(57)【要約】      （修正有）【課題】光反応性基を有する新規なポリシロキサン化合物およびその製造方法、および上記のポリシロキサン化合物よりなる屈折率変換材料を提供する。【解決手段】ポリシロキサン化合物は、下記式（a）で表される基を有する。2011184652.tif 000038〔式中、Ｒ2は、特定の光反応性基を示し、Ｒ3は、メチレン基または炭素数２〜１０のアルキレン基を示し、Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を示す。ｎは０または１。〕【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される構造単位を有することを特徴とするポリシロキサン化合物。
【化１】
2011184652.tif 000027
〔式中、Ｒ1 は、水素原子または下記式（ａ）で表される基を示す。但し、Ｒ1 の少なくとも１つは下記式（ａ）で表される基である。〕
【化２】
2011184652.tif 000028
〔式中、Ｒ2 は、下記式（イ）〜式（チ）のいずれかで表される基を示し、Ｒ3 は、メチレン基または炭素数２〜１０のアルキレン基を示し、Ｒ4 およびＲ5 は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を示す。ｎは０または１である。〕
【化３】
2011184652.tif 000029
〔式（ホ）において、Ｒ6 は、水素原子、メトキシ基、トリフルオロメチル基またはｔ−ブチル基を示す。式（ト）において、Ｒ7 は、メチル基、メトキシ基またはジメチルアミノ基を示す。〕
【請求項２】
下記式（２）で表されることを特徴とする請求項１に記載のポリシロキサン化合物。
【化４】
2011184652.tif 000030
〔式中、Ｒ1 は、水素原子または上記式（ａ）で表される基を示す。但し、Ｒ1 の少なくとも１つは上記式（ａ）で表される基である。〕
【請求項３】
下記式（３）で表されることを特徴とする請求項１に記載のポリシロキサン化合物。
【化５】
2011184652.tif 000031
〔式中、Ｒ1 は、水素原子または上記式（ａ）で表される基を示す。但し、Ｒ1 の少なくとも１つは上記式（ａ）で表される基である。Ｒ8 は、炭素数１〜１０の炭化水素基を示す。ｍは３〜１００の整数を示す。〕
【請求項４】
下記式（４）で表されるポリシロキサン化合物と、下記式（５）で表される化合物とを反応させることにより、請求項２に記載のポリシロキサン化合物を得ることを特徴とするポリシロキサン化合物の製造方法。
【化６】
2011184652.tif 000032
〔式中、Ｒ9 は、下記式（ｂ）で表される基を示す。〕
【化７】
2011184652.tif 000033
〔式中、Ｒ3 は、メチレン基または炭素数２〜１０のアルキレン基を示し、Ｒ4 およびＲ5 は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を示し、Ｘは、水素原子またはハロゲン原子を示す。ｐは０または１である。〕
【化８】
2011184652.tif 000034
〔式中、Ｒ2 は、請求項１に記載の式（イ）〜式（チ）のいずれかで表される基を示し、Ｌは、水素原子またはカリウム原子を示す。〕
【請求項５】
下記式（６）で表されるポリシロキサン化合物と、下記式（７）で表される化合物とを反応させることにより、請求項３に記載のポリシロキサン化合物を得ることを特徴とするポリシロキサン化合物の製造方法。
【化９】
2011184652.tif 000035
〔式中、Ｒ8 は、炭素数１〜１０の炭化水素基を示し、Ｒ10は、下記式（ｃ）で表される基を示す。ｍは３〜１００の整数を示す。〕
【化１０】
2011184652.tif 000036
〔式中、Ｒ4 およびＲ5 は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を示す。ｐは０または１である。〕
【化１１】
2011184652.tif 000037
〔式中、Ｒ2 は、請求項１に記載の式（イ）〜式（チ）のいずれかで表される基を示し、Ｒ11 は、単結合、メチレン基または炭素数２〜８のアルキレン基を示す。〕
【請求項６】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載のポリシロキサン化合物よりなることを特徴とする屈折率変換材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリシロキサン化合物およびその製造方法並びに屈折率変換材料に関し、更に詳しくは、光反応性基を有するカゴ型シルセスキオキサン化合物および環状ポリシロキサン化合物、これらの光反応性基を有するポリシロキサン化合物を製造するための方法、並びにこれらのポリシロキサン化合物よりなる屈折率変換材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
ノルボルナジエン（以下、「ＮＢＤ」ともいう。）は、紫外線の照射により、分極率の低いクワドリシクラン（以下、「ＱＣ」ともいう。）に光原子価異性化し、また、ＱＣは、触媒との接触および短波長の光の照射により、放熱を伴ってＮＢＤに異性化する特性を有することから、ＮＢＤ構造を有する化合物は、光エネルギーを熱エネルギーに変換して蓄積する光−熱エネルギー変換蓄積材料として注目されている。
また、ＮＢＤ構造を有する化合物は、異性化したＱＣ構造を有する化合物と異なる屈折率を有する、すなわち光の照射によって屈折率が変化する特性を有することから、例えば光記憶素子や光スイッチシステムに用いられる屈折率変換材料への応用が期待されている。
【０００３】
このような光−熱エネルギー変換蓄積材料および屈折率変換材料においては、容易に成膜され得るものであることが肝要である。そして、従来、成膜化が可能なＮＢＤ構造を有する化合物として、ＮＢＤ構造が導入された種々の重合体が提案されている。また、本発明者らによっても、フェノール性水酸基を数多く有し、熱安定性に優れたカリックスレゾルシンアレーン化合物に対してＮＢＤ構造が導入されたカリックスレゾルシンアレーン誘導体が提案されており、そのカリックスレゾルシンアレーン誘導体は光照射によって屈折率が大きく変化する特性を有するものであることが報告されている（例えば、特許文献１および特許文献２参照。）。
【０００４】
また、カリックスレゾルシンアレーン化合物と同様の特性を有するものとしては、シルセスキオキサン化合物、具体的には、かご構造、ランダムに三次元架橋したゲル構造あるいははしご型構造を有するポリシロキサンが挙げられる。
そして、最近において、ＮＢＤ構造などの光反応性基が導入された、はしご型構造を有するシルセスキオキサン重合体が提案されており（特許文献３参照。）、また本発明者らによっては、光反応性基が導入されたシルセスキオキサン化合物が提案されている（特許文献４参照。）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３０６４７０号公報
【特許文献２】特開２００４−２６２８２２号公報
【特許文献３】特開２００６−２５７３２１号公報
【特許文献４】特開２００９−２４９３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、以上のような事情を背景として、ポリシロキサン化合物について種々の研究を行った結果として得られたものである。
本発明の第１の目的は、光反応性基を有する新規なポリシロキサン化合物およびその製造方法を提供することにある。
本発明の第２の目的は、上記のポリシロキサン化合物よりなる屈折率変換材料を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のポリシロキサン化合物は、下記式（１）で表される構造単位を有することを特徴とする。
【０００８】
【化１】
2011184652.tif 000002
【０００９】
〔式中、Ｒ1 は、水素原子または下記式（ａ）で表される基を示す。但し、Ｒ1 の少なくとも１つは下記式（ａ）で表される基である。〕
【００１０】
【化２】
2011184652.tif 000003
【００１１】
〔式中、Ｒ2 は、下記式（イ）〜式（チ）のいずれかで表される基を示し、Ｒ3 は、メチレン基または炭素数２〜１０のアルキレン基を示し、Ｒ4 およびＲ5 は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を示す。ｎは０または１である。〕
【００１２】
【化３】
2011184652.tif 000004
【００１３】
〔式（ホ）において、Ｒ6 は、水素原子、メトキシ基、トリフルオロメチル基またはｔ−ブチル基を示す。式（ト）において、Ｒ7 は、メチル基、メトキシ基またはジメチルアミノ基を示す。〕
【００１４】
本発明のポリシロキサン化合物は、下記式（２）で表されることを特徴とする。
【００１５】
【化４】
2011184652.tif 000005
【００１６】
〔式中、Ｒ1 は、水素原子または上記式（ａ）で表される基を示す。但し、Ｒ1 の少なくとも１つは上記式（ａ）で表される基である。〕
【００１７】
本発明のポリシロキサン化合物は、下記式（３）で表されることを特徴とする。
【００１８】
【化５】
2011184652.tif 000006
【００１９】
〔式中、Ｒ1 は、水素原子または上記式（ａ）で表される基を示す。但し、Ｒ1 の少なくとも１つは上記式（ａ）で表される基である。Ｒ8 は、炭素数１〜１０の炭化水素基を示す。ｍは３〜１００の整数を示す。〕
【００２０】
本発明のポリシロキサン化合物の製造方法は、下記式（４）で表されるポリシロキサン化合物と、下記式（５）で表される化合物とを反応させることにより、上記式（２）で表されるポリシロキサン化合物を得ることを特徴とする。
【００２１】
【化６】
2011184652.tif 000007
【００２２】
〔式中、Ｒ9 は、下記式（ｂ）で表される基を示す。〕
【００２３】
【化７】
2011184652.tif 000008
【００２４】
〔式中、Ｒ3 は、メチレン基または炭素数２〜１０のアルキレン基を示し、Ｒ4 およびＲ5 は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を示し、Ｘは、水素原子またはハロゲン原子を示す。ｐは０または１である。〕
【００２５】
【化８】
2011184652.tif 000009
【００２６】
〔式中、Ｒ2 は、請求項１に記載の式（イ）〜式（チ）のいずれかで表される基を示し、Ｌは、水素原子またはカリウム原子を示す。〕
【００２７】
本発明のポリシロキサン化合物の製造方法は、下記式（６）で表されるポリシロキサン化合物と、下記式（７）で表される化合物とを反応させることにより、上記式（３）で表されるポリシロキサン化合物を得ることを特徴とする。
【００２８】
【化９】
2011184652.tif 000010
【００２９】
〔式中、Ｒ8 は、炭素数１〜１０の炭化水素基を示し、Ｒ10は、下記式（ｃ）で表される基を示す。ｍは３〜１００の整数を示す。〕
【００３０】
【化１０】
2011184652.tif 000011
【００３１】
〔式中、Ｒ4 およびＲ5 は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を示す。ｐは０または１である。〕
【００３２】
【化１１】
2011184652.tif 000012
【００３３】
〔式中、Ｒ2 は、上記式（イ）〜式（チ）のいずれかで表される基を示し、Ｒ11 は、単結合、メチレン基または炭素数２〜８のアルキレン基を示す。〕
【００３４】
本発明の屈折率変換材料は、上記のポリシロキサン化合物よりなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３５】
本発明のポリシロキサン化合物は、光照射によって屈折率が変化するものである。
本発明のシルセスキオキサン化合物の製造方法によれば、上記のポリシロキサン化合物を有利に製造することができる。
そして、本発明のポリシロキサン化合物は、屈折率変換材料として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】実施例１に係るポリシロキサン化合物におけるＳＥＣ曲線である。
【図２】実施例１に係るポリシロキサン化合物における 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を示す図である。
【図３】実施例２に係るポリシロキサン化合物におけるＳＥＣ曲線である。
【図４】実施例２に係るポリシロキサン化合物における 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を示す図である。
【図５】実施例３に係るポリシロキサン化合物におけるＳＥＣ曲線である。
【図６】実施例３に係るポリシロキサン化合物における 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を示す図である。
【図７】実施例４に係るポリシロキサン化合物におけるＳＥＣ曲線である。
【図８】実施例４に係るポリシロキサン化合物における 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を示す図である。
【図９】実施例５に係るポリシロキサン化合物におけるＳＥＣ曲線である。
【図１０】実施例５に係るポリシロキサン化合物における 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を示す図である。
【図１１】実施例６に係るポリシロキサン化合物におけるＳＥＣ曲線である。
【図１２】実施例６に係るポリシロキサン化合物における 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を示す図である。
【図１３】実施例７に係るポリシロキサン化合物におけるＳＥＣ曲線である。
【図１４】実施例７に係るポリシロキサン化合物における 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を示す図である。
【図１５】実施例８に係るポリシロキサン化合物におけるＳＥＣ曲線である。
【図１６】実施例８に係るポリシロキサン化合物における 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を示す図である。
【図１７】実施例１に係るポリシロキサン化合物における紫外線の吸光度の変化を示す図である。
【図１８】実施例２に係るポリシロキサン化合物における紫外線の吸光度の変化を示す図である。
【図１９】実施例３に係るポリシロキサン化合物における紫外線の吸光度の変化を示す図である。
【図２０】実施例４に係るポリシロキサン化合物における紫外線の吸光度の変化を示す図である。
【図２１】実施例５に係るポリシロキサン化合物における紫外線の吸光度の変化を示す図である。
【図２２】実施例６に係るポリシロキサン化合物における紫外線の吸光度の変化を示す図である。
【図２３】実施例７に係るポリシロキサン化合物における紫外線の吸光度の変化を示す図である。
【図２４】実施例８に係るポリシロキサン化合物における紫外線の吸光度の変化を示す図である。
【図２５】実施例１に係るポリシロキサン化合物における異性化反応率を一次速度式にプロットした図である。
【図２６】実施例２に係るポリシロキサン化合物における異性化反応率を一次速度式にプロットした図である。
【図２７】実施例３に係るポリシロキサン化合物における異性化反応率を一次速度式にプロットした図である。
【図２８】実施例４に係るポリシロキサン化合物における異性化反応率を一次速度式にプロットした図である。
【図２９】実施例５に係るポリシロキサン化合物における異性化反応率を一次速度式にプロットした図である。
【図３０】実施例６に係るポリシロキサン化合物における異性化反応率を一次速度式にプロットした図である。
【図３１】実施例７に係るポリシロキサン化合物における異性化反応率を一次速度式にプロットした図である。
【図３２】実施例８に係るポリシロキサン化合物における異性化反応率を一次速度式にプロットした図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下本発明の実施の形態について説明する。
【００３８】
本発明のポリシロキサン化合物は、上記式（１）で表される構造単位（以下、「特定構造単位」ともいう。）を有するものである。
【００３９】
本発明のポリシロキサン化合物に係る特定構造単位を示す式（１）において、Ｒ1 は、水素原子または上記式（ａ）で表される基であり、Ｒ1 の少なくとも１つは式（ａ）で表される基である。すなわち、本発明のポリシロキサン化合物を構成する複数の特定構造単位のうちの少なくとも１つの特定構造単位に係る基Ｒ1が式（ａ）で表される基とされる。
基Ｒ1 を示す式（ａ）において、Ｒ2 は、上記式（イ）〜式（チ）のいずれかで表される光反応性基である。
ここに、式（ホ）において、Ｒ6 は、水素原子、メトキシ基、トリフルオロメチル基またはｔ−ブチル基であるが、水素原子であることが好ましい。また、式（ト）において、Ｒ7 は、メチル基、メトキシ基またはジメチルアミノ基であるが、メトキシ基またはジメチルアミノ基であることが好ましい。
【００４０】
また、式（ａ）において、Ｒ3 は、メチレン基、または炭素数２〜１０のアルキレン基を示す。
基Ｒ3 を示す炭素数２〜１０のアルキレン基としては、例えばエチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基などが挙げられる。
【００４１】
また、式（ａ）において、Ｒ4 およびＲ5 は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を示し、Ｒ4 およびＲ5 は、異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。
基Ｒ4 および基Ｒ5 を示す炭素数１〜１０の炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、１−プロペニル基、１，３−ブタジエニル基、イソプロペニル基等のアルケニル基、フェニル基等のアリール基などが挙げられる。
また、ｎは１または０である。
【００４２】
本発明のポリシロキサン化合物の好ましい具体例としては、上記式（２）で表されるポリシロキサン化合物（以下、「特定のカゴ型シルセスキオキサン化合物」ともいう。）および上記式（３）で表されるポリシロキサン化合物（以下、「特定の環状ポリシロキサン化合物」ともいう。）が挙げられる。
【００４３】
特定のカゴ型シルセスキオキサン化合物の構造を示す式（２）においては、ｎが０であることが好ましく、Ｒ3 がプロピレン基であることが好ましい。
【００４４】
特定の環状ポリシロキサン化合物の構造を示す式（３）においては、ｎが１であることが好ましく、また、Ｒ3 が炭素数２〜１０のアルキレン基であることが好ましく、特に好ましくはプロピレン基であり、Ｒ4 およびＲ5 がメチル基であることが好ましい。
また、式（３）においては、Ｒ8 は、１〜１０の炭化水素基を示す。この基Ｒ8 を示す炭素数１〜１０の炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、１−プロペニル基、１，３−ブタジエニル基、イソプロペニル基等のアルケニル基、フェニル基等のアリール基などが挙げられ、これらのうちではフェニル基が好ましい。ｍは３〜１００の整数であり、４〜５０の整数であることが好ましく、５〜２０の整数であることがより好ましい。
【００４５】
特定の環状ポリシロキサン化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が１０００〜２５００であることが好ましく、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０〜１．５であることが好ましい。
【００４６】
このような構成の特定構造単位を有するポリシロキサン化合物は、原料化合物としてのポリシロキサン化合物と、上記式（イ）〜式（チ）のいずれかで表される光反応性基を有する化合物とを反応させることにより得ることができる。
【００４７】
具体的には、特定のカゴ型シルセスキオキサン化合物は、上記式（４）で表される化合物（以下、「原料化合物（１）」ともいう。）と、上記式（５）で表される化合物（以下、「原料化合物（２）」ともいう。）とを反応させることにより得ることができる。
ここに、原料化合物（１）の構造を示す式（４）において、Ｒ9 は、上記式（ｂ）で表される基であり、この式（ｂ）において、Ｘ は、水素原子またはハロゲン原子である。基Ｘを示すハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。また、式（４）においては、Ｒ3 は、メチレン基または炭素数２〜１０のアルキレン基であり、Ｒ4 およびＲ5 は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基であり、ｐは０または１である。
また、原料化合物（２）の構造を示す式（５）において、Ｒ2 は、上記式（イ）〜式（チ）のいずれかで表される光反応性基であり、Ｌは、水素原子またはカリウム原子である。
【００４８】
原料化合物（１）と、原料化合物（２）との使用割合は、原料化合物（１）中の式（ｂ）で表される基１ｍｏｌに対して原料化合物（１）が０．１〜１０ｍｏｌであることが好ましく、１〜２ｍｏｌであることがより好ましい。
【００４９】
原料化合物（１）と原料化合物（２）との反応は、触媒の存在下、適宜の溶媒中において行うことができる。
ここで、触媒としては、テトラブチルアンモニウムブロミドなどを用いることができる。
また、触媒の使用割合は、反応に供する原料化合物（１）および原料化合物（２）に対して２〜１０ｍｏｌ％であることが好ましい。
溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミドなどを用いることができる。
反応条件としては、例えば反応温度が０〜１５０℃であることが好ましく、３０〜１００℃であることがより好ましく、また、反応時間が１０分間〜２００時間であることが好ましく、１０〜１００時間であることがより好ましい。
【００５０】
また、特定の環状ポリシロキサン化合物は、上記式（６）で表される化合物（以下、「原料化合物（３）」もいう。）と、上記式（７）で表される化合物（以下、「原料化合物（４）」ともいう。）とを反応させることにより得ることができる。
ここに、原料化合物（３）の構造を示す式（６）において、Ｒ10は、上記式（ｃ）で表される基であり、この式（ｃ）において、Ｒ4 およびＲ5 は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基であり、ｐは０または１である。また、式（６）において、Ｒ8 は、１〜１０の炭化水素基であり、ｍは３〜１００の整数である。
また、原料化合物（４）の構造を示す式（７）において、Ｒ2 は、上記式（イ）〜式（チ）のいずれかで表される光反応性基であり、Ｒ11は、単結合、メチレン基または炭素数２〜８のアルキレン基である。
【００５１】
原料化合物（３）と、原料化合物（４）との使用割合は、原料化合物（３）中の式（ｂ）で表される基１ｍｏｌに対して原料化合物（４）が０．１〜１０ｍｏｌであることが好ましく、１〜２ｍｏｌであることがより好ましい。
【００５２】
原料化合物（３）と原料化合物（４）との反応は、触媒の存在下、適宜の溶媒中において行うことができる。
ここで、触媒としては、１,３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン白金などを用いることができる。また、触媒の使用量は、原料化合物（４）１ｍｏｌに対して１×１０-4〜１×１０-1ｍｏｌであることが好ましく、１×１０-3ｍｏｌ〜１×１０-2ｍｏｌであることがより好ましい。
溶媒としては、トルエンなどを用いることができる。
反応条件としては、例えば反応温度が７０℃、反応時間が２４時間である。
【００５３】
以上のような本発明のポリシロキサン化合物は、光反応性基を有するため、後述する実施例から明らかなように、特定の光、例えば紫外線を受けることによって屈折率が変化する特性を有するものである。従って、本発明のポリシロキサン化合物は、光記憶素子や光スイッチシステムなどに用いられる屈折率変換材料として極めて有用である。
【実施例】
【００５４】
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５５】
〈クロロプロピル基を有するカゴ型シルセスキオキサンの合成例１〉
容積３Ｌのナスフラスコに、メタノール１．８Ｌ、濃塩酸９０ｍＬおよび３−クロロプロピルトリメトキシシラン７３．６ｍＬ（０．４ｍｏｌ）を仕込み、室温で５週間にわたって撹拌することにより反応させた。反応が終了した後、析出物をろ収し、脱イオン水で洗浄することにより、反応生成物２２．３２４１ｇ（収率４３％）を得た。
得られた反応生成物は、 1Ｈ−ＮＭＲ分析、13Ｃ−ＮＭＲ分析および29Ｓｉ−ＮＭＲ分析の結果から、下記式（４−１）で表されるシルセスキオキサン化合物（以下、「ＰＯＳＳ−（Ｃｌ）8  」ともいう。）であることが確認された。また、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）により  数平均分子量（Ｍｎ）が８８１であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０２であることが確認された。
【００５６】
【化１２】
2011184652.tif 000013
【００５７】
反応生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ分析、13Ｃ−ＮＭＲ分析および29Ｓｉ−ＮＭＲ分析の結果を下記に示す。
【００５８】
○ 1Ｈ  ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ，ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：
０．７９−０．８２（ｔ，２Ｈ，Ｈa ），
１．８５−１．９０（quintet，２Ｈ，Ｈb ），
３．５３−３．５５（ｔ，２Ｈ，Ｈc ）．
○13Ｃ  ＮＭＲ（１５０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ，ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：
９．３（Ｃa ），
２６．２（Ｃb ），
４７．０（Ｃc ）．
○29Ｓｉ  ＮＭＲ（１１９ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ，ＴＥＯＳ）δ（ｐｐｍ）：
−６７．１（Cage  Structure）．
【００５９】
〈実施例１〉
容積１０ｍＬのナスフラスコに、ＰＯＳＳ−（Ｃｌ）8  ０．１６３４ｇ（０．１６ｍｍｏｌ）、９−アントラセンカルボン酸カリウム０．４９１９ｇ（１．９ｍｍｏｌ，ＰＯＳＳ−（Ｃｌ）8  のクロロプロピレン基に対して１．５ｅ．ｑ．）およびテトラブチルアンモニウムブロミド（以下、「ＴＢＡＢ」ともいう。）０．０３２２ｇ（５ｍｏｌ％）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下、「ＮＭＰ」ともいう。）３ｍＬを仕込み、温度７０℃の条件下において４８時間反応させた。反応が終了した後、反応液を酢酸エチルで希釈し、飽和重曹水で２回、水道水で２回洗浄し、有機相を無水硫酸水溶液で乾燥して濃縮した。その後、少量のテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」ともいう。）に溶解させ、メタノール中に滴下する沈殿操作を行うことによって粘性液体を得、更に得られた粘性液体に対して同様の沈殿操作を行うことにより、黄色の粘性液体０．３６８３ｇ（収率９１％）を得た。
得られた反応生成物は、 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果から、下記式（２−１）で表される化合物（以下、「ポリシロキサン化合物（１）」ともいう。）であることが確認された。また、９−アントラセン残基の導入率は９８％であった。更に、ＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー）法により、数平均分子量（Ｍｎ）が１８３４であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０４であることが確認された。
【００６０】
【化１３】
2011184652.tif 000014
【００６１】
反応生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を下記に示し、ＳＥＣ曲線を図１に示し、 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を図２に示す。
【００６２】
○ 1Ｈ  ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ，ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：
０．７２−０．８１（ｍ，２Ｈ，Ｈa ），
１．８１−１．９０（ｍ，２Ｈ，Ｈb ），
４．３１−４．４６（ｔ，２Ｈ，Ｈc ），
３．７１−３．７３（ｔ，２Ｈ，Ｈd  ），
７．２２−７．３６（ｍ，２Ｈ，Ｈf,g ），
７．８１−７．９３（ｍ，２Ｈ，Ｈe,h ），
８．３４−８．４０（ｍ，１Ｈ，Ｈi  ）．
【００６３】
〈実施例２〉
容積１０ｍＬのナスフラスコに、ＰＯＳＳ−（Ｃｌ）8  ０．２５９２ｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、３−フェニル−２，５−ノルボルナジエン−カルボン酸カリウム０．７５１０ｇ（３ｍｍｏｌ，ＰＯＳＳ−（Ｃｌ）8  のクロロプロピレン基に対して１．５ｅ．ｑ．）およびＴＢＡＢ０．０３２２ｇ（５ｍｏｌ％）、ＮＭＰ５ｍＬを仕込み、温度７０℃の条件下において４８時間反応させた。反応が終了した後、反応液を酢酸エチルで希釈し、飽和重曹水で２回、水道水で２回洗浄し、有機相を無水硫酸水溶液で乾燥して濃縮した。その後、少量のＴＨＦに溶解させ、メタノール中に滴下する沈殿操作を行うことによって粘性液体を得、更に得られた粘性液体に対して同様の沈殿操作を行うことにより、黄色の粘性液体０．３３７７ｇ（収率５５％）を得た。
得られた反応生成物は、 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果から、下記式（２−２）で表される化合物（以下、「ポリシロキサン化合物（２）」ともいう。）であることが確認された。また、ノルボルナジエン残基の導入率は９９％以上であった。更に、ＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー）法により、数平均分子量（Ｍｎ）が１９２７であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０３であることが確認された。
【００６４】
【化１４】
2011184652.tif 000015
【００６５】
反応生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を下記に示し、ＳＥＣ曲線を図３に示し、 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を図４に示す。
【００６６】
○ 1Ｈ  ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ，ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：
０．５８（ｍ，２Ｈ，Ｈa ），
１．６６（ｍ，２Ｈ，Ｈb ），
２．０２，２．１９（ｄ，２Ｈ，Ｈd ），
３．８１（ｍ，１Ｈ，Ｈf  ），
４．０１−４．０４（ｍ，３Ｈ，Ｈc,e ），
６．８８−６．９２（ｍ，２Ｈ，Ｈg ），
７．２８−７．５０（ｍ，５Ｈ，Ｈh ）．
【００６７】
〈実施例３〉
容積１０ｍＬのナスフラスコに、ＰＯＳＳ−（Ｃｌ）8  ０．２５９２ｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、４−メトキシケイ皮酸カリウム０．６４８８ｇ（３ｍｍｏｌ，ＰＯＳＳ−（Ｃｌ）8  のクロロプロピレン基に対して１．５ｅ．ｑ．）およびＴＢＡＢ０．０３２２ｇ（５ｍｏｌ％）、ＮＭＰ５ｍＬを仕込み、温度７０℃の条件下において４８時間反応させた。反応が終了した後、反応液を酢酸エチルで希釈し、飽和重曹水で２回、水道水で２回洗浄し、有機相を無水硫酸水溶液で乾燥して濃縮した。その後、少量のＴＨＦに溶解させ、メタノール中に滴下する沈殿操作を行うことによって粘性液体を得、更に得られた粘性液体に対して同様の沈殿操作を行うことにより、白色の個体０．４９９０ｇ（収率９２％）を得た。
得られた反応生成物は、 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果から、下記式（２−３）で表される化合物（以下、「ポリシロキサン化合物（３）」ともいう。）であることが確認された。また、４−メトキシケイ皮酸残基の導入率は９９％以上であった。更に、ＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー）法により、数平均分子量（Ｍｎ）が２４４１であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０５であることが確認された。
【００６８】
【化１５】
2011184652.tif 000016
【００６９】
反応生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を下記に示し、ＳＥＣ曲線を図５に示し、 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を図６に示す。
【００７０】
○ 1Ｈ  ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ，ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：
０．７５−０．７７（ｍ，２Ｈ，Ｈa ），
１．８３（ｍ，２Ｈ，Ｈb ），
３．７６−３．８０（ｍ，３Ｈ，Ｈh ），
４．１６−４．１９（ｍ，２Ｈ，Ｈc ），
６．２５−６．２９（ｍ，１Ｈ，Ｈd ），
６．８０−６．８４（ｍ，２Ｈ，Ｈg ），
７．３７−７．４２（ｍ，３Ｈ，Ｈf ），
７．５８−７．６２（ｍ，１Ｈ，Ｈe ）．
【００７１】
〈実施例４〉
容積１０ｍＬのナスフラスコに、ＰＯＳＳ−（Ｃｌ）8  ０．２５９２ｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、１−アントラセンカルボン酸カリウム０．７８１０ｇ（３ｍｍｏｌ，ＰＯＳＳ−（Ｃｌ）8  のクロロメチル基に対して１．５ｅ．ｑ．）およびＴＢＡＢ０．０３２２ｇ（５ｍｏｌ％）、ＮＭＰ５ｍＬを仕込み、温度７０℃の条件下において４８時間反応させた。反応が終了した後、反応液を酢酸エチルで希釈し、飽和重曹水で２回、水道水で２回洗浄し、有機相を無水硫酸水溶液で乾燥して濃縮した。その後、少量のＴＨＦに溶解させ、メタノール中に滴下する沈殿操作を行うことによって粘性液体を得、更に得られた粘性液体に対して同様の沈殿操作を行うことにより、黄色の個体０．３７２９ｇ（収率９３％）を得た。
得られた反応生成物は、 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果から、下記式（２−４）で表される化合物（以下、「ポリシロキサン化合物（４）」ともいう。）であることが確認され、また１−アントラセン残基の導入率は９８％であった。更に、ＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー）法により、数平均分子量（Ｍｎ）が２００３であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０５であることが確認された。
【００７２】
【化１６】
2011184652.tif 000017
【００７３】
反応生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を下記に示し、ＳＥＣ曲線を図７に示し、 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を図８に示す。
【００７４】
○ 1Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ，ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：
０．９３−０．９６（ｍ，２Ｈ，Ｈa ），
２．０１（ｍ，２Ｈ，Ｈb ），
３．７４（ｍ，２Ｈ，Ｈd ），
４．２９−４．３８（ｍ，２Ｈ，Ｈc ），
７．０９−７．２１（ｍ，１Ｈ，Ｈl ），
７．３６−７．４０（ｍ，２Ｈ，Ｈg,h ），
７．７８−８．２３（ｍ，５Ｈ，Ｈj,m,k,f,i ），
９．３６−９．４５（ｍ，１Ｈ，Ｈe ）．
【００７５】
〈実施例５〉
容積１０ｍＬのナスフラスコに、ＰＯＳＳ−（Ｃｌ）8  ０．２５９２ｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノケイ皮酸カリウム０．６８８０ｇ（３ｍｍｏｌ，ＰＯＳＳ−（Ｃｌ）8  のクロロプロピレン基に対して１．５ｅ．ｑ．）およびＴＢＡＢ０．０３２２ｇ（５ｍｏｌ％）、ＮＭＰ５ｍＬを仕込み、温度７０℃の条件下において４８時間反応させた。反応が終了した後、反応液を酢酸エチルで希釈し、飽和重曹水で２回、水道水で２回洗浄し、有機相を無水硫酸水溶液で乾燥して濃縮した。その後、少量のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解させ、メタノール中に滴下する沈殿操作を行うことによって粘性液体を得、更に得られた粘性液体に対して同様の沈殿操作を行うことにより、黄色の個体０．１５３０ｇ（収率２７％）を得た。
得られた反応生成物は、 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果から、下記式（２−５）で表される化合物（以下、「ポリシロキサン化合物（５）」ともいう。）であることが確認された。また、４−ジメチルアミノケイ皮酸残基の導入率は９９％以上であった。更に、ＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー）法により、数平均分子量（Ｍｎ）が２５５８であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０４であることが確認された。
【００７６】
【化１７】
2011184652.tif 000018
【００７７】
反応生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を下記に示し、ＳＥＣ曲線を図９に示し、 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を図１０に示す。
【００７８】
○ 1Ｈ  ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ，ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：
０．９３−０．９６（ｍ，２Ｈ，Ｈa ），
２．０１（ｍ，２Ｈ，Ｈb ），
３．７４（ｍ，６Ｈ，Ｈd ），
４．２９−４．３８（ｍ，２Ｈ，Ｈc ），
７．０９−７．２１（ｍ，１Ｈ，Ｈh ），
７．３６−７．４０（ｍ，２Ｈ，Ｈg ），
７．７８−８．２３（ｍ，５Ｈ，Ｈf ），
９．３６−９．４５（ｍ，１Ｈ，Ｈe ）．
【００７９】
〈実施例６〉
アルゴン置換したナスフラスコに、下記式（６−１）で表される化合物（以下、「ＣＳ−６−ＳｉＨ」ともいう。）０．２９４５ｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、下記（７−１）で表される化合物０．５４８０ｇ（２．３ｍｍｏｌ)、トルエン１０ｍＬを仕込み、更に０．１Ｍの１,３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン白金のキシレン溶液６μＬを加え、温度７０℃の条件下において２４時間反応させた。反応が終了した後、トルエンを減圧留去して少量のＴＨＦに溶解させ、メタノール中に滴下して沈殿物を回収する沈殿操作を行い、更に回収した沈殿物に対して同様の沈殿操作を行うことにより、赤色の粘性液体０．３１６９ｇ（収率５６％）を得た。
得られた反応生成物は、 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果から、下記式（３−１）で表される化合物（以下、「ポリシロキサン化合物（６）」ともいう。）であることが確認された。また、アドベンゼンの導入率は７５％であった。更に、ＧＰＣ（ゲルバーミエーションクロマトグラフィー）法により、数平均分子量（Ｍｎ）が１９４７であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０８であることが確認され、ＤＳＣ法（示差走査熱量測定法）により、ガラス転移点が０．９℃であることが確認された。
【００８０】
【化１８】
2011184652.tif 000019
【００８１】
【化１９】
2011184652.tif 000020
【００８２】
【化２０】
2011184652.tif 000021
【００８３】
反応生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を下記に示し、ＳＥＣ曲線を図１１示し、 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を図１２に示す。
図１１において、（ａ）はＣＳ−６−ＳｉＨに由来の曲線であり、（ｂ）はポリシロキサン化合物（６）に由来の曲線である。
【００８４】
○ 1Ｈ  ＮＭＲ(６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ，ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：
０．１５−０．３４（ｍ，６Ｈ，Ｈa ），
０．６４−０．７０（ｍ，２Ｈ，Ｈc ），
１．７２−１．７４（ｍ，２Ｈ，Ｈd ），
３．７７−３．８２（ｍ，２Ｈ，Ｈe  ），
４．９２−５．００（ｍ，１Ｈ，Ｈb ）．
【００８５】
〈実施例７〉
アルゴン置換したナスフラスコに、ＣＳ−６−ＳｉＨ０．２９４５ｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、下記式（７−２）で表される化合物０．５９０２ｇ（２．３ｍｍｏｌ）、トルエン１０ｍＬを仕込み、更に０．１Ｍの１,３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン白金のキシレン溶液６μＬを加え、温度７０℃の条件下において２４時間反応させた。反応が終了した後、トルエンを減圧留去して少量のＴＨＦに溶解させ、メタノール中に滴下して沈殿物を回収する沈殿操作を行い、更に回収した沈殿物に対して同様の沈殿操作を行うことにより、黄色の粘性液体０．１１１９ｇ（収率１９％）を得た。
得られた反応生成物は、 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果から、下記式（３−２）で表される化合物（以下、「ポリシロキサン化合物（７）」ともいう。）であることが確認された。また、１−アントラセンの導入率は７６％であった。更に、ＧＰＣ（ゲルバーミエーションクロマトグラフィー）法により、数平均分子量（Ｍｎ）が１６６９であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０７であることが確認された。
【００８６】
【化２１】
2011184652.tif 000022
【００８７】
【化２２】
2011184652.tif 000023
【００８８】
反応生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を下記に示し、ＳＥＣ曲線を図１３に示し、 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を図１４に示す。
図１３において、（ａ）はＣＳ−６−ＳｉＨに由来の曲線であり、（ｂ）はポリシロキサン化合物（７）に由来の曲線である。
【００８９】
○ 1Ｈ  ＮＭＲ(６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ，ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：
０．１３−０．３５（ｍ，６Ｈ，Ｈa ），
０．５０−０．６８（ｍ，２Ｈ，Ｈc ），
１．７３（ｍ，２Ｈ，Ｈd ），
４．２３（ｍ，２Ｈ，Ｈe ），
４．９２−５．００（ｍ，１Ｈ，Ｈb ）．
【００９０】
〈実施例８〉
アルゴン置換したナスフラスコに、ＣＳ−６−ＳｉＨ０．２９４５ｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、下記式（７−３）で表される化合物０．５９０２ｇ（２．３ｍｍｏｌ）、トルエン１０ｍＬを仕込み、更に０．１Ｍの１,３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン白金のキシレン溶液６μＬを加え、温度７０℃の条件下において２４時間反応させた。反応が終了した後、トルエンを減圧留去して少量のＴＨＦに溶解させ、メタノール中に滴下して沈殿物を回収する沈殿操作を行い、更に回収した沈殿物に対して同様の沈殿操作を行うことにより、黄色の粘性液体０．１１１９ｇ（収率１９％）を得た。
得られた反応生成物は、 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果から、下記式（３−３）で表される化合物（以下、「ポリシロキサン化合物（８）」ともいう。）であることが確認された。また、９−アントラセンの導入率は９４％であった。更に、ＧＰＣ（ゲルバーミエーションクロマトグラフィー）法により、数平均分子量（Ｍｎ）が１７４４であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．１８であることが確認された。
【００９１】
【化２３】
2011184652.tif 000024
【００９２】
【化２４】
2011184652.tif 000025
【００９３】
反応生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を下記に示し、ＳＥＣ曲線を図１５に示し、 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図を図１６に示す。
図１５において、（ａ）はＣＳ−６−ＳｉＨに由来の曲線であり、（ｂ）はポリシロキサン化合物（８）に由来の曲線である。
【００９４】
○ 1Ｈ  ＮＭＲ(６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ，ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：
０．１１（ｍ，６Ｈ，Ｈa ），
０．４９−０．５６（ｍ，２Ｈ，Ｈc ），
１．５４（ｍ，２Ｈ，Ｈd ），
３．４３−３．４８（ｍ，２Ｈ，Ｈe  ），
４．８８（ｍ，１Ｈ，Ｈb ）．
【００９５】
〔ポリシロキサン化合物の光反応特性〕
実施例１〜実施例８に係るポリシロキサン化合物に対して、キセノンランプを用い、１．８〜２．０ｍＷ／ｃｍ2（３１３ｎｍ）の条件で、光照射時間を変えながら光照射処理を行うと共に、紫外分光光度計により、シルセスキオキサン化合物における紫外線の吸光度の変化を測定した。結果を図１７〜図２４に示す。
【００９６】
図１７の結果から、実施例１に係るポリシロキサン化合物（１）においては、最大吸収波長３６８ｎｍの光の吸収が、光照射時間の経過に伴って減少することが確認され、また、光異性化反応は、光照射時間が５０分間で完了することが確認された。
図１８の結果から、実施例２に係るポリシロキサン化合物（２）においては、最大吸収波長２９４ｎｍの光の吸収が、光照射時間の経過に伴って減少することが確認され、また、光異性化反応は、光照射時間が１７分間で完了することが確認された。
図１９の結果から、実施例３に係るポリシロキサン化合物（３）においては、最大吸収波長２９３ｎｍの光の吸収が、光照射時間の経過に伴って減少することが確認され、また、光異性化反応は、光照射時間が８３２分間で完了することが確認された。
図２０の結果から、実施例４に係るポリシロキサン化合物（４）においては、最大吸収波長３８７ｎｍの光の吸収が、光照射時間の経過に伴って減少することが確認され、また、光異性化反応は、光照射時間が４１分間で完了することが確認された。
図２１の結果から、実施例５に係るポリシロキサン化合物（５）においては、最大吸収波長３３１ｎｍの光の吸収が、光照射時間の経過に伴って減少することが確認され、また、光異性化反応は、光照射時間が４３分間で完了することが確認された。
図２２の結果から、実施例６に係るポリシロキサン化合物（６）においては、最大吸収波長３４４ｎｍの光の吸収が、光照射時間の経過に伴って減少することが確認され、また、光異性化反応は、光照射時間が約１２０秒間で完了することが確認された。
図２３の結果から、実施例７に係るポリシロキサン化合物（７）においては、最大吸収波長３８４ｎｍの光の吸収が、光照射時間の経過に伴って減少することが確認され、また、光異性化反応は、光照射時間が５０分間で完了することが確認された。
図２４の結果から、実施例８に係るポリシロキサン化合物（８）においては、最大吸収波長３７０ｎｍの光の吸収が、光照射時間の経過に伴って減少することが確認され、また、光異性化反応は、光照射時間が３０分間で完了することが確認された。
【００９７】
また、最大吸収波長の吸光度の減少率から、実施例１〜実施例８に係るポリシロキサン化合物における光異性化反応率を算出し、これを一次速度式にプロットした結果を図２５〜図３２に示す。
【００９８】
図２５の結果から、実施例１に係るポリシロキサン化合物（１）においては、光異性化反応完了時（光照射時間５０分間）の転化率が９０％であり、また、光異性化反応は一次で進行していることが理解される。
図２６の結果から、実施例２に係るポリシロキサン化合物（２）においては、光異性化反応完了時（光照射時間１７分間）の転化率が９２％であり、また、光異性化反応は一次で進行していることが理解される。
図２７の結果から、実施例３に係るポリシロキサン化合物（３）においては、光異性化反応完了時（光照射時間８３２分間）の転化率が８３％であり、また、光異性化反応は一次で進行していることが理解される。
図２８の結果から、実施例４に係るポリシロキサン化合物（４）においては、光異性化反応完了時（光照射時間４１分間）の転化率が９４％であり、また、光異性化反応は一次で進行していることが理解される。
図２９の結果から、実施例５に係るポリシロキサン化合物（５）においては、光異性化反応完了時（光照射時間４３分間）の転化率が８７％であり、また、光異性化反応は一次で進行していることが理解される。
図３０の結果から、実施例６に係るポリシロキサン化合物（６）においては、光異性化反応完了時（光照射時間１２０秒間）の転化率が２８％であり、また、光異性化反応は一次で進行していることが理解される。
図３１の結果から、実施例７に係るポリシロキサン化合物（７）においては、光異性化反応完了時（光照射時間５０分間）の転化率が９７％であり、また、光異性化反応は一次で進行していることが理解される。
図３２の結果から、実施例８に係るポリシロキサン化合物（８）においては、光異性化反応完了時（光照射時間３０分間）の転化率が９６％であり、また、光異性化反応は一次で進行していることが理解される。
【００９９】
〔ポリシロキサン化合物の屈折率変化〕
実施例１〜実施例８に係るポリシロキサン化合物について、各々、ポリシロキサン化合物をテトラヒドロフランに溶解し、得られた溶液を、スピンコーターによってシリコンウエハの表面に塗布し、２時間の減圧乾燥処理を行うことにより、厚みが１０００Å前後の薄膜を４枚以上形成した。得られた薄膜の各々に対して紫外線照射を行い、エリプソメーターを用い、波長６３２．８ｎｍのレーザー光により、紫外線照射前後における屈折率をそれぞれ測定し、屈折率の変化量の平均値を求めた。結果を表１に示す。
ここに、紫外線の光源としては、３００Ｗ−キセノンランプ（光量：１．８〜２．０ｍＷ／ｃｍ2 （３１３ｎｍ））を使用した。
【０１００】
【表１】
2011184652.tif 000026
【図１】
2011184652.tif 000039
【図２】
2011184652.tif 000040
【図３】
2011184652.tif 000041
【図４】
2011184652.tif 000042
【図５】
2011184652.tif 000043
【図６】
2011184652.tif 000044
【図７】
2011184652.tif 000045
【図８】
2011184652.tif 000046
【図９】
2011184652.tif 000047
【図１０】
2011184652.tif 000048
【図１１】
2011184652.tif 000049
【図１２】
2011184652.tif 000050
【図１３】
2011184652.tif 000051
【図１４】
2011184652.tif 000052
【図１５】
2011184652.tif 000053
【図１６】
2011184652.tif 000054
【図１７】
2011184652.tif 000055
【図１８】
2011184652.tif 000056
【図１９】
2011184652.tif 000057
【図２０】
2011184652.tif 000058
【図２１】
2011184652.tif 000059
【図２２】
2011184652.tif 000060
【図２３】
2011184652.tif 000061
【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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