(57)【要約】【課題】表示品位が高く、大型の表示装置へ好適に適用できる電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】この製造方法によれば、陰極配線３２の一部が露出するように隔壁７ａ，７ｂが形成された後、当該隔壁、および陰極配線３２を覆って有機ＥＬ層８が形成される。この状態で、光熱変換層３１に向けてレーザー光を照射することにより、光熱変換層３１、および陰極配線３２が発熱し、当該陰極配線に接している部分の有機ＥＬ層８が昇華されて除去される。そして、真空蒸着法により共通電極９が形成されるため、陰極配線３２における露出した部分にも、共通電極９が形成される。よって、共通電極９の表面抵抗が高くても、表示領域Ｖ内において陰極配線３２による周期的な接続が確保されているため、発光輝度の低下を抑制することができる。さらに、当該製法では、蒸着マスクを用いないため、大型の表示装置の製造に好適に適用することができる。【選択図】図３
2011090925.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する電気光学装置の製造方法であって、
基板上に、前記画素の開口部となる画素電極を形成する工程と、
前記画素電極と、隣り合う前記画素電極との間隙部分に光熱変換層を形成する工程と、
前記光熱変換層に重ねて陰極配線を形成する工程と、
前記陰極配線の一部を露出させて、複数の前記画素電極を区画する隔壁を形成する工程と、
蒸着法を用いて、前記画素電極および前記隔壁を覆って、有機薄膜層を形成する工程と、
前記基板側から、前記光熱変換層に向けてレーザー光を照射する工程と、
蒸着法を用いて、前記有機薄膜層を覆って、光透過性を有する共通陰極を形成する工程を、含み、
前記陰極配線と、前記共通陰極とは、前記陰極配線における前記露出した部分を介して、電気的に接続されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記画素電極は、透明電極からなり、
前記画素電極の形成工程の前に、前記画素電極と重なる反射層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記陰極配線は、前記基板に形成されている陰極幹線と接続されており、
前記光熱変換層と、前記陰極配線とからなる積層配線部は、平面視において、ストライプ状、または、格子状、または、複数の前記画素ごとに島状に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記光熱変換層は、モリブデン、チタン、クロムのいずれか、または、これらのうち、少なくとも１種を含む合金から構成されてなり、
前記陰極配線は、アルミニウム、金、銅のいずれか、または、これらのうち、少なくとも１種を含む合金から構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記レーザー光は、波長８００ｎｍの赤外線を含み、前記陰極配線の前記露出した部分に当接する前記有機薄膜層を昇華させるのに必要な熱量を前記光熱変換層に与えることが可能な照射強度、および照射時間で照射されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記隔壁の形成工程では、フォトリソ法を用いて略黒色の樹脂からなる前記隔壁を形成し、
前記陰極配線における前記露出した部分は、前記隔壁内に形成された溝部の底に位置することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記有機薄膜層の形成工程では、略白色光を放射する発光層を含む複数層からなる前記有機薄膜層が形成され、
前記共通陰極の形成工程の後に、陰極保護層の形成工程と、前記基板と対向する対向基板の取り付け工程とをさらに有し、
前記対向基板には、前記画素ごとに対応して赤、青、緑色を含む各色のカラーフィルターが形成されており、前記画素から出射される光は、対応する前記カラーフィルターによって透過選択された色光となって、前記対向基板から出射されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
複数の画素を有する電気光学装置の製造方法であって、
基板上に、反射層、および前記反射層と同一材料で陰極配線を形成する工程と、
前記反射層の上層側に、前記画素の開口部となる光透過性の画素電極を形成する工程と、
前記陰極配線の上層に光熱変換層を形成する工程と、
前記陰極配線の一部を露出させて、複数の前記画素電極を区画する隔壁を形成する工程と、
蒸着法を用いて、前記画素電極および前記隔壁を覆って、有機薄膜層を形成する工程と、
前記有機薄膜層側から、前記光熱変換層に向けてレーザー光を照射する工程と、
蒸着法を用いて、前記有機薄膜層を覆って、光透過性の共通陰極を形成する工程を、含み、
前記陰極配線と、前記共通陰極とは、前記陰極配線における前記露出した部分を介して、電気的に接続されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
複数の画素を有する電気光学装置の製造方法であって、
基板上に、前記画素の開口部となる画素電極を形成する工程と、
前記画素電極と、隣り合う前記画素電極との間隙部分に陰極配線を形成する工程と、
前記陰極配線の一部を露出させて、複数の前記画素電極を区画する隔壁を形成する工程と、
蒸着法を用いて、前記画素電極および前記隔壁を覆って、有機薄膜層を形成する工程と、
前記基板側から、または、前記有機薄膜層側から、前記陰極配線に向けてレーザー光を照射する工程と、
蒸着法を用いて、前記有機薄膜層を覆って、光透過性を有する共通陰極を形成する工程を、含み、
前記レーザー光の照射により発熱する光熱変換材料から構成された前記陰極配線と、前記共通陰極とは、前記陰極配線における前記露出した部分を介して、電気的に接続されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記陰極配線は、モリブデン、または前記モリブデンを含む合金から構成されることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
低分子の有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた表示装置の構成（製法）として、２つの方式が知られている。一つは、蒸着マスクを用いて赤緑青の各色素子を画素ごとに塗り分けて赤緑青の各色画素を形成した、いわゆる「ＲＧＢ塗り分け方式」である。もう一つは、蒸着マスクを用いずに、白色素子を全面に形成し、その上に赤緑青の各色カラーフィルターを配置することにより、ＲＧＢの各色画素を形成した、「白色発光＋カラーフィルター方式」である。
例えば、大型テレビなどの大画面の表示装置を製造する場合には、「白色発光＋カラーフィルター方式」の方が適しているといわれている。これは、「ＲＧＢ塗り分け方式」で大型の表示装置を製造する場合には、蒸着マスクの大型化に伴い、寸法精度の劣化や熱膨張、マスク自重によるたわみなどが生じてしまい、塗り分け精度を確保することが難しいからである。
【０００３】
また、素子構成としては、上記いずれの方式においても、ボトムエミッション型よりも画素開口率を大きく取ることができるトップエミッション型が主流となって来ている。
ここで、トップエミッション型の表示装置を「白色発光＋カラーフィルター方式」で構成した場合、画面中央部における発光輝度が周縁部よりも低くなってしまうという問題があった。これは、トップエミッション型の場合、各画素に共通に形成された陰極側から光を取り出す構成となるため、共通陰極の透明度を高める必要があるからである。詳しくは、共通陰極は、透明度を高める必要性から薄く構成されることになり、また、薄くなるに連れて高抵抗となってしまっていた。
この問題に対して、特許文献１では、陰極の上層、または下層に抵抗値の低い補助配線を真空蒸着法や、スパッタ法により周期的に形成し、陰極の抵抗値を下げることにより、当該問題を解決できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２３００８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の製造方法では、周期的な補助配線の形成に、蒸着マスクを用いた蒸着法を行う必要があるため、大型の表示装置の製造に適用することは困難であるという課題があった。詳しくは、特許文献１には、蒸着マスクを用いるという記載は見当たらないが、平面視において格子状、またはストライプ状に示された補助配線を陰極の上層、または下層に真空蒸着法や、スパッタ法によって形成するためには、公知の技術からすると、蒸着マスクが必要となるからである。
つまり、従来の製造方法は、蒸着マスクを用いた補助配線の形成工程を含んでいるため、大型の表示装置への適用は困難であった。
また、蒸着マスクを用いる場合、蒸着マスクを素子基板に密着させる必要があるため、蒸着後、当該マスクを外す際に、有機層の一部がマスクに付着してしまい表示不良の原因となるなど、歩留り低下の要因となっていた。
つまり、従来の製造方法では、歩留りが低いという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例又は形態として実現することが可能である。
【０００７】
（適用例）
複数の画素を有する電気光学装置の製造方法であって、基板上に、画素の開口部となる画素電極を形成する工程と、画素電極と、隣り合う画素電極との間隙部分に光熱変換層を形成する工程と、光熱変換層に重ねて陰極配線を形成する工程と、陰極配線の一部を露出させて、複数の画素電極を区画する隔壁を形成する工程と、蒸着法を用いて、画素電極および隔壁を覆って、有機薄膜層を形成する工程と、基板側から、光熱変換層に向けてレーザー光を照射する工程と、蒸着法を用いて、有機薄膜層を覆って、光透過性を有する共通陰極を形成する工程を、含み、陰極配線と、共通陰極とは、陰極配線における露出した部分を介して、電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【０００８】
この電気光学装置の製造方法によれば、陰極配線の一部が露出するように隔壁が形成された後、当該隔壁を覆って有機薄膜層が形成される。この状態で、基板側から、光熱変換層に向けてレーザー光を照射することにより、光熱変換層と、その上層の陰極配線とが発熱し、陰極配線に接している部分の有機薄膜層が昇華されて除去されることになる。
そして、この状態で、蒸着法により光透過性を有する共通陰極が形成されるため、陰極配線における露出した部分にも、共通陰極が形成されることになる。つまり、陰極配線と共通陰極とが露出した部分を介して電気的に接続された状態で、共通陰極が形成される。
よって、薄膜化された共通電極の表面抵抗が高くなっても、表示領域内において陰極配線による周期的な接続が確保されているため、表示領域の中央部近傍における発光輝度の低下を抑制することができる。
従って、表示品位が高い表示装置を提供することができる。
【０００９】
さらに、適用例に係る電気光学装置の製造方法は、複数回のフォトリソ工程と、単純な蒸着工程、およびレーザー照射工程を組み合わせた工程から構成されているため、蒸着マスクを用いる工程を含み、塗り分け精度の確保が困難であった従来の製造方法と異なり、大型の表示装置の製造にも好適に適用することができる。
従って、大型の表示装置へ好適に適用することができる電気光学装置の製造方法を提供することができる。
また、表示不良を誘発する蒸着マスクを用いる工程が含まれていないため、歩留りを向上させることができる。
従って、歩留りの良い電気光学装置の製造方法を提供することができる。
【００１０】
また、画素電極は、透明電極からなり、画素電極の形成工程の前に、画素電極と重なる反射層を形成する工程をさらに有することが好ましい。
また、陰極配線は、基板に形成されている陰極幹線と接続されており、光熱変換層と、陰極配線とからなる積層配線部は、平面視において、ストライプ状、または、格子状、または、複数の画素ごとに島状に形成されることが好ましい。
また、光熱変換層は、モリブデン、チタン、クロムのいずれか、または、これらのうち、少なくとも１種を含む合金から構成されてなり、陰極配線は、アルミニウム、金、銅のいずれか、または、これらのうち、少なくとも１種を含む合金から構成されていることが好ましい。
【００１１】
また、レーザー光は、波長８００ｎｍの赤外線を含み、陰極配線の露出した部分に当接する有機薄膜層を昇華させるのに必要な熱量を光熱変換層に与えることが可能な照射強度、および照射時間で照射されることが好ましい。
また、隔壁の形成工程では、フォトリソ法を用いて略黒色の樹脂からなる隔壁を形成し、陰極配線における露出した部分は、隔壁内に形成された溝部の底に位置することが好ましい。
また、有機薄膜層の形成工程では、略白色光を放射する発光層を含む複数層からなる有機薄膜層が形成され、共通陰極の形成工程の後に、陰極保護層の形成工程と、基板と対向する対向基板の取り付け工程とをさらに有し、対向基板には、画素ごとに対応して赤、青、緑色を含む各色のカラーフィルターが形成されており、画素から出射される光は、対応するカラーフィルターによって透過選択された色光となって、対向基板から出射されることが好ましい。
【００１２】
複数の画素を有する電気光学装置の製造方法であって、基板上に、反射層、および反射層と同一材料で陰極配線を形成する工程と、反射層の上層側に、画素の開口部となる光透過性の画素電極を形成する工程と、陰極配線の上層に光熱変換層を形成する工程と、陰極配線の一部を露出させて、複数の画素電極を区画する隔壁を形成する工程と、蒸着法を用いて、画素電極および隔壁を覆って、有機薄膜層を形成する工程と、有機薄膜層側から、光熱変換層に向けてレーザー光を照射する工程と、蒸着法を用いて、有機薄膜層を覆って、光透過性の共通陰極を形成する工程を、含み、陰極配線と、共通陰極とは、陰極配線における露出した部分を介して、電気的に接続されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【００１３】
複数の画素を有する電気光学装置の製造方法であって、基板上に、画素の開口部となる画素電極を形成する工程と、画素電極と、隣り合う画素電極との間隙部分に陰極配線を形成する工程と、陰極配線の一部を露出させて、複数の画素電極を区画する隔壁を形成する工程と、蒸着法を用いて、画素電極および隔壁を覆って、有機薄膜層を形成する工程と、基板側から、または、有機薄膜層側から、陰極配線に向けてレーザー光を照射する工程と、蒸着法を用いて、有機薄膜層を覆って、光透過性を有する共通陰極を形成する工程を、含み、レーザー光の照射により発熱する光熱変換材料から構成された陰極配線と、共通陰極とは、陰極配線における露出した部分を介して、電気的に接続されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
また、陰極配線は、モリブデン、またはモリブデンを含む合金から構成されることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態１に係る表示装置の一態様を示す斜視図。
【図２】図１のｐ−ｐ断面における側断面図。
【図３】（ａ）素子基板の平面図、（ｂ）は（ａ）のｑ−ｑ断面における側断面図。
【図４】表示パネルの製造工程を示すフローチャート図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）製造工程における一態様を示す図。
【図６】（ａ）,（ｂ）製造工程における一態様を示す図。
【図７】（ａ）実施形態２に係る素子基板の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるｓ−ｓ断面の断面図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）製造工程における一態様を示す図。
【図９】（ａ）,（ｂ）製造工程における一態様を示す図。
【図１０】実施形態３に係る素子基板の側断面図。
【図１１】電子機器としての大型テレビを示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならしめてある。
【００１６】
（実施形態１）
「表示装置の概要」
図１は、本実施形態に係る表示装置の一態様を示す斜視図である。
まず、本発明の実施形態１に係る電気光学装置としての表示装置１００の概要について説明する。
【００１７】
表示装置１００は、有機ＥＬ表示装置であり、表示パネル１８、フレキシブル基板２０などから構成されている。表示パネル１８は、素子基板１と対向基板１７との間に、発光層を含む機能層を挟持したトップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルであり、対向基板１７側から表示光を出射する。
表示パネル１８は、マトリックス状に配置された複数の画素からなる表示領域Ｖを備えている。図１の右上に拡大して示すように、表示領域Ｖには、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色画素が周期的に配置されており、各画素が出射する表示光によりフルカラーの画像が表示される。なお、各画素は発光画素であるが、画素と称する。また、カラー表示を行う表示パネルに限定するものではなく、トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルであれば良く、例えば、モノクロ表示を行う表示パネルであっても良い。
表示領域Ｖは、縦長の長方形をなしており、図１を含む各図においては、当該縦方向をＹ軸方向とし、縦方向よりも短い横方向をＸ軸方向と定義している。また、表示パネル１８の厚さ方向をＺ軸方向としている。また、Ｙ軸（＋）、（−）方向を上下方向とし、Ｘ軸（＋）、（−）方向を左右方向としている。
【００１８】
詳しくは後述するが、表示装置１００は、素子基板１側に略白色光を出射する複数の画素を形成し、対向基板１７側に赤緑青の各色カラーフィルターを配置することにより、ＲＧＢの各色画素を形成した、「白色発光＋カラーフィルター方式」によるトップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルである。また、略白色光を出射する複数の画素には、光透過性を有する共通陰極（共通電極）が各画素を覆って共通に形成されている。
従来、トップエミッション型の表示装置を「白色発光＋カラーフィルター方式」で構成する場合には、蒸着マスクを用いて、共通電極における抵抗値を下げるための補助（陰極）配線を形成する必要があったため、大型の表示装置への適用が困難であった。
これに対して、表示装置１００の製造方法によれば、蒸着マスクを用いずに、陰極（補助）配線を形成することを可能としたため、大型の表示装置にも好適に適用することができる。さらに、蒸着マスクに起因する不良発生が抑制されるため、歩留りを向上させることができる。
【００１９】
また、表示パネル１８において、素子基板１が対向基板１７から張出した張出し領域には、フレキシブル基板２０が接続されている。なお、フレキシブル基板とは、例えば、ポリイミドフィルムの基材に鉄箔の配線などが形成された柔軟性を有するフレキシブルプリント回路基板の略称である。また、フレキシブル基板２０には、駆動用ＩＣ（Integrated Circuit）２１が実装され、その端部には、専用のコントローラーや、外部機器（いずれも図示せず）と接続するための複数の端子が形成されている。
表示パネル１８は、フレキシブル基板２０を介して、外部機器から電力や画像信号を含む制御信号の供給を受けることにより、表示領域Ｖに画像や文字などを表示する。
【００２０】
「表示パネルの詳細な構成」
図２は、図１のｐ−ｐ断面における側断面図である。
続いて、表示パネル１８の詳細な構成について説明する。
表示パネル１８は、素子基板１、素子層２、平坦化層４、反射層５、画素電極６、隔壁７、電気光学層としての有機ＥＬ層８、共通電極９、電極保護層１０、緩衝層１１、ガスバリア層１２、充填剤１３、ＣＦ層１４、対向基板１７などから構成されている。また、素子基板１と対向基板１７とに挟持された部位のことを機能層１６という。換言すれば、素子層２からＣＦ層１４までの積層構造を機能層１６という。
素子基板１は、無機ガラスから構成されている。本実施形態では、好適例として、無アルカリガラスを用いている。なお、この構成に限定するものではなく、樹脂基板を用いても良い。また、トップエミッション型であるため、光透過性が低い材料を用いても良く、例えば、金属基板を用いる構成であっても良い。
素子層２には、各画素をアクティブ駆動するための画素回路が形成されている。画素回路には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなる画素を選択するための選択トランジスターや、有機ＥＬ層８に電流を流すための駆動トランジスター３などが含まれており、画素ごとに対応して形成されている。なお、画素回路は、好適例として、活性層に低温ポリシリコンを用いているが、アモルファスシリコンを活性層として用いた構成であっても良い。
【００２１】
素子層２の上層（Ｚ軸（−）方向）には、例えば、アクリル樹脂などからなる絶縁層である平坦化層４が形成されている。
平坦化層４の上層には、画素ごとに区画されて、反射層５と、画素電極６とがこの順番で積層されている。
反射層５は、例えば、アルミニウムなどからなる反射層であり、有機ＥＬ層８から素子基板１側に向かう光を反射して、表示に寄与する光にする。
画素電極６は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）や、ＺｎＯなどの透明電極から構成されており、画素ごとに素子層２の駆動トランジスター３のドレイン端子と平坦化層４を貫通するコンタクトホールにより接続されている。なお、本実施形態では、好適例として、反射層５と画素電極６との間に、ＳｉＯ2などの透明な無機材料からなる絶縁層２５を介在させているが、この構成に限定するものではなく、反射電極として機能する構成であれば良い。例えば、反射層５を省略して、画素電極６のみをアルミニウムなどの反射性の材料によって形成することであっても良い。または、無機絶縁層を介在させることなく、反射層５の上に、画素電極６を直接形成することであっても良い。
【００２２】
隔壁７は、光硬化性の黒色樹脂などから構成され、平面的に各画素を格子状に区画している。なお、素子層２における駆動トランジスター３を含む画素回路は、光による誤動作を防止するために、平面的に隔壁と重なるように配置されている。
有機ＥＬ層８は、画素電極６、および隔壁７を覆って形成されている。また、図２においては一層の構成となっているが、実際は、それぞれが有機物の薄膜からなる正孔輸送層、発光層、電子注入層などから構成されており、画素電極６上にこの順番に積層されている。正孔輸送層は、芳香族ジアミン（ＴＰＡＢ２Ｍｅ−ＴＰＤ，α−ＮＰＤ）などの昇華性の材料から構成されている。発光層は、赤、緑、青の３色を組み合わせて形成される略白色光を放射する多層からなる有機発光材料薄膜から構成されている。電子注入層は、ＬｉＦ（フッ化リチウム）などから構成されている。
【００２３】
共通陰極としての共通電極９は、ＭｇＡｇなどの金属を、光を透過するようにごく薄く成膜した金属薄膜層であり、全画素に跨る有機ＥＬ層８を覆って形成されている。また、当該層を透過して光が出射されることになるため、その厚さは、光透過性を高めるために、例えば、１０ｎｍ〜２０ｎｍと極めて薄く形成されている。
このため、共通電極９の単位面積当たりの抵抗値、換言すれば、表面抵抗が高くなり、素子層２に配線されている陰極幹線との接続部から遠くなるに連れて電圧降下が大きくなるため、後述する陰極（補助）配線が設けられていない場合には、表示領域Ｖの中央部近傍における発光輝度が低下してしまうという問題があった。
このため、共通電極９と陰極幹線とは、表示領域Ｖの周縁部におけるコンタクトホール９ｃによる接続に加えて、表示領域Ｖ内においても後述する陰極（補助）配線３２（図３）によって、周期的に接続が確保されている。なお、コンタクトホール９ｃは、素子層２に配線されている陰極電位を印加するための陰極幹線に接続している。
また、コンタクトホール９ｃを介して、アルミニウムなどの導電性に優れた材質からなる陰極支線を平坦化層４上に形成して、当該陰極支線と共通電極９とを接続しても良い。または、表示領域Ｖの周縁部において略等間隔に複数のコンタクトホール９ｃを設けて、それらと共通電極９とを接続しても良い。
【００２４】
電極保護層１０は、ＳｉＯ2や、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯｘＮｙなどの高密度で、かつ、透明性の高い材質から構成されており、共通電極９を覆って形成することにより、有機ＥＬ層８へ水分などが浸入することを防止している。
緩衝層１１は、熱硬化性のエポキシ樹脂などの透明な有機緩衝層である。
ガスバリア層１２は、電極保護層１０と同様な材質で構成されたガスバリア層であり、緩衝層１１をさらに覆って形成することにより、有機ＥＬ層８を含む内部の積層構造への水分などの浸入を防止している。
充填剤１３は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などからなる透明な接着層であり、ガスバリア層１２とＣＦ層１４との間の凹凸面に充填されるとともに、両者を接着する。また、表示パネル１８の周縁部から、有機ＥＬ層８を含む内部の積層構造への水分などの浸入を防ぐ機能も果たす。
【００２５】
対向基板１７は、透明な無機ガラスから構成されており、好適例として、無アルカリガラスを用いている。また、対向基板１７における有機ＥＬ層８側（Ｚ軸（＋）側）には、ＣＦ層１４が形成されている。
ＣＦ層１４には、赤色カラーフィルター１４ｒ、緑色カラーフィルター１４ｇ、青色カラーフィルター１４ｂが画素配置と同様に配置されている。詳しくは、各色のカラーフィルターは、それぞれが対応する画素電極６と重なるように配置されており、各カラーフィルター間には、ハッチングで示した遮光部が形成されている。遮光部は、平面的に隔壁７と重なるように格子状に形成されており、光学的には、ブラックマトリックスの機能を果たす。
そして、対向基板１７と素子基板１とは、対向基板１７の周縁部に形成されたシール剤１５によって接着および封止されている。シール剤１５としては、エポキシ系の接着剤や、紫外線硬化樹脂などを用いる。
【００２６】
このように構成された各画素からは、カラーフィルターの色調に対応した表示光が出射される。例えば、赤色画素の場合、有機ＥＬ層８で放射された白色光は、赤色カラーフィルター１４ｒによって赤色光が選択されて、赤色の表示光として対向基板１７から出射される。また、緑色、青色の画素においても同様である。
これにより、表示領域Ｖでは、対向基板１７から出射される複数のカラー画素からの表示光によりフルカラーの画像が表示されることになる。
【００２７】
「陰極配線の配置態様」
図３（ａ）は素子基板１の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のｑ−ｑ断面における側断面図である。
ここでは、共通電極９の表面抵抗を均一化するために形成されている陰極配線３２のレイアウトや、材質などについて説明する。
図３（ａ）は、電極保護層１０までが形成された状態の素子基板１の平面図である。なお、陰極配線３２は、黒色樹脂からなる隔壁７の下層に配置されているため、実際は観察されないが、当該図では、透過図として陰極配線３２を示している。
当該図に示すように、各画素は、隔壁７によって格子状に分割されており、分割された各画素には、Ｙ軸方向に長い楕円状の画素電極６が配置されている。換言すれば、複数の画素が行列をなしてマトリックス状に配置されている。なお、画素電極６の平面形状は、楕円状に限定するものではなく、トラック形状や、長方形、円であっても良い。
【００２８】
ここで、Ｘ軸方向における画素の配列を画素行、Ｙ軸方向における画素の配列を画素列としたときに、陰極配線３２は２つの画素行ごとにＸ軸方向に延在して配置されている。詳しくは、２つの画素行ごとに位置する隔壁７の下層において、当該隔壁の延在方向に沿って形成されている。
また、陰極配線３２の左右の端部は、表示領域Ｖの周縁部まで延在しており、少なくとも一方の端部が、前述のコンタクトホール９ｃ、または陰極支線と接続している。
このように、好適例においては、陰極配線３２を２つの画素行ごとに横ストライプ状に配置するものとして説明したが、このレイアウトに限定するものではなく、共通電極９の表面抵抗値に応じて適宜定めることが好ましい。例えば、陰極配線３２を縦ストライプ状に配置しても良いし、隔壁７に沿って、格子状に配置しても良い。
【００２９】
図３（ｂ）は、（ａ）のｑ−ｑ断面における側断面図であり、１つの画素を長手方向（Ｙ軸方向）に沿って切断した状態を示している。
当該図において、左側に示された隔壁７ａ，７ｂには陰極配線３２が形成されており、右側に示された隔壁７には陰極配線３２が形成されていない。右側の隔壁７は、画素を短手方向（Ｘ軸方向）に沿って切断した図２の隔壁と同様に、素子基板１側の下底が長く、上底が短い台形状をなしている。
左側の隔壁７ａ，７ｂは、右側の隔壁７における上底の略中央にＶ字状の溝を形成して、隔壁７を２つの隔壁７ａ，７ｂに分割した態様を有している。換言すれば、両者間にＶ字状の溝が形成されるように、２つの隔壁７ａ，７ｂが形成されている。
そして、Ｖ字状の溝の底部には、陰極配線３２が形成されている。また、陰極配線３２の下には、光熱変換層３１が形成されている。
【００３０】
これらの位置関係を整理すると、平坦化層４の上に、光熱変換層３１と陰極配線３２とがこの順番に積層され、さらに、陰極配線３２の上に、当該配線の一部が露出するように、台形状の２つの隔壁７ａ，７ｂが形成されている。
そして、陰極配線３２の露出した部分は、２つの隔壁７ａ，７ｂ間に形成されたＶ字状の溝の底部に位置している。換言すれば、陰極配線３２の露出した部分は、２つの隔壁７ａ，７ｂからなる隔壁内に形成された溝部の底に位置している。
ここで、陰極配線３２の露出した部分には、有機ＥＬ層８を覆って形成された共通電極９の一部が接している。換言すれば、Ｖ字状の溝の底部において有機ＥＬ層８が分断されているため、陰極配線３２の露出した部分と、共通電極９とが接続されている。
つまり、共通電極９と陰極幹線（支線）とは、表示領域Ｖ内においても、陰極配線３２によって、接続が確保されている。
【００３１】
なお、Ｖ字状の溝の底部において有機ＥＬ層８を分断する工程を含む詳しい製造方法については、後述する。
光熱変換層３１は、好適例としてクロム、クロム酸化膜、クロム窒化膜、または、クロムを含む合金から構成されている。なお、これらの材料に限定するものではなく、赤外線の照射によって発熱する材料であれば良く、例えば、モリブデンや、チタン、または、これらのうち、少なくとも１種を含む合金を用いても良い。
陰極配線３２は、好適例としてアルミニウム、または、アルミニウムを含む合金から構成されている。なお、これらの材料に限定するものではなく、導電率が高い材料であれば良く、金や、銅、または、これらのうち、少なくとも１種を含む合金を用いても良い。
【００３２】
「表示パネルの製造方法」
図４は、表示パネルの製造工程を示すフローチャート図である。図５（ａ）〜（ｃ）は、製造工程における一態様を示す図である。図６（ａ）、（ｂ）は、製造工程における一態様を示す図である。
ここでは、表示パネル１８の製造方法について、光熱変換層３１、陰極配線３２から共通電極９の形成工程までを中心に説明する。
【００３３】
まず、フォトリソ法、蒸着法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの周知の製造方法を用いて、平坦化層４までが作り込まれた素子基板１を形成する。
ステップＳ１では、蒸着法、またはスパッタ法、およびフォトリソ法を用いて、アルミニウムからなる反射層５を形成する。また、続けて、ＣＶＤ法、およびフォトリソ法を用いて、反射層５を覆って絶縁層２５を形成する。好適例では、絶縁層２５としてＳｉＯ2を用いる。
ステップＳ２では、スパッタ法、およびフォトリソ法を用いて、絶縁層２５上に、ＩＴＯからなる画素電極６を形成する。
ステップＳ３では、スパッタ法、およびフォトリソ法を用いて、クロムからなる光熱変換層３１を形成する。好適例における光熱変換層３１の厚さは、約２００ｎｍとした。なお、この厚さに限定するものではなく、１００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であれば良い。
【００３４】
ステップＳ４では、蒸着法、またはスパッタ法、およびフォトリソ法を用いて、光熱変換層３１の上に、アルミニウムからなる陰極配線３２を形成する。
ステップＳ５では、フォトリソ法を用いて、格子状の隔壁７を形成する。詳しくは、光硬化性の樹脂を素子基板１の全面にスピンコート法などにより塗布した後、格子状のマスクを用いて露光し、現像することによって格子状の隔壁７を形成する。なお、好適例では、黒色の光硬化性樹脂を用いている。
これにより、図３（ａ）に示すように、複数の画素電極６を１つずつに区画する格子状の隔壁７が形成される。図５（ａ）は、図３（ａ）のｑ−ｑ断面における陰極配線３２が形成されている側の隔壁の拡大側断面図である。換言すれば、図３（ｂ）の左側の隔壁７ａ，７ｂの拡大図である。当該図に示すように、台形状の２つの隔壁７ａ，７ｂは、両者の間に形成されるＶ字状の溝の底に陰極配線３２の一部が露出するように形成される。
【００３５】
ステップＳ６では、真空蒸着法を用いて、隔壁７ａ，７ｂ、陰極配線３２、および画素電極６を覆って有機発光材料を蒸着し、有機ＥＬ層８を形成する。なお、有機ＥＬ層８は、正孔輸送層や、発光層などの複数の有機薄膜層を積層して形成される。
この状態が図５（ｂ）に示されており、有機ＥＬ層８が、隔壁７ａ，７ｂや、陰極配線３２を覆って全面に形成されている。
ステップＳ７では、図５（ｂ）の矢印に示すように、素子基板１側から光熱変換層３１に向けてレーザー光を照射する。好適例としては、エネルギー密度が約２．６×１０-3ｍＪ／μｍ2で、波長が約８００ｎｍの赤外レーザー光線を光熱変換層３１に照射する。これにより、光熱変換層３１が加熱されて、その熱が上層の陰極配線３２にも伝播し、陰極配線３２に面した部分の有機ＥＬ層８が昇華される。なお、レーザー光は、上記条件に限定するものではなく、陰極配線３２に面した部分の有機ＥＬ層８を昇華することが可能なエネルギー量のレーザー光であれば良く、少なくとも約８００ｎｍの波長を含むレーザー光であることが好ましい。換言すれば、陰極配線３２の露出した部分に当接する有機ＥＬ層８を昇華させるのに必要な熱量を光熱変換層３１に与えることが可能な照射強度、および照射時間であれば良い。なお、図５（ｃ）は、レーザー光照射後の有機ＥＬ層８の状態を示しており、陰極配線３２に面した部分の有機ＥＬ層８が昇華して、陰極配線３２の一部が露出した状態となっている。
【００３６】
ステップＳ８では、真空蒸着法により、有機ＥＬ層８、および陰極配線３２の露出した部分を覆って、ＭｇＡｇからなる共通電極９を形成する。これにより、図６（ａ）に示すように、有機ＥＬ層８を覆うとともに、その一部が陰極配線３２と接続した共通電極９が形成される。
ステップＳ９では、ＣＶＤ法により、共通電極９を覆って、ＳｉＯ2からなる電極保護層１０を形成する。この状態が図６（ｂ）に示されている。
なお、ステップＳ６の有機ＥＬ層８形成工程から、ステップＳ８の共通電極９形成工程までは、不活性ガスが充填された減圧環境下で各工程が行われる。換言すれば、有機ＥＬ層８が空気環境に晒されないように、素子基板１が各チャンバー間を移動可能な装置設定となっている。これにより、所期の有機ＥＬ層８の発光特性を維持することができる。
【００３７】
また、ステップＳ９に続けて、スピンコート法や、ＣＶＤ法などを用いて、熱硬化性のエポキシ樹脂からなる緩衝層１１や、ＳｉＯ2からなるガスバリア層１２などを形成して、図２に示す、素子基板１が完成する。
そして、積層構造が完成した素子基板１と別途製造された対向基板１７とを充填剤１３や、シール剤１５を用いて貼り合せて、表示パネル１８が完成する。
【００３８】
上述した通り、本実施形態に係る表示装置１００、および製造方法によれば、以下の効果を得ることができる。
表示装置１００の製造方法によれば、陰極配線３２の一部が露出するように隔壁７ａ，７ｂが形成された後、当該隔壁、および陰極配線３２を覆って有機ＥＬ層８が形成される。この状態で、素子基板１側から、光熱変換層３１に向けてレーザー光を照射することにより、光熱変換層３１と、その上層の陰極配線３２とが発熱し、当該陰極配線に接している部分の有機ＥＬ層８が昇華されて除去される。
そして、陰極配線３２に面した部分の有機ＥＬ層８が除去された状態で、真空蒸着法により共通電極９が形成されるため、陰極配線３２における露出した部分にも、共通電極９が形成されることになる。つまり、陰極配線３２と共通電極９とが露出した部分を介して電気的に接続された状態で、共通電極９が形成される。
よって、薄膜化された共通電極９の表面抵抗が高くなっても、表示領域Ｖ内において陰極配線３２による周期的な接続が確保されているため、表示領域Ｖの中央部近傍における発光輝度の低下を抑制することができる。
従って、表示品位の高い表示装置１００を提供することができる。
【００３９】
さらに、表示装置１００の製造方法は、複数回のフォトリソ工程と、単純な蒸着工程、およびレーザー照射工程を組み合わせた工程から構成されているため、蒸着マスクを用いる工程を含み、塗り分け精度の確保が困難であった従来の製造方法と異なり、大型の表示装置の製造にも好適に適用することができる。換言すれば、表示装置１００の製造方法には、蒸着マスクを用いる工程が含まれていないため、大型の表示装置の製造に好適に適用することができる。
従って、大型の表示装置へ好適に適用することができる表示装置１００の製造方法を提供することができる。
【００４０】
また、表示不良を誘発する蒸着マスクを用いる工程が含まれないため、歩留りを向上させることができる。
従って、歩留りの良い表示装置１００の製造方法を提供することができる。
【００４１】
（実施形態２）
図７（ａ）は、実施形態２に係る素子基板の平面図であり、図３（ａ）に対応している。図７（ｂ）は（ａ）におけるｓ−ｓ断面の断面図であり、図３（ｂ）に対応している。図８（ａ）〜（ｃ）は、製造工程における一態様を示す図であり、図５に対応している。図９（ａ）,（ｂ）は、製造工程における一態様を示す図であり、図６に対応している。
以下、本発明の実施形態２に係る表示装置について説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
本実施形態の表示装置は、実施形態１の素子基板１とは、異なる構成の素子基板１ｂを備えている。詳しくは、陰極配線と光熱変換層との積層順が反転するとともに、平面レイアウトが実施形態１の素子基板１とは異なる。また、製造方法の一部も異なっている。それ以外は、実施形態１での説明と略同様である。なお、素子基板１ｂとは、本実施形態における素子基板１上に形成された複数層の積層構造体の全体を指している。
【００４２】
図７（ｂ）に示すように、２つの隔壁７ａ，７ｂ間におけるＶ字状の溝の底部には、素子基板１側から、陰極配線５ｂと光熱変換層３１とがこの順番で積層されており、光熱変換層３１の露出した部分と共通電極９とが接続している。ここで、陰極配線５ｂは、反射層５と同一の工程で形成されたアルミニウムからなる配線であり、コンタクトホール９ｃにより、陰極本線と接続が取られている。
つまり、光熱変換層と陰極配線との積層順が、図３の構成に比べて反転しており、素子基板１側から、陰極配線５ｂと光熱変換層３１とがこの順番で積層されている。
そして、陰極配線５ｂと光熱変換層３１との積層部分は、図７（ａ）に示すように、平面的に略４画素に１ヶの割合で島状に配置されている。また、島状に配置された積層部分の各々は、コンタクトホールによって陰極本線と接続が取られている。なお、略４画素に１ヶの割合で配置する構成に限定するものではなく、共通電極９の表面抵抗値（仕様）に応じて、所期の導電率を確保できるように、適宜形成数を定めれば良い。
【００４３】
続いて、図４を交えて、実施形態２に係る素子基板の製造方法について、実施形態１との相違点を中心に説明する。
まず、図４のフローチャートにおいて、ステップＳ１，Ｓ３，Ｓ７が変更となり、また、ステップＳ４は不要となる。
詳しくは、ステップＳ１では、蒸着法、またはスパッタ法、およびフォトリソ法を用いて、アルミニウムからなる反射層５、および陰極配線５ｂを形成する。換言すれば、反射層５と同一工程において、陰極配線５ｂも形成する。
ステップＳ３では、スパッタ法、およびフォトリソ法を用いて、陰極配線５ｂ上にクロムからなる光熱変換層３１を形成する。
また、ステップＳ１にて陰極配線５ｂを形成するため、ステップＳ４は不要となる。
ステップＳ５では、フォトリソ法を用いて、格子状の隔壁７を形成する。この状態が、図８（ａ）に示されている。
【００４４】
ステップＳ６では、真空蒸着法を用いて、隔壁７ａ，７ｂ、光熱変換層３１、および画素電極６を覆って有機発光材料を蒸着し、有機ＥＬ層８を形成する。
ステップＳ７では、図８（ｂ）の矢印に示すように、有機ＥＬ層８側（Ｚ軸（−）側）から光熱変換層３１に向けてレーザー光を照射する。このように、実施形態２では、レーザー光の照射方向が実施形態１の反対側からとなっている。
これにより、光熱変換層３１が加熱されて、その熱によって、当該層に面した部分の有機ＥＬ層８が昇華される。
図８（ｃ）は、レーザー光照射後の有機ＥＬ層８の状態を示しており、光熱変換層３１に面した部分の有機ＥＬ層８が昇華して、光熱変換層３１の一部が露出した状態となっている。
【００４５】
ステップＳ８では、真空蒸着法により、有機ＥＬ層８、および光熱変換層３１の露出した部分を覆って、ＭｇＡｇからなる共通電極９を形成する。これにより、図９（ａ）に示すように、有機ＥＬ層８を覆うとともに、その一部が光熱変換層３１と接続した共通電極９が形成される。
ステップＳ９では、ＣＶＤ法により、共通電極９を覆って、ＳｉＯ2からなる電極保護層１０を形成する。この状態が図９（ｂ）に示されている。
その他の製造工程は、実施形態１での製造方法と同様である。
【００４６】
上述した通り、本実施形態によれば、実施形態１における効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
図７（ａ）に示すように、陰極配線５ｂと光熱変換層３１との積層部分は、平面的に略４画素に１ヶの割合で島状に配置されている。つまり、薄膜化された共通電極９の表面抵抗が高くなっても、表示領域Ｖ内において陰極配線５ｂによる周期的な接続が確保されているため、表示領域Ｖの中央部近傍における発光輝度の低下を抑制することができる。
従って、表示品位の高い表示装置を提供することができる。
また、陰極配線５ｂと光熱変換層３１とからなる積層部分は、クロムからなる光熱変換層３１をアルミニウム配線（陰極配線５ｂ）で裏打ちした構成となっているため、その全体としての抵抗値は、十分に低くなり、実用上必要な導電率を確保することができる。
【００４７】
また、実施形態２の製造工程においても、蒸着マスクを用いる工程が含まれていないため、大型の表示装置の製造に好適に適用することができる。
従って、大型の表示装置へ好適に適用することができる表示装置の製造方法を提供することができる。
また、表示不良を誘発する蒸着マスクを用いる工程が含まれないため、歩留りを向上させることができる。
従って、歩留りの良い表示装置の製造方法を提供することができる。
【００４８】
さらに、ステップＳ１において、反射層５に加えて、陰極配線５ｂも形成するため、専用の陰極配線工程（ステップＳ４）が不要となり、製造効率が良い。よって、歩留りを向上させることができる。
特に、隔壁７の下層（素子基板１側）には、ＴＦＴなどの回路素子や、複数の配線が形成されているため、これらの密度が高く、レーザー光を照射する際の障害となることが想定されるが、有機ＥＬ層８側から照射する方法であれば、障害なく効果的にレーザー光を照射することができる。
よって、より安定して有機ＥＬ層を昇華させることができる。従って、より歩留りの良い表示装置の製造方法を提供することができる。
【００４９】
（実施形態３）
図１０は、実施形態３に係る素子基板の側断面図であり、図３（ｂ）に対応している。
以下、本発明の実施形態３に係る表示装置について説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
本実施形態の表示装置は、実施形態１の素子基板１とは、異なる構成の素子基板１ｃを備えている。詳しくは、２つの隔壁７ａ，７ｂ間におけるＶ字状の溝の底部には、光熱変換層３１ｂが単層で形成されている。また、製造方法の一部も異なっている。それ以外は、実施形態１での説明と略同様である。なお、素子基板１ｃとは、本実施形態における素子基板１上に形成された複数層の積層構造体の全体を指している。
【００５０】
図１０に示すように、２つの隔壁７ａ，７ｂ間におけるＶ字状の溝の底部には、素子基板１側の上に、陰極配線を兼ねた光熱変換層３１ｂが単層で形成されており、当該層の一部と共通電極９とが接続している。ここで、光熱変換層３１ｂとしては、赤外線の照射によって発熱する材料であるとともに、高導電率のモリブデンを用いている。または、モリブデンを含む合金を用いても良い。
また、光熱変換層３１ｂの平面的な配置としては、図３（ａ）の陰極配線３２と同様に、表示領域Ｖにおいてストライプ状に形成されている。また、実施形態１での説明と同様に、コンタクトホール９ｃにより、光熱変換層３１ｂと陰極本線との間の接続が取られている。なお、共通電極９の表面抵抗の均一化が図れれば、実施形態２のように、光熱変換層３１ｂを島状に配置しても良い。
【００５１】
続いて、図４を交えて、実施形態３に係る素子基板の製造方法について、実施形態１との相違点を中心に説明する。
まず、図４のフローチャートにおいて、ステップＳ３，Ｓ７が変更となり、また、ステップＳ４は不要となる。
詳しくは、ステップＳ３では、スパッタ法、およびフォトリソ法を用いて、モリブデンからなる光熱変換層３１ｂを形成する。
ステップＳ７では、隔壁７ａ，７ｂ、光熱変換層３１ｂ、および画素電極６を覆って形成された有機ＥＬ層８側（Ｚ軸（−）側）から光熱変換層３１ｂに向けてレーザー光を照射する。このように、実施形態３でも、レーザー光の照射方向が実施形態１の反対側からとなっている。なお、光熱変換層３１ｂが単層となっているため、実施形態１と同様に、素子基板１側からレーザー光を照射しても良い。
【００５２】
上述した通り、本実施形態によれば、実施形態１における効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
光熱変換層３１ｂは、赤外線の照射によって発熱する材料であるとともに、高導電率のモリブデンから構成されている。よって、単層構成であっても、光熱変換層兼、陰極配線として機能させることができる。
そして、光熱変換層３１ｂの平面的な配置としては、表示領域Ｖにおいてストライプ状に形成されている。
よって、薄膜化された共通電極９の表面抵抗が高くなっても、表示領域Ｖ内において光熱変換層３１ｂによる周期的な接続が確保されているため、表示領域Ｖの中央部近傍における発光輝度の低下を抑制することができる。
従って、表示品位の高い表示装置を提供することができる。
【００５３】
また、実施形態３の製造工程においても、蒸着マスクを用いる工程が含まれていないため、大型の表示装置の製造に好適に適用することができる。
従って、大型の表示装置へ好適に適用することができる表示装置の製造方法を提供することができる。
また、表示不良を誘発する蒸着マスクを用いる工程が含まれないため、歩留りを向上させることができる。
従って、歩留りの良い表示装置の製造方法を提供することができる。
【００５４】
さらに、光熱変換層３１ｂが陰極配線を兼ねるため、陰極配線工程（ステップＳ４）が不要となり、製造効率が良い。よって、歩留りを向上させることができる。
特に、光熱変換層３１ｂが単層となっているため、レーザー光の照射を素子基板１側、または有機ＥＬ層８側のどちらから行っても良く、表示装置の仕様に応じて、光熱変換層３１ｂを加熱し易い方向から、適宜選択することができる。
従って、製造効率に優れた表示装置の製造方法を提供することができる。
【００５５】
（電子機器）
図１１は、上述の表示装置を搭載した大型テレビを示す斜視図である。
上述した表示装置１００は、例えば、電子機器としての大型テレビ２００に搭載して用いることができる。
大型テレビ２００は、例えば、画面サイズが４２インチの表示装置１００を表示画面として備えている。大型テレビ２００は、不図示のリモコンによって遠隔操作可能に設けられており、当該リモコンの操作によって、様々なチャンネルの画像を表示装置１００に表示する。
表示装置１００は、自発光の有機ＥＬ表示装置であるため、バックライトなどの光源を必要とする液晶表示装置よりも、薄く構成されている。また、表示品位の高い表示装置１００を搭載している。
従って、薄型で、表示品位の高い大型テレビ２００を提供することができる。
【００５６】
また、大型テレビに限定するものではなく、表示部を備えた電子機器であれば良く、例えば、モニターや、ノート型パソコンに適用しても良い。また、携帯電話や、カーナビゲーションシステム用の表示装置、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。
【００５７】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【００５８】
（変形例１）
図３（ｂ）、および図７（ｂ）を用いて説明する。
上記各実施形態においては、画素電極が透明電極であるものとして説明したが、この構成に限定するものではなく、反射電極として機能すれば良い。例えば、画素電極６自体に、所定の光反射率と平坦性とを確保可能な材質を用いることで、当該電極を反射電極として構成しても良い。画素電極６の材質としては、例えば、アモルファス金属を用いることができる。
この構成によれば、反射層５の形成工程（ステップＳ１）が省略できるため、より製造効率を向上させることができる。
従って、歩留りの良い表示装置の製造方法を提供することができる。
【００５９】
（変形例２）
図２を用いて説明する。
上記各実施形態においては、有機ＥＬ層８を複数の有機薄膜層からなる積層体として説明したが、この構成に限定するものではない。例えば、各有機発光層間に中間電荷発生層を挟んで配置した構成、いわゆるタンデム型有機ＥＬ発光素子であっても良い。
この構成によれば、低消費電力で、大型の表示装置を提供することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１，１ｂ，１ｃ…（積層体としての）素子基板、４…平坦化層、５…反射層、５ｂ…陰極配線、６…画素電極、７，７ａ，７ｂ…隔壁、８…有機薄膜層としての有機ＥＬ層、９…共通陰極としての共通電極、９ｃ…コンタクトホール、１０…陰極保護層、１４…カラーフィルターとしてのＣＦ層、１７…対向基板、１８…表示パネル、２０…フレキシブル基板、２５…絶縁層、３１，３１ｂ…光熱変換層、３２…陰極配線、１００…電気光学装置としての表示装置、２００…電子機器としての大型テレビ、Ｖ…表示領域。
【図１】
2011090925.tif 000003
【図２】
2011090925.tif 000004
【図３】
2011090925.tif 000005
【図４】
2011090925.tif 000006
【図５】
2011090925.tif 000007
【図６】
2011090925.tif 000008
【図７】
2011090925.tif 000009
【図８】
2011090925.tif 000010
【図９】
2011090925.tif 000011
【図１０】
2011090925.tif 000012
【図１１】
2011090925.tif 000013