(57)【要約】【課題】本発明では、電極の劣化が生じにくく、長期間安定に使用することが可能なハニカム構造体を提供することを目的とする。【解決手段】複数の貫通孔がセル壁を隔てて長手方向に並設された導電性を有する少なくとも一のハニカムユニットを含むハニカム構造体であって、前記少なくとも一のハニカムユニットは、一対の電極を有し、前記電極が形成されている直下の前記セル壁に存在する気孔に、前記少なくとも一のハニカムユニットを構成する材料よりも電気抵抗率の低い物質が充填されていることを特徴とするハニカム構造体。【選択図】図２
2011230114.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の貫通孔がセル壁を隔てて長手方向に並設された導電性を有する少なくとも一のハニカムユニットを含むハニカム構造体であって、
前記少なくとも一のハニカムユニットは、一対の電極を有し、前記電極が形成されている直下の前記セル壁に存在する気孔に、前記少なくとも一のハニカムユニットを構成する材料よりも電気抵抗率の低い物質が充填されていることを特徴とするハニカム構造体。
【請求項２】
前記電気抵抗率の低い物質は、金属および珪化物の少なくとも一つを有することを特徴とする請求項１に記載のハニカム構造体。
【請求項３】
前記少なくとも一のハニカムユニットの長手方向に垂直な方向の断面の周囲を囲むようにして、前記電極が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のハニカム構造体。
【請求項４】
前記少なくとも一のハニカムユニットは、外周を構成する外周壁と、前記少なくとも一のハニカムユニットの貫通孔を隔てる内側壁から構成されており、
前記外周壁の外周表面には、前記電極が形成され、
前記内側壁は、前記電極が形成された外周壁と電気的に接続し、
前記内側壁に存在する気孔には、前記少なくとも一のハニカムユニットを構成する材料よりも電気抵抗率の低い物質が充填されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載のハニカム構造体。
【請求項５】
前記少なくとも一のハニカムユニットの前記外周壁および／または前記内周壁に前記少なくとも一のハニカムユニットを構成する材料よりも電気抵抗率の低い物質が充填された範囲は、前記電極の長手方向の幅よりも広くなっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載のハニカム構造体。
【請求項６】
前記導電性を有する少なくとも一のハニカムユニットは、前記一対の電極間の抵抗値が１〜１０３Ωの範囲であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載のハニカム構造体。
【請求項７】
当該ハニカム構造体は、接着層を介して接続された複数のハニカムユニットで構成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載のハニカム構造体。
【請求項８】
前記電極は、溶射またはスパッタにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一つに記載のハニカム構造体。
【請求項９】
前記少なくとも一のハニカムユニットのセル壁には、触媒が付与されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載のハニカム構造体。
【請求項１０】
前記触媒は、白金、ロジウムまたはパラジウムであり、アルミナ層を介して付与されていることを特徴とする請求項９に記載のハニカム構造体。
【請求項１１】
前記少なくとも一のハニカムユニットは、炭化珪素を主成分とすることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一つに記載のハニカム構造体。
【請求項１２】
前記金属は、シリコンである請求項２に記載のハニカム構造体。
【請求項１３】
前記珪化物は、ニッケルシリサイドである請求項２に記載のハニカム構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、排ガスを処理するハニカム構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
自動車からの排ガスの浄化に関しては、多くの技術が開発されているが、交通量の増大もあって、まだ十分な排ガス対策がとられているとは言い難い。日本国内においても、世界的にも自動車排ガス規制は、さらに強化されて行く方向にある。
【０００３】
このような規制に対応するため、排ガスシステムにおいて、排ガス中に含まれる所定の成分を処理することが可能な触媒担体が使用されている。また、このような触媒担体用の部材として、ハニカム構造体が知られている。
【０００４】
このハニカム構造体は、例えば、長手方向に沿って、該ハニカム構造体の一方の端面から他方の端面まで延伸する複数のセル（貫通孔）を有し、これらのセルは、触媒が担持されたセル壁により、相互に区画されている。従って、このようなハニカム構造体に排ガスを流通させた場合、セル壁に担持された触媒によって、排ガスに含まれるＨＣ（炭化水素化合物）、ＣＯ（一酸化炭素）、ＮＯｘ（窒素酸化物）等の物質が改質（酸化、還元）され、排ガス中のこれらの成分を処理することができる。
【０００５】
一般に、このようなハニカム構造体のセル壁（基材）は、コージェライトで構成されている。また、このセル壁には、γ−アルミナからなる触媒担持層が形成され、この触媒担持層には、白金および／またはロジウムなどの貴金属触媒が担持されている。
【０００６】
また、触媒が活性になる温度よりも低い排ガス温度での浄化性能を高めるために、比較的低抵抗のハニカム構造体を使用し、このハニカム構造体に電圧印加用の電極を設け、ハニカム構造体に通電を行うことにより、ハニカム構造体を自己加熱する技術が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】実開昭４９−１２４４１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載の従来のハニカム構造体では、両端部に設置された電極を介してハニカム構造体に通電を行うことにより、ハニカム構造体を抵抗加熱することができる。しかしながら、特許文献１に記載の従来のハニカム構造体では、電極部分には、外部電源から局部的に極めて大きな電位が印加される。このため、電極部分に異常な発熱が生じて、電極が劣化したり破損したりする危険性があり、特許文献１に記載の従来のハニカム構造体は、長時間の安定性に問題がある。
【０００９】
本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、本発明では、電極の劣化が生じにくく、長期間安定に使用することが可能なハニカム構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明では、
複数の貫通孔がセル壁を隔てて長手方向に並設された導電性を有する少なくとも一のハニカムユニットを含むハニカム構造体であって、
前記少なくとも一のハニカムユニットは、一対の電極を有し、前記電極が形成されている直下の前記セル壁に存在する気孔に、前記少なくとも一のハニカムユニットを構成する材料よりも電気抵抗率の低い物質が充填されていることを特徴とするハニカム構造体が提供される。
【００１１】
ここで、本発明によるハニカム構造体において、前記電気抵抗率の低い物質は、金属および珪化物の少なくとも一つを有しても良い。
【００１２】
また、本発明によるハニカム構造体において、前記電極は、前記少なくとも一のハニカムユニットの長手方向に垂直な方向の断面の周囲を囲むようにして形成されていても良い。
【００１３】
また、本発明によるハニカム構造体において、前記少なくとも一のハニカムユニットは、前記少なくとも一のハニカムユニットの外周を構成する外周壁と、前記少なくとも一のハニカムユニットの貫通孔を隔てる内側壁から構成されており、
前記外周壁の外周表面には、前記電極が形成され、
前記内側壁は、前記電極が形成された外周壁と電気的に接続し、
前記内側壁に存在する気孔には、前記少なくとも一のハニカムユニットを構成する材料よりも電気抵抗率の低い物質が充填されていても良い。
【００１４】
また、本発明によるハニカム構造体において、前記少なくとも一のハニカムユニットの前記外周壁および／または前記内周壁に前記前記少なくとも一のハニカムユニットを構成する材料よりも電気抵抗率の低い物質が充填された範囲は、前記電極の長手方向の幅よりも広くなっていても良い。
【００１５】
また、本発明によるハニカム構造体において、前記導電性を有する少なくとも一のハニカムユニットは、前記一対の電極間の抵抗値が１〜１０３Ωの範囲であっても良い。
【００１６】
また、本発明によるハニカム構造体は、接着層を介して接続された複数のハニカムユニットで構成されても良い。
【００１７】
また、本発明によるハニカム構造体において、前記電極は、溶射またはスパッタにより形成されても良い。
【００１８】
また、本発明によるハニカム構造体において、前記少なくとも一のハニカムユニットのセル壁には、触媒が付与されていても良い。
【００１９】
また、本発明によるハニカム構造体において、前記触媒は、白金、ロジウムまたはパラジウムであり、アルミナ層を介して付与されていても良い。
【００２０】
また、本発明によるハニカム構造体において、前記少なくとも一のハニカムユニットは、炭化珪素を主成分としても良い。
【００２１】
また、本発明の電気抵抗率の低い物質において、金属は、シリコンが好ましく、珪化物は、ニッケルシリサイドが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明では、電極の劣化が生じにくく、長期間安定に使用することが可能なハニカム構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明のハニカム構造体の一例を模式的に示した斜視図である。
【図２】図１に示したハニカム構造体の端面の上面図である。
【図３】本発明のハニカム構造体の別の一例を模式的に示した斜視図である。
【図４】図３のハニカム構造体を構成するハニカムユニットの一例を模式的に示した斜視図である。
【図５】図４のハニカムユニットの端面の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面により本発明の形態を説明する。
【００２５】
（第１の構成）
図１には、本発明によるハニカム構造体１００を模式的に示す。また、図２には、図１に示したハニカム構造体１００の端面の上面図を示す。
【００２６】
図１に示すように、本発明のハニカム構造体１００は、２つの開口された端面１１０Ａおよび１１０Ｂを有する一つのハニカムユニットからなる。ハニカムユニットは、多孔質体である。また、ハニカム構造体１００は、複数のセル（貫通孔）１２２と、該セル１２２を区画するセル壁１２４とを有する。セル１２２は、ハニカム構造体１００の長手方向に沿って、端面１１０Ａから端面１１０Ｂまで延伸し、両端面１１０Ａ、１１０Ｂで開口されている。
【００２７】
ハニカム構造体１００の端面１１０Ａおよび１１０Ｂから延伸する部位の周囲（以下、これらの箇所をそれぞれ、ハニカム構造体の「端部１１５Ａ」および「端部１１５Ｂ」と称する）には、それぞれ、電極１６０Ａおよび電極１６０Ｂが設置されている（図２も参照）。
【００２８】
ハニカム構造体１００は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）を主成分とした材料で構成されるが、抵抗を低下させるため、さらに、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のような、少量の抵抗調整成分が添加されている。ハニカム構造体１００のセル壁１２４には、触媒が設置されている。
【００２９】
なお、ハニカム構造体１００を構成するハニカムユニットを導電性ハニカムユニットとも言う。
【００３０】
電極１６０Ａ、１６０Ｂは、例えば金属のような電気伝導性材料で構成される。電極１６０Ａ、１６０Ｂの形成方法は、特に限られない。電極１６０Ａ、１６０Ｂは、例えば、金属の溶射、スパッタリング法、または蒸着法等により、ハニカム構造体１００の端部１１５Ａ、１１５Ｂに設置されても良い。
【００３１】
このように構成されたハニカム構造体１００において、外部から両電極１６０Ａ、１６０Ｂ間に電圧を印加することにより、ハニカム構造体１００を抵抗加熱することができる。
【００３２】
ここで、図２に詳細を示すように、本発明によるハニカム構造体１００は、さらに、少なくとも電極１６０Ａ、１６０Ｂの直下に、それぞれ、低抵抗部分１７０Ａ、１７０Ｂを有する。低抵抗部分１７０Ａ、１７０Ｂは、それぞれ、ハニカム構造体１００の端部１１５Ａ、１１５Ｂにおいて、ハニカム構造体１００の外周面を構成する外壁１２０内に、電極１６０Ａ、１６０Ｂと接するようにして設置される。
【００３３】
なお、低抵抗部材とは、ハニカムユニットのハニカムユニットを構成する部材よりも電気抵抗の低い物質が充填された部分のことを言う。
【００３４】
低抵抗部分１７０Ａ、１７０Ｂは、ハニカム構造体１００の他の領域（電極１６０Ａ、１６０Ｂを除く）に比べて、抵抗率が小さいという特徴を有する。なお、低抵抗部分１７０Ａ、１７０Ｂは、ハニカム構造体１００の端部１１５Ａ、１１５Ｂの外壁１２０の表面に存在する気孔の一部に、金属および／または珪化物等の電気伝導性物質を充填させることにより構成される。金属は、シリコン（Ｓｉ）またはニッケル（Ｎｉ）等であっても良い。また、珪化物は、例えば、ニッケルシリサイド（ＮｉｘＳｉｙ）、クロムシリサイド（ＣｒｘＳｉｙ）、または鉄シリサイド（ＦｅｘＳｉｙ）等であっても良い。
【００３５】
このような低抵抗部分１７０Ａ、１７０Ｂは、電極１６０Ａ、１６０Ｂを介してハニカム構造体１００に通電する際、電極部分への電気エネルギーの局部的集中を緩和する領域として機能する。すなわち、電極１６０Ａ、１６０Ｂの直下に低抵抗部分１７０Ａ、１７０Ｂが存在することにより、電極１６０Ａ、１６０Ｂにおいて、局部的に高熱が発生することが抑制される。また、これにより、電極１６０Ａ、１６０Ｂの劣化または破損が抑制され、ハニカム構造体１００を長期間安定に使用することが可能となる。
【００３６】
なお、低抵抗部分１７０Ａ、１７０Ｂの充填範囲は、低抵抗部分１７０Ａ、１７０Ｂが電極１６０Ａ、１６０Ｂと接している限り、特に限られない。例えば、図２の例では、低抵抗部分１７０Ａ、１７０Ｂは、ハニカム構造体１００の外壁１２０の外側表面（すなわち電極１６０Ａ、１６０Ｂの最下面）から境界線ＢＬまでの領域に充填されており、この深さＤ１は、３０μｍ〜１００μｍの範囲であることが好ましい。しかしながら、外壁１２０の外側表面から境界線ＢＬまでの深さＤ１の値は、外壁１２０の厚さ（例えば３００〜４００μｍ）と等しくても良く、外壁１２０の厚さよりも大きくても良い。
【００３７】
また、低抵抗部分１７０Ａ、１７０Ｂを局部的に充填することが難しい場合、端部１１５Ａ、１１５Ｂの全体にわたって（すなわち、端部１１５Ａ、１１５Ｂのセル壁１２４にも）、低抵抗部分１７０Ａ、１７０Ｂを充填しても良い。
【００３８】
低抵抗部分１７０Ａ、１７０Ｂに充填された電気伝導性物質の量（端部１１５Ａまたは１１５Ｂの全重量に対する電気伝導性物質の重量比）は、特に限られないが、１ｗｔ％〜８０ｗｔ％の範囲が好ましく、２０ｗｔ％〜５５ｗｔ％の範囲がより好ましい。
【００３９】
また、低抵抗部分１７０Ａ、１７０Ｂが充填されているため、端部１１５Ａまたは１１５Ｂの気孔率（低抵抗部分１７０Ａ、１７０Ｂが充填されている部分）は、０〜２０％が好ましい。
【００４０】
以上のように、本発明においては、電極が設置されているハニカムユニットの外周を構成する外周壁の気孔に、電気抵抗率が低い物質（低抵抗物質）を充填している。外周壁の気孔は、互いに連結して、３次元的な空隙構造を構成する。この空隙に電気抵抗率が低い物質（低抵抗物質）が充填されているため、低抵抗物質の３次元的な構造が外周壁内に存在することになる。このため、外周壁を構成する粒子間にこのような低抵抗物質が存在している場合に比べて、電極が形成された外周壁部の抵抗値が低下し、通電した場合に、電極が形成された外周壁部分の発熱量が抑制され、電極材料の劣化が防止できる。
【００４１】
また、本発明において、「前記ハニカムユニットは、外周を構成する外周壁と、前記ハニカムユニットの貫通孔を隔てる内側壁から構成されており、前記外周壁の外周表面には、前記電極が形成され、前記内側壁は、前記電極が形成された外周壁と電気的に接続し、前記内側壁に存在する気孔には、前記ハニカムユニットを構成する材料よりも電気抵抗率の低い物質が充填されている」場合は、ハニカムユニットの端面の外周壁と内側壁の電位がほぼ等しくなり、外周壁と内側壁を流れる電流密度を等しくすることができる。また、このため、ハニカムユニットの発熱量を全体として均一にすることができる。
【００４２】
（第２の構成）
図１に示したハニカム構造体１００は、ハニカムユニットが一つで構成されるハニカム構造体、いわゆる「一体構造」となっている。しかしながら、本発明は、複数のハニカムユニットで構成された、いわゆる「分割構造」のハニカム構造体にも適用することができる。
【００４３】
図３には、本発明による「分割構造」のハニカム構造体２００を示す。また、図４には、図３に示したハニカム構造体２００を構成するハニカムユニットの一例を模式的に示す。
【００４４】
図３に示すように、本発明のハニカム構造体２００は、２つの開口された端面２１０Ａおよび２１０Ｂと、側面２２０とを有する。
【００４５】
ハニカム構造体２００は、複数のハニカムユニットを接着層２５０を介して複数個接合させることにより構成される。例えば、図３の例では、ハニカム構造体２００は、ハニカムユニット２３０Ａ〜２３０Ｄの４個のハニカムユニットで構成されている。ハニカムユニット２３０Ａ〜２３０Ｄは、多孔質体である。
【００４６】
図４に示すように、ハニカムユニット２３０Ａは、１／４円の略扇形状の端面２１４Ａ、２１４Ｂと、３つの側面２１７Ａ、２１８Ａ、２１９Ａとを有する柱状構造を有する。このうち、側面２１７Ａと側面２１８Ａとは、略平坦な平面を有し、側面２１９Ａは、湾曲面を有する側面（以下、「湾曲側面」という）である。図３の例では、ハニカムユニット２３０Ｂ〜２３０Ｄも、ハニカムユニット２３０Ａと同様の形状を有する。例えば、図３に示すように、ハニカムユニット２３０Ｂは、ハニカムユニット２３０Ａの湾曲側面２１９Ａに対応する湾曲曲面２１９Ｂを有する。
【００４７】
ハニカムユニット２３０Ａは、該ハニカムユニット２３０Ａの長手方向に沿って端面２１４Ａから端面２１４Ｂまで延伸し、両端面２１４Ａ、２１４Ｂで開口された複数のセル２２２と、該セル２２２を区画するセル壁２２４とを有する。ハニカムユニット２３０Ａは、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）を主成分とした材料で構成され、これに抵抗を低下させるため、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のような、少量の抵抗調整成分が添加されている。ハニカムユニット２３０Ａのセル壁２２４には、触媒が設置されている。
【００４８】
ハニカムユニット２３０Ａの端面２１４Ａおよび２１４Ｂから延伸する部位の周囲（以下、「端部２１６Ａ」、「端部２１６Ｂ」と称する）には、電極２６０Ａ−１、２６０Ｂ−１が設置されている。なお、図４の例では、電極２６０Ａ−１、２６０Ｂ−１は、ハニカムユニット２３０Ａの端面２１４Ａ、２１４Ｂの周囲の全周（すなわち、端部２１６Ａ、２１６Ｂ全体）にわたって設けられているが、必ずしも全周にわたって設ける必要はない。電極２６０Ａ−１、２６０Ｂ−１は、少なくとも、ハニカムユニット２３０Ａの湾曲側面２１９Ａの側に設置されている。
【００４９】
さらに、図５に示すように、ハニカムユニット２３０Ａは、少なくとも電極２６０Ａ−１、２６０Ｂ−１の直下に、それぞれ、低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂを有する。例えば、図４のように、電極２６０Ａ−１、２６０Ｂ−１がハニカムユニット２３０Ａの端部２１６Ａ、２１６Ｂの全周にわたって設けられる場合、低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂもまた、ハニカムユニット２３０Ａの端部２１６Ａ、２１６Ｂの全周にわたって設けられる。一方、電極２６０Ａ−１、２６０Ｂ−１がハニカムユニット２３０Ａの湾曲側面２１９Ａの側にのみ設置されている場合、低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂは、ハニカムユニット２３０Ａの湾曲側面２１９Ａの側にのみ設置される。
【００５０】
低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂは、ハニカムユニット２３０Ａの他の領域と比べて、抵抗率が小さい。また、低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂは、ハニカムユニット２３０Ａの端部２１６Ａ、２１６Ｂの外壁２２０Ａを構成する気孔の一部に、金属および／または珪化物等の電気伝導性物質を充填させることにより構成される。
【００５１】
なお、図５では、低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂは、ハニカムユニット２３０Ａの外壁２２０Ａの表面（すなわち電極２６０Ａ−１、２６０Ｂ−１の最下面）から境界線ＢＬまでの領域に充填されており、この深さＤ２は、３０μｍ〜１００μｍの範囲であることが好ましい。しかしながら、外壁２２０Ａの表面から境界線ＢＬまでの深さＤ２の値は、外壁２２０Ａの表面の厚さ（例えば３００〜４００μｍ）と等しくても良く、外壁２２０Ａの表面の厚さよりも大きくても良い。
【００５２】
また、低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂが局部的に存在することが難しい場合、端部２１６Ａ、２１６Ｂの全体に、低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂを設けても良い。
【００５３】
低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂに充填された電気伝導性物質の含有量（端部２１６Ａまたは２１６Ｂの全体に対する重量比）は、特に限られないが、１ｗｔ％〜８０ｗｔ％の範囲が好ましく、２０ｗｔ％〜５５ｗｔ％の範囲がより好ましい。
【００５４】
図３を参照すれば、各ハニカムユニット２３０Ａ〜２３０Ｄを組み立てて、ハニカム構造体２００を構成したとき、各ハニカムユニット２３０Ａ〜２３０Ｄに設置された電極２６０Ａ−１、２６０Ｂ−１が、接着層２５０を介してハニカム構造体２００の端部２１５Ａ、２１５Ｂでつながり（連続し）、各電極２６０Ａ、２６０Ｂを形成する。同様に、各ハニカムユニット２３０Ａ〜２３０Ｄに設置された低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂは、ハニカム構造体２００を構成したとき、接着層２５０を介してハニカム構造体２００の端部２１５Ａ、２１５Ｂでつながる（連続する）。
【００５５】
このようなハニカム構造体２００においても、前述のような本発明による効果が得られることは、当業者には明らかである。
【００５６】
なお、ハニカム構造体が複数のハニカムユニットから構成される場合は、少なくとも一のハニカムユニットが本発明の特徴を備えていれば良いが、ハニカム構造体を構成する全てのハニカムユニットが本発明の特徴を備えていることが好ましい。
【００５７】
ハニカム構造体を構成する全てのハニカムユニットが本発明の特徴を備えていると、前述のような本発明による効果を確実に得ることができる。
【００５８】
（ハニカム構造体の詳細について）
次に、本発明によるハニカム構造体を構成する各部材の構成について、より詳しく説明する。なお、以下の記載では、主として、図３に示す構造のハニカム構造体２００を構成する部材について、説明する。しかしながら、本記載の一部が図１に示す構造のハニカム構造体１００についても適用できることは、当業者には明らかである。また、図３において、各ハニカムユニット２３０Ａ〜２３０Ｄは、同様の構成であるため、ここでは、ハニカムユニット２３０Ａを取り上げ、その構成を説明する。
【００５９】
（ハニカムユニット）
ハニカムユニット２３０Ａの抵抗値は、１Ω〜１０３Ωであることが好ましい（低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂを除く）。これにより、両電極２６０Ａ−１、２６０Ｂ−１間に印加される電圧が、例えばハイブリッド型車両において通常のバッテリが有する電圧値程度であっても、ハニカム構造体２００を十分に加熱することができる。なお、ハニカムユニット２３０Ａの抵抗値が１Ωを下回ると、十分な発熱量が得られなくなる。
【００６０】
例えば、炭化珪素製のハニカムユニット２３０Ａの場合、微量の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を母材に含有させることにより、ハニカムユニット２３０Ａの抵抗率を比較的容易に調整することができる。
【００６１】
ハニカムユニット２３０Ａの抵抗値が１０３Ωを超えると、抵抗値が高すぎて、電流が流れにくくなり、ハニカムユニット２３０Ａが発熱しない。
【００６２】
上記は、ハニカムユニット２３０Ａ（低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂを除く。すなわち、電極２６０Ａ−１、２６０Ｂ−１を形成しない部分）について、説明を行った。すなわち、ハニカムユニット２３０Ａは、発熱を必要とする部分である。
【００６３】
次に、以下にハニカムユニット２３０Ａの電極２６０Ａ−１、２６０Ｂ−１について、説明する。
【００６４】
ハニカムユニット２３０Ａの電極を形成する部分は、電極の劣化を防ぐため、発熱しないことが望ましい。そのため、ハニカムユニット２３０Ａに低抵抗部分を形成する。
【００６５】
ハニカムユニット２３０Ａの低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂの抵抗率は、ハニカムユニット２３０Ａのその他の領域の抵抗率よりも小さければ、いかなる値であっても良い。例えば、ハニカムユニット２３０Ａの低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂの抵抗率は、１０−５Ωｃｍ〜１０−３Ωｃｍの範囲が好ましい。
【００６６】
ハニカムユニット２３０Ａの低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂの形成方法は、特に限られない。例えば、低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂは、ハニカムユニット２３０Ａの先端を、後に低抵抗部分２７０Ａ、２７０Ｂを形成することになる原料を含む融液、またはそのような原料を含むスラリー中に浸漬させることにより形成しても良い。
【００６７】
ハニカムユニット２３０Ａは、炭化珪素（ＳｉＣ）等を主体とした無機材料で構成される。
【００６８】
ハニカムユニット２３０Ａの長手方向に対して垂直な断面の形状は、特に限定されるものではなく、いかなる形状であっても良く、例えば、略正方形、略長方形、略六角形などであっても良い。
【００６９】
また、ハニカムユニット２３０Ａのセル２２２の長手方向に対して垂直な断面の形状は、特に限られず、略正方形以外に、例えば略三角形、略多角形としても良い。
【００７０】
ハニカムユニット２３０Ａのセル密度は、１５．５〜１８６個／ｃｍ２（１００〜１２００ｃｐｓｉ）の範囲であることが好ましく、４６．５〜１７０個／ｃｍ２（３００〜１１００ｃｐｓｉ）の範囲であることがより好ましく、６２〜１５５個／ｃｍ２（４００〜１０００ｃｐｓｉ）の範囲であることがさらに好ましい。
【００７１】
ハニカムユニット２３０Ａの気孔率は、３５％〜７０％の範囲であることが好ましい。ただし、ハニカムユニット２３０Ａの端部２１６Ａ、２１６Ｂでは、一部の気孔内に電気伝導性物質が存在するため、気孔率は、より小さくなる。そのため、ハニカムユニット２３０Ａの端部２１６Ａ、２１６Ｂにおける気孔率は、０〜２０％であることが好ましい。
【００７２】
ハニカムユニット２３０Ａのセル壁２２４の厚さは、特に限定されないが、ハニカムユニットの強度の点から望ましい下限は、０．１ｍｍであり、ハニカム構造体の浄化性能の観点から望ましい上限は、０．４ｍｍであることが好ましい。
【００７３】
ハニカムユニット２３０Ａのセル壁２２４に担持される触媒は、特に限られず、例えば、白金、ロジウム、パラジウム等が使用されても良い。これらの触媒は、アルミナ層を介して、セル壁２２４に担持されていても良い。
【００７４】
（接着層）
ハニカム構造体２００の接着層２５０は、接着層用ペーストを原料として形成される。接着層用ペーストは、無機粒子、無機バインダ、無機繊維、および／または有機バインダを含んでも良い。
【００７５】
接着層用ペーストの無機粒子としては、炭化珪素（ＳｉＣ）が望ましい。無機バインダとしては、無機ゾルや粘土系バインダ等を用いることができ、上記無機ゾルの具体例としては、例えば、アルミナゾル、シリカゾル、チタニアゾル、または水ガラス等が挙げられる。また、粘土系バインダとしては、例えば、白土、カオリン、モンモリロナイト、セピオライト、またはアタパルジャイト等が挙げられる。これらは単独で用いても良く、２種以上を併用しても良い。
【００７６】
これらの中では、アルミナゾル、シリカゾル、チタニアゾル、水ガラス、セピオライト、またはアタパルジャイトが望ましい。
【００７７】
無機繊維の材料としては、アルミナ、シリカ、炭化珪素、シリカアルミナ、ガラス、チタン酸カリウムまたはホウ酸アルミニウム等が望ましい。これらは、単独で用いても良く、２種以上を併用しても良い。上記材料の中では、シリカアルミナが望ましい。
【００７８】
また、有機バインダとしては、特に限定されるものではないが、例えば、ポリビニルアルコール、メチルセルロース、エチルセルロースおよびカルボキシメチルセルロースなどから選ばれる１種以上が挙げられる。有機バインダの中では、カルボキシルメチルセルロースが望ましい。
【００７９】
接着層２５０の厚さは、０．３〜２ｍｍの範囲であることが好ましい。接着層２５０の厚さが０．３ｍｍ未満では、ハニカムユニットの十分な接合強度が得られなくなるためである。また接着層２５０の厚さが２ｍｍを超えると、ハニカム構造体の圧力損失が大きくなる。なお、接合させるハニカムユニットの数は、ハニカム構造体の大きさに合わせて適宜選定される。
【００８０】
（ハニカム構造体）
本発明のハニカム構造体の形状は、いかなる形状であっても良い。例えば、ハニカム構造体の形状は、図１、図３に示すような略円柱の他、略楕円柱、略四角柱、略多角柱等であっても良い。
【００８１】
なお、図１、図３の例では、電極１６０Ａおよび１６０Ｂ、電極２６０Ａおよび２６０Ｂは、それぞれ、ハニカム構造体１００、２００の端部１１５Ａおよび１１５Ｂ、２１６Ａおよび２１６Ｂに設置されている。しかしながら、電極の設置位置は、これに限られるものではなく、電極は、ハニカム構造体の外周面のいかなる場所に設置されても良い。
【００８２】
（ハニカム構造体の作製方法）
次に、本発明のハニカム構造体の作製方法を簡単に説明する。
【００８３】
（ハニカムユニットの作製）
まず、炭化珪素（ＳｉＣ）を含む無機粒子、無機バインダを主成分とし、さらに必要に応じて無機繊維を添加した原料ペーストを用いて押出成形等を行い、ハニカムユニット成形体を作製する。なお、ハニカムユニットの抵抗率調整のため、原料ペースト中には、さらに、適量の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等を添加しても良い。
【００８４】
原料ペーストには、これらの他に有機バインダ、分散媒および成形助剤を成形性にあわせて適宜加えてもよい。有機バインダとしては、特に限定されるものではないが、例えば、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコール、フェノール樹脂およびエポキシ樹脂等から選ばれる１種以上の有機バインダが挙げられる。有機バインダの配合量は、無機粒子、無機バインダおよび無機繊維の合計１００重量部に対して、１〜１０重量部が好ましい。
【００８５】
分散媒としては、特に限定されるものではないが、例えば、水、有機溶媒（ベンゼンなど）およびアルコール（メタノールなど）などを挙げることができる。成形助剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、エチレングリコール、デキストリン、脂肪酸、脂肪酸石鹸およびポリアルコール等を挙げることができる。
【００８６】
原料ペーストは、特に限定されるものではないが、混合および混練することが好ましく、例えば、ミキサーやアトライタなどを用いて混合してもよく、ニーダーなどで十分に混練してもよい。原料ペーストを成形する方法は、特に限定されるものではないが、例えば、押出成形などによってセルを有する形状に成形することが好ましい。
【００８７】
次に、得られた成形体は、乾燥することが好ましい。乾燥に用いる乾燥機は、特に限定されるものではないが、マイクロ波乾燥機、熱風乾燥機、誘電乾燥機、減圧乾燥機、真空乾燥機および凍結乾燥機などが挙げられる。また、得られた乾燥された成形体は、脱脂することが好ましい。脱脂する条件は、特に限定されず、成形体に含まれる有機物の種類や量によって適宜選択するが、おおよそ４００℃、２時間が好ましい。更に、得られた成形体は、焼成することが好ましい。焼成条件としては、特に限定されるものではないが、おおよそ２７００℃が好ましい。
【００８８】
（低抵抗部分の形成）
次に、各ハニカムユニットの両端部に、低抵抗部分を形成する。低抵抗部分は、前述のように、後に低抵抗部分を形成することになる原料を含む融液、またはそのような原料を含むスラリー中にハニカムユニットを浸漬させることにより形成することができる。浸漬処理後のハニカムユニットは、熱処理され、これにより、ハニカムユニットの気孔内に金属および／またはシリサイド化合物等の導電性物質が定着される。
【００８９】
例えば、低抵抗部分に充填される電気伝導性物質として、シリコンを選定した場合、シリコン粒子と、有機バインダと、水とを含むスラリーが調製される。また、このスラリー中に、ハニカムユニットの端部を浸漬した後、ハニカムユニットを１５００℃、Ａｒ雰囲気下で１時間熱処理する。これにより、ハニカムユニットの端部全体にわたり、ハニカムユニットの気孔中にシリコンが充填され、低抵抗部分を形成することができる。
【００９０】
また、低抵抗部分に充填される電気伝導性物質として、ニッケルシリサイドを選定した場合、シリコン粒子と、ニッケル粒子と、有機バインダと、水とを含むスラリーが調製される。次に、このスラリー中に、ハニカムユニットの端部を浸漬した後、ハニカムユニットを９００℃、窒素雰囲気下で１時間熱処理する。これにより、ハニカムユニットの端部全体にわたり、ハニカムユニットの気孔中にニッケルシリサイドが充填され、低抵抗部分を形成することができる。
【００９１】
（ハニカム構造体の組み立て）
その後、各ハニカムユニットのセル壁に、触媒が担持される。
【００９２】
次に、以上の工程で得られたハニカムユニットの側面に、後に接着層となる接着層用ペーストを均一な厚さで塗布した後、この接着層用ペーストを介して、順次他のハニカムユニットを積層する。この工程を繰り返し、所望の寸法のハニカム構造体を作製する。
【００９３】
次にこのハニカム構造体を加熱して、接着層用ペーストを乾燥して、固化させて、接着層を形成させるとともに、ハニカムユニット同士を固着させる。
【００９４】
複数のハニカムユニットを接着層によって接合させた後に、このハニカム構造体を脱脂することが好ましい。この処理により、接着層用のペーストに有機バインダが含まれている場合、これらの有機バインダを脱脂除去することができる。脱脂条件は、含まれる有機物の種類や量によって適宜選定されるが、７００℃、２時間程度が好ましい。
【００９５】
次に、ハニカム構造体の両端部に、ハニカムユニットの低抵抗部分と接するようにして、リング状電極端子を設置する。
【００９６】
以上の工程により、ハニカム構造体を作製することができる。
【符号の説明】
【００９７】
１００    ハニカム構造体
１１０Ａ、１１０Ｂ  端面
１１５Ａ、１１５Ｂ  端部
１２０    外壁
１２２    セル
１２４    セル壁
１６０Ａ、１６０Ｂ  電極
１７０Ａ、１７０Ｂ  低抵抗部分
２００    ハニカム構造体
２１０Ａ、２１０Ｂ  端面
２１４Ａ、２１４Ｂ  ハニカムユニットの端面
２１５Ａ、２１５Ｂ  ハニカム構造体の端面
２１６Ａ、２１６Ｂ  ハニカムユニットの端部
２１７Ａ  ハニカムユニットの側面
２１８Ａ  ハニカムユニットの側面
２１９Ａ  ハニカムユニットの湾曲側面
２２０    側面
２２０Ａ  ハニカムユニットの外壁
２２２    セル
２２４    セル壁
２３０    ハニカムユニット
２３０Ａ〜２３０Ｄ  ハニカムユニット
２５０    接着層
２６０Ａ−１、２６０Ｂ−１  電極
２７０Ａ、２７０Ｂ  低抵抗部分
【図１】
2011230114.tif 000003
【図２】
2011230114.tif 000004
【図３】
2011230114.tif 000005
【図４】
2011230114.tif 000006
【図５】
2011230114.tif 000007