(57)【要約】      （修正有）【課題】輸送管内壁への酸化物の付着を低減できる洗浄装置を提供する。【解決手段】対象物１１に水素ラジカルを供給することによって前記対象物１１を洗浄する洗浄装置２７であって、加熱された触媒１に気体を供給することによって水素ラジカルを生成する生成手段と、前記生成手段から前記対象物１１への気体の供給を制限可能な制限手段と、前記制限手段により気体の供給が制限された状態で、前記触媒１の周囲の気体を前記対象物１１を介さずに排気可能な排気手段と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物に水素ラジカルを供給することによって前記対象物を洗浄する洗浄装置であって、
加熱された触媒に気体を供給することによって水素ラジカルを生成する生成手段と、
前記生成手段から前記対象物への気体の供給を制限可能な制限手段と、
前記制限手段により気体の供給が制限された状態で、前記触媒の周囲の気体を前記対象物を介さずに排気可能な排気手段と、
を備えることを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
前記触媒が配置される空間を囲む筐体と、
前記筐体を加熱可能な加熱手段と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記制限手段を冷却可能な冷却手段を備え、
前記制限手段は、前記水素ラジカルが通過する空間とは異なる空間に退避可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の洗浄装置。
【請求項４】
前記生成手段は、前記触媒の表面に付着した酸化物を還元可能な第１気体と、前記過熱された触媒に供給することによって水素ラジカルを生成可能な第２気体と、を選択的に前記触媒に供給可能であることを特徴とする請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記第１気体は水素ラジカルであることを特徴とする請求項４に記載の洗浄装置。
【請求項６】
加熱された第２触媒に気体を供給することによって、前記触媒に供給される水素ラジカルを生成する第２生成手段と、
前記第２生成手段と前記触媒との間に配置され、前記第２生成手段から前記触媒への気体の供給を制限可能な第２制限手段と、
前記第２制限手段により供給が制限された状態で、前記第２触媒の周囲の気体を前記触媒を介さずに排気可能な第２排気手段と、
を備えることを特徴とする請求項５に記載の洗浄装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の洗浄装置を用いて、粒子線を制御可能な光学部材を洗浄することを特徴とするパターン転写装置。
【請求項８】
加熱された触媒に気体を供給して生成させた水素ラジカルを用いて対象物を洗浄する洗浄方法であって、
前記触媒の周囲から前記対象物への気体の供給が制限された状態で、前記触媒の周囲の気体を排気する工程と
前記排気する工程と並行して、前記触媒の表面の酸化物を還元または蒸発させることにより前記酸化物を除去する工程と、
前記加熱された触媒に気体を供給して水素ラジカルを生成する工程と、
前記制限が解除された状態で、生成された水素ラジカルを前記対象物に供給する工程と、
を備えることを特徴とすることを特徴とする洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対象物に水素ラジカルを供給することによって対象物を洗浄する洗浄装置、および洗浄方法に関する。また、このような洗浄装置を備えたリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置において、水素ラジカルを用いて装置の一部を洗浄する構成が特許文献１に記載されている。該文献において、水素含有ガスを加熱された触媒（例えば１５００〜３０００Ｋに加熱されたタングステン）に供給し、水素ラジカルを発生させることが記載されている。発生させた水素ラジカルは、配管および流量調整用のシャッタを介して洗浄すべき部分に供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１８４５７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の洗浄装置において、触媒を加熱したときに触媒表面の酸化物が蒸発し、蒸発した酸化物が配管等の供給経路の内壁に付着してしまうという問題があった。内壁に付着した酸化物は、水素ラジカルと反応し、それによって水素ラジカルが失活してしまう。そして、反応により生成された水が再び触媒を酸化させてしまう。この現象は、Ｗａｔｅｒ  Ｖａｐｏｒ  Ｃｙｃｌｅ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ  Ｃｙｃｌｅ）と呼ばれ、例えば、タングステンＷを触媒とした場合には以下の反応を起こす。
ＷＯＸ    ＋  ２Ｈ（水素ラジカル）  →  Ｈ２Ｏ  ＋  Ｗ
Ｗ  ＋  Ｈ２Ｏ  →  ＷＯＸ    ＋  Ｈ２
これらの反応を繰返してしまうと、水素ラジカルが失活し続けるため、水素ラジカルの供給効率が低下してしまう。
【０００５】
水素ラジカルの供給効率が低下してしまうと、洗浄に要する時間が長くなってしまい、例えばリソグラフィ装置の場合には、生産性（スループット）が低下してしまう。
【０００６】
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、対象物に水素ラジカルを供給することによって対象物を洗浄する洗浄装置において、水素ラジカルの供給経路の内壁への酸化物の付着を低減した洗浄装置を提供することを例示的な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的を達成するために、本願発明は、対象物に水素ラジカルを供給することによって前記対象物を洗浄する洗浄装置であって、加熱された触媒に気体を供給することによって水素ラジカルを生成する生成手段と、前記生成手段から前記対象物への気体の供給を制限可能な制限手段と、前記制限手段により気体の供給が制限された状態で、前記触媒の周囲の気体を前記対象物を介さずに排気可能な排気手段と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
発明によれば、対象物に水素ラジカルを供給することによって対象物を洗浄する洗浄装置において、水素ラジカルの供給経路の内壁への酸化物の付着を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態の洗浄装置を示した図である。
【図２】第１の実施形態の変形例１を示した図である。
【図３】第１の実施形態の変形例２を示した図である。
【図４】第２の実施形態の洗浄装置を示した図である。
【図５】ＥＵＶ露光装置を示す概略構成図である。
【図６】第１の実施形態に係る洗浄方法を示すフロー図である。
【図７】第１の実施形態の変形例２に係る洗浄方法を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の洗浄装置を示す概略図である。図中の矢印は気体の流れを示す。洗浄装置２７は、洗浄すべき対象物１１に水素ラジカルを供給することによって対象物１１を洗浄する。洗浄装置２７は、加熱された触媒に気体を供給することによって水素ラジカルを発生させる水素ラジカル生成ユニット（生成手段）を有し、水素ラジカル生成ユニットからの水素ラジカルは配管９を介して対象物１１に供給される。水素ラジカル生成ユニットは、筐体２１と、筐体２１の内部に配置された触媒１と、触媒１に気体を供給可能な供給部１５と、触媒１を加熱する加熱部２９とを備える。
【００１２】
触媒１は、供給部１５からの気体と反応して水素ラジカルを生成可能な触媒であり、例えば、タングステン、白金、タンタル、モリブデン、ニッケル、レニウムのうち少なくとも一つを含む。
【００１３】
供給部１５は、触媒１と反応して水素ラジカルを生成可能な気体を触媒１に供給可能に構成される。また、これに加えて、触媒１の酸化物を還元可能な還元性気体を触媒１に供給可能に構成されてもよい。この場合、供給部１５は選択的に２つの気体を供給可能であればよい。
【００１４】
触媒１と反応して水素ラジカルを生成可能な気体は、例えば、水素、アンモニアの少なくとも一つを含む。還元性気体は、例えば水素ラジカル、エタノール、一酸化炭素、メタン、プロパンのうち少なくとも一つを含む。また、供給部１５からの気体は触媒１の近傍に供給されることが望ましい。
【００１５】
加熱部２９は、触媒１を加熱可能であり、例えば、触媒１に電流を流す電源を含む。ここでいう「加熱」は、触媒そのものを発熱させる形態を含む。
【００１６】
また、洗浄装置２７は、触媒１の周囲から対象物１１への気体の供給を制限可能なシャッタ７（制限手段）と、シャッタ７により気体の供給が制限された状態で、触媒１の周囲の気体を対象物１１を介さずに排気可能な排気部１７（排気手段）と、を備える。シャッタ７は不図示の駆動機構を介して駆動可能である。駆動機構としては周知の技術を適用しうる。また、制限手段はゲートバルブ等であってもよい。
【００１７】
「シャッタにより気体供給が制限された状態」とは、シャッタ７により気体の供給が完全に遮蔽された状態だけでなく、シャッタ７により筐体２１および配管９を含む気体の供給経路のコンダクタンスを小さくして供給が制限された状態も含む。以下の説明においては、シャッタ７により供給が完全に遮蔽される場合について説明するが、これに限定されるものではない。
【００１８】
本実施形態において、シャッタ７は筐体２１の内部に設けられる。しかしながら、シャッタ７の配置はこれに限られず、触媒１と対象物１１との間に設ければよい。供給経路９に設ける場合には、できるだけ触媒１に近い位置に設けることが好ましい。
【００１９】
排気部１７は、触媒１の周囲の気体を対象物１１を介さずに排気可能であればよく、例えば、シャッタ７に対して触媒側に設けられる。
【００２０】
なお、上述の構成に加えて、供給部１５、排気部１７、配管９、シャッタ７、筐体２１の内壁の少なくとも一部を水素ラジカルの失活を抑制可能な材料で構成してもよい。例えば、ＳｉＯ２など、水素ラジカルの消滅確率が０．２以下の材料が適用される。水素ラジカルの消滅確率が０．２とは、材料の表面と水素原子が１０回衝突した場合に、水素原子の９０％が消滅することをいう。
【００２１】
上述の洗浄装置を用いた洗浄方法について説明する。図６は洗浄方法を例示的に示すフロー図である。洗浄方法として２つの方法を例示する。一つは、シャッタ７を閉じた状態で排気しながら触媒１の酸化物を蒸発させる方法であり、もう一つはシャッタ７を閉じた状態で排気しながら触媒１の酸化物を還元させる方法である。
【００２２】
前者の洗浄方法について説明する。
【００２３】
まず、シャッタ７が閉じられる（ステップＳ１０）。
【００２４】
つぎに、排気部１７により、筐体２１内の気体の排気が開始される（ステップＳ２０）。これにより、筐体２１内に存在する、触媒１を酸化させうる気体が除去される。
【００２５】
そして、供給部１５により、筐体２１内に気体の供給が開始される（ステップＳ３０）。供給される気体として、例えば、水素が用いられる。加熱部により、触媒１の加熱が開始される（Ｓ４０）。このとき触媒１としてのタングステンは１１００℃〜２０００℃に加熱されている。
【００２６】
タングステンの表面に存在する酸化物（酸化タングステン）は１１００℃以上で蒸発を始めるため、蒸発された酸化物が排気部１７を介して排気される。すなわち、酸化物が配管９等の内壁に付着することを防止することができる。また、このとき、タングステンを酸化させうるＨ２Ｏも排気されるため、タングステンの酸化を抑えることができる。
【００２７】
なお、以上のステップＳ１０〜Ｓ４０のタイミングは適宜変更が可能であり、蒸発された酸化物の排気が可能であればよい。
【００２８】
以上のステップＳ１０〜Ｓ４０により、水素ラジカルを対象物１１に供給して洗浄を行う前に、シャッタ７を閉じた状態で供給部１５から水素を供給し、排気部１７から気体を排気する。  所定の時間が経過したら、供給部１５による気体の供給を停止する（ステップＳ５０）。なお、本ステップを省略してもよい。
【００２９】
つぎに、排気部１７による気体の排気を停止する（ステップＳ６０）。本ステップは，洗浄を行うときに生成された水素ラジカルが対象物１１に向かうことなく排気されることを防ぐために行われる。ステップＳ６０は洗浄が開始されると同時に行われてもよく、洗浄が開始された後に行われてもよい。
【００３０】
そして、水素ラジカルにより対象物を洗浄する工程に移る。まず、供給部１５により水素の供給を開始する（Ｓ７０）。このとき、触媒１としてのタングステンは１６００℃以上に加熱される。タングステンの表面の酸化物はＳ１０〜Ｓ４０により事前に除去されているため、酸化物がタングステンの表面から蒸発して配管９等の供給経路の内壁に付着することを抑えることができる。
【００３１】
つづいて、シャッタ７を開いて、生成された水素ラジカルを対象物１１に供給し、洗浄を行う（ステップＳ８０）。
【００３２】
洗浄に要する所定の時間が経過したら、シャッタ７を閉じることによって水素ラジカルの供給を停止させ、洗浄を終了する。なお、常時水素ラジカルを対象物１に供給しつづける場合には、洗浄停止の指令に応じて洗浄を停止させてもよい。
【００３３】
後者の洗浄方法について説明する。
【００３４】
まず、シャッタ７が閉じられる（ステップＳ１０）。
【００３５】
つぎに、排気部１７により、筐体２１内の気体の排気が開始される（ステップＳ２０）。これにより、筐体２１内に存在する、触媒１を酸化させうる気体が除去される。
【００３６】
そして、供給部１５により、筐体２１内に気体の供給が開始される（ステップＳ３０）。供給される気体として、触媒１の酸化物を還元可能な気体（還元性気体）が用いられる。このような気体として、例えば、水素ラジカル、エタノール、一酸化炭素、メタン、プロパンの少なくとも一つを含む気体が用いられる。加熱部により、触媒１の加熱が開始される（Ｓ４０）。このとき触媒１としてのタングステンは１１００℃以下に加熱してもよい。
【００３７】
なお、ステップＳ２０は、ステップＳ３０と同時に行われてもよく、ステップＳ３０の後に行われてもよい。
【００３８】
以上のステップＳ１０〜Ｓ４０により、水素ラジカルを対象物１に供給して洗浄を行う前に、シャッタ７を閉じた状態で供給部１５から水素ラジカルを供給し、排気部１７から気体を排気する。触媒１の酸化物を還元させるために要する所定の時間が経過したら、供給部１５による気体の供給を停止する（ステップＳ５０）。本ステップは、洗浄を行うときに生成された水素ラジカルと還元性気体が混ざって、対象物１にダメージを与えることを防ぐために行われる。還元性気体によるダメージが許容されるほど小さい場合には、本ステップを省略してもよい。
【００３９】
つぎに、排気部１７による気体の排気を停止する（ステップＳ６０）。本ステップは，洗浄を行うときに生成された水素ラジカルが対象物１１に向かうことなく排気されることを防ぐために行われる。ステップＳ６０は洗浄が開始されると同時に行われてもよく、洗浄が開始された後に行われてもよい。
【００４０】
そして、水素ラジカルにより対象物を洗浄する工程に移る。まず、供給部１５により水素の供給を開始する（Ｓ７０）。このとき、触媒１としてのタングステンは１６００℃以上に加熱される。タングステンの表面の酸化物はＳ１０〜Ｓ４０により還元されているため、酸化物がタングステンの表面から蒸発して配管９等の供給経路の内壁に付着することを抑えることができる。
【００４１】
つづいて、シャッタ７を開いて、生成された水素ラジカルを対象物１に供給し、洗浄を行う（ステップＳ８０）。
【００４２】
洗浄に要する所定の時間が経過したら、シャッタ７を閉じることによって水素ラジカルの供給を停止させ、洗浄を終了する。なお、常時水素ラジカルを対象物１に供給しつづける場合には、洗浄停止の指令に応じて洗浄を停止させてもよい。
【００４３】
（第１変形例）
上述の構成に加えて、供給部１５、排気部１７、配管９、シャッタ７、筐体２１の内壁の少なくとも一部を加熱する内壁加熱部を備えてもよい。
【００４４】
図２に、洗浄装置の変形例として、内壁加熱部２３を筐体２１に設けた例を示す。内壁加熱部２３として、例えば、リボンヒーターやワイヤヒーターなどのヒーターを適用できる。内壁加熱部２３は、筐体２３の温度が洗浄装置の周囲の温度以上になるように加熱し、好適には、筐体２３が１００℃以上になるように加熱する。
【００４５】
触媒１の表面の酸化物が蒸発した場合に、酸化物の一部が排気されずに筐体２１の内壁に付着する可能性がある。本変形例では、内壁を内壁加熱部２３を用いて高温にすることによって、酸化物の付着を抑え、水素ラジカルが内壁に衝突した際の失活を抑制することができる。
【００４６】
シャッタ７を閉じた状態で加熱された触媒に気体を供給するとともに排気部１７から気体を排気している間に、内壁加熱部２３により筐体２３を加熱することが好ましい。ただし、内壁加熱部２３による加熱のタイミングは、これに限られるものではなく、対象物１１を洗浄しているときに加熱してもよい。
【００４７】
（第２変形例）
第１変形例の構成に加えて、シャッタ７を冷却する冷却部を備えてもよい。
【００４８】
図３に、洗浄装置の変形例として、シャッタ７に冷却部２５を設けた例を示す。冷却部２５はシャッタ７の少なくとも一部を冷却可能に構成される。冷却部２５として、例えば、水冷方式やペルチェ素子による冷却方法を適用できる。冷却部２５は、例えば、シャッタ７の温度が洗浄装置の周囲の温度以下になるように冷却する。このような構成により、触媒１の表面の酸化物が蒸発した場合に、排気されなかった酸化物の一部をシャッタ７の表面に付着させることが可能となる。シャッタ７の表面への酸化物の付着を促進させることによって、筐体２１の内壁への酸化物の付着を低減させることができる。
【００４９】
また、本変形例において、シャッタ７は水素ラジカルの供給経路から退避可能に構成されている。シャッタ７を閉じた状態で加熱された触媒に気体を供給するとともに排気部１７から気体を排気している間に、冷却部２５によりシャッタ７を冷却することが好ましい。対象物１１の洗浄を行うときにシャッタ７を退避させることによって、シャッタ７に付着した酸化物によって水素ラジカルの供給効率が低下することを抑制する。シャッタ７は供給経路を含む空間から完全に退避させる必要はなく、シャッタ７の酸化物を付着させた面が供給経路を含む空間に面しないようにシャッタ７を駆動可能であればよい。
【００５０】
上述の変形例における洗浄装置を用いた洗浄方法について説明する。図７は洗浄方法を例示的に示すフローチャートである。図６と同様の工程については同一の符号を付して説明を省略する。
【００５１】
本変形例において、ステップＳ１１においてシャッタを冷却を開始する。ステップＳ１１のタイミングは図７に限られず、例えば、ステップＳ４０と同時におこなってもよく、ステップＳ４０よりも前に行えばよい。
【００５２】
つづいて、内壁加熱部２３により、筐体の内壁の加熱を開始する（ステップＳ１２）。ステップＳ１１のタイミングは図７に限られず、例えば、ステップＳ４０と同時におこなってもよく、ステップＳ４０よりも前に行えばよい。
【００５３】
（第２実施形態）
図４は、第２実施形態の洗浄装置を示す概略図である。図中の矢印は気体の流れを示す。第１実施形態と同様の構成及び同様の機能を有する部分については、図中において同一の符号を付しており、説明を省略する。
【００５４】
第２実施形態は、洗浄装置が、供給部３に水素ラジカルを供給可能な水素ラジカル生成ユニット２８を備える点で第１実施形態と異なる。ここで、水素ラジカル生成ユニット２８は、第１実施形態の水素ラジカル生成ユニットと同様の構成でよい。
【００５５】
水素ラジカル生成ユニット２８は、筐体２２と、筐体２２の内部に配置された触媒２と、触媒２に気体を供給する供給部４と、触媒２を加熱する加熱部３６とを備える。また、洗浄装置２７は、供給部３への水素ラジカルの供給を制限可能なシャッタ８（制限手段）と、シャッタ８により供給が制限された状態で、触媒２の周囲の気体を供給部３を介さずに排気可能な排気部１８（排気手段）と、を備える。これらの構成の詳細は、第１実施形態の水素ラジカル生成ユニットと同様であるとして説明を省略する。
【００５６】
水素ラジカル生成ユニット２８による水素ラジカル生成の方法は、第１実施形態の図６を用いて説明した方法と同様である。水素ラジカル生成ユニット２８により生成された水素ラジカルは、第１実施形態の洗浄方法のステップＳ３０の気体として供給部３を介して供給される。
【００５７】
（洗浄装置をパターン転写装置に適用した例）
上述の洗浄装置はパターン転写装置に適用した例について説明する。パターン転写装置とは、基板にパターンを転写する装置である。パターン転写装置は、一般的には、光や電子線等の粒子線を利用し、上述の洗浄装置は、粒子船を制御可能な光学部材の洗浄装置に好適に用いられる。ここでは、パターン転写するために波長１３ｎｍ程度の極紫外光を用いたＥＵＶ（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）露光装置の照明光学ユニットまたは投影光学ユニットに適用した例について説明する。
【００５８】
図５は、ＥＵＶ露光装置の概略を示す図である。ＥＵＶ露光装置は、極紫外光を用いて、レチクル（原版）６６に形成されたパターンをウエハ（基板）に転写する。ＥＵＶ露光装置は、極紫外光を生成する光源ユニットと、生成された極紫外光をレチクルに導く照明光学ユニットと、レチクルの表面で反射された極紫外光をウエハに導く投影光学ユニットを備える。また、露光装置は、ウエハを移動させるウエハステージと、レチクルを移動させるレチクルステージと、を備える。これらの構成要素は、容器６７の内部に配置される。また、露光装置は、真空ポンプ等の排気手段を備え、排気口６２を介して排気することにより容器６７の内部に真空環境（例えば１Ｐａ以下の圧力）を形成可能となっている。
【００５９】
光源ユニットは、レーザー３５と、発光媒体６１と、集光ミラー６０とを備える。レーザー３５から発光媒体６１にレーザーを照射することによって、極紫外光が取り出され、取り出された極紫外光は、集光ミラー６０により集光される。集光ミラー６０からの極紫外光は、照明光学ユニットとしての多層膜ミラー６４により反射され、レチクル６６に導かれる。
【００６０】
レチクル６６の表面で反射した極紫外光は、投影光学ユニットとしての多層膜ミラー６５により反射され、ウエハ３０に導かれる。投影光学ユニットは、レチクルのパターンをウエハに縮小させて投影する機能を有する。
【００６１】
このようなＥＵＶ露光装置において、照明光学ユニットや投影光学ユニットを構成する多層膜ミラーに異物が付着するおそれがある。このような異物として、例えば炭素が挙げられ、ＥＵＶ露光装置を構成する部材から放出されるアウトガスや、ウエハに塗布されたレジスト（感光剤）から放出される炭素化合物が要因となる。この異物の付着は、極紫外光の反射率を低下させてしまう。
【００６２】
本形態において、ＥＵＶ露光装置は、上述の洗浄装置２７を備えており、洗浄装置２７からの水素ラジカルをこれらの多層膜ミラーに供給することによって、水素ラジカルと異物を反応させて、異物を除去することが可能となる。
【００６３】
なお、図５において、多層膜ミラー６４を洗浄する例を示したが、他の光学素子を洗浄するために用いてもよく、光学素子以外の部材を洗浄するために用いてもよい。また、生産装置として稼働をしている時に洗浄を行ってもよいし、稼働をしていないメンテナンス時に洗浄を行ってもよい。
【００６４】
本形態によれば、洗浄に要する時間を短くできるため、パターン転写装置の生産性（スループット）を向上させることができる。
【００６５】
（パターン転写を用いたデバイス製造方法の例）
パターン転写を用いたデバイス製造方法の例を説明する。デバイスとして、例えば、半導体デバイス、液晶表示デバイスが製造される。半導体デバイスは、ウェーハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウェーハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウェーハを露光する工程と、ウェーハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００６６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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