(57)【要約】【課題】画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を低減した表示装置を提供すること。【解決手段】１つのダミー画素Ｐｄに対して、複数のダミーコンタクトホールＤｃが形成されており、１つはダミー画素遮光膜９ｄの角部に配置され、２つは走査線８３の幹線に沿って角部のダミーコンタクトホールと連続して配置されている。換言すれば、ダミーコンタクトホールＤｃは、ダミー領域における第１遮光膜としての走査線８３に沿って形成されており、走査線８３近傍の下地絶縁膜１２の強度を下げる役割を荷っている。つまり、後続の層間絶縁膜の形成工程において熱衝撃が加わった場合、ダミーコンタクトホールＤｃが形成されたダミー画素領域における走査線８３部分が、衝撃吸収部分として機能することになる。よって、有効画素領域における画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を低減することができる。【選択図】図３
2011059374.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、複数の画素が配列された画素領域と、
前記画素領域の周辺に配置された複数のダミー画素と、
前記複数のダミー画素ごとに設けられた矩形状のダミー画素遮光膜と、
前記配列の方向に沿って延在し、前記画素の開口部、および前記ダミー画素遮光膜を区画する複数の第１遮光膜と、
前記ダミー画素遮光膜、および前記第１遮光膜を覆うように設けられた絶縁膜と、を備え、
前記絶縁膜には、前記ダミー画素遮光膜の少なくとも角部に沿ってダミーコンタクトホールが形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記ダミーコンタクトホールは、前記ダミー画素遮光膜の角部に加えて、前記第１遮光膜に沿って複数形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
少なくとも前記第１遮光膜は、高融点金属から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、酸化シリコン膜、または窒化シリコン膜を含む透明な無機膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
複数の前記画素、および前記ダミー画素ごとに形成された駆動素子と、
複数の前記駆動素子を走査駆動するための駆動信号を供給する複数の走査線、およびデータ線をさらに備え、
前記第１遮光膜は、前記走査線、または前記データ線のいずれかを兼ねることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
複数の前記駆動素子は、平面的に前記第１遮光膜と重なるように配置されてなり、
前記駆動素子を介在して、前記第１遮光膜と対向する第２遮光膜をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記複数のダミー画素には、前記データ線から中間調の画像を表す前記駆動信号としての画像信号が選択的に供給されることを特徴とする請求項５または６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記基板と対向配置された対向基板をさらに備え、
前記基板と、前記対向基板との間に、電気光学物質を挟持したことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
複数の画素が配列された画素領域と、前記画素領域の周辺に配置された複数のダミー画素と、複数の前記画素、および前記ダミー画素ごとに形成された駆動素子と、複数の前記画素、および前記ダミー画素を区画するとともに、前記駆動素子と平面的に重なる遮光膜とを少なくとも備えた電気光学装置の製造方法であって、
基板上に、前記遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜上に、絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上層に前記駆動素子を含む半導体層を形成する工程と、
前記絶縁膜にコンタクトホール、およびダミーコンタクトホールを形成する工程と、
前記駆動素子の上層側に層間絶縁膜を形成する工程と、を含み、
前記ダミーコンタクトホールは、前記ダミー画素における前記遮光膜に沿った部分に複数形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記遮光膜は、高融点金属からなり、
前記絶縁膜、および前記層間絶縁膜は、酸化シリコン膜、または窒化シリコン膜を含む透明な無機膜からなり、
前記層間絶縁膜を形成する工程は、数百度以上の温度環境下で行われることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、その製造方法、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一例である透過型の液晶表示装置では、バックライトなどから出射された照明光が画素開口部を透過することによって表示画像を形成している。また、当該表示装置が、アクティブマトリクス型である場合には、各画素を個別に駆動するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor）などの駆動素子が画素ごとに形成されているため、当該駆動素子に誤動作の原因となる光が照射されないように、遮光膜が形成されている。この遮光膜は、表示領域において複数の画素（開口部）を格子状に区画するブラックマトリクスの一構成部位であり、黒色樹脂や、金属製の遮光膜などから構成されていた。
【０００３】
この遮光膜に求められる遮光性などの特性は、表示装置の用途に応じて異なり、例えば、直視型として用いる場合よりも、投写型として用いる場合の方が、より高い遮光性や、耐熱性を求められていた。これは、投写型の場合、直視型と比べてより強い照明光で表示装置が照射されるからである。
例えば、特許文献１には、プロジェクターのライトバルブとして用いる表示装置において、その遮光膜の材料として遮光性や耐熱性に優れたタングステンなどの高融点金属を用いることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−７７６３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、遮光膜の材料として高融点金属を用いた場合、遮光膜形成後の工程において、遮光膜が変形したり、クラックが生じてしまうことがあった。詳しくは、遮光膜の上層側に配置される層間絶縁膜の形成工程における熱衝撃などの影響によって、遮光膜の変形や、クラックが生じてしまうことがあった。そして、この遮光膜の変形や、クラックは、その上層側に位置する駆動素子にまで影響を及ぼしてしまい、画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を誘発していた。
つまり、従来の表示装置では、画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良が発生してしまうという課題があった。また、従来の製造方法では、所期の歩留りを得ることが困難であるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例又は形態として実現することが可能である。
【０００７】
（適用例）
基板上に、複数の画素が配列された画素領域と、画素領域の周辺に配置された複数のダミー画素と、複数のダミー画素ごとに設けられた矩形状のダミー画素遮光膜と、配列の方向に沿って延在し、画素の開口部、およびダミー画素遮光膜を区画する複数の第１遮光膜と、ダミー画素遮光膜、および第１遮光膜を覆うように設けられた絶縁膜と、を備え、絶縁膜には、ダミー画素遮光膜の少なくとも角部に沿ってダミーコンタクトホールが形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【０００８】
この電気光学装置によれば、画素領域の周辺に複数のダミー画素が形成されるとともに、各ダミー画素におけるダミー画素遮光膜を覆う絶縁膜には、ダミー画素遮光膜の少なくとも角部に沿ってダミーコンタクトホールが形成されている。
まず、ダミー画素は、基本的に表示に寄与しない画素であるため、その開口部は矩形状のダミー画素遮光膜に覆われた状態となっている。また、絶縁膜は、例えば、酸化シリコン膜などの無機絶縁膜であり、画素領域、およびダミー画素領域を含めて共通に形成されている。
【０００９】
ここで、複数の第１遮光膜は、画素の開口部、およびダミー画素遮光膜を区画して延在しているため、ダミー画素遮光膜の角部は、第１遮光膜に沿った部分となり、ダミーコンタクトホールは、ダミー画素領域における遮光膜に沿った部分に形成されていることになる。換言すれば、ダミーコンタクトホールは、ダミー画素領域に形成されるとともに、画素領域、およびダミー画素領域に渡って延在する第１遮光膜に沿って配置されている。また、第１遮光膜と絶縁膜とからなる積層体において、ダミーコンタクトホールが形成された部分の強度は相対的に弱くなる。
つまり、後続の層間絶縁膜の形成工程において熱衝撃が加わった場合、ダミーコンタクトホールが形成されているダミー画素領域の第１遮光膜に変形や、クラックが発生し易くなる。換言すれば、ダミーコンタクトホールが形成されたダミー画素領域の第１遮光膜（積層体）が、衝撃吸収部分として機能することになる。また、ダミー画素領域の遮光膜に変形や、クラックが発生したとしても、表示に影響を及ぼすことはない。
従って、画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を低減した電気光学装置を提供することができる。
【００１０】
また、ダミーコンタクトホールは、ダミー画素遮光膜の角部に加えて、第１遮光膜に沿って複数形成されていることが好ましい。
また、少なくとも第１遮光膜は、高融点金属から構成されていることが好ましい。
また、絶縁膜は、酸化シリコン膜、または窒化シリコン膜を含む透明な無機膜であることが好ましい。
また、複数の画素、およびダミー画素ごとに形成された駆動素子と、複数の駆動素子を走査駆動するための駆動信号を供給する複数の走査線、およびデータ線をさらに備え、第１遮光膜は、走査線、またはデータ線のいずれかを兼ねることが好ましい。
【００１１】
また、複数の駆動素子は、平面的に第１遮光膜と重なるように配置されてなり、駆動素子を介在して、第１遮光膜と対向する第２遮光膜をさらに備えることが好ましい。
また、複数のダミー画素には、データ線から中間調の画像を表す駆動信号としての画像信号が選択的に供給されることが好ましい。
また、基板と対向配置された対向基板をさらに備え、基板と、対向基板との間に、電気光学物質を挟持したことが好ましい。
【００１２】
上記記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【００１３】
複数の画素が配列された画素領域と、画素領域の周辺に配置された複数のダミー画素と、複数の画素、およびダミー画素ごとに形成された駆動素子と、複数の画素、およびダミー画素を区画するとともに、駆動素子と平面的に重なる遮光膜とを少なくとも備えた電気光学装置の製造方法であって、基板上に、遮光膜を形成する工程と、遮光膜上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の上層に駆動素子を含む半導体層を形成する工程と、絶縁膜にコンタクトホール、およびダミーコンタクトホールを形成する工程と、駆動素子の上層側に層間絶縁膜を形成する工程と、を含み、ダミーコンタクトホールは、ダミー画素における遮光膜に沿った部分に複数形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
また、遮光膜は、高融点金属からなり、絶縁膜、および層間絶縁膜は、酸化シリコン膜、または窒化シリコン膜を含む透明な無機膜からなり、層間絶縁膜を形成する工程は、数百度以上の温度環境下で行われることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）実施形態１に係る表示装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のｊ−ｊ断面における側断面。
【図２】（ａ）表示装置の回路ブロック図、（ｂ）画素の等価回路図。
【図３】（ａ）は図２（ａ）におけるｋ部の拡大平面図、（ｂ）第１遮光膜（走査線）、およびダミー画素遮光膜の抜粋平面図。
【図４】図３（ａ）におけるｍ−ｍ断面の断面図。
【図５】表示装置の製造工程を示すフローチャート図。
【図６】（ａ）〜（ｄ）製造工程における一態様を示す図。
【図７】（ａ）〜（ｄ）製造工程における一態様を示す図。
【図８】電子機器としてのプロジェクターの構成を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１６】
（実施形態１）
「表示装置の概要」
図１（ａ）は実施形態１に係る表示装置の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のｊ−ｊ断面における側断面である。
まず、本実施形態に係る電気光学装置としての表示装置１００の全体構成について説明する。
【００１７】
表示装置１００は、対向基板２０側から入射した光を液晶層５０でデータ信号に応じて変調し、変調された変調光を素子基板１０側から出射する透過式の液晶装置である。
図１（ａ）、（ｂ）において、表示装置１００は、対向配置された素子基板１０と対向基板２０とから構成されている。素子基板１０は、好適例として石英基板を用いている。対向基板２０は、好適例として無アルカリガラスを用いている。なお、この構成に限定するものではなく、素子基板１０、および対向基板２０ともに、ガラス基板や、シリコン基板などの透明基板を用いても良い。
素子基板１０と対向基板２０との間には、電気光学層としての液晶層５０が封入されており、その周縁部が紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂などからなるシール材５２により接着されている。なお、シール材５２中には、素子基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバーや、ガラスビーズなどのギャップ材５６が散布されている。
【００１８】
液晶層５０は、好適例として誘電率異方性が負の液晶を用いている。当該液晶は、電圧がかかっていない状態で液晶分子が垂直に配列し、電圧が印加されると液晶分子が寝た状態になるネガ液晶であれば、一種類からなるものでも良いし、複数種の液晶を混合したものでも良い。なお、ネガ液晶を用いることに限定するものではなく、ポジ液晶を用いても良い。換言すれば、ノーマリーブラックモードに限定するものではなく、ノーマリーホワイトモードであっても良い。
また、液晶モードも、ＶＡ（Vertically Aligned）モードに限定するものではなく、ＴＮ（Twisted Nematic）モードや、ＩＰＳ(In-Plane Switching)モードなどの各種動作モードを用いても良い。
【００１９】
対向基板２０には、シール材５２が配置されたシール領域の内側に沿って、表示領域Ｖの見切りを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が設けられている。
また、素子基板１０の一辺は、対向基板２０から張出しており、当該張出した領域（以降、「張出領域」という）には、データ線駆動回路６と、外部回路接続端子３４とが形成されている。
また、表示領域Ｖの外側で、かつシール材５２の内側の領域には、サンプリング回路７と、２つの走査線駆動回路８とが形成されている。換言すれば、サンプリング回路７、および２つの走査線駆動回路８は、額縁遮光膜５３と平面的に重なるように配置されている。サンプリング回路７は、張出領域側の辺に沿って設けられている。また、２つの走査線駆動回路８は、サンプリング回路７と隣接する２辺に沿って表示領域Ｖを挟むようにそれぞれ配置されている。なお、２つの走査線駆動回路８は、それぞれシール材５２の外側の領域に形成しても良い。
【００２０】
さらに、表示領域Ｖの両側に設けられた２つの走査線駆動回路８間を電気的に接続するため、素子基板１０の残る一辺に沿って、かつ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線３５が設けられている。
また、シール材５２の外周における４つのコーナーには、素子基板１０と対向基板２０との間の上下導通を取るための上下導通部３６が配置されている。上下導通部３６には、例えば、異方性導電材料が用いられており、当該異方性導電材料を挟むように配置された各基板の配線間の電気的な導通が取られている。
【００２１】
ここで、図１（ａ）にて横長の長方形をなした表示領域Ｖには、画像を形成する複数の有効な画素（有効画素）からなる画素領域と、その周縁部に配置された複数のダミー画素からなるダミー領域（いずれも図示せず）とが形成されている。
ダミー領域は、画素領域の周縁部における画像の違和感を抑制するために設けられている。ダミー画素は、有効画素と略同じ構成を有しており、データ信号に応じた階調を表示可能に形成されているが、その表示は画素領域における画像に影響を及ぼさないように構成されている。なお、ダミー画素についての詳細は、後述するが、ダミー領域の一部、または全体が額縁遮光膜５３と重なる配置されていても良い。
そして、図１（ｂ）において、素子基板１０上には、複数の画素、およびダミー画素を区画する遮光膜（図示せず）が形成されており、当該遮光膜の上層に、駆動素子としてのスイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や、走査線、データ線、層間絶縁膜などからなる積膜構造が形成されている。
なお、図１を含む各図においては、横長の長方形をなした表示領域Ｖにおける横方向をＸ軸方向とし、当該方向と交差する縦方向をＹ軸方向と定義している。また、表示装置１００の厚さ方向をＺ軸方向としている。また、素子基板１０から対向基板２０に向かうＺ軸（＋）方向を上方（上側、上層）とし、その反対方向Ｚ軸（−）方向を下方（下側、下層）としている。
【００２２】
「画素レイアウト、および回路構成」
図２（ａ）は、表示装置の回路ブロック図であり、（ｂ）は画素の等価回路図である。
続いて、表示領域Ｖにおける画素レイアウト、および回路構成について説明する。
図２（ａ）に示すように、表示領域Ｖには、複数の有効な画素Ｐａからなる画素領域と、その周縁部に配置された複数のダミー画素Ｐｄからなるダミー領域とがマトリクス状に形成されている。なお、当該図では、各画素を開口部の態様で模式的に示しており、画素Ｐａ（画素電極９ａ）は白抜きの長方形として、ダミー画素Ｐｄ（ダミー画素遮光膜９ｄ）はハッチングされた長方形として、それぞれ示されている。なお、詳しくは後述するが、ダミー画素Ｐｄの開口部には、ダミー画素遮光膜９ｄが形成されている。
また、ダミー領域は、画素領域の上下左右にそれぞれ形成された２つずつのダミー画素Ｐｄから構成されている。換言すれば、ダミー領域は、画素領域の上下方向にそれぞれ形成された２行ずつのダミー画素Ｐｄ行と、左右方向にそれぞれ形成された２列ずつのダミー画素Ｐｄ列とから構成されている。なお、２行２列の構成に限定するものではなく、表示領域Ｖのサイズや、後述する衝撃緩衝作用を得るために必要な数を形成すれば良い。
【００２３】
図２（ｂ）に示すように、複数の画素Ｐａ、およびダミー画素Ｐｄには、前述した画素電極９に加えて、駆動素子としてのＴＦＴ３０、蓄積容量７０がそれぞれ形成されている。ＴＦＴ３０は、電界効果型のＮ型トランジスターである。
各ＴＦＴ３０において、ゲート端子は対応する走査線８３に接続され、ソース端子は対応するデータ線６３に接続され、ドレイン端子は画素電極９、および蓄積容量７０の一端に接続されている。
また、表示領域Ｖにおいて、Ｘ軸方向には走査線８３、および容量線８５が延在し、Ｙ軸方向にはデータ線６３が延在している。換言すれば、複数の画素Ｐａ、およびダミー画素Ｐｄを区画するように、走査線８３、およびデータ線６３が延在している。
【００２４】
ＴＦＴ３０は、走査線８３に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍによって選択されたタイミングで、データ線６３のデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを対応する画素電極９に書き込む。つまり、走査線駆動回路８から各走査線８３に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍのタイミングに従って、各画素が線順次に選択される。
また、データ線駆動回路６およびサンプリング回路７からは、走査信号による各画素の選択と同期して、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが各データ線６３に供給される。詳しくは、サンプリング回路７は、連続する６本のデータ線に対して、データ線駆動回路６から供給されるサンプリング回路駆動信号６１のタイミングに従って、画像信号線６５における相展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を同時にサンプリングし、各データ線に供給する。なお、ここでは、好適例として６層の相展開駆動を行う場合について説明したが、これに限定するものではなく、定められたフレームレートで違和感なく、画像を表示可能な駆動方法であれば良い。
【００２５】
このようにして、画素電極９を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルのデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
ここで書き込まれたデータ信号の電位を保持するために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が形成されている。蓄積容量７０の他端は、所定の電位に設定された容量線８５に接続されている。なお、蓄積容量７０は、後述するように、ＴＦＴ３０へ入射する光を遮る遮光膜としても機能する。
また、対向基板２０の対向電極は、対向電極生成回路（図示せず）に接続されており、周期的に極性が反転する対向電圧が供給され、反転駆動が行われる。反転駆動としては、ライン反転駆動や、フレーム反転駆動、ドット反転駆動などを用いることができる。
【００２６】
「画素の詳細構成」
図３（ａ）は、図２（ａ）におけるｋ部の拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）から、第１遮光膜（走査線）、およびダミー画素遮光膜を抜粋して示した平面図である。
ここでは、画素Ｐａ、およびダミー画素Ｐｄの詳細な構成について説明する。
図３（ａ）は、ダミー領域と画素領域との境界部分における拡大図であり、左側の２列の画素はダミー画素Ｐｄを示しており、右側の２列の画素は画素Ｐａを示している。
ダミー画素Ｐｄ、および画素Ｐａは、格子状の隔壁部分によって、それぞれ矩形状に区画されている。隔壁部分には、第１遮光膜としての走査線８３や、ＴＦＴ３０、データ線６３などが形成されている。
【００２７】
走査線８３は、隔壁部分の最下層に形成された高融点金属からなる遮光膜兼、走査線であり、図３（ｂ）に示すように、Ｘ軸方向に延在している。また、走査線８３は、Ｘ軸方向に隣り合う２つの画素間において、Ｙ軸方向に突出した突出部分８３ａ，８３ｂを有している。換言すれば、走査線８３は、Ｘ軸方向に隣り合う２つの画素を区画するように、略直交する方向に突出した突出部分８３ａ，８３ｂを有している。なお、以降、走査線８３のＸ軸方向に延在する部分を幹線、Ｙ軸方向に突出した部分を支線ともいう。
また、ダミー画素Ｐｄとなる部分には、上下の走査線８３に囲まれて、矩形状のダミー画素遮光膜９ｄが形成されている。換言すれば、上下の走査線８３に囲まれて、矩形状のダミー画素遮光膜９ｄが島状に形成されている。ダミー画素遮光膜９ｄは、走査線８３と同一工程で形成された遮光膜であり、ダミー画素Ｐｄの開口部を塞ぐ役割を荷っている。また、画素Ｐａとなる部分も、走査線８３によって区画されているが、遮光膜は形成されておらず、透明な画素電極９ａが形成されることにより開口部となる。
つまり、走査線８３は、ダミー画素遮光膜９ｄ、および画素電極９ａ（開口部）を区画するように配置されている。
【００２８】
ここで、図３（ａ）に示すように、ダミー画素遮光膜９ｄの角部に沿って、複数のダミーコンタクトホールＤｃが形成されている。詳しくは、１つのダミー画素遮光膜９ｄに対して、４つのダミーコンタクトホールＤｃが形成されており、１つはダミー画素遮光膜９ｄの角部に配置され、２つは走査線８３の幹線に沿って角部のコンタクトホールと連続して配置されている。そして、残りの１つは走査線８３の支線に沿って配置されている。なお、この配置レイアウトに限定するものではなく、ダミーコンタクトホールＤｃの配置は、ダミー領域において、走査線８３の幹線に沿って配置されていれば良い。また、数も、４つに限定するものではなく、単数でも複数でも良いが、前述した好適例のように、少なくとも角部には配置することが好ましい。
ダミーコンタクトホールＤｃは、走査線８３の上層の下地絶縁膜１２（図４）に形成されており、走査線８３とゲート電極３ａとを接続するコンタクトホール１２ｃｖと同様なものであるが、電気的な接続を目的としたものではなく、下地絶縁膜に穴を開けて、当該膜の強度を弱くするために形成されている。換言すれば、ダミーコンタクトホールＤｃは、ダミー領域における走査線８３近傍の下地絶縁膜１２の強度を低くするために形成されている。また、図３（ａ）では、コンタクトホール１２ｃｖなどの他のコンタクトホールと識別するために丸形状で示しているが、四角であっても良い。
【００２９】
また、図３（ｂ）の角部のダミーコンタクトホールＤｃのように、その一部または全てが、走査線８３に掛かっていても良い。これは、当該ダミーコンタクトホールが電気的な接続機能を持ったとしても、コンタクトホール１２ｃｖと同様に、走査線８３とゲート電極３ａとを接続するものとなるからである。なお、走査線８３の形成時点では、未だコンタクトホール１２ｃｖは形成されていないが、平面的な位置を明確にするために、図３（ｂ）では当該コンタクトホールを図示している。
また、図３（ａ）では、ダミー画素領域を形成する２列のダミー画素列の間の部分に跨るように、換言すれば、Ｘ軸方向に隣り合う２つのダミー画素Ｐｄに跨る部分に、複数のダミーコンタクトホールＤｃが形成されている。ここで、当該図には示されていないが、左側（Ｘ軸（−）側）のダミー画素Ｐｄにおいては、ダミー画素領域の周縁側にも複数のダミーコンタクトホールＤｃが形成されている。つまり、画素Ｐａと隣り合うダミー画素Ｐｄにおける、画素Ｐａ側のダミー画素遮光膜９ｄの角部にはダミーコンタクトホールＤｃが形成されておらず、当該部以外の全てのダミー画素遮光膜９ｄの角部にはダミーコンタクトホールＤｃが形成されている。これは、画素Ｐａ側のダミー画素遮光膜９ｄの角部にもダミーコンタクトホールＤｃを形成した場合、熱衝撃により走査線８３が変形した際の影響が画素Ｐａにも及ぶ恐れがあるからである。なお、上述した好適例の構成に限定するものではなく、ダミー画素領域における１ヶ所以上のダミー画素遮光膜９ｄの角部に、ダミーコンタクトホールＤｃが形成されていれば衝撃吸収部分としての機能を果たすことができる。
【００３０】
図４は、図３（ａ）におけるｍ−ｍ断面の断面図である。
続いて、図４を交えて、各部の構成を詳しく説明する。
図４に示すように、素子基板１０には、各種の構成要素が積層構造をなして形成されている。この積層構造は、下から順に、走査線８３を含む第１層、ＴＦＴ３０などを含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６３などを含む第４層、シールド層４００などを含む第５層、前述の画素電極９ａ、および配向膜１６などを含む第６層からなる。また、第１層及び第２層間には絶縁膜としての下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。
また、これらの絶縁膜１２，４１，４２，４３，４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６３とを電気的に接続するコンタクトホール８１なども設けられている。以下、これらの各要素について、下層側から順に説明を行う。
【００３１】
まず、第１層には、好適例として、Ｍｏ（モリブデン）からなる走査線８３が形成されている。なお、図４には示されていないが、ダミー画素遮光膜９ｄも、同一層に形成されている。また、モリブデンに限定するものではなく、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）などの高融点金属を用いても良い。または、これらの金属の合金や、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものであっても良い。
また、図３で説明したように、走査線８３は、平面的にＴＦＴ３０と重なるように配置されているため、素子基板１０側から入射しようとする光を遮る機能も有している。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにおける光リーク電流の発生を抑制することができ、フリッカーなどのない高品質な画像表示が可能となる。
【００３２】
そして、走査線８３（ダミー画素遮光膜９ｄ）の上には、例えば、シリコン酸化膜や、窒化シリコン膜などの透明な無機膜からなる絶縁膜としての下地絶縁膜１２が形成されている。この下地絶縁膜１２には、走査線８３とゲート電極３ａとを接続するコンタクトホール１２ｃｖや、前述した複数のダミーコンタクトホールＤｃが形成されている。
第２層には、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有している。ＴＦＴ３０は、上述したゲート電極３ａ、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。これらの構成要素は、例えばポリシリコン膜から構成されている。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２も備えている。
また、この第２層には、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図３（ａ）に示すように、各画素電極９ａの一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているため、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜などからなる。
【００３３】
図４に戻る。
第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。また、図３（ａ）に示すように、蓄積容量７０は、画素の開口率に影響を及ぼさないように、平面的に遮光領域（隔壁部分）内に収まるように形成されている。
また、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。なお、金属、または合金を含む単一層膜、若しくは多層膜から構成しても良い。また、下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能に加えて、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能を有している。この中継接続は、後述するように、前記中継電極７１９を介して行われている。
また、容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。容量電極３００は、これを固定電位とするために、固定電位とされたシールド層４００と電気的に接続されている。
【００３４】
そして、この容量電極３００は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり、素子基板１０上において、各画素に対応して島状に形成されている。下部電極７１は、当該容量電極３００とほぼ同一形状を有するように形成されている。
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜などの酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜などから構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほど良い。また、この誘電体膜７５は、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂからなる２層構造となっている。
【００３５】
ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ、および中継電極７１９の上には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜など、あるいはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６３とを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後述する第２層間絶縁膜４２を貫通して開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８００が開孔されている。
また、第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。
さらに、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するコンタクトホール８８２が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００３６】
第１層間絶縁膜４１の上、すなわち上記第３層と後述する第４層との間には、例えば、酸化シリコン膜などからなる第２層間絶縁膜４２が形成されている。
第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６３とを電気的に接続するコンタクトホール８１が開孔されているとともに、シールド層用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が形成されている。
【００３７】
第４層には、データ線６３が設けられている。データ線６３は、下層より順に、チタンと窒化チタンとがこの順に積層された複合チタン層４１ＴＮ、アルミニウム層４１Ａ、窒化チタン層４０１が積層されてなる。窒化チタン層４０１は、その下層のアルミニウム層４１Ａと複合チタン層４１ＴＮを覆うように少し大きなサイズにパターンニングされている。データ線６３は、コンタクトホール８１を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。
第４層には、データ線６３と同一膜として、シールド層用中継層６ａ１、および第２中継電極６ａ２が形成されている。詳しくは、図３（ａ）に示すように、平面的に見ると、走査線８３の幹線部上に、略四辺形状を有するシールド層用中継層６ａ１と、その右側にシールド層用中継層６ａ１よりも若干大きめの略四辺形状の第２中継電極６ａ２とが形成されている。各層は、データ線６３と同様な材質から構成されている。
【００３８】
第５層には、第２遮光膜としてのシールド層４００が形成されている。このシールド層４００は、平面的には、図３（ａ）に示すように、Ｙ軸方向にデータ線６３に沿って（重ねて）延在している。また、図３（ａ）には示されていないが、Ｘ軸方向においても、走査線８３に沿って（重ねて）延在している。換言すれば、シールド層４００は、隔壁部分内で格子状に形成されている。
また、シールド層４００のうちＹ軸方向に延在する部分については、特に、データ線６３を覆うように、且つ、該データ線よりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。
このシールド層４００は、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。なお、定電位源としては、データ線駆動回路６に供給される正電源や負電源の定電位源でも良いし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位源でも良い。
このように、データ線６３を覆うように形成され、固定電位とされたシールド層４００によれば、データ線６３、および画素電極９ａ間に生じる容量カップリングの影響を排除することが可能となる。シールド層４００は、格子状に形成されているため、走査線８３が延在する部分についても、無用な容量カップリングが生じることを抑制することができる。
【００３９】
また、第５層には、このようなシールド層４００と同一膜として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これらシールド層４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。
また、シールド層４００、および第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の２層構造を有している。また、第３中継電極４０２において、下層のアルミニウムからなる層は、第２中継電極６ａ２と接続され、上層の窒化チタンからなる層は、ＩＴＯ等からなる画素電極９ａと接続されるようになっている。
さらには、シールド層４００、および第３中継電極４０２は、光反射性能に優れたアルミニウムを含み、かつ、光吸収性能に優れた窒化チタンを含むことから、遮光膜としても機能する。つまり、シールド層４００は、ＴＦＴ３０を介して、第１遮光膜としての走査線８３と対向する第２遮光膜として機能し、対向基板２０側からの入射光（図４参照）の進行を遮ることができる。なお、このような遮光機能は、上述した容量電極３００、およびデータ線６３も同様に有している。
データ線６３の上には、酸化シリコン膜などからなる第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、シールド層４００とシールド層用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００４０】
第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、酸化シリコン膜などからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ、および第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。
なお、ダミー画素Ｐｄにも画素電極は形成されているが、ダミー画素遮光膜９ｄが形成されているため、当該電極に電位が印加されても、基本的にはその表示が有効表示に寄与しない構成となっている。本実施形態では、好適例として、ダミー画素Ｐｄの画素電極には、データ線から中間調の画像を表すデータ信号を供給している。これにより、ダミー画素Ｐｄに斜め方向から入射した光や、迷光が、有効表示に混入した場合においても、有効表示に及ぼす影響を抑制している。
【００４１】
他方、対向基板２０上には、対向電極２１、ポリイミド系の配向膜２２などが形成されている。対向電極２１は、ＩＴＯ等の透明導電性膜からなる。配向膜１６，２２は、液晶層５０に含まれる液晶分子に所定のプレティルト角を付与するように、所定方向にラビング処理されている。
なお、図４では、有効画素Ｐａの断面を用いて説明したが、ダミー画素Ｐｄの構成も基本的に同様である。画素Ｐａとダミー画素Ｐｄとの違いを整理すると、ダミー画素Ｐｄには、ダミー画素遮光膜９ｄと、複数のダミーコンタクトホールＤｃとが形成されており、これらの点のみが、有効画素Ｐａと異なる。
【００４２】
「表示装置の製造方法」
図５は、表示装置の製造工程を示すフローチャート図である。図６（ａ）〜（ｄ）は、製造工程における一態様を示す図である。図７（ａ）〜（ｄ）は、製造工程における一態様を示す図である。
ここでは、表示装置１００の製造方法について、第１遮光膜（走査線８３）、および複数のダミーコンタクトホールの形成工程を含む第１層、および第２層の形成工程を中心に説明する。
【００４３】
まず、ステップＳ１では、第１遮光膜としての走査線８３、およびダミー画素遮光膜９ｄを形成する。詳しくは、素子基板１０上に、高融点金属膜をスパッタ法により堆積し、次いでフォトリソ法を用いてパターニングして、図３（ｂ）に示すような走査線８３、およびダミー画素遮光膜９ｄを形成する。
ステップＳ２では、常圧、または減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、走査線８３、およびダミー画素遮光膜９ｄを含む全面に下地絶縁膜１２を形成する。この状態が図６（ａ）に示されている。
ステップＳ３では、下地絶縁膜１２上に、半導体層１ａを形成する。詳しくは、ＣＶＤ法を用いて、アモルファスシリコン膜を形成した後、窒素雰囲気中においてアニール処理を施すことにより、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜を約５０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１００ｎｍの厚さとなるまで固相成長させる。この際、ＴＦＴ３０をｎチャネル型とするかｐチャネル型とするかに応じて、Ｖ族元素やＩＩＩ族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。そして、フォトリソ法を用いて所定パターンの半導体層１ａを形成する。
【００４４】
ステップＳ４では、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを熱酸化して下層ゲート絶縁膜を形成する。そして、これに続けて減圧ＣＶＤ法を用いて、上層ゲート絶緑膜を形成することにより、一層、または多層の高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や、窒化シリコン膜からなる（ゲート絶縁膜を含む）絶縁膜２を形成する。次に、ＴＦＴ３０のスレッシュホールド電圧Ｖｔｈを制御するために、半導体層１ａのうちｎチャネル領域あるいはｐチャネル領域に、ボロン等のドーパントを予め設定された所定量だけイオン注入法によりドープする。
ステップＳ５では、下地絶縁膜１２に対して反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチングなどのドライエッチング法を用いて、走査線８３に通ずるコンタクトホール１２ｃｖ、および複数のダミーコンタクトホールを形成する。この状態が図６（ｂ）に示されている。
ステップＳ６では、ゲート電極３ａ、および中継電極７１９を形成する。詳しくは、減圧ＣＶＤ法を用いて、ポリシリコン膜を堆積させた後、リン（Ｐ）を熱拡散して、このポリシリコン膜を導電化する。そして、フォトリソ法を用いて、所定のパターンのゲート電極３ａ、および中継電極７１９を形成する。この状態が図６（ｃ）に示されている。なお、当該図、および図４では、ゲート電極３ａと中継電極７１９とを区分けするために、両者の厚さを異ならせているが、実際は同じ厚さに形成されており、また、電気的に接続している。
【００４５】
次に、前記半導体層１ａについて、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成する。
ここでは、ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造をもつｎチャネル型のＴＦＴとする場合を説明すると、具体的にまず、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、ゲート電極３ａをマスクとして、Ｐ等のＶ族元素のドーパントを低濃度でドープする。これによりゲート電極３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１ａ’となる。次に、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、ゲート電極３ａよりも幅の広い平面パターンを有するレジスト層をゲート電極３ａ上に形成し、その後、Ｐ等のＶ族元素のドーパントを高濃度でドープする。こうしてＴＦＴ３０が完成し、第２層までの積層構造が形成される。
【００４６】
次に、ステップＳ７では、ゲート電極３ａ上に、常圧、または減圧ＣＶＤ法を用いて、第１層間絶縁膜４１を形成する。
ここで、常圧、または減圧ＣＶＤ法では、成膜温度は低い場合でも４００度以上が必要であり、より良好な膜圧を得るためには、１０００度近い高温が必要であると言われている。これに対してプラズマＣＶＤ法では、熱エネルギーから電気エネルギーに置き換わる分があるため、その分成膜温度を低くすることが可能であるが、それでも、３００度程度の温度が必要である。
このような高温が印加された場合、高融点金属膜により形成された走査線８３は、石英からなる素子基板１０などとの熱膨張係数（線膨張係数）の違いから膨張し、その歪を解消するために、強度の弱い部分で変形や、クラックを生じさせていた。
特に、モリブデンなどの高融点金属は、優れた遮光性や耐熱性を有する一方、脆いため、従来の表示装置のように、一様な構造であった場合には、画素領域で、変形やクラックが発生してしまっていた。
これに対して、本実施形態の表示装置によれば、熱衝撃による歪は、強度の弱いダミーコンタクトホールが形成された部分に集中することになる。換言すれば、ダミーコンタクトホールが形成された部分が、衝撃吸収部分として機能することになる。
【００４７】
ステップＳ８では、下地絶縁膜１２に対して反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチングなどのドライエッチング法を用いて、コンタクトホール８００，８８１を開孔する。この状態が図６（ｄ）に示されている。
続いて、ステップＳ９では、第３層、および第２層間絶縁膜４２を形成する。まず、ＣＶＤ法やスパッタリング法、フォトリソ法などを用いて、下部電極７１、誘電体膜７５、容量電極３００を含む蓄積容量７０を形成する。この状態が図７（ａ）に示されている。
続いて、ＣＶＤ法を用いて、シリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜４２を形成する。この工程においても、高温が印加されるため、走査線８３に熱歪が生じることになるが、その歪はダミーコンタクトホールが形成された部分に集中することになる。そして、ドライエッチング法を用いて、第２層間絶縁膜４２にコンタクトホール８１，８０１，８８２を開孔する。この状態が図７（ｂ）に示されている。
【００４８】
ステップＳ１０では、第４層、および第３層間絶縁膜４３を形成する。まず、ＣＶＤ法、スパッタリング法、フォトリソ法、ドライエッチング法などを用いて、データ線６３、シールド層用中継層６ａ１、第２中継電極６ａ２を形成する。この状態が図７（ｃ）に示されている。
続いて、ＣＶＤ法を用いて、シリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜４３を形成する。この工程においても、高温が印加されるため、走査線８３に熱歪が生じることになるが、その歪はダミーコンタクトホールが形成された部分に集中することになる。そして、ドライエッチング法を用いて、第３層間絶縁膜４３にコンタクトホール８０３，８０４を開孔する。この状態が図７（ｄ）に示されている。
【００４９】
ステップＳ１１では、第５層、および第４層間絶縁膜４４を形成する。まず、ＣＶＤ法、スパッタリング法、フォトリソ法、ドライエッチング法などを用いて、シールド層４００、および第３中継電極４０２を形成する。
続いて、ＣＶＤ法を用いて、シリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第４層間絶縁膜４４を形成する。この工程においても、高温が印加されるため、走査線８３に熱歪が生じることになるが、その歪はダミーコンタクトホールが形成された部分に集中することになる。また、ＣＭＰ（Chemical-Mechanical Polishing）法を用いて、第４層間絶縁膜４４を平坦化処理する。
そして、ドライエッチング法を用いて、第４層間絶縁膜４４にコンタクトホール８９を開孔する。この状態が図７（ｄ）に示されている。なお、図７（ｄ）は、図４と同一図である。
【００５０】
ステップＳ１２では、第６層を形成する。まず、スパッタリング法、およびフォトリソ法を用いて、画素電極９ａを形成する。続いて、画素電極９ａ上に、ポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、ラビング処理を施すことにより、所定のプレティルト角を有する配向膜１６を形成する。
以上により、素子基板１０上に配向膜１６までが積層された積層構造が完成する。
【００５１】
他方、対向基板２０においては、別途、対向電極２１、および配向膜２２が形成されている。
そして、図１に示すように、各層が形成された素子基板１０と対向基板２０とを、その周縁部に塗布したシール材５２によって貼り合わせた後、真空吸引法などを用いて、両基板間の空間に液晶を充填することにより、表示装置１００が完成する。なお、シール材５２の４隅には、上下導通部３６が形成されており、また、シール材５２中には、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバーや、ガラスビーズなどのキャップ材（スペーサー）５６が散布されている。
【００５２】
上述した通り、本実施形態に係る表示装置１００、および製造方法によれば、以下の効果を得ることができる。
表示装置１００によれば、画素領域の周辺に複数のダミー画素Ｐｄが形成されるとともに、各ダミー画素におけるダミー画素遮光膜９ｄを覆う下地絶縁膜１２には、当該ダミー画素遮光膜の少なくとも角部に沿ってダミーコンタクトホールＤｃが形成されている。
ダミー画素Ｐｄは、基本的に表示に寄与しない画素であるため、その開口部は矩形状のダミー画素遮光膜９ｄに覆われた状態となっている。また、下地絶縁膜１２は、例えば、酸化シリコン膜などの硬質な無機絶縁膜であり、画素領域、およびダミー画素領域を含めて共通に形成されている。
【００５３】
ここで、複数の走査線８３は、画素電極９ａ（開口部）、およびダミー画素遮光膜９ｄを区画して延在しているため、ダミー画素遮光膜９ｄの角部は、走査線８３に沿った部分となり、ダミーコンタクトホールＤｃは、ダミー画素領域における走査線８３に沿った部分に形成されていることになる。換言すれば、ダミーコンタクトホールＤｃは、ダミー画素領域に形成されるとともに、画素領域、およびダミー画素領域に渡って延在する走査線８３に沿って配置されている。また、好適例では、１つのダミー画素Ｐｄごとに、ダミーコンタクトホールＤｃが４つずつ形成されている。換言すれば、ダミー領域において、走査線８３の幹線に沿って複数のダミーコンタクトホールＤｃが形成されている。また、走査線８３と下地絶縁膜１２とからなる積層体において、ダミーコンタクトホールＤｃが形成された部分の強度は、ダミーコンタクトホールＤｃが形成されていない部分よりも弱くなる。
つまり、後続の層間絶縁膜の形成工程において熱衝撃が加わった場合、ダミーコンタクトホールＤｃが形成されているダミー画素領域の走査線８３部分に熱歪による変形や、クラックが発生し易くなる。換言すれば、ダミーコンタクトホールＤｃが形成されたダミー画素領域における走査線８３部分が、衝撃吸収部分として機能することになる。また、ダミー画素領域の遮光膜に変形や、クラックが発生したとしても、表示に影響を及ぼすことはない。
従って、画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を低減した表示装置１００を提供することができる。
【００５４】
表示装置１００の製造工程は、複数の工程からなり、特に、各層ごとに形成される層間絶縁膜の形成工程では、高温となるＣＶＤ法が用いられるため、その都度、走査線８３は、熱衝撃を受けることとなる。また、走査線８３の材料には、優れた遮光性や耐熱性を有する一方、脆さも併せ持つモリブデンなどの高融点金属が用いられているため、従来の表示装置のように、走査線８３周辺が一様な構造であった場合には、画素領域で、変形やクラックが発生してしまっていた。
これに対して、本実施形態の製造方法によれば、ダミーコンタクトホールＤｃが形成された以降の工程における熱衝撃による歪は、強度の弱いダミーコンタクトホールが形成された部分に集中することになる。換言すれば、ダミーコンタクトホールが形成された部分が、衝撃吸収部分として機能することになる。
よって、画素領域における画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を低減することができる。従って、この製造方法によれば、表示装置１００の製造工程において、所期の歩留りを確保することができる。
【００５５】
（電子機器）
図８は、上述した表示装置１００をライトバルブとして用いた３板式プロジェクターの構成を示す平面図である。
次に、上述した実施形態に係る表示装置を用いた電子機器の例について説明する。
プロジェクター２１００において、ライトバルブに入射させるための光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００５６】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した各実施形態における表示装置１００と同様であり、外部上位装置（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画像データでそれぞれ駆動される。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。
ダイクロイックプリズム２１１２において合成されたカラー画像を表す光は、レンズユニット２１１４によって拡大投射され、スクリーン２１２０上にフルカラー画像が表示される。
【００５７】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像がダイクロイックプリズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射されるため、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂにより形成される画像と、ライトバルブ１００Ｇにより形成される画像とが左右反転の関係になるように設定されている。
【００５８】
また、電子機器としては、図８を参照して説明した他にも、リアプロジェクション型のテレビジョンや、直視型、例えば携帯電話や、パーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの電子機器に対しても、本発明に係る表示装置を適用させることができる。
【００５９】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【００６０】
（変形例１）
図４を用いて説明する。
上記実施形態では、第１遮光膜としての走査線８３に高融点金属膜を用いるとともに、下地絶縁膜１２に複数のダミーコンタクトホールＤｃを形成するものとして説明したが、この構成に限定するものではない。高融点金属膜を用いた層の近傍層に複数のダミーコンタクトホールを形成する構成であれば良い。
例えは、第２遮光膜としてのシールド層４００に高融点金属膜を用いるとともに、第３層間絶縁膜４３にダミーコンタクトホールを形成する構成であっても良い。
この構成の場合、ステップＳ１０において、コンタクトホール８０３，８０４を形成するのと一緒に、複数のダミーコンタクトホールを形成すれば良い。
この構成によれば、第４層間絶縁膜４４の形成工程を含む後続の熱衝撃が掛かる工程において、走査線８３に生じる歪は、強度の弱いダミーコンタクトホールが形成された部分に集中することになる。換言すれば、ダミーコンタクトホールが形成された部分が、衝撃吸収部分として機能することになる。
従って、画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を低減した表示装置を提供することができる。また、この製造方法によれば、表示装置の製造工程において、所期の歩留りを確保することができる。
【００６１】
（変形例２）
図３を用いて説明する。
上記実施形態では、第１遮光膜が走査線８３を兼ねるものとして説明したが、この構成に限定するものではない。第１遮光膜の電位は問わず、構成（配線レイアウト）が前記実施形態と同様であれば良い。
例えば、第１遮光膜の電位は、容量線８５の電位であっても良いし、走査線駆動回路８や、データ線駆動回路６に供給されている電源電位であっても良い。または、フローティング電位であっても良い。
これらの電位態様であっても、構成（配線レイアウト）が前記実施形態と同じであれば、当該実施形態と同様な作用効果を得ることができる。
【００６２】
（変形例３）
図４を用いて説明する。
上記実施形態では、表示装置１００は、透過型であるものとして説明したが、この構成に限定するものではなく、例えば、反射型であっても良い。
この場合、画素電極９ａをアルミニウムなどの反射性を有する材料から構成して、反射電極とする。これにより、対向基板２０から入射した光を画素電極９ａで反射して、光変調された表示光を、再度、対向基板２０から出射する反射型の表示装置が形成される。
この構成であっても、上記実施形態と同様な作用効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００６３】
９ａ…開口部としての画素電極、９ｄ…ダミー画素遮光膜、１０…基板としての素子基板、１２…絶縁膜としての下地絶縁膜、１２ｃｖ…コンタクトホール、２０…対向基板、３０…駆動素子としてのＴＦＴ、５０…電気光学層としての液晶層、６３…データ線、８３…第１遮光膜としての走査線、４００…第２遮光膜としてのシールド層、２１００…電子機器としてのプロジェクター、Ｄｃ…ダミーコンタクトホール、Ｐａ…画素、Ｐｄ…ダミー画素、Ｖ…表示領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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