(57)【要約】【課題】ヘッドスライダの姿勢に依らずに磁気ディスクの接触を検知することが可能な磁気ディスク装置を提供する。【解決手段】本発明の磁気ディスク装置に含まれるヘッドスライダ４は、気体流Ｆの流出側に設けられる、複数の薄膜が積層された薄膜積層部４２内に、ディスク対向面４ａに端面が現れ、磁気ディスクとの接触を検知する第１の接触検知素子４５ａと第２の接触検知素子４５ｂを含む。第１の接触検知素子４５ａは、スライダ幅方向Ｗの中央から一方に離れて配置され、第２の接触検知素子４５ｂは、スライダ幅方向Ｗの中央から他方に離れて配置される。【選択図】図２Ｂ
2011123967.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスクの回転により生じる気体流を受け、前記気体流の流出側が流入側よりも前記磁気ディスクに近づいた姿勢で浮上するヘッドスライダを備える磁気ディスク装置であって、
前記ヘッドスライダは、
前記気体流の流出側に設けられる、複数の薄膜が積層された薄膜積層部内に、
スライダ幅方向の中央から一方に離れて配置され、ディスク対向面に端面が現れ、前記磁気ディスクとの接触を検知する第１の接触検知素子と、
前記スライダ幅方向の中央から他方に離れて配置され、前記ディスク対向面に端面が現れ、前記磁気ディスクとの接触を検知する第２の接触検知素子と、
を含む、
ことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】
前記第２の接触検知素子の検知信号の反転信号を出力する反転回路と、
前記第１の接触検知素子の検知信号と前記反転信号との差分信号を出力する差動回路と、
前記差分信号に基づいて、前記磁気ディスクと前記ヘッドスライダとの接触を判定する判定回路と、
をさらに備える、
請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記第１の接触検知素子の検知信号と、前記第２の接触検知素子の検知信号との大小を比較する比較回路、
をさらに備える、
請求項２に記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記ヘッドスライダのロール姿勢を制御するアクチュエータと、
前記第１の接触検知素子の検知信号と、前記第２の接触検知素子の検知信号とに基づいて、前記アクチュエータを駆動する制御回路と、
をさらに備える、
請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記第１の接触検知素子の検知信号と、前記第２の接触検知素子の検知信号とに基づいて、前記ヘッドスライダが接触した前記磁気ディスクの中の位置を記録する記録回路、
をさらに備える、
請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】
前記ヘッドスライダは、
記録再生素子と、
前記記録再生素子を前記磁気ディスクの方向に変位させる変位素子と、
を含み、
前記記録された位置上を前記記録再生素子が通過するタイミングで、前記記録再生素子の前記磁気ディスクの方向への変位を抑制する制御回路、
をさらに備える、
請求項５に記載の磁気ディスク装置。
【請求項７】
前記ヘッドスライダは、
前記気体流の流入側に配置され、前記ディスク対向面に端面が現れ、前記磁気ディスクとの接触を検知する第３の接触検知素子、
を含む、
請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項８】
磁気ディスクの回転により生じる気体流を受け、前記気体流の流出側が流入側よりも前記磁気ディスクに近づいた姿勢で浮上するヘッドスライダであって、
前記気体流の流出側に設けられる、複数の薄膜が積層された薄膜積層部内に、
スライダ幅方向の中央から一方に離れて配置され、ディスク対向面内に端面が現れ、前記磁気ディスクとの接触を検知する第１の接触検知素子と、
前記スライダ幅方向の中央から他方に離れて配置され、前記ディスク対向面内に端面が現れ、前記磁気ディスクとの接触を検知する第２の接触検知素子と、
を含む、
ことを特徴とするヘッドスライダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置およびヘッドスライダに関し、特には、ヘッドスライダと磁気ディスクの接触を検知する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置では、磁気ディスク上に浮上するヘッドスライダによって、データの読み書きが行われる。近年、ヘッドスライダの浮上高さは、１０ｎｍ以下まで狭小化されており、ヘッドスライダと磁気ディスクの接触が問題となっている。
【０００３】
特許文献１には、磁気抵抗効果素子からなる再生素子の出力信号を監視することで、ヘッドスライダと磁気ディスクの接触を検知する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２５０１７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術では、ヘッドスライダが気体流の乱れ等によってロール方向に傾いた姿勢で磁気ディスクと接触すると、接触を検知できないおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みて為されたものであり、ヘッドスライダの姿勢に依らずに磁気ディスクとの接触を検知することが可能な磁気ディスク装置およびヘッドスライダを提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の磁気ディスク装置は、磁気ディスクの回転により生じる気体流を受け、前記気体流の流出側が流入側よりも前記磁気ディスクに近づいた姿勢で浮上するヘッドスライダを備える。前記ヘッドスライダは、前記気体流の流出側に設けられる、複数の薄膜が積層された薄膜積層部内に、ディスク対向面に端面が現れ、前記磁気ディスクとの接触を検知する第１の接触検知素子と第２の接触検知素子を含む。前記第１の接触検知素子は、スライダ幅方向の中央から一方に離れて配置され、前記第２の接触検知素子は、前記スライダ幅方向の中央から他方に離れて配置される。
【０００８】
また、本発明のヘッドスライダは、磁気ディスクの回転により生じる気体流を受け、前記気体流の流出側が流入側よりも前記磁気ディスクに近づいた姿勢で浮上する。前記ヘッドスライダは、前記気体流の流出側に設けられる、複数の薄膜が積層された薄膜積層部内に、ディスク対向面に端面が現れ、前記磁気ディスクとの接触を検知する第１の接触検知素子と第２の接触検知素子を含む。前記第１の接触検知素子は、スライダ幅方向の中央から一方に離れて配置され、前記第２の接触検知素子は、前記スライダ幅方向の中央から他方に離れて配置される。
【発明の効果】
【０００９】
上記本発明によると、第１の接触検知素子がスライダ幅方向の中央から一方に離れて配置され、第２の接触検知素子がスライダ幅方向の中央から他方に離れて配置されるので、ヘッドスライダの姿勢に依らずに磁気ディスクとの接触を検知することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置の構成例を表すブロック図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係るヘッドスライダの浮上を表す図である。
【図２Ｂ】同ヘッドスライダのディスク対向面を表す図である。
【図３】同磁気ディスク装置に含まれる回路構成例を表すブロック図である。
【図４】同ヘッドスライダに設けられるアクチュエータの構成例を表す図である。
【図５】同磁気ディスク装置の動作例を表すフローチャートである。
【図６】同磁気ディスク装置の動作例を表すフローチャートである。
【図７】同磁気ディスク装置の動作例を表すフローチャートである。
【図８】同ヘッドスライダの浮上を表す図である。
【図９】同ヘッドスライダのディスク対向面を表す図である。
【図１０Ａ】同ヘッドスライダの浮上を表す図である。
【図１０Ｂ】同ヘッドスライダの浮上を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の磁気ディスク装置およびヘッドスライダの実施形態を、図面を参照しながら説明する。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置１の構成例を表すブロック図である。磁気ディスク装置１の筐体９には、磁気ディスク２及びヘッドアッセンブリ６が収納されている。磁気ディスク２は、筐体９の底部に設けられたスピンドルモータ３に取り付けられている。磁気ディスク２には、同心円状に配列する複数のトラック２１が形成されている。
【００１３】
ヘッドアッセンブリ６は、磁気ディスク２の隣で旋回可能に支承されている。ヘッドアッセンブリ６の先端部には、ヘッドスライダ４が支持されている。他方、ヘッドアッセンブリ６の後端部には、ボイスコイルモータ７が設けられている。ボイスコイルモータ７は、ヘッドアッセンブリ６を旋回させることで、ヘッドスライダ４を磁気ディスク２上で略半径方向に移動させる。
【００１４】
また、磁気ディスク装置１は、筐体９外の基板に、主制御回路１０と、リードライトチャネル（Ｒ／Ｗチャネル）１３と、モータドライバ１７とを有している。主制御回路１０は、マイクロプロセッシングユニット（ＭＰＵ）と、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）と、メモリとを含んでいる。
【００１５】
データの書き込みは、次のように行われる。主制御回路１０は、ユーザデータを外部ホストから受信すると、受信したユーザデータをＲ／Ｗチャネル１３へ出力する。Ｒ／Ｗチャネル１３は、入力されたユーザデータを変調して、ヘッドアンプ１４へ出力する。ヘッドアンプ１４は、変調されたユーザデータを記録信号に変換して、ヘッドスライダ４に含まれる記録再生素子へ出力する。記録再生素子は、記録信号に応じた記録磁界を磁気ディスク２に印加する。
【００１６】
データの読み出しは、次のように行われる。ヘッドスライダ４に含まれる記録再生素子は、磁気ディスク２から漏れ出る磁界から再生信号を読み出し、ヘッドアンプ１４へ出力する。ヘッドアンプ１４は、入力された再生信号を増幅して、Ｒ／Ｗチャネル１３へ出力する。Ｒ／Ｗチャネル１３は、増幅された再生信号をデジタルデータに変換し、復調して、主制御回路１０へ出力する。主制御回路１０は、復調されたユーザデータを外部ホストへ送信する。
【００１７】
また、Ｒ／Ｗチャネル１３は、再生信号から所定のサンプリング周期でサーボデータを抽出して、主制御回路１０へ出力する。主制御回路１０は、入力されるサーボデータに基づいて、ヘッドスライダ４の位置制御を行う。
【００１８】
図２Ａは、ヘッドスライダ４の浮上を表す図であり、図２Ｂは、ヘッドスライダ４のディスク対向面４ａを表す図である。これらの図において、矢印Ｆは、ヘッドスライダ４が受ける気体流の方向を表し、矢印Ｗは、ヘッドスライダ４のスライダ幅方向を表す。ヘッドスライダ４の、磁気ディスク２と対向するディスク対向面４ａには、空気軸受面（ＡＢＳ）が形成されている。ヘッドスライダ４は、磁気ディスク２の回転により生じる気体流をディスク対向面４ａで受けることで、気体流の流出側が流入側よりも磁気ディスク２に近づいた姿勢で、磁気ディスク２上に近接浮上する。
【００１９】
ヘッドスライダ４は、アルミナとチタンカーバイトの焼結体（いわゆるアルチック）からなる基板部４１を有しており、基板部４１の気体流出側の端面上には、アルミナからなる複数の薄膜が積層されてできた薄膜積層部４２が設けられている。薄膜積層部４２のスライダ幅方向の中央には、ディスク対向面４ａに端面が現れた、データを読み書きするための記録再生素子４３が含まれている。
【００２０】
また、薄膜積層部４２内の、記録再生素子４３からスライダ幅方向の一方に離れた位置には、ディスク対向面４ａに端面が現れた第１の接触検知素子４５ａが配置されており、記録再生素子４３からスライダ幅方向の他方に離れた位置には、ディスク対向面４ａに端面が現れた第２の接触検知素子４５ｂが配置されている。
【００２１】
このように、薄膜積層部４２内には、スライダ幅方向の中央を挟んだ両方に第１の接触検知素子４５ａ及び第２の接触検知素子４５ｂが設けられている。これによると、ヘッドスライダ４が気体流の乱れ等によってロール方向に傾いても、第１の接触検知素子４５ａ及び第２の接触検知素子４５ｂの一方が磁気ディスク２に接触するため、ヘッドスライダ４と磁気ディスク２の接触を検知することが可能である。
【００２２】
また、第１の接触検知素子４５ａ及び第２の接触検知素子４５ｂの一部または全部は、記録再生素子４３と同じ層内に設けられる。これによると、第１の接触検知素子４５ａ及び第２の接触検知素子４５ｂを記録再生素子４３と同じ工程で形成することが可能である。また、第１の接触検知素子４５ａ及び第２の接触検知素子４５ｂは、記録再生素子４３より気体流出側に設けられてもよい。
【００２３】
第１の接触検知素子４５ａ及び第２の接触検知素子４５ｂとしては、例えば、磁気ディスク２との接触によって発生する摩擦熱を検知可能なものが適用される。一例としては、従来から再生素子として用いられている巨大抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）がある。また、摩擦熱によって電気抵抗が変化する抵抗体が用いられてもよい。
【００２４】
以下、上記ヘッドスライダ４を利用した４つの実施形態について説明する。
【００２５】
［第１実施形態］
図３は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置１に含まれる回路構成例を表すブロック図である。本実施形態では、磁気ディスク装置１のヘッドアンプ１４に反転回路３２、差動回路３４及び比較回路３８が含まれ、主制御回路１０には衝突判定回路３６及び左右判定回路３９が含まれる。
【００２６】
第１の接触検知素子４５ａの検出信号は、オペアンプからなる差動回路３４の非反転入力端子に入力される。第２の接触検知素子４５ｂの検出信号は、反転回路３２により位相が反転されて、差動回路３４の反転入力端子に入力される。差動回路３４は、第１の接触検知素子４５ａの検知信号と、第２の接触検知素子４５ｂの検知信号の反転信号と、を差動増幅した差分信号を生成し、衝突判定回路３６に出力する。衝突判定回路３６は、入力される差分信号の強度に基づいて、ヘッドスライダ４が磁気ディスク２に接触したか否かを判定する。
【００２７】
こうした差分信号では、検知信号に係る成分が高められ、ノイズ成分が抑制されるので（すなわち、Ｓ／Ｎ化が向上するので）、ヘッドスライダ４と磁気ディスク２の接触の判定精度を向上させることが可能である。
【００２８】
また、第１の接触検知素子４５ａの検出信号は、比較回路３８の非反転入力端子に入力され、第２の接触検知素子４５ｂの検出信号は、比較回路３８の反転入力端子に入力される。比較回路３８は、第１の接触検知素子４５ａの検出信号の強度が第２の接触検知素子４５ｂの検出信号より高い場合に正の電圧を出力し、第１の接触検知素子４５ａの検出信号の強度が第２の接触検知素子４５ｂの検出信号より低い場合に負の電圧を出力する。左右判定回路３９は、比較回路３８からの電圧入力に基づいて、第１の接触検知素子４５ａと第２の接触検知素子４５ｂのどちら側に磁気ディスク２が接触したかを判定する。
【００２９】
このため、上記衝突判定回路３６によって接触が判定されたときの、第１の接触検知素子の検知信号と第２の接触検知素子の検知信号の大小が比較されることで、接触の判定精度を向上させつつ、第１の接触検知素子４５ａと第２の接触検知素子４５ｂのどちら側に磁気ディスク２が接触したかを判定することが可能となる。
【００３０】
［第２実施形態］
図４は、第２実施形態に係るヘッドスライダ４に設けられるアクチュエータの構成例を表す図である。ヘッドスライダ４のうち、ディスク対向面４ａとは反対側に位置する支持面４ｂ上には、スライダ幅方向の一方に離れて配置された第１のアクチュエータ６５ａと、スライダ幅方向の他方に離れて配置された第２のアクチュエータ６５ｂと、が設けられている。
【００３１】
第１のアクチュエータ６５ａと第２のアクチュエータ６５ｂは、ヘッドスライダ４の支持面４ｂのうち気体流出側の端部に配置されている。また、第１のアクチュエータ６５ａと第２のアクチュエータ６５ｂは、第１の接触検知素子４５ａ又は第２の衝突検知素子４５ｂと同程度、スライダ幅方向の中央から離れて配置されている。第１のアクチュエータ６５ａと第２のアクチュエータ６５ｂの上面には、スライダ幅方向に延びる板状の支持部材６１が架け渡されている。第１のアクチュエータ６５ａと第２のアクチュエータ６５ｂは、ピエゾ素子を含んだアクチュエータであり、支持部材６１に設けられた配線を通じて上記主制御回路１０により駆動される。
【００３２】
第１のアクチュエータ６５ａは、制御信号が入力されると、第１の接触検知素子４５ａ側が磁気ディスク２に近づき、第２の接触検知素子４５ｂ側が磁気ディスク２から遠ざかるように、ヘッドスライダ４にロール方向の力を印加する。他方、第２のアクチュエータ６５ｂは、制御信号が入力されると、第２の接触検知素子４５ｂ側が磁気ディスク２に近づき、第１の接触検知素子４５ａ側が磁気ディスク２から遠ざかるように、ヘッドスライダ４にロール方向の力を印加する。このようにして、ヘッドスライダ４のロール姿勢が制御される。
【００３３】
図５は、第２実施形態に係る磁気ディスク装置１の動作例を表すフローチャートである。まず、主制御回路１０は、上記衝突判定回路３６（図３を参照）の機能によって、ヘッドスライダ４が磁気ディスク２に接触したか否かを判定する（Ｓ１１）。接触が判定された場合（Ｓ１１：ＹＥＳ）、主制御回路１０は、上記左右判定回路３９（図３を参照）の機能によって、第１の接触検知素子４５ａと第２の接触検知素子４５ｂのどちら側に磁気ディスク２が接触したかを判定する（Ｓ１２）。
【００３４】
第１の接触検知素子４５ａ側に磁気ディスク２が接触した場合（Ｓ１２：ＹＥＳ）、主制御回路１０は、第２のアクチュエータ６５ｂを駆動する（Ｓ１３）。これにより、第１の接触検知素子４５ａ側が磁気ディスク２から遠ざかるように、ヘッドスライダ４の姿勢が制御される。すなわち、ヘッドスライダ４は、第１の接触検知素子４５ａ側が磁気ディスク２に近づくように傾いているため、第２のアクチュエータ６５ｂを駆動することで傾きが矯正される
【００３５】
他方、第２の接触検知素子４５ｂ側に磁気ディスク２が接触した場合（Ｓ１２：ＮＯ）、主制御回路１０は、第１のアクチュエータ６５ａを駆動する（Ｓ１４）。これにより、第２の接触検知素子４５ｂ側が磁気ディスク２から遠ざかるように、ヘッドスライダ４の姿勢が制御される。すなわち、ヘッドスライダ４は、第２の接触検知素子４５ｂ側が磁気ディスク２に近づくように傾いているため、第１のアクチュエータ６５ａを駆動することで傾きが矯正される。
【００３６】
［第３実施形態］
図６は、第３実施形態に係る磁気ディスク装置１の動作例を表すフローチャートである。まず、主制御回路１０は、上記衝突判定回路３６（図３を参照）の機能によって、ヘッドスライダ４が磁気ディスク２に接触したか否かを判定する（Ｓ２１）。
【００３７】
接触が判定された場合（Ｓ２１：ＹＥＳ）、主制御回路１０は、ヘッドスライダ４が接触した磁気ディスク２の中の位置を特定する（Ｓ２２）。主制御回路１０は、記録再生素子４３が読み出す再生信号から抽出されるサーボデータによって、磁気ディスク２の中の記録再生素子４３の位置を特定することが可能であるので、この機能を利用して、ヘッドスライダ４が接触した磁気ディスク２の中の位置を特定する。具体的には、主制御回路１０は、衝突が判定されたときの、磁気ディスク２の中の記録再生素子４３の位置と、予めメモリに記憶される、記録再生素子４３を基準とする第１の接触検知素子４５ａ又は第２の接触検知素子４５ｂ位置と、に基づいて、磁気ディスク２の中のヘッドスライダ４が接触した位置を特定する。第１の接触検知素子４５ａと第２の接触検知素子４５ｂのどちら側に磁気ディスク２が接触したかは、上記左右判定回路３９（図３を参照）の機能によって判定される。
【００３８】
その後、主制御回路１０は、上記Ｓ２２で特定された位置を、接触危険位置として登録する（Ｓ２３：記録回路としての機能）。すなわち、主制御回路１０のメモリには、磁気ディスク２の中でヘッドスライダ４と接触の可能性がある突起などの欠陥の位置を記録した欠陥登録テーブルが格納されており、この欠陥登録テーブルに、上記Ｓ２２で特定された位置が記録される。登録された衝突危険位置は、以下のようにして使用される。
【００３９】
図７は、第３実施形態に係る磁気ディスク装置１の動作例を表すフローチャートである。図８は、第３実施形態に係るヘッドスライダ４の浮上を表す図である。図８中の矢印ＬＤは、リーディング方向、すなわちヘッドスライダ４の進行方向を表す。
【００４０】
ヘッドスライダ４の薄膜積層部４２には、ディスク対向面４ａから離れ、記録再生素子４３の近傍に配置された変位素子４７が設けられている。変位素子４７は、例えばパーマロイやニクロム等の金属からなる薄膜抵抗体からなり、上記主制御回路１０からの通電によって発熱する。変位素子４７の発熱によって、記録再生素子４３と変位素子４７の間に介在する非磁性層が膨張し、記録再生素子４３が磁気ディスク２の方向に変位する。このように熱により記録再生素子４３の浮上量を調整する制御は、ＴＦＣ（Thermal Flying-height Control）と呼ばれる。なお、これに限られず、ピエゾ素子等を含む他の機構によって浮上量が調整されてもよい。
【００４１】
主制御回路１０は、ヘッドスライダ４を目標となるトラックに位置決めし（Ｓ３１）、ＴＦＣを開始した後（Ｓ３２）、記録再生素子４３が上記欠陥登録テーブルに登録された接触危険位置に近づいたときに（Ｓ３３：ＹＥＳ）、ＴＦＣを一時的に取り止める（Ｓ３４）。具体的には、図８に示されるように、接触危険位置として登録されている磁気ディスク２の突起２３に、記録再生素子４３が所定距離まで近づいたときに、変位素子４７への通電が中止される。これにより、記録再生素子４３と変位素子４７の間に介在する非磁性層の熱膨張が抑制され、記録再生素子４３が磁気ディスク２から離れる方向に変位する。これにより、記録再生素子４３は突起２３の上方を通過し、記録再生素子４３と突起２３の接触が回避される。そして、主制御回路１０は、記録再生素子４３が上記欠陥登録テーブルに登録された接触危険位置から離れると（Ｓ３５：ＹＥＳ）、ＴＦＣを再開する（Ｓ３６）。なお、本実施形態では、上記Ｓ３４で変位素子４７への通電を中止しているが、これに限られず、通電量を低減してもよい。また、危険位置近傍に書き込まれていたデータは、予め安全な他のセクタまたは、トラックに移動させておくと、より磁気ディスク装置としての信頼性が向上させることが可能である。
【００４２】
［第４実施形態］
図９は、第４実施形態に係るヘッドスライダ４のディスク対向面４ａを表す図である。本実施形態のヘッドスライダ４では、基板部４１の気体流入側の端面上にも、アルミナからなる複数の薄膜が積層されてできた薄膜積層部４９が設けられている。薄膜積層部４９内には、ディスク対向面４ａに端面が現れた第３の接触検知素子４５ｃが配置されている。本実施形態では、第３の接触検知素子４５ｃは、スライダ幅方向の中央部に配置されている。なお、第３の接触検知素子４５ｃは、基板部４１に埋め込まれてもよい。
【００４３】
図１０Ａ及び図１０Ｂに示されるように、ヘッドスライダ４は、気体流の流出側が流入側よりも磁気ディスク２に近づいた姿勢で磁気ディスク２上に浮上することから、第１の衝突検知素子４５ａ及び第２の接触検知素子４５ｂと、第３の接触検知素子４５ｃとでは、磁気ディスク２からの浮上量が異なる。このため、第１の衝突検知素子４５ａ及び第２の接触検知素子４５ｂと、第３の接触検知素子４５ｃとでは、接触する突起２４，２５の高さが異なる。すなわち、第３の接触検知素子４５ｃには、その浮上量と同程度若しくはそれより大きい高さの突起２４が接触する（図１０Ａを参照）。これに対し、第１の衝突検知素子４５ａ又は第２の接触検知素子４５ｂには、それらの浮上量と同程度若しくはそれより大きい高さで、かつ、第３の衝突検知素子４５ｃの浮上量より小さい高さの突起２５が接触する（図１０Ｂを参照）。
【００４４】
このように、第１の衝突検知素子４５ａ及び第２の接触検知素子４５ｂと、第３の接触検知素子４５ｃとでは、接触する突起２４，２５の高さが異なることから、上記欠陥登録テーブルに登録される接触危険位置に、実際に接触を検知した接触検知素子４５ａ〜４５ｃの種類を対応付けておくことで、磁気ディスク２に存在する突起２４，２５の高さの分布を得ることも可能である。
【００４５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が当業者にとって可能であるのはもちろんである。
【符号の説明】
【００４６】
１  磁気ディスク装置、２  磁気ディスク、３  スピンドルモータ、４  ヘッドスライダ、６  ヘッドアッセンブリ、７  ボイスコイルモータ、９  筐体、１０  主制御回路、１３  Ｒ／Ｗチャネル、１４  ヘッドアンプ、１７  モータドライバ、２１  トラック、２３〜２５  突起、３２  反転回路、３４  差動回路、３６  衝突判定回路、３８  比較回路、３９  左右判定回路、４ａ  ディスク対向面、４ｂ  支持面、４１  基板部、４２  薄膜積層部、４３  記録再生素子、４５ａ  第１の接触検知素子、４５ｂ  第２の接触検知素子、４５ｃ  第３の接触検知素子、４７  変位素子、４９  薄膜積層部、６１  支持部材、６５ａ  第１のアクチュエータ、６５ｂ  第２のアクチュエータ。
【図１】
2011123967.tif 000003
【図２Ａ】
2011123967.tif 000004
【図２Ｂ】
2011123967.tif 000005
【図３】
2011123967.tif 000006
【図４】
2011123967.tif 000007
【図５】
2011123967.tif 000008
【図６】
2011123967.tif 000009
【図７】
2011123967.tif 000010
【図８】
2011123967.tif 000011
【図９】
2011123967.tif 000012
【図１０Ａ】
2011123967.tif 000013
【図１０Ｂ】
2011123967.tif 000014