(57)【要約】【課題】簡易な構成で、フィールドスルーを抑制する。【解決手段】本発明に係る電気光学装置１００は、画素回路Ｐを備えた電気光学パネル１０と、駆動部４０とを備える。画素回路Ｐは、電気光学素子を含む素子部Ｕと、素子部Ｕとデータ線３４との間に配置されて、そのゲートが走査線３２に接続された選択トランジスタTsと、を含む。駆動部４０は、第１期間T1においては、選択トランジスタTsをオン状態にする選択電位VSLを走査線３２に供給するとともに、素子部Ｕの指定階調に応じたデータ電位Ｖｘをデータ線３４に供給し、第１期間T1の後の第２期間T2においては、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGが、当該第１期間T1の終点における電位から経時的に変化して、当該第２期間T2の終点で、選択トランジスタTsをオフ状態にする非選択電位VNSLに到達するように、選択電位VSLと、非選択電位VNSLとを交互に走査線３２に供給する。【選択図】      図４
2011232595.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素回路を備えた電気光学パネルと、前記電気光学パネルを駆動する駆動部とを具備し、
前記画素回路は、
電気光学素子を含む素子部と、
前記素子部とデータ線との間に配置されて、そのゲートが走査線に接続された選択トランジスタと、を有し、
前記駆動部は、
第１期間においては、前記選択トランジスタをオン状態にする選択電位を前記走査線に供給するとともに、前記電気光学素子の指定階調に応じたデータ電位を前記データ線に供給し、
前記第１期間の後の第２期間においては、前記選択トランジスタのゲートの電位が、当該第１期間の終点における電位から経時的に変化して、当該第２期間の終点で、前記選択トランジスタをオフ状態にする非選択電位に到達するように、前記選択電位と前記非選択電位とを交互に前記走査線に供給する波形整形動作を行う、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記駆動部は、
前記データ電位が、前記第１期間における前記選択トランジスタのゲート・ソース間の電圧の絶対値が所定値を下回るような値に設定される場合は、当該第１期間の後の前記第２期間において前記波形整形動作を行う一方、
前記データ電位が、前記第１期間における前記選択トランジスタのゲート・ソース間の電圧の絶対値が前記所定値以上となるような値に設定される場合は、当該第１期間の終了後、前記波形整形動作を行わずに、前記非選択電位を前記走査線に供給する、
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
【請求項３】
複数の前記走査線と複数の前記データ線との各交差に前記画素回路が配置され、
前記駆動部は、
複数の前記第１期間ごとに、前記選択電位を前記各走査線に対して順番に供給するとともに、前記選択電位が供給される前記走査線に対応する前記画素回路の指定階調に応じた前記データ電位を前記各データ線へ供給し、
画像データが多階調データである場合は、前記第１期間の後の前記第２期間において前記波形整形動作を実行し、
前記画像データが２値データである場合は、前記第１期間の終了後、前記波形整形動作を行わず、当該第１期間にて前記選択電位が供給される前記走査線に対して前記非選択電位を供給する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２期間は、各々が、前記選択電位が前記走査線に供給される出力期間と、前記非選択電位が前記走査線に供給される非出力期間とからなる複数のサイクルで構成され、前記各サイクルの時間長のうち前記出力期間が占める割合は次第に小さくなるように設定される、
ことを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項５】
電気光学素子を含む素子部と、前記素子部とデータ線との間に配置されて、そのゲートが走査線に接続された選択トランジスタと、を含む画素回路を駆動する駆動部の制御に用いられる制御回路であって、
第１期間においては、前記選択トランジスタをオン状態にする選択電位を前記走査線に供給するとともに、前記電気光学素子の指定階調に応じたデータ電位を前記データ線に供給し、
前記第１期間の後の第２期間においては、前記選択トランジスタのゲートの電位が、当該第１期間の終点における電位から経時的に変化して、当該第２期間の終点で、前記選択トランジスタをオフ状態にする非選択電位に到達するように、前記選択電位と前記非選択電位とを交互に前記走査線に供給する波形整形動作を行うように前記駆動部を制御する、
ことを特徴とする制御回路。
【請求項６】
請求項１から請求項４の何れかに記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【請求項７】
電気光学素子を含む素子部と、前記素子部とデータ線との間に配置されて、そのゲートが走査線に接続された選択トランジスタと、を含む画素回路の駆動方法であって、
第１期間においては、前記選択トランジスタをオン状態にする選択電位を前記走査線に供給するとともに、前記電気光学素子の指定階調に応じたデータ電位を前記データ線に供給し、
前記第１期間の後の第２期間においては、前記選択トランジスタのゲートの電位が、当該第１期間の終点における電位から経時的に変化して、当該第２期間の終点で、前記選択トランジスタをオフ状態にする非選択電位に到達するように、前記選択電位と前記非選択電位とを交互に前記走査線に供給する波形整形動作を行う、
ことを特徴とする駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、制御回路、電子機器および駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、画素がマトリクス状に配列された液晶パネルを備えた液晶表示装置が開示されている。各画素は、液晶セルと選択トランジスタとを含む。選択トランジスタは、データ信号が供給される信号ラインと液晶セルとの間に配置され、両者の電気的な接続（導通／非導通）を制御する。選択トランジスタのゲートはゲートラインに接続される。
【０００３】
特許文献１では、選択トランジスタがオフ状態に変化するように選択トランジスタのゲートの電位を低下させたときのフィードスルーを抑制することを目的として、ゲートラインに出力される電圧信号の立ち下がり部を緩やかに変化させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４２５９６９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では、ゲートラインに出力される電圧信号の値を緩やかに変化させる回路構成が必要であるために、構成が複雑になるという問題がある。また、当該回路構成で設定可能な電圧波形の形状の自由度は低いため、最適な電圧波形を得るのは困難であるという問題もある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、簡易な構成で、フィールドスルーを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、画素回路を備えた電気光学パネルと、前記電気光学パネルを駆動する駆動部とを具備し、画素回路は、電気光学素子を含む素子部と、素子部とデータ線との間に配置されて、そのゲートが走査線に接続された選択トランジスタと、を有し、駆動部は、第１期間においては、選択トランジスタをオン状態にする選択電位を走査線に供給するとともに、電気光学素子の指定階調に応じたデータ電位をデータ線に供給し、第１期間の後の第２期間においては、選択トランジスタのゲートの電位が、当該第１期間の終点における電位から経時的に変化して、当該第２期間の終点で、選択トランジスタをオフ状態にする非選択電位に到達するように、選択電位と非選択電位とを交互に走査線に供給する波形整形動作を行うことを特徴とする。
【０００７】
本発明では、第１期間の後の第２期間において、選択電位と非選択電位とを交互に走査線に供給する波形整形動作を行うことで、選択トランジスタのゲートの電位を、第１期間の終点における電位から緩やかに変化させて、第２期間の終点で非選択電位に到達させることができる。すなわち、本発明によれば、２値の電位（選択電位、非選択電位）を交互に走査線に供給することで、選択トランジスタのゲートの電位の波形を、フィードスルーを抑制可能な形状に設定することができるので、走査線に供給する電位の値を緩やかに変化させる回路構成は不要であり、簡易な構成でフィードスルーを抑制できるという利点がある。
【０００８】
本発明に係る電気光学装置の態様として、駆動部は、データ電位が、第１期間における選択トランジスタのゲート・ソース間の電圧の絶対値が所定値を下回るような値に設定される場合は、当該第１期間の後の第２期間において波形整形動作を行う一方、データ電位が、第１期間における選択トランジスタのゲート・ソース間の電圧の絶対値が所定値以上となるような値に設定される場合は、当該第１期間の終了後、波形整形動作を行わずに、非選択電位を走査線に供給する。
【０００９】
上述の波形整形動作が行われるとき、第１期間の後の第２期間において選択トランジスタがオフ状態に遷移するタイミングは、当該第１期間における選択トランジスタのゲート・ソース間の電圧の絶対値（言い換えればデータ電位の値）に応じて異なる。具体的には、第１期間における選択トランジスタのゲート・ソース間の電圧の絶対値が小さいほど、選択トランジスがオフ状態に遷移するタイミングが早くなるので、フィードスルー量が大きくなる。逆を言えば、第１期間における選択トランジスタのゲート・ソース間の電圧値が大きいほど、選択トランジスタがオフ状態に遷移するタイミングは遅くなるので、フィードスルー量も小さくなる。上述の態様では、データ電位の値が、第１期間における選択トランジスタのゲート・ソース間の電圧が所定値以上となるような値（フィードスルーが問題にならない程度の値）に設定される場合は、波形整形動作が行われないので、波形整形動作が実行される期間を最小限に抑えることができる。したがって、上述の態様によれば、表示の応答速度が速い電気光学装置を提供することが可能になる。
【００１０】
また、本発明に係る電気光学装置の態様として、複数の走査線と複数のデータ線との各交差に画素回路が配置され、駆動部は、複数の第１期間ごとに、選択電位を各走査線に対して順番に供給するとともに、選択電位が供給される走査線に対応する画素回路の指定階調に応じたデータ電位を各データ線へ供給し、画像データが多階調データである場合は、第１期間の後の第２期間において波形整形動作を実行し、画像データが２値データである場合は、第１期間の終了後、波形整形動作を行わず、当該第１期間にて選択電位が供給される走査線に対して非選択電位を供給する。
【００１１】
画像データが多階調データである場合は、フィードスルーにより画素の階調（輝度）が所定の目標値から乖離すると、表示画像の見映え（表示品質）が著しく損なわれてしまう。一方、画像データが２値データである場合は、フィードスルーにより画素の階調が所定の目標値から乖離しても、表示画像の見映えがそれほど悪くなることはない。上述の態様では、画像データが多階調データである場合は、第１期間の後の第２期間において、波形整形動作が行われるので、フィードスルーが抑制される。これにより、表示品質の低下を防止できる。一方、画像データが２値データである場合は、フィードスルーは問題にならないので、波形整形動作が行われない。これにより、表示の応答速度を高めることが可能になる。
【００１２】
以上の各態様では、第２期間は、各々が、走査線に対して選択電位が供給される出力期間と、走査線に対して非選択電位が供給される非出力期間とからなる複数のサイクルで構成され、各サイクルの時間長のうち出力期間が占める割合（デューティ比）は次第に小さくなるように設定される。これにより、波形整形動作が行われる場合、第１期間の後の第２期間において、選択トランジスタのゲートの電位は、当該第１期間の終点における電位（選択電位に対応する電位）から、非選択電位に対応する電位に向かって経時的に変化していくという具合である。
【００１３】
本発明は、制御回路の発明として捉えることも可能である。本発明に係る制御回路は、
電気光学素子を含む素子部と、素子部とデータ線との間に配置されて、そのゲートが走査線に接続された選択トランジスタと、を含む画素回路を駆動する駆動部の制御に用いられる制御回路であって、第１期間においては、選択トランジスタをオン状態にする選択電位を走査線に供給するとともに、電気光学素子の指定階調に応じたデータ電位をデータ線に供給し、第１期間の後の第２期間においては、選択トランジスタのゲートの電位が、当該第１期間の終点における電位から経時的に変化して、当該第２期間の終点で、選択トランジスタをオフ状態にする非選択電位に到達するように、選択電位と非選択電位とを交互に走査線に供給する波形整形動作を行うように駆動部を制御することを特徴とする。以上の制御回路によっても、本発明に係る電気光学装置と同様の効果が得られる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置は各種の電子機器に利用される。電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。本発明に係る電子機器としてはパーソナルコンピュータ、携帯電話機、電子ペーパーなどが例示される。
【００１５】
さらに、本発明は、画素回路の駆動方法として捉えることもできる。本発明に係る駆動方法は、電気光学素子を含む素子部と、素子部とデータ線との間に配置されて、そのゲートが走査線に接続された選択トランジスタと、を含む画素回路の駆動方法であって、第１期間においては、選択トランジスタをオン状態にする選択電位を走査線に供給するとともに、電気光学素子の指定階調に応じたデータ電位をデータ線に供給し、第１期間の後の第２期間においては、選択トランジスタのゲートの電位が、当該第１期間の終点における電位から経時的に変化して、当該第２期間の終点で、選択トランジスタをオフ状態にする非選択電位に到達するように、選択電位と非選択電位とを交互に走査線に供給する波形整形動作を行うことを特徴とする。以上の駆動方法によっても、本発明に係る電気光学装置と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す図である。
【図２】同実施形態に係る画素回路の回路図である。
【図３】駆動部が生成する各信号を説明するための図である。
【図４】単位期間における走査信号および選択トランジスタのゲートの電位の具体的な波形を示す図である。
【図５】第１期間における画素回路の動作を説明するための図である。
【図６】第２期間における画素回路の動作を説明するための図である。
【図７】第２期間において選択トランジスタがオフ状態に遷移するタイミングと、フィードスルー量との関係を説明するための図である。
【図８】波形整形動作が行われない場合の、単位期間における走査信号および選択トランジスタのゲートの電位の具体的な波形を示す図である。
【図９】走査線駆動回路の概略構成を示すブロック図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置１００の概略構成を示すブロック図である。本実施形態に係る電気光学装置１００は、画像を表示する表示装置として電子機器に搭載される。図１に示すように、電気光学装置１００は、電気光学パネル１０と、制御回路２０とを具備する。電気光学パネル１０は、複数の画素回路Ｐが配列された画素アレイ部３０と、各画素回路Ｐを駆動する駆動部４０とを具備する。駆動部４０は、走査線駆動回路４２とデータ線駆動回路４４とを含んで構成される。制御回路２０は、上位装置から供給される画像データや同期信号に基づいて、走査線駆動回路４２とデータ線駆動回路４４とを総合的に制御する。
【００１８】
画素アレイ部３０には、Ｘ方向に延在するｍ本の走査線３２と、Ｘ方向に交差するＹ方向に延在するｎ本のデータ線３４とが形成される（ｍ，ｎは自然数）。複数の画素回路Ｐは、走査線３２とデータ線３４との交差に配置されて縦ｍ行×横ｎ列の行列状に配列される。走査線駆動回路４２は、走査信号ＧW[１]〜ＧW[ｍ]を各走査線３２に出力する。ここでは、第ｉ行（１≦ｉ≦ｍ）の走査線３２に出力される走査信号をＧW[ｉ]と表記する。また、データ線駆動回路４４は、各画素回路Ｐに対して指定される階調（「指定階調」と呼ぶ）に応じた大きさのデータ電位Ｖx[１]〜Ｖx[ｎ]を各データ線３４に出力する。ここでは、第ｊ列（１≦ｊ≦ｎ）のデータ線３４に出力されるデータ電位をＶx[ｊ]と表記する。
【００１９】
図２は、画素回路Ｐの回路図である。図２においては、第ｉ行の第ｊ列目に位置する１個の画素回路Ｐのみが代表的に図示されている。図２に示すように、画素回路Ｐは、選択トランジスタTsと素子部Ｕとを備える。選択トランジスタTsは、第ｊ列目のデータ線３４と素子部Ｕとの間に配置され、両者の電気的な接続（導通／非導通）を制御する。例えばＮチャネル型のトランジスタ（例えば薄膜トランジスタ）が選択トランジスタTsとして好適に採用される。選択トランジスタTsのゲートは、第ｉ行の走査線３２に対して接続される。さらに言えば、第ｉ行に属するｎ個の画素回路Ｐの各々の選択トランジスタTsのゲートは第ｉ行の走査線３２に対して共通に接続される。また、選択トランジスタTsのソースは第ｊ列目のデータ線３４に接続され、選択トランジスタTsのドレインは素子部Ｕに接続される。
【００２０】
図２に示すように、素子部Ｕは、電気泳動素子５０と保持容量Chとを含んで構成される。
電気泳動素子５０は、間隔をあけて対向する画素電極５１および対向電極５２と、両者間に配置された複数のマイクロカプセル５３とで構成される。詳細な図示は省略するが、複数のマイクロカプセル５３の各々は、その内部に、電気泳動粒子を分散させるための溶媒と、複数の白色粒子（電気泳動粒子）と、複数の黒色粒子（電気泳動粒子）とを封入した球状体である。ここでは、複数の白色粒子の各々はマイナスに帯電しており、複数の黒色粒子の各々はプラスに帯電している。
【００２１】
本実施形態では、対向電極５２側が観察側となるので、画素電極５１が相対的に低電位、対向電極５２が相対的に高電位の場合は、プラスに帯電した黒色粒子が画素電極５１に引き寄せられる一方、マイナスに帯電した白色粒子は対向電極５２に引き寄せられる。これにより、観察側である対向電極５２側からこの画素回路Ｐを見ると、「白色」が認識される。他方、画素電極５１が相対的に高電位、対向電極５２が相対的に低電位の場合は、マイナスに帯電した白色粒子が画素電極５１に引き寄せられる一方、プラスに帯電した黒色子は対向電極５２に引き寄せられるので、観察側である対向電極５２側からこの画素回路Ｐを見ると、「黒色」が認識されるという具合である。このように、画素電極５１と対向電極５２の間の電圧を、表示したい階調（明るさ）に応じた値に設定して、電気泳動粒子を移動させることで、所望の階調表示を得ることができる。
【００２２】
図２に示すように、画素電極５１は、選択トランジスタTsのドレインに接続される。また、対向電極５２は、接地電位ＧＮＤ（０Ｖ）が供給される給電線６０に接続されるので、対向電極５２の電位は接地電位ＧＮＤに維持される。
【００２３】
図２に示すように、保持容量Chは、第１電極L1と第２電極L2とを有する。第１電極L1は、画素電極５１および選択トランジスタTsのドレインに接続される。より具体的には、第１電極L1は、画素電極５１と選択トランジスタTsのドレインとの間に介在するノードNDに接続される。また、第２電極L2は給電線６０に接続される。
【００２４】
また、本実施形態では、選択トランジスタTsのゲートに寄生容量Cstrが付随する。より具体的には、図２に示すように、選択トランジスタTsのゲートが接続される第ｉ行の走査線３２と、ノードNDとの間に寄生容量Cstrが付随するという具合である。
【００２５】
次に、図３を参照しながら、駆動部４０（走査線駆動回路４２、データ線駆動回路４４）が生成する各信号を説明する。図３に示すように、垂直走査期間内のｍ個の単位期間Ｈ（Ｈ[１]〜Ｈ[ｍ]）の各々は、第１期間T1と、第１期間T1の後の第２期間T2とに区分される。
【００２６】
走査線駆動回路４２は、単位期間Ｈ（Ｈ[１]〜Ｈ[ｍ]）内の第１期間T1ごとに、選択トランジスタTsをオン状態にする選択電位VSLを各走査線３２に対して順番に供給する。つまり、図３に示すように、各第１期間T1において、走査信号GW[１]〜GW[ｍ]は、選択電位VSL（アクティブレベル）に設定される。例えば第i行に着目すると、第ｉ番目の単位期間Ｈ[ｉ]内の第１期間T1において、第ｉ行の走査線３２に供給される走査信号GW[ｉ]は選択電位VSLに設定される。これにより、第i行の走査線３２に属するｎ個の画素回路Ｐの各々の選択トランジスタTsが一斉にオン状態になるという具合である。
【００２７】
また、走査線駆動回路４２は、単位期間Ｈ（Ｈ[１]〜Ｈ[ｍ]）内の第２期間T2ごとに、対応する走査線３２に対して、選択電位VSLと、選択トランジスタTsをオフ状態にする非選択電位VNSLとを交互に供給する。例えば第ｉ行に着目すると、単位期間Ｈ[ｉ]内の第２期間T2において、第ｉ行の走査線３２に供給される走査信号GW[ｉ]の波形は、選択電位VSLと非選択電位VNSLとが交互に繰り返されるような波形となる。この具体的な内容については後述する。
【００２８】
さらに、データ線駆動回路４４は、各単位期間Ｈ（Ｈ[１]〜Ｈ[ｍ]）において、当該単位期間Ｈ内の第１期間T1で選択電位VSLが供給される走査線３２に属するｎ個の画素回路Ｐの指定階調に応じたデータ電位Ｖｘ[１]〜Ｖｘ[ｎ]を生成して各データ線３４に出力する。図３に示すように、第i番目の単位期間Ｈ[ｉ]において第ｊ列目のデータ線３４に出力されるデータ電位Ｖｘ[j]の値は、第ｉ行の第ｊ列目に位置する画素回路Ｐの指定階調に応じた値VD[i,j]に設定されるという具合である。
【００２９】
次に、第ｉ行の第ｊ列目に位置する画素回路Ｐに着目して電気光学装置１００の具体的な動作を説明する。図４は、第ｉ番目の単位期間Ｈ[ｉ]における走査信号GW[ｉ]、および、当該画素回路Ｐの選択トランジスタTsのゲートの電位VSGの具体的な波形を示す図である。図４に示すように、単位期間Ｈ[ｉ]が開始する前においては、第ｉ行の走査線３２に供給される走査信号GW[ｉ]は非選択電位VNSLに設定されるので、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGも非選択電位VNSLに設定される。厳密に言えば、第ｉ行の走査線３２のうち走査線駆動回路４２に接続された端部から選択トランジスタTsのゲートに至るまでの経路で発生する電圧降下の分だけ、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGの値は、走査信号GW[ｉ]の値よりも小さくなるが、ここでは、説明の便宜上、当該電圧降下は無視するものとする。以下では、第ｉ行の第ｊ列目に位置する画素回路Ｐの具体的な動作を、単位期間Ｈ[ｉ]内の第１期間T1と、直後の第２期間T2とに区分して説明するが、他の画素回路Ｐの動作も同様である。
【００３０】
（ａ）第１期間T1
単位期間Ｈ[ｉ]内の第１期間T1においては、走査線駆動回路４２は、第ｉ行の走査線３２に対して、選択トランジスタTsがオン状態となる選択電位VSL（アクティブレベルの電位）を供給する。すなわち、図４に示すように、単位期間Ｈ[ｉ]内の第１期間T1が開始すると、走査信号GW[ｉ]は選択電位VSLに設定されるので、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGも上昇して選択電位VSLに設定される。ただし、選択トランジスタTsのゲートに付随する寄生容量Cstrの影響によって、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGの立ち上がり波形は鈍る（立ち上がりに遅延が生じる）ので、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGは、第１期間T1の始点よりも後の時点で選択電位VSLに到達するという具合である。これにより、図５に示すように、選択トランジスタTsはオン状態に設定される。
【００３１】
また、第１期間T1が開始すると、データ線駆動回路４４は、第ｉ行の第ｊ列目に位置する画素回路Ｐの指定階調に応じた大きさの電位VD[i，j]を、データ電位Ｖｘ[ｊ]として第ｊ列目のデータ線３４に供給する（図３参照）。このとき、図５に示すように、画素電極５１および保持容量Chの第１電極L1は、オン状態の選択トランジスタTsを介して第ｊ列目のデータ線３４に導通するので、画素電極５１および第１電極L1の電位は、電位VD[i，j]に設定される。これにより、画素電極５１と対向電極５２との間の電圧は、当該画素回路Ｐの指定階調に応じた値に設定されるという具合である。また、当該電圧は、保持容量Chにて保持される。
【００３２】
（ｂ）第２期間T2
単位期間Ｈ[ｉ]内の第２期間T2においては、走査線駆動回路４２は、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGが、直前の第１期間T1の終点における電位（選択電位VSL）から経時的に変化して、当該第２期間T2の終点で、選択トランジスタTsがオフ状態となる非選択電位VNSLに到達するように、選択電位VSL（アクティブレベルの電位）と、非選択電位VNSL（非アクティブレベルの電位）とを交互に第ｉ行の走査線３２に供給する波形整形動作を実行する。つまり、単位期間Ｈ[ｉ]内の第２期間T2では、走査信号GW[ｉ]の波形は、選択電位VSLと非選択電位VNSLとが交互に繰り返されるような波形に設定される。
【００３３】
より具体的には、図４に示すように、第２期間T2は、各々が、走査信号GW[ｉ]の値が選択電位VSLに設定される出力期間Txと、非選択電位VNSLに設定される非出力期間Tyとからなる複数のサイクルCLで構成され、各サイクルCLの時間長のうち出力期間Txが占める割合（デューティ比）は次第に小さくなるように設定される。本実施形態では、各サイクルCLにおける出力期間Txの時間長は一定である一方、非出力期間Tyの時間長は次第に長くなるように設定される（つまり、図４に示すように、サイクルCLの時間長は次第に長くなるように設定される）。ただし、これに限らず、例えば各サイクルCLの時間長は同じ値（一定の値）に設定されたうえ、出力期間Txの時間長が次第に短くなるとともに非出力期間Tyの時間長が次第に長くなるように設定されてもよい。要するに、出力期間Txのデューティ比が次第に小さくなるように設定されるものであればよい。なお、サイクルCLの数や各サイクルCLにおける出力期間Txのデューティ比の値は、任意の値に設定可能である。これらの値を適宜に変更することで、ゲートの電位VSGの波形形状を所望の形状に設定することができる。
【００３４】
ここで、選択トランジスタTsのゲート電極は、抵抗成分と容量成分（寄生容量Cstr）とを有するので、ローパスフィルタ（ハイカットフィルタ）として機能する。したがって、選択電位VSLと非選択電位VNSLとが交互に走査線３２に供給されても（走査信号GW[ｉ]の波形が選択電位VSLと非選択電位VNSLとに交互に交番するものであっても）、選択トランジスタTsのゲートには、高周波成分がカットされた電位波形が印加されることになる。これにより、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGを緩やかに変化させて、非選択電位VNSLに到達させることができる。
【００３５】
前述したように、単位期間Ｈ[ｉ]において第ｊ列目のデータ線３４に供給されるデータ電位Ｖｘ[ｊ]は、当該画素回路Ｐの指定階調に応じた大きさの電位VD[i，j]に設定されるので、当該単位期間Ｈ[ｉ]内の第２期間T2では、選択トランジスタTsがオン状態に維持されている限り、当該選択トランジスタTsのソースおよびドレインの電位は略VD[i，j]に維持される。第２期間T2において、選択トランジスタTsのゲートの電位VGSが選択電位VSLから非選択電位VNSLに向かって緩やかに変化して、選択トランジスタTsのゲート・ソース間の電圧が当該選択トランジスタTsの閾値電圧VTHを下回ると、図６に示すように、選択トランジスタTsはオフ状態に遷移する。
【００３６】
第２期間において選択トランジスタTsがオフ状態に遷移するタイミングは、データ電位Ｖｘ[ｊ]の値に応じて異なる。本実施形態では、データ電位Ｖｘ[ｊ]の値が大きいほど、第１期間T1の終点における選択トランジスタTsのゲート・ソース間の電圧は小さくなるので、第２期間において選択トランジスタTsがオフ状態に遷移するタイミングは早くなるという具合である。
【００３７】
選択トランジスタTsがオフ状態に遷移すると、データ線３４と素子部Ｕとは非導通状態となり、素子部Ｕに対するデータ電位Ｖｘ[ｊ]の供給は停止するが、保持容量Chには、第１期間T1にて書き込まれたデータ電位Ｖｘ[ｊ]が保持されるので、電気泳動粒子の移動は継続する。ただし、電気泳動粒子の移動には、保持容量Chの静電エネルギーが用いられるので、保持容量Chに蓄積された電荷は次第に減少していくという具合である。
【００３８】
以上に説明したように、本実施形態では、制御回路２０は、単位期間Ｈごとに、当該単位期間Ｈ内の第１期間T1の後の第２期間T2において、選択電位VSLと非選択電位VNSLとを交互に走査線３２に供給する波形整形動作を行うように駆動部４０を制御することで、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGを、第１期間T1の終点における選択電位VSLから緩やかに変化させて、第２期間T2の終点で非選択電位VNSLに到達させることができる。すなわち、本実施形態によれば、２値の電位（選択電位VSL、非選択電位VNSL）を交互に走査線３２に供給することで、選択トランジスタTsのゲートの電位の波形を、フィードスルーを抑制可能な形状に設定することができるので、走査線に供給する電位の値（つまり走査信号GWの値）を緩やかに変化させる回路構成は不要であり、簡易な構成でフィードスルーを抑制できるという利点がある。
【００３９】
＜Ｂ：第２実施形態＞
第２実施形態では、制御回路２０は、データ電位Ｖｘの値に応じて、第１期間T1の後に波形整形動作を行うか否かを切り替える点で上述の第１実施形態と相違する。なお、第１実施形態と重複する部分については適宜に説明を省略する。
【００４０】
いま、データ電位Ｖｘの値が如何なる値であっても、第１期間T1の後に波形整形動作が行われる態様（つまりは第１実施形態の態様）を想定する。この態様では、前述したように、第１期間T1における選択トランジスタTsのゲート・ソース間の電圧値が小さいほど（データ電位Ｖｘの値が大きいほど）、当該第１期間T1の後の第２期間T2において選択トランジスタTsがオフ状態に遷移するタイミングは早まる。そして、第２期間T2において選択トランジスタTsがオフ状態に遷移するタイミングが早いほど、フィードスルー量は大きくなる。以下では、第ｉ行の第ｊ列目の画素回路Ｐに着目して、第２期間において選択トランジスタがオフ状態に遷移するタイミングと、フィードスルー量との関係について説明する。
【００４１】
例えば、単位期間Ｈ[ｉ]内の第１期間T1において当該画素回路Ｐに供給されるデータ電位Ｖｘ[ｊ]の値が、比較的高い第１の値に設定された場合は、図７に示すように、第２期間T2の始点よりも時間長t1だけ後の時点tfにおいて、選択トランジスタTsがオフ状態に遷移するものとする。当該時点tfにおける選択トランジスタTsのゲートの電位VSGをVfとすると、当該時点tfから、第２期間T2の終点に至るまでの期間において、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGが変化した量ΔVSG1は、Vf−VNSLとなる。
【００４２】
また、例えば、第１期間T1において当該画素回路Ｐに供給されるデータ電位Ｖｘ[ｊ]の値が、上述の第１の値よりも低い第２の値に設定された場合は、図７に示すように、第２期間の始点よりも時間長t2（＞t1）だけ後の時点tgにおいて、選択トランジスタTsがオフ状態に遷移するものとする。当該時点tgにおける選択トランジスタTsのゲートの電位VSGをVg（＜Vf）とすると、当該時点tgから、第２期間T2の終点に至るまでの期間において、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGが変化した量ΔVSG2は、Vg−VNSLとなる。図７からも理解されるように、この変化量ΔVSG2は、上述の変化量ΔVSG1よりも小さい値となる。つまり、データ電位Ｖｘ[ｊ]の値が大きいほど、第２期間T2において選択トランジスタTsがオフ状態に遷移するタイミングは早まり、第２期間T2において選択トランジスタTsがオフ状態に遷移した時点から、当該第２期間T2の終点に至るまでの期間において当該選択トランジスタTsのゲートの電位VSGが変化した量は大きくなるという具合である。
【００４３】
ここで、第２期間T2において、選択トランジスタTsがオフ状態に遷移するまでは、画素回路ＰにおけるノードND（画素電極５１，第１電極L1）は、オン状態の選択トランジスタTsを介してデータ線３４に導通しているので、当該ノードNDの電位はデータ電位Ｖｘ[ｊ]に維持される。選択トランジスタTsのゲートの電位VSGが経時的に減少して選択トランジスタTsがオフ状態に遷移すると、ノードNDは電気的にフローティング状態になるので、当該ノードNDの電位は、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGの変化に連動する。より具体的には、ノードNDの電位は、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGの変化分を、寄生容量Cstrと保持容量Chとの容量比に応じて分割したレベルだけ変化するという具合である。フィードスルー量は、選択トランジスタTsがオフ状態に変化してから、第２期間T2の終点に至るまでの期間における選択トランジスタTsのゲートの電位VSGの変化量に比例して大きくなるので、第２期間T2において選択トランジスタTsがオフ状態に遷移するタイミングが早いほど、フィードスルー量は大きくなる。言い換えれば、データ電位Ｖｘ[ｊ]の値が大きいほど（第１期間T1における選択トランジスタTsのゲート・ソース間の電圧が小さいほど）、フィードスルー量は大きくなると言える。
【００４４】
逆を言えば、第２期間T2において選択トランジスタTsがオフ状態に遷移するタイミングが遅いほど、フィールドスルー量は小さくなる。言い換えれば、データ電位Ｖｘ[ｊ]の値が小さいほど（第１期間T1における選択トランジスタTsのゲート・ソース間の電圧が大きいほど）、フィードスルー量は小さくなると言える。
【００４５】
第２実施形態では、以上の点に着目して、制御回路２０は、データ電位Ｖｘ[ｊ]が、第１期間T1における選択トランジスタTsのゲート・ソース間の電圧が所定値を下回るような値（フィードスルーが問題となるようなレベル）に設定される場合は、当該第１期間T1の後の第２期間T2において波形整形動作を行うように駆動部４０を制御する。また、制御回路２０は、データ電位Ｖｘの値が、第１期間T1における選択トランジスタTsのゲート・ソース間の電圧が所定値以上となるような値（フィードスルーが問題とならないようなレベル）に設定される場合は、波形整形動作を行わないように駆動部４０を制御する。
【００４６】
波形整形動作が行われない場合、駆動部４０（走査線駆動回路４２）は、第１期間T1が終了すると、次の垂直走査期間内の第ｉ番目の単位期間Ｈ[ｉ]が開始されるまでの期間、第ｉ行の走査線３２に対して、非選択電位VNSLを供給し続ける。すなわち、図８に示すように、第１期間T1が終了すると、次の垂直走査期間内の単位期間Ｈ[ｉ]が開始されるまでの期間、走査信号GW[ｉ]は非選択電位VSLに設定されるので、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGは、第１期間T1の終点で急峻に低下して非選択電位VSLに設定される。ただし、選択トランジスタTsのゲートに付随する寄生容量Cstrの影響によって、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGの立下り波形は鈍る（立下りに遅延が生じる）ので、選択トランジスタTsのゲートの電位VSGは、第１期間T1の終点よりも後の時点で非選択電位VNSLに到達するという具合である。これにより、選択トランジスタTsはオフ状態に設定される。なお、この場合は、上述の第２期間T2が設定されないので、単位期間Ｈ[ｉ]の時間長は第１期間T1の時間長と一致する。一方、波形整形動作が行われる場合の画素回路Ｐの動作は、上述の第１実施形態と同様である
【００４７】
すなわち、第２実施形態では、データ電位Ｖｘ[ｊ]の値が、フィードスルーが問題にならない程度の値に設定される場合は、波形整形動作が行われないので、波形整形動作が実行される期間を最小限に抑えることができる。したがって、第２実施形態によれば、表示の応答速度が速い電気光学装置を提供することが可能になる。
【００４８】
＜Ｃ：走査線駆動回路の具体的な構成＞
図９は、上述の各実施形態で用いられる走査線駆動回路４２の概略構成を示すブロック図である。図９に示すように、走査線駆動回路４２は、シフトレジスタ７０と、走査線３２の総数（画素回路Ｐの行数）に相当するｍ個の出力バッファ部７２とを含んで構成される。
【００４９】
シフトレジスタ７０は、制御回路２０から供給されるクロック信号（図示省略）に従ってスタートパルス信号（図示省略）を順次転送することで、垂直走査期間内のｍ個の単位期間Ｈ（Ｈ[１]〜Ｈ[ｍ]）の各々において順番にアクティブレベル（ハイレベル）に遷移するｍ個の制御信号ＣP[１]〜ＣP[ｍ]を生成して各出力バッファ部７２へ出力する。例えば第ｉ番目の単位期間Ｈ[ｉ]においては、ハイレベルの制御信号ＣP[ｉ]が、第i段目の出力バッファ部７２へ供給されるという具合である。
【００５０】
各出力バッファ部７２は、ＡＮＤゲート７３と、導通部７４とを含んで構成される。以下、第ｉ段目の出力バッファ部７２に着目して、その構成を説明する。図９に示すように、ＡＮＤゲート７３の一方の端子には制御信号ＣP[ｉ]が供給される一方、他方の端子には制御線７５が接続される。制御回路２０は、単位期間Ｈ（Ｈ[１]〜Ｈ[ｍ]）ごとに、当該単位期間Ｈにおける走査信号GWの波形を指定する波形信号modを制御線７５に出力する。第ｉ番目の単位期間Ｈ[ｉ]では、当該単位期間Ｈ[ｉ]における走査信号GW[ｉ]の波形（例えば図４に示される波形）を指定する波形信号modが制御線７５に供給されるという具合である。波形信号modがハイレベルの場合は、走査信号GW[ｉ]のレベルはハイレベルに指定され、波形信号modがローレベルの場合は、走査信号GW[ｉ]のレベルはローレベルに指定される。
【００５１】
前述したように、単位期間Ｈ[ｉ]においては、制御信号ＣP[ｉ]はハイレベルに維持されるから、波形信号modがハイレベルの場合は、ＡＮＤゲート７３の出力Poutはハイレベルとなる一方、波形信号modがローレベルの場合は、ＡＮＤゲート７３の出力Poutはローレベルとなる。単位期間Ｈ[ｉ]以外の期間においては、制御信号ＣP[ｉ]はローレベルに維持されるので、ＡＮＤゲート７３の出力はローレベルに維持されるという具合である。
【００５２】
導通部７４は、ＡＮＤゲート７３の出力のレベルに応じて、選択電位VSLが供給される給電線８１および非選択電位VNSLが供給される給電線８２の何れかと、第ｉ行の走査線３２とを導通させる手段である。本実施形態では、ＡＮＤゲート７３の出力がハイレベルの場合は、導通部７４は、選択電位VSLが供給される給電線８１と走査線３２とを導通させるので、走査線３２には選択電位VSLが出力される。つまり、走査信号GW[ｉ]のレベルはアクティブレベル（選択電位VSL）に設定される。一方、ＡＮＤゲート７３の出力がローレベルの場合は、導通部７４は、非選択電位VNSLが供給される給電線８２と走査線３２とを導通させるので、走査線３２には非選択電位VNSLが出力される。つまり、走査信号GW[ｉ]のレベルは非アクティブレベル（非選択電位VNSL）に設定される。このようにして、単位期間Ｈ[ｉ]における走査信号GW[ｉ]の波形は、単位期間Ｈ[ｉ]において制御線７５に出力される波形信号modに相似した波形として設定される。他の行の走査線３２に出力される走査信号GWの波形も同様にして設定される。
【００５３】
＜Ｄ：変形例＞
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの２以上の変形例を組み合わせることもできる。
【００５４】
（１）変形例１
上述の第２実施形態では、制御回路２０は、データ電位Ｖｘの値に応じて、第１期間T1の後に波形整形動作を行うか否かを切り替えているが、これに限らず、制御回路２０は、画像データの種類に応じて、波形整形動作を行うか否かを切り替えることもできる。例えば、制御回路２０は、画像データが多階調データである場合、すなわち、各画素回路Ｐの階調を指定するデータが３段階以上の階調数（例えば「白」、「グレー」、「黒」など）を有するものである場合は、第１期間T1の後の第２期間T2において波形整形動作を実行し、画像データが２値データである場合、すなわち、各画素回路Ｐの階調を指定するデータが２値（例えば「白」と「黒」）で表される場合は、第１期間T1の終了後、波形整形動作を行わずに、選択トランジスタTsのゲートの電位を急峻に変化させて選択トランジスタTsをオフ状態に遷移させるように駆動部４０を制御する態様であってもよい。
【００５５】
画像データが多階調データである場合は、フィードスルーにより画素の階調が所定の目標値から乖離すると、表示画像の見映え（表示品質）が著しく損なわれてしまう。一方、画像データが２値データである場合は、フィードスルーにより画素の階調が所定の目標値から乖離しても、表示画像の見映えがそれほど悪くなることはない。つまり、画像データが２値データである場合、フィードスルーはそれほど問題にならない。上述の態様は、かかる点に着目したものであり、画像データが多階調データである場合は、第１期間T1の後の第２期間T2において波形整形動作が行われるので、フィードスルーが抑制される。これにより、表示品質の低下を防止できる。一方、画像データが２値データである場合は、フィードスルーは問題にならないので、波形整形動作が行われない。波形整形動作が行われない分だけ、１垂直走査期間の時間長を短くすることができるので、表示の応答速度を高めることが可能になるという具合である。
【００５６】
（２）変形例２
上述の各実施形態では、各画素回路Ｐが有する電気光学素子の一例として電気泳動素子５０を取り上げたが、これに限らず、各画素回路Ｐが有する電気光学素子の種類は任意であり、例えば液晶素子や有機ＥＬ素子であってもよい。要するに、印加される電気エネルギーに応じて、素子の光学特性（発光特性または光の透過特性）が変化するものであればよい。
【００５７】
（３）変形例３
上述の各実施形態では、マイクロカプセル５３内に封止された電気泳動粒子（帯電粒子）は、マイナスに帯電した白色粒子とプラスに帯電した黒色粒子とで構成されているが、例えば白色粒子がプラスに帯電される一方、黒色粒子がマイナスに帯電される態様であってもよい。また、白色粒子および黒色粒子に代えて、例えば赤色、緑色、青色などの顔料からなる粒子を電気泳動粒子として用いることも可能である。
【００５８】
また、着色した溶媒中に単色粒子を分散させる態様であってもよい。例えば黒色に着色された溶媒中に白色粒子を分散させてもよいし、白色に着色された溶媒中に黒色粒子を分散させてもよい。さらに、３色以上の粒子を溶媒に分散させる態様であってもよい。
【００５９】
（４）変形例４
上述の各実施形態では、帯電粒子（電気泳動粒子）が封入されたマイクロカプセル５３が、画素電極５１と対向電極５２との間に配置される態様（いわゆるマイクロカプセル型の電気泳動素子）が例示されているが、これに限らず、例えば画素ごとに隔壁（セパレータ）で仕切られた空間に帯電粒子が直接封入される態様（いわゆる隔壁型の電気泳動素子）であってもよい。
【００６０】
（５）変形例５
各画素回路Ｐに含まれる選択トランジスタTsの導電型は任意である。上述の各実施形態では、選択トランジスタTsはＮチャネル型のトランジスタで構成されているが、これに限らず、例えば選択トランジスタTsがＰチャネル型であってもよい。
【００６１】
＜Ｅ：応用例＞
次に、以上に説明した各実施形態に係る電気泳動表示装置を利用した電子機器について説明する。
図１０は、以上に説明した各実施形態に係る電気光学装置（電気泳動表示装置）を利用した電子ペーパー１０００の構成を示す図である。電子ペーパー１０００は、以上に説明した電気光学装置を表示領域１０１０に備えている。電子ペーパー１０００は可撓性を有し、従来の紙と同様の質感および柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体１０２０を備えて構成されている。電子ペーパー１０００には、本発明に係る電気光学装置が採用されているので、良好な表示品質を確保することができる。
【００６２】
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図１０に示した電子ペーパー１０００には限定されず、本発明に係る電気光学装置は様々な電子機器に適用することが可能である。例えば、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、電子ノート、腕時計、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピュータなどが挙げられる。
【符号の説明】
【００６３】
１０……電気光学パネル、２０……制御回路、３０……画素アレイ部、３２……走査線、３４……データ線、４０……駆動部、４２……走査線駆動回路、４４……データ線駆動回路、５０……電気泳動素子、５１……画素電極、５２……対向電極、５３……マイクロカプセル、６０……給電線、７０……シフトレジスタ、７２……出力バッファ部、７３……ＡＮＤゲート、７４……導通部、７５……制御線、８１，８２……給電線、１００……電気光学装置、CL……サイクル、Ch……保持容量、Cstr……寄生容量、GND……接地電位、GW……走査信号、Ｈ……単位期間、L1……第１電極、L2……第２電極、ND……ノード、Ｐ……画素、T1……第１期間、T2……第２期間、Ts……選択トランジスタ、Tx……出力期間、Ty……非出力期間、Ｕ……素子部、VNSL……非選択電位、VSL……選択電位、Ｖx……データ電位。
【図１】
2011232595.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011232595.tif 000009
【図８】
2011232595.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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