(57)【要約】【課題】本発明は、反射色調を調整することが可能な低放射膜を提供することを課題とする。【解決手段】基材上に蒸着プロセスによって形成される低放射膜であり、該低放射膜は、誘電体層とＡｇを主成分とする金属層とが、交互に２ｎ＋１層（ｎは１以上の整数）積層されてなる積層構造を有しており、上記金属層はＡｒと酸素とを含む混合ガスを用いて形成されるものであり、該混合ガスは酸素／（Ａｒ＋酸素）×１００で表される酸素濃度が０．５〜１３体積％であること。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に蒸着プロセスによって形成される低放射膜であり、該低放射膜は、誘電体層とＡｇを主成分とする金属層とが、交互に２ｎ＋１層（ｎは１以上の整数）積層されてなる積層構造を有しており、上記金属層はＡｒと酸素とを含む混合ガスを用いて形成されるものであり、該混合ガスは酸素／（Ａｒ＋酸素）×１００で表される酸素濃度が０．５〜１３体積％であることを特徴とする低放射膜。
【請求項２】
表面抵抗が０．１〜３０Ω／□であることを特徴とする請求項１に記載の低放射膜。
【請求項３】
ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定により、Ａｇの（１１１）面に由来する回折線が得られ、Ａｇの結晶子サイズｃと上記金属層の総層厚ｔとにより表されるｃ／ｔが０．５０〜０．８５であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の低放射膜。
【請求項４】
前記金属層の総層厚が５〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の低放射膜。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の低放射膜を含むことを特徴とする建築用窓ガラス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、建築用の複層ガラスや合わせガラス等に用いられる低放射膜に関し、特に様々な反射色調を示す低放射膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電体層とＡｇなどの金属層とからなる低放射膜を有するＬｏｗ−Ｅガラス（以下、低放射ガラスと記載することもある）は、建築物の窓ガラスとして用いられており、窓ガラスを通して、夏季は室外から室内への流入する日射熱、冬季は室内から室外への流出する暖房熱を反射することで冷暖房費を抑え、省エネルギーに役立つ窓ガラスとして広く普及している。
【０００３】
上記の低放射ガラスは、対向する２枚のガラス基材の周辺部をスペーサーと封止材とで封止されてなる複層ガラスのガラス基材として使用されており、該複層ガラスの対向するガラス基材間は、乾燥空気、あるいはＡｒ等の希ガスなどで満たされている。
【０００４】
上記の低放射ガラス等に使用される低放射膜として、誘電体層とＡｇ層を２ｎ＋１層積層してなる積層構造体が開示されている（特許文献１）。
【０００５】
また、低放射ガラスは、ビルディングなど建築物に用いられる場合、ビルディングのデザインに合った好ましい反射色調を顧客から要求されることがある。そこで、低放射膜の誘電体層や金属層の膜厚を調整することで、低放射ガラスが示す反射色調を自由に調整した低放射膜が開示されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６３−２３９０４４号公報
【特許文献２】特開昭６３−１３４２３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
低放射膜は、誘電体層や金属層の厚みを調節することで、様々な反射色調を実現することが可能である。しかし、目的とする反射色調を得るためには、誘電体層や金属層の厚みを数Åの単位でコントロールする必要があり、同一色の反射色調を示す低放射膜を安定して得ることは難しい。さらに、作製する低放射膜を所望の反射色調としたいとき、誘電体層と金属層とが５層以上積層される場合や、屈折率の異なる各誘電体層を２層以上の多積層構造とした場合など、積層する層数が多くなるほど、所望の反射色調を再現するのが困難になり易いことがあり、従来の誘電体層や金属層の厚みを調節する方法では限界があった。
【０００８】
従って本発明は、反射色調を調整することが可能な低放射膜を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の低放射膜は、基材上に蒸着プロセスによって形成される低放射膜であり、該低放射膜は、誘電体層とＡｇを主成分とする金属層とが、交互に２ｎ＋１層（ｎは１以上の整数）積層されてなる積層構造を有しており、上記金属層はＡｒと酸素とを含む混合ガスを用いて形成されるものであり、該混合ガスは酸素／（Ａｒ＋酸素）×１００で表される酸素濃度（以下、酸素ガス濃度と呼ぶことがある）が０．５〜１３体積％であることを特徴とする。
【００１０】
低放射膜は、スパッタリング法等の蒸着プロセスにより成膜されて形成されることが好ましく、特に、スパッタリングのターゲット背後に磁石を配置し、発生する磁場により、ターゲット表面近傍にプラズマを閉じ込め、ターゲットからスパッタリングされた粒子により成膜を行うマグネットスパッタリング法により成膜されることが好ましい。
【００１１】
また、上記酸素ガス濃度が０．５体積％未満の場合、低放射ガラスの反射色調を自由に調整することが出来ず、１３体積％を越えると、該金属層の表面抵抗の値が高くなり、低放射ガラスとしての性能が劣化する恐れがある。なお、Ａｒと酸素ガスとの混合ガスを用いて、酸素ガス濃度を０．５〜１３体積％としても、金属層の表面抵抗が著しく増加してしまうことがある。その場合、金属層を成膜する際に用いるターゲットへの投入電力を増加させることで、金属層の表面抵抗の増加を抑制することが可能であることがわかった。
【００１２】
また、本発明の低放射膜は、表面抵抗が０．１〜３０Ω／□であることを特徴とする。
【００１３】
表面抵抗が０．１Ω／□未満である場合、低放射ガラスにとって好ましい可視光透過性を得られないことがあり、３０Ω／□を越えると、低放射ガラスとしての低放射性能が劣化するため、好ましくない。
【００１４】
また、本発明の低放射膜は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定により、Ａｇの（１１１）面に由来する回折線が得られ、Ａｇの結晶子サイズｃと上記金属層の総層厚ｔとにより表されるｃ／ｔが０．５０〜０．８５であることを特徴とする。
【００１５】
上記ｃ／ｔは、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定によって得られる回折線からシェラーの式を用いて見積もった値であり、ｃ／ｔが０．５０未満である場合、金属層の表面抵抗が増加し、低放射ガラスとしての低放射性能が劣化する恐れがあり、０．８５を超える場合、好ましい反射色調を得られない可能性がある。
【００１６】
また、本発明の低放射膜は、前記金属層の総層厚が５〜５０ｎｍであることを特徴とする。
【００１７】
５ｎｍ未満の場合、低放射ガラスとしての好ましい低放射性能を得られないことがあり、５０ｎｍを超える場合、窓ガラスとして好ましい可視光透過性を得られないことがある。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の低放射膜は反射色調を変えることが可能であり、容易に色調を調整することとが可能である。また、本発明の低放射膜は、優れた電気伝導性、可視光透過率、日射透過率を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】一般的な低放射膜の構造を表す断面模式図である。
【図２】マグネトロンスパッタ装置の概略を示す図である。
【図３】実施例１〜実施例１７、比較例１〜比較例４の基材上に形成された低放射膜を表す断面模式図である。
【図４】実施例１〜実施例８、比較例１〜比較例４の低放射膜の膜面反射色調ａ＊、ｂ＊を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の低放射膜の概略を図１に示す。本発明の低放射膜は、基材１上に形成される低放射膜であり、該低放射は、誘電体層２と、該誘電体層の基材とは反対側に接するＡｇを主成分とする金属層３と、からなり、誘電体層２と金属層３とが交互に２ｎ＋１層（ｎは１以上の整数）積層されてなるものである。
【００２１】
前記誘電体層は、Ｚｎ、又はＳｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｉｎ、などから選ばれる少なくとも１つの金属を含む酸化物、窒化物、または酸窒化物などの薄膜が好適に用いられる。
【００２２】
また、前記Ａｇを主成分とする金属層は、Ａｇ膜、又はＡｇを主成分とするＡｇ合金膜が用いられ、該金属層には、パラジウム、金、白金、ニッケル、銅などの金属が５重量％以下であれば含んでいてもよい。
【００２３】
スパッタリング法において、プラズマ発生源には直流電源、交流電源、または交流と直流を重畳した電源、いずれの電源も好適に用いられるが、交流と直流を重畳した電源は連続生産性に優れており、好適に用いられる。
【００２４】
成膜装置としては、図２に示すようなマグネトロンスパッタリング装置が好適に用いられる。図２は、該装置を上方から観察したときの要部を示すものである。バッキングプレート４上にターゲット５が接着されており、基材ホルダー６に板ガラス基材７を保持させた後、真空チャンバー８内を、真空ポンプ９を用いて排気した。
【００２５】
真空チャンバー８内の雰囲気ガスは、ガス導入管１０より、Ａｒや酸素ガスなどを適宜導入した。成膜中の真空チャンバー８内の圧力は、開閉バルブ１１により０．１〜１．０Ｐａの範囲で調節した。さらに、ＤＣ電源１２の出力電力を１２０〜１０００Ｗとした。
【００２６】
基材ホルダー６は、搬送ロール１３上を搬送され、ターゲット５の横を通過させ、所定の膜厚になるように搬送速度を調整した。基材を保持した基材ホルダー６は移動可能な構造となっており、基材ホルダーの移動速度を調節することで、成膜時の膜厚を変えることが可能である。該移動速度は一定とし、基材が装置内を移動している間は変更しないものとする。
【００２７】
なお、真空ポンプの種類、ターゲットの個数や種類、直流電源と交流電源の選択、ターゲットへの出力電力、成膜中の圧力などの選択は適宜なされれば良く、特に限定しない。なお、図２についての詳細は、実施例で後述する。
【００２８】
基材は特に限定されるものではないが、例えば、建築物用窓ガラスや通常使用されているフロ−ト板ガラス、又はロ−ルアウト法で製造されたソーダ石灰ガラス等無機質の透明性がある板ガラスを使用できる。当該板ガラスには、クリアガラス、高透過ガラス等の無色のもの、熱線吸収ガラス等の緑等に着色されたもの共に使用可能で、ガラスの形状等に特に限定されるものではないが、可視光透過率を考慮すると、クリアガラス、高透過ガラス等の無色ガラスを使用することが好ましい。また、平板ガラス、曲げ板ガラスはもちろん風冷強化ガラス、化学強化ガラス等の各種強化ガラスの他に網入りガラスも使用できる。さらには、ホウケイ酸塩ガラス、低膨張ガラス、ゼロ膨張ガラス、低膨張結晶化ガラス、ゼロ膨張結晶化ガラス等の各種ガラス基材を用いることができる。また、ガラス基材以外の例としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂等の樹脂基材が挙げられる。
【００２９】
上記の低放射膜を形成した基材は、複層ガラスや合わせガラス等として、建築用窓ガラス等として使用されるのが好ましい。
【００３０】
前記低放射膜は、金属層とその上に引き続いて形成される誘電体層との間に、保護膜層を有することが好ましい。保護膜層は、Ａｇ層又はＡｇ合金層の上に直接形成されることが好ましく、該保護膜層を形成することにより、金属酸化物、金属窒素化物、あるいは金属酸窒化物などの誘電体層を形成する際に発生する酸素あるいは窒素プラズマによる金属層の劣化を防ぐことが可能である。
【００３１】
該保護膜層には、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、ＮｉＣｒ、Ｃｒ、Ｚｎ合金、Ｓｎ合金、および各金属にＡｌ，Ｓｂ金属を０．０１〜１０．０重量％含んだもの、さらには、該金属または該合金の低級酸化物薄膜等を用いることができ、金属層や誘電体層との密着性などを考慮して適宜選択される。
【００３２】
本発明の低放射膜において、金属層の総膜厚は５〜５０ｎｍ、好ましくは８〜４０ｎｍとしてもよい。金属層の厚みが８ｎｍ未満では、銀薄膜層による日射遮蔽性能が得られにくくなることがある。また、薄膜が薄すぎて、不連続な領域が存在し、局所的な欠陥を生じることがある。一方、４０ｎｍを越えると、良好な可視光透過率を得られないことがある。
【実施例】
【００３３】
１．低放射膜の作製
実施例１
図３に示すような、基材１に誘電体層２と金属層３と保護膜層（図示せず）と誘電体層２により構成される低放射膜を形成した。基材としては、厚さ６ｍｍのソーダライムガラスを用いた。誘電体層としては酸化亜鉛膜、金属層としてはＡｇ膜、保護膜層としてはＡｌが添加された酸化亜鉛膜（以下、ＡＺＯ膜と呼ぶことがある）を用いた。低放射の成膜は、図２に示すマグネトロンスパッタリング装置を用いて行った。
【００３４】
基材１を基材ホルダー６に保持させた後、真空チャンバー８内を真空ポンプ９によって排気して行った。成膜中、真空ポンプ９は連続して稼働させ、真空チャンバー内の雰囲気ガスは、ガス導入管１０より、酸素ガスを導入し、酸素ガスの流量をマスフローコントローラー（図示せず）により制御して調整した。真空ポンプ９にはターボ分子ポンプを用いた。成膜中の真空チャンバ−内の圧力は、真空チャンバーと真空ポンプの間に設置された開閉バルブ１１の開度を制御することで０．３Ｐａに調節した。裏側にマグネット１４が配置されたターゲット５には、Ｚｎターゲットを用い、Ｚｎターゲットへ電源ケーブル１５を通じでＤＣ電源１２より投入される電力は１０００Ｗとした。基材ホルダー６は、搬送ロール１３上を搬送され、ターゲット５の横を通過させ、酸化亜鉛膜の膜厚が３７ｎｍになるように搬送速度を調整した。なお、以降いずれの膜についても、搬送速度を制御することで所望の膜厚を得ており、意図的な基材加熱は行わなかった。
【００３５】
次に、酸化亜鉛膜の上にＡｇ膜を、真空を維持したまま連続して成膜した。ターゲット５にＡｇターゲットを用いて、真空チャンバー８内の雰囲気ガスは、ガス導入管１０より、アルゴンと酸素の混合ガスを導入し、該混合ガスは酸素／（Ａｒ＋酸素）×１００で表される酸素ガスの濃度を２．２体積％とし、圧力は、開閉バルブ１１を制御して０．５Ｐａに調節した。Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力は１２０Ｗとした。Ａｇ膜の厚さが１０ｎｍになるように、基材ホルダー６の搬送速度を制御した。
【００３６】
次に、Ａｇ膜の上に保護膜層を、真空を維持したまま連続的して成膜した。ターゲット５にＡＺＯターゲットを用いて、真空チャンバー８内の雰囲気ガスは、ガス導入管１０より、アルゴンガスを導入し、圧力は、開閉バルブ１１を制御して０．７Ｐａに調節した。Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力は１０００Ｗとした。ＡＺＯ膜の厚さが５ｎｍになるように、基材ホルダー６の搬送速度を制御した。
【００３７】
次に、保護膜層の上に誘電体層を、真空を維持したまま連続して成膜した。ターゲット５にＺｎターゲットを用いて、真空チャンバー８内の雰囲気ガスは、ガス導入管１０より、酸素ガスを導入し、圧力は、開閉バルブ１１を制御して０．３Ｐａに調節した。Ｚｎターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力は１０００Ｗとした。酸化亜鉛膜の厚さが３７ｎｍになるように、基材ホルダー６の搬送速度を制御した。
【００３８】
実施例２
Ａｇ膜の成膜中の、Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力を３６０Ｗとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００３９】
実施例３
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を６．７体積％とした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００４０】
実施例４
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を６．７体積％、Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力を３６０Ｗとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００４１】
実施例５
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を６．７体積％、Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力を５５０Ｗとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００４２】
実施例６
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を１１．１体積％とした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００４３】
実施例７
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を１１．１体積％、Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力を３６０Ｗとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００４４】
実施例８
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を１１．１体積％、Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力を５００Ｗとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００４５】
比較例１
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を０体積％とし、保護膜層（ＡＺＯ膜）の上に引き続いて形成される誘電体層（ＺｎＯ膜）の膜厚を３５ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００４６】
比較例２
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を０体積％とし、保護膜層（ＡＺＯ膜）の上に引き続いて形成される誘電体層（ＺｎＯ膜）の膜厚を４０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００４７】
比較例３
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を０体積％とし、保護膜層（ＡＺＯ膜）の上に引き続いて形成される誘電体層（ＺｎＯ膜）の膜厚を４５ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００４８】
比較例４
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を０体積％とし、保護膜層（ＡＺＯ膜）の上に引き続いて形成される誘電体層（ＺｎＯ膜）の膜厚を５０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００４９】
比較例５
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を１５．６体積％とした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００５０】
実施例９
Ａｇ膜の膜厚を１５ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００５１】
実施例１０
Ａｇ膜の成膜中の、Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力を３６０Ｗ、Ａｇ膜の膜厚を１５ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００５２】
実施例１１
Ａｇ膜の成膜中の、Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力を５００Ｗ、Ａｇ膜の膜厚を１５ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００５３】
実施例１２
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を６．７体積％、Ａｇ膜の膜厚を１５ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００５４】
実施例１３
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を６．７体積％、Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力を３６０Ｗ、Ａｇ膜の膜厚を１５ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００５５】
実施例１４
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を６．７体積％、Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力を５００Ｗ、Ａｇ膜の膜厚を１５ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００５６】
実施例１５
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を１１．１体積％、Ａｇ膜の膜厚を１５ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００５７】
実施例１６
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を１１．１体積％、Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力を３６０Ｗ、Ａｇ膜の膜厚を１５ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００５８】
実施例１７
Ａｇ膜の成膜中の、酸素濃度を１１．１体積％、Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力を５００Ｗ、Ａｇ膜の膜厚を１５ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして低放射膜を作製した。
【００５９】
２．低放射膜の評価
低放射膜の表面抵抗Ｒｓを、表面抵抗測定器（Ｎａｐｓｏｎ社製、ＲｅｓｉｓｔｅｓｔVIII）を用いて測定した。
【００６０】
積層体物品の光学特性を、自記分光光度計（日立製作所製、Ｕ−４０００）を用いて測定した。可視光透過率および日射透過率をＪＩＳ  Ｒ３１０６に準拠して算出し、ガラス面反射色調をＣＩＥ  Ｌａｂ表色系にて表した。
【００６１】
ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定により測定されるＡｇ（１１１）面による回折線からシェラーの式を用いて結晶子サイズｃを算出した（参考文献：Ｂ．Ｄ．Ｃｕｌｌｉｔｙ著、松村源太郎訳、新版カリティＸ線回折要論、１９８７年、株式会社アグネ発行、頁９３、９４）。なお、Ｘ線回折測定装置（リガク製、ＲＩＮＴ−ＵｌｔｉｍａIII）に付随した汎用プログラムによって求めた。更に、求めた結晶子サイズｃをＡｇの膜厚ｔで割った値ｃ／ｔを算出した（なお、実施例１５〜１７、比較例５に関しては算出していない）。
【００６２】
実施例１〜１７、比較例１〜４におけるＡｇ膜を形成する際の成膜条件、および作製した低放射膜の電気特性、光学特性、ｃ／ｔの値を表１、表２に示す。
【００６３】
【表１】
2011052294.tif 000003
実施例１〜８の低放射膜は可視光透過率が７０％以上であり、かつ日射透過率が６０％以下となり、低放射ガラスとして好ましい光学特性を有していた。更に、Ａｇターゲットへの投入電力を１２０Ｗとした実施例１、実施例３、実施例６、３６０Ｗとした実施例２、実施例４、実施例７、５００Ｗとした実施例５、実施例８を比較すると、Ａｇターゲットへの投入電力を一定とした時、酸素ガス濃度を増すことにより、表面抵抗が上昇することがわかった。また、酸素ガス濃度を変えることにより、ガラス面の反射色調を表すａ＊とｂ＊が変化したことから、酸素ガス濃度を調節することによりガラス面の反射色調を自在に調整できることが示された。
【００６４】
一方、比較例１〜比較例４では、スパッタガスに酸素を用いずに、保護層の上に形成される誘電体層の膜厚を３５ｎｍから５０ｎｍとすることで、実施例と同様にガラス面の反射色調を変えることができたが、膜厚がわずか数ｎｍ変わるだけで色調が大きく変化していることから、反射色調を調整するためには厳密なコントロールが必要であることがわかった。
【００６５】
また、Ａｇターゲットへの投入電力を１２０Ｗとした実施例１、実施例３、実施例６、比較例５を比較すると、酸素ガス濃度を増すことにより反射色調は変化したが、酸素ガス濃度を１５．６体積％とした比較例５においては、表面抵抗が４０Ω／□以上と高くなった。表面抵抗Ｒｓと放射率εの関係は、次式で表される（参考資料：J. Szczyrbowski et al.、New low emissivity coating based on TwinMagＴＭsputtered TiO2 and Si3N4 layers、Thin Solid Films、Vol.351、Issues 1-2、1999、p 254-259）。
【００６６】
ε＝０．０１２９×Ｒｓ−６．７×１０−５×Ｒｓ２
表面抵抗が高くなると、放射率が高くなるという相関関係があることから、比較例５は、高い表面抵抗に起因して放射率が高くなっていると推察され、低放射ガラスとして好ましい低い放射率、すなわち良好な断熱特性を示さないと考えられる。
【００６７】
図４に、実施例１〜８、および比較例１〜比較例４のガラス面反射色調ａ＊、ｂ＊をプロットした図を示す。図４から、本発明の低放射膜は、酸素ガス濃度を変更した際のａ＊、ｂ＊の変化の割合が小さく、層の厚みを調節するよりも、より細かく反射色調を調整することが可能であると言える。
【００６８】
【表２】
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実施例９〜１７の低放射膜は、実施例１〜８と同様に可視光透過率が６５％以上であり、かつ日射透過率が６０％以下となり、低放射ガラスとして好ましい光学特性を有していた。また、Ａｇ膜形成時の酸素ガス濃度が２．２体積％である実施例９〜実施例１１、６．７体積％である実施例１２〜実施例１４、１１．１体積％であるまたは実施例１５〜１７、について比較すると、Ａｇ膜形成時のターゲットへ投入する電力または電圧を増すことで、低放射膜の表面抵抗が低下することが確認された。
【００６９】
以上から、本発明の実施例では、誘電体層の膜厚を厳密に制御しなくとも、膜面反射色調を自在に変化させることが可能であると言える。
【符号の説明】
【００７０】
１     基材
２     誘電体層
３     金属層
４     バッキングプレート
５     ターゲット
６     基材ホルダー
７     板ガラス
８     真空チャンバー
９     真空ポンプ
１０   ガス導入管
１１   開閉バルブ
１２   ＤＣ電源
１３   搬送ロール
１４   マグネット
１５   電源ケーブル
【図１】
2011052294.tif 000005
【図２】
2011052294.tif 000006
【図３】
2011052294.tif 000007
【図４】
2011052294.tif 000008