(57)【要約】      （修正有）【課題】低コストで製造でき、電極までの電気配線における電力消費を抑制でき、輝度を良好に保つことが可能な表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板１０の上側に陰極１１Ａが設けられ、陰極１１Ａの上側には、電圧の印加によって発光する発光層１１Ｃが設けられている。発光層１１Ｃを挟んで陰極１１Ａと対向する位置には、光透過性のある材料で構成された陽極１１Ｇが設けられている。各発光層１１Ｃの間を絶縁する隔壁１１Ｄが設けられている。隔壁１１Ｄの上方には、金属配線１１Ｆが設けられている。金属配線１１Ｆは、陽極１１Ｇと接続されている。陽極１１Ｇへの電力の供給は、金属配線１１Ｆを介して行われる。【選択図】図５
2011192450.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の基板と、
前記基板の一の面に設けられた複数の電極である第一電極と、
前記第一電極を挟んで前記基板と対向する位置に設けられ、電圧の印加によって発光する表示用組成物と、
前記各表示用組成物の間を絶縁する隔壁と、
前記表示用組成物を挟んで前記第一電極と対向する位置に設けられた、光透過性のある材料で構成される電極である第二電極と、
前記隔壁の端面に対向して設けられ、前記第二電極と接続され、前記第二電極に電荷を供給する不透明な金属製の電気配線である金属配線と
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記表示用組成物の表面と前記隔壁の端面とに接触して設けられ、前記第二電極から供給される電荷を前記表示用組成物に注入する電荷注入層をさらに備え、
前記第二電極は、
前記前記表示用組成物と前記電荷注入層とを挟んで前記第一電極と対向する位置に設けられ、
前記金属配線は、
少なくとも前記電荷注入層を挟んで前記隔壁と対向する位置に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第二電極は、酸化インジウムスズ以外の光を透過することができる材料で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第二電極は、光透過性のある有機物で構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
板状の基板の一の面側に複数の電極である第一電極を形成する第一電極形成工程と、
前記第一電極形成工程において形成された前記第一電極を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層形成工程において形成された前記絶縁層上の前記第一電極に対向する位置に、前記絶縁層を溶解する溶媒と電圧の印加によって発光する表示用組成物とを含有するインク溶液を塗布するインク溶液塗布工程と、
前記インク溶液塗布工程において塗布された前記インク溶液が前記絶縁層を溶解した後に、前記インク溶液の前記溶媒を蒸発させ、前記第一電極と接触するように前記表示用組成物を形成する表示用組成物形成工程と、
前記インク溶液によって溶解された後の前記絶縁層である隔壁の端面に対向する位置に、金属製の電気配線である金属配線を形成する金属配線形成工程と、
前記表示用組成物形成工程によって形成された前記表示用組成物の表面に、光透過性のある材料で構成される電極である第二電極を、前記金属配線に接続するように形成する第二電極形成工程と
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記表示用組成物形成工程によって形成された前記表示用組成物の表面と、前記インク溶液によって溶解された後の前記絶縁層である隔壁の端面とに、前記第二電極から供給される電荷を前記表示用組成物に注入する電荷注入層を形成する電荷注入層形成工程をさらに備え、
前記金属配線形成工程は、
少なくとも前記電荷注入層を挟んで前記隔壁と対向する位置に前記金属配線を形成し、
前記第二電極形成工程は、
前記表示用組成物と前記前記電荷注入層とを挟んで前記第一電極と対向する位置に、前記第二電極を形成することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法
【請求項７】
前記第二電極は、酸化インジウムスズ以外の光を透過することができる材料で構成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第二電極は、光透過性のある有機物で構成されていることを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機材料等の表示用組成物を備えた表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機材料等の表示用組成物を備えた表示装置が知られている。例えば、特許文献１に記載の発光電界素子では、透明基板上に形成された陽極をパターンニングして陽極群とした後に、陽極群間にバンクを形成する。そして、バンク間に電荷注入輸送層と発光層とを形成して、その上に陰極群を形成している。これによって、陰極と陽極の間に電圧が印加された場合に、発光層が発光する。このような発光電界素子では、発光層から発光された光を外部に出射するために、電極の一方には、透明電極が用いられる。この透明電極の材料としてＩＴＯ（酸化インジウムスズ）が使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−８７０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、透明な材料であるＩＴＯに含まれるインジウムは、希少材料であり、例えば、金や銅などの不透明な金属と比較して高価な材料である。このため、電極に電荷を供給するための電気配線と、電極とをＩＴＯで形成した場合、表示装置の製造コストが高くなるという問題点があった。また、ＩＴＯは、例えば、金や銅などの不透明な金属と比較して、電気抵抗が大きい。このため、電極に電荷を供給するための電気配線にＩＴＯを使用した場合、電気配線で消費される電力が、金や銅などの金属の場合と比較して大きくなるという問題点があった。また、ＩＴＯ以外の光透過性のある材料は、ＩＴＯよりもさらに電気抵抗が大きい。このため、電極に電荷を供給するための電気配線と、電極とをＩＴＯ以外の光透過性のある材料を使用した場合、消費される電力がさらに大きくなる。この結果、発光層に十分な電力を供給できず、表示装置の輝度を良好に保つことができないという問題点があった。
【０００５】
本発明は、低コストで製造でき、電極までの電気配線における電力消費を抑制でき、輝度を良好に保つことが可能な表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第一の態様に係る表示装置は、板状の基板と、前記基板の一の面に設けられた複数の電極である第一電極と、前記第一電極を挟んで前記基板と対向する位置に設けられ、電圧の印加によって発光する表示用組成物と、前記各表示用組成物の間を絶縁する隔壁と、前記表示用組成物を挟んで前記第一電極と対向する位置に設けられた、光透過性のある材料で構成される電極である第二電極と、前記隔壁の端面に対向して設けられ、前記第二電極と接続され、前記第二電極に電荷を供給する不透明な金属製の電気配線である金属配線とを備えている。
【０００７】
この場合、第二電極までの電気配線が不透明な金属で形成されている。金属は、光透過性のある導電材料と比べて電気抵抗が小さく、かつ安価であるため、低コストで良好な輝度を有する表示装置を製造することができる。
【０００８】
前記表示装置において、前記表示用組成物の表面と前記隔壁の端面とに接触して設けられ、前記第二電極から供給される電荷を前記表示用組成物に注入する電荷注入層をさらに備え、前記第二電極は、前記前記表示用組成物と前記電荷注入層とを挟んで前記第一電極と対向する位置に設けられ、前記金属配線は、少なくとも前記電荷注入層を挟んで前記隔壁と対向する位置に設けられていてもよい。
【０００９】
この場合、電荷注入層は、第二電極から供給される電荷を効率よく表示用組成物に注入することができる。このため、表示用組成物を良好に発光させることができる。
【００１０】
前記表示装置において、前記第二電極は、酸化インジウムスズ以外の光を透過することができる材料で構成されていてもよい。この場合、高価なＩＴＯの使用量をさらに削減できるため、低コストで良好な輝度を有する表示装置を製造することができる。
【００１１】
前記表示装置において、前記第二電極は、光透過性のある有機物で構成されていてもよい。光透過性のある有機物は、酸化インジウムスズよりも安価である。このため、さらに低コストで良好な輝度を有する表示装置を製造することができる。
【００１２】
本発明の第二の態様に係る表示装置の製造方法は、板状の基板の一の面側に複数の電極である第一電極を形成する第一電極形成工程と、前記第一電極形成工程において形成された前記第一電極を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層形成工程において形成された前記絶縁層上の前記第一電極に対向する位置に、前記絶縁層を溶解する溶媒と電圧の印加によって発光する表示用組成物とを含有するインク溶液を塗布するインク溶液塗布工程と、前記インク溶液塗布工程において塗布された前記インク溶液が前記絶縁層を溶解した後に、前記インク溶液の前記溶媒を蒸発させ、前記第一電極と接触するように前記表示用組成物を形成する表示用組成物形成工程と、前記インク溶液によって溶解された後の前記絶縁層である隔壁の端面に対向する位置に、金属製の電気配線である金属配線を形成する金属配線形成工程と、前記表示用組成物形成工程によって形成された前記表示用組成物の表面に、光透過性のある材料で構成される電極である第二電極を、前記金属配線に接続するように形成する第二電極形成工程とを備えている。
【００１３】
この製造方法によると、低コストで製造でき、電気配線で消費される電力を抑制することができ、表示装置の輝度を良好に保つことができる表示装置を製造することができる。
【００１４】
前記表示装置の前記製造方法において、前記表示用組成物形成工程によって形成された前記表示用組成物の表面と、前記インク溶液によって溶解された後の前記絶縁層である隔壁の端面とに、前記第二電極から供給される電荷を前記表示用組成物に注入する電荷注入層を形成する電荷注入層形成工程をさらに備え、前記金属配線形成工程は、少なくとも前記電荷注入層を挟んで前記隔壁と対向する位置に前記金属配線を形成し、前記第二電極形成工程は、前記表示用組成物と前記前記電荷注入層とを挟んで前記第一電極と対向する位置に、前記第二電極を形成してもよい。
【００１５】
この製造方法のよると、表示用組成物を良好に発光させることができる表示装置を製造することができる。
【００１６】
前記表示装置の前記製造方法において、前記第二電極は、酸化インジウムスズ以外の光を透過することができる材料で構成されていてもよい。この製造方法によると、輝度を良好に保つことができる表示装置を低コストで製造することができる。
【００１７】
前記表示装置の前記製造方法において、前記第二電極は、光透過性のある有機物で構成されていてもよい。この製造方法によると、さらに低コストで良好な輝度を有する表示装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】有機ＥＬディスプレイ１の全体構成を示す分解斜視図である。
【図２】駆動ＴＦＴ１２の構成を示す回路図である。
【図３】有機ＥＬ素子１１の製造工程を示すフローチャートである。
【図４】有機ＥＬ素子１１の製造工程を示す図である。
【図５】有機ＥＬ素子１１の製造工程を示す図である。
【図６】インクジェットヘッド３０の構成を示す説明図である。
【図７】有機ＥＬディスプレイ２の全体構成を示す分解斜視図である。
【図８】有機ＥＬ素子５１の製造工程を示すフローチャートである。
【図９】有機ＥＬ素子５１の製造工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（第一実施形態）
以下、本発明に係る表示装置の製造方法の第一実施形態について、図面を参照して説明する。ここでは、表示装置として、有機ＥＬディスプレイを例に挙げて説明する。
【００２０】
まず、有機ＥＬディスプレイ１の全体構成を図１を用いて説明する。有機ＥＬディスプレイ１は、ガラス基板１０と、そのガラス基板１０上に配置された有機ＥＬ素子１１、駆動ＴＦＴ１２、水平駆動回路１３、垂直駆動回路１４、及び封止層１６を備えている。
【００２１】
上記有機ＥＬ素子１１は、ガラス基板１０の中央部に形成されており、碁盤の目状に、１５の画素に分割されている。それぞれの画素は、発光層１１Ｃ（表示用組成物）と、その発光層１１Ｃを上下から挟む陰極１１Ａと、透明な陽極１１Ｇとを備えている。
【００２２】
有機ＥＬ素子１１について、陰極１１Ａと陽極１１Ｇとの間に直流電圧をかけると、陽極１１Ｇから正孔が発光層１１Ｃに供給され、陰極１１Ａから電子が発光層１１Ｃに供給される。そして、陽極１１Ｇから供給された正孔と、陰極１１Ａから供給された電子とが発光層１１Ｃで再結合する。この際、発光層１１Ｃは発光し、封止層１６を透過して、上方（図１における上方）に光を照射する。一方、陰極１１Ａと陽極１１Ｇとの間の電圧がＯＦＦの時には消光する。
【００２３】
ガラス基板１０の左前部には、駆動ＴＦＴ１２と水平駆動回路１３と垂直駆動回路１４とを備える電気回路部１１０が設けられている。上記駆動ＴＦＴ１２は、有機ＥＬ素子１１の個々の画素ごとに１組ずつ設けられており、電気配線１１１を介して陰極１１Ａと接続されている。駆動ＴＦＴ１２は、対応する画素への電流供給を制御するスイッチとして作用する。上記水平駆動回路１３及び上記垂直駆動回路１４は、各画素に対応する駆動ＴＦＴ１２を、オン又はオフにすることにより、各画素の独立発光及び消灯制御を行う。上記封止層１６は、有機ＥＬ素子１１と電気回路部１１０とを上から覆い、保護するものである。
【００２４】
次に、上記駆動ＴＦＴ１２について、図２を用いて説明する。有機ＥＬディスプレイ１には、有機ＥＬ素子１１の１画素ごとに、駆動ＴＦＴ１２が設けられている。この駆動ＴＦＴ１２は、有機ＥＬ素子１１の個々の画素への電流の供給を制御するスイッチとして機能する。
【００２５】
駆動ＴＦＴ１２の構成を、図２の等価回路を用いて説明する。なお、図２は、６個の画素についての繰り返し図である。駆動ＴＦＴ１２は、図２に示す様に、データ線１２Ｆ、走査線１２Ｅ、Ｐチャネル型のＴＦＴ１２Ｂ、コンデンサ１２Ｃ、及びＮチャネル型のＴＦＴ１２Ａを備えている。データ線１２Ｆは、垂直駆動回路１４に接続されている。走査線１２Ｅは、水平駆動回路１３に接続されている。ＴＦＴ１２Ｂにおいて、ゲート電極は走査線１２Ｅに接続され、ソース電極はデータ線１２Ｆに接続され、ドレイン電極は、コンデンサ１２ＣとＴＦＴ１２Ａのゲート電極とに接続されている。コンデンサ１２Ｃの一方の電極は、グランド線１２Ｇに接続されている。ＴＦＴ１２Ａにおいて、ソース電極はグランド線１２Ｇに接続され、ドレイン電極は、陰極１１Ａを介して発光層１１Ｃに接続されている。また、発光層１１Ｃは、陽極１１Ｇを介して電源線１２Ｄと接続されている。そして、水平駆動回路１３および垂直駆動回路１４が、走査線１２Ｅとデータ線１２Ｆとの電圧を制御することによって、発光層１１Ｃの発光および消光を制御する。なお、以下の説明では、グランド線１２Ｇと同じ電圧を「低電圧」といい、グランド線１２Ｇよりも高い電圧を「高電圧」という。
【００２６】
走査線１２Ｅが、水平駆動回路１３から供給される走査信号によって低電圧となり、データ線１２Ｆが、データ線１２Ｆから供給される信号によって、高電圧となると、ＴＦＴ１２Ｂがオンになる。これによって、コンデンサ１２Ｃには、ＴＦＴ１２Ｂを介してデータ線１２Ｆから電荷が供給され、保持される。ＴＦＴ１２Ａのゲート電極には、コンデンサ１２Ｃによって保持された電荷が供給され、この電荷に相当する時間だけＴＦＴ１２Ａがオンになる。これによって、電源線１２Ｄから、陽極１１Ｇ、発光層１１Ｃ、陰極１１Ａ、およびＴＦＴ１２Ａを介して、グランド線１２Ｇに向けて電流が流れる。これによって、発光層１１Ｃが発光する。
【００２７】
一方、水平駆動回路１３によって走査線１２Ｅが高電圧になるか、垂直駆動回路１４によってデータ線１２Ｆが低電圧になった場合には、ＴＦＴ１２Ｂがオフになり、発光層１１Ｃには電流が流れないので、発光層１１Ｃは消光する。
【００２８】
次に、有機ＥＬディスプレイ１の製造方法を図３〜図５を用いて説明する。なお、図３は、有機ＥＬディスプレイ１のうち、有機ＥＬ素子１１の部分のみの製造工程を示したフローチャートであり、図４及び図５は、図３の各工程における有機ＥＬ素子１１を示した外観図である。ここでは、特に、要部である有機ＥＬ素子１１の製造方法を説明する。
【００２９】
まず、陰極形成工程（Ｓ１１）では、ガラス基板１０上に、マスク真空蒸着により、所定のパターンに従って、Ａｌ／ＬｉＦ（フッ化リチウム）の層を形成し、陰極１１Ａを形成する（図４（Ａ）参照）。なお、このとき、陰極１１Ａまでの電気配線１１１（図１参照）も形成する。この時、Ａｌ層と、ＬｉＦ層の厚みは、それぞれ、例示として１０００Å、１０Åとし、連続的に積層する。なお、Ａｌ／ＬｉＦの代わりに、Ａｌ、Ａｌ／Ｃａ、Ａｇ／Ｍｇ、及びＡｌ／Ｂａのいずれかで陰極１１Ａと電気配線１１１とを形成してもよい。
【００３０】
次いで、絶縁層形成工程（Ｓ１２）では、陰極１１Ａ及びガラス基板１０上の、有機ＥＬ素子１１を形成する部分全体に、スピンコート法、ディップ法、カーテンコート法、バーコート法、印刷法もしくはインクジェット法を用いて、ＰＶＫからなる絶縁層１１Ｂを形成する（図４（Ｂ）参照）。絶縁層１１Ｂの厚みは、陰極１１Ａ間の絶縁を保持できる厚みであればよく、薄い方が、インクジェットの液滴径（ドロップ径）を考えると、高分解能、高画質の点で好ましい。また、絶縁層１１Ｂは、後述する工程において溶解させるので、半キュアー状態（完全に硬化していない状態）が望ましい。
【００３１】
また、有機ＥＬ膜（表示用組成物）の成分及び炭化水素系溶媒から成るインク２１（インク溶液）を予め調製しておく。具体的には、以下の成分を、それぞれ対応する重量比で混合することにより調製する。
【００３２】
ホール輸送性ポリマーである、カルバゾール誘導体を主鎖あるいは側鎖に有する高分子化合物（ＰＶＫ）：１６重量比
電子輸送材料（ＢＮＤ）：４重量比
発光中心形成化合物（クマリン）：１重量比
炭化水素系溶媒（テトラリン）：インク２１において、ＰＶＫ、ＢＮＤ、及び発光中心化合物の合計濃度が２ｗｔ％となる重量比
【００３３】
上記インク２１の粘度は、１×１０−３〜１×１０Ｐａ・ｓとすることができるが、このうち、５×１０−３〜１．５×１０−２Ｐａ・ｓの範囲にあることが、インクジェット法を用いてインク２１を吐出する際のドロップ径を制御する上で望ましい。また、上記インク２１の表面張力は、２０〜５０ｍＮ／ｍの範囲にあることが、インクジェット法によるインクの吐出の際の飛行曲がりを抑えることができるので好ましい。
【００３４】
次いで、インク溶液塗布工程（Ｓ１３）では、調製したインク２１を、インクジェットヘッド３０（図６参照）を用い、絶縁層１１Ｂ上において、陰極１１Ａに対向する位置の、画素を形成するべき１５カ所に、選択的に塗布する（図４（Ｃ）参照）。このインクジェットヘッド３０は、図６に示す様に、圧電素子３０Ａを備えた圧電素子方式のインクジェットヘッドであり、ドライバー３０Ｃからの信号に応じて、インクジェットヘッド本体３０Ｄに形成したオリフィス３０Ｂから、インク２１のドロップを吐出する。吐出の駆動周波数は１ｋＨｚとし、ドロップ１個の液適量を５０μｌとする。インク２１が塗布された場所では、塗布されたインク２１中に含まれる溶媒により、絶縁層１１Ｂが溶解し、インク２１は陰極１１Ａに達する（図４（Ｄ）参照）。
【００３５】
次いで、表示用組成物形成工程（Ｓ１４）では、５０〜６０℃で３０分間乾燥させることにより、インク２１中の溶媒を蒸発させ、インク２１の不揮発成分である表示用組成物を、陰極１１Ａと電気的接合を持った状態で固化させる。この固化させた表示用組成物を発光層１１Ｃとする（図４（Ｄ）参照）。
【００３６】
なお、固化した１５カ所の発光層１１Ｃは、それぞれが、１画素に対応する。この時、図４（Ｄ）に示すように、インク２１により溶解された絶縁層１１Ｂは、インク２１を滴下した部分の周辺部に偏析し、インク２１に含まれていた表示用組成物は、インク２１を滴下した部分の中央において固化する。この理由としては、インク２１に含まれる溶媒に対する溶解度において、表示用組成物の方が、絶縁層１１Ｂよりも大きいことが考えられる。
【００３７】
また、インク２１が塗布されなかった部分の絶縁層１１Ｂは、溶解されずに残り、発光層１１Ｃを隔てる隔壁１１Ｄとなる（図４（Ｄ）参照）。
【００３８】
次いで、フォトレジスト層形成工程（Ｓ１５）では、Ｓ１４の工程において形成された発光層１１Ｃ及び隔壁１１Ｄの上側に、スピンコート法によってネガ型のフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層１１Ｅを形成する（図５（Ｅ）参照）。
【００３９】
次いで、金属層形成工程（Ｓ１６）では、Ｓ１５の工程において形成されたフォトレジスト層１１Ｅの上側に、蒸着法によって金属層１１Ｆが形成される（図５（Ｆ）参照）。金属層１１Ｆの材料には、例えば、金や、銅などの不透明な使用される。
【００４０】
次いで、露光・エッチング工程（Ｓ１７）では、まず、ガラス基板１０の下側から光を照射し、フォトレジスト層１１Ｅを露光する。照射された光の一部は、陰極１１Ａに反射されるため、陰極１１Ａに対向する位置のフォトレジスト層１１Ｅは露光されず硬化しない。その後、エッチングにより、硬化していない部分のフォトレジスト層１１Ｅと同時に、金属層１１Ｆを取り除く（図５（Ｇ）参照）。これによって、陰極１１Ａに対向するフォトレジスト層１１Ｅ及び金属層１１Ｆが取り除かれる。
【００４１】
次いで、陽極形成工程（Ｓ１８）では、インクジェット法によって、Ｓ１７の工程でフォトレジスト層１１Ｅと金属層１１Ｆとが取り除かれた、陰極１１Ａに対向する部分に、電極を形成するための、光透過性のある材料が選択的に塗布される。これによって透明な陽極１１Ｇが形成される（図５（Ｈ）参照）。このとき、陽極１１Ｇの上部は、隣接する金属層１１Ｆと接続される。この金属層１１Ｆが、透明な陽極１１Ｇに電力を供給する金属配線１１Ｆとして機能する。
【００４２】
透明な陽極１１Ｇを形成するための材料には、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＰＥＤＯＴ、ポリアニリン、ポリピロール、及びＴＣＮＱのうちの少なくとも一種が使用される。なお、ＩＴＯを使用して透明な陽極１１Ｇを形成する場合は、フォトレジスト層１１Ｅと金属層１１Ｆとが取り除かれた、陰極１１Ａに対向する部分（図４（Ｇ）参照）に、ＭＯ３を蒸着した後、スパッタリングによってＩＴＯ層を形成する。
【００４３】
Ｓ１８の工程において形成された陽極１１Ｇは、発光層１１Ｃを挟んで、陰極１１Ａと対向する。陰極１１Ａと陽極１１Ｇとによって発光層１１Ｃに電圧が印加されることによって発光層１１Ｃが発光する。
【００４４】
上記のようにして有機ＥＬ素子１１をガラス基板１０の中心部に形成するとともに、ガラス基板１０の周辺部に、駆動ＴＦＴ１２と水平駆動回路１３と垂直駆動回路１４とを備える電気回路部１１０を形成する。さらには、封止層１６により、有機ＥＬ素子１１、電気回路部１１０を覆うことにより、有機ＥＬディスプレイ１を完成する。
【００４５】
この封止層１６は、ガラス板から成り、その下面（図１における下面）には、有機ＥＬ素子１１との間に、０．３〜０．５ｍｍの隙間が生じるように、乾燥剤が取り付けられている。封止層１６を取り付ける際には、その隙間に、窒素ガスを封入する。
【００４６】
以上、本実施形態の製造方法によれば、表示用組成物及び溶媒を含むインク２１を、画素を形成すべき場所に塗布することにより、発光層１１Ｃの形成と、発光層１１Ｃを隔てる隔壁１１Ｄの形成とを、同時に行うことができる。つまり、インク２１を塗布した部分においては、インク２１に含まれる溶媒が絶縁層１１Ｂを溶解し、発光層１１Ｃが形成され、インク２１が塗布されない部分では、絶縁層１１Ｂが残存し、画素間を隔てる隔壁１１Ｄとなる。そのため、有機ＥＬ膜間の隔壁を形成するために、露光、エッチング等の独立した工程を行う必要がない。よって、製造工程を短縮することができ、製造コストを低くすることができる。
【００４７】
また、インクジェットヘッド３０として、圧電素子方式を用いることにより、バブルジェット（登録商標）方式のように、インク吐出のための熱源がないので、インク材料の劣化が起こらないこと、インク２１の溶媒の選択範囲が広いこと、吐出するインク２１の液滴量の制御がしやすいこと、駆動周波数を高くできること、耐久性が高いこと、という利点が得られる。
【００４８】
また、本実施形態では、Ｓ１８の工程において、透明な陽極１１Ｇが、金属層１１Ｆ（つまり、金属配線１１Ｆ）と接続されている。透明な陽極１１Ｇへの電力の供給は、金属配線１１Ｆを介して行われる。金属配線１１Ｆに使用される金属は、光透過性のある材料と比べて電気抵抗が小さい。このため、例えば、従来のようにＩＴＯを用いて透明な陽極１１Ｇまでの電気配線を形成する場合に比べて、電気配線で消費される電力を抑制することができる。金属配線１１Ｆで消費される電力が小さいので、陽極１１Ｇまで十分な電力を供給できる。このため、例えば、ＩＴＯよりも電気抵抗が大きい光透過性のある材料で陽極１１Ｇを形成しても、表示装置の輝度を良好に保つことができる。また、金属配線１１Ｆに使用される不透明な金属は、ＩＴＯよりも安価である。ＩＴＯに用いられるインジウムは希少材料であるため、ＩＴＯが高価になるためである。このため、ＩＴＯを用いて金属配線１１Ｆを形成する場合に比べて低コストで有機ＥＬディスプレイ１を製造することができる。
【００４９】
また、金属配線１１Ｆは、隔壁１１Ｄの上方に設けられている。つまり、発光層１１Ｃの上方には設けられていない。このため、金属配線１１Ｆに不透明な金属を使用した場合でも、発光層１１Ｃから出射される光は、金属配線１１Ｆによっては遮断されない。このため、有機ＥＬディスプレイ１の輝度に影響を与えない。
【００５０】
また、仮に、金属配線１１Ｆに代えて、ＩＴＯ以外の光透過性のある材料を陽極１１Ｇに電力を供給する電気配線に使用した場合、有機ＥＬディスプレイ１の輝度を良好に保つことができない。ＩＴＯ以外の光透過性のある材料は、一般的に不透明な金属やＩＴＯよりも電気抵抗が大きいため、電気配線で消費される電力が大きく、陽極１１Ｇまで十分な電力を供給できないからである。一方、本実施形態では、金属配線１１Ｆが不透明な金属で構成されている。このため、光透過性のある材料を陽極１１Ｇに電力を供給する電気配線に使用した場合よりも、金属配線１１Ｆで消費される電力が小さい。つまり、陽極１１Ｇに供給できる電力が大きい。よって、ＩＴＯ以外の光透過性のある材料を陽極１１Ｇに使用した場合でも、有機ＥＬディスプレイ１の輝度を良好に保つことができる。また、ＩＴＯ以外の光透過性のある材料を陽極１１Ｇに使用すれば、高価なＩＴＯを使用する必要がない。このため、有機ＥＬディスプレイ１のコストダウンを行うことができる。また、ＩＴＯ以外の光透過性のある材料として、光透過性のある有機物を、陽極１１Ｇに使用した場合でも、同様の効果を得ることが可能である。この光透過性のある有機物は、例えば、ＰＥＤＯＴ、ポリアニリン、ポリピロール、及びＴＣＮＱである。
【００５１】
（第二実施形態）
続いて、本発明に係る表示装置の製造方法の第二実施形態について、図面を参照して説明する。ここでは、表示装置として、第一実施形態と同様に有機ＥＬディスプレイを例に挙げて説明する。第二実施形態は、発光層１１Ｃと陽極との間に、ホール注入層が備えられている。以下、第一実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００５２】
まず、有機ＥＬディスプレイ２の全体構成を図７を用いて説明する。なお、第一実施形態と同一の機能を有するものには同じ符号を付している。有機ＥＬディスプレイ２は、ガラス基板１０と、そのガラス基板１０上に配置された有機ＥＬ素子５１、駆動ＴＦＴ１２、水平駆動回路１３、垂直駆動回路１４、及び封止層１６を備えている。
【００５３】
上記有機ＥＬ素子５１は、ガラス基板１０の中央部に形成されており、碁盤の目状に、１５の画素に分割されている。それぞれの画素は、発光層１１Ｃ（表示用組成物）と、その発光層１１Ｃを上下から挟む陰極１１Ａ及びホール注入層５１Ｈと、そのホール注入層５１Ｈと接合される透明な陽極５１Ｇとを備えている。
【００５４】
有機ＥＬ素子５１について、陰極１１Ａと陽極５１Ｇとの間に直流電圧をかけると、陽極５１Ｇから正孔が発光層１１Ｃに供給され、陰極１１Ａから電子が発光層１１Ｃに供給される。そして、陽極５１Ｇから供給された正孔と、陰極１１Ａから供給された電子とが発光層１１Ｃで再結合する。この際、発光層１１Ｃは発光し、封止層１６を透過して、上方（図７における上方）に光を照射する。一方、陰極１１Ａと陽極５１Ｇとの間の電圧がＯＦＦの時には消光する。また、ホール注入層５１Ｈは、陽極５１Ｇから供給されるホールを効率よく発光層１１Ｃに注入する役割を担っているとともに、透明な陽極５１Ｇに使用される材料と、発光層１１Ｃに使用される材料とが、混じり合わないようにする役割を担っている。
【００５５】
なお、電気配線１１１、駆動ＴＦＴ１２、水平駆動回路１３、垂直駆動回路１４、及び電気回路部１１０については、第一実施形態と同様なので、説明を省略する。
【００５６】
次に、有機ＥＬディスプレイ２の製造方法を図８及び図９を用いて説明する。なお、図８は、有機ＥＬディスプレイ２のうち、有機ＥＬ素子５１の部分のみの製造工程を示したフローチャートであり、図９は、図８の各工程における有機ＥＬ素子５１を示した外観図である。したがって、ここでは、特に、要部である有機ＥＬ素子５１の製造方法を説明する。
【００５７】
第一実施形態の場合と同じ工程は、同じ符号で表す。図８に示すように、まず、第一実施形態の場合（図３参照）と同様に、Ｓ１１〜Ｓ１４の工程が行われる。これによって、第一実施形態の場合と同様に、発光層１１Ｃ及び隔壁１１Ｄが形成される（図４（Ａ）〜図４（Ｄ）参照）。
【００５８】
次いで、ホール注入層形成工程（Ｓ２１）では、アミン系ポリマーをトルエン溶媒に溶解させ、スピンコート法、ディップ法、カーテンコート法、バーコート法、印刷法もしくはインクジェット法を用いて塗布することによってホール注入層５１Ｈを形成する（図９（Ｅ）参照）。
【００５９】
次いで、フォトレジスト層形成工程（Ｓ２２）では、Ｓ２１の工程において形成されたホール注入層５１Ｈの上側に、スピンコート法によってネガ型のフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層５１Ｅを形成する（図９（Ｆ）参照）。
【００６０】
次いで、金属層形成工程（Ｓ２３）では、Ｓ２２の工程において形成されたフォトレジスト層５１Ｅの上側に、蒸着法によって金属層５１Ｆを形成する（図９（Ｇ））。金属層５１Ｆの材料には、例えば、金や、銅などの不透明な金属が使用される。
【００６１】
次いで、露光・エッチング工程（Ｓ２４）では、まず、ガラス基板１０の下側から光を照射し、フォトレジスト層５１Ｅを露光する。照射された光の一部は、陰極１１Ａに反射されるため、陰極１１Ａに対向する位置のフォトレジスト層５１Ｅは露光されず硬化しない。その後、エッチングにより、硬化していない部分のフォトレジスト層５１Ｅと同時に、金属層５１Ｆを取り除く。これによって、陰極１１Ａに対向するフォトレジスト層５１Ｅ及び金属層５１Ｆが取り除かれる（図９（Ｈ）参照）。
【００６２】
次いで、陽極形成工程（Ｓ２５）では、インクジェット法によって、Ｓ２４の工程でフォトレジスト層５１Ｅと金属層５１Ｆとが取り除かれた、陰極１１Ａに対向する部分に、電極を形成するための光透過性のある材料が選択的に塗布される。これによって透明な陽極５１Ｇが形成される（図９（Ｉ）参照）。このとき、陽極５１Ｇの上部は、隣接する金属層５１Ｆと接続される。この金属層５１Ｆが、透明な陽極５１Ｇに電力を供給する金属配線５１Ｆとして機能する。
【００６３】
透明な陽極５１Ｇを形成するための材料には、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＰＥＤＯＴ、ポリアニリン、ポリピロール、及びＴＣＮＱのうちの少なくとも一種が使用される。なお、ＩＴＯを使用して透明な陽極５１Ｇを形成する場合は、フォトレジスト層５１Ｅと金属層５１Ｆとが取り除かれた、陰極１１Ａに対向する部分（図９（Ｈ）参照）に、ＭＯ３を蒸着した後、スパッタリングによってＩＴＯ層を形成する。
【００６４】
Ｓ２５の工程において形成された陽極５１Ｇは、発光層１１Ｃを挟んで、陰極１１Ａと対向する。陰極１１Ａと陽極５１Ｇとによって発光層１１Ｃに電圧が印加されることによって発光層１１Ｃが発光する。
【００６５】
上記のようにして有機ＥＬ素子５１をガラス基板１０の中心部に形成するとともに、ガラス基板１０の周辺部に、駆動ＴＦＴ１２と水平駆動回路１３と垂直駆動回路１４とを備える電気回路部１１０を形成する。さらには、封止層１６により、有機ＥＬ素子５１、電気回路部１１０を覆うことにより、有機ＥＬディスプレイ２を完成する。
【００６６】
この封止層１６は、ガラス板から成り、その下面（図１における下面）には、有機ＥＬ素子５１との間に、０．３〜０．５ｍｍの隙間が生じるように、乾燥剤が取り付けられている。封止層１６を取り付ける際には、その隙間に、窒素ガスを封入する。
【００６７】
以上、本実施形態の製造方法によって製造される有機ＥＬディスプレイ２は、ホール注入層５１Ｈを備えている。ホール注入層５１Ｈは、陽極５１Ｇから供給されるホールを効率よく発光層１１Ｃに注入することができる。このため、発光層１１Ｃを良好に発光させることができる。また、ホール注入層５１Ｈが、陽極５１Ｇと発光層１１Ｃの間に設けられているため、透明な陽極５１Ｇに使用される材料と、発光層１１Ｃに使用される材料とが、混じり合わないようにすることができる。
【００６８】
また、第一実施形態の製造方法と同様に、表示用組成物及び溶媒を含むインク２１を、画素を形成すべき場所に塗布することにより、発光層１１Ｃの形成と、発光層１１Ｃを隔てる隔壁１１Ｄの形成とを、同時に行うことができる。そのため、有機ＥＬ膜間の隔壁を形成するために、露光、エッチング等の独立した工程を行う必要がない。よって、製造工程を短縮することができ、製造コストを低くすることができる。
【００６９】
また、第一実施形態の場合と同様に、ＩＴＯを用いて金属配線５１Ｆを形成する場合に比べて低コストで有機ＥＬディスプレイ２を製造することができる。また、金属配線５１Ｆは、隔壁１１Ｄの上方に設けられているため、有機ＥＬディスプレイ２の輝度に影響を与えない。
【００７０】
また、第一実施形態の場合と同様に、ＩＴＯ以外の光透過性のある材料を陽極５１Ｇに使用した場合でも、有機ＥＬディスプレイ２の輝度を良好に保つことができる。また、ＩＴＯ以外の光透過性のある材料を陽極５１Ｇに使用すれば、高価なＩＴＯを使用する必要がないため、有機ＥＬディスプレイ２のコストダウンを行うことができる。また、ＩＴＯ以外の光透過性のある材料として、光透過性のある有機物を、陽極５１Ｇに使用した場合でも、同様の効果を得ることが可能である。
【００７１】
なお、本発明は上記第一、第二実施形態に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。例えば、金属層１１Ｆ、５１Ｆは、それぞれフォトレジスト層１１Ｅ、５１Ｅの上側に設けられていたが、これに限定されない。金属層１１Ｆ、５１Ｆは、隔壁１１Ｄの上方に設けられていればよい。このため、例えば、フォトレジスト層１１Ｅ、５１Ｅを形成しなくてもよい。
【００７２】
また、発光中心形成化合物としては、クマリンに限らない。発光中心形成化合物を変更することによって、発光中心形成化合物に応じた色の光を発することができる表示装置を製造することができる。発光中心形成化合物としては、例えば、ヘテロ芳香族化合物、スチルベン系化合物の蛍光、燐光物質の中から選ばれる１または２以上の物質を使用することができる。低分子材料では、例えば、ペリレン、ルブレン、ナイルレッド、ＤＣＭ（４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−ジメチルアミノスチリル−４−ピラン）、ＤＣＪＴＢ（４−ジシアノメチレン−６−シーピージュロリジノスチリル−２−ターシャルブチル−４Ｈ−ピラン）、ＴＰＢ（テトラフェニルブタジエン）、スクアリリウム、アルミニウム錯体（例えばＡｌＱ３）等を用いることができる。また、燐光材料では、例えば、緑色Ｉｒ（ＰＰｙ）３、青色ＦＩｒｐｉｃ、赤色ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）を用いることができる。また、塗布化できる高分子材料では、例えば、インク化できる高分子系発光材料を用いることができる。具体的には、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン誘導体等を用いることができる。
【００７３】
また、インクを構成するポリマーとしては、カルバゾール誘導体を主鎖あるいは側鎖に有する高分子（ＰＶＫ）の代わりに、トリフェニルアミン誘導体を主鎖あるいは側鎖に有する高分子（例えばＰＴＰＤＥＳ（含テトラフェニルジアミン−ポリ（アリレンエステルスルフォン））等のホール輸送性ポリマーや、オキサジアゾール誘導体を主鎖あるいは側鎖に有する高分子（例えばＰＶＭＯＸＤ（ポリビニルメチルオキサジアゾール））等の電子輸送性ポリマーを用いることができる。
【００７４】
また、電子輸送材料としては、ＢＮＤに限らない。例えば、オキサジアゾール系、オキサゾール系、トリフェニルメタン系、ヒドラゾリン系、アリールアミン系、ヒドラゾン系、スチルベン系、シロール系の中から選ばれる１又は２以上のホール輸送材料、又は、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、アルミニウム錯体、シロール系の中から選ばれる１又は２以上の電子輸送材料を用いることができる。具体的には、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン）、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'ジフェニルベンジジン）、ＴＡＰＣ（１，１−ビス（ジ４トリルアミノフェニル）−シクロヘキサン）、ＰＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ジ（９−フェナントリル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン）、ＴＲＰ、ＮＰＢ（α−ＮＰＤの２量体）、ｔＢｕ−ＰＢＤ（２−（４−ビフェニル）−５−（パーシャル−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）、ＴＡＺ（３−（４'−ターシャル−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４''−ビフェニル）−１，２，４−トリアゾール）、ＡｌＱ３（トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（III））、Ｂｐｈｅｎ（バソフェナントロリン）、Ｐ−ＥｔＴＡＺ（３−（４'−ターシャル−ブチルフェニル）−４−（パラエチルフェニル）−５−（４''−ビフェニル）−１，２，４トリアゾール）等を用いることができる。
【００７５】
また、絶縁層としては、ＰＶＫの代わりに、例えば、ポリスチレン、ナイロン（ポリアミド）、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミドイミド、ポリイミド、フッ素樹脂、シクロオレフィンポリマーのいずれかを用いることができる。
【００７６】
また、インク２１を構成する溶媒としては、炭化水素系溶媒の代わりに、ハロゲン炭化水素系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン、アルデヒド、ドデシルベンゼン、テトラリン、ジクロルエタン、エチレングリコール、プロピレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテルの中から選ばれる１又は２以上の物質を用いることができる。
【００７７】
また、基板の材料としては、ガラスの代わりに、例えば、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等を用いることができる。
【００７８】
なお、上記実施形態において、ガラス基板１０が本発明の「基板」に相当し、陰極１１Ａが本発明の「第一電極」に相当する。陽極１１Ｇ及び陽極５１Ｇが本発明の「第二電極」に相当し、ホール注入層５１Ｈが本発明の「電荷注入層」に相当する。図３及び図８のＳ１１の工程が本発明の「第一電極形成工程」に相当し、金属配線１１Ｆを形成する図３のＳ１６とＳ１７との工程、及び、金属配線５１Ｆを形成する図８のＳ２３とＳ２４との工程が本発明の「金属配線形成工程」に相当する。図３のＳ１８の工程及び図８のＳ２５の工程が本発明の「第二電極形成工程」に相当し、図８のＳ２１の工程が本発明の「電荷注入層形成工程」に相当する。
【符号の説明】
【００７９】
１    有機ＥＬディスプレイ
２    有機ＥＬディスプレイ
１０    ガラス基板
１１    有機ＥＬ素子
１１Ａ    陰極
１１Ｂ    絶縁層
１１Ｃ    発光層
１１Ｄ    隔壁
１１Ｆ    金属配線
１１Ｇ    陽極
５１    有機ＥＬ素子
５１Ｆ    金属配線
５１Ｇ    陽極
５１Ｈ    ホール注入層
【図１】
2011192450.tif 000003
【図２】
2011192450.tif 000004
【図３】
2011192450.tif 000005
【図４】
2011192450.tif 000006
【図５】
2011192450.tif 000007
【図６】
2011192450.tif 000008
【図７】
2011192450.tif 000009
【図８】
2011192450.tif 000010
【図９】
2011192450.tif 000011