(57)【要約】【課題】光学定数が変動した場合にも、光学膜厚を高い安定性を以って制御することができる有機ＥＬ素子の製造システムおよび有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ素子製造システムには、成膜装置部１３１を含むホール注入層形成装置１３が設けられている。成膜装置部１３１では、ロット生産に先行して先行サンプルが作製され、先行サンプルは、検査装置２１において、先行サンプルに形成されたホール注入層の屈折率が測定され、当該測定データが検査サーバ２２に送られる。検査サーバ２２は、取得した測定データに基づき、ホール注入層として必要な光学膜厚を得るための成膜条件について最適レシピＩＤを規定する。最適レシピＩＤは、工場ホストコンピュータ１０を介して成膜装置部１３１へと送られ、成膜装置部１３１では、これに基づくスパッタリング時間で成膜が実行される。【選択図】図３
2011103188.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子の製造システムであって、
所定の機能層の成膜を実行する成膜装置と、
前記成膜装置を用い、サンプル基板上に成膜された機能層の屈折率を測定する測定手段と、
前記測定手段で測定された屈折率に基づき、機能層として必要な光学膜厚を得るための成膜条件を求める演算手段と、
前記演算手段で求められた成膜条件を、前記成膜装置に設定する設定手段と、
を備え、
前記成膜装置では、後続するロット生産において、前記設定手段により設定された成膜条件に従って所定の光学膜厚を有する機能層を成膜する
ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造システム。
【請求項２】
前記演算手段は、屈折率毎に対応付けられた成膜条件についてのリストを備えている
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造システム。
【請求項３】
前記成膜装置は、スパッタリングによる成膜を実行する装置であり、
前記演算手段は、前記成膜条件としてスパッタリング時間を求める
ことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子の製造システム。
【請求項４】
前記機能層は、ホール注入層またはホール注入輸送層またはホール注入輸送層である
ことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の有機ＥＬ素子の製造システム。
【請求項５】
有機ＥＬ素子の製造方法であって、
所定に機能層を成膜する成膜ステップと、
前記成膜ステップで、サンプル基板上に成膜した機能層の屈折率を測定する測定ステップと、
前記測定ステップで測定された屈折率に基づき、機能層として必要な光学膜厚を得るための成膜条件を求める演算ステップと、
前記演算ステップで求められた成膜条件を、前記成膜ステップでの成膜に対して設定する設定ステップと、
を備え、
前記成膜ステップでは、後続するロット生産において、前記設定ステップで設定された成膜条件に従って所定の光学膜厚を有する機能層を成膜する
ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
前記成膜ステップでは、スパッタリングによる成膜を実行し、
前記演算ステップでは、前記成膜条件としてスパッタリング時間を求める
ことを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
前記成膜ステップでは、前記機能層としてホール注入層またはホール注入輸送層またはホール注入輸送層の成膜を実行する
ことを特徴とする請求項５または６に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の製造システムおよび有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発がすすめられている。有機ＥＬ素子は、固体蛍光性物質の電界発光現象を利用して自発光する。有機ＥＬ素子は、陽極および陰極の間に、複数の層が積層されてなる積層体が介挿された構成を有する。そして、トップエミッション型の場合には、下層となる陽極が、光反射特性を有する反射電極層とその上に被膜される透明電極層との組み合わせにより構成される。
【０００３】
電極間に介挿される積層体は、陽極側から、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層が順に積層された構成となっている。
ここで、有機ＥＬ素子では、キャビティ効果をえるために、ＲＧＢの各色に対応して、積層体における各層の光学膜厚が規定されている。従来技術に係る有機ＥＬ素子の製造においては、各層の光学定数（屈折率など）は不変であるものと仮定し、各層の物理膜厚を設計目標値とすべく成膜条件の管理がなされている（例えば、特許文献１を参照）。即ち、光学定数が一定であれば、物理膜厚が設計目標値になるようにすることで、光学膜厚の安定を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−９５２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、有機ＥＬ素子の製造においては、ロット毎あるいは製造日毎に各層の光学定数が変動する場合があり、上記従来技術に係る方法のように、膜厚が一定値となるように管理する場合には、光学膜厚が変動してしまうことになる。一例として、本発明者らが透明電極およびホール注入層について、製造日毎の屈折率の変動を調査した結果を図９および図１０に示す。
【０００６】
図９に示すように、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）からなる透明電極は、調査日（Ａ〜Ｆ）が変わっても大きな屈折率の変動は見られなかった。一方、図１０に示すように、ホール注入層については、調査日毎（Ｇ〜Ｕ）に屈折率が変動し、最大で０．５〜０．６程度の差異を有することが分かった。
このように、光学定数（屈折率）が変動した場合には、光学膜厚が変動してしまうこととなり、有機ＥＬ素子における輝度の低下、および色度が所望の値にならないといった問題を生ずることになる。
【０００７】
本発明は、上記問題の解決を図るべくなされたものであって、光学定数が変動した場合にも、光学膜厚を高い安定性を以って制御することができる有機ＥＬ素子の製造システムおよび有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造システムは、所定の機能層の成膜を実行する成膜装置と、成膜装置を用い、サンプル基板上に成膜された機能層の屈折率を測定する測定手段と、測定手段で測定された屈折率に基づき、機能層として必要な光学膜厚を得るための成膜条件を求める演算手段と、演算手段で求められた成膜条件を、成膜装置に設定する設定手段とを備える。そして、成膜装置では、後続するロット生産において、設定手段により設定された成膜条件に従って所定の光学膜厚を有する機能層を成膜することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造システムでは、測定手段で機能層の屈折率を測定し、この測定値に基づいて演算手段が成膜条件を求める。このときの成膜条件は、機能層として必要な光学膜厚を得るための条件である。よって、本発明の一態様に係る製造システムでは、機能層の膜厚を予め規定された一致の値に制御しようとするのではなく、サンプル基板上の機能層を対象として測定された屈折率と必要とされる機能層の光学膜厚との関係からロット単位で求められる。
【００１０】
従って、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造システムでは、屈折率（光学定数）が変動した場合にも、有機ＥＬ素子における光学膜厚を高い安定性を以って制御することができ、光路長の安定により所望の輝度および色度の有機ＥＬ素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の一形態に係る有機ＥＬ素子の製造システム１の構成を示すブロック図である。
【図２】有機ＥＬ素子３０における要部構成を示す断面図である。
【図３】製造システム１におけるホール注入層３５の膜厚制御に係る構成部分を示すブロック図である。
【図４】先行サンプル５０の構成を示す断面図である。
【図５】先行サンプル検査装置２１の構成を示すブロック図である。
【図６】検査サーバ２２が備えるテーブルを示す図である。
【図７】Ｄａｙ１におけるホール注入層の膜厚と輝度、ＣＩＥｘおよびＣＩＥｙとの各関係を示すグラフである。
【図８】Ｄａｙ２におけるホール注入層の膜厚と輝度、ＣＩＥｘおよびＣＩＥｙとの各関係を示すグラフである。
【図９】透明電極の屈折率のバラツキを示すグラフである。
【図１０】ホール注入層の屈折率のバラツキを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［本発明の一態様］
本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造システムは、所定の機能層の成膜を実行する成膜装置と、成膜装置を用い、サンプル基板上に成膜された機能層の屈折率を測定する測定手段と、測定手段で測定された屈折率に基づき、機能層として必要な光学膜厚を得るための成膜条件を求める演算手段と、演算手段で求められた成膜条件を、成膜装置に設定する設定手段とを備える。そして、成膜装置では、後続するロット生産において、設定手段により設定された成膜条件に従って所定の光学膜厚を有する機能層を成膜することを特徴とする。
【００１３】
本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造システムでは、屈折率（光学定数）が変動した場合にも、有機ＥＬ素子における光学膜厚を高い安定性を以って制御することができ、光路長の安定により所望の輝度および色度の有機ＥＬ素子を製造することができる。
また、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造システムでは、上記構成において、演算手段が屈折率毎に対応付けられた成膜条件についてのリストを備えているという構成を採用することができる。このような構成を採用する製造システムでは、予め実験および解析などで確定された最適条件で成膜装置での成膜を実行できる。よって、上記効果に加えて、安定した光路長を有する有機ＥＬ素子の製造に優位である。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造システムでは、上記構成において、成膜装置がスパッタリングによる成膜を実行する装置であり、演算手段が成膜条件としてスパッタリング時間を求めるという構成を採用することができる。スパッタリングによる成膜の場合には、種々の条件により膜厚の制御をすることが考えられるが、スパッタリング時間を制御することが安定性および制御の容易性などの観点から優位である。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造システムでは、  上記構成において、成膜装置がホール注入層またはホール注入輸送層またはホール注入輸送層を成膜対象とすることができる。即ち、ホール注入層またはホール注入輸送層またはホール注入輸送層について、上記のような成膜条件の設定を行い、当該成膜条件に従ってロット生産での成膜を実行することで、機能層における光学膜厚の安定化を図ることができる。上記のように、ホール注入層は、ＩＴＯなどに比べて屈折率のロット間バラツキが大きく、これに上記成膜条件に設定を実行することにより、上記効果に加えて、特に高い効果を得ることができる。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、所定に機能層を成膜する成膜ステップと、成膜ステップでサンプル基板上に成膜した機能層の屈折率を測定する測定ステップと、測定ステップで測定された屈折率に基づき、機能層として必要な光学膜厚を得るための成膜条件を求める演算ステップと、演算ステップで求められた成膜条件を、成膜ステップでの成膜に対して設定する設定ステップとを備える。そして、本発明に一態様に係る製造方法では、成膜ステップにおける後続するロット生産において、設定ステップで設定された成膜条件に従って所定の光学膜厚を有する機能層を成膜することを特徴とする。
【００１７】
本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造方法では、屈折率（光学定数）が変動した場合にも、有機ＥＬ素子における光学膜厚を高い安定性を以って制御することができ、光路長の安定により所望の輝度および色度の有機ＥＬ素子を製造することができる。
また、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造方法では、上記構成において、成膜ステップでスパッタリングによる成膜を実行し、上記設定ステップで設定する成膜条件としてスパッタリング時間を採用することができる。スパッタリングによる成膜の場合には、種々の条件により膜厚の制御をすることが考えられるが、本発明の一態様に係る製造方法のように、スパッタリング時間を制御することが安定性および制御の容易性などの観点から優位である。
【００１８】
また、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造方法では、成膜ステップにおいて、ホール注入層またはホール注入輸送層またはホール注入輸送層の成膜を実行するという構成を採用することができる。上記のように、ホール注入層は、ＩＴＯなどに比べて屈折率のロット間バラツキが大きく、これに上記測定により得られた屈折率に基づく物理膜厚の制御を実行することにより、上記効果に加えて、特に高い効果を得ることができる。
【００１９】
以下では、本発明を実施するための一形態について説明する。
なお、以下の説明で用いる実施の形態は、本発明の一態様に係る構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる例であって、本発明は、その本質的な特徴部分以外に何ら以下の形態に限定を受けるものではない。
［実施の形態］
１．製造システム１の全体構成と有機ＥＬ素子３０の構成
実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造システム１の全体構成について、図１および図２を用い説明する。
【００２０】
図１に示すように、製造システム１では、製造における流れの上流側から、陽極形成装置１１、透明電極形成装置１２、ホール注入層形成装置１３、バンク形成装置１４、ホール輸送層形成装置１５、発光層形成装置１６、電子輸送層形成装置１７、陰極形成装置１８、封止層形成装置１９およびＣＦ（カラーフィルタ）＋透明基板２０形成装置２０が順に設けられている。
【００２１】
製造システム１における各装置１１〜２０は、工場ホストコンピュータ１０により制御されている。
具体的に、図２に示すように、陽極形成装置１１では、ＴＦＴ基板３１におけるＺ軸方向上側主面に陽極３２が形成される。そして、透明電極形成装置１２では、陽極３２の外周を覆うように透明電極３３が形成される。
【００２２】
ここで、図示を省略しているが、ＴＦＴ基板３１には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むＴＦＴ回路が形成されている。ＴＦＴ回路上には、パッシベーション膜および平坦化膜が順に積層されている。ＴＦＴ基板３１における基板本体は、例えば、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコン系樹脂、あるいはアルミナなどの絶縁性材料等をベースとして形成されている。また、平坦化膜は、例えば、アクリル系樹脂材料から形成されている。
【００２３】
陽極３１は、光反射の機能を有し、ＴＦＴ基板３１における平坦化膜およびパッシベーション膜に設けられたコンタクトプラグにより、ＴＦＴのソースに接続されている。陽極３２は、例えば、Ａｇ（銀）や、ＡＰＣ（銀とパラジウムと銅との合金）、ＡＲＡ（銀とルビジウムと金との合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムとの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムとの合金）などを用い形成されている。また、陽極３２の外周を覆う透明電極３３は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電材料を用い形成されている。
【００２４】
次に、ホール注入層形成装置１３でホール注入層３５が形成される。図２に示すように、ホール注入層３５は、透明電極３３の上に積層された状態に形成される。そして、バンク形成装置１４において、バンク３４が形成される。図２に示すように、バンク３４は、ホール注入層３５の縁部分の一部を被覆する状態に形成され、面中央部分が開口されており、各サブピクセルを規定している。
【００２５】
ホール注入層３５は、例えば、ＷＯＸ（酸化タングステン）またはＭｏＷＯＸ（モリブデン−タングステン酸化物）などの金属酸化物、あるいは金属窒化物または金属酸窒化物を用い形成されている。また、バンク３４は、例えば、ポリイミド、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などの絶縁性有機材料などを用い形成されている。
バンク３４が形成された後、ワークは、ホール輸送層形成装置１５、発光層形成装置１６、電子輸送層形成装置１７を順に流れる。図２に示すように、各サブピクセルにおいては、バンク３４内にホール輸送層３６、発光層３７および電子輸送層３８が順に積層形成される。
【００２６】
ホール輸送層３６は、例えば、トリフェニルジアミン誘導体（ＴＰＤ）や、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイドなどのポリフィリン化合物や、１，１−ビス{４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）フェニル}シクロヘキサン、４，４’，４”−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’， Ｎ’−テトラキス（Ｐ−トリル）−Ｐ−フェニレンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−Ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）−２−２’−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’， Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−４、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾールなどの芳香族第三級アミンや、４−ジ−Ｐ−トリルアミノスチルベン、４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベンなどのスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体や、オキサジザゾール誘導体や、イミダゾール誘導体や、ポリアリールアルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体や、ピラゾロン誘導体や、フェニレンジアミン誘導体や、アニールアミン誘導体や、アミノ置換カルコン誘導体や、オキサゾール誘導体や、スチリルアントラセン誘導体や、フルオレノン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、シラザン誘導体や、ポリシラン誘導体や、ポリシラン系アニリン系共重合体や、高分子オリゴマーや、スチリンアミン化合物や、芳香族ジメチリディン系化合物や、ポリ−３，４エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、テトラジヘクシルフルオレニルフェニル（ＴＦＢ）、あるいは、ポリ３−メチルチオフェン（ＰＭｅＴ）といったポリチオフェン誘導体などの有機材料を用い形成されている。
【００２７】
また、ホール輸送層３６の形成には、上記の他にポリカーボネートなどの高分子中に低分子のホール輸送層用の有機材料を分散させた、高分子分散系材料を用いることもできる。また、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＷＯ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＭｇＯなどの無機材料を用いることもできる。
発光層３７は、例えば、特開平０５−１６３４８８号公報に開示された材料を用い形成されている。具体的には、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリン化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チオピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、２，２‘−ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体などの蛍光物質を用い形成されている。
【００２８】
電子輸送層３８は、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、あるいは、これらを組み合わせた材料を用い形成されている。
次に、陰極形成装置１８および封止層形成装置１９により、図２に示すように、電子輸送層３８の上に陰極３９および封止層４０が順に積層形成される。陰極３９および封止層４０は、素子全体に広がった状態で形成される。
【００２９】
陰極３９は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどを用い形成され、封止層４０は、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）や窒化シリコン（ＳｉＮ）などを用い形成されている。
次に、ＣＦ＋透明電極形成装置２０では、図２に示すように、Ｚ軸方向下側主面にカラーフィルタ（ＣＦ）４２およびブラックマトリクス（ＢＭ）４３が形成された透明基板４４が、封止層４０との間に樹脂層４１が介挿された状態で接合される。
【００３０】
以上の各装置１１〜２０により、図２に示すような有機ＥＬ素子３０が完成する。
２．ホール注入層３５の光学膜厚の制御
本実施の形態に係る製造システム１で実行するホール注入層３５の光学膜厚の制御について、図３から図６を用い説明する。なお、図２は、図１に示す製造システム１の構成の内、ホール注入層形成装置１３と工場ホストコンピュータ１０、および先行サンプル検査装置２１および検査サーバ２２とを抜き出して示すものである。
【００３１】
図３に示すように、ホール注入層形成装置１３は、ホール注入準備層成膜装置部１３１とその下流に設けられているリソグラフィ装置部１３２とから構成されている。ホール注入準備層成膜装置部（以下では、「成膜部」と記載する。）１３１では、ロット生産での成膜に先行して、先行サンプル（ダミーサンプル）を作製する。図４に示すように、先行サンプル５０は、基板５１の主面上に先行準備膜５５が積層されてなるものである。
【００３２】
基板５１上における先行準備膜５５は、成膜部１３１における標準の成膜条件、具体的には、標準のスパッタリング時間で、生産ロットで用いるのと同一の材料を用い形成されるものである。
先行サンプル５０を受け入れた先行サンプル検査装置２１は、先行サンプル５０における先行準備膜５５の膜厚（物理膜厚）と屈折率（光学定数）とを測定する。ここで、先行サンプル検査装置２１は、所謂、干渉式膜厚測定装置であって、図５に示すように、光源２１１、ビームスプリッタ２１２、分光器２１３およびデータ解析部２１４を主な要素として構成されている。
【００３３】
図３に戻って、先行サンプル検査装置２１で測定されたデータ（物理膜厚、光学定数）は、検査サーバ２２に送られる。検査サーバ２２には、図６に示すような、屈折率と対応付けられたレシピＩＤについてのリストデータが格納されている。検査サーバ２２では、測定データ（特に、屈折率）に基づき、ホール注入層３５として必要な光学膜厚（光学膜厚に係る設計値）を得るための最適なレシピＩＤを求める。即ち、検査サーバ２２は、測定データに基づき、膜厚に係る成膜条件（具体的には、スパッタリング時間）について最適な成膜条件を求める。
【００３４】
図３に示すように、検査サーバ２２で求められた最適レシピＩＤは、一端、工場ホストコンピュータ１０に送られてから、ホール注入層形成装置１３の成膜部１３１に対し、ロット生産での成膜に際しての条件として設定される。成膜部１３１では、図６に示すリストのレシピＩＤとスパッタリング時間とが対応付けられており、ロット生産においてレシピＩＤに対応するスパッタリング時間で成膜が実行される。
【００３５】
３．優位性
上記のような構成の製造システム１では、先行サンプル５０における準備膜５５の物理膜厚および光学定数を測定し、この測定データに基づき求められたレシピＩＤ（成膜条件；スパッタリング時間）が、ホール注入層形成装置１３の成膜部１３１に設定される。よって、製造システム１を用いた有機ＥＬ素子の製造では、有機ＥＬ素子において光路長の安定を図り、所望の輝度および色度を得ることができる。
【００３６】
従って、製造システム１では、光学定数が変動した場合にも、有機ＥＬ素子における光学膜厚を高い安定性を以って制御することができる。なお、製造システム１では、ロット生産に先行して作製された先行サンプル（ダミーサンプル）５０を用い、物理膜厚および光学定数（屈折率）を測定するようにしているので、測定に際して、生産品に比べて他の層の外乱要因を排除することができ、製造時における歩留りおよび工程における品質の安定性という観点から優位である。
【００３７】
４．確認
確認のために、異なる日（Ｄａｙ１、Ｄａｙ２）でホール注入層３５（先行準備層）の膜厚と輝度および色度との関係を測定し、図７および図８に示す。
図７に示す“Ｄａｙ１”では、膜の屈折率は、２．０５であった。
一方、図８に示す“Ｄａｙ２”では、膜の屈折率は、２．１０であった。
【００３８】
そして、製造しようとする有機ＥＬ素子での光学膜厚に係る設計目標値を４０［ｎｍ］とし、色度に係る設計目標値をＣＩＥｘを０．１３２、ＣＩＥｙを０．０７とする。
上記設計目標値を達成するためには、図７に示す“Ｄａｙ１“の場合には、ホール注入層３５の物理膜厚を４４［ｎｍ］とするように、ホール注入層形成装置１３の成膜部１３１のスパッタリング時間（レシピＩＤ）を設定すればよい。一方、図８に示す”Ｄａｙ２“の場合には、ホール注入層３５の物理膜厚を４２［ｎｍ］とするように、ホール注入層形成装置１３の成膜部１３１のスパッタリング時間（レシピＩＤ）を求めるようにすればよい。
【００３９】
このように、ホール注入層３５の光学膜厚に係る設計目標値が同一であっても、日毎に変動する膜の屈折率に応じて、スパッタリング時間の補正により膜の物理膜厚を変動させることで、有機ＥＬ素子における所望の輝度および色度を得ることが可能となる。
［その他の事項］
上記実施の形態は、上記本発明の一態様の構成および作用・効果について、分かりやすく説明するために一例を示したものであって、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、膜厚制御の対象をホール注入層３５としたが、透明電極３３やホール輸送層３６あるいは発光層３７や電子輸送層３８などに適用することも可能である。
【００４０】
また、上記実施の形態では、スパッタリング時間によりホール注入層３５の物理膜厚を制御することとしたが、他の成膜条件、例えば、スパッタリングパワーや圧力などにより制御することもできる。また、スパッタリングによる成膜を行わない他の構成要素に対しては、個々の成膜装置に適した膜厚に関する成膜条件を制御することができる。
また、上記実施の形態では、ロット生産に先行して先行サンプル５０を作製しておき、この先行サンプル５０を用いて物理膜厚および光学定数（屈折率）の測定を行うこととしたが、生産ロットの先頭あるいは途中のサンプルを抜き取り、これを測定対象とすることもできる。
【００４１】
また、先行サンプル５０による膜厚および光学定数の測定については、ロット毎に行う必要は必ずしもなく、例えば、製造日毎であってもよいし、週毎であってもよい。ただし、測定スパンについては、工程におけるバラツキなどを考慮して決定することが重要である。
また、上記実施の形態では、製造システム１として本発明の特徴を説明したが、各装置１０〜２２は個々に分離されている必要はなく、例えば、工場ホストコンピュータ１０の内部に検査サーバ２２が組み込まれた構成などとすることもできる。この場合には、工場ホストコンピュータ１０に屈折率毎に対応付けられた成膜条件についてのリストが格納されることになる。即ち、工場ホストコンピュータ１０と検査サーバ２２とを合わせてホール注入層形成装置１３に対しての制御装置と見ることができる。
【００４２】
また、図２に示すように、上記例では、ホール注入層３５とホール輸送層３６とが別の層として形成されている構成を一例として採用したが、必ずしも別の層である必要はなく、ホール注入輸送層として単一の層で形成されている構成とすることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、所望の輝度および色度を得ることができる有機ＥＬ素子を製造することができる有機ＥＬ素子の製造システムおよび製造方法を実現するのに有用である。
【符号の説明】
【００４４】
１．製造システム
１０．工場ホストコンピュータ
１１．陽極形成装置
１２．透明電極形成装置
１３．ホール注入層形成装置
１４．バンク形成装置
１５．ホール輸送層形成装置
１６．発光層形成装置
１７．電子輸送層形成装置
１８．陰極形成装置
１９．封止層形成装置
２０．ＣＦ＋透明基板形成装置
２１．先行サンプル検査装置
２２．検査サーバ
３０．有機ＥＬ素子
３１．ＴＦＴ基板
３２．陽極
３３．透明電極
３４．バンク
３５．ホール注入層
３６．ホール輸送層
３７．発光層
３８．電子輸送層
３９．陰極
４０．封止層
４１．樹脂層
４２．カラーフィルタ
４３．ブラックマトリクス
４４．透明基板
５０．先行サンプル
５１．先行基板
５５．先行準備膜
１３１．ホール注入準備層成膜装置部
１３２．リソグラフィ装置部
２１１．光源
２１２．ビームスプリッタ
２１３．分光器
２１４．データ解析部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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