(57)【要約】【課題】本発明は、レジストパターンの変形を抑制することができるレジストパターンの形成方法および微細構造体の製造方法を提供する。【解決手段】基体の表面にレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法であって、前記レジストパターンの基体側端部の寸法が、前記基体側端部と対向する側の端部の寸法よりも長くなるように前記レジストパターンを形成する工程を有したこと、を特徴とするレジストパターンの形成方法が提供される。【選択図】図１
2011192906.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の表面にレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法であって、
前記レジストパターンの基体側端部の寸法が、前記基体側端部と対向する側の端部の寸法よりも長くなるように前記レジストパターンを形成する工程を有したこと、を特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項２】
前記基体の表面と略平行な方向における前記レジストパターンの寸法が段階的に変化すること、を特徴とする請求項１記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項３】
前記基体の表面と略平行な方向における前記レジストパターンの寸法が、前記基体側端部と対向する側の端部に向けて漸減すること、を特徴とする請求項１記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項４】
前記レジストパターンの基体側端部と対向する側の端部を所定の寸法だけ露出させるようにマスク層を形成する工程と、
前記マスク層をマスクとして前記レジストパターンを前記基体の表面と交差する方向に除去する工程と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載のレジストパターンの形成方法により基体の表面にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを用いて前記基体の表面をエッチング処理する工程と、
を有したことを特徴とする微細構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジストパターンの形成方法および微細構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置やＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)などの分野においては、フォトリソグラフィ技術を用いて表面に微細なパターンを有する微細構造体が製造されている。  
製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程においては、基体の表面にレジスト液を塗布、乾燥させてレジスト膜を形成するレジスト塗布工程、形成されたレジスト膜にフォトマスクを介して露光光を照射してマスクパターンを転写する露光工程、マスクパターンが転写されたレジスト膜を現像する現像処理工程を経ることにより基体の表面に所望の形状寸法のレジストパターンを形成する。その後、例えば、形成されたレジストパターンをエッチングマスクとしてエッチング処理を行い、所望の形状寸法のパターンを基体の表面に形成するようにしている。
【０００３】
そして、この様なフォトリソグラフィ工程においては、レジストパターン、ひいては基体の表面に形成されるパターンの微細化を図るため、露光光の短波長化が進められている。露光光の短波長化を図れば微細なレジストパターンを形成することができる。しかしながら、露光光の短波長化によるレジストパターンの微細化では、３０ｎｍ（ナノメートル）レベルの微細なレジストパターンを形成するのが困難となってきている。そのため、基体の表面に第１のレジストパターンを形成する工程と、第１のレジストパターンを形成する工程の後に第２のレジストパターンを形成する工程と、を順次行う「ダブルパターニング法」が提案されている（特許文献１を参照）。
【０００４】
ここで、形成されるレジストパターンが柱状などの場合には、現像処理工程においてレジストパターンが変形しやすくなる。例えば、柱状のレジストパターンが傾斜したり倒れやすくなる。特に、「ダブルパターニング法」などにより微細なパターンを形成する場合には、レジストパターンの変形がさらに生じやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３０３５０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、レジストパターンの変形を抑制することができるレジストパターンの形成方法および微細構造体の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、基体の表面にレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法であって、前記レジストパターンの基体側端部の寸法が、前記基体側端部と対向する側の端部の寸法よりも長くなるように前記レジストパターンを形成する工程を有したこと、を特徴とするレジストパターンの形成方法が提供される。
【０００８】
また、本発明の他の一態様によれば、上記のレジストパターンの形成方法により基体の表面にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを用いて前記基体の表面をエッチング処理する工程と、を有したことを特徴とする微細構造体の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、レジストパターンの変形を抑制することができるレジストパターンの形成方法および微細構造体の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係るレジストパターンの形成方法を例示するためのフローチャートである。
【図２】比較例に係るレジストパターンの断面形状について例示をするための模式断面図である。
【図３】本実施の形態に係るレジストパターンの断面形状について例示をするための模式断面図である。
【図４】本実施の形態に係るレジストパターンの他の作用、効果を例示するための模式図である。
【図５】本実施の形態に係るレジストパターンの他の作用、効果を例示するための模式図である。
【図６】本実施の形態に係るレジストパターンの他の作用、効果を例示するための模式図である。
【図７】レジストパターンの形成方法について例示をするための模式図である。
【図８】第２の実施形態に係るレジストパターンの形成方法、微細構造体の製造方法について例示をするための模式工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
図１は、第１の実施形態に係るレジストパターンの形成方法を例示するためのフローチャートである。        
まず、基体（例えば、ウェーハなど）の表面にレジスト液を塗布する（ステップＳ１）。
レジスト液の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、ディスペンス法、スリットコート法などを例示することができる。  
レジスト液としては、ポジ型フォトレジストとすることもできるし、ネガ型フォトレジストとすることもできる。ポジ型フォトレジストとしては、例えば、バインダ樹脂としてノボラック樹脂、感光性化合物としてナフトキノンジアジド系感光剤を配合したものなどを例示することができる。ネガ型フォトレジストとしては、例えば、アクリル系、ウレタン系、エポキシ系などの樹脂が配合されたＵＶ硬化型の材料などとすることができる。ただし、レジスト液をネガ型フォトレジストとすれば、現像処理時に溶剤によりレジストパターンが膨潤するおそれがあるので、微細化の観点からはポジ型フォトレジストとすることが好ましい。  
ここで、レジスト液の塗布の一例を例示すれば、レジスト液としてポジ型フォトレジストを用い、スピンコート法における基体の回転数を２０００〜４０００ｒｐｍ（revolutions per minute）、塗布されたレジスト液の膜の膜厚を５００ｎｍ（ナノメートル）程度などとすることができる。
【００１２】
次に、いわゆるプリベークを行う（ステップＳ２）。    
例えば、大気中において８０℃〜１００℃程度の温度で６０秒〜９０秒程度加熱する。  プリベークを行うことでレジスト液に含まれていた溶剤を揮発させ、レジスト液の膜を乾燥させることができる。また、乾燥させたレジスト液の膜（以下、レジスト膜と称する）と基体との密着性を向上させることができる。  
次に、レジスト膜が形成された基体を大気中において常温（例えば、２３℃程度）まで冷却する（ステップＳ３）。
【００１３】
次に、露光を行う（ステップＳ４）。  
例えば、グレースケール露光法などを用いて図３に例示をするようなレジストパターンを転写する。  
すなわち、本実施の形態においては、レジストパターンの基体側端部の寸法が、基体側端部と対向する側の端部（先端）の寸法よりも長くなるように露光が行われる。  
なお、レジストパターンの形状に関する詳細は後述する。  
グレースケール露光法を用いる場合には、例えば、マルチトーンマスクを使用して本実施の形態に係るレジストパターンを転写するようにすることができる。また、多層露光パターンを作成し、露光パターンと露光時間とを変えることで本実施の形態に係るレジストパターンを転写するようにすることができる。
【００１４】
露光光は、レーザ光源などから出射された遠紫外線などとすることができる。この場合、レーザ光源としては、波長が２４８ｎｍ（ナノメートル）の光を出射するＫｒＦエキシマレーザ光源、波長が１９３ｎｍ（ナノメートル）の光を出射するＡｒＦエキシマレーザ光源、波長が１５７ｎｍ（ナノメートル）の光を出射するＦ2レーザ光源、ＹＡＧレーザ光源や固体レーザ（例えば、半導体レーザなど）光源などとすることができる。
【００１５】
次に、ＰＥＢ処理（ポストエクスポージャベーク処理（Post Exposure Bake process）；露光後加熱処理）を施す（ステップＳ５）。  
例えば、レジスト膜中の保護基の離脱反応を促進させるために、９０℃〜１６０℃程度の温度で、６０秒〜９０秒程度加熱するようにすることができる。  
次に、レジスト膜が形成された基体を大気中において常温（例えば、２３℃程度）まで冷却する（ステップＳ６）。  
次に、転写されたパターンの現像処理を行う（ステップＳ７）。  
ここで、ポジ型フォトレジストの場合には露光されると現像液に対する溶解性が増大するので、露光された部分が溶解、除去されることになる。  
これに対し、ネガ型フォトレジストの場合には露光されると現像液に対する溶解性が低下するので、露光された部分が溶解、除去されずに残ることになる。  
現像処理法としては、スプレー法、インクジェット法、浸漬法などにより現像液をレジスト膜に供給するものを例示することができる。  
ポジ型フォトレジストの場合の現像液としては、例えば、アルカリ性現像液を例示することができる。この場合、アルカリ性現像液としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ：Tetramethylammoniumhydroxide）水溶液や、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）水溶液などを用いることができる。  
ネガ型フォトレジストの場合の現像液としては、例えば、キシレンとアセテートの混合液などを例示することができる。
【００１６】
次に、現像処理後のレジスト膜を純水で洗浄（リンス）する（ステップＳ８）。  
次に、いわゆるポストベークを行う（ステップＳ９）。  
例えば、大気中において、１００℃〜２００℃程度の温度で、１２０秒〜２４０秒程度加熱する。  
ポストベークを行うことで、基体とレジストパターンとの密着性を向上させることができる。また、洗浄（リンス）により付着した水分を除去することができる。
【００１７】
次に、ポストベークがされた基体を大気中において常温（例えば、２３℃程度）まで冷却する（ステップＳ１０）。  
この様にして、基体１０の表面に本実施の形態に係るレジストパターンを形成するようにすることができる。  
すなわち、本実施の形態に係るレジストパターンの形成方法は、レジストパターンの基体側端部の寸法が、基体側端部と対向する側の端部（先端）の寸法よりも長くなるようにレジストパターンを形成する工程を有している。
【００１８】
次に、レジストパターンが形成される基体の表面と略垂直な方向におけるレジストパターンの断面形状について例示をする。  
図２は、比較例に係るレジストパターンの断面形状について例示をするための模式断面図である。  
図３は、本実施の形態に係るレジストパターンの断面形状について例示をするための模式断面図である。  
図２に示すように、基体１０の表面に断面形状が矩形のレジストパターン１００を形成する場合には、前述した現像処理工程においてレジストパターン１００が変形しやすくなる。すなわち、レジストパターンの基体側端部の寸法が、基体側端部と対向する側の端部（先端）の寸法と同じになるようにすれば現像処理工程においてレジストパターン１００が変形しやすくなる。特に、レジストパターン１００が柱状の場合には、図中に破線で示すようにレジストパターン１００が傾斜したり倒れやすくなる。このことは、レジストパターンが微細になるほど顕著となる。そのため、「ダブルパターニング法」などにより微細なパターンを形成する場合には特に問題となる。
【００１９】
一方、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、レジストパターンの基体側端部の寸法が、基体側端部と対向する側の端部（先端）の寸法よりも長くなるようにすれば、現像処理工程においてレジストパターンが変形することを抑制することができる。
【００２０】
例えば、図３（ａ）に示すように、レジストパターン１ａの基体１０側端部の寸法ｄ１が、基体１０側端部と対向する側の端部（先端側）の寸法ｄ２よりも長くなるようにすることができる。この場合、レジストパターン１ａが形成される基体１０の表面と略平行な方向におけるレジストパターン１ａの寸法が段階的に変化するようにすることができる。なお、図３（ａ）に例示をしたものは、２段階に寸法が変化する場合であるが、段階数は適宜変更することができる。例えば、３段階以上に寸法が変化するようにすることもできる。
【００２１】
また、図３（ｂ）、図３（ｃ）に示すように、レジストパターン１ｂ、１ｃが形成される基体１０の表面と略平行な方向におけるレジストパターン１ｂ、１ｃの寸法が、基体１０側端部と対向する側の端部（先端側）に向けて漸減するようにすることもできる。この場合、図３（ｂ）に示すレジストパターン１ｂのように稜線が直線からなるようにすることもできるし、図３（ｃ）に示すレジストパターン１ｃのように稜線が曲線からなるようにすることもできる。なお、図３（ｃ）に例示をしたものは、稜線が正弦曲線からなるものの場合であるがこれに限定されるわけではない。稜線が任意の曲線からなるものとすることができる。また、稜線が直線と任意の曲線とからなるものとすることもできる。
【００２２】
また、本実施の形態によれば、現像処理工程においてレジストパターンの変形を抑制することができるとともに以下の作用、効果をも享受することができる。  
図４〜図６は、本実施の形態に係るレジストパターンの他の作用、効果を例示するための模式図である。  
図４（ａ）に示すように、レジストパターン１ａの基体１０の表面と略平行な方向における寸法が段階的に変わる場合には、基体１０側端部間における寸法でエッチング幅ｗが規制される。すなわち、基体１０側において寸法が一定となる部分（寸法ｄ１の部分）が存在するので、この部分によりエッチング幅ｗを規制することができる。  
そのため、図４（ｂ）に示すように、エッチング幅ｗを一定としたまま任意のエッチング高さｈを得ることができる。また、任意のエッチング高さｈに対するエッチング幅ｗの精度を高めることができる。
【００２３】
図５（ａ）に示すように、基体１０側端部と対向する側の端部（先端側）に向けて寸法が漸減し、レジストパターン１ｂの稜線が直線からなるような場合には、基体１０の表面と稜線とがなす角度θを変化させることで所望のエッチング幅ｗとエッチング高さｈとの関係を得ることができる。この場合、図５（ｂ）に示すように、角度θを大きくするほどエッチング幅ｗとエッチング高さｈとの関係を急激に変化させることができる。また、角度θを小さくするほどエッチング高さｈに対するエッチング幅ｗの変化を抑制することができる。このことは、角度θ、エッチング高さｈを制御することで所望のエッチング幅ｗを得ることができることを意味する。
【００２４】
図６（ａ）に示すように、基体１０側端部と対向する側の端部（先端側）に向けて寸法が漸減し、レジストパターン１ｃの稜線が曲線（図６（ａ）に例示をしたものの場合には正弦曲線）からなるような場合には、図６（ｂ）に示すように、稜線を構成する曲線に基づいて所望のエッチング幅ｗとエッチング高さｈとの関係を得ることができる。このことは、曲線形状、エッチング高さｈを制御することで所望のエッチング幅ｗを得ることができることを意味する。
【００２５】
次に、他の実施形態に係るレジストパターンの形成方法について例示をする。  
図７は、レジストパターンの形成方法について例示をするための模式図である。  
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るレジストパターンはナノインプリント法を用いて形成するようにすることができる。  
すなわち、電子ビームリソグラフィ法などにより凹凸状の三次元パターンが形成されたインプリント型２０ａ、２０ｂ（テンプレート、スタンパ、モールドなどとも称される）を基体１０の表面に形成されたレジスト膜へ機械的に押し付けることにより、三次元パターンをレジスト膜に転写することでレジストパターン１ａ、１ｂを形成するようにすることができる。  
なお、図３（ｃ）に例示をしたような稜線が曲線からなるレジストパターン１ｃもナノインプリント法を用いて形成するようにすることができる。
【００２６】
また、光誘起表面レリーフを利用して本実施の形態に係るレジストパターンを形成するようにすることができる。  
例えば、アゾベンゼンポリマーなどの有機光学材料によりレジスト膜（有機光学材料膜）を形成し、レジスト膜（有機光学材料膜）に所定の光強度の二光束干渉縞の照射を行うことで、レジスト膜（有機光学材料膜）の表面に任意の間隔と高さをもった表面レリーフ、すなわち、図３（ｃ）に例示をしたような断面形状を有するレジストパターンを形成するようにすることができる。
【００２７】
なお、ナノインプリント法や光誘起表面レリーフを利用してレジストパターンを形成する場合には、前述したステップＳ４〜ステップＳ７の代わりにこれらの方法を用いてレジストパターンを形成するようにすることができる。  
すなわち、レジストパターンの基体側端部の寸法が、基体側端部と対向する側の端部（先端）の寸法よりも長くなるようにナノインプリント法を用いたり、光誘起表面レリーフを利用したりしてレジストパターンを形成するようにすることができる。
【００２８】
本実施の形態によれば、レジストパターンの基体側端部の寸法が、基体側端部と対向する側の端部（先端）の寸法よりも長くなっているので、現像処理工程においてレジストパターンが変形することを抑制することができる。  
また、レジストパターン１ａの基体１０の表面と略平行な方向における寸法が段階的に変わる場合には、基体１０側において寸法が一定となる部分（寸法ｄ１の部分）が存在するので、この部分によりエッチング幅ｗを規制することができる。そのため、エッチング幅ｗを一定としたまま任意のエッチング高さｈを得ることができる。また、任意のエッチング高さｈに対するエッチング幅ｗの精度を高めることができる。
【００２９】
また、基体１０側端部と対向する側の端部（先端側）に向けて寸法が漸減し、レジストパターン１ｂの稜線が直線からなるような場合には、基体１０の表面と稜線とがなす角度θ、エッチング高さｈを制御することで所望のエッチング幅ｗを得ることができる。  
また、基体１０側端部と対向する側の端部（先端側）に向けて寸法が漸減し、レジストパターン１ｃの稜線が曲線（例えば、正弦曲線など）からなるような場合には、曲線形状、エッチング高さｈを制御することで所望のエッチング幅ｗを得ることができる。
【００３０】
以上は基体１０の表面に第１のレジストパターンを形成する工程を有する場合であるが、本実施の形態に係るレジストパターンの形成方法は、さらに第２のレジストパターンを形成する工程を有するいわゆる「ダブルパターニング法」を行う場合にも適用させることができる。なお、「ダブルパターニング法」に適用させる場合についての詳細は後述する。
【００３１】
次に、本実施の形態に係る微細構造体の製造方法について例示をする。    
微細構造体の製造方法としては、例えば、半導体装置の製造方法を例示することができる。ここで、半導体装置の製造工程には、いわゆる前工程における成膜・レジスト塗布・露光・現像・エッチング・レジスト除去などにより基体（ウェーハ）表面にパターンを形成する工程、検査工程、洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、拡散工程、平坦化工程などがある。また、いわゆる後工程においては、ダイシング、マウンティング、ボンディング、封入などの組立工程、機能や信頼性の検査工程などがある。
【００３２】
この場合、例えば、基体（ウェーハ）表面にパターンを形成する工程において、前述したレジストパターンの形成方法を用いることができる。  
すなわち、前述したレジストパターンの形成方法を用いて基体（ウェーハ）表面に、基体側端部の寸法が基体側端部と対向する側の端部（先端）の寸法よりも長いレジストパターンを形成し、これをマスクとして基体（ウェーハ）表面にパターンを形成するようにすることができる。  
また、本実施の形態に係るレジストパターンの形成方法を後述する「ダブルパターニング法」に適用させることで、さらに微細なパターンを基体（ウェーハ）表面に形成するようにすることもできる。
【００３３】
本実施の形態によれば、歩留まり、生産性などを向上させることができる。  
なお、前述したレジストパターンの形成方法以外のものは、各工程における既知の技術を適用できるので、それらの詳細な説明は省略する。  
また、微細構造体の製造方法の一例として、半導体装置の製造方法を例示したがこれに限定されるわけではない。例えば、液晶表示装置、位相シフトマスク、ＭＥＭＳ分野におけるマイクロマシーン、精密光学部品などの分野においても適応が可能である。
【００３４】
ここで、本実施の形態に係るレジストパターンの形成方法を「ダブルパターニング法」に適用させた場合について例示をする。  
図８は、第２の実施形態に係るレジストパターンの形成方法、微細構造体の製造方法について例示をするための模式工程断面図である。  
まず、「ダブルパターニング法」における第１のレジストパターンを形成する。  
図８（ａ）に示すように、基体１０の表面にレジストパターン１ｃを形成する。  
レジストパターン１ｃの形成は、図１において例示をしたもののようにして行うことができる。また、前述したように、ナノインプリント法を用いたり、光誘起表面レリーフを利用したりしてレジストパターン１ｃを形成するようにしてもよい。  
また、レジストパターン１ｃに限定されるわけではなく、レジストパターンの基体側端部の寸法が、基体側端部と対向する側の端部（先端）の寸法よりも長くなっておればよい。例えば、図３（ａ）で例示をしたレジストパターン１ａ、図３（ｂ）で例示をしたレジストパターン１ｂなどであってもよい。
【００３５】
次に、図８（ｂ）に示すように、レジストパターン１ｃをマスクとしてエッチング処理を行い、基体１０の表面に所望のエッチング幅ｗとエッチング高さｈとを有する溝や孔などを形成する。  
エッチング処理には、例えば、反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching; RIE)法などを用いることができる。なお、エッチング処理のプロセス条件は基体１０の材料などに応じて適宜選択するようにする。  
この際、前述したように、レジストパターン１ｃの稜線の曲線形状、エッチング高さｈを制御することで所望のエッチング幅ｗを得ることができる。  
また、レジストパターン１ａの場合には、エッチング幅ｗを一定としたまま任意のエッチング高さｈを得ることができる。  
また、レジストパターン１ｂの場合には、レジストパターン１ｂの稜線の角度θ、エッチング高さｈを制御することで所望のエッチング幅ｗを得ることができる。
【００３６】
次に、「ダブルパターニング法」における第２のレジストパターンを形成する。  
まず、図８（ｃ）に示すように、表面にレジスト液を塗布し、プリベークを行うことでマスク層１１（第２のレジスト膜）を形成する。  
この際、レジストパターン１ｃの基体側端部と対向する側の端部（先端）が所定の寸法だけマスク層１１から露出するようにする。すなわち、露出した部分における基体１０の表面と略平行な方向における寸法が所望の寸法ｗ１となるようにレジストパターン１ｃの端部（先端）を露出させる。  
レジスト液の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、ディスペンス法、スリットコート法などを例示することができる。  
レジスト液としては、形成されたマスク層１１がレジストパターン１ｃよりもエッチング処理により除去されにくくなるものを適宜選択するようにする。例えば、形成されたマスク層１１がいわゆるハードマスクとなるようなものを適宜選択するようにする。
【００３７】
次に、図８（ｄ）に示すように、マスク層１１をマスクとしてエッチング処理を行い、レジストパターン１ｃに寸法ｗ１の溝や孔などを形成する。すなわち、マスク層１１をマスクとしてレジストパターン１ｃを基体１０の表面と交差する方向に除去する。  
エッチング処理には、例えば、反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching; RIE)法などを用いることができる。なお、エッチング処理のプロセス条件はレジストパターン１ｃの材料などに応じて適宜選択するようにする。  
すなわち、「ダブルパターニング法」の場合には、レジストパターンの基体側端部と対向する側の端部（先端）を所定の寸法だけ露出させるようにマスク層を形成する工程と、マスク層をマスクとしてレジストパターンを基体の表面と交差する方向に除去する工程と、をさらに備えている。
【００３８】
次に、図８（ｅ）に示すように、図８（ｄ）おいて形成された溝や孔などを介してエッチング処理を行い、基体１０の表面に所望のエッチング幅ｗ１とエッチング高さｈ１とを有する溝や孔などを形成する。  
エッチング処理には、例えば、反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching; RIE)法などを用いることができる。なお、エッチング処理のプロセス条件は基体１０の材料などに応じて適宜選択するようにする。  
次に、図８（ｆ）に示すように、レジストパターン１ｃ、マスク層１１を除去すれば、表面に所望の形状寸法を有するパターンが形成された基体１０を得ることができる。  
レジストパターン１ｃ、マスク層１１の除去には、プラズマなどを用いたドライアッシング法、剥離液を用いた剥離法などを用いることができる。  
また、図８においては、寸法ｗと寸法ｗ１、高さｈと高さｈ１が異なる場合を例示したが寸法ｗと寸法ｗ１、高さｈと高さｈ１が同じであってもよい。また、基板１０を貫通するような溝や孔であってもよい。  
以上のようにして、表面に微細なパターンを有する微細構造体を製造することができる。
【００３９】
本実施の形態においても、図１において例示をしたレジストパターンの場合と同様の効果を得ることができる。  
すなわち、レジストパターンの基体側端部の寸法が、基体側端部と対向する側の端部（先端）の寸法よりも長くなっているので、現像処理工程においてレジストパターンが変形することを抑制することができる。  
また、図３（ａ）に例示をしたようなレジストパターン１ａの場合には、エッチング幅ｗを一定としたまま任意のエッチング高さｈを得ることができる。また、任意のエッチング高さｈに対するエッチング幅ｗの精度を高めることができる。  
また、図３（ｂ）に例示をしたようなレジストパターン１ｂの場合には、基体１０の表面と稜線とがなす角度θ、エッチング高さｈを制御することで所望のエッチング幅ｗを得ることができる。  
また、図３（ｃ）に例示をしたようなレジストパターン１ｃの場合には、曲線形状、エッチング高さｈを制御することで所望のエッチング幅ｗを得ることができる。
【００４０】
また、「ダブルパターニング法」により微細なパターンを形成する場合であってもレジストパターンが変形することを抑制することができる。  
そのため、露光光の短波長化による対応では困難であった３０ｎｍ（ナノメートル）レベルの微細なパターンを形成することが可能となる。また、この様な極めて微細なパターンを形成する場合であっても歩留まり、生産性などを向上させることができる。
【００４１】
以上、本実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。  
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。  
例えば、レジストパターンの形状、寸法、材質、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。  
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４２】
１ａ〜１ｃ  レジストパターン、１０  基体、１１  マスク層、２０ａ  インプリント型、２０ｂ  インプリント型、ｄ１  寸法、ｄ２  寸法、ｈ  エッチング高さ、ｈ１  エッチング高さ、ｗ  エッチング幅、ｗ１  エッチング幅、θ  角度
【図１】
2011192906.tif 000003
【図２】
2011192906.tif 000004
【図３】
2011192906.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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