(57)【要約】【課題】感温素子にかかる温度特性の傾きをほぼ一致させる調整を行うことにより、温度検出器相互間のばらつきを低減できるようにする。【解決手段】感温ダイオードＤ（感温素子）を備え、温度に応じた電圧を出力する温度検出器１０おいて、感温ダイオードＤごとに異なる温度特性の傾きが所定の傾きとなるように、温度の変化に従って感温ダイオードＤに流す電流Ｉｆを調整する抵抗器Ｒ２（調整部）を備える。この構成によれば、感温ダイオードＤの温度特性の傾きが異なっても、抵抗器Ｒ２が感温ダイオードＤに流す電流Ｉｆを調整することで所定の傾きとなるように調整する。そのため、感温ダイオードＤにかかる温度特性の傾きが所定の傾きでほぼ一致するようになるので、温度検出器１０相互間のばらつきを低減することができる。【選択図】図１
2011052980.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感温素子を備え、温度に応じた電圧を出力する温度検出器において、
前記感温素子ごとに異なる温度特性の傾きが所定の傾きとなるように、温度の変化に従って前記感温素子に流す電流を調整する調整部を有することを特徴とする温度検出器。
【請求項２】
前記調整部は、所定の傾きとなる前記温度特性をオフセットさせて一致するように、温度の変化に従って前記感温素子に流す電流を調整することを特徴とする請求項１に記載の温度検出器。
【請求項３】
前記調整部は、抵抗器および電流源のうちで一方または双方を、前記感温素子と並列に接続することを特徴とする請求項１または２に記載の温度検出器。
【請求項４】
前記調整部は、抵抗器および電流源のうちで一方または双方を、前記感温素子と電力源との間に介在させることを特徴とする請求項１または２に記載の温度検出器。
【請求項５】
前記調整部は、
前記感温素子と電力源との間に介在され、第１抵抗器および第１電流源のうちで一方または双方と、
前記感温素子と並列に接続され、第２抵抗器および第２電流源のうちで一方または双方と、
を有することを特徴とする請求項１または２に記載の温度検出器。
【請求項６】
前記調整部として備える抵抗器は、素子の一部を加工して抵抗値を調整することを特徴とする請求項３から５のいずれか一項に記載の温度検出器。
【請求項７】
複数の温度値について温度値ごとに感温素子の温度を調整する温度調整部と、
前記温度調整部によって調整された温度ごとに、前記感温素子に加わる電圧が前記温度ごとに関係づけられた電圧値となるように、請求項６に記載の抵抗器にかかる素子の一部を加工して抵抗値を調整する抵抗値調整部と、
を有することを特徴とする温度検出器用抵抗器の調整装置。
【請求項８】
複数の温度値について温度値ごとに感温素子の温度を調整する第１工程と、
前記第１工程によって調整された温度ごとに、前記感温素子に加わる電圧が前記温度ごとに関係づけられた電圧値となるように、請求項６に記載の抵抗器にかかる素子の一部を加工して抵抗値を調整する第２工程と、
を有することを特徴とする温度検出器用抵抗器の調整方法。
【請求項９】
半導体素子が形成されるとともに、前記半導体素子の作動に伴って生じる熱の温度に応じた電圧を出力する請求項１から６のいずれか一項に記載の温度検出器が備えられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記調整部として備える薄膜抵抗器は、金属元素と第１４族元素との化合物を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感温素子を備えて温度に応じた電圧を出力する温度検出器、その温度検出器に備える抵抗器の調整装置および調整方法、温度検出器を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来では、感温ダイオードの順方向電圧のばらつきを低減させることを目的とした技術の一例が開示されている（例えば特許文献１を参照）。この技術では、温度検出素子に一端側が直列に接続される複数の抵抗器を備えておき、いずれか一の抵抗器の他端側を選択して接続することによって温度検出素子の両端に加わる電圧値（すなわち温度に応じた電圧）を調整している。
【０００３】
上述した調整を行えば、感温ダイオードの順方向電圧のばらつきはオフセット分について調整される。例えば、３つの感温ダイオードについて実線，一点鎖線および二点鎖線で各々示す特性線を図２１（Ａ）に示す。このようなばらつきがあった半導体装置相互間の温度特性は、図２１（Ｂ）に示すようにオフセットされる。したがって、特定温度Ｔｘにおける感温ダイオードの順方向電圧について素子間のばらつきを無くすことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３４４７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）に示すように、一般的には感温ダイオードの温度特性は傾斜が異なる。そのため、特定温度Ｔｘ以外の温度では感温ダイオードの順方向電圧にばらつきが生じ、しかも特定温度Ｔｘから離れるにつれて誤差が大きくなる。
【０００６】
本発明はこのような点に鑑みてなしたものであり、感温素子にかかる温度特性の傾きをほぼ一致させる調整を行うことにより、温度検出器相互間のばらつきを低減できる温度検出器、温度検出器用抵抗器の調整装置、温度検出器用抵抗器の調整方法および半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するためになされた請求項１に記載の発明は、感温素子を備え、温度に応じた電圧を出力する温度検出器において、前記感温素子ごとに異なる温度特性の傾きが所定の傾きとなるように、温度の変化に従って前記感温素子に流す電流を調整する調整部を有することを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、感温素子の温度特性の傾き（すなわち変化率を意味する。）が異なっても、調整部が感温素子に流す電流を調整することで所定の傾きとなるように調整する。そのため、感温素子にかかる温度特性の傾きが所定の傾きでほぼ一致するようになるので、温度検出器相互間のばらつきを低減することができる。
【０００９】
なお、「調整部」は感温素子に流す電流を調整できれば、任意の素子や回路等を用いてよい。例えば、抵抗器（薄膜抵抗器を含み、固定抵抗器および可変抵抗器のいずれを問わない。）や電流源等が該当する。また、「感温素子」は素子自体の温度が変化すると、素子の両端間に生じる（他に「加わる」と表現できる。以下同様である。）電圧や素子を流れる電流が変化するものであれば任意の素子を用いてよい。素子の例としては、感温ダイオード（具体的にはGaAlAsダイオードやシリコンダイオード等），ロジウム鉄抵抗器，ゲルマニウム抵抗器，白金抵抗器，酸化ルテニウム抵抗器等が該当する。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の温度検出器において、前記調整部は、所定の傾きとなる前記温度特性をオフセットさせて一致するように、温度の変化に従って前記感温素子に流す電流を調整することを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、感温素子にかかる温度特性の傾きが所定の傾きでほぼ一致するようになるだけでなく、温度特性そのものがほぼ一致するようになる。したがって、同一の温度における温度検出器相互間のばらつきを最小限に抑えることができるので、温度検出精度が向上する。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の温度検出器において、前記調整部は、抵抗器および電流源のうちで一方または双方を、前記感温素子と並列に接続することを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、感温素子と並列に接続することにより、感温素子に流れる電流が少なくなるように調整する。簡単な素子や回路を用いて容易に実現できるので、コストを安く抑えることができる。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項１または２に記載の温度検出器において、前記調整部は、抵抗器および電流源のうちで一方または双方を、前記感温素子と電力源との間に介在させることを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、感温素子と電力源との間に介在させることにより、感温素子に流れる電流が多くなるように調整する。簡単な素子や回路を用いて容易に実現できるので、コストを安く抑えることができる。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、請求項１または２に記載の温度検出器において、前記調整部は、前記感温素子と電力源との間に介在され第１抵抗器および第１電流源のうちで一方または双方と、前記感温素子と並列に接続され第２抵抗器および第２電流源のうちで一方または双方と、を有することを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、感温素子に流れる電流が多くなったり、少なくなったりするように自在に調整することができる。簡単な素子や回路を用いて容易に実現できるので、コストを安く抑えることができる。
【００１８】
請求項６に記載の発明は、請求項３から５のいずれか一項に記載の温度検出器において、前記調整部として備える抵抗器は、素子の一部を加工して抵抗値を調整することを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、温度特性の傾きや温度特性そのものをほぼ一致させるにあたって、素子の一部を加工することで必要な抵抗値の抵抗器になる。温度特性が異なる感温素子に合わせた抵抗器を容易に調達することができる。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、温度検出器用抵抗器の調整装置において、複数の温度値について温度値ごとに感温素子の温度を調整する温度調整部と、前記温度調整部によって調整された温度ごとに、前記感温素子に加わる電圧が前記温度ごとに関係づけられた電圧値となるように、請求項６に記載の抵抗器にかかる素子の一部を加工して抵抗値を調整する抵抗値調整部と、を有することを特徴とする。
【００２１】
この構成によれば、感温素子を実際に所定の温度にして、当該温度に関係づけられた電圧値を示す抵抗値となるように抵抗器を加工する。これを複数の温度値で行うことにより、感温素子の温度特性に合わせた抵抗器を容易に調達することができる。
【００２２】
請求項８に記載の発明は、温度検出器用抵抗器の調整方法において、複数の温度値について温度値ごとに感温素子の温度を調整する第１工程と、前記第１工程によって調整された温度ごとに、前記感温素子に加わる電圧が前記温度ごとに関係づけられた電圧値となるように、請求項６に記載の抵抗器にかかる素子の一部を加工して抵抗値を調整する第２工程と、を有することを特徴とする。
【００２３】
この構成によれば、感温素子を実際に所定の温度にして、当該温度に関係づけられた電圧値を示す抵抗値となるように抵抗器を加工する。これを複数の温度値で行うことにより、感温素子の温度特性に合わせた抵抗器を容易に調達することができる。
【００２４】
請求項９に記載の発明は、半導体装置において、半導体素子が形成されるとともに、前記半導体素子の作動に伴って生じる熱の温度に応じた電圧を出力する請求項１から６のいずれか一項に記載の温度検出器が備えられたことを特徴とする。
【００２５】
この構成によれば、半導体装置に備えられた温度検出器によって検出される温度のばらつきを低減することができる。
【００２６】
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の半導体装置において、前記調整部として備える薄膜抵抗器は、金属元素と第１４族元素との化合物を含むことを特徴とする。
【００２７】
この構成によれば、金属元素と第１４族元素との化合物を含む薄膜抵抗器は温度係数が小さい（低い）ため、薄膜抵抗器の温度が変化しても抵抗値はほとんど変化しない。この薄膜抵抗器を備えた温度検出器によって検出される温度は、半導体装置相互間でばらつきが少なくなるので、半導体装置を安定して作動させることができる。
【００２８】
なお、「金属元素」には遷移金属元素が含まれ、例えばＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等が該当する。また、「第１４族元素」には、例えばＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ等が該当する。よって、「金属元素と第１４族元素との化合物」には、金属珪化物（例えばＣｒＳｉ，ＣｏＳｉ等）や、クロム系合金（例えばＮｉＣｒ，ＣｏＣｒ等）、タングステン系合金（例えばＴｉＷ，ＭｏＷ等）、タンタル系合金（例えばＴａＮ，ＳｉＴａ等）などが該当する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】実施の形態１にかかる温度検出器の構成例を示す回路図である。
【図２】図１の回路図について温度に対する電流と電圧の変化を示す図である。
【図３】温度特性の傾きにかかる調整例を説明する図である。
【図４】実施の形態２にかかる温度検出器の構成例を示す回路図である。
【図５】図３の回路図について温度に対する電流と電圧の変化を示す図である。
【図６】温度特性の傾きにかかる調整例を説明する図である。
【図７】実施の形態３にかかる温度検出器の構成例を示す回路図である。
【図８】図５の回路図について温度に対する電流と電圧の変化を示す図である。
【図９】実施の形態４にかかる温度検出器の構成例を示す回路図である。
【図１０】図７の回路図について温度に対する電流と電圧の変化を示す図である。
【図１１】実施の形態５にかかる温度検出器の構成例を示す回路図である。
【図１２】実施の形態６にかかる温度検出器の構成例を示す回路図である。
【図１３】実施の形態７にかかる温度検出器の構成例を示す回路図である。
【図１４】実施の形態８にかかる温度検出器の構成例を示す回路図である。
【図１５】実施の形態９にかかる調整装置の構成例を示す模式図である。
【図１６】レーザトリミング抵抗器の構成例を示す縦断面図である。
【図１７】レーザトリミング抵抗器の抵抗値を変更する例を示す平面図である。
【図１８】調整装置による抵抗値の調整例を説明する図である。
【図１９】実施の形態１０にかかる半導体装置の構成例を示す回路図である。
【図２０】実施の形態１１にかかる半導体装置の構成例を示す回路図である。
【図２１】従来技術における温度に対する電流と電圧の変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明を実施するための形態について、図面に基づいて説明する。なお、以下に記載する「接続」は、電気的な接続を意味する。また、各実施の形態で用いる要素は、共通する要素について同一の符号を付す。
【００３１】
〔実施の形態１〕
実施の形態１は、調整部を抵抗器で構成した例であって、図１〜図３を参照しながら説明する。図１には温度検出器の構成例を回路図で示す。図２には温度に対する電流と電圧の変化をグラフで示す。図３には温度特性の傾きにかかる調整例をグラフで示す。
【００３２】
図１に示す温度検出器１０は、電流源Ｅｏ，抵抗器Ｒ２および感温ダイオードＤなどを有する。電流源Ｅｏは一定の電流Ｉを安定的に供給する。感温ダイオードＤは「感温素子」に相当し、素子自体の温度に応じて素子を流れる電流および素子の両端に生じる電圧が変化する。この感温ダイオードＤには、例えばGaAlAsダイオードやシリコンダイオード等を用いる。抵抗器Ｒ２は「調整部」に相当し、例えばレーザトリミング抵抗器（他に「レーザトリマブル抵抗器」とも呼ぶ。）等のような可変抵抗器を用いる。抵抗器Ｒ２に適切な抵抗値の調整については、後述する実施の形態９で説明する。
【００３３】
接続について簡単に説明する。電流源Ｅｏは感温ダイオードＤのアノード端子に接続し、当該感温ダイオードＤのカソード端子は接地する。抵抗器Ｒ２は、感温ダイオードＤに並列接続する。この接続によれば、電流源Ｅｏから供給される電流Ｉと、感温ダイオードＤを流れる電流Ｉｆと、抵抗器Ｒ２を流れる電流Ｉｒ２との間には、下記の式１で示す関係が成り立つ。また、感温ダイオードＤの温度Ｔが変化するとき、上述した電流Ｉｆと、感温ダイオードＤの両端間に生じる電圧Ｖｆとは下記の式２に従って変化する。ただし、式２中のＡ，Ｂ，Ｃは感温ダイオードＤに関する係数を示す。なお、電圧Ｖｆは、温度検出器１０が温度に応じて出力する検出電圧Ｖｏに等しい。
【００３４】
Ｉ＝Ｉｆ＋Ｉｒ２…（式１）
Ｖｆ＝（ＡＩ＋ＢＴ＋Ｃ）／（１＋Ａ／Ｒ２）…（式２）
上述のように構成された温度検出器１０において、温度Ｔに対する電流Ｉｆの特性は図２（Ａ）に示すような変化となり、温度Ｔに対する電圧Ｖｆの特性は図２（Ｂ）に示すような変化となる。図２（Ａ）および図２（Ｂ）では、抵抗器Ｒ２が無い場合（すなわち抵抗値が無限大）の特性線Ｌ１ａ，Ｌ２ａを実線で示す。また、抵抗器Ｒ２の抵抗値が大きい場合の特性線Ｌ１ｂ，Ｌ２ｂを一点鎖線で示す。さらに、抵抗器Ｒ２の抵抗値が小さい場合の特性線Ｌ１ｃ，Ｌ２ｃを二点鎖線で示す。
【００３５】
感温ダイオードＤは、図２（Ｂ）に示すように、温度Ｔが低くなるほど電圧Ｖｆが大きくなり、温度Ｔが高くなるほど電圧Ｖｆが小さくなる。電圧Ｖｆは並列接続された抵抗器Ｒ２にも印加されるので、電圧Ｖｆが大きくなれば抵抗器Ｒ２に流れる電流Ｉｒ２もまた大きくなる。一方、電流源Ｅｏから供給される電流Ｉは一定であるので、抵抗器Ｒ２に分流される電流Ｉｒ２が大きくなれば、感温ダイオードＤを流れる電流Ｉｆは小さくなる。よって図２（Ａ）に示すように、温度Ｔが低くなるほど電流Ｉｆは小さくなり、温度Ｔが高くなるほど電流Ｉｆは大きくなる。
【００３６】
抵抗器Ｒ２の抵抗値を小さくしてゆくと、電流Ｉｒ２が大きくなる反面、感温ダイオードＤを流れる電流Ｉｆは小さくなる。電流Ｉｆが小さくなれば、感温ダイオードＤの両端に生じる電圧Ｖｆも小さくなる。抵抗器Ｒ２の抵抗値を大きくしてゆくと、逆の現象が生じる。こうしたことから、抵抗器Ｒ２の抵抗値を変化させると電流Ｉｆおよび電圧Ｖｆも全体的に変化し、かつ相乗効果によって特性線の傾き（変化率）も変わる。
【００３７】
そこで、特性線の傾きがそれぞれ異なる感温ダイオードＤを備えた複数の温度検出器１０については、抵抗器Ｒ２の抵抗値を適切に設定することによって、特性線の傾きをほぼ一致させることができる。例えば、図３（Ａ）に示すように傾きがそれぞれ異なる４つの特性線Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｄがあると仮定する。図３では特性線ごとに線の太さを異ならせて示す。このとき、各温度検出器１０に備える抵抗器Ｒ２の抵抗値を適切に設定すれば、図３（Ｂ）に示すように特性線の傾きがほぼ一致するようになる。こうして温度Ｔが変化しても電圧Ｖｆの変化率がほぼ同じになるので、温度検出器１０が温度に応じて出力する検出電圧Ｖｏもまた同じ変化率となる。したがって、同一の温度Ｔにおける温度検出器１０相互間のばらつきを低減することができる。
【００３８】
上述した実施の形態１によれば、感温ダイオードＤに抵抗器Ｒ２を並列接続する回路構成とした（図１を参照）。この回路構成によれば、感温ダイオードＤの温度特性の傾きが温度検出器１０の相互間で異なっても、抵抗値を適切に調整した抵抗器Ｒ２を用いることによって感温ダイオードＤに流す電流Ｉｆを調整するので、温度特性の傾きが所定の傾きでほぼ一致するようになる（図３を参照）。したがって、同一の温度Ｔにおける温度検出器１０相互間で検出される検出電圧Ｖｏのばらつきを低減することができる。また、簡単な素子や回路を用いて容易に実現できるので、コストを安く抑えることができる。
【００３９】
〔実施の形態２〕
実施の形態２は、実施の形態１と同様に調整部を抵抗器で構成した例であって、図４〜図６を参照しながら説明する。図４には温度検出器の構成例を回路図で示す。図５には温度に対する電流と電圧の変化をグラフで示す。図６には温度特性の傾きにかかる調整例をグラフで示す。なお図示および説明を簡単にするため、実施の形態２では実施の形態１と異なる点について説明する。また、実施の形態１で用いた要素と同一の要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４０】
図４に示す温度検出器１１は、電流源Ｅｏ，抵抗器Ｒ１および感温ダイオードＤなどを有する。抵抗器Ｒ１は「調整部」に相当し、例えばレーザトリミング抵抗器等のような可変抵抗器を用いる。実施の形態１では感温ダイオードＤに抵抗器Ｒ２を並列接続したのに対して、実施の形態２では電力源（具体的には定電圧源）と感温ダイオードＤとの間に抵抗器Ｒ１を介在させる点が異なる。
【００４１】
図４の接続によれば、感温ダイオードＤを流れる電流Ｉｆと、電流源Ｅｏから供給される電流Ｉと、抵抗器Ｒ１を流れる電流Ｉｒ１との間には、下記の式３で示す関係が成り立つ。また、感温ダイオードＤの温度Ｔが変化するとき、上述した電流Ｉｆと、感温ダイオードＤの両端間に生じる電圧Ｖｆとは下記の式４に従って変化する。ただし、式４中のＡ，Ｂ，Ｃは感温ダイオードＤに関する係数を示し、定電圧源の電圧値をＶｄとする。
【００４２】
Ｉｆ＝Ｉ＋Ｉｒ１…（式３）
Ｖｆ＝（ＡＩ＋ＢＴ＋Ｃ）／（１＋Ａ／Ｒ１）＋ＡＶｄ／（Ｒ１＋Ａ）…（式４）
上述のように構成された温度検出器１１において、温度Ｔに対する電流Ｉｆの特性は図５（Ａ）に示すような変化となり、温度Ｔに対する電圧Ｖｆの特性は図５（Ｂ）に示すような変化となる。図５（Ａ）および図５（Ｂ）では、抵抗器Ｒ１が無い場合（すなわち抵抗値が無限大）の特性線Ｌ４ａ，Ｌ５ａを実線で示す。また、抵抗器Ｒ１の抵抗値が大きい場合の特性線Ｌ４ｂ，Ｌ５ｂを一点鎖線で示す。さらに、抵抗器Ｒ１の抵抗値が小さい場合の特性線Ｌ４ｃ，Ｌ５ｃを二点鎖線で示す。
【００４３】
感温ダイオードＤの温度特性は図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す通りであり、基本的には実施の形態１で示した図２（Ａ）および図２（Ｂ）と同様の特性を示す。ただし、本形態では電力源と感温ダイオードＤとの間に抵抗器Ｒ１を介在させているので、感温ダイオードＤを流れる電流Ｉｆは抵抗器Ｒ１を流れる電流Ｉｒ１の分だけ増える。感温ダイオードＤを流れる電流Ｉｆが増えれば電圧Ｖｆも大きくなるので、抵抗器Ｒ１の抵抗値が小さいほど電流Ｉｆおよび電圧Ｖｆが全体的に大きくなる傾向を示す。
【００４４】
抵抗器Ｒ１の抵抗値を小さくしてゆくと電流Ｉｒ１が大きくなり、感温ダイオードＤを流れる電流Ｉｆも大きくなる。電流Ｉｆが大きくなれば、感温ダイオードＤの両端に生じる電圧Ｖｆも大きくなる。抵抗器Ｒ１の抵抗値を大きくしてゆくと、逆の現象が生じる。こうしたことから、抵抗器Ｒ１の抵抗値を変化させると電流Ｉｆおよび電圧Ｖｆも全体的に変化し、かつ相乗効果によって特性線の傾き（変化率）も変わる。
【００４５】
そこで、特性線の傾きがそれぞれ異なる感温ダイオードＤを備えた複数の温度検出器１１については、抵抗器Ｒ１の抵抗値を適切に設定することによって、特性線の傾きをほぼ一致させることができる。例えば、図６（Ａ）に示すように傾きがそれぞれ異なる３つの特性線Ｌ６ａ，Ｌ６ｂ，Ｌ６ｃがあると仮定する。図６では特性線ごとに線の太さを異ならせて示す。このとき、各温度検出器１１に備える抵抗器Ｒ１の抵抗値を適切に設定すれば、図６（Ｂ）に示すように特性線の傾きがほぼ一致するようになる。こうして温度Ｔが変化しても電圧Ｖｆの変化率がほぼ同じになるので、温度検出器１１が温度に応じて出力する検出電圧Ｖｏもまた同じ変化率となる。したがって、同一の温度Ｔにおける温度検出器１１相互間のばらつきを低減することができる。
【００４６】
上述した実施の形態２によれば、電力源と感温ダイオードＤとの間に抵抗器Ｒ１を介在させる回路構成とした（図４を参照）。この回路構成によれば、感温ダイオードＤの温度特性の傾きが温度検出器１１の相互間で異なっても、抵抗値を適切に調整した抵抗器Ｒ１を用いることによって感温ダイオードＤに流す電流Ｉｆを調整するので、温度特性の傾きが所定の傾きでほぼ一致するようになる（図６を参照）。したがって、同一の温度Ｔにおける温度検出器１１相互間で検出される検出電圧Ｖｏのばらつきを低減することができる。また、簡単な素子や回路を用いて容易に実現できるので、コストを安く抑えることができる。
【００４７】
〔実施の形態３〕
実施の形態３は、実施の形態１と同様に調整部を抵抗器で構成した例であって、図７，図８を参照しながら説明する。図７には温度検出器の構成例を回路図で示す。図８には温度に対する電流と電圧の変化をグラフで示す。
【００４８】
図７に示す温度検出器１２は、電流源Ｅｏ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２および感温ダイオードＤなどを有する。抵抗器Ｒ１は実施の形態２と同様に電力源と感温ダイオードＤとの間に介在させ、抵抗器Ｒ２は実施の形態１と同様に感温ダイオードＤに並列接続する。
【００４９】
図７の接続によれば、感温ダイオードＤを流れる電流Ｉｆと、電流源Ｅｏから供給される電流Ｉと、抵抗器Ｒ１を流れる電流Ｉｒ１、抵抗器Ｒ２を流れる電流Ｉｒ２との間には、下記の式５で示す関係が成り立つ。また、感温ダイオードＤの温度が変化するとき、上述した電流Ｉｆと、感温ダイオードＤの両端間に生じる電圧Ｖｆとは、下記の式６で示す関係が成り立つ。ただし、式６中のＡ，Ｂ，Ｃは感温ダイオードＤに関する係数を示し、定電圧源の電圧値をＶｄとする。式５および式６から電圧Ｖｆについて整理すると、式７のようになる。したがって、電圧Ｖｆは式７に従って変化する。
【００５０】
Ｉ＋Ｉｒ１＝Ｉｆ＋Ｉｒ２…（式５）
Ｖｆ＝ＡＩｆ＋ＢＴ＋Ｃ…（式６）
Ｖｆ＝（ＡＩ＋ＢＴ＋Ｃ）／（１＋Ａ／Ｒ１＋１／Ｒ２）＋ＡＲ２Ｖｄ／（Ｒ１Ｒ２＋ＡＲ２＋ＡＲ１）…（式７）
上述のように構成された温度検出器１２において、温度Ｔに対する電流Ｉｆの特性は図８（Ａ）に示すような変化となり、温度Ｔに対する電圧Ｖｆの特性は図８（Ｂ）に示すような変化となる。図８（Ａ）および図８（Ｂ）では、抵抗器Ｒ１，Ｒ２が無い場合（すなわち抵抗値が無限大）の特性線Ｌ７ａ，Ｌ８ａを実線で示す。また、抵抗器Ｒ１，Ｒ２の抵抗値が大きい場合の特性線Ｌ７ｂ，Ｌ８ｂを一点鎖線で示す。さらに、抵抗器Ｒ１，Ｒ２の抵抗値が小さい場合の特性線Ｌ７ｃ，Ｌ８ｃを二点鎖線で示す。
【００５１】
図示するように、ある温度Ｔ５よりも高いときは、抵抗器Ｒ１，Ｒ２の抵抗値が大きくなるにつれて、電流Ｉｆは大きくなり、電圧Ｖｆは小さくなる。一方、温度Ｔ５よりも低いときは、抵抗器Ｒ１，Ｒ２の抵抗値が大きくなるにつれて、電流Ｉｆは小さくなり、電圧Ｖｆは大きくなる。また、抵抗器Ｒ１および抵抗器Ｒ２の各抵抗値を適切に設定すると、特性線をオフセットさせることもできる。
【００５２】
すなわち、抵抗器Ｒ１の抵抗値を小さくしてゆくと電流Ｉｒ１が大きくなり、感温ダイオードＤを流れる電流Ｉｆも大きくなる。一方、抵抗器Ｒ２の抵抗値を大きくしてゆくと電流Ｉｒ２が小さくなり、感温ダイオードＤを流れる電流Ｉｆが大きくなる。このように電流Ｉｆが大きくなれば、感温ダイオードＤの両端に生じる電圧Ｖｆも大きくなる。抵抗器Ｒ１の抵抗値を大きくしたり、抵抗器Ｒ２の抵抗値を小さくしてゆくと、逆の現象が生じる。こうしたことから、抵抗器Ｒ１，Ｒ２の抵抗値を変化させると電流Ｉｆおよび電圧Ｖｆも全体的に変化し、かつ相乗効果によって特性線の傾き（変化率）も変わる。
【００５３】
そこで、特性線の傾きがそれぞれ異なる感温ダイオードＤを備えた複数の温度検出器１２については、抵抗器Ｒ１，Ｒ２の抵抗値を適切に設定することによって、特性線の傾きをほぼ一致させることができ、さらには特性線そのものを一致させることもできる。こうして温度Ｔが変化しても電圧Ｖｆの変化率がほぼ同じになるか、あるいは電圧Ｖｆが同じになるので、温度検出器１２が温度に応じて出力する検出電圧Ｖｏもまた同じ変化率または同じ電圧となる。したがって、同一の温度Ｔにおける温度検出器１２相互間のばらつきを低減することができる。
【００５４】
上述した実施の形態３によれば、電力源と感温ダイオードＤとの間に抵抗器Ｒ１を介在させ、感温ダイオードＤに抵抗器Ｒ２を並列接続する回路構成とした（図７を参照）。この回路構成によれば、感温ダイオードＤの温度特性の傾きが温度検出器１２の相互間で異なっても、抵抗値を適切に調整した抵抗器Ｒ１および抵抗器Ｒ２を用いることによって感温ダイオードＤに流す電流Ｉｆを調整するので、温度特性の傾き（あるいは特性線自体）がほぼ一致するようになる（図８を参照）。したがって、同一の温度Ｔにおける温度検出器１２相互間で検出される検出電圧Ｖｏのばらつきを低減することができる。また、簡単な素子や回路を用いて容易に実現できるので、コストを安く抑えることができる。
【００５５】
〔実施の形態４〕
実施の形態４は、実施の形態１と同様に調整部を抵抗器で構成した例であって、図９，図１０を参照しながら説明する。図９には温度検出器の構成例を回路図で示す。図１０には温度に対する電流と電圧の変化をグラフで示す。
【００５６】
図９に示す温度検出器１３は、電流源Ｅｏ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３および感温ダイオードＤなどを有する。抵抗器Ｒ１は実施の形態２と同様に電力源と感温ダイオードＤとの間に介在させ、抵抗器Ｒ２は実施の形態１と同様に電力源（具体的には電圧源）と感温ダイオードＤとの間に介在させる。抵抗器Ｒ３は、電流源Ｅｏと、抵抗器Ｒ１，抵抗器Ｒ２および感温ダイオードＤ（アノード端子側）の接続点Ｐ０との間に介在させる。
【００５７】
図９の接続によれば、感温ダイオードＤを流れる電流Ｉｆと、電流源Ｅｏから供給される電流Ｉと、抵抗器Ｒ１を流れる電流Ｉｒ１、抵抗器Ｒ２を流れる電流Ｉｒ２との間には、実施の形態３で示した式５の関係が成り立つ。また、感温ダイオードＤの温度が変化するとき、上述した電流Ｉｆと、感温ダイオードＤの両端間に生じる電圧Ｖｆとは、実施の形態３で示した式６の関係が成り立つ。したがって、電圧Ｖｆは実施の形態３で示した式７に従って変化する。
【００５８】
上述のように構成された温度検出器１３において、温度Ｔに対する電流Ｉｆおよび電圧Ｖｆの各特性は実施の形態３で示した図８と同様の変化となる。ここで電流源Ｅｏと接続点Ｐ０との間には抵抗器Ｒ３を介在させているので、抵抗器Ｒ３の抵抗値を変化させた場合の電流Ｉｆおよび電圧Ｖｆの各特性を図１０に示す。なお、抵抗器Ｒ１，Ｒ２にはそれぞれ適切な抵抗値を設定している。
【００５９】
図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）では、抵抗器Ｒ３の抵抗値が小さいときは特性線Ｌ９ａ，Ｌ１０ａのようになり、これよりも大きな抵抗値のときは特性線Ｌ９ｂ，Ｌ１０ｂのようになり、さらに大きな抵抗値のときは特性線Ｌ９ｃ，Ｌ１０ｃのようになる。すなわち波線の矢印で示すように、抵抗器Ｒ３の抵抗値に応じて特性線が上下方向にオフセットされる。
【００６０】
そこで、特性線の傾きがそれぞれ異なる感温ダイオードＤを備えた複数の温度検出器１３については、抵抗器Ｒ１，Ｒ２の抵抗値を適切に設定し、かつ、抵抗器Ｒ３の抵抗値を適切に設定することによって、特性線そのものを一致させることができる。こうして温度Ｔが変化しても電圧Ｖｆが同じになるので、温度検出器１３が温度に応じて出力する検出電圧Ｖｏもまた同じ電圧となる。したがって、同一の温度Ｔにおける温度検出器１３相互間のばらつきを無くすことができる。
【００６１】
上述した実施の形態４によれば、電力源と感温ダイオードＤとの間に抵抗器Ｒ１を介在させ、感温ダイオードＤに抵抗器Ｒ２を並列接続し、電流源Ｅｏと接続点Ｐ０との間に抵抗器Ｒ３を介在させる回路構成とした（図９を参照）。この回路構成によれば、感温ダイオードＤの温度特性の傾きが温度検出器１３の相互間で異なっても、抵抗値を適切に調整した抵抗器Ｒ１および抵抗器Ｒ２を用いることによって感温ダイオードＤに流す電流Ｉｆを調整するので、温度特性の傾き（あるいは特性線自体）がほぼ一致するようになる（図８を参照）。したがって、同一の温度Ｔにおける温度検出器１３相互間で検出される検出電圧Ｖｏのばらつきを低減することができる。また、簡単な素子や回路を用いて容易に実現できるので、コストを安く抑えることができる。
【００６２】
〔実施の形態５〕
実施の形態５は、調整部を電流源で構成した例であって、図１１を参照しながら説明する。図１１には温度検出器の構成例を回路図で示す。この実施の形態５では、実施の形態１の図１に示す抵抗器Ｒ２に代えて、電流源Ｅ２を用いる。
【００６３】
図１１に示す温度検出器１４は、電流源Ｅｏ，Ｅ２および感温ダイオードＤなどを有する。電流源Ｅ２は、実施の形態１の図１に示す抵抗器Ｒ２と同様にして、感温ダイオードＤに並列接続する。この接続によれば、実施の形態１の図１で示す回路と同様に作動する。すなわち、抵抗器Ｒ２に流れる電流Ｉｒ２に代わって、電流源Ｅ２に電流Ｉｅ２が流れるに過ぎない。したがって、電流Ｉｅ２を電流Ｉｒ２と同じ電流値に調整することにより、実施の形態３と同様の作用効果が得られる。
【００６４】
〔実施の形態６〕
実施の形態６は、実施の形態５と同様に調整部を電流源で構成した例であって、図１２を参照しながら説明する。図１２には温度検出器の構成例を回路図で示す。この実施の形態６では、実施の形態２の図４に示す抵抗器Ｒ１に代えて、電流源Ｅ１を用いる。
【００６５】
図１２に示す温度検出器１５は、電流源Ｅｏ，Ｅ２および感温ダイオードＤなどを有する。電流源Ｅ２は、実施の形態２の図４に示す抵抗器Ｒ１と同様にして、電力源（具体的には電圧源）と感温ダイオードＤとの間に介在させる。この接続によれば、実施の形態２の図４で示す回路と同様に作動する。すなわち、抵抗器Ｒ１に流れる電流Ｉｒ１に代わって、電流源Ｅ１に電流Ｉｅ１が流れるに過ぎない。したがって、電流Ｉｅ１を電流Ｉｒ１と同じ電流値に調整することにより、実施の形態２と同様の作用効果が得られる。
【００６６】
〔実施の形態７〕
実施の形態７は、調整部を抵抗器および電流源で構成した例であって、図１３を参照しながら説明する。図１３には温度検出器の構成例を回路図で示す。この実施の形態７では、実施の形態３の図７に示す抵抗器Ｒ１に代えて電流源Ｅ１を用いる。
【００６７】
図１３に示す温度検出器１６は、電流源Ｅｏ，Ｅ１、抵抗器Ｒ２および感温ダイオードＤなどを有する。電流源Ｅ１は実施の形態６と同様にして、電力源（具体的には電圧源）と感温ダイオードＤとの間に介在させる。この接続によれば、実施の形態３の図７で示す回路と同様に作動する。すなわち、抵抗器Ｒ１に流れる電流Ｉｒ１に代わって、電流源Ｅ１に電流Ｉｅ１が流れるに過ぎない。したがって、電流Ｉｅ１を電流Ｉｒ１と同じ電流値に調整することにより、実施の形態３と同様の作用効果が得られる。
【００６８】
本形態では、実施の形態３の図７に示す抵抗器Ｒ２はそのままにして、抵抗器Ｒ１に代えて電流源Ｅ１を用いる構成とした。この形態に代えて、実施の形態３の図７に示す抵抗器Ｒ１はそのままにして、抵抗器Ｒ２に代えて電流源Ｅ２を用いる回路構成としてもよい。この回路構成によれば、抵抗器Ｒ２に流れる電流Ｉｒ２に代わって、電流源Ｅ２に電流Ｉｅ２が流れるに過ぎない。したがって、電流Ｉｅ２を電流Ｉｒ２と同じ電流値に調整することにより、実施の形態３と同様の作用効果が得られる。
【００６９】
〔実施の形態８〕
実施の形態８は、調整部を抵抗器および電流源で構成した例であって、図１４を参照しながら説明する。図１４には温度検出器の構成例を回路図で示す。この実施の形態８では、実施の形態３の図７に示す抵抗器Ｒ２とともに、さらに感温ダイオードＤに電流源Ｅ２を並列接続する。
【００７０】
図１４に示す温度検出器１７は、電流源Ｅｏ，Ｅ２、抵抗器Ｒ１，Ｒ２および感温ダイオードＤなどを有する。電流源Ｅ２は実施の形態５と同様にして、感温ダイオードＤに並列接続する。この接続によれば、感温ダイオードＤを流れる電流Ｉｆと、電流源Ｅｏから供給される電流Ｉと、抵抗器Ｒ１を流れる電流Ｉｒ１、抵抗器Ｒ２を流れる電流Ｉｒ２と、電流源Ｅ２を流れる電流Ｉｅ２との間には、下記の式８で示す関係が成り立つ。また、感温ダイオードＤの温度が変化するとき、上述した電流Ｉｆと、感温ダイオードＤの両端間に生じる電圧Ｖｆとは下記の式９で示す関係が成り立つ。ただし、式９中のＡ，Ｂ，Ｃは感温ダイオードＤに関する係数を示し、定電圧源の電圧値をＶｄとする。式８および式９から電圧Ｖｆについて整理すると、式１０のようになる。したがって、電圧Ｖｆは式１０に従って変化する。
【００７１】
Ｉ＋Ｉｒ１＝Ｉｆ＋Ｉｒ２＋Ｉｅ２…（式８）
Ｖｆ＝ＡＩｆ＋ＢＴ＋Ｃ…（式９）
Ｖｆ＝｛Ａ（Ｉ−Ｉｅ２）＋ＢＴ＋Ｃ｝／（１＋Ａ／Ｒ２）＋ＡＲ２Ｖｄ／（Ｒ１Ｒ２＋ＡＲ１＋ＡＲ２）…（式１０）
図１４の回路構成によれば、実施の形態３の図７に示す電流Ｉｒ２に代わって、当該電流Ｉｒ２および電流Ｉｅ２が流れるに過ぎない。したがって、電流Ｉｒ２と電流Ｉｅ２との総和を、実施の形態３の図７に示す電流Ｉｒ２と同じ電流値に調整することにより、実施の形態３と同様の作用効果が得られる。また、この回路構成では抵抗器Ｒ２に固定抵抗器を用いた場合でも、電流Ｉｒ２と電流Ｉｅ２との総和を電流源Ｅ２で調整できる。
【００７２】
本形態では、抵抗器Ｒ２と同様に電流源Ｅ２を並列接続する構成とした。この形態に代えて、抵抗器Ｒ１に電流源Ｅ１を並列接続する構成としてもよい。この回路構成によれば、実施の形態３の図７に示す電流Ｉｒ１に代わって、当該電流Ｉｒ１および電流Ｉｅ１が流れるに過ぎない。したがって、電流Ｉｒ１と電流Ｉｅ１との総和を、実施の形態３の図７に示す電流Ｉｒ１と同じ電流値に調整することにより、実施の形態３と同様の作用効果が得られる。また、この回路構成では抵抗器Ｒ１に固定抵抗器を用いた場合でも、電流源Ｅ１で電流Ｉｒ１と電流Ｉｅ１との総和を調整できる。
【００７３】
なお、電流源Ｅ１に並列接続する電流源や抵抗器の数や、感温ダイオードＤに並列接続する電流源や抵抗器の数は任意に設定してよい。この場合でも、並列接続する素子に流れる電流の総和を調整することにより、実施の形態３と同様の作用効果が得られる。
【００７４】
〔実施の形態９〕
実施の形態９は、調整部として備えるレーザトリミング抵抗器の抵抗値を調整する例であって、図１５〜図１８を参照しながら説明する。図１５には調整装置の構成例を模式図で示す。図１６には、レーザトリミング抵抗器の構成例を縦断面図で示す。図１７には、レーザトリミング抵抗器の抵抗値を変更する例を平面図で示す。図１８には調整装置による抵抗値の調整例を示す。
【００７５】
実施の形態９では、実施の形態１で示した温度検出器１０に備える抵抗器Ｒ２としてレーザトリミング抵抗器を用い、当該レーザトリミング抵抗器の抵抗値を調整する例について説明する。レーザトリミング抵抗器は、レーザビームの照射によって抵抗値が変化する素子であれば任意であり、例えばチップ抵抗器やネットワーク抵抗器等が該当する。
【００７６】
図１５に示す調整装置２０は、温度検出器用抵抗器（すなわち抵抗器Ｒ２）の抵抗値を調整する装置であって、レーザ加工部２１，制御部２２，変換部２４，温度調整部２５などを有する。レーザ加工部２１は「抵抗値調整部」に相当し、制御部２２から指令される信号に従って抵抗器Ｒ２の所定位置にレーザビームを照射して抵抗値を変化させる。
【００７７】
ここで、抵抗器Ｒ２として用いるレーザトリミング抵抗器ＲＬの構造について図１６を参照しながら説明する。図１６に示すレーザトリミング抵抗器ＲＬは、抵抗膜２６ａ，保護コート膜２６ｂ，電極２６ｆ，基体２６ｇなどを有する。「抵抗体」に相当する抵抗膜２６ａは、保護コート膜２６ｂと基体２６ｇとの間に介在する。通常の抵抗器は樹脂膜でさらに表面を保護コーティングするが、レーザトリミング抵抗器ＲＬは抵抗膜２６ａを露出させて、レーザビームを透過可能な保護コート膜２６ｂで覆う。電極２６ｆや基体２６ｇ等は錫メッキ２６ｃ，ニッケルメッキ２６ｄ，銅メッキ２６ｅなどで覆う。
【００７８】
レーザビームが保護コート膜２６ｂを透過して抵抗膜２６ａに照射されると、照射された部位の抵抗膜２６ａが酸化して不導体になると抵抗値が変わる。抵抗膜２６ａにレーザビームを照射する態様は任意であるが、例えば図１７に示すような直線状のスリット２６ｈが該当し、スリット２６ｈの形状、本数、長さでレーザトリミング抵抗器ＲＬ（抵抗器Ｒ２）の抵抗値を調整することができる。
【００７９】
制御部２２は記憶部２３を備え、制御対象（すなわちレーザ加工部２１や温度調整部２５等）の作動を制御する。当該制御部２２は、本形態ではＣＰＵを中心にプログラム実行で作動する構成とするが、ハードウェアロジックによって作動する構成としてもよい。記憶部２３には、調整装置２０の全体を司るプログラムや、上記制御対象に伝達する信号やデータ等のほか、後述する温度と電圧との関係を示すデータなどを記憶する。当該記憶部２３は、これらの信号やデータ等を記録できる任意の記録媒体を適用でき、例えば半導体メモリ（ＩＣカードやメモリカード等を含む），磁気記録媒体（テープ，ディスク，ドラム等），光磁気記録媒体（ＤＶＤ，ＭＤ，ＭＯ等が該当し、ディスクやカード等の形態を問わない）等のうちで一以上が該当する。
【００８０】
変換部２４は、感温ダイオードＤの両端間に生じる電圧Ｖｆを制御部２２で処理可能な情報形態（例えばデジタルデータ）に変換する。温度調整部２５は、制御部２２から指令される信号に従って感温ダイオードＤの温度を調整する。
【００８１】
上述のように構成された調整装置２０によって抵抗器Ｒ２の抵抗値を調整する例について、図１８を参照しながら説明する。記憶部２３には、図１８に示す特性線Ｌ９を特定する関係点Ｐ１，Ｐ２等を記憶しておく。特性線Ｌ９は直線であるので、関係点は少なくとも２点記憶しておけば足りる。図１８の例では、温度値Ｔ１に対する電圧値Ｖ１との関係を示す関係点Ｐ１と、温度値Ｔ２（ただしＴ２＞Ｔ１）に対する電圧値Ｖ２（ただしＶ２＜Ｖ１）との関係を示す関係点Ｐ２とを示す。
【００８２】
まず、温度調整部２５によって感温ダイオードＤを温度値Ｔ１に調整し、温度値Ｔ１の温度のまま電流源Ｅｏから電流Ｉを供給する。電流Ｉが供給されると感温ダイオードＤの両端間に電圧Ｖｆが生じるので、当該電圧Ｖｆが電圧値Ｖ１となるようにレーザ加工部２１から抵抗器Ｒ２の所定位置にレーザビームを照射する。
【００８３】
電圧値Ｖ１の調整を終えると、温度調整部２５によって感温ダイオードＤを温度値Ｔ２に調整し、温度値Ｔ２の温度のまま電流源Ｅｏから電流Ｉを供給する。再び電流Ｉが供給されると感温ダイオードＤの両端間に電圧Ｖｆが生じるので、当該電圧Ｖｆが電圧値Ｖ２となるようにレーザ加工部２１から抵抗器Ｒ２の所定位置にレーザビームを照射する。
【００８４】
こうして電圧値Ｖ１および電圧値Ｖ２の調整を終えると、感温ダイオードＤの温度特性を特性線Ｌ９のように設定することができる。他の温度検出器１０に備える抵抗器Ｒ２にも同様にして抵抗値の調整を行えば、温度検出器１０の相互間で温度特性の傾き（あるいは特性線自体）がほぼ一致する。したがって、同一の温度Ｔにおける温度検出器１０相互間で検出される検出電圧Ｖｏのばらつきを低減することができる。
【００８５】
上述した実施の形態９によれば、下記の効果を得ることができる。
【００８６】
温度検出器１０の調整部として備える抵抗器Ｒ２は、素子の一部を加工して抵抗値を調整する構成とした（図１５，図１８を参照）。この構成によれば、温度特性の傾きや温度特性そのものをほぼ一致させるにあたって、素子の一部を加工することで必要な抵抗値の抵抗器Ｒ２になる。温度特性が異なる感温ダイオードＤに合わせた抵抗器Ｒ２を容易に調達することができる。
【００８７】
調整装置２０は、複数の温度値について温度値ごとに感温ダイオードＤの温度を調整する温度調整部２６と、温度調整部２６によって調整された温度値Ｔ１，Ｔ２ごとに感温ダイオードＤに加わる電圧Ｖｆが温度値Ｔ１，Ｔ２ごとに関係づけられた電圧値Ｖ１，Ｖ２となるように抵抗器Ｒ２の一部を加工して抵抗値を調整するレーザ加工部２１とを備える構成とした（図１５，図１８を参照）。この構成によれば、感温ダイオードＤを実際に温度値Ｔ１や温度値Ｔ２にして、当該温度値Ｔ１，Ｔ２に関係づけられた電圧値Ｖ１，Ｖ２を示す抵抗値となるように抵抗器Ｒ２を加工する。よって、感温ダイオードＤの温度特性に合わせた抵抗器Ｒ２を容易に調達でき、特性線Ｌ９となるようにすることができる。
【００８８】
複数の温度値Ｔ１，Ｔ２について温度値ごとに感温ダイオードＤの温度を調整し（第１工程）、調整された温度ごとに感温ダイオードＤに加わる電圧Ｖｆが温度ごとに関係づけられた電圧値Ｖ１，Ｖ２となるように抵抗器Ｒ２にかかる素子の一部を加工して抵抗値を調整する構成とした（第２工程）。この構成によれば、感温ダイオードＤを実際に温度値Ｔ１や温度値Ｔ２にして、当該温度値Ｔ１，Ｔ２に関係づけられた電圧値Ｖ１，Ｖ２を示す抵抗値となるように抵抗器Ｒ２を加工する。よって、感温ダイオードＤの温度特性に合わせた抵抗器Ｒ２を容易に調達でき、特性線Ｌ９となるようにすることができる。
【００８９】
〔実施の形態１０〕
実施の形態１０は、上述した実施の形態１に示す温度検出器を備えた半導体装置の例であって、図１９を参照しながら説明する。図１９には半導体装置の構成例を回路図で示す。図１９に示す半導体装置３０は、実施の形態１で示した温度検出器１０のほか、トランジスタＱなどを有する。トランジスタＱは「半導体素子」に相当し、例えばゲート端子Ｇ，コレクタ端子Ｃおよびエミッタ端子Ｅを有するＩＧＢＴである。これらの各端子は、半導体装置３０の外部回路接続用端子と接続されている。
【００９０】
実施の形態１の図１で示す抵抗器Ｒ２に代えて薄膜抵抗器Ｒ５を用いる場合には、当該薄膜抵抗器Ｒ５，感温ダイオードＤおよびトランジスタＱなどを半導体チップＳ１として形成することができる。薄膜抵抗器Ｒ５は温度係数の小さいものが適切であるため、金属元素と第１４族元素との化合物を含むのが望ましい。当該化合物は、例えば金属珪化物（例えばＣｒＳｉ，ＣｏＳｉ等）や、クロム系合金（例えばＮｉＣｒ，ＣｏＣｒ等）、タングステン系合金（例えばＴｉＷ，ＭｏＷ等）、タンタル系合金（例えばＴａＮ，ＳｉＴａ等）などが該当する。一方、薄膜抵抗器以外の抵抗器であるときは、感温ダイオードＤおよびトランジスタＱなどを半導体チップＳ１として形成する。なお、半導体チップＳ１の中心部に熱が集中しやすいので、より正確な検出電圧Ｖｏを出力するためには、中心部に感温ダイオードＤを配置して半導体チップＳ１を形成するのが望ましい。
【００９１】
上述のように構成された半導体装置３０では、トランジスタＱの作動によって生じる熱に伴って変化する半導体チップＳ１の温度を温度検出器１０が検出して検出電圧Ｖｏを出力する。実施の形態１で示したように温度検出器１０が温度に応じて出力する検出電圧Ｖｏが同じ変化率となるので、この温度検出器１０を備えた半導体装置３０についてもばらつきを低減することができる。
【００９２】
上述した実施の形態１０によれば、半導体装置３０は、トランジスタＱが形成されるとともに、トランジスタＱの作動に伴って生じる熱の温度に応じた電圧を出力する温度検出器１０を備える構成とした（図１９を参照）。この構成によれば、半導体装置３０に備えられた温度検出器１０によって検出される温度のばらつきを低減することができる。
【００９３】
また、薄膜抵抗器Ｒ５は温度係数が小さい（低い）ため、薄膜抵抗器Ｒ５自体の温度が変化しても抵抗値はほとんど変化しない。この薄膜抵抗器Ｒ５を備えた温度検出器１０によって検出される温度は、半導体装置３０相互間でばらつきが少なくなるので、半導体装置３０を安定して作動させることができる。
【００９４】
なお、図１９では半導体チップＳ１に一のトランジスタＱのみを形成しているが、二以上のトランジスタＱを形成してもよい。また、半導体チップＳ１の部位ごとに温度が変わるような場合などでは、必要に応じて二以上の温度検出器１０を備えてもよい。
【００９５】
〔実施の形態１１〕
実施の形態１１は、上述した実施の形態３に示す温度検出器を備えた半導体装置の例であって、図２０を参照しながら説明する。図２０には半導体装置の構成例を回路図で示す。図２０に示す半導体装置３１は、実施の形態３で示した温度検出器１２のほか、トランジスタＱなどを有する。
【００９６】
実施の形態３の図７で示す抵抗器Ｒ１，Ｒ２に代えて薄膜抵抗器Ｒ４，Ｒ５を用いる場合には、当該薄膜抵抗器Ｒ４，Ｒ５、感温ダイオードＤおよびトランジスタＱなどを半導体チップＳ２として形成することができる。薄膜抵抗器Ｒ４，Ｒ５に適切な抵抗器は、実施の形態１０と同様である。一方、薄膜抵抗器以外の抵抗器であるときは、感温ダイオードＤおよびトランジスタＱなどを半導体チップＳ１として形成する。なお、より正確な検出電圧Ｖｏを出力するために、中心部に感温ダイオードＤを配置して半導体チップＳ２を形成するのが望ましい。
【００９７】
上述のように構成された半導体装置３１では、トランジスタＱの作動によって生じる熱に伴って変化する半導体チップＳ２の温度を温度検出器１２が検出して検出電圧Ｖｏを出力する。実施の形態３で示したように温度検出器１２が温度に応じて出力する検出電圧Ｖｏが同じ変化率となるので、この温度検出器１２を備えた半導体装置３１についてもばらつきを低減することができる。
【００９８】
上述した実施の形態１１によれば、半導体装置３０は、トランジスタＱが形成されるとともに、トランジスタＱの作動に伴って生じる熱の温度に応じた電圧を出力する温度検出器１２を備える構成とした（図２０を参照）。この構成によれば、半導体装置３１に備えられた温度検出器１２によって検出される温度のばらつきを低減することができ、半導体装置３１相互間に生じる温度差を低減することができる。なお、半導体チップＳ２に二以上のトランジスタＱを形成する点や、二以上の温度検出器１２を備える点は実施の形態１０と同様である。
【００９９】
〔他の実施の形態〕
以上では本発明を実施するための最良の形態について実施の形態１〜１１に従って説明したが、本発明は当該形態に何ら限定されるものではない。言い換えれば、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施することもできる。例えば、次に示す各形態を実現してもよい。
【０１００】
上述した実施の形態１〜８では、調整部としての抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に可変抵抗器を用いた。この形態に代えて、予め抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３として適切な抵抗値が分かっている場合には、当該適切な抵抗値を有する固定抵抗器を用いてもよい。この場合でも、温度検出器の相互間で検出される温度のばらつきを低減することができる。
【０１０１】
上述した実施の形態１〜１１では、感温素子として感温ダイオードＤ（具体的にはGaAlAsダイオードやシリコンダイオード等）を用いた。この形態に代えて、他の感温素子を用いてもよい。他の感温素子としては、例えばロジウム鉄抵抗器，ゲルマニウム抵抗器，白金抵抗器，酸化ルテニウム抵抗器等が該当する。これらの感温素子であっても、調整部によって感温素子の温度特性のばらつきを吸収するので、同一の温度Ｔにおける温度検出器相互間で検出される検出電圧Ｖｏのばらつきを低減することができる。
【０１０２】
上述した実施の形態９では、素子の一部を加工して抵抗値を調整する抵抗値調整部としてレーザ加工部２１を用いた（図１５を参照）。この形態に代えて、抵抗値調整部として他の道具を用いることも可能である。例えば、他の道具（例えばドライバーやカッター等）を用いて加工することで抵抗値を変えられるトリミング抵抗器を調整部に用いる場合が該当する。他の道具を用いた場合であっても、調整部に用いる抵抗器の抵抗値を適切に設定することができるので、同一の温度Ｔにおける温度検出器相互間で検出される検出電圧Ｖｏのばらつきを低減することができる。
【０１０３】
上述した実施の形態９では、抵抗値調整部としてのレーザ加工部２１を備え、抵抗器Ｒ２の抵抗値を調整する調整装置２０を用いた（図１５を参照）。この形態に代えて、電流源Ｅ１から供給する電流Ｉｅ１や、電流源Ｅ２から供給する電流Ｉｅ２について、各電流値を調整する電流値調整部を備えた調整装置を用いてもよい。この電流値調整部は、実施の形態５〜８に示した電流源Ｅ１や電流源Ｅ２から供給する電流の電流値を調整する。このような電流値調整部を備えた調整装置を用いた場合であっても、回路を流れる電流を適切に設定することができるので、同一の温度Ｔにおける温度検出器相互間で検出される検出電圧Ｖｏのばらつきを低減することができる。
【０１０４】
上述した実施の形態１０では実施の形態１に示す温度検出器１０を備えた半導体装置３０を構成し（図１９を参照）、実施の形態１１では実施の形態３に示す温度検出器１２を備えた半導体装置３１を構成した（図２０を参照）。これらの形態に代えて、他の温度検出器を備えた半導体装置を構成してもよい。具体的には、実施の形態２，４，５，６，７，８に示す各温度検出器を備えた半導体装置を構成する。これらの半導体装置においても、実施の形態２，４，５，６，７，８に示す各温度検出器の作用効果を受け継ぐので、実施の形態１０，１１と同様の作用効果を得ることができる。
【符号の説明】
【０１０５】
１０，１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７  温度検出器
２０  調整装置
２１  レーザ加工部（抵抗値調整部）
２５  温度調整部
３０，３１  半導体装置
Ｄ  感温ダイオード（感温素子）
Ｅｏ  電流源（電力源）
Ｅ１，Ｅ２  電流源（調整部）
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３  抵抗器（調整部）
Ｒ４，Ｒ５  薄膜抵抗器（調整部）
Ｑ  トランジスタ（半導体素子）
【図１】
2011052980.tif 000003
【図２】
2011052980.tif 000004
【図３】
2011052980.tif 000005
【図４】
2011052980.tif 000006
【図５】
2011052980.tif 000007
【図６】
2011052980.tif 000008
【図７】
2011052980.tif 000009
【図８】
2011052980.tif 000010
【図９】
2011052980.tif 000011
【図１０】
2011052980.tif 000012
【図１１】
2011052980.tif 000013
【図１２】
2011052980.tif 000014
【図１３】
2011052980.tif 000015
【図１４】
2011052980.tif 000016
【図１５】
2011052980.tif 000017
【図１６】
2011052980.tif 000018
【図１７】
2011052980.tif 000019
【図１８】
2011052980.tif 000020
【図１９】
2011052980.tif 000021
【図２０】
2011052980.tif 000022
【図２１】
2011052980.tif 000023