(57)【要約】【課題】成膜速度の低下を抑制しつつ、膜厚分布の均一性を向上させることができる原子層堆積装置を提供する。【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、原料ガス供給口を介して、前記薄膜の原料である原料ガスを前記基板と平行な方向に供給する原料ガス供給部と、反応ガス供給口を介して、前記原料ガスと反応して前記薄膜を形成する反応ガスを前記基板と平行な方向に供給する反応ガス供給部と、不活性ガス供給口を介して、前記基板と平行な方向に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を備え、前記不活性ガス供給口は、前記原料ガス供給口よりも鉛直下方に位置することを特徴とする原子層堆積装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、
原料ガス供給口を介して、前記薄膜の原料である原料ガスを前記基板と平行な方向に供給する原料ガス供給部と、
反応ガス供給口を介して、前記原料ガスと反応して前記薄膜を形成する反応ガスを前記基板と平行な方向に供給する反応ガス供給部と、
不活性ガス供給口を介して、前記基板と平行な方向に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を備え、
前記不活性ガス供給口は、前記原料ガス供給口よりも鉛直下方に位置することを特徴とする原子層堆積装置。
【請求項２】
前記原料ガス供給口と、前記反応ガス供給口と、前記不活性ガス供給口と、が設けられたガス供給板を備える、請求項１に記載の原子層堆積装置。
【請求項３】
前記原料ガス供給口、前記反応ガス供給口、及び、前記不活性ガス供給口の幅は、前記基板の幅よりも広い、請求項１又は２に記載の原子層堆積装置。
【請求項４】
前記原料ガス供給部が前記原料ガスを供給する期間に前記不活性ガス供給部が前記不活性ガスを供給するように、前記不活性ガス供給部が前記不活性ガスを供給するタイミングを制御する制御部を備える、請求項１乃至３のいずれかに記載の原子層堆積装置。
【請求項５】
基板上に薄膜を形成する原子層堆積方法であって、
前記薄膜の原料である原料ガスを前記基板と平行な方向に供給する原料ガス供給工程と、
前記原料ガスと反応して前記薄膜を形成する反応ガスを前記基板と平行な方向に供給する反応ガス供給工程と、
前記原料ガスが供給される位置よりも鉛直下方から、前記基板と平行な方向に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、を有し、
前記不活性ガス供給工程は、少なくとも前記原料ガス供給工程が行われる期間に、前記不活性ガスを供給することを特徴とする原子層堆積方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置、及び、原子層堆積方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
段差被覆性に優れ、薄膜を均一に形成する技術として、原子層堆積法（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）が知られている。ＡＬＤ法では、形成しようとする薄膜を構成する元素を主成分とする２種類のガスを基板上に交互に供給し、基板上に原子層単位で薄膜を形成する。ＡＬＤ法では、表面反応の自己停止作用が用いられる。表面反応の自己停止作用とは、原料ガスを供給している間に、１層あるいは数層の原料ガスだけが基板表面に吸着し、余分な原料ガスは成膜に寄与しない作用である。そのため、ＡＬＤ法を用いて原子層単位で繰り返し基板上に薄膜を形成することにより、所望の膜厚の薄膜を形成することができる。
【０００３】
一般的なＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法と比較して、ＡＬＤ法は段差被覆性と膜厚制御性に優れている。そのため、メモリ素子のキャパシタや、「high-kゲート」と呼ばれる絶縁膜の形成にＡＬＤ法を用いることが期待されている。
また、ＡＬＤ法では、３００℃以下の温度で絶縁膜を形成することができる。そのため、液晶ディスプレイなどのようにガラス基板を用いる表示装置において、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の形成にＡＬＤ法を用いることが期待されている。
【０００４】
ＡＬＤ法は、反応の活性化手段の違いにより、熱ＡＬＤ法とプラズマＡＬＤ法とに大別される。熱ＡＬＤ法は、加熱により反応ガスの反応を促進する方法である。また、プラズマＡＬＤ法は、プラズマにより反応ガスの反応を促進する方法である。
【０００５】
従来、基板上に均一な薄膜を形成するために、基板の上方に設けられたシャワーヘッドノズルを介して、原料ガスを供給する薄膜形成装置が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２７３５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の薄膜形成装置では、薄膜を形成する基板が大きくなるに伴い、基板の上方に設けられるシャワーヘッドノズルも大きくなる。そのため、シャワーヘッドノズルの内部空間の体積も大きくなり、シャワーヘッドノズルの内部に残留しているガスの排気に要する時間が長くなり、成膜速度が低下する。
【０００８】
成膜速度を向上させるためには、シャワーヘッドノズルを用いるのではなく、基板と平行な方向からガスを供給することが好ましい。しかしながら、薄膜を形成する基板が大きくなるに伴い、ガスが供給される方向において膜厚分布の均一性が低下する。具体的には、ガスの上流側から下流側に向かって、膜厚が薄くなる。
【０００９】
そこで、本発明は、成膜速度の低下を抑制しつつ、膜厚分布の均一性を向上させることができる原子層堆積装置、及び、原子層堆積方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の原子層堆積装置は、基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、原料ガス供給口を介して、前記薄膜の原料である原料ガスを前記基板と平行な方向に供給する原料ガス供給部と、反応ガス供給口を介して、前記原料ガスと反応して前記薄膜を形成する反応ガスを前記基板と平行な方向に供給する反応ガス供給部と、不活性ガス供給口を介して、前記基板と平行な方向に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を備え、前記不活性ガス供給口は、前記原料ガス供給口よりも鉛直下方に位置することを特徴とする。
【００１１】
また、前記原料ガス供給口と、前記反応ガス供給口と、前記不活性ガス供給口と、が設けられたガス供給板を備えることが好ましい。
【００１２】
また、前記原料ガス供給口、前記反応ガス供給口、及び、前記不活性ガス供給口の幅は、前記基板の幅よりも広いことが好ましい。
【００１３】
また、前記原料ガス供給部が前記原料ガスを供給する期間に前記不活性ガス供給部が前記不活性ガスを供給するように、前記不活性ガス供給部が前記不活性ガスを供給するタイミングを制御する制御部を備えることが好ましい。
【００１４】
本発明の原子層堆積方法は、基板上に薄膜を形成する原子層堆積方法であって、前記薄膜の原料である原料ガスを前記基板と平行な方向に供給する原料ガス供給工程と、前記原料ガスと反応して前記薄膜を形成する反応ガスを前記基板と平行な方向に供給する反応ガス供給工程と、前記原料ガスが供給される位置よりも鉛直下方から、前記基板と平行な方向に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、を有し、前記不活性ガス供給工程は、少なくとも前記原料ガス供給工程が行われる期間に、前記不活性ガスを供給することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の原子層堆積装置、及び、原子層堆積方法によれば、成膜速度の低下を抑制しつつ、膜厚分布の均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態の原子層堆積装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】ガス供給板の一例を示す構成図である。
【図３】実施形態の原子層堆積方法の一例を示すフローチャートである。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、基板上に薄膜が形成される工程を示す図である。
【図５】実施形態の原子層堆積方法の一例を示すタイミングチャートである。
【図６】ステップＳ１０２において、基板の上に原料ガスが吸着する状態を説明する図である。
【図７】（ａ）は、実施形態における膜厚分布の測定結果を示し、（ｂ）は、比較例における膜厚分布の測定結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の原子層堆積装置及び原子層堆積方法を、実施形態に基づいて説明する。
＜実施形態＞
（原子層堆積装置の構成）
まず、図１を参照して、原子層堆積装置の概略構成を説明する。図１は、本実施形態の原子層堆積装置の一例を示す概略構成図である。本実施形態の原子層堆積装置は、原料ガスと反応ガス（酸化ガス）を供給することにより、熱ＡＬＤ法を用いて、基板上に原子層単位で酸化層を堆積し、薄膜を形成する。本実施形態の原子層堆積装置は、成膜室２００と、原料ガス供給部２１０と、反応ガス供給部２２０と、不活性ガス供給部２３０と、制御部２４０と、排気部２６０と、を備える。
【００１８】
成膜室２００は、基板台２０２と、ガス供給板２５０と、を備える。薄膜が形成される基板１００は、基板台２０２の上に載置される。基板台２０２は、基板１００を加熱する加熱部２０４を備える。加熱部２０４は、例えば、基板１００を１５０℃に加熱する。
ガス供給板２５０は、原料ガス供給部２１０から供給された原料ガス、反応ガス供給部２２０から供給された反応ガス、不活性ガス供給部２３０から供給された不活性ガスを、層状に成膜室２００の内部に供給する。
【００１９】
ここで、図２を参照して、ガス供給板２５０の構成について説明する。図２は、ガス供給板２５０の一例を示す構成図であり、図１の右側からガス供給板２５０を見た図である。図２に示されるように、ガス供給板２５０には、原料ガスが通過する原料ガス供給口２５２と、反応ガスが通過する反応ガス供給口２５４と、不活性ガスが通過する不活性ガス供給口２５６とが設けられている。
原料ガス供給口２５２、反応ガス供給口２５４、及び、不活性ガス供給口２５６の幅（図２にＷで示される長さ）は、基板１００の幅よりも広い。ガス供給板２５０を通過したガスは、層状となって成膜室２００の内部に供給される。
【００２０】
図１に戻り、原料ガス供給部２１０は、成膜室２００の内部に原料ガスを供給する。図１に示される例では、原料ガス供給部２１０は、原料ガス供給口２５２を介して、基板１００と平行な方向に原料ガスを供給する。原料ガス供給部２１０が供給する原料ガスは、例えば、ＴＭＡ（Tri-Methyl-Aluminum）である。
原料ガス供給部２１０と成膜室２００との間にはバルブ２１２が設けられている。制御部２４０がバルブ２１２の開閉状態を制御することにより、原料ガス供給部２１０が成膜室２００の内部に原料ガスを供給するタイミングを制御することができる。
本実施形態では、反応ガス供給部２２０が反応ガスを供給する位置よりも鉛直下方から、原料ガス供給部２１０が原料ガスを供給する。
【００２１】
また、反応ガス供給部２２０は、成膜室２００の内部に反応ガスを供給する。図１に示される例では、反応ガス供給部２２０は、反応ガス供給口２５４を介して、基板１００と平行な方向に反応ガス（酸化ガス）を供給する。反応ガス供給部２２０が供給する反応ガスは、例えば、オゾンである。
反応ガス供給部２２０と成膜室２００との間にはバルブ２２２が設けられている。制御部２４０がバルブ２２２の開閉状態を制御することにより、反応ガス供給部２２０が成膜室２００の内部に反応ガスを供給するタイミングを制御することができる。
【００２２】
なお、原料ガス供給部２１０や反応ガス供給部２２０は、更に、成膜室２００の内部にパージガスを供給することもできる。パージガスは、例えば、窒素やアルゴンである。原料ガス供給部２１０や反応ガス供給部２２０は、原料ガスや反応ガスが流れる管を用いてパージガスを供給してもよいし、原料ガスや反応ガスが流れる管とは異なる管を用いてパージガスを供給してもよい。
【００２３】
不活性ガス供給部２３０は、成膜室２００の内部に不活性ガスを供給する。図１に示される例では、不活性ガス供給部２３０は、不活性ガス供給口２５６を介して、基板１００と平行な方向に不活性ガスを供給する。不活性ガス供給部２３０が供給する不活性ガスは、原料ガス供給部２１０が供給する原料ガスと反応しないガスである。また、不活性ガス供給部２３０が供給する不活性ガスは、反応ガス供給部２２０が供給する反応ガスとも反応しないガスであることが好ましい。不活性ガス供給部２３０が供給する不活性ガスは、例えば、窒素である。
不活性ガス供給部２３０と成膜室２００との間にはバルブ２３２が設けられている。制御部２４０がバルブ２３２の開閉状態を制御することにより、不活性ガス供給部２３０が成膜室２００の内部に不活性ガスを供給するタイミングを制御することができる。
不活性ガス供給部２３０は、原料ガス供給部２１０が原料ガスを供給する位置、及び、反応ガス供給部２２０が反応ガスを供給する位置よりも鉛直下方から不活性ガスを供給する。
【００２４】
制御部２４０は、バルブ２１２の開閉状態を制御することにより、原料ガス供給部２１０が成膜室２００の内部に原料ガスを供給するタイミングを制御する。また、制御部２４０は、バルブ２２２の開閉状態を制御することにより、反応ガス供給部２２０が成膜室２００の内部に反応ガスを供給するタイミングを制御する。また、制御部２４０は、バルブ２３２の開閉状態を制御することにより、不活性ガス供給部２３０が成膜室２００の内部に不活性ガスを供給するタイミングを制御する。制御部２４０がバルブ２１２，２２２，２３２を制御する具体的なタイミングについては後述する。
【００２５】
排気部２６０は、成膜室２００の内部の原料ガスや反応ガスを排気する。排気部２６０は、例えば、ドライポンプである。
以上が本実施形態の原子層堆積装置の概略構成である。
【００２６】
（原子層堆積方法）
次に、図３、図４、図５を参照して、上述した原子層堆積装置を用いた原子層堆積方法について説明する。図３は、本実施形態の原子層堆積方法の一例を示すフローチャートである。また、図４（ａ）〜（ｄ）は、基板１００の上に薄膜が形成される工程を示す図である。また、図５は、本実施形態の原子層堆積方法の一例を示すタイミングチャートである。図５の横軸は時間を示し、縦軸はガスを供給するタイミングを示す。
【００２７】
まず、不活性ガス供給部２３０が、成膜室２００の内部に不活性ガスを供給する（ステップＳ１０１）。不活性ガス供給部２３０は、例えば、０．１秒間、成膜室２００の内部に不活性ガスを供給する。不活性ガス供給部２３０が供給する不活性ガスの分圧は、例えば、５０Ｐａであり、流量は、例えば、５００ｓｃｃｍである。
また、原料ガス供給部２１０が、成膜室２００の内部に原料ガス１１０を供給する（ステップＳ１０２）。原料ガス供給部２１０は、例えば、０．１秒間、成膜室２００の内部に原料ガスを供給する。原料ガス供給部２１０が供給する原料ガスの分圧は、例えば、１Ｐａであり、流量は、例えば、１０ｓｃｃｍである。
図４（ａ）に示されるように、ステップＳ１０２によって、成膜室２００の内部に原料ガス１１０が供給され、基板１００の上に原料ガス１１０が吸着して吸着層１０２が形成される。
なお、図５に示されるように、本実施形態では、ステップＳ１０１とステップＳ１０２とは同じタイミングで行われる。そのため、ガスの下流側の基板１００に原料ガス１１０が吸着しやすくなる。
【００２８】
ここで、図６を参照して、ステップＳ１０２において、基板１００の上に原料ガス１１０が吸着する状態を説明する。図６は、ステップＳ１０２において、基板１００の上に原料ガス１１０が吸着する状態を説明する図である。図６に示されるように、本実施形態の不活性ガス供給部２３０は、原料ガス供給部２１０が原料ガスを供給する位置よりも鉛直下方から不活性ガスを供給する。また、不活性ガス供給部２３０は、原料ガス供給部２１０が原料ガスを供給する期間に、不活性ガスを供給する。そのため、図６に示されるように、原料ガス供給部２１０から供給された原料ガスは、不活性ガス供給部２３０から供給された不活性ガスにより、ガスの上流側において基板１００に吸着しにくくなり、ガスの下流側において基板１００に吸着しやすくなる。一般に膜厚が薄くなりやすい下流側に原料ガスが吸着しやすくなるため、本実施形態によれば、膜厚分布の均一性を向上させることができる。
【００２９】
次に、原料ガス供給部２１０が、成膜室２００の内部にパージガス１１２を供給する（ステップＳ１０３）。原料ガス供給部２１０は、例えば、２秒間、成膜室２００の内部にパージガス１１２を供給する。また、排気部２６０が、成膜室２００の内部の原料ガス１１０やパージガス１１２を排気する。排気部２６０は、例えば、２秒間、成膜室２００の内部の原料ガス１１０やパージガス１１２を排気する。図４（ｂ）に示されるように、ステップＳ１０３によって、成膜室２００の内部にパージガス１１２が供給され、基板１００の上に吸着していない原料ガス１１０が成膜室２００からパージされる。
【００３０】
次に、反応ガス供給部２２０が、成膜室２００の内部に反応ガス１１４を供給する（ステップＳ１０４）。反応ガス供給部２２０は、例えば、０．５秒間、成膜室２００の内部に反応ガス１１４を供給する。反応ガス供給部２２０が供給する反応ガスの分圧は、例えば、５０Ｐａであり、流量は、例えば、５００ｓｃｃｍである。
図４（ｃ）に示されるように、ステップＳ１０４によって、成膜室２００の内部に反応ガス１１４が供給され、吸着層１０２と反応ガス１１４とが反応し、酸化層１０４が形成される。
【００３１】
次に、反応ガス供給部２２０が、成膜室２００の内部にパージガス１１２を供給する（ステップＳ１０５）。反応ガス供給部２２０は、例えば、２秒間、成膜室２００の内部にパージガス１１２を供給する。また、排気部２６０が、成膜室２００の内部の反応ガス１１４やパージガス１１２を排気する。排気部２６０は、例えば、２秒間、成膜室２００の内部の反応ガス１１４やパージガス１１２を排気する。図４（ｄ）に示されるように、ステップＳ１０５によって、成膜室２００の内部にパージガス１１２が供給され、反応ガス１１４が成膜室２００からパージされる。
【００３２】
以上説明したステップＳ１０１〜Ｓ１０５により、基板１００の上に一原子層分の酸化層１０４が形成される。以下、ステップＳ１０１〜Ｓ１０５を所定回数繰り返すことにより、所望の膜厚の酸化層１０４を形成することができる。また、ステップＳ１０１〜Ｓ１０５を繰り返すことにより、原料ガス供給部２１０は、原料ガスを間欠的に供給する。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態の不活性ガス供給部２３０は、原料ガス供給部２１０が原料ガスを供給する位置、及び、反応ガス供給部２２０が反応ガスを供給する位置よりも鉛直下方から不活性ガスを供給する。また、少なくとも原料ガス供給部２１０が原料ガスを供給する期間に、不活性ガス供給部２３０が不活性ガスを供給する。そのため、本実施形態によれば、成膜速度の低下を抑制しつつ、膜厚分布の均一性を向上させることができる。
【００３４】
（変形例１）
上述した実施形態では、図５に示されるように、ステップＳ１０１とステップＳ１０２とが同じタイミングで行われ、原料ガス供給部２１０が成膜室２００の内部に原料ガス１１０を供給する期間と同じ期間に、不活性ガス供給部２３０が成膜室２００の内部に不活性ガスを供給する例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３５】
不活性ガス供給部２３０は、少なくとも原料ガス供給部２１０が原料ガスを供給する期間に、不活性ガスを供給するものであればよい。例えば、不活性ガス供給部２３０が常時、成膜室２００の内部に不活性ガスを供給する場合においても、本発明を適用することができる。
【００３６】
（変形例２）
上述した実施形態では、図１に示されるように、反応ガス供給部２２０が反応ガスを供給する位置よりも鉛直下方から、原料ガス供給部２１０が原料ガスを供給する例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３７】
原料ガス供給部２１０が原料ガスを供給する位置よりも鉛直下方から、不活性ガス供給部２３０が不活性ガスを供給する構成であれば、例えば、反応ガス供給部２２０が反応ガスを供給する位置よりも鉛直上方から、原料ガス供給部２１０が原料ガスを供給する場合にも、本発明を適用することができる。
また、原料ガス供給部２１０が原料ガスを供給する位置よりも鉛直下方から、不活性ガス供給部２３０が不活性ガスを供給する構成であれば、例えば、不活性ガス供給部２３０が不活性ガスを供給する位置よりも鉛直下方から、反応ガス供給部２２０が原料ガスを供給する場合にも、本発明を適用することができる。
【００３８】
（変形例３）
上述した実施形態では、熱ＡＬＤ法を用いて、基板上に原子層単位で酸化層を堆積し、薄膜を形成する例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、プラズマＡＬＤ法を用いる場合にも、本発明を適用することができる。
【００３９】
（変形例４）
上述した実施形態では、基板上に原子層単位で酸化層を堆積し、薄膜を形成する例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、基板上に原子層単位で窒化層を堆積し、薄膜を形成する場合にも、本発明を適用することができる。
例えば、基板１００の上にＳｉＮを形成する場合、原料ガスはアミノシランであり、反応ガスは窒素ガスである。
【実施例】
【００４０】
上述した実施形態の原子層堆積装置を用いて、膜厚分布の均一性を確認する実験を行った。具体的には、上述した実施形態において、加熱部２０４により基板の温度を１５０℃とした。原料ガスはＴＭＡであり、反応ガスはオゾンであり、不活性ガスは窒素である。図３、図４、図５を参照して説明した方法により、ステップＳ１０１〜Ｓ１０５を１５０回繰り返し、基板１００の上に酸化層１０４を形成した。基板１００の幅は１６００ｍｍ、長さは２０００ｍｍである。
基板１００の長さ方向（ガスが流れる方向）の位置が異なる複数の位置において、形成された酸化層１０４の膜厚を測定した。
【００４１】
また、比較例として、上述したステップＳ１０１を省略し、原料ガス供給部２１０が原料ガスを供給する期間に、不活性ガス供給部２３０が不活性ガスを供給しないで、ステップＳ１０２〜Ｓ１０５を１００回繰り返し、基板１００の上に酸化層１０４を形成した。
基板１００の長さ方向の位置が異なる複数の位置において、形成された酸化層１０４の膜厚を測定した。
【００４２】
実施形態と比較例によって形成された酸化層１０４の膜厚を図７に示す。図７（ａ）は、実施形態によって形成された酸化層１０４の膜厚を示し、図７（ｂ）は、比較例によって形成された酸化層１０４の膜厚を示す。図７の縦軸は測定された膜厚を示し、横軸は基板の長さ方向（ガスが流れる方向）の位置を示す。基板位置０ｍｍは、ガスの上流側の基板の端であり、基板位置２０００ｍｍは、ガスの下流側の基板の端である。
【００４３】
図７（ａ）に示されるように、実施形態によって形成された酸化層１０４の膜厚の最大値は１４．４２ｎｍ、最小値は１３．３３ｎｍ、平均は１４．０ｎｍであった。また、膜厚の分布は３．９％であった。
図７（ｂ）に示されるように、比較例によって形成された酸化層１０４の膜厚の最大値は１２．７６ｎｍ、最小値は１０．８１ｎｍ、平均は１１．７ｎｍであった。また、膜厚の分布は８．４％であった。
【００４４】
図７（ｂ）に示されるように、比較例では、上流側に比べて下流側の膜厚が薄くなっている。これは、比較例では、原料ガス供給部２１０が原料ガスを供給する期間に、不活性ガス供給部２３０が不活性ガスを供給しないため、上流側に比べて下流側に原料ガスが吸着しにくいことに起因する。
これに対し、図７（ａ）に示されるように、実施形態では、上流側に比べて下流側の膜厚が薄くなるのを抑制することができる。これは、実施形態では、原料ガス供給部２１０が原料ガスを供給する期間に、不活性ガス供給部２３０が不活性ガスを供給するため、比較例と比べて、下流側に原料ガスが吸着しやすいことに起因する。したがって、上述した実施形態によれば、膜厚分布の均一性を向上させることができることが分かった。
【００４５】
以上説明したように、上述した実施形態の原子層堆積装置、及び、原子層堆積方法によれば、成膜速度の低下を抑制しつつ、膜厚分布の均一性を向上させることができる。
以上、本発明の原子層堆積装置、及び、原子層堆積方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態や変形例に限定されるものではない。また、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００４６】
１００  基板
１０２  吸着層
１０４  酸化層
１１０  原料ガス
１１２  パージガス
１１４  反応ガス
２００  成膜室
２０２  基板台
２０４  加熱部
２１０  原料ガス供給部
２１２，２２２，２３２  バルブ
２２０  反応ガス供給部
２３０  不活性ガス供給部
２４０  制御部
２５０  ガス供給板
２５２  原料ガス供給口
２５４  反応ガス供給口
２５６  不活性ガス供給口
２６０  排気部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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