(57)【要約】【課題】簡易な構成で過電流を遮断することができる回路構成体及び電気接続箱を提供する。【解決手段】バッテリから電装品に至る電流経路に配される回路構成体２０は、電流経路の一部を構成する導電路と、導電路に対してボンディングワイヤ２３により接続されたＭＯＳＦＥＴ２４と、ボンディングワイヤ２３に対して伝熱的に設けられ所定の温度特性を有する感熱素子２８と感熱素子２８からの信号に基づいて感熱素子２８が所定の温度に至ったときにＭＯＳＦＥＴ２４によって電流経路に流れる電流を制限させるための温度上昇信号を出力する感熱回路２９と、ボンディングワイヤ２３及び感熱素子２８を覆うモールド樹脂３０と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源から負荷に至る電流経路に配される回路構成体であって、
前記電流経路の一部を構成する導電路と、
前記導電路に対してボンディングワイヤにより接続されたスイッチング素子と、
前記ボンディングワイヤに対して伝熱的に設けられ所定の温度特性を有する感熱素子と、
前記感熱素子からの信号に基づいて前記感熱素子が所定の温度に至ったときに前記スイッチング素子によって前記電流経路に流れる電流を制限させるための温度上昇信号を出力する感熱回路と、
前記ボンディングワイヤ及び前記感熱素子を覆うモールド樹脂と、を有する回路構成体。
【請求項２】
前記スイッチング素子は半導体ベアチップにより構成され、前記半導体ベアチップも前記モールド樹脂に覆われていることを特徴とする請求項１記載の回路構成体。
【請求項３】
複数の負荷に対応して前記電流経路が複数設けられ、前記感熱素子及び前記感熱回路は１チップ化された温度スイッチＩＣとして前記スイッチング素子及び前記ボンディングワイヤと共に前記各電流経路毎に設けられ、前記ボンディングワイヤは前記電流経路毎に異なる抵抗値となるように設定されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の回路構成体。
【請求項４】
前記複数のボンディングワイヤは、同一太さでその長さを異ならせることにより異なる抵抗値に設定されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の回路構成体。
【請求項５】
前記ボンディングワイヤの一端を接続するボンディングパッドと、前記感熱素子と、前記ボンディングワイヤの他端を接続する前記スイッチング素子とが直線状に配置され、前記ボンディングワイヤは前記感熱素子を跨ぐように配置されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の回路構成体。
【請求項６】
前記ボンディングパッドは、前記感熱素子及び前記スイッチング素子を結ぶ直線の延長線上に複数箇所に並んで配置されていることを特徴とする請求項５記載の回路構成体。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の前記回路構成体と、前記回路構成体を収容するケースとを有する電気接続箱。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路構成体及び電気接続箱に関する。
【背景技術】
【０００２】
車両に装備される回路構成体には、モータやヒータ等を内蔵する電装品、及び電装品を電気的に接続する電気配線を過電流から保護するための過電流遮断機能を備えたものが知られている。
この過電流遮断機能として、導電路の電流を直接検知するのではなく、導電路の電流に応じて生じる発熱を感熱素子が受け、この感熱素子が受ける温度が所定値以上であると、過電流が流れたものとして導電路を遮断するものがある。
【０００３】
例えば、特許文献１には、信号線に接続されたＰＴＣ素子（感熱素子）に、発熱部としての回路導体（導電路）が巻きつけられたものが記載されている。過電流が流れて回路導体の温度が上昇すると、その熱がＰＴＣ素子に伝わりＰＴＣ素子の温度が上昇する。すると、ＰＴＣ素子の抵抗値が変化してＰＴＣ素子の両端の電圧（ＰＴＣ素子を流れる電流）が変化するため、この電圧（電流）を感熱回路が所定の閾値と比較して、回路導体のスイッチング素子をオフして過電流の発生を防止するようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１０８３５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１の構成では、発熱部としての回路導体から感熱素子としてのＰＴＣ素子に熱を伝えるために、ＰＴＣ素子に回路導体を巻きつけるものであるために構成が複雑であるのに加えて、ＰＴＣ素子に回路導体を巻きつけるという煩雑な作業が必要になる。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、簡易な構成で過電流を遮断することができる回路構成体及び電気接続箱を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、電源から負荷に至る電流経路に配される回路構成体であって、前記電流経路の一部を構成する導電路と、前記導電路に対してボンディングワイヤにより接続されたスイッチング素子と、前記ボンディングワイヤに対して伝熱的に設けられ所定の温度特性を有する感熱素子と、前記感熱素子からの信号に基づいて前記感熱素子が所定の温度に至ったときに前記スイッチング素子によって前記電流経路に流れる電流を制限させるための温度上昇信号を出力する感熱回路と、前記ボンディングワイヤ及び前記感熱素子を覆うモールド樹脂と、を有するところに特徴を有する（手段１）。
【０００７】
手段１の構成によれば、電流経路の一部を構成する導電路に電流が流れると、ボンディングワイヤは、その抵抗値に応じて発熱する。この熱は、ボンディングワイヤに対して伝熱的に設けられ所定の温度特性を有する感熱素子に与えられる。そして、感熱回路が、感熱素子からの信号に基づいて感熱素子が所定の温度に至ったときに温度上昇信号を出力すると、スイッチング素子によって電流経路に流れる電流が制限されるため、導電路に流れる過電流を遮断することができる。
これにより、本来、スイッチング素子と導電路とを接続するために用いられるボンディングワイヤが、スイッチング素子と導電路との接続だけでなく、電流値を検出するための発熱素子として用いられることになるため、ボンディングワイヤとは別に発熱素子を設ける必要がない。よって、簡易な構成で過電流を遮断することができる。
【０００８】
手段１の構成に加えて、前記スイッチング素子は半導体ベアチップにより構成され、前記半導体ベアチップも前記モールド樹脂に覆われているようにしてもよい（手段２）。
手段２の構成のようにすれば、半導体ベアチップについてもモールド樹脂で覆うことで、半導体ベアチップを樹脂で封止する工程を別工程で行う必要がないため、製造工程を簡素化することができる。
【０００９】
手段１又は手段２の構成に加えて、複数の負荷に対応して前記電流経路が複数設けられ、前記感熱素子及び前記感熱回路は１チップ化された温度スイッチＩＣとして前記スイッチング素子及び前記ボンディングワイヤと共に前記各電流経路毎に設けられ、前記ボンディングワイヤは前記電流経路毎に異なる抵抗値となるように設定されているようにしてもよい（手段３）。
手段３の構成によれば、複数の負荷について各電流経路の過電流遮断を行う場合に、遮断すべき過電流の値が電流経路で異なる場合であっても、各電流経路についてボンディングワイヤの抵抗値を変えることにより、各電流経路で共通の温度スイッチＩＣを用いることが可能になる。
【００１０】
手段１ないし手段３のいずれかの構成に加えて、前記複数のボンディングワイヤは、同一太さでその長さを異ならせることにより異なる抵抗値に設定されているようにしてもよい（手段４）。
手段４の構成によれば、１本のボンディングワイヤの切断する長さを変えることにより複数の抵抗値を設定することができるため、製造工程を簡素化することができる。
【００１１】
手段１ないし手段４のいずれかの構成に加えて、前記ボンディングワイヤの一端を接続するボンディングパッドと、前記感熱素子と、前記ボンディングワイヤの他端を接続する前記スイッチング素子とが直線状に配置され、前記ボンディングワイヤは前記感熱素子を跨ぐように配置されているようにしてもよい（手段５）。
手段５の構成によれば、簡易な構成でボンディングワイヤの熱を感熱素子に与えることができる。
【００１２】
手段５の構成に加えて、前記ボンディングパッドは、前記感熱素子及び前記スイッチング素子を結ぶ直線の延長線上に複数箇所に並んで配置されているようにしてもよい（手段６）。
手段６の構成によれば、適切な抵抗値のボンディングワイヤが接続されているかどうかの検査が容易になる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、簡易な構成で過電流を遮断することができる回路構成体及び電気接続箱を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態の電気接続箱を表す斜視図
【図２】電気接続箱を表す分解斜視図
【図３】回路構成体を表す斜視図
【図４】大電流用パッドにボンディングワイヤが接続された状態を表す断面図
【図５】中電流用パッドにボンディングワイヤが接続された状態を表す断面図
【図６】小電流用パッドにボンディングワイヤが接続された状態を表す断面図
【図７】ボンディングワイヤの長さ、温度、通電電流の関係を表す図
【図８】回路構成体の電気的構成を表す図
【図９】回路基板を表す斜視図
【図１０】回路基板に樹脂隔壁が取り付けられた状態を表す斜視図
【図１１】温度スイッチＩＣ、ＭＯＳＦＥＴ、ゲート制御回路が取り付けられた状態を表す斜視図
【図１２】各端子、暗電流カットリレーが取り付けられた状態を表す斜視図
【図１３】ボンディングワイヤがワイヤボンディングされた状態を表す斜視図
【図１４】樹脂が充填された回路構成体を表す斜視図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜実施形態＞
本発明の実施形態を図１ないし図１４を参照して説明する。
本実施形態の電気接続箱１０は、自動車等の車両に搭載されるものであって、バッテリ（「電源」の一例）とランプ、オーディオ等の電装品（「負荷」の一例）との間に介設され、バッテリから供給される電力を各電装品に分配・供給するとともに、これら電力供給の切り替え等の制御を行うものである。以下、前後方向については、図２の斜め左上方を前方とし、斜め右下方を後方として説明する。
【００１６】
電気接続箱１０は、図２に示すように、過電流遮断機能を有する回路構成体２０と、複数の素子が実装されたＥＣＵ１１（Electronic Control Unit）と、回路構成体２０及びＥＣＵ１１を収容するケース１２とを備えて構成される。
回路構成体２０は、図３に示すように、長方形の平板状をなす回路基板２１と、回路基板２１に設けられる導電路（図示しない）と、異なる電装品に至る電流経路ごとに設けられたＭＯＳＦＥＴ２４（本願発明の構成である「スイッチング素子」の一例）と、ボンディングワイヤ２３の他端側に接続される３つの電力用ボンディングパッド２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ。本願発明の構成である「ボンディングパッド」の一例）と、ボンディングワイヤ２３から受ける熱に応じてＭＯＳＦＥＴ２４をオフ（遮断）する温度スイッチＩＣ２６と、回路基板２１の上面を覆うモールド樹脂３０とを備える。
【００１７】
導電路は、バッテリから電装品に至る電流経路の一部を構成するものであり、回路基板２１の裏面等に形成されている。
ＭＯＳＦＥＴ２４は、電極パッドの付いた裸の半導体チップであるベアチップのＮ形パワーＭＯＳＦＥＴが用いられており、表面に形成されているドレインがボンディングワイヤ２３の一端側に接続（導電路に対してボンディングワイヤ２３により接続）されて、ボンディングワイヤ２３の他端側が３つの電力用ボンディングパッド２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ）のいずれかに電気的に接続される。ドレインと同じく表面に形成されているゲートは、後方の制御用ボンディングパッド２７にボンディングワイヤ３４を介して接続される。一方、ソースは、ＭＯＳＦＥＴ２４の裏側に設けられており、図示しない電源側の導電路に接続される。
【００１８】
電力用ボンディングパッド２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃは、回路基板２１の表面における温度スイッチＩＣ２６とＭＯＳＦＥＴ２４とを結ぶ同一直線状に３箇所等間隔で並んで設けられ、温度スイッチＩＣ２６側から順番に大電流用パッド２５Ａ、中電流用パッド２５Ｂ、小電流用パッド２５Ｃとなっている。これら各電力用ボンディングパッド２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃは共に同じ導電路に接続されている。
【００１９】
ボンディングワイヤ２３の他端側が３つのうちのどの電力用ボンディングパッド２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ）に接続されるかは、各電流経路において遮断させたい過電流の値によって異なり、電流経路における過電流の値の大きさの順に、大電流用パッド２５Ａ、中電流用パッド２５Ｂ、小電流用パッド２５Ｃを接続する。これにより、３種類の長さのボンディングワイヤ２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ（２３Ａの長さＬＡ＜２３Ｂの長さＬＢ＜２３Ｃの長さＬＣ）が用いられており、図７に示すように、温度スイッチＩＣ２６が出力を切り換える温度Ｔ１になる通電電流は、ボンディングワイヤ２３Ａの長さが長くなるほど低くなっている（ＩＡ＞ＩＢ＞ＩＣ）。
各ＭＯＳＦＥＴ２４の後方には、図３に示すように、導電路のうち制御信号の経路と接続された制御用ボンディングパッド２７が設けられている。この制御用ボンディングパッド２７は、ＭＯＳＦＥＴ２４のゲートとボンディングワイヤ３４により接続されている。
【００２０】
温度スイッチＩＣ２６は、電力用ボンディングパッド２５とＭＯＳＦＥＴ２４との間にボンディングワイヤ２３が温度スイッチＩＣ２６を跨ぐように設けられ、温度に応じた特性を有する感熱素子２８と、感熱素子２８の特性に応じて２値化された信号（温度上昇信号）を出力する感熱回路２９とを備え（図８参照）、これら感熱素子２８及び感熱回路２９がパッケージに覆われて１チップ化されている。
【００２１】
感熱素子２８は、トランジスタやダイオード等の半導体素子が用いられる。この半導体素子の温度−抵抗特性をリニアに補正する内部回路を備えてもよい。
感熱回路２９は、感熱素子２８から出力される温度上昇信号（感熱素子２８の下流側の電圧信号）を、所定の閾値（基準電圧）と比較する比較回路を備える。
感熱素子２８からの温度上昇信号が所定の閾値を超えている（即ち感熱素子２８の温度が所定の温度以上）である場合には、ローレベルの信号を出力し、所定の閾値以下（感熱素子２８の温度が所定の温度以下）の場合には、ハイレベルの信号を出力する。
【００２２】
モールド樹脂３０は、エポキシ樹脂からなる平板状をなす部分であって、図３に示すように、温度スイッチＩＣ２６及びＭＯＳＦＥＴ２４を包囲する位置に配される樹脂隔壁３１と、樹脂隔壁３１内に充填される樹脂充填部３３とからなる。
樹脂隔壁３１は、樹脂を流し込んで固める際の枠となるものであって、各電流経路ごと樹脂が流し込まれる樹脂充填凹部３２が設けられている。樹脂注入前には、樹脂隔壁３１の内部（樹脂充填凹部３２内）に、電力用ボンディングパッド２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ）、制御用ボンディングパッド２７、温度スイッチＩＣ２６及びＭＯＳＦＥＴ２４が露出している。
樹脂充填部３３は、樹脂充填凹部３２の内部に隙間なく充填されてエポキシ樹脂からなる（隙間なく流し込まれて固化している）。
なお、モールド樹脂３０の材料としては、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂やＰＰＳ等の熱可塑性樹脂を用いてもよく、また、これら熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂以外の樹脂を用いることも可能である。
【００２３】
また、回路構成体２０は、１つの電源側入力端子４１と、電流経路ごとに設けられた出力端子４２と、制御信号が入力される制御入力端子４３と、暗電流カットリレー４４と、ゲート制御回路４５とを有する。
電源側入力端子４１は、回路基板２１の後端部の中央部において基板上に立ち上がり屈曲されて後方に突出している。
【００２４】
出力端子４２は、樹脂充填凹部３２の前端部において、基板上に立ち上がり樹脂隔壁３１の一部に凹設された部分を通るように屈曲されて前方に突出している。
制御入力端子４３は、回路基板２１の後端側における角部に複数本設けられている。
暗電流カットリレー４４は、制御入力端子４３の近傍に設けられ、電源側入力端子４１からＭＯＳＦＥＴ２４に向かう経路に配され、ＭＯＳＦＥＴ２４のオフ時に流れる暗電流を遮断する機能を有する。
【００２５】
ゲート制御回路４５は、ＡＮＤ回路であって、制御入力端子４３及び感熱回路２９からの入力を受け、ＭＯＳＦＥＴ２４のゲートに出力する。具体的には、制御入力端子４３からの制御入力信号がハイレベルかつ感熱回路２９からの温度上昇信号がハイレベルのときに、ゲートをオンし、それ以外の場合には、ゲートをオフする。
【００２６】
ＥＣＵ１１は、図２に示すように、導電路をオンオフする多数のスイッチング素子を有して構成されている。
ケース１２は、回路構成体２０が収容されるケース本体１３と、ケース本体１３の上方を覆うアッパーカバー１４と、ＥＣＵ１１が載置されケース本体１３の下方を覆うロアカバー１５とからなる。
【００２７】
ケース本体１３は、四方を壁部で囲まれた箱形であって、前壁部及び後壁部にはコネクタが嵌合するコネクタ部１６Ａ，１６Ｂが設けられている。底板には、複数のリレー１８が実装されており、ＥＣＵ１１の電子部品１９が下方から挿通される挿通孔１３Ａを有する。
壁部の内側の角部には、支柱部１７が設けられており、この支柱部１７の上に回路構成体２０の各角部が載置される。
【００２８】
次に、回路構成体２０の電気的構成について説明する。
図８に示すように、ＭＯＳＦＥＴ２４のソースは、バッテリから電力の供給を受ける電源側入力端子４１に接続され、ＭＯＳＦＥＴ２４のドレインは、ボンディングワイヤ２３を介して電装品に接続される出力端子４２に接続されている。ボンディングワイヤ２３の近傍には、感熱素子２８が配されている。感熱回路２９は、感熱素子２８の温度に応じた温度上昇信号をゲート制御回路４５に与える。ゲート制御回路４５は、温度上昇信号及び制御入力端子４３から受ける制御入力に応じてＭＯＳＦＥＴ２４のゲートのオンオフを制御する。
【００２９】
これにより、電装品のスイッチがオンされると、制御入力端子４３の制御入力がハイレベルになる。制御入力がハイレベル、かつ、所定以下の温度が検出されて温度スイッチＩＣ２６から出力される温度上昇信号がハイレベルであると、ゲート制御回路４５により、ＭＯＳＦＥＴ２４のゲートに所定の電圧が印加されて、バッテリより出力端子４２に向かって電流が流れ、出力端子４２からワイヤハーネスを経由して電装品に給電される。
【００３０】
このとき、ボンディングワイヤ２３の長さに応じた抵抗値によりボンディングワイヤ２３にジュール熱が発生してボンディングワイヤ２３の温度が上昇する。ボンディングワイヤ２３の熱は、ボンディングワイヤ２３の直下に実装した温度スイッチＩＣ２６に与えられ、ワイヤハーネスの被覆が発煙（導体温度Ｔ３℃）しないとして設定された所定温度Ｔ１以上の温度Ｔ２を感熱素子２８が検出した場合には、感熱回路２９は、ローレベルの温度上昇信号をゲート制御回路４５に出力する。すると、ゲート制御回路４５がＭＯＳＦＥＴ２４のゲートをオフ（遮断）し、出力端子４２からワイヤハーネスを経由して電装品に給電されなくなるため、過電流が遮断される。
【００３１】
次に、回路構成体２０の製造方法について説明する。
（１）前工程
導電路が形成された板厚１．６ｍｍのプリント基板のランド表面にワイヤボンディングのために、ニッケルめっきもしくは金めっきを施した回路基板２１を用意する（図９）。また、電子部品実装時のリフロー雰囲気温度に耐えられるように熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂（又は融点の高いＰＰＳ等の熱可塑性樹脂）にて樹脂隔壁３１を成形しておく。
（２）樹脂隔壁取り付け工程
次に、樹脂隔壁３１を回路基板２１の表面に接着剤を用いて接着する（図１０）。
（３）電子部品実装工程
回路基板２１の所定位置に、ベアチップのパワーＭＯＳＦＥＴ２４、温度スイッチＩＣ２６、ゲート制御回路４５等の電子部品類をリフローはんだ実装する（図１１）。
【００３２】
（４）リード部品実装工程
回路基板２１等の所定の位置に、電源側入力端子４１、出力端子４２、制御入力端子４３等のリード部品をはんだ実装する（図１２）。
（５）ワイヤボンディング工程
電流経路ごとに、ＭＯＳＦＥＴ２４のソース端子と遮断させたい過電流の値に応じていずれかの電力用ボンディングパッド２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ）との間をボンディングワイヤ２３にて接続するとともに、ゲート端子と制御用ボンディングパッド２７との間をボンディングワイヤ２３にて接続する（図１３）。
【００３３】
（６）モールド工程
ＭＯＳＦＥＴ２４や温度スイッチＩＣ２６等の半導体チップの吸湿による劣化、ボンディングワイヤ２３の外力による折れ・曲がりを防ぐためエポキシ樹脂等の熱硬化樹脂を樹脂充填凹部３２内に充填することで樹脂充填部３３を有するモールド樹脂３０が形成される。
【００３４】
本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、電流経路の一部を構成する導電路に電流が流れると、ボンディングワイヤ２３は、その抵抗値に応じて発熱する。この熱は、ボンディングワイヤ２３に対して伝熱的に設けられ所定の温度特性を有する感熱素子２８に与えられる。そして、感熱回路２９が、感熱素子２８からの信号に基づいて感熱素子２８が所定の温度に至ったときに温度上昇信号を出力すると、ＭＯＳＦＥＴ２４によって電流経路に流れる電流が制限されるため、導電路に流れる過電流を遮断することができる。
このようにすれば、本来、ＭＯＳＦＥＴ２４と導電路とを接続するために用いられるボンディングワイヤ２３が、ＭＯＳＦＥＴ２４と導電路との接続だけでなく、電流値を検出するための発熱素子として用いられることになるため、ボンディングワイヤ２３とは別に発熱素子を設ける必要がない。よって、簡易な構成で過電流を遮断することができる。
【００３５】
（２）ＭＯＳＦＥＴ２４（半導体ベアチップ）についてもモールド樹脂３０で覆うことで、ＭＯＳＦＥＴ２４を樹脂で封止する工程を別工程で行う必要がないため、製造工程を簡素化することができる。
（３）複数の電装品（負荷）に対応して電流経路が複数設けられ、感熱素子２８及び感熱回路２９は１チップ化された温度スイッチＩＣ２６としてＭＯＳＦＥＴ２４及びボンディングワイヤ２３と共に各電流経路毎に設けられ、ボンディングワイヤ２３は電流経路毎に異なる抵抗値となるように設定されているため、複数の電装品（負荷）について各電流経路の過電流遮断を行う場合に、遮断すべき過電流の値が電流経路で異なる場合であっても、各電流経路についてボンディングワイヤ２３の抵抗値を変えることにより、各電流経路で共通の温度スイッチＩＣ２６を用いることが可能になる。
【００３６】
（４）複数のボンディングワイヤ２３は、同一太さでその長さを異ならせることにより異なる抵抗値に設定されているため、１本のボンディングワイヤ２３の切断する長さを変えることにより複数の抵抗値を設定することができ、製造工程を簡素化することができる。
（５）ボンディングワイヤ２３の一端を接続する電力用ボンディングパッド２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ）と、感熱素子２８と、ボンディングワイヤ２３の他端を接続するＭＯＳＦＥＴ２４とが直線状に配置され、ボンディングワイヤ２３は感熱素子２８を跨ぐように配置されているため、簡易な構成でボンディングワイヤ２３の熱を感熱素子２８に与えることができる。
【００３７】
（６）電力用ボンディングパッド２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ）は、感熱素子２８及びＭＯＳＦＥＴ２４を結ぶ直線の延長線上に複数箇所に並んで配置されているため、適切な抵抗値のボンディングワイヤ２３が接続されているかどうかの検査が容易になる。
【００３８】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【００３９】
（１）上記実施形態では、ボンディングワイヤ２３の長さを変えることで、ボンディングワイヤ２３の抵抗値を変える構成としたが、これに限られない。例えば、ボンディングワイヤ２３の太さを変えて抵抗値を変えるようにしてもよく、また、長さ及び太さの双方を変えることで抵抗値を変える構成や、ボンディングワイヤ２３の材質等の他の構成を変えることで抵抗値を変えるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００４０】
１０…電気接続箱
１２…ケース
２０…回路構成体
２１…回路基板
２３（２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ）…ボンディングワイヤ
２４…ＭＯＳＦＥＴ（スイッチング素子）
２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ）…電力用ボンディングパッド（ボンディングパッド）
２６…温度スイッチＩＣ
２７…制御用ボンディングパッド
２８…感熱素子
２９…感熱回路
３０…モールド樹脂
３１…樹脂隔壁
３２…樹脂充填凹部
３３…樹脂充填部
４１…電源側入力端子
４２…出力端子
４３…制御入力端子
４５…ゲート制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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