(57)【要約】      （修正有）【課題】配線パターンを形成する際、搬送時に基板のバタつきを低く抑え、より精度の高い、ばらつきのないエッチング処理を行うと共に、基板全体に配線パターンの均一化を図ることができる半導体装置用テープキャリアの製造方法及びその製造装置を提供する。【解決手段】長尺のテープ状の基板１上にエッチング法により配線パターンを形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法であり、ベルト本体１２に多数の開口を設けると共に内側に吸着機構１３を設けた環状軌道を有するベルトコンベア１４を基板１の非エッチング面１０に密着させ且つ吸着機構１３により基板１と一体化させ、基板１を保持し、基板１を複数のエッチング液噴射ノズル７を備えたエッチング槽３内を搬送させると共に基板１のエッチング面８をエッチング液噴射ノズル７と対面させて、エッチング液９を噴射させ、基板１を連続的にエッチング処理する、半導体装置用テープキャリアの製造方法。【選択図】図２
2011114329.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺のテープ状の基板上にエッチング法により配線パターンを形成してなる半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記配線パターンの形成は、ベルト本体に多数の開口を設けると共に内側に吸着機構を設けた環状軌道を有するベルトコンベアをエッチング処理の前の段階まで半加工された前記基板の非エッチング面に密着させ且つ前記吸着機構により前記基板と一体化させることにより、前記基板を保持し、この状態で、前記基板を複数のエッチング液噴射ノズルを備えたエッチング槽内を搬送させると共に前記基板のエッチング面を前記エッチング液噴射ノズルと対面させて、前記エッチング液を噴射させることにより、前記基板の前記エッチング面を連続的にエッチング処理することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
前記エッチング処理後において前記ベルトコンベアから前記基板を引き離すためのエア噴射機構をさらに設けてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
前記エッチング処理後において前記ベルトコンベアから前記基板を引き離すために、前記基板の搬送ラインから前記ベルトコンベアの一部を持ち上げるようにすることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項４】
長尺のテープ状の基板上にエッチング法により配線パターンを形成してなる半導体装置用テープキャリアの製造装置であって、少なくとも、ベルト本体に多数の開口を設けると共に内側に吸着機構を設けた環状軌道を有し、エッチング処理の前の段階まで半加工された前記基板の非エッチング面に密着され且つ前記吸着機構により前記基板と一体化されることにより前記基板を保持するベルトコンベアと、複数のエッチング液噴射ノズルを備えたエッチング槽とを設けてなることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造装置。
【請求項５】
前記エッチング処理後において前記ベルトコンベアから前記基板を引き離すためのエア噴射機構をさらに設けてなることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置用テープキャリアの製造装置。
【請求項６】
前記エア噴射機構を前記ベルトコンベアの内側に設けてなることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置用テープキャリアの製造装置。
【請求項７】
前記エア噴射機構を前記ベルトコンベアの外側に設けてなることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置用テープキャリアの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、長尺のテープ状の基板上に微細な配線パターンを形成してなると共に半導体素子を連続的に搭載するために用いられる半導体装置用テープキャリアの製造方法及びその製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、このような半導体装置用テープキャリアの製造方法としては、一般に、例えば、ポリイミド等からなるテープ状の基板上に銅箔を設けると共に前記銅箔上にフォトレジストを塗布し、予め上記配線パターンに対応するマスクパターンを形成したフォトマスクを用いて、前記フォトレジストを露光・現像し、不要な銅箔を、エッチング液を用いたエッチング法により除去することにより、所定の配線パターンを形成して、半導体装置用テープキャリアを製造する方法が採用されている。エッチング液としては、塩化第二鉄水溶液等が用いられている。
【０００３】
また、半導体素子の高機能化と高集積化とに相俟って、配線パターンの微細化が進んでおり、上記製造方法で、基板上にエッチング法により配線パターンを形成する方法では、より精度の高い、ばらつきのない安定したエッチング処理が求められている。これに関連して、特に、長尺のテープ状の基板をエッチング処理して、配線パターンを形成する方法では、その長手方向のエッチングの均一性はもとより広幅の基板であればその幅方向のエッチングの均一性の向上が、エッチング処理上の重要な技術課題となっている。
【０００４】
図４は、従来の、基板上にエッチング法により配線パターンを形成する方法の概略を示すものである。図５は、図４の主要部である、エッチング槽内部におけるエッチング処理方法を示すものである。
【０００５】
図４によれば、予め別工程でエッチング処理の前まで半加工されたテープ状の基板１は、同図の右側の供給リール２から引き出され矢印方向に搬送されて、エッチング槽３に導入され、ここで所定のエッチング処理が行われた後、水洗浄槽４、乾燥槽５に順次導入され、夫々洗浄処理、乾燥処理されてから、同図の左側の巻き取りリール６に巻き取られる。
【０００６】
また、図５によれば、エッチング槽３内部には、前記基板１の搬送方向（矢印方向）に沿って複数のエッチング液噴射ノズル７が配列されて設けられており、このエッチング槽３内部では、導入された前記基板１のエッチング面８が、前記噴射ノズル７から噴射されたエッチング液９と接触されることにより、いわゆる配線パターンを形成するためのエッチング処理が行われる。
【０００７】
また、エッチング槽３内部には、前記エッチング液噴射ノズル７から噴射されたエッチング液９の噴射圧力に対抗して、その反対側から前記基板１を支持すると共に、前記基板１を搬送するために、前記基板１の非エッチング面１０と接触するガイドリール１１が、多数設けられている。このガイドリール１１は、エッチング槽３内部において、前記基板１を支持すると共に前記基板１を搬送させる機能を有するものである。
【０００８】
一方、先行技術文献である特許文献１には、基板の両面同時エッチングでは、上下両面に対するエッチング条件を同一にすることが難しいことに鑑み、途中で基板を反転させることにより基板を片面ずつエッチング処理するという、エッチング処理方法が記載されている。そして、このエッチング処理方法においては、基板の上面へのエッチング液の回り込みを抑えて、排液、滞留によるエッチング液によるむらを防止するために、特許文献１には、基板の上面に無端ベルトを密着させて用いるということが記載されている。
【０００９】
また、特許文献２には、やはり、基板の両面同時エッチングでは、上下もしくは左右両面に対するエッチング条件を同一にすることが難しいことから、基板を片面ずつ確実にエッチング処理するという、エッチング処理方法が記載されている。そして、このエッチング処理方法においても、例えば基板の上面へのエッチング液の回り込みを抑えるために、特許文献２には、エッチング液の噴射方向と反対の方向から基板の上面に向けてエアを吹き付けるということが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平８−２９３６６０号公報
【特許文献２】特開平５−２２６８０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来の半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、図４及び図５の、基板上にエッチング法により配線パターンを形成する方法では、前記したように、エッチング槽３内部には、エッチング液噴射ノズル７から噴射されたエッチング液９の噴射圧力に対抗して、その反対側から基板１を支持すると共に、基板を搬送するために、基板１の非エッチング面１０と接触するガイドリール１１が、多数設けられているが、このガイドリール１１では、搬送時における基板の搬送速度、エッチング液の噴射圧力、エッチング液噴射ノズルの設置構造（噴射ノズルの配列や噴射ノズルの数）等々に起因する基板のバタつきを低く抑えることはできない。これにより基板１を安定して搬送させることができず、これが、従来の方法では、より精度の高い、ばらつきのない安定したエッチング処理を行うことができない大きな原因になっている。この結果、前記したように、長尺のテープ状の基板をエッチング処理して、配線パターンを形成する方法では、その長手方向のエッチングの均一性はもとより広幅の基板であればその幅方向のエッチングの均一性の向上が、エッチング処理上の重要な技術課題となっているにも拘わらず、この課題に十分応えることができないという問題がある。
【００１２】
これに対し、特許文献１においては、搬送時における基板の支持に関しては、上記無端ベルトとは別に、しかもエッチング液噴射ノズルと対面する基板のエッチング面と接触するように設けられた、ガイドリールを用いて、基板を支持するように構成されており、ガイドリールを用いている以上、搬送時における基板のバタつきを低く抑えることはできないものと考えられる。
【００１３】
また、特許文献２においても、搬送時における基板の支持に関しては、基板の非エッチング面と接触するように設けられた、従来のガイドリールに相当する押えリールを用いて、基板を支持するように構成されており、従来のガイドリールを用いた場合と同様に問題があると考えられる。
【００１４】
察するに、特許文献１、２の基板は、長尺の基板を念頭に置くものではないと考えられる。
【００１５】
したがって、本発明の目的は、長尺のテープ状の基板をエッチング処理して、配線パターンを形成するにあたり、搬送時における基板のバタつきを低く抑えることができ、これにより基板を安定して搬送させることができるため、より精度の高い、ばらつきのない安定したエッチング処理を行うことができると共に、基板全体にわたり配線パターンの均一化を図ることができる半導体装置用テープキャリアの製造方法及びその製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために請求項１の発明は、長尺のテープ状の基板上にエッチング法により配線パターンを形成してなる半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記配線パターンの形成は、ベルト本体に多数の開口を設けると共に内側に吸着機構を設けた環状軌道を有するベルトコンベアをエッチング処理の前の段階まで半加工された前記基板の非エッチング面に密着させ且つ前記吸着機構により前記基板と一体化させることにより、前記基板を保持し、この状態で、前記基板を複数のエッチング液噴射ノズルを備えたエッチング槽内を搬送させると共に前記基板のエッチング面を前記エッチング液噴射ノズルと対面させて、前記エッチング液を噴射させることにより、前記基板の前記エッチング面を連続的にエッチング処理することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【００１７】
上記において、前記ベルトコンベアの前記ベルト本体としては、エッチング液などに対する耐薬品性に優れ且つ他の物質とくっつきにくい性質を有するテフロン（登録商標）製のベルトを用いることが好ましい。
【００１８】
また、別途、発明者が行った実験によれば、前記ベルト本体に設けられた前記開口の大きさとしては、前記吸着機構の吸着能力にもよるが、φ１ｍｍ程度の穴とすることが好ましく、この場合、前記開口の数としては、前記ベルト本体の１平方ｃｍ2当たり１〜２個程度とすることが好ましい。しかしながら、前記開口については、本来、前記吸着機構の吸着能力を伝えることができるものであればよく、例えば、格子状やメッシュ状の形状に形成された開口を採用することも可能である。また、前記形状に伴い、前記吸着機構の吸着能力を適宜選定することも可能である。
【００１９】
この半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、上記構成の採用により、特に、ベルト本体に多数の開口を設けると共に内側に吸着機構を設けた環状軌道を有するベルトコンベアをエッチング処理の前の段階まで半加工された前記基板の非エッチング面に密着させ且つ前記吸着機構により前記基板と一体化させることによって、前記基板を保持することにより、搬送時における基板のバタつきを低く抑えることができ、これにより基板を安定して搬送させることができるため、より精度の高い、ばらつきのない安定したエッチング処理を行うことができると共に、基板全体にわたり配線パターンの均一化を図ることができる。
【００２０】
請求項２の発明は、前記エッチング処理後において前記ベルトコンベアから前記基板を引き離すためのエア噴射機構をさらに設けてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【００２１】
この半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、つまり、前記エア噴射機構を設けることにより、前記ベルトコンベアから前記基板を容易に引き離すことができる。これにより次工程に向けて前記基板をスムーズに搬送させることができ、半導体装置用テープキャリアを有利に製造することができる。
【００２２】
請求項３の発明は、前記エッチング処理後において前記ベルトコンベアから前記基板を引き離すために、前記基板の搬送ラインから前記ベルトコンベアの一部を持ち上げるようにすることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【００２３】
この半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、すなわち、前記エッチング処理後において前記ベルトコンベアから前記基板を引き離すために、前記基板の搬送ラインから前記ベルトコンベアの一部を持ち上げるようにすることにより、前記ベルトコンベアから前記基板を容易に引き離すことができる。これにより次工程に向けて前記基板をスムーズに搬送させることができ、半導体装置用テープキャリアを有利に製造することができる。
【００２４】
請求項４の発明は、長尺のテープ状の基板上にエッチング法により配線パターンを形成してなる半導体装置用テープキャリアの製造装置であって、少なくとも、ベルト本体に多数の開口を設けると共に内側に吸着機構を設けた環状軌道を有し、エッチング処理の前の段階まで半加工された前記基板の非エッチング面に密着され且つ前記吸着機構により前記基板と一体化されることにより前記基板を保持するベルトコンベアと、複数のエッチング液噴射ノズルを備えたエッチング槽とを設けてなることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造装置を提供する。
【００２５】
この半導体装置用テープキャリアの製造装置によれば、上記構成の採用により、特に、ベルト本体に多数の開口を設けると共に内側に吸着機構を設けた環状軌道を有し、エッチング処理の前の段階まで半加工された前記基板の非エッチング面に密着され且つ前記吸着機構により前記基板と一体化されることにより前記基板を保持する前記ベルトコンベアを設けることにより、搬送時における基板のバタつきを低く抑えることができ、これにより基板を安定して搬送させることができるため、より精度の高い、ばらつきのない安定したエッチング処理を行うことができると共に、基板全体にわたり配線パターンの均一化を図ることができる。
【００２６】
請求項５の発明は、前記エッチング処理後において前記ベルトコンベアから前記基板を引き離すためのエア噴射機構をさらに設けてなることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置用テープキャリアの製造装置を提供する。
【００２７】
この半導体装置用テープキャリアの製造装置によれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、つまり、前記エア噴射機構を設けることにより、前記ベルトコンベアから前記基板を容易に引き離すことができる。これにより次工程に向けて前記基板をスムーズに搬送させることができ、半導体装置用テープキャリアを有利に製造することができる。
【００２８】
請求項６の発明は、前記エア噴射機構を前記ベルトコンベアの内側に設けてなることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置用テープキャリアの製造装置を提供する。
【００２９】
この半導体装置用テープキャリアの製造装置によれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、すなわち、前記エア噴射機構を前記ベルトコンベアの内側に設けることにより、前記ベルトコンベアから前記基板をタイミングよく引き離すことができる。
【００３０】
請求項７の発明は、前記エア噴射機構を前記ベルトコンベアの外側に設けてなることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置用テープキャリアの製造装置を提供する。
【００３１】
この半導体装置用テープキャリアの製造装置によれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、すなわち、前記エア噴射機構を前記ベルトコンベアの外側に設けることにより、エッチング槽を構成する前記ベルトコンベアの小型化を図ることができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法及びその製造装置によれば、長尺のテープ状の基板をエッチング処理して、配線パターンを形成するにあたり、搬送時における基板のバタつきを低く抑えることができ、これにより基板を安定して搬送させることができるため、より精度の高い、ばらつきのない安定したエッチング処理を行うことができると共に、基板全体にわたり配線パターンの均一化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の概略説明図である。
【図２】図１の主要部である、エッチング槽内部におけるエッチング処理方法を示す説明図である。
【図３】本発明の他の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法に関し、図１の主要部である、エッチング槽内部におけるエッチング処理方法を示す説明図である。
【図４】従来の半導体装置用テープキャリアの製造方法の概略説明図である。
【図５】図４の主要部である、エッチング槽内部におけるエッチング処理方法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、図１〜３に基づいて本発明の好適な実施の形態を説明するが、本発明はこれらの実施の形態の限られるものでないことは言うまでもないことである。なお、ここでは従来技術と同一の称呼を持つ部材及び部品については、同一の符号を付して説明することとする。
【００３５】
前記したように、図１は、本発明の一実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の概略を示すものである。図２は、図１の主要部である、エッチング槽内部におけるエッチング処理方法を示すものである。なお、図１自体は、従来例に係る図４と同じである。
【００３６】
図１によると、予め別工程でエッチング処理の前まで半加工されたテープ状の基板１は、同図の右側の供給リール２から引き出され矢印方向に搬送されて、エッチング槽３に導入され、ここで所定のエッチング処理が行われた後、水洗浄槽４、乾燥槽５に順次導入され、夫々洗浄処理、乾燥処理されてから、同図の左側の巻き取りリール６に巻き取られる。
【００３７】
また、図２によれば、エッチング槽３内部には、前記基板１の搬送方向（矢印方向）に沿って複数のエッチング液噴射ノズル７が配列されて設けられており、このエッチング槽３内部では、導入された前記基板１のエッチング面８が、前記噴射ノズル７から噴射されたエッチング液９と接触されることにより、いわゆる配線パターンを形成するためのエッチング処理が行われる。
【００３８】
ここで、図２に示されるエッチング処理方法では、テフロン（登録商標）製のベルト本体１２に多数の開口（図示せず）を設けると共に内側に吸着機構１３を設けた環状軌道を有するベルトコンベア１４を、エッチング処理の前の段階まで半加工された前記基板１の非エッチング面１０に密着させ且つ前記吸着機構１３により前記基板１と一体化させることにより、前記基板１を保持する。そして、この状態で、前記基板１を前記噴射ノズル７を備えた前記エッチング槽３内を搬送させると共に、前記基板１のエッチング面８を前記噴射ノズル７と対面させて、前記エッチング面８を前記噴射ノズル７から噴射されたエッチング液９と接触させることにより、前記基板１の前記エッチング面８を連続的にエッチング処理する。なお、この図２から明らかなように、前記ベルトコンベア１４は、その環状軌道に沿って２つのリール１５、１６間を循環移動するように構成されている。ここで、前記ベルトコンベア１４の移動速度を、前記基板１の搬送速度と同調させることにより、前記基板１に無理な力を与えず前記基板１をスムーズに搬送させることができる。１７は、前記ベルトコンベア１４の前記ベルト本体１２を案内するガイドリールである。
【００３９】
この図２の実施の形態によれば、そのように前記基板１を保持することにより、搬送時における前記基板１のバタつきを低く抑えることができ、これにより前記基板１を安定して搬送させることができるため、より精度の高い、ばらつきのない安定したエッチング処理を行うことができると共に、基板全体にわたり配線パターンの均一化を図ることができる。
【００４０】
また、この図２の実施の形態では、エッチング処理後において前記ベルトコンベア１４から前記基板１を引き離すためのエア噴射機構１８をさらに設けている。しかも、前記エア噴射機構１８を前記ベルトコンベア１４の内側に設けている。さらに、エッチング処理後において前記ベルトコンベア１４から前記基板１を引き離すために、前記基板１の搬送ラインから前記ベルトコンベア１４の一部を持ち上げるようにしている。このようにすることにより、エッチング処理後において前記ベルトコンベア１４から前記基板１を容易に引き離すことができ、次工程に向けて前記基板１をスムーズに搬送させることができる。また、前記エア噴射機構１８を前記ベルトコンベア１４の内側に設けることにより、前記ベルトコンベア１４から前記基板１をタイミングよく引き離すことができる。
【００４１】
図３は、本発明の他の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法に関するものであり、図１の主要部である、エッチング槽内部におけるエッチング処理方法を示すものである。
【００４２】
この図３の実施の形態では、エッチング処理後において前記ベルトコンベア１４から前記基板１を引き離すための、別のエア噴射機構１９を前記ベルトコンベア１４の外側に設けている。このようにすることにより、エッチング槽３を構成する前記ベルトコンベア１４の小型化を図ることができる。また、この点を除けば、この実施の形態においても、最初の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４３】
因みに、幅１５０ｍｍのポリイミドテープからなら基板上に厚さ８μｍの銅箔を貼り付けて構成したテープキャリア用基板をいくつか用意し、エッチング処理の前の段階まで半加工した前記基板を、図２の実施の形態と、図５の従来例とに基づいて、夫々エッチング処理し、各基板上に夫々配線幅１５μｍの、所定のパターン形状の配線パターンを形成した。そして、各基板の幅方向の外側領域（搬送時に、基板のバタつきが大きくなりやすい領域である）におけるエッチングのばらつきを夫々測定したところ、図２の実施の形態の場合は、σ＝１〜２μｍ、図５の従来例の場合は、σ＝２〜３μｍであった。この結果、本発明に係る実施の形態によれば、搬送時における基板のバタつきを低く抑えることにより、エッチング精度を向上させると共に、基板全体にわたり配線パターンの均一化を図ることができることが分かる。
【００４４】
なお、σは“ばらつき”を表す指標のひとつであり、σの値が小さいほど“ばらつき”が小さいことを意味する。σの値の実際の算出方法は、上記により製造されたテープキャリア用基板のサンプルをｎ個用意し、全てのサンプルについて夫々同じ測定点で配線幅を実測すると共にこれらの測定値を次式に当てはめて算出するという方法である。
【００４５】
［数１］
σ＝√（Σ（Ｘ−ｘｉ）2／ｎ）
（ｎ：測定点数、ｘｉ：測定値、Ｘ：測定値の平均）
【符号の説明】
【００４６】
１  テープ状の基板
２  供給リール
３  エッチング槽
４  水洗浄槽
５  乾燥槽
６  巻き取りリール
７  エッチング液噴射ノズル
８  エッチング面
９  エッチング液
１０  非エッチング面
１１  ガイドリール
１２  ベルト本体
１３  吸着機構
１４  環状軌道を有するベルトコンベア
１５、１６  リール
１７  ガイドリール
１８、１９エア噴射機構
【図１】
2011114329.tif 000003
【図２】
2011114329.tif 000004
【図３】
2011114329.tif 000005
【図４】
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【図５】
2011114329.tif 000007