(57)【要約】【課題】基板に開口を有する高周波デバイスの高周波特性の低下を抑制することが可能な高周波デバイスを提供する。【解決手段】基板１１上に誘電体層１５Ａ、高周波素子１６（スロットアンテナ１６Ａ、マイクロストリップライン１６Ｂ）、誘電体層１５Ｂ、ＲＦＩＣ回路１８を順に形成する。高周波素子１６（スロットアンテナ１６Ａ、マイクロストリップライン１６Ｂ）に対向する位置の基板１１に開口１７（１７Ａ，１７Ｂ）を設ける。誘電体層１５上の開口１７（１７Ａ，１７Ｂ）に対向する位置には、誘電体材料または磁性材料からなる補充層２１（２１Ａ，２１Ｂ）を設ける。これにより開口１７の形成により生じた基板１１の誘電率または透磁率の低下が補われ、高周波デバイス１の高周波特性の低下を抑制することが可能となる。【選択図】図２
2011114719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口を有する基板と、
前記基板上の前記開口の少なくとも一部に対向する位置に設けられた高周波素子と、
誘電体材料または磁性体材料により構成され、前記高周波素子上の前記開口の少なくとも一部に対向する位置に設けられた補充層と
を備えた高周波デバイス。
【請求項２】
前記基板と前記高周波素子との間に誘電体層を有する、請求項１に記載の高周波デバイス。
【請求項３】
前記高周波素子と前記補充層との間に他の誘電体層を有する、請求項２に記載の高周波デバイス。
【請求項４】
前記補充層上に金属材料からなるシールド層を有する、請求項１に記載の高周波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems；マイクロマシン）技術を用いた高周波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
テレビやラジオ放送、あるいは無線ＬＡＮ（Local Area Network）の電波を送受信する回路の要素として、バンドパスフィルタやローパスフィルタは必須の要素であり、伝送信号の品質に多大な影響を与える重要なデバイスとなっている。この分野における代表的な製品としてはセラミックフィルタが挙げられる。セラミックフィルタとしては周波数帯ごとに種々のデバイスが提供されている。例えばテレビやラジオの送受信回路に用いられるＭＨｚ帯域ではＳＡＷ（Surface Acoustic Wave ）フィルタが、無線ＬＡＮや携帯機器の送受信回路に用いられるＧＨｚ帯域では積層セラミックフィルタが提供されている。
【０００３】
セラミックフィルタは高いフィルタ特性を提供する優れたデバイスであるが、サイズが大きいという課題を有している。近年では携帯電話、携帯プレイヤーおよびネットＰＣ（Personal Computer）といった携帯機器にも、テレビ、ラジオおよび無線ＬＡＮの機能が備わるようになってきたことから、これまでの特性を保ちつつ格段に小さいフィルタ素子が望まれている。
【０００４】
このようなセラミックフィルタの他に、高性能かつ小型のフィルタ素子の開発が進められている。その一例として、シリコン基板上に形成されるフィルタ素子があり、近年のＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）回路の高周波特性の向上に伴って特に注目度が高い。シリコン基板上にＣＭＯＳプロセスによって所望のフィルタ回路を形成することができれば、他のＣＭＯＳ回路との混載回路も可能になり、セラミックフィルタを用いた場合よりも一桁以上小さな回路を実現することができる。
【０００５】
しかしながら、上記に例示したシリコン基板上のフィルタ素子では、同一周波数帯のセラミックフィルタと比較すると性能面でやや劣るという問題があった。シリコンはセラミック材料と比較して比抵抗値が小さいため、基板内で生じる渦電流や信号線と基板との間あるいは信号線間の不要な寄生容量により、信号損失が発生することが原因である。このような渦電流や寄生容量に対する対策としては、基板上の電子素子に対向する位置に開口を設けることにより、基板部分と素子との間での寄生容量や渦電流の発生を抑制する方法が提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１０１１６８号公報
【特許文献２】特開２００４−１７９３８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、基板に開口を設けて基板を薄型化すると基板の誘電率または透磁率は空気の誘電率または透磁率にまで低下し、高周波特性が低下する。従って、高周波特性の低下を抑制するためには基板の薄型化によって低下した誘電率または透磁率を補う必要がある。上記寄生容量や渦電流の発生を抑制しつつ基板の薄型化によって低下した基板の誘電率または透磁率を補う方法としては、基板を面方向へ大きくする手法が挙げられ。しかし、このような手法では、素子の小型化の要求に反するものである。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、開口を有する基板を面方向へ大きくすることなく高周波特性の低下を抑制することが可能な高周波デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による高周波デバイスは、開口を有する基板と、基板上の開口の少なくとも一部に対向する位置に設けられた高周波素子と、誘電体材料または磁性体材料により構成され、高周波素子上の開口の少なくとも一部に対向する位置に設けられた補充層とを備えたものである。
【００１０】
補充層は、前述のように開口を設け、薄型化したことによる基板の誘電率または透磁率の低下を補うものである。この補充層は、誘電体材料または磁性体材料のうちの一方からなる単層構造でもよいが、両材料の２層以上からなる積層構造としてもよい。
【００１１】
本発明の高周波デバイスでは、高周波素子上に設けた補充層により、薄型化によって生じた基板の誘電率または透磁率の低下が補われる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の高周波デバイスによれば、高周波素子上の開口に対向する位置に補充層を設けるようにしたので、基板の薄型化によって生じた誘電率または透磁率の低下を補うことができる。よって、基板を大型化することなく、基板に開口を有するメンブレン構造の高周波特性の低下を抑制することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る高周波デバイスの構成を表す平面図である。
【図２】図１に示した高周波デバイスの構成を表す断面図である。
【図３】図１に示した高周波デバイスの製造工程の一例を表す断面図である。
【図４】図３に続く工程を表す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る高周波デバイスの構成を表す平面図である。
【図６】図５に示した高周波デバイスの構成を表す断面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る高周波デバイスの構成を表す平面図である。
【図８】図７に示した高周波デバイスの構成を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、以下の順序で図面を参照しつつ詳細に説明する。
１．第１の実施の形態
（１−１）全体構成
（１−２）製造方法
２．第２の実施の形態
３．第３の実施の形態
【００１５】
１．第１の実施の形態
（１−１）全体構成
図１は本発明の第１の実施の形態に係る高周波デバイス１の平面構成を表したものである。図２は図１のＩ−Ｉ線における断面構成を表したものである。なお、図１ではプリント基板２５は省略している。この高周波デバイス１では、基板１１上に誘電体層１５Ａ、高周波素子１６（スロットアンテナ１６Ａ，マイクロストリップライン１６Ｂ）、誘電体層１５ＢおよびＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）２０がこの順に積層されている。誘電体層１５上には補充層２１（２１Ａ，２１Ｂ）が設けられている。高周波デバイス１は貫通電極１３および基板１１上の電極パッド１４Ｂ，１４Ｃ、バンプ２３Ａ，２３Ｂ、プリント基板２５上のパッド２４Ａ，２４Ｂを介してプリント基板２５に実装されている。
【００１６】
基板１１は例えばシリコン基板であるが、その他、合成石英、ガラス、金属、樹脂または樹脂フィルムなどからなるものでもよい。基板１１には、スロットアンテナ１６Ａおよびマイクロストリップライン１６Ｂに対向する位置にそれぞれ開口１７Ａ，１７Ｂが設けられている。ここでは基板１１に設けられた開口１７Ａでは基板１１が完全に除去され、開口１７Ｂでは基板１１の一部が残っているが、開口１７Ａおよび開口１４Ｂがいずれも基板１１を貫通していてもよい。基板１１に開口１７を設ける理由は、高周波素子１６とＲＦＩＣ２０との間に生じる高周波信号（タンジェントデルタ、tanδ）の減衰を低減することにある。通常、シリコンによって４ｄＢ／ｍｍ程度の高周波信号の減衰があるが、高周波素子１６に対向する位置のシリコン基板を除去して開口１７を設けることにより、後述する誘電体層１５による高周波信号の減衰（例えばＢＣＢでは０．４ｄＢ／ｍｍ程度の減衰）のみに低減することができる。
【００１７】
なお、開口１７と高周波素子１６とが対向するとは、両者が少なくとも一部において上下方向（基板１１の厚さ方向）で重なる関係にあることをいう。すなわち、開口１７の大きさおよび形状が高周波素子１６のそれに完全に一致する場合だけではなく，上記効果を得ることができる程度であれば、両者の一部のみが上下方向（基板１１の厚さ方向）で重なる関係にある場合も含むものである。これは後述の開口１７と補充層２１との対向関係においても同様である。
【００１８】
誘電体層１５としては例えばベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド（ＰＩ）、パリレンおよびダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）などの有機材料の他に、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）などの無機材料を用いることができる。なお、誘電体層１５は基板１１と、高周波素子１６、ＲＦＩＣ２０および補充層２１との接着層としても働き、特にＢＣＢを用いることによって、これらの接続処理を２８０度程度の低温で行うことが可能となる。
【００１９】
貫通電極１３は基板１１を貫通しており、その上下に電極パッド１４Ａ，１４Ｂが設けられている。貫通電極１３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）を用いることができるが、アルミニウム（Ａｌ）を用いてもよく特に限定されない。電極パッド１４Ａ，１４Ｂの材料としては、例えばアルミニウムを用いることができるが、その他の金属材料を用いてもよい。
【００２０】
高周波デバイス１に実装される高周波素子１６は、例えばスロットアンテナ１６Ａおよびその伝送路としてのマイクロストリップライン１６Ｂから構成されている。高周波素子１６は、マイクロストリップライン１６Ｂにおいて、ビア１９および電極パッド１９Ｂを介して誘電体層１５上に設けられたＲＦＩＣ２０に接続されている。スロットアンテナ１６Ａおよびマイクロストリップライン１６Ｂの材料としては、例えばアルミニウムを用いることができるがその他の金属材料を用いてもよい。
【００２１】
ＲＦＩＣ２０は、電極パッド１９Ｂおよびビア１９を介して高周波素子１６に接続されると共に、電極パッド１８Ｂ、ビア１８および電極パッド１４Ａを介して貫通電極１３に接続されている。ＲＦＩＣ２０、ビア１８，１９および電極パッド１８Ｂ, １９Ｂは、例えば高周波素子１６と同様にアルミニウムを用いることができるが、金等のその他の金属材料を用いてもよい。
【００２２】
誘電体層１５上の補充層２１（２１Ａ，２１Ｂ）は基板１１に設けられた開口１７（１７Ａ，１７Ｂ）に対向する位置にある。具体的には、補充層２１Ａ、開口１７Ｂおよびマイクロストリップライン１６Ｂ、補充層２１Ｂ、開口１７Ａおよびマイクロストリップライン１６Ａがそれぞれ対向する位置関係になっている。この補充層２１は基板１１に開口１７を設けることによって低下した基板１１の誘電率または透磁率を補うためのものである。そのため、その材料としては誘電率または透磁率が大きく、高周波（ミリ波）における誘電損失や磁性損失が小さいものを用いることが好ましい。このような材料としては、誘電体材料または磁性体材料がある。誘電体材料としては、例えば石英（合成石英）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、チタン化マグネシウム、ポリテトラフルオロエチレン、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、ＰＺＴ（鉛、ジルコニア、チタンセラミック）チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）およびミリ波用セラミックなどが挙げられる。磁性体材料としては、例えばフェライト材料としてＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｚｎ等の磁性金属およびその酸化物、ガーネット型結晶構造（組成式はＲＦｅ5Ｏ12（Ｒは希土類元素））のＹＩＧ（Yttrium Iron Garnet）等が挙げられる。これらの誘電率は１０００台であり、誘電体層１５の誘電率と合成することにより、低下した基板１１の誘電率が補われる。なお、ここでは補充層は、補充層２１Ａ，２１Ｂのように２つに分割されているが、両者を一体化してもよく，更には基板全面に渡るように設けてもよい。
【００２３】
シールド層２２は補充層２１Ｂ上に積層され、電磁遮蔽効果（シールド効果）を有するものである。シールド層２２を高周波素子１６に対応する位置に適宜設けることによって、高周波素子１６から放射される電磁波の指向性が制御される。シールド層２２は、例えば補充層２１Ｂ上に銅がスパッタされた厚さ０．３ｍｍのアルミナ基板を用いることができる。シールド層２２の材料としてはこの他に、例えば渦電流損失が大きなフェライト材料または鉄板などを用いてもよい。また、誘電体損失の大きな材料を用いてもよく、例えばＡＢＳ（Acrylonitrile butadiene styrene ）材等のプラスチックが挙げられる。渦電流損失および誘電体損失はエネルギー損失であるため、電磁波は熱エネルギーとして消費される。すなわち、スロットアンテナ１６Ａから放射される電磁波は、スロットアンテナ１６Ａに対応する位置（ここでは補充層２１Ｂ上）にシールド層２２を設けたことにより、上方への放射が遮蔽され、下方（基板１１の裏面側）への指向性が高められる。
【００２４】
因みに、渦電流損失をＰe、シールド層２２の厚みをｔ、高周波素子１６の周波数をf、最大磁束密度をＢｍ、シールド層２２の抵抗率をρ、比例定数をｋeとすると、渦電流損失は以下の式（１）で表される。
【００２５】
【数１】
2011114719.tif 000003
【００２６】
式（１）からわかるように、シールド層２２の厚みを調整することで渦電流損失、すなわちシールド効果を制御できる。なお、誘電体損失はtanδで表される。
【００２７】
次に、高周波デバイス１の製造方法について、図３および図４を用いて説明する。
【００２８】
（１−２）製造方法
まず、図３（Ａ）に示したように基板１１に貫通電極１３を形成する。具体的には、例えば厚さ５００μｍの基板１１の表面にエッチングマスクをパターニングする。次に、ＤＲＩＥ  （Deep Reactive Ion Etching）装置による１０００ステップのボッシュプロセスを真空条件下にて行い、基板１１を厚み方向にエッチングする。続いて、裏面を例えばアルミナ研磨剤にて基板１１の厚みが４００μｍになるまで研磨して貫通孔１１Ａを形成する。そののち、基板１１を例えば熱酸化パージ炉（酸素雰囲気常圧下、１０００℃）内に３時間以上保持して貫通孔１１Ａの表面および基板１１全体に熱酸化膜（図示せず）を形成する。次に、シード層１２として貫通孔１１Ａの表面、基板１１の表面および裏面に、例えばスパッタにより厚さ５０ｎｍの下地チタン（Ｔｉ）および厚さ３００ｎｍの銅薄膜（Ｃｕ）を形成する。次に、電解銅メッキにより貫通孔１１Ａに銅を充填する。続いて化学処理（塩化第二鉄エッチング）またはレーザ加工処理をし、応力を解除するために過酸化水素水と専用高速ＣＭＰ液によって片面ずつ交互に複数回、基板１１を研磨して貫通電極１２を形成する。次に、ＣＭＰによる研磨後の貫通電極１２の銅は経時変化により酸化されているため１０％硫酸により還元する。そののち、電極パッド１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃとしてフォトリソグラフィおよびリフトオフ工程によって、直径１００μｍ、厚さ１００ｎｍのアルミニウム薄膜を形成する。電極パッド１４Ａ、１４Ｂ，１４Ｃとしては金薄膜を用いることも可能であるが、次の工程でのＢＣＢのデスカム処理におけるフッ素プラズマの照射によって金薄膜はダメージを受けるため、アルミニウム薄膜を用いることが好ましい。
【００２９】
続いて、図３（Ｂ）に示したように、基板１１の表面および電極パッド１４Ａ上に誘電体層１５Ａしたのち、高周波素子１６としてスロットアンテナ１６Ａおよびマイクロストリップライン１６Ｂを形成する。具体的には、基板１１の表面上に感光性樹脂（ダウケミカル社製ＢＣＢ４０２４−４０）を例えば厚みが２０μｍ程度になるように１５００ｒ．ｐ．ｍにてスピンコート塗布して３分間露光したのち、メシチレン３５℃で１０分間の攪拌現像を行いスピン乾燥させる。次に、乾燥させた誘電体層１５Ａ上に、上記フォトリソ工程を用いて厚さ５０ｎｍの下地チタンおよび厚さ１００ｎｍのアルミニウム薄膜をスパッタしてスロットアンテナ１６Ａおよびマイクロストリップライン１６Ｂを形成する。
【００３０】
続いて、図３（Ｃ）に示したように誘電体層１５Ａ、スロットアンテナ１６Ａおよびマイクロストリップライン１６Ｂ上に、上記誘電体層１５Ａの形成と同様の方法を用いて例えば厚さ２００μｍの誘電体層１５Ｂを形成する。
【００３１】
続いて、図３（Ｄ）に示したように、基板１１の裏面に開口１７を形成する。具体的には、例えばフォトリソグラフィ法を用いて基板１１の裏面にアルミニウム薄膜のエッチングマスクをパターニングする。次に、ＤＲＩＥ（Deep Reactive Ion Etching）装置によって例えば８５０ステップのボッシュプロセスを真空条件下、例えば圧力０．０１パスカル程度にまで減圧して基板１１をエッチングすることによって開口１７を形成する。
【００３２】
続いて、図４（Ａ）に示したようにＲＦＩＣ２０と貫通電極１３および高周波素子１６とを接続させるビア１８，１９および電極パッド１８Ｂ，１９Ｂを形成する。具体的には電極パッド１４Ａおよびマイクロストリップライン１６Ｂに対応する位置に、例えばＳＦ6および酸素プラズマを用いた反応性イオンエッチングによって直径３０μｍの貫通孔１８Ａ，１９Ａを形成する。そののち、上記貫通電極１３の形成と同様の方法を用いてビア１８，１９および電極パッド１８Ｂ，１９Ｂを形成する。
【００３３】
続いて、図４（Ｂ）に示したようにＲＦＩＣ２０、補充層２１（２１Ａ，２１Ｂ）およびシールド層２２を形成する。具体的には、上記フォトリソ工程を用いて厚さ５０ｎｍの下地チタンおよび厚さ１００ｎｍのアルミニウム薄膜をスパッタしてＲＦＩＣ２０および補充層２１  （２１Ａ，２１Ｂ）を形成する。次に、補充層２１Ｂ上に銅をスパッタしたのち、０．３ｍｍのアルミナ薄膜を成膜し１５０℃，１００ｋＰａにて熱圧着する。そののち２８０℃，１時間の加熱処理を行うことによって誘電体層１５Ａおよび誘電体層１５Ｂの重合と、誘電体層１５を介した基板１１とＲＩＦＣ２０および補充層２１との接着が完了する。これにより高周波デバイス１が完成する。
【００３４】
最後に、図４（Ｃ）に示したように、高周波デバイス１の電極パッド１４Ｂ，１４Ｃと、プリント基板上のパッド２４Ａ，２４Ｂとをバンプ２３Ａ，２３Ｂを介して接続し、高周波デバイス１をプリント基板２５に実装する。
【００３５】
前述のように高周波デバイス１では基板１１に開口１７を設けることにより、基板１１と高周波素子１６との間に生じる寄生容量や渦電流の発生が抑制される。ところが、開口１７を設けたことによって基板１１の誘電率または透磁率が低下するため、高周波デバイス１の高周波特性が低下する。
【００３６】
これに対して、本実施の形態の高周波デバイス１では、誘電体層１５上の開口１７に対向する位置に誘電体材料または磁性材料からなる補充層２１が設けられているので、基板１１、誘電体層１５および補充層２１による合成誘電率または合成透磁率が大きくなる。すなわち開口１７を設けたことによる誘電率および透磁率の低下を抑制することが可能となる。
【００３７】
以上のように本実施の形態の高周波デバイス１では、誘電体層１５上の開口１７に対向する位置に補充層２１を設けるようにしたので、開口１７を形成したことにより低下した基板１１の誘電率または透磁率が補われる。これにより基板を面方向に大型化することなく、高周波デバイス１の高周波特性の低下を抑制することができる。
【００３８】
また、基板１１、誘電体層１５および補充層２１として用いる材料および厚み等の条件を調整することによって、基板１１を小型化することができる。すなわち、高周波デバイス１の小型化を図ることも可能となる。
【００３９】
加えて、基板１１に設けられた開口１７に対向する位置に補充層２１を設けることにより、メンブレンの機械的強度の低下を補強することができるという効果がある。
【００４０】
以下、他の実施の形態について説明するが、上記第１の実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は省略する。各実施の形態の作用効果については、第１の実施の形態と同様である。
【００４１】
２．第２の実施の形態
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る高周波デバイス２の平面構成を表したものである。図６は図５のII−II線における断面構成を表したものである。この高周波デバイス２は、６
０ＧＨｚの逆Ｆ型アンテナ２６Ａおよび６０ＧＨｚのバンドパスフィルタ２６Ｂから構成された高周波素子２６を誘電体層１５Ａ上に有している。高周波素子２６（２６Ａ，２６Ｂ）に対向する基板１１には開口２７（２７Ａ，２７Ｂ）が設けられ、誘電体層１５Ｂ上には補充層３１（３１Ａ，３１Ｂ）およびシールド層３２がこの順に設けられている。なお、ここでは開口２７Ｂはバンドパスフィルタ２６Ｂに対向する基板１１の一部に設けられているが、バンドパスフィルタ２６Ｂに対向する基板１１のすべてに開口２７を設けてもよい。
【００４２】
逆Ｆ型アンテナ２６Ａは、金属材料、例えばアルミニウムにより形成されている。バンドパスフィルタ３０Ｂには、バンド幅７ＧＨｚで、４分の１の波長が３段階で形成されている。このバンドパスフィルタ３０Ｂも逆Ｆアンテナ３０Ａと同様に、例えばアルミニウムを用いることができるがその他の金属材料を用いてもよい。
【００４３】
補充層３１（３１Ａ，３１Ｂ）としては、例えば厚さ０．５ｍｍのアルミナが用いることができるが、その他の誘電体材料または磁性体材料を用いてもよい。
【００４４】
補充層３１Ｂ上のシールド層３２としては、例えば厚さ０．２ｍｍの銅板を用いることができるが、シールド効果を有する材料であればその他の材料を用いて形成するようにしてもよい。このようなシールド層３２を誘電体層１５上のバンドパスフィルタ２６Ｂに対向する位置に設けることにより、バンドパスフィルタ２６Ｂから放射される電磁波の指向性を下に向けることができる。
【００４５】
３．第３の実施の形態
図７は、本発明の第３の実施の形態に係る高周波デバイス３の平面構成を表したものである。図８は図３のIII−III線における断面構成を表したものである。この高周波デバイス３は、擬
似八木アンテナ３６Ａおよびマイクロストリップライ３６Ｂから構成された高周波素子３６を誘電体層１５Ａ上に有している。高周波素子３６（３６Ａ，３６Ｂ）に対向する基板１１には開口３７（３７Ａ，３７Ｂ）が設けられている。誘電体層１５Ｂ上における基板１１に形成された開口３７Ｂに対向する位置には補充層４１が設けられている。更に、補充層４１を挟み込むようにシールド層４２（４２Ａ，４２Ｂ）が設けられている。
【００４６】
疑似八木アンテナ３６Ａおよびマイクロストリップライン３６Ｂとしては、例えばアルミニウムを用いることができるが、これに限らずその他の誘電体材料または磁性体材料を用いてもよい。
【００４７】
誘電体層１５上の補充層４１は例えば厚さ０．２ｍｍの銅薄膜により形成されたものであり、マイクロストリップライン４０Ｂに対向して設けられた開口３７Ｂの上にある。
【００４８】
シールド層４２としては、例えば厚さ０．３ｍｍのフェライト板を用いることができるがその他のシールド効果を有する材料を用いてもよい。このシールド層４２を誘電体層１５上に設けることにより、マイクロストリップライン３６Ｂによる電磁放射を減衰させることができる。
【００４９】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では補充層として誘電体材料または磁性体材料からなる単層膜を用いたが、誘電体材料および磁性体材料をからなる層を少なくとも２層以上積層した多層膜を用いてもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１，２，３…高周波デバイス、１１…基板、１１Ａ…貫通孔、１２…シード層、１３…貫通電極、１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ…電極パッド、１５（１５Ａ，１５Ｂ）…誘電体層、１６，２６，３６…高周波素子、１６Ａ…スロットアンテナ、１６Ｂ，３６Ｂ…マイクロストリップライン、２６Ａ…逆Ｆ型アンテナ、２６Ｂ…バンドパスフィルタ、３６Ａ…擬似八木アンテナ１７（１７Ａ，１７Ｂ）…開口、１８，１９…ビア、１８Ａ，１９Ａ…貫通孔、１８Ｂ，１９Ｂ…電極パッド、２０…ＲＦＩＣ、２１（２１Ａ，２１Ｂ），３１（３１Ａ，３１Ｂ），４１…補充層、２２，３２，４２（４２Ａ，４２Ｂ）…シールド層、２３（２３Ａ，２３Ｂ）…バンプ、２４（２４Ａ，２４Ｂ）…パッド、２５…プリント基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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