(57)【要約】【課題】製造容易性、高精細化に優れた有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】ＴＦＴ３と反射電極８とを接続する引き出し電極６を設けるために、ＴＦＴ３上に設けた第１絶縁層５に形成したコンタクトホール１６を覆うように、引き出し電極６上に第２絶縁層７を形成し、該第２絶縁層７上に、第１絶縁層５上の反射電極８と同一工程で補助電極８’を形成し、該補助電極８’を共通電極である透明電極１３と接続する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う第１絶縁層と、前記第１絶縁層の開口部にて前記薄膜トランジスタと接続する引き出し電極と、少なくとも前記第１絶縁層の開口部を覆う第２絶縁層と、前記第１絶縁層上において前記引き出し電極に接続された反射電極と、前記反射電極とは絶縁された第２絶縁層上の補助電極と、前記反射電極上の、発光層を含む有機発光層と、前記有機発光層を覆い、前記補助電極に接続された透明電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記反射電極と補助電極とが同一工程で形成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
前記第２絶縁層の端部が、前記反射電極にて覆われていることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
前記第２絶縁層の端部が、第３絶縁層により覆われていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
前記反射電極の端部が、第３絶縁層により覆われていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
前記補助電極の端部が、第３絶縁層により覆われていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
前記反射電極上に、電位制御層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
前記引き出し電極と電位制御層が部分的に接続されていることを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
少なくとも、基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う第１絶縁層と、前記第１絶縁層の開口部にて前記薄膜トランジスタと接続する引き出し電極と、少なくとも前記第１絶縁層の開口部を覆う第２絶縁層と、前記第１絶縁層上において前記引き出し電極に接続された反射電極と、前記反射電極とは絶縁された第２絶縁層上の補助電極と、前記反射電極上の、発光層を含む有機発光層と、前記有機発光層を覆い、前記補助電極に接続された透明電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
前記反射電極と補助電極とを同一工程で形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフラットパネルディスプレイ、プロジェクションディスプレイ、照明等に応用される有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下「ＥＬ」と略す）表示装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンスを利用した有機ＥＬ素子が現在盛んに研究開発されている。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極との間に、少なくとも発光層を有する有機化合物層を配置し、有機化合物層に通電することにより、それぞれの電極から注入された正孔と電子が発光層において再結合して発光を生じる。有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子を複数配置してなり、一般的に、一方の電極を複数素子に共通する共通電極とし、他方の電極を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のアクティブ素子を用いて素子毎に駆動する形態をとる。この時、光取り出し側には、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜の他、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌなどの金属を１０ｎｍ乃至２０ｎｍ程度形成した半透過膜が透明電極として用いられる。これらの透明導電膜は金属と比較して抵抗が高く、共通電極となる透明電極において、電圧勾配が発生し電圧降下が大きくなり易い。また、金属薄膜からなる半透過膜であっても、薄膜化によってシート抵抗が上昇するため、表示領域が大きい場合に、電圧勾配の大きさが無視できなくなる。そのため、表示領域において各画素に印加される電圧が不均一になり、表示領域の周囲に配置される透明電極用の電位配線から表示領域中央に向かって発光強度が低下するシェーディングが大きく、表示性能が著しく低下してしまう原因となっている。
【０００３】
上述の課題を解決する方法として、特許文献１の構成において、シェーディングを低減させるために補助電極が設けられており、反射電極と同じ工程で補助電極を形成することで、製造工程を低減することが記載されている。更に、補助電極とカソードとの接続箇所以外において、補助電極上に絶縁膜を形成する構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２０７２１７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、補助電極を反射電極と同一工程で形成した場合、ＴＦＴと反射電極が接続するコンタクトホール上を避けて補助電極を配置することになるため、補助電極を設けない場合のレイアウトに比べ、画素開口を小さく配置しなければならない。このため、画素開口率の向上、表示性能の高精細化を進める上では、不利なレイアウトを取らざるを得なかった。また、開口率を大きくするために補助電極を反射電極とは別工程で形成した場合には、工程数が増加する上、補助電極が薄く、膜剥がれしやすく、有機ＥＬ表示装置の製造コストの増加、表示品位の低下に繋がってしまう問題があった。
【０００６】
本発明の課題は、上述のような従来技術の問題点を解決し、製造容易性、高精細化に優れた有機ＥＬ表示装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１は、少なくとも、基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う第１絶縁層と、前記第１絶縁層の開口部にて前記薄膜トランジスタと接続する引き出し電極と、少なくとも前記第１絶縁層の開口部を覆う第２絶縁層と、前記第１絶縁層上において前記引き出し電極に接続された反射電極と、前記反射電極とは絶縁された第２絶縁層上の補助電極と、前記反射電極上の、発光層を含む有機発光層と、前記有機発光層を覆い、前記補助電極に接続された透明電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記反射電極と補助電極とが同一工程で形成されたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２は、少なくとも、基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う第１絶縁層と、前記第１絶縁層の開口部にて前記薄膜トランジスタと接続する引き出し電極と、少なくとも前記第１絶縁層の開口部を覆う第２絶縁層と、前記第１絶縁層上において前記引き出し電極に接続された反射電極と、前記反射電極とは絶縁された第２絶縁層上の補助電極と、前記反射電極上の、発光層を含む有機発光層と、前記有機発光層を覆い、前記補助電極に接続された透明電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
前記反射電極と補助電極とを同一工程で形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示装置では、比較的抵抗の高い透明電極と接続する抵抗の低い補助電極が配置されることにより、表示領域内における透明電極の電圧勾配を小さく抑えることができる。
【００１０】
また、本発明によれば、反射電極とＴＦＴが接続するコンタクトホール上に補助電極を形成することができるため、コンタクトホールを避けた補助電極用のスペースを必要とせず、補助電極配置による開口率低下を防ぐことができる。また、補助電極を反射電極と同一工程で形成できるため、補助電極形成のためだけに新たな工程を増やす必要はない。
【００１１】
また、反射電極と補助電極は同一工程で形成するため、密着性の良い電極材料、形成手法を選択することにより、第１絶縁層上に形成される反射電極と同様に、第２絶縁層上に形成される補助電極においても、高い密着性が得られる。また、反射電極と別途密着層を形成する場合にも、補助電極のためだけに新たに工程数が増えることはなく、製造容易性に優れる。
【００１２】
よって、本発明によれば、工程数を増やすことなく、効率の良い製造方法によって、開口率が高く、シェーディングの問題を解決した、高精細な有機ＥＬ表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明による有機ＥＬ表示装置の一例の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】図１の有機ＥＬ表示装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】図１の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す断面模式図である。
【図４】本発明による有機ＥＬ表示装置の他の例の構成を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、本明細書において、特に図示または記載されない箇所に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００１５】
図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置の好ましい一実施形態の画素の断面構造を模式的に示す図である。図２は画素レイアウトの一例を示した上面図であり、図１の断面構造は、図２におけるＡ−Ａ’の断面構造に対応する。
【００１６】
図中、１は基板、２は層間絶縁層、３は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、４はパッシベーション層、５は第１絶縁層、６は引き出し電極、７は第２絶縁層、８は反射電極、８’は補助電極、１１は第３絶縁層、１２は有機発光層、１３は透明電極である。また、１４は封止層、１５は保護膜、１６はコンタクトホール（開口部）である。
【００１７】
本例においては、基板上に、層間絶縁層２、ＴＦＴ３、パッシベーション層４、第１絶縁層５が形成されている。そして、さらに、引き出し電極６、第２絶縁層７、反射電極８、第３絶縁層１１、有機発光層１２、透明電極１３、封止層１４、保護膜１５、が形成されている。第２絶縁層上には補助電極８’が形成されている。
【００１８】
本発明において、ＴＦＴ３は各画素に対応するように形成される。図１では、画素当り１つのＴＦＴを記しているが、電流制御用ＴＦＴ、駆動制御用ＴＦＴなど、有機発光素子を制御するために必要となる複数のＴＦＴを各画素に設けることができる。
【００１９】
ＴＦＴ３と引き出し電極６は、コンタクトホール１６を介して接続している。更に、引き出し電極６は、第１絶縁層上において各画素毎に設けた反射電極８と接続されており、反射電極８が制御電極となっている。各画素の発光制御は、反射電極８と透明電極１３との間に狭持された有機発光層１２に印加される電圧を制御することによって行われる。
【００２０】
画素間を分離するように、第２絶縁層７及び第３絶縁層１１が形成されている。コンタクトホール１６の直上は第２絶縁層７で覆われており、補助電極８’は第２絶縁層７上に形成されている。そして、反射電極８の端部を覆うように、第３絶縁層１１が形成されている。本発明において、補助電極８’と反射電極８は同一工程で形成されている。補助電極８’は、例えば図２に示すように、コンタクトホール１６の直上に配置され、画素間を横断するパターンで形成されており、共通電極となる透明電極１３の電位線として機能する。補助電極８’の形成パターンは図２の構成に限定されるものではなく、全画素間に配置する、マトリックス状に配置する、のいずれでも良い。補助電極８’は表示領域を横断し、表示領域外に設けられたコンタクトラインに接続され、接続端子を介して供給される共通電位が与えられる。
【００２１】
つまり、本発明の有機ＥＬ表示装置の特徴となる構成は、コンタクトホール１６上において、第２絶縁層７を介して反射電極８と同一工程で形成された補助電極８’が積層されていることにある。コンタクトホール１６以外においては、補助電極８’は第２絶縁層７を形成した上に配置しても良く、また、第２絶縁層７を形成せず、反射電極８のパターン間において、第１絶縁層５上に配置しても良い。
【００２２】
本発明においては、補助電極８’は反射電極８と同一工程で形成されているため、補助電極８’形成のために新たに工程を追加する必要が無く、工程数増加による表示装置の製造コスト増加や、製造工程に特有の不具合による歩留まり低下を防ぐことができる。
【００２３】
透明電極１３は補助電極８’と電気的に接続されている。図１では、コンタクトホール１６の直上にて、透明電極１３と補助電極８’が接続している構成を示しているが、接続位置は限定されるものではない。補助電極８’が全領域で透明電極と接続されていても良いし、透明電極１３が各画素当たり、もしくは複数画素当たりにそれぞれ分割されており、各透明電極１３がそれぞれ補助電極８’に接続されていても良い。
【００２４】
透明電極１３と補助電極８’の接続方法は、公知技術を適用することができる。例えば、有機発光層１２の形成時にマスク塗り分けし、透明電極１３と接続する箇所については、補助電極８’上に有機発光層１２を形成しないようにすることで、図１の構成が得られる。或いは、有機発光層１２を基板全面に形成した後に、透明電極１３との接続部分のみ、レーザー加工により補助電極８’上の有機発光層１２を除去し、続いて透明電極１３を形成することでも図１の構成が得られる。
【００２５】
本発明の構成において、第２絶縁層７の端部は反射電極８で覆われていることが望ましい。これにより、反射電極８及び補助電極８’形成時における第２絶縁層７端部へのパターン形成ダメージを抑えることができる。第２絶縁層７へのダメージが大きい場合、第２絶縁層７の端部が剥がれる場合があり、表示装置の歩留まり低下に繋がる可能性がある。
【００２６】
また、第２絶縁層７の端部が、第３絶縁層１１で覆われていることが望ましい。仮に、第２絶縁層７の端部において剥がれが発生した場合であっても、第３絶縁層１１で覆うことにより、端部剥がれを覆うことができる。
【００２７】
更には、反射電極８の端部は、第３絶縁層１１によって覆われていることが望ましい。反射電極８の厚さ５０ｎｍ乃至３００ｎｍに対して有機発光層１２の厚さも５０ｎｍ乃至３００ｎｍで同程度である。そのため、反射電極８上に形成した有機発光層１２が反射電極８の端部を十分に覆うことができずに、次に形成される透明電極１３と反射電極８が接触ショートする場合がある。この場合、反射電極８と透明電極１３の間に電圧を印加できなくなるため、非発光画素となる問題が発生する。特に、有機発光層１２を直進性の高い、例えば加熱蒸着や転写で形成し、透明電極１３を回り込みの大きいスパッタで形成する場合には、より反射電極８端部での透明電極１３とのショートが問題となる。
【００２８】
引き出し電極６は導電性材料から形成される。引き出し電極６は、ＴＦＴ３と反射電極８を電気的に接続する役割を担っており、双方に対してコンタクト抵抗が低く、密着性が高い材料、形成プロセスから選択される。引き出し電極６は、反射電極８と電気的に接続が維持されていれば形成パターンは制限されない。反射電極８の一部で接続していても、反射電極８よりも大きなパターンの引き出し電極６を形成しても良い。
【００２９】
反射電極８、補助電極８’は高反射率材料からなり、導電性を有する材料から構成される。図４に示すように、反射電極８や補助電極８’の下に、第１絶縁層５や第２絶縁層７との密着性を改善する密着層９、９’を形成しても良い。また、反射電極８や補助電極８’上に有機発光層１２への電子もしくは正孔注入性を改善する電位制御層１０、１０’を形成したりしても良い。
【００３０】
電位制御層１０の形成においては、ＴＦＴ３と接続する引き出し電極６と電位制御層１０を部分的に、反射電極８を介さずに直接接続させ、コンタクト抵抗を小さくすることもできる。引き出し電極６を反射電極８で覆わない箇所を画素内に設け、電位制御層１０を形成することで形成できる。引き出し電極６と電位制御層１０のコンタクト部は、第３絶縁層１１の下に配置することが好ましい。電子もしくは正孔注入面となる電位制御層１０に大きな凹凸がある場合、電位むらにより発光輝度が変化するためであり、反射電極８の厚みによるコンタクト部凹凸での輝度むら発生を避けるために第３絶縁層１１で覆い、発光しないようにする。
【００３１】
本例の構成では、１画素を単色発光させることが可能であり、３個の画素にてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）を発光制御することでカラー表示の１ピクセルとしてカラー表示させることができる。
【００３２】
以上に述べたように、本発明においては、透明電極１３と接続する補助電極８’が配置されることにより、表示領域内における透明電極１３の電圧勾配を小さく抑えることができる。また、反射電極８とＴＦＴが接続するコンタクトホール１６上に、第２絶縁層７を介して、補助電極８’を反射電極８と同一工程で形成するため、補助電極８’のためだけに新たな工程を設けることなく、更には補助電極８’配置による開口率低下を防ぐことができる。よって、製造容易性、高精細化に優れた有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００３３】
各部材について更に詳細に説明する。引き出し電極６は導電性材料であり、テーパー形状を有するコンタクトホール１６に形成されるため、外光反射抑制の観点からは低反射率の材料が好ましいが、限定されるものではない。材料としては、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属を５０乃至１５０ｎｍ程度形成した膜などが挙げられる。
【００３４】
反射電極８は高反射率の導電性材料である。例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属を５０乃至３００ｎｍ程度形成した膜からなることが好ましい。反射率が高い部材であるほど、光取り出し効率を向上できるからである。また、これらの金属膜は導電性が高く、電極材料として優れている。
【００３５】
透明電極１３は透過率の高い導電性材料であり、光取り出し電極となる。各画素から発せられた光は、透明電極１３を介して取り出される。図１の有機ＥＬ表示装置はトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。透明電極１３の電極材料としては、透過率の高い材料が好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌなどの金属を１０ｎｍ乃至３０ｎｍ程度形成した半透過膜でもよい。
【００３６】
第１絶縁層５、第２絶縁層７、第３絶縁層１１は平坦性に優れる絶縁性材料が好ましく、例えば、パターンを塗布形成できる感光性アクリルやポリイミド等が好適に用いられる。
【００３７】
有機発光層１２は、有機発光材料、正孔注入材料、電子注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。正孔注入材料又は正孔輸送材料に有機発光材料をドーピングする、または電子注入材料又は電子輸送材料に有機発光材料をドーピングする等により発色の選択の幅を広げることができる。さらに、有機発光層９は、発光効率の観点からアモルファス膜であることが好ましい。
【００３８】
各色の有機発光材料は、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等が使用できる。また、これらの単独オリゴ体或いは複合オリゴ体が使用できる。但し、本発明の構成として例示の材料に限定されるものではない。
【００３９】
有機発光層は、正孔注入、正孔輸送、電子注入、電子輸送の各単機能を持つ層であってもよいし、複合機能を持つ層であってもよい。有機発光層の膜厚は５０ｎｍ乃至３００ｎｍ程度が良く、好ましくは５０ｎｍ乃至１５０ｎｍ程度である。正孔注入及び輸送材料としては、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体等が使用できるが、本発明の構成として限定されるものではない。電子注入及び輸送材料の例としては、アルミに８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ３、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等を使用できる。
【００４０】
封止層１４は、水分や酸素に弱い有機発光素子を、大気中の水分や酸素から保護できるものであれば、特に材質、形態は限定されない。例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯＮなどの無機パッシベーション膜、防湿性の高い樹脂膜、吸湿材を供えた掘り込みガラス基板、などを好適に用いることができる。保護膜１５は、封止層１４を保護するためのものであり、外光反射によるコントラスト低下を防ぐ目的で、偏光板、反射防止膜の機能を備えていても良い。例えば、アクリル板、ＰＥＴ樹脂板などを用いることができる。
【００４１】
図３に本発明の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一例を示す。先ず、基板１上に層間絶縁膜２、ＴＦＴ３、パッシベーション層４を形成し、コンタクトホール１６となる位置において、第１絶縁層５をパターン除去し形成する。続いて、コンタクトホール１６となる位置において、パッシベーション層４をパターン除去する。パッシベーション層４と第１絶縁層５のパターン除去は同時に行っても良い（図３（ａ））。
【００４２】
続いて、コンタクトホール１６の位置に引き出し電極６をパターン形成し、コンタクトホール１６を覆うように第２絶縁層７を形成する（図３（ｂ））。次に、反射電極８、８’の材料を全面に形成した後、フォトプロセスにより反射電極８と補助電極８’をパターン形成する（図３（ｃ））。この時、反射電極８が第２絶縁層７のパターン端部を覆うようにするとよい。そして、反射電極８の端部、第２絶縁層７の端部を覆うように、第３絶縁層１１をパターン形成する（図３（ｄ））。この時、第３絶縁層１１で補助電極８’の端部を覆うことも、露出させることもでき、透明電極１３との接続手法、補助電極８’の保護の観点から選択することができる。
【００４３】
本例では、例えば、第１絶縁層５、第２絶縁層７、第３絶縁層１１に感光性ポリイミド樹脂（膜厚２μｍ）、引き出し電極６にＩＴＯ（膜厚５０ｎｍ）、反射電極８、補助電極８’にＡｇ（膜厚１５０ｎｍ）を用いる。補助電極８’の配線幅は１０μｍである。
【００４４】
以上の方法により、コンタクトホール１６上において、第２絶縁層７上に反射電極８と同一工程からなる補助電極８’が積層された基板が作製できる。
【００４５】
本例では、第３絶縁層１１を形成するために工程が１つ増えているが、補助電極８’形成のためには新たな工程は発生していない。本発明において、更なる工程数抑制の効果が得られるのは、補助電極８’を複数層で形成する場合であり、反射電極８の構成層と兼用することにより、画素開口率は維持したまま、工程数の増加を抑制することが可能となる。
【００４６】
以上の工程により作製された基板に対して、透明電極１３との接続位置となる補助電極８’の表面が露出するようにマスク塗り分けにより少なくとも反射電極上に有機発光層１２を形成する。次いで、有機発光層１２全体を覆うように透明電極１３を形成して、補助電極８’との接続も行う。更に、封止層１４、保護膜１５を形成することにより、図１の有機ＥＬ表示装置が得られる。
【００４７】
本発明の構成では、透明電極１３に接続する補助電極８’により、表示領域１８における透明電極１３’の電位勾配は小さく抑えることが可能となる。つまり、シェーディングは小さく抑えられ、表示品位を高められる。
【００４８】
図５は本発明の有機ＥＬ表示装置の他の実施形態を示す断面模式図である。本例においては、引き出し電極６が反射電極８よりも大きく形成され、密着層９を介して積層される。反射電極８上には電位制御層１０が形成されており、反射電極８を覆っている。電位制御層１０は第２絶縁層７の端部を覆っており、電位制御層１０の端部を第３絶縁層１１が覆っている。
【００４９】
補助電極８’は密着層９、反射電極８、電位制御層１０と同一の積層構造から構成されており、補助電極８’、密着層９’の端部を電位制御層１０’で覆っている。電位制御層１０’の端部は第３絶縁層１１で覆われてはおらず、補助電極８’、９’の膜厚を伴って剥き出しの状態となっている。
【００５０】
密着層９は、下地となる第１絶縁層５もしくは引き出し電極６と、積層される反射電極８と密着性の高いものから選ばれるが、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜、Ａｌ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ及びその合金などを用いることができる。電位制御層１０は、電位制御層１０上に形成される有機発光層１２への電子もしくは正孔注入性を改善するために形成され、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜、アルカリ金属を含む金属合金などを用いることができる。本例では、例えば、密着層９としてＩＴＯ（膜厚５０ｎｍ）、電位制御層１０としてＩＴＯ（膜厚１５ｎｍ）を形成する。その他の構成については、先の図１の例と同様のレイアウト、画素構造を有する。
【００５１】
本例では、第３絶縁層１１を形成するために工程が１つ増えているが、補助電極８’、密着層９’、電位制御層１０’形成のためには新たな工程は発生していない。即ち、補助電極８’、密着層９’、電位制御層１０’形成を、反射電極８、密着層９、電位制御層１０の構成層と兼用することにより、画素開口率は維持したまま、工程数の増加を抑制することが可能となる。
【００５２】
本例において、補助電極８’、密着層９’、電位制御層１０’と透明電極１３との接続は、次のようにして行われる。電位制御層１０’の端部の側面が有機発光層１２の膜厚と同等の段差を持って剥き出しの状態となっている。よって、電位制御層１０’の端部側面が覆われないように有機発光層１２を形成し、続いて回り込みのよい方法で透明電極１３を形成することによって、透明電極１３と電位制御層１０’の端部側面とを接続する。これにより、透明電極１３は補助電極８’との電気的接続がとられる。当該方法によれば、有機発光層１２を塗り分けたり、除去したりして透明電極１３との接続部を露出させる必要はない。
【００５３】
有機発光層１２の形成方法としては、真空蒸着法、転写法などを、透明電極１３の形成方法としては、真空スパッタ法などを用いることができる。
【００５４】
以上、本発明の有機ＥＬ表示装置においては、透明電極１３と接続する補助電極８’が配置されることにより、表示領域内における透明電極１３の電圧勾配を小さく抑えることができる。また、反射電極８とＴＦＴ３が接続するコンタクトホール１６上に、第２絶縁層７を介して、補助電極８’を反射電極８と同一工程で形成するため、補助電極８’のためだけに新たな工程を設ける必要がない。更には補助電極８’配置による開口率低下を防ぐことができる。よって、製造容易性、高精細化に優れた有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１：基板、３：ＴＦＴ、５：第１絶縁層、６：引き出し電極、７：第２絶縁層、８：反射電極、８’：補助電極、１０：電位制御層、１１：第３絶縁層、１２：有機発光層、１３：透明電極
【図１】
2011154968.tif 000003
【図２】
2011154968.tif 000004
【図３】
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【図４】
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