(57)【要約】 【課題】  利得を増減してもインピーダンス整合を行うことができること。 【解決手段】  基板２０の表面に、細長い線条のホットダイポール素子１０と、該ホットダイポール素子１０の両側にほぼ平行に配置された線条の無給電素子１２'とが形成されている。基板２０の裏面には切欠部が形成されたアースダイポール素子１１が形成されており、アースダイポール素子１１の上部に対面してアースランド２１が基板２０の表面に形成されている。同軸ケーブル２２は、ホットダイポール素子１０の端部とアースランド２１の端部に給電している。アースダイポール素子１１の長さを変えることによりアンテナ利得を調整することができ、ホットダイポール素子１０の長さや幅、無給電素子１２'の長さを調整することによりインピーダンスを調整できる。 【選択図】  図２２
2011103637.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細長い矩形状の絶縁性の基板と、 
前記基板に細長い線条に形成されているホットダイポール素子と、 
該ホットダイポール素子の両側にほぼ平行に配置されるように、前記基板に形成されている細長い線条の２本の無給電素子と、 
前記基板に前記ホットダイポール素子と端部が向かい合うように形成されているアースダイポール素子と、 
前記ホットダイポール素子の端部と前記アースダイポール素子の端部に給電する給電ケーブルとを備え、 
前記アースダイポール素子の長さを変えることにより、アンテナ利得を調整するようにしたことを特徴とするアンテナ装置。 
【請求項２】
前記無給電素子の上端が短絡されて、前記無給電素子がＵ字状とされていることを特徴とする請求項１記載のアンテナ装置。 
【請求項３】
前記ホットダイポール素子の幅を調整することにより、インピーダンス整合を行うようにしたことを特徴とする請求項１または２記載のアンテナ装置。 
【請求項４】
前記ホットダイポール素子と前記無給電素子との間隔を調整することにより、インピーダンス整合を行うようにしたことを特徴とする請求項１または２記載のアンテナ装置。 
【請求項５】
前記無給電素子の長さを調整することにより、インピーダンス整合を行うようにしたことを特徴とする請求項１または２記載のアンテナ装置。 
【請求項６】
前記ホットダイポール素子の長さを調整することにより、インピーダンス整合を行うようにしたことを特徴とする請求項１または２記載のアンテナ装置。 
【請求項７】
前記無給電素子の下辺と、前記ホットダイポール素子の下辺との間隔を調整することにより、インピーダンス整合を行うようにしたことを特徴とする請求項１または２記載のアンテナ装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に放射素子がプリントされた小型のアンテナ装置に関するものである。 
【背景技術】
【０００２】
従来、無線通信機器に搭載される送受信用のアンテナとして、プリント基板に放射素子をプリントしたプリントダイポールアンテナが知られている。プリントダイポールアンテナの一例の構成を示す正面図を図３３に、その背面図を図３４に示す。 
これらの図に示すアンテナ装置２００は、ホットダイポール素子２１０とアースダイポール素子２１１とからなるダイポールアンテナを備えている。ホットダイポール素子２１０はガラスエポキシ基板等の基板２２０における表面に形成されている細長い線条のプリントパターンにより構成されており、アースダイポール素子２１１は基板２２０の裏面にホットダイポール素子２１０と重ならない位置に形成されているＵ字状のプリントパターンより構成されている。ホットダイポール素子２１０は、基板２２０の一端から基板２２０のほぼ中央部を超えて形成されており、アースダイポール素子２１１は２本に分割された平行な素子が基板２２０の両側に沿って形成され、この２本の素子を短絡する矩形状の素子がホットダイポール素子２１０と対面して基板２２０の裏面に形成されている。 
【０００３】
そして、ホットダイポール素子２１０とアースダイポール素子２１１との端部が向かい合う部位が給電部２１２とされて、給電部２１２に同軸ケーブル２２２が接続されている。この場合、アースダイポール素子２１１の矩形状の素子に重なるように、基板２２０の表面に矩形状のアースランド２２１が形成されており、アースランド２２１に形成されている一対のスルーホール２２１ａによりアースランド２２１とアースダイポール素子２１１とが電気的に接続されている。そして、ホットダイポール素子２１０の端部に同軸ケーブル２２２の中心導体２２２ａが接続され、アースランド２２１に同軸ケーブル２２２のシールド部２２２ｂが接続される。これにより、ホットダイポール素子２１０とアースダイポール素子２１１とからなるダイポールアンテナとされているアンテナ装置２００が構成される。なお、同軸ケーブル２２２がアースダイポール素子２１１と電気的に結合しないように離隔して配置するために、アースダイポール素子２１１はＵ字状とされて２本に分割された素子の間に同軸ケーブル２２２が配置されている。さらに、基板２２０の表面に所定高さのスペーサ２２３が設けられており、スペーサ２２３上に同軸ケーブル２２２が載置されて、さらに同軸ケーブル２２２はアースダイポール素子２１１から離隔されて配置されている。 
【０００４】
従来のアンテナ装置２００において使用周波数帯を２．６ＧＨｚ帯とした場合の寸法の一例を上げると、基板２２０の幅は約９．２ｍｍ、長さは約５６．９ｍｍ、厚さは約１．６ｍｍ、比誘電率εｒは約４．９とされており、ホットダイポール素子２１０の幅は約８．５ｍｍ、長さは約３８．５ｍｍとされている。また、Ｕ字状のアースダイポール素子２１１の幅は約８．５ｍｍ、２本に分割された素子の幅は約０．８ｍｍ、長さは約１５．４ｍｍとされている。アースランド２２１の幅は約８．５ｍｍとされ、長さは約３．８ｍｍとされている。同軸ケーブル２２２の外径は約１．３ｍｍとされ、スペーサ２２３の幅は約５ｍｍ、長さは約１０ｍｍ、高さは約１ｍｍとされている。 
【０００５】
上記寸法とされたアンテナ装置２００の電圧定在波比（ＶＳＷＲ）の周波数特性を図３５に示す。図３５を参照すると、ＶＳＷＲが最も小さくなるのはマーク１０１で示す周波数が約２．６ＧＨｚの共振周波数となった時となり、約２．０のＶＳＷＲが得られている。また、従来のアンテナ装置２００において周波数が２．６ＧＨｚとされた際の垂直面のアンテナ放射パターンを図３６に示す。図３６に示すアンテナ放射パターンは０ｄＢに正規化されており、最大利得は約１．６ｄＢｉ得られている。図３６を参照すると、アンテナ装置２００の放射パターンは基板２２０の横方向に強く放射され、基板２２０の長手方向とされる０・方向および１８０・方向のレベルが小さくなっている。この場合、基板２２０に平行な面における長手方向の偏波が放射され、この放射パターンにおける半値角は約１１０ｄｅｇが得られている。さらに、アンテナ装置２００における水平面のアンテナ放射パターンを図３７に示す。図３７に示すアンテナ放射パターンも０ｄＢに正規化されており、最大利得は約１．０ｄＢｉ得られている。図３７を参照すると、アンテナ装置２００の水平面の放射パターンはほぼ無指向性とされて全方向に同様に放射されている。 
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７-２０２５６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のアンテナ装置は、一般に最大利得が得られるように各素子のエレメント長等が設定されているが、高利得のアンテナ装置を必要としない通信装置では、高利得のアンテナ装置が使用されている場合は、その利得を減少させなければならないことがあった。この場合、従来のアンテナ装置２００においては、ホットダイポール素子２１０の長さやアースダイポール素子２１１の長さを変化させると共振周波数がずれて目的とする周波数における利得が減少するようになる。しかしながら、ホットダイポール素子２１０の長さやアースダイポール素子２１１の長さに応じてインピーダンスが決まってしまうことから、アンテナ装置自体のインピーダンスがずれてしまい、ＶＳＷＲが劣化してしまうという問題点があった。 
そこで、本発明は利得を増減してもインピーダンス整合を行うことができるアンテナ装置を提供することを目的としている。 
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明のアンテナ装置は、細長い矩形状の絶縁性の基板と、前記基板に細長い線条に形成されているホットダイポール素子と、該ホットダイポール素子の両側にほぼ平行に配置されるように、前記基板に形成されている細長い線条の２本の無給電素子と、前記基板に前記ホットダイポール素子と端部が向かい合うように形成されているアースダイポール素子と、前記ホットダイポール素子の端部と前記アースダイポール素子の端部に給電する給電ケーブルとを備え、前記アースダイポール素子の長さを変えることにより、アンテナ利得を調整するようにしたことを最も主要な特徴としている。 
【発明の効果】
【０００９】
本発明のアンテナ装置では、アースダイポール素子の長さを調整することによりアンテナ利得の増減が行えるようになる。この場合に、ホットダイポール素子の長さや幅、無給電素子の長さ等を調整することにより、アンテナ装置自体のインピーダンスを調整することができ、アンテナ利得の調整を行っても動作周波数帯域を広帯域とすることができるようになる。 
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明にかかる概念的なアンテナ装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置の構成を示す正面図である。
【図３】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置の構成を示す側面図である。
【図４】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置の構成を示す背面図である。
【図５】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置の電圧定在波比（ＶＳＷＲ）の周波数特性を示す図である。
【図６】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置の垂直面のアンテナ放射パターンを示す図である。
【図７】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置の水平面のアンテナ放射パターンを示す図である。
【図８】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置のアースダイポール素子の長さを変えた際のアンテナ利得特性を示す図である。
【図９】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置のホットダイポール素子の幅を変えた際のインピーダンス特性を示す図である。
【図１０】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置のホットダイポール素子の幅を変えた際のＶＳＷＲ特性を示す図である。
【図１１】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置のホットダイポール素子と無給電素子との間隔を変えた際のインピーダンス特性を示す図である。
【図１２】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置のホットダイポール素子と無給電素子との間隔を変えた際のＶＳＷＲ特性を示す図である。
【図１３】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置の無給電素子の長さを変えた際のインピーダンス特性を示す図である。
【図１４】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置の無給電素子の長さを変えた際のＶＳＷＲ特性を示す図である。
【図１５】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置のホットダイポール素子の長さを変えた際のインピーダンス特性を示す図である。
【図１６】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置のホットダイポール素子の長さを変えた際のＶＳＷＲ特性を示す図である。
【図１７】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置のホットダイポール素子の上縁から無給電素子までの間隔を変えた際のインピーダンス特性を示す図である。
【図１８】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置のホットダイポール素子の上縁から無給電素子までの間隔を変えた際のＶＳＷＲ特性を示す図である。
【図１９】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置のホットダイポール素子の下辺と無給電素子の下辺との間隔を示す図である。
【図２０】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置のホットダイポール素子の下辺と無給電素子の下辺との間隔を変えた際のインピーダンス特性を示す図である。
【図２１】本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置のホットダイポール素子の下辺と無給電素子の下辺との間隔を変えた際のＶＳＷＲ特性を示す図である。
【図２２】本発明の第２実施例にかかるアンテナ装置の構成を示す正面図である。
【図２３】本発明の第２実施例にかかるアンテナ装置のアースダイポール素子の長さを変えた際のアンテナ利得特性を示す図である。
【図２４】本発明の第２実施例にかかるアンテナ装置の無給電素子の長さを変えた際のインピーダンス特性を示す図である。
【図２５】本発明の第２実施例にかかるアンテナ装置の無給電素子の長さを変えた際のＶＳＷＲ特性を示す図である。
【図２６】本発明の第２実施例にかかるアンテナ装置のホットダイポール素子の長さを変えた際のインピーダンス特性を示す図である。
【図２７】本発明の第２実施例にかかるアンテナ装置のホットダイポール素子の長さを変えた際のＶＳＷＲ特性を示す図である。
【図２８】本発明の第３実施例にかかるアンテナ装置の構成を示す正面図である。
【図２９】本発明の第４実施例にかかるアンテナ装置の構成を示す正面図である。
【図３０】本発明の第４実施例にかかるアンテナ装置の構成を示す背面図である。
【図３１】本発明の第５実施例にかかるアンテナ装置の構成を示す正面図である。
【図３２】本発明の第５実施例にかかるアンテナ装置の構成を示す背面図である。
【図３３】従来のアンテナ装置の構成示す正面図である。
【図３４】従来のアンテナ装置の構成示す背面図である。
【図３５】従来のアンテナ装置のＶＳＷＲの周波数特性を示す図である。
【図３６】従来のアンテナ装置の垂直面の放射パターンを示す図である。
【図３７】従来のアンテナ装置の水平面の放射パターンを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明にかかる概念的な実施例のアンテナ装置１００の構成を図１に示す。図１に示すアンテナ装置１００は、ダイポールアンテナとして動作するアンテナ装置とされており、細長い線条のホットダイポール素子１１０と、ホットダイポール素子１１０と端部が向かい合うように一軸上に配置された細長い線条のアースダイポール素子１１１とを備えている。ホットダイポール素子１１０の端部と、この端部に向かい合っているアースダイポール素子１１１の端部との間に給電部１１４が設けられて、給電部１１４からホットダイポール素子１１０およびアースダイポール素子１１１に給電されている。本発明にかかるアンテナ装置１００において特徴的な構成は、ホットダイポール素子１１０が囲まれるようにＵ字状の無給電素子１１２が設けられている構成とされている。無給電素子１１２は、ホットダイポール素子１１０の両側に近接して配置された２本のほぼ平行な素子と、この２本の素子の上端を短絡する素子とによりＵ字状に構成されている。このような構成とされた本発明のアンテナ装置１００において、アースダイポール素子１１１の長さを調整することにより、アンテナ装置１００のアンテナ利得を増減することができる。そして、ホットダイポール素子１１０の幅や長さ、あるいは、無給電素子１１２の長さを調整することにより、アンテナ装置１００のインピーダンスを調整することができる。従って、アースダイポール素子１１１の長さを調整することにより、アンテナ装置１００のアンテナ利得を増減しても、アンテナ装置１００のインピーダンス整合をとることができるようになる。 
【００１２】
次に、アンテナ装置１００を具現化した本発明の第１実施例のアンテナ装置１の構成を図２ないし図４に示す。なお、図２は本発明にかかるアンテナ装置１の構成を示す正面図であり、図３は本発明にかかるアンテナ装置１の構成を示す側面図であり、図４は本発明にかかるアンテナ装置１の構成を示す背面図である。 
これらの図に示すように、第１実施例のアンテナ装置１はガラスエポキシ基板等の高周波特性の良好な絶縁性の基板２０の表面と裏面とにプリントパターンとして形成された、ダイポールアンテナを構成するホットダイポール素子１０とアースダイポール素子１１とを備えている。この場合、基板２０は細長い矩形状とされており、基板２０の表面の一端から中央部にかけて細長い線条にホットダイポール素子１０が形成されており、基板２０の裏面の他端から中央部にかけてアースダイポール素子１１が形成されている。アースダイポール素子１１には切欠部１１ａが形成されており、アースダイポール素子１１は、基板２０の両側部に沿って形成された２本の細長い線条の素子と、２本の線条の素子の上部を短絡するよう形成された矩形状の素子とからなり、形状はＵ字状とされている。また、基板２０の表面には、ホットダイポール素子１０の下辺を除く３辺を囲むＵ字状の無給電素子１２のパターンが形成されている。無給電素子１２は、ホットダイポール素子１０の両側に近接して配置された２本のほぼ平行な素子と、この２本の素子の上端を短絡する素子とによりＵ字状に構成されている。 
【００１３】
さらに、基板２０の表面には、アースダイポール素子１１の上部の矩形状の素子と対面するよう矩形のアースランド２１のパターンが形成されている。このアースランド２１の両側部には２つのスルーホール２１ａが形成されており、この２つのスルーホール２１ａによりアースランド２１はアースダイポール素子１１に電気的に接続されている。このアースランド２１に給電用の同軸ケーブル２２のシールド部２２ｂがハンダ付け等により接続され、同軸ケーブル２２の芯線２２ａがホットダイポール素子１０の下端にハンダ付け等により接続されて給電部１４が構成されている。この給電部１４により、無線通信機器から同軸ケーブル２２を介してアンテナ装置１に給電されるようになる。同軸ケーブル２２は、アースダイポール素子１１における切欠部１１ａのほぼ中心軸上に配置されて、アースダイポール素子１１と同軸ケーブル２２とを離隔して電気的な結合を防止している。さらに、基板２０の表面に所定高さのスペーサ２３を載置して、このスペーサ２３上に同軸ケーブル２２を配置してさらなる電気的な結合を防止している。スペーサ２３は、スポンジ等の比誘電率が約１とされる発泡体等とするのが好適であるが、比誘電率が１以上であってもよい。 
【００１４】
図２ないし図４に示す第１実施例のアンテナ装置１の使用周波帯域を２．６ＧＨｚ帯とした場合の寸法の一例を次に説明する。 
基板２０の幅Ｗ１は約９．２ｍｍ、長さＬ１は約５６．９ｍｍ、厚さＨ１は約１．６ｍｍ、比誘電率εｒは約４．９とされ、基板２０の表面の一端側から形成されているホットダイポール素子１０の幅Ｗ３は約２．３ｍｍ、長さＬ３は約３０ｍｍとされる。基板２０の裏面の他端側から形成されているアースダイポール素子１１の幅はＷ２とされて約８．５ｍｍ、長さＬ４は約１５．３ｍｍ、二股状とされた２本の線条の素子の幅Ｄ３は約０．８ｍｍとされる。ホットダイポール素子１０を囲むように基板２０の表面に形成されているＵ字状の無給電素子の幅Ｗ２は約８．５ｍｍ、長さＬ２は約３６．９ｍｍ、ホットダイポール素子１０にほぼ平行な２本の素子の幅Ｄ１は約２．７ｍｍ、この平行な２本の素子の上部を短絡する素子の幅Ｄ２は約１．５ｍｍ、上記平行な２本の素子とホットダイポール素子１０との間隔Ｇ１は約０．３ｍｍとされる。基板２０の表面に形成されているアースランド２１の幅もＷ２（約８．５ｍｍ）とされ、長さＬ５は約３．８ｍｍとされる。ホットダイポール素子１０の下辺と無給電素子１２の下辺の位置は一致しており、これらの下辺とアースランド２１との間隔Ｇ２は約１．５ｍｍとされる。同軸ケーブル２２の外径は約１．３ｍｍとされ、スペーサ２３の高さＨ３は約１ｍｍ、長さＬ６が約１０ｍｍとされて、同軸ケーブル２２の上面から基板２０の裏面までのアンテナ装置１の高さＨ２は約５ｍｍとされる。 
【００１５】
上記寸法とされた本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置１の電圧定在波比（ＶＳＷＲ）の周波数特性を図５に示す。図５を参照すると、マーク２で示す２．６ＧＨｚの周波数とされた際にＶＳＷＲが最も小さくなり約１．１が得られている。また、共振の中心周波数はマーク３で示す約２．６９０ＧＨｚとなり、ＶＳＷＲが２．０以下の周波数帯域はマーク１で示す約２．４９５ＧＨｚないしマーク４で示す約２．８８５ＧＨｚの帯域が得られており、その比帯域は約１４．５％の広帯域が得られている。 
また、上記寸法とされた第１実施例のアンテナ装置１における垂直面のアンテナ放射パターンを図６に示す。動作周波数は２．６ＧＨｚとされている。図６においてアンテナ装置１は破線で示すように０・と１８０・を結ぶ線上に配置されており、図６に示すアンテナ放射パターンは０ｄＢに正規化されて、最大利得は約１．６ｄＢｉが得られている。図６を参照すると、アンテナ装置１の放射パターンは基板２０の横方向に強く放射され、基板２０の長手方向とされる０・方向および１８０・方向の放射レベルが小さくなっている。この場合、基板２０に平行な面における長手方向の偏波が放射され、この放射パターンにおける半値角は約１１０ｄｅｇが得られている。さらに、アンテナ装置１における水平面のアンテナ放射パターンを図７に示す。動作周波数は２．６ＧＨｚとされている。図７においてアンテナ装置１の短辺は破線で示すように９０・と２７０・を結ぶ線上に配置されており、アンテナ放射パターンは０ｄＢに正規化されて、最大利得は約１．０ｄＢｉ得られている。図７を参照すると、アンテナ装置１の水平面の放射パターンはほぼ無指向性とされて全方向に同様の放射レベルで放射されている。 
【００１６】
次に、本発明の第１実施例のアンテナ装置１において、アースダイポール素子１１の長さＬ４を変えた際の水平面のアンテナ利得特性を図８に示す。動作周波数は２．６ＧＨｚとされている。 
図８において、アースダイポール素子１１の長さＬ４は０．１λ〜０．３λまで変えられているが、このλは基板２０の比誘電率εｒによる波長短縮を受けた周波数２．６ＧＨｚの波長であり、２．６ＧＨｚの自由空間波長をλ\quote とした際に、下記の（１）式により算出される。 
λ＝λ\quote ／√（εｒ／２）                    （１） 
ここで、εｒは基板２０の比誘電率であり、（εｒ／２）としているのは、基板２０の片面にしかパターンが形成されていない（パターンは重ならないように形成されている）ことから、簡易的に比誘電率εｒの影響を１／２としているからである。そして、自由空間波長λ\quote が約１１５．３８ｍｍとなることから、基板２０における波長λは約７６．０８ｍｍとなる。以下の記載におけるλは、上記（１）式により算出されたλとされている。 
図８を参照すると、長さＬ４を長くするにつれてアンテナ利得が増大していくことが分かる。長さＬ４をマーク５で示す０．１８１λ（約１３．８ｍｍ）とした際に、水平面のアンテナ利得として＋１ｄＢｉが得られる。このように、アースダイポール素子１１の長さＬ４を変えることにより、アンテナ装置１のアンテナ利得を調整できることが分かる。 
【００１７】
次に、本発明の第１実施例のアンテナ装置１において、ホットダイポール素子１０の幅Ｗ３を変えた際のアンテナ装置１のインピーダンス特性を図９に示す。 
図９を参照すると、ホットダイポール素子１０の幅Ｗ３は０．００５λ〜０．０７５λまで変えられており、幅Ｗ３を変えていくとレジスタンス成分は約５０Ωでほぼ一定となる。また、リアクタンス成分は幅Ｗ３が０．００５λとされたときに約＋４０Ωとなるが、幅Ｗ３が太くなるにつれて小さくなっていき幅Ｗ３が０．０７５λとされた際に約−３７Ωとなる。幅Ｗ３がマーク６で示す約０．０２７λ（約２．１ｍｍ）とされた時に、アンテナ装置１のインピーダンスは約４９．５９−ｊ３．１８Ωとなる。このように、アンテナ装置１のインピーダンスをホットダイポール素子１０の幅Ｗ３を変えることにより調整できることが分かる。 
また、本発明の第１実施例のアンテナ装置１において、ホットダイポール素子１０の幅Ｗ３を０．００５λ〜０．０７５λまで変えた際のアンテナ装置１のＶＳＷＲ特性を図１０に示す。動作周波数は２．６ＧＨｚとされている。図１０を参照すると、ホットダイポール素子１０の幅Ｗ３を変えていくと、幅Ｗ３がマーク８で示す約０．０２７λ（約２．１ｍｍ）とされた際にＶＳＷＲが最も小さくなり約１．１が得られている。また、ＶＳＷＲが２．０以下の幅Ｗ３の範囲はマーク７で示す約０．００７λないしマーク９で示す約０．０６５λとされる。このように、ホットダイポール素子１０の幅Ｗ３を変えることによりアンテナ装置１のインピーダンス整合を行えることが分かる。 
【００１８】
次に、本発明の第１実施例のアンテナ装置１において、無給電素子１２におけるホットダイポール素子１０にほぼ平行な２本の素子とホットダイポール素子１０との間隔Ｇ１を変えた際のアンテナ装置１のインピーダンス特性を図１１に示す。 
図１１を参照すると、間隔Ｇ１は０．００λ〜０．０３５λまで変えられており、間隔Ｇ１を変えていくとレジスタンス成分は間隔Ｇ１が約０λとされた時に約＋６５Ωとなるが、間隔Ｇ１が大きくなるにつれて小さくなっていき間隔Ｇ１が０．０３５λとされた時に約+３３Ωとなる。また、リアクタンス成分は間隔Ｇ１が約０λとされたときに約−３７Ωとなるが、間隔Ｇ１が０．００２５λの前後とされた時に急激に大きくなる。そして、リアクタンス成分は間隔Ｇ１を約０．００３λ以上大きくしていくと約０Ωで一定となり、間隔Ｇ１を０．０３λ以上大きくしていくと次第に小さくなっていき間隔Ｇ１が０．０３５λとされた時に約−１１Ωとなる。間隔Ｇ１をマーク１０で示す約０．００４５λ（約０．３ｍｍ）とした時に、アンテナ装置１のインピーダンスは約４９．５９−ｊ３．１８Ωとなる。このように、アンテナ装置１のインピーダンスを無給電素子１２におけるホットダイポール素子１０にほぼ平行な２本の素子とホットダイポール素子１０との間隔Ｇ１を変えることにより調整できることが分かる。 
【００１９】
また、本発明の第１実施例のアンテナ装置１において、無給電素子１２におけるホットダイポール素子１０にほぼ平行な２本の素子とホットダイポール素子１０との間隔Ｇ１を０．００λ〜０．０３５λまで変えた際のアンテナ装置１のＶＳＷＲ特性を図１２に示す。動作周波数は２．６ＧＨｚとされている。図１２を参照すると、間隔Ｇ１を変えていき間隔Ｇ１がマーク１２で示す約０．００４５λ（約０．３ｍｍ）とされた際にＶＳＷＲが最も小さくなり約１．１が得られている。また、ＶＳＷＲが２．０以下の間隔Ｇ１の範囲はマーク１１で示す約０．００２λ以上とされ、間隔Ｇ１が０．０３５λとなってもＶＳＷＲは２．０以下が得られている。このように、無給電素子１２におけるホットダイポール素子１０にほぼ平行な２本の素子とホットダイポール素子１０との間隔Ｇ１を変えることによりアンテナ装置１のインピーダンス整合を行えることが分かる。 
【００２０】
次に、本発明の第１実施例のアンテナ装置１において、無給電素子１２の長さＬ２を変えた際のアンテナ装置１のインピーダンス特性を図１３に示す。 
図１３を参照すると、無給電素子１２の長さＬ２は０．３８λ〜０．５２λまで変えられており、長さＬ２を変えていくとレジスタンス成分は長さＬ２が０．３８λとされた時に約＋２７Ωとなるが、長さＬ２が大きくなるにつれて次第に大きくなっていき長さＬ２が０．４８λ付近において最大となり約＋６８Ωとなり、長さＬ２が０．５２λまではほぼ一定となる。また、リアクタンス成分は長さＬ２が０．３８λとされたときに約０Ωとなるが、長さＬ２が０．４２λ以上となると小さくなっていき、長さＬ２が０．５２λとされた時に約−４３Ωとなる。長さＬ２をマーク１３で示す約０．４３５λ（約３３．１ｍｍ）とした時に、アンテナ装置１のインピーダンスは約４９．５９−ｊ３．１８Ωとなる。このように、アンテナ装置１のインピーダンスを無給電素子１２の長さＬ２を変えることにより調整できることが分かる。 
【００２１】
また、本発明の第１実施例のアンテナ装置１において、無給電素子１２の長さＬ２を０．３８λ〜０．５２λまで変えた際のアンテナ装置１のＶＳＷＲ特性を図１４に示す。動作周波数は２．６ＧＨｚとされている。図１４を参照すると、長さＬ２を変えていき長さＬ２がマーク１４で示す約０．４３５λ（約３３．１ｍｍ）とされた際にＶＳＷＲが最も小さくなり約１．１が得られている。また、ＶＳＷＲが２．０以下の長さＬ２の範囲はマーク１５で示す約０．５λ以下とされ、長さＬ２が０．３８λとなってもＶＳＷＲは２．０以下が得られている。このように、無給電素子１２の長さＬ２を変えることによりアンテナ装置１のインピーダンス整合を行えることが分かる。 
【００２２】
次に、本発明の第１実施例のアンテナ装置１において、ホットダイポール素子１０の長さＬ３を変えた際のアンテナ装置１のインピーダンス特性を図１５に示す。 
図１５を参照すると、ホットダイポール素子１０の長さＬ３は０．２０λ〜０．４０λまで変えられており、長さＬ３を変えていくとレジスタンス成分は約５０Ωでほぼ一定となり、長さＬ３が約０．３８λを超えると若干小さくなっていく。また、リアクタンス成分は長さＬ３が０．２０λとされたときに約−４５Ωとなるが、長さＬ３が長くなるに従って次第に大きくなっていく。そして、長さＬ３が約０．３７λを超えた付近から急激に大きくなり、長さＬ３が０．４０λとされた際には+１００Ωを若干超えるようになる。長さＬ３をマーク１６で示す約０．３５４λ（約２６．９ｍｍ）とした時に、アンテナ装置１のインピーダンスは約４９．５９−ｊ３．１８Ωとなる。このように、アンテナ装置１のインピーダンスをホットダイポール素子１０の長さＬ３を変えることにより調整できることが分かる。 
【００２３】
また、本発明の第１実施例のアンテナ装置１において、ホットダイポール素子１０の長さＬ３を０．２０λ〜０．４０λまで変えた際のアンテナ装置１のＶＳＷＲ特性を図１６に示す。動作周波数は２．６ＧＨｚとされている。図１６を参照すると、長さＬ３を変えていき長さＬ３がマーク１８で示す約０．３５４λ（約２６．９ｍｍ）とされた際にＶＳＷＲが最も小さくなり約１．１が得られている。また、ＶＳＷＲが２．０以下の長さＬ３の範囲はマーク１７で示す約０．２５λないしマーク１９で示す約０．３８５λの範囲とされている。このように、ホットダイポール素子１０の長さＬ３を変えることによりアンテナ装置１のインピーダンス整合を行えることが分かる。 
【００２４】
次に、本発明の第１実施例のアンテナ装置１において、無給電素子１２における平行な２本の素子の上部を短絡する素子の幅Ｄ２を変えた際のアンテナ装置１のインピーダンス特性を図１７に示す。 
図１７を参照すると、２本の素子の上部を短絡する素子の幅Ｄ２は０．００λ〜０．０７λまで変えられており、幅Ｄ２を変えていくとレジスタンス成分は約５０Ωでほぼ一定となる。また、リアクタンス成分も約−３Ωで一定となる。幅Ｄ２がマーク２０で示す約０．０１８λ（約１．４ｍｍ）とされた時に、アンテナ装置１のインピーダンスは約４９．５９−ｊ３．１８Ωとなる。このように、２本の素子の上部を短絡する素子の幅Ｄ２を変えてもアンテナ装置１のインピーダンスはほぼ変わらないことが分かる。 
また、本発明の第１実施例のアンテナ装置１において、無給電素子１２における平行な２本の素子の上部を短絡する素子の幅Ｄ２を０．００λ〜０．０７λまで変えた際のアンテナ装置１のＶＳＷＲ特性を図１８に示す。動作周波数は２．６ＧＨｚとされている。図１８を参照すると、２本の素子の上部を短絡する素子の幅Ｄ２を変えていっても、ＶＳＷＲが約１．１で一定となり、幅Ｄ２がマーク２１で示す約０．０１８λ（約１．４ｍｍ）とされた時のＶＳＷＲも約１．１が得られている。このように、無給電素子１２における２本の素子の上部を短絡する素子の幅Ｄ２は、アンテナ装置１のインピーダンス整合には関係していないことが分かる。 
【００２５】
次に、本発明の第１実施例のアンテナ装置１において、本発明の第１実施例にかかるアンテナ装置１のホットダイポール素子１０の下辺と無給電素子１２の下辺との間隔Ｇ３を変えた際のアンテナ装置１の電気的特性を図２０，図２１に示す。間隔Ｇ３を図１９を参照して説明すると、図１９に示すように、ホットダイポール素子１０の下辺は無給電素子１２の下辺よりアースランド２１側へ突出しており、この突出量が間隔Ｇ３とされている。突出量は負とすることもできる。 
図２０に、間隔Ｇ３を−０．０２λ〜０．１０λまで変えた際の本発明の第１実施例のアンテナ装置１のインピーダンス特性を示す。図２０を参照すると、間隔Ｇ３を変えていくとレジスタンス成分は間隔Ｇ３が約−０．０１８λとされた際に約９Ωとなり、０λまでは間隔Ｇ３が大きくなるにつれて増大する。そして、間隔Ｇ３が０λを超えていくと緩やかに大きくなっていき、間隔Ｇ３が０．１０λとなった際に約８２オームとなる。また、リアクタンス成分は間隔Ｇ３が−０．０２λから−０．０１λ付近までは急激に減少するが、以降はほぼ０オーム一定となる。そして、間隔Ｇ３が０．０１λまでは若干減少するが、それ以降は緩やかに上昇し間隔Ｇ３が約０．０４λにおいて約０オームとなる。以降はゆるやかに大きくなって間隔Ｇ３が０．１０λとなった時には約＋１２Ωとなる。間隔Ｇ３をマーク２２で示す約０λ（０ｍｍ）とした時に、アンテナ装置１のインピーダンスは約４９．５９−ｊ３．１８Ωとなる。このように、アンテナ装置１のインピーダンスをホットダイポール素子１０の下辺と無給電素子１２の下辺との間隔Ｇ３を変えることにより調整できることが分かる。 
【００２６】
また、本発明の第１実施例のアンテナ装置１において、ホットダイポール素子１０の下辺と無給電素子１２の下辺との間隔Ｇ３を−０．０２λ〜０．１０λまで変えた際のアンテナ装置１のＶＳＷＲ特性を図２１に示す。動作周波数は２．６ＧＨｚとされている。図２１を参照すると、間隔Ｇ３を変えていき約−０．０１２以下とするとＶＳＷＲは急激に劣化する。間隔Ｇ３がマーク２４で示す約０λ（０ｍｍ）とされた際にＶＳＷＲが最も小さくなり約１．１が得られている。また、ＶＳＷＲが２．０以下の間隔Ｇ３の範囲はマーク２３で示す約−０．０１２λ以上とされ、間隔Ｇ３が０．１０λとされてもＶＳＷＲは２以下が得られている。このように、ホットダイポール素子１０の下辺と無給電素子１２の下辺との間隔Ｇ３を変えることによりアンテナ装置１のインピーダンス整合を行えることが分かる。 
【００２７】
次に、アンテナ装置１００を具現化した本発明の第２実施例のアンテナ装置２の構成を図２２に示す。なお、図２２は本発明にかかる第２実施例のアンテナ装置２の構成を示す正面図である。 
この図に示すように、第２実施例のアンテナ装置２は、第１実施例のアンテナ装置１における無給電素子１２の構成を変更したアンテナ装置２とされている。すなわち、第２実施例のアンテナ装置２では、ホットダイポール素子１０の両側に近接して配置された２本のほぼ平行な素子からなる無給電素子１２'を備えている。この無給電素子１２'は、基板２０の表面にプリントパターンにより形成されている。アンテナ装置２における無給電素子１２'以外の構成は第１実施例のアンテナ装置１と同様とされているので、その説明は省略する。第２実施例のアンテナ装置２において、無給電素子１２'の２本の素子の上端を短絡する素子を省略した場合は、上記した図１７および図１８の電気的特性において幅Ｄ２を０λとした場合となり、２本の素子の上端を短絡する素子を省略できることがわかる。そして、第２実施例のアンテナ装置２は無給電素子１２'の２本の素子の上端を短絡する素子を省略していることから、その素子分だけアンテナ装置２を短縮化することができる。 
【００２８】
次に、本発明の第２実施例のアンテナ装置２において、アースダイポール素子１１の長さＬ１４を変えた際の水平面のアンテナ利得特性を図２３に示す。動作周波数は２．６ＧＨｚとされている。 
図２３において、アースダイポール素子１１の長さＬ１４は０．１λ〜０．３λまで変えられている。このλは、上記（１）式により算出されるλとされている。図２３を参照すると、長さＬ１４を長くするにつれてアンテナ利得が増大していくことが分かる。長さＬ１４をマーク２５で示す０．１８１λ（約１３．８ｍｍ）とした際に、水平面のアンテナ利得として＋１ｄＢｉが得られる。このように、アースダイポール素子１１の長さＬ１４を変えることにより、第２実施例のアンテナ装置２においてもアンテナ利得を調整できることが分かる。 
【００２９】
次に、本発明の第２実施例のアンテナ装置２において、無給電素子１２'の長さＬ１２を変えた際のアンテナ装置２のインピーダンス特性を図２４に示す。 
図２４を参照すると、無給電素子１２'の長さＬ１２は０．３４λ〜０．５２λまで変えられており、長さＬ１２を変えていくとレジスタンス成分は長さＬ１２が０．３４λとされた時に約＋２１Ωとなるが、長さＬ１２が大きくなるにつれて次第に大きくなっていき長さＬ１２が０．５０λ付近において最大となり約＋７０Ωとなる。さらに長さＬ１２が長くなると次第に小さくなり、長さＬ１２が０．５２λとされた時に約＋６８Ωとなる。また、リアクタンス成分は長さＬ１２が０．３４λとされたときに約−５Ωとなるが、長さＬ１２が０．４２λ付近までは約０Ω一定となる。長さＬ１２が０．４２λを超えていくとリアクタンス成分は次第に小さくなっていき、長さＬ１２が０．５２λとされた時に約−４２Ωとなる。長さＬ１２をマーク２６で示す約０．４３５λ（約３３．１ｍｍ）とした時に、アンテナ装置１のインピーダンスは約４８．６４−ｊ２．７７Ωとなる。このように、アンテナ装置２のインピーダンスを無給電素子１２'の長さＬ１２を変えることにより調整できることが分かる。 
【００３０】
また、本発明の第２実施例のアンテナ装置２において、無給電素子１２'の長さＬ１２を０．３４λ〜０．５２λまで変えた際のアンテナ装置２のＶＳＷＲ特性を図２５に示す。動作周波数は２．６ＧＨｚとされている。図２５を参照すると、長さＬ１２を変えていき長さＬ１２がマーク２８で示す約０．４３５λ（約３３．１ｍｍ）とされた際にＶＳＷＲが最も小さくなり約１．１が得られている。また、ＶＳＷＲが２．０以下の長さＬ１２の範囲はマーク２７で示す約０．３７５λないしマーク２９で示す０．５λの範囲とされている。このように、無給電素子１２'の長さＬ１２を変えることによりアンテナ装置２のインピーダンス整合を行えることが分かる。 
【００３１】
次に、本発明の第２実施例のアンテナ装置２において、ホットダイポール素子１０の長さＬ１３を変えた際のアンテナ装置２のインピーダンス特性を図２６に示す。 
図２６を参照すると、ホットダイポール素子１０の長さＬ１３は０．２０λ〜０．４０λまで変えられており、長さＬ１３を変えていくとレジスタンス成分は約５０Ωでほぼ一定となり、長さＬ１３が約０．３５λを超えると緩やかに減少する。また、リアクタンス成分は長さＬ１３が０．２０λとされたときに約−４５Ωとなるが、長さＬ１３が長くなるに従って次第に大きくなっていく。そして、長さＬ１３が約０．３７λを超えた付近から急激に大きくなり、長さＬ１３が０．４０λとされた際には約+１００Ωになる。長さＬ１３をマーク３０で示す約０．３５４λ（約２６．９ｍｍ）とした時に、アンテナ装置２のインピーダンスは約４８．６４−ｊ２．７７Ωとなる。このように、アンテナ装置２のインピーダンスをホットダイポール素子１０の長さＬ１３を変えることにより調整できることが分かる。 
【００３２】
また、本発明の第２実施例のアンテナ装置２において、ホットダイポール素子１０の長さＬ１３を０．２０λ〜０．４０λまで変えた際のアンテナ装置２のＶＳＷＲ特性を図２７に示す。動作周波数は２．６ＧＨｚとされている。図２７を参照すると、長さＬ１３を変えていき長さＬ１３がマーク３２で示す約０．３５４λ（約２６．９ｍｍ）とされた際にＶＳＷＲが最も小さくなり約１．１が得られている。また、ＶＳＷＲが２．０以下の長さＬ１３の範囲はマーク３１で示す約０．２５λないしマーク３３で示す約０．３８５λの範囲とされている。このように、ホットダイポール素子１０の長さＬ１３を変えることによりアンテナ装置２のインピーダンス整合を行えることが分かる。 
【００３３】
次に、アンテナ装置１００を具現化した本発明の第３実施例のアンテナ装置３の構成を図２８に示す。なお、図２８は本発明にかかる第３実施例のアンテナ装置３の構成を示す正面図である。 
この図に示すように、第３実施例のアンテナ装置３は、第１実施例のアンテナ装置１におけるアースダイポール素子１１を基板２０の表面に形成するようにして、アースランド２１およびスルーホール２１ａを省略したアンテナ装置３とされている。すなわち、ホットダイポール素子１０、無給電素子１２およびアースダイポール素子１１'は基板２０の表面に形成されており、アースダイポール素子１１'の上部の矩形状の素子に給電用の同軸ケーブル２２のシールド部２２ｂがハンダ付け等により接続され、同軸ケーブル２２の芯線２２ａがホットダイポール素子１０の下端にハンダ付け等により接続されて給電部１４が構成されている。このアースダイポール素子１１'は、基板２０の表面にプリントパターンにより形成されている。第３実施例のアンテナ装置３におけるその他の構成は第１実施例のアンテナ装置１と同様とされているので、その説明は省略する。 
なお、第３実施例のアンテナ装置３において同軸ケーブル２２は、アースダイポール素子１１'の切欠部１１ａ'のほぼ中心軸に沿って導出されている。この場合、同軸ケーブル２２とアースダイポール素子１１'の電気的結合の影響が小さい場合は、スペーサ２３を省略するようにしても良い。このようにすると、アンテナ装置３をより薄型化することができる。 
【００３４】
次に、本発明の第４実施例のアンテナ装置４の構成を図２９および図３０に示す。なお、図２９は本発明にかかるアンテナ装置４の構成を示す正面図であり、図３０は本発明にかかるアンテナ装置４の構成を示す背面図である。 
これらの図に示すように、第４実施例のアンテナ装置４は、第１実施例のアンテナ装置１における同軸ケーブル２２に替えてストリップライン４２からなるストリップ線路を用いている。基板２０の表面に形成されているホットダイポール素子４０は、中途から幅が狭くされて伝送ライン４１が形成されており、この伝送ライン４１の下端からストリップライン４２が延伸されるように基板２０の表面に形成されている。ストリップライン４２に基板２０を介して対面するように、アースダイポール素子４３の中央部にアース部４３ａが形成されている。図３０に示すように、アースダイポール素子４３はアース部４３ａを含む３本のほぼ平行な所定幅の線条の素子と、３本の線条の素子の上端を短絡する矩形状の素子とにより形成されている。この場合、２本のアースダイポール素子４３の中央に形成されたアース部４３ａとの間にそれぞれ切欠部４３ｂが形成されるようになる。 
【００３５】
ストリップライン４２にアース部４３ａが基板２０を介して対面して配置されることにより、ストリップ線路として機能するようになる。また、ホットダイポール素子４０および伝送ライン４１を囲むようにＵ字状の無給電素子１２が、基板２０の表面に形成されている。このように、同軸ケーブル２２に替えてストリップ線路を用いる構成とすることにより、第４実施例のアンテナ装置４では厚みを基板２０の厚みとほぼ同様とすることができ、より薄く構成することができるようになる。以上説明した構成を除く第４実施例のアンテナ装置４の構成および寸法は、第１実施例のアンテナ装置１の構成および寸法と同様とされているのでその説明は省略する。 
【００３６】
次に、本発明の第５実施例のアンテナ装置５の構成を図３１および図３２に示す。なお、図３１は本発明にかかるアンテナ装置５の構成を示す正面図であり、図３２は本発明にかかるアンテナ装置５の構成を示す背面図である。 
これらの図に示すように、第５実施例のアンテナ装置５は、第４実施例のアンテナ装置４のストリップ線路に替えてコプレーナライン４４を用いている。基板２０の表面に形成されているホットダイポール素子４０は、中途から幅が狭くされて伝送ライン４１が形成されており、この伝送ライン４１の下端から基板２０の下端までさらに伝送ライン４１が延伸されるように基板２０の表面に形成されている。伝送ライン４１の延伸された部分の両脇に平行して細長い一対のアースライン４５が基板２０の表面に形成されている。一対のアースライン４５の上端と下端とにスルーホール４５ａがそれぞれ形成されており、スルーホール４５ａにより基板２０の裏面に形成されているアースダイポール素子４３のアース部４３ａと電気的に接続されている。図３２に示すように、アースダイポール素子４３はアース部４３ａを含む３本のほぼ平行な所定幅の線条の素子と、３本の線条の素子の上端を短絡する矩形状の素子とにより形成されている。この場合、２本のアースダイポール素子４３の中央に形成されたアース部４３ａとの間にそれぞれ切欠部４３ｂが形成されるようになる。 
【００３７】
伝送ライン４１の延伸された部分の両脇に平行して細長い一対のアースライン４５が配置されることにより、コプレーナライン４４として機能するようになる。また、ホットダイポール素子４０および伝送ライン４１を囲むようにＵ字状の無給電素子１２が、基板２０の表面に形成されている。このように、同軸ケーブル２２に替えてコプレーナライン４４を用いる構成とすることにより、第５実施例のアンテナ装置５では厚みを基板２０の厚みとほぼ同様とすることができ、より薄く構成することができるようになる。以上説明した構成を除く第５実施例のアンテナ装置５の構成および寸法は、第１実施例のアンテナ装置１の構成および寸法と同様とされているのでその説明は省略する。 
【００３８】
以上説明した本発明の第２実施例のアンテナ装置２ないし第５実施例のアンテナ装置５は、第１実施例のアンテナ装置１が示す電気的特性とほぼ同様の電気的特性を示すようになる。 
本発明の第１実施例のアンテナ装置１ないし第５実施例のアンテナ装置５においては、アースダイポール素子の長さを調整することによりアンテナ利得の増減が行えるようになると共に、ホットダイポール素子の長さや幅、無給電素子の長さ等を調整することにより、アンテナ装置自体のインピーダンスを調整することができ、アンテナ利得の調整を行っても動作周波数帯域を広帯域とすることができるようになる。 
【産業上の利用可能性】
【００３９】
以上説明した本発明のアンテナ装置の形状や寸法は、一例であって上記した以外の形状や寸法としても良い。また、同軸ケーブルは、セミリジットケーブル、セミフレキシブルケーブル、フレキシブルケーブルなどのケーブルを使用することができ、その特性インピーダンスは７５Ω、あるいは、他の特性インピーダンスとすることができる。さらに、ホットダイポール素子およびアースダイポール素子が形成されている基板の比誘電率は４．９以外の誘電率とすることができ、ホットダイポール素子およびアースダイポール素子をミアンダ状に形成してアンテナ装置をより小型化することもできる。さらにまた、アンテナ装置の動作周波数帯域を２．６ＧＨｚ帯以外の周波数帯域とすることができる。 
【符号の説明】
【００４０】
１，２，３，４，５  アンテナ装置、１０  ホットダイポール素子、１１，１１'  アースダイポール素子、１１ａ  切欠部、１２，１２'  無給電素子、１４  給電部、２０，２０'  基板、２０ｂ  矩形孔、２１  アースランド、２１ａ  スルーホール、２２  同軸ケーブル、２２ａ  芯線、２２ｂ  シールド部、２３  スペーサ、４０  ホットダイポール素子、４１  伝送ライン、４２  ストリップライン、４３  アースダイポール素子、４３ａ  アース部、４３ｂ  切欠部、４４  コプレーナライン、４５  アースライン、４５ａ  スルーホール、１００  アンテナ装置、１１０  ホットダイポール素子、１１１  アースダイポール素子、１１２  無給電素子、１１４  給電部、２００  アンテナ装置、２１０  ホットダイポール素子、２１１  アースダイポール素子、２１２  給電部、２２０  基板、２２１  アースランド、２２１ａ  スルーホール、２２２  同軸ケーブル、２２２ａ  中心導体、２２２ｂ  シールド部、２２３  スペーサ 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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