(57)【要約】【課題】ＭＭＦを伝送されて劣化した信号波形を連続的に補正できる波形整形回路及び波形整形回路の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、ＰＤ１、第１コンデンサ２、第２コンデンサ３、抵抗４、インダクタンス５、正側信号線７及び負側信号線８を有する。ＰＤ１は、正側信号線７と負側信号線８との間に接続される。第１コンデンサ２は、ＰＤ１の一端と正側信号線７との間に接続される。第２コンデンサ３は、ＰＤ１と並列に接続される。抵抗４及びインダクタンス５は、ＰＤ１と直列に接続される。【選択図】図１
2011114458.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１出力端子及び第２出力端子と、
前記第１出力端子と前記第２出力端子との間に接続され、入射する光に対応した電流信号を生成するフォトディテクタと、
前記フォトディテクタの一端と前記第１出力端子との間に接続される容量と、
前記フォトディテクタと並列に接続される可変容量と、
前記フォトディテクタと直列に接続される抵抗及びインダクタンスと、を少なくとも備える、
波形整形回路。
【請求項２】
前記可変容量は印加される電圧に依存して容量が変化する、
請求項１に記載の波形整形回路。
【請求項３】
前記容量は前記フォトディテクタとモノリシックに形成される、
請求項１又は２に記載の波形整形回路。
【請求項４】
前記第可変容量は前記フォトディテクタとモノリシックに形成される、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の波形整形回路。
【請求項５】
前記抵抗は前記フォトディテクタとモノリシックに形成される、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の波形整形回路。
【請求項６】
前記インダクタンスは薄膜コイル又はワイヤボンディングである、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の波形整形回路。
【請求項７】
前記インダクタンスは前記フォトディテクタとモノリシックに形成される、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の波形整形回路。
【請求項８】
電気回路が形成された基板を更に備え、
前記フォトディテクタ及び前記インダクタンスは前記基板上に搭載される、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の波形整形回路。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の波形整形回路と、
前記第１及び第２の出力端子と接続され、増幅器を有する電気回路と、を少なくとも備える、
光受信モジュール。
【請求項１０】
前記増幅器を有する電気回路は集積回路として形成されている、
請求項９に記載の光受信モジュール。
【請求項１１】
入射する光に対応した電流信号を生成するフォトディテクタを、前記第１出力端子と前記第２出力端子との間に接続し、
容量を、前記フォトディテクタの一端と前記第１出力端子との間に接続し、
可変容量を、前記フォトディテクタと並列に接続し、
抵抗及びインダクタンスを、前記フォトディテクタと直列に接続する、
波形整形回路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波形整形回路、波形整形回路の製造方法及び光受信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
インターネットを用いた情報処理量が増大している。こうした情報処理量の増大に伴い、光ファイバを用いた信号伝送の高速化が求められている。ところが、新規の情報インフラにバージョンアップすることは、大きな費用負担が生じるため容易ではない。そのため、ＭＭＦ（Multi Mode Fiber）などの既存の敷設品を有効活用することにより、システムのバージョンアップコストを抑制したいという要望が大きい。しかし、既存の光ファイバを用いる場合には帯域が狭い場合が多く、光信号がＭＭＦにより伝送される際に、波形ゆがみが生じる。このゆがんだ波形が通常の光受信機（例えば、非特許文献２）等に入力されると、その出力波形にもゆがみが生じる。
【０００３】
図９Ａ及び図９Ｂは、光ファイバを通過した光信号の波形のアイパターンを示す図である。ここで、図９Ａは帯域の広い（広帯域）光ファイバを通過した場合であり、図９Ｂは帯域の狭い（狭帯域）光ファイバを通過した場合である。それぞれの場合を比較すると、狭帯域光ファイバでは信号の変動幅は変わらないが、シンボル間干渉（以下ＩＳＩ：Intersymbol interference）によるジッタの増加により、時間方向のアイの幅が狭くなる。また、高周波成分の立ち上がり時間と立ち下がり時間が大きくなり、アイ高さが小さくなる。
【０００４】
一般的なレシーバＩＣ（Integrated Circuit）では、フォトディテクタで発生したフォトカレントは、増幅器により電圧信号として増幅される。そして、この電圧信号は、リミッタ回路により信号の０レベルと１レベルとをリミッティングされる、又は、ＡＧＣ（Automatic Gain Control）回路を介して、出力振幅が制御される。さらに、場合によっては、信号はイコライザ回路を通ることにより、波形ゆがみが調整される。このような例として、preemphasis / deemphasisなどの効果を有するイコライザ（以下ＥＱ：Equalizer）を、増幅器の後段に付加する方法が提案されている（例えば、非特許文献１、ｆｉｇｕｒｅ２）。非特許文献１においては、フォトダイオード(フォトディテクタ)を、ＲＩＮ＋及びＲＩＮ−に接続して用いる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】"1.0625Gbps to 10.32Gbps, Integrated, Low-Power SFP+ Limiting Amplifier and VCSEL Driver MAX3798"、１５ページ、［online］、［平成２１年１１月９日検索］、インターネット<ＵＲＬ：http://datasheets.maxim-ic.com/en/ds/MAX3798.pdf>
【非特許文献２】G. P. Agrawal、"Fiber-optic communication systems second edition"、１５０ページ、Figure 4.12、JOHN WILEY & SONS
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上述の例では、ＥＱにオンオフの２段階の設定機能しかなく、連続的に波形を整形することができない。そのため、波形整形の際に微調整ができない問題があった。
【０００７】
また、後段にＥＱを配置して波形を整形しても、ノイズプロファイルも一緒に増幅されてしまうため、ジッタの低減に有効ではないという問題があった。図９Ｂに示すように、ＭＭＦによる波形の減衰があると、ＩＳＩに伴う波形ゆがみを増加させる他に波形の立ち上がり立下り速度が小さくなる。その影響を説明するために、図１０に、高周波成分を代表して１０繰り返し信号によるＭＭＦ伝送後のアイ波形を示す図を示した。
【０００８】
図１０は、高周波成分を代表して１０繰り返し信号によるＭＭＦ伝送後のアイ波形を示す図である。図１０には、（ａ）光入力波形、（ｂ）光信号増幅波形、（ｃ）リミッティング後波形及び（ｄ）ＥＱ通過後波形である。図１０（ａ）に示す波形が入力された場合に、入力感度以下の部分はノイズ（ハッチング領域）となる。振幅方向では見かけのアイ開口ｂから入力感度ａを差し引いたｃが実効的なアイ開口となる。時間方向も見かけのアイ開口ｅに対して、ノイズ分ｄ１＋ｄ２を差し引いたものｆが実効的なアイ開口となる。すなわち、ｄ１＋ｄ２分のジッタが増加し、時間方向にアイがつぶれる。このジッタ増加分はリミッティング後およびＥＱ通過後も保持される。
【０００９】
さらに、リミッティングという非線形応答の後にイコライジングを行っても、光入力波形のＩＳＩを十分に補正できない問題があった。
【００１０】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ＭＭＦを伝送されて劣化した信号波形を連続的に補正できる波形整形回路及び波形整形回路の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様である波形整形回路は、第１出力端子及び第２出力端子と、前記第１出力端子と前記第２出力端子との間に接続され、入射する光に対応した電流信号を生成するフォトディテクタと、前記フォトディテクタの一端と前記第１出力端子との間に接続される容量と、前記フォトディテクタと並列に接続される可変容量と、前記フォトディテクタと直列に接続される抵抗及びインダクタンスと、を少なくとも備えるものである。
【００１２】
本発明の一態様である波形整形回路の製造方法は、入射する光に対応した電流信号を生成するフォトディテクタを、前記第１出力端子と前記第２出力端子との間に接続し、容量を、前記フォトディテクタの一端と前記第１出力端子との間に接続し、可変容量を、前記フォトディテクタと並列に接続し、抵抗及びインダクタンスを、前記フォトディテクタと直列に接続するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ＭＭＦを伝送されて劣化した信号波形を連続的に補正できる波形整形回路及び波形整形回路の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態１にかかる光受信モジュールの回路図である。
【図２Ａ】実施の形態２にかかる波形整形回路の上面図である。
【図２Ｂ】実施の形態２にかかる波形整形回路におけるフォトディテクタの断面図である。
【図２Ｃ】実施の形態２にかかる波形整形回路におけるフォトディテクタの断面図である。
【図３】実施の形態３にかかる光受信モジュールの上面図である。
【図４Ａ】実施の形態４にかかる波形整形回路の上面図である。
【図４Ｂ】実施の形態４にかかる波形整形回路におけるフォトディテクタの断面図である。
【図４Ｃ】実施の形態４にかかる波形整形回路におけるフォトディテクタの断面図である。
【図４Ｄ】実施の形態４にかかる波形整形回路におけるフォトディテクタの断面図である。
【図５】実施例１にかかる光受信モジュールの周波数応答を示すグラフである。
【図６Ａ】実施例１にかかる光受信モジュール１０に広帯域ＭＭＦを通過した光入力波形が入力された場合の出力波形を示す図である。
【図６Ｂ】実施例１にかかる光受信モジュール１０に狭帯域ＭＭＦを通過した光入力波形が入力された場合の出力波形を示す図である。
【図７Ａ】実施例１にかかる光受信モジュール１０に広帯域ＭＭＦを通過した光入力波形が入力された場合の出力波形を示す図である。
【図７Ｂ】実施例１にかかる光受信モジュール１０に狭帯域ＭＭＦを通過した光入力波形が入力された場合の出力波形を示す図である。
【図８Ａ】実施例１にかかる光受信モジュール１０に広帯域ＭＭＦを通過した光入力波形が入力された場合の出力波形を示す図である。
【図８Ｂ】実施例１にかかる光受信モジュール１０に狭帯域ＭＭＦを通過した光入力波形が入力された場合の出力波形を示す図である。
【図９Ａ】広帯域ＭＭＦを通過した光入力波形を示す図である。
【図９Ｂ】狭帯域ＭＭＦを通過した光入力波形を示す図である。
【図１０】１０繰り返し信号によるＭＭＦ伝送後の信号波形を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
実施の形態１
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態１にかかる光受信モジュール１０の回路図である。光受信モジュール１０は、図１に示すように、波形整形回路２０、電源６及びレシーバＩＣ９により構成される。
【００１６】
波形整形回路２０は、フォトディテクタ（以下ＰＤ）１、第１コンデンサ２、第２コンデンサ３、抵抗４、インダクタンス５を有する。そして、正側信号線７及び負側信号線８を介してレシーバＩＣ９と接続されている。すなわち、正側信号線７及び負側信号線８は、レシーバＩＣに信号を出力する出力端子として機能する。
【００１７】
ＰＤ１、抵抗４及びインダクタンス５は電源６に対して直列に接続される。第１コンデンサ２の一端は正側信号線７と、他端はＰＤ１の正側端子と、接続される。また、ＰＤ１の負側端子は、負側信号線８とも接続される。第２コンデンサ３は、ＰＤ１と並列に接続される。ここで、第２コンデンサ３は、ＰＮ接合などの電圧に依存して容量が変化する可変容量コンデンサ（バリキャップ）を用いることができる。
【００１８】
従って、波形整形回路２０によれば、ＰＤ１からのフォトカレントを抽出する過程で交流成分を抽出し、その低周波成分を減衰させる。そして、低周波成分が減衰した交流成分は、第１コンデンサ２を介してレシーバＩＣ９に入力される。また、フォトカレントの直流成分は、抵抗４、インダクタンス５及び第１の電源６を介してレシーバＩＣ９に入力されることとなる。
【００１９】
また、波形整形回路２０の周波数応答は、第２コンデンサ３の容量を変化させることで制御することができる。これにより、本構成によれば、第２コンデンサ３に印加する電圧を調整してアナログ的にイコライジングを施すことにより、出力波形を連続的に調整することができる。
【００２０】
また、低周波成分を減衰させて高周波の交流成分のみを取り出すことにより、ＭＭＦでの減衰を補正できる。これにより、立ち上がり時間、立下り時間の小さい波形を出力することができる。さらに、併せてＩＳＩを補正することもできる。これにより、ＭＭＦで生じたＩＳＩを補正することが可能となる。
【００２１】
実施の形態２
次に、実施の形態２にかかる波形整形回路について説明する。本実施の形態にかかる波形整形回路は、実施の形態１における波形整形回路の構成例であり、ＰＤを搭載する子基板上に、コンデンサ及び抵抗を搭載する構成である。図２Ａは、実施の形態２にかかる波形整形回路１００の上面図である。波形整形回路１００は、図２Ａに示すように、例えばセラミックからなる子基板１１０に、ＰＤ１０１、コンデンサ１０２、バリキャップコンデンサ１０３が搭載される。コンデンサ１０２は、図１に示す第１コンデンサ２に相当する。バリキャップコンデンサ１０３は図１に示す第２コンデンサ３に相当する。
【００２２】
子基板１１０には、抵抗線１０４、ワイヤボンディング１０５、パッド１１１、貫通ビアつきパッド１１２〜１１４及び電極パッド１１５が形成されている。抵抗線１０４、ワイヤボンディング１０５、パッド１１１、貫通ビアつきパッド１１４及び電極パッド１１５は電気的に接続されている。コンデンサ１０２は、電極パッド１１５及び貫通ビアつきパッド１１２と接続される。バリキャップコンデンサ１０３は、電極パッド１１５及び貫通ビアつきパッド１１３と接続される。貫通ビアつきパッド１１２は、ＦＲ―４（Flame Retardant Type 4）基板等にビルドアップで形成された電気伝送路１１６を介して、レシーバＩＣの正側信号線に接続される。同様に、貫通ビアつきパッド１１３は電気伝送路１１７を介して、レシーバＩＣの負側信号線に接続される。貫通ビアつきパッド１１４は電気伝送路１１８を介して、電源（不図示）と接続される。
【００２３】
ＰＤ１０１は、裏面入射構造を有しており、フリップチップ実装により、受光面を上として子基板１１０に搭載される。ＰＤ１０１の中央付近には、受光部１４０が設けられる。ＰＤ１０１の下面側には、電極１２３及び電極１２４が形成されている。電極１２３は、バンプを介して電極パッド１１５と接続される。電極１２４は、バンプを介して貫通ビアつきパッド１１３と接続される。
【００２４】
続いて、ＰＤ１０１の断面構造について説明する。図２Ｂは、図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線での波形整形回路１００のＰＤ１０１の断面図である。図２Ｃは、図１のＩＩＣ−ＩＩＣ線での波形整形回路１００のＰＤ１０１の断面図である。ＰＤ１０１は、図２Ｂに示すように、受光部１４０においては、半導体基板１２０の下面側に光吸収層１２１、半導体層１２２及び電極１２３が順に形成されている。また、受光部１４０から離れた半導体基板１２０の下面側には、電極１２４が形成されている。ここで、半導体基板１２０の導電型は例えばｎ型であり、半導体層１２２の導電型は例えばｐ型である。さらに、入射光の反射を抑制するため、半導体基板１２０の上面にはＡＲ（Anti Refrection）コート１２５が形成されている。
【００２５】
さらに、図２Ｃに示すように、受光部１４０に接して、誘電体層１２６が形成されている。誘電体層１２６は、例えばポリイミドを用いて形成することができる。また、電極１２３は、この誘電体層１２６の下面に延在して形成される。図２Ｃのその他の構成は、図２Ｂと同様である。
【００２６】
本構成によれば、実施の形態１にかかる光受信モジュールの波形整形回路を、簡便な回路構成で具体的に構成することができる。
【００２７】
実施の形態３
次に、実施の形態３にかかる光受信モジュールについて説明する。本実施の形態にかかる光受信モジュールは、レシーバＩＣにコンデンサ、抵抗及びインダクタンスが搭載されたものである。図３は、実施の形態３にかかる光受信モジュール２００の上面図である。光受信モジュール２００は、図３に示すように、ＩＣ２１０上に、図２Ａ〜Ｃに示すＰＤ１０１が搭載される。
【００２８】
ＩＣ２１０内には、コンデンサ２０２、バリキャップコンデンサ２０３及び抵抗２０４がモノリシックに形成されている。コンデンサ２０２、バリキャップコンデンサ２０３及び抵抗２０４は、ＩＣ２１０内で電気的に接続されている。コンデンサ２０２は、図１に示す第１コンデンサ２に相当する。バリキャップコンデンサ２０３は図１に示す第２コンデンサ３に相当する。また、抵抗２０４は、図１に示す抵抗４に相当する。
【００２９】
ＩＣ２１０上には、パッド２１１、パッド２１３〜２１５及び薄膜コイル２０５が形成されている。薄膜コイル２０５は、図１に示すインダクタンス５に相当する。パッド２１５、抵抗２０４、パッド２１１、薄膜コイル２０５及びパッド２１４は、電気的に接続されている。
【００３０】
ＰＤ１０１では、電極１２３が、パッド２１５を介して、抵抗２０４及びコンデンサ２０２と接続される。電極１２４は、パッド２１３を介して、バリキャップコンデンサ２０３と接続される。
【００３１】
本構成によれば、実施の形態１にかかる光受信モジュールを、簡便な回路構成で具体的に構成することができる。
【００３２】
また、本構成によれば、ＩＣ内にコンデンサ、抵抗及びインダクタンスをモノリシックに形成することで、コンデンサ、抵抗及びインダクタンスを基板上に配置する場合と比べて、部品点数を削減し、実装及び部品に要するコストを低減することができる。
【００３３】
実施の形態４
次に、実施の形態４にかかる波形整形回路について説明する。本実施の形態にかかる波形整形回路は、実施の形態１における波形整形回路の構成例であり、ＰＤに抵抗及びキャパシタンスがモノリシックに搭載される構成である。図４Ａは、実施の形態４にかかる波形整形回路３００の上面図である。図４Ａに示すように、例えばセラミックからなる子基板３１０上にＰＤ３０１が搭載される。
【００３４】
子基板３１０上には、パッド３１１、貫通ビアつきパッド３１２〜３１４及び薄膜コイル３０５が形成されている。パッド３１１、薄膜コイル３０５及び貫通ビアつきパッド３１４は電気的に接続されている。貫通ビアつきパッド３１２は、ＦＲ―４（Flame Retardant Type 4）材料にビルドアップで形成された電気伝送路３１６を介して、レシーバＩＣの正側信号線に接続される。同様に、貫通ビアつきパッド３１３は電気伝送路３１７を介して、レシーバＩＣの負側信号線に接続される。貫通ビアつきパッド３１４は電気伝送路３１８を介して、電源と接続される。薄膜コイル３０５は、図１に示すインダクタンス５に相当する。
【００３５】
ＰＤ３０１は、裏面入射構造を有しており、コンデンサ３０２、バリキャップコンデンサ３０３及び抵抗３０４がモノリシックに集積されている。そして、ＰＤ３０１は、フリップチップ実装により、受光面を上として子基板３１０に搭載される。ＰＤ３０１の中央付近には、受光部３４０が設けられる。ここで、コンデンサ３０２は、図１に示す第１コンデンサ２に相当する。バリキャップコンデンサ３０３は、図１に示す第２コンデンサ３に相当する。
【００３６】
ＰＤ３０１の下面側には、電極３２３及び電極３２４が形成されている。電極３２３は、バンプを介して貫通ビアつきパッド３１２と接続される。また、電極３２４は、バンプを介して貫通ビアつきパッド３１３と接続される。
【００３７】
また、ＰＤ３０１の下面側には、抵抗３０４と電気的に接続されるパッド３１５及びパッド３３６が形成されている。パッド３１５は、配線３３７を介して、コンデンサ３０２及びバリキャップコンデンサ３０３と接続されている。パッド３３６は、パッド３１１と電気的に接続される。
【００３８】
続いて、ＰＤ３０１の断面構造について説明する。図４Ｂは、図１のＩＶＢ−ＩＶＢ線での波形整形回路３００のＰＤ３０１の断面図である。図４Ｃは、図１のＩＶＣ−ＩＶＣ線での波形整形回路３００のＰＤ３０１の断面図である。図４Ｄは、図１のＩＶＤ−ＩＶＤ線での波形整形回路３００のＰＤ３０１の断面図である。ＰＤ１０１は、図４Ｂに示すように、半導体基板３２０の下面側に半導体層３３１が形成されている。そして、受光部３４０においては、半導体層３３１の下面に光吸収層３２１、半導体層３２２及び電極３２３が順に形成されている。また、受光部３４０から離れた半導体層３３１の下面には、電極３２４が形成されている。ここで、半導体基板１２０は例えば半絶縁性基板である。半導体層３３１の導電型は例えばｎ型であり、半導体層３２２の導電型は例えばｐ型である。また、受光部３４０に接して、誘電体層３２６が形成されている。誘電体層３２６は、例えばポリイミドを用いて形成することができる。誘電体層の下面には、電極３３２、誘電体層３３３及び電極３３４が順に形成されている。これらの電極３３２、誘電体層３３３及び電極３３４は、コンデンサ３０２を構成する。さらに、また、入射光の反射を抑制するため、半導体基板３２０の上面にはＡＲ（Anti Refrection）コート３２５が形成されている。
【００３９】
また、ＰＤ３０１は、図４Ｃに示すように、バリキャップコンデンサ３０３が形成される部分に、半導体層３３１の下面に光吸収層３２１、半導体層３２２及び電極３３８が順に形成される。これにより、半導体層３３１、光吸収層３２１及び半導体層３２２がバリキャップコンデンサ３０３を構成する。そして、電極３２３と電極３３８とは、配線３３７により電気的に接続される。ここで、バリキャップコンデンサ３０３の容量の電圧依存性を調整する方法としては、例えば、イオン注入を用いることができる。バリキャップコンデンサ３０３以外の部分をレジストマスクなどで保護して、例えばｐ型のドーパントをイオン注入することにより、バリキャップコンデンサ３０３容量の電圧依存性を制御することができる。図４Ｃのその他の構成は、図４Ｂと同様である。
【００４０】
さらに、ＰＤ３０１は、図４Ｄに示すように、受光部３４０に接して、誘電体層３２６が形成され、その誘電体層３２６の下面には、配線３３７、パッド３１５、抵抗３０４及びパッド３３６が形成されている。図４Ｄのその他の構成は、図４Ｂと同様である。
【００４１】
本構成によれば、実施の形態１にかかる光受信モジュールの波形整形回路を、簡便な回路構成で具体的に構成することができる。
【００４２】
また、本構成によれば、ＰＤにコンデンサ、抵抗をモノリシックに形成することで、コンデンサ、抵抗を基板上に配置する場合と比べて、部品点数を削減し、実装及び部品に要するコストを低減することができる。さらに、ＰＤにインダクタンスをモノリシックに形成してもよい。この場合、さらなるコスト低減を図ることができる。
【００４３】
実施例１
以下では、本発明の実施例１について説明する。実施例１では、上述の実施の形態１にかかる光受信モジュール１０において、ＰＤ１０１の容量を１３０ｆＦ、コンデンサ１０２の容量を１００００ｐＦ、バリキャップコンデンサ１０３の容量Ｃｖの変化範囲を１００〜５００ｆＦ、ワイヤボンディング１０５のインダクタンスを１ｎＨ、抵抗線１０４の抵抗値を４０Ωとした。図５は実施例１にかかる光受信モジュールの周波数応答を示すグラフである。図５では、通常のＰＤのカソード及びアノードをそれぞれＩＣのマイナス側信号線、プラス側信号線にそれぞれつないだ場合（ケース０）、実施例１の条件下での光受信モジュール１０の周波数応答について、Ｃｖ＝５００ｆＦ（ケース１）及びＣｖ＝１００ｆＦ（ケース２）の場合について示した。光受信モジュール１０を用いることで、図５に示すように、連続的に周波数応答を調整することが可能となった。
【００４４】
先に述べたように、図９Ａは広帯域ＭＭＦを用いた場合のＰＤ入力波形であり、図９Ｂは狭帯域ＭＭＦを用いた場合のＰＤ入力波形である。
【００４５】
図６Ａは、図９Ａに示す入力波形が入力された場合の実施例１にかかる光受信モジュール１０の出力波形である。図６Ｂは、図９Ｂに示す入力波形が入力された場合の実施例１にかかる光受信モジュール１０の出力波形である。但し、図６Ａ及び図６Ｂにおけるバリキャップコンデンサ１０３の容量は５００ｆＦに設定した。
【００４６】
図７Ａは、図９Ａに示す入力波形が入力された場合の実施例１にかかる光受信モジュール１０の出力波形である。図７Ｂは、図９Ｂに示す入力波形が入力された場合の実施例１にかかる光受信モジュール１０の出力波形である。但し、図７Ａ及び図７Ｂにおけるバリキャップコンデンサ１０３の容量は１００ｆＦに設定した。
【００４７】
図８Ａは、図９Ａに示す入力波形が入力された場合の通常の光受信モジュール１０の出力波形である。図８Ｂは、図９Ｂに示す入力波形が入力された場合の通常の光受信モジュール１０の出力波形である。
【００４８】
これらより、本発明にかかる波形整形回路及び光受信モジュールによれば、狭帯域ＭＭＦを用いた場合でも、バリキャップコンデンサの容量を調整することにより、ジッタを低減できることが確認できた。
【００４９】
その他の実施の形態
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、実施の形態１及び３では、ＦＲ４基板等の上に子基板及びＩＣを配置しているが、例えば子基板上にＩＣを搭載してもよい。
【００５０】
また、インダクタンスとして使用したワイヤボンディングと薄膜コイルとは、相互に置き換えることができる。更に、インダクタンスとして用いることができるのでれば、別の素子を用いてもよい。
【００５１】
ＰＤにおける半導体の導電型は、上記の実施例に限られるものではなく、例えば、ｐ型とｎ型を入れ換えてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１  ＰＤ（フォトディテクタ）
２  第１コンデンサ
３  第２コンデンサ
４  抵抗
５  インダクタンス
６  電源
７  正側信号線
８  負側信号線
９  レシーバＩＣ
１０、２００  光受信モジュール
２０、１００、３００  波形整形回路
１０１、３０１  フォトディテクタ
１０２、２０２、３０２  コンデンサ
１０３、２０３、３０３  バリキャップコンデンサ
１０４、３０４  抵抗線
１０５  ワイヤボンディング
１１０、３１０  子基板
１１１、３１１、３１５  パッド
１１２〜１１４、３１２〜３１４  貫通ビアつきパッド
１１５  電極パッド
１１６〜１１８、３１６〜３１８  電気伝送路
１２０、３２０  半導体基板
１２１、３２１  光吸収層
１２２、３２２  半導体層
１２３、１２４、３２３、３２４  電極
１２５、３２５  ＡＲコート
１２６、３２６  誘電体層
１４０、３４０  受光部
２０４  抵抗
２０５、３０５  薄膜コイル
２１０  ＩＣ
２１１、２１３〜２１５  パッド
３３１  半導体層
３３２、３３４、３３８  電極
３３３  誘電体層
３３４  電極
３３６  パッド
３３７  配線
【図１】
2011114458.tif 000003
【図２Ａ】
2011114458.tif 000004
【図２Ｂ】
2011114458.tif 000005
【図２Ｃ】
2011114458.tif 000006
【図３】
2011114458.tif 000007
【図４Ａ】
2011114458.tif 000008
【図４Ｂ】
2011114458.tif 000009
【図４Ｃ】
2011114458.tif 000010
【図４Ｄ】
2011114458.tif 000011
【図５】
2011114458.tif 000012
【図６Ａ】
2011114458.tif 000013
【図６Ｂ】
2011114458.tif 000014
【図７Ａ】
2011114458.tif 000015
【図７Ｂ】
2011114458.tif 000016
【図８Ａ】
2011114458.tif 000017
【図８Ｂ】
2011114458.tif 000018
【図９Ａ】
2011114458.tif 000019
【図９Ｂ】
2011114458.tif 000020
【図１０】
2011114458.tif 000021