(57)【要約】【課題】複数のテンプレートに対して離型剤を連続的に成膜する。【解決手段】テンプレート処理装置１は、テンプレート搬入出ステーション２と処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。テンプレート搬入出ステーション２は、複数のテンプレートＴを保有可能で、且つ処理ステーション３に対してテンプレートＴを搬入出する。処理ステーション３は、搬送ユニット２０を有し、処理ブロックＧ１〜Ｇ４内に配置されている各種処理ユニットにテンプレートＴを搬送する。処理ブロックＧ１、Ｇ２は、テンプレートＴに離型剤を塗布する塗布ユニットと、テンプレートＴ上の離型剤をリンスするリンスユニットとをそれぞれ有している。処理ブロックＧ３、Ｇ４は、テンプレートＴの表面を洗浄する洗浄ユニットと、テンプレートＴの温度を調節する温度調節ユニットと、テンプレートＴを焼成する加熱ユニットとを有している。【選択図】図１
2011009359.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に転写パターンが形成されたテンプレート上に離型剤を成膜するテンプレート処理装置であって、
前記テンプレートに所定の処理を行い、当該テンプレートの表面に離型剤を成膜する処理ステーションと、
複数の前記テンプレートを保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して前記テンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、
前記処理ステーションは、
前記テンプレートの表面を洗浄する洗浄ユニットと、
前記洗浄されたテンプレートの表面に離型剤を塗布する塗布ユニットと、
前記塗布された離型剤を焼成する加熱ユニットと、
前記洗浄ユニット、前記塗布ユニット及び前記加熱ユニットに対して、前記テンプレートを搬送する搬送ユニットと、を有することを特徴とする、テンプレート処理装置。
【請求項２】
前記加熱ユニットは、前記テンプレートを加熱する加熱部を有し、
前記加熱部は、前記テンプレートの転写パターン側に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載のテンプレート処理装置。
【請求項３】
前記塗布ユニットは、前記テンプレートの表面に液体状の離型剤を供給する離型剤供給部を有し、
前記処理ステーションは、前記加熱ユニットで焼成された離型剤をリンスして、当該離型剤の未反応部を除去するリンスユニットを有し、
前記搬送ユニットは、前記リンスユニットに対しても前記テンプレートを搬送することを特徴とする、請求項１又は２に記載のテンプレート処理装置。
【請求項４】
前記塗布ユニット及び前記加熱ユニットに代えて、前記テンプレートの表面に離型剤を塗布し、且つ当該塗布された離型剤を焼成する塗布加熱ユニットを有することを特徴とする、請求項３に記載のテンプレート処理装置。
【請求項５】
前記塗布ユニットは、前記テンプレートの表面に気体状の離型剤を供給する離型剤供給部を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載のテンプレート処理装置。
【請求項６】
前記離型剤供給部は、前記テンプレートの表面に対向して配置され、
前記離型剤供給部の下面には、前記テンプレートの表面に均一に前記気体状の離型剤を供給する複数の供給口が形成されていることを特徴とする、請求項５に記載のテンプレート処理装置。
【請求項７】
前記塗布ユニットは、前記テンプレートの温度を制御する温度制御部を有することを特徴とする、請求項５又は６に記載のテンプレート処理装置。
【請求項８】
複数の前記テンプレートは一のホルダーに保持されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載のテンプレート処理装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載のテンプレート処理装置を備えたインプリントシステムであって、
前記処理ステーションで表面に離型剤が成膜された前記テンプレートを用いて、前記転写パターンを基板上に形成される塗布膜に転写し、当該塗布膜に所定のパターンを形成するインプリントユニットと、
複数の前記基板を保有可能で、前記インプリントユニットに対して前記基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、を有することを特徴とする、インプリントシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレート上に離型剤を成膜するテンプレート処理装置、及び当該テンプレート処理装置を備えたインプリントシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成することが行われている。
【０００３】
上述したレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来より露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。
【０００４】
そこで、近年、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが提案されている。この方法は、表面に微細なパターンを有するテンプレート（モールドや型と呼ばれることもある。）をウェハ上に形成したレジスト表面に圧着させ、その後剥離し、当該レジスト表面に直接パターンの転写を行うものである（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−４３９９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述したインプリント方法を繰り返し行うと、すなわち一のテンプレートを用いて複数のウェハ上にレジストパターンを形成すると、ある時点からパターンの転写が正しく行われなくなる。例えばテンプレートの表面には、通常、レジストに対して撥液性を有する離型剤が成膜されているが、この離型剤が劣化してしまうことによる。このため、テンプレートを定期的に交換する必要がある。
【０００７】
また、複数のウェハ上に異なるレジストパターンを形成する場合には、各レジストパターン毎にテンプレートを交換する必要がある。
【０００８】
このように複数のウェハ上にレジストパターンを形成するためには、交換用のテンプレートが複数必要になる。すなわち、これら複数のテンプレートに対して、予めその表面に離型剤を形成しておく必要がある。
【０００９】
しかしながら、従来のインプリント方法では、かかる離型剤の成膜を効率よく行うことは全く考慮されていなかった。例えば離型剤の成膜は、通常、テンプレート毎に手作業で行われている。このため、テンプレートを成膜するのに時間がかかり、要求されるタイミングでテンプレートを交換できない場合があった。また、テンプレート上の離型剤が不均一になる等、離型剤を精度よく均一に成膜することができない場合があった。したがって、複数のウェハに対して所定のレジストパターンを連続的に形成することは現実的に困難であり、半導体デバイスの量産化に対応できなかった。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、複数のテンプレートに対して離型剤を連続的に成膜することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成するため、本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレート上に離型剤を成膜するテンプレート処理装置であって、前記テンプレートに所定の処理を行い、当該テンプレートの表面に離型剤を成膜する処理ステーションと、複数の前記テンプレートを保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して前記テンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、前記処理ステーションは、前記テンプレートの表面を洗浄する洗浄ユニットと、前記洗浄されたテンプレートの表面に離型剤を塗布する塗布ユニットと、前記塗布された離型剤を焼成する加熱ユニットと、前記洗浄ユニット、前記塗布ユニット及び前記加熱ユニットに対して、前記テンプレートを搬送する搬送ユニットと、を有することを特徴としている。
【００１２】
本発明によれば、テンプレート搬入出ステーションが複数のテンプレートを保有できるので、当該テンプレート搬入出ステーションから処理ステーションにテンプレートを連続して搬送することができる。また、処理ステーションにおいては、搬送ユニットが洗浄ユニット、塗布ユニット、加熱ユニットの各種処理ユニットにテンプレートを搬送できるので、複数のテンプレートに対して所定の処理を連続して行うことができる。したがって、これら複数のテンプレートに対して離型剤を連続的に成膜することができる。
【００１３】
前記加熱ユニットは、前記テンプレートを加熱する加熱部を有し、前記加熱部は、前記テンプレートの転写パターン側に配置されていてもよい。
【００１４】
前記塗布ユニットは、前記テンプレートの表面に液体状の離型剤を供給する離型剤供給部を有し、前記処理ステーションは、前記加熱ユニットで焼成された離型剤をリンスして、当該離型剤の未反応部を除去するリンスユニットを有し、前記搬送ユニットは、前記リンスユニットに対しても前記テンプレートを搬送してもよい。かかる場合、前記塗布ユニット及び前記加熱ユニットに代えて、前記テンプレートの表面に離型剤を塗布し、且つ当該塗布された離型剤を焼成する塗布加熱ユニットを有していてもよい。なお、離型剤の未反応部とは、離型剤がテンプレートの表面と化学反応して吸着する部分以外をいう。
【００１５】
また、前記塗布ユニットは、前記テンプレートの表面に気体状の離型剤を供給する離型剤供給部を有していてもよい。かかる場合、前記離型剤供給部は、前記テンプレートの表面に対向して配置され、前記離型剤供給部の下面には、前記テンプレートの表面に均一に前記気体状の離型剤を供給する複数の供給口が形成されていてもよい。また、前記塗布ユニットは、前記テンプレートの温度を制御する温度制御部を有していてもよい。
【００１６】
複数の前記テンプレートは一のホルダーに保持されていてもよい。
【００１７】
別な観点による本発明は、前記テンプレート処理装置を備えたインプリントシステムであって、前記処理ステーションで表面に離型剤が成膜された前記テンプレートを用いて、前記転写パターンを基板上に形成される塗布膜に転写し、当該塗布膜に所定のパターンを形成するインプリントユニットと、複数の前記基板を保有可能で、前記インプリントユニットに対して前記基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、複数のテンプレートに対して離型剤を連続的に成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す側面図である。
【図３】本実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す側面図である。
【図４】テンプレートの斜視図である。
【図５】搬送ユニットの構成の概略を示す側面図である。
【図６】搬送ユニットの構成の概略を示す平面図である。
【図７】塗布ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図８】保持部材の構成の概略を示す平面図である。
【図９】塗布ユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図１０】リンスユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１１】洗浄ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１２】洗浄ユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図１３】加熱ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１４】離型剤処理の各工程を示したフローチャートである。
【図１５】離型剤処理の各工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートの表面が洗浄された様子を示し、（ｂ）はテンプレートの表面に離型剤が塗布された様子を示し、（ｃ）はテンプレート上の離型剤が焼成された様子を示し、（ｄ）はテンプレート上に離型剤が成膜された様子を示す。
【図１６】他の実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す側面図である。
【図１７】塗布加熱ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１８】他の実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す側面図である。
【図１９】他の実施の形態にかかる塗布ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図２０】離型剤処理の各工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートの表面が洗浄された様子を示し、（ｂ）はテンプレートの表面に気化した離型剤が堆積された様子を示し、（ｃ）はテンプレート上の離型剤が焼成された様子を示す。
【図２１】ホルダーの平面図である。
【図２２】ホルダーの縦断面図である。
【図２３】本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。
【図２４】インプリントユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図２５】インプリントユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図２６】インプリント処理の各工程を示したフローチャートである。
【図２７】インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はウェハ上にレジスト液が塗布された様子を示し、（ｂ）はウェハ上のレジスト膜を光重合させた様子を示し、（ｃ）はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示し、（ｄ）はウェハ上の残存膜が除去された様子を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかるテンプレート処理装置１の構成の概略を示す平面図である。図２及び図３は、テンプレート処理装置１の構成の概略を示す側面図である。
【００２１】
本実施の形態のテンプレート処理装置１では、図４に示すように直方体形状を有し、表面に所定の転写パターンＣが形成されたテンプレートＴが用いられる。以下、転写パターンＣが形成されているテンプレートＴの面を表面Ｔ１といい、当該表面Ｔ１と反対側の面を裏面Ｔ２という。なお、テンプレートＴには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えばガラスが用いられる。
【００２２】
テンプレート処理装置１は、図１に示すように複数、例えば５枚のテンプレートＴをカセット単位で外部とテンプレート処理装置１との間で搬入出したり、テンプレートカセットＣＴに対してテンプレートＴを搬入出したりするテンプレート搬入出ステーション２と、テンプレートＴに所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。
【００２３】
テンプレート搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０は、複数のテンプレートカセットＣＴをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。すなわち、テンプレート搬入出ステーション２は、複数のテンプレートＴを保有可能に構成されている。
【００２４】
テンプレート搬入出ステーション２には、Ｘ方向に延伸する搬送路１１上を移動可能なテンプレート搬送体１２が設けられている。テンプレート搬送体１２は、鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、テンプレートカセットＣＴと処理ステーション３との間でテンプレートＴを搬送できる。
【００２５】
処理ステーション３には、その中心部に搬送ユニット２０が設けられている。この搬送ユニット２０の周辺には、各種処理ユニットが多段に配置された、例えば４つの処理ブロックＧ１〜Ｇ４が配置されている。処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、テンプレート搬入出ステーション２側から第１の処理ブロックＧ１、第２の処理ブロックＧ２が順に配置されている。処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、テンプレート搬入出ステーション２側から第３の処理ブロックＧ３、第４の処理ブロックＧ４が順に配置されている。処理ステーション３のテンプレート搬入出ステーション２側には、テンプレートＴの受け渡しを行うためのトランジションユニット２１が配置されている。搬送ユニット２０は、これらの処理ブロックＧ１〜Ｇ４内に配置された後述する各種処理ユニット、及びトランジションユニット２１に対してテンプレートＴを搬送できる。
【００２６】
第１の処理ブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理ユニット、例えばテンプレートＴに液体状の離型剤を塗布する塗布ユニット３０、テンプレートＴ上の離型剤をリンスするリンスユニット３１が下から順に２段に重ねられている。第２の処理ブロックＧ２も同様に、塗布ユニット３２、リンスユニット３３が下から順に２段に重ねられている。また、第１の処理ブロックＧ１及び第２の処理ブロックＧ２の最下段には、前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室３４、３５がそれぞれ設けられている。
【００２７】
第３の処理ブロックＧ３には、図３に示すようにテンプレートＴに対して紫外線を照射し、テンプレートＴ上に離型剤が成膜される前の表面Ｔ１を洗浄する洗浄ユニット４０、テンプレートＴの温度を調節する温度調節ユニット４１、４２、テンプレートＴを加熱処理する加熱ユニット４３、４４が下から順に５段に重ねられている。
【００２８】
第４の処理ブロックＧ４にも、第３の処理ブロックＧ３と同様に、洗浄ユニット５０、温度調節ユニット５１、５２、加熱ユニット５３、５４が下から順に５段に重ねられている。
【００２９】
次に、上述した搬送ユニット２０の構成について説明する。搬送ユニット２０は、図５に示すようにテンプレートＴを保持して搬送する搬送アーム１００を複数、例えば２本有している。
【００３０】
搬送アーム１００は、図６に示すようにテンプレートＴよりも大きい径の略３／４円環状に構成されたアーム部１０１と、このアーム部１０１と一体に形成され、且つアーム部１０１を支持する支持部１０２とを有している。アーム部１０１には、内側に向かって突出し、テンプレートＴの角部を保持する保持部１０３が例えば４箇所に設けられている。搬送アーム１００は、この保持部１０３上にテンプレートＴを水平に保持することができる。
【００３１】
搬送アーム１００の基端部には、図５に示すようにアーム駆動部１０４が設けられている。このアーム駆動部１０４により、各搬送アーム１００は独立して水平方向に移動できる。これら搬送アーム１００とアーム駆動部１０４は、基台１０５に支持されている。基台１０５の下面には、シャフト１０６を介して回転駆動部１０７が設けられている。この回転駆動部１０７により、基台１０５及び搬送アーム１００はシャフト１０６を中心軸として回転でき、且つ昇降できる。
【００３２】
次に、上述した塗布ユニット３０、３２の構成について説明する。塗布ユニット３０は、図７に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング１１０を有している。
【００３３】
ケーシング１１０内の中央部には、テンプレートＴを保持して回転させる保持部材１１１が設けられている。保持部材１１１の中央部分は下方に窪み、テンプレートＴを収容する収容部１１２が形成されている。収容部１１２の下部には、テンプレートＴの外形より小さい溝部１１２ａが形成されている。したがって、収容部１１２内では、溝部１１２ａによってテンプレートＴの下面内周部は保持部材１１１と接しておらず、テンプレートＴの下面外周部のみが保持部材１１１に支持されている。収容部１１２は、図８に示すようにテンプレートＴの外形に適合した略四角形の平面形状を有している。収容部１１２には、側面から内側に突出した突出部１１３が複数形成され、この突出部１１３により、収容部１１２に収容されるテンプレートＴの位置決めがされる。また、搬送アーム１００から収容部１１２にテンプレートＴを受け渡す際に、搬送アーム１００の保持部１０３が収容部１１２と干渉するのを避けるため、収容部１１２の外周には、切欠き部１１４が４箇所に形成されている。
【００３４】
保持部材１１１は、図７に示すようにカバー体１１５に取り付けられ、保持部材１１１の下方には、シャフト１１６を介して回転駆動部１１７が設けられている。この回転駆動部１１７により、保持部材１１１は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。
【００３５】
保持部材１１１の周囲には、テンプレートＴから飛散又は落下する離型剤を受け止め、回収するカップ１２０が設けられている。カップ１２０の下面には、回収した離型剤を排出する排出管１２１と、カップ１２０内の雰囲気を排気する排気管１２２が接続されている。
【００３６】
図９に示すようにカップ１２０のＸ方向負方向（図９の下方向）側には、Ｙ方向（図９の左右方向）に沿って延伸するレール１３０が形成されている。レール１３０は、例えばカップ１２０のＹ方向負方向（図９の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図９の右方向）側の外方まで形成されている。レール１３０には、アーム１３１が取り付けられている。
【００３７】
アーム１３１には、テンプレートＴ上に離型剤を供給する離型剤供給部としての離型剤ノズル１３２が支持されている。アーム１３１は、ノズル駆動部１３３により、レール１３０上を移動自在である。これにより、離型剤ノズル１３２は、カップ１２０のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１３４からカップ１２０内のテンプレートＴの中心部上方まで移動できる。また、アーム１３１は、ノズル駆動部１３３によって昇降自在であり、離型剤ノズル１３２の高さを調整できる。なお、離型剤の材料には、後述するウェハ上のレジスト膜に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素樹脂等が用いられる。
【００３８】
なお、例えば保持部材１１１の溝部１１２ａ内に、洗浄液、例えば有機溶剤を噴射する洗浄液ノズルを設けてもよい。この洗浄液ノズルからテンプレートＴの裏面Ｔ２に洗浄液を噴射することによって、当該裏面Ｔ２を洗浄することができる。
【００３９】
なお、塗布ユニット３２の構成は、上述した塗布ユニット３０の構成と同様であるので説明を省略する。
【００４０】
次に、上述したリンスユニット３１、３３の構成について説明する。リンスユニット３１は、図１０に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング１４０を有している。
【００４１】
ケーシング１４０内の底面には、テンプレートＴを浸漬させる浸漬槽１４１が設けられている。浸漬槽１４１内には、テンプレートＴ上の離型剤をリンスするための有機溶剤が貯留されている。
【００４２】
ケーシング１４０内の天井面であって、浸漬槽１４１の上方には、テンプレートＴを保持する保持部１４２が設けられている。保持部１４２は、テンプレートＴの裏面Ｔ２の外周部を吸着保持するチャック１４３を有している。テンプレートＴは、その表面Ｔ１が上方を向くようにチャック１４３に保持される。チャック１４３は、昇降機構１４４により昇降できる。そして、テンプレートＴは、保持部１４２に保持された状態で浸漬槽１４１に貯留された有機溶剤に浸漬され、当該テンプレートＴ上の離型剤がリンスされる。
【００４３】
保持部１４２は、チャック１４３に保持されたテンプレートＴの上方に設けられたガス供給部１４５を有している。ガス供給部１４５は、例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などの気体ガスを下方、すなわちチャック１４３に保持されたテンプレートＴの表面Ｔ１に吹き付けることができる。これにより、浸漬層１４１でリンスされたテンプレートＴの表面Ｔ１を乾燥させることができる。なお、リンスユニット３１には、内部の雰囲気を排気する排気管（図示せず）が接続されている。
【００４４】
なお、リンスユニット３３の構成は、上述したリンスユニット３１の構成と同様であるので説明を省略する。
【００４５】
次に、上述した洗浄ユニット４０、５０の構成について説明する。洗浄ユニット４０は、図１１に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング１５０を有している。
【００４６】
ケーシング１５０内には、テンプレートＴを吸着保持するチャック１５１が設けられている。チャック１５１は、テンプレートＴの表面Ｔ１が上方を向くように、その裏面Ｔ２を吸着保持する。チャック１５１の下方には、チャック駆動部１５２が設けられている。このチャック駆動部１５２は、ケーシング１５０内の底面に設けられ、Ｙ方向に沿って延伸するレール１５３上に取付けられている。このチャック駆動部１５２により、チャック１５１はレール１５３に沿って移動できる。
【００４７】
ケーシング１５０内の天井面であって、レール１５３の上方には、チャック１５１に保持されたテンプレートＴに紫外線を照射する紫外線照射部１５４が設けられている。紫外線照射部１５４は、図１２に示すようにＸ方向に延伸している。そして、テンプレートＴがレール１５３に沿って移動中に、紫外線照射部１５４から当該テンプレートＴの表面Ｔ１に紫外線を照射することで、テンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線が照射される。
【００４８】
なお、洗浄ユニット５０の構成は、上述した洗浄ユニット４０の構成と同様であるので説明を省略する。
【００４９】
次に、上述した加熱ユニット４３、４４、５３、５４の構成について説明する。加熱ユニット４３は、図１３に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング１６０を有している。
【００５０】
ケーシング１６０内の底面には、テンプレートＴが載置される載置台１６１が設けられている。テンプレートＴは、その表面Ｔ１が上方を向くように載置台１６１の上面に載置される。載置台１６１内には、テンプレートＴを下方から支持し昇降させるための昇降ピン１６２が設けられている。昇降ピン１６２は、昇降駆動部１６３により上下動できる。載置台１６１の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔１６４が形成されおり、昇降ピン１６２は、貫通孔１６４を挿通するようになっている。また、載置台１６１の上面には、テンプレートＴを加熱する熱板１６５が設けられている。熱板１６５の内部には、例えば給電により発熱するヒータが設けられており、熱板１６５を所定の設定温度に調節できる。なお、この熱板１６５は、テンプレートＴの上方、例えば後述する蓋体１７０の天井面に設けてもよい。また、テンプレートＴの上方と下方に熱板１６５を設けてもよい。
【００５１】
載置台１６１の上方には、上下動自在の蓋体１７０が設けられている。蓋体１７０は、下面が開口し、載置台１６１と一体となって処理室Ｋを形成する。蓋体１７０の上面中央部には、排気部１７１が設けられている。処理室Ｋ内の雰囲気は、排気部１７１から均一に排気される。
【００５２】
なお、加熱ユニット４４、５３、５４の構成は、上述した加熱ユニット４３の構成と同様であるので説明を省略する。
【００５３】
また、温度調節ユニット４１、４２、５１、５２の構成についても、上述した加熱ユニット４３と同様の構成を有し、熱板１６５に代えて、温度調節板が用いられる。温度調節板の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材が設けられており、温度調節板を設定温度に調節できる。また、この場合、加熱ユニット４３における蓋体１７０を省略してもよい。
【００５４】
以上のテンプレート処理装置１には、図１に示すように制御部２００が設けられている。制御部２００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、テンプレート搬入出ステーション２と処理ステーション３との間のテンプレートＴの搬送や、処理ステーション３における駆動系の動作などを制御して、テンプレート処理装置１における後述する離型剤処理を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部２００にインストールされたものであってもよい。
【００５５】
本実施の形態にかかるテンプレート処理装置１は以上のように構成されている。次に、そのテンプレート処理装置１で行われる離型剤を成膜する処理について説明する。図１４は、この離型剤処理の主な処理フローを示し、図１５は、各工程におけるテンプレートＴの状態を示している。
【００５６】
先ず、テンプレート搬送体１２によって、カセット載置台１０上のテンプレートカセットＣＴからテンプレートＴが取り出され、処理ステーション３のトランジションユニット２１に搬送される（図１４の工程Ａ１）。このとき、テンプレートカセットＣＴ内には、テンプレートＴは、転写パターンＣが形成された表面Ｔ１が上方を向くように収容されており、この状態でテンプレートＴはトランジションユニット２１に搬送される。
【００５７】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは、洗浄ユニット４０に搬送され、チャック１５１に吸着保持される。続いて、チャック駆動部１５２によってテンプレートＴをレール１５３に沿って移動させながら、紫外線照射部１５４から当該テンプレートＴに紫外線が照射される。こうして、テンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線が照射され、図１５（ａ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１が洗浄される（図１４の工程Ａ２）。
【００５８】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは塗布ユニット３０に搬送され、保持部材１１１に受け渡される。続いて、離型剤ノズル１３２をテンプレートＴの中心部上方まで移動させると共に、テンプレートＴを回転させる。そして、回転中のテンプレートＴ上に離型剤Ｓを供給し、遠心力により離型剤ＳをテンプレートＴ上で拡散させて、図１５（ｂ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１全面に離型剤Ｓを塗布する（図１４の工程Ａ３）。
【００５９】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは加熱ユニット４３に搬送される。加熱ユニット４３に搬入されたテンプレートＴは、昇降ピン１６２に受け渡され、載置台１６１に載置される。続いて、蓋体１７０が閉じられ、テンプレートＴは熱板１６５によって例えば２００℃に加熱される。所定時間経過後、図１５（ｃ）に示すようにテンプレートＴ上の離型剤Ｓが焼成される（図１４の工程Ａ４）。
【００６０】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは温度調節ユニット４１に搬送され、テンプレートＴが所定の温度に調節される。
【００６１】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴはリンスユニット３１に搬送され、保持部１４２に保持される。続いて、保持部１４２を下降させ、テンプレートＴを浸漬槽１４１に貯留された有機溶剤に浸漬させる。所定時間経過すると、離型剤Ｓの未反応部のみが剥離し、図１５（ｄ）に示すようにテンプレートＴ上に転写パターンＣに沿った離型剤Ｓが成膜される（図１４の工程Ａ５）。その後、保持部１４２を上昇させ、ガス供給部１４５から気体ガスをテンプレートＴに吹き付け、その表面Ｔ１を乾燥させる。
【００６２】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴはトランジションユニット２１に搬送され、テンプレート搬送体１２によってテンプレートカセットＣＴに戻される（図１４の工程Ａ６）。こうしてテンプレート処理装置１における一連の離型剤処理が終了し、テンプレートＴの表面Ｔ１に、転写パターンＣの形状に沿った離型剤Ｓが成膜される。
【００６３】
以上の実施の形態によれば、テンプレート搬入出ステーション２が複数のテンプレートＴを保有できるので、当該テンプレート搬入出ステーション２から処理ステーション３にテンプレートＴを連続して搬送することができる。また、処理ステーション３においては、搬送ユニット２０が各種処理ユニットにテンプレートＴを搬送できるので、複数のテンプレートＴに対して所定の処理を連続して行うことができる。したがって、これら複数のテンプレートＴに対して、離型剤Ｓを連続的に成膜することができる。
【００６４】
ここで、テンプレートＴは、例えば６．３５ｍｍの厚みを有する。本実施の形態の加熱ユニット４３、４４、５３、５４内において、熱板１６５がテンプレートＴの上方（テンプレートＴの転写パターンＣ側）に配置されている場合、テンプレートＴの表面Ｔ１側から、当該表面Ｔ１上の離型剤Ｓを直接加熱することができる。したがって、テンプレートＴの厚みに関わらず、離型剤Ｓを効率よく加熱して焼成することができる。一方、熱板１６５がテンプレートＴの下方に配置されている場合でも、熱伝導によってテンプレートＴの裏面Ｔ２側から離型剤Ｓを効率よく加熱することができる。
【００６５】
以上の実施の形態では、処理ステーション３の塗布ユニット３０、３２において、回転中のテンプレートＴ上に離型剤Ｓを供給することにより、テンプレートＴの表面Ｔ１に離型剤Ｓを塗布していたが、例えばテンプレートＴの幅方向に延伸し、下面にスリット状の供給口が形成された離型剤ノズルを用いてテンプレートＴ上に離型剤Ｓを塗布してもよい。かかる場合、離型剤ノズルをテンプレートＴの辺方向に移動させながら、供給口から離型剤Ｓを供給し、テンプレートＴの表面Ｔ１全面に離型剤Ｓが塗布される。なお、この場合、離型剤ノズルを固定して、テンプレートＴを移動させてもよい。さらに、例えば離型剤Ｓが貯留された浸漬槽にテンプレートＴを浸漬させて、テンプレートＴ上に離型剤Ｓを塗布してもよい。
【００６６】
以上の実施の形態のリンスユニット３１、３３では、浸漬層１４１に貯留された有機溶剤にテンプレートＴを浸漬することで離型剤Ｓをリンスしていたが、図７及び図９に示した塗布ユニット３０、３２と同様の構成を有するリンスユニットを用いてもよい。かかる場合、塗布ユニット３０、３２の離型剤ノズル１３２に代えて、テンプレートＴ上に離型剤Ｓのリンス液としての有機溶剤を供給するリンス液ノズルが用いられる。
【００６７】
そして、このリンスユニットでは、回転中のテンプレートＴ上に有機溶剤が供給し、テンプレートＴの表面Ｔ１全面をリンスする。所定時間経過すると、離型剤Ｓの未反応部のみが剥離し、テンプレートＴ上に転写パターンＣに沿った離型剤Ｓが成膜される。その後、有機溶剤の供給を停止した後、さらにテンプレートＴを回転させ続け、その表面Ｔ１を振り切り乾燥させる。このようにして、テンプレートＴ上の離型剤Ｓがリンスされる。
【００６８】
以上の実施の形態では、洗浄ユニット４０、５０において、テンプレートＴを移動させながら、当該移動中のテンプレートＴに紫外線を照射していたが、例えばテンプレートＴの表面Ｔ１全面を覆う紫外線照射部を用いて、テンプレートＴに紫外線を照射してもよい。この紫外線照射部は、テンプレートＴに対向するように、当該テンプレートＴの上方に配置される。かかる場合、一度の照射でテンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線を照射することができるので、テンプレートＴの表面Ｔ１の洗浄を迅速に行うことができる。また、この場合、図７及び図９に示した塗布ユニット３０、３２と同様に、テンプレートＴを回転させ、当該回転中のテンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線を照射してもよい。
【００６９】
以上の実施の形態では、テンプレートＴ上への離型剤Ｓの塗布とテンプレートＴの加熱は、それぞれ別の処理ユニット（塗布ユニット３０、３２と加熱ユニット４３、４４、５３、５４）で行われていたが、一の処理ユニットで行われてもよい。かかる場合、図１６に示すようにテンプレート処理装置１の第１の処理ブロックＧ１には、図２に示した塗布ユニット３０に代えて、塗布加熱ユニット２１０が配置される。同様に、第２の処理ブロックＧ２にも、塗布ユニット３２に代えて、塗布加熱ユニット２１１が配置される。また、この場合、図３に示した加熱ユニット４３、４４、５３、５４が省略される。
【００７０】
図１７に示すように塗布加熱ユニット２１０は、図７及び図９に示した塗布ユニット３０と同様の構成に、さらに熱供給器２１２を有している。熱供給器２１２は、加熱された乾燥空気等の気体ガスを下方に吹き付けることができる。また、熱供給器２１２は、保持部材１１１に保持されたテンプレートＴに対向するように、当該テンプレートＴの上方に配置されている。なお、塗布加熱ユニット２１１についても、同様の構成を有している。
【００７１】
かかる場合、離型剤ノズル１３２によってテンプレートＴの表面Ｔ１全面に離型剤Ｓを塗布した後、熱供給器２１２から加熱された気体ガスをテンプレートＴに吹き付けて、当該テンプレートＴを加熱することができる。このように一の塗布加熱ユニット２１０で離型剤Ｓの塗布とテンプレートＴの加熱を連続して行うことができるので、処理ステーション３において、テンプレートＴ上に離型剤Ｓをより円滑に成膜することができ、離型剤処理のスループットを向上させることができる。また、テンプレート処理装置１の構成を簡略化することもできる。
【００７２】
以上の実施の形態では、塗布ユニット３０、３２において、回転中のテンプレートＴ上に液体状の離型剤Ｓを供給することにより、テンプレートＴの表面Ｔ１に離型剤Ｓを塗布していたが、テンプレートＴの表面Ｔ１に気化した離型剤を堆積させて離型剤Ｓを成膜してもよい。かかる場合、図１８に示すようにテンプレート処理装置１の第１の処理ブロックＧ１には、図２に示した塗布ユニット３０とリンスユニット３１に代えて、塗布ユニット２２０、２２１が配置される。同様に、第２の処理ブロックＧ２にも、塗布ユニット３２とリンスユニット３３に代えて、塗布ユニット２２２、２２３が配置される。
【００７３】
塗布ユニット２２０は、図１９に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング２３０を有している。ケーシング２３０の底面には、内部の雰囲気を排気する排気管２３１が接続されている。
【００７４】
ケーシング２３０内の底面には、テンプレートＴが載置される載置台２３２が設けられている。テンプレートＴは、その表面Ｔ１が上方を向くように載置台２３２の上面に載置される。載置台２３２の上面には、テンプレートＴの温度を制御する温度制御部としての温度制御板２３３が設けられている。温度制御板２３３は、例えばペルチェ素子などを内蔵し、テンプレートＴを所定の温度に設定できる。載置台２３２内には、テンプレートＴを下方から支持し昇降させるための昇降ピン２３４が設けられている。昇降ピン２３４は、昇降駆動部２３５により上下動できる。載置台２３２の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔２３６が形成されおり、昇降ピン２３４は、貫通孔２３６を挿通するようになっている。
【００７５】
ケーシング２３０内の天井面であって、載置台２３２の上方には、テンプレートＴ上に気化した離型剤を下方に供給する離型剤供給部としてのシャワーヘッド２４０が設けられている。シャワーヘッド２４０は、載置台２３２に載置されたテンプレートＴの表面Ｔ１に対向して配置されている。シャワーヘッド２４０の内部には、離型剤供給源（図示せず）から供給された気化した離型剤が導入される内部空間２４１が形成されている。シャワーヘッド２４０の下面には、内部空間２４１に導入された離型剤を下方に向かって供給する複数の供給口２４２が、シャワーヘッド２４０の下面全体に分布させられた状態で設けられている。すなわち、シャワーヘッド２４０からテンプレートＴの表面１に対して、気化した離型剤が水平面内で均一に供給されるように複数の供給口２４２が形成されている。シャワーヘッド２４０から供給された離型剤は、テンプレートＴの表面Ｔ１上に転写パターンＣに沿って堆積する。
【００７６】
なお、塗布ユニット２２１、２２２、２２３の構成は、上述した塗布ユニット２２０の構成と同様であるので、説明を省略する。
【００７７】
次に、かかる塗布ユニット２２０、２２１、２２２、２２３が配置された処理ステーション３において、テンプレートＴに離型剤Ｓを成膜する処理について説明する。
【００７８】
処理ステーション３内では、先ず、テンプレートＴは洗浄ユニット４０に搬送され、図２０（ａ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１が洗浄される。その後、テンプレートＴは塗布ユニット２２０に搬送され、図２０（ｂ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１上に気化した離型剤Ｓ０が供給され、当該離型剤Ｓ０が転写パターンＣに沿って堆積する。このとき、テンプレートＴは、温度制御板２３３によって所定の温度に設定されている。その後、テンプレートＴは加熱ユニット４３に搬送され、図２０（ｃ）に示すようにテンプレートＴ上の離型剤Ｓが焼成される。その後、テンプレートＴは温度調節ユニット４１に搬送され、テンプレートＴが所定の温度に調節される。このようにして、テンプレートＴの表面Ｔ１上に、転写パターンＣに沿った離型剤Ｓが成膜される。
【００７９】
以上の実施の形態によれば、気化した離型剤Ｓ０がテンプレートＴの転写パターンＣに沿って堆積するため、離型剤Ｓをリンスする必要がない。したがって、処理ステーション３において、テンプレートＴ上に離型剤Ｓをより円滑に成膜することができ、離型剤処理のスループットを向上させることができる。
【００８０】
また、温度制御板２３３によって所定の温度に設定されたテンプレートＴ上に気化した離型剤Ｓ０を供給しているので、テンプレートＴ上に離型剤Ｓ０を効率よく堆積させることができる。
【００８１】
さらに、シャワーヘッド２４０の複数の供給口２４２から気化した離型剤Ｓ０を供給しているので、複雑な駆動機構を必要としないため、塗布ユニット２２０の構成を簡略化することができる。
【００８２】
なお、以上の実施の形態では、塗布ユニット２２０、２２１、２２２、２２３において、シャワーヘッド２４０の複数の供給口２４２から気化した離型剤Ｓ０を供給していたが、例えばテンプレートＴの幅方向に延伸し、下面にスリット状の供給口が形成された離型剤ノズルを用いてテンプレートＴ上に気化した離型剤Ｓ０を供給してもよい。かかる場合、離型剤ノズルをテンプレートＴの辺方向に移動させながら、供給口から気化した離型剤Ｓ０を供給し、テンプレートＴの表面Ｔ１全面に離型剤Ｓが塗布される。
【００８３】
以上の実施の形態では、テンプレート処理装置１において、テンプレートＴは個別に搬送され処理されていたが、図２１に示すように複数、例えば９枚のテンプレートＴが１つのホルダー２５０に保持されて処理されてもよい。かかる場合、ホルダー２５０には、図２２に示すように各テンプレートＴを収容するために下方に窪んだ収容部２５１が形成されている。収容部２５１の底面には例えば複数の吸引口（図示せず）が形成され、各テンプレートＴは収容部２５１内に吸着保持されるようになっている。
【００８４】
本実施の形態によれば、処理ステーション３において、複数のテンプレートＴに対して一度に所定の処理を行うことができる。したがって、短時間でより多くのテンプレートＴ上に離型剤Ｓを成膜することができ、離型剤処理のスループットを向上させることができる。
【００８５】
以上の実施の形態のテンプレート処理装置１は、図２３に示すようにインプリントシステム３００に配置されていてもよい。インプリントシステム３００は、テンプレートＴを用いて基板としてのウェハＷ上にレジストパターンを形成するインプリントユニット３１０と、複数、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部とインプリントシステム３００との間で搬入出したり、ウェハカセットＣＷに対してウェハＷを搬入出したりする基板搬入出ステーションとしてのウェハ搬入出ステーション３１１とを有している。また、テンプレート処理装置１とインプリントユニット３１０との間には、テンプレートＴの受け渡しを行うインターフェイスステーション３１２が配置されている。インプリントシステム３００は、これらテンプレート処理装置１、インターフェイスステーション３１２、インプリントユニット３１０、ウェハ搬入出ステーション３１１を一体に接続した構成を有している。
【００８６】
ウェハ搬入出ステーション３１１には、カセット載置台３２０が設けられている。カセット載置台３２０は、複数のウェハカセットＣＷをＸ方向（図２３中の上下方向）に一列に載置自在になっている。すなわち、ウェハ搬入出ステーション３１１は、複数のウェハＷを保有可能に構成されている。
【００８７】
ウェハ搬入出ステーション３１１には、Ｘ方向に延伸する搬送路３２１上を移動可能なウェハ搬送体３２２が設けられている。ウェハ搬送体３２２は、鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、ウェハカセットＣＷとインプリントユニット３１０との間でウェハＷを搬送できる。
【００８８】
ウェハ搬入出ステーション３１１には、ウェハＷの向きを調整するアライメントユニット３２３がさらに設けられている。アライメントユニット３２３では、例えばウェハＷのノッチ部の位置に基づいて、ウェハＷの向きが調整される。
【００８９】
インターフェイスステーション３１２には、Ｘ方向に延伸する搬送路３３０上を移動するテンプレート搬送体３３１が設けられている。また、搬送路３３０のＸ方向正方向側には、テンプレートＴの表裏面を反転させる反転ユニット３３２が配置され、搬送路３３０のＸ方向負方向側には、複数のテンプレートＴを一時的に保管するバッファカセット３３３が配置されている。テンプレート搬送体３３１は、鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、処理ステーション３、反転ユニット３３２、バッファカセット３３３、インプリントユニット３１０との間でテンプレートＴを搬送できる。
【００９０】
テンプレート処理装置１の処理ステーション３には、搬送ユニット２０のインターフェイスステーション３１２側に、テンプレートＴの受け渡しを行うためのトランジションユニット３３４が配置されている。
【００９１】
次に、上述したインプリントユニット３１０の構成について説明する。インプリントユニット３１０は、図２４に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）とウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング３４０を有している。
【００９２】
ケーシング３４０内の底面には、ウェハＷが載置されて保持されるウェハ保持部３４１が設けられている。ウェハＷは、その被処理面が上方を向くようにウェハ保持部３４１の上面に載置される。ウェハ保持部３４１内には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン３４２が設けられている。昇降ピン３４２は、昇降駆動部３４３により上下動できる。ウェハ保持部３４１の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔３４４が形成されおり、昇降ピン３４２は、貫通孔３４４を挿通するようになっている。また、ウェハ保持部３４１は、当該ウェハ保持部３４１の下方に設けられた移動機構３４５により、水平方向に移動可能で、且つ鉛直周りに回転自在である。
【００９３】
図２５に示すようにウェハ保持部３４１のＸ方向負方向（図２５の下方向）側には、Ｙ方向（図２５の左右方向）に沿って延伸するレール３５０が設けられている。レール３５０は、例えばウェハ保持部３４１のＹ方向負方向（図２５の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図２５の右方向）側の外方まで形成されている。レール３５０には、アーム３５１が取り付けられている。
【００９４】
アーム３５１には、ウェハＷ上にレジスト液を供給するレジスト液ノズル３５２が支持されている。レジスト液ノズル３５２は、例えばウェハＷの直径寸法と同じかそれよりも長い、Ｘ方向に沿った細長形状を有している。レジスト液ノズル３５２には、例えばインクジェット方式のノズルが用いられ、レジスト液ノズル３５２の下部には、長手方向に沿って一列に形成された複数の供給口（図示せず）が形成されている。そして、レジスト液ノズル３５２は、レジスト液の供給タイミング、レジスト液の供給量等を厳密に制御できる。
【００９５】
アーム３５１は、ノズル駆動部３５３により、レール３５０上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル３５２は、ウェハ保持部３４１のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部３５４からウェハ保持部３４１上のウェハＷの上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム３５１は、ノズル駆動部３５３によって昇降自在であり、レジスト液ノズル３５２の高さを調整できる。
【００９６】
ケーシング３４０内の天井面であって、ウェハ保持部３４１の上方には、図２４に示すようにテンプレートＴを保持するテンプレート保持部３６０が設けられている。すなわち、ウェハ保持部３４１とテンプレート保持部３６０は、ウェハ保持部３４１に載置されたウェハＷと、テンプレート保持部３６０に保持されたテンプレートＴが対向するように配置されている。また、テンプレート保持部３６０は、テンプレートＴの裏面Ｔ２の外周部を吸着保持するチャック３６１を有している。チャック３６１は、当該チャック３６１の上方に設けられた移動機構３６２により、鉛直方向に移動自在で、且つ鉛直周りに回転自在になっている。これにより、テンプレートＴは、ウェハ保持部３４１上のウェハＷに対して所定の向きに回転し昇降できる。
【００９７】
テンプレート保持部３６０は、チャック３６１に保持されたテンプレートＴの上方に設けられた光源３６３を有している。光源３６３からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられ、この光源３６３からの光は、テンプレートＴを透過して下方に照射される。
【００９８】
本実施の形態にかかるインプリントシステム３００は以上のように構成されている。次に、そのインプリントシステム３００で行われるインプリント処理について説明する。図２６は、このインプリント処理の主な処理フローを示し、図２７は、このインプリント処理の各工程におけるテンプレートＴとウェハＷの状態を示している。
【００９９】
先ず、テンプレート搬送体１２によって、テンプレート搬入出ステーション２から処理ステーション３にテンプレートＴが搬送される（図２６の工程Ｂ１）。処理ステーション３では、テンプレートＴの表面Ｔ１の洗浄（図２６の工程Ｂ２）、表面Ｔ１への離型剤Ｓの塗布（図２６の工程Ｂ３）、離型剤Ｓの焼成（図２６の工程Ｂ４）、離型剤Ｓのリンス（図２６の工程Ｂ５）が順次行われ、テンプレートＴの表面Ｔ１に離型剤Ｓが成膜される。なお、これら工程Ｂ２〜Ｂ５は、前記実施の形態における工程Ａ２〜Ａ５と同様であるので、詳細な説明を省略する。
【０１００】
離型剤Ｓが成膜されたテンプレートＴは、トランジションユニット３３４に搬送される。続いて、テンプレートＴは、インターフェイスステーション３１２のテンプレート搬送体３３１によって、反転ユニット３３２に搬送されて、テンプレートＴの表裏面が反転される。すなわち、テンプレートＴの裏面Ｔ２が上方に向けられる。その後、テンプレートＴは、テンプレート搬送体３３１によってインプリントユニット３１０に搬送され、テンプレート保持部３６０のチャック３６１に吸着保持される。
【０１０１】
このように処理ステーション３においてテンプレートＴに離型剤処理を行い、インプリントユニット３１０へテンプレートＴを搬送中に、ウェハ搬入出ステーション３１１では、ウェハ搬送体３２２により、カセット載置台３２０上のウェハカセットＣＷからウェハＷが取り出され、アライメントユニット３２３に搬送される。そして、アライメントユニット３２３において、ウェハＷのノッチ部の位置に基づいて、ウェハＷの向きが調整される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送体３２２によってインプリントユニット３１０に搬送される（図２６の工程Ｂ６）。なお、ウェハ搬入出ステーション３１１において、ウェハカセットＣＷ内のウェハＷは、その被処理面が上方を向くように収容されており、この状態でウェハＷはインプリントユニット３１０に搬送される。
【０１０２】
インプリントユニット３１０に搬入されたウェハＷは、昇降ピン３４２に受け渡され、ウェハ保持部３４１上に載置され保持される。続いて、ウェハ保持部３４１に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせをした後、レジスト液ノズル３５２をウェハＷの径方向に移動させ、図２７（ａ）に示すようにウェハＷ上にレジスト液が塗布され、塗布膜としてのレジスト膜Ｒが形成される（図２６の工程Ｂ７）。このとき、制御部２００により、レジスト液ノズル３５２から供給されるレジスト液の供給タイミングや供給量等が制御される。すなわち、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンにおいて、凸部に対応する部分（テンプレートＴの転写パターンＣにおける凹部に対応する部分）に塗布されるレジスト液の量は多く、凹部に対応する部分（転写パターンＣにおける凸部に対応する部分）に塗布されるレジスト液の量は少なくなるように塗布される。このように転写パターンＣの開口率に応じてウェハＷ上にレジスト液が塗布される。
【０１０３】
ウェハＷ上にレジスト膜Ｒが形成されると、ウェハ保持部３４１に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行うと共に、テンプレート保持部３６０に保持されたテンプレートＴを所定の向きに回転させる。そして、図２７（ａ）の矢印に示すようにテンプレートＴをウェハＷ側に下降させる。テンプレートＴは所定の位置まで下降し、テンプレートＴの表面Ｔ１がウェハＷ上のレジスト膜Ｒに押し付けられる。なお、この所定の位置は、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンの高さに基づいて設定される。続いて、光源３６３から光が照射される。光源３６３からの光は、図２７（ｂ）に示すようにテンプレートＴを透過してウェハＷ上のレジスト膜Ｒに照射され、これによりレジスト膜Ｒは光重合する。このようにして、ウェハＷ上のレジスト膜ＲにテンプレートＴの転写パターンＣが転写され、レジストパターンＰが形成される（図２６の工程Ｂ８）。
【０１０４】
その後、図２７（ｃ）に示すようにテンプレートＴを上昇させて、ウェハＷ上にレジストパターンＰを形成する。このとき、テンプレートＴの表面Ｔ１には離型剤Ｓが塗布されているので、ウェハＷ上のレジストがテンプレートＴの表面Ｔ１に付着することはない。その後、ウェハＷは、昇降ピン３４２によりウェハ搬送体３２２に受け渡され、インプリントユニット３１０からウェハ搬入出ステーション３１１に搬送され、ウェハカセットＣＷに戻される（図２６の工程Ｂ９）。なお、ウェハＷ上に形成されたレジストパターンＰの凹部には、薄いレジストの残存膜Ｌが残る場合があるが、例えばインプリントシステム３００の外部において、図２７（ｄ）に示すように当該残存膜Ｌを除去してもよい。
【０１０５】
以上の工程Ｂ６〜Ｂ９（図２６中の点線で囲った部分）を繰り返し行い、一のテンプレートＴを用いて、複数のウェハＷ上にレジストパターンＰをそれぞれ形成する。この間、上述した工程Ｂ１〜Ｂ５を繰り返し行い、複数のテンプレートＴの表面Ｔ１上に離型剤Ｓを成膜する。離型剤Ｓが成膜されたテンプレートＴは、インターフェイスステーション３１２のバッファカセット３３３に保管される。
【０１０６】
そして、所定枚数のウェハＷに対して工程Ｂ６〜Ｂ９が行われると、ウェハ搬送体３３１によって、使用済みのテンプレートＴがインプリントユニット３１０から搬出され、反転ユニット３３２に搬送される（図２６の工程Ｂ１０）。続いて、ウェハ搬送体３３１によって、バッファカセット３３３内のテンプレートＴがインプリントユニット３１０に搬送される。こうして、インプリントユニット３１０内のテンプレートＴが交換される。なお、テンプレートＴを交換するタイミングは、テンプレートＴの劣化等を考慮して設定される。また、ウェハＷに異なるパターンＰを形成する場合にも、テンプレートＴが交換される。例えばテンプレートＴを１回使用する度に当該テンプレートＴを交換してもよい。また、例えば１枚のウェハＷ毎にテンプレートＴを交換してもよいし、例えば１ロット毎にテンプレートＴを交換してもよい。
【０１０７】
反転ユニット３３２に搬送された使用済みのテンプレートＴは、その表裏面が反転される。その後、ウェハ搬送体３３１、搬送ユニット２０、ウェハ搬送体１２によって、テンプレートＴはテンプレートカセットＣＴに戻される。このようにして、インプリントシステム３００において、テンプレートＴを連続的に交換しつつ、複数のウェハＷに対して所定のレジストパターンＰが連続的に形成される。
【０１０８】
以上の実施の形態のインプリントシステム３００はテンプレート処理装置１を有しているので、インプリントシステム３００において、テンプレートＴ上に離型剤Ｓを成膜しつつ、当該テンプレートＴをインプリントユニット３１０に連続的に供給できる。これによって、例えばテンプレートＴが劣化する前、あるいは複数のウェハＷ上に異なるレジストパターンＰを形成する場合でも、インプリントユニット３１０内のテンプレートＴを連続して効率よく交換することができる。したがって、複数のウェハＷに対して所定のレジストパターンＰを連続的に形成することができる。また、これによって、半導体デバイスの量産化を実現することも可能となる。
【０１０９】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレート上に離型剤を成膜する際に有用であり、また当該テンプレートを用いて基板上に所定のパターンを形成する際に有用である。
【符号の説明】
【０１１１】
１    テンプレート処理装置
２    テンプレート搬入出ステーション
３    処理ステーション
２０  搬送ユニット
３０、３２  塗布ユニット
３１、３３  リンスユニット
４０、５０  洗浄ユニット
４３、４４、５３、５４  加熱ユニット
１３２  離型剤ノズル
１６５  熱板
２００  制御部
２１０、２１１  塗布加熱ユニット
２２０〜２２３  塗布ユニット
２３３  温度制御板
２４０  シャワーヘッド
２４２  供給口
２５０  ホルダー
３００  インプリントシステム
３１０  インプリントユニット
３１１  ウェハ搬入出ステーション
３１２  インターフェイスステーション
Ｃ    転写パターン
Ｇ１〜Ｇ４  処理ブロック
Ｐ    レジストパターン
Ｒ    レジスト膜
Ｓ    離型剤
Ｔ    テンプレート
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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