(57)【要約】【課題】ＰＤＰの放電電圧を低下させ、表示遅れを解消する技術を提供する。【解決手段】  ＳｃがドープされたＭｇＯ材料と、ＣａＯ材料を混合し蒸発材料を作製し、蒸着によって、走査電極２２と維持電極２３の表面に保護膜２５を形成する。この保護膜２５は放電開始電圧を低下させ、放電遅れを短くする。保護膜中のＣａＯの濃度は２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下がよく、Ｓｃは、５ｐｐｍ以上１００００ｐｐｍ以下の範囲で含有させればよい。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リアパネルに設けられたリブ間の凹部の位置を、前記凹部底面下に設けられたアドレス電極で放電領域として選択し、
前記放電領域の片側と反対側をそれぞれ通るリアパネル上の走査電極と維持電極の間に維持電圧を印加して前記放電領域に放電を発生させ、形成されたプラズマから放出された紫外線を、前記リアパネルのリブ間の凹部に配置された蛍光体に照射し、発光させるプラズマディスプレイパネルであって、
前記アドレス電極と前記維持電極上には、前記プラズマから前記アドレス電極と前記維持電極を保護する保護膜が設けられ、
前記保護膜は、ＭｇＯとＣａＯの混合物から成り、前記混合物はＳｃを含有し、ＣａＯの濃度が２０ｍｏｌ％以上、５０ｍｏｌ％以下であるプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
Ｓｃを含有するＭｇＯ材料と、ＣａＯ材料の混合物から成り、ＣａＯの濃度が２０ｍｏｌ％以上、５０ｍｏｌ％以下である蒸着材料から真空雰囲気中に放出された蒸気が、前記走査電極上と前記維持電極上に到達して前記保護膜が形成された請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記ＭｇＯ材料へのＳｃドープ量は５ｐｐｍ以上１００００ｐｐｍ以下の範囲にされた請求項２記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
Ｓｃと、ＭｇＯと、ＣａＯとを含有する蒸着材料から前記蒸着材料の蒸気を真空雰囲気中に放出させ、
前記蒸気から前記真空雰囲気中で保護膜を形成する保護膜形成方法であって、
前記蒸発材料のＣａＯ濃度を２０ｍｏｌ％以上、５０ｍｏｌ％以下にする保護膜形成方法。
【請求項５】
前記蒸着材料を、Ｓｃを含有するＭｇＯ材料と、ＣａＯ材料とを混合させて形成する請求項４記載の保護膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイの技術分野に係り、特に、放電電圧を低下させ、放電遅れを解消する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＰＤＰは表示装置の分野で広く用いられており、近年では、大画面化、高品質化、かつ、低価格のＰＤＰが要求されている。
一般にＰＤＰはガラス基板上に維持電極および走査電極が形成された前面板と、ガラス基板上にアドレス電極が形成された背面板とが貼り合わされて構成された３電極面放電型が主流となっている。
前面板と背面板の間には放電ガスが封入されており、走査電極とアドレス電極との間に電圧を印加して放電を発生させ、走査電極と維持電極の間に維持電圧を印加して封入された放電ガスをプラズマ化させると、プラズマから紫外線が放射され、蛍光体に照射されると、蛍光体は励起し可視光を放出する。
維持電極上と走査電極上には、誘電体膜が形成され、さらにその上に誘電体を保護するための保護膜が形成されている。通常この保護膜にはＭｇＯが用いられている。
放電を維持するために、走査電極と維持電極に交流電圧を印加すると、放電ガスのプラズマ化により発生した陽イオンが走査電極側および維持電極側に入射するが、走査電極および維持電極とそれら電極上の誘電体膜は保護膜によって陽イオンから保護されている。
【０００３】
ＰＤＰの放電時の電圧（放電電圧）は、保護膜の二次電子放出係数に依存することが知られているおり、保護膜の２次電子放出係数が大きいほど（仕事関数が小さく電子を放出しやすいほど）、放電電圧が低電圧化することが知られている。
二次電子放出係数が大きく、放電電圧が低い材料としては、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯとその混合物が知られている（特許文献：特開２００２−２３１１２９号公報参照）しかしこれらの材料はＨ2Ｏ、ＣＯ、ＣＯ2等の不純物ガスに対して極めて活性であり、これら不純物ガスと容易に反応し、水酸化物、炭酸塩が形成されてしまう。
【０００４】
このためエージング工程が非常に長くなってしまい、もしくはエージングしても放電電圧が低下しないといった問題が起こってしまう。
そこで、これらの材料を成膜後、一度も大気に曝すことなくパネル化する工程が提案されている（特許文献：特開２０００−１５６１６０号公報参照）。この方法によれば、成膜後一度も大気に曝すことなく、真空中で封着することで、保護膜表面へのＨ2Ｏ、ＣＯ2等の吸着を最小限に抑えることができ、活性化工程を行わなくても、エージング時間を非常に短く出来ると報告されている。
【０００５】
また、真空一貫装置を用いて作製したＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯといった材料を保護膜として用いたＰＤＰの特性としては、ＭｇＯよりも放電電圧が低下し、Ｘｅ分圧を高くすることで高発光効率が得られることが報告されている。さらに放電遅れもＭｇＯ保護膜を用いた場合と同程度であることもあわせて報告されている。
しかし、近年ではＰＤＰの高精細化や高速駆動化が必要とされており、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯやこれらの混合膜だけを用いた場合では十分ではないことが明らかになってきている。
【０００６】
ＰＤＰの画像表示には、１フィールドの映像を複数のサブフィールド（Ｓ．Ｆ．）に分割する階調表現方式（例えばフィールド内時分割表示方式）が用いられている。
時分割表示方式の重要な研究課題には「放電遅れ」の防止・抑制が挙げられる。ここで、「放電遅れ」とは駆動パルスの幅を狭くして高速駆動を行う際に、パルスの立ち上がりから遅れて放電が行われる現象を指す。「放電遅れ」が顕著になると、印加されたパルス幅内で放電が終了する確率が低くなり、本来点灯すべきセルに書き込み等ができずに点灯不良が生じてしまう。
高精細なセル構造において、放電遅れの問題は高速駆動を行う場合に特に顕在化するおそれがあり、早急な対策が望まれている。
【０００７】
「放電遅れ」の原因は、主に保護層の特性に起因すると考えられている。従って現在では、誘電体層の上に直接、或いは薄膜法で作製したＭｇＯ膜を介して、気相酸化法で作製したＭｇＯの単結晶微粒子を層状に配置し、保護層表面の放電特性を改善する試みも行われている（特許文献１，２参照）。この特許文献１，２の方法によれば、低温時における放電遅れ低減については一定の改善が図られるとされている。
一方、ＭｇＯにＦｅ、Ｃｒ、Ｖ等や、Ｓｉ、Ａｌ等、Ｓｃ等の元素をドーパントとして添加して、当該ドーパントにより保護層の放電特性を改善する試みが講じられている（特許文献３、４、５参照）。
【０００８】
前者の単結晶微粒子を塗布する方法は、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯやその混合物を保護膜としたプラズマディスプレイパネルにおいては、塗布雰囲気が露点の低い不活性ガス中もしくは、真空中に限られ、塗布もしくは散布方法も限られてくるので非常に困難であった。
このことからＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯやその混合膜の場合、後者の、ある元素をドーパントとして添加する方法の方が容易であると考えられる。しかし、これまでそのような、放電電圧の低電圧化と放電遅れの短縮を同時に達成できる蒸発材料、薄膜は報告されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−０５９７７９号公報
【特許文献２】特開２００６−１７３０１８号公報
【特許文献３】特開平８−２３６０２８号公報
【特許文献４】特開平１０−３３４８０９号公報
【特許文献５】特開平１０−３３４８０９号公報
【特許文献６】特許公開２００６−２０７０１３号公報
【特許文献７】特開２００８−０９８１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
真空一貫装置を用いることで、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯといった非常に反応性が高い材料を保護膜として用いたＰＤＰを作製することが可能であり、それらのＰＤＰでは、放電電圧が低電圧化し、Ｘｅ分圧を高くすることで発光効率が向上することが報告されている。また、放電遅れもＭｇＯ保護膜を用いた場合と同程度であることも併せて報告されている。
しかし、現在では、ＭｇＯ保護膜の上にＭｇＯの単結晶微粒子を塗布(散布)すると、統計遅れ時間が短縮され、その結果、駆動パルスの幅を狭くすることが出来、高速駆動を達成できることが知られている。つまりＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯやその混合物料だけでは、放電遅れが長いので、ＭｇＯの単結晶微粒子を用いる方法を採用するか、あるいは、その他の方法を採用して、放電遅れをＭｇＯ単結晶微粒子を用いた場合と同程度まで低減する必要がある。
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、放電電圧の低電圧化と放電遅れの短縮を同時に達成できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明は、リアパネルに設けられたリブ間の凹部の位置を、前記凹部底面下に設けられたアドレス電極で放電領域として選択し、前記放電領域の片側と反対側をそれぞれ通るリアパネル上の走査電極と維持電極の間に維持電圧を印加して前記放電領域に放電を発生させ、形成されたプラズマから放出された紫外線を、前記リアパネルのリブ間の凹部に配置された蛍光体に照射し、発光させるプラズマディスプレイパネルであって、前記アドレス電極と前記維持電極上には、前記プラズマから前記アドレス電極と前記維持電極を保護する保護膜が設けられ、前記保護膜は、ＭｇＯとＣａＯの混合物から成り、前記混合物はＳｃを含有し、ＣａＯの濃度が２０ｍｏｌ％以上、５０ｍｏｌ％以下であるプラズマディスプレイパネルである。
また、本発明は、Ｓｃを含有するＭｇＯ材料と、ＣａＯ材料の混合物から成り、ＣａＯの濃度が２０ｍｏｌ％以上、５０ｍｏｌ％以下である蒸着材料から真空雰囲気中に放出された蒸気が、前記走査電極上と前記維持電極上に到達して前記保護膜が形成されたプラズマディスプレイパネルである。
また、本発明は、前記ＭｇＯ材料へのＳｃドープ量は５ｐｐｍ以上１００００ｐｐｍ以下の範囲にされたプラズマディスプレイパネルである。
また、本発明は、Ｓｃと、ＭｇＯと、ＣａＯとを含有する蒸着材料から前記蒸着材料の蒸気を真空雰囲気中に放出させ、前記蒸気から前記真空雰囲気中で保護膜を形成する保護膜形成方法であって、前記蒸発材料のＣａＯ濃度を２０ｍｏｌ％以上、５０ｍｏｌ％以下にする保護膜形成方法である。
また、本発明は、前記蒸着材料を、Ｓｃを含有するＭｇＯ材料と、ＣａＯ材料とを混合させて形成する保護膜形成方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、放電電圧を低電圧化し、放電遅れの短縮が可能になった。また保護膜形成後、従来用いられているＭｇＯ単結晶微粒子を塗布する工程も必要ないため、生産性がよい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】保護膜の材料と放電特性の関係を示すグラフ
【図２】放電遅れの測定シーケンスと放電による赤外線発光を説明するための図
【図３】保護膜の材料の相違による維持電圧と放電遅れの関係の相違を示すグラフ
【図４】蒸発材料中のＣａＯ濃度と各放電特性の電圧との関係を示すグラフ
【図５】保護膜の材料の相違による維持電圧と遅れ時間との関係の相違を示すグラフ
【図６】Ｓｃ含有率の相違による維持電圧と放電遅れの関係の相違を示すグラフ
【図７】ＰＤＰを説明するための模式図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
先ず、プラズマディスプレイパネル(ＰＤＰ)の構造について説明する。
図７を参照し、このＰＤＰ１は、フロントパネル２０とリアパネル３０とを有しており、フロントパネル２０とリアパネル３０は、フロント側ガラス基板２１、リア側ガラス基板３１をそれぞれ有している。
リアパネル３０側では、リア側ガラス基板３１上に、線状のアドレス電極３２が互いに平行に離間して配置されており、アドレス電極３２とその間は、誘電体膜３７によって覆われている。
アドレス電極３２とアドレス電極３２との間の位置の誘電体膜３７上には、アドレス電極３２と平行に一本ずつ細長い凸条のリブ３４が配置されており、リブ３４間に形成される直線状の凹部３６には、蛍光体３５が配置されている。
フロントパネル２０側では、フロント側ガラス基板２１の表面に、線状の走査電極２２と線状の維持電極２３とが交互に平行に離間して配置されている。
【００１５】
フロントパネル２０とリアパネル３０とは、走査電極２２と維持電極２３とが、それぞれアドレス電極３２と垂直な方向に向くように、走査電極２２と維持電極２３が形成された面と、アドレス電極３２が形成された面とが互いに平行に対面して配置されている。
フロントパネル２０とリアパネル３０の間には放電ガスが封入されており、アドレス電極３２と走査電極２２の間に初期電圧を印加し、アドレス電極３２と走査電極２２とで挟まれた部分に初期放電を発生させ、次いで、一本の走査電極２２に対して点灯すべき箇所を通るアドレス電極３２にアドレス電圧を印加し、リブ３４間の凹部３６の点灯すべき場所にアドレス放電を発生させることで、アドレス電極３２と走査電極２２により、アドレス放電が発生した位置に近い凹部３６内の位置を、放電領域として選択する。
【００１６】
次に、放電領域の片側を通る走査電極２２と、その反対側を通る維持電極２３の間に維持電圧を印加し、凹部３６内のアドレス電極３２で選択された場所、即ち、点灯すべき場所に放電を発生させてプラズマを形成する。プラズマから紫外線が放射され、蛍光体３５に入射すると、選択された場所の蛍光体３５が可視光で発光する。
アドレス電極３２と走査電極２２の表面には誘電体膜２４と保護膜２５とが、フロント側ガラス基板２１側からこの順序で形成されており、アドレス電極３２と走査電極２２は、プラズマによって惹起されるスパッタリング現象から保護されている。
【００１７】
保護膜を形成する方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレート法、ＣＶＤ法等、いろいろあるが、一例として、真空蒸着法では、保護膜２５は、保護膜２５と同じ材料で形成された蒸発材料を真空雰囲気中で蒸発させ、蒸気を誘電体膜２４表面に到達させて形成している。
走査電極２２と維持電極２３の間に放電を発生させるための維持電圧の大きさや、維持電圧の印加から放電発生までの時間等の放電特性は、保護膜２５の材料によって変わってくる。
ＣａＯ、ＳｒＯ、又はＢａＯが含有された保護膜の場合、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯはＨ2ＯやＣＯ2といったガスと非常に反応性が高いため、放電特性を改善する為に、その保護膜の表面にＭｇＯの単結晶微粒子を塗布または散布するのは非常に困難もしくは手間がかかる。
【００１８】
ＭｇＯの単結晶微粒子を用いる他に放電遅れを短縮する方法としては、ある特定の元素をドーパントとして添加するという方法が知られている。この方法であれば、これまでに提案した真空一貫によるプラズマディスプレイパネル作製工程をそのまま用いることが出来る。
本発明では、ＭｇＯとＣａＯを混合すると共に、Ｓｃを添加し、放電電圧時間と、放電電圧を測定し、評価した。
【実施例】
【００１９】
（１）ＭｇＯ、ＳｃドープＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｃドープＣａＯの放電電圧
図１は、単結晶ＭｇＯから成る蒸発材料と、ＣａＯペレットから成る蒸発材料とＳｃを２０００ｐｐｍ添加した単結晶ＭｇＯから成る蒸発材料(図１中、ＭｇＯ：Ｓｃ)と、Ｓｃを２０００ｐｐｍ添加したＣａＯペレットから成る蒸発材料(ＣａＯ：Ｓｃ)とを真空槽内に配置し、各蒸発材料を蒸発させ、蒸気を基板に到達させて、保護膜を形成したときの放電電圧測定結果である。
「放電開始電圧」は、電極間に印加する電圧を上昇したときに、放電が一カ所の放電領域で開始された電圧であり、「全面点灯電圧」は、更に電圧を上昇させたときに、パネル中全部の放電領域が点灯した電圧である。
また、「消灯開始電圧」は、全部の表示領域が点灯している状態から電極間に印加する電圧を低下させたときに、一カ所の表示領域で放電が停止したときの電圧であり、「全面消灯電圧」は更に電圧を低下させたときに、パネル中全部の表示領域が消灯した電圧である。
図１を見ると、ＭｇＯ、ＣａＯ共に、Ｓｃを２０００ｐｐｍドープしても放電電圧はほぼ同程度であった。ＭｇＯとＣａＯを比較した場合では、ＣａＯ、ＣａＯ：Ｓｃの方が、ＭｇＯ、ＭｇＯ：Ｓｃよりも大幅に放電電圧が低下した。
【００２０】
（２）ＭｇＯ、ＳｃドープＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｃドープＣａＯの放電遅れ
はじめに、図2の波形を用い、測定は前面板の走査電極２２と維持電極２３のみを用いて行った。
測定を簡単に説明すると、まず走査電極２２と維持電極２３に矩形波形を250回印加して放電を繰り返し起こし、電極に電荷をためる。その後、アドレス期間を想定して2msの休止期間を置き、その後、維持パルスVLを印加して放電を起こす。そしてこの放電のときに発生するXeの発光（赤外線）をフォトダイオードで検出した。ここまでの流れを1000回繰り返し、1000回の発光のバラつきから、放電遅れを測定した。図2の符号Lは、フォトダイオードの出力を示しており、同じ波形を繰り返しても、通常、維持パルスVLを印加してから放電が起こるまでの時間は一定ではなく、バラつきが生じていることが分かる。
一般に電極間に放電開始電圧を超過する電位差を印加してから放電が形成されるまでには、ある一定の時間がかかり、この時間を放電遅れという。
【００２１】
遅れの機構から放電遅れは形成遅れと統計遅れの2成分に分類され、形成遅れは、初電子が発生してから放電が形成されるまでの時間、統計遅れは電極間に放電開始電圧を超過する電位差を印加してから電子が発生するまでの時間と定義されている。
具体的には、維持パルスVLを印加してから最も早く放電が起こったときの放電が起こるまでの時間が形成遅れ(ｔｆ)であり、最も早く放電が起こってから、もっとも遅く放電が起こるまでの時間が統計遅れ(ｔｓ)である。
【００２２】
通常、放電遅れは休止時間が長いほど大きくなることが知られている。実際のPDPの駆動では、走査電極２２とアドレス電極３２間で放電を起こすアドレス期間の間は、維持電極２３と走査電極２２では放電が起こらず、休止期間となる。走査電極２２とアドレス電極３２との間の放電は、走査電極２２ごとに順次行っていくので、走査電極２２が768本ある場合（XGA）には、PDP全体では、1本の走査電極２２にかかる時間の768倍の時間がかかることになる。
1本の走査電極２２に電圧を印加する時間は、目的のセルがすべて点灯するまでの時間が必要なので、放電遅れ以上の時間、電圧を印加する必要がある。これまでのXGA規格のPDPでは、走査電極２２の1本あたり2μｓ程度必要であり、PDP全体では1.5ｍｓ(２μｓ  ７６８)程度であったことが知られている。このことから、今回の測定では休止期間を少し長めに２ｍｓとした。
【００２３】
また、同様に１本の走査電極２２ごとに２μｓずつかけると、FHDシングルスキャンでは、1サブフィールドあたり２．２ｍｓ(１０８０×２μｓ）必要となる。アドレスに要する時間が長くなると、表示にかける時間が減ることになるので、十分な階調が取れなくなってしまう。このため、より高精細なパネルでは、より短時間で確実にアドレス放電を起こす必要があり、すなわち放電遅れが小さくなければならない。
XGAシングルスキャンと同じ1.5ｍｓでFHDにシングルスキャンでアドレス行うためには、１本の走査電極２２に印加できる時間は１４μｓ(1.5ｍｓ/1080)以下でなければならない。つまり放電遅れは1.4μｓ以下でなければならない。以上のことから、今回の評価では、放電遅れが1.4μｓをFHDシングルスキャンのための一つの基準とする。
【００２４】
図３は、それぞれの材料の静特性マージン内での放電電圧に対する放電遅れ(形成遅れ＋統計遅れ)の測定結果である。ＭｇＯ単結晶を用いた場合、放電遅れ1.4μｓを達成するには、210Ｖ以上を要したのに対し、ＳｃをドープしたＭｇＯの放電遅れは、ＭｇＯ単結晶を用いたときよりも約半分程度まで小さくなり、またマージン内で１μｓ以下と非常に短い。ＣａＯ焼結体を用いたときは、放電遅れ1.4μｓ以内を達成できるのは、190〜200Ｖと非常に狭い領域しかない。また、ＣａＯはＳｃを２０００ｐｐｍドープしても放電遅れに変化はなかった。
【００２５】
（３）ＳｃドープＭｇＯとＣａＯの混合物焼結体を用いたとき
ＳｃドープＭｇＯ(Ｓｃ含有率２０００ｐｐｍ)の粒子(Ｓｃを含有するＭｇＯ材料)とＣａＯの粒子(ＣａＯ材料)とを、割合を変えて混合して蒸着材料を作製し、放電の特性を測定した。
図４は、横軸は蒸発材料中のＣａＯ濃度、縦軸は電圧(Ｖ)であり、放電開始電圧、全面点灯電圧、消灯開始電圧、全面消灯電圧の特性が、ＣａＯ濃度と電圧との測定値を結ぶ四本の曲線で示されたグラフである。
この図４のグラフから、ＣａＯの割合が２０ｍｏｌ％の蒸発材料で作製した保護膜は、ＳｃドープＭｇＯのみの蒸発材料(横軸０の位置)で作製した保護膜よりも、各特性の電圧が３０Ｖ低下している。
そしてＣａＯの割合が５０ｍｏｌ％の蒸発材料では、ＳｃドープＭｇＯのみの蒸発材料よりも、各特性の電圧が４０Ｖ低下して、ＣａＯのみの蒸発材料の電圧と同程度となった。
この結果から、ＣａＯの割合が２０ｍｏｌ％と少なくても、ＣａＯのみに近い値まで放電開始電圧が低下することがわかる。
【００２６】
次に、ＳｃドープＭｇＯとＣａＯとの混合物から成る蒸発材料であって、ＣａＯの割合が２０ｍｏｌ％と５０ｍｏｌ％の蒸発材料を用いて保護膜を成膜したときの、放電開始電圧と放電遅れを測定した。測定は、(２)で用いた方法と同じ方法で測定した。
測定結果を図５のグラフに示す。
ＣａＯの割合が２０ｍｏｌ％の蒸発材料では、マージン内で１μｓ以内と放電遅れ(ｔｆ＋ｆｓ)を非常に短くすることが出来た。
また、ＣａＯの割合が５０ｍｏｌ％の蒸発材料では、走査電極２２と維持電極２３の間の電圧を下げていくと放電遅れが徐々に大きくなり、１６０Ｖ以下で１．４μｓ以上となった。
以上の結果から、ＳｃドープＭｇＯにＣａＯを混ぜることで、放電遅れが短い特性を保ったまま、維持電圧を下げることが出来ることがわかった。放電電圧、放電遅れの両方の特性から、ＣａＯの割合としては、２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下の範囲がよいと考えられる。
【００２７】
（４）ＣａＯの割合を５０ｍｏｌ％と固定し、Ｓｃドープ量を変えた混合物焼結体を用いたとき
図５のグラフでは、ＣａＯが５０ｍｏｌ％の蒸発材料で保護膜を形成したときに、走査電極２２と維持電極２３の間の電圧が１７５Ｖ以下になると、放電遅れが大きくなっている。
ＳｃノンドープのＣａＯと、Ｓｃが２０００ｐｐｍでドープされたＭｇＯとを混合した蒸発材料のＳｃ含有率は、ＣａＯが５０ｍｏｌ％で１０００ｐｐｍとなる。そこで、ＣａＯの割合を５０ｍｏｌ％で固定し、Ｓｃドープ量を１０００、３０００、５０００ｐｐｍ、残りをＭｇＯとして焼結して蒸発材料を作成し、保護膜を形成して、上記例と同様の条件で放電させ、放電開始電圧と、放電遅れを評価した。
各蒸発材量の保護膜について、放電電圧は同程度であった。
【００２８】
放電遅れは、図６に示すように、Ｓｃ３０００ｐｐｍの蒸発材料で成膜した保護膜では、図５中のＣａＯが２０ｍｏｌ％の蒸発材料の結果とほぼ同程度まで放電遅れが低下した。また、Ｓｃ５０００ｐｐｍの蒸発材料ではＳｃ１０００ｐｐｍの蒸発材料よりも若干放電遅れが小さい結果となった。
以上の結果から、保護膜及び蒸発材料中のＳｃの含有率は１０００ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下の範囲がよい。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明は、プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置に関している。
【符号の説明】
【００３０】
１……ＰＤＰ
２０……フロントパネル
２１……フロント側ガラス基板
２２……走査電極
２３……維持電極
３０……リアパネル
３１……リア側ガラス基板
３２……アドレス電極
３４……リブ
３５……蛍光体
３６……凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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