(57)【要約】【課題】低温及び短時間での接続においても、局所的な硬化不良が起こり難く、接続領域における配線及び電極の腐食の発生が抑制され、長期の信頼性を与える接続が可能な、保存安定性の高い異方導電性接着フィルムを提供すること。【解決手段】フィルム形成性ポリマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、潜在性硬化剤（Ｃ）及び導電粒子（Ｄ）を含有する異方導電性接着フィルムであって、潜在性硬化剤（Ｃ）が、重量平均分子量の数平均分子量に対する比として定義される分子量分布が３以下であるアミンアダクトを含有し、フィルム形成性ポリマー（Ａ）１００質量部に対し、エポキシ樹脂（Ｂ）を５０質量部以上１９０質量部以下、及び潜在性硬化剤（Ｃ）を１５質量部以上７５質量部以下含有し、異方導電性接着フィルム全体に対して導電粒子（Ｄ）を０．１質量％以上３０質量％以下含有する、異方導電性接着フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム形成性ポリマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、潜在性硬化剤（Ｃ）及び導電粒子（Ｄ）を含有する異方導電性接着フィルムであって、
潜在性硬化剤（Ｃ）が、重量平均分子量の数平均分子量に対する比として定義される分子量分布が３以下であるアミンアダクトを含有し、
フィルム形成性ポリマー（Ａ）１００質量部に対し、エポキシ樹脂（Ｂ）を５０質量部以上１９０質量部以下、及び潜在性硬化剤（Ｃ）を１５質量部以上７５質量部以下含有し、
異方導電性接着フィルム全体に対して導電粒子（Ｄ）を０．１質量％以上３０質量％以下含有する、異方導電性接着フィルム。
【請求項２】
該フィルム形成性ポリマー（Ａ）がフェノキシ樹脂である、請求項１に記載の異方導電性接着フィルム。
【請求項３】
該フィルム形成性ポリマー（Ａ）の数平均分子量が９，０００以上２３，０００以下である、請求項１又は２に記載の異方導電性接着フィルム。
【請求項４】
該フィルム形成性ポリマー（Ａ）の１８０℃におけるメルトフローレートが３以上９０以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の異方導電性接着フィルム。
【請求項５】
該潜在性硬化剤（Ｃ）が、該アミンアダクトからなるコアをカプセル膜で被覆してなるマイクロカプセル型潜在性硬化剤である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方導電性接着フィルム。
【請求項６】
接続バンプを有するＬＳＩチップと接続バンプに対応する電極を有する接続基板とを電気的に接続する方法であって、請求項１〜５のいずれか１項に記載の異方導電性接着フィルムを該ＬＳＩチップと該接続基板とで挟み、１５０℃以上１９５℃以下の温度で、３秒以上１５秒以下の間加熱及び加圧することを含む、接続方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低温及び短時間での接続においても、局所的な硬化不良が起こり難く、接続領域における配線及び電極の腐食の発生が抑制され、長期の信頼性を与える接続が可能な、保存安定性の高い異方導電性接着フィルムに関する。本発明はまた、該異方導電性接着フィルムを用いた接続方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方導電性接着フィルムは、絶縁性接着剤中に導電粒子を分散させたフィルムであり、液晶ディスプレイと半導体チップ若しくはＴＣＰとの接続、又はＦＰＣとＴＣＰとの接続、ＦＰＣとプリント配線板との接続等を簡便に行うために好適に使用される接続部材である。異方導電性接着フィルムは、例えば、ノート型パソコン又は携帯電話の液晶ディスプレイと制御ＩＣとの接続用として広範に用いられ、最近では、半導体チップを直接プリント基板又はフレキシブル配線板に搭載するフリップチップ実装にも用いられている（特許文献１、２及び３参照）。
【０００３】
この分野では、高い接着強さが得られ、耐熱性及び耐水性が優れるという理由で、エポキシ樹脂系の絶縁性接着剤が多用される。エポキシ樹脂系絶縁性接着剤には、エポキシ樹脂の他に、フィルム形状を維持するためのフィルム形成性ポリマーとエポキシ樹脂を硬化させるための硬化剤とが含有されるのが一般的である。この硬化剤には、異方導電性接着フィルムを使用するまではエポキシ樹脂と反応せずに安定に存在する貯蔵安定性と、接続時には短時間にエポキシ樹脂と反応する硬化性との両立、即ち、潜在性が求められる。従って、従来、潜在性硬化剤が使用されている。特に、マイクロカプセル型の潜在性硬化剤は、高い潜在性を有するため一般的に使用されている（特許文献４及び５参照）。
【０００４】
この分野では近年、接続後の反りによる画像の歪みの低減、及び耐熱性の低い基板の使用が求められている。従って、貯蔵安定性は維持しつつ、より低温での接続が可能な異方導電性接着フィルムが求められている。また、工程時間の短縮のために、短時間での接続が可能な異方導電性接着フィルムが求められている。高い潜在性が得られるエポキシ樹脂組成物として、特定のアミンアダクトを主成分とする潜在性硬化剤が検討されている（特許文献６参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０３−１０７８８８号公報
【特許文献２】特開平０４−３６６６３０号公報
【特許文献３】特開昭６１−１９５１７９号公報
【特許文献４】特開２００２−３２７１６２号公報
【特許文献５】特開平０８−３１５８８５号公報
【特許文献６】国際公開第ＷＯ２００５／０９５４８６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、高硬化性の潜在性硬化剤を用いた異方導電性接着フィルムを、特に、短時間で硬化させるような用途で使用した場合、異方導電性接着フィルム中に分散状態で存在する潜在性硬化剤が均一に拡散する前に、硬化反応が進行してしまう。これにより硬化が不均一となり、局所的な硬化不良領域が発生し、長期の信頼性評価において、電極が腐食する等の課題を有する。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、低温及び短時間での接続においても、局所的な硬化不良が起こり難く、接続領域における配線及び電極の腐食の発生が抑制され、長期の信頼性を与える接続が可能な、保存安定性の高い異方導電性接着フィルム、及びこれを用いた接続方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、特定のアミンアダクトよりなる潜在性硬化剤を用い、フィルム形成性ポリマーとエポキシ樹脂と潜在性硬化剤とを特定の配合比率で含有する異方導電性接着フィルムを用いることで、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、下記の通りである。
【０００９】
［１］  フィルム形成性ポリマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、潜在性硬化剤（Ｃ）及び導電粒子（Ｄ）を含有する異方導電性接着フィルムであって、
潜在性硬化剤（Ｃ）が、重量平均分子量の数平均分子量に対する比として定義される分子量分布が３以下であるアミンアダクトを含有し、
フィルム形成性ポリマー（Ａ）１００質量部に対し、エポキシ樹脂（Ｂ）を５０質量部以上１９０質量部以下、及び潜在性硬化剤（Ｃ）を１５質量部以上７５質量部以下含有し、
異方導電性接着フィルム全体に対して導電粒子（Ｄ）を０．１質量％以上３０質量％以下含有する、異方導電性接着フィルム。
［２］  該フィルム形成性ポリマー（Ａ）がフェノキシ樹脂である、上記［１］に記載の異方導電性接着フィルム。
［３］  該フィルム形成性ポリマー（Ａ）の数平均分子量が９，０００以上２３，０００以下である、上記［１］又は［２］に記載の異方導電性接着フィルム。
［４］  該フィルム形成性ポリマー（Ａ）の１８０℃におけるメルトフローレートが３以上９０以下である、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の異方導電性接着フィルム。
［５］  該潜在性硬化剤（Ｃ）が、該アミンアダクトからなるコアをカプセル膜で被覆してなるマイクロカプセル型潜在性硬化剤である、上記［１］〜［４］のいずれかに記載の異方導電性接着フィルム。
［６］  接続バンプを有するＬＳＩチップと接続バンプに対応する電極を有する接続基板とを電気的に接続する方法であって、上記［１］〜［５］のいずれかに記載の異方導電性接着フィルムを該ＬＳＩチップと該接続基板とで挟み、１５０℃以上１９５℃以下の温度で、３秒以上１５秒以下の間加熱及び加圧することを含む、接続方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、低温及び短時間での接続においても、局所的な硬化不良が起こり難く、接続領域における配線及び電極の腐食の発生が抑制され、長期の信頼性を与える接続が可能な、保存安定性の高い異方導電性接着フィルムが提供される。また本発明によれば、該異方導電性接着フィルムを用いることにより、長期の信頼性に優れる接続を与える接続方法が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明について具体的に説明する。
【００１２】
＜異方導電性接着フィルム＞
本発明は、フィルム形成性ポリマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、潜在性硬化剤（Ｃ）及び導電粒子（Ｄ）を含有する異方導電性接着フィルムであって、潜在性硬化剤（Ｃ）が、重量平均分子量の数平均分子量に対する比として定義される分子量分布が３以下であるアミンアダクトを含有し、フィルム形成性ポリマー（Ａ）１００質量部に対し、エポキシ樹脂（Ｂ）を５０質量部以上１９０質量部以下、及び潜在性硬化剤（Ｃ）を１５質量部以上７５質量部以下含有し、異方導電性接着フィルム全体に対して導電粒子（Ｄ）を０．１質量％以上３０質量％以下含有する、異方導電性接着フィルムを提供する。
【００１３】
［フィルム形成性ポリマー（Ａ）］
本発明に用いられるフィルム形成性ポリマー（Ａ）としては、フィルム形状を維持する機能を有するポリマー全般を使用できる。好ましいフィルム形成性ポリマー（Ａ）としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、並びに、カルボキシル基、ヒドロシキシル基、ビニル基及びアミノ基等の官能基を有するエラストマー類等が例示される。
【００１４】
フィルム形成性ポリマー（Ａ）としては、長期接続信頼性に優れるフェノキシ樹脂が好ましい。使用できるフェノキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＡビスフェノールＦ混合型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＡビスフェノールＳ混合型フェノキシ樹脂、フルオレン環含有フェノキシ樹脂、カプロラクトン変性ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂等が例示される。
【００１５】
フィルム形成性ポリマー（Ａ）の数平均分子量は９，０００以上２３，０００以下であることが好ましい。該数平均分子量は、より好ましくは、９，５００以上２１，０００以下、更に好ましくは、１０，０００以上２０，０００以下である。ここで数平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィ（以下ＧＰＣと称す）によるポリスチレン換算の数平均分子量であり、ポリスチレン換算分子量が７２８以上の領域について平均値を算出した値である。数平均分子量を９，０００以上とすることで、硬化したエポキシ樹脂の架橋構造からのフィルム形成性ポリマー（Ａ）のすり抜けを抑制でき、硬化物の凝集力の低下を抑制でき、よって接続信頼性の低下を抑制でき好ましい。一方、数平均分子量を２３，０００以下とすることで、基板又はＩＣチップ等の被接着物と異方導電性接着フィルムとの高い密着性を維持でき、また、接続時に局所的な硬化不良の発生が抑制でき、配線及び電極の腐食の発生が起き難く、高い絶縁信頼性が得られ好ましい。
【００１６】
フィルム形成性ポリマー（Ａ）の１８０℃におけるメルトフローレートは３以上９０以下であることが好ましい。上記メルトフローレートは、より好ましくは４以上７０以下、更に好ましくは４．５以上６０以下である。ここでメルトフローレートは荷重５ｋｇでの値である。メルトフローレートを９０以下とすることで、得られる異方導電性接着フィルムの仮貼付け（すなわち、異方導電性接着フィルムを、基板と接続するために該基板上に搭載すること）ができない不具合を抑制することができ、また、得られる異方導電性接着フィルムをリール状に巻いた場合にブロッキングを起こしてフィルムの引き出しができなくなるトラブルを抑制でき好ましい。一方、メルトフローレートを３以上とすることで、接続時に局所的な硬化不良の発生が抑制でき、配線及び電極の腐食の発生が起き難く好ましい。本明細書で記載するメルトフローレートは、ＪＩＳ  Ｋ７２１０に準拠して１８０℃にて測定される値である。
【００１７】
［エポキシ樹脂（Ｂ）］
本発明に用いられるエポキシ樹脂（Ｂ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラキスヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エーテル型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエーテルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂環族エポキサイド等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂はハロゲン化又は水素添加されていてもよく、また、ウレタン変性、ゴム変性、シリコーン変性等の変性がされたエポキシ樹脂でもよい。また複数種のエポキシ樹脂を併用しても構わない。
【００１８】
エポキシ樹脂（Ｂ）としては、接着力の強さの観点からはグリシジルエーテル型エポキシ樹脂が好ましい。一方、ナフタレン型エポキシ樹脂は、潜在性硬化剤を隅々まで行き渡らせる効果が高く、局所的な硬化不良の発生が良好に抑制できる。エポキシ樹脂（Ｂ）の少なくとも一部にナフタレン型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００１９】
エポキシ樹脂（Ｂ）のエポキシ当量は１００以上５００以下であることが好ましい。エポキシ当量は、より好ましくは１２０以上４００以下、更に好ましくは１４０以上３００以下である。エポキシ当量を１００以上とすることで安全性の高い異方導電性接着フィルムが得られ好ましい。一方、エポキシ当量を５００以下とすることで架橋密度の高い硬化物が得られ、高い接続信頼性が得られ好ましい。尚、エポキシ当量が５００を超えるエポキシ樹脂を一部に使用しても問題はなく、その場合、エポキシ樹脂（Ｂ）全体としてのエポキシ当量が１００以上５００以下であることが好ましい。本明細書で記載するエポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に準拠して確認される。
【００２０】
異方導電性接着フィルム中のエポキシ樹脂（Ｂ）の含有量は、フィルム形成性ポリマー（Ａ）１００質量部に対して５０質量部以上１９０質量部以下である。上記含有量は、好ましくは６０質量部以上１７０質量部以下、更に好ましくは７０質量部以上１５０質量部以下である。エポキシ樹脂（Ｂ）の上記含有量を５０質量部以上とすることで架橋密度の高い硬化物が得られ、高い接続信頼性が得られ好ましい。一方、上記含有量を１９０質量部以下とすることで、得られる異方導電性接着フィルムの仮貼付け（すなわち、異方導電性接着フィルムを、基板と接続するために該基板上に搭載すること）ができない不具合を抑制することができ、また、得られる異方導電性接着フィルムをリール状に巻いた場合にブロッキングを起こしてフィルムの引き出しができなくなるトラブルを抑制でき好ましい。
【００２１】
［潜在性硬化剤（Ｃ）］
本発明に用いられる潜在性硬化剤（Ｃ）は、重量平均分子量（Ｍｗ）の数平均分子量（Ｍｎ）に対する比（Ｍｗ／Ｍｎ）として定義される分子量分布が３以下であるアミンアダクトを含有する。
【００２２】
アミンアダクトとしては、カルボン酸化合物、スルホン酸化合物、イソシアネート化合物、尿素化合物及びエポキシ化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物とアミン化合物の反応により得られる化合物が挙げられる。
【００２３】
カルボン酸化合物としては、例えば、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸、フタル酸、ダイマー酸等が挙げられる。
【００２４】
スルホン酸化合物としては、例えば、エタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等が挙げられる。
【００２５】
イソシアネート化合物としては、例えば、脂肪族ジイソシアネート、脂環式ジイソシアネート、芳香族ジイソシアネート、脂肪族トリイソシアネート、ポリイソシアネート等が挙げられる。脂肪族ジイソシアネートの例としては、エチレンジイソシアネート、プロピレンジイソシアネート、ブチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等を挙げることができる。脂環式ジイソシアネートの例としては、イソホロンジイソシアネート、４−４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート、１，４−イソシアナトシクロヘキサン、１，３−ビス（イソシアナトメチル）−シクロヘキサン、１，３−ビス（２−イソシアナトプロピル−２イル）−シクロヘキサン等を挙げることができる。芳香族ジイソシアネートの例としては、トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート等を挙げることができる。脂肪族トリイソシアネートの例としては、１，３，６−トリイソシアネートメチルヘキサン、２，６−ジイソシアナトヘキサン酸−２−イソシアナトエチル等を挙げることができる。ポリイソシアネートとしては、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート、上記ジイソシアネート化合物から誘導されるポリイソシアネート等が挙げられる。上記ジイソシアネートから誘導されるポリイソシアネートとしては、イソシアヌレート型ポリイソシアネート、ビュレット型ポリイソシアネート、ウレタン型ポリイソシアネート、アロハネート型ポリイソシアネート、カルボジイミド型ポリイソシアネート等が挙げられる。
【００２６】
尿素化合物としては、例えば、尿素、メチル尿素、ジメチル尿素、エチル尿素、ｔ−ブチル尿素等が挙げられる。
【００２７】
エポキシ化合物としては、モノエポキシ化合物、多価エポキシ化合物、又はそれらの混合物が用いられる。モノエポキシ化合物としては、ブチルグリシジルエーテル、ヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、パラ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、パラキシリルグリシジルエーテル、グリシジルアセテート、グリシジルブチレート、グリシジルヘキソエート、グリシジルベンゾエート等を挙げることができる。多価エポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、テトラメチルビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノールＡＤ、テトラメチルビスフェノールＳ、テトラブロモビスフェノールＡ、テトラクロロビスフェノールＡ、テトラフルオロビスフェノールＡ等のビスフェノール類をグリシジル化したビスフェノール型エポキシ樹脂；ビフェノール、ジヒドロキシナフタレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン等のその他の２価フェノール類をグリシジル化したエポキシ樹脂；１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、４，４−（１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル（７））−１−メチルエチル）フェニル）エチリデン）ビスフェノール等のトリスフェノール類をグリシジル化したエポキシ樹脂；１，１，２，２，−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン等のテトラキスフェノール類をグリシジル化したエポキシ樹脂；フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ビスフェノールＡノボラック、臭素化フェノールノボラック、臭素化ビスフェノールＡノボラック等のノボラック類をグリシジル化したノボラック型エポキシ樹脂等；多価フェノール類をグリシジル化したエポキシ樹脂；グリセリン、ポリエチレングリコール等の多価アルコールをグリシジル化した脂肪族エーテル型エポキシ樹脂；ｐ−オキシ安息香酸、β−オキシナフトエ酸等のヒドロキシカルボン酸をグリシジル化したエーテルエステル型エポキシ樹脂；フタル酸、テレフタル酸等のポリカルボン酸をグリシジル化したエステル型エポキシ樹脂；４，４−ジアミノジフェニルメタン、ｍ−アミノフェノール等のアミン化合物のグリシジル化物；トリグリシジルイソシアヌレート等のアミン型エポキシ樹脂等のグリシジル型エポキシ樹脂；３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート等の脂環族エポキシド等が例示される。
【００２８】
アミンアダクトの原料として用いられる、カルボン酸化合物、スルホン酸化合物、イソシアネート化合物、尿素化合物及びエポキシ化合物のうち、エポキシ化合物は、高い硬化性を有し貯蔵安定性に優れるため好ましい。
【００２９】
アミン化合物としては、少なくとも１個の一級アミノ基及び／又は二級アミノ基を有するが三級アミノ基を有さない化合物、並びに、少なくとも１個の三級アミノ基と少なくとも１個の活性水素基とを有する化合物が挙げられる。
【００３０】
少なくとも１個の一級アミノ基及び／又は二級アミノ基を有するが三級アミノ基を有さない化合物としては、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、エタノールアミン、プロパノールアミン、シクロヘキシルアミン、イソホロンジアミン、アニリン、トルイジン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン等の、三級アミノ基を有さない第一アミン類、及び；例えば、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジメタノールアミン、ジエタノールアミン、ジプロパノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ピペリジン、ピペリドン、ジフェニルアミン、フェニルメチルアミン、フェニルエチルアミン等の、三級アミノ基を有さない第二アミン類；を挙げることができる。
【００３１】
少なくとも１個の三級アミノ基と少なくとも１個の活性水素基とを有する化合物において、活性水素基としては一級アミノ基、二級アミノ基、水酸基、チオール基、カルボン酸、ヒドラジド基等が例示される。
【００３２】
少なくとも１個の三級アミノ基と少なくとも１個の活性水素基とを有する化合物としては、例えば、２−ジメチルアミノエタノール、１−メチル−２−ジメチルアミノエタノール、１−フェノキシメチル−２−ジメチルアミノエタノール、２−ジエチルアミノエタノール、１−ブトキシメチル−２−ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−β−ヒドロキシエチルモルホリン等のアミノアルコール類；２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等のアミノフェノール類；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−アミノエチル−２−メチルイミダゾール、１−（２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル）−２−メチルイミダゾール、１−（２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル）−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−（２−ヒドロキシ−３−ブトキシプロピル）−２−メチルイミダゾール、１−（２−ヒドロキシ−３−ブトキシプロピル）−２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類；１−（２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル）−２−フェニルイミダゾリン、１−（２−ヒドロキシ−３−ブトキシプロピル）−２−メチルイミダゾリン、２−メチルイミダゾリン、２，４−ジメチルイミダゾリン、２−エチルイミダゾリン、２−エチル−４−メチルイミダゾリン、２−ベンジルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−（ｏ−トリル）−イミダゾリン、テトラメチレン−ビス−イミダゾリン、１，１，３−トリメチル−１，４−テトラメチレン−ビス−イミダゾリン、１，３，３−トリメチル−１，４−テトラメチレン−ビス−イミダゾリン、１，１，３−トリメチル−１，４−テトラメチレン−ビス−４−メチルイミダゾリン、１，３，３−トリメチル−１，４−テトラメチレン−ビス−４−メチルイミダゾリン、１，２−フェニレン−ビス−イミダゾリン、１，３−フェニレン−ビス−イミダゾリン、１，４−フェニレン−ビス−イミダゾリン、１，４−フェニレン−ビス−４−メチルイミダゾリン等のイミダゾリン類；ジメチルアミノプロピルアミン、ジエチルアミノプロピルアミン、ジプロピルアミノプロピルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、ジメチルアミノエチルアミン、ジエチルアミノエチルアミン、ジプロピルアミノエチルアミン、ジブチルアミノエチルアミン、Ｎ−メチルピペラジン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、ジエチルアミノエチルピペラジン等の三級アミノアミン類；２−ジメチルアミノエタンチオール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトピリジン、４−メルカプトピリジン等のアミノメルカプタン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン、ニコチン酸、イソニコチン酸、ピコリン酸等のアミノカルボン酸類；Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシンヒドラジド、ニコチン酸ヒドラジド、イソニコチン酸ヒドラジド等のアミノヒドラジド類；を挙げることができる。
【００３３】
アミン化合物としては、貯蔵安定性と硬化性とのバランスが優れている点で、少なくとも１個の三級アミノ基と少なくとも１個の活性水素基とを有する化合物が好ましく、イミダゾール類が更に好ましく、２−メチルイミダゾール及び２−エチル−４−メチルイミダゾールが一層好ましい。
【００３４】
本発明に用いられるアミンアダクトの分子量分布は３以下である。分子量分布は重量平均分子量の数平均分子量に対する比として定義され、ＧＰＣ法を用いてポリスチレン換算で求めた分子量から計算される。アミンアダクトの分子量分布は１．０１以上２．５以下であることが好ましく、１．０３以上２．０以下であることが更に好ましく、１．０５以上１．５以下であることが更に一層好ましい。３以下の分子量分布のアミンアダクトを用いることで、エポキシ樹脂（Ｂ）との反応において、高い反応性が得られる。
【００３５】
本発明に用いられるアミンアダクトは、例えば、エポキシ化合物とアミン化合物とを、エポキシ化合物のエポキシ基１当量に対して、アミン化合物中の活性水素基が好ましくは０．８当量〜５当量（更に好ましくは０．９当量〜４当量、一層好ましくは０．９５当量〜３当量）となる範囲で、必要に応じて溶剤の存在下において、例えば５０〜２５０℃の温度で０．１〜１０時間反応させることにより得られる。エポキシ基に対する活性水素基の当量比を０．８以上にすると、分子量分布が３以下のアミンアダクトを得るのに有利であり、該当量比を５以下とすると、未反応のアミン化合物の回収が経済的にでき、有利である。
【００３６】
アミンアダクトの製造において、必要に応じて用いられる溶剤としては、特別に制限するものではないが、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、ミネラルスピリット、ナフサ等の炭化水素類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸−ｎ−ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類；メタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ブチルセロソルブ、ブチルカルビトール等のアルコール類；水；等が挙げられ、これらの溶剤は複数種を併用しても構わない。用いられた溶剤は蒸留等により除去されることが好ましい。
【００３７】
本発明の潜在性硬化剤（Ｃ）は、前述のアミンアダクトからなるコアをカプセル膜で被覆してなるマイクロカプセル型潜在性硬化剤の形状で存在していることが、貯蔵安定性と硬化性とのバランスが良好である点で好ましい。マイクロカプセル型潜在性硬化剤は、前記アミンアダクトの表面をカプセル膜で被覆し安定化したもので、接続時の温度及び／又は圧力でカプセル膜が破壊され、アミンアダクトがマイクロカプセル外に拡散し、エポキシ樹脂（Ｂ）と反応する。
【００３８】
カプセル膜としては、室温での安定性と低温加熱による活性発現とのバランス、すなわち、潜在性が高い点で、高分子化合物が好ましく、特に、ポリウレタン化合物、ポリウレタンウレア化合物、ポリウレア化合物、ポリビニル化合物、メラミン化合物、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びこれらの反応物である高分子化合物が好ましい。
【００３９】
マイクロカプセル型潜在性硬化剤は、微粉末状のアミンアダクトの表面をカプセル膜で被覆した構造を有することが好ましい。この場合のマイクロカプセル型潜在性硬化剤の平均粒子径は、０．５μｍ以上８μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上６μｍ以下であることがより好ましく、１．５μｍ以上４μｍ以下であることが更に好ましい。該平均粒子径が０．５μｍ以上である場合、カプセル膜に対するアミンアダクトの比率が大きくなり過ぎず、潜在性硬化剤としての効率が高く好ましい。一方、平均粒子径が８μｍ以下である場合、均一性の高い硬化物が得られ、局所的な硬化不良が起こり難く好ましい。
【００４０】
カプセル膜の量は、マイクロカプセル型潜在性硬化剤のコアに用いるアミンアダクト１００質量部に対して、０．５質量％以上３５質量％以下であることが好ましく、より好ましくは１質量％以上３０質量％以下、更に好ましくは１．５質量％以上２５質量％以下である。カプセル膜の量が０．５質量％以上である場合、貯蔵安定性をより有利に発現でき、３５質量％以下である場合、有効成分比率の高いマイクロカプセル型潜在性硬化剤が得られる。
【００４１】
マイクロカプセル型潜在性硬化剤の平均粒子径の測定方法としては、コールターカウンターを用いる方法が挙げられ、マイクロカプセル型潜在性硬化剤の球相当直径の数平均値として得られる。
【００４２】
異方導電性接着フィルム中の潜在性硬化剤（Ｃ）の含有量は、フィルム形成性ポリマー（Ａ）１００質量部に対して、１５質量部以上７５質量部以下である。上記含有量は、好ましくは２０質量部以上７０質量部以下、更に好ましくは２５質量部以上６０質量部以下である。潜在性硬化剤（Ｃ）の上記含有量を１５質量部以上とすることで、接続時に局所的な硬化不良の発生が抑制でき、配線及び電極の腐食の発生が起き難く、高い絶縁信頼性が得られ好ましい。一方、上記含有量を７５質量部以下とすることで、耐水性の低下が抑えられ、高い信頼性が得られ好ましい。
【００４３】
［導電粒子（Ｄ）］
本発明に用いられる導電粒子（Ｄ）としては、金属粒子、炭素からなる粒子、高分子核材に金属薄膜を被覆した粒子等が挙げられる。
【００４４】
金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、錫、鉛、半田、インジウム、パラジウム等の単体、及び、２種以上のこれらの金属が層状又は傾斜状に組み合わされている粒子が例示される。
【００４５】
高分子核材に金属薄膜を被覆した粒子としては、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ジビニルベンゼン架橋体、ＮＢＲ、ＳＢＲ等のポリマーから選ばれる１種又は２種以上の組み合わせで構成される高分子核材に、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、錫、鉛、半田、インジウム、パラジウム等から選ばれる１種又は２種以上の組み合わせで構成されるメッキ等により金属被覆した粒子が例示される。金属薄膜の厚さは０．００５μｍ以上１μｍ以下の範囲であることが、接続安定性及び粒子の凝集防止の観点から好ましい。なお上記厚みは、オージェ分光分析法で確認できる。金属薄膜は均一な厚みで被覆されていることが接続安定性の観点から好ましい。これら導電粒子の表面を更に絶縁被覆した粒子も使用することができる。
【００４６】
導電粒子（Ｄ）の平均粒子径は、０．５μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることが、導電性と絶縁性との両立及び粒子の凝集防止の観点から好ましい。上記平均粒子径は、より好ましくは１μｍ以上７μｍ以下、更に好ましくは１．５μｍ以上６μｍ以下、より更に好ましくは２μｍ以上５．５μｍ以下、特に好ましくは２．５μｍ以上５μｍ以下である。上記範囲の平均粒子径の導電粒子（Ｄ）を用いることで、ＩＣチップ及び回路基板の電極高さのバラツキ、並びに接続時の平行度のバラツキを吸収し、同時に隣接電極間の粒子滞留による絶縁破壊を抑制することができる。
【００４７】
導電粒子（Ｄ）の粒子径の標準偏差は、小さいほど好ましく、平均粒子径の５０％以下であることが好ましく、より好ましくは２０％以下、更に好ましくは１０％以下、特に好ましくは５％以下である。導電粒子の平均粒子径は、コールターカウンターを用いて測定することができ、導電粒子体積の球相当直径の数平均値として得られる。
【００４８】
異方導電性接着フィルム中の導電粒子（Ｄ）の含有量は、異方導電性接着フィルム全体を１００質量％として０．１質量％以上３０質量％以下である。該含有量は、好ましくは０．１３質量％以上２５質量％以下、更に好ましくは０．１５質量％以上２０質量％以下、より更に好ましくは０．２質量％以上１５質量％以下、特に好ましくは０．２５質量％以上１０質量％以下である。導電粒子（Ｄ）の含有量が０．１質量％以上３０質量％以下の領域では、対向する電極間の導電性と隣接する電極間の絶縁性とが両立し易い。
【００４９】
［その他の成分］
本発明の異方導電性接着フィルムは、更に、その他の成分を含有することができる。その他の成分としては、絶縁粒子、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤、カップリング剤、イオントラップ剤等が挙げられる。絶縁粒子、充填剤等の固形の成分の場合、これらの最大径は導電粒子（Ｄ）の平均粒子径未満であることが好ましい。カップリング剤としては、ケチミン基、ビニル基、アクリル基、アミノ基、エポキシ基及びイソシアネート基から選ばれる少なくともいずれかを含有するシランカップリング剤が、接着性の向上の点から好ましい。
【００５０】
その他の成分の含有量は、異方導電性接着フィルムを１００質量％として、５０質量％以下であることが好ましく、更に好ましくは３０質量％以下である。
【００５１】
［異方導電性接着フィルムの製造］
本発明の異方導電性接着フィルムの典型的な製造方法を以下に説明する。まず、異方導電性接着フィルムを構成する各成分を、必要に応じて溶剤を用いて、混合し、塗工液を調製する。溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート等が挙げられる。次に、この塗工液をセパレーター上にアプリケーター塗装等により塗工し、オーブン中で溶剤を揮発させる。このような方法で異方導電性接着フィルムを製造できる。異方導電性接着フィルムは、所望の幅にスリットされ、リール状に巻き取られてもよい。
【００５２】
なお、本発明の異方導電性接着フィルムは、潜在性硬化剤（Ｃ）をエポキシ樹脂（Ｂ）に分散させてなるマスターバッチを少なくとも用いて形成されてもよい。この場合、本発明において用いるエポキシ樹脂（Ｂ）の一部又は全部を該マスターバッチによって供給できる。マスターバッチを形成するエポキシ樹脂（Ｂ）の種類は、マスターバッチとせずに配合するエポキシ樹脂（Ｂ）（存在する場合）と同じでも異なっていてもよい。マスターバッチが含有するエポキシ樹脂（Ｂ）の質量は、潜在性硬化剤（Ｃ）の質量の１〜５倍であることが好ましく、特に好ましくは２倍である。
【００５３】
本発明の異方導電性接着フィルムの厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは６μｍ以上３５μｍ以下、更に好ましくは７μｍ以上２５μｍ以下、更に好ましくは８μｍ以上２０μｍ以下である。なお上記厚みは、例えばデジマイクロを用いて測定され２５箇所の数平均値として得られる値である。
【００５４】
異方導電性接着フィルムは、例えばセパレーター等の上に形成して種々の用途に適用できる。セパレーターとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル（例えば、ＰＥＴ及びＰＥＮ）、ナイロン、塩化ビニル、ポリビニルアルコール等のフィルムが例示される。また、異方導電性接着フィルムの上に保護フィルムを更に形成してもよい。好ましい保護フィルム用の樹脂としては、ポリプロピレン及びＰＥＴが挙げられる。該セパレーターはフッ素処理、Ｓｉ処理、アルキド処理等の表面処理が施されたものであることが好ましい。セパレーターの膜厚は、２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【００５５】
＜本発明の異方導電性接着フィルムを用いた接続方法＞
本発明の異方導電性接着フィルムは、液晶ディスプレイとＴＣＰ、ＴＣＰとＦＰＣ、ＦＰＣとプリント配線基板との接続、及び、半導体チップを直接基板に実装するフリップチップ実装に好適に用いることができる。
【００５６】
特に、本発明の別の態様は、接続バンプを有するＬＳＩチップと接続バンプに対応する電極を有する接続基板とを電気的に接続する方法であって、上述した本発明の異方導電性接着フィルムを該ＬＳＩチップと該接続基板とで挟み、１５０℃以上１９５℃以下の温度で、３秒以上１５秒以下の間加熱及び加圧することを含む、接続方法を提供する。
【００５７】
本発明の異方導電性接着フィルムを用いた、本発明の別の態様に係る接続方法の具体例としては、ＩＴＯ配線又は金属配線等によって回路及び電極を形成したガラス基板等の接続基板（回路基板）と、該接続基板の電極と対を成す位置に電極を形成したＩＣチップ等の回路部材（例えば接続バンプを有するＬＳＩチップ）とを準備し、接続基板上の回路部材を配置する位置に、本発明の異方導電性接着フィルムを貼り付け、次に、接続基板と回路部材とをそれぞれの電極が互いに対を成すように位置を合わせた後、熱圧着して接続する。
【００５８】
異方導電性接着フィルムがセパレーター上に形成されている場合、異方導電性接着フィルムの貼付け時に、セパレーターを剥離するために、加熱及び加圧することができる。加熱及び加圧の条件としては、例えば、４０℃以上９０℃以下の温度、０．１ＭＰａ以上１ＭＰａ以下の圧力で０．５秒以上３秒以下の間の加熱及び加圧が好ましい。
【００５９】
接続における熱圧着の条件としては、１５０℃以上１９５℃以下（より好ましくは１６０℃以上１９０℃以下）の温度範囲で、回路部材面積に対して、０．１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下（より好ましくは０．５ＭＰａ以上４０ＭＰａ以下）の圧力範囲で、３秒以上１５秒以下（より好ましくは４秒以上１２秒以下）の間で、加熱及び加圧することが好ましい。
【００６０】
上記範囲の熱圧着条件で接続することにより、高い接続信頼性が得られると共に、耐熱性の低い基板の接続に対し有利であるという効果が得られるため、上記範囲の熱圧着条件での接続は、基板の反りが抑制でき、工程時間が短縮できるという点で有利である。
【実施例】
【００６１】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
【００６２】
＜フィルム形成性ポリマー（Ａ）（フェノキシ樹脂）の数平均分子量＞
東ソー（株）製ＨＬＣ８０２０ＧＰＣ（検出器：ＵＶ）を用い、カラム：ＴＳＫｇｅｌ５０００ＨＨＲ／Ｇ４０００ＨＨＲ／Ｇ３０００ＨＨＲ／Ｇ２５００ＨＨＲ直列、溶離液：テトラヒドロフラン、溶離温度：４０℃の条件でＧＰＣ測定を行い、標準ポリスチレンによる検量線を用い、ポリスチレン換算分子量で７２８以上の範囲について数平均分子量を求めた。
【００６３】
＜アミンアダクトの分子量分布＞
東ソー（株）製ＨＬＣ８２２０ＧＰＣ（検出器：ＲＩ）を用い、カラム：ＰＬｇｅｌ３μＭＩＸＥＤ−Ｅ（ポリマーラボラトリー社製）２本直列、溶離液：ジメチルホルムアミド１％リチウムブロマイド溶液、溶離温度：８０℃の条件でＧＰＣ測定を行い、標準ポリスチレンによる検量線を用い、ポリスチレン換算分子量で１０４以上の範囲について重量平均分子量と数平均分子量とを算出し、重量平均分子量を数平均分子量で割った値を分子量分布とした。
【００６４】
＜メルトフローレートの測定＞
ＪＩＳ  Ｋ７２１０に準拠して、荷重５ｋｇ、１８０℃で測定した。
＜エポキシ当量＞
ＪＩＳ  Ｋ−７２３６に準拠して求めた。
＜膜厚測定＞
（株）ニコン製デジマイクロＭＨ−１５Ｍを用いて測定し、測定数２５箇所の数平均値を膜厚とした。
＜平均粒子径測定＞
コールターカウンター（ベックマンコールター社製Ｍｕｌｔｉｓｉｚｅｒ４）を用い、球相当直径の数平均値として求めた。
【００６５】
＜製造例１：潜在性硬化剤（Ｃ）、及びマスターバッチの製造＞
［製造例１−１］
（マイクロカプセル型潜在性硬化剤Ｃ−１及びマスターバッチＭ−１の製造）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５ｇ／当量：以下エポキシ樹脂Ｂ−１と称す）１００質量部と、２−メチルイミダゾール４７質量部とを、ｎ−ブタノール７４質量部とトルエン７４質量部との混合溶剤中で８０℃６時間反応させた。その後、減圧下２００℃で未反応の２−メチルイミダゾールが１０ｐｐｍ未満になるまで蒸留を行い、溶剤と共に留去し、エポキシ樹脂Ｂ−１と２−メチルイミダゾールとの反応生成物であるアミンアダクトを得た。得られたアミンアダクトの分子量分布は１．４であった。
【００６６】
ここで得たアミンアダクトを粉砕して、平均粒子径が２．５μｍの粉体状のアミンアダクトとした。
【００６７】
２１０質量部のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６９ｇ／当量：以下エポキシ樹脂Ｂ−２と称す）に、上記の粉体状アミンアダクト１００質量部、水１．５質量部、トリレンジイソシアネート９質量部を加えて、４０℃で攪拌しながら３時間反応を続けた。更に、５０℃で２０時間反応を行ない、上記アミンアダクトをコアとし、エポキシ樹脂Ｂ−２とトリレンジイソシアネートとの反応生成物をカプセル膜とする、マイクロカプセル型潜在性硬化剤Ｃ−１を形成した。更に、マイクロカプセル型潜在性硬化剤Ｃ−１とエポキシ樹脂Ｂ−２とを質量比で１対２の比率で混合して、マスターバッチＭ−１を得た。
【００６８】
［製造例１−２］
（マイクロカプセル型潜在性硬化剤Ｃ−２及びマスターバッチＭ−２の製造）
２−メチルイミダゾールの仕込み量を９４質量部にした以外は製造例１−１と同様にしてアミンアダクトの製造を行い、分子量分布が１．１、平均粒子径が４．５μｍの粉体状のアミンアダクトを得た。この粉体状のアミンアダクトを用いて製造例１−１と同様にしてマイクロカプセル型潜在性硬化剤Ｃ−２を製造した。更に、マイクロカプセル型潜在性硬化剤Ｃ−２とエポキシ樹脂Ｂ−２とを質量比で１対２の比率で混合してマスターバッチＭ−２を得た。
【００６９】
［製造例１−３］
（マイクロカプセル型潜在性硬化剤Ｃ−３及びマスターバッチＭ−３の製造）
２−メチルイミダゾールの仕込み量を４０質量部にした以外は製造例１−１と同様にしてアミンアダクトの製造を行い、分子量分布が２．１、平均粒子径が１．８μｍの粉体状のアミアダクトを得た。この粉体状のアミンアダクトを用いて製造例１と同様にしてマイクロカプセル型潜在性硬化剤Ｃ−３を製造した。更に、マイクロカプセル型潜在性硬化剤Ｃ−３とエポキシ樹脂Ｂ−２とを質量比で１対２の比率で混合してマスターバッチＭ−３を得た。
【００７０】
［製造例１−４］
（潜在性硬化剤Ｃ−４及びマスターバッチＭ−４の製造）
２−メチルイミダゾールの仕込み量を３３質量部にした以外は製造例１−１と同様にしてアミンアダクトの製造を行い、分子量分布が３．７、平均粒子径が２．５μｍの粉体状のアミアダクトを得た。この粉体状のアミンアダクトを用いて製造例１と同様にしてマイクロカプセル型潜在性硬化剤Ｃ−４を製造した。更に、マイクロカプセル型潜在性硬化剤Ｃ−４とエポキシ樹脂Ｂ−２とを質量比で１対２の比率で混合してマスターバッチＭ−４を得た。
【００７１】
＜製造例２：フィルム形成性ポリマー（Ａ）としてのフェノキシ樹脂の製造＞
［製造例２−１］
（フェノキシ樹脂Ａ−１の製造）
エポキシ樹脂Ｂ−１：１７５質量部、ビスフェノールＡ：１１２質量部、キシレン：３０質量部及びトリエチルアミン：０．０５質量部を混合し、窒素雰囲気下、攪拌しながら１７０℃で２時間反応を行った。反応終了後、キシレンを系外へ除去しながら２００℃まで３時間かけて昇温し、２００℃で更に１０時間反応を続け、数平均分子量：２７，０００、メルトフローレート：０．５のフェノキシ樹脂Ａ−１を得た。
【００７２】
［製造例２−２］
（フェノキシ樹脂Ａ−２の製造）
エポキシ樹脂Ｂ−１：１７５質量部、ビスフェノールＡ：１１０質量部、キシレン：３０質量部及びトリエチルアミン：０．０５質量部を混合し、窒素雰囲気下、攪拌しながら１７０℃で２時間反応を行った。反応終了後、キシレンを系外へ除去しながら２００℃まで３時間かけて昇温し、２００℃で更に７時間反応を続け、数平均分子量：２２，５００、メルトフローレート：３．１のフェノキシ樹脂Ａ−２を得た。
［製造例２−３］
（フェノキシ樹脂Ａ−３の製造）
エポキシ樹脂Ｂ−１：１７５質量部、ビスフェノールＡ：１０９質量部、キシレン：３０質量部及びトリエチルアミン：０．０５質量部を混合し、窒素雰囲気下、攪拌しながら１７０℃で２時間反応を行った。反応終了後、キシレンを系外へ除去しながら２００℃まで３時間かけて昇温し、２００℃で更に２時間反応を続け、数平均分子量：１９，０００、メルトフローレート：５．３のフェノキシ樹脂Ａ−３を得た。
【００７３】
［製造例２−４］
（フェノキシ樹脂Ａ−４の製造）
エポキシ樹脂Ｂ−１：１７５質量部、ビスフェノールＡ：１０７質量部、キシレン：３０質量部及びトリエチルアミン：０．０５質量部を混合し、窒素雰囲気下、攪拌しながら１７０℃で２時間反応を行った。反応終了後、キシレンを系外へ除去しながら２００℃まで３時間かけて昇温し、２００℃で更に２時間反応を続け、数平均分子量：１０，０００、メルトフローレート：７０のフェノキシ樹脂Ａ−４を得た。
【００７４】
［製造例２−５］
（フェノキシ樹脂Ａ−５の製造）
エポキシ樹脂Ｂ−１：１７５質量部、ビスフェノールＡ：１０３質量部、キシレン：３０質量部及びトリエチルアミン：０．０５質量部を混合し、窒素雰囲気下、攪拌しながら１７０℃で２時間反応を行った。反応終了後、キシレンを系外へ除去しながら２００℃まで３時間かけて昇温し、２００℃で更に２時間反応を続け、数平均分子量：８，８００、メルトフローレート：１６０のフェノキシ樹脂Ａ−５を得た。
【００７５】
＜実施例及び比較例：異方導電性接着フィルムの製造＞
［実施例１］
フェノキシ樹脂Ａ−３（フィルム形成性ポリマー（Ａ）として）を４０質量部、エポキシ樹脂Ｂ−１（エポキシ樹脂（Ｂ）として）を２０質量部、マスターバッチＭ−１（マイクロカプセル化された潜在性硬化剤（Ｃ）を含むマスターバッチとして）を４０質量部、シランカップリング剤（信越化学工業製、商品名ＫＢＭ−４０３）１質量部、導電粒子Ｄ−１（導電粒子（Ｄ）として）を５質量部、酢酸エチル１５０質量部を混合し、バインダーワニスを得た。尚、ここで用いた導電粒子Ｄ−１は、平均粒子径３μｍのジビニルベンゼン系樹脂をコアとし、その表層に厚み０．０７μｍのニッケル層をメッキで形成し、更に厚み０．０４μｍの金層をメッキで形成した、長軸に対する短軸の比が０．９５、粒子径の標準偏差が０．２μｍのものを用いた。
【００７６】
次に、上記バインダーワニスを、離型処理した膜厚５０μｍのＰＥＴフィルム製セパレーター上にブレードコーターを用いて塗布し、７０℃で１０分加熱し溶剤を乾燥除去して、膜厚２０μｍの異方導電性接着フィルムを得た。
【００７７】
次に、２０μｍ×１００μｍの金バンプがピッチ３０μｍで並んだ１．５ｍｍ×１６．１ｍｍのＩＣチップと、これに対応した接続ピッチを有するアルミチタン配線（０．３μｍ）とを形成した、厚み０．７ｍｍのガラス基板を３組準備し、ガラス基板のＩＣチップ接続位置を覆う様に、２ｍｍ×２０ｍｍの上記の異方導電性接着フィルムを貼り付けた。次に、７０℃、０．５ＭＰａ、２秒間の条件で仮圧着し、セパレーターを剥離した。３組ともセパレーターを剥離することができ、貼付性は良好であった。異方導電性接着フィルムを貼り付けたガラス基板と、ＩＣチップとをフリップチップボンダー（東レエンジニアリング株式会社製ＦＣ２０００、以下同じ）を用いて位置合わせし、チップ面積当たり４ＭＰａ、１８０℃で１０秒間加熱加圧し、ＩＣチップをガラス基板に接続した。
【００７８】
ＩＣチップ及びガラス基板からは、４端子接続抵抗が５箇所測定でき、３組×５箇所（計１５箇所）の接続抵抗の最大値は１８．３Ωであり、安定に接続されていた。更に、８５℃、相対湿度８５％の環境下で１０００時間放置後、同様に接続抵抗を測定した結果、接続抵抗の最大値は３１．１Ωであり、優れた接続信頼性を有していた。
【００７９】
ＩＣチップ及びガラス基板からは、２０対の櫛を有する櫛形電極が２箇所形成されており、３組×２箇所（合計６箇所、１２０対）の絶縁抵抗測定を行った。櫛形電極の絶縁抵抗の最小値は１０9Ω以上であり、隣接電極間でショートの発生はなかった。更に、８５℃、相対湿度８５％の環境下で１，０００時間放置後、同様に絶縁抵抗を測定した結果、絶縁抵抗の最小値は１０9Ω以上であり、外観上も配線の腐食等は観察されず優れた絶縁信頼性を有していた。
【００８０】
次に、貯蔵安定性評価として、５℃で４か月貯蔵した異方導電性接着フィルムを用いて、上記と同様に貼付性及び接続抵抗の測定を行った。貼付性は良好であり、接続抵抗の最大値は１９．４Ωであり、異方導電性接着フィルムは高い貯蔵安定性を有していた。
【００８１】
［実施例２〜８］
表１に示す配合量で、実施例１と同様にして、異方導電性接着フィルムを作製し、実施例１と同様に、貼付性、接続信頼性、絶縁信頼性、貯蔵安定性を評価した。得られた結果を表１に示す。
【００８２】
［実施例９，１０］
表２に示す配合量で、実施例１と同様にして、異方導電性接着フィルムを作製し、実施例１と同様に、貼付性、接続信頼性、絶縁信頼性、貯蔵安定性を評価した。得られた結果を表２に示す。
【００８３】
［比較例１］
表２に示す配合量で、実施例１と同様にして、異方導電性接着フィルムを作製し、実施例１と同様に、貼付性、接続信頼性、絶縁信頼性、貯蔵安定性を評価した。得られた結果を表２に示す。比較例１で使用した異方導電性接着フィルムは、使用したアミンアダクトの分子量分布が３を超えていたために、硬化不足のため、接続信頼性及び絶縁信頼性ともに不十分であった。
【００８４】
［比較例２］
表２に示す配合量で、実施例１と同様にして、異方導電性接着フィルムを作製し、実施例１と同様に、貼付性、接続信頼性、絶縁信頼性、貯蔵安定性を評価した。得られた結果を表２に示す。比較例２で使用した異方導電性接着フィルムでは、潜在性硬化剤（Ｃ）の使用量が少なく、局所的な硬化不良が発生し、絶縁信頼性が不十分であった。
【００８５】
［比較例３］
表２に示す配合量で、実施例１と同様にして、異方導電性接着フィルムを作製し、実施例１と同様に、貼付性、接続信頼性、絶縁信頼性、貯蔵安定性を評価した。得られた結果を表２に示す。比較例３で使用した異方導電性接着フィルムでは、潜在性硬化剤（Ｃ）の使用量が多すぎるため、耐水性が低下し、接続信頼性、絶縁信頼性共に不十分であった。
【００８６】
［比較例４］
表２に示す配合量で、実施例１と同様にして、異方導電性接着フィルムを作製し、実施例１と同様に、貼付性を評価した。得られた結果を表２に示す。比較例４で使用した異方導電性接着フィルムでは、エポキシ樹脂（Ｂ）の使用量が多すぎるため、貼付性不良で３組ともセパレーターを剥離することができず、信頼性評価及び貯蔵安定性評価を行うことができなかった。
【００８７】
【表１】
2011231143.tif 000002
【００８８】
【表２】
2011231143.tif 000003
【００８９】
【表３】
2011231143.tif 000004
【００９０】
【表４】
2011231143.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明の異方導電性接着フィルムは、低温及び短時間での接続においても、局所的な硬化不良が起こり難く、接続領域における配線及び電極の腐食の発生が抑制され、長期の信頼性を与える接続が可能であり、液晶ディスプレイと半導体チップとの接続等の電気的接続用途において好適に利用できる。