(57)【要約】【課題】製造工程が従来に比べて簡素であるメモリ素子の製造方法を提供する。【解決手段】メモリ素子１の基板３の表面に、非磁性で所定の粘度を備えた材料の薄膜１１を設け、この薄膜１１に、型Ｍに設けられ微細な凹凸で形成された転写パターンＭＡを転写し、微細な転写パターンが転写された薄膜１１を硬化させ、硬化した薄膜１１（凹凸膜５）の頂部に磁性体の薄膜７Ａを設け、磁性体の薄膜７Ａを、非磁性体の薄膜９で覆い、磁性体７Ａが露出するまで、非磁性体の薄膜９薄膜の一部を除去する。【選択図】図１
2011103151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報の記録が可能なメモリ素子の基板の表面に、非磁性で所定の粘度を備えた材料の薄膜を設ける薄膜設置工程と、
前記薄膜設置工程で設けられた薄膜に、型に設けられ微細な凹凸で形成された転写パターンを転写する転写工程と、
前記転写工程で微細な転写パターンが転写された薄膜を硬化させる硬化工程と、
前記硬化工程で硬化した薄膜の頂部に磁性体の薄膜を設ける磁性膜設置工程と、
前記磁性膜設置工程で設けられた磁性体の薄膜を、非磁性体の薄膜で覆う被覆工程と、
前記磁性膜設置工程で設けられた磁性体が露出するまで、前記被覆工程で設けられた薄膜の一部を除去する除去工程と、
を有することを特徴とするメモリ素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のメモリ素子の製造方法において、
前記転写工程で転写された微細な転写パターンの凹凸における凹部の深さが、前記凹部の幅よりも大きくなっていることを特徴とするメモリ素子の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のメモリ素子の製造方法において、
前記磁性膜設置工程で磁性膜を設置した後、前記硬化工程で硬化した薄膜の微細な転写パターンの凹凸の側部に前記磁性膜設置工程で形成された磁性体を除去し、または、前記硬化工程で硬化した薄膜の微細な転写パターンの凹凸の側部と底部とに前記磁性膜設置工程で形成された磁性体を除去し、この除去後に前記被覆工程を行うことを特徴とするメモリ素子の製造方法。
【請求項４】
情報の記録が可能なメモリ素子において、
平板状の基板と、
非磁性の材料で構成され、前記基板の表面に膜状に設けられ、前記基板に接している面とは反対側の面に、微細な凹凸が形成されている凹凸膜と、
前記凹凸膜の頂部に所定の厚さで設けられ、もしくは、前記凹凸膜の頂部と底部とに所定の厚さで設けられた磁性体と、
前記凹凸膜の頂部に設けられた磁性体が露出するようにして、前記凹凸膜の凹部に設けられた非磁性体と、
を有することを特徴とするメモリ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリ素子およびメモリ素子の製造方法に係り、たとえば、ハードディスクドライブに使用されるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
図５〜図７は、垂直磁気記録方式のハードディスクドライブに使用される従来のメモリ素子（ハードディスク基板）１００の製造方法の概略を示す図である。垂直磁気記録方式は、ハードディスク基板１００が記録（記憶）できる情報量を増やすために近年において採用されている方式である。
【０００３】
ハードディスク基板１００は、図７（ｈ）で示すように、中央に円形な貫通孔ｈ１を備えた円板状に形成されており、基板１０２と磁性体１０４と非磁性体１０６と保護膜（図示せず）とを備えて構成されている。保護膜は、磁性体１０４と非磁性体１０６との上面を覆っている。ハードディスクドライブに使用された場合、ハードディスク基板１００は中心軸Ｃ１を中心にして回転するようになっている。
【０００４】
ハードディスク基板１００の製造では、まず、図５（ａ）で示すように、基板１０２に磁性体膜１０８とレジスト膜１１０とを設ける。図５（ａ）に参照符号Ｍで示すものは型であり、型Ｍには微細な凹凸で形成された転写パターンＭＡが形成されている。微細な凹凸で形成された転写パターンＭＡの形成は、たとえば非特許文献１に記載されているような電子線描画法等によりなされている。
【０００５】
図５（ａ）で示す状態から、型Ｍで磁性体膜１０８とレジスト膜１１０とが設けられている基板１０２を押圧し（図５（ｂ）参照）、型Ｍに設けられている微細な凹凸の転写パターンＭＡをレジスト膜１１０に転写する（図５（ｃ）参照）。図５（ｃ）で示す状態では、レジスト膜１１０は硬化しており、また、レジスト膜１１０の凹部の底部には、厚さｔ２０の残膜が形成されている。
【０００６】
図５（ｃ）で示す状態から、Ｏ２アッシング等のアッシングにより残膜を除去すると、図６（ｄ）で示すように、レジスト膜１１０の凹部の底部で磁性体膜１０８が露出した状態になる。
【０００７】
図６（ｄ）で示す状態において、エッチングにより磁性体膜１０８の一部（レジスト膜１１０の凹部の底部における磁性体膜１０８）を除去し（図６（ｅ）参照）、レジスト膜１１０を除去すると、図６（ｆ）で示すように、微細な磁性体１０４を備えた基板１０２が形成される。
【０００８】
図６（ｆ）で示す状態において、基板１０２と微細な磁性体１０４とを覆うように非磁性体膜１１２を設け（図７（ｇ）参照）、この後、化学機械研磨で、磁性体１０４が露出するように、非磁性体膜１１２の上部を除去する。この除去後に図示しない保護膜を設けることにより、図７（ｈ）で示すハードディスク基板１００を得ている。
【０００９】
なお、従来の技術に関連する文献として特許文献１、非特許文献２をさらに掲げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００６−２０９９４３号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｉｅｓ  ｆｏｒ  Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  ａｎｄ  Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ２５（２００１）  １９２-１９９
【非特許文献２】東芝レビュー  Ｖｏｌ．６４  Ｎｏ．７（２００９）  ６８ページ〜６９ページ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、上述した従来のメモリ素子（ハードディスク基板）の製造方法では、Ｏ２アッシング等のアッシング工程やレジスト工程が必要なので、工程が煩雑であるという問題がある。
【００１３】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、製造工程が従来に比べて簡素であるメモリ素子の製造方法およびメモリ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１に記載の発明は、情報の記録が可能なメモリ素子の基板の表面に、非磁性で所定の粘度を備えた材料の薄膜を設ける薄膜設置工程と、前記薄膜設置工程で設けられた薄膜に、型に設けられ微細な凹凸で形成された転写パターンを転写する転写工程と、前記転写工程で微細な転写パターンが転写された薄膜を硬化させる硬化工程と、前記硬化工程で硬化した薄膜の頂部に磁性体の薄膜を設ける磁性膜設置工程と、前記磁性膜設置工程で設けられた磁性体の薄膜を、非磁性体の薄膜で覆う被覆工程と、前記磁性膜設置工程で設けられた磁性体が露出するまで、前記被覆工程で設けられた薄膜の一部を除去する除去工程とを有するメモリ素子の製造方法である。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のメモリ素子の製造方法において、前記転写工程で転写された微細な転写パターンの凹凸における凹部の深さが、前記凹部の幅よりも大きくなっているメモリ素子の製造方法である。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のメモリ素子の製造方法において、前記磁性膜設置工程で磁性膜を設置した後、前記硬化工程で硬化した薄膜の微細な転写パターンの凹凸の側部に前記磁性膜設置工程で形成された磁性体を除去し、または、前記硬化工程で硬化した薄膜の微細な転写パターンの凹凸の側部と底部とに前記磁性膜設置工程で形成された磁性体を除去し、この除去後に前記被覆工程を行うメモリ素子の製造方法である。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、情報の記録が可能なメモリ素子において、平板状の基板と、非磁性の材料で構成され、前記基板の表面に膜状に設けられ、前記基板に接している面とは反対側の面に、微細な凹凸が形成されている凹凸膜と、前記凹凸膜の頂部に所定の厚さで設けられ、もしくは、前記凹凸膜の頂部と底部とに所定の厚さで設けられた磁性体と、前記凹凸膜の頂部に設けられた磁性体が露出するようにして、前記凹凸膜の凹部に設けられた非磁性体とを有するメモリ素子である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、製造工程が従来に比べて簡素であるメモリ素子の製造方法およびメモリ素子を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態に係るメモリ素子の概略構成を示す図である。
【図２】メモリ素子の製造工程を示す図である。
【図３】メモリ素子の製造工程を示す図である。
【図４】メモリ素子の製造工程の変形例を示す図である。
【図５】従来のメモリ素子製造方法の概略を示す図である。
【図６】従来のメモリ素子製造方法の概略を示す図である。
【図７】従来のメモリ素子製造方法の概略を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は、本発明の実施形態に係るメモリ素子１の概略構成を示す図である。
【００２１】
メモリ素子１は、情報の記録、記録されている情報の再生、記録されている情報の消去が可能なものであり、基板（プラッタ）３と凹凸膜５と磁性体７と非磁性体９とを備えて構成されている。また、メモリ素子１として、たとえば、ディスクリートトラック記録方式（垂直磁気記録方式）を採用したハードディスクドライブ（ＤＴＲ−ＨＤＤ）のメモリ素子（ハードディスク基板；ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ））を掲げることができる。
【００２２】
基板３は、たとえば、ガラスで構成されており、平板状に形成されている。凹凸膜５は、非磁性の材料（たとえば、非磁性のスピンオンガラスもしくは紫外線硬化樹脂等の樹脂）で構成されている。また、凹凸膜５は、基板３の表面（基板３の厚さ方向における一方の面）に固化した状態で膜状に設けられており、基板３に接している面とは反対側の面（上面）に、微細な凹凸が形成されている。
【００２３】
磁性体７（７Ａ）は、凹凸膜５の頂部に所定の厚さで設けられている。なお、図１では、磁性体７（７Ｂ）が、凹凸膜５の底部にも所定の厚さで設けられているが、磁性体７Ｂが、凹凸膜５の底部に設けられていない場合もある。非磁性体９は、凹凸膜５の頂部に設けられた磁性体７（７Ａ）が露出するようにして、凹凸膜５の凹部に設けられている。
【００２４】
すなわち、凹凸膜５の底部に磁性体７（７Ｂ）が設けられているか否かにかかわらず、非磁性体９が凹凸膜５の凹部を埋めて、凹凸膜５の頂部に設けられた磁性体７（７Ａ）の上面（凹凸膜５の頂部に接している面とは反対側の面）と、非磁性体９の上面とが１つの平面状に位置している。なお、図１で示す磁性体７（７Ａ）と非磁性体９との上面は、所定の厚さの保護膜（図示せず）で覆われている。
【００２５】
次にメモリ素子１の製造工程について説明する。図２、図３は、メモリ素子１の製造工程を示す図である。
【００２６】
まず、図２（ａ）で示すように、基板３の表面に、非磁性で所定の粘度を備えた材料（たとえば、非磁性のスピンオンガラス）の薄膜１１を設ける。なお、スピンオンガラスに代えて紫外線硬化樹脂等の樹脂の薄膜を設けてあってもよい。基板３は、たとえば、円板状に形成されており、中央に円形状の貫通孔ｈ１が設けられて円環状に形成されている。
【００２７】
続いて、図２（ｂ）で示すように、薄膜１１に、型Ｍに設けられている転写パターンＭＡであって、微細な凹凸で形成された転写パターンＭＡを転写する。この転写により微細な凹凸の転写パターンＭＡが転写された薄膜１１（被転写膜５；凹凸膜５）が形成される（図２（ｃ）参照）。被転写膜（凹凸膜）５の断面は、たとえば、平面（図２（ｃ）で示す基準平面１３；基板３の厚さ方向における一方の面に平行な面）に、細長い微細な凸部１５を複数並べて設けた形態になっている。すなわち、被転写膜５は、ライン＆スペースの形態になっている。
【００２８】
ライン＆スペースの形態についてさらに説明する。１つの微細な凸部１５は、この長手方向に対して直交する平面による断面が、図２（ｃ）で示すように四角形状（たとえば、長方形状）になっている。そして、長方形における一対の辺（長いほうの辺でもよいし短いほうの辺でもよいが、図２（ｃ）では、たとえば、長いほうの辺）のうちの一方の辺が、基準平面１３に接するようにして、微細な凸部１５が基準平面１３に設けられている。各凸部１５は、所定のごくわずかな間隔（たとえば、基準平面１３に接している辺の長さＢ１の値よりも小さい間隔）Ｂ２をあけて、お互いが平行になって配置されている。
【００２９】
なお、基板３が円板状に形成されているので、各凸部１５は、円環状に形成されており、円板状の基板３の中心軸（基板３の中心を通って基板３の厚さ方向に延びている軸）Ｃ１を中心にして同心で設けられている。また、すでに理解されるように、円環状の各凸部１５は、基板３の中心側に設けられているものは直径が小さく、基板３の外側に設けられているものほど、直径が次第に大きくなっている。
【００３０】
凸部１５の長方形状断面の他方の辺（基準平面１３に接している辺と対向している辺;図２（ｃ）の上側の辺）で規定される円環状の平面が、微細な転写パターンが形成された薄膜１１（被転写膜５）の頂部（頂面）になる。各凸部１５の頂部は、たとえば、基準平面１３と平行な１つの平面上に存在している。また、各凸部１５の間に位置している間隔部分が、微細な転写パターンが形成された被転写膜５の凹部になっており、間隔部分における基準平面１３が、微細な転写パターン（被転写膜５）の底面（底部）になっている。底部と基板３の面との間には、図２（ｃ）に示す厚さｔａの残膜（被転写膜５で構成された残膜）が形成されている。
【００３１】
さらに、凸部１５の長方形状断面の他の一対の辺（基準平面１３に接触している辺に隣接している辺；図２（ｃ）で上下方向に延びている辺）で規定される円柱側面状の面が、微細な転写パターンが形成された被転写膜５の側面（側部）になる。すでに理解されるように、微細な転写パターンが形成された被転写膜５の側面は、基準平面１３に対して直交している。換言すれば、被転写膜５の側面は、基準平面１３から直立しており、被転写膜５の各側面の中心軸は、基板３の中心軸Ｃ１と一致している。
【００３２】
なお、微細な転写パターンが、基準平面１３に微細な直方体状等の凸部をわずかな間隔をあけて設けたドット＆スペースの形態になっていてもよい。
【００３３】
続いて、図２（ｃ）で示すように、微細な転写パターンが転写された薄膜１１（被転写膜５）を硬化させる。この硬化は、設置された被転写膜５がスピンオンガラスの場合には、時間の経過によって硬化するスピンオンガラスを用い、微細なパターンを転写した後に所定の時間放置しておくことによりなされるものとする。また、設置された被転写膜５が紫外線硬化樹脂の場合には、紫外線を照射してなされるものとする。
【００３４】
なお、図２（ｂ）で示すような転写と図２（ｃ）で示すような硬化とをほぼ同時に行ってもよい。すなわち、図２（ｂ）で示す状態で（型Ｍを離型せず型Ｍを薄膜１１にたとえは押圧し接触させたままで）、薄膜１１を硬化させるようにしてもよい。このようにすることにより、離型するときに薄膜１１の硬化がすでに終了している。また、薄膜１１の硬化時間は、スピンオンガラスに加えてある揮発成分（もしくは有機成分）の量で調整することができ、たとえば、３分間程度に設定されている。
【００３５】
続いて、硬化した薄膜１１（被転写膜５）の頂部に、たとえば、スパッタリングにより磁性体の薄膜７（７Ａ）を設ける（図３（ｄ）参照）。
【００３６】
磁性体の薄膜（磁性膜）７（７Ａ）を設けるときには、微細な転写パターンが転写され硬化した薄膜１１（被転写膜５）の底部にも磁性体の薄膜（磁性膜）７（７Ｂ）が形成（設置）される。しかし、被転写膜５の側部には、磁性体７の薄膜が形成されない。この理由を説明する。スパッタリングは、図３（ｄ）で示す基板３等を陰極とし、基板３等の上方に陽極（図示せず）を設け、真空中で行われる。このときに陽極と陰極との間で、図３（ｄ）に矢印で示すように電場（基板３の厚さ方向の電場）が発生する。これにより、上記矢印に沿って磁性体の微細な粒子（電荷）が流れ、薄膜１１の側部には、磁性体７の薄膜が形成されない。
【００３７】
また、被転写膜５の頂部に電荷が集中するので、図３（ｄ）で示す頂部の磁性体７Ａの厚さｔｂのほうが、底部の磁性体７Ｂの厚さｔｃよりも厚くなっている。
【００３８】
さらに、被転写膜５の底部に形成された磁性体７Ｂの厚さｔｃの値は、被転写膜５の側部の高さ（基板３の厚さ方向における寸法；基板３の中心軸Ｃ１の延伸方向における寸法）よりも小さくなっている。
【００３９】
したがって、被転写膜５の頂部に形成された磁性体（磁性膜）７Ａと、被転写膜５の底部に形成された磁性体（磁性膜）７Ｂとは、お互いが分離されている。また、磁性体７を設けた後であっても、被転写膜５の頂部に形成された磁性体７Ａの上面と、被転写膜５の底部に形成された磁性体７Ｂの上面とは、お互いが離れており、磁性体７が設けられた基板３には、微細な凹凸が存在している。すなわち、磁性体７の表面は、被転写膜５の微細な凹凸に対応して凹凸状になっている。
【００４０】
続いて、図３（ｅ）で示すように、微細な転写パターンが転写され硬化した薄膜１１（被転写膜５）と、磁性体７の薄膜とを、非磁性体９の薄膜で覆う（リフィルする）。非磁性体９は、樹脂等で構成されており、磁性体７等を覆うときには、硬化しておらず流動体状になっているが、磁性体７等を覆った後は、硬化している。また、磁性体７等を非磁性体９で覆った状態では、非磁性体９が図３（ｄ）に示す凹部（磁性体７Ｂの上方）にも入り込んで、各磁性体７（頂部に設けられた磁性体７Ａと底部に設けられた磁性体７Ｂ）を覆っており、非磁性体９の薄膜の上面（磁性体７とは反対側の面）は、平面状になっている。
【００４１】
続いて、たとえば、化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）で、硬化した薄膜１１の頂部に設けられた磁性体７Ａが露出するまで、非磁性体の薄膜９の一部と、硬化した薄膜１１の頂部に設けられた磁性体７Ａの一部とを除去する。すなわち、図３（ｅ）で示す破線Ｌ１よりも上部の部位１７を除去する。
【００４２】
非磁性体の薄膜（非磁性膜）９の一部等を除去し終えた状態では、図１で示すように、硬化した薄膜１１の底部に設けられた磁性体７Ｂが露出しておらず、硬化した薄膜１１の頂部に設けられた磁性体７Ａと、非磁性体９とで、平面（上面；基板３の厚さ方向の一方の面と平行な面）が形成されている。
【００４３】
続いて、上記除去により現れた平面を覆うように保護膜（図示せず）を設ける等の種々の工程を経てメモリ素子１を得る。
【００４４】
完成したメモリ素子１をハードディスクドライブに使用した場合、このハードディスクドライブのヘッドにより、硬化した薄膜１１（被転写膜５）の頂部に設けられた磁性体７Ａのみに情報の書き込みができ、また、ヘッドにより、被転写膜５の頂部に設けられた磁性体７Ａのみから情報の読み取りができるようになっている。また、ヘッドにより、被転写膜５の頂部に設けられた磁性体７Ａに記録されている情報のみを消去することができるようになっている。被転写膜５の底部に設けられた磁性体７Ｂは、情報の記録等に関しては不要なものであり、被転写膜５の底部に設けられた磁性体７Ｂへのヘッドによる情報の書き込みや、被転写膜５の底部に設けられた磁性体７Ｂからの情報の読み取りや、被転写膜５の底部に設けられた磁性体７Ｂでのヘッドによる情報の消去は、できないようになっている。
【００４５】
ところで、被転写膜５に転写された微細な転写パターンでは、たとえば、図２（ｃ）で示すように、微細な凹凸における凹部の深さＨ１が、凹部の幅Ｂ２よりも小さくなっているが、ここで、凹部の深さＨ１を凹部の幅Ｂ２より大きくしてもよいし、さらに、凸部１５の幅Ｂ１より大きくしてもよい。すなわち、たとえば、アスペクト比（凹部の深さＨ１／凹部の幅Ｂ２）が１よりも大きくなっていてもよい。これにより、スパッタリングで磁性体７を設ける場合、被転写膜５の頂部に電荷が一層集中し、図３（ｄ）で示す頂部の磁性体７Ａの厚さｔｂが、底部の磁性体７Ｂの厚さｔｃよりも一層厚くなる。もしくは、底部に磁性体が形成されないようになる。
【００４６】
なお、図３（ｄ）で示す矢印が若干曲がりもしくは斜めになり、薄膜１１（被転写膜５）の微細な転写パターンの凹凸の側部に磁性体の薄膜７Ｃが形成される場合がある（図４（ａ）参照）。ここで、各磁性体７の膜の厚さを比較すると、「頂部に形成された磁性体７Ａの膜厚ｔ２＞底部に形成された磁性体７Ｂの膜厚ｔ３＞側部に形成された磁性体７Ｃの膜厚ｔ４」になっている。
【００４７】
磁性体７Ｃが形成された場合、磁性体７を設置した後、薄膜１１（被転写膜５）における微細な転写パターンの凹凸の頂部に設けられた磁性体７Ａが残るようにして、たとえば、液体を用いたエッチングで、磁性体７Ｃを除去する。
【００４８】
すなわち、図４（ａ）で示す状態から、磁性体７を厚さｔ４の分だけ除去する。これにより、図４（ｂ）で示すように、被転写膜５の微細な凹凸の頂部には、厚さｔ５（ｔ２−ｔ４）の磁性体７Ａが残り、微細な凹凸の底部には、厚さｔ６（ｔ６≦ｔ３−ｔ４）の磁性体７Ｂが残る。この後、図３（ｅ）で示すように、非磁性体９を設ける。
【００４９】
なお、被転写膜５の凹凸の頂部に設けられた磁性体７Ａだけが残るように、たとえば、液体を用いたエッチングで、被転写膜５の微細な転写パターンの凹凸の側部と底部とに設けられた磁性体７Ｂ，７Ｃを除去してもよい。
【００５０】
すなわち、図４（ａ）で示す状態から、磁性体７を厚さｔ３の分だけ除去する。これにより、図４（ｃ）で示すように、被転写膜５の微細な凹凸の頂部に、厚さｔ７（ｔ７≦ｔ２−ｔ３）の磁性体７Ａが残る。
【００５１】
また、図３（ｄ）で示すように、微細な凹凸の側部に磁性体７Ｃが形成されておらず、磁性体７Ａの厚さｔｂが磁性体７Ｂの厚さｔｃよりも厚い場合、上述した場合と同様にして、被転写膜５の底部の磁性体７Ｂのみを除去してもよい。
【００５２】
メモリ素子１によれば、従来の製造方法で必要とされていたアッシングやレジスト膜の生成等が不要なので、製造工程を従来に比べて簡素にすることができる。
【００５３】
また、メモリ素子１において、被転写膜５における微細な凹凸のアスペクト比を１よりも大きくすれば、磁性体７をスパッタリングで設けるときに、微細な凹凸の底部における磁性体（ハードディスク基板では不要な磁性体）７Ｂの厚さを、微細な凹凸の頂部における磁性体７Ａの厚さよりも薄くすることができる。そして、メモリ素子１に記録された情報をハードディスクドライブのヘッドで読み取る等するときに、ヘッドが微細は凹凸の底部に設けられた磁性体７Ｂの影響を受けにくくなり、ノイズが低減される。また、メモリ素子１の製造工程において、磁性体７の使用量を少なくすることができる。
【００５４】
また、メモリ素子１において、図４（ａ）〜（ｃ）で示すように、被転写膜５に形成された微細な凹凸の側部や底部の磁性体７Ｂ、７Ｃを除去すれば、ノイズが発生しないメモリハードディスクドライブを提供することができる。
【００５５】
なお、上記説明では、微細な凹凸の断面が長方形状に形成されているが、図４（ｄ）で示すように、被転写膜５の微細な凹凸の断面が当脚台形状等の矩形状以外の形状に形成されていてもよい。この場合、微細な凹凸の側面に磁性体が形成されるので、この側面に形成された磁性体は、上述した場合（図４（ａ）〜（ｃ）の場合）と同様にしてエッチングにより除去する。
【００５６】
また、上記説明では、基板３の厚さ方向における一方の面に磁性体７等を設ける場合について説明したが、基板３の厚さ方向における両面に、たとえば同時に磁性体７を設ける等してもよいし、基板３の厚さ方向における両面に、たとえば片面ずつ磁性体７を設ける等してもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１  メモリ素子（ハードディスク基板）
３  基板
５  被転写膜
７、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ  磁性体
９  非磁性体
１１  （スピンオンガラスの）薄膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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