(57)【要約】【課題】流量制御部のゼロ点の補正及び補正結果の確認を効率的に行う。【解決手段】処理室と、処理室内に供給するガスの流量を調整する流量制御部と、流量制御部の動作を制御する制御部と、を備え、流量制御部は、補正処理開始要求を受信したらゼロ点を補正する補正処理を開始し、補正処理が完了したらゼロ点における流量を示す流量モニタ情報を送信し、制御部は、基板処理レシピを実行する前に補正処理開始要求を流量制御部に送信し、補正処理が完了したら流量モニタ情報を流量制御部から受信し、ゼロ点における流量が所定の範囲以内であれば補正処理が成功したと判定し、ゼロ点における流量が所定の範囲外でなければ補正処理が失敗したと判定する。【選択図】図１
2011114264.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室と、前記処理室内に供給するガスの流量を調整する流量制御部と、前記流量制御部の動作を制御する制御部と、を備えた基板処理装置であって、
前記流量制御部は、
補正処理開始要求を前記制御部から受信したらゼロ点を補正する補正処理を開始し、前記補正処理が完了したら前記ゼロ点における流量を示す流量モニタ情報を前記制御部に送信し、
前記制御部は、
基板処理レシピを実行する前に前記補正処理開始要求を前記流量制御部に送信し、前記補正処理が完了したら前記流量モニタ情報を前記流量制御部から受信し、前記ゼロ点における流量が所定の範囲以内であれば前記補正処理が成功したと判定し、前記ゼロ点における流量が所定の範囲外でなければ前記補正処理が失敗したと判定する
ことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＲＡＭ等の半導体装置の製造工程の一工程として、例えばシリコンウエハ等の基板を処理する基板処理工程が行われてきた。係る基板処理工程は、基板を収容する処理室と、前記処理室内に供給するガスの流量を調整する流量制御部としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）と、を備えた基板処理装置により実施されてきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２５７８７８号公報
【特許文献２】特開２００７−２５８６３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基板処理工程を繰り返し実施することにより、マスフローコントローラ内の各部に薄膜等が堆積し、マスフローコントローラのゼロ点が変動してしまい、基板処理の品質が低下してしまう場合があった。その場合、基板処理装置の設置されている現場に保守員等が赴き、マスフローコントローラに設けられたゼロ点補正用スイッチ等を保守員等が手動で操作することで、変動したゼロ点の補正作業を行う必要があった。また、基板処理装置に複数のマスフローコントローラが設けられている場合には、ゼロ点の変動が生じたマスフローコントローラの位置等を保守員等が都度確認する必要があり、上述の補正を効率的に行うことは困難であった。また、補正結果を保守員が現場にて確認する必要があり、作業工数の増大を招いてしまう場合があった。
【０００５】
本発明は、流量制御部のゼロ点の補正及び補正結果の確認を効率的に行うことが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、基板を収容する処理室と、前記処理室内に供給するガスの流量を調整する流量制御部と、前記流量制御部の動作を制御する制御部と、を備えた基板処理装置であって、前記流量制御部は、補正処理開始要求を前記制御部から受信したらゼロ点を補正する補正処理を開始し、前記補正処理が完了したら前記ゼロ点における流量を示す流量モニタ情報を前記制御部に送信し、前記制御部は、基板処理レシピを実行する前に前記補正処理開始要求を前記流量制御部に送信し、前記補正処理が完了したら前記流量モニタ情報を前記流量制御部から受信し、前記ゼロ点における流量値が所定の範囲以内であれば前記補正処理が成功したと判定し、前記ゼロ点における流量値が所定の範囲外でなければ前記補正処理が失敗したと判定する基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る基板処理装置によれば、流量制御部のゼロ点の補正及び補正結果の確認を効率的に行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態にかかる処理炉の概要構成図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置により実施される基板処理レシピの内容を例示する模式図である。
【図３】プロセス制御モジュールによりデジタルＭＦＣの補正処理が実行される様子を示すフロー図である。
【図４】（ａ）はデジタルＭＦＣの補正処理が成功した場合のフロー図であり、（ｂ）はデジタルＭＦＣの補正処理が失敗した場合のフロー図である。
【図５】プロセス制御モジュールとオペレーションモジュールとの協調動作を例示する模式図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の斜透視図である。
【図７】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の側面透視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について説明する。
【００１０】
（１）基板処理装置の構成
まず、本実施形態にかかる基板処理装置１００の構成について、図６，図７を参照しながら説明する。図６は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置１００の斜透視図である。図７は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置１００の側面透視図である。なお、本実施形態にかかる基板処理装置１００は、例えばウエハ等の基板２００に酸化、拡散処理、ＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置として構成されている。
【００１１】
図６、図７に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置１００は、耐圧容器として構成された筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設されている。正面メンテナンス口１０３には、正面メンテナンス口１０３を開閉する一対の正面メンテナンス扉１０４が設けられている。シリコン等のウエハ（基板）２００を収納したポッド（基板収容器）１１０が、筐体１１１内外へウエハ２００を搬送するキャリアとして使用される。
【００１２】
筐体１１１の正面壁１１１ａには、ポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が、筐体１１１内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口１１２は、フロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側には、ロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されている。ロードポート１１４上には、ポッド１１０を載置されると共に位置合わせされるように構成されている。ポッド１１０は、工程内搬送装置（図示せず）によってロードポート１１４上に搬送されるように構成されている。
【００１３】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されている。回転式ポッド棚１０５上には複数個のポッド１１０が保管されるように構成されている。回転式ポッド棚１０５は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７と、を備えている。複数枚の棚板１１７は、ポッド１１０を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
【００１４】
筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収
容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を相互に搬送するように構成されている。
【００１５】
筐体１１１内の下部には、サブ筐体１１９が、筐体１１１内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａには、ウエハ２００をサブ筐体１１９内外に搬送する一対のウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が、垂直方向に上下二段に並べられて設けられている。上下段のウエハ搬入搬出口１２０には、ポッドオープナ１２１がそれぞれ設置されている。
【００１６】
各ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する一対の載置台１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２上に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
【００１７】
サブ筐体１１９内には、ポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室１２４が構成されている。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図６に示すように、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、サブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部と筐体１１１右側端部との間に設置されている。ウエハ移載装置１２５ａは、ウエハ２００の載置部としてのツイーザ（基板保持体）１２５ｃを備えている。これらウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ２００をボート（基板保持具）２１７に対して装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）することが可能なように構成されている。
【００１８】
移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、基板処理系としての処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。
【００１９】
図６に示すように、サブ筐体１１９の待機部１２６右端部と筐体１１１右側端部との間には、ボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台には、連結具としてのアーム１２８が連結されている。アーム１２８には、蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられている。シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
【００２０】
ボート２１７は複数本の保持部材を備えている。ボート２１７は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成されている。
【００２１】
図６に示すように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給フアン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されている。ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハ２００の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置が設置されている。
【００２２】
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、図示しないノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体１１１の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環されてクリーンユニット１３４によって移載室１２４内に再び吹き出されるように構成されている。
【００２３】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施形態にかかる基板処理装置１００の動作について、図６，図７を参照しながら説明する。
【００２４】
図６、図７に示すように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。そして、ロードポート１１４の上のポッド１１０が、ポッド搬送装置１１８によってポッド搬入搬出口１１２から筐体１１１内部へと搬入される。
【００２５】
筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって回転式ポッド棚１０５の棚板１１７上へ自動的に搬送されて一時的に保管された後、棚板１１７上から一方のポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載される。なお、筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって直接ポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載されてもよい。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４内にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４内にクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、移載室１２４内の酸素濃度が例えば２０ｐｐｍ以下となり、大気雰囲気である筐体１１１内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定されている。
【００２６】
載置台１２２上に載置されたポッド１１０は、その開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。その後、ウエハ２００は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてポッド１１０内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて方位が整合された後、移載室１２４の後方にある待機部１２６内へ搬入され、ボート２１７内に装填（チャージング）される。ボート２１７内にウエハ２００を装填したウエハ移載装置１２５ａは、ポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７内に装填する。
【００２７】
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１の載置台１２２上には、別のポッド１１０が回転式ポッド棚１０５上からポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
【００２８】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７内に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７は、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されていく。
【００２９】
ローディング後は、処理炉２０２内にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、上述の手順とほぼ逆の手順
で、処理後のウエハ２００を格納したボート２１７が処理室２０１内より搬出され、処理後のウエハ２００を格納したポッド１１０が筐体１１１外へと搬出される。
【００３０】
（３）処理炉の構成
まず、本発明の一実施形態に係る処理炉２０２の構成について、図１を参照しながら説明する。なお、図２は、本発明の一実施形態にかかる処理炉２０２により実施される基板処理レシピの内容を例示する模式図である。
【００３１】
（処理室）
図１に示すとおり、本実施形態にかかる処理炉２０２は、真空容器として構成された処理管２０３を備えている。処理管２０３内には、基板としてのウエハ２００を収容する処理室２０１が形成されている。なお、処理室２０１内には、上述のボート２１７（図６，７参照）が搬入されるように構成されている。ウエハ２００は、ボート２１７により例えば水平姿勢にて保持される。また、処理管２０３は、処理室２０１内を所定の温度に加熱する図示しない加熱手段を備えている。
【００３２】
（ガス供給系）
処理管２０３の例えば天井部には、処理室２０１内に所定のガスを供給するガス供給管２４１，２４２，２４３の下流側端部が接続されている。ガス供給管２４１，２４２，２４３には、上流側から順に、所定のガスを供給するガス供給源２４１ａ，２４２ａ，２４３ａ、ガスの流量を制御する流量制御部としてのデジタルマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂ、及び開閉バルブ２４１ｃ，２４２ｃ，２４３ｃが設けられている。ガス供給源２４１ａ，２４２ａ，２４３ａからは、処理室２０１内で行われる基板処理の内容に応じて適宜選択された各種ガス（例えば成膜用の原料ガス、反応ガス、酸化ガス、窒化ガス等）が供給されるように構成されている。主に、ガス供給管２４１，２４２，２４３、ガス供給源２４１ａ，２４２ａ，２４３ａ、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂ、開閉バルブ２４１ｃ，２４２ｃ，２４３ｃにより、処理室２０１内にガスを供給するガス供給系が構成されている。
【００３３】
（ガス排気系）
処理管２０３の下方には、排気管２３１の上流端が接続されている。排気管２３１には、上流側から順に、圧力調整部としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｏｒｏｌｌｅｒ）バルブ２３１ａ、排気装置としての真空ポンプ２３１ｂが設けられている。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２３１ａ、真空ポンプ２３１ｂにより、処理室２０１内を排気するガス排気系が構成されている。
【００３４】
（プロセス制御モジュール及びオペレーションモジュール）
デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂ、開閉バルブ２４１ｃ，２４２ｃ，２４３ｃ、ＡＰＣバルブ２３１ａ、及び真空ポンプ２３１ｂは、例えばＤｅｖｉｃｅｎｅｔ等の制御ライン２８０ａを介して、制御部としてのプロセス制御モジュール２４０に接続されている。プロセス制御モジュール２４０は、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂによる流量調整動作、開閉バルブ２４１ｃ，２４２ｃ，２４３ｃの開閉動作、ＡＰＣバルブ２３１ａの圧力調整動作を制御するように構成されている。
【００３５】
また、プロセス制御モジュール２４０は、ＬＡＮやＷＡＮ等のネットワーク４００を介して、操作部としてのオペレーションモジュール３００に接続されている。オペレーションモジュール３００は、複数の基板処理装置１００を統合的に管理する上位管理装置（ホストコンピュータ）として構成されていてもよいし、端末装置として構成されていてもよい。オペレーションモジュール３００は、基板処理装置１００と同じフロア（同じクリーンルーム内）に配置される場合に限定されない。例えば、基板処理装置１００をクリーン
ルーム内に配置すると共に、オペレーションモジュール３００を事務所内（クリーンルームとは異なるフロア）に配置し、基板処理プロセスの進行状況や基板処理装置１００の状態を遠隔から監視するように構成されている。
【００３６】
なお、プロセス制御モジュール２４０は、基板処理の手順や処理条件を定義した基板処理レシピを備えている。図２に、基板処理レシピの内容を例示する。基板処理レシピには、１以上の処理手順（ステップ１，２・・・ｎ）が定義されている。係る手順を時系列で実行することにより、ウエハ２００上に薄膜を形成したり、ウエハ２００の表面を酸化或いは窒化したりする基板処理工程が実施される。なお、基板処理レシピには、各処理手順における具体的な処理条件（すなわち、図示しない加熱手段の温度設定、ＡＰＣバルブ２３１ａによる圧力設定、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂによる流量設定など）がそれぞれ設定されている。さらには、上述の基板処理レシピには、各デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂに対してそれぞれゼロ点の補正処理を実行するか否かが予め設定されている。ゼロ点の補正処理の詳細については後述する。
【００３７】
（４）ゼロ点の補正処理
続いて、上述の処理炉２０２にて行われるデジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂのゼロ点の補正処理について、図３，４，５を参照しながら説明する。図３は、プロセス制御モジュール２４０によりデジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂの補正処理が実行される様子を示すフロー図である。図４の（ａ）は、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂの補正処理が成功した場合のフロー図であり、（ｂ）はデジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂの補正処理が失敗した場合のフロー図である。図５は、プロセス制御モジュール２４０とオペレーションモジュール３００との協調動作を例示する模式図である。
【００３８】
まず、保守員等の操作によって、操作部としてのオペレーションモジュール３００に「基板処理レシピの実行要求」（コマンド）が入力される。入力された「基板処理レシピの実行要求」は、ネットワーク４００を介して、制御部としてのプロセス制御モジュール２４０に送信される（図５のＳ１０）。
【００３９】
プロセス制御モジュール２４０は、上述の「基板処理レシピの実行要求」を受信したら、基板処理レシピの実行を開始する前に、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂの流量のゼロ点を補正する補正処理シーケンスを実行し（図３のＳ２０〜Ｓ４０）、補正処理の結果を判定する（図３のＳ５０）。
【００４０】
具体的には、プロセス制御モジュール２４０は、制御ライン２８０ａを介して、「補正処理開始要求」をデジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂに送信する（図３のＳ２１）。デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂは、制御ライン２８０ａを介して、「補正処理開始要求」をプロセス制御モジュール２４０から受信したら、ゼロ点を補正する補正処理を開始する。係る処理の内容はデジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂの構成及び仕様に基づいて適宜設定される。そして、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂは、制御ライン２８０ａを介して、ゼロ点を補正する補正処理を開始した旨を示す「補正処理開始応答」を、プロセス制御モジュール２４０に送信する（図３のＳ２２）。
【００４１】
そして、「補正処理開始要求」を送信したプロセス制御モジュール２４０は、制御ライン２８０ａを介して、「補正処理状態要求」をデジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂに送信する（図３のＳ３１）。「補正処理状態要求」を受信したデジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂは、制御ライン２８０ａを介して、補正処理の進行状況（例えば補正処理が進行中である旨、補正処理が完了した旨、現在Ｓ２０〜Ｓ４０のうちいずれ
のステップを実行しているかを示す旨、処理の見込み残時間等）を示す「補正処理状態応答」を、プロセス制御モジュール２４０に送信する（図３のＳ３２）。なお、プロセス制御モジュール２４０からの「補正処理状態要求」の送信は、所定の時間間隔で、或いはオペレーションモジュール３００からの要求に応じて随時行われる。
【００４２】
そして、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂは、ゼロ点の補正処理が完了したら、制御ライン２８０ａを介して、前記ゼロ点における流量を示す「流量モニタ情報」をプロセス制御モジュール２４０に送信する（図３のＳ４１）。デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂによる「流量モニタ情報」の送信は、所定の時間間隔で、或いはプロセス制御モジュール２４０からの要求に応じて随時行われる。
【００４３】
そして、プロセス制御モジュール２４０は、受信した一連の「流量モニタ情報」から、補正後の「ゼロ点における流量」を読み出して一時的に記憶すると共に、一時的に記憶した補正後の「ゼロ点における流量」が、所定の流量範囲以内に収まっているか否かを確認する。そして、プロセス制御モジュール２４０は、受信した「ゼロ点における流量」が所定の範囲以内であれば補正処理が成功したと判定し、ゼロ点における流量値が所定の範囲外でなければ補正処理が失敗したと判定する（図３のＳ５０）。
【００４４】
そして、プロセス制御モジュール２４０は、補正処理が成功したと判定したら、補正処理後のステップとしての基板処理レシピの実行を開始する（図４の（ａ））。また、プロセス制御モジュール２４０は、補正処理が失敗したと判定したら、次のステップに移行させず（基板処理レシピの実行を開始させず）、所定のリカバリー処理（例えば補正処理の再実行や、オペレーションモジュール３００へのその旨の通知）を行う（図４の（ｂ））。すなわち、プロセス制御モジュール２４０は、補正処理が失敗してしまった場合には、基板処理レシピが誤って実行されてしまうことを回避するよう制御する。
【００４５】
なお、プロセス制御モジュール２４０は、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂから受信した「補正状態応答」に含まれる情報（例えば補正処理が進行中である旨、補正処理が完了した旨、現在Ｓ２０〜Ｓ４０のうちいずれのステップを実行しているかを示す旨、処理の見込み残時間等）を、ネットワーク４００を介してオペレーションモジュール３００に送信し（図５のＳ６０）、オペレーションモジュール３００が備える表示装置に表示させる（図５のＳ６１）。また、プロセス制御モジュール２４０は、「流量モニタ情報」を元に行った補正処理の判定結果を、ネットワーク４００を介してオペレーションモジュール３００に送信し（図５のＳ６０）、オペレーションモジュール３００が備える表示装置に表示させる（図５のＳ６１）。
【００４６】
（５）本発明の一実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
【００４７】
（ａ）本実施形態に係るデジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂは、「補正処理開始要求」をプロセス制御モジュール２４０から受信したら、ゼロ点を補正する補正処理を開始し、補正処理が完了したらゼロ点における流量を示す「流量モニタ情報」をプロセス制御モジュール２４０に送信するように構成されている。また、プロセス制御モジュール２４０は、基板処理レシピを実行する前に「補正処理開始要求」をデジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂに送信し、補正処理が完了したら「流量モニタ情報」をデジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂから受信し、ゼロ点における流量が所定の範囲以内であれば補正処理が成功したと判定し、ゼロ点における流量が所定の範囲外でなければ補正処理が失敗したと判定するように構成されている。
【００４８】
これにより、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂのゼロ点の補正を効率的に
行うことが可能となる。すなわち、基板処理レシピには、各デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂに対してそれぞれゼロ点の補正処理を実行するか否かが予め設定されており、プロセス制御モジュール２４０から「補正処理開始要求」を送信することにより、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂのゼロ点の補正処理が自動的に開始されるため、マスフローコントローラに設けられたゼロ点補正用スイッチ等を保守員等が手動で操作する必要がなくなり、補正作業を効率化することが可能なる。また、基板処理装置１００に複数のデジタルＭＦＣが設けられている場合でも、デジタルＭＦＣの位置を保守員等が都度確認する必要がなくなり、補正作業を効率化することが可能なる。また、補正の結果はプロセス制御モジュール２４０が自動的に判定するため、補正が正常に行われたか否かを保守員が現場にて確認する必要がなくなり、作業工数を減少させることが可能となる。
【００４９】
（ｂ）また、本実施形態にかかるプロセス制御モジュール２４０は、補正処理が成功したと判定した場合には基板処理レシピを実行し、補正処理が失敗したと判定した場合には基板処理レシピを実行することなく所定のリカバリー処理を実行するように構成されている。これにより、補正処理が失敗してしまった場合に基板処理レシピが誤って実行されてしまうことを回避することができ、基板処理の品質低下を防ぎ、生産歩留りを改善させることが可能となる。
【００５０】
（ｃ）また、本実施形態に係るプロセス制御モジュール２４０は、プロセス制御モジュール２４０に接続されたオペレーションモジュール３００から「基板処理レシピの実行要求」を受信したら、「補正処理開始要求」をデジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂに送信するように構成されている。これにより、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂのゼロ点の補正をより効率的に行うことが可能となる。すなわち、遠隔に配置されたオペレーションモジュール３００から「基板処理レシピの実行要求」を送信することにより、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂのゼロ点の補正処理が自動的に開始されるため、基板処理装置１００の設置されている現場に保守員等が赴き、マスフローコントローラに設けられたゼロ点補正用スイッチ等を保守員等が手動で操作する必要がなくなり、補正作業をより効率化することが可能なる。
【００５１】
（ｄ）また、本実施形態に係るプロセス制御モジュール２４０は、「補正処理開始要求」をデジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂに送信したら「補正処理状態要求」をデジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂに送信するよう構成されている。そして、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂは、「補正処理状態要求」をプロセス制御モジュール２４０から受信したら、補正処理の進行状況を示す「補正処理状態応答」をプロセス制御モジュール２４０に送信するように構成されている。これにより、保守員は、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂの補正処理の進行状況を容易に把握することが可能となる。
【００５２】
（ｅ）また、本実施形態に係るプロセス制御モジュール２４０は、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂから受信した「補正状態応答」に含まれる情報（例えば補正処理が進行中である旨、補正処理が完了した旨、現在Ｓ２０〜Ｓ４０のうちいずれのステップを実行しているかを示す旨、処理の見込み残時間等）を、オペレーションモジュール３００に送信して表示させるように構成されている。また、本実施形態に係るプロセス制御モジュール２４０は、補正処理の判定結果をオペレーションモジュール３００に送信して表示させるように構成されている。これにより、保守員は、デジタルＭＦＣ２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂの補正処理の進行状況や補正結果をより容易に把握することが可能となる。
【００５３】
＜本発明の他の実施形態＞
本発明は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による成膜処理の他、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理にも好適に適用できる。さらに、本発明は、薄膜形成装置の他、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。
【００５４】
本発明は、本実施形態にかかる半導体製造装置等のウエハ基板を処理する基板処理装置に限らず、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）製造装置等のガラス基板を処理する基板処理装置にも好適に適用できる。
【００５５】
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００５６】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に本発明の望ましい態様について付記する。
【００５７】
本発明の一態様は、
基板を収容する処理室と、前記処理室内に供給するガスの流量を調整する流量制御部と、前記流量制御部の動作を制御する制御部と、を備えた基板処理装置であって、
前記流量制御部は、
補正処理開始要求を前記制御部から受信したらゼロ点を補正する補正処理を開始し、前記補正処理が完了したら前記ゼロ点における流量を示す流量モニタ情報を前記制御部に送信し、
前記制御部は、
基板処理レシピを実行する前に前記補正処理開始要求を前記流量制御部に送信し、前記補正処理が完了したら前記流量モニタ情報を前記流量制御部から受信し、前記ゼロ点における流量が所定の範囲以内であれば前記補正処理が成功したと判定し、前記ゼロ点における流量が所定の範囲外でなければ前記補正処理が失敗したと判定する
基板処理装置である。
【００５８】
好ましくは、
前記制御部は、
前記補正処理が成功したと判定した場合には前記基板処理レシピを実行し、前記補正処理が失敗したと判定した場合には前記基板処理レシピを実行することなく所定のリカバリー処理を実行する。
【００５９】
また好ましくは、
前記制御部は、
前記制御部に接続された操作部から前記基板処理レシピの実行要求を受信したら前記補正処理開始要求を前記流量制御部に送信する。
【００６０】
また好ましくは、
前記制御部は、
前記補正処理開始要求を前記流量制御部に送信したら補正処理状態要求を前記流量制御部に送信するよう構成され、
前記流量制御部は、
前記補正処理状態要求を前記制御部から受信したら前記補正処理の進行状況を示す補正処理状態応答を前記制御部に送信する。
【００６１】
また好ましくは、
前記制御部は、前記流量制御部から受信した前記補正状態応答に含まれる情報を、前記操作部に表示させる。
【００６２】
また好ましくは、
前記制御部は、前記補正処理の判定結果を前記操作部に表示させる。
【００６３】
本発明の他の態様は、
基板を収容する処理室と、前記処理室内に供給するガスの流量を調整する流量制御部と、前記流量制御部の動作を制御する制御部と、を備えた基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記制御部が基板処理レシピを実行する前に補正処理開始要求を前記流量制御部に送信する工程と、
前記流量制御部が前記補正処理開始要求を前記制御部から受信したらゼロ点を補正する補正処理を開始し、前記補正処理が完了したら前記ゼロ点における流量を示す流量モニタ情報を前記制御部に送信する工程と、
前記制御部が、
前記補正処理が完了したら前記流量モニタ情報を前記流量制御部から受信し、前記ゼロ点における流量が所定の範囲以内であれば前記補正処理が成功したと判定し、前記ゼロ点における流量が所定の範囲外でなければ前記補正処理が失敗したと判定する工程と、
を有する半導体装置の製造方法である。
【符号の説明】
【００６４】
１００  基板処理装置
２００  ウエハ（基板）
２０１  処理室
２４０  プロセス制御モジュール（制御部）
２４１ｂ，２４２ｂ，２４３ｂ  デジタルＭＦＣ（流量制御部）
３００  オペレーションモジュール（操作部）
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図２】
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