(57)【要約】【課題】垂直配向方式の液晶装置において配向方位角のばらつきが存在しても良好かつ一定の光学特性を確保できる構成を実現する。【解決手段】本発明の液晶装置は、基板表面に該基板表面と平行な面内の一軸方向にプレチルトを生じさせる初期配向能を有する垂直配向膜を備えた第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に前記垂直配向膜と接して配置され、負の誘電異方性を有し、駆動時において前記一軸方向の配向方位角が与えられる液晶層と、前記液晶層の両側にそれぞれ配置され、相互に直交する偏光透過軸を備えた一対の偏光板と、前記一対の偏光板と前記液晶層との間にそれぞれ配置され、相互に直交するとともに隣接する前記偏光板の偏光透過軸に対して略４５度の角度をなす遅相軸を備えた一対の１／４波長板と、を具備することを特徴とする。【選択図】図１
2011154068.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に該基板表面と平行な面内の一軸方向にプレチルトを生じさせる初期配向能を有する垂直配向膜を備えた第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に前記垂直配向膜と接して配置され、負の誘電異方性を有し、駆動時において前記一軸方向の配向方位角が与えられる液晶層と、
前記液晶層の両側にそれぞれ配置され、相互に直交する偏光透過軸を備えた一対の偏光板と、
前記一対の偏光板と前記液晶層との間にそれぞれ配置され、相互に直交するとともに隣接する前記偏光板の偏光透過軸に対して略４５度の角度をなす遅相軸を備えた一対の１／４波長板と、
を具備することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記垂直配向膜は前記一軸方向へ傾斜した配向能を備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記垂直配向膜は斜方蒸着膜であることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記垂直配向膜と前記液晶層を挟んで対向する側から前記液晶層に接する他の垂直配向膜が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記他の垂直配向膜は前記液晶層に特定方位のプレチルトを与えない垂直配向膜であることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
配列された複数の第１基板の表面に対し粒子線若しくはエネルギー線を傾斜した方向から放射状に放射することで斜方構造を備えた垂直配向膜を形成する工程と、
前記第１基板に対し第２基板を対向配置するとともに前記第１基板と前記第２基板の間で前記垂直配向膜に接し負の誘電異方性を有する液晶層を配置する工程と、
前記液晶層の両側に相互に直交する偏光透過軸を備えた一対の偏光板をそれぞれ配置するとともに、前記一対の偏光板と前記液晶層との間に相互に直交するとともに隣接する前記偏光板の偏光透過軸に対して略４５度の角度をなす遅相軸を備えた一対の１／４波長板をそれぞれ配置する工程と、
を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置と、前記液晶装置に向けて光を照射する光源と、前記液晶装置によって変調された前記光を投射する投射光学系とを備えたことを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器に関し、特に、垂直配向方式の液晶装置の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置を用いて映像を大画面に表示する機器として液晶プロジェクタがある。この液晶プロジェクタでは装置内部で形成された画像が拡大投影されることから、画像を形成する液晶装置には高輝度、高コントラストが要求される。このため、液晶プロジェクタには高コントラストの表示が可能な垂直配向方式の液晶装置が採用されつつある。
【０００３】
垂直配向方式の液晶装置では、通常、電界無印加状態では液晶分子が垂直配向するように構成され、電圧を印加すると誘電異方性が負の液晶分子の長軸が電界に対して交差する方位に倒れるように傾斜配向する（例えば、以下の特許文献１参照）。このとき、電界印加状態における配向状態の均一性を得て所望の光学特性を実現するために液晶分子が配向する方位（配向方位角）を所定の方位に揃える場合がある。この場合には、液晶層の両側に接する配向膜のうち少なくとも一方の配向膜に、液晶分子に対してプレチルトを生じさせる初期配向能を与えることによって配向方位角を揃える方法が知られている。そして、このような初期配向能を備えた配向膜としては、ＳｉＯ２などの無機材料を斜方蒸着法により成膜したものがある（例えば、以下の特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２２３１３７号公報
【特許文献２】特開平５−２０３９５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記斜方蒸着膜を配向膜として用いた垂直配向方式の液晶装置を実際に作成し、電界印加状態における液晶の配向態様を観察したところ、製造した複数の液晶装置の間で配向方位角にばらつきが存在することが判明した。この種の液晶装置では、例えばクロスニコル配置で設置される一対の偏光板の偏光透過軸の方位角に対して上記配向方位角が既定の方位関係を有する場合には設計通りのリタデーションが得られるが、上記配向方位角が既定の設計方位からずれると所望のリタデーションが得られない。したがって、上記の配向方位角のばらつきが存在すると、配向方位角が設計方位からずれたパネルでは電圧印加時に設計通りのリタデーションが得られず光学特性が悪化し、また、製造された複数の液晶装置間で光学特性のばらつきを招く。
【０００６】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、垂直配向方式の液晶装置において配向方位角のばらつきが存在しても良好かつ一定の光学特性を確保できる構成を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明の液晶装置は、基板表面に該基板表面と平行な面内の一軸方向にプレチルトを生じさせる初期配向能を有する垂直配向膜を備えた第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に前記垂直配向膜と接して配置され、負の誘電異方性を有し、駆動時において前記一軸方向の配向方位角が与えられる液晶層と、前記液晶層の両側にそれぞれ配置され、相互に直交する偏光透過軸を備えた一対の偏光板と、前記一対の偏光板と前記液晶層との間にそれぞれ配置され、相互に直交するとともに隣接する前記偏光板の偏光透過軸に対して略４５度の角度をなす遅相軸を備えた一対の１／４波長板と、を具備することを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、透過型の液晶セル構造において、一方の偏光板を透過した光は当該偏光板と隣接する１／４波長板により円偏光となるため、当該円偏光が液晶層に入射することにより、液晶層の配向方位角によらずに設計通りのリタデーションを得ることが可能になることから、液晶層の配向状態に応じて他方の１／４波長板とこれに隣接する他方の偏光板に対する所望の透過性を実現できるため、配向方位角にばらつきが存在しても、光学特性の悪化及びばらつきを防止することができる。
【０００９】
本発明の一の態様においては、前記垂直配向膜は前記一軸方向へ傾斜した配向能を備える。このような配向能を備えた垂直配向膜としては、上記配向方位角と対応する方位から斜め方向に成膜されたＳｉＯ２等の無機材料よりなる斜方蒸着膜が好ましい。
【００１０】
本発明の他の態様においては、前記垂直配向膜と前記液晶層を挟んで対向する側から前記液晶層に接する他の垂直配向膜が設けられる。この場合には、液晶層が上記垂直配向膜と他の垂直配向膜により挟持された構造とされるため、液晶層の配向状態をより精度よく実現できる。この場合に、他の垂直配向膜は上記垂直配向膜と同様に液晶層に対し一軸方向の初期配向能を有するものであってもよい。
【００１１】
本発明の別の態様において、前記他の垂直配向膜は前記液晶層に特定方位のプレチルトを与えない垂直配向膜である。これによれば、また、他の垂直配向膜の素材や製造方法の選択肢が広がるため、コストの低減を図ることができる。例えば、他の垂直配向膜としてポリイミドよりなる垂直配向膜やアルキル基等を表面に備えた有機・無機のハイブリッド膜からなる垂直配向膜を用いることで、塗布プロセスにより容易に配向膜を形成することができる。
【００１２】
次に、本発明の液晶装置の製造方法は、配列された複数の第１基板の表面に対し粒子線若しくはエネルギー線を傾斜した方向から放射状に放射することで斜方構造を備えた垂直配向膜を形成する工程と、前記第１基板に対し第２基板を対向配置するとともに前記第１基板と前記第２基板の間で前記垂直配向膜と接し負の誘電異方性を有する液晶層を配置する工程と、前記液晶層の両側に相互に直交する偏光透過軸を備えた一対の偏光板をそれぞれ配置するとともに、前記一対の偏光板と前記液晶層との間に相互に直交するとともに隣接する前記偏光板の偏光透過軸に対して略４５度の角度をなす遅相軸を備えた一対の１／４波長板をそれぞれ配置する工程と、を具備することを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、傾斜した配向能を備えた垂直配向膜を形成する際に、粒子線若しくはエネルギー線を傾斜した方向から放射状に放射することで、配列された複数の第１基板の表面において配向方位が放射状に分散するため、製造された複数の液晶装置間において駆動時における配向方位角がばらつく。しかし、上記一対の偏光板及び一対の１／４波長板を用いることで液晶層に入射する透過光が円偏光となるため、複数の液晶装置間の配向方位角のばらつきによる光学的な影響がなくなることから、良好で均一な光学特性を有する液晶装置を製造することが可能になる。
【００１４】
次に、本発明の電子機器は上記いずれかに記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。特に、この電子機器を、液晶装置に向けて光を照射する光源と、前記液晶装置によって変調された前記光を投射する投射光学系とを備えた投射型表示装置とすることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る液晶装置の第１実施形態の非駆動状態における構造を示す拡大部分縦断面図。
【図２】第１実施形態の駆動状態における拡大部分縦断面図。
【図３】第１実施形態の液晶層の駆動状態における拡大部分平面図。
【図４】第１実施形態の概略構成を示す分解斜視図。
【図５】本発明に係る液晶装置の製造方法における斜方蒸着工程に用いる装置の構成を模式的に示す概略構成図。
【図６】同製造方法の斜方蒸着工程による成膜状態を模式的に示す概略説明図。
【図７】液晶装置の透過率の駆動電圧依存性を従来例と実施例とを対比して示すグラフ。
【図８】液晶装置を用いた電子機器の一例として投射型表示装置の構造を模式的に示す概略構成図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
次に、添付図面を参照して本発明に係る液晶装置の実施形態について説明する。
【００１７】
［第１実施形態］
最初に図１乃至図４を参照して第１実施形態の構成について説明する。図１は液晶装置１００の内部構造を非駆動状態（電圧無印加状態）について示す拡大縦断面図、図２は駆動状態（電圧印加状態）について示す拡大縦断面図である。
【００１８】
図１及び図２に示すように、液晶装置１００は、透過型の液晶セル構造を有し、第１基板１０と第２基板２０を図示しないシール材等を介して対向配置し、その間に既定の厚みを有する液晶層３０を配置したものである。
【００１９】
第１基板１０は、ガラスやプラスチック等よりなる基板本体１１と、この基板本体１１の内面（第２基板の側にある表面）上に形成された黒色樹脂等よりなる遮光膜１２と、上記基板本体１１の内面上に画素毎に形成されたＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電体で構成された複数の画素電極１３と、これらの複数の画素電極１３及び遮光膜１２上に少なくとも駆動領域（上記シール材の内側に画成され、複数の画素が配列されて液晶層３０を駆動可能な領域、表示領域ともいう。）の全体にわたり形成された第１配向膜１４とを有している。なお、第１基板１０には、上記画素電極１３にそれぞれ接続されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等の能動素子を介して走査線及びデータ線が接続され、これによって第１基板１０は回路基板或いは素子基板となっているが、これらの詳細構造については図示及び説明を省略する。
【００２０】
一方、第２基板２０は、ガラスやプラスチック等よりなる基板本体２１と、この基板本体２１の内面（第１基板の側にある表面）上に形成された共通電極２２と、共通電極２２上に形成された第２配向膜２３とを有している。なお、共通電極２２は上記複数の画素電極１３と対向するように少なくとも駆動領域の全体にわたり形成されている。
【００２１】
液晶層３０は負の誘電異方性を備えた液晶分子３１を有し、この液晶分子３１は、上記画素電極１３と共通電極２２の間に電圧が印加されていない状態（電圧無印加状態、以下、単に「非駆動状態」という。）において垂直配向膜である上記第１配向膜１４及び第２配向膜２３によって垂直に配向された状態とされる。ただし、本実施形態の場合、上記第１配向膜１４は隣接する液晶分子３１ａに対し平面（基板本体１１及び２１の上記内面に沿った面）内の一軸方向に向けてプレチルト（プレチルト角θ＝θａ、約８０〜８７度）を生じさせる初期配向能を有する垂直配向膜であり、上記第２配向膜２３は隣接する液晶分子３１ｂに上記プレチルトを生じさせずに（プレチルト角θ＝θｂ、約９０度）液晶分子３１ｂを表面と垂直に配向させる垂直配向膜である。
【００２２】
第１配向膜１４は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯ等の珪素酸化物やＡｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＦ、ＩＴＯなどといった金属酸化物その他の無機材料を斜方蒸着法によって成膜してなる斜方蒸着膜で形成される。ただし、上記のように一の配向方位を備えたプレチルトを発現させる初期配向能を有する垂直配向膜（斜方構造配向膜）であれば、上記斜方蒸着膜に限らず、例えば、各種の無機層や樹脂層に対しイオンビーム配向や光配向などの処理を施したものであってもよい。このような粒子線やエネルギー線を照射することで配向膜を形成する方法は製造コストを或る程度上昇させるものの、高品位で均一な初期配向能を備えた配向膜を形成できるという利点がある。
【００２３】
第１配向膜１４による液晶分子３１ａに与えるプレチルト角θ＝θａは、８１．０度〜８６．５度の範囲内であることが好ましい。プレチルト角が８１．０よりも小さい場合には非駆動状態において液晶分子３１が必要以上にチルトしてコントラストの低下を招く。また、プレチルト角が８６．５度よりも大きい場合、方位方向における配向規制力が弱くなるとともに、画素電極端からの電界の影響を受けるため、駆動状態において液晶分子３１の配向方位を規定し、揃えることが困難になる。すなわち、駆動時において上記一軸方向に揃った配向方位角φを得ることができなくなる。
【００２４】
第２配向膜２３は上述のようにプレチルトを発現しない垂直配向膜であるが、例えば、ポリアミック酸（ポリイミドの前駆体）やポリイミドをベースとし、疎水構造として側鎖に長鎖アルキル基や剛直な平面構造を有する官能基などが導入されたものを用いることができる。このような配向膜を形成する方法としては、配向膜形成材料をスピンコートやフレキソ印刷などの塗布プロセスを用いることができるため、製造コストを低減できる。
【００２５】
本実施形態の駆動領域には、遮光膜１２によって構成される遮光領域Ｂを介して複数の画素領域Ｐが縦横に配列されている。そして、図２に示す駆動状態において、液晶分子３１の傾斜配向時の上記配向方位角φは一軸方向（図示右向き）に均一に設定されており、駆動時において基板面と直交する電界が印加されることでその負の誘電異方性により均一に水平方向に倒れ傾斜配向となる。
【００２６】
本実施形態において、第１基板１０の外面（上記内面とは反対側の面）上には偏光板４１が配置され、第１基板１０と偏光板４１の間に１／４波長板４２が配置される。また、第２基板２０の外面（上記内面とは反対側の面）上にも偏光板４４が配置され、第２基板２０と偏光板４４の間にも１／４波長板４３が配置される。そして、図４に示すように、平面（基板本体１１及び２１の内面に沿った面）内における方位に関しては、偏光板４１の偏光透過軸４１ｔと１／４波長板４２の遅相軸４２ｄが略４５度の角度で交差し、また、偏光板４４の偏光透過軸４４ｔと１／４波長板４２の遅相軸４３ｄが略４５度の角度で交差している。さらに、偏光板４１の偏光透過軸４１ｔと偏光板４４の偏光透過軸４４ｔとは直交し、いわゆるクロスニコル配置とされている。また、１／４波長板４２の遅相軸４２ｄと１／４波長板４３の遅相軸４３ｄも直交している。
【００２７】
以上のように構成された液晶装置１００においては、非駆動時において図１の下方から光が入射すると、偏光板４１を透過することにより偏光透過軸４１ｔに沿った偏光面を備えた直線偏光となり、この直線偏光の偏光面に対して４５度で交差する方位を有する遅相軸４２ｄを備えた１／４波長板４２を透過することで円偏光となる。この円偏光は垂直配向された液晶層３０をそのまま通過しても位相差変化を実質的に受けないので、１／４波長板４３を通過することで１／４波長板４３の遅相軸４３ｄと４５度で交差する方位を有する偏光面を備えた元の直線偏光となり、その偏光面が偏光透過軸４４ｔと直交することで偏光板４４を透過できない。したがって、液晶装置１００は黒表示状態（光遮断状態）となる。
【００２８】
一方、駆動時において図２の下方から光が入射すると、上記と同様に偏光板４１及び１／４波長板４２を透過することで円偏光となる。そして、この円偏光が上記配向方位角φへ向けて傾斜配向された液晶層３０を透過することにより実質１／２波長の位相差が付与されて逆回転の円偏光となる(このとき、透過する偏光が円偏光状態であるため液晶層の方位角によらず、複屈折効果を受けることが出来る)。これが１／４波長板４３を通過することで偏光透過軸４４ｔと一致する偏光面を有する直線偏光となるため、偏光板４４を透過する。したがって、液晶装置１００は白表示状態（光透過状態）となる。
【００２９】
本実施形態では、第１配向膜１４の初期配向能によって駆動時における液晶層３０が上記一軸方向の配向方位角φを備えた傾斜配向状態となるので、本来的には液晶層３０の配向状態の乱れが少なく、均一で高いコントラストを有する高品位の液晶装置１００を構成することができる。しかし、一方で、通常のクロスニコル配置の一対の偏光板のみを有し、上記の１／４波長板を設けない場合には、液晶層３０の第１配向膜１４によるプレチルト方位に対応する配向方位角φが図４に示す本来の基準方位角φ０からずれて図３に示す配向方位ずれΔφを生じると、この配向方位ずれΔφによって液晶層３０に入射する直線偏光の偏光透過軸との関係が変化して液晶層３０のリタデーションが変化するため、透過率が低下するなど光学特性が悪化するという問題がある。特に、上記のように駆動時において一軸性の配向方位を有する傾斜配向状態を呈する場合には、配向方位ずれΔφによる透過率の低下度合が大きくなる。しかし、本実施形態では、１／４波長板４２、４３を上述のように用いることで液晶層３０に入射する光が円偏光となるため、この円偏光は上記の配向方位ずれΔφによる影響を受けないことから、配向方位ずれΔφの有無やΔφの大きさ如何に拘わらず、透過率その他の光学特性を維持することができる。
【００３０】
図７は、本実施形態の上記液晶装置１００（実施例）と、上記液晶装置１００から１／４波長板４２，４３を除去した液晶装置（比較例）の透過率の駆動電圧依存性を示すグラフである。なお、実施例と比較例のいずれにおいても上記配向方位ずれΔφ（＝φ−φ０）は５度とした。また、グラフでは実施例と比較例のいずれにおいてもそれぞれの黒表示の透過率を基準（０％）として示してある。このグラフに示されるように、実施例では比較例に比べて透過率の最大値（白表示の透過率）が５〜６％ほど高くなっており配向方位ずれΔφを０とした場合の特性とほぼ同じ特性を示すことも確認された。
【００３１】
本実施形態では、第１配向膜１４として隣接する液晶分子３１ａにプレチルトを生じさせる初期配向能を備えた垂直配向膜を用いる一方で、第２配向膜２３として当該初期配向能を有しない垂直配向膜を用いている。これによって、第２配向膜２３の製造時の手間が軽減されるため、製造コストを低減することができる。特に、第２配向膜２３を塗布プロセスで形成すると製造コストをさらに大幅に低減することが可能である。
【００３２】
ただし、上記構成の代わりに、第２配向膜２３についても上記配向方位角φに整合した初期配向能を備えた垂直配向膜（例えば、上記の斜方構造配向膜）を用いることができる。この場合には、初期配向能の配向方位角φの配向方位ずれΔφが、第１基板１０についてだけでなく、第２基板２０についても生ずることになり、両基板間の配向方位ずれΔφの関係も液晶層の配向方位角φやこれに伴う特性に影響を与える可能性があるが、本実施形態では上述のように円偏光が液晶層３０に入射するように構成されるので、両基板の配向方位ずれΔφの如何に拘わらず配向方位ずれΔφの影響を排して所望の特性を実現できる。
【００３３】
［製造方法］
次に、上記第１実施形態の製造方法について説明する。本実施形態の製造方法では、上記第１基板を形成する第１基板形成プロセスと、上記第２基板を形成する第２基板形成プロセスと、上記第１基板１０と上記第２基板２０を貼り合わせるとともに第１基板１０と第２基板２０の間に液晶層３０を導入する液晶セル形成工程と、第１基板１０と第２基板２０の外面上に偏光板４１、４４及び１／４波長板４２，４３を配置する光学要素配置工程と、を備えている。これらの各工程は基本的に周知の液晶製造技術によって実施することができる。
【００３４】
本実施形態では、上記第１基板１０となる領域を複数含むマザー基板に対して第１基板形成プロセスを実施する。もちろん、第２基板形成プロセスにおいても第２基板２０となる領域を複数含むマザー基板に対して実施してもよい。また、本実施形態では、上記液晶セル形成工程において、複数の第１基板１０となる領域を含むマザー基板に対して個々の第２基板２０を対向配置させて貼り合わせるようにしてもよく、或いは、複数の第１基板１０となる領域を含むマザー基板と、複数の第２基板２０となる領域を含むマザー基板とを貼り合わせるようにしてもよく、さらには、マザー基板を分割してから個々の第１基板１０と第２基板２０を貼り合わせるようにしてもよい。さらに、この液晶セル形成工程では、基板貼り合わせ後に両基板間に液晶を注入してもよく、基板貼り合わせ前に液晶を配置し、その後に両基板を貼り合わせてもよい。
【００３５】
本実施形態では、上記第１基板形成プロセスは、第１配向膜１４を形成する配向膜形成工程を含む。この配向膜形成工程は、図５に示すように、配向膜形成装置５０の処理チャンバ５１内で上記マザー基板６０に対して実施される。配向膜形成装置５０は、処理チャンバ５１内に蒸発源５２及びシャッタ５３を備えた蒸着装置であってもよく、或いは、処理チャンバ５１内にイオン照射源５４を備えたイオン照射装置であってもよい。もちろん、蒸発源５２とイオン照射源５４の双方を備えた複合装置であってもかまわない。
【００３６】
まず、配向膜形成工程において斜方蒸着法で第１配向膜１４を形成する場合について説明する。図５に示すように、蒸着源５２には予めＳｉＯ２等の配向膜材料を配置し、マザー基板６０を傾斜角θ１が５０〜７０度程度となるようにセットする。そして、処理チャンバ５１内を排気して減圧した後、上記配向膜材料を加熱して蒸発させ、シャッタ５３を開いて蒸着を行う。
【００３７】
このとき、図６（ａ）に示すように、マザー基板６０上には複数の第１基板１０となるべき領域６１が配列されている。上記配向膜材料の蒸着時には、蒸着源５２の蒸発部位５２ａから蒸発した材料が放射状に飛行し、マザー基板６０上に到達して複数の領域６１上に堆積する。このとき、配向膜材料の蒸着方位（上記傾斜角θ１に沿った面と直交する方向に沿った角度で規定される方位）は、各領域６１毎に、蒸発部位５２ａから見た各領域６１の配置されている方位が異なることによって異なることになる。具体的には、図６（ｃ）に示すようにマザー基板６０上の中央に位置する領域６１ａの蒸着方位に対応して設定される配向方位角を上記基準方位角φ０とすると、マザー基板６０上の左右両側にそれぞれ配置される領域６１ｂ及び６１ｃでは、図６（ｂ）及び（ｄ）に示すようにそれぞれ基準方位角φ０に対して左右にずれた配向方位角φを有するものとなる。ここで、図示において角度を反時計回りに測るものとすると、左側に配置される領域６１ｂでは配向方位ずれΔφは正の値となり、右側に配置される領域６１ｃでは配向方位ずれΔφは負の値となる。
【００３８】
上記の斜方蒸着法において、蒸発部位５２ａから蒸着部位である各領域６１までの距離をＬとし、マザー基板６０の幅方向の外径をＤとすると、距離Ｌが大きくなるほど配向方位ずれΔφのばらつきは小さくなるとともに、外径Ｄが小さくなるほど配向方位ずれΔφのばらつきは同様に小さくなる。一方、距離Ｌが大きくなると、成膜速度が低下するとともに材料の利用効率も低下するので製造効率が低下して製造コストが増大するとともに、外径Ｄが小さくなると、材料の利用効率が低下するとともに一度に処理できる領域６１の数も少なくなるのでやはり製造効率が低下して製造コストが増大する。したがって、製造効率を向上させるとともに製造コストを低減しようとすると、配向方位ずれΔφのばらつきが大きくなることになる。例えば、既定の距離Ｌで８インチ径のマザー基板に対して斜方蒸着を行った場合にはプラスマイナス５度程度の上記配向方位ずれΔφが生ずるが、同じ距離Ｌで１２インチ径のマザー基板に対して斜方蒸着を行うとプラスマイナス７度程度の上記配向方位ずれΔφが生ずる。
【００３９】
本実施形態では、上述のように偏光板４１，４４と１／４波長板４２，４３の組み合わせにより配向方位ずれΔφによる影響を排除することができるので、上記のように複数の領域６１を配列させて斜方蒸着法により第１配向膜１４を形成する場合でも、配向方位ずれΔφに起因する光学特性の悪化及び製造された複数の液晶装置１００の間の光学特性のばらつきを回避することができる。すなわち、本実施形態では、製造プロセスにおける製造効率及び製造コストの向上と液晶装置の光学特性の向上とを両立させることができる。
【００４０】
なお、上記斜方蒸着時において、イオン源５４からＡｒイオンを傾斜角θ２（６０〜８５度程度）で照射する（イオンビームアシストを実行する）ことにより、光学特性をさらに改善することができる。また、本発明の斜方構造を備えた垂直配向膜としては、上記斜方蒸着膜に限らず、上記初期配向能を与える斜方構造を備えたものであればよい。また、本発明の製造方法としては、各種の垂直配向膜に対して上記イオン源５４を用いたイオンビームなどを斜めに照射するイオンビーム配向処理を施す方法、偏光を斜めに照射する光配向処理を施す方法など、粒子線若しくはエネルギー線を放射状に照射する各種の配向処理を実施する方法であってもよい。
【００４１】
［電子機器］
最後に、図８を参照して上記液晶装置を用いた電子機器について説明する。図８は電子機器の一例としての投射型表示装置２００の構成を模式的に示す概略構成図である。この投射型表示装置２００は、光源２１０、ダイクロイックミラー２１３、２１４、反射ミラー２１５、２１６、２１７、入射レンズ２１８、リレーレンズ２１９、出射レンズ２２０、液晶光変調部２２２、２２３、２２４、クロスダイクロイックプリズム２２５、及び、投射レンズ２２６を備えている。
【００４２】
上記光源２１０は、メタルハライドランプ等のランプ２１１と、このランプ２１１が出射する光を反射、集光するリフレクタ２１２とを備えている。上記ダイクロイックミラー２１３は青色光及び緑色光を反射し、赤色光を透過する。上記ダイクロイックミラー２１４は緑色光を反射し、青色光を透過する。上記液晶光変調部２２２、２２３、２２４は上述の第１実施形態に示す透過型の液晶装置１００で構成される。クロスダイクロイックプリズム２２５は４つの直角プリズムが貼り合わされてなり、貼り合わされた面間には、赤色光を反射し青色光及び緑色光を透過する誘電体多層膜と、青色光を反射し赤色光及び緑色光を透過する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。
【００４３】
光源２１０から出射した光Ｌ１のうち、赤色光ＬＲはダイクロイックミラー２１３を透過し、反射ミラー２１７で反射された後、液晶光変調部２２２に入射する。ダイクロイックミラー２１３で反射された緑色光ＬＧ及び青色光ＬＢのうち、緑色光ＬＧはダイクロイックミラー２１４で反射されて液晶光変調部２２３に入射する。赤色光ＬＲの液晶光変調部２２２に到達するまでの距離と緑色光ＬＧの液晶光変調部２２３に到達するまでの光路長は同一である。一方、ダイクロイックミラー２１４を透過した青色光ＬＢは赤色光ＬＲ及び緑色光ＬＧとは光路長が異なる（光路長が長い）ので、この光路長の差を補償するために、入射レンズ２１８、リレーレンズ２１９及び出射レンズ２２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段２２１が設けられている。青色光ＬＢは上記導光手段２２１を介して液晶光変調部２２４に入射する。
【００４４】
上記の各液晶光変調部２２２，２２３，２２４でそれぞれ光変調された赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧ及び青色光ＬＢはクロスダイクロイックプリズム２２５の相互に異なる３つの入射面に入射する。そして、赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧ及び青色光ＬＢはクロスダイクロイックプリズム２２５の上記誘電体多層膜によって合成され、カラー画像を表す光Ｌ２が形成される。合成された光Ｌ２は投射光学系である投射レンズ２２６を通して投射され、これによって図示しないスクリーン面上にカラー画像が拡大投影される。
【００４５】
上記構造を有する投射型表示装置２００においては液晶光変調部２２２、２２３、２２４で光変調を受けた光Ｌ２を投射して画像を拡大投影するため、液晶光変調部２２２、２２３、２２４の光透過特性（透過率）の影響、表示ムラの影響が大きく投影画像に反映される。また、上記構成のように複数の液晶光変調部２２２、２２３、２２４を用いる場合には、複数の液晶光変調部間の光透過特性（透過率）の差異の影響も大きい。しかしながら、上記液晶光変調部２２２，２２３，２２４に上記第１実施形態の液晶装置１００を用いることで、光透過特性の向上や表示ムラの低減を図ることができ、しかも、複数の液晶装置１００間の光透過特性のばらつきも低減できるため、高い表示品位を備えた投射型表示装置を構成することができる。
【符号の説明】
【００４６】
１００、１００′…液晶装置、１０、１０′…第１基板、１１…基板本体、１２…遮光膜、１３…画素電極、１４…第１配向膜、１５…反射層、１６…絶縁層、２０、２０′…第２基板、２１…基板本体、２２…共通電極、２３…第２配向膜、２４…遮光膜、３０…液晶層、３１、３１ａ、３１ｂ…液晶分子、４１、４４…偏光板、４１ｔ、４４ｔ…偏光透過軸、４２、４３…１／４波長板、４２ｄ、４３ｄ…遅相軸、Ｐ…画素領域、Ｂ…遮光領域、Ｒ…反射領域、Ｔ…透過領域、２００…投射型表示装置、２１０…光源、２２２〜２２４…液晶光変調部、２２６…投射レンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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