(57)【要約】【課題】配向膜の膜厚不良部の存在によって液晶の制御性が失われる領域が拡大するのを防止した液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造システム、および、液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】２枚の基板に液晶層が挟持された液晶表示装置を製造する方法において、液晶層を配向させる配向膜を２枚の基板の少なくとも一方に塗布する工程と、配向膜の膜厚不良部を検査する工程と、膜厚不良部の存在する位置に対応する画素において、液晶を駆動するための電界が印加されにくくなるように処理を施す工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の基板に液晶層が挟持された液晶表示装置を製造する方法において、
前記液晶層を配向させる配向膜を前記２枚の基板の少なくとも一方に塗布する工程と、
前記配向膜の膜厚不良部を検査する工程と、
前記膜厚不良部の存在する位置に対応する画素において、液晶を駆動するための電界が印加されにくくなるように処理を施す工程と、
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記膜厚不良部は、前記配向膜が欠落して穴状に開口した部分である、
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記処理を施す工程は、前記膜厚不良部の位置に対応する画素における画素電極と、前記電界の印加を制御する半導体層を介して該画素電極と接続される映像信号線との間において、断線を生じさせる、
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記２枚の基板のうちの一方は、画素電極と共通電極の両方が形成される基板であって、
前記処理を施す工程は、前記画素電極と前記共通電極との間の電位差をなくすように短絡を生じさせる、
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
２枚の基板に液晶層が挟持された液晶表示装置の製造システムであって、
前記基板の少なくとも一方に塗布された前記液晶層を配向させる配向膜の膜厚不良部を検知して、その位置情報を取得する膜厚不良部検知装置と、
前記位置情報を記録する位置情報記録装置と、
前記位置情報記録装置に記録された前記位置情報に対応する画素に、液晶を駆動するための電界が印加されにくくなるように処理を施す処理装置と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造システム。
【請求項６】
複数の画素が区画されて形成されるＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板に対向して配置される対向基板と、これらの間に挟持された液晶層とを有して、該液晶層を配向させる配向膜が該ＴＦＴ基板及び該対向基板の少なくとも一方に備えられた液晶表示装置であって、
前記配向膜は、ホール状に開口して欠落した部分を有し、
前記複数の画素のうち、前記欠落した部分と重複する位置に形成された画素には、液晶を駆動するための電界が印加されにくくなるように処理が施されている、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載された液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴ基板に区画されて形成される前記複数の画素のそれぞれには、画素電極が形成され、
前記ＴＦＴ基板は、前記複数の画素に駆動電圧を供給する複数の映像信号線を有し、
前記複数の画素のうち、前記欠落した部分と重複する位置に形成された画素における前記画素電極は、前記映像信号線から断線される、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造システム、及び液晶表示装置に関し、特に、配向膜における欠陥に対して対策を施すことにより歩留まりを向上させることに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、液晶層と、液晶層を挟持する２枚の透明基板（ＴＦＴ基板と対向基板）とを含んで構成される。そして２枚の透明基板と液晶層との界面には、液晶分子群を一定方向に配列させるための配向膜が形成される。このような配向膜は、例えば、ポリイミドと呼ばれる樹脂を塗布して加熱・硬化させた後に、表面を布で一定方向に擦る（ラビング）ことによって形成される。
【０００３】
なお、特許文献１では、配向膜の塗布状態を検査する旨について記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−４０３８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、例えば、配向膜塗布時において油が付着した場合には配向膜が塗布されにくくなるため、その膜厚が欠落するなどして不良となる部分（以下、膜厚不良部）が局所的に発生する。このような膜厚不良部が存在すると、駆動電圧が繰り返し印加されてその周囲の液晶が駆動されることにより、膜厚不良部の周囲の配向膜による配向規制力が徐々に劣化して、液晶の制御性が失われた領域が拡大することがある。
【０００６】
そこで、本発明は、上記課題に鑑みて、配向膜の膜厚不良部の存在によって液晶の制御性が失われる領域が拡大するのを防止した液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造システム、および、液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、２枚の基板に液晶層が挟持された液晶表示装置を製造する方法において、前記液晶層を配向させる配向膜を前記２枚の基板の少なくとも一方に塗布する工程と、前記配向膜の膜厚不良部を検査する工程と、前記膜厚不良部の存在する位置に対応する画素において、液晶を駆動するための電界が印加されにくくなるように処理を施す工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法の一態様では、前記膜厚不良部は、前記配向膜が欠落して穴状に開口した部分である、ことを特徴としてもよい。
【０００９】
また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法の一態様では、前記処理を施す工程は、前記膜厚不良部の位置に対応する画素における画素電極と、前記電界の印加を制御する半導体層を介して該画素電極と接続される映像信号線との間において、断線を生じさせる、ことを特徴としてもよい。
【００１０】
また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法の一態様では、前記２枚の基板のうちの一方は、画素電極と共通電極の両方が形成される基板であって、前記処理を施す工程は、前記画素電極と前記共通電極との間の電位差をなくすように短絡を生じさせる、ことを特徴としてもよい。
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明に係る液晶表示装置の製造システムは、２枚の基板に液晶層が挟持された液晶表示装置の製造システムであって、前記基板の少なくとも一方に塗布された前記液晶層を配向させる配向膜の膜厚不良部を検知して、その位置情報を取得する膜厚不良部検知装置と、前記位置情報を記録する位置情報記録装置と、前記位置情報記録装置に記録された前記位置情報に対応する画素に、液晶を駆動するための電界が印加されにくくなるように処理を施す処理装置と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明に係る液晶表示装置は、複数の画素が区画されて形成されるＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板に対向して配置される対向基板と、これらの間に挟持された液晶層とを有して、該液晶層を配向させる配向膜が該ＴＦＴ基板及び該対向基板の少なくとも一方に備えられた液晶表示装置であって、前記配向膜は、ホール状に開口して欠落した部分を有し、前記複数の画素のうち、前記欠落した部分と重複する位置に形成された画素には、液晶を駆動するための電界が印加されにくくなるように処理が施されている、ことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係る液晶表示装置の一態様では、前記ＴＦＴ基板に区画されて形成される前記複数の画素のそれぞれには、画素電極が形成され、前記ＴＦＴ基板は、前記複数の画素に駆動電圧を供給する複数の映像信号線を有し、前記複数の画素のうち、前記欠落した部分と重複する位置に形成された画素における前記画素電極は、前記映像信号線から断線される、ことを特徴としてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、配向膜の膜厚不良部の存在によって局所的に液晶層の制御性が失われた領域が拡大するのを防止した液晶表示装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態１に係るＩＰＳ方式の液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板の等価回路図である。
【図２Ａ】実施形態１に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板における画素領域を示す拡大平面図である。
【図２Ｂ】実施形態１に係る液晶表示装置において、配向膜の膜厚不良部が存在する画素領域に断線処理を施した様子を示した拡大平面図である。
【図３】実施形態１に係る液晶表示装置の製造システムの構成を説明する図である。
【図４】実施形態１において、マザーガラス分断前の膜厚不良部の位置と、分断後の膜厚不良部の位置とを説明する図である。
【図５】実施形態１に係る液晶表示装置を製造する工程を説明する図である。
【図６】実施形態１に係る液晶表示装置を製造する工程を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
［実施形態１］
本発明の一実施形態に係る表示装置は、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶表示装置であって、走査信号線、映像信号線、薄膜トランジスタ、画素電極、及び共通電極が配置されたＴＦＴ基板と、当該ＴＦＴ基板と対向し、カラーフィルタが設けられた対向基板と、両基板に挟まれた領域に封入された液晶層と、を含んで構成される。このＴＦＴ基板では、ガラス基板等の透明基板上に薄膜トランジスタ等が配置されている。
【００１８】
図１は、本実施形態に係るＴＦＴ基板の等価回路を示す図である。また、図２Ａは、本実施形態に係るＴＦＴ基板の１つの画素領域の拡大平面図である。図２Ａにおいては、ＴＦＴ基板において液晶層との界面に形成される配向膜が不図示となっている。
【００１９】
これらの図において、ＴＦＴ基板では、多数の走査信号線ＧＬが互いに等間隔を置いて図中横方向に延びており、また、多数の映像信号線ＤＬが互いに等間隔をおいて図中縦方向に延びている。そして、これら走査信号線ＧＬ及び映像信号線ＤＬにより碁盤状に並ぶ画素のそれぞれが区画される。また、各走査信号線ＧＬと平行に共通信号線ＣＬが図中横方向に延びている。本実施形態では、画素領域は走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬによって仕切られる領域として定義される。
【００２０】
走査信号線ＧＬ及び映像信号線ＤＬにより区画される画素領域の隅には、ＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）構造を有する薄膜トランジスタＴＦＴが形成されており、そのゲート電極ＧＴは走査信号線ＧＬに接続され、ドレイン電極ＤＴは映像信号線ＤＬに接続されている。また、各画素領域には一対の画素電極ＰＸ及び共通電極ＣＴが形成されており、画素電極ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴに接続され、共通電極ＣＴは共通信号線ＣＬに接続されている。画素電極ＰＸは、薄膜トランジスタＴＦＴの半導体膜Ｓを介して映像信号線ＤＬと接続される。
【００２１】
以上の回路構成において、各画素の共通電極ＣＴに共通信号線ＣＬを介して基準電圧が印加され、走査信号線ＧＬにゲート電圧を印加することにより、画素行が選択される。そして、その選択のタイミングにおいて、各映像信号線ＤＬに映像信号を供給することにより、各画素の画素電極ＰＸに駆動電圧が印加される。これにより、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴの間に駆動電圧に応じた強度の横電界が印加され、この横電界の強度に応じて液晶が駆動される。
【００２２】
図２Ｂは、本実施形態に係るＴＦＴ基板の１つの画素領域において、配向膜の膜厚不良部ＤＦが存在する場合に、画素電極ＰＸに駆動電圧をかかりにくくする処理を施した様子を示す拡大平面図である。図２Ｂで示されるように、ＴＦＴ基板と液晶層の界面に形成される配向膜（不図示）において、膜厚不良部ＤＦが存在する。
【００２３】
この膜厚不良部ＤＦは、具体的には、配向膜が欠落して穴状に開口した部分であって、膜厚不良部ＤＦにおいては、配向膜の下地に形成される層が配向膜から露出している。本実施形態では、配向膜の下地には複数の斜めスリットが形成された平板状の画素電極ＰＸが存在する。また、画素電極ＰＸの斜めスリットにおいては、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴの間に形成される絶縁層（図２Ｂにおいて不図示）が配向膜の下地として存在することとなる。膜厚不良部ＤＦによって配向膜が穴状に開口することで、画素電極ＰＸや斜めスリットから露出した絶縁層と、液晶層とが接することとなり、この部分の液晶の配列が不連続となる。このような配向不良が生じている部分において、電界の印加による液晶の駆動が繰り返されると、配向不良が拡大して周囲の画素においても液晶の制御性が失われることとなる。
【００２４】
そこで、本実施形態では、図２Ｂで示すように、膜厚不良部ＤＦが存在する画素において、液晶を駆動するための電界が印加されにくくなるように、ソース電極ＳＴと画素電極ＰＸの間における配線を断線させるレーザ処理を施している。このようなレーザ処理で断線されることにより、画素電極ＰＸはフローティングされることとなる。これにより映像信号線ＤＬからの駆動信号が画素電極ＰＸに供給されなくなって、液晶を駆動するための電界が印加されにくくなるので、隣接する画素に配向不良が拡大するのが抑制される。
【００２５】
なお、本実施形態では、ソース電極ＳＴと画素電極ＰＸの間における配線を断線させているが、画素電極ＰＸと映像信号線ＤＬとの間を断線すればよいので、映像信号線ＤＬとドレイン電極ＤＴとの間における配線を断線させてもよい。また、本実施形態のようにＴＦＴ基板に画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとが配置される場合には、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとを短絡させるようにレーザ処理して、液晶に電界が印加されにくくしてもよい。画素電極ＰＸと映像信号線ＤＬとの間の断線や、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴの短絡をするレーザ処理がなされた画素は、ノーマリーブラックの液晶表示装置であれば、ほぼ黒点化されることとなる。
【００２６】
なお、本実施形態では、膜厚不良部ＤＦが一つの画素に重複して存在する場合について説明した。しかし、例えば、膜厚不良部ＤＦが２以上の画素に跨って重複するような場合には、上述したようなレーザ処理を当該２以上の画素に施して、配向不良が拡大するのを防止して良い。また、例えば、上述したようなレーザ処理は、膜厚不良部ＤＦが２以上の画素電極ＰＸに跨って重複する場合に、当該２以上の画素電極ＰＸに対応する２以上の画素に施すようにして、配向不良が拡大するのを防止しても良い。また、本実施形態では、膜厚不良部ＤＦがＴＦＴ基板に存在する場合について説明しているが、対向基板に存在する場合であっても、当該膜厚不良部の存在する位置に対応する画素に、同様にレーザ処理を施すようにしてよい。
【００２７】
以上では、本実施形態に係る液晶表示装置において、配向膜の膜厚不良部ＤＦが存在する位置に対応する画素に、上述のようなレーザ処理を施して、液晶の制御性が劣化するのを抑制することについて説明した。以下においては、本実施形態に係る液晶表示装置の製造システムと製造方法について説明する。
【００２８】
図３は、本実施形態に係る液晶表示装置の製造システムの構成を説明する図である。同図で示されるように、本実施形態に係る液晶表示装置の製造システムは、配向膜塗布装置１と、配向膜検査装置７と、貼り合せ装置３、分断装置５と、レーザ処理装置９と、を含み、これらがネットワーク８に接続されて構成される。配向膜塗布装置１は、複数枚のＴＦＴ基板が同時に加工されるマザーガラス、および、複数枚の対向基板が同時に加工されるマザーガラスに、配向膜を塗布する装置である。また、貼り合せ装置３は、これらのマザーガラスを貼り合せる装置であり、分断装置５は、貼り合わされたマザーガラスを複数枚の液晶パネルに分断する装置である。
【００２９】
ここで、配向膜検査装置７は、マザーガラスを支持・固定するステージと、膜厚不良部検出部７１と、位置情報記録部７２とを含んで構成されて、配向膜塗布装置１でマザーガラスに塗布された配向膜の膜厚不良部を検査する。膜厚不良部検出部７１は、例えばＣＣＤカメラであり、膜厚不良部の検出は、隣接画素との相違検出を行って、相違箇所についてのサイズを測定することにより検出される。ここでサイズの測定は、膜厚不良部検出部７１のＣＣＤカメラの画素に基づいて行われる。なお、本実施形態に係る液晶表示装置の製造システムにおいて、膜厚不良部のサイズの測定結果にしたがってその大きさを判断し、大きさが所定値以上となると判断される場合には、マザーガラスの貼り合せ・分断後に、所定値以上の大きさとなる膜厚不良部が存在する液晶パネルを不良品として排除するようにしてもよい。
【００３０】
膜厚不良部検出部７１によって検出された膜厚不良部は、マザーガラスにおける膜厚不良部の位置を示す位置情報が位置情報記録部７２に記録されて、当該膜厚不良部に対応する画素にレーザ処理がなされるまでの間、保持されることとなる。ここで、図４は、本実施形態において、マザーガラスの貼り合せ前の膜厚不良部の位置と、貼り合せ・分断工程を経た後の膜厚不良部の位置と、を説明する図である。本実施形態では、ＴＦＴ基板および対向基板の製造に８面取りのマザーガラスが用いられて、配向膜の膜厚不良部は、マザーガラスの貼り合せ前に検出されて、マザーガラスの分断後に膜厚不良部に対応する画素にレーザ処理が施されることとなる。このため、膜厚不良部は、マザーガラスが貼り合わされて分断された後においてもその位置が特定されるようにする必要がある。したがって本実施形態にかかる膜厚不良部の位置情報は、マザーガラス分断後において膜厚不良部が存在する液晶パネルを特定する液晶パネル特定情報と、液晶パネル特定情報によって特定される液晶パネルにおいて膜厚不良部が存在する位置座標を示す位置座標情報を含んで構成される。ここでいう液晶パネル特定情報は、例えば、各ＴＦＴ基板や各対向基板上に形成された数字等のマークに基づく情報であってもよいし、図４で示すようにマザーガラス上の基板の位置に応じて割り当てられた１〜８のナンバーに基づく情報であってもよい。また、位置座標情報は、例えば、各ＴＦＴ基板や各対向基板上に形成されたマークを基準とする座標情報であっても良いし、画素の配列に基づいて、基準となる画素から離れた行数・列数を示すような情報であってもよい。また、マザーガラスから分断された各液晶パネルは、液晶表示装置の製造システムにおける搬送系のデータベース等において、上記のような１〜８のようなナンバーに基づく識別情報が管理されるようにしてもよい。この場合には液晶パネル特定情報と識別情報とがネットワーク８上で照合されることにより、膜厚不良部が存在する液晶パネルを選別して、後述するレーザ処理装置９に搬送できる。
【００３１】
レーザ処理装置９は、位置情報取得部９１と、処理パネル判断部９２と、座標情報判断部９３とを含んで構成されて、膜厚不良部が存在する位置に対応する画素において、液晶を駆動するための電界が印加されにくくなるようにレーザ処理を施す。ここで位置情報取得部９１は、配向膜検査装置７における位置情報記録部７２から、ネットワーク８を介して取得する。次に、処理パネル判断部９２は、取得された位置情報に従って、液晶パネル特定情報を参照して、膜厚不良部が存在する液晶パネルを選別する。そして、座標情報判断部９３は、液晶パネル特定情報に関連づけられた位置座標情報を参照して、膜厚不良部に対応する位置に存在する画素を判断する。そして、レーザ処理装置９は、膜厚不良部に対応する位置に存在する画素に、液晶を駆動するための電界がかかりにくくなるようにレーザ処理を施す。これにより、膜厚不良部による液晶の制御性の劣化が防止される。なお、本実施形態に係る液晶表示装置の製造システムにおいて、配向膜検査装置７が取得した膜厚不良部の位置情報やサイズの測定結果を、配向膜塗布装置１にフィードバックして、膜厚不良部のサイズの最大値や平均値を小さくするように配向膜塗布装置１の制御に反映させてもよい。なお、本実施形態では、配向膜検査装置７の位置情報記録部７２が、膜厚不良部の位置情報を保持しているが、製造ラインのネットワーク８に別途データベースが接続されて、当該データベースにおいて膜厚不良部の位置情報を保持するようにしてもよいのはいうまでもない。
【００３２】
次に、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。図５は、本実施形態に係る液晶表示装置を製造する工程を説明する図である。ＴＦＴ基板および対向基板は、それぞれのマザーガラスにおいて複数枚が一括して同プロセスで形成された後に、貼り合せ工程を経て、個々の液晶パネルに分断される。図５においては、マザーガラス分断前のＴＦＴ基板のマザーガラスにおいて薄膜トランジスタや画素電極等が形成され、かつ、対向基板のマザーガラスにおいてカラーフィルタ等が形成された後の工程について示されている。
【００３３】
まず、ＴＦＴ基板および対向基板は、ギャップを決定する柱の高さが測定される（Ｓ１０１、Ｓ１０２）。この柱の高さを測定することにより、２つの基板の間に封入する液晶の量を決定できる。次に、配向膜を塗布する表面の下処理としてＰＩ前洗浄を行う（Ｓ１０３）。ＰＩ前洗浄では、ＴＦＴ基板および対向基板において配向膜を塗布する表面が、水洗浄されて活性化される。そして本実施形態では、ＰＩ前洗浄の後に、配向膜材料としてのポリイミドがインクジェットで塗布される（Ｓ１０４）。配向膜材料が塗布された後は、流動を抑えるためにレベリングされる（Ｓ１０５）。
【００３４】
そして、レベリングされた後に配向膜の膜厚不良部が検査される（Ｓ１０６）。膜厚不良部の検査は、例えば、上述の配向膜検査装置７を用いて行われる。膜厚不良部検出部７１によって検出された膜厚不良部は、その位置情報が記録されて、後述する膜厚不良部に対応する画素にレーザ処理を施すまで、保持されることとなる。この膜厚不良部の検査の後に、配向膜が焼成されて硬化されて（Ｓ１０７）、焼成された配向膜の表面に、繊維が一定方向に押しつけられてラビング処理が施される（Ｓ１０８）。ラビング処理の後は、ラビング処理で生じたダスト等を排除するために洗浄される（Ｓ１０９）。
【００３５】
ラビング後洗浄の後には、マザーガラスにおける各ＴＦＴ基板には液晶が滴下される（Ｓ１１０）。一方、対向基板を形成するマザーガラスには、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合せるためのシールが塗布される（Ｓ１１１）。これらの工程を経て、ＴＦＴ基板のマザーガラスと対向基板のマザーガラスが貼り合わされることとなる（Ｓ１１２）。なお、本実施形態では、配向膜の膜厚不良部の検査をレベリングの後にしているが、対向基板における検査は貼り合せ（Ｓ１１２）前に、ＴＦＴ基板における検査は液晶滴下（Ｓ１１０）前に行われればよい。膜厚不良部は、配向膜の塗布工程（Ｓ１０４）において、主にランダムに発生するものであるが、生産ラインへのフィードバックのためには、膜厚不良部の検査（Ｓ１０６）は、より早い工程で行われるのが望ましい。
【００３６】
そして、ＴＦＴ基板のマザーガラスと対向基板のマザーガラスが貼り合わされた後は、仮硬化・硬化されて（Ｓ１０３）、セルベークされる（Ｓ１０４）。その後、マザーガラスが複数の液晶パネルに分断される（Ｓ１１５）。複数の液晶パネルにマザーガラスが分断された後は、個々の液晶パネルが、点灯検査・外観検査される（Ｓ１１６）。
【００３７】
そして本実施形態では、点灯検査・外観検査の後に、膜厚不良部に対応する画素に、上述のレーザ照射等の処理が施される（Ｓ１１７）。以下においては、レーザ処理工程（Ｓ１１７）について図６を用いて説明する。
【００３８】
図６は、本実施形態におけるレーザ処理工程を説明する図である。かかるレーザ処理工程には、上述したレーザ処理装置９が用いられる。図６で示されるように、まず、レーザ処理装置９は、膜厚不良部の位置情報を取得する（Ｓ１１７Ａ）。この位置情報は、上述したように、マザーガラス分断後の液晶パネルから膜厚不良部が存在する液晶パネルを特定する液晶パネル特定情報と、液晶パネル特定情報によって特定される基板において膜厚不良部が存在する位置座標を示す位置座標情報を含んで構成される。その後、膜厚不良部が存在する液晶パネルが、取得された位置情報に従って選別される（Ｓ１１７Ｂ）。さらに、取得された位置情報に従って、選別された液晶パネルにおける膜厚不良部と重複する画素を判断して、当該画素における映像信号線と画素電極間の配線をレーザ照射して断線させる等の処理を施す（Ｓ１１７Ｃ）。このような処理を施すことで、配向膜の膜厚不良部の存在によって液晶の制御性が劣化する領域が拡大するのを予防できる。
【００３９】
なお、本実施形態では、膜厚不良部の存在する位置に対応する画素において、レーザ処理装置９を用いて、ソース電極ＳＴと画素電極ＰＸ間の配線等の目標とする箇所にスポット状にレーザを照射して断線させて、液晶を駆動するための電界が印加されにくくなるようにしている。しかし、液晶を駆動するための電界が印加されにくくすることができるのであれば、レーザ処理装置９以外の装置を用いてもよいのはいうまでもないことである。
【００４０】
なお、本実施形態に係る液晶表示装置は、上記ではＴＦＴ基板に画素電極ＰＸおよび共通電極ＣＴが形成されるＩＰＳ方式であるが、例えば、ＶＡ（Vertically Aligned）方式やＴＮ（Twisted Nematic）方式等のその他の方式の駆動方式であってもよい。ＶＡ方式やＴＮ方式では、対向基板側に共通電極ＣＴが形成されるため、液晶を駆動するための電界が印加されにくくするように処理を施す際には、例えば、画素電極ＰＸとソース電極ＳＴとが断線するようにレーザ照射されることとなる。
【００４１】
なお、本実施形態に係る液晶表示装置は、ＩＰＳ方式であって、ＴＦＴ基板と液晶層の界面、および、対向基板と液晶層の界面の双方に配向膜が形成される。しかし、２つの界面のうちの片側のみに配向膜を形成することにより、液晶を配列させることができるのであれば、片側のみに形成するようにしてもよい。
【００４２】
本発明は、上記で説明した実施形態における技術的思想を逸脱しない範囲内において適宜変更が可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００４３】
ＧＬ  走査信号線、ＣＬ  共通信号線、ＰＸ  画素電極、ＣＴ  共通電極、ＴＦＴ  薄膜トランジスタ、ＤＴ  ドレイン電極、ＳＴ  ソース電極、ＧＴ  ゲート電極、Ｓ  半導体膜、ＤＦ  膜厚不良部、１  配向膜塗布装置、３  貼り合せ装置、５  分断装置、７  配向膜検査装置、８  ネットワーク、９  レーザ処理装置、７１  膜厚不良部検出部、７２  位置情報記録部、９１  位置情報取得部、９２  処理パネル判断部、９３  座標情報判断部。
【図１】
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【図２Ａ】
2011039121.tif 000004
【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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