(57)【要約】      （修正有）【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子のドーパントとして有用なイリジウム錯体を提供する。【解決手段】一般式（１）2011251921.tif 000018（式中、Ｒ１は炭素原子数１〜１０のアルキル基を示す。）で示されるイリジウム錯体。【選択図】図１
2011251921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2011251921.tif 000017
（式中、Ｒ１は炭素原子数１〜１０のアルキル基を示す。）
で示されるイリジウム錯体。
【請求項２】
請求項１記載のイリジウム錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下有機ＥＬ素子と称することもある。）のドーパントとして有用なイリジウム錯体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ素子のドーパントとして、高効率化や色純度の向上、長寿命化を目的に種々のイリジウム錯体が提案されているが（例えば、特許文献１〜２参照）、中でも高効率青色発光材料であるＦＩｒｐｉｃ（（２−ピリジンカルボキシラト−κＮ１,κＯ２）ビス[２−（２−ピリジニル−κＮ）−３，５−ジフルオロフェニル−κＣ）]イリジウム）の誘導体が数多く検討されている。
ところで、本発明のＦＩｒｐｉｃの誘導体は、３−（ピリジン−２−イル）−２，６−ジフルオロトルエン（別名；２−（２−ピリジニル−κＮ）−３，５−ジフルオロ−４−メチルフェニル−κＣ）を配位子として有するが、当該配位子の青色純度の向上を目的としてトリフルオロメチル基を導入した構造を有するイリジウム錯体（例えば、非特許文献１参照）やシアノ基を導入したイリジウム錯体（例えば、非特許文献２参照）が開示されている。なお、これらのいずれの置換基も電子吸引性基である。
又、電子供与性基を導入した錯体としては、補助配位子としてアセチルアセトンを用いた誘導体が開示されているに過ぎず（例えば、特許文献３参照）、本発明のトリス体の存在は一切明示されていなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００２／０１５６４５号
【特許文献２】国際公開第２００８／１５６８７９号
【特許文献３】特開２００２−１１７９７８号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，３５，７４８（２００６）
【非特許文献２】Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，１０，１７０（２００９）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、上記問題点を解決し、有機エレクトロルミネッセンス素子のドーパントとして有用なイリジウム錯体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の課題は、即ち、一般式（１）
【０００７】
【化１】
2011251921.tif 000003
（式中、Ｒ１は炭素原子数１〜１０のアルキル基を示す。）
で示されるイリジウム錯体によって解決される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、有機ＥＬ素子の青色ドーパントとして好適に使用することができるイリジウム錯体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】素子製造例１で製造した有機ＥＬ素子の層構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明のイリジウム錯体は一般式（１）で示される。その一般式（１）において、Ｒ１はメチル基、エチル基、プロピル基等の炭素原子数１〜１０のアルキル基を示すが、好ましくは炭素原子数１〜６のアルキル基、更に好ましくはメチル基、エチル基、特に好ましくはメチル基である。なお、これらの基は各種異性体を含む。
【００１１】
本発明のイリジウム錯体の配位子は、下記式（２）又は（３）のいずれかの方法によって合成することができる。
【００１２】
【化２】
2011251921.tif 000004
【００１３】
（式中、Ｘ１及びＸ２は同一又は異なっていても良く、ハロゲン原子を示し、Ｐは脱離基を示す。又、Ｒ１は前記と同義である。）
【００１４】
前記Ｘ１としては、好ましくは臭素原子であり、Ｘ２としては、好ましくは塩素原子である。又、前記脱離基Ｐとしては、好ましくはジヒドロキシボリル基又はジアルコキシボリル基（２つのアルキル基は互いに結合して環を形成していても良い）である。
【００１５】
又、本発明のイリジウム錯体の合成は、式（４）で示すように塩化イリジウムを出発原料として合成することができる。
【００１６】
【化３】
2011251921.tif 000005
【００１７】
（式中、Ｒ１は前記と同義である。）
【００１８】
又、式（５）で示すようにトリス（アセチルアセトナト）イリジウムを出発原料として合成することもできる。
【００１９】
【化４】
2011251921.tif 000006
【００２０】
（式中、Ｒ１は前記と同義である。）
【００２１】
（有機エレクトロルミネッセンス素子）
次に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、本発明のイリジウム錯体が発光層に含まれるが、それ以外の公知の材料をも併せて使用することができる。
【００２２】
有機ＥＬ素子は、好ましくは一対の電極間に単層または多層の有機化合物層を有する有機ＥＬ素子であり、本発明化合物を、有機化合物薄層のうちの少なくとも１層に含むものである。なお、有機化合物層とは、バッファ層、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などである。
【００２３】
単層型の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に発光層を有する。発光層は、発光材料を含有し、更に、陽極から注入したホール、又は、陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるための有機化合物層に用いられる材料、例えば、ホール輸送材料や電子輸送材料を含有してもよい。
【００２４】
多層型の有機ＥＬ素子としては、例えば、（陽極／バッファ層／ホール輸送層／発光層／ホール阻止層／電子輸送層／陰極）や（陽極／バッファ層／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極）などの多層構成が挙げられるが、他に（陽極／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／ホール阻止層／電子輸送層／金属酸化物層／陰極）、（陽極／ホール注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子輸送層／陰極）、（陽極／ホール注入層／発光層／電子輸送層／陰極）等の多層構成も挙げられ、その構成はこれらに限定されるものではない。
【００２５】
又、バッファ層、ホール輸送層、電子輸送層、および発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても、多層構造であってもよい。更に、ホール輸送層、電子輸送層はそれぞれの層で注入機能を有する層（ホール注入層及び電子注入層）と輸送機能を有する層（ホール輸送層及び電子輸送層）を別々に設けることもできる。
【００２６】
以下、本発明の有機ＥＬ素子に構成要素に関して、（陽極／バッファ層／ホール輸送層／発光層／ホール阻止層／電子輸送層／陰極）の素子構成を例に詳細に説明する。
【００２７】
本発明の有機ＥＬ素子において有機層の発光層にホストとして使用される材料は、公知のホスト材料の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）−１，１’−ビフェニル（ＣＢＰ）、１，３−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（ｍＣＰ）、２，２’―ジ〔４’’−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル〕−１，１’−ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）、ジフェニルジ（ｏ−トリル）シラン、ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、４、４’、４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）−トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、４９，１０−ビス−［１，１，３’，１’’］ターフェニル−５’−イル−アントラセンなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２８】
発光材料をホスト材料と組み合わせて使用する場合、発光材料はホスト材料に対して、好ましくは０．００５〜８０質量％である。
【００２９】
ホール阻止層として使用される材料（以下、ホール阻止材料という）は、公知の材料としては、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（トリフェニルシラノラート）アルミニウム、ビス（ｍ−ターフェニル−５’−イル）スルホン（ＢＴＰＳ）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３０】
電子輸送層として使用される材料（以下、電子輸送材料という）は、公知の材料として、例えば、フルオレン、フェナントロリン、バソフェナントロリン、バソクプロイン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、アントラキノジメタン、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等やそれらの化合物、金属錯体化合物もしくは含窒素五員環誘導体を挙げることができる。金属錯体化合物としては、具体的には、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリ（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート)（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート)（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）−４−フェニルフェノラート等があるが、これらに限定されるものではない。又、上記の含窒素五員環誘導体としては、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４’’−ビフェニル）１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル)−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４ートリアゾール、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル)−１，２，４−トリアゾール等があるが、これらに限定されるものではない。更に、ポリマ−有機発光素子に使用されるポリマ−材料も使用することができる。例えば、ポリパラフェニレンおよびその誘導体、フルオレン及びその誘導体等であるが、これらに限定されるものではない。
【００３１】
一方、ホール輸送層として使用される材料（以下ホール輸送材料）は公知の材料から選択して用いることができる。例えばＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’ジアミン（ＴＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）等の芳香族ジアミン化合物、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリアリールアルカン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、２，２’，７，７’−テトラキス−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン、及びポリビニルカルバゾール等の高分子材料が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００３２】
又、有機ＥＬ素子には、ホールの注入性向上のためにバッファ層を設けることができるが、バッファ層に用いる材料としては公知の材料から選択して用いることができる。より好適には、上記ホール輸送材料に酸化モリブデンを１〜３０質量％ドープしたものが使用されるが、これらに限定されるものではない。
【００３３】
陽極に使用される導電性材料としては、仕事関数が４ｅＶ前後より大きいもの、例えば、炭素原子、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム及びそれらの合金、ＩＴＯ（酸化インジウムに酸化スズを５〜１０質量％添加した物質）基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、更にポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂を用いることが出来る。但し、陽極に使用される導電性材料の仕事関数が当該素子の陰極に使用される導電性材料の仕事関数より０．１ｅＶ以上大きなものを用いることが望ましい。
【００３４】
陰極に使用される導電性物質としては、仕事関数が４ｅＶ前後より小さいもの例えば、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム等又はそれらの合金が用いられる。ここで合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が挙げられる。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、特に限定されない。但し、陰極に使用されるこれらの導電性材料の仕事関数は当該素子の陽極に使用される導電性材料の仕事関数より０.１ｅＶ以上小さいものを用いることが望ましい。
【００３５】
本発明の有機ＥＬ素子は、電子注入性向上のために発光層と電極との間に金属酸化物層を設けることも出来る。又、電子輸送材料に金属酸化物をドープして使用してもよい。
【００３６】
使用される金属酸化物としては、ＬｉＦ等のアルカリ金属フッ化物；ＢａＦ２、ＳｒＦ２等のアルカリ土類金属フッ化物；Ｌｉ２Ｏ等のアルカリ金属酸化物；ＲａＯ、ＳｒＯ等のアルカリ土類金属酸化物が使用される。
【００３７】
陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。
【００３８】
本発明の有機ＥＬ素子は、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において透明であることが望ましい。又、基板も透明であることが望ましい。
【００３９】
透明電極は、前記の導電性材料を使用して、蒸着又はスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定して得られる。
【００４０】
発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。
【００４１】
基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば特に限定されるものではないが、ガラス基板又は透明性樹脂フィルムが使用される。
【００４２】
透明性樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
【００４３】
本発明の有機ＥＬ素子は、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けるか、又はシリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護してもよい。
【００４４】
又、有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、又はスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかを適用することができる。膜厚は特に制限されないが、好ましくは０．１ｎｍ〜１０μｍ、更に好ましくは０．５ｎｍ〜０．２μｍである。
【００４５】
湿式成膜法の場合、各層上に当該材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の溶媒に溶解または分散させて薄膜を調製することが出来る。又、この際前記の材料を共存させることも可能である
【実施例】
【００４６】
以下に実施例を挙げて、さらに本発明を具体的に説明する。
【００４７】
参考例１（Ｒ１＝メチル基、Ｘ１＝臭素原子；３−ブロモ−２，６−ジフルオロトルエンの合成）
【００４８】
【化５】
2011251921.tif 000007
【００４９】
温度計、還流冷却器および攪拌機を備えた２００ｍｌのガラス製三つ口フラスコ中にて、窒素雰囲気下、２，６−ジフルオロトルエン３０．０ｇ（２３４ｍｍｏｌ）及び鉄粉７８０ｍｇ（１４．０ｍｍｏｌ）を加えた後、混合溶液を５℃に冷却した。次いで、混合溶液中に、液温が２０℃以下になるようにしながら、臭素４４．７ｇ（２８０ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、室温で攪拌しながら反応させた。反応終了後、反応液にヘキサンと炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて分液した。得られた有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、淡黄色溶液として３−ブロモ−２，６−ジフルオロトルエン４５．０ｇを得た（単離収率；９２．７％）。
なお、３−ブロモ−２，６−ジフルオロトルエンは、以下の物性値で示される化合物である。
【００５０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；７．３４（１Ｈ，ｍ）、６．７５（１Ｈ，ｍ）
【００５１】
参考例２（Ｒ１＝メチル基；２−（２，４−ジフルオロ−３−メチルフェニル）ピリジンの合成）
【００５２】
【化６】
2011251921.tif 000008
【００５３】
温度計、還流冷却器及び攪拌装置を備えた１Ｌのガラス製四口フラスコに、参考例１と同様な方法で合成した純度９０質量％の３−ブロモ−２，６−ジフルオロトルエン３２．１ｇ（１４０ｍｍｏｌ）及び脱水テトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、混合溶液に窒素を１時間通気した。次いで、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）４．０４ｇ（３．５０ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら０．５ｍｏｌ／ｍｌの２−ピリジル亜鉛ブロミドテトラヒドロフラン溶液２００ｍｌ（１００ｍｍｏｌ，アルドリッチ社製）を添加し、還流させながら２４時間反応させた。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、減圧下で濃縮した。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル→ヘキサン／酢酸エチル（容量比；５００／１０）→ヘキサン／クロロホルム（容量比；２／１）→ヘキサン／酢酸エチル（容量比；５００／１５））で精製し、無色透明液体として２−（２，４−ジフルオロ−３−メチルフェニル）ピリジン５．６０ｇを得た（単離収率；２７％）。
なお、２−（２，４−ジフルオロ−３−メチルフェニル）ピリジンは、以下の物性値で示される化合物である。
【００５４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；８．７０（１Ｈ，ｍ）、７．７５（３Ｈ，ｍ）、７．２５（１Ｈ，ｍ）、６．９５（１Ｈ，ｍ）
【００５５】
実施例１（Ｒ１＝メチル基；ジ−μ−クロロテトラキス−［２−（２−ピリジニル−κＮ）−３，５−ジフルオロ−４−メチルフェニル−κＣ］ジイリジウムの合成）
【００５６】
【化７】
2011251921.tif 000009
【００５７】
温度計、還流冷却器及び攪拌装置を備えた１００ｍｌのガラス製三口フラスコに、参考例２の方法と同様で合成した２−（２，４−ジフルオロ−３−メチルフェニル）ピリジン２５０ｍｇ（１．２２ｍｍｏｌ）及びエトキシエタノール２０ｍｌを加え、混合溶液に窒素を１時間通気した。次いで、三塩化イリジウム三水和物１５０ｍｇ（０．４８８ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら１２５〜１３５℃で２０時間反応させた。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、減圧下で濃縮し、得られた濃縮物に２ｍｏｌ／ｌ炭酸カリウム水溶液５ｍｌ（１ｍｍｏｌ）を加え、超音波処理を行った。得られた懸濁液を濾過後、濾物を水で洗浄した後に真空下にて乾燥させた。乾燥後、得られた固体をヘキサンで洗浄した後に乾燥させ、黄土色固体として２−（２，４−ジフルオロ−３−メチルフェニル）ピリジンのクロロブリッジダイマー２２０ｍｇを得た（単離収率；５６．４％）。
なお、ジ−μ−クロロテトラキス−［２−（２−ピリジニル−κＮ）−３，５−ジフルオロ−４−メチルフェニル−κＣ］ジイリジウムは新規化合物であった。
【００５８】
実施例２（Ｒ１＝メチル基；トリス［２−（２−ピリジニル−κＮ）−３，５−ジフルオロ−４−メチルフェニル−κＣ］イリジウムの合成（以下［Ｉｒ（ｆｔｐｙ）３］と称することもある））
【００５９】
【化８】
2011251921.tif 000010
【００６０】
温度計、還流冷却器及び攪拌装置を備えた１００ｍｌのガラス製三口フラスコに、実施例１と同様な方法で合成したジ−μ−クロロテトラキス−［２−（２−ピリジニル−κＮ）−３，５−ジフルオロ−４−メチルフェニル−κＣ］ジイリジウム３．３７ｇ（２．６５ｍｍｏｌ）、２−（２，４−ジフルオロ−３−メチルフェニル）ピリジン１．６３ｇ（７．９５ｍｍｏｌ）及びジグライム１５０ｍｌを加え、窒素を１時間通気した。次いで、混合液にトリフルオロメタンスルホン酸銀２．７２ｇ（１０．６ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら１４０〜１５０℃で９２時間反応させた。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を３回（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル（容量比；３／１）→ヘキサン／塩化メチレン（容量比；３／１）→ヘキサン／塩化メチレン（容量比；４／１））行った後、得られた固体をヘキサンで洗浄した。更に、固体を昇華させて、黄色粉体としてトリス［２−（２−ピリジニル−κＮ）−３，５−ジフルオロ−４−メチルフェニル−κＣ］イリジウム２７０ｍｇを得た（単離収率；６．３％）。
【００６１】
なお、トリス［２−（２−ピリジニル−κＮ）−３，５−ジフルオロ−４−メチルフェニル−κＣ］イリジウムは、以下の物性値で示される新規な化合物であった。
【００６２】
ＥＩ−ＭＳ；８０５（Ｍ）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，δ（ｐｐｍ））；８．２９（３Ｈ，ｍ）、７．６６（３Ｈ，ｍ）、７．４５（３Ｈ，ｍ）、６．９１（３Ｈ，ｍ）、６．１７（３Ｈ，ｍ）、２．０３（９Ｈ，ｍ）
【００６３】
実施例３（Ｒ１＝メチル基；トリス［２−（２−ピリジニル−κＮ）−３，５−ジフルオロ−４−メチルフェニル−κＣ］イリジウム）の合成）
【００６４】
【化９】
2011251921.tif 000011
【００６５】
温度計、還流冷却器及び攪拌装置を備えた１００ｍｌのガラス製三口フラスコに、グリセリン２０ｍｌを加え、１４０〜１５０℃に加熱し窒素を１時間通気した。次いで、混合液を５０℃まで冷却し、２−（２，４−ジフルオロ−３−メチルフェニル）ピリジン２５０ｍｇ（１．２２ｍｍｏｌ）及びイリジウム（ＩＩＩ）トリスアセチルアセトナート１００ｍｇ（０．２００μｍｏｌ）を加え、攪拌しながら１９０〜２００℃で２８時間反応させた。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、水及びクロロホルムを加えて分液し、水層をクロロホルムで抽出した後、有機層と合わせた。得られた有機層を水洗後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／クロロホルム（容量比；３／１））で精製し、黄色粉体としてイリジウム（ＩＩＩ）トリス（３−（ピリジン−２−イル）−２，６−ジフルオロトルエン５ｍｇを得た（単離収率；１．５％）。
【００６６】
参考例３（Ｐ＝４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基；２−（２，４−ジフルオロ−３−メチルフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランの合成）
【００６７】
【化１０】
2011251921.tif 000012
【００６８】
温度計、還流冷却器及び攪拌機を備えた２００ｍｌのガラス製四つ口フラスコ中にて、先に合成した２，４−ジフルオロ−３−メチルブロモベンゼン５．１８ｇ（２５．０ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン７．６２ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム７．３６ｇ（７５．０ｍｍｏｌ）及び脱水したＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍｌを加え、混合溶液に窒素を１時間通気した。次いで、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノフェロセン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）塩化メチレン付加体６１０ｍｇ（７４７μｍｏｌ）を加え、攪拌しながら８０〜９０℃で１時間反応させた。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、水及びヘキサンを加えて分液し、水層をヘキサンで抽出した。得られた有機層を合わせて水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、得られた濃縮物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル（容量比；１／１））で精製し、黄色液体として２−（２，４−ジフルオロ−３−メチルフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン１．５０ｇ（単離収率；２３．６％）を得た。
なお、２−（２，４−ジフルオロ−３−メチルフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランの物性値は以下の通りであった。
【００６９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；７．４１（１Ｈ，ｍ）、６．８５（１Ｈ，ｍ）、２．２５（３Ｈ，ｓ）、１．８５（１２Ｈ，ｓ）
【００７０】
参考例４（Ｐ＝４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基、Ｘ２＝塩素原子；２−（２，４−ジフルオロ−３−メチルフェニル）ピリジンの合成）
【００７１】
【化１１】
2011251921.tif 000013
【００７２】
温度計、還流冷却器及び攪拌装置を備えた１００ｍｌのガラス製三つ口フラスコに、先のようにして合成した２−（２，４−ジフルオロ−３−メチルフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン２．０ｇ（７．８７ｍｍｏｌ）、２−クロロピリジン０．８１ｇ（７．１５ｍｍｏｌ）、１．３５ｍｏｌ／ｌリン酸カリウム水溶液１６ｍｌ（２１．６ｍｍｏｌ）及び１，４−ジオキサン５０ｍｌを加え、混合溶液に窒素を１時間通気した。次いで、混合溶液にトリス（ジベンジリデン）ジパラジウム（０）０．１３ｇ（０．１４ｍｍｏｌ）及びトリシクロヘキシルホスフィン０．１０ｇ（０．３６ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら８０〜８３℃で反応させた。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、減圧下で濃縮した。得られた濃縮物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル（容量比；４／１））で精製し、黄色液体として２−（２，４−ジフルオロ−３−メチルフェニル）ピリジン０．５４ｇ（単離収率；３６．８％）。なお、２−クロロピリジンが僅かに含有していた。
【００７３】
次に、本発明のイリジウム化合物を使用した有機ＥＬ素子の製造例を説明する。
【００７４】
実施例４（本発明のイリジウム錯体を含む有機ＥＬ素子の製造）
図１に示すように、基板側から、透明基板１、陽極２、バッファ層３、ホール輸送層４、発光層５、ホール阻止層６、電子輸送層７及び陰極８の各層を備える有機ＥＬ素子を以下の方法により作製した。
【００７５】
パターニング済みの透明導電膜（ＩＴＯ）（陽極２）が膜厚１１０ｎｍで成膜されたガラス基板（透明基板１）を、純水と界面活性剤による超音波洗浄、純水による流水洗浄、純水とイソプロピルアルコールの容量比１：１混合溶液による超音波洗浄、イソプロピルアルコールによる煮沸洗浄の順で洗浄処理した。この基板を沸騰中のイソプロピルアルコールからゆっくり引き上げ、イソプロピルアルコール蒸気中で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。この基板を陽極とし、真空チャンバ内に配置し、７．５×１０−３Ｐａまで真空排気し、該チャンバ内には、蒸着材料をそれぞれ充填した各モリブデン製ボードと、所定のパターンで成膜するための蒸着用マスクを設置しておき、ボードを通電加熱し、蒸着材料を蒸発させることにより、順次、次のようにバッファ層３、ホール輸送層４、発光層５、ホール阻止層６、電子輸送層７を成膜した。
【００７６】
前記基板上に、ホール輸送材料であるＮＳ２１（新日鐵化学株式会社製）と、三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）を共蒸着し、ＮＳ２１：ＭｏＯ３＝８０：２０を膜厚１３．６ｎｍで成膜した後、ＫＬＨＴ０３（ケミプロ化成社製）：ＭｏＯ３＝８０：２０を膜厚５ｎｍで成膜し、バッファ層３を形成した。続いて、ＫＬＨＴ０３を膜厚１５ｎｍで成膜し、ホール輸送層４を形成した。そして、発光層５は、ＴＣＴＡ：［Ｉｒ（ｆｔｐｙ）３］（実施例３と同様な方法で合成）＝８０：２０を膜厚１０ｎｍで成膜した。発光層５の上に、ビス（ｍ−ターフェニル−５’−イル）スルホン（ＢＴＰＳ）を膜厚８ｎｍで成膜し、ホール阻止層６を形成した。
【００７７】
更に、ホール阻止層６の上に、ＫＬＥＴ０３（ケミプロ化成社製）を膜厚５８ｎｍで成膜し、８−ヒドロキシキノリナートリチウム（Ｌｉｑ）を膜厚１ｎｍで成膜し、電子輸送層７を形成した。その上にアルミニウム（Ａｌ）を膜厚１００ｎｍで成膜し、陰極８を形成した。
【００７８】
ここで、ビス（ｍ−ターフェニル−５’−イル）スルホン（ＢＴＰＳ）は下記構造式で示される有機硫黄化合物である。
【００７９】
【化１２】
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【００８０】
このように形成した積層構造を、もう一枚のガラス基板と合わせ、ＵＶ硬化樹脂により封止して素子を完成した。
【００８１】
本素子の層構成を簡略化して示すと、
陽極２：  ＩＴＯ（１１０ｎｍ）、
バッファ層３：  ＮＳ２１：ＭｏＯ３（１３．６ｎｍ、８０：２０）／ＫＬＨＴ０３：ＭｏＯ３＝（５ｎｍ、８０：２０）、
ホール輸送層４：  ＫＬＨＴ０３（１５ｎｍ）、
発光層５：  ＴＣＴＡ：［Ｉｒ（ｆｔｐｙ）３］（１０ｎｍ、８０／２０）、
ホール阻止層６：  ＢＴＰＳ（８ｎｍ）、
電子輸送層７：  ＫＬＥＴ０３（５８ｎｍ）／Ｌｉｑ（１ｎｍ）、
陰極８：  Ａｌ（１００ｎｍ）
である。
【００８２】
比較例１（ＦＩｒｐｉｃを含む有機ＥＬ素子の製造）
発光層の［Ｉｒ（ｆｔｐｙ）３］をＦＩｒｐｉｃとして、実施例４と同様に素子を作製した。
【００８３】
ここで、ＦＩｒｐｉｃは下記構造式で示されるドーパントである。
【００８４】
【化１３】
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【００８５】
上記のように、実施例４及び比較例１で作製した有機ＥＬ素子を電源（ＫＴＨＥＬＥＹ社製「２４００」）に接続し、マルチチャンネルアナライザーにて（コニカミノルタ株式会社製「ＣＳ−２０００」）を用いて、外部量子効率、視感効率及びエネルギー変換効率の測定を行った。その結果を表１に示す。
【００８６】
【表１】
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【００８７】
本発明のイリジウム錯体［Ｉｒ（ｆｔｐｙ）３］を発光層に用いた有機ＥＬ素子の諸効率は、全て公知の高効率青色発光材料であるＦＩｒｐｉｃを用いた素子に優った。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明により、有機エレクトロルミネッセンス素子のドーパントとして有用なイリジウム錯体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するものである。
【符号の説明】
【００８９】
１  透明基板
２  陽極
３  バッファ層
４  ホール輸送層
５  発光層
６  ホール阻止層
７  電子輸送層  
８  陰極
【図１】
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