(57)【要約】【課題】軽負荷時での「出力動作」のためのスイッチの定格電圧超えを防止する。【解決手段】充電されたコンデンサＣ１を昇圧動作用スイッチ回路３１を介して電源電圧ＶＤＤに直列接続して電源電圧ＶＤＤをコンデンサＣ１の充電電圧で昇圧し、その昇圧電圧をスイッチＳＷ４を介して出力して電源電圧ＶＤＤと充電電圧との和の電圧より低い電圧を出力電圧Ｖoutとして出力する昇圧電源回路２であって、コンデンサＣ１の高電位側電位を検知するためのコンパレータＣＯＭ３を有するとともに、昇圧動作用スイッチ回路３１が抵抗Ｒ３１を有し、「昇圧動作」＋「出力動作」において、コンパレータＣＯＭ３がスイッチＳＷ４の定格電圧より所定値低い検知電圧を検知したとき、前記直列接続を抵抗Ｒ３１を介して行う。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
充電された昇圧用コンデンサと直流電源とを昇圧動作用スイッチを介して直列接続して昇圧電圧を生成し、
前記昇圧電圧を出力動作用スイッチを介して平滑用コンデンサに充電する昇圧電源回路において、
前記昇圧動作用スイッチが、複数の並列接続されたスイッチ群から構成され、
前記スイッチ群のうち少なくとも１つのスイッチは独立に制御することができることを特徴とする昇圧電源回路。
【請求項２】
前記昇圧動作用スイッチが、少なくとも１つはオン抵抗値の異なる複数のスイッチの並列接続で構成されることを特徴とする
請求項１に記載の昇圧電源回路。
【請求項３】
前記平滑用コンデンサの電圧を測定する手段を有し、
前記測定電圧に応じて前記昇圧動作用スイッチを制御して、
前記昇圧用コンデンサの充電電圧と前記直流電源の電圧との和より小さい電圧を出力する
請求項１又は請求項２に記載の昇圧電源回路。
【請求項４】
前記測定電圧が一定の電圧値より大きくなったことを検知した場合に、
前記昇圧動作用スイッチを制御して、前記昇圧動作用スイッチの抵抗値が大きくなるようにしたことを特徴とする
請求項３に記載の昇圧電源回路。
【請求項５】
昇圧用コンデンサと、
第１の電圧と前記第１の電圧より低い第２の電圧との間の第１の経路に昇圧用コンデンサを接続することで前記コンデンサを充電する充電動作と、充電された前記コンデンサの低電位側の接続先を前記第２の電圧から前記第１の電圧又は前記第１の電圧より高電位の第３の電圧に変更することで前記コンデンサの高電位側に昇圧電圧を生成する昇圧動作とを切り替える制御回路と、
を備え、
前記制御回路は、前記昇圧動作を行う際に、前記コンデンサの低電位側と前記第１又は第３の電位とを接続する昇圧経路の抵抗を、前記コンデンサの高電位側電圧に応じて変更する、
昇圧電源回路。
【請求項６】
前記制御回路は、前記高電位側電圧が予め定められた基準値より大きい場合に、前記高電位側電圧が前記基準値より小さい場合に比べて前記昇圧経路の抵抗を大きくする、請求項５に記載の昇圧電源回路。
【請求項７】
前記コンデンサの低電位側と前記第１又は第３の電圧との間を選択的に接続可能な第１の経路と、
前記コンデンサの低電位側と前記第１又は第３の電圧との間を選択的に接続可能であり、前記第１の経路より抵抗の大きい第２の経路と、
をさらに備え、
前記制御回路は、前記高電位側電圧が前記基準値より小さい場合に前記第１の経路を選択し、前記高電位側電圧が前記基準値より大きい場合に前記第２の経路を選択する、請求項６に記載の昇圧電源回路。
【請求項８】
前記コンデンサの低電位側と前記第１又は第３の電圧との間を選択的に接続する第１のスイッチ素子を含む第１の経路と、
前記コンデンサの低電位側と前記第１又は第３の電圧との間を選択的に接続する第２のスイッチ素子を含むとともに、前記第１の経路より抵抗の大きい第２の経路と、
をさらに備え、
前記制御回路は、前記第１及び第２のスイッチ素子を独立に制御可能である、請求項５又は６に記載の昇圧電源回路。
【請求項９】
前記制御回路は、
前記高電位側電圧が予め定められた基準値より小さい場合に、少なくとも前記第１のスイッチ素子をオンさせ、
前記高電位側電圧が前記基準値より大きい場合に、前記第１のスイッチ素子をオフさせるとともに、前記第２のスイッチ素子をオンさせる、
請求項８に記載の昇圧電源回路。
【請求項１０】
前記第１及び第２のスイッチ素子はＭＯＳトランジスタであり、前記第１及び第２の経路の抵抗差は、前記第１及び第２のスイッチ素子のオン抵抗の差によってもたらされる、請求項８又は９に記載の昇圧電源回路。
【請求項１１】
前記昇圧経路に配置された可変抵抗をさらに備え、
前記制御回路は、前記高電位側電圧に応じて前記可変抵抗の抵抗値を変更する、
請求項５又は６に記載の昇圧電源回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はチャージポンプ型の昇圧電源回路に関し、特にチャージポンプ出力を目標電圧に負帰還制御する機能を有する昇圧電源回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）などの携帯情報機器は、通常、情報を表示する表示パネルと、半導体集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）で構成される表示パネルを駆動する回路（ドライバＩＣ）とを備えている。携帯情報機器は、外部電源として比較的低い電圧のバッテリが用いられるが、表示パネルは、通常、バッテリ電圧よりも高い駆動電圧を必要とする。この必要な駆動電圧を生成するために、ドライバＩＣにおいては、バッテリ電圧を昇圧する電源回路を内蔵させていることが一般的である。
【０００３】
係る電源回路の一例が特許文献１に示されている。この電源回路１はチャージポンプ型で、図１に示すように、チャージポンプ１０とレギュレータ２０とを備えている。これにより電源回路１は、チャージポンプ１０の昇圧動作をさせるクロック信号ＣＬＫ１のパルスを、レギュレータ２０によりチャージポンプ１０の出力電圧Ｖoutに応じてスキップさせて、電源電圧ＶＤＤを所望の電圧値に昇圧した電圧（目標電圧）をチャージポンプ１０から出力させる。
【０００４】
チャージポンプ１０は、スイッチＳＷ１〜ＳＷ３，ＳＷ４ａ，ＳＷ４ｂ、抵抗Ｒ３、昇圧コンデンサＣ１および平滑コンデンサＣ２を有している。スイッチＳＷ１〜ＳＷ３，ＳＷ４ａ，ＳＷ４ｂはレギュレータ２０からの信号に基づいてそれぞれ制御される。チャージポンプ１０は、スイッチＳＷ１，ＳＷ２により、昇圧コンデンサＣ１に電源電圧ＶＤＤを印加して充電する（「充電動作」）。チャージポンプ１０は、スイッチＳＷ３により、充電された昇圧コンデンサＣ１の低電位側に電源電圧ＶＤＤを印加して電源電圧ＶＤＤを昇圧コンデンサＣ１の充電電圧で昇圧する（「昇圧動作」）。チャージポンプ１０は、スイッチＳＷ４ａまたは抵抗Ｒ３を介したスイッチＳＷ４ｂにより、平滑コンデンサＣ２に昇圧電圧を印加して昇圧電圧を平滑化するとともに、出力電圧Ｖoutとして負荷回路（図示せず）に供給する（「出力動作」）。「昇圧動作」と「出力動作」とは同時に行われる。「充電動作」と「昇圧動作」および「出力動作」とは相補的に行われる。
【０００５】
レギュレータ２０は、分圧回路２１、コンパレータ２２，２３およびＡＮＤ回路２４を有している。分圧回路２１は、チャージポンプ１０からの出力電圧Ｖoutを分圧する抵抗Ｒ１，Ｒ２を有し、抵抗Ｒ１，Ｒ２の分圧点Ｐ１から分圧電圧Ｖｄ１をコンパレータ２２に出力する。さらに、抵抗Ｒ１は、抵抗Ｒ１ａ，Ｒ１ｂに分割され、抵抗Ｒ１ａ，Ｒ１ｂの分圧点Ｐ２から分圧電圧Ｖｄ２をコンパレータ２３に出力する。コンパレータ２２，２３は、分圧電圧Ｖｄ１，Ｖｄ２を基準電圧Ｖrefと比較し、比較結果ＣＰＳ１をＡＮＤ回路２４および比較結果ＣＰＳ２をチャージポンプ１０に出力する。コンパレータ２２は、比較結果ＣＰＳ１が"Ｈ"レベルから"Ｌ"レベルになったとき、目標電圧を検知する。コンパレータ２３は、比較結果ＣＰＳ２が"Ｈ"レベルから"Ｌ"レベルになったとき、目標電圧より所定値低い電圧を検知する。ＡＮＤ回路２４は、クロック信号ＣＬＫ１を比較結果ＣＰＳ１と論理積し、クロック信号ＣＬＫ２としてチャージポンプ１０に出力する。
【０００６】
チャージポンプ１０は、クロック信号ＣＬＫ２および比較結果ＣＰＳ２の入力によりスイッチＳＷ１〜ＳＷ３，ＳＷ４ａ，ＳＷ４ｂが制御される。スイッチＳＷ１，ＳＷ２とスイッチＳＷ３とは、クロック信号ＣＬＫ２の入力により相補的にオン／オフ制御される。スイッチＳＷ４ａ，ＳＷ４ｂは、"Ｈ"レベルのクロック信号ＣＬＫ２の入力のとき、比較結果ＣＰＳ２の入力により相補的にオン／オフ制御され、"Ｌ"レベルのクロック信号ＣＬＫ２の入力のとき、オフ制御される。
【０００７】
上記構成により電源回路１は、「出力動作」を、出力電圧Ｖoutがコンパレータ２３で検知される検知電圧より低いときスイッチＳＷ４ａにより行い、コンパレータ２３で検知される検知電圧以上のときスイッチＳＷ４ｂにより抵抗Ｒ３を介して行うようにしている。その結果、目標電圧に到達する直前での平滑コンデンサＣ２への充電カーブが緩やかとなり出力電圧のオーバーシュートおよびリップルを低減させることができる構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−２０２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上述の電源回路１は、軽負荷時での出力電圧のオーバーシュートおよびリップルを低減させることができるようにしているが、以下の問題がある。通常、電源回路１の「出力動作」を行うスイッチＳＷ４ａ，ＳＷ４ｂの定格電圧は、出力電圧Ｖoutより高く設計されている。言い換えると、出力電圧Ｖoutの目標電圧はスイッチＳＷ４ａ，ＳＷ４ｂの定格電圧より低い電圧に設定される。しかしながら、「充電動作」からスイッチ３およびスイッチＳＷ４ａまたはスイッチＳＷ４ｂがオンして「昇圧動作」および「出力動作」に入った瞬間、昇圧コンデンサＣ１の高電位側の電位がスイッチＳＷ４ａまたはスイッチＳＷ４ｂのオン抵抗により電源電圧ＶＤＤ＋昇圧コンデンサＣ１の充電電圧に持ち上げられる。スイッチＳＷ４ａ，ＳＷ４ｂがＰチャネル型ＭＯＳトランジスタで構成される場合、そのときのＭＯＳトランジスタのゲート電位は接地電位に制御される。そのため、スイッチＳＷ４ａおよびスイッチＳＷ４ｂを構成するＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間電圧の定格電圧の設計によっては、特に軽負荷時の場合、コンパレータ２２がクロック信号ＣＬＫ１をスキップするまでの間、そのＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間電圧が定格電圧を超えるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の態様は、充電された昇圧用コンデンサと直流電源とを昇圧動作用スイッチを介して直列接続して昇圧電圧を生成し、前記昇圧電圧を出力動作用スイッチを介して平滑用コンデンサに充電する昇圧電源回路において、前記昇圧動作用スイッチが、複数の並列接続されたスイッチ群から構成され、前記スイッチ群のうち少なくとも１つのスイッチは独立に制御することができることを特徴とする昇圧電源回路である。
このような構成によれば、充電された昇圧用コンデンサを昇圧動作用スイッチ回路を介して直流電源電圧に直列接続し、直流電源電圧を昇圧用コンデンサの充電電圧で昇圧する「昇圧動作」において、昇圧用コンデンサの高電位側の電位上昇カーブを緩やかにすることができる。
【００１１】
また、本発明の第２の態様は、昇圧用コンデンサと、第１の電圧と前記第１の電圧より低い第２の電圧との間に昇圧用コンデンサを接続することで前記コンデンサを充電する充電動作と、前記第１の経路で充電された前記コンデンサの低電位側の接続先を前記第２の電圧から前記第１の電圧又は前記第１の電圧より高電位の第３の電圧に変更することで前記コンデンサの高電位側に昇圧電圧を生成する昇圧動作とを切り替える制御回路とを備え、前記制御回路は、前記昇圧動作を行う際に、前記コンデンサの低電位側と前記第１又は第３の電位とを接続する昇圧経路の抵抗を、前記コンデンサの高電位側電圧に応じて変更する、昇圧電源回路である。
このような構成によれば、例えば、前記コンデンサの高電位側電圧が予め定められた基準値より大きい場合に、前記高電位側電圧が前記基準値より小さい場合に比べて前記昇圧経路の抵抗を大きくすることで、昇圧用コンデンサの高電位側の電位上昇カーブを緩やかにすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、出力動作用スイッチを介して直流電源電圧と充電電圧との和の電圧より低い電圧を出力する「出力動作」のための出力動作用スイッチに、定格電圧を超える電圧がかかるのを防止する昇圧電源回路を提供することができる。その結果、チャージポンプを構成するスイッチ素子の劣化を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】従来の電源回路１の回路図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る電源回路２の回路図である。
【図３】図２に示す電源回路２の動作を示す信号波形図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る電源回路３の回路図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る電源回路４の回路図である。
【図６】図５に示す電源回路４の動作を示す信号波形図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
第１の実施の形態．
以下、図面を参照しながら、本実施の形態の昇圧電源回路の実施の形態につき詳細に説明する。本発明の昇圧電源回路は、例えば、表示パネルを駆動するドライバＩＣ等のＩＣチップ内に他の機能ブロックとともに内蔵される。図２は、本発明の第１の実施形態に係る電源回路２の回路図である。電源回路２はチャージポンプ型で、チャージポンプ３０とレギュレータ４０とを具備し、電源電圧ＶＤＤを所望の昇圧電圧（目標電圧）にして出力電圧Ｖoutとして負荷回路（図示せず）に供給する。
【００１５】
チャージポンプ３０は、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３ａ，ＳＷ３ｂ，ＳＷ４、抵抗Ｒ３１、昇圧コンデンサＣ１および平滑コンデンサＣ２を有している。スイッチＳＷ１は電源端子ＶＤＤと接続ノードＮｐとの間に接続されている。スイッチＳＷ２は接続ノードＮｍと接地端子Ｇｎｄとの間に接続されている。スイッチＳＷ３ａ，ＳＷ３ｂと抵抗Ｒ３１とで昇圧動作用スイッチ回路３１を構成している。昇圧動作用スイッチ回路３１は、スイッチＳＷ３ａと抵抗Ｒ３１を介したスイッチＳＷ３ｂとが並列接続されて、電源端子ＶＤＤと接続ノードＮｍとの間に接続されている。スイッチＳＷ４は接続ノードＮｐと出力ノードＮｏとの間に接続されている。昇圧コンデンサＣ１は接続ノードＮｐと接続ノードＮｍとの間に接続されている。平滑コンデンサＣ２は出力ノードＮｏと接地端子Ｇｎｄとの間に接続されている。スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３ａ，ＳＷ３ｂ，ＳＷ４は、ＭＯＳトランジスタで構成される。抵抗Ｒ３１は、スイッチＳＷ３ｂのオン抵抗を用いることもできる。この場合、スイッチＳＷ３ｂのオン抵抗をスイッチＳＷ３ａのオン抵抗より大きくなるように設定すればよい。昇圧コンデンサＣ１および平滑コンデンサＣ２は、ＩＣチップの外付け部品として接続される。
【００１６】
スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３ａ，ＳＷ３ｂ，ＳＷ４は、レギュレータ４０からの制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４に基づいてそれぞれ制御される。スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３ａ，ＳＷ３ｂ，ＳＷ４は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４が"Ｈ"レベルのときオンし"Ｌ"レベルのときオフする。チャージポンプ３０は、スイッチＳＷ１，ＳＷ２をオン、ＳＷ３ａ，ＳＷ３ｂをオフにすることにより電源電圧ＶＤＤに昇圧コンデンサＣ１を直列接続して、昇圧コンデンサＣ１を電源電圧ＶＤＤで充電する（「充電動作」）。「充電動作」による接続ノードＮｐの電位Ｖｐは、昇圧コンデンサＣ１の充電電圧Ｖｃに等しくなる。充電が飽和状態の場合、充電電圧Ｖｃは、ほぼ電源電圧ＶＤＤに等しくなる。
【００１７】
チャージポンプ３０は、ＳＷ１，ＳＷ２をオフし、スイッチＳＷ３ａまたはスイッチＳＷ３ｂのオンにより接続ノードＮｍで電源電圧ＶＤＤに昇圧コンデンサＣ１を直列接続して、電源電圧ＶＤＤを昇圧コンデンサＣ１の充電電圧Ｖｃで昇圧し、接続ノードＮｐから昇圧電圧Ｖｕとして出力する（「昇圧動作」）。昇圧電圧Ｖｕ、すなわち、「昇圧動作」による接続ノードＮｐの電位Ｖｐは、電源電圧ＶＤＤ＋充電電圧Ｖｃとなる。スイッチＳＷ３ｂによる昇圧動作は抵抗Ｒ３１を介して行われる。スイッチＳＷ３ａによる昇圧動作のとき、スイッチＳＷ３ｂはオフ状態でもよいが、本実施例では、スイッチＳＷ３ｂもオン状態としている。
【００１８】
チャージポンプ３０は、スイッチＳＷ４のオンにより接続ノードＮｐからの昇圧電圧Ｖｕを平滑コンデンサＣ２で平滑化し、出力ノードＮｏから出力電圧Ｖoutとして負荷回路（図示せず）に供給する（「出力動作」）。「昇圧動作」と「出力動作」とは同時に行われる。「充電動作」と「昇圧動作」＋「出力動作」とは相補的に行われる。
【００１９】
チャージポンプ３０の動作について説明する。チャージポンプ３０は、先ず、"Ｈ"レベルの制御信号Ｓ１，Ｓ２、"Ｌ"レベルの制御信号Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４の入力により、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオン、スイッチＳＷ３ａ，ＳＷ３ｂ，ＳＷ４がオフになり、「充電動作」となる。次に、チャージポンプ３０は、"Ｌ"レベルの制御信号Ｓ１，Ｓ２、"Ｈ"レベルの制御信号Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４の入力により、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオフ、スイッチＳＷ３ａ，ＳＷ３ｂ，ＳＷ４がオンになり、スイッチＳＷ３ａ，ＳＷ３ｂのオンによる第１の「昇圧動作」となるとともに、スイッチＳＷ４のオンによる「出力動作」となる。また、"Ｌ"レベルの制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ、"Ｈ"レベルの制御信号Ｓ３ｂ，Ｓ４の入力により、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３ａがオフ、スイッチＳＷ３ｂ，ＳＷ４がオンになる。これにより、スイッチＳＷ３ｂのオンによる抵抗Ｒ３１を介した第２の「昇圧動作」となるとともに、スイッチＳＷ４のオンによる「出力動作」となる。つまり、第１の「昇圧動作」では、コンデンサＣ１の低電位側と電源電圧ＶＤＤとが、スイッチＳＷ３ａを含む経路で接続される。一方、第２の「昇圧動作」では、Ｃ１の低電位側と電源電圧ＶＤＤとが、スイッチＳＷ３ｂ及び抵抗Ｒ３１を含む経路で接続される。よって、昇圧電圧Ｖｕ、すなわち接続ノードＮｐの電位Ｖｐの昇圧カーブは、第１の「昇圧動作」より第２の「昇圧動作」のほうが、抵抗Ｒ３１による時定数の付与により緩やかになる。
【００２０】
レギュレータ４０は、第１分圧回路４１、第２分圧回路４２、比較回路４３および制御信号生成回路４４を有している。第１分圧回路４１は、チャージポンプ３０からの出力電圧Ｖoutを分圧する抵抗Ｒ１１，Ｒ１２を有し、抵抗Ｒ１１は、抵抗Ｒ１１ａ，Ｒ１１ｂに分割されている。抵抗Ｒ１１，Ｒ１２は、チャージポンプ３０の出力ノードＮｏと接地端子Ｇｎｄとの間に直列接続されている。第１分圧回路４１は比較回路４３に、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の分圧点Ｐ１１から分圧電圧Ｖｄ１１、および抵抗Ｒ１１ａ，Ｒ１１ｂの分圧点Ｐ１２から分圧電圧Ｖｄ１２を出力する。第２分圧回路４２は、接続ノードＮｐの電位Ｖｐを分圧する抵抗Ｒ２１，Ｒ２２を有している。抵抗Ｒ２１，Ｒ２２は、接続ノードＮｐと接地端子Ｇｎｄとの間に直列接続されている。第２分圧回路４２は、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２の分圧点Ｐ２１から分圧電圧Ｖｄ２１を比較回路４３に出力する。分圧電圧Ｖｄ１１，Ｖｄ１２，Ｖｄ２１は、次式で表される。抵抗Ｒ１１，Ｒ１１ａ，Ｒ１１ｂ，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の抵抗値をＲ１１，Ｒ１１ａ，Ｒ１１ｂ，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２とする。
Ｖｄ１１＝Ｖout×Ｒ１２／（Ｒ１１＋Ｒ１２）
Ｖｄ１２＝Ｖout×（Ｒ１１ｂ＋Ｒ１２）／（Ｒ１１＋Ｒ１２）
Ｖｄ２１＝Ｖout×Ｒ２２／（Ｒ２１＋Ｒ２２）
【００２１】
比較回路４３は、コンパレータＣＯＭ１，ＣＯＭ２，ＣＯＭ３を有し、分圧電圧Ｖｄ１１，Ｖｄ１２，Ｖｄ２１を基準電圧Ｖrefと比較し、比較結果ＣＰＳ１，ＣＰＳ２，ＣＰＳ３を制御信号生成回路４４に出力する。コンパレータＣＯＭ１，ＣＯＭ２は、反転入力端に分圧電圧Ｖｄ１１，Ｖｄ１２が印加され、非反転入力端に基準電圧Ｖrefが印加される。コンパレータＣＯＭ３は、非反転入力端に分圧電圧Ｖｄ２１が印加され、反転入力端に基準電圧Ｖrefが印加される。コンパレータＣＯＭ１，ＣＯＭ２，ＣＯＭ３による出力電圧Ｖout，接続ノードＮｐの電位Ｖｐの検知電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３は、次式で表される。
Ｖ１＝Ｖref×（１＋Ｒ１１／Ｒ１２）
Ｖ２＝Ｖref×｛１＋Ｒ１１ａ／（Ｒ１１ｂ＋Ｒ１２）｝
Ｖ３＝Ｖref×（１＋Ｒ２１／Ｒ２２）
ここで、スイッチＳＷ４の定格電圧を基準（１００％）とした場合、Ｖ１は、出力電圧Ｖoutの昇圧目標電圧として、スイッチＳＷ４の定格電圧の例えば、９２％に設定される。また、Ｖ２はスイッチＳＷ４の定格電圧の例えば、９０％に設定され、Ｖ３（Ｖ３＞Ｖ２）はスイッチＳＷ４の定格電圧の例えば、９５％に設定される。例えば、スイッチＳＷ４の定格電圧を6.0Ｖとした場合、Ｖ１＝6.0×９２％＝5.5Ｖ、Ｖ２＝6.0×９０％＝5.4Ｖ、Ｖ３＝6.0×９５％＝5.7Ｖに設定される。基準電圧Ｖref＝2.75Ｖであれば、Ｖ１＝5.5Ｖの設定は、Ｒ１１＝Ｒ１２とすればよい。また、Ｖ２＝5.4Ｖの設定は、Ｒ１１ａ：Ｒ１１ｂ＝５３：１とし、Ｖ３＝5.7Ｖの設定は、Ｒ２１：Ｒ２２＝５９：５５とすればよい。
【００２２】
制御信号生成回路４４は、ＮＡＮＤ回路４４１、ＮＯＴ回路４４２、ＲＳフリップフロップ４４３、ＮＯＲ回路４４４を有し、昇圧クロックＣＬＫと比較結果ＣＰＳ１，ＣＰＳ２，ＣＰＳ３とを論理処理し、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４をチャージポンプ３０に出力する。ＮＡＮＤ回路４４１は、昇圧クロックＣＬＫを比較結果ＣＰＳ１と否定論理積し、制御信号Ｓ１，Ｓ２としてチャージポンプ３０に出力する。また、ＮＡＮＤ回路４４１は、ＮＯＴ回路４４２およびＮＯＲ回路４４４にも出力する。ＮＯＴ回路４４２は、ＮＡＮＤ回路４４１の出力を反転させ制御信号Ｓ３ｂ，Ｓ４としてチャージポンプ３０に出力する。ＲＳフリップフロップ４４３は、比較結果ＣＰＳ３がセット端子Ｓに入力されるとともに比較結果ＣＰＳ２がリセット端子Ｒに入力され、出力端子Ｑからの出力をＮＯＲ回路４４４に出力する。ＮＯＲ回路４４４は、出力端子Ｑの出力をＮＡＮＤ回路４４１の出力と否定論理和し、制御信号Ｓ３ａとしてチャージポンプ３０に出力する。
【００２３】
上記構成の電源回路２の動作について図３を参照して説明する。電源回路２の動作状態（時刻ｔ１〜ｔ５）において、電源回路２は、電源電圧ＶＤＤ、基準電圧Ｖrefおよび接地電位Ｇｎｄが供給されているとともに、昇圧クロックＣＬＫが、図３（ａ）に示すように、時刻ｔ１〜ｔ２、ｔ３〜ｔ４に"Ｈ"レベルの論理（以下、"Ｈ"レベルと記す）、時刻ｔ２〜ｔ３、ｔ４〜ｔ５に"Ｌ"レベルの論理（以下、"Ｌ"レベルと記す）となる周期Ｔ１で供給され、電源回路２から負荷回路（図示せず）に出力電圧Ｖoutが図３（ｊ）に示すように供給されている。
【００２４】
ノードＮｏの電圧、すなわち出力電圧Ｖoutは第１分圧回路４１で分圧され、分圧回路４１から分圧電圧Ｖｄ１１，Ｖｄ１２として比較回路４３に出力されている。また、ノードＮｐの電位Ｖｐは第２分圧回路４２で分圧され、分圧回路４２から分圧電圧Ｖｄ２１として比較回路４３に出力されている。比較回路４３において、分圧電圧Ｖｄ１１，Ｖｄ１２，Ｖｄ２１はコンパレータＣＯＭ１，ＣＯＭ２，ＣＯＭ３により基準電圧Ｖrefと比較され、後述する出力電圧Ｖoutおよび電位Ｖｐの値に応じた比較結果ＣＰＳ１，ＣＰＳ２，ＣＰＳ３として図３（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示すように出力されている。
【００２５】
昇圧クロックＣＬＫは、制御信号生成回路４４に入力されている。制御信号生成回路４４において、昇圧クロックＣＬＫは、ＮＡＮＤ回路４４１に後述する出力電圧Ｖoutの値に応じた比較結果ＣＰＳ１とで２入力され否定論理積されている。ＮＡＮＤ回路４４１の出力は、そのまま制御信号Ｓ１，Ｓ２として図３（ｆ）に示すように出力されているとともに、ＮＯＴ回路４４２およびＮＯＲ回路４４４にも入力されている。ＮＯＴ回路４４２の出力は、制御信号Ｓ３ｂ，Ｓ４として図３（ｇ）に示すように出力されている。また、制御信号生成回路４４において、後述する出力電圧ＶoutおよびノードＮｐの電位Ｖｐの値に応じた比較結果ＣＰＳ２，ＣＰＳ３がＲＳフリップフロップ４４３のリセット端子Ｒ、セット端子Ｓにそれぞれ入力されている。ＲＳフリップフロップ４４３の出力端子Ｑからの出力は、図３（ｅ）に示すように出力され、ＮＯＲ回路４４４にＮＡＮＤ回路４４１の出力とで２入力され否定論理和されている。ＮＯＲ回路４４４の出力は、制御信号Ｓ３ａとして図３（ｈ）に示すように出力されている
【００２６】
制御信号生成回路４４からの制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４は、チャージポンプ３０に入力されている。チャージポンプ３０において、制御信号Ｓ１はスイッチＳＷ１、制御信号Ｓ２はスイッチＳＷ２、制御信号Ｓ３ａはスイッチＳＷ３ａ、制御信号Ｓ３ｂはスイッチＳＷ３ｂ、制御信号Ｓ４はスイッチＳＷ４を、それぞれ"Ｈ"レベルでオン制御している。チャージポンプ３０は、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオン、スイッチＳＷ３ａ，ＳＷ３ｂ，ＳＷ４がオフのとき、「充電動作」をしている。チャージポンプ３０は、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオフ、スイッチＳＷ３ｂ，ＳＷ４がオンで、後述する出力電圧ＶoutおよびノードＮｐの電位Ｖｐの値に応じた制御信号Ｓ３ａに基づいて、スイッチＳＷ３ａがオンのとき、第１の「昇圧動作」＋「出力動作」、または、スイッチＳＷ３ａがオフのとき、第２の「昇圧動作」＋「出力動作」をしている。
【００２７】
以下、出力電圧ＶoutおよびノードＮｐの電位Ｖｐの値に応じた制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４による電源回路２の動作について説明する。
（１）時刻ｔ１〜ｔ２
昇圧クロックＣＬＫは、図３（ａ）に示すように、"Ｈ"レベルである。出力電圧Ｖoutが、図３（ｊ）に示すように、検知電圧Ｖ１，Ｖ２より低いため、比較結果ＣＰＳ１，ＣＰＳ２は、図３（ｂ），（ｃ）に示すように、"Ｈ"レベルである。従って、ＮＡＮＤ回路４４１の出力、すなわち、制御信号Ｓ１，Ｓ２は、図３（ｆ）に示すように、"Ｌ"レベルである。また、ＮＯＴ回路４４２の出力、すなわち、制御信号Ｓ３ｂ，Ｓ４は、図３（ｇ）に示すように、"Ｈ"レベルである。また、比較結果ＣＰＳ２によりＲＳフリップフロップ４４３はリセットされ、ＲＳフリップフロップ４４３の出力Ｑは、図３（ｅ）に示すように、"Ｌ"レベルである。従って、ＮＯＲ回路４４４の出力、すなわち、制御信号Ｓ３ａは、図３（ｈ）に示すように、"Ｈ"レベルである。この結果、時刻ｔ１〜ｔ２の間、チャージポンプ３０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４により、第１の「昇圧動作」＋「出力動作」となるように制御される。
【００２８】
（２）時刻ｔ２〜ｔ３
昇圧クロックＣＬＫは、図３（ａ）に示すように、"Ｌ"レベルである。従って、ＮＡＮＤ回路４４１の出力、すなわち、制御信号Ｓ１，Ｓ２は、図３（ｆ）に示すように、"Ｈ"レベルである。また、ＮＯＴ回路４４２の出力、すなわち、制御信号Ｓ３ｂ，Ｓ４は、図３（ｇ）に示すように、"Ｌ"レベルである。また、ＮＯＲ回路４４４の出力、すなわち、制御信号Ｓ３ａは、図３（ｈ）に示すように、"Ｌ"レベルである。この結果、時刻ｔ２〜ｔ３の間、チャージポンプ３０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４により、「充電動作」となるように制御される。
【００２９】
（３）時刻ｔ３〜ｔ４
昇圧クロックＣＬＫは、図３（ａ）に示すように、"Ｈ"レベルである。時刻ｔ３〜ｔ３１の間、出力電圧Ｖoutが、図３（ｊ）に示すように、検知電圧Ｖ１，Ｖ２より低いため、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４は、図３（ｆ），（ｇ），（ｈ）に示すように、時刻ｔ１〜ｔ２と同じレベルである。そして、時刻ｔ３１になると、出力電圧Ｖoutが、図３（ｊ）に示すように、検知電圧Ｖ２より高くなるため、比較結果ＣＰＳ２は、図３（ｃ）に示すように、"Ｌ"レベルとなる。時刻ｔ３１〜ｔ３２の間、ノードＮｐの電位Ｖｐは、検知電圧Ｖ３より低いため、比較結果ＣＰＳ３は、図３（ｄ）に示すように、"Ｌ"レベルのままである。このため、この間、ＲＳフリップフロップ４４３の出力Ｑは、図３（ｅ）に示すように、"Ｌ"レベルのままである。また、この間、出力電圧Ｖoutが、図３（ｊ）に示すように、検知電圧Ｖ１より低い。従って、この間、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４は、図３（ｆ），（ｇ），（ｈ）に示すように、時刻ｔ３１〜ｔ３２の間と同じレベルのままである。この結果、時刻ｔ３〜ｔ３２の間、チャージポンプ３０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４により、第１の「昇圧動作」＋「出力動作」となるように制御される。
【００３０】
次に、時刻ｔ３２になると、出力電圧Ｖoutが、図３（ｊ）に示すように、検知電圧Ｖ１以上になるため、比較結果ＣＰＳ１は、図３（ｂ）に示すように、"Ｌ"レベルとなる。これにより、ＮＡＮＤ回路４４１の出力は、"Ｈ"レベルとなり、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４は、図３（ｆ），（ｇ），（ｈ）に示すように、比較結果ＣＰＳ１が"Ｈ"レベルとなる時刻ｔ３３になるまで、時刻ｔ２〜ｔ３と同じレベルとなる。この結果、時刻ｔ３２〜ｔ３３において、チャージポンプ３０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４により、「充電動作」となるように制御される。
【００３１】
次に、時刻ｔ３３になると、出力電圧Ｖoutが、図３（ｊ）に示すように、検知電圧Ｖ２より高い状態で検知電圧Ｖ１より低くなるため、比較結果ＣＰＳ２が、図３（ｃ）に示すように、"Ｌ"レベルのままで、比較結果ＣＰＳ１は、図３（ｂ）に示すように、"Ｈ"レベルとなる。これにより、ＮＡＮＤ回路４４１の出力は、"Ｌ"レベルとなり、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ｂ，Ｓ４は、図３（ｆ），（ｇ）に示すように、時刻ｔ３４になるまで、時刻ｔ１〜ｔ２と同じレベルとなる。一方、ノードＮｐの電位Ｖｐは、時刻ｔ３３の直後に、図３（ｉ）に示すように、検知電圧Ｖ３より高くなるため、比較結果ＣＰＳ３は、図３（ｄ）に示すように、"Ｈ"レベルとなる。これに同期して、ＲＳフリップフロップ４４３の出力Ｑは、図３（ｅ）に示すように、"Ｈ"レベルとなり、ＲＳフリップフロップ４４３がリセットされるまで"Ｈ"レベルのままである。従って、ＲＳフリップフロップ４４３がリセットされるまで、制御信号Ｓ３ａは、図３（ｈ）に示すように、"Ｌ"レベルのままである。この結果、時刻ｔ３３〜ｔ３４の間、チャージポンプ３０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４により、第２の「昇圧動作」＋「出力動作」となるように制御される。
【００３２】
次に、時刻ｔ３４〜ｔ３５の間、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４は、図３（ｆ），（ｇ），（ｈ）に示すように、時刻ｔ３２〜ｔ３３のときと同じレベルとなる。すなわち、時刻ｔ３４〜ｔ３５の間、チャージポンプ３０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４により、「充電動作」となるように制御される。
【００３３】
次に、時刻ｔ３５〜ｔ４において、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４は、図３（ｆ），（ｇ），（ｈ）に示すように、時刻ｔ３３〜ｔ３４のときと同じレベルとなる。すなわち、時刻ｔ３５〜ｔ４において、チャージポンプ３０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４により、第２の「昇圧動作」および「出力動作」となるように制御される。
【００３４】
（４）時刻ｔ４〜ｔ５
昇圧クロックＣＬＫは、図３（ａ）に示すように、"Ｌ"レベルである。従って、ＮＡＮＤ回路４４１の出力は、"Ｈ"レベルとなり、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４は、図３（ｆ），（ｇ），（ｈ）に示すように、時刻ｔ２〜ｔ３と同じレベルとなる。この結果、時刻ｔ４〜ｔ５の間、チャージポンプ３０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４により、「充電動作」となるように制御される。
【００３５】
尚、時刻ｔ４１になると、出力電圧Ｖoutが、図３（ｊ）に示すように、検知電圧Ｖ２より低くなるため、比較結果ＣＰＳ２は、図３（ｃ）に示すように、"Ｈ"レベルとなる。このとき、比較結果ＣＰＳ２によりＲＳフリップフロップ４４３はリセットされ、ＲＳフリップフロップ４４３の出力Ｑは、図３（ｅ）に示すように、"Ｌ"レベルとなる。
【００３６】
以上に説明したように、「出力動作」のためのスイッチＳＷ４の定格電圧を基準（１００％）として、検知電圧Ｖ３をその基準より所定値低い電圧、例えば、スイッチＳＷ４の定格電圧の９５％に設定するようにした。そして、チャージポンプ３０は、「昇圧動作」において、昇圧コンデンサＣ１の高電位側の電位、すなわち、ノードＮｐの電位Ｖｐで、その検知電圧Ｖ３を検知したとき、第２の「昇圧動作」となる。すなわち、このとき、電源電圧ＶＤＤと昇圧コンデンサＣ１との直列接続を抵抗Ｒ３１を含む経路を介して行うように制御する。そのため、「昇圧動作」において、コンデンサＣ１の高電位側の電位上昇カーブは緩やかになり、「出力動作」のためのスイッチＳＷ４の定格電圧超えを防止できる。
【００３７】
第２の実施の形態．
図４は、本発明の第２の実施形態に係る電源回路３の回路図である。図２と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。電源回路３はチャージポンプ型で、チャージポンプ５０とレギュレータ４０とを具備し、電源電圧ＶＤＤを所望の昇圧電圧（目標電圧）にして出力電圧Ｖoutとして負荷回路（図示せず）に供給する。電源回路３では、チャージポンプが３倍昇圧型での実施形態を示している。
【００３８】
チャージポンプ５０は、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４，ＳＷ５，ＳＷ６ａ，ＳＷ６ｂ，ＳＷ７、抵抗Ｒ３２、昇圧コンデンサＣ１１，Ｃ１２および平滑コンデンサＣ２を有している。スイッチＳＷ１は電源端子ＶＤＤと接続ノードＮ１ｐとの間に接続されている。スイッチＳＷ２は接続ノードＮ１ｍと接地端子Ｇｎｄとの間に接続されている。スイッチＳＷ３は電源端子ＶＤＤと接続ノードＮ１ｍとの間に接続されている。スイッチＳＷ４は接続ノードＮ１ｐと接続ノードＮ２ｐとの間に接続されている。スイッチＳＷ５は接続ノードＮ２ｍと接地端子Ｇｎｄとの間に接続されている。スイッチＳＷ６ａ，ＳＷ６ｂと抵抗Ｒ３２とで昇圧動作用スイッチ回路５１を構成している。昇圧動作用スイッチ回路５１は、スイッチＳＷ６ａと抵抗Ｒ３２を介したスイッチＳＷ６ｂとが並列接続されて、電源端子ＶＤＤと接続ノードＮ２ｍとの間に接続されている。スイッチＳＷ７は接続ノードＮ２ｐと出力ノードＮｏとの間に接続されている。昇圧コンデンサＣ１１は接続ノードＮ１ｐと接続ノードＮ１ｍとの間に接続され、昇圧コンデンサＣ１２は接続ノードＮ２ｐと接続ノードＮ２ｍとの間に接続されている。平滑コンデンサＣ２は出力ノードＮｏと接地端子Ｇｎｄとの間に接続されている。スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４，ＳＷ５，ＳＷ６ａ，ＳＷ６ｂ，ＳＷ７は、ＭＯＳトランジスタで構成される。抵抗Ｒ３２は、スイッチＳＷ６ｂのオン抵抗を用いることもできる。この場合、スイッチＳＷ６ｂのオン抵抗をスイッチＳＷ６ａのオン抵抗より大きくなるように設定する。昇圧コンデンサＣ１１，Ｃ１２および平滑コンデンサＣ２は、ＩＣチップの外付け部品として接続される。
【００３９】
スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４，ＳＷ５，ＳＷ６ａ，ＳＷ６ｂ，ＳＷ７は、レギュレータ４０からの制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６ａ，Ｓ６ｂ，Ｓ７に基づいてそれぞれ制御される。スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４，ＳＷ５，ＳＷ６ａ，ＳＷ６ｂ，ＳＷ７は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６ａ，Ｓ６ｂ，Ｓ７が"Ｈ"レベルのときオンし"Ｌ"レベルのときオフする。
【００４０】
チャージポンプ５０は、スイッチＳＷ１，ＳＷ２のオンにより電源電圧ＶＤＤに昇圧コンデンサＣ１１を直列接続して、昇圧コンデンサＣ１１を電源電圧ＶＤＤで充電する（「第１充電動作」）。「第１充電動作」による接続ノードＮ１ｐの電位Ｖ１ｐは、昇圧コンデンサＣ１１の充電電圧Ｖ１ｃに等しくなる。充電が飽和状態の場合、充電電圧Ｖ１ｃは、ほぼ電源電圧ＶＤＤに等しくなる。
【００４１】
チャージポンプ５０は、スイッチＳＷ３のオンにより接続ノードＮ１ｍで電源電圧ＶＤＤに昇圧コンデンサＣ１１を直列接続して、電源電圧ＶＤＤを昇圧コンデンサＣ１１の充電電圧Ｖ１ｃで昇圧し、接続ノードＮ１ｐから昇圧電圧Ｖ１ｕとして出力する（「第１昇圧動作」）。昇圧電圧Ｖ１ｕ、すなわち、「第１昇圧動作」による接続ノードＮ１ｐの電位Ｖ１ｐは、電源電圧ＶＤＤ＋充電電圧Ｖ１ｃとなる。
【００４２】
チャージポンプ５０は、スイッチＳＷ４，ＳＷ５のオンにより接続ノードＮ１ｐからの昇圧電圧Ｖ１ｕで昇圧コンデンサＣ１２を充電する（「第２充電動作」）。「第２充電動作」による接続ノードＮ２ｐの電位Ｖ２ｐは、昇圧コンデンサＣ１２の充電電圧Ｖ２ｃに等しくなる。充電が飽和状態の場合、充電電圧Ｖ２ｃは、ほぼ電源電圧ＶＤＤ＋充電電圧Ｖ１ｃ＝２×ＶＤＤに等しくなる。
【００４３】
チャージポンプ５０は、スイッチＳＷ６ａまたはスイッチＳＷ６ｂのオンにより接続ノードＮ２ｍで電源電圧ＶＤＤに昇圧コンデンサＣ１２を直列接続して、電源電圧ＶＤＤを昇圧コンデンサＣ１２の充電電圧Ｖ２ｃで昇圧し、接続ノードＮ２ｐから昇圧電圧Ｖ２ｕとして出力する（「第２昇圧動作」）。昇圧電圧Ｖ２ｕ、すなわち、「第２昇圧動作」による接続ノードＮ２ｐの電位Ｖ２ｐは、電源電圧ＶＤＤ＋充電電圧Ｖ２ｃとなる。スイッチＳＷ６ｂによる昇圧動作は抵抗Ｒ３２を介して行われる。スイッチＳＷ６ａによる昇圧動作のとき、スイッチＳＷ６ｂはオフ状態でもよいが、本実施例では、スイッチＳＷ６ｂもオン状態としている。
【００４４】
チャージポンプ５０は、スイッチＳＷ７のオンにより接続ノードＮ２ｐからの昇圧電圧Ｖ２ｕを平滑コンデンサＣ２で平滑化し、出力ノードＮｏから出力電圧Ｖoutとして負荷回路（図示せず）に供給する（「出力動作」）。「第１充電動作」、「第２昇圧動作」および「出力動作」が同時に行われ、「第１昇圧動作」および「第２充電動作」が同時に行われる。「第１充電動作」＋「第２昇圧動作」＋「出力動作」と「第１昇圧動作」＋「第２充電動作」とは相補的に行われる。
【００４５】
チャージポンプ５０の動作について説明する。先ず、チャージポンプ５０は、"Ｌ"レベルの制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ６ａ，Ｓ６ｂ，Ｓ７、"Ｈ"レベルの制御信号Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５の入力により、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ６ａ，ＳＷ６ｂ，ＳＷ７がオフ、スイッチＳＷ３，ＳＷ４，ＳＷ５がオンになり、スイッチＳＷ３のオンによる「第１昇圧動作」となるとともにスイッチＳＷ４，ＳＷ５のオンによる「第２充電動作」となる。
【００４６】
次に、チャージポンプ５０は、"Ｈ"レベルの制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ６ａ，Ｓ６ｂ，Ｓ７、"Ｌ"レベルの制御信号Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５の入力により、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ６ａ，ＳＷ６ｂ，ＳＷ７がオン、スイッチＳＷ３，ＳＷ４，ＳＷ５がオフになり、スイッチＳＷ１，ＳＷ２のオンによる「第１充電動作」となるとともに、スイッチＳＷ６ａ，ＳＷ６ｂのオンによる第１の「第２昇圧動作」、およびスイッチＳＷ７のオンによる「出力動作」となる。チャージポンプ５０は、"Ｈ"レベルの制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ６ｂ，Ｓ７、"Ｌ"レベルの制御信号Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，６ａの入力により、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ６ｂ，ＳＷ７がオン、スイッチＳＷ３，ＳＷ４，ＳＷ５，ＳＷ６ａがオフになり、スイッチＳＷ１，ＳＷ２のオンによる「第１充電動作」となるとともに、スイッチＳＷ６ｂのオンによる抵抗Ｒ３２を介した第２の「第２昇圧動作」、およびスイッチＳＷ７のオンによる「出力動作」となる。昇圧電圧Ｖ２ｕ、すなわち接続ノードＮ２ｐの電位Ｖ２ｐの昇圧カーブは、第１の「第２昇圧動作」より第２の「第２昇圧動作」のほうが、抵抗３２による時定数の付与により緩やかになる。
【００４７】
レギュレータ４０の制御信号生成回路４４は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６ａ，Ｓ６ｂ，Ｓ７をチャージポンプ５０に出力する。ＮＡＮＤ回路４４１の出力は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ６ｂ，Ｓ７としてチャージポンプ５０に出力される。ＮＯＴ回路４４２の出力は、制御信号Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５としてチャージポンプ５０に出力される。ＮＯＲ回路４４４の出力は、制御信号Ｓ６ａとしてチャージポンプ５０に出力される。
【００４８】
上記構成の電源回路３の動作については、電源回路２の動作と同様であるため説明を省略する。すなわち、電源回路２は、チャージポンプ３０が２倍昇圧型の動作をし、「昇圧動作」において、接続ノードＮｐの電位Ｖｐで検知電圧Ｖ３を検知するまでは第１の「昇圧動作」であり、検知電圧Ｖ３を検知すると第２の「昇圧動作」となる。これに対して、電源回路３は、チャージポンプ５０が３倍昇圧型の動作をし、「第２昇圧動作」において、接続ノードＮ２ｐの電位Ｖ２ｐで検知電圧Ｖ３を検知するまでは第１の「第２昇圧動作」であり、検知電圧Ｖ３を検知すると第２の「第２昇圧動作」となる。電源回路２および電源回路３のレギュレータ４０の動作は同じである。
【００４９】
以上に説明したように、「出力動作」のためのスイッチＳＷ７の定格電圧を基準（１００％）として、検知電圧Ｖ３はその基準より所定値低い電圧、例えば、スイッチＳＷ７の定格電圧の９５％に設定するようにした。そして、「第２昇圧動作」において、チャージポンプ５０は、昇圧コンデンサＣ１２の高電位側の電位、すなわち、ノードＮ２ｐの電位Ｖ２ｐで、その検知電圧Ｖ３を検知したとき、第２の「第２昇圧動作」となる。すなわち、このとき、電源電圧ＶＤＤと昇圧コンデンサＣ１２との直列接続を抵抗Ｒ３２を介して行うように制御する。そのため、「第２昇圧動作」において、コンデンサＣ１２の高電位側の電位上昇カーブは緩やかになり、「出力動作」のためのスイッチＳＷ７の定格電圧超えを防止できる。
【００５０】
第３の実施の形態．
図５は、本発明の第３の実施形態に係る電源回路４の回路図である。図２と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。電源回路４はチャージポンプ型で、チャージポンプ６０とレギュレータ７０とを具備し、電源電圧ＶＤＤを所望の昇圧電圧（目標電圧）にして出力電圧Ｖoutとして負荷回路（図示せず）に供給する。電源回路４では、電源端子ＶＤＤと接続ノードＮｍとの間のスイッチ接続を可変抵抗を介して行うようにしている。
【００５１】
チャージポンプ６０は、図２の電源回路２のチャージポンプ３０において、電源端子ＶＤＤと接続ノードＮｍとの間に接続された昇圧動作用スイッチ回路３１を昇圧動作用スイッチ回路６１に置換えたものである。昇圧動作用スイッチ回路６１は、スイッチＳＷ３と可変抵抗Ｒ３３とが直列接続されて構成されている。スイッチＳＷ３は、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ４と同様に、ＭＯＳトランジスタで構成される。
【００５２】
スイッチＳＷ３は、レギュレータ７０からの制御信号Ｓ３に基づいて制御される。スイッチＳＷ３は、制御信号Ｓ３が"Ｈ"レベルのときオンし"Ｌ"レベルのときオフする。スイッチＳＷ３のオンにより接続ノードＮｍで電源電圧ＶＤＤに昇圧コンデンサＣ１を直列接続して、電源電圧ＶＤＤを昇圧コンデンサＣ１の充電電圧Ｖｃで昇圧し、接続ノードＮｐから昇圧電圧Ｖｕとして出力する（「昇圧動作」）。昇圧電圧Ｖｕ、すなわち、「昇圧動作」による接続ノードＮｐの電位Ｖｐは、電源電圧ＶＤＤ＋充電電圧Ｖｃとなる。スイッチＳＷ３による昇圧動作は可変抵抗Ｒ３３を介して行われる。可変抵抗Ｒ３３は、レギュレータ７０からの制御信号Ｓ５に基づいて制御される。この可変抵抗Ｒ３３は、制御信号Ｓ５により、コンパレータＣＯＭ３で検知電圧Ｖ３を検知するまでは低抵抗値に制御され、検知電圧Ｖ３を検知すると所定の抵抗値に制御され、接続ノードＮｐの電位Ｖｐに応じて抵抗値が増加する。可変抵抗Ｒ３３は、スイッチＳＷ３のオン抵抗を用いることもできる。この場合、スイッチＳＷ３を構成するＭＯＳトランジスタのゲート電位を制御信号Ｓ５により制御することによりスイッチＳＷ３のオン抵抗を可変する。
【００５３】
チャージポンプ６０の動作について説明する。先ず、チャージポンプ６０は、"Ｈ"レベルの制御信号Ｓ１，Ｓ２、"Ｌ"レベルの制御信号Ｓ３，Ｓ４の入力により、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオン、スイッチＳＷ３，ＳＷ４がオフになり、「充電動作」となる。次に、チャージポンプ６０は、"Ｌ"レベルの制御信号Ｓ１，Ｓ２、"Ｈ"レベルの制御信号Ｓ３，Ｓ４および可変抵抗Ｒ３３が低抵抗値に制御される制御信号Ｓ５の入力により、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオフ、スイッチＳＷ３，ＳＷ４がオンになり、制御信号Ｓ５による低抵抗値に制御された可変抵抗Ｒ３３を介した第１の「昇圧動作」となるとともに、スイッチＳＷ４のオンによる「出力動作」となる。チャージポンプ６０は、"Ｌ"レベルの制御信号Ｓ１，Ｓ２、"Ｈ"レベルの制御信号Ｓ３，Ｓ４および可変抵抗Ｒ３３が上記低抵抗値より高い所定の抵抗値に制御される制御信号Ｓ５の入力により、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオフ、スイッチＳＷ３，ＳＷ４がオンになり、制御信号Ｓ５による所定の抵抗値に制御された可変抵抗Ｒ３３を介した第２の「昇圧動作」となるとともに、スイッチＳＷ４のオンによる「出力動作」となる。昇圧電圧Ｖｕ、すなわち接続ノードＮｐの電位Ｖｐの昇圧カーブは、第１の「昇圧動作」より第２の「昇圧動作」のほうが、可変抵抗Ｒ３３による時定数の付与により緩やかになり、第２の「昇圧動作」においても、可変抵抗Ｒ３３が大きくなるに従い緩やかになる。
【００５４】
レギュレータ７０は、図２の電源回路２のレギュレータ４０において、制御信号生成回路４４を制御信号生成回路７４に置換えたものである。従って、レギュレータ７０は、第１分圧回路４１、第２分圧回路４２、比較回路４３および制御信号生成回路７４を有している。第２分圧回路４２は、分圧点Ｐ２１から分圧電圧Ｖｄ２１を比較回路４３に出力するとともに制御信号生成回路７４にも出力する。
【００５５】
比較回路４３は、比較結果ＣＰＳ１，ＣＰＳ２，ＣＰＳを制御信号生成回路７４に出力する。
【００５６】
制御信号生成回路７４は、図２の電源回路２の制御信号生成回路４４において、ＮＯＲ回路４４４を可変抵抗制御信号生成回路７４４に置換えたものである。従って、制御信号生成回路７４は、ＮＡＮＤ回路４４１、ＮＯＴ回路４４２、ＲＳフリップフロップ４４３および可変抵抗制御信号生成回路７４４を有している。制御信号生成回路７４は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５をチャージポンプ６０に出力する。ＮＡＮＤ回路４４１は、制御信号Ｓ１，Ｓ２をチャージポンプ６０に出力する。ＮＯＴ回路４４２は、制御信号Ｓ３，Ｓ４をチャージポンプ６０に出力する。ＲＳフリップフロップ４４３は出力Ｑを可変抵抗制御信号生成回路７４４に出力する。可変抵抗制御信号生成回路７４４は、ＲＳフリップフロップ４４３の出力Ｑが入力されるとともに分圧電圧Ｖｄ２１が入力され、制御信号Ｓ５としてチャージポンプ３０に出力する。
【００５７】
上記構成の電源回路４の動作について図６を参照して説明する。電源回路４の動作状態（時刻ｔ１〜ｔ５）において、電源回路４に、電源電圧ＶＤＤ、基準電圧Ｖrefおよび接地電位Ｇｎｄが供給されているとともに、昇圧クロックＣＬＫが、図６（ａ）に示すように、時刻ｔ１〜ｔ２、ｔ３〜ｔ４に"Ｈ"レベルの論理（以下、"Ｈ"レベルと記す）、時刻ｔ２〜ｔ３、ｔ４〜ｔ５に"Ｌ"レベルの論理（以下、"Ｌ"レベルと記す）となる周期Ｔ１で供給され、電源回路４から負荷回路（図示せず）に出力電圧Ｖoutが図６（ｊ）に示すように供給されている。
【００５８】
ノードＮｏの電圧、すなわち出力電圧Ｖoutは第１分圧回路４１で分圧され、分圧回路４１から分圧電圧Ｖｄ１１，Ｖｄ１２として比較回路４３に出力されている。また、ノードＮｐの電位Ｖｐは第２分圧回路４２で分圧され、分圧回路４２から分圧電圧Ｖｄ２１として比較回路４３に出力されているとともに、制御信号生成回路７４に出力されている。比較回路４３において、分圧電圧Ｖｄ１１，Ｖｄ１２，Ｖｄ２１はコンパレータＣＯＭ１，ＣＯＭ２，ＣＯＭ３により基準電圧Ｖrefと比較され、後述する出力電圧Ｖoutおよび電位Ｖｐの値に応じた比較結果ＣＰＳ１，ＣＰＳ２，ＣＰＳ３として図６（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示すように出力されている。
【００５９】
昇圧クロックＣＬＫは、制御信号生成回路７４に入力されている。制御信号生成回路７４において、昇圧クロックＣＬＫは、ＮＡＮＤ回路４４１に後述する出力電圧Ｖoutの値に応じた比較結果ＣＰＳ１とで２入力され否定論理積されている。ＮＡＮＤ回路４４１の出力は、そのまま制御信号Ｓ１，Ｓ２として図６（ｆ）に示すように出力されているとともに、ＮＯＴ回路４４２にも入力されている。ＮＯＴ回路４４２の出力は、制御信号Ｓ３，Ｓ４として図６（ｇ）に示すように出力されている。また、制御信号生成回路７４において、後述する出力電圧ＶoutおよびノードＮｐの電位Ｖｐの値に応じた比較結果ＣＰＳ２，ＣＰＳ３がＲＳフリップフロップ４４３のリセット端子Ｒ、セット端子Ｓにそれぞれ入力されている。ＲＳフリップフロップ４４３の出力端子Ｑからの出力は、図６（ｅ）に示すように出力され、可変抵抗制御信号生成回路７４４に分圧回路４２からの分圧電圧Ｖｄ２１とともに入力されている。可変抵抗制御信号生成回路７４４の出力は、制御信号Ｓ５として出力されている（図示せず）。
【００６０】
制御信号生成回路７４からの制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５は、チャージポンプ６０に入力されている。チャージポンプ６０において、制御信号Ｓ１はスイッチＳＷ１、制御信号Ｓ２はスイッチＳＷ２、制御信号Ｓ３はスイッチＳＷ３、制御信号Ｓ４はスイッチＳＷ４を、それぞれ"Ｈ"レベルでオン制御している。スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオン、スイッチＳＷ３，ＳＷ４がオフのとき、「充電動作」をしている。スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオフ、スイッチＳＷ３，ＳＷ４がオンで、後述する出力電圧ＶoutおよびノードＮｐの電位Ｖｐの値に応じた制御信号Ｓ５に基づいて、可変抵抗Ｒ３３が図６（ｈ）に示すように低抵抗値に制御される制御信号Ｓ５の入力により第１の「昇圧動作」＋「出力動作」、または、可変抵抗Ｒ３３が図６（ｈ）に示すように上記低抵抗値より高い所定の抵抗値に制御される制御信号Ｓ５の入力により、第２の「昇圧動作」＋「出力動作」をしている。
【００６１】
以下、出力電圧ＶoutおよびノードＮｐの電位Ｖｐの値に応じた制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５による電源回路４の動作について説明する。
（１）時刻ｔ１〜ｔ２
昇圧クロックＣＬＫは、図６（ａ）に示すように、"Ｈ"レベルである。出力電圧Ｖoutが、図６（ｊ）に示すように、検知電圧Ｖ１，Ｖ２より低いため、比較結果ＣＰＳ１，ＣＰＳ２は、図６（ｂ），（ｃ）に示すように、"Ｈ"レベルである。従って、ＮＡＮＤ回路４４１の出力、すなわち、制御信号Ｓ１，Ｓ２は、図６（ｆ）に示すように、"Ｌ"レベルである。また、ＮＯＴ回路４４２の出力、すなわち、制御信号Ｓ３，Ｓ４は、図６（ｇ）に示すように、"Ｈ"レベルである。また、比較結果ＣＰＳ２によりＲＳフリップフロップ４４３はリセットされ、ＲＳフリップフロップ４４３の出力Ｑは、図６（ｅ）に示すように、"Ｌ"レベルである。従って、可変抵抗制御信号生成回路７４４の出力、すなわち、制御信号Ｓ５は、可変抵抗Ｒ３３の抵抗値が図６（ｈ）に示すように、低抵抗値に制御される信号である。この結果、時刻ｔ１〜ｔ２の間、チャージポンプ６０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５により、第１の「昇圧動作」＋「出力動作」となるように制御される。
【００６２】
（２）時刻ｔ２〜ｔ３
昇圧クロックＣＬＫは、図６（ａ）に示すように、"Ｌ"レベルである。従って、ＮＡＮＤ回路４４１の出力、すなわち、制御信号Ｓ１，Ｓ２は、図６（ｆ）に示すように、"Ｈ"レベルである。また、ＮＯＴ回路４４２の出力、すなわち、制御信号Ｓ３，Ｓ４は、図６（ｇ）に示すように、"Ｌ"レベルである。この結果、時刻ｔ２〜ｔ３の間、チャージポンプ６０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ４により、「充電動作」となるように制御される。
【００６３】
（３）時刻ｔ３〜ｔ４
昇圧クロックＣＬＫは、図６（ａ）に示すように、"Ｈ"レベルである。時刻ｔ３〜ｔ３１の間、出力電圧Ｖoutが、図６（ｊ）に示すように、検知電圧Ｖ１，Ｖ２より低いため、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は、図６（ｆ），（ｇ）に示すように、時刻ｔ１〜ｔ２と同じレベルである。そして、時刻ｔ３１になると、出力電圧Ｖoutが、図６（ｊ）に示すように、検知電圧Ｖ２より高くなるため、比較結果ＣＰＳ２は、図６（ｃ）に示すように、"Ｌ"レベルとなる。時刻ｔ３１〜ｔ３２の間、ノードＮｐの電位Ｖｐは、検知電圧Ｖ３より低いため、比較結果ＣＰＳ３は、図６（ｄ）に示すように、"Ｌ"レベルのままである。このため、この間、ＲＳフリップフロップ４４３の出力Ｑは、図６（ｅ）に示すように、"Ｌ"レベルのままである。また、この間、出力電圧Ｖoutが、図６（ｊ）に示すように、検知電圧Ｖ１より低い。従って、この間、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ４は、図６（ｆ），（ｇ）に示すように、時刻ｔ３１〜ｔ３２の間と同じレベルのままであり、制御信号Ｓ５は、可変抵抗Ｒ３３の抵抗値が図６（ｈ）に示すように、低抵抗値に制御される信号のままである。この結果、時刻ｔ３〜ｔ３２の間、チャージポンプ６０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５により、第１の「昇圧動作」＋「出力動作」となるように制御される。
【００６４】
次に、時刻ｔ３２になると、出力電圧Ｖoutが、図６（ｊ）に示すように、検知電圧Ｖ１以上になるため、比較結果ＣＰＳ１は、図６（ｂ）に示すように、"Ｌ"レベルとなる。これにより、ＮＡＮＤ回路４４１の出力は、"Ｈ"レベルとなり、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は、図６（ｆ），（ｇ）に示すように、比較結果ＣＰＳ１が"Ｈ"レベルとなる時刻ｔ３３になるまで、時刻ｔ２〜ｔ３と同じレベルとなる。この結果、時刻ｔ３２〜ｔ３３において、チャージポンプ６０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４により、「充電動作」となるように制御される。
【００６５】
次に、時刻ｔ３３になると、出力電圧Ｖoutが、図６（ｊ）に示すように、検知電圧Ｖ２より高い状態で検知電圧Ｖ１より低くなるため、比較結果ＣＰＳ２が、図６（ｃ）に示すように、"Ｌ"レベルのままで、比較結果ＣＰＳ１は、図６（ｂ）に示すように、"Ｈ"レベルとなる。これにより、ＮＡＮＤ回路４４１の出力は、"Ｌ"レベルとなり、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は、図６（ｆ），（ｇ）に示すように、時刻ｔ３４になるまで、時刻ｔ１〜ｔ２と同じレベルとなる。一方、ノードＮｐの電位Ｖｐは、時刻ｔ３３の直後に、図６（ｉ）に示すように、検知電圧Ｖ３より高くなるため、比較結果ＣＰＳ３は、図６（ｄ）に示すように、"Ｈ"レベルとなる。これに同期して、ＲＳフリップフロップ４４３の出力Ｑは、図６（ｅ）に示すように、"Ｈ"レベルとなり、ＲＳフリップフロップ４４３がリセットされるまで"Ｈ"レベルのままである。従って、ＲＳフリップフロップ４４３がリセットされるまで、制御信号Ｓ５は、可変抵抗Ｒ３３の抵抗値が図６（ｈ）に示すように、所定の抵抗値に制御され、接続ノードＮｐの電位Ｖｐに応じて抵抗値が増加するように制御される信号である。この結果、時刻ｔ３３〜ｔ３４において、チャージポンプ６０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５により、第２の「昇圧動作」＋「出力動作」となるように制御される。
【００６６】
次に、時刻ｔ３４〜ｔ３５において、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は、図３（ｆ），（ｇ））に示すように、時刻ｔ３２〜ｔ３３のときと同じレベルとなる。すなわち、時刻ｔ３４〜ｔ３５において、チャージポンプ６０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４により、「充電動作」となるように制御される。
【００６７】
次に、時刻ｔ３５〜ｔ４において、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は、図６（ｆ），（ｇ））に示すように、時刻ｔ３３〜ｔ３４のときと同じレベルとなり、制御信号Ｓ５は、可変抵抗Ｒ３３の抵抗値が図６（ｈ）に示すように、時刻ｔ３３〜ｔ３４のときと同じレベルに制御される信号となる。すなわち、時刻ｔ３５〜ｔ４において、チャージポンプ６０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５により、第２の「昇圧動作」＋「出力動作」となるように制御される。
【００６８】
（４）時刻ｔ４〜ｔ５
昇圧クロックＣＬＫは、図６（ａ）に示すように、"Ｌ"レベルである。従って、ＮＡＮＤ回路４４１の出力は、"Ｈ"レベルとなり、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は、図６（ｆ），（ｇ）に示すように、時刻ｔ２〜ｔ３と同じレベルとなる。この結果、時刻ｔ４〜ｔ５の間、チャージポンプ６０は、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４により、「充電動作」となるように制御される。
【００６９】
尚、時刻ｔ４１になると、出力電圧Ｖoutが、図６（ｊ）に示すように、検知電圧Ｖ２より低くなるため、比較結果ＣＰＳ２は、図６（ｃ）に示すように、"Ｈ"レベルとなる。このとき、比較結果ＣＰＳ２によりＲＳフリップフロップ４４３はリセットされ、ＲＳフリップフロップ４４３の出力Ｑは、図６（ｅ）に示すように、"Ｌ"レベルとなる。
【００７０】
以上に説明したように、「出力動作」のためのスイッチＳＷ４の定格電圧を基準（１００％）として、検知電圧Ｖ３はその基準より所定値低い電圧、例えば、スイッチＳＷ４の定格電圧の９５％に設定するようにした。そして、「昇圧動作」において、昇圧コンデンサＣ１の高電位側の電位、すなわち、ノードＮｐの電位Ｖｐで、その検知電圧Ｖ３を検知したとき、第２の「昇圧動作」となる。すなわち、このとき、電源電圧ＶＤＤと昇圧コンデンサＣ１との直列接続を所定の抵抗値に制御され、接続ノードＮｐの電位Ｖｐに応じて抵抗値が増加するように制御された可変抵抗Ｒ３３を介して行うように制御する。そのため、「昇圧動作」において、コンデンサＣ１の高電位側の電位上昇カーブは緩やかになり、「出力動作」のためのスイッチＳＷ４の定格電圧超えを防止できる。
【００７１】
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００７２】
２、３、４  電源回路
３０、５０、６０  チャージポンプ
３１、５１、６１  昇圧動作用スイッチ回路
４０、７０  レギュレータ
４１、４２  分圧回路
４３、７３  比較回路
４４、７４  制御信号生成回路
４４１、７４１  ＮＡＮＤ回路
４４２、７４２  ＮＯＴ回路
４４３  ＲＳフリップフロップ
４４４  ＮＯＲ回路
７４３  可変抵抗制御信号生成回路
ＳＷ３ａ、ＳＷ３ｂ、ＳＷ６ａ、ＳＷ６ｂ  スイッチ
Ｒ３１、Ｒ３２  抵抗
Ｒ３３  可変抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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