(57)【要約】【課題】下りランプ電圧の到達電圧を詳細に設定することができる駆動回路を備え、安定した書込み放電を発生させて品質の高い画像を表示する。【解決手段】複数の走査電極を有するプラズマディスプレイパネルと、走査電極のそれぞれに印加する駆動電圧波形を発生させる走査電極駆動回路３３とを備えたプラズマディスプレイ装置であって、走査電極駆動回路３３は、ランプ電圧を発生させるランプ電圧発生回路５０と、あらかじめ定められた閾値電圧とランプ電圧とを比較して閾値到達信号を出力する電圧比較回路６０と、閾値到達信号を所定の時間遅延して電圧切換信号を出力する信号遅延回路７０と、ランプ電圧に一定の電圧を重畳するフローティング電源Ｅ８１と、走査電極のそれぞれに対して設けられ、電圧切換信号にもとづきフローティング電源Ｅ８１の低圧側または高圧側の電圧を出力するスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷｎとを有する。【選択図】図６
2011059214.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査電極を有するプラズマディスプレイパネルと、前記走査電極のそれぞれに印加する駆動電圧波形を発生させる走査電極駆動回路とを備えたプラズマディスプレイ装置であって、
前記走査電極駆動回路は、
ランプ電圧を発生させるランプ電圧発生回路と、
あらかじめ定められた閾値電圧と前記ランプ電圧とを比較して閾値到達信号を出力する電圧比較回路と、
前記閾値到達信号を所定の時間遅延して電圧切換信号を出力する信号遅延回路と、
前記ランプ電圧に一定の電圧を重畳するフローティング電源と、
前記走査電極のそれぞれに対して設けられ、前記電圧切換信号にもとづき前記フローティング電源の低圧側または高圧側の電圧を出力するスイッチ回路とを有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記信号遅延回路は、前記閾値到達信号を入力してクロックを計数するとともに計数値が所定の値に達すると前記電圧切換信号を出力するカウンタと、前記カウンタにプリセットするデータを記憶するメモリとを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記信号遅延回路は、複数の前記スイッチ回路のそれぞれに対して遅延時間を設定することができる遅延回路を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
複数の前記スイッチ回路を複数のスイッチ回路群に分け、
前記信号遅延回路は、前記スイッチ回路群のそれぞれに対して遅延時間を設定することができる遅延回路を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、交流面放電型のプラズマディスプレイパネルを用いたプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）は、走査電極と維持電極とデータ電極とを有する放電セルを複数備え、放電セル内でガス放電により発生させた紫外線で赤色、緑色および青色の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００３】
パネルを駆動する方法としては、１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行うサブフィールド法が一般的である。
【０００４】
各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。初期化期間には初期化放電を発生し、続く書込み動作に必要な壁電荷を形成する。初期化動作には、放電の履歴に関係なく放電セルで初期化放電を発生させる強制初期化動作と、直前のサブフィールドで書込み放電を行った放電セルのみで初期化放電を発生させる選択初期化動作とがある。書込み期間では走査電極に走査パルスを順次印加するとともに表示を行うべき放電セルのデータ電極に書込みパルスを印加して選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では走査電極および維持電極に交互に維持パルスを印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を発生させて蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。
【０００５】
サブフィールド法の中でも最も低い階調である黒を表示する際の輝度を下げ、階調表示に関係しない発光を極力減らしてコントラストを向上させる駆動方法が検討されている。例えば特許文献１には、強制初期化動作を行う頻度を１フィールドに１回とし、緩やかに変化するランプ電圧を用いて強制初期化動作を行う駆動方法が開示されている。
【０００６】
しかしながら、パネルの高精細度化にともない微細化された放電セルでは壁電荷が失われるという現象が生じやすく、放電不良が発生して画像表示品質を低下させる、あるいは書込み放電に必要な電圧が上昇するという問題があった。これらの問題を解決するために、例えば特許文献２には、初期化期間において緩やかに下降する下りランプ電圧を発生させるとともに、下りランプ電圧の到達電圧を、第１の電圧と、第２の電圧と、第３の電圧とに切り換える駆動回路を備えたプラズマディスプレイ装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２４２２２４号公報
【特許文献２】特開２００８−２６８７９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながらパネルの大画面化、高精細度化がさらに進むにつれて、再び放電不良の問題や電圧上昇の問題が発生してきた。そのため、下りランプ電圧の到達電圧をさらに精密に設定したいという要望が起こってきた。下りランプ電圧の到達電圧を精密に、サブフィールド毎に独立に、また走査電極毎に独立に、さらにはパネルの温度、画像信号のＡＰＬ等の諸条件に対応して適応的に設定することができれば、十分な駆動マージンを確保しつつ書込み放電を安定して発生させることができる。
【０００９】
本発明は上記の課題に鑑みなされたものであり、下りランプ電圧の到達電圧を詳細に設定することができる駆動回路を備え、安定した書込み放電を発生させて品質の高い画像が表示できるプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために本発明は、複数の走査電極を有するパネルと、走査電極のそれぞれに印加する駆動電圧波形を発生させる走査電極駆動回路とを備えたプラズマディスプレイ装置であって、走査電極駆動回路は、ランプ電圧を発生させるランプ電圧発生回路と、あらかじめ定められた閾値電圧とランプ電圧とを比較して閾値到達信号を出力する電圧比較回路と、閾値到達信号を所定の時間遅延して電圧切換信号を出力する信号遅延回路と、ランプ電圧に一定の電圧を重畳するフローティング電源と、走査電極のそれぞれに対して設けられ、電圧切換信号にもとづきフローティング電源の低圧側または高圧側の電圧を出力するスイッチ回路とを有することを特徴とする。この構成により、下りランプ電圧の到達電圧を詳細に設定することができる駆動回路を備え、安定した書込み放電を発生させて品質の高い画像が表示できるプラズマディスプレイ装置を提供することができる。
【００１１】
また本発明のプラズマディスプレイ装置の信号遅延回路は、閾値到達信号を入力してクロックを計数するとともに計数値が所定の値に達すると電圧切換信号を出力するカウンタと、カウンタにプリセットするデータを記憶するメモリとを有する構成であってもよい。
【００１２】
また本発明のプラズマディスプレイ装置の信号遅延回路は、複数のスイッチ回路のそれぞれに対して遅延時間を設定することができる遅延回路を有する構成であってもよい。
【００１３】
また本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスイッチ回路を複数のスイッチ回路群に分け、信号遅延回路は、スイッチ回路群のそれぞれに対して遅延時間を設定することができる遅延回路を有する構成であってもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、下りランプ電圧の到達電圧を詳細に設定することができる駆動回路を備え、安定した書込み放電を発生させて品質の高い画像が表示できるプラズマディスプレイ装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置のパネルの分解斜視図である。
【図２】同プラズマディスプレイ装置のパネルの電極配列図である。
【図３】同プラズマディスプレイ装置のパネルの各電極に印加する駆動電圧波形図である。
【図４】同プラズマディスプレイ装置の下りランプ電圧の到達電圧を示す図である。
【図５】同プラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。
【図６】同プラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の回路図である。
【図７】同プラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図８】本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置の下りランプ電圧の到達電圧を示す図である。
【図９】同プラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の回路図である。
【図１０】本発明の実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【実施例】
【００１７】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置のパネル１０の分解斜視図である。ガラス製の前面基板１１上には、走査電極１２と維持電極１３とからなる表示電極対１４が複数形成されている。そして表示電極対１４を覆うように誘電体層１５が形成され、その誘電体層１５上に保護層１６が形成されている。背面基板２１上にはデータ電極２２が複数形成され、データ電極２２を覆うように誘電体層２３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁２４が形成されている。そして、隔壁２４の側面および誘電体層２３上には赤色、緑色および青色の各色に発光する蛍光体層２５が設けられている。
【００１８】
これら前面基板１１と背面基板２１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対１４とデータ電極２２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして放電空間には、放電ガスとして、例えばネオンとキセノンとの混合ガスが封入されている。放電空間は隔壁２４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対１４とデータ電極２２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００１９】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
【００２０】
図２は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置のパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ（図１の走査電極１２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（図１の維持電極１３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極２２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成されている。
【００２１】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置のパネル１０の駆動方法について説明する。パネル１０はサブフィールド法、すなわち１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行う。それぞれのサブフィールドは初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。
【００２２】
初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する。このときの初期化動作には、放電の履歴に関係なく全ての放電セルで初期化放電を発生させる強制初期化動作と、直前のサブフィールドで維持放電を行った放電セルだけで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化動作とがある。
【００２３】
書込み期間には、発光させるべき放電セルで選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間には、サブフィールド毎にあらかじめ決められた輝度重みに応じた数の維持パルスを表示電極対に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて、放電セルを発光させる。
【００２４】
サブフィールド構成としては、１フィールドを、例えば１０のサブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ２、・・・、ＳＦ１０）に分割し、各サブフィールドはそれぞれ、例えば（１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０、８０）の輝度重みを持つ。そして発光させるサブフィールドの組み合わせで任意の階調を表示することができる。例えば階調「４」を表示する放電セルは輝度重み「１」のＳＦ１と輝度重み「３」のＳＦ３とで発光させ、階調「９」を表示する放電セルは輝度重み「１」のＳＦ１と輝度重み「２」のＳＦ２と輝度重み「６」のＳＦ４とで発光させればよい。また、黒、すなわち階調「０」は全てのサブフィールドで放電セルを発光させないことで表示することができる。
【００２５】
また、以下ではＳＦ１の初期化期間において強制初期化動作を行いＳＦ２〜ＳＦ１０の初期化期間において選択初期化動作を行うものとして説明するが、本発明はこのようなサブフィールド構成に限定されるものではない。
【００２６】
図３は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置のパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図であり、強制初期化動作を行うＳＦ１と選択初期化動作を行うＳＦ２とを示している。
【００２７】
ＳＦ１の初期化期間では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎにも電圧０（Ｖ）を印加する。そして走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対する放電開始電圧以下の電圧Ｖｉ１から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２まで緩やかに上昇する上りランプ電圧を印加する。すると、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こり、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上に負の壁電圧が蓄積されるとともにデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上に正の壁電圧が蓄積される。ここで、電極上の壁電圧とは電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００２８】
次に、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｉ３から電圧Ｖａに向かって緩やかに下降する下りランプ電圧を印加する。ただし本実施の形態においては、下りランプ電圧が電圧Ｖａに達する前に電圧の下降を停止させている。このときの下りランプ電圧の最も低い電圧を到達電圧Ｖｉ４と称する。そして到達電圧Ｖｉ４はサブフィールド毎に異なる電圧である。この点を明確にするために、実施の形態１においては、ＳＦ１における到達電圧Ｖｉ４を到達電圧Ｖｉ４（１）、ＳＦ２における到達電圧Ｖｉ４を到達電圧Ｖｉ４（２）、・・・、ｓｆ番目のサブフィールドにおける到達電圧Ｖｉ４を到達電圧Ｖｉ４（ｓｆ）とも表記する。
【００２９】
すると走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間で再び微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上の正の壁電圧が弱められるとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上の正の壁電圧が書込み動作に適した値に調整される。
【００３０】
このようにしてＳＦ１の初期化期間では強制初期化動作を行い、以降の放電を発生させやすくするためのプライミングを発生するとともに書込み放電に必要な壁電荷を形成する。
【００３１】
下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４は書込み放電に必要な壁電圧を決定する電圧であり、書込み動作の安定性を左右し、ひいては画像表示品質を左右する重要な電圧である。例えば、到達電圧Ｖｉ４が高くなりすぎて後述する走査パルスの電圧Ｖａとの電圧差が大きくなると、壁電荷が多めに形成されて書込み放電が発生しやすくなるが、書込み放電を発生させない場合であっても誤って放電が発生する確率が高くなる。逆に、到達電圧Ｖｉ４が低くなりすぎて走査パルスの電圧Ｖａとの差が小さくなると、形成される壁電荷は少なめであり書込み放電が発生しにくくなるが誤って放電が発生する確率は低下する。そしてこの到達電圧Ｖｉ４の最適値は一定ではなく、サブフィールド毎、放電セル毎、さらには表示画像、パネル１０の温度、ライフ時間等によっても異なると考えられる。
【００３２】
そこで、詳細は後述するが、到達電圧Ｖｉ４をサブフィールド毎に異なる電圧に設定している。
【００３３】
続く書込み期間では、引き続き維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｃを印加する。次に、１行目の走査電極ＳＣ１に負の電圧Ｖａの走査パルスを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の電圧Ｖｄの書込みパルスを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧の差とが加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間および維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルスを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで行い、書込み期間が終了する。
【００３４】
続く維持期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｓの維持パルスを印加する。すると、書込み放電を起こした放電セルでは維持放電が起こり発光する。次に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧０（Ｖ）を印加するとともに、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｓの維持パルスを印加する。すると維持放電を起こした放電セルでは再び維持放電が起こり発光する。
【００３５】
以下同様に、輝度重みに応じた数の維持パルスを走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎおよび維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに交互に印加する。その後、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｒまで上昇するランプ電圧を印加していわゆる壁電荷消去を行い、維持期間を終了する。
【００３６】
続くＳＦ２の初期化期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには電圧Ｖａに向かって緩やかに下降する下りランプ電圧を印加する。ただしここでも、下りランプ電圧が電圧Ｖａに達する前の到達電圧Ｖｉ４（２）で電圧の下降を停止させている。このときの到達電圧Ｖｉ４（２）は、ＳＦ１における到達電圧Ｖｉ４（１）よりも高い電圧に設定されている。
【００３７】
すると直前のサブフィールドであるＳＦ１の維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められる。またデータ電極Ｄｋに対しては、直前の維持放電によってデータ電極Ｄｋ上に十分な正の壁電圧が蓄積されているので、この壁電圧の過剰な部分が放電され、書込み動作に適した壁電圧に調整される。一方、直前のサブフィールドであるＳＦ１で維持放電を起こさなかった放電セルについては放電することはなく、ＳＦ１の初期化動作終了時における壁電荷がそのまま保たれる。
【００３８】
このようにしてＳＦ２の初期化期間では、直前のサブフィールドで書込み放電、維持放電を発生した放電セルでのみ初期化放電を発生させる選択初期化動作を行う。
【００３９】
続くＳＦ２の書込み期間の動作はＳＦ１の書込み期間の動作と同様であり、ＳＦ２の維持期間の動作も維持パルス数を除きＳＦ１の維持期間の動作と同様である。続くＳＦ３〜ＳＦ１０においても、上述したサブフィールドの動作と同様の動作を繰り返すことにより放電セルを発光させ、画像を表示している。ただし、それぞれのサブフィールドにおける書込み時の壁電圧を決定する下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４（ｓｆ）は、それぞれのサブフィールドで最適になるように、サブフィールド毎に独立に設定されている。
【００４０】
なお、本実施の形態において各電極に印加する電圧値は、例えば、電圧Ｖｉ１＝１４５（Ｖ）、電圧Ｖｉ２＝３５０（Ｖ）、電圧Ｖｉ３＝１９０（Ｖ）、到達電圧Ｖｉ４（ｓｆ）＝−１６０（Ｖ）〜−１７５（Ｖ）、電圧Ｖａ＝−１８０（Ｖ）、電圧Ｖｓ＝１９０（Ｖ）、電圧Ｖｒ＝１９０（Ｖ）、電圧Ｖｅ＝１２５（Ｖ）、電圧Ｖｄ＝６０（Ｖ）である。また電圧Ｖｃは負の電圧Ｖａ＝−１８０（Ｖ）に正の電圧Ｖｓｃｎ＝１４５（Ｖ）を重畳して作られる。したがって電圧Ｖｃ＝−３５（Ｖ）である。ただしこれらの電圧値は、単に一例を挙げたに過ぎず、パネル１０の特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて、適宜最適な値に設定することが望ましい。
【００４１】
図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４（ｓｆ）を示す図である。本実施の形態においては、維持パルス数の多いサブフィールドにおける下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４は維持パルス数の少ないサブフィールドにおける下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４よりも高く設定されている。これら到達電圧Ｖｉ４（ｓｆ）の電圧値は、書込みパルスの電圧Ｖｄを低く設定するとともに書込み放電を安定して発生させるための条件を、パネル１０を用いて実験した結果にもとづいて設定した。もちろんパネル１０の放電特性が変わればこれらの値も最適な値に再設定することが望ましい。
【００４２】
次に、パネル１０を駆動するための駆動回路とその動作について説明する。図５は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置３０の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置３０は、パネル１０とその駆動回路とを備え、駆動回路は、画像信号処理回路３１と、データ電極駆動回路３２と、走査電極駆動回路３３と、維持電極駆動回路３４と、タイミング発生回路３５と各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）とを備えている。
【００４３】
画像信号処理回路３１は、入力された画像信号をサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。データ電極駆動回路３２はサブフィールド毎の画像データをデータ電極Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれに対応する書込みパルスに変換しデータ電極Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれに印加する。
【００４４】
タイミング発生回路３５は垂直同期信号Ｖ、水平同期信号Ｈにもとづき各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。
【００４５】
走査電極駆動回路３３は、タイミング信号にもとづいて駆動電圧波形を発生し走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎのそれぞれに印加する。維持電極駆動回路３４は、タイミング信号にもとづいて駆動電圧波形を発生し維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加する。
【００４６】
図６は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置３０の走査電極駆動回路３３の回路図である。走査電極駆動回路３３は、維持パルス発生回路４０と、ランプ電圧発生回路５０と、電圧比較回路６０と、信号遅延回路７０と、走査パルス発生回路８０とを備えている。ここで電圧比較回路６０および信号遅延回路７０は到達電圧Ｖｉ４を設定するために設けている。
【００４７】
維持パルス発生回路４０は、電圧Ｖｓを供給するスイッチング素子と電圧０（Ｖ）を供給するスイッチング素子とを備え、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する維持パルスを発生して走査パルス発生回路８０の基準電位Ａに供給する。
【００４８】
ランプ電圧発生回路５０はミラー積分回路５１〜５３を備え、ランプ電圧（上りランプ電圧および下りランプ電圧）を発生して走査パルス発生回路８０の基準電位Ａに供給する。ミラー積分回路５１は電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する上りランプ電圧を発生し、ミラー積分回路５２は電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇する上りランプ電圧を発生する。ミラー積分回路５３は入力端子ＩＮ５３に一定の電圧を印加することにより電圧Ｖａに向かって緩やかに低下する下りランプ電圧を発生する。
【００４９】
なおスイッチング素子Ｑ５９は分離スイッチであり、走査電極駆動回路３３を構成するスイッチング素子の寄生ダイオード等を介して電流が逆流するのを防止するために設けている。
【００５０】
電圧比較回路６０はコンパレータ６１を有し、信号遅延回路７０はメモリ７２およびカウンタ７３を有する。電圧比較回路６０のコンパレータ６１は、ミラー積分回路５３の出力する下りランプ電圧とあらかじめ定められた閾値電圧とを比較し、ミラー積分回路５３の出力する下りランプ電圧が閾値電圧より高いと「Ｌ」レベルを、閾値電圧以下になると「Ｈ」レベルを閾値到達信号ｅｎｂとして出力する。このように電圧比較回路６０は、あらかじめ定められた閾値電圧とランプ電圧とを比較して閾値到達信号ｅｎｂを出力する。
【００５１】
信号遅延回路７０のメモリ７２は、各サブフィールドにおける下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４（ｓｆ）を設定するためのデータが記憶されており、タイミング発生回路３５のタイミング信号にもとづき、サブフィールド毎に到達電圧Ｖｉ４（ｓｆ）に対応するデータをカウンタ７３へ出力する。
【００５２】
カウンタ７３は、データ入力端子、クロック入力端子、プリセット信号入力端子、イネーブル信号入力端子を有する。そして、タイミング発生回路３５で発生したプリセット信号ｐｒｓを入力して到達電圧Ｖｉ４（ｓｆ）に対応するデータをプリセットする。またイネーブル信号入力端子に閾値到達信号ｅｎｂを入力し、閾値到達信号ｅｎｂが「Ｈ」レベルであればタイミング発生回路３５で発生したクロック信号ｃｌｋを入力して計数（カウントダウン）する。カウンタ７３の計数値が「０」以下になると、すなわち「０」またはアンダーフローするとカウンタ７３は「Ｈ」レベルの電圧切換信号ｓｅｔを出力する。このように信号遅延回路７０は閾値到達信号ｅｎｂを所定の時間遅延して電圧切換信号ｓｅｔを出力する。また本実施の形態における信号遅延回路７０は、閾値到達信号ｅｎｂを入力してクロック信号ｃｌｋを計数するとともに係数値が所定の値（本実施の形態においては「０」）に達すると電圧切換信号ｓｅｔを出力するカウンタ７３と、カウンタ７３にプリセットするデータを記憶するメモリ７２とを有する。
【００５３】
走査パルス発生回路８０は、スイッチング素子Ｑ８２と、フローティング電源Ｅ８１と、スイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷｎを有する。スイッチング素子Ｑ８２は走査パルス発生回路８０の基準電位Ａを負の電圧Ｖａに接続する。フローティング電源Ｅ８１は基準電位Ａに一定の電圧である電圧Ｖｓｃｎを重畳する。したがって基準電位Ａにランプ電圧を供給時には、フローティング電源Ｅ８１はランプ電圧に一定の電圧である電圧Ｖｓｃｎを重畳する。
【００５４】
スイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷｎは、電圧切換信号ｓｅｔにもとづきフローティング電源Ｅ８１の高圧側の電圧または低圧側の電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎのそれぞれに出力する。スイッチ回路ＳＷｉのそれぞれは、フローティング電源Ｅ８１の高圧側の電圧を出力するためのスイッチング素子ＱＨｉと、フローティング電源Ｅ８１の低圧側の電圧を出力するためのスイッチング素子ＱＬｉと、スイッチング素子ＱＨｉ、ＱＬｉを制御する出力制御部ＣＴｉとを有する。
【００５５】
出力制御部ＣＴｉのそれぞれは、電圧切換信号ｓｅｔが「Ｈ」レベルになるとスイッチング素子ＱＬｉを「オフ」、スイッチング素子ＱＨｉを「オン」とする。すると走査電極ＳＣｉには基準電位Ａに電圧Ｖｓｃｎが重畳された電圧が印加される。そのため、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎへの下りランプ電圧印加時には、電圧切換信号ｓｅｔが「Ｈ」レベルとなる直前に走査電極ＳＣｉに印加されている電圧が下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４となる。
【００５６】
また走査パルス発生回路８０は、タイミング発生回路３５から出力されるタイミング信号にもとづき、書込み期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する走査パルスを順次発生させる。なお、走査パルス発生回路８０は、初期化期間ではランプ電圧発生回路５０の電圧波形をそのまま、または電圧Ｖｓｃｎを重畳して出力し、維持期間では維持パルス発生回路４０の電圧波形をそのまま出力する。
【００５７】
次に、走査電極駆動回路３３の動作、特に初期化期間の動作について詳細に説明する。図７は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置３０の走査電極駆動回路３３の動作を説明するためのタイミングチャートであり、ＳＦ１およびＳＦ２の初期化期間について詳細に示している。
【００５８】
まず、ＳＦ１の初期化期間の動作について説明する。ＳＦ１の初期化期間にミラー積分回路５３を動作させる時刻ｔ１以前に、メモリ７２からカウンタ７３に到達電圧Ｖｉ４（１）に対応するデータがプリセットされているものとする。
【００５９】
時刻ｔ１においてミラー積分回路５３を動作させる。すると、走査パルス発生回路８０の基準電位Ａの電圧が低下し始める。このときコンパレータ６１の出力である閾値到達信号ｅｎｂ、およびカウンタ７３の出力である電圧切換信号ｓｅｔはともに「Ｌ」レベルである。
【００６０】
時刻ｔ２において走査パルス発生回路８０の基準電位Ａの電圧が閾値電圧まで低下するとコンパレータ６１の出力、すなわち閾値到達信号ｅｎｂが「Ｈ」レベルとなる。するとカウンタ７３はタイミング発生回路３５で発生したクロック信号ｃｌｋを入力してカウントダウンを開始する。
【００６１】
時刻ｔ３においてカウンタ７３の計数値が「０」になるとカウンタ７３の出力、すなわち電圧切換信号ｓｅｔを「Ｈ」レベルとする。このようにしてカウンタ７３は、閾値到達信号ｅｎｂを入力するとメモリ７２のデータに対応した時間Ｔ１経過後に電圧切換信号ｓｅｔを出力する遅延回路として動作する。なお、このときの下りランプ電圧は到達電圧Ｖｉ４（１）まで低下している。
【００６２】
出力制御部ＣＴ１〜ＣＴｎのそれぞれは電圧切換信号ｓｅｔが「Ｈ」レベルになると、スイッチング素子ＱＬ１〜ＱＬｎを「オフ」、スイッチング素子ＱＨ１〜ＱＨｎを「オン」とする。これにより走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには走査パルス発生回路８０の基準電位Ａの電圧に電圧Ｖｓｃｎが重畳された電圧が印加される。スイッチング素子ＱＬ１〜ＱＬｎ、ＱＨ１〜ＱＨｎを切り換える直前の基準電位Ａの電圧はＳＦ１の到達電圧Ｖｉ４（１）に等しい。しかしスイッチング素子ＱＬ１〜ＱＬｎ、ＱＨ１〜ＱＨｎを切り換えた直後に走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの等価容量を充電するために大きな電流が流れ、基準電位Ａの電圧は電圧Ｖａまで急激に低下する。そのため走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには電圧Ｖａに電圧Ｖｓｃｎが重畳された電圧、すなわち電圧Ｖｃが印加される。
【００６３】
次にＳＦ２の初期化期間の動作について説明する。ＳＦ２の初期化期間にミラー積分回路５３を動作させる時刻ｔ４以前に、メモリ７２からカウンタ７３に到達電圧Ｖｉ４（２）に対応するデータがプリセットされているものとする。
【００６４】
時刻ｔ４においてミラー積分回路５３を動作させる。すると、走査パルス発生回路８０の基準電位Ａの電圧が低下し始める。
【００６５】
時刻ｔ５において走査パルス発生回路８０の基準電位Ａの電圧が閾値電圧まで低下するとコンパレータ６１の出力である閾値到達信号ｅｎｂが「Ｈ」レベルとなる。するとカウンタ７３はタイミング発生回路３５で発生したクロック信号ｃｌｋを入力してカウントダウンを開始する。
【００６６】
時刻ｔ６においてカウンタ７３の計数値が「０」になるとカウンタ７３は電圧切換信号ｓｅｔを「Ｈ」レベルとする。このようにしてカウンタ７３は、閾値到達信号ｅｎｂを入力すると時間Ｔ２経過後に電圧切換信号ｓｅｔを出力する遅延回路として動作する。なお、このときの下りランプ電圧は到達電圧Ｖｉ４（２）まで低下している。
【００６７】
出力制御部ＣＴ１〜ＣＴｎのそれぞれは電圧切換信号ｓｅｔが「Ｈ」レベルになると、スイッチング素子ＱＬ１〜ＱＬｎを「オフ」、スイッチング素子ＱＨ１〜ＱＨｎを「オン」とする。これにより走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには走査パルス発生回路８０の基準電位Ａの電圧に電圧Ｖｓｃｎが重畳された電圧Ｖｃが印加される。
【００６８】
ＳＦ３〜ＳＦ１０の初期化期間においても同様に、カウンタ７３は、閾値到達信号ｅｎｂを入力するとプリセットされたデータに応じた時間経過後に電圧切換信号ｓｅｔを出力する。これにより、各サブフィールドの下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４（ｓｆ）を独立にかつ詳細に設定している。
【００６９】
なお、本実施の形態においては、閾値電圧は電圧Ｖａよりも３０（Ｖ）高い電圧である−１５０（Ｖ）であり、下りランプ電圧の電圧低下速度は１Ｖ／μｓであり、クロック信号ｃｌｋの周波数が１ＭＨｚである。そのため到達電圧Ｖｉ４（ｓｆ）を１（Ｖ）ステップで設定することができる。具体的には、カウンタ７３にプリセットするデータを、ＳＦ１では「２５」、ＳＦ２では「２０」、ＳＦ３では「１９」、ＳＦ４では「１８」、ＳＦ５では「１７」、ＳＦ６では「１６」、ＳＦ７では「１５」、ＳＦ８では「１４」、ＳＦ９では「１２」、ＳＦ１０では「１０」と設定する。これにより、図４に示した下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４（ｓｆ）を実現することができる。そしてこれらのデータはあらかじめメモリ７２に記憶しておけばよい。
【００７０】
なお本実施の形態においては、下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４（ｓｆ）をサブフィールド毎に独立に設定する構成について説明した。しかし本発明はこれに限定されるものではない。例えば、パネル１０の温度に応じた最適な到達電圧Ｖｉ４（ｓｆ）に対するデータをあらかじめメモリ７２に記憶しておき、パネル１０の温度に応じてカウンタ７３にプリセットするデータを切り換えれば、サブフィールドおよびパネル１０の温度に対応して到達電圧Ｖｉ４（ｓｆ）を最適に設定することができる。
【００７１】
さらには、画像信号のＡＰＬ、パネル１０のライフ時間等の諸条件に対応した最適な到達電圧Ｖｉ４に対するデータをあらかじめメモリ７２に記憶しておけば、これら諸条件に最適な到達電圧Ｖｉ４に適応的に設定することができるので、十分な駆動マージンを確保しつつ書込み放電を安定して発生させることができる。
【００７２】
（実施の形態２）
実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置に使用するパネル１０、駆動回路の回路ブロック図は実施の形態１と同じである。またパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形は、下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４を除いて実施の形態１と同様である。実施の形態２が実施の形態１と異なる点は、走査電極毎に到達電圧Ｖｉ４を独立に設定する点、および走査電極毎に到達電圧Ｖｉ４を設定するための走査電極駆動回路の回路構成であり、その回路構成を有する駆動回路を走査電極駆動回路１３３とする。
【００７３】
図８は、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置の下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４を示す図である。図８には、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎがｎ＝７６８本であるパネル１０の到達電圧Ｖｉ４を示している。図８に示すように、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを隣り合う複数の走査電極からなる複数（ここでは６個）の走査電極群に分け、各走査電極群の走査電極に対して走査電極群毎に到達電圧Ｖｉ４を設定している。
【００７４】
実施の形態２においては、実施の形態１と同様に、維持パルス数の多いサブフィールドにおける下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４は維持パルス数の少ないサブフィールドにおける下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４よりも高く設定されている。加えて実施の形態２においては、走査パルスを印加する順序が遅い走査電極に印加する下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４は、走査パルスを印加する順序が早い走査電極に印加する下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４よりも高く設定されている。
【００７５】
このように、走査パルスを印加する順序に依存して下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４を設定する理由は以下のとおりである。初期化放電により形成された壁電荷は時間とともに減少する傾向がある。そのため従来は、書込み動作の順序の遅い放電セルでは書込み動作の順序の早い放電セルよりも多くの壁電荷が減少して書込み放電が発生しにくくなる傾向があった。しかし実施の形態２においては減少する壁電荷を見越して、走査パルスを印加する順序が遅い走査電極では、走査パルスを印加する順序が早い走査電極よりも到達電圧Ｖｉ４を高く設定している。これによりあらかじめ多めの壁電荷を形成することができる。そのため書込み動作の順序の遅い放電セルでも安定して書込み動作を行うことができる。
【００７６】
図９は、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路１３３の回路図である。走査電極駆動回路１３３は、維持パルス発生回路４０と、ランプ電圧発生回路５０と、電圧比較回路６０と、信号遅延回路１７０と、走査パルス発生回路８０とを備えている。なお維持パルス発生回路４０、ランプ電圧発生回路５０、電圧比較回路６０、走査パルス発生回路８０は実施の形態１と同じであるため説明を省略する。
【００７７】
信号遅延回路１７０は、実施の形態１と同様にメモリ７２とカウンタ７３とを有するが、加えて、カウンタ７３の出力信号をそれぞれの走査電極に対応して独立に遅延させる遅延回路ＤＬ１〜ＤＬｎを備えている。遅延回路ＤＬｉはカウンタ７３の出力信号を遅延してスイッチ回路ＳＷｉ用の電圧切換信号ｓｅｔｉを出力する。そして走査パルス発生回路８０のスイッチ回路ＳＷｉのそれぞれは対応する電圧切換信号ｓｅｔｉを入力してスイッチング素子ＱＬｉ、ＱＨｉを切り換える。遅延回路ＤＬ１〜ＤＬｎのそれぞれは、例えばゲートディレイを用いて構成してもよく、また抵抗とコンデンサを用いた単純な遅延回路であってもよい。
【００７８】
このように、本実施の形態における信号遅延回路１７０は、複数のスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷｎのそれぞれに対して遅延時間を設定することができる遅延回路ＤＬ１〜ＤＬｎを有する。そしてこの構成により、走査電極毎に到達電圧Ｖｉ４を独立に設定することができる。
【００７９】
なお、閾値電圧が電圧Ｖａよりも３０（Ｖ）高い電圧である−１５０（Ｖ）、下りランプ電圧の電圧低下速度が１Ｖ／μｓ、クロック信号ｃｌｋの周波数が１ＭＨｚであれば、遅延回路ＤＬ１〜ＤＬ１２８の遅延時間を５μｓ、遅延回路ＤＬ１２９〜ＤＬ２５６の遅延時間を４μｓ、遅延回路ＤＬ２５７〜ＤＬ３８４の遅延時間を３μｓ、遅延回路ＤＬ３８５〜ＤＬ５１２の遅延時間を２μｓ、遅延回路ＤＬ５１３〜ＤＬ６４０の遅延時間を１μｓ、遅延回路ＤＬ６４１〜ＤＬ７６８の遅延時間を０μｓとし、カウンタ７３にプリセットするデータを、ＳＦ１では「２５」、ＳＦ２では「２０」、ＳＦ３では「１９」、ＳＦ４では「１８」、ＳＦ５では「１７」、ＳＦ６では「１６」、ＳＦ７では「１５」、ＳＦ８では「１４」、ＳＦ９では「１２」、ＳＦ１０では「１０」と設定することにより、図８に示した下りランプ電圧の到達電圧Ｖｉ４を実現することができる。
【００８０】
（実施の形態３）
実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎのそれぞれに対して遅延回路ＤＬ１〜ＤＬｎを設けるのではなく、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを複数の走査電極群に分け、それぞれの走査電極群に対して遅延回路を設ける構成である。
【００８１】
図１０は、本発明の実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路２３３の回路図である。走査電極駆動回路２３３は、維持パルス発生回路４０と、ランプ電圧発生回路５０と、電圧比較回路６０と、信号遅延回路２７０と、走査パルス発生回路２８０とを備えている。なお、維持パルス発生回路４０、ランプ電圧発生回路５０、電圧比較回路６０は実施の形態１と同じであるため説明を省略する。
【００８２】
走査パルス発生回路２８０は、実施の形態１と同様に、スイッチング素子Ｑ８２と、フローティング電源Ｅ８１と、スイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷｎを有する。しかし実施の形態３においては、スイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷｎは複数毎にまとめられ複数の集積回路に集積されている。これらの集積回路を走査集積回路と呼称する。走査集積回路としては、例えば６４出力分のスイッチ回路が１つのモノシリック集積回路として集積されている。そして走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎがｎ＝７６８本であれば、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを６４本の走査電極を含む１２の走査電極群に分け、１２の走査電極群のそれぞれに対して１つの走査集積回路、すなわち全部で１２個の走査集積回路ＩＣ１〜ＩＣ１２を用いて走査パルス発生回路２８０を構成することができる。このように多数のスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷｎをｈ個の走査集積回路ＩＣ１〜ＩＣｈに集積化することにより回路をコンパクトにまとめることができて実装面積も小さくなり、コストも下げることができる。
【００８３】
信号遅延回路２７０は、メモリ２７２と、複数の遅延回路ＤＬ１〜ＤＬｈを備えている。メモリ２７２は、サブフィールド毎、走査電極群毎の到達電圧Ｖｉ４に対応するデータを記憶している。そしてそれらのデータを遅延回路ＤＬ１〜ＤＬｈに出力する。
【００８４】
遅延回路ＤＬ１〜ＤＬｈのそれぞれは走査集積回路ＩＣ１〜ＩＣｈのそれぞれに対して設けられ、電圧比較回路６０のコンパレータ６１から出力される閾値到達信号ｅｎｂをメモリ２７２から出力されるデータにもとづく時間だけそれぞれ独立に遅延させて電圧切換信号ｓｅｔ１〜ｓｅｔｈとして出力する。遅延回路ＤＬ１〜ＤＬｈのそれぞれは、例えば実施の形態２で説明したカウンタ７３と同じ構成で実現することができる。
【００８５】
走査集積回路ＩＣ１〜ＩＣｈは、対応する遅延回路ＤＬ１〜ＤＬｈから電圧切換信号ｓｅｔ１〜ｓｅｔｈを入力すると、フローティング電源Ｅ８１の低圧側の電圧を出力するためのスイッチング素子を「オフ」、フローティング電源Ｅ８１の高圧側の電圧を出力するためのスイッチング素子を「オン」とする。
【００８６】
このようにして、複数のスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷｎを複数のスイッチ回路群に分け、それらスイッチ回路群のそれぞれを走査集積回路ＩＣ１〜ＩＣｈとして集積するとともに、信号遅延回路２７０はスイッチ回路群のそれぞれに対して遅延時間を設定することができる遅延回路ＤＬ１〜ＤＬｈを有する。これにより、走査電極駆動回路３３は、サブフィールド毎、走査電極群毎に独立して到達電圧Ｖｉ４を設定することができる。
【００８７】
なお、実施の形態３においても、さらにパネル１０の温度、画像信号のＡＰＬ、プラズマディスプレイ装置のライフ時間等に依存して到達電圧Ｖｉ４を設定することができる。例えばパネル１０の温度に依存して到達電圧Ｖｉ４を設定するには、パネル１０の各温度に対する到達電圧Ｖｉ４に対応するデータをメモリ２７２に記憶しておき、検出したパネル１０の温度にもとづきメモリ２７２が出力するデータを切り換えればよい。同様に、画像信号のＡＰＬに依存して到達電圧Ｖｉ４を設定するには、画像信号の各ＡＰＬに対する到達電圧Ｖｉ４に対応するデータをメモリ２７２に記憶しておき、検出した画像信号のＡＰＬにもとづきメモリ２７２が出力するデータを切り換えればよい。同様に、プラズマディスプレイ装置のライフ時間に依存して到達電圧Ｖｉ４を設定するには、ライフ時間に対する到達電圧Ｖｉ４に対応するデータをメモリ２７２に記憶しておき、算出したライフ時間にもとづきメモリ２７２が出力するデータを切り換えればよい。
【００８８】
なお、本発明の実施の形態１〜３において示した走査電極駆動回路３３、１３３、２３３は一例を示したものであり、走査電極駆動回路の構成は上記に限定されるものではない。例えば図６、図９、図１０に示したコンパレータ６１をディスクリート部品で構成してもよく、また図１０に示したメモリ２７２をプラズマディスプレイ装置の制御ＬＳＩの内部に組み込んだ構成であってもよい。また図１０に示した遅延回路ＤＬ１〜ＤＬｈを走査集積回路ＩＣ１〜ＩＣｈの内部に組み込んだ構成であってもよい。
【００８９】
また、本発明の実施の形態１〜３において示した具体的な数値等は単に一例を示したに過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて最適に設定することが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、下りランプ電圧の到達電圧を詳細に設定することができる駆動回路を備え、安定した書込み放電を発生させて品質の高い画像を表示することができ、プラズマディスプレイ装置として有用である。
【符号の説明】
【００９１】
１０    パネル
１２    走査電極
１３    維持電極
２２    データ電極
３０    プラズマディスプレイ装置
３１    画像信号処理回路
３２    データ電極駆動回路
３３，１３３，２３３    走査電極駆動回路
３４    維持電極駆動回路
３５    タイミング発生回路
４０    維持パルス発生回路
５０    ランプ電圧発生回路
５１，５２，５３    ミラー積分回路
６０    電圧比較回路
６１    コンパレータ
７０，１７０，２７０    信号遅延回路
７２，２７２    メモリ
７３    カウンタ
８０，２８０    走査パルス発生回路
Ｅ８１    フローティング電源
ＳＷ１〜ＳＷｎ    スイッチ回路
ＤＬ１〜ＤＬｎ    遅延回路
ＩＣ１〜ＩＣｈ    走査集積回路
【図１】
2011059214.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2011059214.tif 000008
【図７】
2011059214.tif 000009
【図８】
2011059214.tif 000010
【図９】
2011059214.tif 000011
【図１０】
2011059214.tif 000012