(57)【要約】【課題】  感光性絶縁膜を露光、現像して形成された絶縁層を有する液晶表示パネルにおける周期的な外観むらを低減する。【解決手段】  複数の画素からなる表示領域を有する表示パネルの製造過程において、感光性絶縁膜を露光、現像してなる絶縁層を形成する工程を有し、前記感光性絶縁膜の露光は、一度に露光可能な領域を第１の方向に移動させる第１の動作と、前記一度に露光可能な領域を前記第１の方向と直交する第２の方向に移動させる第２の動作とを繰り返し、かつ、一度に露光可能な領域を所定の幅だけ重複させながら行う表示装置の製造方法であって、前記感光性材料膜の露光は、感光させない領域のうちの、前記一度に露光可能な領域が二度以上通る重複領域の外側の領域に対して、前記重複領域に照射される漏れ光の強度の総量と同じ強度の光を照射する表示装置の製造方法。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素からなる表示領域を有する表示パネルを有し、
当該表示パネルは、複数の絶縁層を有し、
当該複数の絶縁層のうちの１つ以上の絶縁層は、貫通穴を有し、かつ、他の絶縁層との界面に、複数の溝が、前記画素の寸法よりも大きな間隔で縞状に並んでいる表示装置であって、
前記絶縁層の前記溝は、深さが１０ｎｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記絶縁層の前記溝は、深さが５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記表示パネルは、液晶表示パネルであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
複数の画素からなる表示領域を有する表示パネルの製造過程において、
感光性絶縁膜を露光、現像してなる絶縁層を形成する工程を有し、
前記感光性絶縁膜の露光は、一度に露光可能な領域を第１の方向に移動させる第１の動作と、前記一度に露光可能な領域を前記第１の方向と直交する第２の方向に移動させる第２の動作とを繰り返し、かつ、一度に露光可能な領域を所定の幅だけ重複させながら行う表示装置の製造方法であって、
前記感光性材料膜の露光は、感光させない領域のうちの、前記一度に露光可能な領域が二度以上通る重複領域の外側の領域に対して、前記重複領域に照射される漏れ光の強度の総量と同じ強度の光を照射することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
複数の画素からなる表示領域を有する表示パネルの製造過程において、
感光性絶縁膜を露光、現像してなる絶縁層を形成する工程を有し、
前記感光性絶縁膜の露光は、一度に露光可能な領域を第１の方向に移動させる第１の動作と、前記一度に露光可能な領域を前記第１の方向と直交する第２の方向に移動させる第２の動作とを繰り返し、かつ、一度に露光可能な領域を所定の幅だけ重複させながら行う表示装置の製造方法であって、
前記感光性材料膜の露光は、感光させない領域に対して、感光させる領域に照射する光の強度に比べて十分に小さい強度の光を照射し、かつ、当該感光させない領域のうちの、前記一度に露光可能な領域が二度以上通る重複領域に対して照射される光の強度の総量と、前記重複領域の外側の領域に対して照射する光の強度とを等しくすることに特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記一度に露光可能な領域は、その外周部に、常時、前記漏れ光のみが照射される領域を有することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記感光性材料膜の露光は、前記第１の動作を行っている最中に行い、
前記一度に露光可能な領域は、前記第２の方向の寸法が前記画素の寸法よりも大きいことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記感光性材料膜の露光は、あらかじめ用意されたレイアウトデータに基づいて作成された描画データによる数値制御で前記感光性材料膜に照射する光のパターンを生成する光変調素子を有する露光装置を用いて行うことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法および表示装置に関し、特に、感光性材料膜を露光、現像して得られる絶縁層を有する液晶表示パネルの製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルの製造方法は、ＴＦＴ基板を製造する工程、対向基板を製造する工程、およびＴＦＴ基板と対向基板とを張り合わせるとともに液晶層を封入する工程を有する。このとき、ＴＦＴ基板を製造する工程では、感光性材料膜を露光、現像する工程を複数回行う。
【０００３】
ＴＦＴ基板を製造する工程における感光性材料膜の露光、現像は、通常、たとえば、走査信号線を形成する工程、映像信号線を形成する工程、および画素電極を形成する工程や、ＴＦＴ素子の半導体層を形成する工程などで行われる。このとき行う感光性材料膜の露光、現像は、導電膜または半導体膜をエッチングする際のマスク（エッチングレジスト）を形成するために行われる工程である。そのため、感光性材料膜を露光、現像して得られるマスクは、通常、エッチング後に除去される。
【０００４】
また、ＴＦＴ基板を形成する工程には、絶縁基板上に形成された絶縁層に、たとえば、ＴＦＴ素子のソース電極と画素電極とを接続するためのコンタクトホール（貫通穴）を形成する工程がある。このコンタクトホールを形成する工程は、従来、感光性材料膜を露光、現像して得られるマスクを用いたエッチングで形成されていた。
【０００５】
しかしながら、近年のＴＦＴ基板の製造方法では、前記コンタクトホールを有する絶縁層を、たとえば、感光性有機絶縁膜で形成する方法が適用されている。この方法では、感光性有機絶縁膜を露光、現像するだけで前記コンタクトホールを有する絶縁層を形成することができ、形成時間の短縮、材料費の節減などの効果が得られる。
【０００６】
ＴＦＴ基板の製造方法において感光性材料膜を露光するときには、従来、フォトマスクを用いて行うのが一般的である。
【０００７】
しかしながら、ある一組のレイアウトデータに基づいて液晶表示パネルを製造するときには、たとえば、複数の製造ラインで並行して製造することも多い。そのため、フォトマスクを用いて感光性材料膜を露光する場合は、少なくとも、製造ラインと同数のフォトマスクが必要になる。
【０００８】
また、フォトマスクを用いて感光性レジストを露光する場合は、たとえば、レイアウトデータに変更があると、変更されたレイアウトデータに基づいてフォトマスクを作り直す必要がある。特に、近年の液晶表示パネルは、高精細化などによりＴＦＴ素子の微細化が進んでおり、たとえば、前記コンタクトホールの形成位置や寸法に高い精度が要求されている。そのため、前記コンタクトホールの形成位置や寸法にずれが生じ、そのずれが液晶表示パネルの動作に影響する場合は、たとえば、当該コンタクトホールを有する絶縁層を形成する際に行う露光で使用するフォトマスクを作り直す必要がある。
【０００９】
以上のようなことから、近年の液晶表示パネルの製造方法では、フォトマスクを用いないで感光性材料膜を露光する方法（以下、マスクレス露光という。）が検討されている。マスクレス露光としては、たとえば、レイアウトデータに基づく数値制御により感光性材料膜に照射する光のパターンを生成する光変調部品（空間光変調素子）を用いて露光する方法が知られている（たとえば、特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−２９４３７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
マスクレス露光で使用する光変調部品は、たとえば、生成する光のパターンを０．５μｍ単位以下で制御する必要がある。そのため、光変調部品の制御性を考慮すると、マスクレス露光で一度に露光可能な領域は、感光性材料膜の露光対象領域全体（すなわちマザーガラスの面積）に比べて非常に小さい。したがって、マスクレス露光で感光性材料膜を露光するときには、たとえば、一度に露光可能な領域を第１の方向に移動させながら露光する第１の動作と、一度に露光可能な領域を第１の方向と直交する第２の方向に移動させる第２の動作とを繰り返して、感光性材料膜の全体を露光する。
【００１２】
また、上記のような第１の動作と第２の動作とを繰り返して行う感光性材料膜の露光方法は、別の言い方をすると、当該感光性材料膜を複数の帯状領域に分割し、帯状領域毎に順次露光する方法といえる。そのため、このような感光性材料膜の露光方法では、隣接する２つの帯状領域の間に、露光されない領域が生じないよう、当該２つの帯状領域の境界に、一度に露光可能な領域が二度通る重複領域を設けている。
【００１３】
しかしながら、上記のように、２つの帯状領域の境界に、一度に露光可能な領域が二度通る重複領域を設けた場合、現像して得られるパターンの表面のうちの、当該重複領域と対応する位置に、段差が生じる。前記重複領域は、隣接する２つの帯状領域の境界に設けられるので、当該段差は、たとえば、帯状領域の幅（第２の方向の寸法）と等間隔で縞状に生じる。
【００１４】
すなわち、ポジ型の感光性有機絶縁膜を露光、現像してコンタクトホールを有する絶縁層を形成する場合、現像後に形成される絶縁層（感光性有機絶縁膜）の表面には、たとえば、段差（具体的には溝）が縞状に生じる。
【００１５】
この絶縁層の表面に縞状に生じる溝の間隔は、一度に露光可能な領域の幅（第２の方向の寸法）と概ね等しく、たとえば、１ｍｍから５０ｍｍ程度である。
【００１６】
また、この絶縁層の表面に縞状に生じる溝は、液晶表示装置の動作には影響しないものの、たとえば、液晶表示装置を観察したときに縞状の外観むらが発生するという問題がある。この縞状の外観むらは、たとえば、絶縁層の表面に生じた溝の部分における光の反射や屈折の影響で生じる。そのため、このような液晶表示パネルでは、たとえば、表示されている映像や画像に、画素サイズよりも大きい周期の縞状のむらが生じるおそれがある。
【００１７】
本発明の目的は、たとえば、感光性絶縁膜を露光、現像して形成された絶縁層を有する液晶表示パネルにおける周期的な外観むらを低減することが可能な技術を提供することにある。
【００１８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。
【００２０】
（１）複数の画素からなる表示領域を有する表示パネルを有し、当該表示パネルは、複数の絶縁層を有し、当該複数の絶縁層のうちの１つ以上の絶縁層は、貫通穴を有し、かつ、他の絶縁層との界面に、複数の溝が、前記画素の寸法よりも大きな間隔で縞状に並んでいる表示装置であって、前記絶縁層の前記溝は、深さが１０ｎｍ以下である表示装置。
【００２１】
（２）前記（１）の表示装置において、前記絶縁層の前記溝は、深さが５ｎｍ以下である表示装置。
【００２２】
（３）前記（１）の表示装置において、前記表示パネルは、液晶表示パネルである表示装置。
【００２３】
（４）複数の画素からなる表示領域を有する表示パネルの製造過程において、感光性絶縁膜を露光、現像してなる絶縁層を形成する工程を有し、前記感光性絶縁膜の露光は、一度に露光可能な領域を第１の方向に移動させる第１の動作と、前記一度に露光可能な領域を前記第１の方向と直交する第２の方向に移動させる第２の動作とを繰り返し、かつ、一度に露光可能な領域を所定の幅だけ重複させながら行う表示装置の製造方法であって、前記感光性材料膜の露光は、感光させない領域のうちの、前記一度に露光可能な領域が二度以上通る重複領域の外側の領域に対して、前記重複領域に照射される漏れ光の強度の総量と同じ強度の光を照射する表示装置の製造方法。
【００２４】
（５）複数の画素からなる表示領域を有する表示パネルの製造過程において、感光性絶縁膜を露光、現像してなる絶縁層を形成する工程を有し、前記感光性絶縁膜の露光は、一度に露光可能な領域を第１の方向に移動させる第１の動作と、前記一度に露光可能な領域を前記第１の方向と直交する第２の方向に移動させる第２の動作とを繰り返し、かつ、一度に露光可能な領域を所定の幅だけ重複させながら行う表示装置の製造方法であって、前記感光性材料膜の露光は、感光させない領域に対して、感光させる領域に照射する光の強度に比べて十分に小さい強度の光を照射し、かつ、当該感光させない領域のうちの、前記一度に露光可能な領域が二度以上通る重複領域に対して照射される光の強度の総量と、前記重複領域の外側の領域に対して照射する光の強度とを等しくする表示装置の製造方法。
【００２５】
（６）前記（４）または（５）の表示装置の製造方法において、前記一度に露光可能な領域は、その外周部に、常時、前記漏れ光のみが照射される領域を有する表示装置の製造方法。
【００２６】
（７）前記（４）または（５）の表示装置の製造方法において、前記感光性材料膜の露光は、前記第１の動作を行っている最中に行い、前記一度に露光可能な領域は、前記第２の方向の寸法が前記画素の寸法よりも大きい表示装置の製造方法。
【００２７】
（８）前記（４）または（５）の表示装置の製造方法において、前記感光性材料膜の露光は、あらかじめ用意されたレイアウトデータに基づいて作成された描画データによる数値制御で前記感光性材料膜に照射する光のパターンを生成する光変調素子を有する露光装置を用いて行う表示装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の表示装置および表示装置の製造方法によれば、たとえば、感光性絶縁膜を露光、現像して形成された絶縁層を有する液晶表示パネルを備える液晶表示装置における周期的な外観むらを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１（ａ）】本発明に関わる液晶表示パネルにおける画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。
【図１（ｂ）】図１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。
【図２（ａ）】マスクレス露光の露光手順の一例を示す模式平面図である。
【図２（ｂ）】図２（ａ）の領域ＡＲ１を拡大して示した模式平面図である。
【図２（ｃ）】図２（ｂ）のＢ−Ｂ’線上における露光の一例を示す模式断面図である。
【図２（ｄ）】隣接する２つの帯状領域の境界の露光方法の一例を示す模式平面図である。
【図２（ｅ）】図２（ｄ）のＣ−Ｃ’線の位置を感光させないときの光量の一例を示す模式図である。
【図２（ｆ）】図２（ｄ）のＣ−Ｃ’線の位置を感光させるときの光量の一例を示す模式図である。
【図２（ｇ）】従来のマスクレス露光を用いて第２の絶縁層を形成したときの問題点の一例を示す模式断面図である。
【図３】絶縁層の表面に生じる溝の深さと液晶表示パネルに生じるむらのレベルとの関係の一例を示す模式図である。
【図４】本発明による実施例１の感光性材料膜の露光方法を説明するための模式図である。
【図５】実施例１の露光方法の変形例の一例を説明するための模式図である。
【図６（ａ）】図４に示した露光方法において起こりうる現象の一例を示す模式グラフ図である。
【図６（ｂ）】図５に示した露光方法において起こりうる現象の一例を示す模式グラフ図である。
【図７（ａ）】従来のマスクレス露光における帯状領域の境界の露光方法の別の一例を示す模式平面図である。
【図７（ｂ）】図７（ａ）のＤ−Ｄ’線の位置を感光させないときの光量の一例を示す模式図である。
【図７（ｃ）】図７（ａ）のＤ−Ｄ’線の位置を感光させるときの光量の一例を示す模式図である。
【図８】本発明による実施例２の感光性材料膜の露光方法を説明するための模式図である。
【図９（ａ）】実施例２の露光方法の第１の変形例を説明するための模式図である。
【図９（ｂ）】実施例２の露光方法の第２の変形例を説明するための模式図である。
【図１０】実施例１の露光方法の別の変形例を説明するための模式図である。
【図１１】実施例１の露光方法のさらに別の変形例を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３１】
図１（ａ）および図１（ｂ）は、本発明に関わる液晶表示パネルにおける画素の概略構成の一例を示す模式図である。
図１（ａ）は、本発明に関わる液晶表示パネルにおける画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。
【００３２】
本発明は、感光性の絶縁膜を露光、現像して得られる絶縁層を有する表示パネルの製造方法に関する。本明細書では、そのような表示パネルの製造方法の一例として、液晶表示パネルの製造方法を挙げる。また、本明細書では、液晶表示パネルの一例として、ＩＰＳ方式のアクティブマトリクス型ＴＦＴ液晶表示パネル（以下、単に液晶表示パネルという）を挙げる。
【００３３】
またさらに、本明細書で例示する液晶表示パネルの構成および動作は周知である。そのため、本明細書では、液晶表示パネルの構成のうちの本発明と直接関係のない構成や、動作に関する詳細な説明は省略する。
【００３４】
液晶表示パネルは、たとえば、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１、対向基板２、液晶層３、第１の偏光板４、および第２の偏光板５を有する。
【００３５】
ＴＦＴ基板１は、ガラス基板などの第１の絶縁基板６と、当該第１の絶縁基板６の上に形成された第１の薄膜積層体（図示しない）とからなる。第１の薄膜積層体は、たとえば、走査信号線７、第１の絶縁層８、ＴＦＴ素子の半導体層９、映像信号線１０、ソース-ドレイン電極１１、第２の絶縁層１２、共通電極１３、第３の絶縁層１４、画素電極１５、および第１の配向膜１６を有する。
【００３６】
このとき、画素電極１５は、図１（ｂ）に示したように、第２の絶縁層１２に形成された貫通穴２２ａおよび第３の絶縁層１４に形成された貫通穴２２ｂ（コンタクトホール）により、ソース-ドレイン電極１１と接続している。また、本発明に関わる液晶表示パネルにおける第２の絶縁層１２および第３の絶縁層１４は、それぞれ、感光性絶縁膜を露光、現像して形成されている。
【００３７】
一方、対向基板２は、ガラス基板などの第２の絶縁基板１７と、当該第２の絶縁基板１７の上に形成された第２の薄膜積層体（図示しない）とからなる。第２の薄膜積層体は、たとえば、ブラックマトリクス１８、カラーフィルタ１９、平坦化層２０、および第２の配向膜２１などを有する。
【００３８】
液晶表示パネルの製造方法は、ＴＦＴ基板１を形成する工程、対向基板２を形成する工程、ＴＦＴ基板１と対向基板２とを張り合わせるとともに液晶層３を封入する工程、そして第１の偏光板４および第２の偏光板５を張り合わせる工程を有する。
【００３９】
また、本発明は、主として、これらの工程のうちのＴＦＴ基板１を形成する工程に関わり、たとえば、第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４を形成する際の露光方法に関わる。そのため、本明細書では、まず、第２の絶縁層１２および第３の絶縁層１４の、従来の形成方法について簡単に説明する。
【００４０】
第２の絶縁層１２を形成するときには、まず、半導体層９、映像信号線１０、およびソース-ドレイン電極１１などが形成された第１の絶縁層８の上に、たとえば、ポジ型の感光性有機絶縁膜を形成（成膜）する。次に、感光性有機絶縁膜を露光し、貫通穴２２ａを形成する領域のみに光を照射し、当該領域を感光させる。その後、現像し、ベーク（加熱処理）などを行うと、貫通穴２２ａを有する第２の絶縁層１２が得られる。
【００４１】
また、第３の絶縁層１４も、第２の絶縁層１２と同様の方法で形成する。
【００４２】
さて、第２の絶縁層１２を形成する工程や第３の絶縁層１４を形成する工程で行う露光は、従来、フォトマスクを用いて行うのが一般的であった。しかしながら、フォトマスクを用いる場合、たとえば、貫通穴２２ａ，２２ｂの形成位置や寸法に許容範囲を超えるずれが生じたり、形成位置や寸法を変更したりすると、そのたびに、フォトマスクを作り直す必要がある。そのため、フォトマスクを用いる露光方法では、貫通穴２２ａ，２２ｂの形成位置や寸法の修正または変更に、柔軟に対応することが難しいという問題がある。
【００４３】
このようなことから、近年の液晶表示パネルの製造方法では、フォトマスクを使用しない露光方法（マスクレス露光）の適用が検討されている。マスクレス露光は、フォトマスクの変わりに、レイアウトデータに基づいて作成した描画データによる数値制御で感光性絶縁膜に照射する光のパターン（すなわち露光パターン）を生成する光変調部材を用いる露光方法である。すなわち、マスクレス露光は、描画データ（レイアウトデータ）の数値を変えるだけで、照射する光のパターンを変更することができる。そのため、第２の絶縁層１２を形成する工程や第３の絶縁層１４を形成する工程で行う露光にマスクレス露光を適用すれば、貫通穴２２ａ，２２ｂの形成位置や寸法の修正または変更に、柔軟に対応することができる。
【００４４】
しかしながら、第２の絶縁層１２を形成する工程や第３の絶縁層１４を形成する工程で行う露光にマスクレス露光を適用する場合、従来のマスクレス露光では、たとえば、以下に説明するような問題が生じる。
【００４５】
図２（ａ）乃至図２（ｇ）は、マスクレス露光の原理と従来のマスクレス露光における問題点の一例を説明するための模式図である。
図２（ａ）は、マスクレス露光の露光手順の一例を示す模式平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）の領域ＡＲ１を拡大して示した模式平面図である。図２（ｃ）は、図２（ｂ）のＢ−Ｂ’線上における露光の一例を示す模式断面図である。図２（ｄ）は、隣接する２つの帯状領域の境界の露光方法の一例を示す模式平面図である。図２（ｅ）は、図２（ｄ）のＣ−Ｃ’線の位置を感光させないときの光量の一例を示す模式図である。図２（ｆ）は、図２（ｄ）のＣ−Ｃ’線の位置を感光させるときの光量の一例を示す模式図である。図２（ｇ）は、従来のマスクレス露光を用いて第２の絶縁層を形成したときの問題点の一例を示す模式断面図である。
【００４６】
マスクレス露光で用いる光変調部品は、たとえば、感光性絶縁膜に照射する光の光量（強度）を制御する光量制御素子が線状または行列状に配置されている。そして、描画データを用いて、それぞれの光量制御素子の状態を制御することで、感光性絶縁膜に照射する光の二次元パターンを形成する。
【００４７】
第２の絶縁層１２を形成する工程や第３の絶縁層１４を形成する工程で行う露光において、感光性絶縁膜に照射する光のパターンは、たとえば、０．５μｍ単位で制御する必要がある。そのため、光変調部品の制御性を考慮すると、マスクレス露光で一度に露光可能な領域（以下、露光領域という）は、感光性絶縁膜の露光対象領域全体に比べて非常に小さくなる。
【００４８】
したがって、マスクレス露光で感光性絶縁膜を露光するときには、たとえば、図２（ａ）に示すように、感光性絶縁膜２３上における露光領域ＥＲの位置を第１の方向（ｖ軸方向）に移動させながら露光する第１の動作と、露光領域ＥＲを第１の方向と直交する第２の方向（ｕ軸方向）に移動させる第２の動作とを繰り返して、感光性絶縁膜２３の全体を露光する。この露光方法は、別の言い方をすると、感光性絶縁膜２３を複数の帯状領域に分割し、帯状領域毎に順次露光する方法といえる。このとき、１回の第１の動作で露光される帯状領域Ｑの幅ＷQ（ｕ軸方向の寸法）は、たとえば、１ｍｍから５０ｍｍ程度である。またこのとき、第１の動作および第２の動作は、それぞれ、たとえば、露光領域ＥＲ（光変調部品）を固定しておき、感光性絶縁膜２３が形成された基板２４をｖ軸方向およびｕ軸方向に移動させるのが一般的である。
【００４９】
なお、液晶表示パネル（ＴＦＴ基板１）を製造するときには、多面取りと呼ばれる、一枚のマザーガラスを用いて複数枚のＴＦＴ基板１を一括して製造する方法をとるのが一般的である。この場合、図１（ａ）に示したＴＦＴ基板１におけるｘ軸方向およびｙ軸方向と、感光性絶縁膜２３を露光するときのｕ軸方向およびｖ軸方向との関係には、２通りある。すなわち、ＴＦＴ基板１におけるｘ軸方向と感光性絶縁膜２３を露光するときのｕ軸方向とが平行になる場合と、ＴＦＴ基板１におけるｘ軸方向と感光性絶縁膜２３を露光するときのｖ軸方向とが平行になる場合の２通りである。
【００５０】
また、１回の第１の動作に着目すると、当該動作により露光する帯状領域Ｑは、たとえば、図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すように、多数の微細帯状領域Ｒに分割し、微細帯状領域Ｒ毎に独立して露光する。このとき、微細帯状領域Ｒの幅ＷＲ（ｕ軸方向の寸法）は、たとえば、０．５μｍ程度である。
【００５１】
またこのとき、光変調部品２５の光量制御素子２５ａは、たとえば、第２の動作で移動する方向、すなわち感光性絶縁膜２３の短辺方向（ｕ軸方向）に並んでいる。そのため、それぞれの光量制御素子２５ａの状態（照射する光の光量）を制御することで、露光領域ＥＲには、図２（ｃ）に示したように、感光した領域と、感光していない領域とを作ることができる。なお、図２（ｃ）に示した感光性絶縁膜２３は、ドットパターンを付した部分が露光により感光した領域であり、白地の部分が感光していない領域である。
【００５２】
また、それぞれの光量制御素子２５ａの状態は、レイアウトデータに基づいて作製される描画データにより制御する。この描画データは、数値データであり、たとえば、光を照射する領域の位置や、照射する光の光量などが指定されている。
【００５３】
このようなマスクレス露光は、前述のように、感光性絶縁膜２３を複数の帯状領域Ｑに分割し、帯状領域Ｑ毎に順次露光する方法といえる。そのため、このようなマスクレス露光では、隣接する２つの帯状領域Ｑの境界に、露光されない領域が生じないようにする必要がある。したがって、このようなマスクレス露光では、たとえば、図２（ｄ）に示すように、１回の第１の動作で露光する帯状領域Ｑの幅ＷQを、露光領域ＥＲの幅ＷERよりも狭くし、隣接する２つの帯状領域Ｑの境界ＢＬQに幅ＷCO1の重複領域、すなわち一度に露光可能な領域ＥＲが２度通る領域を設ける。なお、図２（ｄ）は、図２（ａ）の領域ＡＲ２を拡大して示した図である。また、図２（ｄ）では、中央の境界ＢＬQを挟んで隣接する２つの帯状領域Ｑを区別するために、符号Ｑに添え字ｎおよびｎ＋１を付している。
【００５４】
ところで、このようなマスクレス露光により感光性絶縁膜２３を露光する場合、光量制御素子２５ａの状態は、通常、感光性絶縁膜２３を感光させるのに必要十分な光量（強度）の光を照射する状態と、光を照射しない状態の２通りである。
【００５５】
すなわち、図２（ｄ）に示したＣ−Ｃ’線の位置を感光させない場合は、境界ＢＬ_{ Q }の左側の帯状領域Ｑnを露光するときも、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときも、当該位置と対応する光量制御素子２５ａをオフの状態（光を照射しない状態）にする。
【００５６】
しかしながら、光変調部品２５を用いて感光性絶縁膜２３を露光する場合、たとえば、オフの状態（光を照射しない状態）にしている光量制御素子２５ａからも若干の光が漏れ、感光性絶縁膜２３に照射される。そのため、図２（ｄ）に示したＣ−Ｃ’線の位置を感光させない場合の、左側の帯状領域Ｑnを露光するときに照射する光の強度ＩＲn、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときに照射する光の強度ＩＲn+1、および感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTの関係は、たとえば、図２（ｅ）に示した太線Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３ような関係になる。
【００５７】
なお、図２（ｅ）において、ＩＲn、ＩＲn+1、およびＩＲTは、それぞれ、光の強度の相対値であり、感光性絶縁膜２３を感光させるのに必要十分な光量を１としている。また、横軸Ｃｕは、ｕ軸方向の座標を表しており、座標Ｕ１から座標Ｕ４の区間が、図２（ｄ）のＣ−Ｃ’線の区間に相当する。
【００５８】
すなわち、図２（ｄ）に示したＣ−Ｃ’線の位置を感光させない場合、隣接する２つの帯状領域Ｑn，Ｑn+1の境界ＢＬQにある重複領域（座標Ｕ２から座標Ｕ３までの区間）は、上記のような光の漏れにより、強度ＩＬOFFの光（以下、漏れ光という）が二度照射されるので、重複領域の外側に比べて露光量が約２倍になる。
【００５９】
漏れ光の強度ＩＬOFFは、感光性絶縁膜２３を感光させるのに必要十分な光量の１％程度である。そのため、感光性絶縁膜２３に強度ＩＬOFFの漏れ光が照射されても、表面がわずかに感光するだけである。
【００６０】
しかしながら、感光性絶縁膜２３の感光される量（深さ）は、照射される光の強度（光量）が大きくなるにつれて多くなる（深くなる）。そのため、図２（ｅ）に示したように、部分的に照射される光の強度が大きくなる箇所があると、その箇所だけ、感光される量が多くなる。したがって、感光性材料膜２３がポジ型の場合、露光後に現像して得られる絶縁層の表面には、照射された漏れ光の強度の差を反映した段差を有する溝が生じる。
【００６１】
ちなみに、図２（ｄ）に示したＣ−Ｃ’線の位置を感光させる場合の、左側の帯状領域Ｑnを露光するときに照射する光の強度ＩＲn、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときに照射する光の強度ＩＲn+1、および感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTの関係は、たとえば、図２（ｆ）に示した太線Ｐ１’，Ｐ２’，Ｐ３’のような関係にする。
【００６２】
なお、図２（ｆ）において、ＩＲn、ＩＲn+1、およびＩＲTは、それぞれ、光の強度の相対値であり、感光性絶縁膜２３を感光させるのに必要十分な光量を１としている。また、横軸Ｃｕは、ｕ軸方向の座標を表しており、座標Ｕ１から座標Ｕ４の区間が図２（ｄ）のＣ−Ｃ’線の区間に相当し、座標Ｕ２から座標Ｕ３の区間が重複領域に相当する。
【００６３】
すなわち、図２（ｄ）に示したＣ−Ｃ’線の位置を感光させる場合、隣接する２つの帯状領域Ｑn，Ｑn+1の境界ＢＬQにある重複領域（座標Ｕ２から座標Ｕ３までの区間）に照射される光の強度の総量は、上記のような光の漏れにより、重複領域の外側に比べて強度ＩＬOFFだけ多くなる。しかしながら、感光性絶縁膜２３のうちの、照射される光の強度の相対値が１または１よりも大きい値の領域は、その強度の値に関係なく完全に感光する。そのため、図２（ｄ）に示したＣ−Ｃ’線の位置を感光させる場合は、重複領域に照射される光の強度の総量の相対値が１以上であっても問題ない。
【００６４】
このようなことから、図１（ａ）および図１（ｂ）に示したような構成の画素を有する液晶表示パネルの第２の絶縁層１２を、ポジ型の感光性有機絶縁膜を用い、かつ、従来のマスクレス露光を適用して形成すると、たとえば、図２（ｇ）に示すように、第２の絶縁層１２の表面には、幅ＷCO1、深さｄの溝２６が縞状に生じる。この溝２６は、隣接する２つの帯状領域Ｑの境界ＢＬQに生じるので、溝２６の間隔は、帯状領域Ｑの幅ＷQになる。
【００６５】
また、図２（ｇ）に示したように、ＴＦＴ基板１におけるｘ軸方向と感光性有機絶縁膜を露光するときのｕ軸方向とが平行になる場合、複数の溝２６は、液晶表示パネルの表示領域において走査信号線７の延びる方向に並ぶ。
【００６６】
またさらに、帯状領域Ｑの幅ＷQは、前述のように、１ｍｍ〜５０ｍｍ程度である。これに対し、画素のｘ軸方向の寸法は、数十μｍ程度である。したがって、第２の絶縁層１２の表面に生じる縞状の溝２６は、画素の寸法よりも十分に大きい間隔で並んでいることになる。
【００６７】
また、ＴＦＴ基板１におけるｘ軸方向と感光性有機絶縁膜を露光するときのｖ軸方向とが平行になる場合、複数の溝２６は、液晶表示パネルの表示領域において映像信号線１０の延びる方向に並ぶ。画素のｙ軸方向の寸法も数十μｍ程度であるので、この場合も、第２の絶縁層１２の表面に生じる縞状の溝２６は、画素の寸法よりも十分に大きい間隔で並んでいることになる。
【００６８】
また、第３の絶縁層１４を形成するときにも、ポジ型の感光性有機絶縁膜を用い、かつ、従来のマスクレス露光を適用すると、第３の絶縁層１４の表面には、第２の絶縁層１２と同様の溝２６が縞状に生じる。
【００６９】
ポジ型の感光性有機絶縁膜を用い、かつ、従来のマスクレス露光を適用して形成された第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４の表面に生じる縞状の溝２６は、画素の動作への影響はほとんどないものの、たとえば、外観を検査したときに、縞状のむらとして観測される。本願発明者らが調べた結果では、この縞状のむらは、映像や画像を表示しているときには観測されないが、使用していないときには肉眼でも観測できる。すなわち、上記の縞状のむらは、現在のところ、表示品質への影響は無いと考えられるが、使用していないときにこのようなむらが生じることにより、液晶表示装置としての品位を下げてしまう。
【００７０】
また、使用していないときにこのような縞状のむらが観測される場合、たとえば、映像や画像を低輝度（低階調）で表示しているときに、表示している映像や画像に縞状のむらが重なり、表示品質を低下させる原因になるおそれがある。またさらに、このような縞状のむらは、主として、外光が第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４の表面で反射することにより生じる。そのため、反射型や半透過型の液晶表示装置では、このような縞状のむらにより表示品位が低下する可能性が高い。
【００７１】
なお、上記のような縞状のむらは、図１（ａ）および図１（ｂ）に示したような構成の画素を有する液晶表示パネルに限らず、従来のマスクレス露光を適用して形成された絶縁層を有する液晶表示パネル全般に生じる。
【実施例１】
【００７２】
図３および図４は、本発明による実施例１の感光性絶縁膜の露光方法を説明するための模式図である。
図３は、絶縁層の表面に生じる溝の深さと液晶表示パネルに生じるむらのレベルとの関係の一例を示す模式図である。図４は、本発明による実施例１の感光性材料膜の露光方法を説明するための模式図である。
【００７３】
マスクレス露光を適用して形成された第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４を有する液晶表示パネルにおいて、上記のような縞状のむらが観測されるのは、それらの絶縁層の表面に生じた溝と他の平坦な部分とで外光反射輝度に差があるからだと考えられる。また、上記の外光反射輝度の差は、第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４の表面の溝が深くなるほど大きくなる。そのため、第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４の表面の溝が深くなるほど、上記の縞状のむらが強くなる。したがって、縞状のむらが観測されないようにするには、第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４の表面に、マスクレス露光に起因する溝が生じないようにすることが望ましい。しかしながら、マスクレス露光の場合、上記のように、露光領域ＥＲが二度通る重複領域と、一度しか通らない領域とがあるため、これらの領域における露光量を一致させることは難しい。
【００７４】
そこで、本願発明者らは、まず、第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４の表面に生じる溝２６の深さｄと液晶表示パネルに生じるむらの目視判定レベルとの関係を調べた。その結果を、図３に示す。なお、図３は、横軸が溝２６の深さｄ（ｎｍ）、縦軸がむらの目視判定レベルＵＬＶのグラフ図である。また、目視判定レベルＵＬＶは、数値が大きいほどむらが弱く、４または５の場合はむらを視認できないレベル（合格レベル）であり、目視レベルが１乃至３の場合はむらが視認できるレベル（不合格レベル）である。また、目視判定レベルＵＬＶの数値とむらの強さとの関係は、具体的に言うと、下記の通りである。
【００７５】
まず、マスクレス露光に起因する縞状のむらが視認できない場合、具体的には散乱光強度で０．１％未満の場合の目視判定レベルＵＬＶを５としている。また、むらが散乱光強度として確認できる場合の目視判定レベルＵＬＶは、０．１％以上０．２％未満であれば４とし、０．２％以上０．４％未満であれば３とし、０．４％以上０．６％未満であれば２とし、０．６％以上であれば１としている。
【００７６】
図３からわかるように、第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４の表面に生じる溝２６の深さｄが１０ｎｍ以下であれば、目視判定レベルＵＬＶが４または５になり、マスクレス露光に起因するむらが観測されなくなる。特に、溝２６の深さｄが５ｎｍ以下の場合は、目視判定レベルＵＬＶが５になり、マスクレス露光に起因するむらが視認できない。したがって、実施例１の露光方法では、マスクレス露光に起因する溝２６の深さｄが１０ｎｍ以下（望ましくは５ｎｍ以下）になるようにすることを目標にする。
【００７７】
ポジ型の感光性有機絶縁層をマスクレス露光で露光して、第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４を形成する場合、光を照射する必要があるのは、コンタクトホール２２ａ，２２ｂを形成する領域のみである。このとき、その他の部分には光が照射されないようにするが、当該その他の部分には、前述のように、漏れ光が照射される。
【００７８】
図２（ｄ）に示したＣ−Ｃ’線の位置がコンタクトホール２２ａ，２２ｂを形成する領域に含まれない場合、すなわち当該位置に漏れ光が照射される場合、実施例１の感光性絶縁膜の露光方法では、左側の帯状領域Ｑnを露光するときに照射する光の強度ＩＲn、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときに照射する光の強度ＩＲn+1、および感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTの関係が、たとえば、図４に示した太線Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６のような関係になるようにする。
【００７９】
なお、図４において、ＩＲn、ＩＲn+1、およびＩＲTは、それぞれ、左側の帯状領域Ｑnを露光するときに照射する光の強度の相対値、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときに照射する光の強度の相対値、および感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量の相対値を表している。また、横軸Ｃｕは、ｕ軸方向の座標を表しており、座標Ｕ１から座標Ｕ４の区間が図２（ｄ）のＣ−Ｃ’線の区間に相当し、座標Ｕ２から座標Ｕ３の区間が重複領域に相当する。また、光の強度の相対値ＩＲn、ＩＲn+1、およびＩＲTは、それぞれ、感光性材料膜２３を感光させるのに必要十分な光量を１としている。
【００８０】
すなわち、図２（ｄ）に示したＣ−Ｃ’線の位置を感光させない場合、実施例１の露光方法では、まず、隣接する２つの帯状領域Ｑn，Ｑn+1の境界ＢＬQにある重複領域（座標Ｕ２から座標Ｕ３までの区間）の露光を担う光量制御素子２５ａを、光を照射しない状態にし、強度ＩＬOFFの漏れ光のみが照射されるようにする。
【００８１】
また、重複領域の外側の領域、すなわち露光領域ＥＲが一度しか通らない領域は、漏れ光の強度ＩＬOFFの２倍に相当する強度ＩＬAOの光が照射されるようにする。すなわち、露光領域ＥＲが一度しか通らない領域の露光を担う光量制御素子２５ａは、強度ＩＬAOの光が照射されるような状態にする。
【００８２】
こうすると、重複領域およびその外側の領域に照射される光の強度の総量ＩＲTは、一定の値ＩＬAOになる。そのため、コンタクトホール２２ａ，２２ｂを形成する領域を除く他の領域に照射される光の強度は概ね一定になり、感光する量（深さ）も概ね一定になる。したがって、現像後に得られる第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４の表面には、マスクレス露光に起因する縞状の溝２６が生じないと考えられる。
【００８３】
しかしながら、実際には、重複領域のように強度ＩＬOFFの光を２回照射した場合と、強度ＩＬAO（＝２×ＩＬOFF）を１回照射した場合とでは、感光する量（深さ）に差が生じることがある。また、光量制御素子２５ａを介して照射される光の強度には、光量制御素子２５ａ毎に若干のばらつきがある。そのため、照射される光の強度の総量ＩＲTは、実際には、図４に示した太線Ｐ６のような一定の値にはならず、重複領域と、その外側の領域とで、わずかな差が生じることがある。したがって、図４に示したような制御をした場合でも、マスクレス露光に起因する縞状の溝２６が生じることが多い。
【００８４】
そこで、本願発明者らが、ＴＦＴ基板１を形成する工程のうちの、第２の絶縁層１２および第３の絶縁層１４を形成する工程において、図４に示したような条件を満たす描画データを用いてマスクレス露光を行い、表面に生じる溝２６の深さｄを測定したところ、その平均値は８ｎｍであった。また、上記のＴＦＴ基板１を用いた液晶表示パネルを作製し、外観の検査をしたところ、マスクレス露光に起因する縞状のむらの目視判定レベルＵＬＶは４（合格レベル）であった。
【００８５】
すなわち、実施例１の露光方法では、第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４の表面に、マスクレス露光に起因する縞状の溝２６が生じることもある。しかしながら、実施例１の露光方法を適用して形成された第２の絶縁層１２および第３の絶縁層１４を有する液晶表示パネル（液晶表示装置）では、当該縞状の溝２６による縞状のむらを観測できなくなる。したがって、実施例１の露光方法を適用して形成された液晶表示パネル（液晶表示装置）では、縞状の溝２６による外観品位の低下、表示品位の低下を防ぐことができる。
【００８６】
以上説明したように、実施例１の露光方法を適用して形成された液晶表示パネル（液晶表示装置）は、マスクレス露光に起因する外観品位の低下、表示品位の低下を防ぐことができる。
【００８７】
また、実施例１では、重複領域の外側に照射する光の強度ＩＬAOを、機械的に、重複領域に照射される漏れ光の強度ＩＬOFFの２倍にしている。しかしながら、重複領域の外側に照射する光の強度ＩＬAOは、これに限らず、たとえば、重複領域に照射される漏れ光の強度の総量をより正確に測定し、当該総量と等しい強度になるように設定してもよいことはもちろんである。またさらに、重複領域の外側に照射する光の強度ＩＬAOは、たとえば、現像したときの重複領域の膜厚の減少量を測定し、重複領域の外側における膜厚の減少量が、重複領域における減少量と等しくなるような強度に設定してもよいことはもちろんである。
【００８８】
図５は、実施例１の露光方法の変形例の一例を説明するための模式図である。
【００８９】
実施例１の露光方法の一例として、図４に挙げた方法は、描画データの基になるレイアウトデータにおいて感光させないように指定されている領域全体に、重複領域に照射される漏れ光の強度ＩＬOFFの２倍の光が照射されるようにすることで、マスクレス露光に起因する縞状の溝２６の深さｄを小さくしている。また、図４に挙げた方法では、重複領域のうちの感光させない部分に、強度ＩＬOFFの漏れ光のみが照射されるようになっており、１回の第１の動作に着目すると、当該露光領域ＥＲが一度しか通らない領域と重複領域との境界で、照射される光の強度が不連続に変化している。
【００９０】
しかしながら、マスクレス露光に起因する縞状の溝２６の深さｄを小さくする方法は、このような方法に限らず、別の方法であっても構わないことはもちろんである。すなわち、左側の帯状領域Ｑnを露光するときに照射する光の強度ＩＲn、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときに照射する光の強度ＩＲn+1、および感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTの関係は、たとえば、図５に示した太線Ｐ４’，Ｐ５’，Ｐ６’のような関係にしてもよい。
【００９１】
図５に示した露光方法では、重複領域の外側には強度ＩＬAO（＝２・ＩＬOFF）の光を照射し、重複領域には、露光領域ＥＲの外側に向かうにつれて、強度ＩＬAOから強度ＩＬOFFへと段階的に減少する光を照射する。
【００９２】
このようにしても、重複領域のうちの、レイアウトデータにおいて光を照射しないように指定されている領域に照射される光の強度の総量ＩＲTは、太線Ｐ６’のように、概ね均一の値（ＩＬAO）になる。そのため、現像後に残る感光性絶縁膜２３の表面に生じる溝２６の深さｄは、液晶表示パネル（液晶表示装置）の外観品位や表示品位を低下させない程度まで小さくなると考えられる。
【００９３】
そこで、本願発明者らが、ＴＦＴ基板１を形成する工程のうちの、第２の絶縁層１２および第３の絶縁層１４を形成する工程において、図５に示したような条件を満たす描画データを用いてマスクレス露光を行い、表面に生じる溝２６の深さｄを測定したところ、その平均値は４ｎｍであった。また、上記のＴＦＴ基板１を用いた液晶表示パネルを作製し、外観の検査をしたところ、マスクレス露光に起因する縞状のむらの目視判定レベルＵＬＶは５（合格レベル）であった。
【００９４】
すなわち、図５に示したような露光方法にすると、図４に示した露光方法に比べ、マスクレス露光に起因する液晶表示パネル（液晶表示装置）の縞状のむらを軽減する効果が高いと考えられる。
【００９５】
図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１の変形例における別の作用効果の一例を説明するための模式図である。
図６（ａ）は、図４に示した露光方法において起こりうる現象の一例を示す模式グラフ図である。図６（ｂ）は、図５に示した露光方法において起こりうる現象の一例を示す模式グラフ図である。
【００９６】
実施例１の露光方法は、前述のように、露光領域ＥＲを第１の方向（ｖ軸方向）に移動させながら露光する第１の動作と、露光領域ＥＲを第１の方向と直交する第２の方向（ｕ軸方向）に移動させる第２の動作を繰り返す露光方法である。このとき、第１の動作および第２の動作は、それぞれ、たとえば、絶縁基板６（マザーガラス）を搭載したステージを数値制御により移動させて行う。
【００９７】
このとき、第２の動作は、たとえば、図４に示したように、左側の帯状領域Ｑnを露光するときの露光領域ＥＲの端の座標Ｕ３と、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときの露光領域ＥＲの端の座標Ｕ２との距離が、所定の値（ＷCO1）になるように行われる。
【００９８】
しかしながら、第２の動作をするときには、たとえば、図６（ａ）に示すように、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときの露光領域ＥＲの端が座標Ｕ２’にずれ、座標Ｕ３との距離が所定の値よりもΔＷだけ小さくなることもある。
【００９９】
この場合、照射される光の強度の総量ＩＲTの分布は、図６（ａ）に示した太線Ｐ６のようになり、隣接する帯状領域の境界ＢＬQに、照射される光の強度の総量が半分になる区間が生じる。この場合、感光性絶縁膜２３を現像すると、現像後に残る絶縁膜の表面には、たとえば、二重線状の段差が、帯状領域Ｑの幅ＷQで縞状に並ぶことになる
【０１００】
一方、変形例の露光方法において第２の動作をしたときに、たとえば、図６（ｂ）に示すように、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときの露光領域ＥＲの端が座標Ｕ２’にずれ、座標Ｕ３との距離が所定の値よりもΔＷだけ小さくなると、照射される光の強度の総量は、太線Ｐ６’のようになる。すなわち、重複領域には、ずれΔＷによって照射される光の強度の総量が減少する区間が生じるものの、その減少量は、図６（ａ）に示した場合に比べて少ない。そのため、図６（ａ）に示した場合に比べて、現像後に残る感光性絶縁膜２３の表面に生じる段差による液晶表示パネル（液晶表示装置）の外観品位や表示品位の低下を防ぐ効果が高いと考えられる。
【実施例２】
【０１０１】
図７（ａ）乃至図７（ｃ）は、従来のマスクレス露光における帯状領域の境界の露光方法の別の一例を示す模式図である。
図７（ａ）は、従来のマスクレス露光における帯状領域の境界の露光方法の別の一例を示す模式平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＤ−Ｄ’線の位置を感光させないときの光量の一例を示す模式図である。図７（ｃ）は、図７（ａ）のＤ−Ｄ’線の位置を感光させるときの光量の一例を示す模式図である。
【０１０２】
実施例１では、マスクレス露光における帯状領域の境界の露光方法として、図２（ｄ）乃至図２（ｆ）に示したような方法を挙げている。すなわち、実施例１の露光方法は、光変調部品２５の有する全ての光量制御素子２５ａが、露光領域ＥＲの露光に関与する露光方法である。
【０１０３】
しかしながら、マスクレス露光に用いる光変調部品２５の中には、露光領域ＥＲの露光に関与する光量制御素子２５ａの外側に、たとえば、光量の検査や調整をするときにだけ使用される光量制御素子（以下、ダミー素子という）が配置されているものもある。
【０１０４】
このようなダミー素子を有する光変調部品２５を用いて感光性絶縁膜２３を露光する場合、当該ダミー素子は、常時、光を照射しない状態に設定されている。
【０１０５】
しかしながら、ダミー素子は、露光に関与する光量制御素子２５ａと同等の構成であるため、光を照射しない状態にしていても、当該ダミー素子を介して前述のような漏れ光が感光性絶縁膜２３に照射される。
【０１０６】
そのため、ダミー素子を有する光変調部品２５を用いて感光性絶縁膜２３を露光する場合は、たとえば、図７（ａ）に示したように、露光領域ＥＲの両端に、幅ＷDの、常時漏れ光が照射される領域ＥＲ’が存在する。
【０１０７】
したがって、図７（ａ）に示したＤ−Ｄ’線の位置を感光させない場合の、左側の帯状領域Ｑnを露光するときに照射する光の強度ＩＲn、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときに照射する光の強度ＩＲn+1、および感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTの関係は、たとえば、図７（ｂ）に示した太線Ｐ７，Ｐ８，Ｐ９のような関係になる。すなわち、強度ＩＬOFFの漏れ光が二度照射される領域の幅ＷCO2（＝ＷCO1＋２・ＷD）が、図２（ｅ）に示した場合よりも広くなり、現像後に表面に生じる溝２６の幅が広くなる。
【０１０８】
また、図７（ａ）に示したＤ−Ｄ’線の位置を感光させる場合の、左側の帯状領域Ｑnを露光するときに照射する光の強度ＩＲn、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときに照射する光の強度ＩＲn+1、および感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTの関係は、たとえば、図７（ｃ）に示した太線Ｐ７’，Ｐ８’，Ｐ９’のような関係になる。なお、図７（ａ）に示したＤ−Ｄ’線の位置を感光させる場合は、前述のように、重複領域に照射される光の強度の総量ＩＲTの相対値が１以上であっても問題ない。
【０１０９】
実施例２では、このような光変調部品２５を用いたマスクレス露光において、当該マスクレス露光に起因する縞状の溝２６の発生を抑える方法について簡単に説明する。
【０１１０】
図８は、本発明による実施例２の感光性材料膜の露光方法を説明するための模式図である。
【０１１１】
実施例２の感光性絶縁膜２３の露光方法では、図７（ａ）に示したＤ−Ｄ’線の位置を感光させない場合の、左側の帯状領域Ｑnを露光するときに照射する光の強度ＩＲn、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときに照射する光の強度ＩＲn+1、および感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTの関係を、たとえば、図８に示した太線Ｐ１０，Ｐ１１，Ｐ１２のような関係にする。
【０１１２】
すなわち、実施例２の露光方法では、まず、隣接する２つの帯状領域Ｑn，Ｑn+1の境界ＢＬQにある重複領域（座標Ｕ５から座標Ｕ６までの区間）の露光を担う光量制御素子２５ａを、光を照射しない状態にし、強度ＩＬOFFの漏れ光のみが照射されるようにする。
【０１１３】
このとき、左側の帯状領域Ｑnの露光では、座標Ｕ３から座標Ｕ６までの区間は、常時漏れ光が照射される領域ＥＲ’である。そのため、左側の帯状領域Ｑnの露光では、座標Ｕ５から座標Ｕ３までの区間の露光を担う光量制御素子２５ａを、光を照射しない状態にし、強度ＩＬOFFの漏れ光のみが照射されるようにする。
【０１１４】
また、右側の帯状領域Ｑn+1の露光では、座標Ｕ５から座標Ｕ２までの区間は、常時漏れ光が照射される領域ＥＲ’である。そのため、右側の帯状領域Ｑn+1の露光では、座標Ｕ２から座標Ｕ６までの区間の露光を担う光量制御素子２５ａを、光を照射しない状態にし、強度ＩＬOFFの漏れ光のみが照射されるようにする。
【０１１５】
また、常時漏れ光が照射される領域ＥＲ’を含む重複領域の外側にある領域は、漏れ光の強度ＩＬOFFの２倍に相当する強度ＩＬAOの光が照射されるようにする。
【０１１６】
こうすると、重複領域およびその外側の領域に照射される光の強度の総量ＩＲTは、一定の値ＩＬAOになる。そのため、コンタクトホール２２ａ，２２ｂを形成する領域を除く他の領域に照射される光の強度は概ね一定になり、感光する量（深さ）も概ね一定になる。したがって、現像後に得られる第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４の表面には、マスクレス露光に起因する縞状の溝２６が生じないと考えられる。
【０１１７】
しかしながら、図８に示したような制御をした場合でも、実施例１で説明したような理由により、マスクレス露光に起因する縞状の溝２６が生じることが多い。
【０１１８】
そこで、本願発明者らが、ＴＦＴ基板１を形成する工程のうちの、第２の絶縁層１２および第３の絶縁層１４を形成する工程において、図８に示したような条件を満たす描画データを用いてマスクレス露光を行い、表面に生じる溝２６の深さｄを測定したところ、その平均値は８ｎｍであった。また、上記のＴＦＴ基板１を用いた液晶表示パネルを作製し、外観の検査をしたところ、マスクレス露光に起因する縞状のむらの目視判定レベルＵＬＶは４（合格レベル）であった。
【０１１９】
すなわち、実施例２の露光方法でも、第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４の表面に、マスクレス露光に起因する縞状の溝２６が生じることがある。しかしながら、実施例２の露光方法を適用して形成された第２の絶縁層１２および第３の絶縁層１４を有する液晶表示パネル（液晶表示装置）では、当該縞状の溝２６による縞状のむらを観測できなくなる。したがって、実施例２の露光方法を適用して形成された液晶表示パネル（液晶表示装置）では、縞状の溝２６による外観品位の低下、表示品位の低下を防ぐことができる。
【０１２０】
以上説明したように、実施例２の露光方法を適用して形成された液晶表示パネル（液晶表示装置）は、マスクレス露光に起因する外観品位の低下、表示品位の低下を防ぐことができる。
【０１２１】
また、実施例２では、重複領域の外側に照射する光の強度ＩＬAOを、機械的に、重複領域に照射される漏れ光の強度ＩＬOFFの２倍にしている。しかしながら、重複領域の外側に照射する光の強度ＩＬAOは、これに限らず、たとえば、重複領域に照射される漏れ光の強度の総量をより正確に測定し、当該総量と等しい強度になるように設定してもよいことはもちろんである。またさらに、重複領域の外側に照射する光の強度ＩＬAOは、たとえば、現像したときの重複領域の膜厚の減少量を測定し、重複領域の外側における膜厚の減少量が、重複領域における減少量と等しくなるような強度に設定してもよいことはもちろんである。
【０１２２】
図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例２の露光方法の変形例を説明するための模式図である。
図９（ａ）は、実施例２の露光方法の第１の変形例を説明するための模式図である。図９（ｂ）は、実施例２の露光方法の第２の変形例を説明するための模式図である。
【０１２３】
実施例２の露光方法の一例として、図８に挙げた方法は、描画データの基になるレイアウトデータにおいて感光させないように指定されている領域全体に、重複領域に照射される漏れ光の強度ＩＬOFFの２倍の光が照射されるようにすることで、マスクレス露光に起因する縞状の溝２６の深さｄを小さくしている。
【０１２４】
しかしながら、実施例１でも述べたように、マスクレス露光に起因する縞状の溝２６の深さｄを小さくする方法は、このような方法に限らず、別の方法であっても構わないことはもちろんである。すなわち、実施例２の露光方法における左側の帯状領域Ｑnを露光するときに照射する光の強度ＩＲn、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときに照射する光の強度ＩＲn+1、および感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTの関係は、たとえば、図９（ａ）に示した太線Ｐ１０’，Ｐ１１’，Ｐ１２’のような関係にしてもよい。
【０１２５】
図９（ａ）に示した露光方法では、重複領域（常時漏れ光が照射される領域ＥＲ’を含む）の外側には強度ＩＬAO1（＝３・ＩＬOFF）の光を照射し、重複領域には、二度の露光により照射される光の強度の総量がＩＬAO1（＝３・ＩＬOFF）になるような強度の光を照射する。
【０１２６】
このとき、左側の帯状領域Ｑnの露光では、座標Ｕ３から座標Ｕ６までの区間が、常時漏れ光が照射される領域ＥＲ’である。また、座標Ｕ５から座標Ｕ２までの区間は、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときに漏れ光が照射される領域である。そのため、左側の帯状領域Ｑnの露光では、座標Ｕ５から座標Ｕ２までの区間の露光を担う光量制御素子２５ａを、光量ＩＬAO2（＝２・ＩＬOFF）が照射される状態に制御する。また、座標Ｕ２から座標Ｕ３までの区間の露光を担う光量制御素子２５ａは、露光領域ＥＲの外側に向かうにつれて、強度ＩＬAO2（＝２・ＩＬOFF）から強度ＩＬOFFへと段階的に減少するような状態に制御する。
【０１２７】
一方、右側の帯状領域Ｑn+1の露光では、座標Ｕ５から座標Ｕ２までの区間が、常時漏れ光が照射される領域ＥＲ’である。また、座標Ｕ３から座標Ｕ６までの区間は、左側の帯状領域Ｑnを露光するときに漏れ光が照射される領域である。そのため、右側の帯状領域Ｑn+1の露光では、座標Ｕ３から座標Ｕ６までの区間の露光を担う光量制御素子２５ａを、光量ＩＬAO2（＝２・ＩＬOFF）が照射される状態に制御する。また、座標Ｕ２から座標Ｕ３までの区間の露光を担う光量制御素子２５ａは、露光領域ＥＲの外側に向かうにつれて、強度ＩＬAO2（＝２・ＩＬOFF）から強度ＩＬOFFへと段階的に減少するような状態に制御する。
【０１２８】
こうすると、照射される光の強度の総量ＩＲTは、太線Ｐ１２’のように、均一の値（ＩＬAO1）になる。そのため、現像後に残る感光性絶縁膜２３の表面に生じる溝２６の深さｄは、液晶表示パネル（液晶表示装置）の外観品位や表示品位を低下させない程度まで小さくなると考えられる。
【０１２９】
そこで、本願発明者らが、ＴＦＴ基板１を形成する工程のうちの、第２の絶縁層１２および第３の絶縁層１４を形成する工程において、図９（ａ）に示したような条件を満たす描画データを用いてマスクレス露光を行い、表面に生じる溝２６の深さｄを測定したところ、その平均値は４ｎｍであった。また、上記のＴＦＴ基板１を用いた液晶表示パネルを作製し、外観の検査をしたところ、マスクレス露光に起因する縞状のむらの目視判定レベルＵＬＶは５（合格レベル）であった。
【０１３０】
すなわち、図９（ａ）に示したような露光方法にすると、図８に示した露光方法に比べ、マスクレス露光に起因する液晶表示パネル（液晶表示装置）の縞状のむらを軽減する効果が高いと考えられる。
【０１３１】
ところで、図９（ａ）に示した露光方法では、レイアウトデータにおいて感光させないように指定されている領域に対し、漏れ光の約３倍の光量の光が照射される。そのため、現像したときの絶縁膜の減少量が多くなる。そのため、当該減少量分を考慮して感光性絶縁膜を形成するときの膜厚を厚くする必要があり、たとえば、材料費の増大の要因になる。
【０１３２】
したがって、重複領域に対する光量を段階的に変化させる場合は、左側の帯状領域Ｑnを露光するときに照射する光の強度ＩＲn、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときに照射する光の強度ＩＲn+1、および感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTの関係を、たとえば、図９（ｂ）に示した太線Ｐ１０’，Ｐ１１’，Ｐ１２’のような関係にしてもよい。
【０１３３】
図９（ｂ）に示すように、露光領域ＥＲのみが一度だけ通る領域の光量をＩＬAO（＝２・ＩＬOFF）、露光領域ＥＲ，ＥＲ’が一度だけ通る領域の光量をＩＬAO’（＝１．５・ＩＬOFF）、
にし、重複領域の光量をＩＬAO’からＩＬOFFに段階的に減少させれば、感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTはＩＬAO（＝２・ＩＬOFF）になる。すなわち、図８に示した露光方法において感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTと等しくなる。そのため、現像時の絶縁膜の減少量を抑えながら、表面の縞状の段差の発生も防ぐことができるという点では、図９（ａ）に示した露光方法よりも、図９（ｂ）に示した露光方法のほうが望ましいと言える。
【０１３４】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【０１３５】
たとえば、実施例１および実施例２では、図１（ａ）および図１（ｂ）に示した構成の画素を有する液晶表示パネルにおける第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４の形成方法を例に挙げた。しかしながら、本発明の露光方法は、これに限らず、他の構成の画素を有する液晶表示パネル（ＴＦＴ基板１）の絶縁層の形成方法にも適用できることはもちろんである。
【０１３６】
また、実施例１および実施例２では、感光性絶縁膜を露光するときに、当該感光性絶縁膜を複数の帯状領域Ｑに分割し、第１の動作を行う最中のみに露光している。しかしながら、本発明の露光方法における露光領域ＥＲの移動方法は、感光性絶縁膜の全体を走査する方法であればよく、本明細書で挙げた方法に限らず、適宜変更可能であることはもちろんである。したがって、第２の絶縁層１２や第３の絶縁層１４などの表面に生じる複数の溝２６は、縞状に限らず、環状（同心円状）や渦巻き状などになる場合もあることはもちろんである。
【０１３７】
また、本発明の露光方法が、液晶表示パネル（ＴＦＴ基板１）の絶縁層の形成方法に限らず、たとえば、有機ＥＬ材料を用いた自発光型の表示パネルの絶縁層の形成方法などにも適用できることはもちろんである。
【０１３８】
またさらに、実施例２の露光方法の変形例として図９（ａ）および図９（ｂ）に示したような露光方法が、実施例１の露光方法にも適用できることはもちろんである。
【０１３９】
図１０は、実施例１の露光方法の別の変形例を説明するための模式図である。図１１は、実施例１の露光方法のさらに別の変形例を説明するための模式図である。
【０１４０】
実施例１の露光方法の変形例として図５に示した露光方法では、重複領域に対して照射する光の強度が、その外側に対して照射する光の強度ＩＬAOから漏れ光の強度ＩＬOFFに段階的に減少している。しかしながら、重複領域に対して照射する光の強度を段階的に変化させる場合、左側の帯状領域Ｑnを露光するときに照射する光の強度ＩＲn、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときに照射する光の強度ＩＲn+1、および感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTの関係を、たとえば、図１０に示した太線Ｐ４’，Ｐ５’，Ｐ６’のような関係にしてもよいことはもちろんである。すなわち、露光領域ＥＲが一度しか通らない領域と重複領域との境界部分において、たとえば、照射する光の強度が不連続な変化をさせてもよい。このような場合でも、重複領域とその外側の領域において、感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTが一定になるような条件（光量）で露光すれば、現像後の絶縁膜の表面に縞状の段差が生じないようにすることができる。
【０１４１】
また、図１０に示した露光方法では、感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTがＩＬAO1（＝３・ＩＬOFF）になる。したがって、重複領域とその外側の領域との境界部分において光量を不連続に変化させる場合は、左側の帯状領域Ｑnを露光するときに照射する光の強度ＩＲn、右側の帯状領域Ｑn+1を露光するときに照射する光の強度ＩＲn+1、および感光性絶縁膜２３に照射される光の強度の総量ＩＲTの関係を、たとえば、図１１に示した太線Ｐ４’，Ｐ５’，Ｐ６’のような関係にしたほうが望ましいといえる。
【符号の説明】
【０１４２】
１  ＴＦＴ基板
２  対向基板
３  液晶層
４  第１の偏光板
５  第２の偏光板
６  第１の絶縁基板
７  走査信号線
８  第１の絶縁層
９  （ＴＦＴ素子の）半導体層
１０  映像信号線
１１  ソース-ドレイン電極
１２  第２の絶縁層
１３  共通電極
１４  第３の絶縁層
１５  画素電極
１６  第１の配向膜
１７  第２の絶縁基板
１８  ブラックマトリクス
１９  カラーフィルタ
２０  平坦化層
２１  第２の配向膜
２２ａ，２２ｂ  コンタクトホール
２３  感光性絶縁膜
２４  基板
２５  光変調部品
２５ａ  光量制御素子
２６  溝
【図１（ａ）】
2011123271.tif 000003
【図１（ｂ）】
2011123271.tif 000004
【図２（ａ）】
2011123271.tif 000005
【図２（ｂ）】
2011123271.tif 000006
【図２（ｃ）】
2011123271.tif 000007
【図２（ｄ）】
2011123271.tif 000008
【図２（ｅ）】
2011123271.tif 000009
【図２（ｆ）】
2011123271.tif 000010
【図２（ｇ）】
2011123271.tif 000011
【図３】
2011123271.tif 000012
【図４】
2011123271.tif 000013
【図５】
2011123271.tif 000014
【図６（ａ）】
2011123271.tif 000015
【図６（ｂ）】
2011123271.tif 000016
【図７（ａ）】
2011123271.tif 000017
【図７（ｂ）】
2011123271.tif 000018
【図７（ｃ）】
2011123271.tif 000019
【図８】
2011123271.tif 000020
【図９（ａ）】
2011123271.tif 000021
【図９（ｂ）】
2011123271.tif 000022
【図１０】
2011123271.tif 000023
【図１１】
2011123271.tif 000024