(57)【要約】      （修正有）【課題】重量が比較的軽く、ポーラスシリコン板が枠体から浮き上がることのない保持テーブルアセンブリを提供する。【解決手段】負圧吸引源に連通する第１吸引路を有する支持基台と、支持基台に着脱可能に固定され、支持基台の該第１吸引路に連通する第２吸引路を有する保持テーブルとを具備し、保持テーブルは、保持すべきウエーハの直径より大きい直径の保持面を有する保持部と、保持面の反対側で第２吸引路が形成された底部と、保持部と底部を連結する環状側壁部が一体的に形成されたポーラスシリコン板と、ポーラスシリコン板の保持面に載置されるウエーハの保持領域を除く全外周を被覆するコーティング部材とからなり、保持テーブルは、それぞれ一端が第２吸引路に連通する複数の放射状吸引路と、第２吸引路と同心円状に且つ各放射状吸引路と交差するように形成された複数の円形吸引路とを保持部と底部とに挟まれた中間領域に有する。【選択図】図６
2011009424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工装置の保持テーブルアセンブリであって、
負圧吸引源に連通する第１吸引路を有する支持基台と、
該支持基台に着脱可能に固定され、該支持基台の該第１吸引路に連通する第２吸引路を有する保持テーブルとを具備し、
該保持テーブルは、保持すべきウエーハの直径より大きい直径の保持面を有する保持部と、該保持面の反対側で該第２吸引路が形成された底部と、該保持部と該底部を連結する環状側壁部が一体的に形成されたポーラスシリコン板と、
該ポーラスシリコン板の該保持面に載置されるウエーハの保持領域を除く該保持面の外周領域を含む該ポーラスシリコン板の全外周を被覆するコーティング部材とから構成され、
前記保持テーブルは、それぞれ一端が該第２吸引路に連通し半径方向に伸長する複数の放射状吸引路と、該第２吸引路と同心円状に且つ該各放射状吸引路と交差するように形成された複数の円形吸引路とを該保持部と該底部とに挟まれた中間領域に有していることを特徴とする保持テーブルアセンブリ。
【請求項２】
該保持テーブルの前記保持面の該外周領域はウエーハを保持する該保持領域よりも低く形成され、該保持面の該外周領域に被覆された前記コーティング部材の上面とウエーハの前記保持領域とが研削砥石によって同一平面に研削されている請求項１記載の保持テーブルアセンブリ。
【請求項３】
該ポーラスシリコン板は、所定の粒径のシリコン粒子と、二酸化珪素を主成分とするフリットと、ポーラスを形成する有機接着剤とを適宜の体積比で混錬した第１の混錬物で構成され、
前記放射状吸引路及び前記同心状円形吸引路は、シリコン粒子と、熱消失性部材とを適宜の体積比で混錬した第２の混錬物から構成される中子を該中間領域から取り去ることにより形成される請求項１又は２記載の保持テーブルアセンブリ。
【請求項４】
該コーティング部材はシリコンの溶射によって形成される請求項１〜３の何れかに記載の保持テーブルアセンブリ。
【請求項５】
保持テーブルの製造方法であって、
所定の粒径のシリコン粒子と、二酸化珪素を主成分とするフリットと、ポーラスを形成する有機接着剤とを適宜の体積比で混錬した第１の混錬物を用意し、
該シリコン粒子と同質のシリコン粒子と、蛋白質を主成分とする熱消失性部材とを適宜の体積比で混錬した第２の混錬物を用意し、
該第２の混錬物を金型中に注入し、該金型を第１の所定温度に加熱することにより中子を成形し、
該中子を該第１の混錬物中に埋め込み、プレス装置を用いて保持テーブル形状に成形して成形体を形成し、
該成形体を第２の所定温度で焼成することによりポーラス焼結体を製造し、
該中子を洗い流すことにより該ポーラス焼結体内に複数の放射状吸引路及び該放射状吸引路に交差する複数の同心状円形吸引路を形成し、
該ポーラス焼結体のウエーハ保持面以外の外周部にコーティング部材を被膜する、
各工程を具備したことを特徴とする保持テーブルの製造方法。
【請求項６】
前記第１の所定温度は１３０℃〜１８０℃であり、前記第２の所定温度は１０５０℃〜１１５０℃である請求項５記載の保持テーブルの製造方法。
【請求項７】
該第１の混錬物は、粒径３０〜６０μｍのシリコン粒子を７０体積％と、粒径５μｍ以下の前記フリットを１５体積％と、前記有機接着剤を１５体積％含み、
該第２の混錬物は、粒径３０〜６０μｍのシリコン粒子を９５〜９７体積％と、該熱消失性部材を３〜２体積％と、水を２〜１体積％を含む請求項５又は６記載の保持テーブルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハ等の被加工物を吸引保持する保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが分割予定ライン（ストリート）によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに形成された後、切削装置（ダイシング装置）によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。
【０００３】
ウエーハを研削する研削装置は、ウエーハを保持する保持テーブルと、保持テーブルに保持されたウエーハを研削する回転可能な研削ホイールを有する研削手段とを少なくとも備えていて、ウエーハを高精度に所望の厚みに仕上げることができる。
【０００４】
また、ウエーハを切削する切削装置は、ウエーハを保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレードを有する切削手段と、ウエーハの分割予定ラインを検出し分割予定ラインに切削ブレードを位置づけるアライメント手段とを少なくとも備えていて、ウエーハを高精度に切削することができる。
【０００５】
切削ブレードとしてはダイアモンド砥粒をニッケルメッキで固めた電鋳ブレードが一般的に使用され、ブレードが導電性を有することから、保持テーブルのポーラスセラミック板を囲繞する金属で形成された枠体の上面に切削ブレードを接触させ、電気的導通により切削ブレードの切り込み深さの原点出しをしている（特開２００５−１４２２０２号公報参照）。
【０００６】
また、研削装置の保持テーブルも切削装置と概略同様に、ポーラスセラミック板と、ポーラスセラミック板を囲繞するセラミックスで形成された枠体とがボンド剤により接合されて構成されている（例えば、特開平３−３２５３７号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１４２２０２号公報
【特許文献２】特開平３−３２５３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、切削装置の保持テーブルはポーラスセラミックス板と、ポーラスセラミックス板を囲繞しポーラスセラミックス板の全面に吸引力を伝達する複数の吸引溝を有する金属で形成された枠体とがボンド剤で接合されて構成されているため、経時的に枠体からポーラスセラミックス板が浮き上がり、切削ブレードの切り込み深さの原点を正確に検出することができず、ウエーハの切り込み深さを高精度に制御できないという問題がある。
【０００９】
研削装置の保持テーブルも、ポーラスセラミックス板と、ポーラスセラミックス板を囲繞しポーラスセラミックス板の全面に吸引力を伝達する複数の溝を有するセラミックスで形成された枠体とがボンド剤で接合されて構成されているため、経時的に枠体からポーラスセラミックス板が浮き上がり、ウエーハを所望の厚みに仕上げることができないという問題がある。
【００１０】
また、研削装置の保持テーブルでは、保持テーブル表面と研削砥石との平行度を出すために、工場出荷前にメタルボンドの研削砥石を用いて保持テーブル表面を研削した後、研削ホイールを通常の研削作業で使用するビトリファイドボンド又は樹脂ボンドの研削ホイールに変更して工場出荷をしているため、手間が掛かるという問題がある。
【００１１】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、軽量で且つウエーハ保持面が枠体から浮き上がることのない保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の側面によると、加工装置の保持テーブルアセンブリであって、負圧吸引源に連通する第１吸引路を有する支持基台と、該支持基台に着脱可能に固定され、該支持基台の該第１吸引路に連通する第２吸引路を有する保持テーブルとを具備し、該保持テーブルは、保持すべきウエーハの直径より大きい直径の保持面を有する保持部と、該保持面の反対側で該第２吸引路が形成された底部と、該保持部と該底部を連結する環状側壁部が一体的に形成されたポーラスシリコン板と、該ポーラスシリコン板の該保持面に載置されるウエーハの保持領域を除く該保持面の外周領域を含む該ポーラスシリコン板の全外周を被覆するコーティング部材とから構成され、前記保持テーブルは、それぞれ一端が該第２吸引路に連通し半径方向に伸長する複数の放射状吸引路と、該第２吸引路と同心円状に且つ該各放射状吸引路と交差するように形成された複数の円形吸引路とを該保持部と該底部とに挟まれた中間領域に有していることを特徴とする保持テーブルアセンブリが提供される。
【００１３】
好ましくは、該保持テーブルの前記保持面の該外周領域はウエーハを保持する該保持領域よりも低く形成され、該保持面の該外周領域に被覆された前記コーティング部材の上面とウエーハの前記保持領域とが研削砥石によって同一平面に研削されている。
【００１４】
本発明の第２の側面によると、保持テーブルの製造方法であって、所定の粒径のシリコン粒子と、二酸化珪素を主成分とするフリットと、ポーラスを形成する有機接着剤とを適宜の体積比で混錬した第１の混錬物を用意し、該シリコン粒子と同質のシリコン粒子と、蛋白質を主成分とする熱消失性部材とを適宜の体積比で混錬した第２の混錬物を用意し、該第２の混錬物を金型中に注入し、該金型を第１の所定温度に加熱することにより中子を成形し、該中子を該第１の混錬物中に埋め込み、プレス装置を用いて保持テーブル形状に成形して成形体を形成し、該成形体を第２の所定温度で焼成することによりポーラス焼結体を製造し、該中子を洗い流すことにより該ポーラス焼結体内に複数の放射状吸引路及び該放射状吸引路に交差する複数の同心状円形吸引路を形成し、該ポーラス焼結体のウエーハ保持面以外の外周部にコーティング部材を被膜する、各工程を具備したことを特徴とする保持テーブルの製造方法が提供される。
【００１５】
好ましくは、前記第１の所定温度は１３０℃〜１８０℃であり、前記第２の所定温度は１０５０℃〜１１５０℃である。好ましくは、該第１の混錬物は、粒径３０〜６０μｍのシリコン粒子を７０体積％と、粒径５μｍ以下の前記フリットを１５体積％と、前記有機接着剤を１５体積％含み、該第２の混錬物は、粒径３０〜６０μｍのシリコン粒子を９５〜９７体積％と、該熱消失性部材を３〜２体積％と、水を２〜１体積％を含む。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の保持テーブルアセンブリによると、保持テーブルをオールシリコンから形成したため保持面を常に同一高さに保つことができ、切削装置においては切削ブレードの切り込み深さの原点を正確に検出することができるとともに、重量が非常に軽いため切削送り速度を高めることができる。
【００１７】
研削装置に本発明の保持テーブルを用いた場合には、保持テーブルがシリコンから形成されているため通常の研削作業に用いるビトリファイドボンド又は樹脂ボンドの研削砥石で保持テーブル表面を研削して、保持テーブル表面と研削砥石との間の平行度を出すことができるため、従来のようにセルフグラインド用にメタルボンドの特別な研削砥石を使用する必要がなく、砥石交換に伴う煩雑さを回避することができる。
【００１８】
本発明の保持テーブルの製造方法によると、シリコン粒子と、蛋白質を成分とする熱焼失性部材とを混錬した混錬物から中子を成形し、この中子を他の混錬物中に埋め込んで保持テーブル形状に成形してから焼成することによりポーラス焼結体を製造し、中子を洗い流すことによりポーラス焼結体内に複数の放射状吸引路及び複数の同心状円形吸引路を形成することができるので、ポーラス吸引部と枠体とが一体となった保持テーブルを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の保持テーブルを装着した切削装置の外観斜視図である。
【図２】ダイシングテープを介して環状フレームに支持されたウエーハの表面側斜視図である。
【図３】本発明実施形態に係る保持テーブルアセンブリの分解斜視図である。
【図４】保持テーブルアセンブリの斜視図である。
【図５】保持テーブルアセンブリの側面図である。
【図６】保持テーブルの縦断面図である。
【図７】保持テーブルの製造方法を説明するための保持テーブルの一部破断斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明実施形態の保持テーブル（チャックテーブル）を搭載するのに適した半導体ウエーハをダイシングして個々のチップ（デバイス）に分割することのできる切削装置２の外観を示している。
【００２１】
切削装置２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段４が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるＣＲＴ等の表示手段６が設けられている。
【００２２】
図２に示すように、ダイシング対象のウエーハＷの表面においては、第１のストリートＳ１と第２ストリートＳ２とが直交して形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画されて多数のデバイスＤがウエーハＷ上に形成されている。
【００２３】
ウエーハＷは粘着テープであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周縁部は環状フレームＦに貼着されている。これにより、ウエーハＷはダイシングテープＴを介してフレームＦに支持された状態となり、図１に示したウエーハカセット８中にウエーハが複数枚（例えば２５枚）収容される。ウエーハカセット８は上下動可能なカセットエレベータ９上に載置される。
【００２４】
ウエーハカセット８の後方には、ウエーハカセット８から切削前のウエーハＷを搬出するとともに、切削後のウエーハをウエーハカセット８に搬入する搬出入手段１０が配設されている。ウエーハカセット８と搬出入手段１０との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域１２が設けられており、仮置き領域１２には、ウエーハＷを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段１４が配設されている。
【００２５】
仮置き領域１２の近傍には、ウエーハＷと一体となったフレームＦを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段１６が配設されており、仮置き領域１２に搬出されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されて保持テーブル１８上に搬送され、この保持テーブル１８に吸引されるとともに、複数のクランプ３８によりフレームＦが固定されることで保持テーブル１８上に保持される。
【００２６】
保持テーブル１８は、回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に構成されており、保持テーブル１８のＸ軸方向の移動経路の上方には、ウエーハＷの切削すべきストリートを検出するアライメント手段２０が配設されている。
【００２７】
アライメント手段２０は、ウエーハＷの表面を撮像する撮像手段２２を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の処理によって切削すべきストリートを検出することができる。撮像手段２２によって取得された画像は、表示手段６に表示される。
【００２８】
アライメント手段２０の左側には、保持テーブル１８に保持されたウエーハＷに対して切削加工を施す切削手段２４が配設されている。切削手段２４はアライメント手段２０と一体的に構成されており、両者が連動してＹ軸方向及びＺ軸方向に移動する。
【００２９】
切削手段２４は、回転可能なスピンドル２６の先端に切削ブレード（ハブブレード）２８が装着されて構成され、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード２８は撮像手段２２のＸ軸方向の延長線上に位置している。
【００３０】
このように構成された切削装置２において、ウエーハカセット８に収容されたウエーハＷは、搬出入手段１０によってフレームＦが挟持され、搬出入手段１０が装置後方（Ｙ軸方向）に移動し、仮置き領域１２においてその挟持が解除されることにより、仮置き領域１２に載置される。そして、位置合わせ手段１４が互いに接近する方向に移動することにより、ウエーハＷが一定の位置に位置づけられる。
【００３１】
次いで、搬送手段１６によってフレームＦは吸着され、搬送手段１６が旋回することによりフレームＦと一体となったウエーハＷが保持テーブル１８に搬送されて保持テーブル１８により保持される。そして、保持テーブル１８がＸ軸方向に移動してウエーハＷはアライメント手段２０の直下に位置づけられる。
【００３２】
アライメント手段２０が切削すべきストリートを検出するアライメントの際のパターンマッチングに用いる画像は、切削前に予め取得しておく必要がある。そこで、ウエーハＷがアライメント手段２０の直下に位置づけられると、撮像手段２２がウエーハＷの表面を撮像し、撮像した画像を表示手段６に表示させる。
【００３３】
切削装置２のオペレータは、操作手段４を操作することにより、撮像手段２２をゆっくりと移動させながら、必要に応じて保持テーブル１８も移動させて、パターンマッチングのターゲットとなるパターンを探索する。
【００３４】
オペレータがキーパターンを決定すると、そのキーパターンを含む画像が切削装置２のコントローラに備えたメモリに記憶される。また、そのキーパターンとストリートＳ１，Ｓ２の中心線との距離を座標値等によって求め、その値もメモリに記憶させておく。
【００３５】
更に、撮像手段２２を移動させることにより、隣り合うストリートとストリートとの間隔（ストリートピッチ）を座標値等によって求め、ストリートピッチの値についてもコントローラのメモリに記憶させておく。
【００３６】
ウエーハＷのストリートに沿った切断の際には、記憶させたキーパターンの画像と実際に撮像手段２２により撮像されて取得した画像とのパターンマッチングをアライメント手段２０にて行う。
【００３７】
そして、パターンがマッチングしたときは、キーパターンとストリートの中心線との距離分だけ切削手段２４をＹ軸方向に移動させることにより、切削しようとするストリートと切削ブレード２８との位置合わせを行う。
【００３８】
切削しようとするストリートと切削ブレード２８との位置合わせが行われた状態で、保持テーブル１８をＸ軸方向に移動させるとともに、切削ブレード２８を高速回転させながら切削手段２４を下降させると、位置合わせされたストリートが切削される。
【００３９】
メモリに記憶されたストリートピッチずつ切削手段２４をＹ軸方向にインデックス送りにしながら切削を行うことにより、同方向のストリートＳ１が全て切削される。更に、保持テーブル１８を９０°回転させてから、上記と同様の切削を行うと、ストリートＳ２も全て切削され、個々のデバイスＤに分割される。
【００４０】
切削が終了したウエーハＷは保持テーブル１８をＸ軸方向に移動してから、Ｙ軸方向に移動可能な搬送手段２５により把持されて洗浄装置２７まで搬送される。洗浄装置２７では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウエーハＷを低速回転（例えば３００ｒｐｍ）させることによりウエーハを洗浄する。
【００４１】
洗浄後、ウエーハＷを高速回転（例えば３０００ｒｐｍ）させながら、エアノズルからエアを噴出させてウエーハＷを乾燥させた後、搬送手段１６によりウエーハＷを吸着して仮置き領域１２に戻し、更に搬出入手段１０によりウエーハカセット８の元の収納場所にウエーハＷが戻される。
【００４２】
以下、図３乃至図７を参照して、本発明実施形態に係る保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法について詳細に説明する。図３を参照すると、本発明実施形態に係る保持テーブルアセンブリ３０の分解斜視図が示されている。図４は保持テーブルアセンブリ３０の斜視図である。
【００４３】
保持テーブルアセンブリ３０の支持基台３２はその上面に環状搭載部３４を有している。支持基台３２の中心部分には鉛直方向に伸長して図示しない負圧吸引源（真空吸引源）に接続される中心吸引路３６が形成されている。
【００４４】
支持基台３２には円周方向に１８０度離間して２個のクランプ３８が取り付けられている。各クランプ３８は、支持基台３２にその一端が固定された互いに平行な一対のガイドレール４０と、これらのガイドレール４０に沿って移動可能に取り付けられた受け部材４２と、受け部材に固定されたエアアクチュエータ４４と、エアアクチュエータ４４により９０度回転される回転軸４５と、回転軸４５に固定されたＬ形状のクランプ爪４６を含んでいる。
【００４５】
受け部材４２のガイドレール４０に沿った取り付け位置を調整することにより、ウエーハを保持する環状フレームＦの異なるサイズに対応することができる。エアアクチュエータにより回転軸４５を回転することにより、クランプ爪４６は図５に想像線で示す解放位置と実線で示すクランプ位置との間で回動される。
【００４６】
保持テーブル１８は図５（Ａ）に示すように円筒状底部５２を有しており、円筒状底部５２を支持基台３２の環状支持部３４が画成する凹部３５内に嵌合することにより、支持基台３０に取り付けられる。
【００４７】
図６に最も良く示されるように、保持テーブル１８は、保持すべきウエーハの直径より大きい直径の保持面４９を有する保持部４８と、保持面４９の反対側に形成された円筒状底部５２と、保持部４８と円筒状底部５２を連結する環状壁部５４が一体的に形成されたポーラスシリコン板５０と、ポーラスシリコン板５０の保持面４９に載置されるウエーハの保持領域４９ａを除く保持面４９の外周領域４９ｂを含むポーラスシリコン板５０の全外周を被覆するコーティング部材５１とから構成されている。
【００４８】
コーティング部材５１はポーラスシリコン板５０を真空吸引するときのリーク防止用として作用し、本実施形態ではシリコンの溶射によって形成される。このようにコーティング部材５１をシリコンの溶射によって形成したため、十分な導電性を確保することができる。
【００４９】
円筒状底部５２には保持テーブル１８が支持基台３２上に搭載されたとき、支持基台３２の中心吸引路３６に連通する中心吸引路５６が形成されている。保持テーブル１８の保持部４８と円筒状底部５２に挟まれた中間領域には、それぞれ一端が中心吸引路５６に連通し半径方向に伸長する複数の放射状吸引路５８と、中心吸引路５６と同心円状に且つ各放射状吸引路５８と交差するように形成された複数の円形吸引路６０（図７参照）が形成されている。
【００５０】
保持テーブル１８の保持面４９の外周領域４９ｂはウエーハを保持する保持領域４９ａよりも低く形成されており、保持面４９の外周領域４９ｂに被覆されたコーティング部材５１の上面とウエーハの保持領域４９ａとが研削砥石によって同一平面に研削されている。
【００５１】
これにより、切削ブレード２８の切り込み深さの原点の検出を行うときに、保持面４９の外周領域４９ｂに被覆されたシリコンから成るコーティング部材５１の上面をセットアップ面として利用することができ、切削ブレード２８をコーティング部材５１に接触させて電気的導通をとることにより、切削ブレード２８の切り込み方向の原点出しを行うことができる。
【００５２】
以下、本発明実施形態に係る保持テーブル１８の製造方法について詳細に説明する。まず、所定の粒径のシリコン粒子と、二酸化珪素を主成分とするフリットと、ポーラスを形成する有機接着剤とを適宜の体積比で混錬した第１の混錬物を用意する。
【００５３】
好ましくは、第１の混錬物は、粒径３０〜６０μｍのシリコン粒子を７０体積％と、粒径５μｍ以下のフリットを１５体積％と、デキストリン等の有機接着剤を１５体積％含んでいる。
【００５４】
更に、第１の混錬物に含有されたシリコン粒子と同質のシリコン粒子と、蛋白質を主成分とする熱焼失性部材とを適宜の体積比で混錬した第２の混錬物を用意する。好ましくは、第２の混錬物は、粒径３０〜６０μｍのシリコン粒子を９５〜９７体積％と、熱消失性部材を３〜２体積％と、水を２〜１体積％とを含んでいる。熱焼失性部材としては、Ｈｏｒｍｅｌ  Ｆｏｏｄｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製の登録商標「ＧＭＢＯＮＤ」を使用することができる。
【００５５】
第２の混錬物を金型中に注入し、該金型を第１の所定温度に加熱することにより図７に示す中子６２を成形した。好ましくは、第１の所定温度は１３０℃〜１８０℃であり、より好ましくは約１５０℃である。
【００５６】
このようにして成形した中子６２を第１の混錬物中に埋め込み、プレス装置を用いて第１の混錬物を保持テーブル形状に成形して焼成前の成形体を形成した。次いで、この成形体を加熱炉中で第２の所定温度で焼成することによりポーラス焼結体を製造した。好ましくは、第２の所定温度は１０５０℃〜１１５０℃であり、より好ましくは約１１００℃である。
【００５７】
中子６２の粘結剤である蛋白質を主成分とする熱焼失性部材は５００℃以上の加熱により機械的強度を焼失するため、高圧洗浄水で洗浄することによりポーラス焼結体から中子６２を容易に除去することができ、中子が除去された後に中心吸引路５６、それぞれ一端が中心吸引路５６に連通し、半径方向に伸長する複数の放射状吸引路５８及び中心吸引路５６と同心円状に且つ各放射状吸引路５８と交差するように複数の円形吸引路６０を形成することができた。
【００５８】
このようにして得られた内部に中心吸引路５６、放射状吸引路５８及び円形吸引路６０を有するポーラス焼結体の外形を必要形状に研削加工により成形した後、保持面４９のウエーハ保持領域４９ａ以外のポーラス焼結体の全外周にシリコンを溶射してコーティング材５１の成膜を行うことにより、セットアップ面の成形及びポーラス焼結体のリーク防止用の封止とした。
【００５９】
上述した実施形態の保持テーブル１８は、切削装置２の保持テーブルとして使用するのに好適であるが、研削装置等の他の加工装置の保持テーブルにも同様に使用可能である。切削装置に使用した場合には、切削ブレード２８の切り込み深さの原点を正確に検出することができるとともに、シリコン製であるため重量が非常に軽く切削送り速度を速めることができる。
【００６０】
また、研削装置用の保持テーブルとして使用した場合には、保持テーブルがシリコンから形成されているため、通常の研削作業に使用する研削砥石で保持テーブル表面をセルフグラインドして保持テーブル表面と研削砥石との間の平行出しを行うことができるため、従来のようにセルフグラインド用に特別な研削砥石を使用する必要がない。
【符号の説明】
【００６１】
１８    保持テーブル
２８    切削ブレード
３０    保持テーブルアセンブリ
３２    支持基台
３４    環状支持部
３６    中心吸引路
３８    クランプ
４８    保持部
４９    保持面
４９ａ    ウエーハ保持領域
４９ｂ    外周領域
５０    ポーラスシリコン板
５１    コーティング部材
５２    円筒状底部
５６    中心吸引路
５８    放射状吸引路
６０    同心状円形吸引路
６２    中子
【図１】
2011009424.tif 000003
【図２】
2011009424.tif 000004
【図３】
2011009424.tif 000005
【図４】
2011009424.tif 000006
【図５】
2011009424.tif 000007
【図６】
2011009424.tif 000008
【図７】
2011009424.tif 000009