(57)【要約】【課題】製造ばらつきに起因する測定結果のずれを、高精度に調整可能なセンサ装置を実現する。【解決手段】本発明に係るセンサ装置１０は、外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生するフォトダイオードＰＤ１と、前記電流を電気信号に変換する受光検出回路２と、受光検出回路２の受光感度を調整するための調整信号Ｖ１を出力するトリミング調整回路６とを備えている。【選択図】図１
2011209236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生する受光手段と、
前記電流を電気信号に変換する受光検出手段とを備えるセンサ装置において、
前記受光検出手段の受光感度を調整するトリミング調整手段を備えることを特徴とするセンサ装置。
【請求項２】
前記外部からの光は、受光用レンズを通過して前記受光手段に受光され、
前記受光手段、前記受光用レンズ、前記受光検出手段および前記トリミング調整手段が、樹脂材料により封止されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項３】
外部に向けて光を出射する発光手段と、
外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生する受光手段と、
前記電流を電気信号に変換する受光検出手段とを備えるセンサ装置において、
前記受光検出手段の受光感度と前記発光手段の発光強度とを調整するトリミング調整手段を備えることを特徴とするセンサ装置。
【請求項４】
前記発光手段は、発光用レンズを介して外部に光を出射し、
前記外部からの光は、受光用レンズを通過して前記受光手段に受光され、
前記発光手段、前記発光用レンズ、前記受光手段、前記受光用レンズ、前記受光検出手段および前記トリミング調整手段が、樹脂材料により封止されていることを特徴とする請求項３に記載のセンサ装置。
【請求項５】
前記受光手段の受光位置を調整する受光位置調整手段を備え、
前記トリミング調整手段は、前記受光位置調整手段による調整を制御することを特徴とする請求項３に記載のセンサ装置。
【請求項６】
前記受光手段は、複数の単位受光手段に分割されており、
前記受光位置調整手段は、各単位受光手段の少なくとも一部を選択して、選択した単位受光手段が発生する電流を前記受光検出手段に出力する電流選択手段であり、
前記トリミング調整手段は、前記電流選択手段が選択する単位受光手段の組み合わせを調整することを特徴とする請求項５に記載のセンサ装置。
【請求項７】
前記発光手段は、発光用レンズを介して外部に光を出射し、
前記外部からの光は、受光用レンズを通過して前記受光手段に受光され、
前記発光手段、前記発光用レンズ、前記受光手段、前記受光用レンズ、前記受光検出手段、前記トリミング調整手段および前記電流選択手段が、樹脂材料により封止されていることを特徴とする請求項６に記載のセンサ装置。
【請求項８】
前記トリミング調整手段は、前記受光検出手段の受光感度を調整するための調整信号を生成して、当該調整信号を前記受光検出手段に出力することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項９】
前記発光手段を駆動する発光手段駆動手段を備え、
前記トリミング調整手段は、前記発光手段の発光強度を調整するための調整信号を生成して、当該調整信号を前記発光手段駆動手段に出力することを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項１０】
前記トリミング調整手段は、前記電流選択手段が選択する単位受光手段の組み合わせを調整するための調整信号を生成して、当該調整信号を前記電流選択手段に出力することを特徴とする請求項６または７のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項１１】
前記トリミング調整手段は、１ビット信号を出力する１ビット信号出力手段を複数備え、
前記調整信号は、前記１ビット信号出力手段が出力する各信号からなるマルチビット信号であり、
前記１ビット信号出力手段には、第１の選択信号およびテスト信号が入力され、
第１の選択信号およびテスト信号はともに、任意に値を切り替えることが可能な信号であり、
前記１ビット信号出力手段は、
トリミング調整により値が切り替わるトリミング固定化信号を発生する固定化信号出力手段と、
第１の選択信号に基づいて前記テスト信号および前記トリミング固定化信号のいずれかを選択し、選択した信号を前記調整信号として出力する信号選択手段とを備えることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項１２】
前記固定化信号出力手段は、ヒューズ素子を備えており、
ヒューズ素子の溶断によって前記トリミング固定化信号の値が切り替わることを特徴とする請求項１１に記載のセンサ装置。
【請求項１３】
前記固定化信号出力手段は、前記ヒューズ素子に電流を流すことにより前記ヒューズ素子を溶断する電流溶断手段を備えていることを特徴とする請求項１２に記載のセンサ装置。
【請求項１４】
前記１ビット信号出力手段には、さらにトリミング信号と第２の選択信号とが入力され、
前記電流溶断手段は、第１のスイッチと第２のスイッチとをさらに備え、
第１のスイッチと前記ヒューズ素子とは、電源電位とＧＮＤ電位との間で直列に接続され、
第２の選択信号は、第２のスイッチを介して第１のスイッチの制御端子に入力され、
第２のスイッチは、前記トリミング信号によってＯＮ／ＯＦＦ制御され、
前記固定化信号出力手段は、第１のスイッチと前記ヒューズ素子との間の電位をトリミング固定化信号として出力することを特徴とする請求項１３に記載のセンサ装置。
【請求項１５】
前記ヒューズ素子にレーザ光を照射することにより、前記ヒューズ素子を溶断可能なレーザ照射装置を備えることを特徴とする請求項１２に記載のセンサ装置。
【請求項１６】
樹脂材料により封止され、
前記樹脂材料は、前記レーザ光を透過するための透明な透過部を備えていることを特徴とする請求項１５に記載のセンサ装置。
【請求項１７】
前記固定化信号出力手段は、プルダウン抵抗をさらに備え、
前記プルダウン抵抗と前記ヒューズ素子とは、電源電位とＧＮＤ電位との間で直列に接続され、
前記ヒューズ素子は電源電位側に設けられ、前記プルダウン抵抗はＧＮＤ電位側に設けられ、
前記固定化信号出力手段は、前記ヒューズ素子と前記プルダウン抵抗との間の電位を前記トリミング固定化信号として出力することを特徴とする請求項１５または１６に記載のセンサ装置。
【請求項１８】
前記トリミング調整手段は、不揮発性メモリ素子と、
前記不揮発性メモリ素子が保持する値を書き換えるデータ書き換え手段とを備え、
前記不揮発性メモリ素子は、保持する値を前記調整信号として出力することを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項１９】
シリアル入力により任意の信号を入出力／設定する機能を有するレジスタ手段を備え、
前記テスト信号および第１の選択信号は、前記レジスタ手段によって生成されることを特徴とする請求項１１、１５〜１７のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項２０】
シリアル入力により任意の信号を入出力／設定する機能を有するレジスタ手段を備え、
前記テスト信号、第１の選択信号および第２の選択信号は、前記レジスタ手段によって生成され、
前記トリミング信号は、前記センサ装置の外部から各１ビット信号出力手段に共通に入力されることを特徴とする請求項１４に記載のセンサ装置。
【請求項２１】
前記各手段は、同一の基板上に形成されていることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項２２】
液晶ディスプレイと、
前記液晶ディスプレイを背面から照射するバックライトと、
前記バックライトの輝度を制御するバックライト制御部と、
請求項１〜２１のいずれか１項に記載のセンサ装置とを備え、
前記バックライト制御部は、前記センサ装置からの前記電気信号に基づき、前記バックライトの輝度を制御することを特徴とする電子機器。
【請求項２３】
液晶ディスプレイと、
前記液晶ディスプレイ上の設けられるタッチパネルと、
前記タッチパネルの駆動のＯＮ／ＯＦＦを制御するタッチパネル制御部と、
請求項１〜２１のいずれか１項に記載のセンサ装置とを備え、
前記タッチパネル制御部は、前記センサ装置からの前記電気信号に基づき、前記タッチパネルの駆動のＯＮ／ＯＦＦを制御することを特徴とする電子機器。
【請求項２４】
外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生する受光手段と、
前記電流を電気信号に変換する受光検出手段と、
前記受光検出手段の受光感度を調整するトリミング調整手段を備えるセンサ装置の製造方法であって、
前記受光手段、前記受光検出手段および前記トリミング調整手段を樹脂材料により封止する封止工程と、
前記封止工程の後に、前記トリミング調整手段によって前記受光検出手段の受光感度を調整する受光感度調整工程とを有していることを特徴とするセンサ装置の製造方法。
【請求項２５】
外部に向けて光を出射する発光手段と、
外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生する受光手段と、
前記電流を電気信号に変換する受光検出手段と、
前記受光検出手段の受光感度および前記発光手段の発光強度を調整するトリミング調整手段とを備えるセンサ装置の製造方法であって、
前記発光手段、前記受光手段、前記受光検出手段および前記トリミング調整手段を樹脂材料により封止する封止工程と、
前記封止工程の後に、前記トリミング調整手段によって前記受光検出手段の受光感度を調整する受光感度調整工程と、
前記受光感度調整工程の後に、前記トリミング調整手段によって前記発光手段の発光強度を調整する発光強度調整工程とを有していることを特徴とするセンサ装置の製造方法。
【請求項２６】
前記トリミング調整手段は、
前記受光検出手段の受光感度を調整するための第１の調整信号を生成する受光用トリミング調整手段と、
前記発光手段の発光強度を調整するための第２の調整信号を生成する発光用トリミング調整手段とを備え、
前記受光用トリミング調整手段は、値が可変である第１のテスト信号と、トリミング調整により値が切り替わる第１のトリミング固定化信号とのいずれかを選択して出力可能であり、
前記発光用トリミング調整手段は、値が可変である第２のテスト信号と、トリミング調整により値が切り替わる第２のトリミング固定化信号とのいずれかを選択して出力可能であり、
前記受光感度調整工程は、
前記トリミング調整手段が第１のテスト信号を第１の調整信号として出力する照度テストモード開始手順と、
基準光源から所定の光を前記受光手段に照射する照射手順と、
前記センサ装置が検出した照度情報が所定の範囲内の値となるように、第１のテスト信号を調整する第１のテスト信号調整手順と、
前記照度情報が所定の範囲内の値である場合に、第１のトリミング固定化信号と第１のテスト信号とが同一となるように選択的にトリミング調整する受光用トリミング調整手順と、を有し、
前記発光強度調整工程は、
前記トリミング調整手段が第２のテスト信号を第２の調整信号として出力する近接テストモード開始手順と、
前記センサ装置からの所定の距離に被検出物を設置する設置手順と、
前記センサ装置が検出した近接情報が所定の範囲内の値となるように、第２のテスト信号を調整する第２のテスト信号調整手順と、
前記近接情報が所定の範囲内の値である場合に、第２のトリミング固定化信号と第２のテスト信号とが同一となるように選択的にトリミング調整する発光用トリミング調整手順と、を有することを特徴とする請求項２５に記載のセンサ装置の製造方法。
【請求項２７】
外部に向けて光を出射する発光手段と、
外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生する受光手段と、
前記電流を電気信号に変換する受光検出手段と、
前記受光手段の受光位置を調整する受光位置調整手段と、
前記受光検出手段の受光感度および前記発光手段の発光強度を調整するとともに、前記受光位置調整手段による調整を制御するトリミング調整手段とを備えるセンサ装置の製造方法であって、
前記発光手段、前記受光手段、前記受光検出手段、前記受光位置調整手段および前記トリミング調整手段を樹脂材料により封止する封止工程と、
前記封止工程の後に、前記トリミング調整手段によって前記受光検出手段の受光感度を調整する受光感度調整工程と、
前記受光感度調整工程の後に、前記トリミング調整手段によって前記発光手段の発光強度を調整するとともに、前記受光位置調整手段による調整を制御する発光強度／受光位置調整工程とを有していることを特徴とするセンサ装置の製造方法。
【請求項２８】
前記トリミング調整手段は、
前記受光検出手段の受光感度を調整するための第１の調整信号を生成する受光用トリミング調整手段と、
前記発光手段の発光強度を調整するための第２の調整信号を生成する発光用トリミング調整手段と、
前記受光位置調整手段による調整を制御するための第３の調整信号を生成する受光位置調整用トリミング調整手段を備え、
前記受光用トリミング調整手段は、値が可変である第１のテスト信号と、トリミング調整により値が切り替わる第１のトリミング固定化信号とのいずれかを選択して出力可能であり、
前記発光用トリミング調整手段は、値が可変である第２のテスト信号と、トリミング調整により値が切り替わる第２のトリミング固定化信号とのいずれかを選択して出力可能であり、
前記受光位置調整用トリミング調整手段は、値が可変である第３のテスト信号と、トリミング調整により値が切り替わる第３のトリミング固定化信号とのいずれかを選択して出力可能であり、
前記受光感度調整工程は、
前記トリミング調整手段が第１のテスト信号を第１の調整信号として出力する照度テストモード開始手順と、
基準光源から所定の光を前記受光手段に照射する照射手順と、
前記センサ装置が検出した照度情報が所定の範囲内の値となるように、第１のテスト信号を調整する第１のテスト信号調整手順と、
前記照度情報が所定の範囲内の値である場合に、第１のトリミング固定化信号と第１のテスト信号とが同一となるように選択的にトリミング調整する受光用トリミング調整手順と、を有し、
前記発光強度／受光位置調整工程は、
前記トリミング調整手段が第２のテスト信号を第２の調整信号として出力し、第３のテスト信号を第３の調整信号として出力する近接テストモード開始手順と、
前記センサ装置から第１の距離の位置に第１の被検出物を設置する第１の設置手順と、
前記センサ装置が検出した第１の被検出物の近接情報が所定の範囲内の値となるように、第２のテスト信号を調整する第２のテスト信号調整手順と、
前記第１の被検出物の近接情報が所定の範囲内の値である場合に、前記センサ装置から第１の距離よりも短い至近距離である第２の距離に第２の被検出物を設置する第２の設置手順と、
前記センサ装置が検出した第２の被検出物の近接情報が所定の範囲内の値となるように、第３のテスト信号を調整する第３のテスト信号調整手順と、
前記第２の被検出物の近接情報が所定の範囲内の値である場合に、第２のトリミング固定化信号と第２のテスト信号とが同一となり、第３のトリミング固定化信号と第３のテスト信号とが同一となるように選択的にトリミング調整する発光強度／受光位置調整用トリミング調整手順と、を有することを特徴とする請求項２７に記載のセンサ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサ装置に関し、特に、パッケージ化された照度センサ・近接センサ一体型装置の製造ばらつきの調整に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルを有する携帯電話やデジタルカメラ等のポータブル電子機器では、液晶パネルのバックライトの発光量を、外乱光の照度に応じて制御できるように、外乱光の照度を検知する照度センサを搭載させる要望がある。照度センサでは、太陽光や蛍光灯などの外乱光を、フォトダイオードによって電流に変換し、積分型のアナログ−デジタル変換回路でデジタル出力する方式が一般的である。その理由は、積分型のアナログ−デジタル変換回路は、簡単な構成で高精度な分解能を実現できるという特徴があり、照度センサのように、低速ではあるが高い分解能（１６ｂｉｔ程度）を要求される電子機器に適しているためである。
【０００３】
また、液晶パネル、または、タッチパネル付きの液晶パネルを有する携帯電話、或いは、デジタルカメラ等のポータブル電子機器では、消費電力低減およびタッチパネルの誤動作の防止のため、顔が液晶パネルに近づいた時に、液晶パネルへの電力供給、或いは、タッチパネルの機能をＯＦＦできるよう、近接センサを搭載させる要望がある。
【０００４】
しかし、携帯電話やデジタルカメラ等のポータブル電子機器に、上記の照度センサ、及び、近接センサの両方を搭載する場合、実装面積の増加により電子機器のサイズが大きくなるという問題がある。また、電子機器の筐体に受光用の窓と発光用の窓とを別々に形成する必要があることから、デザイン面での制約が生じる。これらの理由により、近接センサ・照度センサ一体型のデバイス（照度／近接センサ）の要望が増えてきている。
【０００５】
図２８は、タッチパネル付きの液晶ディスプレイを有する一般的な電子機器１００の構成を示すブロック図である。電子機器１００は、照度／近接センサ１１０、液晶バックライト制御部１２０、タッチパネル機能制御部１３０および液晶ディスプレイ／タッチパネル１４０を備えている。照度／近接センサ１１０は、外部情報（太陽光などの外乱光照度情報、及び、近接物体有無の近接情報）を検出し、液晶バックライト制御部１２０に液晶バックライトを制御するための照度情報および近接情報を出力するとともに、タッチパネル機能制御部１３０にタッチパネル機能を制御するための近接情報を出力している。
【０００６】
また、照度／近接センサが搭載される電子機器やその電子機器の使用用途によっては、照度センサの照度情報の高精度化、或いは、近接センサの検出距離範囲のさらなる安定化（検出可能範囲のばらつきの低減）が要望されている。例えば、照度センサは、透過率の低い電子機器筐体内に実装されることが多く、より低照度（高分解能）での動作安定化が求められている。そのため、照度センサ特性、及び、近接センサ特性のさらなる安定化、
すなわち、照度／近接センサ装置の製造ばらつきを低減する必要性が高まってきている。
【０００７】
続いて、照度／近接センサの使用形態（動作形態）について説明する。
【０００８】
図２９は、一般的な照度／近接センサ１１０を示す概略断面図であり、（ａ）は照度／近接センサ１１０を照度センサとして使用している状態を示しており、（ｂ）は照度／近接センサ１１０を近接センサとして使用している状態を示している。照度／近接センサ１１０は、フォトダイオードＰＤ、発光ダイオードＬＥＤ、制御用回路（ＩＣチップ）１０１を備えている。フォトダイオード（受光素子）ＰＤ、発光ダイオード（発光素子）ＬＥＤ、制御用回路１０１は、同一の基板ＰＢ上に実装されており、樹脂パッケージ１１１によって１パッケージ化されている。また、フォトダイオードＰＤの上方には受光用レンズ１１２が設けられており、発光ダイオードＬＥＤの上方には発光用レンズ１１３が設けられている。制御用回路１０１は、フォトダイオードＰＤからの信号を検出／出力する機能と、発光ダイオードＬＥＤを駆動する機能とを備えている。また、一般的に、フォトダイオードＰＤ、及び、発光ダイオードＬＥＤは、金線（ワイヤー）等により電気的に接続される。
【０００９】
照度／近接センサ１１０が照度センサとして動作する場合は、受光用レンズ１１２を通過する太陽光や蛍光灯などの外乱光をフォトダイオードＰＤによって受光する。フォトダイオードＰＤは、外乱交の強さに応じた受光電流信号を発生し、制御用回路１０１がその受光電流信号を外乱光照度を示すデータに変換して出力する。
【００１０】
また、照度／近接センサ１１０が近接センサとして動作する場合は、制御用回路１０１によって発光ダイオードＬＥＤを駆動し、発光ダイオードＬＥＤからの出射光が発光用レンズ１１３を通過して被検出物Ｓに投射されて反射する。被検出物Ｓからの反射光の一部が、受光用レンズ１１２を通過して、フォトダイオードＰＤによって受光される。制御用回路１０１は、フォトダイオードＰＤからの受光電流信号の有無に基づいて、反射光の有無を検出し、被検出物Ｓの有無および距離を示す近接情報を出力する。
【００１１】
続いて、従来の照度／近接センサの構成例について説明する。
【００１２】
図３０は、特願２００９−１５１２６０号に記載の照度／近接センサ２１０の構成を示すブロック図である。照度／近接センサ２１０は、フォトダイオードＰＤ１、発光ダイオードＬＥＤ１および制御用回路２０１を備えている。さらに、制御用回路２０１は、受光検出回路２０２、発光素子駆動回路２０３、制御回路２０４および入出力インターフェース／レジスタ回路２０５を備えている。
【００１３】
受光検出回路２０２は、フォトダイオードＰＤ１からの受光電流信号に基づいて、検出結果を示す情報を出力する。発光素子駆動回路２０３は、発光ダイオードＬＥＤ１を駆動するための電流を出力する。制御回路２０４は、受光検出回路２０２および発光素子駆動回路２０３の動作を制御するための制御信号を出力する。入出力インターフェース／レジスタ回路２０５は、入出力端子ＳＤＡ、クロック入力端子ＳＣＬおよび検出データ出力端子ＳＯＵＴに接続されており、受光検出回路２０２からの検出結果を外部へ出力したり、外部からの制御信号の入力を受け付ける。
【００１４】
一般的な照度センサの検出方式としては、太陽光や蛍光灯などの外乱光をフォトダイオードで電流信号に変換し、積分型のアナログ−デジタル変換回路で電流信号をデジタル信号に変換して出力する方式がある。また、一般的な近接センサの検出方式としては、発光ダイオードから光を投射し、被検出物からの反射光をフォトダイオードで電流信号に変換し、照度センサと同様、積分型のアナログ−デジタル変換回路で電流信号をデジタル信号に変換して出力する方式がある。上記の照度／近接センサ２１０も、一般的な検出方式を採用しており、受光検出回路２０２は、積分型のアナログ−デジタル変換回路を備えている。
【００１５】
図３１は、受光検出回路２０２の詳細な構成を示す回路図である。受光検出回路２０２は、フォトダイオードＰＤ１が発生する入力電流Ｉｉｎをデジタル変換するアナログ−デジタル変換回路であり、放電回路２０２ａ、充電回路２０２ｂ、比較回路２０２ｃおよびデータ出力回路２０２ｄを備えている。
【００１６】
充電回路２０２ｂは、積分器を構成するオペアンプＡＭＰ１および充電用キャパシタＣ１を備えており、充電用キャパシタＣ１に入力電流Ｉｉｎに応じた電荷が蓄えられる。放電回路２０２ａは、充電用キャパシタＣ１に蓄えられた電荷を放電するための基準電流ＩＲＥＦを発生する電流源Ｉｒｅｆ１と、放電のＯＮ／ＯＦＦを切り替えるためのスイッチＳＷＢとを有している。
【００１７】
比較回路２０２ｃは、コンパレータＣＯＭＰ１とスイッチＳＷＡとを有している。コンパレータＣＯＭＰ１は、充電回路２０２ｂの出力電圧Ｖｓｉｇと基準電圧源Ｅ１が発生する基準電圧Ｖｒｅｆとを比較して信号ｃｏｍｐを出力する。スイッチＳＷＡは、基準電圧Ｖｒｅｆと充電回路２０２ｂの出力電圧とを切り替える。
【００１８】
データ出力回路２０２ｄは、フリップフロップＦＦ１とカウンタＣＯＵＮＴ１とを有している。フリップフロップＦＦ１は、比較回路２０２ｃの出力信号ｃｏｍｐがＨｉレベルになると、クロック入力端子ＳＣＬ（図３０）から入力されるクロック信号ｃｌｋの立ち上がりに同期して、その放電制御信号ｃｈａｒｇｅをＨｉレベルにする。放電制御信号ｃｈａｒｇｅは、カウンタＣＯＵＮＴ１およびスイッチＳＷＢに入力され、カウンタＣＯＵＮＴ１は、所定期間に放電制御信号ｃｈａｒｇｅがＨｉレベルになった回数をカウントして、カウント値をデジタル信号ＤＯＵＴとして出力する。
【００１９】
このように、受光検出回路２０２は、積分型アナログ−デジタル変換回路を備えているため、広いダイナミックレンジと高い分解能のアナログ−デジタル変換を実現している。以下、受光検出回路２０２の動作について説明する。
【００２０】
図３２は、照度／近接センサ２１０が照度センサとして動作した場合における、受光検出回路２０２の各信号の波形を示す図である。初期状態では、スイッチＳＷＡが閉じているため、コンパレータＣＯＭＰ１に入力される電圧Ｖｓｉｇと基準電圧Ｖｒｅｆとが等しくなっている。続いて、充電期間（データ変換時間ｔ＿ｃｏｎｖ）の間、スイッチＳＷＡが開くことで、入力電流Ｉｉｎが充電用キャパシタＣ１に充電される。まず、放電回路２０２ａにより、一定の電荷（ＩＲＥＦ＊ｔ＿ｃｌｋ）を放電させる（プリチャージ動作）。この後、充電用キャパシタＣ１は入力電流Ｉｉｎにより充電され、充電回路２０２ｂの出力電圧Ｖｓｉｇが基準電圧Ｖｒｅｆを超えると、比較回路２０２ｃの出力信号ｃｏｍｐがＨｉレベルになる。このとき、放電回路２０２ａのスイッチＳＷＢが閉じるため、一定の電荷（ＩＲＥＦ＊ｔ＿ｃｌｋ）が放電される。カウンタＣＯＵＮＴ１がデータ変換時間ｔ＿ｃｏｎｖにおける放電回数（ｃｏｕｎｔ）を数えることで、入力された電荷量に応じた値がデジタル信号ＤＯＵＴとして出力される。
【００２１】
ここで、データ変換時間ｔ＿ｃｏｎｖに入力電流Ｉｉｎにより充電された電荷量は、
Ｉｉｎ＊ｔ＿ｃｏｎｖ
となり、一度に放電される電荷量は、
ＩＲＥＦ＊ｔ＿ｃｌｋ
となる。充電電荷量Ｉｉｎ＊ｔ＿ｃｏｎｖと、データ変換時間ｔ＿ｃｏｎｖに放電される電荷量の合計とが等しくなるので、
Ｉｉｎ＊ｔ＿ｃｏｎｖ＝ＩＲＥＦ＊ｔ＿ｃｌｋ＊ｃｏｕｎｔ
ｃｏｕｎｔ＝（Ｉｉｎ ＊ ｔ＿ｃｏｎｖ）／（ＩＲＥＦ＊ｔ＿ｃｌｋ）
となる。
【００２２】
ここで、分解能をｎとすると、充電期間ｔ＿ｃｏｎｖは、
ｔ＿ｃｏｎｖ=ｔ＿ｃｌｋ＊２ｎ
に設定されるので、
ｃｏｕｎｔ＝（Ｉｉｎ／ＩＲＥＦ）＊２ｎ    ・・・（１）      
となる。
【００２３】
例えば、分解能ｎ＝１６ビットの場合、入力電流Ｉｉｎに応じたカウント数（ｃｏｕｎｔ）は、０〜６５５３５の範囲となる。また、式（１）より、カウント数は基準電流ＩＲＥＦに反比例して変動することから、積分型アナログ−デジタル回路では、基準電流ＩＲＥＦが受光検出回路の受光感度（ＡＤ変換特性）を決定するパラメータとなる。
【００２４】
図３３は、照度／近接センサ２１０が近接センサとして動作した場合における、発光ダイオードＬＥＤ１および受光検出回路２０２のデジタル信号ＤＯＵＴの波形を示す図であり、（ａ）は被検出物が有る場合を示しており、（ｂ）は被検出物が無い場合を示している。発光ダイオードＬＥＤ１を駆動している期間のデジタル信号ＤＯＵＴをＤａｔａ１として、発光ダイオードＬＥＤ１を駆動していない期間のデジタル信号ＤＯＵＴをＤａｔａ２とすると、それらのデータの差分（Ｄａｔａ１−Ｄａｔａ２）が近接情報となる。図３０に示す入出力インターフェース／レジスタ回路２０５は、図示しない近接判定回路を備えており、近接判定回路は、上記差分をデジタル閾値Ｄａｔａ＿ｔｈと比較することにより、近接／非近接を判定する。
【００２５】
具体的には、被検出物がある場合、被検出物からの反射光により、フォトダイオードＰＤの発生する電流が大きくなり、差分（Ｄａｔａ１−Ｄａｔａ２）が閾値Ｄａｔａ＿ｔｈを越えるため、近接と判定される。被検出物が無い場合は、被検出物からの反射光がないため、フォトダイオードＰＤの発生する電流は小さく、差分（Ｄａｔａ１−Ｄａｔａ２）が閾値Ｄａｔａ＿ｔｈを越えないので、非近接と判定される。
【００２６】
続いて、照度／近接センサの測定精度のばらつきについて説明する。
【００２７】
上記従来の照度／近接センサでは、各構成素子の製造ばらつきにより、照度情報および近接情報にずれが発生する場合がある。具体的な製造ばらつきとして、例えば図３０に示す照度／近接センサ２１０では、受光検出回路２０２の受光感度、発光素子駆動回路２０３の駆動電流量、フォトダイオードＰＤ１の受光効率、発光ダイオードＬＥＤ１の発光効率、光学系のばらつき等が挙げられる。ここで、光学系のばらつきには、光学レンズのばらつき、受光素子および発光素子の位置ずれ、並びに、分光用フィルタ（受光部）のばらつき等が含まれる。
【００２８】
半導体集積回路である制御用回路のみの製造ばらつきについては、半導体ウェハ状態でのプローブテスト（ウェハテスト）において、受光検出回路の受光感度ばらつきを測定し、トリミングなどの調整手段を用いてばらつきを補正するという方法が一般的である。しかしながら、照度センサ・近接センサ一体型装置として実装（パッケージ）した場合は、制御用回路ばらつき以外の上記複数の要因により、検出結果にずれが生じることになるため、補正効果としては不十分な結果しか得られないという問題がある。
【００２９】
これに対し、半導体集積回路の特性を調整する一つの方法として、特許文献１に記載されているヒューズトリミング調整手段がある。ヒューズトリミング調整手段は、通常動作用の電源とは別のトリミング用の電源からヒューズ素子に電流を導通することで、ヒューズ素子を電気的に溶断して調整信号を生成する構成である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３０】
【特許文献１】特開２００８−１９２７７９号公報（２００８年８月２１日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３１】
しかしながら、上記手段は、複数の電源を用いる構成としているため、レベルシフト回路や各種の組合せ回路等を必要とする。そのため、回路規模が大きく複雑化し、また、ヒューズトリミング調整手段を動作させるために必要となる外部入出力端子が多いという問題がある。そのため、照度／近接センサを電子機器に実装した後に製造ばらつきを補正する方法として、特許文献１に記載のヒューズトリミング調整手段を実施した場合、照度／近接センサの回路規模が大きくなり、トリミング調整用の入出力端子や電源端子等の外部端子を多数形成する必要がある。また、照度／近接センサは、小型の電子機器に搭載されることが多いため、特許文献１に記載のヒューズトリミング調整手段を照度／近接センサに適用することは困難である。そのため、製造ばらつきを補正する手段は、照度／近接センサの実装後に特性を調整でき、かつ、できるだけ回路規模が小さく、外部端子数が少ないことが望ましい。
【００３２】
また、単純に照度／近接センサ全体の製造ばらつきを、受光感度等の一つの特性パラメータのみに基づいて補正を行うと、以下のような問題が生じる。例えば、発光側（発光量や駆動電流）のみがばらついており、受光部自体はばらついていない場合に、近接判定結果を補正するために受光感度の補正を行うと、近接判定結果自体の補正は可能となるが、受光部自体がばらついていないため、照度の検出結果にずれが生じる可能性がある。
【００３３】
さらに別の問題として、照度／近接センサを、携帯電話等の電子機器に実装した場合、近接センサとして動作するときに、電子機器筐体表面での反射光により、誤判定が生じる可能性がある。
【００３４】
図３４は、上記の照度／近接センサ１１０において、電子機器の筐体表面での反射光が受光素子側に入射している状態を示す概略断面図である。同図では、ＬＥＤからの出射光が筐体表面１５０に反射し、さらに、筐体表面１５０からの反射光の一部がフォトダイオードＰＤに入射している。このため、被検出物が無い場合であっても、照度／近接センサ１１０は被検出物有りと判定してしまう。
【００３５】
この問題は、主に照度／近接センサと筐体表面との距離に依存して発生する問題であるが、光学レンズのばらつきや、発光素子の実装位置ずれなどの製造ばらつきにより、誤判定が発生する場合もある。そのため、照度・近接一体型装置として実装した後に、上記の製造ばらつきを補正する手段が必要となる。
【００３６】
また、上記の誤判定は、照度／近接センサと筐体表面との距離が長いほど発生しやすい。一般的には、照度／近接センサと被検出物の距離（検出可能な距離）は１〜１００ｍｍ程度であるのに対し、携帯電話等の電子機器では、筐体表面から１ｍｍ以内の極近い距離に照度／近接センサを実装する必要があり、照度／近接センサを電子機器筐体表面から離れた位置（筐体の深い位置）に実装することは困難である。このように、筐体表面での反射による誤判定の問題によって、電子機器と照度／近接センサの設計自由度が制限されることになる。
【００３７】
また、照度／近接センサが搭載される電子機器は、携帯電話やＰＤＡ等のポータブル機器（モバイル機器）が大半であるため、照度／近接センサは、より小型で、且つ、安価であることが要望されている。
【００３８】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、製造ばらつきに起因する測定結果のずれを、高精度に調整可能なセンサ装置およびその製造方法を実現することにある。
【００３９】
また、本発明の他の目的は、照度センサとしての機能と近接センサとしての機能とを有し、かつ、製造ばらつきに起因する照度測定のずれと近接測定のずれとの両方を高精度に調整可能なセンサ装置およびその製造方法を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００４０】
上記の課題を解決するために、本発明に係るセンサ装置は、外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生する受光手段と、前記電流を電気信号に変換する受光検出手段とを備えるセンサ装置において、前記受光検出手段の受光感度を調整するトリミング調整手段を備えることを特徴としている。
【００４１】
上記の構成によれば、受光手段が外部からの光の強さに応じた電流を発生し、受光検出手段がその電流を電気信号に変換することにより、電気信号の値に基づいて外部光の強さを検知することができる。そのため、センサ装置は照度センサとして機能する。ここで、センサ装置は、受光検出手段の受光感度を調整するトリミング調整手段を備えているので、センサ装置をパッケージ化した後においても、受光検出手段の受光感度を調整することができる。よって、パッケージ材料を含めた各構成要素の製造ばらつきも含めて、受光感度を調整することができる。したがって、製造ばらつきに起因する測定結果のずれを、高精度に調整可能なセンサ装置を実現することができる。
【００４２】
上記の課題を解決するために、本発明に係るセンサ装置の製造方法は、外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生する受光手段と、前記電流を電気信号に変換する受光検出手段と、前記受光検出手段の受光感度を調整するトリミング調整手段を備えるセンサ装置の製造方法であって、前記受光手段、前記受光検出手段および前記トリミング調整手段を樹脂材料により封止する封止工程と、前記封止工程の後に、前記トリミング調整手段によって前記受光検出手段の受光感度を調整する受光感度調整工程とを有していることを特徴としている。
【００４３】
上記の構成によれば、受光手段が外部からの光の強さに応じた電流を発生し、受光検出手段がその電流を電子信号に変換することにより、電気信号の値に基づいて外部光の強さを検知することができる。そのため、センサ装置は照度センサとして機能する。ここで、センサ装置は、受光検出手段の受光感度を調整するトリミング調整手段を備えており、トリミング調整手段によって受光検出手段の受光感度を調整する受光感度調整工程は、受光検出手段およびトリミング調整手段を樹脂材料により封止する封止工程の後に行われる。よって、パッケージ材料を含めた各構成要素の製造ばらつきも含めて、受光感度を調整することができる。したがって、製造ばらつきに起因する測定結果のずれを、高精度に調整可能なセンサ装置の製造方法を実現することができる。
【００４４】
本発明に係るセンサ装置では、前記外部からの光は、受光用レンズを通過して前記受光手段に受光され、前記受光手段、前記受光用レンズ、前記受光検出手段および前記トリミング調整手段が、樹脂材料により封止されていることが好ましい。
【００４５】
上記の構成によれば、受光手段、前記受光用レンズ、受光検出手段、トリミング調整手段および樹脂材料の各構成要素の製造ばらつきも含めて、受光感度を調整することができるので、製造ばらつきに起因する測定結果のずれを非常に高精度に調整できる。
【００４６】
本発明に係るセンサ装置は、外部に向けて光を出射する発光手段と、外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生する受光手段と、前記電流を電気信号に変換する受光検出手段とを備えるセンサ装置において、前記受光検出手段の受光感度と前記発光手段の発光強度とを調整するトリミング調整手段を備えることを特徴としている。
【００４７】
上記の構成によれば、受光手段が外部からの光の強さに応じた電流を発生し、受光検出手段がその電流を電気信号に変換することにより、電気信号の値に基づいて外部光の強さを検知することができる。そのため、センサ装置は照度センサとして機能する。また、発光手段が外部に向けて光を出射し、物体により当該光が反射されて受光手段に受光されることにより、受光検出手段からの電気信号の値に基づいて、当該物体を検知することができる。そのため、センサ装置は近接センサとして機能する。ここで、センサ装置は、受光検出手段の受光感度と発光手段の発光強度とを調整するトリミング調整手段を備えているので、センサ装置をパッケージ化した後においても、受光検出手段の受光感度と発光手段の発光強度とを調整することができる。よって、パッケージ材料を含めた各構成要素の製造ばらつきも含めて、受光感度を調整することができる。したがって、照度センサとしての機能と近接センサとしての機能とを有し、かつ、製造ばらつきに起因する照度測定のずれと近接測定のずれとの両方を高精度に調整可能なセンサ装置を実現することができる。
【００４８】
本発明に係るセンサ装置の製造方法は、外部に向けて光を出射する発光手段と、外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生する受光手段と、前記電流を電気信号に変換する受光検出手段と、前記受光検出手段の受光感度および前記発光手段の発光強度を調整するトリミング調整手段とを備えるセンサ装置の製造方法であって、前記発光手段、前記受光手段、前記受光検出手段および前記トリミング調整手段を樹脂材料により封止する封止工程と、前記封止工程の後に、前記トリミング調整手段によって前記受光検出手段の受光感度を調整する受光感度調整工程と、前記受光感度調整工程の後に、前記トリミング調整手段によって前記発光手段の発光強度を調整する発光強度調整工程とを有していることを特徴としている。
【００４９】
上記の構成によれば、受光手段が外部からの光の強さに応じた電流を発生し、受光検出手段がその電流を電子信号に変換することにより、電気信号の値に基づいて外部光の強さを検知することができる。そのため、センサ装置は照度センサとして機能する。また、発光手段が外部に向けて光を出射し、物体により当該光が反射されて受光手段に受光されることにより、受光検出手段からの電気信号の値に基づいて、当該物体を検知することができる。そのため、センサ装置は近接センサとして機能する。ここで、センサ装置は、受光検出手段の受光感度と発光手段の発光強度とを調整するトリミング調整手段を備えており、トリミング調整手段によって受光検出手段の受光感度を調整する受光感度調整工程と、トリミング調整手段によって発光手段の発光強度を調整する発光強度調整工程とが、発光手段、受光手段、受光検出手段およびトリミング調整手段を樹脂材料により封止する封止工程の後に行われる。よって、パッケージ材料を含めた各構成要素の製造ばらつきも含めて、受光感度を調整することができる。したがって、照度センサとしての機能と近接センサとしての機能とを有し、かつ、製造ばらつきに起因する照度測定のずれと近接測定のずれとの両方を高精度に調整可能なセンサ装置の製造方法を実現することができる。
【００５０】
本発明に係るセンサ装置では、前記発光手段は、発光用レンズを介して外部に光を出射し、前記外部からの光は、受光用レンズを通過して前記受光手段に受光され、前記発光手段、前記発光用レンズ、前記受光手段、前記受光用レンズ、前記受光検出手段および前記トリミング調整手段が、樹脂材料により封止されていることが好ましい。
【００５１】
上記の構成によれば、発光手段、発光用レンズ、受光手段、受光用レンズ、受光検出手段、トリミング調整手段および樹脂材料の各構成要素の製造ばらつきも含めて、受光感度および発光強度を調整することができるので、製造ばらつきに起因する照度測定のずれと近接測定のずれとの両方を非常に高精度に調整できる。
【００５２】
本発明に係るセンサ装置では、前記受光手段の受光位置を調整する受光位置調整手段を備え、前記トリミング調整手段は、前記受光位置調整手段による調整を制御することが好ましい。
【００５３】
センサ装置が電子機器に実装されると、発光手段からの出射光が筐体表面で反射し、その反射光が受光手段に入射することがあり、これによってセンサ装置が誤動作するおそれがある。ここで、筐体表面とセンサ装置との距離は非常に短いので、被検出物からの反射光と筐体表面からの反射光とでは、受光手段における入射位置が異なる。そこで、上記の構成によれば、トリミング調整手段が、受光位置調整手段による受光手段の受光位置の調整を制御することができる。よって、受光位置を筐体表面からの反射光の影響を受けない位置に調整することで、筐体表面での反射光による誤動作を防止することができる。
【００５４】
本発明に係るセンサ装置では、前記受光手段は、複数の単位受光手段に分割されており、前記受光位置調整手段は、各単位受光手段の少なくとも一部を選択して、選択した単位受光手段が発生する電流を前記受光検出手段に出力する電流選択手段であり、前記トリミング調整手段は、前記電流選択手段が選択する単位受光手段の組み合わせを調整することが好ましい。
【００５５】
上記の構成によれば、受光手段は、複数の単位受光手段に分割され、電流選択手段が選択した単位受光手段が発生する電流を受光検出手段に出力する。電流選択手段が選択する単位受光手段の組み合わせは、トリミング調整手段によって調整されるので、単位受光手段の組み合わせを変化させることにより、受光位置を調整することができる。
【００５６】
本発明に係るセンサ装置では、前記発光手段は、発光用レンズを介して外部に光を出射し、前記外部からの光は、受光用レンズを通過して前記受光手段に受光され、前記発光手段、前記発光用レンズ、前記受光手段、前記受光用レンズ、前記受光検出手段、前記トリミング調整手段および前記電流選択手段が、樹脂材料により封止されていることが好ましい。
【００５７】
上記の構成によれば、発光手段、発光用レンズ、受光手段、受光用レンズ、受光検出手段、トリミング調整手段、電流選択手段および樹脂材料の各構成要素の製造ばらつきも含めて、受光感度、発光強度および受光位置を調整することができる。したがって、製造ばらつきに起因する照度測定のずれと近接測定のずれとの両方を非常に高精度に調整できるとともに、筐体表面での反射光による誤動作を防止することができる。
【００５８】
本発明に係るセンサ装置では、前記トリミング調整手段は、前記受光検出手段の受光感度を調整するための調整信号を生成して、当該調整信号を前記受光検出手段に出力することが好ましい。
【００５９】
本発明に係るセンサ装置では、前記発光手段を駆動する発光手段駆動手段を備え、前記トリミング調整手段は、前記発光手段の発光強度を調整するための調整信号を生成して、当該調整信号を前記発光手段駆動手段に出力することが好ましい。
【００６０】
本発明に係るセンサ装置では、前記トリミング調整手段は、前記電流選択手段が選択する単位受光手段の組み合わせを調整するための調整信号を生成して、当該調整信号を前記電流選択手段に出力することが好ましい。
【００６１】
本発明に係るセンサ装置では、前記トリミング調整手段は、１ビット信号を出力する１ビット信号出力手段を複数備え、前記調整信号は、前記１ビット信号出力手段が出力する各信号からなるマルチビット信号であり、前記１ビット信号出力手段には、第１の選択信号およびテスト信号が入力され、第１の選択信号およびテスト信号はともに、任意に値を切り替えることが可能な信号であり、前記１ビット信号出力手段は、トリミング調整により値が切り替わるトリミング固定化信号を発生する固定化信号出力手段と、第１の選択信号に基づいて前記テスト信号および前記トリミング固定化信号のいずれかを選択し、選択した信号を前記調整信号として出力する信号選択手段とを備えることが好ましい。
【００６２】
上記の構成によれば、調整信号は１ビット信号出力手段が出力する各信号からなるマルチビット信号であるため、１ビット信号出力手段の各出力値を変化させることにより、調整信号を変化させることができる。また、１ビット信号出力手段は、第１の選択信号に基づいてテスト信号およびトリミング固定化信号のいずれかを選択し、選択した信号を調整信号として出力する信号選択手段を備えているので、第１の選択信号によって、テストモード時には、テスト信号を調整信号として出力させ、テスト信号を任意に切り替えることによって、調整信号を変化させることができる。調整信号の値が決定すると、テスト信号とトリミング固定化信号とが同一になるようにトリミング調整を実行し、第１の選択信号によって、トリミング固定化信号を調整信号として出力させることで、適切な値の調整信号の出力を継続することができる。
【００６３】
本発明に係るセンサ装置では、前記固定化信号出力手段は、ヒューズ素子を備えており、ヒューズ素子の溶断によって前記トリミング固定化信号の値が切り替わることが好ましい。
【００６４】
上記の構成によれば、ヒューズ素子は一旦溶断されると、その溶断した状態が継続するので、トリミング調整後のトリミング固定化信号の値を固定化することができる。
【００６５】
本発明に係るセンサ装置では、前記固定化信号出力手段は、前記ヒューズ素子に電流を流すことにより前記ヒューズ素子を溶断する電流溶断手段を備えていることが好ましい。
【００６６】
本発明に係るセンサ装置では、前記１ビット信号出力手段には、さらにトリミング信号と第２の選択信号とが入力され、前記電流溶断手段は、第１のスイッチと第２のスイッチとをさらに備え、第１のスイッチと前記ヒューズ素子とは、電源電位とＧＮＤ電位との間で直列に接続され、第２の選択信号は、第２のスイッチを介して第１のスイッチの制御端子に入力され、第２のスイッチは、前記トリミング信号によってＯＮ／ＯＦＦ制御され、前記固定化信号出力手段は、第１のスイッチと前記ヒューズ素子との間の電位をトリミング固定化信号として出力することが好ましい。
【００６７】
上記の構成によれば、ヒューズ素子が電源電位側に設けられ、第１のスイッチが非導通の状態である場合は、ヒューズ素子が溶断されると、トリミング固定化信号がＨｉレベルからＬｏレベルに切り替わる。また、ヒューズ素子がＧＮＤ電位側に設けられ、第１のスイッチが非導通の状態である場合は、ヒューズ素子が溶断されると、トリミング固定化信号がＬｏレベルからＨｉレベルに切り替わる。第１および第２のスイッチをどちらも導通させると、ヒューズ素子に、電源電位からＧＮＤへの電流を流すことができる。したがって、トリミング信号および第２の選択信号によって、第１および第２のスイッチをどちらも導通させることにより、ヒューズ素子を溶断することができ、トリミング固定化信号の値を決定することができる。
【００６８】
本発明に係るセンサ装置では、前記ヒューズ素子にレーザ光を照射することにより、前記ヒューズ素子を溶断可能なレーザ照射装置を備えることが好ましい。
【００６９】
本発明に係るセンサ装置では、樹脂材料により封止され、
前記樹脂材料は、前記レーザ光を透過するための透明な透過部を備えていることが好ましい。
【００７０】
本発明に係るセンサ装置では、前記固定化信号出力手段は、プルダウン抵抗をさらに備え、前記プルダウン抵抗と前記ヒューズ素子とは、電源電位とＧＮＤ電位との間で直列に接続され、前記ヒューズ素子は電源電位側に設けられ、前記プルダウン抵抗はＧＮＤ電位側に設けられ、前記固定化信号出力手段は、前記ヒューズ素子と前記プルダウン抵抗との間の電位を前記トリミング固定化信号として出力することが好ましい。
【００７１】
上記の構成によれば、ヒューズ素子を電流によって溶断する構成に比べ、１ビット信号出力手段の回路構成を簡単にすることができる。
【００７２】
本発明に係るセンサ装置では、前記トリミング調整手段は、不揮発性メモリ素子と、前記不揮発性メモリ素子が保持する値を書き換えるデータ書き換え手段とを備え、前記不揮発性メモリ素子は、保持する値を前記調整信号として出力することが好ましい。
【００７３】
上記の構成によれば、データ書き換え手段による不揮発性メモリ素子へのデータ書き換えによって、調整信号の値を変化させることができる。不揮発性メモリ素子は、書き込みを行わない限り、出力値を保持するので、トリミング調整後も調整信号の値を調整することができる。
【００７４】
本発明に係るセンサ装置では、シリアル入力により任意の信号を入出力／設定する機能を有するレジスタ手段を備え、前記テスト信号および第１の選択信号は、前記レジスタ手段によって生成されることが好ましい。
【００７５】
一般的に、センサ装置には、閾値データや感度調整用データ等のデータを格納するレジスタ（データレジスタ）や、動作条件等を設定するためのレジスタ（コマンドレジスタ）が多数設けられている。そのため、上記の構成によれば、テスト信号および第１の選択信号を一般的なセンサ装置が備えるコマンドレジスタを利用して生成することができる。よって、トリミング調整用に新たにレジスタを追加する必要がない。
【００７６】
本発明に係るセンサ装置では、シリアル入力により任意の信号を入出力／設定する機能を有するレジスタ手段を備え、前記テスト信号、第１の選択信号および第２の選択信号は、前記レジスタ手段によって生成され、前記トリミング信号は、前記センサ装置の外部から各１ビット信号出力手段に共通に入力されることが好ましい。
【００７７】
上記の構成によれば、テスト信号、第１の選択信号および第２の選択信号を一般的なセンサ装置が備えるコマンドレジスタを利用して生成することができる。よって、トリミング調整用に新たにレジスタを追加する必要がない。また、トリミング信号が各１ビット信号出力手段に共通に入力されるので、トリミング信号を外部入力するための端子は１つだけ設ければよい。したがって、センサ装置の小型化を容易に実現することができる。
【００７８】
本発明に係るセンサ装置では、前記各手段は、同一の基板上に形成されていることが好ましい。
【００７９】
上記の構成によれば、センサ装置の各構成を１パッケージ化することができるので、センサ装置の小型化および製造コストの低減を図ることができる。
【００８０】
本発明に係る電子機器は、液晶ディスプレイと、前記液晶ディスプレイを背面から照射するバックライトと、前記バックライトの輝度を制御するバックライト制御部と、上記のいずれかのセンサ装置とを備え、前記バックライト制御部は、前記センサ装置からの前記電気信号に基づき、前記バックライトの輝度を制御することが好ましい。
【００８１】
上記の構成によれば、液晶バックライトの輝度制御を、高精度、且つ、高分解能に制御可能な電子機器を実現することが可能となる。
【００８２】
本発明に係る電子機器は、液晶ディスプレイと、前記液晶ディスプレイ上の設けられるタッチパネルと、前記タッチパネルの駆動のＯＮ／ＯＦＦを制御するタッチパネル制御部と、上記のいずれかのセンサ装置とを備え、前記タッチパネル制御部は、前記センサ装置からの前記電気信号に基づき、前記タッチパネルの駆動のＯＮ／ＯＦＦを制御することが好ましい。
【００８３】
上記の構成によれば、タッチパネルの駆動ＯＮ／ＯＦＦ制御を、高精度、且つ、高分解能に制御可能な電子機器を実現することが可能となる。
【００８４】
本発明に係るセンサ装置の製造方法では、前記トリミング調整手段は、前記受光検出手段の受光感度を調整するための第１の調整信号を生成する受光用トリミング調整手段と、前記発光手段の発光強度を調整するための第２の調整信号を生成する発光用トリミング調整手段とを備え、前記受光用トリミング調整手段は、値が可変である第１のテスト信号と、トリミング調整により値が切り替わる第１のトリミング固定化信号とのいずれかを選択して出力可能であり、前記発光用トリミング調整手段は、値が可変である第２のテスト信号と、トリミング調整により値が切り替わる第２のトリミング固定化信号とのいずれかを選択して出力可能であり、前記受光感度調整工程は、前記トリミング調整手段が第１のテスト信号を第１の調整信号として出力する照度テストモード開始手順と、基準光源から所定の光を前記受光手段に照射する照射手順と、前記センサ装置が検出した照度情報が所定の範囲内の値となるように、第１のテスト信号を調整する第１のテスト信号調整手順と、前記照度情報が所定の範囲内の値である場合に、第１のトリミング固定化信号と第１のテスト信号とが同一となるように選択的にトリミング調整する受光用トリミング調整手順と、を有し、前記発光強度調整工程は、前記トリミング調整手段が第２のテスト信号を第２の調整信号として出力する近接テストモード開始手順と、前記センサ装置からの所定の距離に被検出物を設置する設置手順と、前記センサ装置が検出した近接情報が所定の範囲内の値となるように、第２のテスト信号を調整する第２のテスト信号調整手順と、前記近接情報が所定の範囲内の値である場合に、第２のトリミング固定化信号と第２のテスト信号とが同一となるように選択的にトリミング調整する発光用トリミング調整手順と、を有することが好ましい。
【００８５】
上記の構成によれば、受光感度調整工程では、照度テストモード開始手順において、トリミング調整手段が第１のテスト信号を第１の調整信号として出力している状態で、基準光源から所定の光を受光手段に照射する。これにより、センサ装置は照度センサとして機能し、基準光源からの光の強さを照度情報として出力する。この照度情報が所定の範囲内の値である場合、受光用トリミング調整手順において、第１のトリミング固定化信号と第１のテスト信号とが同一となるように選択的にトリミング調整する。これにより、受光用トリミング調整手段は、適切な値の第１の調整信号を出力できる。
【００８６】
続いて、発光強度調整工程では、近接テストモード開始手順において、トリミング調整手段が第２のテスト信号を第２の調整信号として出力している状態で、センサ装置からの所定の距離に被検出物を設置する。これにより、センサ装置は近接センサとして機能し、被検出物の距離を近接情報として出力する。この近接情報が所定の範囲内の値である場合、第２のテスト信号調整手順において、第２のトリミング固定化信号と第２のテスト信号とが同一となるように選択的にトリミング調整する。これにより、発光用トリミング調整手段は、適切な値の第２の調整信号を出力できる。
【００８７】
本発明に係るセンサ装置の製造方法は、外部に向けて光を出射する発光手段と、外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生する受光手段と、前記電流を電気信号に変換する受光検出手段と、前記受光手段の受光位置を調整する受光位置調整手段と、前記受光検出手段の受光感度および前記発光手段の発光強度を調整するとともに、前記受光位置調整手段による調整を制御するトリミング調整手段とを備えるセンサ装置の製造方法であって、前記発光手段、前記受光手段、前記受光検出手段、前記受光位置調整手段および前記トリミング調整手段を樹脂材料により封止する封止工程と、前記封止工程の後に、前記トリミング調整手段によって前記受光検出手段の受光感度を調整する受光感度調整工程と、前記受光感度調整工程の後に、前記トリミング調整手段によって前記発光手段の発光強度を調整するとともに、前記受光位置調整手段による調整を制御する発光強度／受光位置調整工程とを有していることを特徴としている。
【００８８】
上記の構成によれば、受光手段が外部からの光の強さに応じた電流を発生し、受光検出手段がその電流を電気信号に変換することにより、電気信号の値に基づいて外部光の強さを検知することができる。そのため、センサ装置は照度センサとして機能する。また、発光手段が外部に向けて光を出射し、物体により当該光が反射されて受光手段に受光されることにより、受光検出手段からの電気信号の値に基づいて、当該物体を検知することができる。そのため、センサ装置は近接センサとして機能する。ここで、センサ装置は、受光検出手段の受光感度および発光手段の発光強度を調整するとともに、受光位置調整手段による調整を制御するトリミング調整手段を備えており、トリミング調整手段によって受光検出手段の受光感度を調整する受光感度調整工程と、トリミング調整手段によって発光手段の発光強度を調整するとともに、受光位置調整手段による調整を制御する発光強度／受光位置調整工程とが、発光手段、受光手段、受光検出手段、受光位置調整手段およびトリミング調整手段を樹脂材料により封止する封止工程の後に行われる。よって、パッケージ材料を含めた各構成要素の製造ばらつきも含めて、受光感度を調整することができる。したがって、照度センサとしての機能と近接センサとしての機能とを有し、かつ、製造ばらつきに起因する照度測定のずれと近接測定のずれとの両方を高精度に調整可能であるとともに、筐体表面での反射光による誤動作を防止することができるセンサ装置の製造方法を実現することができる。
【００８９】
本発明に係るセンサ装置の製造方法では、前記トリミング調整手段は、前記受光検出手段の受光感度を調整するための第１の調整信号を生成する受光用トリミング調整手段と、前記発光手段の発光強度を調整するための第２の調整信号を生成する発光用トリミング調整手段と、前記受光位置調整手段による調整を制御するための第３の調整信号を生成する受光位置調整用トリミング調整手段を備え、前記受光用トリミング調整手段は、値が可変である第１のテスト信号と、トリミング調整により値が切り替わる第１のトリミング固定化信号とのいずれかを選択して出力可能であり、前記発光用トリミング調整手段は、値が可変である第２のテスト信号と、トリミング調整により値が切り替わる第２のトリミング固定化信号とのいずれかを選択して出力可能であり、前記受光位置調整用トリミング調整手段は、値が可変である第３のテスト信号と、トリミング調整により値が切り替わる第３のトリミング固定化信号とのいずれかを選択して出力可能であり、前記受光感度調整工程は、前記トリミング調整手段が第１のテスト信号を第１の調整信号として出力する照度テストモード開始手順と、基準光源から所定の光を前記受光手段に照射する照射手順と、前記センサ装置が検出した照度情報が所定の範囲内の値となるように、第１のテスト信号を調整する第１のテスト信号調整手順と、前記照度情報が所定の範囲内の値である場合に、第１のトリミング固定化信号と第１のテスト信号とが同一となるように選択的にトリミング調整する受光用トリミング調整手順と、を有し、前記発光強度／受光位置調整工程は、前記トリミング調整手段が第２のテスト信号を第２の調整信号として出力する近接テストモード開始手順と、前記センサ装置から第１の距離の位置に第１の被検出物を設置する第１の設置手順と、前記センサ装置が検出した第１の被検出物の近接情報が所定の範囲内の値となるように、第２のテスト信号を調整する第２のテスト信号調整手順と、前記第１の被検出物の近接情報が所定の範囲内の値である場合に、前記センサ装置から第１の距離よりも短い至近距離である第２の距離に第２の被検出物を設置する第２の設置手順と、前記センサ装置が検出した第２の被検出物の近接情報が所定の範囲内の値となるように、第３のテスト信号を調整する第３のテスト信号調整手順と、前記第２の被検出物の近接情報が所定の範囲内の値である場合に、第２のトリミング固定化信号と第２のテスト信号とが同一となり、第３のトリミング固定化信号と第３のテスト信号とが同一となるように選択的にトリミング調整する発光強度／受光位置調整用トリミング調整手順と、を有することが好ましい。
【００９０】
上記の構成によれば、受光感度調整工程では、照度テストモード開始手順において、トリミング調整手段が第１のテスト信号を第１の調整信号として出力している状態で、基準光源から所定の光を受光手段に照射する。これにより、センサ装置は照度センサとして機能し、基準光源からの光の強さを照度情報として出力する。この照度情報が所定の範囲内の値である場合、受光用トリミング調整手順において、第１のトリミング固定化信号と第１のテスト信号とが同一となるように選択的にトリミング調整する。これにより、受光用トリミング調整手段は、適切な値の第１の調整信号を出力できる。
【００９１】
続いて、発光強度／受光位置調整工程では、近接テストモード開始手順において、トリミング調整手段が第２のテスト信号を第２の調整信号として出力し、第３のテスト信号を第３の調整信号として出力している状態で、センサ装置からの第１の距離に第１の被検出物を設置する。これにより、センサ装置は近接センサとして機能し、第１の被検出物の距離を近接情報として出力する。この近接情報が所定の範囲内の値である場合、至近距離である第２の距離に第２の被検出物を設置し、センサ装置は、第２の被検出物の距離を近接情報として出力する。この近接情報が所定の範囲内の値である場合、発光強度／受光位置調整用トリミング調整手順において、第２のトリミング固定化信号と第２のテスト信号とが同一となり、第３のトリミング固定化信号と第３のテスト信号とが同一となるように選択的にトリミング調整する。これにより、発光用トリミング調整手段および受光位置調整用トリミング調整手段はそれぞれ、適切な値の第２および第３の調整信号を出力できる。
【発明の効果】
【００９２】
以上のように、本発明に係るセンサ装置は、外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生する受光手段と、前記電流を電気信号に変換する受光検出手段とを備えるセンサ装置において、前記受光検出手段の受光感度を調整するトリミング調整手段を備えているので、製造ばらつきに起因する測定結果のずれを、高精度に調整可能なセンサ装置を実現できるという効果を奏する。
【００９３】
また、本発明に係るセンサ装置の製造方法は、外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生する受光手段と、前記電流を電気信号に変換する受光検出手段と、前記受光検出手段の受光感度を調整するトリミング調整手段を備えるセンサ装置の製造方法であって、前記受光手段、前記受光検出手段および前記トリミング調整手段を樹脂材料により封止する封止工程と、前記封止工程の後に、前記トリミング調整手段によって前記受光検出手段の受光感度を調整する受光感度調整工程とを有しているので、製造ばらつきに起因する測定結果のずれを、高精度に調整可能なセンサ装置の製造方法を実現できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る照度／近接センサの構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す照度／近接センサの受光検出回路、発光素子駆動回路、入出力インターフェース／レジスタ回路およびトリミング調整回路の各回路間のより詳細な接続関係を示すブロック図である。
【図３】上記受光検出回路の詳細な構成を示す回路図である。
【図４】上記発光素子駆動回路の詳細な構成を示す回路図である。
【図５】上記トリミング調整回路の受光用トリミング調整回路の詳細な構成を示す回路図である。
【図６】上記トリミング調整回路の発光用トリミング調整回路の詳細な構成を示す回路図である。
【図７】受光用トリミング調整回路の変形例を示す回路図である。
【図８】受光用トリミング調整回路の他の変形例を示す回路図である。
【図９】受光感度調整工程の手順を示すフローチャートである。
【図１０】基準光源からフォトダイオードに向けて光を照射させた状態における照度／近接センサの構成を示す概略断面図である。
【図１１】発光強度調整工程の手順を示すフローチャートである。
【図１２】所定の測定距離の位置に被検出物を設置した状態における照度／近接センサの構成を示す概略断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る照度／近接センサの構成を示すブロック図である。
【図１４】図１３に示す照度／近接センサのフォトダイオード、セレクタ回路および受光検出回路の構成を示す図である。
【図１５】図１３に示す照度／近接センサの受光検出回路、発光素子駆動回路、入出力インターフェース／レジスタ回路、トリミング調整回路およびセレクタ回路の各回路間のより詳細な接続関係を示すブロック図である。
【図１６】発光強度／受光位置調整工程の手順を示すフローチャートである。
【図１７】至近距離（測定距離ｄ２、ｄ２＜ｄ１）の位置に被検出物を設置した状態における照度／近接センサの構成を示す概略断面図である。
【図１８】本発明の第３の実施形態に係る照度／近接センサの構成を示すブロック図である。
【図１９】図１８に示す照度／近接センサの受光検出回路、発光素子駆動回路、入出力インターフェース／レジスタ回路およびトリミング調整回路の各回路間のより詳細な接続関係を示すブロック図である。
【図２０】上記トリミング調整回路の受光用トリミング調整回路の詳細な構成を示す回路図である。
【図２１】本発明の第３の実施形態に係る照度／近接センサの構成を示す概略断面図である。
【図２２】受光用トリミング調整回路の変形例を示す回路図である。
【図２３】本発明の第４の実施形態に係る照度／近接センサの構成を示すブロック図である。
【図２４】図２３に示す照度／近接センサの受光検出回路、発光素子駆動回路、入出力インターフェース／レジスタ回路、不揮発性メモリ素子アレイおよびデータ書き換え用回路の各回路間のより詳細な接続関係を示すブロック図である。
【図２５】受光感度調整工程の手順の他の一例を示すフローチャートである。
【図２６】発光強度調整工程の手順の他の一例を示すフローチャートである。
【図２７】本発明の第５の実施形態に係る電子機器の構成を示すブロック図である。
【図２８】タッチパネル付きの液晶ディスプレイを有する一般的な電子機器の構成を示すブロック図である。
【図２９】一般的な照度／近接センサを示す概略断面図であり、（ａ）は照度／近接センサを照度センサとして使用している状態を示しており、（ｂ）は照度／近接センサを近接センサとして使用している状態を示している。
【図３０】特願２００９−１５１２６０号に記載の照度／近接センサの構成を示すブロック図である。
【図３１】図３０に示す照度／近接センサの受光検出回路の詳細な構成を示す回路図である。
【図３２】図３０に示す照度／近接センサが照度センサとして動作した場合における、受光検出回路の各信号の波形を示す図である。
【図３３】図３０に示す照度／近接センサが近接センサとして動作した場合における、発光ダイオードおよび受光検出回路の出力信号の波形を示す図であり、（ａ）は被検出物が有る場合を示しており、（ｂ）は被検出物が無い場合を示している。
【図３４】図２９に示す照度／近接センサにおいて、電子機器の筐体表面での反射光が受光素子側に入射している状態を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００９５】
〔実施形態１〕
本発明の第１の実施形態について図１〜図１２に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００９６】
（照度／近接センサ１０の構成）
図１は、本実施形態に係る照度／近接センサ１０の構成を示すブロック図である。照度／近接センサ１０は、フォトダイオードＰＤ１、発光ダイオードＬＥＤ１および制御用回路１を備えており、これらのフォトダイオードＰＤ１、発光ダイオードＬＥＤ１および制御用回路１は樹脂パッケージ１１によって１パッケージ化されている。また、光学レンズとして、受光用レンズ１２および発光用レンズ１３がそれぞれ、フォトダイオードＰＤ１および発光ダイオードＬＥＤ１と対向して設けられている。さらに、制御用回路１は、受光検出回路２、発光素子駆動回路３、制御回路４、入出力インターフェース／レジスタ回路５およびトリミング調整回路６を備えている。
【００９７】
受光検出回路２は、フォトダイオードＰＤ１からの受光電流信号に基づいて、検出結果を示す情報を出力する。発光素子駆動回路３は、発光ダイオードＬＥＤ１を駆動するための電流を出力する。制御回路４は、受光検出回路２および発光素子駆動回路３の動作を制御するための制御信号を出力する。入出力インターフェース／レジスタ回路５は、シリアル入力により任意の信号を入出力／設定する機能を有している。入出力インターフェース／レジスタ回路５は、入出力端子ＳＤＡ、クロック入力端子ＳＣＬおよび検出データ出力端子ＳＯＵＴに接続されており、受光検出回路２からの検出結果を外部へ出力したり、外部からの制御信号の入力を受け付ける。
【００９８】
さらに、トリミング調整回路６は、受光検出回路２の受光感度、および発光素子駆動回路３の駆動電流量を調整する回路であり、受光検出回路２の受光感度を調整する調整信号Ｖ１と、発光素子駆動回路３の駆動電流量を調整する調整信号Ｖ２とを生成する。調整信号Ｖ１は、１ビットの３つ調整信号Ｖ１−０、Ｖ１−１、Ｖ１−２からなる３ビットの信号である。また、調整信号Ｖ２は、１ビットの３つ調整信号Ｖ２−０、Ｖ２−１、Ｖ２−２からなる３ビットの信号である。また、トリミング調整回路６は、トリミング信号入力端子ＳＴＲに接続されており、外部からトリミング信号が入力される。
【００９９】
図２は、受光検出回路２、発光素子駆動回路３、入出力インターフェース／レジスタ回路５およびトリミング調整回路６の各回路間のより詳細な接続関係を示すブロック図である。トリミング調整回路６は、３つの受光用トリミング調整回路６１ａ、６１ｂ、６１ｃおよび３つの発光用トリミング調整回路６２ａ、６２ｂ、６２ｃから構成される。
【０１００】
受光用トリミング調整回路６１ａ、６１ｂ、６１ｃはそれぞれ、調整信号Ｖ１−０、Ｖ１−１、Ｖ１−２を受光検出回路２に出力する。また、発光用トリミング調整回路６２ａ、６２ｂ、６２ｃはそれぞれ、調整信号Ｖ２−０、Ｖ２−１、Ｖ２−２を発光素子駆動回路３に出力する。
【０１０１】
また、入出力インターフェース／レジスタ回路５は、選択信号ＳＥＬ、Ｓ１−０、Ｓ１−１、Ｓ１−２、Ｓ２−０、Ｓ２−１、Ｓ２−２およびテスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２、ＶＴ２−０、ＶＴ２−１、ＶＴ２−２を生成する。なお、テスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２、ＶＴ２−０、ＶＴ２−１、ＶＴ２−２は、図２において図示を省略している。
【０１０２】
選択信号ＳＥＬは、受光用トリミング調整回路６１ａ、６１ｂ、６１ｃおよび発光用トリミング調整回路６２ａ、６２ｂ、６２ｃに共通に入力される。選択信号Ｓ１−０、Ｓ１−１、Ｓ１−２はそれぞれ、受光用トリミング調整回路６１ａ、６１ｂ、６１ｃに入力され、選択信号Ｓ２−０、Ｓ２−１、Ｓ２−２はそれぞれ、発光用トリミング調整回路６２ａ、６２ｂ、６２ｃに入力される。テスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２はそれぞれ、受光用トリミング調整回路６１ａ、６１ｂ、６１ｃに入力され、テスト信号ＶＴ２−０、ＶＴ２−１、ＶＴ２−２はそれぞれ、発光用トリミング調整回路６２ａ、６２ｂ、６２ｃに入力される。また、トリミング信号入力端子ＳＴＲからトリミング信号ＴＲが、受光用トリミング調整回路６１ａ、６１ｂ、６１ｃおよび発光用トリミング調整回路６２ａ、６２ｂ、６２ｃに共通に入力される。
【０１０３】
これらの各信号（調整信号Ｖ１−０、Ｖ１−１、Ｖ１−２、Ｖ２−０、Ｖ２−１、Ｖ２−２、テスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２、ＶＴ２−０、ＶＴ２−１、ＶＴ２−２、選択信号ＳＥＬ、Ｓ１−０、Ｓ１−１、Ｓ１−２、Ｓ２−０、Ｓ２−１、Ｓ２−２およびトリミング信号ＴＲ）は、いずれも１ビットのデジタル信号である。
【０１０４】
続いて、図２に示す受光検出回路２、発光素子駆動回路３、受光用トリミング調整回路６１ａ〜６１ｃ、および発光用トリミング調整回路６２ａ〜６２ｃの具体的構成について説明する。まず、受光検出回路２の構成について説明する。
【０１０５】
（受光検出回路の構成）
図３は、受光検出回路２の詳細な構成を示す回路図である。受光検出回路２は、フォトダイオードＰＤ１が発生する入力電流Ｉｉｎをデジタル変換するアナログ−デジタル変換回路であり、放電回路２ａ、充電回路２ｂ、比較回路２ｃおよびデータ出力回路２ｄを備えている。充電回路２ｂ、比較回路２ｃおよびデータ出力回路２ｄの各構成はそれぞれ、図３１に示す充電回路２０２ｂ、比較回路２０２ｃおよびデータ出力回路２０２ｄと同一である。
【０１０６】
放電回路２ａは、充電用キャパシタＣ１に蓄えられた電荷を放電するための基準電流ＩＲＥＦを発生する回路であり、４つの電流源Ｉｒｅｆ１、Ｉｒｅｆ２、Ｉｒｅｆ３、Ｉｒｅｆ４、および４つのスイッチＳＷＢ、ＳＷ１０、ＳＷ１１、ＳＷ１２を有している。電流源Ｉｒｅｆ１および電流源Ｉｒｅｆ２は、電流１＊Ｉを出力する定電流源である。また、電流源Ｉｒｅｆ３および電流源Ｉｒｅｆ４はそれぞれ、電流２＊Ｉおよび電流４＊Ｉを出力する定電流源である。
【０１０７】
スイッチＳＷ１０、ＳＷ１１、ＳＷ１２は、基準電流調整回路２ｆを構成している。また、電流源Ｉｒｅｆ１、電流源Ｉｒｅｆ２とスイッチＳＷ１０との直列回路、電流源Ｉｒｅｆ３とスイッチＳＷ１１との直列回路、および、電流源Ｉｒｅｆ４とスイッチＳＷ１２との直列回路は、電源ＶｄｄとスイッチＳＷＢの一端との間で、互いに並列に接続されている。
【０１０８】
スイッチＳＷ１０には、そのＯＮ／ＯＦＦを制御する信号として、図２に示す受光用トリミング調整回路６１ａからの調整信号Ｖ１−０が入力される。また、スイッチＳＷ１１には、そのＯＮ／ＯＦＦを制御する信号として、受光用トリミング調整回路６１ｂからの調整信号Ｖ１−１が入力され、スイッチＳＷ１２には、そのＯＮ／ＯＦＦを制御する信号として、受光用トリミング調整回路６１ｃからの調整信号Ｖ１−２が入力される。
【０１０９】
これらの調整信号Ｖ１−０、Ｖ１−１、Ｖ１−２によって各スイッチＳＷ１０、ＳＷ１１、ＳＷ１２のＯＮ／ＯＦＦを制御することにより、基準電流ＩＲＥＦの値を変化させることができる。表１は、調整信号Ｖ１−０、Ｖ１−１、Ｖ１−２の値の組み合わせと、各組み合わせに対応する基準電流ＩＲＥＦの値との対応関係を示している。
【０１１０】
【表１】
2011209236.tif 000003
【０１１１】
なお、調整信号が「１」の場合に、スイッチがＯＮになり、調整信号が「０」の場合に、スイッチがＯＦＦになるものとする。
【０１１２】
前述の式（１）に示すように、基準電流ＩＲＥＦは受光検出回路２の受光感度を決定するパラメータとなるので、基準電流ＩＲＥＦを変化させることによって、受光検出回路２の受光感度を変化させることができる。
【０１１３】
なお上記では、調整信号Ｖ１が３ビットであるため、基準電流ＩＲＥＦの値は１＊Ｉ〜８＊Ｉの８段階（＝２３ビット）で調整可能であるが、必要な調整レンジや分解能に応じて調整信号Ｖ１のビット数を変更してもよい。
【０１１４】
このように、本実施形態では、基準電流ＩＲＥＦを段階的に調整することにより、受光検出回路２の受光感度を調整しているが、受光検出回路２の受光感度を調整する方法はこれに限定されない。例えば、比較回路２ｃの基準電圧源Ｅ１が発生する基準電圧Ｖｒｅｆを段階的に調整する構成、受光電流をＩ−Ｖ変換アンプ等の受光アンプに入力する場合に、当該受光アンプのゲインを調整する構成、および、フォトダイオードＰＤ１を複数に分割し、分割した各フォトダイオードを受光検出回路との接続を可変にする構成などを用いることができる。
【０１１５】
（発光素子駆動回路の構成）
続いて、図２に示す発光素子駆動回路３の構成について説明する。
【０１１６】
図４は、発光素子駆動回路３の詳細な構成を示す回路図である。発光素子駆動回路３は、発光ダイオードＬＥＤ１の駆動電流を発生する回路であり、４つの電流源ＩＬＥＤ１、ＩＬＥＤ２、ＩＬＥＤ３、ＩＬＥＤ４および４つのスイッチＳＷＣ、ＳＷ２０、ＳＷ２１、ＳＷ２２を備えている。電流源ＩＬＥＤ１および電流源ＩＬＥＤ２は、電流１＊Ｉを出力する定電流源である。また、電流源ＩＬＥＤ３および電流源ＩＬＥＤ４はそれぞれ、電流２＊Ｉおよび電流４＊Ｉを出力する定電流源である。
【０１１７】
スイッチＳＷ２０、ＳＷ２１、ＳＷ２２は、駆動電流調整回路３ａを構成している。また、電流源ＩＬＥＤ１、電流源ＩＬＥＤ２とスイッチＳＷ２０との直列回路、電流源ＩＬＥＤ３とスイッチＳＷ２１との直列回路、および、電流源ＩＬＥＤ４とスイッチＳＷ２２との直列回路は、電源ＶｄｄとスイッチＳＷＣの一端との間で、互いに並列に接続されている。
【０１１８】
スイッチＳＷＣには、そのＯＮ／ＯＦＦを制御する信号として、制御回路４（図１）から駆動電流制御信号が入力される。スイッチＳＷＣがＯＮになると、発光素子駆動回路３から発光ダイオードＬＥＤ１に駆動電流ＩＬＥＤが流される。
【０１１９】
スイッチＳＷ２０には、そのＯＮ／ＯＦＦを制御する信号として、図２に示す発光用トリミング調整回路６２ａからの調整信号Ｖ２−０が入力される。また、スイッチＳＷ２１には、そのＯＮ／ＯＦＦを制御する信号として、発光用トリミング調整回路６２ｂからの調整信号Ｖ２−１が入力され、スイッチＳＷ２２には、そのＯＮ／ＯＦＦを制御する信号として、発光用トリミング調整回路６２ｃからの調整信号Ｖ２−２が入力される。
【０１２０】
これらの調整信号Ｖ２−０、Ｖ２−１、Ｖ２−２によって各スイッチＳＷ２０、ＳＷ２１、ＳＷ２２のＯＮ／ＯＦＦを制御することにより、駆動電流ＩＬＥＤの値を変化させることができる。表２は、調整信号Ｖ２−０、Ｖ２−１、Ｖ２−２の値の組み合わせと、各組み合わせに対応する駆動電流ＩＬＥＤの値との対応関係を示している。
【０１２１】
【表２】
2011209236.tif 000004
【０１２２】
なお、調整信号が「１」の場合に、スイッチがＯＮになり、調整信号が「０」の場合に、スイッチがＯＦＦになるものとする。このように、発光素子駆動回路３は、調整信号Ｖ２−０、Ｖ２−１、Ｖ２−２に応じて、発光ダイオードＬＥＤ１の発光強度を変化させることができる。
【０１２３】
なお上記では、調整信号Ｖ２が３ビットであるため、駆動電流ＩＬＥＤの値は１＊Ｉ〜８＊Ｉの８段階で調整可能であるが、調整信号Ｖ１と同様、必要な調整レンジや分解能に応じて調整信号Ｖ２のビット数を変更してもよい。
【０１２４】
以上のように、受光検出回路２は、調整信号Ｖ１（Ｖ１−０〜Ｖ１−２）に応じて、受光感度を変化させることができる。また、発光素子駆動回路３は、調整信号Ｖ２（Ｖ２−０、Ｖ２−１、Ｖ２−２）に応じて、発光ダイオードＬＥＤ１の発光強度を変化させることができる。したがって、製造ばらつきによって、照度情報および近接情報にずれが生じたとしても、これらの調整信号Ｖ１、Ｖ２の値を適切に設定して受光検出回路２の受光感度および発光ダイオードＬＥＤ１の発光強度を調整することにより、検出結果のずれを補正することができる。ここで、調整信号Ｖ１、Ｖ２は、トリミング調整回路６から出力され、トリミング調整回路６は、樹脂パッケージ１１によるパッケージ化の後に実施される調整工程によって、各調整信号の値を決定する。調整工程の具体的内容については、後述する。
【０１２５】
（トリミング調整回路の詳細な構成）
続いて、図２に示す受光用トリミング調整回路６１ａ〜６１ｃおよび発光用トリミング調整回路６２ａ〜６２ｃについて説明する。なお、これらの各回路の構成は互いに同一であるため、以下、受光用トリミング調整回路６１ａおよび発光用トリミング調整回路６２ａについて説明する。
【０１２６】
図５は、受光用トリミング調整回路６１ａの詳細な構成を示す回路図である。受光用トリミング調整回路６１ａは、トリミング回路部６３ａおよび調整信号生成／テスト用回路部６４ａから構成されている。
【０１２７】
トリミング回路部６３ａは、トリミング調整によって値を切り替えることができ、トリミング調整後は値が固定化される信号（トリミング固定化信号）を発生する回路であり、ヒューズ素子Ｆ１、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１、スイッチＳＷＤおよびプルダウン抵抗Ｒ１を備えている。なお、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１、スイッチＳＷＤおよびプルダウン抵抗Ｒ１は、特許請求の範囲に記載の電流溶断手段に相当する。
【０１２８】
ヒューズ素子Ｆ１の一端は電源Ｖｄｄに接続されており、ヒューズ素子Ｆ１の他端は、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１のドレインおよび調整信号生成／テスト用回路部６４ａに接続され、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１のソースは接地されている。ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１のゲート（制御端子）は、プルダウン抵抗Ｒ１の一端およびスイッチＳＷＤの一端に接続されており、プルダウン抵抗Ｒ１の他端は接地されている。スイッチＳＷＤの他端には、入出力インターフェース／レジスタ回路５（図２）からの選択信号Ｓ１−０が入力され、スイッチＳＷＤは、トリミング信号入力端子ＳＴＲ（図２）からのパルス性のトリミング信号ＴＲによってＯＮ／ＯＦＦ制御される。
【０１２９】
調整信号生成／テスト用回路部６４ａは、プルダウン抵抗Ｒ２、保護抵抗Ｒ３およびマルチプレクサＭＵＸ１を備えている。マルチプレクサＭＵＸ１は、一方の入力端子（第１の入力端子とする）にテスト信号（第１のテスト信号）ＶＴ１−０が入力され、他方の入力端子（第２の入力端子とする）が保護抵抗Ｒ３の一端に接続されている。テスト信号ＶＴ１−０は、入出力インターフェース／レジスタ回路５から入力される。保護抵抗Ｒ３の他端は、プルダウン抵抗Ｒ２の一端およびトリミング回路部６３ａに接続されており、プルダウン抵抗Ｒ２の他端は接地されている。すなわち、マルチプレクサＭＵＸ１の２つの入力端子には、テスト信号ＶＴ１−０とトリミング回路部６３ａからの出力信号（トリミング固定化信号）とが入力される。マルチプレクサＭＵＸ１は、２つの入力端子に入力される信号のいずれかを、入出力インターフェース／レジスタ回路５からの選択信号ＳＥＬに基づいて、調整信号Ｖ１−０として出力する。
【０１３０】
図２に示す受光用トリミング調整回路６１ｂ、６１ｃの回路構成も、図５に示すものと同一である。なお、受光用トリミング調整回路６１ｂでは、スイッチＳＷＤに選択信号Ｓ１−１が入力され、マルチプレクサＭＵＸ１の第１の入力端子にはテスト信号ＶＴ１−１が入力され、マルチプレクサＭＵＸ１は調整信号Ｖ１−１を出力する。同様に、受光用トリミング調整回路６１ｃでは、スイッチＳＷＤに選択信号Ｓ１−２が入力され、マルチプレクサＭＵＸ１の第１の入力端子にはテスト信号ＶＴ１−２が入力され、マルチプレクサＭＵＸ１は調整信号Ｖ１−２を出力する。
【０１３１】
また図６は、発光用トリミング調整回路６２ａの詳細な構成を示す回路図である。発光用トリミング調整回路６２ａも図５に示す受光用トリミング調整回路６１ａと同一であるが、図６に示すように、発光用トリミング調整回路６２ａでは、スイッチＳＷＤに選択信号Ｓ２−０が入力され、マルチプレクサＭＵＸ１の第１の入力端子にはテスト信号ＶＴ２−０が入力され、マルチプレクサＭＵＸ１は調整信号Ｖ２−０を出力する。
【０１３２】
図２に示す発光用トリミング調整回路６２ｂ、６２ｃの回路構成も、図６に示すものと同一である。なお、発光用トリミング調整回路６２ｂでは、スイッチＳＷＤに選択信号Ｓ２−１が入力され、マルチプレクサＭＵＸ１の第１の入力端子にはテスト信号ＶＴ２−１が入力され、マルチプレクサＭＵＸ１は調整信号Ｖ２−１を出力する。同様に、発光用トリミング調整回路６２ｃでは、スイッチＳＷＤに選択信号Ｓ２−２が入力され、マルチプレクサＭＵＸ１の第１の入力端子にはテスト信号ＶＴ２−２が入力され、マルチプレクサＭＵＸ１は調整信号Ｖ２−２を出力する。
【０１３３】
続いて、調整工程における受光用トリミング調整回路の動作について説明する。調整工程の開始時において、受光用トリミング調整回路６１ａ〜６１ｃからテスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２を出力させ、照度／近接センサ１０を照度センサとして動作させるモードに設定する。このとき、例えば、受光用トリミング調整回路６１ａでは、選択信号ＳＥＬは、マルチプレクサＭＵＸ１がテスト信号ＶＴ１−０を選択する値となっている。同様に、受光用トリミング調整回路６１ｂでは、マルチプレクサＭＵＸ１がテスト信号ＶＴ１−１を選択し、受光用トリミング調整回路６１ｃでは、マルチプレクサＭＵＸ１がテスト信号ＶＴ１−２を選択する。したがって、図２において、受光用トリミング調整回路６１ａ、６１ｂ、６１ｃはそれぞれ、テスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２を調整信号として受光検出回路２に出力する。
【０１３４】
続いて、基準光源から光をフォトダイオードＰＤ１に照射させて、測定結果が基準範囲内となるようにテスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２を調整する。テスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２の各値が決定すると、調整工程後の通常動作時も各受光用トリミング調整回路６１ａ、６１ｂ、６１ｃが決定されたテスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２と同じ値の調整信号Ｖ１−０、Ｖ１−１、Ｖ１−２を出力できるように、トリミング調整を実行する。
【０１３５】
具体的には、各受光用トリミング調整回路６１ａ、６１ｂ、６１ｃにおいて、マルチプレクサＭＵＸ１の入力端子に入力される２つの信号の値が同一となるように、トリミング回路部のヒューズ素子Ｆ１を選択的に溶断する。すなわち、決定されたテスト信号がＨｉレベルの場合、ヒューズ素子Ｆ１は溶断されず、マルチプレクサＭＵＸ１の第２の入力端子はＨｉレベルの電位となる。一方、決定されたテスト信号がＬｏレベルの場合、ヒューズ素子Ｆ１を溶断することにより、マルチプレクサＭＵＸ１の第２の入力端子をＬｏレベルの電位とする。これにより、トリミング調整の実行後に選択信号ＳＥＬを切り替えてマルチプレクサＭＵＸ１が第２の入力端子の電位を調整信号として出力しても、各受光用トリミング調整回路６１ａ、６１ｂ、６１ｃは、決定されたテスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２と同じ値の調整信号Ｖ１−０、Ｖ１−１、Ｖ１−２を出力することができる。したがって、製造ばらつきによる検出結果のずれを補正した状態で、照度／近接センサ１０を動作させることが可能となる。
【０１３６】
ヒューズ素子Ｆ１の溶断は、以下のように実行される。例えば、受光用トリミング調整回路６１ａのヒューズ素子Ｆ１を溶断する場合、まず選択信号Ｓ１−０をＨｉレベルに設定した後、トリミング信号ＴＲを瞬間的にＨｉレベルにすることによってスイッチＳＷＤを導通させる。これにより、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１がＯＮとなり、ヒューズ素子Ｆ１に瞬間的に大電流が流れるため、ヒューズ素子Ｆ１は溶断される。なお、保護抵抗Ｒ３が設けられていることにより、ヒューズ素子Ｆ１からの大電流によりマルチプレクサＭＵＸ１の入力端子が破壊されることはない。
【０１３７】
溶断時にヒューズ素子Ｆ１に流れる電流は、電源Ｖｄｄから供給され、ヒューズ素子Ｆ１の抵抗値と、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１のＯＮ抵抗Ｒｏｎに依存した値となる。具体的には、ヒューズ素子Ｆ１に流れる電流をＩｔｒｉｍ、ヒューズ素子Ｆ１の抵抗値をＲｆｕｓｅ、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１のＯＮ抵抗をＲｏｎとすると、
Ｉｔｒｉｍ＝Ｖｄｄ／（Ｒｆｕｓｅ＋Ｒｏｎ）
が成り立つ。ヒューズ素子Ｆ１の形状や材質によって、溶断可能となる電流は異なる。そのため、装置外部から入力するトリミング信号ＴＲのパルス幅、および／または、電源電圧Ｖｄｄを適切に設定することで、トリミングを行う最適な電流値を設定することが可能である。
【０１３８】
なお、トリミング回路部６３ａは、ヒューズ素子Ｆ１が溶断されていない場合はＨｉレベルの信号を出力し、ヒューズ素子Ｆ１が溶断されている場合はＬｏレベルの信号を出力する構成であるが、これとは逆に、ヒューズ素子Ｆ１が溶断されていない場合はＬｏレベルの信号を出力し、ヒューズ素子Ｆ１が溶断されている場合はＨｉレベルの信号を出力する構成としてもよい。この構成例を、図７に示す。
【０１３９】
図７は、受光用トリミング調整回路の変形例である受光用トリミング調整回路６１ａ’の詳細な構成を示す回路図である。受光用トリミング調整回路６１ａ’は、トリミング回路部６３ａ’および調整信号生成／テスト用回路部６４ａ’から構成されている。
【０１４０】
トリミング回路部６３ａ’は、図５に示すトリミング回路部６３ａにおいて、電源ＶｄｄとＧＮＤとの間に直列接続されたＮＭＯＳトランジスタＭＮ１およびヒューズ素子Ｆ１の配置を入れ替えた構成である。これにより、トリミング回路部６３ａ’は、ヒューズ素子Ｆ１が溶断されていない場合はＬｏレベルの信号を出力し、ヒューズ素子Ｆ１が溶断されている場合はＨｉレベルの信号を出力する。
【０１４１】
また、ヒューズ素子Ｆ１が溶断されていないときにトリミング固定化信号をＬｏレベルとするため、調整信号生成／テスト用回路部６４ａ’は、図５に示す調整信号生成／テスト用回路部６４ａにおいて、プルダウン抵抗Ｒ２の代わりにプルアップ抵抗Ｒ２’を備えた構成となっている。これにより、ヒューズ素子Ｆ１が溶断されていない場合は、電源Ｖｄｄ→プルアップ抵抗Ｒ２’→ヒューズ素子Ｆ１→ＧＮＤに電流が流れるため、マルチプレクサＭＵＸ１の第２の入力端子の電位がＬｏレベルとなる。一方、ヒューズ素子Ｆ１が溶断されている場合は、プルアップ抵抗Ｒ２’に電流が流れないので、プルアップ抵抗Ｒ２’に電圧降下が生じないため、マルチプレクサＭＵＸ１の第２の入力端子の電位はＨｉレベルとなる。
【０１４２】
また、ヒューズ素子Ｆ１に直列に接続されるトランジスタとして、ＰＭＯＳトランジスタを用いてもよい。図８は、受光用トリミング調整回路の他の変形例である受光用トリミング調整回路６１ａ”の詳細な構成を示す回路図である。受光用トリミング調整回路６１ａ”は、トリミング回路部６３ａ’および調整信号生成／テスト用回路部６４ａ”から構成されている。調整信号生成／テスト用回路部６４ａ”は、図７に示す調整信号生成／テスト用回路部６４ａ’において、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１をＰＭＯＳトランジスタＭＰ１に置き換え、プルダウン抵抗Ｒ１をプルアップ抵抗Ｒ１’に置き換えた構成である。これにより、スイッチＳＷＤがＯＦＦである場合は、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１はＯＦＦとなるので、ヒューズ素子Ｆ１は溶断されない。
【０１４３】
同様に、図５に示す受光用トリミング調整回路６１ａにおいて、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１をＰＭＯＳトランジスタＭＰ１に置き換えた構成では、プルダウン抵抗Ｒ１をプルアップ抵抗Ｒ１’に置き換えればよい。
【０１４４】
続いて、調整工程における発光用トリミング調整回路６２ａ〜６２ｃの動作は以下のようになる。調整工程の開始時において、照度／近接センサ１０を近接センサとして動作させるモードに設定する。このとき、例えば、発光用トリミング調整回路６２ａでは、選択信号ＳＥＬは、マルチプレクサＭＵＸ１がテスト信号ＶＴ２−０を選択する値となっている。同様に、発光用トリミング調整回路６２ｂでは、マルチプレクサＭＵＸ１がテスト信号ＶＴ２−１を選択し、発光用トリミング調整回路６２ｃでは、マルチプレクサＭＵＸ１がテスト信号ＶＴ２−２を選択する。したがって、図２において、発光用トリミング調整回路６２ａ、６２ｂ、６２ｃはそれぞれ、テスト信号ＶＴ２−０、ＶＴ２−１、ＶＴ２−２を調整信号として発光素子駆動回路３に出力する。
【０１４５】
続いて、所定の距離に被検出物を設置して、測定結果が基準範囲内となるようにテスト信号ＶＴ２−０、ＶＴ２−１、ＶＴ２−２を調整する。テスト信号ＶＴ２−０、ＶＴ２−１、ＶＴ２−２の各値が決定すると、調整工程後の通常動作時も各発光用トリミング調整回路６２ａ、６２ｂ、６２ｃが決定されたテスト信号ＶＴ２−０、ＶＴ２−１、ＶＴ２−２と同じ値の調整信号Ｖ２−０、Ｖ２−１、Ｖ２−２を出力できるように、トリミング調整を実行する。発光用トリミング調整回路６２ａ〜６２ｃにおけるトリミング調整は、上述した受光用トリミング調整回路６１ａ〜６１ｃにおけるものと同一である。
【０１４６】
なお、トリミング調整の実行時にヒューズ素子Ｆ１を溶断しない場合は、スイッチＳＷＤに入力される選択信号をＬｏレベルにする。これにより、トリミング信号ＴＲがＨｉレベルになってもＮＭＯＳトランジスタのゲート電位はＬｏレベルであるので、ヒューズ素子Ｆ１に大電流が流れることはない。そのため、図２に示すように、トリミング信号ＴＲは、受光用トリミング調整回路６１ａ〜６１ｃおよび発光用トリミング調整回路６２ａ〜６２ｃに共通に入力することができる。したがって、トリミング信号を入力するための外部入力端子の数を１個とすることができる。
【０１４７】
また、上記のスイッチＳＷＤは、トリミング信号ＴＲがＨｉの場合に導通する構成であるが、トリミング信号ＴＲがＬｏの場合に導通する構成であってもよい。
【０１４８】
（製造ばらつきの調整工程）
製造ばらつきの調整工程は、フォトダイオードＰＤ１、発光ダイオードＬＥＤ１および制御用回路１を樹脂材料によって封止する封止工程の後に実施される。調整工程の大まかな手順としては、まず、照度／近接センサ１０を照度センサとして動作させることにより（照度センサモード）、受光検出回路２（受光側）の製造ばらつきを補正した後、照度／近接センサ１０を近接センサとして動作させることにより（近接センサモード）、発光素子駆動回路３（発光側）の製造ばらつきを補正する。先に、照度センサモードにおける調整工程の内容をより詳細に説明する。
【０１４９】
図９は、照度センサモードにおける調整工程（受光感度調整工程）の手順を示すフローチャートである。まず、受光用トリミング調整回路６１ａ〜６１ｃから調整信号としてテスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２を出力させる第１のテストモードに設定するとともに、照度／近接センサ１０を照度センサとして動作させるモードに設定する（Ｆ１、照度テストモード開始手順）。このとき、テスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２の各値は、例えば（０、０、０）に設定されている。
【０１５０】
続いて、図１０に示すように、基準光源Ｌ１からフォトダイオードＰＤ１に向けて光を照射させる（Ｆ２、照射手順）。基準光源Ｌ１は、モニタ等で校正済の既知の照度（例えば、１０００Ｌｕｘ）の照射光を出射する光源であり、仕様の基準となる光源を意味する。
【０１５１】
続いて、基準光源Ｌ１を照射した状態で照度／近接センサ１０を照度センサとして動作させ、測定結果（照度情報）を出力させる（Ｆ３）。続いて、上記の測定結果がテスト基準範囲内（または、仕様範囲内）であるかどうかを判定する（Ｆ４、第１のテスト信号調整手順）。
【０１５２】
測定結果が基準範囲内でない場合（Ｆ４においてＮＯ）、調整可能なテスト信号ＶＴ１−０〜ＶＴ１−２の値の他の組み合わせを検索し（Ｆ５）。他の組み合わせがある場合（Ｆ５においてＹＥＳ）、テスト信号ＶＴ１−０〜ＶＴ１−２の値を再設定して、受光検出回路２の受光感度を調整し（Ｆ６）、再度Ｆ３およびＦ４に移行する。なお、調整可能なテスト信号ＶＴ１−０〜ＶＴ１−２の値の全ての組み合わせについて受光検出回路２の受光感度を調整しても、検出結果が基準範囲内とならない場合（Ｆ５においてＮＯ）、照度／近接センサ１０を不良品として廃棄する（Ｆ７）。
【０１５３】
測定結果が基準範囲内である場合は（Ｆ４においてＹＥＳ）、トリミングモードに設定し、トリミング調整を実行する（Ｆ８、受光用トリミング調整手順）。具体的には、その時点におけるテスト信号の値と、受光用トリミング調整回路のトリミング回路部の出力信号（第１のトリミング固定化信号）とが同一となるように、トリミング回路部のヒューズ素子を選択信号Ｓ１−０〜Ｓ１−２およびトリミング信号ＴＲによって選択的に溶断する。その後、基準光源Ｌ１による照射をＯＦＦして、照度センサモードを終了する（Ｆ９）。
【０１５４】
図９に示す調整工程では、受光検出回路２の受光感度の補正を行っているが、パッケージ後の最終的な測定結果に基づいて補正を行なっているので、フォトダイオードＰＤ１の感度（効率）、受光用レンズ１２の透過率・屈折率、分光フィルタを用いる場合は分光フィルタの透過率等、受光検出回路２の受光感度以外（樹脂材料など）に製造ばらつきがあっても、それらの全ての製造ばらつきを考慮した補正を行なうことができる。したがって、照度／近接センサ１０の照度センサとしての測定精度をより高めることができる。
【０１５５】
続いて、近接センサモードにおける調整工程（発光強度調整工程）について説明する。
【０１５６】
図１１は、近接センサモードにおける調整工程の手順を示すフローチャートである。まず、発光用トリミング調整回路６２ａ〜６２ｃから調整信号としてテスト信号ＶＴ２−０、ＶＴ２−１、ＶＴ２−２を出力させる第２のテストモードに設定するとともに、照度／近接センサ１０を近接センサとして動作させるモードに設定する（Ｆ１０、近接テストモード開始手順）。このとき、テスト信号ＶＴ２−０、ＶＴ２−１、ＶＴ２−２の各値は、例えば（０、０、０）に初期設定されている。
【０１５７】
続いて、図１２に示すように、所定の測定距離ｄ１の位置に被検出物Ｓ１を設置する（Ｆ１１、設置手順）。近接検出結果は、被検出物表面での反射率や被検出物表面のサイズに依存して変動するため、被検出物Ｓ１の反射率およびサイズを、あらかじめ厳密に規定しておく必要がある。
【０１５８】
続いて、照度／近接センサ１０を近接センサとして動作させて、測定結果（近接情報）を出力させ（Ｆ１２）、上記の測定結果がテスト基準範囲内（または、仕様範囲内）であるかどうかを判定する（Ｆ１３、第２のテスト信号調整手順）。
【０１５９】
測定結果が基準範囲内でない場合（Ｆ１３においてＮＯ）、調整可能なテスト信号ＶＴ２−０〜ＶＴ２−２の値の他の組み合わせを検索し（Ｆ１４）。他の組み合わせがある場合（Ｆ１４においてＹＥＳ）、テスト信号ＶＴ２−０〜ＶＴ２−２の値を再設定して、発光ダイオードＬＥＤ１の発光強度を調整し（Ｆ１５）、再度Ｆ１２およびＦ１３に移行する。なお、調整可能なテスト信号ＶＴ２−０〜ＶＴ２−２の値の全ての組み合わせについて発光ダイオードＬＥＤ１の発光強度を調整しても、検出結果が基準範囲内とならない場合（Ｆ１４においてＮＯ）、照度／近接センサ１０を不良品として廃棄する（Ｆ１６）。
【０１６０】
測定結果が基準範囲内である場合は（Ｆ１３においてＹＥＳ）、トリミングモードに設定し、トリミング調整を実行する（Ｆ１７、発光用トリミング調整手順）。具体的には、その時点におけるテスト信号の値と、発光用トリミング調整回路のトリミング回路部の出力信号（第２のトリミング固定化信号）とが同一となるように、トリミング回路部のヒューズ素子を選択信号Ｓ２−０〜Ｓ２−２およびトリミング信号ＴＲによって選択的に溶断する。
【０１６１】
その後、受光用トリミング調整回路６１ａ〜６１ｃおよび発光用トリミング調整回路６２ａ〜６２ｃの各回路において、マルチプレクサＭＵＸ１がトリミング回路部の出力値を調整信号として出力するように、選択信号ＳＥＬの値を切り替えることにより、通常動作モードに移行する（Ｆ１８）。
【０１６２】
図１１に示す調整工程では、発光ダイオードＬＥＤ１の発光強度の補正を行っているが、最終的な測定結果に基づいて補正を行なっているので、フォトダイオードＰＤ１の感度（効率）、受光用レンズ１２および発光用レンズ１３の透過率・屈折率等、受光検出回路２の受光感度以外に製造ばらつきがあっても、それらの全ての製造ばらつきを考慮した補正を行なうことができる。したがって、照度／近接センサ１０の近接センサとしての測定精度をより高めることができる。
【０１６３】
また、上記の調整工程では、被検出物Ｓ１の位置を測定距離ｄ１となる位置のみについて、Ｆ１２〜Ｆ１７の手順を行ったが、これに限定されず、照度／近接センサ１０の仕様に合わせて、測定距離ｄ１を変化させて、被検出物Ｓ１を互いに異なる複数の位置に設けて、各位置についてＦ１２〜Ｆ１７の手順を行ってもよい。
【０１６４】
なお、照度／近接センサ１０を近接センサとしてのみ用いる場合、以下の（１）〜（４）の４通りの調整方法がある。
（１）図１１に示す発光強度調整工程のみを実施する。
（２）図１１に示すＦ１５において、発光強度調整の代わりに受光感度調整（図９に示すＦ６）を行う。
（３）図１１に示すＦ１５において、発光強度調整に加えて発光感度調整も行う。例えば、テスト信号ＶＴ１およびテスト信号ＶＴ２がそれぞれ３ビットである場合、６４通り（＝２６）のテスト信号の組み合わせから、Ｆ１３の条件を満たす組み合わせを選択する。
（４）図１１に示すＦ１５において、発光強度および受光感度以外の特性（例えば、受光素子のサイズ等）の調整を行う。
【０１６５】
このように、本実施形態に係る調整工程では、受光検出回路２の受光感度の調整と、発光ダイオードＬＥＤ１の発光強度の調整とを、それぞれ独立に実施している。これにより、照度／近接センサ１０の照度センサとしての特性と近接センサとしての特性との両方の特性を、同時に且つ高精度に調整することが可能となる。したがって、製造ばらつきが生じても、より特性が安定した照度／近接センサを実現することができる。
【０１６６】
また、トリミング調整においては、図２に示すように外部からのトリミング信号ＴＲは、トリミング調整回路６の各回路に共通に入力されるため、外部端子の数を削減することが可能となる。さらに、トリミング調整回路６の各回路に入力される選択信号Ｓ１−０〜Ｓ１−２、Ｓ２−０〜Ｓ２−２およびテスト信号ＶＴ１−０〜ＶＴ１−２、ＶＴ２−０〜ＶＴ２−２は、入出力インターフェース／レジスタ回路５が生成する構成となっている。したがって、外部端子を１個だけ追加することにより調整工程を実施することが可能となる。
【０１６７】
また、１個の外部端子（トリミング信号入力端子ＳＴＲ）からトリミング信号ＴＲを入力するだけで、複数のヒューズ素子を溶断することができるので、照度／近接センサ１０を樹脂パッケージ１１によってパッケージ化した後であっても、調整工程を容易に実施することが可能となる。さらに、テストモードでは、テスト信号の値を変化させることが可能であり、最終的な検出結果に基づいてトリミングを実行できるため、より高精度な調整が実現可能となる。
【０１６８】
ここで一般的に、近接／照度センサは、入出力インターフェース／レジスタ回路に、閾値データや感度調整用データ等のデータを格納するレジスタ（データレジスタ）や、動作条件等を設定するためのレジスタ（コマンドレジスタ）を多数備えている。コマンドレジスタは、データを書き込む（入力する）ことにより、通常動作モード、トリミングモード、テストモードなどの動作条件を設定することができる。
【０１６９】
本実施形態では、上記の選択信号ＳＥＬ、Ｓ１−０〜Ｓ１−２、Ｓ２−０〜Ｓ２−２およびテスト信号ＶＴ１−０〜ＶＴ１−２、ＶＴ２−０〜ＶＴ２−２のデータをデータレジスタに書き込み、続いて、トリミングモードおよびテストモードの動作条件の設定をコマンドレジスタに書き込む。例えば、通常動作時またはトリミングモード時に、選択信号ＳＥＬがＬｏレベルとなり、テストモード時に選択信号ＳＥＬがＨｉレベルとなるように、コマンドレジスタを構成する。
【０１７０】
また、データレジスタは、最初に書き込まれた選択信号およびテスト信号のデータが、トリミングモード時、又は、テストモード時のみ、図２に示すトリミング調整回路６に出力されるように構成されている。この構成は、上記コマンドレジスタからの信号により、データレジスタの出力（接続）を選択可能なセレクタ回路（マルチプレクサ等）を設けることで容易に実現できる。なお、通常動作時（近接検出モードや照度検出モード）には、上記選択信号およびテスト信号のデータを格納したデータレジスタが、トリミング調整回路６以外の回路に接続されるように構成しておけばよい。
【０１７１】
したがって、トリミング調整用に新たにレジスタを追加しなくても、コマンドレジスタの設定およびセレクタ回路を入出力インターフェース／レジスタ回路５に追加するだけで、トリミング調整回路６に選択信号ＳＥＬ、Ｓ１−０〜Ｓ１−２、Ｓ２−０〜Ｓ２−２およびテスト信号ＶＴ１−０〜ＶＴ１−２、ＶＴ２−０〜ＶＴ２−２を入力することが可能となるため、新たに外部端子を設ける必要はない。
【０１７２】
なお、本実施形態では、照度センサと近接センサとを一体にした照度／近接センサの製造ばらつきを補正する構成について説明したが、本実施形態に係る調整工程が適用可能なセンサ装置はこれに限定されない。例えば、あらゆる受光センサ装置（外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生する受光手段と、前記電流を電気信号に変換する受光検出手段とを備えるセンサ装置）、および、あらゆる受発光センサ装置（外部に向けて光を出射する発光手段と、外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生する受光手段と、前記電流を電気信号に変換する受光検出手段とを備えるセンサ装置）にも、本実施形態に係る調整工程は適用可能である。いずれの場合も、本実施形態に係る調整工程は、センサ装置を樹脂材料でパッケージ化した後も実施することができるので、制御用回路自体の特性のばらつきだけでなく、樹脂材料も含めた各構成素子の製造ばらつき（特性ばらつき、実装時のずれ等）も補正可能となる。
【０１７３】
なお、本実施形態に係る調整工程が適用可能な受光センサ装置としては、例えば、照度センサ（単体）やリモコン受光センサ等が挙げられる。また、本実施形態に係る調整工程が適用可能な受発光センサとしては、近接センサ（単体）、照度センサ・近接センサ一体型センサ、測距センサ、ＩｒＤＡセンサ等が挙げられる。
【０１７４】
また、本実施形態に係る照度／近接センサ１０は、光学レンズ（受光用レンズ１２および発光用レンズ１３）を備えているが、センサの用途によっては、光学レンズを備えていなくてもよい。
【０１７５】
〔実施形態２〕
本発明の第２の実施形態について図１２〜図１７および図３４に基づいて説明すれば、以下のとおりである。本実施形態では、照度／近接センサの照度センサとしての特性と近接センサとしての特性との両特性を高精度に調整可能とし、さらに、照度／近接センサが実装される電子機器の筐体表面での反射光（いわゆる迷光）による誤動作を防止（補正）するための構成について説明する。
【０１７６】
（反射光による誤動作）
図３４に示すように、筐体表面１５０で反射してフォトダイオードＰＤに入射する光は、フォトダイオードＰＤの受光面における入射位置が、被検出物Ｓからの反射光と異なっている。一般的には、筐体表面１５０からの反射光は、被検出物Ｓからの反射光に比べて光学的に発光ダイオードＬＥＤからより離れた位置（方向）に入射する。一方、図３４には示されていないが、筐体表面１５０が照度／近接センサに対して傾いている場合、および、筐体表面１５０や装置表面での反射率が高い場合は、筐体表面１５０からの反射光が被検出物Ｓからの反射光に比べて、発光ダイオードＬＥＤ側に入射することもある。このように、筐体表面１５０からの反射光のフォトダイオードＰＤの受光面における入射位置と、被検出物Ｓからの反射光のフォトダイオードＰＤの受光面における入射位置とは異なっていることから、光電変換するフォトダイオードＰＤの位置を調整することにより、筐体表面での反射光による誤動作を防止することが可能となる。
【０１７７】
（照度／近接センサ２０の構成）
図１３は、本実施形態に係る照度／近接センサ２０の構成を示すブロック図である。照度／近接センサ２０は、フォトダイオードＰＤ１０、発光ダイオードＬＥＤ１および制御用回路２１を備えており、これらのフォトダイオードＰＤ１０、発光ダイオードＬＥＤ１および制御用回路２１は樹脂パッケージ１１によって１パッケージ化されている。また、光学レンズとして、受光用レンズ１２および発光用レンズ１３がそれぞれ、フォトダイオードＰＤ１０および発光ダイオードＬＥＤ１と対向して設けられている。さらに、制御用回路２１は、受光検出回路２、発光素子駆動回路３、制御回路４、入出力インターフェース／レジスタ回路２５、トリミング調整回路２６およびセレクタ回路２７を備えている。
【０１７８】
すなわち、照度／近接センサ２０は、第１の実施形態に係る照度／近接センサ１０において、フォトダイオードＰＤ１、入出力インターフェース／レジスタ回路５およびトリミング調整回路６をそれぞれ、フォトダイオードＰＤ１０、入出力インターフェース／レジスタ回路２５およびトリミング調整回路２６に置き換え、さらにフォトダイオードＰＤ１０と受光検出回路２との間にセレクタ回路２７を追加した構成である。
【０１７９】
トリミング調整回路２６は、調整信号Ｖ１および調整信号Ｖ２をそれぞれ受光検出回路２および発光素子駆動回路３に出力するとともに、調整信号Ｖ３をセレクタ回路２７に出力する機能を有している。調整信号Ｖ３は、１ビットの３つ調整信号Ｖ３−０、Ｖ３−１、Ｖ３−２からなる３ビットの信号である。なお、上述の第１の実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記しており、その詳細な説明は省略する。
【０１８０】
（受光素子の構成）
図１４は、フォトダイオードＰＤ１０、セレクタ回路２７および受光検出回路２の構成を示す図である。フォトダイオードＰＤ１０は、互いに等しく分割された８個のフォトダイオードＰＤ１１〜ＰＤ１８から構成されている。また、図１４では、各フォトダイオードＰＤ１１〜ＰＤ１８のセレクタ回路２７側の端子がカソード端子であり、設置側の端子がアノード端子である。フォトダイオードＰＤ１１〜ＰＤ１８の各アノード端子は、全て接地されており、フォトダイオードＰＤ１１〜ＰＤ１８の各カソード端子は、セレクタ回路２７に接続されている。
【０１８１】
セレクタ回路２７は、トリミング調整回路２６からの調整信号Ｖ３−０、Ｖ３−１、Ｖ３−２に基づいて、フォトダイオードＰＤ１１〜ＰＤ１８の各カソード端子から４つの端子を選択し、選択した端子を受光検出回路２に接続する機能を有している。調整信号Ｖ３−０、Ｖ３−１、Ｖ３−２の値の組み合わせと、各組み合わせに応じてセレクタ回路２７が選択するフォトダイオードとの対応関係の一例を表３に示す。
【０１８２】
【表３】
2011209236.tif 000005
【０１８３】
これにより、調整信号Ｖ３−０、Ｖ３−１、Ｖ３−２の各値を変化させて、実際に測定に使用されるフォトダイオードの位置を調整することができる。
【０１８４】
ここでは、フォトダイオードＰＤ１１〜ＰＤ１８のうち連続して隣接する４個のフォトダイオードが選択され、調整信号Ｖ３−０、Ｖ３−１、Ｖ３−２に応じて、選択されるフォトダイオードの位置を５通りに調整可能としている。例えば、調整信号Ｖ３−０、Ｖ３−１、Ｖ３−２の値が（０、１、０）の場合、選択されるフォトダイオードは、フォトダイオードＰＤ１３、ＰＤ１４、ＰＤ１５、ＰＤ１６であり、これを標準位置（センター）としている（図中、太実線枠で囲まれる領域）。また、調整信号Ｖ３−０、Ｖ３−１、Ｖ３−２の値が（０、０、０）の場合、選択されるフォトダイオードは、フォトダイオードＰＤ１１、ＰＤ１２、ＰＤ１３、ＰＤ１４となり、標準位置から２段階（２ビット）だけ左側に位置を変更することができる（図中、破線枠で囲まれる領域）。
【０１８５】
なお、必要な調整レンジや分解能に応じて、フォトダイオードの分割数や調整信号Ｖ３のビット数を変更してもよい。また、上記のように選択されるフォトダイオードが互いに隣接していなくてもよい。
【０１８６】
また、選択されるフォトダイオードの位置調整範囲は、外乱光が一様に入射する範囲内に限定しておく必要がある。これにより、選択されるフォトダイオードの位置調整によって、照度センサとしての特性にずれを生じることはない。
【０１８７】
続いて、調整信号Ｖ３−０、Ｖ３−１、Ｖ３−２を設定するための構成について説明する。
【０１８８】
図１５は、受光検出回路２、発光素子駆動回路３、入出力インターフェース／レジスタ回路２５、トリミング調整回路２６およびセレクタ回路２７の各回路間のより詳細な接続関係を示すブロック図である。トリミング調整回路２６は、３つの受光用トリミング調整回路６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、３つの発光用トリミング調整回路６２ａ、６２ｂ、６２ｃおよび３つのセレクタ用トリミング調整回路６５ａ、６５ｂ、６５ｃから構成される。なお、図１５では、受光用トリミング調整回路６１ａ、６１ｂ、６１ｃおよび発光用トリミング調整回路６２ａ、６２ｂ、６２ｃは、それぞれ１つの回路として示されており、これらの回路は、第１の実施形態におけるものと同一の構成である。
【０１８９】
セレクタ用トリミング調整回路６５ａ、６５ｂ、６５ｃにはそれぞれ、入出力インターフェース／レジスタ回路２５から選択信号Ｓ３−０、Ｓ３−１、Ｓ３−２が入力される。また、入出力インターフェース／レジスタ回路２５は、受光用トリミング調整回路６１ａ〜６１ｃ、発光用トリミング調整回路６２ａ〜６２ｃおよびセレクタ用トリミング調整回路６５ａ〜６５ｃの各回路に選択信号ＳＥＬを共通に入力する。同様に、トリミング信号入力端子ＳＴＲから、トリミング信号ＴＲが受光用トリミング調整回路６１ａ〜６１ｃ、発光用トリミング調整回路６２ａ〜６２ｃおよびセレクタ用トリミング調整回路６５ａ〜６５ｃの各回路に共通に入力される。
【０１９０】
また、図１５では省略されているが、入出力インターフェース／レジスタ回路２５は、テスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２、ＶＴ２−０、ＶＴ２−１、ＶＴ２−２、ＶＴ３−０、ＶＴ３−１、ＶＴ３−２を生成する。第１の実施形態と同様、テスト信号ＶＴ１−０〜ＶＴ１−２はそれぞれ、受光用トリミング調整回路６１ａ〜６１ｃに入力され、テスト信号ＶＴ２−０〜ＶＴ２−２はそれぞれ、発光用トリミング調整回路６２ａ〜６２ｃに入力される。さらに本実施形態では、テスト信号ＶＴ３−０〜ＶＴ３−２がそれぞれ、セレクタ用トリミング調整回路６５ａ〜６５ｃに入力される。
【０１９１】
これにより、セレクタ用トリミング調整回路６５ａ、６５ｂ、６５ｃはそれぞれ、調整信号Ｖ３−０、Ｖ３−１、Ｖ３−２をセレクタ回路２７に出力する。各セレクタ用トリミング調整回路６５ａ、６５ｂ、６５ｃの構成は、図５および図６にそれぞれ示す受光用トリミング調整回路６１ａおよび発光用トリミング調整回路６２ａと同一である。すなわち、調整信号Ｖ３−０〜Ｖ３−２を出力するための構成は、調整信号Ｖ１−０〜Ｖ１−２、Ｖ２−０〜Ｖ２−２を出力するための構成と同一であるので、セレクタ用トリミング調整回路６５ａ〜６５ｃの詳細な説明は省略する。
【０１９２】
（製造ばらつきの調整工程）
続いて、本実施形態における製造ばらつきの調整工程の手順について説明する。本調整工程では、まず第１の実施形態と同様に、照度／近接センサ２０を照度センサとして動作させて、受光検出回路２の製造ばらつきを補正する（図９に示すＦ１〜Ｆ９）。その後、図１６に示すように照度／近接センサ２０を近接センサとして動作させて、発光ダイオードＬＥＤ１の発光強度とセレクタ回路２７によって選択されるフォトダイオードの位置調整を行う（Ｆ２０〜Ｆ３１、発光強度／受光位置調整工程）。
【０１９３】
具体的には、受光検出回路２の製造ばらつきを補正した後、発光用トリミング調整回路６２ａ〜６２ｃおよびセレクタ用トリミング調整回路６５ａ〜６５ｃから、それぞれ調整信号としてテスト信号ＶＴ２−０〜ＶＴ２−２およびテスト信号ＶＴ３−０〜ＶＴ３−２を出力させる第３のテストモードに設定するとともに、照度／近接センサ２０を近接センサとして動作させるモードに設定する（Ｆ２０、近接テストモード開始手順）。例えば、テスト信号ＶＴ２−０〜ＶＴ２−２およびテスト信号ＶＴ３−０〜ＶＴ３−２の各値は、どちらも（０、０、０）に初期設定されている。
【０１９４】
続いて、図１２に示すように、所定の測定距離ｄ１の位置に被検出物Ｓ１を設置する（Ｆ２１、第１の設置手順）。続いて、照度／近接センサ２０を近接センサとして動作させて、測定結果（近接情報）を出力させ（Ｆ２２）、上記の測定結果がテスト基準範囲内（または、仕様範囲内）であるかどうかを判定する（Ｆ２３、第２のテスト信号調整手順）。
【０１９５】
測定結果が基準範囲内でない場合（Ｆ２３においてＮＯ）、調整可能なテスト信号ＶＴ２−０〜ＶＴ２−２の値の他の組み合わせを検索し（Ｆ２４）。他の組み合わせがある場合（Ｆ２４においてＹＥＳ）、テスト信号ＶＴ２−０〜ＶＴ２−２の値を再設定して、発光ダイオードＬＥＤ１の発光強度を調整し（Ｆ２５）、再度Ｆ２２およびＦ２３に移行する。なお、調整可能なテスト信号ＶＴ２−０〜ＶＴ２−２の値の全ての組み合わせについて発光ダイオードＬＥＤ１の発光強度を調整しても、検出結果が基準範囲内とならない場合（Ｆ２４においてＮＯ）、照度／近接センサ２０を不良品として廃棄する（Ｆ２６）。
【０１９６】
測定結果が基準範囲内である場合は（Ｆ２３においてＹＥＳ）、図１７に示すように、照度／近接センサ２０から至近距離（測定距離ｄ２、ｄ２＜ｄ１）の位置に被検出物Ｓ２を設置する（Ｆ２７、第２の設置手順）。測定距離ｄ２は、照度／近接センサ２０と照度／近接センサ２０が実装される電子機器の筐体表面までの距離に等しいことが望ましい。これにより、筐体表面で発光ダイオードＬＥＤからの出射光が反射する状態を再現することができる。
【０１９７】
また、被検出物Ｓ２は、上記の被検出物Ｓ１と必ずしも同じものである必要はなく、被検出物Ｓ２として、実際に照度／近接センサ２０が実装される電子機器の筐体に近い材質、例えば、反射率の低い材質の物を選定すればよい。但し、被検出物Ｓ２として透過率の高い物を設置する場合は、測定距離ｄ１に設置されている被検出物Ｓ１をいったん他の位置に移動させる必要がある。これは、被検出物Ｓ２を透過した投射光が、被検出物Ｓ１で反射した後、さらに被検出物Ｓ２を透過してフォトダイオードに入射することを防ぐためである。
【０１９８】
続いて、Ｆ２２と同様に、照度／近接センサ２０を近接センサとして動作させて、測定結果（近接情報）を出力させ（Ｆ２８）、上記の測定結果がテスト基準範囲内（または、仕様範囲内）であるかどうかを判定する（Ｆ２９、第３のテスト信号調整手順）。
【０１９９】
測定結果が基準範囲内である場合、すなわち、筐体表面での反射光により誤動作が発生しないと判断される場合は（Ｆ２９においてＹＥＳ）、トリミングモードに設定し、トリミング調整を実行する（Ｆ３０、発光強度／受光位置調整用トリミング調整手順）。具体的には、その時点におけるテスト信号ＶＴ２−０〜ＶＴ２−２の値と、発光用トリミング調整回路６２ａ〜６２ｃの各トリミング回路部の出力信号（第２のトリミング固定化信号）とがそれぞれ同一となり、かつ、テスト信号ＶＴ３−０〜ＶＴ３−２の値と、セレクタ用トリミング調整回路６５ａ〜６５ｃの各トリミング回路部の出力信号（第３のトリミング固定化信号）とが同一となるように、各トリミング回路部のヒューズ素子を選択信号Ｓ２−０〜Ｓ２−２、Ｓ３−０〜Ｓ３−２およびトリミング信号ＴＲによって選択的に溶断する。その後、受光用トリミング調整回路６１ａ〜６１ｃ、発光用トリミング調整回路６２ａ〜６２ｃおよびセレクタ用トリミング調整回路６５ａ〜６５ｃの各回路において、マルチプレクサＭＵＸ１がトリミング回路部の出力値を調整信号として出力するように、選択信号ＳＥＬの値を切り替えることにより、通常動作モードに移行する（Ｆ３１）。
【０２００】
一方、測定結果が基準範囲内でない場合は（Ｆ２９においてＮＯ）、Ｆ２４に移行して、再度、テスト信号ＶＴ２−０〜ＶＴ２−２の設定およびテスト信号ＶＴ３−０〜ＶＴ３−２の設定を行う。Ｆ２４まで戻るのは、調整信号Ｖ３−０〜Ｖ３−２により選択されるフォトダイオードの位置が変更された場合、図９に示すＦ９での近接センサとしての測定結果が変化する可能性があるためである。なお、Ｆ２９においてＮＯであった場合に、被検出物Ｓ１を他の位置に移動させていた場合は、図９に示すＦ８まで戻る必要がある。
【０２０１】
Ｆ２０〜Ｆ３０の調整工程を実行することにより、近接センサとしての特性安定化（製造ばらつきを低減）だけでなく、筐体表面での反射光による誤動作を防止（補正）することが可能な照度／近接センサを実現することができる。さらに、測定距離ｄ２や被検出物Ｓ２を、電子機器の実装条件に合わせて適切に選択することにより、照度／近接センサの電子機器への実装自由度を向上させることが可能となる。
【０２０２】
〔実施形態３〕
本発明の第３の実施形態について図１８〜図２１に基づいて説明すれば、以下のとおりである。上述の第１および第２の実施形態においては、トリミング調整手段として、外部からのトリミング信号によりヒューズ素子を溶断する手段を用いた。これに対し、本実施形態では、装置外部からヒューズ素子にレーザ光を照射してヒューズ素子を溶断することによりトリミングを実行する構成について説明する。
【０２０３】
（照度／近接センサ３０の構成）
図１８は、本実施形態に係る照度／近接センサ３０の構成を示すブロック図である。照度／近接センサ３０は、フォトダイオードＰＤ１、発光ダイオードＬＥＤ１および制御用回路３１を備えており、これらのフォトダイオードＰＤ１、発光ダイオードＬＥＤ１および制御用回路３１は樹脂パッケージ１１によって１パッケージ化されている。また、光学レンズとして、受光用レンズ１２および発光用レンズ１３がそれぞれ、フォトダイオードＰＤ１および発光ダイオードＬＥＤ１と対向して設けられている。さらに、制御用回路３１は、受光検出回路２、発光素子駆動回路３、制御回路４、入出力インターフェース／レジスタ回路３５およびトリミング調整回路３６を備えている。
【０２０４】
すなわち、照度／近接センサ３０は、第１の実施形態に係る照度／近接センサ１０において、入出力インターフェース／レジスタ回路５およびトリミング調整回路６をそれぞれ、入出力インターフェース／レジスタ回路３５およびトリミング調整回路３６に置き換えた構成である。また、第１の実施形態に係る照度／近接センサ１０では、トリミング調整用の外部端子としてトリミング信号入力端子ＳＴＲが設けられていたが、本実施形態に係る照度／近接センサ３０には、トリミング信号入力端子ＳＴＲは設けられていない。
【０２０５】
図１９は、受光検出回路２、発光素子駆動回路３、入出力インターフェース／レジスタ回路３５およびトリミング調整回路３６の各回路間のより詳細な接続関係を示すブロック図である。トリミング調整回路６は、３つの受光用トリミング調整回路７１ａ、７１ｂ、７１ｃおよび３つの発光用トリミング調整回路７２ａ、７２ｂ、７２ｃから構成される。
【０２０６】
受光用トリミング調整回路７１ａ、７１ｂ、７１ｃはそれぞれ、第１の実施形態における受光用トリミング調整回路６１ａ、６１ｂ、６１ｃ（図２）と同様に、調整信号Ｖ１−０、Ｖ１−１、Ｖ１−２を受光検出回路２に出力する。また、発光用トリミング調整回路７２ａ、７２ｂ、７２ｃもそれぞれ、第１の実施形態における発光用トリミング調整回路６２ａ、６２ｂ、６２ｃ（図２）と同様に、調整信号Ｖ２−０、Ｖ２−１、Ｖ２−２を発光素子駆動回路３に出力する。
【０２０７】
また、入出力インターフェース／レジスタ回路３５は、選択信号ＳＥＬおよびテスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２、ＶＴ２−０、ＶＴ２−１、ＶＴ２−２を生成する。選択信号ＳＥＬは、受光用トリミング調整回路７１ａ、７１ｂ、７１ｃおよび発光用トリミング調整回路７２ａ、７２ｂ、７２ｃに共通に入力される。また、テスト信号ＶＴ１−０、ＶＴ１−１、ＶＴ１−２はそれぞれ、受光用トリミング調整回路７１ａ、７１ｂ、７１ｃに入力され、テスト信号ＶＴ２−０、ＶＴ２−１、ＶＴ２−２はそれぞれ、発光用トリミング調整回路７２ａ、７２ｂ、７２ｃに入力される。
【０２０８】
続いて、トリミング調整回路３６を構成する各回路について説明する。受光用トリミング調整回路７１ａ、７１ｂ、７１ｃおよび発光用トリミング調整回路７２ａ、７２ｂ、７２ｃは、互いに同一の回路構成を有している。そのため、以下では、受光用トリミング調整回路７１ａについて説明する。
【０２０９】
（トリミング調整回路の詳細な構成）
図２０は、受光用トリミング調整回路７１ａの詳細な構成を示す回路図である。受光用トリミング調整回路７１ａは、トリミング回路部７３ａおよび調整信号生成／テスト用回路部７４ａから構成されている。
【０２１０】
トリミング回路部７３ａは、ヒューズ素子Ｆ１を備えている。ヒューズ素子Ｆ１の一端は電源Ｖｄｄに接続されており、ヒューズ素子Ｆ１の他端は、調整信号生成／テスト用回路部７４ａに接続されている。ヒューズ素子Ｆ１に対しては、図示しないレーザ照射装置によって、照度／近接センサ３０の外部からレーザ光を照射することが可能となっている。
【０２１１】
調整信号生成／テスト用回路部７４ａは、プルダウン抵抗Ｒ２、保護抵抗Ｒ３およびマルチプレクサＭＵＸ１を備えており、図５に示す調整信号生成／テスト用回路部６４ａと同一の構成である。
【０２１２】
これにより、受光用トリミング調整回路７１ａでは、ヒューズ素子Ｆ１が切断されていない場合、トリミング回路部７３ａの出力はＶｄｄとなり、ヒューズ素子Ｆ１が切断されている場合、トリミング回路部７３ａの出力はＧＮＤとなる。なお、保護抵抗Ｒ３は、ヒューズ素子Ｆ１に対するレーザ光照射時のノイズによりマルチプレクサＭＵＸ１の入力端子が破壊されるのを防止している。
【０２１３】
（照度／近接センサ３０の断面図）
図２１は、照度／近接センサ３０の構成を示す概略断面図である。同図に示すように、ヒューズ素子Ｆ１は、制御用回路３１の上面に形成されており、ヒューズ素子Ｆ１に対して外部からレーザ光を照射するためのレーザ照射窓１１ａが、樹脂パッケージ１１に形成されている。レーザ照射窓１１ａは、他の樹脂部分より透過率の高い材質を用いることにより形成してもよい。また、樹脂パッケージ１１に穴を開けることにより、レーザ照射窓１１ａを形成してもよい。
【０２１４】
本実施形態において、照度／近接センサ３０の製造ばらつきの調整工程は、トリミング調整フロー（図９におけるＦ８および図１１におけるＦ１７）がヒューズ素子Ｆ１に対するレーザ光照射によって実行されることを除いて、第１の実施形態におけるものと同一である。例えば、受光用トリミング調整回路７１ａにおいて、通常動作時は、調整信号Ｖ１−０としてトリミング回路部７３ａの出力値が選択され、テスト動作モード時は、調整信号Ｖ１−０としてテスト信号ＶＴ１−０が選択される。よって、テスト動作モード時は、テスト信号ＶＴ１−０をＨｉレベルまたはＬｏレベルに設定することにより、受光検出回路２の受光感度を変化させることが可能となる。
【０２１５】
トリミング調整フローでは、図示しないレーザ照射装置から選択されたヒューズ素子Ｆ１にレーザを照射することにより、選択されたヒューズ素子Ｆ１を溶断する。例えば、、ヒューズ素子Ｆ１が溶断されている場合は、通常動作時において調整信号Ｖ１−０がＬｏレベルとなり、ヒューズ素子Ｆ１が溶断されていない場合は、通常動作時において調整信号Ｖ１−０がＨｉレベルとなる。
【０２１６】
なお、ヒューズ素子Ｆ１が溶断されている場合に、通常動作時において調整信号Ｖ１−０がＨｉレベルとなり、ヒューズ素子Ｆ１が溶断されていない場合に、通常動作時において調整信号Ｖ１−０がＬｏレベルとなるように構成してもよい。この場合における受光用トリミング調整回路の構成例を図２２に示す。
【０２１７】
図２２は、受光用トリミング調整回路の変形例である受光用トリミング調整回路７１ａ’の詳細な構成を示す回路図である。受光用トリミング調整回路７１ａ’は、トリミング回路部７３ａ’および調整信号生成／テスト用回路部７４ａ’から構成されている。
【０２１８】
トリミング回路部７３ａ’は、ヒューズ素子Ｆ１を備えている。ヒューズ素子Ｆ１の一端は接地されており、ヒューズ素子Ｆ１の他端は、調整信号生成／テスト用回路部７４ａ’に接続されている。ヒューズ素子Ｆ１に対しては、図示しないレーザ照射装置によって、照度／近接センサ３０の外部からレーザ光を照射することが可能となっている。
【０２１９】
調整信号生成／テスト用回路部７４ａ’は、プルアップ抵抗Ｒ２’、保護抵抗Ｒ３およびマルチプレクサＭＵＸ１を備えており、図７に示す調整信号生成／テスト用回路部６４ａ’と同一の構成である。
【０２２０】
これにより、受光用トリミング調整回路７１ａ’では、ヒューズ素子Ｆ１が切断されていない場合、トリミング回路部７３ａの出力はＧＮＤとなり、ヒューズ素子Ｆ１が切断されている場合、トリミング回路部７３ａの出力はＶｄｄとなる。
【０２２１】
照度／近接センサ３０は、第１および第２の実施形態に係る照度／近接センサに設けられるトリミング信号入力端子ＳＴＲを備えていない。また、本実施形態では、第１および第２の実施形態と比較して、トリミング調整回路を構成する各回路（受光用トリミング調整回路７１ａ、７１ｂ、７１ｃおよび発光用トリミング調整回路７２ａ、７２ｂ、７２ｃ）をより簡単にすることができる。すなわち、本実施形態では、トリミング調整回路を構成する各回路は、図５に示すＮＭＯＳトランジスタＭＮ１、プルダウン抵抗Ｒ１、スイッチＳＷＤを有していない。また、入出力インターフェース／レジスタ回路３５は、選択信号Ｓ１−０〜Ｓ１−２、Ｓ２−０〜Ｓ２−２を出力しないので、それらの選択信号を生成するためのレジスタを削減可能である。したがって、第１および第２の実施形態に係る照度／近接センサに比べ、装置の小型化、およびコストダウンが実現可能となる。
【０２２２】
なお、本実施形態では、受光検出回路の受光感度および発光ダイオードの発光強度の調整を行っていたが、レーザ照射によるトリミング調整を上述の第２の実施形態におけるフォトダイオードの受光位置調整に適用してもよい。
【０２２３】
〔実施形態４〕
本発明の第４の実施形態について図２３〜図２５に基づいて説明すれば、以下のとおりである。上述の第１〜第３の実施形態では、ヒューズ素子を溶断することによってトリミング調整を実施していた。これに対し、本実施形態では、ヒューズ素子の代わりに不揮発性の半導体メモリを用いる構成について説明する。
【０２２４】
（照度／近接センサ４０の構成）
図２３は、本実施形態に係る照度／近接センサ４０の構成を示すブロック図である。照度／近接センサ４０は、フォトダイオードＰＤ１、発光ダイオードＬＥＤ１および制御用回路４１を備えており、これらのフォトダイオードＰＤ１、発光ダイオードＬＥＤ１および制御用回路４１は樹脂パッケージ１１によって１パッケージ化されている。また、光学レンズとして、受光用レンズ１２および発光用レンズ１３がそれぞれ、フォトダイオードＰＤ１および発光ダイオードＬＥＤ１と対向して設けられている。さらに、制御用回路４１は、受光検出回路２、発光素子駆動回路３、制御回路４、入出力インターフェース／レジスタ回路４５、不揮発性メモリ素子アレイ４６およびデータ書き換え用回路４７を備えている。
【０２２５】
すなわち、照度／近接センサ４０は、第１の実施形態に係る照度／近接センサ１０において、入出力インターフェース／レジスタ回路５を、入出力インターフェース／レジスタ回路４５に置き換え、さらにトリミング調整回路６を、不揮発性メモリ素子アレイ４６およびデータ書き換え用回路４７に置き換えた構成である。本実施形態では、不揮発性メモリ素子アレイ４６およびデータ書き換え用回路４７が、トリミング調整回路として機能する。
【０２２６】
不揮発性メモリ素子アレイ４６は、ＥＥＰＲＯＭやフラッシュメモリ等の電気的信号により書換え可能な不揮発性メモリ素子を複数備えている。データ書き換え用回路４７は、不揮発性メモリ素子アレイ４６に書き換え信号を出力する回路である。また、第１の実施形態に係る照度／近接センサ１０では、トリミング調整用の外部端子としてトリミング信号入力端子ＳＴＲが設けられていたが、本実施形態に係る照度／近接センサ４０には、トリミング信号入力端子ＳＴＲは設けられていない。
【０２２７】
図２４は、受光検出回路２、発光素子駆動回路３、入出力インターフェース／レジスタ回路４５、不揮発性メモリ素子アレイ４６およびデータ書き換え用回路４７の各回路間のより詳細な接続関係を示すブロック図である。同図は、第１の実施形態と同様、受光感度および発光強度をそれぞれ３ビットの調整信号Ｖ１、Ｖ２で調整する場合の構成例を示しており、不揮発性メモリ素子アレイ４６は、アレイ状（マトリクス状）に配置された６つの不揮発性メモリ素子４６ａ〜４６ｆから構成される。
【０２２８】
不揮発性メモリ素子アレイ４６ａ、４６ｂ、４６ｃはそれぞれ、保持するデータを調整信号Ｖ１−０、Ｖ１−１、Ｖ１−２として受光検出回路２に出力する。また、不揮発性メモリ素子アレイ４６ｄ、４６ｅ、４６ｆはそれぞれ、保持するデータを調整信号Ｖ２−０、Ｖ２−１、Ｖ２−２として発光素子駆動回路３に出力する。
【０２２９】
各不揮発性メモリ素子４６ａ〜４６ｆのデータはそれぞれ、書き換え用回路４７から出力される書き換え信号Ｗ１−０、Ｗ１−１、Ｗ１−２、Ｗ２−０、Ｗ２−１、Ｗ２−２によって書き換えられる。書き換え用回路４７は、入出力インターフェース／レジスタ回路４５から入力される制御信号に基づいて、書き換え信号Ｗ１−０、Ｗ１−１、Ｗ１−２、Ｗ２−０、Ｗ２−１、Ｗ２−２を生成する。入出力インターフェース／レジスタ回路４５が出力する制御信号は、データ書き込み信号（ｗｒｉｔｅ）、データ消去信号（ｅｒａｓｅ）、データ読出し信号（ｒｅａｄ）などのコマンド信号や、書き換えを行うメモリの選択等を行うためのａｄｄｒｅｓｓデータを含んでいる。
【０２３０】
書き換え用回路４７は、入力されるａｄｄｒｅｓｓデータから特定のメモリ素子を選択するためのデコード回路、データ書込み／消去／読み出しを制御する制御回路、データの書込み／消去を行うために必要な高電圧（数１０Ｖ）を電源電圧（３Ｖ程度）から生成する昇圧回路、電源電圧と上記高電圧とを切り替えるためのレベルシフト回路などを備えている。
【０２３１】
ここで、第１〜第３の実施形態では、受光用トリミング調整回路および発光用トリミング調整回路に、ヒューズ素子およびマルチプレクサを設けて、マルチプレクサにテスト信号を入力する必要があった。また、ヒューズ素子は、不揮発性メモリの一種（Ｆｕｓｅ ＲＯＭとも呼ばれる）であるが、データの書き換えが不可能であるため、ヒューズ素子を溶断する前にテスト信号を用いて、特性を事前に測定する必要があった。これに対し、本実施形態では、書き換え可能な不揮発性メモリ素子を用いているので、テスト信号によって事前に特性を測定する必要がない。
【０２３２】
図２５は、照度センサモードにおける調整工程（受光感度調整工程）の手順を示すフローチャートである。まず、不揮発性メモリ素子４６ａ〜４６ｃの保持データを初期化するとともに、照度／近接センサ４０を照度センサとして動作させるモードに設定する（Ｆ４１、照度テストモード開始手順）。このとき、不揮発性メモリ素子４６ａ〜４６ｃの保持データを、例えば（０、０、０）に設定する。
【０２３３】
続いて、基準光源Ｌ１からフォトダイオードＰＤ１に向けて光を照射させ（Ｆ４２、照射手順）、基準光源Ｌ１を照射した状態で照度／近接センサ４０を照度センサとして動作させ、測定結果（照度情報）を出力させて（Ｆ４３）、当該測定結果がテスト基準範囲内（または、仕様範囲内）であるかどうかを判定する（Ｆ４４、第１のテスト信号調整手順）。
【０２３４】
測定結果が基準範囲内でない場合（Ｆ４４においてＮＯ）、調整可能な調整信号Ｖ１−０〜Ｖ１−２の値の他の組み合わせを検索し（Ｆ４５）。他の組み合わせがある場合（Ｆ４５においてＹＥＳ）、書き換え信号Ｗ１−０〜Ｗ１−２によって不揮発性メモリ素子４６ａ〜４６ｃのデータを書き換えることにより調整信号Ｖ１−０〜Ｖ１−２の値を再設定して、受光検出回路２の受光感度を調整し（Ｆ４６）、再度Ｆ４３およびＦ４４に移行する。なお、調整可能な調整信号Ｖ１−０〜Ｖ１−２の値の全ての組み合わせについて受光検出回路２の受光感度を調整しても、検出結果が基準範囲内とならない場合（Ｆ４５においてＮＯ）、照度／近接センサ４０を不良品として廃棄する（Ｆ４７）。
【０２３５】
測定結果が基準範囲内である場合は（Ｆ４４においてＹＥＳ）、基準光源Ｌ１による照射をＯＦＦして、照度センサモードを終了する（Ｆ４８）。なお、本実施形態では、図９に示すトリミング実行フロー（Ｆ８）は不要である。
【０２３６】
図２５に示す調整工程においても、図９に示す調整工程と同様に、パッケージ後の最終的な測定結果に基づいて補正を行なっているので、フォトダイオードＰＤ１の感度（効率）、受光用レンズ１２の透過率・屈折率、分光フィルタを用いる場合は分光フィルタの透過率等、受光検出回路２の受光感度以外（樹脂材料など）に製造ばらつきがあっても、それらの全ての製造ばらつきを考慮した補正を行なうことができる。したがって、照度／近接センサ４０の照度センサとしての測定精度をより高めることができる。
【０２３７】
図２６は、近接センサモードにおける調整工程の手順を示すフローチャートである。まず、不揮発性メモリ素子４６ｄ〜４６ｆの保持データを初期化するとともに、照度／近接センサ４０を近接センサとして動作させるモードに設定する（Ｆ４９、近接テストモード開始手順）。このとき、不揮発性メモリ素子４６ｄ〜４６ｆの保持データを、例えば（０、０、０）に設定する。なお、不揮発性メモリ素子４６ａ〜４６ｃの保持データは、初期化しない。
【０２３８】
続いて、所定の測定距離ｄ１の位置に被検出物Ｓ１を設置して（Ｆ５０、設置手順）、照度／近接センサ４０を近接センサとして動作させて、測定結果（近接情報）を出力させ（Ｆ５１）、上記の測定結果がテスト基準範囲内（または、仕様範囲内）であるかどうかを判定する（Ｆ５２、第２のテスト信号調整手順）。
【０２３９】
測定結果が基準範囲内でない場合（Ｆ５２においてＮＯ）、調整可能な調整信号Ｖ２−０〜Ｖ２−２の値の他の組み合わせを検索し（Ｆ５３）。他の組み合わせがある場合（Ｆ５３においてＹＥＳ）、書き換え信号Ｗ２−０〜Ｗ２−２によって不揮発性メモリ素子４６ｄ〜４６ｆのデータを書き換えることにより調整信号Ｖ２−０〜Ｖ２−２の値を再設定して、発光ダイオードＬＥＤ１の発光強度を調整し（Ｆ５４）、再度Ｆ５１およびＦ５２に移行する。なお、調整可能な調整信号Ｖ２−０〜Ｖ２−２の値の全ての組み合わせについて発光ダイオードＬＥＤ１の発光強度を調整しても、検出結果が基準範囲内とならない場合（Ｆ５３においてＮＯ）、照度／近接センサ４０を不良品として廃棄する（Ｆ５５）。
【０２４０】
測定結果が基準範囲内である場合は（Ｆ５２においてＹＥＳ）、通常動作モードに移行する（Ｆ５６）。なお、本実施形態では、図１１に示すトリミング実行フロー（Ｆ１７）は不要である。
【０２４１】
図２６に示す調整工程においても、図１１に示す調整工程と同様に、パッケージ後の最終的な測定結果に基づいて補正を行なっているので、フォトダイオードＰＤ１の感度（効率）、受光用レンズ１２および発光用レンズ１３の透過率・屈折率等、受光検出回路２の受光感度以外に製造ばらつきがあっても、それらの全ての製造ばらつきを考慮した補正を行なうことができる。したがって、照度／近接センサ４０の近接センサとしての測定精度をより高めることができる。
【０２４２】
以上のように、不揮発性メモリ素子は、新たなデータの書き込みをしない限り、データをそのまま保持することができるので、本実施形態において、照度／近接センサ４０の製造ばらつきの調整工程では、トリミング調整フロー（図９におけるＦ８および図１１におけるＦ１７）を実施する必要がない。
【０２４３】
また、本実施形態では、不揮発性メモリ素子の出力値を調整信号として用いているので、半導体メモリ用の半導体製造プロセスを使用して制御用回路４１を形成することにより、同一のチップ上に制御用回路４１と上記の不揮発性メモリ素子とを形成することが可能である。また、不揮発性の半導体メモリ素子を使用することにより、トリミング調整フロー（Ｆ８，Ｆ１７）を実施する必要がなくなり、大電流やレーザー光によるヒューズ素子溶断の際に、周辺回路部（マルチプレクサの入力部や回路チップ表面など）を破損する確率が低減できるため、信頼性の高い特性の補正が可能となる。さらに、データ書き換え用回路４７による不揮発性メモリ素子の保持データの書き換えは、照度／近接センサ４０のパッケージ化後だけでなく、電子機器へ実装後も可能である。したがって、照度／近接センサ４０の製造ばらつきの補正だけでなく、電子機器への実装状態での製造ばらつきの補正も含めた、より高精度な調整が可能となる。
【０２４４】
なお、本実施形態では、受光検出回路の受光感度および発光ダイオードの発光強度の調整を行っていたが、不揮発性メモリ素子のデータ書き換えによるトリミング調整を、上述の第２の実施形態におけるフォトダイオードの受光位置調整に適用してもよい。この場合、図１６に示すトリミング実行フロー（Ｆ３０）は不要となる。
【０２４５】
また、データ書き換え用回路４７は、各不揮発性メモリ素子４６ａ〜４６ｆへのデータ書き込みおよびデータ消去の機能に加え、データ読み出しの機能を備えていることが好ましい。これにより、データ書込みやデータ消去などを行った場合に、正常にメモリデータが遷移しているかを確認することができるため、テスト／調整工程の信頼性を向上させることができる。
【０２４６】
〔実施形態５〕
本発明の第５の実施形態について図２８に基づいて説明すれば、以下のとおりである。本実施形態では、照度／近接センサを電子機器に搭載した構成について説明する。
【０２４７】
図２７は、本実施形態に係る電子機器９０の構成を示すブロック図である。電子機器１００は、タッチパネル付きの液晶ディスプレイを有する携帯電話やデジタルカメラ等の電子機器であり、照度／近接センサ９１、液晶バックライト制御部９２、タッチパネル機能制御部９３および液晶ディスプレイ／タッチパネル９４を備えている。照度／近接センサ９１は、外部情報（太陽光などの外乱光照度情報、及び、近接物体有無の近接情報）を検出し、液晶バックライト制御部９２に液晶バックライトを制御するための照度情報および近接情報を出力するとともに、タッチパネル機能制御部９３にタッチパネル機能を制御するための近接情報を出力している。
【０２４８】
これにより、液晶バックライト制御部９２は、照度情報に基づいて、周囲環境に合わせて液晶ディスプレイの光源であるバックライトの輝度を調整することができる。また、液晶バックライト制御部９２は、近接情報に基づいて、至近距離に物体が存在することを検知すると、バックライトをＯＦＦさせることができる。また、タッチパネル機能制御部９３は、近接情報に基づいて、タッチパネルの駆動のＯＮ／ＯＦＦを制御する機能を有しており、例えば、所定範囲の距離に物体が存在することを検知すると、タッチパネルの駆動をＯＦＦさせる。
【０２４９】
さらに、本実施形態では、照度／近接センサ９１として、上述の第１〜第４の実施形態に係る照度／近接センサを用いている。したがって、液晶バックライトの輝度制御や、タッチパネルの駆動ＯＮ／ＯＦＦ制御を、高精度、且つ、高分解能に制御可能な電子機器を実現することが可能となる。
【０２５０】
〔実施形態の総括〕
上述の第１〜第４の実施形態では、受光素子と制御用回路をそれぞれ別々の素子として説明を行ったが、フォトダイオード（ＰＮ接合）が形成可能な半導体プロセスを使用して制御用回路を製造することにより、受光素子（フォトダイオード）と制御用回路とを同一のチップ上に集積することが可能となる。これにより、制御用回路と受光素子のサイズを縮小することができ、照度／近接センサの小型化が実現できる。また、照度／近接センサの小型化に加え、受光素子と制御用回路とを接続するための金線等の配線を削減可能となることから、照度／近接センサの製造コストを低減することができる。
【０２５１】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０２５２】
本発明に係るセンサ装置は、特にタッチパネル付きの液晶ディスプレイを有する携帯電話やデジタルカメラ等の小型の電子機器に好適である。
【符号の説明】
【０２５３】
１  制御用回路
２  受光検出回路（受光検出手段）
２ａ  放電回路
２ｂ  充電回路
２ｃ  比較回路
２ｄ  データ出力回路
２ｆ  基準電流調整回路
３  発光素子駆動回路（発光手段駆動手段）
３ａ  駆動電流調整回路
４  制御回路
５  入出力インターフェース／レジスタ回路（レジスタ手段）
６  トリミング調整回路（トリミング調整手段）
１０  照度／近接センサ（センサ装置）
１１  樹脂パッケージ（樹脂材料）
１１ａ  レーザ照射窓（透過部）
１２  受光用レンズ
１３  発光用レンズ
２０  照度／近接センサ（センサ装置）
２１  制御用回路
２５  入出力インターフェース／レジスタ回路
２６  トリミング調整回路（トリミング調整手段）
２７  セレクタ回路（受光位置調整手段、電流選択手段）
３０  照度／近接センサ（センサ装置）
３１  制御用回路
３５  入出力インターフェース／レジスタ回路
３６  トリミング調整回路（トリミング調整手段）
４０  照度／近接センサ（センサ装置）
４１  制御用回路
４５  入出力インターフェース／レジスタ回路
４６  不揮発性メモリ素子アレイ
４６ａ  不揮発性メモリ素子
４６ｂ  不揮発性メモリ素子
４６ｃ  不揮発性メモリ素子
４６ｄ  不揮発性メモリ素子
４６ｅ  不揮発性メモリ素子
４６ｆ  不揮発性メモリ素子
４７  データ書き換え用回路
６１ａ  受光用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
６１ａ’  受光用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
６１ｂ  受光用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
６１ｃ  受光用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
６２ａ  発光用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
６２ｂ  発光用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
６２ｃ  発光用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
６３ａ  トリミング回路部（固定化信号出力手段）
６３ａ’  トリミング回路部（固定化信号出力手段）
６４ａ  調整信号生成／テスト用回路部
６４ａ’  調整信号生成／テスト用回路部
６５ａ  セレクタ用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
６５ｂ  セレクタ用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
６５ｃ  セレクタ用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
７１ａ  受光用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
７１ａ’  受光用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
７１ｂ  受光用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
７１ｃ  受光用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
７２ａ  発光用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
７２ｂ  発光用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
７２ｃ  発光用トリミング調整回路（１ビット信号出力手段）
７３ａ  トリミング回路部（固定化信号出力手段）
７３ａ’  トリミング回路部（固定化信号出力手段）
７４ａ  調整信号生成／テスト用回路部
７４ａ’  調整信号生成／テスト用回路部
９０  電子機器
９１  照度／近接センサ（センサ装置）
９２  液晶バックライト制御部（バックライト制御部）
９３  タッチパネル機能制御部（タッチパネル制御部）
９４  液晶ディスプレイ／タッチパネル
ＡＭＰ１  オペアンプ
Ｃ１  充電用キャパシタ
ＣＯＭＰ１  コンパレータ
ＣＯＵＮＴ１  カウンタ
ＤＯＵＴ  デジタル信号
Ｄａｔａ  デジタル閾値
Ｅ１  基準電圧源
Ｆ１  ヒューズ素子
ＦＦ１  フリップフロップ
ＩＬＥＤ  駆動電流
ＩＬＥＤ１  電流源
ＩＬＥＤ２  電流源
ＩＬＥＤ３  電流源
ＩＬＥＤ４  電流源
ＩＲＥＦ  基準電流
Ｉｉｎ  入力電流
Ｉｒｅｆ１  電流源
Ｉｒｅｆ２  電流源
Ｉｒｅｆ３  電流源
Ｉｒｅｆ４  電流源
Ｌ１  基準光源
ＬＥＤ１  発光ダイオード（発光手段）
ＭＮ１  ＮＭＯＳトランジスタ（第１のスイッチ）
ＭＵＸ１  マルチプレクサ（信号選択手段）
ＰＢ  基板
ＰＤ１  フォトダイオード（受光手段）
ＰＤ１０  フォトダイオード（受光手段）
ＰＤ１１  フォトダイオード（単位受光手段）
ＰＤ１２  フォトダイオード（単位受光手段）
ＰＤ１３  フォトダイオード（単位受光手段）
ＰＤ１４  フォトダイオード（単位受光手段）
ＰＤ１５  フォトダイオード（単位受光手段）
ＰＤ１６  フォトダイオード（単位受光手段）
ＰＤ１７  フォトダイオード（単位受光手段）
ＰＤ１８  フォトダイオード（単位受光手段）
Ｒ１  プルダウン抵抗
Ｒ１’  プルアップ抵抗
Ｒ２  プルダウン抵抗
Ｒ２’  プルアップ抵抗
Ｒ３  保護抵抗
Ｒ４  プルダウン抵抗
Ｓ１  被検出物
Ｓ１−０  選択信号（第２の選択信号）
Ｓ１−１  選択信号（第２の選択信号）
Ｓ１−２  選択信号（第２の選択信号）
Ｓ２  被検出物
Ｓ２−０  選択信号（第２の選択信号）
Ｓ２−１  選択信号（第２の選択信号）
Ｓ２−２  選択信号（第２の選択信号）
Ｓ３−０  選択信号（第２の選択信号）
Ｓ３−１  選択信号（第２の選択信号）
Ｓ３−２  選択信号（第２の選択信号）
ＳＣＬ  クロック入力端子
ＳＤＡ  入出力端子
ＳＥＬ  選択信号（第１の選択信号）
ＳＯＵＴ  検出データ出力端子
ＳＴＲ  トリミング信号入力端子
ＳＷ１０  スイッチ
ＳＷ１１  スイッチ
ＳＷ１２  スイッチ
ＳＷ２０  スイッチ
ＳＷ２１  スイッチ
ＳＷ２２  スイッチ
ＳＷＡ  スイッチ
ＳＷＢ  スイッチ
ＳＷＣ  スイッチ
ＳＷＤ  スイッチ（第２のスイッチ）
ＴＲ  トリミング信号
Ｖ１  調整信号（第１の調整信号）
Ｖ１−０  調整信号（第１の調整信号）
Ｖ１−１  調整信号（第１の調整信号）
Ｖ１−２  調整信号（第１の調整信号）
Ｖ２  調整信号（第２の調整信号）
Ｖ２−０  調整信号（第２の調整信号）
Ｖ２−１  調整信号（第２の調整信号）
Ｖ２−２  調整信号（第２の調整信号）
Ｖ３  調整信号（第３の調整信号）
Ｖ３−０  調整信号（第３の調整信号）
Ｖ３−１  調整信号（第３の調整信号）
Ｖ３−２  調整信号（第３の調整信号）
ＶＴ１−０  テスト信号（第１のテスト信号）
ＶＴ１−１  テスト信号（第１のテスト信号）
ＶＴ１−２  テスト信号（第１のテスト信号）
ＶＴ２−０  テスト信号（第２のテスト信号）
ＶＴ２−１  テスト信号（第２のテスト信号）
ＶＴ２−２  テスト信号（第２のテスト信号）
ＶＴ３−０  テスト信号（第３のテスト信号）
ＶＴ３−１  テスト信号（第３のテスト信号）
ＶＴ３−２  テスト信号（第３のテスト信号）
Ｖｄｄ  電源
Ｖｒｅｆ  基準電圧
Ｖｓｉｇ  出力電圧
ｃｈａｒｇｅ  放電制御信号
ｃｌｋ  クロック信号
ｃｏｍｐ  出力信号
ｄ１  測定距離
ｄ２  測定距離
ｎ  分解能
ｔ＿ｃｏｎｖ  データ変換時間（充電期間）
【図１】
2011209236.tif 000006
【図２】
2011209236.tif 000007
【図３】
2011209236.tif 000008
【図４】
2011209236.tif 000009
【図５】
2011209236.tif 000010
【図６】
2011209236.tif 000011
【図７】
2011209236.tif 000012
【図８】
2011209236.tif 000013
【図９】
2011209236.tif 000014
【図１０】
2011209236.tif 000015
【図１１】
2011209236.tif 000016
【図１２】
2011209236.tif 000017
【図１３】
2011209236.tif 000018
【図１４】
2011209236.tif 000019
【図１５】
2011209236.tif 000020
【図１６】
2011209236.tif 000021
【図１７】
2011209236.tif 000022
【図１８】
2011209236.tif 000023
【図１９】
2011209236.tif 000024
【図２０】
2011209236.tif 000025
【図２１】
2011209236.tif 000026
【図２２】
2011209236.tif 000027
【図２３】
2011209236.tif 000028
【図２４】
2011209236.tif 000029
【図２５】
2011209236.tif 000030
【図２６】
2011209236.tif 000031
【図２７】
2011209236.tif 000032
【図２８】
2011209236.tif 000033
【図２９】
2011209236.tif 000034
【図３０】
2011209236.tif 000035
【図３１】
2011209236.tif 000036
【図３２】
2011209236.tif 000037
【図３３】
2011209236.tif 000038
【図３４】
2011209236.tif 000039