(57)【要約】【課題】安定して良好な磁気特性分布を持った磁性膜を作製可能なガス導入装置、スパッタリング装置、およびスパッタリング方法を提供すること。【解決手段】本発明の一実施形態に係るガス導入装置は、ターゲット３を配置可能なカソード４の周囲を覆うように設けられたリングシールド５と、リングシールド５の内部に設けられ、ガス供給源からリングシールド５の内部に供給されたガスを該内部に拡散させるガスだまり部６と、リングシールド５の内部に設けられ、ガスだまり部６に接続されたガス経路７であって、供給されたガスをガスだまり部６からターゲット３の表面に沿って吹き出すように形成されたガス経路７とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットを配置可能なカソードの周囲を覆うように設けられたシールドと、
前記シールドの内部に設けられ、ガス供給源から該シールドの内部に供給されたガスを該内部に拡散させるガスだまり部と、
前記シールドの内部に設けられ、前記ガスだまり部に接続されたガス経路であって、前記シールドを前記ターゲットを配置したカソードを覆うように設けた場合に、前記供給されたガスを前記ガスだまり部から前記ターゲットの表面に沿って吹き出すように形成されたガス経路と
を備えることを特徴とするガス導入装置。
【請求項２】
前記ガスだまり部のガスに対するコンダクタンスは、前記ガス経路のガスに対するコンダクタンスよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のガス導入装置。
【請求項３】
前記ガスだまり部のガスに対するコンダクタンスは、前記ガス経路のガスに対するコンダクタンスの１．５倍以上であることを特徴とする請求項２に記載のガス導入装置。
【請求項４】
前記ガスだまり部のガスに対するコンダクタンスは、前記ガス経路のガスに対するコンダクタンスの９．２倍以上であることを特徴とする請求項２または３に記載のガス導入装置。
【請求項５】
前記ガス経路は、複数形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のガス導入装置。
【請求項６】
前記ガスだまり部は、円筒状に形成され、
前記複数のガス経路は、該円筒状のガスだまり部の中心軸に対して対称に形成されていることを特徴とする請求項５に記載のガス導入装置。
【請求項７】
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に設けられ、ターゲットを配置可能なカソードと、
前記処理チャンバ内に設けられた、請求項１乃至６のいずれかに記載のガス導入装置とを備え、
前記ガス導入装置のシールドは、前記カソードを覆うように配置されていることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項８】
前記カソードおよび前記ガス導入装置を２つ備え、
前記カソードおよび前記ガス導入装置はそれぞれ、対向配置されていることを特徴とする請求項７に記載のスパッタリング装置。
【請求項９】
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に設けられ、ターゲットが配置されたカソードと、
前記処理チャンバに設けられたガス導入装置とを備えるスパッタリング装置を用いたスパッタリング方法であって、
前記ガス導入装置は、
前記ターゲットが配置されたカソードの周囲を覆うように設けられたシールドと、
前記シールドの内部に設けられ、ガス供給源から該シールドの内部に供給されたガスを該内部に拡散させるガスだまり部と、
前記シールドの内部に設けられ、前記供給されたガスを前記ガスだまり部から前記ターゲットの表面に沿って吹き出すように形成されたガス経路とを有し、
前記スパッタリング方法は、
前記ガス導入装置より、不活性ガス及び反応性ガスを前記ターゲットに導入する工程と、
前記カソードに電力を印加して、前記ターゲットを反応性スパッタリングする工程と
を含むことを特徴とするスパッタリング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス導入装置、スパッタリング装置及びスパッタリング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現状のハードディスクにおける垂直記録媒体には磁性膜としてＳｉＯ２やＴｉＯ２などの酸化物を含んだ組成の磁性ターゲットを使用している。これらのターゲットを用いて成膜を行う場合、プロセスガスとしてＡｒとＯ２といった種類の異なるガスを混合してスパッタリングを行う必要がある。このように複数のガスを混合してスパッタリングを行うリアクティブスパッタリングの場合、チャンバ内でのガスと膜との反応の度合いにより磁気特性が変わるためチャンバ内のガス分布を均一とすることが重要となる。従来のガス導入方法ではチャンバ内でガス分布の偏りが生じるため、作製した磁性膜内の磁気特性分布にばらつきがあった。
【０００３】
特許文献１には、真空容器内に、スパッタ用ターゲットを有するカソード部と基板とを対向配置したスパッタリング装置において、カソード部におけるターゲットのまわりを囲っているアースシールドの内側に、プラズマを発生させるためのガスをターゲット表面に沿って吹き出すためのガス吹き出し通路を設けたことを特徴とするスパッタリング装が開示されている。より具体的には、アースシールド内にガス通路が設けられ、またアースシールドの内側（カソード側）にガス吹き出し口が形成されている。このような構成において、ガス導入ポートから該ガス通路へとプラズマ発生用ガスが導入され、該ガス通路内のプラズマ発生用ガスは、ガス吹き出し口を介して、カソードとアースシールドとの間の空間であるガス吹き出し通路へと噴き出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２８０１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、ガス吹き出し通路がアースシールドとカソードとの間に設けられているため、アースシールドからガス吹き出し通路に吹き出されるプラズマ発生用ガスはカソードに接することになり、カソードに高電圧を印加した際にそこで異常放電が起こることが懸念される。
【０００６】
スパッタリングの中でも、反応性膜を形成するリアクティブスパッタリングの場合、その反応の度合いにより磁気特性が異なる。そのため磁性膜の磁気特性分布に対して、成膜時のガス分布が重要となる。しかしながら、上記特許文献１では、ガス導入場所（ガス導入ポートおよびその付近）とそこから離れた場所とでガス分布に差があり、作製される膜の磁気特性分布にばらつきが生じていた。
【０００７】
そこで、本発明は、安定して良好な磁気特性分布を持った磁性膜を作製可能なガス導入装置、スパッタリング装置、およびスパッタリング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的を達成するために、本発明の第１の態様は、ガス導入装置であって、ターゲットを配置可能なカソードの周囲を覆うように設けられたシールドと、前記シールドの内部に設けられ、ガス供給源から該シールドの内部に供給されたガスを該内部に拡散させるガスだまり部と、前記シールドの内部に設けられ、前記ガスだまり部に接続されたガス経路であって、前記シールドを前記ターゲットを配置したカソードを覆うように設けた場合に、前記供給されたガスを前記ガスだまり部から前記ターゲットの表面に沿って吹き出すように形成されたガス経路とを備えることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の第２の態様は、スパッタリング装置であって、処理チャンバと、前記処理チャンバ内に設けられ、ターゲットを配置可能なカソードと、前記処理チャンバ内に設けられた、上記第１の態様に記載のガス導入装置とを備え、前記ガス導入装置のシールドは、前記カソードを覆うように配置されていることを特徴とする。
【００１０】
さらに、本発明は、処理チャンバと、前記処理チャンバ内に設けられ、ターゲットが配置されたカソードと、前記処理チャンバに設けられたガス導入装置とを備えるスパッタリング装置を用いたスパッタリング方法であって、前記ガス導入装置は、前記ターゲットが配置されたカソードの周囲を覆うように設けられたシールドと、前記シールドの内部に設けられ、ガス供給源から該シールドの内部に供給されたガスを該内部に拡散させるガスだまり部と、前記シールドの内部に設けられ、前記供給されたガスを前記ガスだまり部から前記ターゲットの表面に沿って吹き出すように形成されたガス経路とを有し、前記スパッタリング方法は、前記ガス導入装置より、不活性ガス及び反応性ガスを前記ターゲットに導入する工程と、前記カソードに電力を印加して、前記ターゲットを反応性スパッタリングする工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明では、カソード周りに設置されているリングシールド内部に、ガスだまりという構造とガスをターゲットに導入するためのガス経路という構造とを設けている。これらのガス経路やガスだまりはコンダクタンスを考慮しており、ガスだまりで充分にガスの拡散が行われる仕組みになっている。そのようにリングシールド内部で均一に拡散されたガスをチャンバ内に導入しスパッタリングを行うことで、良好な磁気特性分布の磁性膜を作製することが可能となる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、カソードを囲むように配置されたシールドの内部に設けられたガスだまり部及びガス経路を通じて、ターゲット近傍へ均質なガスを導入でき、また異常放電を防止ないしは軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る成膜チャンバの構成を説明する概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るガス導入装置の詳細構成を説明する断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の一実施形態に係るリングシールドの全体図であり、（ｂ）は、該リングシールドの断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るリングシールドの断面斜視図である。
【図５】（ａ）は、本発明の一実施形態に係るリングシールド内部のコンダクタンス比とディスク面内磁気特性分布との関係を説明する図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す磁気特性分布を評価したときの膜構成を説明する図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るリングシールドを説明する斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法で用いる製造装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。  
図１を参照して、本発明に適用可能なガス導入装置を対向して備えた成膜装置（反応性スパッタリング装置）の全体構成を説明する。図１は、成膜チャンバ１の全体構成を説明する概略断面図である。  
成膜（スパッタリング）チャンバ１は、内部を排気する排気系４５１と、基板９を保持しながら、チャンバ間を搬送するキャリア２とを備えている。さらに成膜チャンバ１は、キャリア４に保持された基板９を挟みこんで、設けられた一対のターゲット３と、各ターゲット３にスパッタ放電用の電圧を印加するカソード４と、各カソード４に電力を供給するスパッタ電源４５４と、各カソード４の周囲を覆うように設けられたリングシールド５と、マグネトロンスパッタリングを行うために各ターゲットの背後に設けられた磁石機構とを主に備えている。本例では、リングシールド５は金属（例えばアルミニウム）から成り、真空チャンバ１を介してグランドに接続されている。ガス経路とガスだまりはリングシールド５内部に設けられているため、カソード４とは絶縁が保たれている。このリングシールド５がガス導入装置に相当する。
【００１５】
リングシールド５の内部には、ガス導入系が設けられている。このガス導入系によってプロセスガス（Ａｒなどの希ガス）と反応性ガス（酸素）とを導入しながら排気系４５１によって成膜チャンバ１内を所定の圧力に保ち、この状態でスパッタ電源４５４を動作させる。この結果、スパッタ放電が生じてターゲット３がスパッタされ、スパッタされたターゲット３の材料が基板９に達して基板９の表面に所定の薄膜が作製される。
【００１６】
次に、図２及び図３を参照して、本発明の特徴部分であるガス導入装置の構成を説明する。図２は、ガス導入装置の詳細構成を説明する断面図である。図３（ａ）は、本実施形態に係るリングシールドの全体図であり、図３（ｂ）は、該リングシールドの断面図である。  
ガス導入装置は、カソードの周囲を覆うように設けられた円筒リングシールド５と、円筒リングシールド５の内部に形成され、ガス供給源９から供給されたガスを拡散させる環状ガスだまり部６と、ガスだまり部６からターゲット３の表面に沿って吹き出すように形成された複数の管状ガス経路７と、上記ガスだまり部６に外部（例えば、ガス供給源）から所定のガスを導入するためのガス導入口１０を備える。図３に示すように、ガス経路７よりもガスだまり部６内でのガスの拡散を優先させるため、ガス経路７とガス導入口１０は直線状に対向しないようにずらして配置することが好ましい。また、ガス導入口１０は、所定のガス（例えば、不活性ガスや反応性ガスなど）を導入するためのガス導入系に接続されている。
【００１７】
本実施形態では、例えば、円筒リングシールド５をアルミニウムで形成する場合、アルミブロックの削り出しにより、ガスだまり部６およびガス経路７を形成することができる。また、円筒リングシールド５を他の材料で作製する場合においても、該材料の削り出しによりガスだまり部６およびガス経路７を形成すれば良い。
【００１８】
円筒リングシールド５は、肉厚（所定の厚さ）を有する中空の円筒であり、該中空部分にカソード４が位置することになる。よって、円筒リングシールド５は、ターゲット表面へとガスを導入するガス導入装置の一部として機能すると共に、カソード４、ターゲット３をシールドする機能を有する。なお、本実施形態では、カソードを囲うためのシールドを円筒状にしているが、これに限定されず、例えば、角筒状などでも良い。すなわち、本発明で重要なことは、カソード４を囲い、かつターゲット全面に渡って均一にガスを供給することであり、シールドの形状は本質ではない。よって、本発明に用いるシールドは、カソードを位置させるための中空部を有し、その内部にガスだまり部６およびガス経路７を有するものであればいずれのものであっても良い。
【００１９】
ガスだまり部６は、肉厚を有する円筒状のリングシールド５の内部（リングシールド５の側壁の内部）に形成された空洞部であり、プロセスガスと反応性ガスとを混合させ、均一に拡散させることができる。すなわち、ガスたまり部６は、リングシールド５を構成する側壁の内部において、該リングシールド５の周方向（該側壁に沿って）に１周するように形成された空洞部であり、リングシールド５の形状に倣った形状の空洞部である。本実施形態では、カソードを覆うためのシールドは、円筒状であるので、ガスだまり部６も円筒状の空洞部である。なお、シールドの形状が例えば角筒である場合は、ガスだまり部も角筒状の空洞部とすれば良い。また、空洞部の形状も、シールドに倣った形状である必要も無く、シールドを構成する側壁に沿って１周するように形成されていればいずれの形状であっても良い。
【００２０】
これに対して、ガス経路７は、ガスだまり部６に比べ、コンダクタンスが小さく、ガスが流れにくくなるように、リングシールド５の内部に複数の細い管状に形成されている。ガス経路７の各々は、ガスだまり部６に接続され、かつリングシールド５からガスを吹き出すためのガス吹き出し口８に接続されている。従って、ガスだまり部６に存在するガスは、ガス経路７へと導入され、ガス吹き出し口８からターゲット３側へと吹き出される。このようなガス経路７は、図２に示すようにリングシールド５を、ターゲット３を配置したカソード４を覆うように設けた場合に、ガス供給口１０からガスだまり部６へと供給されたガスを該ガスだまり部６からターゲット３の表面に沿って吹き出すように形成されている。すなわち、ガス経路７に接続されたガス吹き出し口８から吹き出したガスがターゲット３に供給されるようにガス経路７は形成されている。ガス経路７の噴出し部付近には、リング部材１１が設けられており、これに当たったガスがターゲット３の前面へ拡散するようになっている。
【００２１】
このように絶縁された円筒リングシールド５の内部にガスだまり部６、ガス導入経路７が形成されているため、ガスとカソード４とが直接接触することなく、ターゲット３近傍に導入することができるので、異常放電を防止ないしは軽減することができる。すなわち、本実施形態では、円筒リングシールド５のガスの導入側から放出側に向って、相対的にガスに対するコンダクタンスが大きいガスだまり部６および相対的にガスに対するコンダクタンスが小さいガス経路７を設けているので、真空チャンバ１へのガスの導入は局所的な場所（ガス導入口１０）にて行われるが、上記コンダクタンスの差によりガス導入口１０から導入されたガスを、円筒リングシールド５の周方向に存在するガスだまり部６内に均一に拡散させることができる。このガスだまり部６は、円筒リングシールド５の断面の周方向に沿って一周するように形成されているので、ターゲットを囲むようにガスを分布させることができる。ここで、ガス経路７を上記周方向に満遍なく配置（例えば、ガス経路７を等間隔で配置）することで、円筒リングシールド５から放出されるガスの分布をより均一にすることができる。
【００２２】
このように、ガスだまり部６は、ガス導入装置の一部である円筒リングシールド５に対して局所的に導入されたガスを、カソード４とは分離した状態で拡散させて、ターゲット３を囲むように存在させるように機能する。このとき、ガス経路７のコンダクタンスをガスだまり部６のコンダクタンスよりも小さくするようにすることで、ガスだまり部６ではガスが流れやすく、ガス経路７ではガスが流れにくい状態が形成され、該状態によりガスだまり部６内でのガスの拡散をより均一にすることができる。従って、局所的に導入されたガスを、カソード４と分離しながらターゲット３を囲むように均一に分布させることができ、異常放電の発生を抑制しつつ、ターゲットに均一にガスを供給することができる。さらに、異なるガス種をガス導入口１０から同時に導入した場合においても、導入されたガスはガスだまり部６にて均一に混合されることにより、ターゲット全周にわたって均一な混合ガスを供給できる。
【００２３】
図４は、ガスだまり部６を通る位置におけるリングシールド５の断面図である。図４に示すように、肉厚を有する円筒状のリングシールド５の内部には、環状のガスだまり部６と、ガスだまり部６に沿って略均等に配置された複数のガス経路７が形成されている。複数の管状ガス経路７は、リングシールド５の中心軸に対して、略対称に配置されているため、ガスを均一にターゲット近傍へ噴出させることができる。図４ではガス経路７を８つとしたものを示したが、この数は８つに限定されない。
【００２４】
図５（ａ）は、ガス導入経路のコンダクタンス比に対する磁気特性分布を示している。具体的には、図５（ｂ）に示すように、２．５インチディスク基板９上に、複数の膜を積層した磁気媒体を成膜した。この成膜過程で、酸化磁性層５４の成膜の際に、数種のコンダクタンス比の異なるガス導入経路を試した。こうして成膜された磁気媒体の磁気特性分布を測定した。図５（ｂ）に示すように、ガラス基板９の上に、軟磁性層５１、下地層５２、中間層５３、酸化磁性層５４、磁性層５５、保護膜５６が積層されている。
【００２５】
酸化磁性層５４を成膜する際に、本発明に係るスパッタリングチャンバ１を用い、ガス導入装置からＡｒガスとＡｒ＋Ｏ２混合ガスを同時にチャンバ内へ導入しながら、反応性スパッタリング法により成膜を行なった。すなわち、ガス導入口１０からリングシールド５内に形成されたガスだまり部６へとＡｒガスとＡｒ＋Ｏ２混合ガスとを導入した。ガス導入の際、ガス経路７のコンダクタンスに対するガスだまり部６のコンダクタンス比を変更したときに、磁性特性分布を評価した。
【００２６】
ここで磁気特性分布は、極カー効果測定装置により、作製した媒体の面内保持力分布を測定し、その最大保磁力をＨｃ(ｍａｘ)、最小保持力をＨｃ(ｍｉｎ)としたとき、１００×［Ｈｃ(ｍａｘ)−Ｈｃ(ｍｉｎ)］／［Ｈｃ(ｍａｘ)＋Ｈｃ(ｍｉｎ)］で求めた値である。つまりこの磁気特性分布が小さければ小さいほど基板全体で均一な保持力を有する磁気媒体を作製できていることを意味する。
【００２７】
ここで、コンダクタンス比は、（ガスだまり部６のコンダクタンス）／（ガス経路７のコンダクタンス）なので、ガスだまり部６のコンダクタンスを一定とした場合、ガス経路７のコンダクタンスを小さくした方が、コンダクタンス比は大きくなる。つまり、ガスだまり部６のコンダクタンスを一定とした場合、Ａ点におけるガス経路７のコンダクタンスの方が、Ｂ点におけるガス経路７のコンダクタンスより大きく、Ａ点におけるガス経路の方が、Ｂ点におけるガス経路より径が大きく、また経路長が短いと考えられる。また、ガス経路７のコンダクタンスを一定として場合、Ａ点におけるガスだまり部６のコンダクタンスの方が、Ｂ点におけるガスだまり部６のコンダクタンスより小さく、Ａ点におけるガスだまり部６の方が、Ｂ点におけるガスだまり部６より高さが低く、また経路幅が狭い。
【００２８】
この結果、コンダクタンス比１．５９以上で酸化磁性層５４を成膜した媒体の磁気特性分布は５%以下であり、さらにコンダクタンス比９．２０以上で酸化磁性層５４を成膜した場合、３%以下の優れた磁気特性分布をもつ磁気媒体を作製することができる。コンダクタンス比を大きくすることで、ガスだまり部６内でＡｒガスとＡｒ＋Ｏ２ガスの十分な拡散が生じ、チャンバ内で均一なガス分布が実現できる。
【００２９】
このように、ガスだまり部６のコンダクタンスをガス経路７のコンダクタンスよりも大きくし、かつそのコンダクタンス比を大きくすることで、磁気特性分布をより均一にすることができる。
【００３０】
なお、ガスだまり部６のコンダクタンスをガス経路７のコンダクタンスよりも大きくする方法は、例えば、ガス経路７の径を小さくすることやガス経路７の長さを長くすること等が挙げられる。
【００３１】
図６は、リングシールドの変形例を説明する図である。  
装置の制約上、ガスだまり部６を大きく出来ないとき、即ち、ガスだまり部６のコンダクタンスを大きく出来ないときは、ガス経路７の径を小さくするか、ガス経路７の長さを長くするかをしなければならない。例えば、図６に示すように、ガス経路７の径を小さくして、ガス経路７のコンダクタンスを小さくすれば良い。あるいは、ガス経路７を斜めにして距離を長くし、コンダクタンスを小さくしても良い。さらには、ガス経路７をらせん状に形成するようにしてもよい。ガス経路７の径の大きさは４５ｍｍ以下が望ましい。ガスだまり部６の厚さは１５ｍｍ以下が望ましい。
【００３２】
本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法で用いる製造装置は、図７に示すように、複数の真空排気可能なチャンバ１１１〜１２２・・・が無端の方形状に接続配置されたインライン式の製造装置である。図７において、符号１１１〜１１６は第１成膜チャンバ〜第６成膜チャンバであり、符号１１７は基板持ち替えチャンバであり、符号１１８〜１２０は第７成膜チャンバ〜第９成膜チャンバであり、符号１２１は加熱チャンバであり、符号１２２は保護膜形成チャンバであり、符号１４５はロードロックチャンバであり、符号１４６はアンロードロックチャンバであり、符号１５１〜１５４はそれぞれ方向転換チャンバである。
【００３３】
そして、各チャンバ１１１〜１２２・・・内には、隣接する真空室に基板を搬送するための搬送路が形成され、基板は製造装置内を周回するうちに順次各真空室内での処理が行われる。また、基板は方向転換チャンバ１５１〜１５４において搬送方向が転換され、チャンバ間を直線状に搬送されてきた基板の搬送方向を９０度転換し、次のチャンバに引き渡す。また、基板はロードロックチャンバ１４５により製造装置内に導入され、処理が終了すると、アンロードロックチャンバ１４６により製造装置から搬出される。
【００３４】
この製造装置を用いてガラス基板９上に、第２成膜チャンバ１１２において軟磁性層５１、第３成膜チャンバ１１３において下地層５２、第５成膜チャンバ１１５において中間層５３をそれぞれスパッタリング法により積層成膜する。その後基板持ち替えチャンバ１１７により基板を回転させた後、再び第７成膜チャンバ１１８において酸化磁性層５４を反応性スパッタリング法により成膜する。第７成膜チャンバ１１８は、本発明に係るガス導入装置が搭載された図１に示すような反応性スパッタリング装置である。次いで、第８成膜チャンバ１１９において磁性層５５をスパッタリング法により積層成膜する。その後、加熱チャンバ１２１によりここまで成膜を行った基板を加熱した後、保護膜形成チャンバ１２２でプラズマCVD法により保護膜５６を積層する。
【００３５】
本発明に係るガス導入装置は、磁気記録層としてＳｉＯ２やＴｉＯ２などの酸化物を含む酸化磁性層５４の成膜をおこなう場合に用いることができる。ただし、他の反応性ではないスパッタチャンバにおいても使用可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００３６】
１  成膜（スパッタリング）チャンバ
２  キャリア
３  ターゲット
４  カソード
５  リングシールド
６  ガスだまり部
７  ガス経路
８  ガス吹き出し口
９  基板
１０  ガス導入口
１１  リング部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
2011122193.tif 000005
【図４】
2011122193.tif 000006
【図５】
2011122193.tif 000007
【図６】
2011122193.tif 000008
【図７】
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