(57)【要約】【課題】本発明は、発光・撮影条件ごとの調光精度を改善することを目的としたストロボ用調光回路、及びそれを用いたストロボ装置を得る。【解決手段】本発明のストロボ用調光回路、及びそれを用いたストロボ装置は、被写体から反射された反射光の強さに応じた光電流Ｉｐを生成する半導体受光素子１３と、発光時間の経過に応じて、可変電流Ｉａを出力する電流比率可変手段１４と、半導体受光素子１３からの光電流Ｉｐ及び電流比率可変手段１４からの可変電流Ｉａに基づいて電圧積分する電圧積分手段１５と、積分電圧Ｖｉｎｔに対して基準となる基準電圧Ｖｒｅｆを出力する基準電圧発生手段１６と、積分電圧Ｖｉｎｔと基準電圧Ｖｒｅｆとを比較する電圧比較手段１７とを備えた構成を有している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体から反射された反射光の強さに応じた光電流を生成する半導体受光素子と、半導体受光素子からの光電流を電圧積分する電圧積分手段と、電圧積分手段の電圧と基準電圧とを比較する電圧比較手段とを備えるストロボ用調光回路において、発光時間の経過に応じて、電圧積分手段に可変電流を出力する電流比率可変手段を更に備えることを特徴とするストロボ用調光回路。
【請求項２】
電流比率可変手段は、半導体受光素子が生成する光電流に応じて、可変電流を調整する請求項１記載のストロボ用調光回路。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載のストロボ用調光回路を備えることを特徴とするストロボ装置。
【請求項４】
請求項３に記載のストロボ装置を備えることを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、閃光放電管が照射する発光光の発光量を調節するストロボ用調光回路、及びこれを用いたストロボ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のストロボ装置には、閃光放電管が照射する発光光の発光量を調整するために、調光回路が備わっている。このストロボ用調光回路では、ストロボ発光中に被写体から反射された反射光が半導体受光素子で光電流に光電変換される。光電変換された光電流は、電圧積分手段によって光量積分される。この電圧積分手段の積分電圧値は、電圧比較手段によって、被写体に適した発光光の発光量を光電変換した光電流に相当する基準電圧値と、比較される。そして、電圧比較手段は、この積分電圧値が基準電圧値を超えるときに、発光停止信号を出力する。
【０００３】
すなわち、このストロボ用調光回路は、閃光放電管の発光光の発光量が被写体に適した発光光の発光量に達したときに、発光停止信号を出力するようになっている。閃光放電管は、この発光停止信号を受けて、ストロボ発光を停止する。
【０００４】
ここで、被写体から反射された反射光を光電変換する半導体受光素子には、入射する発光光の光強度に応じて光電流を流すフォトダイオードやフォトトランジスタ等の受光素子が用いられている。
【０００５】
しかし、撮影距離が近距離のときや、撮影感度が高いとき、もしくは定常光が比較的に強いとき等の近距離等撮影時では、半導体受光素子は、被写体から反射された反射光を短時間に大量に受光する。よって、半導体受光素子が光電変換する光電流の電流量は、短時間に増加する。そして、積分電圧値は、適正な発光量に達したことを示す基準電圧値に短時間に達する。しかし、このときに、閃光放電管が実際に照射した発光光の発光量は、通常撮影時と比べて、発光光の発光量が少ない。このため、近距離等撮影時の発光光は、微少発光と呼ばれる。したがって、ストロボ用調光回路には、基準電圧値を近距離等撮影時と通常撮影時とで、それぞれに適した電圧値となるように補正する補正手段が必要となる。
【０００６】
この基準電圧値の補正手段としては、例えば、特許文献１のように、積分電圧値が閃光放電管の発光開始時から所定の電圧を発生し、その後、その積分電圧値が徐々に上昇して、基準電圧値に達するように設定されているストロボ用調光装置がある。このストロボ用調光装置は、近距離等撮影時に発光量が過剰誤差となることを解消することができる。
【０００７】
また、本願出願人は、特許文献２に記載するように、それぞれ異なる電圧上昇速度で電圧積分するよう構成される複数の電圧積分手段を設けたストロボ用調光装置を提案している。このストロボ用調光装置は、発光開始から予め設定される所定時間経過前で、且つ電圧上昇速度の速い電圧積分手段による積分電圧値が基準電圧値に達した場合にはその時点にストロボ発光を停止し、所定時間経過後で、且つ電圧上昇速度の遅い電圧積分手段による積分電圧値が基準電圧値に達した時点でストロボ発光を停止するように、基準電圧値を切り替えるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】実開昭５８−１６３９３６号公報
【特許文献２】特開２００８−２６７６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載されたストロボ用調光装置の構成では、閃光放電管内のガスを励起するため、閃光放電管にトリガー電圧を印加した際に発生するトリガーノイズによって、積分電圧値にノイズ成分が発生したり、電圧がふらついたりする場合がある。
【００１０】
このようなときに、積分電圧値が上昇中の基準電圧値を一時的に超えることがある。そして、積分電圧値が一時的に基準電圧値を超えた場合に、電圧比較手段がこれに反応して、発光停止信号を出力し、閃光放電管の発光が停止する恐れがある。
【００１１】
また、特許文献２に記載されたストロボ用調光装置の構成では、発光開始からの時間経過によって電圧積分手段を切り替えている。よって、このストロボ用調光回路では、切り替えにかかる時間差（５〜１０μｓｅｃ）や、積分電圧・時間経過から導かれる積分電圧量の特性カーブが不連続となる。そして、切り替え時に発光停止制御が重なると、異なる電圧積分手段の特性カーブのどちらを採用するかで、誤差が生じてしまう恐れがある。
【００１２】
本発明は、上記問題点を考慮してなされたもので、発光・撮影条件ごとの調光精度を改善することができるストロボ用調光回路、及びそれを用いたストロボ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のストロボ用調光回路は、被写体から反射された反射光の強さに応じた光電流を生成する半導体受光素子と、半導体受光素子からの光電流を電圧積分する電圧積分手段と、電圧積分手段の電圧と基準電圧とを比較する電圧比較手段とを備えるストロボ用調光回路において、発光時間の経過に応じて、電圧積分手段に可変電流を出力する電流比率可変手段を更に備えるという構成を有している。
【００１４】
かかる構成によれば、電圧比率可変手段から可変電流を電圧積分手段に出力することにより、積分電圧が基準電圧に達するまでの時間を可変することができる。すなわち、撮影距離が近距離のときや、撮影感度が高いとき、もしくは定常光が比較的に強いとき等の微小発光が求められる発光・撮影条件のときに、積分電圧が基準電圧に達するまでの時間を短縮すべく、電圧比率可変手段は、可変電流を増加する。このようにすることにより、積分電圧は、電圧上昇速度を加速することができる。一方、通常の発光量が求められる発光・撮影条件のときに、電圧比率可変手段は、可変電流を減少させる。このようにすることにより、積分電圧は、基準電圧に達するまでの時間を発光光の発光量を確保可能な時間に合わせることができる。
【００１５】
よって、このストロボ用調光回路は、電圧比率可変手段によって可変電流を変更するだけで、発光・撮影条件ごとに発光光の発光量を調整することができる。そして、このストロボ用調光回路は、発光・撮影条件ごとに基準電圧値を設定する必要はなく、これらの発光・撮影条件ごとの基準電圧値の切り替えに伴う誤差を減らすことができる。
【００１６】
また、請求項２記載の発明において、電流比率可変手段は、半導体受光素子が生成する光電流に応じて、可変電流を調整する構成を採用することができる。
【００１７】
かかる構成によれば、半導体受光素子で生成される光電流の増加程度によって、電流比率可変手段が可変電流量を可変することにより、積分電圧値が基準電圧値に達するまでにかかる時間を調整することが可能となり、発光光の発光量をより正確に調整することができる。
【００１８】
また、本発明のストロボ装置は、上記ストロボ用調光回路を備えることを特徴とする。かかる構成によれば、電圧比率可変手段によって可変電流を変更するだけで、発光・撮影条件ごとに発光光の発光量を調整することができる。そして、このストロボ装置は、発光・撮影条件ごとに基準電圧値を設定する必要はなく、これらの発光・撮影条件ごとの基準電圧値の切り替えに伴う誤差を減らすことができる。
【００１９】
また、本発明の撮像装置は、上記ストロボ装置を備えることを特徴とする。かかる構成によれば、発光量の誤差を減らした発光制御が行われることにより、より最適化されたストロボ発光制御が行われるため、撮影時の露光量誤差を減らすことができる。
【発明の効果】
【００２０】
これにより、本発明は、発光・撮影条件ごとの調光精度を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１の実施の形態であるストロボ装置の概略回路図
【図２】同実施形態であるストロボ用調光回路の回路図
【図３】（ａ）同実施形態である、半導体受光素子の光電流及び電流比率可変手段の加算電流の変化を示すグラフ、（ｂ）同実施形態である、電圧積分手段の積分電圧の変化と、発光停止信号の出力のタイミングを示すグラフ
【図４】（ａ）本発明の第２の実施の形態である、半導体受光素子の光電流及び電流比率可変手段の加算電流の変化を示すグラフ、（ｂ）同実施形態である、電圧積分手段の積分電圧の変化と、発光停止信号の出力のタイミングを示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。まず、本発明の第１の実施の形態であるストロボ装置の概略構成について、図１を参照しつつ、説明する。なお、図１は、ストロボ装置の概略回路図である。
【００２３】
同実施形態に係るストロボ装置は、このストロボ装置に電力を供給する電源電池１と、該電源電池１のオン・オフを切り替える電源スイッチ２と、電源電池１の端子電圧を直流高電圧に昇圧する昇圧回路３と、この昇圧回路３が出力する直流高電圧にて充電される主コンデンサ４と、この主コンデンサ４の両端に接続され、発光光を照射する閃光放電管５及びこの閃光放電管５をオン・オフ制御するＩＧＢＴ６と、閃光放電管５を励起するためのトリガコンデンサ７及びトリガトランス８と、閃光放電管５の発光を停止する発光停止回路９と、ＩＧＢＴ６及び発光停止回路９の駆動電圧を出力する発光制御回路１０とを備えている。
【００２４】
発光停止回路９は、コレクタＣ〜エミッタＥ間がＩＧＢＴ６のゲートＧ〜エミッタＥ間に接続され、ＩＧＢＴ６をオフするオフトランジスタ１１と、このオフトランジスタ１１のベースＢに接続され、閃光放電管５の発光光の発光量に応じて、発光停止信号を出力する調光回路１２とを備えている。
【００２５】
発光制御回路１０は、主コンデンサ４の両端に接続される。そして、発光制御回路１０は、第１端子１０ＡからＩＧＢＴ６の駆動電圧を、第２端子１０Ｂから発光停止回路９の駆動電圧を出力する。また、発光制御回路１０は、入力端子１０Ｃに発光開始信号が入力される。
【００２６】
次に、上記構成からなるストロボ装置の動作について、簡単に説明する。まず、昇圧回路３の動作により主コンデンサ４、トリガコンデンサ７の充電が完了している状態において、発光制御回路１０の入力端子１０Ｃに発光開始信号が供給されると、発光制御回路１０は、第１端子１０ＡからＩＧＢＴ６の駆動電圧を、また第２端子１０Ｂから発光停止回路９の駆動電圧を出力する。
【００２７】
このためＩＧＢＴ６がオンし、同時にトリガコンデンサ７がトリガトランス８を介して放電して閃光放電管５を励起し、これにより閃光放電管５が主コンデンサ４の充電電荷を消費して照射する。
【００２８】
また、調光回路１２が被写体から反射された発光光の発光量に基づいて、オフトランジスタ１１に発光停止信号を出力すると、オフトランジスタ１１がオンする。そして、ＩＧＢＴ６のゲートＧ〜エミッタＥ間が短絡されることになる。よって、ＩＧＢＴ６は、オフし、閃光放電管５の発光が停止する。
【００２９】
次に、調光回路１２について、図２を参照しつつ、詳細に説明する。図２は、調光回路１２の回路図である。
【００３０】
調光回路１２は、被写体から反射された反射光の強さに応じた光電流Ｉｐを生成する半導体受光素子１３と、発光時間の経過に応じて、可変電流Ｉａを出力する電流比率可変手段１４と、半導体受光素子１３からの光電流Ｉｐ及び電流比率可変手段１４からの可変電流Ｉａに基づいて電圧積分する電圧積分手段１５（積分コンデンサ）と、積分電圧Ｖｉｎｔに対して基準となる基準電圧Ｖｒｅｆを出力する基準電圧発生手段１６と、積分電圧Ｖｉｎｔと基準電圧Ｖｒｅｆとを比較する電圧比較手段１７とを備えている。
【００３１】
半導体受光素子１３は、被写体から反射された反射光の光強度に応じて光電流Ｉｐを流すフォトダイオードやフォトトランジスタ等の受光素子である。すなわち、半導体受光素子１３は、受光した発光光を光強度に応じて光電流Ｉｐを光電変換可能な受光素子である。
【００３２】
電流比率可変手段１４は、発光制御回路１０の第２端子１０Ｂに接続される。そして、電流比率可変手段１４は、発光制御回路１０から入力される発光開始信号によって動作を開始する。まず、電流比率可変手段１４は、半導体受光素子１３から入力される光電流Ｉｐに、発光開始信号の受信からの時間経過に応じて所定の電流（加算電流Ｉａｄｄ）を加算した可変電流Ｉａを出力する。
【００３３】
具体的には、電流比率可変手段１４は、図３（ａ）に示すように、発光開始信号によって動作を開始する。なお、図３（ａ）では、電流比率可変手段１４が発光開始信号を受信したときを原点としている。また、光電流Ｉｐ１，Ｉｐ２は、破線で示し、加算電流Ｉａｄｄは、実線で示す。なお、ここで、光電流Ｉｐ１は、近距離等撮影時に受光した反射光に基づき半導体受光素子１３が光電変換した光電流である。すなわち、発光量が少量で適正となるとき（小発光時）である。また、光電流Ｉｐ２は、通常の撮影時に受光した反射光に基づき半導体受光素子１３が光電変換した光電流である。すなわち、発光量を補正することなく、適正となるとき（通常発光時）である。
【００３４】
まず、電流比率可変手段１４は、半導体受光素子１３が反射光を受光することで生成される光電流Ｉｐ１，Ｉｐ２に、発光開始信号の受信からの時間経過に応じて所定の電流（加算電流Ｉａｄｄ）を加算した可変電流Ｉａを出力する。なお、電流比率可変手段１４は、発光制御回路１０の第２端子１０Ｂに接続されている。そして、加算電流Ｉａｄｄは、この発光制御回路１０の第２端子１０Ｂから供給されるようになっている。
【００３５】
動作開始後、電流比率可変手段１４は、半導体受光素子１３からの光電流Ｉｐよりも多くの加算電流Ｉａｄｄを電圧積分手段１５に出力する。そして、時間経過とともに、その電流比率可変手段１４が出力する加算電流Ｉａｄｄは、減少し、所定の電流値で一定となるようになっている。
【００３６】
なお、より好ましくは、近距離（小発光量が適正な光量）の場合に、半導体受光素子１３の応答遅れや閃光放電管５の発光を制御するＩＧＢＴ６がターンオフするまでの時間差を考慮し、ストロボ装置の発光開始信号によってトリガー電圧の印加が開始された瞬間（ストロボ装置のトリガーパルス発生手段であるトリガコンデンサ７及びトリガトランス８からのパルス発信と同時）に、電流比率可変手段１４からの加算電流Ｉａｄｄの出力を開始してもよい。
【００３７】
電圧積分手段１５は、電流比率可変手段１４が電流源として接続されている。そして、電圧積分手段１５には、半導体受光素子１３が受光した反射光の光強度に応じて生成される光電流Ｉｐに、所定の加算電流Ｉａｄｄを加算した可変電流Ｉａが入力される。
【００３８】
電圧積分手段１５は、電流比率可変手段１４からの可変電流Ｉａを電圧積分する積分コンデンサを用いており、半導体受光素子１３による光電流Ｉｐに、電流比率可変手段１４の加算電流Ｉａｄｄを加算した可変電流Ｉａを充電することによって、電圧積分する。
【００３９】
しかし、電圧積分手段１５は、入力される可変電流Ｉａの電流量により、積分電圧の電圧上昇率が異なる。例えば、小発光時であれば、電圧上昇率は、高く、図３（ｂ）の積分電圧Ｖｉｎｔ１のようになる。また、通常発光時であれば、電圧上昇率は、小発光時と比較して低く、図３（ｂ）の積分電圧Ｖｉｎｔ２のようになる。
【００４０】
基準電圧発生手段１６は、電圧比較手段１７の一方の入力端子Ｖｉｎ＋に基準電圧Ｖｒｅｆを出力する。基準電圧Ｖｒｅｆは、閃光放電管が適正な発光量となるときの積分電圧Ｖｉｎｔと同じ値に決められている。そして、基準電圧発生手段１６が出力する基準電圧Ｖｒｅｆは、一定値である。
【００４１】
電圧比較手段１７は、入力される２つの入力信号を比較し、その比較結果により出力を反転するコンパレータである。電圧比較手段１７の一方の入力端子（反転入力端子）Ｖｉｎ＋は、基準電圧発生手段１６の出力端子が接続されることによって、基準電圧Ｖｒｅｆが入力されている。電圧比較手段１７の他方の入力端子（非反転入力端子）Ｖｉｎ−には、電圧積分手段１５が接続されることによって、積分電圧Ｖｉｎｔが入力される。具体的には、電圧積分手段１５と電流比率可変手段１４との間に接続されている。
【００４２】
そして、電圧比較手段１７は、図３（ｂ）に示すように、他方の入力端子Ｖｉｎ−から入力される積分電圧Ｖｉｎｔが一方の入力端子Ｖｉｎ＋から入力される所定の基準電圧Ｖｒｅｆ未満のとき、出力端子Ｖｏｕｔの電位は、低レベルのまま、高レベルに反転しない。そして、他方の入力端子Ｖｉｎ−から入力される積分電圧Ｖｉｎｔが一方の入力端子Ｖｉｎ＋から入力される所定の基準電圧Ｖｒｅｆに達した時点で出力端子Ｖｏｕｔの電位が低レベルから高レベルに反転する。この出力端子Ｖｏｕｔの電位が高レベルに反転する（発光停止信号）ことにより、オフトランジスタ１１は、オンする。
【００４３】
次に、上記構成からなる調光回路１２の動作について、説明する。まず、ＩＧＢＴ６がオンし、閃光放電管５が発光を開始する。その閃光放電管５から照射された発光光が被写体から反射して、半導体受光素子１３に入射される。そして、半導体受光素子１３に入射される反射光の光強度に応じて、光電流Ｉｐを生成する。
【００４４】
生成された光電流Ｉｐは、電流比率可変手段１４に入力される。電流比率可変手段１４では、図３（ａ）に示すように、光電流Ｉｐに、発光開始信号を受信してからの経過時間に応じて、所定の加算電流Ｉａｄｄを加算した可変電流Ｉａを電圧積分手段１５及び電圧比較手段１７に出力する。
【００４５】
電圧積分手段１５では、電流比率可変手段１４から入力された可変電流Ｉａを電圧積分する。そして、電圧比較手段１７の一方の入力端子Ｖｉｎ＋には、この電圧積分手段１５の積分電圧Ｖｉｎｔが印加される。
【００４６】
そして、電流比率可変手段１４から加算される加算電流Ｉａｄｄは、発光開始信号の出力時には半導体受光素子１３からの光電流Ｉｐよりも多くの可変電流Ｉａを電圧積分手段１５に出力する。これにより、発光開始から時間経過が短い時期には、半導体受光素子１３で生成された光電流Ｉｐに加算電流Ｉａｄｄが加算された可変電流Ｉａが積分されるため、積分電圧Ｖｉｎｔは、急速に上昇する。閃光放電管５は、特に、その発光初期に急激に発光量が増加することから、小発光量が適正な発光量である場合には、発光ピーク時に発光を停止することとなる。
【００４７】
この時に、発光停止信号から実際の発光停止（発光終了）までに時間差があると、余剰光量となってしまう。しかし、本発明によれば、予め時間差を考慮して加算電流Ｉａｄｄを加算してあることから、所望する発光量に達する直前に発光停止信号を出力することができ、時間差を吸収することが可能となる。
【００４８】
また、時間経過とともに加算電流Ｉａｄｄが減少する可変電流Ｉａは、所定の時間が経過した後は一定の電流値となるように設定されている。したがって、通常の適正な発光量の場合は、所定の経過時間から加算電流Ｉａｄｄの増加が一定となる。よって、小発光時と異なり、所望する発光量で発光停止信号を出力することができる。
【００４９】
このように、小発光量が適正な発光量となる場合、時間単位あたりに半導体受光素子１３に入射する発光量が多いために、生成される光電流Ｉｐ１が多い。そして、電流比率可変手段１４で加算される加算電流Ｉａｄｄも発光の初期には多い。よって、時間／積分電圧Ｖｉｎｔ１の特性カーブは、発光の初期に急激に上昇して、基準電圧Ｖｒｅｆまで短期間に達する曲線となる。
【００５０】
一方で、通常の発光量の場合、時間単位あたりに半導体受光素子１３に入射する発光量が少ない、または、入射までに時間を要する（被写体までの距離が長く、反射光の入射するまでに時間差ができる）ため、生成される光電流Ｉｐ２も少なくなる。したがって、時間／積分電圧Ｖｉｎｔ２の特性カーブは、発光の初期に急激に上昇しているが、時間経過とともに加算電流Ｉａｄｄが減少することから、徐々に緩やかな上昇曲線となる。
【００５１】
このようにして、積分電圧Ｖｉｎｔが基準電圧Ｖｒｅｆを超えると、電圧比較手段１７の出力端子Ｖｏｕｔの電位が高レベルに反転する。そして、オフトランジスタ１１がオフするため、閃光放電管５が発光を停止する。
【００５２】
このように、本実施形態に係るストロボ用調光回路１２によれば、電流比率可変手段１４から可変電流Ｉａを電圧積分手段１５に出力することにより、撮影距離が近距離のときや、撮影感度が高いとき、定常光が比較的に強いとき等の発光・撮影条件に応じて電圧積分手段１５の積分電圧Ｖｉｎｔを可変することで、積分電圧Ｖｉｎｔが基準電圧Ｖｒｅｆに達するまでの時間を可変することができる。よって、このストロボ用調光回路１２は、時間／積分電圧Ｖｉｎｔの特性カーブの切替や切替時のタイムロスを考慮せずとも、安定した調光制御を行うことができる。
【００５３】
次に、本発明の第２の実施の形態であるストロボ装置について、図４を参照しつつ、説明する。なお、本実施形態に係るストロボ装置は、第１実施形態に係るストロボ用調光回路１２の電流比率可変手段１４を変更したものである。よって、電流比率可変手段１４以外の、第１実施形態と同様の部分については、同一の符号をふるとともに、説明を省略する。
【００５４】
同実施形態に係る電流比率可変手段１４は、半導体受光素子１３への反射光の入射量が多い場合、すなわち、発光量が少量で適正となる場合（小発光時）、発光開始から光電流Ｉｐ１は、急激に上昇する。このことから、加算電流Ｉａｄｄ１は、この光電流Ｉｐ１に合わせて出力される。そして、加算電流Ｉａｄｄ１は、光電流Ｉｐ１の電流上昇率と対称的に、その電流減少率を低下する。
【００５５】
また、電流比率可変手段１４は、半導体受光素子１３への反射光の入射量が適性な場合、すなわち、発光量を補正することなく、適正となる場合（通常発光時）、発光開始から光電流Ｉｐ２が通常の電流上昇率で上昇する。そして、電流比率可変手段１４は、小発光時と同様に、この光電流Ｉｐ２に合わせて加算電流Ｉａｄｄ１を出力する。そして、加算電流Ｉａｄｄ２は、光電流Ｉｐ２の電流上昇率と対称的に、その電流減少率を低下する。なお、加算電流Ｉａｄｄ１，Ｉａｄｄ２を減少する速さは、予めメモリー等に記憶された参照テーブルを基に、光電流量の上昇速度に応じて可変してもよい。
【００５６】
よって、半導体受光素子１３で生成される異なる光電流Ｉｐ１，Ｉｐ２に応じて、加算電流Ｉａｄｄ１，Ｉａｄｄ２の減少速度を可変することにより、反射光の受光量に応じて積分電圧Ｖｉｎｔ１，Ｖｉｎｔ２が基準電圧Ｖｒｅｆに達するまでにかかる時間ｔ１、ｔ２を調整することが可能となる。
【００５７】
更に、半導体受光素子１３で生成される光電流Ｉｐ１に応じて、加算電流Ｉａｄｄの減少速度を可変することにより、受光量に応じて積分電圧Ｖｉｎｔ３，Ｖｉｎｔ４が基準電圧Ｖｒｅｆに達するまでにかかる時間ｔ３、ｔ４を微調整することも可能となり、より正確な調光制御ができる。
【００５８】
次に、本発明のその他の実施の形態であるストロボ装置について、図２を参照しつつ、説明する。なお、本実施形態に係るストロボ装置は、第１実施形態に係るストロボ用調光回路１２の電流比率可変手段１４を変更したものである。よって、電流比率可変手段１４以外の、第１実施形態と同様の部分については、同一の符号をふるとともに、説明を省略する。
【００５９】
同実施形態に係る電流比率可変手段１４は、図２に記載された矢印Ｉｐを逆方向に、光電流Ｉｐの電流経路を変更したものである。
【００６０】
本実施形態に係る調光回路１２の動作では、まず、ＩＧＢＴ６がオンし、閃光放電管５が発光を開始する。その閃光放電管５から照射された発光光が被写体から反射され、半導体受光素子１３に入射し、半導体受光素子１３は入射される反射光の光強度に応じた光電流Ｉｐを生成する。
【００６１】
電流比率可変手段１４では半導体受光素子１３で生成した光電流Ｉｐを測定し、その光電流Ｉｐに応じて、光電流Ｉｐの電流量に、発光開始信号を受信してからの経過時間に応じた所定の加算電流Ｉａｄｄを加算し、可変電流Ｉａとして電圧積分手段１５及び電圧比較手段１７に出力される。
【００６２】
そして、電流比率可変手段１４から出力される可変電流Ｉａは、発光開始信号の出力時には半導体受光素子１３からの光電流Ｉｐの出力よりも大きい可変電流Ｉａとして、電圧積分手段１５に出力される。
【００６３】
これにより、発光開始から時間経過が短い時期には、半導体受光素子１３で生成された光電流Ｉｐに加算電流Ｉａｄｄが加算された可変電流Ｉａが積分されるため、積分電圧Ｖｉｎｔは、急速に上昇する。閃光放電管５は、特に、その発光初期に急激に発光量が増加することから、小発光量が適正な発光量である場合には、発光ピーク時に発光を停止することとなる。
【００６４】
なお、本発明に係るストロボ用調光回路、及びそれを用いたストロボ装置は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で様々の変更が可能である。
【００６５】
例えば、本発明に係る電流比率可変手段１４は、光電流Ｉｐの電流上昇に対して、加算電流Ｉａｄｄが所定の電流量まで減少する例を説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、加算電流Ｉａｄｄが０Ａまで減少するようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明に係るストロボ用調光回路、及びそれを用いたストロボ装置は、発光・撮影条件ごとの調光精度を改善することを有し、閃光放電管が照射する発光光の発光量を調節するストロボ用調光回路、及びこれを用いたストロボ装置等として有用である。
【符号の説明】
【００６７】
１２  （ストロボ用）調光回路
１３  半導体受光素子
１４  電流比率可変手段
１５  電圧積分手段（積分コンデンサ）
１７  電圧比較手段
Ｉｐ  光電流
Ｉａ  可変電流
Ｉａｄｄ  加算電流
Ｖｉｎｔ  積分電圧
Ｖｒｅｆ  基準電圧
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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