(57)【要約】      （修正有）【課題】液浸露光のメニスカスの安定性を向上させて欠陥を低減するシステムを提供する【解決手段】基板テーブルおよび／または基板テーブルの凹部内に配置された基板の上部面と隣接する空間に液浸流体を含むように構成された流体ハンドリング構造体と、使用するとき凹部の縁端部と基板の縁端部との間の隙間を覆うように、上部面から基板の上部主要面の周辺部分まで基板のまわりに延在する平面状の本体を含むカバー２５と、流体ハンドリング構造体に対する基板テーブルの移動期間中、カバーの縁端部１４３と流体ハンドリング構造体に含まれている液浸流体との間の液浸流体膜の形成を破壊するように構成された液浸流体膜ディスラプタとを有するリソグラフィ装置。【選択図】図３８
2011192994.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部面および基板を受けて支持する前記上部面の凹部を有する基板テーブルと、
基板テーブルおよび／または前記凹部に配置された基板の上部面と隣接する空間に液浸流体を含む流体ハンドリング構造体と、
使用するとき前記凹部の縁端部と前記基板の縁端部との間の隙間を覆うように、前記上部面から前記基板の上部主要面の周辺部分まで前記基板のまわりに延在する平面状の本体を備えたカバーと、
前記流体ハンドリング構造体に対する前記基板テーブルの移動期間中、前記カバーの縁端部と前記流体ハンドリング構造体に含まれている液浸流体との間の液浸流体膜の形成を破壊する液浸流体膜ディスラプタとを備えるリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記液浸流体膜ディスラプタが、前記カバーの厚さがその縁端部にわたって次第に薄くなるようなテーパ状の、前記カバーの前記縁端部を備える請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記基板の前記上部主要面に対する前記カバーの前記テーパ状部分の前記面の角度が、前記カバーの上に前記流体のメニスカスがあるときの前記流体ハンドリング構造体に対する前記基板テーブルの使用中の所期の速度、前記所期の速度における前記カバー上の前記流体の動的接触角、および／または前記所期の速度における前記基板上の前記流体の動的接触角から選択されたものの１つまたは複数に基づいて選択され、ならびに／あるいは前記基板の前記上部主要面に対する前記カバーの前記テーパ状部分の前記面の前記角度が、約１５°から４５°までの範囲内、約１５°から３０°までの範囲内、または約２０°である請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記基板の前記上部主要面に対する前記カバーの前記テーパ状部分の前記面の角度が、前記カバーの前記部分の前記面の角度未満である使用中の前記流体のメニスカスが前記カバーの前記部分を横切るときの前記カバーの前記部分上の前記流体の前記動的接触角を、使用中の前記基板上の前記流体の前記動的接触角より大きくするものである請求項２または３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記液浸流体膜ディスラプタが、前記縁端部上に形成された面プロファイル、前記カバーの上部面上に形成された面プロファイル、またはその両方を備え、前記面プロファイルが前記面の複数の局部的変化を有する請求項１から４のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記局部的変化が隆起部、流路、突起、窪みおよび／または他の突出部または凹部を含む請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記液浸流体膜ディスラプタが、前記基板および／または基板テーブルの前記上部面の反対側の前記流体ハンドリング構造体の面上に形成された複数の個別のガスジェットを備える請求項２から６のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記ガスジェットのそれぞれが、液浸液の膜が形成するときその上にガスのジェットを供給する請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記複数のガスジェットが、前記流体ハンドリング構造体の前記面に形成された対応する複数のアパーチャによってもたらされる請求項７または８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記流体ハンドリング構造体の前記面が、前記液浸流体が含まれている空間の周囲の一連の開口を備え、前記空間に前記液浸流体を含むために液浸流体を抽出するように構成され、前記複数のガスジェットが、前記一連の開口の外側に設けられる請求項７から９のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
基板を受けて支持する凹部が形成されている実質的に平面状の上部面を有する基板テーブルを含む液浸リソグラフィ装置で用いるカバーであって、使用するとき前記凹部の縁端部と前記基板の縁端部との間の隙間を覆うように、前記上部面から前記基板の上部主要面の周辺部分まで前記基板のまわりに延在する実質的に平面状の本体を備えるカバーにおいて、
流体ハンドリング構造体に対する前記基板テーブルの移動期間中、前記カバーの前記縁端部と前記液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリング構造体に含まれている液浸流体との間の液浸流体膜の形成を破壊する液浸流体膜ディスラプタを備えるカバー。
【請求項１２】
基板を受けて支持する凹部が形成されている実質的に平面状の上部面を有する基板テーブルを含む液浸リソグラフィ装置で用いるカバーを設計する方法であって、前記カバーが、実質的に平面状の本体を備え、前記平面状の本体が、使用するとき前記凹部の縁端部と前記基板の縁端部との間の隙間を覆うように、前記上部面から前記基板の上部主要面の周辺部分まで前記基板のまわりに延在し、前記カバーの厚さがその縁端部にわたって次第に薄くなるように、前記カバーの前記縁端部がテーパ状になっている方法において、使用するとき、前記カバーの前記部分が、流体ハンドリング構造体に対する基板テーブルの移動期間中、前記カバーの前記縁端部と前記リソグラフィ装置の前記流体ハンドリング構造体に含まれている前記液浸流体との間の液浸流体膜の形成を破壊するように、前記基板の前記上部主要面に対する前記カバーの前記テーパ状部分の前記面の角度を選択する段階を含む方法。
【請求項１３】
前記基板の前記上部主要面に対する前記カバーの前記テーパ状部分の前記面の角度が、前記カバーの上に前記流体のメニスカスがあるときの前記流体ハンドリング構造体に対する前記基板テーブルの使用中の所期の速度と、前記所期の速度における前記カバー上の前記流体の動的接触角と、前記所期の速度における前記基板上の前記流体の動的接触角とから選択された１つまたは複数のものに基づいて選択される、請求項１２によってカバーを設計する方法。
【請求項１４】
請求項１２または請求項１３の方法によってカバーを設計する段階と、
前記設計に従ってカバーを形成する段階とを含む、液浸リソグラフィ装置で用いるカバーを形成する方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法によって製造された液浸リソグラフィ装置で用いるカバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置、リソグラフィ装置で用いるカバー、およびリソグラフィ装置で用いるカバーを設計する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板上に、通常、基板のターゲット部分上に、所望のパターンを付ける機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（IC）の製造で使用することができる。その場合、パターニングデバイス、あるいはマスクまたはレチクルと呼ばれるものを使用してＩＣの個々の層上に形成されるべき回路パターンを生成することができる。このパターンは基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えばダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）上に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に形成された放射感応性材料（レジスト）の層上への結像により行われる。一般に、単一の基板は、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含むことになる。既知のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパと、放射ビームにより所与の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、同期して、この方向と平行または反平行に基板をスキャンすることによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を充填するために、リソグラフィ投影装置内の基板を屈折率が比較的大きい液体、例えば水に浸すことが提案されている。一実施形態では、この液体は蒸留水であるが、他の液体を使用することも可能である。本発明の一実施形態について、液体を参照して説明する。しかしながら、他の流体、とりわけ湿潤流体、非圧縮性流体および／または屈折率が空気より大きい流体、望ましくは屈折率が水より大きい流体も好適なものとすることができる。ガスを排除する流体はとりわけ望ましい。このことの要点は、露光放射は液体中では波長がより短くなるため、より小さいフィーチャを結像させることができることである。（液体の効果は、システムの実効開口数（NA）を大きくすることであり、また、焦点深度を深くすることであると見なすことも可能である。）固体粒子（例えば石英）が懸濁した水、あるいは微小粒子サスペンション（例えば最大寸法が１０ｎｍまでの粒子）が懸濁した液体を始めとする他の液浸液も提案されている。懸濁した粒子は、それらが懸濁している液体の屈折率と同様の屈折率または同じ屈折率を有していても、あるいは有していなくてもよい。好適とすることができる他の液体には、芳香族など炭化水素、フッ化炭化水素および／または水溶液が含まれている。
【０００４】
[0004]  基板または基板と基板テーブルの両方を液体に浸すことは（例えば米国特許第ＵＳ４５０９８５２号を参照されたい）、スキャン露光中に加速しなければならない大量の液体が存在していることを意味している。これは、追加の、またはより強力なモータを必要とすることになり、液体中のかく乱によって、望ましくない、予測不可能な影響がもたらされる恐れがある。
【０００５】
[0005]  提案されている他の機構は、閉じ込め液浸システムおよびオールウェット液浸システムを含む。閉じ込め液浸システムでは、液体供給システムが、液体閉じ込めシステムを使用して、液体を、基板の局部領域のみ、および投影システムの最終エレメントと基板との間に供給する（基板は、通常、投影システムの最終エレメントより広い表面積を有している）。ＰＣＴ特許出願第ＷＯ９９／４９５０４号に、このために構造に対して提案されている方法の１つが開示されている。
【０００６】
[0006]  オールウェット液浸システムでは、ＰＣＴ特許出願第ＷＯ２００５／０６４４０５号に開示されているように、液浸液は閉じ込められていない。このようなシステムでは、基板の上面全体が液体で覆われる。次いで、基板の上面全体が実質的に同一の条件に露光されるので、これは有利であり得る。これは、基板の温度制御および処理に関して利点を有することができる。ＰＣＴ特許出願第ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが、液体を投影システムの最終エレメントと基板との間の隙間に供給する。液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁端部にある障壁が液体の流出を防止し、その結果、制御されたやり方で液体を基板テーブルの上面から除去することができる。
【０００７】
[0007]  液浸システムは、流体ハンドリングシステムまたは流体ハンドリング装置でもよい。液浸システムでは、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、流体ハンドリング構造体または流体ハンドリング装置によってハンドリングされる。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給することができ、したがって流体供給システムである。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、したがって流体閉じ込めシステムとすることができる。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体に対する障壁をもたらすことができ、それによって流体閉じ込め構造体など障壁部材とすることができる。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは、例えば液浸流体の流れおよび／または位置の制御を補助するために、ガスの流れを生成または使用することができる。気体の流れは、液浸流体を閉じ込めるためのシールを形成することができ、したがって流体ハンドリング構造体はシール部材と呼ぶことができ、このようなシール部材は流体閉じ込め構造体であり得る。流体ハンドリングシステムは、投影システムと基板テーブルとの間に配置することができる。一実施形態では、液浸液は液浸流体として用いられる。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムでもよい。前述の説明の参照に際しては、この段落における、流体に関して定義される特徴の参照は、液体に関して定義される特徴が包含されていることを理解されたい。
【０００８】
[0008]  流体ハンドリングシステムまたは液体閉じ込め構造体では、液体は、例えば閉じ込め構造体内の空間に閉じ込められる。空間は、閉じ込め構造体の本体、下にある面（例えば基板テーブル、基板テーブル上に支持された基板、シャッタ部材および／または測定テーブル）、ならびに局部領域の液浸システムの場合には、流体ハンドリングシステムまたは液体閉じ込め構造体と下にある構造体すなわち液浸空間との間の液体のメニスカスによって画定され得る。オールウェットシステムの場合には、液体が、液浸空間から基板および／または基板テーブルの上面上に流れることができる。
【０００９】
[0009]  それぞれ参照によりその全体が本明細書に組み込まれている欧州特許出願第ＥＰ  １４２０３００号および米国特許出願第ＵＳ２００４−０１３６４９４号に、ツインすなわちデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。このような装置は、基板を支持するための２つのテーブルを備えている。液浸液がない第１の位置のテーブルを使用して水平測定が実行され、液浸液が存在している第２の位置のテーブルを使用して露光が実行される。別法として、装置はテーブルを１つだけ有する。
【００１０】
[0010]  液浸リソグラフィ装置における基板の露光の後、基板テーブルは、その露光位置から、基板を取り出して別の基板と置き換えることができる位置へ移動される。これは基板交換として知られている。ツーステージリソグラフィ装置（例えばASMLの「ツインスキャン」リソグラフィ装置）では、基板テーブル交換は投影システム下で行われる。
【発明の概要】
【００１１】
[0011]  リソグラフィ装置では、基板は基板ホルダによって基板テーブル上に支持される。基板ホルダは、基板テーブルの凹部の中に配置することができる。凹部は、基板が基板ホルダによって支持されるとき、基板の上面が、基板を取り囲む基板テーブルの面と概して同一面にあるように寸法設定することができる。基板のまわりに、基板の縁端部と基板テーブルの縁端部との間に隙間が存在することがある。このような隙間は、リソグラフィ装置の液浸システムでは望ましくないことがある。隙間が、投影システムの最終エレメントと下にある面との間の空間の液浸液の下を動くとき、閉じ込め構造体と下にある面との間のメニスカスが隙間を横切る。隙間を横切ると、メニスカスの不安定性が増すことがある。メニスカスの安定性は、閉じ込め構造体と基板テーブルとの間の相対速度、例えばスキャン速度またはステッピング速度の上昇とともに低下する恐れがある。メニスカスがますます不安定になると、欠陥が増加するリスクとなる。例えば、メニスカスが不安定であると、ガスが気泡として液浸液に密封されることがあり、あるいは小滴が液浸空間から漏れる原因となることがある。このような気泡が空間の中へ引き込まれて、結像の欠陥をもたらすことがある。小滴は、汚染物質の供給源になることがあり、蒸発するとき熱負荷にもなり、後にメニスカスと衝突して気泡が空間に引き出される原因になることもある。
【００１２】
[0012]  隙間を横切ることの１つまたは複数の問題は、２相抽出システムを備えることにより低減することができる。２相抽出システムは、隙間から液浸液およびガス（液体中に気泡として存在し得るもの）などの流体を抽出する。空間への気泡の放出または空間からの小滴の漏れなどの欠陥の原因は、除去されないにしても低減することはできる。しかし、このような抽出システムを備えると、基板テーブルおよび基板上に熱負荷を与える可能性がある。これは基板上に形成されたパターンのオーバーレイ精度に対して悪影響を及ぼす可能性がある。隙間は、基板の高信頼の結像を達成するのに用いることができるスキャン速度をそれとなく制限する恐れがある。
【００１３】
[0013]  したがって、例えば、メニスカスの安定性を向上させて欠陥（例えば気泡生成または小滴放出の可能性）を低減するシステムを設けることが望ましい。
【００１４】
[0014]  本発明の一態様では、上部面および基板を受けて支持するように構成された上部面内の凹部を有する基板テーブルと、
基板テーブルおよび／または凹部に配置された基板の上部面と隣接する空間に液浸流体を含むように構成された流体ハンドリング構造体と、
使用するとき凹部の縁端部と基板の縁端部との間の隙間を覆うように、上部面から基板の上部主要面の周辺部分まで基板のまわりに延在する平面状の本体を備えたカバーと、
流体ハンドリング構造体に対する基板テーブルの移動期間中、カバーの縁端部と流体ハンドリング構造体に含まれている液浸流体との間の液浸流体膜の形成を破壊するように構成された液浸流体膜ディスラプタとを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１５】
[0015]  本発明の一態様では、基板を受けて支持するように構成された凹部が形成されている実質的に平面状の上部面を有する基板テーブルを含んでいる液浸リソグラフィ装置で用いるカバーを設計する方法が提供され、このカバーは実質的に平面状の本体を備え、平面状の本体が、使用するとき凹部の縁端部と基板の縁端部との間の隙間を覆うように、上部面から基板の上部主要面の周辺部分まで基板のまわりに延在し、カバーの厚さがその縁端部にわたって次第に薄くなるように、カバーの縁端部がテーパ状になっており、この方法は、使用するとき、カバーの部分が、流体ハンドリング構造体に対する基板テーブルの移動期間中、カバーの縁端部とリソグラフィ装置の流体ハンドリング構造体に含まれている液浸流体との間の液浸流体膜の形成を破壊するように、基板の上部主要面に対するカバーのテーパ状部分の面の角度を選択する段階を含む。
【００１６】
[0016]  本発明の一態様では、カバーを設計する上記の方法を用いてカバーを製造する方法、およびそれによって製造したカバーが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
[0017]  次に、本発明の諸実施形態を、ほんの一例として、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して説明する。
【００１８】
【図１】[0018]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の図である。
【図２】[0019]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムとしての流体ハンドリング構造体の図である。
【図３】リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムとしての流体ハンドリング構造体の図である。
【図４】[0020]リソグラフィ投影装置で使用するさらなる液体供給システムの図である。
【図５】[0021]本発明の一実施形態で液体供給システムとして使用することができる液体閉じ込め構造体の断面図である。
【図６】[0022]本発明の一態様による基板受け部分の上面図である。
【図７】[0023]本発明の一態様によるカバーの開位置における上面図である。
【図８】本発明の一態様によるカバーの閉位置における上面図である。
【図９】[0024]本発明の一態様によるカバーの閉位置における上面図である。
【図１０】本発明の一態様によるカバーの開位置における上面図である。
【図１１】[0025]本発明の一態様によるカバー用アクチュエータシステムの閉位置における断面図である。
【図１２】本発明の一態様によるカバー用アクチュエータシステムの中間位置における断面図である。
【図１３】本発明の一態様によるカバー用アクチュエータシステムの開位置における断面図である。
【図１４】[0026]本発明の一態様のアクチュエータシステムで使用することができる運動ガイド機構の断面図である。
【図１５】本発明の一態様のアクチュエータシステムで使用することができる運動ガイド機構の断面図である。
【図１６】[0027]本発明の一態様によるカバー用アクチュエータシステムの閉位置における図である。
【図１７】本発明の一態様によるカバー用アクチュエータシステムの中間位置における図である。
【図１８】本発明の一態様によるカバー用アクチュエータシステムの開位置における図である。
【図１９】[0028]本発明の一態様によるカバーの断面図である。
【図２０】本発明の一態様によるカバーの断面図である。
【図２１】[0029]本発明の一態様によるカバーの機構の断面図である。
【図２２】[0030]本発明の一態様によるカバーの縁端部の可能な構成の概略図である。
【図２３】本発明の一態様によるカバーの縁端部の可能な構成の概略図である。
【図２４】本発明の一態様によるカバーの縁端部の可能な構成の概略図である。
【図２５】本発明の一態様によるカバーの縁端部の可能な構成の概略図である。
【図２６】[0031]本発明の一態様によるカバーの機構の概略断面図である。
【図２７】本発明の一態様によるカバーの機構の概略断面図である。
【図２８】本発明の一態様によるカバーの機構の概略断面図である。
【図２９】本発明の一態様によるカバーの機構の概略断面図である。
【図３０】本発明の一態様によるカバーの機構の概略断面図である。
【図３１】本発明の一態様によるカバーの機構の概略断面図である。
【図３２】本発明の一態様によるカバーの機構の概略断面図である。
【図３３】[0032]使用中のカバーの機構の図である。
【図３４】[0033]本発明の一態様による液浸流体膜ディスラプタを含むシステムのカバーの機構の図である。
【図３５】[0034]本発明の一態様による液浸流体膜ディスラプタを含むシステムのカバーの機構の図である。
【図３６】[0035]本発明の一態様による液浸流体膜ディスラプタを含むシステムのカバーの機構の図である。
【図３７】[0036]カバーの縁端部を横切るメニスカスの位置を説明する図である。
【図３８】[0037]特定の条件の組の下でカバーを横切るメニスカスの位置を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
[0038]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
【００２０】
[0039]  −  放射ビームＢ（例えばUV放射またはDUV放射）を条件付けるように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
【００２１】
[0040]  −  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴであって、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
【００２２】
[0041]  −  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴであって、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
【００２３】
[0042]  −  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイが備わっている）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００２４】
[0043]  この照明システムＩＬは、放射を導くか、整形するか、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気など様々なタイプのコンポーネント、または他のタイプのコンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含んでもよい。
【００２５】
[0044]  サポート構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されるかどうかなど他の条件によって決まる形でパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法、または他のクランプ技法を用いることができる。サポート構造ＭＴは、例えばフレームまたはテーブルでもよく、必要に応じて固定式または可動式でもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが、例えば投影システムＰＳに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書における用語「レチクル」または「マスク」のいかなる使用も、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義と見なされてもよい。
【００２６】
[0045]  本明細書に使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを生み出すなどためにパターンを放射ビームの断面に与えるように使用することができる任意のデバイスを意味するものと広義に解釈されたい。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含むと、放射ビームに与えられたパターンが、基板のターゲット部分内の所望のパターンと正確に一致しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイス内の特定の機能の層に相当することになる。 
【００２７】
[0046]  パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。
【００２８】
[0047]  本明細書に用いられる用語「投影システム」は、あらゆるタイプの投影システムを包含するものと広義に解釈されたい。投影システムのタイプは、屈折システム、反射システム、反射屈折システム、磁気システム、電磁気システム、および静電気光学システムあるいはそれらの任意の組合せを含んでもよい。投影システムの選択または組合せは、使用される露光放射あるいは液浸液の使用または真空の使用など他の要因に適切なものとする。本明細書における用語「投影レンズ」のいかなる使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義と見なされてもよい。
【００２９】
[0048]  本明細書で記述されるように、装置は透過タイプ（例えば透過性マスクを使用するタイプ）である。あるいは、装置は反射タイプ（例えば上記で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射性マスクを使用するタイプ）でもよい。
【００３０】
[0049]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれより多い基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプのものとすることができる。このような「マルチステージ」の機械では、追加のテーブルを同時に使用することができる、あるいは１つまたは複数のテーブルを露光のために使用しながら、１つまたは複数の他のテーブル上で準備ステップを実施することができる。
【００３１】
[0050]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源が例えばエキシマレーザである場合、放射源ＳＯおよびリソグラフィ装置は、個別の構成要素とすることができる。このような場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ渡される。それ以外の、例えば放射源が水銀灯などの場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一構成要素とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。
【００３２】
[0051]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般に、イルミネータＩＬの瞳面内における強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれている）は調節が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど様々な他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータＩＬは、その断面内の所望の均一性および強度分布を得るために放射ビームを調節するように使用されてもよい。放射源ＳＯに類似して、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部分を形成すると見なされても、見なされなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体部品でもよく、リソグラフィ装置とは別体でもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、その上にイルミネータＩＬが実装され得るように構成することができる。任意選択で、イルミネータＩＬは、（例えばリソグラフィ装置の製造者または別の製造者によって）分離可能に単独で設けることができる。
【００３３】
[0052]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付けされる。放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡを通過した後、投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは、ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦する。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を用いて、例えば放射ビームＢの経路中に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１に明確には示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的抽出の後にまたはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴはショートストロークアクチュエータにのみ接続することができ、または固定することができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分間の空間に配置することができる（これらはスクライブラインアライメントマークとして知られている）。同様に、１つよりも多いダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。
【００３４】
[0053]  図示された装置は、以下のモードのうち少なくとも１つで使用され得る。
【００３５】
[0054]  ステップモードでは、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを本質的に静止したままにしながら、放射ビームＢに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち単一静的露光）。次に、基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるようにＸおよび／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一静的露光で結像されたターゲット部分Ｃのサイズを制限する。
【００３６】
[0055]  スキャンモードでは、サポート構造ＭＴと基板テーブルＷＴとが同期してスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの幅を（非スキャン方向に）制限するが、スキャン運動の長さがターゲット部分Ｃの高さを（スキャン方向に）決定する。
【００３７】
[0056]  別のモードでは、サポート構造ＭＴは本質的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされるとともに、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動の後に、またはスキャン中の連続する放射パルス間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この操作モードは、上述したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３８】
[0057]  利用価値のある上記に述べたモードの組合せ、および／またはその変形、あるいは利用価値のある全く異なるモードも、用いることができる。
【００３９】
[0058]  投影システムＰＳと基板の最終エレメントとの間に液体を供給する機構は、いわゆる局部液浸システムＩＨである。このシステムでは、液体が基板の局部領域へのみ供給される液体ハンドリングシステムが使用される。液体で満たされた空間は、上面図では基板の上面より小さく、液体で満たされた領域は、この領域の下で基板Ｗが移動している間中、投影システムＰＳに対して実質的に静止したままである。別々の４つのタイプの局部液体供給システムが、図２〜図５に示されている。
【００４０】
[0059]  図２および図３に示されているように、液体は、少なくとも１つの入口によって、好ましくは基板が最終エレメントに対して移動する方向に添って基板の上に供給される。液体は、投影システムの下方を通過した後、少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板がエレメントの下方で−Ｘ方向にスキャンされる際に、エレメントの＋Ｘ側で液体が供給され、−Ｘ側で吸い取られる。図２は、入口を介して液体が供給され、低圧源に接続される出口によってエレメントのもう一方の側で吸い取られる構造を概略的に示したものである。図２の図解では、液体は、必ずしもその必要はないが、基板が最終エレメントに対して移動する方向に添って供給されている。最終エレメントのまわりに配置される様々な配向および様々な数の入口および出口が可能であり、図３はその一例を示したもので、両側に出口を備えた４組の入口が最終エレメントのまわりに規則的なパターンで設けられている。液体供給デバイスおよび液体回収デバイスにおける矢印は、液体が流れる方向を示している。
【００４１】
[0060]  図４は、局部液体供給システムを備えた他の液浸リソグラフィ解決法を示したものである。液体は、投影システムＰＳの両側の２つの溝入口によって供給され、入口の外側に半径方向に配置された複数の個別の出口によって除去される。入口は、投射される投影ビームが通過する孔を中心部分に備えたプレートの中に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方の側の１つの溝入口によって供給され、かつ、投影システムＰＳのもう一方の側の複数の個別の出口によって除去され、したがって投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜が流れる。入口および出口のどの組合せを選択して使用するかは、基板Ｗが移動する方向によって決定することができる（入口および出口の他の組合せは使用されない）。図４の断面において、矢印は、入口に入る液体の流れおよび出口から出る液体の流れの方向を示している。
【００４２】
[0061]  提案されている別の機構に、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部分に沿って延在する液体閉じ込め部材を、液体供給システムに設けるものがある。このような機構が図５に示されている。液体閉じ込め部材は、Ｚ方向（光学軸の方向）のいくらかの相対運動はあり得るが、ＸＹ平面では投影システムに対して実質的に静止している。液体閉じ込め部材と基板の面との間にシールが形成される。一実施形態では、シールは、液体閉じ込め構造体と基板の面との間に形成され、ガスシールなどの非接触シールでもよい。このようなシステムは、米国特許出願第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されており、参照によってその全体が本明細書に組み込まれる。
【００４３】
[0062]  図５は、液体閉じ込め構造体１２を備えた局部液体供給システムを概略的に示したものである。液体閉じ込め構造体１２は、投影システムＰＳの最終エレメントと基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在している。（以下の説明の中で基板Ｗの表面に言及する場合、明示的に別段の定めがある場合を除き、それに加えてまたはその代わりに基板テーブルＷＴの表面も指すことに留意されたい。）液体閉じ込め構造体１２は、Ｚ方向（光軸の方向）の若干の相対移動が存在する可能性はあるが、ＸＹ平面内では投影システムＰＳに対して実質的に静止している。一実施形態では、液体閉じ込め構造体１２と基板Ｗの表面との間に、望ましくはガスシールである流体シールなどの非接触シールであってもよいシールが形成される。
【００４４】
[0063]  液体閉じ込め構造体１２は、投影システムＰＳの最終エレメントと基板Ｗの間の液浸空間１１に、液体を少なくとも部分的に封じ込める。基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終エレメントとの間の空間１１に液体が閉じ込められるよう、投影システムＰＳのイメージフィールドのまわりに基板Ｗに対する非接触シール１６を形成することができる。この液浸空間１１は、少なくとも部分的に、投影システムＰＳの最終エレメントの下方に、この投影システムＰＳの最終エレメントを取り囲んで配置された液体閉じ込め構造体１２によって形成されている。液体は、液体閉じ込め構造体１２の内側の投影システムの下方の空間１１に、液体入口１３によってもたらされる。この液体は、液体出口１３によって除去することができる。液体閉じ込め構造体１２は、投影システムＰＳの最終エレメントの少し上まで延在させることができる。液体のレベルは、液体のバッファが提供されるよう、最終エレメントの上まで上昇している。一実施形態では、液体閉じ込め構造体１２は、その上端部分の形状が投影システムＰＳまたは投影システムＰＳの最終エレメントの形状と緊密に合致する、例えば丸い形状であってもよい内側周囲を有している。内側周囲の底部は、例えば長方形であるイメージフィールドの形状と緊密に合致しているが、必ずしもそうである必要はない。
【００４５】
[0064]  一実施形態では、液体は、液体閉じ込め構造体１２の最下部と基板Ｗの面との間に使用中形成されるガスシール１６によって液浸空間１１内に含まれる。シールなし（例えばオールウェットの実施形態で）、あるいは液体閉じ込め構造体１２の下面と、基板Ｗの面、基板テーブルＷＴまたは両方の組合せなどの対向面との間の毛細管力によって達成されたシールとして、他のタイプのシールが可能である。
【００４６】
[0065]  ガスシール１６は、例えば空気または合成空気によって形成されるが、一実施形態ではＮ２または別の不活性ガスである。ガスシール１６中のガスは、入口１５を介して加圧下で液体閉じ込め構造体１２と基板Ｗとの間の隙間に供給される。このガスは、出口１４を介して抽出される。ガス入口１５部分の超過圧力、出口１４部分の真空レベルおよび隙間の形状寸法は、液体を閉じ込める内側に向かう高速ガス流が存在するようになされている。液体閉じ込め構造体１２と基板Ｗとの間の液体に対するガスの力によって、液浸空間１１の中に液体が含有される。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。この環状の溝は、連続していても、あるいは不連続であってもよい。ガスの流れ１６は、液体を空間１１の中に含有するのに有効である。米国特許出願第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に、このようなシステムが開示されている。
【００４７】
[0066]  他の諸機構が可能であり、また、以下の説明から明らかになるように、本発明の一実施形態は任意のタイプの局部液浸システムを使用することができる。
【００４８】
[0067]  局部液浸システムでは、シールは、液体閉じ込め構造体の一部分と基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの面などの下にある面との間に形成される。シールは、液体閉じ込め構造体と下にある面との間の液体メニスカスによって画定され得る。下にある面と液体閉じ込め構造体との間の相対運動が、臨界速度を上回って、シール、例えばメニスカスの破損をもたらす恐れがある。臨界速度を上回ると、シールが破損する恐れがあり、液体が、例えば小滴の形式で液体閉じ込め構造体から漏れるか、あるいはガスがすなわち気泡の形式で液浸空間の液浸液中に閉じ込められることになる。
【００４９】
[0068]  小滴が欠陥の原因になることがある。小滴は、蒸発するとき、それが位置する面に対して熱負荷を与えることがある。小滴は、蒸発した後、乾燥汚れを残す際に汚染の原因になり得る。投影システムの下を移動する下にある面上の経路の中に小滴がある場合、小滴がメニスカスと接触することがある。結果として生じるメニスカスと小滴との間の衝突によって、液体中に気泡が形成され得る。気泡が欠陥の原因になることがある。液浸液中の気泡が投影システムと基板との間の空間へ引き出されることがあり、そこで結像投影ビームと干渉する恐れがある。
【００５０】
[0069]  臨界速度は、下にある面の特性によって求めることができる。閉じ込め構造体に関連した隙間の臨界速度は、基板などの比較的平坦な面の表面の臨界速度未満であり得る。スキャン速度が増加して下面の一部分に関する最低臨界速度を上回るとすぐに、スキャン速度は、下にあるより多くの面に関して臨界速度を上回ることになる。この問題は、高いスキャン速度でより深刻になる恐れがある。しかし、スループットが増加するので、スキャン速度の増加は望ましいものである。
【００５１】
[0070]  図６は、基板Ｗを支持するのに使用することができる基板テーブルＷＴを示す上面図である。基板テーブルは、実質的に平面状の上部面２１を有してもよい。上部面２１には、基板Ｗを受けて支持するように構成された凹部２２がある。
【００５２】
[0071]  凹部の中に基板サポートがあってもよく、これは凹部の面でもよい。凹部２２の面は、基板の下部面を支持する複数の突出部を含むことができる。凹部の面は障壁を含むことができる。凹部の面に、複数の開口を形成することができる。障壁が突出部を囲んで、基板Ｗの下部面の下の空間を画定する。開口は負圧源に接続される。基板が開口上にあるとき、基板Ｗの下に空間が形成される。この空間は、負圧の働きによって真空にされ得る。この機構は、基板テーブルＷＴに対して基板Ｗを固定するのに使用することができる。
【００５３】
[0072]  ある機構では、凹部が、基板の主要面、すなわち上面および下面が基板テーブルの上部面２１と実質的に平行になるように構成されてもよい。ある機構では、基板Ｗの上面が、基板テーブルの上部面２１と実質的に同一面上に構成されることがある。
【００５４】
[0073]  本出願では、上側、下側などの用語は、説明されるシステム内のコンポーネントの相対位置を定義するために用いられ得ることを理解されたい。しかし、これらの用語は、装置が特定の方向で使用されるときコンポーネントの相対位置を説明するために便宜的に用いられるものである。これらの用語は、装置が使用され得る方向を規定するようには意図されていない。
【００５５】
[0074]  図６に示されるように、基板Ｗの縁端部と凹部２２の縁端部との間に隙間２３が存在してもよい。本発明の一態様によれば、基板Ｗのまわりに延在するカバー２５が設けられる。カバー２５は、基板Ｗ（一実施形態では基板の縁端部であってもよい）の上部面の周辺部分から基板テーブルＷＴの上部面２１に延在する。カバー２５は、基板Ｗの縁端部と凹部２２の縁端部との間の隙間２３を完全に覆ってもよい。また、カバー２５の開いた中央部分２６は、カバーの内側縁端部によって画定されてもよい。開いた中央部分２６は、使用するとき、パターン付き放射ビームを投影するように意図されている基板Ｗの一部分をカバー２５が覆わないように構成することができる。カバーの内側縁端部は、パターン付き投影ビームによって結像される基板の面に隣接する基板部分を覆うことができる。カバーは、パターン付き投影ビームによって露光される基板部分から離れて配置される。
【００５６】
[0075]  図６に示されるように、カバー２５が基板Ｗ上に置かれるとき、開いた中央部分２６のサイズは、基板Ｗの上部面のサイズよりわずかに小さいものでもよい。図６に示されるように、上面図で見たとき基板Ｗの形状が円形の場合、カバー２５の形状は一般に環状でもよい。
【００５７】
[0076]  カバー２５は、薄いカバー板の形状でもよい。カバー板は、例えばステンレス鋼から形成することができる。他の材料を用いることもできる。カバー板は、Ｐｌａｓｍａ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ＧｍｂＨによって提供されるタイプのＬｉｐｏｃｅｒコーティングでコーティングされてもよい。Ｌｉｐｏｃｅｒは、疎液性（例えば疎水性）のコーティングであることがあり、放射に曝されることによる、また液浸液（高度に腐食性でもよい）による損傷に対して比較的耐性がある。Ｌｉｐｏｃｅｒに関するより多くの情報を、参照によってその全体が本明細書に組み込まれている２００８年２月６日出願の米国特許出願第１２／３６７，０００号の中に見いだすことができる。
【００５８】
[0077]  図２１に概略的に示されているように、Ｌｉｐｏｃｅｒの層などの疎液性コーティング１４１がカバー２５の下部面２５ａ、すなわち面に与えられてもよく、この面は、使用するとき、基板Ｗの上部面の周辺部分から基板テーブルＷＴの上部面２１まで延在してもよい。下部面２５ａ上にこのようなコーティング１４１を備えると、カバー２５の下への液浸液の漏れを最小化または低減することができる。例えば、コーティング１４１は、カバー２５と基板Ｗの上部面との間の液浸液の漏れを低減することができる。このような液浸液漏れを最小化または低減すると、結果として、液浸液が基板Ｗの下側へ通過する可能性が低下する。このことは、いわゆる裏面汚染の結果として生じる恐れがある欠陥を低減することができる。液浸液の漏れを最小化または低減すると、基板Ｗ上の熱負荷を低減することができる。
【００５９】
[0078]  カバー２５の下部面２５ａ上のコーティング１４１は、非粘着層になるように選択されてもよい。換言すれば、コーティング１４１は、基板Ｗの上部面および／または基板テーブルＷＴの上部面２１へのカバー２５の付着を防止するか、最小化するか、または低減するように選択されてもよい。これは、カバー２５が基板Ｗおよび基板テーブルＷＴから取り除かれるとき、カバー２５、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの損傷を防止または低減することができる。
【００６０】
[0079]  カバー２５の下部面２５ａ上に疎液性かつ／または非粘着性のコーティング１４１を使用すると、カバー２５の下部面上への汚染物質粒子の蓄積を防止または低減することができる。このような汚染物質粒子は、カバー２５、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴのどれにも被害をもたらすか、または基板Ｗに対して後の欠陥の原因をもたらす可能性がある。その代わりに、またはそれに加えて、このような汚染物質粒子は、カバー２５と基板Ｗの上部面および／または基板テーブルＷＴの上部面２１との間に十分なシールが形成されるのを妨げる恐れがあり、液浸液の漏れをもたらし、これは望ましくないことであり得る。したがって、そのような汚染物質粒子の蓄積を防止することは望ましいことであり得る。
【００６１】
[0080]  カバー２５の下部面２５ａおよび／またはカバー２５の下部面２５ａに与えられるコーティング１４１の下部面１４１ａは、低い表面粗さに構成することができる。例えば、スプレーコーティングについては、表面粗さＲＡは１μｍ未満であり得る。堆積コーティングについては、表面粗さＲＡは２００ｎｍ未満であり得る。一般に、カバーの下部面２５ａおよび／またはカバー２５の下部面２５ａに与えられるコーティング１４１の下部面１４１ａの表面粗さを低減すると、基板Ｗの面上の応力集中を低減することができる。使用するとき基板に接触するカバー２５の一部分の表面粗さＲＡは、望ましくは２００ｎｍ未満、望ましくは５０ｎｍ未満、または望ましくは１０ｎｍ未満であり得る。
【００６２】
[0081]  カバー２５の下部面２５ａおよび／またはカバー２５の下部面２５ａに与えられるコーティング１４１の下部面１４１ａの低い表面粗さを保証すると、カバー２５の下への液浸液の漏れの低減または最小化を支援することもできる。カバー２５は、カバー２５の下部面２５ａおよび／またはカバー２５の下部面２５ａに与えられるコーティング１４１の下部面１４１ａの平面度が最大になるように構成することができる。これは、カバー２５と基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴとの間の接触を最適化することができ、液浸液の漏れを低減または最小化する。
【００６３】
[0082]  図２１に概略的に示されるように、その代わりに、またはそれに加えて、カバー２５の上部面２５ｂ上にコーティング１４２を設けることができる。カバー２５の上部面２５ｂまたはカバーの上部面２５ｂ上のコーティング１４２の上部面１４２ｂは、滑らかさで選択されてもよい。これは、メニスカスが押さえつけられる可能性を低下させることができる。例えば、カバー２５の上部面２５ｂまたはカバーの上部面２５ｂ上のコーティング１４２の上部面１４２ｂは、面の山から谷までの距離が１０μｍ未満、望ましくは５μｍ未満であるように滑らかでもよい。
【００６４】
[0083]  カバー２５の上部面２５ｂ上のコーティング１４２は、放射に曝されることによる、また液浸液による損傷に対して耐性を示すように選択することができる。これは、カバーの使用寿命が十分に長く、リソグラフィ装置に関する休止時間を含めてカバー２５の交換に関連した不必要なコストの防止を保証するのを支援することができる。カバー２５の上部面２５ｂ上のコーティング１４２は、上記で論じたように疎液性に選択されてもよい。そのようなコーティングは、より大きな液浸液の後退接触角をもたらすことができる。これによって、上記で論じたように、結果として、例えばメニスカスからの液浸液の損失なしで、より高いスキャン速度を用いることが可能になり得る。前述のように、カバー２５の上部面２５ｂ上のコーティング１４２は、Ｌｉｐｏｃｅｒから形成することができる。
【００６５】
[0084]  カバー２５の下部面２５ａおよび上部面２５ｂ上のコーティング１４１、１４２は、材料の単一層から形成され得ることを理解されたい。あるいは、コーティング１４１、１４２の一方または両方が、複数の層から形成されてもよい。例えば、諸層が様々な材料から形成されてもよく、コーティング１４１、１４２に様々な利点をもたらす。カバー２５の下部面２５ａおよび上部面２５ｂ上のコーティング１４１、１４２は、互いに同一でも異なってもよいことも理解されたい。
【００６６】
[0085]  カバー板は、例えば２５μｍの厚さでもよい。カバー板は、例えば縁端部の１つまたは複数で、局部的に厚さを低減するようにエッチングされてもよい。カバー板は、局部的に低減された領域では１０μｍの厚さになり得る。カバーの一部分の厚さは、レーザアブレーション、ミリングおよび研磨などの他のプロセスによって低減することができる。
【００６７】
[0086]  図２１に示されるように、カバー２５の縁端部２５ｃ、２５ｄ、すなわちカバー２５の下部面２５ａと上部面２５ｂとを分離している縁端部は、カバー２５の下部面２５ａおよび上部面２５ｂに対して実質的に垂直でもよい。このような機構は、製造するのが比較的簡単であり得る。
【００６８】
[0087]  しかし、図２１に示された機構では、カバー２５の縁端部２５ｃ、２５ｄが、基板Ｗの面および基板テーブルＷＴの上部面２１上で段差を形成することがある。そのような段差は望ましくないことがある。具体的には、上記で論じたように、基板Ｗおよび基板テーブルＷＴが液体閉じ込め構造体に対して移動するとき、液体閉じ込め構造体と基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴとの間に液体のメニスカスによって形成されたシールが壊れないことを保証するように注意する必要がある。面上に段差が導入されると、例えばメニスカスであるシールを壊すことなく液体閉じ込め構造体および／または基板Ｗ／基板テーブルＷＴが移動することができる、液体閉じ込め構造体と基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴとの間の臨界速度が低下する恐れがある。
【００６９】
[0088]  カバー２５の縁端部の２５ｃ、２５ｄの１つまたは複数は、段差を低減するように構成することができる。例えば、上記で論じたように、カバーの厚さは、縁端部の１つまたは複数で局部的に低減することができる。例えば、カバーの縁端部の２５ｃ、２５ｄの１つまたは複数は、図２２から図２５のいずれかで概略的に示されたようなプロファイルを有するように構成することができる。
【００７０】
[0089]  図２２に示されたように、カバー２５の縁端部は、カバー２５がある程度テーパ状になる部分１４３を有するように構成することができる。したがって、このようなカバーは段差なしであり得る。しかし、カバー２５の縁端部の先端が損傷を受けやすいという恐れがある。
【００７１】
[0090]  代替機構では、図２３に示されるように、カバー２５は、カバー２５の厚さより小さい段差１４６、および段差１４６と全厚さを有するカバー２５の本体との間のテーパ部を含む端縁部１４５を有することができる。例えば、カバー２５の本体は２５μｍの厚さでもよく、段差１４６は１０μｍの厚さでもよい。このような機構は、垂直な縁端部２５ｃ、２５ｄを有するカバーより小さな段差を有するにもかかわらず、図２２に示された機構より縁端部の損傷を受けにくいものであり得る。
【００７２】
[0091]  図２２および図２３に示されるように、カバー２５の縁端部のテーパ部１４３、１４５は、縁端部からの距離に対する厚さが直線的に増加するように構成することができる。しかし、このことは必須ではない。図２２および図２３にそれぞれ対応する図２４および図２５に示されるように、テーパ部１４７、１４８は、その代わりに湾曲させてもよい。これは、例えばテーパ部とカバー２５の残りの部分との間またはテーパ部とカバー２５の縁端部の低減された段階との間に鋭いコーナーができるのを回避することができる。このような鋭いコーナーは、液体閉じ込め構造体と下にある面との間のシール（例えばメニスカス）の不安定性の原因になる恐れがある。したがって、このような鋭いコーナーを回避することにより、上記で論じたようにメニスカスから小滴が漏れる可能性を低下し、欠陥の可能性を低下させることができる。
【００７３】
[0092]  図２２から図２５に示されるように、カバー２５の下部コーナー、すなわち使用するとき基板Ｗの上部面および／または基板テーブルＷＴに接触するコーナーは、比較的鋭いコーナーであり得る。これは、カバー２５と基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴとの間に比較的優れたシールをもたらすことができる。しかし、下部コーナーは、その代わりに湾曲させてもよいことを理解されたい。これは、基板Ｗの損傷の可能性を低下させることができる。
【００７４】
[0093]  一般に、カバー上の鋭いコーナーを回避すると、必要に応じてカバー２５上に容易にコーティングを設けることができる。
【００７５】
[0094]  図２２から図２５は、カバー２５の１つのテーパ部および／または丸みの付いたコーナーを有する１つの縁端部を示すが、上記で論じたように、カバー２５の１つまたは複数の縁端部がテーパ状でもよく、かつ／または１つまたは複数の丸みの付いたコーナーを有してもよいことを理解されたい。さらに、カバー２５の諸縁端部が、それぞれ別々のテーパ部および／または丸みの付いたコーナーの機構を有してもよい。
【００７６】
[0095]  カバー２５の縁端部２５ｃ、２５ｄの一方または両方の機構の選択に影響を及ぼす可能性のあるさらなる問題に、液体閉じ込め構造体１２がカバー２５を横切るときの液浸液の挙動がある。この挙動も、液体閉じ込め構造体１２の構成ならびに基板テーブルＷＴおよびカバー２５に用いられる１つまたは複数の材料によって影響を受ける可能性がある。
【００７７】
[0096]  例えば、ガスナイフを含んでいない液体閉じ込め構造体ならびに親液性の（例えば親水性の）基板テーブルＷＴおよびカバー２５を使用するとき、液体膜の引張りが存在することがある。液体膜の引張りは、他の機構でも生じる可能性がある。液体膜の引張りは、基板上の液体の損失をもたらす可能性があり、このことは望ましくない。具体的には、このような失われた小滴は、後に、液体閉じ込め構造体１２と基板テーブルＷＴとの間のさらなる相対的移動の期間中にメニスカスと衝突する恐れがある。これらの衝突は、液浸液内の気泡の形成をもたらす恐れがある。
【００７８】
[0097]  液体膜の引張りは、メニスカスの下のカバー２５の縁端部の移動（またはその逆）によって引き起こされる可能性がある。メニスカスが９０°の高台の段差を横切るとき、メニスカスの速度は、この段差を横切る期間中は無限大でなければならないことになる。このような段差は、図２１に示されたものなどのカバー２５の垂直の縁端部２５ｃ、２５ｄで生じる。無限大のメニスカス速度は実際には不可能であるため、図３３に示されるようにメニスカスが伸ばされ、結果として液体膜の引張りが生じる。続いて、液体膜２０１が壊れることになり、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴ上の液体の損失をもたらす。
【００７９】
[0098]  図２２に示されるように、液体膜の引張りは、例えばテーパ状の縁端部を使用することによって低減することができる。しかし、液体膜は垂直の縁端部の場合より早く解放されるが、液体膜は依然として引っ張られる可能性がある。したがって、基板および／または基板テーブル上の液体の損失は低減され得るが、所望のレベルを上回って残っていることがある。これは、カバー２５の縁端部において無限に鋭い頂点を形成するのが不可能であるためと考えられる。したがって、カバー２５の縁端部の頂点の末端に、事実上垂直の小さな縁端部が残っている可能性がある。
【００８０】
[0099]  一実施形態では、液体膜の高速分解を促すために、液浸液膜ディスラプタが設けられる。これは、液体の損失を低減することができる。
【００８１】
[00100]  一実施形態では、液浸液膜ディスラプタは、液体フィルムの引張りを低減または最小化するように特別に選択された、カバー２５上のテーパ状縁端部の装備を含む。
【００８２】
[00101]  図３７は、カバー２５を横切る液浸液のメニスカスの形状（例えば、カバー２５が、メニスカスの下をそのメニスカスに対して移動するときのもの）を概略的に示す。３つの連続した時間帯におけるメニスカスのプロファイル２５１、２５２、２５３が示されている。第１のメニスカスプロファイル２５１は、メニスカスがカバー２５の非テーパ状部分に接している時点のものを示す。第２のメニスカスプロファイル２５２は、メニスカスがカバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３に接している時点のものを示す。第３のメニスカスプロファイル２５３は、基板Ｗ（この場合）および／または基板テーブルＷＴの上部面に接している第３の時点におけるメニスカスを示す。
【００８３】
[00102]  各メニスカスプロファイル２５１、２５２、２５３に関して、図３７は、それぞれの動的接触角２６１、２６２、２６３、すなわちメニスカスが所与の速度で面と接触するポイントにおける面に対するメニスカスプロファイル２５１、２５２、２５３の角度も示している。
【００８４】
[00103]  メニスカスの、カバー２５の非テーパ状部分の上部面ならびに基板Ｗ／基板テーブルＷＴの上部面と接触する動的接触角２６１、２６３は、液体閉じ込め構造体１２に対する基板テーブルＷＴ（したがってカバー２５および基板W）の速度、ならびにカバー２５、基板Ｗ／基板テーブルＷＴおよび液体の面の特性によって求められることになることが理解されよう。
【００８５】
[00104]  メニスカスがカバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３を横切るとき、面の上のメニスカスの実効速度が増加する。この実効速度は、基板Ｗの上部面に対するカバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３の面の角度２６０次第である。上記で論じたように、角度２６０が大きくなればなるほど実効速度が大きくなり、角度が９０°になるとメニスカスの速度は理論上無限大になる（しかし、実際上これは起こらず、メニスカスが伸びて液体膜の引張りをもたらす）。
【００８６】
[00105]  図３８は、液体閉じ込め構造体１２に対する基板テーブルＷＴ（したがって基板Wおよびカバー２５）の速度が、カバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３の面に対するメニスカスの動的接触角２６４が基板Ｗの上部面に対するテーパ状部分１４３の面の角度２６０と同一になるような速度であるといった特別な状況におけるメニスカスプロファイル２５４を示す。したがって、示されるように、メニスカスプロファイル２５４のカバー２５の縁端部に隣接する部分２５４ａは、基板Ｗの上部面に対してほぼ平行である。このような状況では、メニスカスがカバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３の先端に接近するとき、メニスカスプロファイル２５４の細長い部分２５４ａが、同時に基板Ｗの上部面に接近し得て、結果として液体膜が形成される。この液体膜は、後に壊れることになり、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴ上の（テーパ状部分が基板テーブルWTの側にあるところで）液体の損失をもたらす。
【００８７】
[00106]  図３８に示された状況は、液体閉じ込め構造体１２に対する基板テーブルＷＴの速度、カバー２５の上部面の材料の性質（例えば疎液性であろうとなかろうと）、およびカバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３の角度２６０の組合せの結果として生じる可能性があることが理解されよう。
【００８８】
[00107]  一実施形態では、カバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３の角度２６０は、使用中、メニスカスがカバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３を横切るときのメニスカスの動的接触角２６２が、基板Ｗの上部面に対するカバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３の上部面の角度２６０より大きいままであることを保証するのを支援するように選択されてもよい。
【００８９】
[00108]  この角度は、液体閉じ込め構造体１２に対する基板テーブルＷＴの様々な速度に関して、動的接触角２６２に対するカバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３の上部面の角度２６０の変化の影響を確認するために適切な実験を遂行することにより求めることができる。カバー２５の上部面が、使用される液浸液に対して疎液性になるまで、すなわち静的接触角の変化に関して、変化の影響を求めるためにも実験が遂行されてもよい。使用されるカバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３の角度２６０を選択するとき、このような変化を考慮に入れることができる。
【００９０】
[00109]  カバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３の上部面の適切な角度２６０は、リソグラフィ装置の作動中、メニスカスがカバー２５を横切るときに用いられることになる基板テーブルＷＴの所望の速度と、カバー２５の特定の面材料との組合せに対して、特別に選択することができる。例えば、カバーの面材料は、上記で論じたように、カバー２５の上部面上のコーティング１４２を形成するように選択された材料でもよい。
【００９１】
[00110]  具体的には、このことは、カバー２５の縁端部にあるメニスカスが固定される可能性を低下させることができる。その結果として、このことは、壊れることによって上記で論じたように基板Ｗ／基板テーブルＷＴ上の液体の損失をもたらす恐れのある液体膜が形成される可能性を低下させることができる。
【００９２】
[00111]  本発明の一実施形態では、使用するとき、メニスカスがカバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３を横切るときのポイントでのメニスカスプロファイル２５２の動的接触角２６２は、カバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３の上部面の角度２６０より小さいこの動的接触角２６２が、メニスカスが基板Ｗ／基板テーブルＷＴの上部面に接触するときのメニスカスプロファイル２５３の動的接触角２６３より大きいことを保証するのが望ましいことであり得る。換言すれば、動的接触角２６２とテーパ状部分１４３の上部面の角度２６０との間の差は、メニスカスが基板Ｗ／基板テーブルＷＴの上部面に接しているときのメニスカスプロファイル２５３の動的接触角２６３より大きい。このことは、カバー２５の縁端部にあるメニスカスが固定される可能性を低下させることができる。その結果として、このことは、壊れることによって上記で論じたように基板Ｗ／基板テーブルＷＴ上の液体の損失をもたらす恐れのある液体膜が形成される可能性を低下させることができる。
【００９３】
[00112]  一実施形態では、カバー２５の縁端部のテーパ状部分の上部面の適切な角度２６０は、メニスカスが基板Ｗ／基板テーブルＷＴの上部面に接しているときのメニスカスプロファイル２５３の動的接触角２６３を考慮に入れて選択することができる。その結果として、このことは、使用するとき、メニスカスがカバー２５の縁端部に隣接している位置で基板Ｗ／基板テーブルＷＴを横切るときの基板テーブルＷＴの意図した速度次第であり得ることが理解されよう。
【００９４】
[00113]  例えば、液体閉じ込め構造体１２に対する基板テーブルＷＴの速度が約０．５ｍ／ｓであると、カバー２５の上部面の静的接触角は約９０°であり、基板の上部面の静的接触角は約７０°または８０°であり、基板Ｗの上部面に対するカバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３の上部面の角度２６０は、約１５°から４５°までの範囲内、約１５°から３０°までの範囲内、または約２０°であり得る。
【００９５】
[00114]  前述のように、カバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３の上部面の所望の角度２６０は、特にテーパ状部分１４３の領域ではカバー２５の面の性質次第であり得る。一般に、上部面は疎液性であるのが望ましく、というのは、これによって、基板Ｗ／基板テーブルＷＴ上の液体損失の所与の許容レベルに対して許され得るカバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３の上部面の角度２６０を増加させることができるからである。角度２６０が一定レベルより小さくなるとカバー２５の製造が困難になる恐れがあるので、これは有利なことである。さらに、角度２６０が小さくなると、カバー２５の、容易に損傷を受けるほど十分に薄い、より大きな縁端部をもたらす恐れがある。
【００９６】
[00115]  しかし、疎液性の上部面を有するカバー２５の形成は、あらたな問題を有することがある。具体的には、上記で論じたように、疎液性のコーティング１４２がカバー２５の上部面に与えられることがある。しかし、このようなコーティングは、使用中、時間が経つにつれて、上部面上の液浸液の静的接触角が減少するように劣化する可能性がある。
【００９７】
[00116]  一実施形態では、カバー２５の縁端部のテーパ状部分１４３の上部面の角度２６０は、カバー２５の上部面の、許容できる期間にわたって予期される劣化を考慮に入れて選択されてもよい。このポイントを越えると、カバー２５の上部面上の液浸液の静的接触角は、カバーの縁端部の角度２６０がカバー２５の縁端部のメニスカスの固定を妨げる、または十分に低減するほどには小さくないものになるまで、減少する可能性がある。したがって、このポイントで、基板Ｗ／基板テーブルＷＴ上の液体の損失が許容範囲を超過する可能性がある。この段階で、カバー２５の交換が必要になることがある。
【００９８】
[00117]  一実施形態では、液浸液膜ディスラプタは、カバー２５の上部面および／または縁端部上に与えられ得る１つまたは複数の構造体を含む。この構造体は、膜の不安定性を引き起こし、膜の破壊をもたらす。このような面プロファイルは、前述のように、垂直な縁端部またはテーパ状縁端部の何らかの機構を有するカバー２５と組み合わせることができる。
【００９９】
[00118]  カバー２５の上部面および／または縁端部に与えられる構造体は、面の、任意の種類の複数の局部的変化がある形状でもよい。例えば、隆起部および／または流路などの細長いフィーチャが設けられてもよい。このような隆起部および／または流路の断面は、任意の適切な形状でもよい。その代わりに、もしくはそれに加えて、突起および／または窪みなどの比較的短いフィーチャが設けられてもよい。このような突起および／または窪みは、任意の適切な形状を有することができる。
【０１００】
[00119]  図３４は、カバー２５の上部面上に複数の隆起部２０２が設けられている実施形態を示す。示されるように、このような機構は、液体膜２０３の破壊を促進する。このような機構は、メニスカスが固定される可能性を低下させることができる。
【０１０１】
[00120]  図３５は、カバー２５の縁端部上に複数の流路２０４が設けられている実施形態を示す。示されるように、このような機構は、液体膜２０４の破壊を促進する。このような機構は、メニスカスが固定される可能性を低下させることができる。
【０１０２】
[00121]  図３６に示される一実施形態では、液浸液膜ディスラプタは、液体閉じ込め構造体１２によって与えられた複数の個別のガスジェット２１０を含んでいる。ガスジェット２１０は、液体膜が形成し始めるときその上に向けられ、膜２１２の高速の破壊を促進する。このような機構は、メニスカスが固定される可能性を低下させることができる。
【０１０３】
[00122]  ガスジェット２１０は、例えば液体閉じ込め構造体１２の面に形成されてガス供給源に接続されたアパーチャの列によって与えられ得る。これらのアパーチャは、液体閉じ込め構造体の面に形成されて液浸液を含有するために液浸液を抽出するのに使用される一連の開口２１１の外側に設けられてもよい。換言すれば、ガスジェット２１０をもたらすアパーチャは、液浸液が含まれている空間への一連の開口２１１の反対側にあってもよい。
【０１０４】
[00123]  ガスナイフではなく、例えば複数の個別のガスジェット２１０を使用することの利点は、一連のガスジェット２１０と一連の開口２１１との間に液体の小滴が収集される可能性がないことである。このような領域における液体の小滴の集合は、液体閉じ込め構造体に対する基板テーブルＷＴの移動期間中に問題になることがある。例えば、移動期間中にこのような領域に集められた液体の小滴は、結合して大きな小滴を形成する可能性がある。
【０１０５】
[00124]  一実施形態では、液浸液膜ディスラプタが前述の機構の任意の組合せを含み得ることが理解されよう。
【０１０６】
[00125]  一実施形態では、カバー２５の上部面２５ｂまたはカバー２５の上部面２５ｂ上のコーティング１４２の上部面１４２ｂは、できるだけ平坦に構成されてもよい。上記で論じたように、これによって、上記で論じられたメニスカスのあらゆる不安定性をさらに低減することができ、メニスカスから小滴が漏れる可能性およびそれに続く欠陥が低減する。
【０１０７】
[00126]  一実施形態では、カバーは基板テーブルの一部分でもよい。少なくとも閉位置と開位置との間でカバーを移動するために、アクチュエータシステムが設けられてもよい。カバー２５は、閉位置では、凹部２２内で基板Ｗの上部面に接することができる。カバー２５は、閉位置では、基板テーブルＷＴの上部面２１に接することができる。カバー２５は、閉位置では、基板Ｗの縁端部と凹部２２の縁端部との間の隙間２３を完全に覆うことができる。
【０１０８】
[00127]  カバー２５は、隙間が、空間で液浸液に対して液浸空間１１の下を通過するとき、隙間が閉じるように構成することができる。隙間を閉じることにより、隙間の横断時におけるメニスカスの安定性を改善することができる。一実施形態では、カバーは、凹部２２内の基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１の一方または両方に対してシールを形成する。基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１の両方に対してシールを与えるカバー２５は、液浸液が隙間２３の中へ通るのを防止することができる。カバーは、隙間２３への液浸液の流入量を低減することができる。カバーは、空間１１の下を隙間が通る結果としての空間１１への気泡の流れを、防止しないにしてもの低減するのに役立つことができる。
【０１０９】
[00128]  カバー２５は、開位置では、その閉位置から離れて凹部２２の面に対して移動されてもよい。基板が凹部２２の面によって支持されるとき、カバー２５は基板Ｗと離れて配置されてもよい。開位置は、カバー２５が開位置にあるとき、基板Ｗが基板テーブルＷＴから取り外されるように構成することができる。基板Ｗが凹部２２内にない場合、基板Ｗは基板テーブルＷＴに装着されてもよい。
【０１１０】
[00129]  一実施形態では、アクチュエータシステムは、カバー２５を閉位置から開位置へ移動する際に、図８に示されるようにカバー２５の開いた中央部分２６を拡大するように構成することができる。このようなプロセスでは、カバー２５の開いた中央部分２６は、開位置における基板Ｗの上部面より大きくなるように十分に拡大することができる。カバー２５の開いた中央部分２６は、基板Ｗがこれを通過することができるように十分に拡大することができる。
【０１１１】
[00130]  一実施形態では、カバー２５を開位置へ移動させ、基板Ｗをカバー２５の開いた中央部分２６を通すことにより、基板テーブルに対して基板Ｗを着脱することができる。基板Ｗを基板テーブルＷＴに装着する場合、基板Ｗがカバー２５の開いた中央部分２６を一旦通過すると、基板Ｗが基板テーブルＷＴの凹部２２の中に受け取られ得る。続いて、カバー２５は、アクチュエータシステムによって閉位置に移動され得て、その位置で、基板Ｗの縁端部と基板Ｗが支持される凹部２２の縁端部との間の隙間２３を覆う。
【０１１２】
[00131]  アクチュエータシステムは、カバー２５を開位置に移動する際に、カバー２５の複数の部分を互いに対して別々のそれぞれの方向へ移動するように構成することができる。この機構は、開位置へ移動する際にカバー２５の開いた中央部分２６を拡大させるのに使用することができる。
【０１１３】
[00132]  一実施形態では、アクチュエータシステムは、カバー２５の少なくとも一部分を伸縮自在に変形させるように構成することができる。例えば、アクチュエータシステムは、アクチュエータが、開いた中央部分２６を拡大させるようにカバー２５の複数の部分をそれぞれの様々な方向へ移動するとき、カバー２５の少なくとも一部分を伸縮自在に変形させることができる。
【０１１４】
[00133]  図７および図８は、本発明の一実施形態によるカバー２５を、それぞれ閉位置および開位置で示す上面図である。図示のように、カバー２５は、上面図における形状では概して環状でもよい。カバー２５の例えば周囲である内周部３１は、閉位置にあるとき、カバー２５の開いた中央部分２６を画定することができる。カバー２５の概して環状の形状において、カバー２５の、例えば周囲３１である内周部と、例えば周囲３２である外周部との間に、切れ目が設けられてもよい。
【０１１５】
[00134]  図７および図８に示されたものなどの機構では、カバー２５は複数の部分３５を有し、それぞれがアクチュエータシステムによって別々の方向に移動可能である。複数の部分３５を移動する際に、カバー２５の開いた中央部分２６は拡大または縮小され得る。複数の部分は、互いに組み合わせて１つの一体型カバーを形成することができる。しかし、図８に示されるように、カバー２５の例えば周囲である周辺を横切って切れ目３０を備えると、開いた中央部分２６を拡大させるためのカバー２５の弾性変形を容易にすることができる。
【０１１６】
[00135]  図７および図８の機構は、内周部３１からカバー２５の円周３２への切れ目３０を含んでいるが、これは必須ではない。
【０１１７】
[00136]  本発明のこの態様によってカバー２５の開いた中央部分２６を拡大するために、例えばカバー２５の弾性変形による拡大を容易にするために、追加の切れ目を設けることができる。
【０１１８】
[00137]  本明細書に開示されたカバーのうちのいずれかを備えると、前述のような、気泡によって引き起こされる欠陥の低減および／または気泡の低減に加えて、リソグラフィ装置内の基板テーブルに対して様々な追加の利点を得ることができる。
【０１１９】
[00138]  基板テーブルＷＴおよび液浸システムの洗浄を減少させることができる。これは、その結果として、リソグラフィ装置のダウンタイムを縮小することができる。
【０１２０】
[00139]  カバーは、基板Ｗの上部面から基板Ｗの下部面への汚染物質の伝達を低減することができる。これは、いわゆる裏面汚染の結果として生じる恐れがある欠陥を低減することができる。
【０１２１】
[00140]  基板Ｗの縁端部と凹部２２の縁端部との間の隙間を覆うカバーを備えると、基板Ｗの縁端部および液浸システムは、そうでないときより高速で投影システムを通過することが可能になり得る。このことは、リソグラフィ装置のスループットを増加することができる。
【０１２２】
[00141]  カバーを備えると、基板Ｗの縁端部と凹部２２の縁端部との間の隙間から液浸液および気泡を除去するための抽出システムの必要性を回避することができる。これによって、基板テーブルＷＴに印加される熱負荷を低減することができる。基板テーブルＷＴの熱的安定性を改善することができる。基板Ｗ上に形成される諸パターンのオーバーレイ精度が、結果的に改善され得る。
【０１２３】
[00142]  基板Ｗの縁端部と凹部２２の縁端部との間の隙間用の抽出システムは、２相抽出器であり得る。このタイプの抽出器は、流れで誘起される振動を生成することがある。したがって、カバーを備えると、結果としてこのような抽出器が使われなくなり（不要になり）、基板テーブルＷＴ内部の振動を低減することができる。
【０１２４】
[00143]  カバーを備えると、上記で開示された、基板Ｗの縁端部と凹部２２の縁端部との間の隙間に対して抽出器を使用するシステムより簡単な全体システムをもたらすことができる。隙間２３の上にカバーを備えると、装置の物品のコストを全体として低減することができる
【０１２５】
[00144]  本発明の一態様によるカバーを備えると、上記で論じたように、基板Ｗの縁端部と凹部２２の縁端部との間の隙間における抽出システムの必要性が解消され得ることを理解されたい。しかし、本発明の一態様によるカバーは、抽出システムと共に使用することができる。抽出システムの必要性能を低減することができるので、上記で論じた利点は依然として当てはまり得る。
【０１２６】
[00145]  図９および図１０は、本発明の一実施形態によるカバー２５の機構を示す上面図である。図９および図１０に示されたカバーは、図７および図８に示されたカバーに類似であり、簡略のために違いだけを詳細に論じる。
【０１２７】
[00146]  示されるように、カバー２５は複数の個別部分４０から形成される。部分４０は、閉位置では、単一のカバー２５を形成するためにカバー２５の隣接した部分４０と接するように構成される。例えば、図９に示されるように、円形の基板Ｗについては、カバー２５の個別部分４０のそれぞれが閉位置において互いに接するとき、個別部分４０の組合せが、概して環状の形状を有するカバー２５をもたらす。
【０１２８】
[00147]  アクチュエータシステムは、カバーを閉位置から開位置へ移動するために、カバー２５の諸部分を別々の方向へ移動することができるように構成される。カバー２５が図９および図１０に示されたものなどである場合には、カバー２５のこのような部分のそれぞれが、個別部分４０のうちの１つである。アクチュエータシステムは、カバー２５の個別部分４０のそれぞれを、それぞれの異なる方向へ移動する。
【０１２９】
[00148]  カバー２５が開位置にあるとき、カバー２５の個別部分４０は互いに離れて配置されてもよく、前述のように、基板Ｗが通過することができる拡大した開いた中央部分２６をもたらす。
【０１３０】
[00149]  図１１、図１２および図１３は、本発明の一態様で、それぞれ閉位置、中間位置および開位置で使用することができるアクチュエータシステムを示す断面図である。
【０１３１】
[00150]  図１１に示されるように、閉位置では、カバー２５の各部分は、基板Ｗの上部面と基板テーブルＷＴの上部面２１の周辺部分４５との間に位置決めされて延在する。アクチュエータシステム５０は、カバー２５を閉位置から開位置へ移動する際に、カバー２５の各部分を、まず基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１に対して実質的に垂直な方向へ移動するように構成することができる。
【０１３２】
[00151]  図１２は、カバー２５の一部分を、前述の初期移動の後の、閉位置と開位置との間の中間位置で示す。
【０１３３】
[00152]  カバー２５は、開位置から閉位置へ移動する際に、基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１に対して実質的に垂直な方向のみの移動によって続いて閉位置へ移動され得るように、図１２に示された中間位置へ移動されてもよい。
【０１３４】
[00153]  このような機構は、カバー２５が基板Ｗに接触するか、または基板Ｗの近くにあるとき、カバー２５の基板Ｗに対する相対的移動が基板Ｗの上部面に対して実質的に垂直な方向のみであることを有利に保証することができる。このことは、基板Ｗの縁端部における汚染物質粒子の生成を防止または低減することができる。このことは、基板Ｗの縁端部に既存の汚染物質粒子が、パターンが形成されることになる基板Ｗの上部面へ移動するのを防止または低減することができる。基板Ｗの面に対して実質的に垂直な方向へカバーを移動することにより、カバーが基板に接触すると直ちに、基板Ｗに印加される力は、基板Ｗに対して実質的に垂直な方向に印加される。力が基板Ｗの周辺のまわりに印加されるので、印加される力は実質的に均一である。力を印加することによって引き起こされる基板Ｗの歪みは、それによって、最小化されないにしても低減される。カバー２５を適用することによって、基板Ｗの面における力は、低減されるかもしくは最小化され、凹部内の基板Ｗの移動が制限される。基板Ｗの縁端部にカバー２５を与えることによる位置決め誤差は、防止されないにしても低減され得る。
【０１３５】
[00154]  アクチュエータシステム５０は、カバー２５のそれぞれの部分を、基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１に対して実質的に平行な方向に移動することによって、カバー２５のそれぞれの部分を図１２に示された中間位置と図１３に示された開位置との間で移動することができるように構成され得る。
【０１３６】
[00155]  図１１、図１２および図１３に示されるように、アクチュエータシステム５０は、カバー２５を、基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１に対して実質的に垂直な方向、例えば上下方向へ移動するように構成されたアクチュエータステージ５１を含むことができる。アクチュエータステージ５１は、横方向アクチュエータステージと称されてもよい。
【０１３７】
[00156]  アクチュエータシステム５０は、カバー２５を、基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１に対して実質的に平行な方向、例えば水平方向に移動するように構成されたアクチュエータステージ５２を含むことができる。アクチュエータステージ５２は、水平方向アクチュエータステージと称されてもよい。
【０１３８】
[00157]  示された空気式アクチュエータの使用は有利であり得るが、アクチュエータステージ５１、５２の一方または両方に対して代替アクチュエータが使用されてもよいことが理解されよう。例えば、静電アクチュエータおよび／または電磁アクチュエータを使用することができる。
【０１３９】
[00158]  アクチュエータステージ５１は、もたらされる唯一の移動が、実質的に、基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１に対して実質的に垂直な方向のものであることを保証するように構成することができる。アクチュエータステージ５１は、１つまたは複数の移動ガイドを含むことができる。１つまたは複数の移動ガイドは、アクチュエータステージ５１のコンポーネントの、基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１に対して実質的に垂直な方向の相対的移動を可能にするように構成される。しかし、移動ガイドは、アクチュエータステージ５１のコンポーネントの、基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１に対して実質的に平行な方向の相対的移動を低減または最小化するように構成される。
【０１４０】
[00159]  図１４および図１５は、アクチュエータステージ５１が特定方向への移動のみをもたらすことを保証するのを支援するために使用され得る移動ガイドの機構を示す断面図である。このような方向は、基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１に対して実質的に垂直な方向でもよい。図１４は、カバー２５が閉位置にあるときの移動ガイド６０を示す。図１５は、カバー２５が開位置にあるときの移動ガイド６０を示す。
【０１４１】
[00160]  示されるように、アクチュエータステージ５１は、第１のコンポーネント６１および第２のコンポーネント６２を含む。第１のコンポーネント６１および第２のコンポーネント６２は、前述のように設けられたアクチュエータによって、基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１に対して実質的に垂直な方向へ、互いに対して移動され得る。アクチュエータステージ５１の第１のコンポーネント６１と第２のコンポーネント６２との間に弾性ヒンジ６３が設けられる。弾性ヒンジによって、第１のコンポーネント６１および第２のコンポーネント６２の、基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１に対して実質的に垂直な方向の移動が可能になる。弾性ヒンジは、この所望の移動方向に対して実質的に垂直な方向の移動を制限するように構成される。
【０１４２】
[00161]  代替または追加の移動ガイドが使用され得ることが理解されよう。しかし、この形式の移動ガイドは、摩擦力がない、または望ましくは摩擦力を最小化するので、前述のように１つまたは複数のこのような弾性ヒンジを使用することは有利であり得る。カバー２５が閉位置に移動するとき、摩擦力によって、基板Ｗの上部面上に印加される力の再現性が低減する恐れがある。
【０１４３】
[00162]  図１６、図１７および図１８は、本発明の一態様で使用され得るさらなるアクチュエータシステムを示す。図１６は、カバー２５が閉位置にあるときのアクチュエータシステム７０を示す。図１７は、中間位置におけるアクチュエータシステム７０を示す。図１８は、カバー２５が開位置にあるときのアクチュエータシステム７０を示す。
【０１４４】
[00163]  図１６、図１７および図１８に示されたアクチュエータシステム７０は、図１１、図１２および図１３に示されたものより簡単なアクチュエーションシステムを提供することができる。個別のアクチュエータステージは不要である。その代わりに、カバー２５の各部分は、基板テーブルＷＴ内の移動ガイド７２、７３のシステム内に実装されるピストン７１に接続される。
【０１４５】
[00164]  移動ガイド７２は、ピストン７１と連携して、カバー２５を閉位置から中間位置へ、基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１に対して実質的に垂直な方向へ移動するのに使用され得る。移動ガイド７３は、ピストン７１と連動して、カバー２５を、基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１に対して実質的に平行な方向へ移動するように構成することができる。カバー２５を、閉位置と開位置との間で移動するために、移動ガイド７２、７３の一方または両方を適切な負圧源または過圧源７４、７５に接続することにより、ピストン７１の片側または両側のガス圧を変化させることができる。
【０１４６】
[00165]  カバー２５は、閉位置では、基板Ｗの縁端部と基板テーブルの凹部２２の縁端部との間の隙間２３だけでなくさらなる隙間７７も覆うように構成することができる。例えば、さらなる隙間が、アクチュエータシステムと、基板ホルダからより遠く離れたさらなるコンポーネント７８などの基板テーブルの一部分との間に存在し得る。さらなるコンポーネント７８は、投影システムに対する基板テーブルＷＴの位置および／または変位を監視するために使用されるセンサシステムのコンポーネントであり得る。
【０１４７】
[00166]  図１９および図２０は、基板Ｗの縁端部と基板Ｗが支持される基板テーブルＷＴの凹部２２の縁端部との間の隙間２３を覆うようにカバー１２５の別の機構が設けられる本発明の一実施形態の断面図である。具体的には、本発明の一実施形態のカバー１２５は、基板テーブルＷＴの凹部２２に対する基板Ｗの着脱を可能にするために、基板テーブルＷＴから移動して離れるように構成することができる。このような機構では、カバー１２５を開位置へ移動する際にカバー１２５の開いた中央部分を拡大する必要はない。
【０１４８】
[00167]  上記で論じられた機構と同様に、カバー１２５は、基板Ｗの縁端部を取り囲む材料の薄板の形で構成される。カバー１２５は、基板Ｗの上部面の周辺領域４５から基板受け部分の上部面２１へ延在する。負圧源１２８に接続される、ガス出口用の開口１２７を設けることができる。カバー１２５の下部面１２５ａ上の空間の圧力は、カバー１２５の上部面１２５ｂ上のガス圧力より低いものであり得る。この圧力差は、カバー１２５を固定し、かつ使用期間中にカバー１２５のいかなる移動も実質的に防止するために用いられ得る。
【０１４９】
[00168]  カバー１２５の変形を防止または低減するために、カバーは、カバー１２５が凹部２２内の基板Ｗの頂部上に配置されたときカバー１２５の下部面１２５ａから凹部２２の下に延在する１つまたは複数のサポート１２６を含むことができる。
【０１５０】
[00169]  基板Ｗの着脱を可能にするためにカバー１２５を移動するために、ロボットアームなどのカバーハンドリングシステム１３０を設けることができる。カバーハンドリングシステム１３０は、具体的には、このようなカバー１２５が基板Ｗに接触しているかもしくは基板Ｗに近いとき、カバー１２５の移動は、基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１に対して実質的に垂直な方向のみであるように構成することができる。
【０１５１】
[00170]  上記で論じたように、例えば図１１から図１８に示された本発明の実施形態では、基板Ｗを基板テーブルＷＴに対して着脱することができる開位置から、カバー２５が基板テーブルＷＴの上部面２１から基板Ｗの周辺へ延在する閉位置へカバー２５を移動するアクチュエータシステムを設けることができる。閉位置では、具体的にはカバー２５がシールを形成する場合、カバー２５は、基板Ｗの周辺部分および基板テーブルＷＴの上部面２１と物理的に接触することがある。このような物理的接触によって、カバー２５、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの上部面２１のうち１つまたは複数に損傷が生じる恐れがある。したがって、適切な制御システムがアクチュエータシステムに設けられてもよい。
【０１５２】
[00171]  本発明の一実施形態では、カバー２５を位置決めするアクチュエータシステムを制御するために、コントローラが設けられる。基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴに対するカバーの正確な移動を保証するのを支援するために、コントローラは、少なくとも、基板テーブルＷＴの上部面２１に対する基板Ｗの周辺部分の上部面の（またはその逆の）高さを表すデータを用いることができる。このようなデータは、例えばあらかじめメトロロジーステーションで取得することができ、メトロロジーステーション１５２は、リソグラフィ装置の一部分またはリソグラフィ装置を含むリソグラフィシステムの一部分であり得る。
【０１５３】
[00172]  基板テーブルＷＴの上部面２１に対する基板Ｗの周辺部分の上部面の（またはその逆の）高さを示すデータに基づいて、コントローラは、カバー２５と基板Ｗの上部面および基板テーブルＷＴの上部面２１との間の所望の接触をもたらすためにカバー２５を移動するべき位置を求めることができる。
【０１５４】
[00173]  カバー２５を、コントローラによって求められた所望の位置へ移動するようにアクチュエータシステムを制御するために、コントローラ用の適切なフィードバック機構が設けられてもよい。
【０１５５】
[00174]  コントローラは、例えば液浸液の漏れの防止、低減、または最小化のために、閉位置におけるカバー２５の位置が、基板Ｗの周辺部分の上部面に十分に接近することまたはその上部面に接触することを保証するのを支援するように構成することができる。その代わりに、またはそれに加えて、コントローラは、カバー２５が閉位置にあるときカバー２５の下部面が基板Ｗの周辺部分の上部面に対して及ぼす力が、所与の範囲内にあることを保証するのを支援するように構成することができる。例えば、基板Ｗに損傷を与える可能性を防止または低下させるために、この力が特定の値未満であることを保証するのは望ましいものであり得る。その代わりに、またはそれに加えて、カバー２５の下の液浸液の漏れを制御するために十分な接触を保証するために、カバー２５の下部面が基板Ｗの周辺部分の上部面に対して及ぼす力が特定の値を上回ることを保証するのは望ましいことであり得る。
【０１５６】
[00175]  本発明の一実施形態では、基板テーブルＷＴの上部面２１に対する基板Ｗの周辺部分の上部面の（またはその逆の）高さを表すデータは、基板Ｗの周辺部分のまわりの複数の位置における相対的高さに関するデータを与えることができる。このようなデータから、コントローラは、基板Ｗの縁端部のまわりの複数の位置でカバー２５のそれぞれの部分の所望の位置を求めることが可能になり得る。
【０１５７】
[00176]  本発明の一実施形態では、アクチュエータシステムは、カバー２５のまわりの複数の位置で、カバー２５の高さを独立して調整することができるように対応して構成され得る。このような機構では、閉位置におけるカバー２５の位置決めを制御する際に、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの上部面の高さの局部的変動を考慮に入れることができる。これは、その結果として、液浸液の漏れならびに／あるいは基板Ｗ、基板テーブルＷＴおよび／またはカバー２５の損傷を、防止または低減するのを支援することができる。
【０１５８】
[00177]  上記で特定されたように、カバー２５が閉位置に移動したとき、カバー２５は基板Ｗの周辺部分の上部面に対して力を及ぼすことができる。この力は、カバー２５を移動するのに使用されるアクチュエータシステム用の制御システムの機構にかかわらず及ぼされ得ることを理解されたい。基板Ｗ上に加えられる力は、例えば基板の変形および／または基板Ｗを支持する基板テーブルＷＴのサポート部分の変形により、基板Ｗの上部面の移動を引き起こすのに十分なものであり得る。基板Ｗの上部面のこのような移動は、基板Ｗの上に形成されたパターンの誤差にもたらす恐れがあるので望ましくないことがある。
【０１５９】
[00178]  本発明の一実施形態では、カバー２５には、比較的柔軟な領域、すなわちカバーの残りの部分より低い剛性を有する領域が備わっていてもよい。このような比較的柔軟な部分は、カバー２５が閉位置に移動したとき、カバーに対して及ぼされるあらゆる力ならびに／あるいは基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴに対するカバーの位置決めにおけるあらゆる不正確さが、基板Ｗの変形または基板を支持する基板テーブルＷＴのサポート部分の変形ではなく、カバーの比較的柔軟な部分の変形をもたらすように構成され得る。
【０１６０】
[00179]  図２６から図３０は、比較的柔軟な部分を有する本発明の一実施形態のカバー２５の機構の概略断面図である。図２６から図２８に示されるように、カバー２５は、材料の単一部分から形成することができ、１つまたは複数の比較的柔軟な部分は、カバーの厚さが低減されるところに設けられてもよい。例えば、図２６に示されるように、カバー２５の１つまたは複数の縁端部１６１、１６２は、カバー２５の本体の残りの部分１６３より薄くてもよい。したがって、厚さが低減された部分１６１、１６２は、カバー２５の本体の残りの部分１６３より剛性が低い。
【０１６１】
[00180]  カバー２５の薄くなった部分１６１、１６２は、例えばカバー２５の内側および／または外側の縁端部の全体に沿ってカバー２５のまわりに広がってもよい。いくつかの機構では、比較的柔軟な部分を設けるために、カバー２５の１つの縁端部だけが薄くなった部分を有することになることも理解されよう。
【０１６２】
[00181]  このような機構は、上記で論じた、カバー２５の縁端部がテーパ状である実施形態と組み合わせられ得ることが理解されよう。この場合、薄くなった部分１６１、１６２の縁端部１６１ａ、１６２ａがテーパ状でもよいことが理解されよう。同様に、以下で説明される、図２７から図３２に示されるカバーの縁端部はテーパ状でもよい。しかし、このことは、以下で論じられる各実施形態では、簡略のために詳細には論じられない。
【０１６３】
[00182]  図２７に示されるように、カバー２５の比較的柔軟な部分は、カバー２５の下部面に溝１６５を形成することによってもたらされ得る。低減された厚さを有し、したがって低減された剛性を有する、カバー２５の関連する部分１６６が、溝１６５によってもたらされる。溝１６５がカバー２５のまわりに延在してもよいことが理解されよう。したがって、使用するとき、溝１６５は、基板Ｗの縁端部と基板テーブルＷＴの凹部の縁端部との間の隙間上に配置されてもよく、基板の全周辺のまわりに延在する。
【０１６４】
[00183]  図２７は、単一の溝１６５がカバー２５の下部面に設けられた機構を示しているが、カバー２５の部分の柔軟性を向上するために複数の溝を設けてもよいことが理解されよう。しかし、一般に、カバー２５が、使用するとき過度に変形しないことを保証するのを支援するために、カバー２５の本体の比較的高剛性を有する十分な部分、すなわちカバーの全厚さを有する部分を維持するのが望ましい。
【０１６５】
[00184]  図２８に示されるように、図２６および図２７に示された機構を組み合わせることができる。換言すれば、カバー２５は、カバー２５の縁端部の１つまたは複数において薄くなった部分１６１、１６２を有することができ、カバー２５の下部面には１つまたは複数の溝１６５も備わっていてもよい。
【０１６６】
[00185]  図２９から図３１にそれぞれ示されるように、さらなる機構に対応して、カバー２５の本体は、材料１７１の少なくとも１つのサポート部分に取り付けられた材料１７０の平面状の部分から形成することができる。材料１７０の平面状の部分と材料１７１のサポート部分との組合せによって、全厚さを有し、したがって比較的高剛性を有するカバー２５の本体の部分がもたらされる。カバー２５の本体の、材料１７１のサポート部分によって支持されない、平面状の材料１７０から形成された部分は、カバー２５の薄くなった比較的低剛性の部分１６１、１６２をもたらす。同様に、材料１７１の２つのサポート部分間の隙間は、カバー２５の比較的柔軟な部分をもたらす溝１６５をもたらす。
【０１６７】
[00186]  図２６から図３１に示されていないが、本発明のこの態様のカバー２５が、カバー２５をアクチュエータシステムに接続するためのサポートを含めて、上記で論じられたものなどのサポートを含み得ることが理解されよう。
【０１６８】
[00187]  図３２は、カバー２５の本体が１つまたは複数のサポート１７２によって支持される本発明の一実施形態を示す。示されるように、カバー２５は、カバー２５のどちらの縁端部にも薄くなった部分１６１、１６２を有し、カバー２５の比較的柔軟な部分をもたらす。また、複数の溝１６５が、カバー２５の下部面に設けられる。溝１６５は、それぞれが、カバー２５のそれぞれの縁端部と１つまたは複数のサポート１７２の位置との間の位置で、カバー２５のまわりに延在するように配置される。したがって、溝１６５は、カバー２５の付加的な比較的柔軟な部分をもたらす。この機構の変形形態では、カバー２５の比較的柔軟な部分の１つまたは複数が省略され得ることが理解されよう。
【０１６９】
[00188]  本文中では、ＩＣ製造時におけるリソグラフィ装置の使用に具体的に言及することがあるが、本明細書に説明されたリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（LCD）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、マイクロメートルスケールさらにはナノメートルスケールのフィーチャを有するコンポーネントの製造に用途を有し得ることを理解されたい。当業者なら、そのような代替用途の文脈では、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」のいかなる使用も、それぞれ、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義なものと見なしてもよいことを理解するであろう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジストの層を与え、露光後のレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてもよい。その上、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために複数回処理されてもよく、そのため、本明細書に用いられる用語の基板は、既に複数の処理層を含む基板を意味してもよい。
【０１７０】
[00189]  本明細書において使用されている「放射」および「ビーム」という用語には、紫外線（UV）放射（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する放射またはその近辺の波長を有する放射）を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
【０１７１】
[00190]  用語「レンズ」は、背景が許す場合、屈折および反射光学コンポーネントを含めて様々な型の光学コンポーネントのいずれか１つまたは組合せを意味することができる。
【０１７２】
[00191]  アクチュエータなど、本発明のコンポーネントの１つまたは複数の運動を操作するために、１つまたは複数のコントローラがあってもよい。これらのコントローラは、信号を受け取り、処理し、かつ、送信するのに適した任意の構成を有することができる。例えば、各コントローラは、前述の方法のための機械読取可能命令を含んだコンピュータプログラムを実行するための１つまたは複数のプロセッサを含むことができる。これらのコントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するためのデータ記憶媒体および／またはこのような媒体を受け入れるためのハードウェアを含むことができる。
【０１７３】
[00192]  以上、本発明の特定の実施形態について説明してきたが、本発明は、明示的に説明されている方法以外の方法で実施することも可能であることが理解されよう。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示した方法を記述した１つまたは複数の機械読取可能命令シーケンスを含んだコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取ることができる。さらに、機械読取可能命令は、複数のコンピュータプログラムの中で具体化することも可能である。これらの複数のコンピュータプログラムは、１つまたは複数の異なる記憶装置および／またはデータ記憶媒体に記憶させることができる。コンピュータプログラムは、本明細書で参照されたコントローラを制御するのに適切なものでもよい。
【０１７４】
[00193]  本発明の１つまたは複数の実施形態は、液浸液が槽の形態で提供されるものであれ、基板の局部表面領域にのみ提供されるものであれ、あるいは液浸液が基板上および／または基板テーブル上に閉じ込められないものであれ、任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができ、詳細には、それには限定されないが、上記で言及したタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め構造の場合、液浸液は、基板および／または基板テーブルの表面を流れることができ、したがって覆われていない基板テーブルおよび／または基板の表面の実質的に全体を濡らすことができる。このような非閉じ込め液浸システムの場合、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めることができないか、あるいは一部分の液浸液閉じ込めを実現することができるが、液浸液を実質的に完全に閉じ込めることはできない。
【０１７５】
[00194]  本明細書において企図されている液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、液体供給システムは、投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間に液体を供給する機構または構造体の組合せであってもよい。液体供給システムは、１つまたは複数の構造体、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口、および／または液体を空間に供給する１つまたは複数の液体出口を備えることができる。一実施形態では、この空間の表面は、基板および／または基板テーブルの一部であってもよく、あるいはこの空間の表面は、基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆うことも可能であり、あるいはこの空間は、基板および／または基板テーブルを包絡することも可能である。液体供給システムは、任意選択により、さらに、液体の位置、量、品質、形状、流量または他の任意の特徴を制御するための１つまたは複数のエレメントを含むことも可能である。
【０１７６】
[00195]  その上、本発明は、特定の実施形態および実施例との関連で開示されているが、本発明が、具体的に開示された実施形態以上に、他の代替実施形態および／または本発明の用途および明白な変更形態ならびにそれらの等価物を超えて拡大することが当業者には理解されよう。また、本発明の複数の変形形態が示され、詳細に説明されてきたが、本発明の範囲内に入る他の変更形態は、本開示に基づいて、当業者には容易に明らかになるはずである。例えば、実施形態の特定の特徴および態様の様々な組合せまたはサブ組合せが作製され得て、依然として本発明の範囲内に入るように企図されている。したがって、開示された発明の様々な態様を形成するために、開示された実施形態の様々な特徴および態様を、互いに組み合わせるかもしくは置換することができることを理解されたい。したがって、本明細書に開示された本発明の範囲は、開示された特定の前述の実施形態によって限定されるべきでなく、以下の特許請求の範囲を正しく読み取ることによってのみ判断されるべきであることが意図されている。
【０１７７】
[00196]  上記の説明は、限定するものではなく、例示のためのものである。したがって、添付の記載した特許請求の範囲から逸脱することなく、説明したように本発明に対して修正を行えることが、当業者には明らかであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【外国語明細書】
2011192994000001.pdf