(57)【要約】【課題】露光装置の光源画像を簡潔な方法で生成する。【解決手段】照明光をマスクに導く照明光学系を有する露光装置において、照明光学系に入射する入射光に求められた照度分布が形成されるように、光源から入射した照明光に形成する光源画像を生成する生成方法であって、光源マスク最適化法により露光パターンに応じた複数の最適化光源画像を算出する算出ステップと、主成分解析により複数の最適化光源画像から互いに直交する複数の基底画像を獲得する獲得ステップと、複数の基底画像の一部を除外して基底画像サブセットを組成する組成ステップと、初期光源画像を照明光学系に照射する初期照射ステップと、照明光学系に入射した入射画像を計測する計測ステップと、初期光源画像および入射画像のそれぞれを基底画像サブセットに展開した場合の係数の差に基づいて初期光源画像を補正した補正画像を生成する生成ステップとを含む。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明光をマスクに導く照明光学系を有する露光装置において、前記照明光学系に入射する入射光に求められた照度分布が形成されるように、光源から入射した照明光に形成する光源画像を生成する生成方法であって、
光源マスク最適化法により露光パターンに応じた複数の最適化光源画像を算出する算出ステップと、
主成分解析により前記複数の最適化光源画像から互いに直交する複数の基底画像を獲得する獲得ステップと、
前記複数の基底画像の一部を除外して基底画像サブセットを組成する組成ステップと、
初期光源画像を前記照明光学系に照射する初期照射ステップと、
前記照明光学系に入射した入射画像を計測する計測ステップと、
前記初期光源画像および前記入射画像のそれぞれを前記基底画像サブセットに展開した場合の係数の差に基づいて前記初期光源画像を補正した補正画像を生成する生成ステップと
を含む生成方法。
【請求項２】
前記組成ステップにおいて、固有値の小さな基底画像を除外する請求項１に記載の生成方法。
【請求項３】
前記初期照射ステップにおいて、前記初期光源画像は、初期値としての係数を与えられて前記基底画像サブセットの線形和として発生される請求項１または請求項２に記載の生成方法。
【請求項４】
前記生成ステップにおいて、前記補正画像は、前記初期画像および前記入射画像の固有値の差分が前記基底画像サブセットの線形和全体で小さくなるように算出される請求項１から請求項３までのいずれかに記載の生成方法。
【請求項５】
前記組成ステップは、前記複数の最適化光源画像のそれぞれについて、前記基底画像サブセットで展開した線形和の係数を参照値として保存する保存ステップを更に含み、
前記生成ステップにおいて、前記計測画像の線形和に近い係数を有する前記複数の最適化光源画像のひとつが前記補正画像として選択される請求項１から請求項３までのいずれかに記載の生成方法。
【請求項６】
前記算出ステップ、前記獲得ステップおよび前記組成ステップは、前記露光装置に装填されるマスク毎に実行される請求項１から請求項５までのいずれかに記載の生成方法。
【請求項７】
前記初期照射ステップ、前記計測ステップおよび前記生成ステップは、露光対象のロットが更新される毎に実行される請求項１から請求項６までのいずれかに記載の生成方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれかに記載の生成方法を処理装置に実行させるプログラム。
【請求項９】
請求項１から請求項７までのいずれかに記載の生成方法を実行する露光用光源。
【請求項１０】
請求項１から請求項７までのいずれかに記載の生成方法を実行する露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、生成方法、プログラム、露光用光源および露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照明光に任意の強度分布を形成できる露光装置がある（特許文献１参照）。このような露光装置を用いて、マスクパターン（レチクルパターン）と光源画像とを併せて最適化し、微細なパターンを精度よく露光する光源マスク最適化法（ＳＭＯ：Ｓｏｕｒｃｅ  ａｎｄ  Ｍａｓｋ  Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ）がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３５３１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、光源マスク最適化法により算出された最適化光源画像を用いても、光学素子の特性等により、計算通りの照射パターンが得られるとは限らない。その際、照明光を二次元画像情報のままで最適化光源画像に近づけようとすると、多大な計算処理と時間とが求められた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決すべく、本発明の第一態様として、照明光をマスクに導く照明光学系を有する露光装置において、照明光学系に入射する入射光に求められた照度分布が形成されるように、光源から入射した照明光に形成する光源画像を生成する生成方法であって、光源マスク最適化法により露光パターンに応じた複数の最適化光源画像を算出する算出ステップと、主成分解析により複数の最適化光源画像から互いに直交する複数の基底画像を獲得する獲得ステップと、複数の基底画像の一部を除外して基底画像サブセットを組成する組成ステップと、初期光源画像を照明光学系に照射する初期照射ステップと、照明光学系に入射した入射画像を計測する計測ステップと、初期光源画像および入射画像のそれぞれを基底画像サブセットに展開した場合の係数の差に基づいて初期光源画像を補正した補正画像を生成する生成ステップとを含む生成方法が提供される。
【０００６】
また、本発明の第二態様として、上記生成方法を処理装置に実行させるプログラムが提供される。更に、本発明の第三態様として、上記生成方法を実行する露光用光源が提供される。また更に、本発明の第四態様として、上記生成方法を実行する露光装置が提供される。
【０００７】
上記発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。これら特徴群のサブコンビネーションもまた発明となり得る。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】露光装置１００全体の構造を示す模式図である。
【図２】反射鏡２２２の個別の構造を模式的に示す断面図である。
【図３】空間光変調器２２０の模式的な斜視図である。
【図４】空間光変調器２２０の動作を示す図である。
【図５】光源画像Ｉ２の生成手順を示すフローチャートである。
【図６】最適化光源画像群６２０および基底画像群６３０を模式的に示す図である。
【図７】基底画像群６３０の算出方法を説明する図である。
【図８】基底画像群６３０の算出方法を説明する図である。
【図９】基底画像群６３０の算出方法を説明する図である。
【図１０】基底画像群６３０の算出方法を説明する図である。
【図１１】マイクロデバイスの製造工程を示すフローチャートである。
【図１２】基板処理ステップの内容を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明する。以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定しない。実施の形態において説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１０】
図１は、露光装置１００全体の構造を示す模式図である。露光装置１００は、光源部２００、照明光学系３００および投影光学系４００を備える。
【００１１】
光源部２００は、光源１１０、制御部２１０、空間光変調器２２０、プリズム２３０、結像光学系２４０、ビームスプリッタ２５０および計測部２６０を含む。光源１１０は、照明光Ｌを発生する。光源１１０が発生した照明光Ｌは、光源１１０の発光機構の特性に応じた照度分布を有する。このため、照明光Ｌは、照明光Ｌの光路と直交する断面において原画像Ｉ１を有する。
【００１２】
光源１１０から出射された照明光Ｌは、プリズム２３０に入射する。プリズム２３０は、照明光Ｌを空間光変調器２２０に導いた後、再び外部に出射させる。
【００１３】
空間光変調器２２０は、制御部２１０の制御の下に入射した照明光Ｌを変調する。空間光変調器２２０の構造と動作については、他の図を参照して後述する。
【００１４】
空間光変調器２２０を経てプリズム２３０から出射された照明光Ｌは、結像光学系２４０を経て、後段の照明光学系３００に入射される。結像光学系２４０は、照明光学系３００の入射面３１２に照明光画像Ｉ３を形成する。
【００１５】
ビームスプリッタ２５０は、結像光学系２４０および照明光学系の間において、照明光Ｌの光路上に配される。ビームスプリッタ２５０は、照明光学系３００に入射する前の照明光Ｌの一部を分離して計測部２６０に導く。
【００１６】
計測部２６０は、照明光学系３００の入射面３１２と光学的に共役な位置で照明光Ｌの画像を計測する。これにより、計測部２６０は、照明光学系３００に入射する照明光画像Ｉ３と同じ画像を計測する。よって、制御部２１０は、計測部２６０により計測される照明光画像Ｉ３を参照して、空間光変調器２２０を帰還制御できる。
【００１７】
照明光学系３００は、フライアイレンズ３１０、コンデンサ光学系３２０、視野絞り３３０および結像光学系３４０を含む。照明光学系３００の出射端には、露光マスク４１０を保持したマスクステージ４２０が配される。
【００１８】
フライアイレンズ３１０は、並列的に緻密に配された多数のレンズ素子を備え、後側焦点面にレンズ素子の数と同数の照明光画像Ｉ３を含む２次光源を形成する。コンデンサ光学系３２０は、フライアイレンズ３１０から出射された照明光Ｌを集光して視野絞り３３０を重畳的に照明する。
【００１９】
視野絞り３３０を経た照明光Ｌは、結像光学系３４０により、露光マスク４１０のパターン面に、視野絞り３３０の開口部の像である照射光画像Ｉ４を形成する。こうして、照明光学系３００は、その出射端に配された露光マスク４１０のパターン面を、照射光画像Ｉ４によりケーラー照明する。
【００２０】
なお、照明光学系３００の入射面３１２でもあるフライアイレンズ３１０の入射端に形成される照度分布は、フライアイレンズ３１０の出射端に形成される２次光源全体の大局的な照度分布と高い相関を示す。よって、光源部２００が照明光学系３００に入射させる照明光画像Ｉ３は、照明光学系３００が露光マスク４１０に照射する照明光Ｌの照度分布である照射光画像Ｉ４にも反映される。
【００２１】
投影光学系４００はマスクステージ４２０の直後に配され、開口絞り４３０を備える。開口絞り４３０は、照明光学系３００のフライアイレンズ３１０の出射端と光学的に共役な位置に配される。投影光学系４００の出射端には、感光性材料を塗布された基板５１０を保持する基板ステージ５２０が配される。
【００２２】
マスクステージ４２０に保持された露光マスク４１０は、照明光学系３００により照射された照明光Ｌを反射または透過する領域と吸収する領域とからなるマスクパターンを有する。よって、露光マスク４１０に照明光画像Ｉ４を照射することにより、露光マスク４１０のマスクパターンと照明光画像Ｉ４自体の照度分布との相互作用により投影光画像Ｉ５が生成される。投影光画像Ｉ５は、基板５１０の感光性材料に投影されて、要求されたパターンを有するレジスト層を基板５１０の表面に形成する。
【００２３】
なお、図１では照明光Ｌの光路を直線状に描いているが、照明光Ｌの光路を屈曲させることにより露光装置１００は小型化されている。また、図１は、照明光Ｌが露光マスク４１０を透過するように描いているが、反射型の露光マスク４１０が用いられる場合もある。
【００２４】
図２は、空間光変調器２２０の構造を説明する図であり、空間光変調器２２０の一部を拡大して示す。空間光変調器２２０は、反射鏡２２２、基板２２４、フレクチャ２２６および電極２２３、２２５を有する。反射鏡２２２は、基板２２４の下面に、フレクチャ２２６を介して吊り下げられる。フレクチャ２２６は変形容易な材料により形成される。よって、反射鏡２２２は、基板２２４に対して揺動自在に支持される。
【００２５】
一方の電極２２３は、基板２２４に対向して、反射鏡２２２の裏面に配される。他方の電極２２５は、反射鏡２２２の裏面に対向して、基板２２４の表面に配される。基板２２４に配された電極２２５は複数に分割されており、個別に電圧を印加できる。このような構造により、基板２２４上の電極２２５のいずれかに電圧を印加して反射鏡２２２の電極２２３との間で静電力を作用させ、反射鏡２２２に要求された傾きを与えることができる。
【００２６】
図３は、空間光変調器２２０の模式的な斜視図である。図示のように、空間光変調器２２０は、上記のような反射鏡２２２および電極２２３、２２５を備えた構造物を、一枚の基板２２４に二次元的に複数配置して形成される。複数の反射鏡２２２は、制御部２１０の制御に応じて個別に揺動する。
【００２７】
なお、図面を明瞭にする目的で、図３には、１６枚の反射鏡２２２を備えた空間光変調器２２０を示した。しかしながら、露光装置１００に実装される空間光変調器２２０は、形成するパターンの精度に応じて非常に多数の反射鏡２２２を備えている。
【００２８】
図４は、光源部２００の部分拡大図であって、空間光変調器２２０を含む光源部２００の動作を示す。プリズム２３０は、一対の反射面２３２、２３４を有する。プリズム２３０に入射した照明光Ｌは、一方の反射面２３２により、空間光変調器２２０に向かって照射される。
【００２９】
既に説明した通り、空間光変調器２２０は、個別に揺動させることができる複数の反射鏡２２２を有する。よって、制御部２１０が空間光変調器２２０を制御することにより、要求に応じた任意の光源画像Ｉ２を形成できる。
【００３０】
空間光変調器２２０から出射された光源画像Ｉ２は、プリズム２３０の他方の反射面２３４によりプリズム２３０から出射される。プリズム２３０から出射された光源画像Ｉ２は、結像光学系２４０により、照明光学系３００の入射面３１２に照明光画像Ｉ３を形成する。
【００３１】
次に、上記のような露光装置１００において、空間光変調器２２０により生成する光源画像Ｉ２を生成する方法について説明する。
【００３２】
図５は、光源画像Ｉ２を生成する手順を示すフローチャートである。図示のように、光源画像Ｉ２の生成方法は、マスクパターン毎に実施される準備段階Ｐ２０１と、露光装置１００の稼働期間を通じて反復される運用段階Ｐ２０２とが含まれる。
【００３３】
図６は、図５に示した手順の対象となる画像の例を示す図である。図６には、基板５１０上に形成することを目的とするパターン６１０、パターン６１０に対して算出された複数の最適化光源画像６２２、６２４、６２６を含む最適化画像群６２０、最適化画像群６２０から獲得された基底画像群６３０が示される。以下、図６を随時参照しつつ、図５について準備段階Ｐ２０１を説明する。
【００３４】
まず、基板５１０上に形成することを目的とするパターン６１０に対して、当該パターン６１０を露光する場合に適切な光源画像Ｉ１を、光源マスク最適化法により算出する（ステップＳ２０１）。最適化光源画像群６２０は、例えば、下記の式［数１］のように表せる。
【数１】
2011138967.tif 000003
【００３５】
なお、この段階では、最適化条件を様々に変化させることにより、より多くの最適化光源画像を含む最適化光源画像群６２０が算出される。なお、変化させ得る最適化条件とは、例えば、露光したいマスクのうち、どの基本パターンを対象にするかという選択が挙げられる。また、光源マスク最適化法のアルゴリズムでは、光源の面積がより小さくなる解を求めようとする傾向がある場合があるので、エネルギー密度により決まる照明光源の最小面積をいくつまで許容するかということも、最適化条件の選択肢のひとつとして例示できる。
【００３６】
次に、上記の最適化光源画像群６２０に含まれる複数の最適化光源画像を主成分解析することにより、互いに直交する複数の基底画像を含む基底画像群６３０を獲得する（ステップＳ２０２）。なお、この段階では、係数の小さいものも含めると、ここで獲得される基底画像の数は多い。理論上は、最適化光源画像のＺ個の画素に対してＺ個の基底画像が獲得され得る。
【００３７】
図７から図１０までは、上記ステップＳ２０２において、基底画像群６３０を獲得する手順の一例を説明する図である。まず、図７に示すように，ステップＳ２０１において算出された複数の最適化光源画像の各々［Ｉｋ（ｘ，ｙ）］を一定の規則に従って一次元的に配列する。これにより、複数の最適化光源画像相互の相関を、当該画像を形成する画素数を次元数とした高次元ベクトル［Ｉｋ］として統計解析できる。
【００３８】
次に、上記高次元ベクトル［Ｉｋ］のひとつ（ここではベクトル［Ｉ１］）を縦ベクトルと見做し、当該ベクトル［Ｉ１］を転置させた横ベクトルと掛け合わせる。これにより、図８に示すように、それぞれの成分を掛け合わせ値を成分とする二次元行列Ｍ１が形成される。
【００３９】
こうした二次元行列Ｍ１の形成は、複数の最適化光源画像のそれぞれに対して実行される。これにより、最適化光源画像群６２０に含まれる最適化光源画像群の数に対応した二次元行列Ｍｋが形成される。
【００４０】
次に、下記の式［数２］により示すように、上記の処理で得られた複数の二次元行列Ｍｋを加算する。
【数２】
2011138967.tif 000004
【００４１】
こうして得られた行列はそれぞれの高次元ベクトル［Ｉ１］の相関度を表す。以下、この共分散行列を用いて固有値解析を実行する。
【００４２】
上記の処理により得られた行列は、対称行列として、下記の式［数３］のように、行列Ｕと、ｋ個の固有値で形成される対角行列とで形成される積の形に分解できる。
【数３】
2011138967.tif 000005
【００４３】
そこで、上記の行列Ｕを、横方向に並んだｎ個の縦ベクトルととらえると、下記の式［数４］に示すように、それぞれの固有値に対応したｎ個の固有ベクトル、即ち、行列Ｍの演算に対して固有値の単純積になるベクトルが得られる。
【数４】
2011138967.tif 000006
【００４４】
次に、図９に示すように、上記で得られた固有ベクトルを、それぞれ、図７に示した操作と同じ規則に従って、２次元画像情報に戻すことができる。こうして、図１０に示すように、ｎ個の基底画像を獲得できる。なお、基底画像の獲得方法は上記の手順に限られるわけではない。例えば、特異値分解等の他の手法により、計算を高速化することもできる。
【００４５】
上記のようにして得られた基底画像群６３０は、最も大きい固有値（または展開係数）を有する基底画像が、最も重みを有するという性質がある。そこで、基底画像群６３０に含まれる基底画像を、固有値の大きい方から順に並べ替えておくことにより基底画像群６３０を効率よく運用できる。
【００４６】
即ち、後述するように、計測部２６０が計測した画像を評価する場合に、多くの画像は固有値の大きな基底画像により特徴が表される。よって、固有値の小さな基底画像を除いて処理することにより処理量を削減できる。そこで、再び図５を参照すると、基底画像群６３０において固有値の大きい方から基底画像を選択して、基底画像の数が少ない基底画像サブセット６４０（図６）を組成する（ステップＳ２０３）。
【００４７】
基底画像サブセット６４０は、例えば、式［数３］により示した固有値λ群を有する基底画像群６３０に含まれる基底画像のうち、最大固有値に対して１％未満の固有値に属する固有画像を対象外とすることにより組成できる。これは、任意の画像を基底画像で展開して代替表現できる近似精度が１％程度であることによる。しかしながら、適宜他の閾値を設定してサブセットを組成しても差し支えないことはもちろんである。
【００４８】
以下、得られた基底画像サブセット６４０の運用段階（Ｐ２０２）においては、光源画像Ｉ１を生成する手順について説明する。
【００４９】
まず、露光装置１００の光源部２００に初期値としての展開係数ｃ０１、ｃ０２、ｃ０３・・・を与える。初期値としては、例えば、最適化光源画像群６２０からひとつの最適化画像を選択して、基底画像サブセット６４０で展開した場合の展開係数を例示できる。この場合、初期値により形成される最適化画像のひとつを、照明光画像の目標画像のひとつとしてもよい。
【００５０】
制御部２１０は、初期値ｃ０１、ｃ０２、ｃ０３・・・を用いて、下記の式［数５］に示す基底画像サブセット６４０の線形和として、初期の光源画像Ｉ２を発生する。
【数５】
2011138967.tif 000007
【００５１】
この初期の光源画像Ｉ２は、空間光変調器２２０により発生され、照明光学系３００に照射される（ステップＳ２０４）。初期の光源画像Ｉ２が照明光学系３００に照射された場合、計測部２６０は、ビームスプリッタ２５０により分岐された照明光Ｌの一部を受けて計測する（ステップＳ２０５）。計測部２６０が計測した画像は、照明光学系３００に対する照射光画像Ｉ３と等しい。
【００５２】
次に、計測部２６０が計測した画像を、下記の式［数６］のように、基底画像サブセット６４０に含まれる基底画像の線形和に展開する。これにより、照射光画像Ｉ３固有の展開係数Ｃ（Ｃ＝ｃ１１、ｃ１２、ｃ１３・・・）が算出される（ステップＳ２０６）。
【数６】
2011138967.tif 000008
【００５３】
そこで、初期値としての展開係数ｃ０１、ｃ０２、ｃ０３・・・と、計測値としての展開係数ｃ１１、ｃ１２、ｃ１３・・・の相違に基づいて、計測された照射光画像Ｉ３を評価できる（ステップＳ２０７）。
【００５４】
計測値と初期値とが等しいか、あるいは、十分に差が小さい場合（ステップＳ２０７：ＹＥＳ）、照射光画像Ｉ３は、初期値としての光源画像Ｉ２をよく反映していることが判る。より具体的には、例えば、下記の式［数７］を満たすような場合に、計測値と初期値との差が十分に小さいということができる（ＲＳＳは自乗和平方根を意味する）。
【数７】
2011138967.tif 000009
【００５５】
従って、初期値としての展開係数は補正しない。しかしながら、計測値と初期値が大きく相違した場合（ステップＳ２０７：ＮＯ）は、初期値を補正して補正値ｃ２１、ｃ２２、ｃ２３・・・を算出する（ステップＳ２０８）。
【００５６】
補正値ｃ２１、ｃ２２、ｃ２３・・・を算出する方法としては、例えば、初期値と計測値との差分が、基底画像サブセット６４０の線形和全体で小さくなるような補正値ｃ２１、ｃ２２、ｃ２３・・・を算出して、当該補正値ｃ２１、ｃ２２、ｃ２３・・・に基づいて、空間光変調器２２０の反射鏡２２２を揺動させる方法が例示できる。これにより、非常に簡潔な処理で、照射光画像Ｉ３を、光源画像Ｉ２に近づけることができる。このような補正値２１、ｃ２２、ｃ２３・・・の算出は、いったん算出した補正値を次の初期値として算出を繰り返すことにより、照明画像Ｉ３を光源画像Ｉ２に、一層厳密に近づけることができる。
【００５７】
また、最適化光源画像としてステップＳ２０１において算出した最適化光源画像の固有値（展開係数）を予め算出して制御部２１０に保持させ、計測値における展開係数と比較してもよい。これにより、展開係数の分布が近い最適化光源画像を選択して、次の初期値として用いることができる。
【００５８】
例えば、初期値を生成する目的でひとつの最適化光源画像６２２を選択して照明光画像Ｉ３を計測し、得られた計測値としての展開係数ｃ１１、ｃ１２、ｃ１３・・・が他の最適化光源画像６２４に近かった場合は、当該最適化光源画像６２４を次の初期値生成のために選択することができる。これにより、補正値が収束するまでに求められる処理量および時間を短縮できる。
【００５９】
こうして、計測値との相違を反映させた上で再び運用段階Ｐ２０２を実行することにより、照射光画像Ｉ３を目的のパターンに近づけていくことができる。また、いずれの場合も、光源画像Ｉ２または照明光画像Ｉ３の画素毎に帰還を掛けるような処理に対して、画像間の因果関係が判りやすく情報の処理量も少ない。よって、処理を高速化でき、露光装置１００のスループット向上にも寄与する。
【００６０】
なお、初期値の補正方法が上記の方法に限られるわけではないことはもちろんである。また、上記の運用段階Ｐ２０２は、露光対象となる基板５１０のロットが更新される場合等、何らかの節目に繰り返し実行してもよい。これにより、ロットによるばらつきがなく、長期にわたって安定した露光プロセスを実行できる。
【００６１】
更に、上記実施の形態では、上記方法を実行する制御部２１０を備えた露光装置１００について説明した。しかしながら、光源画像Ｉ２を変化させることができるハードウェア資源を有する露光装置１００を対象として、上記生成方法を実行させるプログラムを提供してもよい。また、そのような制御ブログラムを実装した制御部２１０を含む光源部２００を、既存の露光装置１００の光源部２００と交換可能な形態で提供してもよい。
【００６２】
また更に、上記の例では、照明光Ｌの照度分布について説明したが、照明光Ｌの空間周波数分布（バワースペクトル分布）に対しても、基底画像を用意して、その展開係数に基づいて計測値を評価することができる。即ち、フーリエ変換を通じて相関関数解析法に関連するパワースペクトル解析法を用いる場合に、上記の方法をパワースペクトル画像の評価に適用できる。
【００６３】
図１１は、上記生成方法を適用し得るマイクロデバイスの製造工程を示すフローチャートである。なお、マイクロデバイスとは、集積回路、大規模集積回路等の半導体装置、液晶表示パネル、ＣＣＤ、Ｃ−ＭＯＳ等のイメージセンサ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等を含む。
【００６４】
まず、目的とするマイクロデバイスの機能および性能が策定され、当該機能および性能を実現する構造が設計される（例えば、半導体デバイスの回路設計）。また、半導体基板等に形成されるパターンの設計も含まれる（ステップＳ１０１：設計ステップ）。
【００６５】
次に、上記設計ステップで設計された回路パターンを形成するマスクが作製される（ステップＳ１０２：マスク製作ステップ）。また、シリコン、化合物半導体、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板が製造される（ステップＳ１０３：基板製造ステップ）。
【００６６】
続いて、基板製造ステップで製造された基板を、マスク作製ステップで作製されたマスクを用いて加工することにより回路基板が製造される（ステップＳ１０４：基板処理ステップ）。更に、基板処理ステップで処理された基板を用いてデバイスが組み立てられる（ステップＳ１０５：デバイス組立ステップ）。デバイス組立ステップには、ダイシング、ボンティングおよびパッケージング（チップ封入）等の処理が要求に応じて含まれる。
【００６７】
上記のようにして組み立てられたデバイスは、動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を実行される（ステップＳ１０６：検査ステップ）。こうして検品されたマイクロデバイスが製品として出荷される。
【００６８】
図１２は、基板処理ステップの内容を示すフローチャートである。即ち、図１１に示したステップＳ１０４の詳細を示す図である。基板処理ステップにおいては、例えば、リソグラフィ技術によって、回路が基板上に形成される。
【００６９】
以下に説明するステップＳ１１１〜ステップＳ１１４は、基板処理ステップの前処理工程を形成する。各ステップにおける処理は必須とは限らず、製造するマイクロデバイスの仕様に応じて適宜選択される。
【００７０】
前処理工程においては、まず、基板の表面が酸化されて酸化膜が形成される（ステップＳ１１１：酸化ステップ）。次に、基板の表面に絶縁膜が形成される（ステップＳ１１２：ＣＶＤステップ）。以下、例えば蒸着により電極が形成され（ステップＳ１１３：電極形成ステップ）、基板へのイオンの打ち込みも実施される（ステップＳ１１４：イオン打込みステップ）。
【００７１】
次いで、基板処理ステップにおける後処理工程が実行される。後処理工程においては、まず、感光性材料が基板に塗布される（ステップＳ１１５：レジスト形成ステップ）。次に、露光装置１００により、目的とするパターンに応じた露光パターンで感光性材料が露光される（ステップＳ１１６：露光ステップ）。次いで、露光された感光性材料を現像して、基板の表面に、パターンを有するマスク層を形成する（ステップＳ１１７：現像ステップ）。
【００７２】
次に、エッチングにより、マスク層から露出した領域を除去する（ステップＳ１１８：エッチングステップ）。更に、既に使用したマスク層を除去する（ステップＳ１１９：レジスト除去ステップ）。こうして、基板の表面に回路が形成されるが、上記前処理工程および上記後処理工程は繰り返し実行され、基板上には重層的な回路が形成される。
【００７３】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００７４】
なお、特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置の動作および方法における手順、ステップおよび段階等の実行順序は、「より前に」、「先立って」等と明示している場合、あるいは、前段の出力を後段で用いる場合を除いて任意の順序で実現し得る。特許請求の範囲、明細書および図面において便宜上「まず」、「次に」等を用いていたとしても、この順序による実行が必須であることを意味するとは限らない。
【符号の説明】
【００７５】
１００  露光装置、１１０  光源、２００  光源部、２１０  制御部、２２０  空間光変調器、２２２  反射鏡、２２３、２２５  電極、２２４  基板、２２６  フレクチャ、２３０  プリズム、２３２、２３４  反射面、２４０、３４０  結像光学系、２５０  ビームスプリッタ、２６０  計測部、３００  照明光学系、３１２  入射面、３１０  フライアイレンズ、３２０  コンデンサ光学系、３３０  視野絞り、４００  投影光学系、４１０  露光マスク、４２０  マスクステージ、４３０  開口絞り、５１０  基板、５２０  基板ステージ、６１０  パターン、６２０  最適化光源画像群、６２２、６２４、６２６  最適化照明画像、６３０  基底画像群、６４０  基底画像サブセット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図６】
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