(57)【要約】【課題】基板の切断不良を抑制する。【解決手段】複数のデバイス領域２０ａのそれぞれに半導体チップが搭載された配線基板２０を、ダイシングブレード（回転刃）４０を用いて分割する。この個片化工程では、各デバイス領域２０ａのそれぞれにおける表面１０ａの一部を固定治具４１の上面４１ｅで支持し、かつダイシング領域２０ｃにおける表面を支持しない状態で、ダイシングブレード４０を用いて、ダイシング領域２０ｃに沿って配線基板２０を分割する。ここで、ダイシングブレード４０の先端には、側面４０ｂと、９０度よりも大きい角度を成すテーパ面（傾斜面）４０ａとが形成されている。【選択図】図３０
2011211159.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）複数のデバイス領域と、前記複数のデバイス領域のうちの互いに隣り合うデバイス領域間に設けられたダイシング領域とを備えた配線基板を準備する工程；
（ｂ）第１主面、前記第１主面に形成された複数の電極、および前記第１主面とは反対側の第２主面を有する半導体チップを、前記複数のデバイス領域のそれぞれにおける表面に搭載する工程；
（ｃ）前記半導体チップの前記複数の電極と前記配線基板の表面に形成された複数の第１端子とを、複数の導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｄ）前記複数のデバイス領域のそれぞれにおける前記表面の一部、および前記ダイシング領域における表面が露出するように、前記半導体チップ、前記複数の導電性部材、および前記複数の第１端子を樹脂で封止し、前記複数のデバイス領域のそれぞれにおける前記表面に封止体を形成する工程；
（ｅ）前記複数のデバイス領域のそれぞれにおける前記表面の前記一部を固定治具の上面で支持し、かつ前記ダイシング領域における前記表面を支持しない状態で、回転刃を用いて、前記ダイシング領域に沿って前記配線基板を分割する工程；
ここで、
前記複数のデバイス領域のそれぞれは、
前記上面、および前記上面とは反対側の下面を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記上面に形成された前記複数の第１端子と、
前記絶縁層の前記上面に形成され、前記複数の第１端子とそれぞれ電気的に接続された複数の第１配線と、
前記複数の第１端子が露出し、かつ前記複数の第１配線が覆われるように、前記絶縁層の前記上面に形成された第１絶縁膜と、
前記絶縁層の前記下面に形成された複数のランドと、
前記絶縁層の前記下面に形成され、前記複数のランドとそれぞれ電気的に接続された複数の第２配線と、
前記複数のランドが露出し、かつ前記複数の第２配線が覆われるように、前記絶縁層の前記下面に形成された第２絶縁膜と、
前記上面および前記下面のうちの一方の面側から他方の面側に向かって形成された孔と、
前記孔の内部に形成され、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に接続する第３配線と、
を有し、
前記回転刃の先端には傾斜面が形成され、
前記傾斜面と前記回転刃の側面とが成す角度は、９０度よりも大きい。
【請求項２】
請求項１において、
前記（ｄ）工程で形成した前記封止体は、前記配線基板の前記絶縁層よりも脆いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記（ｄ）工程の後、かつ前記（ｅ）工程の前に、前記複数のランドに複数の外部接続端子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記固定治具は、
前記配線基板上に形成された複数の前記封止体をそれぞれ収納する複数の凹部、前記複数の凹部の間に形成される凸部、および前記凸部の間に形成される溝部を有し、
前記（ｅ）工程では、
前記複数のデバイス領域のそれぞれにおいて、前記封止体から露出する前記表面の前記一部、および前記ダイシング領域における前記表面が前記凸部の上面と対向するように、前記配線基板を吸着固定した状態で、前記回転刃、前記配線基板のいずれか一方、または両方を前記溝部に沿って移動させて切削加工を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記（ｅ）工程では、
前記固定治具の前記溝部内に、前記回転刃を挿入して切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記傾斜面と前記回転刃の側面とが成す角度は、１３０度よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記傾斜面と前記回転刃の側面とが成す角度は、１５０度未満であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記配線基板の前記ダイシング領域では、前記第１絶縁膜が取り除かれていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記（ｅ）工程では、
前記回転刃が、前記配線基板の裏面から前記表面に向かって回転することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１において、
前記回転刃の先端には、
第１の側面から前記第１の側面の反対側に位置する第２の側面に向かって形成される第１の傾斜面と、
前記第２の側面から前記第１の側面に向かって形成される第２の傾斜面を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１および第２の傾斜面は、
前記第１および第２の側面の中間で互いに交差していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記回転刃は、
前記第１および第２の傾斜面の間に、前記第１および第２の傾斜面と交差する先端面を有し、前記先端面の幅は、前記第１の傾斜面の幅、および前記第２の傾斜面の幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１において、
前記配線基板の前記絶縁層は、
上面、および下面を有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の前記上面側に積層される第２絶縁層と、を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層よりも厚さが薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３において、
前記第１絶縁層には、ガラス繊維が含まれ、
前記第２絶縁層には、ガラス繊維が含まれていないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）複数のデバイス領域と、前記複数のデバイス領域のうちの互いに隣り合うデバイス領域間に設けられたダイシング領域とを備えた配線基板を準備する工程；
（ｂ）第１主面、前記第１主面に形成された複数の電極、および前記第１主面とは反対側の第２主面を有する半導体チップを、前記複数のデバイス領域のそれぞれにおける表面に搭載し、前記半導体チップの前記複数の電極と前記配線基板の表面に形成された複数の第１端子とを、複数の導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程； 
（ｃ）前記複数のデバイス領域のそれぞれにおける前記半導体チップの周囲に位置する前記配線基板の表面の一部を固定治具の上面で支持し、かつ前記ダイシング領域における表面を支持しない状態で、回転刃を用いて、前記ダイシング領域に沿って前記配線基板を分割する工程；
ここで、
前記複数のデバイス領域のそれぞれは、
前記上面、および前記上面とは反対側の下面を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記上面に形成された前記複数の第１端子と、
前記絶縁層の前記上面に形成され、前記複数の第１端子とそれぞれ電気的に接続された複数の第１配線と、
前記複数の第１端子が露出し、かつ前記複数の第１配線が覆われるように、前記絶縁層の前記上面に形成された第１絶縁膜と、
前記絶縁層の前記下面に形成された複数のランドと、
前記絶縁層の前記下面に形成され、前記複数のランドとそれぞれ電気的に接続された複数の第２配線と、
前記複数のランドが露出し、かつ前記複数の第２配線が覆われるように、前記絶縁層の前記下面に形成された第２絶縁膜と、
前記上面および前記下面のうちの一方の面側から他方の面側に向かって形成された孔と、
前記孔の内部に形成され、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に接続する第３配線と、
を有し、
前記回転刃の先端には傾斜面が形成され、
前記傾斜面と前記回転刃の側面とが成す角度は、９０度よりも大きい。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記（ｂ）工程には、前記複数の電極と前記配線基板の前記複数の第１端子とをそれぞれ電気的に接続した後、前記半導体チップの前記第１主面と、前記配線基板の前記表面の間に封止樹脂を供給して前記半導体チップの前記第１主面側を封止する工程を有し、
前記封止樹脂は、前記配線基板の前記絶縁層よりも脆いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記（ｂ）工程の後、かつ前記（ｃ）工程の前に、前記複数のランドに複数の外部接続端子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８において、
前記固定治具は、
前記配線基板上に形成された複数の封止体をそれぞれ収納する複数の凹部、前記複数の凹部の間に形成される凸部、および前記凸部の間に形成される溝部を有し、
前記（ｃ）工程では、
前記複数のデバイス領域のそれぞれにおいて、前記封止体から露出する前記表面の一部、および前記ダイシング領域における前記表面が前記凸部の上面と対向するように、前記配線基板を吸着固定した状態で、前記回転刃、前記配線基板のいずれか一方、または両方を前記溝部に沿って移動させて切削加工を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記（ｃ）工程では、
前記固定治具の前記溝部内に、前記回転刃を挿入して切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項２０において、
前記傾斜面と前記回転刃の側面とが成す角度は、１３０度よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１において、
前記傾斜面と前記回転刃の側面とが成す角度は、１５０度未満であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項２２において、
前記配線基板の前記ダイシング領域では、前記第１絶縁膜が取り除かれていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項２３において、
前記（ｃ）工程では、
前記回転刃が、前記配線基板の裏面から前記表面に向かって回転することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）表面、前記表面の反対側に位置する裏面、複数のデバイス領域、前記複数のデバイス領域のうちの互いに隣り合うデバイス領域間に設けられたダイシング領域、前記複数のデバイス領域のそれぞれに形成されたチップ搭載部、前記複数のデバイス領域のそれぞれにおいて前記チップ搭載部の周囲に配置される複数のリードを備えたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）第１主面、前記第１主面に形成された複数の電極、および前記第１主面とは反対側の第２主面を有する半導体チップを、前記複数のデバイス領域のそれぞれにおける前記チップ搭載部に搭載する工程；
（ｃ）前記半導体チップの前記複数の電極と前記リードフレームの前記複数のリードとを、複数の導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｄ）前記ダイシング領域における前記リードフレームの表面が露出するように、前記半導体チップ、前記複数の導電性部材、および前記複数のリードを樹脂で封止し、前記複数のデバイス領域のそれぞれに封止体を形成する工程；
（ｅ）前記封止体または前記複数のデバイス領域のそれぞれにおける前記表面の一部を支持し、かつ、前記ダイシング領域における表面を支持しない状態で、前記リードフレームの裏面側から回転刃を走らせて、前記ダイシング領域に沿って前記リードフレームを分割する工程；
ここで、
前記回転刃の先端には傾斜面が形成され、
前記傾斜面と前記回転刃の側面とが成す角度は、９０度よりも大きい。
【請求項２６】
請求項２５において、
前記回転刃は、前記リードフレームよりも硬いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
請求項２６において、
前記（ｄ）工程で形成した前記封止体は、前記リードフレームよりも脆いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項２７において、
前記傾斜面と前記回転刃の側面とが成す角度は、１３０度よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
請求項２８において、
前記傾斜面と前記回転刃の側面とが成す角度は、１５０度未満であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
請求項２５において、
前記回転刃の先端には、
第１の側面から前記第１の側面の反対側に位置する第２の側面に向かって形成される第１の傾斜面と、
前記第２の側面から前記第１の側面に向かって形成される第２の傾斜面を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
請求項３０において、
前記第１および第２の傾斜面は、
前記第１および第２の側面の中間で互いに交差していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３２】
請求項３１において、
前記（ａ）工程で準備する前記リードフレームの前記ダイシング領域には、前記ダイシング領域に沿って延びるダム部が配置され、
前記複数のデバイス領域のそれぞれに形成された前記複数のリードのうち、前記ダム部を介して対向配置される前記複数のリードは、それぞれ前記ダム部に連結され、
前記（ｅ）工程では、前記ダム部よりも幅の太い前記回転刃を用いて前記ダイシング領域を切削加工することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
請求項３２において、
前記回転刃は、
前記第１および第２の傾斜面の間に、前記第１および第２の傾斜面と交差する先端面を有し、前記先端面の幅は、前記ダム部の幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体チップが搭載された基板をダイシングブレードで切断する半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開２００２−１１０７２１号公報（特許文献１）には、配線基板上に半導体チップが搭載され、裏面側には、複数の半田ボールが配置された、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体装置の製造方法が記載されている。特許文献１には、複数のデバイス領域を一括で封止するように封止体を形成する、一括モールドタイプ（ＭＡＰ（Mold Array Package）タイプとも呼ばれる）の半導体装置の製造方法が記載されている。
【０００３】
特開２００６−１０８３４３号公報（特許文献２）には、一括モールドタイプの半導体装置の製造方法として、ダイシングブレードで、配線基板および一括形成した封止樹脂を切断することが記載されている。
【０００４】
特開２００６−３４４８２７号公報（特許文献３）の実施の形態１には、配線基板の上面が露出するように封止体を形成する個片モールドタイプの半導体装置が記載されている。また、実施の形態２には、一括モールドタイプの半導体装置が記載されている。
【０００５】
特開２００５−３１７７９９号公報（特許文献４）には、一括モールドタイプの半導体装置の製造方法として、刃先にテーパを設けた回転刃を用いて配線基板および樹脂部を切断することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１１０７２１号公報
【特許文献２】特開２００６−１０８３４３号公報
【特許文献３】特開２００６−３４４８２７号公報
【特許文献４】特開２００５−３１７７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
配線基板（インタポーザ）の複数のデバイス領域に搭載された複数の半導体チップを一括して封止する封止体と、この配線基板とを切断する、所謂、一括モールドタイプの切断工程として、前記特許文献１〜４に記載されるように、ダイシングブレード（回転刃）を用いた切断方法がある。一括モールドタイプの切断工程では、封止体と配線基板を切断するので、被切断物の厚さが厚くなるが、ダイシングブレードを用いた切断方法は、金型でパンチングする切断方法と比較して、厚い被切断物でも安定的に切断することができるというメリットがある。
【０００８】
また、ダイシングブレードを用いた切断方法は、金型でパンチングする切断方法よりも、切断時に被切断物を固定するために、被切断物に設ける領域（固定代）の面積を小さくすることができるというメリットがある。そこで、本願発明者は、例えば、個片モールドタイプの半導体装置のように、デバイス領域内の配線基板の表面の一部が露出した半導体装置の切断工程において、ダイシングブレードを用いた切断方法を適用することについて検討した。
【０００９】
まず、ＢＧＡ型の半導体装置では、切断工程（ダイシング工程）の前に、配線基板の実装面側に複数の外部端子（半田ボール）が形成される。そのため、一括モールドタイプの切断工程では、ダイシングシート（テープ）を介して封止体の表面をダイシングステージ上に固定して行う。
【００１０】
しかし、個片モールドタイプの半導体装置の場合、ダイシング領域には封止体が形成されていない。このため、前記特許文献１のように、切断される領域をダイシングシートで支持固定しておくことが困難である。
【００１１】
そこで、個片モールドタイプの切断工程では、前記特許文献３の実施の形態１のように、ダイシングブレードで切断する領域（ダイシング領域）の近傍を支持できる治具を使用する切断方法（以下、治具ダイシングと呼ぶ）が有効である。これにより、配線基板の切断領域の近傍を支持できるため、切断応力による配線基板の振動を抑制することができる。
【００１２】
ここで、本願発明者は、例えば、前記特許文献３に記載されるダイシング工程（切断工程）のように、治具ダイシングによる切断工程で生じる以下の課題を見出した。すなわち、配線基板を切断する際に、長い、紐状の異物が発生するという課題である。
【００１３】
本願発明者の検討によれば、この紐状の異物は、配線基板の絶縁層を構成する材料（絶縁層材料）から成り、破壊し難い。このため、紐状の異物が発生し、治具ダイシング用の治具と被切断物である配線基板との間に挟まると、切断工程中に配線基板をしっかりと固定できなくなる原因となる。そして、切断工程中に配線基板が固定されないと、切断不良の原因となる。また、紐状の異物が発生する度に、これを取り除いていると、製造効率が著しく低下する。
【００１４】
また、前記した紐状の異物は、一括モールドタイプの切断工程では発生しないことも判った。つまり、前記した本願発明者が見出した課題は、切断工程において、配線基板を切断し、かつ、封止体を切断しない場合に発生する課題である。
【００１５】
なお、前記特許文献１および前記特許文献２では、一括モールドタイプの切断工程を開示しているのみであり、上記したような課題について示唆がなければ、上記の課題を解決するための具体的な手段についても記載がない。
【００１６】
また、前記特許文献４には、平坦な刃先を有するダイシングブレードで、一括モールドタイプの切断工程を行う際に、封止体（樹脂部）の樹脂が、髭状の切削屑となって発生する事が記載されている。しかし、本願発明者の検討によれば、封止体の樹脂に由来する切削屑と、前記した配線基板の絶縁層材料に由来する紐状の異物とでは、長さおよび物性が全く異なっている。
【００１７】
すなわち、封止体を構成する樹脂材料は、配線基板の絶縁層を構成する材料と比較して、非常に脆い。このため、封止体の樹脂に由来する異物は、前記した配線基板の絶縁層材料に由来する紐状の異物と比較して非常に破壊し易い。したがって、封止体の樹脂に由来する異物は、紐状の異物よりも長さが短く、仮に、治具ダイシング用の治具と被切断物である配線基板との間に挟まった場合、配線基板を固定する力により破壊されてしまう。つまり、前記特許文献４には、前記した切断工程において、配線基板を切断し、かつ、封止体を切断しない場合に発生する、本願発明者が見出した課題については記載されていない。
【００１８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の切断不良を防止ないしは抑制できる技術を提供することにある。
【００１９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００２１】
すなわち、本願発明の一態様である半導体装置の製造方法は、複数のデバイス領域のそれぞれに半導体チップが搭載された配線基板を、回転刃を用いて分割する個片化工程を含んでいる。そして、この個片化工程では、各デバイス領域のそれぞれにおける表面の一部を固定治具で支持し、かつダイシング領域における表面を支持しない状態で、回転刃を用いて、ダイシング領域に沿って配線基板を分割する。ここで、回転刃の先端部には、側面と、９０度よりも大きい角度を成す傾斜面とが形成されているものである。
【発明の効果】
【００２２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００２３】
すなわち、本願発明の一態様によれば、基板の切断不良を防止ないしは抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施の形態の半導体装置の表面を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の裏面を示す平面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の表面側の内部構造を示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図５】図３に示す配線基板の表面側を示す平面図である。
【図６】図５に示すＢ部の拡大平面図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。
【図８】図１〜図４に示す半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。
【図９】図８に示す基板準備工程で準備する配線基板の全体構造を示す平面図である。
【図１０】図９に示すＤ部の拡大平面図である。
【図１１】図１０に示す配線基板の裏面側を示す拡大平面図である。
【図１２】図１０に示すＥ−Ｅ線に沿った拡大断面図である。
【図１３】図１０に示す配線基板上に半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。
【図１４】図１３に示すＦ−Ｆ線に沿った拡大断面図である。
【図１５】図１３に示す半導体チップと配線基板を、ワイヤボンディングにより電気的に接続した状態を示す拡大平面図である。
【図１６】図１４に示す半導体チップと配線基板を、ワイヤボンディングにより電気的に接続した状態を示す拡大断面図である。
【図１７】図１６に示す配線基板を成形金型でクランプした状態を示す拡大断面図である。
【図１８】図１７に示すキャビティ内に封止用樹脂を供給した状態を示す拡大断面図である。
【図１９】図１５に示す半導体チップおよびワイヤを樹脂封止した状態を示す拡大平面図である。
【図２０】図１９のＦ−Ｆ線に沿った断面図である。
【図２１】図２０に示す配線基板の裏面に、半導体装置の外部電極（外部接続端子）となる複数の半田ボールを形成（接合）した状態を示す拡大断面図である。
【図２２】図２１に示す配線基板をダイシングブレードで切断する状態を示す拡大断面図である。
【図２３】図２２のＧ−Ｇ線の拡大断面図である。
【図２４】図２２に示す固定治具の上面を示す拡大平面図である。
【図２５】図２４のＨ部の拡大平面図である。
【図２６】図２２に示すダイシングブレードの拡大断面図である。
【図２７】図２３のＱ部の拡大断面図である。
【図２８】図２７のＲ−Ｒ線の拡大断面図である。
【図２９】図２７のＳ−Ｓ線の拡大断面図である。
【図３０】図２７のＴ−Ｔ線の拡大断面図である。
【図３１】図２６に示すダイシングブレードが摩耗により変形した状態を示す拡大断面図である。
【図３２】図２６に示すダイシングブレードの第１の変形例を示す拡大断面図である。
【図３３】図２６に示すダイシングブレードの第２の変形例を示す拡大断面図である。
【図３４】図２２に示す配線基板を切断した後の洗浄工程を示す拡大断面図である。
【図３５】図３４に示す固定治具から個片化された半導体装置を取り出す状態を示す拡大断面図である。
【図３６】図３に示す半導体装置の変形例を示す平面図である。
【図３７】図３６のＵ−Ｕ線に沿った断面図である。
【図３８】図３７のＷ部の拡大断面図である。
【図３９】本発明の他の実施の形態の個片化工程を示す拡大断面図である。
【図４０】図３９のＸ−Ｘ線の拡大断面図である。
【図４１】図３９のＹ−Ｙ線の拡大断面図である。
【図４２】図３９のＺ−Ｚ線の拡大断面図である。
【図４３】図３６に示す半導体装置の変形例を示す平面図である。
【図４４】図４３のＡａ−Ａａ線に沿った断面図である。
【図４５】リードフレーム搭載型の半導体装置の表面を示す平面図である。
【図４６】図４５に示す半導体装置の裏面を示す平面図である。
【図４７】図４５に示す半導体装置の表面側の内部構造を示す平面図である。
【図４８】図４７のＡｂ−Ａｂ線に沿った断面図である。
【図４９】図４５〜図４８に示す半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。
【図５０】図４９に示すリードフレーム準備工程で準備するリードフレームの全体構造を示す平面図である。
【図５１】図５０のＡｃ部の拡大平面図である。
【図５２】図５１に示すリードフレーム上に半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。
【図５３】図５２に示すＡｄ−Ａｄ線に沿った拡大断面図である。
【図５４】図５２に示す半導体チップの複数のパッドとリードフレームの複数のリードを、ワイヤボンディングにより電気的に接続した状態を示す拡大平面図である。
【図５５】図５３に示す半導体チップの複数のパッドとリードフレームの複数のリードを、ワイヤボンディングにより電気的に接続した状態を示す拡大断面図である。
【図５６】図５４に示すリードフレームの各デバイス領域に封止樹脂を形成した状態を示す拡大平面図である。
【図５７】図５５に示すリードフレームの各デバイス領域に封止樹脂を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図５８】図２２に対する変形例を示す拡大断面図である。
【図５９】図２７に対する変形例を示す拡大断面図である。
【図６０】図２８に対する変形例を示す拡大断面図である。
【図６１】図２９に対する変形例を示す拡大断面図である。
【図６２】図３０に対する変形例を示す拡大断面図である。
【図６３】図４８に対する変形例を示す断面図である。
【図６４】図５６に対する変形例を示す拡大平面図である。
【図６５】図６４のＡｆ−Ａｆ線に沿った拡大断面図である。
【図６６】図５８に対する変形例を示す拡大断面図である。
【図６７】図６０に対する変形例を示す拡大断面図である。
【図６８】本発明の一実施の形態の個片化工程に対する第１の比較例を示す拡大断面図である。
【図６９】図６８のＪ−Ｊ線の拡大断面図である。
【図７０】図６８のＫ−Ｋ線の拡大断面図である。
【図７１】図６８のＬ−Ｌ線の拡大断面図である。
【図７２】本発明の一実施の形態の個片化工程に対する第２の比較例を示す拡大断面図である。
【図７３】図７２のＮ−Ｎ線の拡大断面図である。
【図７４】図７２のＰ−Ｐ線の拡大断面図である。
【図７５】図６９に示すダイシングブレードが、摩耗により変形した状態を示す拡大断面図である。
【図７６】図６７に示すリードフレームに対して、図６８〜図７１に示すダイシングブレードを用いて切削加工を行った場合の比較例を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００２６】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケル・めっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００２７】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００２８】
また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００２９】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するために、ハッチングを付すことがある。
【００３０】
（実施の形態１）
＜半導体装置＞
まず、本実施の形態に係る半導体装置の構造の概要について説明する。図１は、本実施の形態の半導体装置の表面を示す平面図、図２は図１に示す半導体装置の裏面を示す平面図である。また、図３は、図１に示す半導体装置の表面側の内部構造を示す平面図である。また、図４は、図３のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、図３では、図１に示す封止樹脂４の位置を２点鎖線で示している。
【００３１】
本実施の形態では、配線基板（基板）１０上に半導体チップ２が搭載され、配線基板１０上の一部（例えば、略中央部）に形成された封止樹脂（封止体）４により、半導体チップ２が封止された、個片モールドタイプの半導体装置１について説明する。
【００３２】
半導体装置１は、配線基板１０の表面１０ａ上に搭載される半導体チップ２、半導体チップ２と配線基板１０を電気的に接続する複数の導電性部材（本実施の形態ではワイヤ３）、半導体チップ２および複数のワイヤ３を封止する封止樹脂４、および配線基板１０の裏面１０ｂ側に形成され、且つ、半導体チップ２と電気的に接続される半田ボール（半田材）５を有している。なお、半田ボール５は、半導体装置１と実装基板（マザーボード）とを電気的に接続するための外部電極（外部接続端子）である。
【００３３】
配線基板１０上への半導体チップ２の実装方式は、複数のパッド２ｃが形成された主面２ａ側を配線基板１０の表面１０ａと対向させ、複数のバンプ電極を介して実装する、フェイスダウン実装方式（フリップチップ実装方式）と、図４に示すように主面２ａの反対側に位置する裏面２ｂを表面１０ａと対向させて実装する、フェイスアップ実装方式に大別される。本実施の形態では、フェイスアップ実装方式を用いており、半導体チップ２と配線基板１０を電気的に接続する導電性部材として、図４に示すように、例えばワイヤ３を使用している。フェイスアップ実装方式は、フェイスダウン実装方式と比較して、製造コストを低減できるというメリットがある。
【００３４】
フェイスアップ実装方式では、半導体チップ２と配線基板１０をワイヤボンディング方式により、電気的に接続する。すなわち、半導体チップ２の主面２ａ上に形成された複数のパッド（電極、チップ電極）２ｃと、配線基板１０の表面１０ａ側に露出するように、平面視において半導体チップ２の周囲に配置される複数のボンディングリード（端子、ボンディングパッド）１１を、複数のワイヤ３を介して電気的に接続する。ワイヤボンディング方式は、ワイヤ３の接合部（パッド２ｃやボンディングリード１１との接合部）を容易に視認することができるので、接続不良が発生しても、これを容易に発見することができる。つまり、完成品の半導体装置１の信頼性が高い。
【００３５】
ただし、ワイヤ３が露出した状態では、衝撃等によりワイヤ３に変形が生じた場合に短絡などの原因となるため、複数のワイヤ３の変形を防止する必要がある。そこで、図４に示すように、配線基板１０の表面１０ａ上に封止樹脂４を形成し、半導体チップ２およびワイヤ３を封止することで、ワイヤ３を保護している。
【００３６】
また、配線基板１０の表面１０ａの反対側に位置する裏面１０ｂには、複数の半田ボール５が形成されている。複数の半田ボール５は、配線基板１０に形成された複数の配線１２を介して表面１０ａ側に形成されたボンディングリード１１と電気的に接続されている。このため、半導体装置１を実装基板（図示は省略）に実装する際には、半田ボール５を実装基板の端子（図示は省略）に接合して電気的に接続する。つまり、半田ボール５は半導体装置１の外部電極（外部接続端子）となる。
【００３７】
また、図２に示すように、複数の半田ボール５は、配線基板１０の裏面１０ｂ側に行列状に配置されている。つまり、半導体装置１は、複数の外部電極が配線基板１０の裏面（実装面）１０ｂ側に行列状に配置される、所謂、エリアアレイ型の半導体装置である。エリアアレイ型の半導体装置は、配線基板１０の裏面１０ｂ側を外部電極の配置スペースとして有効に活用することができる。このため、例えば、ＱＦＰ（Quad Flat Package）やＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）など、半導体チップを搭載する基材としてリードフレームを用いた半導体装置と比較して、外部電極の数を増やす事ができる点で有利である。
【００３８】
なお、エリアアレイ型の半導体装置としては、本実施の形態の半導体装置１のように、外部電極として半田ボール５が取り付けられたＢＧＡ（Ball Grid Array）型半導体装置の他、例えば、半田などの接合部材を取り付けるためのランド１３が露出した、ＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体装置などもある。半田ボール５は、半導体装置を実装基板（マザーボード）に搭載する際の接合材料として機能するので、ＢＧＡ型の半導体装置は、容易に実装基板に実装できる点で有利である。
【００３９】
本実施の形態の半田ボール５は、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田からなり、例えば錫（Ｓｎ）のみ、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）、または錫−銅−銀（Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ）などである。ここで、鉛フリー半田とは、鉛（Ｐｂ）の含有量が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、この含有量は、ＲｏＨｓ（Restriction of Hazardous Substances）指令の基準として定められている。以下、本実施の形態において、半田、あるいは半田ボールについて説明する場合には、特にそうでない旨明示した場合を除き、鉛フリー半田を指す。
【００４０】
＜配線基板＞
次に、図１〜図４に示す配線基板１０の詳細について説明する。図５は図３に示す配線基板の表面側を示す平面図、図６は、図５に示すＢ部の拡大平面図、図７は図６のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。
【００４１】
図７に示すように、配線基板１０は、上面（主面）１４ａ、上面１４ａの反対側に位置する下面（裏面）１４ｂ、および上面１４ａと下面１４ｂの間に位置する側面１４ｃ（図４参照）を有する絶縁層（コア層）１４を有している。絶縁層１４は、例えば、ガラス繊維または炭素繊維に樹脂を含浸させたプリプレグからなる。また、絶縁層１４の上面１４ａおよび下面１４ｂは、それぞれ絶縁膜（ソルダレジスト膜、保護膜）１６、１７に覆われている。絶縁膜１６、１７は、絶縁層１４の上面１４ａや下面１４ｂに形成される複数の配線１２を覆うように形成され、複数の配線１２間の短絡や、断線などを防止する保護膜である。したがって、絶縁膜（上面側絶縁膜）１６は、配線基板１０の最上面である表面１０ａに、絶縁膜（下面側絶縁膜）１７は、配線基板１０の最下面である裏面１０ｂに、それぞれ形成されている。
【００４２】
なお、本願では、配線基板１０の最上面である絶縁膜１６の上面と、配線基板１０の最上層配線が形成される絶縁層１４の上面１４ａを区別して説明する。すなわち、図７に示すように、配線基板１０の表面１０ａとは、配線基板１０の最上層に配置される絶縁膜１６の上面（最表面）を指し、配線基板１０内部の絶縁層１４の上面１４ａとは区別される。同様に、配線基板１０の裏面１０ｂとは、配線基板１０の最下層に配置される絶縁膜１７の下面（最表面）を指し、配線基板１０内部の絶縁層１４の下面１４ｂとは区別される。
【００４３】
図５に示すように、配線基板１０は、平面視において四角形を成す。配線基板１０の表面１０ａには、半導体チップ２（図３参照）を搭載するチップ搭載領域１０ｃが設けられている。本実施の形態では、チップ搭載領域１０ｃは、平面視において配線基板１０の外形に沿った四角形を成し、例えば、表面１０ａの略中央（中央部）に配置されている。チップ搭載領域１０ｃの周囲には、上面１４ａに、複数のボンディングリード（端子、ボンディングパッド）１１が形成されている。複数のボンディングリード１１は、例えば、銅（Ｃｕ）からなり、その表面には、めっき膜（図示は省略）が形成されている。めっき膜は、本実施の形態では、例えば、ニッケル（Ｎｉ）膜上に金（Ａｕ）膜が積層された積層膜となっている。
【００４４】
また、図５に示すように、複数のボンディングリード１１は、チップ搭載領域１０ｃの各辺に沿って配置されている。なお、本実施の形態では、チップ搭載領域１０ｃの各辺（換言すれば、半導体チップ２の各辺）に沿って、それぞれ１列で複数のボンディングリード１１が配置されている。しかし、ボンディングリードの配列は図５に示す態様に限定されず、例えば、チップ搭載領域１０ｃの各辺（換言すれば、半導体チップ２の各辺）に沿って、複数列で配置することもできる。この場合、ボンディングリード１１の配置スペースの増加を抑制し、かつ、多くのボンディングリード１１を配置することができるので、小型で、狭ピッチで、さらに多ピンの半導体装置に適用して有効である。
【００４５】
各ボンディングリード１１は、図７に示すように絶縁層１４の上面１４ａを覆う絶縁膜１６に形成された開口部１６ａにおいて、絶縁膜１６から露出している。本実施の形態では、図６に示すように、絶縁膜１６のボンディングリード１１と重なる位置に、ボンディングリード１１よりも小さい開口部１６ａが形成され、ボンディングリード１１の一部が露出している。
【００４６】
また、各ボンディングリード１１は、配線基板１０の複数の配線層に形成された配線１２を介して絶縁層１４の下面１４ｂに形成されたランド（端子、電極）１３と電気的に接続されている。詳しくは、配線基板１０は、複数の配線層を有している。図４および図７では、上面１４ａに形成される配線層と下面１４ｂに形成される配線層からなる２層の配線層を示している。各配線層には、例えば、銅（Ｃｕ）からなる複数の配線１２が形成され、上面１４ａおよび下面１４ｂのうちの一方の面（本実施の形態では、上面１４ａ）側から他方の面（本実施の形態では、下面１４ｂ）側に向かって形成されたビア（孔）１５ａ内の配線（ビア内配線、層間配線）１５を介して各配線層の配線１２が電気的に接続されている。ビア１５ａは、上面１４ａから下面１４ｂまで貫通するように形成されており、上面１４ａに形成された配線１２ａと下面１４ｂに形成された配線１２ｂを、配線１５を介して電気的に接続している。図７に示すように、絶縁層１４の上面１４ａに形成されたボンディングリード１１は、同じく上面１４ａに形成された複数の配線（最上層配線）１２ａと一体に形成されている。一方、絶縁層１４の下面１４ｂに形成されるランド１３は、同じく下面１４ｂに形成された配線（最下層配線）１２ｂと一体に形成されている。つまり、複数のボンディングリード１１に接続される導電経路は、配線１２、１５を介して下面１４ｂ側に引き出され、複数のランド１３と電気的に接続されている。各ランド１３は、図７に示すように絶縁層１４の下面１４ｂを覆う絶縁膜１７に形成された、開口部１７ａにおいて、絶縁膜１７から露出している。本実施の形態では、絶縁膜１７のランド１３と重なる位置に、ランド１３よりも小さい開口部１７ａが形成され、ランド１３の一部が露出している。そして、図４に示すように、複数のランド１３には、外部電極である複数の半田ボール５が接合するので、複数のボンディングリード１１は、複数の半田ボール５と電気的に接続される。
【００４７】
複数のランド１３は、例えば、銅（Ｃｕ）からなり、その表面には、めっき膜（図示は省略）が形成されている。めっき膜は、本実施の形態では、例えば、ニッケル（Ｎｉ）膜上に金（Ａｕ）膜が積層された積層膜となっている。また、図示は省略するが、複数のランド１３は、下面１４ｂにおいて、図２に示す半田ボール５と同様に行列状（アレイ状、マトリクス状）に配置されている。言い換えれば、行列状に配置される複数のランド１３の露出部のそれぞれに、半田ボール５が接合されている。
【００４８】
図６および図７では、ボンディングリード１１よりも配線基板１０の外周側（図６あるいは図７が記載される紙面に対して左側）に向かって延在する配線１２を示している。この配線１２は、絶縁層１４（図７）の上面１４ａ上に配線１２やボンディングリード１１を電解めっき法により形成する際の給電線１２ｃである。
【００４９】
なお、本実施の形態では、絶縁層１４の上面１４ａおよび下面１４ｂに配線１２が形成された、２層の配線層を有する配線基板を示している。しかし、配線基板１０の配線層数は２層には限定されず、例えば、絶縁層１４内に複数層の配線層（配線１２）を形成する、所謂、多層配線基板とすることもできる。この場合、最上層配線層と最下層配線層の間に、さらに配線層を形成することにより、配線を引き回すスペースを増加させることができるので、端子数が多い半導体装置に適用して特に有効である。多層配線基板を用いた実施態様の例は、後述する実施の形態２において、説明する。
【００５０】
＜半導体チップ＞
次に、配線基板１０上に搭載する半導体チップ２について説明する。
【００５１】
図４に示すように本実施の形態の半導体チップ２は、主面（第１主面）２ａ、主面２ａの反対側に位置する裏面（第２主面）２ｂ、およびこの主面２ａと裏面２ｂとの間に位置する側面を有している。また、図３に示すように半導体チップ２の平面形状（主面２ａ、裏面２ｂの形状）は略四角形からなる。
【００５２】
半導体チップ２の主面２ａ上には、複数のパッド（電極、チップ電極）２ｃが形成されている。複数のパッド２ｃは、半導体チップ２の各辺に沿って主面２ａ上の周縁部側にそれぞれ配置されている。
【００５３】
また、半導体チップ２の主面２ａには、それぞれダイオードやトランジスタなどの複数の半導体素子（回路素子）が形成され、半導体素子上に形成された図示しない配線（配線層）を介して、複数のパッド２ｃとそれぞれ電気的に接続されている。このように半導体チップ２は、主面２ａに形成された複数の半導体素子とこれら複数の半導体素子を電気的に接続する配線により集積回路を構成している。
【００５４】
なお、半導体チップ２の半導体素子形成面である主面２ａを持つ基材（半導体基板）は、例えば、シリコン（Ｓｉ）からなる。また、主面２ａ上の最表面には絶縁膜であるパッシベーション膜（図示は省略）が形成されており、複数のパッド２ｃのそれぞれの表面は、このパッシベーション膜に形成された開口部において、絶縁膜から露出している。
【００５５】
また、このパッド２ｃは金属からなり、本実施の形態では、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる。さらに、このパッド２ｃの表面には、めっき膜が形成されており、本実施の形態では、例えばニッケル（Ｎｉ）膜を介して、金（Ａｕ）膜が形成された多層構造の積層めっき膜である。
【００５６】
また、本実施の形態では、半導体チップ２は、裏面２ｂを配線基板１０の表面１０ａと対向させた状態で、チップ搭載領域１０ｃ上に搭載する、所謂フェイスアップ実装方式により搭載する。半導体チップ２は、接着材６を介してチップ搭載領域１０ｃの表面１０ａ上に固定される。接着材６は、配線基板１０の表面１０ａに半導体チップ２をしっかりと固定できるものであれば、特に限定されないが、本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂を用いている。
【００５７】
また、図３および図４に示すように、半導体チップ２は複数のワイヤ３を介してそれぞれ配線基板１０と電気的に接続されている。詳しくは、ワイヤ３の一方の端部は、半導体チップ２の主面２ａ上のパッド２ｃに接続され、他方は、配線基板１０のボンディングリード１１に接続されている。本実施の形態では、ワイヤ３は金（Ａｕ）からなり、半導体チップ２のパッド２ｃおよび配線基板１０のボンディングリード１１の表面に形成された金めっき膜と、Ａｕ−Ａｕ接合により接合されている。
【００５８】
＜封止樹脂＞
次に、半導体チップ２、複数のワイヤ３、および複数のボンディングリード１１を封止する封止樹脂４について説明する。図４に示すように、本実施の形態の封止樹脂４は、配線基板１０の表面１０ａ上に形成され、半導体チップ２、複数のワイヤ３、および複数のボンディングリード１１を封止している。
【００５９】
また、封止樹脂４は配線基板１０の表面１０ａ全体を覆うのではなく、配線基板１０の周縁部（言い換えると、配線基板１０の表面１０ａに搭載された半導体チップ２の周囲）は封止樹脂４から露出している。一般に、配線基板の表面に封止樹脂を形成する樹脂封止型の半導体装置では、配線基板と封止樹脂の線膨張係数の相違に起因して反りが発生する。この反りの程度は、半導体装置の平面サイズや、形成される封止体（封止樹脂）の量（体積）に比例して増大する。そして、反りの程度が大きくなると、実装面側（例えば、本実施の形態では裏面１０ｂ側）の平坦性が低下するため、図示しない実装基板に実装する際に、一部の外部電極が、実装基板側のランドと接続しない実装不良が発生する原因となる。本実施の形態の半導体装置１は、配線基板１０の表面１０ａの一部（周縁部）が封止樹脂４から露出しているため、表面１０ａ全体を封止樹脂４で覆う、ＭＡＰタイプの半導体装置と比較して、反りを低減（抑制）することができる。したがって、大型の半導体装置に適用して特に有効である。例えば、本実施の形態では、配線基板１０の平面サイズは、例えば、一辺の長さが、３０ｍｍ〜４０ｍｍの四角形となっている。一方、図１に示す、表面１０ａにおいて、封止樹脂４の周囲を取り囲んで配置される、封止樹脂４からの露出部１０ｄは、例えば、１ｍｍ〜２ｍｍ程度の幅を有する枠形状を成す。
【００６０】
＜半導体装置の製造工程＞
次に、図１〜図４に示す半導体装置１の製造工程について、説明する。本実施の形態における半導体装置１は、図８に示す組立てフローに沿って製造される。図８は、図１〜図４に示す半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。各工程の詳細については、図９〜３８を用いて、以下に説明する。
【００６１】
１．基板準備工程；
まず、図８に示す基板準備工程（Ｓ１）として、図９に示すような配線基板２０を準備する。図９は、図８に示す基板準備工程で準備する配線基板の全体構造を示す平面図、図１０は図９に示すＤ部の拡大平面図、図１１は図１０に示す配線基板の裏面側を示す拡大平面図である。また、図１２は、図１０に示すＥ−Ｅ線に沿った拡大断面図である。
【００６２】
図９に示すように、本工程で準備する配線基板（基板）２０は、枠部（枠体）２０ｂの内側に複数のデバイス領域２０ａを備えている。詳しくは、複数のデバイス領域２０ａが行列状に配置されている。デバイス領域２０ａの数は、図９に示す態様に限定されないが、本実施の形態の配線基板２０は、例えば、行列状（図９では２行×８列）に配置された１６個のデバイス領域２０ａを備えている。つまり、配線基板２０は、複数のデバイス領域２０ａを有する、所謂、多数個取り基板である。
【００６３】
各デバイス領域２０ａは、図５に示す配線基板１０に相当し、図５〜図７を用いて説明した配線基板１０の各部材が形成されている。例えば、図１０に示すように、各デバイス領域２０ａの表面１０ａには、チップ搭載領域１０ｃと、チップ搭載領域１０ｃの周囲に並べて配置され、絶縁膜１６から露出する複数のボンディングリード（端子、ボンディングパッド）１１が形成されている。また、図１１に示すように、配線基板２０の裏面１０ｂには、各デバイス領域２０ａに、絶縁膜１７から露出する複数のランド１３が行列状に配置されている。
【００６４】
また、各デバイス領域２０ａ（複数のデバイス領域２０ａのうちの互いに隣り合うデバイス領域間）の周囲には、図８に示す個片化工程（Ｓ７）で配線基板２０を切断する予定領域であるダイシング領域（ダイシングライン）２０ｃが配置されている。図９に示すように、ダイシング領域２０ｃは、隣り合うデバイス領域２０ａの間、および枠部２０ｂとデバイス領域２０ａの間、に各デバイス領域２０ａを取り囲むように配置されている。各デバイス領域２０ａは、例えば一辺の長さが３０ｍｍ〜４０ｍｍの四角形を成す。また、枠形状を成すダイシング領域２０ｃの幅は、例えば２００μｍ〜４００μｍとなっている。
【００６５】
ここで、ダイシング領域２０ｃとは、後述する個片化工程（Ｓ７）において、ダイシングブレード（回転刃）によって切削加工が施される予定領域であって、個片化工程では、ダイシング領域２０ｃ内の一部を切削加工する。また、ダイシングブレードと配線基板２０の位置合わせ精度や、切削加工時の熱影響などを考慮して、ダイシング領域２０ｃの幅は、ダイシングブレードの幅よりも広くなっている。このため、完成した半導体装置１（図１参照）の配線基板１０（図１参照）の周縁部には、このダイシング領域２０ｃの切削されなかった残部が残っている場合がある。
【００６６】
図９〜図１２に示す配線基板２０は、例えば以下のように製造する。まず、絶縁層１４を準備して、図１２に示すように、上面１４ａから下面１４ｂに向かってビア（孔、貫通孔）１５ａを形成した後、ビア１５ａ内に導体を埋め込んで配線１５を形成する。
【００６７】
次に、絶縁層１４の上面１４ａ、および下面１４ｂにそれぞれ配線パターンを形成する。詳しくは、絶縁層１４の上面１４ａに複数の配線１２および複数のボンディングリード１１を、下面１４ｂに複数の配線１２および複数のランド１３を形成する。配線パターンの形成方法は、例えば、セミアディティブ法を用いた電解めっきにより形成する。
【００６８】
次に、絶縁層１４の上面１４ａを覆う絶縁膜１６、および下面１４ｂを覆う絶縁膜１７をそれぞれ形成する。絶縁膜１６、１７は、絶縁層１４の上面１４ａあるいは下面１４ｂに形成される配線１２を覆うように配置（塗布）し、これを硬化させて形成する。このため、絶縁膜１６、１７の表面は、配線１２の形状に倣った凹凸を有している。つまり、絶縁膜１６、１７の表面の平坦度は、絶縁層１４の上面１４ａあるいは下面１４ｂの平坦度と比較して低くなっている。
【００６９】
次に、絶縁膜１６に開口部１６ａ、絶縁膜１７に開口部１７ａを形成し、複数のボンディングリード１１および複数のランド１３をそれぞれ露出させる。開口部１６ａ、１７ａは、例えば、エッチングにより形成する。
【００７０】
次に、ダイシング領域２０ｃにエッチング処理を施し、絶縁膜１６、１７、およびダイシング領域２０ｃ内の配線１２（給電線１２ｃ）を取り除く。これにより、ダイシング領域２０ｃには、図１２に示す開口溝１６ｂ、１７ｂが形成され、絶縁層１４の上面１４ａあるいは下面１４ｂが絶縁膜１６、１７から露出する。また、開口溝１６ｂ、１７ｂは、ダイシング領域２０ｃに沿って形成され、ダイシング領域２０ｃ内の配線１２（給電線１２ｃ）を取り除くことにより、デバイス領域２０ａ内の各ボンディングリード１１は、それぞれ電気的に分離される。また、デバイス領域２０ａ内の各ランド１３も、それぞれ電気的に分離される。したがって、配線基板２０の各デバイス領域について、例えば導通試験などの電気的試験を行うことができる。
【００７１】
２．半導体チップ準備工程；
また、図８に示す半導体チップ準備工程（Ｓ２）として、図３に示す半導体チップ２を準備する。本工程では、例えば、シリコンからなる半導体ウエハ（図示は省略）の主面側に、複数の半導体素子やこれに電気的に接続される配線層からなる半導体ウエハを準備する。その後、半導体ウエハのダイシングラインに沿って、ダイシングブレードを走らせて（図示は省略）半導体ウエハを切断し、図５に示す半導体チップ２を複数個取得する。
【００７２】
３．ダイボンディング工程；
次に、図８に示すダイボンディング工程（Ｓ３）について説明する。図１３は、図１０に示す配線基板上に半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図、図１４は図１３に示すＦ−Ｆ線に沿った拡大断面図である。
【００７３】
本工程では、半導体チップ２をチップ搭載領域１０ｃ上に搭載（接着）する（チップ搭載工程）。図１４に示すように、本実施の形態では、半導体チップ２の裏面２ｂが、チップ搭載領域１０ｃの表面１０ａと対向するように、接着材６を介してチップ搭載領域１０ｃ上に搭載する（フェイスアップ実装）。
【００７４】
本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂である接着材６を介して半導体チップ２を搭載するが、接着材６は、硬化（熱硬化）させる前には流動性を有するペースト材である。このようにペースト材をダイボンド材として用いる場合には、まず、チップ搭載領域１０ｃ上に、接着材６を塗布し、その後、半導体チップ２の裏面２ｂを配線基板２０の表面１０ａに接着する。そして、接着後に、接着材６を硬化させる（例えば熱処理を施す）と、図１４に示すように、半導体チップ２は接着材６を介してチップ搭載領域１０ｃ上に固定される。
【００７５】
なお、本実施の形態では、接着材６に、熱硬化性樹脂からなるペースト材を用いる実施態様について説明したが、種々の変形例を適用することができる。例えば、ペースト材ではなく、両面に接着層を備えるテープ材（フィルム材）である接着材を、予め半導体チップ２の裏面２ｂに貼り付けておき、テープ材を介して半導体チップ２をチップ搭載領域１０ｃ上に搭載しても良い。
【００７６】
４．ワイヤボンディング工程；
次に、図８に示すワイヤボンディング工程（Ｓ４）について説明する。図１５は、図１３に示す半導体チップと配線基板を、ワイヤボンディングにより電気的に接続した状態を示す拡大平面図、図１６は、図１４に示す半導体チップと配線基板を、ワイヤボンディングにより電気的に接続した状態を示す拡大断面図である。
【００７７】
本工程では、図１５および図１６に示すように、配線基板２０と複数の半導体チップ２とを、複数のワイヤ３を介してそれぞれ電気的に接続する。詳しくは、半導体チップ２の主面上に形成された複数のパッド２ｃと、配線基板２０の表面１０ａ側に形成され、絶縁膜１６から露出する複数のボンディングリード１１を、複数のワイヤ３を介してそれぞれ電気的に接続する。本実施の形態では、半導体チップ２のパッド２ｃを第１ボンド側、配線基板２０のボンディングリード１１を第２ボンド側とする、所謂、正ボンディング方式によりワイヤボンディングを行い、パッド２ｃとボンディングリード１１を電気的に接続する。
【００７８】
ワイヤ３は、金属からなり、本実施の形態では、例えば金（Ａｕ）からなる。そのため、前記したように、半導体チップ２のパッド２ｃの表面に金（Ａｕ）を形成しておくことで、ワイヤ３とパッド２ｃとの接合性を向上できるので、ワイヤボンディング不良を防止することができる。
【００７９】
５．封止工程；
次に、図８に示す封止工程（Ｓ５）について説明する。図１７は、図１６に示す配線基板を成形金型でクランプした状態を示す拡大断面図である。また、図１８は、図１７に示すキャビティ内に封止用樹脂を供給した状態を示す拡大断面図である。また、図１９は、図１５に示す半導体チップおよびワイヤを樹脂封止した状態を示す拡大平面図、図２０は、図１９のＦ−Ｆ線に沿った断面図である。
【００８０】
本工程では、まず、図１７に示す成形金型３０を準備する（金型準備工程）。成形金型３０は、下面（金型面）３１ａ、および下面３１ａに形成されたキャビティ（凹部、窪み部）３１ｂを有する上金型（金型）３１と、この上金型３１の下面（金型面）３１ａと対向する上面（金型面）３２ａを有する下金型（金型）３２とを備えている。図１７および図１８は、拡大断面図なので、１個のキャビティ３１ｂを示しているが、上金型３１のキャビティ３１ｂは配線基板２０のデバイス領域２０ａ毎に形成されている。例えば、本実施の形態の配線基板２０は、図９に示すように１６個のデバイス領域２０ａを有しているので、図１７および図１８に示す上金型３１は１６個のキャビティ３１ｂを有している。
【００８１】
各キャビティ３１ｂは、４つの角部が面取りされた略四角形の平面形状（矩形状、四辺形）を成す。また、上金型３１には、キャビティ３１ｂへの封止用樹脂４ａ（図１８参照）の供給口であるゲート部３１ｃ、およびゲート部３１ｃとは異なる位置に配置されるエアベント部（図示は省略）が、それぞれ形成されている。ゲート部３１ｃは、例えば、図１７に示すようにキャビティ３１ｂの天面（凹部の底面）に形成されている。すなわち、本実施の形態では、キャビティ３１ｂの天面から配線基板２０の表面に向かって封止用樹脂を供給する、所謂トップゲート方式を用いている。
【００８２】
また、本実施の形態では、キャビティ３１ｂの４つの角部のそれぞれに、それぞれエアベント部（図示は省略）を形成している。キャビティ３１ｂ内において、封止用樹脂は、ゲート部３１ｃからエアベント部に向かって流れるので、４つの角部にエアベント部を配置することにより、キャビティ３１ｂの角部にしっかりと封止用樹脂を充填することができるからである。
【００８３】
次に、成形金型３０の下金型３２上に配線基板２０を配置する（基材配置工程）。ここで、下金型３２と組み合わせる上金型３１に形成されたキャビティ３１ｂは、配線基板２０の各デバイス領域２０ａよりも面積が狭く、デバイス領域２０ａの周縁部は、平面視において、キャビティ３１ｂよりも外側に位置する。
【００８４】
次に、上金型３１と下金型３２の距離を近づけて、配線基板２０を上金型３１と下金型３２でクランプする（クランプ工程）。これにより、キャビティ３１ｂ内、ゲート部３１ｃ、およびエアベント部以外の領域では、上金型３１（上金型３１の下面３１ａ）と、配線基板２０の表面１０ａが密着する。また、下金型３２（下金型３２の上面３２ａ）と、配線基板２０の裏面１０ｂが密着する。本実施の形態では、キャビティ３１ｂは、配線基板２０の各デバイス領域２０ａよりも面積（外形サイズ）が狭い（小さい）ので、デバイス領域２０ａにおける表面の一部（キャビティ３１ｂよりも外側の領域）は、上金型３１の下面３１ａと密着する。
【００８５】
なお、クランプ工程での密着性を向上させるため、上金型３１の下面３１ａ側に、例えば、ポリイミド樹脂などの柔らかい樹脂から成るフィルムを貼り付けて、該フィルムを介して密着させることもできる。この場合、後述する基板取り出し工程で、フィルムと封止樹脂４を容易に剥離することができる。
【００８６】
次に、キャビティ３１ｂ内に封止用樹脂４ａを供給し、これを硬化させることにより封止樹脂４を形成する（封止体形成工程）。本工程では、図示しないポット部に配置された樹脂タブレットを加熱軟化させて、ゲート部３１ｃからキャビティ３１ｂ内に封止用樹脂４ａを供給する、トランスファモールド方式により形成する。樹脂タブレットは、例えば熱硬化性樹脂であるエポキシ系の樹脂からなり、硬化温度よりも低い温度では、加熱することにより軟化して、流動性が向上する特性を有している。したがって、例えば図示しないプランジャで軟化した樹脂タブレットを押しこむと、封止用樹脂４ａが成形金型３０に形成されたゲート部３１ｃからキャビティ３１ｂ内（詳しくは、配線基板２０の表面１０ａ側）に流れ込む。キャビティ３１ｂ内の気体は、封止用樹脂４ａが流入する圧力によりエアベント部から排出され、キャビティ３１ｂ内は、封止用樹脂４ａで満たされる。この結果、配線基板２０の表面１０ａ側に搭載された半導体チップ２および複数のワイヤ３は、封止用樹脂４ａで封止される。またこの時、配線基板２０のボンディングリード１１も封止される。その後、キャビティ３１ｂ内を加熱することにより、封止用樹脂４ａを加熱硬化（仮硬化）させて、封止樹脂４を形成する。
【００８７】
次に、前記した封止体形成工程で用いた成形金型３０から複数の封止樹脂４が形成された配線基板２０を取り出す（基板取り出し工程）。本工程では、図１８に示すゲート部３１ｃ内の封止用樹脂４ａが硬化したゲートレジン（ゲート内樹脂）４ｂをキャビティ３１ｂ内の封止樹脂４と分割（ゲートブレイク）した後、上金型３１と下金型３２を引き離して、配線基板２０を取り出す。
【００８８】
次に、成形金型３０から取り出した配線基板２０をベーク炉（図示は省略）に搬送し、再び配線基板２０を熱処理する。成形金型３０内で加熱された封止用樹脂４ａは、樹脂中の硬化成分の半分以上（例えば約７０％程度）が硬化する、所謂、仮硬化と呼ばれる状態となる。この仮硬化の状態では、樹脂中の全ての硬化成分が硬化している訳ではないが、半分以上の硬化成分が硬化しており、この時点で半導体チップ２やワイヤ３は封止されている。しかし、封止樹脂４の強度の安定性などの観点からは全ての硬化成分を完全に硬化させることが好ましいので、ベーク工程で、仮硬化した封止樹脂４を再度加熱する、所謂、本硬化を行う。このように、封止用樹脂４ａを硬化させる工程を２回に分けることにより、次に成形金型３０に搬送される次の配線基板２０に対して、いち早く封止工程を施すことができる。このため、製造効率を向上させることができる。
【００８９】
次に、例えば、ゲート部３１ｃやエアベント部に残留する樹脂バリなどを、除去する。除去方法は、特に限定されないが、例えば、レーザを照射して取り除く事ができる。
【００９０】
上記の封止工程を施すことで、図１９に示すように、複数のデバイス領域２０ａのそれぞれにおける表面の一部（図１に示す配線基板１０の表面１０ａにおける周縁部）、およびダイシング領域２０ｃにおける表面（本実施の形態では、図２０に示す絶縁層１４の上面１４ａ）が露出するように、半導体チップ２、複数のワイヤ（導電性部材）３を封止する封止樹脂（封止体）４が配線基板２０の各デバイス領域２０ａに形成される。
【００９１】
６．ボールマウント工程；
次に、図８に示すボールマウント工程（Ｓ６）について説明する。図２１は、図２０に示す配線基板の裏面に、半導体装置の外部電極（外部接続端子）となる複数の半田ボールを形成（接合）した状態を示す拡大断面図である。
【００９２】
本工程では、図２１に示す配線基板２０の裏面１０ｂ側に形成された複数のランド１３のそれぞれに複数の半田ボール（半田材）５を搭載する。詳しく説明すると、まず、図２１に示すように配線基板２０の上下を反転させて、配線基板２０の裏面１０ｂにおいて、絶縁膜１７から露出する複数のランド１３に複数の半田ボール５をそれぞれ配置する。続いて、半田ボール５を配置した配線基板２０に熱処理（リフロー）を施し、複数の半田ボール５をそれぞれ溶融させて複数のランド１３とそれぞれ接合する。リフロー工程では、配線基板２０をリフロー炉に配置して、半田ボール５の融点よりも高い温度、例えば、２６０℃以上まで加熱する。絶縁膜１７は、ソルダレジスト膜であるため、隣り合う半田ボール５同士の接合（ブリッジ）を防止することができる。
【００９３】
なお、本工程では半田ボール５とランド１３を確実に接合するため、例えば、フラックスと呼ばれる活性剤を用いて接合する。フラックスは、例えば、半田ボール５の表面に形成された酸化膜と接触することで、これを取り除くことができるので、半田ボール５の濡れ性を向上させることができる。このようにフラックスを用いて接合した場合には、熱処理後にフラックス成分の残渣を取り除くための洗浄を行う。
【００９４】
７．個片化工程；
次に、図８に示す個片化工程（Ｓ７）について説明する。なお、本工程の説明では、本実施の形態の個片化工程と、本実施の形態に対する比較例の個片化工程について説明する。説明の順序は、最初に、本実施の形態と比較例とで共通する構成について説明した後、比較例の個片化工程およびその課題について説明し、最後に、本実施の形態の個片化工程について説明する。
【００９５】
図２２は、図２１に示す配線基板をダイシングブレードで切断する状態を示す拡大断面図、図２３は、図２２のＧ−Ｇ線の拡大断面図である。また、図２４は、図２２に示す固定治具の上面を示す拡大平面図、図２５は図２４のＨ部の拡大平面図である。なお、図２３は、配線基板のダイシング領域に沿った断面図であるが、配線基板の上下面が反転していることを判り易く示すため、配線基板に形成された封止樹脂等を点線で示している。
【００９６】
個片化工程では、ダイシングブレード（回転刃）４０を用いて、ダイシング領域（ダイシングライン）２０ｃに沿って配線基板２０を切断（分割）し、デバイス領域２０ａ毎に個片化する。詳しくは、図２２に示すように、表面１０ａ側に複数の封止樹脂４が形成された配線基板２０を、固定治具４１上に固定した状態で、ダイシングブレード４０、配線基板２０のいずれか一方、または両方を、ダイシング領域２０ｃに沿って移動させて切断する。ダイシングブレード４０は、略円形の外形形状を成す薄板の外周に、ダイヤモンドなどの砥粒を固着させた切断治具（回転刃）であって、薄板を回転させることにより、外周に固着した砥粒が、被切断物を切削加工して切断する。
【００９７】
なお、前記した半導体チップ準備工程でも、半導体ウエハをダイシングブレードにより切断する旨、説明した。しかし、半導体ウエハを切断するダイシングブレードと、配線基板２０を切断するダイシングブレードとでは、ブレード幅（厚さ）が異なる。半導体ウエハを切断する際に用いるダイシングブレードは、半導体ウエハの損傷を防止する観点、あるいは取得チップ効率を向上させる観点から、比較的幅が狭く（厚さが薄く）形成されている。例えば、本実施の形態では、３０μｍ〜１００μｍ程度の幅のダイシングブレードで切断している。半導体ウエハは、例えばシリコン（Ｓｉ）などの半導体材料を主として構成されるため、このように薄いダイシングブレードを用いても、ダイシングブレードが損傷し難い。一方、所謂、リジッド基板である配線基板２０を切断する場合には、上記した幅の狭いダイシングブレードでは、配線基板２０の切削抵抗などにより、ダイシングブレードが損傷し易くなる。配線基板２０の絶縁層１４は、前記したように、例えば、プリプレグなど、半導体ウエハ（半導体チップ２）よりも硬い材料から成る。また、配線基板２０の厚さも半導体ウエハ（半導体チップ２）の厚さよりも厚い（例えば、本実施の形態では２００μｍ〜４００μｍ）。このため、幅の狭いダイシングブレードでは、容易に損傷し、損傷に伴う交換頻度が高くなり、製造効率が低下する。また切削加工中にダイシングブレードが破損すれば、切断不良の原因となる。そこで、配線基板２０を切断するダイシングブレード４０は、前記した半導体チップ準備工程で用いるダイシングブレードよりも幅を広くしている。例えば、本実施の形態では、２００μｍ〜３００μｍとしている。これにより、配線基板２０を切断しても、ダイシングブレード４０の損傷による交換頻度を低減することができるので、製造効率を向上させることができる。また、切削加工中にダイシングブレード４０が損傷して切断不良となることを抑制できる。ダイシングブレード４０のその他の構造については、比較例を説明した後で詳細に説明する。
【００９８】
また、ダイシングブレード４０のような回転刃を用いた個片化工程では、例えば図２３に示すように、回転方向４３にダイシングブレード４０を回転させながら、切削方向４４に向かって配線基板２０を移動させて配線基板２０のダイシング領域２０ｃ（図２２参照）に沿って順次切削加工を施し、切断する。
【００９９】
なお、ダイシングブレード４０の回転方向は、一般に２種類ある。すなわち、１つは、図２３に示すように、配線基板２０の裏面１０ｂから表面１０ａに向かって回転するダウンカット方式である。ダウンカット方式では、被切削物である配線基板２０を移動させる切削方法の場合において、ダイシングブレード４０が、配線基板２０の切削方向（移動方向）４４に対して前方に切削物を削り出すように回転する。そして、図示は省略するが、もう１つは、配線基板２０の表面１０ａから裏面１０ｂに向かって回転するアッパカット方式である。アッパカット方式では、被切削物である配線基板２０を移動させる切削方法の場合において、ダイシングブレード４０が、配線基板２０の切削方向（移動方向）４４に対して後方に切削物を削り出すように回転する。図２３に示すダウンカット方式は、配線基板２０の切削加工領域を固定治具４１に抑えつけるように回転するので、アッパカット方式よりも配線基板２０を固定し易い。このため、本実施の形態では、ダウンカット方式を採用している。
【０１００】
また、切削加工時には、切削液４５をダイシングブレード４０に噴きつけながら（供給しながら）配線基板２０を切断する。この切削液４５は、切削時の潤滑性を向上させる潤滑液として、切削時に発生する切削屑を外部に排出するための洗浄液として、および、切削時の摩擦熱によるダイシングブレード４０および配線基板２０の温度上昇を抑制する冷却液として用いている。
【０１０１】
また、ダイシング領域２０ｃに沿って、順次切断する方法としては、図２３に示すように配線基板２０を移動させる方法の他、ダイシングブレード４０を移動させる方法、および、配線基板２０とダイシングブレード４０の両方を移動させる方法を用いることができる。ただし、ダイシングブレード４０のような回転体を移動させながら切断するよりも、回転体の位置は固定して切断した方が、精度良く切断することができるので、本実施の形態では、固定治具４１とともに、配線基板２０を切削方向４４に移動させる方法を採用している。
【０１０２】
また、ダイシングブレード４０のような回転刃を用いた個片化工程では、切削加工中に被切削物の切削加工を施す領域（本実施の形態では、ダイシング領域２０ｃ）の周辺をしっかりと固定することが必要である。また、個片化された半導体装置が、周囲に飛散することを防止するため、被切断物である配線基板のデバイス領域２０ａ毎に固定することが必要である。
【０１０３】
そこで、本実施の形態では、被切断物である配線基板２０を、図２４に示す固定治具４１上に固定した状態で、ダイシングブレード４０（図２２参照）による切削加工を行う。
【０１０４】
固定治具４１の上面（配線基板２０の配置面）４１ａには、配線基板２０上に形成された封止樹脂４と重なる位置に、複数の凹部４１ｂが形成されている。凹部４１ｂは、図２３に示す配線基板２０上に形成された複数の封止樹脂４のそれぞれを収納する（埋め込む）ための窪みである。このため、固定治具４１の上面４１ａには、固定治具４１上に一度に配置する封止樹脂４の数（つまり、図９に示す配線基板２０のデバイス領域２０ａの数）に対応して複数の凹部４１ｂが形成されている。本実施の形態では、１６個のデバイス領域２０ａ（図９参照）を有する配線基板２０を配置する例を示しているので、図２４に示すように１６個の凹部４１ｂが形成されている。
【０１０５】
また、凹部４１ｂの形状は、封止樹脂４の形状に倣って形成されている。詳しくは、図２４に示すように、凹部４１ｂの平面形状は、封止樹脂４（図１９参照）の平面形状に沿って略四角形（四辺形）を成し、その大きさは、封止樹脂４の平面形状よりも大きくなっている。また、図２２に示すように、凹部４１ｂの深さは、封止樹脂４の高さ以上としている。
【０１０６】
また、複数の凹部４１ｂは、それぞれ離間して形成され、隣り合う凹部４１ｂの間には、凸部４１ｃが形成されている。また、各凸部４１ｃ、詳しくは固定治具４１に固定する配線基板２０のダイシング領域２０ｃと重なる位置には、配線基板２０を切断したダイシングブレード４０を挿入する溝部４１ｄが形成されている。つまり、固定治具４１は、複数の凹部４１ｂに配線基板２０上に形成された複数の封止樹脂４をそれぞれ収納し、凹部４１ｂの上面（押さえ面、支持面）４１ｅと、配線基板２０の表面１０ａを当接させて配線基板２０を支持（固定）する構造となっている。なお、本実施の形態では、図２２に示すように、配線基板２０の上下を反転し、封止樹脂４が形成された表面１０ａ側を下に向けて、配線基板２０を固定治具４１で固定している。本実施の形態のようにＢＧＡ型の半導体装置の製造工程では、個片化工程の前に半田ボール５を形成することで、半田ボール５を効率的に形成することができる。しかし、半田ボール５が形成された配線基板２０の裏面１０ｂ側を下に向けて固定すると、個片化工程において半田ボール５が損傷し、電気的信頼性が低下する原因となるからである。
【０１０７】
また、固定治具４１は、例えば硬質ゴムから成り、各凹部４１ｂ内には、通気孔（吸気孔）４１ｆが形成されている。複数の通気孔４１ｆは、固定治具４１を支持するテーブル（ベースプレート）４２に形成されたエア通路（気体流路、排気経路）４１ｇを介して、例えば、真空ポンプ（図示は省略）などの吸気装置に接続されている。このため、図２２に示すように、固定治具４１上に配線基板２０を配置して、複数の通気孔４１ｆから吸気すると、配線基板２０の表面１０ａと凸部４１ｃ（詳しくは凸部４１ｃの上面４１ｅ）が密着し、配線基板２０を吸着固定する事ができる。この凸部４１ｃは凹部４１ｂの輪郭に沿って延在し、凸部４１ｃの略中央には、溝部４１ｄが形成されている。この溝部４１ｄも、凹部４１ｂの輪郭に沿って延在している。
【０１０８】
本実施の形態の個片化工程では、上記した固定治具４１上に配線基板２０を固定（吸着固定）して、例えば、ダイシングブレード４０を図２３に示す回転方向４３に回転させながら、配線基板２０を固定した固定治具４１を切削方向４４に向かって移動させる。したがって、図２２に示すように、配線基板２０のダイシング領域２０ｃと、溝部４１ｄとが、重なるように配線基板２０を固定することで、ダイシングブレード４０を溝部４１ｄ内まで貫通させて、配線基板２０を切断することができる。また、凸部４１ｃは配線基板２０のダイシング領域２０ｃに沿って延在するように配置されるため、ダイシングブレード４０による切削加工時に、ダイシング領域２０ｃの周辺をしっかりと固定することができる。つまり、配線基板２０の表面１０ａ（デバイス領域２０ａにおける表面の一部（周縁部））を固定治具４１（詳しくは、凸部４１ｃ）の上面４１ｅに当接させ（又は、上面４１ｅで支持し）、かつダイシング領域２０ｃにおける表面（本実施の形態では、絶縁層１４の上面１４ａ）を固定治具４１に当接させない（又は、支持しない）状態で固定する。この状態で、固定治具４１の上面４１ｅ側に、ダイシング領域２０ｃに沿って延びるように形成された溝部４１ｄ内にダイシングブレード４０を挿入し、ダイシング領域２０ｃにおける裏面（外部電極（外部接続端子）が形成された面）側から、固定治具４１の上面４１ｅ側に形成された溝部４１ｄ内にこのダイシングブレード４０を回転させて、配線基板を分割する。
【０１０９】
また、本実施の形態では、図２４に示すように、各凹部４１ｂに、それぞれ通気孔４１ｆが形成されている。言い換えれば、通気孔４１ｆは、図２２に示す配線基板２０のデバイス領域２０ａ毎に形成されている。つまり、図２２に示すように、配線基板２０のデバイス領域２０ａ毎に固定することができるので、個片化された半導体装置１（図１参照）が周囲に飛散することを防止することができる。
【０１１０】
＜比較例の個片化工程の概要と課題＞
ところが、本願発明者が検討した所、周縁部の先端面が両側面と略直交する側面直交形状を成すダイシングブレードを用いて、固定治具４１上に配置した配線基板２０を切断する場合、切断不良が発生することが判った。図６８は、本実施の形態の第１の比較例である個片化工程を示す拡大断面図、図６９、図７０、図７１は、それぞれ、図６８のＪ−Ｊ線、Ｋ−Ｋ線、Ｌ−Ｌ線の拡大断面図である。
【０１１１】
図６８〜図７１に示す第１の比較例の個片化工程は、ダイシングブレードの先端形状を除き、本実施の形態の個片化工程と同様である。第１の比較例のダイシングブレード１００は、先端面１００ａが両側面１００ｂと略直交する側面直交形状（以下、単に、側面直交形状と記載する）となっている。リング状の形状を成すダイシングブレード１００は、例えば以下のように製造する。まず、金属から成り、かつ筒状に形成された１つの固体を準備する。そして、この固体をスライスすることで、複数のダイシングブレードが取得される。このため、先端面１００ａに、特に加工を施さなければ、図６９〜図７１に示すように側面直交形状となる。
【０１１２】
一般に、ダイシングブレードは、使用すれば、ダイシングブレードの切断面が磨耗するため、ある程度、摩耗が進行した時点で交換しなければならない。そのため、ダイシングブレードの製造コストを低減するために、上記のように、できるだけ少ない製造工程によりダイシングブレードを製造している。
【０１１３】
ところが、先端面１００ａが側面直交形状のダイシングブレード１００で配線基板２０を切断すると、図６８に示すように、紐状（帯状）の異物１０１が発生することが判った。この紐状の異物１０１は、被切削物の構成材料（例えば、本比較例では、配線基板２０の絶縁層１４）から成る。そして、異物１０１の厚さが２０μｍ〜３０μｍ程度、幅がダイシングブレード１００の幅と同程度（例えば約２００μｍ〜３００μｍ程度）の断面形状を有し、紐状（帯状）に長く延在した形状となっている。また異物１０１の長さは、最も長い物は、切断された配線基板２０の切断方向に沿った長さと同程度の長さとなっていた。また、発生した異物１０１を取り出して観察すると、コイル状に巻かれた外観形状となっていた。
【０１１４】
このように紐状に長い異物１０１が発生すると、個片化された半導体装置を固定治具４１から取り出した後も、固定治具４１内（例えば、溝部４１ｄ内）に異物１０１が残留する。そして、次に切断される配線基板２０と固定治具４１の間に異物１０１が挟まると、配線基板２０を固定治具４１にしっかりと固定できなくなる。例えば、凸部４１ｃの上面４１ｅと配線基板２０の表面１０ａの間に挟まると、異物１０１の周囲に吸着固定する際のリーク源となる隙間が生じるため、吸着不良が発生する。また、例えば、配線基板２０と固定治具４１の間に異物１０１が介在することにより、配線基板２０の位置がずれてしまう場合がある。そして、これらに起因して、例えば、切削加工時の振動による配線基板２０の損傷などの切断不良が発生することとなる。
【０１１５】
本願発明者がこの異物１０１の形状や物性を検討した結果、異物１０１は、以下のように形成されたものと考えられる。
【０１１６】
個片化工程では、図６９〜図７１に示すようにダイシングブレード１００を押し当てて、配線基板２０の裏面１０ｂ側から表面１０ａ側に向かって順次切削加工を行う。したがって、切削加工時は、配線基板２０に対してダイシングブレード１００からの押圧力が加わることとなる。
【０１１７】
なお、個片化工程では、略円形の外形形状を成す薄板であるダイシングブレード１００を回転させながら配線基板２０を移動させて切削するので、図６８に示すＪ−Ｊ線、Ｋ−Ｋ線、Ｌ−Ｌ線に沿った断面（領域）毎に、切削加工の進捗状況が異なる。例えば、図６９に示す断面（領域）では、切削加工が開始されて間もないので、被切削物である配線基板２０（絶縁層１４）には、未切削領域が残っている。一方、図７１に示す断面（領域）では、ダイシングブレード１００が配線基板２０（絶縁層１４）を貫通している。
【０１１８】
ここで、先端面１００ａが側面直交形状のダイシングブレード１００からの押圧力による応力（下向きの応力）は、切削加工領域の端部（図６９および図７０に示すＭ部）に集中する。図６９に示すように、未切削の配線基板２０（絶縁層１４）の厚さが十分に厚い領域では、切削加工領域の端部に集中した応力による破断は発生せず、切削加工を行うことができる。しかし、図７０に示すように、未切削の配線基板２０（絶縁層１４）の厚さが薄くなった（例えば、本比較例では２０μｍ〜３０μｍ程度）領域では、切削加工領域の端部が応力に耐え切れず、破断する。この時、ダイシングブレード１００からの応力は、切削加工領域の両端部に略均等に加わっているので、切削加工領域の両端部が略同じタイミングで破断する。また、本実施の形態では、前記したように、ダウンカット方式を採用しているが、ダウンカット方式は、配線基板２０を固定治具４１に向かって押しつける方向に回転するので、アッパカット方式よりも破断が発生しやすい。
【０１１９】
そして、両端部が破断した後の未切削の領域１０２は、図７１に示すように、切削加工を施されることなく下方（溝部４１ｄ内）に向かって押し下げられて、図６８に示す紐状（帯状）の異物１０１が形成される。また、この異物１０１は、配線基板２０の絶縁層１４を構成する材料（例えばプリプレグ材）から成るため、ダイシングブレード１００からの応力のように非常に強い力が加わらなければ、破壊（脆性破壊）し難い。つまり、下方に押し下げられた異物１０１は途中で切断され難く、図６８に示す切削方向４４に固定治具４１を移動させると、これに伴って異物１０１は長く形成される。このため、異物１０１のうち、最も長い物は、切断された配線基板２０の切断方向（例えば図６８に示す切削方向４４）に沿った長さと同程度の長さとなる。
【０１２０】
また、前記したように、配線基板２０を切断するためには、前記半導体チップ準備工程で用いるダイシングブレードよりも幅の広いダイシングブレードを用いる必要があるので、異物１０１の幅も２００μｍ〜３００μｍ程度と、幅広になる。
【０１２１】
次に、先端が側面直交形状であるダイシングブレード１００を用いて、一括モールドタイプの封止樹脂が形成された配線基板を切断する比較例について説明する。図７２は、本実施の形態の第２の比較例である個片化工程を示す拡大断面図、図７３、図７４は、それぞれ、図７２のＮ−Ｎ線、Ｐ−Ｐ線の拡大断面図である。
【０１２２】
図７２〜図７４に示す第２の比較例の個片化工程は、配線基板２０の表面１０ａ側に一括封止樹脂１０３が形成されている点を除き、図６８〜図７１に示す第１の比較例の個片化工程と同様である。
【０１２３】
第２の比較例である個片化工程では、配線基板２０の表面１０ａ側に一括封止樹脂１０３が形成されている。一括封止樹脂１０３は、前記した封止工程において、複数のデバイス領域２０ａを１個のキャビティ内に配置し、複数のデバイス領域２０ａを一括して封止する封止体である。このため、第２の比較例では、ダイシング領域２０ｃにも一括封止樹脂１０３が形成されている。
【０１２４】
このような配線基板２０を固定治具４１上に固定して個片化工程を行う場合、先端形状が側面直交形状のダイシングブレード１００を用いて切削加工を施しても、前記第１の比較例で説明したような紐状の異物１０１（図６８参照）は発生しない。
【０１２５】
まず、図７３に示すように、未切削の配線基板２０（絶縁層１４）の厚さが薄く（２０μｍ〜３０μｍ程度）なった領域では、前記第１の比較例と同様に、切削加工領域の端部（図７３のＭ部）に応力が集中する。しかし、第２の比較例では、配線基板２０の下層に、一括封止樹脂１０３が配置され、配線基板２０のダイシング領域２０ｃは、一括封止樹脂１０３により支持されている。このため、切削加工領域の端部に応力が集中しても、破断は発生せず、配線基板２０を完全に切断することができる。
【０１２６】
次に、図７４に示すように、未切削の一括封止樹脂１０３の厚さが薄く（２０μｍ〜３０μｍ程度）なった領域では、一括封止樹脂１０３の切削加工領域の端部（図７４のＭ部）に応力が集中する。このため、切削加工領域の端部が破断し、未切削の一括封止樹脂１０３の一部が、図７２に示す異物１０４となる場合がある。
【０１２７】
しかし、図７２に示す異物１０４は、一括封止樹脂１０３を構成する材料（例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂にシリカなどのフィラを添加した材料）から成り、前記第１の比較例で説明した紐状の異物１０１（図６８参照）と比較して脆い（脆性破壊耐性が低い）。一般に、封止樹脂に用いる材料は、封止工程において、ワイヤなどの狭い隙間を埋める必要があるため、硬化前には流動性が要求される。一方、配線基板の絶縁層は、パッケージを支持する基材としての強度が要求される。このため、配線基板の絶縁層を構成する材料は、封止樹脂を構成する材料と比較して脆性破壊し難い（脆性破壊耐性が高い）。本実施の形態においても、図２２に示す配線基板２０の絶縁層１４は、封止樹脂４よりも脆性破壊し難い（脆性破壊耐性が高い）。絶縁層１４と封止樹脂４の脆性破壊耐性の程度を、曲げ強度を指標として示すと、絶縁層１４の曲げ強度は、例えば、５００ＭＰａ〜８００ＭＰａ程度である。一方、封止樹脂４や図７２に示す一括封止樹脂１０３の曲げ強度は、例えば、０．１ＭＰａ〜０．１５ＭＰａである。つまり、絶縁層１４は、図２２に示す封止樹脂４や、図７２に示す一括封止樹脂１０３よりも１０００倍以上の曲げ強度を有している。このため、絶縁層１４に起因する異物１０１（図６８参照）は、一括封止樹脂１０３（図７２参照）に起因する異物１０４（図７２参照）よりも脆性破壊し難い。したがって、図７２に示す一括封止樹脂１０３の薄くなった部分である異物１０４は、例えば、切削加工時の衝撃などにより、図７２に示すように細かく切断され、前記第１の比較例である異物１０１のように、長く繋がった形状とはならない。
【０１２８】
図７２に示すように細かく切断された異物１０４は、溝部４１ｄ内に落下するので、前記第１の比較例のように、次に切断される配線基板２０と固定治具４１の間に挟まり難い。また、後述する洗浄工程において、溝部４１ｄ内の異物１０４を容易に取り除くことができる。また、仮に、配線基板２０と固定治具４１の間に異物１０４が挟まった場合でも、配線基板２０を固定する際の固定力（吸着力）により破壊されるので、前記第１の比較例で説明したような切断不良の原因とはならない。
【０１２９】
また、前記した半導体チップ準備工程でも、半導体ウエハをダイシングブレードにより切断する旨、説明した。しかし、半導体ウエハも図２２に示す配線基板２０の絶縁層１４と比較すると脆いので、半導体ウエハをダイシングブレードで切断しても、紐状の長い異物は発生しない。例えば、図２１に示す半導体チップ２の曲げ強度は、７５ＭＰａ〜８５ＭＰａ程度である。
【０１３０】
つまり、前記第１の比較例で説明した切断不良が発生するという課題は、配線基板２０のダイシング領域２０ｃの下面側（図６９に示す配線基板２０の表面１０ａ側）に溝部４１ｄなどの中空空間となった状態で、脆性破壊耐性が高い配線基板２０を切断する時に発生する課題であることが判った。
【０１３１】
また、被切削物の切削加工領域の両端部が応力により破断することを防止することで、図６８に示す紐状の異物１０１の発生を防止できることが判った。
【０１３２】
＜本実施の形態の個片化工程＞
前記した第１および第２の比較例において説明した課題を踏まえ、本実施の形態の個片化工程について説明する。図２６は、図２２に示すダイシングブレードの拡大断面図である。
【０１３３】
図２６に示すように、本実施の形態のダイシングブレード４０は、周縁部の先端（切削面側）に、側面４０ｂと交差するテーパ面（傾斜面）４０ａを有している。側面４０ｂとテーパ面４０ａが成す角度θ１は、９０度よりも大きく、例えば本実施の形態では１３５度である。詳しくは、本実施の形態のダイシングブレード４０は、両側面４０ｂから反対の側面４０ｂに向かって、それぞれテーパ面４０ａが形成されている（両面テーパ構造）。また、各テーパ面４０ａは両側面４０ｂの中間で互いに交差している。つまり、ダイシングブレード４０の幅方向の中心面を軸として、面対称構造となっている。このため、ダイシングブレード４０の周縁部の先端（頂点４０ｃ）は、ダイシングブレード４０の幅方向の略中心に位置し、２つのテーパ面４０ａにより形成された突起形状となっている。また、各テーパ面４０ａと側面４０ｂとが成す角度θ１は、本実施の形態ではそれぞれ１３５度となっている。このように先端にテーパ面４０ａを形成したダイシングブレード４０を用いて配線基板２０を切断することにより、前記第１の比較例で説明した紐状の異物１０１（図６８参照）の発生を防止することができる。以下、その理由について説明する。図２７は、図２３のＱ部の拡大断面図、図２８、図２９、図３０は、それぞれ、図２７のＲ−Ｒ線、Ｓ−Ｓ線、Ｔ−Ｔ線の拡大断面図である。
【０１３４】
まず、図２８に示すように、２つのテーパ面４０ａが交差する頂点４０ｃが、配線基板２０の絶縁層１４の上面１４ａに到達する直前（例えば上面１４ａから２０μｍ〜３０μｍ程度）の領域では、切削加工領域の端部（図２８のＭ部）、およびテーパ面４０ａが交差する頂点４０ｃ付近に応力が集中する。しかし、切削加工領域の端部（Ｍ部）では、絶縁層１４がまだ十分な厚さ（例えば１５０μｍ〜２００μｍ程度）を有している。また、ダイシングブレード４０からの応力は、テーパ面４０ａを形成することにより、斜め方向（テーパ面４０ａと直交する方向）に加わるので、下向きの成分（つまり、絶縁層１４の破断の原因となる成分）は、前記第１の比較例の場合よりも小さくなる。したがって、この領域では、前記第１の比較例で説明したような未切削領域の破断は発生し難い。また、仮にテーパ面４０ａが交差する頂点４０ｃ付近で破断した場合であっても、破断個所は１カ所である。また、切削加工領域の端部（Ｍ部）はしっかりと固定されているので、破断個所が図６８に示す紐状の異物１０１となることはなく、継続して切削加工を施すことができる。
【０１３５】
次に、図２９に示すように、切削加工領域の端部（図２９のＭ部）の厚さが、例えば２０μｍ〜３０μｍ程度となった領域では、この端部に応力が集中する。しかし、図２９に示す領域では、既に、ダイシングブレード４０の先端（頂点４０ｃ）が絶縁層１４の上面１４ａよりも下側に達しているため、端部に集中する応力は、前記第１の比較例で説明した図７０の場合と比較して大幅に小さくなっている。また、前記したように、端部に加わる応力は、斜め方向（テーパ面４０ａと直交する方向）に加わるので、下向きの成分（絶縁層１４の破断の原因となる成分）は、さらに小さくなる。このため、この領域においても、前記第１の比較例で説明したような未切削領域の破断の発生を防止することができる。
【０１３６】
そして、図３０に示すように、ダイシングブレード４０の側面４０ｂが、絶縁層１４の上面１４ａを貫通するまで切削加工することにより、配線基板２０を切断することができる。
【０１３７】
このように本実施の形態では、テーパ面４０ａを有するダイシングブレード４０を用いることにより、未切削領域の破断を防止することができるので、前記第１の比較例で説明した紐状の異物を発生させることなく、絶縁層１４の上面１４ａまで切削加工することができる。
【０１３８】
デバイス領域２０ａの周囲を取り囲む、全てのダイシング領域（ダイシングライン）２０ｃを切断すると、配線基板２０のデバイス領域は個片化され、図１に示す半導体装置１が複数個取得できる。この時、各半導体装置１は、図２２に示す固定治具４１に吸着固定された状態となっている。
【０１３９】
＜ダイシングブレードの先端形状＞
次に、ダイシングブレードの先端形状の好ましい態様について、変形例や比較例を含めて説明する。図３１は、図２６に示すダイシングブレードが摩耗により変形した状態を示す拡大断面図である。また、図３２および図３３は、それぞれ図２６に示すダイシングブレードの第１および第２の変形例である。また、図７５は、図６９に示すダイシングブレードが、摩耗により変形した状態を示す拡大断面図である。
【０１４０】
前記したように、本実施の形態では、ダイシングブレード４０の先端面（切削面）にテーパ面４０ａを設けることにより、未切削領域の破断を防止している。したがって、テーパ面４０ａは、側面４０ｂと交差していることが好ましい。
【０１４１】
また、未切削領域の破断を防止する観点からは、図２７〜図２９に示す配線基板２０の平面（例えば、絶縁層１４の下面１４ｂや上面１４ａ）と、図２６に示すダイシングブレード４０のテーパ面４０ａの成す角度θ２は、大きくする程好ましい。本実施の形態では、図２７〜図２９に示すようにダイシングブレード４０の側面４０ｂが、配線基板２０の平面（例えば、絶縁層１４の下面１４ｂや上面１４ａ）に対して略直交するような角度（進入角度）で先端を当接させる。このため、角度θ２を大きくすることを言い換えると、テーパ面４０ａと側面４０ｂの成す角度θ１を、大きくする程好ましい。切削加工領域の一部の厚さが薄くなった時に応力の集中する端部の厚さを十分に厚くするためである。また、角度θ２を大きくすることで、未切削領域に加わる下向きの応力を小さくすることができる。
【０１４２】
本願発明者の検討によれば、角度θ２が、４０度よりも大きくすれば、前記第１の比較例で説明した紐状の異物の発生を防止することができることが判った。言い換えれば、テーパ面４０ａと、側面４０ｂの成す角度θ１を１３０度よりも大きくすることが好ましい。なお、本実施の形態では、ダイシングブレード４０の侵入角度が精度の関係で僅かにずれた場合でも角度θ２を４０度よりも大きくするため、角度θ１を１３５度、角度θ２を４５度としている。
【０１４３】
一方、角度θ２を極端に大きく（９０度に近づけ過ぎると）、切削加工時のダイシングブレード４０の摩耗が激しくなり、交換頻度が増加する。また、切削加工中にダイシングブレード４０の先端部分が破損して、切断不良の原因となる。このような、ダイシングブレード４０の摩耗や損傷を抑制する観点からは、角度θ２は、６０度未満、言い換えると角度θ１を１５０度未満とすることが好ましい。
【０１４４】
ところで、一般にダイシングブレードは、使用することにより摩耗する。そして、切削加工時の応力が大きい程、摩耗の程度は大きくなる。このため、例えば、前記第１の比較例として説明した図６９に示す側面直交形状の先端面を有するダイシングブレード１００の場合も、使用することにより、図７５に示す湾曲面１００ｃのように、先端面１００ａの端部が摩耗して、円弧状に湾曲した形状となる。しかし、本願発明者は、図７５に示すように先端面１００ａの両端部が円弧上に湾曲した形状となったダイシングブレード１００を用いて本実施の形態の配線基板２０を切断する場合でも、図６８に示すような紐状の異物１０１が高い頻度で発生することを確認している。つまり、図７５に示すような配線基板２０を切削する際の摩耗により形成される湾曲面１００ｃを有するダイシングブレード１００では、紐状の異物１０１（図６８参照）の発生を防止することができない。これは、湾曲面１００ｃと当接する配線基板２０の切削加工領域の任意の点に、応力が集中して未切削領域の両端が破断するためと考えられる。
【０１４５】
一方、本実施の形態のダイシングブレード４０のテーパ面４０ａは、側面４０ｂと同等の平坦度を有している。このように平坦なテーパ面４０ａとすれば、未切削領域における応力が集中する位置が、例えば、図２８に示すＭ部と、ダイシングブレード４０の頂点４０ｃ周辺となるように制御することができる。つまり、未切削加工領域の任意の２箇所が略同じタイミングで破断することを防止することができる。したがって、図６８に示す紐状の異物１０１の発生を防止することができる。ただし、ダイシングブレード４０は、前記したように、薄板（基材）の外周に、例えばダイヤモンドなどから成る複数の砥粒を固着させており、この複数の砥粒が被切削物を削り取って切削する。このため、テーパ面４０ａの表面は、微視的には複数の砥粒が基材から露出した凹凸面となっている。前記したテーパ面４０ａが平坦な面であるとは、このように、複数の砥粒が基材から露出したことによる微視的な凹凸を有していることを排除するものではない。
【０１４６】
また、本実施の形態のダイシングブレード４０も、使用することにより摩耗する。ダイシングブレード４０の切削面が摩耗すると、例えば、図３１に示すように、切削加工時に応力が集中するテーパ面４０ａの両端部（側面４０ｂと交差する端部と、２つのテーパ面４０ａが交差する頂点４０ｃ）から、順次、摩耗により変形し、湾曲する。しかし、本願発明者は、２つのテーパ面４０ａが交差する頂点４０ｃが摩耗により湾曲した湾曲面４０ｄの幅Ｗ１が、各テーパ面４０ａの幅Ｗ２よりも小さい範囲では、図６８に示す紐状の異物１０１は発生しないという知見を得ている。言い換えれば、湾曲面４０ｄの幅Ｗ１をダイシングブレード４０の全幅の３分の１以下とすれば、図６８に示す紐状の異物１０１の発生を防止することができる。したがって、ダイシングブレード４０の摩耗が進行し、２つのテーパ面４０ａが交差する頂点４０ｃが湾曲した湾曲面４０ｄの幅が３分の１以上となった時点で新しいダイシングブレード４０に交換すれば、図６８に示す紐状の異物１０１の発生を防止ないしは抑制することができる。
【０１４７】
さらに、上記知見を応用して、図３２に示すダイシングブレード５０のように、２つのテーパ面４０ａの間に、被切削物の平面と対向する側面直交面４０ｅを有していても良い。この場合、側面直交面４０ｅの幅Ｗ１を、各テーパ面４０ａの幅Ｗ２よりも狭くすれば、言い換えれば、側面直交面４０ｅの幅Ｗ１をダイシングブレード４０の全幅の３分の１以下とすれば、図６８に示す紐状の異物１０１の発生を防止することができる。つまり、２つのテーパ面４０ａの間に、テーパ面と交差する先端面（例えば側面直交面４０ｅ）を有するダイシングブレード５０の場合であっても、側面直交面４０ｅの幅Ｗ１をダイシングブレード４０の全幅の３分の１以下とすれば、図６８に示す紐状の異物１０１の発生を防止することができる。
【０１４８】
また、図６８に示す紐状の異物１０１の発生を抑制する観点からは、未切削領域の両端部が略同じタイミングで破断することを防止すれば良いので、例えば、図３３に示すダイシングブレード５１のように、ダイシングブレード５１の一方の側面４０ｂから他方の側面４０ｂに向かって延びる１個のテーパ面５１ａを有する構造とすることもできる（片面テーパ構造）。また、図示は省略するが、図２６に示すダイシングブレード４０の変形例として、２つのテーパ面４０ａが交差する頂点４０ｃを何れか一方の側面４０ｂ側に寄せて配置する構造（面非対称構造）とすることもできる。ただし、これら、面非対称構造のダイシングブレードでは、切削加工時に被切削物に加わる応力が不均一となる。このため、配線基板２０の各デバイス領域２０ａに、同様の切削ストレスを加えて、デバイス領域２０ａ毎のバラツキを低減する観点からは、図２６や図３２に示す面対称構造のダイシングブレード４０、５０を使用することが好ましい。
【０１４９】
＜洗浄、乾燥、ピックアップ工程＞
図３４は、図２２に示す配線基板を切断した後の洗浄工程を示す拡大断面図である。
【０１５０】
次に、洗浄工程として、個片化された半導体装置１をそれぞれ固定治具４１に吸着固定した状態で、洗浄液（洗浄水）５２を供給し、切削加工中に取り除ききれなかった異物や汚れを除去する。洗浄方法は特に限定されないが、本実施の形態では、水を配線基板２０の裏面１０ｂ側から噴き付けて洗浄している。配線基板２０に噴きつけられた洗浄液５２は、固定治具４１の溝部４１ｄ内にも侵入し、溝部４１ｄ内に残留する切削屑も、この時洗い流すことができる。
【０１５１】
ここで、図６８に示す紐状の異物１０１が図３４に示す溝部４１ｄ内に残留している場合、異物１０１は長さが長く、また、コイル状に巻かれた形状となっているため、異物１０１の一部が溝部４１ｄの外側に出ることはあっても、溝部４１ｄから全てを完全に取り除く事は難しい。また、配線基板２０を支持する強度を確保する観点から、溝部４１ｄの幅は数百ミクロン程度と狭いため、切断後の配線基板２０を傷つけることなく溝部４１ｄ内の異物を掻きだすことも困難である。そして、洗浄工程後も異物１０１が残留すると、洗浄、乾燥後に個片化された各半導体装置を取り出すピックアップ工程で、個片化された半導体装置を取り出す際の吸着不良の原因となる。また、固定治具４１上に異物１０１の一部が残留すると、次に切断される配線基板２０と固定治具４１の間に異物１０１が挟まって切断不良の原因となる。
【０１５２】
一方、本実施の形態では、切削加工後の固定治具４１の溝部４１ｄ内に切削屑が残っていた場合であっても、該切削屑は、長さが短いため、洗浄液５２により洗い流す事が出来る。したがって、残留異物による吸着不良や、切断不良を防止することができる。
【０１５３】
洗浄工程に続いて、乾燥工程を行う。乾燥工程では、前記洗浄工程において半導体装置に付着した水分を乾燥させる。
【０１５４】
乾燥工程に続いて、乾燥後の半導体装置１を固定治具４１から取り出す。図３５は、図３４に示す固定治具から個片化された半導体装置を取り出す状態を示す拡大断面図である。
【０１５５】
本工程では、例えば、図３４に示すように、吸着治具５３で各半導体装置１（詳しくは配線基板１０の裏面１０ｂ側）を吸着保持して、持ちあげることにより、半導体装置１を固定治具４１から取り出す。この時、図６８に示す紐状の異物１０１の一部が、吸着治具５３と半導体装置１の間に挟まると、吸着不良の原因となるが、本実施の形態によれば、本工程では、切削屑などの異物は、前記洗浄工程で取り除くことができるので、これを防止することができる。
【０１５６】
本工程でピックアップされた各半導体装置１は、吸着治具５３に保持された状態、あるいは、図示しないトレーに収納された状態で次工程（例えば、検査工程）に搬送する。そして、外観検査など必要な検査、試験を行い、図１に示す半導体装置１が完成する。
【０１５７】
なお、本実施の形態では、この洗浄工程、乾燥工程、ピックアップ工程を個片化工程に含まれる工程として説明したが、これらを、個片化工程の後で行う独立した工程として考えることもできる。
【０１５８】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、配線基板１０の表面１０ａにおいて、絶縁膜１６から露出する各ボンディングリード１１が封止樹脂４で封止された構造の半導体装置１について説明した。しかし、前記実施の形態１で説明した半導体装置の製造方法は、半導体装置１とは異なる構造の半導体装置の製造方法にも適用することができる。
【０１５９】
例えば、近年、半導体装置（半導体パッケージ）上に、別の半導体装置（半導体パッケージ）を積層する、ＰＯＰ（Package on Package）型の半導体装置が検討されている。本実施の形態では、ＰＯＰ型の半導体装置の下段側に配置される半導体装置、およびその製造工程について説明する。なお、本実施の形態では、以下で説明する相違点を除き、前記実施の形態１と同様である点については説明を省略する。図３６は、前記実施の形態１で説明した図３に示す半導体装置の変形例を示す平面図、図３７は、図３６のＵ−Ｕ線に沿った断面図、図３８は、図３７のＷ部の拡大断面図である。
【０１６０】
図３６、図３７に示す半導体装置７０は、配線基板７１の表面１０ａにおいて、複数のランド７２が封止樹脂４から露出している点で、図３、図４に示す前記実施の形態１の半導体装置１と相違する。この複数のランド７２は、半導体装置７０の上段に配線基板や半導体装置などの電子装置を配置して、この電子装置と半導体装置７０を電気的に接続するための、外部インターフェース用の端子である。このように複数の半導体装置、あるいは半導体装置上に電子装置、を積層し、これらを電気的に接続するパッケージは、ＰＯＰ型の半導体装置と呼ばれ、複数の半導体装置を実装基板（図示は省略）上に並べて配置する場合と比較して、実装面積を低減できるメリットがある。例えば、図３７に示す上段側の半導体装置（メモリパッケージ）７３に、ＤＲＡＭやフラッシュメモリのようなメモリ回路が形成されたメモリチップ（半導体チップ）７４を搭載し、下段側の半導体装置（コントローラパッケージ）７０に前記メモリチップを制御するコントローラチップである半導体チップ２を搭載し、複数のランド（電極、電極パッド、端子）７２に接合された複数の半田ボール（接合材、基板間接合材）７５を介してこれらを電気的に接続し、システムを構成することができる。そして、メモリチップ７４が搭載された半導体装置７３と、コントローラチップが搭載された半導体装置７０を積層することで、実装面積を低減することができる。
【０１６１】
なお、複数の半導体チップを電気的に接続してシステムを構成するＰＯＰ型とは別の態様として、複数の半導体チップを配線基板上に積層し、これらを電気的に接続して１つの半導体パッケージ内にシステムを構成する、システム・イン・パッケージ(System In Package：ＳＩＰ)型の半導体装置もある。しかし、ＰＯＰ型の半導体装置は、上段側の半導体装置と下段側の半導体装置７０を、それぞれ別個に製造し、その後これを接続することができるので、ＳＩＰ型の半導体装置よりも、システムの少量・多品種化に柔軟に対応できる。
【０１６２】
このＰＯＰ型の半導体装置の下段側のパッケージである本実施の形態の半導体装置７０が有する複数のランド７２は、配線基板７１の配線１２を介して複数のボンディングリード１１と電気的に接続されている。これにより、上段側の半導体装置７３（メモリチップ７４）と下段側の半導体装置７０（半導体チップ２）を電気的に接続し、システムを構成することができる。また、複数のランド７２は、配線基板７１の配線１２、１５を介して、配線基板７１の裏面１０ｂ側（絶縁層１４の下面１４ｂ上）に形成された複数のランド１３と電気的に接続されている。これにより、上段側の半導体装置７３（メモリチップ７４）を、外部機器と電気的に接続することができる。
【０１６３】
詳しくは、図３８に示すように、本実施の形態の配線基板７１は、例えば、ビルドアップ工法によって製造された複数（図３８では、表面配線層、裏面配線層および２層の内層配線層から成る４層）の配線層を有する多層配線基板である。各配線層同士を電気的に絶縁する絶縁層１４は、例えば、ガラス繊維または炭素繊維に樹脂を含浸させたプリプレグから成る絶縁層（コア層）１４ｄと、絶縁層１４ｄの上面１４ｅ、下面１４ｆをそれぞれ覆うように配置され、例えば、ガラス繊維を含まず、エポキシなどの熱硬化性樹脂を硬化させた絶縁層１４ｇ、１４ｈとから成る。このように、絶縁層１４ｇ、１４ｈとしてガラス繊維を含まない樹脂材料を用いた場合であっても、その脆性破壊耐性は、半導体チップ２や封止樹脂４よりも高い。絶縁層１４ｇ、１４ｈの曲げ強度の値は、コア層となる絶縁層１４ｄの曲げ強度よりは小さいが、半導体チップ２や封止樹脂４の曲げ強度よりは大きい。したがって、絶縁層１４ｇに起因して異物が発生した場合には、該異物は、図６８に示す異物１０１のように長い紐状に成り易い。なお、本実施の形態では、ガラス繊維を含まない絶縁層１４ｇ、１４ｈを用いているが、絶縁層１４ｇ、１４ｈにガラス繊維を含ませる場合もある。この場合、絶縁層１４ｇ、１４ｈの曲げ強度の値は、コア層となる絶縁層１４ｄの曲げ強度と略同等となる。
【０１６４】
本実施の形態では、４層の配線層を有する配線基板なので、絶縁層１４ｇの上面が、絶縁層１４の上面１４ａ、絶縁層１４ｈの下面が絶縁層１４の下面１４ｂとなっている。絶縁層１４ｇ、１４ｈは内層配線層と、表面あるいは裏面配線層を絶縁するために配置される絶縁層であって、絶縁層１４ｄよりも厚さは薄い。配線基板７１全体の厚さが厚くなるのを防ぐためである。本実施の形態では、例えば、絶縁層１４ｄの厚さが２００μｍであるのに対して、絶縁層１４ｇ、１４ｈの厚さは３０μｍである。なお、表面配線層を覆う、絶縁膜１６、および裏面配線層を覆う絶縁膜１７は、絶縁層１４ｇ、１４ｈよりもさらに薄く、本実施の形態では、例えば１５μｍである。
【０１６５】
また、各配線層には、複数の配線１２が形成され、各絶縁層１４ｄ、１４ｇ、１４ｈを貫通するビア（孔）１５ａ内の配線（ビア内配線、層間配線）１５を介して、各配線層の配線１２が電気的に接続されている。詳しくは、表面配線層には、配線（最上層配線）１２ａが形成され、絶縁層１４ｇに形成された配線１５を介して第２層目の配線層に形成された配線１２ｄと電気的に接続されている。また、配線１２ｄは、絶縁層１４ｄに形成された配線１５を介して第３層目の配線層に形成された配線１２ｅと電気的に接続されている。また、配線１２ｅは、絶縁層１４ｈに形成された配線１５を介して裏面配線層に形成された配線１２ｂと電気的に接続されている。さらに、表面配線層にはボンディングリード１１およびランド７２が、裏面配線層にはランド１３がそれぞれ形成され配線１２ａ、１２ｂを介して電気的に接続されている。つまり、複数のボンディングリード１１および複数のランド７２は、配線基板７１の配線１２、１５を介して電気的に接続されている。
【０１６６】
また、図３６に示すように、複数のランド７２は、平面視において、複数のボンディングリード１１よりも外側に配置され、封止樹脂４から露出している。また、図３８に示すように配線基板７１の絶縁層１４の上面１４ａを覆う絶縁膜１６には、ランド７２と重なる位置に開口部１６ｃが形成され、ランド７２の一部は、開口部１６ｃにおいて絶縁膜１６から露出している。
【０１６７】
＜複数の配線層を有する配線基板を切断する場合に生じる課題および解決手段＞
ここで、配線基板７１のように複数の配線層を有する配線基板について、前記実施の形態１で説明した第１の比較例の個片化工程を適用して切断する場合、前記実施の形態１で説明した配線基板２０よりもさらに紐状の異物が発生し易い。
【０１６８】
複数の配線層を有する配線基板７１では、各配線層間を絶縁する絶縁層１４も複数層の積層構造となる。詳しくは、図３８に示すように、コア層となる絶縁層１４ｄの上面１４ｅ上に、絶縁層１４ｄよりも厚さが薄い絶縁層１４ｇが積層されている。
【０１６９】
このように厚さの異なる絶縁層が積層された配線基板７１の場合、絶縁層１４ｄと絶縁層１４ｇとでは、ダイシングブレードで切削加工する際の切削抵抗が異なる。すなわち、絶縁層１４ｇの切削抵抗は、厚さの厚い絶縁層１４ｄよりも切削抵抗が小さい。また、本実施の形態のように、コア層である絶縁層１４ｄがガラス繊維を含み、絶縁層１４ｇがガラス繊維を含まない場合には、さらに切削抵抗の差は大きくなる。
【０１７０】
しかし、前記実施の形態で説明したように、略円形の外形形状を成す薄板であるダイシングブレードを回転させながら被切削物を切削する場合、断面（領域）毎（例えば、図６８に示すＪ−Ｊ線、Ｋ−Ｋ線、Ｌ−Ｌ線に沿った断面（領域）毎）に、切削加工の進捗状況が異なる。つまり、切削抵抗の異なる絶縁層１４ｄ、１４ｇを同時に切削加工することとなる。そして、この場合、ダイシングブレードを配線基板７１に押し当てる強さは、切削抵抗が大きい方（絶縁層１４ｄ）に合わせる必要がある。切削加工時の振動や、切削不良を防ぐためである。
【０１７１】
このため、絶縁層１４ｄよりも切削抵抗が小さい絶縁層１４ｇには、ダイシングブレードから必要以上の押圧力が加わることとなる。そして、必要以上の押圧力が加わると、絶縁層１４ｇの切削加工領域の両端部に応力が集中して前記実施の形態１よりも破断が発生し易くなる。
【０１７２】
そこで、本実施の形態では、図３９〜図４２に示すように前記実施の形態１で説明したダイシングブレード４０を用いて配線基板７６（前記実施の形態１で説明した配線基板２０に相当する多数個取り基板）を切断する。図３９は、本実施の形態の個片化工程を示す拡大断面図、図４０、図４１、図４２は、それぞれ、図３９のＸ−Ｘ線、Ｙ−Ｙ線、Ｚ−Ｚ線の拡大断面図である。なお、図３９は前記実施の形態１で説明した図２７に対応する拡大断面図である。
【０１７３】
まず、図３９に示すように、２つのテーパ面４０ａが交差する頂点４０ｃが、配線基板２０の絶縁層１４ｄの上面１４ｅを越えて絶縁層１４ｇに差し掛かった領域では、切削加工領域の端部（図４０のＭ部）、および頂点４０ｃ付近に応力が集中する。しかし、この時点では、ダイシングブレード４０のテーパ面４０ａの殆どが絶縁層１４ｄと当接しているため、絶縁層１４ｇに発生する応力は、図６８に示すダイシングブレード１００を使用した場合よりも低く抑えることができる。また、前記実施の形態１でも説明したように、ダイシングブレード４０からの応力は、テーパ面４０ａを形成することにより、斜め方向（テーパ面４０ａと直交する方向）に加わるので、下向きの成分（つまり、絶縁層１４ｇの破断の原因となる成分）は、前記第１の比較例の場合よりも小さくなる。したがって、この領域では、前記第１の比較例で説明したような未切削領域の破断は発生し難い。また、仮にテーパ面４０ａが交差する頂点４０ｃ付近で破断した場合であっても、破断個所は１カ所である。また、切削加工領域の端部（Ｍ部）はしっかりと固定されているので、破断個所が図６８に示す紐状の異物１０１となることはなく、継続して切削加工を施すことができる。
【０１７４】
次に、図４１に示すように、切削加工領域の端部（図４１のＭ部）が、絶縁層１４ｇに差し掛かった領域では、この端部に応力が集中する。そして、切削抵抗が絶縁層１４ｄよりも低い絶縁層１４ｇを、ダイシングブレード４０が強い押圧力で押圧しながら切削することとなる。しかし、図４１に示す領域では、既に、ダイシングブレード４０の先端（頂点４０ｃ）が絶縁層１４（絶縁層１４ｇ）の上面１４ａよりも下側に達しているため、端部に集中する応力は、図６８に示すダイシングブレード１００を使用した場合よりも大幅に小さくなっている。また、前記したように、端部に加わる応力は、斜め方向（テーパ面４０ａと直交する方向）に加わるので、下向きの成分（絶縁層１４ｇの破断の原因となる成分）は、さらに小さくなる。このため、この領域においても、前記実施の形態１で説明したような未切削領域の破断を防止することができる。
【０１７５】
そして、図４２に示すように、ダイシングブレード４０の側面４０ｂが、絶縁層１４ｇの上面１４ａを貫通するまで切削加工することにより、図６８に示す紐状の異物１０１が発生することなく絶縁層１４の上面１４ａまで切削加工することができる。
【０１７６】
このように本実施の形態では、テーパ面４０ａを有するダイシングブレード４０を用いることにより、厚さの異なる絶縁層１４ｄ、１４ｇが積層された配線基板７６であっても、前記実施の形態１で説明した紐状の異物を発生させることなく、配線基板７６を切断することができる。また、絶縁層１４ｄがガラス繊維を含み、絶縁層１４ｇがガラス繊維を含まないことにより、両者の切削抵抗の差が大きい場合であっても、前記実施の形態１で説明した紐状の異物を発生させることなく、配線基板７６を切断することができる。
【０１７７】
なお、ダイシングブレードの先端形状の好ましい形状については、前記実施の形態１で説明した態様をそのまま適用することができる。重複する詳細説明を避けて簡単に説明すると、以下である。
【０１７８】
まず、テーパ面４０ａは、側面４０ｂと交差していることが好ましい。
【０１７９】
また、未切削領域の破断を確実に防止する観点から、図２６に示すダイシングブレード４０のテーパ面４０ａと、側面４０ｂの成す角度θ１を１３０度よりも大きくすることが好ましい。言い換えると、配線基板の平面（例えば、絶縁層１４の下面１４ｂや上面１４ａ）とダイシングブレード４０のテーパ面４０ａの成す角度θ２は、４０度よりも大きくすることが好ましい。また、ダイシングブレード４０の侵入角度が精度の関係で僅かにずれた場合でも角度θ２を４０度よりも大きくするため、角度θ１を１３５度以上、角度θ２を４５度以上とすることが特に好ましい。
【０１８０】
また、ダイシングブレード４０の交換頻度を低減する観点や、切削工程中のダイシングブレード４０の損傷を抑制する観点から、角度θ２は、６０度未満、言い換えると角度θ１を１５０度未満とすることが好ましい。
【０１８１】
また、未切削領域の破断を確実に防止する観点から、ダイシングブレード４０のテーパ面４０ａは、摩耗により形成される湾曲面よりも高い平坦度、特に好ましくは、側面４０ｂと同等の平坦度を有することが好ましい。
【０１８２】
また、変形例として、例えば、図３１に示すように、両側面４０ｂの間が、一部、湾曲面４０ｄとなっていても良い。さらに、図３２に示すように、２つのテーパ面４０ａの間に、被切削物の平面と対向する側面直交面４０ｅを有していても良い。この場合、図３１に示す湾曲面４０ｄ、あるいは図３２に示す側面直交面４０ｅの幅Ｗ１が、各テーパ面４０ａの幅Ｗ２よりも小さくすれば、図６８に示す紐状の異物１０１の発生を防止ないしは抑制することができる。
【０１８３】
また、図６８に示す紐状の異物１０１の発生を抑制する観点からは、例えば、図３３に示すダイシングブレード５１のように、ダイシングブレード５１の一方の側面４０ｂから他方の側面４０ｂに向かって延びる１個のテーパ面５１ａを有する構造（片面テーパ構造、面非対称構造）とすることもできる。ただし、配線基板７６の各デバイス領域２０ａに、同様の切削ストレスを加えて、デバイス領域２０ａ毎のバラツキを低減する観点からは、図２６や図３２に示す面対称構造のダイシングブレード４０、５０を使用することが好ましい。
【０１８４】
＜表面側のランドが露出した配線基板を切断する場合の課題および解決手段＞
また、図３８に示すように、配線基板７１の表面１０ａにおいて、複数のランド７２が露出する半導体装置の製造工程では、前記実施の形態１で説明した個片化工程において、さらに、以下の課題を有している。すなわち、図６８に示す紐状の異物１０１が発生することにより、前記個片化工程において、露出したランド７２が汚染し、図３７に示す半導体装置７０と上段側に配置される半導体装置７３の間で、導通不良が発生する原因となる。
【０１８５】
前記実施の形態１で、図６８に示す紐状の異物１０１が発生すると、この異物１０１の一部が、例えば図６９に示す配線基板２０と固定治具４１の凸部４１ｃの間に挟まり易いことについては既に説明した。そして、異物１０１が挟まると、配線基板２０と凸部４１ｃの間に隙間が生じることも説明した。
【０１８６】
ここで、個片化工程では、図２２に示す切削液４５や図３４に示す洗浄液５２を配線基板２０に向かって供給しながら（噴きつけながら）作業を行う。このため、配線基板２０と固定治具の間に隙間があると、該隙間から図２２に示す切削液４５や図３４に示す洗浄液５２が、固定治具の凹部４１ｂ内に侵入してしまう。これを図３８に示す本実施の形態の配線基板７１に当てはめると、例えば、図２２に示す凹部４１ｂ内に侵入した切削液４５が凹部４１ｂ内で、図３８に示す絶縁膜１６から露出するランド７２を汚染してしまう。
【０１８７】
一方、本実施の形態によれば、前記したように、紐状の異物１０１（図６８参照）を発生させることなく、配線基板７６（図４２参照）を切断することができる。したがって、配線基板７６と固定治具４１の凸部４１ｃとの間に隙間が生じる事を防止できる。この結果、図２２に示す切削液４５や図３４に示す洗浄液５２を使用しても、ランド７２の汚染を防止することができる。
【０１８８】
以上の通り、本実施の形態によれば、前記実施の形態１で説明した効果に加え、さらに、配線基板７１の表面１０ａにおいて封止樹脂４から露出する複数のランド７２の汚染を防止することができる。
【０１８９】
（実施の形態３）
前記実施の形態１、２では、半導体チップ２が配線基板７１上にフェイスアップ実装方式で搭載される態様について説明した。しかし、半導体チップをフェイスダウン実装方式により搭載する半導体装置に適用することもできる。図４３は前記実施の形態２で説明した図３６に示す半導体装置の変形例を示す平面図、図４４は、図４３のＡａ−Ａａ線に沿った断面図である。
【０１９０】
図４３および図４４に示す半導体装置８０は、前記実施の形態２で説明した半導体装置７０と同様に、ＰＯＰ型の半導体装置の下段側に配置される半導体装置である。半導体装置８０では、半導体チップ２の主面２ａが配線基板８１の表面１０ａと対向させた状態で搭載している。また、半導体チップ２と配線基板８１はフリップチップ接続により電気的に接続している。すなわち、主面２ａ上に形成された複数のパッド２ｃ上に、複数のバンプ電極（突起電極、導電性部材）８３を接合し、バンプ電極８３を介して、パッド２ｃと対向する位置に形成された複数のボンディングリード（端子、ボンディングパッド）８４とそれぞれ電気的に接続する。なお、ボンディングリード８４は、半導体チップ２のパッド２ｃと対向する位置（つまり、チップ搭載領域内）に配置されている点を除き前記実施の形態１、２で説明したボンディングリード１１と同様なので重複する説明は省略する。
【０１９１】
また、半導体チップ２の主面２ａと配線基板８１の表面１０ａの間には、アンダフィル樹脂（封止樹脂、封止体）８５が充填され、半導体チップ２の複数のパッド２ｃ、複数のバンプ電極８３、および複数のボンディングリード８４は封止されている。一方、半導体チップ２の裏面２ｂ側には、アンダフィル樹脂８５は配置されず、露出している。なお、複数のランド７２も、アンダフィル樹脂８５から露出している。このように、フリップチップ接続を行うと、半導体チップ２の裏面２ｂを露出させることができるので、前記実施の形態２で説明した半導体装置７０よりもパッケージ高さを低く（薄く）することができる。
【０１９２】
また、半導体装置８０のパッケージ高さを低くすることにより、上段側の半導体装置７３と電気的に接続する半田ボール（接合材、基板間接合材）８６の大きさは、前記実施の形態２で説明した半田ボール７５よりも小さくすることができる。また、これに伴い、ランド７２の露出面積も小さくすることができる。さらに、フェイスダウン実装方式の場合、ボンディングリード８４を、半導体チップ２を搭載するチップ搭載領域内に配置するので、チップ搭載領域の外側のスペースを広く確保することができる。このため、前記実施の形態２で説明した半導体装置７０よりも多くのランド７２を配置することができる。つまり、半導体装置間を電気的に接続する端子数を増加させることができる。例えば、図４３では、ランド７２を配線基板８１の表面１０ａの外周に沿って、複数列（図４３では２列）で配置する例を示している。
【０１９３】
図４３および図４４に示す半導体装置８０は、半導体チップ２の周囲において、配線基板８１の表面１０ａが露出している。また、アンダフィル樹脂８５は、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂から成り充填後に熱処理を行うことで効果する。ただし、前記実施の形態１で説明した封止樹脂４と同様に、複数のバンプ電極８３の間の狭い隙間に埋め込む必要があるため、硬化後のアンダフィル樹脂８５は、配線基板８１の絶縁層１４よりも脆い。言い換えれば、配線基板８１の絶縁層１４は、アンダフィル８５よりも脆性破壊耐性が高い。さらに、配線基板８１は、前記実施の形態２で説明した配線基板７１と同様に、複数の絶縁層が積層された配線基板である。したがって、半導体装置８０を製造する際の個片化工程で、前記実施の形態１および前記実施の形態２で説明した図６８に示す紐状の異物１０１が発生するという課題が生じる。しかし、前記実施の形態１で説明したダイシングブレード４０（図２６、図３１参照）、ダイシングブレード５０（図３２参照）、あるいはダイシングブレード５１（図３３参照）を使用することにより、これを防止することができる。
【０１９４】
また、半導体装置８０は、配線基板８１の表面１０ａにおいて、ランド７２が露出している。したがって、前記実施の形態２で説明したように個片化工程において、ランド７２が汚染するという課題が生じる。しかし、前記したように、紐状の異物１０１（図６８参照）の発生を防止することができるので、ランド７２の汚染も防止することができる。
【０１９５】
（実施の形態４）
前記実施の形態１〜前記実施の形態３では、配線基板上に半導体チップを搭載する半導体装置に適用した実施態様について説明した。本実施の形態では、半導体チップを搭載する基板として、リードフレームを用いる、リードフレーム搭載型の半導体装置の製造方法に適用した実施態様について説明する。なお、本実施の形態では前記実施の形態１との相違点を中心に説明し、重複する説明は省略する。
【０１９６】
リードフレーム搭載型の半導体装置としては、パッケージ（半導体装置）の外部端子となるリードの配置に応じて以下のように分類できる。四辺形の平面形状を成す封止樹脂の４つの側面からそれぞれ複数のリードが突出する、ＱＦＰ（Quad Flat Package）と呼ばれる半導体装置がある。また、略長方形の平面形状を成す封止樹脂の４つの側面のうち、互いに対向する２つの長辺側の側面からそれぞれ複数のリードが突出する、ＳＯＰ（Small Outline Package）と呼ばれる半導体装置がある。また、ＱＦＰやＳＯＰの変形として封止樹脂の下面から複数のリードが露出する、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded）やＳＯＮ（Small Outline Non-leaded）と呼ばれる半導体装置がある。本実施の形態では、リードフレーム搭載型の半導体装置の例として、図４５〜図４８に示すＱＦＮ（半導体装置）９０を取り上げて説明する。図４５は、本実施の形態の半導体装置の表面を示す平面図、図４６は図４５に示す半導体装置の裏面を示す平面図である。また、図４７は、図４５に示す半導体装置の表面側の内部構造を示す平面図である。また、図４８は、図４７のＡｂ−Ａｂ線に沿った断面図である。なお、図４７では、図４５に示す封止樹脂４の位置を２点鎖線で示している。
【０１９７】
＜ＱＦＮの構造＞
まず、本実施の形態のＱＦＮ（半導体装置）９０の構成について、図４５〜図４８を用いて説明する。図４７および図４８に示すように、本実施の形態のＱＦＮ９０は、ダイパッド（チップ搭載部）９１と、ダイパッド９１上に接着材６を介して搭載された半導体チップ２と、を備えている。また、ＱＦＮ９０は、半導体チップ２の周囲に配置された複数のリード（端子）９２と、半導体チップ２の複数のパッド２ｃと複数のリード９２とを、それぞれ電気的に接続する複数のワイヤ（導電性部材）３と、を有している。また、ＱＦＮ９０は半導体チップ２、複数のワイヤ３、および複数のリード９２を封止する封止樹脂４を備えている。また、ダイパッド９１には、複数の吊りリード９３が接続されている。
【０１９８】
図４５に示すように封止樹脂（封止体）４の平面形状は四辺形（角部が面取りされた四角形）からなる。また、図４６に示すように、封止樹脂４の下面側には、ＱＦＮ９０の外部端子である複数のリード９２が封止樹脂４の各辺に沿って配置されている。なお、図４５に示すように、本実施の形態では、複数のリード９２のそれぞれ一部分（アウタリード部）が封止樹脂４の上面側にも露出している。また、本実施の形態では、図４８に示すようにダイパッド９１の下面９１ｂ側も封止樹脂４から露出している。ダイパッド９１、複数のリード９２および複数の吊りリード９３は、それぞれ金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）から成る。詳しくは、銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる薄いめっき導体膜（図示は省略）が形成されている。また、ダイパッド９１および複数のリード９２の封止樹脂４からの露出部には、例えば半田からなる外装めっき膜（半田膜）９１ｃ、９２ｃがそれぞれ形成されている。特にリード９２の露出部に外装めっき膜９２ｃを形成することにより、図示しない実装基板にＱＦＮ９０を実装する際の接続性（濡れ性）を向上させることができる。
【０１９９】
また図４７および図４８に示すようにＱＦＮ９０では、半導体チップ２はダイパッド（チップ搭載面）９１の上面（表面）９１ａ上に搭載されている。半導体チップ２は、裏面（第２主面）２ｂをダイパッド９１の上面９１ａと対向させた状態で、接着材６を介して搭載されている。つまり、複数のパッド２ｃが形成された主面（第１主面）２ａの反対面（裏面２ｂ）をダイパッド９１の上面（表面、チップ搭載面）９１ａと対向させる、所謂、フェイスアップ実装方式により搭載されている。また、複数のワイヤ３の一方は、複数のパッド２ｃにそれぞれ接続され、他方は、複数のリード９２のそれぞれに接続されている。
【０２００】
＜ＱＦＮの製造方法＞
次に、図４５〜図４８に示すＱＦＮ９０の製造工程について、説明する。ＱＦＮ９０は、図４９に示す組立てフローに沿って製造される。図４９は、図４５〜図４８に示す半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。
【０２０１】
１．リードフレーム準備工程；
まず、図４９に示す準備工程（Ｓ１）として、図５０に示すようなリードフレーム（基板）９４を準備する。図５０は、図４９に示すリードフレーム準備工程で準備するリードフレームの全体構造を示す平面図、図５１は図５０のＡｃ部の拡大平面図である。
【０２０２】
図５０に示すように、本工程で準備するリードフレーム９４は、枠部（枠体）２０ｂの内側に複数のデバイス領域２０ａを備えている。詳しくは、複数のデバイス領域２０ａが行列状に配置されている。デバイス領域２０ａの数は、図５０に示す態様に限定されないが、例えば、図５０では３行×８列に配置された２４個のデバイス領域２０ａを備えている。
【０２０３】
各デバイス領域２０ａは、図１に示すＱＦＮ９０の１個分に相当し、図４５〜図４８を用いて説明したダイパッド９１、複数のリード９２および吊りリード９３が形成されている。また、各デバイス領域２０ａ（複数のデバイス領域２０ａのうちの互いに隣り合うデバイス領域間）の周囲には、図４９に示す個片化工程（Ｓ７）でリードフレーム９４を切断する予定領域であるダイシング領域（ダイシングライン）２０ｃが配置されている。図５０に示すように、ダイシング領域２０ｃは、隣り合うデバイス領域２０ａの間、および枠部２０ｂとデバイス領域２０ａの間、に各デバイス領域２０ａを取り囲むように配置されている。
【０２０４】
また、図５１に示すように、複数のリード９２は、ダイシング領域２０ｃに沿って配置されるダムバー（タイバー、ダム部）９５により連結されている。このダムバー９５は、複数のリード９２および複数の吊りリード９３と一体に形成され、図５０に示す枠部２０ｂに接続されている。また、ダムバー９５は、ダイシング領域２０ｃ内に配置され、ダムバー９５を介して対向配置される複数のリード９２のそれぞれは、間に配置されるダムバー９５に連結されている。図４９に示す個片化工程（Ｓ７）までは、複数のリード９２および複数の吊りリード９３（および吊りリード９３に接続されるダイパッド９１）は、このダムバー９５を介して枠部２０ｂに支持される。また、図４９に示す封止工程（Ｓ５）では、ダムバー９５は封止用樹脂が漏れだすことを防止するダム部として機能する。
【０２０５】
２．半導体チップ準備工程；
また、図４９に示す半導体チップ準備工程（Ｓ２）として、図４７および図４８に示す半導体チップ２を準備する。本工程では、例えば、シリコンからなる半導体ウエハ（図示は省略）の主面側に、複数の半導体素子やこれに電気的に接続される配線層からなる半導体ウエハを準備する。その後、半導体ウエハのダイシングラインに沿って、ダイシングブレードを走らせて（図示は省略）半導体ウエハを切断し、図４７および図４８に示す半導体チップ２を複数個取得する。
【０２０６】
３．ダイボンディング工程；
次に、図４９に示すダイボンディング工程（Ｓ３）について説明する。図５２は、図５１に示すリードフレーム上に半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図、図５３は図５２に示すＡｄ−Ａｄ線に沿った拡大断面図である。本工程では、半導体チップ２をダイパッド９１上に搭載（接着）する（チップ搭載工程）。図５３に示すように、本実施の形態では、半導体チップ２の裏面２ｂが、ダイパッド９１の上面９１ａと対向するように、接着材６を介してダイパッド９１上に搭載する（フェイスアップ実装）。その他の点は、前記実施の形態１と同様なので、重複する説明は省略する。
【０２０７】
４．ワイヤボンディング工程；
次に、図４９に示すワイヤボンディング工程（Ｓ４）について説明する。図５４は、図５２に示す半導体チップの複数のパッドとリードフレームの複数のリードを、ワイヤボンディングにより電気的に接続した状態を示す拡大平面図、図５５は、図５３に示す半導体チップの複数のパッドとリードフレームの複数のリードを、ワイヤボンディングにより電気的に接続した状態を示す拡大断面図である。本工程では、図５４および図５５に示すように、半導体チップ２の主面２ａ上に形成された複数のパッド２ｃと、リードフレーム９４の複数のリード９２を、複数のワイヤ３を介してそれぞれ電気的に接続する。本実施の形態では、半導体チップ２のパッド２ｃを第１ボンド側、リードフレーム９４の複数のリード９２を第２ボンド側とする、所謂、正ボンディング方式によりワイヤボンディングを行い、パッド２ｃと複数のリード９２を電気的に接続する。その他の点は、前記実施の形態１と同様なので、重複する説明は省略する。
【０２０８】
５．封止工程；
次に、図４９に示す封止工程（Ｓ５）について説明する。図５６は、図５４に示すリードフレームの各デバイス領域に封止樹脂を形成した状態を示す拡大平面図、図５７は、図５５に示すリードフレームの各デバイス領域に封止樹脂を形成した状態を示す拡大断面図である。本工程では、図５４および図５５に示す半導体チップ２、複数のワイヤ３、および複数のリード９２を図５６および図５７に示すように封止用樹脂４ａで封止し、複数のデバイス領域２０ａのそれぞれにおける表面に封止樹脂４を形成する。また、本工程では、ダイシング領域２０ｃにおけるリードフレーム９４の表面（図５６に示すダムバー９５の上面（表面）９５ａおよびリード９２のダムバー９５側の一部分の上面（表面）９２ａが露出するように封止樹脂４を形成する。詳しくは、封止工程において、ダイシング領域２０ｃをクランプ領域とすることで、これらを露出させることができる。例えば、前記実施の形態１と同様に、トップゲート方式により、キャビティ３１ｂ内に封止用樹脂４ａを供給すると、キャビティ３１ｂ内およびキャビティ３１ｂの周囲の隙間に封止用樹脂４ａが充填される。このためキャビティ３１ｂの周囲のリード９２とダムバー９５で囲まれた領域には、ダム内樹脂４ｄが形成される。また、本工程では、ダイパッド９１の下面（裏面）９１ｂ、およびリード９２の下面（裏面）９２ｂがそれぞれ封止樹脂４から露出するように封止樹脂４を形成する。その他の点は、前記実施の形態１と同様であり、前記実施の形態１の説明において、配線基板２０をリードフレーム９４に置き換えて適用できるので、重複する説明は省略する。なお、厳密には、前記実施の形態１で説明した配線基板２０と本実施の形態のリードフレーム９４は、デバイス領域２０ａの数が異なるので、これに対応してキャビティ３１ｂの数が異なる。すなわち、本実施の形態では、上金型３１は２４個のキャビティ３１ｂを有している。
【０２０９】
６．めっき工程；
次に、図４９に示すめっき工程（Ｓ６）として、図５６に示す封止樹脂４から露出する複数のリードフレーム９４の露出部（アウタリード部）に例えば半田などからなる外装めっき膜を形成する。本工程では、被めっき加工物であるリードフレーム９４を、めっき液（図示は省略）が入っためっき槽（図示は省略）内に配置して、例えば、電解めっき法により外装めっき膜を形成する。この電解めっき法によれば、封止樹脂４から露出している領域に一括して外装導体膜を形成することができる。したがって、例えば図４８に示す外装めっき膜９１ｃおよび外装めっき膜９２ｃは、本工程で一括して形成される。本実施形態の外装めっき膜９１ｃ、９２ｃは、Ｐｂ（鉛）を実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田からなり、例えばＳｎ（錫）のみ、Ｓｎ（錫）−Ｂｉ（ビスマス）、またはＳｎ（錫）−Ａｇ（銀）−Ｃｕ（Ｃｕ）などである。ここで、鉛フリー半田とは、鉛（Ｐｂ）の含有量が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、この含有量は、ＲｏＨｓ（Restriction of Hazardous Substances）指令の基準として定められている。このため、本めっき工程で使用するめっき液には、例えばＳｎ２＋や、Ｂｉ３＋などの金属塩が含まれている。なお、本実施の形態では、鉛フリー半田めっきの例としてＳｎ−Ｂｉの合金化金属めっきを用いているが、ＢｉをＣｕやＡｇなどの金属に置き換えることができる。
【０２１０】
７．個片化工程；
次に、図４９に示す個片化工程（Ｓ７）について説明する。図５８は、図２２に対する変形例を示す拡大断面図、図５９は、図２７に対する変形例を示す拡大断面図である。また、図６０、図６１、図６２は、それぞれ図２８、図２９、図３０に対する変形例を示す拡大断面図である。
【０２１１】
個片化工程では、ダイシングブレード（回転刃）４０を用いて、ダイシング領域（ダイシングライン）２０ｃに沿って配線基板２０を切断（分割）し、デバイス領域２０ａ毎に個片化する。リードフレーム９４を個片化する別の方法として、切断パンチとダイ（支持台）を用いて個片化する方法（プレス加工方式）がある。本実施の形態のように一つのリードフレーム９４に多くのデバイス領域２０ａが配置されている場合には、ダイシングブレード４０を用いる個片化方法の方がプレス加工方式よりも、各デバイス領域２０ａを短時間で個片化することができる。また、ダイシング領域２０ｃのスペースを小さくすることができるので、一つのリードフレーム９４から取得できる製品の数を増加させることができる。
【０２１２】
本実施の形態では、図５８に示すように、表面９４ａ側に複数の封止樹脂４が形成されたリードフレーム９４を、固定治具４１上に固定した状態で、ダイシングブレード４０をリードフレーム９４の裏面９４ｂ側からダイシング領域２０ｃに沿って走らせて切断する。また、図５８に示すように、本工程は、ダイシング領域２０ｃにおける表面９４ａを支持しない状態でダイシングを行う。つまり、前記実施の形態１と同様に治具ダイシング方式によりリードフレーム９４を分割する。本工程で、ダイシングブレード４０をリードフレーム９４の裏面側に配置するのは、以下の理由による。まず、個片化工程において、リード９２を切削する場合、切削断面にバリが生じる場合があるが、リードフレーム９４の裏面９４ｂ側から表面９４ａ側に向かって切削加工することにより、バリがリード９２の下面９２ｂ側に突出することを抑制できる。リード９２の下面９２ｂは、図示しない実装基板にＱＦＮ９０（図４８参照）を実装する際の実装面となるので、この実装面側にバリを突出させないようにすれば、実装時の短絡不良などを抑制できる。また、個片化工程では、リードフレーム９４を固定した状態で切削加工を施すが、図５８に示すようにリード９２の上面９２ａ側を抑えることにより、この固定時のストレスにより、実装面側の例えば外装めっき膜等が破損することを抑制できる。
【０２１３】
なお、ダイシングブレード４０の構造、ダイシングブレード４０の回転方向、ダイシングブレード４０をダイシング領域２０ｃに沿って移動させる方法、および固定治具４１の詳細な構造は、前記実施の形態１で既に説明したので、重複する説明は省略する。また、図５８では図示を省略したが、切削加工時には、図２２に示す切削液４５をダイシングブレード４０に噴きつけながら（供給しながら）リードフレーム９４を切断する点も前記実施の形態１と同様である。
【０２１４】
ここで、前記実施の形態１で比較例として説明した図６８〜図７１と同様に、先端が側面直交形状であるダイシングブレード１００を用いると、本実施の形態のように被切削対象物がリードフレーム９４のように金属板であっても、紐状の異物１０１（図６８参照）が発生することが判った。本実施の形態の場合は、この紐状の異物１０１は、被切削物の構成材料（例えば、リードフレーム９４を構成する銅材、ニッケル膜および半田から成る外装めっき膜）から成る。また、異物１０１の厚さは２０μｍ〜３０μｍ程度、幅がダイシングブレード１００の幅と同程度の断面形状を有し、紐状（帯状）に長く延在した形状となっている。また、また、紐状の異物１０１の一方の面には、長手方向（ダイシング領域２０ｃの延びる方向）に沿って切削痕（線状痕）が残っており、その反対側の面には外装めっき膜が残っている。つまり、前記実施の形態１で比較例として説明した現象が、リードフレーム９４においても発生していることが判った。
【０２１５】
リードフレーム９４を切削加工するためには、リードフレーム９４よりも硬いダイシングブレード４０を用いる必要がある。このため、前記実施の形態１で図６９〜図７１を用いて説明したように、先端面１００ａが側面直交形状のダイシングブレード１００からの押圧力による応力（下向きの応力）が、切削加工領域の端部（図６９および図７０に示すＭ部）に集中する。このため、切削加工領域の中央部が全て切削されるよりも先に、切削加工領域の端部が破断して、未切削領域が下方に押し下げられたと考えられる。また、リードフレーム９４を構成する金属板（銅材）は、封止樹脂４を構成する材料と比較して脆性破壊し難い（脆性破壊耐性が高い）。言い換えれば、封止樹脂４は、リードフレーム９４よりも脆い。このため、下方に押し下げられた未切削領域が、図６８に示すような紐状の異物１０１となったと考えられる。
【０２１６】
ところで、本実施の形態では、図６０に示すように、ダイシングブレード４０の幅は、ダムバー９５の幅よりも太くなっている。ダイシングブレード４０の幅がダムバー９５の幅よりも狭い場合、一つのダイシング領域２０ｃが延びる方向に対して２列以上を切断しなければ、複数のリード９２をそれぞれ分割することができない。一方、本実施の形態によれば、ダイシングブレード４０の幅をダムバー９５の幅よりも太くすることで、ダムバー９５の中心（幅方向に対する中心）とダイシングブレード４０の中心（幅方向に対する中心）を揃えて切削加工すれば、一つのダイシング領域２０ｃが延びる方向に対して一列を切断すれば、ダムバー９５の両側に接続される複数のリード９２をそれぞれ分離することができる。ここで、ダムバー９５の中心とダイシングブレード４０の中心を揃える、とは、ダイシングブレード４０の両側面４０ｂのそれぞれがダムバー９５の側面よりもデバイス領域２０ａ側に配置されることを言う。したがって、ダムバー９５の中心位置とダイシングブレード４０の中心位置が完全に一致するもののみに限定するものではない。
【０２１７】
このように、ダイシングブレード４０の幅をダムバー９５の幅よりも太くすると、ダイシングブレード４０による切削加工回数を低減できる点で有利であるが、本願発明者の検討によれば、図６９〜図７１に示すダイシングブレード１００の幅が、図６０に示すダムバー９５の幅よりも太い場合、さらに紐状の異物が発生しやすいことが判った。紐状の異物は、リードフレーム９４の構成部材が連続的に延びる箇所を切削する場合に発生し易い。前記封止工程で説明した図５６に示すように、リードフレーム９４の場合、リード９２とダムバー９５で囲まれた領域にダム内樹脂４ｄが形成される。そして、ダイシングブレード１００の幅が、図６０に示すダムバー９５の幅よりも太い場合、ダイシングブレード１００の端部は、リード９２の一部とダム内樹脂４ｄの一部を交互に切削加工することになる。このように帯状に（連続的に）延びるダムバー９５を切削する際に、ダイシングブレード１００の両端部が、リード９２の一部とダム内樹脂４ｄの一部を交互に切削加工する場合、特に、紐状の異物が発生し易くなる。言い換えれば、図６９〜図７１に示すダイシングブレード１００の幅が、図６０に示すダムバー９５の幅よりも太い場合、ダムバー９５の表面９４ａ側の一部が未切削の状態で下方に押し下げられ、紐状の異物１０１が発生し易くなる。
【０２１８】
上記のようにリードフレーム９４を個片化する際に、紐状の異物１０１の発生を抑制する方法として、前記実施の形態１で説明したダイシングブレード４０を用いることが特に好ましい。
【０２１９】
まず、図６０に示すように、２つのテーパ面４０ａが交差する頂点４０ｃが、リードフレーム９４の表面９４ａに到達する直前の領域では、切削加工領域の端部（図２８のＭ部）、およびテーパ面４０ａが交差する頂点４０ｃ付近に応力が集中する。しかし、切削加工領域の端部（Ｍ部）では、リードフレーム９４のリード９２がまだ十分な厚さを有している。また、ダイシングブレード４０からの応力は、テーパ面４０ａを形成することにより、斜め方向（テーパ面４０ａと直交する方向）に加わるので、下向きの成分小さくなる。したがって、この領域では、未切削領域の破断は発生し難い。
【０２２０】
次に、図６１に示すように、切削加工領域の端部（図６１のＭ部）の厚さが、例えば２０μｍ〜３０μｍ程度となった領域では、この端部に応力が集中する。しかし、図６１に示す領域では、既に、ダイシングブレード４０の先端（頂点４０ｃ）がリードフレーム９４の表面９４ａよりも下側に達しているため、端部に集中する応力は、小さくなっている。また、図６１に示す領域では特に紐状の異物１０１になり易いダムバー９５（図６５参照）は、殆ど切削されているので、未切削の状態で下方に押し下げられ難くなる。
【０２２１】
そして、図６２に示すように、ダイシングブレード４０の側面４０ｂが、リードフレーム９４の表面９４ａを貫通するまで切削加工することによりリードフレーム９４を切断することができる。またこの時、ダムバー９５（図６０参照）の両隣に接続されていたリード９２は、それぞれ分離され、独立した部材となる。
【０２２２】
このように本実施の形態では、テーパ面４０ａを有するダイシングブレード４０を用いることにより、未切削領域の破断を防止することができるので、紐状の異物を発生させることなく、リードフレーム９４の表面９４ａまで切削加工することができる。デバイス領域２０ａの周囲を取り囲む、全てのダイシング領域（ダイシングライン）２０ｃを切断すると、リードフレーム９４のデバイス領域２０ａは個片化され、図４５〜図４８に示すＱＦＮ９０が複数個取得できる。
【０２２３】
なお、図５８〜図６２に示すダイシングブレード４０の変形例として、前記実施の形態１で説明した好ましい態様、および種々の変形例を適用することができる。以下、本実施の形態において特に好ましい態様について説明する。
【０２２４】
図３１に示すように、切削加工時に応力が集中するテーパ面４０ａの両端部（側面４０ｂと交差する端部と、２つのテーパ面４０ａが交差する頂点４０ｃ）から、順次、摩耗により変形し、湾曲した場合について説明する。この場合には、２つのテーパ面４０ａが交差する頂点４０ｃが摩耗により湾曲した湾曲面４０ｄの幅Ｗ１が、ダムバー９５（図６０参照）の幅よりも狭いことが好ましい。これにより、ダムバー９５を先に切削加工することができる。
【０２２５】
さらに、図３２に示すダイシングブレード５０のように、２つのテーパ面４０ａの間に、被切削物の平面と対向する側面直交面４０ｅを有している場合には、側面直交面４０ｅの幅Ｗ１が、ダムバー９５（図６０参照）の幅よりも狭いことが好ましい。
【０２２６】
次に、前記実施の形態１の＜洗浄、乾燥、ピックアップ工程＞のセクションで説明した各工程を行うが、前記実施の形態１と同様に行うことができるので、重複する説明は省略する。
【０２２７】
（実施の形態５）
前記実施の形態４では、リードフレームの表面側を固定治具で固定した状態でダイシングを行う実施態様について説明した。本実施の形態では、前記実施の形態４の変形例として、ダイシングテープと呼ばれる粘着テープを用いて封止樹脂の上面を固定した状態でダイシングを行う実施態様について説明する。なお、本実施の形態では前記実施の形態４との相違点を中心に説明し、重複する説明は省略する。図６３は、図４８に対する変形例を示す断面図である。
【０２２８】
図４８に示すＱＦＮ９０と図６３に示すＱＦＮ９６の相違点は、ＱＦＮ９６は、封止樹脂４の側面の一部が切断され、リード９２が封止樹脂４の側面から突出していない点である。ＱＦＮ９６は、個片化工程において、リード９２の突出部が、封止樹脂４の一部とともに切削加工されている。このためＱＦＮ９６は図４８に示すＱＦＮ９０よりもさらに小型（平面サイズが小さい）の半導体装置となっている。
【０２２９】
次に、ＱＦＮ９６の製造方法について、前記実施の形態４との相違点を中心に説明する。詳しくは、ＱＦＮ９６の製造方法は、封止工程（Ｓ５）および個片化工程（Ｓ７）を除き、前記実施の形態４で説明したＱＦＮ９０の製造方法と同様である。ただし、本実施の形態では、個片化工程（Ｓ７）において、封止樹脂４の側面の一部を切断するので、隣り合うデバイス領域２０ａ間の距離を前記実施の形態４よりもさらに近づけることができる。このため、デバイス領域２０ａの配置スペースを効率化することができる。
【０２３０】
次に、本実施の形態の封止工程（Ｓ５）について前記実施の形態４との相違点を説明する。図６４は、図５６に対する変形例を示す拡大平面図、図６５は、図６４のＡｆ−Ａｆ線に沿った拡大断面図である。図６５に示すように、本実施の形態の封止工程では、キャビティ３１ｂの側面の一部にゲート部を設け、キャビティ３１ｂの側面側から封止用樹脂４ａを供給する、所謂、サイドゲート方式により封止樹脂４を形成する。サイドゲート方式では、トップゲート方式よりも成形金型３０の構造を単純化することができるので、樹脂封止装置を小型化することができる。また、構造を単純化することにより、成形金型３０のメンテナンスを容易に行うことができる。また、封止用樹脂４ａの流路も単純化することができるので、封止用樹脂４ａの使用量を低減することができる。
【０２３１】
サイドゲート方式により樹脂封止を行う場合、図６５に示すランナ部３１ｄからキャビティ３１ｂの側面側に配置されたゲート部３１ｃを経由して封止用樹脂４ａを供給する。そして第１列目のキャビティ３１ｂ内が封止用樹脂４ａで満たされると、隣り合うキャビティ３１ｂの間に配置されるゲート部３１ｃ（キャビティ間のゲート部は、特にスルーゲートと呼ばれる）を通じて第２列目のキャビティ３１ｂに封止用樹脂４ａが供給される。このように、サイドゲート方式では、ゲート部３１ｃにより連結された複数列のキャビティ３１ｂ内に順次、封止用樹脂４ａを供給する。このため、封止工程が完了すると、図６４に示すように、隣り合うデバイス領域２０ａ間にゲートレジン４ｂが形成される。ここで、前記実施の形態４で説明した図５７に示すように、キャビティ３１ｂがダイシング領域２０ｃを覆わないように配置する場合、サイドゲート方式を適用すると、図６４に示すゲートレジン４ｂが完成品に残留してしまう。このため、前記実施の形態４ではゲートレジン４ｂがキャビティ３１ｂ上に形成されるトップゲート方式を適用した。一方、本実施の形態では、図６５に示すようにキャビティ３１ｂがダイシング領域２０ｃの一部を覆うように配置する。つまり、ゲートレジン４ｂは、個片化工程において、取り除かれる。したがって、完成品である図６３に示すＱＦＮ９６には、ゲートレジン４ｂが残らない。このため、本実施の形態では、樹脂封止装置を小型化、メンテナンスの容易性、あるいは封止用樹脂４ａの使用量低減の観点で有利なサイドゲート方式を適用している。なお、封止工程のその他の詳細については、前記実施の形態４と同様なので、重複する説明は省略する。
【０２３２】
次に、本実施の形態の個片化工程（Ｓ７）について前記実施の形態４との相違点を説明する。図６６は、図５８に対する変形例を示す拡大断面図、図６７は、図６０に対する変形例を示す拡大断面図である。また、図７６は、図６７に示すリードフレーム９４に対して、図６８〜図７１に示すダイシングブレードを用いて切削加工を行った場合の比較例を示す拡大断面図である。図６６に示すように、本実施の形態の個片化工程では、前記実施の形態４で説明した固定治具４１を用いず、代わりに、ダイシングテープと呼ばれるフィルム材９７を封止樹脂４の上面に接着することで、リードフレーム９４を固定している。本実施の形態のように、隣り合うデバイス領域２０ａ間の距離を狭くすると、図５８に示すような凸部４１ｃを配置するスペースが確保できなくなる。このため、本実施の形態では、フィルム材９７を封止樹脂４に接着することによりリードフレーム９４を固定した状態で、ダイシングブレード４０を裏面９４ｂ側から走らせる。また、本実施の形態では、フィルム材９７をリードフレーム９４の裏面側に接着しないので、実装面にフィルム材９７の接着面に配置された糊材や粘着剤（図示は省略）がリード９２の実装面である下面（裏面）９２ｂに付着することを防止することができる。このようにフィルム材９７を封止樹脂４の上面４ｃに貼り付けて固定する場合であっても、ダイシング領域２０ｃにおける表面９４ａとフィルム材９７の間は中空空間となっており、ダイシング領域２０ｃにおける表面９４ａが支持しない状態で切削加工を行う点は前記実施の形態４と同様である。
【０２３３】
また、本実施の形態の個片化工程では、図６６に示すように、封止樹脂４の上面４ｃに対して傾斜した側面の一部がダイシング領域２０ｃ内（言い換えれば切削加工領域内）に配置されている。つまり、本実施の形態では、ダムバー９５とともに、リード９２のダムバー９５側の一部、および封止樹脂４の側面の一部を切削加工する。この場合、図７６に示すように切削加工領域の端部（Ｍ部）の直下に、封止樹脂４の一部が残っている。しかし、本願発明者の検討によれば、図７６に示すように先端面１００ａが側面直交形状のダイシングブレード１００を用いて切削を行う場合には、主としてリードフレーム９４を構成する金属材料からなる紐状の異物が発生し易いことが判った。これは以下の理由によると考えられる。すなわち、図７６に示すように、リードフレーム９４が切削加工により薄くなると、前記実施の形態４と同様に切削加工領域の端部で応力集中による破断が発生し易くなる。この時、切削加工領域の端部の直下には、封止樹脂４の一部が僅かに存在するが、封止樹脂４は、リードフレーム９４の構成材料と比較して脆い。また、金属材料からなるリードフレーム９４のダイシング領域２０ｃを切削加工するので、切削加工領域内の封止樹脂４には、必要以上の押圧力が加わることになる。このため、図７６に示すように、封止樹脂４の側面の一部が僅かに残っている程度では、破断を抑制することができず、結局前記実施の形態４と同様に紐状の異物が発生すると考えられる。
【０２３４】
このような紐状の異物の発生を抑制する観点から、本実施の形態のように、フィルム材９７によりリードフレーム９４を固定する場合や封止樹脂４の側面の一部を切削加工する場合にも、図６６および図６７に示すように、ダイシングブレード４０を用いる方法が有効である。なお、ダイシングブレード４０を用いた場合の作用については、前記実施の形態４と同様なので重複する説明は省略する。また、ダイシングブレード４０の変形例として、前記実施の形態４で説明した好ましい態様、および種々の変形例を適用することができる。
【０２３５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０２３６】
例えば、前記実施の形態１〜前記実施の形態３では、ダイシング領域２０ｃの絶縁膜１６、１７およびダイシング領域２０ｃ内の配線１２（給電線１２ｃ）を、予め取り除いた配線基板２０について説明した。しかし、例えば、給電線１２ｃを形成しない場合など、配線１２を取り除く必要がない場合には、この処理を省略することができる。この場合、前記した個片化工程において、ダイシング領域２０ｃの表面１０ａは絶縁膜１６で覆われることとなる。絶縁膜１６は、絶縁層１４を構成する材料と比較して脆性破壊耐性が低いため、絶縁膜１６のみに由来する異物が発生した場合には、該異物は長い紐状とは成り難い。しかし、絶縁膜１６の脆性破壊耐性は低いため、図６８に示す絶縁層１４の上面１４ａ上に、例えば２０μｍ程度の絶縁膜１６が形成されていたとしても、絶縁層１４に由来する紐状の異物１０１が発生してしまう。そこで、前記実施の形態１で説明した、ダイシングブレード４０（図２６、図３１参照）、ダイシングブレード５０（図３２参照）、あるいはダイシングブレード５１（図３３参照）を使用することにより、これを防止することができる。
【０２３７】
また、例えば、前記実施の形態１〜前記実施の形態５では、切削加工工程において、切削液４５をダイシングブレードに供給しながら切削加工を施す態様を説明したが、切削液を供給しないで切削加工を行う場合にも適用することができる。切削液を供給しない場合であっても切削屑が発生するので、切削屑により配線基板のチップ搭載面側が汚染する懸念があるが、前記実施の形態１〜前記実施の形態５で説明した技術を適用することにより、これを防止ないしは抑制することができる。
【０２３８】
また、例えば、前記実施の形態３では、フェイスダウン実装方式の半導体装置の例として、ＰＯＰ型の半導体装置について説明した。しかし、フェイスダウン実装方式を採用する半導体装置は、積層構造の半導体装置に限定されず、例えば、前記実施の形態１で説明したような、単層タイプの半導体装置に適用することもできる。
【０２３９】
また、例えば、前記実施の形態１では、２層の配線層を有する配線基板１０、前記実施の形態２、３では４層の配線層を有する多層配線基板である配線基板７１、８１を例として説明した。しかし、配線層の数は、半導体装置の平面サイズと、端子数に応じて選択することができる。例えば、配線基板１０を４層以上の配線層を有する多層配線基板としても良い。また、配線基板７１、８１を２層の配線層を有する配線基板としても良い。
【０２４０】
また、前記実施の形態４および前記実施の形態５では、リードフレーム搭載型の半導体装置の例として、ＱＦＮについて説明したが、例えばＳＯＮなどに適用することもできる。
【産業上の利用可能性】
【０２４１】
本発明は、半導体チップが搭載された基板をダイシングブレードで切断する半導体装置に利用可能である。
【符号の説明】
【０２４２】
１、７０、７３、８０  半導体装置
２  半導体チップ
２ａ  主面（第１主面）
２ｂ  裏面（第２主面）
２ｃ  パッド
３  ワイヤ（導電性部材）
４  封止樹脂（封止体）
４ａ  封止用樹脂
４ｂ  ゲートレジン（ゲート内樹脂）
４ｃ  上面
４ｄ  ダム内樹脂
５  半田ボール（半田材）
６  接着材
１０、７１、８１  配線基板（基板）
１０ａ  表面
１０ｂ  裏面
１０ｃ  チップ搭載領域
１０ｄ  露出部
１１  ボンディングリード
１２、１２ｄ、１２ｅ  配線
１２ａ  配線（最上層配線）
１２ｂ  配線（最下層配線）
１２ｃ  給電線
１３  ランド（端子、電極）
１４  絶縁層（コア層）
１４ａ  上面
１４ｂ  下面
１４ｃ  側面
１４ｄ  絶縁層（コア層）
１４ｅ  上面
１４ｆ  下面
１４ｇ、１４ｈ  絶縁層
１５  配線（ビア内配線、層間配線）
１５ａ  ビア（孔）
１６、１７  絶縁膜（ソルダレジスト膜、保護膜）
１６ａ、１７ａ  開口部
１６ｂ、１７ｂ  開口溝
１６ｃ  開口部
２０  配線基板（基板）
２０ａ  デバイス領域
２０ｂ  枠部
２０ｃ  ダイシング領域（ダイシングライン）
３０  成形金型
３１  上金型
３１ａ  下面
３１ｂ  キャビティ
３１ｃ  ゲート部
３１ｄ  ランナ部
３２  下金型
３２ａ  上面
４０、５０、５１、１００  ダイシングブレード（回転刃）
４０ａ、５１ａ  テーパ面
４０ｂ  側面
４０ｃ  頂点
４０ｄ  湾曲面
４０ｅ  側面直交面
４１  固定治具
４１ａ  上面
４１ｂ  凹部（窪み部、溝部）
４１ｃ  凸部（壁部）
４１ｄ  溝部
４１ｅ  上面（押さえ面、支持面）
４１ｆ  通気孔
４１ｇ  エア通路
４２  テーブル（ベースプレート）
４３  回転方向
４４  切削方向
４５  切削液
５２  洗浄液
５３  吸着治具
７２  ランド（電極、電極パッド、端子）
７４  メモリチップ（半導体チップ）
７５、８６  半田ボール（接合材、基板間接合材）
７６  配線基板
８３  バンプ電極（導電性部材）
８４  ボンディングリード
８５  アンダフィル樹脂（封止樹脂、封止体）
９０、９６  ＱＦＮ（半導体装置）
９１  ダイパッド（チップ搭載部）
９１ａ  上面（表面、チップ搭載面）
９１ｂ  下面（裏面）
９１ｃ、９２ｃ  外装めっき膜
９２  リード（端子）
９２ａ  上面（表面）
９３  吊りリード
９４  リードフレーム（基板）
９４ａ  表面（上面）
９４ｂ  裏面（下面）
９５  ダムバー（タイバー、ダム部）
９５ａ  上面（表面）
９７  フィルム材（ダイシングテープ）
１００ａ  先端面
１００ｂ  側面
１００ｃ  湾曲面
１０１  異物
１０２  領域
１０３  一括封止樹脂
１０４  異物
Ｗ１  幅
Ｗ２  幅
θ１  角度
θ２  角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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