(57)【要約】【課題】基板表面の材質がＴｉＮ又はＳｉＮである場合であっても高度に疎水化することのできる表面処理剤、及びそのような表面処理剤を使用した表面処理方法を提供する。【解決手段】本発明に係る表面処理剤は、環状シラザン化合物を含有する。この環状シラザン化合物としては、２，２，５，５−テトラメチル−２，５−ジシラ−１−アザシクロペンタン、２，２，６，６−テトラメチル−２，６−ジシラ−１−アザシクロヘキサン等の環状ジシラザン化合物や、２，２，４，４，６，６−ヘキサメチルシクロトリシラザン、２，４，６−トリメチル−２，４，６−トリビニルシクロトリシラザン等の環状トリシラザン化合物が好ましい。表面処理に際しては、基板表面に本発明に係る表面処理剤を曝露させ、基板表面を疎水化する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面の疎水化処理に使用され、環状シラザン化合物を含有する表面処理剤。
【請求項２】
前記環状シラザン化合物が環状ジシラザン化合物又は環状トリシラザン化合物である請求項１記載の表面処理剤。
【請求項３】
前記環状ジシラザン化合物が２，２，５，５−テトラメチル−２，５−ジシラ−１−アザシクロペンタン及び２，２，６，６−テトラメチル−２，６−ジシラ−１−アザシクロヘキサンの少なくとも１種である請求項２記載の表面処理剤。
【請求項４】
前記環状トリシラザン化合物が２，２，４，４，６，６−ヘキサメチルシクロトリシラザン及び２，４，６−トリメチル−２，４，６−トリビニルシクロトリシラザンの少なくとも１種である請求項２記載の表面処理剤。
【請求項５】
ＴｉＮ又はＳｉＮの疎水化処理に使用される請求項１から４のいずれか１項記載の表面処理剤。
【請求項６】
基板表面に請求項１から５のいずれか１項記載の表面処理剤を曝露させ、前記基板表面を疎水化する表面処理方法。
【請求項７】
前記基板表面の材質がＴｉＮ又はＳｉＮである請求項６記載の表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板表面の疎水化処理に使用される表面処理剤及びそれを用いた表面処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の製造においては、基板に無機パターンを形成する際にリソグラフィ技術が用いられている。このリソグラフィ技術では、感光性樹脂組成物を用いて基板上に感光性樹脂層を設け、次いでこれに活性放射線を選択的に照射（露光）し、現像処理を行うことで基板上に樹脂パターン（レジストパターン）を形成する。そして、その樹脂パターンをマスクとして基板をエッチングすることにより無機パターンを形成する。
【０００３】
ところで、近年、半導体デバイスの高集積化、微細化の傾向が高まり、無機パターンの微細化・高アスペクト比化が進んでいる。しかしながらその一方で、いわゆるパターン倒れの問題が生じるようになっている。このパターン倒れは、基板上に多数の無機パターンを並列して形成させる際、隣接するパターン同士がもたれ合うように近接し、場合によってはパターンが基部から折損したりするという現象のことである。このようなパターン倒れが生じると、所望の製品が得られないため、製品の歩留まりや信頼性の低下を引き起こすことになる。
【０００４】
このパターン倒れは、パターン形成後のリンス処理において、リンス液が乾燥する際、そのリンス液の表面張力により発生することが分かっている。つまり、乾燥過程でリンス液が除去される際に、パターン間にリンス液の表面張力に基づく応力が働き、パターン倒れが生じることになる。
【０００５】
そこで、これまで、リンス液に表面張力を低下させる物質（イソプロパノール、フッ素系界面活性剤等）を添加し、パターン倒れを防止する試みが多くなされてきたが（例えば、特許文献１、２を参照）、このようなリンス液の工夫ではパターン倒れの防止は不十分であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−１６３３９１号公報
【特許文献２】特開平７−１４２３４９号公報
【特許文献３】特表平１１−５１１９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、パターン倒れとは異なるが、マスクとなる樹脂パターンと基板表面との密着性を向上して、現像液による樹脂パターンの一部損失を防止するために、基板に感光性樹脂層を設ける前に、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等のシリル化剤を用いた疎水化処理（シリル化処理）が基板表面に対して行われている（例えば、特許文献３の「発明の背景」を参照）。
【０００８】
本発明者らは、無機パターンの表面をシリル化剤により疎水化すればリンス処理後の乾燥過程でパターン間に働く応力が低下し、パターン倒れを防止できるのではないかと考え、ＨＭＤＳ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）等の幾つかのシリル化剤を用いて種々の基板について疎水化処理を試みた。しかしながら、基板表面の材質がＳｉである場合には高度に疎水化することができたが、基板表面の材質がＴｉＮやＳｉＮである場合には、いずれのシリル化剤によっても疎水化の程度が不十分であった。
【０００９】
本発明は、このような従来の実情に鑑みてなされたものであり、基板表面の材質がＴｉＮ又はＳｉＮである場合であっても高度に疎水化することのできる表面処理剤、及びそのような表面処理剤を使用した表面処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた。その結果、表面処理剤に環状シラザン化合物を用いることにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のものを提供する。
【００１１】
本発明の第一の態様は、基板表面の疎水化処理に使用され、環状シラザン化合物を含有する表面処理剤である。
【００１２】
本発明の第二の態様は、基板表面に本発明に係る表面処理剤を曝露させ、上記基板表面を疎水化する表面処理方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板表面の材質がＴｉＮ又はＳｉＮである場合であっても、基板表面を高度に疎水化することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜表面処理剤＞
まず、本発明に係る表面処理剤について説明する。本発明に係る表面処理剤は、基板表面を疎水化する際に好適に使用される。ここで、「基板」としては、半導体デバイス製造のために使用される基板が挙げられる。また、「基板表面」としては、基板自体の表面のほか、基板上に設けられた無機パターンの表面、或いはパターン化されていない無機層の表面等が挙げられる。
【００１５】
基板上に設けられた無機パターンとしては、基板に存在する無機層の表面にリソグラフィ技術を用いて樹脂パターン（レジストパターン）を形成し、その樹脂パターンをマスクとして無機層にエッチング処理を施すことにより作製されたパターンが挙げられる。無機層としては、基板自体のほか、基板表面に形成した無機物の膜等が挙げられる。
【００１６】
特に、本発明に係る表面処理剤は、基板表面の材質がＴｉＮ又はＳｉＮである場合に好適に使用される。従来、基板表面の疎水化に使用されてきたヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等のシリル化剤では、基板表面の材質がＴｉＮ又はＳｉＮである場合には疎水化の程度が不十分になるが、本発明に係る表面処理剤によれば、表面の材質がＴｉＮ又はＳｉＮである場合に基板表面を高度に疎水化することができる。
【００１７】
本発明に係る表面処理剤は、加熱やバブリング等の手段によって気化させてから、気化した表面処理剤を基板の表面に接触させて表面処理するために使用されてもよいし、スピンコート法や浸漬法等の手段によって液体のまま基板の表面に塗布して表面処理するために使用されてもよい。
【００１８】
本発明に係る表面処理剤は、シリル化剤として環状シラザン化合物を含有する。以下、表面処理剤に含有される成分について詳細に説明する。
【００１９】
［環状シラザン化合物］
本発明に係る表面処理剤は、シリル化剤として環状シラザン化合物を含有する。この環状シラザン化合物は、基板表面をシリル化し、基板表面の疎水性を高めるための成分である。
【００２０】
この環状シラザン化合物としては、２，２，５，５−テトラメチル−２，５−ジシラ−１−アザシクロペンタン、２，２，６，６−テトラメチル−２，６−ジシラ−１−アザシクロヘキサン等の環状ジシラザン化合物；２，２，４，４，６，６−ヘキサメチルシクロトリシラザン、２，４，６−トリメチル−２，４，６−トリビニルシクロトリシラザン等の環状トリシラザン化合物；２，２，４，４，６，６，８，８−オクタメチルシクロテトラシラザン等の環状テトラシラザン化合物；等が挙げられる。
この中でも、基板表面の材質がＴｉＮである場合には、環状ジシラザン化合物が好ましく、特に２，２，５，５−テトラメチル−２，５−ジシラ−１−アザシクロペンタン及び２，２，６，６−テトラメチル−２，６−ジシラ−１−アザシクロヘキサンの少なくとも１種が好ましい。環状ジシラザン化合物としては、２，２，５，５−テトラメチル−２，５−ジシラ−１−アザシクロペンタンのような５員環構造のものや、２，２，６，６−テトラメチル−２，６−ジシラ−１−アザシクロヘキサンのような６員環構造のものがあるが、５員環構造であることがより好ましい。
一方、基板表面の材質がＳｉＮである場合には、後述する有機溶剤に希釈した環状ジシラザン化合物、又は環状トリシラザン化合物が好ましい。有機溶剤に希釈した環状ジシラザン化合物としては、特に２，２，５，５−テトラメチル−２，５−ジシラ−１−アザシクロペンタン及び２，２，６，６−テトラメチル−２，６−ジシラ−１−アザシクロヘキサンの少なくとも１種が好ましい。また、環状トリシラザン化合物としては、特に２，２，４，４，６，６−ヘキサメチルシクロトリシラザン及び２，４，６−トリメチル−２，４，６−トリビニルシクロトリシラザンの少なくとも１種が好ましい。
これらの環状シラザン化合物は、単独又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００２１】
［有機溶剤］
本発明に係る表面処理剤は、さらに有機溶剤を含有していてもよい。環状シラザン化合物を有機溶剤で希釈することにより、基板表面に対する塗布作業性、ハンドリング性、リンス液との置換性等を向上させることができる。また、基板表面の材質がＳｉＮである場合には、環状ジシラザン化合物を有機溶剤に希釈することにより、疎水化の程度を高めることができる。
この有機溶剤としては、上記環状シラザン化合物と反応せず、上記環状シラザン化合物を溶解でき、かつ、基板表面に対するダメージの少ないものであれば、特に限定されずに従来公知の有機溶剤を使用することができる。
【００２２】
具体的には、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル等の（ポリ）アルキレングリコールアルキルエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の（ポリ）アルキレングリコールアルキルエーテルアセテート類；テトラヒドロフラン等の他のエーテル類；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン等のケトン類；２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル等の乳酸アルキルエステル類；３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、酢酸エチル、酢酸−ｎ−プロピル、酢酸−ｉ−プロピル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸−ｉ−ブチル、ぎ酸−ｎ−ペンチル、酢酸−ｉ−ペンチル、プロピオン酸−ｎ−ブチル、酪酸エチル、酪酸−ｎ−プロピル、酪酸−ｉ−プロピル、酪酸−ｎ−ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸−ｎ−プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２−オキソブタン酸エチル等の他のエステル類；β−プロピロラクトン、γ−ブチロラクトン、δ−ペンチロラクトン等のラクトン類；ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、メチルオクタン、ｎ−デカン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン、２，２，４，６，６−ペンタメチルヘプタン、２，２，４，４，６，８，８−ヘプタメチルノナン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の直鎖状、分岐鎖状、又は環状の炭化水素類；ベンゼン、トルエン、ナフタレン、１，３，５−トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類；ｐ−メンタン、ジフェニルメンタン、リモネン、テルピネン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン等のテルペン類；等が挙げられる。これらの有機溶剤は、単独又は２種以上を混合して使用することができる。
【００２３】
環状シラザン化合物を有機溶剤で希釈する場合、環状シラザン化合物の濃度は表面処理剤中、０．１〜９９．９質量％が好ましく、１〜５０質量％がより好ましく、１〜３０質量％がさらに好ましく、３〜２０質量％が特に好ましい。上記範囲とすることにより、表面処理の効果を保った上で、基板表面に対する塗布作業性、ハンドリング性、リンス液との置換性等を向上させることができる。なお、環状シラザン化合物として環状トリシラザン化合物を用いる場合には、環状ジシラザン化合物を用いる場合よりも一般に高濃度にすることが好ましい。
【００２４】
環状シラザン化合物を有機溶剤で希釈するタイミングは、特に限定されるものではない。例えば、予め環状シラザン化合物を有機溶剤で希釈した状態で保管しておいてもよく、表面処理剤を用いて基板表面を処理する直前に環状シラザン化合物を有機溶剤で希釈するようにしてもよい。
【００２５】
＜表面処理方法＞
次に、本発明に係る表面処理方法について説明する。本発明に係る表面処理方法は、基板表面に本発明に係る表面処理剤を曝露させ、その基板の表面を処理するものである。
【００２６】
本発明に係る表面処理方法は、基板表面を疎水化するものであり、その処理の目的はいかなるものであってもよいが、その処理の目的の代表的な例として、（１）基板表面を疎水化し、樹脂パターン等に対する密着性を向上させること、（２）リンス後の乾燥過程において、基板表面の無機パターンのパターン倒れを防止することが挙げられる。
【００２７】
上記（１）を目的とする場合、例えば感光性樹脂層を基板表面に形成する前に、基板表面に対して本発明に係る表面処理剤を曝露すればよい。基板表面に本発明に係る表面処理剤を曝露する方法としては、従来公知の方法を特に制限なく使用することができる。例えば、本発明に係る表面処理剤を気化させて蒸気とし、その蒸気を基板表面に接触させる方法、本発明に係る表面処理剤をスピンコート法や浸漬法等により基板表面に接触させる方法等が挙げられる。このような操作により基板表面の疎水性が向上するので、感光性樹脂層等に対する密着性が向上する。
【００２８】
上記（２）を目的とする場合、無機パターンを形成した後のリンス処理後の乾燥を行う前に、基板表面に対して本発明に係る表面処理剤を曝露すればよい。
【００２９】
このような表面処理を施すことによって、リンス後の乾燥過程における基板表面の無機パターンのパターン倒れを防止することのできる理由について説明する。
【００３０】
基板表面に無機パターンを形成する際には、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングが行われる。ドライエッチングによるパターン形成では、ハロゲン系ガス等によりドライエッチングを行い、続いて、ＳＣ−１（アンモニア・過酸化水素水）、ＳＣ−２（塩酸・過酸化水素水）等でパーティクルや金属不純物等のエッチング残渣を洗浄する。そして、水やイソプロパノール等のリンス液によるリンス後、無機パターンの表面を自然乾燥やスピンドライ等により乾燥する。一方、ウェットエッチングによるパターン形成では、ＤＨＦ（希フッ酸）、ＢＨＦ（フッ酸・フッ化アンモニウム）、ＳＰＭ（硫酸・過酸化水素水）、ＡＰＭ（アンモニア・過酸化水素水）等によりウェットエッチングを行い、水やイソプロパノール等のリンス液によるリンス後、無機パターンの表面を自然乾燥やスピンドライ等により乾燥する。
なお、乾燥処理は、例えば、特許第３８６６１３０号公報の段落［００３０］以降に記載されているような方法でも構わない。
【００３１】
本発明に係る表面処理方法では、このような無機パターンを乾燥する前に、無機パターン表面を本発明に係る表面処理剤で処理して疎水化する。好ましくは、リンス液によるリンス前に、無機パターン表面を本発明に係る表面処理剤で処理して疎水化する。
【００３２】
ここで、リンス後の乾燥過程で無機パターンのパターン間に働く力Ｆは、以下の式（Ｉ）のように表される。ただし、γはリンス液の表面張力を表し、θはリンス液の接触角を表し、Ａは無機パターンのアスペクト比を表し、Ｄは無機パターン側壁間の距離を表す。
Ｆ＝２γ・ｃｏｓθ・Ａ／Ｄ  ・・・（Ｉ）
【００３３】
したがって、無機パターンの表面を疎水化し、リンス液の接触角を高める（ｃｏｓθを小さくする）ことができれば、リンス後の乾燥過程で無機パターン間に働く力を低減することができ、パターン倒れを防止することができる。
【００３４】
この表面処理は、無機パターンが形成された基板を表面処理剤中に浸漬するか、或いは表面処理剤を無機パターンに塗布又は吹き付けることによって行われる。処理時間は、１０秒間〜６０分間が好ましい。また、この表面処理後には、無機パターン表面における水の接触角が６０〜１２０度となることが好ましく、７５〜１０５度となることがより好ましく、８０〜１００度となることがさらに好ましい。
【００３５】
なお、本発明に係る表面処理剤が非水系の場合には、無機パターン表面を表面処理剤で処理する前に、無機パターンの形成に用いたＤＨＦ（希フッ酸）やＢＨＦ（フッ酸・フッ化アンモニウム）等をイソプロパノール等の水溶性有機溶剤で置換しておくことが好ましい。これにより、表面処理剤との置換性が向上し、疎水性向上の効果が高まる。
【００３６】
以上の表面処理が終わると、無機パターンをリンスする。このリンス処理には、従来、無機パターンのリンス処理に使用されてきた水、イソプロパノール、メチルエチルケトン等をそのまま採用することができる。
【００３７】
なお、スループットの点からは、表面処理とリンス処理とが連続した処理であることが好ましい。このため、表面処理剤としては、リンス液との置換性に優れたものを選択することが好ましい。この点、リンス液として水系のものを使用する場合、表面処理剤としては、有機溶剤を多量成分として含有するものが好ましい。有機溶剤を多量成分として含有することにより、表面処理剤のリンス液との置換性が向上するためである。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【００３９】
［実施例１、比較例１，２］
表面の材質がＴｉＮである基板を０．１％フッ化水素水溶液で３分間洗浄した後、２，２，５，５−テトラメチル−２，５−ジシラ−１−アザシクロペンタン（ＴＤＡＣＰ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、又はＮ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）に室温で３０秒間浸漬した。そして、基板表面をメチルエチルケトンでリンスし、窒素ブローにより乾燥させた。その後、Ｄｒｏｐｍａｓｔｅｒ７００（協和界面科学株式会社製）を用い、基板表面に純水液滴（１．８μＬ）を滴下して、滴下１０秒後における接触角を測定した。結果を表１に示す。なお、表１中、「ＴｉＮ対照」として記載した接触角は、表面処理を施していない基板表面における接触角の数値である。
【００４０】
［実施例２、比較例３，４］
表面の材質がＳｉＮである基板を０．１％フッ化水素水溶液で３分間洗浄した後、２，２，４，４，６，６−ヘキサメチルシクロトリシラザン（ＨＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、又はＮ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）に室温で３０秒間浸漬した。そして、基板表面をメチルエチルケトンでリンスし、窒素ブローにより乾燥させた。その後、Ｄｒｏｐｍａｓｔｅｒ７００（協和界面科学株式会社製）を用い、基板表面に純水液滴（１．８μＬ）を滴下して、滴下１０秒後における接触角を測定した。結果を表１に示す。なお、表１中、「ＳｉＮ対照」として記載した接触角は、表面処理を施していない基板表面における接触角の数値である。
【００４１】
［参考例１〜４］
表面の材質がＳｉである基板を用いたほかは、上記と同様にして基板表面の接触角を測定した。結果を表１に示す。なお、表１中、「Ｓｉ対照」として記載した接触角は、表面処理を施していない基板表面における接触角の数値である。
【００４２】
【表１】
2011122137.tif 000002
【００４３】
表１から分かるように、環状シラザン化合物であるＴＤＡＣＰを表面処理剤として用いた実施例１では、基板表面の材質がＴｉＮである場合であっても、８３度という高い接触角を実現することができた。一方、ＨＭＤＳを表面処理剤として用いた比較例１では接触角が６９度、ＤＭＡＴＭＳを表面処理剤として用いた比較例２では接触角が５９度であり、いずれも実施例１よりも大きく劣っていた。
また、環状シラザン化合物であるＨＭＣＴＳを表面処理剤として用いた実施例２では、基板表面の材質がＳｉＮである場合であっても、８５度という高い接触角を実現することができた。一方、ＨＭＤＳを表面処理剤として用いた比較例３では接触角が５３度、ＤＭＡＴＭＳを表面処理剤として用いた比較例４では接触角が６５度であり、いずれも実施例２よりも大きく劣っていた。
なお、基板表面の材質がＳｉである場合には、いずれの表面処理剤によっても７９度以上という高い接触角を実現することができた。
【００４４】
［実施例３〜１７、比較例５〜１１］
表面の材質がＳｉ、ＳｉＮ、又はＴｉＮである基板を０．１％フッ化水素水溶液で３分間洗浄した後、イソプロパノールでさらに洗浄した。その後、２，２，５，５−テトラメチル−２，５−ジシラ−１−アザシクロペンタン（ＴＤＡＣＰ）、２，２，４，４，６，６−ヘキサメチルシクロトリシラザン（ＨＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、又はＮ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）を適宜有機溶剤に希釈した表面処理剤に室温で３０秒間浸漬した。そして、基板表面をイソプロピルアルコール、続いて水でリンスし、窒素ブローにより乾燥させた。その後、Ｄｒｏｐｍａｓｔｅｒ７００（協和界面科学株式会社製）を用い、基板表面に純水液滴（１．８μＬ）を滴下して、滴下１０秒後における接触角を測定した。結果を表２に示す。
【００４５】
【表２】
2011122137.tif 000003
【００４６】
表２から分かるように、環状シラザン化合物であるＴＤＡＣＰ又はＨＭＣＴＳを有機溶剤に希釈した表面処理剤を用いた実施例３〜１７では、基板表面の材質がＳｉＮ又はＴｉＮである場合であっても、基板表面を高度に疎水化することができた。特に、実施例３と実施例４〜１６とを比較して分かるように、環状ジシラザン化合物であるＴＤＡＣＰを有機溶剤に希釈した場合には、有機溶剤に希釈しない場合よりもＳｉＮである基板表面を高度に疎水化することができた。
一方、ＨＭＤＳ又はＤＭＡＴＭＳを有機溶剤に希釈した表面処理剤を用いた比較例６〜１１では、基板表面の材質がＳｉの場合には高度に疎水化することができたものの、基板表面の材質がＳｉＮ又はＴｉＮである場合には、疎水化の程度が不十分であった。また、比較例５と比較例６，７とを比較して分かるように、ＨＭＤＳを有機溶剤に希釈しても、ＳｉＮである基板表面に対する疎水化の程度は向上しなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月10日(2010.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明に係る表面処理方法では、このような無機パターンを乾燥する前に、無機パターン表面を本発明に係る表面処理剤で処理して疎水化する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
表２から分かるように、環状シラザン化合物であるＴＤＡＣＰ又はＨＭＣＴＳを有機溶剤に希釈した表面処理剤を用いた実施例４〜１７では、基板表面の材質がＳｉＮ又はＴｉＮである場合であっても、基板表面を高度に疎水化することができた。特に、実施例３と実施例４〜１６とを比較して分かるように、環状ジシラザン化合物であるＴＤＡＣＰを有機溶剤に希釈した場合には、有機溶剤に希釈しない場合よりもＳｉＮである基板表面を高度に疎水化することができた。
一方、ＨＭＤＳ又はＤＭＡＴＭＳを有機溶剤に希釈した表面処理剤を用いた比較例６〜１１では、基板表面の材質がＳｉの場合には高度に疎水化することができたものの、基板表面の材質がＳｉＮ又はＴｉＮである場合には、疎水化の程度が不十分であった。また、比較例５と比較例６，７とを比較して分かるように、ＨＭＤＳを有機溶剤に希釈しても、ＳｉＮである基板表面に対する疎水化の程度は向上しなかった。