(57)【要約】【課題】形成される膜の膜質および膜厚が均一となるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、処理室２内に配設された第１の電極３と、第１の電極３に対向し、基板１０を保持できる第２の電極４と、処理室２内から排気を行なう排気手段と、処理室２内にガスを供給するガス供給手段と、を備え、第１の電極３は、第２の電極４に対向する側に凸部４１を有し、凸部４１の先端部にガス供給口４２が形成されたものであって、複数の凸部４１（４１ａ〜４１ｅ）の先端部の幅が、第１の電極３の中央部に比べ、外周部の方が小さい。【選択図】        図２
2011222863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に配設された第１の電極と、
前記第１の電極に対向し、基板を保持できる第２の電極と、
前記処理室内から排気を行なう排気手段と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給手段と、
を備え、
前記第１の電極は、前記第２の電極に対向する側に凸部を有し、前記凸部の先端部にガス供給口が形成されたものであって、
前記複数の凸部の先端部の幅が、前記第１の電極の中央部に比べ、外周部の方が小さいことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記凸部間に形成される凹部の幅が、前記第１の電極の中央部に比べ、外周部の方が大きいことを特徴とする請求項１に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３】
複数の前記ガス供給口が、等間隔となるように配置されたことを特徴とする請求項２に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記複数の凸部の先端部となる面は、面一に形成されたことを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載されたプラズマ処理装置１。
【請求項５】
前記凸部の幅が、前記第１の電極の中央部から外周部に向かって段階的に小さくなることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項６】
処理室内に配設された第１の電極と、
前記第１の電極に対向し、基板を保持できる第２の電極と、
前記処理室内から排気を行なう排気手段と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給手段と、
を備え、
前記第１の電極は、前記第２の電極に対向する側に凸部を有し、前記凸部の先端部にガス供給口が形成されたものであって、
前記複数の凸部間に形成される凹部の幅が、前記第１の電極の中央部に比べ、外周部の方が大きいことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記凸部間に形成される凹部の幅が、前記第１の電極の中央部から外周部に向かって段階的に大きくなることを特徴とする請求項２又は６に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記複数の凸部の先端部となる面は、面一に形成されたことを特徴とする請求項６又は７に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項９】
基板上に基板側電極を形成する第１工程と、
前記基板側電極上に光電変換ユニットを形成する第２工程と、
前記光電変換ユニット上に裏面側電極を形成する第３工程と、
を含む太陽電池の製造方法であって、
前記第２工程は、処理室内に配設された第１の電極と、前記第１の電極に対向し、基板を保持できる第２の電極と、前記処理室内から排気を行なう排気手段と、前記処理室内にガスを供給するガス供給手段と、を備えるプラズマ処理装置を用いて前記光電変換ユニットを形成し、
前記第１の電極は、前記第２の電極に対向する側に複数の凸部を有し、前記凸部の先端部にガス供給口が形成されたものであって、前記複数の凸部の先端部の幅が、前記第１の電極の中央部に比べ、外周部の方が小さいことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
前記第２工程において、前記凸部間に形成される凹部の幅が、前記第１の電極３の中央部に比べ、外周部の方が大きいプラズマ処理装置を用いることを特徴とする請求項９に記載された太陽電池の製造方法。
【請求項１１】
基板上に基板側電極を形成する第１工程と、
前記基板側電極上に光電変換ユニットを形成する第２工程と、
前記光電変換ユニット上に裏面側電極を形成する第３工程と、
を含む太陽電池の製造方法であって、
前記第２工程は、処理室内に配設された第１の電極と、前記第１の電極に対向し、基板を保持できる第２の電極と、前記処理室内から排気を行なう排気手段と、前記処理室内にガスを供給するガス供給手段と、を備えるプラズマ処理装置を用いて前記光電変換ユニットを形成し、
前記第１の電極は、前記第２の電極に対向する側に複数の凸部を有し、前記凸部の先端部にガス供給口が形成されたものであって、前記複数の凸部間に形成される凹部の幅が、前記第１の電極の中央部に比べ、外周部の方が大きいことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに対向するように配置された第１電極および第２電極を備えたプラズマ処理装置およびそれを用いて製造される太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板を保持することが可能な上部電極と、その上部電極と対向するように配置された下部電極とを備えた平行平板型のプラズマ処理装置を用いた膜の製造方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
図５は、従来の平行平板型のプラズマ処理装置１０１を示した概略図である。図６は、図５に示したプラズマ処理装置１０１の下部電極１０４の拡大断面図である。プラズマ処理装置１０１では、図５に示すように、真空チャンバ１０２内に、上部電極１０３と下部電極１０４とが互いに対向するように設置される。
【０００４】
上部電極１０３には、下部電極１０４と対向する面に基板１０を保持するための基板保持部１０３ａが形成される。
【０００５】
また、下部電極１０４の上部電極１０３と対向する面には、図５および図６に示すように、原料ガスを供給するための複数のガス供給口１４２が設けられる。真空チャンバ１０２の一方の側面には、排気口１０２ａが設けられるとともに、その排気口１０２ａは、排気流量調整バルブ５を介して真空排気設備６に接続される。この真空排気設備６は、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）６ａおよび油回転ポンプ（ＲＰ）６ｂによって構成される。また、下部電極１０４のガス供給口１４２は、原料ガス供給源１０７に接続される。
【０００６】
上記のプラズマ処理装置１０１では、下部電極１０４の上面でプラズマを発生させ、そのプラズマにより原料ガスが分解し、基板１０上に成膜を行う。
【０００７】
上記のプラズマ処理装置１０１では、下部電極１０４の上面全体でプラズマを発生させ、そのプラズマにより原料ガスが分解し、基板１０上に成膜を行う。下部電極１０４は、図６に示すように、上部電極１０３と対向する面に複数の凸部１４１ａが形成される。これにより、成膜時に凸部１４１ａの先端部付近に電界が集中し、凸部１４１ａを中心としたプラズマ発生領域２０に高密度なプラズマを発生させることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−２３７４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来のプラズマ処理装置では、成膜種を生成するために用いられる原料ガスが、下部電極１０４に設けられた複数のガス供給口１４２から上部電極１０３に保持された基板１０へ向けて供給される。したがって、下部電極１０４の上面で発生させたプラズマにより、多くの成膜種を生成し、成膜に作用させることが可能となる。
【００１０】
しかしながら、原料ガスの一部は、成膜に寄与しない不活性なガスやフレーク等の副生成物となる。副生成物により基板１０の外周部においては原料ガスが希釈化され、成膜速度が低下する問題を引き起こしていた。この問題は基板を大型化したとき、または原料ガスを大量に供給して高速成膜するときに顕著となる。そこで従来では、均一成膜を図るために原料ガスの供給量を基板１０の中央部に比べ、外周部での供給流量を多くするなどの制御が行われていた。
【００１１】
しかし、原料ガスを大量に供給して高速成膜する方法では、基板１０中央部に比べ、外周部でのガスの流速をより一層速くする結果となり、膜質を向上させることが困難だった。
【００１２】
本発明では、生成される膜の膜質および膜厚が不均一になる課題を解決するためになされたプラズマ処理装置、およびこのプラズマ処理装置によって製造された太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のプラズマ処理装置は、処理室内に配設された第１の電極と、第１の電極に対向し、基板を保持できる第２の電極と、処理室内から排気を行なう排気手段と、処理室内にガスを供給するガス供給手段と、を備え、第１の電極は、第２の電極に対向する側に凸部を有し、凸部の先端部にガス供給口が形成されたものであって、複数の凸部の先端部の幅が、前記第１の電極の中央部に比べ、外周部の方が小さい。
【００１４】
本発明の他の実施形態のプラズマ処理装置は、処理室内に配設された第１の電極と、第１の電極に対向し、基板を保持できる第２の電極と、処理室内から排気を行なう排気手段と、処理室内にガスを供給するガス供給手段と、を備え、第１の電極は、第２の電極に対向する側に凸部を有し、凸部の先端部にガス供給口が形成されたものであって、複数の凸部間に形成される凹部の幅が、第１の電極の中央部に比べ、外周部の方が大きい。
【００１５】
本発明の太陽電池の製造方法は、基板上に基板側電極を形成する第１工程と、基板側電極上に光電変換ユニットを形成する第２工程と、光電変換ユニット上に裏面側電極を形成する第３工程と、を含む太陽電池の製造方法であって、第２工程は、処理室内に配設された第１の電極と、第１の電極に対向し、基板を保持できる第２の電極と、処理室内から排気を行なう排気手段と、処理室内にガスを供給するガス供給手段と、を備えるプラズマ処理装置を用いて光電変換ユニットを形成し、第１の電極は、第２の電極に対向する側に複数の凸部を有し、凸部の先端部にガス供給口が形成されたものであって、複数の凸部の先端部の幅が、第１の電極の中央部に比べ、外周部の方が小さい。
【００１６】
本発明の他の実施形態の太陽電池の製造方法は、基板上に基板側電極を形成する第１工程と、基板側電極上に光電変換ユニットを形成する第２工程と、光電変換ユニット上に裏面側電極を形成する第３工程と、を含む太陽電池の製造方法であって、第２工程は、処理室内に配設された第１の電極と、第１の電極に対向し、基板を保持できる第２の電極と、処理室内から排気を行なう排気手段と、処理室内にガスを供給するガス供給手段と、を備えるプラズマ処理装置を用いて光電変換ユニットを形成し、第１の電極は、第２の電極に対向する側に複数の凸部を有し、凸部の先端部にガス供給口が形成されたものであって、複数の凸部間に形成される凹部の幅が、第１の電極の中央部に比べ、外周部の方が大きい。
【００１７】
なお、本発明における面一とは、本発明の所期の目的を達成する範囲で実質的に面一である状態を含む。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のプラズマ処理装置によれば、成膜速度を大きくした場合においても、基板中央部と基板外周部に生成される膜の膜質および膜厚が不均一になることを抑制できる。また、本発明のプラズマ処理装置で形成された太陽電池の製造方法では、成膜速度を大きくしても膜質および膜厚が不均一になることを抑制できるため、所望の良好な膜を形成することができる。このため、太陽電池の出力特性の低下を防止しつつ、成膜速度を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置を示した概略図である。
【図２】図１に示した第１実施形態に係るプラズマ処理装置の上部電極を示した概略図である。
【図３】図１に示した第１実施形態に係るプラズマ処理装置の上部電極の参考例を示した概略図である。
【図４】本発明に係る太陽電池の拡大断面図である。
【図５】従来技術に係るプラズマ処理装置を示した概略図である。
【図６】従来技術に係るプラズマ処理装置における下部電極周辺の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、図面を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００２１】
〈プラズマ処理装置の構成〉
以下に、本発明の第１実施形態におけるプラズマ処理装置１について、プラズマ処理装置１を示した概略図である図１、およびこのプラズマ処理装置１の上部電極４のシャワープレート４０を示した概略図である図２を用いて説明する。
【００２２】
図１に示すように、真空チャンバ２内には、平行型構造を有する上部電極４と下部電極３とが互いに対向するように設置される。真空チャンバ２、上部電極４および下部電極３は、それぞれ、本発明の「処理室」、「第１電極」および「第２電極」の一例である。なお、第１実施形態によるプラズマ処理装置１は、上部電極４より原料ガスを供給するとともに電圧を印加し、下部電極３を所定の電圧とする点で背景技術と異なる。
【００２３】
また、真空チャンバ２は、側方に排気口２ａを有するとともに、その排気口２ａは、排気流量調整バルブ５を介して真空排気設備６に接続される。本実施形態では、真空排気設備６は、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）６ａおよび油回転ポンプ（ＲＰ）６ｂによって構成される。
【００２４】
下部電極３は、上部電極４と対向する側に基板１０を保持するための基板保持部３ａが形成される。この下部電極３は、基板１０を所定の温度に保持するための図示しない加熱冷却機構部を含む。上部電極４および下部電極３のそれぞれが対向する表面は、約１５００ｍｍ×１５００ｍｍの面積を有する。また、基板１０は、約１４００ｍｍ×１１００ｍｍの面積を有する。
【００２５】
また、上部電極４は、下部電極３上に保持された基板１０に対向するように配置されたシャワープレート４０を有する。シャワープレート４０には、図２（ａ）に示した上面図のように、Ｘ−Ｙ方向に整列する略格子状に配置された複数の凸部４１・・・が設けられる。この凸部４１の先端部は、Ｘ−Ｙ面と平行な面を有するように形成され、中心には原料ガス供給源７に接続されたガス供給口４２が設けられる。なお、Ｘ方向およびＹ方向に隣接するガス供給口４２は、１ｃｍ程度の間隔となるように等間隔に配置される。
【００２６】
また、図２（ａ）のＡ−Ｂ断面を示した図２（ｂ）のように、凸部４１ａ〜４１ｅの先端部は、Ｘ−Ｙ面と平行な面が形成され、いずれの先端部の平面はＺ軸において面一となるように形成されている。なお、ここでの面一とは凸部４１ａ〜４１ｅの先端部の平面が完全に同一のＸ−Ｙ平面上に位置するもののみでなく、凸部４１ａ〜４１ｅの先端部の平面がＺ軸方向に約１ｍｍ以内の高低差を有するものをも含む。
【００２７】
凸部４１ａ〜４１ｅの先端部のＸ方向における幅Ｈａ〜Ｈｅは、シャワープレート４０の中央部に比べて外周部に位置するものの方が小さくなるように形成される。本実施形態では、凸部４１ａ〜４１ｅの先端部のＸ方向における幅Ｈａ〜Ｈｅは、Ｈａ＞Ｈｂ＞Ｈｃ＞Ｈｄ＞Ｈｅのように、シャワープレート４０の中央部から外周部に向かって順々に小さくなるものとしたが、例えばＨａ＝Ｈｂ＞Ｈｃ＝Ｈｄ＞Ｈｅのように段階的に小さくなるようにしても良い。
【００２８】
一方、隣接する凸部４１ａ〜４１ｅの間に形成された凹部４３ａ〜４３ｄのＸ方向における幅ｈａ〜ｈｄは、シャワープレート４０の中央部に比べて外周部に位置するものの方が大きくなるように形成される。つまり、シャワープレート４０は中央部から外周部に向かって、凸部４１ａ〜４１ｅの先端部の幅Ｈａ〜Ｈｅが小さくなった分、凹部４３ａ〜４３ｄの幅を大きくすることにより、凸部４１ａ〜４１ｅの先端部の中央部に設けられた各々のガス供給口４２の間隔を一定とすることができる。本実施形態では、凹部４３ａ〜４３ｄのＸ方向における幅ｈａ〜ｈｄは、ｈａ＜ｈｂ＜ｈｃ＜ｈｄのように、シャワープレート４０の中央部から外周部に向かって順々に大きくなるものとしたが、例えばｈａ＝ｈｂ＜ｈｃ＝ｈｄのように段階的に小さくなるようにしても良い。
【００２９】
なお、凹部４３ａ〜４３ｄの底部までの深さは、シャワープレート４０の中央部および外周部に亘って、Ｚ方向に同じ深さを有するように形成される。
【００３０】
上記の記載では、Ｘ方向における凸部４１ａ〜４１ｅおよび凹部４３ａ〜４３ｄの幅の関係を説明したが、Ｙ方向においても同様の関係となるようにシャワープレート４０が形成される。
【００３１】
なお、本実施形態は図２（ａ）に記載したシャワープレート４０の全面に複数の凸部４１・・・を形成したものに限らず、図３に記載したようにシャワープレート４０の外周部の領域にだけ複数の凸部４１・・・を形成したものとしても良い。
【００３２】
シャワープレート４０としては、Ａｌ板を用いる。このシャワープレート４０は導電性部材であればよく、本実施形態で用いたＡｌの代わりに、Ｃｕ，ＳＵＳなどを用いても良い。
【００３３】
〈作用および効果〉
本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置１によれば、基板１０全面に渡って均一な膜質と膜厚を有する膜を成膜することができる。このような効果について、以下に詳説する。
【００３４】
（１）本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置１では、中央部から外周部に向かってＸ／Ｙ方向に対する先端部の幅が小さくなった凸部４１ａ〜４１ｅが設けられたシャワープレート４０を用いる。これにより、凸部４１ａ〜４１ｅの先端部に電界を集中させることが可能となり、先端部付近に高密度なプラズマからなるプラズマ発生領域８を発生させることができる。さらには、シャワープレート４０の中央部に比べて外周部に位置する凸部４１の先端部の幅を小さくすることにより、中央部に位置する凸部４１ａに比べて外周部に位置する凸部４１ｅの方がより良く電界を集中させることが可能となり、より活性なプラズマ発生領域８を発生させることができる。これにより、中央部に比べて原料ガス濃度が希釈され易い外周部においても、このプラズマ発生領域８で効率良く原料ガスを分解し、より多くの活性種を生成することが可能となるので、外周部における成膜速度を向上させることができる。
【００３５】
（２）シャワープレート４０に設けられた隣接する凸部４１ａ〜４１ｅの間に形成された凹部４３ａ〜４３ｄを、シャワープレート４０の中央部に比べ、外周部の方がＸ／Ｙ方向への幅が大きくなるように形成する。つまり、本実施形態では基板１０とそれぞれの凹部４３ａ〜４３ｄで形成されるガスが流れる空間を、基板１０の中央部のＡ側に比べて外周部Ｂ側の方が広くなるようにする。これにより、原料ガスを大量供給した場合であっても、基板１０中央部に比べて外周部でのガスの流速が速くなることを抑制し、基板１０の中央部と外周部におけるガスの流速が一定となるようにすることができる。したがって、本実施形態のプラズマ処理装置１では、基板１０中央部と外周部において、ガスの流速をほぼ一定にすることにより、膜質および膜厚が不均一になることを抑制することができる。
【００３６】
（３）シャワープレート４０に設けられた凸部４１ａ〜４１ｅを、略格子状に形成しているので、基板１０の中央部から外周部に向かってより良くガスが流れやすくすることができ、より早く成膜することができる。
【００３７】
（４）隣接する凸部４１ａ〜４１ｅの中心（ガス供給口４２）間は、凸部４１ａ〜４１ｅを中心とする隣接し合うプラズマ発生領域８、８とがオーバラップするように１ｃｍ程度とする。これにより、上部電極４の全面に配置されたプラズマ発生領域８、８…により、基板１０の全面で成膜種を生成することができるので、膜質および膜厚が不均一になるのを有効に抑制することができる。
【００３８】
〈太陽電池の構成〉
次に、プラズマ処理装置１を用いて本発明の太陽電池２０を製造する方法について説明する。
【００３９】
本実施形態で製造される太陽電池２０は、図４に示すように、基板１０上に透明導電膜１１と光電変換ユニット１２および１３と裏面電極１４とを順次積層される。
【００４０】
基板１０は、ガラス等の光透過性の部材により構成され、太陽電池の単一基板である。この基板１０の光入射側と反対の裏面側に複数の光起電力素子が形成される。
【００４１】
透明導電膜１１（基板側電極）は、基板１０上に形成される。透明導電膜１１として、本実施形態では高い光透過性、低抵抗性、可塑性を有し、低価格であるため好適なＺｎＯを用いる。
【００４２】
光電変換ユニット１２および１３は、透明導電膜１１上に形成され、光電変換ユニット１２および１３は、それぞれ非晶質シリコン半導体および微結晶シリコン半導体により構成される。なお、本明細書において、「微結晶」の用語は、完全な結晶状態のみならず、部分的に非結晶状態を含む状態をも意味するものとする。
【００４３】
裏面電極１４（裏面側電極）は、Ａｇ等の導電性部材により構成され、光電変換ユニット１２および１３上に形成される。なお、裏面電極１４と光電変換ユニット１３の間に透明導電材料からなる層を介在させても良い。
【００４４】
上記の実施形態では、非晶質シリコン半導体と微結晶シリコン半導体とが順次積層された光電変換ユニット１２および１３を用いたが、微結晶又は非晶質光電変換ユニットの単層又は３層以上の積層体を用いても良い。また、第１光起電力素子と第２光起電力素子の間にＺｎＯ，ＳｎＯ２，ＳｉＯ２，ＭｇＺｎＯからなる中間層を設け、光学的特性を向上させた構造としても良い。さらに、透明導電膜１１は、本実施形態で用いたＺｎＯの他、Ｉｎ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＴｉＯ２，Ｚｎ２ＳｎＯ４の金属酸化物より選択された一種類あるいは複数種類の積層体により構成しても良い。
【００４５】
〈太陽電池の製造方法〉
以下に、プラズマ処理装置１を用いた上述の太陽電池２０の製造方法について説明する。
【００４６】
初めに、４ｍｍ厚のガラス基板１０上に、スパッタにより６００ｎｍ厚のＺｎＯ電極１１を形成する。
【００４７】
次に、上記実施形態のプラズマ処理装置により、光電変換ユニット１２および１３を形成する。
【００４８】
詳述すると図１に示すように、プラズマ処理装置１の下部電極３の上部電極４と対向する面に形成された基板保持部３ａに基板１０を固定した後、真空排気設備６により真空チャンバ２内を真空排気する。
【００４９】
そして、上部電極４と下部電極３との間に、図２に示すように、原料ガス供給源７（図１参照）に接続された上部電極４のガス供給口４２から原料ガスを供給する。この後、上部電極４に高周波電力を供給することにより、上部電極４の凸部４１ａ〜４１ｅを中心としてプラズマを発生させる。これにより、原料ガスがプラズマにより分解されて成膜種が生成される。原料ガスがプラズマにより分解されて生成された成膜種が基板１０上に堆積することによって、基板１０上に所定の膜（図示せず）が形成される。
【００５０】
光電変換ユニット１２は、プラズマ処理装置１により、ＳｉＨ４、ＣＨ４、Ｈ２およびＢ２Ｈ６との混合ガスを原料ガスとして膜厚１０ｎｍのｐ型非晶質シリコン半導体層を、ＳｉＨ４とＨ２との混合ガスを原料ガスとして膜厚３００ｎｍのi型非晶質シリコン半導体層を、ＳｉＨ４、Ｈ２およびＰＨ４との混合ガスを原料ガスとして膜厚２０ｎｍのｎ型非晶質シリコン半導体層を形成し順次積層する。又、光電変換ユニット１３は、プラズマ処理装置１により、ＳｉＨ４、Ｈ２およびＢ２Ｈ６との混合ガスを原料ガスとして膜厚１０ｎｍのｐ型微結晶シリコン半導体層を、ＳｉＨ４とＨ２との混合ガスを原料ガスとして膜厚２０００ｎｍのi型微結晶シリコン半導体層を、ＳｉＨ４、Ｈ２およびＰＨ４との混合ガスを原料ガスとして膜厚２０ｎｍのｎ型微結晶シリコン半導体層を形成し順次積層する。以下にプラズマ処理装置の諸条件の詳細を表１に示す。
【００５１】
【表１】
2011222863.tif 000003
【００５２】
次に、２００ｎｍ厚のＡｇ電極１４を、光電変換ユニット１３上にスパッタにより形成する。
【００５３】
以上により、ガラス基板１０上に太陽電池２０を形成する。そして、この太陽電池２０の裏面電極１４上には、図５で示すようにＥＶＡ（エチレン・ビニル・アセテート）等からなる充填剤１５、およびＰＥＴ／Ａｌ箔／ＰＥＴ等からなるバックシート１６を設け、太陽電池モジュールとする。
【００５４】
なお、上記実施形態では、光電変換ユニット１２および１３の全てをプラズマ処理装置１によって形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、光電変換ユニット１２および１３の少なくとも一部をプラズマ処理装置１によって形成すればよい。
【００５５】
〈作用および効果〉
本発明の太陽電池２０の製造方法では、成膜速度を大きくしても膜質および膜厚が不均一になることを抑制できるため、所望の良好な膜を形成することができる。この結果、膜質および膜厚の不均一に起因する変換効率の低下を防止することができ、より大きな電力を取り出すことができる。即ち、本発明の太陽電池の製造方法では、成膜速度の向上と太陽電池の変換効率の低下防止を両立することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１    プラズマ処理装置
３    下部電極
４    上部電極
４０  シャワープレート
４１、４１ａ〜４１ｅ  凸部
４２  ガス供給口
４３、４３ａ〜４３ｄ  凹部
１０    基板
１１    透明導電膜
１２、１３    光電変換ユニット
１４    裏面電極
２０    太陽電池
【図１】
2011222863.tif 000004
【図２】
2011222863.tif 000005
【図３】
2011222863.tif 000006
【図４】
2011222863.tif 000007
【図５】
2011222863.tif 000008
【図６】
2011222863.tif 000009