(57)【要約】      （修正有）【課題】複雑な回路構成を必要とせずに、検波可能範囲（ダイナミックレンジ）を広げた検波回路を持つマイクロ波帯用送信装置を提供する。【解決手段】検波回路７の前段に、異なる周波数に対して、互いに異なる減衰特性を有する減衰器５を設け、当該減衰器５からの信号を検波回路７に入力することにより、検波回路７のダイナミックレンジを広くすることができるマイクロ波帯用送信装置が得られる。【選択図】図１
2011211453.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中間周波信号（ＩＦ信号）と局部発振信号（ＬＯ信号）とを混合して、マイクロ波帯の無線信号（ＲＦ信号）を出力するミキサと、前記ＲＦ信号に含まれる前記ＬＯ信号成分と、前記ＲＦ信号とに対して、互いに異なる減衰量を与える可変減衰器と、前記可変減衰器から出力される減衰されたＲＦ信号を検波する検波回路を含み、前記検波回路は、終端回路を備えた方向性結合器と、検波用ダイオードとを有し、且つ、前記可変減衰器は、前記ＲＦ信号に対する第1の減衰量と、前記ＬＯ信号成分に対する第２の減衰量とが異なる周波数特性を有することを特徴とするマイクロ波帯用送信装置。
【請求項２】
マイクロ波帯のＲＦ信号と、当該ＲＦ信号及びＩＦ信号から得られるイメージ信号成分とを受け、前記イメージ信号成分と前記ＲＦ信号成分に対して、互いに異なる減衰量を与える可変減衰器と、前記可変減衰器から出力される減衰されたＲＦ信号を検波する検波回路を含み、前記検波回路は、終端回路を備えた方向性結合器と、検波用ダイオードとを有し、且つ、前記可変減衰器は、前記ＲＦ信号に対する第1の減衰量と、前記イメージ信号成分に対する第２の減衰量とが異なる周波数特性を有することを特徴とするマイクロ波帯用送信装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記可変減衰器は、前記第1の減衰量が前記第２の減衰量よりも小さくなるような周波数特性を有していることを特徴とするマイクロ波帯用送信装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記検波回路は、ＲＦ信号入力ポートと、検波されたＲＦ信号出力ポートと、検波出力ポートと、前記ＲＦ信号入力ポートと前記ＲＦ信号出力ポートとの間に設けられた前記方向性結合器を備え、前記検波用ダイオードは、前記方向性結合器と前記検波出力ポートとの間に設けられていることを特徴とするマイクロ波帯用送信装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項において、前記ＲＦ信号ラインに接続された帯域フィルタ（ＢＰＦ）を更に有することを特徴とするマイクロ波帯用送信装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項において、前記可変減衰器は、前記ＲＦ信号を受ける入力ポートと、減衰されたＲＦ信号を出力する出力ポートと、前記入力ポートと前記出力ポートとの間に設けられ、前記ＲＦ信号の周波数の３／４波長の長さを有する伝送線路を含む伝送線路回路と、当該伝送線路回路に接続されたダイオード回路と、を有していることを特徴とするマイクロ波帯用送信装置。
【請求項７】
請求項６において、前記伝送線路回路は、前記入力ポート側に設けられ、前記３／４波長の長さを有する第１の伝送線路と、該第１の伝送線路の出力側と、前記出力ポート側に接続され、前記３／４波長の長さを有する第２の伝送線路とを備え、前記ダイオード回路は、前記第１の伝送線路の入力側及び出力側に接続された第１及び第２のダイオードと、前記第２の伝送線路の出力側に接続された第３のダイオードを有することを特徴とするマイクロ波帯用送信装置。
【請求項８】
請求項７において、前記第３のダイオードと前記第２の伝送線路の接続点には、ＤＣバイアス印加用のバイアス調整回路が接続されていることを特徴とするマイクロ波帯用送信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検波回路を含むマイクロ波送信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、マイクロ波送信装置では、回線設計の際、ＥＭＣ（電磁干渉適合性）等の問題により送信機出力のレベルを回線ごとに変える必要がある。したがって、この種、マイクロ波送信装置は、送信出力レベルを任意に変えられる構成を備えていることが望ましい。送信出力レベルを変えること自体は、可変減衰器（以下、Ｖ−ＡＴＴと略称する）の構成を変えることにより、ダイナミックレンジを変化させることができる。
【０００３】
しかしながら、Ｖ−ＡＴＴを用いても、送信出力レベルを一定に補償するＡＬＣ回路に用いられる検波回路のダイナミックレンジを広げることは一般には困難である。
【０００４】
通常、マイクロ波の信号強度をＤＣ電圧に変換する検波回路としては、ショットキーダイオードを用いた半波整流回路が一般的である。このときのＲＦ−ＤＣ変換特性はダイオードの物理的特性により決定されるため、ダイオードの選択により検波特性が決定することとなる。
【０００５】
一方、検波回路で検波された検波電圧は、通常そのままの形で使われることは少なく、バッファアンプや逆対数変換等の処理が行われてリファレンスとされる場合が多い。
【０００６】
このような回路構成において、検波電圧の範囲は処理回路の雑音耐性により下限が決定され、他方、検波電圧の上限は、信頼性の問題よりダイオードの逆耐圧により決定される。そのため、有効な検波電圧範囲は有限な範囲に定められ、それに対応したＲＦの検波可能範囲（ダイナミックレンジ）も制限されることとなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
システム的には検波回路のダイナミックレンジは拡大したいという要求があるが、検波可能な電圧範囲は制限されているため、検波回路のＲＦ−ＤＣ変換特性を変化させるための何らかの工夫が必要となってくる。
【０００８】
ショットキーダイオードの選択は検波対象となるＲＦ信号に追従するようなキャリアを用いた構造でなくてはならないという制限等により限定される。そこでダイナミックレンジを広げるために、ショットキーダイオードの選択によらない形式での回路構成の工夫が必要となってくる。
【０００９】
しかしながら、検波回路のダイナミックレンジを広げるような上記したような回路構成について、これまで提案されたことが無い。
【００１０】
本発明の目的は、回路規模を大幅に変えることなく、検波回路のダイナミックレンジを広げると云う要請に応えることが出来るマイクロ波送信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様によれば、中間周波信号（ＩＦ信号）と局部発振信号（ＬＯ信号）とを混合して、マイクロ波帯の無線信号（ＲＦ信号）を出力するミキサと、前記ＲＦ信号に含まれる前記ＬＯ信号成分と、前記ＲＦ信号とに対して、互いに異なる減衰量を与える可変減衰器と、前記可変減衰器から出力される減衰されたＲＦ信号を検波する検波回路を含み、前記検波回路は、終端回路を備えた方向性結合器と、検波用ダイオードとを有し、且つ、前記可変減衰器は、前記ＲＦ信号に対する第1の減衰量と、前記ＬＯ信号成分に対する第２の減衰量とが異なる周波数特性を有することを特徴とするマイクロ波帯用送信装置が得られる。
【００１２】
本発明の第２の態様によれば、マイクロ波帯のＲＦ信号と、当該ＲＦ信号及びＩＦ信号から得られるイメージ信号成分とを受け、前記イメージ信号成分と前記ＲＦ信号成分に対して、互いに異なる減衰量を与える可変減衰器と、前記可変減衰器から出力される減衰されたＲＦ信号を検波する検波回路を含み、前記検波回路は、終端回路を備えた方向性結合器と、検波用ダイオードとを有し、且つ、前記可変減衰器は、前記ＲＦ信号に対する第1の減衰量と、前記イメージ信号成分に対する第２の減衰量とが異なる周波数特性を有することを特徴とするマイクロ波帯用送信装置が得られる。
【００１３】
本発明の第３の態様によれば、第１又は第２の態様において、前記可変減衰器は、前記第1の減衰量が前記第２の減衰量よりも小さくなるような周波数特性を有していることを特徴とするマイクロ波帯用送信装置が得られる。
【００１４】
本発明の第４の態様によれば、第１乃至第３の態様のいずれか一項において、前記検波回路は、ＲＦ信号入力ポートと、検波されたＲＦ信号出力ポートと、検波出力ポートと、前記ＲＦ信号入力ポートと前記ＲＦ信号出力ポートとの間に設けられた前記方向性結合器を備え、前記検波用ダイオードは、前記方向性結合器と前記検波出力ポートとの間に設けられていることを特徴とするマイクロ波帯用送信装置が得られる。
【００１５】
本発明の第５の態様によれば、第１〜第４の態様のいずれか一項において、前記ＲＦ信号ラインに接続された帯域フィルタ（ＢＰＦ）を更に有することを特徴とするマイクロ波帯用送信装置が得られる。
【００１６】
本発明の第６の態様によれば、第１〜５の態様いずれか一項において、前記可変減衰器は、前記ＲＦ信号を受ける入力ポートと、減衰されたＲＦ信号を出力する出力ポートと、前記入力ポートと前記出力ポートとの間に設けられ、前記ＲＦ信号の周波数の３／４波長の長さを有する伝送線路を含む伝送線路回路と、当該伝送線路回路に接続されたダイオード回路と、を有していることを特徴とするマイクロ波帯用送信装置が得られる。
【００１７】
本発明の第７の態様によれば、第６の態様において、前記伝送線路回路は、前記入力ポート側に設けられ、前記３／４波長の長さを有する第１の伝送線路と、該第１の伝送線路の出力側と、前記出力ポート側に接続され、前記３／４波長の長さを有する第２の伝送線路とを備え、前記ダイオード回路は、前記第１の伝送線路の入力側及び出力側に接続された第１及び第２のダイオードと、前記第２の伝送線路の出力側に接続された第３のダイオードを有することを特徴とするマイクロ波帯用送信装置が得られる。
【００１８】
本発明の第８の態様によれば、第７の態様において、前記第３のダイオードと前記第２の伝送線路の接続点には、ＤＣバイアス印加用のバイアス調整回路が接続されていることを特徴とするマイクロ波帯用送信装置が得られる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、異なる周波数に対して異なる減衰特性を有する減衰器を検波回路の前段に備え、異なる減衰量を有する周波数信号を合成することより、検波電圧のレベルを広範囲に亘って制御でき、これによって、単一の検波回路によって検波回路の検波可能範囲（ダイナミックレンジ）を広くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るマイクロ波通信装置を示すブロック図である。
【図２】図１に示されたマイクロ波通信装置に使用される検波回路の具体例を示す図である。
【図３】図１に示されたマイクロ波通信装置に使用されるＶ−ＡＴＴの構成を示す回路図である。
【図４】図３に示されたＶ−ＡＴＴの周波数−減衰量特性を示す図である。
【図５】図３に示されたＶ−ＡＴＴのダイオード電流−減衰量特性を示す図である。
【図６】図２に示された検波回路の検波特性を示す図である。
【図７】図３に示されたＶ−ＡＴＴのダイオード電流と、図２に示された検波用ダイオードの入力信号レベルとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図1を参照して、本発明の第１の実施形態に係るマイクロ波通信装置を説明する。ここでは、マイクロ波通信装置として、マイクロ波送信装置を例にとって説明する。図示されたマイクロ波送信装置は、入力ポート１及び出力ポート９を備えている。更に、マイクロ波送信装置は、入力ポート１と出力ポート９との間に、ミキサ３、ドライバ増幅器（以下、ＤＡと略称する）４、可変減衰器（以下、Ｖ−ＡＴＴと略称する）５、電力増幅器（以下、ＰＡと略称する）、検波回路７、及び帯域フィルタ（ＢＰＦ）８を順次接続した構成を備えている。図示されたマイクロ波送信装置は、Ｖ−ＡＴＴ５及び検波回路７をそれぞれ直流（ＤＣ）的に制御する減衰器制御回路及び検波回路制御回路を備えているが、図では、ＡＴＴ制御部及び検波回路制御部が単一の制御回路５０として示されている。尚、図１には、マイクロ波無線信号（ＲＦ信号）に関連する部分のみが示されており、制御回路５０以外の直流成分に関する回路部分は省略されている。
【００２２】
具体的に説明すると、図１に示されたミキサ３は、入力ポート１及び２に接続され、図示された例では、入力ポート１には、局部発振信号（ＬＯ信号）が与えられ、他方、入力ポート２には、中間周波信号（ＩＦ信号）が与えられている。この関係で、入力ポート１及び２はそれぞれＬＯ信号入力ポート及びＩＦ信号入力ポートと呼ぶことができる。
【００２３】
ミキサ３は、ＬＯ信号入力ポート１からのＬＯ信号と、ＩＦ信号入力ポート２からのＩＦ信号とを混合して、マイクロ波無線信号（ＲＦ信号）を出力する。
【００２４】
ミキサ３から出力されたＲＦ信号は、ＤＡ４、Ｖ−ＡＴＴ５、ＰＡ６、検波回路７、ＢＰＦ８を介して、ＲＦ信号出力ポート９から出力される。
【００２５】
ここで、図２を参照して、図１に示された検波回路７の一例について説明する。図２に示された検波回路７は、図１に示されたＰＡ６に接続されるＲＦ信号入力ポート１０、図１のＢＰＦ８の入力端に接続されるＲＦ信号出力ポート１１、及び、検波出力ポート１８を備えている。
【００２６】
更に、検波回路７は、ＲＦ信号入力ポート１０及びＲＦ信号出力ポート１１との間に設けられ、カップリングライン１２、終端抵抗１３、及び終端コンデンサ１４によって構成された方向性結合器を備えている。ここで、終端抵抗１３及び終端コンデンサ１４は終端回路を構成している。
【００２７】
この構成では、ＲＦ信号ラインの一部が方向性結合器によって検波用ダイオード１５に入力される。更に、検波用ダイオード１５で半波整流されたＤＣ信号は、ＤＣフィード用コイル１６、バイパスコンデンサ１７を介して、検波出力ポート１８に出力される。ここで、検波用ダイオード１５としては、通常、ショットキーダイオードが使用される。また、検波用ダイオード１５で検波されたＤＣ信号は、図１に示された制御回路４０の検波回路制御回路に与えられる。
【００２８】
次に、図３を参照して、本発明の特徴となるＶ−ＡＴＴ５をより具体的に説明する。図３に示されているように、Ｖ−ＡＴＴ５は、図１に示されたＤＡ４の出力端に接続されるＡＴＴ入力ポート１９と、ＰＡ６の入力端に接続されるＡＴＴ出力ポート２０を有している。図示されたＶ−ＡＴＴ５は、ＡＴＴ入力ポート１９に与えられるＲＦ信号に対する減衰量と、ＲＦ信号に含まれるＬＯ信号成分に対して与えられる減衰量が互いに異なることを特徴としている。換言すれば、Ｖ−ＡＴＴ５は、減衰特性（ＡＴＴ量）に周波数特性を持たせる構成を備えている。このように、周波数特性を有するＶ−ＡＴＴ５を図２に示された検波回路７と組み合わせることにより、後述するように、検波回路７のダイナミックレンジを大きくすることができる。
【００２９】
図３は、減衰特性に周波数特性を持たせることができるＶ−ＡＴＴ５の一例を示している。図示されたＶ−ＡＴＴ５は、ＡＴＴ入力ポート１９とＡＴＴ出力ポート２０との間に設けられた伝送線路回路と、当該伝送線路回路に接続されたダイオード回路とによって構成されている。このうち、図示された伝送線路回路は、ＡＴＴ入力ポート１９側に設けられ、ＲＦ信号周波数の３／４波長の長さを有する第１の伝送線路２６と、第１の伝送線路２６の出力側に接続されると共に、ＡＴＴ出力ポート２０に接続され、第１の伝送線路２６と同様にＲＦ信号周波数の３／４波長の長さを有する第２の伝送線路２７とを有している。
【００３０】
一方、Ｖ−ＡＴＴ５のダイオード回路は、第１の伝送線路２６の入力側及び出力側にそれぞれアノードを接続された第１及び第２のダイオード２３及び２４と、第２の伝送線路２７の出力側にアノードを接続された第３のダイオード２５とによって構成されている。即ち、第１のダイオード２３と第２のダイオード２４は、第１の伝送線路２６の長さ（３／４波長）の間隔で接続されており、同様に、第２のダイオード２４と第３のダイオード２５は、第２の伝送線路２７の長さ（３／４波長）の間隔で接続されている。第１〜第３のダイオード２３〜２５は、ＡＴＴ用ＰＩＮダイオードによって構成されることが望ましい。
【００３１】
更に、ＡＴＴ入力ポート１９と第１の伝送線路２６との間、及び、ＡＴＴ出力ポート２０と第２の伝送線路２７との間には、それぞれ、ＤＣカット用コンデンサ２１及び２２が接続されている。また、第２の伝送線路２７の出力端と第３のダイオード２５のアノードとの共通接続点には、ＤＣバイアス回路が接続されている。図示されたＤＣバイアス回路は、制御回路５０のうちＡＴＴ制御回路に接続されたＤＣポート３０を有し、ＤＣポート３０に接続されたＤＣフィードコイル２８及びバイパスコンデンサ２９によって構成されている。ＤＣポート３０には、制御回路４０、即ち、ＡＴＴ制御回路からＤＣバイアス信号が与えられ、ＤＣバイアス信号は、ＤＣフィードコイル２８及びバイパスコンデンサ２９を介して、第１〜第３のダイオード２３〜２５に印加される。当該ＤＣバイアス信号を制御することによって、第１〜第３のダイオード２３〜２５の抵抗成分を可変することができる。
【００３２】
この構成を備えたＶ−ＡＴＴ５は、第1及び第２伝送線路２６、２７の長さ（ＲＦ信号周波数の３／４波長の長さ）によって定まる可変減衰量の周波数特性を有する。即ち、図示されたＶ−ＡＴＴ５は周波数に依存した減衰特性を有することを特徴としている。
【００３３】
通常、マイクロ波用可変減衰器には、ＲＦ信号周波数の１／４波長を有する伝送線路が用いられ、これによって、伝送線路の入力側及び出力側に接続された抵抗による反射を低減する構成が採用されている。このため、周波数によって異なる減衰量を与えるような減衰器については、何等考慮されていないのが実情である。
【００３４】
図４を参照すると、本発明の構成をとった場合の図３に示されたＶ−ＡＴＴ５の周波数と減衰量（ＡＴＴ量（ｄＢ））との関係が曲線３１によって示されている。図４に示すように、Ｖ−ＡＴＴ５は、ＲＦ信号周波数に対して大きい減衰量を持ち、ＬＯ信号成分周波数において小さい減衰量を示している。一方、曲線３２は、ＲＦ信号周波数の１／４波長の伝送線路に置き換えた従来構成でのマイクロ波可変減衰器の周波数特性を示しており、ＲＦ信号周波数及びＬＯ信号成分周波数における減衰量は殆ど同じである。
【００３５】
図５を参照すると、曲線３１で示すような本発明の構成をとった場合の周波数特性を有するＶ−ＡＴＴ５におけるダイオード（ＰＩＮダイオード）２３〜２５に流れる電流と、減衰量（ＡＴＴ量）との関係について曲線３３及び曲線３４によって示されている。即ち、曲線３３はＲＦ信号成分に対する電流−ＡＴＴ特性を示し、他方、曲線３４はＬＯ信号に対する電流−ＡＴＴ特性を示している。図５からも明らかな通り、曲線３３に示されたＲＦ信号成分に対するＡＴＴ量は、曲線３４で示されたＬＯ信号に対するＡＴＴ量に比較して大きい。したがって、Ｖ−ＡＴＴ５は、ＬＯ信号成分の減衰量をＲＦ信号の減衰量に比較して小さくすることができる。
【００３６】
一方、図３に示された第１及び第２の伝送線路２６及び２７を１／４波長の長さの伝送線路に置き換えた従来構成の場合には、ＰＩＮダイオード２３〜２５に流れる電流とＡＴＴ量との関係は、ＲＦ周波数については曲線３５、ＬＯ周波数においては曲線３６となる。
【００３７】
本発明の特徴としては、以上で説明した図１〜図３の回路構成をとることにより、Ｖ−ＡＴＴ５によりレベル可変されるＲＦ出力信号が検波回路７に与えられた場合、検波回路７の検波出力ポート１８から出力される検波電圧出力のダイナミックレンジを広げることが可能となる。
【００３８】
以下では、検波回路７の動作を説明する。
【００３９】
図６を参照すると、本発明に係る検波回路７の動作特性が曲線３７によって示されている。図６の横軸は、ＲＦ信号出力ポート９におけるＲＦ信号の出力強度(dBm)を表わし、他方、縦軸は、検波出力ポート１８における検波ＤＣ電圧(mV,logスケール)を表わしている。
【００４０】
図６の曲線３８は、図３の第１及び第２の伝送線路２６、２７をＲＦ信号周波数の１／４波長の長さを有する伝送線路に置き換えた従来構成の場合の特性である。
【００４１】
曲線３７及び３８を比較しても明らかな通り、ＲＦ信号の出力強度が小さくなるにつれて、本発明に係る検波回路７における検波電圧は、従来構成の場合よりも高くなる。したがって、本発明では、検波可能な検波電圧の範囲を一定としたときのＲＦ信号の出力強度範囲を拡大できることが分る。
【００４２】
次に、図７を参照して、Ｖ−ＡＴＴ５のダイオード（ＰＩＮダイオード）２３〜２５に流れる電流（ＰＩＮダイオード電流）と、検波回路７の検波用ダイオード１５に入力される入力電流との関係について説明する。
【００４３】
ＲＦ信号に対するＰＩＮダイオード電流と検波用ダイオード１５の入力信号との関係は、本発明の構成をとった場合も従来構成をとった場合も変わらず、曲線３９で示される。ＰＩＮダイオード電流が大きくなるにつれて、検波用ダイオード１５の入力信号レベルは低下している。
【００４４】
一方、ＬＯ信号に対するＰＩＮダイオード電流と検波用ダイオード１５への入力信号との関係は、本発明の構成をとった場合には曲線４０、従来構成の場合は曲線４１で示されることになる。
【００４５】
実際の動作を考慮すると、図２の検波ダイオード１５にはＲＦ信号とＬＯ信号を合わせた信号レベルの入力信号に対して検波電圧が決まることとなる。この場合、ＰＩＮダイオード電流と検波ダイオード１５への入力信号合計（ＲＦ＋ＬＯ）は、本特許の構成をとった場合には曲線４２となり、従来構成の場合の曲線４３とは異なることとなる。
【００４６】
図２に示された検波ダイオード15のＲＦ→ＤＣへの整流効率は周波数によらないため、検波ダイオード１５の出力は、ＲＦ信号とＬＯ信号成分をあわせた信号レベルを有していることになる。
【００４７】
図１に示されたマイクロ波送信装置は、検波回路７の後段にＢＦＰ８を接続した構成を備えている。この構成によれば、ＲＦ信号に含まれているＬＯ信号成分をＢＰＦ８によって抑圧することにより、ポート９から出力される出力信号はＲＦ成分のみとすることができる。
【００４８】
このことは、本発明では、本来不要波であるＬＯ信号成分に対して、Ｖ−ＡＴＴ特性に周波数特性をもたせて、ＲＦ信号成分とＬＯ信号成分での減衰量を変えることにより検波回路７への入力信号に対してＲＦ成分だけでなくＬＯ成分を加えて実行的な検波電圧出力を増加させていることを示している。
【００４９】
次に、ＲＦ信号、ＬＯ信号、及び、ＩＦ信号の周波数と、Ｖ−ＡＴＴ５の周波数特性の関係について説明しておく。
【００５０】
ミキサ３における入出力信号の周波数関係は式［１］で表わすことができる。 
Freq(ＲＦ) ＝ Freq(ＬＯ) ± Freq(ＩＦ)     [1]
【００５１】
また、通常、ＲＦ、ＬＯ、及びＩＦには以下の周波数関係がある。 
Freq(ＲＦ) ＞ Freq(ＬＯ) ＞＞ Freq(ＩＦ)          [2]
【００５２】
一方、ミキサ３においては、ＩＦ→ＲＦへの変換損は10dB程度であり、また、ＬＯ−ＲＦポート間のアイソレーション（ＬＯ信号のＲＦポートへのリーク量）は20dB程度である。
【００５３】
したがって、通常の使用状況であるＬＯ入力レベル＝10dBm、IF入力レベル＝0dBmとした場合にはミキサ３のＲＦ出力ポートにおいてはＲＦ信号＝ＬＯ信号＝-10dBmとなることとなる。
【００５４】
また、検波回路７における方向性結合器の周波数特性は通常広帯域に平坦とすることが可能である。
【００５５】
以上の使用状況と図４および図５における周波数特性とを併せて考えると、図７の曲線４２で示すように、検波用ダイオード１５の入力レベルを大きくすることができる。
【００５６】
［第２の実施形態］
ミキサ３、ＤＡ４、ＰＡ６の特性によっては、検波ダイオード１５へのＬＯ信号成分がＲＦ信号成分に比べて十分低い場合がある。このように、ＬＯ信号成分がＲＦ信号成分に比較して低い場合には、本発明の構成をとることが困難となることも予測される。
【００５７】
この場合、本発明の第２の実施形態は、ＬＯ信号成分の代わりに、ミキサ３で発生するイメージ信号成分を利用できる。ここで、イメージ信号成分の周波数は式［３］で表わすことができる。 
Freq(イメージ) ＝ Freq(ＲＦ) ±２×Freq(ＩＦ)     [３]
【００５８】
ここでは、比較的ＩＦ周波数が高く設定できるものとする。例えば、ＲＦ＝15.0 GHz/ＩＦ＝2.0 GHz/ＬＯ＝13.0 GHz/イメージ＝11.0 GHz のような周波数関係にある場合、ＲＦ信号とイメージ信号でＶ−ＡＴＴ５の周波数特性を大きく異なるように構成できる。
【００５９】
このように、本発明の第２の実施形態に係るマイクロ波送信装置は、不要波ＬＯ信号成分の代わりに不要波イメージ信号成分を利用することにより、第１の実施形態と同様な構成で同様な動作を行なうことができる。
【００６０】
上述した実施形態では、減衰器として、可変減衰器（Ｖ−ＡＴＴ）について説明したが、本発明は可変減衰器には限定されず、減衰器制御信号が一定である場合にも同様に適用でき、また、必ずしも検波回路に接続される場合に限定されるものでもない。更に、本発明は、マイクロ波送信装置に限らず、マイクロ波受信装置にも適用できる。
【符号の説明】
【００６１】
１            ＬＯ信号入力ポート
２            ＩＦ信号入力ポート
３            ミキサ
４            ドライバ増幅器（ＤＡ）
５            可変減衰器（Ｖ−ＡＴＴ）
６            電力増幅器（ＰＡ）
７            検波回路
８            帯域フィルタ（ＢＰＦ）
９            ＲＦ信号出力ポート
１０          ＲＦ信号入力ポート
１１          ＲＦ信号出力ポート
１２          カップリングライン
１３          終端抵抗
１４          終端コンデンサ
１５          検波用ダイオード
１６          ＤＣフィード用コイル
１７          バイパスコンデンサ
１８          検波出力ポート
１９          ＡＴＴ入力ポート
２０          ＡＴＴ出力ポート
２１、２２    ＤＣカット用コンデンサ
２３、２４、２５    ＡＴＴ用ダイオード
２６、２７    波長伝送線路（３／４波長長）
２８          ＤＣフィード用コイル
２９          バイパスコンデンサ
３０          ＤＣバイアスポート
５０          制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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