(57)【要約】【課題】動作電流の上昇を招くことなく、高出力を得ることが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】この半導体レーザ装置は、レーザ素子部２０と、レーザ素子部２０上に積層され、レーザ素子部２０から発せられる光と同じ波長帯域の光を発光するレーザ素子部３０とを備えている。そして、レーザ素子部３０には電流狭窄構造が設けられており、レーザ素子部２０のｎ型光ガイド層２２およびｐ型光ガイド層２４の厚みがレーザ素子部３０のｎ型光ガイド層３２およびｐ型光ガイド層３４の厚みよりも大きくなっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１活性層と、前記第１活性層を挟み込む一対の第１光ガイド層とを含み、所定の波長帯域の光を発光する第１レーザ素子部と、
第２活性層と、前記第２活性層を挟み込む一対の第２光ガイド層とを含んでいるとともに、前記第１レーザ素子部上に積層され、前記第１レーザ素子部から発せられる光と同じ波長帯域の光を発光する第２レーザ素子部とを備え、
前記第２レーザ素子部の前記第１レーザ素子部側とは反対側には電流狭窄構造が設けられているとともに、前記電流狭窄構造を通じて前記第２活性層および前記第１活性層に電流が供給されるようになっており、
前記一対の第１光ガイド層のうちの少なくとも一方の厚みが前記一対の第２光ガイド層の厚みよりも大きくなっていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記一対の第１光ガイド層の両方の厚みが前記一対の第２光ガイド層の厚みよりも大きくなっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
複数の前記第１レーザ素子部が順次積層され、かつ、前記複数の第１レーザ素子部のうちの最も上に位置する前記第１レーザ素子部上に前記第２レーザ素子部が積層されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記電流狭窄構造に対する離間距離が大きい方の前記第１レーザ素子部に含まれる前記一対の第１光ガイド層のうちの少なくとも一方の厚みが、前記電流狭窄構造に対する離間距離が小さい方の前記第１レーザ素子部に含まれる前記一対の第１光ガイド層の厚みよりも大きくなっていることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第１活性層および前記第２活性層のそれぞれの構造が互いに同じであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記第１レーザ素子部および前記第２レーザ素子部のそれぞれから発せられる光が共に赤外光であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に、複数のレーザ素子部を有する半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体レーザ装置は種々の機器に搭載されるようになっているが、それら種々の機器の高性能化が益々進んでいるため、半導体レーザ装置の特性向上が要望されている。たとえば、車載用のレーダシステムなどにおいては、高出力の半導体レーザ装置が必要である。
【０００３】
そこで、半導体レーザ装置の高出力化を実現するために、複数のレーザ素子部（発光部）を１つの基板上に形成し、それによって高出力が得られるようにしたものが従来提案されている（たとえば、特許文献１参照）。以下に、レーザ素子部を複数持つ従来の半導体レーザ装置の構造の一例を簡単に説明する。
【０００４】
従来の半導体レーザ装置の構造としては、ｎ型半導体基板上に、ｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層がこの順番で形成されている。ｎ型半導体層は、ｎ型クラッド層およびｎ型光ガイド層などを含む層である。その一方、ｐ型半導体層は、ｐ型クラッド層およびｐ型光ガイド層などを含む層である。そして、ｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層からなる積層体によって１つのレーザ素子部が構成されており、後述するもう１つのレーザ素子部と共に発光する。
【０００５】
このレーザ素子部上には、トンネル層を介して、さらにもう１つのレーザ素子部が形成されている。そして、それによって、ｎ型半導体基板上に複数のレーザ素子部が垂直に積層された構造となっている。
【０００６】
なお、上側のレーザ素子部は、下側のレーザ素子部と略同じ構造となっている。すなわち、上側のレーザ素子部は、下側のレーザ素子部上に形成されたｎ型半導体層と、そのｎ型半導体層上に形成された活性層と、ｎ型半導体層と共に活性層を挟み込むように形成されたｐ型半導体層とからなる積層体によって構成されている。そして、上側のレーザ素子部を構成する各層の厚みおよび組成は、下側のレーザ素子部を構成する各層の厚みおよび組成と同じになっている。ただし、上側のレーザ素子部のｐ型半導体層は、下側のレーザ素子部のｐ型半導体層とは異なり、ｐ型コンタクト層をさらに含んでいる。
【０００７】
また、レーザ素子部に電流を供給するため、上側のレーザ素子部上にはｐ側電極を形成し、ｎ型半導体基板の裏面（レーザ素子部が積層されている側とは反対側の面）上にはｎ側電極を形成している。
【０００８】
ところで、従来では、レーザ素子部に供給される電流の密度を高めるために、上側のレーザ素子部のｐ型半導体層に電流狭窄構造を設け、それによって、レーザ素子部に供給される電流を狭窄するようにしている。なお、このような電流狭窄構造を得るには、たとえば、上側のレーザ素子部のｐ型半導体層に、他の部分よりも突出したリッジ部（凸部）を形成すればよい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平５−４１５６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記した従来の半導体レーザ装置では、電流狭窄構造を設けることによって電流密度を高めるようにしているが、電流狭窄構造に対する離間距離が増大するにつれて供給電流が広がってしまう。すなわち、下側のレーザ素子部については、上側のレーザ素子部に比べて、電流狭窄構造を設けることによる効果が得られ難いという不都合がある。言い換えると、下側のレーザ素子部については、電流密度がそれほど高くならず、閾値電流が上昇してしまう。
【００１１】
したがって、従来の半導体レーザ装置では、動作電流の上昇を招いてしまうという問題が発生する。
【００１２】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、動作電流の上昇を招くことなく、高出力を得ることが可能な半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の一の局面による半導体レーザ装置は、第１活性層と、その第１活性層を挟み込む一対の第１光ガイド層とを含み、所定の波長帯域の光を発光する第１レーザ素子部と、第２活性層と、その第２活性層を挟み込む一対の第２光ガイド層とを含んでいるとともに、第１レーザ素子部上に積層され、第１レーザ素子部から発せられる光と同じ波長帯域の光を発光する第２レーザ素子部とを備えている。そして、第２レーザ素子部の第１レーザ素子部側とは反対側には電流狭窄構造が設けられているとともに、電流狭窄構造を通じて第２活性層および第１活性層に電流が供給されるようになっており、一対の第１光ガイド層のうちの少なくとも一方の厚みが一対の第２光ガイド層の厚みよりも大きくなっている。
【００１４】
この一の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、一対の第１光ガイド層（第１活性層を挟み込んでいる光ガイド層）のうちの少なくとも一方の厚みを、一対の第２光ガイド層（第２活性層を挟み込んでいる光ガイド層）の厚みよりも大きくすることによって、以下のような効果を奏する。
【００１５】
すなわち、一の局面による半導体レーザ装置では、第１活性層内における光密度が高められるので、第１レーザ素子部（一対の第１光ガイド層に挟み込まれた第１活性層を含むレーザ素子部）の閾値電流が下がる。このため、電流狭窄構造に対する離間距離が大きい方のレーザ素子部である第１レーザ素子部の電流密度が低くなったとしても、第１レーザ素子部の閾値電流は下げられているため、第１レーザ素子部の電流−出力特性が悪化するのを抑制することができる。その結果、動作電流の上昇を招くことなく、高出力を得ることが可能となる。
【００１６】
なお、第１レーザ素子部の電流密度が低くなる理由としては、電流狭窄構造を通じて電流が供給されると、電流狭窄構造に対する離間距離が増大するにつれて供給電流の広がりが大きくなっていくためである。
【００１７】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、一対の第１光ガイド層の両方の厚みが一対の第２光ガイド層の厚みよりも大きくなっていることがより好ましい。このように構成すれば、容易に、第１活性層内における光密度をより高めることができる。この場合、一対の第１光ガイド層のそれぞれの厚みについては、一対の第２光ガイド層の厚みよりも大きくなっていれば、互いに同じになるようにしてもよいし、互いに異ならせるようにしてもよい。
【００１８】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、複数の第１レーザ素子部が順次積層され、かつ、複数の第１レーザ素子部のうちの最も上に位置する第１レーザ素子部上に第２レーザ素子部が積層されていてもよい。このように構成すれば、第１レーザ素子部が複数設けられていることで、より高出力な半導体レーザ装置を得ることができる。
【００１９】
この場合、電流狭窄構造に対する離間距離が大きい方の第１レーザ素子部に含まれる一対の第１光ガイド層のうちの少なくとも一方の厚みが、電流狭窄構造に対する離間距離が小さい方の第１レーザ素子部に含まれる一対の第１光ガイド層の厚みよりも大きくなっていることが好ましい。このように構成すれば、複数の第１レーザ素子部を順次積層し、かつ、その複数の第１レーザ素子部のうちの最も上に位置する第１レーザ素子部上に第２素子部を積層することで高出力化を図るようにした半導体レーザ装置において、容易に、動作電流の上昇を招くことなく、高出力を得ることができる。なお、第１レーザ素子部の積層数については、用途などに応じて変更可能である。
【００２０】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、第１活性層および第２活性層のそれぞれの構造が互いに同じであることが好ましい。このように構成すれば、容易に、第１レーザ素子部および第２レーザ素子部のそれぞれから、互いに同じ波長帯域の光を発光させることができる。なお、構造が同じというのは、厚みおよび組成などが同じということである。
【００２１】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、第１レーザ素子部および第２レーザ素子部のそれぞれから発せられる光が共に赤外光であることが好ましい。このように構成すれば、赤外光を高出力で発光させることができるので、高出力の赤外光を必要とする機器に搭載する場合に有効である。
【発明の効果】
【００２２】
以上のように、本発明によれば、動作電流の上昇を招くことなく、高出力を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態による半導体レーザ装置の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による半導体レーザ装置に供給される電流の広がりを模式的に表した図である。
【図３】本発明の一実施形態による半導体レーザ装置の変形例を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、図１および図２を参照して、本実施形態による半導体レーザ装置について説明する。
【００２５】
本実施形態による半導体レーザ装置は赤外光を発光するものであり、車載用のレーダシステムなどに搭載され、その光源として利用される。
【００２６】
また、本実施形態による半導体レーザ装置は、それぞれが赤外光を生成して発光する複数の端面発光型のレーザ素子部１０、２０および３０を持っており、それによって高出力での発光が可能となっている。そして、複数のレーザ素子部１０、２０および３０は、この順番で垂直に積層されることによってスタック化されているとともに、互いに同じ波長帯域の光（すなわち、赤外光）を発光するようになっている。なお、レーザ素子部１０および２０は本発明の「第１レーザ素子部」の一例であり、レーザ素子部３０は本発明の「第２レーザ素子部」の一例である。
【００２７】
まず、レーザ素子部１０の構造としては、ｎ型ＧａＡｓからなるｎ型基板１上に、ｎ型クラッド層１１およびｎ型光ガイド層１２がこの順番で形成されている。ｎ型クラッド層１１は、ｎ型ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ組成比：０．４０）からなっているとともに、約１．２μｍの厚みを有している。また、ｎ型光ガイド層１２は、ｎ型ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ組成比：０．３０）からなっている。
【００２８】
ｎ型光ガイド層１２上には、活性層１３が形成されている。この活性層１３は、ＩｎＧａＡｓからなる井戸層と、ＡｌＧａＡｓからなる障壁層とを含んでいる。なお、活性層１３は、本発明の「第１活性層」の一例である。
【００２９】
活性層１３上には、ｐ型光ガイド層１４およびｐ型クラッド層１５がこの順番で形成されている。ｐ型光ガイド層１４は、ｐ型ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ組成比：０．３０）からなっている。また、ｐ型クラッド層１５は、ｐ型ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ組成比：０．４０）からなっているとともに、約１．２μｍの厚みを有している。
【００３０】
レーザ素子部１０は、ｎ型基板１上のこれら半導体各層（１１〜１５）によって構成されており、活性層１３に電流が供給されることで赤外光を生成して発光するようになっている。そして、活性層１３内における光密度は、活性層１３を挟み込んでいるｎ型光ガイド層１２およびｐ型光ガイド層１４によって調整される。なお、活性層１３を挟み込んでいる一対のｎ型光ガイド層１２およびｐ型光ガイド層１４は、本発明の「第１光ガイド層」の一例である。
【００３１】
また、レーザ素子部１０（ｐ型クラッド層１５）上には、ＧａＡｓからなるトンネル層２が約０．２μｍの厚みで形成されている。そして、レーザ素子部２０は、トンネル層２を介してレーザ素子部１０（ｐ型クラッド層１５）上に積層された状態となっている。なお、トンネル層２は、レーザ素子部２０とレーザ素子部１０との間の電流供給を可能とするものである。
【００３２】
レーザ素子部２０の構造としては、トンネル層２上に、ｎ型クラッド層２１およびｎ型光ガイド層２２がこの順番で形成されている。ｎ型クラッド層２１は、ｎ型ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ組成比：０．４０）からなっているとともに、約１．２μｍの厚みを有している。また、ｎ型光ガイド層２２は、ｎ型ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ組成比：０．３０）からなっている。
【００３３】
ｎ型光ガイド層２２上には、レーザ素子部１０の活性層１３と同じ構造の活性層２３が形成されている。すなわち、この活性層２３は、ＩｎＧａＡｓからなる井戸層と、ＡｌＧａＡｓからなる障壁層とを含んでおり、厚みおよび組成がレーザ素子部１０の活性層１３の厚みおよび組成と同じになるように形成されている。なお、活性層２３は、本発明の「第１活性層」の一例である。
【００３４】
活性層２３上には、ｐ型光ガイド層２４およびｐ型クラッド層２５がこの順番で形成されている。ｐ型光ガイド層２４は、ｐ型ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ組成比：０．３０）からなっている。また、ｐ型クラッド層２５は、ｐ型ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ組成比：０．４０）からなっているとともに、約１．２μｍの厚みを有している。
【００３５】
レーザ素子部２０は、トンネル層２上のこれら半導体各層（２１〜２５）によって構成されており、レーザ素子部１０の構造とほとんど同じ構造を有している。また、レーザ素子部１０と同じように、活性層２３に電流が供給されることで赤外光を生成して発光するとともに、活性層２３を挟み込んでいるｎ型光ガイド層２２およびｐ型光ガイド層２４によって活性層２３内の光密度が調整される。なお、活性層２３を挟み込んでいる一対のｎ型光ガイド層２２およびｐ型光ガイド層２４は、本発明の「第１光ガイド層」の一例である。
【００３６】
また、ＧａＡｓからなるトンネル層３がレーザ素子部２０（ｐ型クラッド層２５）上に約０．２μｍの厚みで形成されており、そのトンネル層３を介して、レーザ素子部３０がレーザ素子部２０（ｐ型クラッド層２５）上に積層された状態となっている。そして、レーザ素子部３０とレーザ素子部２０との間の電流供給は、それらの間に形成されたトンネル層３によって可能とされている。
【００３７】
レーザ素子部３０の構造としては、トンネル層３上に、ｎ型クラッド層３１およびｎ型光ガイド層３２がこの順番で形成されている。ｎ型クラッド層３１は、ｎ型ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ組成比：０．４０）からなっているとともに、約１．２μｍの厚みを有している。また、ｎ型光ガイド層３２は、ｎ型ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ組成比：０．３０）からなっているとともに、約１．０μｍの厚みを有している。
【００３８】
ｎ型光ガイド層３２上には、レーザ素子部１０（２０）の活性層１３（２３）と同じ構造の活性層３３が形成されている。すなわち、この活性層３３は、ＩｎＧａＡｓからなる井戸層と、ＡｌＧａＡｓからなる障壁層とを含んでいるとともに、厚みおよび組成がレーザ素子部１０（２０）の活性層１３（２３）の厚みおよび組成と同じになるように形成されている。なお、活性層３３は、本発明の「第２活性層」の一例である。
【００３９】
活性層３３上には、ｐ型光ガイド層３４およびｐ型クラッド層３５がこの順番で形成されている。ｐ型光ガイド層３４は、ｐ型ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ組成比：０．３０）からなっているとともに、約１．０μｍの厚みを有している。また、ｐ型クラッド層３５は、ｐ型ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ組成比：０．４０）からなっているとともに、約１．２μｍの厚みを有している。また、このｐ型クラッド層３５上には、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層３６が約０．７μｍの厚みで形成されている。
【００４０】
レーザ素子部３０は、トンネル層３上のこれら半導体各層（３１〜３６）によって構成されており、レーザ素子部１０（２０）の構造とほとんど同じ構造を有している。また、レーザ素子部１０（２０）と同じように、活性層３３に電流が供給されることで赤外光を生成して発光するとともに、活性層３３を挟み込んでいるｎ型光ガイド層３２およびｐ型光ガイド層３４によって活性層３３内の光密度が調整される。なお、活性層３３を挟み込んでいる一対のｎ型光ガイド層３２およびｐ型光ガイド層３４は、本発明の「第２光ガイド層」の一例である。
【００４１】
また、レーザ素子部３０の上面側（レーザ素子部２０側とは反対側）には、電流狭窄構造が設けられている。具体的には、レーザ素子部３０（ｐ型コンタクト層３６）上に、Ｓｉ3Ｎ4からなる電流狭窄層４が約０．１μｍの厚みで形成されている。この電流狭窄層４にはストライプ状（細長状）の開口部４ａが形成されており、電流狭窄層４の開口部４ａからはレーザ素子部３０（ｐ型コンタクト層３６）の上面の所定部分がストライプ状に露出されている。
【００４２】
そして、電流狭窄層４上にはｐ側電極５が形成されており、そのｐ側電極５の一部が電流狭窄層４の開口部４ａの内部に埋め込まれている。これによって、ｐ側電極５の一部がレーザ素子部３０（ｐ型コンタクト層３６）の上面の所定部分にのみ接触（電気的に接続）した状態となっている。すなわち、ｐ側電極５からの電流は、電流狭窄層４によって狭窄され、その後にレーザ素子部３０（ｐ型コンタクト層３６）に供給されることになる。また、ｎ型基板１の裏面（レーザ素子部１０側とは反対側の面）上には、ｎ型基板１の裏面の全面に接触（電気的に接続）するｎ側電極６が形成されている。
【００４３】
ところで、このような電流狭窄構造を設ける理由としては、供給電流の広がりを抑え、それによって電流密度を高めるためである。ただし、電流狭窄構造はレーザ素子部３０の上面側（レーザ素子部２０側とは反対側）に設けられているため、レーザ素子部３０では供給電流の広がりを良好に小さくすることができるが、レーザ素子部３０から離れるにしたがって供給電流の広がりが徐々に大きくなってしまう。すなわち、レーザ素子部３０の電流密度よりもレーザ素子部２０の電流密度の方が低くなり、さらに、レーザ素子部２０の電流密度よりもレーザ素子部１０の電流密度の方が低くなる。なお、この供給電流の広がりを模式的に表すと、図２中の点線のようになる。
【００４４】
ここで、本実施形態では、レーザ素子部２０のｎ型光ガイド層２２およびｐ型光ガイド層２４の両方の厚みを、レーザ素子部３０のｎ型光ガイド層３２およびｐ型光ガイド層３４の厚み（約１．０μｍ）よりも大きくしている。
【００４５】
さらに、本実施形態では、レーザ素子部１０のｎ型光ガイド層１２およびｐ型光ガイド層１４の両方の厚みを、レーザ素子部２０のｎ型光ガイド層２２およびｐ型光ガイド層２４の厚みよりも大きくしている。すなわち、レーザ素子部１０のｎ型光ガイド層１２およびｐ型光ガイド層１４の両方の厚みが、レーザ素子部３０のｎ型光ガイド層３２およびｐ型光ガイド層３４の厚みよりも大きくなっている。
【００４６】
言い換えると、本実施形態では、順次積層されたレーザ素子部１０、２０および３０のうち、最下段に位置するレーザ素子部１０のｎ型光ガイド層１２およびｐ型光ガイド層１４の厚みが最も大きくなっているとともに、最上段に位置するレーザ素子部（電流狭窄構造が設けられたレーザ素子部）３０のｎ型光ガイド層３２およびｐ型光ガイド層３４の厚みが最も小さくなっている。そして、中段に位置するレーザ素子部２０のｎ型光ガイド層２２およびｐ型光ガイド層２４の厚みは、最下段に位置するレーザ素子部１０のｎ型光ガイド層１２およびｐ型光ガイド層１４の厚みよりも小さく、かつ、最上段に位置するレーザ素子部３０のｎ型光ガイド層３２およびｐ型光ガイド層３４の厚みよりも大きくなっている。
【００４７】
これにより、中段に位置するレーザ素子部２０の活性層２３内における光密度が高められ、かつ、最下段に位置するレーザ素子部１０の活性層１３内における光密度がさらに高められることになる。
【００４８】
本実施形態では、上記のような構造を持つ複数のレーザ素子部１０、２０および３０をこの順番で積層することで、以下のような効果を奏する。
【００４９】
すなわち、中段に位置するレーザ素子部２０のｎ型光ガイド層２２およびｐ型光ガイド層２４の両方の厚みを、最上段に位置するレーザ素子部（電流狭窄構造が設けられたレーザ素子部）３０のｎ型光ガイド層３２およびｐ型光ガイド層３４の厚みよりも大きくすることによって、レーザ素子部２０の活性層２３内における光密度が高められるので、レーザ素子部２０の閾値電流が下がる。これにより、レーザ素子部２０の電流密度が低くなったとしても、レーザ素子部２０の閾値電流は下げられているため、レーザ素子部２０の電流−出力特性が悪化するのを抑制することができる。
【００５０】
さらに、最下段に位置するレーザ素子部１０のｎ型光ガイド層１２およびｐ型光ガイド層１４の両方の厚みについては、中段に位置するレーザ素子部２０のｎ型光ガイド層２２およびｐ型光ガイド層２４の厚みよりもさらに大きくしているため、レーザ素子部１０の電流−出力特性が悪化するのも抑制することができる。
【００５１】
これらの結果、動作電流の上昇を招くことなく、赤外光を高出力で発光させることが可能となる。
【００５２】
また、本実施形態では、動作電流の上昇を抑えつつ高出力の発光が可能な半導体装置が得られるので、その半導体レーザ装置を車載用のレーダシステムに搭載することにより、車載用のレーダシステムの高性能化を図ることができる。
【００５３】
また、本実施形態では、中段のレーザ素子部２０のｎ型光ガイド層２２およびｐ型光ガイド層２４（最下段のレーザ素子部１０のｎ型光ガイド層１２およびｐ型光ガイド層１４）の厚みを変更するだけでよいので、その製造が容易である。
【００５４】
なお、本実施形態の半導体レーザ装置の製造方法としては、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）を用いて、レーザ素子部１０、２０および３０をそれぞれ構成する半導体各層をｎ型基板１上に順次成長させればよい。すなわち、公知の製造方法を用いて製造することができる。
【００５５】
今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５６】
たとえば、上記実施形態では、車載用のレーダシステムに搭載される半導体レーザ装置に本発明を適用する例について説明したが、本発明はこれに限らず、車載用のレーダシステム以外の機器に搭載される半導体レーザ装置に本発明を適用してもよい。
【００５７】
また、上記実施形態では、３つのレーザ素子部を基板上に積層するようにしたが、本発明はこれに限らず、レーザ素子部の積層数については用途に応じて変更可能である。具体的に言うと、基板上に積層するレーザ素子部の数が２つ（本発明の「第１レーザ素子部」が１つ）であってもよいし、基板上に積層するレーザ素子部の数が４つ以上（本発明の「第１レーザ素子部」が３つ以上）であってもよい。なお、図３には、ｎ型基板１上に２つのレーザ素子部１０および３０が積層された半導体レーザ装置、すなわち、上記実施形態から中段のレーザ素子部２０を省略した半導体レーザ装置が示されている。
【００５８】
また、上記実施形態では、中段以下のレーザ素子部のｎ型光ガイド層およびｐ型光ガイド層の両方の厚みを、最上段のレーザ素子部（電流狭窄構造が設けられたレーザ素子部）のｎ型光ガイド層およびｐ型光ガイド層の厚みよりも大きくしたが、本発明はこれに限らず、中段以下のレーザ素子部のｎ型光ガイド層およびｐ型光ガイド層のうちの一方の厚みのみを、最上段のレーザ素子部のｎ型光ガイド層およびｐ型光ガイド層の厚みよりも大きくしてもよい。
【００５９】
また、上記実施形態では、３つのレーザ素子部のそれぞれにおいて、ｎ型光ガイド層およびｐ型光ガイド層の厚みを互いに同じにしたが、本発明はこれに限らず、ｐ型光ガイド層およびｎ型光ガイド層の厚みが互いに異なっていてもよい。
【００６０】
また、上記実施形態では、３つのレーザ素子部のそれぞれのｎ型光ガイド層（ｐ型光ガイド層）の組成を互いに同じにしたが、本発明はこれに限らず、３つのレーザ素子部のそれぞれのｎ型光ガイド層（ｐ型光ガイド層）の組成を動作温度に応じて互いに異ならせてもよい。この場合にも、中段以下のレーザ素子部のｎ型光ガイド層（ｐ型光ガイド層）の厚みを最上段のレーザ素子部（電流狭窄構造が設けられたレーザ素子部）の厚みよりも大きくすることによって、上記実施形態と同様の効果が得られる。さらに、３つのレーザ素子部のそれぞれのｎ型クラッド層（ｐ型クラッド層）についても、その組成を動作温度に応じて互いに異ならせてもよい。
【００６１】
また、上記実施形態では、最上段のｐ型半導体層の平坦な上面上に電流狭窄層を形成することによって電流狭窄構造を得るようにしたが、本発明はこれに限らず、最上段のｐ型半導体層の上面側に凸部（リッジ部）を形成することによって電流狭窄構造を得るようにしてもよい。また、ここで述べた方法以外の方法によって電流狭窄構造を得るようにしてもよい。
【符号の説明】
【００６２】
１０、２０  レーザ素子部（第１レーザ素子部）
１２、２２  ｎ型光ガイド層（第１光ガイド層）
１３、２３  活性層（第１活性層）
１４、２４  ｐ型光ガイド層（第１光ガイド層）
３０  レーザ素子部（第２レーザ素子部）
３２  ｎ型光ガイド層（第２光ガイド層）
３３  活性層（第２活性層）
３４  ｐ型光ガイド層（第２光ガイド層）
【図１】
2011114167.tif 000003
【図２】
2011114167.tif 000004
【図３】
2011114167.tif 000005