(57)【要約】【課題】ＩＣチップ及び受動部品を確実に接続することができる多層配線基板を提供する。【解決手段】多層配線基板１０において、配線積層部３０の上面３１には、ＩＣチップ接続端子４１及びＩＣチップ接続端子４１よりも面積の大きいコンデンサ接続端子４２の２種類が存在する。コンデンサ接続端子４２は、端子上段部４２ａと端子下段部４２ｂとにより構成される。端子上段部４２ａは最外層の樹脂絶縁層２４上に形成され、端子下段部４２ｂは樹脂絶縁層２４において端子上段部４２ａの内側領域となる複数箇所に形成された開口部３６に対応して配置される。端子上段部４２ａの上面の高さは樹脂絶縁層２４の表面よりも高く、ＩＣチップ接続端子４１の上面及び端子下段部４２ｂの高さは樹脂絶縁層２４の表面よりも低くなっている。【選択図】図１
2011181542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側に向うに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板であって、
前記第１主面側には、接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子及び接続対象が受動部品であり前記ＩＣチップ接続端子よりも面積の大きい受動部品接続端子の２種類が、前記複数の第１主面側接続端子として存在するとともに、
前記ＩＣチップ接続端子は、前記積層構造体の前記第１主面側において露出状態にある最外層の樹脂絶縁層に形成された開口部に対応して配置され、
前記受動部品接続端子は、前記最外層の樹脂絶縁層上に形成された端子上段部と、前記最外層の樹脂絶縁層において前記端子上段部の内側領域となる複数箇所に形成された開口部に対応して配置された端子下段部とにより構成され、
前記最外層の樹脂絶縁層の表面を基準面としたとき、前記端子上段部の上面の高さが前記基準面よりも高く、前記ＩＣチップ接続端子の上面及び前記端子下段部の高さが前記基準面と同じまたはそれよりも低くなっている
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記端子上段部は、前記最外層の樹脂絶縁層上に形成された銅層と、前記銅層上に形成された銅以外の金属からなる被覆金属層とを有し、前記銅層のほうが前記被覆金属層よりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記端子上段部を構成する前記銅層及び前記被覆金属層の厚さの総和は、１５μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記端子上段部における前記銅層は無電解銅めっき層または銅箔層であり、前記被覆金属層は前記無電解銅めっき層上または前記銅箔層上に形成された無電解ニッケルめっき層及び無電解金めっき層の少なくとも２層からなる被覆金属層であることを特徴とする請求項２または３に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記端子上段部は、前記銅層の上面及び側面を前記被覆金属層で覆った構造を有することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記最外層の樹脂絶縁層において前記端子上段部の内側領域となる複数箇所に形成された前記開口部は、内側面にて樹脂材料を露出させていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側に向うに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板の製造方法であって、
金属箔を剥離可能な状態で積層配置してなる基材を準備する基材準備工程と、
複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を前記金属箔上にて交互に積層して多層化することにより、最外層に金属箔付きビルドアップ材が配置された積層構造体を形成するビルドアップ工程と、
前記ビルドアップ工程後、最外層の樹脂絶縁層に対して前記第１主面側接続端子における端子下段部となるべき導体層を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、
前記ビルドアップ工程後、前記金属箔付きビルドアップ材上の金属箔を部分的にエッチングして、前記第１主面側接続端子における端子上段部を形成する端子形成工程と、
前記開口部形成工程及び前記端子形成工程後、前記基材を除去する基材除去工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記端子形成工程において、前記金属箔付きビルドアップ材上の金属箔を部分的にエッチングして、前記第１主面側接続端子における端子上段部を形成した後、前記開口部形成工程を行って前記開口部を形成することを特徴とすることを特徴とする請求項７に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側に向うに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板の製造方法であって、
金属箔を剥離可能な状態で積層配置してなる基材を準備する基材準備工程と、
複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を前記金属箔上にて交互に積層して多層化することで積層構造体を形成するビルドアップ工程と、
前記ビルドアップ工程後、前記最外層の樹脂絶縁層に対してレーザー穴加工を施すことによって、前記第１主面側接続端子における端子下段部となるべき導体層を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、
前記積層構造体に対して無電解銅めっきを施すことにより前記開口部及び樹脂絶縁層を覆う全面めっき層を形成する全面めっき工程と、
前記全面めっき工程後、最外層の樹脂絶縁層上に形成した前記全面めっき層を部分的にエッチングして、前記開口部がある箇所を包囲する領域に前記第１主面側接続端子における端子上段部を形成する端子形成工程と、
前記開口部形成工程及び前記端子形成工程後、前記基材を除去する基材除去工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同じ樹脂絶縁材料を主体とした複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有する一方で、両面にビルドアップ層を順次形成していくいわゆるコア基板を製品として有しない多層配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなる半導体パッケージを作製し、その半導体パッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。
【０００３】
この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板としては、コア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した多層配線基板が実用化されている。この多層配線基板においては、コア基板として、例えば、補強繊維に樹脂を含浸させた樹脂基板（ガラスエポキシ基板など）が用いられている。そして、そのコア基板の剛性を利用して、コア基板の表面及び裏面に樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層することにより、ビルドアップ層が形成されている。つまり、この多層配線基板において、コア基板は、補強の役割を果たしており、ビルドアップ層と比べて非常に厚く形成されている。また、コア基板には、表面及び裏面に形成されたビルドアップ層間の導通を図るための配線（具体的には、スルーホール導体など）が貫通形成されている。
【０００４】
ところで近年では、半導体集積回路素子の高速化に伴い、使用される信号周波数が高周波帯域となってきている。この場合、コア基板を貫通する配線が大きなインダクタンスとして寄与し、高周波信号の伝送ロスや回路誤動作の発生につながり、高速化の妨げとなってしまう。この問題を解決するために、多層配線基板を、コア基板を有さない基板とすることが提案されている（例えば特許文献１参照）。この多層配線基板は、比較的に厚いコア基板を省略することにより全体の配線長を短くしたものであるため、高周波信号の伝送ロスが低減され、半導体集積回路素子を高速で動作させることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１１７７０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１では、ＩＣチップの搭載面において、ＩＣチップの接続端子に加え、チップコンデンサなどの受動部品の接続端子が形成された多層配線基板が提案されている。つまり、多層配線基板におけるＩＣチップの搭載面には、接続対象の異なる複数種類の接続端子が形成されている。そして、それら複数種類の接続端子の表面は、ＩＣチップの搭載面側の最外層となる絶縁樹脂層の表面と面一となるように形成されている。このように、最外層の絶縁樹脂層の表面と同じ高さで各接続端子が形成されていると、複数種類の部品接続が困難となる場合がある。具体的には、例えばＩＣチップの接続端子に、はんだボールを用いてはんだバンプを形成する場合、ＩＣチップの接続端子の表面と絶縁樹脂層の表面とが面一となっていると、端子上にはんだボールを配置することが困難となる。また、受動部品の接続端子にチップコンデンサをはんだ接続する場合、端子上面のみにしかはんだフィレットを形成することができないため、接続強度が不足してしまうことがある。
【０００７】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＩＣチップ及び受動部品を確実に接続することができる多層配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側に向うに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板であって、前記第１主面側には、接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子及び接続対象が受動部品であり前記ＩＣチップ接続端子よりも面積の大きい受動部品接続端子の２種類が、前記複数の第１主面側接続端子として存在するとともに、前記ＩＣチップ接続端子は、前記積層構造体の前記第１主面側において露出状態にある最外層の樹脂絶縁層に形成された開口部に対応して配置され、前記受動部品接続端子は、前記最外層の樹脂絶縁層上に形成された端子上段部と、前記最外層の樹脂絶縁層において前記端子上段部の内側領域となる複数箇所に形成された開口部に対応して配置された端子下段部とにより構成され、前記最外層の樹脂絶縁層の表面を基準面としたとき、前記端子上段部の上面の高さが前記基準面よりも高く、前記ＩＣチップ接続端子の上面及び前記端子下段部の高さが前記基準面と同じまたはそれよりも低くなっていることを特徴とする多層配線基板がある。
【０００９】
従って、手段１に記載の発明によると、同じ樹脂絶縁材料を主体とした複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層が交互に積層され、コア基板を含まないコアレス配線基板として多層配線基板が形成されている。この多層配線基板において、第１主面側には、ＩＣチップ接続端子及びそのＩＣチップ接続端子よりも面積の大きい受動部品接続端子の２種類が第１主面側接続端子として設けられている。受動部品接続端子は、端子上段部と端子下段部とにより構成され、端子上段部は最外層の樹脂絶縁層上に形成されるとともに、端子下段部は最外層の樹脂絶縁層における複数箇所に形成された開口部に対応して配置されている。また、ＩＣチップ接続端子は、最外層の樹脂絶縁層に形成された各開口部に対応して配置されている。この場合、ＩＣチップ接続端子の上面と受動部品接続端子の端子下段部の高さは最外層の樹脂絶縁層の表面（基準面）と同じかそれよりも低くなるよう形成される。このようにすると、最外層の樹脂絶縁層がソルダーレジストとして機能し、ＩＣチップや受動部品を接続するためのはんだを各接続端子上に確実に設けることができる。また、受動部品接続端子において、複数の開口部は端子上段部の内側領域に形成されており、各開口部にはんだを充填することで端子上段部と端子下段部との導通を確実に図ることができる。この場合、受動部品接続端子における端子上段部と端子下段部とがはんだを介して三次元的に接続されることとなり、受動部品接続端子に受動部品を十分な強度ではんだ接続することができる。さらに、受動部品接続端子を構成する端子上段部は基準面よりも高くなっている。つまり、受動部品を接続するための受動部品接続端子（端子上段部）の上面はＩＣチップ接続端子の上面よりも高くなっている。このようにＩＣチップ接続端子と受動部品接続端子とを形成すると、高さの異なる各接続端子にＩＣチップと受動部品とを確実に接続することができる。
【００１０】
端子上段部は、最外層の樹脂絶縁層上に形成された銅層と、銅層上に形成された銅以外の金属からなる被覆金属層とを有し、銅層のほうが被覆金属層よりも薄いことが好ましい。このようにすると、最外層の樹脂絶縁層の基準面に対する端子上段部の高さ（突出量）を低くすることができ、端子上段部へのはんだ印刷を容易に行うことができる。またここで、端子上段部を高く形成すると、端子側面の面積が大きくなるため、端子側面に付着したはんだが横方向に膨らんでしまう場合がある。この場合、端子間隔をあけて受動部品接続端子を形成する必要がある。これに対して、端子上段部を低く形成すると、はんだが横方向に膨らむことが防止されるため、受動部品接続端子を比較的狭いピッチで設けることが可能となる。
【００１１】
端子上段部を構成する銅層及び被覆金属層の厚さの総和は、１５μｍ以下であることが好ましい。このようにすると、最外層の樹脂絶縁層の基準面に対する端子上段部の高さを確実に低くすることができる。
【００１２】
端子上段部における銅層は無電解銅めっき層または銅箔層であり、被覆金属層は無電解銅めっき層上または銅箔層上に形成された無電解ニッケルめっき層及び無電解金めっき層の少なくとも２層からなる被覆金属層であることが好ましい。被覆金属層としては、例えば無電解ニッケルめっき層と無電解金めっき層との間にパラジウム層が設けられていてもよい。銅層及び被覆金属層を無電解めっきにて形成すると、端子上段部を薄く形成することができる。特に、無電解銅めっきにて銅層を形成することにより、電解銅めっきにて銅層を形成する場合と比較して、銅層を薄くすることができる。この結果、最外層の樹脂絶縁層の基準面に対する端子上段部の高さを低くすることができる。
【００１３】
端子上段部は、銅層の上面及び側面を被覆金属層で覆った構造を有することが好ましい。このようにすると、端子上段部の銅層の上面及び側面にはんだを確実に形成することができ、受動部品を十分な強度ではんだ接続することができる。
【００１４】
最外層の樹脂絶縁層において端子上段部の内側領域となる複数箇所に形成された開口部は、内側面にて樹脂材料を露出させていてもよし、内側面を覆うように銅層や被覆金属層を形成してもよい。ここで、開口部の内側面を銅層や被覆金属層で覆う構成とした場合、受動部品接続端子において、端子上段部と端子下段部とを銅層や被覆金属層で電気的に接続することができる。また、開口部の内側面にて樹脂材料を露出させる構成では、内側面に銅層や被覆金属層を設ける必要がないため、受動部品接続端子を容易に形成することができる。
【００１５】
複数の樹脂絶縁層に形成されたビア導体は、いずれも第２主面側から第１主面側に向うに従って拡径した形状を有していてもよい。このようにすると、コア基板を有さないコアレス配線基板を確実に製造することができる。
【００１６】
複数の樹脂絶縁層は、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料、例えば熱硬化性の樹脂絶縁材料の硬化物を用いて形成されたものであることが好ましい。この場合、各接続端子が形成される最外層の樹脂絶縁層は、内層の樹脂絶縁層と同じ絶縁性に優れた樹脂絶縁材料で形成されるため、各接続端子の間隔を狭くすることができ、多層配線基板の高集積化が可能となる。
【００１７】
複数の樹脂絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。なお、本発明において、「同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層」とは、例えば熱硬化性樹脂に含浸させる上記有機繊維等の添加物に違いがあったとしても、主体となる熱硬化性樹脂が同じであれば、その具体例に該当する。
【００１８】
また、上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側に向うに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板の製造方法であって、金属箔を剥離可能な状態で積層配置してなる基材を準備する基材準備工程と、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を前記金属箔上にて交互に積層して多層化することにより、最外層に金属箔付きビルドアップ材が配置された積層構造体を形成するビルドアップ工程と、前記ビルドアップ工程後、最外層の樹脂絶縁層に対して前記第１主面側接続端子における端子下段部となるべき導体層を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、前記ビルドアップ工程後、前記金属箔付きビルドアップ材上の金属箔を部分的にエッチングして、前記第１主面側接続端子における端子上段部を形成する端子形成工程と、前記開口部形成工程及び前記端子形成工程後、前記基材を除去する基材除去工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。
【００１９】
従って、手段２に記載の発明によると、ビルドアップ工程にて複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化することで積層構造体が形成される。その後、開口部形成工程において、最外層の樹脂絶縁層に対して開口部を形成することにより、開口部内にて端子下段部となるべき導体層を露出させる。さらに、端子形成工程において、最外層に設けられた金属箔付きビルドアップ材の金属箔が部分的にエッチングされて、端子上段部がパターン形成される。このようにすれば、端子上段部と端子下段部とからなる第１主面側接続端子を確実に形成することができる。そして、第１主面側接続端子において、開口部にはんだを充填することにより、端子上段部と端子下段部との導通を図ることができる。この場合、第１主面側接続端子における端子上段部と端子下段部とがはんだを介して三次元的に接続されることとなり、第１主面側接続端子におけるはんだ接続の強度を十分に確保することができる。
【００２０】
ビルドアップ工程では、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料の硬化物からなる複数の樹脂絶縁層を形成することが好ましい。このようにすると、各接続端子が形成される最外層の樹脂絶縁層は、内層の樹脂絶縁層と同じ絶縁性に優れた樹脂絶縁材料で形成されるため、各接続端子の間隔を狭くすることができ、多層配線基板の高集積化が可能となる。
【００２１】
開口部形成工程では、金属箔付きビルドアップ材上の金属箔及び最外層の樹脂絶縁層に対してレーザー穴加工を施すことが好ましい。このようにすれば、端子上段部の内側領域となる箇所に開口部を確実に形成することができる。
【００２２】
端子形成工程において、金属箔付きビルドアップ材上の金属箔を部分的にエッチングして、第１主面側接続端子における端子上段部を形成した後、開口部形成工程を行って開口部を形成するようにしてもよい。このようにすると、端子形成工程において、開口部に対応した箇所に貫通孔を有する端子上段部を形成することができる。そして、開口部形成工程では、金属箔を加工する必要がなく樹脂絶縁層のみを加工して開口部を容易に形成することができる。
【００２３】
また、上記課題を解決するための別の手段（手段３）としては、同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側に向うに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板の製造方法であって、金属箔を剥離可能な状態で積層配置してなる基材を準備する基材準備工程と、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を前記金属箔上にて交互に積層して多層化することで積層構造体を形成するビルドアップ工程と、前記ビルドアップ工程後、前記最外層の樹脂絶縁層に対してレーザー穴加工を施すことによって、前記第１主面側接続端子における端子下段部となるべき導体層を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、前記積層構造体に対して無電解銅めっきを施すことにより前記開口部及び樹脂絶縁層を覆う全面めっき層を形成する全面めっき工程と、前記全面めっき工程後、最外層の樹脂絶縁層上に形成した前記全面めっき層を部分的にエッチングして、前記開口部がある箇所を包囲する領域に前記第１主面側接続端子における端子上段部を形成する端子形成工程と、前記開口部形成工程及び前記端子形成工程後、前記基材を除去する基材除去工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。手段３に記載の発明においても、端子上段部と端子下段部とからなる第１主面側接続端子を確実に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す断面図。
【図２】第１の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す平面図。
【図３】第１の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す平面図。
【図４】第１の実施の形態におけるコンデンサ接続端子を示す上面図。
【図５】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図６】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図７】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図８】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図９】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１０】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１１】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１２】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１３】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１４】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１５】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１６】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１７】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１８】第２の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す断面図。
【図１９】第２の実施の形態におけるコンデンサ接続端子を示す上面図。
【図２０】第２の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２１】第２の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２２】第２の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２３】第２の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２４】別の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２５】別の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２６】別の実施の形態におけるコンデンサ接続端子を示す上面図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
［第１の実施の形態］
以下、本発明を多層配線基板に具体化した第１の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は、本実施の形態の多層配線基板の概略構成を示す拡大断面図である。また、図２は、上面側から見た多層配線基板の平面図であり、図３は、下面側から見た多層配線基板の平面図である。
【００２６】
図１に示されるように、多層配線基板１０は、コア基板を含まずに形成されたコアレス配線基板であって、同じ樹脂絶縁材料を主体とした４層の樹脂絶縁層２１，２２，２３，２４と銅からなる導体層２６とを交互に積層して多層化した配線積層部３０（積層構造体）を有している。各樹脂絶縁層２１〜２４は、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料、具体的には熱硬化性エポキシ樹脂の硬化物を主体としたビルドアップ材を用いて形成されている。多層配線基板１０において、配線積層部３０の上面３１側（第１主面側）には、複数の接続端子４１，４２（第１主面側接続端子）が配置されている。
【００２７】
図１及び図２に示されるように、本実施の形態の多層配線基板１０では、配線積層部３０の上面３１側に配置される複数の接続端子４１，４２として、接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子４１と、接続対象がチップコンデンサ（受動部品）であるコンデンサ接続端子４２（受動部品接続端子）とが存在している。配線積層部３０の上面３１側において、複数のＩＣチップ接続端子４１は、基板中央部に設けられたチップ搭載領域４３にてアレイ状に配置されている。また、コンデンサ接続端子４２は、ＩＣチップ接続端子４１よりも面積の大きい接続端子であり、チップ搭載領域４３よりも外周側に配置されている。
【００２８】
一方、図１及び図３に示されるように、配線積層部３０の下面３２側（第２主面側）には、接続対象がマザーボード（母基板）であるＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）用の複数の接続端子４５（第２主面側接続端子としての母基板接続端子）がアレイ状に配置されている。これら母基板接続端子４５は、上面３１側のＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２よりも面積の大きな接続端子である。
【００２９】
樹脂絶縁層２１，２２，２３，２４には、それぞれビア穴３３及びフィルドビア導体３４が設けられている。各ビア導体３４は、いずれも同一方向に（図１では下面側から上面側に向かうに従って）拡径した形状を有し、各導体層２６、ＩＣチップ接続端子４１、コンデンサ接続端子４２、及び母基板接続端子４５を相互に電気的に接続している。
【００３０】
配線積層部３０の上面３１側において、最外層に露出する第４層の樹脂絶縁層２４には開口部３５が形成されるとともに、開口部３５内には、上面の高さが樹脂絶縁層２４の表面（基準面）よりも低くなるような状態でＩＣチップ接続端子４１が形成されている。ＩＣチップ接続端子４１は、銅層を主体に構成されており、開口部３５内にて露出する銅層の上面のみを銅以外のめっき層４６（具体的には、ニッケル−金めっき層）で覆った構造を有している。そして、露出したＩＣチップ接続端子４１の上面に、図示しないはんだバンプを介してＩＣチップがフリップチップ接続されるようになっている。
【００３１】
図１、図２及び図４に示されるように、コンデンサ接続端子４２は、最外層の樹脂絶縁層２４上に形成された端子上段部４２ａと、内層の樹脂絶縁層２３上に形成された端子下段部４２ｂとにより構成されている。最外層の樹脂絶縁層２４において端子上段部４２ａの内側領域となる複数個所（本実施の形態では２箇所）に開口部３６が形成されており、その開口部３６に対応して端子下段部４２ｂが配置されている。本実施の形態では、開口部３６の内側面にて、樹脂絶縁層２４の樹脂材料を露出させている。
【００３２】
コンデンサ接続端子４２の端子上段部４２ａは、上面の高さが樹脂絶縁層２４の表面（基準面）よりも高くなるように形成されており、端子下段部４２ｂは、ＩＣチップ接続端子４１の上面と同じ高さとなるよう形成されている。つまり、本実施の形態の多層配線基板１０において、ＩＣチップ接続端子４１の上面とコンデンサ接続端子４２の上面との高さは異なっており、相対的に面積の大きいコンデンサ接続端子４２の上面の高さが、相対的に面積の小さいＩＣチップ接続端子４１の上面の高さよりも高くなっている。
【００３３】
コンデンサ接続端子４２の端子上段部４２ａは、最外層の樹脂絶縁層２４上に形成された銅層４７と銅層４７の上面及び側面を覆うように形成されためっき層４８（被覆金属層）とを有する。端子上段部４２ａにおいて、銅層４７の厚さ（５μｍ程度）は、めっき層４８の厚さ（８μｍ程度）よりも薄く、それら銅層４７及びめっき層４８の厚さの総和は１５μｍ以下となっている。めっき層４８は、銅以外の金属からなり、本実施の形態では、無電解ニッケルめっき層及び無電解金めっき層の２層からなる。
【００３４】
また、コンデンサ接続端子４２の端子下段部４２ｂは、銅層を主体として構成されており、開口部３６内にて露出する銅層の上面のみを銅以外のめっき層４８（具体的には、ニッケル−金めっき層）で覆った構造を有している。そして、コンデンサ接続端子４２において、開口部３６内にはんだ（図示略）が充填されることで端子上段部４２ａ及び端子下段部４２ｂが導通され、そのはんだを介してチップコンデンサの外部端子が接続されるようになっている。
【００３５】
図１に示されるように、配線積層部３０の下面３２側において、露出状態にある最外層の樹脂絶縁層２１には複数の開口部３７が形成されるとともに、それら複数の開口部３７に対応して母基板接続端子４５が配置されている。具体的には、母基板接続端子４５は、銅層を主体として構成されており、端子外面４５ａが最外層の樹脂絶縁層２１の表面２１ａよりも内側に位置している。さらに、母基板接続端子４５は、開口部３７内にて露出する銅層の上面のみを銅以外のめっき層４９（具体的には、ニッケル−金めっき層）で覆った構造を有している。そして、母基板接続端子４５上には、図示しないはんだを介してマザーボードが接続されるようになっている。
【００３６】
上記構成の多層配線基板１０は例えば以下の手順で作製される。
【００３７】
先ず、ビルドアップ工程において、十分な強度を有する支持基板（ガラスエポキシ基板など）を準備し、その支持基板上に、樹脂絶縁層２１〜２４及び導体層２６をビルドアップして配線積層部３０を形成する。
【００３８】
詳述すると、図５に示されるように、支持基板５０上に、エポキシ樹脂からなるシート状の絶縁樹脂基材を貼り付けて下地樹脂絶縁層５１を形成することにより、支持基板５０及び下地樹脂絶縁層５１からなる基材５２を得る。そして、図６に示されるように、下地樹脂絶縁層５１の上面に、積層金属シート体５４を配置する（基材準備工程）。ここで、下地樹脂絶縁層５１上に積層金属シート体５４を配置することにより、以降の製造工程で積層金属シート体５４が下地樹脂絶縁層５１から剥がれない程度の密着性が確保される。積層金属シート体５４は、２枚の銅箔５５，５６（一対の金属箔）を剥離可能な状態で密着させてなる。具体的には、金属めっき（例えば、クロムめっき、ニッケルめっき、チタンめっき、またはこれらの複合めっき）を介して銅箔５５、銅箔５６が配置された積層金属シート体５４が形成されている。
【００３９】
その後、母基板接続端子４５となるべき金属導体部を積層金属シート体５４上に形成する。具体的には、無電解銅めっきを行い、積層金属シート体５４や基材５２を覆う全面めっき層を形成する（図示略）。そして、積層金属シート体５４の上面にめっきレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行う。その結果、母基板接続端子４５に対応した箇所に開口部を有する所定のパターンのめっきレジスト５７を形成する（図７参照）。そして、めっきレジスト５７を形成した状態で選択的に電解銅めっきを行って、積層金属シート体５４上に金属導体部５８を形成した後、めっきレジスト５７を剥離する（図８参照）。
【００４０】
金属導体部５８の形成後、樹脂絶縁層との密着性を高めるために金属導体部５８表面の粗化（ＣＺ処理）を行う。このとき、金属導体部５８表面が粗化されるとともに、金属導体部５８のエッジが丸くなる。その後、金属導体部５８が形成された積層金属シート体５４を包むようにシート状の樹脂絶縁層２１を配置し、樹脂絶縁層２１を貼り付ける（図９参照）。ここで、樹脂絶縁層２１は、積層金属シート体５４及び金属導体部５８と密着するとともに、積層金属シート体５４の周囲領域において下地樹脂絶縁層５１と密着することで、積層金属シート体５４を封止する。
【００４１】
そして、図１０に示されるように、例えばエキシマレーザーやＵＶレーザーやＣＯ２レーザーなどを用いてレーザー加工を施すことによって樹脂絶縁層２１の所定の位置（金属導体部５８の上部の位置）にビア穴３３を形成する。次いで、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて各ビア穴３３内のスミアを除去するデスミア工程を行う。なお、デスミア工程としては、エッチング液を用いた処理以外に、例えばＯ２プラズマによるプラズマアッシングの処理を行ってもよい。
【００４２】
デスミア工程の後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴３３内にビア導体３４を形成する。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、樹脂絶縁層２１上に導体層２６をパターン形成する（図１１参照）。
【００４３】
また、第２層〜第４層の樹脂絶縁層２２〜２４及び導体層２６についても、上述した第１層の樹脂絶縁層２１及び導体層２６と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層２１上に積層していく（ビルドアップ工程）。ここで、最外層の樹脂絶縁層２４については薄銅箔付きビルドアップ材を用いて形成し、他の樹脂絶縁層２２，２３については薄銅箔のない通常のビルドアップ材を用いて形成する。この結果、図１２に示されるように、複数の樹脂絶縁層２１〜２４及び複数の導体層２６を交互に積層した多層化した配線積層体６０を形成するとともに、その配線積層体６０の上面（最外層となる樹脂絶縁層２４の表面）を銅箔６２で被覆した状態とする。
【００４４】
そして、図１３に示されるように、最外層の樹脂絶縁層２４に対してレーザー穴加工を施すことにより、銅箔６２を貫通する複数の開口部３５，３６を樹脂絶縁層２４に形成する（開口部形成工程）。次いで、過マンガン酸カリウム溶液やＯ２プラズマなどにて各開口部３５，３６内のスミアを除去するデスミア工程を行う。なお図１３に示されるように、配線積層体６０において積層金属シート体５４上に位置する領域が、多層配線基板１０の配線積層部３０となる部分である。また、配線積層体６０において開口部３５によって露出される導体層２６の一部がＩＣチップ接続端子４１となり、開口部３６によって露出される導体層２６の一部がコンデンサ接続端子４２の端子下段部４２ｂとなる。
【００４５】
デスミア工程後、樹脂絶縁層２４表面の銅箔６２を部分的にエッチングして、コンデンサ接続端子４２の端子上段部４２ａを形成する（端子形成工程）。具体的には、配線積層体６０の上面（銅箔６２の表面）において、エッチングレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行う。これにより、端子上段部４２ａに対応した箇所（開口部３６及びその外縁部）を覆う所定のパターンのエッチングレジスト６３を形成する。この状態で、配線積層体６０に対してエッチングを行って、不要な銅箔６２を除去することにより最外層の樹脂絶縁層２４上に端子上段部４２ａを形成した後、エッチングレジスト６３を剥離する（図１５参照）。
【００４６】
開口部形成工程及び端子形成工程後、配線積層体６０をダイシング装置（図示略）により切断し、配線積層部３０の周囲領域を除去する（切断工程）。この際、図１５に示すように、配線積層部３０とその周囲部６４との境界（図１５では矢印で示す境界）において、配線積層部３０の下方にある基材５２（支持基板５０及び下地樹脂絶縁層５１）ごと切断する。この切断によって、樹脂絶縁層２１にて封止されていた積層金属シート体５４の外縁部が露出した状態となる。つまり、周囲部６４の除去によって、下地樹脂絶縁層５１と樹脂絶縁層２１との密着部分が失われる。この結果、配線積層部３０と基材５２とは積層金属シート体５４のみを介して連結した状態となる。
【００４７】
ここで、図１６に示されるように、積層金属シート体５４における一対の銅箔５５，５６の界面にて剥離することで、配線積層部３０から基材５２を除去して配線積層部３０（樹脂絶縁層２１）の下面３１上にある銅箔５５を露出させる（基材除去工程）。
【００４８】
その後、配線積層部３０の下面３２側において、金属導体部５８の一部を残しつつ銅箔５５をエッチング除去することによって、母基板接続端子４５を形成する。具体的には、配線積層部３０の上面３１上において、エッチングレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、上面３１の表面全体を覆うエッチングレジストを形成する。この状態で、配線積層部３０に対してエッチングを行うことで、銅箔５５を全体的に除去するとともに、金属導体部５８の下側の一部を除去する。この結果、樹脂絶縁層２４に開口部３７が形成されるとともに、開口部３７内に残った金属導体部５８が母基板接続端子４５となる（図１７参照）。
【００４９】
その後、ＩＣチップ接続端子４１の表面、コンデンサ接続端子４２の表面（端子上段部４２ａの上面及び側面と端子下段部４２ｂの上面）、母基板接続端子４５の表面に対し、無電解ニッケルめっき、無電解金めっきを順次施すことにより、各端子４１，４２，４５の表面にニッケル−金めっき層４６，４８，４９を形成する。以上の工程を経ることで図１の多層配線基板１０を製造する。
【００５０】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００５１】
（１）本実施の形態の多層配線基板１０では、コンデンサ接続端子４２は、端子上段部４２ａと端子下段部４２ｂとにより構成され、端子上段部４２ａは最外層の樹脂絶縁層２４上に形成されるとともに、端子下段部４２ｂは樹脂絶縁層２４における複数箇所に形成された開口部３６に対応して配置されている。また、ＩＣチップ接続端子４１も、樹脂絶縁層２４に形成された開口部３５に対応して配置されており、ＩＣチップ接続端子４１の上面とコンデンサ接続端子４２の端子下段部４２ｂの高さは最外層の樹脂絶縁層２４の表面よりも低くなるよう形成されている。従って、最外層の樹脂絶縁層２４がソルダーレジストとして機能し、ＩＣチップやチップコンデンサを接続するためのはんだを各接続端子４１,４２に確実に設けることができる。また、コンデンサ接続端子４２において、端子上段部４２ａの内側領域に２つの開口部３６が形成されており、各開口部３６にはんだを充填することで端子上段部４２ａと端子下段部４２ｂとの導通を確実に図ることができる。この場合、コンデンサ接続端子４２における端子上段部４２ａと端子下段部４２ｂとがはんだを介して三次元的に接続されることとなり、コンデンサ接続端子４２にチップコンデンサを十分な強度ではんだ接続することができる。さらに、コンデンサ接続端子４２を構成する端子上段部４２ａは樹脂絶縁層２４の表面よりも高くなっている。つまり、チップコンデンサを接続するためのコンデンサ接続端子４２（端子上段部４２ａ）の上面はＩＣチップ接続端子４１の上面よりも高くなっている。このようにＩＣチップ接続端子４１とコンデンサ接続端子４２とを形成すると、高さの異なる各接続端子４１，４２にＩＣチップとチップコンデンサとを確実に接続することができる。
【００５２】
（２）本実施の形態では、コンデンサ接続端子４２の端子上段部４２ａは、銅層４７とめっき層４８とを有し、銅層４７はめっき層４８よりも薄く形成されている。このように端子上段部４２ａを形成すると、最外層の樹脂絶縁層２４の表面に対する端子上段部４２ａの高さ（突出量）を低くすることができ、端子上段部４２ａへのはんだ印刷を容易に行うことができる。さらに、端子上段部４２ａを低く形成すると、はんだが横方向に膨らむことがなく、コンデンサ接続端子４２を比較的狭いピッチで設けることが可能となる。また、端子上段部４２ａを厚く形成する場合には、セミアディティブ法による電解銅めっき工程が別途必要となる。これに対して、本実施の形態では、端子上段部４２ａを構成する銅層４７は５μｍ程度であり薄いため、電解銅めっき工程を省略することができる。この結果、多層配線基板１０の製造工程を削減することができる。
【００５３】
（３）本実施の形態の多層配線基板１０において、コンデンサ接続端子４２の端子上段部４２ａは、銅層４７の上面及び側面をめっき層４８で覆った構造を有している。このようにすると、端子上段部４２ａにはんだを確実に形成することができ、チップコンデンサを十分な強度ではんだ接続することができる。
［第２の実施の形態］
【００５４】
次に、本発明を多層配線基板に具体化した第２の実施の形態を図面に基づき説明する。図１８に示されるように、本実施の形態の多層配線基板１０Ａは、配線積層部３０の上面３１側に形成されるコンデンサ接続端子４２、及びその製造方法が上記第１の実施の形態と異なる。以下、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００５５】
図１８及び図１９に示されるように、多層配線基板１０Ａにおいて、コンデンサ接続端子４２は、最外層の樹脂絶縁層２４上に形成された端子上段部４２ａと、内層の樹脂絶縁層２３上に形成された端子下段部４２ｂと、端子上段部４２ａと端子下段部４２ｂとを接続する端子中段部４２ｃとにより構成されている。端子中段部４２ｃは、端子上段部４２ａと同様に銅層４７及びめっき層４８によって構成され、開口部３６内全体を覆うように形成されている。つまり、本実施の形態は、第１の実施の形態とは異なり、開口部３６の内側面には樹脂絶縁層２４の樹脂材料が露出していない。また、第１の実施の形態では、端子上段部４２ａの銅層４７は、薄銅箔付きビルドアップ材の銅箔６２により形成されていた。これに対し、本実施の形態では、端子上段部４２ａ及び端子中段部４２ｃを構成する銅層４７を、無電解銅めっき層にて形成している。なお、端子上段部４２ａ及び端子中段部４２ｃを構成するめっき層４８（被覆金属層）は、第１の実施の形態と同様に無電解ニッケルめっき層及び無電解金めっき層の２層からなる。
【００５６】
本実施の形態の多層配線基板１０Ａは以下の手順で作製される。
【００５７】
先ず、第１の実施の形態と同様にビルドアップ工程を行い、図２０に示すような配線積層体６０Ａを形成する。なお、本実施の形態では、最外層の樹脂絶縁層２４についても内層側の樹脂絶縁層２１〜２３と同様に薄銅箔のない通常のビルドアップ材を用いて配線積層体６０Ａを形成する。
【００５８】
そして、ビルドアップ工程後、最外層の樹脂絶縁層２４に対してレーザー穴加工を施すことにより、複数の開口部３５，３６を樹脂絶縁層２４に形成する。さらに、過マンガン酸カリウム溶液やＯ２プラズマなどにて各開口部３５，３６内のスミアを除去するデスミア工程を行う。その後、図２１に示すように、無電解銅めっきを行い、樹脂絶縁層２４の開口部３５，３６内及び各樹脂絶縁層２１〜２４を覆う全面めっき層７１を形成する（全面めっき工程）。
【００５９】
全面めっき工程後、全面めっき層７１を部分的にエッチングして、コンデンサ接続端子４２の端子上段部４２ａ及び端子中段部４２ｃの銅層４７を形成する（端子形成工程）。具体的には、配線積層体６０Ａの上面（全面めっき層７１の表面）において、エッチングレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、端子上段部４２ａに対応した箇所を覆う所定のパターンのエッチングレジスト７２を形成する（図２２参照）。この状態で、配線積層体６０Ａに対してエッチングを行って、不要な全面めっき層７１を除去することにより最外層の樹脂絶縁層２４上及び開口部３６内に銅層４７を形成した後、エッチングレジスト７２を剥離する（図２３参照）。なおここで、樹脂絶縁層２４上にて開口部３６がある箇所を包囲する領域に形成される銅層４７が端子上段部４２ａとなり、開口部３６の内側面に形成される銅層４７が端子中段部４２ｃとなる。
【００６０】
その後、第１の実施の形態と同様に、切断工程及び基材除去工程を行うことにより、複数の樹脂絶縁層２１〜２４及び複数の導体層２６を交互に積層して多層化した配線積層部３０を得る。その後、配線積層部３０の下面３２側において、金属導体部５８の一部を残しつつ銅箔５５をエッチング除去することによって、母基板接続端子４５を形成する。
【００６１】
さらに、ＩＣチップ接続端子４１の表面、コンデンサ接続端子４２の表面、母基板接続端子４５の表面に対し、無電解ニッケルめっき、無電解金めっきを順次施すことにより、各端子４１，４２，４５の表面にニッケル−金めっき層４６，４８，４９を形成する。以上の工程を経ることで図１８の多層配線基板１０Ａを製造する。
【００６２】
本実施の形態のように多層配線基板１０Ａを製造した場合でも、上記第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６３】
なお、本発明の各実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００６４】
・上記第１の実施の形態の製造方法では、開口部形成工程にて樹脂絶縁層２４に開口部３５，３６を形成した後に端子形成工程を行い、樹脂絶縁層２４上にコンデンサ接続端子４２の端子上段部４２ａを形成するようにしていたが、これに限定されるものではない。第１の実施の形態の製造方法において、端子形成工程後に開口部形成工程を行うように変更してもよい。具体的には、ビルドアップ工程にて図１２に示すような配線積層体６０を形成した後、端子形成工程を行う。端子形成工程では、配線積層体６０の上面（銅箔６２の表面）において、端子上段部４２ａに対応した箇所を覆う所定のパターンのエッチングレジスト７４を形成する（図２４参照）。エッチングレジスト７４には開口部３６の形成箇所に対応した貫通孔が形成されている。
【００６５】
エッチングレジスト７４を形成した状態で、配線積層体６０に対してエッチングを行って、不要な銅箔６２を除去することにより最外層の樹脂絶縁層２４上に端子上段部４２ａを形成した後、エッチングレジスト７４を剥離する（図２５参照）。このとき、端子上段部４２ａには樹脂絶縁層２４を露出させる貫通孔が形成される。端子形成工程の後、開口部形成工程を行い、最外層の樹脂絶縁層２４に対してレーザー穴加工を施すことにより、複数の開口部３５，３６を樹脂絶縁層２４に形成する（図１５参照）。なおここでは、端子上段部４２ａに形成されている貫通孔の位置にレーザーが照射されて開口部３６が形成される。このようにすれば、レーザー穴加工により銅箔６２を加工する必要がないので、レーザー出力を抑えつつ樹脂絶縁層２４に開口部３６を確実に形成することができる。
【００６６】
・上記各実施の形態では、１つのコンデンサ接続端子４２について、２つの開口部３６を形成していたが、これに限定されるものではなく、図２６に示すコンデンサ接続端子４２のように、より多くの開口部３６を形成してもよい。この場合、個々の開口部３６のサイズが小さくなるので、レーザー穴加工を容易に行うことができる。さらに、開口部３６の凹凸によるアンカー効果を均一に得ることができるため、コンデンサ接続端子４２の接続信頼性を向上することができる。また、１つのコンデンサ接続端子４２において、サイズや形状の異なる複数種類の開口部３６を形成してもよい。このように、１つのコンデンサ接続端子４２について複数の開口部３６を形成すると、はんだを介した複数の接続経路が形成されるので、いずれかの開口部３６で接続経路が遮断された場合でも、他の開口部３６を介した接続経路により端子上段部４２ａと端子下段部４２ｂとの導通を確実にとることができる。
【００６７】
・上記各実施の形態では、各接続端子４１，４２，４５を被覆するめっき層４６，４８，４９は、ニッケル−金めっき層であったが、銅以外のめっき層であればよく、例えば、ニッケル−パラジウム−金めっき層などの他のめっき層に変更してもよい。
【００６８】
次に、前述した各実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６９】
（１）同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側に向うに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板であって、前記複数の樹脂絶縁層は、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料の硬化物を主体とした同じビルドアップ材を用いて形成され、前記第１主面側には、接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子及び接続対象が受動部品であり前記ＩＣチップ接続端子よりも面積の大きい受動部品接続端子の２種類が、前記複数の第１主面側接続端子として存在するとともに、前記ＩＣチップ接続端子は、前記積層構造体の前記第１主面側において露出状態にある最外層の樹脂絶縁層に形成された開口部に対応して配置され、前記受動部品接続端子は、前記最外層の樹脂絶縁層上に形成された端子上段部と、前記最外層の樹脂絶縁層において前記端子上段部の内側領域となる複数箇所に形成された開口部に対応して配置された端子下段部とにより構成され、前記最外層の樹脂絶縁層の表面を基準面としたとき、前記端子上段部の上面の高さが前記基準面よりも高く、前記ＩＣチップ接続端子の上面及び前記端子下段部の高さが前記基準面と同じまたはそれよりも低くなっていることを特徴とする多層配線基板。
【００７０】
（２）技術的思想（１）において、前記複数の樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体は、いずれも前記第２主面側から前記第１主面側に向うに従って拡径した形状を有することを特徴とする多層配線基板。
【００７１】
（３）同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側に向うに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板の製造方法であって、金属箔を剥離可能な状態で積層配置してなる基材を準備する基材準備工程と、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料の硬化物からなる複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を前記金属箔上にて交互に積層して多層化することにより、最外層に金属箔付きビルドアップ材が配置された積層構造体を形成するビルドアップ工程と、前記ビルドアップ工程後、最外層の樹脂絶縁層に対して前記第１主面側接続端子における端子下段部となるべき導体層を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、前記ビルドアップ工程後、前記金属箔付きビルドアップ材上の金属箔を部分的にエッチングして、前記第１主面側接続端子における端子上段部を形成する端子形成工程と、前記開口部形成工程及び前記端子形成工程後、前記基材を除去する基材除去工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【００７２】
（４）技術的思想（３）において、前記開口部形成工程では、前記金属箔付きビルドアップ材上の金属箔及び最外層の樹脂絶縁層に対してレーザー穴加工を施すことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【００７３】
１０，１０Ａ…多層配線基板
２１〜２４…樹脂絶縁層
２６…導体層
３０…積層構造体としての配線積層部
３１…第１主面としての上面
３２…第２主面としての下面
３４…ビア導体
３５，３６…開口部
４１…ＩＣチップ接続端子
４２…受動部品接続端子としてのコンデンサ接続端子
４２ａ…端子上段部
４２ｂ…端子下段部
４５…第２主面側接続端子としての母基板接続端子
４７…銅層
４８…被覆金属層としてのめっき層
５２…基材
５５，６２…金属箔としての銅箔
７１…全面めっき層
【図１】
2011181542.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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