(57)【要約】【課題】携帯通信端末等に搭載されているＤＣ−ＤＣコンバータは、その構成要素であるスイッチングＩＣとインダクタとから電磁波を放出してしまうため、放出された電磁波が通信回路に伝播してしまわないように、電磁波の放出を抑制するためのシールドで覆われている。携帯通信端末等に搭載するＤＣ−ＤＣコンバータは数μＨ程度のインダクタが必要なため、シールドを小さくしようとしても、インダクタの大きさに律速されてシールドを小さくすることが難しい。【解決手段】インダクタを、直列に接続する、数十ｎＨ程度のインダクタと、数μＨ程度のインダクタとで構成し、シールドが、数十ｎＨ程度のインダクタとスイッチングＩＣとを覆い、通信回路に悪影響を及ぶす電磁波を放出しない数μＨ程度のインダクタを覆わない構成とすることで、シールドを小さくすることができるようになる。【選択図】図１
2011083137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端子と第２の端子との間の電気的接続状態を、導通状態と非導通状態とで周期的に切り替えるスイッチング素子と、当該スイッチング素子の導通、非導通に同期して周期的に電気エネルギーを蓄積して放出するインダクタと、出力信号の電圧を平準化するキャパシタと、整流作用をするダイオードとを含むＤＣ−ＤＣコンバータであって、
前記インダクタは、第１のインダクタと、当該第１のインダクタに比べてインダクタンスが小さい第２のインダクタとが、前記第２のインダクタが前記スイッチング素子側になるように直列接続され、
シールド構体で前記スイッチング素子と前記第２のインダクタとが包囲されていることを特徴とする
ＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項２】
入力ＶＤＤ端子と、出力ＶＤＤ端子と、ＶＳＳ端子とを備え、
前記入力ＶＤＤ端子と前記出力ＶＤＤ端子との間に、前記入力ＶＤＤ端子側から順に、前記第１の端子、前記第２の端子、前記第２のインダクタ、前記第１のインダクタが直列接続され、前記出力ＶＤＤ端子と前記ＶＳＳ端子間に前記キャパシタが接続され、前記ＶＳＳ端子と前記ダイオードのアノードとが接続され、前記第２の端子と前記ダイオードのカソードとが接続されて構成され、
前記入力ＶＤＤ端子と前記ＶＳＳ端子との間の電圧として与えられる入力電圧を、当該入力電圧より低い電圧の出力電圧に変換し、変換した前記出力電圧を、前記出力ＶＤＤ端子と前記ＶＳＳ端子との間の電圧として出力することを特徴とする
請求項１記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項３】
入力ＶＤＤ端子と、出力ＶＤＤ端子と、ＶＳＳ端子と、前記第１のインダクタに比べてインダクタンスが小さい第３のインダクタとを備え、
前記入力ＶＤＤ端子と前記ＶＳＳ端子との間に、前記入力ＶＤＤ端子側から順に、前記第１のインダクタ、前記第２のインダクタ、前記第２の端子、前記第１の端子が直列接続され、前記出力ＶＤＤ端子と前記ＶＳＳ端子間に前記キャパシタが接続され、前記第２の端子と前記ダイオードのアノードとが接続され、前記出力ＶＤＤ端子と前記ダイオードのカソードとの間に、前記第３のインダクタが直列接続されて構成され、
前記入力ＶＤＤ端子と前記ＶＳＳ端子との間の電圧として与えられる入力電圧を、当該入力電圧より高い電圧の出力電圧に変換し、変換した前記出力電圧を、前記出力ＶＤＤ端子と前記ＶＳＳ端子との間の電圧として出力することを特徴とする
請求項１記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項４】
前記第１のインダクタと前記キャパシタとは、多層基板の主表面上に配置され、
前記スイッチング素子と、前記ダイオードと、前記第２のインダクタと、前記シールド構体とは、前記多層基板の内部に埋め込まれていることを特徴とする
請求項１乃至３記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項５】
前記シールド構体の少なくとも一部は、前記多層基板内のグラウンド電位である金属の平板から構成されていることを特徴とする
請求項４記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項６】
所定の周波数帯の搬送波を利用して通信する携帯通信端末であって、
請求項４又は５記載のＤＣ−ＤＣコンバータと、
前記所定の周波数帯の搬送波を受信するための受信回路とを備え、
前記第２のインダクタは、前記第１のインダクタの１／１００以下のインダクタンスであることを特徴とする
携帯通信端末。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＤＣ−ＤＣコンバータを備える
携帯通信端末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＤＣ−ＤＣコンバータに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＣ−ＤＣコンバータは、例えば、携帯電話端末等に代表される携帯通信端末に搭載されている。
携帯通信端末に搭載されるＤＣ−ＤＣコンバータとしては、多くの場合、構成する部品点数が少なく、コストを低く抑えることができる等の理由から、チョッパ型ＤＣ−ＤＣコンバータが採用されている。
【０００３】
しかしながら、チョッパ型ＤＣ−ＤＣコンバータは、その構成要素であるスイッチングＩＣとインダクタとから電磁波を放出してしまうため、放出された電磁波が携帯通信端末の通信回路にノイズとして伝播してしまい、この伝搬したノイズによって、通信回路が性能劣化を起こし得る。
そこで、携帯通信端末に搭載されているチョッパ型ＤＣ−ＤＣコンバータは、スイッチングＩＣとインダクタとから放出される電磁波が通信回路部分にノイズとして伝播してしまわないようにするためのシールドを備えている。
【０００４】
ＤＣ−ＤＣコンバータの放出する電磁波が、近傍の電子回路にノイズとして伝播してしまい、近傍の電子回路が性能劣化を来たすことのないように、電磁波の放出を抑制するためにシールドを使用する技術には、例えば、特許文献１に開示されているものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２０４９２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
携帯通信端末に搭載されているチョッパ型ＤＣ−ＤＣコンバータにおけるインダクタのインダクタンス値は、例えば４．７μＨ程度、サイズは、例えば３ｍｍ×３ｍｍ×１ｍｍ程度であるため、ＤＣ−ＤＣコンバータに含まれるシールドの大きさは、少なくともこのインダクタのサイズよりも大きくする必要がある。
携帯通信端末には、その小さな筺体内に多数の部品が高密度に配置されているために、携帯通信端末内に、３ｍｍ×３ｍｍ×１ｍｍよりも大きなサイズのシールドを配置させようとしても、シールド内外に無駄な空きスペースが発生してしまう可能性が高い。
【０００７】
このため、チョッパ型ＤＣ−ＤＣコンバータは、携帯通信端末を小さくしようとするときの阻害要因の１つとなる。
そこで、本発明は係る問題に鑑みてなされたものであり、小型化を図ることが可能なＤＣ−ＤＣコンバータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、第１の端子と第２の端子との間の電気的接続状態を、導通状態と非導通状態とで周期的に切り替えるスイッチング素子と、当該スイッチング素子の導通、非導通に同期して周期的に電気エネルギーを蓄積して放出するインダクタと、出力信号の電圧を平準化するキャパシタと、整流作用をするダイオードとを含むＤＣ−ＤＣコンバータであって、前記インダクタは、第１のインダクタと、当該第１のインダクタに比べてインダクタンスが小さい第２のインダクタとが、前記第２のインダクタが前記スイッチング素子側になるように直列接続され、シールド構体で前記スイッチング素子と前記第２のインダクタとが包囲されていることを特徴とする。
【０００９】
ここで包囲するとは、電磁波の放出を抑制するために周囲を取り囲んでいることをいう。
【発明の効果】
【００１０】
上述の構成を備える本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、小型化を図ることができる。
また、上述の構成を備えるＤＣ−ＤＣコンバータを備える本発明に係る携帯通信端末は、小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ＤＣ−ＤＣコンバータ１０００の回路図
【図２】ＤＣ−ＤＣコンバータを搭載している多層基板２０１の斜視図
【図３】多層基板２０１の基板内埋め込み部１２１を主表面上側から見た正面図
【図４】多層基板２０１の断面図
【図５】携帯電話端末３０００の斜視図及び携帯電話端末３０００の下部筺体内部に含まれる構造物の一部の斜視図
【図６】ＤＣ−ＤＣコンバータ２０００の回路図
【図７】ＤＣ−ＤＣコンバータを搭載している多層基板６０１の斜視図
【図８】多層基板６０１の基板内埋め込み部５２１を主表面上側から見た正面図
【図９】多層基板６０１の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜実施の形態１＞
以下、本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの一実施形態として、例えば８００ＭＨｚ帯の搬送波を利用して通信する携帯電話端末に搭載される降圧ＤＣ−ＤＣコンバータについて説明する。
＜構成＞
本実施の形態１に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、チョッパ型降圧ＤＣ−ＤＣコンバータであって、その一部の回路と、電磁波の放出を抑制させるためのシールドとが、携帯電話端末を構成する多層基板の内部に埋め込まれる構成をとっていることで、携帯電話端末の小型化に寄与しているＤＣ−ＤＣコンバータである。
【００１３】
以下、本実施の形態１に係るＤＣ−ＤＣコンバータについて、図面を参照しながら説明する。
図１は、本実施の形態１に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１０００の回路構成を示す回路図である。
ＤＣ−ＤＣコンバータ１０００は、３．３Ｖの入力ＶＤＤ端子１３１と第１ＶＳＳ端子間の入力電圧を２．８Ｖの出力ＶＤＤ端子１３３と第２ＶＳＳ端子１３４間の出力電圧に降圧して出力するチョッパ型降圧ＤＣ−ＤＣコンバータであって、スイッチングＩＣ１０１、第１のインダクタ１０４、第２のインダクタ１０３、キャパシタ１０５から構成されている。
【００１４】
スイッチングＩＣ１０１は、電気的に導通する状態（ＯＮ）と電気的に導通しない状態（ＯＦＦ）とを１０ＭＨｚのスイッチング周波数で切り替えるスイッチング機能と整流機能とを有するスイッチモジュールであって、スイッチトランジスタ１１１と、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号生成回路１１２と、ダイオード１１３とから構成される。
ＰＷＭ信号生成回路１１２は、１０ＭＨｚの周期で、“High”（例えば３．３Ｖの電位）と“Low”（例えば０Ｖの電位）との一組を繰り返す矩形波をスイッチング信号として出力する機能を有し、水晶発振子と半導体集積回路とから構成されている。
【００１５】
また、ＰＷＭ信号生成回路１１２は、ＤＣ−ＤＣコンバータ１０００の入力電圧として３．３Ｖの電圧を入力した場合に、ＤＣ−ＤＣコンバータ１０００の出力電圧が２．８Ｖとなるように、“High”と“Low”の期間の比率をあらかじめ設定されている。
スイッチトランジスタ１１１は、ＰＷＭ信号生成回路１１２からのスイッチング信号を入力として、スイッチング信号が“High”の時には、ソース、ドレイン間が電気的に導通する状態となり、“Low”の時には電気的に導通しない状態となるＭＯＳスイッチである。
【００１６】
ダイオード１１３は整流作用をするためのダイオードである。
スイッチングＩＣ１０１は、ＰＷＭ信号生成回路１１２とスイッチトランジスタ１１１とを、縦×横×高さが、例えば、１．２ｍｍ×１．０ｍｍ×０．３ｍｍのサイズのパッケージ内に収めたＩＣとなっている。
このサイズのスイッチングＩＣは、一般に市販されているＤＣ−ＤＣコンバータ用スイッチングＩＣとして標準的なサイズであり、容易に入手することが可能である。
【００１７】
第１のインダクタ１０４は、スイッチングＩＣ１０１のスイッチング動作に同期して、電気エネルギーを蓄積して放出するための、４．７μＨのインダクタであって、縦×横×高さが、例えば、３．３ｍｍ×３．３ｍｍ×１．２ｍｍとなっている。
このサイズの４．７μＨのインダクタは、一般に市販されているインダクタとして標準的なサイズであり、容易に入手することが可能である。
【００１８】
第２のインダクタ１０３は、ＤＣ−ＤＣコンバータ１０００を搭載している携帯電話端末が通信に利用している８００ＭＨｚ帯の搬送波と同じ周波数の交流信号に対して、遮蔽フィルタとして作用する３３ｎＨのインダクタであって、縦×横×高さが、例えば、０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．３ｍｍとなっている。
このサイズの３３ｎＨのインダクタは、一般に市販されているインダクタとして標準的なサイズであり、容易に入手することが可能である。
【００１９】
キャパシタ１０５は、出力信号の電圧を平準化するための、１０μＦのキャパシタであって、縦×横×高さが、例えば、２．０ｍｍ×１．２ｍｍ×１．３ｍｍとなっている。
このサイズの１０μＦのキャパシタは、一般に市販されているインダクタとして標準的なサイズであり、容易に入手することが可能である。
スイッチングＩＣ１０１と、第１のインダクタ１０４と、第２のインダクタ１０３と、キャパシタ１０５とは、図１に示すように接続されている。
【００２０】
上述した回路構成のＤＣ−ＤＣコンバータ１０００は、スイッチングＩＣ１０１がスイッチング動作をすると、スイッチングＩＣ１０１と第１のインダクタ１０４と第２のインダクタ１０３とに流れる電流が増減するため、スイッチングＩＣ１０１と第１のインダクタ１０４と第２のインダクタ１０３とから特に強く電磁波を放出する。
スイッチトランジスタ１１１は、ＰＷＭ信号生成回路１１２の出力する周波数の矩形波のスイッチング信号によってＯＮとＯＦＦとを切り換えられるため、スイッチングＩＣ１０１から放出される電磁波は、スイッチング周波数１０ＭＨｚの定数倍の周波数成分等の１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚといった幅広い高周波成分を含んでいる。
【００２１】
すなわち、スイッチングＩＣ１０１から放出される電磁波には携帯電話端末が通信に使用する８００ＭＨｚ帯の搬送波の周波数成分も含まれている。
第２のインダクタ１０３には、スイッチングＩＣ１０１から、１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚといった高周波成分が含まれている電流が供給される。
第２のインダクタ１０３は、第２のインダクタ１０３を流れる電流に対して８００ＭＨｚ周辺の周波数成分を１０ｄＢｍ〜２０ｄＢｍ程度減衰させる遮蔽フィルタの働きをする。
【００２２】
但し、第２のインダクタ１０３は、８００ＭＨｚの周波数成分を含む電磁波を放出しないものではない。
第１のインダクタ１０４には、スイッチングＩＣ１０１から第２のインダクタ１０３に供給される電流のうち、８００ＭＨｚ周辺の周波数成分を含まない電流が供給されるため、第１のインダクタ１０４が放出する電磁波には、８００ＭＨｚ周辺の周波数成分が含まれない。
【００２３】
従って、ＤＣ−ＤＣコンバータ１０００を搭載している携帯電話端末に悪影響を与える８００ＭＨｚ周辺の周波数成分を含む電磁波の放出を抑制するためのシールドは、前記第１のインダクタ１０４を包囲する必要はなく、スイッチングＩＣ１０１と第２のインダクタ１０４とを包囲すればよいことになる。
図２は、ＤＣ−ＤＣコンバータ１０００が搭載されている、多層基板２０１を斜め上から見た斜視図である。
【００２４】
多層基板２０１は、７層に積層された、厚さ０．８ｍｍの多層基板であって、主表面上、裏主表面上、及び、内部に部品と配線とを備えている。
ＤＣ−ＤＣコンバータ１０００を構成する、第１のインダクタ１０４と、キャパシタ１０５とは、多層基板２０１のＤＣ−ＤＣコンバータ配置領域２１０における主表面上に配置され、スイッチングＩＣ１０１と、第２のインダクタ１０３とからなる基板内埋め込み部１２１は、多層基板２０１のＤＣ−ＤＣコンバータ配置領域２１０内部に埋め込まれて配置されている。
【００２５】
図３は、ＤＣ−ＤＣコンバータ配置領域２１０を、多層基板２０１の主表面上側から見た正面図であって、図４は、図３中のＡ点Ｂ点を結ぶ線分における、多層基板２０１の断面図である。
図３、図４において、破線で囲まれている部分は、多層基板２０１の外部から直接見ることはできない部分を図示したものである。
【００２６】
多層基板２０１は、第１層基板４００Ａ、第２層基板４００Ｂ、第３層基板４００Ｃ、第４層基板４００Ｄ、第５層基板４００Ｅ、第６層基板４００Ｆ、第７層基板４００Ｇからなる多層基板であって、第１層基板４００Ａから順に上層側に積層していくことで作られている。
スイッチングＩＣ１０１、第２のインダクタ１０３は、多層基板２０１内に埋め込まれて配置されている素子であって、多層基板２０１内の銅でできた金属配線３１０Ａ、３１０Ｂ、３１０Ｃ、３１０Ｄ、３１０Ｅと接続されている。
【００２７】
素子を埋め込んだ多層基板２０１の作成方法については、後述する。
金属配線３１０Ａは、図示していない入力ＶＤＤ端子１３１と接続し、３．３Ｖの電圧をスイッチングＩＣ１０１に供給する。
金属配線３１０Ｂは、スイッチングＩＣ１０１と第２のインダクタ１０３とに接続されている。
【００２８】
金属配線３１０Ｃと金属配線３３０Ａとは互いに接続され、第２のインダクタ１０３と第１のインダクタ１０４とに接続されている。
金属配線３１０Ｄは、図示していない第１ＶＳＳ端子１３２と接続するグラウンド電位を伝えるための配線であって、スイッチングＩＣ１０１と金属配線３３０Ｃとに接続されている。
【００２９】
金属配線３１０Ｅは、スイッチングＩＣ１０１に電力を供給するための配線であって、電位は、３．３Ｖとなっている。
金属配線３３０Ｂは、図示していない第２ＶＳＳ端子１３４と接続するグラウンド電位を伝える為の配線であって、金属配線３３０Ｃとキャパシタ１０５とに接続されている。
金属配線３３０Ｃは、第１インダクタ１０４と、キャパシタ１０５とに接続し、図示していない出力ＶＤＤ端子１３３に接続されている。
【００３０】
以下、多層基板２０１の作成工程において、スイッチングＩＣ１０１、第２のインダクタ１０３が多層基板２０１へ埋め込まれる方法について説明する。
まず、スイッチングＩＣ１０１、第２のインダクタ１０３は、多層基板２０１が、第２層基板４００Ｂまで積層されている状態で、第２層基板４００Ｂ上にその端子を固定され、２層配線４００Ｂ上の金属配線と接続される。
【００３１】
その後、第３層基板４００Ｃ、第４層基板４００Ｄ、第５層基板４００Ｅを、スイッチングＩＣ１０１と、第２のインダクタ１０３との形状に合わせた穴を開けた状態で順に積層していく。
第５層基板４００Ｅまで積層された状態で、スイッチングＩＣ１０１、第２のインダクタ１０３と穴との間に、絶縁性の接着剤を流し込んでスイッチングＩＣ１０１、第２のインダクタ１０３を固定し、最後に、第６層基板４００Ｆ、第７層基板４００Ｇとを積層する。
【００３２】
以上で、スイッチングＩＣ１０１、第２のインダクタ１０３が多層基板２０１へ埋め込まれる方法についての説明を終えて、再びＤＣ−ＤＣコンバータ１０００の構成の説明に戻る。
第１のグラウンドプレーン３０１Ａは、第６層基板４００Ｆ上の金属配線を平面状に形成することで作成されたグラウンド電位に固定された金属平板すなわちいわゆるベタグラウンドであって、スイッチングＩＣ１０１、第２のインダクタ１０３の上面を覆う位置に配置されている。
【００３３】
第１のグラウンドプレーン３０１Ａは、スイッチングＩＣ１０１、第２のインダクタ１０３から上方に放出される電磁波をシールドするためのシールド板として作用する。
第２のグラウンドプレーン３０１Ｂは、第１層基板４００Ａ上の金属配線を平面状に形成することで作成されたグランド電位に固定された金属平板すなわちいわゆるベタグラウンドであって、スイッチングＩＣ１０１、第２のインダクタ１０３の下面を覆う位置に配置されている。
【００３４】
第２のグラウンドプレーン３０１Ｂは、スイッチングＩＣ１０１、第２のインダクタ１０３から下方に放出される電磁波をシールドするためのシールド板として作用する。
スルーホール３２０Ａ〜３２０Ｌは、銅でできたスルーホールであって、第１のグラウンドプレーン３０１Ａと第２のグラウンドプレーン３０１Ｂとを電気的に接続している。
スルーホール３２０Ａ〜３２０Ｌは、お互いの間隔が、８００ＭＨｚ帯の電磁波の波長の１／４以下になる間隔で配置されることで、スイッチングＩＣ１０１、第２のインダクタ１０３から側面方向に放出される８００ＭＨｚ帯の電磁波をシールドするためのシールド壁として作用する。
【００３５】
シールド４１０は、第１のグラウンドプレーン３０１Ａ、第２のグラウンドプレーン３０１Ｂ、スルーホール３２０Ａ〜３２０Ｌで構成され、スイッチングＩＣ１０１、第２のインダクタ１０３から放出される８００ＭＨｚ帯の電磁波の放出を抑制する。
第１のインダクタ１０４、キャパシタ１０５は、多層基板２０１の主表面上に配置され、多層基板２０１の主表面上の金属配線３３０Ａ、３３０Ｂ，３３０Ｃと接続されている。
【００３６】
図５は、ＤＣ−ＤＣコンバータ１０００を搭載する携帯電話端末３０００の斜視図及び携帯電話端末３０００の下部筺体内部に含まれる構造物の一部の斜視図である。
携帯電話端末３０００は、主要部品としてディスプレイ２２０と、アンテナ２３０と、ベースバンドＩＣ２０２と、アプリケーションＩＣ２０３と、多層基板２０１と、充電式電池２０４とから構成され、８００ＭＨｚ帯の搬送波を利用して通信する。
【００３７】
このうち、アンテナ２３０と、ベースバンドＩＣ２０２と、アプリケーションＩＣ２０３と、多層基板２０１と、充電式電池２０４とは、携帯電話端末３０００の下部筐体内部に格納されている。
図５の右側は、携帯電話端末３０００の下部筐体内部に格納されている主要部品を筐体から取り出した状態の斜視図である。
【００３８】
充電式電池２０４は、充電可能な電池であって、その出力電圧が３．３Ｖとなっている。
ディスプレイ２２０は、携帯電話端末３０００のユーザインターフェース等を表示するためのディスプレイであって、３．３Ｖの電源電圧で動作する。
この３．３Ｖの電圧は、充電式電池２０４から直接供給される。
【００３９】
アンテナ２３０は、８００ＭＨｚ帯の受信波を受信し、８００ＭＨｚ帯の送信波を送信するためのアンテナである。
ベースバンドＩＣ２０２は、通信に係る信号処理を行うＩＣであって、２．８Ｖの電源電圧で動作し、多層基板２０１の主表面上に配置されている。
アプリケーションＩＣ２０３は、ユーザインターフェースに係る信号処理や、携帯電話端末３０００の制御に係る信号処理を行うＩＣであって、２．８Ｖの電源電圧で動作し、多層基板２０１の主表面上に配置されている。
【００４０】
ＤＣ−ＤＣコンバータ１０００は、充電式電池２０４の出力電圧３．３Ｖを、２．８Ｖに変換して、ベースバンドＩＣ２０２と、アプリケーションＩＣ２０３とに出力する。
携帯電話端末３０００にはＤＣ−ＤＣコンバータ１０００が搭載されているため、３．３Ｖの電源電圧で動作する部品と２．８Ｖの電源電圧で動作する部品とが混在していても、単一の３．３Ｖの出力電圧を出力する充電式電池２０４だけで動作している。
【００４１】
また、携帯電話端末３０００は、搭載しているＤＣ−ＤＣコンバータ１０００が、８００ＭＨｚ帯の電磁波ノイズの透過を抑制するためのシールドを備えているため、ＤＣ−ＤＣコンバータ１０００が発生する８００ＭＨｚ帯の電磁波ノイズがアンテナ２３０に帰還することによる悪影響を受けにくい。
＜実施の形態２＞
実施の形態１では、本発明に係るチョッパ型ＤＣ−ＤＣコンバータの一実施形態として、例えば８００ＭＨｚ帯の搬送波を利用して通信する携帯電話端末に搭載される降圧ＤＣ−ＤＣコンバータについて説明したが、本実施の形態２では、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータを昇圧ＤＣ−ＤＣコンバータにした場合の例について説明する。
【００４２】
＜構成＞
本実施の形態２に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、チョッパ型昇圧ＤＣ−ＤＣコンバータであって、その一部の回路と、電磁波の放出を抑制させるためのシールドとが、携帯電話端末を構成する多層基板の内部に埋め込まれる構成をとっていることで、携帯電話端末の小型化に寄与しているＤＣ−ＤＣコンバータである。
【００４３】
以下、本実施の形態２に係るＤＣ−ＤＣコンバータについて、図面を参照しながら説明する。
図６は、本実施の形態２に係るＤＣ−ＤＣコンバータ２０００の回路構成を示す回路図である。
ＤＣ−ＤＣコンバータ２０００は、３．３Ｖの入力ＶＤＤ端子５３１と第１ＶＳＳ端子５３２間の入力電圧を５．０Ｖの出力ＶＤＤ端子５３３と第２ＶＳＳ端子５３４間の出力電圧に降圧して出力するチョッパ型降圧ＤＣ−ＤＣコンバータであって、スイッチングＩＣ５０１、第１のインダクタ５０４、第２のインダクタ５０３、第３のインダクタ５０６、キャパシタ５０５から構成されている。
【００４４】
スイッチングＩＣ５０１は、実施の形態１で説明したスイッチトランジスタ１１１と同じ機能を持つスイッチトランジスタ１１１と、実施の形態１で説明したＰＷＭ信号生成回路１１２と同じ機能を持つＰＷＭ信号生成回路５１２と、整流作用をするためのダイオード５１３とから構成され、形状も実施の形態１のスイッチングＩＣと同じ形状すなわち、縦×横×高さが、例えば、１．２ｍｍ×１．０ｍｍ×０．３ｍｍのサイズのパッケージ内に収めたＩＣとなっている。
【００４５】
ここで、ＰＷＭ信号生成回路５１２は、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０００の入力電圧として３．３Ｖの電圧を入力した場合に、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０００の出力電圧が５．０Ｖとなるように、“High”と“Low”の期間の比率をあらかじめ設定されている。
このサイズのスイッチングＩＣは、一般に市販されているＤＣ−ＤＣコンバータ用スイッチングＩＣとして標準的なサイズであり、容易に入手することが可能である。
第１のインダクタ５０４、第２のインダクタ５０３、第３のインダクタ５０６、キャパシタ５０５は、それぞれ、実施の形態１における、第１のインダクタ１０４、第２のインダクタ１０３、第２のインダクタ１０３、キャパシタ１０５と同じものであるので、ここでは説明を省略するが、本実施の形態２のＤＣ−ＤＣコンバータ２０００は、これらの接続関係が実施の形態１のＤＣ−ＤＣコンバータ１０００と異なり、図６に示す接続関係となっている。
【００４６】
スイッチングＩＣ５０１がスイッチング動作をすると、実施の形態１と同様に、スイッチングＩＣ５０１と第２のインダクタ５０３とから放出される電磁波には８００ＭＨｚ帯の搬送波の周波数成分を含まれ、第１のインダクタ５０４が放出する電磁波には、８００ＭＨｚ周辺の周波数成分が含まれない。
また、第３のインダクタ５０６は、スイッチングＩＣ５０１から出力ＶＤＤ端子５３３側に流れる電流に対して、第２のインダクタ５０３と同様に、８００ＭＨｚ周辺の周波数成分を１０ｄＢｍ〜２０ｄＢｍ程度減衰させる遮蔽フィルタの働きをする。
【００４７】
但し、第３のインダクタ５０６は、８００ＭＨｚの周波数成分を含む電磁波を放出しないものではない。
換言すれば、ダイオード５１３からキャパシタ５０５にかけて高周波電流が流れるため、ダイオード５１３とキャパシタ５０５との間に第３のインダクタ５０６を配し、８００ＭＨｚ帯を含む電流を抑圧している。
【００４８】
従って、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０００を搭載している携帯電話端末に悪影響を与える８００ＭＨｚ周辺の周波数成分を含む電磁波の放出を抑制するためのシールドは、前記第１のインダクタ５０４を包囲する必要はなく、スイッチングＩＣ５０１と第２のインダクタ５０３と第３のインダクタ５０６とを包囲すればよいことになる。
図７は、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０００が搭載されている、多層基板６０１を斜め上から見た斜視図である。
【００４９】
多層基板６０１は、７層に積層された、厚さ０．８ｍｍの多層基板であって、主表面上、裏主表面上、及び、内部に部品と配線とを備えている。
ＤＣ−ＤＣコンバータ２０００を構成する、第１のインダクタ５０４と、キャパシタ５０５とは、多層基板６０１のＤＣ−ＤＣコンバータ配置領域６１０における主表面上に配置され、スイッチングＩＣ５０１と、ダイオード５１３と第２のインダクタ５０３と第３のインダクタ５０６からなる基板内埋め込み部５２１は、多層基板６０１のＤＣ−ＤＣコンバータ配置領域６１０内部に埋め込まれて配置されている。
【００５０】
図８は、ＤＣ−ＤＣコンバータ配置領域６１０を、多層基板６０１の主表面上側から見た正面図であって、図９は、図８中のＡ点Ｂ点を結ぶ線分における、多層基板６０１の断面図である。
図８、図９において、破線で囲まれている部は、多層基板６０１の内部に埋め込まれて配置され、直接見ることはできない部分を図示したものである。
【００５１】
多層基板６０１は、第１層基板８００Ａ、第２層基板８００Ｂ、第３層基板８００Ｃ、第４層基板８００Ｄ、第５層基板８００Ｅ、第６層基板８００Ｆ、第７層基板８００Ｇからなる多層基板であって、第１層基板８００Ａから順に上層側に積層していくことで作られている。
スイッチングＩＣ５０１、第２のインダクタ５０３、第３のインダクタ５０６は、多層基板６０１内に埋め込まれて配置されている素子であって、多層基板６０１内の金属配線７１０Ａ、７１０Ｂ、７１０Ｃ、７１０Ｄ、７１０Ｅ、７１０Ｆと接続されている。
【００５２】
スイッチングＩＣ５０１、第２のインダクタ５０３、第３のインダクタ５０６は、実施の形態１と同様の方法で多層基板６０１内に埋め込まれている素子であって、多層基板６０１内の銅でできた金属配線７１０Ａ、７１０Ｂ、７１０Ｃ、７１０Ｄ、７１０Ｅと接続されている。
金属配線７３０Ａは、図示していない入力ＶＤＤ端子１３１と接続し、３．３Ｖの電源を第１のインダクタ５０４に供給する。
【００５３】
金属配線７３０Ｂと金属配線７１０Ａとは互いに接続し、第１のインダクタ５０４と第２のインダクタ５０３とに接続されている。
金属配線７１０Ｂは、スイッチングＩＣ５０１と第２のインダクタ５０３とに接続されている。
金属配線７１０ＣはスイッチングＩＣ５０１と第３のインダクタ５０６とに接続されている。
【００５４】
金属配線７１０Ｄは、図示していない第１ＶＳＳ端子５３２と接続するグラウンド電位を伝えるための配線であって、スイッチングＩＣ５０１と金属配線７３０Ｄと接続する。
金属配線７１０Ｅは、スイッチングＩＣ５０１に電力を供給するための配線であって、電位は、３．３Ｖとなっている。
金属配線７１０Ｆは、第３のインダクタ５０６と金属配線７３０Ｃとに接続されている。
【００５５】
金属配線７３０Ｃは、金属配線７１０Ｆと、キャパシタ５０５とに接続し、図示していない出力ＶＤＤ端子５３３に接続されている。
金属配線７３０Ｄは、図示していない第２ＶＳＳ端子５３４と接続するグラウンド電位を伝える為の配線であって、金属配線７１０Ｄとキャパシタ５０５とに接続されている。
第１のグラウンドプレーン７０１Ａは、第６層基板８００Ｆ上の金属配線を平面状に形成することで作成されたグラウンド電位に固定された金属平板すなわちいわゆるベタグラウンドであって、スイッチングＩＣ５０１、第２のインダクタ５０３、第３のインダクタの上面を覆う位置に配置されている。
【００５６】
第１のグラウンドプレーン７０１Ａは、スイッチングＩＣ５０１、第２のインダクタ５０３、第３のインダクタ５０６から上方に放出される電磁波をシールドするためのシールド板として作用する。
第２のグラウンドプレーン７０１Ｂは、第１層基板８００Ａ上の金属配線を平面状に形成することで作成されたグランド電位に固定された金属平板すなわちいわゆるベタグラウンドであって、スイッチングＩＣ５０１、第２のインダクタ５０３、第３のインダクタ５０６の下面を覆う位置に配置されている。
【００５７】
第２のグラウンドプレーン７０１Ｂは、スイッチングＩＣ５０１、第２のインダクタ５０３、第３のインダクタ５０６から下方に放出される電磁波をシールドするためのシールド板として作用する。
スルーホール７２０Ａ〜７２０Ｌは、銅でできたスルーホールであって、第１のグラウンドプレーン７０１Ａと第２のグラウンドプレーン７０１Ｂとを電気的に接続している。
【００５８】
スルーホール７２０Ａ〜７２０Ｎは、お互いの間隔が、８００ＭＨｚ帯の電磁波における波長の１／４以下になる間隔で配置されることで、スイッチングＩＣ５０１、第２のインダクタ５０３、第３のインダクタ５０６から側面方向に放出される８００ＭＨｚ帯の電磁波をシールドするためのシールド壁として作用する。
シールド８１０は、第１のグラウンドプレーン７０１Ａ、第２のグラウンドプレーン７０１Ｂ、スルーホール７２０Ａ〜７２０Ｌで構成され、スイッチングＩＣ５０１、第２のインダクタ５０３、第３のインダクタ５０６から放出される８００ＭＨｚ帯の電磁波の放出を抑制する。
【００５９】
第１のインダクタ５０４、キャパシタ５０５は、多層基板６０１の主表面上に配置され、多層基板６０１の主表面上の金属配線７３０Ａ、７３０Ｂ、７３０Ｃ、７３０Ｄと接続されている。
上述の構成を備える本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、第２のインダクタのインダクタンス値を適切な値にすることで、スイッチング素子から発生する高周波成分を含む電流に対して、第２のインダクタが高周波の遮蔽フィルタとして作用するようになるため、第１のインダクタに流れる電流の高周波成分は抑制されることになり、その結果第１のインダクタからの高周波の電磁波の放出が抑制される。
【００６０】
よって、従来では、シールド構体は、周期的に電気エネルギーを蓄積して放出するためのインダクタ全体とスイッチング素子とを包囲する必要があったのに対して、周期的に電気エネルギーを蓄積して放出するためのインダクタの一部である第２のインダクタとスイッチング素子のみを包囲すればよくなる。
従って、シールド構体は、周期的に電気エネルギーを蓄積して放出するためのインダクタの全体ではなく一部を包囲すればよくなり、従来よりも小さくすることができるようになるため、上述の構成を備える本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、携帯通信端末内に搭載される場合において、従来に比べて無駄な空きスペースを生じる可能性を低くすることができるという効果を有する。
【００６１】
また、入力ＶＤＤ端子と、出力ＶＤＤ端子と、ＶＳＳ端子とを備え、前記入力ＶＤＤ端子と前記出力ＶＤＤ端子との間に、前記入力ＶＤＤ端子側から順に、前記第１の端子、前記第２の端子、前記第２のインダクタ、前記第１のインダクタが直列接続され、前記出力ＶＤＤ端子と前記ＶＳＳ端子間に前記キャパシタが接続され、前記ＶＳＳ端子と前記ダイオードのアノードとが接続され、前記第２の端子と前記ダイオードのカソードとが接続されて構成され、前記入力ＶＤＤ端子と前記ＶＳＳ端子との間の電圧として与えられる入力電圧を、当該入力電圧より低い電圧の出力電圧に変換し、変換した前記出力電圧を、前記出力ＶＤＤ端子と前記ＶＳＳ端子との間の電圧として出力するとしてもよい。
【００６２】
これにより、ＤＣ−ＤＣコンバータを、電源電圧等を降圧する場合等に使用することができるという効果を有する。
また、入力ＶＤＤ端子と、出力ＶＤＤ端子と、ＶＳＳ端子と、前記第１のインダクタに比べてインダクタンスが小さい第３のインダクタとを備え、前記入力ＶＤＤ端子と前記ＶＳＳ端子との間に、前記入力ＶＤＤ端子側から順に、前記第１のインダクタ、前記第２のインダクタ、前記第２の端子、前記第１の端子が直列接続され、前記出力ＶＤＤ端子と前記ＶＳＳ端子間に前記キャパシタが接続され、前記第２の端子と前記ダイオードのアノードとが接続され、前記出力ＶＤＤ端子と前記ダイオードのカソードとの間に、前記第３のインダクタが直列接続されて構成され、前記入力ＶＤＤ端子と前記ＶＳＳ端子との間の電圧として与えられる入力電圧を、当該入力電圧より高い電圧の出力電圧に変換し、変換した前記出力電圧を、前記出力ＶＤＤ端子と前記ＶＳＳ端子との間の電圧として出力するとしてもよい。
【００６３】
これにより、ＤＣ−ＤＣコンバータを、電源電圧等を昇圧する場合等に使用することができるという効果を有する
また、前記第１のインダクタと前記キャパシタとは、多層基板の主表面上に配置され、前記スイッチング素子と、前記ダイオードと、前記第２のインダクタと、前記シールド構体とは、前記多層基板の内部に埋め込まれているとしてもよい。
【００６４】
これにより、多層基板の主表面上にシールド構体を配置する必要がなくなる。
従って、従来では必要であった多層基板の主表面上に配置されていたシールド構体のための領域に、他の部品を配置することができるようになるため、多層基板を使用する携帯通信端末内に搭載される場合において、従来に比べてより小さな携帯電話端末を作ることができるようになるという効果を有する。
【００６５】
また、前記シールド構体の少なくとも一部は、前記多層基板内のグラウンド電位である金属の平板から構成されているとしてもよい。
これにより、多層基板内のグラウンドプレーンとして使用している金属平板をシールド構体の一部として利用できるようになる。
従って、上述の構成を備える本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータを、グラウンドプレーンが存在する多層基板に配置する場合、既に存在しているグラウンドプレーンをシールド構体の一部に利用することで、基板内の金属配線を有効に利用できるようになり、基板内の金属配線の配線混雑を緩和するという効果を有する。
＜補足＞
以上、本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの実施形態として、実施の形態１では携帯電話端末に搭載されるチョッパ型降圧ＤＣ−ＤＣコンバータについて、実施の形態２では携帯電話端末に搭載されるチョッパ型昇圧ＤＣ−ＤＣコンバータについて説明したが、以下のように変形することも可能であり、本発明は上述した実施の形態１又は実施の形態２で示した通りのチョッパ型ＤＣ−ＤＣコンバータに限られないことはもちろんである。
（１）実施の形態１において、ＤＣ−ＤＣコンバータ１０００は、３．３Ｖの入力ＶＤＤ端子１３１と第１ＶＳＳ端子１３２間の入力電圧を２．８Ｖの出力ＶＤＤ端子１３３と第２ＶＳＳ端子１３４間の出力電圧に降圧して出力するとしたが、３．３Ｖ以外の入力電圧であっても構わないし、２．８Ｖ以外の出力電圧であっても構わない。
【００６６】
入力電圧と出力電圧の関係は、ＰＷＭ信号生成回路１１２は、“High”と“Low”の期間の比率をあらかじめ設定しておくことで、決めておくことができる。
また、実施の形態２において、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０００は、３．３Ｖの入力ＶＤＤ端子５３１と第１ＶＳＳ端子５３２間の入力電圧を５．０Ｖの出力ＶＤＤ端子５３３と第２ＶＳＳ端子５３４間の出力電圧に降圧して出力するとしたが、３．３Ｖ以外の入力電圧であっても構わないし、５．０Ｖ以外の出力電圧であっても構わない。
【００６７】
入力電圧と出力電圧の関係は、ＰＷＭ信号生成回路５１２は、“High”と“Low”の期間の比率をあらかじめ設定しておくことで、決めておくことができる。
（２）実施の形態１において、ＰＷＭ信号生成回路１１２からのスイッチング信号の矩形波の周波数を１０ＭＨｚとしたが、例えば、２０ＭＨｚといったような１０ＭＨｚ以外の周波数であっても構わない。
【００６８】
また、実施の形態２におけるＰＷＭ信号生成回路５１２からのスイッチング信号の矩形波の周波数についても同様である。
（３）実施の形態１において、スイッチングＩＣ１０１は、縦×横×高さが、例えば、１．２ｍｍ×１．０ｍｍ×０．３ｍｍのサイズのパッケージ内に収めたＩＣとなっているとしたが、多層基板の中に埋め込むことができるサイズであれば、これ以外の形状であっても構わないし、ＰＷＭ信号生成回路１１２とスイッチトランジスタ１１１とダイオード１１３がそれぞれ単独の素子であっても、ＰＷＭ信号生成回路１１２とスイッチトランジスタ１１１とを多層基板の中に埋め込むことができるサイズであれば構わない。
また、スイッチトランジスタ１１１はＭＯＳトランジスタであるとしたが、例えばバイポーラトランジスタといったようなＭＯＳトランジスタでないスイッチであっても構わない。
【００６９】
さらに、ダイオード１１３は、単独の素子でなくても整流作用を有するものであれば、例えば、Ｎ型半導体とＰ型半導体を接合させた状態で直接多層基板内に配置するという構成であっても構わないし、スイッチトランジスタ１１１は、単独の素子でなくてもスイッチング作用を有するものであれば、例えば、Ｎ型半導体とＰ型半導体とをバイポーラトランジスタを形成するように接合させて直接多層基板内に配置するという構成であっても構わない。
【００７０】
また、実施の形態２における、スイッチングＩＣ５０１についても同様に、縦×横×高さが、例えば、１．２ｍｍ×１．０ｍｍ×０．３ｍｍのサイズのパッケージ内に収めたＩＣとなっているとしたが、多層基板の中に埋め込むことができるサイズであれば、これ以外の形状であっても構わないし、ＰＷＭ信号生成回路５１２とスイッチトランジスタ５１１とダイオード５１３がそれぞれ単独の素子であっても、ＰＷＭ信号生成回路５１２とスイッチトランジスタ５１１とを多層基板の中に埋め込むことができるサイズであれば構わない。
【００７１】
また、スイッチトランジスタ５１１はＭＯＳトランジスタであるとしたが、例えばバイポーラトランジスタといったようなＭＯＳトランジスタでないスイッチであっても構わない。
さらに、ダイオード５１３は、単独の素子でなくても整流作用を有するものであれば、例えば、Ｎ型半導体とＰ型半導体を接合させた状態で直接多層基板内に配置するという構成であっても構わないし、スイッチトランジスタ５１１は、単独の素子でなくてもスイッチング作用を有するものであれば、例えば、Ｎ型半導体とＰ型半導体とをバイポーラトランジスタを形成するように接合させて直接多層基板内に配置するという構成であっても構わない。
（４）実施の形態１において、第１のインダクタ１０４は、縦×横×高さが、例えば、３．３ｍｍ×３．３ｍｍ×１．２ｍｍの４．７μＨのインダクタとしたが、これ以外の形状であっても構わないし、ＤＣ−ＤＣコンバータとして安定して動作するために充分なインダクタンス値であれば、これ以外のインダクタンス値であっても構わない。
【００７２】
また、実施の形態２における、第１のインダクタ５０４についても同様に、縦×横×高さが、例えば、３．３ｍｍ×３．３ｍｍ×１．２ｍｍの４．７μＨのインダクタとしたが、これ以外の形状であっても構わないし、ＤＣ−ＤＣコンバータとして動作するための充分なインダクタンス値であれば、これ以外のインダクタンス値であっても構わない。
（５）実施の形態１において、第２のインダクタ１０３は、縦×横×高さが、例えば、０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．３ｍｍの３．３ｎＨのインダクタとしたが、多層基板の中に埋め込むことができるサイズであれば、これ以外の形状であっても構わないし、８００ＭＨｚ帯の周波数の交流に対して遮蔽フィルタとして作用するインダクタンス値であれば、これ以外のインダクタンス値であっても構わない。
【００７３】
また、実施の形態２における、第２のインダクタ５０３、第３のインダクタ５０６についても同様に、縦×横×高さが、例えば、０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．３ｍｍの３．３ｎＨのインダクタとしたが、多層基板の中に埋め込むことができるサイズであれば、これ以外の形状であっても構わないし、８００ＭＨｚ帯の周波数の交流に対して遮蔽フィルタとして作用するインダクタンス値であれば、これ以外のインダクタンス値であっても構わない。
（６）実施の形態１において、キャパシタ１０５は、縦×横×高さが、例えば、２．０ｍｍ×１．２ｍｍ×１．３ｍｍの１０μＦのキャパシタとしたが、多層基板の中に埋め込むことができるサイズであれば、これ以外の形状であっても構わないし、ＤＣ−ＤＣコンバータとして動作するための充分なキャパシタンス値であれば、これ以外のキャパシタンス値であっても構わない。
【００７４】
また、実施の形態２における、キャパシタ５０５についても同様に、縦×横×高さが、例えば、２．０ｍｍ×１．２ｍｍ×１．３ｍｍの１０μＦのキャパシタとしたが、多層基板の中に埋め込むことができるサイズであれば、これ以外の形状であっても構わないし、ＤＣ−ＤＣコンバータとして動作するための充分なキャパシタンス値であれば、これ以外のキャパシタンス値であっても構わない。
（６）実施の形態１において、多層基板２０１として、７層に積層された厚さ０．８ｍｍの多層基板であるとしたが、スイッチングＩＣ１０１と、第２のインダクタ１０３とを埋め込むことができれば、これ以外の積層数であっても、０．８ｍｍ以外の厚さであっても構わない。
【００７５】
また、実施の形態２における、多層基板６０１についても同様に、７層に積層された厚さ０．８ｍｍの多層基板であるとしたが、スイッチングＩＣ５０１と、第２のインダクタ５０３とを埋め込むことができれば、これ以外の積層数であっても、０．８ｍｍ以外の厚さであっても構わない。
（７）実施の形態１において、多層基板２０１の配線とスルーホールとの材料として銅としたが、例えば金等の銅以外の導電性材料であっても構わない。
【００７６】
また、実施の形態２における、多層基板６０１の配線とスルーホールとの材料についても同様に、例えば金等の銅以外の導電性材料であっても構わない。
（８）実施の形態１において携帯電話端末３０００は、８００ＭＨｚ帯の搬送波を利用して通信するとしたが、例えば２ＧＨｚ帯の搬送波といったような、８００ＭＨｚ帯以外の周波数帯の搬送波を利用して通信するとしても構わない。
（９）実施の形態１において、携帯電話端末３０００は、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータであるＤＣ−ＤＣコンバータ１０００を搭載する例を示したが、例えば実施の形態２におけるＤＣ−ＤＣコンバータ２０００のような、昇圧ＤＣ−ＤＣコンバータを搭載していても構わない。
（１０）実施の形態１において、シールド４１０は、第１のグラウンドプレーン３０１Ａ、第２のグラウンドプレーン３０１Ｂ、スルーホール３２０Ａ〜３２０Ｌで構成されるとしたが、これ以外の構成、例えば、スイッチングＩＣ１０１と、第２のインダクタ１０３とを取り囲む金属製の箱といったような、スイッチングＩＣ１０１と第２のインダクタ１０３とから放出される８００ＭＨｚ帯の電磁波の放出を抑制するものであって、多層基板２０１内に埋め込むことができるものであれば構わない。
【００７７】
また、実施の形態２における、シールド８１０についても同様に、第１のグラウンドプレーン７０１Ａ、第２のグラウンドプレーン７０１Ｂ、スルーホール７２０Ａ〜７２０Ｌで構成されるとしたが、これ以外の構成、例えば、スイッチングＩＣ５０１と、第２のインダクタ５０３とを取り囲む金属製の箱といったような、スイッチングＩＣ５０１と第２のインダクタ５０３とから放出される８００ＭＨｚ帯の電磁波の放出を抑制するものであって、多層基板６０１内に埋め込むことができるものであれば構わない。
（１１）なお、実施の形態１において、第２のインダクタ１０３は、第１のインダクタ１０４のおよそ１／１４２となっているが、第２のインダクタ１０３のインダクタンスと第１のインダクタ１０４のインダクタンスとの比率が、これ以外の比率となっていても構わない。
【００７８】
第２のインダクタ１０３のインダクタンスを大きくすると、８００ＭＨｚ帯の周波数の交流に対してより効果的な遮蔽フィルタとして作用するが、物理的形状が大きくなってしまうために、第２のインダクタ１０３を取り囲んでいるシールド４１０の物理的形状を大きくしなければならない。
しかしながら、シールド４１０が大きくなりすぎると、多層基板２０１内に埋め込むことが出来なくなってしまうため、第２のインダクタ１０３のインダクタンス値は、シールド４１０が多層基板２０１内に埋め込むことができる範囲内にすることが望ましい。
【００７９】
一方、第１のインダクタ１０４のインダクタンスは、ＤＣ−ＤＣコンバータ１０００を安定して動作させるために必要なインダクタンス以上のインダクタンスであることが望ましい。
これらのことを勘案すると、結果的に第２のインダクタ１０３のインダクタンスと第１のインダクタ１０４のインダクタンスとの比率は１／１００程度以下になっていることが望ましいと考えられるが、必ずしも１／１００程度以下になっている必要はない。
また、実施の形態２における第２のインダクタ５０３のインダクタンスと第１のインダクタ５０４のインダクタンスとの比率に関しても同様に、第２のインダクタ５０３は、第１のインダクタ５０４のおよそ１／１４２となっているが、第２のインダクタ５０３のインダクタンスと第１のインダクタ５０４のインダクタンスとの比率が、これ以外の比率となっていても構わない。
【００８０】
第２のインダクタ５０３のインダクタンスを大きくすると、８００ＭＨｚ帯の周波数の交流に対してより効果的な遮蔽フィルタとして作用するが、物理的形状が大きくなってしまうために、第２のインダクタ５０３を取り囲んでいるシールド８１０の物理的形状を大きくしなければならない。
しかしながら、シールド８１０が大きくなりすぎると、多層基板６０１内に埋め込むことが出来なくなってしまうため、第２のインダクタ５０３のインダクタンス値は、シールド８１０が多層基板６０１内に埋め込むことができる範囲内にすることが望ましい。
【００８１】
一方、第１のインダクタ５０４のインダクタンスは、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０００を安定して動作させるために必要なインダクタンス以上のインダクタンスであることが望ましい。
これらのことを勘案すると、結果的に第２のインダクタ５０３のインダクタンスと第１のインダクタ５０４のインダクタンスとの比率は１／１００程度以下になっていることが望ましいと考えられるが、必ずしも１／１００程度以下になっている必要はない。
（１２）なお、実施の形態１及び実施の形態２において、チョッパ型ＤＣ−ＤＣコンバータの一実施形態についての説明をしたが、チョッパ型でないＤＣ−ＤＣコンバータであっても構わない。
（１３）実施の形態１において、金属配線３１０Ｃと金属配線３１０Ｄとの間に、３３ｐＦ程度のキャパシタを追加しても構わない。
【００８２】
この際、追加するキャパシタは小型サイズであって、基板内埋め込み部１２１に収められていることが望ましい。
この追加キャパシタは、８００ＭＨｚ周辺の周波数成分を減衰させる遮蔽フィルターの働きをするため、この追加キャパシタを追加することで、第１のインダクタ１０４に供給される電流における８００ＭＨｚ周辺の周波数成分をさらに減衰させることができる。
（１４）実施の形態２において、第２のインダクタ５０３と第３のインダクタ５０６とが同じものであるとしたが、インダクタンス又はサイズに関して、同じものでなくても構わない。
【００８３】
第２のインダクタ５０３と第３のインダクタ５０６とは、基板内埋め込み部１２１に収めることができるサイズであって、流れる電流のうち８００ＭＨｚ周辺の周波数成分を減衰させる遮蔽フィルタの働きをするものであれば、同じものでなくても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は、直流電源を使用する機器に広く利用することが出来る。
【符号の説明】
【００８５】
１０１  スイッチングＩＣ
１０３  第２のインダクタ
１０４  第１のインダクタ
１０５  キャパシタ
１１１  スイッチトランジスタ
１１２  ＰＷＭ信号生成回路
１１３  ダイオード
４１０  シールド
【図１】
2011083137.tif 000003
【図２】
2011083137.tif 000004
【図３】
2011083137.tif 000005
【図４】
2011083137.tif 000006
【図５】
2011083137.tif 000007
【図６】
2011083137.tif 000008
【図７】
2011083137.tif 000009
【図８】
2011083137.tif 000010
【図９】
2011083137.tif 000011