(57)【要約】【課題】ポストファイア法によるファインパターン形成方法を提供する。【解決手段】セラミック基板上に、有機下地層を形成する第一工程、該有機下地層上に金属ペースト層を形成し、メタライズドセラミック基板前駆体を作製する第二工程、および、該メタライズドセラミック基板前駆体を焼成する第三工程を含むメタライズドセラミック基板の製造方法において、有機下地層が、金属ペースト層中の溶媒を吸収し、金属ペースト層を焼成する温度で熱分解する層とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板上に、有機下地層を形成する第一工程、該有機下地層上に金属ペースト層を形成し、メタライズドセラミック基板前駆体を作製する第二工程、および、該メタライズドセラミック基板前駆体を焼成する第三工程、
を含み、
前記有機下地層が、前記金属ペースト層中の溶媒を吸収し、金属ペースト層を焼成する温度で熱分解する層である、
メタライズドセラミック基板の製造方法。
【請求項２】
前記有機下地層の層厚が、０．１μｍ以上１．０μｍ以下である、請求項１に記載のメタライズドセラミック基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属ペースト層を形成するための金属ぺーストが、銅ペースト、銀ペースト、銅−銀合金ペースト、タングステンペーストのいずれかである、請求項１または２に記載のメタライズドセラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属ペースト層を形成するための金属ペーストが銅ペーストであり、前記有機下地層がアクリル樹脂層である、請求項１〜３のいずれかに記載のメタライズドセラミック基板の製造方法。
【請求項５】
前記アクリル樹脂層が、粒径０．０５μｍ以上０．８０μｍ以下のアクリル粒子を含有する樹脂分散液により形成される、請求項４に記載のメタライズドセラミック基板の製造方法。
【請求項６】
さらに、得られた基板をエッチングする第四工程、および、形成したメタライズドパターン上にメッキを施す第五工程、を含む、請求項１〜５のいずれかに記載のメタライズドセラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はメタライズドセラミック基板の製造方法に関する。詳細には、メタライズパターンの間隔が狭いファインパターンを形成することができるメタライズドセラミック基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
メタライズドセラミックス基板の製造方法としては、コファイア法（同時焼成法）とポストファイア法（逐次焼成法）とが知られている。コファイア法とは、グリーンシートと呼ばれる未焼成のセラミック基板前駆体上に金属ペースト層を形成することによってメタライズドセラミック基板前駆体を作製し、これを焼成する方法である。この方法ではグリーンシートおよび金属ペースト層の焼成は同時に行われる。
【０００３】
ポストファイア法とは、グリーンシートを焼成して得られたセラミック基板上に金属ペースト層を形成することによってメタライズドセラミック基板前駆体を作製し、これを焼成する方法である。この方法ではグリーンシートの焼成および金属ペースト層の焼成は逐次的に行われる。
【０００４】
どちらの手法でもセラミック基板上にメタライズドパターンを形成することができ、それにより得られる基板は、主に電子部品を搭載するための基板として用いられる。電子部品を搭載するための基板では、搭載される部品が小さくなることに伴い、メタライズドパターンの更なる高精度化、高精細化が要求されており、従来の製造方法ではこのような要求に十分に応えられない状況となってきている。
【０００５】
例えば、コファイア法による配線形成の場合、焼成時にグリーンシートが不均一に収縮し易く、例えば正方形のグリーンシートを焼結した場合には、僅かではあるが、各辺の中央部分が内側に反るように収縮が起こり基板は星型に変形するため、１枚のグリーンシート上に同一形状のメタライズドパターンを多く形成した場合には、パターンが形成される場所によってパターンの形状が僅かに変わってしまうことが避けられない。
【０００６】
一方、ポストファイア法によるメタライズドパターン形成の場合、セラミック基板上に直接導電ペーストを塗布・乾燥した後に焼成することによってメタライズドパターンが形成される。導電ペースト層の焼付け（焼成）に際しては、導電ペースト層は厚み方向には収縮するが、平面方向の収縮は殆ど起こらないため、コファイア法で見られたような、位置によりパターン形状が変わるという問題は起こらない。
【０００７】
しかし、ポストファイア法では、金属ペーストを目的とする回路パターンの形状通りに塗布したとしても、焼結前に金属ペーストが流れたり、にじんだりすることがあり、パターンの微細化を進める上で障害となっていた。即ち、金属ペーストの“流れ”や“にじみ”が発生する場合には、得られるメタライズドセラミック基板の配線間にショートが起こることがあり、信頼性が低下するからである。一般に、ポストファイア法では、メタライズドパターン間の隙間（通常、スペースとも言う）が５０μｍ程度のメタライズドパターンの形成が限界となっていた。
【０００８】
上記したポストファイア法における、導電ペーストの流れ、にじみの問題を解決するために、以下の提案がなされている。特許文献１には、耐熱性基板上に粘着性を有する感光性樹脂層を形成し、回路パターンを露光して、露光した部分の粘着性を消失させてから、回路形成用粒子を接触させて付着させ、焼成することによる、回路形成法が提案されている。
【０００９】
特許文献２には、離型剤が塗布された樹脂フィルム上に導電ペーストにて第１の回路を形成し、これを、熱可塑性樹脂が塗布されたセラミック基板表面に転写して、焼成することによる、セラミック回路基板の製造方法が提案されている。
【００１０】
特許文献３には、銅導体ペーストをセラミックスからなる基板上に印刷し、焼成して銅導体回路を形成した後、該回路のエッジに発生した銅導体の滲み部を溶解して除去し、エッジを鋭く処理する、セラミックス回路基板の製造方法が提案されている。
【００１１】
また、特許文献４には、セラミック基板上に、セラミックペースト層を形成し、該セラミックペースト層上に導電ペースト層を形成して基板前駆体を作製し、該基板前駆体を焼成することによる、メタライズドセラミック基板の製造方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平５−７４９７１号公報
【特許文献２】特開平６−８５４３４号公報
【特許文献３】特開２００２−２８０７０９号公報
【特許文献４】ＷＯ２００６／０６４７９３パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、特許文献１〜３の方法は、工程が多く、非常に手間のかかる方法であった。また、特許文献４の方法は、セラミックペースト層および導電ペースト層を同時に焼成するため、焼成温度をセラミックが焼結できる高温に設定する必要がある。そのため、導電ペーストを形成する金属の種類がタングステンなどの高融点金属に限定され、銅、銀などを含む金属ペーストを用いる場合には、該方法は採用できなかった。銅、銀などを含む金属ペーストを用いる場合は、焼成温度の関係からコファイア法は採用できないので、ポストファイア法によるファインパターン形成方法が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、ポストファイア法によるファインパターン形成方法について鋭意検討した結果、以下の知見を得た。
（１）ポストファイア法では、セラミック基板上に金属ペーストを塗布して、これを焼成するのであるが、セラミック基板は溶媒を吸収しないため、金属ペーストが流れたり、滲んだりする。
（２）この問題を解決するために、金属ペースト中の溶媒を吸収する層をセラミック基板上に形成する。
（３）該溶媒吸収層は、焼成の際に分解して消失する層とする必要がある。これにより、メタライズドパターンとセラミック基板との密着性を確保できる。
（４）タングステンぺーストを用いる場合は、焼成温度が高温であるため、溶媒吸収層をどのような有機樹脂により形成したとしても、該溶媒吸収層は焼成時に分解・消失するが、銅ペースト、銀ペースト、または、銅−銀合金ペーストを用いた場合は、焼成温度が比較的低温であり、このような温度にて分解・消失する溶媒吸収層を使用する必要がある。
（５）特に、銅ペーストを用いた場合は、焼成を非酸化性雰囲気にて行う必要がある。また、セラミックス基板とメタライズドパターンとの密着性を高めるべく、チタンを含有する金属ペーストを用いた場合は、真空下にて焼成する必要がある。よって、このような条件において分解・消失する溶媒吸収層を使用する必要がある。
（６）溶媒吸収層に、十分な溶媒吸収能力を付与するために、所定粒径の樹脂粒子を含有する金属ペーストを用いて、空隙を備えた溶媒吸収層を形成する必要がある。
（７）銅ペースト、または、チタンを含有する金属ペーストを用いた場合、非酸化性雰囲気にて焼成する必要があるので、溶媒吸収層に起因するカーボン残渣が生じる虞がある。このとき、メタライズドパターンにメッキを施す必要がある場合は、メッキ前に該カーボン残渣を除去する必要がある。
【００１５】
以上の知見を基に本発明者らは、以下の発明を完成させた。なお、本発明の理解を容易にするために添付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、それにより本発明が図示の形態に限定されるものではない。
【００１６】
本発明は、セラミック基板（１０）上に、有機下地層（２０）を形成する第一工程、該有機下地層（２０）上に金属ペースト層（３０）を形成し、メタライズドセラミック基板前駆体（５０）を作製する第二工程、および、該メタライズドセラミック基板前駆体（５０）を焼成する第三工程、を含み、有機下地層（２０）が、金属ペースト層（３０）中の溶媒を吸収し、金属ペースト層（３０）を焼成する温度で熱分解する層である、メタライズドセラミック基板（１００）の製造方法である。
【００１７】
本発明において、有機下地層（２０）の層厚は、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
本発明において、金属ペースト層（３０）を形成するための金属ぺーストは、銅ペースト、銀ペースト、銅−銀合金ペースト、タングステンペーストのいずれかであることが好ましい。
【００１９】
本発明において、金属ペースト層（３０）を形成するための金属ペーストとして銅ペーストを用いる場合、有機下地層（２０）はアクリル樹脂層とすることが好ましい。また、アクリル樹脂層は、粒径０．０５μｍ以上０．８０μｍ以下のアクリル粒子を含有する樹脂分散液により形成されることが好ましい。
【００２０】
本発明において、形成したメタライズドパターン（４０）上にメッキを施す場合は、メッキ前に得られた基板（１００）をエッチングすることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のメタライズドセラミックス基板（１００）の製造方法によると、セラミック基板（１０）上に有機下地層（２０）を形成した上で、その上に金属ペースト層（３０）を形成しているので、有機下地層（２０）が金属ペースト層（３０）中の溶媒を吸収する。これにより、金属ペーストが流れたり、滲んだりすることを防止することができ、メタライズパターン（４０）の間隔が狭いファインパターンを備えたメタライズドセラミック基板（１００）を製造することができる。また、有機下地層（２０）は焼成時に熱分解して消失し、メタライズパターンの密着性を阻害するものではないので、密着性が良好なメタライズドパターン（４０）を備えたメタライズドセラミック基板（１００）を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明のメタライズドセラミックス基板（１００）の製造方法の概略を示す概念図である。
【図２】実施例１で得られたメタライズセラミックス基板における十字パターンを拡大した図である。
【図３】比較例１で得られたメタライズセラミックス基板における十字パターンを拡大した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明のメタライズドセラミック基板の製造方法は、セラミック基板上に、有機下地層を形成する第一工程、該有機下地層上に金属ペースト層を形成し、メタライズドセラミック基板前駆体を作製する第二工程、および、該メタライズドセラミック基板前駆体を焼成する第三工程、を備えてなる方法である。図１に、本発明の製造方法の概要を表す概念図を示す。
【００２４】
＜第一工程＞
第一工程においては、セラミック基板１０上に、有機下地層２０を形成する。
（セラミック基板１０）
セラミック基板１０としては、公知のセラミックからなる基板が特に制限なく使用可能である。
セラミック基板１０の構成材料であるセラミックとしては、例えば（ｉ）酸化アルミニウム系セラミック、酸化ケイ素系セラミック、酸化カルシウム系セラミック、酸化マグネシウム系セラミックなどの酸化物系セラミック；（ｉｉ）窒化アルミニウム系セラミック、窒化ケイ素系セラミック、窒化ホウ素系セラミックなどの窒化物系セラミック；（ｉｉｉ）酸化ベリリウム、炭化ケイ素、ムライト、ホウケイ酸ガラス等を使用することができる。中でも、（ｉｉ）窒化物セラミックが好ましく、特に窒化アルミニウム系セラミックが、熱伝導性が高いため好ましく使用することができる。
【００２５】
本発明の製造方法で使用するセラミック基板１０としては、入手の容易さや所望の形状のものを容易に得ることができるといった理由からセラミック焼結体基板、特に焼結体基板を構成するセラミック粒子の平均粒子径が０．５〜２０μｍ、より好適には１〜１５μｍのセラミック焼結体基板を使用するのが好適である。なお、このようなセラミック焼結体基板は、平均粒子径が０．１〜１５μｍ、好適には０．５〜５μｍのセラミック原料粉末からなるグリーンシートを焼成することにより得ることができる。
【００２６】
当該グリーンシートには焼結助剤、有機バインダー等が含まれていてもよい。焼結助剤としてはセラミック原料粉末の種類に応じて常用される焼結助剤が特に制限なく使用できる。さらに、有機バインダーとしては、ポリビニルブチラール、エチルセルロース類やアクリル樹脂類が使用され、グリーンシートの成形性が良好になるという理由からポリｎ−ブチルメタクリレート、ポリビニルブチラールが特に好適に使用される。
【００２７】
得られる焼結体の熱伝導性の観点から、焼結助剤を含む窒化物セラミック粉末をセラミック原料粉末として使用して形成した窒化物セラミック用グリーンシート、特に焼結助剤（例えばイットリウムや酸化カルシウム）を含む窒化アルミニウム粉末を原料粉末として用いた窒化アルミニウム用グリーンシートを使用するのが好適である。
【００２８】
本発明で使用するセラミック基板１０の形状は、その上に有機下地層２０及び金属ペースト層３０が形成できるような表面を有するものであれば特に限定されず、板状体或いは板状体の一部に切削加工や穿孔加工を施したもの或いは局面を有する基板でも使用することができる。また、セラミック基板１０はビアホール（即ち、導電体または金属ペーストが充填された貫通孔）や内層配線を有していてもよい。このような原料基板は、上記したような構造を有するグリーンシートを用いたコファイア法などにより容易に製造することができる。
【００２９】
セラミック基板１０の大きさは特に限定されず、用途に応じて適宜決定すればよい。例えば、用途が電子部品を搭載するための基板である場合には、基板厚さは一般的には０．１〜２ｍｍ、好ましくは０．２〜１ｍｍ程度とすればよい。
また、セラミック基板１０は、有機下地層２０を形成する際の樹脂分散液との濡れ性を改善する目的で、表面処理をおこなうこともできる。例えば、酸素プラズマ処理、コロナ処理、ＵＶオゾン処理等の物理処理や、アルカリエッチング等の化学処理による表面処理を施すことができる。これらの表面処理は、表面張力が比較的高い水系の樹脂分散液を用いる場合に、特に好適である。
【００３０】
（有機下地層２０）
第一工程においては、セラミック基板１０上に樹脂分散液を塗布し、場合によっては塗布した樹脂分散液を乾燥させて有機下地層２０を形成する。有機下地層２０は、後に説明する金属ペースト層３０中の溶媒を吸収することができ、かつ、該金属ペースト層３０を焼成する温度で熱分解する層とする必要があり、溶媒吸収能力を高めるべく、有機下地層２０は空隙を有していることが好ましい。
【００３１】
有機下地層２０を形成するための樹脂分散液は、樹脂粒子および溶媒を含んで構成され、樹脂粒子が溶媒に溶解せず、溶媒に分散された状態となっていることが好ましい。樹脂粒子としては、アクリル樹脂粒子、スチレン樹脂粒子、メタクリレート系樹脂粒子、オレフィン系樹脂粒子等を用いることができる。また、溶媒としては、メタノール、クロロホルム、トルエン等の有機溶媒、水等を用いることができ、樹脂粒子を溶解させない点からは水を用いることが好ましく、樹脂粒子として架橋樹脂粒子等の有機溶媒に溶解しないものを用いた場合は、乾燥の容易さの点から有機溶媒を用いることが好ましい。空隙を有する有機下地層２０を形成する観点から、樹脂分散液において、樹脂粒子は溶媒に溶解せずに分散された状態となっていることが好ましいので、その点から、好適な樹脂粒子および溶媒の組み合わせを選択することが好ましい。樹脂分散液には、一般的に使用される分散剤等の添加剤が含まれていてもよい。また、有機下地層２０の膜強度及びセラミック基板１０への密着性を高める目的で、使用する溶媒に可溶な有機バインダーを添加することもできる。有機バインダーを添加する場合の添加量は、樹脂粒子１００質量部に対し、好ましくは５０質量部以下である。有機バインダーの添加量が多すぎる場合には、有機下地層２０内の空隙を埋めてしまうために、溶媒吸収性が悪くなる虞がある。
【００３２】
樹脂粒子の粒径は特に限定されないが、好ましくは０．０５μｍ以上０．８０μｍ以下、より好ましくは０．０８μｍ以上０．４０μｍ以下である。樹脂粒子の粒径が小さすぎると、形成される有機下地層２０が緻密なものとなり、溶媒吸収性が悪くなる虞がある。逆に、樹脂粒子の粒径が大きすぎると、有機下地層２０の厚みが厚くなり、所望の厚みとすることができない虞があり、有機下地層２０を形成する樹脂粒子の表面積が小さくなるので、溶媒吸収性において劣る虞がある。なお、この粒径は、動的光散乱法により測定したときのメジアン径である。
【００３３】
有機下地層２０を形成するときの塗布方法は特に限定されず、ディップコーティング、スプレーコーティング等のコーティング法、スクリーン印刷やオフセット印刷等の印刷法等の公知の塗布方法を採用することができる。中でも、薄い膜厚で均一に塗布可能であることから、ディップコーティング法が好ましい。
【００３４】
樹脂分散液における樹脂粒子の含有割合は、採用する塗布方法および溶媒の種類に応じて最適な濃度となるよう調整すればよい。例えば、溶媒として水、塗布方法としてディップコーティング法を採用する場合には、樹脂分散液全体を基準として、樹脂粒子の含有割合は、１質量％以上２０質量％以下とすることが好ましい。また、添加剤を使用する場合には、添加剤の含有量は５質量％以下とすることが好ましい。
【００３５】
後に説明する金属ペーストとして、タングステンペースト、モリブデンペースト等の高融点金属ペーストを使用する場合は、高温にて焼成するため有機下地層２０の種類は特に限定されず、金属ペースト層３０中の溶媒を吸収できるものであれば、どのような有機下地層２０を形成してもよい（高温での焼成なので、どのような有機下地層２０であっても、分解・消失させることができる。）。
【００３６】
金属ペーストとして、銀ペーストを使用する場合は、上記高融点金属ペーストを使用した場合に比べて、焼成温度が低温となる。該焼成温度においても分解・消失する有機下地層２０を形成できる樹脂粒子としては、アクリル樹脂粒子、スチレン樹脂粒子を挙げることができる。また、金属ペーストとして、銅ペーストを使用する場合、銅が酸化されるのを防ぐため、焼成は、窒素雰囲気あるいは真空下において行われる。また、チタンを含む金属ペーストを用いる場合は真空下において焼成が行われる。これらの場合は、このような焼成条件においても熱分解して消失する有機下地層２０を形成できるものとして、樹脂粒子としてはアクリル樹脂粒子を用いることが好ましい。
【００３７】
本発明の方法では、金属ペーストを塗布して金属ペースト層３０を形成する前に、有機下地層２０を乾燥させることが好ましい。有機下地層２０に含まれる溶媒を蒸発させて除去することで、有機下地層２０上に塗布される金属ペーストに含まれる溶媒をより吸収しやすくなるので、金属ペースト層３０の流れや滲みを防止する効果が高くなる。この乾燥は、空気中で基板を６０〜１２０℃の温度で２〜２０分程度保持することにより好適に行うことができる。
【００３８】
有機下地層２０の厚みは、好ましくは０．１μｍ以上１．０μｍ以下であり、より好ましくは０．２μｍ以上０．５μｍ以下である。該厚みが薄すぎると、金属ペースト層３０中の溶媒を十分に吸収できない虞があり、逆に厚すぎると、形成されるメタライズドパターンの密着性が劣る虞がある。なお、本発明において、有機下地層２０の厚みは、樹脂分散液をセラミック基板１０上に塗布し、乾燥することにより、有機下地層２０中の溶媒を揮発させた後の厚みである。
【００３９】
＜第二工程＞
第二工程では、第一工程で形成した有機下地層２０上に金属ペースト層３０を形成し、メタライズドセラミック基板前駆体５０を作製する。
第二工程での金属ペースト層３０の形成は、セラミック基板１０上に形成された有機下地層２０上に、金属ペーストを所定のパターンで塗布し、必要に応じて乾燥することにより行われる。下層の有機下地層２０が金属ペースト層３０に含まれる有機溶媒を吸収するため、塗布された金属ペーストが流れたり、滲んだりすることが抑制され、ファインパターンとすることができる。
【００４０】
したがって、このような金属ペースト層３０の形成工程を含む本発明の製造方法によれば、例えば、導電体ライン（配線）間の間隔（スペース）が８０〜１０μｍ、好ましくは５０〜１０μｍ、最も好ましくは３０〜１５μｍといったファインなパターンの導電層（メタライズ層）を有するメタライズドセラミック基板、さらにはラインアンドスペースが、好ましくは８０／８０μｍ以下、より好ましくは５０／５０μｍ以下、特に好ましくは３０／３０μｍ以下であるファインパターンのメタライズ層を有するメタライズドセラミック基板を高い歩留まりで製造することができる。そして、このようなメタライズドセラミック基板を回路基板として使用した場合には、当該回路基板はファインパターンで回路のショートがなく信頼性の高いものになる。なお、ラインアンドスペースがＸ／Ｙμｍであるとは、線幅Ｘμｍの複数の導電体ライン（配線）をＹμｍの間隔をほぼ保って形成できることを意味する。
【００４１】
また、メタライズドパターン４０は、配線としてだけではなくメタライズド基板の認識マーカー（実装時の位置合わせ用マーク）として形成されることもあるが、本発明の方法により認識マーカーを形成した場合は、マーカーの形状がクリアに認識できるのでマーカーの誤認率が低くなるという利点がある。
【００４２】
本発明で使用する金属ペーストとしては、金属粉末、有機バインダー、有機溶媒、分散剤、可塑剤などの成分からなる公知の金属ペーストが特に制限なく使用可能である。
【００４３】
金属ペーストに含まれる金属粉末としては、例えば、タングステン、モリブデン、金、銀、銅、銅−銀合金などの金属粉末が挙げられる。中でも、従来の方法ではファインパターンを備えたメタライズドセラミック基板を形成することが難しかった、金、銀、銅、および銅−銀合金を含む金属ペーストを使用した場合に、本発明の効果がより発揮される。
【００４４】
金属ペーストには、水素化チタン粉が含まれていてもよい。基板として窒化物セラミックス基板を用いた場合、水素化チタン粉を含む金属ペーストを用いることにより、焼成によりメタライズドパターン４０と窒化物セラミックス基板１０との間に、窒化チタン層が形成され、これによりメタライズドパターン４０の密着性が向上するので、セラミック基板１０とメタライズドパターン４０との密着性がでにくい金、銀、銅、銅−銀合金ペーストを用いた場合に有効である。水素化チタン粉の添加量としては、上記、金、銀、銅および銅−銀合金粉末の合計を１００質量部として、１質量部以上１０質量部以下とすることが好ましい。
【００４５】
金属ペーストに含まれる有機バインダーとしては、公知のものが特に制限なく使用可能である。例えば、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル等のアクリル樹脂、メチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ニトロセルロース、セルルースアセテートブチレート等のセルロース系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル等のビニル基含有樹脂、ポリオレフィン等の炭化水素樹脂、ポリエチレンオキサイド等の含酸素樹脂などを一種または二種以上混合して使用することができる。
【００４６】
金属ペーストに含まれる有機溶媒としては、公知のものが特に制限なく使用可能である。例えば、トルエン、酢酸エチル、テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、テキサノールなどを使用することができる。金属ペーストに含まれる分散剤としては、公知のものが特に制限なく使用可能である。例えば、リン酸エステル系、ポリカルボン酸系などの分散剤を使用することができる。金属ペーストに含まれる可塑剤としては、公知のものが特に限定なく使用可能である。例えば、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、アジピン酸ジオクチルなどを使用することができる。
【００４７】
金属ペーストは、上記金属粉末、有機バインダー、および有機溶媒を含んでなる。そして、本発明の方法が特に効果を発揮するのは、金属粉末、有機バインダー、および有機溶媒の量を調製することにより、スパイラル式粘度計にて測定（回転数５ｒｐｍ、２５℃）した粘度が、好ましくは５０〜３５０Ｐａ・ｓ、さらに好ましくは１００〜３００Ｐａ・ｓ、特に好ましくは１５０〜２５０Ｐａ・ｓである金属ペーストを使用した場合である。具体的な有機バインダー、および有機溶媒の量は、金属ペーストの塗布方法、得られるメタライズドセラミックス基板の用途、使用する金属粉の種類や形状、有機バインダー、および有機溶媒の種類によって最適値が異なるため、一概に限定されるものではない。ただし、有機バインダー、および有機溶媒を含む金属ペーストが、前記粘度範囲を満足する場合には、塗布が容易となり生産性を高めることができる。そして、有機バインダー、および有機溶媒を含む前記粘度範囲の金属ペースト使用する場合に、有機下地層を設けることの効果がより顕著になる。なお、上記金属ペーストには、その他、公知の添加剤（例えば、分散剤、可塑剤）が含まれていてもよい。
【００４８】
金属ペーストの塗布は、たとえば、スクリーン印刷やカレンダー印刷、パッド印刷などの公知の手法により行うことができる。形成される金属ペースト層３０の厚さは、特に限定されないが、一般的には１〜１００μｍ、好ましくは５〜３０μｍである。なお、金属ペースト層３０の厚みは、金属ペーストを有機下地層２０上に塗布し、乾燥することにより、金属ペースト層３０中の溶媒を揮発させた後の厚みである。
【００４９】
金属ペーストを塗布して金属ペースト層３０を形成する際、金属ペースト繰り返し重ねて塗布し積層してもよい。この際、金属ペーストを塗布後、これを乾燥させてから、再度金属ペーストを塗布・乾燥してもよいし、繰り返し金属ペーストを塗布した後、これらをまとめて乾燥させてもよい。また、積層する金属ペースト層の種類は下層と同じ種類のペーストでもよいし、下層と異なる種類のペーストであってもよい。
【００５０】
本発明の方法では、セラミック基板１０上に、有機下地層２０および金属ペースト層３０を形成したメタライズドセラミック基板前駆体５０を焼成する（第三工程）ことで、本発明における製造物であるメタライズドセラミック基板１００が得られるが、必要に応じて、焼成の前には脱脂を行ってもよい。
【００５１】
脱脂は、酸素や空気などの酸化性ガス、あるいは水素などの還元性ガス、アルゴンや窒素などの不活性ガス、二酸化炭素およびこれらの混合ガスあるいは水蒸気を混合した加湿ガス雰囲気中でメタライズドセラミック基板前駆体５０を熱処理することにより行われる。また、熱処理条件は、メタライズドセラミック基板前駆体５０に含まれる有機成分の種類や量に応じて温度：２５０℃〜１２００℃、保持時間：１分〜１０００分の範囲から適宜選択すればよい。
【００５２】
＜第三工程＞
第三工程においては、上記で作製したメタライズドセラミック基板前駆体５０を焼成する。焼成は、使用した金属ペーストの種類（より具体的には、金属ペースト中の金属粉末の種類）に応じて、通常採用される条件が適宜採用される。
例えば、タングステンペーストまたはモリブデンペースト等の高融点金属ペーストを用いた場合は、１６００〜２０００℃、好ましくは１７００〜１８５０℃の温度で、１時間〜２０時間、好ましくは２〜１０時間焼成すればよい。焼成雰囲気は、窒素ガス等の非酸化性ガスの雰囲気下で、常圧で行えばよい。
【００５３】
銀、または、金ペーストの場合は、７５０℃〜９５０℃、好ましくは８００℃〜９００℃の温度で、１分〜１時間、好ましくは５分〜３０分焼成すればよい。焼成雰囲気は、空気中で、常圧で行えばよい。
銅ペーストの場合は、７５０℃〜１０００℃、好ましくは８００℃〜９５０℃の温度で、１分〜２時間、好ましくは５分〜１時間焼成すればよい。焼成雰囲気は、非酸化性雰囲気、例えば、窒素中、または、真空下で焼成することが好ましく、常圧で行えばよい。
また、セラミック基板１０との密着性を出すため、チタン成分が含まれる金属ペーストを用いた場合は、焼成は、真空下で行うことが好ましい。
【００５４】
金属ペーストとして銀、金、または、銅ペースト、あるいは、これらの合金ペーストを用いた場合は、上記のように比較的低温で焼成するため、このような温度で分解・消失する有機下地層２０を形成する必要がある。中でも、銅ペーストを用いた場合は、上記のように、非酸化性雰囲気で焼成するので、このような条件にて分解・消失するアクリル樹脂層により有機下地層２０を形成することが好ましい。
【００５５】
＜第四工程および第五工程＞
酸化しやすい銅または銅−銀合金によるメタライズドパターン４０を形成した場合は、メタライズドパターン４０表面にメッキを施すことが好ましい。上記した第三工程における焼成を、銅ペーストを用いた場合のように、比較的低温で、非酸化性雰囲気にて行った場合、有機下地層２０に起因するカーボン残渣が生じる虞がある。よって、メタライズドパターン４０上にメッキを行う場合は、該カーボン残渣を除去するエッチング工程（第四工程）を行ってから、メッキ工程（第五工程）を行うことが好ましい。
【００５６】
エッチング方法は特に限定されず、処理効率、経済性の点からウエットエッチングを採用することが好ましく、例えば、エッチング液としては、アルカリ溶液、過マンガン酸溶液等が使用できる。メッキ方法は、従来のメタライズド基板に対して行われているものであれば特に限定されず、メッキ方法としては無電解メッキ、電解メッキのいずれでもよく、また、ニッケルメッキ、錫メッキ、合金メッキのいずれでもよい。
【実施例】
【００５７】
＜実施例１＞
（有機下地層の形成）
平均粒子径が０．１５μｍであるポリメチルメタクリレート粒子（非架橋）１００質量部を分散剤４．５質量部とともに水８００質量部に加え、超音波を照射しながら１時間攪拌をおこない水中に分散させ、アクリル樹脂分散液を調製した。得られた樹脂分散液に厚さ０．６４ｍｍの窒化アルミニウム焼結体基板（（株）トクヤマ製、商品名ＳＨ−３０）を基板の表面が樹脂分散液の液面と垂直となるように浸漬し、次いで一定の速度でゆっくりと引上げ、基板表面にコーティングし、８０℃で１０分間乾燥して有機下地層を形成した。このとき、有機下地層の膜厚は約０．３μｍであった。
【００５８】
（金属ペースト１の調製）
平均粒子径が０．３μｍである銅粉末１５質量部、平均粒子径が２μｍである銅粉末 ８２質量部及び平均粒子径が５μｍである水素化チタン粉末３質量部と、ポリアルキルメタクリレートをターピネオールに溶解させたビヒクルとを乳鉢を用いて予備混合した後、３本ロールミルを用いて分散処理することにより、金属ペースト１を調製した。調製した金属ペースト１の粘度をマルコム社製スパイラル式粘度計ＰＣＵ−２−１にて測定したところ、回転数５ｒｐｍ、２５℃で１７０Ｐａ・ｓであった。
【００５９】
（金属ペースト２の調製）
平均粒子径が６μｍであるＡｇ−Ｃｕ合金粉末（ＢＡｇ−８、組成：銀７２ｗｔ％−銅２８ｗｔ％）と、ポリアルキルメタクリレートをターピネオールに溶解させたビヒクルとを乳鉢を用いて予備混合した後、３本ロールミルを用いて分散処理することにより、金属ペースト２を作製した。調製した金属ペースト２の粘度を前記粘度計にて測定したところ、回転数５ｒｐｍ、２５℃で２３０Ｐａ・ｓであった。
【００６０】
（メタライズド基板の作製）
上記有機下地層を形成した窒化アルミニウム焼結体基板に上記で作製した金属ペースト１をスクリーン印刷し、ライン幅２００μｍでライン間スペースが４０μｍであるストライプパターンを形成し、１００℃で１０分間乾燥をおこない第一ペースト層を形成した。次いで、上記で作製した金属ペースト２を第一ペースト層と重なるように金属ペースト１と同じパターンをスクリーン印刷し、１００℃で１０分間乾燥をおこない第二ペースト層を形成した。次いで、真空中（真空度４×１０−３Ｐａ〜８×１０−３Ｐａ）、８５０℃にて３０分間焼成することにより、メタライズド基板を得た。これとは別に、ライン幅５０μｍ、長さ２００μｍの十字型のパターンのスクリーン版を用い、同様の方法でメタライズド基板を作製した。
【００６１】
（パターンの滲みの評価）
上記のようにして得られた基板について、メジャースコープにてストライプパターン間のスペースの幅を測定したところ、４０μｍでありパターンの滲みはほぼ見られなかった。また、十字型のメタライズ層が形成された表面をビデオマイクロスコープで観察した。その写真を図２に示す。図２に示されるように、にじみの少ないメタライズパターンが形成されていることが分かった。
【００６２】
＜実施例２＞
実施例１におけるアクリル樹脂分散液を使用し、厚さ０．６４ｍｍの窒化アルミニウム焼結体基板（（株）トクヤマ製、商品名ＳＨ−３０）上に、有機下地層を形成した。この際、基板をアクリル樹脂分散液から引き上げる速度を調整することにより、有機下地層の膜厚を０．８μｍとした以外は、実施例１と同様にして有機下地層を形成した。以降、実施例１と同様にしてメタライズド基板を作製し、評価をおこなった。このとき、ストライプパターン間のスペースの幅は４０μｍであり、パターンの滲みはほぼ見られなかった。
【００６３】
＜実施例３＞
平均粒子径が０．０９μｍであるポリメチルメタクリレート粒子（非架橋）１００質量部を水８００質量部に分散し、アクリル樹脂分散液を調製した。得られた樹脂分散液に厚さ０．６４ｍｍの窒化アルミニウム焼結体基板（（株）トクヤマ製、商品名ＳＨ−３０）を基板の表面が樹脂分散液の液面と垂直となるように浸漬し、次いで一定の速度でゆっくりと引上げ、基板表面にコーティングし、８０℃で１０分間乾燥して有機下地層を形成した。このとき、有機下地層の膜厚は約０．３μｍであった。以降、実施例１と同様にしてメタライズド基板を作製し、評価をおこなった。このとき、ストライプパターン間のスペースの幅は４０μｍであり、パターンの滲みはほぼ見られなかった。
【００６４】
＜比較例１＞
実施例１において、窒化アルミニウム焼結体基板上に有機下地層を形成しなかった以外は実施例１と同様にメタライズド基板を作製した。得られた基板について、メジャースコープにてメタライズパターン間のスペースの幅を測定したところ、２８μｍでありパターンの滲みがみられた。また、十字型のメタライズ層が形成された表面をビデオマイクロスコープで観察した。その写真を図３に示す。図３に示されるように、パターンが滲みによって大きく変形した。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明の製造方法により製造されたメタライズドセラミック基板１００は、電子部品を搭載するための基板として使用することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１０  セラミック基板
２０  有機下地層
３０  金属ペースト層
４０  メタライズドパターン
５０  メタライズドセラミック基板前駆体
１００  メタライズドセラミック基板
【図１】
2011181736.tif 000003
【図２】
2011181736.tif 000004
【図３】
2011181736.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月14日(2011.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板上に、有機下地層を形成する第一工程、該有機下地層上に金属ペースト層を形成し、メタライズドセラミック基板前駆体を作製する第二工程、および、該メタライズドセラミック基板前駆体を焼成する第三工程、
を含み、
前記有機下地層が、前記金属ペースト層中の溶媒を吸収し、金属ペースト層を焼成する温度で熱分解する層であり、
前記有機下地層が、樹脂粒子を含有する樹脂分散液により形成される、
メタライズドセラミック基板の製造方法。
【請求項２】
前記有機下地層が、アクリル樹脂層であり、前記樹脂粒子がアクリル粒子である、請求項１に記載のメタライズドセラミック基板の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂粒子の粒径が、０．０５μｍ以上０．８０μｍ以下である、請求項１または２に記載のメタライズドセラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記有機下地層の層厚が、０．１μｍ以上１．０μｍ以下である、請求項１〜３のいずれかに記載のメタライズドセラミック基板の製造方法。
【請求項５】
前記金属ペースト層を形成するための金属ぺーストが、銅ペースト、銀ペースト、銅−銀合金ペースト、タングステンペーストのいずれかである、請求項１〜４のいずれかに記載のメタライズドセラミック基板の製造方法。
【請求項６】
前記金属ペースト層を形成するための金属ペーストが銅ペーストである、請求項１〜５のいずれかに記載のメタライズドセラミック基板の製造方法。
【請求項７】
さらに、得られた基板をエッチングする第四工程、および、形成したメタライズドパターン上にメッキを施す第五工程、を含む、請求項１〜６のいずれかに記載のメタライズドセラミック基板の製造方法。