(57)【要約】【課題】電気特性や光学特性を向上させることができる電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の製造装置を提供する。【解決手段】電気光学装置としての液晶装置１１の製造方法は、素子基板４１と対向基板４２とをシール材１４を介して貼り合わせる貼り合せ工程と、シール材１４に形成された液晶注入口を介して素子基板４１と対向基板４２との間に液晶を注入する注入工程と、素子基板４１と対向基板４２との間のギャップを調整するギャップ調整工程と、を有し、ギャップ調整工程は、貼り合わされた基板のうち少なくとも一方の基板において、平面的にシール材１４より内側の部分を非接触な方法で加圧又は吸引する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板をシール材を介して貼り合わせる貼り合せ工程と、
前記シール材に形成された注入口を介して前記一対の基板の間に電気光学材料を注入する注入工程と、
前記一対の基板間のギャップを調整するギャップ調整工程と、を有し、
前記ギャップ調整工程は、貼り合わされた前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板において、平面的に前記シール材より内側の部分を加圧又は吸引することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記ギャップ調整工程は、平面的に前記シール材より内側の部分を非接触で加圧又は吸引することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記ギャップ調整工程は、前記一対の基板における画素領域を平面的に区画する遮光膜を含む領域から外側の領域を支持することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記ギャップ調整工程は、前記一対の基板のうち画素のスイッチング素子が形成された基板側を加圧又は吸引することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記ギャップ調整工程は、前記一対の基板間に封入された前記電気光学材料の電気特性又は光学特性を検出しながら、加圧又は吸引することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記ギャップ調整工程の後に、前記注入口を封止する封止工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
シール材によって貼り合わされた素子基板と対向基板との間のギャップを調整する電気光学装置の製造装置であって、
前記素子基板側を保持すると共に前記素子基板と接する側の面に凹部が設けられた第１ヘッドと、
前記対向基板側を保持すると共に前記対向基板と接する側の面に凹部が設けられた第２ヘッドとのうち少なくとも一方と、
前記凹部に接続され、前記凹部内を加圧又は吸引する加圧／吸引機構と、を備え、
前記凹部の開口端は、平面的に画素領域より外側、かつ、前記シール材より内側の位置に当接するように設けられていることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記素子基板と前記対向基板との間に注入された電気光学材料の電気特性又は光学特性を検出する検出部を備えていることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記第１ヘッド及び前記第２ヘッドは、少なくとも一方が他方に向かって可動することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば、一対の基板間に液晶層が挟持された構造を有する液晶装置がある。液晶装置の製造方法としては、例えば、樹脂からなるシール材によって貼り合わされた一対の基板間に注入口を介して液晶を注入する工程と、一対の基板間のギャップを調整する工程と、注入口を封止する工程とを有する。
【０００３】
ギャップを調整する方法としては、例えば、特許文献１〜特許文献３に記載のように、一対の基板の表裏面、又は一対の基板の全体を加圧したり減圧したりして調整する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２７６３３９号公報
【特許文献２】特開２０００−２３５１８９号公報
【特許文献３】特開平１１−２２３８２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、一対の基板における表裏面、又は一対の基板の全体に負荷をかけているので、表示領域に設けられた配線やトランジスター等に応力が加わり破壊されるという問題がある。更に、シール材に応力が加わりシール材が破壊される、又は基板との界面においてシール材が剥離するという問題がある。これにより、電気特性や光学特性等が低下するという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、一対の基板をシール材を介して貼り合わせる貼り合せ工程と、前記シール材に形成された注入口を介して前記一対の基板の間に電気光学材料を注入する注入工程と、前記一対の基板間のギャップを調整するギャップ調整工程と、を有し、前記ギャップ調整工程は、貼り合わされた前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板において、平面的に前記シール材より内側の部分を加圧又は吸引することを特徴とする。
【０００８】
この方法によれば、シール材より内側の部分を加圧又は吸引するので、基板間のギャップを均一に調整することができると共に、シール材に加圧又は吸引による応力が集中することを防ぐことができる。よって、シール材が破壊することを防ぐことが可能となり、電気特性や光学特性等が低下することを抑えることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記ギャップ調整工程は、平面的に前記シール材より内側の部分を非接触で加圧又は吸引することが好ましい。
【００１０】
この方法によれば、非接触によって加圧又は吸引を行いギャップ調整を行うので、接触させて加圧又は吸引する方法と比較して、電気光学装置に傷がつくことを防ぐことができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記ギャップ調整工程は、前記一対の基板における画素領域を平面的に区画する遮光膜を含む領域から外側の領域を支持することが好ましい。
【００１２】
この方法によれば、一対の基板における、遮光膜を含む領域から外側の領域を支持して一対の基板を固定するので、ギャップ調整を行った際、遮光膜が設けられた範囲に、加圧又は吸引による応力を集中させることが可能となる。よって、画素領域やシール材に応力が集中することを抑えることができ、画素領域に形成された素子等が破壊することを防ぐことができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記ギャップ調整工程は、前記一対の基板のうち画素のスイッチング素子が形成された基板側を加圧又は吸引することが好ましい。
【００１４】
この方法によれば、スイッチング素子が形成された基板側を加圧又は吸引するので、スイッチング素子形成の際に加えられた熱によって変形した基板の反りを矯正して、より効率的にギャップ調整を行うことができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記ギャップ調整工程は、前記一対の基板間に封入された前記電気光学材料の電気特性又は光学特性を検出しながら、加圧又は吸引することが好ましい。
【００１６】
この方法によれば、電気特性や光学特性を検出しながらギャップ調整を行うので、一対の基板間を最適なギャップにすることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記ギャップ調整工程の後に、前記注入口を封止する封止工程を有する。
【００１８】
この方法によれば、ギャップ調整後に注入口を封止するので、ギャップ調整工程において調整した基板間のギャップを維持することができる。
【００１９】
［適用例７］本適用例に係る電気光学装置の製造装置は、シール材によって貼り合わされた素子基板と対向基板との間のギャップを調整する電気光学装置の製造装置であって、前記素子基板側を保持すると共に前記素子基板と接する側の面に凹部が設けられた第１ヘッドと、前記対向基板側を保持すると共に前記対向基板と接する側の面に凹部が設けられた第２ヘッドとのうち少なくとも一方と、前記凹部に接続され、前記凹部内を加圧又は吸引する加圧／吸引機構と、を備え、前記凹部の開口端は、平面的に画素領域より外側、かつ、前記シール材より内側の位置に当接するように設けられていることを特徴とする。
【００２０】
この構成によれば、凹部が設けられた第１ヘッド及び／又は第２ヘッドによって一対の基板を保持すると共に、画素領域より外側、かつ、シール材より内側の位置を、凹部の開口端によって保持し、凹部を介して素子基板や対向基板に加圧又は吸引を行うことができるので、画素領域やシール材に加圧又は吸引による応力が集中することを防いでギャップ調整することが可能な電気光学装置の製造装置を提供できる。よって、例えば、画素領域に形成された素子が破壊されたり、シール材が破壊されたりすることを防ぐことが可能となり、電気特性や光学特性が低下することを抑えることができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記素子基板と前記対向基板との間に注入された電気光学材料の電気特性又は光学特性を検出する検出部を備えていることが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、検出部によって電気特性や光学特性を検出しながらギャップ調整を行うことが可能となり、一対の基板間を最適なギャップにすることができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記第１ヘッド及び前記第２ヘッドは、少なくとも一方が他方に向かって可動することが好ましい。
【００２４】
この構成によれば、第１ヘッド及び第２ヘッドが、接離可能に可動するように設けられているので、一対の基板を挟持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】液晶装置の構造を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図５】ギャップ調整装置の構造を示す模式断面図。
【図６】図５に示すギャップ調整装置のＢ部を拡大して示す模式断面図。
【図７】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図８】液晶装置の製造方法のうちギャップ調整の方法を詳しく示す模式断面図。
【図９】液晶装置の製造方法のうちギャップ調整の方法を詳しく示す模式断面図。
【図１０】液晶装置の製造方法のうちギャップ調整の方法を詳しく示す模式断面図。
【図１１】液晶装置の製造方法のうちギャップ調整の方法を詳しく示す模式断面図。
【図１２】液晶装置の製造装置の変形例の構造を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。本実施形態では、電気光学装置の一例として、投射型映像装置である液晶プロジェクターにおいてライトバルブとして用いられるＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げて説明する。
【００２７】
＜電気光学装置の構造＞
図１は、電気光学装置としての液晶装置の構造を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２８】
図１及び図２に示すように、液晶装置１１は、例えば、薄膜トランジスター（以下、「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子」と称する。）を画素のスイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置１１は、一対の基板を構成する第１基板１２を備えた素子基板４１と、第２基板１３を備えた対向基板４２とが、平面視略矩形枠状のシール材１４を介して貼り合わされている。
【００２９】
第１基板１２及び第２基板１３は、例えば、石英などの透光性材料によって構成されている。液晶装置１１は、シール材１４に囲まれた領域に液晶層１５が封入された構成になっている。なお、シール材１４には電気光学材料としての液晶を注入するための液晶注入口１６が設けられ、液晶注入口１６は封止材１７により封止されている。
【００３０】
液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶装置１１は、シール材１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の遮光膜としての額縁遮光膜１８（１８ａ，１８ｂ）が第１基板１２及び第２基板１３に形成されており、この額縁遮光膜１８の内側の領域が画素領域としての表示領域１９となっている。額縁遮光膜１８は、例えば、遮光性材料であるアルミ（Ａｌ）やクロム（Ｃｒ）で形成されており、表示領域１９の外周を区画するように設けられている。
【００３１】
表示領域１９内には、画素２１がマトリクス状に設けられている。画素２１は、表示領域１９の最小表示単位となる１画素を構成している。シール材１４の外側の領域には、データ線駆動回路２２及び接続端子部２３が第１基板１２の一辺（図１における下側）に沿って形成されている。
【００３２】
また、シール材１４の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回路２４がそれぞれ形成されている。第１基板１２の残る一辺（図１における上側）には、検査回路２５が形成されている。額縁遮光膜１８は、例えば、第１基板１２上に形成された走査線駆動回路２４及び検査回路２５に対向する位置（平面的に重なる位置）に形成されている。
【００３３】
一方、対向基板４２の各角部（例えば、シール材１４のコーナー部の４箇所）には、素子基板４１と対向基板４２との間の電気的導通をとるための上下導通端子２６が配設されている。
【００３４】
また、図２に示すように、第１基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極２７が形成されており、これら画素電極２７を覆うように第１配向膜２８が形成されている。画素電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００３５】
一方、第２基板１３の液晶層１５側には、格子状の遮光膜（ＢＭ：ブラックマトリクス）（図示せず）が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極３１が形成されている。そして、共通電極３１上には、第２配向膜３２が形成されている。共通電極３１は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００３６】
液晶装置１１は透過型であって、素子基板４１及び対向基板４２における光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板（図示せず）等が配置されて用いられる。なお、液晶装置１１の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。
【００３７】
図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な構成を、図３を参照しながら説明する。
【００３８】
図３に示すように、液晶装置１１は、表示領域１９を構成する複数の画素２１を有している。各画素２１には、それぞれ画素電極２７が配置されている。また、画素２１には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。
【００３９】
ＴＦＴ素子３３は、画素電極２７へ通電制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ素子３３のソース側には、データ線３４が電気的に接続されている。各データ線３４には、例えば、データ線駆動回路２２（図１参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給されるようになっている。
【００４０】
また、ＴＦＴ素子３３のゲート側には、走査線３５が電気的に接続されている。走査線３５には、例えば、走査線駆動回路２４（図１参照）から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子３３のドレイン側には、画素電極２７が電気的に接続されている。
【００４１】
走査線３５から供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３３が一定期間だけオン状態となることで、データ線３４から供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極２７を介して画素２１に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００４２】
画素２１に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極２７と共通電極３１（図２参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するために、画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極と容量線の一例であるシールド層５７（図４参照）に電気的に接続された容量電極３６との間に蓄積容量３７が形成されている。
【００４３】
このように、液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。
【００４４】
図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４５】
図４に示すように、液晶装置１１は、素子基板４１と、これに対向配置される対向基板４２とを備えている。素子基板４１を構成する第１基板１２、及び対向基板４２を構成する第２基板１３は、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００４６】
第１基板１２上には、Ｔｉ（チタン）やＣｒ（クロム）等からなる下側遮光膜５１が形成されている。下側遮光膜５１は、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。第１基板１２及び下側遮光膜５１上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜５２が形成されている。
【００４７】
下地絶縁膜５２上には、ＴＦＴ素子３３及び走査線３５等が形成されている。ＴＦＴ素子３３は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３８と、半導体層３８上に形成されたゲート絶縁膜５３と、ゲート絶縁膜５３上に形成されたポリシリコン膜等からなる走査線３５とを有する。上記したように、走査線３５は、ゲート電極として機能する。
【００４８】
半導体層３８は、チャネル領域３８ａと、低濃度ソース領域３８ｂと、低濃度ドレイン領域３８ｃと、高濃度ソース領域３８ｄと、高濃度ドレイン領域３８ｅとを備えている。チャネル領域３８ａは、走査線３５からの電界によりチャネルが形成される。下地絶縁膜５２上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜５４が形成されている。
【００４９】
第１層間絶縁膜５４上には、蓄積容量３７及びデータ線３４等が設けられている。蓄積容量３７は、ＴＦＴ素子３３の高濃度ドレイン領域３８ｅ及び画素電極２７に接続された画素電位側容量電極としての中継層５５と、固定電位側容量電極としての容量電極３６とが、誘電体膜５６を介して対向配置されている。
【００５０】
容量電極３６及びデータ線３４は、下層に導電性ポリシリコン膜Ａ１、上層にアルミニウム膜Ａ２の二層構造を有する膜として形成されている。
【００５１】
容量電極３６及びデータ線３４は、光反射性能に比較的優れたアルミニウムを含み、かつ、光吸収性能に比較的優れたポリシリコンを含むことから、遮光層として機能し得る。よって、ＴＦＴ素子３３の半導体層３８に対する入射光の進行を、その上側で遮ることが可能である。
【００５２】
このような容量電極３６は、蓄積容量３７の固定電位側容量電極として機能する。容量電極３６を固定電位とするためには、上述のように、画素２１外の定電位源に接続されることで固定電位とされたシールド層５７と、コンタクトホール５８を介して電気的に接続されることによってなされている。
【００５３】
第１層間絶縁膜５４には、ＴＦＴ素子３３の高濃度ソース領域３８ｄとデータ線３４とを電気的に接続するコンタクトホール６１が開孔されている。言い換えれば、データ線３４は、誘電体膜５６及び第１層間絶縁膜５４を貫通するコンタクトホール６１を介して、ＴＦＴ素子３３の半導体層３８と電気的に接続されている。具体的には、データ線３４が上述のような二層構造をとっており、中継層５５が導電性のポリシリコン膜からなることにより、データ線３４及び半導体層３８間の電気的接続は、導電性のポリシリコン膜によって実現されている。すなわち、下から順に、半導体層３８、中継層５５のポリシリコン膜、データ線３４の下層の導電性ポリシリコン膜Ａ１、その上層のアルミニウム膜Ａ２となる。
【００５４】
また、第１層間絶縁膜５４には、ＴＦＴ素子３３の高濃度ドレイン領域３８ｅと蓄積容量３７を構成する中継層５５とを電気的に接続するコンタクトホール６２が開孔されている。第１層間絶縁膜５４上には、シリコン酸化膜等からなる第２層間絶縁膜６３が形成されている。
【００５５】
第２層間絶縁膜６３上には、例えば、アルミニウム等からなるシールド層５７が形成されている。また、第２層間絶縁膜６３には、上記したように、シールド層５７と容量電極３６とを電気的に接続するためのコンタクトホール５８が形成されている。第２層間絶縁膜６３上には、シリコン酸化膜等からなる第３層間絶縁膜６４が形成されている。
【００５６】
第２層間絶縁膜６３及び第３層間絶縁膜６４には、画素電極２７と中継層５５とを電気的に接続するためのコンタクトホール６５，６６が開孔されている。具体的には、第２層間絶縁膜６３上に形成された第２中継層６７を介してコンタクトホール６５とコンタクトホール６６とが電気的に接続されている。第２中継層６７は、シールド層５７と同一の膜構成となっており、下層にアルミニウム膜、上層に窒化チタン膜という二層構造を備えている。
【００５７】
つまり、高濃度ドレイン領域３８ｅと画素電極２７とは、コンタクトホール６２、中継層５５、コンタクトホール６５、第２中継層６７、コンタクトホール６６を介して、電気的に接続されている。第３層間絶縁膜６４上には、上記した画素電極２７及び第１配向膜２８が形成されている。
【００５８】
画素電極２７は、平面的にマトリクス状に形成されており、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。また、画素電極２７上には、ラビング等により所定の方向に配向処理が施された第１配向膜２８が形成されている。第１配向膜２８は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００５９】
第１配向膜２８上には、シール材１４（図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入された液晶層１５が設けられている。第２基板１３の液晶層１５に面する側には、透明な共通電極３１を覆ってラビングにより所定の方向に配向処理が施された第２配向膜３２が形成されている。第２配向膜３２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００６０】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で第１配向膜２８及び第２配向膜３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板４１及び対向基板４２をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００６１】
なお、液晶層１５を介して対向配置された素子基板４１と対向基板４２との間の隙間（ギャップ）が均一でない場合、液晶の配向状態がばらつき、電気特性や光学特性等が低下するという問題が発生する。以下、一対の基板間のギャップを調整する（均一にする）ギャップ調整装置について説明する。
【００６２】
＜電気光学装置の製造装置の構造＞
図５は、電気光学装置の製造装置としてのギャップ調整装置の構造を示す模式断面図である。図６は、図５に示すギャップ調整装置のＢ部を拡大して示す模式断面図である。以下、ギャップ調整装置の構造を、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００６３】
図５に示すように、ギャップ調整装置７１は、素子基板４１や対向基板４２に生じた反りを修正し、素子基板４１と対向基板４２との間のギャップを均一にさせる装置であり、素子基板４１側の反りを調整する第１ヘッド７２と、対向基板４２側の反りを調整する第２ヘッド７３とが備えられている。
【００６４】
第１ヘッド７２は、例えば、ギャップ調整装置７１の図示しない基台に固定されている。第２ヘッド７３は、第１ヘッド７２の上方に配置されており、例えば、第１ヘッド７２に対して上下方向に可動する。つまり、第１ヘッド７２の上に液晶装置１１を載置した後、第２ヘッド７３を降下させることにより、第１ヘッド７２と第２ヘッド７３とによって液晶装置１１を挟持することができる。
【００６５】
また、図６に示すように、第１ヘッド７２には、液晶装置１１と接する側の面７２ａに凹部７４が形成されている。また、第２ヘッド７３側にも、液晶装置１１と接する側の面７３ａに凹部７５が形成されている。具体的には、液晶装置１１を挟持した際、第１ヘッド７２及び第２ヘッド７３に形成された凹部７４，７５の開口端７２ｂ，７３ｂは、平面的に液晶装置１１の額縁遮光膜１８ａ，１８ｂの内側（Ｘ）からシール材１４の内側（Ｙ）までの間の液晶装置１１と当接するようになっている。言い換えれば、「シール材１４の内側の距離（Ｙ）＞開口端７２ｂ，７３ｂ（Ｚ）＞額縁遮光膜１８ａ，１８ｂの内側の距離（Ｘ）」の関係式になるように凹部７４，７５が形成されている。
【００６６】
また、第１ヘッド７２及び第２ヘッド７３には、凹部７４，７５と連通する開口孔７６ａ，７６ｂが設けられている。更に、開口孔７６ａ，７６ｂは、凹部７４，７５内を加圧又は吸引する加圧／吸引機構７７と接続されている。つまり、第１ヘッド７２及び第２ヘッド７３によって液晶装置１１を挟持し、加圧／吸引機構７７を用いて素子基板４１や対向基板４２を非接触で吸引又は加圧することによって、素子基板４１や対向基板４２に発生した反りを修正することができる。
【００６７】
詳述すると、基板４１，４２を加圧する際は、加圧／吸引機構７７に設けられた圧空ユニットと凹部７４，７５とを接続する。これにより、基板４１，４２に陽圧をかけることができる。一方、基板４１，４２を吸引する際は、加圧／吸引機構７７に設けられた真空ユニットと凹部７４，７５とを接続する。これにより、基板４１，４２に負圧をかけることができる。また、レギュレーター等の圧力弁を用いることで、圧力の微調整を行うことができる。
【００６８】
また、第１ヘッド７２及び第２ヘッド７３には、ギャップ調整を行う際の液晶層１５の電気特性や光学特性を確認するための検出部７８が備えられている。詳述すると、電気特性としては、抵抗値や容量値などである。また、光学特性としては、受光素子を用いて検出する透過率やコントラストなどである。検出部７８によって得られた情報を元に素子基板４１と対向基板４２とのギャップを調整することにより、両基板４１，４２間を最適なギャップにすることができる。
【００６９】
＜電気光学装置の製造方法＞
図７は、電気光学装置の製造方法としての液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図８〜図１１は、液晶装置の製造方法のうちギャップ調整方法を詳しく示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図７〜図１１を参照しながら説明する。
【００７０】
最初に、素子基板４１側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、第１基板１２上にＴＦＴ素子３３（図４参照）等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基板１２上にＴＦＴ素子３３を形成する。その後、同様の方法を用いて第３層間絶縁膜６４までを形成する。
【００７１】
ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第３層間絶縁膜６４上に画素電極２７を形成する。
【００７２】
ステップＳ１３では、画素電極２７上に第１配向膜２８を形成する。第１配向膜２８の形成方法は、例えば、配向膜材料としてのポリイミドやポリアミック酸を含む有機溶液を塗布して、溶媒成分を除去する乾燥・焼成を行う。塗布方法としては、特に限定されるものではなく、スピンコート、スリットコート等の方法や、オフセット等の印刷法が挙げられる。その後、成膜化した第１配向膜２８に、例えば、ラビング処理を施す。なお、ラビング処理に限定されず、例えば、斜方蒸着処理を行うようにしてもよい。以上により、素子基板４１側が完成する。
【００７３】
次に、対向基板４２側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラスや石英等の透光性材料からなる第２基板１３上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、共通電極３１を形成する。
【００７４】
ステップＳ２２では、共通電極３１上に第２配向膜３２を形成する。なお、第２配向膜３２は、第１配向膜２８と同様にして形成することができる。以上により、対向基板４２が完成する。
【００７５】
次に、ステップＳ３１では、素子基板４１上にシール材１４を塗布する。詳しくは、素子基板４１とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板４１における表示領域１９の周縁部に（表示領域１９を囲むように）シール材１４を塗布する。
【００７６】
ステップＳ３２（貼り合せ工程）では、素子基板４１と対向基板４２とを貼り合わせる。具体的には、素子基板４１に塗布されたシール材１４を介して素子基板４１と対向基板４２とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１２，１３の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。
【００７７】
ステップＳ３３（注入工程）では、真空注入法を用いて液晶注入口１６（図１参照）から構造体の内部に液晶を注入する。
【００７８】
ステップＳ３４（ギャップ調整工程）では、素子基板４１と対向基板４２との間のギャップ調整を行う。以下、ギャップ調整方法を、図８〜図１１を参照しながら説明する。なお、ここでは、素子基板４１の中央、及び対向基板４２の中央が液晶層１５側に突出するように湾曲している場合のギャップ調整方法を説明する。また、以下１つの液晶装置１１のギャップ調整方法を示すが、マザー基板の状態でギャップ調整を行う場合も同様にして行うことができる。また、対向基板４２が個片化されている（１つのパネル）の場合も同様にして行うことができる。
【００７９】
まず、図８に示すように、ギャップ調整装置７１を構成する第１ヘッド７２上に液晶装置１１を載置する。具体的には、第１ヘッド７２に形成された凹部７４の開口端７２ｂが、平面的に液晶装置１１のシール材１４より内側、かつ、表示領域１９より外側の位置と当接するように液晶装置１１を配置する。
【００８０】
次に、図９に示すように、第２ヘッド７３を下降させて、液晶装置１１を第１ヘッド７２とによって挟持する。第２ヘッド７３も第１ヘッド７２と同様、第２ヘッド７３に設けられた凹部７５の開口端７３ｂが、平面的に液晶装置１１のシール材１４より内側、かつ、表示領域１９より外側の位置と当接するように、液晶装置１１を配置する。つまり、第１ヘッド７２及び第２ヘッド７３において、凹部７４，７５以外の部分で挟持することにより、液晶装置１１が固定される。
【００８１】
第１ヘッド７２及び第２ヘッド７３によって液晶装置１１を固定した状態でも、素子基板４１及び対向基板４２の中央が液晶層１５側に突出するように湾曲している。
【００８２】
次に、図１０に示すように、第１ヘッド７２及び第２ヘッド７３の凹部７４，７５と接続された加圧／吸引機構７７を用いて、凹部７４，７５内を吸引する。これにより、素子基板４１及び対向基板４２における平面的に凹部７４，７５の開口領域と重なる領域が吸引され、素子基板４１及び対向基板４２の特に中央部の間隔が広がる（液晶層１５と離れる）方向に移動する。つまり、素子基板４１及び対向基板４２が湾曲状から平坦状になる。これにより、素子基板４１と対向基板４２との間のギャップを基板全体に亘って均一にすることができる。
【００８３】
なお、素子基板４１又は対向基板４２のどちらか一方が、液晶層１５側に突出するように反っている場合は、第１ヘッド７２又は第２ヘッド７３の加圧／吸引機構を用いて一方の基板のみを吸引し、素子基板４１と対向基板４２との間隔が広がる（液晶層１５から離れる）方向に修正する。また、素子基板４１と対向基板４２との間隔が周辺部に比べて中央部が大きくなるようにいずれか一方の基板が反っている場合は、加圧／吸引機構７７を用いて凹部７４内または凹部７５内を加圧する。これにより、中央部が間隔が縮まるように基板が押圧され、素子基板４１と対向基板４２との間のギャップを均一に調整することができる。
【００８４】
このように、第１ヘッド７２及び第２ヘッド７３に設けられた凹部７４，７５の開口端を、平面的に液晶装置１１の表示領域１９より外側、かつ、シール材１４より内側となる位置に当接させることにより、加圧／吸引機構７７を用いて素子基板４１や対向基板４２を加圧又は吸引した際、表示領域１９やシール材１４に応力が集中することを防ぐことができる。言い換えれば、膜強度の高い額縁遮光膜１８ａ，１８ｂの領域内に応力を集中させることができる。よって、表示領域１９に形成されたＴＦＴ素子３３や配線等が破壊されたり、シール材１４が破壊されたりすることを防ぐことができる。
【００８５】
なお、ギャップ調整を行う際、液晶層１５の偏光状態を確認しながら行うことが好ましい。例えば、検出部７８（図６参照）を用いて光を透過させ、液晶層１５の偏光状態を確認しながらギャップ調整を行うことにより、最適なギャップに調整することができる。また、ギャップ調整工程の前後に、マザー基板全体の反りを修正する工程を含むことが望ましい。
【００８６】
ステップＳ３５（封止工程）では、液晶注入口１６（図１参照）を封止する。封止には、例えば、熱硬化性あるいはＵＶ（紫外線）硬化性のエポキシ樹脂等の封止材１７が用いられる。ギャップ調整を行った後、液晶注入口１６を封止することにより、図１１に示すように、素子基板４１と対向基板４２との間を均一に維持することができる。以上により、液晶装置１１が完成する。
【００８７】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８８】
（１）本実施形態のギャップ調整装置７１およびこれを用いたギャップ調整方法によれば、凹部７４，７５の開口端７２ｂ，７３ｂの位置を、平面的に液晶装置１１における表示領域１９より外側、かつ、シール材１４より内側の位置に当接させ、凹部を介して素子基板４１や対向基板４２を加圧又は吸引するので、表示領域１９やシール材１４に加圧又は吸引による応力が集中することを防いでギャップ調整することができる。よって、例えば、表示領域１９に形成されたＴＦＴ素子３３などが破壊されたり、シール材１４が破壊されたりすることを防ぐことが可能となり、電気特性や光学特性等が低下することを抑えることができる。
【００８９】
（２）本実施形態のギャップ調整装置７１およびこれを用いたギャップ調整方法によれば、検出部７８を用いて液晶層１５の偏光状態を確認しながらギャップ調整を行うので、素子基板４１と対向基板４２との間を最適なギャップにすることができる。
【００９０】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００９１】
（変形例１）
上記したように、液晶装置１１を第１ヘッド７２及び第２ヘッド７３の両方で挟んで素子基板４１及び対向基板４２の両方に加圧又は吸引を行ってギャップ調整することに限定されず、例えば、図１２に示すギャップ調整装置１７１のように、第１ヘッド１７２のみを用いてギャップ調整を行うようにしてもよい。
【００９２】
具体的には、第１ヘッド１７２の構成は、上記した実施形態と同様である。また、ギャップ調整装置１７１としては、素子基板４１のみが液晶層１５側に突出するように反っている場合に適用できる。これによれば、第１ヘッド１７２の加圧／吸引機構１７７を用いて素子基板４１を吸引するので、液晶装置１１を第２ヘッド７３で保持することなく、ギャップ調整を行うことができる。
【００９３】
なお、液晶装置１１の表裏が逆になるように配置することにより、対向基板４２側のギャップ調整を行うこともできる。なお、素子基板４１にＴＦＴ素子３３や配線が複数形成されていることから、対向基板４２に比べて素子基板４１側が大きく変形することが考えられる。よって、素子基板４１側が第１ヘッド１７２と接するように配置してギャップ調整を行うことが好ましい。これによれば、ＴＦＴ素子３３等の形成の際に加えられた熱によって変形した素子基板４１の反りを矯正して、より効率的にギャップ調整を行うことができる。
【００９４】
（変形例２）
上記したように、ギャップ調整装置７１を構成する第１ヘッド７２が基台に固定され、第２ヘッド７３が上下に可動するように設けられていることに限定されず、例えば、第２ヘッド７３が固定され、第１ヘッド７２が上下に可動するように設けられていてもよい。また、第１ヘッド７２及び第２ヘッド７３の両方が上下に可動するように設けられていてもよい。
【００９５】
（変形例３）
上記したように、素子基板４１に額縁遮光膜１８ａを形成し、対向基板４２側に額縁遮光膜１８ｂを形成したが、少なくとも一方（例えば、対向基板４２側）に額縁遮光膜１８を設けるようにしてもよい。
【００９６】
（変形例４）
上記したように、検出部７８を用いて電気特性や光学特性を検出することに限定されず、例えば、偏光状態や干渉縞などを検出し、ギャップ調整を行うようにしてもよい。
【００９７】
（変形例５）
上記ギャップ調整装置７１およびこれを用いたギャップ調整方法を適用可能な電気光学装置は、液晶装置１１に限定されない。例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ等に適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９８】
１１…電気光学装置としての液晶装置、１２…第１基板、１３…第２基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…液晶注入口、１７…封止材、１８，１８ａ，１８ｂ…遮光膜としての額縁遮光膜、１９…画素領域としての表示領域、２１…画素、２２…データ線駆動回路、２３…接続端子部、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通端子、２７…画素電極、２８…第１配向膜、３１…共通電極、３２…第２配向膜、３３…ＴＦＴ素子、３４…データ線、３５…走査線、３６…容量電極、３７…蓄積容量、３８…半導体層、３８ａ…チャネル領域、３８ｂ…低濃度ソース領域、３８ｃ…低濃度ドレイン領域、３８ｄ…高濃度ソース領域、３８ｅ…高濃度ドレイン領域、４１…一対の基板を構成する素子基板、４２…一対の基板を構成する対向基板、５１…下側遮光膜、５２…下地絶縁膜、５３…ゲート絶縁膜、５４…第１層間絶縁膜、５５…中継層、５６…誘電体膜、５７…シールド層、５８…コンタクトホール、６１…コンタクトホール、６２…コンタクトホール、６３…第２層間絶縁膜、６４…第３層間絶縁膜、６５，６６…コンタクトホール、６７…第２中継層、７１，１７１…ギャップ調整装置、７２，１７２…第１ヘッド、７２ａ…面、７２ｂ，７３ｂ…開口端、７３…第２ヘッド、７３ａ…面、７４，７５…凹部、７６ａ，７６ｂ…開口孔、７７，１７７…加圧／吸引機構、７８…検出部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2011154071.tif 000011
【図１０】
2011154071.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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