(57)【要約】  【課題】  焼成用セッターとの反応により焼成用セッターの一部が付着することなく、めっき拡がりの抑制された配線基板を製造することができる焼成用セッターおよびこれを用いた配線基板の製造方法ならびに焼成用セッターの再生方法を提供する。  【解決手段】  本発明の焼成用セッター１は、複数のセラミック繊維１１のそれぞれの表面に、ＳｉＯ２からなる吸着体１２が形成され、吸着体１２を介して複数のスピネル粒子１３が付着した多孔質焼結体からなる。【選択図】図１
2011116617.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック繊維のそれぞれの表面に、シリカからなる吸着体が形成され、該吸着体を介して複数のスピネル粒子が付着した多孔質焼結体からなることを特徴とする焼成用セッター。
【請求項２】
前記複数のセラミック繊維がアルミナ質繊維であることを特徴とする請求項１に記載の焼成用セッター。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の焼成用セッターを上下に複数段配置し、それぞれの前記焼成用セッターの上に、表面に銀を主成分とする導体ペーストによる配線パターンが形成されたセラミックグリーンシート積層体を載置して焼成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
銀を吸着した請求項２に記載の焼成用セッターの上下に、該焼成用セッターと密着するように５〜４０質量％のシリカ粉末と残部のアルミナ粉末とからなるセラミック成形体をそれぞれ配置し、大気雰囲気中1000〜1300℃で１〜５時間かけて加熱した後、冷却してから前記セラミック成形体を取り除くことを特徴とする焼成用セッターの再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造において用いられる焼成用セッターおよびこれを用いた配線基板の製造方法ならびに焼成用セッターの再生方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、移動体通信分野などで使用される配線基板として、配線層の形成材料として低抵抗の銀を用い、複数の絶縁層からなる絶縁基体の材料として配線層の形成材料の融点よりも低い温度での焼成が可能なガラスセラミックスを用いたものが広く用いられている。
【０００３】
この配線基板の製造に際しては、焼成後に絶縁層となるガラスセラミックグリーンシートに貫通孔を形成し、その貫通孔に焼成後に貫通導体となる銀ペーストを充填するとともに、貫通孔に銀ペーストの充填されたガラスセラミックグリーンシートの主面に配線層となる銀ペーストを塗布する。そのようにして準備したガラスセラミックグリーンシートを複数枚積層して得られたガラスセラミックグリーンシート積層体を焼成する。そして、主面に設けられた配線層にめっき処理等が施されて、配線基板が得られる。
【０００４】
ガラスセラミックグリーンシート積層体を焼成するに際しては、例えば、四隅に支柱を配置し、焼成用セッターと呼ばれる板状体を所定の間隔で上下に複数段配置してなる鞘組みを用意し、ガラスセラミックグリーンシート積層体を前記鞘組みの中のそれぞれの焼成用セッターの上に載置して、全体になるべく均一に熱が伝わるようにして、焼成がなされる。
【０００５】
ここで、焼成によって銀ペーストから銀成分が揮発することが知られているが、例えば、複数のセラミック繊維のそれぞれの表面に、蒸発した銀成分を吸着するためのＳｉＯ２からなる吸着体が付着した焼結体からなる焼成用セッターを用いて配線基板を製造しようとすると、このような焼成用セッターでは強度が弱く、焼成時に割れてしまうという問題がある。
【０００６】
また、複数のセラミック繊維を備え、該複数のセラミック繊維のそれぞれの表面に、ＳｉＯ２からなる吸着体を介して複数のアルミナ粒子が付着した焼結体からなる焼成用セッターを用いて配線基板を製造しようとすると、焼成用セッターとセラミックグリーンシート積層体とが接触部分で反応し、セラミックグリーンシート積層体に焼成用セッターの一部が付着する問題がある。
【０００７】
そこで、焼成用セッターとして、アルミナ及びムライトを主成分とするセラミックス材料からなる基体と、該基体上に設けられる被焼成体との反応を防止するコート層とを備え、該基体及び該コート層全体の２０℃における熱伝導率が、２．７〜１５．０Ｗ／ｍ・Ｋであるものが提案されている（特許文献１を参照。）。なお、特許文献１には、コート層として、１層単独からなる単層構造のもの、または中間層を設け２層以上の層からなる複層構造のもののいずれでもよく、被焼成体との反応を防止できるものとして、ジルコニア、マグネシア、アルミナ、アルミナ−ジルコニア及びスピネルの群から選ばれる少なくとも１種の材質からなるものが好ましいことが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−７５３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載の焼成用セッターを用いて配線基板を製造しようとすると、スプレーコーティング、溶射等により形成されたコート層の材料は、銀成分の吸着能力が低いため、焼成時において、セラミックグリーンシート積層体の主面に塗布された配線層となる銀ペーストの一部が蒸発したとき、焼成用セッターに吸着されずに配線基板の主面の絶縁層部分に再付着してしまう。その結果、絶縁層部分にめっき拡がりが発生するという問題が生じる。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、焼成用セッターとの反応により焼成用セッターの一部が付着することなく、めっき拡がりの抑制された配線基板を製造することができる焼成用セッターおよびこれを用いた配線基板の製造方法ならびに焼成用セッターの再生方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、複数のセラミック繊維のそれぞれの表面に、ＳｉＯ２からなる吸着体が形成され、該吸着体を介して複数のスピネル粒子が付着した多孔質焼結体からなることを特徴とする焼成用セッターである。
【００１２】
ここで、前記複数のセラミック繊維がアルミナ質繊維であるのが好ましい。
【００１３】
また本発明は、上記の焼成用セッターを上下に複数段配置し、それぞれの前記焼成用セッターの上に、表面に銀を主成分とする導体ペーストによる配線パターンが形成されたセラミックグリーンシート積層体を載置して焼成することを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００１４】
さらに本発明は、銀を吸着した上記複数のセラミック繊維がアルミナ質繊維からなる焼成用セッターの上下に、該焼成用セッターと密着するように５〜４０質量％のシリカ粉末と残部のアルミナ粉末とからなるセラミック成形体をそれぞれ配置し、大気雰囲気中1000〜1300℃で１〜５時間かけて加熱した後、冷却してから前記セラミック成形体を取り除くことを特徴とする焼成用セッターの再生方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の焼成用セッターによれば、反応抑制体として機能する複数のスピネル粒子が複数のセラミック繊維のそれぞれの表面に吸着体を介して付着していることで、配線基板の製造時において、焼成用セッターとの反応によりセラミックグリーンシート積層体に焼成用セッターの一部が付着することが抑制される。また、配線基板の製造時において、セラミックグリーンシート積層体の表面に形成された銀を主成分とする導体ペーストによる配線パターンから揮発した銀成分は、吸着体に吸着され、主に焼成用セッターの内部に取り込まれることから、セラミックグリーンシート積層体に再付着することが抑制され、表面にめっき処理する際のめっき拡がりが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の焼成用セッターの一例を示す模式的な断面図である。
【図２】図１に示す焼成用セッターを用いた配線基板の製造方法の一例を示す一部透過斜視図である。
【図３】図１に示す焼成用セッターを用いた配線基板の製造方法の説明図である。
【図４】ＳｉＯ２のネットワーク構造の模式図である。
【図５】アルミナの結晶構造の模式図である。
【図６】スピネルの結晶構造の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態の例について図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は本発明の焼成用セッターの一例の模式的な断面図である。図１に示す焼成用セッター１は、複数のセラミック繊維１１のそれぞれの表面に、ＳｉＯ２からなる吸着体１２が形成され、吸着体１２を介して複数のスピネル粒子１３が付着した多孔質焼結体からなる。
【００１９】
焼成用セッター１は、複数のセラミック繊維１１を含んでいて、この複数のセラミック繊維１１は互いに絡みあった構造を有している。この構造により、焼成用セッター１は通気率の高いものとなっている。焼成用セッター１の通気率は、例えば、日本工業規格ＪＩＳ  Ｒ  ２１１５に規定された測定方法による値として、３〜１３×１０−８ｍ２に設定され、後述する配線基板の脱バインダー時における有機バインダーの放散性を考慮した通気率となっている。
【００２０】
複数のセラミック繊維１１は、実質的にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の繊維（アルミナ質繊維）からなり、このアルミナ質繊維とは、アルミナ繊維のみならず、長い繊維であるアルミナ繊維と短い繊維であるアルミノシリケート繊維とが混ざり合ってより絡み合った構造を形成したものであってもよい。セラミック繊維１１がこれらの繊維であることで、配線基板の製造（焼成工程）に何度も使用することが可能となる。
【００２１】
吸着体１２は、複数のセラミック繊維１１のそれぞれの表面に形成されたもので、実質的にシリカ（ＳｉＯ２）からなる。焼成用セッター１における吸着体１２（ＳｉＯ２）の含有量は、焼成用セッター１の全体に対して１０〜４０質量％であるのが好ましい。この含有量は、（株）島津製作所製のＩＣＰ発光分光分析装置ＩＣＰＳ−８１００にて求めた値である。
【００２２】
なお、吸着体１２の“吸着”とは、後述する配線基板の製造方法における、セラミックグリーンシート積層体から蒸発した銀成分を吸着する機能を備えることを意味していて、セラミック繊維１１によく濡れ広がって吸着特性を増大させるためには、ＳｉＯ２が非晶質であることが好ましい。
【００２３】
吸着体１２の分布は、焼成用セッター１の表面部分より内部の方が多くなっており、このような分布により、後述する配線基板の製造方法における、セラミックグリーンシート積層体から蒸発した銀成分を焼成用セッター１の内部で吸着し、配線基板の不要なめっき拡がりを低減させることができる。すなわち、銀成分を吸着できないと、セラミックグリーンシート積層体に銀成分が再付着してしまい、めっき拡がりを招いてしまうが、銀成分を吸着することによって、このような問題が生じるのを抑制することができる。この吸着体１２の分布（焼成用セッター１における仮想のｚ軸方向における分布）は、ＷＤＳ（波長分散型ＥＰＭＡ）を用いて焼成用セッターの断面を測定することにより得られ、例えば、日本電子（株）製の電子プローブマイクロアナライザＪＸＡ−８１００を用い、加速電圧１５ｋＶとし、プローブ電流２．０×１０−７Ａとして求めることができる。
【００２４】
スピネル粒子１３は、複数のセラミック繊維１１のそれぞれの表面に吸着体１２を介して付着している。スピネル粒子１３は、焼成用セッター１とセラミックグリーンシート積層体との接触部分での反応を抑制する反応抑制体として機能するもので、焼成用セッター１とセラミックグリーンシート積層体とが反応してセラミックグリーンシート積層体に焼成用セッターの一部が付着するのを抑制するためのものである。焼成用セッター１におけ
るスピネル粒子１３の含有量は、焼成用セッター１の全体に対して３〜３０質量％であるのが好ましい。この含有量は、（株）島津製作所製のＩＣＰ発光分光分析装置ＩＣＰＳ−８１００にて求めた値である。
【００２５】
また、スピネル粒子１３の平均粒径は５〜１５μｍであるのが好ましく、最大粒径が１００μｍ以下であるのが好ましい。スピネル粒子１３が大きすぎると、脱粒してセラミックグリーンシート積層体に付着してしまい、スピネル粒子１３が小さすぎると、反応抑制体としての機能が低下してしまうからである。
【００２６】
このような焼成用セッター１は、例えば、アルミナ質繊維、アルミノシリケート質繊維、シリカゾルおよびスピネル粒子を水中で数分間攪拌混合してスラリーを作製し、このスラリーに高分子凝集剤の水溶液を加えて凝集させ、ブロック状に脱水成形し、得られたブロック状の成形体を乾燥した後、焼成し、スライス加工して得られる。
【００２７】
以上述べた焼成用セッター１によれば、後述するように、配線基板の製造時において、セラミックグリーンシート積層体に焼成用セッターの一部が付着することが抑制される。また、配線基板の製造時において、セラミックグリーンシート積層体の表面に形成された導体ペーストによる配線パターンから揮発した導体成分がセラミックグリーンシート積層体に再付着することが抑制され、表面にめっき処理する際のめっき拡がりが抑制される。
【００２８】
次に、上記の焼成用セッター１を用いた配線基板の製造方法の一例について説明する。
【００２９】
まず、図２に示すように、上記の焼成用セッター１を上下に複数段配置する。具体的には、四隅に支柱を配置するなどにより、少なくともセラミックグリーンシート積層体２を上下の焼成用セッター１と焼成用セッター１との間に載置することができるような間隔で複数段配置する。ここで、焼成用セッター１の大きさに限定はないが、例えば縦１００ｍｍ横１００ｍｍ厚み４ｍｍのものが採用される。
【００３０】
次に、それぞれの焼成用セッター１の上に、表面に銀を主成分とする導体ペーストによる配線パターン２１が形成されたセラミックグリーンシート積層体２を載置して焼成する。
【００３１】
複数の焼成用セッター１およびセラミックグリーンシート積層体２は、仮想のｘｙｚ空間のｘｙ平面に設けられ、ｚ軸方向に複数配置されていて、セラミックグリーンシート積層体２の上面は上側にある焼成用セッター１と離間している。なお、図２において、上方向とは、仮想のｚ軸の正方向のことをいう。
【００３２】
ここで、セラミックグリーンシート積層体は、例えば、複数のセラミックグリーンシートを作製し、所定のセラミックグリーンシートに貫通孔を形成して導体ペーストを充填するとともに、所定のセラミックグリーンシートの一方主面に導体ペーストを塗布したセラミックグリーンシートを複数積層して得られたものであり、表面に銀を主成分とする導体ペーストによる配線パターン２１が形成されたものである。セラミックグリーンシートとしては、低温（８００〜１０００℃）で焼成が可能なガラスセラミックスからなるものが好ましいが、銀を主成分とする導体ペーストと同時焼成可能なセラミックスであれば特に限定はない。
【００３３】
焼成は通常、大気雰囲気中８００〜１０００℃で１〜２時間かけて焼成がなされる。このとき、図３に示すように、セラミックグリーンシート積層体２の主面に形成された配線パターン２１から銀成分２１１が蒸発する。そして、蒸発した銀成分２１１は、セラミックグリーンシート積層体２の上方に設けられた焼成用セッター１または下方に設けられた
焼成用セッター１によって吸着される。
【００３４】
このとき、図４に示すように、焼成用セッター１を構成している吸着体１２は、ＳｉＯ２からなるネットワーク構造を有していて、蒸発した銀イオン（Ａｇ＋）は、このネットワーク構造に取り込まれる。これに対し、図５に示すように、セラミック繊維１１を形成するアルミナは三方晶系の結晶構造を有しており、銀イオンを取り込みにくく、図６に示すように、スピネルは立方晶系の結晶構造を有しており、銀イオンを取り込みにくくなっている。すなわち、本発明の焼成用セッター１における吸着体１２の分布は表面部分より内部の方が多くなっていて、図３に示すようにセラミックグリーンシート積層体は焼成用セッター１の表面に露出したスピネル粒子と主に接しており、銀成分は主に焼成用セッター１の内部に取り込まれる。
【００３５】
このような焼成用セッター１は、配線基板の製造のための焼成工程に何度も使用されるものである。しかし、100回程度使用すると焼成用セッター１に吸着された銀成分２１１
は多く蓄積された状態となり、焼成用セッター１からセラミックグリーンシート積層体に銀成分が再付着してしまうのを抑制する効果が低下してしまい、焼成用セッター１を廃棄しなければならない状態となる。
【００３６】
そこで、焼成用セッター１を再利用するために再生することが考えられる。具体的には、以下のような方法により再生することができる。
【００３７】
１００回程度使用して銀が吸着した複数のセラミック繊維１１がアルミナ質繊維からなる焼成用セッター１の上下に、当該焼成用セッター１と密着するようにセラミック成形体をそれぞれ配置して加熱した後、冷却してからセラミック成形体を取り除く方法である。
【００３８】
この方法によれば、焼成用セッター１に吸着された銀をセラミック成形体が取り込むことによって、焼成用セッター１に吸着された銀の一部を除去することができる。
【００３９】
ここで、セラミック成形体は、５〜４０質量％のシリカ粉末と残部のアルミナ粉末とからなる焼成されていない生の成形体であり、平均粒径1〜20μｍのシリカ粉末とアルミナ
粉末とをアクリル系の有機バインダー等を介して混合し、例えばドクターブレード法を用いて厚み０．１〜１ｍｍ程度の板状に成型されたものである。
【００４０】
シリカ粉末が５質量％未満であると、セラミック成形体の吸着能力が低下し、焼成用セッター１に吸着された銀の除去効率が低下してしまい、４０質量％を超えると、焼成用セッターとセラミック成形体が反応して、セラミック成形体の一部が焼成セッターに付着してしまう。
【００４１】
加熱は、大気雰囲気中１０００〜１３００℃で１〜５時間かけて行なう。
【００４２】
１０００℃以下の場合、銀が蒸発移動しにくく、除去効率が低下してしまい、１３００℃以上の場合、焼成用セッター１の表面が焼き締まって反りが大きくなる。
また、加熱時間が１時間未満のときは、銀の除去が不十分になる。
【００４３】
そして、冷却してからセラミック成形体を取り除くが、上記条件を満足することで、セラミック成形体は板状の形状のまま、取り外す（剥がす）ことができる。
【００４４】
なお、セラミック成形体を上下に複数段配置してもよい。ここで、上下のセラミック成形体の間隔は、例えば四隅に支柱を配置するなどにより、この間に配置される焼成用セッター１が上側のセラミック成形体および下側のセラミック成形体と密着するような間隔と
され、複数段配置される。
【００４５】
このような方法を用いることで、処理前に焼成用セッター１の表面の銀の割合が６〜９質量％程度であったものが、処理後には２〜４質量％程度に低減させることができる。この再生処理後の焼成用セッター１はさらに５０〜１５０回継続して配線基板の製造に使用することができ、再利用できるものとなる。なお、銀の割合は、ＷＤＳ（波長分散型ＥＰＭＡ）を用いて焼成用セッターの断面を測定することにより得られ、例えば、日本電子（株）製の電子プローブマイクロアナライザＪＸＡ−８１００を用い、加速電圧１５ｋＶとし、プローブ電流２．０×１０−７Ａとして求めることができる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例について説明する。
【００４７】
アルミナ質繊維と、表1に示す割合のシリカゾルおよびスピネル粒子を合計で１００質
量％となるように秤量し、水中で数分間攪拌混合してスラリーを作製した。そして、このスラリーに高分子凝集剤の水溶液を加えて凝集させ、ブロック状に脱水成形し、得られたブロック状の成形体を１２０℃で乾燥した後、１４００℃で焼成した。焼成後、スライス加工して、板状の焼成用セッター（１０ｃｍ×１０ｃｍ×４ｍｍ）を得た。
【００４８】
なお、スピネル粒子として、平均粒径（Ｄ５０）が１１μｍ、最大粒径が１５０μｍのものを、開口径が５０μｍ、１００μｍ、１２０μｍ、１５０μｍのメッシュで篩いにかけ、粗大粒子を除いたものを用いた。また、得られた焼成用セッターの破断面を電子顕微鏡（×５００）で観察し、スピネル粒子の最大径を求めた。その結果を表１に示す。
【００４９】
そして、得られた焼成用セッターを上下に配置して、表面に銀を主成分とする導体ペーストによる配線パターンが形成された５６個取りの多数個取り基板となるセラミックグリーンシート積層体を下側の焼成用セッターに載せて、大気雰囲気中９００℃１時間で焼成した。
【００５０】
焼成により得られた多数個取り基板について、接触している下側の焼成用セッターとの反応により、５６個あたり何個に異物としてのセッター成分が付着しているか測定し、セッター成分付着の発生個片数を５６で割った値をセッター付着発生率として求めた。その結果を表１に示す。
【００５１】
また、焼成により得られた多数個取り基板について、５６個あたり何個に銀成分の再付着によるめっき拡がりが生じているかどうかを測定し、めっき拡がりの発生個片数を５６で割った値をめっき拡がり発生率として求めた。その結果を表１に示す。
【００５２】
さらに、焼成により得られた多数個取り基板に、焼成用セッターから落下したスピネル粒子の数を脱粒発生数として求めた。その結果を表１に示す。
【００５３】
一方、比較例として、アルミナ質繊維７０質量％と、シリカゾル１０質量％と、アルミナ粒子２０質量％とを水中で数分間攪拌混合してスラリーを作製した。そして、このスラリーに高分子凝集剤の水溶液を加えて凝集させ、ブロック状に脱水成形し、得られたブロック状の成形体を１２０℃で乾燥した後、１４００℃で焼成した。焼成後、スライス加工して、板状の焼成用セッター（１０ｃｍ×１０ｃｍ×４ｍｍ）を得た。そして、上記の測定をした。その結果を表1に試料Ｎｏ．１として示した。
【００５４】
また、試料Ｎｏ．１の焼成用セッターの表面に、溶射によってスピネルのコート層を形成したものを作製し、上記の測定をした。その結果を表1に試料Ｎｏ．２として示した。
【００５５】
【表１】
2011116617.tif 000003
【００５６】
表1によれば、比較例である試料Ｎｏ．１および試料Ｎｏ．２に対し、本発明の実施例
である試料Ｎｏ．３〜２０では、セッター付着発生率およびめっき拡がり発生率が抑制されることがわかる。特に、吸着体が１０〜４０質量％、スピネル粒子が３〜３０質量％の試料（試料Ｎｏ．４〜１１、試料Ｎｏ．１４〜１９）では、セッター付着発生率およびめっき拡がり発生率が０％となった。
【００５７】
なお、スピネル粒子の最大径が１００μｍ以下の試料では、スピネル粒子の脱粒発生数が少なく、さらに良好な焼成用セッターであることがわかる。
【００５８】
そして、表１に示す試料Ｎｏ．６の焼成用セッターについて、以下のように再生処理を施した。
【００５９】
まず、処理前の焼成用セッターとして、表面に銀が８質量％付着した試料Ｎｏ．６の焼成用セッターを用意した。
【００６０】
一方、表２に示す割合のセラミック成形体を用意した。具体的には、平均粒径３μｍのシリカ粉末２０質量％と平均粒径２μｍのアルミナ粉末８０質量％とに、アクリル系バインダおよびトルエンを添加し、混練してなるスラリーを、ドクターブレード法にて０．３ｍｍの厚さに成型して、乾燥した後、１００ｍｍ×１００ｍｍサイズに切断したものを用意した。
【００６１】
そして、表面に銀が付着した試料Ｎｏ．６の焼成用セッターの上下に、この焼成用セッターと密着するようにセラミック成形体を配置し、大気雰囲気中にて表２に示す温度および時間をかけて加熱した。  
【００６２】
加熱後に常温まで冷却してからセラミック成形体を取り除いた焼成用セッターについて、表面の銀の割合（表面銀濃度）を測定するとともに反りを測定した。その結果を表２に示す。
【００６３】
【表２】
2011116617.tif 000004
【００６４】
表２によれば、加熱温度が１０００℃未満（９５０℃）である試料Ｎｏ．１、セラミック成形体のシリカ含有量が５％未満（３％）である試料Ｎｏ．３、加熱時間が１時間未満（０．５時間）である試料Ｎｏ．６では、銀の除去効率が悪いことがわかった。
【００６５】
また、セラミック成形体のシリカ含有量が４０質量％を超える（４５質量％の）試料Ｎｏ．１２では、焼成用セッターとセラミック成形体とが反応して、セラミック成形体の一部が焼成用セッターに付着してしまうことがわかった。
【００６６】
また、加熱温度が１３００℃を超える（１３５０℃の）試料Ｎｏ．１５では、焼成用セッターの反りが増加してしまうことがわかった。
【００６７】
これに対し、本発明の実施例である試料Ｎｏ．２，４，５，７〜１１，１３，１４では、焼成用セッターとセラミック成形体とが反応せず、焼成用セッターの反りが少なく、加熱処理後の焼成用セッターの表面銀濃度が、加熱処理前の１／２以下に低減していることがわかった。
【００６８】
なお、表１に示す試料Ｎｏ．６の焼成用セッターについての再生処理の例を示したが、焼成用セッターとしてはこのものに限らず、シリカ、スピネル粒子の含有量が異なる他の焼成用セッターについても同様に再生することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１：焼成用セッター
１１：セラミック繊維
１２：吸着体
１３：スピネル粒子
２：セラミックグリーンシート積層体
２１：配線パターン
２１１：銀成分
【図１】
2011116617.tif 000005
【図２】
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【図３】
2011116617.tif 000007
【図４】
2011116617.tif 000008
【図５】
2011116617.tif 000009
【図６】
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