(57)【要約】【課題】スリットノズルを使用するスピンレス塗布法において塗布処理直後に行われる減圧乾燥処理の効率性の向上および処理時間の短縮化を実現するとともに、減圧乾燥処理後のレジスト塗布膜の膜質均一性を向上させる。【解決手段】レジスト塗布ユニットで当該基板Ｇに対して右辺ＧRから左辺ＧLに向かって塗布走査する第２モードが選択されたときは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２では、減圧乾燥処理中に左側のガス噴出部１０２を選択的に作動させて右側のガス噴出部１０４を止めておくような気流制御が行われる。この場合、手前（左側）の排気ポート１００ａ，１００ｂの排気流路が閉められ、向かい側（右側）の排気ポート１００ｃ，１００ｄを通じてチャンバ内の排気が行われる。【選択図】  図６
2011114055.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スリット状の吐出口より塗布液を吐出するスリットノズルを被処理基板上で基板面と平行な所定の塗布走査方向に相対的に移動させて、前記基板上に塗布液の膜を形成する塗布処理部と、
前記塗布液膜が形成された前記基板を減圧雰囲気の中に置き、前記基板上で基板面と平行な所定の気流通過方向に不活性ガスの気流を通過させて、前記塗布液膜を乾燥させる減圧乾燥処理部と
を有し、
前記基板に対して前記塗布走査方向と前記気流通過方向とを反対の向きまたは同じ向きのいずれかに合わせる、基板処理装置。
【請求項２】
前記減圧乾燥処理部が、
前記基板を出し入れ可能に収容する減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内を真空排気するための排気部と、
前記チャンバ内で前記基板を水平に載置する載置部と、
前記チャンバ内の前記載置部に載置されている前記基板上の処理空間に前記気流通過方向で不活性ガスの気流を形成するために、前記気流通過方向と平行な方向で互いに向き合って前記載置部の両側に設けられる第１および第２のガス噴射部と、
前記基板に対して前記気流通過方向が所望の向きになるように、前記第１および第２のガス噴射部のいずれか一方より択一的に不活性ガスを噴射させる不活性ガス供給部と
を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記排気部が、
前記チャンバ内で、前記載置部を中心にして、前記第１のガス噴射部の反対側に設けられる第１の排気ポートと、前記第２のガス噴射部の反対側に設けられる第２の排気ポートとを有し、
前記第１のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第２の排気ポート側の排気流路を閉じて、前記第１の排気ポートを介して前記チャンバ内の排気を行い、
前記第２のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第１の排気ポート側の排気流路を閉じて、前記第２の排気ポートを介して前記チャンバ内の排気を行う、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記排気部が、
前記チャンバ内で、前記基板または前記載置部を挟んで前記処理空間の下に形成される下部空間の底に設けられる排気ポートと、
前記第１のガス噴射部と向かい合って前記下部空間を選択的に遮蔽するための昇降可能な第１の板壁部と、
前記第１の板壁部を昇降移動させるための第１の昇降機構と、
前記第２のガス噴射部と向かい合って前記下部空間を選択的に遮蔽するための昇降可能な第２の板壁部と、
前記第２の板壁部を昇降移動させるための第２の昇降機構と
を有し、
前記第１のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第１の板壁部を前記チャンバの底より上に上昇させて前記下部空間を遮蔽させるとともに前記第２の板壁部を前記チャンバの底より下に退避させ、
前記第２のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第２の板壁部を前記チャンバの底より上に上昇させて前記下部空間を遮蔽させるとともに前記第１の板壁部を前記チャンバの底より下に退避させる、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記減圧乾燥処理部が、前記気流通過方向と直交する水平な方向で前記処理空間の広がりを規制して、不活性ガスの気流を前記気流通過方向に案内するために、前記載置部の両側に設けられる第１の気流案内部を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記減圧乾燥処理部が、前記処理空間に入る前の不活性ガスの気流が前記基板または前記載置部を挟んで前記処理空間の下に形成される下部空間に入り込むのを妨げて、不活性ガスの気流を前記処理空間に案内するために、前記載置部の周囲に設けられる第２の気流案内部を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第２の気流案内部が、
鉛直方向で移動可能または変位可能な板壁と、
前記処理空間のクリアランスを調整するために前記載置部の高さ位置に合わせて  前記板壁の上端の高さ位置を可変するための板壁高さ調整部と
を有する、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記塗布処理部から前記減圧乾燥処理部へ前記基板を転送する途中で、前記基板の向きを変えるために、前記基板を水平面内で所望の回転角度だけ回転させる基板回転機構を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項９】
被処理基板上に形成された塗布液の膜を減圧雰囲気の中で乾燥させるための減圧乾燥装置であって、
前記基板を出し入れ可能な収容する減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内を真空排気するための排気部と、
前記チャンバ内で前記基板を水平に載置する載置部と、
前記チャンバ内の前記載置部に載置されている前記基板上の処理空間に所定の気流通過方向で不活性ガスの気流を形成するために、前記気流通過方向と平行な方向で互いに向き合って前記載置部の両側に設けられる第１および第２のガス噴射部と、
前記第２のガス噴射部がオフ状態のまま前記第１のガス噴射部がオンになって、前記第１のガス噴射部より噴射された不活性ガスの多くが前記処理空間を第１の向きに流れる第１の気流形成モードと、前記第１のガス噴射部がオフ状態のまま前記第２のガス噴射部がオンになって、前記第２のガス噴射部より噴射された不活性ガスの多くが前記処理空間を前記第１の向きとは逆の第２の向きに流れる第２の気流形成モードとの間で切り換え可能な気流制御部と
を有する減圧乾燥装置。
【請求項１０】
前記排気部が、
前記チャンバ内で、前記載置部を中心にして、前記第１のガス噴射部の反対側に設けられる第１の排気ポートと、前記第２のガス噴射部の反対側に設けられる第２の排気ポートとを有し、
前記第１のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第２の排気ポート側の排気流路を閉じて、前記第１の排気ポートを介して前記チャンバ内の排気を行い、
前記第２のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第１の排気ポート側の排気流路を閉じて、前記第２の排気ポートを介して前記チャンバ内の排気を行う、
請求項９に記載の減圧乾燥装置。
【請求項１１】
前記排気部が、
前記チャンバ内で、前記基板または前記載置部を挟んで前記処理空間の下に形成される下部空間の底に設けられる排気ポートと、
前記第１のガス噴射部と向かい合って前記下部空間を選択的に遮蔽するための昇降可能な第１の板壁部と、
前記第１の板壁部を昇降移動させるための第１の昇降機構と、
前記第２のガス噴射部と向かい合って前記下部空間を選択的に遮蔽するための昇降可能な第２の板壁部と、
前記第２の板壁部を昇降移動させるための第２の昇降機構と
を有し、
前記第１のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第１の板壁部を前記チャンバの底より上に上昇させて前記下部空間を遮蔽させるとともに前記第２の板壁部を前記チャンバの底より下に退避させ、
前記第２のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第２の板壁部を前記チャンバの底より上に上昇させて前記下部空間を遮蔽させるとともに前記第１の板壁部を前記チャンバの底より下に退避させる、
請求項９に記載の減圧乾燥装置。
【請求項１２】
前記気流通過方向と直交する水平な方向で前記処理空間の広がりを規制して、不活性ガスの気流を前記気流通過方向に案内するために、前記載置部の両側に設けられる第１の気流案内部を有する、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。
【請求項１３】
前記処理空間に入る前の不活性ガスの気流が前記基板または前記載置部を挟んで前記処理空間の下に形成される下部空間に入り込むのを妨げて、不活性ガスの気流を前記処理空間に案内するために、前記載置部の周囲に設けられる第２の気流案内部を有する、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。
【請求項１４】
前記第２の気流案内部が、
鉛直方向で移動可能または変位可能な板壁と、
前記処理空間のクリアランスを調整するために前記載置部の高さ位置に合わせて  前記板壁の上端の高さ位置を可変するための板壁高さ調整部と
を有する、請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
スリット状の吐出口より塗布液を吐出するスリットノズルを被処理基板上で基板と平行な塗布走査方向に相対的に移動させて、前記基板上に処理液の塗布液の膜を形成する第１の工程と、
前記塗布液膜が形成された前記基板を減圧雰囲気の中に置き、前記基板上で基板と平行な所定の気流通過方向に不活性ガスの気流を通過させて、前記塗布液膜を乾燥させる第２の工程と
を有し、
前記基板に対して前記塗布走査方向と前記気流通過方向とを反対の向きまたは同じ向きのいずれかに合わせる、基板処理方法。
【請求項１６】
前記気流通過方向の向きを反転可能とし、前記第１の工程における前記塗布走査方向の向きに応じて前記第２の工程における前記気流通過方向の向きを選択する、請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記第１の工程と前記第２の工程との間で、前記第１の工程における前記塗布走査方向の向きに応じて、前記第２の工程における前記気流通過方向の向きを選択するために、前記基板を水平面内で所望の回転角度だけ回転させる、請求項１５に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板上にスピンレス方式で塗布液の膜を形成して直後に塗布液膜を減圧雰囲気中で乾燥させる基板処理装置および基板処理方法ならびに減圧乾燥の処理に用いる減圧乾燥装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程には、スリット状の吐出口を有する長尺形のスリットノズルを相対的に走査してガラス基板等の被処理基板上にレジスト液を塗布するスピンレスの塗布法がよく用いられている。
【０００３】
この種のスピンレス塗布法は、たとえば特許文献１に開示されるように、水平な載置台上に載置された基板とスリットノズルの吐出口との間に微小なギャップを設定し、スリットノズルを基板面と平行つまり水平な一方向に移動させる。そうすると、スリットノズルから帯状に吐出されたレジスト液が基板上で上記ギャップからノズル後方に平坦に延びる。こうして、スリットノズルの移動方向において基板上の一端から他端までレジスト液の塗布膜が形成される。
【０００４】
また、スピンレス塗布法の別形式として、たとえば特許文献２に開示されるような浮上搬送方式も知られている。この方式は、浮上ステージ上で基板を空中に浮かせたまま水平な一方向に搬送し、ステージ上方に配置したスリットノズルにその直下を通過する基板に向けてレジスト液を帯状に吐出させることにより、基板の搬送方向において基板上の一端から他端までレジスト液の塗布膜を形成するようにしている。
【０００５】
また、ＦＰＤパネルの製造においては、フォトリソグラフィー工程の中で基板上にレジスト液を塗布した後にレジスト塗布膜中の残存溶剤を蒸発させる加熱処理つまりプリベーキングを即座に行うと、加熱処理ユニット内で基板と接触するリフトピン、支持ピンまたはバキューム溝等からの熱的な影響を受けて溶剤の蒸発が不均一になり、レジスト塗布膜に転写跡等のムラが現れるという問題がある。そこで、プリベーキングに先立ち、基板上のレジスト塗布膜に残存している溶剤を減圧雰囲気下で一定段階まで揮発させることでレジスト塗布膜の表面に固い層（一種の変質層）を形成する減圧乾燥処理が行われている（たとえば特許文献３）。このようにレジスト塗布膜の内部またはバルク部を液状に保ちつつ表層部のみを固化する減圧乾燥法によれば、プリベーキングの際にバルクレジストの流動を抑制して乾燥斑の発生を低減できるだけでなく、現像処理時のレジストの非溶解性または膜減り量を少なくし、レジスト解像度が高くなる効果も得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１５６２５５
【特許文献２】特開２００５−２４４１５５
【特許文献３】特開２０００−１８１０７９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のような減圧乾燥処理を行う減圧乾燥装置においては、ＦＰＤ用の基板が大型化するに伴って、チャンバの容積が増加し、チャンバ内の圧力を所望の真空圧力値まで下げるための真空引きの所要時間が長くなるだけでなく、基板上に形成されるレジスト塗布膜の液量も増加しているために、減圧雰囲気中で塗布膜中の溶剤を揮発させるのに必要な処理時間も長くなることが、処理効率またはタクト面で課題となっている。
【０００８】
また、上記のように基板に対して長尺形のスリットノズルを相対的に移動（塗布走査）させるスピンレス塗布法においては、基板上の一端から他端まであたかも絨毯を敷くようにしてレジスト塗布膜が一方向（塗布走査方向）に一定速度でスキャン形成されるため、レジスト塗布膜の中で塗布始端部と塗布終端部との間に一定（たとえば３０秒程度）の時間差が生じる。この塗布走査方向における基板上のレジスト塗布膜形成の時間差は、減圧乾燥処理が開始するまでの待ち時間の差つまり自然乾燥時間の差となり、これが減圧乾燥処理後もレジスト塗布膜の膜質均一性を下げる原因となっている。
【０００９】
具体的には、基板上のレジスト塗布膜の中で塗布始端部は塗布終端部よりもたとえば３０秒間長く自然乾燥に晒されてそのぶん乾燥度が進行しているので、減圧乾燥処理後も塗布始端部の方が塗布終端部よりも相対的に乾燥固化の度合いを強めたまま現像処理を受け、レジストパターンの残膜率が面内均一にならないことがある。
【００１０】
他面、レジスト塗布処理を終了してから減圧乾燥処理を開始するまでの時間が経ち過ぎると、基板上のレジスト塗布膜の中で塗布終端部よりも自然乾燥時間が長かった塗布始端部の方が却って減圧乾燥の効果を得られ難くなり、減圧乾燥処理後は塗布始端部よりも塗布終端部の方が相対的に表層部の乾燥固化の度合いを強めることとなり、この場合も現像後のレジストパターンの残膜率が面内均一にならないことがある。
【００１１】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、スリットノズルを使用するスピンレス塗布法において塗布処理直後に行われる減圧乾燥処理の効率性の向上および処理時間の短縮化を実現するとともに、減圧乾燥処理後のレジスト塗布膜の膜質均一性を向上させる基板処理装置および基板処理方法ならびに減圧乾燥装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の基板処理装置は、スリット状の吐出口より塗布液を吐出するスリットノズルを被処理基板上で基板面と平行な所定の塗布走査方向に相対的に移動させて、前記基板上に塗布液の膜を形成する塗布処理部と、前記塗布液膜が形成された前記基板を減圧雰囲気の中に置き、前記基板上で基板面と平行な所定の気流通過方向に不活性ガスの気流を通過させて、前記塗布液膜を乾燥させる減圧乾燥処理部とを有し、前記基板に対して前記塗布走査方向と前記気流通過方向とを反対の向きまたは同じ向きのいずれかに合わせる。
【００１３】
本発明の基板処理方法は、スリット状の吐出口より塗布液を吐出するスリットノズルを被処理基板上で基板と平行な塗布走査方向に相対的に移動させて、前記基板上に塗布液の膜を形成する第１の工程と、前記塗布液膜が形成された前記基板を減圧雰囲気の中に置き、前記基板上で基板と平行な所定の気流通過方向に不活性ガスの気流を通過させて、前記塗布液膜を乾燥させる第２の工程とを有し、前記基板に対して前記塗布走査方向と前記気流通過方向とを反対の向きまたは同じ向きのいずれかに合わせる。
【００１４】
上記基板処理装置または上記基板処理方法においては、減圧乾燥処理中に基板上で基板面と平行な一方向に不活性ガスの気流を通過させることで、基板上の塗布液膜からの溶剤の蒸発を一層促進できるだけでなく、基板に対して塗布走査方向と気流通過方向とを反対の向きまたは同じ向きのいずれかに合わせることにより、塗布走査方向における基板上の各部の塗布膜形成から減圧乾燥開始までの経過時間（自然乾燥時間）のばらつきを補償して、基板上で塗布液膜の膜質を面内均一にすることができる。
【００１５】
本発明の減圧乾燥装置は、被処理基板上に形成された塗布液の膜を減圧雰囲気の中で乾燥させるための減圧乾燥装置であって、前記基板を出し入れ可能な収容する減圧可能なチャンバと、前記チャンバ内を真空排気するための排気部と、前記チャンバ内で前記基板を水平に載置する載置部と、前記チャンバ内の前記載置部に載置されている前記基板上の処理空間に所定の気流通過方向で不活性ガスの気流を形成するために、前記気流通過方向と平行な方向で互いに向き合って前記載置部の両側に設けられる第１および第２のガス噴射部と、前記第２のガス噴射部がオフ状態のまま前記第１のガス噴射部がオンになって、前記第１のガス噴射部より噴射された不活性ガスの多くが前記処理空間を第１の向きに流れる第１の気流形成モードと、前記第１のガス噴射部がオフ状態のまま前記第２のガス噴射部がオンになって、前記第２のガス噴射部より噴射された不活性ガスの多くが前記処理空間を前記第１の向きとは逆の第２の向きに流れる第２の気流形成モードとの間で切り換え可能な気流制御部とを有する。
【００１６】
上記減圧乾燥装置においては、減圧乾燥処理中に基板上の処理空間に所定の気流通過方向で不活性ガスの気流を形成することにより、基板上の塗布液膜からの溶剤の蒸発を一層促進できるだけでなく、上記第１の気流形成モードまたは上記第２の気流形成モードのいずれかに切り換えることにより、塗布走査方向における基板上の各部の塗布膜形成から減圧乾燥開始までの経過時間（自然乾燥時間）のばらつきを補償して、基板上で塗布液膜の膜質を面内均一にすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の基板処理装置、基板処理方法または減圧乾燥装置によれば、上記のような構成および作用により、スリットノズルを使用するスピンレス塗布法において塗布処理直後に行われる減圧乾燥処理の効率性の向上および処理時間の短縮化を実現するとともに、減圧乾燥処理後のレジスト塗布膜の膜質均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の適用できる一構成例としてのレジスト塗布現像処理システムのレイアウトを示す平面図である。
【図２】実施形態における塗布プロセス部の構成を示す平面図である。
【図３】実施形態における減圧乾燥ユニットに備えられる給気／排気システムの一構成例を示す略平面図である。
【図４】実施形態における減圧乾燥ユニットの構成を示す横断面図である。
【図５Ａ】実施形態における減圧乾燥ユニットの構成（減圧乾燥中）を示す図４のＩ-Ｉ線断面図である。
【図５Ｂ】実施形態における減圧乾燥ユニットの構成（基板のローディング／アンローディング時）を示す図４のII-II線断面図である。平面図である。
【図６】実施形態における減圧乾燥ユニットの一作用を示す略平面図である。
【図７】実施形態における減圧乾燥ユニットの一作用を示す略平面図である。
【図８】実施形態における減圧乾燥ユニットの一作用を示す略平面図である。
【図９】別の実施形態におけるレジスト塗布現像処理システムのレイアウトを示す平面図である。
【図１０】別の実施形態における減圧乾燥ユニットの構成を示す横断面図である。
【図１１Ａ】図１０の減圧乾燥ユニットの一作用を示す縦断面図である。
【図１１Ｂ】図１０の減圧乾燥ユニットの一作用を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。
【００２０】
図１に、本発明の基板処理装置、基板処理方法および減圧乾燥装置を適用できる一構成例としてのレジスト塗布現像処理システムを示す。このレジスト塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえば矩形のガラス基板を被処理基板Ｇとし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００２１】
このレジスト塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００２２】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置できるカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを１枚単位で保持できる搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００２３】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のプロセスラインＡ，Ｂ上に各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。
【００２４】
より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、搬入ユニット（ＩＮ  ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、搬出ユニット（ＯＵＴ  ＰＡＳＳ）３０、塗布プロセス部３２、搬入ユニット（ＩＮ  ＰＡＳＳ）３４、第２の熱的処理部３６および搬出ユニット（ＯＵＴ  ＰＡＳＳ）３８が上流側からこの順序で一列に配置されている。
【００２５】
より詳細には、搬入ユニット（ＩＮ  ＰＡＳＳ）２４はカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２から未処理の基板Ｇを受け取り、所定のタクトでプロセスラインＡに投入するように構成されている。
【００２６】
洗浄プロセス部２６は、上流側から順にエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）４０およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を設けており、第１の熱的処理部２８は、上流側から順にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４４および冷却ユニット（ＣＯＬ）４６を設けている。これらの処理ユニット４０〜４６はいずれも平流し方式の処理ユニットとして構成されており、搬入ユニット（ＩＮ  ＰＡＳＳ）２４から搬出ユニット（ＯＵＴ  ＰＡＳＳ）３０まで上記処理ユニット４０〜４６を縦断して延びるたとえばコロ搬送路からなる第１の往路平流し搬送部４８が敷設されている。
【００２７】
塗布プロセス部３２は、上流側から順にレジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０および減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２を設けている。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）は、平流し方式の処理ユニットではなく、ステージ上に基板Ｇを載置して固定し、その上方で長尺型のスリットノズルを水平な所定方向に走査移動させて基板Ｇ上にレジスト液の塗布膜を形成するように構成されている。減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２も、平流し方式の処理ユニットではなく、減圧可能なチャンバ内に設けられたステージの上に基板Ｇを載置して固定し、チャンバ内を真空排気して基板Ｇ上のレジスト塗布膜を減圧雰囲気中で乾燥させるように構成されている。塗布プロセス部３２内の構成および作用は、図２〜図７を参照して後に詳述する。
【００２８】
第２の熱的処理部３６に配置されるプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）５４および冷却ユニット（ＣＯＬ）５６はいずれも平流し方式の処理ユニットとして構成されており、搬入ユニット（ＩＮ  ＰＡＳＳ）３４から搬出ユニット（ＯＵＴ  ＰＡＳＳ）３８まで上記処理ユニット５４，５６を縦断して延びるたとえばコロ搬送路からなる第２の往路平流し搬送部５８が敷設されている。
【００２９】
一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部または復路のプロセスラインＢには、搬入ユニット（図示せず）、現像ユニット（ＤＥＶ）６０、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）６２、冷却ユニット（ＣＯＬ）６４、検査ユニット（ＡＰ）６６および搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）６８がこの順序で一列に配置されている。ここで、上記搬入ユニット（図示せず）は、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の周辺装置（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）７６の階下に、つまり現像ユニット（ＤＥＶ）６０と同じ階に設けられている。
【００３０】
現像ユニット（ＤＥＶ）６０、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）６２、冷却ユニット（ＣＯＬ）６４および検査ユニット（ＡＰ）６６はいずれも平流し方式の処理ユニットとして構成されており、上記搬入ユニット（図示せず）から搬出ユニット（ＯＵＴ  ＰＡＳＳ）６８まで上記処理ユニット６０〜６６を縦断して延びるたとえばコロ搬送路からなる復路平流し搬送部７０が敷設されている。
【００３１】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、上記往路および復路のブロセスラインＡ，Ｂの処理ユニットや隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置７２を有し、この搬送装置７２の周囲または隣にロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４および周辺装置７６を配置している。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４は、基板Ｇを水平面内で回転させるステージであり、露光装置１２との受け渡しに際して長方形の基板Ｇの向きを変換するために用いられる。周辺装置７６は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）や周辺露光装置（ＥＥ）等を含んでいる。
【００３２】
このレジスト塗布現像処理システム１０においては、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と往路のブロセスラインＡとインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８と復路のブロセスラインＢとに囲まれてＸ方向にまっすぐ延びる中庭のスペースＮＳが設けられている。この中庭スペースＮＳには、往路のブロセスラインＡにおける搬出ユニット（ＯＵＴ  ＰＡＳＳ）３０→レジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０→減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２→搬入ユニット（ＩＮ  ＰＡＳＳ）３４の区間で基板Ｇを逐次転送するための搬送装置７８が設けられている。
【００３３】
ここで、このレジスト塗布現像処理システム１０における１枚の基板Ｇに対する全工程の処理手順を説明する。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを１枚取り出し、その取り出した基板Ｇをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入ユニット（ＩＮ  ＰＡＳＳ）２４に搬入する。搬入ユニット（ＩＮ  ＰＡＳＳ）２４から基板Ｇは第１の往路平流し搬送路４８上に移載または投入される。
【００３４】
第１の往路平流し搬送路４８に投入された基板Ｇは、最初に洗浄プロセス部２６においてエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）４０およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２は、平流し搬送路４８上を水平に移動する基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２における一連の洗浄処理を終えると、基板Ｇはそのまま第１の往路平流し搬送路４８を下って第１の熱的処理部２８を通過する。
【００３５】
第１の熱的処理部２８において、基板Ｇは、最初にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４４で蒸気のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４６で所定の基板温度まで冷却される。この後、基板Ｇは搬出ユニット（ＯＵＴ  ＰＡＳＳ）３０に入り、ここで停止する。
【００３６】
直後に、中庭スペースＮＳから搬送装置７８が搬出ユニット（ＯＵＴ  ＰＡＳＳ）３０にアクセスして、第１の往路平流し搬送路４８から基板Ｇを搬出する。次いで、搬送装置７８は、中庭スペースＮＳ内を移動して、基板Ｇを隣のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０に搬入する。
【００３７】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０では、後述するように、ステージ上に載置された基板Ｇの上でスリットノズルを基板面と平行な一方向に水平移動（走査）させて、基板Ｇの上面（被処理面）にレジスト液の塗布膜を形成する。
【００３８】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０でレジスト塗布処理が終了すると、搬送装置７８が、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０から基板Ｇを搬出し、中庭スペースＮＳ内を移動して、基板Ｇを隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２に搬入する。
【００３９】
減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２では、後述するように、減圧可能なチャンバ内のステージ上に基板Ｇを水平に載置して、チャンバ内を真空排気により減圧するとともに、基板Ｇ上の処理空間で不活性ガスを一方向に流して、基板Ｇ上のレジスト塗布膜を乾燥させる。
【００４０】
搬送装置７８は、減圧乾燥処理の済んだ基板Ｇを減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２から搬出し、中庭スペースＮＳ内を移動して、搬入ユニット（ＩＮ−ＰＡＳＳ）３４に基板Ｇを搬入する。この直後に、第２の往路平流し搬送部５８でコロ搬送が開始され、基板Ｇは平流しでプロセスラインＡの下流側に搬送され、第２の熱的処理部３６を通過する。
【００４１】
第２の熱的処理部３６において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）５４でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５６で所定の温度まで冷却される。しかる後、基板Ｇは、第２の往路平流し搬送部５８の終点の搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）３８からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７２に引き取られる。
【００４２】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、ロータリステージ７４でたとえば９０度の方向変換を受けてから周辺装置７６の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる。
【００４３】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると、先ず周辺装置７６のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される。しかる後に、基板Ｇは、搬送装置７２より周辺装置７６の階下の搬入ユニット（図示せず）に搬入される。
【００４４】
こうして、基板Ｇは、今度は復路のプロセスラインＢに敷設されている復路平流し搬送路７０のコロ搬送路に乗ってカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４に向かって移動する。
【００４５】
最初の現像ユニット（ＤＥＶ）６０において、基板Ｇは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される。
【００４６】
現像ユニット（ＤＥＶ）６０で一連の現像処理を終えた基板Ｇは、そのまま復路平流し搬送路７０に乗せられたまま第３の熱的処理部（６２，６４）および検査ユニット（ＡＰ）６６を順次通過する。第３の熱的処理部において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）６２で現像処理後の熱処理つまりポストベーキングを受ける。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６４で所定の基板温度に冷却される。検査ユニット（ＡＰ）６６では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる。
【００４７】
搬出ユニット（ＯＵＴ  ＰＡＳＳ）６８は、復路平流し搬送路７０から全工程の処理を終えてきた基板Ｇを受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２へ渡す。カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、搬出ユニット（ＯＵＴ  ＰＡＳＳ）６８から受け取った処理済の基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する。
【００４８】
このレジスト塗布現像処理システム１０においては、塗布プロセス部３２に本発明の基板処理装置および方法を適用できるとともに、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２に本発明の減圧乾燥装置を適用することができる。
【００４９】
以下、図２〜図１１につき、本発明の一実施形態における塗布プロセス部３０および減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２の構成および作用を詳細に説明する。
【００５０】
図２に、塗布プロセス部３０およびその周囲のレイアウト構成を示す。図中、プロセスラインＡの方向（Ｘ方向）を基準として、矩形基板Ｇの前辺をＧF，左辺をＧL，右辺をＧR，後辺をＧBで示している。
【００５１】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０は、図示のように、基板Ｇを水平に載置して保持するステージ８０と、このステージ８０上に載置される基板Ｇの上面（被処理面）にスリットノズル８２を用いてスピンレス法でレジスト液を塗布する塗布処理部８４と、塗布処理を行わない間にスリットノズル８２のレジスト液吐出機能を回復して次に備えるためのノズルリフレッシュ部８６等を有する。また、ステージ８０上で基板Ｇのローディング／アンローディングを行うための昇降移動可能なリフトピン８５も備わっている。
【００５２】
スリットノズル８２は、ステージ８０上の基板ＧをＸ方向で一端（前辺ＧF）から他端（後辺ＧB）までカバーできるスリット状の吐出口を有する長尺型のノズルであり、レジスト液供給源（図示せず）に接続されている。塗布処理部８４は、塗布処理時にスリットノズル８２をステージ８０の上方でＹ方向に水平移動させるノズル移動機構８８を有する。このノズル移動機構８８は、スリットノズル８２を水平に支持する逆さコ字状の支持体９０と、この支持体９０をＹ方向で双方向に直進移動させる直進駆動部９２とを有する。
【００５３】
スリットノズル８２がレジスト液を帯状に吐出しながら、ステージ８０上方でＹ方向に水平移動（走査）することで、基板Ｇ上にＹ方向の一端から他端まであたかもじゅうたんを敷くように所望の膜厚でレジスト液の塗布膜が形成される。
【００５４】
この実施形態では、基板Ｇ上の塗布走査方向に関して、基板Ｇの左辺ＧLから右辺ＧRに向かって塗布走査する第１モードと、反対に基板Ｇの右辺ＧRから左辺ＧLに向かって塗布走査する第２モードの２通りが可能であり、どちらのモードも選択できるようになっている。したがって、たとえば、或るロットの基板Ｇに対して、常に第１モードもしくは第２モードだけを選択することも可能であり、あるいは基板１枚毎に第１モードと第２モードとを交互に切り換えることも可能である。いずれの場合でも、このレジスト塗布現像処理システム１０の全体を統括制御するシステムコントローラ（図示せず）あるいは塗布処理部３２内の各部を制御する局所コントローラ（図示せず）が、各々の基板Ｇについて第１モードもしくは第２モードのどちらが選択または実行されたかを管理している。
【００５５】
減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２は、チャンバ本体を構成する固定構造の下部チャンバ９６と上蓋を構成する可動の上部チャンバ（図２では図示せず）とを有し、たとえば昇降手段を有するチャンバ開閉機構（図示せず）により上部チャンバを上げ下げして、下部チャンバ９６に対する密着（チャンバ密閉）と分離（チャンバ解放）を切り替えられるようにしている。
【００５６】
下部チャンバ９６はほぼ四角形で、中心部には基板Ｇを水平に載置して支持するためのステージ９８が配設され、チャンバ底面の四隅に排気ポート１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄがそれぞれ設けられている。各排気ポート１００ａ〜１００ｄは排気管（図２では図示せず）を介して真空ポンプ（図２では図示せず）に通じている。チャンバを密閉して、該真空ポンプによりチャンバ内の圧力を所望の真空圧力値まで減圧できるようになっている。
【００５７】
さらに、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２の下部チャンバ９６には、上記レジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０における塗布走査方向（Ｙ方向）に対応させて、ステージ９８を挟んでＹ方向の両側（側壁付近）に一対のガス噴射部１０２，１０４が設けられている。
【００５８】
搬送装置７８は、基板Ｇを１枚単位で保持できる搬送アーム７８ａを有する搬送ロボットからなり、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、中庭スペースＮＳ内を移動して、基板搬入口または搬出口が中庭スペースＮＳに臨んでいる全てのユニット、特にレジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２、第１の往路平流し搬送部４８の搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）３０、第２の往路平流し搬送部５８の搬入ユニット（ＩＮ−ＰＡＳＳ）３４にアクセス可能であり、それらのユニットと基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００５９】
図２において、第１の往路平流し搬送部４８は、複数のローラを一定間隔で取り付けた棒状のコロ１０６を搬送方向（Ｘ方向）に一定間隔で並べてコロ搬送路を形成し、モータおよび伝動機構等からなるコロ駆動部（図示せず）により各コロ１０６を回転駆動し、コロ搬送路上で基板Ｇを搬送するように構成されている。冷却ユニット（ＣＯＬ）４６内には、コロ搬送で通過する基板Ｇを熱交換によって、または冷風を当てて所定温度に冷却する冷却機構（図示せず）が設けられている。搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）３０は、第１の往路平流し搬送部４８のコロ搬送路を平流しで搬送されてきた基板Ｇを停止または静止させる構成、および搬送装置７８の搬送アーム７８ａに基板Ｇを受け取らせる構成になっている。なお、第１の往路平流し搬送部４８においては、コロ搬送路が複数の区間に分割され、各区間毎に独立したコロ駆動部が設けられてもよい。
【００６０】
同様に、第２の往路平流し搬送部５８も、複数のローラを一定間隔で取り付けた棒状のコロ１０８を搬送方向（Ｘ方向）に一定間隔で並べてコロ搬送路を形成し、モータおよび伝動機構等を有するコロ駆動部（図示せず）により各コロ１０８を回転駆動し、コロ搬送路上で基板Ｇを搬送するように構成されている。プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）５４内には、コロ搬送で通過する基板Ｇを熱交換によって、または熱風を当てて所定温度に加熱するヒータ機構（図示せず）が設けられている。搬入ユニット（ＩＮ−ＰＡＳＳ）３４は、搬送装置７８の搬送アーム７８ａより基板Ｇを受け取れる構成、および基板Ｇを受け取った直後に平流しの搬送（コロ搬送）を開始できる構成になっている。第２の往路平流し搬送部５８においても、コロ搬送路が複数の区間に分割され、各区間毎に独立したコロ駆動部が設けられてもよい。
【００６１】
次に、図３〜図７につき、この実施形態における減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２の構成および作用を詳細に説明する。
【００６２】
図３に、この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２における給気／排気システムの一構成例を示す。
【００６３】
給気システムにおいては、下部チャンバ９６内のガス噴出部１０２，１０４が、不活性ガスタンク１１０および送風機（またはコンプレッサ）１１２を有する共通の不活性ガス供給源１１４にそれぞれガス供給管１１６(1)，１１６(2)を介して接続されている。ガス供給管１１６(1)，１１６(2)の途中には、流量調整弁１１８(1)，１１８(2)および開閉弁１２０(1)，１２０(2)がそれぞれ設けられている。使用される不活性ガスは、たとえば窒素ガスである。
【００６４】
排気システムにおいては、下部チャンバ９６内の排気ポート１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄが、真空ポンプ１２２および圧力制御弁１２４を有する共通の排気装置１２６にそれぞれ排気管１２８(1)，１２８(2)，１２８(3)，１２８(4)を介して接続されている。排気管１２８(1)，１２８(2)，１２８(3)，１２８(4)の途中には、開閉弁１３０(1)，１３０(2)，１３０(3)，１３０(4)がそれぞれ設けられている。
【００６５】
後述するように、この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２においては、減圧乾燥処理中に乾燥促進用の不活性ガスを流すときは、基板Ｇ上の処理空間ＰＳ（図５Ａ）に一方向の気流を形成するために、ガス噴出部１０２，１０４のいずれか一方だけを選択的に作動させて他方を止めておくような制御を行う。
【００６６】
より詳しくは、ガス噴出部１０２を選択的に作動させる場合、給気システムは、開閉弁１２０(1)をオン状態にするとともに、開閉弁１２０(2)をオフ状態にする。排気システムは、ガス噴出部１０２の向かい側の排気ポート１００ｃ，１００ｄを通じてチャンバ内の排気を行う（つまり不活性ガスの気流を引き込む）ように開閉弁１３０(3)，１３０(4)をそれぞれオン状態にするとともに、手前の排気ポート１００ａ，１００ｂが気流を引き込まないように開閉弁１３０(1)，１３０(2)をそれぞれオフ状態にする。
【００６７】
反対に、ガス噴出部１０４を選択的に作動させる場合、給気システムは、開閉弁１２０(2)をオン状態にするとともに、開閉弁１２０(1)をオフ状態にする。排気システムは、ガス噴出部１０４の向かい側の排気ポート１００ａ，１００ｂを通じてチャンバ内の排気を行う（つまり不活性ガスの気流を引き込む）ように開閉弁１３０(1)，１３０(2)をそれぞれオン状態にするとともに、手前の排気ポート１００ｃ，１００ｄが気流を引き込まないように開閉弁１３０(3)，１３０(4)をそれぞれオフ状態にする。
【００６８】
図４、図５Ａおよび図５Ｂに、この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２の具体的な構成例を示す。図４は下部チャンバ９６内の構成を示す横断面図、図５Ａは図４のＩ−Ｉ線についての縦断面図、図５Ｂは図４のII−II線についての縦断面図である。
【００６９】
この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２の下部チャンバ９６には、ステージ９８上に載置される基板Ｇの周囲で減圧乾燥中に不活性ガスの気流を制御するための気流制御部１３２が設けられている。この気流制御部１３２は、Ｘ方向において相対向するチャンバ側壁９８(2)，９６(4)の内側でステージ９８の両側（好ましくはステージ９８にできるだけ近接した位置）に配置される気流案内壁（第１の気流案内部）１３４Ａ,１３４Ｂと，ステージ９８上に載置される基板Ｇの下の空間を覆う矩形の気流遮蔽壁（第２の気流案内部）１３６とを有している。
【００７０】
気流案内壁１３４Ａ,１３４Ｂは、図４に示すように、Ｙ方向において、ステージ９８の片側（図の左側）に設けられているガス噴射部１０２，排気ポート１００ａ，１００ｂの近くの位置からステージ９８の反対側（右側）のガス噴射部１０４および排気ポート１００ｃ，１００ｄ近くの位置まで延びている。高さ方向（Ｚ方向）において、気流案内壁１３４Ａ,１３４Ｂは、図５Ｂに示すように、下部チャンバ９６の底面から上部チャンバ１３８の下面（天井）またはその近くまで達するサイズを有している。
【００７１】
気流遮蔽壁１３６は、ステージ９８の周囲で下部チャンバ９６の底面からステージ９８上に載置されている基板Ｇの裏面（下面）の周縁部に接する高さか、またはその近くの高さまで鉛直方向に延びている（図５Ａ、図５Ｂ）。
【００７２】
ステージ９８は、鉛直方向に延びる昇降駆動軸１４０を介して昇降アクチエータ１４２に結合されており、搬送装置７８（図２）と基板Ｇの受け渡しを行う時、あるいは減圧乾燥処理におけるチャンバ天井（上部チャンバ１３８の下面）との距離またはクリアランスを調節するために昇降移動できるようになっている。昇降駆動軸１４０は、下部チャンバ９６の底壁を上下移動可能に貫通し、この貫通孔はシール部材１４４によって真空封止されている。
【００７３】
次に、図４〜図７につき、この実施形態における減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２の作用を説明する。
【００７４】
上記のように、この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２の隣のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０では、スリットノズル８２を基板Ｇ上で一方向（Ｙ方向）に移動させて、基板Ｇ上にレジスト液の塗布膜ＲＭ（図６、図７）を形成する。このレジスト塗布処理の終了後に、搬送装置７８が、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０から減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２へ基板Ｇを転送する。この際、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２では、上部チャンバ１３８を開けて、ステージ９８を下部チャンバ９６の中から上に持ち上げて基板Ｇを受け取る（図５Ｂ）。
【００７５】
次に、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２では、ステージ９８を下部チャンバ９６の中に降ろし、上部チャンバ１３８を閉めてチャンバを密閉し、給気／排気システム（図３）を作動させる。図５Ａに示すように、密閉されたチャンバ内で、ステージ９８上に載置されている基板Ｇとチャンバ天井面（上部チャンバ１３８の下面）との間に所望のクリアランスを有する処理空間ＰＳが形成される。
【００７６】
下部チャンバ９６内でステージ９８上に載置されている基板Ｇは、図４に示すように、Ｘ方向において基板Ｇの前辺ＧFおよび後辺ＧBが気流案内壁１３４Ａ,１３４Ｂにそれぞれ対向し，Ｙ方向において基板Ｇの左辺ＧLおよび右辺ＧRがガス噴射部１０２，１０４にそれぞれ対向するような向きになる。
【００７７】
減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２のコントローラは、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０において当該基板Ｇに対して選択された塗布走査方向の向きに関するモード（第１モード／第２モード）を把握しており、その選択されたモードと他の所定の判定条件とを組み合わせた判定基準にしたがって、減圧乾燥中に処理空間ＰＳに流す不活性ガスの気流の向きを決定し、そのような指向性を有する不活性ガスの気流が得られるように給気／排気システム（図３）を制御する。
【００７８】
ここで、上記判定条件は、当該基板Ｇに対してレジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０で選択された塗布走査方向の向きと、この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２で当該基板Ｇに対して選択する気流通過方向の向きを逆にするべきか、それとも同じにするべきかを決定するための判定基準であり、通常は、使用するレジストの種類、レジスト塗布処理の終了から減圧乾燥処理の開始までの経過時間（自然乾燥時間）等を総合したものであり、レシピ情報の１つとしてシステムコントローラから判定結果（指令）を与えられてよい。
【００７９】
一例として、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２に搬入された当該基板Ｇについては、気流通過方向の向きを塗布走査方向の向きとは逆向きにすべきことをシステムコントローラから指示されたものとする。
【００８０】
この場合、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０では当該基板Ｇに対して右辺ＧRから左辺ＧLに向かって塗布走査する第２モードが選択されたときは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２では、図６に示すように、減圧乾燥処理中に左側のガス噴出部１０２を選択的に作動させて右側のガス噴出部１０４を止めておくような気流制御が行われる。
【００８１】
左側のガス噴出部１０２を選択的に作動させるときは、上記したように、手前（左側）の排気ポート１００ａ，１００ｂの排気流路が閉められ、向かい側（右側）の排気ポート１００ｃ，１００ｄを通じてチャンバ内の排気が行われる。
【００８２】
ガス噴出部１０２より上方またはチャンバ中心部に向けて噴射された不活性ガスは、図５Ａに示すように、気流遮蔽壁１３６によって基板Ｇの下の下部空間へ流入せずに基板Ｇの上の処理空間ＰＳへ案内され、図６に示すように、気流案内壁１３４Ａ，１３４ＢによってＸ方向の広がりを基板Ｇの上つまり処理空間ＰＳ内に規制されながら、基板Ｇの左辺ＧLから右辺ＧRに向かって一方向に流れ、処理空間ＰＳを抜けると（通過すると）、基板Ｇよりも低い方へ流れ落ちながら排気ポート１００ａ，１００ｂに吸い込まれる。
【００８３】
また、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０では当該基板Ｇに対して左辺ＧLから右辺ＧRに向かって塗布走査する第１モードが選択されたときは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２では、図７に示すように、減圧乾燥処理中に右側のガス噴出部１０４を選択的に作動させて左側のガス噴出部１０２を止めておくような気流制御が行われる。
【００８４】
右側のガス噴出部１０４を選択的に作動させるときは、上記したように、手前（右側）の排気ポート１００ｃ，１００ｄの排気流路が閉められ、向かい側（左側）の排気ポート１００ａ，１００ｂを通じてチャンバ内の排気が行われる。
【００８５】
ガス噴出部１０４より上方またはチャンバ中心部に向けて噴射された不活性ガスは、気流遮蔽壁１３６によって基板Ｇの下の下部空間へ流入せずに基板Ｇの上の処理空間ＰＳへ案内され、図７に示すように、気流案内壁１３４Ａ，１３４ＢによってＸ方向の広がりを基板Ｇの上つまり処理空間ＰＳ内に規制されながら、基板Ｇの右辺ＧRから左辺ＧLに向かって一方向に流れ、処理空間ＰＳを抜けると（通過すると）、基板Ｇよりも低い方へ流れ落ちながら排気ポート１００ａ，１００ｂに吸い込まれる。
【００８６】
このように減圧乾燥処理中に基板Ｇ上で基板面と平行な一方向に不活性ガスの気流を形成することで、基板Ｇ上のレジスト塗布膜ＲＭからの有機溶媒の蒸発が一層促進され、減圧乾燥時間の短縮化を図れる。このような減圧気流乾燥による溶剤蒸発促進作用は、基板Ｇ上の各位置で一定ではなく、通常は蒸気の少ない気流の上流側ほど大きく、蒸気の多い気流の下流側ほど小さい。
【００８７】
したがって、上記のように左側のガス噴出部１０２を選択的に作動させるときは、基板Ｇ上のレジスト塗布膜ＲＭに対する減圧気流乾燥の効果は、基板Ｇの右辺ＧR（塗布走査の始端）で最も小さく、基板Ｇの左辺ＧL（塗布走査の終端）に向かうほど大になる。しかし、これによって、塗布走査方向で生じるレジスト塗布膜形成の時間差（ばらつき）ひいては自然乾燥時間の差（ばらつき）を結果的にキャンセルし、基板Ｇ上でレジスト塗布膜ＲＭの膜質を面内均一にすることができる。
【００８８】
また、上記のように右側のガス噴出部１０４を選択的に作動させるときは、基板Ｇ上のレジスト塗布膜ＲＭに対する減圧気流乾燥の効果は、基板Ｇの左辺ＧL（塗布走査の始端）で最も小さく、基板Ｇの右辺ＧR（塗布走査の終端）に向かうほど大になる。しかし、これによって、塗布走査方向で生じるレジスト塗布膜形成の時間差（ばらつき）ひいては自然乾燥時間の差（ばらつき）を結果的にキャンセルし、基板Ｇ上でレジスト塗布膜ＲＭの膜質を面内均一にすることができる。
【００８９】
別の例として、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２に搬入された当該基板Ｇについては、気流通過方向の向きを塗布走査方向の向きと同じにすべきことをシステムコントローラから指示されることもある。
【００９０】
このレジスト塗布現像処理システム１０では、レジスト塗布処理の終了後に、搬送装置７８がレジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０から基板Ｇを搬出し、中庭スペースＮＳを通って隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２に搬入する。減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２では、基板Ｇを搬入した後に上部チャンバ１３８を下部チャンバ９６に被せてチャンバを密閉し、それから真空排気を開始するので、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０における基板Ｇのアンローディング、搬送装置７８による基板搬送、あるいは減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２における基板Ｇのローディングに時間がかかると、レジスト塗布処理の終了から減圧乾燥処理を開始するまでの時間（自然乾燥時間）が長くなりすぎることがある。そうすると、基板Ｇ上のレジスト塗布膜ＲＭの中で塗布終端部よりも自然乾燥時間の長い塗布始端部の方が却って減圧乾燥の効果を得られ難くなり、減圧乾燥処理後は塗布始端部よりも塗布終端部の方が相対的に表層部の乾燥固化の度合いを強めることとなり、この場合も現像後のレジストパターンの残膜率が面内均一にならないことがある。
【００９１】
このような状況ないし現象が認められる場合は、気流通過方向の向きを塗布走査方向の向きと同じにした方が、塗布走査方向で生じるレジスト塗布膜形成の時間差（ばらつき）ひいては自然乾燥時間の差（ばらつき）を結果的にキャンセルし、基板Ｇ上でレジスト塗布膜ＲＭの膜質を面内均一にすることができる。
【００９２】
したがって、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０では当該基板Ｇに対して左辺ＧLから右辺ＧRに向かって塗布走査する第１モードが選択されたときは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２では、図８に示すように、減圧乾燥処理中に左側のガス噴出部１０２を選択的に作動させて右側のガス噴出部１０４を止めておくような気流制御が行われる。
【００９３】
以上本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で他の実施形態あるいは種種の変形が可能である。
【００９４】
たとえば、上述した実施形態では、基板Ｇに対して塗布走査方向と気流通過方向とを反対の向きまたは同じ向きのいずれかに合わせるために、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２に基板Ｇ上の処理空間ＰＳに形成する不活性ガスの気流の向きを切り換える機構および機能を持たせた。
【００９５】
しかし、別の実施形態として、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２内に基板Ｇ上の処理空間ＰＳに形成する不活性ガスの気流の向きが切り換え不可で常時一定であっても、図９に示すように、中庭スペースＮＳにロータリステージ（Ｒ／Ｓ）１４６を設置することで、上述した実施形態と同等の気流切り換え制御を実現することができる。
【００９６】
この場合、ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）１４６は、基板Ｇの向きを水平面内で所定の回転角度（図９のレイアウトでは１８０°）だけ回転させる。したがって、レジスト塗布処理を終えた基板Ｇをレジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０から搬出した後、ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）１４６を経由して基板Ｇの向きを１８０°反転させてから減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２内に搬入することも可能であれば、ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）１４６を経由せずに、したがって基板Ｇの向きを反転させずに、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２内に搬入することも可能であり、いずれのケースも選択できる。これによって、基板Ｇに対して塗布走査方向と気流通過方向とを反対の向きまたは同じ向きのいずれかを選択して合わせることができる。
【００９７】
また、上述した実施形態では、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２の排気ポート１００ａ〜１００ｄを下部チャンバ９６の四隅に配置した。しかし、別の実施例として、図１０に示すように、基板Ｇの下に、つまり気流遮蔽壁１３６の内側に、１つまたは複数の排気ポート１４８(1)，１４８(2)を配置する構成も可能である。
【００９８】
この場合、気流遮蔽壁１３６を４辺の板壁１３６Ｆ，１３６Ｂ，１３６Ｌ，１３６Ｂに分割し、気流案内壁１３４Ａ，１３４Ｂと対向（隣接）する板壁１３６Ｆ，１３６Ｂを固定し、ガス噴射部１０２，１０４と対向する板壁１３６Ｌ，１３６Ｒを昇降可能とする構成を好適に採ることができる。ここで、昇降可能な可動板壁１３６Ｌ，１３６Ｒは、図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、下部チャンバ９６の下に配置される昇降アクチエータ１５０Ｌ，１５０Ｒによってそれぞれ昇降駆動される。
【００９９】
かかる構成において、左側のガス噴出部１０２を選択的に作動させるときは、図１１Ａに示すように、一方（左側）の可動板壁１３６Ｌをチャンバ底面よりも上方へ（好ましくは基板Ｇの裏面に届く高さまで）突出または上昇させるとともに、反対側（右側）の可動板壁１３６Ｒをチャンバ底面の下に退避させる。排気ポート１４８(1)，１４８(2)は、それぞれ排気管１５２(1)，１５２(2)を介して共通の排気装置１２６（図３）に接続されており、すべての排気流路を開（オン）状態にする。
【０１００】
この場合、ガス噴出部１０２より上方またはチャンバ中心部に向けて噴射された不活性ガスは、左側の可動板壁１３６Ｌによって基板Ｇの下の下部空間へ流入せずに基板Ｇの上の処理空間ＰＳへ案内され、気流案内壁１３４Ａ，１３４ＢによってＸ方向の広がりを基板Ｇの上つまり処理空間ＰＳ内に規制されながら、基板Ｇの左辺ＧLから右辺ＧRに向かって一方向に流れ、処理空間ＰＳを抜けると、退避中の右側可動板壁１３６Ｒの上を通って基板Ｇの下に回り、排気ポート１４８(1)，１４８(2)に吸い込まれる。
【０１０１】
また、右側のガス噴出部１０４を選択的に作動させるときは、図１１Ｂに示すように、右側の可動板壁１３６Ｒをチャンバ底面よりも上方へ（好ましくは基板Ｇの裏面に届く高さまで）突出または上昇させるとともに、反対側（左側）の可動板壁１３６Ｌをチャンバ底面の下に退避させる。排気ポート１４８(1)，１４８(2)の排気流路はすべて開（オン）状態にする。
【０１０２】
この場合、ガス噴出部１０４より上方またはチャンバ中心部に向けて噴射された不活性ガスは、右側の可動板壁１３６Ｒによって基板Ｇの下の下部空間へ流入せずに基板Ｇの上の処理空間ＰＳへ案内され、気流案内壁１３４Ａ，１３４ＢによってＸ方向の広がりを基板Ｇの上つまり処理空間ＰＳ内に規制されながら、基板Ｇの右辺ＧRから左辺ＧLに向かって一方向に流れ、処理空間ＰＳを抜けると、退避中の左側可動板壁１３６Ｌの上を通って基板Ｇの下に回り、排気ポート１４８(1)，１４８(2)に吸い込まれる。
【０１０３】
なお、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２においては、減圧乾燥処理中に、処理空間ＰＳにおける一方向の不活性ガス気流形成を任意のタイミングで開始または停止すること、途中で不活性ガスの気流の向きを反転させること、気流の流量を可変すること等が可能である。したがって、たとえば、チャンバの四隅に排気ポートを配置する構成においても、減圧乾燥処理の開始直後あるいは終了間際に、全ての排気ポートを開（オン）状態にして不活性ガスの整流を行わない排気を行うことも可能である。特に、減圧乾燥処理の終了時に密閉状態のチャンバ内を不活性ガスでパージングするときは、左右双方（全部）のガス噴出部１０４より不活性ガスを同時に噴出させ、全部の排気ポート１００ａ〜１００ｄ（１４８(1)，１４８(2)）を介して急速排気を行ってもよい。
【０１０４】
また、図示省略するが、気流案内壁１３４Ａ，１３４Ｂと対向（隣接）する板壁１３６Ｆ，１３６Ｂも昇降可能に構成することができる。この場合、たとえば、左側のガス噴出部１０２を選択的に作動させるときは、板壁１３６Ｌ，１３６Ｆ，１３６Ｂの高さ位置を可変することで、減圧気流乾燥の重要なパラメータの１つである処理空間ＰＳのクリアランスを可変することができる。
【０１０５】
さらに、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２において、チャンバ自体の構造や形状はもちろん、チャンバ内外の各部、特にステージ、ガス噴出部、排気ポートの構造、個数、配置位置等も、上述した実施形態のものに限らず、種種の変形が可能である。
【０１０６】
上述したレジスト塗布現像処理システムにおいては、塗布処理部３２のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）５０および／または減圧乾燥ユニット（ＶＤ）５２を平流し方式の処理ユニットとして構成することも可能であり、そのような平流し方式のレジスト塗布ユニットおよび／または減圧乾燥ユニットにも本発明は適用可能である。
【０１０７】
本発明における被処理基板はＬＣＤ用のガラス基板に限るものではなく、他のフラットパネルディスプレイ用基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。塗布液もレジスト液に限らず、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の処理液または薬液も可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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