(57)【要約】【課題】Ａｌからなる接続パッドを備える電子装置において、自然酸化膜による接続抵抗の増大を抑制して信頼性等を向上させる。【解決手段】第１の面１１に接続パッド２０を有する電子素子１０を、一方の面に配線パターン３２を有する配線基板３０に、第１の面１１の反対側の面である第２の面１２が該一方の面と対向するように配置する第１の工程と、接続パッド２０の表面の一部の領域と配線パターン３２上の少なくとも一部の領域、及び接続パッド２０と配線パターン３２を結ぶ経路上に、金属微粒子を分散媒に分散させてなる液状体４７を配置する第２の工程と、液状体４７を蟻酸を含有する雰囲気中で加熱することにより、接続パッド２０と配線パターン３２とを結ぶ接続配線３５を形成する第３の工程と、を記載の順に実施する電子装置１の製造方法。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面に表面の少なくとも一部が露出するように形成された導電材料からなる接続パッドを有する電子素子を、少なくとも一方の面に配線パターンを有する配線基板に、前記第１の面の反対側の面である第２の面が前記一方の面と対向するように配置する第１の工程と、
前記接続パッドの表面の一部の領域と前記配線パターン上の少なくとも一部の領域、及び該接続パッドと該配線パターンを結ぶ経路上に、金属微粒子を分散媒に分散させてなる液状体を配置する第２の工程と、
前記液状体を蟻酸を含有する雰囲気中で加熱することにより、前記接続パッドと前記配線パターンとを結ぶ接続配線を形成する第３の工程と、
を記載の順に実施することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置の製造方法であって、
前記第２の工程は、前記接続パッドの表面の一部に、前記液状体が配置されず該表面が露出する領域が残るように前記液状体を配置する工程であることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子装置の製造方法であって、
前記第２の工程と前記第３の工程との間に、前記液状体を蟻酸を含有しない雰囲気中で加熱することにより前記分散媒の一部を乾燥除去する第４の工程を実施することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の電子装置の製造方法であって、
前記第４の工程は窒素雰囲気中で前記液状体を加熱する工程であることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法であって、
前記第２の工程は前記液状体を液滴として吐出する工程であることを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等の電子デバイスは、携帯電話機等の電子機器の部品として用いられる際に、回路基板上に１又は複数個が実装されて電子装置とされた上で組み込まれることが多い。かかる実装の際には、電子デバイスのパッド電極と回路基板の配線パターンとの間に導電材料からなる接続配線を形成する必要がある。そして近年、かかる接続配線の形成を、導電性微粒子と分散媒とを少なくとも含む液状体を局所的に配置した後に、該分散媒を乾燥除去して該導電性微粒子を含むパターンを形成する液滴吐出法を用いて行うことが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１４０２７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上述の手法は、電子デバイスのパッド電極の表面状態の影響を受けやすいという課題がある。上述の接続パッドは、パターニングの容易性あるいは製造コストおよび導電性等の観点から、Ａｌ（アルミニウム）、あるいはＡｌを含む合金が多用されている。
【０００５】
ここで、Ａｌは大気中では表面が酸化されやすいという特徴を有している。Ａｌ製の接続パッドの表面に形成された酸化膜（Ａｌ酸化膜）は電気的な導通を妨げることとなり、接続パッドに非接触で接続配線を形成する液滴吐出法においては特に問題となり得る。かかる酸化膜を除去した後に上述の液状体を吐出する手法もあり得るが、酸化膜の除去工程と液状体の吐出工程との間に酸化膜が再度形成される可能性があり、接続抵抗等の品質が安定した接続配線の形成が困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例にかかる電子装置の製造方法は、第１の面に表面の少なくとも一部が露出するように形成された導電材料からなる接続パッドを有する電子素子を、少なくとも一方の面に配線パターンを有する配線基板に、上記第１の面の反対側の面である第２の面が上記一方の面と対向するように配置する第１の工程と、上記接続パッドの表面の一部の領域と上記配線パターン上の少なくとも一部の領域、及び該接続パッドと該配線パターンを結ぶ経路上に、金属微粒子を分散媒に分散させてなる液状体を配置する第２の工程と、上記液状体を蟻酸を含有する雰囲気中で加熱することにより、上記接続パッドと上記配線パターンとを結ぶ接続配線を形成する第３の工程と、を記載の順に実施することを特徴とする。
【０００８】
このような製造方法であれば、接続パッドの表面に形成されている自然酸化膜を、蟻酸が加熱により分解されるときに生成される分解物質により還元できる。したがって、接続パッドと接続配線との接続抵抗を低減でき、信頼性及び品質が向上した電子装置を得ることができる。
【０００９】
［適用例２］上述の電子装置の製造方法であって、上記第２の工程は、上記接続パッドの表面の一部に、上記液状体が配置されず該表面が露出する領域が残るように上記液状体を配置する工程であることを特徴とする。
【００１０】
このような製造方法であれば、上述の接続パッドの表面が露出する領域を介して、液状体と接続パッドとの界面に上述の分解物質を浸透させることができる。したがって、接続パッドの表面に形成されている自然酸化膜を効率的に還元して除去でき、より一層信頼性等が向上した電子装置を得ることができる。
【００１１】
［適用例３］上述の電子装置の製造方法であって、上記第２の工程と上記第３の工程との間に、上記液状体を蟻酸を含有しない雰囲気中で加熱することにより上記分散媒の一部を乾燥除去する第４の工程を実施することを特徴とする。
【００１２】
このような製造方法であれば、液状体の分散媒の一部を蒸発させた後に、上述の分解物質を上述の界面に浸透させることができる。したがって、上述の自然酸化膜をより一層効率的に還元して除去できる。
【００１３】
［適用例４］上述の電子装置の製造方法であって、上記第４の工程は窒素雰囲気中で上記液状体を加熱する工程であることを特徴とする。
【００１４】
このような製造方法であれば、液状体の分散媒の一部を蒸発させる際に、接続パッドの表面が酸化されることを抑制できる。したがって、接続パッドと接続配線との接続抵抗をより一層効率的に低減できる。
【００１５】
［適用例５］上述の電子装置の製造方法であって、上記第２の工程は上記液状体を液滴として吐出する工程であることを特徴とする。
【００１６】
このような製造方法であれば、液状体の配置（吐出）量や配置位置を正確に制御可能である。したがって、接続配線の寸法精度等を向上でき、信頼性等がより一層向上した電子装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】回路基板の概略を示す模式平面図。
【図２】回路基板の概略を示す模式断面図。
【図３】接続配線を拡大して示す図。
【図４】回路基板の製造方法を示すフローチャート。
【図５】第１の実施形態にかかる回路基板の製造方法を示す工程断面図。
【図６】蟻酸による還元の態様を示す図。
【図７】第２の実施形態にかかる回路基板の製造方法を示す工程断面図。
【図８】電子機器としての携帯電話機の斜視構成図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１９】
（第１の実施形態）
＜電子装置＞
まず、本実施形態、及び後述する第２の実施形態の製造方法の対象となる電子装置としての回路基板１の概要について説明する。図１は、回路基板１の概略を示す模式平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ´線における断面図であり、回路基板１の概略を示す模式断面図である。
【００２０】
図１及び図２に示すように、回路基板１は、配線基板３０に電子素子としての半導体素子１０を配置して、接続配線３５で電気的に接続させることにより形成される。なお、半導体素子１０と配線基板３０との間には局所的に接着剤が配置されているが、本図では図示を省略している。半導体素子１０を配線基板３０に配置して接着剤で固定する工程が、本実施形態及び後述する第２の実施形態における第１の工程である。
【００２１】
半導体素子１０は、外周部において配線基板３０との間に段差部を有している。かかる段差により接続配線３５が断線することを抑制するために、該段差部にはスロープ２９が形成されている。スロープ２９は絶縁性の樹脂からなり、液状の樹脂をディスペンサーで供給後に硬化させることで形成される。本実施形態の回路基板１においては、スロープ２９は平面視で半導体素子１０の全周囲に形成されている。
【００２２】
半導体素子１０は、シリコン基板１４と該シリコン基板の一方の面上に形成された半導体層１６と、該半導体層を覆う層間絶縁層１８と、該半導体層と外部とを接続する機能を果たす接続パッド２０と、層間絶縁層１８と接続パッド２０とを覆うパシベーション層２２等で構成されている。半導体層１６は、複数のトランジスター、ダイオード、及びその他の要素、さらには該要素間を接続する配線も含む層である。
【００２３】
接続パッド２０は、層間絶縁層１８に形成されたコンタクトホール（符号無し）を介して半導体層１６と導通している。接続パッド２０が形成されている側の面が半導体素子１０の第１の面１１であり、その反対側の面が第２の面１２である。半導体素子１０は、第２の面１２が配線基板３０と対向するように配置されている。
【００２４】
配線基板３０は、アクリル樹脂等からなる絶縁材料層を介して複数の配線パターン３２が積層された多層基板である。本実施形態の配線基板３０は、双方の面に配線パターン３２が露出している。本実施形態では、配線基板３０の一方の面に半導体素子１０が配置されているが、双方の面に（半導体素子１０が）配置される態様も可能である。上述したように、半導体素子１０と配線基板３０とは、半導体素子１０の接続パッド２０と配線基板３０の配線パターン３２とを結ぶ経路上に形成された接続配線３５で電気的に接続されている。
【００２５】
図３は、図１のＢ領域（二点鎖線で囲まれた領域）の拡大図であり、かかる接続配線３５を拡大して示す図である。図３に示すように、接続配線３５は、接続パッド２０上と配線パターン３２上、及び接続パッド２０と配線パターン３２とを平面視でスロープ２９を介して結ぶ経路上に形成されている。そして、該接続配線は、金属微粒子を分散媒に分散させてなる液状体としての金属インク４７（図５参照）を、着弾点５０に吐出することで形成されている。なお、金属インク４７の成分等については後述する。吐出された金属インク４７は乾燥固化されて、上述の金属微粒子を主成分とする層となる。かかる金属微粒子の層が接続配線３５である。
【００２６】
着弾点５０は、金属インク４７を吐出する際の照準となる点であり、接続配線３５が形成されるべき領域に略等間隔で設定されている。吐出された金属インク４７は該着弾点を中心に略円形に広がって長尺状の接続配線３５となる。なお、本実施形態の着弾点５０は、１列に設定されているが、２列以上に並列に設定してもよく、また２列の着弾点５０を千鳥状に設定しても良い。
【００２７】
接続パッド２０は、パシベーション層２２（図２参照）を局所的に除去して形成された開口領域３８において表面が露出している。すなわち、接続パッド２０は、平面視で開口領域３８と該開口領域の周囲を囲むパシベーション層２２との積層領域（符号無し）とからなる。そして、本実施形態、及び後述する第２の実施形態の製造方法は、開口領域３８の一部にのみ金属インク４７を吐出して、該金属インクが吐出（配置）された領域の周囲に接続パッド２０の表面が露出する露出領域３９を残している。本実施形態では、金属インク４７は方形である開口領域３８の一辺を介して配線パターン３２の方向に延在している。したがって、露出領域３９は、金属インク４７が吐出された領域を３方（３方向）から囲む略Ｕ字型の領域となる。
【００２８】
ここで、本実施形態の半導体素子１０における接続パッド２０はＡｌ（アルミニウム）・Ｓｉ（シリコン）合金で形成されている。なお、接続パッド２０は他の合金材料、例えばＡｌ・Ｓｉ・Ｃｕ（銅）合金あるいは、Ｓｉ・Ｃｕ合金で形成することもできる。また、合金ではなくＡｌ単体あるいはＣｕ単体で形成することもできる。
【００２９】
開口領域３８の形成工程、すなわちパシベーション層２２（図２参照）をパターニングして局所的に除去する工程はフォトリソグラフィー法で行う。したがって、かかる開口領域３８の形成工程と金属インク４７を吐出する工程とを連続的に実施することは困難である。そして、上述したように、Ａｌは、常温常圧下でも（表面の）酸化が進み易いという特徴がある。したがって、開口領域３８を形成した後、金属インク４７の吐出が開始されるまでの間に、開口領域３８において露出する接続パッド２０の表面には酸化Ａｌ（Ａｌ2Ｏ3）からなる自然酸化膜３３（図６参照）が形成される。そしてかかる自然酸化膜３３は、接続配線３５と接続パッド２０との間の接続抵抗を増加させ、回路基板１の信頼性等を低下させ得る。本実施形態の回路基板１の製造方法は、吐出された金属インク４７を乾燥固化させる工程を蟻酸雰囲気中で行うことにより、上述の自然酸化膜３３を還元除去して上述の接続抵抗を低下させるものである。
【００３０】
＜回路基板の製造方法＞
以下、本実施形態の回路基板の製造方法について、図４〜図６を参照して説明する。図４は、回路基板１の製造方法を示すフローチャートである。図４に示すように、本実施形態の回路基板１の製造方法は、配線基板３０に電子素子としての半導体素子１０を配置して接着剤で固定する第１の工程としての電子素子配置工程（ステップＳ１）と、金属微粒子を分散媒に分散させてなる液状体である金属インク４７を吐出する第２の工程としての金属インク吐出工程（ステップＳ２）と、吐出された金属インクを蟻酸を含有する雰囲気中で加熱して該金属インクを乾燥固化して接続配線３５を形成する第３の工程としての接続配線形成工程（ステップＳ３）と、を有している。以下、各工程について説明する。
【００３１】
図５（ａ）〜（ｄ）は、回路基板の製造方法を示す工程断面図である。図５（ａ）は、電子素子配置工程を示す図である。図示するように、本工程では半導体素子１０を配線基板３０上に配置する。上述したように配線基板３０は双方の面に配線パターン３２を有している。そして、半導体素子１０は接続パッド２０が露出している第１の面１１とその反対側の第２の面１２とを有している。本工程では、かかる配線基板３０の一方の面に、半導体素子１０を該半導体素子の第２の面１２が対向するように配置する。そして図示しない接着剤で固定する。そしてさらに、本工程では半導体素子１０と配線基板３０との段差を解消するために、平面視における半導体素子１０の外周部にスロープ２９を形成する。
【００３２】
図５（ｂ）は、金属インク吐出工程を示す図である。液滴吐出ヘッド４０を移動させつつ、上述の図３に示す着弾点５０毎に金属インク４７の液滴を吐出（滴下）する。本工程で接続パッド２０と配線パターン３２とを結ぶ帯状の領域に配置された金属インク４７の層が形成される。かかる層は接続配線３５の前駆体である。
【００３３】
液滴吐出ヘッド４０は、金属インク４７が充填されたキャビティと、該キャビティに連通する微細な孔であるノズルと、該キャビティに取り付けられたアクチュエーターとしての圧電素子等を備えている。圧電素子に駆動電圧を印加してキャビティを変形させ、該キャビティに充填された金属インク４７を加圧することにより、キャビティに連通したノズルから所定量の金属インク４７を高い精度で吐出できる。
【００３４】
次に金属インク４７について説明する。上述したように、金属インク４７は金属微粒子を分散媒に分散させてなる液状体である。金属微粒子はＣｕ（銅）やＡｇ（銀）等の高い導電性を有する金属材料の粒子であり、粒径は数ｎｍ〜数十ｎｍの範囲である。本実施形態ではＣｕの微粒子が用いられている。かかる金属微粒子は、金属インク４７を形成する過程において表面が酸化されていることが一般的である。本実施形態で用いる金属インク４７のＣｕ（銅）の微粒子も、表面にはＣｕ2Ｏ（酸化銅）が形成されている。
【００３５】
分散媒としては、金属微粒子を分散可能であって凝集を起こさない液体が好ましい。例えば、水や、メタノール、エタノール、プロパノールなどのアルコール類、トルエン、キシレンなどの炭化水素化合物を用いることができる。また、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテルなどのエーテル系化合物、さらにはプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を用いることもできる。
【００３６】
図５（ｃ）は、接続配線形成工程を示す図である。本工程は、上述の帯状の領域に配置された金属インク４７を加熱して上述の分散媒を乾燥除去することで、該帯状の領域に分布する金属微粒子（本実施形態ではＣｕの微粒子）を互いに融着させる工程である。
本実施形態では、かかる金属インク４７の加熱を、蟻酸（ＨＣＯＯＨ）を含む雰囲気中で行っている。図示するように、チャンバー５５内を蟻酸（蟻酸分子）４１と窒素ガス４２との混合気体を充填する。そしてプレート６０上に半導体素子１０が配置された配線基板３０を載置して該チャンバー内に挿入して、（該配線基板を）蟻酸雰囲気中で加熱する。かかる加熱により金属インク４７の分散媒を乾燥除去して、Ｃｕの微粒子を互いに融着させる。なお、プレート６０としてヒーターを内蔵する加熱プレートを用いても良い。
混合気体は、蟻酸４１が６〜７ｖｏｌ％で窒素ガス４２が９３〜９４ｖｏｌ％の比で混合されている。加熱温度（チャンバー５５内の温度）は１５０度〜２５０度の範囲であり、加熱時間は６０分〜９０分の範囲である。
【００３７】
図５（ｄ）は、上述の工程により形成された回路基板１を示す図である。接続配線３５の厚さは略５μｍである。図５（ｂ）に示す工程では、かかる厚さの接続配線３５が形成されるように金属インク４７の吐出量を制御している。そして、本実施形態においては、接続配線３５の形成（すなわち分散媒の乾燥除去）を蟻酸雰囲気中で行っているため、接続パッド２０に金属インク４７が吐出されるまでの間に該接続パッドの表面に形成された（Ａｌ2Ｏ3からなる）自然酸化膜を還元できる。また、金属インク４７の製造過程でＣｕの微粒子の表面に形成されていたＣｕ2Ｏ（酸化銅）を還元できる。したがって、接続パッド２０と接続配線３５との間の接続抵抗と接続配線３５自体の配線抵抗との双方の抵抗を低減できる。
【００３８】
以下、上述の還元について述べる。Ｃｕ2Ｏ（酸化銅）の還元は以下の式（１），（２）に示す化学反応によると考えられる。
【００３９】
Ｃｕ2Ｏ＋２ＨＣＯＯＨ  →  ２Ｃｕ（ＯＣＨＯ）＋Ｈ2Ｏ・・・・（１）
【００４０】
２Ｃｕ（ＯＣＨＯ）  →  ２Ｃｕ＋２ＣＯ2 ＋ Ｈ2・・・・・・・（２）
かかる反応が、後述する吐出された金属インク４７の層厚方向に進行することで、還元されたＣｕの微粒子が融着してなる接続配線３５が形成される。
【００４１】
また、チャンバー５５内の蟻酸は加熱により以下の式（３）〜（７）に示すように分解すると考えられる。
【００４２】
ＨＣＯＯＨ  →  ＣＯ ＋ Ｈ2Ｏ・・・・・・（３）
【００４３】
ＨＣＯＯＨ  →  Ｈ2 ＋ ＣＯ2・・・・・・（４）
【００４４】
ＨＣＯＯＨ  →  Ｈ+ ＋ ＨＣＯＯ-・・・・（５）
【００４５】
ＨＣＯＯ-  →  ＣＯ ＋ ＯＨ- ・・・・・・（６）
【００４６】
２ＨＣＯＯＨ  →  ２ＨＣＨＯ ＋ Ｏ2・・・（７）
【００４７】
式（３）に示した化学反応で生じたＣＯと、式（４）に示した化学反応で生じたＨ2と、式（５）及び式（６）に示した化学反応で生じたＯＨ-と、式（７）に示した化学反応で生じたＨＣＨＯ（ホルムアルデヒド）と、が、Ｃｕ2ＯとＡｌ2Ｏ3の双方を還元できると考えられる。
【００４８】
図６は、蟻酸による還元の態様を示す図である。図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ´線における断面図である。なお、上述したように還元能力を有する物質は、具体的には蟻酸の分解で生じるＣＯ等の各物質（各分子）であるが、以下の記載では便宜的に蟻酸と称している。
【００４９】
図６（ａ）に示すように、金属インク４７は、接続パッド２０上では、該接続パッドの外縁部（パシベーション層２２と重なった領域）の内側の開口領域３８の内のさらに限られた領域に吐出されている。そして、吐出された領域の外側には、接続パッド２０の表面が露出する露出領域３９が存在している。接続配線形成工程では、矢印で示すように、蟻酸が露出領域３９を介して接続パッド２０の表面と吐出された金属インク４７との界面に浸透する。そして該界面に存在する自然酸化膜３３を還元する。すなわちＡｌ2Ｏ3をＡｌとする。
【００５０】
同時に図６（ｂ）の矢印で示すように、接続パッド２０が形成されているシリコン基板１４（図２参照）の基板面に垂直な方向からは、吐出された金属インク４７の層に蟻酸が浸透する。そして、金属インク４７に含まれるＣｕ2Ｏを還元してＣｕ単体とする。また、かかる垂直方向から浸透する蟻酸の一部は、接続パッド２０と金属インク４７との界面に達して、自然酸化膜３３を還元する。
【００５１】
図６（ｃ）は、接続配線３５が形成された段階の、Ｃ−Ｃ´線における断面図である。金属インク４７から分散媒が乾燥除去される過程で酸化銅Ｃｕ2Ｏが還元されることで、低抵抗の接続配線３５が形成される。同時に接続パッド２０の表面に自然的に発生していた自然酸化膜３３が還元されることで、接続パッド２０と接続配線３５との界面のＡｌ2Ｏ3が消滅し、接続パッド２０と接続配線３５とが低抵抗で接続される。したがって、以上の作用により半導体素子１０（図５等参照）と配線基板３０（図５等参照）とが低抵抗で接続され、信頼性等が向上した回路基板１（図１参照）が形成される。
なお、酸化銅Ｃｕ2Ｏの還元は接続パッド２０と重なる領域でのみ生じるのではなく、金属インク４７が吐出された領域の全体で生じる。したがって接続配線３５は、接続パッド２０と配線パターン３２とを結ぶ帯状の領域の全てにおいて低抵抗化される。
【００５２】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態の製造方法の対象は、上述の第１の実施形態の製造方法の対象である電子装置としての回路基板１である。また、本実施形態の製造方法は、上述の第１の実施形態の製造方法に工程を１つ加えたものである。そこで、上述の図１〜図３に相当する図、及び図４のフローチャートに相当する図は図示を省略して、工程断面図のみを用いて説明する。また、共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明は一部省略する。
【００５３】
図７（ａ），（ｂ）は、第２の実施形態にかかる回路基板１の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態にかかる回路基板１の製造方法は、金属インク吐出工程（ステップＳ２）と接続配線形成工程（ステップＳ３）との間に、金属インク焼成工程を実施することを特徴としている。
【００５４】
図７（ａ）はかかる金属インク焼成工程を示す図である。本工程は、吐出されて上述の帯状の領域に分布している金属インク４７を、蟻酸を含まない雰囲気中で加熱する工程である。本実施形態では「蟻酸を含まない雰囲気」として窒素ガス４２のみの雰囲気を用いている。すなわち図示するように窒素ガス４２のみをチャンバー５５内に充填して、プレート６０上に載置された半導体素子１０と配線基板３０の積層体を該チャンバー内に挿入している。本工程で、金属インク４７に含まれる分散媒の一部が乾燥除去される。したがって、金属インク４７の層厚が若干減少する。
【００５５】
本実施形態では、上述の金属インク焼成工程を実施後、第１の実施形態と同様に接続配線形成工程を実施する。すなわち、蟻酸４１を含む雰囲気中、具体的には蟻酸４１と窒素ガス４２の混合雰囲気中で上述の積層体を加熱する。かかる加熱により金属インク４７に含有される分散媒の略全てが乾燥除去されて、接続配線３５が形成される。
【００５６】
ここで、本実施形態では、吐出後の金属インク４７から、分散媒の一部を除去して層厚を減らした後に蟻酸を含む雰囲気中で加熱するため、蟻酸（具体的には蟻酸の分解で生じるＣＯ等の上述した物質）の厚さ方向（接続パッド２０の表面に垂直な方向）の浸透がより活発に生じる。したがって、上述の還元が効率的に生じることとなり、接続パッド２０と接続配線３５の接続抵抗、及び接続配線３５自体の配線抵抗がより一層低減された回路基板１を得ることができる。
【００５７】
（電子機器）
図８は、上述の第１及び第２の実施形態のいずれかのかかる製造方法で製造された回路基板１を部品として組み込まれた電子機器としての携帯電話機１３００の斜視構成図である。携帯電話機１３００は、表示部１３０１、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えており、上述の第１又は第２の実施形態の製造方法で得られた回路基板１を内蔵している。
携帯電話機１３００が備える回路基板１は、接続配線３５が形成される過程において接続パッド２０上の自然酸化膜３３が除去されているため、接続抵抗が低減されている。また、接続配線３５（の前駆体）に混在していた酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）が還元されているため、配線抵抗も低減されている。したがって、かかる回路基板１が組み込まれた携帯電話機１３００は製造コストが抑制されながら、信頼性等が向上している。
【００５８】
本発明の実施の形態は、上述の各実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００５９】
（変形例１）
上述の各実施形態では、金属インク４７を配置する工程を、液滴吐出ヘッド４０を用いて行っている。しかし本発明の実施はかかる態様に限定されるものではない。他の機器、例えばシリンジに連結されたディスペンサーを用いてもよい。
【００６０】
（変形例２）
上述の各実施形態では、電子素子として半導体素子１０を用いている。しかし本発明の実施はかかる態様に限定されるものではなく、他の素子、例えば有機ＥＬ素子あるいは液晶表示素子を配線基板に組み込む際にも応用できる。かかる場合であっても、接続配線３５の形成時に、接続パッド２０の表面に自然に形成される自然酸化膜３３を除去できる。また、該接続配線の前駆体に含有されていた金属酸化物を還元して、低抵抗化された接続配線３５を形成できる。したがって、回路基板１の信頼性等の向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００６１】
１…電子装置としての回路基板、１０…電子素子としての半導体素子、１１…第１の面、１２…第２の面、１４…シリコン基板、１６…半導体層、１８…層間絶縁層、２０…接続パッド、２２…パシベーション層、２９…スロープ、３０…配線基板、３２…配線パターン、３３…自然酸化膜、３５…接続配線、３８…開口領域、３９…露出領域、４０…液滴吐出ヘッド、４１…蟻酸、４２…窒素ガス、４７…金属微粒子を含む液状体としての金属インク、５０…着弾点、５５…チャンバー、６０…プレート、１３００…携帯電話機、１３０１…表示部、１３０２…操作ボタン、１３０３…受話口、１３０４…送話口。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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