(57)【要約】【課題】脆性材料基板を分断する際に、条件設定幅の自由度が大きく、プロセスウィンドウが広くなり、しかも端面品質が優れたレーザ加工方法を提供する。【解決手段】（ａ）基板の第一面上で、第一回目のレーザ照射を行う第一ビームスポットを分断予定ラインに沿って相対移動させて前記基板を局所加熱するとともに、第一ビームスポットが通過した直後の部位に冷媒を相対移動させつつ噴射して局所冷却し、前記基板にスクライブラインを形成するレーザスクライブ工程と、（ｂ）第二回目のレーザ照射を行う第二ビームスポットを、スクライブラインに沿って前記基板の第一基板とは反対面となる第二面側から相対移動させて前記基板を加熱するとともに、第二ビームスポットが通過した直後の部位に冷媒を相対移動させつつ噴射して冷却し、前記基板を完全に分断するレーザブレイク工程とからなる。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
脆性材料基板に設定した分断予定ラインに沿ってレーザ照射を行うことにより前記基板を加工する脆性材料基板のレーザ加工方法であって、
（ａ）前記基板の第一面上で、第一回目のレーザ照射を行う第一ビームスポットを分断予定ラインに沿って相対移動させて前記基板を局所加熱するとともに、第一ビームスポットが通過した直後の部位に冷媒を相対移動させつつ噴射して局所冷却し、前記基板にスクライブラインを形成するレーザスクライブ工程と、
（ｂ）第二回目のレーザ照射を行う第二ビームスポットを、前記スクライブラインに沿って前記基板の第一基板とは反対面となる第二面側から相対移動させて前記基板を加熱するとともに、第二ビームスポットが通過した直後の部位に冷媒を相対移動させつつ噴射して冷却し、前記基板を完全に分断するレーザブレイク工程とからなる脆性材料基板のレーザ加工方法。
【請求項２】
レーザスクライブ工程における第一ビームスポットによる加熱と、レーザブレイク工程における第二ビームスポットによる加熱とが同一条件で行われる請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項３】
レーザスクライブ工程の後に、前記基板を反転してレーザブレイク工程を行う請求項１〜請求項２のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザビームを走査してガラス、セラミック、半導体等の脆性材料基板を分断するレーザ加工方法に関し、さらに詳細には、予めレーザスクライブにより形成したスクライブラインに沿って、高品質な分断面で基板を分断するレーザ加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板に対し、レーザビームを走査しながら照射すると、レーザビームのビームスポットが通過して局所加熱された領域に、圧縮応力が生じる。そしてビームスポットが通過した直後の位置に冷媒を吹き付けて局所冷却することにより、冷却された領域（冷却スポット）に引張応力が生じる。このように、基板に圧縮応力が生じる領域と、引張応力が生じる領域とを接近させて形成することにより応力勾配が形成される。
この応力勾配を利用してガラス基板にクラックを形成することにより、基板表面にレーザスクライブ加工を行ったり（例えば特許文献１参照）、フルカット加工を行ったりする加工技術が利用されている（例えば特許文献２，３参照）。
【０００３】
ここで、レーザスクライブ加工とは、レーザ照射による局所加熱およびその直後の冷媒噴射による局所冷却を、基板上に設定した分断予定ラインに沿って相対移動しながら行うことにより、主に深さ方向の熱応力分布（基板表面側が引張応力で基板内部側が圧縮応力となる分布）を利用して基板を貫通しないクラックを進展させる加工をいう。レーザスクライブにより形成されたクラックは、クラックの深さ方向の先端（クラックの最深部分）が基板内に留まってスクライブラインを形成することになる。したがって、スクライブラインに沿って基板を完全に分断するには、レーザスクライブ後に、クラックを深さ方向に浸透させて裏面まで到達させるブレイク処理が別途に必要になる。
【０００４】
なお、説明の便宜上、クラックの「進展」とは、クラックが基板の前方方向へ成長することをいう。また、クラックの「浸透」とは、クラックを基板の厚み方向（深さ方向）に深く形成していくことをいう。
【０００５】
レーザスクライブ後のブレイク処理には、基板に形成されたスクライブラインに沿って機械的に応力を与えて分断するメカニカルブレイク、あるいは、レーザスクライブ後に再びスクライブラインに沿ってレーザ照射により熱的に応力を与えて分断するレーザブレイクのいずれかが行われる。
【０００６】
一方、加工対象となる基板の板厚が薄くなると、基板上でレーザビームを走査したときに、基板の深さ方向での温度差が生じにくくなり、したがって深さ方向の応力分布差も小さくなり、ビームスポットが移動する前後方向の熱応力差が、基板の深さ方向の熱応力差に比べて大きく寄与するようになる。その結果、スクライブラインが形成されることなく、いきなり基板が完全分断されてしまうようになる。これをフルカット加工という。フルカット加工は、レーザ照射による応力勾配を利用して基板を分断するという点ではレーザスクライブ加工と同じであるが、主としてレーザビームの前後方向の応力差によりフルカット状態をなすクラックが進展することから、レーザスクライブ後のレーザブレイクとは異なるメカニズムによる分断である。
【０００７】
一般に、フルカット加工によって形成される加工端面（分断面）は、クラックが進展する方向の制御が困難であるため、レーザスクライブ後のレーザブレイクにより形成された加工端面に比べると、直線性が良好ではなく、明らかに端面品質が劣る。
【０００８】
よって、本明細書でいう「レーザブレイク」は、一旦、スクライブラインを形成した後に、スクライブラインに沿ってレーザ照射が行われて分断されるブレイク加工をいう。スクライブラインが形成されることなく、いきなり完全分断された状態になるフルカット加工は、本明細書でいう「レーザブレイク」には含まれないものとする。
【０００９】
以下、フルカット加工を除外し、レーザスクライブ加工後に別工程でブレイク処理を行うことにより、基板を分断する加工方法について説明する。
レーザスクライブ加工の場合、既述のように、最終的に基板を分断するためには、形成されたスクライブラインに沿ってブレイク処理を行うことになる。このブレイク処理では、従来は、ブレイクバーで押圧したり、ブレイクローラを圧接転動したりすることによって基板を撓ませてブレイクするメカニカルブレイクが行われていた。メカニカルブレイクでは加工端面（分断面）に加わる負荷が大きく、せっかくレーザスクライブ加工により端面品質の高いスクライブラインを形成したとしても、ブレイクのときに端面にカケが生じる不具合が生じたり、チッピング（微小破片）が発生する不具合も生じたりしていた。
【００１０】
そこで、１回目のレーザ照射による局所加熱と直後の冷媒噴射による局所冷却とによるレーザスクライブ後に、形成されたスクライブラインに沿って２回目のレーザ照射を行うことでクラックを深く浸透させるレーザ加工が開示されている（例えば特許文献４参照）。これによれば、レーザ照射による第一ビームスポット、冷媒噴射による冷却スポット、レーザ照射による第二ビームスポットの順に走査し、第一、第二ビームスポットはいずれも冷却スポットに近接した端部においてのみ最大エネルギー強度となる特殊なエネルギー布を有するスポット形状で照射することにより、大きな応力勾配で深いクラックを形成できることが開示されている。
【００１１】
また、１回目の楕円形状のレーザ照射による加熱と直後の冷媒噴射による冷却とによるレーザスクライブ後に、形成されたスクライブラインに沿って２回目のレーザ照射を行い、このときのビームスポット形状（エネルギー源の形状、配置）を最適化することにより基板を分断する方法（例えば特許文献５参照）が開示されている。これによれば、楕円形状のレーザビームの長軸、短軸の比を最適化し、ビームを非対称形状にして短軸については特殊なエネルギー分布にすることにより分断できることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】国際公開番号ＷＯ０３／００８３５２公報
【特許文献２】特開２００４−１５５１５９号公報
【特許文献３】特開２００１−１７０７８６号公報
【特許文献４】国際公開番号ＷＯ０３／０１３８１６公報
【特許文献５】特開２００３−１１７９２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
特許文献４、特許文献５に記載された発明によれば、レーザスクライブ加工でスクライブラインを形成後に、当該スクライブラインに沿って２回目のレーザ照射を行うことにより、スクライブライン（クラック）を深く浸透させることができ、また、裏面に達するまで浸透させて完全分断することができる。しかも熱応力を利用した非接触による加工なので、加工端面（分断面）を優れた品質にすることができる。
【００１４】
その一方で、ビームスポット形状が制限されたりするように、加工条件の設定幅（プロセスウィンドウ）の自由度が狭く、ビームスポット形状や冷却スポット形状が加工の成否に影響を及ぼすので、これらのパラメータを含む加工条件の最適化が困難である。
例えば、特許文献５には、１回目、２回目のレーザ照射における長軸長さや短軸長さの関係が適切な範囲にないと分断できないことが記載されている。さらには分断が行われない場合に過度なエネルギーを加えると表面が熱により焦げるスコーチング現象が発生することが開示されている。
【００１５】
また、加工条件を最適化したとしても、基板の材質によっては加工の成否に影響する。具体的には、線膨張係数が大きい化学強化ソーダガラスでは、１回目に細長い楕円状のビームスポット形状のレーザ照射により加熱するとともに加熱直後に冷媒を噴射してスクライブラインを形成し、続いて、１回目と異なるビーム形状、すなわち幅広で短いビームスポット形状で２回目のレーザ照射（レーザブレイク）を行うことにより基板を分断することができる。
しかしながら、同じ加工条件であっても、線膨張係数の小さい無アルカリガラス（例えばコーニング社製ガラス  商品名：イーグル2000）については、上述した化学強化ソーダガラスのときと同じ加工条件で２回目のレーザ照射を実行しても分断できない。この場合、加熱量を増やして無理に分断しようとすると熱で基板が変質し、加熱量を減らすとスクライブラインは全く変化しない。
【００１６】
そこで、本発明は、線膨張係数が小さい無アルカリガラスを分断する際にも、確実に分断することができ、しかも端面品質が優れたレーザ加工方法を提供することを目的とする。
【００１７】
また、本発明はガラス等の脆性材料基板に対し、レーザスクライブ加工でスクライブラインを形成し、その後にレーザブレイク処理を実行して基板を分断する際に、条件設定幅の自由度が大きく、それゆえプロセスウィンドウが広くなり、しかも端面品質が優れたレーザ加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するためになされた本発明のレーザ加工方法は、脆性材料基板に設定した分断予定ラインに沿ってレーザ照射を行うことにより、前記基板を分断する脆性材料基板のレーザ加工方法であって、（ａ）前記基板の第一面上で、第一回目のレーザ照射を行う第一ビームスポットを分断予定ラインに沿って相対移動させて前記基板を局所加熱するとともに、第一ビームスポットが通過した直後の部位に冷媒を相対移動させつつ噴射して局所冷却し、前記基板にスクライブラインを形成するレーザスクライブ工程と、（ｂ）第二回目のレーザ照射を行う第二ビームスポットを、前記スクライブラインに沿って前記基板の第一基板とは反対面となる第二面側から相対移動させて前記基板を加熱するとともに、第二ビームスポットが通過した直後の部位に冷媒を相対移動させつつ噴射して冷却し、前記基板を完全に分断するレーザブレイク工程とからなる。
【００１９】
本発明によれば、レーザスクライブ加工により第一面にレーザスクライブによりスクライブラインを形成した後に、第一面から見て反対面となる第二面（裏面）側からスクライブラインに沿って第二ビームスポットを走査して局所加熱する。このとき第二面の表面近傍に加熱による圧縮応力が働き、その反力で第一面側には引張応力が加わり、スクライブライン（クラック）が深さ方向に浸透するようになる。ここまでの工程で、スクライブライン（クラック）が第二面まで到達して完全分断になることもあるが、スクライブライン（クラック）が第二面に到達しない場合もある。そのため続いて第二ビームスポットの直後に冷媒を噴射して局所冷却することで、第二面側の表面近傍に引張応力が働くようにする。このとき第一面側には圧縮応力が反力として働くようになるのでスクライブライン（クラック）の浸透を抑制されることも予想されたが、実際には予想に反してクラックの浸透が促進され、１００％の確率で完全分断される実験結果が得られた。第二ビームスポットによる局所加熱によって既にスクライブラインを十分深く浸透できているので、第二面側の引張応力が有効に働き、第一面側に働く圧縮応力はあまり影響しなかったものと考えられる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、第一面側でのレーザスクライブ加工によるスクライブライン形成後に、第二面側でのレーザ照射による局所加熱でスクライブラインを浸透させることができ、さらに、その直後の冷媒噴射による局所冷却を行うようにしたので、確実に基板を完全分断することができるようになる。
【００２１】
（その他の課題を解決する手段および効果）
上記発明において、レーザスクライブ工程における第一ビームスポットによる加熱と、レーザブレイク工程における第二ビームスポットによる加熱とが同一条件で行われるようにするのが好ましい。ここで、「同一条件」とは、レーザ照射の際のビームスポット形状、レーザ出力、レーザ走査速度の加工条件が同じであって、第一回目と第二回目とで加工条件を変化させないことをいう。
これによれば、第一回目と第二回目とで加工条件を変更する必要がなくなり、第二回目の加工条件の最適化が必要なくなる。また、連続して複数の基板を次々と加工する場合に、第一面の加工を行う基板と第二面の加工を行う基板とが入り混じっていても気にすることなく加工することができる。
【００２２】
上記発明において、レーザスクライブ工程の後に、前記基板を反転してレーザブレイク工程を行うようにしてもよい。
これによれば、１つのレーザ装置と１つの冷媒を噴射する機構とがあれば本発明方法による加工を実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の基板加工方法を実施する際に用いるレーザ加工装置の概略的な構成図である。
【図２】第一回目のレーザ照射によりスクライブラインを形成するレーザスクライブ工程の加工動作手順を示す図である。
【図３】第二回目のレーザ照射によりレーザブレイク処理を行うレーザブレイク工程の加工動作手順を示す図である。
【図４】レーザスクライブ工程およびレーザブレイク工程における各工程での基板断面を示す図である。
【図５】レーザスクライブを表面、レーザブレイクを裏面から行ったときの無アルカリガラス基板の断面図である。
【図６】レーザスクライブを表面、レーザブレイクも表面から行ったときの無アルカリガラス基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
（レーザ加工装置）
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
最初に、本発明の加工方法を実施する際に用いるレーザ加工装置の一例について説明する。図１は本発明の加工方法を実施することができるレーザ加工装置ＬＳ１の概略構成図である。ここではガラス基板を加工する場合を例に説明する。対象となるガラス基板は特に限定されないが、レーザブレイクが困難であった無アルカリガラス基板であってもよい。具体的には、コーニング社製ガラス商品名：イーグル2000、＃7059、＃1737、ＨＯＹＡ社製NA35、日本電気硝子社製OA10等の無アルカリガラスを加工する場合に、本発明は特に有効になる。
【００２５】
まず、基板加工装置ＬＳ１の全体構成について説明する。水平な架台１上に平行に配置された一対のガイドレール３，４に沿って、図１の紙面前後方向（以下Ｙ方向という）に往復移動するスライドテーブル２が設けられている。両ガイドレール３，４の間に、スクリューネジ５が前後方向に沿って配置され、このスクリューネジ５に、スライドテーブル２に固定されたステー６が螺合されており、スクリューネジ５をモーター（不図示）によって正、逆転することにより、スライドテーブル２がガイドレール３，４に沿ってＹ方向に往復移動するように形成されている。
【００２６】
スライドテーブル２上に、水平な台座７がガイドレール８に沿って、図１の左右方向（以下Ｘ方向という）に往復移動するように配置されている。台座７に固定されたステー１０ａに、モーター９によって回転するスクリューネジ１０が貫通螺合されており、スクリューネジ１０ａが正、逆転することにより、台座７がガイドレール８に沿って、Ｘ方向に往復移動する。
【００２７】
台座７上には、回転機構１１によって回転するテーブル１２が設けられており、このテーブル１２の上に、ガラス基板Ａが水平な状態で取り付けられる。回転機構１１は、テーブル１２を、垂直な軸の周りで回転させるようになっており、基準位置に対して任意の回転角度になるように回転できるように形成されている。また、ガラス基板Ａは、吸引チャックによってテーブル１２に固定される。
【００２８】
テーブル１２の上方には、レーザ装置１３と光学ホルダ１４とが取付フレーム１５に保持されている。
レーザ装置１３は、脆性材料基板の加工用として一般的なものを使用すればよく、具体的にはエキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ又は一酸化炭素レーザなどが使用される。ガラス基板Ａの加工には、ガラス材料のエネルギー吸収効率が大きい波長の光を発振する炭酸ガスレーザを使用することが好ましい。
【００２９】
レーザ装置１３から出射されたレーザビームは、ビーム形状を調整するためのレンズ光学系が組み込まれた光学ホルダ１４によって、予め設定した形状のビームスポットがガラス基板Ａ上に照射される。ビームスポットの形状については、長軸を有する形状（楕円形状、長円形状など）が、分断予定ラインに沿って効率よく加熱できる点で優れているが、ラインに沿って局所加熱できる限りビームスポットの形状は特に限定されない。本実施形態では、楕円形状のビームスポットが形成されるようにしてある。
【００３０】
取付フレーム１５には、光学ホルダ１４に近接して、冷却ノズル１６が設けられている。冷却ノズル１６からは冷媒が噴射される。冷媒には、冷却水、圧縮空気、Ｈｅガス、炭酸ガス等を用いることができるが、本実施形態では水を含んだ圧縮空気を噴射するようにしてある。
冷却ノズル１６から噴射される冷却媒体は、ビームスポットの左端から少し離れた位置に向けられ、ガラス基板Ａの表面に冷却スポットを形成するようにしてある。
【００３１】
また、取付フレーム１５には、カッターホイール１８が、昇降機構１７を介して取り付けられている。このカッターホイール１８は、ガラス基板Ａに初期亀裂Ｔｒを形成するときに、ガラス基板Ａの上方から一時的に下降するようにして用いられる。なお、カッターホイール１８は必ずしも必要ではない。すなわち、基板Ａの分断予定ラインの端に初期亀裂Ｔｒを、前工程で予め形成しておいてもよい。
【００３２】
また、基板加工装置ＬＳ１には、予めガラス基板Ａに刻印されている位置決め用のアライメントマークを検出することができるカメラ２０が搭載されており、カメラ２０により検出されたアライメントマークの位置から、基板Ａ上に設定された分断予定ラインの位置とテーブル１２との対応位置関係を求め、カッターホイール１８の下降位置やレーザビームの照射位置がスクライブ予定ライン上にくるように、正確に位置決めできるようにしてある。
【００３３】
（加工動作手順）
次に、上記基板加工装置ＬＳ１による加工動作手順について説明する。図２は第一回目のレーザ照射によりスクライブラインを形成するレーザスクライブ工程の加工動作手順を示す図であり、図３は第二回目のレーザ照射によりレーザブレイク処理を行うレーザブレイク工程の加工動作手順を示す図である。なお、図２、図３では図１の要部のみを図示している。また、図４は図２、図３における各工程での基板断面を示す図である。
【００３４】
まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板Ａがテーブル１２の上に載置され、吸引チャックによって固定される。カメラ２０（図１参照）によってガラス基板Ａに刻印されてあるアライメントマークが検出され、その検出結果に基づいて位置調整を行い、分断予定ラインと、テーブル１２、スライドテーブル２、台座７との位置が関係付けられる。そしてテーブル１２およびスライドテーブル２を作動し、カッターホイール１８の刃先方向が分断予定ラインの方向に並ぶように位置が調整される。図４（ａ）はこのときの基板断面である。第一面Ｆと第二面Ｒのいずれにも何も形成されていない。
【００３５】
続いて、図２（ｂ）に示すように、昇降機構１７でカッターホイールを下降し、テーブル１２を移動して、ガラス基板Ａの初期亀裂Ｔｒを形成しようとする端面Ａ１にカッターホイール１８を当てて、初期亀裂Ｔｒを形成する（なお、予め基板Ａに初期亀裂が形成されている場合は図２（ｂ）の動作は省略できる）。
【００３６】
続いて、図２（ｃ）に示すように、昇降機構１７およびテーブル１２を元の位置（図２（ａ）の位置）に戻し、レーザスクライブの準備のためにレーザ装置１３を作動してレーザビームを照射する。また冷却ノズル１６から冷媒を噴射する。このとき設定するレーザ出力Ｐ１やレーザ走査速度Ｖ１、ビームスポット形状、冷媒噴射量等の加熱条件、冷却条件は、基板に貫通クラックが発生しない（すなわちフルカットにならない）範囲内で設定する。これらの加工条件は予備実験で求めておく。
【００３７】
続いて、図２（ｄ）に示すように、テーブル１２を速度Ｖ１で移動し、基板Ａ上に形成されるレーザ出力Ｐ１でのレーザビームの第一ビームスポット、および、冷却ノズル１６からの冷媒による冷却スポットが、この順で分断予定ラインに沿って速度Ｖ１で走査されるようにする。このとき、基板上への走査順による時間差で、基板内に圧縮応力場、基板表面に引張応力場が発生し、この応力差によって基板表面から圧縮応力場に至るまでの深さのスクライブライン（クラックＣｒ）が形成される。図４（ｂ）はこのときの基板断面である。第一面Ｆ側にスクライブラインが形成されている。圧縮応力場はクラックの進行を抑制するのでクラック先端は圧縮応力場の上で停止する。
【００３８】
以上の動作により、基板Ａの第一面Ｆには、クラックＣｒからなるスクライブラインが確実に形成される。（このときフルカット（貫通クラック）とならない範囲のレーザの加熱条件や冷媒による冷却条件を選択していることは言うまでもない）。
【００３９】
続いて、図３（ａ）に示すように、テーブル１２を元の位置（図２（ａ）の位置）に戻す。そして基板Ａを反転する。本実施形態では基板反転を手動で行うが、搬送用のロボットアームを設置して基板を自動反転させてもよい。図４（ｃ）は反転後の基板断面を示している。
さらに、レーザブレイクの準備のために、レーザ装置１３を作動してレーザビームを照射する。また冷却ノズル１６から冷媒を噴射する。このとき設定するレーザ出力Ｐ１やレーザ走査速度Ｖ１、ビームスポット形状、冷媒噴射量等の加熱条件、冷却条件は、レーザスクライブの際に設定した加工条件（図２（ｃ））と同一条件にする。なお、レーザ出力や走査速度、ビームスポット形状を変更してもよいが、本発明の加工方法ではプロセスウィンドウが十分に広いので、変更するまでもなく加工できることから、そのままの加工条件を用いる。
【００４０】
続いて、図３（ｂ）に示すように、テーブル１２を速度Ｖ１で移動し、レーザ出力Ｐ１で基板Ａ上に形成される第二ビームスポット、および、冷却ノズル１６からの冷媒による冷却スポットが、この順で分断予定ラインに沿って速度Ｖ１で走査されるようにする。
このとき、まず第二ビームスポットが照射されることにより、図４（ｄ）に示すように第二面Ｒ側に圧縮応力が加わるが、同時に反力として第一面Ｆ側に引張応力が加わるようになり、これによりスクライブライン（クラックＣｒ）が深く浸透するようになる。この段階で完全分断されてしまう場合もあるが、完全分断に至らない場合もある。後者の場合には続いて冷却スポットが通過すると、第二面Ｒの表面に引張応力が働くようになり、深く浸透したスクライブライン（クラックＣｒ）の先端がさらに浸透するようになり、完全分断に至る（図４（ｅ））。
【００４１】
（実施例）
本発明の効果を検証するため、無アルカリガラスに対して、レーザスクライブ工程を表面に行い、続いてレーザブレイク工程を裏面から行う場合と表面から行う場合とを比較した。
使用した無アルカリガラスは、コーニング社製のイーグル2000であり、ガラスの板厚は０．７ｍｍである。
【００４２】
図５は表面のレーザスクライブ工程後に、レーザブレイク工程を裏面側から行ったときの断面図である。
レーザ出力２６０Ｗ、走査速度４０ｍｍ／秒の条件下でレーザスクライブを行い、２１５μｍの亀裂が形成された。その後、続いてレーザ出力２６０Ｗ、走査速度４０ｍｍ／秒の同一条件下で裏面からレーザブレイクを行うと、完全分断することができた。端面は非常にきれいであった。
【００４３】
図６は表面のレーザスクライブ工程後に、レーザブレイク工程を同じ表面側から行ったときの断面図である。
なお、図５と同じ照射条件でレーザスクライブ後に、図５と同じ照射条件で表面側からレーザブレイクを行っても亀裂は全く浸透せず分断することができなかったので、レーザスクライブで形成する亀裂を深くしておくためレーザ出力を高めるようにし、レーザスクライブによる亀裂が３００μｍになるようにした。そのようなレーザ出力条件下で、続いて表面からレーザブレイクを行ったが、亀裂はほとんど浸透せず、表面に過熱による変質部分が発生することとなった。
【００４４】
すなわち、レーザスクライブを行った表面側と同じ側からレーザブレイクを行っても、亀裂を浸透させる効果はなく、しかも加える照射エネルギーが過大になると変質してしまう結果が得られた。
これに対し、レーザスクライブを行う表面とは反対の裏面からレーザブレイクを行った場合には、亀裂を浸透させる効果があり、過大な照射エネルギーを与えなくても亀裂を浸透させて分断できることがわかった。
【００４５】
（変形実施形態）
上述した実施形態では、第一、第二ビームスポット、および、冷却スポットがいずれもテーブル１２の片側から形成するようにし、基板を反転するようにしたが、テーブル１２を分割し、分割された間隙部分の下からもビームスポットや冷却スポットを形成するようにすれば、基板を反転することなく、基板の上下方向からビームスポットや冷却スポットを形成することもできる。
【００４６】
上述した実施形態ではガラス基板を例に説明したが、レーザスクライブが可能な脆性材料基板であれば、セラミック、半導体等の他の脆性材料基板でも本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、ガラス基板等の脆性材料基板に対し、完全分断する加工に利用することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１２  テーブル
１３  レーザ装置
１６  冷却ノズル
１８  カッターホイール
Ａ  ガラス基板（脆性材料基板）
Ｃｒ  クラック
Ｔｒ  初期亀裂
【図１】
2011201200.tif 000003
【図２】
2011201200.tif 000004
【図３】
2011201200.tif 000005
【図４】
2011201200.tif 000006
【図５】
2011201200.tif 000007
【図６】
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