(57)【要約】【課題】有利な裏面照射型固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】裏面照射型固体撮像装置は、支持基板７２上に光電変換部５１及び信号走査回路部５２を含む複数の画素１が配置される画素領域１２を備え、前記信号走査回路部が形成される前記支持基板の表面とは反対側の基板表面上に光照射面が形成され、前記信号走査回路部５２は、前記支持基板上の層間絶縁膜６０中に配置され、前記光電変換部５１は、前記層間絶縁膜上の半導体層５５に配置され、ダイシング溝７８と、前記光照射面側の前記半導体層上に設けられるパッド６３と、前記ダイシング溝と前記パッドとの間であって、前記ダイシング溝に沿って形成される溶融溝７７とを具備する。【選択図】図３
2011192669.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に光電変換部及び信号走査回路部を含む複数の画素が配置される画素領域を備え、前記信号走査回路部が形成される前記支持基板の表面とは反対側の基板表面上に光照射面が形成され、
前記信号走査回路部は、前記支持基板上の層間絶縁膜中に配置され、
前記光電変換部は、前記層間絶縁膜上の半導体層に配置され、
ダイシング溝と、
前記光照射面側の前記半導体層上に設けられるパッドと、
前記ダイシング溝と前記パッドとの間であって、前記ダイシング溝に沿って形成される溶融溝とを具備すること
を特徴とする裏面照射型固体撮像装置。
【請求項２】
前記溶融溝は、少なくとも前記支持基板と前記層間絶縁膜との間の界面が溶融されて溶接されることにより、前記支持基板と前記層間絶縁膜との間の界面強度が高い周辺領域を有すること
を特徴とする請求項１に記載の裏面照射型固体撮像装置。
【請求項３】
前記溶融溝の底部は、少なくとも前記支持基板に達し、
前記底部上には、前記溶融されたデブリを有すること
を特徴とする請求項２に記載の裏面照射型固体撮像装置。
【請求項４】
第１支持基板，埋込み酸化膜，および半導体層が順次形成された半導体基板を用い、前記半導体層上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜中に信号走査線回路部を形成する工程と、
前記信号走査線回路部上に第２支持基板を接合する工程と、
前記埋込み酸化膜をストッパ層として用い、前記第１支持基板を薄膜化して除去する工程と、
前記信号走査線回路部と反対側である光照射面側の前記半導体層に光電変換部を形成する工程と、
光照射面側の前記半導体層上にパッドを形成する工程と、
ダイシングラインと前記パッドとの間であって前記ダイシングラインに沿ってレーザー光を照射し、少なくとも前記層間絶縁膜と前記第２支持基板との界面を溶融させて溶接した、溶融溝を形成する第１レーザー照射工程と、
前記ダイシング溝に沿ってダイシングを行い、装置ごとに分離する工程と、を具備すること
を特徴とする裏面照射型固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
第１支持基板，埋込み酸化膜，および半導体層が順次形成された半導体基板を用い、前記半導体層上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜中に信号走査線回路部を形成する工程と、
前記信号走査線回路部上に第２支持基板を接合する工程と、
前記埋込み酸化膜をストッパ層として用い、前記第１支持基板を薄膜化して除去する工程と、
前記信号走査線回路部と反対側である光照射面側の前記半導体層に光電変換部を形成する工程と、
光照射面側の前記半導体層上にパッドを形成する工程と、
ダイシング溝と前記パッドとの間であって前記ダイシング溝に沿ってレーザー光を照射し、少なくとも前記層間絶縁膜と前記第２支持基板との間の界面強度が高い領域を形成する第１レーザー照射工程と、
前記ダイシング溝に沿ってダイシングを行い、装置ごとに分離する工程と、を具備すること
を特徴とする裏面照射型固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記光照射面側における前記半導体層上に保護レジストを塗布する工程と、
半導体ウェハの最外周に、レーザー光を照射し、少なくとも前記半導体層と前記層間絶縁膜との界面を溶融させて溶接させる第２レーザー照射工程とを更に具備すること
を特徴とする請求項４または５に記載の裏面照射型固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記溶融溝の底部が少なくとも前記第２支持基板に達するように、前記第１レーザー照射工程の際のレーザー光を照射すること
を特徴とする請求項４に記載の裏面照射型固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、裏面照射型固体撮像装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
裏面照射型固体撮像装置の製造方法については、例えば、下記非特許文献１等に、その一例が開示されている。上記非特許文献１のPage 129の上側の資料に示されているように、裏面照射型固体撮像装置の製造方法は、イメージセンサを形成したWaferの表面を平坦化して支持基板と合わせ、直接接合し、センサー基板の裏面を研削・研磨・Wet Etching などを組み合わせて薄膜化した上で、裏面の暗電流抑制層を形成し、反射防止膜を積み、PAD部を形成し、カラーフィルタとマイクロレンズを形成し、パッケージ組立をするというフローが一般的である。上記製造フローにおいて、支持基板を接合後に、１０００℃を超える温度でアニールすれば、接合界面において十分強い接合強度を得ることが可能である。
【０００３】
しかしながら、配線層を形成した後では、配線層の特性を考慮する必要があるため、せいぜい４００℃程度までの熱処理に制限するしかない。
【０００４】
その為、接合面の接合強度は十分では無く、組立工程でダイシングを実施した場合に、薄くなったセンサー層が、支持基板から剥れる現象が発生する。ダイシング条件を最適化していくと見かけ上は改善するが、端部界面が離れていて時間の経過と共にハガレが進行していく。
【０００５】
特に、温度サイクルを掛けた場合にはこのハガレに起因した不良が発生しやすく、例えば、ボンディングワイヤを軽く引っ張るとＰＡＤ部が容易に界面から剥離するほどである。
【０００６】
上記のように、従来の裏面照射型固体撮像装置およびその製造方法は、強度が不十分であるため、不良率が増大するという傾向がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＢＳＩシンポジューム発表資料pp122-153, 2009年 S.G.Wuu (TSCM)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明は、強度を向上でき、不良率の低減に有利な裏面照射型固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の一態様に係る裏面照射型固体撮像装置は、支持基板上に光電変換部及び信号走査回路部を含む複数の画素が配置される画素領域を備え、前記信号走査回路部が形成される前記支持基板の表面とは反対側の基板表面上に光照射面が形成され、前記信号走査回路部は、前記支持基板上の層間絶縁膜中に配置され、前記光電変換部は、前記層間絶縁膜上の半導体層に配置され、ダイシング溝と、前記光照射面側の前記半導体層上に設けられるパッドと、前記ダイシング溝と前記パッドとの間であって、前記ダイシング溝に沿って形成される溶融溝とを具備する。
【００１０】
この発明の一態様に係る裏面照射型固体撮像装置の製造方法は、第１支持基板，埋込み酸化膜，および半導体層が順次形成された半導体基板を用い、前記半導体層上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜中に信号走査線回路部を形成する工程と、前記信号走査線回路部上に第２支持基板を接合する工程と、前記埋込み酸化膜をストッパ層として用い、前記第１支持基板を薄膜化して除去する工程と、前記信号走査線回路部と反対側である光照射面側の前記半導体層に光電変換部を形成する工程と、光照射面側の前記半導体層上にパッドを形成する工程と、ダイシングラインと前記パッドとの間であって前記ダイシングラインに沿ってレーザー光を照射し、少なくとも前記層間絶縁膜と前記第２支持基板との界面を溶融させて溶接した、溶融溝を形成する第１レーザー照射工程と、前記ダイシング溝に沿ってダイシングを行い、装置ごとに分離する工程とを具備する。
【００１１】
この発明の一態様に係る裏面照射型固体撮像装置の製造方法は、第１支持基板，埋込み酸化膜，および半導体層が順次形成された半導体基板を用い、前記半導体層上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜中に信号走査線回路部を形成する工程と、前記信号走査線回路部上に第２支持基板を接合する工程と、前記埋込み酸化膜をストッパ層として用い、前記第１支持基板を薄膜化して除去する工程と、前記信号走査線回路部と反対側である光照射面側の前記半導体層に光電変換部を形成する工程と、光照射面側の前記半導体層上にパッドを形成する工程と、ダイシング溝と前記パッドとの間であって前記ダイシング溝に沿ってレーザー光を照射し、少なくとも前記層間絶縁膜と前記第２支持基板との間の界面強度が高い領域を形成する第１レーザー照射工程と、前記ダイシング溝に沿ってダイシングを行い、装置ごとに分離する工程とを具備する。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、強度を向上でき、不良率の低減に有利な裏面照射型固体撮像装置およびその製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明の第１の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の全体構成例を示す図。
【図２】図１中の画素領域の回路構成例を示す等価回路図。
【図３】第１の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の断面構成例を示す断面図。
【図４】第１の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の一製造工程を示す断面図。
【図５】第１の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の一製造工程を示す断面図。
【図６】第１の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の一製造工程を示す断面図。
【図７】第１の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の一製造工程を示す平面図。
【図８】第１の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の一製造工程を示す断面図。
【図９】第１の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の一製造工程を示す平面図。
【図１０】第１の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の一製造工程を示す断面図。
【図１１】第１の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の一製造工程を示す平面図。
【図１２】第１の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の一製造工程を示す断面図。
【図１３】第２の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の構成例を示す断面図。
【図１４】第２の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の一製造工程を示す平面図。
【図１５】第２の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の一製造工程を示す断面図。
【図１６】第３の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の一製造工程を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、この発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下の実施形態では、光照射面（受光面）が、信号走査回路部が形成される半導体基板表面上と反対側の半導体基板上の裏面側に設けられる裏面照射型（ＢＳＩ：Back side illumination）の固体撮像装置を一例に挙げる。尚、この説明においては、全図にわたり共通の部分には共通の参照符号を付す。
【００１５】
［第１の実施形態］  
まず、図１乃至図１３を用いて、この発明の第１の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置およびその製造方法を説明する。  
＜１．構成例＞  
図１乃至図３を用いて、この発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の構成例について説明する。  
１−１．全体構成例  
まず、図１を用いて、本例に係る固体撮像装置の全体構成例について説明する。図１は、本例に係る固体撮像装置の全体構成例を示すシステムブロック図である。図１では、画素領域のカラム位置にＡＤ変換回路が配置された場合の一構成について示した。
【００１６】
図示するように、本例に係る固体撮像装置１０は、画素領域１２と周辺領域１４とを備える。  
画素領域１２は、半導体基板に、光電変換部及び信号走査回路部を含んだ単位画素（Pixel）１の行列が配置される。  
光電変換部は、光電変換し蓄積するフォトダイオードを備え、撮像部として機能する。信号走査回路部は、後述する増幅トランジスタ等を備え、光電変換部からの信号を読み出し増幅しＡＤ変換回路１５に送信する。本例の場合、光照射面（光電変換部）は、信号走査回路部が形成される半導体基板表面上と反対側の半導体基板上の裏面側に設けられる。
【００１７】
周辺領域１４には、例えば、上記信号走査回路部を駆動するための垂直シフトレジスタ１３およびＡＤ変換回路１５等の駆動回路を配置される。
【００１８】
垂直シフトレジスタ（Vertical Shift register）１３は、信号ＬＳ１〜ＳＬｋを画素領域１２に出力し、単位画素１を行毎に選択する選択部として機能する。選択された行の単位画素１からはそれぞれ、入射された光の量に応じたアナログ信号Ｖsigが垂直信号線ＶＳＬを介して出力される。
【００１９】
ＡＤ変換回路（ＡＤＣ）１５は、垂直信号線ＶＳＬを介して入力されたアナログ信号Ｖsigを、デジタル信号に変換する。
【００２０】
尚、ここでは、固体撮像装置の全体構成の一部として、図示およびその説明を省略したが、これに限られるものではない。即ち、例えば、画素領域１２等の動作を制御する制御回路等を更に備えていても良い。カラム並列にＡＤＣ回路が配置されずチップレベルにＡＤＣ回路が配置される構成、或いはセンサーチップ上にＡＤＣが配置されない構成等であっても良い。
【００２１】
１−２．画素領域の回路構成例  
次に、図２を用いて、図１中の画素領域１２の回路構成例について説明する。本例では、単一の画素領域１２で複数の色情報を取得する単版式撮像素子を一例に挙げて説明する。
【００２２】
図示するように、画素領域１２は、垂直シフトレジスタ１３からの読み出し信号線と垂直信号線ＶＳＬとの交差位置にマトリクス状に配置された複数の単位画素１を備えるものである。
【００２３】
単位画素（PIXEL）１は、フォトダイオードＰＤ、増幅トランジスタＴｂ、読み出しトランジスタＴｄ、リセットトランジスタＴｃ、アドレストランジスタＴａを備えている。
【００２４】
上記画素１の構成において、フォトダイオードＰＤは光電変換部を構成する。増幅トランジスタＴｂ、読み出しトランジスタＴｄ、リセットトランジスタＴｃ、およびアドレストランジスタＴａは、信号走査回路部を構成する。
【００２５】
フォトダイオードＰＤのカソードには、基準電位Ｖssが与えられる。  
増幅トランジスタＴｂは、浮遊拡散層（フローティングディフュージョン：検出部）ＦＤからの信号を増幅して出力するように構成されている。増幅トランジスタＴｂのゲートは浮遊拡散層ＦＤに接続され、ソースは垂直信号線ＶＳＬに接続され、ドレインはアドレストランジスタＴａのソースに接続されている。垂直信号線ＶＳＬにより送信される単位画素１の出力信号は、ＣＤＳ雑音除去回路２８により雑音が除去された後、出力端子２９から出力される。
【００２６】
読み出しトランジスタＴｄは、フォトダイオードＰＤでの信号電荷の蓄積を制御するように構成されている。読み出しトランジスタＴｄのゲートは読み出し信号線ＴＲＦに接続され、ソースはフォトダイオードＰＤのアノードに接続され、ドレインは浮遊拡散層ＦＤに接続されている。
【００２７】
リセットトランジスタＴｃは、増幅トランジスタＴｂのゲート電位をリセットするように構成されている。リセットトランジスタＴｃのゲートはリセット信号線ＲＳＴに接続され、ソースは浮遊拡散層ＦＤに接続され、ドレインはドレイン電源に接続される電源端子２５に接続されている。
【００２８】
アドレストランジスタＴａのゲートは、アドレス信号線ＡＤＲに接続されている。
【００２９】
負荷トランジスタＴＬのゲートは選択信号線ＳＦに接続され、ドレインは増幅トランジスタＴｂのソースに接続され、ソースは制御信号線ＤＣに接続されている。
【００３０】
読み出し駆動動作  
この画素領域１２の構造による読み出し駆動動作は、次のようである。まず、読み出し行のアドレストランジスタＴａが、垂直シフトレジスタ１３から送られる行選択パルスによりオン（ＯＮ）状態になる。
【００３１】
続いて、同様に垂直シフトレジスタ１３から送られたリセットパルスによりリセットトランジスタＴｃが、オン（ＯＮ）状態になり、浮遊拡散層ＦＤの電位に近い電圧にリセットされる。その後、リセットトランジスタＴｃは、オフ（ＯＦＦ）状態になる。
【００３２】
続いて、トランスファゲート４が、オン（ＯＮ）状態になり、フォトダイオードＰＤに蓄積された信号電荷が浮遊拡散層ＦＤに読み出され、浮遊拡散層ＦＤの電位が読み出された信号電荷数に応じて変調される。
【００３３】
続いて、変調された信号が、ソースフォロワを構成するＭＯＳトランジスタにより垂直信号線ＶＳＬに読み出され、読み出し動作を完了する。
【００３４】
１−３．断面構成例  
次に、図３を用いて、本例に係る固体撮像装置の断面構成例について説明する。
【００３５】
図示するように、本例に係る固体撮像装置は、画素領域１２，周辺領域１４，およびダイシング領域１６により区画される。
【００３６】
画素領域１２には、支持基板（Si Support sub）７２上に、マトリクス状に配置される単位画素（Pixel）１が配置される。単位画素１は、光電変換部５１と信号走査回路部５２とにより構成される。
【００３７】
光電変換部５１は、半導体層（n-epi）５５、各単位画素１の境界部分を囲むように設けられ素子分離領域を区画するｐ型不純物層５６、半導体層５５上に順次設けられる反射防止膜（ｐ型不純物層）５７、色フィルタ５８、およびマイクロレンズ５９を備える。
【００３８】
信号走査回路部５２は、信号走査回路面側の支持基板７２の表面上に設けられる層間絶縁膜６０中に形成される上記増幅トランジスタ２３等および、多層配線層６１を備える。
【００３９】
周辺領域１４には、本例では、Ｍ１Ｐａｄ、Ｍ３Ｐａｄ、素子分離絶縁膜ＳＴＩが配置される。周辺領域１４は、図１において、例えば、カラム方向に沿った垂直シフトレジスタ１３等が配置される。
【００４０】
Ｍ１Ｐａｄ、Ｍ３Ｐａｄは、層間絶縁膜６０中に設けられる。素子分離絶縁膜ＳＴＩは、半導体層５５中に埋め込み形成され、図示せぬ構成回路と画素領域１２とを区画する。
【００４１】
ダイシング領域１６には、パッド６３，ボンディングワイヤ６５，レーザー溶融溝７７，ダイシング溝７８が配置される。
【００４２】
パッド６３は反射防止膜５７上に設けられ、層間絶縁膜６０中に設けられる配線層６６に電気的に接続される。ボンディングワイヤ６５は、パッド６３上にボンディングされ、外部から電源電圧（例えば、ＶＣＣ、ＶＳＳ等）が与えられる。この電源電圧は、配線層６６を介して、例えば、Ｍ１Ｐａｄ、Ｍ３Ｐａｄと電気的に接続される。
【００４３】
ダイシング溝７８は、ダイシングーマークＤＭを目印として、ダイシングレーンに沿って形成される。尚、ここでは図示を省略するが、ダイシング溝７８の底部は、例えば、支持基板７２を貫通し、支持基板７２下のダイシングテーパまで達する深さとなるように形成しても良い。
【００４４】
レーザー溶融溝７７は、ダイシング溝７８とパッド６３との間に、ダイシング溝７８に沿って形成される。レーザー溶融溝７７は、後述するように、ダイシング工程前に、レーザー光を照射して、その照射熱により照射位置の構成膜（反射防止膜５７，半導体層５５，層間絶縁膜６０，支持基板７２）を溶融させ、冷却後に構成膜の接合界面（７７−２Ａ，７７−２Ｂ，７７−２Ｃ）が溶接された状態となって形成される。  
そのため、レーザー溶融溝７７は、支持基板７２と層間絶縁膜６０との界面７７−２Ａ，層間絶縁膜６０と半導体層５５との界面７７−２Ｂ，および半導体層５５と反射防止膜５７との界面７７−２Ｃの界面強度が、他の領域よりも高い周辺領域７７−１を有する。
【００４５】
レーザー溶融溝７７の深さＨ７７は、本例の場合、支持基板７２にまで達している。  
レーザー溶融溝７７の底部上には、本例の場合、溶融された構成膜（反射防止膜５７，半導体層５５，層間絶縁膜６０，支持基板７２）のデブリＤｅｂが堆積される。
【００４６】
上記のように、本例に係る固体撮像装置は、ダイシング溝７８とパッド６３との間に、ダイシング溝７８に沿って形成されるレーザー融解溝７７を具備する。そのため、後述するダイシング工程時に、構成膜の接合界面（７７−２Ａ，７７−２Ｂ，７７−２Ｃ）のハガレを防止できるため、強度を向上でき、不良率を低減できる点で有利である。加えて、製造後の時間経過と共に進行するハガレも防止できる点で有利である。
【００４７】
＜２．製造方法＞  
２−１．裏面照射型固体撮像装置について
次に、図４乃至図６を用い、本例に係る裏面照射型固体撮像装置の製造方法について説明する。  
まず、図４に示すように、ＳＯＩ（Silicon On Insulater）基板を用いる。図示するように、本例のＳＯＩ基板は、第１支持基板（Si Sensor sub）７１上に、埋込み酸化膜（Insulater：ＢＯＸ層）７５、および半導体層（エピタキシャル層：n-epi）５５が順次積層された基板である。
【００４８】
続いて、図５に示すように、画素領域１２および周辺領域１４に、信号走査線回路５２を形成する。即ち、周辺領域１４における半導体層５５中の素子分離領域に、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）等を埋め込み、素子分離絶縁膜ＳＴＩを形成する。続いて、半導体層５１中にトレンチマーク６４を形成する。  
続いて、半導体層５５上に、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）等を堆積させ、層間絶縁膜６０を形成する。続いて、通常のＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit）製造工程を用いて、画素領域１２に多層配線層を形成し、周辺領域１４にＭ１Ｐａｄ，Ｍ３Ｐａｄ等を形成して、信号走査回路部５２を形成する。  
続いて、形成した信号走査回路部５２上に、第２支持基板（Si Support sub）７２を接合させる。
【００４９】
続いて、図６に示すように、埋込酸化膜（ＢＯＸ層）７５をストッパ層として用い、第１支持基板７１をエッチングし、第１支持基板７１を薄膜化し、これを除去する。より具体的には、例えば、エッチャントとしてＫＯＨ等のアルカリエッチング材を用い、埋込酸化膜（ＢＯＸ層）７５の表面上で高密度にエッチングをストップさせる。
【００５０】
続いて、画素領域１２における半導体層５５中に、ｐ型不純物を導入し、画素間を分離する画素分離層５６を形成する。続いて、画素領域１２における半導体層５５上に、反射防止膜５７，色フィルタ５８，およびマイクロレンズ５９を順位形成する。続いて、ダイング領域１６に、パッド６３およびダイシングマークＤＭを形成する。
【００５１】
２−２．ダイシング工程について
次に、図７乃至図１２を用い、本例に係る裏面照射型固体撮像装置のダイシング工程について説明する。
【００５２】
まず、図７に示すように、シリコンウェハ８０上には、上記製造工程により形成された多数の裏面照射型固体撮像装置が配置されている。図中で拡大して示す部分には、固体撮像装置１０−１〜１０−４が配置され、これらの固体撮像装置１０−１〜１０−４は、ダイシングラインＤＬに沿って、以下に示すダイシング工程により、別々に分離される。
【００５３】
図８に示すように、この説明では、図７中のＡ−Ａ線に沿った断面（裏面照射型固体撮像装置１０−１，１０−２）を一例に挙げて説明する。
【００５４】
続いて、図９および図１０に示すように、ダイシング工程前に、ダイシングラインＤＬとパッド６３との間であってダイシングラインＤＬの平行の左右に沿ってレーザー光７９を照射し、照射位置の構成膜（反射防止膜５７，半導体層５５，層間絶縁膜６０，支持基板７２）を融解することにより、構成膜の接合界面（７７−２Ａ，７７−２Ｂ，７７−２Ｃ）を溶融させる。レーザー照射工程の際、例えば、本例では、深さＨ７７が少なくとも支持基板７２にまで達するように強度等の照射条件を制御する。このように深さＨ７７が支持基板７２にまで達するように制御することで、支持基板７２のデブリ（シリコン等）を確認することができ、溶融溝７７の制御性を向上することができる。尚、このレーザー照射工程の際、レーザー溶融溝７７の周囲に溶融物が飛び散る現象が起こり得るが、レーザー溶融溝７７が形成される裏面側には読み出しトランジスタ等のデバイスが存在せず、さらに、画素領域１２から十分離れているため、画像欠陥になるリスクを回避することができる。
【００５５】
より具体的に、このレーザー照射工程の際の加工条件は、例えば、本例の場合、レーザー光として２００［ＫＨｚ］程度の長パルスレーザーを用い、５［μＪ／Ｐ（パルス）］以上７．５［μＪ／Ｐ（パルス）］以下の間であることが望ましい。これ以上の強度、例えば、１０［μＪ／Ｐ］以上である場合は、支持基板７２のより深い部分や、ダイシングラインＤＬを超えて溝が形成されるため、望ましくない。
【００５６】
続いて、その後、所定の時間経過させて固体撮像装置１０−１、１０−２を室温（２０℃）程度まで冷却し、構成膜の接合界面（７７−２Ａ，７７−２Ｂ，７７−２Ｃ）を溶接させ、レーザー溶融溝７７を形成する。そのため、レーザー溶融溝７７には、支持基板７２と層間絶縁膜６０との界面７７−２Ａ，層間絶縁膜６０と半導体層５５との界面７７−２Ｂ，および半導体層５５と反射防止膜５７との界面７７−２Ｃの界面強度が、他の領域よりも高い周辺領域７７−１が形成される。
【００５７】
レーザー溶融溝７７の底部上には、本例の場合、溶融された構成膜（反射防止膜５７，半導体層５５，層間絶縁膜６０，支持基板７２）のデブリＤｅｂが堆積される。
【００５８】
続いて、図１１および図１２に示すように、ダイシング溝ＤＬに沿って、ダイシングマークＤＭを目印として、例えば、ダイシングカッターＤＣを用い、構成膜（反射防止膜５７，半導体層５５，層間絶縁膜６０，支持基板７２）を順次除去し、ダイシング溝７８を形成し、裏面照射型固体撮像装置１０−１，１０−２をそれぞれ分離させる。尚、ここでは図示を省略するが、ダイシング溝７８の底部は、例えば、支持基板７２を貫通した、ダイシングテーパまで達する深さとなるように形成しても良い。
【００５９】
このダイシング工程の際の前には、構成膜の接合界面（７７−２Ａ，７７−２Ｂ，７７−２Ｃ）の界面強度が向上された上記ダイシング溝７７が形成されている。  
そのため、ダイシング加工時において、構成膜がダイシング溝７８の端面から素子領域１２へはがれるが広がる現象を抑止することができる。また、加工後において時間経過と共に進行するハガレ現象も抑制できる点で有利である。
【００６０】
尚、上記に限らず、必要に応じて、有機材料などの保護膜を塗布してからレーザー照射を実施し、後で保護膜を除去する方法も採用することも可能である。
【００６１】
＜３．作用効果＞  
第１の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置およびその製造方法によれば、少なくとも下記（１）乃至（３）の効果が得られる。
【００６２】
（１）強度を向上でき、不良率の低減に有利である。  
上記のように、本例に係る裏面照射型固体撮像装置は、ダイシング溝７８とパッド６３との間に、ダイシング溝７８に沿って形成されるレーザー溶融溝７７を具備する。レーザー溶融溝７７は、上記のように、ダイシング工程前に、レーザー光を照射して、その照射熱により照射位置の構成膜（反射防止膜５７，半導体層５５，層間絶縁膜６０，支持基板７２）を溶融させ、冷却後に構成膜の接合界面（７７−２Ａ，７７−２Ｂ，７７−２Ｃ）が溶接された状態となって形成される。レーザー溶融溝７７は、支持基板７２と層間絶縁膜６０との界面７７−２Ａ，層間絶縁膜６０と半導体層５５との界面７７−２Ｂ，および半導体層５５と反射防止膜５７との界面７７−２Ｃの界面強度が、他の領域よりも高い周辺領域７７−１を有した状態で形成される。
【００６３】
そのため、ダイシング工程時において、構成膜がダイシング溝７８の端面から素子領域１２へはがれるが広がる現象を抑止することができる。また、加工後において時間経過と共に進行するハガレ現象も抑制できる点で有利である。このように、本例に係る本例に係る裏面照射型固体撮像装置およびその製造方法によれば、強度を向上でき、不良率の低減に有利である。
【００６４】
（２）製造コストの低減に対して有利である。
【００６５】
本例に係るレーザー照射工程の際には、例えば、レーザー光として２００［ＫＨｚ］程度の比較的長パルスのレーザーを用いることができる。そのため、フォトリソグラフィーの際に用いられる微細加工に必要な短波長の高価なレーザーおよびフォトマスク等が必要なく、制御も比較的容易である点で、製造コストの低減に対して有利である。
【００６６】
（３）制御性を向上できる点で有利である。
【００６７】
レーザー照射工程の際に、深さＨ７７が支持基板７２にまで達するように制御することで、支持基板７２のデブリ（シリコン等）を確認することができる。そのため、レーザー溶融溝７７の形成の制御性を向上することができる点で有利である。
【００６８】
［第２の実施形態（溶融溝を形成しない一例）］  
次に、第２の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置およびその製造方法について、図１３乃至図１５を用いて説明する。この実施形態は、上記レーザー溶融溝７７を形成せず、界面強度が向上された周辺領域８７−１のみを形成する一例に関するものである。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の詳細な説明を省略する。
【００６９】
＜構成例＞  
図１３に示すように、第２の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置は、上記レーザー溶融溝７７を有しておらず、界面強度が向上された周辺領域８７−１のみを有する点で、上記第１の実施形態と相違する。
【００７０】
周辺領域８７−１は、その構成膜（反射防止膜５７，半導体層５５，層間絶縁膜６０，支持基板７２）の接合界面（８７−２Ａ，８７−２Ｂ，８７−２Ｃ）が、高温に熱された後冷却されることにより、接合強度がその他の領域よりも増した状態である。そのため、上記と同様なハガレの進行を防止できる。
【００７１】
＜製造方法＞  
次に、本例に係る製造方法について説明する。  
図１４および図１５に示すように、ダイシング工程前に、ダイシングラインＤＬとパッド６３との間であってダイシングラインＤＬの平行の左右にレーザー光８９を照射し、照射位置の構成膜（反射防止膜５７，半導体層５５，層間絶縁膜６０，支持基板７２）の接合界面（８７−２Ａ，８７−２Ｂ，８７−２Ｃ）を高温に熱する。
【００７２】
このレーザー照射工程の際には、本例のレーザー光の強度Ｌ８９が、上記第１の実施形態で使用したレーザー光の強度Ｌ７９よりも低い強度（Ｌ８９＜Ｌ７９）で行う。より具体的に、例えば、接合界面（８７−２Ａ，８７−２Ｂ，８７−２Ｃ）の温度が４００℃以上であって、シリコン（Ｓｉ）の融点以下の条件で行うことが望ましい。
【００７３】
続いて、その後、所定の時間経過させて固体撮像装置１０−１、１０−２を室温（２０℃）程度まで冷却し、界面強度が、他の領域よりも高い周辺領域８７−１を形成する。
【００７４】
＜作用効果＞  
上記第２の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置およびその製造方法によれば、少なくとも上記（１）乃至（３）と同様の効果が得られる。
【００７５】
さらに、本例によれば、照射するレーザー光の強度やレーザーパワーは低くして良い。さらに、上記のような溶融溝７７を形成しないため、溶融物が飛び跳ねて周囲に付着する現象を完全に防止できる点でさらに有利である。
【００７６】
［第３の実施形態（更にレーザー光を照射する一例）］  
次に、第３の実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置およびその製造方法について、図１６を用いて説明する。この実施形態は、更にレーザー光を照射する一例に関するものである。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の詳細な説明を省略する。
【００７７】
＜製造方法＞  
図１６に示すように、支持基板７１を薄膜化して除去した後の光照射面（裏面）側の半導体層５５上に保護レジスト膜を塗布し、シリコンウェハ８０の最外周やダイシングライン周辺や画素や素子の無い領域に、レーザー光９９を照射する。
【００７８】
このようなレーザー照射工程（第２レーザー照射工程）により、照射位置の構成膜の界面接合力を向上することができる。そのため、その後に行われる、シリコンウェハ８０裏面側における製造プロセスやダイシング工程におけるハガレの進行を更に防止できる点で有利である。
【００７９】
＜作用効果＞  
上記のように、この実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置およびその製造方法によれば、少なくとも上記（１）乃至（３）と同様の効果が得られる。
【００８０】
さらに、本例によれば、支持基板７１を薄膜化して除去した後の光照射面（裏面）側の半導体層５５上に保護レジスト膜を塗布し、シリコンウェハ８０の最外周やダイシングライン周辺や画素や素子の無い領域に、レーザー光９９を照射する。
【００８１】
このようなレーザー照射工程（第２レーザー照射工程）により、照射位置の構成膜の界面接合力を向上することができる。そのため、その後に行われる、シリコンウェハ８０裏面側における製造プロセスやダイシング工程におけるハガレの進行を更に防止できる点で有利である。
【００８２】
以上、第１乃至第３の実施形態を用いて本発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【符号の説明】
【００８３】
１…単位画素、１２…画素領域、１４…周辺領域、５１…光電変換部、５２…信号走査回路部、７７…レーザー溶融溝、７７−１…溶融溝の周辺領域、７７−２Ａ，７７−２Ｂ，７７−２Ｃ…構成膜の接合界面、６３…パッド、７８…ダイシング溝。
【図１】
2011192669.tif 000003
【図２】
2011192669.tif 000004
【図３】
2011192669.tif 000005
【図４】
2011192669.tif 000006
【図５】
2011192669.tif 000007
【図６】
2011192669.tif 000008
【図７】
2011192669.tif 000009
【図８】
2011192669.tif 000010
【図９】
2011192669.tif 000011
【図１０】
2011192669.tif 000012
【図１１】
2011192669.tif 000013
【図１２】
2011192669.tif 000014
【図１３】
2011192669.tif 000015
【図１４】
2011192669.tif 000016
【図１５】
2011192669.tif 000017
【図１６】
2011192669.tif 000018