(57)【要約】【課題】  簡易な構成で高効率な太陽電池素子および太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】  光を受ける第１の面１Ｆ及び該第１の面１Ｆの裏側の第２の面１Ｓを有する半導体基板１と、第１の面１Ｆ側から第２の面１Ｓ側に導出されてなる導通部４ｂと、第２の面１Ｓに露出する導通部４ｂ上に位置する第１領域４ｄと、該導通部４ｂ上を除く第２の面１Ｓ上に設けられる第２領域４ｅと、を有する第１出力取出部４ｃと、第１出力取出部４ｃと離間するように第２の面１Ｓ上に設けられる第２出力取出部５ａと、を備えた第１及び第２の太陽電池素子と、第１の太陽電池素子１０αの第１出力取出部４ｃと第２の太陽電池素子１０βの第２出力取出部５ａとを接続する配線材１５と、を備えた太陽電池モジュールであって、配線材１５は、第１出力取出部４ｃの第１領域４ｄの直上に位置するとともに、第１出力取出部４ｃの第２領域４ｅにのみ接着して接続されている。【選択図】  図８
2011114195.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を受ける第１の面及び該第１の面の裏側の第２の面を有する半導体基板と、
前記第１の面側から前記第２の面側に導出されてなる導通部と、
前記第２の面に露出する前記導通部上に位置する第１領域と、該導通部上を除く前記第２の面上に設けられる第２領域と、を有する第１出力取出部と、
前記第１出力取出部と離間するように前記第２の面上に設けられる第２出力取出部と、を備えた第１及び第２の太陽電池素子と、
前記第１の太陽電池素子の前記第１出力取出部と前記第２の太陽電池素子の前記第２出力取出部とを接続する配線材と、を備えた太陽電池モジュールであって、
前記配線材は、前記第１出力取出部の前記第１領域の直上に位置するとともに、前記第１出力取出部の前記第２領域にのみ接着して接続されていることを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記第１出力取出部の前記第１領域上に、該第１領域と前記配線材との接着を抑制する接着抑制層をさらに設けることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記接着抑制層は、絶縁性を有することを特徴とする請求項２に記載の太陽電池モジュール。
【請求項４】
前記配線材は、前記第１出力取出部の前記第１領域と離間するように配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は太陽電池モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池素子の一種として、バックコンタクト型の太陽電池素子がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
従来のバックコンタクト型の太陽電池素子は、一導電型を呈する半導体基板と、半導体基板とは逆の導電型を呈する逆導電型の半導体層と、第１の電極と、第１の電極とは極性が異なる第２の電極とを備える。半導体基板は、受光面と裏面との間を貫通する複数の貫通孔を備える。逆導電型の半導体層は、半導体基板の受光面上に設けられた第１半導体層と、半導体基板の貫通孔の表面に設けられた第２半導体層と、半導体基板の裏面側に設けられた第３半導体層とからなる。第１の電極は、半導体基板の受光面側に形成された受光面電極部と、貫通孔内に形成された貫通孔電極部と、半導体基板の裏面において前記貫通孔電極部上に形成されたバスバー電極部とからなる。受光面電極部、貫通孔電極部及びバスバー電極部は、互いに電気的に接続されている。また、第２の電極は、半導体基板の裏面の第３半導体層が形成されていない部分に形成されてなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００８／０７８７４１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の太陽電池素子および該太陽電池素子を用いた太陽電池モジュールは、さらなる普及が期待されている中において、２０年以上の長期間において使用できるように長期信頼性を向上させることが重要となっている。
【０００６】
本発明は、上記問題点に基づいてなされたものであり、簡易な構成で長期信頼性の高い太陽電池素子および太陽電池モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の太陽電池モジュールは、第１及び第２の太陽電池素子を有する。第１及び第２の太陽電池素子は、光を受ける第１の面及び該第１の面の裏側の第２の面を有する半導体基板と、前記第１の面側から前記第２の面側に導出されてなる導通部と、を有する。また、第１及び第２の太陽電池素子は、前記第２の面に露出する前記導通部上に位置する第１領域と、該導通部上を除く前記第２の面上に設けられる第２領域と、有する第１出力取出部を備える。また、第１及び第２の太陽電池素子は、前記第１出力取出部と離間するように前記第２の面上に設けられる第２出力取出部を有する。また、本発明の太陽電池モジュールは、前記第１の太陽電池素子の前記第１出力取出部と前記第２の太陽電池素子の前記第２出力取出部とを接続する配線材を備える。そして、本発明の太陽電池モジュールの前記配線材は、前記第１出力取出部の前記第１領域の直上に位置するとともに、前記第１出力取出部の前記第２領域にのみ接着して接続されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の太陽電池モジュールは、上記構造によって、配線材が第１出力取出部の第１領域と接着しないため、導通部が日々の温度サイクルによる配線材の伸縮の影響を受けにくくなり、導通部に亀裂等のダメージを低減することができ、長期信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態に係る太陽電池モジュールを構成する太陽電池素子の構造を示す第１の面側から見た平面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る太陽電池モジュールを構成する太陽電池素子の構造を示す第２の面側から見た平面図である。
【図３】図１の断面Ａ−Ａから見た断面模式図である。
【図４】図２の部分Ｃの拡大平面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る太陽電池モジュールの構成を模式的に示すものであり、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る太陽電池モジュールにおける、太陽電池素子同士の配線材による接続の様子についてより詳細に示す図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る太陽電池モジュールにおける、太陽電池素子同士の配線材による接続の様子を示す第２の面側から見た拡大平面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る太陽電池モジュールを構成する太陽電池素子の構造を第２の面側から見た拡大斜視図である。
【図９】本発明の他の実施の形態に係る太陽電池モジュールを構成する太陽電池素子の構造を示すものであり、（ａ）は第２の面側から見た拡大平面図、（ｂ）は図１の断面Ａ−Ａに対応する面から見た断面模式図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態に係る太陽電池モジュールを構成する太陽電池素子の構造を示すものであり、（ａ）は第２の面側から見た拡大斜視図、（ｂ）は図１の断面Ａ−Ａに対応する面から見た断面模式図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態に係る太陽電池モジュールを構成する太陽電池素子の構造を示すものであり、（ａ）は第２の面側から見た拡大斜視図、（ｂ）は図１の断面Ｂ−Ｂに対応する面から見た断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づき詳細に説明する。まず、本発明の実施の形態に係る太陽電池モジュールの一部を構成する太陽電池素子の実施の形態について説明する。
【００１１】
≪太陽電池素子の構造≫
本実施の形態に係る太陽電池素子１０は、一導電型を呈する半導体基板１と、半導体基板１と異なる導電型を有する逆導電型層２と、貫通孔３と、第１の電極４と、第２の電極５と、を備える。
【００１２】
太陽電池素子１０は、図１〜図４に示すように、第１の面１Ｆ（図３においては上面側）と第１の面１Ｆの裏側の第２の面１Ｓ（図３においては下面側）とを含む半導体基板１を有する。太陽電池素子１０においては、第１の面１Ｆが受光面となる（説明の便宜上、第１の面１Ｆを半導体基板１の受光面、第２の面１Ｓを半導体基板１の裏面などと称することもある）。
【００１３】
半導体基板１としては、所定のドーパント元素（導電型制御用の不純物）を有して一導電型（例えば、ｐ型）を呈する単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板等の結晶シリコン基板が用いられる。半導体基板１の厚みは、例えば、２５０μｍ以下であるのがより好ましく、１５０μｍ以下であるのがさらに好ましい。半導体基板１の形状は、特に限定されるものではないが、本実施の形態のように、四角形状であれば製法上の観点から好適である。
【００１４】
本実施の形態においては、半導体基板１として、ｐ型の導電型を呈する結晶シリコン基板を用いる例で説明する。結晶シリコン基板からなる半導体基板１がｐ型を呈するようにする場合、ドーパント元素としては、例えば、ボロンあるいはガリウムを用いるのが好適である。
【００１５】
半導体基板１の第１の面１Ｆの側には、図３に示すように、第１の面１Ｆにおける入射光の反射を低減させて太陽光を半導体基板１内へより多く吸収させるべく、多数の微細な突起１ｂからなるテクスチャ構造（凹凸構造）１ａが形成されている。なお、テクスチャ構造１ａは、本実施の形態において必須の構成ではなく、必要に応じて形成すればよい。
【００１６】
また、半導体基板１には、図３に示すように、第１の面１Ｆと第２の面１Ｓの間に複数の貫通孔３が形成されている。貫通孔３は、後述するように、その内表面に第２逆導電型層２ｂが形成されている。なお、貫通孔３の内表面とは、半導体基板１の貫通孔３が形成されている部位の内壁面を指す。また、貫通孔３の内部には、第１の電極４の導通部４ｂが形成されている。貫通孔３は、直径が５０μｍ以上３００μｍ以下の範囲で、一定のピッチで形成されるのが好ましい。なお、貫通孔３は、第１の面１Ｆおよび第２の面１Ｓに開口する直径が異なっていてもよく、例えば、図３に示すように、第１の面１Ｆ側から第２の面１Ｓ側に向かって直径が小さくなるような形状であってもよい。
【００１７】
逆導電型層２は、半導体基板１とは逆の導電型を呈する層である。逆導電型層２は、半導体基板１の第１の面１Ｆ側に形成された第１逆導電型層２ａと、貫通孔３の内表面に形成された第２逆導電型層２ｂと、半導体基板１の第２の面１Ｓ側に形成された第３逆導電型層２ｃと、を含んでなる。半導体基板１としてｐ型の導電型を呈するシリコン基板を使用する場合であれば、逆導電型層２は、ｎ型の導電型を呈するように形成される。一方で、半導体基板１としてｎ型の導電型を呈するシリコン基板を使用する場合であれば、逆導電型層２は、ｐ型の導電型を呈するように形成される。
【００１８】
第１逆導電型層２ａは、６０〜３００Ω／□程度のシート抵抗を有するｎ＋型として形成されるのが好適である。この範囲とすることで、第１の面１Ｆでの表面再結合の増大および表面抵抗の増大を抑えることができる。第１逆導電型層２ａは、半導体基板１の第１の面１Ｆに、０．２μｍ〜０．５μｍ程度の深さに形成されることが好ましい。第３逆導電型層２ｃは、半導体基板１の第２の面１Ｓのうち、第１の電極４の形成領域およびその周辺部に形成される。この逆導電型層２を有することにより、太陽電池素子１０においては、逆導電型層２と半導体基板１のバルク領域（逆導電型層２の非形成領域）との間に、ｐｎ接合が形成される。
【００１９】
太陽電池素子１０は、半導体基板１の第２の面１Ｓに半導体層６を有する。半導体層６は、半導体基板１の第２の面１Ｓの近傍でキャリア再結合が生じることによる発電効率の低下を抑制するために、太陽電池素子１０の内部に内部電界を形成することを目的として（いわゆるＢＳＦ効果を得ることを目的として）設けられる層である。半導体層６は、半導体基板１の第２の面１Ｓの側において、第３逆導電型層２ｃおよび第１の電極４が設けられていない領域（非形成領域）の略全面に形成される。より詳細には、半導体層６は、第２の面１Ｓの側において、第３逆導電型層２ｃおよび第１の電極４と接しないように形成されてなる。また、第３逆導電型層２ｃと半導体層６との間および半導体基板１の第２の面１Ｓの周縁部にはｐｎ分離領域が設けられており、このようなｐｎ分離領域には半導体基板１のバルク領域が存在する。
【００２０】
半導体層６は、半導体基板１と同一の導電型を呈しているが、半導体基板１が含有するドーパントの濃度よりも高い濃度を有している。ここで、「高濃度」とは、半導体基板１において一導電型を呈するためにドープされてなるドーパント元素の濃度よりも高い濃度でドーパント元素が存在することを意味する。半導体層６は、半導体基板１がｐ型を呈するのであれば、例えば、第２の面１Ｓにボロンやアルミニウムなどのドーパント元素を拡散させることによって、これらドーパント元素の濃度が１×１０１８〜５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度となるように形成されるのが好適である。これにより、半導体層６は、半導体基板１が呈するｐ型の導電型よりも高濃度のドーパントを含有してなるｐ＋型の導電型を呈するものとなっており、後述する第１集電部５ｂとの間にオーミックコンタクトが実現されてなる。
【００２１】
半導体層６は、半導体基板１の第２の面１Ｓを平面視した場合に、第２の面１Ｓの全領域の７０％以上に形成されることが好ましい。７０％以上とした場合には、太陽電池素子１０の出力特性を向上させるＢＳＦ効果がより多く得られる。
【００２２】
太陽電池素子１０は、図１に示すように、半導体基板１の第１の面１Ｆ側に反射防止膜７を有する。反射防止膜７は、半導体基板１の表面（第１の面１Ｆ）において入射光の反射を低減する役割を有するものであり、第１逆導電型層２ａ上に形成されている。反射防止膜７は、窒化珪素膜あるいは酸化物材料膜などによって形成されるのが好適である。反射防止膜７の厚みは、構成材料によって好適な値は異なるが、入射光に対して無反射条件が実現される値に設定される。例えば、半導体基板１としてシリコン基板を用いる場合であれば、屈折率が１．８〜２．３程度の材料によって５００〜１２００Å程度の厚みに反射防止膜７を形成すればよい。なお、反射防止膜７を備えることは、本実施の形態において必須の構成ではなく、必要に応じて形成すればよい。
【００２３】
第１の電極４は、図３に示すように、半導体基板１の第１の面１Ｆの上に形成された主電極部４ａと、主電極部４ａと電気的に接続する貫通孔３内に設けられた導通部４ｂと、第２の面１Ｓの上に形成され、導通部４ｂと接続される第１出力取出部４ｃと、を有している。主電極部４ａは、第１の面１Ｆ側で生成したキャリアを集電する機能を有する。導通部４ｂは主電極部４ａで集電したキャリアを第２の面１Ｓ側に設けた第１出力取出部４ｃに導く機能を有する。第１出力取出部４ｃは、隣接する太陽電池素子同士を電気的に接続する配線材と接続される配線接続部としての機能を有する。
【００２４】
一方、第２の電極５は、第１の電極４と異なる極性を有しており、第１の電極４と絶縁されるように配設されている。そのため、例えば、半導体基板１の第２の面１Ｓ上において、第２の電極５は、第１の電極４と離間するように配設されている。このような第２の電極５は、図２および図４に示すように、第２出力取出部５ａと、第1集電部５ｂと、第１集電部５ｂ上に、例えば、細線で格子状に設けられる第２集電部５ｃと、第１出力取出部４ｃを挟んで両側に位置する第２集電部５ｃと第２出力取出部５ａとを電気的に接続する接続部５ｄと、を有する。なお、第２集電部５ｃを備えることは、本実施の形態において必須の構成ではなく、必要に応じて形成すればよい。よって、接続部５ｄは、第２集電部５ｃを形成しない場合、第１出力取出部４ｃを挟んで両側に位置する第１集電部５ｂ同士または第１集電部５ｂと第２出力取出部５ａとを電気的に接続すればよい。
【００２５】
第１集電部５ｂは、半導体基板１の第２の面１Ｓ側に設けられた半導体層６の上に形成されてなり、第２の面１Ｓ側で生成したキャリアを集電する。第２出力取出部５ａは、隣接する太陽電池素子同士を電気的に接続する配線材と接続される配線接続部としての役割を有する。また、第２出力取出部５ａは、その少なくとも一部が第１集電部５ｂと重なるように構成されることが好ましい。また、太陽電池素子１０では、接続部５ｄを備えることにより、第２出力取出部５ａに隣接した第１出力取出部４ｃを挟んで反対側にある第２の電極５（第１集電部５ｂ、第２集電部５ｃ）によって集められたキャリアを、効率よく第１集電部５ｂや第２集電部５ｃを通して、または直接、第２出力取出部５ａに伝えることができる。
【００２６】
第１集電部５ｂは、例えば、アルミニウムで形成されており、第２出力取出部５ａ、第２集電部５ｃおよび接続部５ｄは、例えば、銀で形成されている。なお、接続部５ｄは、例えば、アルミニウムで形成したもの、もしくは、アルミニウムの上に銀を形成したものであってもよい。
【００２７】
上述のような構成を有することで、本実施の形態に係る太陽電池素子１０が実現されてなる。
【００２８】
次に、太陽電池素子１０の第１および第２の電極の構造について詳述する。
【００２９】
第１の電極４は、図１に示すように、半導体基板１に形成されている複数の貫通孔３に対応して、複数の導通部４ｂを有している。この導通部４ｂは、図３に示すように、半導体基板１の第１の面１Ｆ側から第２の面１Ｓ側に導出されるように設けられている。なお、図１において、黒丸状に図示している導通部４ｂの形成位置が貫通孔３の形成位置に対応する。本実施の形態においては、複数の導通部４ｂが所定の一方向に配列されている。この太陽電池素子１０では、図１に示すように、半導体基板１の第１の面１Ｆの基準辺ＢＳに対して平行な方向に、複数の導通部４ｂが複数の列（図１では３列）を成すように配列されている。なお、基準辺ＢＳとは、複数の太陽電池素子１０を配列させて太陽電池モジュール２０を形成する場合に配列方向に平行とされる辺である。以下では、基準辺ＢＳに沿う方向（基準辺ＢＳに平行な方向）を配列方向と称することもある。太陽電池素子１０において、導通部４ｂは、上記配列方向に沿って直線状に設けられており、おおむね均等な間隔で設けられている。なお、本明細書中において平行とは、数学的な定義のように厳密に解すべきものではないことは言うまでもない。
【００３０】
第１の電極４の主電極部４ａは、半導体基板１の第１の面１Ｆの上において、互いに異なる列に属する導通部４ｂを接続するような複数の線状のパターン（複数の線状導体）を成している。例えば、図１に示した太陽電池素子１０では、主電極部４ａは３列に配列された導通部４ｂの列の配列方向に対して、垂直な方向に位置する３つの導通部４ｂを接続するような線状導体を有している。すなわち、本実施の形態では、線状導体の本数と、一方向に配列された１つの列に属する導通部４ｂの個数とが同じである。このような形態によれば、より少ない本数の線状導体で収集したキャリアを一つの導通部４ｂに集中させることなく導通部４ｂに導くことができるため、受光面積を確保しつつ、主電極部４ａの過度な抵抗損失の増大を低減できる。よって、太陽電池素子の出力特性が低下しにくい。
【００３１】
また、主電極部４ａの線状導体は、５０〜１００μｍ程度の線幅を有するように形成されるのが好適である。また、上述のような複数の線状導体は、互いに略等間隔になるように形成されるのが美観向上の観点からも好ましい。なお、各線状導体の間隔は、例えば、１〜３ｍｍ程度であればよい。
【００３２】
また、主電極部４ａは、貫通孔３を覆う形で貫通孔３の直径より大きい円状のパターンを有するようにしてもよい。このような形態によれば、主電極部４ａの形成位置が少しずれても導通部４ｂと接続することが可能となる。なお、主電極部４ａのパターンは図１に示したものに限られず、種々のパターンを形成可能である。
【００３３】
上述のような主電極部４ａを有する太陽電池素子１０においては、受光面である第１の面１Ｆの面全体に比して第１の電極４を構成する主電極部４ａの占める割合が非常に小さいものとなっているため、高い受光効率が実現されるとともに、主電極部４ａが一様に形成されてなるので、第１の面１Ｆにおいて発生したキャリアを効率よく集電することができる。
【００３４】
第１の電極４は、図４に示すように、半導体基板１の第２の面１Ｓ上において、複数の導通部４ｂ（貫通孔３）の直下の位置に、複数の第１出力取出部４ｃを有している。この第１出力取出部４ｃは、導通部４ｂの配列方向（基準辺ＢＳに沿う方向）に長手方向を有する長尺状を成している。第１出力取出部４ｃは、導通部４ｂの配列に対応して、複数列（図２においては３列）形成されてなる。本実施の形態では、１つの第１出力取出部４ｃで複数の導通部４ｂと接続されるように構成される。また、第１出力取出部４ｃは、図３に示すように、半導体基板１の第２の面１Ｓ上に露出する導通部４ｂ上に位置する第１領域４ｄと、導通部４ｂ上を除く半導体基板１の第２の面１Ｓ上に設けられる第２領域４ｅと、を有する。この第１出力取出部４ｃの第１領域４ｄは、半導体基板１を第２の面１Ｓから平面視して、導通部４ｂと重なっている領域を指す。また、第１出力取出部４ｃの第２領域４ｅは、第１領域４ｄを除く領域を指す。
【００３５】
第２の電極５の第１集電部５ｂは、第２の面１Ｓ上において、第１出力取出部４ｃおよび第１出力取出部４ｃの周辺部分、第２の電極５の第２出力取出部５ａの一部を除く第２の面１Ｓの略全面に設けられている。ここで、「略全面」とは、半導体基板１の第２の面１Ｓを平面視した場合に、第１集電部５ｂが第２の面１Ｓの全領域の７０％以上に形成されることをいう。第１集電部５ｂを第１の電極４が形成された領域以外の略全面に設けることは、第１集電部５ｂで集電されるキャリアの移動距離を短くできるため、ひいては第２出力取出部５ａから取り出されるキャリアの量を増加させることになるので、太陽電池素子１０の出力特性の向上に寄与するものである。
【００３６】
第２の電極の第２出力取出部５ａは、隣接する太陽電池素子（例えば、互いに隣接する第１の太陽電池素子と第２の太陽電池素子）同士を電気的に接続する配線材と接続される配線接続部としての役割を有する。また、第２出力取出部５ａは、その少なくとも一部が第１集電部５ｂと重なるように構成すればよく、このような構成であれば、第１集電部５ｂで集電されたキャリアを外部に出力できる。そのため、第２出力取出部５ａは、図３に示すように、第１集電部５ｂが形成されていない領域に配置してもよい。複数の（図２においては第１出力取出部４ｃに対応して３列の）第２出力取出部５ａは、複数の第１出力取出部４ｃのそれぞれに並行する態様にて、第１出力取出部４ｃと同様の長尺状を成している。また、図２においては、第２出力取出部５ａは基準辺ＢＳに沿う方向に複数個形成されているが、帯状に１本で形成されてもよい。
【００３７】
第１出力取出部４ｃおよび第２出力取出部５ａの長手方向の長さは、隣り合う太陽電池素子同士を接続する配線材が接続できる大きさであり、例えば、４〜１０ｍｍで設定される。また、第１出力取出部４ｃおよび第２出力取出部５ａの幅は、後述する配線材の幅と同じまたはそれよりも大きければよく、例えば、１．５〜４ｍｍで設定される。
【００３８】
≪太陽電池モジュール≫
次に、本発明の太陽電池モジュールの実施の形態について説明する。本実施の形態に係る太陽電池モジュール２０は、例えば、少なくとも２つの太陽電池素子１０が互いに隣接するように配置し、さらに互いを配線材で直列に接続して構成される。
【００３９】
太陽電池モジュール２０は、図５（ａ）に示すように、ガラス等からなる透光性部材１１と、透明のエチレンビニルアセテート共重合体（ＥＶＡ）等からなる表側充填材１２と、複数の太陽電池素子１０と、ＥＶＡ等からなる裏側充填材１３と、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）や金属箔をポリフッ化ビニル樹脂（ＰＶＦ）等で挟みこんだ裏面保護材１４と、を主として備える。複数の太陽電池素子１０は、図５（ｂ）に示すように、隣り合う太陽電池素子１０同士が接続部材としての機能を有する配線材１５によって互いに直列接続されてなる。
【００４０】
太陽電池モジュール２０は、図６に示すように、隣り合う太陽電池素子１０の一方の第１出力取出部４ｃと他方の太陽電池素子１０の第２出力取出部５ａとが１つずつ、長尺状の（直線状の）配線材１５によって接続されてなる。なお、図６に示した形態では、３ヶ所において接続がなされている。なお、以下においては、図６において、配線材１５によって接続されてなる２つの太陽電池素子１０のうち、第１出力取出部４ｃに配線材１５が接続される太陽電池素子１０を第１の太陽電池素子１０αと称し、第２出力取出部５ａに配線材が接続される太陽電池素子１０を第２の太陽電池素子１０βと称することとする。
【００４１】
より詳細に言えば、太陽電池モジュール２０においては、第１の太陽電池素子１０αと第２の太陽電池素子１０βが、それぞれの基準辺ＢＳが平行かつ同一直線上にない位置にくるように、かつ、互いに回転対称（より具体的には点対称）の関係となるように配置される。このようにすることで、同じ直線上に位置する全ての第１出力取出部４ｃと全ての第２出力取出部５ａとが、一の配線材１５によって接続されることになる。この場合、一の配線材１５で接続される関係にある複数の第１出力取出部４ｃと複数の第２出力取出部５ａとの相対的な配置関係は等価である（複数の第１出力取出部４ｃと複数の第２出力取出部５ａとの組が全て並進対称の関係にある）ので、それぞれの第１出力取出部４ｃと第２出力取出部５ａの組の接続に用いる配線材１５に、同一形状のものを用いることができる。なお、配線材１５の形状は、各々異なっていてもよい。
【００４２】
配線材１５としては、例えば、厚さ０．１〜０．４ｍｍ程度、幅２ｍｍ程度で、その全面が半田材料によって被覆された帯状の銅箔をその長手方向について所定の長さに切断したものを用いることができる。半田材料により被覆された配線材１５の場合、ホットエアーや半田鏝等を用いて、あるいはリフロー炉などを用いて、第１の太陽電池素子１０αの第１出力取出部４ｃと第２の太陽電池素子１０βの第２出力取出部５ａとに半田付けされる。また、配線材１５は、例えば、銅や銀等の金属で構成し、低温硬化型の銀、ニッケル、カーボン等の導電性フィラーから構成される導電性接着剤で第１出力取出部４ｃと第２出力取出部５ａとを接続するようにしてもよい。
【００４３】
また、図７に示すように、第１出力取出部４ｃの配列上の第１出力取出部４ｃ以外の領域に酸化膜、樹脂、絶縁テープ等の絶縁層８を設けることが好ましい。このような形態によれば、後述する配線材１５が第２の電極５等と接触して短絡することを抑制することができる。このとき、ｐｎ分離領域も絶縁層８で覆われることが好ましい。なお、絶縁層８は配線材１５に設ける形であってもよい。
【００４４】
また、配線材１５が第１出力取出部４ｃと第２出力取出部５ａとの接続領域以外となる非接続領域において半導体基板１から離間するように凹凸形状を有してもよい。このような形態によれば、第１出力取出部４ｃ間にある第２の電極５（接続部５ｄ）と配線材１５が接触しないため短絡を抑制することができる。
【００４５】
なお、裏面保護材１４として白色等の反射率の高い材質のものを用いれば、太陽電池素子１０の間に照射された光が裏面保護材１４で乱反射して太陽電池素子１０に照射されやすくなるので、太陽電池素子１０における受光量がより増大することになる。
【００４６】
そして、本実施の形態では、図８に示すように、配線材１５が第１の太陽電池素子１０αの第１出力取出部４ｃの第１領域４ｄの直上に位置するように配置されているが、第２領域４ｅにのみ接着して接続されている。すなわち、配線材１５は、第１の太陽電池素子１０αの第１出力取出部４ｃの第１領域４ｄと接着することなく、第２領域４ｅの少なくとも一部と接着する構造を有している。このような本実施の形態の構造では、導通部４ｂ上に位置する第１領域４ｄと配線材１５を接着させないため、導通部４ｂが日々の温度サイクルによる配線材１５の伸縮の影響を受けにくくなる。その結果、本実施の形態では、導通部４ｂに亀裂等のダメージを低減することができ、長期信頼性を向上させることができる。また、本実施の形態では、配線材１５を第１出力取出部４ｃの第１領域４ｄの直上に位置するように、第１出力取出部４ｃの長手方向に沿って配置できるため、太陽電池素子の第２の面２Ｓ側の電極を簡易な形状とすることができる。その結果、本実施の形態では、複雑な電極形状に起因する太陽電池モジュールの抵抗損失等を抑制することができる。
【００４７】
次に、上述のような配線材１５を第１出力取出部４ｃの第２領域４ｅにのみ接着する具体的な実施形態について説明する。このような実施形態としては、図８、９に示すように、第１出力取出部４ｃの第１領域４ｄに半田レジスト等からなる接着抑制層９を設ける方法がある。このような方法であれば、配線材１５の半田を溶融させて配線材１５と第１出力取出部４ｃを接続しても、第１領域４ｄと配線材１５との接着を抑制して、第２領域４ｅで配線材１５を接着することができる。また、接着抑制層９は、第１領域４ｄと配線材１５との接着を抑制できるものであれば、特に限定されず、絶縁材料であっても導電材料であってもよい。例えば、接着抑制層９として半田との濡れ性が低い金属、例えば、アルミニウムを用いてもよい。第１集電部５ｂにアルミニウムを用いる場合、先に第１出力取出部４ｃを形成した後、接着抑制層９と第１集電部５ｂとを同時に形成することにより生産性を向上させることができる。上記のように導電性の接着抑制層９を設け、配線材１５と接着抑制層９とが接触することにより、第１領域４ｄから接着抑制層９を介して配線材１５と電気的に接続することができる。また、絶縁層８に半田との濡れ性が低い材料、例えば、ポリイミドを用いる場合、接着抑制層９と絶縁層８とを同時に形成することにより生産性を向上させることができる。また、上記説明においては、第１出力取出部４ｃ側に接着抑制層９を設ける場合について説明したが、予め配線材１５側に接着抑制層９を設けても構わない。また、接着抑制層９は第１領域４ｄだけではなく、図８、図９（ｂ）に示すように、第１領域４ｄの周辺部に位置する第２領域４ｅの一部も覆うように設けてもよい。
【００４８】
また、他の実施形態としては、配線材１５を第１出力取出部４ｃの第１領域４ｄ上に位置するようにしつつ、第１領域４ｄとは離間するように配置する方法がある。このような方法としては、例えば、図１０に示すように、第１領域４ｄの直上に位置する配線材１５の部分を凸状にすることで、第１出力取出部４ｃの第１領域４ｄと配線材１５とを接着しないようにすることができる。このとき、図１０に示すように、第１領域４ｄまたは第１領域４ｄとその周辺部のみに凸部を形成してもよい。また、図１１に示すように、第１領域４ｄが位置する配線材１５の幅方向全てに凸部を形成しても構わない。また、配線材１５を第１出力取出部４ｃの第１領域４ｄと離間するように配置すると同時に、第１領域４ｄに接着抑制層９を設けても構わない。
【００４９】
また、本実施の形態では、半導体基板１の第２の面１Ｓより平面視して、第１領域４ｄの外周部から離間した全周囲に亘っての第２領域４ｅと配線材１５とを接着するようにすれば、第１領域４ｄと裏側充填材１３との接触を抑制できるため、太陽電池モジュール内に浸入した水分が導通部４ｂに到達するのを低減することができる。
【００５０】
また、配線材１５と第１出力取出部４ｃとを導電性接着剤で接着する場合には、第２領域４ｅのみに導電性接着剤を設けることにより、第１領域４ｄと配線材１５との接着を抑制しつつ第２領域４ｅで配線材１５を接着できる。
【００５１】
≪太陽電池素子の製造方法≫
次に、太陽電池素子の製造方法について説明する。
【００５２】
＜半導体基板の準備工程＞
まず、ｐ型の導電型を呈する半導体基板１を準備する。
【００５３】
半導体基板１として単結晶シリコン基板を用いる場合であれば、ＦＺやＣＺ法など公知の製法で作製された単結晶シリコンインゴットを所定の厚みに切り出すことで半導体基板１を得ることができる。また、多結晶シリコン基板を半導体基板１として用いる場合であれば、キャスト法や鋳型内凝固法などの公知の製法で作製された多結晶シリコンインゴットを所定の厚みに切り出すことで半導体基板１を得ることができる。
【００５４】
以下においては、ドーパント元素としてＢ（ボロン）あるいはＧａ（ガリウム）を１×１０１５〜１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度ドープして成ることでｐ型の導電型を呈する結晶シリコン基板を半導体基板１として用いる場合を例にとって説明する。
【００５５】
なお、切り出し（スライス）に伴う半導体基板１の表層部の機械的ダメージ層や汚染層を除去するために、切り出した半導体基板１の表面側および裏面側の表層部をＮａＯＨやＫＯＨ、あるいはフッ酸と硝酸の混合液などでそれぞれ１０〜２０μｍ程度エッチングし、その後、純水などで洗浄することで、有機成分や金属成分を除去しておくようにする。
【００５６】
＜貫通孔の形成工程＞
次に、半導体基板１の第１の面１Ｆと第２の面１Ｓとの間に貫通孔３を形成する。
【００５７】
貫通孔３は、機械的ドリル、ウォータージェットあるいはレーザー加工装置等を用いて形成する。なお、貫通孔３の形成は、受光面となる第１の面１Ｆの損傷を避けるべく、半導体基板１の第２の面１Ｓの側から第１の面１Ｆの側に向けて加工を行うようにする。ただし、加工による半導体基板１への損傷が少なければ、第１の面１Ｆの側から第２の面１Ｓの側に向けて加工を行うようにしてもよい。
【００５８】
＜テクスチャ構造の形成工程＞
次に、貫通孔３が形成された半導体基板１の受光面側に、光反射率の低減を効果的に行うための微細な突起（凸部）１ｂをもつテクスチャ構造１ａを形成する。
【００５９】
テクスチャ構造１ａの形成方法としては、ＮａＯＨやＫＯＨなどのアルカリ水溶液によるウェットエッチング法や、半導体基板１の材料であるシリコンをエッチングする性質を有するエッチングガスを用いるドライエッチング法を用いることができる。
【００６０】
＜逆導電型層の形成工程＞
次に、逆導電型層２を形成する。すなわち、半導体基板１の第１の面１Ｆに第１逆導電型層２ａを形成し、貫通孔３の内表面に第２逆導電型層２ｂを形成し、第２の面１Ｓに第３逆導電型層２ｃを形成する。
【００６１】
ｐ型の導電型を呈する結晶シリコン基板を半導体基板１として用いる場合、逆導電型層２を形成するためのｎ型化ドーピング元素としては、Ｐ（リン）を用いることが好ましい。
【００６２】
逆導電型層２は、半導体基板１におけるその形成対象箇所にペースト状態にしたＰ２Ｏ５を塗布して熱拡散させる塗布熱拡散法、ガス状態にしたＰＯＣｌ３（オキシ塩化リン）を拡散源として形成対象箇所に拡散させる気相熱拡散法、および形成予定箇所に対して直接に拡散させるイオン打ち込み法などによって形成する。気相拡散法を用いれば半導体基板１の両主面における形成対象箇所と貫通孔３の表面とを同時に逆導電型層２を形成できるので好ましい。
【００６３】
なお、形成対象箇所以外にも拡散領域が形成されるような条件下では、その部分にあらかじめ拡散防止層を形成したうえで逆導電型層２を形成するようにすることにより、部分的に拡散を防止することができる。また、拡散防止層を形成せず、形成対象箇所以外に形成された拡散領域を後からエッチングして除去してもよい。なお、逆導電型層２の形成後、後述するように半導体層６をアルミニウムペーストによって形成する場合は、ｐ型ドーパント元素であるアルミニウムを充分な濃度で充分な深さまで拡散させることができるので、既に形成されていた浅い拡散領域の存在は無視することができる。すなわち、半導体層６の形成予定箇所に存在する逆導電型層２は特に除去する必要がない。また、第１の電極４が形成される領域の周囲や半導体基板１の第２の面１Ｓの周縁部について、レーザー照射等の公知の方法でｐｎ分離を行ってもよい。
【００６４】
＜反射防止膜の形成工程＞
次に、第１逆導電型層２ａの上に、反射防止膜７を形成する。
【００６５】
反射防止膜７の形成方法としては、ＰＥＣＶＤ法、蒸着法やスパッタ法などを用いることができる。例えば、ＳｉＮｘ膜からなる反射防止膜７をＰＥＣＶＤ法で形成する場合であれば、反応室内を５００℃程度としてシラン（Ｓｉ３Ｈ４）とアンモニア（ＮＨ３）との混合ガスを窒素（Ｎ２）で希釈し、グロー放電分解でプラズマ化させて堆積させることで反射防止膜７が形成される。また、第２逆導電型層２ｂの上にも反射防止膜７を形成してもよい。
【００６６】
＜半導体層の形成工程＞
次に、半導体基板１の第２の面１Ｓに、半導体層６を形成する。
【００６７】
ボロンをドーパント元素とする場合、ＢＢｒ３（三臭化ボロン）を拡散源とする熱拡散法により、８００〜１１００℃程度の温度で形成することができる。この場合、半導体層６の形成に先立ち、半導体層６の形成予定箇所以外の領域の上に、例えば、既に形成されている逆導電型層２などの上に、酸化膜などからなる拡散防止層を形成し、半導体層６の形成後にこれを除去するようにするのが望ましい。
【００６８】
また、ドーパント元素としてアルミニウムを用いる場合は、アルミニウム粉末と有機ビヒクル等からなるアルミニウムペーストを印刷法で半導体基板１の第２の面１Ｓに塗布した後、７００〜８５０℃程度の温度で熱処理（焼成）してアルミニウムを半導体基板１に向けて拡散させることによって、半導体層６を形成することができる。この場合、アルミニウムペーストの印刷面である第２の面１Ｓだけに所望の拡散領域である半導体層６を形成することができる。しかも、焼成後に第２の面１Ｓの上に形成されたアルミニウムからなる層を、除去せずにそのまま第１集電部５ｂとして利用することもできる。
【００６９】
＜電極の形成方法＞
次に、第１の電極４を構成する主電極部４ａと導通部４ｂとを形成する。
【００７０】
主電極部４ａと導通部４ｂとは、例えば、塗布法を用いて形成される。具体的には、半導体基板１の第１の面１Ｆに、例えば銀等からなる金属粉末１００重量部に対して有機ビヒクルを１０〜３０重量部、ガラスフリットを０．１〜１０重量部を添加してなる導電性ペーストを、図１に示す主電極部４ａの形成パターンにて塗布することで塗布膜を形成した後、該塗布膜を最高温度５００〜８５０℃で数十秒〜数十分程度焼成することにより、主電極部４ａと導通部４ｂとを形成することができる。なお、この場合、導電性ペーストを塗布する際に貫通孔３にも該導電性ペーストが充填されることで、導通部４ｂも形成できる。ただし、後述のように第１出力取出部４ｃを形成する際にも、第２の面１Ｓの側から導電性ペーストが塗布され、その際に貫通孔３にも導電性ペーストが再度充填された後に焼成がなされるので、第１の面１Ｆに導電性ペーストを塗布する際に貫通孔３に十分に導電性ペーストが充填されなくてもかまわない。
【００７１】
なお、導電性ペーストを塗布した後、焼成に先だって、所定の温度で塗布膜中の溶剤を蒸散させて該塗布膜を乾燥させるのが好ましい。また、あらかじめ貫通孔３にのみ導電性ペーストを充填・乾燥し、その後、上述の場合と同様に図１に示す主電極部４ａのパターンにて導電性ペーストを塗布したうえで焼成するなど、主電極部４ａと導通部４ｂとを別々に塗布・焼成して形成するようにしてもよい。
【００７２】
また、上述したように、主電極部４ａの形成に先立って、反射防止膜７を形成する場合は、パターニングされた領域に主電極部４ａを形成するか、あるいは、ファイヤースルー法によって主電極部４ａを形成することになる。一方で、主電極部４ａを形成した後に、反射防止膜７を形成してもかまわない。この場合、反射防止膜７をパターニングする必要もなく、またファイヤースルー法を用いる必要もないため、主電極部４ａの形成条件が緩やかなものとなる。このような工程であれば、例えば、８００℃程度の高温で焼成を行わずとも、主電極部４ａを形成することができる。
【００７３】
続いて、半導体基板１の第２の面１Ｓ上に、第１集電部５ｂを形成する。
【００７４】
第1集電部５ｂについても、塗布法を用いて形成することができる。具体的には、半導体基板１の第２の面１Ｓに、例えばアルミニウムまたは銀等からなる金属粉末１００重量部に対して有機ビヒクルを１０〜３０重量部、ガラスフリットを０．１〜５重量部を添加してなる導電性ペーストを、図２に示す集電部５ｂの形成パターンにて塗布することで塗布膜を形成した後、該塗布膜を最高温度５００〜８５０℃で数十秒〜数十分程度焼成することにより、第１集電部５ｂを形成することができる。なお、前述したように、アルミニウムペーストを用いる場合は、半導体層６と第１集電部５ｂとを同時に形成することができる。
【００７５】
さらに、半導体基板１の第２の面１Ｓに、第１出力取出部４ｃ、第２出力取出部５ａ、第２集電部５ｃおよび接続部５ｄを形成する。
【００７６】
第１出力取出部４ｃ、第２出力取出部５ａ、第２集電部５ｃおよび接続部５ｄは、例えば、塗布法を用いて同時に形成することができる。具体的には、半導体基板１の第２の面１Ｓに、例えば銀等からなる金属粉末１００重量部に対して有機ビヒクルを１０〜３０重量部、ガラスフリットを０．１〜１０重量部を添加してなる導電性ペーストを、図２、図４に示すような電極パターンにて塗布することで塗布膜を形成した後、該塗布膜を最高温度５００〜８５０℃で数十秒〜数十分程度焼成することにより形成できる。なお、それぞれの構成部を別々に形成したり、相異なる組成の導電性ペーストを用いて形成してもよい。また、アルミニウムペーストを用いて半導体層６と第１集電部５ｂとを同時に形成した場合、第２出力取出部５ａは第３逆導電型層２ｃ上に形成されるが特に問題ない。
【００７７】
本実施の形態に係る太陽電池素子１０は、以上のような手順で作製することができる。
【００７８】
なお、必要に応じて、半田ディップ処理によって第１出力取出部４ｃと第２出力取出部５ａの上に、半田領域（図示せず）を形成してもよいが、第１出力取出部４ｃの第１領域４ｄには半田領域が形成されないように、第１領域４ｄ上に半田レジストを形成することが好ましい。
【００７９】
また、上述したような絶縁層８を設ける場合は、例えば、ＣＶＤ等の薄膜形成技術を用いて形成する態様であってもよいし、樹脂ペーストなどからなる絶縁性ペーストを塗布し、熱処理することによって形成する態様であってもよいし、市販の絶縁テープを貼り付けることで形成する態様であってもよい。なお、絶縁性ペーストを熱処理する際には、電極形成のときに、同時に熱処理して形成することも可能である。
【００８０】
また、上述したような接着抑制層９を設ける場合は、例えば、アルミニウムペーストを塗布し、熱処理することによって形成する態様であってもよいし、ＵＶ硬化型または熱硬化型の半田レジストを塗布し、硬化させることによって形成する態様であってもよい。
【００８１】
≪太陽電池モジュールの製造方法≫
次に、上述のように形成される太陽電池素子１０を用いて太陽電池モジュール２０を製造する方法について説明する。
【００８２】
まず、あらかじめ、厚さ０．１〜０．４ｍｍ程度、幅２ｍｍ程度の銅箔の全面を半田材料によって被覆したものを長手方向について所定の長さに切断することによって、配線材１５を作製しておく。また、配線材１５を第１出力取出部４ｃの第１領域４ｄと離間するように配置する場合には、予め所定の位置を凸状に成形しておくことが好ましい。
【００８３】
そして、図６に示すように、複数の太陽電池素子１０をそれぞれ第２の面１Ｓを上にして所定の距離で離間させて載置し、第１の太陽電池素子１０αの第１出力取出部４ｃと第２の太陽電池素子１０βの第２出力取出部５ａとの間に、上方から配線材１５を接触させる。この状態で、ホットエアーや半田鏝を用いて、あるいはリフロー炉を用いて、配線材１５の表面の半田を溶融させることで、配線材１５と第１の太陽電池素子１０αの第１出力取出部４ｃの第２領域４ｅおよび第２の太陽電池素子１０βの第２出力取出部５ａとを接続させる。このとき、配線材１５は、第１の太陽電池素子１０αの第１出力取出部４ｃの第１領域４ｄに接着されないようにする。係る方法によれば、高い生産性で、太陽電池素子１０同士を接続することができる。また、エポキシ、シリコーン、ポリイミド、ポリウレタン系樹脂等をバインダとし、銀、ニッケル、カーボン等の導電性フィラーから構成される低温硬化型の導電性接着剤を用いて配線材１５を接続してもよく、第１出力取出部４ｃの第２領域４ｅと第２出力取出部５ａに導電性接着剤を設け、その上に配線材１５を接触させた後、１５０〜２５０℃程度で熱処理することで、配線材１５と第１出力取出部４ｃおよび第２出力取出部５ａとを接続させる。
【００８４】
その後、透光性部材１１の上に、表側充填材１２と、配線材１５によって互いに接続された複数の太陽電池素子１０と、裏側充填材１４と、裏面保護材１５とを順次に積層することで得られるモジュール基体を、ラミネータの中で脱気、加熱して押圧することによって一体化させることによって、太陽電池モジュール２０が得られる。
【００８５】
そして、図５（ｂ）に示すように、上述した太陽電池モジュール２０の外周には、必要に応じてアルミニウムなどの枠１６がはめ込まれる。また、図５（ａ）に示すように、直列接続された複数の太陽電池素子１０のうち、最初の太陽電池素子１０と最後の太陽電池素子１０の電極の一端を、出力取出部である端子ボックス１７に、出力取出配線１８によって接続する。
【００８６】
上述した手順によって、本実施の形態に係る太陽電池モジュール２０を得ることができる。
【００８７】
＜変形例＞
また、図４に示すように半導体基板１の周縁部に位置する第２出力取出部５ａの半導体基板１の周縁部側においては、第１集電部５ｂと接続せずに半導体基板１と接続させることが好ましく、太陽電池モジュールを屋外に設置したときにおける日々の温度サイクルによる配線材１５の伸縮の影響を受け、第２出力取出部５ａの剥がれる可能性を低減することができる。
【００８８】
また、第１出力取出部４ｃと第２出力取出部５ａの基準辺ＢＳに沿う方向の長さは異なっていても同じであってもよい。
【００８９】
また、逆導電型層２および半導体層６の形成態様は、上述したものに限定されるものではない。例えば、薄膜形成技術を用いて、水素化アモルファスシリコン膜や微結晶シリコン膜を含む結晶質シリコン膜などを形成してもよい。
【００９０】
なお、太陽電池素子１０においては、上述の配列状態をみたすとともに配線材１５による接続態様が実現可能である限りにおいて、第１出力取出部４ｃと第２出力取出部５ａとをそれぞれ上述したものと異なる形状（例えば、台形状、円形状、楕円形状、半円形状、扇型形状、あるいはそれらの複合形状など）に形成する態様であってもよい。また、上述した実施の形態では、第１の太陽電池素子１０αの第１出力取出部４ｃに対する配線材１５の接着態様について説明してきたが、第２の太陽電池素子１０βでも同様である。すなわち、本発明の実施の形態に係る太陽電池モジュールでは、配線材で接続される太陽電池素子同士が上述したような配線材の接続構造を有していればよい。
【符号の説明】
【００９１】
１    ：半導体基板
２    ：逆導電型層
２ａ：第１逆導電型層
２ｂ：第２逆導電型層
２ｃ：第３逆導電型層
３    ：貫通孔
４    ：第１の電極
４ａ：主電極部
４ｂ：導通部
４ｃ：第１出力取出部
４ｄ：第１領域
４ｅ：第２領域
５    ：第２の電極
５ａ：第２出力取出部
５ｂ：第１集電部
５ｃ：第２集電部
５ｄ：接続部
６    ：半導体層
７    ：反射防止膜
８    ：絶縁層
９    ：接着抑制層
１０  ：太陽電池素子
１１  ：透光性基板
１２  ：表側充填材
１３  ：裏側充填材
１４  ：裏面保護材
１５  ：配線材
１６  ：枠
１７  ：端子ボックス
１８  ：出力取出配線
２０  ：太陽電池モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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