(57)【要約】【課題】画素回路の小型化と発光素子の光量の確保とを両立する。【解決手段】発光装置１００は、指定階調に応じた階調電位Ｖ[n]が供給される信号線１４と、電極ＥAと電極ＥCとの間の電流に応じて発光する発光素子Ｌを各々が含む複数の画素回路Ｐと、各発光素子Ｌの電極ＥCに接続された複数の電位線１６とを具備する。第１発光期間ＰEL1においては、信号線１４に対する階調電位Ｘ[n]の供給で発生した電荷を対象画素回路ＰAの発光素子Ｌに供給する。充電期間ＰCHにおいては、対象画素回路ＰA以外の制御用画素回路ＰBの発光素子Ｌに逆方向バイアスが印加されるように、当該制御用画素回路ＰBに対応する電位線１６の電位ＶCT[k]を変化させる。第２発光期間ＰEL2においては、充電期間ＰCHにて発生した電荷を対象画素回路ＰAの発光素子Ｌに供給する。【選択図】図２
2011008053.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指定階調に応じた階調電位が供給される信号線と、第１電極と第２電極との間の電流に応じて発光する発光素子を各々が含む複数の画素回路と、前記各発光素子の第２電極に接続された複数の電位線とを具備する発光装置の駆動方法であって、
前記信号線に対する前記階調電位の供給で発生した電荷を、第１発光期間において、前記複数の画素回路のうちの対象画素回路の前記発光素子に供給し、
前記第１発光期間の経過後の充電期間において、前記複数の画素回路のうち前記対象画素回路以外の制御用画素回路の発光素子に逆方向バイアスが印加されるように、当該制御用画素回路に対応する前記電位線の電位を変化させ、
前記充電期間にて発生した電荷を、前記充電期間の経過後の第２発光期間にて前記対象画素回路の前記発光素子に供給する
発光装置の駆動方法。
【請求項２】
前記複数の画素回路の各々は、前記信号線と前記第１電極とを結ぶ経路に接続された第１容量電極と、第２容量電極とを有する第１容量を含み、
前記第１発光期間および前記第２発光期間の各々においては、前記制御用画素回路の前記第１容量に保持された電荷を、前記信号線を介して前記対象画素回路の前記発光素子に供給する
請求項１の発光装置の駆動方法。
【請求項３】
前記複数の画素回路の各々は、前記発光素子に付随する第２容量を含み、
前記充電期間にて前記制御用画素回路の前記第２容量に保持された電荷を、前記第２発光期間において、前記信号線を介して前記対象画素回路の前記発光素子に供給する
請求項１または請求項２の発光装置の駆動方法。
【請求項４】
前記充電期間において、前記制御用画素回路の前記第１電極を前記信号線に接続し、
前記信号線の第３容量に前記充電期間にて保持された電荷を、前記第２発光期間において前記対象画素回路の前記発光素子に供給する
請求項１から請求項３の何れかの発光装置の駆動方法。
【請求項５】
前記複数の画素回路の各々は、
第１容量電極と第２容量電極とを有する第１容量と、
前記第１容量電極と前記第１電極との間に配置された第１スイッチと、
前記第１容量電極と前記信号線との間に配置された第２スイッチとを含み、
前記第１発光期間の開始前の書込期間において、前記制御用画素回路の前記第１スイッチをオフ状態に制御するとともに当該制御用画素回路の前記第２スイッチをオン状態に制御し、
前記第１発光期間において、前記制御用画素回路の前記第１スイッチをオフ状態に制御するとともに当該制御用画素回路の前記第２スイッチをオン状態に制御し、かつ、前記対象画素回路の前記第１スイッチおよび前記第２スイッチをオン状態に制御し、
前記第２発光期間において、前記制御用画素回路の前記第２スイッチをオン状態に制御するとともに前記対象画素回路の前記第１スイッチおよび前記第２スイッチをオン状態に制御する
請求項１の発光装置の駆動方法。
【請求項６】
前記充電期間において、前記制御用画素回路の前記第１スイッチをオン状態に制御する
請求項５の発光装置の駆動方法。
【請求項７】
前記充電期間において、前記制御用画素回路の前記第２スイッチをオン状態に制御する
請求項６の発光装置の駆動方法。
【請求項８】
前記充電期間において、前記対象画素回路および前記制御用画素回路の前記第２スイッチをオフ状態に制御してから前記制御用画素回路の前記第１スイッチをオン状態に制御する
請求項６または請求項７の発光装置の駆動方法。
【請求項９】
前記制御用画素回路に対応する前記電位線の電位を、
前記充電期間において第１電位から第２電位に変化させ、
前記第２発光期間において前記第２電位に維持し、
前記第２発光期間の経過後の初期化期間において、前記制御用画素回路および前記対象画素回路の前記第１スイッチをオフ状態に制御してから前記第１電位に変化させる
請求項５から請求項８の何れかの発光装置の駆動方法。
【請求項１０】
前記各画素回路の第２スイッチを、前記第２発光期間の終点から、他の対象画素回路に対応する前記第１発光期間の終点までオン状態に維持する
請求項５から請求項９の何れかの発光装置の駆動方法。
【請求項１１】
前記充電期間において、前記制御用画素回路に対応する前記電位線の電位を、第１電位から、可変に設定された第２電位に変化させる
請求項１から請求項１０の何れかの発光装置の駆動方法。
【請求項１２】
前記複数の画素回路のうち、可変に設定された個数の画素回路を前記制御用画素回路とする
請求項１から請求項１１の何れかの発光装置の駆動方法。
【請求項１３】
指定階調に応じた階調電位が供給される信号線と、
第１電極と第２電極との間の電流に応じて発光する発光素子を各々が含む複数の画素回路と、
前記各発光素子の第２電極に接続された複数の電位線と、
前記複数の画素回路の各々を駆動する駆動回路とを具備し、
前記駆動回路は、
前記信号線に対する前記階調電位の供給で発生した電荷を、第１発光期間において、前記複数の画素回路のうちの対象画素回路の前記発光素子に供給し、
前記第１発光期間の経過後の充電期間において、前記複数の画素回路のうち前記対象画素回路以外の制御用画素回路の発光素子に逆方向バイアスが印加されるように、当該制御用画素回路に対応する前記電位線の電位を変化させ、
前記充電期間にて発生した電荷を、前記充電期間の経過後の第２発光期間にて前記対象画素回路の前記発光素子に供給する
発光装置。
【請求項１４】
前記複数の画素回路の各々は、
第１容量電極と第２容量電極とを有する第１容量と、
前記第１容量電極と前記第１電極との間に配置された第１スイッチと、
前記第１容量電極と前記信号線との間に配置された第２スイッチとを含む
請求項１３の発光装置。
【請求項１５】
請求項１３または請求項１４の発光装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子などの発光素子を駆動する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子に供給される電流の調整で発光素子の階調（輝度）を制御する技術が従来から提案されている。例えば特許文献１には、指定階調に応じた電荷を各画素回路の容量素子に保持し、容量素子から発光素子に電荷を供給することで発光素子を発光させる技術が開示されている。特許文献１の技術によれば、発光素子に供給される電流の調整に駆動トランジスタを利用する必要がないから、駆動トランジスタの特性（例えば閾値や移動度）に起因した階調の誤差を抑制できるという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１の技術のもとで各発光素子を充分な光量で発光させるためには、容量値が大きい容量素子を画素回路に内蔵する必要がある。したがって、容量素子の両電極間の短絡の可能性が増加する（歩留まりが低下する）という問題や、画素回路の面積が増大することで高精細化が困難になるという問題がある。以上の事情を考慮して、本発明は、容量に保持された電荷を供給して発光素子を発光させる構成のもとで発光素子の光量の確保と画素回路（容量）の小型化とを両立することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置の駆動方法は、指定階調に応じた階調電位が供給される信号線と、第１電極と第２電極との間の電流に応じて発光する発光素子を各々が含む複数の画素回路と、各発光素子の第２電極に接続された複数の電位線とを具備する発光装置の駆動方法であって、信号線に対する階調電位の供給で発生した電荷を、第１発光期間において、複数の画素回路のうちの対象画素回路の発光素子に供給し、第１発光期間の経過後の充電期間において、複数の画素回路のうち対象画素回路以外の制御用画素回路の発光素子に逆方向バイアスが印加されるように、当該制御用画素回路に対応する電位線の電位を変化させ、充電期間にて発生した電荷を、充電期間の経過後の第２発光期間にて対象画素回路の発光素子に供給する。
【０００６】
以上の駆動方法のもとでは、対象画素回路の発光素子に対して、階調電位に応じた電荷が第１発光期間にて供給され、かつ、制御用画素回路の電位線の電位を充電期間にて変化させることで発生した電荷が第２発光期間にて供給される。すなわち、第１発光期間および第２発光期間の２回にわたって対象画素回路の発光素子が発光する。したがって、対象画素回路の発光素子に供給される電荷を保持するための容量が小さい場合でも、発光素子の光量を充分に確保できるという利点がある。
【０００７】
第２発光期間にて対象画素回路の発光素子に供給される電荷を保持する容量の位置や構成は任意である。例えば、信号線と第１電極とを結ぶ経路に接続された第１容量電極と、第２容量電極とを有する第１容量を各画素回路が含む構成では、制御用画素回路の第１容量に保持された電荷が、第１発光期間および第２発光期間の各々において、信号線を介して対象画素回路の発光素子に供給される。第１容量の確保は比較的に容易であるから、以上の態様においては、対象画素回路の発光素子に供給される電荷量（発光素子の輝度）を確保し易いという利点がある。
【０００８】
また、発光素子に付随する第２容量（例えば寄生容量）を各画素回路が含む構成では、充電期間にて制御用画素回路の第２容量に保持された電荷が、第２発光期間において、信号線を介して対象画素回路の発光素子に供給される。以上の構成においては、対象画素回路の発光素子に供給される電荷が発光素子の第２容量に保持されるから、電荷の保持のために積極的に形成すべき容量を小型化または省略することが可能である。
【０００９】
また、信号線に付随する第３容量を電荷の保持に利用する方法も好適である。具体的には、充電期間において制御用画素回路の第１電極を信号線に接続することで信号線の第３容量に電荷を保持し、第３容量に保持された電荷を、第２発光期間において対象画素回路の発光素子に供給する。以上の構成においては、対象画素回路の発光素子に供給される電荷が信号線の第３容量に保持されるから、電荷の保持のために積極的に形成すべき容量を小型化または省略することが可能である。
【００１０】
複数の画素回路の各々が、第１容量電極と第２容量電極とを有する第１容量と、第１容量電極と第１電極との間に配置された第１スイッチ（例えば図２のスイッチＳW1）と、第１容量電極と信号線との間に配置された第２スイッチ（例えば図２のスイッチＳW2）とを含む発光装置の好適な駆動方法は、第１発光期間の開始前の書込期間において、制御用画素回路の第１スイッチをオフ状態に制御するとともに当該制御用画素回路の第２スイッチをオン状態に制御し、第１発光期間において、制御用画素回路の第１スイッチをオフ状態に制御するとともに当該制御用画素回路の第２スイッチをオン状態に制御し、かつ、対象画素回路の第１スイッチおよび第２スイッチをオン状態に制御し、第２発光期間において、制御用画素回路の第２スイッチをオン状態に制御するとともに対象画素回路の第１スイッチおよび第２スイッチをオン状態に制御する。
【００１１】
以上の駆動方法のもとでは、書込期間において、制御用画素回路の第１スイッチをオフ状態に制御することで制御用画素回路の発光素子の発光が阻止され、当該制御用画素回路の第２スイッチをオン状態に制御することで、階調電位に応じた電荷が制御用画素回路の第１容量に保持される。第１発光期間では、対象画素回路の第１スイッチおよび第２スイッチをオン状態に制御することで、制御用画素回路の第１容量の電荷が対象画素回路の発光素子に供給される。そして、第２発光期間では、制御用画素回路の第２スイッチをオン状態に制御するとともに対象画素回路の第１スイッチおよび第２スイッチをオン状態に制御することで、充電期間における電位線の電位の変化で発生した電荷が対象画素回路の発光素子に供給される。
【００１２】
本発明の好適な態様に係る駆動方法では、充電期間において、制御用画素回路の第１スイッチをオン状態に制御する。以上の方法においては、制御用画素回路における第１容量の第１容量電極が充電期間にて発光素子の第１電極に接続されるから、制御用画素回路の電位線の電位の変化に応じた電荷が当該制御用画素回路の第１容量に保持される。したがって、第２発光期間にて対象画素回路の発光素子に供給される電荷量（発光素子の輝度）を充分に確保できるという利点がある。
【００１３】
本発明の好適な態様に係る駆動方法では、充電期間において、制御用画素回路の第２スイッチをオン状態に制御する。以上の方法においては、制御用画素回路の発光素子の第１電極に信号線が接続されるから、制御用画素回路の電位線の電位の変化に応じた電荷が、当該制御用画素回路の第１容量と信号線の第３容量（寄生容量）とに保持される。したがって、第２発光期間にて対象画素回路の発光素子に供給される電荷量（発光素子の輝度）を充分に確保できるという効果は格別に顕著となる。なお、以上の方法の具体例は、例えば第２実施形態として後述される。
【００１４】
本発明の好適な態様に係る駆動方法では、充電期間において、対象画素回路および制御用画素回路の第２スイッチをオフ状態に制御してから制御用画素回路の第１スイッチをオン状態に制御する。以上の方法においては、制御用画素回路の第１スイッチをオン状態に制御する時点で対象画素回路および制御用画素回路の第２スイッチはオフ状態に制御されているから、制御用画素回路の第１スイッチの動作に起因したノイズが対象画素回路の発光素子に供給される可能性（すなわち、対象画素回路の発光素子が誤発光する可能性）が低減されるという利点がある。
【００１５】
本発明の好適な態様に係る駆動方法では、制御用画素回路に対応する電位線の電位を、充電期間において第１電位から第２電位に変化させ、第２発光期間において第２電位に維持し、第２発光期間の経過後の初期化期間において、制御用画素回路および対象画素回路の第１スイッチをオフ状態に制御してから第１電位に変化させる。以上の方法においては、初期化期間にて電位線の電位が第２電位から第１電位に変化する時点で、制御用画素回路および対象画素回路の第１スイッチがオフ状態に制御されているから、例えば信号線に発生したノイズが制御用画素回路の発光素子に供給される可能性（すなわち、制御用画素回路の発光素子が誤発光する可能性）が低減されるという利点がある。
【００１６】
本発明の好適な態様に係る駆動方法では、各画素回路の第２スイッチを、第２発光期間の終点から、他の対象画素回路に対応する第１発光期間の終点までオン状態に維持する。以上の方法においては、第２発光期間の終点から次の第１発光期間の終点までの期間内に各画素回路の第２スイッチをオフ状態に変化させる構成と比較して、第２スイッチの動作の回数が削減される。したがって、第２スイッチを制御する配線の充放電の回数が削減される（ひいては第２スイッチを駆動する回路の消費電力が低減される）という利点がある。
【００１７】
本発明の好適な態様に係る駆動方法では、充電期間において、制御用画素回路に対応する電位線の電位を、第１電位から、可変に設定された第２電位に変化させる。充電期間では第２電位に応じた電荷が発生するから、以上の態様においては、可変の第２電位に応じて各発光素子の輝度を調整することが可能である。なお、以上の方法の具体例は、例えば第３実施形態として後述される。
【００１８】
本発明の好適な態様に係る駆動方法では、複数の画素回路のうち、可変に設定された個数の画素回路を制御用画素回路とする。第２発光期間にて対象画素回路の発光素子に供給される電荷量は制御用画素回路の個数に応じて変化するから、以上の態様においては、制御用画素回路の可変の個数に応じて各発光素子の輝度を調整することが可能である。なお、以上の方法の具体例は、例えば第４実施形態として後述される。
【００１９】
本発明は、以上の駆動方法を実行する駆動回路を具備する発光装置としても特定される。本発明の発光装置は、指定階調に応じた階調電位が供給される信号線と、第１電極と第２電極との間の電流に応じて発光する発光素子を各々が含む複数の画素回路と、各発光素子の第２電極に接続された複数の電位線と、複数の画素回路の各々を駆動する駆動回路とを具備し、駆動回路は、信号線に対する階調電位の供給で発生した電荷を、第１発光期間において、複数の画素回路のうちの対象画素回路の発光素子に供給し、第１発光期間の経過後の充電期間において、複数の画素回路のうち対象画素回路以外の制御用画素回路の発光素子に逆方向バイアスが印加されるように、当該制御用画素回路に対応する電位線の電位を変化させ、充電期間にて発生した電荷を、充電期間の経過後の第２発光期間にて対象画素回路の発光素子に供給する。以上の構成の発光装置によれば、本発明に係る駆動方法と同様の作用および効果が実現される。
【００２０】
本発明の発光装置は様々な電子機器に利用される。電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。本発明に係る電子機器としてはパーソナルコンピュータや携帯電話機が例示される。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置（光ヘッド）としても本発明の発光装置は利用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置のブロック図である。
【図２】画素回路の回路図である。
【図３】発光装置の動作のタイミングチャートである。
【図４】書込期間における第ｎ列の様子を示す概念図である。
【図５】第１発光期間における第ｎ列の様子を示す概念図である。
【図６】充電期間における第ｎ列の様子を示す概念図である。
【図７】第２発光期間における第ｎ列の様子を示す概念図である。
【図８】初期化期間における第ｎ列の様子を示す概念図である。
【図９】第２実施形態に係る発光装置の動作のタイミングチャートである。
【図１０】第２実施形態における充電期間での第ｎ列の様子を示す概念図である。
【図１１】第３実施形態における電位制御回路のブロック図である。
【図１２】第４実施形態における電位制御回路のブロック図である。
【図１３】第４実施形態に係る発光装置の動作のタイミングチャートである。
【図１４】第４実施形態に係る発光装置の動作のタイミングチャートである。
【図１５】第４実施形態における第２発光期間での第ｎ列の様子を示す概念図である。
【図１６】第５実施形態における画素回路の回路図である。
【図１７】第５実施形態に係る発光装置の動作のタイミングチャートである。
【図１８】第５実施形態における書込期間での第ｎ列の様子を示す概念図である。
【図１９】第５実施形態における第１発光期間での第ｎ列の様子を示す概念図である。
【図２０】第５実施形態における充電期間での第ｎ列の様子を示す概念図である。
【図２１】第５実施形態における第２発光期間での第ｎ列の様子を示す概念図である。
【図２２】第５実施形態における初期化期間での第ｎ列の様子を示す概念図である。
【図２３】変形例に係る画素回路の回路図である。
【図２４】電子機器（パーソナルコンピュータ）の斜視図である。
【図２５】電子機器（携帯電話機）の斜視図である。
【図２６】電子機器（携帯情報端末）の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１００のブロック図である。発光装置１００は、画像を表示する表示体として様々な電子機器に搭載される。図１に示すように、発光装置１００は、複数の画素回路Ｐが配列された素子部（表示領域）１０と、各画素回路Ｐの駆動で素子部１０に画像を表示する駆動回路２０と、駆動回路２０を制御する制御回路３０とを具備する。駆動回路２０は、走査線駆動回路２２と信号線駆動回路２４と電位制御回路２６とを含んで構成される。なお、駆動回路２０は、複数の集積回路（チップ）で構成され得る。
【００２３】
素子部１０には、Ｘ方向に延在するＭ本の走査線１２１と、走査線１２１に対をなしてＸ方向に延在するＭ本の制御線１２２と、Ｘ方向に交差するＹ方向に延在するＮ本の信号線（データ線）１４とが形成される（Ｍ，Ｎは自然数）。複数の画素回路Ｐは、各走査線１２１と各信号線１４との交差に対応して縦Ｍ行×横Ｎ列の行列状に配列される。また、素子部１０には、走査線１２１や制御線１２２とともにＸ方向に延在するＭ本の電位線１６が形成される。
【００２４】
図２は、画素回路Ｐの回路図である。図２においては、第ｍ行（ｍ＝１〜Ｍ）の第ｎ列（ｎ＝１〜Ｎ）に位置する１個の画素回路Ｐが代表的に図示されている。図２に示すように、画素回路Ｐは、発光素子ＬとスイッチＳW1とスイッチＳW2と容量Ｃ1とを含んで構成される。発光素子Ｌは、相対向する電極ＥAと電極ＥCとの間に流れる電流の電流値（電荷量）に応じた輝度で発光する電流駆動型素子である。有機ＥＬ材料で形成された発光層を電極ＥAと電極ＥCとの間に介在させた有機ＥＬ素子が発光素子Ｌとして好適に採用される。電極ＥAは陽極（anode）に相当し、電極ＥCは陰極（cathode）に相当する。第ｍ行に属するＮ個の画素回路Ｐの各々における発光素子Ｌの電極ＥCは、第ｍ行の電位線１６に対して共通に接続される。図２に示すように、発光素子Ｌには容量（寄生容量）Ｃ2が付随する。
【００２５】
容量Ｃ1は、容量電極Ｅ1と容量電極Ｅ2との間に誘電体を介在させた構造の容量素子であり、電荷を保持する要素として機能する。容量電極Ｅ2は、所定の電位が供給される配線（例えば素子部１０内の各画素回路Ｐにわたって共通に形成された容量線）に接続される。
【００２６】
スイッチＳW1は、容量電極Ｅ1と発光素子Ｌの電極ＥAとの間に配置されて両者間の電気的な接続（導通／非導通）を制御する。スイッチＳW2は、容量電極Ｅ1と第ｎ列の信号線１４との間に配置されて両者間の電気的な接続を制御する。すなわち、スイッチＳW1およびスイッチＳW2は、発光素子Ｌの電極ＥAと第ｎ列の信号線１４との電気的な接続を制御する要素として機能する。スイッチＳW1およびスイッチＳW2は、例えば基板の表面に形成された薄膜トランジスタで構成される。第ｍ行のＮ個の画素回路Ｐの各々におけるスイッチＳW1のゲートは第ｍ行の制御線１２２に接続される。第ｍ行のＮ個の画素回路Ｐの各々におけるスイッチＳW2のゲートは第ｍ行の走査線１２１に接続される。
【００２７】
図１の制御回路３０は、各種の信号（例えば同期信号）を出力することで駆動回路２０を制御する。走査線駆動回路２２は、走査信号ＧWR[1]〜ＧWR[M]を生成して各走査線１２１に出力し、制御信号ＧEL[1]〜ＧEL[M]を生成して各制御線１２２に出力する。なお、走査信号ＧWR[1]〜ＧWR[M]を生成する回路と制御信号ＧEL[1]〜ＧEL[M]を生成する回路とが別個に配置された構成も採用される。電位制御回路２６は、電位ＶCT[1]〜ＶCT[M]を生成して各電位線１６に出力する。
【００２８】
信号線駆動回路２４は、各画素回路Ｐの指定階調に応じた階調電位Ｘ[1]〜Ｘ[N]を生成して各信号線１４に出力する。各画素回路Ｐの指定階調は、制御回路３０から供給される画像信号で指定される。図１に示すように、信号線駆動回路２４は、相異なる信号線１４に対応するＮ個のスイッチＳX[1]〜ＳX[N]を含んで構成される。スイッチＳX[n]は、第ｎ列の信号線１４に対する階調電位Ｘ[n]の出力の可否（第ｎ列の信号線１４と信号線駆動回路２４との導通／非導通）を制御する。スイッチＳX[1]〜ＳX[N]のゲートには制御回路３０から共通の制御信号ＧXが供給される。
【００２９】
駆動回路２０は、各画素回路Ｐを行単位で順次に駆動する。具体的には、各垂直走査期間（フィールド期間）を区分したＭ個の水平走査期間Ｈ[1]〜Ｈ[M]のうちの各水平走査期間Ｈ[m]において、駆動回路２０は、第ｍ行のＮ個の画素回路Ｐの各々（以下では特に「対象画素回路ＰA」という場合がある）の発光素子Ｌを発光させる。
【００３０】
図３に示すように、各水平走査期間Ｈ[m]は、書込期間ＰWRと第１発光期間ＰEL1と充電期間ＰCHと第２発光期間ＰEL2と初期化期間ＰRSとを含んで構成される。水平走査期間Ｈ[m]内の各期間における第ｎ列の各画素回路Ｐに便宜的に着目して発光装置１００の動作を以下に説明する。以下に説明する動作が水平走査期間Ｈ[1]〜Ｈ[M]の各々にて列毎に並列に実行される。
【００３１】
［１］書込期間ＰWR（図４）  
書込期間ＰWRは、階調電位Ｘ[n]に応じた電荷を発生および保持する期間である。図３に示すように、書込期間ＰWRにおいては、制御信号ＧXがハイレベル（アクティブ）に設定されることで信号線駆動回路２４のスイッチＳX[1]〜ＳX[N]がオン状態に制御される。したがって、図４に示すように、信号線駆動回路２４から第ｎ列の信号線１４に階調電位Ｘ[n]が供給される。水平走査期間Ｈ[m]における階調電位Ｘ[n]は、第ｍ行の第ｎ列に位置する画素回路Ｐの指定階調に応じて可変に設定される。
【００３２】
走査線駆動回路２２は、図３および図４に示すように、走査信号ＧWR[1]〜ＧWR[M]をハイレベル（アクティブ）に設定することで第ｎ列のＭ個のスイッチＳW2をオン状態に制御する。すなわち、Ｍ個の容量Ｃ1の容量電極Ｅ1が第ｎ列の信号線１４に対して並列に接続される。したがって、階調電位Ｘ[n]に応じた電荷が第ｎ列のＮ個の容量Ｃ1に保持（充電）される。
【００３３】
また、走査線駆動回路２２は、制御信号ＧEL[1]〜ＧEL[M]をローレベル（非アクティブ）に設定することで第ｎ列のＭ個のスイッチＳW1をオフ状態に制御する。すなわち、第ｎ列のＭ個の発光素子Ｌの電極ＥAは信号線１４から絶縁される。したがって、書込期間ＰWRでは各発光素子Ｌは発光しない。書込期間ＰWRが経過すると、制御信号ＧXがローレベルに設定されることで信号線駆動回路２４のスイッチＳX[1]〜ＳX[N]がオフ状態に遷移する。すなわち、第ｎ列の信号線１４に対する階調電位Ｘ[n]の供給が停止する。
【００３４】
［２］第１発光期間ＰEL1（図５）  
書込期間ＰWRの経過後の第１発光期間ＰEL1は、書込期間ＰWRにて第ｎ列のＭ個の容量Ｃ1に蓄積された電荷を第ｎ列の対象画素回路ＰA（第ｍ行）の発光素子Ｌに供給して発光させる期間である。図３に示すように、第１発光期間ＰEL1において、走査線駆動回路２２は、制御信号ＧEL[m]をハイレベルに設定することで対象画素回路ＰAのスイッチＳW1をオン状態に制御する。第ｎ列のＭ個のスイッチＳW2は書込期間ＰWRから引続きオン状態を維持するから、図５に示すように、対象画素回路ＰAの発光素子Ｌの電極ＥAは第ｎ列の信号線１４に接続される。したがって、第ｎ列のＭ個の画素回路Ｐ（対象画素回路ＰAを含む）の容量Ｃ1に書込期間ＰWRにて保持された電荷が、対象画素回路ＰAの発光素子Ｌに供給（放電）される。したがって、対象画素回路ＰAの発光素子Ｌは、階調電位Ｘ[n]に応じた輝度で発光する。Ｍ個の容量Ｃ1からの放電は第１発光期間ＰEL1内にて完了するから、対象画素回路ＰAの発光素子Ｌの発光は第１発光期間ＰEL1内で終了する。
【００３５】
［３］充電期間ＰCH（図６）  
書込期間ＰWRおよび第１発光期間ＰEL1において、電位線１６の電位ＶCT[1]〜ＶCT[M]は電位ＶLに維持される。第１発光期間ＰEL1の経過後の充電期間ＰCHは、Ｍ行のうち第ｍ行（対象画素回路ＰA）を除く(M-1)行の各電位線１６に供給される電位ＶCT[k]（ｋ＝１〜Ｍ，ｋ≠ｍ）を変化させることで電荷を発生および保持する期間である。
【００３６】
図３に示すように、充電期間ＰCHが開始すると（時点ｔA1）、走査線駆動回路２２は、走査信号ＧWR[1]〜ＧWR[M]をローレベルに設定することで第ｎ列のＭ個のスイッチＳW2をオフ状態に制御する。すなわち、図６に示すように、第ｎ列のＭ個の容量Ｃ1の容量電極Ｅ1は信号線１４から電気的に絶縁される。また、図３に示すように、時点ｔA1の経過後の時点ｔA2において、走査線駆動回路２２は、制御信号ＧEL[1]〜ＧEL[M]をハイレベルに設定することで第ｎ列のＭ個のスイッチＳW1をオン状態に制御する（対象画素回路ＰAのスイッチＳW1は第１発光期間ＰEL1から引続きオン状態を維持する）。
【００３７】
そして、時点ｔA2の経過後の時点ｔA3において、電位制御回路２６は、図３および図６に示すように、第ｎ列のＭ個の画素回路Ｐのうち対象画素回路ＰA以外の(M-1)個の画素回路Ｐの各々（以下では特に「制御用画素回路ＰB」という場合がある）に供給される電位ＶCT[k]を、電位ＶLから電位ＶHに変化させる。電位ＶHは、電位ＶLを上回る電位である。したがって、電位線１６（発光素子Ｌの電極ＥC）の電位ＶCT[k]が電位ＶHに変化すると、第ｎ列の(M-1)個の制御用画素回路ＰBの各々の発光素子Ｌには逆方向バイアスが印加される。第ｎ列のＭ個のスイッチＳW1は時点ｔA2にてオン状態に制御されているから、各電位ＶCT[k]が時点ｔA3にて電位ＶHに変化すると、電位ＶHに応じた電荷（電位ＶHと電位ＶLとの電位差に応じた電荷）が、(M-1)個の制御用画素回路ＰBの各々における容量Ｃ1と容量Ｃ2（発光素子Ｌ）とに保持される。
【００３８】
［４］第２発光期間ＰEL2（図７）  
充電期間ＰCHの経過後の第２発光期間ＰEL2は、充電期間ＰCHにて第ｎ列の(M-1)個の制御用画素回路ＰB（Ｃ1，Ｃ2）に保持された電荷を第ｎ列の対象画素回路ＰA（第ｍ行）の発光素子Ｌに供給して発光させる期間である。
【００３９】
第２発光期間ＰEL2が開始すると、走査線駆動回路２２は、図３に示すように、走査信号ＧWR[1]〜ＧWR[M]をハイレベルに設定することで第ｎ列のＭ個のスイッチＳW2をオン状態に制御する。第ｎ列のＭ個のスイッチＳW1は充電期間ＰCHから引続きオン状態を維持するから、図７に示すように、第ｎ列の(M-1)個の制御用画素回路ＰBの容量Ｃ1および容量Ｃ2に充電期間ＰCHにて保持された電荷が、第ｎ列の信号線１４と対象画素回路ＰAのスイッチＳW2およびスイッチＳW1とを介して対象画素回路ＰAの発光素子Ｌに供給（放電）される。したがって、対象画素回路ＰAの発光素子Ｌは、電位ＶHに応じた輝度で発光する。容量Ｃ1および容量Ｃ2からの放電は第２発光期間ＰEL2内にて完了するから、対象画素回路ＰAの発光素子Ｌの発光は第２発光期間ＰEL2内で終了する。
【００４０】
図３に示すように、第ｎ列の(M-1)個の制御用画素回路ＰBの各々に供給される電位ＶCT[k]は充電期間ＰCHから引続き電位ＶHに維持される。すなわち、各制御用画素回路ＰBの発光素子Ｌには第２発光期間ＰEL2でも逆方向バイアスが印加される。したがって、各制御用画素回路ＰBのスイッチＳW1およびスイッチＳW2が第２発光期間ＰEL2にてオン状態に制御されても、各制御用画素回路ＰBの発光素子Ｌは発光しない。
【００４１】
［５］初期化期間ＰRS（図８）
初期化期間ＰRSは、(M-1)個の制御用画素回路ＰBに供給される電位ＶCT[k]を電位ＶLに初期化する期間である。図３および図８に示すように、初期化期間ＰRSが開始すると（時点ｔB1）、走査線駆動回路２２は、制御信号ＧEL[1]〜ＧEL[M]をローレベルに設定することで第ｎ列のＭ個のスイッチＳW1をオフ状態に制御する。そして、時点ｔB1の経過後の時点ｔB2において、電位制御回路２６は、(M-1)個の制御用画素回路ＰBに供給される電位ＶCT[k]を電位ＶHから電位ＶLに変化（初期化）させる。
【００４２】
以上の動作が水平走査期間Ｈ[1]〜Ｈ[M]の各々にてＮ列の各々について並列に実行される。図３に示すように、水平走査期間Ｈ[m]内の第２発光期間ＰEL2の始点にてハイレベルに設定された走査信号ＧWR[1]〜ＧWR[M]は、直後の水平走査期間Ｈ[m+1]内の第１発光期間ＰEL1の終点までハイレベルに維持される。すなわち、走査信号ＧWR[1]〜ＧWR[M]は、水平走査期間Ｈ[m]内の第２発光期間ＰEL2および初期化期間ＰRSと、水平走査期間Ｈ[m+1]内の書込期間ＰWRおよび第１発光期間ＰEL1とにわたってハイレベルに固定される。
【００４３】
以上の説明のように、第１発光期間ＰEL1においては、Ｍ個の容量Ｃ1に蓄積された電荷が１個の対象画素回路ＰAの発光素子Ｌに供給される。したがって、画素回路Ｐ内の１個の容量の電荷のみが当該画素回路Ｐの発光素子Ｌに供給される特許文献１の技術と比較すると、容量Ｃ1の容量値を低減して画素回路Ｐを小型化した場合でも発光素子Ｌの輝度を充分に確保できる（輝度の確保と画素回路Ｐの小型化とを両立できる）という利点がある。
【００４４】
また、充電期間ＰCHにて(M-1)個の制御用画素回路ＰBの各々の容量Ｃ1および容量Ｃ2に保持された電荷が第２発光期間ＰEL2にて対象画素回路ＰAの発光素子Ｌに供給される。したがって、第２発光期間ＰEL2の動作を実行しない構成と比較して、発光素子Ｌに充分な輝度を確保することが可能である。換言すると、発光素子Ｌの輝度を確保するために必要な容量Ｃ1の容量値が低減されるから、容量Ｃ1の小型化（ひいては画素回路Ｐの小型化）を実現できるという利点もある。すなわち、発光素子Ｌの輝度の確保と画素回路Ｐの小型化とを両立できるという有利な効果は、第２発光期間ＰEL2の動作を実行しない構成と比較して格別に顕著となる。
【００４５】
第１実施形態によれば以下に説明する効果も実現される。以下では、第１実施形態に対する変形の例示とともに第１実施形態による効果を説明する。なお、第１実施形態が各変形例と比較して有利であるとは言っても、本発明の範囲から各変形例を除外する趣旨ではない。また、以下の変形例は第２実施形態以後の各形態にも同様に適用され得る。
【００４６】
（Ａ）第１実施形態においては、図６に示すように、各制御用画素回路ＰBのスイッチＳW1を充電期間ＰCHにてオン状態に制御したが、各制御用画素回路ＰBのスイッチＳW1を充電期間ＰCHにてオフ状態に維持する構成（以下「変形例Ａ」という）も採用される。
【００４７】
ただし、変形例Ａにおいては、充電期間ＰCH内の電位ＶCT[k]の変化で発生した電荷が各制御用画素回路ＰBの容量Ｃ2のみに保持されるから、第２発光期間ＰEL2にて対象画素回路ＰAの発光素子Ｌに供給される電荷量（発光素子Ｌの輝度）が不足する可能性がある。他方、第１実施形態においては、各制御用画素回路ＰBのスイッチＳW1が充電期間ＰCHにてオン状態に制御されるから、電位ＶCT[k]の変化で発生した電荷が各制御用画素回路ＰBの容量Ｃ2および容量Ｃ1の双方に保持される。したがって、第２発光期間ＰEL2における対象画素回路ＰAの発光素子Ｌの輝度（発光素子Ｌに供給される電荷量）を変形例Ａと比較して充分に確保できるという利点がある。
【００４８】
（Ｂ）第１実施形態においては、図３に示すように、充電期間ＰCHの時点ｔA1（始点）で第ｎ列のＭ個のスイッチＳW2をオフ状態に制御し、時点ｔA1の経過後の時点ｔA2にてＭ個のスイッチＳW1をオン状態に制御したが、各スイッチＳW1をオン状態に制御してから各スイッチＳW2をオフ状態に制御する構成（以下「変形例Ｂ」という）も採用され得る。
【００４９】
ただし、変形例Ｂにおいては、スイッチＳW2がオン状態に維持された状況でスイッチＳW1がオン状態に変化するから、各制御用画素回路ＰBにおけるスイッチＳW1の動作に起因したノイズ（例えば、スイッチＳW1のフィードスルーに起因したノイズ）が、各制御用画素回路ＰBのスイッチＳW2と対象画素回路ＰAのスイッチＳW2およびスイッチＳW1とを介して対象画素回路ＰAの発光素子Ｌに供給されて発光素子Ｌが発光する可能性がある。他方、第１実施形態においては、各スイッチＳW2がオフ状態に変化した状況で各スイッチＳW1がオン状態に遷移するから、スイッチＳW1の動作に起因したノイズがオフ状態のスイッチＳW2にて遮断される。したがって、対象画素回路ＰAの発光素子Ｌの誤発光（さらには発光素子Ｌの誤発光に起因したコントラストの低下）が変形例Ｂと比較して抑制されるという利点がある。
【００５０】
（Ｃ）第１実施形態においては、図３に示すように、初期化期間ＰRSの時点ｔB1（始点）で第ｎ列のＭ個のスイッチＳW1をオフ状態に制御し、時点ｔB1の経過後の時点ｔB2にて各制御用画素回路ＰBの電位ＶCT[k]を電位ＶHから電位ＶLに変化させたが、スイッチＳW1の動作と電位ＶCT[k]の変化との順序を逆転させた構成（以下「変形例Ｃ」という）も採用され得る。
【００５１】
ただし、変形例Ｃにおいては、電位ＶCT[k]が電位ＶLに変化した時点（すなわち、制御用画素回路ＰBの発光素子Ｌが発光し得る状態となる時点）にでスイッチＳW1およびスイッチＳW2の双方がオン状態を維持するから、例えば信号線１４に発生したノイズがスイッチＳW2およびスイッチＳW1を介して制御用画素回路ＰBの発光素子Ｌに供給されて発光素子Ｌが誤発光する可能性がある。他方、第１実施形態においては、各スイッチＳW1がオフ状態に遷移してから（すなわち、発光素子Ｌが信号線１４から絶縁されてから）、電位ＶCT[k]が電位ＶLに低下する。すなわち、電位ＶCT[k]が電位ＶLに設定された状態で信号線１４に発生したノイズはオフ状態のスイッチＳW1で遮断される。したがって、各制御用画素回路ＰBの発光素子Ｌの誤発光（さらには発光素子Ｌの誤発光に起因したコントラストの低下）が変形例Ｃと比較して抑制されるという利点がある。
【００５２】
（Ｄ）第１実施形態においては、水平走査期間Ｈ[m]の第２発光期間ＰEL2の始点から直後の水平走査期間Ｈ[m+1]の第１発光期間ＰEL1の終点まで走査信号ＧWR[1]〜ＧWR[M]のレベルを固定したが、走査信号ＧWR[1]〜ＧWR[M]のレベルを適宜に変化させる構成（以下「変形例Ｄ」という）も採用され得る。例えば、初期化期間ＰRSにて走査信号ＧWR[1]〜ＧWR[M]をローレベルに設定することで第ｎ列のＭ個のスイッチＳW2をオフ状態に制御すれば、信号線１４にて発生したノイズがスイッチＳW2で遮断されるから、変形例Ｃのもとで問題となる制御用画素回路ＰBの誤発光が高確度で防止されるという利点がある。他方、第１実施形態においては、走査信号ＧWR[1]〜ＧWR[M]のレベルの変動の回数（走査線１２１に付随する容量の充放電の回数）が変形例Ｄと比較して削減されるから、走査線駆動回路２２の消費電力が低減されるという利点がある。
【００５３】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、以下の各形態において作用や機能が第１実施形態と同等である要素については、以上と同じ符号を付して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
【００５４】
図９は、第２実施形態における発光装置１００の動作のタイミングチャートであり、図１０は、充電期間ＰCHにおける第ｎ列の各画素回路Ｐの様子を示す概念図である。図１０に示すように、各信号線１４には容量（寄生容量）Ｃ3が付随する。
【００５５】
図９に示すように、充電期間ＰCHのうち時点ｔA3（電位ＶCT[k]を電位ＶHに変化させる時点）の経過後の時点ｔA4において、走査線駆動回路２２は、第ｍ行（対象画素回路ＰA）以外の(M-1)行の走査信号ＧWR[k]をハイレベルに設定する。したがって、図１０に示すように、各制御用画素回路ＰBのスイッチＳW2はオン状態に遷移し、各制御用画素回路ＰBにおける発光素子Ｌの電極ＥAが第ｎ列の信号線１４に導通する。以上の状態のもとでは、各制御用画素回路ＰBの容量Ｃ1および容量Ｃ2に加えて信号線１４の容量Ｃ3にも、電位ＶHに応じた電荷が保持（充電）される。
【００５６】
第２発光期間ＰEL2の開始とともに対象画素回路ＰAのスイッチＳW2がオン状態に遷移すると、第ｎ列の(M-1)個の制御用画素回路ＰBの容量Ｃ1および容量Ｃ2と第ｎ列の信号線１４の容量Ｃ3とに保持された電荷が、第ｎ列の対象画素回路ＰAの発光素子Ｌに供給される。
【００５７】
第２実施形態においても第１実施形態と同様の効果が実現される。また、第２実施形態においては、第２発光期間ＰEL2にて対象画素回路ＰAの発光素子Ｌに供給される電荷が、各制御用画素回路ＰBの容量Ｃ1および容量Ｃ2に加えて信号線１４の容量Ｃ3にも保持されるから、第２発光期間ＰEL2における対象画素回路ＰAの発光素子Ｌの輝度（発光素子Ｌに供給される電荷量）を第１実施形態と比較して充分に確保できるという利点がある。
【００５８】
＜Ｃ：第３実施形態＞
以上の各形態においては充電期間ＰCHにおける変化後の電位線１６の電位ＶH（ＶCT[ｋ]）を所定値に固定した。第３実施形態においては、充電期間ＰCHにおける電位ＶHを可変に設定することで、素子部１０の全体的な明度を調整（調光）する。
【００５９】
第３実施形態は、第１実施形態の発光装置１００における電位制御回路２６を図１１の電位制御回路２６Aに置換した構成である。図１１に示すように、電位制御回路２６Aは、信号生成回路４２とＭ個の選択回路４４[1]〜４４[M]とを含んで構成される。信号生成回路４２は、制御信号ＣV[1]〜ＣV[M]を生成して出力する。制御信号ＣV[m]は、第ｍ行の電位線１６に供給される電位ＶCT[m]について電位ＶLおよび電位ＶHの何れかを指定する信号である。第３実施形態における電位ＶCT[m]の波形は第１実施形態の電位ＶCT[m]と同様である。したがって、図３から理解されるように、制御信号ＣV[m]は、充電期間ＰCH内の時点ｔA3から初期化期間ＰRS内の時点ｔB2までの期間にて電位ＶHを指定し、当該期間以外では電位ＶLを指定する。
【００６０】
図１１の選択回路４４[m]は、制御信号ＣV[m]から電位ＶCT[m]を生成して第ｍ行の電位線１６に出力する。相異なる複数（本形態では３種類）の電位ＶH1〜ＶH3が別個の給電線４６を介して選択回路４４[1]〜４４[M]に共通に供給される。選択回路４４[m]は、制御信号ＣV[m]が電位ＶLを指定する期間内では電位ＶLを電位ＶCT[m]として第ｍ行の電位線１６に出力し、制御信号ＣV[m]が電位ＶHを指定する期間内では、複数の電位ＶH1〜ＶH3の何れかを指示値αに応じて選択したうえで電位ＶCT[m]として第ｍ行の電位線１６に出力する。すなわち、電位ＶCT[m]の電位ＶHが指示値αに応じて可変に設定される。指示値αは、例えば操作子（図示略）に対する利用者からの操作に応じて制御回路３０から指定される。
【００６１】
第１実施形態と同様に、充電期間ＰCHにおける電位線１６の電位ＶHに応じて各制御用画素回路ＰBの容量Ｃ1と容量Ｃ2とに保持された電荷が、第２発光期間ＰEL2にて対象画素回路ＰAの発光素子Ｌに供給される。すなわち、第２発光期間ＰEL2における各対象画素回路ＰAの発光素子Ｌの輝度は、電位制御回路２６Aの選択回路４４[m]が複数の電位ＶH1〜ＶH3から選択した電位ＶHに応じて（すなわち、指示値αに応じて）可変に制御される。したがって、第３実施形態においては、第１実施形態と同様の効果が実現されるほか、素子部１０の全体の明度を適宜に調光できるという利点がある。具体的には、選択回路４４の選択した電位ＶHが高いほど素子部１０の全体の明度が上昇する。なお、充電期間ＰCHにて信号線１４の容量Ｃ3に電荷を保持する第２実施形態の構成は第３実施形態にも同様に適用される。
【００６２】
＜Ｄ：第４実施形態＞
以上の各形態においては、第ｍ行（対象画素回路ＰA）以外の(M-1)本の電位線１６の電位ＶCT[k]を充電期間ＰCHにて電位ＶHに変化させた。第４実施形態においては、充電期間ＰCHにて電位ＶHに変化させる電位ＶCT[k]の総数（すなわち、第ｎ列における制御用画素回路ＰBの総数）を可変に制御することで、素子部１０の全体的な明度を調整（調光）する。
【００６３】
第４実施形態は、第１実施形態における電位制御回路２６を図１２の電位制御回路２６Bに置換した構成である。図１２に示すように、電位制御回路２６Bは、転送回路５２とＭ個の論理回路５４[1]〜５４[M]とを含んで構成される。
【００６４】
転送回路５２は、制御回路３０から供給される開始パルスＳPを順次にシフト（遅延）することで転送信号Ｔ[1]〜Ｔ[M]を生成するシフトレジスタである。各転送信号Ｔ[m]は、図１３や図１４に示すように、前段の転送信号Ｔ[m-1]（転送信号Ｔ[1]については開始パルスＳP）を水平走査期間Ｈ[m]の１個分に相当する時間だけ遅延させた信号である。また、転送信号Ｔ[1]〜Ｔ[M]の各々のパルス幅（ローレベルを維持する時間長）ＷTは、開始パルスＳPのパルス幅に応じて設定される。したがって、水平走査期間Ｈ[m]内で同時にローレベルに設定される転送信号Ｔの総数ＭHは、開始パルスＳPのパルス幅に応じて変化する。
【００６５】
例えば、図１３に示すように、パルス幅ＷTが水平走査期間Ｈ[m]の１個分となるように開始パルスＳPを設定した場合、水平走査期間Ｈ[m]では、転送信号Ｔ[1]〜Ｔ[M]のうち転送信号Ｔ[m]のみがローレベルに設定される（ＭH＝１）。他方、図１４に示すように、パルス幅ＷTが水平走査期間Ｈ[m]の３個分となるように開始パルスＳPを設定した場合、水平走査期間Ｈ[m]では、３系統の転送信号Ｔ[m-1]〜Ｔ[m+1]がローレベルに設定される（ＭH＝３）。
【００６６】
図１２のＭ個の論理回路５４[1]〜５４[M]には共通の制御信号ＥNBが制御回路３０から供給される。制御信号ＥNBは、図１３および図１４に示すように、水平走査期間Ｈ[1]〜Ｈ[M]の各々における期間ＰH内にてハイレベルに設定され、期間ＰH以外ではローレベルに設定される。期間ＰHは、電位ＶCT[1]〜ＶCT[M]の何れかが電位ＶHに設定される期間（具体的には、充電期間ＰCH内の時点ｔA3から初期化期間ＰRS内の時点ｔB2までの期間）である。
【００６７】
各論理回路５４[m]は、転送回路５２から出力される転送信号Ｔ[m]と制御回路３０から供給される制御信号ＥNBとの論理積を電位ＶCT[m]として第ｍ行の電位線１６に出力する論理積回路である。すなわち、水平走査期間Ｈにて転送信号Ｔ[m]がハイレベルである場合、電位ＶCT[m]は、期間ＰHにて電位ＶHに設定され、期間ＰH以外では電位ＶLに設定される。他方、転送信号Ｔ[m]がローレベルに設定される水平走査期間Ｈでは、始点から終点まで電位ＶCT[m]は電位ＶLに維持される。
【００６８】
例えば、図１３の破線内に示すように、第ｍ行（対象画素回路ＰA）の転送信号Ｔ[m]のみがローレベルとなる水平走査期間Ｈ[m]の期間ＰHにおいては、第１実施形態（図６）と同様に、電位ＶCT[1]〜ＶCT[M]のうち電位ＶCT[m]を除く(M-1)系統の電位ＶCT[k]が電位ＶHに設定される（ＭH＝Ｍ−１）。したがって、水平走査期間Ｈ[m]内の充電期間ＰCHでは、第ｎ列のうち第ｍ行を除く(M-1)個の制御用画素回路ＰBの容量Ｃ1および容量Ｃ2に電位ＶHに応じた電荷が保持される。
【００６９】
他方、図１４の破線内に示すように、転送信号Ｔ[m-1]〜Ｔ[m+1]がローレベルとなる水平走査期間Ｈ[m]の期間ＰHにおいては、電位ＶCT[1]〜ＶCT[M]のうち電位ＶCT[m-1]〜ＶCT[m+1]を除く(M-3)系統の電位ＶCT[k]が電位ＶHに設定される（ＭH＝Ｍ−３）。すなわち、水平走査期間Ｈ[m]内の充電期間ＰCHでは、第ｎ列のうち第(m-1)行から第(m+1)行までの３行を除く(M-3)個の制御用画素回路ＰBの容量Ｃ1および容量Ｃ2に電位ＶHに応じた電荷が保持される。
【００７０】
また、走査線駆動回路２２は、例えば図１５（ＭH＝Ｍ−３の場合）に示すように、対象画素回路ＰAのスイッチＳW1とＭH個の制御用画素回路ＰB（図１５では第(m+2)行の制御用画素回路ＰB）のスイッチＳW1とを第２発光期間ＰEL2にてオン状態に制御する。したがって、第２発光期間ＰEL2においては、可変の個数ＭHの制御用画素回路ＰBから対象画素回路ＰAに電荷が供給される。
【００７１】
例えば、図１３の場合、水平走査期間Ｈ[m]の第２発光期間ＰEL2では、第１実施形態と同様に、(M-1)個（ＭH個）の制御用画素回路ＰBの容量Ｃ1および容量Ｃ2から対象画素回路ＰAに電荷が供給されて発光素子Ｌが発光する。他方、図１４の場合、水平走査期間Ｈ[m]の充電期間ＰCHでは、第ｎ列のうち第(m-1)行から第(m+1)行までの３行を除く(M-3)個の制御用画素回路ＰBの容量Ｃ1および容量Ｃ2から対象画素回路ＰAに電荷が供給されて発光素子Ｌが発光する。
【００７２】
第２発光期間ＰEL2における対象画素回路ＰAの発光素子Ｌの輝度は、電荷の供給元となる制御用画素回路ＰBの個数ＭH（電荷量）に応じて変化する。例えば、第２発光期間ＰEL2における対象画素回路ＰAの発光素子Ｌの輝度は、図１３の場合のほうが図１４の場合と比較して高い。したがって、第４実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が実現されるほか、制御用画素回路ＰBの個数ＭHに応じて素子部１０の全体の明度を調光できるという利点がある。
【００７３】
また、制御用画素回路ＰBの個数ＭHが開始パルスＳPのパルス幅に応じて調整されるから、電位制御回路２６の構成が簡素化されるという利点もある。例えば、第３実施形態では、調光の段階数に応じた本数の給電線４６（段階数に応じた種類数の電位ＶH）が必要となる。他方、第４実施形態では、開始パルスＳPのパルス幅に応じて調光の度合が変化するから、電位制御回路２６の構成を複雑化する（例えば第３実施形態のように配線数を増加させる）ことなく調光の段階数を増加させることが可能である。
【００７４】
なお、第３実施形態と第４実施形態とを併合した構成も採用され得る。具体的には、図１２の論理回路５４[1]〜５４[M]の後段に第３実施形態の選択回路４４[1]〜４４[M]を配置し、論理回路５４[m]の出力信号に応じて選択回路４４[m]が複数の電位ＶH1〜ＶH3から電位ＶCT[m]の電位ＶHを選択する。以上の構成によれば、調光の段階数を更に増加させることが可能となる。
【００７５】
＜Ｅ：第５実施形態＞
第５実施形態は、第１実施形態の画素回路Ｐを図１６の画素回路Ｑに置換した構成である。図１６に示すように、画素回路Ｑは、容量Ｃ2が付随する発光素子Ｌと、発光素子Ｌの電極ＥAと信号線１４との間に配置されたスイッチＳW1とを含んで構成される。スイッチＳW1のゲートは制御線１２２に接続される。すなわち、画素回路Ｑは、第１実施形態の画素回路ＰからスイッチＳW2（走査線１２１）と容量Ｃ1とを省略した構成である。水平走査期間Ｈ[m]内における第ｎ列の各画素回路Ｑに着目して第５実施形態の動作を以下に説明する。
【００７６】
［１］書込期間ＰWR（図１８）  
図１７および図１８に示すように、走査線駆動回路２２は、書込期間ＰWRにおいて、制御信号ＧEL[1]〜ＧEL[M]をローレベルに設定することで第ｎ列のＭ個のスイッチＳW1をオフ状態に制御する。他方、制御信号ＧXがハイレベルに設定されることで第ｎ列の信号線１４に階調電位Ｘ[n]が供給される。したがって、図１８に示すように、階調電位Ｘ[n]に応じた電荷が第ｎ列の信号線１４の容量Ｃ3に保持（充電）される。
【００７７】
［２］第１発光期間ＰEL1（図１９）  
第１発光期間ＰEL1において、走査線駆動回路２２は、図１７に示すように、制御信号ＧEL［m］をハイレベルに設定することで対象画素回路ＱAのスイッチＳW1をオン状態に制御する。したがって、図１９に示すように、書込期間ＰWRにて信号線１４の容量Ｃ3に保持された電荷が、対象画素回路ＱAのスイッチＳW1を介して発光素子Ｌに供給される。したがって、対象画素回路ＱAの発光素子Ｌは階調電位Ｘ[n]に応じた輝度で発光する。第１発光期間ＰEL1の終点（充電期間ＰCHの始点）において、制御信号ＧEL[m]がローレベルに設定されることで対象画素回路ＱAのスイッチＳW1はオフ状態に遷移する。
【００７８】
［３］充電期間ＰCH（図２０）  
図１７および図２０に示すように、充電期間ＰCHの開始後の時点ｔA2において、走査線駆動回路２２は、第ｍ行（対象画素回路ＱA）以外の(M-1)行の制御信号ＧEL[m]をハイレベルに設定することで各制御用画素回路ＱBのスイッチＳW1をオン状態に制御する。そして、時点ｔA2の経過後の時点ｔA3において、電位制御回路２６は、(M-1)個の制御用画素回路ＱBの各々に供給される電位ＶCT[k]を電位ＶLから電位ＶHに変化させる。したがって、図２０から理解されるように、電位ＶHに応じた電荷が、(M-1)個の制御用画素回路ＱBの各々における容量Ｃ2と第ｎ列の信号線１４の容量Ｃ3とに保持される。
【００７９】
［４］第２発光期間ＰEL2（図２１）  
第２発光期間ＰEL2において、走査線駆動回路２２は、図１７に示すように、制御信号ＧEL[1]〜ＧEL[M]をハイレベルに設定することで第ｎ列のＭ個のスイッチＳW1をオン状態に制御する。したがって、図２１に示すように、充電期間ＰCHにて(M-1)個の容量Ｃ2と信号線１４の容量Ｃ3とに保持された電荷が第ｍ行の対象画素回路ＱAの発光素子Ｌに供給される。したがって、対象画素回路ＱAの発光素子Ｌは、電位ＶHに応じた輝度で発光する。
【００８０】
［５］初期化期間ＰRS（図２２）  
図１７および図２２に示すように、初期化期間ＰRSが開始する時点ｔB1において、走査線駆動回路２２は、制御信号ＧEL[1]〜ＧEL[M]をローレベルに設定することで第ｎ列のＭ個のスイッチＳW1をオフ状態に制御する。そして、時点ｔB1の経過後の時点ｔB2において、電位制御回路２６は、(M-1)個の制御用画素回路ＱBに供給される電位ＶCT[k]を電位ＶHから電位ＶLに初期化する。
【００８１】
以上の説明から理解されるように、第５実施形態においても第１実施形態と同様の効果が実現される。また、第５実施形態の画素回路Ｑにおいては、第１実施形態における容量Ｃ1やスイッチＳW2が不要であるから、素子部１０の構成が簡素化されるという利点もある。したがって、画素回路Ｑの高精細化が必要となる場合に第５実施形態は格別に好適である。なお、電位ＶCT[m]の電位ＶHを可変に設定する第３実施形態の構成や、制御用画素回路ＱBの総数ＭHを可変に制御する第４実施形態の構成は、第５実施形態にも同様に適用される。
【００８２】
＜Ｆ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形が加えられる。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は併合され得る。
【００８３】
（１）変形例１  
以上の形態においては、画素回路（Ｐ，Ｑ）の発光素子Ｌの電極ＥCの電位ＶCT[k]を充電期間ＰCHにて変化させたが、図２３に示すように、発光素子Ｌの電極ＥAの電位ＶCT[k]を変化させる構成の画素回路Ｒも採用される。具体的には、充電期間ＰCHにおいては、各制御画素回路Ｐの発光素子Ｌの電極ＥAの電位ＶCT[k]を電位ＶHから電位ＶLに低下させることで容量Ｃ1や容量Ｃ2に電荷を保持する。以上の例示から理解されるように、発光素子Ｌに逆方向バイアスが印加されるように充電期間ＰCHにて電位線１６の電位ＶCT[k]を変化させる構成が本発明では好適であり、電位ＶCT[k]を変化させる方向は画素回路の構成に応じて適宜に選定される。
【００８４】
（２）変形例２  
第１実施形態から第４実施形態においては、階調電位Ｘ[n]に応じた電荷を第ｎ列のＭ個の画素回路Ｐ（対象画素回路ＰAおよび制御用画素回路ＰB）の各々の容量Ｃ1に書込期間ＰWRにて保持したが、書込期間ＰWRにおける電荷の保持に利用される画素回路Ｐの総数や組合せを可変に設定する構成も採用される。以上の構成によれば、第１発光期間ＰEL1にて対象画素回路ＰAに供給される電荷量（発光素子Ｌの輝度）を調整することが可能である。
【００８５】
（３）変形例３  
以上の各形態においては、発光素子Ｌに付随する容量（寄生容量）を容量Ｃ2として利用したが、発光素子Ｌとは別個に容量Ｃ2を形成した構成も採用される。すなわち、容量Ｃ2は、発光素子Ｌの電極ＥAと電位線１６との間に位置する容量として包括され、発光素子Ｌに付随する容量であるか積極的に形成した容量であるかは不問である。
【００８６】
（４）変形例４  
有機ＥＬ素子は発光素子Ｌの例示に過ぎない。例えば、無機ＥＬ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子などの発光素子Ｌを配列した発光装置１００にも以上の各態様と同様に本発明が適用される。本発明における発光素子は、電流の供給で駆動される（典型的には輝度が制御される）電流駆動型の被駆動素子である。
【００８７】
＜Ｇ：応用例＞
次に、以上の各態様に係る発光装置１００を利用した電子機器について説明する。図２４ないし図２６には、発光装置１００を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。
【００８８】
図２４は、発光装置１００を採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、各種の画像を表示する発光装置１００と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具備する。
【００８９】
図２５は、発光装置１００を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２と、各種の画像を表示する発光装置１００とを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置１００に表示される画面がスクロールされる。
【００９０】
図２６は、発光装置１００を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す斜視図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２と、各種の画像を表示する発光装置１００とを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が発光装置１００に表示される。
【００９１】
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図２４から図２６に例示した機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、電子写真方式の画像形成装置において露光により感光体ドラムに潜像を形成する露光装置としても本発明の発光装置は利用される。
【符号の説明】
【００９２】
１００……発光装置、１０……素子部、Ｐ，Ｑ，Ｒ……画素回路、ＰA，ＱA……対象画素回路、ＰB，ＱB……制御用画素回路、Ｌ……発光素子、Ｃ1，Ｃ2，Ｃ3……容量、ＥA，ＥC……電極、Ｅ1，Ｅ2……容量電極、ＳW1，ＳW2……スイッチ、１２１……走査線、１２２……制御線、１４……信号線、１６……電位線、２０……駆動回路、２２……走査線駆動回路、２４……信号線駆動回路、ＳX[1]〜ＳX[N]……スイッチ、２６、２６A，２６B……電位制御回路、４２……信号生成回路、４４[1]〜４４[M]……選択回路、５２……転送回路、５４[1]〜５４[M]……論理回路、３０……制御回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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