(57)【要約】【課題】透過率が高く、表示ムラを抑制できる液晶表示パネルおよび表示品位の高い液晶表示装置を提供する。【解決手段】画素において、第１の枝配線７ｄ・７ｅが形成されている領域の面積が第２の枝配線７ｇ・７ｈが形成されている領域の面積より大きく、第１の枝配線７ｄ・７ｅ中、第２の幹配線７ｆと重なる方位に伸びる第１の枝配線７ｄ・７ｅの先端と第２の幹配線７ｆとは、５μｍ以上離されており、第１の枝配線７ｄ・７ｅ中、第２の枝配線７ｇ・７ｈに最も隣接する第１の枝配線７ｄ・７ｅと第２の枝配線７ｇ・７ｈ中、第１の枝配線７ｄ・７ｅに最も隣接する第２の枝配線７ｇ・７ｈとは、微細スリット１４の幅より広く離されている。【選択図】図１
2011154101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像信号電圧を制御するアクティブ素子と上記アクティブ素子に絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続された画素電極とが、マトリクス状に配された画素毎に備えられた第１の絶縁基板と、
上記第１の絶縁基板と対向するように配置され、対向電極が備えられた第２の絶縁基板と、
上記第１の絶縁基板における上記画素電極の形成面と上記第２の絶縁基板における上記対向電極の形成面とに挟持された負の誘電率異方性を有する液晶層とを備えた液晶表示パネルであって、
上記画素電極は、上記画素の上下方向および／または左右方向に垂直線状に伸びる第１の幹配線と、
上記第１の幹配線に接続され、上記液晶層に電圧が印加された際に、上記液晶層における液晶分子が少なくとも二つ以上の異なる方位に倒れるように、少なくとも二つ以上の異なる方位に伸びる一定幅を有する微細スリットを形成するように設けられた複数の第１の枝配線と、
上記コンタクトホールを覆うように上記画素の隅部に形成され、上記第１の幹配線と接続されている第２の幹配線と、
上記第２の幹配線に接続され、上記微細スリットを形成するように設けられた複数の第２の枝配線とを備えており、
上記画素において、第１の枝配線が形成されている領域の面積が第２の枝配線が形成されている領域の面積より大きく、
上記第１の枝配線中、上記第２の幹配線と重なる方位に伸びる第１の枝配線の先端と上記第２の幹配線とは、５μｍ以上離されており、
上記第１の枝配線中、上記第２の枝配線に最も隣接する第１の枝配線と上記第２の枝配線中、上記第１の枝配線に最も隣接する第２の枝配線とは、上記微細スリットの幅より広く離されていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
上記第１の枝配線および上記第２の枝配線は、線幅が５μｍ以下で、上記微細スリットの幅も５μｍ以下となるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
上記第１の枝配線中、上記第２の枝配線に最も隣接する第１の枝配線と上記第２の枝配線中、上記第１の枝配線に最も隣接する第２の枝配線とは、上記微細スリットの幅の１．５倍以下で離されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
上記第１の枝配線中、上記第２の幹配線と重なる方位に伸びる第１の枝配線の先端と上記第２の幹配線とは、５μｍ離されていることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
上記第１の枝配線および上記第２の枝配線は、上記第１の幹配線が上記画素の右方向に垂直線状に伸びる方位を０度とした時に、反時計回りに角度を定義して、４５度、１３５度、２２５度および３１５度方位に伸びる上記微細スリットを形成するように設けられていることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
請求項１から５の何れか１項に記載の液晶表示パネルと、上記液晶表示パネルに光を照射する面光源装置とを備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルおよび液晶表示装置に関し、特には液晶分子を多方向に配向できるように形成された電極を備えた液晶表示パネルおよび液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ブラウン管（ＣＲＴ）に代わり急速に普及している液晶表示装置は、省エネ型、薄型、軽量型等の特徴を活かしテレビ、モニター、携帯電話等に幅広く利用されている。
【０００３】
液晶表示装置において、従来から最も一般的に使用されて来たのが、正の誘電率異方性を有する液晶分子を用いるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード方式である。しかしながら、このＴＮモード方式の液晶表示装置のコントラストや色調などの画質は、上記液晶表示装置を正面方向から見た場合に比べて、上下左右の斜め方向から見た場合に、著しく劣るという問題がある。
【０００４】
すなわち、上記ＴＮモード方式の液晶表示装置は、画質の視野角依存性が大きいため、正面方向以外からの観賞が想定される用途には不向きである。
【０００５】
このような画質の視野角依存性を改善した液晶表示装置としては、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示装置、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示装置などが知られている。
【０００６】
しかし、上記ＩＰＳモードの液晶表示装置においては、印加電圧に応じて基板面に平行な面内で液晶分子の向きが変化するので、画質の視野角依存性は大きく改善されるものの、ＴＦＴ基板における画素毎に、上記液晶分子を基板面に平行な面内で制御するために設けられた二つの電極上には、液晶分子を制御することができない領域が存在し、実質的な開口率の低下を招いてしまうという問題がある。
【０００７】
一方、ＭＶＡモードの液晶表示装置においては、液晶層を挟持する一対の基板の少なくとも一方における上記液晶層と接する面には、突起物や微細なスリットを有する電極の何れか、または、これらの組み合わせの周期的なパターンが設けられており、これにより、各画素内において、液晶分子が配向される方向がそれぞれ異なる領域を形成し、広視野角特性を実現している。
【０００８】
しかしながら、上記突起物を形成するためには、別途のレジスト工程を追加する必要があり、製造工数の増加を招いてしまうとともに、上記突起物の形成領域においては、透過率が低下してしまうという問題がある。
【０００９】
そこで、ＭＶＡモードの液晶表示装置において、多方向に伸び、所定幅を有する多数の微細スリットを備えた形状にパターニングされた透明画素電極を用いて、液晶分子を多方向に配向させる技術が提案されている。
【００１０】
例えば、特許文献１には、１画素領域において液晶分子を異なる４方向に配向させることができる透明画素電極を備えた液晶表示装置について記載されている。
【００１１】
図１７に図示されているように、１画素領域１０３は、データ配線１１３とゲート配線
１１４とによって囲まれる領域で形成され、データ配線１１３とゲート配線１１４とが交差する箇所の近傍には図示されてないが、ＴＦＴ素子が形成されている。
【００１２】
１画素領域１０３の左右方向の中央と上下方向の上半分領域の中央とには、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる透明画素電極の幹配線１４０が形成されており、図１７における右方位を０度とした時に反時計回りに角度を定義して、４５度、１３５度、２２５度および３１５度方位に伸びる複数の微細スリットを形成するように、上記透明画素電極の枝配線１４１・１４２・１４３・１４４が幹配線１４０接続されて形成されている。
【００１３】
このような構成であるため、電圧印加時には、１画素領域１０３において液晶分子は、異なる４方向に配向させることとなる。
【００１４】
なお、ゲート配線１１４と平行に形成された透明画素電極の幹配線１４０の下層には、絶縁層を介してＣＳバスライン８１２が形成されている。
【００１５】
また、図示されているように、１画素領域１０３における左上方位には、上記ＴＦＴ素子のドレイン電極と上記透明画素電極とを電気的に接続させるためのコンタクトホール９０１が形成されている。
【００１６】
図１７における下側の図は、コンタクトホール９０１が形成された領域付近の透明画素電極の形状を示す部分拡大図である。
【００１７】
図示されているように、コンタクトホール９０１が形成された領域付近において上記透明画素電極は、コンタクトホール９０１を覆うように四角形状に形成された部分１４５、上記１３５度方位に伸びる複数の微細スリットを形成するように、四角形状を有する部分１４５に接するように形成された枝配線１４２ｂ・１４３ｃと四角形状を有する部分１４５の極力近くまで形成された枝配線１４２ａとが互いに平行に一定間隔で形成されている。
【００１８】
したがって、上記構成によればコンタクトホール９０１が形成された領域付近においても可能な限りの領域に微細スリットを形成できるように、上記透明画素電極の枝配線１４２ａ・１４２ｂ・１４２ｃが形成されている。
【００１９】
上記構成によれば、良好な広視野角特性と高輝度特性とを示す液晶表示装置を実現することができると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】特開２００７−２４９２４３号公報（２００７年９月２７日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
しかしながら、上記特許文献１に記載されているような微細スリットを有する透明画素電極用いた液晶表示装置においては、図１７に示すコンタクトホール９０１が形成された領域付近では、液晶分子の配向が乱れ、良好な配向を得ることができない。すなわち、電圧印加時に液晶分子を偏光板の軸方向に対して４５度の方向に配向させることができない。
【００２２】
さらに詳しく説明すると、コンタクトホール９０１が形成された領域付近では、上記透
明画素電極は、コンタクトホール９０１を覆うように四角形状に形成される部分を（透明画素電極における四角形状を有する部分１４５）有する。
【００２３】
上記透明画素電極における四角形状を有する部分１４５のエッジ部分においては、電圧印加時に液晶分子は、四角形状を有する部分１４５の中心部分に向かって倒れるため、図１７における右方位を０度とした時に反時計回りに角度を定義して、１３５度方位に伸びる複数の微細スリットを形成するように、互いに平行で一定間隔に形成された上記透明画素電極の枝配線１４２における電圧印加時の液晶分子の配向とは異なる。
【００２４】
上記特許文献１においては、コンタクトホール９０１が形成された領域付近においても可能な限りの領域に微細スリットを形成できるように、上記透明画素電極の枝配線１４２ａ・１４２ｂ・１４２ｃが、上記透明画素電極における四角形状を有する部分１４５の極力近くにまで形成されている。
【００２５】
したがって、上記透明画素電極における四角形状を有する部分１４５の液晶分子の配向の乱れが、その周辺領域である上記透明画素電極の枝配線１４２ａ・１４２ｂ・１４２ｃで形成される領域の液晶分子の配向に影響を与え易い構成となっている。
【００２６】
すなわち、上記特許文献１の構成は、上記透明画素電極における四角形状を有する部分１４５の液晶分子の配向の乱れが、その周辺領域に及ぼす影響を抑制できるように上記透明画素電極の枝配線１４２ａ・１４２ｂ・１４２ｃの配置を最適化していないので、上記透明画素電極における四角形状を有する部分１４５の液晶分子の配向の乱れが、その周辺領域に影響を及ぼし、比較的広い領域において液晶分子の配向の乱れが生じることとなる。
【００２７】
このように液晶分子の配向の乱れが生じる領域においては、透過率の低下や表示ムラが発生するため、結果として液晶表示装置の表示品位の劣化を招いてしまうという問題がある。
【００２８】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、透過率が高く、表示ムラを抑制できる液晶表示パネルを提供するとともに、表示品位の高い液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
本発明の液晶表示パネルは、上記の課題を解決するために、画像信号電圧を制御するアクティブ素子と上記アクティブ素子に絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続された画素電極とが、マトリクス状に配された画素毎に備えられた第１の絶縁基板と、上記第１の絶縁基板と対向するように配置され、対向電極が備えられた第２の絶縁基板と、上記第１の絶縁基板における上記画素電極の形成面と上記第２の絶縁基板における上記対向電極の形成面とに挟持された負の誘電率異方性を有する液晶層とを備えた液晶表示パネルであって、上記画素電極は、上記画素の上下方向および／または左右方向に垂直線状に伸びる第１の幹配線と、上記第１の幹配線に接続され、上記液晶層に電圧が印加された際に、上記液晶層における液晶分子が少なくとも二つ以上の異なる方位に倒れるように、少なくとも二つ以上の異なる方位に伸びる一定幅を有する微細スリットを形成するように設けられた複数の第１の枝配線と、上記コンタクトホールを覆うように上記画素の隅部に形成され、上記第１の幹配線と接続されている第２の幹配線と、上記第２の幹配線に接続され、上記微細スリットを形成するように設けられた複数の第２の枝配線とを備えており、上記画素において、第１の枝配線が形成されている領域の面積が第２の枝配線が形成されている領域の面積より大きく、上記第１の枝配線中、上記第２の幹配線と重なる方位に伸びる第１の枝配線の先端と上記第２の幹配線とは、５μｍ以上離されており、上
記第１の枝配線中、上記第２の枝配線に最も隣接する第１の枝配線と上記第２の枝配線中、上記第１の枝配線に最も隣接する第２の枝配線とは、上記微細スリットの幅より広く離されていることを特徴としている。
【００３０】
上記アクティブ素子と上記画素電極とを電気的接続するためのコンタクトホールを覆うように上記画素の隅部に形成された画素電極の第２の幹配線形成領域においては、上記第１の枝配線が形成されている領域とは異なり、電圧印加時に液晶分子の配向に乱れが生じる。
【００３１】
従来構成においては、画素電極の構造が最適化されていなかったため、上記第２の幹配線形成領域において生じた液晶分子の配向の乱れが、液晶分子の配向の乱れが生じていない領域である上記第１の枝配線が形成されている領域にまで影響を及ぼし、このような液晶表示パネルにおいては、透過率の低下や表示ムラが生じていた。
【００３２】
上記構成によれば、上記第１の枝配線中、上記第２の幹配線と重なる方位に伸びる第１の枝配線の先端と上記第２の幹配線とは、５μｍ以上離されており、上記第１の枝配線中、上記第２の枝配線に最も隣接する第１の枝配線と上記第２の枝配線中、上記第１の枝配線に最も隣接する第２の枝配線とは、上記微細スリットの幅より広く離されている。
【００３３】
すなわち、上記第２の幹配線形成領域において生じた液晶分子の配向の乱れが、液晶分子の配向の乱れが生じていない領域である上記第１の枝配線が形成されている領域に及ぼす影響を抑制できるように画素電極が最適化されている。
【００３４】
したがって、上記構成によれば、透過率が高く、表示ムラを抑制できる液晶表示パネルを実現することができる。
【００３５】
本発明の液晶表示パネルにおいて、上記第１の枝配線および上記第２の枝配線は、線幅が５μｍ以下で、上記微細スリットの幅も５μｍ以下となるように形成されていることが好ましい。
【００３６】
本発明の液晶表示パネルにおいて、上記第１の枝配線中、上記第２の枝配線に最も隣接する第１の枝配線と上記第２の枝配線中、上記第１の枝配線に最も隣接する第２の枝配線とは、上記微細スリットの幅の１．５倍以下で離されていることが好ましい。
【００３７】
上記第１の枝配線中、上記第２の枝配線に最も隣接する第１の枝配線と上記第２の枝配線中、上記第１の枝配線に最も隣接する第２の枝配線とが、上記微細スリットの幅の１．５倍より広く離された場合においては、上記微細スリットの幅が広過ぎることに起因して液晶分子を制御することができず、透過率の低下や表示ムラを招いてしまう領域が生じることとなる。
【００３８】
上記構成によれば、このような領域が生じることを抑制することができるので、透過率が高く、表示ムラを抑制できる液晶表示パネルを実現することができる。
【００３９】
本発明の液晶表示パネルにおいて、上記第１の枝配線中、上記第２の幹配線と重なる方位に伸びる第１の枝配線の先端と上記第２の幹配線とは、５μｍ離されていることが好ましい。
【００４０】
上記第１の枝配線中、上記第２の幹配線と重なる方位に伸びる第１の枝配線の先端と上記第２の幹配線とは、上記第２の幹配線形成領域において生じた液晶分子の配向の乱れが、液晶分子の配向の乱れが生じていない領域である上記第１の枝配線が形成されている領
域に影響を及ぼさない最短距離を離せばよい。
【００４１】
上記第１の枝配線中、上記第２の幹配線と重なる方位に伸びる第１の枝配線の先端と上記第２の幹配線とを必要以上に離すと、その分、第１の枝配線の形成領域が小さくなるので、液晶表示パネルの透過率の低下や表示ムラの原因となってしまう。
【００４２】
上記構成によれば、上記第１の枝配線中、上記第２の幹配線と重なる方位に伸びる第１の枝配線の先端と上記第２の幹配線とは、上記第２の幹配線形成領域において生じた液晶分子の配向の乱れが、液晶分子の配向の乱れが生じていない領域である上記第１の枝配線が形成されている領域に影響を及ぼさない最短距離である５μｍ離されている。
【００４３】
本発明の液晶表示パネルにおいて、上記第１の枝配線および上記第２の枝配線は、上記第１の幹配線が上記画素の右方向に垂直線状に伸びる方位を０度とした時に、反時計回りに角度を定義して、４５度、１３５度、２２５度および３１５度方位に伸びる上記微細スリットを形成するように設けられていることが好ましい。
【００４４】
上記構成によれば、１画素において、電圧印加時に液晶分子が異なる４方向に配向されるようになっているため、広視野角特性を有する液晶表示パネルを実現することができる。
【００４５】
本発明の液晶表示装置は、上記の課題を解決するために、上記液晶表示パネルと、上記液晶表示パネルに光を照射する面光源装置とを備えていることを特徴としている。
【００４６】
上記構成によれば、透過率が高く、表示ムラを抑制できる液晶表示パネルと、上記液晶表示パネルに光を照射する面光源装置とを備えているため、表示品位の高い液晶表示装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００４７】
本発明の液晶表示パネルは、以上のように、上記画素電極は、上記画素の上下方向および／または左右方向に垂直線状に伸びる第１の幹配線と、上記第１の幹配線に接続され、上記液晶層に電圧が印加された際に、上記液晶層における液晶分子が少なくとも二つ以上の異なる方位に倒れるように、少なくとも二つ以上の異なる方位に伸びる一定幅を有する微細スリットを形成するように設けられた複数の第１の枝配線と、上記コンタクトホールを覆うように上記画素の隅部に形成され、上記第１の幹配線と接続されている第２の幹配線と、上記第２の幹配線に接続され、上記微細スリットを形成するように設けられた複数の第２の枝配線とを備えており、上記画素において、第１の枝配線が形成されている領域の面積が第２の枝配線が形成されている領域の面積より大きく、上記第１の枝配線中、上記第２の幹配線と重なる方位に伸びる第１の枝配線の先端と上記第２の幹配線とは、５μｍ以上離されており、上記第１の枝配線中、上記第２の枝配線に最も隣接する第１の枝配線と上記第２の枝配線中、上記第１の枝配線に最も隣接する第２の枝配線とは、上記微細スリットの幅より広く離されている構成である。
【００４８】
本発明の液晶表示装置は、以上のように、上記液晶表示パネルと、上記液晶表示パネルに光を照射する面光源装置とを備えている構成である。
【００４９】
それゆえ、透過率が高く、表示ムラを抑制できる液晶表示パネルを提供するとともに、表示品位の高い液晶表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えられた図４に示す画素電極における、第３の幹配線が形成されている領域の部分拡大図およびこの領域における電圧印加時の液晶分子の配向を示す液晶配向図である。
【図２】本発明の一実施の形態の液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えられた画素電極と共通電極との間に電界が生じた場合の液晶層における液晶分子の配向を示す図である。
【図４】本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えられた画素電極の一例を示す図である。
【図５】従来の液晶表示装置に備えられた画素電極の一例を示す部分拡大図およびこの領域における電圧印加時の液晶分子の配向を示す液晶配向図である。
【図６】本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えられた画素電極を最適化するために製作した画素電極の一例を示す部分拡大図およびこの領域における電圧印加時の液晶分子の配向を示す液晶配向図である。
【図７】本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えられた画素電極の他の一例を示す部分拡大図およびこの領域における電圧印加時の液晶分子の配向を示す液晶配向図である。
【図８】本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えられた画素電極のさらに他の一例を示す部分拡大図およびこの領域における電圧印加時の液晶分子の配向を示す液晶配向図である。
【図９】本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えられた画素電極のさらに他の一例を示す部分拡大図およびこの領域における電圧印加時の液晶分子の配向を示す液晶配向図である。
【図１０】電圧印加時に画素電極の枝配線のエッジ部分における液晶分子の配向特性を示す図である。
【図１１】電圧印加時に画素電極の幹配線に接続された枝配線においての液晶分子の配向特性を示す図である。
【図１２】本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えられた画素電極における電圧印加時の液晶分子の配向特性を概略的に示す図である。
【図１３】図５（ｂ）示す液晶分子の配向特性を説明するための図である。
【図１４】図６（ｂ）に示す液晶分子の配向特性を説明するための図である。
【図１５】図７（ｂ）に示す液晶分子の配向特性を説明するための図である。
【図１６】本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えられた画素電極において、第２の幹配線を設けることができる位置を説明するための図である。
【図１７】従来の液晶表示装置に備えられた画素電極の一例を示す図およびコンタクトホールが形成されている領域を示す部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などはあくまで一実施形態に過ぎず、これらによってこの発明の範囲が限定解釈されるべきではない。
【００５２】
〔実施の形態１〕
以下、図２に基づき、本発明の液晶表示パネル１を備えた液晶表示装置１３の構成について説明する。
【００５３】
図２は、本発明の一実施の形態の液晶表示装置１３の概略構成を示す図である。
【００５４】
図２に図示されているように、液晶表示パネル１は、アクティブマトリクス基板２（第１の絶縁基板）と、これに対向するように配置された対向基板３（第２の絶縁基板）とを備え、これらの基板２・３は、スペーサ（未図示）によって所定の基板間の間隔を確保しつつ、シール材（未図示）によって貼り合わせられている。
【００５５】
また、上記両基板２・３の間には、負の誘電率異方性を有する液晶層４が封入された構成となっている。
【００５６】
アクティブマトリクス基板２は、図示されているように透明絶縁基板５とアクティブ素子層６と画素電極７とを備えており、透明絶縁基板５の対向基板３と対向する面には、アクティブ素子層６として、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース・ドレイン電極層および層間絶縁膜（絶縁層）が順に積層されたＴＦＴ素子層が形成されている。
【００５７】
また、アクティブ素子層６上には、上記ＴＦＴ素子層におけるＴＦＴ素子のドレイン電極と電気的接続され、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性材料からなる画素電極７が設けられている。
【００５８】
図示されてないが、上記ＴＦＴ素子層におけるＴＦＴ素子のドレイン電極と画素電極７とは、上記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されている。
【００５９】
以上のように、アクティブマトリクス基板２には、マトリクス状に配された画素毎に設けられた画素電極７に印加される画像信号電圧を制御するＴＦＴ素子が上記画素毎に設けられている。
【００６０】
本実施の形態においては、アクティブ素子層６としてＴＦＴ素子層を形成しているが、これに限定されることはなく、画素電極７に印加される画像信号電圧を制御するができるのであれば、例えば、ＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）素子層などであってもよい。
【００６１】
また、本実施の形態においては、上記ＴＦＴ素子層のＴＦＴ素子は、ボトムゲートで形成しているが、これに限定されることはなく、例えば、トップゲートなどで形成してもよい。
【００６２】
一方、対向基板３は、図示されているように透明絶縁基板８と対向電極９とを備えており、透明絶縁基板８のアクティブマトリクス基板２と対向する面には、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電性材料からなる対向電極９が形成されている。
【００６３】
なお、本実施の形態においては、アクティブマトリクス基板２の各画素毎に設けられた画素電極７に対応して、例えば、赤色・緑色・青色のカラーフィルター層（未図示）を透明絶縁基板８と対向電極９との間に設けているが、これに限定されることはなく、上記カラーフィルター層をアクティブマトリクス基板２側に設けたＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ  Ｏｎ  Ａｒｒａｙ）構造としてもよい。
【００６４】
また、図示はしてないが、画素電極７および対向電極９における液晶層４と接する面には、垂直配向膜がそれぞれ設けられている。
【００６５】
なお、図２に図示されているように、本発明の液晶表示パネル１に備えられたアクティブマトリクス基板２および対向基板３における液晶層４と接する面の反対側の面には、互いの光軸が９０度ずれている上側位相差板１０ａと下側位相差板１０ｂとが備えられており、さらに、上側位相差板１０ａと下側位相差板１０ｂとの上面には互いの吸収軸が９０度ずれている上側偏光板１１ａと下側偏光板１１ｂとが備えられている。また、上側位相差板１０ａの光軸は上側偏光板１１ａの吸収軸とは４５度ずれるように配置し、下側位相差板１０ｂの光軸は下側偏光板１１ｂの吸収軸とは４５度ずれるように配置した。
【００６６】
さらに、液晶表示装置１３には、液晶表示パネル１の表示面の裏面側（下側偏光板１１ｂ形成面側）に、液晶表示パネル１を均一照射するバックライト１２（面光源装置）が備えられている。
【００６７】
液晶表示パネル１においては、画素電極７に印加される電圧と対向電極９に印加される電圧とに差がない場合には、画素電極７と対向電極９との間には電界が生じず、液晶層４における液晶分子は、図２に図示されているように、垂直に配向される。
【００６８】
一方、図３は、画素電極７と対向電極９との間に電界が生じた場合の液晶層４における液晶分子の配向を示す図である。
【００６９】
図示されているように垂直に配向されていた上記液晶分子は、上記電界に応じて、上記両基板２・３の基板面と平行な方向に配向される。
【００７０】
図４は、本発明の一実施の形態の液晶表示装置１３に備えられた画素電極７の一例を示す図である。
【００７１】
図４に図示されているアクティブマトリクス基板２の１画素においては、上下方向の中央と左右方向の中央とに、左右方向および上下方向に垂直線状に伸び、上記１画素の中央で交差する画素電極７の第１の幹配線７ａが形成されている。
【００７２】
本実施の形態においては、左右方向および上下方向に伸びる第１の幹配線７ａを形成しているが、これに限定されることはなく、左右方向または上下方向の何れか一方に伸びる第１の幹配線７ａを形成してもよい。
【００７３】
なお、第１の幹配線７ａに接続され、第１の幹配線７ａが伸びる図中、右方位を０度とした時に反時計回りに角度を定義して、４５度、１３５度、２２５度および３１５度方位に伸びる一定幅を有する微細スリット１４を形成するように、画素電極７の第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅがそれぞれ形成されている。
【００７４】
すなわち、画素電極７の第１の枝配線７ｂ・７ｂ同士は、第１の幹配線７ａが伸びる図中、右方位を０度とした時に反時計回りに角度を定義して、４５度方位に伸びる一定幅を有する微細スリット１４を形成するように、互いに一定のピッチで形成されている。
【００７５】
同様に、画素電極７の第１の枝配線７c・７c、第１の枝配線７ｄ・７ｄおよび第１の枝配線７ｅ・７ｅ同士も、第１の幹配線７ａが伸びる図中、右方位を０度とした時に反時計回りに角度を定義して、１３５度、２２５度および３１５度方位に伸びる一定幅を有する微細スリット１４を形成するように、互いに一定のピッチで形成されている。
【００７６】
図４に図示されている画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅは、それぞ
れ線幅３μｍで形成され、第１の枝配線同士の間隔（微細スリット１４の幅）も３μｍで形成されている。
【００７７】
すなわち、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅは、ライン幅／スペー
ス幅（Ｌ／Ｓ）が３μｍ／３μｍ、ピッチ６μｍでそれぞれ形成されている。
【００７８】
以上のように、本実施の形態においては、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７
ｄ・７ｅを、Ｌ／Ｓ＝３μｍ／３μｍとなるようにそれぞれ形成しているが、特にこれに限定されることはないが、実用上、ライン幅およびスペース幅（微細スリット１４の幅）
は、５μｍ以下であることが好ましい。
【００７９】
なお、図４に図示されているように、画素電極７には、さらに、上下方向に伸びる第１の幹配線７ａと接続された第２の幹配線７ｆが備えられている。
【００８０】
第２の幹配線７ｆは、上述したＴＦＴ素子層のドレイン電極層と層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール１５を介して電気的に接続されており、図示されているように２つのコンタクトホール１５を覆うように形成されている。
【００８１】
なお、本実施の形態においては、図４に図示されているように、第２の幹配線７ｆを、上下方位に伸びる第１の幹配線７ａ上における下部領域に、第２の幹配線７ｂと直接接続するように設けている。
【００８２】
すなわち、画素電極７の第２の幹配線７ｆは、コンタクトホール１５を覆うように１画素の隅部（画素の境界領域付近）に形成されている。
【００８３】
また、本実施の形態においては、第２の幹配線７ｆと上記ＴＦＴ素子層のドレイン電極層とを電気的に接続するため、図４に図示されているように層間絶縁膜における隣接する箇所に２つのコンタクトホール１５を形成しているが、コンタクトホール１５の数は特に限定されることなく、例えば、一つであってもよい。
【００８４】
なお、本実施の形態において、第２の幹配線７ｆは、２つのコンタクトホール１５を覆うことができるようなサイズに、四角形状に形成されているが、第２の幹配線７ｆを層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール介して上記ＴＦＴ素子層のドレイン電極層と電気的に接続することができるのであれば、その形状やサイズは特に限定されない。
【００８５】
さらに、図４に図示されているように、第２の幹配線７ｆに直接接続され、２２５度および３１５度方位に伸びる３μｍ幅の微細スリット１４を形成するように、画素電極７の第２の枝配線７ｇ・７ｈが、Ｌ／Ｓ＝３μｍ／３μｍでそれぞれ形成されている。
【００８６】
本実施の形態において、画素電極７は、ＩＴＯを上述した形状にパターニングすることによって形成した。
【００８７】
図１は、図４に示す画素電極７における、第２の幹配線７ｆが形成されている領域の部分拡大図およびこの領域における７Ｖ印加時の液晶分子の配向を示す液晶配向図である。
【００８８】
図１（ａ）に図示されているように、第１の枝配線７ｄ・７ｅ中、第２の幹配線７ｆと重なる方位に伸びる第１の枝配線７ｄ・７ｅの先端と第２の幹配線７ｆとは、所定距離Ｗａが５μｍ以上離されており、第１の枝配線７ｄ（７ｅ）中、第２の枝配線７ｇ（７ｈ）に最も隣接する第１の枝配線７ｄ（７ｅ）と第２の枝配線７ｇ（７ｈ）中、上記第１の枝配線７ｄ（７ｅ）に最も隣接する第２の枝配線７ｇ（７ｈ）とは、所定距離Ｗｂが微細スリット１４の幅より広く離されている。
【００８９】
本実施の形態においては、図１（ａ）に図示されているように、上記Ｗａは５μｍ、上記Ｗｂは４．５μｍとなるように、画素電極７をパターニングした。
【００９０】
コンタクトホール１５を覆うように形成された第２の幹配線７ｆにおいては、液晶分子の配向が乱れることとなるが、このような液晶分子の乱れが、良好な液晶分子の配向を示す領域に拡がるのを抑制できるように、上記構成においては、第２の幹配線７ｆの図中、上方向および左右方向に所定距離Ｗａ・Ｗｂを離して、画素電極７の第１の枝配線７ｄ・
７ｅが設けられている。
【００９１】
上記構成によれば、図１（ｂ）に図示されているように、液晶分子の配向が乱れる領域を第２の幹配線７ｆおよびその周辺の最少領域に抑制することができ、透過率が高く、表示ムラを抑制できる液晶表示パネル１と液晶表示パネル１を備えた表示品位の高い液晶表示装置１３を実現することができる。
【００９２】
なお、本実施の形態においては、図４に図示されているように画素電極７と対向電極９との間に生じる電界に応じて、上記液晶分子が異なる４方向に配向できるように形成された画素電極７を用いているが、これに限定されることはなく、画素電極７としては、上記電界に応じて上記液晶分子が、少なくとも２つの異なる方向（複数の方向）に配向できるように、少なくとも２つの異なる方向（複数の方向）に伸びるスリットを有していれば用いることができる。
【００９３】
また、対向電極９においても、本実施の形態においては、ベタ電極を用いているが、これに限定されることはなく、必要に応じて、例えば、スリットが形成された電極を用いることもできる。
【００９４】
以下のように本発明者らは、図４に示す画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ
・７ｅが、Ｌ／Ｓ＝３μｍ／３μｍでそれぞれ形成されている場合において、実験を繰り返し、以下に示すように、第２の幹配線７ｆが、良好に液晶分子を配向することができる画素電極７の枝配線７ｅ・７ｆに及ぼす影響を最少化することのできる所定距離Ｗａ・Ｗｂを求めることができた。
【００９５】
図５は、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／Ｓ＝３μｍ／３
μｍでそれぞれ形成され、Ｗａ＝０μｍおよびＷｂ＝３μｍである場合における第２の幹配線７ｆが形成されている領域の部分拡大図およびこの領域における７Ｖ印加時の液晶分子の配向を示す液晶配向図である。
【００９６】
図５（ａ）に図示されているように、画素電極７の第１の枝配線７ｄ・７ｅが、第２の幹配線７ｆの周囲において、Ｗａ＝０μｍおよびＷｂ＝３μｍとなるようにＬ／Ｓ＝３μｍ／３μｍで形成されている場合においては、図５（ｂ）に図示されているように、Ｗａ＝０μｍであるため、第２の幹配線７ｆにおいて生じた液晶分子の配向の乱れが、良好な液晶分子の配向を示す領域である第２の幹配線７ｆの上方向にまで拡がり、第２の幹配線７ｆの上方向においては、比較的広い領域において、液晶分子の配向の乱れが生じている。
【００９７】
一方、Ｗｂは３μｍと画素電極７の第１の枝配線７ｄ・７ｅの間隔と同一に多少狭く設定されているため、図５（ｂ）に図示されているように、第２の幹配線７ｆにおいて生じた液晶分子の配向の乱れは、第２の幹配線７ｆの左上方向や右上方向に影響を及ぼしている。
【００９８】
以上から、第２の幹配線７ｆにおいて生じた液晶分子の配向の乱れが、第２の幹配線７ｆの周辺に拡がるのを抑制するためには、Ｗａは０μｍより大きく、Ｗｂは３μｍより大きくする必要があることがわかる。
【００９９】
図６は、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／Ｓ＝３μｍ／３
μｍでそれぞれ形成され、Ｗａ＝５μｍおよびＷｂ＝３μｍである場合における第２の幹配線７ｆが形成されている領域の部分拡大図およびこの領域における７Ｖ印加時の液晶分子の配向を示す液晶配向図である。
【０１００】
図６（ａ）に図示されているように、画素電極７の第１の枝配線７ｄ・７ｅが、第２の幹配線７ｆの周囲において、Ｗａ＝５μｍおよびＷｂ＝３μｍとなるようにＬ／Ｓ＝３μｍ／３μｍで形成されている場合においては、図６（ｂ）に図示されているように、Ｗａが５μｍであるため、第２の幹配線７ｆにおいて生じた液晶分子の配向の乱れが、良好な液晶分子の配向を示す領域である第２の幹配線７ｆの上方向には、殆ど影響を及ぼさない。
【０１０１】
なお、上記Ｗａの最適値は、第２の幹配線７ｆにおいて生じた液晶分子の配向の乱れが、良好な液晶分子の配向を示す領域である第２の幹配線７ｆの上方向に影響を及ぼさない最小値である。
【０１０２】
すなわち、上記Ｗａは、第２の幹配線７ｆ形成領域において生じた液晶分子の配向の乱れが、液晶分子の配向の乱れが生じていない領域である第１の枝配線７ｄ・７ｅが形成されている領域に影響を及ぼさない最短距離を離せばよい。
【０１０３】
第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅ中、第２の幹配線７ｆと重なる方位に伸びる第１
の枝配線７ｄ・７ｅの先端と第２の幹配線７ｆとを必要以上に離すと、その分、第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅの形成領域が小さくなるので、液晶表示パネル１の透過率の
低下や表示ムラの原因となってしまう。
【０１０４】
なお、本実施の形態においては、上記Ｗａの最適値は、５μｍであった。
【０１０５】
一方、Ｗｂは３μｍと画素電極７の第１の枝配線７ｄ・７ｅの間隔と同一に多少狭く設定されているため、図６（ｂ）に図示されているように、第２の幹配線７ｆにおいて生じた液晶分子の配向の乱れは、第２の幹配線７ｆの左上方向や右上方向に影響を及ぼしている。
【０１０６】
以上から、Ｗａは５μｍが最適値となり、Ｗｂは３μｍより大きいことが好ましいことがわかる。
【０１０７】
図７は、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／Ｓ＝３μｍ／３
μｍでそれぞれ形成され、Ｗａ＝５μｍおよびＷｂ＝６μｍである場合における第２の幹配線７ｆが形成されている領域の部分拡大図およびこの領域における７Ｖ印加時の液晶分子の配向を示す液晶配向図である。
【０１０８】
図７（ａ）に図示されているように、画素電極７の第１の枝配線７ｄ・７ｅが、第２の幹配線７ｆの周囲において、Ｗａ＝５μｍおよびＷｂ＝６μｍとなるようにＬ／Ｓ＝３μｍ／３μｍで形成されている場合においては、図７（ｂ）に図示されているように、Ｗａ＝５μｍであるため、第２の幹配線７ｆにおいて生じた液晶分子の配向の乱れが、良好な液晶分子の配向を示す領域である第２の幹配線７ｆの上方向には、殆ど影響を及ぼさない。
【０１０９】
一方、Ｗｂは６μｍと画素電極７の第１の枝配線７ｄ・７ｅの間隔の２倍に多少広く設定されているため、図７（ｂ）に図示されているように、第２の幹配線７ｆの左上方向や右上方向においては、第２の幹配線７ｆにおいて生じた液晶分子の配向の乱れの影響ではなく、広く設定されたＷｂによって、新たに液晶分子の配向の乱れが生じている。
【０１１０】
以上から、上記Ｗｂは必要以上に広く設定した場合にも、液晶分子の配向に悪影響を及ぼすことがわかった。
【０１１１】
本発明者らは、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／Ｓ＝３μ
ｍ／３μｍでそれぞれ形成された場合において、さらにＷａを５μｍに固定し、Ｗｂのみを変えながら液晶分子の配向状態を観察した結果、Ｗｂの最適値は３μｍより大きく、４．５μｍ以下であることがわかった。
【０１１２】
以下、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／Ｓ＝３μｍ／３μ
ｍ以外でそれぞれ形成された場合についてさらに説明する。
【０１１３】
図８は、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／Ｓ＝３．５μｍ
／３．５μｍ（ＷＬ＝３．５μｍ、Ｗｓ＝３．５μｍ）でそれぞれ形成され、Ｗａ＝５μｍおよびＷｂ＝５．２５μｍである場合における第２の幹配線７ｆが形成されている領域の部分拡大図およびこの領域における７Ｖ印加時の液晶分子の配向を示す液晶配向図である。
【０１１４】
図８（ａ）に図示されているように、画素電極７の第１の枝配線７ｄ・７ｅが、第２の幹配線７ｆの周囲において、Ｗａ＝５μｍおよびＷｂ＝５．２５μｍとなるようにＬ／Ｓ＝３．５μｍ／３．５μｍで形成されている場合においては、図８（ｂ）に図示されているように、Ｗａ＝５μｍであるため、第２の幹配線７ｆにおいて生じた液晶分子の配向の乱れが、良好な液晶分子の配向を示す領域である第２の幹配線７ｆの上方向には、殆ど影響を及ぼさない。
【０１１５】
以上のように、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／Ｓ＝３．
５μｍ／３．５μｍで形成されている場合においても、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／Ｓ＝３μｍ／３μｍで形成されている場合と同様に、Ｗａの
最適値は５μｍであった。
【０１１６】
そこで、本発明者らは、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／
Ｓ＝３．５μｍ／３．５μｍでそれぞれ形成された場合において、さらにＷａを５μｍに固定し、Ｗｂのみを変えながら液晶分子の配向状態を観察した結果、Ｗｂの最適値は３．５μｍより大きく、５．２５μｍ以下であることがわかった。
【０１１７】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、Ｗｂが５．２５μｍで形成されている場合であり、図８（ｂ）に図示されているように、この場合においては、第２の幹配線７ｆにおいて生じた液晶分子の配向の乱れが、良好な液晶分子の配向を示す領域である第２の幹配線７ｆの上方向、左上方向および右上方向には、殆ど影響を及ぼさない。
【０１１８】
図９は、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／Ｓ＝４．５μｍ
／４．５μｍ（ＷＬ＝４．５μｍ、Ｗｓ＝４．５μｍ）でそれぞれ形成され、Ｗａ＝５μｍおよびＷｂ＝６．７５μｍである場合における第２の幹配線７ｆが形成されている領域の部分拡大図およびこの領域における７Ｖ印加時の液晶分子の配向を示す液晶配向図である。
【０１１９】
図９（ａ）に図示されているように、画素電極７の第１の枝配線７ｄ・７ｅが、第２の幹配線７ｆの周囲において、Ｗａ＝５μｍおよびＷｂ＝６．７５μｍとなるようにＬ／Ｓ＝４．５μｍ／４．５μｍで形成されている場合においては、図９（ｂ）に図示されているように、Ｗａ＝５μｍであるため、第２の幹配線７ｆにおいて生じた液晶分子の配向の乱れが、良好な液晶分子の配向を示す領域である第２の幹配線７ｆの上方向には、殆ど影響を及ぼさない。
【０１２０】
以上のように、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／Ｓ＝４．
５μｍ／４．５μｍで形成されている場合においても、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／Ｓ＝３μｍ／３μｍやＬ／Ｓ＝３．５μｍ／３．５μｍで形
成されている場合と同様に、Ｗａの最適値は５μｍであった。
【０１２１】
そこで、本発明者らは、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／
Ｓ＝４．５μｍ／４．５μｍでそれぞれ形成された場合において、Ｗａを５μｍに固定し、Ｗｂのみを変えながら液晶分子の配向状態を観察した結果、Ｗｂの最適値は４．５μｍより大きく、６．７５μｍ以下であることがわかった。
【０１２２】
図９（ａ）および図９（ｂ）は、Ｗｂが６．７５μｍで形成されている場合であり、図９（ｂ）に図示されているように、この場合においては、第２の幹配線７ｆにおいて生じた液晶分子の配向の乱れが、良好な液晶分子の配向を示す領域である第２の幹配線７ｆの上方向、左上方向および右上方向には、殆ど影響を及ぼさない。
【０１２３】
以上のように、液晶層４に電圧が印加された際に、液晶層４における液晶分子が少なくとも二つ以上の異なる方位に倒れるように形成された画素電極７においては、そのＬ／Ｓ値に関係なく、Ｗａの最適値は５μｍとなる。
【０１２４】
なお、液晶層４に電圧が印加された際に、液晶層４における液晶分子が少なくとも二つ以上の異なる方位に倒れるように形成するためには、実用上、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅは、ライン幅５μｍ以下、スペース幅（隣接するライン間の間
隔）５μｍ以下で形成されることが好ましく、この場合においても、勿論、Ｌ／Ｓ値に関係なく、Ｗａの最適値は５μｍとなる。
【０１２５】
一方、Ｗｂの最適値は、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅのスペー
ス幅より大きく、上記スペース幅（微細スリット１４の幅）の１．５倍以下となる。
【０１２６】
以下、図１０から図１５に基づいて、本発明の液晶表示パネル１における液晶分子の配向特性と液晶分子の配向に乱れが生じるメカニズムについて説明する。
【０１２７】
図１０は、画素電極７の第１の枝配線７ｂのエッジ部分における液晶分子の配向特性を示す図である。
【０１２８】
図示されているように、上記液晶分子に電圧が印加された場合、画素電極７の第１の枝配線７ｂのエッジ部分においては、上記液晶分子は第１の枝配線７ｂの中心を向かって倒れるようになっている。
【０１２９】
図１１は、上記液晶分子に電圧が印加された場合における画素電極７の第１の幹配線７ａに接続された第１の枝配線７ｂでの液晶分子の配向特性を示す図である。
【０１３０】
図示されているように、画素電極７の第１の枝配線７ｂのエッジ部分においては、上記液晶分子は、第１の枝配線７ｂの中心に向かって倒れるため、画素電極７の第１の枝配線７ｂが形成されている領域や画素電極７の第１の枝配線７ｂ・７ｂ間に設けられた微細スリット１４の形成領域においては、第１の枝配線７ｂのエッジ部分における液晶分子の配向の影響を受け、何れも画素電極７の第１の幹配線７ａに向かって液晶分子が倒れるように配向される。
【０１３１】
図１２は、本発明の液晶表示パネル１に備えられた画素電極７における液晶分子の配向特性を示す図である。
【０１３２】
図示されているように、画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅは、画素
電極７の第１の幹配線７ａに接続され、第１の幹配線７ａが伸びる図中、右方位を０度とした時に反時計回りに角度を定義して、４５度、１３５度、２２５度および３１５度方位に伸びる一定幅を有する微細スリット１４を形成するように、それぞれ形成されている。
【０１３３】
このような形状の画素電極７においては、上記液晶分子に電圧が印加された場合、上記液晶分子は、画素の中心部、すなわち、画素電極７の第１の幹配線７ａ・７ａが互いに交差する箇所に向かって倒れるように配向される。
【０１３４】
図１３は、図５に示す画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／Ｓ
＝３μｍ／３μｍでそれぞれ形成され、Ｗａ＝０μｍおよびＷｂ＝３μｍである場合における第２の幹配線７ｆが形成されている領域付近の液晶分子の配向を説明するための図である。
【０１３５】
図示されているように、第２の幹配線７ｆのエッジ部分においては、上記液晶分子に電圧が印加された場合、第２の幹配線７ｆの中心部分、すなわち、図中下方向（Ａ方向）に倒れるように上記液晶分子が配向される。
【０１３６】
一方、第２の幹配線７ｆから所定距離以上離れた領域においては、このような第２の幹配線７ｆのエッジ部分における液晶分子の配向の影響を受けず、図中左上方向（Ｂ方向）に倒れるように上記液晶分子が配向されるが、第２の幹配線７ｆの周辺領域においては、第２の幹配線７ｆのエッジ部分における液晶分子の配向の影響を受け、上記液晶分子の配向が乱れる領域、すなわち、上記液晶分子が上記Ｂ方向ではなく、例えば、Ｃ方向などに配向される領域が生じることとなる。
【０１３７】
したがって、図５および図１３に図示されているように、Ｗａ＝０μｍおよびＷｂ＝３μｍで設定されている場合においては、第２の幹配線７ｆが形成されている領域付近において、上記液晶分子が上記Ｂ方向ではなく、上記Ｃ方向などに配向される領域が多数生じることとなる。
【０１３８】
図１４は、図６に示す画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／Ｓ
＝３μｍ／３μｍでそれぞれ形成され、Ｗａ＝５μｍおよびＷｂ＝３μｍである場合における第２の幹配線７ｆが形成されている領域付近の液晶分子の配向を説明するための図である。
【０１３９】
図示されているように、Ｗａが５μｍ離されているため、第２の幹配線７ｆの上方向の領域は第２の幹配線７ｆのエッジ部分における液晶分子の配向の影響を受けないが、第２の幹配線７ｆの右上方向や左上方向の領域においては、第２の幹配線７ｆのエッジ部分における液晶分子の配向の影響を受け、上記液晶分子の配向が乱れる領域、すなわち、上記液晶分子が上記Ｂ方向ではなく、例えば、Ｃ方向などに配向される領域が生じることとなる。
【０１４０】
図１５は、図７に示す画素電極７の各第１の枝配線７ｂ・７c・７ｄ・７ｅが、Ｌ／Ｓ
＝３μｍ／３μｍでそれぞれ形成され、Ｗａ＝５μｍおよびＷｂ＝６μｍである場合における第２の幹配線７ｆが形成されている領域付近の液晶分子の配向を説明するための図である。
【０１４１】
図示されているように、ＷａおよびＷｂが十分広く確保されているため、第２の幹配線７ｆの周辺領域は第２の幹配線７ｆのエッジ部分における液晶分子の配向の影響を受けな
いが、必要以上に広く設定されたＷｂによって、第２の幹配線７ｆの右上方向や左上方向の領域においては、上記液晶分子が上記Ｂ方向ではなく、例えば、Ｄ方向などに配向されることとなる。
【０１４２】
図１６は、画素電極７の第２の幹配線７ｆを設けることができる位置を説明するための図である。
【０１４３】
本実施の形態においては、図中、Ａの位置に第２の幹配線７ｆを形成した場合について説明をしたが、第２の幹配線７ｆを形成できる位置は、これに限定されることはなく、画素電極７の第１の幹配線７ａが伸びる方位上であり、図１６に示す画素の隅部であれば例えば、図中、Ｂの位置、Ｃの位置およびＤの位置の何れであってもよい。
【０１４４】
本発明は上記した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１４５】
本発明は、液晶表示パネルまたは液晶表示装置に適用することができる。
【符号の説明】
【０１４６】
１                      液晶表示パネル
２                      アクティブマトリクス基板（第１の絶縁基板）
３                      対向基板（第２の絶縁基板）
４                      液晶層
６                      アクティブ素子層
７                      画素電極
７ａ                    第１の幹配線
７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ  第１の枝配線
７ｆ                    第２の幹配線
７ｇ、７ｈ              第２の枝配線
９                      対向電極
１２                    バックライト（面光源装置）
１３                    液晶表示装置
１４                    微細スリット
１５                    コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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