(57)【要約】  【課題】光を照射して機能性薄膜の微細パターニングを行う場合に、光を照射する層の下地層の特性低下及び機能性薄膜の特性低下を抑制すること。  【解決手段】感光性を有する基であって光二量化反応をしうる基と、親液性を有する基とを含む化合物（Ａ）と、感光性を有する基であって光二量化反応をしうる基と、撥液性を有する基とを含む化合物（Ｂ）とを、光の照射により、二量化反応させて得られる化合物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光性を有する基であって光二量化反応をしうる基と、親液性を有する基とを含む化合物（Ａ）と、感光性を有する基であって光二量化反応をしうる基と、撥液性を有する基とを含む化合物（Ｂ）とを、光の照射により、二量化反応させて得られる化合物。
【請求項２】
化合物（Ａ）に含まれる感光性基が、二重結合又は芳香族縮合環を含むことを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
化合物（Ｂ）に含まれる感光性基が、二重結合又は芳香族縮合環を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
化合物（Ａ）が、式（１−１）で表される化合物である請求項１〜３のいずれかに記載の化合物。
【化１】
2011105655.tif 000039
（１−１）
（式中、Ｒａは、水素原子又は置換基を表す。複数個あるＲａは、同一でも相異なってもよい。また、隣り合うＲａは、それぞれ連結して、飽和炭化水素環、不飽和炭化水素環、芳香族炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、これらの環は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒａの少なくとも１つは、親液性を有する基である。ｎ１は０以上の整数を表す。）
【請求項５】
化合物（Ａ）が、式（１−２）で表される化合物である請求項１〜３のいずれかに記載の化合物。
【化２】
2011105655.tif 000040
（１−２）
（式中、Ｒａは、水素原子又は置換基を表す。Ｘ１及びＹ１は、同一でも相異なっていてもよく、−Ｃ（Ｒａ）２−、−Ｎ（Ｒａ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｉ（Ｒａ）２−、−Ｂ（Ｒａ）−又は−Ｃ（Ｒａ）＝Ｃ（Ｒａ）−を表す。複数個あるＲａは、同一でも相異なってもよい。また、隣り合うＲａは、それぞれ連結して、飽和炭化水素環、不飽和炭化水素環、芳香族炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、これらの環は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒａの少なくとも１つは親液性を有する基である。ｐ１及びｍ１は、同一又は相異なり、０以上の整数を表す。）
【請求項６】
親液性を有する基が、周期表の４族、５族、６族、１３族、１４族、１５族又は１６族に属する原子を含む基である請求項１〜５のいずれかに記載の化合物。
【請求項７】
親液性を有する基が、ケイ素原子を含む基である請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
親液性を有する基が式（１−３）で表される基である請求項７に記載の化合物。
【化３】
2011105655.tif 000041
（１−３）
（式中、Ｚは−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ａｋ−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ａｋ−を表し、Ａｒ１は（１＋ｙ１）価の芳香族炭化水素基又は（１＋ｙ１）価の複素環基を表し、Ａｋは炭素数１〜１２のアルキレン基を表し、Ｒａ1は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基又はアルキル基を表し、Ｒｃは水素原子又は置換基を表す。Ｒｃが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ｔ１は０又は１を表し、ｘ１は０又は１を表し、ｙ１は１以上の整数を表す。複数個あるＲａ１は、同一でも相異なっていてもよい。Ａｋが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。）
【請求項９】
化合物（Ｂ）が、式（２−１）で表される化合物である請求項１〜８のいずれかに記載の化合物。
【化４】
2011105655.tif 000042
（２−１）
（式中、Ｒｂは水素原子又は置換基を表す。複数個あるＲｂは、同一でも相異なってもよい。また隣り合うＲｂは、それぞれ連結して、飽和炭化水素環、不飽和炭化水素環、芳香族炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、これらの環は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒｂの少なくとも１つは、撥液性を有する基である。ｎ２は０以上の整数を表す。）
【請求項１０】
化合物（Ｂ）が、式（２−２）で表される化合物である請求項１〜８のいずれかに記載の化合物。
【化５】
2011105655.tif 000043
（２−２）
（式中、Ｒｂは、水素原子又は置換基を表す。Ｘ２及びＹ２は、同一でも相異なっていてもよく、−Ｃ（Ｒｂ）２−、−Ｎ（Ｒｂ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｉ（Ｒｂ）２−、−Ｂ（Ｒｂ）−又は−Ｃ（Ｒｂ）＝Ｃ（Ｒｂ）−を表す。複数個あるＲｂは、同一でも相異なってもよい。また隣り合うＲｂは、それぞれ連結して、飽和炭化水素環、不飽和炭化水素環、芳香族炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、これらの環は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒｂの少なくとも１つは撥液性を有する基である。ｐ２及びｍ２は、同一又は相異なり、０以上の整数を表す。）
【請求項１１】
撥液性を有する基が下記式で表される基である請求項９又は１０に記載の化合物。
【化６】
2011105655.tif 000044
（式中、Ｚは−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ａｋ−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ａｋ−を表し、Ａｋは炭素数１〜１２のアルキレン基を表し、Ｒｃは水素原子又は置換基を表す。Ｒｃが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Ａｒ２は（１＋ｙ２）価の芳香族炭化水素基又は（１＋ｙ２）価の複素環基を表し、Ｒｂ１はフッ素原子を含む１価の有機基を表し、ｔ２は０又は１を表し、ｘ２は０又は１を表し、ｙ２は１以上の整数を表す。Ｒｂ１が複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。）
【請求項１２】
撥液性を有する基が下記式で表される基である請求項１１に記載の化合物。
【化７】
2011105655.tif 000045
（式中、Ａｒ２、Ｒｂ１、Ａｋ、ｔ２、ｘ２、ｙ２は前述と同じ意味を表す。）
【請求項１３】
撥液性を有する基が下記式で表される基である請求項１２に記載の化合物。
【化８】
2011105655.tif 000046
（式中、Ａｒ２、Ａｋ、ｔ２、ｘ２、ｙ２は前述と同じ意味を表す。Ｋは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−又は−ＮＲ−を表す。Ｒはアルキル基又はアリール基を表す。ｋは０又は１を表し、ｒは０〜６の整数を表し、ｓは０〜１６の整数を表す。ｋが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ｒが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ｓが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、親液性を有する基を含む化合物と、撥液性を有する基を含む化合物とを、光の照射により、二量化反応させて得られた化合物に関する。より詳しくは、機能性薄膜をパターニングする際に用いられる前記化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機薄膜トランジスタ素子、有機薄膜太陽電池、有機ＥＬディスプレイなどの分野において、多くの機能性薄膜が検討されている。機能性薄膜は、様々な機能を発現する材料を含み、デバイス中において該機能の発現を必要とする場所に、該機能の発現のために必要とする精度で配置される、いわゆる微細パターニングを行なった薄膜である。パターニングによって発現させる機能としては、配線、電極、絶縁層、発光層、電荷輸送層などの機能が例示できる。これらのパターニングを行なう手法としては、例えばフォトリソグラフィー法がある。即ち、薄膜を基板等の上一面に成膜した後、フォトレジスト材を含む層を該薄膜上に成膜し、フォトレジスト材の感光性を利用して、下地の薄膜を微細パターニングし、機能性薄膜を形成する方法である。しかし、フォトリソグラフィー法により形成した機能性薄膜は、フォトリソグラフィー法における紫外線照射、現像、洗浄などの工程を行うことにより、該機能性薄膜の機能が大きく低下することが多く、特に、機能性薄膜が機能性有機薄膜である場合には、現像や洗浄の工程を行うことにより、該機能性有機薄膜の機能が大きく損傷を受ける場合が多い。
【０００３】
フォトリソグラフィー法の問題を解決する方法としては、機能性薄膜をインクジェット法やノズル法、あるいは種々のロール印刷法、例えばフレキソ印刷や反転印刷などを用いて、基板上に直接パターニングする方法が提案されている。これらの印刷法は、一般的に濃度及び粘度が比較的低いインクを用いるため、インクを基板へ接触転写した後、必要とする場所にのみ正確に機能性薄膜を形成する方法には、インクの流動を防止するための隔壁を機能性薄膜を形成する領域の周囲に設ける方法、基板表面にインクを受容する親液性の領域とインクを受容しない撥液性の領域とを形成する方法がある。
【０００４】
基板表面に親液性の領域と撥液性の領域とを形成する方法としては、具体的には、親液性の薄膜の表面に含フッ素シランカップリング剤等の撥液性物質を塗布して撥液性の薄膜を形成し、波長が２００ｎｍ未満の光を撥液性の薄膜の一部に照射して該撥液性物質を分解し、次いで分解物を除去する方法が知られている。該方法で得られた基板は、光照射部位のみが親液性表面になる（特許文献１）。
【０００５】
また、比較的長波長の波長の光を用いる方法としては、親液性の基板上に撥液性基を有する化合物と光重合開始剤とを含む撥液性組成物の薄膜を形成し、該薄膜の一部に光を照射することで、該撥液性の組成物を重合して溶媒に不溶化し、溶媒を用いて未重合部分を除去することで親液性領域をパターニングする方法が挙げられる（特許文献２）。
【０００６】
長波長の紫外線を用いる方法としては、親液性の層上に酸化チタン等の光触媒を含む撥液性の薄膜を形成し、該薄膜の一部に光を照射し、撥液性の薄膜を分解して親液性の領域をパターニングする方法も知られている（特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２８２２４０号公報
【特許文献２】国際公開第２００７−１０２４８７号
【特許文献３】特開平１１−３４４８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、波長が２００ｎｍ未満の光を照射する方法は、高エネルギー光を長時間照射する方法であり、該方法は大規模な設備、真空装置、高エネルギー光源などの特別な装置が必要になり製造コストが高くなるという問題がある。また、高エネルギーの光の照射によって、光を照射する層の下地層の特性を低下させる場合がある。比較的長波長の波長の光を用いる方法は、比較的エネルギーの低い光を用いるため、光を照射する層の下地層の特性の低下は低減できるが、撥液性組成物中には光重合開始剤が含まれ、該光重合開始剤の反応残基が、その上に成膜される機能性薄膜の特性を低下させるという問題がある。長波長の紫外線を用いる方法も、光触媒が、その上に成膜される機能性薄膜の特性を低下させるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
即ち、本発明は第一に、感光性を有する基であって光二量化反応をしうる基と、親液性を有する基とを含む化合物（Ａ）と、感光性を有する基であって光二量化反応をしうる基と、撥液性を有する基とを含む化合物（Ｂ）とを、光の照射により、二量化反応させて得られる化合物を提供する。
【００１０】
本発明は第二に、化合物（Ａ）に含まれる感光性基が、二重結合又は芳香族縮合環を含むことを特徴とする前記化合物を提供する。
【００１１】
本発明は第三に、化合物（Ｂ）に含まれる感光性基が、二重結合又は芳香族縮合環を含むことを特徴とする前記化合物を提供する。
【００１２】
本発明は第四に、化合物（Ａ）が、式（１−１）で表される化合物である前記化合物を提供する。
【００１３】
【化１】
2011105655.tif 000002
（１−１）
【００１４】
（式中、Ｒａは、水素原子又は置換基を表す。複数個あるＲａは、同一でも相異なってもよい。また、隣り合うＲａは、それぞれ連結して、飽和炭化水素環、不飽和炭化水素環、芳香族炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、これらの環は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒａの少なくとも１つは、親液性を有する基である。ｎ１は０以上の整数を表す。）
【００１５】
本発明は第五に、化合物（Ａ）が、式（１−２）で表される化合物である前記化合物を提供する。
【００１６】
【化２】
2011105655.tif 000003
（１−２）
【００１７】
（式中、Ｒａは、水素原子又は置換基を表す。Ｘ１及びＹ１は、同一でも相異なっていてもよく、−Ｃ（Ｒａ）２−、−Ｎ（Ｒａ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｉ（Ｒａ）２−、−Ｂ（Ｒａ）−又は−Ｃ（Ｒａ）＝Ｃ（Ｒａ）−を表す。複数個あるＲａは、同一でも相異なってもよい。また、隣り合うＲａは、それぞれ連結して、飽和炭化水素環、不飽和炭化水素環、芳香族炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、これらの環は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒａの少なくとも１つは親液性を有する基である。ｐ１及びｍ１は、同一又は相異なり、０以上の整数を表す。）
【００１８】
本発明は第六に、親液性を有する基が、周期表の４族、５族、６族、１３族、１４族、１５族又は１６族に属する原子を含む基である前記化合物を提供する。
【００１９】
本発明は第七に、親液性を有する基が、ケイ素原子を含む基である前記化合物を提供する。
【００２０】
本発明は第八に、親液性を有する基が式（１−３）で表される基である前記化合物を提供する。
【００２１】
【化３】
2011105655.tif 000004
（１−３）
【００２２】
（式中、Ｚは−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ａｋ−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ａｋ−を表し、Ａｒ１は（１＋ｙ１）価の芳香族炭化水素基又は（１＋ｙ１）価の複素環基を表し、Ａｋは炭素数１〜１２のアルキレン基を表し、Ｒａ1は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基又はアルキル基を表し、Ｒｃは水素原子又は置換基を表す。Ｒｃが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ｔ１は０又は１を表し、ｘ１は０又は１を表し、ｙ１は１以上の整数を表す。複数個あるＲａ１は、同一でも相異なっていてもよい。Ａｋが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。）
【００２３】
本発明は第九に、化合物（Ｂ）が、式（２−１）で表される化合物である前記化合物を提供する。
【００２４】
【化４】
2011105655.tif 000005
（２−１）
【００２５】
（式中、Ｒｂは水素原子又は置換基を表す。複数個あるＲｂは、同一でも相異なってもよい。また隣り合うＲｂは、それぞれ連結して、飽和炭化水素環、不飽和炭化水素環、芳香族炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、これらの環は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒｂの少なくとも１つは、撥液性を有する基である。ｎ２は０以上の整数を表す。）
【００２６】
本発明は第十に、化合物（Ｂ）が、式（２−２）で表される化合物である前記化合物を提供する。
【００２７】
【化５】
2011105655.tif 000006
（２−２）
【００２８】
（式中、Ｒｂは、水素原子又は置換基を表す。Ｘ２及びＹ２は、同一でも相異なっていてもよく、−Ｃ（Ｒｂ）２−、−Ｎ（Ｒｂ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｉ（Ｒｂ）２−、−Ｂ（Ｒｂ）−又は−Ｃ（Ｒｂ）＝Ｃ（Ｒｂ）−を表す。複数個あるＲｂは、同一でも相異なってもよい。また隣り合うＲｂは、それぞれ連結して、飽和炭化水素環、不飽和炭化水素環、芳香族炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、これらの環は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒｂの少なくとも１つは撥液性を有する基である。ｐ２及びｍ２は、同一又は相異なり、０以上の整数を表す。）
【００２９】
本発明は第十一に、撥液性を有する基が下記式で表される基である前記化合物を提供する。
【００３０】
【化６】
2011105655.tif 000007
【００３１】
（式中、Ｚは−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ａｋ−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ａｋ−を表し、Ａｋは炭素数１〜１２のアルキレン基を表し、Ｒｃは水素原子又は置換基を表す。Ｒｃが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Ａｒ２は（１＋ｙ２）価の芳香族炭化水素基又は（１＋ｙ２）価の複素環基を表し、Ｒｂ１はフッ素原子を含む１価の有機基を表し、ｔ２は０又は１を表し、ｘ２は０又は１を表し、ｙ２は１以上の整数を表す。Ｒｂ１が複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。）
【００３２】
本発明は第十二に、撥液性を有する基が下記式で表される基である前記化合物を提供する。
【００３３】
【化７】
2011105655.tif 000008
【００３４】
（式中、Ａｒ２、Ｒｂ１、Ａｋ、ｔ２、ｘ２、ｙ２は前述と同じ意味を表す。））
【００３５】
本発明は第十三に、撥液性を有する基が下記式で表される基である前記化合物を提供する。
【００３６】
【化８】
2011105655.tif 000009
【００３７】
（式中、Ａｒ２、Ａｋ、ｔ２、ｘ２、ｙ２は前述と同じ意味を表す。Ｋは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−又は−ＮＲ−を表す。Ｒはアルキル基又はアリール基を表す。ｋは０又は１を表し、ｒは０〜３の整数を表し、ｓは０〜１５の整数を表す。ｋが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ｒが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ｓが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。）
【発明の効果】
【００３８】
本発明の化合物は、基板表面に親液性の領域と撥液性の領域とを形成する方法に用いることができる。該方法は低エネルギーの光を用いることが可能であるため、製造コストが低く、光を照射する層の下地層の特性低下を抑制できる。また、光重合開始剤及び光触媒を用いないため、機能性薄膜の特性低下を抑制できる。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
＜用語の説明＞
【００４０】
以下、本明細書において共通して用いられる用語を説明する。本明細書において、＜Ｃm〜Ｃn＞（ｍ、ｎはｍ＜ｎを満たす正の整数である）という用語は、この用語とともに記載された基の炭素数がｍ〜ｎであることを表す。
【００４１】
置換基とは、特に断りのない限り以下に示すハロゲン基、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、水酸基、アルケニル基、アルキニル基を意味する。
【００４２】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が例示される。
【００４３】
アルキル基は、非置換のアルキル基及びハロゲン原子、アミノ基、メルカプト基等で置換されたアルキル基を意味し、直鎖状アルキル基及び環状アルキル基（シクロアルキル基）の両方を含む。アルキル基は分岐を有していてもよい。アルキル基の炭素数は、通常１〜２０、好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０程度である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、トリフルオロプロピル基、トリデカフルオロ−１,１,２,２−テトラヒドロオクチル基、ヘプタデカフルオロ−１,１,２,２−テトラヒドロデシル基、アミノプロピル基、アミノオクチル基、アミノデシル基、メルカプトプロピル基、メルカプトオクチル基、メルカプトデシル基等が例示される。Ｃ1〜Ｃ12アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基等が挙げられる。
【００４４】
アルコキシ基は、非置換のアルコキシ基及びハロゲン原子、アルコキシ基等で置換されたアルコキシ基を意味し、直鎖状アルコキシ基及び環状アルコキシ基（シクロアルコキシ基）の両方を含む。アルコキシ基は分岐を有していてもよい。アルコキシ基の炭素数は、通常１〜２０、好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０程度である。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基等が例示される。Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基等が挙げられる。
【００４５】
アルキルチオ基は、非置換のアルキルチオ基及びハロゲン原子等で置換されたアルキルチオ基を意味し、直鎖状アルキルチオ基及び環状アルキルチオ基（シクロアルキルチオ基）の両方を含む。アルキルチオ基は分岐を有していてもよい。アルキルチオ基の炭素数は、通常１〜２０、好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０程度である。具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が例示される。Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基等が挙げられる。
【００４６】
アリール基は、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子１個を除いた残りの原子団であり、非置換のアリール基及びハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリール基を意味する。アリール基には、ベンゼン環をもつもの、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が単結合又は２価の基、例えば、ビニレン基等のアルケニレン基を介して結合したものも含まれる。アリール基の炭素数は、通常６〜６０、好ましくは７〜４８、より好ましくは７〜３０程度である。アリール基としては、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基等が例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基が好ましい。
【００４７】
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基として具体的には、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、ｉ−プロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｉ−ブトキシフェニル基、ｓ−ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基等が例示される。
【００４８】
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基として具体的には、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｓ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が例示される。
【００４９】
アリールオキシ基は、非置換のアリールオキシ基及びハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールオキシ基を意味する。アリールオキシ基の炭素数は、通常６〜６０、好ましくは７〜４８、より好ましくは７〜３０程度である。その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基が好ましい。
【００５０】
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基として具体的には、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、ｉ−プロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、ｉ−ブトキシフェノキシ基、ｓ−ブトキシフェノキシ基、ｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基等が例示される。
【００５１】
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基として具体的には、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｓ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が例示される。
【００５２】
アリールチオ基は、非置換のアリールチオ基及びハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールチオ基を意味する。アリールチオ基の炭素数は、通常６〜６０、好ましくは７〜４８、より好ましくは７〜３０程度である。具体的には、フェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が例示される。
【００５３】
アリールアルキル基は、非置換のアリールアルキル基及びハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルキル基を意味する。アリールアルキル基の炭素数は、通常７〜６０、好ましくは７〜４８、より好ましくは７〜３０程度である。
具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基等が例示される。
【００５４】
アリールアルコキシ基は、非置換のアリールアルコキシ基及びハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルコキシ基を意味する。アリールアルコキシ基の炭素数は、通常７〜６０、好ましくは７〜４８、より好ましくは７〜３０程度である。具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基等が例示される。
【００５５】
アリールアルキルチオ基は、非置換のアリールアルキルチオ基及びハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルキルチオ基を意味する。アリールアルキルチオ基の炭素数は、通常７〜６０、好ましくは７〜４８、より好ましくは７〜３０程度である。具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基等が例示される。
【００５６】
アリールアルケニル基は、非置換のアリールアルケニル基及びハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルケニル基を意味する。アリールアルケニル基の炭素数は、通常８〜６０、好ましくは８〜４８、より好ましくは８〜３０程度である。その具体例としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基等が挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基が好ましい。
【００５７】
Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基としては、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、１−オクテニル基等が挙げられる。
【００５８】
アリールアルキニル基は、非置換のアリールアルキニル基及びハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルキニル基を意味する。アリールアルキニル基の炭素数は、通常８〜６０、好ましくは８〜４８、より好ましくは８〜３０程度である。その具体例としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基等が挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基が好ましい。
【００５９】
Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基としては、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基、１−オクチニル基等が挙げられる。
【００６０】
１価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、非置換の１価の複素環基及びアルキル基等の置換基で置換された１価の複素環基を意味する。１価の複素環基の炭素数は、置換基の炭素数を含めないで、通常３〜６０、好ましくは３〜３０、より好ましくは３〜２０程度である。ここに複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を含むものをいう。１価の複素環基の中でも、１価の芳香族複素環基が好ましい。１価の複素環基としては、例えば、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ピロリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられ、中でもチエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基が好ましい。
【００６１】
複素環チオ基は、メルカプト基の水素原子が１価の複素環基で置換された基を意味する。複素環チオ基としては、例えば、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジニルチオ基、トリアジニルチオ基等のヘテロアリールチオ基等が挙げられる。
【００６２】
アミノ基は、非置換のアミノ基並びにアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基から選ばれる１又は２個の置換基で置換されたアミノ基（以下、置換アミノ基という。）を意味する。置換基は更に置換基（以下、二次置換基という場合がある。）を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は、二次置換基の炭素数を含めないで、通常１〜６０、好ましくは２〜４８、より好ましくは２〜４０程度である。置換アミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ドデシルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基等が挙げられる。
【００６３】
シリル基は、非置換のシリル基並びにアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基から選ばれる１、２又は３個の置換基で置換されたシリル基（以下、置換シリル基という。）を意味する。置換基は二次置換基を有していてもよい。置換シリル基の炭素数は、二次置換基の炭素数を含めないで、通常１〜６０、好ましくは３〜４８、より好ましくは３〜４０程度である。置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル基、ジメチル−イソプロピルシリル基、ジエチル−イソプロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ドデシルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。
【００６４】
アシル基は、非置換のアシル基及びハロゲン原子等で置換されたアシル基を意味する。
アシル基の炭素数は、通常１〜２０、好ましくは２〜１８、より好ましくは２〜１６程度である。アシル基としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。
【００６５】
アシルオキシ基は、非置換のアシルオキシ基及びハロゲン原子等で置換されたアシルオキシ基を意味する。アシルオキシ基の炭素数は、通常１〜２０、好ましくは２〜１８、より好ましくは２〜１６程度である。アシルオキシ基としては、例えば、ホルミルオキシ基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
【００６６】
イミン残基は、式：Ｈ−Ｎ＝Ｃ＜及び式：−Ｎ＝ＣＨ−の少なくとも一方で表される構造を有するイミン化合物から、この構造中の水素原子１個を除いた残基を意味する。このようなイミン化合物としては、例えば、アルジミン、ケチミン及びアルジミン中の窒素原子に結合した水素原子がアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基等で置換された化合物が挙げられる。イミン残基の炭素数は、通常２〜２０、好ましくは２〜１８、より好ましくは２〜１６程度である。イミン残基としては、例えば、一般式：−ＣＲ'＝Ｎ−Ｒ''又は一般式：−Ｎ＝Ｃ（Ｒ''）２（式中、Ｒ'は水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基を表し、Ｒ''は、同一又は相異なり、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基を表し、ただし、Ｒ''が２個存在する場合、２個のＲ''は相互に結合し一体となって２価の基、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等の炭素数２〜１８のアルキレン基として環を形成してもよい。）で表される基等が挙げられる。
【００６７】
アミド基は、非置換のアミド基及びハロゲン原子等で置換されたアミド基を意味する。
アミド基の炭素数は、通常２〜２０、好ましくは２〜１８、より好ましくは２〜１６程度である。アミド基としては、例えば、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が挙げられる。
【００６８】
酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基を意味する。酸イミド基の炭素数は、通常４〜２０、好ましくは４〜１８、より好ましくは４〜１６程度である。
【００６９】
カルボキシル基は、非置換のカルボキシル基並びにアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、１価の複素環基等の置換基で置換されたカルボキシル基（以下、置換カルボキシル基という。）を意味する。置換基は二次置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数は、二次置換基の炭素数を含めないで、通常１〜６０、好ましくは２〜４８、より好ましくは２〜４５程度である。置換カルボキシル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｓ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００７０】
Ｘ価の芳香族炭化水素基は、芳香族炭化水素から水素原子Ｘ個を除いてなる原子団を意味し、独立したベンゼン環又は縮合環を持つものを含む。前記芳香族炭化水素基は、炭素原子数が通常６〜６０程度、好ましくは６〜４８であり、より好ましくは６〜３０であり、更に好ましくは６〜１８である。該炭素原子数は置換基の炭素原子数は含まない。芳香族炭化水素基の具体例としては、例えば２価の芳香族炭化水素基（アリーレン基）であれば、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基等の非置換又は置換のフェニレン基；１，４−ナフタレンジイル基、１，５−ナフタレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基等の非置換又は置換のナフタレンジイル基；１，４−アントラセンジイル基、１，５−アントラセンジイル基、２，６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基等の非置換又は置換のアントラセンジイル基；２，７−フェナントレンジイル基等の非置換又は置換のフェナントレンジイル基；１，７−ナフタセンジイル基、２，８−ナフタセンジイル基、５，１２−ナフタセンジイル基等の非置換又は置換のナフタセンジイル基；２，７−フルオレンジイル基、３，６−フルオレンジイル基等の非置換又は置換のフルオレンジイル基；１，６−ピレンジイル基、１，８−ピレンジイル基、２，７−ピレンジイル基、４，９−ピレンジイル基等の非置換又は置換のピレンジイル基；３，９−ペリレンジイル基、３，１０−ペリレンジイル基等の非置換又は置換のペリレンジイル基等が挙げられ、好ましくは、非置換又は置換のフェニレン基、非置換又は置換のフルオレンジイル基である。
【００７１】
Ｘ価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子Ｘ個を除いた残りの原子団をいい、炭素原子数が通常４〜６０程度、好ましくは４〜３０であり、特に好ましくは６〜１２である。該炭素原子数は置換基の炭素原子数は含まない。前記Ｘ価の複素環基の具体例としては、例えば２価の複素環基であれば、２，５−ピリジンジイル基、２，６−ピリジンジイル基等の非置換又は置換のピリジンジイル基；２，５−チオフェンジイル基等の非置換又は置換のチオフェンジイル基；２，５−フランジイル基等の非置換又は置換のフランジイル基；２，６−キノリンジイル基等の非置換又は置換のキノリンジイル基；１，４−イソキノリンジイル基、１，５−イソキノリンジイル基等の非置換又は置換のイソキノリンジイル基；５，８−キノキサリンジイル基等の非置換又は置換のキノキサリンジイル基；４，７−ベンゾ[１，２，５]チアジアゾールジイル基等の非置換又は置換のベンゾ[１，２，５]チアジアゾールジイル基；４，７−ベンゾチアゾールジイル基等の非置換又は置換のベンゾチアゾールジイル基；２，７−カルバゾールジイル基、３，６−カルバゾールジイル基等の非置換又は置換のカルバゾールジイル基；３，７−フェノキサジンジイル基等の非置換又は置換のフェノキサジンジイル基；３，７−フェノチアジンジイル基等の非置換又は置換のフェノチアジンジイル基；２，７−ジベンゾシロールジイル基等の非置換又は置換のジベンゾシロールジイル基等が挙げられ、好ましくは、非置換又は置換のベンゾ[１，２，５]チアジアゾールジイル基、非置換又は置換のフェノキサジンジイル基、非置換又は置換のフェノチアジンジイル基である。
【００７２】
感光性を有する基であって光二量化反応をしうる基は、紫外線領域から可視光領域の光エネルギーを吸収して二量化反応を起こす官能基であれば、特に限定なく用いることができる。光エネルギーの吸収を要する理由は、いわゆる微細パターニングを行う際には、化合物の感光性（光官能性）が利用されるからである。官能基が吸収する光エネルギーは、高エネルギーであると、光照射に要するコストが高くなり、また、周辺の有機材料が高エネルギーに晒されて劣化する可能性が生じるために、好ましくない。官能基が吸収するのに好ましい光は、波長が２００ｎｍ以上、好ましくは２００〜３８０ｎｍである。
【００７３】
ここでいう二量化とは、有機化合物の分子２個が化学的に結合することをいう。結合する分子同士は同種でも異種でもよい。２個の分子中の官能基同士の化学構造も同一であっても異なっていてもよい。但し、当該官能基は、触媒及び開始剤等の反応助剤を用いることなく光二量化反応を生じる構造、および組合せであることが好ましい。反応助剤の残基に接触すると周辺の有機材料が劣化する可能性があるからである。
【００７４】
これらの官能基としては、光二量化反応をしうる二重結合、あるいは光二量化反応をしうる部位を有する芳香族縮合環を有する基が好ましく用いられる。中でも、芳香族縮合環基は、比較的低エネルギーの光を吸収するため、より好ましく用いられる。好ましく用いられる官能基の具体例としては、桂皮酸エステル構造を有する基、カルコン構造を有する基、スチリルピリジニウム構造を有する基、α−フェニルマレイミド構造を有する基、アントリル基、クマリン構造を有する基などが挙げられる。
【００７５】
本発明において、撥液性を有する基および親液性を有する基は、相対的な意味で用いられる用語である。撥液性を有する基は親液性を有する基よりも撥液性の程度が高いものであれば足りる。撥液性を有する基は、該基を含む化合物からなる薄膜に撥液性を与える。例えば、撥液性を有する基を含む化合物からなる薄膜は、表面に水系インクの液滴を形成した場合に、接触角が８０°以上であり、かつ、該基を含む化合物からなる薄膜に塗布した有機溶媒系インクの液滴の接触角が４０°以上であることが好ましい。
【００７６】
親液性を有する基は、該基を含む化合物からなる薄膜に親液性を与える。例えば、親液性を有する基を含む化合物からなる薄膜は、表面に有機溶媒系インクの液滴を形成した場合に、接触角が５°以下であることが好ましい。
【００７７】
化合物（Ａ）としては、式（１−１）で表わされる化合物、式（１−２）で表される化合物が好適に用いられる。
【００７８】
【化９】
2011105655.tif 000010
（１−１）
【００７９】
（式中、Ｒａは、水素原子又は置換基を表す。複数個あるＲａは、同一でも相異なってもよい。また、隣り合うＲａは、それぞれ連結して、飽和炭化水素環、不飽和炭化水素環、芳香族炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、これらの環は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒａの少なくとも１つは、親液性を有する基である。ｎ１は０以上の整数を表す。）
【００８０】
【化１０】
2011105655.tif 000011
（１−２）
【００８１】
（式中、Ｒａは、水素原子又は置換基を表す。Ｘ１及びＹ１は、同一でも相異なっていてもよく、−Ｃ（Ｒａ）２−、−Ｎ（Ｒａ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｉ（Ｒａ）２−、−Ｂ（Ｒａ）−又は−Ｃ（Ｒａ）＝Ｃ（Ｒａ）−を表す。複数個あるＲａは、同一でも相異なってもよい。また、隣り合うＲａは、それぞれ連結して、飽和炭化水素環、不飽和炭化水素環、芳香族炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、これらの環は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒａの少なくとも１つは親液性を有する基である。ｐ１及びｍ１は、同一又は相異なり、０以上の整数を表す。）
【００８２】
Ｒａとしては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、アミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、アクリル酸エステル基が好ましい。ｎ１としては、０〜４が好ましい。Ｘ１としては、−Ｃ（Ｒａ）２−、−Ｎ（Ｒａ）−が好ましい。Ｙ１としては、−Ｃ（Ｒａ）２−、−Ｎ（Ｒａ）−が好ましい。ｐ１としては、０〜２が好ましい。ｍ１としては、０〜２が好ましい。
【００８３】
式（１−１）、式（１−２）で表わされる化合物の具体的な例示は、以下の化合物等が挙げられる。
【００８４】
【化１１】
2011105655.tif 000012
【００８５】
親液性を有する基中には、Ｗ２で表される基を含むことが好ましい。Ｗ２としては、水酸基、カルボキシル基、アシル基、アシルオキシ基、ハロカルボニル基（式：−Ｃ（＝Ｏ）−Ｅ（式中、Ｅはハロゲン原子を表す）で表される基を意味し、式：−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃｌで表される基及び式：−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂｒで表される基が好ましい。）、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基、リン酸基（式：（ＨＯ）２Ｐ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基）、リン酸エステル構造を有する基（式：（Ｒ１Ｏ）２Ｐ（＝Ｏ）−Ｏ−又は式：（Ｒ１Ｏ）（ＨＯ）Ｐ（＝Ｏ）−Ｏ−（式中、Ｒ１は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基又はアリールアルキニル基を表す）で表される基）、亜リン酸基（式：（ＨＯ）２Ｐ−Ｏ−で表される基）、亜リン酸エステル構造を有する基（式：（Ｒ１Ｏ）２Ｐ−Ｏ−又は式：（Ｒ１Ｏ）（ＨＯ）Ｐ−Ｏ−（式中、Ｒ１は前記のとおりである）で表される基）、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アリールアルキルチオ基、複素環チオ基、アミノ基等が例示される。これらの中で、ハロゲン原子、アルコキシ基、リン酸基、アミノ基又は水酸基であることが好ましい。
【００８６】
親液性を有する基は、周期表の４族、５族、６族、１３族、１４族、１５族又は１６族に属する原子を含む基であることが好ましい。４族、５族、６族、１３族、１４族、１５族又は１６族に属する原子としては、チタン原子、ジルコニウム原子、ハフニウム原子等の４族に属する原子；バナジウム原子、ニオブ原子、タンタル原子等の５族に属する原子；クロム原子、モリブデン原子、タングステン原子等の６族に属する原子；ホウ素原子、アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子、タリウム原子等の１３族に属する原子；ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、鉛原子等の１４族に属する原子；リン原子、ヒ素原子、アンチモン原子、ビスマス原子等の１５族に属する原子；酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、ポロニウム原子等の１６族に属する原子等が挙げられるが、スズ原子、チタン原子、ジルコニウム原子、アルミニウム原子、ニオブ原子、ホウ素原子、ケイ素原子、リン原子又は硫黄原子であることが好ましく、ジルコニウム原子、アルミニウム原子、チタン原子、ケイ素原子、リン原子又は硫黄原子であることがより好ましく、チタン原子又はケイ素原子であることがさらに好ましく、ケイ素原子であることが特に好ましい。
【００８７】
親液性を有する基は、式（３）で表わされる構造を含む基が好ましく、式（３）で表わされる構造からなる基がより好ましい。
【００８８】
【化１２】
2011105655.tif 000013
【００８９】
（式中、Ｍ１は、周期表の４族、５族、６族、１３族、１４族又は１５族に属する原子を表す。Ｗ１は、２価の有機基を表す。Ｗ２は前述と同じ意味を表す。Ｒａ’は、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基又はアリールアルキニル基を表す。ｖ１は、１以上（ｕ−１）以下の整数である。ｕはＭ１の原子価を表す。Ｗ２が複数個存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。Ｒａ’が複数個存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
【００９０】
式（３）中、Ｒａ’は、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基又はアリールアルキニル基を表わし、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基又はアリールアルキル基である。Ｒａ’で表される基は、置換基を有していてもよい。
【００９１】
式（３）中、ｕは、Ｍ１の原子価を表す。Ｍ１が、例えば、ケイ素原子、チタン原子、ジルコニウム原子等である場合、ｕは４であり、Ｍ１が、ホウ素原子、アルミニウム原子等である場合、ｕは３である。
【００９２】
式（３）中、ｖ１は１以上（ｕ−１）以下の整数である。好ましくは２以上の整数であり、より好ましくは３以上の整数である。
【００９３】
親液性を有する基のさらに好ましい態様としては、以下の式で表わされる基が挙げられる。
【００９４】
【化１３】
2011105655.tif 000014
【００９５】
（式中、Ｚは−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ａｋ−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ａｋ−を表し、Ａｒ１は（１＋ｙ１）価の芳香族炭化水素基又は（１＋ｙ１）価の複素環基を表し、Ａｋは炭素数１〜１２のアルキレン基を表し、Ｒａ1は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基又はアルキル基を表し、Ｒｃは水素原子又は置換基を表す。Ｒｃが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ｔ１は０又は１を表し、ｘ１は０又は１を表し、ｙ１は１以上の整数を表す。複数個あるＲａ１は、同一でも相異なっていてもよい。Ａｋが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。）
【００９６】
Ｒａ１としては、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子が好ましい。Ａｋとしては、炭素数１〜６のアルキレン基が好ましい。Ｚとしては、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−、−Ａｋ−が好ましい。ｘ１としては、１が好ましい。ｙ１としては、１〜３が好ましい。
【００９７】
親液性を有する基を含む化合物の具体的な例示は、以下の化合物等が挙げられる。
【００９８】
【化１４】
2011105655.tif 000015
【００９９】
【化１５】
2011105655.tif 000016
【０１００】
【化１６】
2011105655.tif 000017
【０１０１】
【化１７】
2011105655.tif 000018
【０１０２】
化合物（Ｂ）としては、式（２−１）で表わされる化合物、式（２−２）で表される化合物が好適に用いられる。
【０１０３】
【化１８】
2011105655.tif 000019
（２−１）
【０１０４】
（式中、Ｒｂは水素原子又は置換基を表す。複数個あるＲｂは、同一でも相異なってもよい。また隣り合うＲｂは、それぞれ連結して、飽和炭化水素環、不飽和炭化水素環、芳香族炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、これらの環は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒｂの少なくとも１つは、撥液性を有する基である。ｎ２は０以上の整数を表す。）
また、下記式で表わされる部分構造（２−２）を有するものも好適に用いられる。
【０１０５】
【化１９】
2011105655.tif 000020
（２−２）
【０１０６】
（式中、Ｒｂは、水素原子又は置換基を表す。Ｘ２及びＹ２は、同一でも相異なっていてもよく、−Ｃ（Ｒｂ）２−、−Ｎ（Ｒｂ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｉ（Ｒｂ）２−、−Ｂ（Ｒｂ）−又は−Ｃ（Ｒｂ）＝Ｃ（Ｒｂ）−を表す。複数個あるＲｂは、同一でも相異なってもよい。また隣り合うＲｂは、それぞれ連結して、飽和炭化水素環、不飽和炭化水素環、芳香族炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、これらの環は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒｂの少なくとも１つは撥液性を有する基である。ｐ２及びｍ２は、同一又は相異なり、０以上の整数を表す。）
【０１０７】
Ｒｂとしては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、アミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、アクリル酸エステル基が好ましい。ｎ２としては、０〜４が好ましい。Ｘ２としては、−Ｃ（Ｒｂ）２−、−Ｎ（Ｒｂ）−が好ましい。Ｙ２としては、−Ｃ（Ｒｂ）２−、−Ｎ（Ｒｂ）−が好ましい。ｐ２としては、０〜２が好ましい。ｍ２としては、０〜２が好ましい。
【０１０８】
式（２−１）、式（２−２）で表わされる化合物の具体的な例示は、以下の化合物等が挙げられる。
【０１０９】
【化２０】
2011105655.tif 000021
【０１１０】
撥液性を有する基としては、フッ素原子を含む以下の構造を含む基が例示される。
【０１１１】
【化２１】
2011105655.tif 000022
【０１１２】
ここで、Ｂはフッ素以外の原子からなる２価の基を表す。また、Ｒｂ１はフッ素原子を含む１価の有機基を表す。
ｎ３は０〜３の整数を表し、Ｂが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Ｂは−Ｏ−、芳香族炭化水素基、複素環基、アルキル基、又はアルキルオキシ基が好ましい。
【０１１３】
撥液性を有する基の好ましい態様としては、下記式で表される基が挙げられる。
【０１１４】
【化２２】
2011105655.tif 000023
【０１１５】
（式中、Ｚは−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ａｋ−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）−、−Ａｋ−Ｎ（Ｒｃ）Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒｃ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ａｋ−を表し、Ａｋは炭素数１〜１２のアルキレン基を表し、Ｒｃは水素原子又は置換基を表す。Ｒｃが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Ａｒ２は（１＋ｙ２）価の芳香族炭化水素基又は（１＋ｙ２）価の複素環基を表し、Ｒｂ１はフッ素原子を含む１価の有機基を表し、ｔ２は０又は１を表し、ｘ２は０又は１を表し、ｙ２は１以上の整数を表す。Ｒｂ１が複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。）
【０１１６】
撥液性を有する基の好ましい態様としては、下記式で表される基が挙げられる。
【０１１７】
【化２３】
2011105655.tif 000024
【０１１８】
（式中、Ａｒ２、Ｒｂ１、Ａｋ、ｔ２、ｘ２、ｙ２は前述と同じ意味を表す。）
【０１１９】
フッ素原子を含む１価の有機基であるＲｂ１は、有機基の中の水素原子の１個以上がフッ素原子で置換された基である。特に、有機基としてはアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基又はアリールアルキニル基が好ましく、アルキル基がより好ましい。アルキル基の炭素原子数としては、撥液性の観点からは、１〜２０個が好ましく、４〜１８個がより好ましく、６〜１７個がさらに好ましい。
【０１２０】
Ｒｂ１中のフッ素原子の数は、Ｒｂ１中のフッ素原子の数とＲｂ１中の水素原子の数との和でＲｂ１中のフッ素原子の数を割った値（置換率）が、撥液性の観点からは、５０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましい。また、特に、有機基がアルキル基である場合、その全ての水素原子がフッ素原子で置換された、いわゆるパーフルオロアルキル基が、撥液性の観点からは好ましい。
【０１２１】
Ａｒ２としては、フェニレン基、フェニルトリイル基、フェニルテトライル基、ナフタレンジイル基、ナフタレントリイル基、ナフタレンテトライル基、アントラセンジイル基、アントラセンテトライル基、フルオレンジイル基、フルオレントリイル基が好ましい。ｔ２としては、１が好ましい。ｘ２としては、１が好ましい。ｙ２としては、１〜５が好ましい。
【０１２２】
撥液性を有する基のさらに好ましい態様としては、下記式で表される基が挙げられる。
【０１２３】
【化２４】
2011105655.tif 000025
【０１２４】
（式中、Ａｒ２、Ａｋ、ｔ２、ｘ２、ｙ２は前述と同じ意味を表す。Ｋは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−又は−ＮＲ−を表す。Ｒはアルキル基又はアリール基を表す。ｋは０又は１を表し、ｒは０〜６の整数を表し、ｓは０〜１６の整数を表す。ｋが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ｒが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ｓが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。）
【０１２５】
Ｋとしては、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ−が好ましい。ｋとしては、１が好ましい。ｒとしては、０〜３が好ましい。ｓとしては、１〜１０が好ましい。
【０１２６】
撥液性を有する基を含む化合物の具体的な例示は、以下の化合物等が挙げられる。
【０１２７】
【化２５】
2011105655.tif 000026
【０１２８】
【化２６】
2011105655.tif 000027
【０１２９】
【化２７】
2011105655.tif 000028
【０１３０】
【化２８】
2011105655.tif 000029
【０１３１】
【化２９】
2011105655.tif 000030
【０１３２】
本発明において、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）とを二量化反応させる方法は、光の照射による。光照射に用いる光は、当該化合物がその光エネルギーを吸収して二量化反応を起こす波長領域であれば特に限定されない。例示するならば、２００ｎｍ以上かつ３８０ｎｍ以下の波長の光が好ましい。２００ｎｍ未満の光は非常に強力なエネルギーを有するので、基材や化合物の分解を引き起こす恐れがある。また３８０ｎｍより長い波長の光は、当該化合物が吸収しない領域の光となる可能性が大きい。照射時間は、光の波長、光の強度、光源の種類、当該化合物の種類等に応じて、適宜変更される。
【０１３３】
光源としては、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、キセノンランプ、ナトリウムランプ、窒素等の気体レーザー、有機色素溶液の液体レーザー、無機単結晶に希土類イオンを含有させた固体レーザー等が挙げられる。また、単色光が得られるレーザー以外の光源としては、広帯域の線スペクトル、連続スペクトルをバンドパスフィルター、カットオフフィルター等の光学フィルターを使用して取出した特定波長の光を使用してもよい。一度に大きな面積を照射することができることから、光源としては高圧水銀ランプまたは超高圧水銀ランプが好ましい。
【０１３４】
本発明において、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）とを光の照射により二量化反応させる方法によって形成される化合物の一態様として、飽和の環状構造または不飽和の環状構造で結合された化合物が挙げられる。飽和の環状構造または不飽和の環状構造で結合された化合物としては、シクロアルカン構造、シクロアルケン構造またはシクロアルカジエン構造で結合された化合物等が挙げられる。
【０１３５】
本発明の具体的な例示は、以下の化合物等が挙げられる。
【０１３６】
【化３０】
2011105655.tif 000031
【０１３７】
（式中、ＲＡは化合物（Ａ）に由来する基であり、ＲＢは化合物（Ｂ）に由来する基である）
【０１３８】
【化３１】
2011105655.tif 000032
【０１３９】
（式中、Ｒａ、Ｒｂは前述と同じ意味を表す。）
【０１４０】
【化３２】
2011105655.tif 000033
【０１４１】
（式中、Ｒａ、Ｒｂは前述と同じ意味を表す。）
【０１４２】
本発明の化合物を、光の照射によって親液性領域と撥液性領域とをパターニングするために用いる方法を以下に説明する。
【０１４３】
まず、ガラス、ＩＴＯ（インジウム・スズ・オキサイド）つきの基板、シリコンウェハーなどの基板を、通常の湿式洗浄・乾式洗浄法を用いて洗浄する。次に化合物（Ａ）を有機溶媒に溶解した溶液を該基板上に塗布する。用いる溶媒としては、化合物（Ａ）が溶解するものであれば特に限定はないが、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ヘキサン等の炭化水素類、トルエンやキシレンなどの芳香族類が好ましい。溶液中の化合物（Ａ）の濃度は０．０１〜５０重量％が好ましく、０．１〜１０重量％がより好ましい。
【０１４４】
塗布する方法としては特に限定はないが、スピンコート、ディップコート、ワイヤーバーコート、ブレードコート、ロールコートなどのコーティング、あるいはインクジェットやフレキソ印刷などの各種印刷方法などの方法が採用できる。塗布は、室温下で行なうことが好ましい。次に、基板上に膜を形成した基材を大気中、または窒素気流中で加熱乾燥する。この加熱乾燥により、基板の表面にＯＨ基を有し、かつ、化合物（Ａ）がチタンやケイ素を有する基を有し、所謂チタンカップリング剤、あるいはシランカップリング剤として機能する基を有する場合には、該基と基板上のＯＨ基が反応し、化合物（Ａ）が基板上に固定されることとなる。
【０１４５】
基板の加熱乾燥後、化合物（Ａ）を塗布し、膜を形成した面に、化合物（Ｂ）を有機溶媒に溶解した溶液を塗布する。用いる溶媒としては、化合物（Ｂ）が溶解するものであれば特に限定はないが、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ヘキサン等の炭化水素類、トルエンやキシレンなどの芳香族類が好ましく、これらの中でもフッ素原子を有する溶媒を用いることがより好ましい。溶液中の化合物（Ｂ）の濃度は０．０１〜５０重量％が好ましく、０．１〜１０重量％がより好ましい。
【０１４６】
化合物（Ｂ）を塗布後、基材を窒素気流中で加熱乾燥し、その後光照射を行なう。光照射に用いる光としては、前述した通りである。光の照射はフォトマスクを介して行うことが好ましい。この方法により、膜の表面の所望の領域でのみ光二量化反応を起こすことが可能であり、親液性領域と撥液性領域が所望のパターンを形成した処理基材を得ることができる。光照射する雰囲気は任意に選択することができるが、窒素ガス雰囲気等の不活性ガス雰囲気下で光照射するのがより好ましい。不活性ガスとしては、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素等から選ばれるガスが挙げられ、安価に入手できるため窒素ガスが最も好ましい。
【０１４７】
光照射を行なった後、基材の表面に存在する未反応の化合物（Ｂ）を除去する。除去の方法としては、未反応の化合物（Ｂ）が溶解する溶媒で洗浄するのが好ましい。洗浄に用いる溶媒としては、化合物（Ａ）を溶解せず、かつ、化合物（Ｂ）が溶解するものであれば特に限定はないが、フッ素原子を有する溶媒が好ましい。
【０１４８】
このようにして、光照射した領域には、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）が二量化した化合物が存在するため、その領域は化合物（Ｂ）が有する撥液性の基の効果により、撥液性を示す。一方、光照射しなかった領域は、化合物（Ｂ）は洗浄によって除去されるため、化合物（Ａ）が基板に結合した状態となり、撥液性を示さず、相対的に親液性となる。
【０１４９】
本発明の化合物を用いることによって、大規模な装置や光源を用いることなく、親液性領域と撥液性領域とを光の照射によってパターニングすることができる。例えば該パターニング面に、スロットコート法やスプレイ法などで機能性材料を塗布した場合、撥液性領域では溶液は塗布されず、親液性領域のみに溶液が保持されるので、乾燥後には機能性材料が精緻にパターニングされた薄膜が得られる。このようにして得られるパターニングされた機能性薄膜は、有機薄膜トランジスタ素子、有機薄膜太陽電池、有機ＥＬディスプレイなどの分野において有用に用いることができる。
【実施例】
【０１５０】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１５１】
合成例１
化合物１の合成
【０１５２】
【化３３】
2011105655.tif 000034
（化合物１）
【０１５３】
２００ｍｌ二口ナス型フラスコに9-Anthracenecarboxilic acid（９−アントラセンカルボン酸） 1.0 g (4.5 mmol)、DCC（N，N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド） 0.93 g (4.5 mmol)、HOBt（１−ヒドロキシベンゾトリアゾール）0.61 g (4.5 mmol)を入れ、脱気アルゴン置換した。dry CH2Cl2（脱水塩化メチレン）３60 ml、APS（３−アミノプロピルトリメトキシシラン） 1.0 g (4.5 mmol)、Et3N（トリエチルアミン） 0.45 g (4.5 mmol)を加え、室温にて24時間磁気攪拌した。TLC (展開溶媒：クロロホルム)にて反応の進行を確認したため反応を停止し、溶媒を減圧留去したのち、カラムクロマトグラフィー (シリカゲル、展開溶媒：クロロホルム)にて精製した。 収量は 360 mg (0.85 mmol、 収率20 %) であった。
【０１５４】
1H NMR (CDCl3)：δ= 8.46 (s, 1H), 8.07 (d, 2H), 7.99 (d, 2H), 7.48 (m, 4H), 6.42 (s, 1H), 3.75 (m, 6H), 1.90 (m, 2H), 1.25 (m, 2H), 1.12 (m, 9H), 0.77 (t, 2H)
【０１５５】
合成例２
化合物２−１の合成
【０１５６】
【化３４】
2011105655.tif 000035
（化合物２−１）
【０１５７】
ジムロート管、セプタムカバー付き三口丸底フラスコに没食子酸メチル268mg (1.5 mmol，1.0eq.)、ヘプタデカフルオロウンデシルアイオド3.0 g （0.51mmol、3.5eq.)、１８−クラウン−６−エーテル115mg（0.043mmol、0.3eq.）、炭酸カリウム760mgを加え脱気アルゴン置換した。脱水アセトン20ｍｌを加え３日間還流した。TLC（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）にて原料の消失を確認した後に、蒸留水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムによって乾燥後、溶媒を減圧留去した。精製は再結晶（アセトン）によって行った。化合物２−１の収量は 2.0 g（1.3 mmol、 収率89 %）であった。
【０１５８】
1H NMR (CDCl3)：δ= 7.28 (s, 2H), 4.11 (t, 3H), 4.05 (t, 2H), 3.89 (s, 3H), 2.33 (m, 6H), 2.15 (m, 4H), 2.08 (m, 2H)
【０１５９】
合成例３
化合物２−２の合成
【０１６０】
【化３５】
2011105655.tif 000036
（化合物２−１）                                （化合物２−２）
【０１６１】
ジムロート管、セプタムカバー付き三１００ｍｌ三口丸底フラスコにリチウムアルミニウムハイドライド49.5 mg (1.9 mmol、2.0eq.)を入れ脱気アルゴン置換した。そこへ脱水THF（テトラヒドロフラン）１０ｍｌ、化合物２−１  1.5 g（1.0mmol）を入れ２時間還流した。TLC（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）にて原料の消失を確認した後に、溶媒を減圧留去した。精製は再結晶（アセトン）によって行った。化合物２−２の収量は 1.4 g（0.91  mmol, 収率91％）であった。
【０１６２】
1H NMR (CDCl3)：δ= 6.59 (s, 2H), 4.60 (d, 2H), 4.06 (t, 4H), 3.97 (t, 2H), 2.33 (m, 6H), 2.15 (m, 4H), 2.08 (m, 2H)
【０１６３】
合成例４
化合物２の合成
【０１６４】
【化３６】
2011105655.tif 000037
（化合物２）
【０１６５】
ジムロート冷却管付き100 ml二口ナス型フラスコに9-Anthracenecarboxilic acid（９−アントラセンカルボン酸） 17.3 mg (0.078 mmol)を入れ、脱気アルゴン置換した。dry CH2Cl2（脱水ジクロロメタン）5 ml、DMF（Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド） 50 ｍl、塩化チオニル 13mg (16.7 mmol) を加え室温にて0.5時間、その後4時間還流した。攪拌後溶媒を減圧留去し、化合物２−２ 100mg (0.065 mmol)、脱水トリフルオロトルエン 10 ml、ピリジン 0.5 mlを加え室温にて24時間磁気攪拌した。反応後蒸留水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥させたのち再結晶（アセトン）によって精製した。化合物２の収量は 31 mg (0.018 mmol、収率27 %)であった。 
【０１６６】
実施例１
次に、実施例について説明する。先ず、ガラス基板を以下の手順にて洗浄した。即ち、アセトンによる３０分間の超音波洗浄を行い、その後１５分間のＵＶオゾン洗浄を行った。
【０１６７】
次に、上記で得た化合物１を脱水ジクロロエチレンと脱水トルエンの等量混合溶媒に対し、４ｍＭの濃度で溶解した。この化合物１の溶液中に、洗浄が終了したガラス基板を２０分間浸漬した。
【０１６８】
その後、ガラス基板を取り出し、ホットプレートによって、大気中、１１０℃、２０分の条件で乾燥を行った。乾燥後、ガラス基板にクロロホルムをかけ流して、過剰の化合物１を除去し、化合物１を含む膜を形成した。
【０１６９】
次に、上記で得た化合物２を、クロロホルムに対し１ｍＭの濃度で溶解した。この化合物２の溶液中に、化合物１を塗布した基板を２０分間浸漬した。その後取り出し、大気中にて自然乾燥させ、化合物１を含む膜上に化合物２を含む膜を形成した。
【０１７０】
次に、化合物２を含む膜に紫外線を照射した。紫外線は通常の光源を用い、波長３６５ｎｍの光を５１ｍＷ／ｃｍ２の強度で２０分間照射した。照射後、トリフルオロトルエンを基板全体にかけ流し、未反応の化合物２を除去した。光照射部において、化合物１と化合物２が光二量化反応し、下記化合物が生成した。下記化合物は、撥液性を有する基を有するため、撥液性領域を形成する。
【０１７１】
【化３７】
2011105655.tif 000038
【０１７２】
このようにして得られた基板について、アニソールに対する接触角を接触角測定器（ｄａｔａｐｈｙｓｉｃｓ社製  ＯＣＡ−３０）を用いて測定したところ、２５度であった。
【０１７３】
実施例２
先ず、ガラス基板を以下の手順にて洗浄した。即ち、アセトンによる３０分間の超音波洗浄を行い、その後１５分間のＵＶオゾン洗浄を行った。
【０１７４】
次に、上記で得た化合物１を脱水ジクロロエチレンと脱水トルエンの等量混合溶媒に対し、４ｍＭの濃度で溶解した。この化合物１の溶液中に、洗浄が終了したガラス基板を２０分間浸漬した。
【０１７５】
その後、ガラス基板を取り出し、ホットプレートによって、大気中、１１０℃、２０分の条件で乾燥を行った。乾燥後、ガラス基板にクロロホルムをかけ流して、過剰の化合物１を除去し、化合物１を含む膜を形成した。
【０１７６】
次に、上記で得た化合物２を、クロロホルムに対し１ｍＭの濃度で溶解した。この化合物２の溶液中に、化合物１を塗布した基板を２０分間浸漬した。その後取り出し、大気中にて自然乾燥させ、化合物１を含む膜上に化合物２を含む膜を形成した。
【０１７７】
次に、トリフルオロトルエンを基板全体にかけ流し、未反応の化合物２を除去した。光照射を行わない場合、化合物２を含む膜が除去され、該部の表面に化合物１を含む膜が存在するため、親液性領域となる。
【０１７８】
このようにして得られた基板について、アニソールに対する接触角を接触角測定器（ｄａｔａｐｈｙｓｉｃｓ社製  ＯＣＡ−３０）を用いて測定したところ、５度であった。