(57)【要約】【課題】バルクシリコン基板を使用する変調器を提供する。【解決手段】所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備えるバルクシリコン基板２８１と、バルクシリコン基板２８１のトレンチに形成される下部クラッド層２８０と、下部クラッド層２８０上に形成される複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０と、下部クラッド層２８０上に形成され、導波路２３０の屈折率を変調して、導波路２３０を通過する光信号の位相を変調する位相変調部２７０と、複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０及び位相変調部２７０上に形成される上部クラッド層と、を備える変調器２００である。【選択図】図２
2011164612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備えるバルクシリコン基板と、
前記バルクシリコン基板の前記トレンチに形成される下部クラッド層と、
前記下部クラッド層上に形成される複数個の導波路と、
前記下部クラッド層上に形成され、導波路の屈折率を変調して当該導波路を通過する光信号の位相を変調する位相変調部と、
前記複数個の導波路及び前記位相変調部上に形成される上部クラッド層と、を備えることを特徴とする変調器。
【請求項２】
前記下部クラッド層の厚さは、前記バルクシリコン基板の前記トレンチの深さと同じ、または、前記トレンチの深さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の変調器。
【請求項３】
前記位相変調部の下部に形成された前記下部クラッド層の幅は、１．５〜１０．０μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の変調器。
【請求項４】
前記複数個の導波路の下部に形成された前記下部クラッド層の幅は、１．０〜１０．０μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の変調器。
【請求項５】
前記位相変調部の中心と、前記位相変調部の下部に形成された前記下部クラッド層の中心との水平方向の位置ずれ量は、０．１〜５．０μｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の変調器。
【請求項６】
前記位相変調部は、
前記下部クラッド層上にシリコン層で形成されるスラブと、
前記スラブの一部に所定の高さに形成されるコアと、
Ｐ型キャリアを注入するための第１電極と、
Ｎ型キャリアを注入するための第２電極と、
前記第１電極に接続され、Ｐ型キャリアがドーピングされて前記スラブに形成されるＰ型キャリアドーピング部と、
前記第２電極に接続され、Ｎ型キャリアがドーピングされて前記スラブに形成されるＮ型キャリアドーピング部と、を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の変調器。
【請求項７】
前記Ｐ型キャリアドーピング部及び前記Ｎ型キャリアドーピング部は、前記コアを中心に対称的に、前記スラブの一部にのみ形成されることを特徴とする請求項６に記載の変調器。
【請求項８】
前記Ｐ型キャリアドーピング部及び前記Ｎ型キャリアドーピング部は、前記コアを中心に対称的に、前記スラブ及び前記コアの一部に形成されることを特徴とする請求項６に記載の変調器。
【請求項９】
前記Ｐ型キャリアドーピング部及び前記Ｎ型キャリアドーピング部は、前記コアを中心に対称的に、前記スラブ及び前記コアの全部に形成されることを特徴とする請求項６に記載の変調器。
【請求項１０】
光信号を入力させる入力導波路と、
光信号を出力させる出力導波路と、
前記入力導波路及び前記出力導波路に連結された第１連結部と、
前記第１連結部に連結された連結導波路と、
光信号を通過させる複数個の分岐導波路と、
前記複数個の分岐導波路のうち少なくとも一つの分岐導波路の屈折率を変調して、当該分岐導波路を通過する光信号の位相を変調する位相変調部と、
前記複数個の分岐導波路の端部にそれぞれ位置し、前記分岐導波路を通過する光信号を反射する複数個の反射部と、
前記連結導波路及び前記複数個の分岐導波路に連結され、前記入力導波路を通じて入力された光信号を前記複数個の分岐導波路に分岐させる一方で、前記複数個の反射部でそれぞれ反射された光信号を合成する第２連結部と、を備えることを特徴とする変調器。
【請求項１１】
前記第２連結部では、前記複数個の反射部でそれぞれ反射された光信号が合成されて補強干渉または相殺干渉が起こることを特徴とする請求項１０に記載の変調器。
【請求項１２】
前記第１連結部は、前記第２連結部で合成された光信号を前記入力導波路と前記出力導波路とに分岐することを特徴とする請求項１０または１１に記載の変調器。
【請求項１３】
前記入力導波路は、アイソレータを備え、
前記アイソレータは、外部から前記入力導波路に入力される光信号を通過させる一方で、前記第２連結部で合成され前記第１連結部により前記入力導波路に分岐される光信号を遮断することを特徴とする請求項１２に記載の変調器。
【請求項１４】
前記第１連結部は、サーキュレータであり、前記サーキュレータは、前記第２連結部で合成された光信号を前記出力導波路にのみ出力させることを特徴とする請求項１０または１１に記載の変調器。
【請求項１５】
前記位相変調部は、直線型構造を有することを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の変調器。
【請求項１６】
前記位相変調部は、リング共振型構造を有することを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の変調器。
【請求項１７】
前記位相変調部は、直線型構造とリング共振型構造とが混合された構造を有することを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の変調器。
【請求項１８】
光信号を入力するステップと、
入力された光信号が複数個の分岐導波路に分岐されるステップと、
複数個の分岐導波路に分岐された光信号のうち少なくとも一つの光信号の位相を変調するステップと、
前記複数個の分岐導波路に分岐された光信号を反射するステップと、
前記反射された光信号を合成するステップと、
前記合成された光信号を出力するステップと、を含むことを特徴とする変調方法。
【請求項１９】
送信部と受信部とを備える光通信システムであって、
前記送信部は、電気信号を光信号に変調する変調素子を備え、
前記受信部は、光信号を電気信号に復調する復調素子を備え、
前記変調素子は、変調部であって、
前記変調部は、
光信号を入力させる入力導波路と、
光信号を出力させる出力導波路と、
前記入力導波路及び前記出力導波路に連結された第１連結部と、
前記第１連結部に連結された連結導波路と、
光信号を通過させる複数個の分岐導波路と、
前記複数個の分岐導波路のうち少なくとも一つの分岐導波路の屈折率を変調して、当該分岐導波路を通過する光信号の位相を変調する位相変調部と、
前記複数個の分岐導波路の端部にそれぞれ位置し、前記分岐導波路を通過する光信号を反射する複数個の反射部と、
前記連結導波路及び前記複数個の分岐導波路に連結され、前記入力導波路を通じて入力された光信号を前記複数個の分岐導波路に分岐させる一方で、前記複数個の反射部でそれぞれ反射された光信号を合成する第２連結部と、を備えることを特徴とする光通信システム。
【請求項２０】
所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備えるバルクシリコン基板と、
前記バルクシリコン基板の前記トレンチに形成される下部クラッド層と、
前記下部クラッド層上に形成される複数個の導波路と、
前記下部クラッド層上に形成され、導波路の屈折率を変調して当該導波路を通過する光信号の位相を変調する位相変調部と、
前記複数個の導波路及び前記位相変調部上に形成される上部クラッド層と、を備える変調器であって、
前記複数個の導波路は、
光信号を入力させる入力導波路と、
光信号を出力させる出力導波路と、
前記入力導波路及び前記出力導波路に連結された第１連結部と、
前記第１連結部に連結された連結導波路と、
光信号を通過させる複数個の分岐導波路と、
前記連結導波路及び前記複数個の分岐導波路に連結され、前記入力導波路を通じて入力された光信号を前記複数個の分岐導波路に分岐させる一方で、前記複数個の分岐導波路から出力される光信号を合成する第２連結部と、を備え、
前記位相変調部は、
前記分岐導波路のうち少なくとも一つの分岐導波路の屈折率を変調して、当該分岐導波路を通過する光信号の位相を変調し、
前記変調器は、
前記複数個の分岐導波路の端部にそれぞれ位置し、前記分岐導波路を通過する光信号を反射して前記分岐導波路から出力させる複数個の反射部をさらに備えることを特徴とする変調器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、変調器、変調方法、及び光通信システムに係り、特に、バルクシリコン基板を使用する変調器、変調方法、及び光通信システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
これまで、ほとんどの光素子は、別々に製作され、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）基板上で組み立てられていた。かかる方式は、集積回路が発明される以前の電気素子と同様に、大量生産による価格節減の恩恵を受け難かった。したがって、最近では、電気集積回路と類似した光集積回路を具現するための努力が活発に進められている。光集積回路は、電気集積回路と同様に、多様な機能の光素子と電気素子とを単一の基板に集積して小型化した素子である。
【０００３】
光集積回路をなす光素子は、能動素子と受動素子とに大別できる。能動素子は、電力が供給される素子であって、光源、変調器、受信器などがあり、受動素子は、電力が供給されない素子であって、導波路、カプラ、フィルタ、多重化器などがある。それらのうち、変調器は、干渉計型と共振型とに区分される。干渉計型の変調器は、高速動作が可能であり、動作スペクトル帯域が広く、温度変化に鈍感であるという長所を有するが、数ミリメートルの長さによって小型化が困難であるという短所がある。共振型の変調器は、数十マイクロメートルの短い長さを有することが長所であるが、動作スペクトル帯域が狭く、温度変化に敏感であるという短所がある。
【０００４】
また、変調器には、主にＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板が使われる。光素子の基本構造である導波路を製作するためには、屈折率の高いシリコンコアを、屈折率の低いＳｉＯ２クラッディングにより囲まねばならないが、シリコンコアの下部に下部クラッド層を形成することがキーポイントである。ＳＯＩ基板を利用すれば、基板の内部のＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）が下部クラッディングの役割を行うので、工程が簡単になる。しかし、ＳＯＩ基板は、バルクシリコン（Ｂｕｌｋ−Ｓｉ）基板に比べて約１０倍価格が高く、原価節減に大きく不利であるという問題がある。したがって、低価のＢｕｌｋ−Ｓｉ基板型の変調器の開発が緊急に要求されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、上記したような問題点を解決するために提案されたものであって、高速動作が可能であり、動作スペクトル帯域が広く、温度変化に鈍感であると共に、長さが短い変調器、変調器を利用した変調方法、及び変調器を利用する光通信システムを提供するところにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、上記したような問題点を解決するために提案されたものであって、低価のバルクシリコン基板を使用する変調器の構造を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するために、所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備えるバルクシリコン基板と、前記バルクシリコン基板の前記トレンチに形成される下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成される複数個の導波路と、前記下部クラッド層上に形成され、導波路の屈折率を変調して当該導波路を通過する光信号の位相を変調する位相変調部と、前記複数個の導波路及び前記位相変調部上に形成される上部クラッド層と、を備えることを特徴とする変調器が提供される。
【０００８】
望ましくは、前記下部クラッド層の厚さは、前記バルクシリコン基板の前記トレンチの深さと同じ、または、前記トレンチの深さよりも薄いことを特徴とする変調器が提供される。
【０００９】
望ましくは、前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層の厚さは、それぞれ０．５μｍないし３．０μｍであることを特徴とする変調器が提供される。
【００１０】
望ましくは、前記位相変調部の下部に形成された前記下部クラッド層の幅は、１．５μｍないし１０．０μｍであることを特徴とする変調器が提供される。
【００１１】
望ましくは、前記複数個の導波路の下部に形成された前記下部クラッド層の幅は、１．０μｍないし１０．０μｍであることを特徴とする変調器が提供される。
【００１２】
望ましくは、前記位相変調部の中心と、前記位相変調部の下部に形成された前記下部クラッド層の中心との水平方向の位置ずれ量は、０．１μｍないし５．０μｍであることを特徴とする変調器が提供される。
【００１３】
望ましくは、前記位相変調部は、前記下部クラッド層上にシリコン層で形成されるスラブと、前記スラブの一部に所定の高さに形成されるコアと、Ｐ型キャリアを注入するための第１電極と、Ｎ型キャリアを注入するための第２電極と、前記第１電極に接続され、Ｐ型キャリアがドーピングされて前記スラブに形成されるＰ型キャリアドーピング部と、前記第２電極に接続され、Ｎ型キャリアがドーピングされて前記スラブに形成されるＮ型キャリアドーピング部と、を備えることを特徴とする変調器が提供される。
【００１４】
また、望ましくは、前記Ｐ型キャリアドーピング部及び前記Ｎ型キャリアドーピング部は、前記コアを中心に対称的に、前記スラブの一部にのみ形成されることを特徴とする変調器が提供される。
【００１５】
また、望ましくは、前記Ｐ型キャリアドーピング部及び前記Ｎ型キャリアドーピング部は、前記コアを中心に対称的に、前記スラブ及び前記コアの一部に形成されることを特徴とする変調器が提供される。
【００１６】
また、望ましくは、前記Ｐ型キャリアドーピング部及び前記Ｎ型キャリアドーピング部は、前記コアを中心に対称的に、前記スラブ及び前記コアの全部に形成されることを特徴とする変調器が提供される。
【００１７】
また、望ましくは、前記Ｐ型キャリア及び前記Ｎ型キャリアのドーピング濃度は、それぞれ１０Ｅ−１７（１０−１７）ないし１０Ｅ−２２（１０−２２）であることを特徴とする変調器が提供される。
【００１８】
また、望ましくは、前記スラブの厚さは、１０ｎｍないし１００ｎｍであることを特徴とする変調器が提供される。
【００１９】
また、望ましくは、前記コアの表面から前記スラブの終端までの水平長は、１μｍないし５μｍであることを特徴とする変調器が提供される。
【００２０】
また、望ましくは、前記コアの表面から前記第１電極または第２電極までの水平長は、０．５μｍないし３．０μｍであることを特徴とする変調器が提供される。
【００２１】
前記目的を達成するために、所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備えるバルクシリコン基板と、前記バルクシリコン基板の前記トレンチに形成される下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成される複数個の導波路と、前記下部クラッド層上に形成され、導波路の屈折率を変調して当該導波路を通過する光信号の位相を変調する位相変調部と、前記複数個の導波路及び前記位相変調部上に形成される上部クラッド層と、を備える変調器であって、前記複数個の導波路は、光信号を入力させる入力導波路と、光信号を出力させる出力導波路と、前記入力導波路及び前記出力導波路に連結された第１連結部と、前記第１連結部に連結された連結導波路と、光信号を通過させる複数個の分岐導波路と、前記連結導波路および前記複数個の分岐導波路に連結され、前記入力導波路を通じて入力された光信号を複数個の分岐導波路に分岐させる一方で、前記複数個の分岐導波路から出力される光信号を合成する第２連結部と、を備え、前記位相変調部は、前記分岐導波路のうち少なくとも一つの分岐導波路の屈折率を変調して、当該分岐導波路を通過する光信号の位相を変調し、前記変調器は、前記複数個の分岐導波路の端部にそれぞれ位置し、前記分岐導波路を通過する光信号を反射して前記分岐導波路から出力させる複数個の反射部をさらに備えることを特徴とする変調器が提供される。
【００２２】
望ましくは、前記下部クラッド層の厚さは、前記バルクシリコン基板の前記トレンチの深さと同じ、または、前記トレンチの深さよりも薄いことを特徴とする変調器が提供される。
【００２３】
望ましくは、前記位相変調部は、前記下部クラッド層上にシリコン層で形成されるスラブと、前記スラブの一部に所定の高さに形成されるコアと、Ｐ型キャリアを注入するための第１電極と、Ｎ型キャリアを注入するための第２電極と、前記第１電極に接続され、前記スラブに形成されてＰ型キャリアをドーピングするＰ型キャリアドーピング部と、前記第２電極に接続され、前記スラブに形成されてＮ型キャリアをドーピングするＮ型キャリアドーピング部と、を備えることを特徴とする変調器が提供される。
【００２４】
望ましくは、前記第２連結部では、前記複数個の反射部でそれぞれ反射された光信号が合成されて補強干渉または相殺干渉が起こることを特徴とする変調器が提供される。
【００２５】
望ましくは、前記第１連結部は、前記第２連結部で合成された光信号を前記入力導波路と前記出力導波路とに分岐することを特徴とする変調器が提供される。
【００２６】
望ましくは、前記入力導波路は、アイソレータを備え、前記アイソレータは、外部から前記入力導波路に入力される光信号を通過させる一方で、前記第２連結部で合成され前記第１連結部により前記入力導波路に分岐される光信号を遮断することを特徴とする変調器が提供される。
【００２７】
望ましくは、前記第１連結部は、サーキュレータであり、前記サーキュレータは、前記第２連結部で合成された光信号を前記出力導波路にのみ出力させることを特徴とする変調器が提供される。
【発明の効果】
【００２８】
本発明は、光信号が位相変調部を２回以上通過するので、２倍以上の変調効率を有する。
【００２９】
また、本発明による変調器は、高速動作が可能であり、動作スペクトル帯域が広く、温度変化に鈍感であると共に、長さが短くて小型化が可能である。
【００３０】
また、本発明による変調器は、バルクシリコン基板を使用するので、変調器の製作コストを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１Ａ】干渉計型の変調器の構成図である。
【図１Ｂ】図１Ａの構成図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図２】バルクシリコン基板を使用する変調器の構成図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器を示す図面であって、図２の構成図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３Ｂ】本発明の第１実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器を示す図面であって、図２の構成図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３Ｃ】本発明の第１実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器を示す図面であって、図２の構成図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図４Ａ】本発明の第２実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器を示す図面であって、図２の構成図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図４Ｂ】本発明の第２実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器を示す図面であって、図２の構成図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図４Ｃ】本発明の第２実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器を示す図面であって、図２の構成図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図５Ａ】本発明の第３実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器を示す図面であって、図２の構成図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図５Ｂ】本発明の第３実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器を示す図面であって、図２の構成図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図５Ｃ】本発明の第３実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器を示す図面であって、図２の構成図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図６】共振型の変調器の構成図である。
【図７】本発明の一実施形態による変調器のブロック図である。
【図８Ａ】本発明の一実施形態による直線型の位相変調部を備える変調器の構成図である。
【図８Ｂ】図８Ａの変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【図８Ｃ】図８Ａの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図８Ｄ】図８Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図９Ａ】本発明の他の実施形態による直線型の位相変調部を備える変調器の構成図である。
【図９Ｂ】図９Ａの変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【図９Ｃ】図９Ａの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図９Ｄ】図９Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図１０Ａ】本発明の一実施形態によるリング共振型の位相変調部を備える変調器の構成図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａの変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【図１０Ｃ】図１０Ａの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図１０Ｄ】図１０Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図１１Ａ】本発明の他の実施形態によるリング共振型の位相変調部を備える変調器の構成図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａの変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【図１１Ｃ】図１１Ａの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図１１Ｄ】図１１Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図１２Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるリング共振型の位相変調部を備える変調器の構成図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａの変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【図１２Ｃ】図１２Ａの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図１２Ｄ】図１２Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図１３Ａ】本発明の一実施形態による直線型の位相変調部とリング共振型の位相変調部とを備える混合型の変調器の構成図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａの混合型の変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【図１３Ｃ】図１３Ａの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図１３Ｄ】図１３Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図１４Ａ】本発明の他の実施形態による直線型の位相変調部とリング共振型の位相変調部とを備える混合型の変調器の構成図である。
【図１４Ｂ】図１４Ａの混合型の変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【図１４Ｃ】図１４Ａの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図１４Ｄ】図１４Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図１５Ａ】本発明のさらに他の実施形態による直線型の位相変調部とリング共振型の位相変調部とを備える混合型の変調器の構成図である。
【図１５Ｂ】図１５Ａの混合型の変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【図１５Ｃ】図１５Ａの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図１５Ｄ】図１５Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【図１６Ａ】本発明の変調器に使われる連結部の一実施形態を示す図面である。
【図１６Ｂ】本発明の変調器に使われる連結部の一実施形態を示す図面である。
【図１６Ｃ】本発明の変調器に使われる連結部の一実施形態を示す図面である。
【図１７】本発明の一実施形態による変調方法を示すフローチャートである。
【図１８】本発明の一実施形態による変調器を使用する光通信システムの構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
本明細書に開示されている本発明の実施形態について、特定の構造的ないし機能的説明は、単に本発明の実施形態を説明するための目的で例示されたものであり、本発明の実施形態は、多様な形態に実施され、本明細書に説明された実施形態に限定されるものと解釈されてはならない。
【００３３】
本発明は、多様な変更が加えられ、色々な形態を有しうるところ、特定の実施形態を図面に例示して本明細書に詳細に説明する。しかし、これは、本発明を特定の開示形態に限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変更、均等物、及び代替物を含むものと理解されねばならない。
【００３４】
第１、第２などの用語は、多様な構成要素を説明するのに使われるが、前記構成要素は、前記用語により限定されてはならない。前記用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使われる。例えば、本発明の権利範囲から逸脱しないまま、第１構成要素は第２構成要素と名称を付けられ、同様に第２構成要素も第１構成要素と名称を付けられる。
【００３５】
ある構成要素が他の構成要素に“連結されて”いる、または“接続されて”いると言及された時には、他の構成要素に直接的に連結または接続されていることもあるが、中間にさらに他の構成要素が存在することもあると理解されねばならない。一方、ある構成要素が他の構成要素に“直接連結されて”いる、または“直接接続されて”いると言及された時には、中間にさらに他の構成要素が存在しないものと理解されねばならない。構成要素間の関係を説明する他の表現、すなわち“間に”と“すぐ間に”または“〜に隣接する”と“〜に直接隣接する”なども同様に理解されねばならない。
【００３６】
本明細書で使用した用語は、単に特定の実施形態を説明するために使われたものであって、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は、文脈上明白に取り立てて意味しない限り、複数の表現を含む。本明細書において、“含む”または“有する”などの用語は、説示された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品、またはそれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであり、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品、またはそれらを組み合わせたものの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないものと理解されねばならない。
【００３７】
取り立てて定義されていない限り、技術的または科学的な用語を含めて、ここで使われるあらゆる用語は、当業者により一般的に理解されるところと同じ意味である。一般的に使われる事前に定義されているような用語は、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味であるものと解釈されねばならず、本明細書で明白に定義しない限り、理想的または過度に形式的な意味と解釈されない。
【００３８】
以下、図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
【００３９】
図１Ａは、干渉計型の変調器の構成図であり、図１Ｂは、図１Ａの構成図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００４０】
図１Ａは、干渉計型の変調器１００の構造を示す。光信号は入力導波路１１０を通じて入力され、入力された光信号は、第１連結部１２０を通じてそれぞれ第１導波路１３０と第２導波路１４０とに分岐される。第１導波路１３０に分岐された光信号の位相は、直線型の位相変調部１７０で変調される。一方、第２導波路１４０に分岐された光信号は、位相が変わらない。第１導波路１３０と第２導波路１４０とを通過した光信号は、第２連結部１５０で合わせられるので、第２連結部１５０では干渉計が形成される。干渉計は、マッハ・ツェンダ型干渉計でありうる。
【００４１】
第２連結部１５０で補強干渉または相殺干渉が起こった光信号は、出力導波路１６０を通じて出力される。
【００４２】
具体的に、第１導波路１３０に分岐されて、直線型の位相変調部１７０を通過する光信号の位相が、第２導波路１４０に分岐された光信号の位相と１８０度差が発生すれば、第２連結部１５０では相殺干渉が起こって、出力導波路１６０を通じて出力される出力光信号の強度が０になる。
【００４３】
一方、第１導波路１３０に分岐されて直線型の位相変調部１７０を通過する光信号の位相が、第２導波路１４０に分岐された光信号の位相と差が発生しなければ、第２連結部１５０では補強干渉が起こり、出力導波路１６０を通じて出力される出力光信号の強度が１になる。
【００４４】
図１Ａの導波路１１０，１３０，１４０，１６０、連結部１２０，１５０、及び直線型の位相変調部１７０は、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板で具現される。
【００４５】
光素子の基本構造である導波路を製作するためには、屈折率の高いシリコンコアを屈折率の低いインシュレータ（例えば、ＳｉＯ２）で囲まねばならない。
【００４６】
図１Ｂを参照すれば、導波路１１０，１３０，１４０，１６０、連結部１２０，１５０、及び直線型の位相変調部１７０は、いずれも屈折率の低い下部クラッド層１８０上に形成される。また、下部クラッド層１８０は、シリコン基板１８１上に形成される。このように、シリコン基板１８１と、その上部にインシュレータである下部クラッド層１８０とが形成される基板をＳＯＩ基板という。
【００４７】
直線型の位相変調部１７０を具現する方法は多様であり、代表的なものとして、導波路に電荷を注入する方法がある。導波路に電荷が注入されれば、導波路の屈折率が低下して、前記導波路を通過する光の位相が変わる。
【００４８】
直線型の位相変調部１７０を通過する導波路は、コア１７１とスラブ１７２とを備える。
【００４９】
スラブ１７２は、下部クラッド層１８０上にシリコン層で形成され、コア１７１は、スラブ１７２の一部に所定の高さに形成される。スラブ１７２は、導波路の導波特性に影響を与えないように、十分に薄くなければならない。
【００５０】
直線型の位相変調部１７０は、Ｐ型キャリアを注入するための第１電極１７５と、Ｎ型キャリアを注入するための第２電極１７６とを備える。
【００５１】
また、直線型の位相変調部１７０は、第１電極１７５に接続され、スラブ１７２に形成されてＰ型キャリアをドーピングするＰ型キャリアドーピング部１７３と、第２電極１７６に接続され、スラブ１７２に形成されてＮ型キャリアをドーピングするＮ型キャリアドーピング部１７４とを備える。
【００５２】
導波路１１０，１３０，１４０，１６０、連結部１２０，１５０、及び直線型の位相変調部１７０上には、上部クラッド層１８２が形成される。
【００５３】
かかる干渉計型の変調器１００では、直線型の位相変調部１７０を光が１回通過するので、十分な位相変調を得るためにミリメートル長さの位相変調部が必要になる。かかる干渉計型の変調器１００は、高速動作が可能であり、広帯域の動作スペクトルを有し、温度変化に鈍感であるという長所を有しているが、低い変調効率によってミリメートル長さの位相変調部が必要であるので、小型化しがたい。
【００５４】
図２は、バルクシリコン基板を使用する変調器の構成図である。
【００５５】
図２は、バルクシリコン基板を使用する干渉計型の変調器２００の構造を示す。光信号が入力導波路２１０を通じて入力され、入力された光信号は、第１連結部２２０を通じてそれぞれ第１導波路２３０と第２導波路２４０とに分岐される。第１導波路２３０に分岐された光信号の位相は、直線型の位相変調部２７０で変調される。一方、第２導波路２４０に分岐された光信号は、位相が変わらない。第１導波路２３０と第２導波路２４０とを通過した光信号は、第２連結部２５０で合わせられるので、第２連結部２５０では干渉計が形成される。干渉計は、マッハ・ツェンダ型干渉計でありうる。
【００５６】
図２の導波路２１０，２３０，２４０，２６０、連結部２２０，２５０、及び直線型の位相変調部２７０は、バルクシリコン基板２８１で具現される。
【００５７】
バルクシリコン基板２８１は、ＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）がないので、下部クラッド層２８０を先に形成せねばならない。このために、バルクシリコン基板２８１にトレンチを形成し、それをインシュレータ（例えば、ＳｉＯ２）で満たして下部クラッド層２８０を形成する。この時、トレンチの形態は、全体的に導波路２１０，２３０，２４０，２６０が形成される模様（形態）と同じであり、トレンチの幅は、十分に広く製作して、コア２７１がＳｉＯ２で囲まれるようにする。
【００５８】
バルクシリコン基板２８１に形成されたトレンチに下部クラッド層２８０を形成した後、下部クラッド層２８０の上部にシリコン層を形成し、それを加工して導波路２１０，２３０，２４０，２６０、連結部２２０，２５０、及び直線型の位相変調部２７０を形成する。
【００５９】
以後、インシュレータ（例えば、ＳｉＯ２）で上部クラッド層２８２を形成する。図２に示した変調器２００は、図１の変調器１００と異なり、ＳＯＩ基板のＢＯＸ部分がバルクシリコン基板２８１のトレンチに代替されたものであるということが分かる。
【００６０】
すなわち、図１の場合には、シリコン基板１８１の上部の不要な部分にも下部クラッド層１８０が形成されたが、図２の場合には、導波路２１０，２３０，２４０，２６０、連結部２２０，２５０、及び直線型の位相変調部２７０のように必要な部分にのみ下部クラッド層２８０が形成される。
【００６１】
本発明の一実施形態において、直線型の位相変調部２７０の下部に形成された下部クラッド層２８０の幅Ｗ１は、１．５μｍないし１０．０μｍであり、複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０の下部に形成された下部クラッド層２８０の幅Ｗ２は、１．０μｍないし１０．０μｍでありうる。
【００６２】
以下では、図２のＡ−Ａ’線に沿った断面図により、バルクシリコン基板を使用する変調器について詳細に説明する。
【００６３】
図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃは、本発明の第１実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器を示す図面であって、図２の構成図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００６４】
図２及び図３Ａを同時に参照すれば、本発明の第１実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器２００＿１ａは、バルクシリコン基板２８１、下部クラッド層２８０、複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０、直線型の位相変調部２７０、及び上部クラッド層２８２を備える。
【００６５】
バルクシリコン基板２８１は、所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備え、バルクシリコン基板２８１のトレンチに下部クラッド層２８０が形成される。また、下部クラッド層２８０上に、図２に示した複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０が形成される。
【００６６】
直線型の位相変調部２７０は、下部クラッド層２８０上に形成され、導波路の屈折率を変調して、導波路を通過する光信号の位相を変調する。特に、図２及び図３Ａでは、導波路２３０を通過する光信号の位相を変調する。
【００６７】
上部クラッド層２８２は、複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０及び直線型の位相変調部２７０上に形成される。
【００６８】
図３Ａの変調器２００＿１Ａは、下部クラッド層２８０の厚さＨ１と、バルクシリコン基板２８１の前記トレンチの深さとが同じ場合を表す。また、下部クラッド層２８０の厚さＨ１及び上部クラッド層２８２の厚さＨ２は、それぞれ０．５μｍないし３．０μｍでありうる。
【００６９】
直線型の位相変調部２７０を通過する導波路は、コア２７１とスラブ２７２とを備える。
【００７０】
スラブ２７２は、下部クラッド層２８０上にシリコン層で形成され、コア２７１は、スラブ２７２の一部に所定の高さに形成される。スラブ２７２は、導波路の導波特性に影響を与えないように、十分に薄くなければならず、スラブの厚さＨ３は、１０ｎｍないし１００ｎｍであることが望ましい。
【００７１】
コア２７１の表面からスラブ２７２の終端までの水平長Ｌ１，Ｌ２は、それぞれ１μｍないし５μｍであることが望ましい。
【００７２】
直線型の位相変調部２７０は、Ｐ型キャリアを注入するための第１電極２７５と、Ｎ型キャリアを注入するための第２電極２７６とを備える。コア２７１の表面から第１電極２７５または第２電極２７６までの水平長Ｌ３，Ｌ４は、それぞれ０．５μｍないし３．０μｍであることが望ましい。
【００７３】
また、直線型の位相変調部２７０は、第１電極２７５に接続され、スラブ２７２に形成されて、Ｐ型キャリアをドーピングするＰ型キャリアドーピング部２７３と、第２電極２７６に接続され、スラブ２７２に形成されて、Ｎ型キャリアをドーピングするＮ型キャリアドーピング部２７４とを備える。
【００７４】
前記Ｐ型キャリア及び前記Ｎ型キャリアのドーピング濃度は、それぞれ１０Ｅ−１７（１０−１７）ないし１０Ｅ−２２（１０−２２）であることが望ましい。また、Ｐ型キャリアドーピング部２７３及びＮ型キャリアドーピング部２７４は、コア２７１に対称的に形成され、スラブ２７２の一部にのみ形成される。
【００７５】
図３Ｂ及び図３Ｃを参照すれば、図３Ｂ及び図３Ｃの変調器２００＿１ｂ，２００＿１ｃは、図３Ａの変調器２００＿１ａとほぼ構成は同一であるが、Ｐ型キャリアとＮ型キャリアとがドーピングされる領域に差がある。
【００７６】
図３Ａの変調器２００＿１ａでは、Ｐ型キャリアドーピング部２７３及びＮ型キャリアドーピング部２７４がスラブ２７２のエッジの一部にのみ形成されるが、図３Ｂの変調器２００＿１ｂでは、Ｐ型キャリアドーピング部２７３及びＮ型キャリアドーピング部２７４が、スラブ２７２の一部及びコア２７１の一部にいずれも形成される。また、図３Ｃの変調器２００＿１ｃでは、Ｐ型キャリアドーピング部２７３及びＮ型キャリアドーピング部２７４が、スラブ２７２及びコア２７１の全部に形成される。
【００７７】
図４Ａ、図４Ｂ、及び図４Ｃは、本発明の第２実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器を示す図面であって、図２の構成図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００７８】
図４Ａ、図４Ｂ、及び図４Ｃを参照すれば、本発明の第２実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器２００＿２ａ，２００＿２ｂ，２００＿２ｃは、それぞれ図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃの変調器２００＿１ａ，２００＿１ｂ，２００＿１ｃとほぼ構成が同一であるが、図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃの変調器２００＿１ａ，２００＿１ｂ，２００＿１ｃと異なり、直線型の位相変調部２７０の中心（または、コア２７１の中心）と、直線型の位相変調部２７０の下部に形成された下部クラッド層２８０の中心との水平位置が、所定の距離Ｄだけずれている。
【００７９】
直線型の位相変調部２７０の中心と、直線型の位相変調部２７０の下部に形成された下部クラッド層２８０の中心との水平方向の位置すれ量Ｄは、０．１μｍないし５．０μｍであることが望ましい。
【００８０】
図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃは、本発明の第３実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器を示す図面であって、図２の構成図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００８１】
図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃを参照すれば、本発明の第３実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器２００＿３ａ，２００＿３ｂ，２００＿３ｃは、それぞれ図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃの変調器２００＿１ａ，２００＿１ｂ，２００＿１ｃとほぼ構成が同一であるが、図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃの変調器２００＿１ａ，２００＿１ｂ，２００＿１ｃと異なり、下部クラッド層２８０の厚さがバルクシリコン基板２８１の前記トレンチの深さよりも薄い。
【００８２】
すなわち、本発明の第３実施形態によるバルクシリコン基板を使用する変調器２００＿３ａ，２００＿３ｂ，２００＿３ｃは、バルクシリコン基板２８１のエッジ上端がコア２７１の上端と一致する構造である。かかる変調器の構造は、バルクシリコン基板２８１にトレンチをさらに深く形成し、適正高さまでのみ下部クラッド層２８０を形成した後、残りの部分にシリコン層を形成して、複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０と直線型の位相変調部２７０とを加工する構造である。
【００８３】
図６は、共振型の変調器の構成図である。
【００８４】
図６は、共振型の変調器３００の構造であって、リング共振器型の変調器を示す。
【００８５】
直線導波路３１０に沿って導波される光信号は、共振条件を満足する場合、リング共振型の位相変調部３７０の内部のリング導波路３７１に移動し、リング導波路３７１内で導波され続けつつ次第に損失を出す。
【００８６】
この時、リング共振型の位相変調部３７０を利用してリング導波路３７１の屈折率を変調すれば、共振条件が変調されるので、出力される光信号の強度が変調される。
【００８７】
リング共振型の位相変調部３７０を通過するリング導波路３７１は、図１Ａ及び図１Ｂと同様に、コア及びスラブ（図示せず）を備える。また、リング共振型の位相変調部３７０は、スラブに形成されてＰ型キャリアをドーピングするＰ型キャリアドーピング部３７３と、スラブに形成されてＮ型キャリアをドーピングするＮ型キャリアドーピング部３７４とを備える。
【００８８】
一方、かかる共振型の変調器３００では、リング共振型の位相変調部３７０を光信号が複数回通過するので、十分な位相変調を得るために必要なリング共振型の位相変調部３７０の長さ（直径）が短いという長所があるが、共振条件のみで変調器として動作するので、変調動作スペクトルが非常に狭いという短所を有する。
【００８９】
図７は、本発明の一実施形態による変調器のブロック図である。
【００９０】
本発明の一実施形態による変調器は、入力部１１、連結部１２、位相変調部１７、反射部１９、及び出力部１６を備える。入力部１１に入力された光信号は、連結部１２を通過した後、位相変調部１７で位相が変調される。
【００９１】
位相が変調された光信号は、反射部１９で反射されて、位相変調部１７を反復して通過する。したがって、光信号の位相変調が２回起こる。かかる構造では、光信号が位相変調部１７を２回通過するので、位相変調のために必要な位相変調部１７の長さを半分に縮めることができる。したがって、変調器のサイズが相対的に小型化される。
【００９２】
図８Ａは、本発明の一実施形態による直線型の位相変調部を備える変調器の構成図であり、図８Ｂは、図８Ａの変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【００９３】
本発明の一実施形態による直線型の位相変調部を備える変調器４００＿１は、入力導波路４１０、第１連結部４２０、第２連結部４３０、連結導波路４３１、分岐導波路４４０，４５０、直線型の位相変調部１７０、反射部４９０＿１，４９０＿２、及び出力導波路４６０を備える。
【００９４】
光信号は、入力導波路４１０を通じて入力され、入力された光信号は、入力導波路４１０と出力導波路４６０に連結された第１連結部４２０を通過して、第１連結部４２０と連結導波路４３１を通じて連結された第２連結部４３０で分岐導波路４４０，４５０に分岐される。
【００９５】
第２連結部４３０は、入力導波路４１０を通じて入力された光信号を複数個の分岐導波路４４０，４５０に分岐させ、複数個の反射部４９０＿１，４９０＿２でそれぞれ反射された光信号を合成する。
【００９６】
複数個の分岐導波路４４０，４５０は、第２連結部４３０により分岐された光信号を入力させる。図８Ａでは、分岐導波路が２つである場合を示しているが、３つ以上の分岐導波路が第２連結部４３０に連結されてもよい。
【００９７】
直線型の位相変調部１７０は、複数個の分岐導波路４４０，４５０のうち少なくとも一つの分岐導波路４４０の屈折率を変調して、前記少なくとも一つの分岐導波路４４０を通過する光信号の位相を変調する。
【００９８】
複数個の反射部４９０＿１，４９０＿２は、複数個の分岐導波路４４０，４５０それぞれの端部に位置し、複数個の分岐導波路４４０，４５０に分岐された光信号を反射する。図８Ａでは、反射部が２つである場合を示しているが、３つ以上の分岐導波路が第２連結部４３０に連結された場合には、それぞれの分岐導波路の端部に反射部が位置するので、３つ以上の反射部が存在してもよい。
【００９９】
第２連結部４３０は、複数個の反射部４９０＿１，４９０＿２でそれぞれ反射された光信号を合成する。具体的に、分岐導波路４４０に分岐された光信号は、直線型の位相変調部１７０により位相が変調され、位相が変調された光信号は、反射部４９０＿１で反射されて、逆方向に直線型の位相変調部１７０を通過しつつ位相が再び変調されて、第２連結部４３０に戻る。
【０１００】
一方、分岐導波路４５０に分岐された光信号は、位相が変調されずにそのまま反射部４９０＿２で反射されて、第２連結部４３０に戻る。
【０１０１】
反射部４９０＿１で反射され、位相が変調された光信号と、反射部４９０＿２で反射された光信号とは、第２連結部４３０で合成されて、第２連結部４３０では干渉計が形成される。干渉計は、マッハ・ツェンダ型干渉計でありうる。
【０１０２】
第２連結部４３０で合成された光信号は、位相関係によって補強干渉となれば、１の強度を有し、相殺干渉を起こせば、０の強度を有する。また、第２連結部４３０で補強干渉または相殺干渉が起こった光信号は、出力導波路４６０を通じて出力される。これをさらに具体的に説明すれば、第２連結部４３０で合成されて補強干渉または相殺干渉が起こった光信号は、連結導波路４３１を通じて第１連結部４２０に進む。第２連結部４３０で合成された光信号は、第１連結部４２０で出力導波路４６０にのみ分岐されて出力するものではなく、入力導波路４１０にも分岐されて出力される。このように、入力導波路４１０に出力される光信号は、アイソレータ４１１などを利用して除去できる。
【０１０３】
結局、アイソレータ４１１は、外部から入力導波路４１０に入力される光信号は通過させ、第２連結部４３０で合成されて、第１連結部４２０により入力導波路４１０に分岐される光信号は遮断する。
【０１０４】
したがって、図８Ａで提案された変調器４００＿１は、図１Ａの干渉計型の変調器１００に比べて、３ｄＢの追加損失が発生する。しかし、図８Ａで提案された変調器４００＿１は、光信号が直線型の位相変調部１７０を２回通過するので、図１Ａの干渉計型の変調器１００に比べて、十分な位相変調のために必要な位相変調部１７０の長さを半分に減らすことができ、小型化が可能である。
【０１０５】
図８Ａに示した導波路４１０，４３１，４４０，４５０，４６０、連結部４２０，４３０、及び直線型の位相変調部１７０は、ＳＯＩ基板で具現される。
【０１０６】
前記ＳＯＩ基板は、図１Ａ及び図１Ｂで説明されたように、下部シリコン基板（図８Ａには図示せず）と、その上部にインシュレータである下部クラッド層４８０とが形成される基板である。
【０１０７】
また、図８Ａに使われる直線型の位相変調器１７０は、図１Ａ及び図１Ｂで説明されたような構造を有しているので、詳細な説明は省略する。
【０１０８】
図８Ｂを参照すれば、図８Ｂに示した変調器４００＿２は、図８Ａの変調器４００＿１とほぼ構造が同一であるが、図８Ａの第１連結部４２０がサーキュレータ４２１である場合を示す図面である。
【０１０９】
サーキュレータ４２１は、第２連結部４３０で合成された光信号を出力導波路４６０にのみ出力させる。
【０１１０】
具体的に、入力導波路４１０に入力された光信号は、サーキュレータ４２１を通過する。サーキュレータ４２１を通過した光信号は、連結導波路４３１に沿って第２連結部４３０を通過し、複数個の分岐導波路４４０，４５０に分岐される。
【０１１１】
複数個の分岐導波路４４０，４５０に分岐された光信号は、図８Ａの変調器のような方式で再び第２連結部４３０で合わせられる。第２連結部４３０で合わせられた光信号は、サーキュレータ４２１を通じて出力導波路４６０にのみ出力される。
【０１１２】
図８Ｂの変調器４００＿２の構造では、図４Ａの変調器４００＿１の構造と異なり、入力導波路４１０には光信号が出力されないため、３ｄＢの損失が発生せず、入力導波路４１０にアイソレータを備えなくてもよい。結局、図８Ｂの変調器４００＿２の構造では、サーキュレータ４２１の挿入損失以外の追加損失は発生しないという長所がある。
【０１１３】
図８Ｃ及び図８Ｄの変調器は、それぞれ図８Ａ及び図８Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【０１１４】
図８Ｃ及び図８Ｄの変調器は、バルクシリコン基板を使用する変調器４００＿３，４００＿４であって、それぞれ図８Ａ及び図８Ｂの変調器４００＿１，４００＿２に図２ないし図５Ｃで説明されたバルクシリコン基板を適用したものである。
【０１１５】
具体的に、図８Ｃ及び図８Ｄの変調器４００＿３，４００＿４に使われるバルクシリコン基板４８１は、所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備え、バルクシリコン基板４８１のトレンチに下部クラッド層４８０が形成される。また、下部クラッド層４８０上に、複数個の導波路４１０，４３０，４４０，４６０、直線型の位相変調部２７０、及び反射部４９０＿１，４９０＿２が形成される。
【０１１６】
以下では、位相変調部以外の構成がいずれも図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ及び図８Ｄと同じ本発明の多様な変調器の構造を説明し、それぞれの説明において、位相変調部以外の構成に関する説明は、図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ及び図８Ｄと関連した内容で説明された通りであるので、省略する。
【０１１７】
図９Ａは、本発明の他の実施形態による直線型の位相変調部を備える変調器の構成図であり、図９Ｂは、図９Ａの変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【０１１８】
一つの分岐導波路４４０にのみ直線型の位相変調部１７０が形成される図８Ａ及び図８Ｂの変調器４００＿１，４００＿２と異なり、図９Ａ及び図９Ｂの変調器５００＿１，５００＿２は、複数個の分岐導波路４４０，４５０に直線型の位相変調部１７０＿１，１７０＿２がそれぞれ形成される。
【０１１９】
図９Ｃ及び図９Ｄの変調器は、それぞれ図９Ａ及び図９Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【０１２０】
図９Ｃ及び図９Ｄの変調器は、バルクシリコン基板を使用する変調器５００＿３，５００＿４であって、それぞれ図９Ａ及び図９Ｂの変調器５００＿１，５００＿２に図２ないし図５Ｃで説明されたバルクシリコン基板を適用したものである。
【０１２１】
具体的に、図９Ｃ及び図９Ｄの変調器５００＿３，５００＿４に使われるバルクシリコン基板４８１は、所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備え、バルクシリコン基板４８１のトレンチに下部クラッド層４８０が形成される。また、下部クラッド層４８０上に、複数個の導波路４１０，４３０，４４０，４６０、直線型の位相変調部２７０＿１，２７０＿２、及び反射部４９０＿１，４９０＿２が形成される。
【０１２２】
図１０Ａは、本発明の一実施形態によるリング共振型の位相変調部を備える変調器の構成図であり、図１０Ｂは、図１０Ａの変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【０１２３】
分岐導波路４４０に直線型の位相変調部１７０が形成される図８Ａ及び図８Ｂの変調器４００＿１，４００＿２と異なり、図１０Ａ及び図１０Ｂの変調器６００＿１，６００＿２は、分岐導波路４４０にリング共振型の位相変調部３７０が形成されることを表す。
【０１２４】
リング共振型の位相変調部３７０は、図６と関連した内容で説明された通りであるので、その説明は省略する。
【０１２５】
図１０Ｃ及び図１０Ｄの変調器は、それぞれ図１０Ａ及び図１０Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【０１２６】
図１０Ｃ及び図１０Ｄの変調器は、バルクシリコン基板を使用する変調器６００＿３，６００＿４であって、それぞれ図１０Ａ及び図１０Ｂの変調器６００＿１，６００＿２に図２ないし図５Ｃで説明されたバルクシリコン基板を適用したものである。
【０１２７】
具体的に、図１０Ｃ及び図１０Ｄの変調器６００＿３，６００＿４に使われるバルクシリコン基板４８１は、所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備え、バルクシリコン基板４８１のトレンチに下部クラッド層４８０が形成される。また、下部クラッド層４８０上に、複数個の導波路４１０，４３０，４４０，４６０、リング共振型の位相変調部３７０、及び反射部４９０＿１，４９０＿２が形成される。
【０１２８】
図１１Ａは、本発明の他の実施形態によるリング共振型の位相変調部を備える変調器の構成図であり、図１１Ｂは、図１１Ａの変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【０１２９】
一つの分岐導波路４４０にのみリング共振型の位相変調部３７０が形成される図１０Ａ及び図６Ｂの変調器６００＿１，６００＿２と異なり、図１１Ａ及び図１１Ｂの変調器７００＿１，７００＿２では、複数個の分岐導波路４４０，４５０にリング共振型の位相変調部３７０＿１，３７０＿２がそれぞれ形成される。
【０１３０】
図１１Ｃ及び図１１Ｄの変調器は、それぞれ図１１Ａ及び図１１Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【０１３１】
図１１Ｃ及び図１１Ｄの変調器は、バルクシリコン基板を使用する変調器７００＿３，７００＿４であって、それぞれ図１１Ａ及び図１１Ｂの変調器７００＿１，７００＿２に図２ないし図５Ｃで説明されたバルクシリコン基板を適用したものである。
【０１３２】
具体的に、図１１Ｃ及び図１１Ｄの変調器７００＿３，７００＿４に使われるバルクシリコン基板４８１は、所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備え、バルクシリコン基板４８１のトレンチに下部クラッド層４８０が形成される。また、下部クラッド層４８０上に、複数個の導波路４１０，４３０，４４０，４６０、リング共振型の位相変調部３７０＿１，３７０＿２、及び反射部４９０＿１，４９０＿２が形成される。
【０１３３】
図１２Ａは、本発明のさらに他の実施形態によるリング共振型の位相変調部を備える変調器の構成図であり、図１２Ｂは、図１２Ａの変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【０１３４】
図１２Ａ及び図１２Ｂの変調器８００＿１，８００＿２では、複数個の分岐導波路４４０，４５０の間にリング共振型の位相変調部３７０が形成される。かかる構造を有するリング共振型の位相変調部を備える変調器８００＿１，８００＿２では、リング共振型の位相変調部３７０が分岐導波路４４０と分岐導波路４５０との間に形成されて、変調効率を高めつつも変調器８００＿１，８００＿２の超小型製作が可能であるという長所がある。
【０１３５】
図１２Ｃ及び図１２Ｄの変調器は、それぞれ図１２Ａ及び図１２Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【０１３６】
図１２Ｃ及び図１２Ｄの変調器は、バルクシリコン基板を使用する変調器８００＿３，８００＿４であって、それぞれ図１２Ａ及び図１２Ｂの変調器８００＿１，８００＿２に図２ないし図５Ｃで説明されたバルクシリコン基板を適用したものである。
【０１３７】
具体的に、図１２Ｃ及び図１２Ｄの変調器８００＿３，８００＿４に使われるバルクシリコン基板４８１は、所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備え、バルクシリコン基板４８１のトレンチに下部クラッド層４８０が形成される。また、下部クラッド層４８０上に、複数個の導波路４１０，４３０，４４０，４６０、リング共振型の位相変調部３７０、及び反射部４９０＿１，４９０＿２が形成される。
【０１３８】
図１３Ａは、本発明の一実施形態による直線型の位相変調部とリング共振型の位相変調部とを備える混合型の変調器の構成図であり、図１３Ｂは、図１３Ａの混合型の変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【０１３９】
図１３Ａ及び図１３Ｂの変調器９００＿１，９００＿２では、所定の分岐導波路４４０には、直線型の位相変調部１７０が形成され、他の所定の分岐導波路４５０には、リング共振型の位相変調部３７０が形成される。
【０１４０】
図１３Ｃ及び図１３Ｄの変調器は、それぞれ図１３Ａ及び図１３Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【０１４１】
図１３Ｃ及び図１３Ｄの変調器は、バルクシリコン基板を使用する変調器９００＿３，９００＿４であって、それぞれ図１３Ａ及び図１３Ｂの変調器９００＿１，９００＿２に図２ないし図５Ｃで説明されたバルクシリコン基板を適用したものである。
【０１４２】
具体的に、図１３Ｃ及び図１３Ｄの変調器９００＿３，９００＿４に使われるバルクシリコン基板４８１は、所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備え、バルクシリコン基板４８１のトレンチに下部クラッド層４８０が形成される。また、下部クラッド層４８０上に、複数個の導波路４１０，４３０，４４０，４６０、直線型の位相変調部２７０、リング共振型の位相変調部３７０、及び反射部４９０＿１，４９０＿２が形成される。
【０１４３】
図１４Ａは、本発明の他の実施形態による直線型の位相変調部とリング共振型の位相変調部とを備える混合型の変調器の構成図であり、図１４Ｂは、図１４Ａの混合型の変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【０１４４】
図１４Ａ及び図１４Ｂの変調器１０００＿１，１０００＿２では、所定の分岐導波路４４０には、直線型の位相変調部１７０が形成され、所定の分岐導波路４４０と他の所定の分岐導波路４５０との間に、リング共振型の位相変調部３７０が形成される。
【０１４５】
図１４Ｃ及び図１４Ｄの変調器は、それぞれ図１４Ａ及び図１４Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【０１４６】
図１４Ｃ及び図１４Ｄの変調器は、バルクシリコン基板を使用する変調器１０００＿３，１０００＿４であって、それぞれ図１４Ａ及び図１４Ｂの変調器１０００＿１，１０００＿２に図２ないし図５Ｃで説明されたバルクシリコン基板を適用したものである。
【０１４７】
具体的に、図１４Ｃ及び図１４Ｄの変調器１０００＿３，１０００＿４に使われるバルクシリコン基板４８１は、所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備え、バルクシリコン基板４８１のトレンチに下部クラッド層４８０が形成される。また、下部クラッド層４８０上に、複数個の導波路４１０，４３０，４４０，４６０、直線型の位相変調部２７０、リング共振型の位相変調部３７０、及び反射部４９０＿１，４９０＿２が形成される。
【０１４８】
図１５Ａは、本発明のさらに他の実施形態による直線型の位相変調部とリング共振型の位相変調部とを備える混合型の変調器の構成図であり、図１５Ｂは、図１５Ａの混合型の変調器において、第１連結部がサーキュレータであることを示す図面である。
【０１４９】
図１５Ａ及び図１５Ｂの変調器１１００＿１，１１００＿２では、所定の分岐導波路４４０には、直線型の位相変調部１７０とリング共振型の位相変調部３７０とが同時に形成される。
【０１５０】
図１５Ｃ及び図１５Ｄの変調器は、それぞれ図１５Ａ及び図１５Ｂの変調器をバルクシリコン基板で具現したことを示す図面である。
【０１５１】
図１５Ｃ及び図１５Ｄの変調器は、バルクシリコン基板を使用する変調器１１００＿３，１１００＿４であって、それぞれ図１５Ａ及び図１５Ｂの変調器１１００＿１，１１００＿２に図２ないし図５Ｃで説明されたバルクシリコン基板を適用したものである。
【０１５２】
具体的に、図１５Ｃ及び図１５Ｄの変調器１１００＿３，１１００＿４に使われるバルクシリコン基板４８１は、所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備え、バルクシリコン基板４８１のトレンチに下部クラッド層４８０が形成される。また、下部クラッド層４８０上に、複数個の導波路４１０，４３０，４４０，４６０、直線型の位相変調部２７０、リング共振型の位相変調部３７０、及び反射部４９０＿１，４９０＿２が形成される。
【０１５３】
図１６Ａ、図１６Ｂ、及び図１６Ｃは、本発明の変調器に使われる連結部の一実施形態を示す図面である。
【０１５４】
図１６Ａは、連結部がＹ−ブランチ４２２である場合を示し、図１６Ｂは、連結部がＭＭＩ（Ｍｕｌｔｉ  Ｍｏｄｅ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）カプラ４２３である場合を示し、図１６Ｃは、連結部がエバネッセントカプラ４２４である場合を示す。本発明の変調器に使われる連結部には、Ｙ−ブランチ４２２、ＭＭＩカプラ４２３、及びエバネッセントカプラ４２４以外に多様なカプラが使われてもよい。
【０１５５】
図１７は、本発明の一実施形態による変調方法を示すフローチャートである。
【０１５６】
光信号は、入力導波路４１０を通じて入力される（Ｓ１）。
【０１５７】
入力された光信号は、入力導波路４１０と出力導波路４６０とにそれぞれ連結された第１連結部４２０を通過して、第１連結部４２０と連結導波路４３１を通じて連結された第２連結部４３０で複数個の分岐導波路４４０，４５０に分岐される（Ｓ２）。
【０１５８】
直線型の位相変調部１７０及び／またはリング共振型の位相変調部３７０は、複数個の分岐導波路４４０，４５０のうち少なくとも一つの分岐導波路の屈折率を変調して、前記少なくとも一つの分岐導波路４４０を通過する光信号の位相を変調する（Ｓ３）。
【０１５９】
複数個の反射部４９０＿１，４９０＿２は、複数個の分岐導波路４４０，４５０それぞれの端部に位置し、複数個の分岐導波路４９０＿１，４９０＿２に分岐された光信号を反射する（Ｓ４）。
【０１６０】
第２連結部４３０は、複数個の反射部４９０＿１，４９０＿２でそれぞれ反射された光信号を合成する（Ｓ５）。具体的に、所定の分岐導波路に分岐された光信号は、直線型の位相変調部１７０、リング共振型の位相変調部３７０、又は直線型の位相変調部１７０とリング共振型の位相変調部３７０とが混合された混合型の位相変調部によって位相が変調され、位相が変調された光信号は、反射部で反射されて、逆方向に前記位相変調部を通過しつつ位相が再び変調され、第２連結部４３０に戻る。
【０１６１】
一方、位相変調部を備えない分岐導波路に分岐された光信号は、位相が変調されずにそのまま反射部で反射されて、第２連結部４３０に戻る。
【０１６２】
第２連結部４３０に戻った光信号は、第２連結部４３０で合成されて、第２連結部４３０では干渉計が形成される。干渉計は、マッハ・ツェンダ型干渉計でありうる。第２連結部４３０で合成された光信号は、位相関係によって補強干渉となれば、１の強度を有し、相殺干渉を起こせば、０の強度を有する。
【０１６３】
また、第２連結部４３０で補強干渉または相殺干渉が起こった光信号は、出力導波路４６０を通じて出力される（Ｓ６）。これをさらに具体的に説明すれば、第２連結部４３０で合成されて補強干渉または相殺干渉が起こった光信号は、連結導波路４３１を通じて第１連結部４２０に進む。第２連結部４３０で合成された光信号は、第１連結部４２０で出力導波路４６０にのみ分岐されて出力するものではなく、入力導波路４１０にも分岐されて出力される。このように入力導波路４１０に出力される光信号は、アイソレータ４１１などを利用して除去できる。
【０１６４】
結局、アイソレータ４１１は、外部から入力導波路４１０に入力される光信号は通過させ、第２連結部４３０で合成されて、第１連結部４２０により入力導波路４１０に分岐される光信号は遮断する。
【０１６５】
一方、アイソレータ４１１を使用せずにも、第２連結部４３０で合成された光信号を出力導波路４６０にのみ出力できる。このために、第１連結部４２０は、サーキュレータ４２１でありうる。サーキュレータ４２１は、第２連結部４３０で合成された光信号を出力導波路４６０にのみ出力させる。
【０１６６】
図１８は、本発明の一実施形態による変調器を使用する光通信システムの構成図である。
【０１６７】
図１８に示した光通信システム１０は、送信部２０と受信部３０とを備える。送信部２０は、光ファイバケーブル４０を通じて電気信号を受信部３０へ伝送する。
【０１６８】
送信部２０は、電気信号を生成する電気ＩＣ２１と、前記電気信号を光信号に変調する変調素子２２とを備え、受信部３０は、光信号を電気信号に復調する復調素子３２と、前記復調された電気信号を受信する電気ＩＣ３１とを備える。
【０１６９】
また、外部電源供給部２３は、変調素子２２に光源を供給する。すなわち、外部電源供給部２３により供給された光信号は、変調素子により位相が変調されて電気信号に変調され、前記変調された電気信号が受信部３０へ伝送される。
【０１７０】
一方、送信部２０の変調素子２２に本発明による変調器を使用できる。
【０１７１】
図１８では、一実施形態として、図８Ａに示した変調器４００＿１が光通信システム１０の変調素子２２として使われることを示している。
【０１７２】
変調素子２２は、入力導波路４１０、第１連結部４２０、第２連結部４３０、連結導波路４３１、分岐導波路４４０，４５０、直線型の位相変調部１７０、反射部４９０＿１，４９０＿２、及び出力導波路４６０を備え、各構成についての内容は、図８Ａと同一であるので、具体的な説明は省略する。
【０１７３】
当業者ならば、図８Ａの変調器４００＿１だけでなく、本発明で説明されている多様な構造の複数個の変調器がいずれも光通信システム１０に使われることを十分に理解できるであろう。
【０１７４】
以上のように、図面と明細書で最適の実施形態が開示された。ここで、特定の用語が使われたが、これは単に本発明を説明するための目的で使われたものであり、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。したがって、当業者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的な保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【０１７５】
本発明は、変調器関連の技術分野に適用可能である。
【符号の説明】
【０１７６】
１７０，２７０  位相変調部、
１７１，２７１  コア、
１７２，２７２  スラブ、
１７３，２７３  Ｐ型キャリアドーピング部、
１７４，２７４  Ｎ型キャリアドーピング部、
１７５，２７５  第１電極、
１７６，２７６  第２電極、
１８０，２８０  下部クラッド層、
１８１  シリコン基板、
１８２，２８２  上部クラッド層、
２８１  バルクシリコン基板。
【図１Ａ】
2011164612.tif 000003
【図１Ｂ】
2011164612.tif 000004
【図２】
2011164612.tif 000005
【図３Ａ】
2011164612.tif 000006
【図３Ｂ】
2011164612.tif 000007
【図３Ｃ】
2011164612.tif 000008
【図４Ａ】
2011164612.tif 000009
【図４Ｂ】
2011164612.tif 000010
【図４Ｃ】
2011164612.tif 000011
【図５Ａ】
2011164612.tif 000012
【図５Ｂ】
2011164612.tif 000013
【図５Ｃ】
2011164612.tif 000014
【図６】
2011164612.tif 000015
【図７】
2011164612.tif 000016
【図８Ａ】
2011164612.tif 000017
【図８Ｂ】
2011164612.tif 000018
【図８Ｃ】
2011164612.tif 000019
【図８Ｄ】
2011164612.tif 000020
【図９Ａ】
2011164612.tif 000021
【図９Ｂ】
2011164612.tif 000022
【図９Ｃ】
2011164612.tif 000023
【図９Ｄ】
2011164612.tif 000024
【図１０Ａ】
2011164612.tif 000025
【図１０Ｂ】
2011164612.tif 000026
【図１０Ｃ】
2011164612.tif 000027
【図１０Ｄ】
2011164612.tif 000028
【図１１Ａ】
2011164612.tif 000029
【図１１Ｂ】
2011164612.tif 000030
【図１１Ｃ】
2011164612.tif 000031
【図１１Ｄ】
2011164612.tif 000032
【図１２Ａ】
2011164612.tif 000033
【図１２Ｂ】
2011164612.tif 000034
【図１２Ｃ】
2011164612.tif 000035
【図１２Ｄ】
2011164612.tif 000036
【図１３Ａ】
2011164612.tif 000037
【図１３Ｂ】
2011164612.tif 000038
【図１３Ｃ】
2011164612.tif 000039
【図１３Ｄ】
2011164612.tif 000040
【図１４Ａ】
2011164612.tif 000041
【図１４Ｂ】
2011164612.tif 000042
【図１４Ｃ】
2011164612.tif 000043
【図１４Ｄ】
2011164612.tif 000044
【図１５Ａ】
2011164612.tif 000045
【図１５Ｂ】
2011164612.tif 000046
【図１５Ｃ】
2011164612.tif 000047
【図１５Ｄ】
2011164612.tif 000048
【図１６Ａ】
2011164612.tif 000049
【図１６Ｂ】
2011164612.tif 000050
【図１６Ｃ】
2011164612.tif 000051
【図１７】
2011164612.tif 000052
【図１８】
2011164612.tif 000053