(57)【要約】      （修正有）【課題】基材の加工や移動時において充分な接着性を有し、加工や移動終了後に支持体から基材を容易に剥離することができ、かつ基材に付着したとしても容易に除去される接着剤組成物を提供すること。【解決手段】（Ａ）樟脳化合物および樟脳類似架橋環式炭化水素構造体から選ばれる少なくとも１種の化合物と、（Ｂ）孤立電子対を有する基を２つ以上有する化合物と、（Ｃ）溶媒とを含有する接着剤組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記式（１）で表される化合物と、
（Ｂ）孤立電子対を有する基を２つ以上有する化合物と、
（Ｃ）溶媒と
を含有する接着剤組成物。
【化１】
2011052051.tif 000009
［式（１）中、ａおよびｂはそれぞれ独立に０または１を表し、ｃおよびｄはそれぞれ独立に０〜２の整数を表す。Ｒ1〜Ｒ20はそれぞれ独立に水素原子；ハロゲン原子；炭素数
１〜３０の炭化水素基；−Ｘ−Ｒ21で表される基（式中、Ｘは酸素原子、硫黄原子、窒素原子およびケイ素原子から選択される１種または２種以上の原子を有する連結基を表し、Ｒ21は炭素数１〜３０の炭化水素基を表す。）；または他の極性基を表す。但し、Ｒ1と
Ｒ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される少なくとも１組は一体化
して二価の炭化水素基を形成してもよく、Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される少なくとも１組は一体化してケトン基を形成してもよく、Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される少なくとも１組は相互に結合して炭素環または複素環を形成してもよい。Ｒ1とＲ3、およびＲ18とＲ19から選択される少なくとも１組は相互に直接結合して二重結合を形成してもよい。］
【請求項２】
前記孤立電子対を有する基が、下記式（２）〜（５）で表される基から選択される少なくとも１種である請求項１に記載の接着剤組成物。
【化２】
2011052051.tif 000010
［式（２）〜（５）中、「−＊」および「＝＊」は結合手を表す。
但し、窒素原子と水素原子との結合を除く。］
【請求項３】
前記（Ａ）成分が、前記式（１）におけるＲ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される少なくとも１組が一体化してケトン基を形成した化合物である請求項１または２に記載の接着剤組成物。
【請求項４】
前記（Ａ）成分が、前記式（１）におけるｃおよびｄが何れも０の化合物である請求項１〜３の何れか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項５】
前記（Ｂ）成分が、前記式（２）で表される基を少なくとも有する化合物である請求項２に記載の接着剤組成物。
【請求項６】
前記（Ｂ）成分が、前記式（２）で表される基を２つ有する化合物である請求項２に記載の接着剤組成物。
【請求項７】
前記（Ａ）成分の１気圧における沸点または昇華点が、３００℃以下である請求項１〜６の何れか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項８】
前記（Ｂ）成分の１気圧における沸点または昇華点が、３００℃以下である請求項１〜７の何れか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項９】
前記（Ｃ）成分の２３℃での粘度が、１００〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓである請求項１〜８の何れか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項１０】
（１）支持体上に接着剤を用いて基材を固定する工程、（２）該基材を加工または移動する工程、および（３）支持体から該基材を剥離する工程を順次行う基材の加工または移動方法であって、
前記接着剤として請求項１〜９の何れか一項に記載の接着剤組成物を用い、かつ前記工程（３）において前記接着剤を加熱処理により除去することによって前記支持体から前記基材を剥離する基材の加工または移動方法。
【請求項１１】
前記工程（３）において、加熱処理を４０〜４００℃で行う請求項１０に記載の基材の加工または移動方法。
【請求項１２】
前記工程（２）において、基材の薄膜化、エッチング加工、スパッタ膜の形成、メッキ処理およびダイシングから選択される少なくとも１種の方法により基材を加工する請求項１０または１１に記載の基材の加工方法。
【請求項１３】
請求項１〜９の何れか一項に記載の接着剤組成物を用いて得られる半導体素子。
【請求項１４】
請求項１０〜１２の何れか一項に記載の基材の加工方法によって得られる半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材を加工または移動する際に、基材を支持体に固定するために用いられる接着剤組成物、それを用いた基材の加工または移動方法および半導体素子に関する。更に詳しくは、前記加工または移動におけるプロセス温度においても充分な接着性を有し、前記加工または移動終了後に支持体から基材を容易に剥離することができ、かつ基材に付着したとしても容易に除去される接着剤組成物、それを用いた基材の加工または移動方法および該加工方法によって得られる半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハなどの基材を加工（例：ダイシング、裏面研削）や移動（例：ある装置から別の装置へ基材を移動）するに際して、支持体から基材がずれて動かないように、仮止め接着剤を用いて基材と支持体とを仮固定する必要がある。そして、加工または移動終了後は、基材を支持体から剥離する必要がある。従来、基材の仮固定に用いられる仮止め接着剤がいくつか提案されている（下記特許文献１〜５参照）。
【０００３】
特許文献１：アクリル酸とアクリル酸ヒドロキシアルキルとメタクリル酸アミノアルキルとアクリル酸アルキルアミドとの共重合体を主成分とし、無機または有機塩基により該共重合体の酸基が８０％以上中和されている温水洗浄性液状接着剤。
【０００４】
特許文献２：酸化エチレンの重合により得られるポリエチレングリコールの主鎖を親水基とし、その両端に酸化プロピレンを親油基として部分付加重合させたブロックポリマーを主成分とする温水洗浄性液状接着剤。
【０００５】
特許文献３：ウレタン（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸誘導体モノマー、および光重合開始剤を含有してなる接着剤組成物。
【０００６】
特許文献４：結晶性化合物を主成分として含むホットメルト型接着剤組成物。
【０００７】
特許文献５：アイオノマー樹脂を４０重量％以下の量で含む接着剤。
【０００８】
しかしながら、上記特許文献の仮止め接着剤では、基材を支持体から剥離した後に仮止め接着剤を基材からきれいに除去するため、溶媒を用いて基材を洗浄する必要がある。このため、工程管理の上で問題となることが多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平７−３３１２１２号公報
【特許文献２】特開平６−２４０２２４号公報
【特許文献３】特開２００６−２５７３１２号公報
【特許文献４】特開２００５−１７９６５４号公報
【特許文献５】特表２００７−５２５５７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、基材の加工や移動時において充分な接着性を有し、加工や移動終了後に支持体から基材を容易に剥離することができ、かつ基材に付着したとしても容易に除去される接着剤組成物を提供することを課題とする。特に、従来知られている仮止め接着剤は、基
材の加工や移動終了後に溶媒などで除去されていたが、溶媒による洗浄を不要とする接着剤組成物を提供することを課題とする。また、本発明は、前記接着剤組成物を用いた基材の加工または移動方法、および該基材の加工方法によって得られる半導体素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、特定の化合物（Ａ）と、孤立電子対を有する基を２つ以上有する化合物（Ｂ）と、溶媒（Ｃ）とを用いることにより、上記課題を解決しうる接着剤組成物を提供できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、本発明およびその好ましい態様は以下の［１］〜［１４］に関する。
【００１３】
［１］（Ａ）下記式（１）で表される化合物と、（Ｂ）孤立電子対を有する基を２つ以上有する化合物と、（Ｃ）溶媒とを含有する接着剤組成物。
【００１４】
【化１】
2011052051.tif 000002
【００１５】
［式（１）中、ａおよびｂはそれぞれ独立に０または１を表し、ｃおよびｄはそれぞれ独立に０〜２の整数を表す。Ｒ1〜Ｒ20はそれぞれ独立に水素原子；ハロゲン原子；炭素数
１〜３０の炭化水素基；−Ｘ−Ｒ21で表される基（式中、Ｘは酸素原子、硫黄原子、窒素原子およびケイ素原子から選択される１種または２種以上の原子を有する連結基を表し、Ｒ21は炭素数１〜３０の炭化水素基を表す。）；または他の極性基を表す。但し、Ｒ1と
Ｒ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される少なくとも１組は一体化
して二価の炭化水素基を形成してもよく、Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される少なくとも１組は一体化してケトン基を形成してもよく、Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される少なくとも１組は相互に結合して炭素環または複素環を形成してもよい。Ｒ1とＲ3、およびＲ18とＲ19から選択される少なくとも１組は相互に直接結合して二重結合を形成してもよい。］
［２］前記孤立電子対を有する基が、下記式（２）〜（５）で表される基から選択される少なくとも１種である前記［１］に記載の接着剤組成物。
【００１６】
【化２】
2011052051.tif 000003
【００１７】
［式（２）〜（５）中、「−＊」および「＝＊」は結合手を表す。
【００１８】
但し、窒素原子と水素原子との結合を除く。］
［３］前記（Ａ）成分が、前記式（１）におけるＲ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される少なくとも１組が一体化してケトン基を形成した化合物である前記［１］または［２］に記載の接着剤組成物。
【００１９】
［４］前記（Ａ）成分が、前記式（１）におけるｃおよびｄが何れも０の化合物である前記［１］〜［３］の何れか一項に記載の接着剤組成物。
【００２０】
［５］前記（Ｂ）成分が、前記式（２）で表される基を少なくとも有する化合物である前記［２］に記載の接着剤組成物。
【００２１】
［６］前記（Ｂ）成分が、前記式（２）で表される基を２つ有する化合物である前記［２］に記載の接着剤組成物。
【００２２】
［７］前記（Ａ）成分の１気圧における沸点または昇華点が、３００℃以下である前記［１］〜［６］の何れか一項に記載の接着剤組成物。
【００２３】
［８］前記（Ｂ）成分の１気圧における沸点または昇華点が、３００℃以下である前記［１］〜［７］の何れか一項に記載の接着剤組成物。
【００２４】
［９］前記（Ｃ）成分の２３℃での粘度が、１００〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓである前記［１］〜［８］の何れか一項に記載の接着剤組成物。
【００２５】
［１０］（１）支持体上に接着剤を用いて基材を固定する工程、（２）該基材を加工または移動する工程、および（３）支持体から該基材を剥離する工程を順次行う基材の加工または移動方法であって、前記接着剤として前記［１］〜［９］の何れか一項に記載の接着剤組成物を用い、かつ前記工程（３）において前記接着剤を加熱処理により除去することによって前記支持体から前記基材を剥離する基材の加工または移動方法。
【００２６】
［１１］前記工程（３）において、加熱処理を４０〜４００℃で行う前記［１０］に記載の基材の加工または移動方法。
【００２７】
［１２］前記工程（２）において、基材の薄膜化、エッチング加工、スパッタ膜の形成、メッキ処理およびダイシングから選択される少なくとも１種の方法により基材を加工する前記［１０］または［１１］に記載の基材の加工方法。
【００２８】
［１３］前記［１］〜［９］の何れか一項に記載の接着剤組成物を用いて得られる半導体素子。
【００２９】
［１４］前記［１０］〜［１２］の何れか一項に記載の基材の加工方法によって得られる半導体素子。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、基材の加工や移動時において充分な接着性を有し、加工や移動終了後に支持体から基材を容易に剥離することができ、かつ基材に付着したとしても容易に除去される接着剤組成物が提供される。特に、従来知られている仮止め接着剤は、基材の加工や移動終了後に溶媒などで除去されていたが、溶媒による洗浄を不要とする接着剤組成物が提供される。また、本発明によれば、前記接着剤組成物を用いた基材の加工または移動方法、および該基材の加工方法によって得られる半導体素子が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の接着剤組成物、該接着剤組成物を用いた基材の加工または移動方法、および該基材の加工方法によって得られる半導体素子について、詳細に説明する。
【００３２】
〔接着剤組成物〕
本発明の接着剤組成物は、（Ａ）後述する式（１）で表される化合物と、（Ｂ）孤立電子対を有する基を２つ以上有する化合物と、（Ｃ）溶媒とを含有する。以下では、前記各成分をそれぞれ化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）、溶媒（Ｃ）ともいう。
【００３３】
本発明の接着剤組成物が基材（加工対象物）の加工や移動時において充分な接着性を有する理由は、化合物（Ｂ）が“孤立電子対を有する基、つまり求核性が高い基”を２つ以上有するため、『化合物（Ａ）−化合物（Ｂ）−化合物（Ａ）・・・−化合物（Ａ）』のように化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）とが相互作用して、接着剤として機能することにあるのではないかと推定される。特に、化合物（Ａ）がケトン基などの電子吸引性基を有する場合、該電子吸引性基と化合物（Ｂ）中の孤立電子対を有する基（求核性の高い基）とがより強く相互作用するため、接着性がさらに向上する。
【００３４】
また、本発明の接着剤組成物は、熱により気化あるいは昇華して気体となる方が好ましい。このような接着剤組成物の場合、加工または移動終了後に低温の加熱処理で、支持体から基材を容易に剥離することができるとともに、基材に付着した接着剤組成物も容易に除去できる利点がある。このような特性を有する接着剤組成物を得るには、熱により気化あるいは昇華しうる、低分子量の化合物（Ａ）や化合物（Ｂ）を用いればよい。
【００３５】
《化合物（Ａ）》
化合物（Ａ）は、下記式（１）で表される化合物である。
【００３６】
【化３】
2011052051.tif 000004
【００３７】
［式（１）中、ａおよびｂはそれぞれ独立に０または１を表し、ｃおよびｄはそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、ｃおよびｄは何れも０であることが好ましい。Ｒ1〜Ｒ20はそ
れぞれ独立に水素原子；ハロゲン原子；炭素数１〜３０の炭化水素基；−Ｘ−Ｒ21で表される基（式中、Ｘは酸素原子、硫黄原子、窒素原子およびケイ素原子から選択される１種または２種以上の原子を有する連結基を表し、Ｒ21は炭素数１〜３０の炭化水素基を表す。）；または他の極性基を表す。但し、Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される少なくとも１組は一体化して二価の炭化水素基を形成してもよく、Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される少なくとも１組は一体化してケトン基を形成してもよく、Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される少なくとも１組は相互に結合して炭素環または複素環を形成してもよい。Ｒ1とＲ3、およびＲ18とＲ19から選択される少なくとも１組は相互に直接結合して二重結合を形成してもよい。］
以下、式（１）の詳細を説明する。
【００３８】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００３９】
炭素数１〜３０の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル基；ビニル基、アリル基などのアルケニル基；フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基などの芳香族基などが挙げられる。前記炭化水素基の炭素数は１〜３０、好ましくは１〜２０である。
【００４０】
上記連結基としては、エーテル結合（−Ｏ−）、カルボニル基（−ＣＯ−）、カルボニルオキシ基（−ＣＯＯ−）、チオエーテル結合（−Ｓ−）、スルホニル基（−ＳＯ2−）
、スルホニルエステル基（−ＳＯ2−Ｏ−）、イミノ基（−ＮＨ−）、アミド結合(−ＮＨＣＯ−)、シロキサン結合（−Ｓｉ（Ｒ22）2Ｏ−；式中、Ｒ22はアルキル基を示す。）；これらの２種以上を有する基；これらの基が炭素数１〜１０の２価の炭化水素基（例：メチレン基、炭素数２〜１０のアルキレン基）と結合した基などが挙げられる。
【００４１】
上記−Ｘ−Ｒ21で表される基としては、具体的には、
・アルコキシ基：メトキシ基、エトキシ基
・アシル基：アセチル基、プロピオニル基
・アルコキシカルボニル基：メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基
・アリーロキシカルボニル基：フェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基、フルオレニルオキシカルボニル基、ビフェニリルオキシカルボニル基
・アシルオキシ基：アセトキシ基、プロピオニルオキシ基などのアルキルカルボニルオキシ基、およびベンゾイルオキシ基などのアリールカルボニルオキシ基
などが挙げられる。
【００４２】
他の極性基としては、ヒドロキシ基、シアノ基、アミド基、イミド基、カルボキシル基、アミノ基（例：第１級アミノ基）、トリオルガノシロキシ基（例：トリメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基）、トリオルガノシリル基（例：トリメチルシリル基、トリエチルシリル基）、アルコキシシリル基（例：トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基）など挙げられる。
【００４３】
Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される少なくとも１組は一体化して二価の炭化水素基を形成してもよい。二価の炭化水素基としては、炭素数１〜２０のアルキリデン基が挙げられる。「一体化して二価の炭化水素基を形成する」とは、例えばＲ1とＲ2の組の場合、下記構造を形成することをいう（主要部のみ示す）。
【００４４】
【化４】
2011052051.tif 000005
【００４５】
式中、Ｒ’は二価の炭化水素基を示し、Ｒ3〜Ｒ8は式（１）中のＲ3〜Ｒ8と同義である。
【００４６】
Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される少なくとも１組は一体化してケトン基を形成することが好ましく、Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される１組が一体化してケトン基を形成することがより好ましい。「一体化してケトン基を形成する」とは、例えばＲ1とＲ2の組の場合、上記構造（ここではＲ’がＯである。）を形成することをいう。このような場合、ケトン基を形成した組以外のＲ1〜Ｒ20は、例えば、それぞれ独立に水素原子または上記炭素数１〜３０の炭化水
素基を表す。
【００４７】
Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ17とＲ18、およびＲ19とＲ20から選択される少なくとも１組は相互に結合して炭素環または複素環（これらの炭素環または複素環は単環構造でもよいし、多環構造でもよい。）を形成してもよい。前記炭素環または複素環は芳香環でもよいし非芳香環でもよい。
【００４８】
Ｒ1とＲ3、およびＲ18とＲ19から選択される少なくとも１組は相互に直接結合して二重結合を形成してもよい。「相互に直接結合して二重結合を形成する」とは、例えばＲ1と
Ｒ3の組の場合、下記構造を形成することをいう（主要部のみ示す）。
【００４９】
【化５】
2011052051.tif 000006
【００５０】
式中、Ｒ2およびＲ4〜Ｒ8は式（１）中のＲ2およびＲ4〜Ｒ8と同義である。
【００５１】
化合物（Ａ）の具体例としては、下記化合物が挙げられる。
・ビシクロ［２．２．１］ヘプタン（ノルボルネン）
・２−メチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−エチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−プロピル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−ブチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−tert−ブチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−イソブチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−ペンチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−ヘキシル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−ヘプチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−オクチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−ノニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−デシル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−ドデシル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２，２−ジメチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２，３−ジメチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−シクロヘキシル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−（４−ビフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−メトキシカルボニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−フェノキシカルボニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−フェノキシエチルカルボニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−フェニルカルボニルオキシ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
【００５２】
・２−メチル−２−メトキシカルボニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−メチル−２−フェノキシカルボニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−メチル−２−フェノキシエチルカルボニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−ビニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−エチリデン−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−トリメトキシシリル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−トリエトキシシリル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−フルオロ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−クロロ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−ブロモ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２，３−ジフルオロ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２，３−ジクロロ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２，３−ジブロモ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−ヒドロキシ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−ヒドロキシエチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−シアノ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・２−アミノ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
・１，７，７−トリメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−オン
・トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・トリシクロ［４．４．０．１2,5］ウンデカン
・７−メチル−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７−エチル−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７−シクロヘキシル−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７−フェニル−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
【００５３】
・７−（４−ビフェニル）−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７，８−ジメチル−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７，８，９−トリメチル−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・８−メチル−トリシクロ［４．４．０．１2,5］ウンデカン
・８−フェニル−トリシクロ［４．４．０．１2,5］ウンデカン
・７−フルオロ−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７−クロロ−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７−ブロモ−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７，８−ジクロロ−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７，８，９−トリクロロ−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７−クロロメチル−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７−ジクロロメチル−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７−トリクロロメチル−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７−ヒドロキシ−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７−シアノ−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・７−アミノ−トリシクロ［４．３．０．１2,5］デカン
・テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・ペンタシクロ［７．４．０．１3,6．１10,13．０2,7］ペンタデカン
・ヘキサシクロ［８．４．０．１2,9．１4,7．１11,14．０1,10］ヘプタデカン
・８−メチル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８−エチル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８−シクロヘキシル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８−フェニル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８−（４−ビフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８−メトキシカルボニル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８−フェノキシカルボニル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８−フェノキシエチルカルボニル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデ
カン
【００５４】
・８−フェニルカルボニルオキシ−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ
ン
・８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］
ドデカン
・８−メチル−８−フェノキシカルボニル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10
］ドデカン
・８−メチル−８−フェノキシエチルカルボニル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．
１7,10］ドデカン
・８−ビニル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８−エチリデン−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８，８−ジメチル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８，９−ジメチル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８−フルオロ−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８−クロロ−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８−ブロモ−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８，８−ジクロロ−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８，９−ジクロロ−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８，８，９，９−テトラクロロ−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ
ン
・８−ヒドロキシ−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８−ヒドロキシエチル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８−メチル−８−ヒドロキシエチル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ド
デカン
・８−シアノ−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
・８−アミノ−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン
これらの中でも、接着性により優れた接着剤組成物が得られる点で、電子吸引性基を有する化合物が好ましく、ケトン基を有する化合物がより好ましい。
【００５５】
化合物（Ａ）の１気圧における沸点または昇華点は、３００℃以下であることが好ましく、１００〜３００℃であることがより好ましい。沸点または昇華点が前記範囲にある化合物（Ａ）を用いると、接着剤組成物を除去する際に、化合物（Ａ）が基材などにダメージを与えず容易に気化あるいは昇華するため、除去性により優れた接着剤組成物が得られる。
【００５６】
化合物（Ａ）は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５７】
本発明の接着剤組成物において、化合物（Ａ）は、通常は５〜４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％の範囲で含まれる。化合物（Ａ）の含有量が前記範囲にあると、接着性の点で優れる。
【００５８】
《化合物（Ｂ）》
化合物（Ｂ）は、孤立電子対を有する基を２つ以上有する化合物である（但し、上記式（１）で表される化合物を除く）。「孤立電子対を有する基」とは、求核性の高い基のことであり、求電子剤と相互作用する基のことである。
【００５９】
上記求核性の高い基を有する化合物としては、各種カルバニオン、アミンおよびその共役塩基（例：アミド）、アミジンおよびその誘導体、アルコールおよびその共役塩基（例：アルコキシド）、ならびにハロゲン化物イオンなどが挙げられる。
【００６０】
化合物（Ｂ）は、孤立電子対を有する基を２つ以上有する化合物であるが、化合物（Ａ）と強く相互作用してより接着性に優れた接着剤組成物が得られることから、孤立電子対を有する基を２〜３つ有する化合物であることが好ましい。
【００６１】
上記孤立電子対を有する基は、化合物（Ａ）と強く相互作用してより接着性に優れた接着剤組成物が得られることから、下記式（２）〜（５）で表される基から選択される少なくとも１種であることが特に好ましい。すなわち化合物（Ｂ）としては、下記式（２）〜（５）で表される基から選択される１種または２種以上の基を２つ以上有する化合物が特に好ましい。「２つ以上有する」とは、例えば、化合物（Ｂ）が式（２）で表される基を２つ以上有していてもよいし、式（２）で表される基と式（３）で表される基とを１つずつ有していてもよいことを意味する。
【００６２】
【化６】
2011052051.tif 000007
【００６３】
式（２）〜（５）中、「−＊」および「＝＊」は結合手を表す。但し、窒素原子と水素原子との結合を除く。また、式（２）〜（５）で表される基から選択される１種または２種以上の基を２つ以上有する化合物のうち、上記式（１）で表される化合物を除く。
【００６４】
化合物（Ｂ）としては、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン（ＤＢＮ）、エチレンジアミンなどが挙げられる。
【００６５】
化合物（Ｂ）は、上記式（２）で表される基を少なくとも有する化合物であることが好ましく、上記式（２）で表される基を２つ有する化合物であることがより好ましい。上記式（２）で表される基を２つ有する化合物としては、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタンなどが挙げられる。
【００６６】
化合物（Ｂ）の１気圧における沸点または昇華点は、３００℃以下であることが好ましく、１００〜３００℃であることがより好ましい。また、化合物（Ｂ）の１気圧、２３℃での蒸気圧は、１ｈＰａ以下の低圧であることが好ましい。このような物性を有する化合物（Ｂ）を用いると、接着剤組成物を除去する際に化合物（Ｂ）が気化あるいは昇華するため、除去性により優れた接着剤組成物が得られる。
【００６７】
化合物（Ｂ）は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６８】
本発明の接着剤組成物において、化合物（Ｂ）は、化合物（Ａ）１００重量部に対して、通常は１００〜１０００重量部、好ましくは１５０〜５００重量部、より好ましくは２００〜３００重量部の範囲で含まれる。化合物（Ｂ）の含有量が前記範囲にあると、化合物（Ｂ）と化合物（Ａ）との相互作用が強まり、接着性の点でより優れた効果が発揮される。
【００６９】
《溶媒（Ｃ）》
溶媒（Ｃ）としては、従来公知の溶媒を用いることができる。
【００７０】
溶媒（Ｃ）の具体例としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ヘキサノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、グリセリン、フェノールなどのアルコール類；
ｎ−ペンタン、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、シクロヘプタン、ｎ−オクタン、シクロオクタン、ｎ−デカン、シクロデカン、ジシクロペンタジエン水素化物、ベンゼン、トルエン、キシレン、デュレン、インデン、デカリン、テ
トラリン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、スクワラン、エチルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、トリメチルベンゼンなどの炭化水素系溶媒；
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類；
エチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類；
酢酸エチル、酢酸ブチル、酪酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどのエステル類；
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎーメチルピロリドン、ヘキサメチルホスホミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、クロロホルム、塩化メチレンなどの極性溶媒が挙げられる。
【００７１】
これらの中では、アルコール類などのプロトン性溶媒、ケトン類、エーテル類が好ましく、グリセリン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフランがより好ましい。
【００７２】
溶媒（Ｃ）の２３℃での粘度は、通常は１００〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓである。粘度が前記範囲にある溶媒（Ｃ）を用いると、接着性により優れる接着剤組成物が得られる。
【００７３】
溶媒（Ｃ）は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００７４】
本発明の接着剤組成物において、溶媒（Ｃ）は、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との合計量１００重量部に対して、通常は１０〜３００重量部、好ましくは２０〜２００重量部、より好ましくは３０〜１００重量部の範囲で含まれる。
【００７５】
《添加剤》
本発明の接着剤組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、添加剤をさらに含有してもよい。前記添加剤としては、非イオン系界面活性剤などの表面張力調節剤；酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ケイ素などの金属酸化物；ポリスチレン架橋粒子などが挙げられる。
【００７６】
《接着剤組成物》
本発明の接着剤組成物は、従来公知の方法に従って調製することができる。
【００７７】
本発明の接着剤組成物は、基材の加工または移動時において充分な接着性を有する。具体的には、本発明の接着剤組成物の２３℃における剪断剥離強度は、通常は１ｇ／ｃｍ2
以上、好ましくは５〜１０，０００ｇ／ｃｍ2である。なお、剪断剥離強度は後述する実
施例に記載の条件のもと、測定される。
【００７８】
また、含有成分が熱により気化あるいは昇華するため、加工または移動終了後の加熱により容易に、支持体から基材を剥離することができるとともに基材に付着した接着剤組成物を除去することができる（すなわち、溶媒による洗浄が不要である）。
【００７９】
また、本発明の接着剤組成物は上記特性を有するとともに、基材の接着条件下における流動性、絶縁膜形成時やリフロー時における耐熱性、レジストの形成時や剥離時の使用溶剤に対する耐溶剤性、Ｃｕメッキ耐性、およびスパッタリング時における耐真空性を有する。また、本発明の接着剤組成物からなる接着剤層は、強度に優れる。
【００８０】
このような特性を有することから、本発明の接着剤組成物は、現代の経済活動の場面で要求される様々な加工処理など（例：半導体ウエハの極薄研削処理、各種材料表面の微細化加工処理、半導体ウエハや半導体素子の運搬）の際に、基材を仮止めする接着剤として好適である。
【００８１】
〔基材の加工または移動方法〕
本発明の基材の加工または移動方法は、（１）支持体上に接着剤を用いて基材を固定する工程、（２）該基材を加工または移動する工程、および（３）支持体から該基材を剥離する工程を順次行う基材の加工または移動方法であって、前記接着剤として上述の接着剤組成物を用い、かつ前記工程（３）において前記接着剤を加熱処理により除去することによって前記支持体から前記基材を剥離することを特徴とする。以下、前記各工程をそれぞれ、工程（１）、工程（２）、工程（３）ともいう。
【００８２】
《工程（１）》
工程（１）では、支持体または必要に応じて表面処理した基材の表面に接着剤組成物を塗布し、基材と支持体とを貼り合せることにより、基材を支持体に固定することができる。加工（移動）対象物である前記基材としては、半導体ウエハ、ガラス基板、樹脂基板、金属基板、金属箔、研磨パッドなどが挙げられる。半導体ウエハには、通常は配線や絶縁膜などが形成されている。
【００８３】
本発明の接着剤組成物を基材に塗布するに際して、接着剤組成物の面内への広がりを均一にするため、基材表面を予め疎水化処理しておくことが好ましい。
【００８４】
疎水化処理の方法としては、基材表面に予め表面処理剤を塗布する方法などが挙げられる。前記表面処理剤としては、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザンなどのカップリング剤が挙げられる。
【００８５】
上述の接着剤組成物の塗布方法としては、（イ）接着剤組成物を基材へ直接塗布する方法、（ロ）接着剤組成物を、離型処理が施されたＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）フィルム上に一定膜厚で塗布して成膜した後、基材へラミネート方式により転写する方法などが挙げられる。
【００８６】
上述の接着剤組成物の塗布量は、基材の接着面のサイズ、加工処理などで要求される密着性の程度に応じて任意に選択することができるが、接着剤層の厚みが通常は０．０１μｍ〜２ｍｍ、好ましくは０．０５μｍ〜１ｍｍ、より好ましくは０．１μｍ〜０．５ｍｍとなる量で塗布すればよい。接着剤層の厚みが前記範囲外にあると、接着力が充分ではないことがあり、接着面からの基材の剥がれが生じる場合がある。なお、接着剤層の厚みは、接着剤の塗布量および張り合わせるときの圧力で調整することができる。
【００８７】
基材と支持体とを貼り合せる方法としては、基材および支持体の何れか一方または双方に上述の接着剤組成物を塗布して、両者を貼り合せる方法などが挙げられる。この際の温度は、通常は２３〜２００℃である。このようにして、基材と支持体とが強固に接着される。
【００８８】
《工程（２）》
工程（２）は、上記のように支持体に固定された基材を加工または移動する工程である。移動工程は、基材（例：半導体素子）をある装置から別の装置へ支持体とともに移動する工程である。また、上記のようにして支持体に固定された基材の加工処理としては、基材の薄膜化（裏面研削など）、エッチング加工、スパッタ膜の形成、メッキ処理およびダイシングから選択される少なくとも１種の方法を用いることができる。
【００８９】
基材の加工処理は、接着剤組成物が気化あるいは昇華せずに、接着性が失われない温度で行えば特に限定されず、通常は、組成物の含有成分の沸点または昇華点温度未満で行えばよい。但し、工程（２）の加熱条件を工程（３）の加熱条件と同様にしてもよく、つまり工程（２）終了と同時に工程（３）を完了してもよい。
【００９０】
以下では、基材の加工処理として、半導体ウエハの３次元実装の際に行われる加工処理を一例として説明する。３次元実装では、半導体ウエハの表面に対して垂直方向に延びる貫通電極を形成し、その貫通電極の端部や配線上に、パッド電極やバンプなどの接続用電極を形成する。このようにして形成された接続用電極同士を接続することで、積層した半導体ウエハ相互間を接続する。
【００９１】
（ｉ）工程（１）で接着剤組成物を介して支持体上に固定された半導体ウエハからなる基材を研削する。
【００９２】
（ii）基材上にレジストを塗布し、露光処理および現像処理を行い、所定の形状にパターニングされたレジスト層を形成する。例えば、円形状のレジストパターンを基材上に複数形成すればよい。
【００９３】
（iii）レジスト層をマスクとして、基材の所定形状にパターニングされた部分をエッ
チングし、開口部（ホール）を形成する。その後、レジスト層を剥離液あるいはアッシング（例：Ｏ2アッシング）などにより剥離する。エッチングにはドライエッチングやウェ
ットエッチングを使用することができるが、ドライエッチングを使用することが好ましい。ドライエッチングとしては反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などが挙げられる。
【００９４】
（iv）基材の開口部を形成した面上に、ＳｉＯ2などからなる絶縁層を形成する。
【００９５】
（ｖ）絶縁層への導体の拡散を防ぐ目的で、ＴｉＷおよびＴｉＮなどからなるバリア層をスパッタにより形成する。次に、銅などからなるシード層をスパッタにより形成する。
【００９６】
（vi）基材の開口部を形成した面上にレジストを塗布し、露光処理および現像処理を行
い、基材の開口部に対応した形状にパターニングされたレジスト層を形成する。次に、メッキ処理（Ｓｎ／Ｃｕメッキなど）を施して、基材の開口部に導体を充填し、貫通電極を形成する。その後、レジスト層を除去し、バリア層およびシード層をドライエッチングにより除去する。
【００９７】
（vii）このようにして加工処理がなされた基材の貫通電極上にパッド電極やバンプな
どの接続用電極を形成する。次に、形成された接続用電極同士を接続することで、積層した半導体ウエハ相互間を接続することができる。
【００９８】
《工程３》
基材の加工処理または移動後は、上記接着剤を加熱処理により除去することによって支持体から基材を剥離する。加熱処理は、接着剤組成物の各成分中でもっとも高い沸点または昇華点の温度程度で行えばよく、例えば、４０〜４００℃で行えばよい。なお、工程（３）は工程（２）における加熱条件で行ってもよく、つまり工程（２）終了と同時に工程（３）を完了してもよい。
【００９９】
〔半導体素子〕
本発明の半導体素子は、上述の接着剤組成物を用いて得られ、具体的には上述の基材の加工方法によって得られる。上述の接着剤組成物は半導体素子の剥離時に容易に除去されるため、前記半導体素子は接着剤組成物による汚染（例：シミ、焦げ）が極めて低減されたものとなっている。
【実施例】
【０１００】
以下、実施例をもとに本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されない。なお、以下の実施例において、特に断らない限り、「部」および「％」はそれぞれ「重量部」および「重量％」の意味で用いる。
【０１０１】
［実施例１］接着剤組成物の調製
（Ａ１）１，７，７−トリメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−オン（樟脳）４部と（Ｂ１）１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン９部とを（Ｃ１）グリセリン７部に溶解させ、接着剤組成物を得た。
【０１０２】
【化７】
2011052051.tif 000008
【０１０３】
（Ａ１）の１気圧における沸点：２０８℃
（Ｂ１）の１気圧における沸点：１７４℃
（Ｃ１）の２３℃での粘度：１，５００ｍＰａ・ｓ（回転粘度計によって測定した。）
〔接着性の評価（１）〕
実施例１で調製した接着剤組成物を、１０ｍｍ×１０ｍｍに切断したシリコンウエハ上に室温・常圧下で塗布し、厚み２０μｍの接着剤層を形成した。前記接着剤層上に２０ｍｍ×２０ｍｍに切断したシリコンウエハを重ね、加重を５００ｇかけて接着基板を得た。
【０１０４】
得られた接着基板の剪断剥離強度を、万能ボンドテスター（デイジ社製）を用いて測定した。２３℃における剪断剥離強度は１５ｇ／ｃｍ2であり、前記接着基板を９０°およ
び１８０°に傾けても二枚のシリコンウエハにズレが生ずることはなかった。このため、実施例１で調製した接着剤組成物は、仮止め剤として充分な接着性を有することが確認できた。
【０１０５】
〔剥離性の評価（２）〕
上記接着基板をホットプレート上に置き、窒素雰囲気下、ハンダ溶融温度に相当する２６０℃で加熱を行った。その結果、二枚のシリコンウエハを容易に分離することができた。また、分離後のシリコンウエハの表面における接着剤層の有無について目視にて評価したところ、シミや焦げなどはなかった。このため、シリコンウエハを汚染することなく、仮止め剤である上記接着剤組成物を加熱により容易に除去できることも確認できた。