(57)【要約】【課題】  レーザーを利用して簡便かつ信頼性の高い接合ウェハ界面の検査を可能にする接合ウェハ検査方法を提供する。【解決手段】  接合ウェハ検査方法は、レーザービームを発散するステップ（Ｓ１００）、発散されたレーザービームがレーザー拡散手段によって拡散されるステップ（Ｓ２００）、拡散されたレーザービームが接合ウェハに照射されるステップ（Ｓ３００）、及び、接合ウェハに照射されて透過されるレーザービームを検出するステップ（Ｓ４００）を含む。この接合ウェハ検査方法によれば、簡単な方法で接合ウェハの界面に発生する異物による欠陥を検査することができるので高い作業性が期待できる。【選択図】図４
2011107144.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーを利用した接合ウェハ検査方法であって、
レーザー発生装置、レーザー分離手段、及びレーザー光源を含むレーザー手段を通してレーザービームを発散するステップと、
発散されたレーザービームがレーザー拡散手段によって拡散されるステップと、
拡散されたレーザービームが接合ウェハに照射されるステップと、
前記接合ウェハに照射されて透過されるレーザービームを検出するステップと、
を含む接合ウェハ検査方法。
【請求項２】
前記レーザー手段を通してレーザービームを発散するステップは、
レーザー発生装置からレーザービームを発生させるステップ、
発生されたレーザービームをレーザー分離手段を通して分離するステップ、
及び、分離されたレーザービームに対応するレーザー光源を通してレーザーを発散するステップ、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の接合ウェハ検査方法。
【請求項３】
前記レーザー手段を通して発散されるレーザービームは、
接合ウェハを透過できるように１０００ｎｍ以上の波長を持つことを特徴とする請求項１に記載の接合ウェハ検査方法。
【請求項４】
前記透過されるレーザービームを検出するステップは、
前記接合ウェハを透過したレーザービームを顕微鏡を利用して拡大させるステップ、
及び、前記顕微鏡を通して拡大されて表示されるイメージをカメラを利用して撮影するステップ、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の接合ウェハ検査方法。
【請求項５】
前記レーザー手段を通してレーザービームを発散するステップにおいて、
分離されたレーザービームに対応する前記レーザー光源同士の距離が７５ｍｍであり、
前記レーザービームがレーザー拡散手段によって拡散されるステップにおいて、
前記レーザー光源と前記レーザー拡散手段との距離が７０ｍｍであり、
前記レーザービームが接合ウェハに照射されるステップにおいて、
前記レーザー拡散手段と前記接合ウェハとの距離が７０ｍｍであることを特徴とする請求項２に記載の接合ウェハ検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は接合ウェハの界面欠陥を検査する方法に関し、さらに詳しくは、レーザーを利用して接合ウェハの界面欠陥を検査する接合ウェハ検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハ接合法（ｗａｆｅｒ  ｂｏｎｄｉｎｇ）は二つの半導体基板の表面にシリコン絶縁膜を形成して互いに接合させる技術であり、このようなウェハ接合法を用いたウェハとしてはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハが挙げられる。
ＳＯＩウェハは全体的な構造がウェハの深さ方向に対して表層のデバイス製作領域になる活性層として使用されるシリコン単結晶層下に酸化膜などの埋め込み絶縁層を挟み、その下部にシリコン単結晶層を有する３層構造になっている。
【０００３】
このような構造のＳＯＩウェハは寄生容量が少なく、耐放射線性が高い特徴を持つ。また、ＳＯＩ層の結晶性が高く、ＳＯＩ層の真下に存在する酸化膜の信頼性も高いという利点を持つ。これによりＳＯＩウェハは高速、低消費電力動作、ラッチアップ防止などの効果が期待されて高性能半導体素子用基板として脚光を浴びているのが実情である。
このような理由で上記の接合法を利用したＳＯＩウェハを製造する研究が活発に進められており、このような研究努力により様々な製造方法が開発された。
【０００４】
例えば、特許文献１（登録日：１９９９年０６月１０日）には「エスオーアイ（ＳＯＩ）ウェハ製造方法」が開示されている。
これは、絶縁基板上に酸化膜を形成するステップ、シリコン単結晶ウェハを酸化膜とボンディングするステップ、フォトレジストをシリコン単結晶ウェハ上に円形に形成するステップ、シリコン単結晶ウェハをエッチングするステップ、及びフォトレジストを除去するステップからなるエスオーアイウェハ製造方法に関する。
【０００５】
また、特許文献２（登録日：２００５年０６月２２日）には「ＳＯＩウェハ及びその製造方法」が開示されている。
これは、ＳＯＩウェハを用いて半導体装置を製造する時、製造工程数を減少させてエピタキシャル成長（Ｅｐｉ  ｇｒｏｗｔｈ）のような追加工程が不要な技術に関し、このために素子形成領域を定義するために形成された素子分離用絶縁膜を含む第１半導体基板と、第１半導体基板上の素子形成領域に区域毎に形成されたウェル及び埋め込み層と、第１半導体基板と接合され素子分離用絶縁膜の下部と接触して素子形成領域の下部を電気的に遮断させるように接合用絶縁膜が形成された第２半導体基板と、を含むＳＯＩウェハ及びその製造方法に関する。
【０００６】
また、特許文献３（公開日：２００６年０６月２１日）には「ＳＯＩウェハの製造方法」が開示されている。
これは水素イオンの注入量を低濃度にしながらも５００℃以下の２ステップの低温熱処理工程を通して接合ウェハの水素イオン注入層がよく分離され表面のＲｍｓ値が著しく低いＳＯＩウェハを製造できる製造方法に関する。
【０００７】
以上で述べたように、ウェハ接合法を利用したＳＯＩウェハの場合、多くの研究努力によって様々な方法の製造方法が開発された。しかし、接合法を利用したウェハの場合、ウェハ界面に発生する欠陥、すなわち、ウェハ界面の間に発生し得る異物や気泡などによるウェハの欠陥が発生するようになり、これによってウェハの性能が低下する問題点が発生した。
【０００８】
このようなウェハの欠陥はエッチング工程後に光学顕微鏡、電子顕微鏡又はＬＰＤ（ＬＰＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｐｏｉｎｔ  Ｄｅｆｅｃｔ）測定器を用いて測定することができる。しかし、このような測定器を用いる方法は、正確な分布、密度及び大きさの測定が難しいという問題点がある。
【０００９】
このような問題点を解決するための方法として超音波顕微鏡を用いたウェハの欠陥を測定できる装置が開発された。
例えば、特許文献４（登録日：２００６年０４月１０日）に「超音波顕微鏡を利用したＳＯＩウェハの欠陥評価方法」が開示されている。
これは超音波顕微鏡を利用してＳＯＩウェハの上部シリコン層に存在する未接合部分、フッ酸欠陥及びセコ（ｓｅｃｃｏ）欠陥の分布、密度及び大きさを測定する技術であり、ウェハの接合欠陥のみでなく、ＨＦ欠陥及びセコ欠陥の検出まで可能という利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】大韓民国登録特許公報第１０-０２１８５４１号
【特許文献２】大韓民国登録特許公報第１０-０４９８４４６号
【特許文献３】大韓民国公開特許公報第１０-２００６-００６９０２２号
【特許文献４】大韓民国登録特許公報第１０-０５７１５７１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
超音波を利用する特許文献４の技術の場合、複雑な構造を有するため操作が容易ではなく、価格が高いという問題点がある。
また、超音波を利用したウェハの欠陥を測定する方法以外にも、Ｘ線（Ｘ-ｒａｙ）を利用した技術も開発されたが、この技術も複雑な構造によって操作が容易ではなく、価格が高くて経済的な負担が発生するという問題点がある。
【００１２】
さらに、超音波又はＸ線を利用したウェハ欠陥測定以外にも、構造が簡単で操作が容易で価格も経済的な赤外線（ＩＲ：Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｒａｙ）を利用してウェハの欠陥を測定する方法が開発された。しかし、この技術の場合、複数のフィルタを利用してウェハを透過できる波長帯域が得られるようにする技術であり、様々なフィルタを使用することによって出力されるウェハの欠陥イメージが鮮やかでないため正確な欠陥判断が難しいという問題点を持つ。
【００１３】
以上のように、接合ウェハ界面の欠陥検査において簡便かつ信頼性の高い検査が可能な検査方法の開発が求められている。
本発明の目的は、レーザーを利用して簡便かつ信頼性の高い接合ウェハ界面の検査を可能にする接合ウェハ検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達成するために、本発明はレーザー発生装置、レーザー分離手段、及びレーザー光源を含むレーザー手段のよってレーザービームを発散するステップ、発散されたレーザービームがレーザー拡散手段によって拡散されるステップ、拡散されたレーザービームが接合ウェハに照射されるステップ、及び、前記接合ウェハに照射されて透過されるレーザービームを検出するステップを含む接合ウェハ検査方法を提供する。
【００１５】
本発明による接合ウェハ検査方法によれば、簡単な方法で接合ウェハの界面に発生する異物による欠陥を検査できるので高い作業性が期待できる。
【００１６】
また、検査倍率に応じて必要とする検査時間が決定されることはもちろん、検査者が所望する倍率で検査可能な接合ウェハの界面欠陥検査方法を提供することによって検査倍率による効率的な欠陥検査が可能という利点がある。
【００１７】
さらに、接合法を利用して製造されるＳＯＩウェハの界面検査以外にも携帯電話に使用される酸化物単結晶ウェハ（ｏｘｉｄｅ  ｓｉｎｇｌｅ  ｃｒｙｓｔａｌ）、ＬＥＤに使用されるガリウムヒ素（ＧａＡｓ：Ｇａｌｌｉｕｍ  Ａｒｓｅｎｉｄｅ）ウェハなどの欠陥も測定が可能な接合ウェハ検査方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を説明するために概略的な接合ウェハの形成過程を示す図である。
【図２】本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を説明するための概略的な検査概念図である。
【図３】本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を通して接合ウェハの界面イメージを出力した図である。
【図４】本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を説明するための概略フローチャートである。
【図５】本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法のレーザービームを発散するステップを示すフローチャートである。
【図６】本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法のレーザービーム検出ステップを示すフローチャートである。
【図７】本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を実現するための検査装置を説明するための概略的な構成図である。
【図８】本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を実現するための検査装置の最適のレーザー均一度を測定するためのグラフである。
【図９】本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を実現するための検査装置の最適のレーザー均一度を測定するためのグラフである。
【図１０】本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を実現するための検査装置の最適のレーザー均一度を測定するためのグラフである。
【図１１】本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を実現するための検査装置の正面図である。
【図１２】図１１の斜視図である。
【図１３】本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を実現するための検査装置における拡散手段移動部材の概略的な構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面に基づき本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を詳しく説明する。
本発明の接合ウェハ検査方法は接合ウェハ製造工程時に界面に発生し得る欠陥（例えば異物、気泡などによるエアギャップ（ａｉｒ  ｇａｐ））をレーザーを利用して検出する方法に関する。
さらに詳しくは、前記接合ウェハ（「ボンドウェハ」ともいう）は二つのウェハの間に酸化層をおいて互いに結合されて形成されるウェハであり、本発明の接合ウェハ検査方法は二つのウェハが接する界面に接合ウェハ製造工程時に発生し得る欠陥を検査する方法である（接合ウェハの形成過程については図１を通して確認することができる）。
【００２０】
言い換えれば、本発明の接合ウェハ検査方法は、図２に示すように、前述のような製造工程によって接合された接合ウェハの界面間に異物又は気泡などによる欠陥の有無を検出するために製造された接合ウェハ１０にレーザーを照射して透過されるイメージを通して欠陥の有無を検出する方法に関する。
【００２１】
図２に示すようにレーザーを利用して接合ウェハ１０を透過したイメージを後述する検出手段によって感知すると、図３に示すように接合ウェハの界面に発生し得る欠陥の有無を検出することができる。撮影されたイメージを基に見てみると、界面の中央近くに４つの異物１が存在することがわかり、また中央を基準にして右に若干偏って気泡２が形成されていることがわかる。
このように本発明の検査方法は、レーザーを接合ウェハに照射して接合ウェハを透過したイメージを撮影して撮影されたイメージを通して接合ウェハの界面を検査する方法に関する。
【００２２】
これにより本発明の接合ウェハ検査方法は、従来の超音波、Ｘ線を利用した検査装備を利用した検査方法に比べて簡単かつ作業性に優れている。さらに赤外線を利用した検査装備に比べてより鮮やかな欠陥イメージを出力することができる。
【００２３】
従来の接合ウェハ界面の欠陥を検査する方法に比べて上記のような特徴を持つ本発明の接合ウェハ検査方法について説明すると次のとおりである。
図４は、本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を説明するための概略フローチャートである。
図４に示すように、本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法は、レーザービームを発散するステップ（Ｓ１００）、発散されたレーザービームを拡散するステップ（Ｓ２００）、拡散されたレーザービームを接合ウェハに照射するステップ（Ｓ３００）、及び、接合ウェハに照射されて透過されるレーザービームを検出するステップ（Ｓ４００）を含む。
【００２４】
さらに詳しくは、ステップＳ１００は、レーザー手段を通してレーザービームを発散させるステップである。ステップＳ２００は、ステップＳ１００を通して発散されたレーザービームを拡散するステップである。ステップＳ３００は、ステップＳ２００を通して拡散されたレーザービームを接合ウェハに照射するステップである。最後にステップＳ４００は、前記ステップＳ３００を通して接合ウェハに照射されて接合ウェハを透過したレーザービームを通して接合ウェハの界面欠陥を検出するステップである。
【００２５】
図５は、本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法のレーザービームを発散するステップを示すフローチャートである。
図５に示すように、本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法のステップＳ１００は、レーザー発生装置、レーザー分離手段、及びレーザー光源を含むレーザー手段を通してレーザービームを発散させるステップである。ステップＳ１００は、レーザー発生装置からレーザービームを発生させるステップ（Ｓ１１０）、発生されたレーザービームをレーザー分離手段を通して分離するステップ（Ｓ１２０）、及び、分離されたレーザービームに対応するレーザー光源を通してレーザーを発散するステップ（Ｓ１３０）を含むことが好ましい。
【００２６】
そして、本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法のステップＳ１００はレーザー手段を通してレーザービームを発散させるものの、接合ウェハに照射されて接合ウェハを透過できる波長帯を有するレーザービームを発散させる。このためにステップＳ１００を通して発散されたレーザービームは１０００ｎｍ以上の波長を有する。より好ましくは、１０６４ｎｍ以上の波長を有するレーザービームを発生させることが好ましい。
【００２７】
図６は、本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法のレーザービーム検出ステップを示すフローチャートである。
図６に示すように、本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法のステップＳ４００は、接合ウェハを透過したレーザービームを通して接合ウェハの界面欠陥を検出するステップである。ステップＳ４００は、接合ウェハを透過したレーザービームを顕微鏡を利用して拡大させるステップ（Ｓ４１０）、及び、顕微鏡を通して拡大されて表示されるイメージをカメラを利用して撮影するステップ（Ｓ４２０）を含むことが好ましい。
【００２８】
本発明の上記のような検査ステップは、以下に説明する接合ウェハ検査装置によって行うことができる。
図７は、本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を説明するための接合ウェハ検査装置の概略的な構成図である。
図７に示すように、本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を実現するための検査装置は、接合ウェハの界面の間の欠陥を検査するためのレーザービームを接合ウェハ１０に発散するレーザー手段１００を含み、レーザー手段１００を通して発散されるレーザービームが接合ウェハ１０に拡散されて照射され得るようにレーザー手段１００と接合ウェハ１０の間に位置するレーザー拡散手段２００を含むことが好ましい。
【００２９】
そして、本発明の検査装置は、接合ウェハ１０に照射されて接合ウェハ１０を透過するレーザービームを通して接合ウェハ１０の界面の欠陥の有無を検出する検出手段３００を含むことが好ましい。
【００３０】
以下、図面に基づき各構成要素について詳細に説明する。
図７に示すように、本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を実現するための検査装置はレーザー手段１００を含む。レーザー手段１００は、接合ウェハの界面の間の欠陥を検査するためのレーザービームを接合ウェハに発散する手段でありレーザー発生装置１１０、レーザー分離手段１２０、及びレーザー光源１３０を含む。
【００３１】
さらに詳しくは、レーザー発生装置１１０は、接合ウェハ界面の間の欠陥を検査するためのレーザービームを発生させる役割を行う。レーザー発生装置１１０は、レーザービームを発生させるものの、接合ウェハに照射されるレーザービームが接合ウェハを透過できるように１０００ｎｍ以上の波長を有するレーザービームを発生させ、好ましくは１０６４ｎｍ以上の波長を有するレーザービームを発生させることが好ましい。
【００３２】
上記のようにレーザー発生装置１１０から発生するレーザービームの波長の数値を限定した理由は、１０００ｎｍ領域未満の波長帯ではレーザービームがウェハを透過（通過）せず、それ以上の波長でのみウェハを通過するからである。
【００３３】
レーザー分離手段１２０は、レーザー発生装置１１０から発生するレーザービームを分離させる役割を行う装置であり、レーザー分離手段１２０はいわゆる光分配器又はスプリッター（ｓｐｌｉｔｔｅｒ）と呼ばれる装置を使用することが好ましい。
【００３４】
一例として、集積光学型光パワースプリッターの場合、２本の光ファイバーを互いに熱接合させるか側面を分割して接合しこれを基板に整列する方法で製作され、このように製作された光パワースプリッターは一つの信号を二つに分けるいわゆる１×２光パワースプリッターになる。１×２光パワースプリッターをカスケード（ｃａｓｃａｄｅ）接続してＮ個の出力を作ることができる。
このように光を分配する技術については従来に広く知られた技術であり、光の分配さえできれば、いかなる装置を用いてもよい。
【００３５】
本発明の接合ウェハ検査方法のための検査装置では分配される光のチャネルが４、８、又は１６チャネルに分離されるようにすることが好ましい。これ以外にも最初の目的に応じて分配されるチャネル数が決定される。
【００３６】
また、レーザー光源１３０は、レーザー分離手段１２０を通して分離されたレーザー発生装置１１０から発生されたレーザービームを接合ウェハ１０に照射する役割を行う。レーザー光源１３０は、レーザー分離手段１２０によって分離されたレーザービームの個数に一対一に対応して形成されることが好ましい。
【００３７】
図７に示すように、本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を実現するための検査放置はレーザー拡散手段２００を含む。レーザー拡散手段２００は、レーザー手段１００のレーザー光源１３０から発散されるレーザービームが接合ウェハ１０に拡散されて照射されるようにする役割を行う。
レーザー拡散手段２００は、レーザー手段１００と接合ウェハ１０との間に位置することが好ましい。レーザー拡散手段２００は、レーザービームを拡散させることができる材質であれば、いかなるものを使用してもよく、一例として拡散シートを利用することが好ましい。
【００３８】
上述のように本発明の接合ウェハ検査方法を実現するための検査装置は、レーザー手段１００を利用してレーザービームを発散させ、発散されたレーザービームをレーザー拡散手段２００を利用して拡散させて接合ウェハ１０に照射した後、接合ウェハ１０を通過した照射されたレーザービームを検出手段３００を通して検出する技術である。したがって、レーザー手段１００、レーザー拡散手段２００、及び接合ウェハ１０の距離に応じて検出手段３００を通して検出されるイメージの信頼性が変わる。
【００３９】
言い換えれば、接合ウェハ１０の界面不良検出において検出されるイメージの信頼性を向上させることができる要因としては、検査領域のレーザー均一度が挙げられる。レーザー均一度は、どのような材質のレーザー拡散手段２００を選択し、レーザー手段１００、レーザー拡散手段２００、及び接合ウェハ１０の距離がどのような条件を持つかに応じて決定される。
【００４０】
レーザー均一度を最適化するための条件は後述する実験例を通して分かる。レーザー均一度はボンディングされた光量分布の標準偏差で定義することができ、実験を通して光量分布の標準偏差を見てみると次のとおりである（後述する実験はモンテカルロ法を適用した光学設計ソフトウェアを使用する）。
【００４１】
【表１】
2011107144.tif 000003
先ず、表１に示すように、レーザー拡散手段２００を三つのタイプに分類して実験する。また、レーザー光源を通して発散されるレーザービームは１０６４ｎｍの波長を持ち、レーザービームはレーザー拡散手段の三つの類型に同一に照射する。
【００４２】
【表２】
2011107144.tif 000004
表２に示すように、レーザー拡散手段２００のそれぞれのタイプ（類型）ごとにレーザー光源１３０同士の距離Ｌ、レーザー拡散手段２００と接合ウェハ１０との距離Ｄ1、及びレーザー光源１３０とレーザー拡散手段２００との距離Ｄ2を持つように位置させる。
【００４３】
上記のように位置させた後、レーザー光源１３０を通してレーザービームをウェハに照射して最適化を開始する前にシミュレーションを７８回（レーザー拡散手段のタイプごとにそれぞれ２６回）行う。Ｄ1とＤ2は１０〜１００ｍｍの範囲で１０ｍｍ間隔でプロットし、Ｌは１５〜９０ｍｍの間で１５ｍｍ間隔でプロットする。
【００４４】
これによる実験の結果は図８〜図１０に示すように、Ｄ1とＤ2、そしてＬの値の減少に応じて光量分布の標準偏差が減少することがわかる。光量分布の標準偏差はＤ1とＤ2の５０〜７０ｍｍ、そしてＬの４５〜７５ｍｍの間で敏感に変わることが認められる。
【００４５】
図７に示すように、本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を実現するための検査装置は検出手段３００を含む。
検出手段３００は、接合ウェハ１０を通過（透過）したレーザー手段１００から発散されたレーザービームを通して接合ウェハ１０の欠陥の有無を検出する役割を行う。このために検出手段３００は、接合ウェハ１０を透過したレーザービームを拡大させる顕微鏡（図示せず）及び顕微鏡を通して表示されるイメージを撮影するカメラ（図示せず）からなることが好ましい。
【００４６】
顕微鏡を通して接合ウェハ１０を透過したレーザービームを拡大させる。拡大される倍率は最初の検査目的に応じて選択的に変わり、拡大される倍率のサイズに応じて検査速度が決定される。すなわち、接合ウェハ１０界面の欠陥を検出する速度は顕微鏡を通して拡大される倍率によって決定される。一例として、異物のサイズが大きい場合、接合ウェハ１０の全体を一つのセクタで観察することができ、もし異物のサイズが小さい場合には接合ウェハ１０を複数のセクタに区分して顕微鏡を用いてセクタごとに拡大して観察することができる。
【００４７】
顕微鏡とカメラとは、図１１に図示する。
図１１は、本発明の一実施例による接合ウェハ検査方法を実現するための検査装置の正面図であり、図１２は図１１の斜視図である。
図１１及び１２に示すように、検査装置は、本発明のレーザー手段１００、レーザー拡散手段２００、及び検出手段３００を固定させるフレーム４００を含み、レーザー手段１００を通して発散されるレーザービームの照射対象である接合ウェハが載置されるウェハ載置部５００を含む。
【００４８】
本発明の検査装置を説明する。先ず、最下部にはレーザー発生装置１１０、レーザー分離手段１２０、及びレーザー光源１３０を含むレーザー手段１００が位置する。レーザー手段１００はフレーム４００によって固定されて位置することもでき、後述するように移動可能にすることもできる。
【００４９】
すなわち、レーザー手段１００は、一側に垂直に位置するレーザー手段移動部材６００をさらに含んでレーザー手段１００が上下移動できるように設計することもできる。このため、レーザー手段移動部材６００は、レーザー手段１００を載置できるレーザー手段載置部材６１０とレーザー手段載置部材６１０を上下に移動できるようにガイドするレーザー手段ガイド部材６２０を含むことが好ましい。
【００５０】
そして、本発明の検査装置は、レーザー手段１００の上部から所定距離離隔された位置にレーザー拡散手段２００が位置する。レーザー拡散手段２００は、フレーム４００によって位置が固定されてもよく、図１４に示すように別途のレーザー拡散手段移動部材７００をさらに含んで移動できるようにすることもできる。
このためにレーザー拡散手段移動部材７００はレーザー拡散手段２００を載置できるレーザー拡散手段載置部材７１０とレーザー拡散手段載置部材７１０を上下に移動できるようにガイドするレーザー拡散手段ガイド部材７２０を含むことが好ましい。
【００５１】
また、本発明の検査装置は、レーザー拡散手段２００の上部から所定距離離隔された位置に接合ウェハを載置させるウェハ載置部５００が位置する。
ウェハ載置部５００は、接合ウェハを載置できるように載置される接合ウェハの周縁を支持する支持部５１０とレーザービームが接合ウェハを透過できるように中央に形成された孔５２０を含むことが好ましい。
また、ウェハ載置部５００は、載置されるウェハのサイズに係わらず載置できるように載置されるウェハの直径に対応して中央に形成された孔の直径が調節できるように設計されることが好ましい。このためにウェハ載置部５００は図１３に示すように載置されるウェハのサイズに対応する複数個のウェハ載置部５００の結合からなるように設計することが好ましい。
【００５２】
さらに、本発明の検査装置は、ウェハ載置部５００上部から所定距離離隔された距離に顕微鏡３１０及びカメラ３２０を含む検出手段３００が位置する。検出手段３００はフレーム４００によって位置を固定させることもでき、別途の移動手段を利用して上下移動できるように設計することもできる。
【００５３】
上述のようにそれぞれの移動部材、すなわち、レーザー手段移動部材６００、及びレーザー拡散手段移動部材７００の上下駆動は別途のモータを利用して制御することが好ましい。さらに詳しくは、一つのモータを利用してそれぞれの移動部材を制御してもよく、又はそれぞれの移動部材ごとにモータを備えるように設計することもできる。
【００５４】
以上、本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野の熟練した当業者は以下の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更できることが理解できるであろう。
【符号の説明】
【００５５】
１０  ・・・  接合ウェハ
１００・・・  レーザー手段
１１０・・・  レーザー発生装置
１２０・・・  レーザー分離手段
１３０・・・  レーザー光源
２００・・・  レーザー拡散手段
３００・・・  検出手段
３１０・・・  顕微鏡
３２０・・・  カメラ
４００・・・  フレーム
５００・・・  ウェハ載置部
５１０・・・  支持部
５２０・・・  孔
６００・・・  レーザー手段移動部材
６１０・・・  レーザー手段載置部材
６２０・・・  レーザー手段ガイド部材
７００・・・  レーザー拡散手段移動部材
７１０・・・  レーザー拡散手段載置部材
７２０・・・  レーザー拡散手段ガイド部材
【図１】
2011107144.tif 000005
【図２】
2011107144.tif 000006
【図４】
2011107144.tif 000007
【図５】
2011107144.tif 000008
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図３】
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