(57)【要約】【課題】ラビングロールの周辺部材に粉塵が付着しにくい液晶装置の製造装置を提供する。【解決手段】素子基板と対向基板とに挟持された液晶層と、それぞれの基板において液晶層に面する側に設けられ配向処理が施される配向膜とを有する液晶装置の製造装置（ラビング装置７１）であって、ラビング布が捲回されたラビングロール７５と、ラビングロール７５の周辺に設けられた周辺部材（ラビングロールガイド８６、ステージ７３）と、を有し、周辺部材は、フッ素樹脂のコーティング処理が施されている。【選択図】図６
2011008149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に設けられ
た配向膜とを有し、前記配向膜がラビング布によりラビング処理される液晶装置の製造装
置であって、
前記ラビング布が捲回されたラビングロールを備え、
前記ラビングロールの周辺に設けられた周辺部材の少なくとも前記ラビングロールに面
する側の部位は、フッ素樹脂のコーティング処理が施されていることを特徴とする液晶装
置の製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記周辺部材は、前記ラビングロールを移動させる駆動機構、及び、前記駆動機構の支
持部であることを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記周辺部材は、前記一方の基板が載置される載置面を有するステージであって、
前記ステージの前記載置面以外の少なくとも周辺領域に相当する部位に表面処理が施さ
れていることを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記ラビング処理によって発生した粉塵を除去する除去機構を備えていることを特徴と
する液晶装置の製造装置。
【請求項５】
請求項４に記載の液晶装置の製造装置であって、
回転する前記ラビングロールに対しラビング方向の下流側に前記除去機構としての吸引
部が配置されていることを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記ラビング方向の上流側から前記下流側に風を送る送風機構が設けられていることを
特徴とする液晶装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配向膜にラビング処理を施す液晶装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した液晶装置は、一方の基板に設けられた配向膜と他方の基板に設けられた配向膜
との間に液晶が挟持された構造を有している。このような液晶装置の製造方法としては、
電圧が印加されていないときの液晶の配向状態を規定するため、例えば、配向膜の表面に
ラビング処理を施す配向処理工程を有する。
【０００３】
ラビング処理は、ラビングロールに巻きつけられたラビング部材により配向膜を擦って
、その表面に溝を形成する。液晶分子は、溝に沿って配列する性質を有しており、これに
より配向処理が実現される。一方、ラビング処理を行った際、配向膜の削り屑やラビング
部材の切れ毛等を含む粉塵が発生する。そこで、例えば、特許文献１に記載のように、発
生した粉塵を基板の縁に沿って形成された溝の中に落とすことで、基板が載置されている
テーブルの表面から粉塵を除去することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−６６４５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した特許文献１の方法では、ラビング処理によって発生した粉塵を
除去できるものの、除去しきれない粉塵がラビングロールの周辺部材（例えば、ステンレ
ス材）に付着し、それが基板に付着してラビング処理時に配向膜を傷つけるおそれがある
という課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形
態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造装置は、一対の基板に挟持された液晶層と
、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に設けられた配向膜とを有し、前記配向膜がラ
ビング布によりラビング処理される液晶装置の製造装置であって、前記ラビング布が捲回
されたラビングロールを備え、前記ラビングロールの周辺に設けられた周辺部材の少なく
とも前記ラビングロールに面する側の部位は、フッ素樹脂のコーティング処理が施されて
いることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、周辺部材にフッ素樹脂のコーティング処理が施されているので、例
えば、ステンレスのような表面エネルギーが高い周辺部材が露出していることと比較して
表面エネルギーを小さくすることが可能となり、ラビング処理で発生する切れ毛（粉塵）
が周辺部材に付着することを抑えることができる。よって、例えば、周辺部材に粉塵が付
着して、その粉塵がラビングロールや基板に付着することを抑えることが可能となる。よ
って、配向膜が傷つくことを抑えることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記周辺部材は、前記ラ
ビングロールを移動させる駆動機構、及び、前記駆動機構の支持部であることが好ましい
。
【００１０】
この構成によれば、駆動機構やその支持部（それらのカバーも含む）に上記した表面処
理が施されているので、ラビング処理で発生する粉塵が、駆動機構やその支持部に付着す
ることを抑えることができる。よって、例えば、粉塵がラビングロールに再付着したり、
基板に付着したりするようなことを防ぐことができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記周辺部材は、前記一
方の基板が載置される載置面を有するステージであって、前記ステージの前記載置面以外
の少なくとも周辺領域に相当する部位に表面処理が施されていることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、ステージのうち少なくとも周辺領域に上記した表面処理が施されて
いるので、ラビング処理で発生する粉塵が、ステージに付着することを抑えることができ
る。よって、例えば、堆積した粉塵がラビングロールに再付着するようなことを防ぐこと
ができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記ラビング処理によっ
て発生した粉塵を除去する除去機構を備えていることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、除去機構を備えているので、例えば、粉塵を吸引することによって
、周辺部材やその周辺に付着した粉塵を除去することができる。これにより、粉塵が堆積
することを抑えることが可能となり、堆積した粉塵が再びラビングロールに付着したり、
基板に付着したりすることを抑えることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、回転する前記ラビングロ
ールに対しラビング方向の下流側に前記除去機構としての吸引部が配置されていることが
好ましい。
【００１６】
この構成によれば、ラビング方向の下流側に吸引部が配置されているので、回転するラ
ビングロールと基板とが接触して所定の方向（下流側）に飛ばされた粉塵を吸引して除去
することができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記ラビング方向の上流
側から前記下流側に風を送る送風機構が設けられていることが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、送風機構が設けられているので、ラビング方向の上流側から下流側
に気流をつくることが可能となり、所定の方向に粉塵を集めることができる。これにより
、吸引部だけでは吸引できない粉塵を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態の液晶装置の構造を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置を構成する画素の構造を示す模式断面図。
【図５】マザー基板の構成を示す模式平面図。
【図６】ラビング装置の構造を示す模式図であり、（ａ）はラビング装置の構造を示す斜視図、（ｂ）はラビング装置を構成するパレットを上方から見た模式平面図、（ｃ）は（ｂ）に示すパレットのＢ−Ｂ'断面に沿う模式断面図。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、ラビング装置を構成するステージが各ポジションに移動したときの状況を示す模式平面図。
【図８】ラビング装置の構造を示す模式断面図であり、（ａ）、（ｂ）はステージが各ポジションに移動したときの状況を示す模式断面図。
【図９】ラビング装置の機械的および電気的な構成を示すブロック図。
【図１０】ラビング装置の周辺部材にコーティングする材料の表面エネルギーを示す図表。
【図１１】液晶装置の製造方法を工程順に示す工程図。
【図１２】液晶装置の製造方法のうち第２配向膜の製造方法を詳しく示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構造を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＡ−
Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図１及び図２を参照しながら
説明する。
【００２１】
図１及び図２に示すように、液晶装置１１は、例えば、薄膜トランジスター（以下、「
ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子」と称する。）を画素のスイッチング素子として用
いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置１１は、一対の基板を
構成する素子基板１２と対向基板１３とが、平面視略矩形枠状のシール材１４を介して貼
り合わされている。
【００２２】
素子基板１２及び対向基板１３は、例えば、ガラスや石英などの透光性材料から構成さ
れている。液晶装置１１は、シール材１４に囲まれた領域内に液晶層１５が封入された構
成になっている。なお、シール材１４には液晶を注入するための液晶注入口１６が設けら
れ、液晶注入口１６は封止材１７により封止されている。
【００２３】
液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶
装置１１は、シール材１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の額縁
遮光膜１８が対向基板１３に形成されており、この額縁遮光膜１８の内側の領域が表示領
域１９となっている。
【００２４】
額縁遮光膜１８は、例えば、遮光性材料であるアルミ（Ａｌ）で形成されており、対向
基板１３側の表示領域１９の外周を区画するように設けられている。
【００２５】
表示領域１９内には、画素領域２１がマトリクス状に設けられている。画素領域２１は
、表示領域１９の最小表示単位となる１画素を構成している。シール材１４の外側の領域
には、信号線駆動回路２２及び外部接続端子２３が素子基板１２の一辺（図１における下
側）に沿って形成されている。
【００２６】
また、シール材１４の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回
路２４がそれぞれ形成されている。素子基板１２の残る一辺（図１における上側）には、
検査回路２５が形成されている。対向基板１３側に形成された額縁遮光膜１８は、例えば
、素子基板１２上に形成された走査線駆動回路２４及び検査回路２５に対向する位置（言
い換えれば、平面的に重なる位置）に形成されている。
【００２７】
一方、対向基板１３の各角部（例えば、シール材１４のコーナー部の４箇所）には、素
子基板１２と対向基板１３との間の電気的導通をとるための上下導通端子２６が配設され
ている。
【００２８】
また、図２に示すように、素子基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極２７が形
成されており、これら画素電極２７を覆うように第１配向膜２８が形成されている。画素
電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００２９】
一方、対向基板１３の液晶層１５側には、格子状の遮光膜（ＢＭ：ブラックマトリクス
）（図示せず）が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極３１が形成されている。そし
て、共通電極３１上には、第２配向膜３２が形成されている。共通電極３１は、ＩＴＯ等
の透明導電材料からなる導電膜である。なお、上述した第１配向膜２８及び第２配向膜３
２は、後述するラビング装置を用いて形成される。
【００３０】
液晶装置１１は透過型であって、素子基板１２及び対向基板１３における光の入射側と
出射側とにそれぞれ偏光板（図示せず）等が配置されて用いられる。なお、液晶装置１１
の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。
【００３１】
図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な
構成を、図３を参照しながら説明する。
【００３２】
図３に示すように、液晶装置１１は、表示領域１９を構成する複数の画素領域２１を有
している。各画素領域２１には、それぞれ画素電極２７が配置されている。また、画素領
域２１には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。
【００３３】
ＴＦＴ素子３３は、画素電極２７へ通電制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ素
子３３のソース側には、信号線３４が電気的に接続されている。各信号線３４には、例え
ば、信号線駆動回路２２（図１参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給されるよ
うになっている。
【００３４】
また、ＴＦＴ素子３３のゲート側には、走査線３５が電気的に接続されている。走査線
３５には、例えば、走査線駆動回路２４（図１参照）から所定のタイミングでパルス的に
走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子３３の
ドレイン側には、画素電極２７が電気的に接続されている。
【００３５】
走査線３５から供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子で
あるＴＦＴ素子３３が一定期間だけオン状態となることで、信号線３４から供給された画
像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極２７を介して画素領域２１に所定のタイミング
で書き込まれるようになっている。
【００３６】
画素領域２１に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極
２７と共通電極３１（図２参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。な
お、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するために、画素電
極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極と容量線の一例であるシールド層５７で
電気的に接続された容量電極３６との間に蓄積容量３７（図４参照）が形成されている。
【００３７】
このように、液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液
晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像
光が生成されるようになっている。
【００３８】
図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参
照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、
明示可能な尺度で表されている。
【００３９】
図４に示すように、液晶装置１１は、素子基板１２と、これに対向配置される対向基板
１３とを備えている。素子基板１２及び対向基板１３は、上記したように、例えば、石英
基板やガラス基板等によって構成されている。
【００４０】
素子基板１２上には、Ｔｉ（チタン）やＣｒ（クロム）等からなる下側遮光膜５１が形
成されている。下側遮光膜５１は、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の
開口領域を規定している。素子基板１２及び下側遮光膜５１上には、シリコン酸化膜等か
らなる下地絶縁膜５２が形成されている。
【００４１】
下地絶縁膜５２上には、ＴＦＴ素子３３及び走査線３５等が形成されている。ＴＦＴ素
子３３は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等
からなる半導体層４１と、半導体層４１上に形成されたゲート絶縁膜５３と、ゲート絶縁
膜５３上に形成されたポリシリコン膜等からなる走査線３５とを有する。上記したように
、走査線３５は、ゲート電極として機能する。
【００４２】
半導体層４１は、チャネル領域４１ａと、低濃度ソース領域４１ｂと、低濃度ドレイン
領域４１ｃと、高濃度ソース領域４１ｄと、高濃度ドレイン領域４１ｅとを備えている。
チャネル領域４１ａは、走査線３５からの電界によりチャネルが形成される。下地絶縁膜
５２上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜５４が形成されている。
【００４３】
第１層間絶縁膜５４上には、蓄積容量３７及び信号線３４等が設けられている。蓄積容
量３７は、ＴＦＴ素子３３の高濃度ドレイン領域４１ｅ及び画素電極２７に接続された画
素電位側容量電極としての中継層５５と、固定電位側容量電極としての容量電極３６とが
、誘電体膜５６を介して対向配置されている。
【００４４】
容量電極３６及び信号線３４は、下層に導電性ポリシリコン膜Ａ１、上層にアルミニウ
ム膜Ａ２の二層構造を有する膜として形成されている。
【００４５】
容量電極３６及び信号線３４は、光反射性能に比較的優れたアルミニウムを含み、かつ
、光吸収性能に比較的優れたポリシリコンを含むことから、遮光層として機能し得る。よ
って、ＴＦＴ素子３３の半導体層４１に対する入射光の進行を、その上側で遮ることが可
能である。
【００４６】
このような容量電極３６は、蓄積容量３７の固定電位側容量電極として機能する。容量
電極３６を固定電位とするためには、上述のように、画素領域２１外の定電位源に接続さ
れることで固定電位とされたシールド層５７と、コンタクトホール５８を介して電気的に
接続されることによってなされている。
【００４７】
第１層間絶縁膜５４には、ＴＦＴ素子３３の高濃度ソース領域４１ｄと信号線３４とを
電気的に接続するコンタクトホール６１が開孔されている。言い換えれば、信号線３４は
、誘電体膜５６及び第１層間絶縁膜５４を貫通するコンタクトホール６１を介して、ＴＦ
Ｔ素子３３の半導体層４１と電気的に接続されている。具体的には、信号線３４が上述の
ような二層構造をとっており、中継層５５が導電性のポリシリコン膜からなることにより
、信号線３４及び半導体層４１間の電気的接続は、導電性のポリシリコン膜によって実現
されている。すなわち、下から順に、半導体層４１、中継層５５のポリシリコン膜、信号
線３４の下層のポリシリコン膜Ａ１、その上層のアルミニウム膜Ａ２となる。
【００４８】
また、第１層間絶縁膜５４には、ＴＦＴ素子３３の高濃度ドレイン領域４１ｅと蓄積容
量３７を構成する中継層５５とを電気的に接続するコンタクトホール６２が開孔されてい
る。第１層間絶縁膜５４上には、シリコン酸化膜等からなる第２層間絶縁膜６３が形成さ
れている。
【００４９】
第２層間絶縁膜６３上には、例えば、アルミニウム等からなるシールド層５７が形成さ
れている。また、第２層間絶縁膜６３には、上記したように、シールド層５７と容量電極
３６とを電気的に接続するためのコンタクトホール５８が形成されている。第２層間絶縁
膜６３上には、シリコン酸化膜等からなる第３層間絶縁膜６４が形成されている。
【００５０】
第２層間絶縁膜６３及び第３層間絶縁膜６４には、画素電極２７と中継層５５とを電気
的に接続するためのコンタクトホール６５，６６が開孔されている。具体的には、第２層
間絶縁膜６３上に形成された第２中継層６７を介してコンタクトホール６５とコンタクト
ホール６６とが電気的に接続されている。第２中継層６７は、シールド層５７と同一の膜
構成となっており、下層にアルミニウム膜、上層に窒化チタン膜という二層構造を備えて
いる。
【００５１】
つまり、高濃度ドレイン領域４１ｅと画素電極２７とは、コンタクトホール６２、中継
層５５、コンタクトホール６５、第２中継層６７、コンタクトホール６６を介して、電気
的に接続されている。第３層間絶縁膜６４上には、上記した画素電極２７及び第１配向膜
２８が形成されている。
【００５２】
画素電極２７は、平面的にマトリクス状に形成されており、例えば、ＩＴＯ膜等の透明
導電性膜からなる。また、画素電極２７上には、ラビングにより所定の方向に配向処理が
施された第１配向膜２８が形成されている。第１配向膜２８は、例えば、ポリイミド膜等
の透明な有機膜からなる。
【００５３】
第１配向膜２８上には、シール材１４（図１参照）により囲まれた空間に液晶等の電気
光学物質が封入された液晶層１５が設けられている。対向基板１３の液晶層１５に面する
側には、透明な共通電極３１を覆ってラビングにより所定の方向に配向処理が施された第
２配向膜３２が形成されている。第２配向膜３２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有
機膜からなる。
【００５４】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で第１配向膜２８及び
第２配向膜３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１２及び対向
基板１３をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂から
なる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラス
ビーズ等のスペーサーが混入されている。以下、上記した液晶装置１１となる前のマザー
基板について説明する。
【００５５】
図５は、マザー基板の構成を示す模式平面図である。以下、マザー基板の構成を、図５
を参照しながら説明する。
【００５６】
図５に示すように、マザー基板１０２は、複数個分の素子基板１２が面付けされたもの
である。マザー基板１０２に対して対向基板１３を個々に貼り合わせ、その隙間に液晶を
注入・封止してから、これを所定の位置で切断することにより、個々の液晶装置１１が取
り出される。
【００５７】
マザー基板１０２は、例えば、大きさが８インチのウェハ状であって、厚みが１．２ｍ
ｍの石英基板である。四角形（長方形）の素子基板１２はマザー基板１０２の表面にマト
リクス状に面付けされている。１つの素子基板１２の大きさは対角線の長さにしておよそ
１インチ程度である。この場合の面付け数は４０個である。
【００５８】
なお、ウェハ状とは、図５に示しように平面的に円形であることに限定されず、例えば
円周の一部が切り欠かれたオリフラを有するものを含む概念である。
【００５９】
上記液晶装置１１において、対向基板１３側の第２配向膜３２は、本実施形態の液晶装
置の製造装置を適用した配向処理が施されている。以下、本実施形態の液晶装置の製造装
置としてのラビング装置について説明する。
【００６０】
＜液晶装置の製造装置の構成＞
図６は、液晶装置の製造装置としてのラビング装置の構造を示す模式図である。同図（
ａ）は、ラビング装置の構造を示す斜視図である（ラビング処理が行われた直後の状態を
示す図である）。同図（ｂ）は、ラビング装置を構成するパレットを上方から見た模式平
面図である。同図（ｃ）は、同図（ｂ）に示すパレットのＢ−Ｂ'断面に沿う模式断面図
である。図７（ａ）〜（ｄ）は、ラビング装置を構成するステージが各ポジションに移動
したときの状況を示す模式平面図である。図８（ａ）、（ｂ）は、ラビング装置の構造を
示す模式断面図である。以下、ラビング装置の構造について、図６〜図８を参照しながら
説明する。
【００６１】
なお、ラビング処理が施される基板を被処理基板１０１として説明する。具体的には、
被処理基板１０１は、一対の基板のうち一方の基板である第２配向膜３２が形成された対
向基板１３である。
【００６２】
図６〜図８に示すように、ラビング装置７１は、例えば、複数の被処理基板１０１を並
べて収納するパレット７２と、パレット７２を載置するステージ７３（周辺部材）と、パ
レット７２を移動させるための基板搬送機７４と、ラビング布７５ａが捲回され所定の方
向に回転するラビングロール７５と、ラビングロール７５をガイド及び支持するラビング
ロールガイド８６（周辺部材）と、ラビング処理を行った際に発生する粉塵２００を吸引
して除去する第１吸引部７６（除去機構）及び第２吸引部７７（除去機構）と、を備えて
いる。
【００６３】
ステージ７３は、被処理基板１０１にラビング処理を施すためにパレット７２を載置し
て固定するために用いられる。ステージ７３には、被処理基板１０１を吸着して固定する
吸着部（図示せず）が備えられている。また、ステージ７３には、ラビングロール７５に
対してステージ７３を所定の方向（矢印方向：図６（ａ）、図７（ｃ）参照）に相対的に
移動させる移動機構９１と、これらを制御する制御部９２が備えられている。ステージ７
３は、第１ポジション８１から第４ポジション８４までを移動することが可能に設けられ
ている。
【００６４】
また、ステージ７３は、例えば、ステンレスなどの板状部材を加工したものであり、ス
テージ７３を動作させる駆動機構を有している。更に、ステージ７３は、ステンレスなど
の板状部材に、粉塵２００が付着しにくい表面処理としてのフッ素樹脂コーティング（テ
フロン（登録商標）コート９９）が施されている。テフロン（登録商標）コート９９（以
下、テフロン（登録商標）コート９９を略して「ＴＦコート９９」と称する。）の詳細に
ついては後述する。
【００６５】
図６（ｂ）に示すように、パレット７２は、例えばアルミニウムなどの板状部材を切削
加工したものであり、その表面には被処理基板１０１の形状とその大きさに合わせて設け
られた複数の凹部７２ａと、凹部７２ａごとにその底面中央付近に設けられた吸引口７２
ｂとを有している。平面視で四角形の凹部７２ａは、パレット７２の短辺と長辺とに沿っ
て複数配列しており、この場合、短辺に沿った縦方向に５個、長辺に沿った横方向に８個
、合計４０個が設けられている。
【００６６】
図６（ｃ）に示すように、凹部７２ａは、その底面に被処理基板１０１が載置されたと
きに、パレット７２の表面から被処理基板１０１の表面がわずかに突出する深さで設けら
れている。被処理基板１０１は、パレット７２の凹部７２ａに収まるように配置され、吸
引手段によって吸着固定される。
【００６７】
第１ポジション８１（図７（ａ）参照）は、例えば、ステージ７３のホームポジション
である。また、第１ポジション８１では、ステージ７３上に堆積した粉塵２００の吸引が
行われる。第２ポジション８２（図７（ｂ）参照）では、ラビング処理前の被処理基板１
０１が並べられたパレット７２の搬入が行われる。第３ポジション８３（図７（ｃ）参照
）では、被処理基板１０１にラビング処理が行われる。第４ポジション８４（図７（ｄ）
参照）では、ラビング処理後の被処理基板１０１が並べられたパレット７２の搬出が行わ
れる。
【００６８】
基板搬送機７４は、第２ポジション８２において、ステージ７３上に処理前のパレット
７２を載置するために用いられる。また、基板搬送機７４は、第４ポジション８４におい
て、ステージ７３上に載置された処理済みのパレット７２をステージ７３上から外部に搬
出するために用いられる。基板搬送機７４は、パレット７２を挟んだり放したりするため
に、スライド移動が可能な２本のアーム７４ａが備えられている。
【００６９】
ラビングロール７５は、第３ポジション８３において、ステージ７３の上方に配置され
ている。ラビングロール７５は、円柱形状に形成されており、円の中心を軸にして回転可
能に設けられている。ラビングロール７５の周面には、例えば、レーヨンで形成されたラ
ビング布７５ａが取り付けられている。
【００７０】
また、ラビングロール７５は、ラビングロールガイド８６に回転可能に支持されている
。具体的には、ラビングロールガイド８６は、ラビングロール７５の上方に配置される上
部８６ａと、上部８６ａの両端に接続されラビングロール７５を支持する側部８６ｂとを
有する。なお、ラビングロール７５は、ラビングロールガイド８６に追従して上下動する
。つまり、ラビングロールガイド８６を上下動させることにより、ラビングロール７５を
上下方向に移動させることができる。
【００７１】
また、ラビングロールガイド８６は、例えば、ステンレスなどの板状部材を加工したも
のであり、ラビングロールガイド８６（ラビングロール７５）を移動させる駆動機構、及
び、駆動機構を支持する支持部を内部に有している。更に、ラビングロールガイド８６は
、ステンレスなどの板状部材に、粉塵２００が付着しにくいＴＦコート９９が施されてい
る。ＴＦコート９９の詳細については後述する。
【００７２】
なお、ラビングロールガイド８６におけるＴＦコート９９が施されている部分としては
、少なくともラビングロール７５と面している部位８６ｃである。この部分にＴＦコート
９９が施されていることにより、ラビング処理において発生した粉塵２００が部位８６ｃ
に付着することを抑えることが可能となる。言い換えれば、テフロン（登録商標）コーテ
ィングは粉塵２００が付着することを防ぐものである。したがって、粉塵２００が同一箇
所に付着して堆積することが防止される。ゆえに、当該堆積物がラビングロール７５に落
下し難くなる。
【００７３】
ステージ７３とラビングロール７５とは、相対的に移動させることが可能に設けられて
いる。ここでは、例えば、ステージ７３がラビングロール７５に対して矢印方向（図６（
ａ）参照）に移動する。また、ステージ７３及びラビングロール７５の少なくとも一方は
、ステージ７３とラビングロール７５との間の距離を調整可能な方向に移動可能となって
いる。ここでは、ステージ７３に対してラビングロール７５が上下方向に移動可能となっ
ている。また、ラビングロール７５とステージ７３とは、ラビング布７５ａによる被処理
基板１０１へのラビング圧が所定値になるように、上下方向の位置決めが行われる。
【００７４】
第１吸引部７６（図７参照）は、ラビング方向の下流側となる第１ポジション８１に配
置されている。具体的には、第１吸引部７６は、ラビング処理を行った際にステージ７３
上に堆積した粉塵２００の除去を行う。例えば、第１吸引部７６は、ステージ７３が各ポ
ジションに移動するときには、ステージ７３の上方に待機している。また、第１吸引部７
６は、第３ポジション８３においてラビング処理が終了した後、ステージ７３が第１ポジ
ション８１に戻ってきた際に、粉塵２００を吸引するために待機位置から下降する。
【００７５】
また、第１吸引部７６は、例えば、ステージ７３上に載置されたパレット７２の辺部７
２ｃ，７２ｄ（一辺部），７２ｅに沿った領域からステージ７３の一端７３ａ付近までの
領域を覆うように吸引口７６ａを有する。つまり、第１吸引部７６（吸引口７６ａ）は、
パレット７２の周辺領域における、ラビングロール７５によって掻き上げられた粉塵２０
０が堆積しやすい領域（以下、「周辺領域７８」と称する。）を覆って構成されている。
【００７６】
なお、第１吸引部７６は、第２配向膜３２の配向方向によってラビングロール７５を傾
けて配置することがあるため、パレット７２の側方（辺部７２ｃ，７２ｅ）まで覆ってい
ることが望ましい。これにより、パレット７２の側方付近に堆積した粉塵２００を吸引す
ることが可能となる。
【００７７】
また、図８（ａ）に示すように、粉塵２００を吸引する際の、吸引口７６ａとステージ
７３との隙間は、例えば、２ｍｍ〜３ｍｍ程度である。また、パレット７２と吸引口７６
ａとの隙間は、例えば、５ｍｍ程度である。第１吸引部７６は、吸引した粉塵２００を排
気口８５を介して排気する。また、第１吸引部７６には、ステージ７３に対して吸引口７
６ａを所定の方向に相対的に移動させる移動機構９３が備えられている。これにより、制
御部９２（図６（ａ）参照）は、移動機構９３を駆動制御して吸引口７６ａとステージ７
３との隙間を調整可能である。
【００７８】
図８（ｂ）に示すように、第２吸引部７７は、第３ポジション８３においてラビングロ
ール７５の上方に配置されている。具体的には、第２吸引部７７は、ラビング処理を行っ
た際に、ラビングロール７５の周面近傍の粉塵２００の除去を行う。ラビングロール７５
と第２吸引部７７との距離は、約１ｍｍ程度である。
【００７９】
図９は、ラビング装置の機械的および電気的な構成を示すブロック図である。以下、ラ
ビング装置の機械的および電気的な構成を、図９を参照しながら説明する。
【００８０】
図９に示すように、制御部９２は、ラビングロール７５に取り付けられた、例えば、サ
ーボモーターなどの回転機構９４を駆動制御して、ラビングロール７５を所定の方向に所
定の回転速度（単位時間当たりの回転数）で回転させる。
【００８１】
また、ステージ７３に設けられた移動機構９１を駆動制御して、ステージ７３をラビン
グロール７５に対して所定の速度で相対的に移動させる。また、第１吸引部７６に設けら
れた移動機構９３を駆動制御して、第１吸引部７６をステージ７３に対して相対的に移動
させる。これにより、吸引口７６ａとステージ７３との隙間を設定することができる。更
に、制御部９２は、第１吸引部７６による粉塵２００の吸引時間や吸引圧を制御する。次
に、液晶装置１１の製造方法について説明する。
【００８２】
図１０は、ラビング装置の周辺部材にコーティングする材料の表面エネルギーを示す図
表である。以下、材料別の表面エネルギーについて、図１０を参照しながら説明する。
【００８３】
表面エネルギーとは、その表面に施された化学的組成である。この表面エネルギーの数
値が小さいほど周辺部材に粉塵２００が付着しにくく、逆に数値が大きいほど周辺部材に
粉塵２００が付着しやすくなる。
【００８４】
図１０に示すように、従来、周辺部材として使用されていたステンレスは、表面エネル
ギーの数値が７００〜１１００（１０-3Ｎ／ｍ）であり、発生した粉塵２００が付着しや
すい。しかしながら、本実施形態では、ステンレスの表面にＴＦコート９９を施している
ので、表面エネルギーの数値が１８（１０-3Ｎ／ｍ）となり、ステンレスと比較して表面
エネルギーを非常に小さくすることができる。
【００８５】
テフロン（登録商標）としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフ
ルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフル
オロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン
・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、ポリクロ
ロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン・エチレン重合体
などが挙げられる。
【００８６】
本実施形態のテフロン（登録商標）の素材としては、耐放射線性の高い、例えば、ＥＴ
ＦＥ（テトラフルオロエチレンとエチレン共重合体（４フッ化エチレン・エチレン共重合
樹脂））であることが好ましい。理由として、ラビング処理中に発生する静電気を防止す
るために軟Ｘ線イオナイザーが使用されるが、一般的なテフロン（登録商標）の素材では
原子結合が崩壊し劣化が進行する。ＥＴＦＥを用いることにより、このような劣化を防ぐ
ことができる。被膜の厚みとしては数十μｍ〜数百μｍが適当である。
【００８７】
このように、フッ素系高分子材料が表面エネルギーを低下させることから、粉塵２００
がステージ７３周辺やラビングロール７５周辺に付着することを抑えることができる。ま
た、図表に示すように、テフロン（登録商標）の代わりにポリプロピレンやポリエチレン
等の材料で、ステージ７３周辺、ラビングロール７５周辺をコーティングするようにして
もよい。コーティングする材料としては、粉塵２００の付着状態に応じて、適用する材料
を図表の中から適宜選定することが好ましい。
【００８８】
＜液晶装置の製造方法＞
図１１は、液晶装置の製造方法を工程順に示す工程図である。図１２は、液晶装置の製
造方法のうち第２配向膜の製造方法を詳しく示す工程図である。以下、液晶装置の製造方
法を、図１１及び図１２を参照しながら説明する。
【００８９】
最初に、素子基板１２側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、素子基板１２上
にＴＦＴ素子３３（図３参照）等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソ
グラフィ技術及びエッチング技術を用いて、素子基板１２上にＴＦＴ素子３３を形成する
。その後、同様の方法を用いて第３層間絶縁膜６４までを形成する。
【００９０】
ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォト
リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第３層間絶縁膜６４上に画素電極２７を
形成する。
【００９１】
ステップＳ１３では、画素電極２７上に第１配向膜２８を形成する。第１配向膜２８の
形成方法は、例えば、配向膜材料としてのポリイミドやポリアミック酸を含む有機溶液を
塗布して、溶媒成分を除去する乾燥・焼成を行う。塗布方法としては、スピンコート、ス
リットコート等の方法や、オフセット等の印刷法が挙げられる。その後、成膜化した第１
配向膜２８に、ラビング処理を施す。なお、素子基板１２側の第１配向膜２８にラビング
処理を施す方法としては、後述する変形例で説明する。以上により、素子基板１２側が完
成する。
【００９２】
次に、対向基板１３側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラスや石
英等の透光性材料からなる対向基板１３上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術
及びエッチング技術を用いて、共通電極３１を形成する。
【００９３】
ステップＳ２２では、共通電極３１上に第２配向膜３２を形成する。なお、第２配向膜
３２の形成方法は、図１２に示す工程図を参照しながら説明する。また、第２配向膜３２
が形成される前までの基板を被処理基板１０１と称して説明する。
【００９４】
まず、被処理基板１０１に第２配向膜３２を形成する方法としては、上記したように、
例えば、配向膜材料としてのポリイミドやポリアミック酸を含む有機溶液を塗布して、溶
媒成分を除去する乾燥・焼成を行う。
【００９５】
ステップＳ２２１（載置工程）では、ラビング装置７１において、被処理基板１０１を
受け取る。詳しくは、上記したように、複数の被処理基板１０１が並べられたパレット７
２をラビング装置７１のステージ７３上に載置する。まず、ステージ７３を、第１ポジシ
ョン８１からパレット７２の受け渡し位置である第２ポジション８２に移動する。次に、
基板搬送機７４を用いてパレット７２をステージ７３上に載置する。その後、ステージ７
３に設けられた吸着部によってステージ７３表面にパレット７２を吸着させる。
【００９６】
ステップＳ２２２（ラビング処理工程）では、ラビング処理を行う。具体的には、まず
、回転するラビングロール７５を下降させて、ラビングロール７５の周面のラビング布７
５ａが被処理基板１０１に接触可能な位置になったところでラビング処理を開始する。
【００９７】
詳しくは、回転するラビングロール７５に対して、ラビング布７５ａと被処理基板１０
１（第２配向膜３２）とを接触させた状態でステージ７３を所定の方向に相対的に移動さ
せることにより、ラビング布７５ａによって第２配向膜３２が擦られ、ラビング処理が行
われる。ラビング処理時にラビング布７５ａとパレット７２や被処理基板１０１とが接触
することにより、主にラビング布７５ａのラビング毛が切れたり抜けたりした粉塵２００
が発生する。発生した粉塵２００の一部は、ラビングロール７５の上方に配置された第２
吸引部７７によって吸引される。残りの一部の粉塵２００は、ステージ７３上におけるパ
レット７２の周辺領域７８に飛散して付着する。
【００９８】
また、ラビングロールガイド８６やステージ７３の表面にＴＦコート９９が施されてい
るので、これらの表面エネルギーを小さくすることが可能となり、粉塵２００が付着しに
くくなる。具体的には、ラビングロールガイド８６における少なくともラビングロール７
５に面している部位８６ｃにＴＦコート９９が施されている。また、ステージ７３におけ
る少なくとも周辺領域７８（部位）にＴＦコート９９が施されている。これにより、第２
吸引部７７によって粉塵２００を吸引したり、ステージ７３上（周辺領域）に落ちた粉塵
２００を第１吸引部７６によって吸引しやすくすることができる。
【００９９】
ステップＳ２２３では、パレット７２を剥離する。具体的には、吸着部によるパレット
７２の吸着動作を解除して、ステージ７３表面に吸着されたパレット７２をフリーの状態
にする。次に、基板搬送機７４を用いて、パレット７２をステージ７３上から外部に搬送
する。
【０１００】
ステップＳ２２４では、ステージ７３を第４ポジション８４からホームポジションであ
る第１ポジション８１に移動する。つまり、ステージ７３上の周辺領域７８に堆積した粉
塵２００を吸引可能な位置に移動する。更に、ステップＳ２２５では、第１吸引部７６を
ステージ７３上方の待機位置から下降させる。
【０１０１】
ステップＳ２２６（吸引工程）では、ステージ７３上に堆積した粉塵２００を吸引する
。具体的には、第１吸引部７６を下降させることにより、ステージ７３に載置されたパレ
ット７２の領域（載置面）を除いた領域（周辺領域７８）が第１吸引部７６の吸引口７６
ａで覆われるように、第１吸引部７６の位置を合わせる。更に、吸引口７６ａとステージ
７３との隙間が、約２ｍｍ〜３ｍｍ程度になるように上下方向を調整する。その後、第１
吸引部７６によってステージ７３上に堆積した粉塵２００を所定時間吸引する。
【０１０２】
なお、第１吸引部７６による粉塵２００の吸引動作は、粉塵２００の発生する量に応じ
て決めればよく、例えば、１パレットの交換毎に行っても良いし、１回のラビング処理毎
（１回のステージ７３の移動毎）に行ってもよい。
【０１０３】
このように、ラビングロールガイド８６やステージ７３等、ラビングロール７５の周辺
部材にＴＦコート９９を施しているので、ラビング処理によって発生した粉塵２００が周
辺部材に付着しにくい。更に、第１吸引部７６及び第２吸引部７７によって粉塵２００を
吸引した際、周辺部材から粉塵２００が離れやすくなり、吸引して除去することができる
。
【０１０４】
ステップＳ２２７では、第１吸引部７６を上昇させる。具体的には、ステージ７３上に
堆積した粉塵２００を吸引した後は、再度、ステップＳ２２１に戻って新たな被処理基板
１０１（パレット７２）にラビング処理を開始するので、ステージ７３の移動に邪魔にな
らない位置まで第１吸引部７６を上昇させる。以上により、対向基板１３が完成する。以
下、図１１に示す工程図に沿って、素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わせる方法を
説明する。
【０１０５】
ステップＳ３１では、対向基板１３上にシール材１４を塗布する。詳しくは、対向基板
１３とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、対向基
板１３における表示領域１９の周縁部に（表示領域１９を囲むように）シール材１４を塗
布する。
【０１０６】
ステップＳ３２では、素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わせる。具体的には、対
向基板１３に塗布されたシール材１４を介して素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わ
せる。より具体的には、互いの基板１２，１３の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確
保しながら行う。
【０１０７】
ステップＳ３３では、液晶注入口１６（図１参照）から構造体の内部に液晶を注入し、
その後、液晶注入口１６を封止する。封止には、例えば、樹脂等の封止材１７が用いられ
る。以上により、液晶装置１１が完成する。
【０１０８】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１０９】
（１）本実施形態によれば、ラビングロールガイド８６やステージ７３等、ラビングロ
ール７５の周辺部材にＴＦコート９９を施しているので、例えば、ステンレスのような表
面エネルギーが高い部材が露出していることと比較して、周辺部材の表面エネルギーを小
さくすることができる。これにより、ラビング処理によって発生した粉塵２００が周辺部
材に付着することを抑えることが可能となり、例えば、周辺部材に粉塵２００が付着して
、その堆積物がラビングロール７５に付着したり被処理基板１０１上に落下したりするこ
とを抑えることができる。その結果、第２配向膜３２が傷つくことを抑えることができる
。
【０１１０】
（２）本実施形態によれば、周辺部材にＴＦコート９９が施されていることに加えて、
第１吸引部７６及び第２吸引部７７が設けられているので、周辺部材から粉塵２００が離
れやすくなり、例えば、ステージ７３上の周辺領域７８に落下した粉塵２００を吸引して
除去することができる。
【０１１１】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【０１１２】
（変形例１）
上記したように、ＴＦコート９９を施す対象をラビングロールガイド８６やステージ７
３としているが、これに限定されず、例えば、ラビング装置７１内における粉塵２００と
接触する可能性のある部分にＴＦコート９９を施すようにしてもよい。また、平坦な表面
を表面処理するだけでなく、ネジ孔などの凹凸面を表面処理することが好ましい。これに
よれば、粉塵２００が溜まりやすく清掃がしにくい部分であっても、粉塵２００の付着を
抑えることができる。
【０１１３】
（変形例２）
上記したように、表面エネルギーを小さくするために、周辺部材にＴＦコート９９のよ
うな表面処理を施すことに限定されず、例えば、表面エネルギーを小さくするためのフィ
ルムで周辺部材を覆うようにしてもよい。
【０１１４】
（変形例３）
上記したように、ラビングロールガイド８６やステージ７３の材質は、ステンレスに限
定されず、他の材料を用いて形成するようにしてもよい。そして、その材料にＴＦコート
９９を施して、表面エネルギーを小さくするようにしてもよい。
【０１１５】
（変形例４）
上記したように、除去機構として第１吸引部７６及び第２吸引部７７を用いて吸引して
いたが、これに限定されず、粉塵２００を払拭するようにして除去してもよいし、風を吹
きつけるようにして除去してもよい。また、粉塵２００を吸着するようにして除去しても
よいし、転写するようにして除去してもよい。
【０１１６】
（変形例５）
上記したように、ラビングロール７５を所定の方向に回転させて所定の方向に粉塵を掻
き上げて、ステージ７３上の周辺領域７８に粉塵２００を堆積させていることに代えて、
例えば、ラビングロール７５の近傍に気流をつくるための送風機構を設け、ラビング方向
の上流側から下流側に送風し、周辺領域７８の方向に粉塵２００が集まるようにしてもよ
い。これによれば、第１吸引部７６だけでは除去できない粉塵２００をより除去しやすく
することができる。
【０１１７】
（変形例６）
上記したように、ラビングロールガイド８６やステージ７３のカバーがステンレスであ
ることに代えて、表面エネルギーの小さい材料で構成するようにしてもよい。これによれ
ば、ステンレスの表面エネルギーを小さくするための表面処理工程を省くことができる。
【０１１８】
（変形例７）
上記したように、ラビング処理される基板は対向基板１３側に限定されず、例えば、素
子基板１２側をラビング処理する装置にも適用できる。
【符号の説明】
【０１１９】
１１…液晶装置、１２…素子基板、１３…対向基板、１４…シール材、１５…液晶層、
１６…液晶注入口、１７…封止材、１８…額縁遮光膜、１９…表示領域、２１…画素領域
、２２…信号線駆動回路、２３…外部接続端子、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路
、２６…上下導通端子、２７…画素電極、２８…第１配向膜、３１…共通電極、３２…第
２配向膜、３３…ＴＦＴ素子、３４…信号線、３５…走査線、３６…容量電極、３７…蓄
積容量、４１…半導体層、４１ａ…チャネル領域、４１ｂ…低濃度ソース領域、４１ｃ…
低濃度ドレイン領域、４１ｄ…高濃度ソース領域、４１ｅ…高濃度ドレイン領域、５１…
下側遮光膜、５２…下地絶縁膜、５３…ゲート絶縁膜、５４…第１層間絶縁膜、５５…中
継層、５６…誘電体膜、５７…シールド層、５８，６１，６２，６５，６６…コンタクト
ホール、６３…第２層間絶縁膜、６４…第３層間絶縁膜、６７…第２中継層、７１…ラビ
ング装置、７２…パレット、７２ａ…凹部、７２ｂ…吸引口、７２ｃ，７２ｄ，７２ｅ…
辺部、７３…ステージ、７３ａ…一端、７４…基板搬送機、７４ａ…アーム、７５…ラビ
ングロール、７５ａ…ラビング布、７６…除去機構としての第１吸引部、７６ａ…吸引口
、７７…除去機構としての第２吸引部、７８…周辺領域、８１…第１ポジション、８２…
第２ポジション、８３…第３ポジション、８４…第４ポジション、８５…排気口、８６…
ラビングロールガイド、８６ｃ…部位、９１…移動機構、９２…制御部、９３…移動機構
、９４…回転機構、１０１…被処理基板、１０２…マザー基板、２００…粉塵。
【図１】
2011008149.tif 000003
【図２】
2011008149.tif 000004
【図３】
2011008149.tif 000005
【図４】
2011008149.tif 000006
【図５】
2011008149.tif 000007
【図６】
2011008149.tif 000008
【図７】
2011008149.tif 000009
【図８】
2011008149.tif 000010
【図９】
2011008149.tif 000011
【図１０】
2011008149.tif 000012
【図１１】
2011008149.tif 000013
【図１２】
2011008149.tif 000014