(57)【要約】【課題】層間膜としてコンポジット膜を用いた伝送線路において伝送損失を低減するための技術を提供する。【解決手段】接地導体膜３０１、層間膜３１０、および配線３０３をこの順に積層してなる伝送線路３００であって、層間膜３１０は、第１の材料からなる粒子３０２Ａが絶縁材料３０２Ｂに分散されてなるコンポジット膜３０２を含み、層間膜３１０の配線３０３側の表面からの粒子３０２Ａの平均直径の深さまでの範囲における粒子３０２Ａの密度が、層間膜３１０のそれ以外の範囲における粒子３０２Ａの密度よりも小さい。【選択図】図３
2011103598.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地導体膜、層間膜、および配線をこの順に積層してなる伝送線路であって、
前記層間膜は、第１の材料からなる粒子が第２の材料に分散されてなるコンポジット膜を含み、
前記層間膜の前記配線側の表面から前記粒子の平均直径の深さまでの範囲における前記粒子の密度が、前記層間膜のそれ以外の範囲における前記粒子の密度よりも小さい
伝送線路。
【請求項２】
前記層間膜は前記コンポジット膜上に第１の絶縁膜を有し、
前記配線は前記第１の絶縁膜上に形成されている
請求項１に記載の伝送線路。
【請求項３】
前記第１の絶縁膜の最大膜厚は前記粒子の平均直径よりも厚い
請求項２に記載の伝送線路。
【請求項４】
前記第１の絶縁膜は前記第２の材料と同じ材料からなる
請求項２または請求項３に記載の伝送線路。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜の誘電正接値は前記コンポジット膜の誘電正接値より小さい
請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の伝送線路。
【請求項６】
前記層間膜は前記コンポジット膜上に第１の絶縁膜および第２の絶縁膜をこの順に有し、
前記第２の絶縁膜は前記配線の配置領域に信号の伝送方向に延びる溝を有し、
前記配線は前記第２の絶縁膜上に前記溝を埋めるように形成されている
請求項１に記載の伝送線路。
【請求項７】
前記第１の絶縁膜の最大膜厚は前記粒子の平均直径よりも大きい
請求項６に記載の伝送線路。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜はいずれも前記第２の材料と同じ材料からなる
請求項６または請求項７に記載の伝送線路。
【請求項９】
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜の誘電正接値はいずれも前記コンポジット膜の誘電正接値より小さい
請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の伝送線路。
【請求項１０】
前記第２の材料、前記第１の絶縁膜、および前記第２の絶縁膜のうちの少なくともいずれか１つが感光性の材料からなる
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の伝送線路。
【請求項１１】
前記粒子の直径は１ｎｍ以上、１μｍ以下である
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の伝送線路。
【請求項１２】
前記第１の材料は、セラミックスである
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の伝送線路。
【請求項１３】
前記セラミックスは、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムストロンチウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、ハフニウムアルミネート、およびチタン酸ジルコン酸鉛のうちのいずれか１つ以上を含む
請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の伝送線路。
【請求項１４】
前記第２の材料、前記第１の絶縁膜、および前記第２の絶縁膜は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、ポリベンズオキサゾール、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンオキシド、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、およびエポキシ樹脂のうちのいずれか１つ以上を含む
請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の伝送線路。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の伝送線路を備える
高周波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号を伝送する伝送線路および高周波デバイスに関し、特に伝送線路の配線構造および配線基板構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、シリコンゲルマニウム／シリコン（以下ＳｉＧｅ／Ｓｉという）やシリコン（以下Ｓｉという）上のＣ−ＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ−Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）デバイスがマイクロ波あるいはミリ波領域において利用できる可能性が示されている。Ｓｉは最も一般的な半導体材料であり、アルミニウムガリウムヒ素／ガリウムヒ素（以下ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓという）などの化合物半導体よりも価格面の利点が大きい。
【０００３】
しかしながら、上記したＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓが基板自体に絶縁性を有するのとは対照的に、Ｓｉは純度によって絶縁性が決まり、純度の低いＳｉからなる基板は、比抵抗が低く電流が流れやすくなる。つまり、Ｓｉの比抵抗は純化によってしか高くすることができないので、比抵抗が限定される。したがって、比抵抗の低いＳｉ基板上にマイクロ波やミリ波などの高周波信号を伝送するための配線や受動素子を直接搭載すると、比抵抗の低いＳｉ基板にまで配線や受動素子の電磁界が漏れ出し、Ｓｉ基板上に形成された配線や受動素子は不所望な損失を発生する。
【０００４】
そのような損失を低減する方法として、Ｓｉ基板上の能動素子上に接地導体膜を形成し、その上に絶縁性の層間膜を介在して配線や受動素子を形成することでＳｉ基板への電磁界の漏れを防ぐ方法が主流となっている（例えば、特許文献１、特許文献２）。
【０００５】
特許文献１、特許文献２では、高周波信号を伝送する伝送線路として、接地導体膜上に層間膜を有し、さらに層間膜上に配線を有する伝送線路の構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３７４１６０３号公報
【特許文献２】特開平１０−３２６７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このとき、伝送線路の誘電損失を低減するために、導電層と伝送線路や受動素子の間の層間膜は誘電正接値が低い絶縁材料で形成されることが望ましいが、誘電正接値が低い単体材料は一般的に比誘電率も低い。
【０００８】
そこで低い誘電正接値と高い比誘電率とを両立すべく、高い比誘電率を持つ第１の材料からなる粒子を低い誘電正接値を持つ第２の材料に分散させた複合材料であるコンポジット膜を層間膜に利用することが考えられる。
【０００９】
しかしながら、コンポジット膜は複合材料であるために、加熱形成時に表面に凹凸が形成されるという問題がある。
【００１０】
例えば、図１（ａ）のように、接地導体膜１０１、層間膜１１０、および配線１０３をこの順に積層して構成され、層間膜１１０が、粒子１０２Ａを絶縁材料１０２Ｂに分散させたコンポジット膜１０２にて構成されている伝送線路１００では、図１（ｂ）のＡＡ’断面に示されるように、コンポジット膜１０２表面の大きな凹凸のために、その直上に形成される配線１０３の底面が凹凸になる。
【００１１】
このような伝送線路１００では、特に高周波信号を伝送する場合において、伝送方向の凹凸による信号の反射によって大きな伝送損失が生じてしまう。
【００１２】
一般にマイクロ波やミリ波のように周波数が高くなると、表皮効果により電流は配線の表面を通過することが知られている。図１に示すようなマイクロストリップ線路の表皮膜厚は（式１）で表され、周波数が６０ＧＨｚで電流密度の６０％以上が通過する領域は、配線１０３の接地導体膜１０１に対向する面から厚さ約０．３μｍである。
【００１３】
【数１】
2011103598.tif 000003
δｓ：表皮膜厚、ω：角周波数、μr：透磁率、σ：電気抵抗率
【００１４】
図２に、直径が０．５μｍの粒子を含むコンポジット膜のベーク後の表面の高さの一例を示す。図２に示されるように、表面には高さの差が最大０．６μｍ程度の凹凸ができ、表皮膜厚を超える大きな凹凸のために信号の伝送が大きな影響を受けることがわかる。
【００１５】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、層間膜としてコンポジット膜を用いた伝送線路において伝送損失を低減するための技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明の一態様における伝送線路は、接地導体膜、層間膜、および配線をこの順に積層してなる伝送線路であって、前記層間膜は、第１の材料からなる粒子が第２の材料に分散されてなるコンポジット膜を含み、前記層間膜の前記配線側の表面から前記粒子の平均直径の深さまでの範囲における前記粒子の密度が、前記層間膜のそれ以外の範囲における前記粒子の密度よりも小さい。
【００１７】
前記層間膜における粒子の密度を前記層間膜の前記配線側の表面近傍のみ低下させることで、層間膜表面の凹凸を軽減することができる。このことは、配線の接地導体膜側の面の凹凸を減少させることを意味しており、伝送方向の凹凸での信号の反射によって生じる伝送損失を低減することができる。
【００１８】
また、例えば、前記第１の材料を高い誘電率を持つ材料とし、前記第２の材料を低い誘電損失を持つ材料とすることで、高い誘電率と低い誘電損失とを、前記コンポジット膜において両立させることができる。そのようなコンポジット膜を前記層間膜に含めることで、伝送線路の信号の波長を短くし、伝送線路の長さを短くすることができる。
【００１９】
また、前記層間膜は前記コンポジット膜上に第１の絶縁膜を有し、前記配線は前記第１の絶縁膜上に形成されていてもよい。
【００２０】
このように前記第１の絶縁膜を凹凸緩和層として挿入することで、層間膜の表面の凹凸を緩和し、信号の伝送損失を軽減することができる。このとき、前記第１の絶縁膜は前記コンポジット膜のような粒子を含まないか、もしくはその含有密度が小さい絶縁膜である。
【００２１】
また、前記第１の絶縁膜の最大膜厚は、前記粒子の平均直径よりも厚くてもよい。
【００２２】
コンポジット膜の凹凸は粒子の大きさに依存しており、粒子の直径が大きいほど凹凸が大きくなるため、絶縁膜の最大膜厚を平均直径よりも大きくすることで凹凸緩和効果をより確実に発揮できる。
【００２３】
また、前記第１の絶縁膜は前記第２の材料と同じ材料からなっていてもよい。
【００２４】
このようにすることにより、前記コンポジット膜と前記第１の絶縁膜の密着性を高め、かつ前記層間膜の誘電正接値を低く実現することができる。
【００２５】
また、前記第１の絶縁膜の誘電正接値は前記コンポジット材料の誘電正接値より小さくてもよい。
【００２６】
このようにすることにより、前記層間膜全体として、前記コンポジット膜単体よりもさらに低い誘電正接値を実現することができる。
【００２７】
また、前記層間膜は前記コンポジット膜上に第１の絶縁膜および第２の絶縁膜をこの順に有し、前記第２の絶縁膜は前記配線の配置領域に信号の伝送方向に延びる溝を有し、前記配線は前記第２の絶縁膜上に前記溝を埋めるように形成されていてもよい。
【００２８】
ここで、前記第２の絶縁膜は前記第２の材料と同じ材料からなっていてもよく、また前記第２の前記絶縁膜の誘電正接値は前記コンポジット膜の誘電正接値よりも小さくてもよい。
【００２９】
このようにすることにより、前記配線の底面には、前記第２の絶縁膜の溝を埋めるように信号の伝送方向に延びる凸部が形成されるので、伝送方向の信号の反射を増やさずに配線の接地導体膜に対向する底面の表面積を大きくすることができ、伝送線路の導体損失を低減することが可能となる。
【００３０】
また、前記第２の材料、前記第１の絶縁膜、および前記第２の絶縁膜のうちの少なくともいずれか１つが感光性の材料からなっていてもよい。
【００３１】
コンポジット材料は、特性の異なる２つ以上の材料から構成されているため、ドライエッチング法、ウェットエッチング法のいずれでも、均一な加工が非常に困難である。このため、ビアの形成などを実施する場合は、感光性であることが望ましい。また、層間膜表面部だけをより低損失な伝送線路となるように溝加工する場合、絶縁膜を感光性とすることが望ましい。
【００３２】
また、前記粒子の直径は１ｎｍ以上、１μｍ以下であってもよい。
【００３３】
コンポジット材料の粒子の直径は、望ましい誘電特性を発揮するために、１ｎｍ以上であることが望ましい。また、凝集せず分散し、コンポジット膜として均一な特性を得るために１μｍ以下であることが望ましい。さらに、粒子の作製し易さの観点から、前記粒子の直径を５０ｎｍ乃至５００ｎｍとしてもよく、望ましくは１００ｎｍとしてもよい。
【００３４】
また、前記第１の材料は、セラミックスであり、また、前記セラミックスは、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムストロンチウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、ハフニウムアルミネート、およびチタン酸ジルコン酸鉛のうちの１つ以上を含むことを特徴とする。
【００３５】
これらの材料は一般的に比誘電率の高い材料であり、これらをコンポジット材料の粒子として使用することで、高い誘電特性を得ることができる。
【００３６】
また、前記第２の材料、前記第１の絶縁膜、および前記第２の絶縁膜は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、ポリベンズオキサゾール、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンオキシド、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、およびエポキシ樹脂のうちの１つ以上を含むことを特徴とする。
【００３７】
このようにコンポジット膜の第２の材料を有機材料とすることで、塗布による加工が可能となり、またこの有機材料を低い誘電正接値となるように選ぶことで、コンポジット膜の誘電正接値を低く抑えることができる。
【００３８】
本発明は、このような伝送線路として実現できるのみならず、このような伝送線路を備える高周波デバイスとして実現することもできる。
【発明の効果】
【００３９】
以上説明したように、本発明の一態様における伝送線路は、接地導体膜、層間膜、および配線をこの順に積層してなり、前記層間膜は、第１の材料からなる粒子が第２の材料に分散されてなるコンポジット膜を含み、前記層間膜の前記配線側の表面から前記粒子の平均直径の深さまでの範囲における前記粒子の密度が、前記層間膜のそれ以外の範囲における前記粒子の密度よりも小さい。
【００４０】
このような構成によれば、前記層間膜における粒子の密度を前記層間膜の前記配線側の表面近傍のみ低下させることで、層間膜表面の凹凸を軽減することができる。このことは、配線の接地導体膜側の面の凹凸を減少させることを意味しており、伝送方向の凹凸での信号の反射によって生じる伝送損失を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】（ａ）、（ｂ）従来のコンポジット材料を層間膜とした伝送線路の概略図および断面図
【図２】平均直径０．５μｍの粒子を含有したコンポジット膜のベーク後の表面高さの一例を示す図
【図３】（ａ）、（ｂ）本発明の第１の実施例の実施形態の概略図および断面図
【図４】（ａ）、（ｂ）本発明の第２の実施例の実施形態の概略図および断面図
【図５】（ａ）〜（ｃ）本発明の第３の実施例の実施形態の概略図および断面図
【発明を実施するための形態】
【００４２】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態に係る伝送線路について、図３（ａ）の概略図を参照しながら説明する。
【００４３】
本発明の第１の実施の形態に係る伝送線路３００は、図３（ａ）に示したように、接地導体膜３０１、層間膜３１０としてのコンポジット膜３０２および絶縁膜３０４、ならびに配線３０３をこの順に積層して構成されるマイクロストリップ伝送線路である。コンポジット膜３０２は、前述したコンポジット膜１０２と同様に、粒子３０２Ａを絶縁材料３０２Ｂに分散させた複合材料からなる。
【００４４】
なお、本発明の伝送線路は、このようなマイクロストリップ伝送線路に限られるものではなく、スタックドペア線路や、配線３０３の上方に、さらに別のコンポジット膜と接地導体膜とを形成したストリップ伝送線路でもよい。別のコンポジット膜および接地導体膜には、それぞれコンポジット膜３０２および接地導体膜３０１と同じ材料を用いてもよい。
【００４５】
図３（ａ）に示される伝送線路３００は、例えば次のようにして作製される。すなわち、まず、接地導体膜３０１を形成する。その後、コンポジット膜３０２を堆積する。堆積方法はスピンコート法による塗布形成が望ましい。コンポジット膜３０２のプリベーク後、もしくはプリベークを実施せずに連続して、絶縁膜３０４を堆積する。絶縁膜３０４もスピンコート法によって形成することが望ましい。その後、絶縁膜３０４上に配線３０３を形成する。
【００４６】
この時、伝送線路３００の特性インピーダンスを考慮すると、コンポジット膜３０２の膜厚を厚くするほど伝送線路３００の線路幅を大きくとることができ、導体損失を低減できるので、コンポジット膜の膜厚は５μｍ以上または１０μｍ以上とすることが望ましい。また、チップの厚みがあまり厚くなり過ぎないように５０μｍ以下が好ましい。
【００４７】
また、コンポジット膜３０２の電気的特性は、ミリ波帯、特に２５ＧＨｚ、６０ＧＨｚ、７７ＧＨｚ帯域において比誘電率は１０以上で、誘電正接値は０．０２以下とすることが望ましい。例えば、コンポジット膜３０２の比誘電率を１０．０とすると、ベンゾシクロブテン単層の比誘電率２．７と比較して約４倍となるので、伝送線路３００を通過する波長は約１／２とすることができる。さらに、絶縁膜３０４の誘電正接値は、コンポジット膜３０２の誘電正接値以下とすることが望ましい。
【００４８】
コンポジット膜３０２を構成する粒子３０２Ａは、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムストロンチウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、ハフニウムアルミネート、およびチタン酸ジルコン酸鉛のうちのいずれか１つ以上を含むセラミックスであることが望ましい。粒子３０２Ａの直径は、５０ｎｍ〜１μｍまたは１００ｎｍ〜１μｍであってもよい。粒子３０２Ａが絶縁材料３０２Ｂ中に凝集せず分散し、コンポジット膜３０２として均一な特性を得るために、粒子３０２Ａの直径の上限は１μｍであることが望ましい。また、コンポジット膜３０２が望ましい誘電特性を発揮し、かつ粒子３０２Ａの作製のし易さの観点から、粒子３０２Ａの直径の下限は５０ｎｍ乃至５００ｎｍであることが望ましく、１００ｎｍを下限としてもよい。
【００４９】
また、コンポジット膜３０２を構成する絶縁材料３０２Ｂは、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、ポリベンズオキサゾール、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンオキシド、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、およびエポキシ樹脂のうちのいずれか１つ以上を含むことが望ましい。
【００５０】
粒子３０２Ａの絶縁材料３０２Ｂに対する密度は、２０〜４０ｖｏｌ％程度であることが望ましく、一例として、２２ｖｏｌ％としてもよい。
【００５１】
また、絶縁膜３０４はコンポジット膜３０２を構成する絶縁材料３０２Ｂと同種の材料からなっていてもよい。絶縁膜３０４の最大膜厚は粒子３０２Ａの平均直径よりも大きいことが望ましい。直径が平均以下の粒子３０２Ａは、最大膜厚が粒子３０２Ａの平均直径よりも大きい絶縁膜３０４に埋もれるので、そのような厚みに設けられた絶縁膜３０４の表面の凹凸は、コンポジット膜３０２の表面の凹凸と比べて、緩和される。絶縁膜３０４には粒子が含まれないことが凹凸緩和の観点から好ましい。
【００５２】
接地導体膜３０１および配線３０３は、電気抵抗率が低い材料が望ましく、代表として、Ｓｉプロセスで一般的に使用されるＣｕやＡｌであることが望ましい。接地導体膜３０１および配線３０３の堆積方法は、ＥＢ蒸着法、スパッタリング法、電解メッキ法、または無電解メッキ法などのデポジション方法などが望ましい。
【００５３】
接地導体膜３０１の下層は、どのような構造でも構わないが、Ｓｉ基板上に形成されたＳｉやＳｉＧｅの特性を用いたトランジスタなどの能動素子や、これを利用した回路であることが望ましく、その配線を利用して接地導体膜３０１を形成することが望ましい。
【００５４】
このような構成によれば、図３（ｂ）のＡＡ’断面に示されるように、絶縁膜３０４の表面の凹凸は、コンポジット膜３０２の表面の凹凸と比べて緩和されるので、配線３０３の底面（接地導体膜３０１に対向する面）の凹凸は絶縁膜３０４を設けない場合よりも緩和される。その結果、配線３０３の伝送方向の凹凸での信号の反射によって生じる伝送損失を低減することができる。
【００５５】
（第２の実施の形態）
以下、本発明の第２の実施の形態に係る伝送線路について、図４（ａ）の概略図を参照しながら説明する。
【００５６】
本発明の第２の実施の形態に係る伝送線路４００は、図４（ａ）に示したように、接地導体膜４０１、層間膜４１０としてのコンポジット膜４０２、および配線４０３をこの順に積層して構成されるマイクロストリップ伝送線路である。コンポジット膜４０２は、前述したコンポジット膜３０２と同様に、粒子４０２Ａを絶縁材料４０２Ｂに分散させた複合材料からなる。
【００５７】
ここで、接地導体膜４０１、コンポジット膜４０２、配線４０３は、それぞれ前述した接地導体膜３０１、コンポジット膜３０２、配線３０３と同じ物であってもよく、詳細な説明を省略する。
【００５８】
なお、本発明の伝送線路は、このようなマイクロストリップ伝送線路に限られるものではなく、スタックドペア線路や、配線４０３の上方に、さらに別のコンポジット膜と接地導体膜とを形成したストリップ伝送線路でもよい。別のコンポジット膜および接地導体膜には、それぞれコンポジット膜４０２および接地導体膜４０１と同じ材料を用いてもよい。
【００５９】
図４（ａ）に示される伝送線路４００は、例えば次のようにして作製される。すなわち、まず、接地導体膜４０１を形成する。その後、コンポジット膜４０２を堆積する。堆積方法はスピンコート法による塗布形成が望ましい。特に第２の実施の形態では、コンポジット膜４０２の堆積後、プリベーク前に十分な時間を置く。これにより、コンポジット膜４０２中の粒子４０２Ａが一部沈殿するので、コンポジット膜４０２中に密度分布が生じる。つまり、コンポジット膜４０２の表面近傍では粒子４０２Ａの密度が低下する。その後、コンポジット膜４０２をベークし、コンポジット膜４０２上に配線４０３を形成する。
【００６０】
このような構成によれば、図４（ｂ）のＡＡ’断面に示されるように、コンポジット膜４０２の配線４０３側の表面から粒子４０２Ａの平均直径の深さまでの範囲における粒子４０２Ａの密度が、コンポジット膜４０２のより深い部分における粒子４０２Ａの密度よりも小さくなることで、コンポジット膜４０２の表面の凹凸は、粒子４０２Ａの密度がコンポジット膜４０２の全体で均一な場合と比べて緩和されるので、配線４０３の底面（接地導体膜４０１に対向する面）の凹凸もまた緩和される。その結果、配線４０３の伝送方向の凹凸での信号の反射によって生じる伝送損失を低減することができる。
【００６１】
（第３の実施の形態）
以下、本発明の第３の実施の形態に係る伝送線路について、図５（ａ）の概略図を参照しながら説明する。
【００６２】
本発明の第３の実施の形態に係る伝送線路５００は、図５（ａ）に示したように、接地導体膜５０１、層間膜５１０としてのコンポジット膜５０２、絶縁膜５０４、および絶縁膜５０５、ならびに配線５０３をこの順に積層して構成されるマイクロストリップ伝送線路である。コンポジット膜５０２は、前述したコンポジット膜３０２と同様に、粒子５０２Ａを絶縁材料５０２Ｂに分散させた複合材料からなる。
【００６３】
ここで、接地導体膜５０１、コンポジット膜５０２、配線５０３は、それぞれ前述した接地導体膜３０１、コンポジット膜３０２、配線３０３と同じ物であってもよく、また絶縁膜５０４および絶縁膜５０５は、いずれも前述した絶縁膜３０４と同じ物であってもよく、詳細な説明を省略する。
【００６４】
なお、本発明の伝送線路は、このようなマイクロストリップ伝送線路に限られるものではなく、スタックドペア線路や、配線５０３の上方に、さらに別のコンポジット膜と接地導体膜とを形成したストリップ伝送線路でもよい。別のコンポジット膜および接地導体膜には、それぞれコンポジット膜５０２および接地導体膜５０１と同じ材料を用いてもよい。
【００６５】
図５（ａ）に示される伝送線路５００は、例えば次のようにして作製される。すなわち、まず、接地導体膜５０１を形成する。その後、コンポジット膜５０２を堆積する。堆積方法はスピンコート法による塗布形成が望ましい。コンポジット膜５０２のプリベーク後、もしくはプリベークを実施せずに連続して、絶縁膜５０４を堆積する。絶縁膜５０４もスピンコート法によって形成することが望ましい。
【００６６】
さらに絶縁膜５０５を成膜し、配線５０３が設置される予定の領域に、信号の伝送方向に延びる１本以上の溝を形成する。このような溝は、例えば、エッチングにより、絶縁膜５０４が露出するまで絶縁膜５０５を除去することで形成してもよい。エッチング前に、絶縁膜５０４を仮焼結（ソフトベーク）または焼結（ハードベーク）してエッチングレートを下げておくことで、絶縁膜５０４をエッチングストッパ層として機能させることで、安定した深さの溝を得ることもできる。また、絶縁膜５０５に感光性の絶縁材料を用いることで、フォトリソグラフィ法により溝を形成することもできる。
【００６７】
その後、絶縁膜５０５上の溝が形成された領域に、溝を埋めるように配線５０３を形成する。
【００６８】
このような構成によれば、図５（ｂ）の絶縁膜５０５の溝を通らないＡＡ’断面、および図５（ｃ）の絶縁膜５０５の溝を通るＢＢ’断面に示されるように、絶縁膜５０４の表面の凹凸は、コンポジット膜５０２の表面の凹凸と比べて緩和されるので、絶縁膜５０４上に直接または絶縁膜５０５を介在して設けられる配線５０３の底面（接地導体膜５０１に対向する面）の凹凸もまた緩和される。その結果、配線３０３の伝送方向の凹凸での信号の反射によって生じる伝送損失を低減することができる。
【００６９】
また、配線５０３の底面には、絶縁膜５０５の溝を埋めるように信号の伝送方向に延びる凸部が形成されるので、伝送方向の信号の反射を増やさずに配線５０３の接地導体膜５０１に対向する底面の表面積を大きくすることができ、伝送線路５００の導体損失を低減することが可能となる。
【００７０】
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形を行ってもよい。
【００７１】
また、本発明にかかる伝送線路には、上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明にかかる伝送線路を備えた各種デバイスなども本発明に含まれる。例えば、本発明にかかる伝送線路を備える高周波デバイスも本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明は、ＭＭＩＣ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ−Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ−ＩＣ）上や、ＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ−Ｉｎ−Ｐａｃｋａｇｅ）、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈｉｐ−Ｍｏｄｕｌｅ）において、低損失な伝送線路を形成するために利用することができ、とりわけ、廉価なＳｉ材料にて構成される高周波デバイスに好適に適用できる。
【符号の説明】
【００７３】
１００、３００、４００、５００  伝送線路
１０１、３０１、４０１、５０１  接地導体膜
１０２、３０２、４０２、５０２  コンポジット膜
１０２Ａ、３０２Ａ、４０２Ａ、５０２Ａ  粒子
１０２Ｂ、３０２Ｂ、４０２Ｂ、５０２Ｂ  絶縁材料
１０３、３０３、４０３、５０３  配線
１１０、３１０、４１０、５１０  層間膜
３０４、５０４、５０５  絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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