(57)【要約】【課題】回路パターンを転写する際のプロセスマージンを確保しつつ、所望の回路パターンを基板上に転写できるよう補助パターンを適切に配置するパターン作成方法を提供すること。【解決手段】主パターン１Ａと、主パターン１Ａを基板上に転写するリソグラフィプロセスにより得られる基板上パターンの解像度を向上させる解像度向上ＳＲＡＦ２Ａ，２Ｂと、リソグラフィプロセスによる解像度向上ＳＲＡＦ２Ａ，２Ｂの基板上への転写性を抑制する転写抑制ＳＲＡＦ３Ａ〜３Ｄと、を配置する。【選択図】図１
2011059513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のマスクパターンと、
前記第１のマスクパターンを基板上に転写するリソグラフィプロセスにより得られる基板上パターンの解像度を向上させる第１の補助パターンと、
前記リソグラフィプロセスによる前記第１の補助パターンの前記基板上への転写性を抑制する第２の補助パターンと、
を配置するステップを含むことを特徴とするパターン作成方法。
【請求項２】
前記第１のマスクパターンの転写性を抑制するマスクパターン上での領域を第１の転写抑制領域として算出する算出ステップをさらに含み、
前記第２の補助パターンは、前記第１の転写抑制領域に配置されることを特徴とする請求項１に記載のパターン作成方法。
【請求項３】
前記第２の補助パターンは、前記第１のマスクパターンの解像度が所定値よりも小さくなることがない位置に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載のパターン作成方法。
【請求項４】
前記第１の補助パターンの転写性を抑制するマスクパターン上での領域を第２の転写抑制領域として算出する算出ステップをさらに含み、
前記第２の補助パターンは、前記第２の転写抑制領域に配置されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のパターン作成方法。
【請求項５】
第１のマスクパターンと、前記第１のマスクパターンを基板上に転写するリソグラフィプロセスにより得られる基板上パターンの解像度を向上させる第１の補助パターンと、が形成されたマスクに、前記リソグラフィプロセスによる前記第１の補助パターンの前記基板上への転写性を抑制する第２の補助パターンを形成するステップを含むことを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項６】
第１のマスクパターンを基板上に転写するリソグラフィプロセスにより得られる基板上パターンの解像度を向上させる第１の補助パターンと、
前記リソグラフィプロセスによる前記第１の補助パターンの前記基板上への転写性を抑制する第２の補助パターンと、が配置されたマスクを用いて半導体デバイスを作製することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン作成方法、マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスを構成するパターンの微細化に伴って、主パターンの微調整だけでは十分なプロセスマージンを確保することが困難となっている。このため、現在では、補助パターン（ＳＲＡＦ：Sub-Resolution  Assist  Feature）を用いたレイアウト設計が用いられている。補助パターンは、マスク制約を満たしつつ主パターン（リソグラフィターゲット）のプロセスマージンを十分に確保するために、十分に大きなサイズで配置しておくことが望ましい。
【０００３】
このような大きなサイズの補助パターンを配置してリソグラフィ検証すると、補助パターンが基板上へ転写されてしまう場合がある。このような場合、従来は、問題が発生している領域の補助パターンサイズを、補助パターンが基板上に転写されないサイズにまで縮小していた。ところが、補助パターンサイズを小さくすると、補助パターン自体は主パターンの解像度向上に寄与しているので、メインパターンの解像度が落ちてしまう（プロセス余裕度が減少する）。また、パターン集積度が高く、光近接効果が影響を与える距離が長大となる状況では、補助パターンサイズを単純に縮小すると、縮小した補助パターンとは異なる位置に新たにサイドローブ転写を発生させてしまう場合がある。
【０００４】
例えば、特許文献１に記載のフォトマスクの製造方法では、位相シフトマスクを用いてウエハを露光した際に発生するサイドローブ光を打ち消すように、位相シフトマスクに新たな開口部を配置するか又は新たな遮光部を配置している。
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載の技術では、回路パターンを転写する際のプロセスマージンが減少してしまうという問題があった。また、位相シフトマスクを用いる必要があるので、マスク作製に高コストを要するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−３０５４１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、回路パターンを転写する際のプロセスマージンを確保しつつ、所望の回路パターンを基板上に転写できるよう補助パターンを適切に配置するパターン作成方法、マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明の一態様によれば、第１のマスクパターンと、前記第１のマスクパターンを基板上に転写するリソグラフィプロセスにより得られる基板上パターンの解像度を向上させる第１の補助パターンと、前記リソグラフィプロセスによる前記第１の補助パターンの前記基板上への転写性を抑制する第２の補助パターンと、を配置するステップを含むことを特徴とするパターン作成方法が提供される。
【０００９】
また、本願発明の一態様によれば、第１のマスクパターンと、前記第１のマスクパターンを基板上に転写するリソグラフィプロセスにより得られる基板上パターンの解像度を向上させる第１の補助パターンと、が形成されたマスクに、前記リソグラフィプロセスによる前記第１の補助パターンの前記基板上への転写性を抑制する第２の補助パターンを形成するステップを含むことを特徴とするマスクの製造方法が提供される。
【００１０】
また、本願発明の一態様によれば、第１のマスクパターンを基板上に転写するリソグラフィプロセスにより得られる基板上パターンの解像度を向上させる第１の補助パターンと、前記リソグラフィプロセスによる前記第１の補助パターンの前記基板上への転写性を抑制する第２の補助パターンと、が配置されたマスクを用いて半導体デバイスを作製することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、回路パターンを転写する際のプロセスマージンを確保しつつ、低コストで所望の回路パターンを基板上に転写できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、第１の実施の形態に係るＳＲＡＦ配置方法の概念を説明するための図である。
【図２】図２は、第１の実施の形態に係るＳＲＡＦ配置方法によってＳＲＡＦを配置した場合の光学像強度を説明するための図である。
【図３】図３は、ＳＲＡＦ配置システムの構成を示すブロック図である。
【図４】図４は、ＳＲＡＦ配置の処理手順を示すフローチャートである。
【図５】図５は、干渉マップの一例を示す図である。
【図６】図６は、ＳＲＡＦサイズ変更システムの構成を示すブロック図である。
【図７】図７は、解像度向上ＳＲＡＦのサイズ変更処理を説明するための図である。
【図８】図８は、解像度向上ＳＲＡＦの配置位置変更処理を説明するための図である。
【図９】図９は、転写抑制ＳＲＡＦの配置位置変更処理を説明するための図である。
【図１０】図１０は、第２のＳＲＡＦ配置装置のハードウェア構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態に係るパターン作成方法、マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【００１４】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係るＳＲＡＦ配置方法の概念を説明するための図である。また、図２は、第１の実施の形態に係るＳＲＡＦ配置方法によってＳＲＡＦを配置した場合の光学像強度を説明するための図である。
【００１５】
半導体装置のリソグラフィ工程（リソグラフィプロセス）で用いるマスクパターンを生成する際には、設計レイアウトデータを用いてリソグラフィターゲット（＝主パタン）が作成される。そして、リソグラフィターゲット（＝主パタン）に主パターンのプロセスマージンを向上せしめるように補助パターンを配置したマスクパタンレイアウト（ＯＰＣ前マスクパタン）にＯＰＣ（Optical  Proximity  Correction）処理を必要に応じて施すことによってマスクパターン（第１のマスクパターン）が生成される。主パターンのプロセスマージンを向上することにより、主パターンの解像度が向上する。
【００１６】
ＯＰＣ前マスクパターンには、ウエハなどの基板上に転写したい主パターン１Ａ〜１Ｄと、第１のＳＲＡＦ（第１の補助パターン）と、を配置しておく。第１のＳＲＡＦは、主パターン１Ａ〜１Ｄをウエハ上に形成した場合に主パターン１Ａ〜１Ｄの形状に影響を与える補助パターン（以下、解像度向上ＳＲＡＦ２Ａ，２Ｂという）である。解像度向上ＳＲＡＦ２Ａ，２Ｂは、主パターン１Ａ〜１Ｄの解像度を向上せしめるパターン配置位置（マスク上の位置）に配置される。ここでの主パターン１Ａ〜１Ｄは、周期的に配置（所定の間隔で配置）された例えば同サイズで同形状のパターンである。
【００１７】
例えば、主パターン１Ａ〜１Ｄが周期的に配置されている場合、周期端に配置されている主パターン１Ａ，１Ｄは、主パターン１Ｂ，１Ｃよりもウエハ露光時の光学像強度が低くなっており、プロセスマージンが低くなっている（図２（ａ））。このため、主パターン１Ａ，１Ｄの近傍には、主パターン１Ａ，１Ｄの光学像強度を高めるためのＳＲＡＦが配置される。本実施の形態では、主パターン１Ａの近傍に主パターン１Ａの光学像強度を高めるための解像度向上ＳＲＡＦ２Ａ，２Ｂが配置される場合について説明する。
【００１８】
主パターン１Ａの近傍に解像度向上ＳＲＡＦ２Ａ，２Ｂが配置されると、主パターン１Ａの光学像強度が主パターン１Ｂ，１Ｃの光学像強度と同程度まで高くなり、主パターン１Ａのプロセスマージンは主パターン１Ｂ，１Ｃと同程度まで高くなる（図２（ｂ））。
【００１９】
ところが、解像度向上ＳＲＡＦ２Ａが所定値以上の光学像強度を有している場合、解像度向上ＳＲＡＦ２Ａがウエハに転写されてしまう。そこで、本実施の形態では、主パターン１Ａの光学像強度を確保しつつ、解像度向上ＳＲＡＦ２Ａの光学像強度を弱める第２のＳＲＡＦ（第１の補助パターン転写を防止する補助パターン）を主パターン１Ａの近傍に配置する。第２のＳＲＡＦは、主パターン１Ａ〜１Ｄをウエハ上に形成した場合に解像度向上ＳＲＡＦ２Ａ，２Ｂの転写に影響を与える補助パターン（以下、転写抑制ＳＲＡＦ３Ａ〜３Ｄという）である。転写抑制ＳＲＡＦ３Ａ〜３Ｄは、ウエハ上への解像度向上ＳＲＡＦ２Ａ，２Ｂの転写を抑制するパターン配置位置（マスク上の位置）に配置される。これにより、主パターン１Ａの十分なプロセスマージンを確保しつつ、所望形状の主パターン１Ａをウエハ上に形成することが可能となる（図２（ｃ））。
【００２０】
なお、以下では、主パターン１Ａ〜１Ｄなどの主パターンを主パターン１Ｘという場合があり、解像度向上ＳＲＡＦ２Ａ，２Ｂなどの第１のＳＲＡＦを解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘという場合がある。また、転写抑制ＳＲＡＦ３Ａ〜３Ｄなどの第２のＳＲＡＦを転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘという場合がある。
【００２１】
なお、図１，２では、主パターン１Ｘが、周期的に配置されている場合について説明したが、主パターン１Ｘの配置は周期的な配置に限らない。また、各主パターン１Ａ〜１Ｄは、同サイズで同形状のパターンである場合に限らず、何れの形状、サイズであってもよい。また、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘや転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置する対象は周期端の主パターン１Ａに限らず、何れの主パターン１Ｘに解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘや転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置してもよい。
【００２２】
つぎに、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置するＳＲＡＦ配置システムの構成について説明する。図３は、ＳＲＡＦ配置システムの構成を示すブロック図である。ＳＲＡＦ配置システムは、主パターンデータ作成装置２１、第１のＳＲＡＦ配置装置２２、ＯＰＣ装置２３、第２のＳＲＡＦ配置装置（補助パターン設計装置）１０を有している。
【００２３】
主パターンデータ作成装置２１は、設計レイアウトデータを用いてリソグラフィターゲットとなる主パターン１Ｘを作成する装置である。第１のＳＲＡＦ配置装置２２は、主パターン１Ｘを用いて、主パターン１Ｘの近傍などに解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘを配置する装置である。ＯＰＣ装置２３は、主パターン１Ｘや解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが配置されたマスクパタンにＯＰＣ処理を施すことによってマスクパターンを生成する装置である。
【００２４】
第２のＳＲＡＦ配置装置１０は、ＯＰＣ処理されたマスクパターンを用いて転写危険点（マスクパターンをウエハに転写した場合に形成されるパターン不良点）があるか否かを検証するとともに、転写危険点がある場合にはマスクパターンに第２のＳＲＡＦを配置するコンピュータなどの装置である。
【００２５】
第２のＳＲＡＦ配置装置１０は、入力部１１、転写危険点抽出部１２、転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３、出力部１４を備えている。入力部１１は、主パターン１Ｘや解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが配置されたＯＰＣ処理後のマスクパターンなどを入力する。入力部１１は、マスクパターンを転写危険点抽出部１２に送る。
【００２６】
転写危険点抽出部１２は、マスクパターン内に転写危険点があるか否かを検証するとともに、マスクパターン内に転写危険点がある場合に、この転写危険点を抽出する。転写危険点抽出部１２は、例えばマスクパターンを用いたリソグラフィシミュレーションによってウエハ上での光学像強度を算出し、この光学像強度の強弱や分布が所望の条件を満たしているか否かを検証し、条件を満たさないマスクパターン箇所を転写危険点として抽出する。転写危険点は、例えば、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが配置されたことによって主パターン１Ｘとは異なる位置に形成されるパターン（例えば解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘの転写パターン）である。例えば、図２の（ｂ）に示した光学像強度の場合、主パターン１Ａ〜１Ｄとは異なる位置にＳＲＡＦ２Ａのパターンが形成されるので、このＳＲＡＦ２Ａに対応するマスクパターンが転写危険点として抽出される。転写危険点抽出部１２は、抽出した転写危険点の位置や転写危険点での光学像強度などを転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３に送る。また、転写危険点抽出部１２は、マスクパターン内に転写危険点がなければ、このマスクパターンを出力部１４に送る。
【００２７】
転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、転写危険点が無くなるよう転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置する。具体的には、転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘの光学像強度を所定値よりも低くして、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘの転写による転写危険点発生を防止することができる位置に１〜複数の転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置する。転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、主パターン１Ｘ、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘ、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘが配置されたマスクパターンを出力部１４に送る。
【００２８】
出力部１４は、転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３から送られてくる転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘが配置されたリソグラフィターゲットをＯＰＣ装置２３などに出力する。また、出力部１４は、転写危険点抽出部１２から送られてくるマスクパターンを図示しないマスク描画装置などに送る。
【００２９】
なお、図３では第２のＳＲＡＦ配置装置１０が転写危険点抽出部１２を備える構成としたが、転写危険点抽出部１２は第２のＳＲＡＦ配置装置１０と別構成としてもよい。この場合、転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、別装置が備える転写危険点抽出部１２から送られてくるマスクパターンに転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置する。
【００３０】
つぎに、ＳＲＡＦ配置の処理手順について説明する。図４は、ＳＲＡＦ配置の処理手順を示すフローチャートである。ＳＲＡＦ配置システムでは、主パターンデータ作成装置２１が、設計レイアウトデータを用いて主パターン１Ｘのリソグラフィターゲットを作成する。
【００３１】
この後、第１のＳＲＡＦ配置装置２２は、主パターン１Ｘを用いて、主パターン１Ｘの近傍などに解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘを配置する。このとき、第１のＳＲＡＦ配置装置２２は、主パターン１Ｘの解像度を向上せしめるパターン配置位置（以下、解像度向上位置という）を算出するとともに、算出した解像度向上位置に解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘを配置する（ステップＳ１０）。例えば、主パターン１Ｘが図１に示した主パターン１Ａ〜１Ｄである場合、第１のＳＲＡＦ配置装置２２は、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘとして解像度向上ＳＲＡＦ２Ａ，２Ｂを配置する。
【００３２】
第１のＳＲＡＦ配置装置２２によって解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが配置されたリソグラフィターゲットは、ＯＰＣ装置２３に送られる。ＯＰＣ装置２３は、主パターン１Ｘや解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが配置されたリソグラフィターゲットにＯＰＣ処理を施すことによってマスクパターンを生成する（ステップＳ２０）。ＯＰＣ装置２３は、ＯＰＣ処理を施したマスクパターンを第２のＳＲＡＦ配置装置１０に送る。
【００３３】
第２のＳＲＡＦ配置装置１０は、ＯＰＣ処理を施したマスクパターンを入力部１１から入力して、転写危険点抽出部１２に送る。転写危険点抽出部１２は、マスクパターン内に転写危険点があるか否かを検証する（ステップＳ３０）。
【００３４】
マスクパターン内に転写危険点がある場合（ステップＳ４０、Ｙｅｓ）、転写危険点抽出部１２は、転写危険点を抽出する。転写危険点抽出部１２は、例えばリソグラフィシミュレーションによってウエハ上での光学像強度を算出し、この光学像強度に基づいて転写危険点を抽出する。転写危険点抽出部１２は、抽出した転写危険点の位置や転写危険点での光学像強度などを転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３に送る。
【００３５】
転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘなどが転写危険点とならないよう転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置する。具体的には、転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、転写危険点での転写性を抑制するパターン配置位置（以下、転写抑制位置という）を算出し、算出した転写抑制位置に転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置する（ステップＳ５０）。具体的には、転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、主パターン１Ｘの解像度が所定値よりも小さくなることがない位置であって、且つ解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘの転写強度を所定値よりも小さくさせることができる位置に、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置する。
【００３６】
例えば、主パターン１Ｘと解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが図１に示した主パターン１Ａ〜１Ｄと解像度向上ＳＲＡＦ２Ａ，２Ｂである場合、転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘとして転写抑制ＳＲＡＦ３Ａ〜３Ｄを配置する。転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、主パターン１Ｘ、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘ、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘが配置されたマスクパターンを出力部１４に送る。
【００３７】
出力部１４は、転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３から送られてくる転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘが配置されたリソグラフィターゲットをＯＰＣ装置２３などに出力する。この後、ＳＲＡＦ配置システムでは、ステップＳ２０〜Ｓ４０の処理が繰り返される。すなわち、ＯＰＣ装置２３は、第２のＳＲＡＦ２Ｘなどが配置されたリソグラフィターゲットにＯＰＣ処理を施すことによってマスクパターンを生成する（ステップＳ２０）。そして、第２のＳＲＡＦ配置装置１０の転写危険点抽出部１２は、マスクパターン内に転写危険点があるか否かを検証する（ステップＳ３０）。
【００３８】
マスクパターン内に転写危険点がある場合（ステップＳ４０、Ｙｅｓ）、転写危険点抽出部１２によってマスクパターン内に転写危険点が無いと判断されるまで、ステップＳ５０、ステップＳ２０〜Ｓ４０の処理が繰り返される。
【００３９】
一方、マスクパターン内に転写危険点が無い場合（ステップＳ４０、Ｎｏ）、マスクパターンを出力部１４に送る。出力部１４は、転写危険点抽出部１２から送られてくるマスクパターンを図示しないマスク描画装置などに送る。
【００４０】
なお、本実施の形態では、第１のＳＲＡＦ配置装置２２が解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘを配置する場合について説明したが、第２のＳＲＡＦ配置装置１０が解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘを配置してもよい。この場合、転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、主パターン１Ｘに対して、ＳＲＡＦ転写を促進せしめる解像度向上位置と、ＳＲＡＦ転写を抑制せしめる転写抑制位置とを算出する。転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、これらの位置をルールベースで実施してもよいし、干渉マップ法等のモデルベース手法を用いて実施してもよい。
【００４１】
転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、解像度向上位置と転写抑制位置を計算した場合、解像度向上位置に解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘを配置し、転写抑制位置に転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置する。このとき、ＳＲＡＦ配置システムでは、ＯＰＣ処理を行う前に転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３が解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘと転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘの両方を同時に配置し、その後、ＯＰＣ装置２３がＯＰＣ処理を行ってもよい。
【００４２】
干渉マップ法を用いて解像度向上位置と転写抑制位置を算出する場合、転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、主パターン１Ｘを中心にして干渉マップを作成する。干渉マップは、プロセスマージンを確保できるＳＲＡＦモデルを用いて作成される。転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、例えば、R. Socha et.al, ”Contact Hole Reticle Optimization by Using Interference Mapping Lithography (IMLTM)”  , Proc. SPIE 5377(2004), pp.222-pp.240に記載の方法によって干渉マップを作成する。この方法では、ウエハ上に形成したいリソターゲットデータ（主パターン）の形状から定義される関数ｍ（ｘ、ｙ）（例えばリソターゲットデータのサイズを縮小させた図形で定義される関数）を用いて、干渉マップ関数Ｅ（ｘ、ｙ）を以下の式（１）で算出する。
【００４３】
【数１】
2011059513.tif 000003
【００４４】
ここでのΦ(x,y)は 光学カーネル関数と呼ばれる。Ｅ（ｘ、ｙ）＞＞１となる領域（Ｅ（ｘ，ｙ）が正の値であり絶対値が十分大きい領域）に配置されたマスクパターンは主パターンの像強度を強くせしめ、結果として主パターンのプロセスマージンを向上させることが可能である。一方、−Ｅ（ｘ，ｙ）＞＞１となる領域（Ｅ（ｘ，ｙ）が負の値であり絶対値が十分大きい領域）に配置されたマスクパターンは主パターンの像強度を減少させプロセスマージンを悪化させる。したがって、本実施の形態では上述した方法を以下のように応用する。具体的には、ウエハ上に意図せざる転写のある領域情報から定義される関数ｍ´（ｘ，ｙ）を用いて、干渉マップ関数Ｅ´（ｘ，ｙ）を以下の式（２）で算出する。
【００４５】
【数２】
2011059513.tif 000004
【００４６】
この干渉マップ関数Ｅ´（ｘ，ｙ）を用いると、−Ｅ´（ｘ，ｙ）＞＞１となる領域つまりＥ´（ｘ，ｙ）が負の値であり絶対値が十分大きい領域にマスクパターンを配置することでウエハ上の意図せざる転写点の像強度を減少せしめることが可能となる。このように、干渉マップ関数Ｅ´（ｘ，ｙ）を用いることによって、転写促進効果の強さや転写抑制効果の強さなどの干渉度合いを定量的に算出することが可能となる。
【００４７】
図５は、干渉マップの一例を示す図である。図５では、主パターン１Ａを中心にした干渉マップの一部を概念的に示している。図５に示す干渉マップ３１では、干渉マップ３１の中心位置の転写特性に対して補助パターン配置が与える影響（転写促進効果の強さや転写抑制効果の強さ）を、領域Ｅ１，Ｅ２，Ｆ１，Ｆ２，Ｇ１で領域分けして示している。
【００４８】
干渉マップ３１において、領域Ｅ１は、転写促進効果の最も強い領域であり、領域Ｅ２は、転写促進効果のやや強い領域である。また、領域Ｆ１は、転写抑制効果の最も強い領域であり、領域Ｆ２は、転写抑制効果のやや強い領域である。また、領域Ｇ１は、転写促進効果や転写抑制効果の小さい中間的な領域である。なお、図５では、転写促進効果の強さや転写抑制効果の強さを領域Ｅ１，Ｅ２，Ｆ１，Ｆ２，Ｇ１の５段階で示したが、配置適切度は４段階以下で示してもよいし、６段階以上で示してもよい。
【００４９】
なお、転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、転写危険点（解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘなど）を中心にした新たな干渉マップを作成してもよい。この場合、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘは、主パターン１Ｘを中心にして作成された干渉マップに基づいて配置され、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘは転写危険点を中心にして作成された干渉マップを用いて配置される。
【００５０】
また、図５では主パターン１Ｘが１つの主パターン１Ａである場合の干渉マップについて説明したが、複数の主パターン１Ｘに対して干渉マップを算出してもよい。例えば、１つの主パターンに対する干渉マップがΨ（ｘ，ｙ）＝Ｆ（ｘ−ｘ１，ｙ−ｙ１）で示される場合、２つの主パターンに対する干渉マップは、Ψ（ｘ，ｙ）＝Ｆ（ｘ−ｘ１，ｙ−ｙ１）＋Ｆ（ｘ−ｘ２，ｙ−ｙ２）によって示される。
【００５１】
また、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘの光学像強度を弱める転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置した後に、この転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘの中から主パターン１Ｘの光学像強度を弱めてしまう転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを除外してもよい。例えば、解像度向上ＳＲＡＦ２Ａの光学像強度を弱める転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを８箇所に配置し、その後、この８箇所の転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘの中から主パターン１Ｘの光学像強度を弱めてしまう例えば４箇所の転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを除外してもよい。
【００５２】
また、本実施の形態では、第１のＳＲＡＦ（解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘ）の転写を抑制する第２のＳＲＡＦ（転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘ）を配置する場合について説明したが、第２のＳＲＡＦの転写を抑制する第３のＳＲＡＦ（第３の補助パターン）をさらに配置してもよい。この場合、第３のＳＲＡＦは、主パターン１Ｘの光学像強度を確保しつつ、第１のＳＲＡＦや第２のＳＲＡＦの光学像強度を弱める位置に配置される。
【００５３】
同様に第ｎ（ｎは自然数）のＳＲＡＦ（第ｎの補助パターン）の転写を抑制する第（ｎ＋１）のＳＲＡＦ（第ｎ＋１の補助パターン）をさらに配置してもよい。この場合、第（ｎ＋１）のＳＲＡＦは、主パターン１Ｘの光学像強度を確保しつつ、第ｎおよび第ｎ以前に配置されたＳＲＡＦの光学像強度を弱める位置に配置される。
【００５４】
また、本実施の形態では、ＳＲＡＦ転写を抑制する位置に転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置する場合について説明したが、サイドローブ転写を抑制する位置に転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置してもよい。
【００５５】
サイドローブ転写を抑制する位置に転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置する場合、まず転写危険点抽出部１２がサイドローブ転写の危険点を抽出する。転写危険点抽出部１２は、例えばマスクパターンに基づいて潜像計算を実施し、転写危険点の位置を抽出する。次に、転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、転写危険点に対して、サイドローブ転写を促進せしめる回折光の通過するマスク位置（解像度向上位置）と、サイドローブ転写を抑制せしめる回折光の通過するマスク位置（転写抑制位置）と、を算出する。転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、これらの位置をルールベースで算出してもよいし、干渉マップ法を用いて算出してもよい。転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、例えばサイドローブ転写の転写危険点を中心にして干渉マップを作成する。これにより、解像度向上位置と転写抑制位置とを容易に分別することが可能となる。
【００５６】
転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、転写抑制位置に回折光が透過できる転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘ（抜きパターン）を配置する。また、転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３は、解像度向上位置に、回折光が透過できない転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置してもよい。また、解像度向上位置に対応するマスク位置に、マスクを透過する光の位相が反転する補助パターン（位相シフトパターン）を配置してもよい。
【００５７】
サイドローブ転写を消すように配置した補助パターンは、主パターン１Ｘのプロセスマージンを減少させない位置に配置することが望ましい。主パターン１Ｘのプロセスマージンを減少させない位置がどの位置であるかは、ルールベースに基づいて決定してもよいし、干渉マップ法に基づいて決定してもよい。
【００５８】
このように、ＳＲＡＦ配置システムでは、転写抑制位置に転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置しているので、主パターン１Ｘの解像度を向上せしめるＳＲＡＦのサイズを単純に縮小することなく、サイドローブ転写の発生を防止でき、さらに従来比で主パターン１Ｘの解像度を向上させることが可能となる。
【００５９】
また、ＳＲＡＦ配置システムで算出した解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘ、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘ、干渉マップなどをデータベースに格納しておいてもよい。これにより、データベース内の情報を用いてマスクパターンを作成することが可能となる。なお、データベースに格納しておく解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘ、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘ、干渉マップなどは、実験などによって作製した実パターンに基づいて算出したデータであってもよい。
【００６０】
ＳＲＡＦ配置システムによるマスクパターンの作成は、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。そして、転写危険点が無い（転写特性合格）と判定されたマスクパターンを用いて半導体デバイスなどの半導体装置（半導体集積回路）が製造される。具体的には、転写特性合格と判定されたマスクパターンを用いて製品マスクを作製し、レジストの塗布されたウエハに製品マスクを用いて露光を行ない、その後ウエハを現像してウエハ上にレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとして下層膜をエッチングする。これにより、マスクパターンに対応する実パターンをウエハ上に形成する。半導体装置を製造する際には、上述した転写危険点の検証、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘの配置、露光処理、現像処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
【００６１】
このように第１の実施の形態によれば、主パターン１Ｘなどの回路パターンのプロセスマージンを劣化させず且つウエハ上への転写危険点の転写を打ち消す効果を有した転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置しているので、主パターン１Ｘ以外の領域への意図しないパターン転写を防止することが可能となる。したがって、主パターン１Ｘを転写する際のプロセスマージンを確保しつつ、低コストで所望の主パターン１Ｘをウエハ上に転写することが可能となる。
【００６２】
また、転写危険点を中心にして作成された干渉マップを用いて転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを配置しているので、主パターン１Ｘを転写する際のプロセスマージンを確保しつつ、所望の主パターン１Ｘを正確にウエハ上に転写することが可能となる。
【００６３】
（第２の実施の形態）
つぎに、図６〜図１０を用いてこの発明の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態では、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘによるサイドローブ転写への促進・抑制効果に基づいて、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘのサイズを決定する。
【００６４】
パターン集積度が高く、光近接効果が影響を与える距離が長大となる状況では、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘや転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘが、意図しないパターンの転写を抑制する効果があったとしても、別の意図しないパターンの転写を促進させてしまう場合がある。例えば、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが意図しないパターンの転写を促進する場合としては、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが、主パターン１Ｘ以外の意図していないパターンの転写を促進させてしまう場合などである。また、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘが意図しないパターンの転写を促進する場合としては、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘが、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘなどの意図していないパターンの転写を促進させてしまう場合などである。意図していないパターンの転写を促進させてしまう場合とは、第１の実施の形態で説明したように、ＳＲＡＦ転写危険点やサイドローブ危険点の転写を促進させてしまう場合などである。
【００６５】
このため、本実施の形態では、後述のＳＲＡＦサイズ変更システムが、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘや転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘによる意図しないパターン転写の促進・抑制効果をトータルに見て、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘや転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘのサイズを決定する。なお、以下では、ＳＲＡＦサイズ変更システムが、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘによる意図しないサイドローブ転写への促進・抑制効果に基づいて、各解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘのサイズを変更する場合について説明する。
【００６６】
図６は、ＳＲＡＦサイズ変更システムの構成を示すブロック図である。なお、図６に示す構成要素のうち、図３で説明した構成要素と同様の構成要素については、その説明を省略する。ＳＲＡＦサイズ変更システムは、主パターンデータ作成装置２１、第１のＳＲＡＦ配置装置２２、ＯＰＣ装置２３、ＳＲＡＦサイズ変更装置４０を有している。
【００６７】
ＳＲＡＦサイズ変更装置４０は、ＯＰＣ処理されたマスクパターンを用いて、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘによるサイドローブ転写危険度の促進・抑制効果を、転写危険点毎に点数付けし、この点数に基づいて解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘのサイズを決定するコンピュータなどの装置である。
【００６８】
ＳＲＡＦサイズ変更装置４０は、入力部４１、転写危険点抽出部４２、転写寄与度算出部４３、ＳＲＡＦサイズ変更部４４、出力部４５を備えている。入力部４１、転写危険点抽出部４２、出力部４５は、第１の実施の形態の図３で説明した入力部１１、転写危険点抽出部１２、出力部１４と同様の機能を有している。転写危険点抽出部４２は、抽出した転写危険点の位置や転写危険点での光学像強度などを転写寄与度算出部４３に送る。
【００６９】
転写寄与度算出部４３は、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘによるサイドローブ転写への促進・抑制効果（以下、転写寄与度という）を、転写危険点毎に算出する。換言すると、転写寄与度算出部４３は、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘによる転写危険点への転写寄与度を点数付けする。具体的には、転写寄与度算出部４３は、ある転写危険点に対する転写寄与度のマスクパターンデータ上での分布を算出し、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘ上にある転写寄与度の総和を転写危険点での転写寄与度とする。転写寄与度の総和は、各解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘ領域内での転写寄与度を積分することによって算出される。転写寄与度算出部４３は、転写寄与度を、ルールベースを用いて算出してもよいし、干渉マップの強度をもとに定量化してもよい。転写寄与度算出部４３は、算出した転写危険点毎の転写寄与度をＳＲＡＦサイズ変更部４４に送る。
【００７０】
ＳＲＡＦサイズ変更部４４は、転写危険点毎の転写寄与度と、転写寄与度の分布と、に基づいて、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘのサイズを拡大させるか縮小させるか又はサイズ変更しないかを判定する。例えば、転写寄与度算出部４３は、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘのサイズを拡大や縮小した場合の転写寄与度を転写危険点毎に点数付けする。そして、転写寄与度が所定の点数範囲内に入るよう、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘのサイズを拡大や縮小する。
【００７１】
図７は、解像度向上ＳＲＡＦのサイズ変更処理を説明するための図である。図７では、主パターン１Ｅと解像度向上ＳＲＡＦ２Ｃ〜２Ｅが配置された、ＯＰＣ後のマスクパターンを示している。解像度向上ＳＲＡＦ２Ｃ〜２Ｅは、主パターン１Ｅの解像度を向上せしめるパターン配置位置に配置されている。ところが、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｃ〜２Ｅは、主パターン１Ｅ以外の図示しない主パターン１Ｘの解像度を低下させてしまう場合がある。そこで、本実施の形態では、ＳＲＡＦサイズ変更装置４０が、主パターン１Ｘの解像度を低下させてしまう解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘを拡大または縮小させることによって、主パターン１Ｘの解像度の低下を防止する。
【００７２】
このとき、ＳＲＡＦサイズ変更装置４０は、主パターン１Ｅの解像度を低下させないよう解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘを拡大または縮小させる。換言すると、ＳＲＡＦサイズ変更部４４は、主パターン１Ｅでの解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘによるサイドローブ転写効果（転写寄与度）と、全転写危険点での解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘによるサイドローブ転写効果と、に基づいて、最適な解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘのサイズを決定する。
【００７３】
図７では、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｄを解像度向上ＳＲＡＦ２Ｆに拡大させ、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｅを解像度向上ＳＲＡＦ２Ｇに縮小させた場合を示している。このように、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘのサイズを変更するので、別の転写危険点にサイドローブが発生するといった問題を回避できる。換言すると、本実施の形態のＳＲＡＦサイズ変更部４４は、主パターン１Ｅの解像度を維持しつつ、他の主パターン１Ｘの解像度の低下を防止する。
【００７４】
ところで、主パターン１Ｘの近傍に新たに解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘを配置するか、または解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘのサイズを微調整すると、対称な光学系を用いた場合であっても、主パターン１Ｘの周辺の解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘの配置位置が非対称となる場合がある。これは、主パターン１Ｘの結像パターンが非対称となることを意味している。
【００７５】
そこで、サイドローブ転写への転写寄与度のみならず、主パターン１Ｘの周辺の解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘの対称性に基づいて、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘの配置を変更してもよい。例えば、主パターン１Ｘの周辺に解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが非対称に配置された場合、非対称に配置された解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘを除去する。これにより、主パターン１Ｘに対して解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘを対称な位置（線対称や点対称）に配置することができる。
【００７６】
図８は、解像度向上ＳＲＡＦの配置位置変更処理を説明するための図である。図８の（ａ）では、図７と同様に、主パターン１Ｆと解像度向上ＳＲＡＦ２Ｈ〜２Ｊが配置された、ＯＰＣ後のマスクパターンを示している。
【００７７】
図８の（ｂ）では、主パターン１Ｆ（対称軸Ｌ）に対して解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが線対称な位置に配置されるよう、ＳＲＡＦサイズ変更部４４が解像度向上ＳＲＡＦ２Ｊを削除した場合を示している。
【００７８】
また、図８の（ｃ）では、主パターン１Ｆ（対称軸Ｌ）に対して解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが線対称な位置に配置されるよう、ＳＲＡＦサイズ変更部４４が解像度向上ＳＲＡＦ２Ｋを追加した場合を示している。
【００７９】
このように、主パターン１Ｘに対して解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが対称な位置に配置されるよう、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘを削除または追加しているので、主パターン１Ｘを、対称性を有した結像パターンとして形成することが可能となる。
【００８０】
なお、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが種々のサイズ、形状を有している場合、主パターン１Ｘに対して解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが対称性を有したサイズ、形状で配置されるよう、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘのサイズ、形状を変更してもよい。
【００８１】
また、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘが主パターン１Ｘに対して非対称な位置に配置されている場合に、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘが主パターン１Ｘに対して対称な配置位置となるよう、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを追加、削除してもよい。
【００８２】
図９は、転写抑制ＳＲＡＦの配置位置変更処理を説明するための図である。図９の（ａ）では、図８と同様に、主パターン１Ｇ、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｌ、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｅ〜３Ｇが配置された、ＯＰＣ後のマスクパターンを示している。
【００８３】
図９の（ｂ）では、主パターン１Ｇ（対称軸Ｌ）に対して転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘが線対称な位置に配置されるよう、ＳＲＡＦサイズ変更部４４が転写抑制ＳＲＡＦ３Ｇを削除した場合を示している。
【００８４】
また、図９の（ｃ）では、主パターン１Ｘ（対称軸Ｌ）に対して転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘが線対称な位置に配置されるよう、ＳＲＡＦサイズ変更部４４が転写抑制ＳＲＡＦ３Ｈを追加した場合を示している。
【００８５】
このように、主パターン１Ｘに対して転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘが対称な位置に配置されるよう、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘを削除または追加しているので、主パターン１Ｘを、対称性を有した結像パターンとして形成することが可能となる。
【００８６】
つぎに、ＳＲＡＦサイズ変更装置４０と第１の実施の形態で説明した第２のＳＲＡＦ配置装置１０のハードウェア構成について説明する。なお、第２のＳＲＡＦ配置装置１０とＳＲＡＦサイズ変更装置４０は、同様のハードウェア構成を有しているので、ここでは第２のＳＲＡＦ配置装置１０のハードウェア構成について説明する。
【００８７】
図１０は、第２のＳＲＡＦ配置装置のハードウェア構成を示す図である。第２のＳＲＡＦ配置装置１０は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）９１、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）９２、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）９３、表示部９４、入力部９５を有している。第２のＳＲＡＦ配置装置１０では、これらのＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、表示部９４、入力部９５がバスラインを介して接続されている。
【００８８】
ＣＰＵ９１は、コンピュータプログラムであるＳＲＡＦ配置プログラム９７を用いて転写危険点の抽出や転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘの配置を行う。表示部９４は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ９１からの指示に基づいて、マスクパターン、転写危険点、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘなどを表示する。入力部９５は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報（転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘの配置に必要なパラメータ等）を入力する。入力部９５へ入力された指示情報は、ＣＰＵ９１へ送られる。
【００８９】
ＳＲＡＦ配置プログラム９７は、ＲＯＭ９２内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ９３へロードされる。図１０では、ＳＲＡＦ配置プログラム９７がＲＡＭ９３へロードされた状態を示している。
【００９０】
ＣＰＵ９１はＲＡＭ９３内にロードされたＳＲＡＦ配置プログラム９７を実行する。具体的には、第２のＳＲＡＦ配置装置１０では、使用者による入力部９５からの指示入力に従って、ＣＰＵ９１がＲＯＭ９２内からＳＲＡＦ配置プログラム９７を読み出してＲＡＭ９３内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。ＣＰＵ９１は、この各種処理に際して生じる各種データをＲＡＭ９３内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。
【００９１】
第２のＳＲＡＦ配置装置１０で実行されるＳＲＡＦ配置プログラム９７は、転写危険点抽出部１２、転写抑制ＳＲＡＦ配置部１３を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされて主記憶装置上に生成される。
【００９２】
なお、転写危険点の抽出や転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘの配置は、別々のコンピュータプログラムで行ってもよい。この場合、ＣＰＵ９１は、転写危険点抽出プログラムを用いて転写危険点の抽出を行い、ＳＲＡＦ配置プログラム９７を用いて転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘの配置を行う。
【００９３】
また、ここでは第２のＳＲＡＦ配置装置１０について説明したが、ＳＲＡＦサイズ変更装置４０の場合、ＣＰＵ９１は、コンピュータプログラムであるＳＲＡＦサイズ配置プログラムを用いて転写危険点の抽出、転写寄与度の算出、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘのサイズ変更を行う。
【００９４】
このように、第２の実施の形態によれば、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘによる主パターン１Ｅや転写危険点での転写寄与度に基づいて、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘの最適なサイズを決定しているので、主パターン１Ｅの解像度を維持しつつ、転写危険点での解像度の低下を防止することが可能となる。
【００９５】
また、主パターン１Ｘに対して解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘが対称な位置に配置されるよう、解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘを追加や削除しているので、主パターン１Ｘの解像度を維持しつつ、主パターン１Ｘを、対称性を有した結像パターンとして形成することが可能となる。
【００９６】
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態では、製品マスクなどのマスクを製造した後のウエハ実験の結果、サイドローブ転写が観測された場合のパターン修正方法について説明する。
【００９７】
製品マスクを製造した後、製品マスクを用いてウエハ上にパターンを形成するとサイドローブ転写が観測される場合がある。このような場合、製品マスク上に形成したマスクパターンを修正してサイドローブ転写を無くす必要がある。製品マスク上に形成したマスクパターンを修正する方法としては、例えば設計レイアウトを再設計して製品マスク自体を作成し直す方法や、製品マスクをフォーカスイオンビームや電子線ビーム等の技術を用いて微修正する方法がある。
【００９８】
製品マスクを微修正する場合には、第１または第２の実施の形態で説明した方法を用いて転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘの配置や解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘのサイズ変更などを行う。このとき、主パターンのプロセスマージンを劣化させず、且つサイドローブ転写が観測された位置でサイドローブ転写が発生しないよう製品マスクを調整する。これにより、サイドローブ転写を防止した製品マスクを作成することが可能となる。なお、本実施の形態では製品マスクを修正する場合について説明したが製品マスク以外のマスクを修正してもよい。
【００９９】
このように、第３の実施の形態によれば、製品マスクを作製した後に、第１または第２の実施の形態で説明した転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘの配置方法や解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘのサイズ変更方法にしたがって、転写抑制ＳＲＡＦ３Ｘの配置や解像度向上ＳＲＡＦ２Ｘのサイズ変更を行うので、製品マスクを作製した後であっても、主パターン１Ｘを転写する際のプロセスマージンを確保しつつ、低コストで所望の主パターン１Ｘをウエハ上に転写することが可能となる。
【符号の説明】
【０１００】
１Ａ〜１Ｇ  主パターン、２Ａ〜２Ｌ  解像度向上ＳＲＡＦ、３Ａ〜３Ｈ  転写抑制ＳＲＡＦ１０  第２のＳＲＡＦ配置装置、１２，４２  転写危険点抽出部、１３  転写抑制ＳＲＡＦ配置部、２２  第１のＳＲＡＦ配置装置、３１  干渉マップ、４０  ＳＲＡＦサイズ変更装置、４３  転写寄与度算出部、４４  ＳＲＡＦサイズ変更部。
【図１】
2011059513.tif 000005
【図２】
2011059513.tif 000006
【図３】
2011059513.tif 000007
【図４】
2011059513.tif 000008
【図５】
2011059513.tif 000009
【図６】
2011059513.tif 000010
【図７】
2011059513.tif 000011
【図８】
2011059513.tif 000012
【図９】
2011059513.tif 000013
【図１０】
2011059513.tif 000014