(57)【要約】【課題】銀配線との密着性に優れ、絶縁性を有し低誘電であることを特徴とする樹脂を提供する。【解決手段】分子中に硫黄原子を含む成分を用いることにより金属との密着性を確保し、これとポリシルセスキオキサンとのハイブリッド化により低誘電率化を達成させることを特長とする新規な絶縁材料を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示されるシルセスキオキサン誘導体から選ばれる少なくとも１つの化合物である第１成分と、少なくとも一つの含ビニル基及び硫黄原子を少なくとも一つ含む化合物である第二成分、およびラジカル重合開始剤からなる第三成分を含有することを特徴とする絶縁膜組成物。
2011052065.tif 000016
式（１）中のＲ１、Ｒ２は、次の二つの置換基群から構成されている。Ｒ１およびＲ２のどちらかは第一群の少なくとも一種類の置換基を必ず含み、Ｒ１およびＲ２のいずれもが第二群についてはR1およびR2のいずれもが含まないこともある。また、Ｒ１，Ｒ２は同一であっても異なっていても良い。
第一群：含ビニル基
第二群：水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、含芳香族置換基のうちいずれか。
また、ｍは１以上で1000以下の整数であり、ｎ／ｍ比は０．０以上１．０以下（モル比）である。
【請求項２】
第一成分が、籠状構造もしくは部分籠状構造を持つポリシルセスキオキサンであることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜組成物。
【請求項３】
第二成分が、下記一般式（２）で示されるスルフィド化合物であることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜組成物。
2011052065.tif 000017
式（２）中のＲ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、水素原子、ハロゲン原子または炭素数１〜６のアルキル基のいずれかを示し、これらは互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｘは含ビニル基を示す。
【請求項４】
第二成分が、式（２）において、Ｒ３ 、Ｒ４ 、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０が、それぞれ水素原子である化合物よりなることを特徴とする請求項１に記載の絶縁膜組成物。
【請求項５】
第一成分と第二成分の比率は、第一成分と第二成分の合計に対して第二成分が、０．０００１以上、９９．９以下（重量比）であることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜組成物。
【請求項６】
第三成分が、熱ラジカル開始剤もしくは光ラジカル開始剤であることを特徴とする、請求項１記載の絶縁膜組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属配線との密着に優れた含硫黄有機無機ハイブリッド絶縁膜に関する。本発明の絶縁膜は、プリント配線基板材料として特に好適に用いることができる。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ等の基板上に配線回路を形成するための配線材料として、従来はアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金が広く用いられてきたが、近年はより電気抵抗の少ない銅（Ｃｕ）を配線に用いることが多い。そして、配線寸法の微細化に伴い、配線における配線抵抗の低減と信頼性の向上のために、導電性配線材料として銀（Ａｇ）が注目されている。  銀は、その高い電子伝導性と酸化耐性により、一部の配線基板の電極材料として現在使われている。しかし、銀はイオン化傾向が小さい金属元素にもかかわらず、他の金属に比べてマイグレーションによる導通が起こりやすい。この銀マイグレーションの理由は明確に解明されてはいないが主に水分との反応に因るとされる。陽極上で銀が酸化銀になっている場合に、まずＡｇ2Ｏ  ＋ Ｈ２Ｏ  →  Ａｇ(ＯＨ)  ＋  Ａｇ+ ＋ ＯＨ- の反応が起こり、次にＡｇ+ が陰極に向かって電界の影響で移動し、陰極で  Ａｇ+ ＋ ｅ- → Ａｇ となることが知られている（例えば、特許文献１ 参照） 。
実際、イオンマイグレーション防止対策のほとんどは防湿技術である。例えば、特許文献２で提案されているような、無機ＩＴＯ膜を金属電極上に覆う手法である。銀に関しても同様にマイグレーション防止法が数多提案されており、銀と錫（Ｓｎ）、銅とを合金化する手法やＩＴＯ等で被膜する上述の手法がある。最近になって、封止樹脂中にアルミニウムのような金属の微粒子を分散させることにより、銀のマイグレーション防止に効果がある報告がなされている（特許文献３）。しかしこれら防止策の全てが、金属配線およびその樹脂による封止の際に別の工程を加えるものであるため、これに替わる簡便な手法が求められている。
またマイグレーションの原因が銀イオンの樹脂中への拡散によるものならば、従来絶縁材料として用いられているエポキシ樹脂に含まれる水酸（ＯＨ）基がイオンの移動に関与することが推定される。このため、水酸基を含まない炭化水素系樹脂を用いることが解決策の一つとしてあげられるが、一般的に炭化水素系樹脂は金属との密着性が低いので絶縁材料としては不向きと考えられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特公昭５９−１２６９９号公報
【特許文献２】特開２００１−２７４５３５号公報
【特許文献３】特開２００７−２０１１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、金属密着に対して硫黄元素を含有することで密着性を有することと、ポリシルセスキオキサンと有機無機ハイブリッド化することで低誘電を特徴とする新規な化合物を開発することにより、上記の課題を解決することである。
すなわち、プリント基板上の銀配線に成膜することが可能で、絶縁性を有し低誘電を特徴とする新規な化合物を開発することが課題であった。
また、更なる課題として、上記の新規な化合物が金属、特に銀イオンマイグレーションを起こし難い新規な化合物を開発することも課題であった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、含硫黄化合物とポリシルセスキオキサンとの有機無機ハイブリッドな新規な化合物が、上記の問題点を解決するために有効であることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成した。
即ち、本発明は下記の構成を有する。
【０００６】
［１］下記一般式（１）で示されるシルセスキオキサン誘導体から選ばれる少なくとも１つの化合物である第１成分と、下記一般式（２）で示される化合物である第二成分、およびラジカル重合開始剤からなる第三成分から成ることを特徴とする絶縁膜組成物。
2011052065.tif 000002
式（１）中のＲ１、Ｒ２は、次の二つの置換基群から構成されている。Ｒ１、Ｒ２共に第一群の少なくとも一種類の置換基を必ず含み、第二群については含まれないこともある。また、Ｒ１、Ｒ２は同一であっても異なっていても良い。
第一群：含ビニル基
第二群：水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、含芳香族置換基
また、ｍは１以上で１０００以下の整数であり、ｎ／ｍ比は０．０以上１．０以下（モル比）である。
【０００７】
［２］第一成分が、籠状構造もしくは部分籠状構造を持つポリシルセスキオキサンであることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜組成物。
【０００８】
［３］第二成分が、下記一般式（２）で示されるスルフィド化合物であることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜組成物。
2011052065.tif 000003
式（２）中のＲ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、水素原子、ハロゲン原子または炭素数１〜６のアルキル基のいずれかを示し、これらは互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｘは含ビニル基を示す。
【０００９】
［４］第二成分が、式（２）において、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０が、それぞれ水素原子である化合物よりなることを特徴とする請求項１に記載の絶縁膜組成物。
【００１０】
［５］第一成分と第二成分の比率は、第一成分と第二成分の合計に対して第二成分が、０．０００１以上、９９．９以下（重量比）であることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜組成物。
【００１１】
［６］第三成分が、熱ラジカル開始剤もしくは光ラジカル開始剤であることを特徴とする、請求項１記載の絶縁膜組成物。
【発明の効果】
【００１２】
本発明が提供する、含硫黄有機物とＰＳＱ誘導体をハイブリッド化した絶縁膜は、金属配線と密着性に優れ、金属のマイグレーションを起こしにくく、高い絶縁性能を有している。
特に、配線寸法の微細化に伴い、配線における配線抵抗の低減と信頼性の向上のために、導電性配線材料として銀（Ag）用いてもマイグレーションを防止し、安定した絶縁性能を発揮し、長期間の使用によっても導通が起こすことがない。
また、ＰＳＱ誘導体を用いることで、かご型形状を有することにより低誘電特性を有している。
更に、含硫黄化合物を用いることにより、金属密着、特に銀との密着性を有する。
更に、無機化合物であるＰＳＱ誘導体との有機無機ハイブリッド化により、有機化合物に比べて耐熱性を向上さることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
下記一般式（１）で示されるシルセスキオキサン誘導体から選ばれる少なくとも１つの化合物である第１成分と、少なくとも一つの含ビニル基及び硫黄原子を少なくとも一つ含む化合物である第二成分、およびラジカル重合開始剤からなる第三成分を含有することを特徴とする絶縁膜組成物。
2011052065.tif 000004
式（１）中のＲ１、Ｒ２は、次の二つの置換基群から構成されている。Ｒ１およびＲ２のどちらかは第一群の少なくとも一種類の置換基を必ず含み、Ｒ１およびＲ２のいずれもが第二群についてはＲ１およびＲ２のいずれもが含まないこともある。また、Ｒ１，Ｒ２は同一であっても異なっていても良い。
第一群：含ビニル基
第二群：水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、含芳香族置換基のうちいずれか。
また、ｍは１以上で1000以下の整数であり、ｎ／ｍ比は０．０以上１．０以下（モル比）である。
【００１４】
式（１）中のＲ１としては、ビニル、ｃｉｓ−１−プロペニル、ｔｒａｎｓ−１−プロペニル、２−プロペニル、ｃｉｓ−１−ブテニル、ｔｒａｎｓ−１−ブテニル、ｃｉｓ−２−ブテニル、ｔｒａｎｓ−２−ブテニル、３−ブテニル、ｃｉｓ−１，３−ブタジエニル、ｔｒａｎｓ−１，３−ブタジエニル、スチリルなどが挙げられるが、このうちビニル、２−プロペニル、スチリルが好ましく、特にビニル基が好ましい。
【００１５】
式（１）におけるＲ２がアルキル基の場合、その例としてメチル、エチル、プロピル、２−メチルエチル、２−メチルプロピル、ブチル、２−メチルプロピル、２−メチルプロピル、１，１−ジメチルエチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、シクロプロピレン、シクロブチレン、シクロペンチレン、シクロヘキシレン、シクロヘプチレン、シクロオクチレン等が挙げられ、このうちメチル、エチル、プロピル、ブチルが好ましく、特にメチルが好ましい。
【００１６】
式（１）におけるＲ２が含芳香族置換基の場合、その例として任意の水素がハロゲンまたは１〜８個の炭素原子を有するアルキルまたはアルキレンで置換されても良いフェニル、ベンジル、フェニルエチル、ビフェニルおよびナフチルなどが挙げられ、このうち好ましいのはフェニル、ベンジル、フェニルエチルであり、特にフェニルが好ましい。
【００１７】
第二成分として用いる、少なくとも一つの含ビニル基及び硫黄原子を少なくとも一つ含む化合物としては、
アリルスルフィド、アリルメチルスルフィド、アリルエチルスルフィド、アリルプロピルスルフィド、アリルフェニルスルフィド、アリルジスルフィド、アリルプロピルジスルフィド、ジアリルスルフィド、ジアリルジスルフィド、ジアリルトリスルフィド、エチルビニルスルフィド、フェニルビニルスルフィド、ビス（４−ビニルチオフェニル）スルフィド、などが挙げられる。
【００１８】
籠型シルセスキオキサンの具体的な例としては、式（１）
においてｍ＝６ 、ｎ＝０で表される式（３）のような構造、式（１）においてｍ＝８ で表される式（４）のような構造、式（１）においてｍ＝１０ で表される式（５） のような構造、式（１）
においてｍ ＝１２で表される式（７） のような構造、式（１） においてｍ＝１４ で表される式（８） のような構造などが挙げられる。ただし、式（４）〜（８） におけるＲ
は、式（ １ ）におけるＲ 1 と同様若しくは他のカゴ状シルセスキオキサン又は部分開裂型カゴ状シルセスキオキサンヘの結合を表し、Ｒ
のうちのｎ 個（ すなわち１ 個以上ｍ 個以下） は他の（ 部分開裂型） カゴ状シルセスキオキサンヘの結合を表す。
【化３】
2011052065.tif 000005
【化４】
2011052065.tif 000006
【化５】
2011052065.tif 000007
【化６】
2011052065.tif 000008
【化７】
2011052065.tif 000009
【００１９】
また部分籠状構造を持つポリシルセスキオキサンの具体例としては、式（１）においてｍ＝４ 、ｎ＝３で表される式（８）のような構造、式（１）においてｍ＝６、ｎ＝２で表される式（９）および式（１０）のような構造、式（１）においてｍ＝８、ｎ＝１で表される式（１１）のような構造などが挙げられる。
【化８】
2011052065.tif 000010
【化９】
2011052065.tif 000011
【化１０】
2011052065.tif 000012
【化１１】
2011052065.tif 000013
【００２０】
第二成分が、下記一般式（２）で示されるスルフィド化合物であることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜組成物。
2011052065.tif 000014
式（２）中のＲ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、水素原子、ハロゲン原子または炭素数１〜６のアルキル基のいずれかを示し、これらは互いに同一であっても異なっていてもよいが、特にＲ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０が水素原子であることが好ましい。
【００２１】
式（２）中のＸは含ビニル基を示す。含ビニル基としては、ビニル、ｃｉｓ−１−プロペニル、ｔｒａｎｓ−１−プロペニル、２−プロペニル、ｃｉｓ−１−ブテニル、ｔｒａｎｓ−１−ブテニル、ｃｉｓ−２−ブテニル、ｔｒａｎｓ−２−ブテニル、３−ブテニル、ｃｉｓ−１，３−ブタジエニル、ｔｒａｎｓ−１，３−ブタジエニル、スチリルなどが挙げられるが、このうちビニル、２−プロペニル、スチリルが好ましく、特にビニル基が好ましい。
【００２２】
式（２）におけるＲ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０がアルキル基の場合、その例としてメチル、エチル、プロピル、２−メチルエチル、２−メチルプロピル、ブチル、２−メチルプロピル、２−メチルプロピル、１，１−ジメチルエチル、ペンチル、ヘキシル、シクロプロピレン、シクロブチレン、シクロペンチレン、シクロヘキシレン、等が挙げられる。
【００２３】
式（２）におけるＲ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０がハロゲンの場合、その例としてフッ素、塩素、臭素、ヨウ素などが挙げられる。
第二成分が、式（２）において、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０が、それぞれ水素原子である化合物よりなることを特徴とする請求項１に記載の絶縁膜組成物。
第一成分と第二成分の比率は、第一成分と第二成分の合計に対して第二成分が、０．０００１以上、９９．９以下（重量比）であることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜組成物。
第三成分が、熱ラジカル開始剤もしくは光ラジカル開始剤であることを特徴とする、請求項１記載の絶縁膜組成物。
本発明で用いられるラジカル重合開始剤としては、公知のラジカル重合開始剤を使用することができるが、特に有機過酸化物または有機アゾ系化合物が好ましく用いられる。中でも、過酸化物、更に有機過酸化物が好ましい。
【００２４】
有機過酸化物としては、例えば、日本油脂株式会社より市販されているパーヘキサＨなどのケトンパーオキサイド類、パーヘキサＴＭＨなどのパーオキシケタール類、パーブチルＨ−６９などのハイドロパーオキサイド類、パークミルＤ、パーブチルＣ、パーブチルＤなどのジアルキルパーオキサイド類、ナイパーＢＷなどのジアシルパーオキサイド類、パーブチルＺ、パーブチルＬなどのパーオキシエステル類、パーロイルＴＣＰなどのパーオキシジカーボネート、ジイソブチリルパーオキサイド、クミルパーオキシネオデカノエート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ジ（４−ｔ−ブチルクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシネオヘプタノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ジ（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ジコハク酸パーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ジ（４−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ジ（３−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ベンゾイル（３−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド、１，１−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ジ（４，４−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキシル）プロパン、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジ−メチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、２，２−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｎ−ブチル−４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシバレレート、ジ（２−ｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ヘキシルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーイキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｐ−メタンヒドロパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルヒドロパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイド、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｏ−クロロベンゾイルパーオキサイド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキサイド、トリス−（ｔ−ブチルパーオキシ）トリアジン、２，４，４−トリメチルペンチルパーオキシネオデカノエート、α−クミルパーオキシネオデカノエート、ｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシトリメチルアジペート、ジ−３−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ−イソプロピルパーオキシジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、１，６−ビス（ｔ−ブチルパーオキシカルボニルオキシ）ヘキサン、ジエチレングリコールビス（ｔ−ブチルパーオキシカーボネート）、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、アルケマ吉冨社より市販されているルペロックス１１などが好ましく用いられる。
【００２５】
有機アゾ系化合物としては、例えば、和光純薬工業株式会社で市販されているＶ−３０、Ｖ−４０、Ｖ−５９、Ｖ−６０、Ｖ−６５、Ｖ−７０などのアゾニトリル化合物類、ＶＡ−０８０、ＶＡ−０８５、ＶＡ−０８６、ＶＦ−０９６、ＶＡｍ−１１０、ＶＡｍ−１１１などのアゾアミド化合物類、ＶＡ−０４４、ＶＡ−０６１などの環状アゾアミジン化合物類、Ｖ−５０、ＶＡ−０５７などのアゾアミジン化合物類、２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルブチロニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサン−１−カーボニトリル）、１−〔（１−シアノ−１−メチルエチル）アゾ〕ホルムアミド、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス〔２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシブチル）プロピオンアミド〕、２，２’−アゾビス〔Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド〕、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオアミド）、２，２’−アゾビス〔２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン〕ジヒドロクロリド、２，２’−アゾビス〔２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン〕ジスルフェートジヒドレート、２，２’−アゾビス｛２−〔１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリン−２−イル〕プロパン｝ジヒドロクロリド、２，２’−アゾビス〔２−〔２−イミダゾリン−２−イル〕プロパン〕、２，２’−アゾビス（１−イミノ−１−ピロリジノ−２−メチルプロパン）ジヒドロクロリド、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）ジヒドロクロリド、２，２’−アゾビス〔Ｎ−（２−カルボキシエチル）−２−メチルプロピオンアミジン〕テトラヒドレート、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、４，４’−アゾビス（４−シアノバレリックアシッド）、２，２’−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）などが好ましく用いられる。
【００２６】
本発明において重合開始剤は１種のみ、または２種以上を混合して用いてもよい。本発明において、重合開始剤の使用量はモノマー１００部に対して、好ましくは０．００１〜５部、より好ましくは０．０１〜２部、特に好ましくは０．０５〜１部である。
【実施例】
【００２７】
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【００２８】
使用試薬
含硫黄化合物として、ビス（４−ビニルチオフェニル）スルフィド（以下、ＭＰＶと略）
開始剤として、パーブチルＤ（日本油脂（株）製）
【００２９】
測定機器類
ＮＭＲスペクトル；Ｖａｒｉａｎ社製、Ｕｎｉｔｙ
４００ スペクトルメーター
熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）：  （株）リガク社製  ＴＧ８１２０
【００３０】
（合成例１）スチリル基を持つシルセスキオキサンン（ＳＱ−A）の合成
スチリル基を持つシルセスキオキサンの合成は、特開２００６−２８２７２５に記載されている合成法に準拠して行った。攪拌機、温度計、還流冷却管を備えた反応器に、テトラヒドロフラン４００ｍｌ、1N水酸化ナトリウム水溶液８．６５ｇ (水酸化ナトリウム ０．２１６
モル)、p-スチリルトリメトキシシラン２６．９２ g (０．１２ モル)とフェニルトリメトキシシラン２３．８０ｇ（０．１２モル）を仕込み、６０℃で３時間攪拌しながら加熱した。
反応終了後、反応生成物を室温まで放置させた後、イオン交換樹脂カラムにてナトリウム除去後、減圧下４０℃で溶媒等の低沸点部を留去し濃縮した。
得られた濃縮物を大過剰のノルマルヘキサン中に再沈殿した後、７０℃で２時間乾燥させて目的のシルセスキオキサン（ＳＱ−A）を得た。このシルセスキオキサンの、ＧＰＣ、ＮＭＲ分析から、部分開裂構造を有しかつスチリル基を持つ籠型シルセスキオキサンであることを確認した。
（合成例２）スチリル基を持つシルセスキオキサンン（ＳＱ−B）の合成
合成例１で、p-スチリルトリメトキシシラン１６．１５g (０．７２ モル)とフェニルトリメトキシシラン３３．３１ｇ（０．１６８モル）にした他は、合成例１と同様の操作を行い、部分開裂構造を有しかつスチリル基を持つ、目的のシルセスキオキサン（ＳＱ−B）を得た。
【００３１】
＜実施例１＞ 
（塗布液調整） SQ-A１０部とMPV３０部をスチレン６０部に溶解し、パーブチルDを1部加えたものを0.45μｍテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過し塗布液とした。
（成膜）ガラス板上に銀ペーストを塗布し450℃１時間焼成を行った基板上に５００ｒｐｍでスピンコートを行った。その後、不活性ガス雰囲気下にて１３０℃で15時間および200℃で1時間加熱硬化を行い１００μｍの塗膜を得た。
（評価）その後、碁盤目剥離試験をJIS-K5600に準拠して実施した。具体的には、カッターナイフ（JIS G4401炭素工具鋼鋼材SK2）を用いて素地に２ｍｍ間隔の升目を１０×１０マス（格子状碁盤目１００個）形成し、テープ剥離試験を行ったところ、硬化膜の剥離は認められなかった。
【００３２】
＜実施例２＞ 
SQ-A１０部とMPV５０部をスチレン４０部に溶解し、パーブチルD1部を加え、実施例１と同様に塗布液を作成して評価を行ったところ、硬化膜の剥離は認められなかった。
【００３３】
＜実施例３＞ 
（SQ-A１０部とMPV７０部をスチレン３０部に溶解し、パーブチルD1部を加え、実施例１と同様に塗布液を作成して評価を行ったところ、硬化膜の剥離は認められなかった。
【００３４】
＜実施例４＞ 
SQ-Ｂ１０部とMPV３０部をスチレン６０部に溶解し、パーブチルD1部を加え、実施例１と同様に塗布液を作成して評価を行ったところ、硬化膜の剥離は認められなかった。
【００３５】
＜実施例５＞ 
SQ-Ｂ１０部とMPV５０部をスチレン４０部に溶解し、パーブチルD1部を加え、実施例１と同様に塗布液を作成して評価を行ったところ、硬化膜の剥離は認められなかった。
【００３６】
＜実施例６＞ 
SQ-Ｂ１０部とMPV７０部をスチレン２０部に溶解し、パーブチルD1部を加え、実施例１と同様に塗布液を作成して評価を行ったところ、硬化膜の剥離は認められなかった。
【００３７】
＜比較例１＞
（塗布液調整） スチレン５０部とジビニルベンゼン（DVB）５０部に、ラジカル開始剤：イルガキュア６５１（チバ・ジャパン（株）製）1部を加えたものを0.45μｍテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過し塗布液とした。
実施例１と同様に塗膜を作成して評価を行ったところ、碁盤目１００マス中１００マスが剥離し、顕微鏡にて確認できる範囲で全てが膜と銀界面が剥離界面であることが分かった。
【００３８】
【表１】
2011052065.tif 000015
【産業上の利用可能性】
【００３９】
以上のように、本発明によれば、金属密着に対して硫黄元素を含有することで密着性を有することと、ポリシルセスキオキサンと有機無機ハイブリッド化することで低誘電を特徴とする新規な化合物を開発することにより、プリント基板上の銀配線に成膜することが可能で、絶縁性を有し低誘電を特徴とする新規な化合物を開発することが可能である。