(57)【要約】【課題】基板の周辺領域に堆積する粉塵を除去することができる液晶装置の製造装置及び液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】一対の基板に挟持された液晶層と、一対の基板のうち一方の基板に設けられ配向処理が施される配向膜とを有する液晶装置の製造装置であって、被処理基板１０１を少なくとも１つ載置する基板載置領域を有するステージ７３と、ステージ７３上で一方の基板に設けられた配向膜をラビング処理するラビングロール７５と、基板載置領域の周辺に、基板載置領域の少なくとも一辺に沿って配置された吸引口７６ａを有する第１吸引部７６とを備える。【選択図】図８
2011008148.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板のうち一方の基板に設けられ配向処
理が施される配向膜とを有する液晶装置の製造装置であって、
前記一方の基板を少なくとも１つ載置する基板載置領域を有するステージと、
前記ステージ上で前記一方の基板に設けられた前記配向膜をラビング処理するラビング
ロールと、
前記基板載置領域の周辺に、前記基板載置領域の少なくとも一辺に沿って配置された吸
引口を有する第１吸引部とを備えることを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記基板載置領域の周辺は、少なくとも１つの段差面を有し、
前記吸引口は、前記段差面の段差に対応した形状を備えていることを特徴とする液晶置
の製造装置。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記吸引口は、前記ステージの表面に対して法線方向における高さの異なる前記段差面
に対応して分割されていることを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記吸引口は、前記段差面に対して平行かつ閉塞された閉塞部と、開口した開口部とを
有することを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記ステージの所定の方向における待機位置と前記待機位置から離間した位置との間で
前記第１吸引部を移動させる第１移動機構を備えていることを特徴とする液晶装置の製造
装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶装置の製造装置であって、
制御部を備え、
前記制御部は、前記第１移動機構を駆動制御して、前記基板載置領域の周辺と前記吸引
口とが所定の隙間を置いて対向するように前記ステージに対して前記第１吸引部を移動さ
せることを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項７】
請求項６に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記制御部は、前記第１吸引部の吸引時間を制御することを特徴とする液晶装置の製造
装置。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記基板載置領域の周辺に堆積した粉塵の量を感知する光学センサーを備え、
前記制御部は、前記光学センサーからの出力に基づいて所定時間以上となるように吸引
時間を制御することを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記基板は方形状であり、
前記第１吸引部は、前記基板の少なくとも一辺に沿った形状を有することを特徴とする
液晶装置の製造装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記基板は円形状であり、
前記第１吸引部は、前記基板の少なくとも一辺に沿った形状を有することを特徴とする
液晶装置の製造装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記第１吸引部は、ラビング方向の下流側に配置されていることを特徴とする液晶装置
の製造装置。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記制御部は、前記第１吸引部に対して前記ステージを移動させる第１移動機構を駆動
制御することを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置であって、
前記ラビングロールの周面の近傍に吸引口が配置される第２吸引部を有していることを
特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項１４】
一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板のうち一方の基板に設けられ配向処
理が施される配向膜とを有する液晶装置の製造方法であって、
前記一方の基板を基板載置領域に少なくとも１つ載置する載置工程と、
前記一方の基板の前記配向膜を所定の方向にラビングして配向処理を施すラビング処理
工程と、を有し、
前記ラビング処理工程は、前記基板載置領域の少なくとも一辺に沿った基板載置領域の
周辺に付着する粉塵を吸引する吸引工程を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記吸引工程は、少なくともラビング処理毎に行うことを特徴とする液晶装置の製造方
法。
【請求項１６】
請求項１４又は請求項１５に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記吸引工程は、前記基板側から前記基板載置領域の周辺の方向に風を送りながら吸引
を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配向膜にラビング処理を施す液晶装置の製造装置、液晶装置の製造方法に関
する。
【背景技術】
【０００２】
上記した液晶装置は、一方の基板に設けられた配向膜と他方の基板に設けられた配向膜
との間に液晶が挟持された構造を有している。このような液晶装置の製造方法としては、
例えば、特許文献１及び特許文献２に記載のように、電圧が印加されていないときの液晶
の配向状態を規定する、配向膜の表面にラビング処理を施す工程を有する。
【０００３】
ラビング処理は、ラビングロールに巻きつけられたラビング部材により配向膜を擦って
、その表面に溝を形成する。液晶分子は、溝に沿って配列する性質を有しており、これに
より配向処理が実現される。一方、ラビング処理を行った際、配向膜の削り屑やラビング
部材の切れ毛等を含む粉塵が発生する。そして、この粉塵が配向膜に付着し、ラビング処
理時に配向膜を傷つけるおそれがある。そこで、例えば、特許文献３に記載のように、粉
塵が発生する部分（例えば、ラビングロールの近傍）に吸引装置を設け、発生した粉塵を
吸引する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−９８５２８号公報
【特許文献２】特開２００３−６６４５６号公報
【特許文献３】特開平１０−２５３９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した特許文献３の方法では、ラビング処理中に発生した粉塵を吸引
することができるものの、吸引しきれない粉塵が基板の周辺領域に堆積することがある。
そして、周辺領域に堆積した粉塵が静電気等により再びラビングロールや配向膜に付着し
、その結果、配向膜を傷つけるおそれがあるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形
態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造装置は、一対の基板に挟持された液晶層と
、前記一対の基板のうち一方の基板に設けられ配向処理が施される配向膜とを有する液晶
装置の製造装置であって、前記一方の基板を少なくとも１つ載置する基板載置領域を有す
るステージと、前記ステージ上で前記一方の基板に設けられた前記配向膜をラビング処理
するラビングロールと、前記基板載置領域の周辺に、前記基板載置領域の少なくとも一辺
に沿って配置された吸引口を有する第１吸引部とを備えることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、第１吸引部が設けられているので、ラビング処理の際に発生する粉
塵が基板載置領域の周辺に堆積したとしても、吸引して除去することができる。更に、吸
引口が基板載置領域の少なくとも一辺に沿って配置されているので、より基板載置領域に
近い部分に堆積した粉塵を吸引することができる。その結果、基板載置領域の周辺に堆積
した粉塵が再びラビングロールに付着して、ラビング処理に悪影響を及ぼすことを抑える
ことができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記基板載置領域の周辺
は、少なくとも１つの段差面を有し、前記吸引口は、前記段差面の段差に対応した形状を
備えていることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、段差面の段差に対応した吸引口が設けられているので、基板載置領
域の周辺において粉塵を吸引する吸引力のばらつきを少なくすることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記吸引口は、前記ステ
ージの表面に対して法線方向における高さの異なる前記段差面に対応して分割されている
ことが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、段差面に対応して吸引口が分割されているので、それぞれの段差面
と吸引口との隙間を所定の隙間に統一することが可能となる。よって、段差面のそれぞれ
の部分において一定の吸引力で粉塵を吸引することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記吸引口は、前記段差
面に対して平行かつ閉塞された閉塞部と、開口した開口部とを有することが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、閉塞部から開口部へと気体の流路をつくることが可能となり、段差
面においても一定の流速を確保することができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記ステージの所定の方
向における待機位置と前記待機位置から離間した位置との間で前記第１吸引部を移動させ
る第１移動機構を備えていることが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、第１移動機構を備えているので、ステージを各処理を行うポジショ
ンに移動させる際、ステージの移動の邪魔にならない位置に第１吸引部を移動させること
が可能となる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、制御部を備え、前記制御
部は、前記第１移動機構を駆動制御して、前記基板載置領域の周辺と前記吸引口とが所定
の隙間を置いて対向するように前記ステージに対して前記第１吸引部を移動させることが
好ましい。
【００１８】
この構成によれば、基板載置領域の周辺と吸引口との隙間を調整可能に設けられている
ので、粉塵の吸引状態を確認しながら、第１吸引部と基板載置領域の周辺との隙間を調整
するようにしてもよい。よって、基板載置領域の周辺に粉塵が堆積する量を少なくするこ
とができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記制御部は、前記第１
吸引部の吸引時間を制御することが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、制御部によって吸引時間を制御するので、例えば、基板載置領域の
周辺に堆積した粉塵が多い場合は吸引時間を長くするなどの調整を行うことができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記基板載置領域の周辺
に堆積した粉塵の量を感知する光学センサーを備え、前記制御部は、前記光学センサーか
らの出力に基づいて所定時間以上となるように吸引時間を制御することが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、光学センサー及び制御部を備えているので、基板載置領域の周辺に
堆積した粉塵の量から適切な吸引時間に制御することが可能となる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記基板は方形状であり
、前記第１吸引部は、前記基板の少なくとも一辺に沿った形状を有することが好ましい。
【００２４】
この構成によれば、基板の形状が方形状である場合でも、基板の一辺の形状に沿って第
１吸引部が形成されているので、より基板に近い部分に堆積した粉塵を吸引することがで
きる。
【００２５】
［適用例１０］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記基板は円形状であ
り、前記第１吸引部は、前記基板の少なくとも一辺に沿った形状を有することが好ましい
。
【００２６】
この構成によれば、基板の形状が円形状である場合でも、基板の一辺の形状に沿って第
１吸引部が形成されているので、より基板に近い部分に堆積した粉塵を吸引することがで
きる。
【００２７】
［適用例１１］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記第１吸引部は、ラ
ビング方向の下流側に配置されていることが好ましい。
【００２８】
この構成によれば、ラビング方向の下流側に第１吸引部が配置されているので、ラビン
グ布が被処理基板を所定の方向に擦って掻き上げた粉塵を吸引することができる。
【００２９】
［適用例１２］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記制御部は、前記第
１吸引部に対して前記ステージを移動させる第１移動機構を駆動制御することが好ましい
。
【００３０】
この構成によれば、第１吸引部に対してステージが移動するので、基板載置領域の周辺
の全体を覆うように吸引口を開口させることと比較して、第１吸引部の面積を小さくする
ことが可能となる。よって、液晶装置の製造装置をよりコンパクトにすることができる。
【００３１】
［適用例１３］上記適用例に係る液晶装置の製造装置において、前記ラビングロールの
周面の近傍に吸引口が配置される第２吸引部を有していることが好ましい。
【００３２】
この構成によれば、基板載置領域の周辺に設けられた第１吸引部に加えて、ラビングロ
ールの周面の近傍に第２吸引部が設けられているので、ラビング処理によって発生する粉
塵をより吸引することができる。
【００３３】
［適用例１４］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、一対の基板に挟持された液晶層
と、前記一対の基板のうち一方の基板に設けられ配向処理が施される配向膜とを有する液
晶装置の製造方法であって、前記一方の基板を基板載置領域に少なくとも１つ載置する載
置工程と、前記一方の基板の前記配向膜を所定の方向にラビングして配向処理を施すラビ
ング処理工程と、を有し、前記ラビング処理工程は、前記基板載置領域の少なくとも一辺
に沿った基板載置領域の周辺に付着する粉塵を吸引する吸引工程を含むことを特徴とする
。
【００３４】
この方法によれば、吸引工程によって基板載置領域の少なくとも一辺に沿った基板載置
領域の周辺に付着する粉塵を吸引するので、ラビング処理で発生した粉塵が基板載置領域
の周辺に堆積したとしても吸引して除去することができる。これにより、基板載置領域の
周辺に堆積した粉塵が再びラビング処理に悪影響を及ぼすことを抑えることができる。
【００３５】
［適用例１５］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記吸引工程は、少な
くともラビング処理毎に行うことが好ましい。
【００３６】
この方法によれば、ラビング処理毎に吸引を行うので、ラビング処理によって基板載置
領域の周辺に堆積する粉塵の量を常に少なくすることが可能となる。よって、堆積した粉
塵がラビング処理に悪影響を及ぼすことを抑えることができる。
【００３７】
［適用例１６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記吸引工程は、前記
基板側から前記基板載置領域の周辺の方向に風を送りながら吸引を行うことが好ましい。
【００３８】
この方法によれば、基板の周辺に風を送りながら（当てながら）吸引するので、吸引だ
けでは除去できない粉塵をより除去しやすくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】第１実施形態の液晶装置の構造を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置を構成する画素の構造を示す模式断面図。
【図５】マザー基板の構成を示す模式平面図。
【図６】ラビング装置の構造を示す模式図であり、（ａ）はラビング装置の構造を示す斜視図、（ｂ）はラビング装置を構成するパレットを上方から見た模式平面図、（ｃ）は（ｂ）に示すパレットのＢ−Ｂ'断面に沿う模式断面図。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、ラビング装置を構成するステージが各ポジションに移動したときの状況を示す模式平面図。
【図８】ラビング装置の構造を示す模式断面図であり、（ａ）、（ｂ）はステージが各ポジションに移動したときの状況を示す模式断面図。
【図９】ラビング装置の機械的および電気的な構成を示すブロック図。
【図１０】液晶装置の製造方法を工程順に示す工程図。
【図１１】液晶装置の製造方法のうち第２配向膜の製造方法を詳しく示す工程図。
【図１２】第２実施形態のラビング装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は第１ポジションにおけるラビング装置の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示すラビング装置のＣ−Ｃ’断面に沿う模式断面図。
【図１３】第３実施形態のラビング装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は第１ポジションにおけるラビング装置の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示すラビング装置のＤ−Ｄ’断面に沿う模式断面図。
【図１４】ラビング装置の構造の変形例を示す模式図であり、（ａ）は第１ポジションにおけるラビング装置の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示すラビング装置のＥ−Ｅ’断面に沿う模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構造を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＡ−
Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図１及び図２を参照しながら
説明する。
【００４１】
図１及び図２に示すように、液晶装置１１は、例えば、薄膜トランジスター（以下、「
ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子」と称する。）を画素のスイッチング素子として用
いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置１１は、一対の基板を
構成する素子基板１２と対向基板１３とが、平面視略矩形枠状のシール材１４を介して貼
り合わされている。
【００４２】
素子基板１２及び対向基板１３は、例えば、ガラスや石英などの透光性材料から構成さ
れている。液晶装置１１は、シール材１４に囲まれた領域内に液晶層１５が封入された構
成になっている。なお、シール材１４には液晶を注入するための液晶注入口１６が設けら
れ、液晶注入口１６は封止材１７により封止されている。
【００４３】
液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶
装置１１は、シール材１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の額縁
遮光膜１８が対向基板１３に形成されており、この額縁遮光膜１８の内側の領域が表示領
域１９となっている。
【００４４】
額縁遮光膜１８は、例えば、遮光性材料であるアルミ（Ａｌ）で形成されており、対向
基板１３側の表示領域１９の外周を区画するように設けられている。
【００４５】
表示領域１９内には、画素領域２１がマトリクス状に設けられている。画素領域２１は
、表示領域１９の最小表示単位となる１画素を構成している。シール材１４の外側の領域
には、信号線駆動回路２２及び外部接続端子２３が素子基板１２の一辺（図１における下
側）に沿って形成されている。
【００４６】
また、シール材１４の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回
路２４がそれぞれ形成されている。素子基板１２の残る一辺（図１における上側）には、
検査回路２５が形成されている。対向基板１３側に形成された額縁遮光膜１８は、例えば
、素子基板１２上に形成された走査線駆動回路２４及び検査回路２５に対向する位置（言
い換えれば、平面的に重なる位置）に形成されている。
【００４７】
一方、対向基板１３の各角部（例えば、シール材１４のコーナー部の４箇所）には、素
子基板１２と対向基板１３との間の電気的導通をとるための上下導通端子２６が配設され
ている。
【００４８】
また、図２に示すように、素子基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極２７が形
成されており、これら画素電極２７を覆うように第１配向膜２８が形成されている。画素
電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００４９】
一方、対向基板１３の液晶層１５側には、格子状の遮光膜（ＢＭ：ブラックマトリクス
）（図示せず）が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極３１が形成されている。そし
て、共通電極３１上には、第２配向膜３２が形成されている。共通電極３１は、ＩＴＯ等
の透明導電材料からなる導電膜である。なお、上述した第１配向膜２８及び第２配向膜３
２は、後述するラビング装置を用いて形成される。
【００５０】
液晶装置１１は透過型であって、素子基板１２及び対向基板１３における光の入射側と
出射側とにそれぞれ偏光板（図示せず）等が配置されて用いられる。なお、液晶装置１１
の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。
【００５１】
図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な
構成を、図３を参照しながら説明する。
【００５２】
図３に示すように、液晶装置１１は、表示領域１９を構成する複数の画素領域２１を有
している。各画素領域２１には、それぞれ画素電極２７が配置されている。また、画素領
域２１には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。
【００５３】
ＴＦＴ素子３３は、画素電極２７へ通電制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ素
子３３のソース側には、信号線３４が電気的に接続されている。各信号線３４には、例え
ば、信号線駆動回路２２（図１参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給されるよ
うになっている。
【００５４】
また、ＴＦＴ素子３３のゲート側には、走査線３５が電気的に接続されている。走査線
３５には、例えば、走査線駆動回路２４（図１参照）から所定のタイミングでパルス的に
走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子３３の
ドレイン側には、画素電極２７が電気的に接続されている。
【００５５】
走査線３５から供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子で
あるＴＦＴ素子３３が一定期間だけオン状態となることで、信号線３４から供給された画
像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極２７を介して画素領域２１に所定のタイミング
で書き込まれるようになっている。
【００５６】
画素領域２１に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極
２７と共通電極３１（図２参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。な
お、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するために、画素電
極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極５５と容量線の一例であるシールド層５
７に電気的に接続された容量電極３６との間に蓄積容量３７（図４参照）が形成されてい
る。
【００５７】
このように、液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液
晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像
光が生成されるようになっている。
【００５８】
図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参
照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、
明示可能な尺度で表されている。
【００５９】
図４に示すように、液晶装置１１は、素子基板１２と、これに対向配置される対向基板
１３とを備えている。素子基板１２及び対向基板１３は、上記したように、例えば、石英
基板やガラス基板等によって構成されている。
【００６０】
素子基板１２上には、Ｔｉ（チタン）やＣｒ（クロム）等からなる下側遮光膜５１が形
成されている。下側遮光膜５１は、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の
開口領域を規定している。素子基板１２及び下側遮光膜５１上には、シリコン酸化膜等か
らなる下地絶縁膜５２が形成されている。
【００６１】
下地絶縁膜５２上には、ＴＦＴ素子３３及び走査線３５等が形成されている。ＴＦＴ素
子３３は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等
からなる半導体層４１と、半導体層４１上に形成されたゲート絶縁膜５３と、ゲート絶縁
膜５３上に形成されたポリシリコン膜等からなる走査線３５とを有する。上記したように
、走査線３５は、ゲート電極として機能する。
【００６２】
半導体層４１は、チャネル領域４１ａと、低濃度ソース領域４１ｂと、低濃度ドレイン
領域４１ｃと、高濃度ソース領域４１ｄと、高濃度ドレイン領域４１ｅとを備えている。
チャネル領域４１ａは、走査線３５からの電界によりチャネルが形成される。下地絶縁膜
５２上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜５４が形成されている。
【００６３】
第１層間絶縁膜５４上には、蓄積容量３７及び信号線３４等が設けられている。蓄積容
量３７は、ＴＦＴ素子３３の高濃度ドレイン領域４１ｅ及び画素電極２７に接続された画
素電位側容量電極としての中継層５５と、固定電位側容量電極としての容量電極３６とが
、誘電体膜５６を介して対向配置されている。
【００６４】
容量電極３６及び信号線３４は、下層に導電性ポリシリコン膜Ａ１、上層にアルミニウ
ム膜Ａ２の二層構造を有する膜として形成されている。
【００６５】
容量電極３６及び信号線３４は、光反射性能に比較的優れたアルミニウムを含み、かつ
、光吸収性能に比較的優れたポリシリコンを含むことから、遮光層として機能し得る。よ
って、ＴＦＴ素子３３の半導体層４１に対する入射光の進行を、その上側で遮ることが可
能である。
【００６６】
このような容量電極３６は、蓄積容量３７の固定電位側容量電極として機能する。容量
電極３６を固定電位とするためには、上述のように、画素領域２１外の定電位源に接続さ
れることで固定電位とされたシールド層５７と、コンタクトホール５８を介して電気的に
接続されることによってなされている。
【００６７】
第１層間絶縁膜５４には、ＴＦＴ素子３３の高濃度ソース領域４１ｄと信号線３４とを
電気的に接続するコンタクトホール６１が開孔されている。言い換えれば、信号線３４は
、誘電体膜５６及び第１層間絶縁膜５４を貫通するコンタクトホール６１を介して、ＴＦ
Ｔ素子３３の半導体層４１と電気的に接続されている。具体的には、信号線３４が上述の
ような二層構造をとっており、中継層５５が導電性のポリシリコン膜からなることにより
、信号線３４及び半導体層４１間の電気的接続は、導電性のポリシリコン膜によって実現
されている。すなわち、下から順に、半導体層４１、中継層５５のポリシリコン膜、信号
線３４の下層のポリシリコン膜Ａ１、その上層のアルミニウム膜Ａ２となる。
【００６８】
また、第１層間絶縁膜５４には、ＴＦＴ素子３３の高濃度ドレイン領域４１ｅと蓄積容
量３７を構成する中継層５５とを電気的に接続するコンタクトホール６２が開孔されてい
る。第１層間絶縁膜５４上には、シリコン酸化膜等からなる第２層間絶縁膜６３が形成さ
れている。
【００６９】
第２層間絶縁膜６３上には、例えば、アルミニウム等からなるシールド層５７が形成さ
れている。また、第２層間絶縁膜６３には、上記したように、シールド層５７と容量電極
３６とを電気的に接続するためのコンタクトホール５８が形成されている。第２層間絶縁
膜６３上には、シリコン酸化膜等からなる第３層間絶縁膜６４が形成されている。
【００７０】
第２層間絶縁膜６３及び第３層間絶縁膜６４には、画素電極２７と中継層５５とを電気
的に接続するためのコンタクトホール６５，６６が開孔されている。具体的には、第２層
間絶縁膜６３上に形成された第２中継層６７を介してコンタクトホール６５とコンタクト
ホール６６とが電気的に接続されている。第２中継層６７は、シールド層５７と同一の膜
構成となっており、下層にアルミニウム膜、上層に窒化チタン膜という二層構造を備えて
いる。
【００７１】
つまり、高濃度ドレイン領域４１ｅと画素電極２７とは、コンタクトホール６２、中継
層５５、コンタクトホール６５、第２中継層６７、コンタクトホール６６を介して、電気
的に接続されている。第３層間絶縁膜６４上には、上記した画素電極２７及び第１配向膜
２８が形成されている。
【００７２】
画素電極２７は、平面的にマトリクス状に形成されており、例えば、ＩＴＯ膜等の透明
導電性膜からなる。また、画素電極２７上には、ラビングにより所定の方向に配向処理が
施された第１配向膜２８が形成されている。第１配向膜２８は、例えば、ポリイミド膜等
の透明な有機膜からなる。
【００７３】
第１配向膜２８上には、シール材１４（図１参照）により囲まれた空間に液晶等の電気
光学物質が封入された液晶層１５が設けられている。対向基板１３の液晶層１５に面する
側には、透明な共通電極３１を覆ってラビングにより所定の方向に配向処理が施された第
２配向膜３２が形成されている。第２配向膜３２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有
機膜からなる。
【００７４】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で第１配向膜２８及び
第２配向膜３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１２及び対向
基板１３をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂から
なる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラス
ビーズ等のスペーサーが混入されている。以下、上記した液晶装置１１となる前のマザー
基板について説明する。
【００７５】
図５は、マザー基板の構成を示す模式平面図である。以下、マザー基板の構成を、図５
を参照しながら説明する。
【００７６】
図５に示すように、上記液晶装置１１は、例えば、複数個分の素子基板１２が面付けさ
れたマザー基板１０２に対して対向基板１３を個々に貼り合わせ、その隙間に液晶を注入
・封止してから、これを所定の位置で切断することにより、個々の液晶装置１１が取り出
される。
【００７７】
マザー基板１０２は、例えば、大きさが８インチのウェハ状であって、厚みが１．２ｍ
ｍの石英基板である。四角形（長方形）の素子基板１２はマザー基板１０２の表面にマト
リクス状に面付けされている。１つの素子基板１２の大きさは対角線の長さにしておよそ
１インチ程度である。この場合の面付け数は４０個である。
【００７８】
なお、ウェハ状とは、図５に示したように平面的に円形であることに限定されず、例え
ば円周の一部が切り欠かれたオリフラを有するものを含む概念である。
【００７９】
上記液晶装置１１において、対向基板１３側の第２配向膜３２は、後述する本実施形態
の液晶装置の製造装置および液晶装置の製造方法を適用した配向処理が施されている。以
下、上記した第２配向膜３２に対して所定の方向に配向処理を施すラビング装置の構造に
ついて説明する。
【００８０】
＜液晶装置の製造装置の構成＞
図６は、液晶装置の製造装置としてのラビング装置の構造を示す模式図である。（ａ）
は、ラビング装置の構造を示す斜視図である。（ｂ）は、ラビング装置を構成するパレッ
トを上方から見た模式平面図である。（ｃ）は、（ｂ）に示すパレットのＢ−Ｂ'断面に
沿う模式断面図である。図７（ａ）〜（ｄ）は、ラビング装置を構成するステージが各ポ
ジションに移動したときの状況を示す模式平面図である。図８（ａ）、（ｂ）は、ラビン
グ装置の構造を示す模式断面図である。以下、ラビング装置の構造について、図６〜図８
を参照しながら説明する。
【００８１】
なお、ラビング処理が施される基板を被処理基板１０１として説明する。具体的には、
被処理基板１０１は、一対の基板のうち一方の基板である第２配向膜３２が形成された対
向基板１３である。
【００８２】
図６〜図８に示すように、ラビング装置７１は、例えば、複数の被処理基板１０１を並
べて収納するパレット７２と、パレット７２を載置するステージ７３と、パレット７２を
移動させるための基板搬送機７４と、ラビング布７５ａが捲回され所定の方向に回転する
ラビングロール７５と、ラビング処理を行った際に発生する粉塵２００を吸引して除去す
る第１吸引部７６及び第２吸引部７７と、を備えている。なお、ステージ７３上における
パレット７２が載置される領域を基板載置領域（図７（ｄ）に示された破線で囲まれた領
域）という。
【００８３】
ステージ７３は、被処理基板１０１にラビング処理を施すためにパレット７２を載置し
て固定するために用いられる。ステージ７３には、被処理基板１０１を吸着して固定する
吸着部（図示せず）が備えられている。また、ステージ７３には、ラビングロール７５に
対してステージ７３を所定の方向（矢印方向：図６（ａ）、図７（ｃ）参照）に相対的に
移動させる移動機構９１と、これらを制御する制御部９２が備えられている。ステージ７
３は、第１ポジション８１から第４ポジション８４までを移動することが可能に設けられ
ている。
【００８４】
パレット７２は、例えばアルミニウムなどの板状部材を切削加工したものであり、その
表面には被処理基板１０１の形状とその大きさに合わせて設けられた複数の凹部７２ａと
、凹部７２ａごとにその底面中央付近に設けられた吸引口７２ｂとを有している。平面視
で四角形の凹部７２ａは、パレット７２の短辺と長辺とに沿って複数配列しており、この
場合、短辺に沿った縦方向に５個、長辺に沿った横方向に８個、合計４０個が設けられて
いる。
【００８５】
図６（ｃ）に示すように、凹部７２ａは、その底面に被処理基板１０１が載置されたと
きに、パレット７２の表面から被処理基板１０１の表面がわずかに突出する深さで設けら
れている。被処理基板１０１は、パレット７２の凹部７２ａに収まるように配置され、吸
引手段によって吸着固定される。
【００８６】
第１ポジション８１（図７（ａ）参照）は、例えば、ステージ７３のホームポジション
である。また、第１ポジション８１では、ステージ７３上に堆積した粉塵２００の吸引が
行われる。第２ポジション８２（図７（ｂ）参照）では、ラビング処理前の被処理基板１
０１が並べられたパレット７２の搬入が行われる。第３ポジション８３（図７（ｃ）参照
）では、被処理基板１０１にラビング処理が行われる。第４ポジション８４（図７（ｄ）
参照）では、ラビング処理後の被処理基板１０１が並べられたパレット７２の搬出が行わ
れる。
【００８７】
基板搬送機７４は、第２ポジション８２において、ステージ７３上に処理前のパレット
７２を載置するために用いられる。また、基板搬送機７４は、第４ポジション８４におい
て、ステージ７３上に載置された処理済みのパレット７２をステージ７３上から外部に搬
出するために用いられる。基板搬送機７４は、パレット７２を挟んだり放したりするため
に、スライド移動が可能な２本のアーム７４ａが備えられている。
【００８８】
ラビングロール７５は、第３ポジション８３において、ステージ７３の上方に配置され
ている。ラビングロール７５は、円柱形状に形成されており、円の中心を軸にして回転可
能に設けられている。ラビングロール７５の周面には、例えば、レーヨンで形成されたラ
ビング布７５ａが取り付けられている。
【００８９】
ステージ７３とラビングロール７５とは、相対的に移動させることが可能に設けられて
いる。ここでは、例えば、ステージ７３がラビングロール７５に対して矢印方向に水平移
動する。また、ステージ７３及びラビングロール７５の少なくとも一方は、垂直方向に移
動することが可能となっている。ここでは、ステージ７３に対してラビングロール７５が
垂直方向（上下方向）に移動することが可能となっている。また、ラビングロール７５と
ステージ７３とは、ラビング布７５ａによる被処理基板１０１へのラビング圧が所定値に
なるように、垂直方向の位置決めが行われている。
【００９０】
第１吸引部７６は、ラビング方向の下流側となる第１ポジション８１に配置されている
。具体的には、第１吸引部７６は、ラビング処理を行った際にステージ７３上に堆積した
粉塵２００の除去を行う。例えば、第１吸引部７６は、ステージ７３が各ポジションに移
動するときには、ステージ７３の上方に待機している。また、第１吸引部７６は、第３ポ
ジション８３においてラビング処理が終了した後、ステージ７３が第１ポジション８１に
戻ってきた際に、粉塵２００を吸引するために待機位置から下降する。
【００９１】
また、第１吸引部７６は、ステージ７３上に載置されたパレット７２の辺部７２ｃ，７
２ｄ（一辺部），７２ｅに沿った領域からステージ７３の一端７３ａ付近までの領域を覆
うように吸引口７６ａを有する。つまり、第１吸引部７６（吸引口７６ａ）は、パレット
７２の周辺領域（基板載置領域の周辺）における、ラビングロール７５によって掻き上げ
られた粉塵２００が堆積しやすい領域（以下、「周辺領域７８」と称する。）を覆って構
成されている。このように、パレット７２（被処理基板１０１）の辺部（７２ｃ，７２ｄ
，７２ｅ）に沿って吸引口７６ａが形成されているので、よりパレット７２（被処理基板
１０１）に近い部分に堆積した粉塵２００を吸引することができる。
【００９２】
なお、第１吸引部７６は、第２配向膜３２の配向方向によってラビングロール７５を傾
けて配置することがあるため、パレット７２の側方（辺部７２ｃ，７２ｅ）まで覆ってい
ることが望ましい。すなわち、第１吸引部７６は、辺部７２ｄに沿って配置される本体部
と、本体部から辺部７２ｃ，７２ｅに沿って配置される延在部とを備えることが望ましい
。これにより、パレット７２の側方付近に堆積した粉塵２００を吸引することが可能とな
る。
【００９３】
また、粉塵２００を吸引する際の、吸引口７６ａとステージ７３との隙間は、例えば、
２ｍｍ〜３ｍｍ程度である。また、パレット７２と吸引口７６ａとの隙間は、例えば、５
ｍｍ程度である。第１吸引部７６は、吸引した粉塵２００を排気口８５を介して排気する
。また、第１吸引部７６には、ステージ７３に対して吸引口７６ａを所定の方向に相対的
に移動させる移動機構９３（第１移動機構）と、これらを制御する制御部９２が備えられ
ている。これにより、吸引口７６ａとステージ７３との隙間、また、吸引圧及び吸引時間
を適宜設定することが可能である。
【００９４】
第２吸引部７７は、第３ポジション８３においてラビングロール７５の上方に配置され
ている。具体的には、第２吸引部７７は、ラビング処理を行った際に、ラビングロール７
５の周面近傍の粉塵２００の除去を行う。ラビングロール７５と第２吸引部７７との距離
は、約１ｍｍ程度である。
【００９５】
図９は、ラビング装置の機械的および電気的な構成を示すブロック図である。以下、ラ
ビング装置の機械的および電気的な構成を、図９を参照しながら説明する。
【００９６】
図９に示すように、制御部９２は、ラビングロール７５に取り付けられた、例えば、サ
ーボモーターなどの回転機構９４を駆動制御して、ラビングロール７５を所定の方向に所
定の回転速度（単位時間当たりの回転数）で回転させる。
【００９７】
また、ステージ７３に設けられた移動機構９１を駆動制御して、ステージ７３をラビン
グロール７５に対して所定の速度で相対的に移動させる。また、第１吸引部７６に設けら
れた移動機構９３を駆動制御して、第１吸引部７６をステージ７３に対して相対的に移動
させる。これにより、吸引口７６ａとステージ７３との隙間を設定することができる。更
に、制御部９２は、第１吸引部７６による粉塵２００の吸引時間や吸引圧を制御する。次
に、液晶装置１１の製造方法について説明する。
【００９８】
＜液晶装置の製造方法＞
図１０は、液晶装置の製造方法を工程順に示す工程図である。図１１は、液晶装置の製
造方法のうち第２配向膜の製造方法を詳しく示す工程図である。以下、液晶装置の製造方
法を、図１０及び図１１を参照しながら説明する。
【００９９】
最初に、素子基板１２側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、素子基板１２上
にＴＦＴ素子３３（図３参照）等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソ
グラフィ技術及びエッチング技術を用いて、素子基板１２上にＴＦＴ素子３３を形成する
。その後、同様の方法を用いて第３層間絶縁膜６４までを形成する。
【０１００】
ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォト
リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第３層間絶縁膜６４上に画素電極２７を
形成する。
【０１０１】
ステップＳ１３では、画素電極２７上に第１配向膜２８を形成する。第１配向膜２８の
形成方法は、例えば、配向膜材料としてのポリイミドやポリアミック酸を含む有機溶液を
塗布して、溶媒成分を除去する乾燥・焼成を行う。塗布方法としては、スピンコート、ス
リットコート等の方法や、オフセット等の印刷法が挙げられる。その後、成膜化した第１
配向膜２８に、ラビング処理を施す。なお、素子基板１２側の第１配向膜２８にラビング
処理を施す方法としては、後述する変形例で説明する。以上により、素子基板１２側が完
成する。
【０１０２】
次に、対向基板１３側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラスや石
英等の透光性材料からなる対向基板１３上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術
及びエッチング技術を用いて、共通電極３１を形成する。
【０１０３】
ステップＳ２２では、共通電極３１上に第２配向膜３２を形成する。なお、第２配向膜
３２の形成方法は、図１１に示す工程図を参照しながら説明する。また、第２配向膜３２
が形成される前までの基板を被処理基板１０１と称して説明する。
【０１０４】
まず、被処理基板１０１に第２配向膜３２を形成する方法としては、上記したように、
例えば、配向膜材料としてのポリイミドやポリアミック酸を含む有機溶液を塗布して、溶
媒成分を除去する乾燥・焼成を行う。
【０１０５】
ステップＳ２２１（載置工程）では、ラビング装置７１において、被処理基板１０１を
受け取る。詳しくは、上記したように、複数の被処理基板１０１が並べられたパレット７
２をラビング装置７１のステージ７３上に載置する。まず、ステージ７３を、第１ポジシ
ョン８１からパレット７２の受け渡し位置である第２ポジション８２に移動する。次に、
基板搬送機７４を用いてパレット７２をステージ７３上に載置する。その後、ステージ７
３に設けられた吸着部によってステージ７３表面にパレット７２を吸着させる。
【０１０６】
ステップＳ２２２（ラビング処理工程）では、ラビング処理を行う。具体的には、まず
、回転するラビングロール７５を下降させて、ラビングロール７５の周面のラビング布７
５ａが被処理基板１０１に接触可能な位置になったところでラビング処理を開始する。
【０１０７】
詳しくは、回転するラビングロール７５に対して、ラビング布７５ａと被処理基板１０
１（第２配向膜３２）とを接触させた状態でステージ７３を所定の方向に相対的に移動さ
せることにより、ラビング布７５ａによって第２配向膜３２が擦られ、ラビング処理が行
われる。ラビング処理時にラビング布７５ａとパレット７２や被処理基板１０１とが接触
することにより、主にラビング布７５ａのラビング毛が切れたり抜けたりした粉塵２００
が発生する。発生した粉塵２００の一部は、ラビングロール７５の上方に配置された第２
吸引部７７によって吸引される。残りの一部の粉塵２００は、ステージ７３上におけるパ
レット７２の周辺領域７８に飛散して付着する。
【０１０８】
ステップＳ２２３では、パレット７２を剥離する。具体的には、吸着部によるパレット
７２の吸着動作を解除して、ステージ７３表面に吸着されたパレット７２をフリーの状態
にする。次に、基板搬送機７４を用いて、パレット７２をステージ７３上から外部に搬送
する。
【０１０９】
ステップＳ２２４では、ステージ７３を第４ポジション８４からホームポジションであ
る第１ポジション８１に移動する。つまり、ステージ７３上の周辺領域７８に堆積した粉
塵２００を吸引可能な位置に移動する。更に、ステップＳ２２５では、第１吸引部７６を
ステージ７３上方の待機位置から下降させる。
【０１１０】
ステップＳ２２６（吸引工程）では、ステージ７３上に堆積した粉塵２００を吸引する
。具体的には、第１吸引部７６を下降させることにより、ステージ７３に載置されたパレ
ット７２の領域を除いた領域（周辺領域７８）が第１吸引部７６の吸引口７６ａで覆われ
るように、第１吸引部７６の位置を合わせる。更に、吸引口７６ａとステージ７３との隙
間が、約２ｍｍ〜３ｍｍ程度になるように上下方向を調整する。その後、第１吸引部７６
によってステージ７３上に堆積した粉塵２００を所定時間吸引する。
【０１１１】
なお、第１吸引部７６による粉塵２００の吸引動作は、粉塵２００の発生する量に応じ
て決めればよく、例えば、１パレットの交換毎に行っても良いし、１回のラビング処理毎
（１回のステージ７３の移動毎）に行ってもよい。
【０１１２】
このように、第２吸引部７７による粉塵２００の吸引に加えて、第１吸引部７６によっ
てステージ７３上の被処理基板１０１（パレット７２）の周辺領域７８に堆積した粉塵２
００を吸引し、更に、第１吸引部７６（吸引口７６ａ）とステージ７３とが所定の隙間に
なるように配置されているので、吸引する速度を周辺領域７８の全体に亘って均一にする
ことが可能となり、堆積した粉塵２００を安定して吸引させることができる。その結果、
周辺領域７８に堆積した粉塵２００が再びラビングロール７５に付着して、ラビング処理
に悪影響を及ぼすことを抑えることができる。
【０１１３】
ステップＳ２２７では、第１吸引部７６を上昇させる。具体的には、ステージ７３上に
堆積した粉塵２００を吸引した後は、再度、ステップＳ２２１に戻って新たな被処理基板
１０１（パレット７２）にラビング処理を開始するので、ステージ７３の移動に邪魔にな
らない位置まで第１吸引部７６を上昇させる。以上により、対向基板１３が完成する。以
下、図１０に示す工程図に沿って、素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わせる方法を
説明する。
【０１１４】
ステップＳ３１では、対向基板１３上にシール材１４を塗布する。詳しくは、対向基板
１３とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、対向基
板１３における表示領域１９の周縁部に（表示領域１９を囲むように）シール材１４を塗
布する。
【０１１５】
ステップＳ３２では、素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わせる。具体的には、対
向基板１３に塗布されたシール材１４を介して素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わ
せる。より具体的には、互いの基板１２，１３の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確
保しながら行う。
【０１１６】
ステップＳ３３では、液晶注入口１６（図１参照）から構造体の内部に液晶を注入し、
その後、液晶注入口１６を封止する。封止には、例えば、樹脂等の封止材１７が用いられ
る。以上により、液晶装置１１が完成する。
【０１１７】
以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１１８】
（１）第１実施形態によれば、被処理基板１０１の周辺領域７８を覆う第１吸引部７６
が設けられているので、被処理基板１０１とラビング布７５ａとを接触させた際（ラビン
グ処理）に発生する粉塵２００が周辺領域７８に堆積したとしても、吸引して除去するこ
とができる。更に、第１吸引部７６がステージ７３と所定の隙間となるように設けられて
いるので、吸引する速度を周辺領域７８の全体に亘って均一にすることが可能となり、堆
積した粉塵２００を安定して吸引させることができる。その結果、周辺領域７８に堆積し
た粉塵２００が再びラビングロール７５に付着して、ラビング処理に悪影響を及ぼすこと
を抑えることができる。
【０１１９】
（２）第１実施形態によれば、パレット７２（被処理基板１０１）の形状が方形状であ
る場合でも、パレット７２の辺部７２ｃ，７２ｄ，７２ｅの形状に沿って第１吸引部７６
が形成されているので、より被処理基板１０１に近い部分に堆積した粉塵２００を吸引す
ることができる。
【０１２０】
（第２実施形態）
＜液晶装置の製造装置＞
図１２は、第２実施形態のラビング装置の構造を示す模式図である。（ａ）は、第１ポ
ジションにおけるラビング装置の構造を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す
ラビング装置のＣ−Ｃ’断面に沿う模式断面図である。以下、ラビング装置の構造を、図
１２を参照しながら説明する。
【０１２１】
なお、第２実施形態のラビング装置２０１は、ステージ２０２に段差がある場合に対応
して第１吸引部２０３の構造を変えている部分が、第１実施形態と異なっている。以下、
第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略
化する。
【０１２２】
図１２に示すように、第２実施形態のラビング装置２０１は、パレット７２を載置する
ステージ２０２に段差面（ステージ２０２面に対して法線方向の高さの差）が設けられて
いる。詳述すると、ステージ２０２は、パレット７２が取り付けられる第１ステージ２０
４と、パレット７２を含む第１ステージ２０４を回転させる第２ステージ２０５と、第１
ステージ２０４及び第２ステージ２０５を支持する第３ステージ２０６とを有する。
【０１２３】
第１ステージに２０４は、上記したように、吸着部が備えられており、複数の被処理基
板１０１が並べられたパレット７２が吸着固定されている。また、第１ステージ２０４は
、第２ステージ２０５に固定されている。
【０１２４】
第２ステージ２０５は、例えば、第３ステージ２０６に形成されたガイド孔２０６ａに
沿って回転することが可能となっている。第２ステージ２０５が回転することによって、
パレット７２（被処理基板１０１）に対するラビング処理を行う方向を変えることが可能
となり、例えば、必要な方向にラビング処理が施された配向膜２８，３２を形成すること
ができる。
【０１２５】
しかし、例えば、複数回ラビング処理を行った後、第２ステージ２０５を１８０°回転
させ、その後ラビング処理を行うとする。この場合、ラビングロール７５をステージ２０
２に近づけたときに、ステージ２０２の一方２０２ａ側に堆積した粉塵２００とラビング
ロール７５とが接近し、粉塵２００が静電気等によって再びラビングロール７５に付着す
る等の不具合が生じやすくなる。
【０１２６】
しかしながら、ラビング処理する前に、第１吸引部２０３によって堆積した粉塵２００
を吸引して除去するので、堆積した粉塵２００が再びラビングロール７５に付着する等の
不具合が発生することを抑えることができる。
【０１２７】
第１吸引部２０３は、平面的には、パレット７２（被処理基板１０１）の周辺領域７８
を覆うように構成されている。また、第１吸引部２０３は、断面的には、ステージ２０２
（第１ステージ２０４〜第３ステージ２０６）の段差面（形状）に沿った段差形状の吸引
口２０７が形成されている。
【０１２８】
具体的には、吸引口２０７は、粉塵２００を吸引する際、周辺領域７８における第１ス
テージ２０４の表面と近接する第１ブロック２０７ａと、露出する第２ステージ２０５の
表面２０５ａに近接する第２ブロック２０７ｂと、第３ステージ２０６の表面２０６ｂに
近接する第３ブロック２０７ｃ及び第４ブロック２０７ｄとを有する。
【０１２９】
つまり、吸引口２０７は、段差面に対応して分割されている。また、各ブロック２０７
ａ〜ブロック２０７ｄは、段差面に対向する面が平行に設けられている。第１ブロック２
０７ａ〜第４ブロック２０７ｄは、それぞれ近接するステージ２０２と所定の隙間Ｈをあ
けて配置されている。所定の隙間Ｈは、例えば、２ｍｍ〜３ｍｍ程度である。
【０１３０】
また、各ブロック２０７ａ〜２０７ｄの間には、粉塵２００を吸引する際の流路となる
開口孔２０８（開口部）が設けられている。このように、吸引口２０７の全体が開口して
いるのではなく、各ブロック２０７ａ〜２０７ｄと開口孔２０８とを組み合わせることに
より、閉塞された各ブロック２０７ａ〜２０７ｄ（閉塞部）から開口孔２０８へと気体の
流路をつくることが可能となる。
【０１３１】
更に、流路（開口孔２０８）が狭まるので、流速が早くなり粉塵２００を吸引しやすく
することが可能となる。このように、ステージ２０２に段差が設けられている場合でも、
段差面において一定の流路を確保することができる。
【０１３２】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（２）
の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１３３】
（３）第２実施形態によれば、ステージ２０２の段差面に対応して第１吸引部２０３の
吸引口２０７が分割されているので、閉塞された部分から開口孔２０８へと気体の流路を
つくることが可能となり、それぞれの段差面と吸引口２０７との隙間Ｈを所定の隙間にす
ることが可能となる。よって、段差面のそれぞれの部分においても一定の流速を確保する
ことが可能となり、堆積する粉塵２００を吸引することができる。
【０１３４】
（第３実施形態）
＜液晶装置の製造装置＞
図１３は、第３実施形態のラビング装置の構造を示す模式図である。（ａ）は、第１ポ
ジションにおけるラビング装置の構造を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す
ラビング装置のＤ−Ｄ’断面に沿う模式断面図である。以下、ラビング装置の構造を、図
１３を参照しながら説明する。
【０１３５】
なお、第３実施形態のラビング装置３０１は、ステージ７３が第１吸引部３０２に対し
て矢印方向にスライド移動する部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形
態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【０１３６】
図１３に示すように、第３実施形態の第１吸引部３０２は、周辺領域７８の一部を覆う
大きさに形成されている。つまり、ステージ７３が第１吸引部３０２に対して移動可能に
設けられているため、周辺領域７８の全体を覆うように吸引口３０７を設ける必要がない
ためである。具体的には、第１吸引部３０２がパレット７２に最も近づいたとき、パレッ
ト７２の辺部７２ｃ，７２ｅから周辺領域７８の一部に亘って第１吸引部３０２が設けら
れている。
【０１３７】
言い換えれば、周辺領域７８におけるステージ７３面に沿って第１吸引部３０２が移動
することになるので、周辺領域７８の全体を覆うように第１吸引部７６を設けることと比
較して、第１吸引部３０２の大きさを小さく（コンパクトに）することが可能となる。ま
た、周辺領域７８におけるステージ７３の面積が広い場合には、より効果を得ることがで
きる。
【０１３８】
以上詳述したように、第３実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（２）
の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１３９】
（４）第３実施形態によれば、第１吸引部３０２に対してステージ７３が移動するので
、周辺領域７８の全体を覆うように第１吸引部７６を設けることと比較して、第１吸引部
３０２の面積を小さくすることが可能となる。
【０１４０】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【０１４１】
（変形例１）
上記したように、ラビング処理を施す対象物が方形状（複数の被処理基板１０１が並べ
られたパレット７２など）であることに限定されず、例えば、図１４に示すように、ウェ
ハ（素子基板１２）などの円形状に対してラビング処理を施すようにしてもよい。図１４
は、ラビング装置の構造の変形例を示す模式図であり、（ａ）は第１ポジションにおける
ラビング装置の構造を示す模式平面図、（ｂ）は、（ａ）に示すラビング装置のＥ−Ｅ’
断面に沿う模式断面図である。図１４に示すラビング装置４０１は、ステージ７３上に円
形状のマザー基板１０２（以下、「被処理基板１０２」と称する。）が載置されている。
第１吸引部４０２は、被処理基板１０２の円弧状の辺部１０２ａに沿った領域からステー
ジ７３上の周辺領域７８を覆うように形成されている。
【０１４２】
これによれば、被処理基板１０２の形状が円形状である場合でも、被処理基板１０２の
円弧状の辺部１０２ａの形状に沿って第１吸引部４０２が形成されているので、より被処
理基板１０２に近い部分に堆積した粉塵２００を吸引することができる。なお、円形状の
被処理基板１０２を第２実施形態及び第３実施形態においてラビング処理する場合には、
第１吸引部２０３，３０２の被処理基板１０１側の形状を、円弧状の辺部に沿って形成す
る。
【０１４３】
（変形例２）
上記したように、第１吸引部７６，２０３，３０２，４０２及び制御部９２によって、
ステージ７３，２０２上の周辺領域７８に堆積した粉塵２００を所定の時間だけ吸引する
ことに限定されず、例えば、光学センサー及び制御部９２を用いて堆積した粉塵２００の
量を検出し、粉塵２００の量に応じて吸引時間や吸引圧を制御するようにしてもよい。例
えば、堆積した粉塵２００の量が多い場合には、吸引時間を所定時間以上に設定する。
【０１４４】
（変形例３）
上記したように、ラビングロール７５を所定の方向に回転させて所定の方向に粉塵を掻
き上げて、ステージ７３，２０２上の周辺領域７８に粉塵２００を堆積させていることに
代えて、例えば、ラビングロール７５の近傍に気流をつくるための送風機構を設け、ラビ
ング方向の上流側から下流側に送風し、周辺領域７８の方向に粉塵２００が集まるように
してもよい。これによれば、第１吸引部７６，２０３，３０２，４０２だけでは除去でき
ない粉塵２００をより除去しやすくすることができる。
【０１４５】
（変形例４）
上記したように、複数回のラビング処理において、片側からのみの同じ移動経路を用い
て行っていることに限定されず、例えば、往復の移動経路を用いて行うようにしてもよい
（往復ラビング）。この場合においても、ラビングロール７５によって掻き上げる方向が
一定のため、周辺領域７８に粉塵２００を集めることができる。
【０１４６】
（変形例５）
上記したように、第１吸引部２０３の吸引口２０７の段差は、４つのブロック２０７ａ
〜２０７ｄから構成されていることに限定されず、例えば、ステージ２０２の段差に合わ
せて構成するようにすればよい。
【０１４７】
（変形例６）
上記した第１吸引部７６，２０３，３０２，４０２の平面的な形状に限定されず、例え
ば、堆積する粉塵の領域に合わせた形状にするようにしてもよい。
【０１４８】
（変形例７）
上記した第２実施形態の第１吸引部２０３は、パレット７２の辺部７２ｄに沿った領域
から第３ステージ２０６の一端までを覆う形状となっているが、この形状に限定されず、
例えば、第１実施形態のように、パレット７２の辺部７２ｃ，７２ｅの一部まで覆うよう
にしてもよい。
【符号の説明】
【０１４９】
１１…液晶装置、１２…素子基板、１３…対向基板、１４…シール材、１５…液晶層、
１６…液晶注入口、１７…封止材、１８…額縁遮光膜、１９…表示領域、２１…画素領域
、２２…信号線駆動回路、２３…外部接続端子、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路
、２６…上下導通端子、２７…画素電極、２８…第１配向膜、３１…共通電極、３２…第
２配向膜、３３…ＴＦＴ素子、３４…信号線、３５…走査線、３６…容量電極、３７…蓄
積容量、４１…半導体層、４１ａ…チャネル領域、４１ｂ…低濃度ソース領域、４１ｃ…
低濃度ドレイン領域、４１ｄ…高濃度ソース領域、４１ｅ…高濃度ドレイン領域、５１…
下側遮光膜、５２…下地絶縁膜、５３…ゲート絶縁膜、５４…第１層間絶縁膜、５５…中
継層、５６…誘電体膜、５７…シールド層、５８，６１，６２，６５，６６…コンタクト
ホール、６３…第２層間絶縁膜、６４…第３層間絶縁膜、６７…第２中継層、７１，２０
１，３０１，４０１…ラビング装置、７２…パレット、７２ａ…凹部、７２ｂ…吸引口、
７２ｃ，７２ｄ，７２ｅ，１０２ａ…辺部、７３，２０２…ステージ、７３ａ…一端、７
４…基板搬送機、７４ａ…アーム、７５…ラビングロール、７５ａ…ラビング布、７６，
２０３，３０２，４０２…第１吸引部、７６ａ…吸引口、７７…第２吸引部、７８…基板
載置領域の周辺としての周辺領域、８１…第１ポジション、８２…第２ポジション、８３
…第３ポジション、８４…第４ポジション、８５…排気口、９１…移動機構、９２…制御
部、９３…第１移動機構としての移動機構、９４…回転機構、１０１，１０２…マザー基
板、被処理基板、２００…粉塵、２０２ａ…一方、２０４…第１ステージ、２０５…第２
ステージ、２０６…第３ステージ、２０６ａ…ガイド孔、２０７，３０７…吸引口、２０
７ａ…第１ブロック、２０７ｂ…第２ブロック、２０７ｃ…第３ブロック、２０７ｄ…第
４ブロック、２０８…開口孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2011008148.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
2011008148.tif 000011
【図１０】
2011008148.tif 000012
【図１１】
2011008148.tif 000013
【図１２】
2011008148.tif 000014
【図１３】
2011008148.tif 000015
【図１４】
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