(57)【要約】【課題】熱をかけても粘着しにくいソルダーレジストを配線基板の表面に形成することができるドライフィルムを提供する。【解決手段】第１エラストマ２１の微粒子を含む膜状の第１ソルダーレジスト２０と、第１ソルダーレジスト２０と接着し、第１エラストマ２１のガラス転移点において第１ソルダーレジスト２０よりも表面の粘着力が弱い膜状の第２ソルダーレジスト３０と、第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０を支持する支持フィルム１０とを具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１エラストマの微粒子を含む膜状の第１ソルダーレジストと、
前記第１ソルダーレジストと接着し、前記第１エラストマのガラス転移点において前記第１ソルダーレジストよりも表面の粘着力が弱い膜状の第２ソルダーレジストと、
前記第１ソルダーレジスト及び前記第２ソルダーレジストを支持する支持フィルムと
を具備する
ドライフィルム。
【請求項２】
請求項１に記載のドライフィルムであって、
前記第１ソルダーレジストは、
貼り付け面と、
前記貼り付け面と反対の第１面と、
を有し、
前記第２ソルダーレジストは、
前記第１面と接着する第２面を有し、
前記支持フィルムは、前記第２面と反対の第３面側から前記第１ソルダーレジスト及び前記第２ソルダーレジストを支持し、
前記貼り付け面が配線基板の表面の絶縁層上に貼り付くことで、前記配線基板の表面を形成する
ドライフィルム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のドライフィルムであって、
前記第２ソルダーレジストは、
第２エラストマの微粒子
を含み、
前記第２ソルダーレジストの前記第３面から露出する前記第２エラストマの表面積は、前記第１ソルダーレジストの前記第１面から露出する前記第１エラストマの表面積よりも小さい
ドライフィルム。
【請求項４】
請求項３に記載のドライフィルムであって、
前記第２ソルダーレジストの樹脂成分に対する前記第２エラストマの重量パーセントは、前記第１ソルダーレジストの樹脂成分に対する前記第１エラストマの重量パーセントよりも少ない
ドライフィルム。
【請求項５】
請求項４に記載のドライフィルムであって、
前記第２エラストマは、前記第１エラストマよりも平均粒子径が小さい
ドライフィルム。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載のドライフィルムであって、
前記第１ソルダーレジストの樹脂成分と前記第２ソルダーレジストの樹脂成分とは、同じ材料である
ドライフィルム。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載のドライフィルムであって、
前記第２ソルダーレジストは、前記第１ソルダーレジストよりも膜厚が薄い
ドライフィルム。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載のドライフィルムであって、
前記第２ソルダーレジストと前記支持フィルムとの間に、前記第１エラストマ及び前記第２エラストマと同様のエラストマの微粒を含まない第３ソルダーレジスト
を更に具備する
ドライフィルム。
【請求項９】
支持フィルムに、第２ソルダーレジストを塗布する工程と、
前記第２ソルダーレジストを乾燥する工程と、
乾燥した前記第２ソルダーレジストの上に、第１エラストマの微粒子を含む第１ソルダーレジストを塗布する工程と、
前記第１ソルダーレジストを乾燥する工程と
を具備する
ドライフィルムの製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のドライフィルムの製造方法であって、
前記第２ソルダーレジストは、第２エラストマの微粒子を含み、
前記第１ソルダーレジストを乾燥する工程後の前記第２ソルダーレジストの表面から露出する前記第２エラストマの表面積は、前記第１ソルダーレジストの表面から露出する前記第１エラストマの表面積よりも小さい
ドライフィルムの製造方法。
【請求項１１】
支持フィルムに、第３ソルダーレジストを塗布する工程と、
前記第３ソルダーレジストを乾燥する工程と、
乾燥した前記第３ソルダーレジストの上に、第２エラストマの微粒子を含む第２ソルダーレジストを塗布する工程と、
前記第２ソルダーレジストを乾燥する工程と、
乾燥した前記第２ソルダーレジストの上に、第１エラストマの微粒子を含む第１ソルダーレジストを塗布する工程と、
前記第１ソルダーレジストを乾燥する工程と
を具備し、
前記第１ソルダーレジストを乾燥する工程後の前記第２ソルダーレジストの表面から露出する前記第２エラストマの表面積は、前記第１ソルダーレジストの表面から露出する前記第１エラストマの表面積よりも小さく、
前記第３ソルダーレジストは、前記第１エラストマ及び前記第２エラストマと同様のエラストマの微粒を含まない
ドライフィルムの製造方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載のドライフィルムの製造方法であって、
前記第２ソルダーレジストの樹脂成分に対する前記第２エラストマの重量パーセントは、前記第１ソルダーレジストの樹脂成分に対する前記第１エラストマの重量パーセントよりも少ない
ドライフィルムの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のドライフィルムの製造方法であって、
前記第２エラストマは、前記第１エラストマよりも平均粒子径が小さい
ドライフィルムの製造方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１３の何れか一項に記載のドライフィルムの製造方法であって、
前記第１ソルダーレジストの樹脂成分と前記第２ソルダーレジストの樹脂成分とは、同じ材料である
ドライフィルムの製造方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１４の何れか一項に記載のドライフィルムの製造方法であって、
前記第２ソルダーレジストは、前記第１ソルダーレジストよりも膜厚が薄い
ドライフィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はソルダーレジストに関し、特にドライフィルムのソルダーレジストに関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板は、配線パターンをほこりや湿気など外部の影響から保護するため、及びはんだが不必要な部分へ付着してショートを起こさないために、表面にソルダーレジストが形成されている。ソルダーレジストに関する技術は、特許文献１に開示されている。
【０００３】
半導体装置は、ソルダーレジストで保護された配線基板の表面に半導体素子や半導体パッケージなどが搭載されている。半導体装置を製造する工程において、半導体素子を外部環境から保護するための樹脂封止工程がある。樹脂封止工程は、半導体素子を搭載した配線基板を金型で覆い囲む工程と、金型のキャビティへ高温で流動化した封止樹脂を充填する工程と、充填された封止樹脂を硬化し、硬化した樹脂を含む半導体装置（半導体パッケージ）を金型から取り出す工程とが含まれる。
【０００４】
金型から半導体装置を取り出す工程に関する技術が、特許文献２に開示されている。特許文献２の樹脂モールド装置は、キャビティに樹脂を充填して樹脂成形した後、エジェクタピンを突き出してキャビティから成形品を離型しつつ型開きするが、その際に、成形品を金型のパーティング面にエア吸着するエアの吸引手段を設けたことを特徴としている。このような樹脂モールド装置は、自動による樹脂モールド操作を円滑に行うことが可能になるというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３３１９３２号公報
【特許文献２】特開２００２−１６６４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
配線基板は、前述したように表面に絶縁性を有するソルダーレジストが形成されている。ソルダーレジストは、配線基板を保護するために形成されるが、更に、熱変形に基づく歪みに耐えられる性能を有する。特に、ソルダーレジストが、配線基板と半導体素子との接合部に位置する場合、樹脂封止工程における配線基板と半導体素子との熱変形に基づく歪みに耐えられる性能を有する必要がある。そこで、ソルダーレジストには、内部応力を緩和するエラストマが含まれている。
【０００７】
しかし、本願発明者は鋭意検討の結果、金型から半導体装置を取り出す工程において、封止樹脂と金型との取り外し（離型）が困難であること以外に、ソルダーレジストに含まれるエラストマが樹脂封止工程における熱によって軟化するため金型に粘着しやすく、成形した半導体装置を金型から取り出すことを困難にしているという問題点を見出した。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下に、発明を実施するための形態で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【０００９】
本発明のドライフィルム（１）は、第１エラストマ（２１）の微粒子を含む膜状の第１ソルダーレジスト（２０）と、第１ソルダーレジスト（２０）と接着し、第１エラストマ（２１）のガラス転移点において第１ソルダーレジスト（２０）よりも表面の粘着力が弱い膜状の第２ソルダーレジスト（３０、３５、３７、３８）と、第１ソルダーレジスト（２０）及び第２ソルダーレジスト（３０、３５、３７、３８）を支持する支持フィルム（１０）とを具備する。
【００１０】
本発明のドライフィルムの製造方法は、支持フィルムに第２ソルダーレジストを塗布する工程と、前記第２ソルダーレジストを乾燥する工程と、乾燥した前記第２ソルダーレジストの上に第１エラストマの微粒子を含む第１ソルダーレジストを塗布する工程と、前記第１ソルダーレジストを乾燥する工程とを有する。
【００１１】
このようなドライフィルム（１）は、第１ソルダーレジスト（２０）側から配線基板（５０）の絶縁層（５１）及び配線層（５２ａ、５２ｂ）を覆うように接着することができる。ドライフィルム（１）は、第１ソルダーレジスト（２０）側から接着されると、第１エラストマ（２１）のガラス転移点において、第１ソルダーレジスト（２０）よりも表面の粘着力が弱い第２ソルダーレジスト（３０、３５、３７、３８）を配線基板（５０）の表面側に形成することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のドライフィルムは、熱をかけても粘着しにくいソルダーレジストを配線基板の表面に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明のドライフィルム１の断面図である。
【図２】図２は、レジストパターンに基づいて硬化された第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０を含む配線基板５０の部分断面図である。
【図３】図３は、図２に示したＡの拡大図である。
【図４】図４は、配線基板５０を含む半導体装置１００の断面図である。
【図５】図５は、図４に示した半導体装置１００の製造工程であって、半導体素子６０を封止樹脂７０で覆う樹脂封止工程を示す断面図である。
【図６】図６は、図５に示した樹脂封止工程において、配線基板５０と金型１１０とが接していることを示した断面の部分拡大図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施の形態によるドライフィルム１の製造方法を示したフローチャートである。
【図８】図８は、配線基板５０の製造方法を示したフローチャートである。
【図９】図９は、本発明の第２の実施の形態によるドライフィルム１を示した部分断面図である。
【図１０】図１０は、第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３５が表面に硬化した配線基板５０の部分断面図である。
【図１１】図１１は、図１０に示した配線基板５０が、樹脂封止工程において金型１１０と接していることを示した断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第３の実施の形態によるドライフィルム１の断面図である。
【図１３】図１３は、第１ソルダーレジスト２０、第２ソルダーレジスト３５及び第３ソルダーレジスト３７が表面に硬化した配線基板５０の部分断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第３の実施の形態によるドライフィルム１の製造方法を示したフローチャートである。
【図１５】図１５は、本発明の第４の実施の形態によるドライフィルム１を示した部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態によるドライフィルムを説明する。
【００１５】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態を説明する。図１は、本発明のドライフィルム１の断面図である。図１を参照すると、ドライフィルム１は、支持フィルム１０と、第１ソルダーレジスト２０と、第２ソルダーレジスト３０と、保護フィルム４０とを具備する。
【００１６】
支持フィルム１０は、第１ソルダーレジスト２０、第２ソルダーレジスト３０及び保護フィルム４０が形成される基材であり、形成された部材の撓みを防止する。支持フィルム１０は、ソルダーレジストを支持することができる周知の材料を用いることができ、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）及びＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などのポリエステルの他、ポリプロピレンやポリエチレンが例示される。
【００１７】
第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０は、支持フィルム１０の上に形成される絶縁膜である。第２ソルダーレジスト３０は支持フィルム１０の上に形成され、第１ソルダーレジスト２０は、第２ソルダーレジスト３０の上に形成される。第２ソルダーレジスト３０は、第１ソルダーレジスト２０よりも表面の粘着力が弱い。従って、ドライフィルム１を用いて、第２ソルダーレジスト３０が表面になるように第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０を他の部材へ接着させると、その部材表面に形成されたソルダーレジスト層の粘着力を弱くすることができる。第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０は、ソルダーレジストとして周知の感光性樹脂などの樹脂を含む。従って、第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０は、支持フィルム１０の上に塗布されて、乾燥された状態であるが、紫外線等の光が照射される工程や、加熱工程などを経ることで硬化する。
【００１８】
第１ソルダーレジスト２０は、第１エラストマ２１を含む。第１エラストマ２１は、第１ソルダーレジスト２０の内部に応力が加えられた場合に、内部応力を緩和することができる。第１エラストマ２１は、第１ソルダーレジスト２０内の応力を緩和できる周知のエラストマを用いることができる。尚、第１ソルダーレジスト２０、第２ソルダーレジスト３０及び第１エラストマ２１の詳細は後述する。
【００１９】
保護フィルム４０は、第１ソルダーレジスト２０の上に形成され、第１ソルダーレジスト２０を保護する。また、保護フィルム４０は、ドライフィルム１をロール状にしたときに、第１ソルダーレジスト２０が支持フィルム１０へ接着することを防ぐことができる。保護フィルム４０は、ＰＥ（ポリエチレン）、ＰＰ（ポリプロピレン）等のポリオレフィンや、ポリエステル等が例示される。
【００２０】
ドライフィルム１は、第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０を配線基板の表面に容易に接着させることができる。接着された第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０は、レジストパターンに基づいて硬化され、配線基板を保護する。図２は、レジストパターンに基づいて硬化された第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０を含む配線基板５０の部分断面図である。図２を参照しながら、第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０の詳細を説明する。
【００２１】
図２を参照すると、第１ソルダーレジスト２０が配線基板５０の内側に位置し、第２ソルダーレジスト３０が表面（外側）に位置する。即ち、ドライフィルム１の保護フィルム４０が剥離された後、絶縁層５１上及び絶縁層５１上の配線層５２ａ及び配線層５２ｂ上に、ドライフィルム１の貼り付け面である第１ソルダーレジストの表面が接着される。ここで、ドライフィルムの張り付け面は、ドライフィルム１において、第１ソルダーレジストが第２ソルダーレジストと接着した面と反対側の第１ソルダーレジストの面を指す。第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０が保護する配線基板５０は、絶縁層５１と、配線層５２ａと、配線層５２ｂとを含む。尚、配線基板５０は、配線層５２ａ及び配線層５２ｂ上に、更に、絶縁層と配線層とをそれぞれ１層以上積層した多層基板に、第１ソルダーレジスト２０と第２ソルダーレジスト３０とを備えたものでもよい。また、配線基板５０は、絶縁層の片面にのみ配線層を形成した配線基板に、第１ソルダーレジスト２０と第２ソルダーレジスト３０とを備えたものでもよい。尚、第１ソルダーレジスト２０、第２ソルダーレジスト３０の一部は開口され、配線層５２ａ、５２ｂの一部が露出され、電極パッド（図示省略）が形成される。この電極パッドには、ワイヤがワイヤボンディング接続されたり、半田ボールが接続されてフリップチップ接続されたりする。他方の配線層側の電極パッドには、外部端子となる、例えば、はんだボールが接合される。
【００２２】
絶縁層５１は、配線層５２ａ及び配線層５２ｂが形成される基材であり、配線層５２ａと配線層５２ｂとの電気伝導を遮る。絶縁層５１は、ガラスエポキシ基板や、ガラスコンポジット基板などが例示される。尚、絶縁層５１内に配線層５２ａや５２ｂと異なる配線層（図示省略）が形成されていてもよい。また、絶縁層５１に表裏を貫通するスルーホールを形成し、配線層５２ａと配線層５２ｂとの所定の配線間を接続することもできる。
【００２３】
配線層５２ａは、絶縁層５１の上に所定のパターンで形成される導線である。配線層５２ｂは、配線層５２ａが形成されている面と反対の絶縁層５１の上に、所定のパターンで形成される導線である。配線層５２ａ及び配線層５２ｂの厚みは、１０μｍ〜３５μｍが例示される。
【００２４】
第１ソルダーレジスト２０の膜厚を説明する。第１ソルダーレジスト２０は、絶縁層５１、配線層５２ａ及び配線層５２ｂを覆うように形成され、配線層５２ａ及び配線層５２ｂを保護する。更に、第１ソルダーレジスト２０は絶縁性であるため、配線層５２ａ及び配線層５２ｂにおける配線同士の接触を防ぐことが出来る。従って、配線基板５０を保護する第１ソルダーレジスト２０の膜厚は、下限が配線層５２ａ及び配線層５２ｂを覆うことができる膜厚であり、上限が配線基板５０を用いた製品の製造時及び使用時の歪みによりクラックが発生しない膜厚である。配線基板５０に形成された硬化後の第１ソルダーレジスト２０の膜厚は、２５μｍ〜７０μｍが例示される。即ち、図１に示したドライフィルム１の第１ソルダーレジスト２０は、内部に含まれる溶剤の揮発や、硬化収縮に基づいて膜厚が変化するため、硬化後に前述した配線基板５０を保護できる膜厚になるように形成される。また第１ソルダーレジスト２０は、配線層５２ａ、５２ｂの一部が露出されるように開口される（図示省略）。
【００２５】
次に、第１ソルダーレジスト２０が含む、内部応力を緩和する第１エラストマ２１の詳細を説明する。図３は、図２に示したＡの拡大図である。図３を参照すると、第１エラストマ２１は、第１ソルダーレジスト２０中に、平均粒子径５μｍ〜１５μｍで分散しているポリマーである。第１エラストマ２１は、１５０℃以下のガラス転移点を有し、ガラス転移点以上の温度で軟化し粘着性が発現する。第１エラストマ２１が内部応力を緩和する必要性を以下に説明する。
【００２６】
図４は、配線基板５０を含む半導体装置１００の断面図である。図４を参照すると、半導体装置１００は、配線基板５０と、半導体素子６０と、封止樹脂７０とを具備する。
【００２７】
半導体素子６０は、各種機能を実現する配線が形成されており、配線基板５０に接続される。半導体素子６０と配線基板５０との接続方法は、ワイヤーボンディング（図示省略）とフリップチップ（図示省略）とのどちらでも良い。封止樹脂７０は、半導体素子６０を覆い保護する。
【００２８】
図５は、図４に示した半導体装置１００の製造工程であって、半導体素子６０を封止樹脂７０で覆う樹脂封止工程を示す断面図である。図５を参照して、樹脂封止工程を説明する。金型１１０及び金型１２０は、半導体素子６０が搭載された配線基板５０を覆い囲み、封止樹脂７０が充填されるキャビティを形成する。封止樹脂７０は、金型１１０と金型１２０とが形成するキャビティへ高温の流動体状態で充填される。尚、封止樹脂７０は必ずしも液体となる必要は無く、流動性を有する状態（ゴム状態）となっていればよい。以下では、液状態として説明する。金型１１０と、金型１２０と、配線基板５０と、半導体素子６０とは、流動体状態の封止樹脂７０を十分に硬化するために１５０℃〜２００℃程度に加熱される。流動体状態の封止樹脂７０は、加熱により硬化する。第１ソルダーレジスト２０は、配線基板５０と半導体素子６０との間に位置する部分があるため、樹脂封止工程における配線基板５０と半導体素子６０との熱変形に基づく歪みに耐えられる性能を有する必要がある。第１エラストマ２１は、この歪による内部応力を緩和し、第１ソルダーレジスト２０のクラックの発生及び絶縁層５１からの剥離を防止する役割を果たす。
【００２９】
しかし、第１エラストマ２１は、ガラス転移点以上の温度において、軟化するため他の部材と粘着しやすい。従って、第１ソルダーレジスト２０の表面から第１エラストマ２１が露出すると、樹脂封止工程において金型１１０及び金型１２０と配線基盤５０とが剥がし難くなるという問題がある。本発明のドライフィルム１を用いて製造された配線基板５０は、第２ソルダーレジスト３０が第１ソルダーレジスト２０の表面から露出する第１エラストマ２１と金型１１０及び金型１２０との接触を防ぐ効果を奏する。
【００３０】
第２ソルダーレジスト３０について説明する。図２を参照すると、配線基板５０を保護する硬化した第２ソルダーレジスト３０は、第１ソルダーレジスト２０を覆い、配線基板５０の表面に位置している絶縁膜である。第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０は、配線層５２ａ、５２ｂの一部を露出するようにレジストパターンが形成されている。配線層５２ａ、５２ｂの露出部には電極パッドが形成される。配線基板の表面で硬化した第２ソルダーレジスト３０は、電極パッド以外で電気的に接続されることを防止する。
【００３１】
ドライフィルム１に形成された第２ソルダーレジスト３０は、第１エラストマ２１を含まない。第２ソルダーレジスト３０が第１エラストマ２１を含まないため、第２ソルダーレジスト３０の表面は、第１エラストマ２１のガラス転移点において、第１ソルダーレジスト２０の表面よりも粘着力が弱い。これは、ドライフィルム１においても、配線基盤５０の表面で硬化している場合も同じである。従って、図５に示した封止樹脂工程において、配線基板５０の表面で硬化した第２ソルダーレジスト３０は、金型１１０及び金型１２０に対する粘着力が弱い。更に、第２ソルダーレジスト３０に含まれる樹脂は、樹脂封止工程の熱によって金型１１０及び金型１２０と粘着しにくい。従って、第２ソルダーレジスト３０は、樹脂封止工程における熱（第１エラストマ２１のガラス転移点以上の温度）が掛けられても、金型１１０及び金型１２０と粘着しにくい効果を奏する。尚、第２ソルダーレジスト３０の組成は、第１エラストマ２１以外、第１ソルダーレジスト２０と同じ組成であることが好ましい。特に、樹脂成分が同じである場合には、第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０の層間の接着が強力になるため好ましい。ここで、ソルダーレジストの樹脂成分とは、ソルダーレジストの基剤を示し、エラストマを含まない。
【００３２】
図３を参照して、第２ソルダーレジスト３０の膜厚を説明する。配線基板５０の表面で硬化する第２ソルダーレジスト３０の膜厚は、下限が第１ソルダーレジスト２０の表面に露出する第１エラストマ２１を覆うことができる膜厚であり、上限が配線基板５０を用いた製品の製造時及び使用時の歪みによりクラックが発生しない膜厚である。即ち、配線基板５０の表面で硬化した第２ソルダーレジスト３０は、第１ソルダーレジスト２０の表面から露出する第１エラストマ２１を第２ソルダーレジスト３０の表面から露出させずに、第１エラストマ２１が樹脂封止工程の金型１１０及び金型１２０と粘着することを防いでいる。第２ソルダーレジスト３０の膜厚は、１μｍ〜１０μｍ、好ましくは１μｍ〜２μｍが例示される。即ち、図１に示したドライフィルム１の第２ソルダーレジスト３０は、内部に含まれる溶剤の揮発や、硬化収縮に基づいて膜厚が変化するため、硬化後に前述した膜厚になるように形成される。
【００３３】
図６は、図５に示した樹脂封止工程において、配線基板５０と金型１１０とが接していることを示した断面の部分拡大図である。図６を参照すると、硬化した第２ソルダーレジスト３０は、熱によって軟化し金型１１０と粘着する第１エラストマ２１を含まないため、金型１１０から容易に剥離することが出来る。尚、図６に示していないが、第２ソルダーレジスト３０と金型１２０とも同様に容易に剥離することが出来る。従って、本発明の第１の実施の形態によるドライフィルム１を用いて、配線基板５０の表面に第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０を形成すれば、第２ソルダーレジスト３０と金型１１０及び金型１２０とが容易に剥離出来るため、半導体装置１００の製造効率を向上させることが出来る。尚、第２ソルダーレジスト３０は、エラストマをまったく含まないようにすることも、また第１エラストマ２１よりも熱で軟化しにくいエラストマを含むこともできる。
【００３４】
図７は、本発明の第１の実施の形態によるドライフィルム１の製造方法を示したフローチャートである。図７を参照して、本発明の第１の実施の形態によるドライフィルム１の製造方法を説明する。
【００３５】
第２ソルダーレジスト３０は、支持フィルム１０の上に塗布される。塗布方法は、スプレー法、スクリーン印刷法、ローラーコート法、カーテンコータ法が例示される。第２ソルダーレジスト３０は、硬化後の膜厚が１μｍ〜１０μｍ、好ましくは１μｍ〜２μｍになる膜厚で塗布される（ステップＳ０１）。
【００３６】
塗布された第２ソルダーレジスト３０は、熱処理によって乾燥させられる。乾燥方法は、温度６０℃〜１００℃の範囲において、１分〜３０分間行う方法が例示される（ステップＳ０２）。
【００３７】
第１エラストマ２１を含む第１ソルダーレジスト２０は、第２ソルダーレジスト３０の上に塗布される。塗布方法は、第２ソルダーレジスト３０と同様である。第１ソルダーレジスト２０は、硬化後の膜厚が２５μｍ〜７０μｍになる膜厚で塗布される（ステップＳ０３）。
【００３８】
塗布された第１ソルダーレジスト２０は、熱処理によって乾燥させられる。乾燥方法は、温度６０℃〜１００℃の範囲において、１分〜３０分間行う方法が例示される（ステップＳ０４）。
【００３９】
保護フィルム４０は、第１ソルダーレジスト２０の上に粘着させられる（ステップＳ０５）。
【００４０】
図８は、配線基板５０の製造方法を示したフローチャートである。図８を参照して、本発明のドライフィルム１を用いた、配線基板５０の製造方法を説明する。
【００４１】
配線層５２ａ及び配線層５２ｂは、ガラスエポキシ基板や、ガラスコンポジット基板などの絶縁性を有する絶縁層５１の上に形成される。配線層５２ａ及び配線層５２ｂの形成方法は、エッチングなどの周知の配線パターンの形成技術を利用することができる（ステップＳ１０）。
【００４２】
ドライフィルム１から保護フィルム４０が剥離され、第１ソルダーレジスト２０が表面に現れる。第１ソルダーレジスト２０と、第２ソルダーレジスト３０と、支持フィルム１０とを含むドライフィルム１は、第１ソルダーレジスト２０側から配線基板５０の絶縁層５１、配線層５２ａ及び配線層５２ｂを覆うように接着させられる。接着方法は、熱圧着など周知の方法を用いることが出来る（ステップＳ１１）。例えば、ドライフィルム１の支持フィルム上から絶縁層５１に向かって接着を良好にする為に圧力を印加する。
【００４３】
ドライフィルム１は、マスクを介した紫外線等の光により、又はレーザーで描画されるように、レジストパターンに基づいて露光される（ステップＳ１２）。尚、第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０は、露光されると現像液に対する溶解性が低下して現像後に露光部分が残るネガ型と、露光されると現像液に対する溶解性が増大して露光部が除去されるポジ型とのどちらでも良い。
【００４４】
支持フィルム１０は、第２ソルダーレジスト３０から剥離される（ステップＳ１３）。
【００４５】
露光された第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０は、現像液によって不要な部分が除去される（ステップＳ１４）。
【００４６】
第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３０は、更に加熱又は紫外線照射の少なくとも何れか、又は両方を併用することにより硬化する。加熱方法は、１００℃〜２００℃において３０分〜６０分間行う方法が例示される（ステップＳ１５）。
【００４７】
本発明の第１の実施の形態によるドライフィルム１は、熱軟化する第１エラストマ２１を含む第１ソルダーレジスト２０と、第１エラストマを含まない第２ソルダーレジスト３０を具備している。そして、ドライフィルム１は、熱軟化する第１エラストマ２１を含まない第２ソルダーレジスト３０を、容易に配線基板５０の表面に形成することができる。従って、本発明のドライフィルム１を用いて製造された配線基板５０は、加熱されても表面に粘着性を発現しないため、金型１１０及び金型１２０と粘着しにくい効果を奏する。つまり、ドライフィルム１は、配線基板５０を用いた半導体装置１００の樹脂封止工程において、加熱後に金型１１０及び金型１２０から半導体装置１００を容易に取り出しやすくすることができ、配線基板５０と金型１１０及び金型１２０との引き剥がし工程や、金型１１０及び金型１２０の清掃工程に時間をかけなくて済むため、半導体装置１００の製造効率を向上させることが出来る。そして、ドライフィルム１は、汚れが金型１１０及び金型１２０に付着しにくい為、金型１１０，１２０から、配線基板５０への汚れの転写を防ぐことができ、配線基板５０とはんだボールとが未着する組立て不具合を防止することも出来る。特に、ドライフィルム１は、開口部に存在する電極パッドにワイヤボンディング又ははんだボールにて電気的接続を行う際に、電極パッドとボンディングワイヤ又ははんだボールとの接続不良が発生するのを防ぐことができる。更に、ドライフィルム１は、金型１１０，１２０から容易に剥がれるため、金型１１０及び金型１２０から剥がすときの静電気の発生を防ぎ、半導体装置１００（半導体素子６０）の機能不良を防止する効果を奏する。
【００４８】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態を説明する。本発明の第２の実施のドライフィルム１は、第２ソルダーレジストの構成が第１の実施の形態と異なる。それ以外の構成は第１の実施の形態と同じであるため、同じ構成部位には同じ符号を用いて示し、説明を省略する。図９は、本発明の第２の実施の形態によるドライフィルム１を示した部分断面図である。
【００４９】
図９を参照すると、ドライフィルム１は、支持フィルム１０と、第１ソルダーレジスト２０と、第２ソルダーレジスト３５と、保護フィルム４０とを具備する。支持フィルム１０と、第１ソルダーレジスト２０と、保護フィルム４０とは、第１の実施の形態と同様である。
【００５０】
第２ソルダーレジスト３５は、第２エラストマ３６を含む。第２エラストマ３６は、第１エラストマ２１と同様に、第２ソルダーレジスト３５の中に分散し、内部応力を緩和するポリマーである。第２エラストマ３６は、封止樹脂７０を硬化させる温度以下（例えば１５０℃以下）のガラス転移点を有し、ガラス転移点以上の温度で軟化し粘着性を発現する。尚、第２ソルダーレジスト３５及び第２エラストマ３６の組成は、周知の組成を用いることができ、第１ソルダーレジスト２０及び第１エラストマ２１と同様の組成であることが好ましい。
【００５１】
第２ソルダーレジスト３５は、第２ソルダーレジスト３０と同様に、配線基板５０を保護するために、配線基板５０の表面で硬化させられる。配線基板５０の表面で硬化した第２ソルダーレジスト３５は、熱によって軟化し粘着性を示す第２エラストマ３６を有するが、図５に示した樹脂封止工程において、第１ソルダーレジスト２０よりも金型１１０及び金型１２０と粘着し難い効果を奏する。つまり、第２ソルダーレジスト３５は、第１エラストマ２１のガラス転移点（第１ソルダーレジスト２０の表面に粘着性が現れる温度）において、表面の粘着力が第１ソルダーレジスト２０の表面の粘着力よりも弱い性質を有する。より詳しくは、第２ソルダーレジスト３５は、表面に露出する粘着成分である第２エラストマ３６の表面積が、第１ソルダーレジスト２０の表面に露出する粘着成分である第１エラストマ２１の表面積よりも小さい、あるいは、第２エラストマ３６が第１エラストマ２１よりも高いガラス転移点を有している。これは、ドライフィルム１の第２ソルダーレジスト３５と、配線基板５０の表面で硬化した第２ソルダーレジスト３５とで同様である。
【００５２】
第２ソルダーレジスト３５の表面から露出する第２エラストマ３６の表面積が、第１ソルダーレジスト２０の表面から露出する第１エラストマ２１よりも小さくなるための、第２エラストマ３６の第２ソルダーレジスト３５内の配合量と、第２エラストマ３６の平均粒子径とを説明する。第２ソルダーレジスト３５の樹脂成分に対する第２エラストマ３６の重量パーセントは、第１ソルダーレジスト２０の樹脂成分に対する第１エラストマ２１の重量パーセントよりも少ない。第２ソルダーレジスト３５は、第２エラストマ３６の配合量が少ないために、表面に露出する粘着成分である第２エラストマ３６の表面積を小さくすることが出来る。更に、第２エラストマ３６の平均粒子径は、第１エラストマ２１よりも小さい。平均粒子径は５μｍ以下が例示される。第２ソルダーレジスト３５は、前述した第２エラストマ３６の配合量を少なくすることに加えて、第２エラストマ３６の平均粒子径を第１エラストマ２１よりも小さくすることで、更に表面から露出する第２エラストマ３６の表面積を小さくすることが出来る。
【００５３】
第２ソルダーレジスト３５の膜厚について説明する。図１０は、第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３５が表面に硬化した配線基板５０の部分断面図である。硬化した第２ソルダーレジスト３５の膜厚は、下限が第２エラストマ３６の平均粒子径よりも厚い５μｍ以上の膜厚であり、上限が第１ソルダーレジスト２０の膜厚よりも薄い膜厚である。何故なら、下限の第２ソルダーレジスト３５の膜厚が第２エラストマ３６の平均粒子径よりも薄いと、表面から露出する第２エラストマ３６が増え、金型１１０及び金型１２０と粘着し易くなるからである。また、第２ソルダーレジスト３５は内部応力を緩和することが出来るが、内部応力の緩和は主に第１エラストマ２１を含む第１ソルダーレジスト２０によって行うことが好ましいため、硬化した第２ソルダーレジスト３５の膜厚の上限は第１ソルダーレジスト２０を超えないことが好ましい。即ち、図９に示したドライフィルム１の第２ソルダーレジスト３５は、内部に含まれる溶剤の揮発や、硬化収縮に基づいて膜厚が変化するため、硬化後に前述した膜厚になるように形成される。
【００５４】
図１１は、図１０に示した配線基板５０が、樹脂封止工程において金型１１０と接していることを示した断面図である。図１１を参照すると、第２ソルダーレジスト３５は、金型１１０と接する面の第２エラストマ３６の面積が小さいため、金型１１０から容易に剥離することが出来る。尚、図１１に示していないが、第２ソルダーレジスト３５と金型１２０とも同様に容易に剥離することが出来る。
【００５５】
本発明の第２の実施の形態によるドライフィルム１の製造方法は、図７に示した第１の実施の形態によるドライフィルム１の製造方法のフローチャートと同様である。図７を参照して、第１の実施の形態と異なるステップの説明をする。ステップＳ０１において、第２ソルダーレジスト３０の替わりに第２エラストマ３６を含む第２ソルダーレジスト３５が塗布される。塗布方法は、第１ソルダーレジスト２０と同様である。第２ソルダーレジスト３５は、硬化後の膜厚が５μｍ以上であり、且つ第１ソルダーレジスト２０の膜厚よりも薄くなるように塗布される。更に、ステップＳ０２において、第２ソルダーレジスト３５は、第１ソルダーレジスト２０と同様に、熱処理によって乾燥させられる。その他のステップは、第１の実施の形態と同様である。
【００５６】
また、本発明の第２の実施の形態によるドライフィルム１を用いた、配線基板５０の製造方法は、図８と同様であるため説明を省略する。
【００５７】
本発明の第２の実施の形態によるドライフィルム１は、表面に露出する第２エラストマ３６の表面積が小さい第２ソルダーレジスト３５を備える。そして、ドライフィルム１は、配線基板５０に第１ソルダーレジスト２０側から粘着することで、容易に配線基板５０の表面に第２ソルダーレジスト３５を形成することができる。第２ソルダーレジスト３５が表面に硬化した配線基板５０は、加熱されたときの表面の粘着性は僅かであり、粘着しにくい効果を奏する。即ち、第１の実施の形態と同様に、第２の実施の形態のドライフィルム１は、配線基板５０を用いた半導体装置１００の樹脂封止工程において、金型１１０及び金型１２０から取り出しやくいため、半導体装置１００の製造効率を向上させることができる。また、第２の実施の形態のドライフィルム１は、第２ソルダーレジスト３５が第２エラストマ３６によって内部応力を緩和することができるため、配線基板５０表面のクラックの発生を抑える効果を向上させることが出来る。
【００５８】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態を説明する。本発明の第３の実施の形態は、第１の実施の形態と第２の実施の形態とを組み合わせたものである。従って、第１の実施の形態及び第２の実施の形態と同じ構成部位には同じ符号を用いて示し、説明を省略する。
【００５９】
図１２は、本発明の第３の実施の形態によるドライフィルム１の断面図である。図１２を参照すると、本発明の第３の実施の形態によるドライフィルム１は、支持フィルム１０と、第１ソルダーレジスト２０と、第２ソルダーレジスト３５と、第３ソルダーレジスト３７と、保護フィルム４０とを具備する。支持フィルム１０と、第１ソルダーレジスト２０と、第２ソルダーレジスト３５と、保護フィルム４０とは、第１及び第２の実施の形態と同様である。
【００６０】
図１２を参照して、第３ソルダーレジスト３７を説明する。第３ソルダーレジスト３７は、支持フィルム１０と第２ソルダーレジスト３５との間に形成されている。従って、ドライフィルム１を第１ソルダーレジスト２０側から配線基板５０へ粘着させたとき、第３ソルダーレジスト３７は配線基板５０の表面に位置する絶縁膜となる。第３ソルダーレジスト３７は、第１エラストマ２１及び第２エラストマ３６と同様のエラストマを含まない。従って、第３ソルダーレジスト３７の表面は粘着成分を含まないため、第１エラストマ２１又は第２エラストマ３６のガラス転移点において、第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３５の表面よりも粘着力が弱い。これは、ドライフィルム１においても、配線基板５０の表面で硬化している場合でも同じである。従って、配線基板５０の表面で硬化した第２ソルダーレジスト３７は、樹脂工程における熱が掛けられても、金型１１０及び金型１２０と粘着しにくい効果を奏する。尚、第３ソルダーレジスト３７は、エラストマを含まないが、エラストマを含まないこと以外は第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３５と同様の組成であることが好ましい。
【００６１】
第３ソルダーレジスト３７の膜厚を説明する。図１３は、第１ソルダーレジスト２０、第２ソルダーレジスト３５及び第３ソルダーレジスト３７が表面に硬化した配線基板５０の部分断面図である。図１３を参照すると、第３ソルダーレジスト３７は、第２ソルダーレジスト３５を覆うように形成され、配線基板５０の表面に位置する絶縁膜である。第３ソルダーレジスト３７は、第１ソルダーレジスト２０及び第２ソルダーレジスト３５と同様に、配線層５２ａの一部が露出して電極パッドが形成されるようにパターン形成されている（図示省略）。第３ソルダーレジスト３７は、電極パッド以外で、配線層５２ａが電気的に接触してショートが発生するのを防止する。第３ソルダーレジスト３７の膜厚は、第２ソルダーレジスト３５に含まれる第２エラストマ３６の平均粒子径が第１エラストマ２１よりも小さいため、第１の実施の形態の第２ソルダーレジスト３０の膜厚よりも薄くすることができる。具体的には、第３ソルダーレジスト３７の膜厚は１μｍ以下にすることが出来る。即ち、図１２に示したドライフィルム１の第３ソルダーレジスト３７は、内部に含まれる溶剤の揮発や、硬化収縮に基づいて膜厚が変化するため、硬化後に１μｍ以下になるように形成される。
【００６２】
図１４は、本発明の第３の実施の形態によるドライフィルム１の製造方法を示したフローチャートである。図１４を参照して、本発明の第３の実施の形態によるドライフィルム１の製造方法を説明する。
【００６３】
第３ソルダーレジスト３７は、支持フィルム１０の上に塗布される。塗布方法は、第１及び第２の実施の形態同様に、スプレー法、スクリーン印刷法、ローラーコート法、カーテンコータ法が例示される。第３ソルダーレジスト３７は、硬化後の膜厚が１μｍ以下になる膜厚で塗布される（ステップＳ２０）。
【００６４】
塗布された第３ソルダーレジスト３７は、熱処理によって乾燥させられる。乾燥方法は、温度６０℃〜１００℃の範囲において、１分〜３０分間行う方法が例示される（ステップＳ２１）。
【００６５】
第２エラストマ３６を含む第２ソルダーレジスト３５は、第３ソルダーレジスト３７の上に塗布される。塗布方法は、第３ソルダーレジスト３７と同様である。第２ソルダーレジスト３５は、硬化後の膜厚が５μｍ以上であり、且つ後工程で塗布される第１ソルダーレジスト２０の膜厚よりも薄くなるように塗布される（ステップＳ２２）。
【００６６】
塗布された第２ソルダーレジスト３５は、熱処理によって乾燥させられる。乾燥方法は、第３ソルダーレジスト３７と同様である（ステップＳ２３）。
【００６７】
第１エラストマ２１を含む第１ソルダーレジスト２０は、第２ソルダーレジスト３５の上に塗布される。塗布方法は、第２ソルダーレジスト３５及び第３ソルダーレジスト３７と同様である。第１ソルダーレジスト２０は、硬化後の膜厚が２５μｍ〜７０μｍになる膜厚で塗布される（ステップＳ２４）。
【００６８】
塗布された第１ソルダーレジスト２０は、熱処理によって乾燥させられる。乾燥方法は、温度６０℃〜１００℃の範囲において、１分〜３０分間行う方法が例示される（ステップＳ２５）。
【００６９】
保護フィルム４０は、第１ソルダーレジスト２０の上に粘着させられる（ステップＳ２６）。
【００７０】
また、本発明の第３の実施の形態によるドライフィルム１を用いた、配線基板５０の製造方法は、図８と同様であるため説明を省略する。
【００７１】
本発明の第３の実施の形態によるドライフィルム１は、本発明の第１の実施の形態と第２の実施の形態とを組み合わせて積層させたものであり、このように矛盾のない範囲で組み合わせることが出来る。第３の実施の形態によるドライフィルム１は、熱軟化する第１エラストマ２１及び第２エラストマ３６を含まない第３ソルダーレジスト３７を具備している。そして、第３の実施の形態のドライフィルム１は、容易に配線基板５０の表面に第３ソルダーレジスト３７を形成することができる。従って、第３の実施の形態のドライフィルム１を用いて製造された配線基板５０は、加熱されても表面の粘着性はなく、粘着しにくい効果を奏する。更に、第３ソルダーレジスト３７は、第２ソルダーレジスト３５に含まれる第２エラストマ３６の平均粒子径が第１エラストマ２１の平均粒子径よりも小さいため、第１の実施の形態による第２ソルダーレジスト３０よりも薄く形成することができる。本発明の第３の実施の形態によるドライフィルム１は、第１及び第２の実施の形態と同様に、半導体装置１００の樹脂封止工程において配線基板５０と金型１１０及び金型１２０とが容易に取り出すことが出来るため、半導体装置１００の製造効率を向上させることが出来る。
【００７２】
（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態を説明する。本発明の第４の実施の形態のドライフィルム１は、第２ソルダーレジストの構成が第１の実施の形態と異なる。それ以外の構成は第１の実施の形態と同じであるため、同じ構成部位には同じ符号を用いて示し、説明を省略する。図１５は、本発明の第４の実施の形態によるドライフィルム１を示した部分断面図である。
【００７３】
図１５を参照すると、本発明の第４の実施の形態によるドライフィルム１は、支持フィルム１０と、第１ソルダーレジスト２０と、第２ソルダーレジスト３８と、保護フィルム４０とを具備する。支持フィルム１０と、第１ソルダーレジスト２０と、保護フィルム４０とは、第１の実施の形態と同様である。
【００７４】
図１５を参照して、第２ソルダーレジスト３８を説明する。第２ソルダーレジスト３８は、第１の実施の形態の第２ソルダーレジスト３０と同様に、内部応力を緩和する第１エラストマ２１と同様のエラストマを含まない。第２ソルダーレジスト３８が第１エラストマ２１を含まないため、第２ソルダーレジスト３８の表面は、第１エラストマ２１のガラス転移点において、第１ソルダーレジスト２０の表面よりも粘着力が弱い。これは、ドライフィルム１においても、配線基盤５０の表面で硬化している場合も同じである。従って、第４の実施の形態のドライフィルム１は、配線基板５０を金型１１０及び金型１２０と粘着させ難い効果と、配線基板５０を用いた半導体装置１００の製造効率を高める効果と、半導体装置１００に搭載された半導体素子６０の機能不良を防止する効果を奏する。
【００７５】
また、第２ソルダーレジスト３８は、第１ソルダーレジスト２０を上下から挟むように形成されている。従って、ドライフィルム１に備わる保護フィルム４０が支持フィルム１０同様に各部材の撓みを抑えることが出来る場合、ドライフィルム１はどちらの面の第２ソルダーレジスト３８側からも配線基板５０へ接着させることが可能となる。
【００７６】
本発明によるドライフィルム１は、第１から第４の実施の形態を任意に組み合わせることは可能であり、ドライフィルム１のソルダーレジストの層構造を２層または３層に限定するものではない。また、第１から第４の実施の形態において、支持フィルム１０と保護フィルム４０を逆にしてもかまわない。その場合、図１、図９、図１２において、保護フィルム４０と支持フィルム１０を入れ替える。これらのドライフィルムの製造方法では、支持フィルム１０上に第１ソルダーレジスト２０を塗布し、乾燥後、第２ソルダーレジスト３０または３５を塗布する。第３の実施の形態の場合は、さらに第３ソルダーレジスト３７を塗布する。その後、表面に保護フィルム４０を粘着させる。また、これらのドライフィルムを用いた配線基板の製造方法では、ドライフィルム１を絶縁層５１上に接着する工程と、ドライフィルム１を露光する工程と、第１，２のソルダーレジスト（第３の実施の形態の場合はさらに第３のソルダーレジストを含む）を現像液で現像する工程と、これらのソルダーレジストを硬化させる工程を含む。ドライフィルム１を絶縁層５１上に接着する工程では、支持フィルム１０を剥がしながら、ドライフィルム１を絶縁層５１上に接着することになる。これらのドライフィルムでは、ドライフィルム１を絶縁層５１上に接着する時に、ドライフィルム１の支持フィルムを剥離しなければならない為、図１、図９、図１２のドライフィルムと比較し、接着が多少困難になる。
【符号の説明】
【００７７】
１      ドライフィルム
１０    支持フィルム
２０    第１ソルダーレジスト
２１    第１エラストマ
３０    第２ソルダーレジスト
３５    第２ソルダーレジスト
３６    第２エラストマ
３７    第３ソルダーレジスト
３８    第２ソルダーレジスト
４０    保護フィルム
５０    配線基板
５１    絶縁層
５２ａ  配線層
５２ｂ  配線層
６０    半導体素子
７０    封止樹脂
１００  半導体装置
１１０  金型
１２０  金型
【図１】
2011059257.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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