(57)【要約】【課題】簡易な方法で大容量のコンデンサを製造する技術を提供する。【解決手段】本発明のコンデンサ用電極体の製造方法は、第１金属粒子８および第２金属粒子１８を含む複合体５を陽極用基材４上に形成する第１の工程と、複合体５から第２金属粒子１８を除去して陽極体２を形成するとともに、陽極体２の表面に誘電体層１１を形成する第２の工程とを含み、第１の工程において、第１金属粒子８として弁作用金属およびその合金の少なくとも一方を用い、第２金属粒子１８として電解質溶液中において陽極として電圧を印加した場合に金属イオンが溶出しアノード溶解が起こる金属を用い、第２の工程において、電解質溶液中において陽極として複合体５に電圧を印加することを特徴としている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金属粒子および第２金属粒子を含む複合層を基材上に形成する第１の工程と、
前記複合層から前記第２金属粒子を除去して陽極体を形成するとともに、前記陽極体の表面に誘電体層を形成する第２の工程とを含み、
前記第１の工程において、前記第１金属粒子として弁作用金属およびその合金の少なくとも一方を用い、前記第２金属粒子として電解質溶液中において陽極として電圧を印加した場合に金属イオンが溶出しアノード溶解が起こる金属を用い、
前記第２の工程において、前記電解質溶液中において陽極として前記複合体に電圧を印加することを特徴とするコンデンサ用電極体の製造方法。
【請求項２】
前記基材は、弁作用金属およびその合金の少なくとも一方からなることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ用電極体の製造方法。
【請求項３】
前記電解質溶液は、酸性の溶液であり、
前記第２の工程において、前記陽極体の表面を酸化させることにより前記誘電体層を形成することを特徴とする請求項１または２に記載のコンデンサ用電極体の製造方法。
【請求項４】
前記第１の工程において、複数個集合させた前記第１金属粒子を、各粒子間に隙間を有する状態で前記基材に吹き付けることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のコンデンサ用電極体の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法によって形成されたコンデンサ用電極体の前記誘電体層の表面を覆うように陰極体を形成する陰極体形成工程を含むことを特徴とするコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサ用電極体の製造方法およびコンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パソコン、携帯電話機等に代表される電子機器の小型化、高性能化に伴い、これらの電子機器に搭載される電子回路には、年々、小型化、高速化および高集積化が求められている。このことは、電子回路を形成する受動部品に関しても同様である。例えば、コンデンサについても、可能な限り低背であり、かつ、大容量であることが求められている。
【０００３】
特許文献１には、体積当たりの静電容量が大きなコンデンサの製造方法が記載されている。特許文献１に記載されたコンデンサの製造方法では、所定の粒子径を有するバルブ金属と異相成分とを均一に分布した薄膜を形成する工程と、薄膜を熱処理することにより粒子径を調整するとともに適度に焼結を進める工程と、薄膜から異相成分を除去する工程とにより陽極体を形成後、陽極体の表面を酸化させて誘電体層を形成している。
【特許文献１】特開２００６−４９８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されたコンデンサの製造方法では、上述したように、薄膜形成、焼結、異相成分の除去、陽極酸化の順で処理を行っている。したがって、製造工程が多く複雑であり、製造コストが高くなってしまうという問題がある。
【０００５】
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡易な方法で大容量のコンデンサを製造する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るコンデンサ用電極体の製造方法は、上記課題を解決するために、第１金属粒子および第２金属粒子を含む複合層を基材上に形成する第１の工程と、複合層から第２金属粒子を除去して陽極体を形成するとともに、陽極体の表面に誘電体層を形成する第２の工程とを含み、第１の工程において、第１金属粒子として弁作用金属およびその合金の少なくとも一方を用い、第２金属粒子として電解質溶液中において陽極として電圧を印加した場合に金属イオンが溶出しアノード溶解が起こる金属を用い、第２の工程において、電解質溶液中において陽極として複合体に電圧を印加することを特徴としている。
【０００７】
また、本発明に係るコンデンサの製造方法は、上述の態様の製造方法によって形成されたコンデンサ用電極体の誘電体層の表面を覆うように陰極体を形成する陰極体形成工程を含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、簡易な方法で大容量のコンデンサ用電極体およびコンデンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に係るコンデンサの製造方法によって製造されたコンデンサの構成を示す概略断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、上記コンデンサの陽極体の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本実施形態で用いるコールドスプレー装置の概略図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）は、上記コンデンサの陰極体の製造方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
【００１１】
本発明の一実施形態に係るコンデンサの製造方法および当該製造方法によって製造されたコンデンサ１について、図１〜図４を参照して説明する。
【００１２】
（コンデンサ１の構成）
図１は、コンデンサ１の構成を説明するための概略断面図である。
【００１３】
コンデンサ１は、陽極体２と、陽極体２の表面に形成された誘電体層１１と、誘電体層１１を挟んで陽極体２と反対側に形成された陰極体１２とを備えている。
【００１４】
陽極体２は、弁作用金属（ｖａｌｖｅ  ｍｅｔａｌ）およびその合金の少なくとも一方からなる陽極用基材４（本発明の基材に相当）と、陽極用基材４上に設けられた多孔質層６とを含む。
【００１５】
多孔質層６は、弁作用金属およびその合金の少なくとも一方からなる第１金属粒子８が多数結合した金属粒塊から構成された層である。第１金属粒子８は直径約１μｍ以下の粒子であり、各第１金属粒子８間には約０．０１μｍ〜約１μｍの大きさの隙間７、隙間９および約０．１μｍ〜約５０μｍの隙間１０が形成されている。そのため、結合した第１金属粒子８は網目状のネットワークを形成している。多孔質層６の厚さは、例えば約５００μｍである。
【００１６】
陽極用基材４は、弁作用金属およびその合金の少なくとも一方から構成された板状の部材である。陽極用基材４には、薄膜（箔）やリード線が含まれており、外部引き出し用の陽極端子（図示せず）が連結されている。また、陽極用基材４の一部には、複数の第１金属粒子８が結合して膜状構造となったものも含まれる。陽極用基材４の厚さは、陽極用基材４が金属の薄膜であった場合、例えば約１００μｍである。
【００１７】
ここで、弁作用金属とは、電解酸化処理（陽極酸化）等により極めて緻密で耐久性を有する誘電体酸化皮膜を表面に形成し得る金属をいう。弁作用金属としては、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。また、弁作用金属の合金としては、上述の弁作用金属同士の合金や、上述の弁作用金属と他の金属との合金等が挙げられる。本実施形態では、陽極用基材４および第１金属粒子８を構成する金属としてＴａを用いている。なお、陽極用基材４および第１金属粒子８は、異なる金属で構成されていてもよい。
【００１８】
誘電体層１１は、陽極体２の表面に形成された酸化被膜であり、電解化成処理により形成される。誘電体層１１は、陽極用基材４および多孔質層６の露出している表面、すなわち、第１金属粒子８同士が接する領域および第１金属粒子８と陽極用基材４とが接する領域以外の領域に形成されている。
【００１９】
陰極体１２は、導電性高分子層１４と、導電性高分子層１４上に積層された陰極用基材
１６とを含む。
【００２０】
導電性高分子層１４は、誘電体層１１の表面を覆うように、すなわち陽極体２の隙間７、隙間９および隙間１０を埋めるようにして、所定の厚みを有するように形成されている。導電性高分子層１４としては、導電性を有する高分子材料を含むものであれば特に限定されないが、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性ポリマーや、ＴＣＮＱ（７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）錯塩等の材料を含むものが好適に用いられる。
【００２１】
陰極用基材１６は、例えば導電性高分子層１４上に積層されたカーボンペースト層１６ａと、カーボンペースト層１６ａ上に積層された銀ペースト層１６ｂからなる。陰極用基材１６には、外部引き出し用の陰極端子（図示せず）が連結されている。
【００２２】
（コンデンサ１の製造方法）
次に、コンデンサ１の製造方法について図２〜図４を参照して説明する。図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、コンデンサ１の陽極体の製造方法を説明するための断面図である。
【００２３】
図２（Ａ）に示すように、弁作用金属であるＴａ箔からなる陽極用基材４の表面に、Ｔａからなる第１金属粒子８と、Ｃｕからなる第２金属粒子１８とを吹き付ける。
【００２４】
ここで吹き付ける第１金属粒子８は、複数個が集合して約１０μｍ〜約１００μｍの多孔質の集合体を形成している。この集合体は、第１金属粒子８間に約０．０１μｍ〜約１μｍの隙間７を有している。この隙間７は、第１金属粒子８同士が接触することにより、第１金属粒子８の径に依存して生じるものである。
【００２５】
また、第２金属粒子１８は、電解質溶液中において陽極として電圧を印加された場合、酸化皮膜を形成せずに金属イオンが溶出しアノード溶解が起こる金属からなり、直径約０．１μｍ〜約５０μｍの大きさを有する粒子である。第２金属粒子１８としては、上述した銅（Ｃｕ）の他にも、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、コバルト（Ｃｏ）等およびその合金が挙げられる。なお、第２金属粒子１８は、球形状であってもよいし、楕円体形状であってもよい。
【００２６】
陽極用基材４に吹き付けられた第１金属粒子８および第２金属粒子１８は、図２（Ｂ）に示すように、陽極用基材４に衝突した場合は、陽極用基材４の表面に結合する。また、第１金属粒子８および第２金属粒子１８が、陽極用基材４に結合している第１金属粒子８または第２金属粒子１８に衝突した場合には、その衝突した第１金属粒子８または第２金属粒子１８に結合して金属粒塊を形成する。
【００２７】
その結果、第１金属粒子８と第２金属粒子１８とからなる複合層５が陽極用基材４の表面に形成される。複合層５には、陽極用基材４に吹き付けられた第１金属粒子８の集合体の隙間７が維持されている。さらに、複合層５には、第１金属粒子８の集合体と第２金属粒子１８とが陽極用基材４に吹き付けられることにより、第１金属粒子８の集合体と第１金属粒子８の集合体または第２金属粒子１８との間に、約０．０１μｍ〜約１μｍの大きさの隙間９が形成されている。この隙間９は、第１金属粒子８の集合体と第１金属粒子８の集合体または第２金属粒子１８とが接触することにより、これらの粒子の径に依存して生じるものである。
【００２８】
次に、図２（Ｃ）に示すように、複合層５が形成された陽極用基材４に対し電解質溶液中で陽極として電圧を印加することにより、複合層５から第２金属粒子１８を溶出させて多孔質層６を形成するとともに（アノード溶解処理）、陽極用基材４および多孔質層６か
らなる陽極体２の表面を酸化させて誘電体層１１を形成する（電解化成処理）。
【００２９】
具体的には、複合層５が形成された陽極用基材４に対し、０．０１〜１．０質量％のリン酸水溶液の電解質溶液中で陽極として電圧を印加する。
【００３０】
ここで、第２金属粒子１８は、電解質溶液中において陽極として電圧を印加された場合にアノード溶解が起こる金属からなるため、上述した処理により複合層５から溶出する。これにより、第２金属粒子１８が存在していた部分が約０．１μｍ〜約５０μｍの大きさの隙間１０となる。その結果、陽極用基材４の表面に、隙間７、隙間９および隙間１０を有し、第１金属粒子８が網目状に結合した多孔質層６が形成される。
【００３１】
さらに、上述した処理により、陽極用基材４および多孔質層６からなる陽極体２の表面、すなわち陽極用基材４の露出する表面および第１金属粒子８が結合してなる金属粒塊の表面が酸化され、誘電体層１１が形成される。陽極用基材４および第１金属粒子８はＴａからなるため、誘電体層１１は酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）からなる酸化皮膜である。複合層５が形成された陽極用基材４に印加する電圧は、誘電体層１１の成長膜厚に比例するため、コンデンサ１の規格電圧に応じて決定される。例えば、コンデンサ１の規格電圧が６Ｖの場合、３０Ｖが好適電圧となる。
【００３２】
ここで用いられる電解質溶液としては、アノード溶解処理により第２金属粒子１８をアノード溶解できるとともに、電解化成処理により陽極体２を表面酸化することができる溶液が用いられる。具体的には、第１金属粒子８としてＴａ、Ｔｉを用いた場合にはリン酸等の水溶液が用いられる。また、第１金属粒子８としてＡｌを用いた場合には、シュウ酸、リン酸アンモニウム、アジピン酸アンモニウム、ホウ酸アンモニウム等の水溶液が用いられる。
【００３３】
なお、陽極用基材４に第１金属粒子８と第２金属粒子１８とを吹き付けることにより、第１金属粒子８と第２金属粒子１８との接合面には合金が形成されている場合がある。この合金は、粒子の表層に形成された非常に小さい領域であるために、アノード溶解処理により第２金属粒子１８を溶出させた後に残っていたとしても、コンデンサ１の性能には何ら影響を与えない。
【００３４】
ここで、陽極用基材４に第１金属粒子８および第２金属粒子１８を吹き付ける方法としては、コールドスプレー法が好適に用いられる。コールドスプレー法とは、材料粒子あるいは材料粉末を所定の高温・高速の流れにして被覆対象物の表面に吹き付けて、被覆対象物の表面に材料粒子を堆積させて、被覆対象物をコーティングする加工法である。
【００３５】
コールドスプレー法は、吹き付ける際の材料粒子の温度が材料粒子の融点および軟化点以下の低い温度であることと、流れの速度が音速から超音速と非常に高速であるという特徴を有する。また、コールドスプレー法により吹き付けられた材料粒子は、固体の状態のまま溶けることなく皮膜になるため、酸化や熱による変質が少ない。
【００３６】
そのため、コールドスプレー法を用いた場合には、陽極用基材４と第１金属粒子８との間、陽極用基材４と第２金属粒子１８との間、第１金属粒子８同士間、第２金属粒子１８同士間、第１金属粒子８と第２金属粒子１８との間において、高い密着強度を有する複合層５を形成することができる。
【００３７】
図３は、コールドスプレー装置１００の概略図である。コールドスプレー装置１００は、基材把持部１０１と、第１ノズル１０２と、第１材料供給部１０４と、ガス供給部１０６と、第１ヒータ１０８と、第２ノズル１１２と、第２材料供給部１１４と、第２ヒータ１１８とを備える。コールドスプレー装置１００は、大気中に設置されている。
【００３８】
基材把持部１０１は、陽極用基材４を把持するものであり、陽極用基材４を加熱しながら第１ノズル１０２に対して相対移動させることができる。
【００３９】
第１材料供給部１０４は、第１ノズル１０２に第１金属粒子８を供給する。ガス供給部１０６は、第１ヒータ１０８を介して加圧された気体を第１ノズル１０２に供給する。ガス供給部１０６から第１ノズル１０２に向けて送り出された気体は、第１ヒータ１０８にて加熱されて第１ノズル１０２に送られる。第１ノズル１０２に供給された第１金属粒子８は、ガス供給部１０６から供給された気体の圧力により第１ノズル１０２から噴射される。
【００４０】
また、第２材料供給部１１４は、第２ノズル１１２に第２金属粒子１８を供給する。ガス供給部１０６は、第２ヒータ１１８を介して加圧された気体を第２ノズル１１２に供給する。ガス供給部１０６から第２ノズル１１２に向けて送り出された空気は、第２ヒータ１１８にて加熱されて第２ノズル１１２に送られる。第２ノズル１１２に供給された第２金属粒子１８は、ガス供給部１０６から供給された気体の圧力により第２ノズル１１２から噴射される。
【００４１】
コールドスプレー装置１００を用いて、陽極用基材４に対し、第１ノズル１０２から第１金属粒子８を、第２ノズル１１２から第２金属粒子１８を吹き付けながら、基材把持部１０１が陽極用基材４を第１ノズル１０２および第２ノズル１１２に対して相対移動させることにより、陽極用基材４の所定領域全面に第１金属粒子８および第２金属粒子１８を吹き付けることができる。
【００４２】
なお、多孔質層６の空隙率（空孔率）は、複合層５における第１金属粒子８および第２金属粒子１８の比率を調整することにより、容易に調整することができる。ここで、複合層５における第１金属粒子８および第２金属粒子１８の比率は、第１材料供給部１０４から第１ノズル１０２への第１金属粒子８の供給量、第２材料供給部１１４から第２ノズル１１２への第２金属粒子１８の供給量を調整することで調整可能である。
【００４３】
また、多孔質層６の空隙率は、第１金属粒子８および第２金属粒子１８の粒径や、各ノズルからの噴射速度、噴射ガス温度等を調整することによっても調整可能である。例えば、第１金属粒子８の粒径が小さく、粒子の噴射速度を下げることで、より多孔質（ポーラス）な多孔質層６を形成することができる。また、噴射ガス温度を下げることで、より多孔質な多孔質層６を形成することができる。
【００４４】
なお、多孔質層６の空隙率は水銀ポロシメータを用いた水銀圧入法により算出することができる。具体的には、陽極体２を入れた容器を真空排気し、容器内に水銀を満たす。水銀は物質を濡らさない性質があるために、そのままの状態では多孔質層６の細孔に水銀は入ってこない。しかし、水銀に圧力をかけ、その圧力を増大させていくことにより、多孔質層６の大きい孔から小さい孔に順番に水銀が入り込んでくる。このようにして、多孔質層６の細孔の大きさと体積を測定し、多孔質層６の空隙率を算出することが可能である。
【００４５】
また、多孔質層６の空隙率は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）等で撮影した多孔質層６の断面画像等において、例えば１００個程度の第１金属粒子８を含む領域を定め、当該領域における誘電体層１１を含む第１金属粒子８部分と、それ以外の部分、すなわち隙間７、隙間９および隙間１０（コンデンサ１の完成後では導電性高分子層１４部分）との面積比から算出することも可能である。
【００４６】
次に、コンデンサ１の陰極体の製造方法について、図４を参照して説明する。図４（Ａ）、（Ｂ）は、コンデンサ１の陰極体の製造方法を説明するための断面図である。
【００４７】
図４（Ａ）に示すように、誘電体層１１上に、誘電体層１１の表面を覆うように、すなわち陽極体２の隙間７、隙間９および隙間１０を埋めるようにして、化学酸化重合により導電性高分子層１４を形成する。具体的には、３，４−エチレンジオキシチオフェン、Ｐ−トルエンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）、１−ブタノールからなる化学重合液に陽極体２を浸漬した後、大気中で熱処理し、誘電体層１１上にポリチオフェン層を形成することによって、導電性高分子層１４を形成する。化学重合液による陽極体２の浸漬、熱処理工程は複数回繰り返して行われる。
【００４８】
次に、図４（Ｂ）に示すように、導電性高分子層１４上に、カーボンペースト層１６ａと、銀ペースト層１６ｂとがこの順に積層されて陰極用基材１６が形成される。これにより、導電性高分子層１４と陰極用基材１６とを含む陰極体１２が形成される。
【００４９】
そして、陽極用基材４に陽極端子（図示せず）が例えば導電性接着剤を介して連結され、陰極用基材１６に陰極端子（図示せず）が例えば導電性接着剤を介して連結されることにより、コンデンサ１を製造することができる。
【００５０】
以下に、本実施形態のコンデンサ用電極体およびコンデンサの製造方法の効果について説明する。
【００５１】
（１）陽極用基材４に第１金属粒子８と第２金属粒子１８とを吹き付けることにより複合体５を形成し、複合層５に対して電解質溶液中で陽極として電圧を印加することにより、複合体５から第２金属粒子１８を除去して陽極体２を形成するとともに（アノード溶解処理）、陽極体２の表面を酸化させて誘電体層１１を形成している（電解化成処理）。
【００５２】
これにより、一度の処理で、複合層５から第２金属粒子１８を除去できるとともに、陽極体２の表面に誘電体層１１を形成することができる。したがって、本実施形態では、異相成分を除去する工程と陽極酸化の工程とを別々に行っている従来の製造方法と比較して、製造工程を簡略化することができ、低コストでコンデンサを製造することができる。
【００５３】
また、アノード溶解処理により複合層５から第２金属粒子１８を除去しているため、酸溶液で異相成分を除去する従来の製造方法と比較して、効率良く第２金属粒子１８を除去することができる。
【００５４】
（２）陽極用基材４にコールドスプレー法により第１金属粒子８と第２金属粒子１８とを吹き付けた後、第２金属粒子１８を除去して多孔質の陽極体２を形成している。そのため、簡単に多孔質な陽極体を形成することができ、陽極体の単位体積当たりの表面積を飛躍的に増大させることができる。
【００５５】
（３）陽極用基材４に隙間７を有する第１金属粒子８の集合体および第２金属粒子１８を吹き付けることにより、隙間７および隙間９を有する複合層５を形成している。このように、複合層５には多数の隙間が形成されているために、アノード溶解処理を行う際に電解質溶液に複合層５を浸した場合、電解質溶液は隙間７および隙間９を介して複合層５の表層から離れた内深部にまで届く。したがって、複合層５に隙間が形成されていない場合と比較して、複合層５の内深部に位置する第２金属粒子１８を容易に溶出することができる。その結果、陽極体２の表面積を大きくすることができ、コンデンサ１の大容量化が可能となる。さらに、複合層５の膜厚を厚くしても、内深部の第２金属粒子１８を溶出する
ことができるため、陽極体２を厚膜化することが可能である。
【００５６】
（４）陽極体２の多孔質層６に、約０．０１μｍ〜約１μｍの大きさを有する隙間７および隙間９に加え、約０．１μｍ〜約５０μｍの大きさを有する隙間１０が形成される。サイズの小さい隙間７および隙間９は、第１金属粒子８により閉じられ閉空間となる可能性が高い。しかし、サイズの大きい隙間１０が形成されることにより、隙間７および隙間９が閉空間となる可能性は著しく低下する。そのため、多孔質層６のほとんどの隙間７、隙間９および隙間１０に、導電性高分子層１４を形成することが可能となる。その結果、導電性高分子層１４に誘電体層１１を介して接する陽極体２の面積が増大するため、容量引き出し率を増大させることができる。さらに、陽極体２に回り込む導電性高分子層１４の体積が増大するため、コンデンサ１を低ＥＳＲ化することが可能となる。
【００５７】
（５）多孔質膜６は第１金属粒子８間に互いに押し付けられるような力が加わることにより形成されている。そのため、多孔質膜６が形成された陽極用基材４には、第１金属粒子８が押し付けられた状態を戻そうとする力が働く。すなわち、陽極用基材４には、多孔質膜６が形成されている面が凸状に反り返る方向に力が働く。しかし、多孔質膜６に隙間７、隙間９および隙間１０が形成されていることにより、各粒子間に隙間が無い場合と比較して、その応力を隙間７、隙間９および隙間１０で緩和することが可能である。その結果、コンデンサ１の破損等を抑制することができ、コンデンサ１の信頼性を高めることが可能である。
【００５８】
本発明は、上述の各実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうるものである。
【００５９】
例えば、本実施形態では、コールドスプレー法を用いて多孔質な陽極体を形成したが、周知のエアロゾルデポジション法やパウダージェット法等の非溶融状態の粒子を高速で吹き付けることで膜を形成する技術を用いて陽極体を形成してもよい。これらの方法によっても、多孔質な陽極体を形成することができる。また、本実施形態では、コールドスプレー法を大気中で行っているが、真空チャンバ内で行ってもよい。
【００６０】
また、本実施形態では、第１金属粒子８を、複数個集合させた集合体として陽極用基材４に吹き付けているが、第１金属粒子８単体で吹き付けてもよい。また、第１金属粒子８の集合体には隙間７が形成されているが、隙間７は形成されていない状態であってもかまわない。
【００６１】
また、本実施形態では、第１金属粒子８と第２金属粒子１８とを別々に陽極用基材４に吹き付けているが、複数の第１金属粒子８および第２金属粒子１８が集合した集合体を陽極用基材４に吹き付けてもよい。
【００６２】
また、本実施形態では、陽極用基材４としてＴａ箔を用いたが、陽極用基材４として複数の第１金属粒子８が結合して膜状構造となったものを用いてもよい。その場合、陽極用基材４は以下のようにして形成することができる。すなわち、コールドスプレー法により板部材上に第１金属粒子８を吹き付けて当該板部材の表面に第１金属粒子８の膜を成膜し、その後、板部材を除去することで第１金属粒子８からなる陽極用基材４を形成することができる。
【００６３】
また、コールドスプレー装置１００を用いて陽極用基材４に第１金属粒子８および第２金属粒子１８を吹き付ける際に、第１ノズル１０２からの第１金属粒子８の噴射と、第２ノズル１１２からの第２金属粒子１８の噴射とは同時に行ってもよい。これによれば、コ
ンデンサ用電極体の製造工程にかかる時間を短縮できる。
【００６４】
また、第１金属粒子８と第２金属粒子１８の噴射は、交互に行うようにしてもよい。これによれば、第１金属粒子８と第２金属粒子１８の比率を場所に応じてより自由に調整することができる。
【００６５】
さらに、第１金属粒子８と第２金属粒子１８とを予め混合して、同一のノズルから噴射するようにしてもよい。これによれば、コールドスプレー装置の構成を簡単にすることができ、その結果、コンデンサ１の製造コストを低減することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１              コンデンサ
２              陽極体
４              陽極用基材
５              複合層
６              多孔質層
８              第１金属粒子
７、９、１０    隙間
１１            誘電体層
１２            陰極体
１４            導電性高分子層、
１６            陰極用基材
１６ａ          カーボンペースト層
１６ｂ          銀ペースト層
１８            第２金属粒子
１００          コールドスプレー装置
１０１          基材把持部
１０２          第１ノズル
１０４          第１材料供給部
１０６          ガス供給部
１０８          第１ヒータ
１１２          第２ノズル
１１４          第２材料供給部
１１８          第２ヒータ
【図１】
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【図２】
2011138882.tif 000004
【図３】
2011138882.tif 000005
【図４】
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