(57)【要約】【課題】金めっき層の形成に用いられる高価な金を節約することができると共に電気信号の高速動作に不利益をもたらす虞がなく、且つ、配線密度を緩和してその製品価格を低く抑えることができる半導体装置用配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】配線パターンとして最終製品に必要な配線３のみを有する配線パターンを形成すると共に配線３上に金めっき層４を設けて構成される半導体装置用配線基板の製造方法であって、基材２上に配線パターン形成用の銅箔層１４を設け、銅箔層１４上にフォトレジスト１５を塗布し、露光・現像して配線パターンに対応するレジストパターン１６を形成し、レジストパターン１６から露出された銅箔層１４上に金めっき層４を設け、金めっき層４をエッチングレジスト層として銅箔層１４をエッチングすることにより所望の配線３を有する配線パターンを形成する、半導体装置用配線基板の製造方法。【選択図】図１
2011138935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンとして最終製品に必要な配線のみを有する配線パターンを形成すると共に前記配線上に金めっき層を設けて構成される半導体装置用配線基板の製造方法であって、基材上に配線パターン形成用の銅箔層を設け、前記銅箔層上にフォトレジストを塗布し、露光・現像して配線パターンに対応するレジストパターンを形成し、前記レジストパターンから露出された前記銅箔層上に金めっき層を設け、前記金めっき層をエッチングレジスト層として前記銅箔層をエッチングすることにより所望の配線を有する配線パターンを形成することを特徴とする半導体装置用配線基板の製造方法。
【請求項２】
電気めっきにより、前記金めっき層を設けることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記配線の上面にのみ前記金めっき層を設け、前記配線の側面には前記金めっき層を設けないことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用配線基板の製造方法。
【請求項４】
デバイスホールを有すると共に前記デバイスホールを臨む前記配線を有する前記半導体装置用配線基板の製造方法であって、前記デバイスホールに面する側の前記銅箔層上に絶縁樹脂を塗布してから、前記レジストパターンから露出された前記銅箔層上に前記金めっき層を設けることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の半導体装置用配線基板の製造方法。
【請求項５】
配線パターンとして最終製品に必要な配線のみを有する配線パターンを形成すると共に前記配線上に金めっき層を設けて構成される半導体装置用配線基板の製造方法であって、基材上に配線パターン形成用の銅箔層を設け、前記銅箔層上の金めっき層を設ける部分以外の部分を絶縁樹脂で塗布してから、前記銅箔層上に前記金めっき層を設け、前記絶縁樹脂を除去し、前記金めっき層をエッチングレジスト層として前記銅箔層をエッチングすることにより所望の配線を有する配線パターンを形成することを特徴とする半導体装置用配線基板の製造方法。
【請求項６】
電気めっきにより、前記金めっき層を設けることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置用配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記配線の上面にのみ前記金めっき層を設け、前記配線の側面には前記金めっき層を設けないことを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置用配線基板の製造方法。
【請求項８】
デバイスホールを有すると共に前記デバイスホールを臨む前記配線を有する前記半導体装置用配線基板の製造方法であって、前記デバイスホールに面する側の前記銅箔層上に絶縁樹脂を塗布してから、前記金めっき層及び前記絶縁樹脂をエッチングレジスト層として前記銅箔層をエッチングすることにより所望の配線を有する配線パターンを形成することを特徴とする請求項５〜７の何れかに記載の半導体装置用配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を搭載して半導体装置を製造するために用いられる半導体装置用配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１５及び図１６に、従来の半導体装置用配線基板の一例を示す。図１５は、従来の半導体装置用配線基板１の上面図であり、図１６は、図１５のVIII−VIII断面図である。
【０００３】
この半導体装置用配線基板１は、ポリイミドテープからなる基材２上に、配線パターンとして複数の配線３を形成すると共に、図示しない半導体素子等とのボンディング性を確保するために、前記配線３上に金めっき層４を設けて構成される。この金めっき層４は、前記配線３上に、直接もしくはニッケル等の下地めっきを介して設けられる。また、この金めっき層４を設けた配線３の接続パッド５と、図示しない半導体素子の電極パッドとが、電気的に接続される。６は予め基材２をエッチングや打ち抜きにより孔を形成した後に片面が銅箔によって覆われるように形成されたビアホールである。このビアホール６を臨む前記配線３上にも、金めっき層４が設けられる。ビアホール６には、前記金めっき層４を介して、半導体装置用配線基板１に半導体素子を搭載した半導体装置の外部端子となる半田ボール等が接続・搭載される。７は接着剤である。
【０００４】
この半導体装置用配線基板１の製造方法としては、一般に、接着剤７が設けられたポリイミドテープからなる基材２にエッチングや打ち抜き等により後にビアホール６となる孔を形成した後、前記接着剤７により銅箔８を貼り付けて、ビアホール６を形成する。そして、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ技術により前記銅箔８をエッチングして複数の配線３を有する配線パターンを形成した後、前記配線３上（ビアホール６内も含む）に電気めっきにより金めっき層４を設ける方法が採用される。この電気めっきは、銅箔８表面に短時間で大量に金めっき、もしくは、ニッケル下地めっき／金めっきを施すために、銅箔８を陰極として、この銅箔８と金イオン、ニッケルイオンを含有するめっき液との間に電位差を生じさせ、この電位差により銅箔８表面にめっき液中の金イオン、ニッケルイオンを積極的に吸着させるというものである。
【０００５】
上記製造方法において、複数の微細な配線３上に電気めっきにより金めっき層４を設ける場合は、配線３の数に応じた数の電気めっき用の給電線が必要であり、通常、各配線３を夫々延長して給電線９を形成すると共にこれらの給電線９の先に共通の給電線１０を形成して電気的に連結し、電気めっき用の給電線路１１を形成することが行われる。
【０００６】
しかしながら、そのような給電線９及び給電線１０は、めっき後は不要な配線となることから、最終製品となる段階で、図１５の切断線１２に沿って半導体装置用配線基板１の両側縁を切断することにより、除去される。図１７に、切断後の最終製品である半導体装置用配線基板１´を示す。
【０００７】
しかしながらまた、この図１７からも明らかなように、切断後の最終製品である半導体装置用配線基板１´においては、給電線９及び給電線１０の多くは除去されるものの、切断線１２の内側の給電線９の部分１３は残される。したがって、この部分１３に施された金めっきが無駄になるという問題がある。また、残された給電線９の部分１３が配線３の延長部分として存在することにより、半導体素子との間で電気信号を高速動作させる場合は、その部分１３において電気信号の反射が起こり、ノイズが発生する虞がある。つまり、残された給電線９の部分１３が電気信号の高速動作に不利益をもたらす虞がある。また、金めっきは給電線９及び給電線１０にも施されるが、この給電線９，１０のめっきは必要ではなく、無駄な金めっきを施すことは、コストアップを招くという問題がある。また、給電線１０はともかく給電線９は、夫々、配線３に応じて独立した給電線路をもって形成される必要があることから、配線３の密度が高いと、給電線６の密度も当然高くなる。したがって、図１５〜１７の半導体装置用配線基板を設計及び製造するにあたっては、高密度の配線を形成する必要があり、その製品価格は高くなるという問題がある。
【０００８】
一方、先行技術文献である特許文献１には、半導体素子の電極パッドを有する面に接着されて用いられると共に、半導体素子の電極パッドとの電気的な接続をリードボンディングにより行うためのウィンドウホールを形成し、且つ、ウィンドウホールにかけ渡されるリードボンディング用の配線（フライングリードとも呼ばれる）を金リードにて形成して構成される半導体装置用配線基板の製造方法が記載されている。また、特許文献１には、この半導体装置用配線基板の製造方法として、絶縁フィルムの片面に銅箔層を設け、前記銅箔層上にフォトレジストを塗布し、露光・現像して配線パターンに対応するレジストパターンを形成し、前記レジストパターンから露出された前記銅箔層上に金めっき層を設け、前記金めっき層をエッチングレジスト層として前記銅箔層をエッチングすることにより所望の配線パターンを形成し、この後、ウィンドウホールに対応する部分の絶縁フィルムを除去してウィンドウホールを形成し、前記ウィンドウホールから露出された前記銅箔層を前記絶縁フィルムと前記金めっき層をエッチングマスクとしてエッチング除去することにより、ウィンドウホールにかけ渡されるリードボンディング用の配線を金リードにて形成する方法が記載されている。なお、ウィンドウホールにかけ渡されるリードボンディング用の配線、すなわち、金リードは、特許文献１の図６からも明らかなように、パンチ等の工具を押し下げることによってその途中で切断されると共にその切断端部の一方側の金リードが押し曲げられて半導体素子の電極パッドと電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−２６０８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記したように、図１５〜１７の従来の半導体装置用配線基板の製造方法によれば、銅箔８をエッチングして複数の配線３を有する配線パターンを形成した後、前記配線３上に電気めっきにより金めっき層４を設けることから、電気めっきにより金めっき層４を設ける場合は、配線の数に応じた数の給電線が必要であり、通常、各配線３を夫々延長して給電線９を形成すると共にこれらの給電線９の先に共通の給電線１０を形成して電気的に連結し、電気めっき用の給電線路を形成することが行われる。しかしながら、そのような給電線９及び給電線１０は、めっき後は不要な配線となることから、最終製品となる段階で、図１５の切断線１２に沿って半導体装置用配線基板１の両側縁を切断することにより、除去される。しかしながらまた、その切断により給電線９及び給電線１０の多くは除去されるものの、切断線１２の内側の給電線９の部分１３は残される。したがって、この部分１３に施された金めっきが無駄になるという問題がある。また、残された給電線９の部分１３が配線３の延長部分として存在することにより、半導体素子との間で電気信号を高速動作させる場合は、その部分１３において電気信号の反射が起こり、ノイズが発生する虞がある。つまり、残された給電線９の部分１３が電気信号の高速動作に不利益をもたらす虞がある。また、金めっきは給電線９及び給電線１０にも施されるが、この給電線９，１０のめっきは必要ではなく、無駄な金めっきを施すことは、コストアップを招くという問題がある。また、給電線１０はともかく給電線９は、夫々、配線３に応じて独立した給電線路をもって形成される必要があることから、配線３の密度が高いと、給電線９の密度も当然高くなる。したがって、図１５〜１７の半導体装置用配線基板を設計及び製造するにあたっては、高密度の配線を形成する必要があり、その製品価格は高くなるという問題がある。
【００１１】
これに対し、特許文献１には、前記したように、半導体素子の電極パッドを有する面に接着されて用いられると共に、半導体素子の電極パッドとの電気的な接続をリードボンディングにより行うためのウィンドウホールを形成し、且つ、ウィンドウホールにかけ渡されるリードボンディング用の配線（フライングリードとも呼ばれる）を金リードにて形成して構成される半導体装置用配線基板の製造方法が記載されている。また、特許文献１には、この半導体装置用配線基板の製造方法として、絶縁フィルムの片面に銅箔層を設け、前記銅箔層上にフォトレジストを塗布し、露光・現像して配線パターンに対応するレジストパターンを形成し、前記レジストパターンから露出された前記銅箔層上に金めっき層を設け、前記金めっき層をエッチングレジスト層として前記銅箔層をエッチングすることにより所望の配線パターンを形成し、この後、ウィンドウホールに対応する部分の絶縁フィルムを除去してウィンドウホールを形成し、前記ウィンドウホールから露出された前記銅箔層を前記絶縁フィルムと前記金めっき層をエッチングマスクとしてエッチング除去することにより、ウィンドウホールにかけ渡されるリードボンディング用の配線を金リードにて形成する方法が記載されている。しかしながら、この特許文献１に記載の方法は、配線パターンとして最終製品に必要な配線のみを有する配線パターンを形成するものではない。このことは、特許文献１の図２からも明らかである。すなわち、特許文献１の図２には、ウィンドウホールを利用して、図示しない半導体素子とのリードボンディングを行った後は不要な配線となる切断端部の他方側の金リードや給電線とみられるバスフレームも配線パターンとして形成されている。このことから、特許文献１に記載の方法は、配線パターンとして最終製品に必要な配線のみを有する配線パターンを形成するものでないことは明らかである。特許文献１に記載の方法において、金めっき層をエッチングレジスト層として銅箔層をエッチングすることにより所望の配線を有する配線パターンを形成するのは、ウィンドウホールにかけ渡されるリードボンディング用の配線を金リードにて形成するために必要であるからである。
【００１２】
したがって、本発明の目的は、金めっき層の形成に用いられる高価な金を節約することができると共に、電気信号の高速動作に不利益をもたらす虞がなく、且つ、配線密度を緩和してその製品価格を低く抑えることができる半導体装置用配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために請求項１の発明は、配線パターンとして最終製品に必要な配線のみを有する配線パターンを形成すると共に前記配線上に金めっき層を設けて構成される半導体装置用配線基板の製造方法であって、基材上に配線パターン形成用の銅箔層を設け、前記銅箔層上にフォトレジストを塗布し、露光・現像して配線パターンに対応するレジストパターンを形成し、前記レジストパターンから露出された前記銅箔層上に金めっき層を設け、前記金めっき層をエッチングレジスト層として前記銅箔層をエッチングすることにより所望の配線を有する配線パターンを形成することを特徴とする半導体装置用配線基板の製造方法を提供する。
【００１４】
この半導体装置用配線基板の製造方法によれば、上記構成の採用により、配線パターンとして最終製品に必要な配線のみを有する配線パターンを形成すると共に前記配線上に金めっき層を設けることができることから、金めっき層の形成に用いられる高価な金を節約することができると共に、不要な配線が存在しないために電気信号の高速動作に不利益をもたらす虞がなく、且つ、配線密度を緩和してその製品価格を低く抑えることができる。
【００１５】
請求項２の発明は、電気めっきにより、前記金めっき層を設けることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用配線基板の製造方法を提供する。
【００１６】
この半導体装置用配線基板の製造方法によれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、めっき厚等の調整やめっき液の管理が容易な電気めっきにより金めっき層を安定して設けることができる。
【００１７】
請求項３の発明は、前記配線の上面にのみ前記金めっき層を設け、前記配線の側面には前記金めっき層を設けないことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用配線基板の製造方法を提供する。
【００１８】
この半導体装置用配線基板の製造方法によれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、配線の電気的接続に必要な上面にのみ金めっき層を設け、配線の側面には金めっき層を設けないことにより金めっき層の形成に用いられる高価な金をより一層節約することができる。
【００１９】
請求項４の発明は、デバイスホールを有すると共に前記デバイスホールを臨む前記配線を有する前記半導体装置用配線基板の製造方法であって、前記デバイスホールに面する側の前記銅箔層上に絶縁樹脂を塗布してから、前記レジストパターンから露出された前記銅箔層上に前記金めっき層を設けることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の半導体装置用配線基板の製造方法を提供する。
【００２０】
この半導体装置用配線基板の製造方法によれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、デバイスホールを臨む配線上の電気的接続に必要な面にのみ金めっき層を設けることができることから、金めっき層の形成に用いられる高価な金をより一層節約することができる。
【００２１】
請求項５の発明は、配線パターンとして最終製品に必要な配線のみを有する配線パターンを形成すると共に前記配線上に金めっき層を設けて構成される半導体装置用配線基板の製造方法であって、基材上に配線パターン形成用の銅箔層を設け、前記銅箔層上の金めっき層を設ける部分以外の部分を絶縁樹脂で塗布してから、前記銅箔層上に前記金めっき層を設け、前記絶縁樹脂を除去し、前記金めっき層をエッチングレジスト層として前記銅箔層をエッチングすることにより所望の配線を有する配線パターンを形成することを特徴とする半導体装置用配線基板の製造方法を提供する。
【００２２】
この半導体装置用配線基板の製造方法によれば、上記構成の採用により、配線パターンとして最終製品に必要な配線のみを有する配線パターンを形成すると共に前記配線上に金めっき層を設けることができることから、金めっき層の形成に用いられる高価な金を節約することができると共に、不要な配線が存在しないために電気信号の高速動作に不利益をもたらす虞がなく、且つ、配線密度を緩和してその製品価格を低く抑えることができる。
【００２３】
請求項６の発明は、電気めっきにより、前記金めっき層を設けることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置用配線基板の製造方法を提供する。
【００２４】
この半導体装置用配線基板の製造方法によれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、めっき厚等の調整やめっき液の管理が容易な電気めっきにより金めっき層を安定して設けることができる。
【００２５】
請求項７の発明は、前記配線の上面にのみ前記金めっき層を設け、前記配線の側面には前記金めっき層を設けないことを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置用配線基板の製造方法を提供する。
【００２６】
この半導体装置用配線基板の製造方法によれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、配線の電気的接続に必要な上面にのみ金めっき層を設け、配線の側面には金めっき層を設けないことにより金めっき層の形成に用いられる高価な金をより一層節約することができる。
【００２７】
請求項８の発明は、デバイスホールを有すると共に前記デバイスホールを臨む前記配線を有する前記半導体装置用配線基板の製造方法であって、前記デバイスホールに面する側の前記銅箔層上に絶縁樹脂を塗布してから、前記金めっき層及び前記絶縁樹脂をエッチングレジスト層として前記銅箔層をエッチングすることにより所望の配線を有する配線パターンを形成することを特徴とする請求項５〜７の何れかに記載の半導体装置用配線基板の製造方法を提供する。
【００２８】
この半導体装置用配線基板の製造方法によれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、デバイスホールを臨む配線上の電気的接続に必要な面にのみ金めっき層を設けることができることから、金めっき層の形成に用いられる高価な金をより一層節約することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の半導体装置用配線基板の製造方法によれば、金めっき層の形成に用いられる高価な金を節約することができると共に、電気信号の高速動作に不利益をもたらす虞がなく、且つ、配線密度を緩和してその製品価格を低く抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体装置用配線基板の上面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る半導体装置用配線基板の製造方法の説明図であって、基材上に銅箔層を設けた積層材料にフォトレジストを塗布し、露光・現像して配線パターンに対応するレジストパターンを形成した状態を示す上面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る半導体装置用配線基板の製造方法の説明図であり、（ａ）は図３のII−II断面図であって、所望とする配線パターンに対応するレジストパターンを形成した状態を示す断面図、（ｂ）はレジストパターンから露出された銅箔層上に金めっき層を設けた状態を示す同位置の断面図、（ｃ）は金めっき層を設けた後、レジストパターンを形成しているフォトレジストを剥離した状態を示す同位置の断面図、（ｄ）は金めっき層をエッチングレジスト層として銅箔層をエッチングすることにより所望の配線を有する配線パターンを形成した状態を示す同位置の断面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態に係る半導体装置用配線基板の製造方法の説明図であって、基材上に銅箔層を設けた積層材料の銅箔層上に絶縁材料を用いてその必要な部分に金めっき層を設けた状態を示す上面図である。
【図６】図５のIII−III断面図である。
【図７】本発明の他の実施の形態に係る半導体装置用配線基板の製造方法の説明図であって、金めっき層を設けた後、金めっき層をエッチングレジスト層としてフォトリソグラフィ技術により銅箔層をエッチングして、所望の配線を有する配線パターンを形成した状態を示す上面図である。
【図８】図７のIV−IV断面図である。
【図９】本発明の更に他の実施の形態に係るデバイスホールを有する半導体装置用配線基板の上面図である。
【図１０】図９のＶ−Ｖ断面図である。
【図１１】従来のデバイスホールを有する半導体装置用配線基板の製造方法の一状態を示す上面図である。
【図１２】図１１のVI−VI断面図である。
【図１３】従来のデバイスホールを有する半導体装置用配線基板の製造方法において、デバイスホール内の配線（フライングリード）の電気めっき用の給電線部分を打ち抜き金型で打ち抜いた状態を示す上面図である。
【図１４】図１３のVII−VII断面図である。
【図１５】従来の半導体装置用配線基板の上面図である。
【図１６】図１５のVIII−VIII断面図である。
【図１７】図１５の切断線に沿って半導体装置用配線基板の側縁を切断した後の状態を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、図１〜１０に基づいて本発明の好適な実施の形態を説明するが、本発明はこれらの実施の形態の限定されるものでないことは言うまでもない。なお、ここでは従来例と同一の称呼を持つ部材及び部品については、同一の符号を付して、説明することとする。
【００３２】
前記したように、図１は本発明の一実施の形態に係る半導体装置用配線基板の上面図、図２は図１のＩ−Ｉ断面図である。
【００３３】
図１の半導体装置用配線基板１は、ポリイミドテープからなる基材２上に、配線パターンとして最終製品に必要な複数の微細な配線３のみを有する配線パターンを形成すると共に、図示しない半導体素子等とのボンディング性を確保するために、前記配線３上に電気めっきにより金めっき層４を設けて構成される。従来のような基材２の外側に延びる電気めっき用の給電線は設けない。前記金めっき層４は、前記配線３上に、直接もしくはニッケル等の下地めっきを介して設けられる。また、前記金めっき層４を設けた配線３の接続パッド５と、図示しない半導体素子の電極パッドとは、金線等のボンディングワイヤにより電気的に接続される。６は予め基材２をエッチングもしくは打ち抜いて形成されたビアホールである。このビアホール６を臨む前記配線３上にも、電気めっきにより金めっき層４が設けられる。ビアホール６には、前記金めっき層４を介して、半導体素子を搭載した半導体装置の外部端子となる半田ボール等が接続・搭載される。７は接着剤である。
【００３４】
次に、図３及び図４に基づいて半導体装置用配線基板１の製造方法を説明すると、まず、接着剤７付きの基材２に打ち抜きにより開口部を形成し、基材２の接着剤７側に銅箔８を貼り付けて、ビアホール６を形成した後、前記銅箔層１４上にフォトレジスト１５を塗布し、露光・現像して配線パターンに対応するレジストパターン１６を形成する（図３及び図４（ａ）参照）。次いで、前記レジストパターン１６から露出された前記銅箔層１４上に電気めっきにより金めっき層４を設ける（図４（ｂ）参照）。前記金めっき層４を設けた後、前記レジストパターン１６を形成しているフォトレジスト１５を剥離し（図４（ｃ）参照）、前記金めっき層４をエッチングレジスト層として前記銅箔層１４をエッチングすることにより所望の配線３を有する配線パターンを形成する（図４（ｄ）参照）。このエッチングでは、金めっき層４を設けていない部分の銅箔層１４のみが酸性のエッチング液により溶解除去され、前記エッチング液により溶解されない金めっき層４と、この金めっき層４によって覆われた銅箔層１４のみが残ることになる。このようにして、図１及び図２の半導体装置用配線基板１を製造する。なお、この実施の形態においては、ビアホール６を臨む配線３上にも金めっき層４を設けたが、ビアホール６を臨む配線３上に金めっき層４を設ける必要がない場合は、ここに裏止め用の絶縁樹脂を塗布してから、上記、金めっき層４を設ける工程（図４（ｂ）参照）を行うとよい。また、この実施の形態の、金めっき後のエッチングによる配線パターンの形成方法では、配線３の上面にのみ金めっき層４が設けられ、配線３の側面には金めっき層４が設けられないこととなる。このように配線３上面にのみ金めっき層４を設け、配線３の側面には金めっき層４を設けないことにより金めっき層の形成に用いられる高価な金をより一層節約することができる。
【００３５】
また、図５〜８は本発明の他の実施の形態に係る半導体装置用配線基板の製造方法の説明図であって、図５は基材上に銅箔層を設けた積層材料の銅箔層上に絶縁材料を用いてその必要な部分に金めっき層を設けた状態を示す上面図、図６は図５のIII−III断面図である。図７は（前記により）金めっき層を設けた後、前記金めっき層をエッチングレジスト層としてフォトリソグラフィ技術により銅箔層をエッチングして、所望の配線を有する配線パターンを形成した状態を示す上面図、図８は図７のIV−IV断面図である。この実施の形態においても、最終的な配線パターンの形状は、図１と同じである。
【００３６】
まず、この実施の形態の図５及び図６においては、基材２上に銅箔層１４を設けた積層材料の銅箔層１４上の必要な部分に金めっき層４を設けるにあたり、銅箔層１４上に、図示しない絶縁材料を塗布して金めっき層４パターンに対応する絶縁パターンを形成し、絶縁パターンから露出された銅箔層１４上に電気めっきにより金めっき層４を設ける。なお、ビアホール６を臨む配線上に金めっき層を設ける必要がないこの実施の形態の場合は、前記により金めっき層４を設ける前に、予め、ビアホール６を臨む銅箔層１４上に金めっきが施されないように裏止め用の絶縁樹脂１７を塗布しておく。この図５及び図６は、前記により金めっき層４を設けた後、絶縁パターンを形成している絶縁材料を除去した状態を示す。
【００３７】
次いで、この実施の形態の図７及び図８においては、前記により金めっき層４を設けた後、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ技術により、金めっき層４をエッチングレジスト層として、金めっき層４を含む銅箔層１４をエッチングして、最終製品に必要な配線３のみを有する配線パターンを形成する。これにより、必要な配線３の必要な部分にのみ金めっき層４を設けた配線パターンを形成した半導体装置用配線基板１を製造する。なお、この実施の形態においても、金めっき後のエッチングによる配線パターンの形成方法であることから、配線３の上面にのみ金めっき層４が設けられ、配線３の側面には金めっき層４が設けられないこととなる。このように配線３上面にのみ金めっき層４を設け、配線３の側面には金めっき層４を設けないことにより金めっき層の形成に用いられる高価な金をより一層節約することができる。
【００３８】
また、図９は本発明の更に他の実施の形態に係るデバイスホールを有する半導体装置用配線基板の上面図であり、図１０は図９のＶ−Ｖ断面図である。
【００３９】
図９及び図１０の半導体装置用配線基板１は、図示しない半導体素子を位置させるためのデバイスホール１８を有すると共に前記デバイスホール１８を臨むフライングリードと呼ばれる配線３を有して構成される。それ以外の基本的な構成は、図１の半導体装置用配線基板１と同じである。
【００４０】
図９及び図１０の半導体装置用配線基板１の製造方法としては、デバイスホール１８に関連した点を除くと、図３及び図４の製造方法と基本的に同じである。すなわち、基材２上に接着剤７により銅箔を貼り付けて配線パターン形成用の銅箔層１４を設けた後、前記銅箔層１４上にフォトレジストを塗布し、露光・現像して配線パターンに対応するレジストパターンを形成し、前記レジストパターンから露出された前記銅箔層１４上に電気めっきにより金めっき層４を設け、前記金めっき層４をエッチングレジスト層として前記銅箔層１４をエッチングすることにより所望の配線３を有する配線パターンを形成する。ここで、本実施の形態においては、前記により金めっき層４を設けるにあたり、前記デバイスホール１８に面する側の前記銅箔層１４上に、（金めっき後、除去されることによって）図示されない絶縁樹脂を塗布してから、前記レジストパターンから露出された前記銅箔層１４上に金めっき層４を設ける。つまり、デバイスホール１８を臨む配線３の片面（半導体素子との電気的接続に必要な面）にのみ金めっき層４を設ける。これにより、デバイスホールを有すると共に前記配線３の必要な面にのみ金めっき層４を設けた配線パターンを形成した半導体装置用配線基板１を製造する。なお、この実施の形態においても、金めっき後のエッチングによる配線パターンの形成方法であることから、配線３の上面にのみ金めっき層４が設けられ、配線３の側面には金めっき層４が設けられないこととなる。このように配線３上面にのみ金めっき層４を設け、配線３の側面には金めっき層４を設けないことにより金めっき層の形成に用いられる高価な金をより一層節約することができる。
【００４１】
因みに、図１１は従来のデバイスホールを有する半導体装置用配線基板の製造方法の一状態（フォトリソグラフィ技術により、銅箔層１４をエッチングして所望の配線３を有する配線パターンを形成した後、前記配線３上に電気めっきにより金めっき層４を設けた状態）を示す上面図であり、図１２は図１１のVI−VI断面図である。また、図１３は従来のデバイスホールを有する半導体装置用配線基板の製造方法において、デバイスホール内のフライングリードと呼ばれる配線の電気めっき用の給電線部分２０を打ち抜き金型１９で打ち抜いた状態を示す上面図であり、図１４は図１３のVII−VII断面図である。
【００４２】
従来のデバイスホールを有する半導体装置用配線基板の製造方法によれば、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ技術により、銅箔層１４をエッチングして複数の配線３を有する所望の配線パターンを形成した後、前記配線３上に電気めっきにより金めっき層４を設けることから、その配線パターンには金めっき層４を設けるための電気めっき用の給電線部分２０を設ける必要があり、また、金めっき層４を設けた後は、不要な給電線部分２０を除去する必要がある。したがって、配線パターンの配線密度は複雑で密度の高いものとなる。その分、設計及び製造が難しくなり、製品価格も高くなる。また、特に、デバイスホール内の不要な給電線部分２０を除去するために、上記のように打ち抜き金型１９を用いて精度よく打ち抜くことは非常に困難な作業である。これらと比較して、配線パターンとして最終製品に必要な配線のみを有する配線パターンを形成する、図９及び図１０の実施の形態によれば、デバイスホールを有する半導体装置用配線基板を容易に製造することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１  半導体装置用配線基板
２  基材
３  配線
４  金めっき層
５  接続パッド
６  ビアホール
７  接着剤
８  銅箔
９，１０  給電線
１１  給電線路
１２  切断線
１３  部分
１４  銅箔層
１５  フォトレジスト
１６  レジストパターン
１７  絶縁樹脂
１８  デバイスホール
１９  打ち抜き金型
２０  給電線部分
【図１】
2011138935.tif 000003
【図２】
2011138935.tif 000004
【図３】
2011138935.tif 000005
【図４】
2011138935.tif 000006
【図５】
2011138935.tif 000007
【図６】
2011138935.tif 000008
【図７】
2011138935.tif 000009
【図８】
2011138935.tif 000010
【図９】
2011138935.tif 000011
【図１０】
2011138935.tif 000012
【図１１】
2011138935.tif 000013
【図１２】
2011138935.tif 000014
【図１３】
2011138935.tif 000015
【図１４】
2011138935.tif 000016
【図１５】
2011138935.tif 000017
【図１６】
2011138935.tif 000018
【図１７】
2011138935.tif 000019