(57)【要約】【課題】リードを不要にして回路装置を実装基板に接続する回路モジュールを提供する。【解決手段】回路モジュール１０Ａは、実装基板１４と、この実装基板１４に実装される回路装置１２とを備えており、両者は半田等の導電性接合材を介して接続されている。具体的には、実装基板１４の一部を四角形状に除去して開口部２２が設けられており、この開口部２２の周辺部に導電路から成るパッド２４が配置されている。そして、回路装置１２は、回路素子２８が実装された面が実装基板１４と対向するように、実装基板１４に固着される。更に、回路基板１６のパッド２０と、実装基板１４のパッド２４とは、半田等の導電性材料から成る接合材３４を介して接合される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と、前記実装基板に実装された回路装置とを備えた回路モジュールであり、
前記回路装置は、回路基板と、前記回路基板の上面に形成された所定形状の導電パターンと、前記導電パターンに接続された第１回路素子と、前記回路基板の周辺部に配置された前記導電パターンから成る第１パッドと、を備え、
前記実装基板は、導電路と、前記導電路に接続された第２回路素子と、前記実装基板を部分的に開口して設けた開口部と、前記開口部付近に配置された前記導電路から成る第２パッドと、を備え、
前記回路装置の前記第１パッドと前記実装基板の前記第２パッドとは、導電性接合材により接続されることを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記回路装置は、前記第１回路素子が固着された前記回路基板の主面が、前記実装基板の前記開口部に面するように配置され、
前記回路基板の対向する側辺付近に設けた前記第１パッドが、前記開口部付近の前記実装基板の主面に設けた前記第２パッドに固着されることを特徴とする請求項１記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記回路基板に実装される前記第１回路素子の少なくとも一部を、前記実装基板の前記開口部に収納することを特徴とする請求項２記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記第１パッドと前記第２パッドとが接続される接続箇所を樹脂により被覆することを特徴とする請求項３記載の回路モジュール。
【請求項５】
前記樹脂は、前記接続箇所と共に、前記回路基板の主面に配置された前記第１回路素子を樹脂封止することを特徴とする請求項４記載の回路モジュール。
【請求項６】
前記回路基板は、主面が絶縁層により被覆された金属基板であり、
前記導電パターンは、前記絶縁層の表面に形成されることを特徴とする請求項５記載の回路モジュール。
【請求項７】
前記回路基板に実装される前記第１回路素子は、Ｄクラスアンプを構成するスイッチング素子であることを特徴とする請求項６記載の回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路モジュールに関し、特に、回路基板を備える回路装置が実装基板に固着された回路モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
図７を参照して、従来の混成集積回路装置１００の構成を説明する。図７（Ａ）は従来の混成集積回路装置１００の平面図であり、図７（Ｂ）はその実装構造を示す断面図である（下記特許文献１参照）。
【０００３】
図７（Ａ）を参照して、アルミニウム等の金属から成る回路基板１０１の表面には、絶縁層を介して導電パターン１０２が形成されており、導電パターン１０２の所定の箇所に回路素子１０５が実装されることにより所望の混成集積回路が実現されている。ここで、回路素子１０５としては、ＩＣ、チップ抵抗、チップコンデンサ、パワートランジスタ等が採用され、フェイスアップで実装されるトランジスタは金属細線１０３を介して導電パターン１０２と電気的に接続されている。導電パターン１０２から成るパッド１０２Ａは、回路基板１０１の１側辺に複数個が形成され、この箇所には、半田等のロウ材を介してリード１０４が固着される。
【０００４】
図７（Ｂ）を参照して、リード１０４を実装基板１１１に穿設された孔に挿入されることで、混成集積回路装置１００は、実装基板１１１に固着されて電気的接続が行われている。また、振動等によるリード１０４の変形を防止するために、リード１０４は湾曲した形状を呈している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１２９８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記したような従来の混成集積回路装置は、次のような問題を有していた。
【０００７】
第１に、図７（Ｂ）を参照して、実装基板１１１上に形成された導電路と混成集積回路装置１００との電気的接続は、長さが数ｃｍ程度のリード１０４を介して行われていた。従って、混成集積回路装置１００の内部で処理された信号を、リード１０４を経由して実装基板１１１側に出力すると、特性の向上が妨げられる場合があった。
【０００８】
特に、混成集積回路装置１００の内部に高速でスイッチング動作するＤクラスアンプが構築された場合、このアンプにより生成された出力信号がリード１０４を経由して出力されることとなる。この様になると、リード１０４のインダクタンス成分が大きくなり、出力信号にリンキングが発生するようになる。更に、リード１０４のインピーダンスが大きくなり、このことがＤクラスアンプの出力に歪みや残留ノイズを与える。ここことから、装置に内蔵されるＤクラスアンプがオーディオアンプに採用された場合、このアンプから出力されるオーディオ信号の特性を向上させることが困難であった。
【０００９】
第２に、図７（Ｂ）に示すように、混成集積回路装置１００は実装基板１１１の主面に対して垂直に立った状態で差込実装されていたので、実装基板１１１が組み込まれるオーディオ等のセットの小型化を阻んでいた。
【００１０】
本発明は、上記した問題を鑑みて成されたものである。本発明の主な目的は、リードを不要にして回路装置を実装基板に接続する回路モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、実装基板と、前記実装基板に実装された回路装置とを備えた回路モジュールであり、前記回路装置は、回路基板と、前記回路基板の上面に形成された所定形状の導電パターンと、前記導電パターンに接続された第１回路素子と、前記回路基板の周辺部に配置された前記導電パターンから成る第１パッドと、を備え、前記実装基板は、導電路と、前記導電路に接続された第２回路素子と、前記実装基板を部分的に開口して設けた開口部と、前記開口部付近に配置された前記導電路から成る第２パッドと、を備え、前記回路装置の前記第１パッドと前記実装基板の前記第２パッドとは、導電性接合材により接続されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の回路モジュールでは、回路装置側の第１パッドと、実装基板側の第２パッドとを、導電性接合材を介して直に接続している。この様にすることで、背景技術で必要とされたリードを不要にして回路装置を実装基板と接続することが可能となる。従って、リードに起因した出力信号の劣化が防止されるので、オーディオアンプが回路装置に内蔵された場合は出力されるオーディオ信号の特性が良好なものとなる。
【００１３】
更にまた、回路装置の回路基板を、実装基板の主面に面実装することができるので、混成集積回路装置が実装基板に対して垂直に差込実装されていた背景技術と比較すると、回路装置を厚みが薄い状態で実装基板に実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の回路モジュールを示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は部分的に拡大して示す断面図であり、（Ｄ）は部分的に拡大して示す他の形態の断面図である。
【図２】本発明の他の形態の回路モジュールを示す断面図である。
【図３】本発明の他の形態の回路モジュールを示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は部分的に拡大して示す断面図であり、（Ｄ）は部分的に拡大して示す他の形態の断面図である。
【図４】本発明の他の形態の回路モジュールを示す断面図である。
【図５】（Ａ）は本発明の回路モジュールに組み込まれる回路の一例を示す回路図であり、（Ｂ）および（Ｃ）はこの回路により処理される信号を示す波形図である。
【図６】（Ａ）は本発明に適用可能な他の回路装置を示す斜視図であり、(Ｂ)はこの回路装置を製造する方法を示す平面図である。
【図７】背景技術の回路装置を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１を参照して、本形態の回路モジュール１０Ａの構成を説明する。図１（Ａ）は回路モジュール１０Ａの概略的な構成を示す斜視図であり、図１（Ｂ）は断面図であり、図１（Ｃ）は回路装置１２と実装基板１４との接続箇所を示す断面図である。また、図１（Ｄ）は、この接続箇所の他の構成を示す拡大断面図である。
【００１６】
図１（Ａ）を参照して、回路モジュール１０Ａは、実装基板１４と、この実装基板１４に実装される回路装置１２とを備えており、両者は半田等の導電性接合材を介して接続されている。図１（Ａ）では、回路モジュール１０Ａの構造を明示するために、回路装置１２を実装基板１４に実装する前の状態を図示している。しかしながら、実際は、図１（Ｂ）に示すように、回路素子２８が配置される回路基板１６の主面（下面）が、実装基板１４に面するように、回路装置１２は実装基板１４に面実装されている。
【００１７】
図１（Ｂ）を参照して、回路装置１２は、回路基板１６の主面に複数個の回路素子２８から成る混成集積回路が組み込まれた混成集積回路装置である。具体的には、回路基板１６は、厚みが１．５ｍｍ〜２．０ｍｍ程度のアルミニウムから成り、両主面は陽極酸化膜により被覆されている。更に、回路基板１６の下面は、粒状のアルミナ等の無機フィラーが添加されたエポキシ樹脂等の樹脂から成る絶縁層により被覆されており、この絶縁層３０の下面に導電パターン３６が形成されている。回路素子２８は、導電パターン３６に電気的に接続されており、半導体素子（制御用ＩＣ、トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴまたはバイポーラ型トランジスタ）、受動素子（チップ抵抗、チップコンデンサ））が含まれる。ＩＣ等の半導体素子は、半田等の接合材を介して導電パターン３６に固着され、主面に形成された電極は金属細線を経由して導電パターン３６と接続される。また、チップ抵抗等は、両端の電極が半田を介して導電パターンに固着される。
【００１８】
図１（Ａ）を参照して、回路基板１６の対向する上下側辺に沿って、多数個のパッド２０が等間隔に配置されている。パッド２０は、図１（Ｂ）に示す導電パターン３６の一部であり、回路素子２８と接続されている。ここでは、回路基板１６の長手方向で対向する２つの側辺に沿ってパッド２０が設けられているが、４つの側辺に沿ってパッド２０が設けられても良い。
【００１９】
ケース材１８は、エポキシ樹脂等の樹脂材料を蓋形状に成形したものであり、回路基板１６の主面に於いて回路素子２８が固着される領域を覆うように配置されている。また、パッド２０が設けられた回路基板１６の周辺部は、ケース材１８により被覆されずに露出している。ここで、回路素子２８を封止する構造としては、ケース材１８以外のものが採用されても良い。例えば、トランスファーモールドまたはポッティングにより形成された封止樹脂により、回路素子２８および回路基板１６の下面が封止されても良い。更には、ケース材１８等の封止手段を省いた構成が実現されても良い。
【００２０】
実装基板１４は、上面に所定の導電路が形成された基板であり、エポキシ樹脂等の樹脂材料、アルミニウム等の金属またはセラミック等の無機材料等からなる。実装基板１４は、上面に実装される回路装置１２を支えることができる程度の機械的強度を備えており、その厚みは例えば１ｍｍ以上３ｍｍ以下程度である。
【００２１】
開口部２２は、実装基板１４の中央部付近を四角形状に除去して設けられている。開口部２２の大きさは、回路装置１２が備える回路基板１６よりも若干小さく設定される。ここでは、図１（Ａ）を参照して、紙面上にて奥行き方向の開口部２２の幅は、回路基板１６の幅よりも短く設定されている。この様にすることで、実装時に、回路基板１６のパッド２０の位置を、実装基板１４のパッド２４に合わせることができる。
【００２２】
更に、実装基板１４の上面には回路素子２６が実装されている。この回路素子２６としては、回路装置１２の主面に収容困難な大型な素子（例えば、容量の大きいコンデンサやコイル）が採用される。ここで、図１（Ｂ）では実装基板１４の上面のみに回路素子２６が配置されているが、実装基板１４の下面のみあるいは両面に回路素子２６が配置されても良い。
【００２３】
図１（Ｂ）を参照して、本形態では、実装基板１４の開口部２２に、回路装置１２の回路素子２８およびケース材１８を収納させている。この様にすることで、回路装置１２が備える回路素子２８やケース材１８の厚み方向の突出が少なくなるので、回路モジュール１０Ａ全体が薄型化される。
【００２４】
図１（Ｃ）を参照して、回路基板１６が実装基板１４に接合される接合箇所の構造を説明する。ここでは、絶縁層３０により被覆される回路基板１６の下面にパッド２０が設けられており、更に、実装基板１４の上面にパッド２４が配置されている。そして、回路基板１６のパッド２０と、実装基板１４のパッド２４とは、重畳するように配置されている。更に、半田等の導電性接合材３４を介して、パッド２０とパッド２４とは接合して接続されている。
【００２５】
図１（Ｄ）を参照して、ここでは、両基板の接合箇所がエポキシ樹脂等の樹脂３２により被覆されている。具体的には、回路基板１６と実装基板１４との間に樹脂３２は充填されており、更に、接合材３４が樹脂３２により被覆されて取り囲まれている。
【００２６】
この様にすることで、使用状況下の温度変化による接合材３４の破損が防止される。具体的には、接合される回路基板１６と実装基板１４とでは熱膨張係数が異なる。アルミニウムから成る回路基板１６の熱膨張係数が２３×１０−６／Ｋであるのに対し、実装基板１４の主材料であるエポキシ樹脂の熱膨張係数は６０×１０−６／Ｋである。従って、回路モジュール１０Ａが温度変化の環境に曝されると、回路基板１６と実装基板１４の膨張量は大きく異なるので、両者を機械的に接合する接合材３４には大きな応力が作用する。このことから、この応力により接合材３４にクラックが発生して破壊されてしまう恐れがある。この様なことを抑制するために、ここでは樹脂３２で接合材３４を被覆して補強することで、温度変化による接合材３４の破壊を防止している。更には、樹脂３２も、回路基板１６と実装基板１４とを接合させる接着剤の一部として機能するので、両基板の接続強度が向上される。
【００２７】
本形態では、背景技術で用いられていたリードの替わりに、接続手段として接合材３４を接続手段として採用している。この様にすることで、接続手段の長さが短くなり、リードを使用する場合と比較して、接続手段から発生するインダクタンス成分やインピーダンス成分が抑制される。従って、接続手段を経由して回路装置１２から実装基板１４側に出力される信号の劣化が抑制される。このことから、回路装置１２にオーディオ用のＤクラスアンプが内蔵された場合、オーディオ特性に優れたオーディオ信号が回路装置１２から実装基板１４側に出力される。
【００２８】
図２に示す回路モジュール１０Ｂの構成は、上記した回路モジュール１０Ａと基本的には同様であり、回路素子２８の封止構造が回路モジュール１０Ａと異なる。
【００２９】
具体的には、エポキシ樹脂等から成る樹脂３２により、回路基板１６の下面、回路素子２８および回路基板１６と実装基板１４との接合箇所が被覆されている。図１（Ｄ）では回路基板１６と実装基板１４との接合箇所のみに樹脂３２が配置されていた。しかしながらここでは、この接合箇所に加えて、回路基板１６上の回路素子２８も一体的に樹脂３２により被覆されている。この様にすることで、樹脂３２により接合箇所を補強すると共に、回路素子２８を封止することができる。
【００３０】
図３を参照して、更なる他の形態の回路モジュール１０Ｃの構成を説明する。図３（Ａ）は回路モジュール１０Ｃを示す斜視図であり、図３（Ｂ）は断面図であり、図３（Ｃ）は回路基板１６と実装基板１４との接続箇所を拡大して示す断面図であり、図３（Ｄ）は接続箇所の他の形態を示す断面図である。ここで、図３（Ａ）では、回路装置１２を実装基板１４に組み込む前の状態が図示されている。
【００３１】
回路モジュール１０Ｃの基本的な構成は、上記した回路モジュール１０Ａ等と基本的には同様であり、回路基板１６を実装基板１４に組み込む構成が異なる。具体的には、回路モジュール１０Ｃの回路基板１６の一部が、実装基板１４に設けた開口部２２に差込実装されている。
【００３２】
図３（Ａ）および図３（Ｂ）を参照して、回路装置１２が備える回路基板１６の下側側辺に沿って、多数個のパッド２０が配置されている。そして、実装基板１４にはスリット状の開口部２２が等間隔で設けられている。開口部２２の奥行き方向の幅は、回路装置１２が備える回路基板１６の幅と同程度であり、開口部２２の横方向の長さは回路基板１６の幅と同程度である。
【００３３】
また、実装基板１４の上面には不図示の導電路が所定形状にパターニングされており、そして導電路から成るパッド２４が、開口部２２に沿って配置されている。また、回路装置１２の回路基板１６を、実装基板１４の開口部２２に嵌合させると、回路装置１２のパッド２０と、実装基板１４のパッド２４との位置は整合する。
【００３４】
図３（Ｃ）を参照して、実装基板１４の上面に形成されたパッド２４と、回路基板１６の主面に形成されたパッド２０とは、半田から成る接合材３４を介して接合されている。また、開口部２２に到るまでパッド２４を形成すると、実装基板１４のパッド２４と、回路基板１６のパッド２０とが直に接触するので、両者の接続信頼性が向上される。
【００３５】
図３（Ｄ）を参照すると、ここでは、実装基板１４と回路基板１６との接続部が、エポキシ樹脂等から成る樹脂３２により被覆されている。具体的には、実装基板１４のパッドと、回路基板１６のパッド２０とを接合する接合材３４が、樹脂３２により被覆されている。この様にすることで、温度変化により両基板の接合箇所に熱応力が作用しても、樹脂３２により熱応力が緩和されるので、接合材３４の破壊が防止される。
【００３６】
図４の断面図を参照して、回路モジュール１０Ｄでは、樹脂３２により回路基板１６の主面に構築された混成集積回路（回路素子および導電パターン）が樹脂封止されている。更に、図３（Ｃ）に示した場合と同様に、回路基板１６と実装基板１４との接合箇所も樹脂３２により被覆されている。この様にすることで、樹脂３２により、混成集積回路と、両基板の接合箇所の両方を封止することができる。
【００３７】
図５を参照して、本形態の回路モジュールに構築される回路の一例を説明する。図５（Ａ）は回路モジュールに組み込まれる回路の一例であるＤクラスアンプを示す回路図であり、図５（Ｂ）はＤクラスアンプにより生成される信号の一例を示す波形図であり、図５（Ｃ）はローパスフィルターを通過した後の信号を示す波形図である。
【００３８】
図５（Ａ）を参照して、回路装置１２には、一例として、第１チャンネルＣＨ１および第２チャンネルＣＨ２から成る２つのチャンネルが構成され、個々がハーフブリッジ回路を構成している。そして、これらのチャンネルの出力信号は、ローパスフィルターＬＦ１によりアナログ信号に変換される。即ち、本発明では、入力されたオーディオ信号に基づいてＤ級の増幅を行うＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ  Ｗｉｄｔｈ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）を行っている。
【００３９】
第１チャンネルＣＨ１は、制御用のＩＣであるＩＣ１と、ＩＣ１により制御されるＭＯＳＦＥＴ（ＴＲ１、ＴＲ２）と、電源電圧Ｖｃｃ１と接地電圧ＧＮＤ１との間に接続されたコンデンサＣ１とを備えて構成されている。また、ＴＲ１とＴＲ２とは、Ｖｃｃ１とＧＮＤ１との間に直列に接続されている。具体的には、ＴＲ１のドレイン電極Ｄ１はＶｃｃ１に接続され、ＴＲ１のソース電極Ｓ１とＴＲ２のドレイン電極Ｄ２とは接続され、ＴＲ２のソース電極Ｓ２はＧＮＤ１と接続されている。更に、ＴＲ１のＳ１とＴＲ２のＤ２との接続点から、第１チャンネルＣＨ１の出力信号ＯＵＴ１が外部に取り出される。
【００４０】
ＩＣ１に入力される信号は３Ｖから５Ｖ程度のデジタル信号である。ＩＣ１は、入力された信号に基づいて１２Ｖ程度のデジタル信号を、ＴＲ１およびＴＲ２の制御電極（ゲート電極）に印加する。そして、印加された信号によって、ＴＲ１およびＴＲ２はスイッチングを行う。このスイッチングにより生成された信号はＯＵＴ１から外部に出力される。また、Ｖｃｃ１とＧＮＤ１とを短絡させるＣ１を配置することにより、電位の変動が抑制されて、第１チャンネルＣＨ１の動作が安定化する。ＯＵＴ１から出力されるデジタル信号の波形を図５（Ｂ）に示す。
【００４１】
第２チャンネルＣＨ２の構成および動作は、上記した第１チャンネルＣＨ１と同様である。即ち、Ｖｃｃ２とＧＮＤ２との間に直列にＴＲ３およびＴＲ４が接続され、両トランジスタの接続点から出力信号であるＯＵＴ２が出力される。更に、制御用ＩＣであるＩＣ２は、外部から入力された入力信号に基づいて、ＴＲ３およびＴＲ４のスイッチングを制御している。更に、Ｖｃｃ２とＧＮＤ２との間に、コンデンサＣ２が接続されている。
【００４２】
第１チャンネルＣＨ１の出力信号ＯＵＴ１と、第２チャンネルＣＨ２の出力信号ＯＵＴ２は、ローパスフィルターＬＦ１によりアナログ信号に変換される。このアナログ信号の波形を図５（Ｃ）に示す。得られるアナログ信号の電圧のレベルは、例えば５０Ｖ程度である。更に、ローパスフィルターＬＦ１を経たアナログ信号はスピーカーＳ１に供給され、この結果としてスピーカーＳ１から所定の音が発生する。
【００４３】
図５（Ａ）を参照して、上記した構成のアンプモジュールが本形態の回路モジュール１０に内蔵される。そして、第１チャンネルＣＨ１および第２チャンネルＣＨ２を構成する回路素子が回路装置１２に内蔵される。一方、ローパスフィルターＬＦ１を構成する素子が実装基板１４に実装される。
【００４４】
更に、両基板の接続部は、図１（Ｃ）等に示す接合材３４である。そして、接合材３４の厚さは例えば１ｍｍ以下であり、背景技術に示したリードと比較すると非常に短い。従って、両基板の接続手段として、リードの替わりに接合材３４を使用することにより、動作時に接続手段から発生するノイズが低減される。結果として、出力されるオーディオ信号を高品質なものとすることができる。具体的には、オーディオ信号のＴＨＤ（Ｔｏｔａｌ  Ｈａｒｍｏｎｉｃ  Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）を低減できる。
【００４５】
ここで、上記の説明では、回路モジュール１０はオーディオ用のアンプモジュールを構成していたが、他の用途の電気回路を構成することも可能である。例えば、インバータ回路、ＤＣ／ＤＣコンバータ回路等を構成することができる。
【００４６】
図６を参照して、本形態に採用可能な他の回路装置１２Ａに関して更に説明する。図６（Ａ）は他の形態の回路装置１２Ａを示す斜視図であり、図６（Ｂ）はこの回路装置１２Ａを製造する一工程を示す平面図である。
【００４７】
図６（Ａ）に示す回路装置１２Ａの基本的な構成は図１（Ａ）に示した回路装置１２と同様であり、相違点は回路基板１６の上面に組み込まれた混成集積回路が封止樹脂３８により被覆された点にある。
【００４８】
ここでは、回路基板１６の上面の中央部付近は、トランスファーモールまたはポッティングにより形成された熱硬化性樹脂から成る封止樹脂３８により覆われている。そして、回路基板１６の周辺部は封止樹脂３８により覆われない領域であり、この領域に複数個のパッド２０が配置されている。ここでは、４つの側辺に沿った周辺部が封止樹脂３８により被覆されず、この被覆されない領域に多数のパッド２０が配置されている。しかしながら、相対向する２つの側辺のみに沿ってパッド２０が配置されても良い。
【００４９】
図６（Ｂ）を参照して、上記した構成の回路装置１２Ａは、大型の１つの大判基板４０から複数個を一括して製造することが可能である。
【００５０】
具体的な製造方法は、先ず、回路装置となるユニット４２Ａ等が複数個設けられた大判基板４０を用意する。大判基板４０の各ユニット同士の間には、スリット４４が設けられている。更に、大判基板４０の最外周から成る額縁状の支持部と各ユニットとの間にも、スリット４４が設けられている。この様にスリット４４を設けることにより、後の工程にて大判基板４０から各ユニット４２Ａ等を容易に分離できる。また、各ユニット４２Ａ等には所定形状の導電パターンと回路素子から成る混成集積回路が組み込まれる。
【００５１】
次に、モールド金型を用いたトランスファーモールドにより、大判基板４０に配置された各ユニット４２Ａ等を樹脂封止する。本工程では、混成集積回路が組み込まれた各ユニット４２Ａ等の中心部付近はモールド金型のキャビティに収納され、パッド２０が配置された各ユニット４２Ａ等の周辺部付近はキャビティに収納されない。この状態で、キャビティに液状の封止樹脂を注入することでトランスファーモールドが行われる。この様にすることで、混成集積回路が組み込まれた各ユニット４２Ａ等の中心部付近は樹脂封止され、パッド２０が配置された周辺部は樹脂封止されない。図６（Ｂ）はこの状態の大判基板４０を示している。
【００５２】
樹脂封止の工程が終了したら、各ユニット４２Ａ等の周辺部にて、スリット４４が形成されていない連続部を切断することにより、各ユニット４２Ａ等を大判基板４０から分離する。
【００５３】
以上の工程により、図６（Ａ）に示す構成の回路装置１２Ａが製造される。
【符号の説明】
【００５４】
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ      回路モジュール
１２、１２Ａ      回路装置
１４      実装基板
１６      回路基板
１８      ケース材
２０      パッド
２２      開口部
２４      パッド
２６      回路素子
２８      回路素子
３０      絶縁層
３２      樹脂
３４      接合材
３６      導電パターン
３８      封止樹脂
４０      大判基板
４２、４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ      ユニット
４４      スリット
【図１】
2011114135.tif 000003
【図２】
2011114135.tif 000004
【図３】
2011114135.tif 000005
【図４】
2011114135.tif 000006
【図５】
2011114135.tif 000007
【図６】
2011114135.tif 000008
【図７】
2011114135.tif 000009