(57)【要約】      （修正有）【課題】製造コストの上昇を抑制するとともに、半導体装置の有する半導体集積回路と配線パターン（再配線）とを電気的に接続する接続端子の間隔の微細化が可能な半導体装置内蔵基板及びその製造方法。【解決手段】接続端子１２を覆うように半導体集積回路上に第１絶縁層１３を形成する工程を含む工程により半導体装置１０を製造する第１工程と、前記半導体装置１０の少なくとも側面部を埋めるように、前記接続端子１２の露出部側の面１３Ａに凹部４１Ｘが設けられた第２絶縁層４１を形成する第２工程と、前記第１絶縁層１３の前記接続端子１２の露出部側の面１３Ａ、及び前記第２絶縁層４１の前記凹部４１Ｘを含む領域に、前記第２絶縁層４１の前記凹部４１Ｘの形状に対応する凹部１４Ｘを有し前記接続端子１２の露出部と電気的に接続する配線パターン１４を形成する第３工程と、を有する。【選択図】図１６
2011114304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路に形成された電極パッド上に接続端子を形成する工程と、前記接続端子を覆うように前記半導体集積回路上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層上に、前記第１絶縁層と対向する側の面が粗面とされた板状体を配設する工程と、前記板状体の前記粗面を前記第１絶縁層に圧着することにより、前記接続端子の一部を前記第１絶縁層から露出させる工程と、前記板状体を除去する工程と、を含む工程により半導体装置を製造する第１工程と、
前記半導体装置の少なくとも側面部を埋めるように、前記接続端子の露出部側の面に凹部が設けられた第２絶縁層を形成する第２工程と、
前記第１絶縁層の前記接続端子の露出部側の面、及び前記第２絶縁層の前記凹部を含む領域に、前記第２絶縁層の前記凹部の形状に対応する凹部を有し前記接続端子の露出部と電気的に接続する配線パターンを形成する第３工程と、を有する半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２工程は、一方の面に凸部が設けられた支持体を準備し、前記接続端子の露出部が前記支持体の前記一方の面と対向するように、前記半導体装置を前記支持体の前記一方の面の前記凸部を含まない領域に配置する第２Ａ工程と、
前記支持体の前記一方の面に配置された前記半導体装置の少なくとも側面部を埋めるように、前記支持体の前記一方の面の前記凸部を含む領域に第２絶縁層を形成する第２Ｂ工程と、
前記支持体を除去し、前記第２絶縁層に前記凸部に対応する前記凹部を形成する第２Ｃ工程と、を有する請求項１記載の半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２工程は、第１支持体を準備し、前記接続端子の露出部が前記第１支持体の一方の面と対向するように、前記半導体装置を前記第１支持体の前記一方の面に配置する第２Ｄ工程と、
一方の面に凸部が設けられた第２支持体を準備し、前記半導体装置が配置された前記第１支持体の他方の面を前記第２支持体の前記一方の面と対向させ、前記第２支持体の前記凸部を含まない領域に前記半導体装置が配置されるように、前記第１支持体を前記第２支持体の前記一方の面に吸着保持させ、前記第１支持体の前記一方の面に前記第２支持体の前記凸部の形状に対応する凸部を形成する第２Ｅ工程と、
前記第１支持体の前記一方の面に配置された前記半導体装置の少なくとも側面部を埋めるように、前記第１支持体の前記一方の面の前記凸部を含む領域に第２絶縁層を形成する第２Ｆ工程と、
前記第１支持体及び前記第２支持体を除去し、前記第２絶縁層に前記第１支持体の前記凸部に対応する前記凹部を形成する第２Ｇ工程と、を有する請求項１記載の半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１絶縁層の前記接続端子の露出部側の面、及び前記第２絶縁層の前記凹部を含む領域に、前記第２絶縁層の前記凹部に形成された前記配線パターンの少なくとも一部を露出する開口部が設けられた第３絶縁層を形成する第４工程を更に有する請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項５】
前記第３絶縁層上に、前記開口部内に露出する前記配線パターンと電気的に接続される外部接続端子を形成する第５工程を更に有する請求項４記載の半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項６】
前記第４工程では、前記第２絶縁層の前記凹部に形成された前記配線パターンの一部のみを前記開口部から露出する請求項４又は５記載の半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
前記第４工程では、前記第２絶縁層の前記凹部の底面に形成された前記配線パターンのみを前記開口部から露出する請求項６記載の半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２工程において、前記半導体装置の前記側面部及び裏面部を埋めるように、前記第２絶縁層を形成する請求項１乃至７の何れか一項記載の半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
半導体集積回路に形成された電極パッド上に接続端子が形成され、前記半導体集積回路上に前記接続端子の一部を露出する第１絶縁層が形成された半導体装置と、
前記半導体装置の少なくとも側面部を埋め、前記接続端子の露出部側の面に凹部が形成された第２絶縁層と、
前記第１絶縁層の前記接続端子の露出部側の面、及び前記第２絶縁層の前記凹部を含む領域に形成され、前記第２絶縁層の前記凹部の形状に対応する凹部を有し前記接続端子の露出部と電気的に接続する配線パターンと、
前記第１絶縁層の前記接続端子の露出部側の面、及び前記第２絶縁層の前記凹部を含む領域に、前記第２絶縁層の前記凹部に形成された前記配線パターンの一部のみを露出する開口部が設けられた第３絶縁層と、を有する半導体装置内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置を内蔵する半導体装置内蔵基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置を内蔵する配線基板（以降、半導体装置内蔵基板とする）が知られている。半導体装置内蔵基板の製造方法としては、例えば、半導体装置に、半導体装置の有する半導体集積回路と電気的に接続される接続端子であるバンプを形成して配線基板に埋め込み、絶縁層で半導体装置の周囲を被覆した後、絶縁層にレーザで孔明けしてバンプを露出させ、露出したバンプに配線パターン（再配線）を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
又、半導体装置に、半導体装置の有する半導体集積回路と電気的に接続される接続端子であるバンプを形成する第１の工程と、バンプ上に絶縁層を形成する第２の工程と、絶縁層にレーザで孔明けしてバンプに到達するビアホールを形成する第３の工程と、ビアホールに充填されるビア配線と、ビア配線に接続される配線パターン（再配線）とを形成する第４の工程と、を有し、ビアホールを形成する場合にバンプをレーザのストッパ層として用いる方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第２８４２３７８号
【特許文献２】特開２００５−３３２８８７号公報
【特許文献３】特開２００６−２２２１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の半導体装置内蔵基板の製造方法では、半導体装置の有する半導体集積回路と配線パターン（再配線）とを電気的に接続する接続端子であるバンプが隠れるように半導体装置上に絶縁層を形成して半導体装置を埋め込み、レーザで孔明けしてバンプを露出させる。このため、レーザで孔明けする工程に時間がかかり、半導体装置内蔵基板の製造コストを上昇させるという問題があった。
【０００６】
又、レーザは所定のスポット径（例えば、直径７０μｍ程度）で照射されるので、半導体装置の有する半導体集積回路と配線パターン（再配線）とを電気的に接続する接続端子であるバンプの間隔を１５０μｍ程度までしか微細化できないという問題があった。
【０００７】
上記の点に鑑み、製造コストの上昇を抑制するとともに、半導体装置の有する半導体集積回路と配線パターン（再配線）とを電気的に接続する接続端子の間隔の微細化が可能な半導体装置内蔵基板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本半導体装置内蔵基板の製造方法は、半導体集積回路に形成された電極パッド上に接続端子を形成する工程と、前記接続端子を覆うように前記半導体集積回路上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層上に、前記第１絶縁層と対向する側の面が粗面とされた板状体を配設する工程と、前記板状体の前記粗面を前記第１絶縁層に圧着することにより、前記接続端子の一部を前記第１絶縁層から露出させる工程と、前記板状体を除去する工程と、を含む工程により半導体装置を製造する第１工程と、前記半導体装置の少なくとも側面部を埋めるように、前記接続端子の露出部側の面に凹部が設けられた第２絶縁層を形成する第２工程と、前記第１絶縁層の前記接続端子の露出部側の面、及び前記第２絶縁層の前記凹部を含む領域に、前記第２絶縁層の前記凹部の形状に対応する凹部を有し前記接続端子の露出部と電気的に接続する配線パターンを形成する第３工程と、を有することを要件とする。
【発明の効果】
【０００９】
開示の技術によれば、製造コストの上昇を抑制するとともに、半導体装置の有する半導体集積回路と配線パターン（再配線）とを電気的に接続する接続端子の間隔の微細化が可能な半導体装置内蔵基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図４】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図５】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図６】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【図７】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その６）である。
【図８】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その７）である。
【図９】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その８）である。
【図１０】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その９）である。
【図１１】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その１０）である。
【図１２】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その１１）である。
【図１３】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その１２）である。
【図１４】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その１３）である。
【図１５】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その１４）である。
【図１６】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その１５）である。
【図１７】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その１６）である。
【図１８】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その１７）である。
【図１９】第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その１８）である。
【図２０】第２の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の断面図である。
【図２１】第２の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図２２】第２の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図２３】第３の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図２４】第３の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図２５】第４の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の断面図である。
【図２６】第５の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
【００１２】
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の構造］
始めに、第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の断面図である。図１を参照するに、半導体装置内蔵基板２０は、半導体装置１０と、配線パターン１４と、ソルダーレジスト層１６と、外部接続端子１７と、絶縁層４１とを有する。
【００１３】
半導体装置１０は、半導体チップ１１と、接続端子１２と、絶縁層１３とを有する。半導体装置１０において、半導体チップ１１は、半導体基板２１と、半導体集積回路２２と、電極パッド２３と、保護膜２４とを有する。半導体基板２１は、半導体集積回路２２を形成するための基板である。半導体基板２１は、薄板化されている。半導体基板２１の厚さＴ1は、例えば、５０μｍ〜５００μｍとすることができる。半導体基板２１は、例えば、薄板化されたＳｉウエハが個片化されたものである。
【００１４】
半導体集積回路２２は、半導体基板２１の一方の面に設けられている。半導体集積回路２２は、半導体基板２１に形成された拡散層（図示せず）、半導体基板２１上に積層された絶縁層（図示せず）、及び積層された絶縁層（図示せず）に設けられたビアホール（図示せず）及び配線等（図示せず）から構成されている。
【００１５】
電極パッド２３は、半導体集積回路２２上に複数設けられている。電極パッド２３は、半導体集積回路２２に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続されている。電極パッド２３の材料としては、例えば、Ａｌ等を用いることができる。電極パッド２３の材料として、Ｃｕ層の上にＡｌ層を形成したもの、Ｃｕ層の上にＳｉ層を形成し、その上に更にＡｌ層を形成したもの等を用いても構わない。
【００１６】
保護膜２４は、半導体集積回路２２上に設けられている。保護膜２４は、半導体集積回路２２を保護するための膜であり、パッシベーション膜と呼ばれる場合もある。保護膜２４としては、例えばＳｉＮ膜、ＰＳＧ膜等を用いることができる。又、ＳｉＮ膜やＰＳＧ膜等からなる層に、更にポリイミド等からなる層を積層しても構わない。
【００１７】
接続端子１２は、電極パッド２３上に設けられている。接続端子１２は、突起部を有する形状である。接続端子１２の面１２Ａは絶縁層１３の面１３Ａから露出しており、配線パターン１４と電気的に接続されている。すなわち、接続端子１２は、半導体装置１０の有する半導体集積回路２２と配線パターン１４とを、電極パッド２３を介して電気的に接続する機能を有する。
【００１８】
接続端子１２の高さＨ１は、例えば、１０μｍ〜６０μｍとすることができる。接続端子１２としては、例えばＡｕバンプ、Ａｕめっき膜、無電解めっき法により形成されたＮｉ膜とそれを覆うＡｕ膜から構成される金属膜等を用いることができる。Ａｕバンプは、例えばワイヤボンディング装置を用いて、ボンディングワイヤにより形成することができる。又、めっき法により形成することもできる。
【００１９】
絶縁層１３は、半導体チップ１１の回路形成面（主面）を封止保護すると共に、配線パターン１４を形成する際のベース材の一部となるものである。絶縁層１３は、接続端子１２の面１２Ａを除く接続端子１２及び半導体チップ１１を覆うように設けられている。絶縁層１３の面１３Ａは、接続端子１２の面１２Ａと略面一とされている。
【００２０】
絶縁層１３の材料としては、感光性を有する材料、感光性を有しない材料の何れを用いても構わない。絶縁層１３としては、例えば、粘着性を有するＢ−ステージ状態（半硬化状態）のシート状の絶縁樹脂（例えば、ＮＣＦ（Non  Conductive  Film））、ペースト状の絶縁樹脂（例えば、ＮＣＰ（Non  Conductive  Paste））、粘着性を有するシート状の異方性導電樹脂（例えば、ＡＣＦ（Anisotropic  Conductive  Film））、ペースト状の異方性導電樹脂（例えば、ＡＣＰ（Anisotropic  Conductive  Paste））、ビルドアップ樹脂（フィラー入りのエポキシ樹脂又はフィラーなしのエポキシ樹脂）、液晶ポリマー（liquid  crystal  polymer）等を挙げることができる。ＡＣＰ及びＡＣＦは、エポキシ系樹脂をベースとする絶縁樹脂にＮｉ／Ａｕに被膜された小径球状の樹脂が分散されたものであり、鉛直方向に対しては導電性を有し、水平方向には絶縁性を有する樹脂である。絶縁層１３の厚さＴ２は、例えば１０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００２１】
絶縁層４１は、半導体装置１０の側面部を埋めるように設けられている。絶縁層４１には、凹部４１Ｘが形成されている。凹部４１Ｘの形状は、例えば、最大開口部（ソルダーレジスト層１６側）の径が底面の径よりも大きい逆円錐台形状とすることができる。但し、凹部４１Ｘの形状は逆円錐台形状には限定されず、例えば、半球状や円柱状等であっても構わない。凹部４１Ｘが逆円錐台形状である場合の最大開口部の径及び底面の径は、例えば、１００μｍ〜５００μｍ程度とすることができる。凹部４１Ｘの深さは、例えば、５０μｍ〜２５０μｍ程度とすることができる。絶縁層４１は、配線パターン１４を形成する際のベース材の一部となるものである。絶縁層４１の材料としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂材を用いることができる。
【００２２】
配線パターン１４は、接続端子１２の面１２Ａと接触するように、絶縁層１３の面１３Ａ及び絶縁層４１の面４１Ａ（凹部４１Ｘ内も含む）に設けられている。以降、配線パターン１４の凹部４１Ｘ内に設けられている部分を、凹部１４Ｘと称する。凹部１４Ｘの形状は、凹部４１Ｘの形状に対応している。
【００２３】
配線パターン１４は、接続端子１２及び電極パッド２３を介して、半導体集積回路２２と電気的に接続されている。配線パターン１４は、いわゆる再配線と呼ばれる場合があり、電極パッド２３の位置と、外部接続端子１７の位置とを異ならせるため（ファンアウト及び任意の位置への端子配置をするため、所謂ピッチ変換のため）に設けられる。
【００２４】
配線パターン１４は、金属層２６及び金属層２７を有する。金属層２６としては、例えばＣｕ層、Ｃｕ層及びＣｒ層からなる積層体、Ｃｕ層及びＴｉ層からなる積層体等を用いることができる。又、無電解Ｃｕメッキ層でもよいし、蒸着法、塗布法又は化学気相成長法（ＣＶＤ）等により形成された金属薄膜層であってもよいし、上記の金属層形成方法を組み合わせてもよい。金属層２６の厚さＴ６は、例えば２μｍとすることができる。金属層２７としては、例えばＣｕ層等を用いることができる。金属層２７の厚さＴ７は、例えば１０μｍとすることができる。
【００２５】
ソルダーレジスト層１６は、配線パターン１４、絶縁層１３の面１３Ａ及び絶縁層４１の面４１Ａを覆うように設けられている。ソルダーレジスト層１６は、配線パターン１４の凹部１４Ｘの底面の一部を露出する開口部１６Ｘを有する。ソルダーレジスト層１６の材料は、例えば感光性樹脂組成物である。
【００２６】
外部接続端子１７は、ソルダーレジスト層１６の開口部１６Ｘ内に露出する配線パターン１４の凹部１４Ｘの底面に固定されている。外部接続端子１７の一部はソルダーレジスト層１６の表面（開口部１６Ｘの内側面も含む）と接しているが、外部接続端子１７はソルダーレジスト層１６には固定されていない。外部接続端子１７は、配線パターン１４と電気的に接続されている。
【００２７】
外部接続端子１７は、例えばマザーボード等の実装基板（図示せず）に設けられたパッドと電気的に接続される端子である。外部接続端子１７としては、例えば、はんだバンプ等を用いることができる。外部接続端子１７の材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。又、樹脂（例えばジビニルベンゼン等）をコアとするはんだボール（Ｓｎ−３．５Ａｇ）等を用いても構わない。なお、外部接続端子１７は、所謂ファンアウト型であり、半導体装置１０の内蔵されている領域よりも外側を含む領域に設けられている。
【００２８】
このように、外部接続端子１７を配線パターン１４の凹部１４Ｘの底面にのみ固定することにより、外部接続端子１７のソルダーレジスト層１６と接する部分は自由に動くことができる。そのため、例えば半導体装置内蔵基板２０がマザーボード等の実装基板等に接続され、それぞれの熱膨張係数が異なるような場合であっても、熱膨張係数の違いによって生じる応力を緩和することができる。又、配線パターン１４に凹部１４Ｘを設けることにより、外部接続端子１７を構成する材料の体積を増やすことが可能になるため、応力を緩和する能力を高めることができる。
【００２９】
なお、ソルダーレジスト層１６の表面から突起する部分の外部接続端子１７の形状を大きくすることにより外部接続端子１７を構成する材料の体積を増やしても応力を緩和する能力を高める効果は生じるが、外部接続端子１７の配設ピッチを狭くできなくなる点で好ましくない。本実施の形態では、配線パターン１４に凹部１４Ｘを設けることにより、ソルダーレジスト層１６の表面から突起する部分の外部接続端子１７の形状を大きくすることなく外部接続端子１７を構成する材料の体積を増やしているため、外部接続端子１７の配設ピッチを狭くできないという問題は生じない。
【００３０】
以上が、第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の構造である。
【００３１】
［第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造方法］
続いて、第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造方法について説明する。図２〜図１９は、第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図である。図２〜図１９において、図１に示す半導体装置内蔵基板２０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図２〜図１１において、Ｃはダイシングブレードが半導体基板３１を切断する位置（以下、「基板切断位置Ｃ」とする）、Ａは複数の半導体装置形成領域（以下、「半導体装置形成領域Ａ」とする）、Ｂは複数の半導体装置形成領域Ａを分離する、基板切断位置Ｃを含むスクライブ領域（以下、「スクライブ領域Ｂ」とする）を示している。
【００３２】
始めに、図２及び図３に示す工程では、複数の半導体装置形成領域Ａと、複数の半導体装置形成領域Ａを分離する、基板切断位置Ｃを含むスクライブ領域Ｂとを有する半導体基板３１を準備する。図２は半導体基板を例示する断面図であり、図３は半導体基板を例示する平面図である。図２及び図３に示す半導体基板３１は、薄板化され、かつ基板切断位置Ｃにおいて切断されることにより、先に説明した半導体基板２１（図１参照）となるものである。半導体基板３１としては、例えばＳｉウエハ等を用いることができる。半導体基板３１の厚さＴ３は、例えば、５００μｍ〜７７５μｍとすることができる。
【００３３】
次いで、図４に示す工程では、半導体装置形成領域Ａに対応する半導体基板３１の一方の面に、周知の手法により、半導体集積回路２２、電極パッド２３、及び保護膜２４を有する半導体チップ１１を形成する。電極パッド２３の材料としては、例えばＡｌ等を用いることができる。電極パッド２３の材料として、Ｃｕ層の上にＡｌ層を形成したもの、Ｃｕ層の上にＳｉ層を形成し、その上に更にＡｌ層を形成したもの等を用いても構わない。保護膜２４としては、例えばＳｉＮ膜やＰＳＧ膜等を用いることができる。又、ＳｉＮ膜やＰＳＧ膜等からなる層に、更にポリイミド等からなる層を積層しても構わない。
【００３４】
次いで、図５に示す工程では、半導体装置形成領域Ａに設けられた複数の電極パッド２３上にそれぞれ接続端子１２を形成する。接続端子１２としては、例えばＡｕバンプ、Ａｕめっき膜、無電解めっき法やＡｌジンケート法により形成されたＮｉ膜とＮｉ膜上に積層されるＡｕ膜から構成される金属膜等を用いることができる。Ａｕバンプは、例えばワイヤボンディング装置を用いて、ボンディングワイヤにより形成することができる。又、めっき法により形成することもできる。なお、図５に示す工程で形成された複数の接続端子１２には、高さばらつきが存在する。
【００３５】
次いで、図６に示す工程では、接続端子１２が設けられた側の複数の半導体チップ１１及び接続端子１２を覆うように絶縁層１３を形成する。絶縁層１３の材料としては、感光性を有する材料、感光性を有しない材料の何れを用いても構わない。絶縁層１３としては、例えば、粘着性を有するＢ−ステージ状態（半硬化状態）のシート状の絶縁樹脂（例えば、ＮＣＦ（Non  Conductive  Film））、ペースト状の絶縁樹脂（例えば、ＮＣＰ（Non  Conductive  Paste））、粘着性を有するシート状の異方性導電樹脂（例えば、ＡＣＦ（Anisotropic  Conductive  Film））、ペースト状の異方性導電樹脂（例えば、ＡＣＰ（Anisotropic  Conductive  Paste））、ビルドアップ樹脂（フィラー入りのエポキシ樹脂又はフィラーなしのエポキシ樹脂）、液晶ポリマー（liquid  crystal  polymer）等を挙げることができる。ＡＣＰ及びＡＣＦは、エポキシ系樹脂をベースとする絶縁樹脂にＮｉ／Ａｕに被膜された小径球状の樹脂が分散されたものであり、鉛直方向に対しては導電性を有し、水平方向には絶縁性を有する樹脂である。
【００３６】
絶縁層１３として粘着性を有したシート状の絶縁樹脂を用いた場合は、図５に示す構造体の一方の面側にシート状の絶縁樹脂を貼り付ける。又、絶縁層１３としてペースト状の絶縁樹脂を用いた場合は、図５に示す構造体の一方の面側に印刷法等によりペースト状の絶縁樹脂を形成し、その後、プリベークして絶縁樹脂を半硬化させる。この半硬化した絶縁樹脂は接着性を有する。絶縁層１３の厚さＴ４は、例えば２０μｍ〜１００μｍとすることができる。
【００３７】
次いで図７に示す工程では、絶縁層１３の面１３Ａに板状体２５を配設する。板状体２５は、絶縁層１３の面１３Ａと対向する側の面２５Ｂが粗面とされている。板状体２５の厚さＴ５は、例えば１０μｍとすることができる。板状体２５としては、例えばＣｕ箔等の金属箔を用いることができる。又、板状体２５として、ＰＥＴ等よりなるテンポラリーフィルムを用いても構わない。更に、予め樹脂フィルムの片面にＣｕ箔が設けられた、片面銅箔付き樹脂フィルムを用いることも可能である。ここでは、板状体２５として、金属箔を用いた場合を例にとり、以下の工程を説明する。
【００３８】
次いで図８に示す工程では、図７に示す構造体を加熱した状態で、板状体２５の面２５Ａ側から板状体２５を押圧して、板状体２５を絶縁層１３に圧着する。これにより絶縁層１３は押圧され、接続端子１２の面１２Ａは絶縁層１３の面１３Ａから露出する。又、絶縁層１３の面１３Ａに、板状体２５の面２５Ｂの粗面が転写される。図７に示す構造体を加熱することにより、絶縁層１３は硬化する。圧着後の絶縁層１３の厚さＴ２は、例えば１０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００３９】
次いで図９に示す工程では、図８に示す板状体２５をエッチング等により全て除去する。図７〜図９に示す工程により、後述する図１５に示す工程において、金属層２６と接続端子１２との密着性を高めることができる。
【００４０】
次いで図１０に示す工程では、半導体基板３１の裏面側から半導体基板３１を研磨又は研削して、半導体基板３１を薄板化する。半導体基板３１の薄板化には、例えばバックサイドグラインダー等を用いることができる。薄板化後の半導体基板３１の厚さＴ１は、例えば、５０μｍ〜５００μｍとすることができる。なお、図１０に示す工程は削除される場合もある。
【００４１】
次いで図１１に示す工程では、スクライブ領域Ｂに対応する半導体基板３１を基板切断位置Ｃに沿って切断することで、複数の半導体装置１０が製造される。半導体基板３１の切断は、例えば、ダイシング等によって行う。
【００４２】
次いで図１２に示す工程では、第１支持体４０を準備する。そして、接続端子１２の面１２Ａが第１支持体４０の面４０Ａと対向するように、複数の半導体装置１０を第１支持体４０の面４０Ａに配置する。第１支持体４０の面４０Ａは、例えば粘着性を有しており、配置された半導体装置１０は仮固定される。第１支持体４０の面４０Ａが粘着性を有していない場合には、例えば接着用テープ等により、配置された半導体装置１０を仮固定する。
【００４３】
第１支持体４０としては、例えばＰＥＴフィルム、ポリイミドフィルム、金属箔等を用いることができる。第１支持体４０の厚さは、ＰＥＴフィルムやポリイミドフィルムを用いる場合には、例えば１０μｍ〜１００μｍ程度とすることができる。又、金属箔（Ｃｕ箔等）を用いる場合には、例えば１０μｍ〜３０μｍ程度とすることができる。但し、第１支持体４０はＰＥＴフィルム、ポリイミドフィルム、金属箔には限定されず、後述する図１３に示す工程において、第２支持体４２の凸部４２Ｘに対応して変形可能であれば、他の物を用いても構わない。
【００４４】
次いで図１３に示す工程では、面４２Ａに複数の凸部４２Ｘが形成された第２支持体４２を準備する。第２支持体４２としては、例えば金属製やセラミック製の金型等を用いることができる。そして、第１支持体４０の面４０Ｂが第２支持体４２の面４２Ａと対向するように、図１２に示す構造体を第２支持体４２の面４２Ａに配置する。そして、真空吸着等により、図１２に示す構造体を第２支持体４２の面４２Ａに吸着保持し仮固定する。これにより、第１支持体４０の一部が変形し、第２支持体４２の凸部４２Ｘに対応する凸部４０Ｘが形成される。
【００４５】
凸部４０Ｘは、後述する図１５に示す工程で絶縁層４１の凹部４１Ｘに転写される。凸部４０Ｘの形状は、例えば円錐台形状とすることができる。但し、凸部４０Ｘの形状は円錐台形状には限定されず、例えば半球状や円柱状等であっても構わない。凸部４０Ｘが円錐台形状である場合の頂面の径及び底面の径は、例えば、１００μｍ〜５００μｍ程度とすることができる。凸部４０Ｘの高さは、例えば、５０μｍ〜２５０μｍ程度とすることができる。
【００４６】
凸部４０Ｘは、凸部４２Ｘに対応した形状となるので、凸部４０Ｘの形状を円錐台形状にしたい場合は、凸部４２Ｘも円錐台形状にする必要がある。凸部４２Ｘが円錐台形状である場合の頂面の径及び底面の径並びに高さは、所望の凸部４０Ｘの寸法を決定して、それに対して第１支持体４０の厚さ等を考慮して決定することができる。以降、凸部４０Ｘ及び４２Ｘの形状が円錐台形状である場合を例に説明する。
【００４７】
次いで図１４に示す工程では、隣接して配置された半導体装置１０の、少なくとも側面部を埋めるように、第１支持体４０の面４０Ａに絶縁層４１を形成する。絶縁層４１の材料としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂材を用いることができる。絶縁層４１の形成方法の一例としては、第１支持体４０の面４０Ａにエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムをプレス（押圧）し、その後、例えば１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層４１を得ることができる。又、第１支持体４０の面４０Ａにエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の液状の樹脂を塗布した後に、例えば１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層４１を得ることもできる。
【００４８】
次いで図１５に示す工程では、図１４に示す第１支持体４０と第２支持体４２との吸着を解除した後、第１支持体４０を除去する。これにより、凸部４０Ｘの形状が絶縁層４１に転写され、凹部４１Ｘが形成される。凹部４１Ｘの形状は、凸部４０Ｘに対応する円錐台形状となる。
【００４９】
次いで図１６に示す工程では、絶縁層１３の面１３Ａ及び絶縁層４１の面４１Ａ（凹部４１Ｘ内も含む）に、接続端子１２の面１２Ａと接触するように金属層２６及び金属層２７を有する配線パターン１４を形成する。凹部１４Ｘは、配線パターン１４の凹部４１Ｘ内に形成された部分である。配線パターン１４は、接続端子１２及び電極パッド２３を介して、半導体集積回路２２と電気的に接続される。配線パターン１４の厚さは、例えば１２μｍとすることができる。なお、図１６は、図１５とは上下が反転して描かれているため、凹部４１Ｘの形状は逆円錐台形状となる。
【００５０】
配線パターン１４は、具体的には以下に示すように形成する。始めに、絶縁層１３の面１３Ａ及び絶縁層４１の面４１Ａ（凹部４１Ｘ内も含む）にスパッタ法等により金属層２６を形成する。金属層２６と接続端子１２とは、電気的に接続される。金属層２６としては、例えばＣｕ層、Ｃｕ層及びＣｒ層からなる積層体、Ｃｕ層及びＴｉ層からなる積層体等を用いることができる。又、無電解Ｃｕメッキ層でもよいし、蒸着法、塗布法又は化学気相成長法（ＣＶＤ）等により形成された金属薄膜層であってもよいし、上記の金属層形成方法を組み合わせてもよい。金属層２６の厚さＴ６は、例えば２μｍとすることができる。
【００５１】
次いで、金属層２６の面を覆うように、例えば金属層２６を給電層として、電解メッキ法等により金属層２７を形成する。金属層２７としては、例えばＣｕ層等を用いることができる。金属層２７の厚さＴ７は、例えば１０μｍとすることができる。次いで、金属層２７の面にレジストを塗布し、このレジストをフォトリソグラフィ法により露光、現像することで配線パターン１４の形成領域に対応する部分の金属層２７の上部にレジスト膜を形成する。
【００５２】
次いで、レジスト膜をマスクとして金属層２６及び金属層２７をエッチングし、レジスト膜が形成されていない部分の金属層２６及び金属層２７を除去することで、配線パターン１４を形成する。その後、レジスト膜を除去する。その後、配線パターン１４の粗化処理を行う。配線パターン１４の粗化処理は、黒化処理又は粗化エッチング処理等の方法により行うことができる。上記粗化処理は、配線パターン１４の上面及び側面に形成されるソルダーレジスト層１６と配線パターン１４との密着性を向上させるためのものである。
【００５３】
次いで、図１７に示す工程では、配線パターン１４、絶縁層１３の面１３Ａ及び絶縁層４１の面４１Ａを覆うように、配線パターン１４の凹部１４Ｘの底面の一部を露出する開口部１６Ｘを有するソルダーレジスト層１６を形成する。具体的には、始めに配線パターン１４、絶縁層１３の面１３Ａ及び絶縁層４１の面４１Ａ（凹部４１Ｘ内も含む）を覆うように、例えば感光性樹脂組成物を塗布する。次いでフォトリソグラフィ法により感光性樹脂組成物を露光、現像し、配線パターン１４の凹部１４Ｘの底面の一部を露出するように感光性樹脂組成物の一部をエッチングにより除去し、開口部１６Ｘを形成する。
【００５４】
次いで、図１８に示す工程では、開口部１６Ｘ内に露出する配線パターン１４の凹部１４Ｘの底面に接続される外部接続端子１７を形成する。外部接続端子１７は、ソルダーレジスト層１６の開口部１６Ｘ内に露出する配線パターン１４の凹部１４Ｘの底面に固定される。外部接続端子１７の一部はソルダーレジスト層１６の表面（開口部１６Ｘの内側面も含む）と接するが、外部接続端子１７はソルダーレジスト層１６には固定されていない。外部接続端子１７は、配線パターン１４と電気的に接続される。
【００５５】
外部接続端子１７としては、例えば、はんだバンプ等を用いることができる。外部接続端子１７の材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。又、樹脂（例えばジビニルベンゼン等）をコアとするはんだボール（Ｓｎ−３．５Ａｇ）等を用いても構わない。これにより、半導体装置内蔵基板２０に相当する複数の構造体が形成される。
【００５６】
次いで、図１９に示す工程では、図１８に示す構造体を絶縁層４１の略中央で切断することで、複数の半導体装置内蔵基板２０が製造される。図１８に示す構造体の切断は、例えばダイシング等によって行う。
【００５７】
以上が、第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造方法である。
【００５８】
第１の実施の形態によれば、始めに、接続端子１２の面１２Ａが絶縁層１３から露出した半導体装置１０を製造する。そして、少なくとも半導体装置１０の側面部を埋めるように絶縁層４１を形成する。更に、接続端子１２の面１２Ａと接触するように、接続端子１２と電気的に接続される配線パターン１４（再配線）を形成する。その結果、絶縁層にレーザで孔明けし接続端子を露出する工程が必要ないため、半導体装置内蔵基板２０の製造コストの上昇を抑制することができる。
【００５９】
又、絶縁層にレーザで孔明けし接続端子を露出する工程が必要ないため、接続端子１２の間隔はレーザのスポット径（例えば、直径７０μｍ程度）に制限されない。その結果、半導体装置１０の有する半導体集積回路２２と配線パターン１４（再配線）とを電気的に接続する接続端子１２の間隔の微細化が可能となる。接続端子１２の間隔は、配線パターンのＬ／Ｓ（ライン／スペース）と同程度まで微細化（例えば、間隔１００μｍ以下。最短間隔１μｍ程度）できる。
【００６０】
又、配線パターン１４の一部に絶縁層４１の凹部４１Ｘに対応する凹部１４Ｘを形成し、外部接続端子１７を配線パターン１４の凹部１４Ｘの底面の一部にのみ固定することにより、外部接続端子１７のソルダーレジスト層１６と接する部分は自由に動くことができる。そのため、例えば半導体装置内蔵基板２０がマザーボード等の実装基板等に接続され、それぞれの熱膨張係数が異なるような場合であっても、熱膨張係数の違いによって生じる応力を緩和することができる。又、配線パターン１４に凹部１４Ｘを形成することにより、外部接続端子１７を構成する材料の体積を増やすことが可能になるため、応力を緩和する能力を高めることができる。
【００６１】
なお、ソルダーレジスト層１６の表面から突起する部分の外部接続端子１７の形状を大きくすることにより外部接続端子１７を構成する材料の体積を増やしても応力を緩和する能力を高める効果は生じるが、外部接続端子１７の配設ピッチを狭くできなくなる点で好ましくない。本実施の形態では、配線パターン１４に凹部１４Ｘを設けることにより、ソルダーレジスト層１６の表面から突起する部分の外部接続端子１７の形状を大きくすることなく外部接続端子１７を構成する材料の体積を増やしているため、外部接続端子１７の配設ピッチを狭くできないという問題は生じない。
【００６２】
〈第２の実施の形態〉
［第２の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の構造］
始めに、第２の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の構造について説明する。図２０は、第２の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の断面図である。図２０に示す半導体装置内蔵基板５０において、図１に示す半導体装置内蔵基板２０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図２０を参照するに、第２の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板５０は、第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板２０の絶縁層４１が絶縁層５１に置換された以外は、半導体装置内蔵基板２０と同様である。以下、半導体装置内蔵基板２０と異なる部分についてのみ説明する。
【００６３】
半導体装置内蔵基板２０において、絶縁層４１は半導体装置１０の側面部のみを埋めるように形成されていたが、半導体装置内蔵基板５０において、絶縁層５１は半導体装置１０の側面部及び裏面部を埋めるように形成されている。絶縁層５１の材料としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂材を用いることができる。このような構造にすることにより、半導体装置１０の裏面部を保護することができる。
【００６４】
以上が、第２の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の構造である。
【００６５】
［第２の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造方法］
続いて、第２の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造方法について説明する。図２１及び図２２は、第２の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図である。図２１及び図２２において、図２０に示す半導体装置内蔵基板５０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【００６６】
始めに、第１の実施の形態の図２〜図１３と同様の工程を行う。次いで、図２１に示す工程では、第１支持体４０の面４０Ａに、半導体装置１０の側面部及び裏面部を埋めるように絶縁層５１を形成する。絶縁層５１の材料としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂材を用いることができる。絶縁層５１の形成方法の一例としては、第１支持体４０の面４０Ａ及び半導体装置１０の裏面部にエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムをプレス（押圧）し、その後、例えば１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層５１を得ることができる。又、第１支持体４０の面４０Ａ及び半導体装置１０の裏面部にエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の液状の樹脂を塗布した後に、例えば１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層５１を得ることもできる。
【００６７】
次いで、第１の実施の形態の図１５〜図１８と同様の工程を行う。次いで、図２２に示す工程では、図１８に相当する構造体を半導体装置１０の側面部を埋める絶縁層５１の略中央で切断することで、複数の半導体装置内蔵基板５０が製造される。図１８に相当する構造体の切断は、例えばダイシング等によって行う。
【００６８】
以上が、第２の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造方法である。
【００６９】
第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。又、第２の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板５０は、半導体装置１０の発生する熱の放熱性に関しては、第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板２０に劣るが、半導体装置１０の裏面部を保護したいような用途には有用である。
【００７０】
〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、第１及び第２の実施の形態の図１２〜図１４に示す工程を、異なる工程（図２３及び図２４参照）に変更する例を示す。
【００７１】
図２３及び図２４は、第３の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の製造工程を例示する図である。図２３及び図２４において、図１２〜図１４と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【００７２】
始めに、第１の実施の形態の図２〜図１１と同様の工程を行う。次いで、図２３に示す工程では、面４３Ａに複数の凸部４３Ｘが形成された第３支持体４３を準備する。そして、接続端子１２の面１２Ａが第３支持体４３の面４３Ａと対向するように、複数の半導体装置１０を第３支持体４３の面４３Ａに配置する。第３支持体４３の面４３Ａは、例えば粘着性を有しており、配置された半導体装置１０は仮固定される。第３支持体４３の面４３Ａが粘着性を有していない場合には、例えば接着用テープ等により、配置された半導体装置１０を仮固定する。第３支持体４３としては、金属板やガラス板等を用いることができる。第３支持体４３には、金型等とは異なり、１回使用した後に廃棄できるような安価な材料を用いても良い。
【００７３】
凸部４３Ｘの形状は、例えば円錐台形状とすることができる。但し、凸部４３Ｘの形状は円錐台形状には限定されず、例えば半球状や円柱状等であっても構わない。凸部４３Ｘが円錐台形状である場合の頂面の径及び底面の径は、例えば、１００μｍ〜５００μｍ程度とすることができる。凸部４３Ｘの高さは、例えば、５０μｍ〜２５０μｍ程度とすることができる。以降、凸部４３Ｘの形状が円錐台形状である場合を例に説明する。
【００７４】
次いで図２４に示す工程では、隣接して配置された半導体装置１０の、少なくとも側面部を埋めるように、第３支持体４３の面４３Ａに絶縁層４１を形成する。絶縁層４１の材料としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂材を用いることができる。絶縁層４１の形成方法の一例としては、第３支持体４３の面４３Ａにエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムをプレス（押圧）し、その後、例えば１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層４１を得ることができる。又、第１支持体４３の面４３Ａにエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の液状の樹脂を塗布した後に、例えば１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層４１を得ることもできる。
【００７５】
次いで、第３支持体４３を除去することにより、第１の実施の形態の図１５と同様の構造体が作製される。すなわち、第３支持体４３の凸部４３Ｘの形状が絶縁層４１に転写され、凹部４１Ｘが形成される。凹部４１Ｘの形状は、凸部４３Ｘに対応する円錐台形状となる。なお、第３支持体４３は、容易に機械的に剥離することができる。
【００７６】
第３の実施の形態によれば、第１及び第２の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に以下の効果を奏する。すなわち、凸部を有する第３支持体上に接着用テープ等により半導体装置を仮固定することにより、金型等を用いて半導体装置を真空吸着する必要がなくなったため、第１及び第２の実施の形態に係る第１及び第２支持体を第３支持体のみに置換することが可能となり、製造工程を削減することができる。
【００７７】
〈第４の実施の形態〉
第４の実施の形態では、第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板とは異なる半導体装置内蔵基板の例を示す。
【００７８】
図２５は、第４の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の断面図である。図２５を参照するに、半導体装置内蔵基板６０は、半導体装置内蔵基板２０のソルダーレジスト層１６の開口部１６Ｘが開口部１６Ｙに置換され、外部接続端子１７が外部接続端子６７に置換されたものである。なお、半導体装置内蔵基板６０の製造方法は、半導体装置内蔵基板２０又は５０の製造方法と同様であるため、その説明は省略する。
【００７９】
ソルダーレジスト層１６は、配線パターン１４、絶縁層１３の面１３Ａ及び絶縁層４１の面４１Ａを覆うように設けられている。ソルダーレジスト層１６は、
配線パターン１４の凹部１４Ｘの底面及び内側面（傾斜面）の一部を露出する開口部１６Ｙを有する。ソルダーレジスト層１６の材料は、例えば感光性樹脂組成物である。
【００８０】
外部接続端子６７は、ソルダーレジスト層１６の開口部１６Ｙ内に露出する配線パターン１４の凹部１４Ｘの底面及び内側面（傾斜面）に固定されている。外部接続端子６７の一部はソルダーレジスト層１６の表面（開口部１６Ｙの内側面も含む）と接しているが、外部接続端子６７はソルダーレジスト層１６には固定されていない。外部接続端子６７は、配線パターン１４と電気的に接続されている。
【００８１】
外部接続端子６７は、例えばマザーボード等の実装基板（図示せず）に設けられたパッドと電気的に接続される端子である。外部接続端子６７としては、例えば、はんだバンプ等を用いることができる。外部接続端子６７の材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。又、樹脂（例えばジビニルベンゼン等）をコアとするはんだボール（Ｓｎ−３．５Ａｇ）等を用いても構わない。なお、外部接続端子６７は、所謂ファンアウト型であり、半導体装置１０の内蔵されている領域よりも外側を含む領域に設けられている。
【００８２】
このように、外部接続端子６７を配線パターン１４の凹部１４Ｘの底面及び内側面（傾斜面）にのみ固定することにより、外部接続端子６７のソルダーレジスト層１６と接する部分は自由に動くことができる。そのため、例えば半導体装置内蔵基板６０がマザーボード等の実装基板等に接続され、それぞれの熱膨張係数が異なるような場合であっても、熱膨張係数の違いによって生じる応力を緩和することができる。又、配線パターン１４に凹部１４Ｘを設けることにより、外部接続端子６７を構成する材料の体積を増やすことが可能になるため、応力を緩和する能力を高めることができる。
【００８３】
但し、第１〜第３の実施の形態に係る外部接続端子と比べると、外部接続端子６７は自由に動くことができる部分が少ないため、応力を緩和する能力は、第１〜第３の実施の形態よりも低くなる。
【００８４】
なお、ソルダーレジスト層１６の表面から突起する部分の外部接続端子６７の形状を大きくすることにより外部接続端子６７を構成する材料の体積を増やしても応力を緩和する能力を高める効果は生じるが、外部接続端子６７の配設ピッチを狭くできなくなる点で好ましくない。本実施の形態では、配線パターン１４に凹部１４Ｘを設けることにより、ソルダーレジスト層１６の表面から突起する部分の外部接続端子６７の形状を大きくすることなく外部接続端子６７を構成する材料の体積を増やしているため、外部接続端子６７の配設ピッチを狭くできないという問題は生じない。
【００８５】
〈第５の実施の形態〉
第５の実施の形態では、第１の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板とは異なる半導体装置内蔵基板の例を示す。
【００８６】
図２６は、第５の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板の断面図である。図２６を参照するに、半導体装置内蔵基板７０は、半導体装置内蔵基板２０のソルダーレジスト層１６の開口部１６Ｘが開口部１６Ｚに置換され、外部接続端子１７が外部接続端子７７に置換されたものである。半導体装置内蔵基板７０の製造方法は、半導体装置内蔵基板２０又は５０の製造方法と同様であるため、その説明は省略する。
【００８７】
ソルダーレジスト層１６は、配線パターン１４、絶縁層１３の面１３Ａ及び絶縁層４１の面４１Ａを覆うように設けられている。ソルダーレジスト層１６は、配線パターン１４の凹部１４Ｘの全部を露出する開口部１６Ｚを有する。ソルダーレジスト層１６の材料は、例えば感光性樹脂組成物である。
【００８８】
外部接続端子７７は、ソルダーレジスト層１６の開口部１６Ｚ内に露出する配線パターン１４の凹部１４Ｘを含む領域に固定されている。外部接続端子７７の一部はソルダーレジスト層１６の開口部１６Ｚの内側面と接しているが、外部接続端子７７はソルダーレジスト層１６には固定されていない。外部接続端子７７は、配線パターン１４と電気的に接続されている。
【００８９】
外部接続端子７７は、例えばマザーボード等の実装基板（図示せず）に設けられたパッドと電気的に接続される端子である。外部接続端子７７としては、例えば、はんだバンプ等を用いることができる。外部接続端子７７の材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。又、樹脂（例えばジビニルベンゼン等）をコアとするはんだボール（Ｓｎ−３．５Ａｇ）等を用いても構わない。なお、外部接続端子７７は、所謂ファンアウト型であり、半導体装置１０の内蔵されている領域よりも外側を含む領域に設けられている。
【００９０】
このように、配線パターン１４に凹部１４Ｘを設け、外部接続端子７７を配線パターン１４の凹部１４Ｘを含む領域に固定することにより、外部接続端子７７を構成する材料の体積を増やすことが可能になるため、応力を緩和する能力を高めることができる。
【００９１】
但し、第１〜第４の実施の形態に係る外部接続端子と比べると、外部接続端子７７は自由に動くことができる部分が少ないため、応力を緩和する能力は、第１〜第４の実施の形態よりも低くなる。
【００９２】
なお、ソルダーレジスト層１６の表面から突起する部分の外部接続端子７７の形状を大きくすることにより外部接続端子７７を構成する材料の体積を増やしても応力を緩和する能力を高める効果は生じるが、外部接続端子７７の配設ピッチを狭くできなくなる点で好ましくない。本実施の形態では、配線パターン１４に凹部１４Ｘを設けることにより、ソルダーレジスト層１６の表面から突起する部分の外部接続端子７７の形状を大きくすることなく外部接続端子７７を構成する材料の体積を増やしているため、外部接続端子７７の配設ピッチを狭くできないという問題は生じない。
【００９３】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳説したが、本発明は、上述した実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００９４】
例えば、第２の実施の形態と、第４又は第５の実施の形態とを組み合わせても構わない。
【符号の説明】
【００９５】
１０  半導体装置
１１  半導体チップ
１２  接続端子
１２Ａ，１３Ａ，２５Ａ，２５Ｂ，４０Ａ，４０Ｂ，４１Ａ，４２Ａ，４３Ａ  面
１３，４１，５１  絶縁層
１４  配線パターン
１４Ｘ、４１Ｘ  凹部
１６  ソルダーレジスト層
１６Ｘ，１６Ｙ，１６Ｚ  開口部
１７，６７，７７  外部接続端子
２０，５０，６０，７０  半導体装置内蔵基板
２１，３１  半導体基板
２２  半導体集積回路
２３  電極パッド
２４  保護膜
２５  板状体
２６，２７  金属層
４０  第１支持体
４０Ｘ，４２Ｘ，４３Ｘ  凸部
４２  第２支持体
４３  第３支持体
Ａ  半導体装置形成領域
Ｂ  スクライブ領域
Ｃ  基板切断位置
Ｔ1〜Ｔ７  厚さ
Ｈ１  高さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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