(57)【要約】      （修正有）【課題】基板をヒートシンクと電気的に接触させることによって逆交互接触積層構造を構成し、電子製品の高さが限定されている場合であっても、製品の機能を高めることができる高密度集積回路モジュール構造を提供する。【解決手段】高密度集積回路モジュール構造は、少なくとも基板２０とヒートシンク３０とを具備し、基板は、ヒートシンクと電気的に接触させることによって逆交互接触積層構造を構成し、熱伝導体３１は少なくとも非平坦構造を有する。この構成によって、電子製品の限定された高さ内で製品の機能を高めることができ、かつ、耐振動性や放熱性を高めることができる。組立手続工程において、はんだボールとキャリアの結合を行う工程が不要となり、製品の機能向上、容量の拡大、製造コストの低減を図りつつ組立作業を簡素化できる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも内面と、複数の外部パッドと複数のアダプタパッドとを有する外面とを具備し、前記外部パッドはアダプタパッドに電気的に接続され、前記基板の前記内面は、少なくとも前記外部パッドと前記アダプタパッドとを電気的に接続する電子装置を具備する基板と、
少なくとも複数の熱伝導体を具備し、前記基板上の前記アダプタパッドの周縁面に設けられ、前記熱伝導体は前記アダプタパッドと接触しかつ少なくとも非平坦構造とを有するヒートシンクと、を具備し、  
前記基板は、前記外部パッドを、前記熱伝導体によって、他の基板上の前記アダプタパッドと電気的に接触させることによって逆交互接触積層高密度構造を有する集積回路モジュールを構成することを特徴とする高密度集積回路モジュール構造。
【請求項２】
前記基板上の前記外部パッドは、前記熱伝導体の非平坦構造によって、前記他の基板上のアダプタパッドに電気的に接触することを特徴とする請求項１記載の高密度集積回路モジュール構造。
【請求項３】
前記非平坦構造は、単一膨出形状、複数の矩形歯状、複数の弧からなる形状、複数の丸みを帯びた歯からなる形状、複数の突起の少なくとも一つまたはこれらの組み合わせからなる形状を有することを特徴とする請求項１記載の高密度集積回路モジュール構造
【請求項４】
前記外部パッドは、ユニバーサルシリアルバス（USB）、ミニユニバーサルシリアルバス（Mini USB）、マイクロユニバーサルシリアルバス（Micro USB）、シリアルアドバンスドテクノロジアタッチメントSTA（e-SATA）のデータ通信インタフェースのうち少なくとも一つと互換性のある金属接点であることを特徴とする請求項１記載の高密度集積回路モジュール構造。
【請求項５】
少なくとも内面と、複数の外部パッドと複数のアダプタパッドとを有する外面とを具備し、前記外部パッドはアダプタパッドに電気的に接続され、前記基板の前記内面は、第１ポートと、少なくとも前記外部パッドと前記アダプタパッドとを電気的に接続する電子装置とを具備する基板と、
少なくとも複数の熱伝導体を具備し、前記基板上の前記アダプタパッドの周縁面に設けられ、前記熱伝導体は前記アダプタパッドと接触しかつ少なくとも非平坦構造とを有するヒートシンクと、  
少なくとも内面を有し、前記内面に第１ポートと前記延長基板に電気的に接続される少なくとも1つの電子装置を設けた前記延長基板とを具備し、
前記基板の前記外部パッドは、前記熱伝導体によって、他の基板上の前記アダプタパッドと電気的に接触させ、かつ、前記延長基板の前記第２ポートを前記基板の前記第１ポートと相互に結合させることによって、電気的接続集積回路モジュールの送信を可能とした高密度集積回路モジュール構造。
【請求項６】
前記延長基板上の前記電子装置は、制御チップとメモリとを具備し、前記制御チップは、相互に結合された前記基板上の前記第２ポートと前記第１ポートを介して前記基板から信号を受信することを特徴とする請求項５記載の高密度集積回路モジュール構造。
【請求項７】
前記基板上の電子装置は、制御チップとメモリとを具備し、前記制御チップは、相互に結合された前記延長基板上の前記第１ポートと前記第２ポートを介して前記延長基板から信号を受信することを特徴とする請求項５記載の高密度集積回路モジュール構造。
【請求項８】
前記基板上の前記外部パッドは、前記熱伝導体の非平坦構造によって、前記他の基板上のアダプタパッドに接触することを特徴とする請求項５記載の高密度集積回路モジュール構造。
【請求項９】
前記非平坦構造は、単一膨出形状、複数の矩形歯状、複数の弧からなる形状、複数の丸みを帯びた歯からなる形状、複数の突起の少なくとも一つまたはこれらの組み合わせからなる形状を有することを特徴とする請求項５記載の高密度集積回路モジュール構造
【請求項１０】
前記外部パッドは、ユニバーサルシリアルバス（USB）、ミニユニバーサルシリアルバス（Mini USB）、マイクロユニバーサルシリアルバス（Micro USB）、シリアルアドバンスドテクノロジアタッチメントSTA（e-SATA）のデータ通信インタフェースのうちの少なくとも一つと互換性のある金属接点であることを特徴とする請求項５記載の高密度集積回路モジュール構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路モジュール構造、特に、高密度集積回路モジュール構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１に示すように、従来の集積回路モジュール構造（１００）は、第１パッケージ（１１０）と、第２パッケージ（１２０）と、キャリア（１３０）とを具備する。第１パッケージ（１１０）は、第１基板（１１１）と、第１チップ（１１２）と、複数の第１バンプ（１１３）と、複数の第１はんだボール（１１４）とを具備する。第２パッケージ（１２０）は、第２基板（１２１）と、第２チップ（１２２）と、複数の第２バンプ（１２３）と、複数の第２はんだボール（１２４）とを具備する。第１チップ（１１２）はフリップチップ第１バンプ（１１３）によって第１基板（１１１）に結合される。第２チップ（１２２）はフリップチップ第２バンプ（１２３）によって第２基板（１２１）に結合される。製品の機能を高めるため、第１パッケージ（１１０）をキャリア（１３０）、第１はんだボール（１１４）及び第２はんだボール（１２４）を介して第２パッケージ（１２０）に積層し電気的に接続させる必要がある。
【０００３】
しかし、集積回路モジュール構造（１００）において、第２パッケージ（１２０）を電気的に接続するための第１パッケージ（１１０）は、キャリア（１３０）と第１はんだボール（１１４）と第２はんだボール（１２４）を収容するための空間を確保する必要がある。このような構成は、集積回路モジュール構造（１００）の厚さを低減する上で好ましくなく、軽量で、薄く、短くかつ小さい電子マイクロ記憶製品に適応することができない。さらに、第１パッケージ（１１０）と第２パッケージ（１２０）とを、キャリア（１３０）、第１はんだボール（１１４）及び第２はんだボール（１２４）を介して電気的に接続する方法は、第１はんだボール（１１４）と第２はんだボール（１２４）とを結合する工程を必要とするため、組立手順や製造コストの低減を図ることができない。一方、集積回路モジュール構造（１００）に応力がかかると、起こりうる振動によって容易に第１はんだボール（１１４）と第２はんだボール（１２４）が破壊し、接続信号の品質低下を招く。さらに、第１チップ（１１２）と第２チップ（１２２）動作時に生じる高温によって、集積回路モジュール構造（１００）の放熱が不良となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−６０４２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した課題を解決すべく、本発明の目的は、基板とヒートシンクを少なくとも具備する高密度集積回路モジュール構造であって、基板をヒートシンクと電気的に接触させることによって逆交互接触積層構造を構成し、電子製品の高さが限定されている場合であっても、製品の機能を高めることができる高密度集積回路モジュール構造を提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、基板とヒートシンクを少なくとも具備する高密度集積回路モジュール構造であって、基板をヒートシンクと電気的に接触させることによって逆交互接触積層構造を構成し、ヒートシンク上の熱伝導体は少なくとも非平坦構造を有することで、応力低減機能、緩衝機能、及び、より高い耐振動性を発揮でき、本発明に係る高密度集積回路モジュール構造に応力がかかる際にも、接続信号を良質に維持できる高密度集積回路モジュール構造を提供することにある。
【０００７】
本発明の次の目的は、互いに電気的に接触する基板とヒートシンクを少なくとも具備し、逆交互接触積層構造を有する基板を構成する高密度集積回路モジュール構造であって、ヒートシンク上に設けた熱伝導体によって、より高い放熱効果を奏することができる高密度集積回路モジュール構造を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、互いに電気的に接触する基板とヒートシンクを少なくとも具備し、逆交互接触積層構造を有する基板を構成する高密度集積回路モジュール構造であって、組立手続きにおいてはんだボールとキャリアを結合する工程が不要となり、基板の結合面にはんだ結合点が存在しないので、組立作業を簡素化することができ、機能の向上、容量の拡大、製造コストの低減を実現することができる高密度集積回路モジュール構造を提供することにある。
【０００９】
上記した課題を解決すべく、本発明において用いられる主な技術手段は、以下に示す技術的構成を具備する。本発明は、基板とヒートシンクを少なくとも具備する高密度集積回路モジュール構造であり、基板は内面と、複数の外部パッド及び複数のアダプタパッドが設けられた外面とを有し、外部パッドはアダプタパッドに電気的に接続され、基板の内面には、少なくとも外部パッドとアダプタパッドとを電気的に接続する電子装置が設けられ、ヒートシンクは少なくとも複数の熱伝導体を有し、ヒートシンクは基板上のアダプタパッドの周縁面に設けられ、アダプタパッドに接触する熱伝導体は少なくとも非平坦構造を有し、基板は、他の基板上のアダプタパッドと熱伝導体によって電気的に接触する外部パッドを有する逆交互接触高密度積層構造を有する積層回路モジュールに係る。
【００１０】
本発明の目的と解決される技術的課題は、以下の技術手段によってさらに実現することができる。
【００１１】
上記高密度集積回路モジュール構造は、熱伝導体の非平坦構造によって他の基板上のアダプタパッドと電気的に接触する外部パッドを有する基板を具備する。
【００１２】
上記高密度集積回路モジュール構造は、以下に示す形状の一つを有する非平坦構造を有する。すなわち、単一膨出形状、複数の矩形歯状、複数の弧からなる形状、複数の丸みを帯びた歯からなる形状、複数の突起の少なくとも一つまたはこれらの組み合わせからなる形状を有する非平坦構造を有する。
【００１３】
上記高密度集積回路モジュール構造は、以下に示すデータ通信インタフェースの少なくとも１つと互換性のある金属接点を有する外部パッドを具備する。すなわち、ユニバーサルシリアルバス（USB）、ミニユニバーサルシリアルバス（Mini USB）、マイクロユニバーサルシリアルバス（Micro USB）、シリアルアドバンスドテクノロジアタッチメントSTA（e-SATA）のデータ通信インタフェースのうちの少なくともひとつと互換性のある金属接点を有する外部パッドを具備する。
【００１４】
また、本発明は他の技術的手段も含む。高密度集積回路モジュール構造は、基板と、ヒートシンクと、延長基板とを少なくとも具備し、基板は、第１ポートと電子装置が少なくとも設けられた内面と、第１ポートと電子装置を電気的に接続するために互いに電気的に接続された複数の外部パッド及び複数のアダプタパッドを設けた外面を有し、少なくとも複数の熱伝導体をからなるヒートシンクは、基板上のアダプタパッドの周縁面に設けられ、アダプタパッドと接触する熱伝導体は少なくとも非平坦構造を有し、延長基板は、延長基板に少なくとも接続する第２ポートと電子装置を有する内面を少なくとも有し、基板上の外部パッドが、他の基板上のアダプタパッドに熱伝導体よって電気的に接触し、かつ、延長基板上に設けた第２ポートが基板上に設けた第１ポートと相互に結合して、電気的に接続された集積回路モジュールの信号を送信する。
【００１５】
上記高密度集積回路モジュール構造は、制御チップとメモリとからなる電子装置を延長基板上に設け、制御チップは、基板から送信された信号を、基板上に設けた第１ポートと相互に結合する第２ポートを介して受信する。
【００１６】
上記高密度集積回路モジュール構造は、制御チップとメモリとからなる電子装置を延長基板に設け、制御チップは、延長基板から送信された信号を、延長基板上に設けた第２ポートと相互に結合する第１ポートを介して受信する。
【００１７】
上記高密度集積回路モジュール構造は、基板上に、他の基板上のアダプタパッドに熱伝導体の非平坦構造を介して電気的に接触する外部パッドを有する。
【００１８】
上記高密度集積回路モジュール構造は、以下に示す形状のひとつを有する非平坦構造を有する。すなわち、単一膨出形状、複数の矩形歯状、複数の弧からなる形状、複数の丸みを帯びた歯からなる形状、複数の突起の少なくとも一つまたはこれらの組み合わせからなる形状を有する非平坦構造を有する。
【００１９】
上記高密度集積回路モジュール構造は、以下に示すデータ通信インタフェースの少なくとも１つと互換性のある金属接点を有する外部パッドを具備する。すなわち、ユニバーサルシリアルバス（USB）、ミニユニバーサルシリアルバス（Mini USB）、マイクロユニバーサルシリアルバス（Micro USB）、シリアルSTAアドバンスドテクノロジアタッチメント（e-SATA）のデータ通信インタフェースのうちの少なくともひとつと互換性のある金属接点を有する外部パッドを具備する。
【発明の効果】
【００２０】
先行技術との比較において、本発明は、基板をヒートシンクとを電気的に接触し、基板は逆交互接触積層構造を有し、ヒートシンクは非平坦構造熱伝導体を有する。従って、本発明に係る高密度集積回路モジュール構造は、以下に示す効果を奏する。（１）電子製品の限定された高さ内で製品の機能を高めることができる。（２）応力低減機能、緩衝機能、および、より高い耐振動性を有するので、集積回路モジュールに応力が加えられた場合でも、非平坦構造から供給される接続信号を良質に維持できる。（３）ヒートシンク上に熱伝導体を設けたので、より高い基板放熱効果を奏することができる。（４）基板の結合面にはんだ結合点が存在しないので、はんだボールとキャリアの結合に関する工程が、組立作業において不要となる。従って、組立作業を簡素化することができ、製品の機能向上、容量の拡大、製造コストの低減を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】従来の高密度集積回路モジュール構造を示す断面図である。
【図２】本発明に係るヒートシンクを示す立体図である。
【図３】本発明に係る高密度集積回路モジュール構造示す断面図である。
【図４−１】本発明に係る外部パッドに接触するヒートシンクの熱導体を示す断面図である。
【図４−２】本発明に係るアダプタパッドに接触するヒートシンクの熱伝導体を示す断面図である。
【図５】本発明に係る非平坦構造の単一膨出形状を示す断面図である。
【図６】本発明に係る非平坦構造の複数の矩形歯状を示す断面図である。
【図７】本発明に係る非平坦構造の複数の弧からなる形状を示す断面図である。
【図８】本発明に係る非平坦構造の複数の丸みを帯びた歯からなる形状を示す断面図である。
【図９−１】本発明に係る非平坦構造上に形成される複数の突起を示す立体図である。
【図９−２】本発明に係る図９−１のＡ−Ａによる断面図である。
【図１０】本発明に係るケースを具備する高密度集積回路モジュール構造を示す断面図である。
【図１１】本発明に係る第２実施例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の目的、技術的特徴及び効果の理解を高めるため、本発明を、好適な実施例を参照して以下説明する。
【００２３】
図２及び図３を参照して説明すると、高密度集積回路モジュール構造は、少なくとも基板（２０）と、ヒートシンク（３０）とを、主要構成要素として具備する。チップキャリアかつ通信インターフェースとして用いられ、かつ、内面（２０１）と外面（２０２）とを有する基板（２０）は、内部に回路をめぐらした高密度の二重伝導(dual-conductive)多層プリント回路基板（図示しない）から形成することができる。
【００２４】
ここで、外面（２０２）には複数の外部パッド（２０３）及び複数のアダプタパッド（２０４）が設けられている。外部パッド（２０３）とアダプタパッド（２０４）とは逆対称に配置され、外部パッド（２０３）は、アダプタパッド（２０４）に、基板（２０）上に設けた回路（図示しない）によって電気的に接続されている。外部パッド（２０３）とアダプタパッド（２０４）は、金属接点によって形成できる。この場合、外パッド（２０３）の金属接点は、少なくとも以下の通信インターフェース、即ち、ユニバーサルシリアルバス（USB）、ミニユニバーサルシリアルバス（Mini USB）、マイクロユニバーサルシリアルバス（Micro USB）、シリアルSTAアドバンスドテクノロジアタッチメント（e-SATA）のうちの１つと互換性を有する。
【００２５】
更に、基板（２０）の内面（２０１）に電子装置（２０５）が設けられている。電子装置（２０５）は、少なくとも外部パッド（２０３）とアダプタパッド（２０４）とに、ワイヤ接続や、電子装置（２０５）と基板（２０）とを電気的に接続するフリップチップボンディング技術を用いて電気的に接続されている。一般に、電子装置（２０５）は、制御チップ（２０５１）とメモリ（２０５２）とからなり、メモリ（２０５２）として、フラッシュメモリ、ＳＲＡＭ（静的ランダムアクセスメモリ）、ＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）、メモリチップ、あるいはＳＤＲＡＭ（シンクロナスＤＲＡＭ）を用いることができる。
【００２６】
本実施例において、制御チップ（２０５１）は、メモリ（２０５２）と、外部パッド（２０３）と、アダプタパッド（２０４）とに電気的に接続され、メモリ（２０５２）への記憶とアクセスとを制御する。また、制御チップ（２０５１）は、他の基板（２０’）と接続されかつ同基板（２０’）に制御信号を送信するアダプタパッド（２０４）を監視する。
【００２７】
更に、複数の熱伝導体（３１）からなるヒートシンク（３０）は、基板（２０）上のアダプタパッド（２０４）の周縁面に設けられる。熱伝導体（３１）は、少なくとも、アダプタパッド（２０４）と接触し、かつ、非平坦構造を有する。従って、基板（２０）上の外部パッド（２０３）は、熱伝導体（３１）を介して他の基板（２０’）上のアダプタパッド（２０４’）に電気的に接触し、逆交互接触高密度積層構造を有する積層回路モジュールを構成する。
【００２８】
好適な実施例として、非平坦構造を有する熱伝導体（３１）によって、基板（２０）上の外部パッド（２０３）を他の基板（２０’）上のアダプタパッド（２０４’）に電気的に接触させる。上記した構成とすることによって、本発明は、製品の高さが限定されている場合であっても、より多くの基板を水平に連結することによって、製品の機能を高めることができる。また、本発明は、上記した非平坦構造を有する熱伝導体（３１）を設けることによって、耐振動性を高めることができ、接続信号を良質に維持できる。
【００２９】
好適な実施例において、非平坦構造（３１１）の形状は、単一膨出形状（図５）、複数の矩形歯状（図６）、複数の弧からなる形状（図７）、複数の丸みを帯びた歯からなる形状（図８）、複数の突起（図９−１及び図９−２）や、単一または複数の上述した形状をランダムに組み合わせた形状、又は、本実施例で記載していないその他の単一または複数の形状を組み合わせた形状とすることもできる。
【００３０】
更に、ヒートシンク（３０）を外部パッド（２０３）の近傍で基板（２０）の一辺に結合する方法として、それに限定されるものではないが、ラッチフック（図示せず）を用いる方法がある。この方法において、非平坦構造（３１１）を外部パッド（２０３）に接触（図４−１）すると共に、ヒートシンク（３０）をアダプタパッド（２０４）の近傍において基板（２０）の一辺へ接触できる（図４−２）ので、差し込み状態で、非平坦構造（３１１）とアダプタパッド（２０４）とを電気的に伝導させることができる。
【００３１】
しかしながら、ヒートシンク（３０）の結合方法はラッチフックを用いる方法に限定されるものではなく、当該技術分野において広く知られているいかなる方法を用いてもよく、リベット打ち、ほぞ穴接合、緊締、施錠、又は埋設を用いてもよい。
【００３２】
更に、本実施例では、基板（２０，２０’）の結合面にはんだ結合点が存在しないので、図１に示す従来技術の組立方法における工程であるキャリア（１３０）形成工程、第１はんだボール（１１４）形成工程、第２はんだボール（１２４）形成工程等が不要となる。したがって、組立作業が簡素化し、それによって製品の機能や容量を向上することができ、製造コストを低減できる。
【００３３】
好適な実施例において、本発明のヒートシンク（３０）の熱伝導体（３１）は、基板（２０、２０’）から発生する熱の伝達を向上して放熱をより促進するため、銅、アルミニウム、または他の金属を用いて製造することができる。更に、ヒートシンク（３０）と基板（２０）とは、それぞれ別個に電源等に接続することができる。即ち、ヒートシンク（３０）と基板（２０）は、プラグイン型である。
【００３４】
図１０を参照して本発明をさらに説明すると、本発明に係る高密度集積回路モジュール構造は、基板（２０）とヒートシンク（３０）とをその内部に収容するケース（５０）をさらに具備する。一方、基板（２０）の外面（２０２）上に設けた外部パッド（２０３）はケース（５０）の外部に露出している。従って、外部パッド（２０３）とコンピュータのデータ通信インターフェースのポートなどの外部の情報装置とを接続して、パッド（２０３）の金属接点を介してデータを伝送することができる。
【００３５】
本発明を、図１１を参照してさらに説明する。本発明の第２実施例に係る高密度集積回路モジュール構造は、第１実施例、図２〜図１０に記載されている高密度集積回路モジュール構造と同様の構成であるため、同様な構成要素には同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３６】
第２実施例は、以下の点において、第１実施例と異なる。即ち、第２実施例に係る高密度集積回路モジュール構造において、基板（２０）の内面（２０１）上には、第１ポート（２０６）と、少なくとも外部パッド（２０３）とアダプタパッド（２０４）に接続される電子装置（２０５）と、少なくとも内面（４０１）を有する延長基板（４０）であって、第２ポート（４０２）と少なくとも延長基板（４０）に電気的に接続された電子装置（４０３）を具備する延長基板（４０）とが設けられている。基板（２０）上に設けた外部パッド（２０３）が他の基板（２０’）上のアダプタパッド（２０４’）に熱伝導体（３０）よって電気的に接触し、かつ、延長基板（４０）上に設けた第２ポート（４０２）が基板（２０）上に設けた第１ポート（２０６）と相互に結合することによって、集積回路モジュールの電気的接続が行われ、信号を送信することができる。
【００３７】
好適な実施例において、第１ポート（２０６）と第２ポート（４０２）とを、１つのコネクタの雄プラグと雌ソケットからそれぞれ形成でき、雄プラグと雌ソケットは、基板（２０）と延長基板（４０）に固着されている。延長基板（４０）上に設けた電子装置（４０３）は、制御チップ（４０３１）とメモリ（４０３２）とからなり、制御チップ（４０３１）は基板（２０）からの信号を、基板（２０）上に設けられかつ相互に結合された第２ポート（４０２）と第１ポート（２０６）とを介して受信する。また、基板（２０）上に設けた電子装置（２０５）は、制御チップ（２０５１）とメモリ（２０５２）とから形成することができる。
【００３８】
電子装置（２０５）は、延長基板（４０）からの信号を、延長基板（４０）上に設けられかつ相互に結合された第１ポート（２０６）と第２ポート（４０２）とを介して受信する。このように基板（２０）上と延長基板（４０）上とに設けられた制御チップ（２０５１、４０３１）間で信号を送信することによって。本発明は既存のデータ容量を拡大でき、また、更なる機能を付与することができる。
【００３９】
要約すると、本発明において基板とヒートシンクとを電気的に接触させることで、逆交互接触積層構造を有する基板を構成し、基板と電気的に接触する延長基板を少なくとも追加し、ヒートシンクは非平坦構造を有する熱伝導体を有する。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
上記した構成によって、本発明は以下に示す効果を得ることができる。（１）電子製品の限定された高さ内で製品の機能を高めることができる。（２）応力低減機能、緩衝機能、及び、より高い耐振動性を発揮するので、集積回路モジュールに応力が加えられた場合でも、非平坦構造から供給される接続信号を良質に維持できる。（３）ヒートシンク上に熱伝導体を設けたので、より高い放熱効果を奏することができる。（４）基板の結合面にはんだ結合点が存在しないので、はんだボールとキャリアの結合に関する工程が、組立作業において不要となる。
【００４１】
従って、組立作業を簡素化することができ、製品の機能向上、容量の拡大、製造コストの低減を実現することができる。このように、本発明は、一般に使用されている従来の高密度集積回路モジュール構造とは異なる効果を奏することができ、また、同様な装置構造に対して実質的に独創性を有するものであり、十分な特許性を有し、ここに特許の付与を求める。
【００４２】
上記した記載は、本発明における好適な実施例の記載に過ぎず、この明細書、特許請求の範囲または図面に記載の発明を用いてなされる均等論的な構造的変更は、本発明の特許請求の範囲によって定義される範囲に属する。
【符号の説明】
【００４３】
２０  基板
３０  ヒートシンク
２０１  内面
２０２  外面
２０３  外部パッド
２０４  アダプタパッド
２０５  電子装置
２０５１  制御チップ
２０５２  メモリ
２０’  基板（
３１  熱伝導体
２０４’  他の基板上のアダプタパッド
３１１  非平坦構造
１３０  キャリア
１１４  第１はんだボール
１２４  第２はんだボール
４０１  内面
４０    延長基板
４０２  第２ポート
２０６  第１ポート
４０３  電子装置
４０３１  制御チップ
４０３２  メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９−１】
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【図９−２】
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【図１０】
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【図１１】
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