(57)【要約】【課題】等方性液晶を用いてコントラストのよい液晶表示装置を製造コストの大幅な上昇を伴うこと無く実現する。【解決手段】１画素内において、ＴＦＴ基板１００には、第１映像信号線と接続した第１ＴＦＴ３１と第２映像信号線と接続した第２ＴＦＴ３２と櫛歯状の第１画素電極４１が形成されている。第２の基板には、櫛歯状の第２画素電極４２が形成されている。第１画素電極４１は第１ＴＦＴ３１と接続し、第２画素電極４２は表面に導電膜３０１を有する柱状スペーサ３００によって第２ＴＦＴ３２と接続している。第１映像信号線４１と第２映像信号線４２とに極性が異なり大きさが等しい映像信号を加えることによって、駆動電圧の高い液晶を駆動させるとともに、ＴＦＴの絶縁破壊を防止する。【選択図】図１
2011123234.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持されている液晶表示装置であって、
前記第１の基板には、第１映像信号線と第２映像信号線のペアが第１の方向に延在して第２の方向に配列し、走査線が前記第２の方向に延在して前記第１の方向に配列し、前記第１映像信号線と前記第２映像信号線の前記ペアと前記走査線とで囲まれた領域に櫛歯状の第１画素電極が形成され、
前記第１の基板には第１ＴＦＴと第２ＴＦＴが形成され、前記第１映像信号線には前記第１ＴＦＴが接続し、前記第２映像信号線には前記第２ＴＦＴが接続し、
前記第１画素電極と前記第１ＴＦＴが接続し、
前記第２の基板には、櫛歯状の第２画素電極が形成され、前記第２画素電極と前記第２ＴＦＴとは、前記第１あるいは前記第２の基板に形成されて表面に導電膜が被着した柱状スペーサによって接続していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記柱状スペーサの表面に形成されている導電膜は、前記第２画素電極と同じ材料で同時に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１映像信号線と前記第２映像信号線には、極性が異なり大きさが等しい電圧が印加されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶はベンドコアを有する液晶相であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記液晶はブルー相液晶であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記柱状スペーサの表面に形成されている導電膜は、前記第１画素電極と同じ材料で同時に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に高コントラストな画像を表示できる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の液晶パネル製造技術の進歩により、従来ブラウン管が大勢を占めていたテレビ用のディスプレイとして、液晶表示装置が用いられるようになっている。従来、液晶表示素子としては、コントラストや視野角特性を改善するための液晶表示素子の方式として、たとえばインプレーンスイッチング（横電界）表示方式（ＩＰＳ方式）やバーチカルアライメント表示方式（以下ＶＡ方式）が知られている。これらの方式は、ＴＮ方式に比べて、視野角とコントラストを大幅に改善することが可能となる。
【０００３】
しかし、ＩＰＳ方式、ＶＡ方式において液晶層は、光学的に一軸性の媒体であるため、そのままでは透過率に視野角の依存性が生じる。さらに、ネマチック液晶材料は分子の熱的揺らぎに起因される光散乱を示す。ＩＰＳ方式、ＶＡ方式では電圧無印加時に黒表示するため、黒表示であっても原理的にこの光散乱に起因される光漏れにより、コントラストの低下が避けられない。これらのような光学異方性や光散乱と言った課題は、ネマチック液晶材料を用いた表示デバイスに固有の問題である。
【０００４】
このような問題に対して、近年、光学的に等方性を有する液晶（以下等方性液晶と呼ぶ）が散乱を低減し、コントラストが改善する液晶として知られてきた。この等方性液晶は、液晶層に対して電圧無印加時に液晶分子の配列が光学的に等方であり、電圧印加により、電圧印加方向に複屈折性が誘起される性質を有する。このような等方性液晶としては、コレステリックブルー相、スメクチックブルー相、あるいはキュービック相などが知られている。
【０００５】
「特許文献１」あるいは「特許文献２」に記載されるベントコア構造の液晶分子を配向させたような材料においても同様に、光学的に等方性を示す。等方性液晶を用いた液晶表示装置に関するものとして、「特許文献３」が挙げられる。「特許文献３」には、等方性液晶としていわゆるブルー相液晶が用いられている。
【０００６】
特許文献４には、くし歯電極を用いた液晶表示装置において、１画素に２個のＴＦＴを配置し、それぞれのＴＦＴにくし歯電極が接続され、一方のＴＦＴからは画素電位、他方のＴＦＴからは共通電位を印加、その差動の電圧で液晶を駆動する方式が記載されている。この方式は、外部の電圧に対して液晶に２倍の電圧を画素毎に独立に印加できるので駆動電圧を半減できるという回路構成を可能にしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１６１２７７号公報
【特許文献２】特開２００７−７０４５４号公報
【特許文献３】特開２００９−２１０６９５号公報
【特許文献４】特開２００５−７７４２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ブルー相やベンドコアを持つ液晶相はコントラストを高くできるが、慣性力の小さい液晶材料であるため液晶層に横電界を印加して動作させる場合、透明のくし歯電極上を透過させるには液晶を駆動するくし歯電極をＴＦＴ基板と対向基板（カラーフィルタ基板）の両方に配置して、櫛歯電極上の液晶に高い横電界を加えることが必要である。
【０００９】
さらにブルー相やベンドコアを持つ液晶相は駆動電圧が高いので、１画素の２個のＴＦＴを形成し、これを差動の画素回路を用いて駆動することが有効である。しかし、この差動方式と上下のくし歯電極方式を組み合わせた場合、ＴＦＴ基板のみならずカラーフィルタ基板にもＴＦＴを配置する必要が出てくる。ＴＦＴを形成する場合、薄膜に対するホトエッチング工程が多いので両方の基板にＴＦＴを形成した場合、コストが大幅に増加するため安価な液晶表示装置を提供できないと言う問題がある。
【００１０】
本発明は、高コントラストな画像を得られる等方性液晶を用いた液晶表示装置を現実的な製造コストによって実現することである。別な言い方をすると、本発明の課題は、従来行われてきたＴＮ方式、ＩＰＳ方式等の製造プロセスと比較して大きなプロセスの変化を行わずに、駆動電圧が高い液晶分子を駆動することが可能な液晶表示装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記課題を解決するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１２】
（１）第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持されている液晶表示装置であって、前記第１の基板には、第１映像信号線と第２映像信号線のペアが第１の方向に延在して第２の方向に配列し、走査線が前記第２の方向に延在して前記第１の方向に配列し、前記第１映像信号線と前記第２映像信号線の前記ペアと前記走査線とで囲まれた領域に櫛歯状の第１画素電極が形成され、前記第１の基板には第１ＴＦＴと第２ＴＦＴが形成され、前記第１映像信号線には前記第１ＴＦＴが接続し、前記第２映像信号線には前記第２ＴＦＴが接続し、前記第１画素電極と前記第１ＴＦＴが接続し、
前記第２の基板には、櫛歯状の第２画素電極が形成され、前記第２画素電極と前記第２ＴＦＴとは、前記第２の基板に形成されて表面に導電膜が被着した柱状スペーサによって接続していることを特徴とする液晶表示装置。
【００１３】
（２）前記柱状スペーサの表面に形成されている導電膜は、前記第２画素電極と同じ材料で同時に形成されることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１４】
（３）前記第１映像信号線と前記第２映像信号線には、極性が異なり大きさが等しい電圧が印加されることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１５】
（４）前記液晶はベンドコアを有する液晶相であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１６】
（５）前記液晶はブルー相液晶であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１７】
（６）第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持されている液晶表示装置であって、前記第１の基板には、第１映像信号線と第２映像信号線のペアが第１の方向に延在して第２の方向に配列し、走査線が前記第２の方向に延在して前記第１の方向に配列し、前記第１映像信号線と前記第２映像信号線の前記ペアと前記走査線とで囲まれた領域に櫛歯状の第１画素電極が形成され、前記第１の基板には第１ＴＦＴと第２ＴＦＴが形成され、前記第１映像信号線には前記第１ＴＦＴが接続し、前記第２映像信号線には前記第２ＴＦＴが接続し、前記第１画素電極と前記第１ＴＦＴが接続し、
前記第２の基板には、櫛歯状の第２画素電極が形成され、前記第２画素電極と前記第２ＴＦＴとは、前記第１の基板に形成されて表面に導電膜が被着した柱状スペーサによって接続していることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、駆動電圧が高いが、高いコントラストを得られる、ブルー相液晶、ベンドコアを持つ液晶相等の等方性液晶を駆動することが可能になり、高品質な液晶表示装置を実現することが出来る。また、このような液晶表示装置を、従来のＴＮ方式、ＩＰＳ方式等のネマチック液晶を用いた液晶表示装置と同様な製造プロセスで製造することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明を示す断面図である。
【図２】画素部における駆動回路である。
【図３】柱状スペーサの詳細断面図である。
【図４】液晶表示装置の概略を示すブロック図である。
【図５】画素部の模式平面図である。
【図６】画素部の詳細平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ断面図である。
【図８】図６のＢ−Ｂ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に実施例によって本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は本発明の液晶表示パネル１を示す断面模式図である。図１において、第１ＴＦＴ３１、第２ＴＦＴ３２、第１画素電極４１等が形成されたＴＦＴ基板１００と、カラーフィルタ２０２、第２画素電極４２等が形成された対向基板２００との間に液晶４００が挟持されている。図１における液晶は、例えば高いコントラストを実現できるが、駆動電圧が高いブルー相の液晶、あるいはベンドコアを持つ液晶相（いわゆるバナナ型液晶）等である。しかし、以下で説明する構造は、従来のＩＰＳ方式の液晶表示装置等についても適用することが出来る。すなわち、以下に述べる構造は、ＴＦＴ基板１００から対向基板２００に至る液晶層４００全体にわたって均一な電界を維持できるので、ＩＰＳ方式においてもより高いコントラストを得ることが出来る。
【００２２】
図１は１個の画素を示す断面図である。図１において、ＴＦＴ基板１００側には、第１画素電極４１が形成され、対向基板２００側には第２画素電極４２が形成されている。第１画素電極４１も第２画素電極４２も櫛歯状電極によって形成されている。第１画素電極４１は第１ＴＦＴ３１のソース電極と接続し、第２画素電極４２は、第２ＴＦＴ３２のソース電極と接続している。以後第１ＴＦＴ３１のソース電極を第１ソース電極１０５、第２ＴＦＴ３２のソース電極を第２ソース電極１０６という。
【００２３】
第１ＴＦＴ３１のドレイン電極は、後で説明する第１映像信号線２１から分岐したものである。第２ＴＦＴ３２基板のドレイン電極は後で説明する第２映像信号線２２から分岐したものである。第１ＴＦＴ３１のドレイン電極を第１ドレイン電極１０４、第２ＴＦＴ３２のドレイン電極を第２ドレイン電極１０７という。
【００２４】
第２ＴＦＴ３２のソース電極は、第１画素電極４１と同時に形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍｕ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）によって形成された接続電極４３と、柱状スペーサ３００の表面に形成された、ＩＴＯによる導電膜３０１を介して対向基板２００に形成された第２画素電極４２と接続している。
【００２５】
図１において、第１ＴＦＴ３１と第２ＴＦＴ３２が形成されているが、構造は同一である。したがって、ＴＦＴの構造の説明は、第１ＴＦＴ３１、第２ＴＦＴ３２と区別せずに行う。図１において、ＴＦＴ基板１００にはゲート電極１０が形成されている。ゲート電極１０は後で述べるように、走査線１０が兼用している。ゲート電極１０を覆ってゲート絶縁膜１０２が形成されている。ゲート絶縁膜１０２の上で、かつゲート電極１０の上に半導体層１０３が形成されている。図１における半導体層１０３はａ−Ｓｉである。ａ−Ｓｉの上に、ドレイン電極とソース電極が配置されている。ａ−Ｓｉにおいてドレイン電極とソース電極の間がチャネル領域となっている。このような構成によってＴＦＴが形成されている。
【００２６】
ＴＦＴを覆ってＳｉＮによってパッシベーション膜１０８が形成されている。パッシベーション膜１０８にスルーホールを形成してＴＦＴのソース電極と画素電極とを接続している。本発明が従来の液晶表示パネル１と異なるところは１画素中にＴＦＴが２個形成され、第１ＴＦＴ３１は、ＴＦＴ基板１００に形成された第１画素電極４１と接続し、第２ＴＦＴ３２は対向基板２００に形成された第２画素電極４２を接続していることである。
【００２７】
図１の対向基板２００において、画像を形成する光が通過しない部分にはブラックマトリクス２０１が形成され、画像のコントラストを向上させている。また、第１画素電極４１、第２画素電極４２と対応する部分にはカラーフィルタ２０２が形成されている。カラーフィルタ２０２を覆って、オーバーコート膜２０３が形成されている。表面を平らにするためと、カラーフィルタ２０２を構成する物質が液晶を汚染しないようにするためである。そして、第２画素電極４２がオーバーコート膜２０３上に形成されている。
【００２８】
図１において、櫛歯状に形成された第１画素電極４１と第２画素電極４２との間に電圧が印加されると、図１の矢印のような斜め電界が生ずる。この斜め電界によって、液晶層４００の液晶分子が状態を変化させ、バックライトからの光の透過率を変化させて画像を形成する。
【００２９】
図１における斜め電界の角度は、櫛歯電極のピッチおよび液晶層４００の厚さ、すなわち、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００のギャップによって決められる。図１においては、例えば、液晶層４００の厚さは４μｍ、第１画素電極４１あるいは第２画素電極４２のピッチは、８〜１５μｍである。なお、第１画素電極４１あるいは第２画素電極４２の櫛歯電極の電極幅は３〜５μｍ、電極間の幅は５〜１０μｍである。
【００３０】
ブルー相あるいは、ベンドコアを有する液晶相は駆動するために６０Ｖ程度の高い電圧を必要とする。この場合、単一のＴＦＴによってスイッチングしようとすると、ＴＦＴの耐電圧が問題となる。そこで、図１に示す本発明では、１画素当たり２個のＴＦＴを用い、これを差動方式で使用することによって、高い駆動電圧を可能としている。
【００３１】
図２は、２個のＴＦＴを差動型で用いる場合の回路図である。図２において、第１ＴＦＴ３１は第１映像信号線２１に接続し、第２ＴＦＴ３２は第２映像信号線２２に接続している。第１ＴＦＴ３１のソース電極はＴＦＴ基板１００に形成される第１画素電極４１に接続し、第２ＴＦＴ３２のソース電極は対向基板２００に形成されている第２画素電極４２に接続している。図２における第１画素電極４１と第２画素電極４２の間に液晶層４００が挟持されている。
【００３２】
図２において、点線で示す第２画素電極４２は対向基板２００に形成されている。点線で示す第２画素電極４２とＴＦＴ基板１００に形成された第２ＴＦＴ３２のソース電極との間は、図１に示す表面に導電膜３０１が形成された柱状スペーサ３００によって電気的に接続されている。
【００３３】
図２において、例えば、第１映像信号線２１に＋３０Ｖの電圧が印加される場合は、第２映像信号線２２に−３０Ｖの電圧が印加される。第１ＴＦＴ３１と第２ＴＦＴ３２は、同一の走査線１０に接続し、同時にＯＮ−ＯＦＦ動作を行う。第１ＴＦＴ３１と第２ＴＦＴ３２がＯＮとなったときは、図２に示す第１画素電極４１と第２画素電極４２の間の液晶層４００には第１映像信号線２１と第２映像信号線２２の電圧の差である、６０Ｖの電圧が印加され、液晶分子を駆動することが出来る。一方、第１ＴＦＴ３１と第２ＴＦＴ３２がＯＦＦとなった場合は、６０Ｖの電圧は、第１ＴＦＴ３１と第２ＴＦＴ３２で分圧される。
【００３４】
なお、液晶駆動回路においては、プラスの駆動電圧を発生する場合は、同時にマイナスの駆動電圧も発生するので、以上の動作を行うために、極性の異なる電圧を新たに形成する必要は無い。このように、本発明で使用する差動型の駆動方式は、通常の液晶表示装置の駆動のように、画素電極に映像信号による画素電圧を印加し、コモン電極に一定値であるコモン電圧を印加して駆動するのではなく、液晶を駆動するための２つの電圧は、いずれも映像信号によって変化する。
【００３５】
本発明の特徴は、第２画素電極４２を対向基板２００に形成するが、第２画素電極４２と接続する第２ＴＦＴ３２はＴＦＴ基板１００に形成されているということである。そして、第２画素電極４２と第２ＴＦＴ３２とは、表面に導電膜３０１が形成された柱状スペーサ３００によって接続されている。これによって、複雑なプロセスと、高温プロセスを必要とするＴＦＴはＴＦＴ基板１００のみに形成すればよいので、液晶表示パネル１の製造コストを大幅に低減することが出来る。しかも、１画素あたり、ＴＦＴを１個作る場合も、２個作る場合もプロセスは本質的には同一なので、ＴＦＴ基板１００の製造コスト自体も増加することは無い。
【００３６】
図１は模式図であるので、柱状スペーサ３００はいわゆる柱のように描かれているが、実際の断面は、図３に示すような、逆台形となっている。すなわち、柱状スペーサ３００は対向基板２００にアクリル等の感光性の透明樹脂を例えば、４μｍ程度コーティングし、これを露光し、現像して形成する。現像するときに、柱状スペーサ３００の側面は必然的に、図３に示すような傾斜が生ずる。
【００３７】
対向基板２００に第２画素電極４２を形成する場合は、対向基板２００に柱状スペーサ３００を形成した後に、オーバーコート膜２０３の上に透明導電膜であるＩＴＯをスパッタリングによって形成し、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィによってパターニングする。ＩＴＯはスパッタリングによってオーバーコート膜２０３の上と同時に、柱状スペーサ３００の上及び側壁にも被着する。つまり、柱状スペーサ３００の側壁は、図３に示すようにテーパとなっているので、この部分にもＩＴＯが被着する。したがって、柱状スペーサ３００によって、ＴＦＴ基板１００に形成された第２ＴＦＴ３２のソース電極と対向基板２００に形成された第２画素電極４２の導通をとることが出来る。
【００３８】
高コントラストを可能にするブルー相の液晶は配向膜を必要としない。したがって、以上説明した図１の構成によって動作することが出来る。一方、同様に高いコントラストを可能にするベンドコアを有する液晶相は初期配向をさせる必要があるので、配向膜を必要とする。配向膜は、ＴＦＴ基板１００に第１画素電極４１が形成された後、あるいは、対向基板２００に第２画素電極４２が形成された後、塗布される。
【００３９】
配向膜は絶縁物であるので、ＴＦＴ基板１００における接続電極４３あるいは、柱状スペーサ３００の表面の導電膜３０１を覆うと、第２ＴＦＴ３２と第２画素電極４２の導通をとることが出来なくなる。これを防止するために、ＴＦＴ基板１００における導通電極部分および対向基板２００における柱状スペーサ３００を覆う導電膜３０１部分にいわゆる疎水処理を施しておく。疎水処理を施した場所には配向膜は付着しないので、これらの膜の表面は導電性を維持することが出来る。疎水処理はインクジェットによっておこなうことが出来る。また、配向膜もインクジェットによって行うことが出来る。したがって、まず、インクジェットによって必要な部分に疎水処理を行い、その後、配向膜をインクジェットによって形成することが出来る。
【００４０】
図４は液晶表示装置の概略を示すブロック図である。図４において、液晶表示パネル１の表示領域７には、走査線１０が横方向に延在して縦方向に配列し、また、映像信号線２０が縦方向に延在して横方向に配列している。走査線１０は走査線駆動回路３によって駆動され、映像信号線２０は映像信号線２０駆動回路２によって駆動される。
【００４１】
図４では省略しているが、映像信号線２０は、１画素あたり、第１映像信号線２１と第２映像信号線２２がペアで延在している。また、映像信号線駆動回路２は、第１映像信号線２１と第２映像信号線２２のペアを駆動する。走査線駆動回路３、映像信号線駆動回路２は、タイミングコントローラ等を含む制御回路５によって制御される。また、制御回路５は、液晶表示パネル１の背後に配置されるバックライトの駆動回路４も制御する。
【００４２】
図５は１画素の構成を示す、模式平面図である。図５において、第１映像信号線２１と第２映像信号線２２がペアになって縦方向に延在している。また、走査線１０が横方向に延在している。第１映像信号線２１と第２映像信号線２２のペアと走査線１０で囲まれた部分に画素が形成される。画素内には第１ＴＦＴ３１と第２ＴＦＴ３２が形成され、第１ＴＦＴ３１と第１画素電極４１が接続し、第２ＴＦＴ３２と第２画素電極４２が接続している。第１画素電極４１も第２画素電極４２も櫛歯状電極である。
【００４３】
図５において、第１映像信号線２１、第２映像信号線２２、走査線１０、第１画素電極４１、第１ＴＦＴ３１、第２ＴＦＴ３２、等はＴＦＴ基板１００に形成される。一方、第２画素電極４２は対向基板２００に形成される。そして、第２画素電極４２と第２ＴＦＴ３２とは、図１に示す表面が導電膜３０１によって覆われた柱状スペーサ３００によって導通を取っている。このように、第２画素電極４２を対向基板２００に形成していても、複雑なプロセスを必要とする要素はＴＦＴ基板１００側に形成されている。したがって、製造コストの上昇を抑制することが出来る。
【００４４】
図６は１画素の詳細を示す平面図である。構成は図５と同じであるが、配線パターンを詳細に記載している。図６において、第１映像信号線２１と第２映像信号線２２がペアで縦方向に延在している。また、幅の広い走査線１０が横方向に延在している。第１映像信号線２１と第２映像信号線２２のペアと走査線１０によって囲まれた部分に画素が形成されている。
【００４５】
画素内には、櫛歯状の第１画素電極４１と櫛歯状の第２画素電極４２が対向して配置されている。しかし、第１画素電極４１と第２画素電極４２は同一平面上に形成されているのではなく、第１画素電極４１はＴＦＴ基板１００に形成され、第２画素電極４２は対向基板２００に形成され、液晶層４００を介して対向して配置している。
【００４６】
図６において、幅広く形成された走査線１０の上に第１ＴＦＴ３１と第２ＴＦＴ３２が配置している。したがって、第１ＴＦＴ３１と第２ＴＦＴ３２のゲート電極１０は走査線１０が兼用している。ゲート電極１０の上には、図示しないゲート絶縁膜１０２が形成され、ゲート絶縁膜１０２の上にａ−Ｓｉによって形成された半導体層１０３が形成されている。
【００４７】
第１ＴＦＴ３１のドレイン電極は第１映像信号線２１から分岐した第１ドレイン電極１０４によって形成されている。第１ドレイン電極１０４はコの字型であり、第１ソース電極１０５を囲む形となっている。ＴＦＴのＯＮ抵抗を小さくするためである。第１ドレイン電極１０４と第１ソース電極１０５の上には図示しないパッシベーション膜１０８がＳｉＮによって形成されている。パッシベーション膜１０８に形成された第１スルーホール１０９によって第１画素電極４１と第１ソース電極１０５とが導通している。
【００４８】
一方、第２ＴＦＴ３２のドレイン電極は第２映像信号線２２から分岐した第２ドレイン電極１０７によって形成されている。第２ドレイン電極１０７はコの字型であり、第２ソース電極１０６を囲む形となっている。ＴＦＴのＯＮ抵抗を小さくするためである。第２ドレイン電極１０７と第２ソース電極１０６の上には図示しないパッシベーション膜１０８がＳｉＮによって形成されている。パッシベーション膜１０８に形成された第２スルーホール１１０によってパッシベーション膜１０８の上に形成された接続電極４３と第２ソース電極１０６の導通を取っている。なお、接続電極４３は第１画素電極４１と同時に形成される。
【００４９】
接続電極４３は横方向に延在し、延在した部分に、表面に導電膜３０１がコートされた柱状スペーサ３００が接触する。これによって対向基板２００に形成された第２画素電極４２とＴＦＴ基板に形成された第２ＴＦＴ３２との導通を取っている。なお、図６において、ａ−Ｓｉは第１ＴＦＴ３１あるいは第２ＴＦＴ３２のチャンネル部のみでなく、第１映像信号線２１、第２映像信号線２２、第１ドレイン電極１０４、第１ソース電極１０５、第２ドレイン電極１０７、第２ソース電極１０６の下にも形成されている。ａ−Ｓｉによって段差を和らげ、かつ、走査線１０と他の配線あるいは電極との絶縁の信頼性を高めている。
【００５０】
図７は図６のＡ−Ａ断面図である。図７において、ＴＦＴ基板１００の上には、走査線１０が形成されている。走査線１０は第１ＴＦＴ３１と第２ＴＦＴ３２のゲート電極１０を兼ねている。走査線１０の上にゲート絶縁膜１０２を介して半導体層１０３が形成され、半導体層１０３の上に第１ドレイン電極１０４と第１ソース電極１０５を配置して第１ＴＦＴ３１を形成している。同様に、半導体層１０３の上に、第２ドレイン電極１０７と第２ソース電極１０６を配置して第２ＴＦＴ３２を形成している。
【００５１】
第１ＴＦＴ３１および第２ＴＦＴ３２を覆ってパッシベーション膜１０８が形成されている。パッシベーション膜１０８の第１ソース電極１０５に対応した部分に第１スルーホール１０９を形成して第１画素電極４１と第１ソース電極１０５を接続している。また、パッシベーション膜１０８の第２ソース電極１０６に対応した部分に第２スルーホール１１０を形成して第２ソース電極１０６と接続電極４３を導通している。
【００５２】
図７において、対向基板２００に形成された表面に導電膜３０１を有する柱状スペーサ３００が接続電極４３に接触して、対向基板２００に形成された第２画素電極４２と接続電極４３および第２ＴＦＴ３２の第２ソース電極１０６と接続をしている。これによって第２画素電極４２を第２ＴＦＴ３２によって制御することが出来る。
【００５３】
ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶層４００が存在している。液晶層４００はＴＦＴ基板１００に形成された第１画素電極４１と対向基板２００に形成された第２画素電極４２によって駆動される。対向基板２００の断面構成は図１において説明した通りなので、説明を省略する。なお、図７において、ＴＦＴ基板１００の下には下偏光板１２０が貼り付けられ、対向基板２００の上には上偏光板２２０が貼り付けられている。
【００５４】
図８は図６のＢ−Ｂ断面図である。すなわち、図８は図６における画素領域の断面図である。図８において、ＴＦＴ基板１００のパッシベーション膜１０８の上には櫛歯状の第１画素電極４１が形成されている。第１画素電極４１は、図示しない第１ＴＦＴ３１と接続している。対向基板２００のオーバーコート膜２０３の上には櫛歯状の第２画素電極４２が形成されている。第２画素電極４２は、ＴＦＴ基板１００に形成された図示しない第２ＴＦＴ３２と接続している。
【００５５】
図８において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間には液晶層４００が挟持され、櫛歯状の第１画素電極４１と櫛歯状の第２画素電極４２によって液晶分子が制御され、バックライトからの光の透過率を変化させて画像を形成する。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００のその他の構成は、図１あるいは図７で説明したとおりなので、説明を省略する。
【００５６】
図７および図８において、ＴＦＴ基板１００および対向基板２００には配向膜は記載されていない。ブルー相の液晶を使用する場合は、配向膜は不要なので図７あるいは図８の構成をそのまま使用することが出来る。一方、ベンドコアを有する液晶相の場合は、配向膜を必要とするが、先に説明したように、図７におけるＴＦＴ基板１００の接続電極４３の上、および対向基板２００における導電膜３０１を有する柱状スペーサ３００の表面に疎水処理を施すことによって、これらの部分に配向膜が付着することを防止することが出来る。
【００５７】
以上は主として、駆動電圧の高いブルー相液晶あるいは、ベンドコアを有する液晶相を使用する場合について説明した。しかし、以上で説明した構造は、駆動電圧がそれほど高くない、ＩＰＳ方式の液晶表示パネル１の場合についても効果的である。すなわち、一般のＩＰＳは、ＴＦＴ基板１００に画素電極と対向電極が形成され、画素電極と対向電極の間に形成される横電界によって液晶を制御する。
【００５８】
したがって、横電界はＴＦＴ基板１００の表面において強いが、対向基板２００の近くでは弱くなっている。つまり、対向電極付近の液晶分子は、映像信号によって十分に制御されていないことになる。これに対して、本発明の構成をとれば、対向電極を対向基板２００に形成することが出来る。したがって、対向基板２００の表面にまで、液晶に対する電界を十分に印加することが出来るので、コントラストを向上させることが出来る。
【００５９】
なお、この場合は、液晶分子に対して斜め方向の電界が印加されることになるが、電気力線の傾きは、図１に示すように、第１画素電極４１あるいは第２画素電極４２のピッチと液晶層４００の厚さ、すなわち、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００のギャップによって設定することが出来る。
【実施例２】
【００６０】
本実施例の基本構成は実施例１と同じである。画素の断面構造の一部が変更になった部分のみ図１を引用して説明する。図１の第1の実施例においては対向基板２００に形成された第2の画素電極４２は、柱状スペーサ３００に被覆された透明導電膜３０１によりＴＦＴ基板１００の接続電極４３に接続されている。これにより第２ＴＦＴ３２のスイッチングにより映像電圧が第２画素電極に４２に伝えられている。
【００６１】
本実施例では、この接続構造が異なる。すなわち、ＴＦＴ基板１００に柱状スペーサを形成する構成となる。これにより、製造工程の順序が変更され、まず柱状スペーサ３００がＴＦＴ基板１００に形成され、次に第1画素電極４１、接続電極４３、導電膜３０１の透明導電膜が形成される。すなわち、ＴＦＴ基板１００上に形成された柱状スペーサ３００上あるいは側面に導電膜３０１が形成される。
【００６２】
これにより対向基板２００上に形成された第２画素電極４２と接続され、高コントラストで駆動電圧の低い液晶表示装置が提供できる。
【符号の説明】
【００６３】
１…液晶表示パネル、  ２…映像信号線駆動回路、  ３…走査線駆動回路、  ４…バックライト駆動回路、  ５…制御回路、  ７…表示領域、  １０…走査線、ゲート電極、  ２０…映像信号線、  ２１…第１映像信号線、  ２２…第２映像信号線、  ３１…第１ＴＦＴ、  ３２…第２ＴＦＴ、  ４１…第１画素電極、  ４２…第２画素電極、  ４３…接続電極、１００…ＴＦＴ基板、  １０２…ゲート絶縁膜、  １０３…半導体層、  １０４…第１ドレイン電極、  １０５…第１ソース電極、  １０６…第２ソース電極、  １０７…第２ドレイン電極、  １０８…パッシベーション膜、  １０９…第１スルーホール、  １１０…第２スルーホール、  １２０…下偏光板、  ２００…対向基板、  ２０１…ブラックマトリクス、  ２０２…カラーフィルタ、  ２０３…オーバーコート膜、  ２２０…上偏光板、  ３００…柱状スペーサ、  ３０１…導電膜、  ４００…液晶層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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