(57)【要約】【課題】放熱性を維持しつつ、温度変化による位置ずれを低減する光学素子およびそれを用いたレーザ光源モジュール、画像表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】レーザ光の波長を非線形光学結晶により変換するＳＨＧ素子４８と、ＳＨＧ素子４８を固定する金属製のホルダ５０と、ＳＨＧ素子素子の光入出力面とは異なる面との間に形成された隙間に充填された金属の充填剤５２とを備え、ＳＨＧ素子４８の膨張率をＸ、ＳＨＧ素子４８の使用温度範囲をＴとすると、充填剤５２の膨張率Ｚは以下の式で表されることを特徴とする光学素子。    Ｚ＜（０．００２／Ｔ）−Ｘ【選択図】図３
2011232585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光の波長を非線形光学結晶により変換する光波長変換素子と、
前記光波長変換素子を固定する金属製のホルダと、
前記光波長変換素子の光入出力面とは異なる面との間に形成された隙間に充填された金属とを備え、
前記光波長変換素子の膨張率をＸ、前記光波長変換素子の使用温度範囲をＴとすると、前記金属の膨張率Ｚは以下の式で表されることを特徴とする光学素子。
Ｚ＜（０．００２／Ｔ）−Ｘ
【請求項２】
前記非線形光学結晶はＬｉＮｂＯ3結晶またはＬｉＴａＯ3結晶であることを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
【請求項３】
前記ホルダは、銅または銅を主成分とする合金、または銀又は銀を主成分とする合金により形成されていることを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の光学素子。
【請求項４】
請求項１〜３に記載の光学素子を用いたことを特徴とするレーザ光源モジュール。
【請求項５】
請求項４記載のレーザ光源モジュールを用いたことを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子およびそれを用いたレーザ光源モジュール、画像表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、大画面表示が可能な画像表示装置の光源装置として、レーザ光を供給するレーザ光源を用いる技術が提案されている。画像表示装置の光源装置として従来用いられている超高圧水銀ランプ（ＵＨＰランプ）と比較すると、レーザ光源を用いる光源装置は、高い色再現性、瞬時点灯が可能、長寿命である等の利点がある。
【０００３】
そこで、赤、青、緑の３色のレーザ光を出射するレーザ光源と、出射された照射光を重畳して輝度ムラを平均化する均一化光学素子と、ライトバルブと、赤、青、緑の光を合波するダイクロイックプリズムと、スクリーンに拡大投射する投射レンズを有したプロジェクタが開発されている。
【０００４】
しかし、半導体レーザ素子においては、電流から光への変換効率は赤が２０％以上、青が１０％以上であるのに比べ緑は数％と低い。このため、緑のレーザには近赤外半導体レーザを励起用レーザ光にして、非線形光学結晶の光学変調素子（ＳＨＧ素子）を用い、第２次高調波を発生させ、変換効率１０％以上が得られる緑を光源として用いている。この時、２次の非線形光学効果を得るには、基本波と波長変換された波の位相整合が取れていることが必要条件であるが、変換動作に伴う温度上昇により、位相整合がずれると変換効率が著しく低下する。
【０００５】
従って、非線形光学結晶の温度上昇を抑えるため、放熱効果を高める手段として、従来の光学変調素子として、光学変調素子を金属製のホルダに固定する際、Ｉｎを充填材として利用し、放熱性を高めたものがあった（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１２５２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来の技術では、光学変調素子が絶縁を必要とする場合、Ｉｎ金属は導電性であるので利用できないと言う課題があった。
【０００８】
また、非線形効果を用い光学変調素子により第２次高調波を発生させると、光学変調素子の温度が上昇する。この時、光学変調素子とＩｎとの熱膨張率の違いにより、光学変調素子の熱による膨張を上回る変形を発生させるので、温度が上昇した場合、設計した光学変調素子の使用温度範囲内において、位相整合のズレや光路の位置ズレが発生し、出力の安定性が得られないと言う課題もあった。
【０００９】
そこで、本発明は上記の問題に鑑み、放熱性を維持しつつ、温度変化による位置ずれを低減する光学素子およびそれを用いたレーザ光源モジュール、画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明は、レーザ光の波長を非線形光学結晶により変換する光波長変換素子と、光波長変換素子を固定する金属製のホルダと、光波長変換素子の光入出力面とは異なる面との間に形成された隙間に充填された金属とを備え、光波長変換素子の膨張率をＸ、光波長変換素子の光入力面と出力面との距離をＹ、光波長変換素子の使用温度範囲をＴとすると、金属の膨張率Ｚは所定の式で表されることを特徴とする光波長変換素子である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、光学変調素子内部で波長変換動作に伴い発生する熱の放熱性を維持でき、温度変化による位置ずれを低減できるので、広い動作温度の範囲で、安定した変換効率を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施の形態における小型プロジェクタの全体概略構成図
【図２】本発明の一実施の形態における画像表示装置に備えられた緑色レーザ光源の概略構成図
【図３】本発明の一実施の形態における光学変調素子のホルダへの固定状態を示す断面図
【図４】本発明の一実施の形態におけるホルダ温度と光の変換効率を示す温度特性図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の光学素子は、レーザ光の波長を非線形光学結晶により変換する光波長変換素子と、光波長変換素子を固定する金属製のホルダと、光波長変換素子の光入出力面とは異なる面との間に形成された隙間に充填された金属とを備え、光波長変換素子の膨張率をＸ、光波長変換素子の使用温度範囲をＴとすると、金属の膨張率Ｚは以下の式で表されることを特徴とする。
【００１４】
Ｚ＜（０．００２／Ｔ）−Ｘ
これにより、光学変調素子内部で波長変換動作に伴い発生する熱の放熱性を維持でき、温度変化による位置ずれを低減できるので、広い動作温度の範囲で、安定した変換効率を得ることができる。
【００１５】
また、非線形光学結晶はＬｉＮｂＯ3結晶またはＬｉＴａＯ3結晶であることにより、自発分極を周期的に反転させる分極反転構造を、高精度で容易に作成でき、擬似位相整合性を精度よく実現できるので、高い変換効率を実現することができる。
【００１６】
また、ホルダは、銅または銅を主成分とする合金、または銀または銀を主成分とする合金により形成されていることにより、熱の伝導性を高くすることができるので、効率よく素子外部に放熱することができる。
【００１７】
また、上記光学素子をレーザ光源モジュールに用いることにより、光学素子に必要な温度調整機構を設ける必要がなく、光源モジュールを小型化することができる。
【００１８】
さらに、上記レーザ光源モジュールを画像表示装置に用いたことにより、冷却機構等を簡略化することができ、画像表示装置を小型化することができる。
【００１９】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
図１は、小型プロジェクタ１００の構成図である。
【００２１】
図１において、小型プロジェクタ１００は、赤、青、緑の３原色のレーザ光を出射するレーザ光源１〜３と、反射型の空間光変調素子１７と、前記レーザ光源１〜３から出射された赤、青、緑のレーザ光を前記空間光変調素子１７に照射する光学系とを有している。
【００２２】
画像表示装置１００には、赤、青、緑のレーザ光を拡散する拡散板１４と、前記拡散板１４を揺動させる不図示の拡散板揺動手段も有している。
【００２３】
画像表示装置１００には、赤、青、緑のレーザ光源より出射されたレーザ光を平行光束にするコリメータレンズ７〜９を有しており、その平行光束されたレーザ光を前記空間光変調素子１７に照射するための、ダイクロイックミラー１０、１１、ＰＢＳ１６を有している。
【００２４】
また、前記レーザ光を収束ビームに変換するフィールドレンズ１５も有している。
【００２５】
前記画像表示装置１００には、前記空間光変調素子１７を反射したレーザ光を、スクリーン３０に照射するための投射レンズ１８を有している。前記画像表示装置１００には、異常時に作動する安全装置であるサーモスタット２０を有している。
【００２６】
ここで、前記レーザ光源１は、緑色レーザ光を出射する緑色レーザ光源である。緑の光源としては、現在１ワットを超える半導体レーザそのものの実現の目処はないため、赤外半導体レーザ励起ネオジウムドープＹＶＯ4固体レーザの出力光（波長１０６４ｎｍ）の２次高調波（波長５３２ｎｍ）を利用した光源を用いている。赤外半導体レーザ励起ネオジウムドープＹＶＯ4固体レーザを励起するために、赤外半導体レーザ（波長８０８ｎｍ）を用いている。緑色レーザ光源の動作説明については後述する。
【００２７】
前記レーザ光源２は、赤色レーザ光を出射する赤色レーザ光源である。赤色レーザ光源として、６４０ｎｍを出力する赤色半導体レーザを使用している。なお、本実施の形態においては６４０ｎｍの波長を出射するものを用いたが、赤色と認識できるものであれば、ピーク波長が６１０〜７５０ｎｍの範囲で異なる波長領域のものを用いても良い。
【００２８】
前記レーザ光源３は、青色レーザ光を出射する青色レーザ光源である。青色レーザ光源として、４５０ｎｍを出力する青色半導体レーザを使用している。なお、本実施の形態においては４５０ｎｍの波長を出射するものを用いたが、青色と認識できるものであれば、ピーク波長が４３５〜４８０ｎｍの範囲で異なる波長領域のものを用いても良い。
【００２９】
次に画像表示装置１００の動作について説明する。
【００３０】
本実施の形態において、赤、青、緑のレーザ光は、時分割制御を行っており、赤、青、緑のレーザ光が順次、空間光変調素子１７を照射している。
【００３１】
赤色レーザ光に対応する光学系として、赤色レーザ光源から出射された光は、ダイクロイックミラー１１を透過し、拡散板揺動手段により揺動する拡散板１４で赤色レーザ光を拡散され、フィールドレンズ１５で照度分布を均一化され、ＰＢＳ１６を介して、空間光変調素子１７へ照射される。空間光変調素子１７で反射された光は投射レンズ１８を通して、スクリーン３０へ拡大投射される。なお、ダイクロイックミラー１１には、赤色レーザ光が透過するように赤色透過膜が塗布されている。
【００３２】
青色レーザ光に対応する光学系として、青色レーザ光源から出射された光は、ダイクロイックミラー１０を透過し、ダイクロイックミラー１１で９０度曲げられた後、拡散板揺動手段により揺動する拡散板１４で青色レーザ光を拡散され、フィールドレンズ１５で照度分布を均一化され、ＰＢＳ１６を介して、空間光変調素子１７へ照射される。空間光変調素子１７で反射された光は投射レンズ１８を通して、スクリーン３０へ拡大投射される。なお、ダイクロイックミラー１０には、青色レーザ光が透過するように青色透過膜が塗布されている。なお、ダイクロイックミラー１１には、青色レーザ光が反射するように青色反射膜が塗布されている。
【００３３】
緑色レーザ光に対応する光学系として、緑色レーザ光源から出射された光は、ダイクロイックミラー１０で９０度曲げられ、さらにダイクロイックミラー１１で９０度曲げられた後、拡散板揺動手段により揺動する拡散板１４で緑色レーザ光を拡散され、フィールドレンズ１５で照度分布を均一化され、ＰＢＳ１６を介して、空間光変調素子１７へ照射される。空間光変調素子１７で反射された光は投射レンズ１８を通して、スクリーン３０へ拡大投射される。なお、ダイクロイックミラー１０には、緑色レーザ光が反射するように緑色反射膜が塗布されている。なお、ダイクロイックミラー１１には、緑色レーザ光が反射するように緑色反射膜が塗布されている。
【００３４】
ここで、緑色レーザ光源について説明する。
【００３５】
図２は、基本波である赤外光を波長変換して緑色レーザ光を発生させる分極反転部を含む波長変換機構を含んだ赤外半導体レーザ励起の内部共振器型の緑色レーザ光源の概略構成図を示す。
【００３６】
図２において、赤外半導体レーザ４１から出射された赤外光は、コリメートレンズ４２により平行ビームに変換され、フォーカシングレンズ４３によりレーザ媒体４５に集光される。レーザ媒体４５は、ＹＶＯ4からなる厚み２ｍｍの無機光学活性物質（結晶）にＮｄを１％ドープしたものである。具体的には、レーザ媒体４５は、母材であるＹＶＯ4のイットリウム（Ｙ）を、蛍光を発する元素であるＮｄ3+に置換してドーピングしたものである。レーザ媒体４５の入射端面には、赤外半導体レーザ４１の波長（８０８ｎｍ）に対し無反射（ＡＲ）コートを施すとともに、発振波長（１０６４ｎｍ）および高調波の波長（５３２ｎｍ）  に対し高反射（ＨＲ）コートを施している。また、光波長変換素子（以下、ＳＨＧ素子とも言う）４８の出射端面には、波長１０６４ｎｍに対しＨＲコート、および波長５３２ｎｍに対しＡＲコートを施している。レーザ媒体４５の端面とＳＨＧ素子４８の端面で基本波１０６４ｎｍの共振器を構成している。共振器長は３ｍｍである。これにより、共振器内部に挿入された非線形光学材料ＳＨＧ素子４８からなる波長変換装置で波長変換された緑色レーザ光（５３２ｎｍ）が得られる。
【００３７】
レーザ媒体４５の端面とＳＨＧ素子４８の端面に基本波１０６４ｎｍのＨＲコートを施して、１０６４ｎｍの共振器を構成し、高い光強度の１０６４ｎｍのレーザ光を得ることが可能となっているが、上記コート面にゴミが付着すると、高い反射率を維持できなくなり、１０６４ｎｍの光強度も低下してしまう。結果として、高い光強度の緑レーザ光へと変換することもできなくなる。そのため、緑色レーザ光源１は、その内部にゴミの侵入などを無くすため、カバー４０で覆っている。なお、緑色レーザ光が出射される開口部は、透明なガラスカバー４９で覆っている。
【００３８】
赤外半導体レーザ４１は、ＬＥＤやランプなどの光源と比較して温度特性が悪く、赤外半導体レーザ４１が高温になると赤外光の発光効率が低下してしまう。そこで、赤外半導体レーザ４１をカバー４０に接触配置させ、赤外半導体レーザ４１から発生する熱を、カバー４０を介して、緑色レーザ光源１の外部へ放熱させている。そのため、カバー４０は熱伝導率の高いアルミで形成している。なお、カバー４０は、銅で形成してもよく、熱伝導率の高い金属と樹脂を組み合わせて形成するなど、適宜設計することができる。
【００３９】
なお、レーザ媒体４５から出力される基本波光は、ＳＨＧ素子４８で高調波光へと変換されるが、波長変換に伴い、入射光の一部は変換ロスによりＳＨＧ素子内部で熱となる。この時、発生する熱は入射されるレーザ光のパワーに比例して大きくなる。この発生した熱により、固体材料であるＳＨＧ素子は熱膨張するので、ＳＨＧ素子のサイズが大きくなる。これにより、周期分極反転結晶を用いたＳＨＧ素子では、高調波変換のために必要な擬似位相整合性がくずれ、変換効率が著しく低下してしまう。しかし、特許文献１のように、光学変調素子保持のホルダに放熱性の高い金属性の材料を用いると、放熱性は向上するが、焦電作用を有する材料では、結晶の分極反転部の軸が乱れるので、ホルダとの絶縁性を保つため絶縁性の樹脂材料等を充填すると、放熱性が低下するので、樹脂材料を用いることは避けた方が良い。また、光学材料と膨張率の大きく異なる材料をホルダとの充填剤に使用すると、充填材料の膨張に伴い、結果として光学変調素子を変形させるので避けるべきである。
【００４０】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００４１】
図３は、本発明の実施の形態における光学変調素子のホルダへの固定状態を示す断面図である。ホルダ５０により保持された光学変調素子４８を、ホルダを介して固定ベース４６上に固定し、カバー４０を構成するベース上に、赤外半導体レーザより出射され集光した光軸上に、レーザ媒体４５と共振器を形成するように調整配置し固定を行っている。光学変調素子を固定・保持している、カバー４０、固定ベース４６、及びホルダ５０は、光学変調素子で発生した熱の外部への移動を容易にするため、熱伝導性の高い材料として、銅、銀やアルミニウム及びこれらの合金が使用されるが、本発明の実施の形態では、Ａｌに比べ熱伝導性が２倍近く高い、銅や銀を用いる事が望ましく、さらに、加工性が高くコストの安価な銅を用いた。また、固定は熱の導電性を低下させないため、樹脂製の接着剤は避けた方が望ましいので、螺子止めで行った。
【００４２】
また、非線形光学材料ＳＨＧ素子４８には変換効率が高い、ニオブ酸リチウム（Ｍｇ：ＬｉＮｂＯ3）に酸化マグネシウムをドープした材料を用い、周期的分極反転構造を形成後に、光軸と分極軸方向が概ね垂直方向になるように研磨・加工成形し、ホルダに固定する。この時、光学変調素子は加圧応力により破壊しやすいので、ホルダを２つ以上に分割して作成し、接着剤で固定した。
【００４３】
しかしながら、ＳＨＧ素子に用いた、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムは熱により電位を発生する焦電材料であるため、ホルダ５０と絶縁されていることが必要で有る。そこで本実施の形態では、熱伝導性を損なうことなく、ＳＨＧ素子４８とホルダ５０との絶縁性を確保するために、無機金属酸化物の絶縁層を、光学特性を低下させないように、ＳＨＧ素子の光入出面以外に形成する。絶縁層の無機材料には、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3などの金属酸化物を、エアロゾルデポジション法（ＡＤ法）やスパッター法、ＣＶＤ法などで形成することができるが、本実施の形態ではＺｎＯをＡＤ法で形成した。前記のＳＨＧ素子のホルダ接合面に、シート状にした加工した低融点の金属材料を、ホルダとの隙間容積に相当する体積相当巻きつけ、金属の融点以上に加熱し隙間に充填後、ホルダを固定して冷却する。使用する金属の融点温度は低い方が望ましいが、ＳＨＧ素子が使用時に達する使用温度範囲の上限温度である６５℃以上であることが必要であり、固定強度の観点からは金属の降伏強度が低下しない、２倍の融点温度１３０℃以上であるＳｎ−Ｂｉ半田材料を用いた。この他に、融点が１３８℃であるＵアロイ１３８を用いても良い。
【００４４】
図４は、本発明の実施の形態におけるホルダ温度と光の変換効率を示す温度特性図である。図４の横軸はホルダ５０の表面温度、縦軸は入射した赤外半導体レーザ４１の波長（８０８ｎｍ）の光パワーに対する、非線形光学材料ＳＨＧ素子４８からなる波長変換装置で波長変換された緑色レーザ光（５３２ｎｍ）の光パワーの比を算出した変換効率である。使用温度範囲６３は、小型プロジェクタの動作範囲温度より２５℃から６５℃であり、この時、変換効率は高い方が望ましいが、出射光の必要光量から０．２０以上が必要である。６１に充填剤５２に樹脂材料を用いた場合の温度特性、充填剤に金属材料を用いた場合の温度特性を６２に示す。樹脂材料を充填材料にした場合の変換特性６１では、金属材料を充填材料に用いた６２に比べ、低温と高温の両域で目標特性を達成できていない。
【００４５】
これは、熱導電性のみの要因によるのではなく、低温域で効率が低いのは、樹脂材料が硬化する際に収縮してＳＨＧ素子に圧縮の応力がかかり、素子が圧縮され、高温域でも、線膨張係数の大きな樹脂材料の膨張によりホルダ内で素子は圧縮され、擬似位相整合性が低下するためで、特に高温域での特性低下が著しい。一方、本発明の実施の形態による金属材料を用いると、温度特性は６２に示すように、高温と低温の両方において、素子の変換効率の低下が抑えられ使用温度範囲が広がっている。ここで、（表１）に各種材料の熱膨張係について示し、（表１）を用いて以下に述べる。ニオブ酸リチウムは三方晶系イルメナイト構造で、結晶はａとＣの２つの格子定数を持ち、熱伝伝導率も異なる。本実施の形態ではＣ格子軸方向を用いて説明を行うので、熱膨張係数には特にＣ：の表記を行った。
【００４６】
【表１】
2011232585.tif 000003
【００４７】
光変調素子であるＳＨＧ素子は、光学固体材料あるためで熱により膨張あるいは収縮する。つまり、素子の温度が高くなるとＳＨＧ素子のサイズが大きくなり、冷たくなると収縮する。
【００４８】
このため通常は使用する温度範囲を考慮してＳＨＧ素子の構造を設計するが、この時合わせて、光学素子を構成する材料の特性を考慮する必要がある。ＳＨＧ素子はホルダにより光学素子に固定されているが、ホルダや固定材料もＳＨＧ素子と同様に熱により膨張あるいは収縮する。この時、固定されたＳＨＧ素子はこれら材料のサイズ変化の影響を受ける。このため、熱によりＳＨＧ素子のサイズ変化より大きな変化をする材料を用いた場合、材料のサイズ変化でＳＨＧ素子の変化する量が大きくなってしまう。
【００４９】
これにより、周期分極反転結晶を用いたＳＨＧ素子では、高調波変換のために必要な擬似位相整合性がくずれ、変換効率が著しく低下してしまう。このため、素子を使用する温度範囲で一定のサイズ変化に抑える必要がある。一般にＳＨＧ素子の膨張係数をＸ（本願では［ｍｍ／Ｋ］）、ＳＨＧ素子の使用温度の上限をＴａ、下限をＴｂとした場合、使用温度範囲をＴ＝Ｔｂ−Ｔａ（本願では［Ｋ］）とすると、ＳＨＧ素子の変換効率の変動を最大値の１０％以下に抑えるためには、ＳＨＧ素子のレーザの入射面と出射面との距離Ｙ（本願では、［ｍｍ］）の変化を０．１％以下にする必要があるので、Ｙ×０．００１＞Ｙ×Ｘ×Ｔより０．００１＞Ｘ×Ｔの関係が成り立つ。
【００５０】
また、同様にＳＨＧ素子を固定する材料の熱膨張係数をＺ（本願では［ｍｍ／Ｋ］）とした場合、ＳＨＧ素子の熱を外部に逃がすために固定材料とＳＨＧ素子のサイズは等しい場合が最も効率よく望ましいので、０．００１＞Ｚ×Ｔの関係が成り立つ。
【００５１】
従って、光学素子としてＳＨＧ素子を固定材料により固定した場合、両者の熱による影響を考慮する必要があり、両者が同時に膨張したサイズの変化量はＸ×Ｔ×ＹとＺ×Ｔ×Ｙの和の半値がＳＨＧ素子サイズの許容変化量である０．００１×Ｙより小さくなる必要から（Ｘ＋Ｚ）×Ｔ／２＜０．００１となり、固定材料の熱膨張係数Ｚは、Ｚ＜（０．００２／Ｔ）−Ｘであることが分かった。
【００５２】
これを本実施の形態であるＳＨＧ素子にＬｉＮｂＯ3を用い、使用温度範囲Ｔ＝４０とした場合、使用する材料の熱膨張係数Ｚは、＜５０Ｋ-1×１０-6−２２Ｋ-1×１０-1＝２７Ｋ-1×１０-6となる。従って、本発明の実施の形態で用いたＳｎ−Ｂｉ半田材料の他に低融点のＵアロイ１３８は望ましいが、従来例のＩｎは使用を避けるべきである。
【００５３】
ＳＨＧ素子のサイズを１×１×１ｍｍとした本発明の実施の形態では、光変換効率の変動を設計値である０．２５０±０．０２５にする場合、ＳＨＧ素子のサイズ変化は０．１μｍ以下であることが望ましく、使用温度範囲が４０℃であることから、使用する材料の熱膨張係数は２７Ｋ-1×１０-6以下となる。同様に、本発明の実施の形態で用いた光学変調素子４８の材料ニオブ酸リチウムの熱膨張係数は２２．０Ｋ-1×１０-6であることに比べ、一般的なエポキシ樹脂接着剤の熱膨張係数が２．０Ｋ-1×１０-2で、大きな違いが有るために、樹脂材料を用いた６１の場合と顕著な差が発生している。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明の光学変調素子およびそれを用いたレーザ光源モジュール、画像表示装置は、少なくとも１つの非可視光を出力する基本波光源と、前記基本波光源からの非可視光を波長変換して可視光を発生させる分極反転部を含む波長変換機構を有したレーザ光源およびこれを用いた画像表示装置に有用であり、プロジェクタなどに利用することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１    緑色レーザ光源
２    赤色レーザ光源（赤色半導体レーザ）
３    青色レーザ光源（青色半導体レーザ）
７    緑色コリメータレンズ
８    赤色コリメータレンズ
９    青色コリメータレンズ
１０、１１    ダイクロイックミラー
１４    拡散板
１５    フィールドレンズ
１６    ＰＢＳ
１７    空間光変調素子
１８    投射レンズ
２０    サーモスタット
３０    スクリーン
４１    赤外半導体レーザ
４２    コリメートレンズ
４３    フォーカシングレンズ
４５    レーザ媒体
４６    固定ベース
４８    ＳＨＧ素子
４９    ガラスカバー
５０    ホルダ
【図１】
2011232585.tif 000004
【図２】
2011232585.tif 000005
【図３】
2011232585.tif 000006
【図４】
2011232585.tif 000007