(57)【要約】【課題】ガラスフリット残渣を簡単に除去することができ、かつ歩留まりを向上することができるパッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器、電波時計を提供する。【解決手段】ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕ上に乾燥して残渣しているガラスフリット残渣６ｂを削り取る残渣除去工程Ｓ３２Ｇと、ガラスフリット残渣６ｂを除去した後、貫通孔内に充填されたガラスフリット６ａを焼成して硬化させる焼成工程Ｓ３２Ｈと、を有する、ことを特徴とする。【選択図】図１３
2011114693.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに接合された複数の基板との間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、
前記複数の基板のうち、第１基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、
前記貫通電極形成工程は、
前記第１基板に前記貫通電極を構成する導電部材を配するための貫通孔を形成する貫  通孔形成工程と、
前記貫通孔内に前記導電部材を配置する導電部材配置工程と、
前記第１基板の一方の面にペースト状のガラスフリットを塗布するための開口部が形  成されたメタルマスクを、前記一方の面上に配置するメタルマスク配置工程と、
前記第１基板の前記一方の面に前記ガラスフリットを塗布し、スキージを用いて前記  貫通孔内に前記ガラスフリットを充填するガラスフリット充填工程と、
前記メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程と、
前記ガラスフリットを乾燥させるガラスフリット乾燥工程と、
前記ガラスフリットのうち、前記一方の面上に乾燥して残渣しているガラスフリット  残渣を削り取る残渣除去工程と、
前記ガラスフリット残渣を除去した後、前記貫通孔内に充填された前記ガラスフリッ  トを焼成して硬化させる焼成工程と、を有する、
ことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のパッケージの製造方法であって、
前記残渣除去工程は、前記ガラスフリット残渣を削り取ることが可能な刃を前記一方の面に当接させた後、前記第１基板を回転させることにより前記ガラスフリット残渣を除去するように構成されていることを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項３】
互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に、圧電振動片が封止された圧電振動子の製造方法であって、
前記ベース基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記圧電振動子の外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、
前記貫通電極形成工程は、
前記ベース基板に前記貫通電極を構成する導電部材を配するための貫通孔を形成する  貫通孔形成工程と、
前記貫通孔内に前記導電部材を配置する導電部材配置工程と、
前記ベース基板の一方の面にペースト状のガラスフリットを塗布するための開口部が  形成されたメタルマスクを、前記一方の面上に配置するメタルマスク配置工程と、
前記ベース基板の前記一方の面に前記ガラスフリットを塗布し、スキージを用いて前  記貫通孔内に前記ガラスフリットを充填するガラスフリット充填工程と、
前記メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程と、
前記ガラスフリットを乾燥させるガラスフリット乾燥工程と、
前記ガラスフリットのうち、前記ベース基板の前記一方の面上に乾燥して残渣してい  るガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程と、
前記ガラスフリット残渣を除去した後、前記貫通孔内に充填された前記ガラスフリッ  トを焼成して硬化させる焼成工程と、を有する、
ことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の圧電振動子の製造方法であって、
前記残渣除去工程は、前記ガラスフリット残渣を削り取ることが可能な刃を前記一方の面に当接させた後、前記ベース基板を回転させることにより前記ガラスフリット残渣を除去するように構成されていることを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の方法で製造された圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
【請求項６】
請求項３または４に記載の方法で製造された圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項３または４に記載の方法で製造された圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、パッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末には、時刻源や制御信号などのタイミング源、リファレンス信号源などとして水晶などを利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その一つとして、表面実装型の圧電振動子が知られている。この種の圧電振動子としては、一般的に圧電振動片が形成された圧電基板をベース基板とリッド基板とで上下から挟み込むように接合した３層構造タイプのパッケージを備えたものが知られている。この場合、圧電振動子はベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ（密閉室）内に収納されている。また、近年では、上述した３層構造タイプのパッケージを備えたものではなく、２層構造タイプのパッケージを備えたものも開発されている。
【０００３】
このパッケージの圧電振動子は、ベース基板とリッド基板とが直接接合されることで２層構造タイプとなっており、両基板の間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が収納されている。
この２層構造タイプの圧電振動子は、３層構造タイプのものに比べて薄型化を図ることができるなどの点において優れており、好適に使用されている。このような２層構造タイプの圧電振動子の一つとして、ベース基板を貫通するように形成された導電部材を利用して、圧電振動片とベース基板に形成された外部電極とを導通させた圧電振動子が知られている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。
【０００４】
この圧電振動子２００は、図１７、図１８に示すように、接合膜２０７を介して互いに陽極接合されたベース基板２０１およびリッド基板２０２と、両基板２０１、２０２の間に形成されたキャビティＣ内に封止された圧電振動片２０３と、を備えている。圧電振動片２０３は、例えば音叉型の振動片であって、キャビティＣ内においてベース基板２０１の上面に導電性接着剤Ｅを介してマウントされている。
【０００５】
ベース基板２０１およびリッド基板２０２は、例えばセラミックやガラスなどからなる絶縁基板である。両基板２０１、２０２のうちベース基板２０１には、該基板２０１を貫通する貫通孔２０４が形成されている。そして、この貫通孔２０４内には、該貫通孔２０４を塞ぐように導電部材２０５が埋め込まれている。この導電部材２０５は、ベース基板２０１の下面に形成された外部電極２０６に電気的に接続されているとともに、キャビティＣ内にマウントされている圧電振動片２０３に電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２６７１９０号公報
【特許文献１】特開２００７−３２８９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述した２層構造タイプの圧電振動子において、導電部材２０５は、貫通孔２０４を塞いでキャビティＣ内の気密を維持するとともに、圧電振動片２０３と外部電極２０６とを導通させるという２つの大きな役割を担っている。特に、貫通孔２０４との密着が不十分であると、キャビティＣ内の気密が損なわれてしまう虞があり、また、導電性接着剤Ｅあるいは外部電極２０６との接触が不十分であると、圧電振動片２０３の作動不良を招いてしまう。したがって、このような不具合を無くすためにも、貫通孔２０４の内面に強固に密着した状態で該貫通孔２０４を完全に塞ぎ、しかも、表面に凹みなどがない状態で導電部材２０５を形成する必要がある。
【０００８】
しかしながら、特許文献１および特許文献２には、導電部材２０５を導電ペースト（ＡｇペーストやＡｕ−Ｓｎペーストなど）にて形成する点は記載されているものの、実際にどのように形成するかなどの具体的な製造方法については何ら記載されていない。
一般的に導電ペーストを使用する場合には、焼成して硬化させる必要がある。つまり、貫通孔２０４内に導電ペーストを埋め込んだ後、焼成を行って硬化させる必要がある。ところが、焼成を行うと、導電ペーストに含まれる有機物が蒸発により消失してしまうため、通常、焼成後の体積が焼成前に比べて減少してしまう（例えば、導電ペーストとしてＡｇペーストを用いた場合には、体積が略２０％程度減少してしまう）。そのため、導電ペーストを利用して導電部材２０５を形成したとしても、表面に凹みが発生してしまったり、ひどい場合には貫通孔が中心に開いてしまったりする虞がある。
その結果、キャビティＣ内の気密が損なわれたり、圧電振動片２０３と外部電極２０６との導通性が損なわれたりする可能性があった。
【０００９】
上述の不具合を解消するために、以下のような貫通電極の形成方法が提案されている。即ち、図１９（ａ）に示すように、まずベース基板２０１に形成された貫通孔２１１に金属製のピン２１２を配置する。次に、図１９（ｂ）に示すように、ベース基板２０１表面に対して所定のアタック角度で傾斜するフィルスキージ２１４を該ベース基板２０１表面に当接させて、その後一方向に移動させることでベース基板２０１上のペースト状のガラスフリット２１５を貫通孔２１１内に充填する。次に、ベース基板２０１表面に対して上記アタック角度よりも大きいアタック角度で傾斜するスクライブスキージ２１６を、上記フィルスキージ２１４の移動方向の逆方向に移動させて、ベース基板２０１上の余分なガラスフリット２１５を除去する。このように、貫通孔２１１とピン２１２との隙間にガラスフリット２１５を充填した後、焼成する。そして、ベース基板２０１の表面を研磨して、スクライブスキージ２１６で除去しきれなかったガラスフリット残渣を除去することにより、貫通電極を形成する。
【００１０】
しかしながら、上述のように、ガラスフリット２１５を焼成した後にベース基板２０１の表面を研磨する場合、焼成後のガラスフリット２１５は非常に硬いため、ガラスフリット残渣を研磨して除去するのに多大な工数がかかる。また、焼成後のベース基板２０１の表面にはガラスフリット残渣による凹凸が形成されるため、ガラスフリット残渣を除去する際にベース基板２０１に過度の応力が集中すると、ベース基板２０１が割れてしまい、ベース基板の歩留まりが悪化する。
【００１１】
そこで本発明は、ガラスフリット残渣を簡単に除去することができ、かつ歩留まりを向上することができるパッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器、電波時計を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するため、本発明のパッケージの製造方法は、互いに接合された複数の基板との間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、前記複数の基板のうち、第１基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、前記貫通電極形成工程は、前記第１基板に前記貫通電極を構成する導電部材を配するための貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔内に前記導電部材を配置する導電部材配置工程と、前記第１基板の一方の面にペースト状のガラスフリットを塗布するための開口部が形成されたメタルマスクを、前記一方の面上に配置するメタルマスク配置工程と、前記第１基板の前記一方の面に前記ガラスフリットを塗布し、スキージを用いて前記貫通孔内に前記ガラスフリットを充填するガラスフリット充填工程と、前記メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程と、前記ガラスフリットを乾燥させるガラスフリット乾燥工程と、前記ガラスフリットのうち、前記一方の面上に乾燥して残渣しているガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程と、前記ガラスフリット残渣を除去した後、前記貫通孔内に充填された前記ガラスフリットを焼成して硬化させる焼成工程と、を有する、ことを特徴とする。
本発明によれば、ガラスフリットを焼成して硬化させる前にガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程を有しているので、ガラスフリット残渣を簡単に除去することができる。また、焼成工程前にガラスフリット残渣をあらかじめ除去しているので、研磨工程の時間を短縮できる。さらに、焼成工程後はガラスフリット残渣の凹凸がないので、研磨工程で第１基板に過度の応力が集中するのを回避し、第１基板の割れを防止することができる。したがって、第１基板の歩留まりを向上することができる。
【００１３】
また、前記パッケージの製造方法であって、前記残渣除去工程は、前記ガラスフリット残渣を削り取ることが可能な刃を前記一方の面に当接させた後、前記第１基板を回転させることにより前記ガラスフリット残渣を除去するように構成されていることを特徴とする。
本発明によれば、刃を第１基板の一方の面に当接させて固定しつつ、第１基板を回転させるだけでガラスフリット残渣を除去することができるので、ガラスフリット残渣を簡単かつ効率よく除去することができる。
【００１４】
また、本発明の圧電振動子の製造方法は、互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に、圧電振動片が封止された圧電振動子の製造方法であって、前記リッド基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記圧電振動子の外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、前記貫通電極形成工程は、前記ベース基板に前記貫通電極を構成する導電部材を配するための貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔内に前記導電部材を配置する導電部材配置工程と、前記ベース基板の一方の面にペースト状のガラスフリットを塗布するための開口部が形成されたメタルマスクを、前記一方の面上に配置するメタルマスク配置工程と、前記ベース基板の前記一方の面に前記ガラスフリットを塗布し、スキージを用いて前記貫通孔内に前記ガラスフリットを充填するガラスフリット充填工程と、前記メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程と、前記ガラスフリットを乾燥させるガラスフリット乾燥工程と、前記ガラスフリットのうち、前記ベース基板の前記一方の面上に乾燥して残渣しているガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程と、前記ガラスフリット残渣を除去した後、前記貫通孔内に充填された前記ガラスフリットを焼成して硬化させる焼成工程と、を有する、ことを特徴とする。
本発明によれば、ガラスフリットを焼成して硬化させる前にガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程を有しているので、ガラスフリット残渣を簡単に除去することができる。また、焼成工程前にガラスフリット残渣をあらかじめ除去しているので、研磨工程の時間を短縮できる。さらに、焼成工程後はガラスフリット残渣の凹凸がないので、研磨工程でベース基板に過度の応力が集中するのを回避し、ベース基板の割れを防止することができる。したがって、ベース基板の歩留まりを向上することができる。
【００１５】
また、前記圧電振動子の製造方法であって、前記残渣除去工程は、前記ガラスフリット残渣を削り取ることが可能な刃を前記一方の面に当接させた後、前記ベース基板を回転させることにより前記ガラスフリット残渣を除去するように構成されていることを特徴とする。
本発明によれば、刃をベース基板の一方の面に当接させて固定しつつ、ベース基板を回転させるだけでガラスフリット残渣を除去することができるので、ガラスフリット残渣を簡単かつ効率よく除去することができる。
【００１６】
本発明の発振器は、上述の方法で製造された圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の電子機器は、上述の方法で製造された圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の電波時計は、上述の方法で製造された圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明にかかる発振器、電子機器および電波時計によれば、研磨工程の工数を削減でき、かつベース基板の歩留まりを向上させることができる圧電振動子を備えているので、低コストな発振器、電子機器および電波時計を製造することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ガラスフリットを焼成して硬化させる前にガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程を有しているので、ガラスフリット残渣を簡単に除去することができる。また、焼成工程前にガラスフリット残渣をあらかじめ除去しているので、研磨工程の時間を短縮できる。さらに、焼成工程後はガラスフリット残渣の凹凸がないので、研磨工程で第１基板に過度の応力が集中するのを回避し、第１基板の割れを防止することができる。したがって、第１基板の歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施形態における圧電振動子を示す外観斜視図である。
【図２】図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線における断面図である。
【図４】図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。
【図５】圧電振動片の平面図である。
【図６】圧電振動片の底面図である。
【図７】図５のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図８】本実施形態の圧電振動子の製造方法のフローチャートである。
【図９】ウエハ体の分解斜視図である。
【図１０】メタルマスク配置工程を表す説明図である。
【図１１】ガラスフリット充填工程を表す説明図である。
【図１２】ガラスフリット残渣の説明図であり、図１２（ａ）は平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。
【図１３】図１３は残渣除去工程の説明図であり、図１３（ａ）は平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＤ−Ｄ線における断面図である。
【図１４】発振器の一実施形態を示す構成図である。
【図１５】電子機器の一実施形態を示す構成図である。
【図１６】電波時計の一実施形態を示す構成図である。
【図１７】図１７は従来の圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。
【図１８】図１７に示す圧電振動子の側面断面図である。
【図１９】従来の圧電振動子を製造する際の一工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の一実施形態につき図面を参照して説明する。
（圧電振動子）
図１は本実施形態における圧電振動子の外観斜視図である。
図２は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態における圧電振動片の平面図である。
図３は図２のＡ−Ａ線における断面図である。
図４は図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。
図１から図４に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板２とリッド基板３とで２層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティＣ内に圧電振動片４が収納された表面実装型の圧電振動子である。なお、図４においては、図面を見易くするために後述する励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７及び重り金属膜２１の図示を省略している。
【００２１】
図５は圧電振動片の平面図である。
図６は圧電振動片の底面図である。
図７は図５のＢ−Ｂ線における断面図である。
図５から図７に示すように、圧電振動片４は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
【００２２】
この圧電振動片４は、平行に配置された一対の振動腕部１０，１１と、一対の振動腕部１０，１１の基端側を一体的に固定する基部１２と、一対の振動腕部１０，１１の外表面上に形成されて一対の振動腕部１０，１１を振動させる第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とからなる励振電極１５と、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４に電気的に接続されたマウント電極１６，１７とを有している。
また、本実施形態の圧電振動片４は、一対の振動腕部１０，１１の両主面上に、振動腕部１０，１１の長手方向に沿ってそれぞれ形成された溝部１８を備えている。この溝部１８は、振動腕部１０，１１の基端側から略中間付近まで形成されている。
【００２３】
励振電極１３，１４は、図５および図６に示すように、一対の振動腕部１０，１１の主面上に形成される。励振電極１３，１４は、例えば、クロム（Ｃｒ）等の単層の導電性膜により形成される。第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とからなる励振電極１５は、一対の振動腕部１０，１１を互いに接近または離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極であり、一対の振動腕部１０，１１の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、第１の励振電極１３が、一方の振動腕部１０の溝部１８上と他方の振動腕部１１の両側面上とに主に形成され、第２の励振電極１４が、一方の振動腕部１０の両側面上と他方の振動腕部１１の溝部１８上とに主に形成されている。
【００２４】
また、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４は、基部１２の両主面上において、それぞれ引き出し電極１９，２０を介してマウント電極１６，１７に電気的に接続されている。そして圧電振動片４は、このマウント電極１６，１７を介して電圧が印加されるようになっている。
なお、マウント電極１６，１７及び引き出し電極１９，２０は、クロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）との積層膜であり、水晶と密着性の良いクロム膜を下地として成膜した後に、表面に金の薄膜を施したものである。
【００２５】
また、一対の振動腕部１０，１１の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整（周波数調整）を行うための重り金属膜２１が被膜されている。なお、この重り金属膜２１は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜２１ａと、微小に調整する際に使用される微調膜２１ｂとに分かれている。これら粗調膜２１ａ及び微調膜２１ｂを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部１０，１１の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。
【００２６】
このように構成された圧電振動片４は、図３および図４に示すように、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の上面にバンプ接合されている。より具体的には、ベース基板２の上面にパターニングされた後述する引き回し電極３６，３７上に形成された２つのバンプＢ上に、一対のマウント電極１６，１７がそれぞれ接触した状態でバンプ接合されている。
【００２７】
リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、図１，図３および図４に示すように、板状に形成されている。そして、ベース基板２が接合される接合面側には、圧電振動片４が収まる矩形状の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは、両基板２，３が重ね合わされたときに、圧電振動片４を収容するキャビティＣとなるキャビティ用の凹部である。そして、リッド基板３は、この凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して陽極接合されている。
【００２８】
また、図３に示すように、リッド基板３のベース基板２との接合面には、陽極接合用の接合膜３５が形成されている。接合膜３５は、例えばアルミニウム等の導電性材料からなり、スパッタやＣＶＤ等の成膜方法により形成される。なお、凹部３ａの内面全体に形成してもよい。これにより、接合膜３５のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。
そして、リッド基板３は、この凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態で、接合膜を介してベース基板２に陽極接合されている。
【００２９】
ベース基板２は、リッド基板３と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板であり、図１から図４に示すように、板状に形成されている。
このベース基板２には、ベース基板２を貫通する一対の貫通孔３０，３１が形成されている。この際、一対の貫通孔３０，３１は、キャビティＣ内に収まるように形成されている。より詳しく説明すると、本実施形態の貫通孔３０，３１は、マウントされた圧電振動片４の基部１２側に対応した位置に一方の貫通孔３０が形成され、振動腕部１０，１１の先端側に対応した位置に他方の貫通孔３１が形成されている。
【００３０】
そして、これら一対の貫通孔３０，３１には、これら貫通孔３０，３１を埋めるように形成された一対の貫通電極３２，３３が形成されている。これら貫通電極３２，３３は、図３に示すように、焼成によって貫通孔３０，３１に対して一体的に固定された筒体６及び導電部材７によって形成されたものであり、貫通孔３０，３１を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、後述する外部電極３８，３９と引き回し電極３６，３７とを導通させる役割を担っている。
【００３１】
筒体６は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体６は、両端が平坦で且つベース基板２と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体６の中心には、導電部材７が筒体６を貫通するように配されている。筒体６および導電部材７は、貫通孔３０，３１内に埋め込まれた状態で焼成されており、貫通孔３０，３１に対して強固に固着されている。
【００３２】
上述した導電部材７は、ステンレスや銀、アルミ等の金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体６と同様に両端が平坦で、且つベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。なお、図３に示すように、貫通電極３２，３３が完成品として形成された場合には、上述したように導電部材７は、ベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。そして、この導電部材７は、筒体６の略中心６ｃに位置しており、筒体６の焼成によって筒体６に対して強固に固着されている。なお、貫通電極３２，３３は、導電性の導電部材７を通して電気導通性が確保されている。
【００３３】
また、一対の引き回し電極３６，３７は、一対の貫通電極３２，３３のうち、一方の貫通電極３２と圧電振動片４の一方のマウント電極１６とを電気的に接続するとともに、他方の貫通電極３３と圧電振動片４の他方のマウント電極１７とを電気的に接続するようにパターニングされている。
【００３４】
より詳しく説明すると、一方の引き回し電極３６は、圧電振動片４の基部１２の真下に位置するように一方の貫通電極３２の真上に形成されている。また、他方の引き回し電極３７は、一方の引き回し電極３６に隣接した位置から、振動腕部１０，１１に沿って前記振動腕部１０，１１の先端側に引き回しされた後、他方の貫通電極３３の真上に位置するように形成されている。
【００３５】
そして、これら一対の引き回し電極３６，３７上にそれぞれバンプＢが形成されており、前記バンプＢを利用して圧電振動片４がマウントされている。これにより、圧電振動片４の一方のマウント電極１６が、一方の引き回し電極３６を介して一方の貫通電極３２に導通し、他方のマウント電極１７が、他方の引き回し電極３７を介して他方の貫通電極３３に導通するようになっている。
【００３６】
また、ベース基板２の下面には、図１、図３および図４に示すように、一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極３８，３９が形成されている。つまり、一方の外部電極３８は、一方の貫通電極３２及び一方の引き回し電極３６を介して圧電振動片４の第１の励振電極１３に電気的に接続されている。また、他方の外部電極３９は、他方の貫通電極３３及び他方の引き回し電極３７を介して、圧電振動片４の第２の励振電極１４に電気的に接続されている。
【００３７】
このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極３８，３９に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片４の第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４からなる励振電極１５に電圧を印加することで、一対の振動腕部１０，１１を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部１０，１１の振動を利用して、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として利用することができる。
【００３８】
（圧電振動子の製造方法）
次に、本実施形態における圧電振動子１の製造方法について図を用いて説明する。なお、以下の説明では、リッド基板側を上方とし、ベース基板側を下方とする。また、ベース基板の上面を上面Ｕ（一方の面）とする。
図８は、本実施形態の圧電振動子の製造方法のフローチャートである。
図９は、ウエハ体の分解斜視図である。
【００３９】
本実施形態の圧電振動子の製造方法は、ベース基板を厚さ方向に貫通し、キャビティの内側と圧電振動子の外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程Ｓ３２を有している。そして、貫通電極形成工程Ｓ３２は、ベース基板に前記貫通電極を構成する導電部材を配するための貫通孔を形成する貫通孔形成工程Ｓ３２Ａと、貫通孔内に導電部材を配置する導電部材配置工程Ｓ３２Ｂと、ベース基板の上面にペースト状のガラスフリットを塗布するための開口部が形成されたメタルマスクを、ベース基板の上面上に配置するメタルマスク配置工程Ｓ３２Ｃと、ベース基板の上面にガラスフリットを塗布し、スキージを用いて貫通孔内にガラスフリットを充填するガラスフリット充填工程Ｓ３２Ｄと、メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程Ｓ３２Ｅと、ガラスフリットを乾燥させるガラスフリット乾燥工程Ｓ３２Ｆと、ガラスフリットのうち、ベース基板の上面上に乾燥して残渣しているガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程Ｓ３２Ｇと、ガラスフリット残渣を除去した後、貫通孔内に充填されたガラスフリットを焼成して硬化させる焼成工程Ｓ３２Ｈと、ベース基板を研磨する研磨工程Ｓ３２Ｉと、を有している。
【００４０】
初めに、圧電振動片作製工程Ｓ１０を行って図５から図７に示す圧電振動片４を作製する。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄等の適切な処理を施した後、ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片４の外形形状でパターニングするとともに、金属膜の成膜及びパターニングを行って、励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７、重り金属膜２１を形成する。これにより、複数の圧電振動片４を作製することができる。
【００４１】
また、圧電振動片４を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。これは、重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。
【００４２】
次に、図９に示すように、後にリッド基板３（図３参照）となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第１のウエハ作製工程Ｓ２０を行う。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ２１）。次いで、リッド基板用ウエハ５０の接合面に、エッチング等により行列方向にキャビティ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程Ｓ２２を行う。次に、ベース基板用ウエハ４０との接合面を研磨する接合面研磨工程Ｓ２３を行う。
【００４３】
次に、ベース基板用ウエハ４０との接合面に接合膜３５を形成する接合膜形成工程Ｓ２４を行う。接合膜３５は、ベース基板用ウエハ４０との接合面に加えて、凹部３ａの内面全体に形成してもよい。これにより、接合膜３５のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。接合膜３５の形成は、スパッタやＣＶＤ等の成膜方法によって行うことができる。なお、接合膜形成工程Ｓ２４の前に接合面研磨工程Ｓ２３を行っているので、接合膜３５の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ４０との安定した接合を実現することができる。
【００４４】
次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板２（図３参照）となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第２のウエハ作製工程Ｓ３０を行う。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。
【００４５】
次に、図３に示すように、ベース基板２を厚さ方向に貫通し、キャビティＣの内側と圧電振動子１の外側とを導通する貫通電極３２，３３を形成する貫通電極形成工程Ｓ３２を行う。以下に、貫通電極形成工程Ｓ３２について詳細を説明する。
【００４６】
貫通電極形成工程Ｓ３２では、まず、ベース基板２に貫通電極３２，３３を構成する導電部材を配するための貫通孔３０，３１を形成する貫通孔形成工程Ｓ３２Ａと、貫通孔３０，３１内に導電部材７を配置する導電部材配置工程Ｓ３２Ｂと、を行う。
具体的には、まず、サンドブラスト法等によりベース基板用ウエハを貫通する一対の貫通孔３０，３１を複数形成する。続いて、これら複数の貫通孔３０，３１内に、導電部材７を配置する。本実施形態では、ベース基板２の上面から下面に向かって漸次径が縮径した断面テーパ形状となっているが、この場合に限られず、ベース基板２を真っ直ぐに貫通するでも構わない。いずれにしても、ベース基板２を貫通していれば良い。
【００４７】
続いて、ベース基板の上面にメタルマスクを配置するメタルマスク配置工程Ｓ３２Ｃを行う。
図１０はメタルマスク配置工程Ｓ３２Ｃを表す説明図である。
図１０に示すように、メタルマスク８０は、例えばステンレスからなる、厚さが５０μｍ程度の平板部材である。ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕ全体を覆うように形成されており、ベース基板用ウエハ４０のガラスフリット塗布領域に合わせて開口部８０ａが形成されている。メタルマスク配置工程Ｓ３２Ｃでは、ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕに上記のメタルマスク８０を配置する。
【００４８】
続いて、ベース基板の上面Ｕにガラスフリットを塗布し、スキージを用いて貫通孔内にガラスフリットを充填するガラスフリット充填工程Ｓ３２Ｄを行う。
図１１はガラスフリット充填工程Ｓ３２Ｄを表す説明図である。なお、図１１において、本来貫通孔３０，３１は複数個存在するが、図面を見易くするために貫通孔３０を１つのみ図示している。また、同様の理由から、メタルマスク８０の厚さを誇張して図示している。
【００４９】
ガラスフリット充填工程Ｓ３２Ｄでは、ガラス材料からなるペースト状のガラスフリット６ａを貫通孔３０に充填する。
具体的には、図１１（ａ）に示すように、まず、フィルスキージ８１を用い、フィルスキージ８１の先端をメタルマスク８０ならびにベース基板用ウエハ４０の上面Ｕに当接させて、上面Ｕに沿って移動させる。これにより、図１１（ｂ）に示すように、メタルマスク８０の開口部８０ａを介してベース基板用ウエハ４０の上面Ｕにガラスフリット６ａを塗布することができる。なお、フィルスキージ８１を用いずにガラスフリット６ａを厚めに塗布してもよい。
次に、図１１（ｃ）に示すように、スクライブスキージ８２をベース基板用ウエハ４０の上面Ｕに当接させた状態でフィルスキージ８１の移動方向の逆方向に移動させる。これにより、図１１（ｄ）に示すように、ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕにおけるガラスフリット６ａを除去するとともに、貫通孔３０，３１内にガラスフリット６ａを充填することができる。
【００５０】
ここで、スクライブスキージ８２はウレタンゴム等の軟質部材から成る。そして、メタルマスク８０の開口部８０ａを介して、スクライブスキージ８２が撓んでベース基板用ウエハ４０の上面Ｕに当接することにより、ガラスフリット６ａを除去する。しかし、開口部８０ａの側面とベース基板用ウエハ４０の上面Ｕとで形成される隅部においては、スクライブスキージ８２が撓んでもベース基板用ウエハ４０の上面Ｕに当接することができない。したがって、図１１（ｄ）に示すように、スクライブスキージ８２で除去できなかったガラスフリット６ａが、ガラスフリット残渣６ｂとして残存している。
【００５１】
続いて、メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程Ｓ３２Ｅを行う。
図１２はガラスフリット残渣の説明図であり、図１２（ａ）は平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。なお、図１２において図面を見易くするために、貫通孔の図示を省略し、ガラスフリット残渣を誇張して図示している。
メタルマスク除去工程Ｓ３２Ｅでメタルマスクを取り除くと、図１２に示すように、ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕには、メタルマスクの開口部の側面に沿ってガラスフリット残渣６ｂが平面視略円状、断面視略直角三角形状に残存している。
【００５２】
続いて、ガラスフリットを乾燥させるガラスフリット乾燥工程Ｓ３２Ｆを行う。例えば、所定の条件でベース基板用ウエハ４０ごと乾燥炉の中に入れることにより、貫通孔に充填されたガラスフリットおよびベース基板用ウエハ４０上面Ｕのガラスフリット残渣６ｂは乾燥した状態となる。
【００５３】
図１３は残渣除去工程の説明図であり、図１３（ａ）は平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＤ−Ｄ線における断面図である。
続いて、ガラスフリットのうち、ベース基板の上面Ｕ上に乾燥して残渣しているガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程Ｓ３２Ｇを行う。
【００５４】
図１３に示すように、残渣除去工程Ｓ３２Ｇに用いられる切削装置７０は、切削刃７４と、切削刃７４を支持する支持プレート７２と、ベース基板用ウエハ４０を固定する定盤７６と、定盤７６を中心軸Ｏ周りに駆動させる駆動手段（不図示）とを主に備えている。
【００５５】
切削刃７４は、ステンレス等からなる部材であり、市販の刃物を用いることができる。切削刃７４は、支持プレート７２の下面に固定されており、ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕに対し所定の角度で傾斜するように配置されている。
【００５６】
支持プレート７２は、定盤７６および定盤７６にセットされたベース基板用ウエハ４０の上方に配置され、切削刃７４とベース基板用ウエハ４０とが所定の間隔を空けるように配置される。
【００５７】
定盤７６は、ベース基板用ウエハ４０を定盤７６の上面Ｕに固定する不図示の固定手段を有している。また、定盤７６は、不図示の駆動手段により、中心軸Ｏ周りに回転し得るように支持されている。
【００５８】
残渣除去工程Ｓ３２Ｇが開始すると、定盤７６および定盤７６にセットされたベース基板用ウエハ４０の上方に配置されていた支持プレート７２が下降し、ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕに切削刃７４が当接する。その後、定盤７６は、不図示の駆動手段により中心軸Ｏ周りに回転し、切削刃７４がベース基板用ウエハ４０上面Ｕのガラスフリット残渣６ｂを削り取る。そして、ガラスフリット残渣６ｂをすべて削り取った後、支持プレート７２が上昇して残渣除去工程Ｓ３２Ｇ開始前の位置に戻り、ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕと切削刃７４とが離隔して残渣除去工程Ｓ３２Ｇが終了する。
【００５９】
そして、ガラスフリット残渣を除去した後、貫通孔内に充填されたガラスフリットを焼成して硬化させる焼成工程Ｓ３２Ｈを行う。
焼成工程Ｓ３２Ｈでは、図１１（ｄ）に示すように、貫通孔３０に充填したガラスフリット６ａを所定の温度で焼成して硬化させる。この焼成工程Ｓ３２Ｈを行うことで、貫通孔３０の内周面にガラスフリット６ａが強固に固着するので、貫通電極３２，３３を形成することができる。
【００６０】
最後に、ベース基板用ウエハ４０を研磨する研磨工程Ｓ３２Ｉを行う。具体的には、図１１に示す導電部材７の先端がベース基板用ウエハ４０の上面Ｕから露出するまで研磨する。その結果、図３に示すように、筒体６と導電部材７とが一体的に固定された貫通電極３２，３３を複数得ることができる。
【００６１】
ここで、図１１に示すように、従来はガラスフリット残渣６ｂを除去する残渣除去工程Ｓ３２Ｇを備えていなかった。そのため、研磨工程Ｓ３２Ｉで硬化したガラスフリット残渣６ｂを除去する必要があり、研磨工程Ｓ３２Ｉに多大な工数を要していた。しかし、本実施形態では、ガラスフリット残渣６ｂを除去した後に、ガラスフリット６ａを焼成して硬化させるので、焼成工程Ｓ３２Ｈ後にガラスフリット残渣６ｂを研磨して除去する必要がない。したがって、研磨工程Ｓ３２Ｉの時間を削減することができ、効率的に貫通電極を形成することができる。なお、研磨工程Ｓ３２Ｉを行った時点で、貫通電極形成工程Ｓ３２が終了する。
【００６２】
次に、引き回し電極形成工程Ｓ３３として、貫通電極にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極３６，３７を複数形成する。そして、引き回し電極３６，３７上に、それぞれ金等からなる尖塔形状のバンプを形成する。なお、図９では、図面の見易さのためバンプの図示を省略している。この時点で第２のウエハ作製工程が終了する。
【００６３】
次に、図９に示すように、ベース基板用ウエハ４０の引き回し電極３６，３７上に、バンプＢを介して圧電振動片４を接合する実装工程Ｓ４０を行い、その後、ベース基板用ウエハ４０に対してリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる重ね合わせ工程Ｓ５０を行う。
【００６４】
そして、重ね合わせ工程Ｓ５０の後、重ね合わせた２枚のウエハを図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合し、ウエハ接合体を形成する接合工程Ｓ６０を行う。ところで、陽極接合を行う際、図３に示すように、ベース基板用ウエハ４０に形成された貫通孔３０，３１は、貫通電極３２，３３によって完全に塞がれているため、キャビティＣ内の真空状態が貫通孔３０，３１を通じて損なわれることがない。しかも、焼成によって筒体６と導電部材７とが一定的に固定されているとともに、これらが貫通孔３０，３１に対して強固に固着されているため、キャビティＣ内の真空状態を確実に維持することができる。
【００６５】
そして、上述した陽極接合が終了した後、ベース基板用ウエハ４０の下面に導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極３２，３３にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極３８，３９（図３参照）を複数形成する外部電極形成工程Ｓ７０を行う。
特に、この工程を行う場合も引き回し電極３６，３７の形成時と同様に、ベース基板用ウエハ４０の下面に対して貫通電極３２，３３が略面一な状態となっているため、パターニングされた外部電極３８，３９は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極３２，３３に対して密着した状態で接する。これにより、外部電極３８，３９と貫通電極３２，３３との導通性を確実なものにすることができる。
【００６６】
次に、ウエハ接合体の状態で、キャビティＣ内に封止された個々の圧電振動子１の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程を行う（Ｓ８０）。
周波数の微調が終了後、接合されたウエハ体を切断線Ｍに沿って切断して小片化する切断工程を行う（Ｓ９０）。
その後、内部の電気特性検査（Ｓ１００）を行うことで、圧電振動子の製造が終了する。
【００６７】
従来は、ガラスフリット充填工程の後に、ガラスフリット残渣を除去せずに焼成工程を行っていた。そして、焼成工程の後に、焼成工程により硬化したガラスフリット残渣とベース基板用ウエハの下面とを研磨してガラスフリット残渣を取り除く研磨工程を設けていた。
しかし、本実施形態の圧電振動子の製造方法においては、図１３に示すように、ガラスフリットを焼成して硬化させる前にガラスフリット残渣６ｂを削り取る残渣除去工程Ｓ３２Ｇを有しているので、ガラスフリット残渣６ｂを簡単に除去することができる。また、焼成工程Ｓ３２Ｈ前にガラスフリット残渣６ｂをあらかじめ除去しているので、研磨工程Ｓ３２Ｉの時間を短縮できる。さらに、焼成工程Ｓ３２Ｈ後はガラスフリット残渣６ｂの凹凸がないので、研磨工程Ｓ３２Ｉでベース基板用ウエハ４０に過度の応力が集中するのを回避し、ベース基板用ウエハ４０の割れを防止することができる。したがって、ベース基板用ウエハ４０の歩留まりを向上することができる。
【００６８】
（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１４を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１１０は、図１４に示すように、圧電振動子１を、集積回路１１１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１１０は、コンデンサ等の電子素子部品１１２が実装された基板１１３を備えている。基板１１３には、発振器用の前記集積回路１１１が実装されており、この集積回路１１１の近傍に、圧電振動子１の圧電振動片４が実装されている。これら電子素子部品１１２、集積回路１１１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
【００６９】
このように構成された発振器１１０において、圧電振動子１に電圧を印加すると、圧電振動子１内の圧電振動片４が振動する。この振動は、圧電振動片４が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１１１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１１１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１１１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
【００７０】
このような本実施形態の発振器１１０によれば、研磨工程の工数を削減でき、かつベース基板の歩留まりを向上させることができる圧電振動子を備えているので、低コストな発振器を提供することができる。
【００７１】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１５を参照して説明する。なお電子機器として、前述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１２０を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器１２０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
【００７２】
次に、本実施形態の携帯情報機器１２０の構成について説明する。この携帯情報機器１２０は、図１５に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１２１とを備えている。電源部１２１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１２１には、各種制御を行う制御部１２２と、時刻等のカウントを行う計時部１２３と、外部との通信を行う通信部１２４と、各種情報を表示する表示部１２５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１２６とが並列に接続されている。そして、電源部１２１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
【００７３】
制御部１２２は、各機能部を制御して音声データの送信や受信、現在時刻の計測、表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１２２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、該ＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、該ＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。
【００７４】
計時部１２３は、発振回路やレジスタ回路、カウンタ回路、インターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片４が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１２２と信号の送受信が行われ、表示部１２５に、現在時刻や現在日付、カレンダー情報等が表示される。
【００７５】
通信部１２４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１２７、音声処理部１２８、切替部１２９、増幅部１３０、音声入出力部１３１、電話番号入力部１３２、着信音発生部１３３及び呼制御メモリ部１３４を備えている。
無線部１２７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１３５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１２８は、無線部１２７又は増幅部１３０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１３０は、音声処理部１２８又は音声入出力部１３１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１３１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【００７６】
また、着信音発生部１３３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１２９は、着信時に限って、音声処理部１２８に接続されている増幅部１３０を着信音発生部１３３に切り替えることによって、着信音発生部１３３において生成された着信音が増幅部１３０を介して音声入出力部１３１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１３４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１３２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
【００７７】
電圧検出部１２６は、電源部１２１によって制御部１２２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１２２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１２４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１２６から電圧降下の通知を受けた制御部１２２は、無線部１２７、音声処理部１２８、切替部１２９及び着信音発生部１３３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１２７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１２５に、通信部１２４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【００７８】
すなわち、電圧検出部１２６と制御部１２２とによって、通信部１２４の動作を禁止し、その旨を表示部１２５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１２５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１２４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１３６を備えることで、通信部１２４の機能をより確実に停止することができる。
【００７９】
本実施形態の携帯情報機器１２０によれば、研磨工程の工数を削減でき、かつベース基板の歩留まりを向上させることができる圧電振動子を備えているので、低コストな携帯情報機器を提供することができる。
【００８０】
（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１６を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１４０は、図１６に示すように、フィルタ部１４１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、前述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【００８１】
以下、電波時計１４０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１４２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１４３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１４１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、前記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１４８、１４９をそれぞれ備えている。
【００８２】
更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１４４により検波復調される。
続いて、波形整形回路１４５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１４６でカウントされる。ＣＰＵ１４６では、現在の年や積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１４８に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１４８、１４９は、前述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【００８３】
なお、前述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１４０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【００８４】
本実施形態の電波時計１４０によれば、研磨工程の工数を削減でき、かつベース基板の歩留まりを向上させることができる圧電振動子を備えているので、低コストな電波時計を提供することができる。
【００８５】
なお、この発明は上述した実施の形態に限られるものではない。
本実施形態では、音叉型の圧電振動片および音叉型の圧電振動片を用いた圧電振動子を例に挙げて説明した。しかし、例えばＡＴカット型の圧電振動片（厚み滑り振動片）の圧電振動片およびＡＴカット型の圧電振動片を用いた圧電振動子に採用しても構わない。
また、本実施形態の残渣除去工程において、切削装置は切削刃が１枚で構成されている。しかし、切削刃７４を複数枚用いて切削装置７０を構成してもよい。これにより、残渣除去工程の作業時間を短縮することができる。ただし、切削刃の数が少ない分、切削装置を安価に構成できる点で本実施形態に優位性がある。
【符号の説明】
【００８６】
１・・・圧電振動子  ２・・・ベース基板  ３・・・リッド基板  ４・・・圧電振動片  ６ａ・・・ガラスフリット  ７・・・導電部材  ３０，３１・・・貫通孔  ３２，３３・・・貫通電極  ４０・・・ベース基板用ウエハ  ７０・・・切削装置  ７２・・・支持プレート  ７４・・・切削刃  ７６・・・定盤  ８０・・・メタルマスク  ８０ａ・・・メタルマスクの開口部  ８１・・・フィルスキージ  ８２・・・スクライブスキージ  １１０・・・発振器  １２０・・・携帯情報機器（電子機器）  １４０・・・電波時計  Ｃ・・・キャビティ  Ｓ３２・・・貫通電極形成工程Ｓ３２Ａ・・・貫通孔形成工程  Ｓ３２Ｂ・・・導通部材配置工程  Ｓ３２Ｃ・・・メタルマスク配置工程  Ｓ３２Ｄ・・・ガラスフリット充填工程  Ｓ３２Ｅ・・・メタルマスク除去工程  Ｓ３２Ｆ・・・ガラスフリット乾燥工程  Ｓ３２Ｇ・・・残渣除去工程  Ｓ３２Ｈ・・・焼成工程  Ｕ・・・上面（一方の面）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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