(57)【要約】【課題】容量線を有する電気光学装置を駆動する駆動回路にあって、画素電極へのデータの書き込みが終了したときの容量線を所定電位にする。【解決手段】画素１１０は、走査線１１２が選択されたときに導通状態になる画素スイッチング素子と、一端が画素容量及び画素スイッチング素子に接続され、他端が容量線１３２に接続される補助容量とを含む。電気光学装置１は、ｎ（ｎは２以上の整数）本の走査線１１２を一組とし、一組毎に走査線１１２を選択する走査線駆動回路１３０と、選択されたｎ本の走査線１１２に対応する画素１１０に対し、ｎ本のデータ線１１４を介してデータ信号を供給するデータ線駆動回路１４０と、選択されたｎ本の走査線１１２に対応して設けられたｎ本の容量線１３２に印加する電圧を、走査線１１２が選択されたときに第１電圧とし、しかる後に第２電圧にシフトさせる容量線駆動回路１５０とを備える。【選択図】図１
2011232568.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
各走査線に対応して設けられた容量線と、
各走査線と、ｎ（ｎは２以上の整数）本毎に一組とした各組のデータ線との交差に対応
してそれぞれ設けられ、（１）一端が前記データ線に電気的に接続されるとともに、前記
走査線が選択されたときに前記一端と他端との間で導通状態になる画素スイッチング素子
と、（２）一端が画素容量に電気的に接続され、他端が前記容量線に電気的に接続される
補助容量と、を含む画素と、
ｎ本の走査線を一組とし、当該一組毎に走査線を選択する走査線駆動回路と、
選択されたｎ本の走査線に対応する画素に対し、一組をなすｎ本のデータ線を介して当
該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を供給するデータ線駆動回路と、
選択されたｎ本の走査線に対応して設けられたｎ本の容量線に印加する電圧を、当該走
査線が選択されたときに第１電圧とし、しかる後に第２電圧にシフトさせる容量線駆動回
路と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記走査線駆動回路は、
一組をなすｎ本の走査線において一の走査線とそれと隣りあう走査線との間に、各々、
他の組の走査線が所定数挟まれるように走査線を選択する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記走査線駆動回路は、
互いに隣りあうｎ本の走査線を一組とする
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
一組をなすｎ本の走査線に対応して設けられるｎ本の容量線は、
前記容量線駆動回路に電気的に接続される一端に対する他端が互いに電気的に接続され
ている
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記データ線駆動回路をｎ個有し、
前記データ線駆動回路は、各々、１本の走査線に対応して設けられた各画素に順次デー
タ信号を供給するものであり、
一組をなすｎ本の走査線に対応して設けられた画素に対し、走査線毎に異なるデータ線
駆動回路がデータ信号を供給する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学装置において、データ線の電圧振幅を抑える技術に関す
る。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容
量）が設けられることにより画素が構成される。特許文献１には、画素容量に並列して補
助容量を設けるとともに、行毎に補助容量を共通接続した容量線を走査線の選択に同期さ
せて二値電圧で駆動することにより、データ信号の電圧振幅を抑える容量線駆動と呼ばれ
る技術が記載されている。特許文献１に記載の技術によれば、データ線駆動に係る電力消
費を抑えることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１９６３５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された容量線駆動を行う場合、画素電極へのデータの書き込み終了時
には、容量線が二値電圧のうちの所定電位になっている必要がある。しかしながら、容量
線は、抵抗成分や容量成分による時定数が大きく、例えば容量性カップリングを原因とし
て、容量線の電位の変動が始まってから上記所定電位に緩和するまでには或る程度の時間
を要する。例えば１フレームを複数のサブフィールドで構成する所謂サブフィールド駆動
により画素電極にデータを書き込む場合では、データの書き込み時間が短く、容量線が上
記所定電位に緩和する前に走査線の選択が終了することがある。この場合、データ書き込
み後の画素電極が意図しない電位となって表示上の不具合の原因となることがあり、容量
線駆動において好ましくない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、容量線を有す
る電気光学装置を駆動する駆動回路にあって、画素電極へのデータの書き込みが終了した
ときの容量線を所定電位にするための技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置にあっては、複数の走査線と、
複数のデータ線と、各走査線に対応して設けられた容量線と、各走査線と、ｎ（ｎは２以
上の整数）本毎に一組とした各組のデータ線との交差に対応してそれぞれ設けられ、（１
）一端が前記データ線に電気的に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前
記一端と他端との間で導通状態になる画素スイッチング素子と、（２）一端が画素容量に
電気的に接続され、他端が前記容量線に電気的に接続される補助容量と、を含む画素と、
ｎ本の走査線を一組とし、当該一組毎に走査線を選択する走査線駆動回路と、選択された
ｎ本の走査線に対応する画素に対し、一組をなすｎ本のデータ線を介して当該画素の階調
に応じた電圧のデータ信号を供給するデータ線駆動回路と、選択されたｎ本の走査線に対
応して設けられたｎ本の容量線に印加する電圧を、当該走査線が選択されたときに第１電
圧とし、しかる後に第２電圧にシフトさせる容量線駆動回路とを備えることを特徴とする
。本発明によれば、容量線を有する電気光学装置にあって、画素電極へのデータの書き込
みが終了したときの容量線を所定電位にすることができる。また、容量線駆動回路のスイ
ッチの能力を高くする必要もなく、スイッチに係る回路面積の縮小においても好適である
。また、走査線駆動回路が選択する走査線を切り替える回数を、１行ずつ選択する構成に
比べて少なくすることができるので、その切り替えに係る回路の小型化に寄与させること
もできる。
【０００６】
本発明において、前記走査線駆動回路は、一組をなすｎ本の走査線において一の走査線
とそれと隣りあう走査線との間に、各々、他の組の走査線が所定数挟まれるように走査線
を選択するようにしてもよい。本発明によれば、液晶分子の配向方向が不良となるいわゆ
るディスクリネーションが発生して生じる表示上の不具合を平均化し、目立たせなくする
ことが期待できる。
【０００７】
本発明において、前記走査線駆動回路は、互いに隣りあうｎ本の走査線を一組としても
よい。本発明によれば、液晶分子の配向方向が不良となる、いわゆるディスクリネーショ
ンが発生する箇所を少なくすることが期待できる。
【０００８】
本発明において、一組をなすｎ本の走査線に対応して設けられるｎ本の容量線は、前記
容量線駆動回路に電気的に接続される一端に対する他端が互いに電気的に接続されている
ことが好ましい。本発明によれば、いわゆる横クロストークの発生を抑えることができる
。
【０００９】
本発明において、前記データ線駆動回路をｎ個有し、前記データ線駆動回路は、各々、
１本の走査線に対応して設けられた各画素に順次データ信号を供給するものであり、一組
をなすｎ本の走査線に対応して設けられた画素に対し、走査線毎に異なるデータ線駆動回
路がデータ信号を供給するようにしてもよい。本発明によれば、構造を工夫しないで既に
製作されたデータ線駆動回路の駆動回路を本発明に適用することも可能である。
なお、本発明は、電気光学装置、電気光学装置を含む電子機器としても概念することが
可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図
【図２】画素の等価回路及びその周辺の構成を示す図
【図３】表示制御回路が出力する各信号の時系列変化を示すタイミングチャート
【図４】データ線駆動回路の構成を示す図
【図５】容量線駆動回路の構成を示す図
【図６】図２に示す構成を別の等価回路を用いて表した図
【図７】画素電極の電圧の変化の様子を示す図
【図８】画素における電位の時系列変化の様子を示すタイミングチャート
【図９】第２実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図
【図１０】各画素の画素電極の極性を示す図
【図１１】第３実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図
【図１２】第４実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図
【図１３】データ線駆動回路の構成を示す図
【図１４】電気光学装置を用いた携帯電話を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図である。
図１に示すように、電気光学装置１は、表示領域１００を有し、その周辺に、走査線駆
動回路１３０と、データ線駆動回路１４０と、複数（ここでは、１６０個）の容量線駆動
回路１５０とが配置された周辺回路内蔵型のパネル構成である。表示制御回路２０は、こ
の周辺回路内蔵型のパネルと、例えばＦＰＣ（flexible printed circuit）基板によって
接続される。
【００１２】
表示領域１００は、複数の画素１１０が配列される領域である。表示領域１００では、
１、２、３、…、３２０行の３２０本の走査線１１２が、一方向（図中行方向）に延在す
るように設けられる。また、表示領域１００では、１、２、３、…、４８０列の４８０本
のデータ線１１４が、走査線１１２に直交する方向（図中縦方向）に延在するように設け
られる。各データ線１１４と各走査線１１２とは互いに電気的に絶縁を保つように設けら
れる。そして、一の走査線１１２と、ｎ（ここでは、ｎ＝２）列毎に一組としたデータ線
１１４との交点に対応して１画素が配置されるように、３２０行の走査線１１２と４８０
列のデータ線１１４との交点に対応して、画素１１０が設けられる。よって、表示領域１
００においては、画素１１０が縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列される。
【００１３】
さらに、１〜３２０行の走査線１１２に対応して、それぞれ容量線１３２が行方向に延
在して設けられる。
なお、１〜３２０行以外に３２１行の走査線１１２が設けられるが、この走査線１１２
は、画素１１０に対応しておらず、ダミーの走査線として機能するものである。このダミ
ー走査線は、３１９、３２０行の容量線１３２が接続される容量線駆動回路１５０の駆動
を助けるためのものであるが、その機能については後述する。
【００１４】
また、表示領域１００では、互いに隣接するｎ（＝２）行の走査線１１２を一組として
、各組の走査線１１２が走査線駆動回路１３０によって同時に選択される。具体的には、
ｉ行（ｉ＝１〜３２０のうちの奇数行）の走査線１１２と、ｉ＋１行（ｉ＝１〜３２０の
うちの偶数行）の走査線１１２とが、表示領域１００と走査線駆動回路１３０との間で互
いに接続される。このようなｉ行、及びｉ＋１行の走査線１１２が同時に選択されてその
ときに供給される走査信号を、以下では走査信号「Ｇ（i,i+1）」という具合に表す。た
だし、３２１行の走査線１１２に供給される走査信号を、「Ｇ（321）」と表す。また、
走査線１１２に対応して設けられる容量線１３２においても、互いに隣接するｎ（＝２）
行の容量線１３２が互いに共通する容量線駆動回路１５０によって駆動される。具体的に
は、ｉ行（ｉ＝１〜３２０のうちの奇数行）の容量線１３２と、ｉ＋１行（ｉ＝１〜３２
０のうちの偶数行）の容量線１３２とが、表示領域１００と容量線駆動回路１５０との間
で互いに接続される。ｉ行、及びｉ＋１行の容量線１３２に供給される容量信号を、以下
では容量信号「Ｓc（i,i+1）」と表す。
【００１５】
図２は、画素１１０の等価回路、及びその周辺の構成を示す図である。図２は、具体的
には、ｊ（ｊ＝１〜２４０）列の画素１１０であって、ｉ行（奇数行）並びにｉ＋１行（
偶数行）の画素１１０、これらに接続される走査線１１２、容量線１３２、及び容量線駆
動回路１５０を表したものである。図２に示すように、ここではｉ行の画素１１０とｉ＋
１行の画素１１０とは上下対称の配置となっているが、このような上下対称の配置を必須
としているわけではない。
【００１６】
図２に示すように、画素１１０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とで液晶１０５
を挟持した画素容量（ここでは、液晶素子）１２０を有している。ここでは、液晶１０５
をＶＡ方式として、画素容量１２０が電圧無印加時において黒状態となるノーマリーブラ
ックモードであるとする。また、この等価回路では、画素容量１２０に対して並列に補助
容量（蓄積容量）１２５が設けられる。補助容量１２５は、一端が画素電極１１８に電気
的に接続され、他端が容量線１３２に共通接続される。
ここで、走査線１１２がＨレベルになると、その走査線１１２にゲート電極が電気的に
接続されたＴＦＴ１１６がオンとなり、画素電極１１８がデータ線１１４に接続される。
このため、走査線１１２がＨレベルであるときに、データ線１１４に階調に応じた電圧レ
ベルのデータ信号が供給されると、そのデータ信号は、オンしたＴＦＴ１１６を介して画
素電極１１８に供給される。そして、走査線１１２がＬレベルになると、ＴＦＴ１１６は
オフするが、画素電極に印加された電圧は、画素容量１２０の容量性及び補助容量１２５
によって保持される。
画素容量１２０では、画素電極１１８及びコモン電極１０８によって生じる電界に応じ
て液晶１０５の分子配向状態が変化する。このため、画素容量１２０は、反射型であれば
、印加・保持電圧に応じた反射率となる。表示領域１００では、画素容量１２０毎に反射
率が変化するので、画素容量１２０が画素１１０に相当する。
【００１７】
また、奇数行であるｉ行の画素１１０は、偶数列である２ｊ（ｊ＝１〜２４０）列のデ
ータ線１１４と接続され、偶数行であるｉ＋１行の画素１１０は、奇数列である（２ｊ−
１）列のデータ線１１４と接続される。つまり、ｊ列に位置するｉ行の画素１１０と、ｊ
列に位置するｉ＋１行の画素１１０とは、互いに異なるデータ線１１４に接続される。こ
の構成を採っている理由は、ｉ行の画素１１０と、ｉ＋１行の画素１１０とが走査線駆動
回路１３０によって同時に選択されるのに対し、各画素１１０にそれぞれ異なるデータ信
号を供給することを可能にするためである。この供給動作については後においても説明す
る。
【００１８】
また、ｉ行の画素１１０の画素容量１２０において、ＴＦＴ１１６に電気的に接続され
る一端に対する他端は、ｉ行の容量線１３２に電気的に接続される。同様に、ｉ＋１行の
画素１１０の画素容量１２０において、ＴＦＴ１１６に電気的に接続される一端に対する
他端は、ｉ＋１行の容量線１３２に電気的に接続される。そして、これらｉ行、及びｉ＋
１行の容量線１３２は、互いに共通する容量線駆動回路１５０に電気的に接続される。
【００１９】
以上の構成の画素１１０を配列してなる表示領域１００は、画素電極１１８が形成され
た素子基板とコモン電極１０８が形成された対向基板との一対の基板同士を、電極形成面
が互いに対向するように一定の間隙を保って貼り合わせるとともに、この間隙に液晶１０
５を封止した構成となっている。このため、画素容量１２０は、画素電極１１８とコモン
電極１０８とで誘電体の一種である液晶１０５を挟持したものとなり、画素電極１１８と
コモン電極１０８との電位差を保持する。
【００２０】
図１に戻って説明する。
表示制御回路２０は、各種の制御信号を出力して電気光学装置１の各部を制御する。
表示制御回路２０は、第１に、スタートパルスＤy及びクロック信号Ｃlyを走査線駆動
回路１３０に出力する。表示制御回路２０は、第２に、データビットＤ1〜Ｄ4、クロック
信号Ｃlx、転送開始パルスＤＸ、及びラッチパルスＬＰを、データ線駆動回路１４０に出
力する。表示制御回路２０は、第３に、極性指定信号Ｐolを容量線駆動回路１５０に出力
する。また、表示制御回路２０は、コモン電極１０８にコモン電圧ＬＣcomを印加する。
【００２１】
図３は、表示制御回路２０が出力する各信号の時系列変化を示すタイミングチャートで
ある。以下、図３を参照しつつ電気光学装置１の各部の構成及び動作を説明する。
第１に、走査線駆動回路１３０について説明する。
走査線駆動回路１３０は、表示制御回路２０から供給されるスタートパルスＤy及びク
ロック信号Ｃlyに従って、図１中の上から下に向かって、２行の走査線１１２を一組とし
、一組毎に順次走査線１１２を選択する。具体的には、走査線駆動回路１３０は、ｉの値
が大きくなる方向に、一組ずつ排他的に走査線１１２を選択する。そして、走査線駆動回
路１３０は、選択したｉ行、及びｉ＋１行の走査線１１２に対して走査信号Ｇ（i,i+1）
を供給する。走査線駆動回路１３０は、選択した走査線１１２への走査信号をＨレベルに
相当する選択電圧ＶHとし、それ以外の走査線１１２への走査信号をＬレベルに相当する
非選択電圧ＶLとする。
【００２２】
より詳細には、図３に示すように、走査線駆動回路１３０は、スタートパルスＤyをデ
ューティ比が５０％であるクロック信号Ｃlyに従って順次シフトさせ、パルス幅をクロッ
ク信号Ｃlyの半周期よりも狭めて、走査信号Ｇ(1,2)、Ｇ(3,4)、Ｇ(5,6)、Ｇ(7,8)、Ｇ(9
,10)、Ｇ(11,12)、…、Ｇ(317,318)、Ｇ(319,320)、Ｇ（321）としてそれぞれ出力するも
のである。
この実施形態で、フレーム期間とは、表示領域１００を駆動することによって、画像の
１コマ分を表示させるのに要する期間をいう。フレーム期間は、垂直走査周波数が６０Ｈ
ｚであれば、その逆数である約１６．７ミリ秒である。このようなフレーム期間は、図３
に示すように、走査信号Ｇ(1,2)がＨレベルになってから走査信号Ｇ(321)がＬレベルにな
るまでの垂直有効走査期間Ｆaのほか、それ以外の垂直帰線期間が含まれる。
なお、クロック信号Ｃlyの論理レベルが一定である半周期分の期間を、水平走査期間（
Ｈ）とする。この水平走査期間（Ｈ）のうち、時間的に前方において走査信号がＨレベル
となる期間を水平有効走査期間とすると、残りの期間が水平帰線期間になる。
【００２３】
第２に、データ線駆動回路１４０に関わる内容を説明する。
表示制御回路２０は、画素１１０に指定される階調レベルに応じて、これらのオン又は
オフ駆動をサブフィールド単位で指定するために、図示せぬ上位装置から供給される各画
素の階調レベル指定した表示データをデータビットＤ1〜Ｄ4に変換する。表示制御回路２
０は、例えば、階調レベルと各サブフィールドのオンオフとを示すデータビットとの対応
関係を表したＬＵＴ（Look Up Table）を記憶しており、この対応関係に基づいてビット
データの変換を行う。表示制御回路２０からデータ線駆動回路１４０に供給されるデータ
ビットＤ1〜Ｄ4は、それぞれ画素１１０の階調（濃度）を制御するためのディジタルデー
タである。すなわち、電気光学装置１にあって、画素１１０は、データビットＤ1〜Ｄ4に
従って階調の表示を行う。その際、表示制御回路２０は、容量線駆動回路１５０に供給す
るものと同じ極性指定信号Ｐolで指定される書込極性でデータの書き込みを行うよう、所
定の高位側電圧であるＨレベル、又は所定の低位側電圧であるＬレベルのデータ信号のい
ずれか一方であるデータビットＤ1〜Ｄ4を供給する。
【００２４】
ここで、極性指定信号Ｐolは、論理レベルがＨレベルであれば、水平有効期間における
書込極性を負極性に指定し、論理レベルがＬレベルであれば、水平有効期間における書込
極性を正極性に指定する信号である。この実施形態では、表示制御回路２０が、いわゆる
面反転方式に従って書込極性を切り替えるよう、フレーム期間毎に極性指定信号Ｐolの論
理レベルを切り替える。書込極性については、画素容量１２０に対して階調に応じた電圧
を保持させる際に、コモン電極１０８のコモン電圧ＬＣcomよりも画素電極１１８の電位
を高位側とする場合を「正極性」といい、低位側とする場合を「負極性」という。電圧に
ついては、特に説明のない限り、図示省略した電源の接地電位を電圧ゼロの基準とする。
【００２５】
より具体的には、表示制御回路２０は、書込極性が正極性である場合、画素１１０をオ
ン駆動するときは、所定のコモン電圧ＬＣcomよりも例えば２．５Ｖ高いＨレベルのデー
タビットを出力し、画素１１０をオフ駆動するときは、コモン電圧ＬＣcomよりも例えば
２．５Ｖ低いＬレベルのデータビットを出力する。一方、表示制御回路２０は、書込極性
が負極性である場合、画素１１０をオン駆動するときは、所定のコモン電圧ＬＣcomより
も２．５Ｖ低くなるようにＬレベルのデータビットを出力し、画素１１０をオフ駆動する
ときは、コモン電圧ＬＣcomよりも例えば２．５Ｖ高いＨレベルのデータビットを出力す
る。
なお、データ信号の電圧は一例であり、これ以外の電圧であってもよい。
【００２６】
図４は、データ線駆動回路１４０の構成を示す図である。ここでは、１、２行の走査線
１１２が選択された場合の動作を例に挙げて説明する。
データ線駆動回路１４０は、或る水平走査期間においてデータビットＤ1〜Ｄ4をデータ
線１１４の本数に相当する４８０個順次ラッチし、ラッチした４８０個のデータビットＤ
1〜Ｄ4に基づいて、次の水平走査期間において、それぞれ対応するデータ線１１４にデー
タ信号d(2,1)、d(1,1)、d(2,2)、d(1,2)、…、d(2,239)、d(1,239)、d(2,240)、d(1,240)
として一斉に供給する。ｄ(x,y)という符号は、ｘ行ｙ列の画素に供給されるデータ信号
を意味する。このように、データ線駆動回路１４０は、一組をなすｎ（＝２）行の走査線
１１２に対応して設けられた各画素１１０に順次データ信号を供給する構成である。
なお、データビットＤ1は、偶数行奇数列の画素１１０に供給されるデータ信号を規定
するデータである。データビットＤ2は、奇数行奇数列の画素１１０に供給されるデータ
信号を規定するデータである。データビットＤ3は、偶数行偶数列の画素１１０に供給さ
れるデータ信号を規定するデータである。データビットＤ4は、奇数行偶数列の画素１１
０に供給されるデータ信号を規定するデータである。
【００２７】
具体的には、データ線駆動回路１４０は、Ｘシフトレジスタ１４１と、第１ラッチ回路
群１４２と、第２ラッチ回路群１４３とを備える。
Ｘシフトレジスタ１４１は、水平走査期間の最初に供給される転送開始パルスＤＸを、
クロック信号Ｃlxの立ち上がり及び立ち下がりで順番にシフトして、ラッチ信号Ｘ1、Ｘ2
、Ｘ3、…、Ｘ480として順次排他的に供給するものである。第１ラッチ回路群１４２は、
データビットＤ1〜Ｄ4をラッチ信号Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、…、Ｘ480の立ち上がりにおいて順次
ラッチして、ラッチ信号Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3、…、Ｌ480として出力する。第２ラッチ回路群１
４３は、第１ラッチ回路群１４２によりラッチされたラッチ信号の各々をラッチパルスＬ
Ｐの立ち上がりにおいて一斉にラッチするとともに、データ線１１４の各々にデータ信号
を供給する。
【００２８】
第３に、容量線駆動回路１５０に関わる内容について説明する。
図３に示すように、容量線駆動回路１５０がｉ行、及びｉ＋１行の容量線１３２に出力
する容量信号Ｓc（i,i+1）は、極性指定信号Ｐolのサンプリング時にＬレベルであれば、
二値電圧のうち低位側である電圧ＶSL（第１電圧）となり、極性指定信号Ｐolのサンプリ
ング時にＨレベルであれば高位側である電圧ＶSH（第１電圧）となる信号である。
【００２９】
図５は、容量線駆動回路１５０の構成を示す図である。
容量線駆動回路１５０は、極性ラッチ回路１５１と、スイッチ１５２，１５３とを備え
る。以下、ｉ行、及びｉ＋１行の容量線１３２に接続される容量線駆動回路１５０につい
て説明する。
極性ラッチ回路１５１は、ラッチした極性指定信号Ｐol、及びｉ＋２行並びにｉ＋３行
の走査線１１２の選択・非選択に応じて、容量線１３２を二値電圧のうち高位側の電圧Ｖ
SH、又は低位側の電圧ＶSLのいずれかとするものである。具体的には、極性ラッチ回路１
５１は、ｉ＋２行、及びｉ＋３行に対応する走査信号Ｇ（i+2,i+3）がＬレベルからＨレ
ベルになると、その立ち上がりにおいて極性指定信号Ｐolをラッチして、スイッチ１５２
，１５３のオンオフを制御するための制御信号を出力する。極性ラッチ回路１５１は、極
性指定信号Ｐolの論理レベルがＬレベルである場合（つまり、正極書込が指定される場合
）、ｉ＋２行及びｉ＋３行の走査線１１２が選択されてＬレベルからＨレベルに切り替え
られると、高位側の電圧ＶSH（第２電圧）が容量線１３２に印加されるように、スイッチ
１５３を導通させ、スイッチ１５２を非導通とする。極性ラッチ回路１５１は、次にｉ＋
２行、及びｉ＋３行の走査線１１２が選択されてＬレベルからＨレベルに切り替えられる
までは、この導通状態を保持する。一方、極性ラッチ回路１５１は、極性指定信号Ｐolの
論理レベルがＨレベルである場合（つまり、負極書込が指定される場合）、ｉ＋２行及び
ｉ＋３行の走査線１１２がＬレベルからＨレベルに切り替えられると、低位側の電圧ＶSL
（第２電圧）が容量線１３２に印加されるように、スイッチ１５２を導通させ、スイッチ
１５３を非導通とする。極性ラッチ回路１５１は、次にｉ＋２行、及びｉ＋３行の走査線
１１２が選択されてＬレベルからＨレベルに切り替えられるまでは、この導通状態を保持
する。
電気光学装置１の全体構成の説明は以上である。
【００３０】
図６は、図２に示す構成を別の等価回路を用いて表した図である。
図６に示すように、画素容量１２０を容量値がＣlcである容量性素子とみなし、補助容
量１２５を容量値がＣstgである容量性素子とみなすことができる。そして、画素容量１
２０と補助容量１２５との接続点Ｐの電位を、以下では「Ｖpix」と表す。
続いて、電気光学装置１の動作について説明する。
【００３１】
まず、１、２行の走査線１１２に供給される走査信号Ｇ（1,2）がＨレベルになると、
１行１列〜１行２４０列、及び２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオ
ンし、これらの画素電極１１８には、それぞれデータ信号d(2,1)、d(1,1)、d(2,2)、d(1,
2)、…、d(2,239)、d(1,239)、d(2,240)、d(1,240)が供給される。このため、１行１列〜
１行２４０列、及び２行１列〜２行２４０列の画素１１０の画素容量１２０には、データ
信号の電圧と、コモン電極１０８のコモン電圧ＬＣcomとの電位差が印加される。ここで
、走査信号Ｇ（1,2）がＨレベルになる水平有効走査期間Ｆaにおいて、極性指定信号Ｐol
がＬレベルであって正極性書込が指定されていれば、１、２行の容量線１３２の容量信号
Ｓc（1,2）は低位側の電圧ＶSLである。このため、１行１列〜１行２４０列、及び２行１
列〜２行２４０列の補助容量１２５には、それぞれデータ信号の電圧と電圧ＶSLとの電位
差が印加される。
【００３２】
そして、走査信号Ｇ（1,2）がＬレベルに遷移すると、１行１列〜１行２４０列、及び
２行１列〜２行２４０列の画素１１０におけるＴＦＴ１１６がオフする。そして、走査信
号Ｇ（3,4）がＨレベルに遷移すると、１、２行の容量線１３２の容量信号Ｓc（1,2）は
、高位側の電圧ＶSHにシフトさせられる。
【００３３】
ここでデータ信号が電圧Ｖjであったとすると、画素容量１２０と補助容量１２５との
接続点Ｐと等電位である画素電極１１８の電圧Ｖpixは、理論的には下記式（１）の関係
を満たす。なお、式（１）では説明の簡便化のために画素電極の他の寄生容量成分を省略
している。
Ｖpix＝Ｖj＋｛Ｃstg／（Ｃstg＋Ｃlc）｝・ΔＶ  ・・・（１）
【００３４】
つまり、データ信号の電圧Ｖjよりも、ｉ行、及びｉ＋１行の容量線１３２の電圧変化
分ΔＶに、画素容量１２０及び補助容量１２５の容量比｛Ｃstg／（Ｃstg＋Ｃlc）｝を乗
じた値だけ画素容量１２０に対する印加電圧が上昇する。換言すると、１，２行の容量線
１３２の容量信号Ｓc（1,2）がΔＶだけ上昇すると、画素電極１１８の電圧Ｖpixは、走
査信号Ｇ（1,2）がＨレベルであったときのデータ信号の電圧Ｖjよりも、｛Ｃstg／（Ｃs
tg＋Ｃlc）｝・ΔＶ（＝ΔＶpixとする）だけ上昇する。
【００３５】
ここで、正極性書込が指定される水平有効走査期間Ｆaにおけるデータ信号は、画素電
極１１８が電圧ΔＶpixだけ上昇することを見越した電圧に設定される。すなわち、上昇
した後の画素電極１１８の電圧がコモン電極１０８のコモン電圧ＬＣcomよりも高位であ
って両者の電位差が階調に応じた値となるように設定される。これにより、画素容量１２
０に各階調に応じた正極性電圧が保持される。
【００３６】
続いて、走査信号G(3,4)がＨレベルになると、３行１列〜３行２４０列及び４行１列〜
４行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には
、データ信号d(4,1)、d(3,1)、d(4,2)、d(3,2)、…、d(4,239)、d(3,239)、d(4,240)、d(
3,240)が印加され、３行１列〜３行２４０列及び４行１列〜４行２４０列の画素容量１２
０には、データ信号の電圧とコモン電圧ＬＣcomとの電位差が印加される。
極性指定信号ＰolがＬレベルであり、正極性書込が指定される水平有効走査期間Ｆaに
おいては、走査信号Ｇ(1,2)、Ｇ(3,4)、Ｇ(5,6)、…、Ｇ(319,320)が順番にＨレベルにな
るので、３，４行、５，６行、…、３１７，３１８行、３１９，３２０行のそれぞれにつ
いて、１，２行と同様な動作が、それぞれ実行される。
【００３７】
一方、極性指定信号ＰolがＨレベルであり、負極性書込が指定される場合、走査信号Ｇ
（1,2）がＨレベルになる水平有効走査期間Ｆaにおいて、１、２行の容量線１３２の容量
信号Ｓc（1,2）は高位側の電圧ＶSHになる。そして、走査信号Ｇ（3,4）がＨレベルに遷
移すると、１，２行の容量線１３２の容量信号Ｓc(1,2)は低位側の電圧ＶSLになる。ここ
で、ｊ列目についてみると、接続点Ｐである画素電極１１８の電圧Ｖpixは、理論的には
下記式（２）の関係を満たす。なお、式（１）と同様に説明の簡便化のために、式（２）
では画素電極の他の寄生容量成分を省略している。
Ｖpix＝Ｖj−｛Ｃstg／（Ｃstg＋Ｃlc）｝・ΔＶ  ・・・（２）
【００３８】
つまり、データ信号の電圧Ｖjよりも、容量線１３２の電圧変化分ΔＶに、画素容量１
２０及び補助容量１２５の容量比｛Ｃstg／（Ｃstg＋Ｃlc）｝を乗じた値だけ低下するこ
とになる。
ここで、負極性書込が指定される水平有効走査期間Ｆaにおけるデータ信号は、画素電
極１１８が電圧ΔＶpixだけ低下することを見越した電圧Ｖjに設定される。すなわち、低
下した後の画素電極１１８の電圧がコモン電極１０８のコモン電圧ＬＣcomよりも低位で
あって両者の電位差が階調に応じた値となるように設定される。
【００３９】
また、極性指定信号ＰolがＨレベルであり、負極性書込が指定される水平有効走査期間
Ｆaにおいても、走査信号Ｇ(1,2)、Ｇ(3,4)、Ｇ(5,6)、…、Ｇ(319,320)が順番にＨレベ
ルになるので、３，４行、５，６行、…、３１７，３１８行、３１９，３２０行のそれぞ
れについて、１，２行と同様な動作が、それぞれ実行される。
【００４０】
図７は、ｉ行、及びｉ＋１行の走査信号Ｇ(i,i+1)と、ｉ行、及びｉ＋１行の容量線１
３２の容量信号Ｓc(i,i+1)との波形に対して、ｉ行、及びｉ＋１行ｊ列の画素電極１１８
の電圧Ｖpixがどのように変化するのかを示す図である。
図７に示すように、画素電極１１８の電圧は、走査信号Ｇ(i,i+1)がＨレベルになった
ときに、正極性書込が指定されていれば、データ信号の電圧Ｖp(+)となる。この後、容量
線１３２の容量信号Ｓc(i,i+1)が電圧ＶSLから電圧ＶSHに切り替えられることにより、電
圧Ｖpixは電圧ΔＶpixだけ上昇する。一方、負極性書込が指定されていれば、データ信号
の電圧Ｖp(-)になり、この後、容量線１３２の容量信号Ｓc(i,i+1)が電圧ＶSHから電圧Ｖ
SLに切り替えられることにより、電圧ＶpixはΔＶpixだけ低下する。
【００４１】
なお、この実施形態では、走査線１１２の選択が終了した後、容量線１３２の容量信号
Ｓc(i,i+1)が電圧ＶSLから電圧ＶSHに切り替えられるか、又は電圧ＶSHから電圧ＶSLに切
り替えられるタイミングを、次の走査線１１２が選択されたタイミングとしている。この
ような理由から、上述した３２１行の走査線１１２が、３１９、３２０行の走査線１１２
に接続される容量線駆動回路１５０を動作させるダミーの走査線として用いられているの
である。この切り替えのタイミングを判別するための構成はこれに限定されることなく、
走査線１１２の選択が終了した後にこの切り替えが行われる構成であればよい。
この構成により、画素電極１１８の電圧範囲が、データ信号の電圧振幅よりも拡大され
るので、逆にいえば、データ信号の電圧振幅については、画素電極１１８の電圧範囲より
も狭くて済むので、データ線駆動回路１４０を構成する素子の耐圧が小さくて済むだけで
なく、データ線１１４における電圧振幅も狭くなるので、データ線駆動回路１４０に係る
電力消費が抑えられる。
【００４２】
ところで、走査線１１２の選択が開始されてから容量線１３２が電圧ＶSHやＶSLに緩和
するまでには或る程度の時間（緩和時間）を要する。そして、この緩和時間は、スイッチ
１５２、１５３のオン抵抗値、容量線の配線抵抗、各種容量線寄生容量による負荷（補助
容量Ｃstgが支配的と考えてよい。）が大きいほど長くなるものである。よって、この緩
和時間に対して走査線１１２の選択期間が短い場合にあっては、容量線１３２がＶSHやＶ
SLに緩和するよりも前に、走査線１１２の選択が終了することがある。
【００４３】
図８は、画素１１０における電位の時系列変化の様子を示すタイミングチャートである
。実線は走査線１１２の電位を表し、点線は容量線１３２の電位を表し、一点鎖線は画素
電極１１８の電位Ｖpixを表す。図８（ａ）は、走査線１１２を１行ずつ排他的に選択し
た場合の電位の時系列変化の様子を示したものである。図８（ｂ）は、本実施形態のよう
に、ｎ＝２行の走査線を一組として、その組単位で走査線１１２を選択した場合の電位の
時系列変化を示したものである。また、図８（ａ）、（ｂ）のそれぞれでフレーム期間は
同じであるとする。図８において、矢印方向に時間が経過するものとする。
なお、ここでは書込極性が正極性である場合を説明するが、負極性であっても同質の現
象が起こる。よって、図８に関する以下の説明について、「ＶSH」を「ＶSL」とし、「Ｖ
SL」を「ＶSH」として適宜読み替えてよい。
【００４４】
まず、図８（ａ）に示すように、走査線１１２を１行ずつ選択する構成では、所定のフ
レーム期間に対する走査線１１２の選択期間の長さがＴである。画素電極１１８への書き
込み動作により画素電極１１８の電位が変化し、補助容量１２５を介した容量性カップリ
ングにより容量線電位が変動する。そして、再び容量線１３２が電位ＶSLに緩和するまで
に選択期間が終了することがある。そして、選択期間が終了してＴＦＴ１１６がオフにな
ると、負荷が軽減されて直ちに容量線１３２が電位ＶSLに遷移する。この様子を図中Ｉに
示す。そして、選択期間が終了した後に容量線電位がＶSLからＶSHにシフトさせられる。
これにより、Ｖpixの電位は上昇するものの、図中Ｉの挙動によって意図した書き込み電
圧になっていないために、Ｖpixが所望する電位とならなくなってしまうことがある。こ
れは、走査線電極-画素電極間の寄生容量によるフィードスルー電圧とは異なり、本質的
には容量線電位の応答不足に起因するものである。このように画素電極１１８の電位が意
図しない電位となってしまうことを原因として表示上の不具合が生じることがあり、容量
線駆動において好ましくない。特にサブフィールド駆動のような高速駆動を実現する上で
大きな問題となる。
【００４５】
これに対し、本実施形態の電気光学装置１によれば、ｎ（ｎ＝２）行の走査線１１２を
一組として選択する。この構成により、１行ずつ走査線１１２を選択する場合に比べて、
フレーム期間を維持したまま、１本の走査線１１２の選択期間を２Ｔ（図８（ａ）の場合
の２倍）にすることができる。このように複数行の走査線１１２を同時選択する構成とす
ることにより、図８（ｂ）に示すように、フレーム期間を変化させないで、選択期間を充
分な長さ確保することが可能となる。よって、選択期間中に容量線１３２の電位がＶHL又
はＶSHに充分緩和し、容量線駆動回路１５０は、選択期間の後にＶSH又はＶHLにシフトさ
せることができる。これにより、容量線駆動の実現において画素電極１１８が意図しない
電位になることを抑制することができ、画素電極１１８へのデータの書き込み後の電位を
安定させることができる。
【００４６】
以上説明した第１実施形態によれば、容量線１３２を有する電気光学装置１にあって、
画素電極１１８へのデータの書き込みが終了したときに容量線１３２を所定の電位（つま
り、ＶHL又はＶSH）にすることができる。
また、この実施形態の構成によれば、容量線駆動回路１５０のスイッチ１５２，１５３
の能力を高くする必要がなく、そのスイッチに係る回路面積の縮小においても好適である
。
また、走査線駆動回路１３０については複数行の走査線１１２を同時選択するので、垂
直走査に関するクロック周波数Ｃlyを低くすることができるし、走査線駆動回路１３０が
選択する走査線１１２の行数は１／ｎ（この実施形態では、１／２）に減少するので、走
査線駆動回路１３０が有するシフトレジスタの小型化にも寄与させることができる。
【００４７】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
この第２実施形態の電気光学装置は、第１実施形態の電気光学装置とは、同時に選択す
る走査線１１２の組み合わせにおいて異なる。以下の説明において、この実施形態の電気
光学装置１aが備える構成のうち、第１実施形態の電気光学装置１が備える構成と共通す
るものは同一の符号を付して表し、それらの構成の説明及び図示を適宜省略する。
【００４８】
図９は、第２実施形態に係る電気光学装置１aの全体構成を示すブロック図である。
図９に示すように、この実施形態では、走査線駆動回路１３０が、奇数行同士或いは偶
数行同士である２行の走査線１１２を同時に選択する。具体的には、走査線駆動回路１３
０は、ｉ行の走査線１１２とｉ＋２行の走査線１１２とを一組とする。そして、走査線駆
動回路１３０は、ｉ行、及びｉ＋２行の走査線１１２に対して共通する走査信号Ｇ（i,i+
2）を供給するものである。そして、各組の走査線１１２にあっては、一の走査線１１２
とそれに隣りあう走査線１１２との間に、各々、他の組の走査線１１２であって走査信号
Ｇ（i+1,i+3）が供給される走査線１１２を１行挟むことになる。
この実施形態の構成であっても、上述した第１実施形態と同等の効果を奏する。
また、この実施形態の電気光学装置１aによれば、以下のような作用を奏する。
【００４９】
図１０は、表示領域１００における各画素１１０の画素電極１１８の極性を示す図であ
る。
図１０において、各矩形が１つの画素１１０に対応し、ここでは、説明の簡易化のため
に８×８の画素からなる表示領域を用いて説明する。そして、「＋」と付したものは画素
電極１１８の極性が正極性であり、「−」と付したものは画素電極１１８の極性が負極性
であることを意味する。また、図１０（ａ）は、第１実施形態のようにして走査線１１２
を同時選択とした場合の極性の変化の様子を表し、図１０（ｂ）は、第２実施形態の構成
における同変化の様子を表す。また、初期状態としてすべての画素電極１１８の極性が「
＋」であり、これから負極性の書込極性でデータの書き込みが行われるとする。
【００５０】
ｔ＝ｔ１は、１組目の走査線１１２に対応する画素１１０へのデータの書き込みが終わ
った時点を表す。図１０（ａ）に示すように、第１実施形態の構成では、１、２行の画素
行のデータ書き込みが終了した後においては、これらの画素行の画素電極１１８は負極性
である。よって、２行の画素と３行の画素との極性が互いに逆となるから、これらの画素
行が隣接する領域では、画素電極１１８間の電位差によって横方向の電界（以下、「横電
界」という。）が発生しやすい状況にある。このような横電界を原因として、液晶分子の
配向方向が不良となる、いわゆるディスクリネーションが発生し、表示領域１００の表示
品位が低下することがある。よって、横電界はなるべく発生しないことが好ましい。
一方、図１０（ｂ）に示すように、第２実施形態の構成では、１、３行の画素行のデー
タ書き込みが終了した後において、これらの画素行の画素電極１１８は負極性である。よ
って、１行と２行、２行と３行、及び３行と４行の画素電極１１８の極性が互いに逆であ
るから、ここでは３行分にわたって横電界が強くなる領域が生じる。
【００５１】
ｔ＝ｔ２は、２組目のデータの書き込みが終わった時点を表す。
図１０（ａ）に示すように、第１実施形態の構成では、３、４行の画素行のデータ書き
込みが終了した後において、４行の画素と５行の画素との極性が互いに逆であるから、こ
こでも１行分の領域で横電界が発生する。一方、図１０（ｂ）に示すように、第２実施形
態の構成では、２，４行の画素行のデータ書き込みが終了した後において、４行の画素行
と５行の画素行との極性が互いに逆であり、１行分の領域で横電界が強くなる。ここでは
、両者で横電界の発生状況が同じである。
【００５２】
ｔ＝ｔ３は、３組目のデータの書き込みが終わった時点を表す。
図１０（ａ）に示すように、第１実施形態の構成では、５、６行の画素行のデータ書き
込みが終了した後において、５行と６行との極性が互いに逆であるから、ここでも１行分
の領域で横電界が発生している。一方、図１０（ｂ）に示すように、第２実施形態の構成
では、５，７行の画素行のデータ書き込みが終了した後において、５行と６行、６行と７
行、７行と８行の画素行との極性が互いに逆であり、ここでも３行分の領域で横電界が強
くなる。
【００５３】
そして、ｔ＝ｔ３は、４組目のデータの書き込み後において、全画素の画素電極１１８
がについて負極性となる。
このような画素電極１１８の極性の時系列変化に注目すると、図１０（ａ）に示すよう
に、第１実施形態の構成では、２行と３行、４行と５行、６行と７行のいずれかに横電界
が強くなる領域が発生し、これ以降の書き込みにおいても同じ場所に横電界が発生しやす
い状態となる。つまり、横電界と発生する箇所と発生しない箇所とが固定される。一方、
第２実施形態の構成では、全画素行に満遍なく横電界が強くなる機会がある。これにより
、横電界が発生する領域を表示領域１００全体に均一化できる。よって、第１実施形態の
構成に比べて、特別な工夫を施すことなく、ディスクリネーションを原因とする表示上の
不具合を目立たせなくすることが期待できる。一方で、第１実施形態の構成では、横電界
が発生する領域が少ないという利点がある。
【００５４】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態について説明する。以下の説明において、この実施形態の
電気光学装置１bが備える構成のうち、第１実施形態の電気光学装置１が備える構成と共
通するものは同一の符号を付して表し、それらの構成の説明及び図示を適宜省略する。
図１１は、第３実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図である。
この第３実施形態の電気光学装置１bは、第１実施形態の電気光学装置１とは、容量線
１３２に関する構成のみが異なる。具体的には、一組をなす２行の走査線１１２に対応す
る容量線１３２同士は、容量線駆動回路１５０に電気的に接続される一端に対する他端が
互いに電気的に接続される。
この構成によれば、１つの容量線駆動回路１５０によって駆動される複数の容量線１３
２同士の電位差の発生が抑えられ、それぞれの容量線１３２の駆動が整合することになる
。その結果、いわゆる横クロストークの発生を抑えることができる。同一組に属する容量
線１３２同士は可能であれば容量線末端部だけでなく、隣接する各画素同士で接続しても
よく、数画素おきに接続するような構成でもよい。
これ以外にも、第３実施形態の構成によれば、上述した第１実施形態と同等の作用効果
を奏する。
【００５５】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
以下の説明において、この実施形態の電気光学装置１cが備える構成のうち、第１実施
形態の電気光学装置１が備える構成と共通するものは同一の符号を付して表し、それらの
構成の説明及び図示を適宜省略する。
【００５６】
図１２は、第４実施形態に係る電気光学装置１cの全体構成を示すブロック図である。
図１２に示すように、この実施形態では、２個のデータ線駆動回路がそれぞれデータ線
の配列方向に延びており、これらは表示領域１００を両側から挟んで対向する位置に設け
られる。データ線駆動回路１４０aは、それぞれ同一の構成を有しているが、２行の走査
線１１２が選択されたときに行毎に異なるデータ線駆動回路１４０aが、各々、１行の走
査線１１２に対応して設けられた各画素１１０に順次データ信号を供給する。つまり、こ
こで、データ線駆動回路１４０aを２個としているのは、同時選択される走査線１１２の
数であるｎ（＝２）と一致させるためである。
【００５７】
図１３は、この実施形態のデータ線駆動回路１４０aの構成を示す図である。図１３は
、データビットＤ1、Ｄ3に基づいて偶数行のデータ線１１４にデータ信号を供給するもの
を示す。
なお、ここでは、走査線駆動回路１３０により１，２行の走査線１１２が選択された場
合を説明する。また、データビットＤ2、Ｄ4に基づいて奇数行のデータ線１１４にデータ
信号を供給するデータ線駆動回路１４０aもこれと同等の構成を有している。
【００５８】
データ線駆動回路１４０aは、Ｘシフトレジスタ１４１aと、第１ラッチ回路群１４２a
と、第２ラッチ回路群１４３aとを備える。
Ｘシフトレジスタ１４１aは、水平走査期間の最初に供給される転送開始パルスＤＸを
、クロック信号Ｃlxの立ち上がり及び立ち下がりで順番にシフトして、ラッチ信号Ｘ1、
Ｘ2、Ｘ3、…、Ｘ240として順次排他的に供給するものである。第１ラッチ回路群１４２a
は、データビットＤ1、Ｄ3を、ラッチ信号Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、…、Ｘ240の立ち上がりにおい
て順次ラッチして、ラッチ信号Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3、…、Ｌ240として出力する。第２ラッチ回
路群１４３aは、第１ラッチ回路群１４２aによりラッチされたラッチ信号の各々をラッチ
パルスＬＰの立ち上がりにおいて一斉にラッチするとともに、データ線１１４の各々にデ
ータ信号を供給する。具体的には、偶数行のデータ線１１４にデータ信号を供給する第２
ラッチ回路群１４３aは、２４０列のデータ線１１４にデータ信号d(2,1)、d(2,2)、d(2,3
)、d(2,4)…、d(2,237)、d(2,238)、d(2,239)、d(2,240)を出力する。奇数行のデータ線
１１４にデータ信号を供給する第２ラッチ回路群１４３aは、２４０列のデータ線１１４
にデータ信号ｄ(1,1)、d(1,2)、d(1,3)、d(1,4)、…、d(1,237)、d(1,238)、d(1,239)、d
(1,240)を出力する。
【００５９】
このように、電気光学装置１cは、一組をなすｎ行の走査線１１２に対応して設けられ
た画素１１０に対し、走査線（行）毎に異なるデータ線駆動回路がデータ信号を供給する
構成となっている。この構成により、画素１１０の構造を特別に工夫する必要がないし、
一般的な構成のデータ線駆動回路を適用して、選択されたｎ行の画素１１０に対しデータ
の書き込みを行うことができる。これ以外にも、第４実施形態の構成によれば、上述した
第１実施形態と同等の作用効果を奏する。
【００６０】
［変形例］
本発明は、上述した実施形態と異なる形態で実施することが可能である。本発明は、例
えば、以下のような形態で実施することも可能である。また、以下に示す変形例は、各々
を適宜に組み合わせてもよい。
［変形例１］
上述した各実施形態の構成を適宜組み合わせてもよい。
例えば、上述の第３実施形態の構成のように、一組の走査線１１２に対応する２行の容
量線１３２同士を、容量線駆動回路１５０に接続される一端に対する他端で互いに接続（
結線）する構成を、上述した第２、４実施形態の構成に適用してもよい。また、第４実施
形態に係るデータ信号の供給に係る構成を、第２実施形態の構成のように、一組をなす互
いに隣りあう走査線１１２同士の間に他の組の走査線が挟まれる構成の電気光学装置に適
用してもよい。
【００６１】
［変形例２］
上述した各実施形態においては、ｎ＝２とし、走査線駆動回路１３０が２行の走査線１
１２を同時選択し、且つ容量線駆動回路１５０が同時選択された走査線１１２に対応する
２行の容量線１３２を同時駆動していた。これに対し、ｎを３以上としても本発明を特定
可能である。つまり、走査線駆動回路１３０が任意のｎ行の走査線１１２を同時に選択し
、且つ容量線駆動回路１５０がそれらの走査線１１２に対応するｎ行の容量線１３２を同
時に駆動する構成としても、上述した各実施形態と同等の効果を奏する。フレーム期間が
或る長さに決まっているとすると、ｎが大きいほど、それだけ各走査線１１２の選択期間
を長くすることができる。よって、データ書き込み時間がさらに短くなった場合などであ
っても、選択期間中に容量線１３２を所定の電位に緩和させることができる。
なお、第４実施形態の構成では、ｎ個に一致する数のデータ線駆動回路１４０ａを設け
ることになる。また、上述した第２実施形態において、一組に含まれる一の走査線１１２
と、それに隣りあう他の走査線１１２との間に挟まれる走査線の行数は、２以上であって
もよい。また、このとき、２組以上の他の組の走査線が挟まれてもよい。
【００６２】
［変形例３］
上述した各実施形態において、表示領域１００における画素スイッチング素子と同じＴ
ＦＴとするのではなく、別体のＩＣチップを左右両側に実装する構成としてもよい。また
、本実施形態の構成を反射型ではなく透過型としてもよいし、透過型と反射型とを組み合
わせた半透過・半反射型としてもよい。
また、画素容量１２０は、ノーマリーブラックモードに限られず、ノーマリーホワイト
モードでもよい。
また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行
うとしてもよいし、さらに、別の色を追加し、これらの４色以上の画素で１ドットを構成
してもよい。
また、本発明は、サブフィールド駆動により階調表現する電気光学装置に限らず、例え
ば、階調レベルに応じた大きさの電圧を印加する電圧変調方式を採用する電気光学装置に
適用してもよい。
また、表示領域１００における走査線１１２やデータ線１１４の数はあくまで一例であ
る。
【００６３】
［変形例４］
次に、上述した各実施形態に係る電気光学装置を表示装置として有する電子機器につい
て説明する。図１４は、実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話１２００の構成を
示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置を備えるものである。な
お、電気光学装置のうち、表示領域１００に相当する部分の構成要素については外観とし
ては現れない。
【００６４】
なお、電気光学装置が適用される電子機器としては、図１４に示される携帯電話の他に
も、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（また
はモニター直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、
電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル
を備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上
述した電気光学装置が適用可能であることは言うまでもない。また、表示領域１００をラ
イトバルブとして用いた投射型表示装置（プロジェクター）に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１，１a〜１c…電気光学装置、１００…表示領域、１０８…コモン電極、１１０…画素、
１１２…走査線、１１４…データ線、１１８…画素電極、１２０…画素容量、１２５…補
助容量、１３０…走査線駆動回路、１３２…容量線、１４…データ線、１４０，１４０ａ
…データ線駆動回路、１５０…容量線駆動回路、２０…表示制御回路、１２００…携帯電
話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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