(57)【要約】【課題】薄膜シールドを一回の操作で、瞬間的に、誘電体層へのダメージなしで、低電圧で溶融、蒸発させ得る超極細同軸ケーブルの端末加工方法を提供すること。【解決手段】超極細同軸ケーブルの薄膜シールドを除去する端末加工方法において、薄膜シールドの除去すべき部分を第一電極と第二電極との間に配置し且つ該第一電極及び第二電極の両方に接触させ、電極間距離を１〜１０ｍｍとし、該超極細同軸ケーブル１本当りのパルス電流の電力量を５×１０-4〜１Ｊとしてパルス電流を流すことにより該薄膜シールドを溶融、蒸発させて除去する。【選択図】  図１
2011004552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部導体と、該内部導体の外周に設けられた誘電体層と、該誘電体層の外周に設けられた薄膜シールド層とを有する超極細同軸ケーブルを複数本並列に配置し、該薄膜シールドを除去する超極細同軸ケーブルの端末加工方法において、該薄膜シールドの除去すべき部分を第一電極と第二電極との間に配置し且つ該第一電極及び第二電極の両方に接触させ、電極間距離を１〜１０ｍｍとし、該超極細同軸ケーブル１本当りのパルス電流の電力量を５×１０-4〜１Ｊとしてパルス電流を流すことにより該薄膜シールドを溶融、蒸発させて除去することを特徴とする超極細同軸ケーブルの端末加工方法。
【請求項２】
内部導体と、該内部導体の外周に設けられた誘電体層と、該誘電体層の外周に設けられた薄膜シールド層と、該薄膜シールド層の外周に設けられた保護被覆層とを有する超極細同軸ケーブルを複数本並列に配置し、該超極細同軸ケーブルの端部となる部分の保護被覆層を除去して薄膜シールドを露出させた後、該露出した薄膜シールドを除去する超極細同軸ケーブルの端末加工方法において、該露出した薄膜シールドの除去すべき部分を第一電極と第二電極との間に配置し且つ該第一電極及び第二電極の両方に接触させ、電極間距離を１〜１０ｍｍとし、該超極細同軸ケーブル１本当りのパルス電流の電力量を５×１０-4〜１Ｊとしてパルス電流を流すことにより該薄膜シールドを溶融、蒸発させて除去することを特徴とする超極細同軸ケーブルの端末加工方法。
【請求項３】
電極間距離を３〜８ｍｍとし、超極細同軸ケーブル１本当りのパルス電流の電力量を２×１０-2〜２×１０-1Ｊとしてパルス電流を流すことにより該薄膜シールドを溶融、蒸発させて除去する請求項１又は２に記載の超極細同軸ケーブルの端末加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は超極細同軸ケーブルの端末加工方法、より詳しくは、信号伝送の高帯域化・高密度実装化・省スペース化等のために用いられる超極細同軸ケーブルの端末加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ノート型パソコンなどに使われるＬＣＤ（液晶ディスプレイ）の配線材には、従来、主にＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）が用いられてきた。近年における信号伝送の高帯域化・高密度実装化・省スペース化等に伴い超極細同軸ケーブルの要求が高まっており、例えば、ＬＣＤの高画質化のために、画像信号の高速化が求められるようになり、これに対応するために、ＦＰＣに代わって超極細同軸ケーブルがディスプレイ周辺の配線材に適用されるようになってきている。
【０００３】
シールドとして横巻きシールドを用いた超極細同軸ケーブルについてのシールドの除去方法、端末加工方法は知られている（例えば、特許文献１、２参照。）。超極細同軸ケーブルについて外径をより小さくするために、シールドを横巻きシールドから銅薄膜のような薄膜シールドに変化してきている。しかし、このように銅薄膜のような薄膜シールドを用いる場合には超極細同軸ケーブルの耐屈曲性を改善するために誘電体層の表面を処理して誘電体層と薄膜シールドとの接着強度を改善しており、そのことにより薄膜シールドの除去が困難になり、端末加工性が悪化する。
【０００４】
現在は超極細同軸ケーブルの薄膜シールドの除去にパルスレーザー、例えば波長１．０６μｍのパルスレーザーが使用されている。しかし、レーザーの影にあたる部分の薄膜シールドは除去されないため、反対側からもパルスレーザーを照射する必要があり、所要時間が長くなる（合計で約１０秒）。また誘電体層へのダメージがあり、更に、薄膜シールドの厚さの変化に応じてパワー、速度、時間等の設定を変更する必要がある。
【０００５】
超極細同軸ケーブルの薄膜シールドの除去技術ではないが、樹脂のリサイクルを目的として樹脂表面に設けられた金属皮膜を樹脂から除去する技術としてパルス放電を利用することが提案されている（例えば、特許文献３参照。）。その技術は大面積の除去技術であり、高電圧（５〜１５ｋＶ）を必要としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２４５０２６号公報
【特許文献２】特開２００５−３２８６９６号公報
【特許文献３】特開２００５−１５３４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、銅薄膜のような薄膜シールドを一回の操作で、瞬間的に、誘電体層へのダメージなしで、低電圧で溶融、蒸発させて除去し得る超極細同軸ケーブルの端末加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは超極細同軸ケーブルの銅薄膜のような薄膜シールドを一回の操作で、瞬間的に、誘電体層へのダメージなしで、低電圧で溶融、蒸発させて除去し得る方法について鋭意検討した結果、露出した薄膜シールドの除去すべき部分を第一電極と第二電極との間に配置し且つ該第一電極及び第二電極の両方に接触させてパルス電流を通電することにより薄膜シールドを溶融、蒸発させて除去し得ることを見出し、本発明を完成した。
【０００９】
即ち、本発明の超極細同軸ケーブルの端末加工方法は、内部導体と、該内部導体の外周に設けられた誘電体層と、該誘電体層の外周に設けられた薄膜シールド層とを有する超極細同軸ケーブルを複数本並列に配置し、該薄膜シールドを除去する超極細同軸ケーブルの端末加工方法において、該薄膜シールドの除去すべき部分を第一電極と第二電極との間に配置し且つ該第一電極及び第二電極の両方に接触させ、電極間距離を１〜１０ｍｍとし、該超極細同軸ケーブル１本当りのパルス電流の電力量を５×１０-4〜１Ｊとしてパルス電流を流すことにより該薄膜シールドを溶融、蒸発させて除去することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の超極細同軸ケーブルの端末加工方法は、内部導体と、該内部導体の外周に設けられた誘電体層と、該誘電体層の外周に設けられた薄膜シールド層と、該薄膜シールド層の外周に設けられた保護被覆層とを有する超極細同軸ケーブルを複数本並列に配置し、該超極細同軸ケーブルの端部となる部分の保護被覆層を除去して薄膜シールドを露出させた後、該露出した薄膜シールドを除去する超極細同軸ケーブルの端末加工方法において、該露出した薄膜シールドの除去すべき部分を第一電極と第二電極との間に配置し且つ該第一電極及び第二電極の両方に接触させ、電極間距離を１〜１０ｍｍとし、該超極細同軸ケーブル１本当りのパルス電流の電力量を５×１０-4〜１Ｊとしてパルス電流を流すことにより該薄膜シールドを溶融、蒸発させて除去することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の超極細同軸ケーブルの端末加工方法により、銅薄膜のような薄膜シールドを一回の操作で、瞬間的に、誘電体層へのダメージなしで、低電圧で溶融、蒸発させて除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の端末加工方法の実施で用いるパルス電流発生装置の一構成例を示す概略回路図である。
【図２】本発明の端末加工方法の実施の態様を説明するための概略説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の端末加工方法で処理する超極細同軸ケーブルは、内部導体と、該内部導体の外周に設けられた誘電体層と、該誘電体層の外周に設けられた薄膜シールド層とを有するものであるか、又は、内部導体と、該内部導体の外周に設けられた誘電体層と、該誘電体層の外周に設けられた銅薄膜のような薄膜シールド層と、該薄膜シールド層の外周に設けられた保護被覆層とを有するものであり、このような構造の超極細同軸ケーブルは周知であり、本発明では周知の超極細同軸ケーブルの端末を加工する。
【００１４】
本発明の端末加工方法において、保護被覆層を有する超極細同軸ケーブルの場合には、このような超極細同軸ケーブルを複数本並列に配置し、該超極細同軸ケーブルの端部となる部分（コネクタとの接続部分）の保護被覆層を除去して薄膜シールドを露出させた後、該露出した薄膜シールドを除去するのであるが、超極細同軸ケーブルの端部となる部分の保護被覆層の除去方法は周知であり、本発明では周知の方法により超極細同軸ケーブルの端部となる部分の保護被覆層を除去する。
【００１５】
本発明の端末加工方法は超極細同軸ケーブルの薄膜シールドの除去方法にのみ特徴を有している。本発明の特徴事項である薄膜シールドの除去方法は、（露出した）薄膜シールドの除去すべき部分を第一電極と第二電極との間に配置し且つ該第一電極及び第二電極の両方に接触させ、電極間距離を１〜１０ｍｍとし、該超極細同軸ケーブル１本当りのパルス電流の電力量を５×１０-4〜１Ｊとしてパルス電流を流すことにより該薄膜シールドを溶融、蒸発させて除去することからなる。なお、パルス電流の電力量は０．５×（コンデンサ容量、Ｆ）×（電圧、Ｖ）2として計算した値である。
【００１６】
本発明の端末加工方法においては、パルス電流を用いるので薄膜シールドに瞬間的に電力量５×１０-4〜１Ｊの電流を流すことができ、その結果として薄膜シールドの厚さに影響されること無しで第一電極と第二電極との間の薄膜シールドの全周を瞬間的に溶融、蒸発させて完全に除去することができ、またそのような電流を流しても瞬間的なパルス電流であるので薄膜シールドの下地である誘電体層の樹脂を劣化させることがない。
【００１７】
本発明の端末加工方法においてパルス電流を流す条件については、電極間距離は薄膜シールドの除去すべき長さと同一であり、通常は１〜１０ｍｍ程度、好ましくは３〜８ｍｍ程度、より好ましくは４〜７ｍｍ程度である。また、超極細同軸ケーブル１本当りのパルス電流の電力量は５×１０-4〜１Ｊ、好ましくは５×１０-3〜５×１０-1Ｊ、より好ましくは２×１０-2〜２×１０-1Ｊ程度である。超極細同軸ケーブル１本当りのパルス電流の電力量が５×１０-4Ｊ未満である場合には、薄膜シールドの除去が不完全になる傾向があり、逆に超極細同軸ケーブル１本当りのパルス電流の電力量が１Ｊを超える場合には、薄膜シールドの下地である誘電体層の樹脂を劣化させる傾向がある。なお、この程度のパルス電流の電力量を得るための充電電圧については１００〜１０００Ｖ程度、好ましくは４００〜６００Ｖ程度、より好ましくは４５０〜５５０Ｖ程度である。充電電圧が１０００Ｖを超える場合には電極の消耗が多くなり、薄膜シールドの下地の誘電体層の樹脂の劣化が生じる傾向があり、逆に１００Ｖ未満である場合には除去不良が生じる傾向がある。また、コンデンサ容量については厳格な制限はなく、充電電圧との相関関係（反比例）で超極細同軸ケーブル１本当りのパルス電流の電力量が５×１０-4〜１Ｊとなるようにする。即ち、充電電圧を下げるためにはコンデンサ容量を大きくする必要がある。
【００１８】
以下に図面に基づいて本発明を説明する。
図１は本発明の端末加工方法で用いるパルス電流発生装置の一構成例を示す回路図であり、１は第一電極、２は第二電極である。図１には充電電圧０〜１０００Ｖ、コンデンサ容量０．１〜２．０μＦの場合が示されており、電極間距離については示されていないが、１〜１０ｍｍで端末加工を実施した。
【００１９】
端末加工に使用した超極細同軸ケーブルは、その場銀繊維強化銅合金（銀含有量約１０％）からなる外径３０μｍの内部導体の外周にポリアミドとＡＢＳ樹脂とのポリマーアロイからなる誘電体層を形成して外径を８０μｍとし、このようにして形成された被覆電線の外周面を塩酸でエッチング処理し、その上から、無電解メッキにより銅からなる厚さ２μｍの薄膜シールド層（金属メッキ層）を形成したものである。本発明の端末加工方法の主題は薄膜シールドの除去であるので、保護被覆層の形成及び保護被覆層の除去を行わない場合の超極細同軸ケーブルについて端末加工した。
【００２０】
図２は本発明の実施の態様を説明するための概略説明図である。図２に示すように、上記の超極細同軸ケーブル１０本を０．３ｍｍピッチで平行に並べ、薄膜シールドの除去すべき部分を第一電極１と第二電極２との間に配置し且つ該第一電極１及び第二電極２の両方に接触させた。図２においては、簡略にするために、平行に並べた超極細同軸ケーブルの両端の２本の超極細同軸ケーブルのみを表示し、中間の他の超極細同軸ケーブルは省略してある。
【００２１】
上記のような配置で、電極間距離を１〜１０ｍｍの間で変化させ、充電電圧を０〜１０００Ｖの間で変化させ、コンデンサ容量０．１〜２．０μＦの間で変化させてパルス電流を発生させて薄膜シールドの除去の状況を観察した。なお、パルス電流の電力量は０．５×（コンデンサ容量、Ｆ）×（電圧、Ｖ）2として計算した値である。図２において３は薄膜シールドが除去される前の超極細同軸ケーブルであり、４は薄膜シールドが除去された後の超極細同軸ケーブルである。
【００２２】
上記の端末加工を行った時の放電条件及び除去の状態は第１表に示す通りである。除去の状態の欄の○は完全に除去された場合、×は除去が不完全又は誘電体層に影響を及ぼした場合を示す。
【００２３】
【表１】
2011004552.tif 000003
【符号の説明】
【００２４】
１  第一電極
２  第二電極
３  薄膜シールドが除去される前の超極細同軸ケーブル
４  薄膜シールドが除去された後の超極細同軸ケーブル
【図１】
2011004552.tif 000004
【図２】
2011004552.tif 000005