(57)【要約】【課題】本発明は、ウエハーレベルパッケージとしても、信頼性に優れた液状封止樹脂組成物、およびこれを用いて作製した半導体パッケージを提供するものである。【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物、（Ｃ）無機充填材、および（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とし、前記（Ｄ）硬化促進剤がホスホニウム塩型硬化促進剤であり、前記（Ｃ）無機充填材が全液状封止用樹脂組成物に対して８０重量％以上９５重量％以下含まれる液状封止用樹脂組成物。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物、（Ｃ）無機充填材、および（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とし、前記（Ｄ）硬化促進剤がホスホニウム塩型硬化促進剤であり、前記（Ｃ）無機充填材が全液状封止用樹脂組成物に対して８０重量％以上９５重量％以下含まれる液状封止用樹脂組成物。
【請求項２】
前記（Ｄ）硬化促進剤が、一般式（１）、または一般式(２)で表されるホスホニウム塩型硬化促進剤である請求項１に記載の液状封止用樹脂組成物生物。
【化１】
2011052160.tif 000012
【化２】
2011052160.tif 000013
(ただし、式（１）でR1, R2, R3, 及びR4は芳香族もしくは複素環を有する１価の有機基または１価の脂肪族基であって、それらの内の少なくとも１つは、分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個有するプロトン供与体がプロトンを１個放出してなる基であり、これらは互いに同一であっても異なっていても良い。式（２）でArは置換または無置換の芳香族基を表し、同一分子内の二つの酸素原子は、芳香族炭素位の隣接に位置する。 nは2〜12の整数)
【請求項３】
前記（Ｂ）酸無水物と前記（Ｄ）硬化促進剤の配合比［（Ｂ）／（Ｄ）］が、５以上３０以下である請求項１または２に記載の液状封止用樹脂組成物。
【請求項４】
前記（Ｂ）酸無水物の配合量が、液状樹脂組成物１００重量部に対して、２重量部以上１０重量部以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液状封止用樹脂組成物。
【請求項５】
前記（Ｄ）硬化促進剤の配合量が、全液状封止用樹脂組成物１００重量部に対して、０．１重量部以上１．０重量部以下である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液状封止用樹脂組成物。
【請求項６】
前記（Ｄ）硬化促進剤が、式（３）、または式（４）で表されるホスホニウム塩である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液状封止用樹脂組成物。
【化３】
2011052160.tif 000014
【化４】
2011052160.tif 000015
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液状封止用樹脂組成物を用いて、半導体チップを支持体に多数個配置し、封止して作製した再配置ウエハー。
【請求項８】
請求項７に記載の再配置ウエハーを個片化して作製した半導体パッケージ。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体パッケージにおいて、半導体チップを支持体に多数個配置したものを圧縮成形により、封止して作製された半導体パッケージ。
【請求項１０】
請求項１から６のいずれかに記載の液状樹脂組成物を用いて作製される半導体パッケージの製造方法であって、
半導体チップを支持体に多数個配置する工程、
この上に前記液状樹脂組成物を塗布する工程、
金型により成形する工程、を含む半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液状封止用樹脂組成物と、それを用いて作製した半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法に関するものである
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化、軽量化、高集積化、高速動作化の動向を反映して、半導体パッケージに占める半導体チップの面積、体積は大きくなり、半導体パッケージ内の配線は微細化、短小化している。
従来、このような半導体チップを配線基板に電気的に接続する方法としては、半導体チップに突起電極（バンプ）を形成して、このバンプによって配線基板と一括接合するフリップチップ接続と呼ばれる実装方法がある。
この方法では、殆どの場合、半田バンプが付いただけの半導体チップの状態ではハンドリング性に問題があるため、半導体メーカーでは、半導体チップと配線基板のペアを接続してパッケージ化した状態にまで組み立てている。しかし、この様にすると、配線基板の厚みや大きさのために、半導体パッケージが大きくなってしまうので、より小さくするための方法求められている。
そこで、より小さく薄い半導体パッケージを製造するために、最近ではウエハーレベルパッケージ（ＷＬＰ）と呼ばれる、半導体回路の形成されたウエハーを個別の半導体チップに切断する前に、電気接続用のバンプを設け、ウエハー全体を封止する手法が考え出された。（例えば、特許文献１参照。）
しかし、増大する単位面積あたりのＩＯ（入出力）バンプ数に対し、この手法では限界があり、予め切断した半導体チップを支持体となるキャリア上に並べ、それをウエハー形状に封止樹脂で封止した後、半導体チップの回路面に再配線を行うことで、半導体パッケージのサイズを小さく抑えつつ、多ＩＯ数にも対応できる技術が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
ところが、この半導体パッケージでは、半導体チップ面積がその半導体パッケージ面積の殆どを占めるのに対し、封止樹脂は半導体チップの側面と裏面しか覆っておらず、鉛フリー実装試験時に曝される高温と、半導体パッケージの吸湿状態により、半導体チップと封止樹脂界面が剥離してしまうことが問題となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３６１６６１５号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００７／２０５５１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この様に、ウエハーレベルパッケージでは、同じ片面封止半導体パッケージであっても、封止樹脂が半導体チップと基板の両方で密着出来ることで、半導体パッケージ全体としては信頼性を上げられる、従来の基板を使用したボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）やピン・グリッド・アレイ（ＰＧＡ）とは異なり、半導体チップの裏面のみ、または側面と裏面のみが封止樹脂で封止されているため、鉛フリー半田実装試験時のストレスによって、剥離が生じ易い。
本発明は、ウエハーレベルパッケージとしても、信頼性に優れた液状封止樹脂組成物、およびこれを用いて作製した半導体パッケージを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本課題は、次の事により達成される。  即ち、
〔１〕  （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物、（Ｃ）無機充填材、および（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とし、前記（Ｄ）硬化促進剤がホスホニウム塩型硬化促進剤であり、前記（Ｃ）無機充填材が全液状封止用樹脂組成物に対して８０重量％以上９５重量％以下含まれる液状封止用樹脂組成物。
〔２〕  前記（Ｄ）硬化促進剤が、式（１）、または式(２)で表されるホスホニウム塩型硬化促進剤である前記〔１〕項に記載の液状封止用樹脂組成物生物。
【０００６】
【化１】
2011052160.tif 000002
【０００７】
【化２】
2011052160.tif 000003
(ただし、式（１）でR1, R2, R3, 及びR4,は芳香族もしくは複素環を有する１価の有機基または１価の脂肪族基であって、それらの内の少なくとも１つは、分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個有するプロトン供与体がプロトンを１個放出してなる基であり、これらは互いに同一であっても異なっていても良い。式（２）で、Arは置換または無置換の芳香族基を表し、同一分子内の二つの酸素原子は、芳香族炭素位の隣接に位置する。 nは2〜12の整数)
【０００８】
〔３〕  前記（Ｂ）酸無水物と前記（Ｄ）硬化促進剤の配合比［（Ｂ）／（Ｄ）］が、５以上３０以下である前記〔１〕または〔２〕項に記載の液状封止用樹脂組成物。
〔４〕  前記（Ｂ）酸無水物の配合量が、液状樹脂組成物１００重量部に対して、２重量部以上１０重量部以下である前記〔１〕乃至〔３〕項のいずれか１項に記載の液状封止用樹脂組成物。
〔５〕  前記（Ｄ）硬化促進剤の配合量が、全液状封止用樹脂組成物１００重量部に対して、０．１重量部以上１．０重量部以下である前記〔１〕乃至〔４〕項のいずれか１項に記載の液状封止用樹脂組成物。
〔６〕  前記（Ｄ）硬化促進剤が、式（３）、または式（４）で表されるホスホニウム塩である前記〔１〕乃至〔４〕項のいずれか１項に記載の液状封止用樹脂組成物。
【０００９】
【化３】
2011052160.tif 000004
【００１０】
【化４】
2011052160.tif 000005
【００１１】
〔７〕  前記〔１〕乃至〔６〕項のいずれか１項に記載の液状封止用樹脂組成物を用いて、半導体チップを支持体に多数個配置し、封止して作製した再配置ウエハー。
〔８〕  前記〔７〕項に記載の再配置ウエハーを個片化して作製した半導体パッケージ。
〔９〕  前記〔８〕項に記載の半導体パッケージにおいて、半導体チップを支持体に多数個配置したものを圧縮成形により、封止して作製された半導体パッケージ。
〔１０〕  前記〔１〕乃至〔６〕項のいずれかに記載の液状樹脂組成物を用いて作製される半導体パッケージの製造方法であって、
半導体チップを支持体に多数個配置する工程、
この上に前記液状樹脂組成物を塗布する工程、
金型により成形する工程、を含む半導体パッケージの製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
この発明により、液状樹脂封止材を用いて作製されたウエハーレベルパッケージ、とりわけ圧縮成形でウエハー状に形成されたウエハーレベル工程で製造される半導体装置において、高信頼性な装置を作る事が出来る
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物、（Ｃ）無機充填材、および（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とし、前記（Ｄ）硬化促進剤がホスホニウム塩型硬化促進剤であり、前記（Ｃ）無機充填材が全液状封止用樹脂組成物に対して８０重量％以上９５重量％以下含まれる液状封止用樹脂組成物および、これを用いた半導体装置である。
以下、本発明を詳細に説明する
【００１４】
本発明で用いる（Ａ）エポキシ樹脂としては、一分子中にエポキシ基を２個以上有するもので、かつ常温において液状であれば、特に分子量や構造は限定されるものではない。
例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、Ｎ，Ｎ-ジグリシジルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルトルイジン、ジアミノジフェニルメタン型グリシジルアミン、アミノフェノール型グリシジルアミンのような芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイドなどの脂環式エポキシなどの脂肪族エポキシ樹脂が挙げられる。
本発明では、芳香族環にグリシジルエーテル構造またはグリシジルアミン構造が結合した構造を含むものが耐熱性、機械特性、耐湿性という観点から好ましく、脂肪族または脂環式エポキシ樹脂は信頼性、特に接着性という観点から使用する量を限定するほうが好ましい。これらは単独でも２種以上混合して使用しても良い。本発明ではエポキシ樹脂として最終的に常温（２５℃）で液状であることが好ましいが、常温で固体のエポキシ樹脂であっても常温で液状のエポキシ樹脂に溶解させ、結果的に液状の状態であればよい
【００１５】
本発明に用いる（Ｂ）酸無水物としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸と４−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物、テトラヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、または無水メチルナジック酸などが挙げられる。
これらは、低温での硬化が早いことと、硬化物のガラス転移温度が高くなることから好ましい。また、常温で液状であり、且つ粘度も低いことから、テトラヒドロ無水フタル酸を硬化剤として用いることが、より好ましい。特にこれらは、単独で用いても２種以上用いても差し支えない。
上記の（Ｂ）酸無水物以外の硬化剤としては、１分子内にエポキシと反応する官能基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であればこれを併用できる。例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ジフェニレン骨格などを有する）などのフェノール類が挙げられる。
【００１６】
本発明に用いる無機充填材（Ｃ）としては、一般に封止材料に使用されているものを使用することができる。
例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、窒化珪素などが挙げられ、これらは単独でも２種類以上併用して用いても差し支えない。これらの中でも樹脂組成物の耐熱性、耐湿性、強度などを向上できることから溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ粉末が好ましい。
前記無機充填材の形状は、特に限定されないが、粘度特性や流動特性の観点から形状は球状であることが好ましい。
無機充填材が溶融シリカの場合の含有量としては、成形性と耐半田クラック性のバランスから、全エポキシ樹脂組成物中に８０重量％以上９５重量％以下使用することが好ましく、更に好ましくは８５重量％以上９５重量％以下である。前記下限値未満の場合には、吸水率の上昇に伴う耐半田クラック性が低下し、前記上限値を越えると液状封止用樹脂組成物のディスペンス性能に問題が生じる可能性がある。
無機充填剤が、溶融シリカ以外の場合は、体積換算として前記含有量となるようにする。
【００１７】
前記（Ｄ）硬化促進剤はホスホニウム塩型硬化促進剤である。
ホスホニウム塩型硬化促進剤としては、例えば、前記一般式（１）または一般式（２）の構造を有する硬化促進剤が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
これらの構造を持つ硬化促進剤を用いることで、液状封止組成物の硬化物と封止された半導体チップとの密着性の向上、および、仮固定フィルムとの密着性向上が得られる。仮固定フィルムとの密着性が良い為に、圧縮成形後に仮固定フィルムを剥離するまで、仮固定フィルムを介してキャリアに密着している為、仮固定フィルムからの剥離に起因する反りによるチップ-封止材界面のダメージは小さくなったと考えられる。
前記一般式（１）の硬化促進剤としては、例えば、上記式（３）、式（５）、および式（６）などが挙げられる。
【００１８】
【化５】
2011052160.tif 000006
【００１９】
【化６】
2011052160.tif 000007
また一般式（２）の硬化促進剤としては、上記式（４）、式（７）、および式（８）などが挙げられる。
【００２０】
【化７】
2011052160.tif 000008
【００２１】
【化８】
2011052160.tif 000009
【００２２】
（Ｄ）硬化促進剤の配合量は、全液状封止用樹脂組成物１００重量部に対して、０．１重量部以上１．０重量部以下であることが好ましく、更に好ましくは０．３重量部以上０．８重量部以下である。上記下限値未満の場合には硬化が遅く生産性が低下し、上記上限値を越える場合には保存性が悪化するためである。
【００２３】
これらのうち、硬化性と密着性のバランスから、式（５）または式（９）で表される硬化促進剤が好ましい。
更に、（Ｂ）酸無水物と（Ｄ）硬化促進剤の配合比［（Ｂ）／（Ｄ）］は、３以上３５以下が好ましく、５以上３０以下であることがさらに好ましく、１０以上２０以下が特に好ましい。配合比［（Ｂ）／（Ｄ）］が、上記下限値未満の場合には保存性が悪化し、上記上限値を越える場合には硬化が遅く生産性が悪くなるためである。
また、（Ｂ）酸無水物の配合量は、液状樹脂組成物１００重量部に対して、２重量部以上１０重量部以下が好ましく、更に好ましくは５重量部以上７重量部以下である。
（Ｂ）酸無水物の配合量が、上記下限値未満の場合には硬化性が悪くなり、生産性が低下する。そして、上記上限値を越える場合には、耐湿信頼性が低下する。
【００２４】
上記以外に用いることができる成分としては、消泡剤としてのシリコーン化合物やワックスなどの離型剤、シリコーンゴムなどの低応力剤を求める特性に応じて添加する事ができる。
【００２５】
本発明の液状封止樹脂組成物の製造方法としては、各成分、添加剤などをプラネタリーミキサー、三本ロール、二本熱ロール、ライカイ機などの装置を用いて分散混練したのち、真空下で脱泡処理して製造する。
【００２６】
本発明の半導体パッケージの種類としては、例えば次の様な種類があるが、これに限るものではない。
即ち、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＦＣＢＧＡ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  ＢＧＡ）、ＭＡＰＢＧＡ（Ｍｏｌｄｅｄ  Ａｒｒａｙ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  ＢＧＡ）などである。また本発明の液状封止樹脂組成物の適用例としてより好ましい例として、ｅＷＬＢ(Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｗａｆｅｒ−Ｌｅｖｅｌ  ＢＧＡ)があり、Ｆａｎ−Ｏｕｔ型、Ｆａｎ−Ｉｎ型、ＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）などの形態である。
【００２７】
本発明の半導体パッケージの製造方法としては、例えば次の様な方法があるが、これに限るものではない。
即ち、支持体であるキャリアの上に、予め動作することが分かっている半導体チップをその活性面を下向きに多数個並べる工程（半導体チップを支持体に多数個配置する工程）、次に成形金型に配置しその上に本発明の液状封止樹脂組成物をディスペンサーなどで塗布する工程（液状樹脂組成物を塗布する工程）、次に、圧縮成形（金型により成形する工程）後、キャリアを剥がして半導体チップが封止され再配置された再配置ウエハーを得る。
続いて、得られた再配置ウエハーの表面にバッファコート材をスピンコートして、バッファコート材を硬化して絶縁膜層を形成した後、パターニング処理により半導体チップ活性面上の電極パッド部分を開孔する。開孔部分からバッファコート材表面へ、メッキなどにより再配線加工と実装用バンプ形成を行う（再配線工程）。その後、これをダイシングにより個片化する（個片化工程）ことで半導体パッケージが得られる。
【実施例】
【００２８】
以下、実施例を用いて、本発明を具体的に説明するが、これらに限定されるものではない。
［実施例１］
（１）エポキシ樹脂（Ａ）として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂  
ＳＢ−４０３Ｓ  日本化薬工業社製                    １００重量部
（２）無水物（Ｂ）として、メチルテトラヒドロフタル酸無水物
ＭＴ−５００  新日本理化社製                             １００重量部
（３）無機充填材（Ｃ）として、無機充填剤１
ＦＢ−７４  電気化学工業社製                        ９２０重量部
（４）無機充填材（Ｃ）として、無機充填材２
ＳＯ−Ｅ２  アドマテックス社製                      １００重量部
（５）硬化促進剤（Ｄ）として、式（３）で表される硬化促進剤          ７重量部
（６）エポキシシランカップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
ＫＢＭ−４０３Ｅ  信越化学工業社製                      ２重量部
をビーカーに取りスパチュラで混ぜ合わせた後、三本ロールにて３回混錬したのち、ビーカーに入れて真空オーブン（常温、５ｍｍＨｇ）１０分間脱泡処理を行い、液状樹脂組成物を得た。
【００２９】
作製した液状樹脂組成物について、以下の評価を行った。
・  粘度測定：Ｅ型粘度計にＣＰ−５１型コーンを装着し２５℃で０．５ｒｐｍ、２５℃で５ｒｐｍ、５０℃  ５ｒｐｍの条件で測定を実施した。
１２５℃の粘度は、ＨａａｋｅのレオメータＲＳ−１５０を用い、コーンサイズ２５ｍｍ、温度１２５℃、ストレス１０Ｐａ一定、周波数１Ｈｚの条件で５分間に１００データをサンプリングし、その中の最低の粘度とした。
・  チキソ性：上記粘度測定において、５および０．５ｒｐｍで測定した粘度結果から次のように計算した。［０．５ｒｐｍの粘度］÷［５ｒｐｍの粘度］である。
・  密着力：１０ｍｍ角に切断した表面がミラータイプの６２５μｍ厚シリコンウエハーの裏面であるブライトエッチ面に、作製した液状樹脂組成物を塗布した。これを挟んで密着測定用の釘（銅製）を取り付け、１２５℃１０分加熱硬化後、更に１７５℃４時間で後硬化を行い、測定サンプルを得た。釘の接着面積１０ｍｍ２である。これを測定装置（Ｄａｇｅ４０００，Ｄａｇｅ社製）に半導体チップ面を万力で固定して取り付け、２５℃において垂直方向に持ち上げて測定した。
作製した液状樹脂組成物の２５℃での粘度は、２００Ｐａ・ｓ、５０℃での粘度は、２７Ｐａ・ｓ、１２５℃粘度は０．２Ｐａ・ｓであり、チキソ性は、１．２であり、密着力は２６Ｎであった。
【００３０】
［信頼性評価］
半導体チップ上に回路配線された半導体ウエハー（Ｐｈａｓｅ８、日立超ＬＳＩ株式会社製，３５０μｍ厚）をダイシング装置で７ｍｍ角大に切断し、半導体チップを得た。次に８インチシリコンウエハー（７２５μｍ厚）をキャリアとし、剥離可能な熱発泡フィルム(リバアルファ、日東電工株式会社製)を、熱発泡フィルムの発泡面を常温で接着して支持基板を作った。支持基板に適当な間隔を空けて、半導体チップの電極がある活性面が熱発泡フィルムと接するように、ダイマウンター（ＤＢ２００, 澁谷工業（株）製）で半導体チップを搭載した。半導体チップ付き支持基板を圧縮成形機にセットし、液状樹脂組成物適量載せ、成形圧力３ＭＰａ，１２５℃１０分で硬化を行い、ウエハーを得た。液状樹脂組成物の量は、成形後の樹脂厚みが６００±１０μｍとなるように調整した。
ウエハーを１７５℃４時間オーブンで熱処理し後硬化を行った後、支持基板を剥がす為に、２００℃の吸着可能な熱盤上に置いて熱発泡フィルムを発泡させ、支持基板のウエハー部を剥離し、次いで熱発泡フィルム自体をウエハーから剥離することで、表面に多数の半導体チップが露出した状態の再配置ウエハーを得た。
得られた再配置ウエハー全体に、感光性バッファコート材をスピンコート（ＤＳＰＩＮ８０Ａ、（株）ＳＯＫＵＤＯ製、１５００ｒｐｍ、３０秒）、次いで同装置にてプリベーク（１２５℃５分）を行い、再配置ウエハー表面に再配線用の絶縁膜を形成する。半導体チップの各接続パッドの位置で絶縁膜を開孔するために、光照射（ブロードバンドアライナーＭＡ−８、ズース・マイクロテック（株）製、５００ｍＪ／ｃｍ２）を行い、現像液（ＴＭＡＨ２．３８％、２３℃、６２秒２回パドル）で現像、最終硬化（２５０℃  １.５時間）した。  次にスパッター（ＳＰＦ−７４０Ｈ、キャノンアネルバエンジニアリング（株）製）にてバッファコート上に、チタン５００Å、銅３０００Å厚みとなる様、順に成膜。ここにレジスト（サンフォート１５５、旭化成イーマテリアルズ（株）製）を塗布し、再配線回路用マスクを用いてレジストの露光と現像を行う。更に銅メッキ処理で、全体に１０μｍ厚みの銅の層を形成した後、レジストを剥離した。この状態では、バッファコート面に不要な銅とチタン層が残っているので、これらをエッチングにより除去後、もう一度スピンコートにてバッファコート層を設け、再配線後の別位置に開孔しバンプ接続の為の銅層を露出させた。再配線は、以上の手順で行った。
再配線まで終わった再配置ウエハーは、ダイサーを用いて１５ｍｍ角サイズに個片化した。この様にして、信頼性試験用の半導体パッケージ装置を組立てた。
【００３１】
・半田耐熱試験
上記作製した半導体パッケージを、１２５℃２０時間処理し、次いで８５℃８５％ＲＨの条件で１６８時間吸湿処理した。これを、最大温度２６０℃の時間が３０秒となるように設定したリフローオーブンに３回通し、半田耐熱試験１を行った。（試験条件１とした。）
また、半田耐熱試験１（試験条件１）の吸湿処理条件を８５℃６０％ＲＨ１６８ｈとした以外は、同様にして、半田耐熱試験２を行った。（試験条件２とした。）
試験後のサンプルは、超音波探傷装置（ＦｉｎｅＳＡＴ  ＦＳ３００型,日立建機（株）製）にて２０ＭＨｚのプローブを用いて、内部の剥離状態を確認した。半導体チップの面積に対して、剥離面積の合計が１０％以下の場合は微小剥離とし、それ以上の剥離面積では剥離として、剥離が見られた半導体パッケージの数を数えた。
液状樹脂組成物を用いた結果では微小剥離、剥離ともに見つからなかった。
【００３２】
［実施例２］
（１）エポキシ樹脂（Ａ）として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
ＳＢ−４０３Ｓ  日本化薬工業社製                    １００重量部
（２）酸無水物（Ｂ）として、メチルテトラヒドロフタル酸無水物
ＭＴ−５００  新日本理化社製                        １００重量部
（３）無機充填材（Ｃ）として無機充填剤１
ＦＢ−７４  電気化学工業社製                      １４００重量部
（４）無機充填材（Ｃ）として無機充填材２
ＳＯ−Ｅ２  アドマテックス社製                      １６０重量部
（５）硬化促進剤（Ｄ）として、式（３）で表される硬化促進剤          ７重量部
（６）エポキシシランカップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
ＫＢＭ−４０３Ｅ  信越化学工業社製                      ４重量部
をビーカーに取りスパチュラで混ぜ合わせた後、三本ロールにて３回混錬したのち、ビーカーに入れて真空オーブン（常温、５ｍｍＨｇ）１０分間脱泡処理を行い、液状樹脂組成物を得た。
作製した液状樹脂組成物を実施例１と同様に評価した。液状樹脂組成物の２５℃での粘度とチキソ性は５００Ｐａ・ｓと１．８であった。５０℃、１２５℃での粘度はそれぞれ６９Ｐａ・ｓと０．４Ｐａ・ｓ、半導体チップ裏面への密着力は２９Ｎであった。
【００３３】
［実施例３］
（１）エポキシ樹脂（Ａ）として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
ＳＢ−４０３Ｓ  日本化薬工業社製                    １００重量部
（２）酸無水物（Ｂ）として、メチルテトラヒドロフタル酸無水物
ＭＴ−５００  新日本理化社製                        １００重量部
（３）無機充填材（Ｃ）として、無機充填剤1
ＦＢ−７４  電気化学工業社製                      ２５４０重量部
（４）無機充填材（Ｃ）として、無機充填材２
ＳＯ−Ｅ２  アドマテックス社製                      ２８０重量部
（５）硬化促進剤（Ｄ）として、式（３）で表される硬化促進剤          ７重量部
（６）エポキシシランカップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
ＫＢＭ−４０３Ｅ            信越化学工業社製            ６重量部
をビーカーに取りスパチュラで混ぜ合わせた後、三本ロールにて３回混錬したのち、ビーカーに入れて真空オーブン（常温、５ｍｍＨｇ）１０分間脱泡処理を行い、液状樹脂組成物を得た。
作製した液状樹脂組成物を実施例１と同様に評価した。液状樹脂組成物の２５℃での粘度とチキソ性は１５００Ｐａ・ｓと２．３であった。５０℃、１２５℃での粘度はそれぞれ１１１Ｐａ・ｓと０．６Ｐａ・ｓ、チップ裏面への密着力は３１Ｎであった。
【００３４】
［実施例４］
（１）エポキシ樹脂（Ａ）として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
ＳＢ−４０３Ｓ  日本化薬工業社製                      ８０重量部
（２）エポキシ樹脂（Ａ）として、、クレゾールノボラック型エポキシ
ＥＳＣＮ１９５ＬＡ（軟化点６２℃）  住友化学社製      ２０重量部
（４）酸無水物（Ｂ）として、メチルテトラヒドロフタル酸無水物
ＭＴ−５００  新日本理化社製                        １００重量部
（５）無機充填材（Ｃ）として、無機充填剤１
ＦＢ−７４  電気化学工業社製                      １３７０重量部
（６）無機充填材（Ｃ）として、無機充填材２
ＳＯ−Ｅ２  アドマテックス社製                      ２００重量部
（７）硬化促進剤（Ｄ）として、式（３）で表される硬化促進剤          ７重量部
エポキシシランカップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
ＫＢＭ−４０３Ｅ  信越化学工業社製                    ４重量部
をビーカーに取りスパチュラで混ぜ合わせた後、三本ロールにて３回混錬したのち、ビーカーに入れて真空オーブン（常温、５ｍｍＨｇ）１０分間脱泡処理を行い、液状樹脂組成物を得た。
作製した液状樹脂組成物を実施例１と同様に評価した。液状樹脂組成物の２５℃での粘度とチキソ性は１５００Ｐａ・ｓと２．６であった。５０℃、１２５℃での粘度はそれぞれ１５０Ｐａ・ｓと０．９Ｐａ・ｓ、チップ裏面への密着力は２５Ｎであった。
【００３５】
［実施例５］
（１） エポキシ樹脂（Ａ）として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
ＳＢ−４０３Ｓ  日本化薬工業社製                    １００重量部
（２） 酸無水物（Ｂ）として、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物
ＭＨ−７００  新日本理化                            １００重量部
（３） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填剤１
ＦＢ−７４  電気化学工業社製                      １４４０重量部
（４） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填材２
ＳＯ−Ｅ２  アドマテックス社製                      １６０重量部
（５） 硬化促進剤（Ｄ）として、式（３）で表される硬化促進剤          ７重量部
（６） エポキシシランカップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
ＫＢＭ−４０３Ｅ  信越化学工業社製                      ４重量部
をビーカーに取りスパチュラで混ぜ合わせた後、ピッチ５０μｍに設定した三本ロールにて３回混錬したのち、ビーカーに入れて真空オーブン（常温、５ｍｍＨｇ）１０分間脱泡処理を行い、液状樹脂組成物を得た。
作製した液状樹脂組成物を実施例１と同様に評価した。液状樹脂組成物の２５℃での粘度とチキソ性は４５０Ｐａ・ｓと１．８であった。５０℃、１２５℃での粘度はそれぞれ６３Ｐａ・ｓと１２３Ｐａ・ｓ、チップ裏面への密着力は３０Ｎであった。
【００３６】
［実施例６］
（１） エポキシ樹脂（Ａ）として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
ＳＢ−４０３Ｓ  日本化薬工業社製                    １００重量部
（２） 酸無水物（Ｂ）として、メチルテトラヒドロフタル酸無水物
ＭＴ−５００  新日本理化社製                        １００重量部
（３） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填剤１
ＦＢ−７４  電気化学工業社製                      １４００重量部
（４） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填材２
ＳＯ−Ｅ２  アドマテックス社製                      １６０重量部
（５） 硬化促進剤（Ｄ）として、式（４）で表される硬化促進剤          ７重量部
（６） エポキシシランカップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
ＫＢＭ−４０３Ｅ            信越化学工業社製                      ４重量部
ビーカーに取りスパチュラで混ぜ合わせた後、三本ロールにて３回混錬したのち、ビーカーに入れて真空オーブン（常温、５ｍｍＨｇ）１０分間脱泡処理を行い、液状樹脂組成物を得た。
作製した液状樹脂組成物を実施例１と同様に評価した。液状樹脂組成物の２５℃での粘度とチキソ性は７００Ｐａ・ｓと１．８であった。５０℃、１２５℃での粘度はそれぞれ１２３Ｐａ・ｓと０．９Ｐａ・ｓ、半導体チップ裏面への密着力は２８Ｎであった。
【００３７】
［実施例７］
（１） エポキシ樹脂（Ａ）として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
ＳＢ−４０３Ｓ  日本化薬工業社製                    １００重量部
（２） 酸無水物（Ｂ）として、メチルテトラヒドロフタル酸無水物
ＭＴ−５００  新日本理化社製                        １００重量部
（３） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填剤１
ＦＢ−７４  電気化学工業社製                      １４５０重量部
（４） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填材２
ＳＯ−Ｅ２  アドマテックス社製                      １６０重量部
（５） 硬化促進剤（Ｄ）として、式（３）で表される硬化促進剤        １５重量部
（６） エポキシシランカップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
ＫＢＭ−４０３Ｅ  信越化学工業社製                    ４重量部
をビーカーに取りスパチュラで混ぜ合わせた後、三本ロールにて３回混錬したのち、ビーカーに入れて真空オーブン（常温、５ｍｍＨｇ）１０分間脱泡処理を行い、液状樹脂組成物を得た。
作製した液状樹脂組成物を実施例１と同様に評価した。液状樹脂組成物の２５℃での粘度とチキソ性は６００Ｐａ・ｓと２．１であった。５０℃、１２５℃での粘度はそれぞれ８４Ｐａ・ｓと０．５Ｐａ・ｓ、チップ裏面への密着力は２７Ｎであった。
【００３８】
［実施例８］
（１） エポキシ樹脂（Ａ）として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
ＳＢ−４０３Ｓ  日本化薬工業社製                    １００重量部
（２） 酸無水物（Ｂ）として、メチルテトラヒドロフタル酸無水物
ＭＴ−５００  新日本理化                            １００重量部
（３） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填剤１
ＦＢ−７４  電気化学工業社製                      １３７０重量部
（４） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填材２
ＳＯ−Ｅ２  アドマテックス社製                      １５０重量部
（５） 硬化促進剤（Ｄ）として、式（３）で表される硬化促進剤          ３重量部
（６） エポキシシランカップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
ＫＢＭ−４０３Ｅ  信越化学工業社製                      ３重量部
をビーカーに取りスパチュラで混ぜ合わせた後、三本ロールにて３回混錬したのち、ビーカーに入れて真空オーブン（常温、５ｍｍＨｇ）１０分間脱泡処理を行い、液状樹脂組成物を得た。
作製した液状樹脂組成物を実施例１と同様に評価した。液状樹脂組成物の２５℃での粘度とチキソ性は４００Ｐａ・ｓと１．６であった。５０℃、１２５℃での粘度はそれぞれ５６Ｐａ・ｓと０．３Ｐａ・ｓ、チップ裏面への密着力は３１Ｎであった。
【００３９】
［比較例１］
（１） エポキシ樹脂（Ａ）として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
ＳＢ−４０３Ｓ  日本化薬工業社製                    １００重量部
（２） 酸無水物（Ｂ）として、メチルテトラヒドロフタル酸無水物
ＭＴ−５００  新日本理化社製                        １００重量部
（３） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填剤１
ＦＢ−７４ 電気化学工業社製                          ６３０重量部
（４） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填材２
ＳＯ−Ｅ２  アドマテックス社製                        ７０重量部
（５） 硬化促進剤（Ｄ）として、式（３）で表される硬化促進剤          ７重量部
（６） エポキシシランカップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
ＫＢＭ−４０３Ｅ  信越化学工社製業                      ２重量部
をビーカーに取りスパチュラで混ぜ合わせた後、三本ロールにて３回混錬したのち、ビーカーに入れて真空オーブン（常温、５ｍｍＨｇ）１０分間脱泡処理を行い、液状樹脂組成物を得た。
作製した液状樹脂組成物を実施例１と同様に評価した。液状樹脂組成物の２５℃での粘度とチキソ性は１０Ｐａ・ｓと０．８であった。５０℃、１２５℃での粘度はそれぞれ１２Ｐａ・ｓと０．１Ｐａ・ｓ、チップ裏面への密着力は１９Ｎであった。
【００４０】
［比較例２］
（１） エポキシ樹脂（Ａ）として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
ＳＢ−４０３Ｓ  日本化薬工業社製                    １００重量部
（２） 酸無水物（Ｂ）として、メチルテトラヒドロフタル酸無水物
ＭＴ−５００  新日本理化社製                        １００重量部
（３） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填剤１
ＦＢ−７４  電気化学工業社製                      ６４７０重量部
（４） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填材２
ＳＯ−Ｅ２  アドマテックス社製                      ７２０重量部
（５） 硬化促進剤（Ｄ）として、式（３）で表される硬化促進剤          ７重量部
（６） エポキシシランカップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
ＫＢＭ−４０３Ｅ  信越化学工業社製                    １５重量部
をビーカーに取りスパチュラで混ぜ合わせた後、三本ロールにて３回混錬したのち、ビーカーに入れて真空オーブン（常温、５ｍｍＨｇ）１０分間脱泡処理を行い、液状樹脂組成物を得た。
作製した液状樹脂組成物を実施例１と同様に評価した。液状樹脂組成物の２５℃、５０℃、１２５℃での粘度を測定しようとしたが、硬すぎて測定できず。半導体チップ裏面への密着力も、サンプル作製が出来ず実施しなかった。
【００４１】
［比較例３］
（１） エポキシ樹脂（Ａ）として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
ＳＢ−４０３Ｓ  日本化薬工業社製                    １００重量部
（２） その他硬化剤として、フェノールノボラック樹脂
ＭＥＨ−８０００  明和化成社製                        ９０重量部
（３） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填剤１
ＦＢ−７４  電気化学工業社製                      １３００重量部
（４） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填材２
ＳＯ−Ｅ２  アドマテックス社製                      １４０重量部
（５） 硬化促進剤（Ｄ）として、式（３）で表される硬化促進剤          ６重量部
（６） エポキシシランカップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
ＫＢＭ−４０３Ｅ  信越化学工業社製                      ３重量部
をビーカーに取りスパチュラで混ぜ合わせた後、三本ロールにて３回混錬したのち、ビーカーに入れて真空オーブン（常温、５ｍｍＨｇ）１０分間脱泡処理を行い、液状樹脂組成物を得た。
作製した液状樹脂組成物を実施例１と同様に評価した。液状樹脂組成物の２５℃、５０℃、１２５℃での粘度を測定しようとしたが、硬すぎて測定できず。半導体チップ裏面への密着力も、サンプル作製が出来ず実施しなかった。
【００４２】
［比較例４］
（１） エポキシ樹脂（Ａ）として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
ＳＢ−４０３Ｓ  日本化薬工業社製                    １００重量部
（２） 酸無水物（Ｂ）として、メチルテトラヒドロフタル酸無水物
ＭＴ−５００  新日本理化社製                        １００重量部
（３） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填剤１
ＦＢ−７４  電気化学工業社製                      １３９０重量部
（４） 無機充填材（Ｃ）として、無機充填材２
ＳＯ−Ｅ２  アドマテックス社製                      １５０重量部
（５） ２−メチルイミダゾール  ２ＭＺ  四国化成工業社製              ７重量部
（６） エポキシシランカップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
ＫＢＭ−４０３Ｅ  信越化学工業社製                      ４重量部
をビーカーに取りスパチュラで混ぜ合わせた後、三本ロールにて３回混錬したのち、ビーカーに入れて真空オーブン（常温、５ｍｍＨｇ）１０分間脱泡処理を行い、液状樹脂組成物を得た。
作製した液状樹脂組成物を実施例１と同様に評価した。液状樹脂組成物の２５℃、５０℃、１２５℃での粘度を測定しようとしたが、硬すぎて測定できなかった。チップ裏面への密着力は１６Ｎであった。
【００４３】
実施例２〜８についても、実施例１と同様にして半導体パッケージを組立て半田耐熱試験を行った。試験条件２では何れも剥離は観察されなかったが、試験条件１では実施例４で、一つ微小剥離が観察された。
比較例１〜４についても、実施例１と同様にして半導体パッケージを組立てたが、比較例２と３では液状樹脂組成物Ｇは樹脂粘度が高すぎて成形できず、評価は行わなかった。比較例１と４について組立てた半導体パッケージで半田耐熱試験を行ったが、試験条件１では全数が剥離し、試験条件２では半数が剥離した。
【００４４】
【表１】
2011052160.tif 000010
【００４５】
【表２】
2011052160.tif 000011