(57)【要約】【課題】本発明は、新たな構造を有し、信頼性が向上した発光素子及び発光素子パッケージを提供するためのものである。【解決手段】本発明に従う発光素子は、第１半導体層、第１半導体層の上に活性層、及び上記活性層の上に第２半導体層を含む発光構造物と、少なくとも第１半導体層の上面に配置された接合層と、第１半導体層の上面から接合層の上面まで延びた第１電極と、第２半導体層の上に配置された第２電極と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の上に活性層、及び前記活性層の上に第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
前記第１導電型半導体層の上面に接触された接合層と、
前記第１導電型半導体層及び前記接合層の上面に接触された第１電極と、
前記第２導電型半導体層に接触する第２電極と、を含み、
前記第１電極に接触された接合層は、前記第２電極と離隔されていることを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
前記第１導電型半導体層の上面に接触される前記第１電極の下面は、前記第１電極の上面の１０〜９５％の領域を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１電極と前記接合層とが垂直方向に重畳された領域は、前記第１電極の上面の５〜９０％の幅を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記接合層は、透光性の伝導物質及び透光性の絶縁物質のうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記接合層は、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、ＩＺＴＯ（indium zinc tin oxide）、ＩＡＺＯ（indium aluminum zinc oxide）、ＩＧＺＯ（indium gallium zinc oxide）、ＩＧＴＯ（indium gallium tin oxide）、ＡＺＯ（aluminum zinc oxide）、ＡＴＯ（antimony tin oxide）、ＧＺＯ（gallium zinc oxide）、ＩｒＯｘ、またはＲｕＯｘのうち、少なくとも１つを含んで形成されることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記接合層は、前記第１導電型半導体層の上面から前記発光構造物の側面に沿って前記第２導電型半導体層の上面の一部に延びて形成されることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記接合層は、前記第１導電型半導体層の上面に透光性の絶縁物質を含む第１層と、
前記第１層の上に透光性の伝導物質を含む第２層と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記接合層は、前記第１導電型半導体層の上面に高屈折率を有する第１層と、
前記第１層の上に低屈折率を有する第２層と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
前記接合層の上面及び前記接合層の下面のうち、少なくとも１つの面の上に凹凸構造を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第２導電型半導体層の上面に透光性電極層を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記接合層は、前記第１半導体層の上面及び側面と、前記活性層の側面と、前記第２半導体層の側面及び上面に配置されることを特徴とする、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記透光性電極層は、前記第２半導体層の上面に配置された前記接合層の一端から離隔されることを特徴とする、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記接合層は、前記第２導電型半導体層の上面まで延び、前記接合層は前記透光性電極層と前記第２導電型半導体層との間に配置されることを特徴とする、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記接合層は、前記透光性電極層の上面まで延びることを特徴とする、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第１電極は、前記接合層を貫通して前記接合層と垂直方向に重畳されることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子及び発光素子パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は電気エネルギーを光に変換する半導体素子である。発光ダイオードは蛍光灯や白熱灯のような既存の光源に比べて低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、及び環境親和性の長所を有する。ここに、既存の光源を発光ダイオードに取り替えるための多くの研究が活発に進められている。発光ダイオードは、液晶表示装置の光源、電光板の光源、そして各種ランプや街灯のような照明装置の光源として使用が増加している趨勢である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、新たな構造を有する発光素子及び発光素子パッケージを提供することにある。
【０００４】
本発明の他の目的は、信頼性が向上した発光素子及び発光素子パッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に従う発光素子は、第１導電型半導体層、上記第１導電型半導体層の上に活性層、及び上記活性層の上に第２導電型半導体層を含む発光構造物と、上記第１導電型半導体層の上面に接触された接合層と、上記第１導電型半導体層及び上記接合層の上面に接触された第１電極と、上記第２導電型半導体層に電気的に連結された第２電極と、を含み、上記第１電極に接触された接合層は上記第２電極と離隔されている。
【０００６】
本発明に従う発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上面に接触された接合層と、上記発光構造物及び上記接合層の上面に接触された電極と、を含む。
【０００７】
本発明に従う発光素子パッケージは、胴体と、上記胴体の上に配置された発光素子と、上記発光素子を囲むように配置されたモールディング部材と、を含み、上記発光素子は、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、上記第１導電型半導体層の上面に接触された接合層と、上記第１導電型半導体層及び上記接合層の上面に接触された第１電極と、上記第２導電型半導体層に電気的に連結された第２電極と、を含み、上記第１電極に接触された接合層は上記第２電極と離隔されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、新たな構造を有し、信頼性が向上した発光素子及び発光素子パッケージを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に従う発光素子の断面図である。
【図２】図１の発光素子の平面図である。
【図３】図１の発光素子のＡ領域の拡大図である。
【図４】本発明の第２実施形態に従う発光素子の断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に従う発光素子の断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態に従う発光素子の断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図８】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図９】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図１２】本発明の第５実施形態に従う発光素子の断面図である。
【図１３】本発明の第５実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図１４】本発明の第５実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図１５】本発明の第５実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図１６】本発明の第５実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図１７】本発明の第５実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図１８】本発明の第５実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図１９】本発明の第５実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図２０】本発明の第５実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図２１】本発明の実施形態に従う発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。
【図２２】本発明の実施形態に従う表示装置の分解斜視図である。
【図２３】本発明の実施形態に従う表示装置を示す図である。
【図２４】本発明の実施形態に従う照明装置の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明を説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン、または構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの“上（on）”に、または“下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上（on）”と“下（under）”は、“直接（directly）”または“他の層を介して（indirectly）”形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。
【００１１】
以下、添付の図面を参照しつつ実施形態を説明すれば、次の通りである。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。
【００１２】
図１は本発明の第１実施形態に従う発光素子の断面図であり、図２は図１の発光素子の平面図であり、図３は図１の発光素子のＡ領域の拡大図である。
【００１３】
図１乃至図３を参照すると、第１実施形態に従う発光素子１００は、成長基板１０５と、上記成長基板１０５の上に第１導電型半導体層１１２、活性層１１４、及び第２導電型半導体層１１６が順次に積層されて形成され、領域Ｓは上記第１導電型半導体層１１２の上面が露出される発光構造物１１０と、上記領域Ｓの上記第１導電型半導体層１１２の上面が少なくとも一部露出されるように形成された接合層１３０（adhesive layer）と、上記領域Ｓの第１導電型半導体層１１２及び上記接合層１３０の上に形成された第１電極１５０と、上記第２導電型半導体層１１６の上に形成された透光性電極層１２０と、上記第２導電型半導体層１１６及び上記透光性電極層１２０の上に形成された第２電極１４０と、を含むことができる。
【００１４】
上記成長基板１０５は、例えば、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）単結晶、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅのうち、少なくとも１つで形成されることができ、これに対して限定するのではない。
【００１５】
上記成長基板１０５の上面には上記発光構造物１１０の成長を促進させ、発光素子の発光効率を向上させるために、所定のパターンが形成されるか、傾斜が形成されることができ、これに対して限定するのではない。
【００１６】
上記成長基板１０５の上には上記発光構造物１１０が成長されて形成できる。
【００１７】
上記発光構造物１１０は、例えば、上記第１導電型半導体層１１２、活性層１１４、及び第２導電型半導体層１１６を含むことができる。但し、上記成長基板１０５と上記発光構造物１１０との間には２層の間の格子定数の差を緩和させ、上記発光構造物１１０の結晶性を向上させるためのバッファ層またはアンドープド半導体層が含まれることもできる。
【００１８】
上記第１導電型半導体層１１２は、例えば、ｎ型ドーパントを含むｎ型半導体層でありうる。上記ｎ型半導体層は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮなどから選択されることができ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどのｎ型ドーパントがドーピングできる。
【００１９】
上記活性層１１４が量子井戸構造で形成された場合、例えばＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する井戸層とＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１，０≦ｂ≦１，０≦ａ＋ｂ≦１）の組成式を有する障壁層を有する単一または量子井戸構造を有することができる。上記井戸層は、上記障壁層のエネルギーバンドギャップより低いエネルギーバンドギャップを有する物質で形成できる。
【００２０】
上記活性層１１４は、上記第１導電型半導体層１１２及び第２導電型半導体層１１６から提供される電子及び正孔の再結合（recombination）過程で発生するエネルギーにより光を生成することができる。
【００２１】
上記第２導電型半導体層１１６は、例えば、ｐ型ドーパントを含むｐ型半導体層でありうる。上記ｐ型半導体層は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮなどから選択されることができ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントがドーピングできる。
【００２２】
上記バッファ層（図示せず）及び上記アンドープド半導体層（図示せず）は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮなどから選択できる。上記バッファ層（図示せず）及び上記アンドープド半導体層（図示せず）は、導電性ドーパントがドーピングされないので、上記第１及び第２導電型半導体層１１２、１１６に比べて格段に低い電気伝導性を有することができる。
【００２３】
上記発光構造物１１０の第２導電型半導体層１１６の上には上記透光性電極層１２０が形成できる。上記透光性電極層１２０は、電流をスプレディング（拡散）させることによって、電流が上記第２電極１４０の周辺に偏って流れることを防止することができる。
【００２４】
上記透光性電極層１２０は、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、ＩＺＴＯ（indium zinc tin oxide）、ＩＡＺＯ（indium aluminum zinc oxide）、ＩＧＺＯ（indium gallium zinc oxide）、ＩＧＴＯ（indium gallium tin oxide）、ＡＺＯ（aluminum zinc oxide）、ＡＴＯ（antimony tin oxide）、ＧＺＯ（gallium zinc oxide）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、Ｎｉ、Ａｇ、またはＡｕのうちの１つ以上を用いて、単層または多層で具現できる。
【００２５】
図１に示すように、上記透光性電極層１２０は上記第２導電型半導体層１１６が少なくとも一部露出されるように形成されることができ、または上記透光性電極層１２０は上記第２導電型半導体層１１６の上面の実質的に全領域に形成されることもでき、これに対して限定するのではない。
【００２６】
上記第２電極１４０は、上記透光性電極層１２０及び上記第２導電型半導体層１１６のうち、いずれか１つの上に形成されるか、上記透光性電極層１２０及び上記第２導電型半導体層１１６の上に形成できる。
【００２７】
上記第２電極１４０は、上記第１電極１５０と一緒に上記発光構造物１１０に電源を提供することができる。
【００２８】
上記第２電極１４０は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、またはＣｒのうち、少なくとも１つを含む単層または多層構造で形成できるが、これに対して限定するのではない。
【００２９】
上記発光構造物１１０の上記領域Ｓはメサエッチング（Mesa-Etching）により上記第１導電型半導体層１１２の上面の一部が露出される領域である。上記領域Ｓは、上記発光構造物１１０の側面の一部領域に形成できる。
【００３０】
上記領域Ｓの上記第１導電型半導体層１１２の上面には、上記第１導電型半導体層１１２の上面の少なくとも一部が露出されるように上記接合層１３０が形成できる。
【００３１】
即ち、上記接合層１３０の少なくとも一部領域は上記第１電極１５０と垂直方向に重畳するように形成できる。上記接合層１３０は上記第１導電型半導体層１１２と上記第１電極１５０との間の接合力を向上させて、結果として上記発光素子１００の信頼性を向上させる効果を有することができる。
【００３２】
このような効果は、上記第１導電型半導体層１１２と上記第１電極１５０との間の接合力より、上記第１電極１５０と上記接合層１３０との間の接合力及び上記接合層１３０と上記第１導電型半導体層１１２との間の接合力がより大きいことにより表れることができる。このような効果を極大化するためには、上記第１電極１５０と上記接合層１３０の少なくとも一部分とが垂直方向に重畳されるように形成されることが好ましい。
【００３３】
図３を参照すると、上記第１電極１５０の下面が上記接合層１３０が垂直方向に重畳される領域の幅（２ｂ）は上記第１電極１５０の上面の全体幅（ａ）の５％〜９０％範囲で形成できる。上記第１電極１５０と上記第１導電型半導体層１１２とが重畳する面積は、上記第１電極１５０の上面の面積に比べて１０〜９５％範囲で形成できる。上記接合層１３０は上記第１電極１５０と上記第１導電型半導体層１１２との間にインベッディド（はめ込まれた）形態で配置され、このような領域は第１電極１５０の方向に進行する光の抽出効率を改善させることができる。
【００３４】
上記接合層１３０が上記第１電極１５０と上記第１導電型半導体層１１２の各々に、一層硬く接合されるように上記接合層１３０の上面及び下面の各々に凹凸を形成して、上記接合層１３０の表面積を極大化することもできる。
【００３５】
上記接合層１３０は光抽出効率改善のために上記発光構造物１１０より低い屈折率を有する材質で形成されることが好ましい。
【００３６】
上記接合層１３０の透光性絶縁性材質は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２、及びＡｌ２Ｏ３のうちの少なくとも１つで形成されることができ、互いに異なる物質で、多層で構成できる。上記接合層１３０が多層で形成される場合、高屈折率の物質（例：Ａｌ２Ｏ３：１．７〜１．８の屈折率）からなる第１層と、上記第１層の上に低屈折率の物質（ＳｉＯ２：１．５〜１．６の屈折率）からなる第２層とが積層して反復形成できる。
【００３７】
上記接合層１３０は、透光性伝導性材質を含むことができる。上記接合層１３０は、上記透光性絶縁性材質からなる第１層の上に透光性伝導性材質からなる第２層を積層させて多層構造で形成できる。上記接合層１３０は、上記発光構造物の電気的な動作に影響を及ぼさない厚さで形成できる。上記透光性伝導性材質は、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、ＩＺＴＯ（indium zinc tin oxide）、ＩＡＺＯ（indium aluminum zinc oxide）、ＩＧＺＯ（indium gallium zinc oxide）、ＩＧＴＯ（indium gallium tin oxide）、ＡＺＯ（aluminum zinc oxide）、ＡＴＯ（antimony tin oxide）、ＧＺＯ（gallium zinc oxide）、ＩｒＯｘ、またはＲｕＯｘのうちの少なくとも１つを含み、単層または多層構造を有するように形成できるが、これに対して限定するのではない。ここで、上記ＩＴＯの屈折率は２．０程度である。
【００３８】
また、上記接合層１３０は透光性絶縁性材質、透光性伝導性材質を用いて高屈折率を有する第１層、及び低屈折率を有する第２層を積層させることができ、このような２層の屈折率の差がＧａＮとの屈折率の差より小さい場合、反対の積層構造、例えば、上記低屈折率の第２層と高屈折率の第１層の順に配置できる。
【００３９】
一方、上記接合層１３０は多様な形態を有するように形成できる。図４乃至図６は、各々第２実施形態乃至第４実施形態に従う発光素子の断面図である。
【００４０】
図１乃至図３を参照すると、第１実施形態に従う発光素子１００は、上記接合層１３０が上記領域Ｓの第１導電型半導体層１１２の上面だけでなく、上記発光構造物１１０の側面、例えば上記活性層１１４の側面と上記第２導電型半導体層１１６の側面、そして上記透光性電極層１２０の上面の一部領域に重畳されるように形成できる。
【００４１】
図４を参照すると、第２実施形態に従う発光素子１００Ａは、上記接合層１３０が上記領域Ｓの第１導電型半導体層１１２の上面だけでなく、上記発光構造物１１０の側面、例えば上記活性層１１４の側面と上記第２導電型半導体層１１６の側面、そして上記第２導電型半導体層１１６の上面の一部領域に重畳されるように形成できる。この際、上記透光性電極層１２０は、上記第２導電型半導体層１１６の上に形成された上記接合層１３０の一端から離隔するように上記第２導電型半導体層１１６の上に形成できる。
【００４２】
図５を参照すると、第３実施形態に従う発光素子１００Ｂは、上記接合層１３０が上記領域Ｓの第１導電型半導体層１１２の上面のみに形成できる。
【００４３】
図６を参照すると、第４実施形態に従う発光素子１００Ｃは、上記接合層１３０が上記領域Ｓの第１導電型半導体層１１２の上面だけでなく、上記発光構造物１１０の側面、例えば上記活性層１１４の側面と上記第２導電型半導体層１１６の側面、そして上記第２導電型半導体層１１６の上面の一部領域に重畳されるように形成できる。この際、上記透光性電極層１２０は、上記第２導電型半導体層１１６の上だけでなく、上記第２導電型半導体層１１６の上に形成された上記接合層１３０の一端領域の上に形成できる。即ち、上記透光性電極層１２０の一端領域は上記接合層１３０の一端領域と重畳されるように形成できる。
【００４４】
第１、第２、及び第４実施形態に従う発光素子１００、１００Ａ、１００Ｃの場合、上記接合層１３０が上記第１導電型半導体層１１２、活性層１１４、及び第２導電型半導体層１１６と同時に接触するので、上記これら層１１２、１１４、１１６の間の電気的ショートを防止するために、上記接合層１３０は上記透光性絶縁性材質で形成されなければならない。
【００４５】
第３実施形態に従う発光素子１００Ｂの場合、上記接合層１３０が上記第１導電型半導体層１１２の上部のみに形成されて電気的ショートが発生する虞がないので、上記接合層１３０は透光性伝導性材質または透光性絶縁性材質のうち、いずれかで形成されても構わない。上記接合層１３０は、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、ＩＺＴＯ（indium zinc tin oxide）、ＩＡＺＯ（indium aluminum zinc oxide）、ＩＧＺＯ（indium gallium zinc oxide）、ＩＧＴＯ（indium gallium tin oxide）、ＡＺＯ（aluminum zinc oxide）、ＡＴＯ（antimony tin oxide）、ＧＺＯ（gallium zinc oxide）、ＩｒＯｘ、またはＲｕＯｘのうちの少なくとも１つで単層または多層構造を有するように形成できる。
【００４６】
上記第１電極１５０は、上記第１導電型半導体層１１２及び上記接合層１３０の上に形成できる。上記第１電極１５０の下面の一部領域は上記第１導電型半導体層１１２の上面と接触され、他の一部領域は上記接触層１３０の上面及び側面と接触されるように形成できる。上記第１電極１５０は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、またはＣｒのうち、少なくとも１つを含む単層または多層構造で形成できるが、これに対して限定するのではない。
【００４７】
上記第１電極１５０が多層構造からなる場合、上記第１電極１５０と上記第１導電型半導体層１１２または上記接合層１３０が接触する界面に隣接する上記第１電極１５０の最低層は接着力の高い材質であるＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒなどを含むことが好ましい。また、上記第１電極１５０の最上層はワイヤボンディングが容易となるように高い接着力を有するＡｕ、Ｔｉなどを含むことが好ましい。
【００４８】
以下、第１実施形態に従う発光素子１００の製造工程について詳細に説明する。
【００４９】
図７乃至図１１は、本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【００５０】
図７を参照すると、上記成長基板１０５の上に上記第１導電型半導体層１１２、活性層１１４、及び第２導電型半導体層１１６を順次に形成して上記発光構造物１１０を形成することができる。
【００５１】
上記発光構造物１１０は、例えば、有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）、化学蒸着法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）、プラズマ化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ：Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）、分子線成長法（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）、水素化物気相成長法（ＨＶＰＥ：Hydride Vapor Phase Epitaxy）などの方法を用いて形成されることができ、これに対して限定するのではない。
【００５２】
図８を参照すると、上記第１導電型半導体層１１２の上面の少なくとも一部領域が露出されるように上記発光構造物１１０の一部隅領域、即ち領域Ｓにメサエッチングを遂行する。
【００５３】
まず、フォトリソグラフィ工程を用いて上記発光構造物１１０の上にエッチングのためのパターンを形成した後、上記パターンをマスクにしてメサエッチングを遂行することができる。上記メサエッチングは、乾式エッチングまたは湿式エッチングにより遂行できる。
【００５４】
図９を参照すると、上記第２導電型半導体層１１６の上に上記透光性電極層１２０を形成することができる。
【００５５】
上記透光性電極層１２０は、上記第２導電型半導体層１１６の上面の全領域に形成されるか、一部領域に形成できる。
【００５６】
上記透光性電極層１２０は、電子ビーム（E-beam）蒸着、スパッタリング（Sputtering）、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）のうち、いずれか１つの蒸着方法により形成できるが、これに対して限定するのではない。
【００５７】
図１０を参照すると、少なくとも上記領域Ｓの第１導電型半導体層１１２の上面に上記接合層１３０が形成できる。上記接合層１３０は、上記第１導電型半導体層１１２の上面及び側面と、上記活性層１１４の側面と、上記第２導電型半導体層１１６の側面及び上面に形成できる。この際、上記接合層１３０の一端は上記第２導電型半導体層１１６の上面の一部領域に形成できる。
【００５８】
上記接合層１３０は、上記第１導電型半導体層１１２の上面の少なくとも一部領域が露出されるように形成できる。
【００５９】
上記接合層１３０は、マスクを形成した後、電子ビーム（E-beam）蒸着、スパッタリング（Sputtering）、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）などの蒸着工程を実施することによって形成できる。但し、これに対して限定するのではない。
【００６０】
上記接合層１３０は第２電極１４０が上記第１導電型半導体層１１２に接触されるようにするために、エッチング工程によりパターニングできる。
【００６１】
図１１を参照すると、上記第１導電型半導体層１１２及び上記接合層１３０の上に上記第１電極１５０を形成し、上記第２導電型半導体層１１６及び上記透光性電極層１２０の上に上記第２電極１４０を形成することによって、第１実施形態に従う発光素子１００を提供することができる。上記第１電極１５０の下面の一部領域は上記第１導電型半導体層１１２の上に形成され、他の領域は上記接合層１３０の上に形成できる。上記第２電極１４０の一部領域は上記第２導電型半導体層１１６の上に形成され、他の領域は上記透光性電極層１２０の上に形成できる。
【００６２】
上記第１及び第２電極１４０、１５０は、例えば、蒸着方式またはメッキ方式により形成できるが、これに対して限定するのではない。
【００６３】
以下、第５実施形態に従う発光素子について詳細に説明する。但し、前述したものと重複する説明は省略、または簡略に説明する。
【００６４】
図１２は、本発明の第５実施形態に従う発光素子の断面図である。
【００６５】
図１２を参照すると、第５実施形態に従う発光素子２００は、伝導性支持部材２４０と、上記伝導性支持部材２４０の上に接合金属層２４５と、上記接合金属層２４５の上に反射層２４６と、上記反射層２４６の上にオーミック層２４８と、上記反射層２４６の上面の周り領域に保護層２４７と、上記オーミック層２４８及び上記保護層２４７の上に発光構造物２１０と、上記発光構造物２１０の側面にパッシベーション層２３５と、上記発光構造物２１０の上面に接合層２３０と、上記発光構造物２１０及び上記接合層２３０の上に電極２５０と、を含むことができる。
【００６６】
上記伝導性支持部材２４０は上記発光構造物２１０を支持し、上記電極２５０と一緒に上記発光素子２００に電源を提供するための電極として機能できる。上記伝導性支持部材２４０は、例えば、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）、キャリヤウエハ（例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＳｉＳｅ等）のうち、少なくともいずれか１つで形成できる。
【００６７】
上記伝導性支持部材２４０の上には上記接合金属層２４５が形成できる。上記接合金属層２４５は、上記伝導性支持部材２４０と上記反射層２４６との間の界面接合力を向上させるために接着力の良い金属材質で形成できる。例えば、上記接合金属層２４５は、Ｔｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、またはＴａのうちの少なくとも１つを含んで、単層または多層構造で形成できる。但し、上記伝導性支持部材２４０をボンディング方式でなく、メッキまたは蒸着方式により形成する場合、上記接合金属層２４５は形成されないこともある。
【００６８】
上記接合金属層２４５の上には上記反射層２４６が形成できる。上記反射層２４６は、上記発光構造物２１０から入射される光を上に反射させることによって、上記発光素子２００の発光効率を向上させることができる。上記反射層２４６は、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、または白金（Ｐｔ）のうち、少なくとも１つを含む金属または合金で形成できる。
【００６９】
上記反射層２４６の上にはオーミック層２４８が形成できる。上記オーミック層２４８は、上記反射層２４６と上記発光構造物２１０との間のオーミックコンタクトを形成するために形成できる。
【００７０】
上記オーミック層２４８は透光性伝導層と金属を選択的に使用することができ、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、ＩＺＴＯ（indium zinc tin oxide）、ＩＡＺＯ（indium aluminum zinc oxide）、ＩＧＺＯ（indium gallium zinc oxide）、ＩＧＴＯ（indium gallium tin oxide）、ＡＺＯ（aluminum zinc oxide）、ＡＴＯ（antimony tin oxide）、ＧＺＯ（gallium zinc oxide）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、Ｎｉ、Ａｇ、またはＡｕのうちの１つ以上を用いて、単層または多層で具現できる。
【００７１】
上記反射層２４６の上面の周り領域には上記保護層２４７が形成できる。即ち、上記保護層２４７は、上記発光構造物２１０と上記伝導性支持部材２４０との間の周り領域に形成できる。
【００７２】
上記保護層２４７は、上記伝導性支持部材２４０と上記発光構造物２１０とが互いに電気的にショートされることを防止し、製造工程の信頼性を向上させることができる。
【００７３】
上記保護層２４７は、例えば、電気絶縁性材質、または上記発光構造物２１０に比べて低い電気伝導性材質で形成できる。例えば、上記保護層２４７は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯなどからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。
【００７４】
上記オーミック層２４８と上記発光構造物２１０との間には上記電極２５０と少なくとも一部が垂直方向に重畳されるように電流遮断層２４９が形成されることもできる。上記電流遮断層２４９は、上記電極２５０と上記伝導性支持部材２４０との間の最短距離に電流が偏重されることを防止することができる。
【００７５】
上記電流遮断層２４９は電気絶縁性を有するか、上記第２導電型半導体層２１６とショットキーコンタクトを形成する物質を用いて形成されることができ、例えば、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯｘ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒのうち、少なくとも１つを含むことができる。
【００７６】
上記オーミック層２４８及び上記保護層２４７の上には上記発光構造物２１０が形成できる。上記発光構造物２１０は、第１導電型半導体層２１６、上記第１導電型半導体層２１６の上に活性層２１４、及び上記活性層２１４の上に第２導電型半導体層２１２を含むことができるが、これに対して限定するのではない。
【００７７】
上記発光構造物２１０は、３族乃至５族化合物半導体で形成されることができ、電子及び正孔の再結合過程を経て光を生成することができる。これに対する詳細な内容は前述したので省略する。
【００７８】
また、上記発光構造物２１０の上面、即ち上記第２導電型半導体層２１２の上面にはラフネス構造または凹凸構造が形成できる。上記ラフネス構造または凹凸構造は、湿式エッチングにより形成されたランダムなラフネス（roughness）であるとか、パターニング工程を通じて形成された光結晶構造（photonic crystal）のような周期的なパターンでありうる。
【００７９】
上記ラフネス構造または凹凸構造は上記発光素子２００の光抽出効率を向上させるだけでなく、上記発光構造物２１０と上記接合層２３０との間の界面の表面積を広げることによって両者間の接合力を向上させることができる。
【００８０】
上記発光構造物２１０の側面には上記パッシベーション層２３５が形成できる。上記パッシベーション層２３５は、上記発光構造物２１０が外部電極などと電気的にショートされることを防止することができ、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３で形成できるが、これに対して限定するのではない。
【００８１】
上記発光構造物２１０の上面の少なくとも一部領域には上記接合層２３０が形成できる。図１２に示すように、上記接合層２３０は上記第２導電型半導体層２１２の上面の一部領域が露出されるように形成できる。 上記接合層２３０は、上記パッシベーション層２３５と同一物質で、同一工程により、一体で、そして同時に形成できる。即ち、上記接合層２３０は、上記パッシベーション層２３５から延びて形成できる。または、上記接合層２３０は上記パッシベーション層２３５と相異する物質で、相異する工程により、また、互いに離隔するように形成できる。
【００８２】
上記接合層２３０の上面の一部領域及び上記第２導電型半導体層２１２の上面の一部領域に上記電極２５０が形成できる。言い換えると、上記電極の下面の一部領域は上記第２導電型半導体層２１２の上に重畳されて形成され、他の領域は上記接合層２３０の上に重畳されて形成できる。
【００８３】
上記接合層２３０は、上記第１導電型半導体層２１６と上記電極２５０との間の接合力を向上させて、結果として上記発光素子２００の信頼性を向上させる効果を有することができる。
【００８４】
このような効果は、上記第２導電型半導体層２１２と上記電極２５０との間の接合力より、上記電極２５０と上記接合層２３０との間の接合力及び上記接合層２３０と上記第２導電型半導体層２１２との間の接合力がより大きいことによって表れることができる。
【００８５】
このような効果を極大化するためには、上記電極２５０と上記接合層２３０の少なくとも一部分が垂直方向に重畳されるように形成されることが好ましい。上記電極２５０の下面が上記接合層２３０と垂直方向に重畳される領域の幅は、上記電極２５０の上面の全体幅の５〜９０％範囲で形成できる。上記電極２５０と上記第２導電型半導体層２１２とが重畳する面積は、上記電極２５０の上面面積に比べて１０〜９５％範囲で形成できる。上記接合層２３０が上記電極２５０と上記第２導電型半導体層２１２との間をより強固に接合できるように、上記接合層２３０の上面と下面の各々に凹凸構造またはラフネス構造を形成して上記接合層２３０の表面積を大きくすることもできる。
【００８６】
上記接合層２３０の材質は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、ＩＺＴＯ（indium zinc tin oxide）、ＩＡＺＯ（indium aluminum zinc oxide）、ＩＧＺＯ（indium gallium zinc oxide）、ＩＧＴＯ（indium gallium tin oxide）、ＡＺＯ（aluminum zinc oxide）、ＡＴＯ（antimony tin oxide）、ＧＺＯ（gallium zinc oxide）、ＩｒＯｘ、またはＲｕＯｘのうちの少なくとも１つで単層または多層構造を有するように形成できるが、これに対して限定するのではない。
【００８７】
上記接合層２３０は、光抽出効率の改善のために上記発光構造物２１０より低い屈折率を有する材質で形成されることが好ましい。
【００８８】
上記第２導電型半導体層２１２及び上記接合層２３０の上には上記電極２５０が形成できる。即ち、上記電極２５０の下面は上記接合層２３０の上面及び側面を囲みながら接触し、上記第２導電型半導体層２１２の上面とも接触できる。これによって、上記電極２５０は上記発光構造物２１０の上に強固に接合できるようになる。
【００８９】
以下、第５実施形態に従う発光素子の製造工程について説明する。但し、前述した内容と重複する説明は省略または簡略に説明する。
【００９０】
図１３乃至図２０は、本発明の第５実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【００９１】
図１３を参照すると、成長基板２０５の上に上記発光構造物２１０が形成できる。上記発光構造物２１０は、少なくとも第２導電型半導体層２１２、活性層２１４、及び第１導電型半導体層２１６を含むことができる。
【００９２】
図１４を参照すると、上記発光構造物２１０の第１導電型半導体層２１６の上に上記保護層２４７及び上記電流遮断層２４９が形成できる。
【００９３】
上記保護層２４７は、マスクパターンを用いて個別チップ（１chip）の境界領域に形成されることができ、リング形状、ループ形状、フレーム形状などで形成できる。上記保護層２４７は、例えば、電子ビーム（E-beam）蒸着、スパッタリング（Sputtering）、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）のうち、いずれか１つの方法により形成できる。
【００９４】
上記電流遮断層２４９は、後に形成される上記電極２５０と垂直方向に少なくとも一部が重畳されるように形成されることができ、蒸着またはメッキ方式により形成できる。
【００９５】
図１５を参照すると、上記第１導電型半導体層２１６及び上記電流遮断層２４９の上に上記オーミック層２４８を形成し、上記オーミック層２４８及び上記保護層２４７の上に上記反射層２４６を形成し、上記反射層２４６の上に上記接合金属層２４５を形成し、上記接合金属層２４５の上に上記伝導性支持部材２４０を形成することができる。
【００９６】
上記オーミック層２４８及び反射層２４６は、蒸着またはメッキ方式により形成できる。
【００９７】
上記伝導性支持部材２４０は、蒸着またはメッキ方式により形成されるか、別途のシートにて用意されて、ボンディング方式により形成できる。上記伝導性支持部材２４０が蒸着またはメッキ方式により形成される場合、上記接合金属層２４５は形成されないこともある。
【００９８】
図１６を参照すると、上記成長基板２０５が除去できる。上記成長基板２０５は、レーザリフトオフ（Laser Lift Off）または化学的リフトオフ（Chemical Lift Off）のうち、少なくとも１つの工程により除去できる。
【００９９】
上記レーザリフトオフ（ＬＬＯ）は、上記成長基板２０５の背面にレーザを照射することによって、上記成長基板２０５と上記第２導電型半導体層２１２との間の界面を剥離させる工程である。
【０１００】
上記成長基板２０５が除去されることに伴い、上記第２導電型半導体層２１２の下面が露出できる。上記第２導電型半導体層２１２には湿式エッチングを遂行して表面のドーパントを除去することができる。
【０１０１】
図１７を参照すると、上記発光構造物２１０のチップ境界領域にアイソレーションエッチングを行って複数の発光素子を形成することができる。
【０１０２】
上記アイソレーションエッチング（Isolation Etching）は、例えば、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）のような乾式エッチング装備を用いて遂行できる。
【０１０３】
図１８を参照すると、上記発光構造物２１０の少なくとも側面に上記パッシベーション層２３５が形成できる。
【０１０４】
具体的には、上記パッシベーション層２３５は一端が上記発光構造物２１０の上面、即ち上記第２導電型半導体層２１２の上面に配置され、他端が上記発光構造物２１０の側面を経由して上記保護層２４７の上に形成できるが、これに対して限定するのではない。
【０１０５】
上記パッシベーション層２３５は、電子ビーム蒸着、ＰＥＣＶＤ、またはスパッタリングのうち、少なくとも１つの蒸着方式により形成できる。
【０１０６】
図１９を参照すると、上記発光構造物２１０の上面に上記接合層２３０が形成できる。
【０１０７】
上記接合層２３０は、電子ビーム蒸着、ＰＥＣＶＤ、またはスパッタリングのうちの少なくとも１つの蒸着方式により形成されることができ、上記パッシベーション層２３５と同一な材質で形成されるか、相異する材質で形成できる。
【０１０８】
上記接合層２３０を形成する前に、上記発光構造物２１０の上面、即ち上記第２導電型半導体層２１２の上面にラフネス構造または凹凸構造を形成することもできる。
【０１０９】
上記接合層２３０は、上記電極２５０が上記第２導電型半導体層２１２と接触するようにするために、一部領域が除去されて、上記第２導電型半導体層２１２の一部領域が露出できる。
【０１１０】
図２０を参照すると、上記発光構造物２１０の第２導電型半導体層２１２の露出した領域及び上記接合層２３０の上に上記電極２５０を形成することによって、第５実施形態に従う発光素子２００を提供することができる。上記電極２５０の下面の一部領域は上記第２導電型半導体層２１２の上面と接触され、他の一部領域は上記接合層２３０の上面及び側面と接触するように形成できる。
【０１１１】
上記電極２５０の下面は上記接合層２３０の上面及び側面に接触するので、より強固に上記発光構造物２１０の上に接合できる。
【０１１２】
図２１は、本発明の実施形態に従う発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。
【０１１３】
図２１を参照すると、実施形態に従う発光素子パッケージ１０は、胴体２０と、上記胴体２０に設置された第１リード電極３１及び第２リード電極３２と、上記胴体２０に設置されて上記第１リード電極３１及び第２リード電極３２と電気的に連結される実施形態に従う発光素子１００と、上記発光素子１００を囲むモールディング部材４０と、を含む。
【０１１４】
上記胴体２０は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができ、上記発光素子１００の周囲に傾斜面が形成できる。
【０１１５】
上記第１リード電極３１及び第２リード電極３２は互いに電気的に分離され、上記発光素子１００に電源を提供する。また、上記第１リード電極３１及び第２リード電極３２は、上記発光素子１００で発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、上記発光素子１００で発生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる。
【０１１６】
上記発光素子１００は、上記胴体２０の上に設置されるか、上記第１リード電極３１または第２リード電極３２の上に設置できる。
【０１１７】
上記発光素子１００は、上記第１リード電極３１及び第２リード電極３２と、ワイヤ方式、フリップチップ方式、またはダイボンディング方式のうち、いずれか１つにより電気的に連結されることもできる。
【０１１８】
上記モールディング部材４０は、上記発光素子１００を囲んで上記発光素子１００を保護することができる。また、上記モールディング部材４０には蛍光体が含まれて、上記発光素子１００から放出された光の波長を変化させることができる。
【０１１９】
上記発光素子パッケージは、上記に開示された実施形態の発光素子のうちの少なくとも１つを、１つまたは複数個で搭載することができ、これに対して限定するのではない。
【０１２０】
実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージは、ライトユニットに適用できる。上記ライトユニットは、複数の発光素子または発光素子パッケージがアレイされた構造を含み、図２２及び図２３に図示された表示装置、及び図２４に図示された照明装置を含み、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれることができる。
【０１２１】
図２２は、本発明の実施形態に従う表示装置の分解斜視図である。
【０１２２】
図２２を参照すると、表示装置１０００は、導光板１０４１と、上記導光板１０４１に光を提供する発光モジュール１０３１と、上記導光板１０４１の下に反射部材１０２２と、上記導光板１０４１の上に光学シート１０５１と、上記光学シート１０５１の上に表示パネル１０６１と、上記導光板１０４１、発光モジュール１０３１、及び反射部材１０２２を収納するボトムカバー１０１１と、を含むことができるが、これに限定されるのではない。
【０１２３】
上記ボトムカバー１０１１、反射部材１０２２、導光板１０４１、及び光学シート１０５１は、ライトユニット１０５０と定義できる。
【０１２４】
上記導光板１０４１は、上記発光モジュール１０３１から提供された光を拡散させて面光源化させる役割をする。上記導光板１０４１は透明な材質からなり、例えば、ＰＭＭＡ（polymethyl metaacrylate）のようなアクリル樹脂系列、ＰＥＴ（polyethylene terephthlate）、ＰＣ（poly carbonate）、ＣＯＣ（cycloolefin copolymer）、及びＰＥＮ（polyethylene naphthalate）樹脂のうちの１つを含むことができる。
【０１２５】
上記発光モジュール１０３１は、上記導光板１０４１の少なくとも一側面に配置されて上記導光板１０４１の少なくとも一側面に光を提供し、結果として表示装置の光源として作用するようになる。
【０１２６】
上記発光モジュール１０３１は少なくとも１つを含み、上記導光板１０４１の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。上記発光モジュール１０３１は、基板１０３３と上記に開示された実施形態に従う発光素子パッケージ１０を含み、上記発光素子パッケージ１０は、上記基板１０３３の上に所定間隔でアレイできる。上記基板は、印刷回路基板（printed circuit board）であることがあるが、これに限定するのではない。また上記基板１０３３は、メタルコアＰＣＢ（ＭＣＰＣＢ：Metal Core PCB）、軟性ＰＣＢ（ＦＰＣＢ：Flexible PCB）などを含むこともでき、これに対して限定するのではない。上記発光素子パッケージ１０は、上記ボトムカバー１０１１の側面または放熱プレートの上に搭載される場合、上記基板１０３３は除去できる。上記放熱プレートの一部は上記ボトムカバー１０１１の上面に接触できる。したがって、発光素子パッケージ１０で発生した熱は放熱プレートを経由してボトムカバー１０１１に放出できる。
【０１２７】
上記複数の発光素子パッケージ１０は、上記基板１０３３の上に光が放出される出射面が上記導光板１０４１と所定距離離隔するように搭載されることができ、これに対して限定するのではない。上記発光素子パッケージ１０は、上記導光板１０４１の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができ、これに対して限定するのではない。
【０１２８】
上記導光板１０４１の下には上記反射部材１０２２が配置できる。上記反射部材１０２２は、上記導光板１０４１の下面に入射された光を反射させて上記表示パネル１０６１に供給することによって、上記表示パネル１０６１の輝度を向上させることができる。上記反射部材１０２２は、例えば、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。上記反射部材１０２２は、上記ボトムカバー１０１１の上面であることがあり、これに対して限定するのではない。
【０１２９】
上記ボトムカバー１０１１は、上記導光板１０４１、発光モジュール１０３１、及び反射部材１０２２などを収納することができる。このために、上記ボトムカバー１０１１は、上面が開口されたボックス（box）形状を有する収納部１０１２が備えられることができ、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー１０１１は、トップカバー（図示せず）と結合されることができ、これに対して限定するのではない。
【０１３０】
上記ボトムカバー１０１１は金属材質または樹脂材質で形成されることができ、プレス成形または押出成形などの工程を用いて製造できる。また、上記ボトムカバー１０１１は熱伝導性の良い金属または非金属材料を含むことができ、これに対して限定するのではない。
【０１３１】
上記表示パネル１０６１は、例えばＬＣＤパネルであって、互いに対向する透明な材質の第１及び第２基板、そして第１及び第２基板の間に介された液晶層を含む。上記表示パネル１０６１の少なくとも一面には偏光板が付着されることができ、このような偏光板の付着構造に限定するのではない。上記表示パネル１０６１は、上記発光モジュール１０３１から提供された光を透過または遮断させて情報を表示するようになる。このような表示装置１０００は、各種の携帯端末機、ノートブックコンピュータのモニター、ラップトップコンピュータのモニター、テレビなどに適用できる。
【０１３２】
上記光学シート１０５１は、上記表示パネル１０６１と上記導光板１０４１との間に配置され、少なくとも一枚以上の透光性シートを含む。上記光学シート１０５１は、例えば拡散シート（diffusion sheet）、水平及び垂直プリズムシート（horizontal/vertical prism sheet）、及び輝度強化シート（brightness enhanced sheet）のようなシートのうち、少なくとも１つを含むことができる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平または／及び垂直プリズムシートは入射される光を上記表示パネル１０６１に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、上記表示パネル１０６１の上には保護シートが配置されることができ、これに対して限定するのではない。
【０１３３】
上記発光モジュール１０３１の光経路上には、光学部材として、上記導光板１０４１、及び光学シート１０５１を含むことができ、これに対して限定するのではない。
【０１３４】
図２３は、本発明の実施形態に従う表示装置を示す図である。
【０１３５】
図２３を参照すると、表示装置１１００は、ボトムカバー１１５２、上記に開示された発光素子パッケージ１０がアレイされた基板１１２０、光学部材１１５４、及び表示パネル１１５５を含む。
【０１３６】
上記基板１１２０及び上記発光素子パッケージ１０は、発光モジュール１０６０と定義できる。上記ボトムカバー１１５２、少なくとも１つの発光モジュール１０６０、及び光学部材１１５４は、ライトユニット（図示せず）と定義できる。
【０１３７】
上記ボトムカバー１１５２には収納部１１５３を具備することができ、これに対して限定するのではない。
【０１３８】
上記光学部材１１５４は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートのうち、少なくとも１つを含むことができる。上記導光板はＰＣ材質またはＰＭＭＡ（Polymethyl methacrylate）材質からなることができ、このような導光板は除去できる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を上記表示パネル１１５５に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。
【０１３９】
上記光学部材１１５４は上記発光モジュール１０６０の上に配置され、上記発光モジュール１０６０から放出された光を面光源するか、拡散、集光などを遂行するようになる。
【０１４０】
図２４は、本発明の実施形態に従う照明装置の斜視図である。
【０１４１】
図２４を参照すると、照明装置１５００は、ケース１５１０と、上記ケース１５１０に設置された発光モジュール１５３０と、上記ケース１５１０に設置され、外部電源から電源の提供を受ける連結端子１５２０と、を含むことができる。
【０１４２】
上記ケース１５１０は放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成できる。
【０１４３】
上記発光モジュール１５３０は、基板１５３２と、上記基板１５３２に搭載される実施形態に従う発光素子パッケージ１０と、を含むことができる。上記発光素子パッケージ１０は、複数個がマトリックス形態または所定間隔で離隔してアレイできる。
【０１４４】
上記基板１５３２は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板（ＰＣＢ：Printed Circuit Board）、メタルコア（Metal Core）ＰＣＢ、軟性（Flexible）ＰＣＢ、セラミックＰＣＢ、ＦＲ−４基板などを含むことができる。
【０１４５】
また、上記基板１５３２は光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層となることができる。
【０１４６】
上記基板１５３２の上には少なくとも１つの発光素子パッケージ１０が搭載できる。上記発光素子パッケージ１０の各々は少なくとも１つのＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップを含むことができる。上記ＬＥＤチップは、赤色、緑色、青色、または白色のような可視光線帯域の発光ダイオード、または紫外線（ＵＶ：Ultra Violet）を発光するＵＶ発光ダイオードを含むことができる。
【０１４７】
上記発光モジュール１５３０は、色感及び輝度を得るために、多様な発光素子パッケージ１０の組合を有するように配置できる。例えば、高演色性（ＣＲＩ）を確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置できる。
【０１４８】
上記連結端子１５２０は、上記発光モジュール１５３０と電気的に連結されて電源を供給することができる。上記連結端子１５２０は、ソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、上記連結端子１５２０は、ピン（pin）形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。
【０１４９】
実施形態によれば、発光素子は半導体層の上に接合層が配置され、上記半導体層の上面と上記接合層の上面及び側面に電極が配置されるようにする。上記半導体層及び上記電極に、一層強い接合力を有する接合層を配置することによって、電極の脱着を防止して製品信頼性を向上させることができる。
【０１５０】
実施形態によれば、上記接合層の上面及び下面の各々に凹凸構造を有するようにすることによって、接合力がより強化されて製品信頼性を極大化することができる。
【０１５１】
実施形態によれば、上記電極が上記接合層と垂直方向に重畳されるようにすることによって、上記電極の接触面積を拡大して接合力をさらに向上させることができる。
【０１５２】
実施形態によれば、上記接合層が伝導性材質からなる場合、上記接合層を上記半導体層の上のみに配置して、発光構造物の各層の間のショートを防止することができる。
【０１５３】
実施形態によれば、上記接合層を上記第１半導体層の上面及び側面と、上記活性層の側面と、上記第２半導体層の側面及び上面に配置することによって、発光構造物の側面を保護することができる。
【０１５４】
実施形態によれば、垂直型発光素子構造において、発光構造物の側面にパッシベーション層を形成し、接合層がパッシベーション層から延びるように配置することによって、製造工程を簡単にすることができる。
【０１５５】
実施形態に従う発光素子製造方法は、基板の上に、第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を含む発光構造物を形成し、上記第１半導体層の一部領域が露出するようにエッチングを遂行し、少なくとも上記第１半導体層の上に接合層を形成し、上記第１半導体層が露出されるように上記接合層の一部領域を除去し、上記第１半導体層の上面と上記接合層の上面及び側面に電極を形成する。
【０１５６】
以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ、必ず１つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
【０１５７】
以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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