(57)【要約】【課題】透明基材の両面の透明金属膜上に設けたフォトレジスト膜に同時に、両面に異なるパターン露光を行っても、エッチング及び剥離処理後の透明基材の両面に位置精度の良好な透明金属膜パターンを効率よく、簡便に形成することのできる透明基材両面へのパターン形成方法を提供する。【解決手段】透明基材２１の表裏両面に設けた透明金属膜２２Ａ、２２Ｂをパターンに形成する際に、透明金属膜の少なくとも一方の透明金属膜上に露光光を遮光する不透明層２７を形成し、フォトレジスト膜２３Ａ、２３Ｂを形成する。不透明層がエッチング及び剥膜処理にて溶解除去される材料である。【選択図】図８
2011154080.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材の表裏両面に設けられた透明金属膜のパターン形成において、前記透明金属膜の少なくとも一方の透明金属膜上に露光光を遮光する不透明層を形成し、前記透明基材の表裏両面にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成することを特徴とする透明基材両面へのパターン形成方法。
【請求項２】
前記透明金属膜が、透明導電膜であることを特徴とする請求項１記載の透明基材両面へのパターン形成方法。
【請求項３】
前記不透明層が、エッチング及び剥膜処理にて溶解除去される材料であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の透明基材両面へのパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明基材の両面へのパターニング方法に関するものであり、特に、透明基材の両面の透明金属膜上に設けたフォトレジスト膜に同時に両面に異なるパターン露光を行っても、両面の透明金属膜上に所望するレジスト膜を形成することができ、従って、エッチング後には位置精度の良好な透明金属パターンを簡便に形成することのできる透明基材両面へのパターニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトエッチング法は、微細なパターンを加工する方法としてプリント配線板、平面ディスプレイ、シャドウマスクなどの製造に広く用いられている方法である。
図１は、両面プリント配線板の一例における部分断面図である。図１に示すように、この両面プリント配線板は、基材（１）、及び基材（１）の上面に設けられた上面導体配線（２Ａ’）と下面に設けられた下面導体配線（２Ｂ’）で構成されている。この両面プリント配線板は、例えば、銅張積層板を用いて製造したものであり、基材（１）はガラスエポキシ系の絶縁体、上面導体配線（２Ａ’）と下面導体配線（２Ｂ’）は銅箔をパターンに形成したものである。
【０００３】
図２及び図３は、フォトエッチング法により、図１に示す両面プリント配線板を製造する方法の一例を工程順に断面で示す説明図である。この方法は、基材（１）として金属基板やセラミック基板などに薄膜のパターンを形成する際にも適用される方法である。
【０００４】
図２（ａ）は、両面プリント配線板の製造に用いる銅張積層板の断面図である。銅張積層板は、基材（１）の上面及び下面に銅箔（２Ａ、２Ｂ）が張り合わされたものであり、この銅張積層板は、露光光を透過させない不透明なものである。
先ず、図２（ｂ）に示すように、銅張積層板の両面にフォトレジストを塗布、乾燥して上面フォトレジスト膜（３Ａ）及び下面フォトレジスト膜（３Ｂ）を設ける。フォトレジストとしてはネガ型のフォトレジストを用いた例である。
【０００５】
次に、所定の遮光パターンを有するフォトマスクを介し、銅張積層板の両面の上面フォトレジスト膜（３Ａ）及び下面フォトレジスト膜（３Ｂ）にパターン露光を行う。
図２（ｃ）に示すように、銅張積層板の上面フォトレジスト膜（３Ａ）にパターン露光を行う上面フォトマスク（ＰＭ−Ａ）には、図１に示す上面導体配線（２Ａ’）の形成に対応した上面透光部（５Ａ）が設けられており、他の部分には上面遮光部（４Ａ）が設けられている。
【０００６】
また、銅張積層板の下面フォトレジスト膜（３Ｂ）にパターン露光を行う下面フォトマスク（ＰＭ−Ｂ）には、図１に示す下面導体配線（２Ｂ’）の形成に対応した下面透光部（５Ｂ）が設けられており、他の部分には下面遮光部（４Ｂ）が設けられている。
図１に示す上面導体配線（２Ａ’）と下面導体配線（２Ｂ’）が所定の位置関係に形成されるように、上面フォトマスク（ＰＭ−Ａ）と下面フォトマスク（ＰＭ−Ｂ）は、このパターン露光の段階で銅張積層板に設けられる貫通孔などにいより上面と下面の位置合わせがなされている。
【０００７】
上面フォトマスク（ＰＭ−Ａ）を介した上面パターン露光（Ｌ−Ａ）により、上面フォトレジスト膜（３Ａ）の、上面導体配線（２Ａ’）の形成に対応した部分（図２（ｃ）中、×印で表す）は、露光され硬化した上面フォトレジスト膜（３Ａ’）となる。
また、下面フォトマスク（ＰＭ−Ｂ）を介した下面パターン露光（Ｌ−Ｂ）により、下面
フォトレジスト膜（３Ｂ）の、下面導体配線（２Ｂ’）の形成に対応した部分（図２（ｃ）中、×印で表す）は、露光され硬化した下面フォトレジスト膜（３Ｂ’）となる。
【０００８】
この際、上方からの上面パターン露光（Ｌ−Ａ）と、下方からの下面パターン露光（Ｌ−Ｂ）は同時に行われる。基材（１）、及び上面銅箔（２Ａ）と下面銅箔（２Ｂ）で構成される銅張積層板は、露光光を透過させない不透明なものであるため、上面パターン露光（Ｌ−Ａ）の露光光と、下面パターン露光（Ｌ−Ｂ）の露光光とは相互に干渉することなく、両パターン露光は、上面フォトレジスト膜（３Ａ）と下面フォトレジスト膜（３Ｂ）とに各々与えられる。
【０００９】
なお、図２（ｃ）において、上面フォトマスク（ＰＭ−Ａ）と上面フォトレジスト膜（３Ａ）との間、及び下面フォトマスク（ＰＭ−Ｂ）と下面フォトレジスト膜（３Ｂ）との間に、説明上、各々間隔を設けてあるがフォトマスクとフォトレジスト膜は密着した状態でもよい。
【００１０】
次に、図３（ａ）に示すように、所定の薬液で現像し、硬膜処理を施し、銅張積層板の上面に上面レジスト膜（６Ａ）を設け、また銅張積層板の下面に下面レジスト膜（６Ｂ）を設ける。この現像、硬膜処理は表裏を同時に施す。
これにより、上面銅箔（２Ａ）と下面銅箔（２Ｂ）の、次のエッチング処理により除去される部分は、上面レジスト膜（６Ａ）と下面レジスト膜（６Ｂ）から各々、露出された状態になる。
【００１１】
次に、図３（ｂ）に示すように、上面レジスト膜（６Ａ）及び下面レジスト膜（６Ｂ）が形成された銅張積層板の上面及び下面に所定の薬液を用いたエッチング処理（Ｅ−Ａ、Ｅ−Ｂ）を同時に施し、露出していた部分の上面銅箔（２Ａ）と下面銅箔（２Ｂ）を除去する。
次に、図３（ｃ）に示すように、所定の処理液で上面レジスト膜（６Ａ）及び下面レジスト膜（６Ｂ）を剥膜し、基材（１）の上面に上面導体配線（２Ａ’）が、また下面に下面導体配線（２Ｂ’）が形成された両面プリント配線板を得る。
【００１２】
上記のように、この一例に示すフォトエッチング法は、露光光を透過させない不透明な銅張積層板を用いているために、同時に両面のフォトレジスト膜に異なるパターン露光を施すことができるので、効率よく基材の両面にパターン露光をすることが可能になる。
つまり、基材として、不透明な金属基板やセラミック基板などに薄膜のパターンを形成する際にも好適に適用される方法といえる。また、このフォトエッチング法は、パターンの大きさが、例えば、１００μｍ以下の微細なパターンを良好に形成することができ、また、表裏の位置合わせは、±数μｍ以下に保つことができる。
【００１３】
なお、上記一例に示す方法では、図３（ａ）に示す、上面レジスト膜（６Ａ）及び下面レジスト膜（６Ｂ）をフォトレジストとフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法にて形成したが、レジスト膜を形成する他の方法としては、例えば、スクリーン印刷、グラビア印刷、ドライフィルムレジストのラミネートなどの方法を挙げることができる。
【００１４】
さて、図４は、平面ディスプレイを構成する透明基板の一例における部分断面図である。図４に示すように、この透明基板は、透明基材（１１）、及び透明基材（１１）の上面に設けられた上面電極パターン（１２Ａ’）と下面に設けられた下面電極パターン（１２Ｂ’）で構成されている。
【００１５】
この透明基板は、例えば、透明なタッチパネルなどのように、透明基材（１１）としてプラスチックフィルムを用いており、或いは多層型液晶表示装置のように、透明基材（１
１）として透明なガラス板を用いており、また、透明基材（１１）の上面の上面電極パターン（１２Ａ’）及び下面の下面電極パターン（１２Ｂ’）は、透明導電膜を電極パターンに形成したものである。
図４において、透明基材（１１）の両面に形成するパターン形状は、説明上、図２に示すパターンと同一のものとしてある。
【００１６】
図５及び図６は、図４に示す透明基板を、図２及び図３に示す方法で製造する試みの一例を工程順に断面で示す説明図である。
図５（ａ）は、透明基材（１１）の上面及び下面に透明導電膜（１２Ａ、１２Ｂ）が成膜されたものであり、このものは露光光を透過させる透明なものである。
この試みの一例は、先ず、図５（ｂ）に示すように、透明基材（１１）の両面の透明導電膜（１２Ａ、１２Ｂ）にフォトレジストを塗布、乾燥して上面フォトレジスト膜（１３Ａ）及び下面フォトレジスト膜（１３Ｂ）を設ける。フォトレジストとしてはネガ型のフォトレジストを用いた例である。
【００１７】
次に、所定の遮光パターンを有するフォトマスクを介し、透明基材（１１）の両面の上面フォトレジスト膜（１３Ａ）及び下面フォトレジスト膜（１３Ｂ）にパターン露光を行う。図５（ｃ）に示すように、透明基材（１１）の上面フォトレジスト膜（１３Ａ）にパターン露光を行う上面フォトマスク（ＰＭ−Ａ）には、図４に示す上面電極パターン（１２Ａ’）の形成に対応した上面透光部（５Ａ）が設けられており、他の部分には上面遮光部（４Ａ）が設けられている。この上面フォトマスク（ＰＭ−Ａ）は、前記図２（ｃ）に示すフォトマスクと同一のものである。
【００１８】
また、透明基材（１１）の下面フォトレジスト膜（１３Ｂ）にパターン露光を行う下面フォトマスク（ＰＭ−Ｂ）には、図４に示す下面電極パターン（１２Ｂ’）の形成に対応した下面透光部（５Ｂ）が設けられており、他の部分には下面遮光部（４Ｂ）が設けられている。この下面フォトマスク（ＰＭ−Ｂ）は、前記図２（ｃ）に示すフォトマスクと同一のものである。
【００１９】
図４に示す上面電極パターン（１２Ａ’）と下面電極パターン（１２Ｂ’）が所定の位置関係に形成されるように、上面フォトマスク（ＰＭ−Ａ）と下面フォトマスク（ＰＭ−Ｂ）は、各々のフォトマスクに設けられる位置合わせマーク及び透明基材に予め設けられる位置合わせマークを用いて、このパターン露光の段階で位置合わせがなされている。
【００２０】
上面フォトマスク（ＰＭ−Ａ）を介した上面パターン露光（Ｌ−Ａ）により、上面フォトレジスト膜（１３Ａ）の、上面電極パターン（１２Ａ’）の形成に対応した部分（図５（ｃ）中、×印で表す）は、露光され硬化した上面フォトレジスト膜（１３Ａ’）となる。この際、上面パターン露光（Ｌ−Ａ）により上面透光部（５Ａ）を透光した露光光は、上面透明導電膜（１２Ａ）、透明基材（１１）、及び下面透明導電膜（１２Ｂ）が透明であるために、上面フォトレジスト膜（１３Ａ’）を硬化した後に、点線矢印で示すように、下面電極パターン（１２Ｂ’）の、符号（ｂ）で表す部分にも達し、この部分を露光し硬化させる。
【００２１】
また、一方、下面フォトマスク（ＰＭ−Ｂ）を介した下面パターン露光（Ｌ−Ｂ）により、下面フォトレジスト膜（１３Ｂ）の、下面電極パターン（１２Ｂ’）の形成に対応した部分（図５（ｃ）中、×印で表す）は、露光され硬化した下面フォトレジスト膜（１３Ｂ’）となる。
この際、下面パターン露光（Ｌ−Ｂ）により他面透光部（５Ｂ）を透光した露光光は、下面透明導電膜（１２Ｂ）、透明基材（１１）、及び上面透明導電膜（１２Ａ）が透明であるために、下面フォトレジスト膜（１３Ｂ’）を硬化した後に、点線矢印で示すように、
上面フォトレジスト膜（１３Ａ’）の、符号（ａ）で表す部分にも達し、この部分を露光し硬化させる。
【００２２】
つまり、上方からの上面パターン露光（Ｌ−Ａ）は、上面フォトレジスト膜（１３Ａ）と下面フォトレジスト膜（１３Ｂ）の両フォトレジスト膜に露光を与え、また、下方からの下面パターン露光（Ｌ−Ｂ）は、下面フォトレジスト膜（１３Ｂ）と上面フォトレジスト膜（１３Ａ）の両フォトレジスト膜に露光を与える。
【００２３】
従って、図６（ａ）に示すように、パターン露光後に、所定の薬液による現像、硬膜処理を施すと、透明基材（１１）の上面には、所望する硬化した上面レジスト膜（１６Ａ）に加え、符号（ａ’）で表す上面フォトレジスト膜の硬化したレジスト膜が形成される。また透明基材（１１）の下面には、所望する硬化した下面レジスト膜（１６Ｂ）に加え、符号（ｂ’）で表す下面フォトレジスト膜の硬化したレジスト膜が形成される。
【００２４】
図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す現像、硬膜処理後に、エッチング及び剥膜処理が施された段階を表したものである。図６（ｂ）に示すように、透明基材（１１）の上面には、所望する上面電極パターン（１２Ａ’）と、所望しない上面電極パターン（１２Ａ’’）が形成され、また、透明基材（１１）の下面には、所望する下面電極パターン（１２Ｂ’）と、所望しない下面電極パターン（１２Ｂ’’）が形成されることになる。
【００２５】
このように、透明基材の両面の透明導電膜上のフォトレジスト膜に同時にパターン露光を施してレジストパターンを設け、続いてエッチング及び剥膜を施すと、透明基材（１１）上に得られる電極パターンは、透明基材（１１）上面には、所望する上面電極パターンと、所望しない上面電極パターンが形成され、また、透明基材（１１）下面には、所望する下面電極パターンと、所望しない下面電極パターンが形成されるといった問題がある。
【００２６】
このような問題を回避する方法としては、例えば、先ず透明基材（１１）の上面に上面電極パターン（１２Ａ’）を形成し、次に透明基材（１１）の下面に下面電極パターン（１２Ｂ’）を形成する、つまり、片面毎の２工程で透明基材（１１）の両面に電極パターンを形成する方法が挙げられる。
【００２７】
しかし、この片面毎に電極パターンを形成する方法は、上面電極パターン（１２Ａ’）と下面電極パターン（１２Ｂ’）の位置精度が悪化すること、電極パターンを形成する効率が低下すること、また、片面の電極パターンを形成した後に、他面の電極パターンを形成する際のエッチングによって、先に形成した片面の電極パターンが溶解されないように、保護膜を設ける必要があり好ましい方法とはいえない。
【００２８】
そのため、透明基材の両面にパターンを形成する様々な検討がなされていいる。例えば、特許文献１には、透明基材の両面にフォトリソグラフィ法によりパターンを形成する方法として、（ａ）透明基材の第１の面に第１の波長λ1 を有する光で感光するフォトレジストを塗布する工程と、（ｂ）透明基材の第２の面に上記第１の波長とは異なる第２の波長λ2 を有する光で感光する別のフォトレジストを塗布する工程と、（ｃ）第１の波長λ1 を有する光で第１の面を露光する工程と、（ｄ）第２の波長λ2 を有する光で第２の面を露光する工程とを含む方法が提案されている。
この提案される方法は、上記問題を回避したものといえる。しかし、上面パターンと下面パターンの位置精度が悪化すること、効率が低下するといった問題は残されている。
【００２９】
また、特許文献２には、透明基材の両面に上面パターンと下面パターンの位置精度を良好に形成する方法が提案されている。この提案される方法は、上面パターンと下面パターンの位置精度は良好に形成されるが、効率の良い方法とはいえない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３０】
【特許文献１】特開２００２−１４４６４号公報
【特許文献２】特開平９−４３８６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３１】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、透明基材の両面の透明金属膜上、例えば、透明導電膜上に設けたフォトレジスト膜に同時に、両面に異なるパターン露光を行っても、上面透明導電膜上には上面レジストパターンを形成し、また下面透明導電膜上には下面レジストパターンを形成することができ、従って、エッチング及び剥離処理後の透明基材の両面に位置精度の良好な透明導電膜パターンを効率よく、簡便に形成することのできる透明基材両面へのパターニング方法を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
本発明は、透明基材の表裏両面に設けられた透明金属膜のパターン形成において、前記透明金属膜の少なくとも一方の透明金属膜上に露光光を遮光する不透明層を形成し、前記透明基材の表裏両面にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成することを特徴とする透明基材両面へのパターン形成方法である。
【００３３】
また、本発明は、上記発明による透明基材両面へのパターン形成方法において、前記透明金属膜が、透明導電膜であることを特徴とする透明基材両面へのパターン形成方法である。
【００３４】
また、本発明は、上記発明による透明基材両面へのパターン形成方法において、前記不透明層が、エッチング及び剥膜処理にて溶解除去される材料であることを特徴とする透明基材両面へのパターン形成方法である。
【発明の効果】
【００３５】
本発明は、フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成する前に、透明金属膜の少なくとも一方の透明金属膜上に露光光を遮光する不透明層を形成するので、透明基材の両面の透明金属膜上、例えば、透明導電膜上に設けたフォトレジスト膜に同時に、両面に異なるパターン露光を行っても、上面透明導電膜上には上面レジストパターンを形成し、また下面透明導電膜上には下面レジストパターンを形成することができ、従って、エッチング及び剥離処理後の透明基材の両面に位置精度の良好な透明導電膜パターンを効率よく、簡便に形成することのできる透明基材両面へのパターン形成方法となる。
【００３６】
また、本発明は、透明金属膜を透明導電膜とすることによって、平面ディスプレイの透明電極に多用される透明導電膜を透明基材両面へパターンとして形成する際に好適な透明基材両面へのパターン形成方法となる。
【００３７】
また、本発明は、不透明層がエッチング及び剥膜処理にて溶解除去される材料であるので、透明基材の表裏両面に設けられた透明金属膜を、フォトエッチング法によりパターンに形成する際に、好適な透明基材両面へのパターン形成方法となる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】両面プリント配線板の一例における部分断面図である。
【図２】フォトエッチング法により、両面プリント配線板を製造する方法の一例を工程順に断面で示す説明図である。
【図３】フォトエッチング法により、両面プリント配線板を製造する方法の一例を工程順に断面で示す説明図である。
【図４】透明基板上に形成された透明電極の一例における部分断面図である。
【図５】透明基板を製造する試みの一例を工程順に断面で示す説明図である。
【図６】透明基板を製造する試みの一例を工程順に断面で示す説明図である。
【図７】本発明のパターニング方法を用い、透明基材両面上の透明導電膜をパターンに形成した一例における部分断面図である。
【図８】透明基材上の上面電極パターン及び下面電極パターンを、本発明によるパターニング方法で製造する一例を工程順に断面で示す説明図である。
【図９】透明基材上の上面電極パターン及び下面電極パターンを、本発明によるパターニング方法で製造する一例を工程順に断面で示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下に、本発明による透明基材両面へのパターニング方法を実施の形態に基づいて説明する。
図７は、本発明によるパターニング方法を用い、透明基材両面上の透明導電膜をパターンに形成した一例における部分断面図である。図７に示すように、透明基材（２１）の上面には上面電極パターン（２２Ａ’）が形成され、下面には下面電極パターン（２２Ｂ’）が形成されている。
【００４０】
この透明基板は、例えば、透明なタッチパネルなどのように、透明基材（２１）としてプラスチックフィルムを用いており、或いは多層型液晶表示装置のように、透明基材（２１）として透明なガラス板を用いており、また、透明基材（２１）の上面の上面電極パターン（２２Ａ’）及び下面の下面電極パターン（２２Ｂ’）は、透明金属膜としての透明導電膜を電極パターンに形成したものである。
図７において、透明基材（２１）の両面に形成するパターン形状は、説明上、図４に示すパターンと同一のものとしてある。
【００４１】
透明金属膜としての透明導電膜の材料には、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの金属酸化物が薄膜に形成され用いられる。平面ディスプレイや太陽電地の透明電極としては、ＩＴＯやＳｎＯ2 が広く用いられている。
【００４２】
図８及び図９は、図７に示す透明基材上の上面電極パターン（２２Ａ’）及び下面電極パターン（２２Ｂ’）を、本発明によるパターニング方法で製造する一例を工程順に断面で示す説明図である。
図８（ａ）は、透明基材（２１）の上面及び下面に透明導電膜（２２Ａ、２２Ｂ）が成膜されたものであり、このものは露光光を透過させる透明なものである。
【００４３】
本発明においては、透明基材（２１）の両面の透明導電膜（２２Ａ、２２Ｂ）にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成する前に、図８（ｂ）に示すように、先ず、両面の透明導電膜（２２Ａ、２２Ｂ）の少なくとも一方の透明導電膜上に、図８（ｂ）においては上面透明導電膜（２２Ａ）上に露光光を遮光する不透明層（２７）を形成する。続いて、この不透明層（２７）上、及び下面透明導電膜（２２Ｂ）上にフォトレジストを塗布、乾燥して上面フォトレジスト膜（２３Ａ）及び下面フォトレジスト膜（２３Ｂ）を形成する。なお、この一例ではフォトレジストとしてはネガ型のフォトレジストを用いた例である。
【００４４】
本発明における不透明層（２７）には、エッチング処理、及び剥膜処理にて溶解除去される材料を用いる。例えば、エッチング処理に酸液を用い、剥膜処理にアルカリ液を用いる際には、不透明層（２７）の材料として酸及びアルカリによって溶解される、例えば、Ａｌを用いることができる。Ａｌの他には、両性金属であるＺｎ、Ｓｎが挙げられ、各々の単体、酸化物、水酸化物は、酸及びアルカリによって溶解除去される。
また、不透明層として金属の他には、酸及びアルカリに可溶なレジストを用いることができる。これら不透明層の厚みは１μｍ以下であることが好ましい。
【００４５】
次に、所定の遮光パターンを有するフォトマスクを介し、透明基材（２１）の両面の上面フォトレジスト膜（２３Ａ）及び下面フォトレジスト膜（２３Ｂ）にパターン露光を行う。図８（ｃ）に示すように、透明基材（２１）の上面フォトレジスト膜（２３Ａ）にパターン露光を行う上面フォトマスク（ＰＭ−Ａ）には、図７に示す上面電極パターン（２２Ａ’）の形成に対応した上面透光部（５Ａ）が設けられており、他の部分には上面遮光部（４Ａ）が設けられている。この上面フォトマスク（ＰＭ−Ａ）は、前記図５（ｃ）に示すフォトマスクと同一のものである。
【００４６】
また、透明基材（２１）の下面フォトレジスト膜（２３Ｂ）にパターン露光を行う下面フォトマスク（ＰＭ−Ｂ）には、図７に示す下面電極パターン（２２Ｂ’）の形成に対応した下面透光部（５Ｂ）が設けられており、他の部分には下面遮光部（４Ｂ）が設けられている。この下面フォトマスク（ＰＭ−Ｂ）は、前記図５（ｃ）に示すフォトマスクと同一のものである。
【００４７】
図７に示す上面電極パターン（２２Ａ’）と下面電極パターン（２２Ｂ’）が所定の位置関係に形成されるように、上面フォトマスク（ＰＭ−Ａ）と下面フォトマスク（ＰＭ−Ｂ）は、各々のフォトマスクに設けられる位置合わせマーク及び透明基材に予め設けられる位置合わせマークを用いて、このパターン露光の段階で位置合わせがなされている。
【００４８】
上面フォトマスク（ＰＭ−Ａ）を介した上面パターン露光（Ｌ−Ａ）により、上面フォトレジスト膜（２３Ａ）の、上面電極パターン（２２Ａ’）の形成に対応した部分（図８（ｃ）中、×印で表す）は、露光され硬化した上面フォトレジスト膜（２３Ａ’）となる。この際、上面パターン露光（Ｌ−Ａ）により上面透光部（５Ａ）を透光した露光光は、不透明層（２７）によって遮光される。
つまり、上面透明導電膜（２２Ａ）、透明基材（２１）、及び下面透明導電膜（２２Ｂ）が透明であっても、露光光は、上面フォトレジスト膜（２３Ａ’）を硬化した後に、下面フォトレジスト膜（２３Ｂ）に達することはない。
【００４９】
また、一方、下面フォトマスク（ＰＭ−Ｂ）を介した下面パターン露光（Ｌ−Ｂ）により、下面フォトレジスト膜（２３Ｂ）の、下面電極パターン（２２Ｂ’）の形成に対応した部分（図８（ｃ）中、×印で表す）は、露光され硬化した下面フォトレジスト膜（２３Ｂ’）となる。
この際、下面パターン露光（Ｌ−Ｂ）により下面透光部（５Ｂ）を透光した露光光は、下面透明導電膜（２２Ｂ）、透明基材（２１）、及び上面透明導電膜（２２Ａ）が透明であるために、下面フォトレジスト膜（２３Ｂ’）を硬化した後に、点線矢印で示すように、上面透明導電膜（２２Ａ）まで達するが、不透明層（２７）によって遮光される。露光光は、上面フォトレジスト膜（２３Ａ）に達することはない。
【００５０】
つまり、上方からの上面パターン露光（Ｌ−Ａ）は、上面フォトレジスト膜（２３Ａ）のみに露光光を与え、また、下方からの下面パターン露光（Ｌ−Ｂ）は、下面フォトレジスト膜（２３Ｂ）のみに露光光を与える。
従って、図９（ａ）に示すように、パターン露光後に、所定の薬液による現像、硬膜処理を施すと、透明基材（２１）の上面には、所望する硬化した上面レジスト膜（２６Ａ）が形成される。また透明基材（２１）の下面には、所望する硬化した下面レジスト膜（２６Ｂ）が形成される。
【００５１】
図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す現像、硬膜処理後に、エッチング処理（Ｅ−Ａ、Ｅ−Ｂ）が施された段階を表したものである。図９（ｂ）に示すように、透明基材（２１）の上面では、上面レジスト膜（２６Ａ）で保護されていない不透明層（２７）部分と上面透明導電膜（２２Ａ）部分が溶解除去される。また、透明基材（２１）の下面では、下面レジスト膜（２６Ｂ）で保護されていない下面透明導電膜（２２Ｂ）部分が溶解除去される。
【００５２】
図９（ｃ）は、エッチング後に剥膜処理が施された段階を表したものである。図９（ｃ）に示すように、透明基材（２１）の上面には、所望する上面電極パターン（２２Ａ’）が形成され、また、透明基材（２１）の下面には、所望する下面電極パターン（２２Ｂ’）が形成される。
【００５３】
このように、本発明の透明基材両面へのパターニング方法は、フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成する前に、透明金属、例えば、透明導電膜の少なくとも一方の透明導電膜上に露光光を遮光する不透明層を形成するので、透明導電膜上に設けたフォトレジスト膜に同時に、両面に異なるパターン露光を行っても、上面透明導電膜上には上面レジストパターンを形成し、また下面透明導電膜上には下面レジストパターンを形成することができ、従って、エッチング及び剥離処理後の透明基材の両面に位置精度の良好な透明導電膜パターンを効率よく、簡便に形成することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・基材
２Ａ’・・・上面導体配線
２Ｂ’・・・下面導体配線
２Ａ、２Ｂ・・・上面銅箔、下面銅箔
３Ａ、３Ｂ・・・上面フォトレジスト膜、下面フォトレジスト膜
３Ａ’、３Ｂ’・・・硬化した上面フォトレジスト膜、下面硬化したフォトレジスト膜
４Ａ、４Ｂ・・・上面遮光部、下面遮光部
５Ａ、５Ｂ・・・上面透光部、下面透光部
６Ａ、６Ｂ・・・上面レジスト膜、下面レジスト膜
１１、２１・・・透明基材
１２Ａ、１２Ｂ・・・上面透明導電膜、下面透明導電膜
１２Ａ’、１２Ｂ’・・・上面電極パターン、下面電極パターン
１２Ａ’’、１２Ｂ’’・・・所望しない上面電極パターン、所望しない下面電極パターン
１３Ａ、１３Ｂ・・・上面フォトレジスト膜、下面フォトレジスト膜
１３Ａ’、１３Ｂ’・・・硬化した上面フォトレジスト膜、硬化した下面フォトレジスト膜
１６Ａ、１６Ｂ・・・上面レジスト膜、下面レジスト膜
２２Ａ’、２２Ｂ’・・・上面電極パターン、下面電極パターン
２２Ａ、２２Ｂ・・・上面透明導電膜、下面透明導電膜
２３Ａ、２３Ｂ・・・上面フォトレジスト膜、下面フォトレジスト膜
２３Ａ’、２３Ｂ’・・・硬化した上面フォトレジスト膜、硬化した下面フォトレジスト膜
２６Ａ、２６Ｂ・・・上面レジスト膜、下面レジスト膜
２７・・・本発明における不透明層
Ｅ−Ａ、Ｅ−Ｂ・・・上面へのエッチング処理、下面へのエッチング処理
Ｌ−Ａ、Ｌ−Ｂ・・・上面パターン露光、下面パターン露光
ＰＭ−Ａ、ＰＭ−Ｂ・・・上面フォトマスク、下面フォトマスク
ａ、ｂ・・・上面パターン露光により露光される下面部分、下面パターン露光により露光される上面部分
ａ’、ｂ’・・・上面に形成される硬化したレジスト膜、下面に形成される硬化したレジスト膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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