(57)【要約】【課題】従来の半導体装置では、パッケージの微細化に伴い、リードでの実装強度が向上し難いという問題があった。【解決手段】本発明の半導体装置では、樹脂パッケージ２の裏面５からリード４の一部が露出し、そのリード４には溝８が配置される。溝８は、リード４の外周端部から内側の領域に配置され、溝８の周囲には平坦面９が配置される。この構造により、溝８の内側面はリード４の実装領域として用いられ、リード４の実装強度が向上される。また、リード４の平坦面９により樹脂の廻り込みが規制され、樹脂ばりの発生が大幅に低減される。【選択図】図１
2011114136.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイランドと、前記アイランドの周囲に配置されたリードと、前記アイランド上に接着材を介して固着された半導体素子と、前記半導体素子と前記リードとを電気的に接続する金属細線と、前記アイランド、前記リード、前記金属細線及び前記半導体素子を被覆する樹脂パッケージとを有する半導体装置において、
前記リードの一部は、前記樹脂パッケージの実装面から露出し、前記リードには、前記リードの外周端部よりも内側に前記露出面側から溝が配置され、前記溝と前記外周端部との間には前記リードの平坦面が配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リード及び前記溝は前記樹脂パッケージの側面から露出することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記溝の内側面は、前記リードの実装領域として用いられることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記アイランドの一部は、前記樹脂パッケージの実装面から露出し、前記アイランドには、前記アイランドの外周端部よりも内側に前記露出面側から一環状の溝が配置され、少なくとも前記溝の内側に位置する前記アイランドの露出面は実装領域として用いられることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記溝の内側に位置する前記アイランドの露出面には、前記露出面に塗布される接着材内の空気を拡散させるボイド拡散溝が形成されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
アイランドと、前記アイランドの周囲に配置された複数のリードとを有する搭載部が設けられたリードフレームを準備し、
前記アイランドの一主面上に半導体素子を固着し、前記半導体素子の電極パッドと前記リードの一主面とを金属細線によりワイヤーボンディングし、
前記搭載部を樹脂で被覆し、少なくとも前記リードフレームの一主面側を被覆するように樹脂パッケージを形成する半導体装置の製造方法において、
前記リードの他の主面側に前記リードの外周端部から連続した平坦面の内側に溝を形成した後、前記リードフレームの他の主面にシートを貼り合わせ、前記溝が前記シートにより塞がれた状態にて前記樹脂パッケージを形成する樹脂モールド工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記リードの他の主面では、前記リードの平坦面が前記シートを構成する粘着層と密着し、前記溝が前記粘着層により塞がれた状態にて前記樹脂モールド工程を行うことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂モールド工程では、複数の前記搭載部を一括して樹脂モールドした後、前記溝が形成された領域のリードフレームを切断し、前記樹脂パッケージの側面から前記リード及び前記溝を露出させることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装時のリードの実装強度を向上させる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置として、下記の構造が知られている。
【０００３】
図８（Ａ）に示す如く、半導体装置５１は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の樹脂パッケージ５２から成る。そして、アイランド５３上面にはヒートシンク５４が固着され、ヒートシンク５４上面に接着材５５により半導体素子５６が固着される。半導体素子５６の電極パッド（図示せず）とリード５７とは、金属細線５８により電気的に接続される。
【０００４】
図８（Ｂ）に示す如く、樹脂パッケージ５２の裏面５９からは、アイランド５３やリード５７が露出し、アイランド５３やリード５７の露出面は、樹脂パッケージ５２の裏面５９と、実質、同一面を形成する。そして、露出するアイランド５３やリード５７は、実装領域として用いられる（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１４７９１８号公報（第７−９頁、第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＱＦＮ型の樹脂パッケージ５２では、一般的には、樹脂モールド時にリードフレームの裏面側にモールド用のシートを貼り合わせることで、リード５７の実装面６０側への樹脂ばりの発生を抑止する。
【０００７】
しかしながら、モールド用のシートを用いた場合でも、リード５７とシートとの接着状況等により、リード５７の実装面６０側に樹脂ばり６１が発生する。そして、樹脂ばり６１の発生量に応じて実装領域が低減し、実装強度が低下し、半導体装置５１が導電パターンから剥離し、実装不良となる問題がある。この問題を解決するためには、ウォータージェット等により樹脂ばり６１の除去工程が必要となり、製造コストが余分に掛かるという問題もある。
【０００８】
また、昨今の半導体装置５１の微細化の流れにより、樹脂パッケージ５２から露出するリード５７の実装面６０自体が狭くなり、前述したウォータージェット等によっても樹脂ばり６１を除去し難いという問題もある。そして、その除去工程にて、樹脂ばり６１だけでなく、リード５７周囲の樹脂まで除去された場合には、リード５７が樹脂パッケージ５２から抜け落ちる等の新たな問題も発生し、作業の簡略化が図り難いという問題がある。更に言うと、前述した微細化の流れにより、リード５７の実装面６０自体が狭くなり、リード５７の実装領域を増大させ、実装強度を向上させたいという願望がある。
【０００９】
また、図示したように、アイランド５３の実装面６２にも樹脂ばり６３が発生し、前述したリード５７と同様な実装強度が低下する問題がある。更に、アイランド５３を実装領域として用いる場合には、アイランド５３の実装面６２は、リード５７の実装面６０と比較して面積が大きく、実装用の接着材内にボイドが発生し易いという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述した各事情に鑑みて成されたものであり、本発明の半導体装置では、アイランドと、前記アイランドの周囲に配置されたリードと、前記アイランド上に接着材を介して固着された半導体素子と、前記半導体素子と前記リードとを電気的に接続する金属細線と、前記アイランド、前記リード、前記金属細線及び前記半導体素子を被覆する樹脂パッケージとを有する半導体装置において、前記リードの一部は、前記樹脂パッケージの実装面から露出し、前記リードには、前記リードの外周端部よりも内側に前記露出面側から溝が配置され、前記溝と前記外周端部との間には前記リードの平坦面が配置されることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、アイランドと、前記アイランドの周囲に配置された複数のリードとを有する搭載部が設けられたリードフレームを準備し、前記アイランドの一主面上に半導体素子を固着し、前記半導体素子の電極パッドと前記リードの一主面とを金属細線によりワイヤーボンディングし、前記搭載部を樹脂で被覆し、少なくとも前記リードフレームの一主面側を被覆するように樹脂パッケージを形成する半導体装置の製造方法において、前記リードの他の主面側に前記リードの外周端部から連続した平坦面の内側に溝を形成した後、前記リードフレームの他の主面にシートを貼り合わせ、前記溝が前記シートにより塞がれた状態にて前記樹脂パッケージを形成する樹脂モールド工程を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、樹脂パッケージから露出するリードに溝が形成され、溝の内側面が実装領域として用いられ、リードの実装強度が向上される。
【００１３】
また、本発明では、リードの露出面側の溝の周囲に平坦面が配置されることで、リードの実装面への樹脂ばりの発生が大幅に低減される。
【００１４】
また、本発明では、樹脂パッケージの側面からリードの溝を露出させることで、実装用の接着材内に偏ったボイドの発生が抑止される。
【００１５】
また、本発明では、アイランドの露出面に溝が配置されることで、溝よりも内側のアイランドの露出面への樹脂ばりの発生が抑止される。
【００１６】
また、本発明では、溝よりも内側のアイランドの露出面にボイド拡散用の溝が形成されることで、実装強度が向上される。
【００１７】
また、本発明では、リードの露出面に溝を形成した後に樹脂モールド工程を行うことで、リードの露出面側への樹脂ばりの発生を抑止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）斜視図、（Ｂ）平面図、（Ｃ）断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。
【図３】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）平面図、（Ｃ）平面図である。
【図４】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図５】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）平面図である。
【図６】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。
【図７】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図である。
【図８】従来の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、本発明の一実施の形態である半導体装置について説明する。図１（Ａ）は、半導体装置を説明する斜視図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）半導体装置の裏面側を説明する平面図である。図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置のＡ−Ａ線方向の断面図である。図２（Ａ）及び図２（Ｃ）は、リードの溝を説明する断面図であり、図２（Ｂ）は、リードの溝を説明する平面図である。
【００２０】
先ず、図１（Ａ）に示す如く、半導体装置１は、例えば、ＭＡＰ（Ｍａｔｒｉｘ  Ａｒｒａｙ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ  ｍｅｔｏｄ）型の樹脂パッケージ２から成る。詳細は製造方法の説明にて後述するが、リードフレームの複数の搭載部を一括して封止した後、ダイシングにより個片化するため、樹脂パッケージ２の側面３からリード４が露出する。そして、露出するリード４は、樹脂パッケージ２の側面３とほぼ同一面を形成する。
【００２１】
次に、図１（Ｂ）に示す如く、樹脂パッケージ２の裏面５にはアイランド６が露出し、アイランド６の露出面は、樹脂パッケージ２の裏面５とほぼ同一面を形成する。また、樹脂パッケージ２の裏面５にはリード４が露出し、アイランド６を囲むように配置される。そして、丸印７にて示すように、アイランド６のコーナー部の一部を切り欠くことで、アイランド６の露出形状が位置認識マークとして利用される。
【００２２】
また、図示したように、溝８がリード４に形成され、リード４の中央領域が露出面側から窪んだ領域となる。溝８は樹脂パッケージ２の側面３まで配置され、溝８の内側面は実装領域となり、リード４での実装強度が向上される。そして、リード４の露出面では、溝８の周囲に平坦面９が配置される。平坦面９は、例えば、幅Ｗ１の領域と幅Ｗ２の領域から構成される。尚、平坦面９の幅Ｗ１、Ｗ２は同一の場合でも良く、任意の設計変更が可能である。
【００２３】
次に、図１（Ｃ）に示す如く、アイランド６上には、例えば、Ａｇペースト、半田等の接着材１０により半導体素子１１が固着される。半導体素子１１上面には複数の電極パッド３７（図５（Ｂ）参照）が形成され、電極パッド３７とリード４とは金属細線１２により接続される。金属細線１２としては、金線や銅線が用いられる。図示したように、金属細線１２は、溝８の形成領域上に接続されるが、溝８の深さＴ１が調整され、ワイヤーボンディング時のリード４の機械的強度は維持される。尚、リード４の平坦面９の領域上にワイヤーボンディングされる場合でも良い。
【００２４】
次に、図２（Ａ）は、図１（Ｂ）に示す樹脂パッケージ２のＢ−Ｂ線方向の断面図の一部を示す。先ず、詳細は製造方法の説明にて後述するが、樹脂モールド工程ではリード４の露出面側に樹脂モールド用シートを貼り合わせることで、リード４の露出面への樹脂の廻り込みを防止する。しかしながら、図示したように、その接着状況等に応じて、リード４の外周端部１３からリード４の露出面へと樹脂が廻り込み、樹脂ばり１４が発生する場合もある。
【００２５】
そこで、半導体装置１では、溝８が、リード４の外周端部１３の内側に配置され、溝８の深さＴ１は、例えば、リード４の厚みの１／２〜１／３程度となる。この構造により、樹脂モールド時にリード４の露出面に樹脂が廻り込んだ場合には、溝８は、廻り込んだ樹脂を溜め込む領域となる。そして、リード４の露出面の大部分が樹脂ばり１４により被覆され、実装領域が大幅に低減されることが防止される。
【００２６】
尚、詳細は図６を用いて説明するが、リード４に溝８が形成されることで、リード４の露出面側の平坦面９の幅Ｗ１、Ｗ２が狭まる。そして、樹脂モールド時には、リード４の平坦面９は、シートの粘着層内に食い込み易くなり、樹脂が廻り込み難い構造となり、樹脂ばり１４の発生自体が大幅に低減される。
【００２７】
次に、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す領域の平面図を示し、リード４の露出面への樹脂ばり１４の発生状況を示す。前述したように、リード４に溝８を形成することで、紙面右側のリード４のように、樹脂ばり１４の発生自体が抑止され易くなる。しかしながら、紙面中央や左側のリード４ように、リード４に樹脂ばり１４が発生した場合でも、リード４の溝８の内面が実装領域として用いられることで、リード４の実装面積が確保される。
【００２８】
この構造により、リード４への樹脂ばり１４の発生量が、実装強度に影響を与えない場合には、ウォータージェット等により樹脂ばり１４の除去工程が不要となる。また、従来の構造に対してリード４の実装領域が増大することで、樹脂ばり１４の除去工程の作業時間を短縮しても所望の実装強度は維持され、製造方法の簡略化が実現される。更に、樹脂パッケージ２が微細化され、リード４の露出面積が狭くなる場合でも、前述したように、溝８により実装領域が増大することで、樹脂ばり１４の除去工程の精度が悪化しても所望の実装強度は維持される。そして、樹脂ばり１４の除去の際に、リード４周囲の樹脂まで除去することが防止され、リード４が樹脂パッケージ２から抜け落ちる等の不良化が防止される。
【００２９】
次に、図２（Ｃ）は、図２（Ａ）に示す断面における実装状況を示す。樹脂パッケージ２は、実装基板１５の導電パターン１６上に接着材１７を介して実装される。接着材１７は、溝６の内面とも接合することで、実装強度も向上され、実装不良による歩留まりが低下することもない。そして、溝８は、樹脂パッケージ２の側面３まで配置されることで、実装時に接着材１７内に含まれる空気は、側面３側から外部へと排出され、接着材１７内にボイドが発生し難い構造となる。
【００３０】
尚、図２（Ｃ）では、樹脂ばり１４の除去工程を省略し、リード４に樹脂ばり１４が形成された状態でも所望の実装強度が得られ、実装不良を招くこともない状況を示す。しかしながら、樹脂ばり１４の除去工程を行い、樹脂ばり１４を除去する場合でもよく、この場合には更に実装強度が向上し、半導体装置１の実装不良が回避される。
【００３１】
次に、本発明の他の実施の形態である半導体装置について説明する。図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、樹脂パッケージの裏面から露出するアイランドを説明する平面図である。尚、図１及び図２に示す構造と同一の構成部材には同じ符番を付し、その説明を参照することとする。
【００３２】
図３（Ａ）〜図３（Ｃ）では、樹脂パッケージ２から露出するアイランド６の裏面を半導体装置１の実装領域として用いる構造について説明する。図３（Ａ）に示すように、アイランド６の裏面を実装領域として用いる場合には、前述したリード４の場合と同様にアイランド６の裏面への樹脂ばり１８対策やアイランド６と導電パターンを接合する接着材へのボイド対策を行う必要がある。
【００３３】
先ず、樹脂ばり１８対策について説明する。アイランド６の裏面に樹脂ばり１８が発生し、実装領域が偏ることで実装不良が発生し易くなる。また、樹脂ばり１８により実装領域が低減し、アイランド６での実装強度が低下する。そこで、アイランド６の裏面の外周端部１９の近傍に溝２０が配置される。そして、溝２０の深さが、例えば、アイランド６の厚みの１／２〜１／３程度となり、溝２０は、樹脂モールド時には樹脂ばり１８と成る樹脂を溜め込む領域となる。
【００３４】
この構造により、アイランド６の裏面の端部１９から溝２０までの領域Ｗ３は、樹脂ばり１８の形成領域として用いられる。そして、アイランド６の裏面の領域Ｗ３では、端部１９からの平坦領域にて、アイランド６の露出面側への樹脂の廻り込みを規制し、樹脂ばり１８の発生自体を低減させる。
【００３５】
一方、アイランド６の裏面の溝２０より内側に位置する領域Ｗ４は、実装領域として用いられ、樹脂ばり１８が発生しない領域となる。これは、製造方法にて後述するリード４の場合と同様に、樹脂モールド用シートの粘着層により溝２０が塞がれることで、樹脂が領域Ｗ４へと廻り込むことが抑止されるからである。そして、アイランド６の領域Ｗ４は、露出領域として一定面積を有するため、確実に実装領域として利用でき、安定した実装強度も得られる。更に、領域Ｗ４には樹脂ばり１８が形成されることもなく、樹脂ばり１８を除去する工程を省くことができ、製造コストが低減される。また、樹脂パッケージ２が微細化された場合でも、溝２０により樹脂ばり１８の発生領域が調整され、樹脂ばり１８を除去する工程を省くことができ、製造方法の簡略化が実現される。
【００３６】
次に、接着材へのボイド対策について説明する。アイランド６の裏面の領域Ｗ４は、リード４の実装領域と比較してもその面積は大きく、使用される接着材の量も増大する。そのため、固着時に接着材内に含まれる空気や水分も多くなる。その結果、接着材内の空気やガスの量も多くなり、その空気やガスが偏った状態にて接着材が硬化することで、ボイドが発生する。そして、ボイドの発生により実装強度が低下し、半導体装置１が導電パターンから剥離する原因にもなる。その他、ボイド領域に水分が溜まり、駆動熱により気化し爆発し、また、半導体装置１の放熱性を悪化させる等、ボイドにより製品品質が劣化する原因となる。
【００３７】
そこで、実装領域として用いられる領域Ｗ４に溝２１〜２４を配置することで、接着材の硬化時に溝２１〜２４を介して空気やガスを領域Ｗ４全体に拡散させる。そして、ボイドが接着材内に偏って形成されることを防止し、実装強度等を向上させ、製品品質の劣化が防止される。そして、接着材内のボイドの発生を低減させるためのアイランド６の裏面の溝形状としては、様々な形状が採用される。例えば、図３（Ｂ）に示すように、領域Ｗ４の中心から外周側の４方向へと広がる花びら形状の溝２５が形成される場合でも良い。また、図３（Ｃ）に示すように、領域Ｗ４に×形状の溝２６が形成され、その溝２６に対し四角形状の溝２７〜２９が連結して形成される場合でも良い。
【００３８】
尚、本実施の形態では、ＭＡＰ型の樹脂パッケージ２について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の樹脂パッケージにおいても、リード形状やアイランド形状を前述した形状と同様に加工することで、同様な効果が得られる。
【００３９】
また、樹脂パッケージ２の裏面５からアイランド６が露出する場合について説明したが、この場合に限定するものではない。少なくともリード４が樹脂パッケージ２から露出する構造において、そのリード４に溝８が形成されることで前述した効果が得られれば良い。そして、樹脂パッケージ２の裏面５からアイランド６が露出し、図３を用いた説明した構造とする場合には、その効果も得られる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００４０】
次に、本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造方法について説明する。図４は、リードフレームを説明する平面図である。図５（Ａ）及び（Ｂ）は、ボンディング工程を説明する平面図である。図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、樹脂モールド工程を説明する断面図である。図７はスクライブ工程を説明する（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図である。尚、本実施の形態では、図１及び図２に示す構造の製造方法を説明するため、同一の構成部材には同一の符番を付している。
【００４１】
先ず、図４に示す如く、例えば、銅を主材料とするリードフレーム３１を準備する。リードフレーム３１には、一点鎖線で示すように、複数の搭載部３２が形成される。リードフレーム３１の長手方向（紙面Ｘ軸方向）は、スリット３３により一定間隔に区切られる。そして、スリット３３にて区切られたリードフレーム３１の１区間には、例えば、４つの搭載部３２の集合から成る１つの集合ブロックが形成される。複数の集合ブロックが、リードフレーム３１の長手方向に形成される。また、リードフレーム３１の長手方向には、その上下端部領域にインデックス孔３４が設けられ、各工程での位置決めに用いられる。
【００４２】
次に、図５（Ａ）では、リードフレーム３１に形成された１つの搭載部３２を示す。搭載部３２は、主に、アイランド６と、アイランド６を支持する吊りリード３５と、アイランド６の４側辺の近傍にその一端が位置するリード４と、複数のリード４を支持するタイバー３６とから構成される。そして、吊りリード３５はアイランド６の４つのコーナー部から延在し、タイバー３６と連結し、アイランド６がリードフレーム３１に支持される。図示したように、リード４、アイランド６及び吊りリード３５の斜線のハッチングにて示す領域は、リードフレーム３１の裏面側からハーフエッチングされ、窪んだ領域となる。この工程により、リード４の実装面側に溝８（図１（Ｂ）参照）が形成される。
【００４３】
次に、図５（Ｂ）に示す如く、ダイボンド装置の載置台上にリードフレーム３１を配置し、リードフレーム３１の搭載部３２毎にダイボンディングを行う。具体的には、リードフレーム３１のアイランド６上にＡｇペースト、半田等の接着材１０（図１（Ｃ）参照）を塗布し、半導体素子１１を固着する。次に、ワイヤーボンディング装置の載置台上にリードフレーム３１を配置し、リードフレーム３１の搭載部３２毎にワイヤーボンディングを行う。具体的には、金属細線１２が、電極パッド３７上面にボールボンディングされ、リード４上面にステッチボンディングされることで、半導体素子１１の電極パッド３７とリード４とが金属細線１２により電気的に接続される。
【００４４】
次に、図６（Ａ）に示す如く、リードフレーム３１上の集合ブロック毎に樹脂モールドし、共通の樹脂パッケージを形成する。例えば、リードフレーム３１の裏面側に樹脂モールド用のシート３８を貼り合せた後、樹脂封止金型の下金型３９上面にシート３８が当接するようにリードフレーム３１を配置する。そして、各集合ブロック間に位置するリードフレーム３１を上金型４０と下金型３９にて挟持するように、樹脂封止金型内にリードフレーム３１を固定する。このとき、１つのキャビティ４１内には、４つの搭載部３２が配置され、一体に樹脂モールドされる。尚、図示していないが、例えば、下金型３９に吸引機構を設けることで、下金型３９とシート３８の密着性が向上され、樹脂パッケージ裏面（実装面）側の平坦性が実現され、樹脂ばりが発生し難い状況にて樹脂モールドが行われる。
【００４５】
図６（Ｂ）に示すように、樹脂モールド用のシート３８は、例えば、破断強度が大きく、簡単には伸縮しない材料であるＰＥＴ材からなる基材４２上面に３μｍ程度の粘着層４３が全面に設けられている。そのため、リードフレーム３１をシート３８に貼り合わせ、樹脂封止金型内に固定すると、リードフレーム３１が粘着層４３へと入り込む。そして、リード４の溝８の形成領域では、リード４に押し流された粘着層５３が溝８へと入り込む。このとき、溝８周辺のリード４の平坦面９は粘着層４３と密着し、溝８内では粘着層４３は若干盛り上がり、溝８は粘着層４３により塞がれた状態となる。そして、図２（Ｂ）に示すように、リード４に溝８を形成することで、粘着層４３へと入り込むリード４の平坦面９の幅Ｗ１、Ｗ２は狭まる。そのため、樹脂封止金型の挟持による押圧力によりリード４の平坦面９はより粘着層４３内へと入り込み、前述した密着性が強まり、平坦面９は剥がれ難い領域となる。
【００４６】
図６（Ｃ）では、樹脂モールド工程によりリード４に樹脂ばり１４が発生した状況を示す。リード４と粘着層４３とが密着した状態により樹脂モールド工程を行うが、樹脂の圧力等によりリード４の端部１３から粘着層４３が若干剥がれ、樹脂ばり１４が発生する場合もある。この場合でも、段々と粘着層４３が剥がれることでリード４の露出面側に廻り込む樹脂量は規制され、樹脂ばり１４の厚みも数十μｍ程度である。
【００４７】
そして、樹脂ばり１４を形成する樹脂が溝８まで到達した場合、丸印４４で示すように、先ず、リード４の端部１３側から溝８内へと樹脂が入り込み、端部１３側の溝８内から充填される。この場合、丸印４５で示すように、溝８内の粘着層４３がその他の領域へと追いやられ、その領域では平坦面９と粘着層４３との密着度が更に強くなり、その領域から溝８内への樹脂の流入が防止される。更に、前述したように、リード４の平坦面９と粘着層４３との密着性が強いため、そもそも樹脂の廻り込み自体が大幅に低減される。その結果、溝８内全てが樹脂で充填されることはなく、樹脂ばり１４の除去工程を省略した場合でも、実装領域が確保され易く、所望の実装強度が得られる。
【００４８】
尚、樹脂ばり１４の除去工程は必ずしも省略される訳ではなく、樹脂ばり１４の除去工程を行うことで、更なる実装強度が向上される。また、樹脂モールド時には、リードフレーム３１に形成された溝８の全周囲は平坦面９により囲まれている。
【００４９】
次に、図７（Ａ）に示す如く、樹脂モールド工程によりリードフレーム３１上には、集合ブロック毎に共通の樹脂パッケージ４６が形成される。上述したように、共通の樹脂パッケージ４６内には、４つの搭載部３２が含まれる。
【００５０】
最後に、図７（Ｂ）に示す如く、リードフレーム３１から搭載部３２毎に共通の樹脂パッケージ４６を切断して、個々の樹脂パッケージ２に個片化する。切断にはスクライブ装置のダイシングブレード４７を用い、ダイシングライン４８に沿って共通の樹脂パッケージ４６とリードフレーム３１とを同時に切断する。このとき、シート３８は、その一部のみが切断されることで、個片化された個々の樹脂パッケージ２はシート３８上に支持される。また、ダイシングライン４８はリード４の溝８の形成領域に配置されるため、共通の樹脂パッケージ４６を個片化することで、樹脂パッケージ２の側面３からリード４及び溝８が露出することとなる。
【００５１】
尚、本実施の形態では、ワイヤーボンディング工程後にリードフレーム３１に樹脂モールド用のシート３８を貼り合せる工程について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、リードフレームに樹脂モールド用のシート３８を貼り合せた後にリードフレームに対しダイボンディング、ワイヤーボンディング工程を行う場合でも良い。
【００５２】
また、図３を用いて前述したように、リード４に溝８を形成する工程、あるいは別工程にて、アイランド６に溝２０〜２９を形成する場合でも良い。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１  半導体装置
２  樹脂パッケージ
４  リード
６  アイランド
８  溝
１４  樹脂ばり
【図１】
2011114136.tif 000003
【図２】
2011114136.tif 000004
【図３】
2011114136.tif 000005
【図４】
2011114136.tif 000006
【図５】
2011114136.tif 000007
【図６】
2011114136.tif 000008
【図７】
2011114136.tif 000009
【図８】
2011114136.tif 000010