(57)【要約】【課題】本発明は、低抵抗および可撓性を併せ持つ電極を有する太陽電池用基板および太陽電池を提供すること、さらには酸による電極へのダメージを低減することが可能な太陽電池用基板および有機薄膜太陽電池を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上に形成された透明電極層とを有する太陽電池用基板であって、上記透明電極層は、上記透明基板上に形成され、導電性金属酸化物を含有する非晶質膜と、上記非晶質膜上に形成され、上記非晶質膜に含有される上記導電性金属酸化物と同一の導電性金属酸化物を含有する結晶膜とを有することを特徴とする太陽電池用基板を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、前記透明基板上に形成された透明電極層とを有する太陽電池用基板であって、
前記透明電極層は、前記透明基板上に形成され、導電性金属酸化物を含有する非晶質膜と、前記非晶質膜上に形成され、前記非晶質膜に含有される前記導電性金属酸化物と同一の導電性金属酸化物を含有する結晶膜とを有することを特徴とする太陽電池用基板。
【請求項２】
前記透明基板と前記透明電極層との間に断熱層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池用基板。
【請求項３】
前記透明基板が可撓性を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の太陽電池用基板。
【請求項４】
有機薄膜太陽電池用基板であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載の太陽電池用基板。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれかに記載の太陽電池用基板と、前記太陽電池用基板の透明電極層上に形成されたバッファー層と、前記バッファー層上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された対向電極層とを有することを特徴とする有機薄膜太陽電池。
【請求項６】
請求項１から請求項４までのいずれかに記載の太陽電池用基板を備えることを特徴とする太陽電池。
【請求項７】
請求項５に記載の有機薄膜太陽電池が複数個直列または並列に接続されていることを特徴とする有機薄膜太陽電池モジュール。
【請求項８】
請求項６に記載の太陽電池が複数個直列または並列に接続されていることを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項９】
透明基板上に導電性金属酸化物を含有する非晶質膜を形成した後、前記非晶質膜の表面をレーザーアニールにより結晶化して結晶膜を形成し、前記非晶質膜および前記結晶膜を有する透明電極層を得る透明電極層形成工程を有することを特徴とする太陽電池用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記透明電極層形成工程前に、前記透明基板上に断熱層を形成する断熱層形成工程を有することを特徴とする請求項９に記載の太陽電池用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記透明基板が可撓性を有することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の太陽電池用基板の製造方法。
【請求項１２】
有機薄膜太陽電池用基板の製造方法であることを特徴とする請求項９から請求項１１までのいずれかに記載の太陽電池用基板の製造方法。
【請求項１３】
透明基板と、前記透明基板上に形成された透明電極層と、前記透明電極層上に形成されたバッファー層と、前記バッファー層上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された対向電極層とを有する有機薄膜太陽電池の製造方法であって、
請求項９から請求項１２までのいずれかに記載の透明電極層形成工程と、
前記透明電極層上にバッファー層形成用塗工液を塗布してバッファー層を形成するバッファー層形成工程と
を有することを特徴とする有機薄膜太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性金属酸化物を含有する透明電極層を有する太陽電池用基板、太陽電池および有機薄膜太陽電池に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池において、受光側の電極は透明電極とされる。従来、この透明電極には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物が用いられており、中でも、導電性や透明性が高く、仕事関数が高いことから、ＩＴＯが主に使用されている。
しかしながら、太陽電池に用いられるＩＴＯ電極は、厚みが薄く、シート抵抗が大きいため、発生した電流がＩＴＯ電極を通過する際に消費され、発電効率が低下するという問題がある。この現象は、太陽電池の面積が大きくなるにつれて顕著に現れる。
【０００３】
ＩＴＯ電極の低抵抗化の手法としては、アニール処理が提案されている（例えば特許文献１参照）。また、ＩＴＯ膜にレーザーを照射することにより結晶化し、電気伝導性を向上させる研究も行われている（例えば非特許文献１参照）。さらに、ＩＴＯ以外にも、ｎ型またはｐ型半導体の性質を示す金属酸化物、例えばインジウムや錫等の酸化物の層にレーザーを照射することにより結晶化することが提案されている（例えば特許文献２参照）。これらの方法はレーザーアニール法を利用するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−８８９７３号公報
【特許文献２】特開２００４−３１４３１３号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】プラスチックＬＣＤの材料技術と低温プロセス  技術情報協会  ２００２年  ｐ．６５〜７１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＩＴＯ電極をアニール処理により結晶化すると、ＩＴＯ電極が脆くなるという問題がある。特に、フレキシブル太陽電池では、曲げた際にＩＴＯ電極が割れてしまい、変換効率が低下するという問題が生じる。また、フレキシブル太陽電池では可撓性を有するフィルム基板が用いられるが、フィルム基板は耐熱性が低いため、フィルム基板上にＩＴＯ電極を形成する場合にはアニール処理を行うことは困難である。
【０００７】
また、特に有機薄膜太陽電池においては、光電変換層から電極への電荷の取出しが容易に行われるように、電極と光電変換層との間にバッファー層が設けられる場合がある。このバッファー層には、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が採用されることが多い。しかしながら、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを含む塗工液は酸性を示すため、電極上にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを含む塗工液を塗布してバッファー層を形成すると、酸によって電極が溶解する等のダメージを受けるおそれがある。また、バッファー層が吸湿した場合には、バッファー層中でＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが酸性を示すものとなるので、同様に電極がダメージを受けるおそれがある。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、低抵抗および可撓性を併せ持つ電極を有する太陽電池用基板および太陽電池を提供すること、さらには酸による電極へのダメージを低減することが可能な太陽電池用基板および有機薄膜太陽電池を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、導電性金属酸化物を含有する非晶質膜の表面のみをレーザーアニールにより結晶化することにより、低抵抗、可撓性、耐酸性を兼ね備える透明電極層が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、透明基板と、上記透明基板上に形成された透明電極層とを有する太陽電池用基板であって、上記透明電極層は、上記透明基板上に形成され、導電性金属酸化物を含有する非晶質膜と、上記非晶質膜上に形成され、上記非晶質膜に含有される上記導電性金属酸化物と同一の導電性金属酸化物を含有する結晶膜とを有することを特徴とする太陽電池用基板を提供する。
【００１１】
本発明によれば、透明電極層が同一の導電性金属酸化物を含有する非晶質膜および結晶膜を有するので、低抵抗であるとともに、可撓性をも満たす透明電極層とすることが可能である。
【００１２】
上記発明においては、上記透明基板と上記透明電極層との間に断熱層が形成されていてもよい。断熱層によって透明電極層を形成する際のアニール処理時の熱から透明基板を保護することができるからである。特に、可撓性を有する透明基板は耐熱性に劣る傾向にあることから断熱層が形成されていることが好ましい。
【００１３】
また本発明においては、上記透明基板が可撓性を有することが好ましい。本発明の太陽電池用基板を用いることで、フレキシブル太陽電池を得ることができるからである。
【００１４】
また本発明の太陽電池用基板は、有機薄膜太陽電池用基板であることが好ましい。結晶膜は非晶質膜が結晶化されたものであるので非晶質膜よりも耐酸性に優れており、この結晶膜が最表面に形成されているので、透明電極層上に酸性を示す材料を含有するバッファー層を形成する場合には、非晶質膜が結晶膜によって保護され、バッファー層に含有される酸の影響による透明電極層のダメージを低減することができる。したがって、透明電極層を低抵抗化しつつ、酸による透明電極層のダメージを抑制し、電気的特性の向上を図ることが可能となる。さらに、結晶膜は非晶質膜が結晶化されたものであり、結晶膜と非晶質膜とは仕事関数が異なるため、透明電極層と透明電極層上に形成される有機層との界面において仕事関数を調整することも可能である。
【００１５】
さらに本発明は、上述の太陽電池用基板と、上記太陽電池用基板の透明電極層上に形成されたバッファー層と、上記バッファー層上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された対向電極層とを有することを特徴とする有機薄膜太陽電池を提供する。すなわち、本発明は、透明基板と、上記透明基板上に形成された透明電極層と、上記透明電極層上に形成されたバッファー層と、上記バッファー層上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された対向電極層とを有する有機薄膜太陽電池であって、上記透明電極層は、上記透明基板上に形成され、導電性金属酸化物を含有する非晶質膜と、上記非晶質膜上に形成され、上記非晶質膜に含有される上記導電性金属酸化物と同一の導電性金属酸化物を含有する結晶膜とを有することを特徴とする有機薄膜太陽電池を提供する。
【００１６】
本発明によれば、透明電極層が同一の導電性金属酸化物を含有する非晶質膜および結晶膜を有するので、低抵抗および可撓性を併せ持つ透明電極層とすることが可能である。また、結晶膜は非晶質膜が結晶化されたものであるので非晶質膜よりも耐酸性に優れており、この結晶膜はバッファー層側に形成されているので、バッファー層が酸性を示す材料を含有する場合には、非晶質膜が結晶膜によって保護され、バッファー層に含有される酸の影響による透明電極層のダメージを低減することができ、有機薄膜太陽電池の信頼性を向上させることが可能となる。
【００１７】
また本発明は、上述の太陽電池用基板を備えることを特徴とする太陽電池を提供する。
本発明によれば、透明電極層が同一の導電性金属酸化物を含有する非晶質膜および結晶膜を有するので、低抵抗および可撓性を併せ持つ透明電極層とすることが可能である。
【００１８】
さらに本発明は、上述の有機薄膜太陽電池が複数個直列または並列に接続されていることを特徴とする有機薄膜太陽電池モジュールを提供する。
【００１９】
また本発明は、上述の太陽電池が複数個直列または並列に接続されていることを特徴とする太陽電池モジュールを提供する。
【００２０】
また本発明は、透明基板上に導電性金属酸化物を含有する非晶質膜を形成した後、上記非晶質膜の表面をレーザーアニールにより結晶化して結晶膜を形成し、上記非晶質膜および上記結晶膜を有する透明電極層を得る透明電極層形成工程を有することを特徴とする太陽電池用基板の製造方法を提供する。
【００２１】
本発明によれば、非晶質膜の表面をレーザーアニールにより結晶化して結晶膜を形成し、非晶質膜および結晶膜を有する透明電極層を得るので、低抵抗であるとともに、可撓性をも満たす透明電極層を形成することが可能である。
【００２２】
上記発明においては、上記透明電極層形成工程前に、上記透明基板上に断熱層を形成する断熱層形成工程を有していてもよい。レーザーアニールの際に、断熱層によって透明基板を熱から保護することができるからである。
【００２３】
また本発明においては、上記透明基板が可撓性を有することが好ましい。本発明により得られる太陽電池用基板を用いることで、フレキシブル太陽電池を製造することができるからである。
【００２４】
また本発明の太陽電池用基板の製造方法は、有機薄膜太陽電池用基板の製造方法であることが好ましい。結晶膜は非晶質膜が結晶化されたものであるので非晶質膜よりも耐酸性に優れているため、透明電極層上に酸性を示すバッファー層形成用塗工液を塗布してバッファー層を形成する場合には、酸の影響による透明電極層のダメージを低減することが可能である。したがって、透明電極層を低抵抗化しつつ、酸による透明電極層のダメージを抑制し、電気的特性の向上を図ることが可能となる。さらに、結晶膜は非晶質膜が結晶化されたものであり、結晶膜と非晶質膜とは仕事関数が異なるため、透明電極層と透明電極層上に形成される有機層との界面において仕事関数を調整することも可能である。
【００２５】
また本発明は、透明基板と、上記透明基板上に形成された透明電極層と、上記透明電極層上に形成されたバッファー層と、上記バッファー層上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された対向電極層とを有する有機薄膜太陽電池の製造方法であって、上述の透明電極層形成工程と、上記透明電極層上にバッファー層形成用塗工液を塗布してバッファー層を形成するバッファー層形成工程とを有することを特徴とする有機薄膜太陽電池の製造方法を提供する。すなわち、本発明は、透明基板と、上記透明基板上に形成された透明電極層と、上記透明電極層上に形成されたバッファー層と、上記バッファー層上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された対向電極層とを有する有機薄膜太陽電池の製造方法であって、上記透明基板上に導電性金属酸化物を含有する非晶質膜を形成した後、上記非晶質膜の表面をレーザーアニールにより結晶化して結晶膜を形成し、上記非晶質膜および上記結晶膜を有する上記透明電極層を得る透明電極層形成工程と、上記透明電極層上にバッファー層形成用塗工液を塗布してバッファー層を形成するバッファー層形成工程とを有することを特徴とする有機薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【００２６】
本発明によれば、非晶質膜の表面をレーザーアニールにより結晶化して結晶膜を形成し、非晶質膜および結晶膜を有する透明電極層を得るので、低抵抗および可撓性を併せ持つ透明電極層を形成することが可能である。結晶膜は非晶質膜が結晶化されたものであるので非晶質膜よりも耐酸性に優れているため、透明電極層上に酸性を示すバッファー層形成用塗工液を塗布してバッファー層を形成する場合には、酸の影響による透明電極層のダメージを低減することが可能である。したがって、信頼性の高い有機薄膜太陽電池を得ることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明においては、透明電極層が同一の導電性金属酸化物を含有する非晶質膜および結晶膜を有するので、低抵抗および可撓性を兼ね備え、さらには耐酸性をも併せ持つ透明電極層とすることが可能であるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の太陽電池用基板の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の有機薄膜太陽電池の一例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の太陽電池用基板を備える有機薄膜太陽電池の一例を示す概略断面図である。
【図４】本発明の太陽電池用基板の他の例を示す概略断面図である。
【図５】本発明の有機薄膜太陽電池の他の例を示す概略断面図である。
【図６】本発明の太陽電池用基板の他の例を示す概略断面図である。
【図７】本発明の太陽電池用基板の他の例を示す概略断面図である。
【図８】本発明の太陽電池用基板の製造方法の一例を示す工程図である。
【図９】本発明の有機薄膜太陽電池の製造方法の一例を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の太陽電池用基板、太陽電池、有機薄膜太陽電池、太陽電池モジュール、有機薄膜太陽電池モジュール、太陽電池用基板の製造方法、および有機薄膜太陽電池の製造方法について詳細に説明する。
【００３０】
Ａ．太陽電池用基板
まず、本発明の太陽電池用基板について説明する。
本発明の太陽電池用基板は、透明基板と、上記透明基板上に形成された透明電極層とを有する太陽電池用基板であって、上記透明電極層は、上記透明基板上に形成され、導電性金属酸化物を含有する非晶質膜と、上記非晶質膜上に形成され、上記非晶質膜に含有される上記導電性金属酸化物と同一の導電性金属酸化物を含有する結晶膜とを有することを特徴とするものである。
【００３１】
本発明の太陽電池用基板について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の太陽電池用基板の一例を示す概略断面図である。図１に示す例において、太陽電池用基板１は、透明基板２と、透明基板２上に形成され、導電性金属酸化物を含有する透明電極層３とを有している。透明電極層３は、透明基板２上に形成され、導電性金属酸化物を含有する非晶質膜３ａと、非晶質膜３ａ上に形成され、導電性金属酸化物を含有する結晶膜３ｂとを有する。非晶質膜３ａおよび結晶膜３ｂは同一の導電性金属酸化物を含有し、結晶膜３ｂは非晶質膜３ａの表面を結晶化することで得られる。
【００３２】
一般的に、導電性金属酸化物において、結晶膜は非晶質膜よりも抵抗が低く、すなわち導電性が高い。また、導電性金属酸化物において、結晶膜は非晶質膜よりも耐酸性に優れている。さらに、導電性金属酸化物において、非晶質膜と結晶膜とでは仕事関数が異なるものとなる。
【００３３】
本発明によれば、透明電極層が非晶質膜よりも抵抗が低い結晶膜を有することにより、透明電極層自体の導電性を高めることが可能である。また、透明電極層が可撓性に優れる非晶質膜を有することにより、透明電極層自体の可撓性を維持することが可能である。したがって本発明においては、低抵抗および可撓性を併せ持つ透明電極層とすることができる。
【００３４】
また本発明によれば、透明基板が可撓性を有するフィルム基板である場合には、透明電極層が非晶質膜を有し可撓性に優れているので、本発明の太陽電池用基板を用いることにより高性能なフレキシブル太陽電池を得ることが可能である。
【００３５】
図２は、本発明の太陽電池用基板を有する有機薄膜太陽電池の一例を示す概略断面図である。図２に示す有機薄膜太陽電池１０は、太陽電池用基板１と、透明電極層３上に形成されたバッファー層４と、バッファー層４上に形成された光電変換層５と、光電変換層５上に形成された対向電極層６とを有している。
【００３６】
本発明によれば、透明電極層が非晶質膜および結晶膜を有し、耐酸性に優れる結晶膜がバッファー層側に形成されている。そのため、図２に示すような有機薄膜太陽電池において、バッファー層が酸性を示す材料を含有する場合には、バッファー層が非晶質膜に直に接触することがなく、結晶膜によって非晶質膜が保護されるので、バッファー層に含まれる酸の影響による透明電極層のダメージを低減することが可能である。これにより、酸の影響によって透明電極層が溶解して、透明電極層の電気的特性が低下するのを抑制することができる。その結果、有機薄膜太陽電池の信頼性の向上を図ることが可能となる。
したがって本発明においては、透明電極層を低抵抗化しつつ、酸による透明電極層のダメージを抑制し、電気的性能を向上させることが可能である。
【００３７】
図３は、本発明の太陽電池用基板を有する有機薄膜太陽電池の他の例を示す概略断面図である。図３に示す有機薄膜太陽電池２０は、太陽電池用基板１と、透明電極層３上に形成された有機層１５と、有機層１５上に形成された対向電極層６とを有している。
【００３８】
本発明によれば、透明電極層の非晶質膜と結晶膜とでは仕事関数が異なるので、図３に示すような有機薄膜太陽電池において、透明電極層と有機層との界面で仕事関数を調整することが可能である。例えば、結晶膜の仕事関数と透明電極層に直に接する有機層の仕事関数との差が、非晶質膜の仕事関数と透明電極層に直に接する有機層の仕事関数との差よりも小さい場合には、有機層から透明電極層への電荷移動性を向上させることが可能となる。
【００３９】
以下、本発明の太陽電池用基板における各構成について説明する。
【００４０】
１．透明電極層
本発明における透明電極層は、透明基板上に形成されるものであり、透明基板上に形成され、導電性金属酸化物を含有する非晶質膜と、非晶質膜上に形成され、非晶質膜に含有される導電性金属酸化物と同一の導電性金属酸化物を含有する結晶膜とを有するものである。非晶質膜および結晶膜は同一の導電性金属酸化物を含有し、結晶膜は非晶質膜の表面を結晶化することにより得られる。なお、非晶質膜を結晶化させて結晶膜を得る過程で導電性金属酸化物の元素組成が変化したとしても、その非晶質膜に含有される導電性金属酸化物と結晶膜に含有される導電性金属酸化物は同一のものとする。
【００４１】
なお、透明電極層が非晶質膜および結晶膜を有することは、透明電極層をエッチングすることで確認することができる。具体的には、透明電極層と、層全体が非晶質膜である電極層と、層全体が結晶膜である電極層とについて、エッチングレートを比較することで、透明電極層が非晶質膜および結晶膜を有することを確認することができる。まず、層全体が非晶質膜である電極層と、層全体が結晶膜である電極層とについて、あらかじめ、酸性エッチング液により任意の時間で腐食した後、膜厚の減少量を段差計で測定しておく。結晶膜は非晶質膜よりも耐酸性に優れているため、結晶膜の膜厚の減少量は非晶質膜の膜厚の減少量よりも少なくなる。次いで、透明電極層を酸性エッチング液により任意の時間で腐食した後、膜厚の減少量を段差計で測定する。透明電極層の膜厚の減少量が、層全体が非晶質膜である電極層の膜厚の減少量と、層全体が結晶膜である電極層の膜厚の減少量との間の範囲内である場合には、透明電極層は非晶質膜および結晶膜を有すると判定する。
【００４２】
透明電極層は、通常、光電変換層で発生した正孔を取り出すための電極（正孔取出し電極）とされる。本発明において、透明電極層は透明性を有し、透明電極層側が受光面となる。
【００４３】
非晶質膜および結晶膜に用いられる導電性金属酸化物としては、導電性および透明性を有し、アモルファス構造および結晶構造を持ち、結晶化により抵抗が低く耐酸性が高くなり得るものであり、アニール処理により結晶化され得るものであれば特に限定されるものではない。このような導電性金属酸化物としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が好ましく用いられる。ＩＴＯは、導電性および透明性を有し、かつ仕事関数が高いからである。また、ＩＴＯを用いた場合にはレーザーアニールにより層表面のみを結晶化することができるからである。
【００４４】
結晶膜は、導電性金属酸化物が結晶構造を有するときの仕事関数と同程度の仕事関数を有することが好ましい。すなわち、透明電極層の表面は、導電性金属酸化物が結晶構造を有するときの仕事関数と同程度の仕事関数を有するようになるまで結晶化されていることが好ましい。結晶膜の仕事関数は導電性金属酸化物の種類に応じて異なる。例えば導電性金属酸化物がＩＴＯである場合、結晶膜は４．６ｅＶ〜４．９ｅＶ程度の仕事関数を有することが好ましい。
なお、結晶膜の仕事関数は、透明電極層の結晶膜が形成されている側の表面の仕事関数を測定することにより求めることができる。
【００４５】
透明電極層のシート抵抗は、１００Ω／□以下であることが好ましく、中でも５０Ω／□以下、特に２０Ω／□以下であることが好ましい。非晶質膜および結晶膜を有する透明電極層のシート抵抗が上記範囲であれば、十分な導電性が得られる。
なお、上記シート抵抗は、三菱化学株式会社製  表面抵抗計（ロレスタＭＣＰ：四端子プローブ）を用い、ＪＩＳ  Ｒ１６３７（ファインセラミックス薄膜の抵抗率試験方法：４探針法による測定方法）に基づき、測定した値である。
【００４６】
透明電極層の膜厚としては、０．１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、中でも１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることが好ましい。膜厚が上記範囲より薄いと、透明電極層のシート抵抗が大きくなりすぎ、発生した電荷を十分に外部回路へ伝達できない可能性があり、一方、膜厚が上記範囲より厚いと、全光線透過率が低下し、光電変換効率を低下させる可能性があるからである。
【００４７】
透明電極層中の結晶膜の厚みとしては、透明電極層が可撓性を有するような厚みであればよい。結晶膜の厚みが厚いと透明電極層の可撓性が損なわれるおそれがある。したがって、透明電極層の可撓性を高めるために、結晶膜の厚みは比較的薄いことが好ましい。
また、本発明の太陽電池用基板が有機薄膜太陽電池用基板である場合、透明電極層中の結晶膜の厚みとしては、耐酸性を有する厚みであればよい。結晶膜の厚みが薄いと所望の耐酸性が得られない場合がある。一方、結晶膜の厚みが厚いと透明電極層の可撓性が損なわれる。結晶膜の厚みが一定以上であれば十分な耐酸性を得ることができる。したがって、透明電極層の可撓性を高めるために、結晶膜の厚みは耐酸性を有する厚みの中でも比較的薄いことが好ましい。
【００４８】
透明電極層の全光線透過率は８５％以上であることが好ましく、中でも９０％以上、特に９２％以上であることが好ましい。透明電極層の全光線透過率が上記範囲であることにより、透明電極層にて光を十分に透過することができ、光電変換層にて光を効率的に吸収することができるからである。
なお、上記全光線透過率は、可視光領域において、スガ試験機株式会社製  ＳＭカラーコンピュータ（型番：ＳＭ−Ｃ）を用いて測定した値である。
【００４９】
透明電極層は、透明基板上に全面に形成されていてもよく、パターン状に形成されていてもよい。
また、結晶膜３ｂは、図１に例示するように非晶質膜３ａ上に全面に形成されていてもよく、図４に例示するように非晶質膜３ａ上にパターン状に形成されていてもよい。結晶膜が非晶質膜上にパターン状に形成されている場合、例えば図５に示すような有機薄膜太陽電池１０が得られる。このような場合でも、素子性能を高めることが可能である。
【００５０】
なお、透明電極層の形成方法については、後述の「Ｆ．太陽電池用基板の製造方法」の項に記載するので、ここでの説明は省略する。
【００５１】
２．透明基板
本発明に用いられる透明基板は、上記透明電極層を支持するものである。
【００５２】
透明基板としては特に限定されるものではなく、例えば石英ガラス、パイレックス（登録商標）、合成石英板等の可撓性のない透明なリジット材、あるいは透明樹脂フィルム、光学用樹脂板等の可撓性を有する透明なフレキシブル材を挙げることができる。
中でも、透明基板が透明樹脂フィルム等のフレキシブル材であることが好ましい。透明樹脂フィルムは、加工性に優れており、製造コスト低減や軽量化、割れにくい太陽電池の実現において有用であり、曲面への適用等、種々のアプリケーションへの適用可能性が広がるからである。
【００５３】
フレキシブル材を使用する場合は、透明基板表面からの水蒸気透過の懸念があるため、透明基板表面にバリア層が形成されていることが好ましい。バリア層としては、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）等の無機薄膜を真空成膜法等により形成することが一般的である。なお、バリア層については、特開２００７−７３７１７号公報等に記載のものと同様とすることができる。
【００５４】
３．断熱層
本発明においては、図６に例示するように、透明基板２と透明電極層３との間に断熱層７が形成されていてもよい。レーザーアニールにより非晶質膜の表面を結晶化して結晶膜を形成する際に、断熱層によって熱から透明基板を保護することができるからである。透明基板が可撓性を有するフィルム基板である場合には、断熱層が形成されていることが好ましい。レーザーアニールによるフィルム基板の吸熱量が断熱層で軽減されるため、フィルム基板の熱膨張に伴う透明電極層の破断、破壊を防ぐことができる。
【００５５】
断熱層の形成材料としては、熱伝導率が低く、耐熱性を有する材料であれば特に限定されるものではなく、好ましいものとしては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）等が挙げられる。これらの材料を用いた断熱層は、バリア層としても機能するからである。
【００５６】
断熱層の厚みとしては、レーザーアニール時の熱から透明基板を保護することができる厚みであればよく、例えば、０．１μｍ〜２μｍ程度で設定することができる。
【００５７】
断熱層の形成方法としては、例えば、スパッタリング法等の蒸着法や、スピンコート法等の塗布法が挙げられる。
【００５８】
４．補助電極
本発明においては、図７に例示するように、透明基板２と透明電極層３との間にパターン状の補助電極８が形成されていてもよい。透明電極層のシート抵抗が比較的高い場合であっても、補助電極のシート抵抗を十分に低くすることで、透明電極層および補助電極の積層体全体としての抵抗を低減することができる。したがって、発生した電力を効率良く集電することができる。
【００５９】
本発明に用いられる補助電極は、透明基板上にパターン状に形成されるものである。補助電極は、通常、透明電極層よりも抵抗値が低い。
【００６０】
補助電極の形成材料としては、通常、金属が用いられる。補助電極に用いられる金属としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、ステンレス系金属、アルミニウム合金、銅合金、チタン合金、鉄−ニッケル合金およびニッケル−クロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）等の導電性金属を挙げることができる。上述の導電性金属の中でも、電気抵抗値が比較的低いものが好ましい。このような導電性金属としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等が挙げられる。
【００６１】
また、補助電極は、上述のような導電性金属からなる単層であってもよく、また透明基板や透明電極層との密着性向上のために、導電性金属層とコンタクト層とを適宜積層したものであってもよい。コンタクト層の形成材料としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケルクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等が挙げられる。コンタクト層は所望の補助電極と透明基板や透明電極層との密着性を得るために導電性金属層に積層されるものであり、導電性金属層の片側にのみ積層してもよく、導電性金属層の両側に積層してもよい。
【００６２】
また、透明電極層は正孔取出し電極であるので、補助電極に用いられる金属は仕事関数の高いものであることが好ましい。具体的には、Ａｌが好ましく用いられる。
【００６３】
補助電極の形状としては、パターン状であれば特に限定されるものではなく、所望の導電性、透過性、強度等により適宜選択される。例えば、補助電極は、メッシュ状のメッシュ部と、このメッシュ部の周囲に配置されたフレーム部とを有するものであってもよく、メッシュ状のメッシュ部からなるものであってもよい。
【００６４】
補助電極がメッシュ部とフレーム部とを有する場合、メッシュ部およびフレーム部の配置としては、例えば補助電極が矩形である場合、フレーム部が、メッシュ部の四方を囲むように配置されていてもよく、メッシュ部の三方を囲むように配置されていてもよく、メッシュ部の二方を囲むように配置されていてもよく、メッシュ部の一方に配置されていてもよい。中でも、フレーム部は、メッシュ部の四方または三方を囲むように配置されていることが好ましい。効率良く集電することができるからである。
【００６５】
メッシュ部の形状としては、メッシュ状であれば特に限定されるものではなく、所望の導電性、透過性、強度等により適宜選択される。例えば、三角形、四角形、六角形等の多角形や円形の格子状等が挙げられる。なお、多角形や円形の「格子状」とは、多角形や円形が周期的に配列されている形状をいう。多角形や円形の格子状としては、例えば多角形の開口部がストレートに配列されていてもよく、ジグザグに配列されていてもよい。
【００６６】
中でも、メッシュ部の形状は、六角形の格子状または平行四辺形の格子状であることが好ましい。メッシュ部を流れる電流が局所的に集中するのを防止することができるからである。六角形の格子状の場合、特に、六角形の開口部がジグザグに（いわゆるハニカム状に）配列されていることが好ましい。一方、平行四辺形の格子状の場合、平行四辺形の鋭角が４０°〜８０°の範囲内であることが好ましく、より好ましくは５０°〜７０°の範囲内、さらに好ましくは５５°〜６５°の範囲内である。
【００６７】
補助電極自体は基本的に光を透過しないので、補助電極のメッシュ部の開口部から光電変換層に光が入射する。そのため、補助電極のメッシュ部の開口部は比較的大きいことが好ましい。具体的には、補助電極のメッシュ部の開口部の比率は、５０％〜９８％程度であることが好ましく、より好ましくは７０％〜９８％の範囲内、さらに好ましくは８０％〜９８％の範囲内である。
【００６８】
補助電極のメッシュ部の開口部のピッチおよびメッシュ部の線幅は、補助電極全体の面積等に応じて適宜選択される。
また、フレーム部の線幅は、補助電極全体の面積等に応じて適宜選択される。
【００６９】
補助電極の厚みは、透明電極層と対向電極層との間で短絡が生じない厚みであれば限定されるものではなく、透明電極層と対向電極層との間に形成される層の厚みに応じて適宜選択される。例えば有機薄膜太陽電池の場合、補助電極の厚みは、光電変換層、バッファー層等の厚みに応じて適宜選択される。具体的には、透明電極層と対向電極層との間に形成される層（有機薄膜太陽電池の場合は光電変換層、バッファー層など）の総膜厚を１とすると、補助電極の厚みは、５以下であることが好ましく、中でも３以下、さらには２以下、特に１．５以下であることが好ましく、１以下であることが最も好ましい。補助電極の厚みが上記範囲より厚いと、電極間で短絡が生じるおそれがあるからである。より具体的には、補助電極の厚みは、１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、中でも２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内、さらには２００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内、特に２００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であることが好ましい。補助電極の厚みが上記範囲より薄いと、補助電極のシート抵抗が大きくなりすぎる場合があるからである。また、補助電極の厚みが上記範囲より厚いと、電極間で短絡が生じるおそれがあるからである。
【００７０】
中でも、本発明の太陽電池用基板が有機薄膜太陽電池用基板である場合であって、透明電極層上に、主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法により光電変換層を形成する場合、補助電極の厚みは２００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることが好ましい。透明電極層上に、主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法により光電変換層を形成する場合、補助電極の厚みが上記範囲よりも厚いと、補助電極のメッシュ部やフレーム部のエッジを覆うことが困難となり、電極間で短絡が生じやすくなる。また、補助電極の厚みが上記範囲よりも厚いと、表面張力によって所望の厚みよりも厚く光電変換層が形成されてしまうおそれがある。光電変換層の厚みが厚すぎると、電子拡散長および正孔拡散長を超えてしまい変換効率が低下する。表面張力によって所望の厚みよりも厚く光電変換層が形成されないように、補助電極の厚みを調整することが好ましい。特に、光電変換層内を正孔および電子が移動できる距離は１００ｎｍ程度であることが知られていることからも、表面張力によって所望の厚みよりも厚く光電変換層が形成されないように、補助電極の厚みを調整することが好ましいのである。
一方、例えばスピンコート法により光電変換層を形成する場合、遠心力により均質な膜とするので、補助電極の厚みが比較的厚くても、補助電極のエッジを覆うことができる。また、スピンコート法の場合、回転数によって厚みを調整することができるので、補助電極の厚みが比較的厚くても、均質な膜を得ることができる。
よって、主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法により光電変換層を形成する場合には、上記範囲が特に好ましいのである。
【００７１】
補助電極のシート抵抗としては、透明電極層のシート抵抗よりも低ければよい。具体的に、補助電極のシート抵抗は、５Ω／□以下であることが好ましく、中でも３Ω／□以下、さらには１Ω／□以下、特に０．５Ω／□以下であることが好ましく、０．１Ω／□以下であることが最も好ましい。補助電極のシート抵抗が上記範囲より大きいと、所望の発電効率が得られない場合があるからである。
なお、上記シート抵抗は、三菱化学株式会社製  表面抵抗計（ロレスタＭＣＰ：四端子プローブ）を用い、ＪＩＳ  Ｒ１６３７（ファインセラミックス薄膜の抵抗率試験方法：４探針法による測定方法）に基づき、測定した値である。
【００７２】
補助電極の形成方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、金属薄膜を全面に成膜した後に網目状にパターニングする方法、網目状の導電体を直接形成する方法等が挙げられる。これらの方法は、補助電極の形成材料や構成等に応じて適宜選択される。
【００７３】
金属薄膜の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜法であることが好ましい。すなわち、補助電極は真空成膜法にて形成された金属薄膜であることが好ましい。真空成膜法により成膜した金属種は、めっき膜に比べ介在物が少なく比抵抗を小さくでき、またＡｇペースト等を用いて成膜したものと比較しても比抵抗を小さくできる。また、厚み１μｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の金属薄膜を、膜厚を精密に制御し、均一な厚みに成膜する方法としても、真空成膜法が好適である。
金属薄膜のパターニング方法としては、所望のパターンに精度良く形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えばフォトエッチング法等を挙げることができる。
【００７４】
５．用途
本発明の太陽電池用基板は、太陽電池全般に用いられるものであり、例えば、有機薄膜太陽電池、色素増感型太陽電池、化合物半導体系太陽電池、シリコン系太陽電池等に用いることができる。
中でも、本発明の太陽電池用基板は、有機薄膜太陽電池、色素増感型太陽電池、化合物半導体系太陽電池、アモルファスシリコン太陽電池に使用されることが好ましい。これらの太陽電池は折り曲げに対する耐性が比較的高いので、フレキシブル太陽電池として適しており、本発明の太陽電池用基板に好適である。
特に、本発明の太陽電池用基板は、有機薄膜太陽電池用基板であることが好ましい。本発明においては、透明電極層を低抵抗化しつつ、酸による透明電極層のダメージを抑制し、電気的特性の向上を図ることが可能である。
【００７５】
Ｂ．太陽電池
次に、本発明の太陽電池について説明する。
本発明の太陽電池は、上述の太陽電池用基板を備えることを特徴とするものである。
【００７６】
本発明によれば、上述の太陽電池用基板を有するので、低抵抗および可撓性を兼ね備える透明電極層とすることができる。また、透明基板が可撓性を有するフィルム基板である場合には、透明電極層が非晶質膜を有し可撓性に優れているので、高性能なフレキシブル太陽電池とすることが可能である。
【００７７】
本発明の太陽電池の種類としては、特に限定されるものではなく、例えば、有機薄膜太陽電池、色素増感型太陽電池、化合物半導体系太陽電池、シリコン系太陽電池等を挙げることができる。化合物半導体系太陽電池としては、具体的に、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）やインジウム燐（ＩｎＰ）等のIII−V族化合物半導体系太陽電池、カドミウムテルル（ＣｄＴｅ）等のII−VI族化合物半導体系太陽電池、ＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ２）やＣＩＧＳ（Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ２）等のI-III-VI族化合物半導体系太陽電池等が挙げられる。シリコン系太陽電池としては、具体的に、単結晶シリコン太陽電池、多結晶シリコン太陽電池、シングル接合型もしくはタンデム構造型等のアモルファスシリコン太陽電池等が挙げられる。また、薄膜多結晶性シリコン太陽電池、薄膜微結晶性シリコン太陽電池、薄膜結晶シリコン太陽電池とアモルファスシリコン太陽電池とのハイブリット太陽電池を挙げることもできる。
中でも、本発明の太陽電池は、有機薄膜太陽電池、色素増感型太陽電池、化合物半導体系太陽電池、アモルファスシリコン太陽電池であることが好ましい。これらの太陽電池は折り曲げに対する耐性が比較的高いので、フレキシブル太陽電池として適しており、有用性があるからである。
特に有機薄膜太陽電池が好適である。本発明においては、上述したように耐酸性をも改善することが可能だからである。
【００７８】
以下、有機薄膜太陽電池、色素増感型太陽電池、化合物半導体系太陽電池、シリコン系太陽電池について分けて説明する。
【００７９】
１．有機薄膜太陽電池
本発明の有機薄膜太陽電池は、上述の太陽電池用基板を備えるものであり、太陽電池用基板と、上記太陽電池用基板の透明電極層上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された対向電極層とを有するものである。
なお、太陽電池用基板については、上記「Ａ．太陽電池用基板」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。また、有機薄膜太陽電池については、後述の「Ｃ．有機薄膜太陽電池」の項に詳しく記載するので、ここでの説明は省略する。
【００８０】
２．色素増感型太陽電池
本発明の色素増感型太陽電池は、上述の太陽電池用基板を備えるものであり、例えば、太陽電池用基板と、上記太陽電池用基板の透明電極層上に形成され、色素増感剤が担持された酸化物半導体微粒子を含有する多孔質層と、多孔質層に接触するように形成された電解質層と、多孔質層および電解質層上に配置された対向電極層とを有するものである。
なお、太陽電池用基板については、上記「Ａ．太陽電池用基板」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。以下、色素増感型太陽電池における他の構成について説明する。
【００８１】
（１）多孔質層
多孔質層は、色素増感剤が担持された酸化物半導体微粒子を含有するものである。
以下、多孔質層の各構成について説明する。
【００８２】
（酸化物半導体微粒子）
酸化物半導体微粒子としては、半導体特性を備える酸化物からなるものであれば特に限定されるものではない。酸化物半導体微粒子を構成する酸化物としては、例えば、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＩＴＯ、ＺｒＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３等を挙げることができる。これらの酸化物半導体微粒子は、多孔性の多孔質層を形成するのに適しており、エネルギー変換効率の向上、コストの削減を図ることができるため好適に用いられる。
【００８３】
酸化物半導体微粒子は、すべて同一の酸化物からなるものであってもよく、異なる酸化物からなるものが２種類以上用いられていてもよい。また、酸化物半導体微粒子は、一種をコア微粒子とし、他の酸化物半導体により、コア微粒子を包含してシェルを形成するコアシェル構造としてもよい。
中でも、ＴｉＯ２からなる酸化物半導体微粒子を用いることが最も好ましい。ＴｉＯ２は特に半導体特性に優れるからである。
【００８４】
酸化物半導体微粒子の平均粒径としては、多孔質層の比表面積を所望の範囲内にできる程度であれば特に限定されるものではないが、１ｎｍ〜１０μｍの範囲内が好ましく、特に１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。平均粒径が上記範囲よりも小さいと各々の酸化物半導体微粒子が凝集し二次粒子を形成してしまう場合があり、また平均粒径が上記範囲より大きいと、多孔質層が厚膜化してしまうだけではなく、多孔質層の多孔度、すなわち比表面積が減少してしまう可能性があるからである。ここで、多孔質層の比表面積が小さくなると、例えば、光電変換するのに十分な色素増感剤を多孔質層に担持させることが困難になる場合がある。
なお、酸化物半導体微粒子の平均粒径は一次粒径を意味するものとする。
【００８５】
また、上記酸化物半導体微粒子として、すべて同一の平均粒径のものを用いてもよく、平均粒径の異なる複数の酸化物半導体微粒子を２種類以上用いてもよい。平均粒径の異なる酸化物半導体微粒子を併用することにより、多孔質層における光散乱効果を高めることができ、色素増感型太陽電池をより発電効率に優れたものにできるという利点がある。
【００８６】
平均粒径の異なる酸化物半導体微粒子を２種類以上用いる場合、異なる平均粒径の組み合わせとしては、例えば、平均粒径が１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内にある酸化物半導体微粒子と、平均粒径が５０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内にある酸化物半導体微粒子との組み合わせを例示することができる。
【００８７】
（色素増感剤）
色素増感剤としては、光を吸収して起電力を生じさせることが可能なものであれば特に限定されない。このような色素増感剤としては、有機色素または金属錯体色素を挙げることができる。上記有機色素としては、アクリジン系、アゾ系、インジゴ系、キノン系、クマリン系、メロシアニン系、フェニルキサンテン系の色素が挙げられる。これらの有機色素の中でも、クマリン系色素を用いることが好ましい。また、上記金属錯体色素としてはルテニウム系色素を用いることが好ましく、特にルテニウム錯体であるルテニウムビピリジン色素およびルテニウムターピリジン色素を用いることが好ましい。このようなルテニウム錯体は吸収する光の波長範囲が広いため、光電変換できる光の波長領域を大幅に広げることができるからである。
【００８８】
（任意の成分）
多孔質層には、上記酸化物半導体微粒子の他に任意の成分が含まれていてもよい。任意の成分としては、例えば、バインダー樹脂を挙げることができる。多孔質層にバインダー樹脂が含有されることにより、多孔質層を脆性の低いものにできるからである。
【００８９】
バインダー樹脂としては、多孔質層の脆性を所望の程度にできるものであれば特に限定されるものではない。もっとも、後述するように多孔質層が電解質層と接するように形成されることから電解質層に対する耐性を備えるバインダー樹脂が用いられることが必要になる。このようなバインダー樹脂としては、例えば、ポリビニルピロリドン、エチルセルロース、カプロラクタン等を挙げることができる。
バインダー樹脂は１種類のみであってもよく２種類以上であってもよい。
【００９０】
（多孔質層のその他の点）
多孔質層の厚みは、色素増感型太陽電池の用途に応じて適宜選択されるものであり特に限定されるものではい。中でも、多孔質層の厚みは、１μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましく、特に３μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。多孔質層の厚みが上記範囲よりも厚いと、多孔質層自体の凝集破壊が起りやすく、膜抵抗となりやすくなってしまう場合があるからである。また、多孔質層の厚みが上記範囲よりも薄いと厚みが均一な多孔質層を形成するのが困難となったり、色素増感剤が担持される量が少なくなり、太陽光を十分に吸収できないために性能不良になったりする可能性があるからである。
【００９１】
多孔質層は、太陽電池用基板上に一面に形成されていてもよくパターン状に形成されていてもよい。
多孔質層の形成方法としては、色素増感型太陽電池における一般的な多孔質層の形成方法と同様とすることができる。
【００９２】
（２）電解質層
電解質層は、太陽電池用基板の透明電極層と対向電極層との間に多孔質層に接するように形成されるものである。
【００９３】
電解質層は、ゲル状、固体状または液体状のいずれの形態からなるものであってもよい。また、電解質層は、酸化還元対を含有していてもよく含有していなくてもよい。酸化還元対が用いられる場合、酸化還元対としては、一般的に色素増感型太陽電池の電解質層に用いられているものであれば特に限定されるものではないが、中でもヨウ素およびヨウ化物の組合せ、臭素および臭化物の組合せであることが好ましい。
【００９４】
酸化還元対として用いられるヨウ素およびヨウ化物の組合せとしては、例えば、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＫＩ、ＣａＩ２等の金属ヨウ化物と、Ｉ２との組合せを挙げることができる。また、臭素および臭化物の組合せとしては、例えば、ＬｉＢｒ、ＮａＢｒ、ＫＢｒ、ＣａＢｒ２等の金属臭化物と、Ｂｒ２との組合せを挙げることができる。
【００９５】
電解質層を液体状とする場合には、例えばアセトニトリル、メトキシアセトニトリル、炭酸プロピレンなどを溶媒とし、酸化還元対を含有させたものや、同じくイミダゾリウム塩をカチオンとするイオン性液体を溶媒とすることができる。
【００９６】
一方、電解質層をゲル状とした場合には、物理ゲルと化学ゲルのいずれであってもよい。ここで、物理ゲルは物理的な相互作用で室温付近においてゲル化しているものであり、化学ゲルは架橋反応などにより化学結合でゲルを形成しているものである。
また、固体状の電解質層としては、例えば、ＣｕＩ、ポリピロール、ポリチオフェン等からなるものを挙げることができる。
【００９７】
（３）触媒層
色素増感型太陽電池においては、対向電極層と多孔質層および電解質層との間に必要に応じて触媒層が形成されていてもよい。対向電極層上に触媒層が形成されていることにより、色素増感型太陽電池をより発電効率に優れたものにできる。このような触媒層の例としては、対向電極層上にＰｔを蒸着した態様や、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）、ポリアニリン（ＰＡ）、パラトルエンスルホン酸（ＰＴＳ）およびこれらの混合物から触媒層を形成する態様を挙げることができるが、この限りではない。
【００９８】
（４）シール剤層
色素増感型太陽電池においては、封止のためにシール剤層が形成されていてもよい。シール剤層に用いられるシール剤としては、電解質層に対して耐久性を有するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ヒートシール可能な各種の熱可塑性樹脂や熱可塑性エラストマー、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ１−ブテン、ポリ４−メチル−１−ペンテン、あるいはエチレン、プロピレン、１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン等のα−オレフィン同士のランダムまたはブロック共重合体等のポリオレフィン系樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、エチレン−塩化ビニル共重合体等のエチレン−ビニル化合物共重合体樹脂；ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ＡＢＳ、α−メチルスチレン−スチレン共重合体等のスチレン系樹脂；ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のビニル系樹脂；ナイロン６、ナイロン６−６、ナイロン６−１０、ナイロン１１、ナイロン１２等のポリアミド樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂；ポリカーボネート；ポリフェニレンオキサイド；カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースなどのセルロース誘導体；酸化澱粉、エーテル化澱粉、デキストリンなどの澱粉；およびこれらの混合物からなる樹脂などを使用することができる。
【００９９】
シール剤層の厚みは、１μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましく、１μｍ〜５０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【０１００】
（５）対向電極層
対向電極層としては、後述の有機薄膜太陽電池における対向電極層と同様とすることができる。
【０１０１】
（６）対向基板
色素増感型太陽電池においては、対向電極層が対向基板上に形成されていてもよい。
なお、対向基板については、上述の太陽電池用基板の透明基板と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。
【０１０２】
３．化合物半導体系太陽電池
本発明の化合物半導体系太陽電池は、上述の太陽電池用基板を備えるものであり、太陽電池用基板と、上記太陽電池用基板の透明電極層上に形成され、化合物半導体を含有する半導体層と、半導体層上に配置された対向電極層とを有するものである。
なお、太陽電池用基板については、上記「Ａ．太陽電池用基板」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。以下、化合物半導体系太陽電池における他の構成について説明する。
【０１０３】
（１）半導体層
半導体層は、化合物半導体を含有する層である。化合物半導体としては、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）やインジウム燐（ＩｎＰ）等のIII−V族化合物半導体、カドミウムテルル（ＣｄＴｅ）等のII−VI族化合物半導体、ＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ２）やＣＩＧＳ（Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ２）等のI-III-VI族化合物半導体等が挙げられる。
【０１０４】
（２）対向電極層
対向電極層としては、後述の有機薄膜太陽電池における対向電極層と同様とすることができる。
【０１０５】
（３）その他の構成
化合物半導体系太陽電池における他の構成としては、一般的な構成とすることができる。
【０１０６】
４．シリコン系太陽電池
本発明のシリコン系太陽電池は、上述の太陽電池用基板を備えるものであり、太陽電池用基板と、上記太陽電池用基板の透明電極層上に形成され、シリコンを含有する半導体層と、半導体層上に配置された対向電極層とを有するものである。
なお、太陽電池用基板については、上記「Ａ．太陽電池用基板」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。以下、シリコン系太陽電池における他の構成について説明する。
【０１０７】
（１）半導体層
半導体層は、シリコンを含有する層である。シリコンとしては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等が挙げられる。また、半導体層は、薄膜多結晶性シリコン、薄膜微結晶性シリコンまたは薄膜結晶シリコンを含有する層と、アモルファスシリコンを含有する層とが積層されたものであってもよい。この場合、ハイブリット太陽電池とすることができる。
【０１０８】
（２）対向電極層
対向電極層としては、後述の有機薄膜太陽電池における対向電極層と同様とすることができる。
【０１０９】
（３）その他の構成
シリコン系太陽電池における他の構成としては、一般的な構成とすることができる。
【０１１０】
Ｃ．有機薄膜太陽電池
次に、本発明の有機薄膜太陽電池について説明する。
本発明の有機薄膜太陽電池は、透明基板と、上記透明基板上に形成された透明電極層と、上記透明電極層上に形成されたバッファー層と、上記バッファー層上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された対向電極層とを有する有機薄膜太陽電池であって、上記透明電極層は、上記透明基板上に形成され、導電性金属酸化物を含有する非晶質膜と、上記非晶質膜上に形成され、上記非晶質膜に含有される上記導電性金属酸化物と同一の導電性金属酸化物を含有する結晶膜とを有することを特徴とするものである。すなわち、本発明の有機薄膜太陽電池は、上述の太陽電池用基板を備え、透明電極層上にバッファー層が形成されたものである。
【０１１１】
本発明の有機薄膜太陽電池について図面を参照しながら説明する。
図２は、本発明の有機薄膜太陽電池の一例を示す概略断面図である。図２に示す例において、有機薄膜太陽電池１０は、太陽電池用基板１と、太陽電池用基板１の透明電極層３上に形成されたバッファー層４と、バッファー層４上に形成された光電変換層５と、光電変換層５上に形成された対向電極層６とを有している。太陽電池用基板１は、透明基板２と、透明基板２上に形成され、導電性金属酸化物を含有する透明電極層３とを有している。透明電極層３は、透明基板２上に形成され、導電性金属酸化物を含有する非晶質膜３ａと、非晶質膜３ａ上にバッファー層４に接して形成され、導電性金属酸化物を含有する結晶膜３ｂとを有する。非晶質膜３ａおよび結晶膜３ｂは同一の導電性金属酸化物を含有し、結晶膜３ｂは非晶質膜３ａの表面を結晶化することで得られる。
【０１１２】
本発明によれば、上述の太陽電池用基板を有するので、低抵抗および可撓性を兼ね備える透明電極層とすることができる。また、透明基板が可撓性を有するフィルム基板である場合には、透明電極層が非晶質膜を有し可撓性に優れているので、高性能なフレキシブル有機薄膜太陽電池とすることが可能である。
【０１１３】
また本発明によれば、上述の太陽電池用基板を有するので、バッファー層が酸性を示す材料を含有する場合には、バッファー層形成時および太陽電池使用時においてバッファー層に含まれる酸の影響による透明電極層のダメージを低減することが可能である。これにより、透明電極層の電気的特性が低下するのを抑制し、有機薄膜太陽電池の信頼性を向上させることが可能となる。
【０１１４】
なお、透明基板、透明電極層、断熱層、および補助電極については、上記「Ａ．太陽電池用基板」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。以下、本発明の有機薄膜太陽電池における他の構成について説明する。
【０１１５】
１．バッファー層
本発明におけるバッファー層は、透明電極層上に直に形成されるものであり、光電変換層から透明電極層への電荷の取出しが容易に行われるように設けられる層である。透明電極層は、通常、正孔取出し電極とされることから、バッファー層は、光電変換層から透明電極層への正孔の取出しが容易に行われるように設けられる層であることが好ましい。バッファー層によって光電変換層から透明電極層への正孔取出し効率が高められるため、光電変換効率を向上させることが可能となる。
【０１１６】
バッファー層に用いられる材料としては、光電変換層から透明電極層への正孔の取出しを安定化させる材料であれば特に限定されるものではない。具体的には、ドープされたポリアニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリアセチレン、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ）等の導電性有機化合物、またはテトラチオフルバレン、テトラメチルフェニレンジアミン等の電子供与性化合物と、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン等の電子受容性化合物とからなる電荷移動錯体を形成する有機材料等を挙げることができる。これらの中でも、特にポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が好ましい。
【０１１７】
また、バッファー層に用いられる材料は、酸性を示すものであることが好ましい。具体的には、塗工液とした場合にｐＨが７未満となる材料が好ましい。上述したように、バッファー層が酸性を示す材料を含有する場合には、バッファー層に含まれる酸の影響による透明電極層のダメージを低減することができるので、本発明の構成が有用である。酸性を示す材料としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳや、ドープされたポリアニリンが挙げられ、特にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが好ましく用いられる。
すなわち、バッファー層は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを含有することが好ましい。ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは、バッファー層形成用塗工液中で酸性を示す材料であるとともに、バッファー層が吸湿した場合にバッファー層中で酸性を示すものとなる。そのため、本発明の構成のように透明電極層がバッファー層側に結晶膜を有することが有用である。
【０１１８】
バッファー層の膜厚としては、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【０１１９】
なお、バッファー層の形成方法については、後述の「Ｇ．有機薄膜太陽電池の製造方法」の項に記載するので、ここでの説明は省略する。
【０１２０】
２．光電変換層
本発明に用いられる光電変換層は、透明電極層と対向電極層との間に形成されるものである。なお、「光電変換層」とは、有機薄膜太陽電池の電荷分離に寄与し、生じた電子および正孔を各々反対方向の電極に向かって輸送する機能を有する部材をいう。
【０１２１】
光電変換層は、電子受容性および電子供与性の両機能を有する単一の層であってもよく（第１態様）、また電子受容性の機能を有する電子受容性層と電子供与性の機能を有する電子供与性層とが積層されたものであってもよい（第２態様）。以下、各態様について説明する。
【０１２２】
（１）第１態様
本発明における光電変換層の第１態様は、電子受容性および電子供与性の両機能を有する単一の層であり、電子供与性材料および電子受容性材料を含有するものである。この光電変換層では、光電変換層内で形成されるｐｎ接合を利用して電荷分離が生じるため、単独で光電変換層として機能する。
【０１２３】
電子供与性材料としては、電子供与体としての機能を有するものであれば特に限定されるものではないが、湿式塗工法により成膜可能なものであることが好ましく、中でも電子供与性の導電性高分子材料であることが好ましい。
導電性高分子はいわゆるπ共役高分子であり、炭素−炭素またはヘテロ原子を含む二重結合または三重結合が、単結合と交互に連なったπ共役系から成り立っており、半導体的性質を示すものである。導電性高分子材料は、高分子主鎖内にπ共役が発達しているため主鎖方向への電荷輸送が基本的に有利である。また、導電性高分子の電子伝達機構は、主にπスタッキングによる分子間のホッピング伝導であるため、高分子の主鎖方向のみならず、光電変換層の膜厚方向への電荷輸送も有利である。さらに、導電性高分子材料は、導電性高分子材料を溶媒に溶解もしくは分散させた塗工液を用いることで湿式塗工法により容易に成膜可能であることから、大面積の有機薄膜太陽電池を高価な設備を必要とせず低コストで製造できるという利点がある。
【０１２４】
電子供与性の導電性高分子材料としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリシラン、ポリチオフェン、ポリカルバゾール、ポリビニルカルバゾール、ポルフィリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、およびこれらの誘導体、ならびにこれらの共重合体、あるいは、フタロシアニン含有ポリマー、カルバゾール含有ポリマー、有機金属ポリマー等を挙げることができる。
【０１２５】
上記の中でも、チオフェン−フルオレン共重合体、ポリアルキルチオフェン、フェニレンエチニレン−フェニレンビニレン共重合体、フェニレンエチニレン−チオフェン共重合体、フェニレンエチニレン−フルオレン共重合体、フルオレン−フェニレンビニレン共重合体、チオフェン−フェニレンビニレン共重合体等が好ましく用いられる。これらは、多くの電子受容性材料に対して、エネルギー準位差が適当であるからである。
なお、例えばフェニレンエチニレン−フェニレンビニレン共重合体（Poly[1,4-phenyleneethynylene-1,4-(2,5-dioctadodecyloxyphenylene)-1,4-phenyleneethene-1,2-diyl-1,4-(2,5-dioctadodecyloxyphenylene)ethene-1,2-diyl]）の合成方法については、Macromolecules, 35, 3825 (2002) や、Mcromol. Chem. Phys., 202, 2712 (2001) に詳しい。
【０１２６】
また、電子受容性材料としては、電子受容体としての機能を有するものであれば特に限定されるものではないが、湿式塗工法により成膜可能なものであることが好ましく、中でも電子受容性の導電性高分子材料であることが好ましい。導電性高分子材料は、上述したような利点を有するからである。
【０１２７】
電子受容性の導電性高分子材料としては、例えば、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、およびこれらの誘導体、ならびにこれらの共重合体、あるいは、カーボンナノチューブ、フラーレン誘導体、ＣＮ基またはＣＦ３基含有ポリマーおよびそれらの−ＣＦ３置換ポリマー等を挙げることができる。ポリフェニレンビニレン誘導体の具体例としては、ＣＮ−ＰＰＶ（Poly[2-Methoxy-5-(2´-ethylhexyloxy)-1,4-(1-cyanovinylene)phenylene]）、ＭＥＨ−ＣＮ−ＰＰＶ（Poly[2-Methoxy-5-(2´-ethylhexyloxy)-1,4-(1-cyanovinylene)phenylene]）等が挙げられる。
【０１２８】
また、電子供与性化合物がドープされた電子受容性材料や、電子受容性化合物がドープされた電子供与性材料等を用いることもできる。中でも、電子供与性化合物もしくは電子受容性化合物がドープされた導電性高分子材料が好ましく用いられる。導電性高分子材料は、高分子主鎖内にπ共役が発達しているため主鎖方向への電荷輸送が基本的に有利であり、また、電子供与性化合物や電子受容性化合物をドープすることによりπ共役主鎖中に電荷が発生し、電気伝導度を大きく増大させることが可能であるからである。
【０１２９】
電子供与性化合物がドープされる電子受容性の導電性高分子材料としては、上述した電子受容性の導電性高分子材料を挙げることができる。ドープされる電子供与性化合物としては、例えばＬｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｓ等のアルカリ金属やアルカリ土類金属のようなルイス塩基を用いることができる。なお、ルイス塩基は電子供与体として作用する。
また、電子受容性化合物がドープされる電子供与性の導電性高分子材料としては、上述した電子供与性の導電性高分子材料を挙げることができる。ドープされる電子受容性化合物としては、例えばＦｅＣｌ３（III）、ＡｌＣｌ３、ＡｌＢｒ３、ＡｓＦ６やハロゲン化合物のようなルイス酸を用いることができる。なお、ルイス酸は電子受容体として作用する。
【０１３０】
光電変換層の膜厚としては、一般的にバルクヘテロ接合型有機薄膜太陽電池において採用されている膜厚を採用することができる。具体的には、０．２ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲内で設定することができ、好ましくは１ｎｍ〜６００ｎｍの範囲内である。膜厚が上記範囲より厚いと、光電変換層における体積抵抗が高くなる場合があるからである。一方、膜厚が上記範囲より薄いと、光を十分に吸収できない場合があるからである。
【０１３１】
電子供与性材料および電子受容性材料の混合比は、使用する材料の種類により最適な混合比に適宜調整される。
【０１３２】
光電変換層を形成する方法としては、所定の膜厚に均一に形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、湿式塗工法が好ましく用いられる。湿式塗工法であれば、大気中で光電変換層を形成することができ、コストの削減が図れるとともに、大面積化が容易だからである。
【０１３３】
光電変換層用塗工液の塗布方法としては、光電変換層用塗工液を均一に塗布することができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、ビードコート法、スプレーコート法、バーコート法、グラビアコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法等を挙げることができる。
中でも、光電変換層用塗工液の塗布方法は、主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法であることが好ましい。主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法としては、例えば、ダイコート法、ビードコート法、バーコート法、グラビアコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法などの印刷法を挙げることができる。印刷法は有機薄膜太陽電池の大面積化に好適である。
【０１３４】
光電変換層用塗工液の塗布後は、形成された塗膜を乾燥する乾燥処理を施してもよい。光電変換層用塗工液に含まれる溶媒等を早期に除去することにより、生産性を向上させることができるからである。
乾燥処理の方法として、例えば、加熱乾燥、送風乾燥、真空乾燥、赤外線加熱乾燥等、一般的な方法を用いることができる。
【０１３５】
（２）第２態様
本発明における光電変換層の第２態様は、電子受容性の機能を有する電子受容性層と電子供与性の機能を有する電子供与性層とが積層されたものである。以下、電子受容性層および電子供与性層について説明する。
【０１３６】
（電子受容性層）
本態様に用いられる電子受容性層は、電子受容性の機能を有するものであり、電子受容性材料を含有するものである。
【０１３７】
電子受容性材料としては、電子受容体としての機能を有するものであれば特に限定されるものではないが、湿式塗工法により成膜可能なものであることが好ましく、中でも電子受容性の導電性高分子材料であることが好ましい。導電性高分子材料は、上述したような利点を有するからである。具体的には、上記第１態様の光電変換層に用いられる電子受容性の導電性高分子材料と同様のものを挙げることができる。
【０１３８】
電子受容性層の膜厚としては、一般的にバイレイヤー型有機薄膜太陽電池において採用されている膜厚を採用することができる。具体的には、０．１ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲内で設定することができ、好ましくは１ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内である。膜厚が上記範囲より厚いと、電子受容性層における体積抵抗が高くなる可能性があるからである。一方、膜厚が上記範囲より薄いと、光を十分に吸収できない場合があるからである。
【０１３９】
電子受容性層の形成方法としては、上記第１態様の光電変換層の形成方法と同様とすることができる。
【０１４０】
（電子供与性層）
本態様に用いられる電子供与性層は、電子供与性の機能を有するものであり、電子供与性材料を含有するものである。
【０１４１】
電子供与性材料としては、電子供与体としての機能を有するものであれば特に限定されるものではないが、湿式塗工法により成膜可能なものであることが好ましく、中でも電子供与性の導電性高分子材料であることが好ましい。導電性高分子材料は、上述したような利点を有するからである。具体的には、上記第１態様の光電変換層に用いられる電子供与性の導電性高分子材料と同様のものを挙げることができる。
【０１４２】
電子供与性層の膜厚としては、一般的にバイレイヤー型有機薄膜太陽電池において採用されている膜厚を採用することができる。具体的には、０．１ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲内で設定することができ、好ましくは１ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内である。膜厚が上記範囲より厚いと、電子供与性層における体積抵抗が高くなる可能性があるからである。一方、膜厚が上記範囲より薄いと、光を十分に吸収できない場合があるからである。
【０１４３】
電子供与性層の形成方法としては、上記第１態様の光電変換層の形成方法と同様とすることができる。
【０１４４】
３．対向電極層
本発明に用いられる対向電極層は、上記透明電極層と対向する電極である。通常、対向電極層は、光電変換層で発生した電子を取り出すための電極（電子取出し電極）とされる。本発明においては、透明電極層側が受光面となるため、対向電極層は透明性を有していてもよく有さなくてもよい。
【０１４５】
対向電極層の形成材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、対向電極層は電子取出し電極であるので、仕事関数の低いものであることが好ましい。具体的に仕事関数の低い材料としては、Ｌｉ、Ｉｎ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｚｒ、ＬｉＦ等を挙げることができる。対向電極層は、単層であってもよく、また異なる仕事関数の材料を用いて積層されたものであってもよい。異なる材料が積層されている対向電極層としては、例えば、Ｃａ、ＬｉＦ、ＬｉＣａ、ＭｏＯ３またはＶＯ５のいずれかと、ＡｌまたはＡｇのいずれかとが積層されたものが挙げられる。
【０１４６】
対向電極層の膜厚は、単層である場合にはその膜厚が、複数層からなる場合には各層を合わせた総膜厚が、０．１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内、中でも１ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることが好ましい。膜厚が上記範囲より薄い場合は、対向電極層のシート抵抗が大きくなりすぎ、発生した電荷を十分に外部回路へ伝達できない可能性がある。
【０１４７】
対向電極層は、光電変換層上に全面に形成されていてもよく、パターン状に形成されていてもよい。
対向電極層の形成方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば真空蒸着法、メタルマスクによるパターン蒸着法を使用することができる。
【０１４８】
４．電子取出し層
本発明においては、光電変換層と対向電極層との間に電子取出し層が形成されていてもよい。電子取出し層は、光電変換層から電子取出し電極への電子の取出しが容易に行われるように設けられる層である。これにより、光電変換層から電子取出し電極への電子取出し効率が高められるため、光電変換効率を向上させることが可能となる。
【０１４９】
電子取出し層に用いられる材料としては、光電変換層から電子取出し電極への電子の取出しを安定化させる材料であれば特に限定されない。具体的には、ドープされたポリアニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリアセチレン、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ）等の導電性有機化合物、またはテトラチオフルバレン、テトラメチルフェニレンジアミン等の電子供与性化合物と、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン等の電子受容性化合物とからなる電荷移動錯体を形成する有機材料等を挙げることができる。また、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属との金属ドープ層が挙げられる。好適な材料としては、バソキュプロイン（ＢＣＰ）または、バソフェナントロン（Ｂｐｈｅｎ）と、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒなどの金属ドープ層が挙げられる。
【０１５０】
５．その他の構成
本発明の有機薄膜太陽電池は、上述した構成部材の他にも、必要に応じて後述する構成部材を有していてもよい。例えば、本発明の有機薄膜太陽電池は、保護シート、充填材層、バリア層、保護ハードコート層、強度支持層、防汚層、高光反射層、光封じ込め層、封止材層等の機能層を有していてもよい。また、層構成に応じて、各機能層間に接着層が形成されていてもよい。
なお、これらの機能層については、特開２００７−７３７１７号公報等に記載のものと同様とすることができる。
【０１５１】
Ｄ．太陽電池モジュール
本発明の太陽電池モジュールは、上述の太陽電池が複数個直列または並列に接続されていることを特徴とするものである。
複数個の太陽電池の接続としては、所望の起電力を得ることができればよく、直列のみであってもよく、並列のみであってもよく、直列および並列を組み合わせてもよい。
なお、太陽電池については、「Ｂ．太陽電池」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１５２】
Ｅ．有機薄膜太陽電池モジュール
本発明の有機薄膜太陽電池モジュールは、上述の有機薄膜太陽電池が複数個直列または並列に接続されていることを特徴とするものである。
複数個の有機薄膜太陽電池の接続としては、所望の起電力を得ることができればよく、直列のみであってもよく、並列のみであってもよく、直列および並列を組み合わせてもよい。
なお、有機薄膜太陽電池については、「Ｃ．有機薄膜太陽電池」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１５３】
Ｆ．太陽電池用基板の製造方法
次に、本発明の太陽電池用基板の製造方法について説明する。
本発明の太陽電池用基板の製造方法は、透明基板上に導電性金属酸化物を含有する非晶質膜を形成した後、上記非晶質膜の表面をレーザーアニールにより結晶化して結晶膜を形成し、上記非晶質膜および上記結晶膜を有する透明電極層を得る透明電極層形成工程を有することを特徴とするものである。
【０１５４】
本発明の太陽電池用基板の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図８（ａ）〜（ｂ）は、本発明の太陽電池用基板の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図８（ａ）に示すように、透明基板２上に導電性金属酸化物を含有する非晶質膜３ａを形成する。次いで、図８（ｂ）に示すように、非晶質膜３ａの表面にレーザー１１を照射して結晶化させ、結晶膜３ｂを形成する。結晶膜３ｂは非晶質膜３ａの表面を結晶化することで得られるので、非晶質膜３ａよりも抵抗が低く、耐酸性に優れる。これにより、非晶質膜３ａおよび結晶膜３ｂを有する透明電極層３が得られる（透明電極層形成工程）。
【０１５５】
本発明によれば、非晶質膜の表面をレーザーアニールにより結晶化して非晶質膜よりも抵抗が低い結晶膜を形成するので、導電性の良い透明電極層を得ることが可能である。また、非晶質膜の表面のみをレーザーアニールにより結晶化して結晶膜を形成するので、透明電極層は可撓性に優れる非晶質膜を有しており、可撓性を有する透明電極層を得ることが可能である。したがって本発明においては、低抵抗および可撓性を併せ持つ透明電極層を形成することができる。
【０１５６】
また本発明によれば、レーザーアニールを利用するため、非晶質膜の表面にのみ瞬間的に熱が加えられ、透明基板への熱影響が抑制されるので、耐熱性の低い透明基板を用いることが可能である。したがって、透明基板として可撓性を有するフィルム基板も適用可能である。このように本発明においては、可撓性を有する透明電極層を得ることができ、透明基板として可撓性を有するフィルム基板を用いることができるので、高性能なフレキシブル太陽電池を製造することが可能である。
【０１５７】
さらに本発明によれば、非晶質膜の表面をレーザーアニールにより結晶化して結晶膜を形成するので、例えば図２に示すような有機薄膜太陽電池１０を作製する場合、非晶質膜３ａ上に直にバッファー層４を形成することがない。そのため、酸性を示す材料を用いてバッファー層を形成した場合には、結晶膜によって非晶質膜が保護され、バッファー層に含まれる酸の影響による透明電極層のダメージを低減することが可能である。これにより、信頼性の高い有機薄膜太陽電池を得ることが可能となる。
したがって本発明においては、透明電極層を低抵抗化しつつ、酸による透明電極層のダメージを抑制し、電気的性能に優れる有機薄膜太陽電池を製造することが可能である。
【０１５８】
また本発明によれば、非晶質膜の表面をレーザーアニールにより結晶化して非晶質膜と仕事関数が異なる結晶膜を形成するので、例えば図３に示すような有機薄膜太陽電池２０を作製する場合、透明電極層３と有機層１５との界面で仕事関数を調整し、電荷移動性を高めることが可能である。
【０１５９】
以下、本発明の太陽電池用基板の製造方法における各工程について説明する。
【０１６０】
１．透明電極層形成工程
本発明における透明電極層形成工程は、透明基板上に導電性金属酸化物を含有する非晶質膜を形成した後、上記非晶質膜の表面をレーザーアニールにより結晶化して結晶膜を形成し、上記非晶質膜および上記結晶膜を有する透明電極層を得る工程である。
【０１６１】
非晶質膜の形成方法としては、アモルファス構造を有する膜を形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などが挙げられる。中でも、スパッタリング法が好ましい。
【０１６２】
非晶質膜の形成後は、非晶質膜の表面のみをレーザーアニールにより結晶化して結晶膜を形成する。
レーザーとしては、エキシマレーザーを用いることができる。エキシマレーザーとしては、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）などが挙げられる。中でも、汎用性が高いことから、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーが好ましく用いられる。
レーザーの照射条件としては、非晶質膜へのダメージや照射部分の結晶性などに応じて適宜調整される。例えば、レーザーの出力が大きすぎると非晶質膜に多大のダメージを与えるおそれがあり、レーザーの出力が小さいと結晶化が困難となる。具体的に、レーザーの出力は７０ｍＪ／ｃｍ2〜１１０ｍＪ／ｃｍ2の範囲内とすることができ、中でも８０ｍＪ／ｃｍ2〜１００ｍＪ／ｃｍ2の範囲内、特に８５ｍＪ／ｃｍ2〜９５ｍＪ／ｃｍ2の範囲内であることが好ましい。
レーザーアニールでの雰囲気は、通常、大気雰囲気とされる。
【０１６３】
レーザーは、非晶質膜の全面に照射してもよく、非晶質膜にパターン状に照射してもよい。レーザーを非晶質膜にパターン状に照射した場合には、図４に例示するように結晶膜３ｂが非晶質膜３ａ上にパターン状に形成される。このような場合でも素子性能を高めることが可能である。
【０１６４】
レーザーアニールによって非晶質膜表面をどの程度まで結晶化するかは、得られる透明電極層の導電性、可撓性、耐酸性を考慮して適宜調整される。非晶質膜の表面は、結晶化により得られる結晶膜が、導電性金属酸化物が結晶構造を有するときの仕事関数と同程度の仕事関数を有するようになるまで、結晶化することが好ましい。結晶化の進行が不十分であると、所望の耐酸性が得られない場合がある。一方、結晶化が過度に進行すると、透明電極層の可撓性が損なわれる。結晶化がある程度まで進むと、仕事関数はほとんど変わらなくなる。したがって、高い可撓性を得るために、結晶膜が、導電性金属酸化物が結晶構造を有するときの仕事関数と同程度の仕事関数を有するようになった直後に、レーザーアニールを止めることが好ましい。
【０１６５】
なお、非晶質膜の表面が結晶化されていることは、レーザーアニール後の膜をエッチングすることで確認することができる。具体的には、レーザーアニール後の膜と、層全体が非晶質膜である膜と、層全体が結晶膜である膜とについて、エッチングレートを比較することで、非晶質膜の表面が結晶化されていることを確認することができる。まず、層全体が非晶質膜である膜と、層全体が結晶膜である膜とについて、あらかじめ、酸性エッチング液により任意の時間で腐食した後、膜厚の減少量を段差計で測定しておく。次いで、レーザーアニール後の膜を酸性エッチング液により任意の時間で腐食した後、膜厚の減少量を段差計で測定する。レーザーアニール後の膜の膜厚の減少量が、層全体が非晶質膜である膜の膜厚の減少量と、層全体が結晶膜である膜の膜厚の減少量との間の範囲内である場合には、非晶質膜の表面のみが結晶化されていると判定する。
【０１６６】
なお、導電性金属酸化物、非晶質膜、結晶膜および透明電極層のその他の点については、上記「Ａ．太陽電池用基板」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１６７】
２．その他の工程
本発明においては、透明電極層形成工程前に、透明基板上に断熱層を形成する断熱層形成工程を行ってもよい。レーザーアニールの際、断熱層によって熱から透明基板を保護することができるからである。透明基板が可撓性を有するフィルム基板である場合には、断熱層形成工程を行うことが好ましい。なお、断熱層については、上記「Ａ．太陽電池用基板」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１６８】
３．用途
本発明の太陽電池用基板の製造方法は、太陽電池全般に用いられる太陽電池用基板の製造方法であり、例えば、有機薄膜太陽電池、色素増感型太陽電池、化合物半導体系太陽電池、シリコン系太陽電池等に用いられる太陽電池用基板の製造方法とすることができる。
中でも、本発明の太陽電池用基板の製造方法は、有機薄膜太陽電池用基板の製造方法であることが好ましい。本発明においては、上述したように、透明電極層を低抵抗化しつつ、酸による透明電極層のダメージを抑制し、電気的特性の向上を図ることが可能である。
【０１６９】
Ｇ．有機薄膜太陽電池の製造方法
次に、本発明の有機薄膜太陽電池の製造方法について説明する。
本発明の有機薄膜太陽電池の製造方法は、透明基板と、上記透明基板上に形成された透明電極層と、上記透明電極層上に形成されたバッファー層と、上記バッファー層上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された対向電極層とを有する有機薄膜太陽電池の製造方法であって、透明基板上に導電性金属酸化物を含有する非晶質膜を形成した後、上記非晶質膜の表面をレーザーアニールにより結晶化して結晶膜を形成し、上記非晶質膜および上記結晶膜を有する透明電極層を得る透明電極層形成工程と、上記透明電極層上にバッファー層形成用塗工液を塗布してバッファー層を形成するバッファー層形成工程とを有することを特徴とするものである。すなわち、本発明の有機薄膜太陽電池の製造方法は、上述の太陽電池用基板の製造方法により製造される太陽電池用基板を用いて、透明電極層上にバッファー層形成用塗工液を塗布してバッファー層を形成する方法である。
【０１７０】
本発明の有機薄膜太陽電池の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図９（ａ）〜（ｅ）は、本発明の有機薄膜太陽電池の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図９（ａ）に示すように、透明基板２上に導電性金属酸化物を含有する非晶質膜３ａを形成する。次いで、図９（ｂ）に示すように、非晶質膜３ａの表面にレーザー１１を照射して結晶化させ、結晶膜３ｂを形成する。結晶膜３ｂは非晶質膜３ａの表面を結晶化することで得られるので、非晶質膜３ａよりも抵抗が低い。これにより、非晶質膜３ａおよび結晶膜３ｂを有する透明電極層３が得られる（透明電極層形成工程）。次に、図９（ｃ）に示すように、透明電極層３の結晶膜３ｂ上にバッファー層形成用塗工液を塗布してバッファー層４を形成する（バッファー層形成工程）。次いで、図９（ｄ）に示すように、バッファー層４上に光電変換層５を形成する。続いて、図９（ｅ）に示すように、光電変換層５上に対向電極層６を形成する。
【０１７１】
本発明によれば、上述の太陽電池用基板の製造方法により製造される太陽電池用基板を用いるので、低抵抗および可撓性を併せ持つ透明電極層を形成することができる。また、上述の太陽電池用基板を用いるので、耐熱性の低い透明基板を用いることができ、透明基板として可撓性を有するフィルム基板も適用可能である。したがって、高性能なフレキシブル有機薄膜太陽電池を製造することが可能である。
【０１７２】
さらに本発明によれば、上述の太陽電池用基板を用いるので、酸性を示すバッファー層形成用塗工液を用いてバッファー層を形成した場合には、バッファー層に含まれる酸の影響による透明電極層のダメージを低減することができ、信頼性の高い有機薄膜太陽電池を得ることが可能となる。
【０１７３】
なお、透明電極層形成工程については、上記「Ｆ．太陽電池用基板の製造方法」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。以下、本発明の有機薄膜太陽電池の製造方法における他の工程について説明する。
【０１７４】
１．バッファー層形成工程
本発明におけるバッファー層形成工程は、上記透明電極層上にバッファー層形成用塗工液を塗布してバッファー層を形成する工程である。
【０１７５】
バッファー層形成用塗工液は、上記「Ｃ．有機薄膜太陽電池」のバッファー層の項に記載した材料を溶剤に溶解もしくは分散させることにより調製することができる。
溶剤としては、上述の材料を溶解もしくは分散させることができれば特に限定されるものではなく、例えば、水などを挙げることができる。
また、バッファー層形成用塗工液には、上述の材料および溶剤に加えて、種々の添加剤を加えることができる。
【０１７６】
バッファー層形成用塗工液は、酸性を示すものであることが好ましい。具体的には、バッファー層形成用塗工液のｐＨは７未満であることが好ましい。上述したように、バッファー層形成用塗工液が酸性を示す場合、酸の影響による透明電極層のダメージを低減することができるので、本発明の構成が有用である。酸性を示すバッファー層形成用塗工液としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを含有するものや、ポリアニリンを主成分とするものが挙げられ、特にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが好ましく用いられる。
すなわち、バッファー層形成用塗工液は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを含有することが好ましい。ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは、バッファー層形成用塗工液中で酸性を示す材料であるとともに、バッファー層が吸湿した場合にバッファー層中で酸性を示すものとなる。そのため、本発明の構成のように非晶質膜の表面をレーザーアニールにより結晶化して結晶膜を形成することで透明電極層を作製することが有用である。
【０１７７】
バッファー層形成用塗工液の塗布方法としては、透明電極層上に塗布することができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、スピンコート法、ダイコート法、キャスト法、ディップコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法などが挙げられる。
【０１７８】
２．その他の工程
本発明においては、バッファー層形成工程後に、バッファー層上に光電変換層を形成する光電変換層形成工程や、光電変換層上に対向電極層を形成する対向電極層形成工程などを行うことができる。なお、光電変換層および対向電極層については、上記「Ｃ．有機薄膜太陽電池」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１７９】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【０１８０】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
［実施例１］
（有機薄膜太陽電池の作製）
厚み１２５μｍのＰＥＴフィルム上にスパッタ法により厚み１５０ｎｍ、表面抵抗値６０Ω／□のＩＴＯ層を形成した。次に、上記ＩＴＯ層に対して出力９０ｍＪ／ｃｍ2のエキシマレーザーを用いたレーザーアニールを行い、表面のみが結晶化されたＩＴＯ層を得た。
【０１８１】
次に、上記ＩＴＯ層上に、導電性高分子ペースト（ポリ−（3,4−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸分散品）をスピンコート法にて成膜した後、１００℃で１０分間乾燥させ、バッファー層を形成した。
次に、ポリチオフェン（P3HT:poly（3-hexylthiophene-2,5-diyl）、Aldrich社製）とC60PCBM（[6,6]-phenyl-C61-butyric acid mettric ester、Nano-C社製）をブロモベンゼンに溶解させ、固形分濃度１．４ｗｔ％の光電変換層用塗工液を準備した。次いで、光電変換層用塗工液を上記バッファー層上にスピンコート法にて塗布した後、１００℃で１０分間乾燥させて、光電変換層を形成した。
次に、上記光電変換層上にカルシウムおよびアルミニウムを真空蒸着法にて形成して、金属電極とした。
【０１８２】
（ＩＴＯ層の評価）
まず、レーザーアニール前のＩＴＯ層の結晶性についてＸ線回折測定で評価した。レーザーアニール前のＩＴＯ層は非晶質膜であった。
次に、レーザーアニール後のＩＴＯ層の結晶性について評価した。レーザーアニール前後のＩＴＯ層表面の仕事関数を測定したところ、レーザーアニール前のＩＴＯ層表面の仕事関数は５．３ｅＶ、レーザーアニール後のＩＴＯ層表面の仕事関数は４．７ｅＶであった。これにより、ＩＴＯ層表面は結晶化されていることを確認した。
また、レーザーアニール後のＩＴＯ層の表面のみが結晶化されていることについて調べた。はじめに、層全体が非晶質膜であるＩＴＯ層として、厚み１２５μｍのＰＥＴフィルム上に非加熱のスパッタ法により厚み１５０ｎｍのＩＴＯ層を形成した。また、層全体が結晶膜であるＩＴＯ層として、厚み１２５μｍのＰＥＴフィルム上に基板加熱のスパッタ法により厚み１５０ｎｍのＩＴＯ層を形成した。それぞれのＩＴＯ層の結晶性についてはＸ線回折測定で評価し、それぞれ非晶質膜、結晶膜であることを確認した。次いで、レーザーアニール後のＩＴＯ層と、層全体が非晶質膜であるＩＴＯ層と、層全体が結晶膜であるＩＴＯ層とについて、酸性エッチング液により５分間腐食した後、膜厚の減少量を段差計で測定した。レーザーアニール後のＩＴＯ層における膜厚の減少量は、層全体が結晶膜であるＩＴＯ層における膜厚の減少量よりも多く、層全体が非晶質膜であるＩＴＯ層における膜厚の減少量よりも少なかった。これにより、ＩＴＯ層は表面のみが結晶化されていると判定した。
また、上記のＩＴＯ層のエッチングでは、レーザーアニール後のＩＴＯ層における膜厚の減少量が、層全体が非晶質膜であるＩＴＯ層における膜厚の減少量よりも少なかったことから、ＩＴＯ層表面を結晶化することで酸によるＩＴＯ層のダメージを低減できることがわかった。
【０１８３】
［実施例２］
厚み１２５μｍのＰＥＴフィルム上にスピンコート法により厚み１μｍのＳｉＯ2層（断熱層）を成膜し、ＳｉＯ2層上にスパッタ法によりＩＴＯ層を形成すること以外は実施例１と同様に有機薄膜太陽電池を作製した。
【０１８４】
［比較例１］
レーザーアニールを行わないこと以外は実施例１と同様に有機薄膜太陽電池を作製した。
【０１８５】
［評価］
ソーラーシミュレーターにより１００ｍＷ／ｃｍ2、Ａ．Ｍ．１．５Ｇの条件で太陽電池性能を評価した。比較例１の有機薄膜太陽電池は０．５％の変換効率値を示したのに対して、実施例１の有機薄膜太陽電池は２．５％、実施例２の有機薄膜太陽電池は３．０％と変換効率値が向上した。
【０１８６】
［実施例３］
（電極基板の作製）
３１ｍｍ×３２ｍｍ角のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートの中央に、幅１ｍｍのマスクを設け、イオンプレーティング（ＩＰ）法により、マスクを介してＩＴＯを蒸着することにより、１５ｍｍ×３２ｍｍ角のＩＴＯ薄膜が１ｍｍの幅で隣接した構造のＩＴＯ層を形成した。次に、ＩＴＯ層に対して出力９０ｍＪ／ｃｍ2のエキシマレーザーを用いたレーザーアニールを行い、表面のみが結晶化されたＩＴＯ層を得た。
【０１８７】
一方のＩＴＯ薄膜上に、酸化チタンペースト（solaronix製）をアプリケーターにより、１０ｍｍ×３０ｍｍの範囲に塗布し、１００℃のホットプレート上で１０分間乾燥させることにより、酸化チタン微粒子からなる膜厚７μｍの多孔質酸化物半導体層を形成した。
また、他方のＩＴＯ薄膜上に、baytronP VP AI4083（スタルク製）をミヤバーにより、１０ｍｍ×３０ｍｍの範囲に塗布して、触媒層を設けた。
【０１８８】
次いで、増感色素として、ルテニウム錯体（N719、Dyesol製）を、濃度が３×１０−４ｍｏｌ／ｌとなるようにアセトニトリルとｔｅｒｔ−ブチルアルコールとの混合溶液（体積比１：１）中に溶解させた色素担持用組成物を調製した。この色素担持用組成物中に、多孔質酸化物半導体層が形成された部分のみを浸漬し、室温で２０時間放置した。その後、多孔質酸化物半導体層が形成された部分を色素担持用組成物から引き上げ、多孔質酸化物半導体層に付着した色素担持用組成物をアセトニトリルにより洗浄し、風乾した。このようにして、ＩＴＯ層上に、多孔質酸化物半導体層および触媒層が形成された電極基板を作製した。
【０１８９】
（電解質の調製）
０．６Ｍのヘキシルメチルイミダゾールアイオダイド（富士薬品製）、０．０３ＭのＩ２（メルク製）、および０．１ＭのＮ−メチルベンズイミダゾール（富士薬品製）に、シリカ粒子（日本アエロジル社製、ＡＥＲＯＧＩＬ２００）を７質量％加えて、乳鉢で混合して電解質組成物を調製した。この電解質組成物を、スクリーン印刷法によって、上記の多孔質酸化物半導体層および触媒層上に、２１ｍｍ×３０ｍｍの範囲となるように塗布した。
【０１９０】
（セル組み）
上記ＩＴＯ層上に、多孔質酸化物半導体層および触媒層を囲むようにして、２３ｍｍ×３２ｍｍ角の範囲（幅１ｍｍ）で、アイオノマー系樹脂シート（３０μｍ厚）を載置し、その上に、２３ｍｍ×３２ｍｍ角のＰＥＴシートを貼り合せて、ホットプレート上で加熱することにより、各層を積層した色素増感型太陽電池を得た。
【０１９１】
［比較例２］
レーザーアニールを行わないこと以外は実施例３と同様に色素増感型太陽電池を作製した。
【０１９２】
［評価］
ソーラーシミュレーターにより１００ｍＷ／ｃｍ2、Ａ．Ｍ．１．５Ｇの条件で太陽電池性能を評価したところ、比較例２の色素増感型太陽電池に対して、実施例３の色素増感型太陽電池は変換効率値が向上した。
【０１９３】
［実施例４］
厚み１２５μｍのＰＥＴフィルム上にスパッタ法により厚み１５０ｎｍ、表面抵抗値６０Ω／□のＩＴＯ層を形成した。次に、上記ＩＴＯ層に対して出力９０ｍＪ／ｃｍ2のエキシマレーザーを用いたレーザーアニールを行い、表面のみが結晶化されたＩＴＯ層を得た。
【０１９４】
次に、上記ＩＴＯ層上にアモルファスシリコン発電層を形成した。次いで、アモルファスシリコン発電層上に金属電極を形成した。これにより、アモルファスシリコン太陽電池を得た。
【０１９５】
［比較例３］
レーザーアニールを行わないこと以外は実施例４と同様にアモルファスシリコン太陽電池を作製した。
【０１９６】
［評価］
ソーラーシミュレーターにより１００ｍＷ／ｃｍ2、Ａ．Ｍ．１．５Ｇの条件で太陽電池性能を評価したところ、比較例３のアモルファスシリコン太陽電池に対して、実施例４のアモルファスシリコン太陽電池は変換効率値が向上した。
【０１９７】
［実施例５］
厚み１２５μｍのＰＥＴフィルム上にスパッタ法により厚み１５０ｎｍ、表面抵抗値６０Ω／□のＩＴＯ層を形成した。次に、上記ＩＴＯ層に対して出力９０ｍＪ／ｃｍ2のエキシマレーザーを用いたレーザーアニールを行い、表面のみが結晶化されたＩＴＯ層を得た。
【０１９８】
次に、上記ＩＴＯ層上に、ＲＦスパッタリング（高周波スパッタリング）によって、Ｍｏ層を形成した後、ＲＦスパッタリングによって、ＮａＦ層を形成し、さらにＲＦスパッタリングによって、Ｍｏ層を形成した。このようにして堆積したＭｏ／ＮａＦ／Ｍｏ多層膜の厚みは約１．０μｍの厚さであった。
次いで、上記多層膜上にＣｕＩｎＧａＳｅ2薄膜を真空容器内部で堆積した。ＣｕＩｎＧａＳｅ2薄膜の堆積は、真空容器内部にＣｕＩｎＧａＳｅ2の主成分であるＣｕの蒸着源、Ｉｎの蒸着源、Ｇａの蒸着源、およびＳｅの蒸着源を用意し、真空度約１０-7Ｔｏｒｒのもとで、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、およびＳｅの蒸着源ルツボを加熱し、各元素を蒸発させた。その際、ルツボの温度は適宜調節した。
【０１９９】
次に、窓層として、複層の半導体膜を形成した。まず、約５０ｎｍの厚さのＣｄＳ膜を化学析出法により堆積した。化学析出法は、硝酸Ｃｄ、チオ尿素およびアンモニアを含む水溶液を約８０℃に温め、この水溶液に浸漬することにより行った。さらに、ＣｄＳ膜の上に約８０ｎｍの厚さのＺｎＯ膜をＭＯＣＶＤ法で形成した。
次に、ＭＯＣＶＤ法により、対向電極層として、約２００ｎｍの厚さのＡｌ添加ＺｎＯ膜を堆積した。最後に、取り出し電極として、Ａｌを蒸着法で形成し、ＣＩＧＳ太陽電池を作製した。
【０２００】
［比較例４］
レーザーアニールを行わないこと以外は実施例５と同様にＣＩＧＳ太陽電池を作製した。
【０２０１】
［評価］
ソーラーシミュレーターにより１００ｍＷ／ｃｍ2、Ａ．Ｍ．１．５Ｇの条件で太陽電池性能を評価したところ、比較例４のＣＩＧＳ太陽電池に対して、実施例５のＣＩＧＳ太陽電池は変換効率値が向上した。
【符号の説明】
【０２０２】
１  …  太陽電池用基板
２  …  透明基板
３  …  透明電極層
３ａ  …  非晶質膜
３ｂ  …  結晶膜
４  …  バッファー層
５  …  光電変換層
６  …  対向電極層
７  …  断熱層
８  …  補助電極
１０  …  有機薄膜太陽電池
【図１】
2011181904.tif 000003
【図２】
2011181904.tif 000004
【図３】
2011181904.tif 000005
【図４】
2011181904.tif 000006
【図５】
2011181904.tif 000007
【図６】
2011181904.tif 000008
【図７】
2011181904.tif 000009
【図８】
2011181904.tif 000010
【図９】
2011181904.tif 000011