(57)【要約】【課題】耐光性、メモリー性に優れた調光素子を提供し、繰返し耐久性、保存安定性に優れた調光素子を提供する。【解決手段】基材上の対向する電極間に、有機溶媒と、下記一般式（１）で表される銀塩化合物と、メルカプト基もしくはチオエーテルを有する化合物とを含有する電解質を有し、電圧印加により可視光透過率を変化させる調光素子において、該対向する電極の一方が、透明電極であり、他方は基材上に線状、格子状又は網目状の金属電極を形成し、かつ、線状の場合は、隣り合う金属電極の間隔、格子状の場合はそれぞれ向かい合う金属電極の間隔が５５０μｍ以上５０００μｍ以下であり、網目状の場合は、電極によって囲まれた空間面積が０．３０２５ｍｍ２以上２５．０００ｍｍ２以下であることを特徴とする調光素子。    一般式（１）    Ａｇ−Ｒ（式中、Ｒは有機イオンを表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上の対向する電極間に、有機溶媒と、下記一般式（１）で表される銀塩化合物と、メルカプト基もしくはチオエーテルを有する化合物とを含有する電解質を有し、電圧印加により可視光透過率を変化させる調光素子において、該対向する電極の一方が、透明電極であり、他方は基材上に線状、格子状又は網目状の金属電極を形成し、かつ、線状の場合は、隣り合う金属電極の間隔、格子状の場合はそれぞれ向かい合う金属電極の間隔が５５０μｍ以上５０００μｍ以下であり、網目状の場合は、電極によって囲まれた空間面積が０．３０２５ｍｍ２以上２５．０００ｍｍ２以下であることを特徴とする調光素子。
一般式（１）    Ａｇ−Ｒ
（式中、Ｒは有機イオンを表す。）
【請求項２】
前記、メルカプト基もしくはチオエーテルを有する化合物がエチレンジチオエーテル構造を有するチオエーテル結合含有化合物であることを特徴とする請求項１に記載の調光素子。
【請求項３】
水蒸気バリア層が設置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の調光素子。
【請求項４】
調光素子の熱線入射側に複数の異なる屈折率を有する材料から構成される紫外線反射層があり、更に該調光素子の少なくとも一方の面に熱線遮断層があり、かつ該熱線遮断層の熱線入射側に水蒸気バリア層が設置されたことを特徴とする請求項３に記載の調光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気化学的な調光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、建物において窓（開口部）は大きな熱の出入り場所になっている。例えば、冬の暖房時の熱が窓から流失する割合は５割程度であり、夏の冷房時に窓から熱が入る割合は７割程度にも達する。したがって、窓における光・熱をうまくコントロールすることにより、膨大な省エネルギー効果を得ることができる。調光システムは、このような目的で開発されたものであり、光・熱の流入・流出をコントロールする機能を有している。
【０００３】
このような調光ガラスの調光を行う方式には、いくつかの種類がある。それらのうち、１）電流・電圧の印加により可逆的に透過率の変化する材料をエレクトロクロミック材料といい、２）温度により透過率が変化する材料をサーモクロミック材料といい、また、３）雰囲気ガスの制御により透過率が変化する材料をガスクロミック材料という。このうちサーモクロミック材料では、気温により調光度合いが自然に変化し、能動的なスイッチングが難しいという問題があり、またガスクロミック材料では合金薄膜を利用するため、消色時の透過率が低く、ガスの吸着・脱離による調光システムのためにコントロール性が低いという問題がある。
【０００４】
またエレクトロクロミック材料としてポリアニリンなどの有機色素、酸化タングステンなどの無機色素が知られているが、消色状態であっても可視域に吸収極大を有し、消色状態でも完全に透明に出来ないという問題点があった。また有機エレクトロクロミック色素として消色状態でほぼ無色であるビオロゲンやロイコ色素も知られているが、これらはメモリー性に劣るという問題点を有していた。
【０００５】
これら上述の各方式の欠点を解消する調光方式として、金属または金属塩の溶解析出を利用するエレクトロデポジション方式（以下、ＥＤ方式と略す）が知られている。このようなＥＤ方式により、銀の析出・溶解を利用したシステムが考案されている（例えば、特許文献１、２、３参照）。銀塩化合物は低電圧で析出・溶解が可能であるという利点を有する。しかしながら銀塩化合物は特にハロゲンイオンが共存する場合には光に対して鋭敏に反応し、銀イオンが析出してしまうことでメモリー性や耐久性に劣るという問題点があった。また黒化像のメモリー性が低いという問題に対しては、メルカプト基を有する化合物を含有させることで黒化像の安定性を向上させた表示素子が知られている（例えば、特許文献４参照）。
【０００６】
特許文献４は反射型ディスプレイ用表示素子としての記載は詳細に述べられているものの、調光素子としての利用は想定されていない。特許文献４で構成される表示素子では可視光透過率が確保できない為、調光素子としての実用は困難であった。更にＥＤ方式を用いて鏡を形成する、或いは可視光透過を制御するシステムが考案されている。（例えば、特許文献５、６参照）。該特許文献では実際に調光ガラスとして用いた場合、太陽光にさらされることによる劣化、及び調光することによる繰り返し耐久性に対する改良が不十分であり、実用に至るレベルになかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第７，０４６，４１８号明細書
【特許文献２】米国特許第７，１９３，７６４号明細書
【特許文献３】特開２００５−１４０８１４号公報
【特許文献４】特開２００５−２６６６５２号公報
【特許文献５】米国特許第５，９２３，４５６号明細書
【特許文献６】米国特許第５，９０３，３８２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、耐光性、メモリー性に優れた調光素子を提供することである。また、さらには繰返し耐久性、保存安定性に優れた調光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成することができる。
【００１０】
１．基材上の対向する電極間に、有機溶媒と、下記一般式（１）で表される銀塩化合物と、メルカプト基もしくはチオエーテルを有する化合物とを含有する電解質を有し、電圧印加により可視光透過率を変化させる調光素子において、該対向する電極の一方が、透明電極であり、他方は基材上に線状、格子状又は網目状の金属電極を形成し、かつ、線状の場合は、隣り合う金属電極の間隔、格子状の場合はそれぞれ向かい合う金属電極の間隔が５５０μｍ以上５０００μｍ以下であり、網目状の場合は、電極によって囲まれた空間面積が０．３０２５ｍｍ２以上２５．０００ｍｍ２以下であることを特徴とする調光素子。
【００１１】
一般式（１）    Ａｇ−Ｒ
（式中、Ｒは有機イオンを表す。）
２．前記、メルカプト基もしくはチオエーテルを有する化合物がエチレンジチオエーテル構造を有するチオエーテル結合含有化合物であることを特徴とする前記１に記載の調光素子。
【００１２】
３．水蒸気バリア層が設置されていることを特徴とする前記１または２に記載の調光素子。
【００１３】
４．調光素子の熱線入射側に複数の異なる屈折率を有する材料から構成される紫外線反射層があり、更に該調光素子の少なくとも一方の面に熱線遮断層があり、かつ該熱線遮断層の熱線入射側に水蒸気バリア層が設置されたことを特徴とする前記３に記載の調光素子。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、耐光性、メモリー性に優れ、さらには繰返し耐久性、保存安定性に優れた調光素子を提供することができた。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１６】
これまでにも銀塩化合物の析出、溶解を利用した種々の調光素子は知られているものの、銀塩イオンの光反応性が高いため、耐光性に劣るという問題点があった。銀塩化合物を調光素子として用いるためにはかなり高い耐光性が要求されることから、銀塩化合物の耐光性は非常に重要な課題として挙げられている。
【００１７】
本発明者等の検討によれば、ある特定の銀塩化合物とメルカプト基あるいはチオエーテルを有する化合物を共存させることで、銀塩イオンの光反応を抑制し、調光素子として望ましい耐光性を付与できることが明らかとなった。
【００１８】
（一般式（１）で表される銀塩化合物）
上記、一般式（１）において、Ｒは具体的には、アセチルアセトナートイオンやヘキサフルオロアセチルアセトナートイオンのようなジケトナートイオン、酢酸イオンや安息香酸イオン、ベヘン酸イオンのようなアセトナートイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホン酸）イミドなどのようなイミドイオン、ジエチルジチオカルバメート酸イオンのようなカルバメートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオンのようなリン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオンやｐ−トルエンスルホン酸イオンのようなスルホン酸イオンなどが挙げられる。本発明の銀塩化合物において、好適なＲとして具体的には、ＣＦ３ＳＯ３−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、ＰＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＣＨ３（Ｃ６Ｈ４）ＳＯ３−が挙げられ、さらにはＣＦ３ＳＯ３−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、ＣＨ３（Ｃ６Ｈ４）ＳＯ３−であることがより好ましい。
【００１９】
（メルカプト基もしくはチオエーテルを有する化合物）
本発明のメルカプト基を有する化合物とは、メルカプト基として−Ｓ−Ｒａ（Ｒａは水素、金属または４級アンモニウム）を有する化合物であり、チオエーテルを有する化合物とは、チオエーテルとして−Ｓ−Ｒｂ（Ｒｂは置換基を有していてもよいアルキル基）を有する化合物である。このような硫黄含有化合物は、ＥＤ方式の表示素子において金属塩化合物（特に銀塩）の溶解析出を促進するために用いられる銀塩溶剤と同一範疇の化合物であり、電解質の構成成分の一つである。銀塩溶剤とは、電解質中で銀を可溶化できる化合物であればいかなる化合物であってもよい。例えば、銀と配位結合を生じさせたり、銀と弱い供給結合を生じさせたりするような、銀と相互作用を示す化学構造種を含む化合物等と共存させて、銀または銀を含む化合物を可溶化物に変換する手段を用いるのが一般的である。前記化学種として、ハロゲン原子、メルカプト基、カルボキシル基、イミノ基等が知られているが、本発明においては、チオエーテル基を含有する化合物及びメルカプトアゾール類は、銀溶剤として有用に作用しかつ、共存化合物への影響が少なく溶媒への溶解度が高い特徴がある。また更にはこのような化合物を共存させることで、銀イオンの感光による析出が著しく抑制されることが明らかとなった。このような効果はメルカプト基を有する化合物、チオエーテル化合物を有する化合物のいずれでも発現するが、メルカプト基であることがより好ましく、繰返し駆動耐久性向上の観点からはチオエーテル化合物であることがより好ましい。チオエーテルを有する化合物の中でも、特にエチレンジチオエーテル構造を有するチオエーテル結合含有化合物を電解質中に含有することが好ましい。エチレンジチオエーテル構造として、下記一般式（２）で表される化合物が好ましい。
【００２０】
【化１】
2011039283.tif 000002
【００２１】
上記一般式（２）において、Ｇは水素原子を除く任意の置換基を表し、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４は水素原子あるいは置換基を表し、それぞれ同一であっても異なっていても良く、構造的な特徴は硫黄原子二つがチオエーテルであり、且つ置換あるいは無置換のエチレン鎖で連結されていることを示す。このような特定構造を含む化合物を電解質の一成分として含有させることにより、耐光性、メモリー性、繰返し耐久性、保存安定性により優れた調光素子を提供することができる。
【００２２】
一般式（２）において、Ｇで表される置換基としては、置換、無置換の炭化水素基を表し、これらの炭化水素基は１個以上の窒素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子、ハロゲン原子を含んでもよく、ＧとＧ又はＧとＲ２１、Ｒ２２、Ｒ２３又はＲ２４とが互いに連結し、環状構造をとってもよい。
【００２３】
Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４で表される置換基としては、上記Ｇで表される置換基と同義の基を挙げることができる。
【００２４】
メルカプト基もしくはチオエーテルを有する化合物として、特に下記一般式（Ｇ−１）または一般式（Ｇ−２）で表される化合物が好ましい。
【００２５】
〔一般式（Ｇ−１）または一般式（Ｇ−２）で表される化合物〕
一般式（Ｇ−１）    Ｒｇ１１−Ｓ−Ｒｇ１２
式中、Ｒｇ１１、Ｒｇ１２は各々置換または無置換の炭化水素基を表す。また、これらの炭化水素基では、１個以上の窒素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子、ハロゲン原子を含んでも良く、Ｒｇ１１とＲｇ１２が互いに連結し、環状構造を取っても良い。
【００２６】
【化２】
2011039283.tif 000003
【００２７】
式中、Ｍは水素原子、金属原子または４級アンモニウムを表す。Ｚは含窒素複素環を構成するのに必要な原子群を表す。ｎは０〜５の整数を表し、Ｒｇ２１は置換基を表し、ｎが２以上の場合、それぞれのＲｇ２１は同じであっても、異なってもよく、お互いに連結して縮合環を形成してもよい。
【００２８】
前記一般式（Ｇ−１）において、Ｒｇ１１、Ｒｇ１２は各々置換または無置換の炭化水素基を表し、これらには芳香族の直鎖基または分岐基が含まれる。また、これらの炭化水素基では、１個以上の窒素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子を含んでも良く、Ｒｇ１１とＲｇ１２が互いに連結し、環状構造を取っても良く、さらにはチオエーテルを多数有する構造を取っても良い。チオエーテルを多数有する構造を取る場合、チオエーテル結合間の連結基は特に限定されないが、芳香環、アルキレン基であることが好ましく、より好ましくはアルキレン基である。この時のアルキレン基としてはプロピレン基、エチレン基であることが好ましく、より好ましくはエチレン基であることであって、言い換えるならばエチレンジチオエーテル構造を分子内に有することがより好ましい。また、この場合のアルキレン基は途中に分岐を有していても良い。
【００２９】
炭化水素基に置換可能な基としては、例えば、アミノ基、グアニジノ基、４級アンモニウム基、ヒドロキシル基、ハロゲン化合物、カルボン酸基、カルボキシレート基、アミド基、スルフィン酸基、スルホン酸基、スルフェート基、ホスホン酸基、ホスフェート基、ニトロ基、シアノ基等を挙げることができる。
【００３０】
以下、一般式（Ｇ−１）で表される化合物の具体例を示すが、本発明ではこれら例示する化合物にのみ限定されるものではない。
【００３１】
Ｇ１−１：ＣＨ３ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＨ
Ｇ１−２：ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＨ
Ｇ１−３：ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＨ
Ｇ１−４：ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＨ
Ｇ１−５：ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＨ
Ｇ１−６：ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ
Ｇ１−７：Ｈ３ＣＳＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ
Ｇ１−８：ＨＯＯＣＣＨ２ＳＣＨ２ＣＯＯＨ
Ｇ１−９：ＨＯＯＣＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ
Ｇ１−１０：ＨＯＯＣＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＯＯＨ
Ｇ１−１１：ＨＯＯＣＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＯＯＨ
Ｇ１−１２：ＨＯＯＣＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ
Ｇ１−１３：ＨＯＯＣＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ
Ｇ１−１４：Ｈ３ＣＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２
Ｇ１−１５：Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２
Ｇ１−１６：Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２
Ｇ１−１７：Ｈ３ＣＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＮＨ２）ＣＯＯＨ
Ｇ１−１８：Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２
Ｇ１−１９：Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２
Ｇ１−２０：Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２
Ｇ１−２１：ＨＯＯＣ（ＮＨ２）ＣＨＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＮＨ２）ＣＯＯＨ
Ｇ１−２２：ＨＯＯＣ（ＮＨ２）ＣＨＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ（ＮＨ２）ＣＯＯＨ
Ｇ１−２３：ＨＯＯＣ（ＮＨ２）ＣＨＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＮＨ２）ＣＯＯＨ
Ｇ１−２４：Ｈ２Ｎ（Ｏ＝）ＣＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２
Ｇ１−２５：Ｈ２Ｎ（Ｏ＝）ＣＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２
Ｇ１−２６：Ｈ２ＮＨＮ（Ｏ＝）ＣＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＮＨ２
Ｇ１−２７：Ｈ３Ｃ（Ｏ＝）ＣＮＨＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣ（Ｏ＝）ＣＨ３
Ｇ１−２８：Ｈ２ＮＯ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＯ２ＮＨ２
Ｇ１−２９：ＮａＯ３ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ
Ｇ１−３０：Ｈ３ＣＳＯ２ＮＨＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨＯ２ＳＣＨ３
Ｇ１−３１：Ｈ２Ｎ（ＮＨ）ＣＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣ（ＮＨ）ＮＨ２・２ＨＢｒ
Ｇ１−３２：Ｈ２Ｎ（ＮＨ）ＣＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣ（ＮＨ）ＮＨ２・２ＨＣｌ
Ｇ１−３３：Ｈ２Ｎ（ＮＨ）ＣＮＨＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣ（ＮＨ）ＮＨ２・２ＨＢｒ
Ｇ１−３４：〔（ＣＨ３）３ＮＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）３〕２＋・２Ｃｌ−
Ｇ１−３５：ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３
Ｇ１−３６：ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３
Ｇ１−３７：ＮＣＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＮ
【００３２】
【化３】
2011039283.tif 000004
【００３３】
【化４】
2011039283.tif 000005
【００３４】
【化５】
2011039283.tif 000006
【００３５】
【化６】
2011039283.tif 000007
【００３６】
上記例示した各化合物の中でも、本発明の目的効果をいかんなく発揮できる観点から、特に例示化合物Ｇ１−３、Ｇ１−３６、Ｇ１−４０、Ｇ１−５９、Ｇ１−６８、Ｇ１−７１、Ｇ１−７４、Ｇ１−７７、Ｇ１−８６が好ましい。
【００３７】
次いで、一般式（Ｇ−２）で表される化合物について説明する。
【００３８】
前記一般式（Ｇ−２）において、Ｍは水素原子、金属原子または４級アンモニウムを表す。Ｚはイミダゾール環類を除く含窒素複素環を表す。ｎは０〜５の整数を表し、Ｒｇ２１は置換基を表し、ｎが２以上の場合、それぞれのＲｇ２１は同じであってもよく、異なってもよく、お互いに連結して縮合環を形成してもよい。
【００３９】
一般式（Ｇ−２）のＭで表される金属原子としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ａｇ等が挙げられ、４級アンモニウムとしては、例えば、ＮＨ４、Ｎ（ＣＨ３）４、Ｎ（Ｃ４Ｈ９）４、Ｎ（ＣＨ３）３Ｃ１２Ｈ２５、Ｎ（ＣＨ３）３Ｃ１６Ｈ３３、Ｎ（ＣＨ３）３ＣＨ２Ｃ６Ｈ５等が挙げられる。
【００４０】
一般式（Ｇ−２）のＺを構成成分とする含窒素複素環としては、例えば、テトラゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、インドール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾセレナゾール環、ナフトオキサゾール環等が挙げられる。
【００４１】
一般式（Ｇ−２）のＲｇ２１で表される置換基としては、特に制限は無いが、例えば下記の様な置換基が挙げられる。
【００４２】
水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）、アルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、ドデシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、トリフルオロメチル、ベンジル等）、アリール基（例えば、フェニル、ナフチル等）、アルキルカルボンアミド基（例えば、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブチロイルアミノ等）、アリールカルボンアミド基（例えば、ベンゾイルアミノ等）、アルキルスルホンアミド基（例えば、メタンスルホニルアミノ基、エタンスルホニルアミノ基等）、アリールスルホンアミド基（例えば、ベンゼンスルホニルアミノ基、トルエンスルホニルアミノ基等）、アルコキシ基、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ、エチルチオ、ブチルチオ等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、トリルチオ基等）、アルキルカルバモイル基（例えばメチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ジブチルカルバモイル、ピペリジルカルバモイル、モルホリルカルバモイル等）、アリールカルバモイル基（例えば、フェニルカルバモイル、メチルフェニルカルバモイル、エチルフェニルカルバモイル、ベンジルフェニルカルバモイル等）、カルバモイル基、アルキルスルファモイル基（例えば、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、エチルスルファモイル、ジエチルスルファモイル、ジブチルスルファモイル、ピペリジルスルファモイル、モルホリルスルファモイル等）、アリールスルファモイル基（例えば、フェニルスルファモイル、メチルフェニルスルファモイル、エチルフェニルスルファモイル、ベンジルフェニルスルファモイル等）、スルファモイル基、シアノ基、アルキルスルホニル基（例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基等）、アリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル、４−クロロフェニルスルホニル、ｐ−トルエンスルホニル等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ブトキシカルボニル等）、アリールオキシカルボニル基（例えばフェノキシカルボニル等）、アルキルカルボニル基（例えば、アセチル、プロピオニル、ブチロイル等）、アリールカルボニル基（例えば、ベンゾイル基、アルキルベンゾイル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチロイルオキシ等）、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基、アミノ基、ヒドロキシ基または複素環基（例えば、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、セレナゾール環、テトラゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チアジン環、トリアジン環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、インドレニン環、ベンズセレナゾール環、ナフトチアゾール環、トリアザインドリジン環、ジアザインドリジン環、テトラアザインドリジン環基等）を挙げられる。これらの置換基はさらに置換基を有するものを含む。
【００４３】
次に、一般式（Ｇ−２）で表される化合物の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらの化合物に限定されるものではない。
【００４４】
【化７】
2011039283.tif 000008
【００４５】
【化８】
2011039283.tif 000009
【００４６】
〔調光素子の基本構成〕
本発明の調光素子においては、調光部には対向する電極が設けられている。一方には、ＩＴＯ電極等の透明電極、他方には透明基材上に線状、格子状又は網目状の金属電極が形成されている。対向する電極の間に、本発明に係る有機溶媒と、上記一般式（１）で表される化合物とメルカプト基もしくはチオエーテルを有する化合物で表される化合物等を含有した電解質層を有し、対向電極間に正負両極性の電圧を印加することにより、透過率を調整することができる。
【００４７】
〔基材〕
本発明で用いることのできる基材としては、透明基材であることが好ましく、このような透明基材としては、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート等）、ポリイミド、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアミド、ナイロン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルフォン、シリコン樹脂、ポリアセタール樹脂、フッ素樹脂、セルロース誘導体、ポリオレフィンなどの高分子のフィルムや板状基材、ガラス基材などが好ましく用いられる。本発明に用いられる透明な基材とは、可視光に対する透過率が少なくとも５０％以上の基材を言う。
【００４８】
〔電極〕
（透明電極）
透明電極としては、透明で電気を通じるものであれば特に制限はない。例えば、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ：インジウム錫酸化物）、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＺＯ：インジウム亜鉛酸化物）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、酸化亜鉛、白金、金、銀、ロジウム、銅、クロム、炭素、アルミニウム、シリコン、アモルファスシリコン、ＢＳＯ（Ｂｉｓｍｕｔｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｉｄｅ）等が挙げられる。また、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリセレノフェニレン等、及びそれらの修飾化合物を単独あるいは混合して用いることができる。
【００４９】
表面抵抗値としては１００Ω／□以下が好ましく、１０Ω／□以下がより好ましい。透明電極の厚みは特に制限はないが、０．１〜２０μｍであるのが一般的である。
【００５０】
（透明多孔質電極）
透明電極の１つの態様として、上記透明電極上にナノ多孔質化構造を有するナノ多孔質電極を設けることができる。このナノ多孔質電極は、調光素子を形成した際に実質的に透明で、エレクトロクロミック色素等の電気活性物質を担持することができる。
【００５１】
本発明で言うナノ多孔質化構造とは、層中にナノメートルサイズの孔が無数に存在し、ナノ多孔質化構造内を電解質中に含まれるイオン種が移動可能な状態のことを言う。
【００５２】
このようなナノ多孔質電極の形成方法としては、ナノ多孔質電極を構成する微粒子を含んだ分散物を、インクジェット法、スクリーン印刷法、ブレード塗布法などで層状に形成した後に、所定の温度で加熱、乾燥、焼成することよって多孔質化する方法や、スパッタ法、ＣＶＤ法、大気圧プラズマ法などで電極層を構成した後に、陽極酸化、光電気化学エッチングすることによってナノ多孔質化する方法などが挙げられる。また、ゾルゲル法や、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００６，１８，２９８０−２９８３に記載された方法でも、形成することができる。
【００５３】
ナノ多孔質電極を構成する微粒子の主成分は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ等の金属やＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ等の金属酸化物やカーボンナノチューブ、グラッシーカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、窒素含有カーボン等の炭素電極から選択することができ、好ましくはＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ等の金属酸化物から選択されることである。
【００５４】
ナノ多孔質電極が透明性を有するためには、平均粒子径が５ｎｍ〜１０μｍ程度の微粒子を用いることが好ましい。微粒子の形状は不定形、針状、球形など任意の形状のものを用いることができる。ナノ多孔質電極の膜厚は０．１〜１０μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．２５〜５μｍの範囲である。
【００５５】
（対向する電極）
対向する電極としては、白金、金、銀、銅、アルミニウム、亜鉛、ニッケル、チタン、ビスマスなどの金属及びそれらの合金等を好ましく用いることができる。
【００５６】
線状、格子状又は網目状の配置パターンには特に制限はない。直線状、メッシュ状、櫛状（フォーク状）、ストライプ状、円形など、求められる性能に応じて適宜形成することが可能である。主となる電極部が複数の部分に分割されている場合には、分割された電極部同士を接続する形で設けてもよい。補助電極は調光素子の視認性を阻害しない形状と頻度で設けることが求められる。
【００５７】
線状、格子状又は網目状の金属電極を形成する方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、フォトリソグラフィ法でパターニングする方法、印刷法やインクジェット法、電解メッキや無電解メッキ、導電性インクのコーティング、銀塩感光材料を用いて露光、現像処理してパターン形成する方法でもよい。
【００５８】
線状、格子状又は網目状の金属電極パターンのライン幅は任意の値で構わないが、導電性を高くするためにはライン幅を太くする必要がある。又、調光することによる繰り返し耐久性を改良する目的で、線状の場合は、隣り合う金属電極の間隔、格子状の場合はそれぞれ向かい合う金属電極の間隔が５５０μｍ以上５０００μｍ以下であり、網目状の場合は、電極によって囲まれた空間面積が０．３０２５ｍｍ２以上２５．０００ｍｍ２以下である。上記の範囲外では、調光することによる繰り返し耐久性が著しく劣ることが確認されている。一方、視認性の観点から線状、格子状又は網目状の金属電極の面積被覆率は３０％以下が好ましく、更に好ましくは１０％以下である。
【００５９】
このように、透過率と導電性の点から補助電極、細線電極のライン幅は０．１μｍ以上、２００μｍ以下が好ましい。隣り合う金属電極の間隔、又はそれぞれ向かい合う金属電極の間隔は５５０μｍ以上２０００μｍ以下が好ましい。電極によって囲まれた空間面積は、０．３０２５ｍｍ２以上４．０００ｍｍ２以下が好ましい。
【００６０】
（電極の形成方法）
透明電極、及び、線状、格子状又は網目状の金属電極を形成するには、公知の方法を用いることができる。例えば、基材上にスパッタリング法等でマスク蒸着する方法や、全面形成した後にフォトリソグラフィ法でパターニングする方法等が挙げられる。また、電解メッキや無電解メッキ、印刷法や、インクジェット法によっても電極形成が可能である。
【００６１】
インクジェット方式を用いて基材上にモノマー重合能を有する触媒層を含む電極パターンを形成した後に、該触媒により重合されて重合後に導電性高分子層になりうるモノマー成分を付与して、モノマー成分を重合し、更に該導電性高分子層の上に銀等の金属メッキを行うことにより金属電極パターンを形成することもでき、フォトレジストやマスクパターンを使用することがないので工程を大幅に簡略化できる。
【００６２】
電極材料を塗布方式で形成する場合には、例えば、ディッピング法、スピナー法、スプレー法、ロールコーター法、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法等の公知の方法を用いることができる。
【００６３】
インクジェット方式の中でも、下記の静電インクジェット方式は高粘度の液体を高精度に連続的に印字することが可能であり、本発明に係る透明電極や金属補助電極の形成に好ましく用いられる。インクの粘度は好ましくは３０ｍＰａ・ｓ以上であり、更に好ましくは１００ｍＰａ・ｓ以上である。
【００６４】
〈静電インクジェット方式〉
本発明の調光素子においては、複合電極の透明電極及び金属補助電極の少なくとも１方が、帯電した液体を吐出する内部直径が３０μｍ以下のノズルを有する液体吐出ヘッドと、前記ノズル内に溶液を供給する供給手段と、前記ノズル内の溶液に吐出電圧を印加する吐出電圧印加手段とを備えた液体吐出装置を用いて形成されることが好ましい態様の１つである。更にノズル内の溶液がノズル先端部から、凸状に盛り上がった状態を形成する凸状メニスカス形成手段を設けた吐出装置を用いて形成されることが好ましい。
【００６５】
また、凸状メニスカス形成手段を駆動する駆動電圧の印加、及び吐出電圧印加手段による吐出電圧の印加を制御する動作制御手段を備え、この動作制御手段は前記吐出電圧印加手段による吐出電圧の印加を行わせつつ液滴の吐出に際して、凸状メニスカス形成手段の駆動電圧の印加を行わせる第一の吐出制御部を有する液体吐出装置を用いることも好ましい。
【００６６】
また、凸状メニスカス形成手段の駆動及び吐出電圧印加手段による電圧印加を制御する動作制御手段を備え、この動作制御手段は、前記凸状メニスカス形成手段による溶液の盛り上げ動作と前記吐出電圧の印加とを同期させて行う、第二の吐出制御部を有することを特徴とする液体吐出装置を用いること、前記動作制御手段は、前記溶液の盛り上げ動作及び吐出電圧の印加の後に、前記ノズル先端部の液面を内側に引き込ませる動作制御を行う、液面安定化制御部を有する液体吐出装置を用いることも好ましい形態である。
【００６７】
このような静電インクジェットを用いて電極パターンを作製することにより、オンデマンド性に優れ、廃棄材料が少なく、寸法精度に優れた電極を得ることができ有利である。
【００６８】
〔電子絶縁層〕
本発明の調光素子においては、電気絶縁層を設けることができる。
【００６９】
本発明に適用可能な電子絶縁層は、イオン電導性、電子絶縁性を合わせて有する層であればよく、例えば、極性基を有する高分子や塩をフィルム状にした固体電解質膜、電子絶縁性の高い多孔質膜とその空隙に電解質を担持する擬固体電解質膜、空隙を有する高分子多孔質膜、含ケイ素化合物の様な比誘電率が低い無機材料の多孔質体、等が挙げられる。
【００７０】
多孔質膜の形成方法としては、燒結法（融着法）（高分子微粒子や無機粒子をバインダ等を添加して部分的に融着させ粒子間に生じた孔を利用する）、抽出法（溶剤に可溶な有機物または無機物類と溶剤に溶解しないバインダ等で構成層を形成した後に、溶剤で有機物または無機物類を溶解させ細孔を得る）、高分子重合体等を加熱や脱気するなどして発泡させる発泡法、良溶媒と貧溶媒を操作して高分子類の混合物を相分離させる相転換法、各種放射線を輻射して細孔を形成させる放射線照射法等の公知の形成方法を用いることができる。
【００７１】
具体的には、特開平１０−３０１８１号、特開２００３−１０７６２６号、特公平７−９５４０３号、特許第２６３５７１５号、同２８４９５２３号、同２９８７４７４号、同３０６６４２６号、同３４６４５１３号、同３４８３６４４号、同３５３５９４２号、同３０６２２０３号の各公報等に記載の電子絶縁層を挙げることができる。
【００７２】
〔電解質組成物〕
（有機溶媒）
本発明に係る電解質は有機溶媒を含有する。有機溶媒としては沸点が１２０〜３００℃の範囲にあることが好ましく、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ブチレンカーボネート、γ−ブチルラクトン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ブチロニトリル、プロピオニトリル、アセトニトリル、アセチルアセトン、４−メチル−２−ペンタノン、２−ブタノール、１−ブタノール、２−プロパノール、１−プロパノール、無水酢酸、酢酸エチル、プロピオン酸エチル、ジメトキシエタン、ジエトキシフラン、テトラヒドロフラン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリクレジルホスフェート、２エチルヘキシルホスフェート、ジオクチルフタレート、ジオクチルセバケート等を挙げることができる。
【００７３】
（イオン性液体）
本発明に係る電解質にはイオン性液体を併用しても良い。イオン性液体は常温溶融塩とも言われ、融点が１００℃以下の塩である。この塩はほぼ同数のカチオンとアニオンから構成されており、分子構造によって融点が室温以下の物質も数多く存在し、これらは溶媒をまったく加えなくても室温で液体状態である。イオン性液体は、強い静電的な相互作用をもっているため蒸気圧がほとんどないことが大きな特徴であり、高温でも蒸発がなく揮発しない。
【００７４】
本発明に用いるイオン性液体としては、一般的に研究・報告されている物質ならばどのようなものでも構わない。特に有機のイオン性液体は、室温を含む幅広い温度領域で液体を示す分子構造がある。
【００７５】
本発明で用いるイオン性液体とは、式Ｑ＋Ａ−で表され、２０〜１００℃、好ましくは２０〜８０℃、より好ましくは２０〜６０℃、更に好ましくは２０〜４０℃、特に２０℃で液体として存在する塩のことを指し、粘度（２５℃）は、常温で融体である限り特に制限されないが、好ましくは１〜２００ｍＰａ・ｓである。更に、式中Ｑ＋で表されるカチオン成分はオニウムカチオンが好ましく、更に好ましくはアンモニウムカチオン、イミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン、スルホニウムカチオン及びホスホニウムカチオンである。
【００７６】
上述のイオン性液体について具体的に詳述すると、上式中のＱ＋としては、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋、Ｒ１Ｒ２Ｎ＋＝ＣＲ３Ｒ４、Ｒ１Ｒ２Ｐ＋＝ＣＲ３Ｒ４［ここで、Ｒ１からＲ４は互いに独立して、水素、飽和または不飽和の炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基または炭素数７〜１１のアラルキル基、Ｒ５−Ｘ−（Ｒ６−Ｙ−）ｎ−（式中、Ｒ５は炭素数４以下のアルキル基、Ｒ６は炭素数４以下のアルキレン基、Ｘ及びＹは酸素原子または硫黄原子、ｎは０〜１０の整数を示す）を表し、これらの基は置換基を有していてもよい］から成る群から選択されるアンモニウム及び／またはホスホニウムイオン、Ｒ１Ｒ２Ｎ＋＝ＣＲ３−Ｒ７−Ｒ３Ｃ＝Ｎ＋Ｒ１Ｒ２、Ｒ１Ｒ２Ｓ＋−Ｒ７−Ｓ＋Ｒ１Ｒ２、Ｒ１Ｒ２Ｐ＋＝ＣＲ３−Ｒ７−Ｒ３Ｃ＝Ｐ＋Ｒ１Ｒ２（ここで、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、前記で定義したものと同じであり、そしてＲ７は、炭素数１〜６のアルキレンまたはフェニレン基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい）からなる群から選択される第四級アンモニウム及び／またはホスホニウムイオン、更には下記一般式で表される窒素、硫黄及び燐原子から選ばれる原子を１、２または３個含む窒素、硫黄及び燐原子含有複素環から誘導されるアンモニウムイオン、スルホニウムイオンまたはホスホニウムイオンなどを挙げることができる。
【００７７】
【化９】
2011039283.tif 000010
【００７８】
式中、Ｒ１及びＲ２はこの上で定義した通りであり、ＺはＮ＋、Ｎ＋＝Ｃ、Ｓ＋、Ｐ＋あるいはＰ＋＝Ｃを含む４〜１０員環を構成しうる原子を指し、この構成する原子には置換基を有していてもよい。
【００７９】
上述の中で、Ｒ１からＲ４の具体的な例はとしては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシルなどの直鎖または分枝を有するアルキル基、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルなどのシクロアルキル基、無置換あるいはハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、水酸基、低級アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ）、カルボキシル基、アセチル基、プロパノイル基、チオール基、低級アルキルチオ基（メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ）、アミノ基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基などの置換基を１〜３個有するフェニル、ナフチル、トルイル、キシリル等のアリール基、ベンジルなどのアラルキル基などを挙げることができる。
【００８０】
また、Ｒ５の具体的な例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル基などのアルキル基などが挙げられ、Ｒ６としてはメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン基などのアルキレン基などを挙げることができる。更にＲ７の具体的な例はとしては、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレンなどのアルキレン基、フェニレンなどのフェニレン基などを挙げることができる。
【００８１】
また、式中のＡ−で表される対アニオンとしては、ヘキサフルオロリン酸塩、ヘキサフルオロアンチモン酸塩、ヘキサフルオロヒ酸塩、フルオロスルホン酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、硝酸塩、アルキルスルホン酸塩、フッ化アルキルスルホン酸塩または水素硫酸塩を表す。
【００８２】
更に、国際公開第９５／１８４５６号パンフレット、特開平８−２５９５４３号公報、特開２００１−２４３９９５号公報、電気化学第６５巻１１号９２３頁（１９９７年）、ＥＰ−７１８２８８号、Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１４３，Ｎｏ．１０，３０９９（１９９６）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９６，３５，１１６８〜１１７８等に記載されているピリジニウム塩、イミダゾリウム塩、トリアゾリウム塩なども本発明に応じては適時選択して用いることができる。
【００８３】
（金属塩化合物）
本発明においては、一般式（１）で表される銀塩化合物の他にも金属塩化合物を用いることができる。これらは銀の溶解・析出反応を妨げないものであれば、如何なる化合物であってもよい。好ましい金属種は、ビスマス、銅、ニッケル、鉄、クロム、亜鉛、錫、パラジウム、イリジウム、ルテニウム等である。
【００８４】
本発明の調光素子において、電解質組成物に含まれる金属イオン濃度は、０．０１モル／ｋｇ≦［Ｍｅｔａｌ］≦２．０モル／ｋｇが好ましい。金属イオン濃度が０．０１モル／ｋｇ以上であれば、十分な濃度の銀溶液となり十分な銀析出濃度を得ることができ、２．０モル／ｋｇ以下であれば過飽和による析出を防止し、低温保存時での電解質の安定性が向上する。
【００８５】
（ハロゲンイオン、金属イオン濃度比）
本発明の調光素子においては、電解質に含まれるハロゲンイオンまたはハロゲン原子のモル濃度を［Ｘ］（モル／ｋｇ）とし、前記電解質に含まれる銀または銀を化学構造中に含む化合物の銀の総モル濃度を［Ｍｅｔａｌ］（モル／ｋｇ）としたとき、下式（１）で規定する条件を満たすことが好ましい。
【００８６】
式（１）：０≦［Ｘ］／［Ｍｅｔａｌ］≦０．１
本発明で言うハロゲン原子とは、ヨウ素原子、塩素原子、臭素原子、フッ素原子のことを言う。［Ｘ］／［Ｍｅｔａｌ］が０．１よりも大きい場合は、金属の酸化還元反応時に、Ｘ−→Ｘ２が生じ、Ｘ２は析出した金属と容易にクロス酸化して析出した金属を溶解させ、メモリー性を低下させる要因の１つになるので、ハロゲン原子のモル濃度は金属銀のモル濃度に対してできるだけ低い方が好ましい。本発明においては、０≦［Ｘ］／［Ｍｅｔａｌ］≦０．００１がより好ましい。ハロゲンイオンを添加する場合、ハロゲン種については、メモリー性向上の観点から、各ハロゲン種モル濃度総和が［Ｉ］＜［Ｂｒ］＜［Ｃｌ］＜［Ｆ］であることが好ましく、ハロゲン種総モル濃度は０≦［Ｘ］≦０．１であることが好ましく、より好ましくは０≦［Ｘ］≦０．０１であって、更に好ましくは０≦［Ｘ］≦０．００１である。
【００８７】
本発明に係る電解質組成物には、更に下記のような成分を併用してもよい。
【００８８】
（エレクトロクロミック化合物）
本発明の調光素子においては、必要に応じて種々のエレクトロクロミック化合物を併用することが出来る。
【００８９】
エレクトロクロミック化合物とは、電気化学的な酸化反応及び還元反応の少なくとも一方により発色または消色する作用をもつエレクトロクミック材料を含む。
【００９０】
本発明の「電気化学的な還元または酸化によって着色と消色をする材料」とは、電気化学的な酸化反応及び還元反応の少なくとも一方により発色または消色する機能（作用）をもつエレクトロクミック（以下において、適宜「ＥＣ」と略す。）化合物乃至それを含む材料を言う。
【００９１】
本発明で用いることの出来るエレクトロクロミック化合物（ＥＣ化合物）としては、電気化学的な酸化反応及び還元反応の少なくとも一方により発色または消色する機能（作用）を示す限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００９２】
例えば、ＥＣ化合物として、酸化タングステン、酸化イリジウム、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化チタン、酸化インジウム、酸化クロム、酸化マンガン、プルシアンブルー、窒化インジウム、窒化錫、窒化塩化ジルコニウム等の無機化合物に加え、有機金属錯体、導電性高分子化合物及び有機色素が従来知られている。
【００９３】
エレクトロクロミック（ＥＣ）特性を示す有機金属錯体としては、例えば、金属−ビピリジル錯体、金属フェナントロリン錯体、金属−フタロシアニン錯体、希土類ジフタロシアニン錯体、フェロセン系色素などが挙げられる。
【００９４】
ＥＣ特性を示す導電性高分子化合物としては、例えば、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリイソチアナフテン、ポリアニリン、ポリフェニレンジアミン、ポリベンジジン、ポリアミノフェノール、ポリビニルカルバゾール、ポリカルバゾール及びこれらの誘導体などが挙げられる。
【００９５】
また、例えば、特開２００７−１１２９５７号公報に記載されているような、ビスターピリジン誘導体と金属イオンからなる高分子材料もＥＣ特性を示す。
【００９６】
ＥＣ特性を示す有機色素としては、ビオロゲン等ピリジニウム系化合物、フェノチアジン等アジン系色素、スチリル系色素、アントラキノン系色素、ピラゾリン系色素、フルオラン系色素、ドナー／アクセプター型化合物類（例えば、テトラシアノキノジメタン、テトラチアフルバレン）等が挙げられる。その他、酸化還元指示薬、ｐＨ指示薬として知られている化合物を用いることもできる。
【００９７】
〈色調によるＥＣ化合物の分類〉
本発明で用いることの出来るエレクトロクロミック（ＥＣ）化合物を、色調変化の点で分類すると、下記３つのクラスに分けられる。
【００９８】
クラス１：酸化還元によりある特定の色から別の色に変化するＥＣ化合物
クラス２：酸化状態で実質無色であり、還元状態である特定の着色状態を示すＥＣ化合物
クラス３：還元状態で実質無色であり、酸化状態である特定の着色状態を示すＥＣ化合物。
【００９９】
本発明の調光素子においては、目的、用途により上記クラス１からクラス３のＥＣ化合物を適宜選択することができる。
【０１００】
［クラス１のＥＣ化合物］
クラス１のＥＣ化合物は、酸化還元によりある特定の色から別の色に変化するＥＣ化合物であり、その取り得る酸化状態において、二色以上の表示が可能な化合物である。
【０１０１】
クラス１に分類される化合物としては、例えば、Ｖ２Ｏ５は酸化状態から還元状態へ変化することで橙色から緑色に変化し、同様にＲｈ２Ｏ３は黄色から暗緑色に変化する。
【０１０２】
有機金属錯体の多くはクラス１に分類され、ルテニウム（II）ビピリジン錯体、例えば、トリス（５，５′−ジカルボキシルエチル−２，２′−ビピリジン）ルテニウム錯体は＋２〜−４価の間で、順にオレンジ色から紫、青、緑青色、褐色、赤錆色、赤へと変化する。希土類ジフタロシアニン類の多くも、このようなマルチカラー特性を示す。例えば、ルテチウムジフタロシアニンの場合、酸化に従い順次、紫色から青、緑、赤橙色へと変化する。
【０１０３】
また、導電性ポリマーもその多くはクラス１に分類される。例えば、ポリチオフェンは酸化状態から還元状態へ変化することで青から赤へと変化し、ポリピロールは褐色から黄色へと変化する。また、ポリアニリン等では、マルチカラー特性を示し酸化状態の紺色から順に青色、緑色、淡黄色へと変化する。
【０１０４】
クラス１に分類されるＥＣ化合物は、単一の化合物で多色表示が可能であると言うメリットを有するが、反面実質無色と言える状態を作れないと言う欠点を有する。
【０１０５】
［クラス２のＥＣ化合物］
クラス２のＥＣ化合物は、酸化状態で無色乃至は極淡色であり、還元状態である特定の着色状態を示す化合物である。
【０１０６】
クラス２に分類される無機化合物としては下記化合物が挙げられ、各々還元状態でカッコ内に示した色を示す。ＷＯ３（青）、ＭｎＯ３（青）、Ｎｂ２Ｏ５（青）、ＴｉＯ２（青）等。
【０１０７】
クラス２に分類される有機金属錯体としては、例えば、トリス（バソフェナントロリン）鉄（II）錯体が挙げられ、還元状態で赤色を示す。
【０１０８】
クラス２に分類される有機色素としては、特開昭６２−７１９３４号、特開２００６−７１７６５号の各公報に記載されている化合物、例えば、テレフタル酸ジメチル（赤）、４，４′−ビフェニルカルボン酸ジエチル（黄色）、１，４−ジアセチルベンゼン（シアン）、あるいは特開平１−２３００２６号、特表２０００−５０４７６４号の各公報に記載されているテトラゾリウム塩化合物等が挙げられる。
【０１０９】
クラス２に分類される色素として、最も代表的な色素はビオロゲン等ピリジニウム系化合物である。ビオロゲン系化合物は表示が鮮明であること、置換基を変えることなどにより色のバリエーションを持たせることが可能であることなどの長所を有しているため、有機色素の中では最も盛んに研究されている。発色は、還元で生じた有機ラジカルに基づく。
【０１１０】
ビオロゲン等ピリジニウム系化合物としては、例えば、特表２０００−５０６６２９号公報を初めとして下記特許文献に記載されている化合物が挙げられる。
【０１１１】
特開平５−７０４５５号、特開平５−１７０７３８号、特開２０００−２３５１９８号、特開２００１−１１４７６９号、特開２００１−１７２２９３号、特開２００１−１８１２９２号、特開２００１−１８１２９３号、特表２００１−５１０５９０号、特開２００４−１０１７２９号、特開２００６−１５４６８３号、特表２００６−５１９２２２号、特開２００７−３１７０８号、特開２００７−１７１７８１号、特開２００７−２１９２７１号、特開２００７−２１９２７２号、特開２００７−２７９６５９号、特開２００７−２７９５７０号、特開２００７−２７９５７１号、特開２００７−２７９５７２号の各公報等。
【０１１２】
［クラス３のＥＣ化合物］
クラス３のＥＣ化合物は還元状態で無色乃至は極淡色であり、酸化状態である特定の着色状態を示す化合物である。
【０１１３】
クラス３に分類される無機化合物としては、例えば、酸化イリジウム（暗青色）、プルシアンブルー（青）等が挙げられる（各々酸化状態でカッコ内に示した色を示す）。
【０１１４】
クラス３に分類される導電性ポリマーとしての例は少ないが、例えば、特開平６−２６３８４６号公報に記載のフェニルエーテル系化合物が挙げられる。
【０１１５】
クラス３に分類される色素としては多数の色素が知られているが、スチリル系色素、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、アクリジン等のアジン系色素、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール等のアゾール系色素等が好ましい。
【０１１６】
（支持電解質）
本発明において用いられる支持電解質としては、電気化学の分野または電池の分野で通常使用される塩類、酸類、アルカリ類が使用できる。塩類としては特に制限はなく、例えば、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩等の無機イオン塩；４級アンモニウム塩；環状４級アンモニウム塩；４級ホスホニウム塩などが使用できる。
【０１１７】
塩類の具体例としては、ＳＣＮ−、ＣｌＯ４−、ＢＦ４−、ＣＦ３ＳＯ３−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、ＰＦ６−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＣＨ３（Ｃ６Ｈ４）ＳＯ３−、及び（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）３Ｃ−から選ばれる対アニオンを有するＬｉ塩、Ｎａ塩、あるいはＫ塩が挙げられる。
【０１１８】
また、ＳＣＮ−、ＣｌＯ４−、ＢＦ４−、ＣＦ３ＳＯ３−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、ＰＦ６−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＣＨ３（Ｃ６Ｈ４）ＳＯ３−、及び（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）３Ｃ−から選ばれる対アニオンを有する４級アンモニウム塩、具体的には、（ＣＨ３）４ＮＢＦ４、（Ｃ２Ｈ５）４ＮＦ４、（ｎ−Ｃ４Ｈ９）４ＮＢＦ４、（Ｃ２Ｈ５）４ＮＢｒ、（Ｃ２Ｈ５）４ＮＣｌＯ４、（ｎ−Ｃ４Ｈ９）４ＮＣｌＯ４、ＣＨ３（Ｃ２Ｈ５）３ＮＢＦ４、（ＣＨ３）２（Ｃ２Ｈ５）２ＮＢＦ４、（ＣＨ３）４ＮＳＯ３ＣＦ３、（Ｃ２Ｈ５）４ＮＳＯ３ＣＦ３、（ｎ−Ｃ４Ｈ９）４ＮＳＯ３ＣＦ３、更には、
【０１１９】
【化１０】
2011039283.tif 000011
【０１２０】
等が挙げられる。
【０１２１】
また、ＳＣＮ−、ＣｌＯ４−、ＢＦ４−、ＣＦ３ＳＯ３−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、ＰＦ６−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＣＨ３（Ｃ６Ｈ４）ＳＯ３−、及び（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）３Ｃ−から選ばれる対アニオンを有するホスホニウム塩、具体的には、（ＣＨ３）４ＰＢＦ４、（Ｃ２Ｈ５）４ＰＢＦ４、（Ｃ３Ｈ７）４ＰＢＦ４、（Ｃ４Ｈ９）４ＰＢＦ４等が挙げられる。また、これらの混合物も好適に用いることができる。
【０１２２】
本発明に係る支持電解質としては４級アンモニウム塩あるいはＬｉが好ましく、Ｌｉ塩が好ましい。
【０１２３】
電解質塩の使用量は任意であるが、一般的には、電解質塩は溶媒中に上限としては２０Ｍ以下、好ましくは１０Ｍ以下、更に好ましくは５Ｍ以下存在していることが望ましく、下限としては通常０．０１Ｍ以上、好ましくは０．０５Ｍ以上、更に好ましくは０．１Ｍ以上存在していることが望ましい。
【０１２４】
固体電解質の場合には、電子伝導性やイオン伝導性を示す以下の化合物を電解質中に含むことができる。パーフルオロスルフォン酸を含むフッ化ビニル系高分子、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、トリフェニルアミン類、ポリビニルカルバゾール類、ポリメチルフェニルシラン類、Ｃｕ２Ｓ、Ａｇ２Ｓ、Ｃｕ２Ｓｅ、ＡｇＣｒＳｅ２等のカルコゲニド、ＣａＦ２、ＰｂＦ２、ＳｒＦ２、ＬａＦ３、ＴｌＳｎ２Ｆ５、ＣｅＦ３等の含Ｆ化合物、Ｌｉ２ＳＯ４、Ｌｉ４ＳｉＯ４、Ｌｉ３ＰＯ４等のＬｉ塩、ＺｒＯ２、ＣａＯ、Ｃｄ２Ｏ３、ＨｆＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＡｇＢｒ、ＡｇＩ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＬｉＩ、ＬｉＢｒ、ＬｉＣｌ、ＬｉＡｌＣｌ４、ＬｉＡｌＦ４、ＡｇＳＢｒ、Ｃ５Ｈ５ＮＨＡｇ５Ｉ６、Ｒｂ４Ｃｕ１６Ｉ７Ｃｌ１３、Ｒｂ３Ｃｕ７Ｃｌ１０、ＬｉＮ、Ｌｉ５ＮＩ２、Ｌｉ６ＮＢｒ３等の化合物が挙げられる。
【０１２５】
（酸化還元されうる補助化合物（プロモーター））
本発明の調光素子においては、金属塩化合物（特に銀塩）の溶解析出を促進する目的、酸化還元されうる補助化合物（以下、プロモーターと記す）を添加してもよい。プロモーターは酸化還元反応の結果として、可視領域（４００〜７００ｎｍ）の光学濃度が変化しないものでもよいし、変化するもの、即ち前記ＥＣ化合物であってもよく、電極上に固定化されていてもよく、電解質中に添加されていてもよいが、少なくとも１種のプロモーターが対向電極上に固定化されていることが好ましい。
【０１２６】
本発明に用いることができる好ましいプロモーターとしては、例えば、以下のような化合物が挙げられる。
【０１２７】
１）ＴＥＭＰＯ等に代表されるＮ−オキシル誘導体、Ｎ−ヒドロキシフタルイミド誘導体、ヒドロキサム酸誘導体等、Ｎ−Ｏ結合を有する化合物
２）ガルビノキシル等、ｏ−位に嵩高い置換基を導入したアリロキシ遊離基を有する化合物
３）フェロセン等、メタロセン誘導体
４）ベンジル（ジフェニルエタンジオン）誘導体
５）テトラゾリウム塩／ホルマザン誘導体
６）フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、アクリジン等のアジン系化合物
７）ビオロゲン等ピリジニウム化合物。
【０１２８】
その他、ベンゾキノン誘導体、ベルダジル等ヒドラジル遊離基化合物、チアジル遊離基化合物、ヒドラゾン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、トリアリルアミン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、チアントレン誘導体等もプロモーターとして用いることができる。
【０１２９】
本発明の調光素子においては、上記１）及び３）の範疇のプロモーターが好ましく、特にフェロセン誘導体が好ましい。
【０１３０】
なお、上記プロモーターが対向電極上に固定化されるためには、−ＣＯ２Ｈ、−Ｐ＝Ｏ（ＯＨ）２、−ＯＰ＝Ｏ（ＯＨ）２、−ＳＯ３Ｈまたは−Ｓｉ（ＯＲ）３（Ｒは、アルキル基を表す。）などを有することが好ましく、最も好ましくは−Ｓｉ（ＯＲ）３である。これらの基は電極上の水酸基等と化学結合あるいは電極に物理吸着し、固定化される。
【０１３１】
（固体電解質、ゲル電解質）
本発明に係る電解質組成物は、溶媒やイオン性液体からなる溶液状の電解質以外にも、実質的に溶媒を含まない固体電解質や高分子化合物を含有した高粘度な電解質やゲル状の電解質（以下、ゲル電解質）を用いることができる。
【０１３２】
本発明に適用可能な固体電解質、ゲル電解質としては、例えば、特開２００２−３４１３８７号公報に記載の固体電解質、特開２００２−３４１３８７号公報に記載のポリマー固体電解質、特開２００４−２０９２８号公報に記載の高分子固体電解質、特開２００４−１９１９４５号公報に記載の高分子固体電解質、特開２００５−３３８２０４号公報に記載の固体高分子電解質、特開２００６−３２３０２２号公報に記載の高分子固体電解質、特開２００７−１４１６５８号公報に記載の固体電解質、特開２００７−１６３８６５号公報に記載の固体電解質、ゲル電解質等を挙げることができる。
【０１３３】
（電解質添加の増粘剤）
本発明の調光素子においては、電解液に増粘剤を使用することができ、例えば、ゼラチン、アラビアゴム、ポリ（ビニルアルコール）、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリ（ビニルピロリドン）、ポリ（アルキレングリコール）、カゼイン、デンプン、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メチルメタクリル酸）、ポリ（塩化ビニル）、ポリ（メタクリル酸）、コポリ（スチレン−無水マレイン酸）、コポリ（スチレン−アクリロニトリル）、コポリ（スチレン−ブタジエン）、ポリ（ビニルアセタール）類（例えば、ポリ（ビニルホルマール）及びポリ（ビニルブチラール））、ポリ（エステル）類、ポリ（ウレタン）類、フェノキシ樹脂、ポリ（塩化ビニリデン）、ポリ（エポキシド）類、ポリ（カーボネート）類、ポリ（ビニルアセテート）、セルロースエステル類、ポリ（アミド）類、疎水性透明バインダとして、ポリビニルブチラール、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリル酸、ポリウレタン等が挙げられる。
【０１３４】
これらの増粘剤は２種以上を併用して用いてもよい。また、特開昭６４−１３５４６号公報の７１〜７５頁に記載の化合物を挙げることができる。これらの中で好ましく用いられる化合物は、各種添加剤との相溶性と白色粒子の分散安定性向上の観点から、ポリビニルアルコール類、ポリビニルピロリドン類、ヒドロキシプロピルセルロース類、ポリアルキレングリコール類、ポリビニルアセタール類である。
【０１３５】
本発明の調光素子において、増粘剤として好ましいのは平均重合度１００〜１００００００のポリエチレングリコールであり、電解質の全質量に対して質量比で５〜５０％の範囲で添加するのが好ましい。
【０１３６】
〔調光素子のその他の構成要素〕
本発明の調光素子には、必要に応じてシール剤、柱状構造物、スペーサー粒子を用いることができる。
【０１３７】
シール剤は外に漏れないように封入するためのものであり封止剤とも呼ばれ、エポキシ樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、エン−チオール系樹脂、シリコン系樹脂、変性ポリマー樹脂等の、熱硬化型、光硬化型、湿気硬化型、嫌気硬化型等の硬化タイプを用いることができる。
【０１３８】
柱状構造物は基材間の強い自己保持性（強度）を付与し、例えば、格子配列等の所定のパターンに一定の間隔で配列された、円柱状体、四角柱状体、楕円柱状体、台形柱状体等の柱状構造物を挙げることができる。また、所定間隔で配置されたストライプ状のものでもよい。この柱状構造物はランダムな配列ではなく、等間隔な配列、間隔が徐々に変化する配列、所定の配置パターンが一定の周期で繰り返される配列等、基材の間隔を適切に保持できることが好ましい。柱状構造物は表示素子の表示領域に占める面積の割合が１〜４０％であれば、調光素子として実用上十分な強度が得られる。
【０１３９】
１対の基材間には、該基材間のギャップを均一に保持するためのスペーサーが設けられていてもよい。このスペーサーとしては、樹脂製または無機酸化物製の球体を例示できる。また、表面に熱可塑性の樹脂がコーティングしてある固着スペーサーも好適に用いられる。基材間のギャップを均一に保持するために柱状構造物のみを設けてもよいが、スペーサー及び柱状構造物をいずれも設けてもよいし、柱状構造物に代えて、スペーサーのみをスペース保持部材として使用してもよい。スペーサーの直径は柱状構造物を形成する場合は、その高さ以下、好ましくは当該高さに等しい。柱状構造物を形成しない場合は、スペーサーの直径がセルギャップの厚みに相当する。
【０１４０】
〔紫外線反射層〕
本発明の紫外線反射層は、基材の熱線入射側に複数の異なる屈折率を有する材料から構成される。該紫外線反射層は屈折率の異なる材料から成る層を交互に積層して、紫外線を反射できるように光学設計された積層体が代表的な構成であるが、積層体に限られるものではない。屈折率の異なる材料が均一又は主成分の割合を膜厚方向に傾斜させた場合でも、紫外線反射効果が発揮できる。屈折率の異なる複数の材料の混合割合を膜厚方向で傾斜させて紫外線を反射できるようにしてもよい。また、紫外線反射層は、本発明の水蒸気バリア層と別に設けてもよいが、両者を兼ねることも可能である。
【０１４１】
本発明の紫外線反射層は、透明な誘電体材料（屈折率：ｎ）を、地球上に到達する紫外線の波長：２９０ｎｍ〜４００ｎｍ範囲内の特定の波長λに対して、例えばλ／２ｎ（ｎｍ）の厚さでコーティングすることにより、波長λの近傍の紫外光に対して、コーティング層の上下の界面からの反射光の位相を揃えることで、反射率を高めたものなどをいう。例えば、高屈折率膜と低屈折率膜の屈折率の異なる誘電体材料の膜を交互に多層コーティングすることで、反射率を上げたり、反射波長域を広げたりすることができる。例えば、一例として、透明フィルム上に高屈折率膜（酸化チタン（ＴｉＯ２）：ｎ＝２．１０、厚み３５ｎｍ）、低屈折率膜（酸化珪素（ＳｉＯ２）、ｎ＝１．４６、厚み５５ｎｍ）を順次設けた１５層（合計膜厚：６８５ｎｍ）の紫外線反射膜は、特に樹脂基材に悪影響を及ぼす３００〜３６０ｎｍの紫外線の９５％程度を反射する。そのような紫外線反射層を設けることで、基材を透過する紫外線をカットすることができる。
【０１４２】
前記紫外線反射層の誘電体材料としては、金属酸化物、窒酸化物、窒化物を主成分とする材料を好適に使用できる。屈折率１．８〜２．４の高屈折率膜としては、少なくとも亜鉛、チタン、錫、インジウム、ニオブ、珪素またはアルミニウムを含む酸化物、窒酸化物、窒化物を主成分とする少なくとも１層以上からなることが好ましい。また、屈折率１．４〜１．８の低屈折率膜は、少なくともＳｉまたはＡｌを含む酸化物、窒酸化物、窒化物を主成分とし、特に、酸化珪素から構成されることが好ましい。その誘電体材料の形成方法としては気相成長法が好ましく、さらに真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、触媒化学気相成長（Ｃａｔ−ＣＶＤ）法、またはプラズマＣＶＤ法が好ましい。特に、大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガス及び放電ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスを励起し、樹脂基材を励起したガスに晒すことにより、該樹脂基材上に薄膜を形成する薄膜形成方法により形成される、所謂大気圧プラズマＣＶＤ法により形成される膜が低残留応力であり好ましい。低屈折率膜には、カルシウム、バリウム、リチウム、マグネシウムのフッ化物を主成分とする材料も用いる事ができる。また、本発明において、屈折率の異なる層のうち、少なくとも１層は主成分の割合を膜厚方向に傾斜させた構成とすることができる。
【０１４３】
前記紫外線反射層は、基材の十分な紫外線遮蔽性を得るために、屈折率１．４〜１．８の厚み５〜１０００ｎｍの低屈折率層、及び屈折率１．８〜２．４の厚み５〜４００ｎｍの高屈折率膜層を交互に、少なくとも３層以上積層されていることが好ましく、更に好ましくは、５層以上、特に好ましくは７層以上である。
【０１４４】
〔熱線遮断層〕
本発明の熱線遮断層は、金、銀、銅、アルミニウムの単体もしくはこれらの合金からなる０．１ｎｍ以上、３０ｎｍ未満の金属層を少なくとも１層以上含む熱線遮断層である。本発明の熱線遮断層のうち、金属層を構成する金属としては、金、銀、銅、アルミニウム等の金属が好ましく挙げられる。これらの中、可視光線の吸収がほとんど無い金属銀が特に好ましい。また、前記金属は必要に応じて２種以上を用いた合金として用いてもよい。本発明の金属層の厚みは、本発明の調光素子の第１の基体において、積層の波長４００〜７５０ｎｍにおける積分可視光透過率（この波長領域での可視光線透過率の平均値）が５５％以上、及び波長５〜３０μｍの積分赤外線反射率（この波長領域での赤外線反射率の平均値）が７５％以上を満足するように定めるのが好ましい。更に具体的には、金属層の１層での厚みは５〜１０００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。この厚みが５ｎｍ未満であると、十分な熱線反射効果が発揮されず、赤外線透過率が高くなり、他方１０００ｎｍを超えると、可視光反射率が増加し、防眩性が悪くなるので好ましくない。
【０１４５】
本発明の金属層の形成方法としては気相成長法が好ましく、更に真空蒸着法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法が好ましい。
【０１４６】
本発明の熱線遮断層は、少なくとも１層以上の金属層及び少なくとも１層以上の高屈折率セラミック層からなる構成層であってもよい。高屈折率セラミック層は少なくとも亜鉛、チタン、錫、インジウム、ニオブ、珪素またはアルミニウムを含む酸化物、窒酸化物、窒化物を主成分とする少なくとも１層以上からなる構成層である。設計計算による本発明の熱線遮断層に用いる金属層及び高屈折率セラミック層を不規則に配置したサンドイッチ状に挟む積層構造をとることにより、可視光が低反射で透明性の改良効果が増すためより好ましい。好ましい層の配置は金属層の両側に高屈折率セラミック層を設けたサンドイッチ構造である。また金属層と高屈折率セラミック層を設けた２層構造の如く複数の金属層と複数の高屈折率セラミック層を交互に積層した３〜１０の積層構造をとることが好ましく、好ましい層数は３〜７である。
【０１４７】
また、前記熱線遮断層は、第１の酸化物層、第１の金属層、第２の酸化物層、第２の金属層、第３の酸化物層からなるファブリーペロ干渉フィルターであってもよい。ファブリーペロ干渉フィルター中の金属層は主として銀であって、５０％未満の金または銅合金であるかまたはクラッド層であって、化学的及び光耐久性を付与している。酸化物層にはインジウム酸化物が好ましいが、酸化物の屈折率が１．８以上で可視光線吸収レベルが１０％未満の透明誘電層の場合には、酸化亜鉛、酸化錫、酸化チタン、酸化ニオブなどの他の酸化物であってもよい。適当に透明でかつ屈折率が１．８より大きいならば、窒化物や弗化物なども使用できる。ファブリーペロフィルター製造のより詳細な設計、挙動及び手法などは米国特許第４７９９７４５号明細書に記載されている。
【０１４８】
本発明の熱線遮断層のうち、高屈折率セラミック層は、少なくとも亜鉛、チタン、錫、インジウム、ニオブ、珪素またはアルミニウムを含む酸化物、窒化酸化物、窒化物を主成分とする少なくとも１層以上からなり、例えば、アルキルチタネート等の加水分解により得られる、有機化合物由来の酸化チタンが加工性に優れるため好ましい。加えて、酸化亜鉛、酸化インジウムや酸化錫も単一層または多層にて適用できる。
【０１４９】
高屈折率セラミック層の屈折率が、１．８以上２．４未満の層である。高屈折率セラミック層の厚みは、熱線遮断層の光学特性を満足するように積層される前述の金属層と併せて設定することが好ましい。高屈折率セラミック層の一層での厚みは２〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。
【０１５０】
高屈折率セラミック層の形成方法としては気相成長法が好ましく、更に真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、Ｃａｔ−ＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。また、後述する大気圧プラズマＣＶＤ法を用いて形成してもよい。
【０１５１】
本発明の調光素子は、少なくとも一方の面に熱線遮断層を積層してなる構成層を持ち、例えば透明な樹脂フィルムに積層した場合、可視光線反射率が５％以下、赤外線反射率が７５％以上であることが達成される。
【０１５２】
本発明における熱線遮断層は、高耐久性を得るために高屈折率層に加えて低屈折率層を有することが好ましい。屈折率を１．８未満にすることで、可視光透過率及び赤外線反射率に殆ど影響を及ぼさずに、耐久性やハンドリング性を向上させるために、低屈折率層の層設計を比較的自由に行うことができる。また、屈折率が１．３未満になると膜が緻密でなくなり、耐久性の向上が望めない。
【０１５３】
〔水蒸気バリア層〕
本発明の調光素子は、上記熱線遮断層の熱線入射側に水蒸気バリア層を設置することにより本発明の効果が向上する。
【０１５４】
水蒸気バリア層（以下、低屈折率セラミック層ともいう）は、少なくとも珪素またはアルミニウムを含む酸化物、窒酸化物、窒化物を主成分とし、屈折率が１．４以上１．８未満であるセラミック構成層であり、特に酸化珪素から構成されることが好ましい。本発明の紫外線反射層に用いる低屈折率層と同一で兼ねてもよい。また、水蒸気バリア層に紫外線を遮断するための光安定剤を含有させてもよい。本発明の水蒸気バリア層（低屈折率セラミック層）を形成する構成素材が均一又は主成分の割合を膜厚方向に傾斜させた状態、または積層体であっても水蒸気バリア効果が発揮できる。
【０１５５】
本発明に係る低屈折率セラミック層の形成方法としては気相成長法が好ましく、更に真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、触媒化学気相成長（Ｃａｔ−ＣＶＤ）法、またはプラズマＣＶＤ法が好ましい。特に大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガス及び放電ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスを励起し、樹脂基材を励起したガスに晒すことにより、該樹脂基材上に薄膜が形成される、所謂大気圧プラズマＣＶＤ法により形成される膜は、低残留応力であり好ましい。また、大気圧プラズマＣＶＤ法において形成される低屈折率セラミック層は、炭素含有量０．１ａｔ％未満である酸化珪素膜と炭素含有量が１〜４０ａｔ％である酸化珪素膜を少なくともそれぞれ１層以上ずつ含むことが好ましい。これらの炭素含有量の異なる膜を積層し構成したセラミック層は水分またガス透過率が低い（ガスバリア性の）比較的柔軟性に富んだ低屈折率の膜となり好ましい。例えばこれらの層を交互に２〜５層積層した構成が好ましい。
【０１５６】
本発明に係る低屈折セラミック層の水蒸気透過率としては、ＪＩＳ  Ｋ７１２９：１９９２  Ｂ法に従って測定（ＭＯＣＯＮ製、水蒸気透過率測定装置  ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ−Ｗ３／３３  ＭＧモジュールを使用）した水蒸気透過率が、０．０１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下（４０℃９０％ＲＨ条件下）であり、より好ましくは１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下であり、より好ましくは１×１０−５ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下である。低屈折率セラミック層の水蒸気透過度は、樹脂脂基材上に少なくとも低屈折率セラミック層のみを設け水蒸気透過率を測定すればよい。
【０１５７】
本発明に係る水蒸気バリア層は、珪素またはアルミニウムを含む酸化物、窒素酸化物、窒化物を主成分とすることが好ましい。
【０１５８】
酸化珪素膜は、大気圧プラズマＣＶＤ法において、原材料である有機金属化合物、分解ガス、分解温度、投入電力などの条件を選ぶことで、珪素またはアルミニウムを含む酸化物、窒化酸化物、窒化物を主成分とする低屈折率セラミック層の組成を作り分けることができる。
【０１５９】
例えば、珪素化合物を原料化合物として用い、分解ガスに酸素を用いれば、珪素酸化物が生成する。また、シラザン等を原料化合物として用いれば、酸化窒化珪素が生成する。これはプラズマ空間内では非常に活性な荷電粒子・活性ラジカルが高密度で存在するため、プラズマ空間内では多段階の化学反応が非常に高速に促進され、プラズマ空間内に存在する元素は熱力学的に安定な化合物へと非常な短時間で変換されるためである。
【０１６０】
このような酸化珪素膜の形成原料としては、珪素化合物であれば、常温常圧下で気体、液体、固体いずれの状態であっても構わない。気体の場合にはそのまま放電空間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、バブリング、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用する。また、溶媒によって希釈して使用してもよく、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用できる。なお、これらの希釈溶媒は、プラズマ放電処理中において分子状、原子状に分解されるため、影響は殆ど無視することができる。
【０１６１】
このような珪素化合物としては、シラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ−ブトキシシラン、テトラｔ−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（エチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ビス（トリメチルシリル）カルボジイミド、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラキスジメチルアミノシラン、テトライソシアナートシラン、テトラメチルジシラザン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、トリエトキシフルオロシラン、アリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン、ベンジルトリメチルシラン、ビス（トリメチルシリル）アセチレン、１，４−ビストリメチルシリル−１，３−ブタジイン、ジ−ｔ−ブチルシラン、１，３−ジシラブタン、ビス（トリメチルシリル）メタン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン、フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン、プロパルギルトリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン、１−（トリメチルシリル）−１−プロピン、トリス（トリメチルシリル）メタン、トリス（トリメチルシリル）シラン、ビニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン、Ｍシリケート５１等が挙げられる。
【０１６２】
アルミニウム化合物としては、アルミニウムエトキシド、アルミニウムトリイソプロポキシド、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムｎ−ブトキシド、アルミニウムｓ−ブトキシド、アルミニウムｔ−ブトキシド、アルミニウムアセチルアセトナート、トリエチルジアルミニウムトリ−ｓ−ブトキシド等が挙げられる。
【０１６３】
また、これら珪素またアルミニウムを含む原料ガスを分解して酸化珪素、または酸化アルミニウム膜を得るための分解ガスとしては、水素ガス、メタンガス、アセチレンガス、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス、窒素ガス、アンモニアガス、亜酸化窒素ガス、酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、酸素ガス、水蒸気、フッ素ガス、フッ化水素、トリフルオロアルコール、トリフルオロトルエン、硫化水素、二酸化硫黄、二硫化炭素、塩素ガスなどが挙げられる。
【０１６４】
例えば、珪素を含む原料ガスと、分解ガスを適宜選択することで、酸化珪素、また、窒化物、炭化物等を含有する酸化珪素膜を得ることができる。
【０１６５】
プラズマＣＶＤ法においては、これらの反応性ガスに対して主にプラズマ状態になりやすい放電ガスを混合し、プラズマ放電発生装置にガスを送りこむ。このような放電ガスとしては、窒素ガス及び／または周期表の第１８属原子、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が用いられる。これらの中でも特に、窒素、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられる。
【０１６６】
上記放電ガスと反応性ガスを混合し、薄膜形成（混合）ガスとしてプラズマ放電発生装置（プラズマ発生装置）に供給することで膜形成を行う。放電ガスと反応性ガスの割合は、得ようとする膜の性質によって異なるが、混合ガス全体に対し、放電ガスの割合を５０％以上として反応性ガスを供給する。
【０１６７】
本発明に係る低屈折率セラミック層を構成する積層された酸化珪素膜においては、例えば、上記有機珪素化合物に、更に酸素ガスや窒素ガスを所定割合で組み合わせて、Ｏ原子とＮ原子の少なくともいずれかと、Ｓｉ原子とを含む本発明に係る酸化珪素を主体とした酸化珪素膜を得ることができる。
【０１６８】
本発明に係る前記低屈折率セラミック層は、前記第１、第２等の酸化珪素膜からなる１組のユニットを、１組以上透明樹脂基材上に形成したものが好ましく、二組、またこれ以上のユニットが形成されていてもよい。例としては、樹脂基材上に、第１の酸化珪素膜、第２の酸化珪素膜といった１組のユニットのみを有する形態があり、また、例えば、樹脂基材上に、第１の、第２の酸化珪素膜、からなる前記ユニットを２、あるいは３つ有する構成でもよい。
【０１６９】
低屈折率セラミック層における各酸化珪素層の膜厚は、１〜５００ｎｍの範囲とすればよい。低屈折率セラミック層全体としては１０ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【０１７０】
本発明に係る調光素子の製造方法については、特に限定はされないが、好ましくは、樹脂基材を使用する場合は、樹脂基材上に、水蒸気バリア層を形成した後に、熱線遮断層を形成し製造することが好ましい。熱線遮断層の形成・積層を後に行うことで、巻き取り、巻き戻し等、水蒸気バリア層の形成時、また形成までのハンドリングにおいて、熱線遮断層表面の傷の発生や、割れ等の損傷を避けることができる。
【０１７１】
〔大気圧プラズマＣＶＤ法〕
本発明に係る低屈折率セラミック層、例えば酸化珪素膜、またこれらの積層体の形成には、物理、あるいは化学気相成長法が用いられる。中でも、これらのうち最も好ましい方法である、大気圧プラズマＣＶＤ法について、以下説明する。
【０１７２】
大気圧プラズマＣＶＤ法は、例えば、特開平１０−１５４５９８号公報や特開２００３−４９２７２号公報、ＷＯ０２／０４８４２８号パンフレット等に記載されているが、大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガス及び放電ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスを励起し、励起したガスに晒すことにより、薄膜を形成する。
【０１７３】
特に、特開２００４−６８１４３号公報に記載されている薄膜形成方法が、緻密なセラミック層を形成するには好ましい。また、ロール状の元巻きからウエブ状の樹脂基材を繰り出して、組成の異なる層を連続的に形成することができる。
【０１７４】
〔調光素子駆動方法〕
本発明の調光素子の駆動操作は単純マトリックス駆動であっても、アクティブマトリック駆動であってもよい。本発明で言う単純マトリックス駆動とは、複数の正極を含む正極ラインと複数の負極を含む負極ラインとが対向する形で互いのラインが垂直方向に交差した回路に、順次電流を印加する駆動方法のことを言う。単純マトリックス駆動を用いることにより、回路構成や駆動ＩＣを簡略化でき安価に製造できるメリットがある。アクティブマトリックス駆動は、走査線、データライン、電流供給ラインが碁盤目状に形成され、各碁盤目に設けられたＴＦＴ回路により駆動させる方式である。画素毎にスイッチングが行えるので、階調やメモリー機能などのメリットがある。
【０１７５】
〔商品適用〕
本発明の調光素子は、各種建造物の窓、自動車や電車、飛行機などの窓ガラスやミラーの防眩手段などとして用いることができる。
【実施例】
【０１７６】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１７７】
実施例１
〔電解質の作製〕
（電解質１の調製）
γ−ブチロラクトン、１０．０ｇ中に、過塩素酸テトラｎ−ブチルアンモニウム、０．０５ｇと、トリフルオロメタンスルホン酸銀、０．２０ｇ、例示化合物（Ｇ１−３６）、１．０ｇを溶解して、電解質１を調製した。
【０１７８】
（電解質２の調製）
上記電解質１の調製において例示化合物（Ｇ１−３６）を（Ｇ１−３７）、０．５ｇ、（Ｇ１−４０）、０．５ｇに変更した以外は同様にして電解質２を作製した。
【０１７９】
（電解質３の調製）
上記電解質１の調製において、トリフルオロメタンスルホン酸銀を乳酸銀、０．２８ｇに変更した以外は同様にして電解質３を作製した。
【０１８０】
（電解質４の調製）
上記電解質１の調製において、トリフルオロメタンスルホン酸銀をヘキサフルオロリン酸銀、０．２０ｇに変更した以外は同様にして電解質４を作製した。
【０１８１】
（電解質５の調製）
上記電解質４の調製において例示化合物（Ｇ１−３６）を（Ｇ２−１２）、０．５ｇ、（Ｇ２−２０）、０．５ｇに変更した以外は同様にして電解質５を作製した。
【０１８２】
（電解質６の調製）
γ−ブチロラクトン、１０．０ｇ中に、過塩素酸テトラｎ−ブチルアンモニウム、０．０５ｇと、ビス（トリフルオロメタンスルホン酸）イミド銀、０．４５ｇと例示化合物（Ｇ１−５９）、０．６ｇ、（Ｇ２−２０）、０．５ｇを溶解して、電解質６を作製した。
【０１８３】
（電解質７の調製）
γ−ブチロラクトン、１０．０ｇ中に、ビス（トリフルオロメタンスルホン酸）イミド銀、０．４５ｇと例示化合物（Ｇ１−３）、０．９ｇとビス（トリフルオロメタンスルホン酸イミド）リチウム、０．１ｇを溶解させ、さらにポリエチレングリコール２０００００、４．５ｇを加え、攪拌しながら真空脱気して電解質７を得た。
【０１８４】
（電解質８の調製）
γ−ブチロラクトン、１０．０ｇ中に、トリフルオロメタンスルホン酸銀、０．３０ｇと例示化合物（Ｇ１−３６）、０．９ｇとビス（トリフルオロメタンスルホン酸イミド）リチウム、０．１ｇを溶解させ、さらにポリエチレングリコール２０００００、４．５ｇを加え、攪拌しながら真空脱気して電解質８を得た。
【０１８５】
（電解質９の調製）
上記電解質８の調製において例示化合物（Ｇ１−３６）を（Ｇ１−５９）、０．６ｇ、（Ｇ２−１２）、０．５ｇに変更した以外は同様にして電解質９を作製した。
【０１８６】
（電解質１０の調製）
上記電解質９において、例示化合物（Ｇ１−５９）を（Ｇ１−７７）、０．６ｇに変更し、さらに下記エレクトロクロミック色素を０．３ｇ加え、再度、攪拌しながら真空脱気して電解質１０を得た。
【０１８７】
【化１１】
2011039283.tif 000012
【０１８８】
（電解質１１（比較）の調製）
γ−ブチロラクトン、１０．０ｇ中に、ヨウ化銀、１．０ｇと臭化リチウム、０．５ｇ、下記の比較化合物１、０．０９ｇ、比較化合物２、０．０５ｇ、比較化合物３、０．０５ｇを加え、攪拌しながら真空脱気して電解質１１を得た。
【０１８９】
【化１２】
2011039283.tif 000013
【０１９０】
（電解質１２（比較）の調製）
γ−ブチロラクトン、１０．０ｇ中に、テトラｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、０．６ｇと、トリフルオロメタンスルホン酸銀、０．２０ｇ、下記の比較化合物４、１．０ｇ、デカメチルフェロセン、０．０５ｇを溶解し、さらにポリエチレングリコール２０００００、４．５ｇを加え、攪拌しながら真空脱気して電解液１２を得た。
【０１９１】
【化１３】
2011039283.tif 000014
【０１９２】
（電解質１３（比較）の調製）
ポリメチルメタクレート７．６２ｇを含有するベンゾニトリル７．５ｍｌとプロピレンカーボネート２２．５ｍｌの混合溶液に、過塩素酸銀１．３５ｇ、過塩素酸リチウム１．９１ｇを溶解し、攪拌しながら真空脱気して電解液１３を得た。
【０１９３】
《電解液の評価》
［耐光性］
上記、電解質の作製において作製した電解質１〜１３をそれぞれパイレックス（登録商標）ガラス製試験管に入れ、密栓し、スガ試験機株式会社製キセノンウェザーメーターを用いてキセノン光（７万ルックス）を温度６３℃の条件下、３６時間照射した。
【０１９４】
照射後のサンプルを目視で観察したところ、電解質１１〜１３では銀由来と考えられる黒色の微粉末が生成していたのに対し、電解質１〜１０では粉末の生成は見られず、本発明の電解質１〜１０は比較の電解質１１〜１３に対して耐光性に優れることが明らかとなった。
【０１９５】
実施例２
《表示素子の作製》
［電極の作製］
（電極１の作製）
厚さ１．５ｍｍで２ｃｍ×２ｃｍのガラス基材上に、膜厚３００ｎｍのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、インジウム錫酸化物）膜をスパッタリング法に従って形成し、透明電極（電極１）を得た。
【０１９６】
（電極２の作製）
スパッタリング装置の２つのカソードにそれぞれＩＴＯセラミックスターゲット（ＳｎＯ２：５質量％、放電面積２７０ｃｍ２／１個）を設置し、基材としてＩＴＯ成膜面に３０ｎｍの蒸着ＳｉＯ２が成膜されている２００μｍ厚みのＰＥＴフィルムを用い、基材加熱なしでパルススパッタリングを行い、膜厚０．５μｍ、表面抵抗は１００Ω／□のＩＴＯ薄膜を成膜し、電極２を得た。
【０１９７】
（電極３の作製）
厚さ１．９ｍｍの無アルカリガラス基材の片面に、アルミニウムの薄膜を真空蒸着法によって設け、フォトレジストを塗布した後、レジスト膜のパターン露光、現像の工程を経て、線幅５０μｍ、厚み２μｍ、向かい合う線の間隔５５０μｍの微細な格子状の電極３を得た。
【０１９８】
（電極４の作製）
耐熱性シリコーン微粘着層を介して透明基材の厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムが裏打ちされたベースフィルム（ＰＥＴ：厚さ２５μｍ）の加熱収縮処理（１５０℃×１０分、テンションフリー）を行った。続いて、ポジ型フォトレジストを塗布・乾燥して製膜した後、格子パターン（ライン幅＝１００μｍ、格子穴のサイズ：一辺が１０００μｍの正方形）を有するフォトマスクを用いて露光し、さらにアルカリ溶液で現像して、最終的に前記格子状のレジスト膜を形成した。そして、レジスト膜が形成されていない部分の金属アルミニウム層をリン酸−硝酸系のエッチング液でエッチング除去し、さらにレジストを除去して、ベースフィルム上に格子状の金属アルミニウム層からなる格子状の電極４を得た。
【０１９９】
（電極５の作製）
硝酸銀とオレイルアミンをトルエン溶液中に計り取り、続いてアスコルビン酸を用いて還元反応を行った。室温下で攪拌を３時間行った後、アセトンを加えて銀ナノ粒子を凝集沈降させた。上澄み液を取り除き、再度アセトンを加えた。この洗浄作業を３回繰り返した後、ロータリーエバポレーターでアセトンを除去した。続いて、トルエンを加えて銀ナノ粒子を再分散させ、銀ナノ粒子のトルエン分散溶液を調製した。市販の平均粒子径１．５μｍの酸化銀（和光純薬社製）６ｇと前記銀ナノ粒子トルエン溶液４ｇ、溶剤としてテルビネポール２ｇを加え、導電性ペーストを調製した。これをＰＥＴフィルム上に塗布した後、１５０℃で１時間大気中加熱を行ったところ、自己配列によって網目状の銀電極を形成し、線によって囲まれた空間面積が０．４２２５ｍｍ２以上の網目状の電極５を得た。
【０２００】
（電極６の作製）
耐熱性シリコーン微粘着層を介して透明基材の厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムが裏打ちされたベースフィルム（ＰＥＴ：厚さ２５μｍ）の加熱収縮処理（１５０℃×１０分、テンションフリー）を行った。続いて、ポジ型フォトレジストを塗布・乾燥して製膜した後、櫛状パターン（ライン幅＝１００μｍ、隣合う線の間隔：１０００μｍ）を有するフォトマスクを用いて露光し、さらにアルカリ溶液で現像して、最終的に前記櫛状のレジスト膜を形成した。そして、レジスト膜が形成されていない部分の金属アルミニウム層をリン酸−硝酸系のエッチング液でエッチング除去し、さらにレジストを除去して、ベースフィルム上に櫛状の金属アルミニウム層からなる櫛状の電極６を得た。
【０２０１】
（比較電極１の作製）
厚さ１．９ｍｍの無アルカリガラス基材の片面に、アルミニウムの薄膜を真空蒸着法によって設け、フォトレジストを塗布した後、レジスト膜のパターン露光、現像の工程を経て、厚み２５μｍ、向かい合う線の間隔５００μｍの微細な格子状の比較電極１を得た。
【０２０２】
（比較電極２の作製）
耐熱性シリコーン微粘着層を介して透明基材の厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムが裏打ちされたベースフィルム（ＰＥＴ：厚さ２５μｍ）の加熱収縮処理（１５０℃×１０分、テンションフリー）を行った。続いて、ポジ型フォトレジストを塗布・乾燥して製膜した後、厚み２５μｍ、向かい合う線の間隔５００μｍの格子パターンを有するフォトマスクを用いて露光し、さらにアルカリ溶液で現像して、最終的に前記格子状のレジスト膜を形成した。そして、レジスト膜が形成されていない部分の金属アルミニウム層をリン酸−硝酸系のエッチング液でエッチング除去し、さらにレジストを除去して、ベースフィルム上に格子状の金属アルミニウム層からなる格子状の比較電極２を得た。
【０２０３】
（比較電極３の作製）
硝酸銀とオレイルアミンをトルエン溶液中に計り取り、続いてアスコルビン酸を用いて還元反応を行った。室温下で攪拌を３時間行った後、アセトンを加えて銀ナノ粒子を凝集沈降させた。上澄み液を取り除き、再度アセトンを加えた。この洗浄作業を３回繰り返した後、ロータリーエバポレーターでアセトンを除去した。続いて、トルエンを加えて銀ナノ粒子を再分散させ、銀ナノ粒子のトルエン分散溶液を調製した。市販の平均粒子径１．５μｍの酸化銀（和光純薬社製）６ｇと前記銀ナノ粒子トルエン溶液４ｇ、溶剤としてテルビネポール３ｇを加え、導電性ペーストを調製した。これをＰＥＴフィルム上に塗布した後、１５０℃で１時間大気中加熱を行ったところ、自己配列によって網目状の銀電極を形成し、線によって囲まれた空間面積が０．２３０４ｍｍ２以下の網目状の比較電極３を得た。
【０２０４】
（比較電極４の作製）
耐熱性シリコーン微粘着層を介して透明基材の厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムが裏打ちされたベースフィルム（ＰＥＴ：厚さ２５μｍ）の加熱収縮処理（１５０℃×１０分、テンションフリー）を行った。続いて、ポジ型フォトレジストを塗布・乾燥して製膜した後、厚み２５μｍ、線の間隔４５０μｍの櫛状パターンを有するフォトマスクを用いて露光し、さらにアルカリ溶液で現像して、最終的に前記櫛状のレジスト膜を形成した。そして、レジスト膜が形成されていない部分の金属アルミニウム層をリン酸−硝酸系のエッチング液でエッチング除去し、さらにレジストを除去して、ベースフィルム上に櫛状の金属アルミニウム層からなる櫛状の比較電極４を得た。
【０２０５】
（比較電極５の作製）
厚さ２．０ｍｍの無アルカリガラス基材の片面に、アルミニウムの薄膜を真空蒸着法によって設け、フォトレジストを塗布した後、レジスト膜のパターン露光、現像の工程を経て、厚み２５μｍ、向かい合う線の間隔５０１０μｍの微細な格子状の比較電極５を得た。
【０２０６】
〔素子用空セルの作製〕
（空セル１の作製）
電極１の周辺部を、平均粒径４０μｍのガラス製球形ビーズを体積分率として１０％含むオレフィン系封止剤で縁取りした後に、電極３とを、貼り合わせ、さらに加熱押圧して空セル１を作製した。
【０２０７】
（空セル２の作製）
電極２の周辺部を、平均粒径４０μｍのガラス製球形ビーズを体積分率として１０％含むオレフィン系封止剤で縁取りした後に、電極４とを、貼り合わせ、さらに加熱押圧して空セル２を作製した。
【０２０８】
（空セル３の作製）
上記空セル２の作製において電極２に貼り合わせる電極を電極５に変更した以外は同様にして空セル３を作製した。
【０２０９】
（空セル４の作製）
上記空セル２の作製において電極２に貼り合わせる電極を電極６に変更した以外は同様にして空セル４を作製した。
【０２１０】
（空セル５の作製）
電極１の周辺部を、平均粒径４０μｍのガラス製球形ビーズを体積分率として１０％含むオレフィン系封止剤で縁取りした後に、比較電極１とを貼り合わせ、さらに加熱押圧して空セル５を作製した。
【０２１１】
（空セル６の作製）
電極２の周辺部を、平均粒径４０μｍのガラス製球形ビーズを体積分率として１０％含むオレフィン系封止剤で縁取りした後に、比較電極２とを貼り合わせ、さらに加熱押圧して空セル６を作製した。
【０２１２】
（空セル７の作製）
上記空セル６の作製において電極２に貼り合わせる電極を比較電極３に変更した以外は同様にして空セル７を作製した。
【０２１３】
（空セル８の作製）
上記空セル６の作製において電極２に貼り合わせる電極を比較電極４に変更した以外は同様にして空セル８を作製した。
【０２１４】
（空セル９の作製）
上記空セル６の作製において電極２に貼り合わせる電極を比較電極５に変更した以外は同様にして空セル９を作製した。
【０２１５】
（調光素子１〜３５の作製）
上記で作製した空セル１〜８にそれぞれ下記表１、表２に示す、実施例１で作製した電解液を真空注入後、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、調光素子１〜３５を作製した。
【０２１６】
定電圧電源の両端子に作製した表示素子の両電極を接続し、電圧を０．１Ｖずつ変化させて印加し、各表示素子の銀析出閾値電圧を測定した。また、同様にして銀溶解閾値電圧を測定した。
【０２１７】
《調光素子の評価》
上記調光素子のいずれも、銀析出閾値電圧、銀溶解閾値電圧を有し、調光素子として作用することがわかった。また、調光素子１５において、銀溶解閾値よりもさらに０．５Ｖ正側の電圧を印加したところ、ＥＣ色素の発色が観測され、さらに銀溶解閾値よりも０．２Ｖ負側の電圧を印加したところＥＣ色素の発色は消色し、本発明の調光素子において、銀塩が共存する系であっても、ＥＣ色素の反応は可逆的に進行することがわかった。
【０２１８】
［耐光性］
作製した各調光素子を日本分光株式会社製紫外可視赤外分光計を用い、５５０ｎｍでの透過率を測定し、これを初期の透過率とした。さらに各調光素子をスガ試験機株式会社性キセノンウェザーメーターを用いてキセノン光（７万ルックス）を温度６３℃の条件下、７２時間照射し、照射後の調光素子の透過率を測定し、これを照射後の透過率とし、下記式に従って評価した。結果を表１、表２に合わせて示す。
【０２１９】
（耐光性、％）＝（照射後の透過率）／（初期の透過率）×１００
◎：耐光性が９５％以上
○：耐光性が８５％以上、９５％未満
△：耐光性が７０％以上、８５％未満
×：耐光性が７０未満
［メモリー性の評価］
作製した各調光素子の銀析出可電圧より０．５Ｖ負電圧を１秒間印加し、日本分光株式会社製紫外可視赤外分光計を用い、５５０ｎｍでの透過率を測定し、これを初期の透過率とした。各調光素子を暗室において、室温で一週間放置した後、透過率を測定し、下記に従ってメモリー性を評価した。結果を表１、表２に合わせて示す。
【０２２０】
（メモリー性、％）＝（一週間放置後の透過率）／（初期の透過率）×１００
◎：メモリー性が９５％以上
○：メモリー性が８０％以上、９５％未満
△：メモリー性が５０％以上、８０％未満
×：メモリー性が５０％未満
××：メモリー性が５０％未満で、且つ目視評価で析出物が観測される
［繰返し耐久性の評価］
作製した各調光素子の中央部分を日本分光株式会社製紫外可視赤外分光計を用い、５５０ｎｍでの透過率を測定し、これを初期の透過率とした。さらに銀析出・溶解閾値電圧より０．５Ｖだけ過電圧を加え、銀析出反応のための電圧印加時間を５秒間、銀溶解反応のための電圧印加時間を３秒間の１セットを１サイクルとし、２０サイクル毎に同様の条件で透過率を測定し、１００サイクル以降は１００サイクル毎に透過率を測定した。繰返し耐久性は上限を２０００サイクルとし、繰返し駆動後の透過率が初期の透過率の７０％未満となったサイクル数までとし、結果を表１、表２に合わせて示す。
【０２２１】
［保存性の評価］
作製した各調光素子を用い、銀析出閾値電圧より０．１Ｖだけ過電圧を加え、銀析出反応のための電圧を１０秒間印加し、調光素子の中央部分を日本分光株式会社製紫外可視赤外分光計を用い、５５０ｎｍでの透過率を測定し、銀溶解反応のために過電圧を０．２Ｖ、印加時間を３秒間かけて銀を溶解させ、同様に透過率を測定し、銀溶解時の透過率から銀析出時の透過率を差し引いて初期の透過率変化とした。さらに各調光素子を暗室下、垂直に立てて二週間放置し、初期の透過率変化測定方法と同様の方法で銀析出反応および溶解反応を行って透過率を測定し、これを二週間放置後の透過率変化として、下記式に従って評価した。結果を表１、表２に合わせて示す。
【０２２２】
（保存性、％）＝（二週間放置後の透過率変化）／（初期の透過率変化）×１００
◎：保存安定性が９０％以上
○：保存安定性が８５％以上、９０％未満
△：保存安定性が５０％以上、８５％未満
×：保存安定性が５０％未満
［光学性能１：可視光透過率］
作製した各調光素子の電極に電圧を印加して可視光透過率の高い状態を分光光度計（株式会社日立製作所製、Ｕ−４０００）で測定した。測定方法は、ＪＩＳ  Ｒ３１０６に準拠し、入射角０°の波長４８８ｎｍの光に対する可視光線透過率を測定した。結果を表１、表２に合わせて示す。
【０２２３】
【表１】
2011039283.tif 000015
【０２２４】
【表２】
2011039283.tif 000016
【０２２５】
以上より、本発明の化合物を含有した電解質を用いることで、耐光性に優れ、且つメモリー性に優れた調光素子を提供することができた。また、さらには本発明の調光素子は繰返し耐久性、保存安定性にも優れることが明らかとなった。
【０２２６】
実施例３
〔水蒸気バリアフィルムの作製〕
＜水蒸気バリア層の作製＞
〈第１低屈折率セラミック構成層の形成〉
帝人デュポン社製厚さ５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムＨＳ上に、以下の作製条件で第１低屈折率セラミック構成層１（５０ｎｍ）、第１低屈折率セラミック構成層２（５０ｎｍ）、第１低屈折率セラミック構成層３（５００ｎｍ）と以下に記載した条件で順次低屈折率セラミック構成層の形成を行った。屈折率は１．４６であった。
【０２２７】
（第１低屈折率セラミック構成層１の作製）
〈第１低屈折率セラミック構成層１混合ガス組成物〉
放電ガス：窒素ガス                                          ９４．８５体積％
薄膜形成ガス：ヘキサメチルジシロキサン                        ０．１５体積％
添加ガス：酸素ガス                                              ５．０体積％
（第１低屈折率セラミック構成層１成膜条件）
第１電極側
電源種類  ハイデン研究所  １００ｋＨｚ（連続モード）  ＰＨＦ−６ｋ
周波数  １００ｋＨｚ
出力密度  １０Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは７ｋＶであった）
電極温度  １２０℃
第２電極側
電源種類  パール工業  １３．５６ＭＨｚ  ＣＦ−５０００−１３Ｍ
周波数  １３．５６ＭＨｚ
出力密度  ５Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは１ｋＶであった）
電極温度  ９０℃
＜第１低屈折率セラミック構成層２の作製＞
（低屈折率セラミック構成層２混合ガス組成物）
放電ガス：窒素ガス                                          ９４．９９体積％
薄膜形成ガス：テトラエトキシシラン                            ０．０１体積％
添加ガス：酸素ガス                                              ５．０体積％
（第１低屈折率セラミック構成層２成膜条件）
第１電極側
電源種類  ハイデン研究所  １００ｋＨｚ（連続モード）  ＰＨＦ−６ｋ
周波数  １００ｋＨｚ
出力密度  １０Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは７ｋＶであった）
電極温度  １２０℃
第２電極側
電源種類  パール工業  １３．５６ＭＨｚ  ＣＦ−５０００−１３Ｍ
周波数  １３．５６ＭＨｚ
出力密度  １０Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは２ｋＶであった）
電極温度  ９０℃
＜第１低屈折率セラミック構成層３の作製＞
（第１低屈折率セラミック構成層３混合ガス組成物）
放電ガス：窒素ガス                                            ９４．５体積％
薄膜形成ガス：ヘキサメチルジシロキサン                          ０．５体積％
添加ガス：酸素ガス                                              ５．０体積％
（第１低屈折率セラミック構成層３成膜条件）
第１電極側
電源種類  ハイデン研究所  １００ｋＨｚ（連続モード）  ＰＨＦ−６ｋ
周波数  １００ｋＨｚ
出力密度  １０Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは７ｋＶであった）
電極温度  １２０℃
第２電極側
電源種類  パール工業  １３．５６ＭＨｚ  ＣＦ−５０００−１３Ｍ
周波数  １３．５６ＭＨｚ
出力密度  ５Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは１ｋＶであった）
電極温度  ９０℃
〈第１高屈折率セラミック構成層の形成〉
次に、樹脂基材を屈折率セラミック構成層の裏面側を形成面として、マグネトロンスパッタ装置にセットし、真空引きをした。そしてチャンバー中にＡｒガスに酸素ガスを２％添加した混合ガスを圧力０．４０Ｐａとなるように導入し、酸化亜鉛ターゲットをセットしたカソードに直流を印加してスパッタリングを引き起こし、酸化亜鉛膜を２５ｎｍ形成して、水蒸気バリアフィルムを作製した。屈折率は２．１であった。
【０２２８】
〔熱線反射フィルムの作製〕
＜基材＞
帝人デュポン社製厚さ５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムＨＳを基材として、以下のように積層体の作製を行った。
【０２２９】
＜ポリマー層の作製＞
〈ポリマー層１の形成〉
下記組成の活性線硬化樹脂層用塗布液は、Ａ、Ｂ、Ｃ成分の合計１００質量部に対して、Ｅ、Ｆ、Ｇの必要な質量部を加えて調製した。この塗布液を該当する層の上に、硬化後の膜厚が２μｍとなるようにマイクログラビアコーターを用いて塗布した。溶剤を蒸発乾燥後、高圧水銀灯を用いて０．２Ｊ／ｃｍ２の紫外線照射により硬化させアクリル系硬化層からなるポリマー層１を形成した。
【０２３０】
（活性線硬化樹脂層用塗布液）
Ａ：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体                ６０質量部
Ｂ：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体                ２０質量部
Ｃ：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分      ２０質量部
Ｅ：ジメトキシベンゾフェノン光反応開始剤                            ４質量部
Ｆ：メチルエチルケトン                                            ７５質量部
Ｇ：プロピレングリコールモノメチルエーテル                        ７５質量部
〈光安定剤を含有するポリマー層２の形成〉
メチルメタクリレート６５質量％、２−ヒドロキシエチルメタクリレート３５質量％を共重合させ、平均分子量５００００の水酸基導入メタクリル酸エステル樹脂を得た。この樹脂に対して、紫外線吸収剤としてベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤である２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４，６−ジ−ｔ−ペンチルフェノール（ＴＩＮＵＶＩＮ３２８；チバ・ジャパン（株）製）を５質量％、光安定剤としてヒンダードアミン系光安定剤であるデカン二酸ビス［２，２，６，６−テトラメチル−１（オクチルオキシ）−４−ピペリジニル］エステル（ＴＩＮＵＶＩＮ１２３；チバ・ジャパン（株）製）を５質量％配合し、粘度調整のためメチルエチルケトンにて希釈し、固形分が２０質量％となるよう調整した主剤（ａ）を得た。一方、架橋剤（硬化剤）となるポリイソシアネート化合物として、アダクト型のヘキサメチレンジイソシアネートをメチルエチルケトンで固形分が７５質量％となるように調整した硬化剤（ｂ）を得た。主剤（ａ）に対して、硬化剤（ｂ）を１５質量％添加して塗布液を調製した。この塗布液をマイクログラビアコーターにて基材の片面に、塗布量が固形分で５ｇ／ｍ２となるように連続塗工し、乾燥ゾーンの温度は８０℃／１１０℃／１２５℃（各ゾーンは３０秒）と段階的に熱風乾燥し、光安定剤を含有するポリマー層２とした。
【０２３１】
＜紫外線反射層の作製＞
上記樹脂基材のポリマー層上に、下記条件で高屈折率層（厚み：３５ｎｍ、屈折率：２．１）、低屈折率層（厚み：５２ｎｍ、屈折率１．４６）、を交互に９層設け、９層からなる紫外線反射層を形成し、試料１を作製した。この試料の紫外線反射層から光を入射して測定した波長３５０ｎｍの紫外線反射率は８２％であった。
【０２３２】
（高屈折率層の作製）
〈高屈折率層形成混合ガス組成物〉
放電ガス：窒素                                                ９７．９体積％
薄膜形成ガス：テトライソプロポキシチタン                        ０．１体積％
添加ガス：水素                                                  ２．０体積％
〈高屈折率層成膜条件〉
第１電極側
電源種類  ハイデン研究所  １００ｋＨｚ（連続モード）  ＰＨＦ−６ｋ
周波数  １００ｋＨｚ
出力密度  １０Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは７ｋＶであった）
電極温度  １２０℃
第２電極側
電源種類  パール工業  １３．５６ＭＨｚ  ＣＦ−５０００−１３Ｍ
周波数  １３．５６ＭＨｚ
出力密度  ５Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは１ｋＶであった）
電極温度  ９０℃
（低屈折率層の作製）
〈低屈折率層混合ガス組成物〉
放電ガス：窒素                                                ９８．９体積％
薄膜形成ガス：テトラエトキシシラン                              ０．１体積％
添加ガス：酸素                                                  １．０体積％
〈低屈折率層成膜条件〉
第１電極側
電源種類  ハイデン研究所  １００ｋＨｚ（連続モード）  ＰＨＦ−６ｋ
周波数  １００ｋＨｚ
出力密度  １０Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは７ｋＶであった）
電極温度  １２０℃
第２電極側
電源種類  パール工業  １３．５６ＭＨｚ  ＣＦ−５０００−１３Ｍ
周波数  １３．５６ＭＨｚ
出力密度  １０Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは２ｋＶであった）
電極温度  ９０℃
＜水蒸気バリア層の作製＞
〈第１低屈折率セラミック構成層の形成〉
形成したアクリル系硬化層からなるポリマー層を有する樹脂基材上に、以下の作製条件で第１低屈折率セラミック構成層１（５０ｎｍ）、第１低屈折率セラミック構成層２（５０ｎｍ）、第１低屈折率セラミック構成層３（５００ｎｍ）と以下に記載した条件で順次低屈折率セラミック構成層の形成を行った。屈折率は１．４６であった。
【０２３３】
（第１低屈折率セラミック構成層１の作製）
〈第１低屈折率セラミック構成層１混合ガス組成物〉
放電ガス：窒素ガス                                          ９４．８５体積％
薄膜形成ガス：ヘキサメチルジシロキサン                        ０．１５体積％
添加ガス：酸素ガス                                              ５．０体積％
（第１低屈折率セラミック構成層１成膜条件）
第１電極側
電源種類  ハイデン研究所  １００ｋＨｚ（連続モード）  ＰＨＦ−６ｋ
周波数  １００ｋＨｚ
出力密度  １０Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは７ｋＶであった）
電極温度  １２０℃
第２電極側
電源種類  パール工業  １３．５６ＭＨｚ  ＣＦ−５０００−１３Ｍ
周波数  １３．５６ＭＨｚ
出力密度  ５Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは１ｋＶであった）
電極温度  ９０℃
＜第１低屈折率セラミック構成層２の作製＞
（低屈折率セラミック構成層２混合ガス組成物）
放電ガス：窒素ガス                                          ９４．９９体積％
薄膜形成ガス：テトラエトキシシラン                            ０．０１体積％
添加ガス：酸素ガス                                              ５．０体積％
（第１低屈折率セラミック構成層２成膜条件）
第１電極側
電源種類  ハイデン研究所  １００ｋＨｚ（連続モード）  ＰＨＦ−６ｋ
周波数  １００ｋＨｚ
出力密度  １０Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは７ｋＶであった）
電極温度  １２０℃
第２電極側
電源種類  パール工業  １３．５６ＭＨｚ  ＣＦ−５０００−１３Ｍ
周波数  １３．５６ＭＨｚ
出力密度  １０Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは２ｋＶであった）
電極温度  ９０℃
＜第１低屈折率セラミック構成層３の作製＞
（第１低屈折率セラミック構成層３混合ガス組成物）
放電ガス：窒素ガス                                            ９４．５体積％
薄膜形成ガス：ヘキサメチルジシロキサン                          ０．５体積％
添加ガス：酸素ガス                                              ５．０体積％
（第１低屈折率セラミック構成層３成膜条件）
第１電極側
電源種類  ハイデン研究所  １００ｋＨｚ（連続モード）  ＰＨＦ−６ｋ
周波数  １００ｋＨｚ
出力密度  １０Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは７ｋＶであった）
電極温度  １２０℃
第２電極側
電源種類  パール工業  １３．５６ＭＨｚ  ＣＦ−５０００−１３Ｍ
周波数  １３．５６ＭＨｚ
出力密度  ５Ｗ／ｃｍ２（この時の電圧Ｖｐは１ｋＶであった）
電極温度  ９０℃
〈第１高屈折率セラミック構成層の形成〉
次に、樹脂基材を屈折率セラミック構成層の裏面側を形成面として、マグネトロンスパッタ装置にセットし、真空引きをした。そしてチャンバー中にＡｒガスに酸素ガスを２％添加した混合ガスを圧力０．４０Ｐａとなるように導入し、酸化亜鉛ターゲットをセットしたカソードに直流を印加してスパッタリングを引き起こし、酸化亜鉛膜を２５ｎｍ形成した。屈折率は２．１であった。
【０２３４】
＜熱線遮断層の作製＞
〈第１熱線遮断層の形成〉
形成した高屈折率セラミック構成層の上に、真空チャンバー中のガスをＡｒガスに切り替え圧力を０．４５Ｐａとなるようにし、銅を４質量％添加した銀ターゲットをセットしたカソードに直流を印加してスパッタリングを引き起こし、銀膜を１０ｎｍ形成した。
【０２３５】
〈第２高屈折率セラミック構成層の形成〉
形成した熱線遮断層上に、先に形成した第１高屈折率セラミック構成層と同様な条件で酸化亜鉛を２６ｎｍ形成した。次に、チャンバー中の圧力を０．２５ＰａとなるようにＡｒガスを流し、アルミニウムを１０質量％添加した窒化珪素ターゲットをセットしたカソードに直流を印加して反応性スパッタリングを引き起こし、窒化珪素膜を３４ｎｍ形成し、熱線反射フィルムを作製した。屈折率は２．０であった。
【０２３６】
〈第２熱線遮断層、第３高屈折率セラミック構成層の形成〉
更にその上に、同様な条件で銀膜を９ｎｍ形成し、最後に、同様の方法で窒化珪素膜を３０ｎｍ形成した。
【０２３７】
（調光素子３６、３７の作製）
上記の通り作製した水蒸気バリアフィルムをシリコーン系接着剤を介して調光素子８及び２３にそれぞれ貼り合わせて調光素子３６及び３７を作製した。
【０２３８】
（調光素子３８、３９の作製）
上記の通り作製した紫外線反射層、熱線遮断層、水蒸気バリア層からなる熱線反射フィルムをシリコーン系接着剤を介して調光素子１７、３２に貼り合わせて調光素子３８、３９を作製した。
【０２３９】
（調光素子４０の作製）
水蒸気バリアフィルムの代わりに、帝人デュポン社製厚さ５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムＨＳを用いた以外は調光素子３６と同様の構成で、調光素子４０を作製した。
【０２４０】
＜調光素子の評価＞
作製した調光素子３６〜４０について、下記評価を行った。
【０２４１】
（水蒸気透過率）
水蒸気透過率は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９Ｂで規定の方法（４０℃、９０％ＲＨ）に準拠して、ＭＯＣＯＮ社製水蒸気透過率測定装置  ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ−Ｗ３／３３ＭＧモジュールにより測定した。表３において、１ａｔｍは１．０１３２５×１０５Ｐａである。
【０２４２】
（耐久性評価１：耐候性）
紫外線劣化促進試験機アイスーパーＵＶテスターＳＵＶ−Ｗ１３１（岩崎電気（株）製）を用い、下記の条件で強制紫外線照射試験を行い、照射後のサンプルについて下記各測定を実施した。
【０２４３】
「紫外線照射条件」
照度：１００ｍＷ／ｃｍ２
温度：６０℃
相対湿度：５０％ＲＨ
照射時間：５０時間
（耐久性評価２：耐湿性）
高加速寿命試験装置ＨＡＳＴ  ＣＨＡＭＢＥＲ  ＥＨＳ−２１１Ｍ（エスペック（株）製）を用い、下記の条件で強制高湿試験を行い、試験後のサンプルについて各測定を実施した。
【０２４４】
「高湿曝露条件」
温度：１２０℃
相対湿度：１００％ＲＨ、（２ａｔｍ）
曝露時間：４８時間
（光学性能１：可視光透過率）
日立製作所製Ｕ−４０００型分光光度計を使用して、ＪＩＳ  Ｒ５７５６に基づいて反射スペクトルを測定して可視光透過率（％）を算出し、以下の基準で判定した。
【０２４５】
耐久性試験１、２実施後の可視光透過率の変化は、
◎：変化なし
○：ほぼ変化なし
△：やや劣化
×：大きく劣化
（光学特性２：日射（熱線）遮蔽係数）
日立製作所製Ｕ−４０００型分光光度計を使用して、ＪＩＳ  Ｒ５７５９に基づいて反射スペクトルを測定して、日射（熱線）遮蔽係数を算出し、以下の基準で判定した。
【０２４６】
ここで「遮蔽係数」とは、具体的には日光（熱線）を遮蔽する係数であり、ＪＩＳ  Ｒ５７５９標準評価の方法により、反射スペクトルの可視光〜赤外波長の部分から計算する。熱線遮断層を設けた試料の日射（熱線）の反射率はいずれも７０％以上であり良好な熱線遮断性を有していた。
【０２４７】
耐久性試験１、２実施後の遮蔽係数の変化は、
◎：変化なし
○：ほぼ変化なし
△：やや劣化
×：大きく劣化
結果を表３に合わせて示す。
【０２４８】
【表３】
2011039283.tif 000017
【０２４９】
表３から、本発明の調光素子においては、水蒸気バリア層を付与することで耐久性に優れる調光素子を提供することができ、また更には、紫外線反射層、熱線遮断層、水蒸気バリア層からなる熱線反射フィルムを付与することで、耐久性に非常に優れた調光素子を提供することができることが明らかになった。