(57)【要約】【課題】導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有する配線基板をいわゆるダマシン法を用いて製造するに際し、樹脂絶縁層に対して配線溝を形成し、この配線溝内に導体層を配線層として形成する際に、配線溝の加工形状及び加工深さのばらつきを抑制し、配線溝内に形成する配線層の形状及び厚さの変動を抑制して、設計値通りのインピーダンスを有する配線層を得、配線基板の製造歩留まりを抑制する。【解決手段】導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有する配線基板において、  前記樹脂絶縁層に対し、レーザを面照射することにより、前記樹脂絶縁層に前記配線溝を形成する。次いで、前記配線溝に少なくとも一部が埋設するようにして前記導体層を形成し、前記配線溝内に配線を形成する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有する配線基板の製造方法であって、
前記樹脂絶縁層に対し、レーザを面照射することにより、前記樹脂絶縁層に配線溝を形成する配線溝形成工程と、
前記配線溝に少なくとも一部が埋設するようにして前記導体層を形成し、前記配線溝内に配線を形成する配線形成工程と、
を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記配線溝形成工程において、形成すべき配線溝形状に相当する開口部が形成されてなるマスクを介して、前記レーザを面照射することを特徴とする、請求項１に記載の配線基板の製造方法。  
【請求項３】
前記レーザはエキシマレーザであることを特徴とする、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記配線溝形成工程において、前記配線溝は前記樹脂絶縁層を貫通させないようにして形成することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂絶縁層に対して炭酸ガスレーザ又はＵＶレーザを照射することにより、前記樹脂絶縁層に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔内にビア導体を形成するビア導体形成工程と、
を備えることを特徴とする、請求項１〜４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記貫通孔形成工程の後に前記配線溝形成工程を実施し、前記配線溝形成工程の後に前記配線形成工程及び前記ビア導体形成工程を同時に実施することを特徴とする、請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの高集積化及び高速化により、配線の多層化と微細化とが進んでいる。特にロジックデバイスにおいては、トランジスタ特性の高性能化を実現するためには配線の最小ピッチをゲート長に合わせて小さくすることが必須であり、これに伴って微細配線形成の技術は必須の技術的事項となってきている。
【０００３】
このような微細配線形成技術としては、従来のＡｌ配線技術に用いてきたドライエッチングの手法に代わり、エッチングを必要としないダマシン法が主流となってきている。ダマシン法には、シングルダマシン法とデュアルダマシン法とがある。
【０００４】
シングルダマシン法は、層間絶縁膜に配線となる溝をエッチングにより形成し、さらに拡散防止層としてのバリヤメタル層を堆積し、その上にＣｕ膜を堆積した後、配線溝の上部のＣｕとバリヤメタルを化学機械研磨（ＣＭＰ）等により除去して平坦化を行い、配線を形成する手法である。これに対しデュアルダマシン法は、下層配線層との電気的コンタクトをとるビアホールを配線溝と共に同時に形成し、バリヤメタル層の堆積、Ｃｕ膜の堆積、ＣＭＰをそれぞれ１回行い、配線とビア・プラグを同時に形成する手法である。そして、これらの工程を必要な層数となるまで繰り返すことで、多層配線を形成することができる。
【０００５】
このようにダマシン法では、シングルダマシン法あるいはデュアルダマシン法のいずれにおいても配線溝を形成する必要があるが、従来は、例えば特開２００６−４９８０４号公報に記載されているように、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ等をスポット的に照射して点加工を実施し、この点加工を複数回実施することによって、上述のような配線溝を形成していた。
【０００６】
しかしながら、このような点加工では配線溝における直線部分や曲線部分の加工が困難であり、加工エッジ部分の形状がばらついてしまったり、複数回の点加工による多重照射によって、配線溝の深さがばらついてしまったりするなどの問題があった。その結果、配線溝内に形成するＣｕ配線の形状や厚さが変動してしまい、配線基板に形成すべきＣｕ配線のインピーダンスが設計値と異なってしまい、配線基板の製造歩留まりが低下してしまうという問題が生じていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−４９８０４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有する配線基板をいわゆるダマシン法を用いて製造するに際し、樹脂絶縁層に対して配線溝を形成し、この配線溝内に導体層を配線層として形成する際に、配線溝の加工形状及び加工深さのばらつきを抑制し、配線溝内に形成する配線層の形状及び厚さの変動を抑制して、設計値通りのインピーダンスを有する配線層を得、配線基板の製造歩留まりを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、本発明は、
導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有する配線基板の製造方法であって、
前記樹脂絶縁層に対し、レーザを面照射することにより、前記樹脂絶縁層に前記配線溝を形成する配線溝形成工程と、
前記配線溝に少なくとも一部が埋設するようにして前記導体層を形成し、前記配線溝内に配線を形成する配線形成工程と、
を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法に関する。
【００１０】
本発明によれば、導体層の一部からなる配線を形成すべき配線溝を、この配線溝形状に相当するようなパターンを有するレーザを面照射して形成するようにしている。
【００１１】
この結果、樹脂絶縁層において配線溝が点加工ではなく面加工で形成されるようになるので、点加工の際の、加工エッジ部分の形状がばらついてしまったり、複数回の点加工による多重照射によって、配線溝の深さがばらついてしまったりするなどの問題が生じない。その結果、配線溝内に形成する配線層の形状や厚さが変動してしまい、配線基板に形成すべき配線のインピーダンスが設計値と異なってしまい、配線基板の製造歩留まりが低下してしまうという問題を生じることがない。
【００１２】
なお、特許第４１２７４４８号には、配線基板の上面側の最表層に位置するレジスト層に対してエキシマレーザを面照射して開口部を形成し、下面側のレジスト層に対しては炭酸ガスレーザを照射して大口径の開口部を形成することで、下面側に位置する金属端子パッドの露出面積を増大させて、他の配線基板等の外部接続端子との接続を良好に行う方法が開示されている。しかしながら、当該特許におけるレーザの面照射は、他の配線基板等の外部接続端子と接続するための最表層のレジスト層への開口部の形成に関するものである。
【００１３】
また、当該特許は、配線基板をいわゆるセミアディティブ（ＳＡＰ）法によって形成することを前提としており、本発明のようにダマシン法によって形成することについては何ら言及していないともに示唆もしていない。したがって、上述したような、配線溝を形成する際の加工エッジ部分の形状ばらつきや、複数回の点加工による多重照射による配線溝の深さのばらつきについて何ら問題としていないことが明白である。結果として、当該特許に本発明と類似の技術が開示されているとしても、当該特許には、その技術を本発明に転用するに足る技術的根拠及び動機づけが何ら存在していない。
【００１４】
なお、本発明の一例において、配線溝形成工程で、配線溝は樹脂絶縁層を貫通させないようにして形成することができる。この場合、形成すべき配線を下部配線層等から電気的に絶縁し、樹脂絶縁層中に埋設するような形態で形成することができるので、配線が微細化した場合においても配線の脱落等を防止することができる。
【００１５】
また、本発明の一例において、樹脂絶縁層に対して炭酸ガスレーザ又はＵＶレーザを照射することにより、樹脂絶縁層に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔内にビア導体を形成するビア導体形成工程とを備えるようにすることができる。この場合、上述した配線溝中への配線形成と併せて、下層配線層との電気的コンタクトをとるビア導体を形成することができる。すなわち、デュアルダマシン法類似の方法を用いて形成することができる。
【００１６】
さらに、本発明の一例において、貫通孔形成工程の後に配線溝形成工程を実施し、この配線溝形成工程の後に配線形成工程及びビア導体形成工程を同時に実施することができる。この場合は、配線形成とビア導体形成とを同時に行うことになるので、いわゆるデュアルダマシン法を用いて配線基板を製造することになる。一方、貫通孔形成工程の後に配線溝形成工程を実施しているので、貫通孔形成の際に貫通孔底部に残存する樹脂絶縁層の加工残渣をレーザによる面照射によって除去してクリーニングすることができるようになる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明によれば、導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有する配線基板をいわゆるダマシン法を用いて製造するに際し、樹脂絶縁層に対して配線溝を形成し、この配線溝内に導体層を配線層として形成する際に、配線溝の加工形状及び加工深さのばらつきを抑制し、配線溝内に形成する配線層の形状及び厚さの変動を抑制して、設計値通りのインピーダンスを有する配線層を得、配線基板の製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態における配線基板の平面図である。
【図２】同じく、実施形態における配線基板の平面図である。
【図３】図１及び２に示す配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【図４】図１及び２に示す配線基板をＩＩ−ＩＩ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【図５】実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。
【図６】同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。
【図７】同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。
【図８】同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。
【図９】同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。
【図１０】同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。
【図１１】同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。
【図１２】実施形態において、エキシマレーザの面照射によって加工した面溝の状態を示す図である。
【図１３】実施形態において、ＵＶレーザの点照射によって加工した面溝の状態を示す図である。
【図１４】同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。
【図１５】同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。
【図１６】同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。
【図１７】同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。
【図１８】同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【００２０】
（配線基板）
最初に、本発明の方法に使用する配線基板の構成について説明する。但し、以下に示す配線基板はあくまでも例示であって、導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも１層有する配線基板であれば特に限定されるものではない。
【００２１】
図１及び２は、本実施形態における配線基板の平面図であり、図１は、前記配線基板を上側から見た場合の状態を示し、図２は、前記配線基板を下側から見た場合の状態を示している。また、図３は、図１及び２に示す前記配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図であり、図４は、図１及び２に示す前記配線基板をＩＩ−ＩＩ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【００２２】
図１〜４に示す配線基板１は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面に、所定のパターンに金属配線７ａをなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１（単に導体層ともいう）がそれぞれ形成される。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるものである。
【００２３】
他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００２４】
また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、必要に応じてシリカフィラー等を含む熱硬化性樹脂組成物６にて構成された第１のビア層（ビルドアップ層：絶縁層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面部分にはそれぞれ金属配線７ｂをなす第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキにより埋設するようにして形成されている。但し、第１のビア層Ｖ１，Ｖ１１の上面の平面レベルと金属配線７ｂの上面の平面レベルとは同一であって、金属配線７ｂの上面は第１のビア層Ｖ１，Ｖ１１から露出している。
【００２５】
第１のビア層Ｖ１，Ｖ１１、及び第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、熱硬化性樹脂組成物６を用いた第２のビア層（ビルドアップ層：絶縁層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。
【００２６】
また、第２のビア層Ｖ２及びＶ１２上には、それぞれ金属端子パッド１０，１７を有する第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３がＣｕメッキにより形成されている。
【００２７】
コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれ以下に説明する製造方法に起因したフィルドビア３４−１により層間接続がなされている。ビア３４−１は、ビアホール３４−１ｈとビアホールを埋設するようにして設けられたビア導体３４−１ｓと、底面側にてビア導体３４−１ｓと導通するように設けられたビアパッド３４−１ｐと、ビアパッド３４−１ｐと反対側にてビア導体３４−１ｓの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４−１ｌとを有している。
【００２８】
ビア３４−１は第１のビア層Ｖ１，Ｖ１１中に埋設されている。但し、ビアランド３４−１ｌの上面の平面レベルと第１のビア層Ｖ１，Ｖ１１の上面の平面レベルとは同一であって、ビアランド３４−１ｌの上面は第１のビア層Ｖ１，Ｖ１１から露出している。
【００２９】
第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２と第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれ以下に説明する製造方法に起因したフィルドビア３４−２により層間接続がなされている。ビア３４−２は、ビアホール３４−２ｈと、その内周面に設けられたビア導体３４−２ｓと、ビア導体３４−２ｓの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４−２ｌとを有しており、ビア導体３４−２ｓは、ビア３４−１のビアランド３４−１ｌ及び金属配線７ｂと電気的に接続されている。
【００３０】
以上のように、板状コア２の第１の主面ＭＰ１上には、コア導体層Ｍ１、第１のビア層Ｖ１、第１の導体層Ｍ２、第２のビア層Ｖ２及び第２の導体層Ｍ３が順次に積層され、第１の配線積層部Ｌ１を形成している。また、板状コア２の第２の主面ＭＰ２上においては、コア導体層Ｍ１１、第１のビア層Ｖ１１、第１の導体層Ｍ１２、第２のビア層Ｖ１２及び第２の導体層Ｍ１３が順次に積層され、第２の配線積層部Ｌ２を形成している。そして、第１の主表面ＣＰ１上には複数の金属端子パッド１０が形成されており、第２の主表面ＣＰ２上には、複数の金属端子パッド１７が形成されている。
【００３１】
さらに、第１の主表面ＣＰ１上には開口部８ａを有するソルダーレジスト層８が形成されており、開口部８ａに露出した金属端子パッド１０及びビアランド３４−２ｌ上には、無電解メッキによって形成したニッケルと金とを含む積層膜１０ａが形成されている。また、第２の主表面ＣＰ２上にも開口部１８ａを有するソルダーレジスト層１８が形成されており、開口部１８ａに露出した金属端子パッド１７及びビアランド３４−２ｌ上にはニッケルと金とを含む積層膜１７ａが形成されている。但し、積層膜１７ａを形成することなく、金属端子パッド１７及びビアランド３４−２ｌが直接開口部１８ａに対して露出するようにしてもよい。
【００３２】
また、開口部８ａ内には、たとえばＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂなど実質的にＰｂを含有しないはんだからなる、はんだバンプ１１が金属パッド１０及びビアランド３４−２ｌと電気的に接続するようにして形成されている。さらに、開口部１８ａ内には図示しないはんだボールやピン等が金属パッド１７及びビアランド３４−２ｌと電気的に接続するようにして形成されている。
【００３３】
なお、図１〜４から明らかなように、本実施形態における配線基板１は矩形の略板形状を呈しており、その大きさは、例えば約３５ｍｍ×約３５ｍｍ×約１ｍｍとすることができる。
【００３４】
（配線基板の製造方法）
次に、図１〜４に示す配線基板の製造方法について説明する。図５〜１６は、本実施形態の製造方法おける工程図である。なお、以下に示す工程図は、図３に相当する、配線基板のＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面で見た場合の順次の工程を示すものである。
【００３５】
最初に、図５に示すように、板形状の耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）または繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）を、コア２として用意し、ドリリング等の方法でスルーホール１２を穿孔する。次いで、図６に示すように、パターンメッキによりコア導体層Ｍ１，Ｍ１１およびスルーホール導体３０を形成し、スルーホール１２に樹脂製穴埋め材３１を充填する。
【００３６】
次に、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１に粗化処理を施したのち、図７に示すように、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１を被覆するように樹脂フィルム６をラミネートおよび硬化させて、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１を得る。樹脂フィルムは、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。
【００３７】
次いで、図８に示すように、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１（ビア層）に対してその主表面から炭酸ガスレーザ又はＵＶガスレーザを照射し、所定のパターンにてビアホール３４−１ｈを形成し、ビアホール３４−１ｈを含む絶縁層Ｖ１及びＶ１１に対して粗化処理を実施する。なお、炭酸ガスレーザ及びＵＶガスレーザの強度（出力）は、例えば１０Ｗ〜２００Ｗとする。絶縁層Ｖ１及びＶ１１がフィラーを含む場合は、上述のようにして絶縁層Ｖ１及びＶ１１に対して粗化処理を施すと、フィラーが遊離して、絶縁層Ｖ１及びＶ１１上に残存するようになるので、適宜水洗浄を実施して、遊離したフィラーを除去する。
【００３８】
次いで、デスミア処理及びアウトラインエッチングを実施してビアホール３４−１ｈ内を洗浄する。なお、本例では、水洗浄を実施しているので、デスミア工程における水洗浄の際に、上記フィラーの凝集を抑制することができる。
【００３９】
また、本例では、上述した高水圧による水洗浄と上記デスミア処理の間に、エアーブローを行うことができる。これによって、上述した水洗浄によって遊離したフィラーが完全に除去されていない場合でも、エアーブローにおいてフィラーの除去を補完することができる。
【００４０】
次いで、図９に示すように、絶縁層Ｖ１、Ｖ１１上にそれぞれ開口部４１ａ，４１ｂを有する第１のマスク４１及び開口部４２ａ，４２ｂを有する第２のマスク４２を配置し、第１のマスク４１及び第２のマスク４２を介してエキシマレーザを面照射する。すると、図１０に示すように、絶縁層Ｖ１、Ｖ１１には、それぞれ第１のマスク４１の開口部４１ａ及び第２のマスク４２の開口部４２ａに相当する、金属配線７ｂ用の配線溝６ａが形成されるとともに、それぞれ第１のマスク４１の開口部４１ｂ及び第２のマスク４２の開口部４２ｂに相当する、ビアランド３４−１ｌ用の溝６ｂが形成される。
【００４１】
なお、エキシマレーザの強度（出力）は、例えば１０Ｗ〜２００Ｗとする。また、面照射はエキシマレーザに限定されるものではなく、例えばＹＡＧレーザやＣＯ２レーザ等を用いることもできる。
【００４２】
配線溝６ａ及び溝６ｂは、エキシマレーザの面照射によって一括形成されるので、エキシマレーザを点照射した場合のように、点加工に基づく加工エッジ部分の形状がばらついてしまったり、多重照射による複数回の点加工によって、配線溝６ａ及び溝６ｂの深さがばらついてしまったりするなどの問題が生じない。その結果、配線溝６ａ内に形成する金属配線７ｂ及び溝６ｂ内に形成するビアランド３４−１ｌの形状や厚さの変動を抑制することができ、特に配線基板１に形成すべき金属配線７ｂのインピーダンスが設計値と異なるようになることを防止し、配線基板１の製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【００４３】
但し、形成しようとする配線基板１の大きさが比較的大きく、多数の配線溝６ａ及び溝６ｂを形成しなければならないような場合は、エキシマレーザ及び第１のマスク４１、第２のマスク４２を適宜移動させて、配線溝６ａ及び溝６ｂを絶縁層Ｖ１，Ｖ１１の形成すべき箇所に順次に形成する。
【００４４】
なお、配線溝６ａ及び溝６ｂは、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１を貫通させないようにして形成する。
【００４５】
また、本実施形態では、炭酸ガスレーザ又はＵＶガスレーザでビアホール３４−１ｈを形成した後に、エキシマレーザの面照射によって配線溝６ａ及び溝６ｂを形成するようにしている。この際、ビアホール３４−１ｌの底部にもエキシマレーザが照射されるようになるので、底部に残存する絶縁層Ｖ１，Ｖ１１の加工残渣をエキシマレーザによる面照射によって除去してクリーニングすることができる。したがって、例えばデスミア工程における水洗浄及びこれに続くエアブローなどの操作を省略することもできる。
【００４６】
次いで、配線溝６ａ、溝６ｂ及びビアホール３４−１ｈ内に、無電解Ｃｕメッキを行ってメッキ下地膜を形成した後、電解メッキを行い、配線溝６ａ等からはみ出した余分なメッキをエッチングによって除去し、図１１に示すように、配線溝６ａ内に金属配線７ｂを形成するとともに、ビアホール３４−１ｈを埋設するようにビア導体３４−１ｓを形成し、溝６ｂ内にビアランド３４−１ｌを形成する。
【００４７】
この結果、パターニングされた導体層Ｍ２，Ｍ１２を得ることができる。この場合、配線溝６ａ及び溝６ｂは、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１を貫通させないようにして形成しているので、特に金属配線７ｂをコア導体層Ｍ１，Ｍ１１から電気的に絶縁し、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１中に埋設するような形態で形成することができる。したがって、金属配線７ｂが微細化した場合においても脱落等を防止することができる。
【００４８】
図１２は、エキシマレーザの面照射によって加工した面溝の状態を示す図であり、図１３は、ＵＶレーザの点照射によって加工した面溝の状態を示す図である。本実施形態で示すように、エキシマレーザの面照射を用いて形成した溝は、その壁面がほぼ垂直に立ち上がって段差を形成しており、溝内部の加工面は平坦であることが分かる。
【００４９】
一方、ＵＶレーザの点照射によって加工した溝は、図１３に示すように、例えば図中矢印Ａで示すように、加工すべき溝の円周方向に沿って少なくとも一部が重複するようにしてスキャンするとともに、図中矢印Ｂで示すように、加工すべき溝の内方向に向けて少なくとも一部が重複するようにスキャンして行う。この場合、図１３中にも示したように、矢印Ａ及びＢで示す方向へのスキャンにおいては、ＵＶレ−ザのスポットが重複することなく照射される領域（一重加工）、ＵＶレーザのスポットが２重に重複して照射される領域（二重加工）、及びＵＶレーザのスポットが３重に重複して照射される領域（三重加工）が存在するようになる。
【００５０】
このような場合、一重加工の領域に比較して、二重加工及び三重加工の領域は、ＵＶレーザが１乃至２回多く照射されているので、この順に加工が進行し、一重加工の領域に比較して二重加工の領域の加工深さは大きくなり、三重加工の領域の加工深さはさらに大きくなる。したがって、図１３に示すように、加工後の面溝内には、上述した加工深さの相違に伴って三段の加工孔が形成され、加工面は凹凸状となる。
【００５１】
また、加工後の溝の壁面も、上述した三段の加工に準じ、最外周は一重加工が主となり、内方に向かうにつれて二重加工及び三重加工が主となる。したがって、加工深さが内方へ向かうにつれて深くなり、均一な加工深さを実現することができないので、壁面が垂直に立ち上がらず、上述した加工深さの相違に起因した段差が内方へ向けて形成されるようになる。
【００５２】
結果として、図１３に示すようなＵＶレーザを用いた点照射による溝加工においては、加工エッジ部分の形状がばらついてしまったり、複数回の点加工による多重照射によって、配線溝の深さがばらついてしまったりするなどの問題が生じていることが分かる。
【００５３】
次いで、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２に粗化処理を施したのち、図１４に示すように、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２を被覆するように樹脂フィルム６をラミネートおよび硬化させて、絶縁層Ｖ２，Ｖ１２を得る。この樹脂フィルムも、上述したように、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。
【００５４】
次いで、図１５に示すように、絶縁層Ｖ２，Ｖ１２（ビア層）に対してその主表面からレーザを照射し、所定のパターンにてビアホール３４−２ｈを形成し、ビアホール３４−２ｈを含む絶縁層Ｖ２及びＶ１２に対して粗化処理を実施する。絶縁層Ｖ２及びＶ１２がフィラーを含む場合は、上述のようにして絶縁層Ｖ２及びＶ１２に対して粗化処理を施すと、フィラーが遊離して、絶縁層Ｖ２及びＶ１２上に残存するようになるので、上記同様に適宜水洗浄、エアーブローを行う。次いで、ビアホール３４−２ｈに対して、デスミア処理及び外形エッチング（アウトラインエッチング）を実施してビアホール３４−２ｈ内を洗浄する。
【００５５】
次いで、図１６に示すように、図９〜図１１及び段落［００４０］〜［００４７］に記載した方法と同様の方法によって、ビア導体３４−２ｓ、及びビアランド３４−２ｌ、金属端子パッド１０，１７を形成し、パターン化された第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３を形成する。
【００５６】
その後、図１７に示すように、第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３上に、ビアホール３４−２ｈ内を埋設するようにしてレジスト層８及び１８をそれぞれ形成し、レジスト塗布、及び露光現像処理を施すことによって、図１８に示すように、開口部８ａ及び１８ａを形成する。
【００５７】
次いで、無電解メッキによって開口部８ａ及び１８ａに露出した金属端子パッド１０、１７、及びビアランド３４−２ｌ上に、例えば導体層としての積層膜１０ａ及び１７ａを形成した後、開口部８ａにおいては積層膜１０ａ上にはんだバンプ１１が積層膜１０ａを介して、金属端子パッド１０及びビアランド３４−２ｌと電気的に接触するように形成し、図１〜４に示すような配線基板１を得る。
【００５８】
以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【００５９】
例えば、本実施形態では、図８〜１０に示すように、ビアホール３４−１ｈを形成した後、配線溝６ａ及び溝６ｂを形成するようにしているが、配線溝６ａ及び溝６ｂを形成した後にビアホール３４−１ｈを形成してもよい。但し、この場合は、ビアホール３４−１ｈを形成した際に発生する、ビアホール３４−１ｈ底部に残存する絶縁層Ｖ１，Ｖ１1の加工残渣をエキシマレーザによる面照射によって除去してクリーニングすることができない。したがって、デスミア工程における水洗浄及びこれに続くエアブローなどの操作の省略は困難となり、製造工程が多少煩雑化することになる。
【符号の説明】
【００６０】
１  配線基板、
Ｍ１，Ｍ１１  コア導体層
Ｖ１，Ｖ１１  第１のビア層
Ｍ２，Ｍ１２  第１の導体層
Ｖ２，Ｖ１２  第２のビア層
Ｍ３，Ｍ１３  第２の導体層
６ａ  配線溝
６ｂ  溝
７ａ，７ｂ  金属配線
８、１８  ソルダーレジスト層
８ａ、１８ａ  開口部
１０ａ、１７ａ  ニッケル／金積層膜
３４−１，３４−２  ビア
３４−１ｈ，３４−２ｈ  ビアホール
３４−１ｌ，３４−２ｌ  ビアランド
３４−１ｐ  ビアパッド
３４−１ｓ，３４−２ｓ  ビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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