(57)【要約】【課題】未硬化のシール材を安定配置することと配向膜を損傷する恐れがないこととを両立できる液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１の基板１０Ａおよび第２の基板２０Ａの少なくともいずれか一方にアルキル鎖を備えた配向膜２２を塗布する配向膜形成工程と、配向膜２２が塗布された基板表面上に未硬化のシール材３０を描画するシール材形成工程と、第１の基板１０Ａおよび第２の基板２０Ａをシール材３０を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、第１の基板１０Ａと第２の基板２０Ａの間に液晶材料を充填する充填工程とを有する液晶装置の製造方法は、前記配向膜形成工程では配向膜２２を基板表面のうちシール材形成領域Ｓを空けてその内側と外側とに選択的に塗布してシール材形成領域Ｓに対応する基板表面に凹溝ＧＲを形成し、前記シール材形成工程では未硬化のシ−ル材３０の少なくとも一部を凹溝ＧＲに配置することを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板および第２の基板の少なくともいずれか一方にアルキル鎖を備えた配向膜を塗布する配向膜形成工程と、
前記配向膜が塗布された基板表面上に未硬化のシール材を描画するシール材形成工程と、
前記第１の基板および前記第２の基板を前記未硬化のシール材を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記第１の基板、前記第２の基板および硬化したシール材に囲まれた空間内に液晶材料を充填する充填工程とを有する液晶装置の製造方法であって、
前記配向膜形成工程では前記配向膜を基板表面のうちシール材形成領域を空けてその内側と外側とに選択的に塗布して前記シ−ル材形成領域に対応する基板表面に凹溝を形成し、
前記シール材形成工程では前記未硬化のシール材の少なくとも一部を前記凹溝に配置することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記配向膜形成工程では前記凹溝を前記シール材形成領域に沿って伸びるように形成し、前記シール材形成工程では前記未硬化のシール材の少なくとも一部を前記凹溝に沿って前記凹溝に収容することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記配向膜形成工程ではインクジェット法を用いて前記配向膜を選択的に塗布することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶装置の製造方法に関する。特に配向膜を形成する工程に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から液晶装置用の配向膜として有機材料であるポリイミドが使用されている。近年は表示特性やパネル寿命の向上のために無機−有機ハイブリッド材料を用いた配向膜の開発が行われている。この種類の配向膜は例えば特許文献１に記載されている。
【０００３】
特許文献１に記載の配向膜は、加水分解してシラノール基を与えるアルコキシ基の如く基板に化学吸着（結合）できる部位と、炭素原子数１０〜２０のアルキル基の如く液晶分子を垂直配向できる部位とを有するシリコン系化合物又は有機シランから構成されている。
【０００４】
また、特許文献２には、ポリイミドからなる従来の配向膜を基板の全面に亘って塗布した後、シール材を形成するための領域（以下、シール材形成領域という。）の配向膜を大気圧プラズマ照射によって除去してから、この除去部分に未硬化のシール材をシール材形成領域に沿って基板上に配置する液晶装置の製造方法が記載されている。ポリイミドは水分を通しやすい性質を備えているので、これにより配向膜を通って水分が外部からシール材の内側に浸入することを防止できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２２３１３９号公報
【特許文献２】特開２００１−２３５７４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の配向膜を基板の全面に亘って塗布すると、前記配向膜の材料に含まれるアルキル鎖（鎖状に連結したアルキル基）が前記配向膜の表面側に配置される。このまま、前記配向膜の上に未硬化（液状）シール材を塗布すると前記配向膜のアルキル鎖によってシール材が弾かれるので、未硬化のシール材の位置が不安定になり、硬化したシール材がパターン切れを起こしてしまう恐れがあるという問題がある。
【０００７】
上記問題点を解決するために、特許文献２に記載の液晶装置の製造方法、すなわち、基板上から配向膜の一部を除去した後に、この除去部分にシール材を配置する製造方法が考えられる。しかしながら、この場合には配向膜の一部を除去する際に、配向膜のうち画素領域等に対応する部分を損傷してしまう恐れがあり、これにより液晶装置の表示品位が劣化する恐れがあるという問題がある。
【０００８】
そこで、上記問題点を解決するものであり、その課題は、アルキル鎖を備えた配向膜を使用する場合において、未硬化のシール材を安定配置することと、配向膜のうち画素領域等に対応する部分を損傷してしまう恐れがないこととを両立できる液晶装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明の液晶装置の製造方法は、第１の基板および第２の基板の少なくともいずれか一方にアルキル鎖を備えた配向膜を塗布する配向膜形成工程と、前記配向膜が塗布された基板表面上に未硬化のシール材を描画するシール材形成工程と、前記第１の基板および前記第２の基板を前記未硬化のシール材を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第１の基板、前記第２の基板および硬化したシール材に囲まれた空間内に液晶材料を充填する充填工程とを有する液晶装置の製造方法であって、前記配向膜形成工程では前記配向膜を基板表面のうちシール材形成領域を空けてその内側と外側とに選択的に塗布して前記シール材形成領域に対応する基板表面に凹溝を形成し、前記シール材形成工程では前記未硬化のシール材の少なくとも一部を前記凹溝に配置することを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、前記配向膜形成工程によって基板表面のシール材形成領域に対応する部分に凹溝を形成してから、前記シール材形成工程によって未硬化のシール材の少なくとも一部を前記凹溝に配置することにより、前記未硬化のシール材の少なくとも一部が前記凹溝に収容されて、前記未硬化のシール材が前記凹溝に掛合するので、前記配向膜を全面に亘って塗布した基板表面上に前記未硬化のシール材を配置する場合に比べて、前記未硬化のシール材を安定配置できる。さらに、前記配向膜の一部を除去する工程が存在しないので、前記配向膜のうち画素領域に対応する部分を損傷してしまう恐れもない。ここで、シール材形成領域は基板表面のうちのシール材を配置するための領域である。
【００１１】
本発明において、前記配向膜形成工程では前記凹溝を前記シール材形成領域に沿って伸びるように形成し、前記シール材形成工程では前記未硬化のシール材の少なくとも一部を前記凹溝に沿って前記凹溝に収容することが好ましい。この発明によれば、前記未硬化のシール材の少なくとも一部が前記凹溝に沿って前記凹溝に収容されるので、前記シール材の描画形状（平面視形状）を保持できる。
【００１２】
本発明において、前記配向膜形成工程ではインクジェット法を用いて前記配向膜を選択的に塗布することが好ましい。この発明によれば、フレキソ印刷法やスピンコ−ト法などに比べて前記配向膜を選択的にかつ均一な膜厚で塗布することができる。ここで、インクジェット法は配向膜材料の液滴を基板表面に着弾させて配向膜を形成（塗布）する方法である。
【発明の効果】
【００１３】
以上、説明したように本発明によれば、前記配向膜を基板表面のうちシール材形成領域を空けてその内側と外側に選択的に塗布して凹溝を形成してから、未硬化のシール材の少なくとも一部を前記凹溝に配置することにより、前記未硬化のシール材を基板上に安定配置できるという優れた効果を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る第１実施形態の液晶装置の製造方法によって製造される液晶装置の断面構造を模式的に示す概略縦断面図である。
【図２】第１実施形態の配向膜形成工程に用いるインクジェット装置を模式的に示す概略縦断面図である。
【図３】第１実施形態の液晶装置の製造方法の工程図を模式的に示す概略縦断面図であり、その配向膜形成工程（ａ）とシール材形成工程（ｂ）と貼り合わせ工程（ｃ）と充填工程（ｄ）とである。
【図４】第１実施形態の配向膜形成工程における第２の基板を模式的に示す概略平面図である。
【図５】第１実施形態のシール材形成工程における第２の基板を模式的に示す概略平面図である。
【図６】第２実施形態の液晶装置の製造方法の工程図を模式的に示す概略縦断面図であり、その貼り合わせ工程（ａ）と充填工程（ｂ）とである。
【図７】第３実施形態の液晶装置の製造方法の工程図を模式的に示す概略縦断面図であり、その貼り合わせ工程（ａ）と充填工程（ｂ）とである。
【図８】第４実施形態の液晶装置の製造方法の工程図を模式的に示す概略縦断面図であり、その貼り合わせ工程（ａ）と充填工程（ｂ）とである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［液晶装置］
まず、図１を参照して、本発明に係る第１実施形態の液晶装置の製造方法によって製造される液晶装置について説明する。図１は第１実施形態の液晶装置の製造方法によって製造される液晶装置の断面構造を模式的に示す概略縦断面図である。図１に示すように、液晶装置１００は回路基板１０とこれに対向配置された対向基板２０との間に、誘電率異方性が負の液晶材料からなる液晶層４０が狭持されており、初期配向状態が垂直配向となっている。この液晶装置１００はスイッチング素子としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子を用いたアクティブマトリクス型の透過型液晶装置である。
【００１６】
回路基板１０は、ガラス等の透光性材料からなる第１の基板１０Ａの内面に、インジウム錫酸化物（以下、「ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）」という。）等の透明導電性材料からなる矩形状の複数の画素電極１１が形成されている。また、回路基板１０は画素電極１１への通信制御を行うためのスイッチング素子である図示しないＴＦＴ素子や、画像信号が供給される図示しないデータ線や走査線などを備えている。また、これらデータ線や走査線は遮光膜としての機能を有することもある。
【００１７】
また、回路基板１０には複数の画素電極１１を被覆するように第１の配向膜１２が形成されている。この第１の配向膜１２はＳｉＯ２やＳｉＯＮやＳｉＮなどの無機材料からなり、斜方蒸着法を用いて第１の基板１０Ａ上に蒸着させることによって得られる。このため第１の配向膜１２は複数の柱状積層物を有しており、凹凸を備えたポーラス（多孔質）な表面となっている。この複数の柱状積層物は、斜方蒸着時の入射角に対応する表面形状を有しており、この表面形状によって第１の配向膜１２の表面に接触する液晶層４０の液晶分子４１にプレチルト角を付与し、液晶分子４１を駆動させる際の傾斜方向を規定している。
【００１８】
一方、対向基板２０は、ガラス等の透光性材料からなる第２の基板２０Ａの内面に、ＩＴＯ等の透明誘電性材料からなる共通電極２１が全面に亘って形成されている。また、対向基板２０には図示しないカラーフィルタや遮光膜などを備えている。
【００１９】
また、対向基板２０には共通電極２１を被覆するように第２の配向膜２２（配向膜）が形成されている。この第２の配向膜２２は無機−有機ハイブリッド材料、例えば、垂直配向型ポリイミドの如き自己組織化する化合物、例えば基板に化学吸着（結合）できる部位（例えば、加水分解してシラノール基を与えるアルコキシ基）と、液晶分子に対して垂直配向能を有する部位（例えば、炭素原子数１０〜２０のアルキル基など）とを有するシリコン系化合物あるいは有機シランなどからなり、インクジェット法を用いて塗布されている。この第２の配向膜２２はそのアルキル基により特定のチルト角を持たない液晶分子４１の垂直配向状態を実現している。
【００２０】
これら回路基板１０および対向基板２０の間には、液晶層４０が狭持されている。この液晶層４０の液晶分子４１は第１の配向膜１２および第２の配向膜２２によって初期配向状態（電圧無印加時の配向状態）が垂直配向になっている。
【００２１】
また、これら回路基板１０および対向基板２０の外側には、一対の偏光板１３、２３がその偏光軸が液晶の方位角（基準０°）に対して略４５°および略１３５°の角度をなして配置されており、互いの偏光軸が略直交（クロスニコル）している。
【００２２】
［第１実施形態］
次に、図３から図５までを参照して本発明に係る第１実施形態の液晶装置の製造方法を詳細に説明する。図３は第１実施形態の液晶装置の製造方法の工程図を模式的に示す概略縦断面図であり、図４は第１実施形態の配向膜形成工程における第２の基板を模式的に示す概略平面図であり、図５は第１実施形態のシール材形成工程における第２の基板を模式的に示す概略平面図である。第１実施形態の液晶装置の製造方法は配向膜形成工程とシール材形成工程と貼り合わせ工程と充填工程とを有している。
【００２３】
まず、ガラス等からなる透光性の第１の基板１０Ａと第２の基板２０Ａとを用意し、このうち第１の基板１０Ａの基板表面上に図示しない遮光膜、半導体層、走査線やデータ線等の各種配線および画素電極等を公知の方法で形成するとともに、第２の基板２０の基板表面上に図示しない遮光膜と共通電極を公知の方法で形成する。
【００２４】
図３（ａ）および図４に示すように、次に配向膜形成工程を行う。この配向膜形成工程では、第１の基板１０Ａの基板表面上に無機材料からなる第１の配向膜１２を斜方蒸着法を用いて全面に亘って蒸着するとともに、第２の基板２０Ａの基板表面上に無機−有機ハイブリッド材料からなる第２の配向膜２２（２２ａ、２２ｂ）をシール材を配置するための領域（以下、「シール材形成領域Ｓ」という。）を空けてその内側と外側とに選択的に塗布する。なお、シール材形成領域Ｓの内側には画素領域Ａが配設されるようになっている。
【００２５】
この第２の配向膜２２の塗布方法はインクジェット法を用いる。このインクジェット法は配向膜材料の液滴を微細孔から射出して基板表面上に着弾させる方法であり、図２にインクジェット法に用いるインクジェット装置の一例を示し、その構造を説明する。図２に示すように、インクジェット装置７０は１つ又は複数のインクジェットノズル７１と、このインクジェットノズル７１に液状の配向膜材料を供給する図示しない供給部と、インクジェットノズル７１の下方位置に配置されており第２の基板２０Ａを載置可能でありかつ当該インクジェットノズル７１の射出方向に対して交差する方向に移動可能なステ−ジ７２とを有している。このインクジェットノズル７１はピエゾ素子７１ａを備えており、前記供給部からインクジェットノズル７１に供給されてくる液状の配向膜材料をこのピエゾ素子７１ａの駆動で発生する圧力によってステ−ジ７２に向かって射出することによって配向膜材料の液滴ＬＱを出射させるようになっている。
【００２６】
これにより、共通電極２１が形成された第２の基板２０Ａをステ−ジ７２に載置した状態で、インクジェットノズル７１から配向膜材料の液滴ＬＱを出射させつつ、ステ−ジ７２を制御して移動することにより、第２の基板２０Ａの共通電極２１の上にシール材形成領域Ｓに第２の配向膜２２を塗布することなく、その内側と外側とに第２の配向膜２２ａ、２２ｂを選択的に塗布できる。なお、インクジェット装置７０はインクジェットノズル７１がステ−ジ７２に対して相対移動するように構成されていてもよいし、ステ−ジ７２とインクジェットノズル７１の両方が互いに相対移動するように構成されていてもよい。
【００２７】
具体的には、第２の基板２０Ａの基板表面にＮ２雰囲気下でＯＤＳ（Ｏｃｔａｄｅｃｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）メタノール溶液をインクジェット装置７０を用いて塗布する。これにより、アルキル基（オクタデシル基）を有する自己組織化単分子膜（ＳＡＭ：Ｓｅｌｆ‐Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）が形成され、主鎖骨格がＳｉからなる無機−有機ハイブリッド構造の第２の配向膜２２が得られる。これにより、第２の配向膜２２はアルキル基（アルキル鎖）を備える。また、この第２の配向膜２２はそのアルキル基（アルキル鎖）によって未硬化のシール材３０を弾く性質を有している。
【００２８】
図４に示すように、第２の基板２０Ａに配向膜形成工程を行うと、シール材形成領域Ｓには第２の配向膜２２（２２ａ、２２ｂ）が存在することなく、シール材形成領域Ｓの内側と外側とに第２の配向膜２２ａ、２２ｂが存在することになる。これにより、第２の基板２０Ａのシール材形成領域Ｓの内側と外側とは、シール材形成領域Ｓに比べて、第２の配向膜２２ａ、２２ｂの膜厚分だけ高くなる。言い換えると、シール材形成領域Ｓはその両側に比べて第２の配向膜２２ａ、２２ｂの膜厚分だけ低くなるので、シール材形成領域Ｓには凹溝ＧＲが形成される。この凹溝ＧＲはシール材形成領域Ｓに沿って伸びており、シール材形成領域Ｓの平面視形状と同様に平面視略Ｕ字形に形成される。
【００２９】
図３（ｂ）および図５に示すように、次に、第２の基板２０Ａの基板表面上に未硬化（液状）のシール材３０を配置するシール材形成工程を行う。この未硬化のシール材３０は紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂などからなり、第１の基板１０Ａおよび第２の基板２０Ａの間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためにグラスファイバやガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が配合されている。
【００３０】
具体的には、この未硬化のシール材３０を図示しないディスペンサ（液体定量吐出装置：Ｄｉｓｐｅｎｓｅｒ）から定量ずつ連続的に吐出させながら、シール材形成領域Ｓに沿って第２の基板２０Ａの基板表面上に配置する。このシール材３０の配置形状はシール材形成領域Ｓの平面視形状と同様に平面略Ｕ字形となる。なお、シール材３０の平面視形状において途切れた部分を形成して、液晶注入口１００ａを設ける。
【００３１】
このとき、第２の基板２０Ａのシール材形成領域Ｓに対応する部分には凹溝ＧＲが形成されており、ディスペンサから吐出される未硬化のシール材３０の幅ｄはこの凹溝ＧＲの溝幅Ｄに比べて幅狭に設定されている（ｄ＜Ｄ）。これにより、未硬化のシール材３０を第２基板２０Ａのシール材形成領域Ｓに沿って配置すると、この未硬化のシール材３０はその全体が凹溝ＧＲの中に収容される。したがって、この未硬化のシール材３０は基板表面の全面に亘って塗布された第２の配向膜２２の上に配置する場合に比べて、その配置位置が安定する。なお、この状態において、この未硬化のシール材３０の両側と凹溝ＧＲの側壁との間に隙間が設けられるので、この未硬化のシール材３０は第２の配向膜２２ａ、２２ｂに接触しない状態となっている。
【００３２】
図３（ｃ）に示すように、次に、第１の基板１０Ａおよび第２の基板２０Ａを貼り合わせる貼り合わせ工程を行う。具体的には、第１の基板１０Ａの配向膜を有する面と第２の基板２０Ａの配向膜を有する面とを対向させて、第２の基板２０Ａを未硬化のシール材３０を介して第１の基板１０Ａの上に重ね合わせる。そして、第１の基板１０Ａおよび第２の基板２０Ａを互いに対向するＰ方向に加圧して、この状態で、未硬化のシール材３０に紫外線を照射又は加熱することにより、この未硬化のシール材３０を硬化させて第１の基板１０Ａと第２の基板２０Ａを貼り合わせる。
【００３３】
図３（ｄ）に示すように、この第１の基板１０Ａと第２の基板２０ＡとをＰ方向に加圧した状態において、未硬化のシール材３０は加圧方向に対して交差する方向に押し広げられて、未硬化のシール材３０と凹溝ＧＲとの間の隙間を充填するとともに、この凹溝ＧＲからその外側と内側との両側に張り出した状態になる。この状態で、未硬化のシール材３０を硬化すると、凹溝ＧＲ近傍の外側部分は第１の配向膜１２と硬化したシール材３０と第２の配向膜２２ｂ（２２）とが順次積層してなる三層構造によって第１の基板１０Ａと第２の基板２０Ａとが連結される。これにより、硬化したシール材３０によって囲まれた空間内に外部から水分が浸入することを防止できる。
【００３４】
最後に、液晶注入口１００ａから第１の基板１０Ａと第２の基板２０Ａと硬化したシール材３０とによって囲まれた空間内に液晶材料を減圧注入して、第１の基板１０Ａと第２の基板２０Ａとの間に液晶層４０を狭持させる。その後、液晶注入口１００ａを図示しない封止材で塞ぐとともに、第１の基板１０Ａと第２の基板２０Ａとの外面上に偏光板１３、２３をそれぞれ貼付する。これにより液晶装置１００が製造される。
【００３５】
このように、第１実施形態では、配向膜形成工程において第２の基板２０Ａの基板表面にシール材形成領域Ｓの内側と外側とに第２の配向膜２２ａ、２２ｂを選択的に塗布してシール材形成領域Ｓに対応する基板表面に凹溝ＧＲを形成し、シール材形成工程では未硬化のシール材３０を凹溝ＧＲの中に収容することにより、未硬化のシール材３０が凹溝ＧＲによって保持されるので、未硬化のシール材３０の位置を安定させることができる。
【００３６】
また、第２の配向膜２２を第２の基板２０Ａの基板表面にその全面に亘って塗布した後に、この第２の配向膜２２のうちシール材形成領域Ｓの部分を除去する場合に比べて、除去工程が存在しないので製造効率を高めることができるとともに、第２の配向膜２２の一部を除去するための薬品等によって、画素領域Ａに対応する部分の如きシール材形成領域Ｓの内側の第２の配向膜２２ａの表面を損傷してしまう恐れがないので、液晶装置の歩留りを向上できる。
【００３７】
［第２実施形態］
次に図６を参照して本発明に係る第２実施形態の液晶装置の製造方法を説明する。図６は第２実施形態の液晶装置の製造方法の工程図を模式的に示す概略縦断面図である。第１実施形態の液晶装置の製造方法と同一部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３８】
第１実施形態では、シール材形成工程において、未硬化のシール材３０の幅ｄが凹溝ＧＲの溝幅Ｄに比べて幅狭に設定されているが（ｄ＜Ｄ）、図６（ａ）に示すように、第２実施形態では、未硬化のシール材３０の幅ｄが凹溝ＧＲの溝幅Ｄと同一に設定されている（ｄ＝Ｄ）。この未硬化のシール材３０を凹溝ＧＲの中に収容して、第１の実施形態と同一の貼り合わせ工程と充填工程とを順次行うことにより、図６（ｂ）に示す液晶装置２００が製造される。
【００３９】
図６（ａ）に示すように、第２実施形態のシール材形成工程において、未硬化のシール材３０を凹溝ＧＲの中に収容すると、この未硬化のシール材３０の側部が凹溝ＧＲの内壁に当接した状態となることにより、この未硬化のシール材３０は凹溝ＧＲによって保持されるので、未硬化のシール材３０の位置を第１実施形態に比べてより安定させることができる。
【００４０】
［第３実施形態］
次に図７を参照して本発明に係る第３実施形態の液晶装置の製造方法を説明する。図７は第３実施形態の液晶装置の製造方法の工程図を模式的に示す概略縦断面図である。第１実施形態の液晶装置の製造方法と同一部分については同一符号を付し、その説明は省略する。
【００４１】
第１実施形態では、シール材形成工程において、未硬化のシール材３０の幅ｄが凹溝ＧＲの溝幅Ｄに比べて幅狭に設定されているが（ｄ＜Ｄ）、図７（ａ）に示すように、第３実施形態では、未硬化のシール材３０の幅ｄが凹溝ＧＲの溝幅Ｄに比べて幅広に設定されている（ｄ＞Ｄ）。この未硬化のシール材３０を凹溝ＧＲの上に配置して、第１の実施形態と同一の貼り合わせ工程と充填工程とを順次行うことにより、図７（ｂ）に示す液晶装置３００が製造される。
【００４２】
図７（ａ）に示すように、第３実施形態のシール材形成工程において、未硬化のシール材３０を凹溝ＧＲの上に配置すると、この未硬化のシール材３０の少なくとも一部が凹溝ＧＲの中に浸入して未硬化のシール材３０が凹溝ＧＲに掛合する。したがって、第２の配向膜２２が未硬化のシール材３０を弾いても、未硬化のシール材３０の位置を安定させることができる。
【００４３】
［第４実施形態］
次に図８を参照して本発明に係る第４実施形態の液晶装置の製造方法を説明する。図８は第４実施形態の液晶装置の製造方法の工程図を模式的に示す概略縦断面図である。第１実施形態の液晶装置の製造方法と同一部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４４】
第１実施形態の配向膜形成工程では、第１の配向膜１２は無機材料からなり、斜方蒸着法を用いて第１の基板１０Ａの基板表面の全面に亘って形成するが、図８（ａ）に示すように、第４実施形態の配向膜形成工程では、第１の配向膜１２（１２ａ、１２ｂ）は第２の配向膜２２（２２ａ、２２ｂ）と同一材料の無機−有機ハイブリッド材料からなり、インクジェット法を用いて第１の基板１０Ａの基板表面のうちシール材形成領域Ｓを空けてその内側と外側とに選択的に形成する。その後、第１の実施形態と同一のシール材形成工程と貼り合わせ工程と充填工程とを順次行うことにより、図８（ｂ）に示す液晶装置４００が製造される。
【００４５】
図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、第４実施形態の配向膜形成工程を行うと、第１の基板１０Ａのシール材形成領域Ｓに対応する部分に凹溝ＧＲ'が形成される。この凹溝ＧＲ'は第２の基板２０Ａの凹溝ＧＲと対向する位置に形成される。この状態で、第１実施形態と同一のシール材形成工程および貼り合わせ工程を行うと、未硬化のシール材３０が第１の基板１０Ａの凹溝ＧＲ'の中に収容されて凹溝ＧＲ'に掛合するので、第１の基板１０Ａおよび第２の基板２０Ａの両方に無機−有機ハイブリッド材料からなる配向膜を使用しても、安定的に貼り合わせ工程を行うことができる。
【００４６】
尚、第１実施形態から第４実施形態までの液晶装置の製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を加え得ることは勿論である。例えば、第１実施形態から第３実施形態までの配向膜形成工程では、第１の配向膜１２は無機材料から構成されているとともに第２の配向膜２２は無機−有機ハイブリッド材料から構成されているが、その逆に第１の配向膜１２を無機−有機ハイブリッド材料から構成するとともに第２の配向膜２２を無機材料から構成してもよい。
【００４７】
また、第１実施形態から第３実施形態までの配向膜形成工程では、第１の配向膜１２は無機材料から構成されているが、第１の配向膜１２を第２の配向膜２２と同一材料である無機−有機ハイブリッド材料から構成してもよい。この場合には、第１の配向膜１２を第１の基板１０Ａの基板表面の全面に亘って形成してもよいし、第２の配向膜２２と同様にシール材形成領域Ｓを空けてその内側と外側とに選択的に形成してもよい。
【００４８】
また、第１実施形態から第３実施形態までの配向膜形成工程では、インクジェット法を用いて第２の配向膜２２（２２ａ、２２ｂ）を選択的に塗布しているが、第２の配向膜２２（２２ａ、２２ｂ）をシール材形成領域Ｓを空けてその内側と外側とに選択的に形成することができれば別の方法を用いてもよく、例えばフレキソ印刷法を用いて形成してもよい。
【００４９】
同様に、第４実施形態の配向膜形成工程では、インクジェット法を用いて第１の配向膜１２（１２ａ、１２ｂ）および第２の配向膜２２（２２ａ、２２ｂ）を選択的に塗布しているが、第１の配向膜１２（１２ａ、１２ｂ）および第２の配向膜２２（２２ａ、２２ｂ）をシール材形成領域Ｓを空けてその内側と外側とに選択的に形成することができれば別の方法を用いてもよく、例えばフレキソ印刷法を用いて形成してもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１０…回路基板、１０Ａ…第１の基板、１１…画素電極、１２、１２ａ、１２ｂ…第１の配向膜、１３、２３…偏光板、２０…対向基板、２０Ａ…第２の基板、２１…共通電極、２２、２２ａ、２２ｂ…第２の配向膜、３０…シール材、４０…液晶層、４１…液晶分子、７０…インクジェット装置、７１…インクジェットノズル、７１ａ…ピエゾ素子、７２…ステ−ジ、１００、２００、３００…液晶装置、１００ａ…液晶注入口、Ａ…画素領域、ｄ…幅、Ｄ…溝幅、ＧＲ、ＧＲ'…凹溝、ＬＱ…液滴、Ｐ…方向、Ｓ…シール材形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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