(57)【要約】【課題】平坦化膜に形成されたコンタクトホールによる窪みの影響を解消することにより、良好な発光層が形成された有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】駆動素子を含むＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０の上に形成された平坦化膜１１と、平坦化膜１１の上方ならびに平坦化膜１１に設けられたコンタクトホール２３の底部及び側壁に形成され、コンタクトホール２３を介して上記駆動素子と電気的に接続された反射陽極１２と、反射陽極１２の上に形成された有機発光層１６と、有機発光層１６の上に形成された透明陰極１８と、反射陽極１２と有機発光層１６との間に設けられることにより、発光電流が流れない非発光領域を形成する画素規制層１４とを備え、画素規制層１４はコンタクトホール２３の上部に充填され、画素規制層１４の表面は平坦化されている。【選択図】図１
2011076804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に形成された、駆動素子を含む駆動回路層と、
前記駆動回路層の上方に形成された平坦化膜と、
前記平坦化膜の上方、ならびに、当該平坦化膜に設けられたコンタクトホールの底部及び側壁に形成され、前記コンタクトホールを介して前記駆動素子と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極の上方に形成された有機発光層と、
前記有機発光層の上方に形成された対向電極と、
前記画素電極と前記有機発光層との間に設けられることにより、発光電流が流れない非発光領域を形成する画素規制層とを備え、
前記画素規制層は前記コンタクトホールの上部に充填され、前記画素規制層の上部表面は当該画素規制層の形成領域にわたり、平坦化されている
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記画素規制層の下層であって当該画素規制層と接する層の発光領域における表面高さと、前記画素規制層の表面高さとの差は、５００ｎｍ以内である
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記画素電極は、発光画素ごとに分離形成されており、
前記画素規制層は、隣接する前記画素電極の間の領域に充填されている
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
さらに、
前記画素規制層の一部の上方に形成され、前記有機発光層の形成領域を分離する隔壁層を備え、
前記コンタクトホールは、前記隔壁層の形成されていない前記非発光領域に形成されている
請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記隔壁層は、前記画素規制層で区画された複数の発光領域を挟むように配置されたライン状の隔壁層である
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記画素規制層及び前記隔壁層で区画された複数の発光領域が２次元状に配置され、
前記ライン状の隔壁層は、前記複数の発光領域のうち１次元状に配置された複数の発光領域を挟むように配置されている
請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記ライン状の隔壁層で挟まれた領域に配置された複数の発光領域は、同じ色である
請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
基板上に形成された駆動回路層の上方に、当該駆動回路層の有する駆動素子と上層とを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられた平坦化膜を形成する第１工程と、
前記平坦化膜の上方ならびに前記コンタクトホールの底部及び側壁に画素電極を形成する第２工程と、
前記画素電極の上方であって、前記コンタクトホールが形成された領域を含む非発光領域に、前記コンタクトホールの窪みの深さ以上の膜厚を有する絶縁体層を形成する第３工程と、
前記絶縁体層の表面の凸部をエッチバックすることにより、前記絶縁体層の表面全体が平坦化された、発光電流が流れない画素規制層を形成する第４工程と、
前記画素規制層の上方に、有機機能層を形成する第５工程と、
前記有機機能層の上方に、対向電極を形成する第６工程とを含む
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記有機機能層は、有機発光層を含み、
さらに、前記画素規制層の一部の上方に、前記有機発光層の形成領域を分離するための複数の隔壁層を所定の面間隔で形成し、前記複数の隔壁層の形成後に、当該複数の隔壁層で挟まれた領域に前記有機発光層を形成する
請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下ＥＬと記す）表示装置およびその製造方法に関し、特に、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、有機化合物の電界発光現象を利用した発光表示装置であり、画素ごとに独立に発光制御可能な有機ＥＬ素子を基板上に配置して構成される。典型的な有機ＥＬ装置は、基板上に、駆動回路、陽極、有機機能層、陰極を積層することで作製される。有機機能層には、有機化合物からなる有機発光層とともに、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層などの複数の機能層のうちの１つ以上が積層される。
【０００３】
このような構成において、陽極および陰極から正孔注入層などを介して発光層へ電荷が注入され、注入された電荷が発光層内で再結合することによって、発光が生じる。有機発光層は、均一な膜厚で形成されることが重要である。なぜなら、発光層の厚さが不均一であると、発光面内での電流分布が不均一となって輝度ムラが生じ、また、薄い部分への電流集中による素子寿命の低下の原因となるからである。
【０００４】
発光層は、例えば、有機発光層となるべき有機化合物を含む機能液を基板に塗布し、乾燥させることで形成される。機能液の貯留および乾燥によって形成される機能膜は、有機ＥＬ素子の有機発光層に限らず、各種の装置に利用されており、厚さの均一性に優れた機能膜を形成するための種々の技術が検討されている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、基板上に隔壁を形成し、隔壁で画素ごとに区切られた空間（液体受容部と呼ばれる）に機能膜となるべき機能液を貯留、乾燥させて機能膜を形成する構成および製造方法が開示されている。機能液は、例えばインクジェット法により、液体受容部に配置される。
【０００６】
また、駆動回路は、有機ＥＬ素子を個別に駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などで構成されている。これにより、有機ＥＬ表示装置は、上記駆動回路により有機ＥＬ素子に所望の電圧を印加し電流を流すことにより所望の画像を表示させる。
【０００７】
アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置として、例えば、陰極側から発光を取り出す上面発光方式では、駆動回路のＴＦＴを基板と有機ＥＬ素子との間に形成することにより、十分な開口率を確保している。
【０００８】
特許文献２では、下層であるＴＦＴを有する駆動部と上層である液晶を有する発光部との間に無機絶縁膜が形成され、当該無機絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、駆動部のＴＦＴと発光部の画素電極とが電気的に接続されている。
【０００９】
また、特許文献３では、有機半導体を発光素子としたアクティブマトリクス型表示装置の構成が開示されている。下層であるＴＦＴのソースドレイン領域の一方には、第１の層間絶縁膜のコンタクトホールを介して、データ線と同時形成された中継電極が電気的に接続され、この中継電極には第２の層間絶縁膜のコンタクトホールを介して薄膜発光素子のＩＴＯ膜からなる透明な画素電極が電気的に接続されている。
【００１０】
特許文献２及び特許文献３では、基板上に、ＴＦＴ、平坦化膜、画素電極を順に形成し、平坦化膜にコンタクトホールを形成することで、ＴＦＴと画素電極とを電気的に接続し、上面発光方式の表示装置を構成していることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−１０３３４９号公報
【特許文献２】特開２００３−３０２９１７号公報
【特許文献３】特開２００４−１７７９７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、下層である駆動回路と上層である有機ＥＬ素子の画素電極とをコンタクトホールで電気的に接続するという構造の場合、以下のような課題を有する。
【００１３】
図６（ａ）は、従来の有機ＥＬ表示装置の平面構成図であり、図６（ｂ）は、従来の有機ＥＬ表示装置のＺ−Ｚ’における断面構成図である。図６（ａ）に記載された有機ＥＬ表示装置は、発光領域、非発光領域及び隔壁層１２２を有する。単位画素である発光領域は２次元状に配置され、隣接する発光領域は、非発光領域または隔壁層１２２で分離されている。隔壁層１２２は、ライン状のバンクを形成している。よって隔壁層１２２は、１行または１列に並ぶ複数の発光領域を挟んでいる。この場合、コンタクトホールを隔壁層１２２の下に設けず、例えば、同じ隔壁層１２２で挟まれた領域のうち、発光領域が存在しない非発光領域にコンタクトホール１２３が設けられている。
【００１４】
図６（ｂ）に記載された断面図のように、有機ＥＬ表示装置は、ＴＦＴ基板１１０の上に平坦化膜１１１が形成されている。平坦化膜１１１には、上層の有機発光素子の反射陽極１１２とＴＦＴ基板１１０とを電気的に接続するためのコンタクトホール１２３が設けられている。このとき、平坦化膜１１１の膜厚に比べて、反射陽極１１２の膜厚が小さいため、反射陽極１１２は平坦化膜１１１の表面、コンタクトホール１２３の底部及び側壁に形成されている。また、反射陽極１１２の上に、透明金属膜１１３、画素規制層１１４、正孔注入層１１５及び隔壁層１２２が、この順で積層されている。以降、有機発光層１１６、電子輸送層１１７、透明陰極１１８、封止層１１９、樹脂層１２０及びＣＦ基板１２１がこの順で積層されている。
【００１５】
ここで、コンタクトホール１２３において、正孔注入層１１５の上部には窪みが発生しているため、例えば、湿式製膜法により有機発光層を形成する場合には、当該窪みに有機発光層材料が流れ込むことにより、発光層の材料が余分に必要になるとともに発光層の膜厚の制御が困難になるという課題がある。また、コンタクトホール１２３への有機発光層材料の流れ込みにより、コンタクトホール１２３の近傍では有機発光層１１６の平坦性が確保されない。そのため、例えば、発光領域と非発光領域との境界部において有機発光層１１６の膜厚が小さくなり、発光領域内で発光輝度のムラが発生するという課題がある。
【００１６】
また、図６に記載された構成ではなく、コンタクトホールを隔壁層の下に形成する構成が考えられるが、当該コンタクトホールによる窪みを隔壁層で覆うと、隔壁層上部に窪みが発生する。この場合、インクジェット方式等を用いて有機発光層のもとになる材料を上方から滴下すると、一部の滴下材料が隔壁層上部の窪みに溜まってしまい、発光領域に流れ込まない状態になることがわかった。これでは発光材料が余分に必要になり、また滴下量を精度良く制御できないため、発光層等の膜厚の精度が低下することにもなる。
【００１７】
これらの課題を解決するため、本発明は、有機ＥＬ表示装置において、平坦化膜に形成されたコンタクトホールによる窪みの影響を解消することにより、良好な発光層を形成することを目的とする。さらに、上記コンタクトホールによる窪みの影響を解消するためのより簡易な製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、基板と、前記基板の上方に形成された、駆動素子を含む駆動回路層と、前記駆動回路層の上方に形成された平坦化膜と、前記平坦化膜の上方、ならびに、当該平坦化膜に設けられたコンタクトホールの底部及び側壁に形成され、前記コンタクトホールを介して前記駆動素子と電気的に接続された画素電極と、前記画素電極の上方に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上方に形成された対向電極と、前記画素電極と前記有機発光層との間に設けられることにより、発光電流が流れない非発光領域を形成する画素規制層とを備え、前記画素規制層は前記コンタクトホールの上部に充填され、前記画素規制層の上部表面は当該画素規制層の形成領域にわたり、平坦化されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の有機ＥＬ表示装置およびその製造方法によれば、駆動回路層と画素電極との間に形成された平坦化膜に設けられたコンタクトホールの窪みを、画素規制層で平坦化することにより、当該窪みに有機発光層材料が流れ込むことを防止できる。よって、有機発光層の膜厚を高精度に制御でき、有機発光層の膜厚が均一化され、発光輝度のムラを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面構成図である。（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置のＸ−Ｘ’における断面構成図である。（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置のＹ−Ｙ’における断面構成図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ表示装置及びその製造方法が用いられるＴＶの外観図である。
【図６】（ａ）は、従来の有機ＥＬ表示装置の平面構成図である。（ｂ）は、従来の有機ＥＬ表示装置のＺ−Ｚ’における断面構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、基板と、前記基板の上方に形成された、駆動素子を含む駆動回路層と、前記駆動回路層の上方に形成された平坦化膜と、前記平坦化膜の上方、ならびに、当該平坦化膜に設けられたコンタクトホールの底部及び側壁に形成され、前記コンタクトホールを介して前記駆動素子と電気的に接続された画素電極と、前記画素電極の上方に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上方に形成された対向電極と、前記画素電極と前記有機発光層との間に設けられることにより、発光電流が流れない非発光領域を形成する画素規制層とを備え、前記画素規制層は前記コンタクトホールの上部に充填され、前記画素規制層の上部表面は当該画素規制層の形成領域にわたり、平坦化されている。
【００２２】
本態様によれば、非発光領域に設けられ、駆動素子と画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールの上部に発生した窪みを、画素規制層にて平坦化している。つまり、有機発光層が形成される前段階で当該有機発光層の下地層が平坦化されているので、上記窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層の膜厚を高精度に制御できる。また、コンタクトホールへの有機発光層材料の流れ込みがないことにより、コンタクトホールの近傍でも有機発光層の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。
【００２３】
さらに、本発明の一態様は、前記画素規制層の下層であって当該画素規制層と接する層の発光領域における表面高さと、前記画素規制層の表面高さとの差は、５００ｎｍ以内である。
【００２４】
本態様によれば、発光領域と非発光領域との境界部において、平坦化された画素規制層の膜厚分だけ段差が発生するが、当該段差高さが５００ｎｍ以内であることにより、有機発光層の膜厚制御の精度が低下することがない。また、上記段差の近傍でも有機発光層の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。
【００２５】
さらに、本発明の一態様によれば、前記画素電極は、発光画素ごとに分離形成されており、前記画素規制層は、隣接する前記画素電極の間の領域に充填されていてもよい。
【００２６】
上面発光方式の有機ＥＬ表示装置では、有機発光層の下側に形成された反射陽極は発光画素ごとに分離形成されている。この反射陽極である画素電極の間には、段差を有する領域が発生し、当該領域の上部にも窪みが発生する。
【００２７】
本態様によれば、画素電極の間の領域に発生した窪みは、画素規制層により充填され平坦化される。よって、上記コンタクトホール上の画素規制層の平坦化の効果と同様、有機発光層が形成される前段階で当該有機発光層の下地層が平坦化されているので、上記窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層の膜厚を高精度に制御できる。また、画素電極の間の領域への有機発光層材料の流れ込みがないことにより、当該領域の近傍でも有機発光層の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。
【００２８】
また、本発明の一態様によれば、さらに、前記画素規制層の一部の上方に形成され、前記有機発光層の形成領域を分離する隔壁層を備え、前記コンタクトホールは、前記隔壁層の形成されていない前記非発光領域に形成されていてもよい。
【００２９】
本態様によれば、コンタクトホールは、隔壁層の下でなく、発光領域を分離する非発光領域に形成されている。
【００３０】
さらに、本発明の一態様によれば、前記隔壁層は、前記画素規制層で区画された複数の発光領域を挟むように配置されたライン状の隔壁層であってもよい。
【００３１】
本態様によれば、隔壁層が一列または一行の発光画素を挟み込むようなライン上のバンク構造であり、当該隔壁層で挟まれた領域に、同色の有機発光層材料を流し込む場合が該当する。この場合には、上記コンタクトホールの上部にも有機発光層が形成される。よって、有機発光層の下地である画素規制層が平坦化されていることにより、隔壁層で挟まれた複数の発光画素の有する有機発光層の膜厚を均一に制御できる。
【００３２】
また、本発明の一態様によれば、前記画素規制層及び前記隔壁層で区画された複数の発光領域が２次元状に配置され、前記ライン状の隔壁層は、前記複数の発光領域のうち１次元状に配置された複数の発光領域を挟むように配置されていてもよい。
【００３３】
本態様によれば、有機ＥＬディスプレイなどに用いられる発光パネルに代表される、発光画素が２次元状に配置された場合、２次元状に配置された全発光画素にわたり、有機発光層の膜厚を高精度に制御できる。また、全発光画素において、有機発光層の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。
【００３４】
また、本発明の一態様によれば、前記ライン状の隔壁層で挟まれた領域に配置された複数の発光領域は、同じ色であってもよい。
【００３５】
本態様によれば、ライン状の隔壁層で挟まれた領域に配置された複数の発光領域は、同じ色である。よって、当該領域には、有機発光層材料を一度に流し込むことが可能となる。この場合、画素規制層が平坦化されていることにより、当該有機発光層材料の偏在がなく、また不要部への流れ込みも発生しないので、上記領域において有機発光層の膜厚を高精度に制御できる。また、上記領域において、有機発光層の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。
【００３６】
また、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板上に形成された駆動回路層の上方に、当該駆動回路層の有する駆動素子と上層とを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられた平坦化膜を形成する第１工程と、前記平坦化膜の上方ならびに前記コンタクトホールの底部及び側壁に画素電極を形成する第２工程と、前記画素電極の上方であって、前記コンタクトホールが形成された領域を含む非発光領域に、前記コンタクトホールの窪みの深さ以上の膜厚を有する絶縁体層を形成する第３工程と、前記絶縁体層の表面の凸部をエッチバックすることにより、前記絶縁体層の表面全体が平坦化された、発光電流が流れない画素規制層を形成する第４工程と、前記画素規制層の上方に、有機機能層を形成する第５工程と、前記有機機能層の上方に、対向電極を形成する第６工程とを含む。
【００３７】
本態様によれば、非発光領域に設けられ、駆動素子と画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールの上部に発生した窪みを、画素規制層にて平坦化している。つまり、有機発光層が形成される前段階で当該有機発光層の下地層が平坦化されているので、上記窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層の膜厚を高精度に制御できる。また、コンタクトホールへの有機発光層材料の流れ込みがないことにより、コンタクトホールの近傍でも有機発光層の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。
【００３８】
また、加熱などのプロセス要因によりダメージを受けやすい有機発光層を形成する前段階で、かつ、簡易的なプロセスにて画素規制層の平坦化プロセスを実施できる。
【００３９】
また、本発明の一態様によれば、前記有機機能層は、有機発光層を含み、さらに、前記画素規制層の一部の上方に、前記有機発光層の形成領域を分離するための複数の隔壁層を所定の面間隔で形成し、前記複数の隔壁層の形成後に、当該複数の隔壁層で挟まれた領域に前記有機発光層を形成してもよい。
【００４０】
本態様によれば、画素規制層の平坦化により有機発光層を形成する領域の平坦性が向上するだけでなく、隔壁層上部の形状も平坦化させることが可能となる。これにより、インクジェット方式等を用いて有機発光層のもとになる材料を上方から滴下する場合、一部の滴下材料が隔壁層上部の窪みに溜まってしまい、発光領域に流れ込まないという状態を回避できる。よって、発光材料を余分に必要とせず、滴下量を精度良く制御でき、有機発光層の膜厚を高精度に制御することが可能となる。
【００４１】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００４２】
図１（ａ）は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面構成図である。また、図１（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置のＸ−Ｘ’における断面構成図である。また、図１（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置のＹ−Ｙ’における断面構成図である。
【００４３】
図１（ａ）に記載された有機ＥＬ表示装置１は、単位画素が２次元状に配置されており、発光領域、非発光領域、隔壁層２２およびコンタクトホール２３を有する。一単位画素は、非発光領域及び隔壁層２２に囲まれた一発光領域を有する。隔壁層２２は、ライン状のバンクを形成している。よって隔壁層２２は、１行または１列に並ぶ複数の発光領域を挟んでいる。図１（ａ）では、コンタクトホールを隔壁層２２の下に設けず、例えば、同じ隔壁層２２で挟まれた領域のうち、発光領域が存在しない非発光領域にコンタクトホール２３が設けられている。なお、コンタクトホール２３は、隔壁層２２の下に設けられていてもよい。
【００４４】
図１（ｂ）は、非発光領域及び隔壁層が形成された領域の断面図であり、図１（ｃ）は、発光領域及び非発光領域の断面図である。図１（ｂ）及び図１（ｃ）に記載されたように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ基板１０と、平坦化膜１１と、反射陽極１２と、透明金属膜１３と、画素規制層１４と、正孔注入層１５と、有機発光層１６と、電子輸送層１７と、透明陰極１８と、封止層１９と、樹脂層２０と、ＣＦ基板２１と、隔壁層２２と、コンタクトホール２３とを備える。
【００４５】
ＴＦＴ基板１０は、例えば、ガラス基板の上に形成されており、有機ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む。
【００４６】
平坦化膜１１は、ＴＦＴ基板１０の表面の凹凸を平坦化することにより、上層に形成される有機ＥＬ素子の膜厚の均一性を確保する。平坦化膜１１は、無機物または有機物からなる絶縁膜であり、例えば、ＳｉＮX、ＳｉＯX、アクリル、ポリイミド及びゾルゲルなどが挙げられ、膜厚は３．５μｍである。
【００４７】
コンタクトホール２３は、平坦化膜１１が形成された領域であって平坦化膜１１を貫通するように設けられている。
【００４８】
反射陽極１２は、平坦化膜１１の上面に、コンタクトホール２３の底部及び側壁を覆うように形成されている。これにより、反射陽極１２は、コンタクトホール２３を介してＴＦＴ基板１０の有する駆動ＴＦＴと電気的に接続される。反射陽極１２は、有機ＥＬ素子の陽極としての機能を有し、また、有機発光層１６から下部の反射陽極１２の方向へ出射した光を上部の透明陰極１８の方向へ反射する機能を有する。よって、反射陽極１２は、反射率及び導電率の高い金属膜であることが好ましく、例えば、ＡＰＣ（Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ合金）であり、膜厚は１５０ｎｍである。
【００４９】
透明金属膜１３は、反射陽極１２の上面に形成されている。透明金属膜１３は、反射陽極１２の酸化を防止し、また、膜厚を最適化することにより、有機発光層と反射陽極表面との間の光学的距離を調整する機能を有する。よって、透明金属膜１３は、透過率及び導電率の高い膜であることが好ましく、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）であり、膜厚は５０ｎｍである。
【００５０】
上述した平坦化膜１１、反射陽極１２及び透明金属膜１３の膜厚の関係より、コンタクトホール２３の上部には、透明金属膜１３の形成後、窪みが発生している。
【００５１】
また、反射陽極１２及び透明金属膜１３は、単位画素ごとに分離されている。
【００５２】
画素規制層１４は、反射陽極１２と有機発光層１６との間であって、絶縁体からなることにより、反射陽極１２と透明陰極１８との間の発光電流が抑制された非発光領域を一部形成する。画素規制層１４は、例えば、ＳｉＮX、ＳｉＯX、アクリル、ポリイミド及びゾルゲルなどが挙げられる。
【００５３】
ここで、画素規制層１４は、コンタクトホール２３の上部に充填され、画素規制層１４の表面は平坦化されている。
【００５４】
これにより、有機発光層１６が形成される前段階で有機発光層１６の下地層が平坦化されているので、上記窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層１６の膜厚を高精度に制御できる。また、コンタクトホール２３への有機発光層材料の流れ込みがないことにより、コンタクトホール２３の近傍でも有機発光層１６の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層１６の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。
【００５５】
また、発光領域と非発光領域との境界部において、平坦化された画素規制層１４の膜厚分だけ段差が発生するが、当該段差高さが５００ｎｍ以内であることが好ましい。これにより、有機発光層１６の膜厚制御の精度が低下することがない。また、上記段差の近傍でも有機発光層１６の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層１６の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。
【００５６】
また、画素規制層１４は、隣接する反射陽極１２の間の領域に充填されていることが好ましい。
【００５７】
本実施の形態のようなトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１では、有機発光層１６の下側に形成された反射陽極１２は発光画素ごとに分離形成されている。この反射陽極１２の間には、段差を有する領域が発生し、当該領域の上部にも窪みが発生する。
【００５８】
本実施の形態によれば、反射陽極１２の間の領域に発生した窪みは、画素規制層１４により充填され平坦化される。よって、上記コンタクトホール２３上の画素規制層１４の平坦化の効果と同様、有機発光層１６が形成される前段階で有機発光層１６の下地層が平坦化されているので、上記窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層１６の膜厚を高精度に制御できる。また、反射陽極１２の間の領域への有機発光層材料の流れ込みがないことにより、当該領域の近傍でも有機発光層１６の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層１６の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。
【００５９】
なお、画素規制層１４の平坦化プロセスについては、後述する有機ＥＬ表示装置１の製造方法にて説明する。
【００６０】
正孔注入層１５は、発光領域においては透明金属膜１３の上面に、また、非発光領域においては画素規制層１４の上面に形成される。正孔注入層１５は、正孔注入性の材料を主成分とする層である。正孔注入性の材料とは、反射陽極１２側から注入された正孔を安定的に、又は正孔の生成を補助して有機発光層１６へ注入する機能を有する材料である。正孔注入層１５は、例えば、酸化モリブデンと酸化タングステンとの混合膜であり、膜厚は５０ｎｍである。
【００６１】
ここで、正孔注入層１５は、非発光領域において、平坦化された画素規制層１４の上面に形成されているので、正孔注入層１５の上面もまた平坦性が確保されている。
【００６２】
隔壁層２２は、正孔注入層１５の上に形成され、有機発光層１６の形成領域を規制し発光領域を発光画素ごと、または、一列の発光画素群ごとに分離する機能を有し、ポリイミド樹脂などの樹脂材料が用いられる。
【００６３】
本実施の形態では、隔壁層２２は、画素規制層１４で区画された複数の発光領域を挟むように配置されたライン状の隔壁層である。
【００６４】
なお、本実施の形態では、図１（ｃ）に示されたように、隔壁層２２の下に形成された、隣接する反射陽極１２の間の領域には、正孔注入層１５及び隔壁層２２が充填されているが、隔壁層２２の代わりに画素規制層１４が充填され平坦化されていてもよい。
【００６５】
これにより、隔壁層２２の上部の形状も平坦化させることが可能となる。よって、インクジェット方式等を用いて有機発光層１６のもとになる材料を上方から滴下する場合、一部の滴下材料が隔壁層２２の上部の窪みに溜まってしまい、発光領域に流れ込まないという状態を回避できる。よって、発光材料を余分に必要とせず、滴下量を精度良く制御でき、有機発光層１６の膜厚を高精度に制御することが可能となる。
【００６６】
有機発光層１６は、赤色発光する層、緑色発光する層または青色発光する層であり、正孔注入層１５、電子輸送層１７及び隔壁層２２に囲まれ、有機発光層１６に注入された電子と正孔の再結合により発生する光を透明陰極１８面側から放出する。有機発光層１６は、低分子系または高分子系の有機発光材料を用いることができる。高分子系の発光材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンなどのポリマー発光材料などを用いることができる。また、低分子系の発光材料としては、Ａｌｑ3やＢｅ−ベンゾキノリノール（ＢｅＢｑ2）の他に、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４’−ビス（５，７−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４’−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフィン、２，５−ビス（〔５−α，α−ジメチルベンジル〕−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４’−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル、２−〔２−（４−クロロフェニル）ビニル〕ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾールなどのベンゾオキサゾール系、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、２−〔２−〔４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、２−〔２−（４−カルボキシフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤や、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ〔ｆ〕−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン〕などの８−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオンなどの金属キレート化オキシノイド化合物や、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼンなどのスチリルベンゼン系化合物や、２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ナフチル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（４−ビフェニル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ピレニル）ビニル〕ピラジンなどのジスチルピラジン誘導体や、ナフタルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾール誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体や、芳香族ジメチリディン誘導体などが用いられる。さらに、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネンなども用いられる。あるいは、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光発光材料を用いることもできる。
【００６７】
前述したように、有機発光層１６が形成される前段階で有機発光層１６の下地層が平坦化されているので、コンタクトホール２３などの窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層１６の膜厚を高精度に制御できる。
【００６８】
電子輸送層１７は、有機発光層１６の上面に形成される。電子輸送層１７は、電子輸送性の材料を主成分とする層である。電子輸送性の材料とは、電子アクセプター性を有し陰イオンになりやすい性質と、発生した電子を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を併せ持ち、透明陰極１８から有機発光層１６までの電荷輸送に対して適正を有する材料のことである。電子輸送層１７としては、例えば、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）などのオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、シロール誘導体からなるポリマー材料など、あるいは、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−（パラ−フェニルフェノレート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、バソフプロイン（ＢＣＰ）などが用いられる。このとき、例えば、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうち少なくとも一方を主成分とする金属の層を積層した後で電子輸送層１７を構成してもよい。また、金属の層として、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を２種類以上含有していてもよい。
【００６９】
透明陰極１８は、電子輸送層１７の上面に形成されている。透明陰極１８は、例えば、下層としてバリウムが１０ｎｍ、上層としてＩＴＯが１００ｎｍ積層された構造となっている。
【００７０】
なお、正孔注入層１５及び電子輸送層１７の材料は本発明では限定されるものではなく、周知の有機材料または無機材料が用いられる。
【００７１】
また、有機ＥＬ表示装置１の構成として、正孔注入層１５と有機発光層１６との間に、正孔輸送層があってもよいし、電子輸送層１７と透明陰極１８との間に、電子注入層があってもよい。正孔輸送層とは、正孔輸送性の材料を主成分とする層である。正孔輸送性の材料とは、電子ドナー性を持ち陽イオン（正孔）になりやすい性質と、生じた正孔を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を併せ持ち、反射陽極１２から有機発光層１６までの電荷輸送に対して適正を有する材料のことである。また、電子注入層とは、電子注入性の材料を主成分とする層である。電子注入性の材料とは、透明陰極１８から注入された電子を安定的に、又は電子の生成を補助して有機発光層１６へ注入する機能を有する材料である。
【００７２】
封止層１９は、透明陰極１８の上面に形成されており、下層である有機発光層１６や透明陰極１８を水蒸気や酸素から遮断する機能を有する。有機発光層１６そのものや透明陰極１８が、水蒸気や酸素にさらされることにより劣化（酸化）してしまうことを防止するためである。
【００７３】
樹脂層２０は、アクリルまたはエポキシ系の樹脂であり、上述したＴＦＴ基板１０から封止層１９までの一体形成された層と、後述するＣＦ基板２１とを接合する機能を有する。
【００７４】
ＣＦ基板２１は、発光パネルの発光表面を保護する基板であり、例えば、厚みが０．５ｍｍである透明の無アルカリガラスである。
【００７５】
従来では、有機発光層は、コンタクトホールの窪みに有機発光材料が流れ込むため、コンタクトホール近傍において膜厚が小さくなる。そのため、特に、発光領域と非発光領域との境界部では、発光領域の中央部よりも有機発光層の膜厚が小さくなり、画素内での輝度ムラが発生する。
【００７６】
これに対し、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、有機発光層の下地である画素規制層により、コンタクトホールの上部は平坦化されているので、画素内での有機発光層の膜厚が均一化され、輝度ムラは発生しない。
【００７７】
なお、正孔注入層１５及び電子輸送層１７は、反射陽極１２、有機発光層１６及び透明陰極１８の材料の組み合わせにより、省略することも可能である。
【００７８】
また、正孔注入層１５と有機発光層１６との間に、正孔輸送層があってもよいし、電子輸送層１７と透明陰極１８との間に、電子注入層があってもよい。また、透明金属膜１３は、なくてもよい。
【００７９】
次に、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法について、詳細に説明する。
【００８０】
図２〜図４は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【００８１】
まず、図２（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０の上に、平坦化膜１１を、例えば、３．５μｍ積層する。平坦化膜１１の材料は、無機物または有機物からなる絶縁膜であり、例えば、ＳｉＮX、ＳｉＯX、アクリル、ポリイミド及びゾルゲルなどが挙げられる。このうち、ＳｉＮX及びＳｉＯXからなる絶縁膜については、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成される。次に、ＴＦＴ基板１０内の駆動ＴＦＴと上層の反射陽極１２とを電気的に接続するため、平坦化膜１１内において、上下を貫通するコンタクトホール２３を形成する。コンタクトホール２３は、フォトリソグラフィーにより平坦化膜上にレジストパターンを形成した後、ウエットエッチングまたはドライエッチングにより形成される。
【００８２】
次に、図２（ｂ）に示すように、平坦化膜１１の上面に、及び、コンタクトホール２３の底部及び側壁を覆うように反射陽極１２を積層する。ここで、反射陽極１２は、例えば、まずスパッタリング法により、銀合金ＡＰＣを１５０ｎｍ製膜し、その後、フォトリソグラフィーとウエットエッチングによるパターニング工程を経ることにより形成される。これにより、反射陽極１２は、コンタクトホール２３を介してＴＦＴ基板１０の有する駆動ＴＦＴと電気的に接続され、単位画素ごとに分離形成される。
【００８３】
次に、図２（ｃ）に示すように、反射陽極１２の上面に、透明金属膜１３を積層する。ここで、透明金属膜１３は、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯを５０ｎｍ製膜することにより形成される。
【００８４】
上述した平坦化膜１１、反射陽極１２及び透明金属膜１３の膜厚の関係より、コンタクトホール２３の上部には、透明金属膜１３の形成後、窪みが発生している。
【００８５】
次に、図２（ｄ）に示すように、透明金属膜１３の上面であって、コンタクトホール２３が形成された領域を含む非発光領域に、コンタクトホール２３の上部に発生した窪みの深さ以上の膜厚を有する絶縁体層１４Ａを形成する。絶縁体層１４Ａの材料は、無機物または有機物からなる絶縁膜であり、例えば、ＳｉＮX、ＳｉＯX、アクリル、ポリイミド及びゾルゲルなどが挙げられる。このうち、ＳｉＮX及びＳｉＯXからなる絶縁膜については、例えば、ＣＶＤにより形成される。
【００８６】
次に、図２（ｅ）に示すように、絶縁体層１４Ａの上面に、レジスト２４Ａを形成する。レジスト２４Ａは、例えば、有機材料からなるレジストを、スピンコート法を用いて絶縁体層１４Ａの上面に塗布した後、加熱または光照射により硬化させる。このような形成法により、レジスト２４Ａの表面は平坦化されている。また、この後のエッチバック工程で使用されるエッチング法におけるレジスト２４Ａのエッチングレートは、絶縁体層１４Ａのエッチングレートと等しいことが好ましい。
【００８７】
次に、図３（ａ）に示すように、レジスト２４Ａの上面から、ドライエッチング法により、レジスト２４Ａ及び絶縁体層１４Ａをエッチバックする。このとき、レジスト２４Ａのエッチングレートと絶縁体層１４Ａのエッチングレートとが等しいほど、絶縁体層１４Ａの表面の平坦化度は向上する。絶縁体層１４Ａの所定領域における膜厚が所定値（例えば、５００ｎｍ）以下となったとき、エッチングを終了させる。このとき、平坦化された絶縁体層１４Ｂが形成される。
【００８８】
なお、図２（ｄ）において絶縁体層１４Ａが積層された後、図２（ｅ）及び図３（ａ）に記載された平坦化プロセスの代わりに、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）法による平坦化プロセスを用いてもよい。
【００８９】
次に、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すように、パターニングされたレジスト２４Ｂを形成しエッチングすることにより、隔壁層２２が形成される領域の絶縁体層１４Ｂを除去する。このとき、透明金属膜１３の上面には、画素規制層１４が形成される。
【００９０】
次に、図３（ｄ）に示すように、レジスト２４Ｂの上面及び隔壁層２２が形成される領域に、正孔注入層１５を積層する。正孔注入層１５は、例えば、酸化モリブデンと酸化タングステンとの混合膜を、例えば、スパッタリング法により５０ｎｍ製膜することにより形成される。ここで、正孔注入層１５は、非発光領域において、平坦化された画素規制層１４の上面に形成されているので、正孔注入層１５の上面もまた平坦性が確保されている。
【００９１】
次に、図４（ａ）に示すように、正孔注入層１５の上面に、隔壁層２２を形成する。ここで、隔壁層２２は、例えば、ポリイミド樹脂などの樹脂材料が用いられる。また、隔壁層２２は、画素規制層１４で区画された複数の発光領域を挟むように配置されたライン状の隔壁層を形成している。
【００９２】
なお、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に記載された工程を省略してもよい。図４（ａ）では、隔壁層２２の下に形成された、隣接する反射陽極１２の間の領域には、正孔注入層１５及び隔壁層２２が充填されているが、この場合には、隔壁層２２の代わりに画素規制層１４が充填され平坦化されていてもよい。これにより、隔壁層２２の上部の形状も平坦化させることが可能となる。よって、インクジェット方式等を用いて有機発光層１６のもとになる材料を上方から滴下する場合、一部の滴下材料が隔壁層２２の上部の窪みに溜まってしまい、発光領域に流れ込まないという状態を回避できる。よって、発光材料を余分に必要とせず、滴下量を精度良く制御でき、有機発光層１６の膜厚を高精度に制御することが可能となる。
【００９３】
次に、図４（ｂ）に示すように、隔壁層２２で挟まれた領域内に、例えば、インクジェット法などを用いて、有機発光層１６となるペースト材料を塗布する。このとき、有機発光層１６となるペースト材料は、隔壁層２２で挟まれた領域から表面張力により盛り上がった状態で塗布される。その後、上記ペースト材料を、例えば、８０℃３０分程度乾燥させて、ペースト材料の溶剤成分を揮発させて有機発光層１６を形成する。なお、このとき、発光部が少なくとも３つのＲＧＢなどの異なるサブ画素から構成される場合、サブ画素ごとに、上述したペースト材料塗布工程及び乾燥工程を繰り返すことにより、サブ画素に異なる有機発光層１６が形成される。このとき、例えば、隔壁層２２で挟まれた領域に配置された複数の発光領域は、ラインごとに同じ色で発光する。
【００９４】
ここで、有機発光層１６が形成される前段階で有機発光層１６の下地層が平坦化されているので、上記ペースト材料塗布工程において、コンタクトホール上部の窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層１６の膜厚を高精度に制御できる。また、コンタクトホールへの有機発光層材料の流れ込みがないことにより、コンタクトホールの近傍でも有機発光層の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層１６の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。
【００９５】
次に、発光領域、非発光領域及び隔壁層２２を被覆するように、例えば、真空蒸着法を用いて、電子輸送層１７を全面に形成する。続いて、電子輸送層１７の上に、例えば、ＩＴＯを、スパッタリング法を用いて製膜し、透明陰極１８を全面に形成する。
【００９６】
図２（ｂ）〜図４（ｂ）に記載された形成工程により、発光素子としての機能をもつ有機ＥＬ素子が形成される。
【００９７】
次に、図４（ｃ）に示すように、透明陰極１８の上に、例えば、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素を５００ｎｍ堆積し、封止層１９を形成する。その後、封止層１９の表面に、樹脂層２０となる封止用樹脂を塗布する。そして、カラーフィルタを含むＣＦ基板２１を、塗布された上記封止用樹脂上に配置する。最後に、ＣＦ基板２１の上面側から下方に加圧し、熱またはエネルギー線を付加して、ＣＦ基板２１と封止層１９とを接着する樹脂層２０を形成する。
【００９８】
以上のように、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置及びその製造方法によれば、非発光領域に設けられ、駆動素子と画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールの上部に発生した窪みを、画素規制層にて平坦化している。つまり、有機発光層が形成される前段階で当該有機発光層の下地層が平坦化されているので、上記窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層の膜厚を高精度に制御できる。また、コンタクトホールへの有機発光層材料の流れ込みがないことにより、コンタクトホールの近傍でも有機発光層の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。
【００９９】
なお、本発明に係る有機ＥＬ表示装置及びその製造方法は、上記実施の形態に限定されるものではない。上述した実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る表示装置及び表示評価装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【０１００】
また、例えば、本発明に係る有機ＥＬ表示装置及びその製造方法は、図５に記載されたような薄型フラットＴＶに内蔵される。本発明に係る有機ＥＬ表示装置及びその簡略化された製造方法により、有機発光層の膜厚が均一化され、発光輝度のムラが抑制された有機ＥＬディスプレイを備えた薄型フラットＴＶが実現される。
【０１０１】
なお、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１において、ＴＦＴ基板１０、平坦化膜１１、反射陽極１２、透明金属膜１３、正孔注入層１５、有機発光層１６、電子輸送層１７、透明陰極１８、封止層１９、樹脂層２０及びＣＦ基板２１の材料は本発明では限定されるものではなく、周知の有機材料または無機材料が用いられる。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明は、特に有機ＥＬ表示装置を内蔵する有機ＥＬフラットパネルディスプレイに有用であり、高品質な表示性能が要求される有機ＥＬ表示装置及びその製造方法として用いるのに最適である。
【符号の説明】
【０１０３】
１、１００    有機ＥＬ表示装置
１０、１１０    ＴＦＴ基板
１１、１１１    平坦化膜
１２、１１２    反射陽極
１３、１１３    透明金属膜
１４、１１４    画素規制層
１４Ａ、１４Ｂ    絶縁体層
１５、１１５    正孔注入層
１６、１１６    有機発光層
１７、１１７    電子輸送層
１８、１１８    透明陰極
１９、１１９    封止層
２０、１２０    樹脂層
２１、１２１    ＣＦ基板
２２、１２２    隔壁層
２３、１２３    コンタクトホール
２４Ａ、２４Ｂ    レジスト
【図１】
2011076804.tif 000003
【図２】
2011076804.tif 000004
【図３】
2011076804.tif 000005
【図４】
2011076804.tif 000006
【図５】
2011076804.tif 000007
【図６】
2011076804.tif 000008