(57)【要約】【目的】半導体ウエハ端縁の洗浄のない半導体ウエハの端縁を被覆保護する半導体加工方法及びこの方法に用いるための粘着テープを提供することにある。【構成】本発明は、半導体ウエハの加工工程において、粘着テープを半導体ウエハの外周端縁に貼り付ける工程および前記粘着テープを除去する工程を含んでなる半導体加工方法である。他の発明は、この半導体加工方法で用いられ、電気絶縁性を有する粘着テープである。他の発明は、この半導体加工方法で用いられ、ウエハ外周端縁の汚染を防止する粘着テープである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの加工工程において、粘着テープを半導体ウエハの外周端縁に貼り付ける工程および前記粘着テープを除去する工程を含んでなる半導体加工方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体加工方法で用いられ、電気絶縁性を有する粘着テープ。
【請求項３】
請求項１記載の半導体加工方法で用いられ、ウエハ外周端縁の汚染を防止する粘着テープ。
【請求項４】
請求項１記載の半導体加工方法で用いられ、ウエハ外周端縁を保護する粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、半導体ウエハの端縁を粘着テープで被覆する半導体加工方法及びこの半導体加工方法で用いられる粘着テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハの加工工程では、半導体ウエハの表面に薄膜形成やパターニング等のいわゆる回路形成を目的とした各種加工が行われる。この加工としては、例えば電極部のめっき、フォトレジストの塗布、プラズマエッチングなどが挙げられる（特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１５３４２５号公報
【０００４】
これら加工方法は半導体ウエハの主面を加工することを目的としているが、半導体ウエハの端縁部分も同時に加工され、この加工がもたらすウエハの汚染や破損を解決する必要があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これまではかかる汚染への対策として大量の洗浄を余儀なくされるなど、効率および環境の面から課題が残されており、抜本的に上記問題を解決する手段がなかった。
【０００６】
本願発明の目的は、半導体ウエハ端縁の洗浄のない半導体ウエハの端縁を被覆保護する半導体加工方法及びこの方法に用いるための粘着テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
すなわち本発明は、半導体ウエハの加工工程において、粘着テープを半導体ウエハの外周端縁に貼り付ける工程および前記粘着テープを除去する工程を含んでなる半導体加工方法である。
他の発明は、かかる半導体加工方法で用いられる粘着テープであり、この粘着テープに、電気絶縁性、ウエハ外周端縁の汚染を防止する機能、ウエハ外周端縁を保護する機能を持たせた粘着テープである。
【発明の効果】
【０００８】
本願発明によれば、半導体ウエハ状材料の端縁を簡便に保護し、また剥離に伴う洗浄を必要とせずに、効率的に半導体ウエハの薄膜形成処理やパターン処理を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の半導体加工方法は、半導体ウエハの主面の加工工程と、半導体ウエハの外周端縁を粘着テープで被覆する工程および前記粘着テープを除去する工程を設けたものである。
【００１０】
半導体ウエハの外周端縁を被覆するのは、ウエハ主面を加工する際に、電気絶縁、汚染防止又は保護を行うためである。半導体ウエハの外周端縁を被覆することによって電気絶縁を行うことにより、無電解ニッケルめっきに必要な絶縁部分を作製できる。半導体ウエハの外周端縁を被覆することによって汚染防止を行うことにより、ウエハ外周端縁部に付着したフォトレジストや外来異物の除去、あるいはフォトレジスト塗布時のウエハ外周端縁部のマスキングをすることができる。また、半導体ウエハの外周端縁を被覆することによって保護をすることにより、プラズマエッチング時のウエハ外周端縁部のマスキングや、ウエハ取り扱い時の外部衝撃からの保護をすることができる。
【００１１】
半導体ウエハの外周端縁を被覆する手段としては、粘着テープの貼り付け、エポキシ樹脂の塗工又は治具の設置があり、粘着テープの貼り付けが、被覆材料の寸法精度、除去しやすさの点で、好ましい。
【００１２】
粘着テープとしては、半導体ウエハの加工方法に応じて選択することが好ましい。
【００１３】
粘着テープは基材フィルムの片面に粘着剤層が設けられた構成が望ましい。粘着テープの使用前には、粘着剤層表面は剥離性フィルムで保護されていることが望ましい。または剥離力の異なる二種類の剥離性フィルムの間に粘着剤層が設けられた構成が望ましい。
【００１４】
基材フィルムを構成する樹脂材料は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートまたはこれらを含む共重合体が好ましい。その基材フィルムの厚みは５μｍから１５０μｍの間が望ましい。基材フィルムの厚みが薄いと、粘着テープを剥離除去する際に、テープが破断してウエハの外周端縁に残留してしまう可能性がある。また基材フィルムの厚みが厚いと、粘着テープをウエハの外周端縁に隙間無く貼り付けることが困難になる。
【００１５】
粘着テープに用いられる粘着剤は、アクリル粘着剤、シリコーン粘着剤が好ましく、粘着力調整のために粘着付与剤を含んでもよい。粘着剤は、一般感圧型あるいは紫外線硬化により粘着力が低減する紫外線剥離型のいずれでもよいが、被着体材料に対して、２Ｎ／１０ｍｍ以下の剥離力が望ましい。剥離力が高すぎると粘着テープをウエハ外周端縁から剥離除去し難くなり、粘着テープの破断、粘着剤残留又は半導体ウエハの破損が発生しやすい。
【００１６】
粘着剤層の厚みは０．１μｍから６０μｍの間が望ましい。粘着剤層が薄いと、テープの貼り付けあるいはウエハの加工中に、粘着テープがウエハ外周端縁から脱落する可能性がある。粘着剤層が厚いと、粘着テープを剥離除去しにくくなる。
【００１７】
粘着テープの幅は２ｍｍから１０ｍｍの間が望ましい。粘着テープの幅が小さいと、ウエハ外周端縁からテープがはずれやすくなる。粘着テープの幅が大きいと、ウエハ外周端縁に粘着テープを隙間無く貼り付けることが困難になる。
【実施例】
【００１８】
本発明の実施例について、図１を用いつつ、詳細に説明する。
（実施例１）図１の符号１は、直径８インチの円板状のウエハであり、符号２はその表面、符号３はその端縁である。図１（Ａ）の状態のウエハの端縁３に粘着テープ４を貼った状態を図１（Ｂ）、図１（Ｃ）に示す。粘着テープ４は図１（Ｃ）にある「巻き始め」から、時計回りに粘着テープ４を巻き、一周を超えて巻いた「巻き終わり」の地点まで巻いたものである。
【００１９】
この粘着テープ４の製造方法について説明する。
（粘着シートの製造）
粘着剤としてのアクリル酸エステル共重合体（根上工業、Ｗ−２４８Ｅ）、メチレンジイソシアネート（日本ポリウレタン工業、コロネート２０６７）、ウレタンアクリレート（荒川化学工業、ビームセット５７５）、光反応開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ、イルガキュア９０７）を含むトルエン・酢酸エチル溶液を、基材としてのコロナ処理されたポリエチレンフィルム（厚み３０μｍ、幅３００ｍｍ）の片面に３０μｍの厚みで転写塗工し、さらに図示外の剥離性フィルム（シリコーン系剥離剤が塗工処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム）を粘着剤の表面に積層して粘着シートを製造した。
【００２０】
（粘着テープの製造）
この粘着シートを４０℃で５日間静置したのち、８ｍｍ幅に裁断して粘着テープ４を得た。
【００２１】
（効果の確認）
粘着テープ４が貼り付けられたウエハ１（図１（Ｂ）、（Ｃ）参照）を、無電解ニッケルめっき浴に浸漬しても、粘着テープ４の剥がれがなく、粘着テープ４の貼り付け面以外の面にめっきすることができた。めっき後、粘着テープ４に紫外線を照射量１５０ｍＪ／ｃｍ２で照射し、粘着テープ４を剥離した。このときに粘着テープ４に破断は発生しなかった。また粘着テープ４の剥離後、端縁３（粘着テープ４を貼り付けて剥がした面）を１０倍の光学顕微鏡で観察しても、糊残りがなかった。
【００２２】
（比較例１）
粘着テープ４を貼り付けずに、実施例１と同様の無電解ニッケルめっきをした結果、めっきはできなかった。無電解めっきには、実施例１のように、絶縁部分が必要であることを確認できた。
【００２３】
（実施例２）
実施例２は、基材フィルムポリエチレンフィルムからＴＰＯ（熱可塑性ポリオレフィン）フィルム（厚み８０μｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様の方法の操作を行った。その結果、テープの剥がれなく、めっきできた。また同様にテープの剥離を破断なく行うことができ、さらに端縁３（粘着テープ４を貼り付けて剥がした面）を１０倍の光学顕微鏡で観察しても、糊残りがなかった。
【００２４】
（実施例３）
実施例３の粘着テープ４は、実施例１の粘着剤を一般感圧型粘着剤（紫外線照射によって粘着力が減少しない粘着剤）に変更し、その幅を３ｍｍに変更したものである。変更した粘着剤は、アクリル酸エステル共重合体（日本合成化学、Ｎ３０８５）、トリレンジイソシアネート（日本ポリウレタン工業、コロネートＬ４５Ｅ）である。
直径８インチの半導体ウエハ１の上面２にフォトレジストをスピンコーティングした。その際に、端縁３にまでフォトレジストが広がった。フォトレジストを部分的に積層した端縁３に本実施例の粘着テープ４を貼り付けた。貼り付けてから２０分経過した後に粘着テープ４を剥がしたところ、粘着テープ４によってフォトレジストを除去することができた。端縁３にまで広がってしまったフォトレジストを適切に除去でき、汚染源を絶つことができた。
【００２５】
（実施例４）
実施例４は、実施例１のポリエチレンフィルムを実施例２のＴＰＯフィルムに変更し、実施例３の粘着剤を用いたこと以外は実施例１と同様の方法で、幅４ｍｍの粘着テープ４を得たものである。
酸化膜で被覆された直径８インチの半導体ウエハ１の端縁３に粘着テープ４を貼り付けた。プラズマエッチングにより表面２の酸化膜を除去したのち、粘着テープ４を剥がしたところ、端縁３の酸化膜は残留していた。粘着テープ４によって端縁３を保護できた。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本願発明は、半導体ウエハの端縁を被覆保護する半導体加工方法及びこの半導体加工方法で用いられる粘着テープに関するものであり、産業上の利用可能性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施例にかかる半導体加工方法を示す概略図。
【符号の説明】
【００２８】
１  半導体ウエハ
２  表面
３  端縁
４  粘着テープ
【図１】
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