(57)【要約】【課題】マランゴニ乾燥に比べて、基板に液滴が残留することをより効果的に防止し、ウォーターマークの発生を抑えることができる基板乾燥装置及び基板乾燥方法を提供する。【解決手段】反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる基板乾燥装置に、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石４と、磁石４を、基板に沿って該基板の縁側へ移動させる磁石搬送手段５とを備える。また、反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる際、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石４を、基板に接近させ、磁石４を前記基板に沿って該基板の縁側へ移動させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる基板乾燥装置において、
基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石と、
該磁石を、基板に沿って該基板の縁側へ移動させる磁石搬送手段と
を備えることを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項２】
円板状の基板を保持して回転させるスピンチャックを備え、
前記磁石搬送手段は、
前記磁石を基板に沿って、該基板の略中央部から径方向外側へ移動させる搬送機構を備える
ことを特徴とする請求項１に記載の基板乾燥装置。
【請求項３】
前記磁石は、
互いの磁極が対極となるように対向配置された第１磁石及び第２磁石を有し、該第１磁石及び第２磁石の対向方向は前記スピンチャックに保持された基板に対して非平行である
ことを特徴とする請求項２に記載の基板乾燥装置。
【請求項４】
前記第１磁石及び第２磁石を接近及び離反させる接離手段を備える
ことを特徴とする請求項３に記載の基板乾燥装置。
【請求項５】
前記接離手段は、
前記第１磁石及び第２磁石を前記基板の略中央部で接近させる手段を備える
ことを特徴とする請求項４に記載の基板乾燥装置。
【請求項６】
前記スピンチャックに保持された基板の一面側に前記第１磁石が対向し、前記第２磁石が該基板の他面側に対向するように各磁石を保持する腕部と、
該腕部を支持する支柱と
を備え、
前記接離手段は、
前記支柱に沿って前記腕部を昇降させる昇降機構を備える
ことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の基板乾燥装置。
【請求項７】
基板に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給ノズルを備え、
前記第１磁石は、前記対向方向に開口した孔部を有し、前記乾燥ガス供給ノズルは該孔部に挿嵌されている
ことを特徴とする請求項３乃至請求項６のいずれか一つに記載の基板乾燥装置。
【請求項８】
反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる基板乾燥方法において、
基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石を、基板に接近させ、
該磁石を前記基板に沿って該基板の縁側へ移動させる
ことを特徴とする基板乾燥方法。
【請求項９】
反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる基板乾燥方法において、
円板状の基板を回転させ、
基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石を、前記基板の略中央部に接近させ、
該磁石を基板に沿って、該基板の略中央部から径方向外側へ移動させる
ことを特徴とする基板乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反磁性を有する液体で洗浄された基板を、磁石を用いて乾燥させる基板乾燥装置及び基板乾燥方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という。）をスピンチャックによって保持し、薬液を供給して洗浄する基板処理装置が用いられている。かかる装置を用いた洗浄工程では、ウエハに薬液又は純水を供給した後、ウエハを回転させ、遠心力により液滴を振り切ることによって乾燥させる処理が行われている。
【０００３】
ウエハを乾燥させる方法として、ウエハを回転させながらウエハにＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の蒸気を吹き付ける方法、霧状のＩＰＡ等を吹き付ける方法、ＩＰＡ液等を供給する方法などがある。また、ウエハの中心から周縁に向かって移動するノズルからウエハに対して純水を供給しながら、純水の供給位置より中心側においてＩＰＡ等の蒸気を吹き付けることにより、ウエハを乾燥させる方法（マランゴニ乾燥）が提案されている（例えば、特許文献１）。
ウエハにＩＰＡガスが吹き付けられると、ウエハ上の水表面にＩＰＡガスが局所的に溶解し、濃度差マランゴニ対流が発生する。このため、気液界面における水の流れが発生し、水滴から微小液滴が分離して微小液滴が発生することを防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３６１８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、一度、ウエハに付着した水滴から微小液滴が発生してしまうと、該微小液滴には濃度差マランゴニ対流による力が働かないため、微小液滴を移動させることができず、ウエハ表面に残ってしまうことがある。ウエハに残った微小液滴が乾燥すると、ウエハ表面にウォーターマーク（薬液等が析出したパーティクル）が発生する。
【０００６】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、磁石を、ウエハ等の基板に沿って該基板の縁側へ移動させることによって、マランゴニ乾燥に比べて、基板に液滴が残留することをより効果的に防止し、ウォーターマークの発生を抑えることができる基板乾燥装置及び基板乾燥方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る基板乾燥装置は、反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる基板乾燥装置において、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石と、該磁石を、基板に沿って該基板の縁側へ移動させる磁石搬送手段とを備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る基板乾燥装置は、円板状の基板を保持して回転させるスピンチャックを備え、前記磁石搬送手段は、前記磁石を基板に沿って、該基板の略中央部から径方向外側へ移動させる搬送機構を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る基板乾燥装置は、前記磁石は、互いの磁極が対極となるように対向配置された第１磁石及び第２磁石を有し、該第１磁石及び第２磁石の対向方向は前記スピンチャックに保持された基板に対して非平行であることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る基板乾燥装置は、前記第１磁石及び第２磁石を接近及び離反させる接離手段を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る基板乾燥装置は、前記接離手段は、前記第１磁石及び第２磁石を前記基板の略中央部で接近させる手段を備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る基板乾燥装置は、前記スピンチャックに保持された基板の一面側に前記第１磁石が対向し、前記第２磁石が該基板の他面側に対向するように各磁石を保持する腕部と、該腕部を支持する支柱とを備え、前記接離手段は、前記支柱に沿って前記腕部を昇降させる昇降機構を備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る基板乾燥装置は、基板に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給ノズルを備え、前記第１磁石は、前記対向方向に開口した孔部を有し、前記乾燥ガス供給ノズルは該孔部に挿嵌されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る基板乾燥方法は、反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる基板乾燥方法において、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石を、基板に接近させ、該磁石を前記基板に沿って該基板の縁側へ移動させることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る基板乾燥方法は、反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる基板乾燥方法において、円板状の基板を回転させ、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石を、前記基板の略中央部に接近させ、該磁石を基板に沿って、該基板の略中央部から径方向外側へ移動させることを特徴とする。
【００１６】
本発明にあっては、反磁性を有する液体が付着した基板に沿って該基板の縁側へ磁石を移動させた場合、基板に付着した液体は、基板の縁側へ移動する。従って、基板から液体を除去、即ち乾燥させることが可能になる。
基板に付着した液体に働く反磁性に係る磁力は、液体全体に働くため、微小液滴も該磁力によって基板の縁側へ移動する。また、基板に付着した大きな液滴が基板の縁側へ移動する際に、微小液滴が取り残されることがあるが、基板の縁側へ移動する磁石が取り残された微小液滴に接近した場合、基板の縁側へ移動した大きな液滴よりも、取り残された該微小液滴に対して大きな磁力が働く。このため、微小液滴を大きな液滴の方へ押し戻すように移動させ、該液滴に取り込ませることが可能である。従って、従来のマランゴニ乾燥に比べて、基板に残留する微小液滴を減少させることが可能である。
【００１７】
本発明にあっては、スピンチャックに保持された円板状の基板を回転させることによって、基板に付着した液体は遠心力によって基板の径方向外側へ移動する。また、磁石を基板の略中央部から径方向外側へ移動させることによって、基板に付着した液体は径方向外側へ移動する。従って、より効果的に基板から液体が除去される。
【００１８】
本発明にあっては、対向配置された第１磁石及び第２磁石は、その対向方向が基板に対して非平行である。従って、スピンチャックの回転軸を避けて、円板状の基板の略中央部で第１及び第２磁石を対向させることができ、該中央部に磁石の磁力を及ぼすことが可能である。
【００１９】
本発明にあっては、基板を挟んで第１磁石及び第２磁石を接近させることによって、第１磁石及び第２磁石で挟まれる基板部分に付着した液体を、反磁性に係る磁力によって該基板部分の外側へ移動させることが可能である。
【００２０】
本発明にあっては、基板の略中央部で第１磁石及び第２磁石を接近させることによって、第１磁石及び第２磁石で挟まれる基板の略中央部に付着した液体を、反磁性に係る磁力によって該中央部の外側へ移動させることが可能である。
【００２１】
本発明にあっては、支柱に支持された腕部を昇降させることによって、第１磁石及び第２磁石は接近及び離反する。
【００２２】
本発明にあっては、第１磁石に設けられた乾燥ガス供給ノズルから乾燥ガスを基板に供給することによって、より効果的に基板から液体を除去することが可能である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、マランゴニ乾燥に比べて、基板に液滴が残留することをより効果的に防止し、ウォーターマークの発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示した側断面図である。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】磁石の構成を模式的に示した斜視図である。
【図４】磁石の構成を模式的に示した側断面図である。
【図５】磁石をウエハの外側へ移動させた状態にある基板乾燥装置の構成を模式的に示した側断面図である。
【図６】磁石を離反させた状態にある基板乾燥装置の構成を模式的に示した側断面図である。
【図７】基板乾燥方法を概念的に示した説明図である。
【図８】制御部の処理手順を示したフローチャートである。
【図９】基板乾燥方法の原理を概念的に示した説明図である。
【図１０】基板乾燥方法の原理を概念的に示した説明図である。
【図１１】変形例に係る磁石の構成を模式的に示した斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。本発明の実施の形態に係る基板処理装置（基板乾燥装置）は、ウエハ（基板）を洗浄及び乾燥させる装置であり、特に磁石を用いてウォーターマークの発生を効果的に防止するものである。
【００２６】
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示した側断面図、図２は、図１のII−II線断面図である。本実施の形態に係る基板処理装置は、中空略直方体の処理室１を備える。処理室１には、図２に示すように、処理室１内の処理空間にウエハＷを搬入及び搬出させるための搬入出口１１が設けられている。この搬入出口１１を扉体１２で閉じることにより、処理空間を密閉状態にすることができる。
【００２７】
処理室１の内部には、略円板状のウエハＷを略水平に保持して回転させるスピンチャック２が設けられている。スピンチャック２は、ウエハＷが載せられるテーブル部２１を備える。テーブル部２１には、図２に示すように、上部に３個の保持部材２２が設けられ、保持部材２２をウエハＷの周縁３箇所にそれぞれ当接させてウエハＷを略水平に保持するように構成されている。テーブル部２１は、その略中央部から下方へ突出した回転軸２３を備え、回転軸２３の下端部は、テーブル部２１を略垂直方向の回転中心軸を中心として回転させるモータ２４に接続されている。モータ２４の駆動により、テーブル部２１を回転させると、ウエハＷがテーブル部２１と一体的に、ウエハＷの略中心を回転中心として、略水平面内で回転する。なお、図示の例では、平面視において、ウエハＷは反時計方向に回転させられる。モータ２４の駆動は、制御部７によって制御される。
【００２８】
また処理室１の上部には、洗浄用の液体を供給する液体供給手段３が設けられている。液体供給手段３は、ウエハＷに洗浄用の薬液、及びリンス液（反磁性を有する液体）を供給するノズル３１が備えられている。薬液は、例えば希フッ酸（ＤＨＦ）であり、リンス液は、例えば純水（ＤＩＷ）である。ノズル３１は、ノズルアーム３３によって支持されている。
ノズルアーム３３は、スピンチャック２に支持されたウエハＷの上方に備えられている。ノズルアーム３３の基端部は、略水平に配置されたガイドレール３２に沿って移動自在に支持されている。また、ガイドレール３２に沿ってノズルアーム３３を移動させる駆動機構３４が備えられている。駆動機構３４の駆動により、ノズルアーム３３は、スピンチャック２に保持されたウエハＷの上方とウエハＷの周縁より外側（図１においては左側）との間で移動することができる。また、ノズルアーム３３の移動に伴って、ノズル３１がウエハＷの略中心部上方から周縁部上方に向かってウエハＷと相対的に移動するように構成されている。駆動機構３４の動作は制御部７によって制御される。
【００２９】
ノズル３１は、ノズルアーム３３の先端下面に固定されたノズル昇降機構３５の下方に突出する昇降軸３６の下端に取り付けられている。昇降軸３６は、ノズル昇降機構３５により昇降自在になっており、これにより、ノズル３１が任意の高さに昇降されるようになっている。ノズル昇降機構３５の駆動は、制御部７によって制御される。
【００３０】
ノズル３１には、薬液供給源３７ａに接続された薬液供給路３７ｂと、リンス液供給源３８ａに接続されたリンス液供給路３８ｂが接続されている。薬液供給路３７ｂ及びリンス液供給路３８ｂには、開閉弁３７ｃ，３８ｃがそれぞれ設けられている。各開閉弁３７ｃ，３８ｃの開閉動作は、制御部７によって制御される。
【００３１】
また、基板処理装置は、ウエハＷに付着した液体を磁力によって移動させるための磁石４と、磁石４を、ウエハＷに沿って該ウエハＷの縁側へ移動させる磁石搬送部５とを備える。
【００３２】
図３は、磁石４の構成を模式的に示した斜視図、図４は、磁石４の構成を模式的に示した側断面図である。磁石４は、一対の第１磁石４１及び第２磁石４２を有する。第１磁石４１及び第２磁石４２は、先端部を切り欠いた四角錐形状の磁極を有し、互いの磁極が対極となるように構成された電磁石である。また、第１磁石４１には、後述の乾燥ガス供給ノズル６を設けるための孔部４１ａが、第１磁石４１及び第２磁石４２の対向方向に開口している。
【００３３】
磁石搬送部５は、磁石４を保持する第１腕部５１及び第２腕部５２と、処理室１の底面に対して略垂直に設けられ、第１及び第２腕部５１、５２を支持する支柱５３と、支柱５３に沿って腕部を昇降させる昇降機構５４と、支柱搬送機構５５とを備える。
【００３４】
第１腕部５１は、角柱状であり、長手方向を略水平にして、テーブル部２１の上方で支柱５３に取り付けられている。また、第１腕部５１は、第１磁石４１の磁極が斜め下方を向くように、該第１磁石４１を先端部の下面に保持している。
【００３５】
第２腕部５２は、第１腕部５１と同様の角柱状であり、長手方向を略水平にして、テーブル部２１の下方で支柱５３に取り付けられている。第２腕部５２は、第２磁石４２の先端部が斜め上方を向き、第１磁石４１及び第２磁石４２の対向方向がテーブル部２１に保持されたウエハＷに対して非平行となるように、該第２磁石４２を先端部の上面に保持している。
【００３６】
昇降機構５４は、第１磁石４１及び第２磁石４２が接近及び離反するように、第１及び第２腕部５１、５２を連動させて昇降させる機構であり、例えばリニアモータによって構成されている。リニアモータは、例えば、支柱５３に沿って設けられたシャフト、第１及び第２腕部５１、５２に夫々設けられ、該シャフトに沿って移動自在に装着された筒形状のスライダとを備える。シャフトは、搬送方向に沿ってＮ極とＳ極とが交互に配列した構造である。スライダは、非磁性材料からなる筐体を有し、該筐体の内部にはシャフトを囲繞するように配された電磁石が内蔵されている。電磁石を構成するコイルに電流を供給することによって、第１及び第２腕部５１、５２を昇降させることができる。昇降機構５４の動作は制御部７によって制御される。
【００３７】
支柱搬送機構５５は、第１磁石４１及び第２磁石４２がスピンチャック２に保持されたウエハＷの略中央部と、径方向外側との間で往復移動するように、該径方向に沿って支柱５３を直線的に往復移動させる機構であり、例えばリニアモータによって構成されている。支柱搬送機構５５の動作は、制御部７によって制御される。
【００３８】
また、基板処理装置は、ウエハＷに乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給ノズル６を備える。第１磁石４１は、前記対向方向に開口した孔部４１ａを有し、乾燥ガス供給ノズル６は該孔部４１ａに挿嵌されている。乾燥ガス供給ノズル６には、乾燥ガス供給源６３に接続された乾燥ガス供給路６１が接続されている。乾燥ガス供給路６１には開閉弁６２が設けられている。開閉弁６２の開閉動作は、制御部７によって制御される。
【００３９】
図５は、磁石４をウエハＷの外側へ移動させた状態にある基板乾燥装置の構成を模式的に示した側断面図、図６は、磁石４を離反させた状態にある基板乾燥装置の構成を模式的に示した側断面図である。
【００４０】
図７は、基板乾燥方法を概念的に示した説明図、図８は、制御部７の処理手順を示したフローチャートである。制御部７は、図７（ａ）に示すように、磁石４をウエハＷの径方向外側へ移動させ（ステップＳ１１）、第１磁石４１及び第２磁石４２を離反させる（ステップＳ１２）。
【００４１】
次いで、制御部７は、図７（ｂ）に示すように、第１磁石４１及び第２磁石４２をウエハＷの略中央部へ移動させる（ステップＳ１３）。そして、制御部７は、スピンチャック２の回転速度を増加させる（ステップＳ１４）。
【００４２】
次いで、制御部７は、図７（ｃ）に示すように、第１磁石４１及び第２磁石４２を接近させる（ステップＳ１５）。第１磁石４１及び第２磁石４２を接近させる際、制御部は、開閉弁６２を開状態にして、乾燥ガスをウエハＷに供給する。第１磁石４１及び第２磁石４２をウエハＷの略中央部で接近させることによって、ウエハＷの略中央部にリンス液の微小液滴が残留することを効果的に防止される。
そして、制御部７は、図７（ｄ）に示すように、第１磁石４１及び第２磁石４２をウエハＷの径方向外側へ移動させる（ステップＳ１６）。第１磁石４１及び第２磁石４２をウエハＷの略中央部から径方向外側へ移動させることによって、ウエハＷ上にリンス液の微小液滴が残留することを効果的に防止される。図７（ｅ）に示すように、第１磁石４１及び第２磁石４２がウエハＷの径方向外側まで移動した場合、制御部７は、スピンチャック２を停止させ（ステップＳ１７）、処理を終える。
【００４３】
図９及び図１０は、基板乾燥方法の原理を概念的に示した説明図である。図中、白抜き矢印は、磁石４の移動方向、細線矢印はリンス液に働く反磁性に係る磁力である。図９に示すように、ウエハＷに沿って該ウエハＷの縁側へ磁石４を移動させ、磁石４がリンス液に接近した場合、例えば、磁石４のＮ極を近づけた場合、反磁性を有するリンス液は、磁石４のＮ極側をＳ極とする磁性を帯びる。従って、ウエハＷに付着したリンス液は、反磁性に係る磁力によってウエハＷの縁側へ移動する。よって、ウエハＷからリンス液を除去することができる。
また、図１０（ａ）に示すように、スピンチャック２の回転による遠心力によってウエハＷに付着したリンス液の液滴がウエハＷの縁側へ移動する際に、リンス液の微小液滴が取り残されることがある。ところが、磁石４をウエハＷに沿って縁側へ移動させ、磁石４を微小液滴に接近させた場合、図１０（ｂ）に示すように、微小液滴を大きなリンス液滴の方へ押し戻すように移動させ、該リンス液滴に取り込ませることが可能である。ウエハＷに付着したリンス液に働く反磁性に係る磁力は、リンス液全体に働くため、微小液滴もウエハＷの縁側へ移動させることができる。また、取り残された微小液滴に磁石４が接近すると、該微小液滴に大きな磁力が働き、微小液滴を、大きなリンス液滴の方へ押し戻すことができる。従って、従来のマランゴニ乾燥に比べて、ウエハＷに残留するリンス液の微小液滴を減少させることができる。
【００４４】
本実施の形態にあっては、マランゴニ乾燥に比べて、ウエハＷに液滴が残留することをより効果的に防止し、ウォーターマークの発生を抑えることができる。
【００４５】
また、スピンチャック２に保持されたウエハＷを回転させると共に、磁石４をウエハＷの略中央部から径方向外側へ移動させることによって、リンス液の微小液滴を残すこと無くウエハＷからリンス液を効率的に除去し、乾燥させることができる。
【００４６】
更に、第１磁石４１及び第２磁石４２の対向方向は、スピンチャック２に保持されたウエハＷに対して非平行であるため、スピンチャック２の回転軸２３を避けて、ウエハＷの略中央部で第１磁石４１及び第２磁石４２を対向及び接近させることができ、該中央部に磁石４の磁力を及ぼして、リンス液を除去することができる。
【００４７】
更にまた、第１磁石４１に設けられた乾燥ガス供給ノズル６から乾燥ガスをウエハＷに供給することによって、より効果的にウエハＷからリンス液を除去することができる。
【００４８】
（変形例）
図１１は、変形例に係る磁石４の構成を模式的に示した斜視図である。上述の実施の形態にあっては、ポールピース型の磁石４を説明したが、図１１に示すようにホールバッハ型の第１磁石１４１及び第２磁石１４２を用いて磁石１０４を構成しても良い。第１磁石１４１及び第２磁石１４２はそれぞれ、六角柱板の半体によって構成される。ホールバッハ型の磁石１０４は、例えば特開２０００−２４３６２１号公報に開示されているため、詳細な説明は省略する。
【００４９】
なお、磁石の形状はこれらに限定されるものでは無く、ウエハ上に付着したリンス液に反磁性に係る磁力を及ぼすことが可能な構成であれば、他の形状であっても良い。
【００５０】
また、乾燥対象の基板としてウエハを説明したが、洗浄が必要な他の基板、例えばガラス基板に本発明を適用しても良い。
【００５１】
更に、本実施の形態及び変形例ではスピン乾燥及び乾燥ガスを用いた乾燥方法と、本実施の形態に係る磁石を用いた乾燥方法とを組み合わせた例を説明したが、これらを組み合わせる必要は必ずしもなく、また他の乾燥方法を組み合わせても良い。
【００５２】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５３】
１  処理室
２  スピンチャック
３  液体供給手段
４  磁石
５  磁石搬送部（磁石搬送手段）
６  乾燥ガス供給ノズル
７  制御部
４１  第１磁石
４１ａ  孔部
４２  第２磁石
５１  支柱
５２  第１腕部
５３  第２腕部
５４  昇降機構
５５  支柱搬送機構（搬送機構）
Ｗ  ウエハ
【図１】
2011135009.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2011135009.tif 000006
【図５】
2011135009.tif 000007
【図６】
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【図７】
2011135009.tif 000009
【図８】
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【図９】
2011135009.tif 000011
【図１０】
2011135009.tif 000012
【図１１】
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