(57)【要約】      （修正有）【課題】研磨工程の最適条件のラチチュードを広げ、最適条件の変動を防止し、常に最適な研磨条件で突起状の異常成長を平坦化することが可能な、感光体の後処理方法を提供する。【解決手段】感光体１０１作製後の後処理方法であって、電子写真感光体が、円筒状の基体の上に、アモルファスシリコンで形成された光導電層と、ケイ素原子を含有するアモルファス物質で形成された表面層とを持ち、感光体１０１の作製工程の終了後、ポリシランが表面に付着した感光体１０１を作製装置から取り出した後、感光体１０１の表面を、表面に垂直な方向の圧力が１〜１００ｋＰａの範囲で乾拭きする乾拭き工程を行い、その後に研磨砥粒を接着剤成分で担持した研磨用テープを用いて表面を研磨する研磨工程を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状の基体の上に、少なくともアモルファスシリコンで形成された光導電層と、少なくともケイ素原子を含有するアモルファス物質で形成された表面層とを持つ電子写真感光体を作製した後の、電子写真感光体の後処理方法であって、
前記電子写真感光体を作製した後、ポリシランが表面に付着した前記電子写真感光体を作製装置から取り出し、前記電子写真感光体の表面を、表面に垂直な方向の圧力が１〜１００ｋＰａの範囲で乾拭きする乾拭き工程を行い、
その後に研磨砥粒を接着剤成分で担持した研磨用テープを用いて表面を研磨する研磨工程を行うことを特徴とする電子写真感光体の後処理方法。
【請求項２】
前記乾拭き工程において、繊維径が１５μｍ以上５０μｍ以下の布を使用する請求項１に記載の電子写真感光体の後処理方法。
【請求項３】
前記乾拭き工程において、前記電子写真感光体の軸方向に乾拭き動作を行う請求項１または２に記載の電子写真感光体の後処理方法。
【請求項４】
前記乾拭き工程において、前記電子写真感光体の表面温度が３０℃以上４０℃以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の電子写真感光体の後処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は感光体の後処理方法に関する。より詳しくは、アモルファスシリコン系感光体を堆積膜形成装置から取り出した後、表面を適切に清掃する工程と、研磨用テープにより表面の異常成長突起部を平坦化する工程を含む後処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子を作成する際には様々な堆積膜形成方法が用いられる。一例として、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法の如き方法が多数知られており、そのための装置も実用に付されている。中でも高周波電力を用いたプラズマプロセスは、様々な材料を用いた堆積膜作成に用いることが出来、例えば酸化膜や窒化膜の如き絶縁性の膜形成にも使用できるため、広く応用されている。プラズマプロセスの好適な使用例としては、例えば電子写真用の水素化アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈとも表記する）堆積膜の形成が挙げられ、これらの分野では現在実用化が非常に進んでおり、そのための装置も各種提案されている。
【０００３】
このような方法により作製されたａ−Ｓｉ：Ｈ感光体は、頻度は低いものの表面に微小な突起状の異常成長が発生することがある。このような突起部は、場合によっては高さが１０μｍ程度に達することがあった。ａ−Ｓｉ：Ｈ感光体はビッカース硬度が１０００以上と非常に硬く、突起部も同様に硬く強固である。そのため画像形成装置内のブレードクリーニング時に、突起部とブレードとが衝突すると、場合によってはブレードの微小領域において欠けが生じる事がある。このような欠けが生じた場合、クリーニング不良が発生し、画像上に線状の不良が生じる事がある。
【０００４】
このようなブレード欠けを防止する為に、ａ−Ｓｉ：Ｈ感光体の後処理方法として、感光体表面に研磨用テープを加圧当接させながら回転させ、突起部の平坦化研磨をおこなう方法が開示されている（特許文献１参照）。
また、製造直後ではないが、繰り返しの複写操作によって汚れの付着や表面の変質が起きた感光体を、研磨剤を用いて研磨して感光体を再生する技術が知られている。このとき、感光体表面を乾拭きした後で、研磨粒子の入ったリファイナーをパッドにつけて研磨し、最後にまた乾拭きしてリファイナーを拭き取る方法が開示されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３１８４８０号公報
【特許文献２】特開平８−１２３２４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来の方法に開示されるように、感光体表面の研磨処理は様々な方法があり、改良がなされてきた。しかしながら、電子写真感光体に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質化が実現可能な電子写真感光体の製造方法が求められるようになっている。
ＣＶＤ法で作製されるａ−Ｓｉ：Ｈ感光体の場合、前述したように稀ではあるものの、突起状の異常成長が現れることがある。製造直後に感光体表面を研磨することは、クリーニングブレードの破損やクリーニング不良を防ぐ上で好ましい。このようなａ−Ｓｉ：Ｈ感光体の研磨に関しては、非常に硬度の高いａ−Ｓｉ：Ｈ感光体の表面突起部を研磨しなければならず、且つ突起部のみを平坦化し、他の部分には傷をつけないようにするなど、特許文献１にあるように様々な工夫がなされてきた。
【０００７】
具体的には、硬度の硬い表面を傷をつけずに研磨するためには、硬く細かい研磨砥粒をやわらかい担持体に担持した研磨用テープを、適度な速さで送りながら感光体の表面に加圧当接し研磨することが必須である。テープ送りが速すぎると、テープがビビリを起こして振動し、その振動によって研磨屑や脱落した突起部がテープと感光体表面の間に入り込み、表面を傷つける場合があった。逆にテープ送りが遅すぎると、研磨に時間がかかりすぎるばかりか、担持体に研磨砥粒を担持するための接着剤成分（バインダー）が表面に転写、付着してしまうことがあった。付着した接着剤成分により更に突起部の平坦化速度が下がったり、付着した接着剤成分を除去する工程が更に必要になることがあった。このため、研磨の最適な条件のラチチュードが狭いという問題があった。また、感光体の製造条件や製造後の取り扱いの違いによっては、前述した最適な研磨条件がずれてしまうことがあった。このような変化はあらかじめ想定できなかったため、研磨条件が適正な状態にあるかを定期的に確認する必要があった。
【０００８】
本発明は上記課題の解決を目的とするものである。即ち、研磨工程の最適条件のラチチュードを広げ、且つ製造条件や製造後の取り扱いの差による最適条件の変動を防止し、常に最適な研磨条件で突起状の異常成長を平坦化することが可能な、感光体の後処理方法を提供することにある。
本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討を行った。その結果、当接時の圧力に対するラチチュードの狭さや、堆積膜作製装置から取り出した後の取り扱いの如き条件違いによる最適値のばらつきは、表面の摩擦係数が異なることに起因することが見出された。更に調べると、堆積膜形成時に生成される副生成物であるポリシランが、感光体表面に残存する量によって摩擦係数が異なることが判った。これをコントロールすることにより、本発明に至った。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の、電子写真感光体の後処理方法は、円筒状の基体の上に、少なくともアモルファスシリコンで形成された光導電層と、少なくともケイ素原子を含有するアモルファス物質で形成された表面層とを持つ電子写真感光体を作製した後の、電子写真感光体の後処理方法であって、
前記電子写真感光体を作製した後、ポリシランが表面に付着した前記電子写真感光体を作製装置から取り出し、前記電子写真感光体の表面を、表面に垂直な方向の圧力が１〜１００ｋＰａの範囲で乾拭きする乾拭き工程を行い、
その後に研磨砥粒を接着剤成分で担持した研磨用テープを用いて表面を研磨する研磨工程を行うことを特徴とする。
【００１０】
以下では、ポリシランやポリシランの役割、残存量のコントロールなどに関し詳述する。
通常、ＣＶＤ法によってＳｉＨ４ガスを含むガスからａ−Ｓｉ：Ｈ膜を作製すると、ポリシランと呼ばれる直径が０．１μｍ〜０．５μｍの粉体状の生成物が形成されることがある。このポリシランはＲＦ帯（代表的には１３．５６ＭＨｚ）以下の周波数を用いた場合に生成しやすく、また装置保護のために電極や壁面の一部を冷却する場合、冷却部分に形成されやすい。この装置壁面や電極に付着していた粉体状のポリシランは、膜堆積後に感光体を作製装置から取り出す際、感光体表面に付着する。通常、感光体表面を研磨する工程の前に、この付着したポリシランを除去する。例えば溶剤を用いて完全に除去する場合があった。また、エアブローによって除去する場合もあった。この場合、除去方法によって表面に残存するポリシラン量が異なっていた。また、感光体の作製条件によっては、例えば感光層の作製時の希釈水素量を減らすことにより、ポリシラン量が増える事があった。このように除去方法、作製条件により表面に残存するポリシラン量に違いが出てしまうことがあることが判明した。
【００１１】
この表面に残存するポリシラン量は、加圧当接された研磨用テープとの間の摩擦係数に大きく影響していることがわかった。即ち、サブμｍのポリシランが潤滑に寄与し、研磨用テープとの摩擦条件を一定にしていると予想される。また、ポリシランはＳｉＨ２が鎖状に結合し球状に凝集した構造と考えられる為、感光体や研磨粒子に比べ軟らかいものであると考えられる。このような軟らかい粉体が突起部以外の部分と研磨用テープとの間に入ることで衝撃を和らげているのではないかと推察される。また、この残存ポリシランは、研磨用テープから接着剤成分が感光体側に転写される現象を効果的に防止していることも判った。
【００１２】
残存するポリシランの量は、堆積膜を形成してから感光体を取り出した後に、感光体表面を清掃する清掃方法に依存していることがわかった。この残存量が大量だと、平坦化の進行が遅れてしまい好ましくない。清掃しない状態では、表面にはポリシラン以外にもダストや作製装置内で剥離した膜片などが混在している。これらを除去しないで研磨用テープを当接させると、感光体表面に傷が入ったりすることがあるため、好ましくない。一方、溶剤を用いたり、洗浄を行ったりして完全にポリシランを除去してしまうと摩擦係数が大きくなりすぎ、本願の効果が得られなくなる場合がある。
【００１３】
本発明者らは表面の清掃条件を鋭意検討したところ、織物、編物または不織布の如き軟らかい布状のものにより表面を乾拭きすることが最も好ましい事を見出した。この方法は、傷の原因となる可能性のある膜片や大きなダストを絡めとりながら、ポリシランを適度に残存させて摩擦条件を適性値にすることを見出した。
適度な摩擦条件をもたらすポリシラン残存量は、乾拭きの際の布の押し当て圧に依存することがわかった。感光体表面に垂直な方向の圧力として、１ｋ〜１００ｋＰａの範囲がポリシラン残存量の点から好ましい。より好ましくは、３０ｋ〜７０ｋＰａが、残存量と拭取り効率の点からより好ましい。
【００１４】
また、布の繊維の太さも、ポリシラン残存量と関連があることが判った。非常に細い繊維で形成された布は、ワイピング性能が高い。このような素材の場合、繊維と繊維の間にポリシランを強力に絡め取ってしまい、感光体表面への残存量が極端に減ってしまうことがある。一方、比較的太い繊維で形成された布の場合、ワイピング性能が極端に強いわけではなく、絡め取り残す状況が生まれ、残存量が制御しやすいと考えられる。具体的には、繊維の断面の平均径としては、１５μｍ以上５０μｍ以下のものを用いる事が好ましい。これより細い径の繊維、太い径の繊維が混在していても構わないが、布全体として平均的に１５μｍ以上５０μｍ以下の繊維径となるような布を用いる方が、残存量の制御性の点でより好ましい。
【００１５】
布の素材としては、ポリエステル、ナイロン、コットン、セルロース、ポリプロピレン、パルプ繊維の如き表面を傷つけないような繊維であれば如何なるものでも使用できるが、添加剤や結着剤の如き薬品、溶剤、油分を含まないことが好ましい。また、布の形態としては、前述したように織物、編物、不織布のいずれの形態をとっても構わない。
また、乾拭き工程において、布を感光体に対して相対的に動かす方向は、円筒状の感光体の場合、円筒の軸方向に動かしながら拭取ることが、より好ましい。円筒状の基体を加工する場合には、旋盤による切削やバフ研磨によるヘアライン加工の如き表面加工が施されることが多い。これらの加工では治具が接触、回転して加工するため、軸方向からみると多少なりとも微小な凹凸が残ってしまう可能性が高い。乾拭き時にはこの微小な凹凸に逆らうように拭く方が、残存量をコントロールしやすいことがわかった。一方、円周方向に拭取っても良いが、その場合には凹凸の溝の中への布の密着性が高くなり、ポリシランの取りすぎが起こりやすくなる場合がある。また、布の大きさや押し当ての方法にもよるが、押し当て圧や残存量の軸方向の均一性に注意を払う必要がある。この点からも、感光体の表面に押し当てた布を軸方向に動かすことによってポリシランを拭取った方が残存量や処理の均一性の点から、より好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明では、感光体の後処理方法において、感光体を作製装置から取り出した後、研磨工程に投入する前に表面を適切に清掃することで残留するポリシラン量を制御し、摩擦係数を制御する。このことにより、研磨用テープの当接圧力のラチチュードの拡大や、接着剤成分が研磨用テープから感光体表面に転写される問題の解決が可能となり、突起状の異常成長の平坦化加工が再現性良く効果的に行える。その結果、ブレードの欠けを抑制し、クリーニング不良を効果的に防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（ａ）本発明の感光体の清掃方法を示した模式図、（ｂ）本発明の感光体の清掃方法の他の態様例を示した模式図。
【図２】本発明の電子写真感光体の製造に使用することが可能な、ＲＦ帯の高周波を用いたプラズマＣＶＤ作製装置の好適な構成の一例を模式的に示した図。
【図３】本発明の研磨工程に用いる装置を模式的に示した図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
次に、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
図１（ａ）に感光体を軸方向に乾拭きする装置の模式図を示した。膜堆積を終えた感光体１０１はフランジ１０２によって保持される。フランジ１０２には軸１０３が接続されており、軸１０３が保持部材１０４によって台１０５の上に回転可能な状態で横向きに保持されている。感光体１０１は布１０６が当接部材１０７によって力Ｆを受けて当接されている。力Ｆは台１０５の下に加重計１０８をおくことでモニター可能である。
【００１９】
この状態で、図中では布１０６及び当接部材１０７を左側の方向に動かすことによって感光体１０１の軸方向に乾拭きが行われる。軸方向に端部から他端まで到達した後、不図示の回転部材により微小角度だけ回転し、軸方向の乾拭きを行う。端部に到達した後、布についた汚れを適宜確認し、汚れがひどければ布の交換や当接位置の変更を行い、なるべく汚れが再付着しないようにすることが好ましい。このような動作を繰り返し、周方向に満遍なく乾拭きが行われるようにすればよい。軸方向の乾拭きは、往復運動でも良いが、単一方向の方がダストの再付着をより抑えられるため、より好ましい。
また、図１（ｂ）のように、更に簡便な装置とすることもできる。すなわち、加重計１０８をモニターしながらであれば、手で布１０６を動かし、回転させることで乾拭きを行うこともできる。その場合には、当接面積と加重から求められる圧力が、残留ポリシラン量の制御において良好な範囲になるように注意すればよい。
【００２０】
次に、電子写真感光体作製を行う方法及び装置を説明する。
図２は、高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の作製装置の一例を模式的に示した図である。
この装置は大別すると、作製装置２１００、原料ガスの供給装置２２００、成膜炉２１１０内を減圧する為の排気装置（図示せず）から構成されている。成膜炉２１１０の中にはアースに接続された基体２１１２、基体の加熱用ヒーター２１１３、ガス導入管２１１４が設置され、更に高周波マッチングボックス２１１５を介して高周波電源２１２０が接続されている。
ガス供給装置２２００は、原料ガスボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２３６、２２４１〜２２４６、２２５１〜２２５６及びマスフローコントローラ２２１１〜２２１６から構成される。各構成ガスのボンベはバルブ２２６０を介して成膜炉２１１０の中のガス導入管２１１４に接続されている。
基体２１１２は導電性受け台２１２３の上に設置されることによってアースに接続される。
【００２１】
以下、図２の装置を用いた感光体の形成方法の手順の一例について説明する。
成膜炉２１１０の中に基体２１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により成膜炉２１１０の中を排気する。続いて基体加熱用ヒーター２１１３により基体２１１２の温度を２００℃〜４５０℃、より好ましくは２５０℃〜３５０℃の所望の温度に制御する。次いで、感光体形成用の原料ガスを成膜炉２１１０の中に流入させるには、まずガスボンベのバルブ２２３１〜２２３６、成膜炉のリークバルブ２１１７が閉じられている事を確認する。また、流入バルブ２２４１〜２２４６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６０が開かれている事を確認し、メインバルブ２１１８を開いて成膜炉２１１０及びガス供給配管２１１６を排気する。
その後、真空計２１１９の読みが０．６７ｍＰａになった時点で補助バルブ２２６０、流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じる。その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６より各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を０．２ＭＰａに調整する。次に流入バルブ２２４１〜２２４６を徐々に開けて各ガスをマスフローコントローラ２２１１〜２２１６の中に導入する。
【００２２】
以上の手順によって成膜準備を完了した後、基体２１１２の表面に、例えば光導電層の積層を行う。すなわち、基体２１１２が所望の温度になったところで、各流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要なものと補助バルブ２２６０とを徐々に開く。この動作により各ガスボンベ２２２１〜２２２６から所望の原料ガスをガス導入管２１１４を介して成膜炉２１１０の中に導入する。次に、各マスフローコントローラ２２１１〜２２１６によって、各原料ガスが所望の流量になる様に調整する。その際、成膜炉２１１０の中が１３３Ｐａ〜１３３０Ｐａの所望の圧力になる様に、真空計２１１９を見ながらメインバルブ２１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、高周波電源２１２０を所望の電力に設定する。例えば、周波数１ＭＨｚ〜５０ＭＨｚ、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を高周波マッチングボックス２１１５を通じてカソード電極２１１１に供給し高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって成膜炉２１１０の中に導入させた各原料ガスが分解され、基体２１１２の表面に所望のアモルファスシリコンを主成分とする光導電層が積層される。
所望の膜厚の形成がおこなわれた後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じて成膜炉２１１０への各原料ガスの流入を止め、光導電層の積層を終える。
光導電層は少なくともアモルファスシリコンで形成された層であるが、具体的な組成や膜厚は公知のものを使用することができる。続いて上部阻止層や表面層（少なくともケイ素原子を含有するアモルファス物質で形成された表面層）を積層する場合や光導電層と基体２１１２の間に下部阻止層を積層する場合も基本的には上記と同様の操作を行えばよい。
【００２３】
このような方法で基体２１１２の上に感光体を作製した後、成膜炉２１１０の中のガスを排気し、Ａｒガスの如き不活性なガスを導入し、排気をする工程を繰り返して反応に用いたガスを追い出す（パージする）。このような操作を複数回繰り返し、冷却した後、Ｎ２ガスの如き不活性ガスにより大気圧まで戻し、感光体を成膜炉２１１０から取り出す。取り出し、冷却した後、図１で示したような乾拭き用清掃治具に設置し、前述したような乾拭き工程が行われる。前述したように、繊維径が１５μｍ〜５０μｍで、繊維の脱落が少ないものが好ましい。化学繊維又はセルロースの如き天然素材を加工して安定的に処理した繊維からなる不織布或いは織物或いは編物を用い、溶剤や水を一切付けずに感光体表面を拭くようにする。
【００２４】
布を動かす方向は、感光体の凹凸即ち切削の如き加工に起因する凹凸に対して垂直に動かす事が好ましい。感光体では切削は周方向に行う為、布は軸方向に動かす事が好ましい。軸方向に１回ないし１０回、好ましくは２回から５回動かす事で潤滑に必要な適度のポリシランを残しつつ、過剰な分を除去できる。軸方向への動かし方は、往復運動でも良いが、一方向のみ動かす方が不必要なダストの再付着が起こりにくいため好ましい。１０回以上軸方向に布を動かしても良いが、研磨結果は変化しないことが判っている。このことから、１０回以上軸方向に動かしても除去できる量は飽和し、且つこれ以上残存する量も変化しないと類推できる。布を軸方向に１回ないし１０回動かして一定領域の除去が終了したら、感光体を周方向に回転させ、布を軸方向に再度動かしてまだポリシランを除去していない領域からポリシランを除去する事が好ましい。このようにして全周にわたり軸方向に拭くことで、感光体全体を乾拭きする事ができる。
【００２５】
また、軸方向一定幅において布を当接して周方向に清掃し、その箇所が終わった後に軸方向に布を移動させて別の一定幅において周方向に清掃することを繰り返しても良い。周方向に布を動かして清掃する場合には、布を軸方向、即ち凹凸に対して垂直に動かした場合に比べ、ポリシランを除去する能力が高くなると考えられる。実際に、軸方向同一箇所を5回以上通過するように拭くと、研磨工程で摩擦係数が大きくなることが判っている。この結果から、同一箇所を5回以上周方向に拭くとポリシランを除去しすぎてしまうと考えられる。よって、周方向に拭く場合には、同一箇所を布が1回ないし2回程度通過するのみにとどめることが望ましい。
また、周方向と軸方向との移動を同時に行う、即ちらせん状に布を当接させることを行っても良い。この場合も、周方向に布を動かすときと同様に、同一箇所を何度も周方向に清掃しないようにすればよい。具体的には、感光体が２回転する間に、布が感光体に当接する部分の感光体の軸方向の幅と等しい距離だけ、布を感光体の軸方向に移動するようにすれば、同一箇所を布が通過する回数を2回以内にとどめることができ、ポリシランを除去しすぎる現象を防ぐことができる。
【００２６】
また、乾拭きを行う際の温度としては如何なる温度でも構わないが、３０℃以上４０℃以下の範囲が最も好ましい。この範囲にすることにより、ポリシランの残留量のばらつきが更に抑えられ、最適な結果が得られやすい。この理由としては定かではないが、ポリシランと感光体との親和性、ポリシラン同士の凝集性、ポリシランと布との密着性などがバランスする為ではないかと想像される。
【００２７】
次に、本発明の電子写真感光体の後処理方法に好適な研磨装置の概要を図３を用いて説明する。
図３で示す形態の研磨装置は、ａ−Ｓｉ感光体３００の両端を支持する感光体支持機構３２０を有する。感光体支持機構３２０は具体的には空気圧ホルダーで、本例ではブリジストン社製空気圧式ホルダー（商品名：エアーピック、型番：ＰＯ４５ＴＣＡ＊８２０）を用いた。
感光体３００には、研磨用テープ３３１を巻回して感光体３００に押圧させる加圧弾性ローラー３３０が隣接して配置されている。研磨用テープ３３１は送り出しロール３３２より、定量送り出しロール３３４とキャプスタンローラー３３５によって定量に送り出され、感光体３００と加圧弾性ローラー３３０の間を通って、巻き取りロール３３３に巻き取られる。研磨用テープ３３１の送り速度は不図示の速度制御部により定量送り出しロール３３４の回転速度を制御することで制御される。加圧弾性ローラー３３０は、ネオプレーンゴム、シリコーンゴムなどの材質からなり、ＪＩＳゴム硬度２０〜８０であり、好ましくはＪＩＳゴム硬度３０〜４０が適している。また、ローラー３３０の形状は中央部の直径が両端部より太いものが好ましく、直径差が０．０〜０．６ｍｍ、更には０．２〜０．４ｍｍが好適である。
研磨用テープ３３１は、研磨砥粒を接着剤成分で担持した研磨用テープであり、通常ラッピングテープと呼ばれるものが好ましく、研磨砥粒としてはＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、又は、Ｆｅ２Ｏ３が用いられる。ここでは、富士フィルム社製ラッピングテープＬＴ−Ｃ２０００を用いた。
さらに感光体支持機構３２０は、感光体３００と加圧弾性ローラー３３０との圧力調整を行うため、保持台３４０により０．０１ｍｍ程度の精度で前後進（図３に示す矢印３４１の方向の移動）が可能になるよう保持されている。感光体支持機構３２０の前後進は不図示のステッピングモーターに代表されるような機構を利用する。
【実施例】
【００２８】
以下実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【００２９】
＜実施例１＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（円筒状の基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層した。このような感光体を１２本作製した。
このようにして得られた感光体の全てを図１（ａ）に示したような清掃治具に設置し、表面についた過剰なポリシランを乾拭きにて除去した。感光体の表面温度は３０℃であった。このとき、当接部材１０７にかけられる圧力をそれぞれ１、１０、３０、５０、７０、１００ｋＰａと６種類変え、全ての条件で２本ずつ乾拭き清掃を行った。乾拭き清掃に使った布はナイロン製で、繊維径の平均値が１５μｍの織物を用いた。乾拭き清掃は、布を軸方向に２回往復運動をさせて拭き、その後、既に乾拭きを行った領域と新たに乾拭きを行う領域がある程度重なりを持つように感光体を回転させ、再び往復運動をさせる。このような動作を周方向全周に対して行って、感光体全体を乾拭き清掃した。
【００３０】
次に、６種類の条件で清掃した感光体１２本は、図３に示したような研磨機によって表面の突起部を研磨・除去した。研磨の条件としては、幅３６０ｍｍの研磨用テープ（富士フィルム製ＬＴ−Ｃ２０００）を介してＪＩＳゴム硬度３０の加圧ローラーで約１．０ｋｇに加圧した後、テープの送り速度を１００ｍｍ／ｍｉｎ、感光体の回転速度を４０ｒｐｍとして処理した。このような処理を２分程度行い、感光体を取り外して顕微鏡観察し、突起部がきちんと平坦化されているかどうかをチェックし、平坦化されていなければ再度処理を行う。このような作業を繰り返し、十分平坦化されていることを確認して処理終了とした。
【００３１】
突起平坦化が終了した感光体を、複写機（キヤノン製ｉＲＣ６８００を実験用に改造したもの）に設置し、Ａ３全面濃度最大の黒画像（以降、べた黒画像とも表記）とハーフトーン画像を出力し、周方向に伸びるスジ状の画像欠陥の有無を調べた。仮に感光体の表面に研磨工程起因の傷があると、その部分には電荷が乗らない状態となる。今回テストに用いた複写機では電位が高い部分にトナーが現像されるため、傷の部分は常に現像されず、べた黒画像やハーフトーン画像を出力した際に白いスジとなって現れると予想できる。このような検査により、感光体の表面に傷があるか否かを調べた。
【００３２】
次に、複写機に搭載しなかった方の感光体を、研磨時の圧力を変えた６種類について、それぞれ中央部で１ｃｍ角程度の大きさに切り出した。付着したトナーを十分清掃した後、飛行時間型二次イオン質量分析装置（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ、アルバックファイ株式会社製ＴＲＩＦＴ  ＩＶ）を用いて最表面に付着した接着剤成分を調べた。接着剤成分としては、予め研磨用テープのみをＴＯＦ−ＳＩＭＳで測定し、有機系イオン種や芳香族イオン種の如き成分のスペクトルを確認しておく。その後、感光体表面の微量成分を検出し、これらのスペクトルのパターンと照合して接着剤成分が残留しているかどうかを判断した。
得られた結果を比較例１〜４の結果と合わせて表２に示した。
【００３３】
＜比較例１＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（円筒状の基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層した。このような感光体を２本作製した。
この２本の感光体は、布による乾拭き清掃を行わず、研磨工程を行った。研磨条件は実施例１と同様とした。
研磨工程を終えた感光体は、実施例１と同様に１本は画像による研磨傷の検査、もう１本は１ｃｍ角に切り出してＴＯＦ−ＳＩＭＳ検査を実施した。
得られた結果を実施例１、比較例２〜４の結果と合わせて表２に示した。
【００３４】
＜比較例２＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（円筒状の基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層した。このような感光体を２本作製した。
この２本の感光体は、当接圧力を０．８ｋＰａにした以外は実施例１と同様の条件にて布による乾拭き清掃を行った。この後、実施例１に示した条件にて研磨工程を行った。
研磨工程を終えた感光体は、実施例１と同様に１本は画像による研磨傷の検査、もう１本は１ｃｍ角に切り出してＴＯＦ−ＳＩＭＳ検査を実施した。
得られた結果を実施例１、比較例１、３、４の結果と合わせて表２に示した。
【００３５】
＜比較例３＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（円筒状の基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層した。このような感光体を２本作製した。
この２本の感光体は、当接圧力を１１０ｋＰａにした以外は実施例１と同様の条件にて布による乾拭き清掃を行った。この後、実施例１に示した条件にて研磨工程を行った。
研磨工程を終えた感光体は、実施例１と同様に１本は画像による研磨傷の検査、もう１本は１ｃｍ角に切り出してＴＯＦ−ＳＩＭＳ検査を実施した。
得られた結果を実施例１、比較例１、２、４の結果と合わせて表２に示した。
【００３６】
＜比較例４＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（円筒状の基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層した。このような感光体を２本作製した。
この２本の感光体は、乾拭き清掃を行わず、代わりにエタノールを含ませた布による湿式清掃を行った。当接圧力は５０ｋＰａ、布としては実施例１と同様のナイロン（繊維径１５μｍ）を用いた。適宜エタノールの補充や布の交換を行いながら表面に拭きムラが残らないように軸方向に一方向に４回拭き、それを全周に渡って行った。この後、実施例１に示した条件にて研磨工程を行った。
研磨工程を終えた感光体は、実施例１と同様に１本は画像による研磨傷の検査、もう１本は１ｃｍ角に切り出してＴＯＦ−ＳＩＭＳ検査を実施した。
得られた結果を実施例１、比較例１〜３の結果と合わせて表２に示した。
【００３７】
実施例１では、全ての圧力範囲においてテープのビビリも観測されず、研磨は良好に行う事が出来た。また、ベタ黒画像やハーフトーン画像に傷は発見されなかった。切り出したドラムのＴＯＦ−ＳＩＭＳによる測定でも、接着剤成分とパターンが一致するスペクトルは得られず、接着剤成分の明らかな付着は認められなかった。
一方、清掃を行わなかった比較例１、清掃時の圧力が０．８ｋＰａと低い比較例２では、研磨工程に時間が多くかかり、テープと接する時間が長くなったことで接着剤成分の転写の可能性が高まった。実際にＴＯＦ−ＳＩＭＳの測定結果をみると、比較例２では極微量、比較例１でも微量ながら接着剤成分とよく似たスペクトルが観測された。テープのビビリは起こらず、ベタ黒画像、ハーフトーン画像には傷は観測されなかった。
【００３８】
清掃時の圧力が１１０ｋＰａと高い比較例３では、研磨工程時にテープのビビリが観測された。画像による診断では傷は発見されなかったものの、場合によっては傷が入る可能性が高いと考えられる。ＴＯＦ−ＳＩＭＳの結果からは接着剤成分は検出できなかった。
清掃時にエタノールでの湿式清掃を行った比較例４では、テープのビビリが大きく、研磨工程が不安定になった。また、ベタ黒画像やハーフトーン画像に白スジが観測され、対応する感光体表面に傷が発見された。ＴＯＦ−ＳＩＭＳの結果からは接着剤成分は検出できなかった。
以上の結果から、表面の清掃は乾拭きが必須であり、乾拭き時の当接圧力としては１ｋＰａ以上１００ｋＰａ以下が必須であって、このときテープビビリも起こらず、感光体に傷も生じず、接着剤成分の転写も起こらないことが判った。
【００３９】
【表１】
2011008175.tif 000003
【００４０】
【表２】
2011008175.tif 000004
【００４１】
＜実施例２＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（円筒状の基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層した。このような感光体を１２本作製した。
この１２本の感光体に対し、布としてはセルロースからなる平均繊維径１８μｍの不織布を使用し、当接圧力を４０ｋＰａにした以外は実施例１と同様の条件にて布による乾拭き清掃を行った。この後、表３に示したように、テープ送り速度を３０、５０、８０、１００、１２０、１３０ｍｍ／ｍｉｎと変化させて１２本の感光体全てに研磨工程を行った。
研磨工程を終えた感光体は、実施例１と同様に６本は画像による研磨傷の検査、もう６本は１ｃｍ角に切り出してＴＯＦ−ＳＩＭＳ検査を実施した。
得られた結果を表３に示した。表３に示したとおり、テープ送り速度が広範囲に渡って良好な研磨工程がなされることが判った。本願の方法により残存ポリシラン量が適正化されたため、遅い送り速度でも接着剤の転写が起こらず、速い送り速度でもテープのビビリや傷の発生が抑えられ、研磨工程のラチチュードを広くする事が可能となった。
【００４２】
【表３】
2011008175.tif 000005
【００４３】
＜実施例３＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（円筒状の基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層した。このような感光体を２０本作製した。
この２０本の感光体を４本ずつに分けて５種類の異なる布による清掃を行った。布としてはポリエステルからなり、平均繊維径１０、１５、３０、５０、５５μｍの織物を使用し、当接圧力を６０ｋＰａにした以外は実施例１と同様の条件にて布による乾拭き清掃を行った。４本ずつ５種類の条件で乾拭きを行った後、２本ずつに関して、テープ送り速度を１００ｍｍ／ｍｉｎと通常条件で研磨工程を行ったものと、１６０ｍｍ／ｍｉｎとあえてビビリやすい条件に設定して研磨工程を行ったものの２種類を作製した。研磨工程を終えた感光体２０本は、実施例１と同様に半分に関しては画像による研磨傷の検査を行った。残る半分に関しては１ｃｍ角に切り出してＴＯＦ−ＳＩＭＳ検査を実施した。
【００４４】
得られた結果を表４に示した。テープ送り速度が１００ｍｍ／ｍｉｎと通常の条件の研磨工程を行ったものはどの感光体でもビビリがなく良好な処理が行われており、違いが見られなかった。一方、テープ送り速度が１６０ｍｍ／ｍｉｎとあえてビビリが発生しやすい条件で研磨を行った場合、表４に示したとおり、繊維径１０μｍの場合と５５μｍの場合で端部において軽微なビビリが発生した。しかし軽微であった為全体に影響するレベルではなく、実質的に良好な処理がなされた。また、１５μｍ以上５０μｍ以下の場合には、１６０ｍｍ／ｍｉｎの場合でも全くビビリが観測されず、良好な処理がなされた。また、全ての平均繊維径の場合において、画像による傷の検査でも傷は見つからず、ＴＯＦ−ＳＩＭＳによる測定でも接着剤の残存は見られなかった。
この結果から、布の平均繊維径は如何なるものであっても本願の効果が得られるが、より好ましくは１５μｍ以上５０μｍ以下が望ましい事が示された。
【００４５】
【表４】
2011008175.tif 000006
【００４６】
＜実施例４＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（円筒状の基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層した。このような感光体を１２本作製した。
この１２本全ての感光体に対し、布としてはレーヨンからなり、平均繊維径２０μｍの不織布を使用し、当接圧力を６０ｋＰａにして実施例１とほぼ同様の条件にて布による乾拭き清掃を行った。
【００４７】
実施例１と異なる点としては、表５に示したように、乾拭きの方向として感光体の軸方向に拭く場合と、感光体の周方向に拭く場合と、周方向と軸方向を両方動かす場合の３通りの乾拭き工程とした点が異なる。軸方向に拭く場合とは、実施例１と同様に布を動かす方向を軸方向に２回動かし、重なり部分を持って周方向に回転、再び軸方向の乾拭きを繰り返し、全体を乾拭きする方法である。周方向に拭く場合とは、周方向に布が当接する部分が通過する回数を２回とし、その後できるだけ重なり部分がないように軸方向に場所を変更し、再び周方向に布を通過させて乾拭きする動作を繰り返し、全体を乾拭きする方法である。周方向と軸方向を両方動かして拭く場合とは、感光体を回転させながら布の当接部分を軸方向に動かし、らせん状の動きで乾拭きをする方法である。らせん状に動かす際には、布が当接する部分が通過する回数を２回となるようにらせん状に移動させた。つまり、感光体が２回転する間に、布の幅と等しい距離だけ、布を感光体の軸方向に移動させた。「布の幅」とは、布が感光体に当接する部分の幅であって、感光体の軸方向の幅である。
【００４８】
このように３種類の乾拭き条件で４本ずつ感光体を乾拭きした後、２種類の研磨条件にて研磨工程を行った。テープ送り速度を、通常条件として１００ｍｍ／ｍｉｎのものと、１６０ｍｍ／ｍｉｎとあえてビビリやすい条件の２種類に設定した。
研磨工程を終えた感光体は、実施例１と同様に半数は画像による研磨傷の検査、もう半数は１ｃｍ角に切り出してＴＯＦ−ＳＩＭＳ検査を実施した。
【００４９】
得られた結果を表５に示した。通常の研磨条件であるテープ送り１００ｍｍ／ｍｉｎの条件では、いずれも良好な処理がなされており違いは見られなかった。一方、ビビリが発生しやすい条件である１６０ｍｍ／ｍｉｎの条件では、周方向に拭いたときと、らせん状に拭いた時には、端部において軽微なビビリが発生した。この原因としては、軸方向での若干の拭きムラが発生したためと考えられる。ビビリが発生しやすい条件であることと、端部でのポリシラン量の減少が重なって端部において軽微なビビリが発生したと予想される。しかし軽微である為、全体には影響しないレベルであり、実質的に良好な処理がなされた。軸方向に拭いたものに関しては、１６０ｍｍ／ｍｉｎの送り速度でもビビリは観測されず、良好な処理がなされた。またどちらの拭き方であっても、画像での傷の検査でも傷は見つからず、接着剤成分も検出されなかった。
この結果から、布を動かす方向は如何なるものであっても本願の効果が得られるものの、より好ましくは感光体の軸方向にそって拭くことがよいことが判った。このことにより、拭きムラが更に抑えられ、より望ましい事が示された。
【００５０】
【表５】
2011008175.tif 000007
【００５１】
＜実施例５＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（円筒状の基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層した。このような感光体を１６本作製した。
この１６本の感光体を４本ずつに分けて４種類の異なる条件で清掃を行った。感光体の表面温度を２７℃、３０℃、４０℃、４２℃と４種類に設定し、布としては平均繊維径１５μｍのセルロースからなる不織布を使用し、当接圧力を８０ｋＰａにした。それ以外は実施例１と同様の条件にて布による乾拭き清掃を行った。この後、テープ送り速度を通常条件である１００ｍｍ／ｍｉｎと、ビビリやすい条件である１６０ｍｍ／ｍｉｎに設定して研磨工程を行った。
研磨工程を終えた感光体は、実施例１と同様に半数は画像による研磨傷の検査、もう半数は１ｃｍ角に切り出してＴＯＦ−ＳＩＭＳ検査を実施した。
【００５２】
得られた結果を表６に示した。テープ送り速度を１００ｍｍ／ｍｉｎとした場合には、どの条件でも良好な結果が得られ、違いが見られなかった。一方、あえてビビリが発生しやすい１６０ｍｍ／ｍｉｎの条件で研磨を行った場合、表６に示したとおり、２７℃の場合と４２℃の場合で端部において軽微なビビリが発生した。しかし軽微であった為全体に影響するレベルではなく、実質的に良好な処理がなされた。３０℃と４０℃の場合は１６０ｍｍ／ｍｉｎの条件でも全くビビリが発生しなかった。また、全ての平均繊維径の場合において、画像による傷の検査でも傷は見つからず、ＴＯＦ−ＳＩＭＳによる測定でも接着剤の残存は見られなかった。
この結果から、感光体の表面温度は如何なるものであっても本願の効果が得られるが、より好ましくは３０℃以上４０℃以下が望ましい事が示された。
【００５３】
【表６】
2011008175.tif 000008
【符号の説明】
【００５４】
１０１   感光体
１０２   フランジ
１０３   軸
１０４   保持部材
１０５   台
１０６   布
１０７   当接部材
１０８   加重計
【図１】
2011008175.tif 000009
【図２】
2011008175.tif 000010
【図３】
2011008175.tif 000011