着層６０の厚みｔ３を１μｍに設定すると、共振周波数は７Ｈｚ低下する。この結果に基づき、ヤング率が３．８ＧＰａの接着剤Ａを用い、接着層６０の厚みｔ３を１μｍとしたときの共振周波数として、共振周波数シフトテーブルには−７Ｈｚ（２９７４−２９８１）が登録される。また、図５（ｂ）より、接着剤のヤング率が３．８ＧＰａで、接着層６０の厚みｔ３が３μｍであるときの共振周波数は、２９６９Ｈｚであるから、ヤング率が３．８ＧＰａの接着剤Ａを用い、接着層６０の厚みｔ３を３μｍとしたときの共振周波数シフト量として、共振周波数シフトテーブルには−１２Ｈｚ（２９６９−２９８１（ヤング率が３．８ＧＰａ，接着層６０の厚みｔ３が０μｍのときの共振周波数））が登録される。
【００２９】
さらに、図５（ｂ）より、接着剤のヤング率が０．５ＧＰａで、接着層６０の厚みｔ３が１０μｍであるときの共振周波数は、２９３６Ｈｚであるから、ヤング率が０．５ＧＰａの接着剤Ｅを用い、接着層６０の厚みｔ３を１０μｍとしたときの共振周波数シフト量として、共振周波数シフトテーブルには−４５Ｈｚ（２９３６−２９８１（ヤング率が０．５ＧＰａ，接着層６０の厚みｔ３が０μｍのときの共振周波数））が登録される。この他についても上記同様の手法により、各ヤング率の接着剤において、接着層６０の厚みｔ３（０μｍ以外）における共振周波数から、接着層６０の厚みｔ３が０μｍのときの共振周波数を減じて算出された値が、共振周波数シフト量として共振周波数シフトテーブルにそれぞれ登録される。
【００３０】
なお、図５（ａ），（ｂ）から明らかなとおり、接着剤のヤング率に関わらず、接着層６０の厚みｔ３が増すにつれて共振周波数が低下する。接着層６０の厚みｔ３が０μｍ〜１０μｍに変化させたとき、約２０Ｈｚ〜４５Ｈｚの範囲で共振周波数を変化させることができる。したがって、ＭＥＭＳデバイス１０の作製時において、０．５％〜１．５％の精度で共振周波数の調整が可能となる。そのため、構造体２０の作製段階で、構造体２０の形状の差による選別作業が必要なくなり、構造体２０の歩留まりを向上させることができる。また、ヤング率の高い接着剤では、接着層６０の厚みｔ３の変化に対する共振周波数の変化率が小さくなる。したがって、ヤング率の高い接着剤を用いると、より精細に共振周波数を調整することができる。一方、ヤング率の低い接着剤では、接着層６０の厚みｔ３の変化に対する共振周波数の変化率が大きくなる。したがって、ヤング率の低い接着剤を用いると、共振周波数を幅広く調整することができる。
【００３１】
図３に示す予想周波数変動テーブルと、図４に示す共振周波数シフトテーブルとが作成された状態において、この製造方法では、まず、台座５０に接着される一の構造体２０が選択される。そして、選択された一の構造体２０の各部の寸法が測定される（Ｓ１００）。測定には所定の計測装置が用いられる。具体的に、選択された一の構造体２０を対象として、ベース部２２の板厚と、耳幅ｔ１と、梁幅ｔ２とが測定される。
【００３２】
次に、Ｓ１００で測定された構造体２０の各部の寸法にしたがって補正量が決定される（Ｓ１０２）。補正量とは、Ｓ１００で測定対象となった一の構造体２０を有するＭＥＭＳデバイス１０の共振周波数を、基準とする共振周波数にするまたは近似させるためのものである。Ｓ１０２では、Ｓ１００で測定されたベース部２２の板厚に一致または最も近似した予想周波数変動テーブルが選択される。上述のとおり予想周波数変動テーブルは、ベース部２２の板厚ごとに作成されている。また、Ｓ１００で測定された耳幅ｔ１と、耳幅ｔ１の基準寸法との差が求められる。さらに、Ｓ１００で測定された梁幅ｔ２と、梁幅ｔ２の基準寸法との差が求められる。そして、作業者は、選択された板厚の予想周波数変動テーブルから、求められた耳幅ｔ１の差と梁幅ｔ２の差とを用いて補正量を決定する。例えば、Ｓ１００で測定対象となった一の構造体２０について、ベース部２２の板厚が１００μｍで、耳幅ｔ１が耳幅ｔ１の基準寸法より１０μｍ幅広で、かつ梁幅ｔ２が梁幅ｔ２の基準寸法より１０μｍ幅広であるとき、図３に示す板厚１００μｍのときの予想周波数変動テーブルから、耳幅ｔ１が１０μｍの行と、梁幅ｔ２が１０μｍの列とが交差する部分に登録された補正量３０Ｈｚが決定される（図３で網掛けされた部分参照）。
【００３３】
Ｓ１０２を実行した後、作業者は、Ｓ１０２で決定された補正量がプラスの値であるか、マイナスの値であるかを判断する（Ｓ１０４）。判断の結果、補正量がプラスの値である場合（Ｓ１０４：補正量  ＋）、作業者は、つづけてＳ１０６を実行する。一方、補正量がプラスの値である場合（Ｓ１０４：補正量  −）、作業者は、工程をＳ１１２に移行し、Ｓ１１２を実行する。
【００３４】
Ｓ１０６で作業者は、共振周波数シフトテーブルを参照し、Ｓ１０２で決定した補正量に対応した共振周波数シフト量を決定する。ここで、補正量に対応した共振周波数シフト量とは、補正量に−１をかけた値と同一またはこれに最も近似した値の共振周波数シフト量である。例えば、Ｓ１０２で決定された補正量が３０Ｈｚであった場合を例に、Ｓ１０６の工程を具体的に説明する。作業者は、補正量が３０Ｈｚであったことから、Ｓ１００で測定対象となった一の構造体２０を有するＭＥＭＳデバイス１０については、共振周波数が基準となる共振周波数に対して３０Ｈｚ高くなることを認識する。その一方で、作業者は、接着条件として、共振周波数を３０Ｈｚ低下させることができる接着剤および接着層６０の厚みｔ３の組合せが決定されなければならないことを理解する。したがって、作業者は、共振周波数シフトテーブルを参照し、補正量３０Ｈｚに対応した共振周波数シフト量として、−３０Ｈｚまたは−３０Ｈｚに最も近似した値を見つけ出すこととする。図４に示す共振周波数シフトテーブルによれば、補正量３０Ｈｚに対応した共振周波数シフト量として、−３０Ｈｚに一致した−３０Ｈｚが決定される（図４で太線枠が交差し網掛けされた部分参照）。
【００３５】
Ｓ１０６を実行した後、作業者は、接着条件としてＳ１０６で決定された共振周波数シフト量に関係付けられた接着剤および接着層６０の厚みｔ３を決定する。例えば、Ｓ１０６で共振周波数シフト量として−３０Ｈｚが決定されていた場合、作業者は、接着条件として、構造体２０と台座５０との接着に用いる接着剤の種類をヤング率が０．５ＧＰａの接着剤Ｅに決定し、接着層６０の厚みｔ３を３μｍに決定する（図４で網掛けされた部分参照）。なお、Ｓ１０６で複数の共振周波数シフト量が発見された場合、作業者は、ヤング率が高い接着剤を優先させる。例えば、補正量が１３Ｈｚ（図３では不図示）であって、共振周波数シフトテーブルに、ヤング率が異なる接着剤それぞれに関係付けて、２個の−１４Ｈｚ（接着剤Ｂ（ヤング率３ＧＰａ）で接着層６０の厚みｔ３が３μｍ、接着剤Ｄ（ヤング率１ＧＰａ）で接着層６０の厚みｔ３が１μｍ）と、１個の−１２Ｈｚ（接着剤Ａ（ヤング率３．８ＧＰａ）で接着層６０の厚みｔ３が３μｍ）とがそれぞれ登録されているような場合（図４参照）、ヤング率が高い接着剤Ａを、構造体２０と台座５０との接着に用いる接着剤として決定する。また、決定された接着剤Ａに関連する−１２Ｈｚに関係付けて登録された接着層６０の厚みｔ３として、３μｍを決定する。
【００３６】
この他、例えば、補正量が２１Ｈｚ（図３では不図示）であって、共振周波数シフトテーブルに、ヤング率が異なる接着剤それぞれに関係付けて、３個の−２１Ｈｚ（接着剤Ａ（ヤング率３．８ＧＰａ）で接着層６０の厚みｔ３が１０μｍ、接着剤Ｂ（ヤング率３ＧＰａ）で接着層６０の厚みｔ３が８μｍ、接着剤Ｃ（ヤング率２ＧＰａ）で接着層６０の厚みｔ３が５μｍ）がそれぞれ登録されているような場合（図４参照）、ヤング率が高い接着剤Ａを、構造体２０と台座５０との接着に用いる接着剤として決定する。また、接着層６０の厚みｔ３として、１０μｍを決定する。そして、作業者は、Ｓ１１２の工程を実行する。
【００３７】
Ｓ１１２で作業者は、構造体２０と台座５０とを接着し、ＭＥＭＳデバイス１０を作製する（Ｓ１１２）。具体的には次のようにして行われる。例えば、製造に用いられる構造体２０が、Ｓ１０４の判断で補正量がマイナスであると判断（Ｓ１０４：補正量  −）されたものである場合、作業者は、予め定められた接着条件、すなわち予め定められた接着剤を用い、かつ接着層６０の厚みｔ３が所定の厚みとなるようにして構造体２０と台座５０とを接着する。
【００３８】
これに対して、Ｓ１０４で補正量がプラスであると判断（Ｓ１０４：補正量  ＋）され、Ｓ１１０で接着条件が決定されていた場合、作業者は、Ｓ１１０で決定された接着剤を用い、かつ接着層６０の厚みｔ３が決定された厚みとなるようにして構造体２０と台座５０とを接着する。また、Ｓ１１２で作業者は、作製されたＭＥＭＳデバイス１０の共振周波数を測定する。
【００３９】
共振周波数を測定した後、得られた共振周波数が規定値より低いものであるかについて判断する（Ｓ１１４）。判断の結果、規定値以上である場合（Ｓ１１４：Ｎｏ）、作業者は、Ｓ１００で測定対象となった一の構造体２０を用いたＭＥＭＳデバイス１０の製造を完了する。これによって、１台のＭＥＭＳデバイス１０が完成する。一方、測定された共振周波数が規定値より低い場合（Ｓ１１４：Ｙｅｓ）、作業者は、Ｓ１１６の工程を実行する。
【００４０】
Ｓ１１６で作業者は、Ｓ１１４の判断が肯定（Ｓ１１４：Ｙｅｓ）されたＭＥＭＳデバイス１０を所定の装置にセットする。そして、このＭＥＭＳデバイス１０が有するミラー部３４の質量調整部３８を所定量カットする。これによって、共振周波数が規定値より低いと判断されたＭＥＭＳデバイス１０について、共振周波数をアップさせることができる。Ｓ１１６を実行した後、作業者は、１台のＭＥＭＳデバイス１０の製造を完了する。
【００４１】
（変形例）
本実施形態の構成は、次のようにすることもできる。すなわち、上記では、接着条件として、所定のヤング率の接着剤を決定し、接着層６０の厚みｔ３を決定するＭＥＭＳデバイス１０の製造方法を例に説明した。しかし、接着条件を、これらのいずれか一方とした製造方法としてもよい。例えば図５（ａ）から明らかなとおり、ヤング率が変化しなくとも、接着層６０の厚みｔ３を変化させることで共振周波数を変化させることができる。また、接着層６０の厚みｔ３が変化しなくとも、接着剤のヤング率を変化させることで、共振周波数を変化させることができる。
【００４２】
この変形例の製造方法によれば、図３の予想周波数変動テーブルと図４の共振周波数シフトテーブルとは、上記構成に対応した形式のテーブルとなる。具体的に、予想周波数変動テーブルには、接着剤または接着層６０の厚みｔ３に関係付けて補正量が登録される。また、共振周波数シフトテーブルには、接着剤または接着層６０の厚みｔ３に関係付けて共振周波数シフト量が登録される。そして、図２に示すＭＥＭＳデバイス１０の製造方法のＳ１１０では、接着条件として、接着剤または接着層６０の厚みｔ３が決定される。Ｓ１１２では、決定された接着剤または接着層６０の厚みｔ３にしたがい構造体２０と台座５０とが接着される。
【００４３】
また、本実施形態の構成は、次のようにすることもできる。すなわち、上記では、図１に示される形状のＭＥＭＳデバイス１０を用いて説明が行われた。しかし、本発明は、接着条件によって共振型のＭＥＭＳデバイスの共振周波数を好適に設定する点に特徴がある。そのため、ＭＥＭＳデバイスの形状は、図１に示されるＭＥＭＳデバイス１０の形状に限定されず、任意の形状であってよい。例えば、特開２００６−２９３１１６号公報などに記載のＭＥＭＳデバイスのように、ミラーが片持ち支持されてもよい。あるいは、例えば特開２００３−５７５８６号公報に記載のＭＥＭＳデバイスのように、圧電駆動部の設けられた二股状の撓み梁を有し、撓み梁の撓みを介してミラーが揺動されるような構成が採用されてもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１０  ＭＥＭＳデバイス
２０  構造体
２２  ベース部
２８  耳部
３０  ピエゾ素子
３２  梁部
３４  ミラー部
３６  ミラー
５０  台座
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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