(57)【要約】【課題】導電部と絶縁部とを、高精度で、高生産性で形成する電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】基板５の主面５ａ上に、有機半導体を含む第１層１０を所定のパターン形状で形成し、少なくとも第１層の上に金属を含む第２層２０を形成し、第１層の上の第２層を変質させて、第２層のそれ以外の部分よりも電気抵抗が高い変質部３０を第２層に形成することにより、基板上に、第２層の金属を含む部分からなる導電部と、第１層の有機半導体の部分と第２層の変質部を含む部分からなる絶縁部と、を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面上に、有機半導体を含む第１層を所定のパターン形状で形成し、
少なくとも前記第１層の上に金属を含む第２層を形成し、前記第１層の上の前記第２層を変質させて、前記第２層のそれ以外の部分よりも電気抵抗が高い変質部を前記第２層に形成することにより、前記基板上に、前記第２層の金属を含む部分からなる導電部と、前記第１層の有機半導体の部分と前記変質部を含む部分からなる絶縁部と、を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第１層の形成は、支持基板上に設けられ前記有機半導体を含む有機半導体膜に、不活性ガス及び酸素の少なくともいずれかを含む雰囲気中でレーザ光を照射して、前記有機半導体膜を選択的に加熱し、前記有機半導体膜の一部を前記基板の前記主面に転写することを含むことを特徴とする請求項１記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第１層の形成は、前記基板の前記主面上に設けられ前記有機半導体を含む有機半導体層の一部に、不活性ガス及び酸素の少なくともいずれかを含む雰囲気中でレーザ光を照射することを含むことを特徴とする請求項１記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記基板は、前記主面に設けられた基板電極を有し、前記導電パターンは、前記基板電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載に電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記有機半導体は、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウムを含み、前記第２層は、アルミニウム及びマグネシウムの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスには、各種の端子や配線となる金属パターンが設けられる。  
金属パターンの作製においては、マスク蒸着法や、フォトリソグラフィを用いる方法が用いられる。マスク蒸着法は、熱によるマスクの変形のため、パターン精度の向上が難しい。一方、フォトリソグラフィを用いる方法は、工程数が多く、また、多くの間接材料を使用し、タクト時間も長く、生産性が低い。
【０００３】
一方、特許文献１には、基板上に形成したジアリールエテン層に選択的に紫外線を照射して付着性を変化させ、その上に金属層を積層して、付着性の差異を利用して金属パターンを形成する方法が開示されているが、工程が複雑である。また、ジアリールエテンの下地の導電層と、金属層と、を電気的に導通させることができないため、応用分野に制限がある。
【０００４】
なお、特許文献２には、真空雰囲気中でレーザ光を照射して、転写層を基板に転写する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１８８８５４号公報
【特許文献２】特開２００６−３４４４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、導電部と絶縁部とを、高精度で、高生産性で形成する電子デバイスの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、基板の主面上に、有機半導体を含む第１層を所定のパターン形状で形成し、少なくとも前記第１層の上に金属を含む第２層を形成し、前記第１層の上の前記第２層を変質させて、前記第２層のそれ以外の部分よりも電気抵抗が高い変質部を前記第２層に形成することにより、前記基板上に、前記第２層の金属を含む部分からなる導電部と、前記第１層の有機半導体の部分と前記変質部を含む分部からなる絶縁部と、を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、導電部と絶縁部とを、高精度で、高生産性で形成する電子デバイスの製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を例示するフローチャート図である。
【図２】第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を例示する別の工程順模式的断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る電子デバイスの別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図５】第１の実施形態に係る電子デバイスの別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図６】第１の実施形態に係る電子デバイスの別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図７】第１の実施形態に係る電子デバイスの別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図８】第２の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図９】実施例に係る電子デバイスの製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。  
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００１１】
本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法は、電子デバイスに含まれる導電パターンを形成する方法に適用できる。導電パターンは、所定の形状を有する。電子デバイスは、所定の形状の導電パターンを有する電子デバイスであれば任意であり、半導体装置、磁気装置、表示装置、通信装置、記憶装置など任意の電子デバイスとすることができる。また、電子デバイスにおける導電パターンは、各種の要素素子に含まれる導電層や、要素素子に接続される各種の配線など、任意の導電層とすることができる。導電パターンは、基板の上の他、各種の要素素子の上にも設けられるが、以下では、導電パターンが基板の上に設けられる例として説明する。以下における「基板」は、絶縁性の基板、半導体基板、表面絶縁性の導電性基板などの他、任意の要素素子に含まれる部材とすることもでき、この場合は、その部材が「基板」となる。
【００１２】
（第１の実施の形態）  
図１は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を例示するフローチャート図である。  
図２は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を例示する工程順模式的断面図である。  
図１及び図２に表したように、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法においては、まず、基板５の主面５ａ上に、有機半導体を含む第１層１０を、所定のパターン形状で形成する（ステップＳ１１０）。
【００１３】
そして、少なくとも第１層１０の上に金属を含む第２層２０を形成し、第１層１０の上の第２層２０を変質させて、第２層２０に変質部３０を形成する。変質部３０の電気抵抗は、第１層１０の上以外の第２層２０の電気抵抗よりも高い。これにより、基板５上に、第２層２０の金属を含む部分からなる導電部（導電パターン２２）と、第１層１０の有機半導体の部分と第２層２０の変質部３０を含む部分からなる絶縁部と、を形成する（ステップＳ１２０）。絶縁部は、第１層１０の有機半導体の部分と、第２層２０の変質部３０と、を含む部分からなる。すなわち、第２層２０に形成される導電パターン２２の形状を規定する。この導電パターン２２は、変質部３０の周囲に形成される。
【００１４】
例えば、第１層１０の上と、基板５の主面５ａの第１層１０が設けられていない領域１０ｂと、に、金属を含む第２層２０を形成し、第１層１０に対向する部分の第２層２０の少なくとも一部を変質させる。これにより、第１層１０が設けられていない領域１０ｂの第２層２０よりも電気抵抗が高い変質部３０を第２層２０に形成する。これにより、第２層２０に形成される導電パターン２２の形状を規定する。すなわち、第１層１０の周囲（すなわち変質部３０の周囲）に、第２層２０を含む導電パターン２２が形成される。
【００１５】
第１層１０となる有機半導体には、例えばトリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（以下では「Ａｌｑ３」という）やペンタセンなどの有機材料が用いられる。これら有機半導体における移動度は、例えば１０−２ｃｍ２／Ｖｓ〜１０−６ｃｍ２／Ｖｓ程度である。
【００１６】
一方、第２層２０となる金属には、任意の材料を用いることができる。第２層２０となる金属には、例えば、アルミニウムやマグネシウムなどを用いることができる。
【００１７】
例えば、図２（ａ）に例示したように、例えば絶縁性の基板５の主面５ａ上に、第１層１０（例えばＡｌｑ３層）を形成する。第１層１０は、有機半導体を含む有機半導体層１０ａを含む。このとき、第１層１０は、例えばレーザ転写などの方法によって、加熱されつつ、所定のパターン形状で形成される。この方法の例については、後述する。
【００１８】
そして、図２（ｂ）に例示したように、第１層１０の上と、第１層１０が設けられていない領域１０ｂと、に、第２層２０（例えばアルミニウム層）を形成する。本具体例では、第２層２０は、第１層１０を覆いつつ、主面５ａの上に形成される。第２層２０の形成においては、第２層２０となる金属層（例えばアルミニウム層）が、例えば真空蒸着法やスパッタリング法など、任意の方法によって形成される。
【００１９】
図２（ｃ）に例示したように、第１層１０の上に第２層２０を形成することにより、第１層１０に対向する部分の第２層２０の少なくとも一部を変質させることができる。本具体例では、第１層１０の上面に対向する部分の第２層２０が変質され、第１層１０の上面に対向する部分に変質部３０が形成される。
【００２０】
例えば、第２層２０としてアルミニウム層を用いた場合、第１層１０が設けられていない領域１０ｂの第２層２０は、アルミニウム層に特有の金属光沢を有しているが、第１層１０に対向する部分の第２層２０は、金属光沢を有しておらず灰色の光沢の無い状態を有す。すなわち、第１層１０に対向する部分の第２層２０の少なくとも一部が変質している。この変質した部分が変質部３０となる。
【００２１】
そして、変質部３０（第２層２０のうちで第１層１０に対向し、変質した部分）の電気抵抗は、第１層１０が設けられていない領域１０ｂの第２層２０の電気抵抗よりも高い。  また、変質部３０の電気抵抗は、第１層１０の電気抵抗よりも高い。
【００２２】
この変質部３０は、第１層１０の上に形成される。そして、この変質部３０が実質的に絶縁部分となる。変質部３０となった部分を除く第２層２０（第１層１０が設けられていない領域１０ｂの第２層２０）が、電子デバイスの導電パターン２２となる。これにより、第２層２０に形成される導電パターン２２の形状が規定され、すなわち、導電パターン２２が、第１層１０の周囲（変質部３０の周囲）に形成される。導電パターン２２は、変質部３０となった部分を除く第２層２０を含む。変質部３０は、導電パターン２２どうしを分断し絶縁する絶縁層として機能する。
【００２３】
これにより、導電パターン２２（金属パターン）を、高精度で、高生産性で形成することができ、導電部と絶縁部とを、高精度で、高生産性で形成できる。そして、後述するように、この方法によれば、基板５の主面５ａ上に設けられる基板電極と、導電パターン２２と、を容易に電気的に接続することができ、実用的な導電パターン２２（金属パターン）が形成できる。
【００２４】
なお、第１層１０の電気抵抗は、第２層２０に形成される導電パターン２２よりも十分高く、第１層１０は導電パターン２２を含む電気回路としては、絶縁層として機能する。
【００２５】
上記で説明した、高抵抗の変質部３０の形成と、それと同時に行われる導電パターン２２の形成と、を含む金属パターンの形成方法は、以下のような実験において見出された新たな知見に基づいて着想された。
【００２６】
発明者は、窒素雰囲気中で、ガラス基板上に、Ａｌｑ３層をレーザ転写法によって所定パターンに形成し、その上にアルミニウム層を蒸着した。その結果、Ａｌｑ３層が設けられていないガラス基板上ではアルミニウム層は金属光沢を有しているのに対して、Ａｌｑ３層の上のアルミニウム層は、光沢の無い灰色を有していることを見出した。そして、光沢の無い灰色のアルミニウム層が実質的に絶縁性であることを見出した。このように、窒素雰囲気でのレーザ転写法によって形成されたＡｌｑ３層の上のアルミニウム層は、変質する。
【００２７】
一方、ガラス基板上に、Ａｌｑ３層をマスク蒸着法によって所定パターンに形成し、その上にアルミニウム層を蒸着したときには、Ａｌｑ３層の上のアルミニウム層は、ガラス基板上と同様に金属光沢を有しており、Ａｌｑ３層の上のアルミニウム層は変質しない。
【００２８】
Ａｌｑ３は、例えば有機ＥＬ素子等において、電荷輸送層として用いられている。この場合には、Ａｌｑ３層は、一般に真空蒸着法によって形成される。このため、上記の実験結果と同様に、真空蒸着法によって形成されたＡｌｑ３層の上のアルミニウム層は変質しない。
【００２９】
これに対し、発明者が行った上記の実験結果によると、窒素中でのレーザ転写法によるＡｌｑ３層の上に形成されたアルミニウム層が変質し、変質した部分が絶縁性に変化する。本発明は、この新たに見出された知見に基づいてなされたものである。
【００３０】
Ａｌｑ３層の上のアルミニウム層が変質する場合と、変質しない場合と、の違いについては、以下のように考察される。  
一般に真空蒸着においては、蒸着される材料が、真空中（例えば、１０−５Ｔｏｒｒ〜１０−６Ｔｏｒｒ程度）で、比較的低温で加熱されることによりガス状となり、基板上に付着する。例えば、Ａｌｑ３が真空蒸着法で成膜されるときには、例えば１０−５Ｔｏｒｒ程度の真空において、例えば２７０℃程度の温度に加熱される。Ａｌｑ３の分解点は３９０℃〜４００℃程度であり、真空蒸着法における加熱温度は、分解点よりも低い。このため、真空蒸着法によって形成されたＡｌｑ３層は、加熱の影響を実質的に受けていないＡｌｑ３によって形成される。
【００３１】
一方、発明者が行ったレーザ転写法は、実質的に大気圧の窒素雰囲気中で行われた。Ａｌｑ３の融点は４２４℃程度であるため、大気圧の雰囲気において大気圧でＡｌｑ３を昇華させるためには、Ａｌｑ３の温度は例えば５００℃程度に加熱される。  
このように、レーザ転写法と真空蒸着法とでは、Ａｌｑ３に加えられる温度が大きく異なる。レーザ転写法においては、Ａｌｑ３の温度がＡｌｑ３の分解点よりも高温に加熱され、これにより、Ａｌｑ３が活性化された状態になる。活性化された状態においては、例えば、Ａｌｑ３にラジカルが生成され、また、Ａｌｑ３の構造のうちの一部の結合が切れた状態が生成される。
【００３２】
このように、活性化された状態のＡｌｑ３層の上に、アルミニウム層を形成すると、活性化されたＡｌｑ３層からの作用によって、アルミニウム層が選択的に変質する。例えばアルミニウム層のＡｌｑ３層に接する部分が部分的に酸化される。その結果、変質したアルミニウム層が絶縁性となり、第２層２０のアルミニウム層に対して相対的に高い電気抵抗を有する変質部３０が形成される。
【００３３】
上記においては、Ａｌｑ３層がレーザ転写法によって形成される場合を例にして説明したが、本発明はこれに限らない。有機半導体を含む第１層１０が、本来有している安定した状態から変化した、活性化された状態を有していれば良い。これにより、この上に設けられる第２層２０が選択的に変質し、電気抵抗が高い変質部３０が選択的に形成される。
【００３４】
例えば、Ａｌｑ３などの有機半導体を含み、活性化された状態の第１層１０を形成するためには、高エネルギーの光の照射や加熱が有効である。例えば、有機半導体を含む有機半導体層１０ａを所定のパターン形状で形成した後、このような光の照射や加熱を行って、活性化された状態の第１層１０を形成しても良い。また、後述するように、有機半導体を含む有機半導体層１０ａの一部の領域に、このような光の照射や加熱を行って、活性化された状態の第１層１０を形成しても良い。
【００３５】
第１層１０のパターンの形成と、活性化と、が同時に行われる方法を採用することが、高い生産性のためには有効である。例えば、第１層１０の形成においては、レーザ転写法を採用すると、第１層１０のパターンの形成と、活性化と、を同時に行うことができるので、有利である。
【００３６】
図３は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を例示する別の工程順模式的断面図である。  
すなわち、同図は、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法に採用できるレーザ転写法を例示している。
【００３７】
図３（ａ）に表したように、支持基板４と、基板５と、を対向して配置する。支持基板４の表面４ａには、光熱変換層４ｂが設けられており、光熱変換層４ｂの表面に第１層１０となる有機半導体膜１０ｆが設けられている。光熱変換層４ｂには、例えばＭｏ（モリブデン）層を用いることができる。光熱変換層４ｂの上に、例えばＡｌｑ３を真空蒸着法によって成膜し、有機半導体膜１０ｆが形成される。そして、支持基板４の有機半導体膜１０ｆが、基板５の主面５ａに対向するように、支持基板４と基板５とが対向して配置される。
【００３８】
図３（ｂ）に表したように、支持基板４の裏面（光熱変換層４ｂとは反対側の面）からレーザ光８０を所定の形状で照射する。すなわち、レーザ光８０が、例えば、支持基板４の裏面に対して平行な平面内で走査される。なお、場合によっては、所定の形状の開口部を有するマスクを用いてレーザ光８０を照射しても良く、また、マスクを用いる方法とレーザ光８０を走査する方法とを組み合わせて実施しても良い。レーザ光８０には、例えばＹＡＧレーザから出射された光を用いることができる。また、レーザ光８０には、例えば波長８０８ｎｍのレーザダイオードを用い、照射エネルギーは１００ｍＪ／ｍｍ２で、照射パルス幅は１ｍｓとすることができる。
【００３９】
光熱変換層４ｂは、レーザ光８０を吸収し、熱に変化させる。これにより、レーザ光８０が照射された部分の有機半導体膜１０ｆが局所的に加熱され、有機半導体膜１０ｆが昇華し、支持基板４に対向して設置された基板５の主面５ａに付着する。すなわち、有機半導体膜１０ｆがレーザ転写される。これにより、基板５の主面５ａに有機半導体を含む第１層１０が形成され、第１層１０が設けられていない領域１０ｂも形成される。
【００４０】
この時、図３（ｂ）に例示したレーザ照射の際の雰囲気は、窒素やアルゴン等の不活性ガス及び酸素ガスの少なくともいずれかを含む雰囲気を用いることができる。レーザ照射の際の雰囲気は空気でも良い。これにより、有機半導体膜１０ｆを所望の温度に加熱しつつ、安定して基板５の主面５ａに転写できる。  
なお、レーザ照射を真空中（例えば、１０−５Ｔｏｒｒ〜１０−６Ｔｏｒｒ程度）で行うと、有機半導体膜１０ｆの加熱温度が低い状態で転写される。このため、基板５の主面５ａに形成される第１層１０は活性な状態ではなくなり、第１層１０の上に設けられる第２層２０が変質しない。
【００４１】
このように、第１層１０の形成工程（ステップＳ１１０）は、支持基板４上に設けられ有機半導体を含む有機半導体膜１０ｆに、不活性ガス及び酸素の少なくともいずれかを含む雰囲気中でレーザ光８０を照射して、有機半導体膜１０ｆを選択的に加熱し、有機半導体膜１０ｆの一部を基板５の主面５ａに転写することを含む。  
そして、この時の加熱による有機半導体膜１０ｆの温度は、例えば、有機半導体の分解温度よりも高く設定される。
【００４２】
なお、本実施形態に係る製造方法では、レーザ照射の際に真空を用いないので、製造装置が簡略化され、小型化されるメリットもある。
【００４３】
そして、図３（ｂ）に例示した工程の後に、図２（ｂ）及び（ｃ）に例示した工程を実施する。
【００４４】
なお、第１層１０の上に設けられる第２層２０の厚さが極端に厚いと、第１層１０の影響による第２層２０の変質の効果が、第２層２０の厚さの全域に行き渡らず、例えば、第２層２０の第１層１０とは反対の側で変質の程度が低くなることがあり得る。このため、第１層１０の上に設けられる第２層２０の厚さは極端に厚くならないようにすることが好ましい。すなわち、変質部３０の厚さは薄いことが好ましい。
【００４５】
変質部３０は、第２層２０によって形成されるため、導電パターン２２として用いられる第２層２０の厚さと変質部３０の厚さとは、互いに連動している。導電パターン２２として用いられる第２層２０を低抵抗化するためには、第２層２０の厚さが厚い方が好ましいが、第２層２０どうしを電気的に分断し絶縁する変質部３０の絶縁性を向上するためには、変質部３０の厚さが薄く、変質効果が厚さ方向の全域に十分に行き渡ることが好ましい。
【００４６】
このとき、図２（ｃ）に例示したように、第１層１０の上に設けられる第２層２０の厚さ２１ｔを、第１層１０が設けられていない領域１０ｂの第２層２０の厚さ２０ｔよりも薄く設定することで、第２層２０の厚さ２０ｔをできるだけ厚くし、第１層１０の上の第２層２０の厚さ２１ｔをできるだけ薄くすることができる。これは、例えば、第１層１０であるＡｌｑ３層の上における第２層２０となる金属層（例えばアルミニウム層）の付着性が、基板５の主面５ａの上への第２層２０となる金属層の付着性よりも低い構成にすることなどにより、実現できる。
【００４７】
これにより、第１層１０の上に設けられる第２層２０が変質した後の変質部３０の厚さ３０ｔが、第１層１０が設けられていない領域１０ｂの第２層２０の厚さ２０ｔよりも薄く設定することができる。
【００４８】
例えば、第１層１０の有機半導体としてＡｌｑ３を用いた場合に、第１層１０の厚さが、６０ナノメートル（ｎｍ）であるとき、第２層２０の厚さ２０ｔは、例えば８０ｎｍとすることができる。この時、第１層１０の上の変質部３０の厚さ３０ｔは８０ｎｍよりも薄い、例えば３０ｎｍ程度になる。
【００４９】
図４は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。  
図４（ａ）及び（ｂ）に表したように、基板５の主面５ａ上に、有機半導体を含む第１層１０を、所定のパターン形状で形成し（ステップＳ１１０）、第１層１０の上と、第１層１０が設けられていない領域１０ｂと、に、金属を含む第２層２０を形成する。
【００５０】
そして、図４（ｃ）に表したように、第１層１０の上面及び側面に対向する部分の第２層２０を変質させて、電気抵抗が、第１層１０が設けられていない領域１０ｂの第２層２０の電気抵抗よりも高い変質部３０を第２層２０に形成する。これにより、基板５上に、第２層２０の金属を含む部分からなる導電部（導電パターン２２）と、第１層１０の有機半導体の部分と第２層２０の変質部３０を含む部分からなる絶縁部と、を形成する（ステップＳ１２０）。すなわち、第２層２０に形成される導電パターン２２の形状が規定される。すなわち、第１層１０の周囲（変質部３０の周囲）に、第２層２０を含む導電パターン２２が形成される。
【００５１】
このように、第２層２０が変質する部分は、第１層１０に対向する上面部分及び側面部分であっても良い。これにより、変質部３０が形成され、導電パターン２２どうしが互いに分断される。
【００５２】
図５は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。  
図５（ａ）に表したように、基板５の主面５ａ上に、有機半導体を含む第１層１０を、所定のパターン形状で形成する（ステップＳ１１０）。この時、第１層１０の側面は、主面５ａに対して傾斜している。すなわち、第１層１０の側面は、テーパ面である。
【００５３】
そして、図５（ｂ）に表したように、第１層１０の上と、第１層１０が設けられていない領域１０ｂと、に、金属を含む第２層２０を形成する。  
そして、図５（ｃ）に表したように、第１層１０に対向する部分の第２層２０の少なくとも一部を変質させて、電気抵抗が、第１層１０が設けられていない領域１０ｂの第２層２０の電気抵抗よりも高い変質部３０を第２層２０に形成することにより、基板５上に、第２層２０の金属を含む部分からなる導電部（導電パターン２２）と、第１層１０の有機半導体の部分と第２層２０の変質部３０を含む部分からなる絶縁部と、を形成する（ステップＳ１２０）。すなわち、第２層２０に形成される導電パターン２２の形状が規定される。
【００５４】
このように、第１層１０の側面は、主面５ａに対して傾斜していても良い。この場合には、変質部３０は、第１層１０の上面及び側面を覆うように設けられる。
【００５５】
図６は、本発明の実施形態に係る電子デバイスの別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。  
図６（ａ）に表したように、基板５の主面５ａには、基板電極６が設けられている。基板電極６には、金属材料、例えば不純物が添加されて導電率が高められた半導体、及び、各種の導電性の化合物などの任意の材料を用いることができる。基板電極６のパターン形状は、任意の手法によって形成される。なお、基板電極６の形成に、本実施形態に係る製造方法を用いても良い。  
基板電極６には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の透明導電膜を用いることができる。
【００５６】
そして、基板電極６を有する基板５の主面５ａ上に、有機半導体を含む第１層１０を、所定のパターン形状で形成する（ステップＳ１１０）。本具体例では、第１層１０は、基板電極６を覆うように設けられているが、第１層１０は、基板電極６の少なくとも一部に接触するように設けても良い。
【００５７】
そして、図６（ｂ）に表したように、第１層１０の上と、第１層１０が設けられていない領域１０ｂと、に、金属を含む第２層２０を形成する。
【００５８】
これにより、図６（ｃ）に表したように、第１層１０に対向する部分の第２層２０の少なくとも一部が変質され、電気抵抗が、第１層１０が設けられていない領域１０ｂの第２層２０の電気抵抗よりも高い変質部３０が第２層２０に形成される。これにより、基板５上に、第２層２０の金属を含む部分からなる導電部（導電パターン２２）と、第１層１０の有機半導体の部分と第２層２０の変質部３０を含む部分からなる絶縁部と、を形成する（ステップＳ１２０）。すなわち、第２層２０に形成される導電パターン２２の形状を規定する。すなわち、第１層１０の周囲（変質部３０の周囲）に、第２層２０を含む導電パターン２２が形成される。この導電パターン２２は、基板電極６と電気的に接続される。
【００５９】
このように、本実施形態に係る製造方法によれば、基板５の主面５ａ上に設けられる基板電極６と、導電パターン２２と、を容易に電気的に接続することができ、実用的な導電パターン２２（金属パターン）を、高精度で、高生産性で形成することができ、導電部と絶縁部とを、高精度で、高生産性で形成できる。
【００６０】
本実施形態において、第１層１０及び第２層２０の厚さは、任意である。図２、図４、図５及び図６に例示した構成では、第２層２０の厚さが第１層１０よりも厚いが、第２層２０の厚さは第１層１０よりも薄くても良い。
【００６１】
図７は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。  
図７（ａ）に表したように、基板５の主面５ａ上に、有機半導体を含む第１層１０を、所定のパターン形状で形成する（ステップＳ１１０）。この第１層１０の厚さは、この上に設けられる第２層２０の厚さよりも厚い。第１層１０の厚さは、例えば１００ｎｍである。
【００６２】
そして、図７（ｂ）に表したように、第１層１０の上と、第１層１０が設けられていない領域１０ｂと、に、金属を含む第２層２０を形成する。第２層２０の厚さ２０ｔは、例えば８０ｎｍであり、第１層１０よりも薄い。
【００６３】
そして、図７（ｃ）に表したように、第１層１０の上面及び側面に対向する部分の第２層２０を変質させて、電気抵抗が、第１層１０が設けられていない領域１０ｂの第２層２０の電気抵抗よりも高い変質部３０を第２層２０に形成する。これにより、基板５上に、第２層２０の金属を含む部分からなる導電部（導電パターン２２）と、第１層１０の有機半導体の部分と第２層２０の変質部３０を含む部分からなる絶縁部と、を形成する（ステップＳ１２０）。すなわち、第２層２０に形成される導電パターン２２の形状が規定される。すなわち、第１層１０の周囲（変質部３０の周囲）に、第２層２０を含む導電パターン２２が形成される。
【００６４】
この場合も、変質部３０の厚さ３０ｔは、第２層２０の厚さ２０ｔよりも薄くなる。第１層１０の厚さが、この上に設けられる第２層２０の厚さ２０ｔよりも厚いと、レベリングの効果がより大きくなり、変質部３０の厚さ３０ｔが、第２層２０の厚さ２０ｔよりも、薄くなり易くなる。
【００６５】
（第２の実施の形態）  
本発明の第２の実施の形態においては、第１層１０は、有機半導体層１０ａの一部に設けられる。
【００６６】
図８は、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を例示する工程順模式的断面図である。  
図８（ａ）に表したように、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法においては、ます、基板５の主面５ａ上に、有機半導体を含む第１層１０を、所定のパターン形状で形成する（ステップＳ１１０）。
【００６７】
具体的には、基板５の主面５ａ上に有機半導体を含む有機半導体層１０ａを形成し、有機半導体層１０ａの一部に、レーザ光８０を照射する。このレーザ光８０が照射された部分が、例えば加熱され、活性化状態の第１層１０となる。そして、有機半導体層１０ａのうち、レーザ光８０が照射されていない領域が、第１層１０が設けられていない領域１０ｂとなる。
【００６８】
第１層１０のパターン形状は、レーザ光８０の照射領域を制御することで制御できる。レーザ光８０の照射領域は、例えば、レーザ光８０を基板５の主面５ａと平行な平面内で走査することや、開口部を有するマスクを用いることなどを適用することなどで制御できる。
【００６９】
この後、図８（ｂ）に表したように、少なくとも第１層１０の上に金属を含む第２層２０を形成する。具体的には、第１層１０の上と、第１層１０が設けられていない領域１０ｂ（有機半導体層１０ａのうちレーザ光８０が照射されていない領域）と、に、金属を含む第２層を形成する。
【００７０】
これにより、図８（ｃ）に表したように、第１層１０の上の第２層２０の少なくとも一部を変質させて、電気抵抗が、第１層１０の上以外の第２層２０の電気抵抗よりも高い変質部３０を第２層２０に形成する。  
具体的には、第１層１０に対向する部分の第２層２０の少なくとも一部を変質させて、変質部３０を形成する。変質部３０の電気抵抗は、第１層１０が設けられていない領域１０ｂの第２層２０の電気抵抗よりも高い。
【００７１】
これにより、基板５上に、第２層２０の金属を含む部分からなる導電部（導電パターン２２）と、第１層１０の有機半導体の部分と第２層２０の変質部３０を含む部分からなる絶縁部と、が形成される（ステップＳ１２０）。すなわち、第２層２０に形成される導電パターン２２の形状を規定する。すなわち、変質部３０の周囲に、第２層２０を含む導電パターン２２が形成される。
【００７２】
このように、第１層１０の形成工程（ステップＳ１１０）は、基板５の主面５ａ上に設けられ有機半導体を含む有機半導体層１０ａの一部に、不活性ガス及び酸素の少なくともいずれかを含む雰囲気中でレーザ光８０を照射することを含むことができる。
【００７３】
そして、このレーザ光８０を照射した時の有機半導体層１０ａの少なくとも一部の温度は、例えば、有機半導体の分解温度よりも高くなる。
【００７４】
これにより、基板５の主面５ａに設けられた有機半導体層１０ａの一部を選択的に活性化し、第２層２０を変質可能な第１層１０を形成する。この場合、有機半導体層１０ａのパターン形状と、第１層１０のパターン形状と、を互いに異ならせることができる。そして、第１層１０は、第２層２０を変質させて変質部３０を形成する機構として用い、第１層１０が設けられていない領域１０ｂの有機半導体層１０ａは、別の機構として用いることができる。有機半導体層１０ａとしてＡｌｑ３を用いる場合には、上記の別の機能として、例えば、有機ＥＬ表示装置における電荷輸送層としての機能を発揮させることができる。
【００７５】
（実施例）
以下、第２の実施形態の実施例に係る電子バイスの製造方法について説明する。本実施例は、電子デバイスが有機ＥＬ表示装置である例である。
【００７６】
図９は、本発明の実施例に係る電子デバイスの製造方法を例示する工程順模式的断面図である。  
図９（ａ）に表したように、透明なガラスからなる基板５の主面５ａに、ＩＴＯからな陽極電極４１が設けられ、その上に、正孔注入層４２が設けられ、その上に正孔輸送層４３が設けられている。その上に、発光層４５として赤色発光層４５ｒ、緑色発光層４５ｇ及び青色発光層４５ｂが設けられている。発光層４５として、有機ＥＬ材料が用いられる。そして、発光層４５の上に、第１層１０として、Ａｌｑ３層を形成する。この第１層１０は、電子輸送層としての機能も有する。
【００７７】
そして、図９（ｂ）に表したように、各発光層４５の間の領域の第１層１０（Ａｌｑ３層）に、レーザ光８０を照射する。このレーザ光８０の照射は、真空ではなく、窒素やアルゴン等の不活性ガス及び酸素ガスの少なくともいずれかを含む雰囲気（例えば空気中）で行われる。これにより、第１層１０を所望の温度に加熱する。これにより、各発光層４５の間の領域の第１層１０に、選択的に活性化された領域１１が形成される。
【００７８】
そして、図９（ｃ）に表したように、活性化された領域１１を含め、第１層１０の上に第２層２０としてアルミニウム層を形成する。これにより、活性化された領域１１の上の第２層２０が変質し、高抵抗で実質的に絶縁性の変質部３０が形成される。そして、第１層１０の上の第２層２０は、導電性のある導電パターン２２となる。導電パターン２２は、陰極電極として機能する。
【００７９】
その後、図９（ｄ）に表したように、基板５と、薄膜トランジスタ基板７０と、を貼り合わせる。薄膜トランジスタ基板７０においては、例えばガラス基板７１の上に、薄膜トランジスタ７２が設けられ、薄膜トランジスタ７２の例えばドレイン電極７３に接続された画素電極７４が設けられる。薄膜トランジスタ７２及びドレイン電極７３は、絶縁性の保護膜７５に覆われる。画素電極７４は、保護膜７５から露出している。そして、薄膜トランジスタ基板７０の画素電極７４と、基板５の導電パターン２２と、が互いに対向して設置され、画素電極７４と導電パターン２２とが電気的に接続される。この時、基板５の導電パターン２２が、レーザ光８０の照射によって形成された絶縁性の変質部３０によって分断されているので、画素電極７４と導電パターン２２との電気的な接触が効率的に行われる。  
このようにして、有機ＥＬ表示装置の電子デバイス１１０が製造される。
【００８０】
図９（ｄ）に例示したように、このような有機ＥＬ表示装置は、基板５の側から発光光４６を取り出すことができる。すなわち、発光層４５（赤色発光層４５ｒ、緑色発光層４５ｇ及び青色発光層４５ｂ）から出射された発光光４６（赤色光４６ｒ、緑色光４６ｇ及び青色光４６ｂ）は、透明なＩＴＯからなる陽極電極４１を通過し、基板５を介して、外部に出射される。この時、発光光４６は、導電パターン２２となる第２層２０に用いられたアルミニウム層によって基板５の側に効率的に反射され、光取り出し効率が高い表示装置が得られる。
【００８１】
なお、薄膜トランジスタ基板７０の画素電極７４の上に、有機ＥＬ層を形成する比較例の有機ＥＬ表示装置においては、発光光４６を薄膜トランジスタ基板７０の側から出射させる構成とすると、薄膜トランジスタ基板７０の遮光部によって発光光４６が遮光されるため、効率が低い。一方、薄膜トランジスタ基板７０の画素電極７４の上に有機ＥＬ層を形成し、上面（薄膜トランジスタ基板７０とは反対側の面）から発光光４６を出射させる構成とすると、上面の透光性の陰極の光吸収によってやはり効率が低下する。
【００８２】
これに対し、本実施例の有機ＥＬ表示装置においては、発光層４５を基板５の上に形成し、それとは別に形成された薄膜トランジスタ基板７０と、を組み合わせることで、光利用効率が高い表示を得ることができる。さらに、基板５の導電パターン２２のパターン形成の際に、電子輸送層の機能を兼ね備えたＡｌｑ３を含む第１層１０を用い、第１層１０に選択的にレーザ光８０を照射することで発光層４５どうしの間の領域に絶縁層となる変質部３０を形成する手法を用いることで、製造が簡単になる。
【００８３】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、電子デバイスを構成する、基板、第１層、第２層、変質部、導電パターン等の各要素の具体的な構成、及び、第１層及び第２層の形成方法等に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。  
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【００８４】
その他、本発明の実施の形態として上述した電子デバイスの製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての電子デバイスの製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００８５】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００８６】
４…支持基板、  ４ａ…表面、  ４ｂ…光熱変換層、  ５…基板、  ５ａ…主面、  ６…基板電極、  １０…第１層、  １０ａ…有機半導体層、  １０ｂ…領域、  １０ｆ…有機半導体膜、  １１…領域、  ２０…第２層、  ２０ｔ…厚さ、  ２１ｔ…厚さ、  ２２…導電パターン、  ３０…変質部、  ３０ｔ…厚さ、  ４１…陽極電極、  ４２…正孔注入層、  ４３…正孔輸送層、  ４５…発光層、  ４５ｂ…青色発光層、  ４５ｇ…緑色発光層、  ４５ｒ…赤色発光層、  ４６…発光光、  ４６ｂ…青色光、  ４６ｇ…緑色光、  ４６ｒ…赤色光、  ７０…薄膜トランジスタ基板、  ７１…ガラス基板、  ７２…薄膜トランジスタ、  ７３…ドレイン電極、  ７４…画素電極、  ７５…保護膜、  ８０…レーザ光、  １１０…電子デバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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