(57)【要約】【課題】基板と電子部品等との接着性を有し、はんだ付け後に残渣の発生しないフラックス、及びこのフラックスを含有するはんだペースト、及び、それを用いて構成部材を接合することにより形成された、はんだ付け信頼性の高い接合部品を提供する。【解決手段】本発明のフラックスは、（Ａ）成分：ギ酸アンモニウムと、（Ｂ）成分：常温で液体であり、大気圧における沸点が１５０℃以上の脂肪族多価アルコール（エチレングリコール、グリセリン）と、を含有することを特徴とする。また、本発明のはんだペーストは、このフラックスと、はんだ粉と、を含有することを特徴とする。また、本発明の接合部品は、構成部材と他の構成部材とが、前記はんだペーストを用いてはんだ付けされていることを特徴とする。【選択図】図１
2011083809.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）成分：ギ酸アンモニウムと、
（Ｂ）成分：常温で液体であり、大気圧における沸点が１５０℃以上の脂肪族多価アルコールと、を含有することを特徴とするフラックス。
【請求項２】
前記脂肪族多価アルコールに含まれるヒドロキシル基の数が２又は３である請求項１に記載のフラックス。
【請求項３】
前記（Ａ）成分１００質量部に対して、前記（Ｂ）成分の含有量が、１０〜３００質量部である請求項１又は２に記載のフラックス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のフラックスと、はんだ粉と、を含有することを特徴とするはんだペースト。
【請求項５】
構成部材と他の構成部材とが、請求項４に記載のはんだペーストを用いてはんだ付けされていることを特徴とする接合部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、電子部品等とのはんだ付けに利用されるフラックス、及びそれを含有するはんだペースト、並びにそれを用いた接合部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、部品搭載基板に対する電子部品のはんだ付けにおいては、フラックスが使用されている。このフラックスには、基板上の酸化膜を還元し、その酸化膜を除去する目的等で、ロジン等の有機酸やハロゲン化合物等が含有されている。このようなフラックスを含有するはんだペーストを用いてはんだ付けした後に、フラックスの残渣が残ると、そのフラックス残渣が有する腐食作用により、はんだ付けされた基板が徐々に腐食される等の問題がある。そこで、はんだ付け終了後に、はんだ付けされた基板は、フラックス残渣を除去する目的で、洗浄されることが必要となる。その洗浄には、一般にフロン溶剤が使用される。ところが近年、環境汚染の観点から、脱フロン化が進められており、水で洗浄を行う水系洗浄や、はんだ付け後に洗浄を要しない固形分の少ない低残渣の無洗浄フラックスが使用されている。
しかしながら、水系洗浄の場合、洗浄に水を使用することから、洗浄に用いた水が、重金属に汚染される問題がある。また、今後さらに微細化された接続ピッチ構造を持つ半導体素子に対して、水系洗浄では洗浄性が悪いという問題があることから、洗浄を必要としない低残渣の無洗浄フラックスが多く用いられている。
【０００３】
低残渣のフラックスとして、特許文献１には、はんだ付け前には実質的にほとんど蒸発せず、はんだ付け時に、熱分解してはんだ付け面の酸化皮膜を還元除去する活性を示す溶剤を用いたはんだ付け用フラックスが開示されている。この溶剤は、はんだ付け後に徐々に揮発するような溶剤であり、この溶剤を用いることにより低残渣のフラックスとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１１２６９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
はんだペーストにおいては、ペーストの材料構成が、はんだ粉、溶剤、固形分（ロジン、活性剤等）から成るのが一般的である。特許文献１に記載されている従来の無洗浄型フラックスは、固形分を減らし、ハロゲン化物を含有させない等の工夫は成されているが、はんだ付後、必ずロジン等の樹脂成分或いは活性剤成分等の残渣が発生する恐れがある。
【０００６】
本願発明は、上記課題を解決するものであり、具体的には、効率良く酸化膜を還元することにより酸化膜を除去し、且つはんだ付け後に残渣の発生しないフラックス、及びこのフラックスを含有するはんだペースト、及び、それを用いて構成部材を接合することにより形成された、はんだ付け信頼性の高い接合部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下の通りである。
１．（Ａ）成分：ギ酸アンモニウムと、
（Ｂ）成分：常温で液体であり、大気圧における沸点が１５０℃以上の脂肪族多価アルコールと、を含有することを特徴とするフラックス。
２．前記脂肪族多価アルコールに含まれるヒドロキシル基の数が２又は３である上記１．に記載のフラックス。
３．前記（Ａ）成分１００質量部に対して、前記（Ｂ）成分の含有量が、１０〜３００質量部である上記１．又は上記２．に記載のフラックス。
４．上記１．乃至３．のいずれか１項に記載のフラックスと、はんだ粉と、を含有することを特徴とするはんだペースト。
５．構成部材と他の構成部材とが、上記４．に記載のはんだペーストを用いてはんだ付けされていることを特徴とする接合部品。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のフラックスは、（Ａ）成分：ギ酸アンモニウムと、（Ｂ）成分：常温で液体であり、大気圧における沸点が１５０℃以上の脂肪族多価アルコールと、を含有することにより、還元性を有し、効率良く酸化膜を還元することができ、基板等に発生した酸化被膜を除去することができる。また、本発明のフラックスは、基板に電子部品等をはんだ付けした後のフラックスの残渣が抑制され、無洗浄フラックスとすることができる。
また、前記アルコールに含まれるヒドロキシル基の数が２又は３である場合には、より効率良く酸化膜を還元することができる。
また、本発明のはんだペーストは、本発明のフラックスを含有することにより、基板に電子部品等をはんだ付けした後に、フラックス残渣が抑制され、はんだ付け後の洗浄工程を不要とすることができる。
また、本発明の接合部品は、少なくとも一部の構成部材どうしが、本発明のはんだペーストを用いてはんだ付けされていることにより、接合信頼性の高い接合部品とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に係る接合部品の部分断面図である。
【図２】本発明に係るフラックスを含有するはんだペーストを用いた接合部品の製造方法を示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［１］フラックス
本発明のフラックスは、（Ａ）成分：ギ酸アンモニウムと、（Ｂ）成分：常温で液体であり、大気圧における沸点が１５０℃以上の脂肪族多価アルコールと、を含有することを特徴とする。
【００１１】
フラックスは、通常、大気圧下及び室温下で、液状（溶液又は分散液）である。従って、フラックスとしては、以下に例示される。
［１］成分（Ａ）及び（Ｂ）を含有する溶液又は分散液
［２］成分（Ａ）及び（Ｂ）と、他の媒体（溶剤）を含有する溶液又は分散液
これらの態様においては、成分（Ａ）が、成分（Ｂ）又は他の媒体に溶解している溶液であることが好ましい。また、例えば、２５℃で成分（Ａ）が分散している分散液であって、はんだ付けによる加熱する場合に、加熱の際に成分（Ａ）が溶解する組成物であってもよい。
【００１２】
上記（Ａ）成分のギ酸アンモニウムは、還元性を有する化合物である。本発明のフラックスは、このギ酸アンモニウムを含有することにより、はんだ付けされる基板等の金属表面に形成された酸化被膜を還元し、酸化被膜を除去することができる。そして、これにより、所謂はんだの濡れ性が向上される。
【００１３】
また、上記のように、本発明のフラックスは、上記（Ｂ）成分の、常温で液体であり、大気圧における沸点が１５０℃以上の脂肪族多価アルコール（以下、「脂肪族多価アルコール（Ｂ）」ともいう。）を含有する。
脂肪族多価アルコール（Ｂ）は、常温で液体である。常温で液体とは、１気圧（大気圧）且つ２０℃の雰囲気下で液体であることを意味する。また、液体とは、外力を加えることなく流動される状態を意味する。
この（Ｂ）成分を含むことにより、上記還元性に加えて、利用後（はんだ付け後）に残渣として極めて残存され難く、従来必要であったフラックスの洗浄工程を行う必要がない。
尚、大気圧とは、１気圧（１気圧＝１０１３ｈＰａ＝７６０ｍｍＨｇ）のことである。
【００１４】
また、脂肪族多価アルコール（Ｂ）の大気圧における沸点は、１５０℃以上、好ましくは１６０℃以上、より好ましくは２００℃以上であり、上限は、通常、４００℃である。
【００１５】
脂肪族多価アルコール（Ｂ）は、水溶性であってよいし、水不溶性であってもよい。
また、脂肪族多価アルコール（Ｂ）は、飽和アルコール及び不飽和アルコールのいずれでもよい。
【００１６】
脂肪族多価アルコール（Ｂ）に含まれるヒドロキシル基の数は、通常、２以上、上限は、通常３０であり、より好ましくは２または３である。従って、上記アルコールは、多価アルコール及び多価アルコールエーテルであることが好ましい。アルコールに含まれるヒドロキシル基の数が、上記範囲内にあると、ハンドリングの点で最適な粘度となるため作業性に優れるフラックスとすることができる。
【００１７】
脂肪族多価アルコール（Ｂ）としては、炭化水素を構成する水素原子が、ヒドロキシル基に置換された脂肪族多価アルコール（Ｂ１）及び、エーテル結合を有する脂肪族多価アルコールである脂肪族多価アルコールエーテル（Ｂ２）等が挙げられる。
【００１８】
上記脂肪族多価アルコール（Ｂ１）としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキサンジオール、ペンタンジオール、グリセリン、ヘキサントリオール、チオジグリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，２−ペンタンジオール、１，２−ヘキサンジオール、１，２，６−ヘキサントリオール等が挙げられる。これらは、単独で用いてよいし、２つ以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１９】
上記脂肪族多価アルコールエーテル（Ｂ２）としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。これらは、単独で用いてよいし、２つ以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２０】
上記成分（Ｂ）は、フラックスを除去する際に基板へのダメージが少なくすることができ、除去性に優れたフラックスとなるための観点から、好ましくは脂肪族多価アルコール（Ｂ１）である。
【００２１】
また、上記成分（Ｂ）の含有量は、上記成分（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１０〜３００質量部、より好ましくは５０〜２００質量部、更に好ましくは７０〜１５０質量部である。上記成分（Ｂ）の含有量が、上記範囲にあると、効率良く酸化膜を還元し、その酸化膜を除去し、且つはんだ付け後に残渣の発生を抑制することができる。
【００２２】
本発明のフラックスに含まれる上記成分（Ａ）及び上記成分（Ｂ）の合計量は特に限定されず、フラックスの一部として含有されてもよく、フラックスの全量を構成してもよい。即ち、例えば、フラックス全体を１００質量％とした場合、上記成分（Ａ）及び上記成分（Ｂ）の合計量は５０〜１００質量％と含有することができる。含有量がこの範囲であれば、還元性及び低残渣性に優れたフラックスとすることができる。含有量は７０〜１００質量％が好ましく、８０〜１００質量％がより好ましく、９０〜１００質量％が特に好ましい。
【００２３】
本発明のフラックスは、本発明の目的が達成される限り、上記成分（Ａ）及び上記成分（Ｂ）に加えて、その他の成分を含有できる。その他の成分としては、溶剤、活性剤、チクソトロピー性付与剤等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００２４】
上記溶剤としては、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分が均一に溶解でき、且つ、フラックスを剥離する際、リフロー工程などの熱により容易に蒸発するものであれば特に限定されない。この有機溶剤としては、例えば、アルコール系溶媒、グリコール系溶媒、ケトン系溶媒、炭化水素系溶媒、水等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００２５】
本発明のフラックスでは、溶剤を含有することができ、この溶剤の含有量によりフラックスの粘度を調製できる。即ち、フラックスの塗布方法に応じて適宜の粘度を選択でき、その粘度は上記範囲の溶剤量により調製できる。
この溶剤の配合量は特に限定されないが、上記成分（Ａ）及び上記成分（Ｂ）の合計を１００質量部とした場合に、０．１〜１０００００質量部を用いることができ、好ましくは１〜１００００質量部であり、更に好ましくは１０〜１０００質量部である。
【００２６】
上記活性剤としては、アミン類（アミン化合物）、塩化水素酸及び臭化水素酸のアミン塩、並びに、カルボン酸のアミン塩が挙げられる。この活性剤としては、例えば、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン等の第１級アミン類；ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第２級アミン類；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン等の第３級アミン類；モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類等の塩化水素酸塩及び臭化水素酸塩、並びに、脂肪族カルボン酸、芳香族酸、ヒドヒドロキシ酸等のカルボン酸のアミン塩等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
また、上記脂肪族カルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、アジピン酸、グルタル酸、ジエチルグルタル酸、ピメリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、ジグリコール酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、リノール酸、オレイン酸、ステアリン酸、アラキン酸、ベヘニン酸、リノレン酸等が挙げられる。
また、上記芳香族酸としては、安息香酸等が挙げられる。
また、上記ヒドロキシ酸としては、ヒドロキシピバリン酸、ジメチロールプロピオン酸、クエン酸、リンゴ酸、グリセリン酸、乳酸等が挙げられる。
【００２７】
上記チクソトロピー性付与剤としては、例えば、カスターワックス（硬化ひまし油）等のポリオレフィン系ワックス；ｍ−キシリレンビスステアリン酸アミド等の脂肪酸アミド；Ｎ−ブチル−Ｎ’−ステアリル尿素等の置換尿素ワックス；ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等の高分子化合物；シリカ粒子、カオリン粒子等の無機粒子が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００２８】
本発明のフラックスでは、チクソトロピー性付与剤を含有することができる。
このチクソトロピー性付与剤の配合量は特に限定されないが、芳香族化合物及び脂肪族化合物の合計を１００質量部とした場合に、０．１〜３０質量部を用いることができ、好ましくは０．１〜２０質量部であり、更に好ましくは０．１〜１０質量部である。
【００２９】
本発明のフラックスの製造方法は、溶剤を含むフラックスの場合、上記（Ａ）成分、及び必要に応じて添加される溶剤以外の添加物を、（Ｂ）成分及び必要に応じて添加される溶剤のいずれか一方に溶解又は分散させた後、他方と更に混合する方法により調製される。また、溶剤を含まないフラックスの場合、上記（Ａ）成分、及び必要に応じて添加される溶剤以外の添加物を、（Ｂ）成分に溶解又は分散させる方法により調製される。
【００３０】
［２］はんだペースト
本発明のはんだペーストは、本発明における上記フラックスと、はんだ粉と、を含有する。
上記フラックスは、上述の本発明のフラックスをそのまま適用できる。本発明のはんだペーストに含有される上記フラックスの量は特に限定されないが、上記フラックスの含有量は、上記はんだペースト全体を１００質量％とした場合、好ましくは０．１〜３０質量％であり、より好ましくは１〜２０質量％であり、更に好ましくは５〜１０質量％である。上記フラックスの含有量が、上記範囲にあると、基板との親和性に優れるはんだペーストとすることができる。
【００３１】
上記はんだ粉は、金属同士の接合化、又は電子回路等において各部材の基板への固定化等に使われる合金の粉であれば、特に限定されず、公知のはんだ粉を使用することができる。このはんだ粉としては、例えば、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ等のみならず、無鉛系のＳｎ−Ｓｂ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ系合金（Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｐ等が添加されていてもよい）等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００３２】
上記はんだ粉の形状は、球形、不定形、いずれでも良い。また、はんだ粉の粒径は、通常のものであればよく、球形の場合、直径５〜２００μｍが好ましく、より好ましくは５〜１００μｍであり、更に好ましくは５〜５０μｍである。
また、このはんだ粉の含有量は、はんだペースト全体を１００質量％とした場合、好ましくは７０〜９９．９質量％であり、より好ましくは８０〜９９質量％であり、更に好ましくは９０〜９５質量％である。上記はんだ粉の含有量が、上記範囲にあると、基板との親和性に優れるはんだペーストとすることができる。
【００３３】
また、本発明のはんだペーストにおいて、本発明の目的が達成される限り、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分を含有するフラックスと、はんだ粉と、に加えて、接着性樹脂及び無機フィラー等の添加剤を含有させることができる。
【００３４】
上記接着性樹脂は、熱や光により接着性が発現される樹脂であれば特に限定されない。例えば、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリアセタール、等の熱可塑性樹；エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、熱硬化性ポリエステル樹脂、等の熱硬化性樹脂：エポキシ樹脂、オキセタン樹脂等の光硬化性樹脂等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
本発明のはんだペーストでは、接着性樹脂を含有させることにより、はんだのクラックを防止することができる。上記接着性樹脂を含む場合、その含有量は、上記フラックスと上記はんだ粉との合計を１００質量部とした場合に、好ましくは０．１〜２００質量部であり、より好ましくは１０〜１００質量部であり、更に好ましくは１０〜８０質量部である。
【００３５】
上記無機フィラーとしては、シリカ、アルミナ等の無機酸化物等が挙げられる。
本発明のはんだペーストでは、無機フィラーを含有させることにより、はんだの強度を上げることができる。
【００３６】
本発明のはんだペーストの製造方法は、上記フラックス、及び上記はんだ粉、並びに必要に応じて添加される添加物を常法により、混練する方法が挙げられる。混練する機械としては、例えば、真空撹拌装置、混練装置、プラネタリ−ミキサー等が挙げられる。配合時の温度及び条件等は特に限定されないが、通常、５〜２５℃での混練が好ましい。
［３］接合部品
本発明の接合部品は、構成部材と他の構成部材とが、本発明における上記はんだペーストを用いてはんだ付けされている。
【００３７】
上記構成部材及び他の構成部材は、はんだ付けにより接着される部材である限り、特に限定されない。この部材（構成部材及び他の構成部材）としては、例えば、部品搭載基板、チップ搭載基板等の各種基板、電子回路モジュール、フリップチップＩＣ、半導体チップ等の各種電子部品等が挙げられる。
【００３８】
本発明の接合部材は、上記構成部材どうしが、本発明のはんだペーストに由来するはんだを介して接合されている。
本発明の接合部品としては、例えば、図１に示される表面実装型電子基板（以下、「実装体」という。）が挙げられる。この実装体を例として、以下に説明する。
図１に示すように、この実装体においては、部品搭載用の基板１の部品接続用導体（以下、「ランド」という。）２ａ，２ｂ上に、積層セラミックコンデンサ４の外部電極５ａ，５ｂが、本発明のはんだペースト３ａ、３ｂに由来するはんだ１３ａ、１３ｂを介して接合されている。
【００３９】
本発明の接合部品の製造方法（本発明のはんだペーストを使用した場合のはんだ付け方法）は、本発明のはんだペーストを用いて、上記構成部材がはんだ付けされる製造方法であれば、特に限定されない。例えば、はんだペースト塗布工程、部品搭載工程、リフロー工程を、この順序で備える通常の製造方法が挙げられる。
【００４０】
上記の製造方法を、例として以下に説明する。
（１）はんだペースト塗布工程；図２（ａ）に示される部品接続用導体（以下、「ランド」という。）２ａ、２ｂを有する基板１（構成部材）に、ランド２ａ、２ｂ上にはんだペースト３ａ、３ｂを印刷又は塗布する〔図２（ｂ）参照〕。
（２）部品搭載工程；上記（１）の工程の後、はんだペースト３ａ、３ｂ上に、外部電極５ａ、５ｂを備えた電子部品４（他の構成部材）を搭載する〔図２（ｃ）参照〕。
（３）リフロー工程；上記予備加熱の後、リフロー炉等を通炉させる等により、加熱し、はんだペースト３ａ、３ｂに含有されるはんだを溶融させ、はんだ付けを行う。
【００４１】
上記リフロー工程における加熱温度は、特に限定さないが、好ましくは８０〜２００℃であり、より好ましくは１００〜１８０℃である。このリフロー工程における加熱温度が上記範囲内にあると、上記はんだペーストに含有されるはんだ粉は溶融する。そして、基板と電子部品とを接合することができる。また、上記はんだペーストに含有されるフラックス等は揮発し、フラックス残渣は残存され難い。
【００４２】
本発明の接合部品は、本発明のはんだペーストを用いてはんだ付けされていることから、はんだ付け後にフラックス残渣が残存され難い。従って、はんだ付け後の接合部品を洗浄する必要がなく、接合信頼性の高い接合部品とすることができる。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明について、実施例を挙げて具体的に説明する。尚、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。また、実施例中の「部」は、特に断らない限り質量基準である。
【００４４】
［１］フラックスの調製
＜実施例１及び２並びに比較例１＞
表１に示す成分を混合することによりフラックスを調製し、実施例１及び２並びに比較例１のフラックスとして用いた。
【００４５】
【表１】
2011083809.tif 000003
【００４６】
［２］フラックスの評価
実施例１及び２並びに比較例１により得られたフラックスについて、下記評価を行った。下記評価の結果を表２に示す。
〔酸化膜（酸化銅）基板の作製〕
シリコンウエハ（厚さ１ｍｍ、直径２０ｃｍ）に、銅を１０μｍの厚さで蒸着した銅基板を作成した。その後、その銅基板を、１気圧、空気下で２００℃、６時間ホットプレートに置いて加熱し、片面が完全に酸化した酸化膜（酸化銅）基板を得た。
〔酸化膜（酸化スズ）基板の作製〕
シリコンウエハ（厚さ１ｍｍ、直径２０ｃｍ）に、スズを１０μｍの厚さで蒸着したスズ基板を作成した。その後、そのスズ基板を、１気圧、空気下で２００℃、６時間ホットプレートに置いて加熱し、片面が完全に酸化した酸化膜（酸化スズ）基板を得た。
【００４７】
（１）酸化膜（酸化銅）基板におけるフラックスの酸化膜還元性評価
実施例１及び２並びに比較例１のフラックスを、酸化膜（酸化銅）基板の上（酸化膜形成面）に均等に塗布し、もう一枚の同じ種類の酸化膜基板を酸化膜形成面が、フラックスに接触するようにして重ね合わせ、隙間なく付着させた。この重ね合わせた基板をホットプレート上で加熱し、還元作用が発現される温度を測定した。還元作用が発現される温度は、酸化銅の場合は黒から赤金色へ、に変色する温度を測定した。また、水を含有する実施例２のフラックスに関しても、上記と同様にして、フラックスを酸化膜形成面に均等に塗布した後、もう一枚の同じ種類の酸化膜基板を、酸化膜形成面がフラックスに接触するようにして重ね合わせ、重ね合わせた基板をホットプレート上で加熱した。そして、実施例２のフラックスに含有される水分は、この酸化還元性評価の加熱の際に除去された。
【００４８】
（２）酸化膜（酸化スズ）基板におけるフラックスの酸化膜還元性評価
実施例１及び２並びに比較例１のフラックスを、酸化膜（酸化スズ）基板の上（酸化膜形成面）に均等に塗布し、もう一枚の同じ種類の酸化膜基板を酸化膜形成面が、フラックスに接触するようにして重ね合わせ、隙間なく付着させた。この重ね合わせた基板をホットプレート上で加熱し、還元作用が発現される温度を測定した。還元作用が発現される温度は、酸化膜が酸化スズの場合は、その酸化膜の色が紫黒から白色へ、変色する温度を測定した。また、水を含有する実施例２のフラックスに関しても、上記と同様にして、フラックスを酸化膜形成面に均等に塗布した後、もう一枚の同じ種類の酸化膜基板を、酸化膜形成面がフラックスに接触するようにして重ね合わせ、重ね合わせた基板をホットプレート上で加熱した。そして、実施例２のフラックスに含有される水分は、この酸化還元性評価の加熱の際に除去された。
【００４９】
（３）フラックスの残渣評価
上記還元性評価後の基板を、窒素雰囲気下、ホットプレート上に置き、１２０分、ハンダ溶融温度に相等する２５０℃で加熱を行い、加熱後の酸化膜基板表面における残渣の有無について評価した。
残渣の評価は、上記加熱後の酸化膜基板を目視により観察し、全くシミや焦げが観察されなかった場合を、残渣がないとして「○」と評価し、シミや焦げが観察された場合を、残渣があるとして「×」と評価した。
【００５０】
【表２】
2011083809.tif 000004
【符号の説明】
【００５１】
１；基板、２ａ，２ｂ；ランド、３ａ，３ｂ；はんだペート、４；電子部品、５ａ，５ｂ；外部電極、１３ａ，１３ｂ；はんだ。
【図１】
2011083809.tif 000005
【図２】
2011083809.tif 000006