(57)【要約】【課題】本発明は、めっき付着不良の発生を低減することができる抵抗器の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の抵抗器の製造方法は、絶縁基板１１の上面の両端部に一対の上面電極１３を形成する工程と、前記絶縁基板１１の上面において一対の上面電極１３間に抵抗体１４を形成する工程と、前記抵抗体１４に第１のレーザを照射することによりトリミング溝１７を形成して抵抗値を調整する工程と、一対の上面電極１３と接続されるように絶縁基板１１の両端面にめっきすることにより端面電極１６を形成する工程とを備え、抵抗値を調整した後、保護膜１５を形成する前に、前記第１のレーザのパワーよりも低いパワーでかつ前記第１のレーザのビーム径よりも大きなビーム径の第２のレーザを照射して再調整用トリミング溝１７ａを形成し、この再調整用トリミング溝１７ａを前記トリミング溝１７と同じ位置に形成するようにしたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の上面の両端部に一対の上面電極を形成する工程と、前記絶縁基板の上面において一対の上面電極間に抵抗体を形成する工程と、前記抵抗体に第１のレーザを照射することによりトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程と、前記抵抗体を覆うように保護膜を形成する工程と、一対の上面電極と接続されるように絶縁基板の両端面にめっきすることにより端面電極を形成する工程とを備え、抵抗値を調整した後、保護膜を形成する前に、前記第１のレーザのパワーよりも低いパワーでかつ前記第１のレーザのビーム径よりも大きなビーム径の第２のレーザを照射して抵抗体表層部に再調整用トリミング溝を形成し、この再調整用トリミング溝を前記トリミング溝と同じ位置に形成するようにした抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に使用される微小で低い抵抗値の抵抗器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の抵抗器の製造方法は、図８に示すように、絶縁基板１の上面の両端部に銀系厚膜からなる一対の上面電極２を形成する工程と、前記絶縁基板１の上面において一対の上面電極２間にＡｇＰｄからなる抵抗体３を形成する工程と、前記抵抗体３にレーザを照射することによりトリミング溝４を施して抵抗値を調整する工程と、抵抗体３の上にガラスまたは樹脂からなる保護膜５を形成する工程と、一対の上面電極２と接続されるように絶縁基板１の両端面に端面電極６を形成する工程とを備えていた。
【０００３】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３４７１０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した従来の抵抗器の製造方法において、より低い抵抗値を得るためには、抵抗体３の厚みを厚くする方法と、一対の上面電極２間の距離を短くする方法があるが、微小な抵抗器だと一対の上面電極２間の距離を短くすることが困難であるため、抵抗体３の厚みを厚くするしかなく、この場合、トリミング溝４を形成する際に抵抗体３をレーザで絶縁基板１まで完全に切削するためにはレーザのパワーを上げる必要があるため、抵抗体３の飛散物が多く発生し、これにより、端面電極６にめっきを形成する際、この飛散物にめっきが付着することより、トリミング溝４周辺の保護膜５の上面等へのめっき付着不良が発生する場合があるという課題を有していた。
【０００６】
すなわち、トリミング溝４を形成する際、レーザのビーム径を小さくし、パワーを上げて抵抗体３を切削することになるが、この場合、図９に示すように、トリミング溝４周辺に堆積する抵抗体３の飛散物７の厚みが厚くなりその先端部が尖るため、この部分に保護膜５を形成しても、図１０に示すように、飛散物７の上方の保護膜５の膜厚が極端に薄くなったり、あるいは、保護膜５を突き破って当該飛散物７が露出したりして、飛散物７がめっきの核になる場合があるからである。なお、図９、図１０は、説明を簡単にするために、絶縁基板１、抵抗体３、トリミング溝４、保護膜５の一部分のみを示す。
【０００７】
そして、この成長しためっきが実装用はんだと接続したり、トリミング溝４の両側を接続したりして、実装時不良が発生する場合があった。
【０００８】
さらに、トリミング溝４周辺に堆積する抵抗体３の飛散物の先端部が尖るようになるのは、微小で低い抵抗値を得ようとするとトリミング溝４の幅も小さくせざるを得ないため、レーザのビーム径を小さくする必要があり、さらに、その厚みが厚くなった抵抗体３を貫通するように切削しようとすると、レーザの照射する角度θを絶縁基板１と略垂直になるようにしてレーザのパワーを集中させなければならないため、抵抗体３の溶融物は横方向にはあまり飛散せず、上方向に多く堆積することになり、この結果、抵抗体３の飛散物はトリミング溝４周囲の近傍にしか固着しないからである。なお、この抵抗体３の飛散物は加熱されていることから絶縁基板１等に強固に接着されるため、軽い超音波洗浄や軽いブラッシングでは、除去しづらいと言う課題を有している。
【０００９】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、めっき付着不良を低減することができる抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【００１１】
本発明の請求項１に記載の発明は、絶縁基板の上面の両端部に一対の上面電極を形成する工程と、前記絶縁基板の上面において一対の上面電極間に抵抗体を形成する工程と、前記抵抗体に第１のレーザを照射することによりトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程と、前記抵抗体を覆うように保護膜を形成する工程と、一対の上面電極と接続されるように絶縁基板の両端面にめっきすることにより端面電極を形成する工程とを備え、抵抗値を調整した後、保護膜を形成する前に、前記第１のレーザのパワーよりも低いパワーでかつ前記第１のレーザのビーム径よりも大きなビーム径の第２のレーザを照射して抵抗体表層部に再調整用トリミング溝を形成し、この再調整用トリミング溝を前記トリミング溝と同じ位置に形成するようにしたもので、この製造方法によれば、より低い抵抗値を得るために抵抗体の厚みを厚くし、第１のレーザのパワーを上げてトリミング溝を形成する場合でも、再調整用トリミング溝によってトリミング溝周辺の抵抗体の尖がって突出した飛散物をなだらかにすることができるため、端面電極にめっきを形成する際、この抵抗体の飛散物を核として成長することを抑制でき、これにより、めっき付着不良の発生を低減することができる。さらに、第２のレーザの照射よってトリミング溝の開口部分の面積が広くなるため、保護膜を形成する際のペーストがトリミング溝内にスムーズに入り込むことができ、これにより、トリミング溝内において気泡がペーストに巻き込まれ難くなり、保護膜にピンホールが発生するのも抑制できるという作用効果を有するものである。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように本発明の抵抗器の製造方法は、抵抗値を調整した後に、第１のレーザのパワーよりも低いパワーでかつ前記第１のレーザのビーム径よりも大きな照射径の第２のレーザを照射して抵抗体表層部に再調整用トリミング溝を形成し、この再調整用トリミング溝をトリミング溝と同じ位置に形成するようにしているため、より低い抵抗値を得るために抵抗体の厚みを厚くし、第１のレーザのパワーを上げてトリミング溝を形成する場合でも、再調整用トリミング溝によってトリミング溝周辺の抵抗体の飛散物の形状をなだらかにすることができ、これにより、端面電極にめっきを形成する際、飛散物を核として成長することを抑制できるため、めっき付着不良の発生を低減することができ、さらに、第２のレーザの照射よってトリミング溝の開口部分の面積が広くなるため、保護膜を形成するペーストがトリミング溝内にスムーズに入り込むことができ、これにより、トリミング溝内において気泡がペーストに巻き込まれ難くなるため、保護膜にピンホールが発生するのを抑制できるという優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施の形態における抵抗器の断面図
【図２】同抵抗器の製造方法の一部を示す上面図
【図３】同抵抗器の製造方法の一部を示す上面図
【図４】同抵抗器の製造方法の一部を示す上面図
【図５】同抵抗器の他の例を示す断面図
【図６】同抵抗器の主要部を示す断面図
【図７】同抵抗器の主要部を示す断面図
【図８】従来の抵抗器の断面図
【図９】同抵抗器の主要部を示す断面図
【図１０】同抵抗器の主要部を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施の形態における抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【００１５】
図１は本発明の一実施の形態における抵抗器の断面図である。
【００１６】
本発明の一実施の形態における抵抗器は、図１に示すように、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面の両端部に設けられた一対の接続用電極１２と、この一対の接続用電極１２それぞれの上面に設けられた一対の上面電極１３と、前記絶縁基板１１の上面に設けられ、かつ前記一対の上面電極１３間に形成された抵抗体１４と、少なくとも前記抵抗体１４を覆うように設けられた保護膜１５と、前記一対の接続用電極１２および上面電極１３と電気的に接続されるように前記絶縁基板１１の両端面に設けられた一対の端面電極１６とを備えた構成としている。そして、抵抗体１４には、その側面から抵抗体１４の中心方向に向かってレーザで切削してＬ字状のトリミング溝１７が形成される。
【００１７】
次に、本発明の一実施の形態における微小タイプで低抵抗チップ抵抗器の製造方法について、図１、図２を参照しながら説明する。
【００１８】
まず、分割用のスリットである縦溝２１ａと横溝２１ｂを有し１個の抵抗器に相当する領域が区画されているシート状の絶縁基板２１を用意する。そして、このシート状の絶縁基板２１は、Ａｌ2Ｏ3を９６％含有するアルミナで構成されている。また、１個の抵抗器に相当する絶縁基板１１の形状は矩形状（上面視にて長方形）となっている。なお、縦溝２１ａと横溝２１ｂの数は図２に示している数に限られない。また、縦溝２１ａと横溝２１ｂは分割用のスリットはなくてもよく、この場合は、縦溝２１ａと横溝２１ｂは分割される箇所、すなわちダイシングやスクライブの中心部に相当する。
【００１９】
次に、シート状の絶縁基板２１の上面において横溝２１ｂを跨ぐように、Ａｕペーストを印刷、焼成して接続用電極１２を形成する。これにより、耐硫化特性を向上させることができる。さらに耐硫化特性を向上させたい場合は、上面電極１３を２層にする。なお、接続用電極１２は縦溝２１ａを跨がないようにし、また、対硫化特性を問題にしない場合等は、接続用電極１２は必ずしも設ける必要はない。
【００２０】
次に、シート状の絶縁基板２１の上面における１個の抵抗器を構成するそれぞれの絶縁基板１１の上面において、その両端部が縦溝２１ａと横溝２１ｂの端部にまで至らないようにＡｇ系厚膜材料を印刷、焼成して上面電極１３を設ける。このとき、上面電極１３は接続用電極１２の上面に接続するようにする。なお、絶縁基板１１の裏面の両端部にはＡｇからなる裏面電極を形成してもよい。
【００２１】
次に、１個の抵抗器を構成するそれぞれの絶縁基板１１の上面において、上面電極１３と上面電極１３との間を電気的に接続するように、ＡｇＰｄにガラスフリットを含有させたペーストを印刷、焼成することにより厚み３０μｍ〜４０μｍの抵抗体１４を形成する。なお、抵抗体１４として、ＣｕＮｉを用いてもよく、この場合は、上面電極１３としてＣｕ系厚膜材料を使用する。さらに、抵抗体１４の上面をプリコートガラスで覆うようにしてもよい。
【００２２】
次に、図３に示すように、抵抗体１４に第１のレーザを照射することにより、抵抗体１４の側面から抵抗体１４の中心方向に向かい、さらに電流の流れと平行になるように折り曲がるＬ字状のトリミング溝１７を形成し、抵抗体１４の抵抗値を調整する。このとき、抵抗体１４を貫通するように切削する。
【００２３】
次に、前記抵抗値調整で使用した第１のレーザのパワーよりも低いパワーで、かつ第１のレーザのビーム径よりも大きなビーム径の第２のレーザを照射して、抵抗体表層部に再調整用トリミング溝１７ａを形成する。そして、この再調整用トリミング溝１７ａは、図４に示すように、その中心線がトリミング溝１７の中心線と同じ位置になるように形成する。すなわち、再調整用トリミング溝１７ａもＬ字状になっている。そして、再調整用トリミング溝１７ａは上面視にてトリミング溝１７より幅が広くなっているため、トリミング溝１７の周辺のみを確実に切削できる。このように、第２のレーザのビーム径を、第１のレーザのビーム径より大きくしているため、第２のレーザの位置が多少ずれても問題はない。さらに、第２のレーザのパワーを第１のレーザのビームよりパワーを低くしているため、第２のレーザの照射角度がより小さい角度（より斜め）となり、これにより、トリミング溝１７周辺に堆積する抵抗体１４の飛散物の厚みは薄くなり、その先端部も尖らないため、第２のレーザの照射によるめっき付着不良は発生しにくくなる。なお、図３および図４は、説明を簡単にするために、上面電極１３、抵抗体１４、トリミング溝１７、再調整用トリミング溝１７ａのみを示す。
【００２４】
このとき、第２のレーザは抵抗体１４の厚みの略半分の厚みのみを切削するように、そのパワーを調整する。そして、例えば所望される抵抗値が２０ｍΩの場合、トリミング溝１７による抵抗値調整でまず１９．５ｍΩに調整した後、再調整用トリミング溝１７ａで２０ｍΩになるようにする。
【００２５】
なお、第１のレーザの照射の前にレジスト膜１５ａを形成してもよい。このレジスト膜１５ａは、トリミング溝１７の形成箇所を除いて絶縁基板１１の略全面に形成する。これにより、抵抗体１４の飛散物がスリット内に堆積したり、トリミング溝１７周辺に抵抗体１４の飛散物が付着したりするのを防止できる。ここで、第１のレーザの照射、第２のレーザの照射を行った後、保護膜１５、レジスト膜１５ａを形成した状態を図５に示す。なお、このレジスト膜１５ａは、第１のレーザの照射、第２のレーザの照射を行った後に剥離する。
【００２６】
次に、少なくとも接続用電極１２が露出し、かつ抵抗体１４を覆うようにガラスまたはエポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷した後、２００℃で硬化させることにより保護膜１５を形成する。このとき、保護膜１５は縦溝２１ａを跨ぐように帯状に形成してもよい。
【００２７】
次に、シート状の絶縁基板２１を横溝２１ｂで分割し、短冊状の基板を形成する。その後、この短冊状の基板の両端部に露出した一対の接続用電極１２および上面電極１３と電気的に接続されるようにＡｇを印刷、焼成して一対の端面電極１６を形成する。
【００２８】
次に、前記短冊状の基板を縦溝２１ａで分割し、複数の個片状の抵抗器を得る。
【００２９】
最後に、絶縁基板１１の一対の端面電極１６の表面に、Ｎｉめっき層を形成し、さらにこのＮｉめっき層を覆うようにＳｎめっき層を形成することによりめっき層１６ａを構成する。
【００３０】
上記したように本発明の一実施の形態においては、抵抗値を調整した後に、第１のレーザのパワーよりも低いパワーかつ前記第１のレーザのビーム径よりも大きなビーム径の第２のレーザを照射して抵抗体１４表層部に再調整用トリミング溝１７ａを形成し、この再調整用トリミング溝１７ａをトリミング溝１７と同じ位置に形成するようにしているため、より低い抵抗値を得るために抵抗体１４の厚みを厚くし、第１のレーザのパワーを上げてトリミング溝１７を形成する場合でも、再調整用トリミング溝１７ａによってトリミング溝１７周辺の抵抗体１４の尖がって突出した飛散物をなだらかにすることができ、これにより、端面電極１６にめっきを形成する際のめっきが飛散物を核として成長することを抑制できるため、めっき付着不良の発生を低減することができるという効果が得られるものである。
【００３１】
すなわち、第１のレーザのパワーを上げ、そのレーザの照射する角度θを絶縁基板１１と略垂直で照射して抵抗体１４を貫通するようなトリミング溝１７を形成すると、図６に示すように、トリミング溝１７周辺に付着する抵抗体１４の飛散物１８の厚みが厚くかつ先端部が尖ってしまうが、第１のレーザのビーム径よりも大きなビーム径で、角度θより小さい角度θ０になるように第２のレーザを照射することによって形成された再調整用トリミング溝１７ａによって、図７に示すように、トリミング溝１７周辺に付着した抵抗体１４の飛散物１８の先端部を削り取ることができる。さらに、第２のレーザのパワーを第１のレーザのパワーよりも低くしているため、トリミング溝１７の周辺の抵抗体１４の表層のみを切削することになり、抵抗値が大きく変動することもない。そして、抵抗体１４の飛散物がめっきの核となり、この核で成長しためっきが実装用はんだと接続したり、トリミング溝１７の両側を接続したりして、実装時不良が発生する場合も抑えられる。なお、図６および図７では、説明を簡単にするために、絶縁基板１１、抵抗体１４、トリミング溝１７、再調整用トリミング溝１７ａの一部分のみを示す。
【００３２】
さらに、第２のレーザの照射よってトリミング溝１７の開口部分の面積が広くなるため、保護膜１５を形成するペーストがトリミング溝１７内にスムーズに入り込むことができ、これにより、トリミング溝１７内において気泡がペーストに巻き込まれることはないため、保護膜１５にピンホールが発生するのを抑制できる。この結果、めっき液のトリミング溝１７内への浸入を防ぎ、抵抗値変動の不良を低減できる。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明に係る抵抗器の製造方法は、めっき付着不良の発生を低減することができるという効果を有するものであり、特に、各種電子機器に使用される低い抵抗値の抵抗器等において有用となるものである。
【符号の説明】
【００３４】
１１  絶縁基板
１３  上面電極
１４  抵抗体
１５  保護膜
１６  一対の端面電極
１７  トリミング溝
１７ａ  再調整用トリミング溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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