(57)【要約】【課題】枝部が長くても液晶分子の配向が安定した液晶表示装置およびそのような液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  各画素は、誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含む液晶層と、第１電極と、第１電極に液晶層を介して対向する第２電極と、第１電極と液晶層との間および第２電極と液晶層との間に設けられた一対の垂直配向膜と、一対の垂直配向膜の液晶層側の表面のそれぞれに形成された光重合物から構成される一対の配向維持層とを有し、第１電極、直線状の幹部と幹部から１つの方位に互いに平行に延びる複数の枝部とを有し、複数の枝部の長さは１００μｍ以上であり、複数の枝部の間に位置する液晶分子のプレチルト方位は、１つの方位と平行または反平行であって、配向維持層によって規定されている。【選択図】図１
2011075914.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有し、前記複数の画素のそれぞれは、
誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含む液晶層と、
少なくとも１つの第１電極と、
前記少なくとも１つの第１電極に前記液晶層を介して対向する第２電極と、
前記少なくとも１つの第１電極と前記液晶層との間および前記第２電極と前記液晶層との間に設けられた一対の垂直配向膜と、
前記一対の垂直配向膜の前記液晶層側の表面のそれぞれに形成された光重合物から構成される一対の配向維持層と
を有し、
前記少なくとも１つの第１電極のそれぞれは、直線状の幹部と前記幹部から１つの方位に互いに平行に延びる複数の枝部とを有し、
前記複数の枝部の長さは１００μｍ以上であり、前記複数の枝部の間に位置する液晶分子のプレチルト方位は、前記１つの方位と平行または反平行であって、前記配向維持層によって規定されている、液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数の画素は、前記１つの方位が第１の方位である画素と、前記１つの方位が前記第１の方位と１８０°異なる第２の方位である画素を含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの第１電極のそれぞれは、前記幹部から前記第１の方位に互いに平行に延びる複数の第１枝部と、前記幹部から前記第１の方位と１８０°異なる前記第２の方位に互いに平行に延びる複数の第２枝部とを含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの第１電極は、前記１つの方位が前記第１の方位である第１電極と、前記１つの方位が前記第１の方位と１８０°異なる前記第２の方位である第１電極とである２つの第１電極を含み、
前記２つの第１電極は、互いに異なるＴＦＴに接続されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記少なくとも１つの第１電極および前記一対の垂直配向膜の一方が形成された第１基板と、前記第２電極および前記一対の垂直配向膜の他方が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に、ネマチック液晶材料と光重合性化合物との混合物を含む液晶セルを用意する工程（ａ）と、
前記少なくとも１つの第１電極の前記１つの方位に平行または反平行な磁界を印加した状態で、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）の後に、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加した状態で、前記混合物に光を照射することによって、光重合物を生成させる工程（ｃ）と、
を包含する、液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｃ）の後に、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加しない状態で、前記混合物にさらに光を照射することによって、前記光重合物をさらに生成させる工程（ｄ）とを包含する、請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記磁界は、０．１Ｔ以上である、請求項５または６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置およびその製造方法に関し、特に、ＰＳＡ技術を用いる垂直配向モード（ＶＡモード）の液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、表示品位が視野角に依存するという性質を有している。そこで、各画素内に、液晶分子のプレチルト方向が互いに異なる複数の液晶ドメインを形成する（例えばＭＶＡモードなどの配向分割）、あるいは、互いに異なる複数のプレチルト方向に配向した液晶分子を有する液晶ドメイン（例えばＣＰＡモードの軸対称配向ドメイン）を形成することによって、液晶表示装置の広視野角化が図られている。
【０００３】
近年、液晶分子のプレチルト方向を制御する技術として、Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（以下、「ＰＳＡ技術」という）が開発された（特許文献１、２、３および非特許文献１参照）。特許文献１、２、３および非特許文献１の開示内容の全てを参考のために本明細書に援用する。
【０００４】
ＰＳＡ技術は、液晶材料中に少量の重合性化合物（例えば光重合性モノマまたはオリゴマ）を混入しておき、液晶セルを組み立てた後、液晶層に所定の電圧を印加した状態で重合性材料に活性エネルギー線（例えば紫外線）を照射し、生成される重合体によって、液晶分子のプレチルト方向を制御する技術である。重合体が生成されるときの液晶分子の配向状態が、電圧を取り去った後（電圧を印加しない状態）においても維持（記憶）される。重合体で形成される層を、ここでは配向維持層ということにする。配向維持層は、配向膜の表面（液晶層側）に形成されるが、配向膜の表面を覆う膜の形態をとる必要は必ずしも無く、重合体の粒子が離散的に存在する形態もある。
【０００５】
ＰＳＡ技術は、液晶層に形成される電界等を制御することによって、液晶分子のプレチルト方位およびプレチルト角度を調整することができるという利点を有している。また、ＰＳＡ技術はラビング処理を必要としないので、特に、ラビング処理によってプレチルト方向を制御することが難しい垂直配向型の液晶層を形成するのに適している。
【０００６】
また、上記特許文献１〜３には、図１１に示すような画素電極２０を有するＶＡモードの液晶表示装置２００が開示されている。液晶表示装置２００が有する画素電極２０は、一対の偏光板の偏光軸と重なるように配置された十字形状の幹部２０ｔ１、２０ｔ２と、十字形状の幹部２０ｔ１、２０ｔ２から略４５°方向に延びる複数の枝部２０ｂ１、２０ｂ２、２０ｂ３、および２０ｂ４とを有している。
【０００７】
幹部は、行方向（水平方向）に延びる幹部２０ｔ１と、列方向（垂直方向）に延びる幹部２０ｔ２とを有している。複数の枝部は、表示面の左方向（時計の文字盤の３時方向）の方位角を０°とすると、幹部から４５°方位に延びる第１群（枝部２０ｂ１）と、１３５°方位に延びる第２群（枝部２０ｂ２）と、２２５°方位に延びる第３群（枝部２０ｂ３）と、３１５°方位に延びる第４群（枝部２０ｂ４）とを有している。垂直配向型の液晶層の液晶分子（誘電異方性が負）は、幹部および枝部からの斜め電界により、それぞれの枝部が延びる方位に傾斜する。これは、互いに平行に延びる枝部からの斜め電界は枝部が延びる方向に垂直な方位に液晶分子を傾斜させるように作用し、幹部からの斜め電界はそれぞれの枝部の延びる方位に液晶分子を傾斜させるように作用するからである。
【０００８】
ＰＳＡ技術を用いると、液晶層に電圧を印加した際に形成される、液晶分子の上記の配向を安定化させることが出来る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−３５７８３０号公報
【特許文献２】特開２００３−１７７４１８号公報
【特許文献３】特開２００６−７８９６８号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】K. Hanaoka et al. "A New MVA-LCD by Polymer Sustained Alignment Technology", SID 04 DIGEST1200-1203(2004)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、本発明者の検討によると、図１１に示すＶＡモードの液晶表示装置２００の画素電極２０の枝部が長くなると（例えば１００μｍ以上）、幹部からの斜め電界の配向規制力が、枝部の液晶分子に十分に及ばず、その結果、液晶分子の配向が乱れ、ディスクリネーションラインが発生するという問題があることが分かった（図５参照）。すなわち、図１１に示した画素電極の構造を、大きな画素（例えば、行方向の長さが約１４０μｍ以上）に適用すると、表示品位が低下するという問題がある。
【００１２】
そこで本発明は、画素電極の枝部が長くても液晶分子の配向が安定したＶＡモード液晶表示装置およびそのような液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の液晶表示装置は、複数の画素を有し、前記複数の画素のそれぞれは、誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含む液晶層と、少なくとも１つの第１電極と、前記少なくとも１つの第１電極に前記液晶層を介して対向する第２電極と、前記少なくとも１つの第１電極と前記液晶層との間および前記第２電極と前記液晶層との間に設けられた一対の垂直配向膜と、前記一対の垂直配向膜の前記液晶層側の表面のそれぞれに形成された光重合物から構成される一対の配向維持層とを有し、前記少なくとも１つの第１電極のそれぞれは、直線状の幹部と前記幹部から１つの方位に互いに平行に延びる複数の枝部とを有し、前記複数の枝部の長さは１００μｍ以上であり、前記複数の枝部の間に位置する液晶分子のプレチルト方位は、前記１つの方位と平行または反平行であって、前記配向維持層によって規定されている。
【００１４】
ある実施形態において、前記複数の画素は、前記１つの方位が第１の方位である画素と、前記１つの方位が前記第１の方位と１８０°異なる第２の方位である画素を含む。
【００１５】
ある実施形態において、前記少なくとも１つの第１電極のそれぞれは、前記幹部から前記第１の方位に互いに平行に延びる複数の第１枝部と、前記幹部から前記第１の方位と１８０°異なる前記第２の方位に互いに平行に延びる複数の第２枝部とを含む。
【００１６】
ある実施形態において、前記少なくとも１つの第１電極は、前記１つの方位が前記第１の方位である第１電極と、前記１つの方位が前記第１の方位と１８０°異なる前記第２の方位である第１電極とである２つの第１電極を含み、前記２つの第１電極は、互いに異なるＴＦＴに接続されている。
【００１７】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法であって、前記少なくとも１つの第１電極および前記一対の垂直配向膜の一方が形成された第１基板と、前記第２電極および前記一対の垂直配向膜の他方が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に、ネマチック液晶材料と光重合性化合物との混合物を含む液晶セルを用意する工程（ａ）と、前記少なくとも１つの第１電極の前記１つの方位に平行または反平行な磁界を印加した状態で、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加する工程（ｂ）と、前記工程（ｂ）の後に、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加した状態で、前記混合物に光を照射することによって、光重合物を生成させる工程（ｃ）とを包含する。
【００１８】
ある実施形態において、前記工程（ｃ）の後に、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加しない状態で、前記混合物にさらに光を照射することによって、前記光重合物をさらに生成させる工程（ｄ）とを包含する。
【００１９】
ある実施形態において、前記磁界は、０．１Ｔ以上である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によると、画素電極の枝部が長くても液晶分子の配向が安定したＶＡモード液晶表示装置およびそのような液晶表示装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明による実施形態のＶＡモードの液晶表示装置１００Ａの模式的な平面図であり、１つの画素の構造を示す図である。
【図２】テスト用のセルの光学像を示す図であり、磁界（０．７５Ｔ）だけでは液晶分子を一様に配向させられないことを示す図である。
【図３】シミュレーションに用いた電極１０Ｔのパターンを示す模式図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、配向シミュレーションの結果を示す図である。
【図５】試作したセルの光学像を示す図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法における磁界配向の工程を説明するための模式図である。
【図７】液晶表示装置１００Ａの画素１０ＰＡの光学像を示す図である。
【図８】（ａ）は本発明による実施形態の他の液晶表示装置１００Ｂの模式的な平面図であり、（ｂ）は本発明による実施形態のさらに他の液晶表示装置１００Ｃの模式的な平面図である。
【図９】（ａ）および（ｂ）は液晶表示装置１００Ｂの製造方法を説明するための模式図である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、本発明による実施形態の液晶表示装置に用いられる第１電極（画素電極または副画素電極）の他の構成を示す模式図である。
【図１１】従来のＶＡモードの液晶表示装置が有する画素電極の構造を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照して、本発明による実施形態のＶＡモードの液晶表示装置およびその製造方法を説明するが、本発明は例示する実施形態に限定されない。
【００２３】
図１は、本発明による実施形態のＶＡモードの液晶表示装置１００Ａの模式的な平面図である。液晶表示装置１００Ａは、行および列を有するマトリクス状に配列された複数の画素を有し、図１には、１つの画素に対応する構図を模式的に示している。
【００２４】
液晶表示装置１００Ａは、第１基板と、第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた、誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含む液晶層とを有している（いずれも不図示）。第１基板は例えばＴＦＴ基板であり、第２基板は例えばカラーフィルタ基板である。第１基板は、例えばガラス基板と、ガラス基板上に形成された第１電極（例えば画素電極）１０Ａと、第１電極１０Ａの液晶層側に形成された第１垂直配向膜と、第１垂直配向膜の液晶層側の表面に形成された第１配向維持層とを有している。第２基板は例えばガラス基板と、ガラス基板上に形成された第２電極（例えば対向電極）と、第２電極の液晶層側に形成された第２垂直配向膜と、第２垂直配向膜の液晶層側の表面に形成された第２配向維持層とを有している。第２電極（対向電極）は、複数の第１電極（画素電極）に対して共通に設けられている。第１および第２配向維持層は、ＰＳＡ技術によって形成されたものであり、光重合物から構成されている。
【００２５】
図１に示すように、第１基板は、ゲートバスライン１２、ソースバスライン１４およびＴＦＴ１６を更に有する。第１電極１０Ａは、ＴＦＴ１６のドレインを介して、ソースバスライン１４に接続されており、ＴＦＴ１６はそのゲートが接続されているゲートバスライン１２から供給されるゲート信号によって、ＯＮ／ＯＦＦ制御される。第２基板に形成されている第２電極は、図１の全面に形成されている。
【００２６】
第１電極１０Ａは、直線状の幹部１０ｔと幹部１０ｔから１つの方位に互いに平行に延びる複数の枝部１０ｂとを有している。幹部１０ｔの幅ＷＬｔは例えば５μｍであり、長さＬｔは例えば２００００μｍである。複数の枝部１０ｔのそれぞれの幅ＷＬｂは例えば５μｍであり、隣接する枝部の間隙の幅ＷＳｂは例えば５μｍである。また、枝部１０ｂの長さＬｂは１００μｍ以上であり、例えば８００μｍである。隣接する枝部１０ｂの間に位置する液晶分子のプレチルト方位は、複数の枝部１０ｂが延びる方位と平行または反平行であって、配向維持層によって規定されている。
【００２７】
後述するように、枝部１０ｂの長さＬｂが１００μｍ以上になると、隣接する枝部１０ｂの間の液晶分子の配向方位が平行または反平行に安定せず、ディスクリネーションラインが形成されることがある。ディスクリネーションラインが形成されるということは、液晶分子の配向方位が乱れた領域（枝部１０ｂの延びる方位に平行でも反平行でもない領域）が形成されているので、透過率（表示輝度）が低下する、視角によって表示輝度が変化する、あるいは、画素によって表示輝度がばらつく等の不具合が生じる。これに対し、本発明による実施形態の液晶表示装置１００Ａにおいては、液晶分子の有する磁気異方性を利用して、隣接する枝部１０ｂの間に位置する殆どの液晶分子のプレチルト方位を枝部１０ｂが延びる方位と平行または反平行に配向させている。
【００２８】
図２〜図５を参照して、ＶＡモードの液晶表示装置における問題点を説明する。
【００２９】
良く知られているように、ネマチック液晶分子が有する磁気異方性を利用して、液晶分子を磁界に平行に配向させることができる。そこで、ＶＡモード用のネマチック液晶材料を用いて、磁界だけで、液晶分子をどの程度まで一様に配向させることができるかを調べた。
【００３０】
図２に示すセルを用いた。ガラス基板に形成された透明電極（ＩＴＯ膜）上に垂直配向膜を形成した一対の基板が、シール部によって互いに固定されており、一対の基板の間隙に、ＶＡモード用の液晶材料が充填されている。
【００３１】
基板法線方向から約１５度傾斜した方向に、磁束密度が０．７５Ｔ（テスラ）の磁界を印加した状態で、液晶層に電圧を印加し、印加電圧を徐々に上昇させ、１０Ｖに到達したときの光学像を図２に示している。
【００３２】
図２からわかるように、液晶分子の配向は均一ではなく、輝度にむらがある。概ね１ｍｍ程度の大きさのドメインが多数形成されている。このことから、０．７５Ｔの磁界を印加しても、液晶分子を磁界に平行に配向させることができないことが分かる。
【００３３】
次に、図３に示す電極１０Ｔを用いて、液晶分子の配向をシミュレーションによって求めた。電極１０Ｔは、複数の枝部を有する画素電極（第１電極１０Ａ）を模擬したものである。電極１０Ｔに液晶層を介して対向する電極は、対向電極を模擬した、パターンのない一様な電極（べた電極）とした。シミュレーションには、ＥｘｐｅｒｔＬＣＤ（ＤＡＯＵ  ＸＩＬＩＣＯＮ社製）を用いた。
【００３４】
枝部および幹部の幅は５μｍとし、また、隣接する枝部間の間隙の幅も５μｍとした。幹部から両側に延びた枝部の内、一方（図中の下側）の枝部の長さＬｂ１は２５μｍで一定とし、他方（図中の上側）の枝部の長さＬｂｘを５０μｍ、１００μｍおよび１５０μｍとした３つのパターンについてシミュレーションを行った。液晶層への印加電圧は７Ｖとした。結果を図４（ａ）〜（ｃ）に示す。
【００３５】
図４（ａ）から分かるように、枝部の間の液晶分子の配向は一様である。これに対し、図４（ｂ）および（ｃ）では、液晶分子の配向が乱れ、ディスクリネーションライン（暗線）が見られている。このように、枝部の長さが少なくとも１００μｍになると、幹部からの斜め電界による配向規制力は充分ではなく、枝部の間の液晶分子を一様に配向できないことがわかる。
【００３６】
図５に、実際に試作したセルにおいて観察されたディスクリネーションラインを示す。枝部の幅５μｍであり、枝部間の間隔も５μｍである。枝部の長さは８０００μｍである。液晶層に印加した電圧は１０Ｖである。図４（ｂ）、（ｃ）に示したシミュレーションの結果と同様に、枝部の間の液晶分子の配向が安定せず、ディスクリネーションラインが形成されていることがわかる。
【００３７】
次に、図６および図７を参照して、本発明による実施形態の液晶表示装置１００Ａの製造方法を説明する。
【００３８】
まず、第１電極１０Ａ（図１参照）および垂直配向膜が形成された第１基板と、第２電極および垂直配向膜が形成された第２基板と、第１基板と第２基板との間に、ネマチック液晶材料と光重合性化合物との混合物を含む液晶セル１００’を用意する。
【００３９】
ここで、液晶層の厚さ（セル厚）は約３μｍとし、垂直配向膜および誘電異方性が負の液晶材料は、ＶＡ用の材料として市販されているものを利用すればよい。また、ＰＳＡ処理を行うための光重合性化合物は、上記特許文献１〜３に記載されているものを用いることができる。例えば、２官能性のメタクリレートモノマーを液晶材料に対して０．３質量％添加する。
【００４０】
次に、図６（ａ）および（ｂ）に示すように、第１電極１０Ａが有する枝部１０ｂが延びる方位に平行または反平行な磁界を印加した状態で、第１電極１０Ａと第２電極との間、すなわち液晶層に電圧を印加する。磁界は、枝部１０ｂが延びる方位に平行または反平行な成分を有していればよい。例えば、図６（ｂ）に示すように、基板面の法線方向ＡNに対して１５°傾斜した方向（傾斜方向が枝部１０ｂの延びる方向と平行）に磁界Ｂを印加する。磁界Ｂは、公知の電磁石を用いて発生させることができる（図６（ａ）参照）。上記と同じ条件で、磁束密度を０．０５Ｔ、０．１Ｔ、０．２Ｔ、１．０Ｔと変化させ、液晶分子の配向性を評価したところ、０．０５Ｔでは充分に均一に配向させることは出来なかった。磁界Ｂは、０．１Ｔ以上あればよく、磁界Ｂが強いほど配向を安定化させる効果が高い。０．７５Ｔの磁界を印加してもよい。もちろん、磁界Ｂの傾斜角を考慮して、枝部１０ｂが延びる方位に平行または反平行に、０．１Ｔ×ｓｉｎ１５°以上の磁界が印加されるように適宜設定すればよい。
【００４１】
次に、上記特許文献１〜３に記載のＰＳＡ処理と同様に、液晶層に電圧を印加した状態で、上記混合物に光を照射することによって、光重合物を生成させる。このとき磁界の印加は必要ない。光照射工程を行うためには、磁石が無い位置に液晶セル１００’を移動することが好ましい。光照射は、例えば、２０Ｊ／ｃｍ2の紫外線を照射する。
【００４２】
次に、必要に応じて、液晶層に電圧を印加しない状態で、上記混合物にさらに光を照射することによって、光重合物をさらに生成させてもよい。この２次照射によって、液晶層中に残存する未反応モノマーの量を低減させることができる。残存モノマー量が多いと、表示の焼き付きが生じることがある。
【００４３】
このようにして、液晶表示装置１００Ａを得ることが出来る。ＰＳＡ処理のための電圧印加の前に磁界配向を行うこと以外は、特許文献１〜３等に記載されている従来のＰＳＡ処理を行えばよい。
【００４４】
図７に、上述のようにして得られた液晶表示装置１００Ａの画素１０ＰＡの光学像を示す。画素電極の構造は図５のものと同じであり、図７は、図５と同様に、液晶層に１０Ｖを印加した状態を示しており、倍率は図５と同じである。ＰＳＡ処理の際に印加した磁界Ｂは、図７に示したよう、枝部１０ｂの延びる方位に反平行であり、すなわち、図において、枝部１０ｂから幹部１０ｔに向かう方位である。
【００４５】
図７を図５と比較すると明らかなように、図５において見られた、枝部の間の液晶分子の配向が安定しないことに起因するディスクリネーションラインが、図７には見られない。但し、図７においても、幹部１０ｔのごく近傍に例外的にディスクリネーションラインが形成されている。これは幹部１０ｔの近傍に生成される斜め電界による配向規制方位（図において左向き）に対して、磁界Ｂによる配向規制方位が逆（図において右向き）であり、互いに逆だからである。磁界Ｂによる配向規制方位を、幹部１０ｔの近傍に生成される斜め電界による配向規制方位と平行にすれば、このようなディスクリネーションラインは形成されない。なお、図７に見られる幹部１０ｔの近傍にのみ形成されるディスクリネーションラインはほとんど表示品位に影響を与えない。
【００４６】
液晶表示装置１００Ａは、図１に示したように、各画素が１つの第１電極１０Ａと、第１電極１０Ａに対応して設けられた１つのＴＦＴ１６とを有している。第１電極１０Ａが有する枝部１０ｂは、幹部１０ｔから１つの方位に延びている。本発明による実施形態の液晶表示装置は、これに限られず、種々の改変が可能である。
【００４７】
例えば、図８（ａ）に示す液晶表示装置１００Ｂは、画素１０ＰＢ１と画素１０ＰＢ２とを含む。画素１０ＰＢ１が有する第１電極１０Ｂ１は、幹部から右方向に延びる枝部だけを有し、画素１０ＰＢ２が有する第１電極１０Ｂ２は、幹部から左方向に延びる枝部だけを有している。液晶表示装置１００Ｂが有するマトリクス状に配列された複数の画素は、画素１０ＰＢ１および１０ＰＢ２の対で構成されている。このように、液晶分子の配向方位が互いに１８０°異なる画素を配列することによって、視野角特性を向上させることができる。
【００４８】
また、図８（ｂ）に示す液晶表示装置１００Ｃは、画素１０ＰＣが２つのサブ画素１０ＳＰＣ１と１０ＳＰＣ２とを有している。すなわち、液晶表示装置１００Ｃの１つの画素１０ＰＣは、液晶表示装置１００Ｂの２つの画素１０ＰＢ１および１０ＰＢ２で構成されていることになる。このような構成を採用すると、画素単位で視野角特性を向上させることができる。液晶表示装置１００Ｃのように、１つの画素を２以上の副画素に分割することによって、視野角特性（特にγ特性の視角依存性）を改善する方式を一般に画素分割という。画素分割方式の液晶表示装置においては、第１電極は副画素電極に対応することになる。
【００４９】
図９を参照して、液晶表示装置１００Ｂの製造方法を説明する。液晶表示装置１００Ｃも同様の方法で製造することが出来る。
【００５０】
まず、図９（ａ）に示すように、特定方向に磁界Ｂ１を印加した状態で、画素１のＴＦＴを選択的にＯＮにして、画素１の液晶層に電圧を印加する。画素１の液晶層の液晶分子は磁界Ｂ１によって図中の右方向に配向規制され、その配向状態が電界によって安定化される。
【００５１】
次に、図９（ｂ）に示すように、画素１の液晶層に電界を印加したまま、先の磁界Ｂ１とは反対方向（電極の面内成分の方位が逆であることをいう。）の磁界Ｂ２を印加した状態で、画素２のＴＦＴをＯＮにして、画素２の液晶層に電圧を印加する。画素１の液晶層には電界が印加されているので、反対方向の磁界Ｂ２が印加されても、配向方向は変化しない。一方、画素２の液晶層の液晶分子は、磁界Ｂ２によって図中の左方向に配向規制され、その配向状態が電界によって安定化される。
【００５２】
このようにして、画素１と画素２とで、液晶分子の配向方位が互いに１８０°異なる状態が形成される。この後、電界を印加したまま、ＰＳＡ処理を行うことによって、それぞれの画素の配向状態が光重合物から構成される配向維持層によって固定される。
【００５３】
図１０（ａ）および（ｂ）に、本発明による実施形態の液晶表示装置に用いられる第１電極（画素電極または副画素電極）の他の構成を示す。
【００５４】
図１０（ａ）に示す第１電極１０Ｃは、１つの直線状の幹部から互いに１８０°異なる方位に延びる枝部を有している。
【００５５】
また、図１０（ｂ）に示す第１電極１０Ｄは、互いに平行に延びる枝部の両側に直線状の幹部を有している。図中の右側の幹部に注目すると、枝部は当該幹部から左方向に延びており、また、図中の左側の幹部に注目すると、枝部は当該幹部から右方向に延びている。
【００５６】
上記の第１電極１０Ｃおよび１０Ｄのいずれにおいても、互いに平行な枝部の間の液晶分子は、磁界配向を行わないと、右方向に配向する領域と、左方向に配向する領域とが存在する。また、枝部の長さが長いと、上述のように、液晶分子の配向が乱れてディスクリネーションラインが生成する。しかしながら、本発明の実施形態によると、第１電極１０Ｃおよび１０Ｄの何れについても、磁界配向によって、液晶分子の配向方位を実質的に図中の右方向または左方向のいずれか一方に規制することができる。
【００５７】
上述したように、本発明の実施形態によると、第１電極の枝部が長くても液晶分子の配向が安定した液晶表示装置およびそのような液晶表示装置の製造方法が提供される。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、ＶＡモードの液晶表示装置およびその製造方法に広く適用される。
【符号の説明】
【００５９】
１０Ａ、１０Ｂ１、１０Ｂ２、１０ＳＣ１、１０ＳＣ２、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｔ  第１電極（画素電極、副画素電極）
１０ＰＡ、１０ＰＢ１、１０ＰＢ２、１０ＰＣ  画素
１０ＳＰＣ１、１０ＳＰＣ２  副画素
１０ｂ  枝部
１０ｔ  幹部
１２  ゲートバスライン
１４  ソースバスライン
１６  ＴＦＴ
１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、２００  液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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