(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子から放射される光が封止部材を通って出射する構成の表示装置において、装置内に滞留する熱を効率的に外部に放熱することのできる機構を備える表示装置を提供する。【解決手段】駆動回路が形成された駆動用基板と、前記駆動用基板に設けられ、前記駆動用基板側とは反対側に光を出射する複数の有機ＥＬ素子と、前記複数の有機ＥＬ素子を覆って設けられる光透過性を示す封止部材とを備える表示装置であって、前記駆動回路は、前記駆動用基板の厚み方向に略垂直に設けられる導電性薄板を備え、前記複数の有機ＥＬ素子は、前記駆動用基板の厚み方向の一方から見て前記導電性薄板に重なる位置にそれぞれ配置され、前記封止部材は、分散して配置される線状の熱伝導性ワイヤを含み、前記熱伝導性ワイヤは、径が０．４μｍ以下であり、封止部材を構成するもののうちで前記熱伝導性ワイヤを除く残余のものよりも熱伝導率が高い表示装置。【選択図】図１
2011075798.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動回路が形成された駆動用基板と、
前記駆動用基板に設けられ、前記駆動回路により駆動されて前記駆動用基板側とは反対側に光を出射する複数の有機ＥＬ素子と、
前記駆動用基板に設けられた前記複数の有機ＥＬ素子を覆って設けられる光透過性を示す封止部材とを備える表示装置であって、
前記駆動回路は、前記駆動用基板の厚み方向に略垂直に設けられる導電性薄板を備え、
前記複数の有機ＥＬ素子は、前記駆動用基板の厚み方向の一方から見て前記導電性薄板に重なる位置にそれぞれ配置され、
前記封止部材は、分散して配置される線状の熱伝導性ワイヤを含み、
前記熱伝導性ワイヤは、径が０．４μｍ以下であり、封止部材を構成するもののうちで前記熱伝導性ワイヤを除く残余のものよりも熱伝導率が高い表示装置。
【請求項２】
前記表示装置は、前記導電性薄板よりも熱放射性が高い熱放射性部材をさらに含み、
前記導電性薄板は、前記駆動用基板において前記有機ＥＬ素子側とは反対側の表面に配置され、
前記熱放射性部材は、前記導電性薄板に接して配置される請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記熱伝導性ワイヤは、金属からなるナノワイヤ、およびカーボンナノチューブのうちの少なくともいずれか一方である請求項１または２記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画素の光源として有機ＥＬ素子を用いた表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置ということがある。）に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型の表示装置（ＦＰＤ：Flat Panel Display）の１つとして有機ＥＬ表示装置が実用化されつつある。現在この有機ＥＬ表示装置に関して、寿命特性や発光特性などの向上を目的とした研究開発が行われている。なお「ＥＬ」は「エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）」の略称である。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置を使用する際には、有機ＥＬ素子や駆動回路などが発熱するため、装置内部の温度が上昇する。有機ＥＬ素子は高温状態で駆動するとその素子寿命が低下するため、低温状態での駆動が望まれる。そこで表示装置を使用する際に生じる熱を積極的に外界に放熱する機構を有機ＥＬ表示装置に設けることが検討されている。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置には通常、有機ＥＬ素子を封止するための封止部材が設けられるが、この封止部材の放熱性を高めることにより有機ＥＬ素子の温度上昇を抑制する表示装置が提案されている（例えば特許文献１参照）。従来の技術では封止部材を多層構造のものとし、封止部材の一層として高い熱伝導性を有する層（以下、伝熱層ということがある）を設けることにより封止部材の放熱性を高めている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３１０８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
表示装置を使用する際には、有機ＥＬ素子だけでなくこれを駆動する駆動回路も発熱する。このような発熱に対して、従来の伝熱層の放熱効果は十分ではなく、装置内部の温度上昇およびこれに起因する素子寿命の低下を十分に抑制することができないという問題がある。
【０００７】
また従来の伝熱層は金、銀、銅などの熱伝導率の高い材料によって構成されているが、これらは通常不透明なものである。そのため有機ＥＬ素子から放射される光が封止部材を通って出射する構成（いわゆるトップエミッション型）の表示装置に従来の伝熱層を適用するためには、伝熱層の層厚を極めて薄く（層厚１０ｎｍ以下）して、伝熱層を半透明な層にする必要がある。しかしながら伝熱層を極めて薄くした場合には伝熱効果も小さくなるため、伝熱層としての機能を効果的に発揮することができなくなるという問題がある。
【０００８】
従って本発明の目的は、有機ＥＬ素子から放射される光が封止部材を通って出射する構成の表示装置において、装置内に滞留する熱を効率的に外部に放熱することのできる機構を備える表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、駆動回路が形成された駆動用基板と、
前記駆動用基板に設けられ、前記駆動回路により駆動されて前記駆動用基板側とは反対側に光を出射する複数の有機ＥＬ素子と、
前記駆動用基板に設けられた前記複数の有機ＥＬ素子を覆って設けられる光透過性を示す封止部材とを備える表示装置であって、
前記駆動回路は、前記駆動用基板の厚み方向に略垂直に設けられる導電性薄板を備え、
前記複数の有機ＥＬ素子は、前記駆動用基板の厚み方向の一方から見て前記導電性薄板に重なる位置にそれぞれ配置され、
前記封止部材は、分散して配置される線状の熱伝導性ワイヤを含み、
前記熱伝導性ワイヤは、径が０．４μｍ以下であり、封止部材を構成するもののうちで前記熱伝導性ワイヤを除く残余のものよりも熱伝導率が高い表示装置に関する。
【００１０】
また本発明は、前記表示装置は、前記導電性薄板よりも熱放射性が高い熱放射性部材をさらに含み、
前記導電性薄板は、前記駆動用基板において前記有機ＥＬ素子側とは反対側の表面に配置され、
前記熱放射性部材は、前記導電性薄板に接して配置される表示装置に関する。
【００１１】
また本発明は、前記熱伝導性ワイヤは、金属からなるナノワイヤ、およびカーボンナノチューブのうちの少なくともいずれか一方である前記表示装置に関する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると有機ＥＬ素子は封止部材と導電性薄板との間に配置される。
【００１３】
封止部材には熱伝導性ワイヤが分散して配置される。熱伝導性ワイヤはその径が０．４μｍ以下なので可視光を透過させることができる。そのため高い透光率と高い熱伝導性とを両立する封止部材を実現することができる。このように径が０．４μｍ以下の熱伝導性ワイヤを用いることによりトップエミッション型の有機ＥＬ素子であっても高い熱伝導性を有する封止部材を装置に設けることができる。また導電性を有する部材は一般に熱伝導性も高いので、駆動回路として必要となる導電性薄板を、熱伝導層としても利用することができる。このような熱伝導性の高い封止部材と導電性薄板との間に有機ＥＬ素子を設けることによって、有機ＥＬ素子および駆動回路から発生する熱を外界に効率的に放熱することができる。これによって、有機ＥＬ素子から放射される光が封止部材を通って出射する構成の表示装置において、有機ＥＬ素子の温度上昇およびこれに起因する素子寿命の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態の表示装置１の一部を示す模式的に示す平面図である。
【図２】表示装置のうちの一画素分に相当する領域を拡大して示す断面図である。
【図３】駆動回路の回路構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施の一形態について説明する。図１は本実施形態の表示装置１を模式的に示す平面図である。図２は表示装置のうちの一画素分に相当する領域を拡大して示す断面図である。図３は駆動回路の回路構成を示す図である。
【００１６】
表示装置１は、駆動回路１１が形成された駆動用基板２１と、前記駆動用基板２１に設けられ、前記駆動回路１１により駆動されて前記駆動用基板２１側とは反対側に光を出射する複数の有機ＥＬ素子３１と、前記駆動用基板２１に設けられた前記複数の有機ＥＬ素子を覆って設けられる光透過性を示す封止部材４１とを備える。
【００１７】
駆動回路１１は、前記駆動用基板２１の厚み方向に略垂直に設けられる導電性薄板２２を備え、前記複数の有機ＥＬ素子３１は、前記駆動用基板２１の厚み方向の一方から見て前記導電性薄板２２に重なる位置にそれぞれ配置される。前記封止部材４１は、分散して配置される線状の熱伝導性ワイヤを含む。前記熱伝導性ワイヤは、径が０．４μｍ以下であり、封止部材を構成するもののうちで該熱伝導性ワイヤを除く残余のものよりも熱伝導率が高い。
【００１８】
本明細書において「光」とは有機ＥＬ素子３１が出射する波長範囲の光を意味し、通常は可視光を意味する。従って所定の部材が「光透過性を示す」とは、有機ＥＬ素子から出射されて所定の部材に入射する光の少なくとも一部が所定の部材を透過することを意味する。
【００１９】
表示装置１を使用する際には駆動回路１１及び有機ＥＬ素子３１が発熱する。後述するように駆動回路１１はトランジスタやコンデンサなどの複数の素子、配線、および導電性薄板２２などから構成されており、表示装置１を使用する際には駆動回路１１の一部を構成するトランジスタなどの複数の素子が発熱する。駆動回路１１の一部を構成する素子は、駆動回路の一部として設けられる導電性薄板２２と所定の配線などを介して接続されており、また有機ＥＬ素子３１は、駆動回路１１の一部を構成する素子や所定の配線を介して導電性薄板２２に接続されているため、駆動回路１１及び有機ＥＬ素子３１で発生した熱は導電性薄板２２に効率的に伝導する。この導電性薄板２２は、熱の伝導を担う伝導電子が半導体や絶縁体よりも多いために、一般的に熱伝導性が高い。そのため駆動回路１１及び有機ＥＬ素子３１において発生した熱は、導電性薄板２２に伝導し、さらに導電性薄板２２において拡散され、効率的に外界に放熱される。
【００２０】
さらに封止部材４１は熱伝導性ワイヤを備えるため、熱伝導性ワイヤを備えない通常の封止部材に比べると熱伝導性が高い。このような封止部材４１を設けることによって、駆動回路１１及び有機ＥＬ素子３１において発生した熱は、駆動用基板２１のみならず、封止部材４１にも伝導し、外界に放熱されることになる。これによって駆動回路１１及び有機ＥＬ素子３１の温度上昇を抑制することができる。
【００２１】
複数の有機ＥＬ素子３１は、前記駆動用基板２１の厚み方向の一方から見て前記導電性薄板２２に重なる位置にそれぞれ配置されるため、熱伝導性の高い導電性薄板２２と封止部材４１との間に設けられることになる。さらに駆動回路１１も、その一部を構成する導電性薄板２２と封止部材４１との間に設けることができる。このように、発熱する駆動回路１１及び有機ＥＬ素子３１を挟むようにして熱伝導性の高い部材（導電性薄板２２と封止部材４１）を配置するため、熱を効率的に外界に放熱することができ、駆動回路１１及び有機ＥＬ素子３１の温度上昇を効率的に抑制することができる。
【００２２】
（１）表示装置の構成
まず表示装置１の構成について説明する。
【００２３】
（有機ＥＬ素子）
有機ＥＬ素子３１は駆動用基板２１上に設けられ、駆動回路１１により駆動されて駆動用基板２１側とは反対側（すなわち封止部材４１側）に向けて光を出射する。換言するとトップエミッション型の複数の有機ＥＬ素子３１が駆動用基板２１上に設けられる。本実施形態では駆動用基板２１上に複数の有機ＥＬ素子３１がマトリクス状に設けられる。具体的には複数の有機ＥＬ素子３１は、駆動用基板２１上において行方向Ｘに等間隔をあけるとともに列方向Ｙに等間隔をあけてそれぞれが離散的に配置される。なお図１には６行５列の配置で３０個の有機ＥＬ素子３１が駆動用基板２１に設けられた形態を示しているが、有機ＥＬ素子３１の個数およびその配置は設計に応じて適宜設定される。また以下において本明細書では駆動用基板２１の厚み方向の一方を「上方」または「上」と記載し、厚み方向の他方を「下方」または「下」と記載することがある。
【００２４】
駆動用基板２１上には格子状に配置される隔壁５１がさらに設けられる。この隔壁５１は、行方向Ｘに延伸する複数本の隔壁部材と、列方向Ｙに延伸する複数本の隔壁部材とを有し、これらストライプ状の隔壁部材が直交して配置されることにより格子形状を構成している。隔壁５１は各有機ＥＬ素子３１を区分けするために設けられる。各有機ＥＬ素子３１は、格子状の隔壁５１に囲まれた矩形状の領域に設けられる。換言すると隔壁５１は行方向Ｘ及び列方向Ｙにそれぞれ隣り合う有機ＥＬ素子３１間に介在して配置される。なお隔壁５１には格子状のものを用いずにストライプ状のものを用いてもよく、また製造工程等を勘案したときに必要のない場合には隔壁５１を設けなくてもよい。
【００２５】
有機ＥＬ素子３１は、一対の電極３２，３３と、この電極間に配置される１または複数の所定の層３４とを備える。以下、一対の電極３２，３３のうちの一方の電極を「第１電極３２といい、他方の電極を「第２電極３３」ということがある。有機ＥＬ素子３１は、隔壁５１に囲まれる領域に設けられ、第１電極３２、所定の層３４、第２電極３３がこの順で駆動用基板２１に積層されることにより構成される。第１及び第２電極３２，３３のうちの一方は陽極として設けられ、他方は陰極として設けられる。また有機ＥＬ素子３１は１または複数の所定の層３４として少なくとも１層の発光層を備える。
【００２６】
第１電極３２は１つの有機ＥＬ素子３１に対して１つ設けられる。すなわち有機ＥＬ素子３１と同じ数の第１電極３２が駆動用基板２１上に形成される。複数の第１電極３２は駆動用基板２１上においてマトリクス状に設けられる。具体的には第１電極３２は、駆動用基板２１上において行方向Ｘに等間隔をあけるとともに列方向Ｙに等間隔をあけてそれぞれが離散的に配置される。第１電極３２は、平板状であり、駆動用基板２１の厚み方向の一方から見て（以下「平面視で」ということがある。）略矩形状に形成される。第１電極３２は平面視で隔壁５１に囲まれる略矩形状の領域に設けられ、その周縁部が隔壁５１の一部に重なっている。有機ＥＬ素子３１は第２電極３３を通って光を出射するので、第１電極３２は光を第２電極３３に向けて反射する反射電極によって構成されることが好ましい。
【００２７】
有機ＥＬ素子３１は１または複数の所定の層３４として少なくとも１層の発光層を備える。所定の層３４は隔壁５１に囲まれる領域に配置され、平面視で第１電極３２に重なる領域に形成される。
【００２８】
第２電極３３は所定の層３４を覆って形成される。本実施形態では第２電極３３は複数の有機ＥＬ素子３１に跨って連なる共通の電極として設けられる。具体的には第２電極３３は、所定の層３４上のみならず、所定の層３４上から隔壁５１表面に沿って隣り合う有機ＥＬ素子３１の所定の層３４上にまで連なるように形成される。有機ＥＬ素子３１は、第２電極３３を通って光を出射するので、第２電極３３は光透過性を示す電極によって構成される。
【００２９】
（駆動用基板）
有機ＥＬ素子３１が搭載される駆動用基板２１は有機ＥＬ素子３１を駆動する駆動回路１１を備える。
【００３０】
本実施形態の駆動回路１１は、各有機ＥＬ素子３１を個別に駆動する複数の回路要素と、各回路要素を接続する所定の配線とを含む。図２，３に示すように有機ＥＬ素子３１ごとに設けられる各回路要素は２個のトランジスタ素子と１個のコンデンサ１４と所定の配線とを備える。以下では２個のトランジスタ素子のうちの一方の素子を切替用Ｔｒ１２と記載し、他方の素子を駆動用Ｔｒ１３と記載する。さらに駆動用基板２１は駆動回路１１の一部として、前記駆動用基板２１の厚み方向に略垂直に設けられる導電性薄板２２を備える。
【００３１】
本実施形態における導電性薄板２２は、駆動電圧（図３では記号「Ｖｃｃ」で示す。）を供給する駆動電源に接続されている。駆動電圧から供給される駆動電圧は、導電性薄板２２を介して各回路要素に共通の電圧（Ｖｃｃ）として供給される。導電性薄板２２は平板状であり、一対の主面の法線方向を駆動用基板２１の厚み方向にほぼ一致させて配置される。本実施形態では導電性薄板２２は、駆動用基板２１において有機ＥＬ素子３１側とは反対側の表面に配置されている。導電性薄板２２の厚さは、熱を効率的に拡散することが可能な程度であって、かつ電気抵抗が低く電圧降下を抑制できる程度の厚さに設定される。各回路要素に共通の電圧を供給することのみを目的として導電性薄板を設ける場合、この導電性薄板は後述する主配線と同様に、格子状に配置される線状の配線であってもよいが、本実施形態のように平板状の導電性薄板を設けることによって、線状の配線と比べて電気抵抗をより低減することができる。これによって消費電力を抑制することができる。さらに平面視で導電性薄板２２は、複数の有機ＥＬ素子３１が設けられる領域から全外周がはみ出るように形成されることが好ましい。このように導電性薄板２２が、複数の有機ＥＬ素子３１の設けられる領域からはみ出る領域を有することで、このはみ出る領域を通って各回路要素に電流を供給することができる。これによって電圧降下をさらに抑制することができ、各回路要素に印加される電圧のばらつきを抑制することができる。
【００３２】
導電性薄板２２上には３層の電気絶縁層２３，２４，２５が積層されている。すなわち第１絶縁層２３、第２絶縁層２４及び平坦化膜２５がこの順で導電性薄板２２上に積層されている。駆動回路１１は、導電性薄板２２、３層の電気絶縁層２３，２４，２５、この３層の電気絶縁層２３，２４，２５中に形成されるコンタクト配線２０ａ〜２０ｄ、並びに３層の電気絶縁層２３，２４，２５間に形成される導電性薄膜および半導体層１８，１９などによって構成される。
【００３３】
切替用Ｔｒ１２及び駆動用Ｔｒ１３はそれぞれ３つの電極を備える。具体的にはゲート電極ＳＧ，ＤＧと、ソース電極ＳＳ，ＤＳと、ドレイン電極ＳＤ，ＤＤとを備える。これら切替用Ｔｒ１２及び駆動用Ｔｒ１３の３つの電極はそれぞれ、３層の電気絶縁層間に形成される導電性薄膜によって構成される。切替用Ｔｒ１２及び駆動用Ｔｒ１３はそれぞれソース電極ＳＳ，ＤＳとドレイン電極ＳＤ，ＤＤとの間に設けられる半導体層１８，１９、及び半導体層１８，１９とゲート電極ＳＧ，ＤＧとの間に設けられるゲート絶縁膜１７（第２絶縁層２４の一部）をさらに備える。
【００３４】
ゲート電極ＳＧ，ＤＧは第１絶縁層２３上に設けられる。第１絶縁層２３上にはゲート電極ＳＧ，ＤＧ以外にも所定の配線などがさらに設けられる。ゲート電極ＳＧ，ＤＧと所定の配線とは一体的に形成されている。第１絶縁層２３上には、これらゲート電極ＳＧ，ＤＧ及び所定の配線などを覆う第２絶縁層２４が設けられる。第２絶縁層２４のうちでゲート電極ＳＧ，ＤＧ上に設けられる部位が、切替用Ｔｒ１２及び駆動用Ｔｒ１３のゲート絶縁膜１７として機能する。ソース電極ＳＳ，ＤＳとドレイン電極ＳＤ，ＤＤとはゲート絶縁膜１７を介在させてゲート電極ＳＧ，ＤＧ上に設けられる。これらソース電極ＳＳ，ＤＳとドレイン電極ＳＤ，ＤＤとは、ゲート絶縁膜１７上において互いに所定の間隔をあけて配置される。ソース電極ＳＳ，ＤＳとドレイン電極ＳＤ，ＤＤとの間には半導体層１８，１９が設けられる。このように本実施形態ではボトムゲート型の切替用Ｔｒ１２及び駆動用Ｔｒ１３が駆動用基板２１に形成される。なお他の実施の形態としてトップゲート型のトランジスタ素子を駆動用基板に形成してもよい。
【００３５】
コンデンサ１４は、対向する一対の平板１５，１６と、この一対の平板１５，１６間に介在する第１絶縁層２３とから構成される。一対の平板のうちの一方の平板１５は、第１絶縁層２３上に形成されている。この一方の平板１５は駆動用Ｔｒ１３のゲート電極ＤＧから切替用Ｔｒ１２に向けて延伸する導電性薄膜により構成されている。コンデンサ１４を構成する他方の平板１６は導電性薄板２２の一部により構成される。すなわち導電性薄板２２うちで第１絶縁層２３を介在させて一方の平板１５に対向する部位が他方の平板１６として機能する。
【００３６】
駆動用Ｔｒ１３、切替用Ｔｒ１２及びコンデンサ１４などから成る駆動回路１１上には、これら素子を覆う平坦化膜２５がさらに形成されている。複数の有機ＥＬ素子３１は、この平坦化膜２５上に設けられている。
【００３７】
第１絶縁層２３、第２絶縁層２４及び平坦化膜２５にはコンタクト配線２０ａ〜２０ｄが設けられている。このコンタクト配線２０ａ〜２０ｄは各電気絶縁層２３，２４，２５を厚み方向に貫通するコンタクトホール内に形成される導体から成る。例えばコンデンサ１４を構成する一方の平板１５と切替用Ｔｒ１２のドレイン電極ＳＤとの間には第２絶縁層２４を貫通するコンタクト配線２０ａが設けられている。また導電性薄板２２と駆動用Ｔｒ１３のソース電極ＤＳとの間には第１及び第２絶縁層２３，２４に連通して形成されるコンタクト配線２０ｂ，２０ｃが設けられている。さらに駆動用Ｔｒ１３のドレイン電極ＤＤと有機ＥＬ素子３１の第１電極３２との間には平坦化膜２５を貫通するコンタクト配線２０ｄが設けられている。コンタクト配線２０ａ〜２０ｄは、電気絶縁層２３，２４，２５を介在させて対向する所定の導電性薄板を電気的に接続する。
【００３８】
このように導電性薄板２２は、コンタクト配線２０ｂ，２０ｃを介して駆動用Ｔｒ１３のソース電極ＤＳと電気的に接続され、また駆動用Ｔｒ１３のゲート電極ＤＧは、コンデンサ１４を構成する一方の平板１５及びコンタクト配線２０ａを介して切替用Ｔｒ１２のドレイン電極ＳＤに電気的に接続され、さらに駆動用Ｔｒ１３のドレイン電極ＤＤは、コンタクト配線２０ｄを介して有機ＥＬ素子３１の第１電極３２と電気的に接続される。
【００３９】
駆動回路１１は主に駆動用Ｔｒ１３で発熱するが、この駆動用Ｔｒ１３のソース電極ＤＳと、熱を拡散する導電性薄板２２とを、駆動用基板２１の厚み方向に延伸するコンタクト配線２０ｂ，２０ｃによって最短距離で接続するため、駆動回路１１で発生する熱を効率的に導電性薄板２２に伝導させることができる。これによって駆動回路１１の温度上昇を効率的に抑制することができる。なおコンタクト配線の断面積は広いほど熱を効率的に伝導させることができ、放熱効果を高めることができるので、放熱効果の観点からは断面積が広いコンタクト配線を設けることが好ましい。
【００４０】
以下、図３を参照して表示装置１の動作について説明する。駆動用基板２１には、表示装置１に設けられる信号生成部から走査信号（図３では記号「Ｖｓｃａｎ」で示す。）とデータ信号（図３では記号「Ｖｓｉｇ」で示す。）とが入力される。これら走査信号とデータ信号は個々の有機ＥＬ素子３１を駆動する回路要素に入力される。本実施形態では前述の所定の配線として、走査信号およびデータ信号をそれぞれ伝送する主配線ｍ１，ｍ２と、この主配線ｍ１，ｍ２からそれぞれ分岐する副配線ｓ１，ｓ２とが設けられている。
【００４１】
主配線ｍ１，ｍ２は通常、導電性薄板２２と隔壁５１との間に配置される。例えば走査信号を伝送する主配線ｍ１は、行方向Ｘに延伸する複数本の導電性薄膜によって構成され、平面視で行方向Ｘに延伸する複数本の隔壁５１と重なる位置に配置される。走査信号を伝送する主配線ｍ１は、副配線ｓ１を介して切替用Ｔｒ１２のゲート電極ＳＧに接続されるため、このゲート電極ＳＧが形成される層と同じ層上（すなわち第１絶縁層２３上）に形成される。またデータ信号を伝送する主配線ｍ２は、列方向Ｙに延伸する複数本の導電性薄膜によって構成され、平面視で列方向Ｙに延伸する複数本の隔壁５１と重なる位置に配置される。データ信号を伝送する主配線ｍ２は、副配線ｓ２を介して切替用Ｔｒ１２のソース電極ＳＳに接続されるため、このソース電極ＳＳが形成される層と同じ層上（すなわち第２絶縁層２４上）に形成される。走査信号を伝送する主配線ｍ１は第１絶縁層２３上に形成され、またデータ信号を伝送する主配線ｍ２は第２絶縁層２４上に形成されるので、これら主配線ｍ１，ｍ２は、互いに同一平面上においては交差しないが、平面視では隔壁５１と同様に格子状に配置される。
【００４２】
走査信号を伝送する主配線ｍ１から分岐する副配線ｓ１は、切替用Ｔｒ１２のゲート電極ＳＧに接続され、第１絶縁層２３上において切替用Ｔｒ１２のゲート電極ＳＧに一体的に形成される。またデータ信号を伝送する主配線ｍ２から分岐する副配線ｓ２は、切替用Ｔｒ１２のソース電極ＳＳに接続され、第２絶縁層２４上において切替用Ｔｒ１２のソース電極ＳＳに一体的に形成される。
【００４３】
切替用Ｔｒ１２のドレイン電極ＳＤと駆動用Ｔｒ１３のゲート電極ＤＧとは所定の配線によって接続される。駆動用Ｔｒ１３のゲート電極ＤＧと導電性薄板２２との間にはコンデンサ１４が挿入される。駆動用Ｔｒ１３のドレイン電極ＤＤと有機ＥＬ素子３１の第１電極３２とはコンタクト配線２０によって接続される。また駆動用Ｔｒ１３のソース電極ＤＳは導電性薄板２２に接続されており、駆動電源からの駆動電圧（図３では記号「Ｖｃｃ」で示す。）が印加される。
【００４４】
主配線ｍ１及び副配線ｓ１を介して、切替用Ｔｒ１２のゲート電極ＳＧに走査信号として高電圧が印加されると、ドレイン電極ＳＤとソース電極ＳＳとが導通状態（以下、オン状態ということがある。）になる。切替用Ｔｒ１２がオン状態のときに、主配線ｍ２及び副配線ｓ１を介して切替用Ｔｒ１２のソース電極ＳＳにデータ信号として高電圧が印加されると、高電圧のデータ信号が駆動用Ｔｒ１３のゲート電極ＤＧに与えられ、駆動用Ｔｒ１３のドレイン電極ＤＤとソース電極ＤＳとが導通状態（オン状態）になる。駆動用Ｔｒ１３がオン状態になると、駆動電圧（Ｖｃｃ）が有機ＥＬ素子３１の第１電極３２に印加されて、有機ＥＬ素子３１が発光する。すなわち走査信号とデータ信号との両方の信号が入力されている状態で駆動用Ｔｒ１３がオン状態となり、有機ＥＬ素子３１が発光する。
【００４５】
駆動用Ｔｒ１３はコンデンサ１４の電位差に応じた動作を行う。コンデンサ１４には、切替用Ｔｒ１２がオン状態のときにデータ信号として与えられる電圧と駆動電圧（Ｖｃｃ）との電位差に応じた電荷が蓄積されるので、一旦、切替用Ｔｒ１２がオフ状態になりさらに切替用Ｔｒ１２がオン状態となった状態においてデータ信号が入力されるまでの間、駆動用Ｔｒ１３はコンデンサ１４に蓄積された電荷に応じた動作を行う。このように走査信号とデータ信号とを選択的に入力することによって、有機ＥＬ素子３１を選択的に発光させることができる。
【００４６】
本実施形態の表示装置１は複数の有機ＥＬ素子３１がマトリクス状に配置されており、さらに有機ＥＬ素子３１ごとに、図３に示す回路要素が設けられている。各行の有機ＥＬ素子３１に設けられる回路要素の切替用Ｔｒ１２のゲート電極ＳＧは、走査信号を伝送する主配線ｍ１によって行ごとに互いに接続される。また各列の有機ＥＬ素子３１に設けられる回路要素の切替用Ｔｒ１２のソース電極ＳＳは、データ信号を伝送する主配線ｍ２によって列ごとに互いに接続される。したがって同じ行に配置される切替用Ｔｒ１２のゲート電極ＳＧには共通の走査信号が入力される。また同じ列に配置される切替用Ｔｒ１２のソース電極ＳＳには共通のデータ信号が入力される。このようなアクティブマトリクス型の表示装置１では、走査信号を入力することによって特定の行に配置された複数の有機ＥＬ素子３１を選択することができる。このようにして選択された複数の有機ＥＬ素子３１の中から、さらにデータ信号を入力することによって、特定の列に配置された有機ＥＬ素子３１を選択的に発光させることができる。
【００４７】
（熱放射性部材）
表示装置１は、導電性薄板２２よりも熱放射性が高い熱放射性部材４５をさらに含むことが好ましい。この熱放射性部材４５は導電性薄板２２に接して配置される。
【００４８】
熱放射性部材４５は導電性薄板２２の表面にわたって一面に形成されることが好ましい。熱放射とは物体から熱エネルギーが電磁波として放射される現象を意味する。熱放射性部材４５の熱放射率は好ましくは０．７０以上であり、さらに好ましくは０．８５以上である。熱放射性部材４５の熱放射率とは、所定の温度において熱放射性部材４５の表面から放射されるエネルギー量を、熱放射性部材４５と同じ温度の黒体（ｂｌａｃｋｂｏｄｙ）から放射されるエネルギー量で割った値である。熱放射率はフーリエ変換赤外線分光法（ＦＴ−ＩＲ）を用いて測定することができる。
【００４９】
このような熱放射性部材４５を設けることによって、導電性薄板２２に伝導し、導電性薄板２２中を拡散する熱を積極的に外界に放熱することができる。これによって駆動回路１１及び有機ＥＬ素子３１において発生した熱を外界に放熱し、駆動回路１１及び有機ＥＬ素子３１の温度上昇を抑制することができる。
【００５０】
熱放射性部材４５は熱放射性に加えて、熱伝導性も高いことが好ましい。熱放射性部材４５の熱伝導率は好ましくは１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、より好ましくは１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、さらに好ましくは２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。熱伝導率は例えばＡＳＴＭ  Ｄ５４７０（Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  Ｆｏｒ  Ｔｅｓｔｉｎｇ  ａｎｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｄ５４７０）に記載の方法により測定することができる。
【００５１】
熱放射性部材４５が、高い熱放射性に加えて高い熱伝導性を有することで、導電性薄板２２から伝導する熱を熱放射性部材４５の内部で拡散することができ、導電性薄板２２における温度分布のさらなる均一化を促進することができる。このように導電性薄板２２から伝導する熱を、熱放射性部材４５で拡散するとともに外界に熱放射することで、駆動回路１１及び有機ＥＬ素子３１において発生した熱を効率的に放熱することができる。これによって駆動回路１１及び有機ＥＬ素子３１の温度上昇を抑制することができ、ひいては駆動回路１１及び有機ＥＬ素子３１の長寿命化を図ることができる。
【００５２】
熱放射性部材４５は、１層のみから構成されていてもよく、また２層以上の層が積層されて構成されていてもよい。例えば熱伝導率の高い材料と熱放射性の高い材料とを樹脂などの母材に混合することにより、１層のみから成る熱放射性部材４５を構成することができる。また例えば高熱伝導性を示す層と高熱放射性を示す層とをそれぞれ１段または複数段積層した積層体により２層以上の層が積層されて成る熱放射性部材４５を構成することができる。
【００５３】
熱放射性の高い材料としては黒色系の材料が挙げられ、黒色塗料の顔料成分などが好適に用いられる。熱放射性部材４５の材料としてはカーボン材料とプラスチック材料との混合材料（カーボンプラスチック）、所定の金属元素などをドーピングしたＴｉＯ２、チタニアと所定の金属微粒子とが分散したコロイド、Ｆｅ３Ｏ４などが挙げられる。熱伝導性の高い材料としては例えばアルミニウム、銅、銀、セラミック材料、及び熱伝導性の高い樹脂などが挙げられる。熱伝導性の高い樹脂としてはエポキシ樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる。
【００５４】
（封止部材）
封止部材４１は有機ＥＬ素子３１を気密に封止するために設けられ、第２電極３３を覆って、第２電極３３に接して配置される。有機ＥＬ素子３１から放射される光は封止部材４１を通って外界に出射するため、封止部材４１は光透過性を示す部材によって構成される。
【００５５】
封止部材４１は、分散して配置される線状の熱伝導性ワイヤを含む。この熱伝導性ワイヤは径が０．４μｍ以下であり、封止部材を構成するもののうちでこの熱伝導性ワイヤを除く残余のものよりも熱伝導率が高い。なお封止部材４１には無数の熱伝導性ワイヤが設けられるが、熱伝導性ワイヤの径は、封止部材４１に設けられる全ての熱伝導性ワイヤの径の平均値を意味する。熱伝導性ワイヤの径は例えば電子顕微鏡を用いて測定される所定の本数のワイヤの径に基づいて算出することができる。また封止部材の熱伝導率は定常熱流計法（ASTM  E 1530）により測定することができる。
【００５６】
封止部材４１に設けられる熱伝導性ワイヤの径の最大値（０．４μｍ）は可視光の波長の最小値程度なので、熱伝導性ワイヤを加えたとしても封止部材４１の光透過性を維持することができ、熱伝導性ワイヤを加えることによる封止部材４１の光透過率の低下を抑制することができる。
【００５７】
また熱伝導性ワイヤは、封止部材を構成するもののうちで前記熱伝導性ワイヤを除く残余のものよりも熱伝導率が高い。すなわち熱伝導性ワイヤを除く材料で封止部材を形成したときの、この熱伝導性ワイヤ抜きの封止部材の熱伝導率よりも、熱伝導性ワイヤの熱伝導率は高い。
【００５８】
トップエミッション型の有機ＥＬ素子を駆動用基板２１に設ける場合、光透過性を示す封止部材を設ける必要がある。光透過性を示す封止部材として一般的に使用される樹脂やガラスなどは通常熱伝導率が低いため、従来の封止部材を用いた場合、有機ＥＬ素子や駆動回路で発生した熱が封止部材を拡散し難く、装置の内部で発生した熱が封止部材を通って外界に効率的には放出されなかった。このような従来の封止部材に対して、光の透過を阻害することがなくかつ熱伝導率の高い熱伝導性ワイヤを封止部材に分散配置することによって、高い光透過率を維持しつつ熱を効率的に伝導する封止部材４１を実現することができる。これによってトップエミッション型の有機ＥＬ素子を駆動用基板２１に搭載する形態の表示装置であっても、駆動回路１１及び発光素子３１において発生する熱を効率的に拡散する封止部材４１を実現することができる。
【００５９】
熱伝導性ワイヤは金属から成るナノワイヤ及びカーボンナノチューブのうちの少なくともいずれか一方であることが好ましい。
【００６０】
封止部材４１は一層構造でもよく多層構造でもよい。例えば成形性に優れた樹脂を用いて、第２電極３３の表面に沿って第１の封止部材４２を形成し、さらにこの第１の封止部材４２上に、ガスバリア性の高いガラスなどを用いて第２の封止部材４３を形成してもよい。
【００６１】
第１の封止部材４２を設けずに第２の封止部材４３のみを設けてもよいが、この場合第１の封止部材４２に相当する部位が空気や窒素などで充満されることになる。これら空気や窒素などは熱伝導率が低いため、有機ＥＬ素子３１で発生する熱を拡散させるためには第１の封止部材４２を設ける方が好ましい。
【００６２】
また第１の封止部材４２のみで所定のガスバリア性を担保することができれば、封止部材４１として、第２の封止部材４３を設けずに第１の封止部材４２のみを設けてもよい。
【００６３】
第１の封止部材４２は例えば樹脂と、この樹脂に分散されて配置される熱伝導性ワイヤとによって構成される。第２の封止部材４３は例えばガラスと、このガラスに分散されて配置される熱伝導性ワイヤとによって構成される。
【００６４】
熱伝導性ワイヤは線状である。線状の熱伝導性ワイヤとしては針状または曲線状のワイヤを用いることができ、また中空であって管状のワイヤを用いてもよい。
【００６５】
熱伝導性ワイヤはガラス及び樹脂などの母材中において網目構造を形成していることが好ましい。このように母材中において熱伝導性ワイヤが網目構造を形成することにより、隣り合う熱伝導性ワイヤに熱を順次伝導することができるため、高い熱伝導率を有する封止部材を実現することができる。
【００６６】
熱伝導性ワイヤの径は、０．４μｍ以下であり、０．３５μｍ以下が好ましく、０．３μｍ以下がさらに好ましい。また熱伝導性ワイヤの径は小さすぎると熱の拡散効果が得られないので通常は０．００１μｍ以上である。
【００６７】
また熱伝導性ワイヤの長さは０．５μｍ以上が好ましく、１μｍ以上がさらに好ましい。第１の封止部材４２およびの第２封止部材４３に分散して配置される熱伝導性ワイヤのアスペクト比（長さ／直径）は１０以上が好ましく、３０以上がさらに好ましい。アスペクト比が高いほど熱伝導性ワイヤが相互につながりネットワークを形成して熱伝導性向上効果が高まるので好ましく、逆にアスペクト比が小さすぎると十分な熱伝導性が得られないおそれがある。
【００６８】
単一のシングルウォールカーボンナノチューブ（SWCNT）の熱伝導率はきわめて高く、1750〜5800W/ｍKと推定されている。また塊状のSWCNの熱伝導率の測定値としては、室温、配向方向で200W/ｍK以上のものがある｛Applied Physics letters 77, 666(2000)｝。
【００６９】
封止部材４１における熱伝導性ワイヤの混合割合は、高いほど熱伝導性が高くなる一方で光透過率が低下するため、熱伝導性および光透過率を勘案して適宜設定される。封止部材中に含まれる熱伝導性ワイヤの割合は、重量分率で０．１％以上５０％以下程度が好ましい。重量分率が低すぎると意図する高熱伝導性が得られないおそれがあり、また重量分率が高すぎると光透過性が低下するおそれがあるためである。
【００７０】
第１封止部材４２および第２封止部材４３に分散して配置される熱伝導性ワイヤの配向はランダムであれば熱伝導性向上効果が得られるが、封止部材の厚み方向に熱伝導性ワイヤが配向する方が、封止部材の厚み方向の熱伝導が良好になるため、封止部材の厚み方向への熱伝導性向上効果がさらに高められるので好ましい。
【００７１】
（２）表示装置の製造方法
次に表示装置１の製造方法について説明する。
【００７２】
（駆動用基板）
まず導電性薄板２２を用意する。導電性薄板２２で生じる電圧降下を抑制するとともに熱拡散性の高い導電性薄板２２を構成するために、導電性薄板２２は電気抵抗が低くかつ熱伝導率が高い部材によって構成されることが好ましい。このような導電性薄板２２は例えば金属、金属酸化物、及び金属の合金などから成り、その材料としては例えばＣｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｗなどの金属、これらの合金、及びＭｏＯ３、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの金属酸化物を挙げることができる。さらに互いに異なる材料から成る層を積層した積層体によって導電性薄板２２を構成してもよい。例えばＭｏ／Ａｌ／ＭｏやＴａ／Ｃｕ／Ｔａの積層体によって導電性薄板２２を構成してもよい。（ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）導電性薄板２２の厚さは通常５μｍ以上であり、１０μｍ〜５００μｍ程度が好ましい。
【００７３】
次に第１絶縁層２３を導電性薄板２２上に形成する。第１絶縁層２３の厚さは、厚み方向の電気絶縁性を確保できる程度の厚さであればよく、通常５００ｎｍ〜２μｍ程度である。第１絶縁層２３は、ＳｉＮ２などのＳｉＯＸ（記号「ｘ」は１〜２の実数をあらわす。）、スピンオングラス（ＳＯＧ）、フォトレジスト及びポリイミドなどをスピンコート法、スパッタ法、及びＣＶＤなどによって成膜することにより形成される。次に第１絶縁層２３に形成されるコンタクト配線２０ｂに対応する部位にコンタクトホールを形成する。コンタクトホールはフォトリソグラフィー法によって形成することができる。さらにこのコンタクトホールに導電性材料を充填することによりコンタクト配線２０ｂを形成する。
【００７４】
次にゲート電極ＳＧ，ＤＧ、コンデンサ１４の一方の平板１５並びに主配線ｍ１及び副配線ｓ１などの所定の配線を第１絶縁層２３上に形成する。これらは例えばフォトリソグラフィー法によって形成される。例えば真空蒸着法、スパッタリング法、及び塗布法などによって金属および合金などから成る導電性薄膜を第１絶縁層２３上に形成し、この導電性薄膜上にフォトレジストを塗布成膜し、さらに所定の部位を露光し、現像することにより導電性薄膜上にマスクをパターン形成し、続いてエッチングを行い、マスクを除去することにより、上記ゲート電極ＳＧ，ＤＧなどをパターン形成することができる。なお上記ゲート電極ＳＧ，ＤＧなどをパターン形成する際に前述したコンタクト配線２０ｂを同時に形成してもよい。また導電性薄板を所定の部位にのみ選択的に形成することにより、導電性薄板をパターニングすることなく上記ゲート電極ＳＧ，ＤＧなどを形成してもよい。例えばインクジェットプリント法およびフレキソ印刷法などの所定の印刷法によって導電性薄板をパターン形成することにより上記ゲート電極ＳＧ，ＤＧなどを形成することもできる。
【００７５】
ゲート電極ＳＧ，ＤＧ及びコンタクト配線２０ｂなどは例えば導電性薄板２２を構成する材料として例示した材料によって形成される。ゲート電極ＳＧ，ＤＧなどの膜厚は３０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。なお後述する第２絶縁層２４上に形成されるソース電極および所定の配線などを構成する導電性薄膜は例えばゲート電極ＳＧ，ＤＧなどと同じ材料によって同様にして形成される。
【００７６】
次にゲート電極ＳＧ，ＤＧなどを覆うようにして第１絶縁層２３上に第２絶縁層２４を形成する。第２絶縁層２４は例えば感光性樹脂を用いて塗布法などによって形成することができる。この第２絶縁層２４は切替用Ｔｒ１２及び駆動用Ｔｒ１３のゲート絶縁膜１７として機能する。各トランジスタの駆動能力を確保するためにも、絶縁層２４は誘電率が１．５以上かつ膜厚が５００ｎｍ以下となるように形成することが好ましい。次に第２絶縁層２４に形成されるコンタクト配線２０ａ，２０ｃに対応する部位にコンタクトホールを形成する。コンタクトホールはフォトリソグラフィー法によって形成することができる。さらにこのコンタクトホールに導電性材料を充填することによりコンタクト配線２０ａ，２０ｃを形成する。
【００７７】
次にソース電極ＳＳ，ＤＳ、ドレイン電極ＳＤ，ＤＤ、並びに主配線ｍ２及び副配線ｓ２などの所定の配線を第２絶縁層２４上に形成する。これらは上記ゲート電極ＳＧ，ＤＧなどと同様にして形成することができる。またソース電極ＳＳ，ＤＳなどを形成する際に、コンタクト配線２０ａ，２０ｃを同時に形成してもよい。
【００７８】
次にソース電極ＳＳ，ＤＳとドレイン電極ＳＤ，ＤＤとの間にそれぞれ半導体層１８，１９を形成する。半導体層１８，１９はＺＴＯなどの無機酸化物半導体、ペンタセン及びテトラベンゾポルフィリンなどの前駆体を有する有機半導体、並びにアモルファスシリコン及びポリシリコンなどの無機半導体などを、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、及びＣＶＤ法などを用いて成膜することにより形成される。なお無機酸化物半導体、有機半導体、及び無機半導体などを所定の部位に選択的に形成することにより半導体層１８，１９をパターン形成してもよく、また無機酸化物半導体、有機半導体、及び無機半導体などから成る薄膜を一面に形成した後にフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより半導体層１８，１９をパターン形成してもよい。
【００７９】
次に駆動用Ｔｒ１３及び切替用Ｔｒ１２並びに所定の配線などを覆うようにして、第２絶縁層２４上に平坦化膜２５を形成する。平坦化膜２５は駆動用基板２１の表面を平坦にするために設けられる。平坦化膜２５は例えば感光性樹脂を用いて形成される。その厚みは２μｍ〜１０μｍ程度である。次に上述したコンタクト配線の形成と同様にして平坦化膜２５にコンタクト配線２０を形成する。
【００８０】
なお半導体層１８，１９と平坦化膜２５との間に、半導体層１８，１９を保護する保護膜を形成してもよい。この保護膜は駆動用Ｔｒ１３及び切替用Ｔｒ１２の動作特性に影響を与えないものであることが好ましい。
【００８１】
以上の工程により駆動用基板２１が形成される。なお本実施の形態ではボトムゲート構造を有するトランジスタについて説明したが、トップゲート構造を有するトランジスタによって駆動回路を構成してもよい。
【００８２】
（熱放射性部材）
熱放射性部材は１層構成のものや多層構成のものなど様々な形態を採りうる。
【００８３】
例えば黒色系の顔料などの高い熱放射性を示す材料を樹脂材料に混合し、この混合材料を塗布成膜し、さらにこれを固化することにより１層構成の熱放射性部材を形成することができる。また例えば高い熱放射性を示す材料に加えて、高い熱伝導性を示す微粒子を樹脂材料に混合し、この混合材料を塗布成膜し、さらにこれを固化することにより、高い熱放射性に加えて高い熱伝導性を有する１層構成の熱放射性部材を形成することができる。
【００８４】
複数の層を積層して構成される熱放射性部材は、例えば高い熱伝導性を示す層と、高い熱放射性を示す層とを積層した積層体により構成される。例えば高い熱伝導性を示す材料から成る高熱伝導層を形成し、この高熱伝導層の一面または両面に、高い熱放射性を示す黒色系の顔料を含む塗料を塗布することにより、高い熱放射性を示す層を高熱伝導層の一面または両面に形成することができ、高い熱伝導性を示す層と、高い熱放射性を示す層との積層体から成る熱放射性部材を形成することができる。このような熱放射性部材としては具体的にはアルミニウムから成るシートに黒色塗装を施したシート（神戸製鋼社製、商品名：コーベホーネツ・アルミ（ＫＳ７５０）、熱伝導率２３０Ｗ／ｍＫ、熱放射率０．８６）をあげることができる。
【００８５】
以上の熱放射性部材は導電性薄板２２に直接形成してもよく、または所定の基材上に熱放射性部材を予め形成しておき、これを所定の貼合材を用いて導電性薄板２２に貼り合わせてもよい。
【００８６】
例えば高い熱伝導性を示すアルミニウムから成るシートの一方の主面に高い熱放射性を示す黒色塗料を塗布することにより、高い熱伝導性を示す層と高い熱放射性を示す層との積層体を作製し、この積層体を所定の貼合材を用いて導電性薄板２２に貼り合わせればよい。また例えば導電性薄板２２にアルミニウムを蒸着することにより高い熱伝導性を示す層を形成し、さらにこのアルミニウムから成る層の表面に黒色塗料を塗布して高い熱放射性を示す層を形成してもよい。
【００８７】
貼合材としては、アクリル系接着剤やエポキシ系接着剤などの熱伝導性の高いものが好適に用いられる。また貼合材を用いることなく、融着させることによって熱放射性部材を導電性薄板２２に貼り合わせてもよい。
【００８８】
（有機ＥＬ素子）
次に有機ＥＬ素子３１を駆動用基板２１上に形成する。有機ＥＬ素子３１は各構成要素を駆動用基板２１上に順次積層することにより形成することができる。有機ＥＬ素子３１は前述したように陽極と陰極とから成る一対の電極と、この電極間に設けられる１または複数の所定の層３４とを備える。
【００８９】
陽極と陰極との間に設けられる所定の層３４としては発光層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などが挙げられる。
【００９０】
有機ＥＬ素子の採りうる層構成の一例を以下に示す。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｃ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｄ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｅ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｆ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｇ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｊ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｋ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｌ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｍ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｎ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｏ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｐ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
本実施の形態の有機ＥＬ素子は２層以上の発光層を有していてもよい。上記ａ）〜ｐ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極と陰極とに挟持された積層体を「構造単位Ａ」とすると、２層の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、以下のｑ）に示す層構成を挙げることができる。なお２つある（構造単位Ａ）の層構成は互いに同じでも、異なっていてもよい。
ｑ）陽極／（構造単位Ａ）／電荷発生層／（構造単位Ａ）／陰極
また「（構造単位Ａ）／電荷発生層」を「構造単位Ｂ」とすると、３層以上の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、以下のｒ）に示す層構成を挙げることができる。
ｒ）陽極／（構造単位Ｂ）ｘ／（構造単位Ａ）／陰極
なお記号「ｘ」は２以上の整数を表し、（構造単位Ｂ）ｘは「構造単位Ｂ」がｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位Ｂ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。
【００９１】
ここで電荷発生層とは電界を印加することにより正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。
【００９２】
第１電極３２を陽極とし、第２電極３３を陰極とする形態の有機ＥＬ素子では、上記ａ）〜ｑ）の構成において左側の層から順に各層が駆動用基板２１に積層される。また逆に第１電極３２を陰極とし、第２電極３３を陽極とする形態の有機ＥＬ素子では、上記ａ）〜ｑ）の構成において右側の層から順に各層が駆動用基板２１に積層される。
【００９３】
＜第１電極＞
本実施形態の有機ＥＬ素子３１は光を封止部材４１に向けて出射するため、第１電極３２は、不透明の電極でよく、光を第２電極３３に向けて反射する反射電極によって構成することが好ましい。第１電極３２は金属酸化物、金属硫化物、及び金属などの薄膜によって構成される。例えば陽極として第１電極３２を設ける場合、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、及び銅などから成る薄膜が第１電極３２として用いられる。なお光透過性を示すＩＴＯ薄膜などを第１電極３２として用いる場合には、Ａｌ、Ａｕ及びＡｇなどの導電性が高く、光を反射する薄膜を駆動用基板２１側に配置し、この光を反射する薄膜上に光透過性を示すＩＴＯ薄膜などを積層することにより第１電極３２を構成してもよい。また第１電極３２を陰極として設ける場合には、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料を用いて第１電極３２を構成することが好ましく、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、及び周期表の１３族金属などから成る薄膜によって第１電極３２を構成してもよい。
【００９４】
第１電極３２は真空蒸着法、スパッタリング法、及び塗布法などによって上記材料をマトリクス状にパターン形成することにより形成することができる。なお第１電極３２のパターン形成は、上記材料を所定の部位にのみ選択的に薄膜化することによりパターンを形成してもよく、また一面に薄膜を形成した後にフォトリソグラフィー法によって薄膜を所定の形状にパターニングすることによりパターンを形成してもよい。
【００９５】
第１電極３２の膜厚は要求される特性および工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、例えば１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍである。
【００９６】
＜隔壁＞
第１電極３２を形成した後、必要に応じて隔壁５１を形成する。隔壁５１は例えば電気絶縁膜によって構成され、例えばスピンオングラス（Ｓｐｉｎ  ＯＮ  Ｇｌａｓｓ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）及び窒化シリコン（ＳｉＮＸ）等のシリコン系絶縁物、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のアルミニウム酸化物、ハフニア（ＨｆＯ２）等のハフニウム酸化物、イットリア（Ｙ２Ｏ３）等のイットリウム酸化物、Ｌａ２Ｏ３等のランタン酸化物、または感光性樹脂などから成る薄膜によって構成され、これらのうちの１層から成る単層体、または２層以上が積層された積層体によって構成される。なお積層体としては、種類の異なる層が積層された構成でもよく、また同種の層が積層された構成でもよい。隔壁５１は光透過性のものでも、不透光性のものでもよい。隔壁５１は例えばフォトリソグラフィー法および真空蒸着法などによって形成することができる。
【００９７】
＜所定の層＞
所定の層３４は、隔壁５１に囲まれた領域に下記所定の材料を順次成膜することにより形成することができる。成膜方法としては真空蒸着法および塗布法を挙げることができ、下記所定の材料に適した成膜方法を用いればよい。
【００９８】
正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム及び酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン及びポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。
【００９９】
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などを挙げることができる。
【０１００】
発光層は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、またはこの有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。高分子化合物は一般に溶解性が高いために塗布法に適しているため、塗布法で発光層を形成する場合には、発光層は高分子化合物を含むことが好ましい。本明細書において高分子化合物とはポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０８の化合物を意味する。発光層を構成する発光材料としては、例えば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。
【０１０１】
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。
【０１０２】
金属錯体系材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、またはＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｐｔなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。
【０１０３】
（高分子系材料）
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。
【０１０４】
（ドーパント材料）
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。
【０１０５】
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。
【０１０６】
電子注入層を構成する材料としてはアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの１種類以上含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。
【０１０７】
＜第２電極＞
第２電極３３は光透過性を示す電極によって構成される。第２電極３３の材料は極性によって適宜選択される。例えば光が透過する程度の膜厚に陰極の金属材料を薄膜化した導電性薄膜に、ＩＴＯ薄膜を積層することにより、陰極として機能する第２電極３３を形成することができる。また例えばＩＴＯ薄膜を形成することにより陽極として機能する第２電極３３を形成することができる。
【０１０８】
第２電極３３は所定の層３４及び隔壁５１を覆って全面に形成される。第２電極３３は例えば真空蒸着法およびスパッタリング法によって形成することができる。
【０１０９】
（封止部材）
封止部材４１は、分散して配置される線状の熱伝導性ワイヤを含む。熱伝導性ワイヤの材料としては、電気抵抗の低い金属から成るナノワイヤまたはカーボンナノチューブが挙げられる。
【０１１０】
金属から成るナノワイヤは例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ及びこれらの合金などから成る。熱伝導性ワイヤは例えばN.R.Jana, L.Gearheart and C.J.Murphyによる方法（Chm.Commun.,2001, p617-p618）や、C.Ducamp-Sanguesa, R.Herrera-Urbina, and M.Figlarz等による方法（J. Solid State Chem.,Vol.100, 1992, p272〜p280）によって製造することができる。例えばアミノ基含有高分子系分散剤（アイ・シー・アイ・ジャパン社製、商品名「ソルスパース２４０００ＳＣ」）で表面を保護した銀ナノワイヤ（長軸平均長さ１μｍ、短軸平均長さ１０ｎｍ）を用いることができる。
【０１１１】
またカーボンナノチューブとしては、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ及びロープ状カーボンナノチューブなどを挙げることができる。カーボンナノチューブは、炭素原子のみから構成される純粋なカーボンナノチューブでもよく、また一部の炭素原子がＢ、Ｎ、Ｏ等のヘテロ原子で置換されたカーボンナノチューブでもよい。さらには末端及び／又は側面の炭素原子が官能基で修飾されたカーボンナノチューブでもよい。
【０１１２】
第１の封止部材４２は熱伝導性ワイヤが樹脂などに分散配置されて構成される。第１の封止部材４２は例えば樹脂材料と熱伝導性ワイヤとを分散媒に分散させた分散液を、第２電極３３上に塗布し、これを固化することにより形成することができる。樹脂材料として光硬化性樹脂または熱硬化性樹脂を用いた場合には、分散媒を除去するとともに、光を照射する処理または加熱処理を行うことにより第１の封止部材４２を硬化することができる。また分散媒に熱伝導性ワイヤを分散させた分散液を、第２電極３３上に塗布し、次に加熱処理などにより分散液を除去することにより熱伝導性ワイヤのみから成る層を形成し、形成した層に樹脂を含浸させることにより第１の封止部材４２を形成することもできる。
【０１１３】
分散媒としては樹脂を溶解または分散するものであればよく、例えばクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）などのアミン化合物系の溶媒が挙げられる。
【０１１４】
分散媒には所定の界面活性剤を添加してもよい。例えばカーボンナノチューブは分散媒中において凝集することがあるので、この凝集を防ぐために所定の界面活性剤を分散液に添加してもよい。界面活性剤としては、多価アルコールと脂肪酸エステル系、若しくはポリオキシエチレン系のポリオキシエチレン系の界面活性剤、または両者の系を併せ持つ非イオン性界面活性を挙げることができ、ポリオキシエチレン系の非イオン性界面活性が好ましい。
【０１１５】
カーボンナノチューブは例えば超音波処理を行いながら分散液に分散させることで、分散液に均一に分散することができる。さらに界面活性剤を添加することによって、カーボンナノチューブが分散液中で分散した後に凝集することを防ぐことができ、分散液中での分散状態を維持することができる。
【０１１６】
樹脂としては例えば低密度または高密度のポリエチレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、エチレン−オクテン共重合体、エチレン−ノルボルネン共重合体、エチレン−ジメタノ−オクタヒドロナフタレン共重合体、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、アイオノマー樹脂などのポリオレフィン系樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル系樹脂；ナイロン−６、ナイロン−６，６、メタキシレンジアミン−アジピン酸縮重合体；ポリメチルメタクリルイミドなどのアミド系樹脂；ポリメチルメタクリレートなどのアクリル系樹脂；ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアクリロニトリルなどのスチレン−アクリロニトリル系樹脂；トリ酢酸セルロース、ジ酢酸セルロースなどの疎水化セルロース系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレンなどのハロゲン含有樹脂；ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、セルロース誘導体などの水素結合性樹脂；ポリカーボネート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリメチレンオキシド樹脂、ポリアリレート樹脂、液晶樹脂などのエンジニアリングプラスチック系樹脂などが挙げられる。
【０１１７】
第２の封止部材４３はガスバリア性の高いガラスなどに熱伝導性ワイヤが分散配置されて構成される。第２の封止部材４３は例えば、まずガラス原料粉とカーボンナノチューブとを十分混合して混合粉末とし、この混合粉末を不活性ガス雰囲気下で加熱溶融し、これを常温まで冷却固化することによって形成することができる。ガラス原料としては珪酸、ソーダ灰（炭酸ナトリウム）、石灰、炭酸カリウム、酸化鉛、硼酸、水酸化アルミニウム、酸化亜鉛、炭酸バリウム、炭酸リチウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム等が挙げられる。
【０１１８】
第２の封止部材４３は例えば前述した所定の貼合材を用いて第１の封止部材４３に貼り合わせることができる。
【符号の説明】
【０１１９】
１  表示装置
１１  駆動回路
１２  切替用Ｔｒ
１３  駆動用Ｔｒ
１４  コンデンサ
１５  一方の平板
１６  他方の平板
１７  ゲート絶縁膜
１８，１９  半導体層
２０ａ〜２０ｄ  コンタクト配線
ＳＧ，ＤＧ  ゲート電極
ＳＳ，ＤＳ  ソース電極
ＳＤ，ＤＤ  ドレイン電極
２１  駆動用基板
２２  導電性薄板
２３  第１絶縁層
２４  第２絶縁層
２５  平坦化膜
３１  有機ＥＬ素子
３２  第１電極
３３  第２電極
３４  １または複数の所定の層
４１  封止部材
４２  第１の封止部材
４３  第２の封止部材
４５  熱放射性部材
５１  隔壁
【図１】
2011075798.tif 000003
【図２】
2011075798.tif 000004
【図３】
2011075798.tif 000005