(57)【要約】【課題】検出回路規模を増加させずに加工量検知素子（例えば磁気ヘッド）の研磨量を検出する加工量検出方法、加工量検出装置および被加工物を提供する。【解決手段】インピーダンス値が既知の素子と、インピーダンス値が未知の素子とを有するブリッジ回路を備えた被加工物の該ブリッジ回路の一の端子に入力信号を入力する工程と、該ブリッジ回路の前記位置の端子に対向する位置の他の端子からの出力信号を検出する工程と、記入力信号と前記出力信号と前記既知の素子のインピーダンス値とに基づいて、前記未知の素子のインピーダンス値および該被加工物の加工終点とを算出する工程と、を有する加工量検出方法である。【選択図】図１
2011154751.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インピーダンス値が既知の素子と、インピーダンス値が未知の素子とを有するブリッジ回路を備えた被加工物の該ブリッジ回路の一の端子に入力信号を入力する工程と、
該ブリッジ回路の前記位置の端子に対向する位置の他の端子からの出力信号を検出する工程と、
前記入力信号と前記出力信号と前記既知の素子のインピーダンス値とに基づいて、前記未知の素子のインピーダンス値および該被加工物の加工終点とを算出する工程と、
を有する加工量検出方法。
【請求項２】
請求項１記載の加工量検出方法であって、
前記未知の素子は複数個あることを特徴とする加工量検出方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の加工量検出方法であって、
前記複数個の未知の素子は、各々加工によるインピーダンス値の変化量が異なることを特徴とする加工量検出方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の加工量検出方法であって、
前記複数個の未知の素子は、加工開始点におけるインピーダンス値が各々異なっており、かつ、加工終点におけるインピーダンス値が一致することを特徴とする加工量検出方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の加工量検出方法であって、
前記算出する工程では、Ｖｏｕｔ＝（（Ｚ３／（Ｚ１＋Ｚ３））−（Ｚ４／（Ｚ２＋Ｚ４）））Ｖｉｎ（但し、Ｖｏｕｔは出力信号、Ｖｉｎは入力信号、Ｚ３およびＺ４はインピーダンス値が既知の素子のインピーダンス値、Ｚ１およびＺ２はインピーダンス値が未知の素子のインピーダンス値）に基づいてＺ１およびＺ２を算出することを特徴とする加工量検出方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の加工量検出方法であって、
前記算出する工程では、一のブリッジ回路に対して複数の未知の素子のインピーダンス値および加工終点とを算出することを特徴とする加工量検出方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の加工量検出方法であって、
前記算出する工程では、さらに前記未知の素子の加工量を算出することを特徴とする加工量検出方法。
【請求項８】
インピーダンス値が既知の素子と、インピーダンス値が未知の素子とを有するブリッジ回路を備えた被加工物を載置する定盤と、
該被加工物の該ブリッジ回路の一の端子に入力信号を入力する入力手段と、
該ブリッジ回路の前記位置の端子に対向する位置の他の端子からの出力信号を検出する検出手段と、
前記入力手段により入力された入力信号と前記出力手段により出力された出力信号と前記既知の素子のインピーダンス値とに基づいて、前記未知の素子のインピーダンス値および該被加工物の加工終点とを算出し、前記定盤に対して制御信号を送信する制御部と、
を有する加工量検出装置。
【請求項９】
請求項８記載の加工量検出装置であって、
前記未知の素子は複数個あることを特徴とする加工量検出装置。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の加工量検出装置であって、
前記複数個の未知の素子は、各々加工によるインピーダンス値の変化量が異なることを特徴とする加工量検出装置。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれかに記載の加工量検出装置であって、
前記複数個の未知の素子は、加工開始点におけるインピーダンス値が各々異なっており、かつ、加工終点におけるインピーダンス値が一致することを特徴とする加工量検出装置。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれかに記載の加工量検出装置であって、
前記制御部では、Ｖｏｕｔ＝（（Ｚ３／（Ｚ１＋Ｚ３））−（Ｚ４／（Ｚ２＋Ｚ４）））Ｖｉｎ（但し、Ｖｏｕｔは出力信号、Ｖｉｎは入力信号、Ｚ３およびＺ４はインピーダンス値が既知の素子のインピーダンス値、Ｚ１およびＺ２はインピーダンス値が未知の素子のインピーダンス値）に基づいてＺ１およびＺ２を算出することを特徴とする加工量検出装置。
【請求項１３】
請求項８乃至１２のいずれかに記載の加工量検出装置であって、
前記制御部では、一のブリッジ回路に対して複数の未知の素子のインピーダンス値および加工終点とを算出することを特徴とする加工量検出装置。
【請求項１４】
請求項８乃至１３のいずれかに記載の加工量検出装置であって、
前記制御部では、さらに前記未知の素子の加工量を算出することを特徴とする加工量検出装置。
【請求項１５】
請求項１乃至７記載の加工量検出方法により加工されたことを特徴とする被加工物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出回路規模を増加させずに研磨量を検出する加工量検出方法、加工量検出装置および被加工物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高度な情報化社会の進展に伴い、電子デバイスの微細化や磁気ディスク装置（ＨＤＤ）の高記録密度化が進んでいる。このような微細化や高記録密度への要求に対応する加工技術を実現するため、製造工程ではより一層の高精度加工が求められている。
【０００３】
例えば、ＨＤＤ磁気ヘッドに関して言えば、高記録密度化実現のためには、磁気ディスク上の１ビットの面積を小さくする必要があり、それに応じて、再生および記録素子サイズを小さくする必要がある。
【０００４】
磁気ヘッドの製造工程の一つである浮上面研磨加工工程では、再生素子のＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）膜高さ制御のために、磁気ヘッドに埋め込んだ研磨量に応じて抵抗値が変化する研磨量検知素子（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌａｐｐｉｎｇ  Ｇｕｉｄｅ：ＥＬＧ）の抵抗値を検出し、研磨定盤への押圧力を制御している。そのため、研磨制御装置に接続した基板の端子とＥＬＧの端子をワイヤで接続すること（ワイヤボンディング工程）が通常行われる。ＥＬＧの抵抗値を検出しながら、研磨定盤を駆動制御する加工方法として、「それぞれに薄膜磁気ヘッド素子が形成された少なくとも一つの磁気ヘッドスライダを含む長尺部材であるバーを加工する方法であって、前記バーを、弾性部材を用いずに第１の研磨板に対して押圧し、前記バーの所定の面を研磨する第１の研磨工程と、前記バーまたは前記バーから切り出した単体の磁気ヘッドスライドを、弾性部材を用いて第２の研磨板に対して押圧し、前記第１の研磨工程により研磨された面をさらに研磨する第２の研磨工程とを含むとともに、少なくとも前記第２の研磨工程において、前記バーまたは前記単体の磁気ヘッドスライダの研磨量に応じて変化し、前記バーまたは前記単体の磁気ヘッドスライダに形成した抵抗膜の抵抗値に基づくフィードバック情報に基づいて研磨制御を行うようにしたことを特徴とする磁気ヘッドスライダの加工方法。」が特許文献１（特開２００１−１０１６３４号公報、請求項１および２）に開示されている。
【０００５】
また、磁気ヘッドの製造方法として、「厚み方向での少なくとも磁性薄膜、電気絶縁膜、電気導体膜の所定順序による堆積により、まず所定長さの磁気ギャップ規制膜の先端に磁気短絡部を有する中間的な形状の薄膜磁気ヘッドを形成し、ついでこの薄膜磁気ヘッドの先端を研磨加工して所定のギャップ深さ寸法に仕上げるようにした薄膜磁気ヘッドにおいて、上記研磨加工中の薄膜磁気ヘッドの巻線に零値を含む所定値の直流バイアス電流を供給しながら該巻線が呈するインピーダンスを測定する検知手段と、前記直流バイアス電流値を所定のモードで変化させたときの上記インピーダンスの変化幅が所定の比率に低下したことを検出した制御信号を発生する判定手段とを設け、この制御信号により上記研磨加工の終了を制御するように構成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。」が特許文献２（特開昭６２−６５２２１号公報、請求項１）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１０１６３４号公報
【特許文献２】特開昭６２−６５２２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上記特許文献２に開示されている磁気ヘッドの製造方法（研磨終点検知方法）では、１個の検知素子につき３個の既知インピーダンスを用いた１つのブリッジ回路で加工量検出を行っていた。そのため、１個の磁気ヘッドの研磨終点検知につき１つの検出回路が必要となり、特許文献１に記述されているように多数の磁気ヘッドからなるローバーの研磨制御するためには、インピーダンス検出を行う磁気ヘッド数と同数の検出回路が必要であり、検出回路規模の増加が問題である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば次の通りである。
【０００９】
（１）インピーダンス値が既知の素子と、インピーダンス値が未知の素子とを有するブリッジ回路を備えた被加工物の該ブリッジ回路の一の端子に入力信号を入力する工程と、該ブリッジ回路の前記位置の端子に対向する位置の他の端子からの出力信号を検出する工程と、前記入力信号と前記出力信号と前記既知の素子のインピーダンス値とに基づいて、前記未知の素子のインピーダンス値および該被加工物の加工終点とを算出する工程と、を有する加工量検出方法である。
【００１０】
（２）（１）記載の加工量検出方法であって、前記算出する工程では、Ｖｏｕｔ＝（（Ｚ３／（Ｚ１＋Ｚ３））−（Ｚ４／（Ｚ２＋Ｚ４）））Ｖｉｎ（但し、Ｖｏｕｔは出力信号、Ｖｉｎは入力信号、Ｚ３およびＺ４はインピーダンス値が既知の素子のインピーダンス値、Ｚ１およびＺ２はインピーダンス値が未知の素子のインピーダンス値）に基づいてＺ１およびＺ２を算出することを特徴とする加工量検出方法である。
【００１１】
（３）（１）または（２）に記載の加工量検出方法であって、前記算出する工程では、一のブリッジ回路に対して複数の未知の素子のインピーダンス値および加工終点とを算出することを特徴とする加工量検出方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される発明によれば、検出回路規模を増加させずに加工量検知素子（例えば磁気ヘッド）の研磨量を検出する加工量検出方法、加工量検出装置および被加工物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る加工量検出装置の回路構成図である。
【図２】本発明に係る加工量検出装置により加工される２つの被加工物の加工によるインピーダンス変化を示す図である。
【図３】本発明に係る加工量検出装置により加工される被加工物のブリッジ回路で検出される出力電圧と加工量の関係を示す図である。
【図４】本発明に係る被加工物の実施例の構成図である。
【図５】本発明に係る被加工物の変形例の構成図である。
【図６】本発明に係る被加工物の変形例の構成図である。
【図７】本発明に係る被加工物の変形例の構成図である。
【図８】本発明に係る被加工物の変形例の構成図である。
【図９】本発明に係る被加工物の変形例の構成図である。
【図１０】本発明に係る被加工物ブリッジ回路の１辺を図９のように構成した場合のインピーダンスＺｉの実部と虚部の周波数特性を示すグラフである。
【図１１】本発明に係る被加工物の構成図である。
【図１２】本発明に係る被加工物の加工量検知素子の構造例を示す図である。
【図１３】本発明に係る被加工物の加工量検知素子の構造例を示す図である。
【図１４】本発明に係る被加工物の加工量検知素子の構造例を示す図である。
【図１５】本発明に係る加工量検出装置の実施例の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１５】
以下においては、本発明の加工量検出方法、およびこの加工検出方法を利用した加工量検出器などを含む加工装置の一例として、研磨量検出方法、およびこの研磨量検出方法を利用した研磨量検出器や研磨装置について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【実施例１】
【００１６】
本発明に係る加工量検出装置の実施形態の一例を図１で説明する。図１は本発明に係る加工量検出装置の回路構成図である。
【００１７】
図１記載の加工量検出装置により加工される被加工物５は、第一の加工量検知素子１と第二の加工量検知素子２を備える。ここで、第一の加工量検知素子１のインピーダンスはＺ１、第二の加工量検知素子２のインピーダンスはＺ２である。インピーダンスＺ１、Ｚ２の値は加工によりそれぞれ変化し、加工によるインピーダンスの変化量も互いに異なる点が特徴である。
【００１８】
また、これらのインピーダンスＺ１、Ｚ２の検出にはブリッジ回路を用い、ブリッジ回路の４辺あるうちの少なくとも２辺にインピーダンスＺ１、Ｚ２を接続する。残りの辺にはインピーダンス値が既知であるインピーダンス調整素子３（インピーダンスはＺ３）、インピーダンス調整素子４（インピーダンスはＺ４）をそれぞれ接続する。入力信号源６は図１に示すようにブリッジ回路の端子ａ、ｂに接続しており、ブリッジ回路の各インピーダンスによって決まる端子ｃ、ｄ間に生じる出力電圧７を検出回路部８で検出することにより、加工量および加工終点を算出する。
【００１９】
ここで、ブリッジ回路の入力信号源６による入力電圧をＶｉｎ、出力電圧７をＶｏｕｔとすると、次式に示す関係が成り立つ。
【数１】
2011154751.tif 000003
【００２０】
図２は、本発明に係る加工量検出装置により加工される２つの被加工物の加工によるインピーダンス変化を示す図、図３は、本発明に係る加工量検出装置により加工される被加工物のブリッジ回路で検出される出力電圧と加工量の関係を示す図である。
【００２１】
図２および図３の横軸は加工量として加工開始１０および加工終点１１を示し、図２の縦軸はインピーダンスの絶対値、図３の縦軸は出力電圧の絶対値を示す。
【００２２】
例えば、２つのインピーダンス調整素子３、４のインピーダンス値Ｚ３、Ｚ４がそれぞれ既知である場合、２つの加工量検知素子１、２のインピーダンスＺ１、Ｚ２は図２に示すように加工による変化量が異なり、加工終点１１において同じインピーダンスのＺｔａｒｇｅｔ、或はＺ１Ｚ４＝Ｚ２Ｚ３になるようにした場合、出力電圧｜Ｖｏｕｔ｜は図３のよう加工開始１０から加工終点１１に近づくにつれて小さくなり、加工終点において一定の値Ｖｔａｒｇｅｔ、或はゼロとなる。｜Ｖｏｕｔ｜の変化量は加工によるインピーダンスＺ１、Ｚ２の変化量により決まっており、この出力電圧｜Ｖｏｕｔ｜を検出すれば、（数１）からＺ１、Ｚ２の関係を求めることができる。
【００２３】
加工終点１１においてＺ１、Ｚ２は同じインピーダンスのＺｔａｒｇｅｔ、或はＺ１Ｚ４＝Ｚ２Ｚ３となるので、この関係からＺ１、Ｚ２の値を求められ、加工量および加工終点を算出することができる。
【実施例２】
【００２４】
本発明に係る被加工物のブリッジ回路の１辺に接続する未知のインピーダンスＺ１またはＺ２（以下Ｚｉと称す、ただしｉ＝１、２）の構成例を図４乃至図９にそれぞれ示す。本発明によれば、インピーダンスＺｉは様々なパッシブな回路素子により構成することができる。
【００２５】
（１）図４はインピーダンスＺｉ１２が加工により変化する抵抗Ｒｉ１３のみで構成した場合の構成図である。このとき、インピーダンスＺｉ１２は以下の式で表すことができる。
【数２】
2011154751.tif 000004
【００２６】
（２）図５はインピーダンスＺｉ１２が加工により変化する容量Ｃｉ１４によって構成した場合の構成図である。このとき、インピーダンスＺｉ１２は以下の式で表すことができる。
【数３】
2011154751.tif 000005
【００２７】
（３）図６はインピーダンスＺｉ１２が加工により変化する抵抗Ｒｉ１３と、容量Ｃ１５で構成した場合の構成図である。このとき、インピーダンスＺｉ１２は以下の式で表すことができる。
【数４】
2011154751.tif 000006
【００２８】
この場合、例えば、抵抗Ｒｉ１３と容量Ｃ１５の片方の電極を被加工物内に形成し、容量Ｃ１５のもう一方の電極を検出センサ上に設けることにより、抵抗Ｒｉ１３の変化を容量Ｃ１５の電界結合により非接触で検出することが可能となる。
【００２９】
（４）図７はインピーダンスＺｉ１２が加工により変化する容量Ｃｉ１４と、インダクタＬ１（１７）、Ｌ２（１８）で構成した場合の構成図である。このとき、インピーダンスＺｉ１２は以下の式で表すことができる。
【数５】
2011154751.tif 000007
【００３０】
この場合、例えば、１次側インダクタＬ１（１７）を検出センサ上に、２次側インダクタＬ２（１８）を被加工物内に形成すると、インダクタ対の電磁結合を介して加工により変化する容量Ｃｉ１４を検出することができる。
【００３１】
（５）図８はＺｉ１２が加工により変化する抵抗Ｒｉ１３と、インダクタＬ１（１７）、Ｌ２（１８）で構成した場合の例を示す。このとき、インピーダンスＺｉ１２は以下の式で表すことができる。
【数６】
2011154751.tif 000008
【００３２】
この場合、例えば、１次側インダクタＬ１（１７）を検出センサ上に、２次側インダクタＬ２（１８）を被加工物内に形成すると、インダクタ対の電磁結合を介して加工により変化する抵抗Ｒｉ１３を非接触で検出することができる。
【００３３】
（６）図９は図８に示す回路に容量Ｃ１９を１次側インダクタＬ１（１７）と並列に接続した場合の例である。この場合、容量Ｃ１９と１次側（検出センサ側）インダクタＬ１（１７）は共振器を構成しており、共振周波数において、（数６）の虚数部分の影響が小さくなり、実部が支配的となる。
【００３４】
図１０は、本発明に係る被加工物ブリッジ回路の１辺を図９のように構成した場合のインピーダンスＺｉの実部２０と虚部２１の周波数特性を示すグラフであり、共振周波数ｆ０では、虚部２１がほぼゼロになっていることがわかる。よって、本実施の形態では容量Ｃ１９を挿入することで、加工により変化する抵抗Ｒｉ１３の検出感度を高めることが可能である。
【００３５】
尚、本発明の実施例２における加工量検知素子のインピーダンスＺｉの構成は、以上で述べた例に限らず、使用者がその用途に応じて任意の回路構成とすることができる。
【実施例３】
【００３６】
図１１は、本発明に係る被加工物の構成図、図１２乃至１４は、本発明に係る被加工物の加工量検知素子の構造例を示す図である。
【００３７】
図１１において、被加工物５は研磨定盤５３の上に配置されており、第一の加工量検知素子および第二の加工量検知素子が含まれている。第一の加工量検知素子および第二の加工量検知素子のそれぞれを拡大して構成図を示したものが、加工量検知素子１の構造３０および加工量検知素子２の構造３１である。
【００３８】
前述の通り、本発明における２つの加工量検知素子のインピーダンスＺ１、Ｚ２は加工による変化量が異なることを特徴としており、図１１に示す被加工物５内に配置する第一の加工量検知素子３０および第二の加工量検知素子３１の構造は、図１２乃至図１４に示すように、それぞれ異なっている。
【００３９】
例えば、図１２は、第一の加工量検知素子３０と第二の加工量検知素子３１との高さ等を比較しており、加工開始点３５から加工終点３４まで、加工量３８を加工する場合を考える。このとき、加工量検知素子３０、３１の内部は導電性膜３２により、外側は電極によりそれぞれ構成されており、加工終点における加工量検知素子１および加工量検知素子２の幅はそれぞれ３７と４０である。また、加工終点における加工量検知素子１および加工量検知素子２の長さはそれぞれ３６と３９である。
【００４０】
ここでは、第一の加工量検知素子３０の幅３７が第二の加工量検知素子３１の幅４０よりも高く、従って、加工開始点３５から加工終点３４まで加工するとき、第一の加工量検知素子のインピーダンスＺ１の変化量が、第二の加工量検知素子のインピーダンスＺ２の変化量より緩やかになる。
【００４１】
図１２に示す構造例におけるＺ１、Ｚ２はそれぞれ下式で表すことができる。
【数７】
2011154751.tif 000009
Ａ・・・導電性膜３２のシート抵抗値
Ｂ１・・・第一の加工量検知素子３０の長さ３６
Ｃ１・・・加工終点における第一の加工量検知素子３０の幅３７
Ｂ２・・・第二の加工量検知素子３１の長さ３９
Ｃ２・・・加工終点における第二の加工量検知素子３１の幅４０
ｈ・・・加工終点までの加工量３８
ここで、Ｂ１＝αＢ２、Ｃ１＝αＣ２、（ただし、αは任意の数）とすることで、Ｚ１、Ｚ２の値は図２に示すように加工によるインピーダンスの変化量が異なり、例えば、ｈ＝０となる加工終点において同値となるようにすることが可能となる。
【００４２】
また、本発明における２つの加工量検知素子は図１２に示している構造例に限らず、例えば、図１３、図１４に示すような構造をとることによっても同様の効果を得ることができる。
【００４３】
以上のように、本発明における２つの加工量検知素子のとりうる構造は、加工によりインピーダンス変化量が異なり、かつ、加工終点においてインピーダンスが同値、或は図１に示すブリッジ回路を構成する４つのインピーダンスＺ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４がＺ１Ｚ４＝Ｚ２Ｚ３となることを満足すれば、どんな構造であってもよい。
【実施例４】
【００４４】
図１５は、本発明に係る加工量検出装置（研磨装置）の実施例の構成図である。
【００４５】
被加工物５には第一の加工量検知素子１および第二の加工量検知素子２が配置されており、これらの加工量検知素子１、２はインピーダンス調整素子３およびインピーダンス調整素子４とブリッジ回路を構成している。
【００４６】
被加工物５は定盤５３の上に配置され、被加工物５の加工量は、ブリッジ回路に接続している例えば図１に示す検出回路８により電気信号として検出される。図１に示す入力信号源からブリッジ回路の一の端子に入力信号を入力し、図１に示す検出回路部にてブリッジ回路の他の端子からの出力信号（出力電圧）を検出する。検出した電気信号は制御部５６に伝えられ、例えば制御部５６にて加工量検知素子の加工量および加工終点を算出する。その後、制御部５６は押圧機構５５と研磨定盤駆動機構５４に制御信号を送り、被加工物５を定盤５３に押し当てる力を調整し、研磨定盤駆動機構５４で定盤４３を回転させながら、研磨加工を行う。
【００４７】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定するものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００４８】
例えば、実施例４においては、研磨装置の構成例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、切削装置、エッチング装置などの加工装置における加工量および加工終点を検出する技術全般に広く適用可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１  加工量検知素子１、２  加工量検知素子２、３  インピーダンス調整素子１、４  インピーダンス調整素子２、５  被加工物、６  入力信号源、７  出力電圧、８  検出回路、１０  加工開始点、１１  加工終点、１２  ブリッジ回路の一辺を構成するインピーダンスＺｉ、１３  加工により変化する抵抗Ｒｉ、１４  加工により変化する容量Ｃｉ、１５  検出用の容量Ｃ、１６  結合係数ｋ、１７  検出センサ側のインダクタＬ１、１８  被加工物側のインダクタＬ２、１９  外付けの容量Ｃ、３０  加工量検知素子１の構造、３１  加工量検知素子２の構造、３２  導電性膜、３３  加工量検知素子の電極、３４  加工量検知素子における加工終点、３５  加工量検知素子における加工開始点、３６  加工量検知素子１の長さ、３７  加工終点における加工量検知素子１の幅、３８  加工終点までの加工量、３９  加工量検知素子２の長さ、４０  加工終点における加工量検知素子２の幅、５０  検出用基板、５１  検出用ツール、５３  研磨定盤、５４  研磨定盤駆動機構、５５  押圧機構、５６  制御部
【図１】
2011154751.tif 000010
【図２】
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【図３】
2011154751.tif 000012
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2011154751.tif 000017
【図９】
2011154751.tif 000018
【図１０】
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【図１１】
2011154751.tif 000020
【図１２】
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【図１３】
2011154751.tif 000022
【図１４】
2011154751.tif 000023
【図１５】
2011154751.tif 000024