(57)【要約】【課題】  良好な分光精度を維持できる波長可変干渉フィルターを提供すること。【解決手段】  第一基板５１と、第一基板５１に接合される第二基板５２と、第一基板５１に設けられる第一反射膜５６と、第二基板５２に設けられる第二反射膜５７と、第一反射膜５６と第二反射膜５７とのギャップＧを変更する可変部５４と、を備え、第二基板５２は、第二基板５２を基板厚み方向から見る平面視において、第二反射膜５７に重なる位置に設けられる可動部５２１を有する第一層５２０と、第一層５２０の第一基板５１に対向する面に積層されるとともに、厚み寸法が一様な板状に形成され、可動部５２１を変位可能に支持する支持部５３１を有する第二層５３０と、を備え、第一層５２０には、少なくとも前記平面視で支持部５３１に重なる領域に第一層５２０が積層されていないことを特徴とする波長可変干渉フィルター。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する第一基板と、
この第一基板の一面側に対向して接合される透光性を有する第二基板と、
前記第一基板に設けられる第一反射膜と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜にギャップを介して対向する第二反射膜と、
前記ギャップを変更する可変部と、を備え、
前記第二基板は、
当該第二基板を基板厚み方向から見る平面視において、前記第二反射膜に重なる位置に設けられる可動部を有する第一層と、
前記第一層の前記第一基板に対向する面に積層されるとともに、厚み寸法が一様な板状に形成され、前記可動部を変位可能に支持する支持部を有する第二層と、を備え、
少なくとも前記平面視で前記支持部に重なる領域に前記第一層が積層されていない
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第一層及び前記第二層は、ガラスで構成され、接合層を介して接合され、
前記接合層は、エポキシ系樹脂、又はアモルファスフッ素系樹脂である
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項３】
透光性を有する第一基板と、
この第一基板の一面側に対向して接合される透光性を有する第二基板と、
前記第一基板に設けられる第一反射膜と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜にギャップを介して対向する第二反射膜と、
前記ギャップを変更する可変部と、を備える波長可変干渉フィルターの製造方法であって、
前記第二基板の製造は、
当該第二基板を基板厚み方向から見る平面視で前記第二反射膜と重なる位置に形成される可動部を有する第一層を形成するための第一層用基材と、厚み寸法が一様な板状に形成されるとともに前記可動部を変位可能に支持する支持部を有する第二層を形成するための第二層用基材とを積層して接合する積層工程と、
前記平面視で、前記第二反射膜の形成位置と重なる位置に前記可動部を残し、かつ、少なくとも前記支持部が形成される領域に重なる前記第一層用基材の領域を除去する第一層形成工程と、を有する
ことを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の波長可変干渉フィルターの製造方法において、
前記第一層形成工程において、ブラスト加工で前記第一層用基材を除去する
ことを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の波長可変干渉フィルターの製造方法において、
前記第一層形成工程では、ブラスト加工で前記第一層用基材の一部を途中まで除去した後、エッチング加工で残部の前記第一層用基材を除去する
ことを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。
【請求項６】
請求項３から請求項５までのいずれかに記載の波長可変干渉フィルターの製造方法において、
前記第一層、及び前記第二層は、ガラスで構成され、
前記積層工程では、エポキシ系樹脂、又はアモルファスフッ素系樹脂で構成される接合層を介して前記第一層用基材と前記第二層用基材とを接合する
ことを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長可変干渉フィルター、及び波長可変干渉フィルターの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の基板の互いに対向する面に、それぞれ高反射ミラーを対向配置する波長可変干渉フィルターが知られている。このような波長可変干渉フィルターでは、一対のミラー間で光を反射させ、特定波長の光のみを透過させて、その他の波長の光を干渉により打ち消し合わせることで、入射光から特定波長の光のみを透過させる。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載された静電駆動型の波長可変干渉フィルターでは、一対の基板の互いに対向する面にそれぞれ設けられた駆動電極間に働く静電引力により支持部（ダイヤフラム）を変形させることで、一対のミラー間のギャップを可変させる。第二の反射膜（可動ミラー）が設けられた基板の可動部は、可動ミラーの撓みを抑制するために、厚み寸法が大きく形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１６５０６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された波長可変干渉フィルターでは、可動部、及び支持部を備える基板は、一枚の基板をエッチングすることで形成されるが、可動部の厚み寸法を大きくするために、エッチング前の基板厚み寸法を大きくする必要がある。しかしながら、基板厚み寸法が大きいと支持部を形成するために長時間のエッチングが必要となると共に、エッチングのばらつきによる支持部厚み寸法のばらつきが大きくなる。この場合、可動部の変位時に一対のミラーを平行に維持できず、波長可変フィルターにより分光される光の分解能が低下するなど、分光精度が悪化するという問題があった。
【０００６】
本発明は、良好な分光精度を維持できる波長可変干渉フィルター、及び波長可変干渉フィルターの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の波長可変干渉フィルターは、透光性を有する第一基板と、この第一基板の一面側に対向して接合される透光性を有する第二基板と、前記第一基板に設けられる第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜にギャップを介して対向する第二反射膜と、前記ギャップを変更する可変部と、を備え、前記第二基板は、当該第二基板を基板厚み方向から見る平面視において、前記第二反射膜に重なる位置に設けられる可動部を有する第一層と、前記第一層の前記第一基板に対向する面に積層されるとともに、厚み寸法が一様な板状に形成され、前記可動部を変位可能に支持する支持部を有する第二層と、を備え、少なくとも前記平面視で前記支持部に重なる領域に前記第一層が積層されていないことを特徴とする。
【０００８】
この発明では、第二基板の第一層には、可動部が形成され、第二層には、一様な厚み寸法の支持部が形成される。そして、第一層には、少なくとも平面視において第二層の支持部に重なる領域（支持部領域）に前記第一層が積層されていない。ここで、支持部領域に前記第一層が積層されていないとは、第一層を構成する可動部等が当該支持部領域に形成されておらず、当該支持部領域が、第二層のみで形成された状態、もしくは第一層と第二層とを接合する例えば光学接着剤等及び第二層が積層されて形成された状態をいう。
このような構成では、第二層の支持部上には、第一層が積層されておらず、支持部の厚み寸法は、第二層の厚み寸法によって決定される。ここで、本発明において、第二層は、均一な厚み寸法の板状に形成されているため、支持部の厚み寸法も均一な厚み寸法となる。そのため、可動部が変位する際に、支持部に均一に撓み応力が作用するため、支持部をバランスよく撓ませることができ、第一反射膜及び第二反射膜の平行を維持した状態で、可動部を変位させることができる。したがって、可動部を変位させた際でも、透過光の波長分解能が低下するなどの不都合がなく、良好な分光精度を維持することができる。
【０００９】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第一層及び前記第二層は、ガラスで構成され、接合層を介して接合され、前記接合層は、エポキシ系樹脂、又はアモルファスフッ素系樹脂であることが好ましい。
【００１０】
この発明では、接合層がガラス同士を強固に接合できるエポキシ系樹脂、又はアモルファスフッ素系樹脂で構成されている。そのため、第一層と第二層との接合強度が強くなり、例えば、第二層の支持部が撓んだ際に、可動部の剥離を防ぐことができる。
【００１１】
本発明の波長可変干渉フィルターの製造方法は、透光性を有する第一基板と、この第一基板の一面側に対向して接合される透光性を有する第二基板と、前記第一基板に設けられる第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜にギャップを介して対向する第二反射膜と、前記ギャップを変更する可変部と、を備える波長可変干渉フィルターの製造方法であって、前記第二基板の製造は、当該第二基板を基板厚み方向から見る平面視で前記第二反射膜と重なる位置に形成される可動部を有する第一層を形成するための第一層用基材と、厚み寸法が一様な板状に形成されるとともに前記可動部を変位可能に支持する支持部を有する第二層を形成するための第二層用基材とを積層して接合する積層工程と、前記平面視で、前記第二反射膜の形成位置と重なる位置に前記可動部を残し、かつ、少なくとも前記支持部が形成される領域に重なる前記第一層用基材の領域を除去する第一層形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
この発明では、第一層形成工程において、少なくとも可動部を残しつつ、支持部に重畳する領域（支持部重畳領域）の第一層用基材が除去されて第一層が形成される。このため、第二層の支持部上に、第一層用基材が残存して支持部厚み寸法がばらつくことなく、支持部の厚み寸法を一様にすることができる。そして、製造される波長可変干渉フィルターは、一様な厚み寸法で形成された支持部によって第一層の可動部が支持されるので、可動部が変位する際に、支持部をバランスよく撓ませることができ、分光精度を良好に維持することができる。
なお、第二層の支持部厚み寸法の調整は、予め所望の支持部厚み寸法に形成された板状の第二層用基材を第一層用基材に積層して接合させたり、第一層用基材と第二層用基材とを接合させた後で、第二層用基材を研磨やエッチングなどによって所望の支持部厚み寸法に加工したりすることで行われる。
【００１３】
本発明の波長可変干渉フィルターの製造方法では、前記第一層形成工程において、ブラスト加工で前記第一層用基材を除去することを特徴とすることが好ましい。
【００１４】
この発明では、第一層用基材を除去加工する速度がエッチング加工よりも速いブラスト加工で所望の厚みまで第一層用基材を掘削するので、第一層用基材をエッチングのみで除去加工する場合と比べて、第一層形成工程に要する時間を短縮できる。
さらに、ブラスト加工の掘削速度が速いので、厚み寸法の大きい第一層用基材を用いて、可動部の厚み寸法を大きくする場合も、第一層形成工程に要する時間を短縮できる。そして、このようにして製造される波長可変干渉フィルターでは、可動部厚み寸法が大きいので、第二反射膜の撓みをより効果的に抑制できる。
【００１５】
本発明の波長可変干渉フィルターの製造方法では、前記第一層形成工程では、ブラスト加工で前記第一層用基材の一部を途中まで除去した後、エッチング加工で残部の前記第一層用基材を除去することが好ましい。
【００１６】
この発明では、ブラスト加工で第一層用基材を途中まで除去した後に、エッチング加工で残りを除去するので、すべてブラスト加工で除去する場合と比べて、第一層用基材を均一に除去できる。すなわち、ブラスト加工のみで第一層用基材を除去する場合、ブラスト加工の停止タイミングが早いと支持部上（支持部重畳領域）に第一層用基材が残留し、残留成分により支持部に均一に撓み応力が作用せず、支持部をバランスよく撓ませることができなくなるおそれがある。また、ブラスト加工の停止タイミングが遅いと、第二層用基材まで掘削され、支持部の厚み寸法が均一にならないおそれがある。これに対して、本発明では、一部をブラスト加工により迅速に除去した後、残部をエッチング加工することで、エッチング精度を上げることができ、第一層用基材の残留や第二層用基材の掘削を防止できる。
【００１７】
本発明の波長可変干渉フィルターの製造方法では、前記第一層、及び前記第二層は、ガラスで構成され、前記積層工程では、エポキシ系樹脂、又はアモルファスフッ素系樹脂で構成される接合層を介して前記第一層用基材と前記第二層用基材とを接合することが好ましい。
【００１８】
この発明では、第一層用基材と第二層用基材との間に接合層が介在しているので、第一層用基材をブラスト加工やエッチング加工で除去している際に、第二層用基材の除去を防止することができる。そのため、支持部厚み寸法のばらつきを少なくすることができる。
ここで、接合層がフッ化水素に対してエッチングされ難いエポキシ系樹脂、又はアモルファスフッ素系樹脂で構成されている。そのため、ウェットエッチング法でエッチングして支持部領域の第一層用基材を除去する際に、この接合層は、エッチングストップ層として機能する。したがって、第一層用基材の支持部重畳領域をエッチング加工する際に、支持部上の第一層用基材を確実かつ容易に除去することが可能となり、製造工程の簡略化を図ることができる。
また、接合層がガラス同士を強固に接合できるエポキシ系樹脂、又はアモルファスフッ素系樹脂で構成されている。そのため、第一層と第二層との接合強度が強くなり、例えば、第一基板と第二基板とを接合する際や、第二層の支持部が撓んだ際に、可動部の剥離を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る一実施形態の波長可変干渉フィルターを備える測色モジュールの概略構成を示す図である。
【図２】前記実施形態の波長可変干渉フィルターを構成するエタロンの概略構成を示す平面図である。
【図３】図２においてエタロンのIII-III線に沿う矢視断面図である。
【図４】前記実施形態のエタロンの製造における第一基板の製造工程の概略を示す図である。
【図５】前記実施形態のエタロンの製造における第二基板の製造工程の一部概略を示す図である。
【図６】前記実施形態のエタロンの製造における第二基板の製造工程の概略であって、図５の続きの製造工程の概略を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明に係る一実施形態の波長可変干渉フィルターを備える測色モジュールについて、図面を参照して説明する。
〔１．測色モジュールの全体構成〕
図１は、本発明に係る第一実施形態の波長可変干渉フィルターを備える測色モジュールの概略構成を示す図である。
この測色モジュール１は、図１に示すように、被検査対象Ａに光を射出する光源装置２と、本発明の測色センサー３と、測色モジュール１の全体動作を制御する制御装置４とを備えている。そして、この測色モジュール１は、光源装置２から射出される光を被検査対象Ａにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー３にて受光し、測色センサー３から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち被検査対象Ａの色を分析して測定するモジュールである。
【００２１】
〔２．光源装置の構成〕
光源装置２は、光源２１、複数のレンズ２２（図１には１つのみ記載）を備え、被検査対象Ａに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ２２には、コリメーターレンズが含まれており、光源装置２は、光源２１から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから被検査対象Ａに向かって射出する。
【００２２】
〔３．測色センサーの構成〕
測色センサー３は、図１に示すように、本発明の波長可変干渉フィルターを構成するエタロン５と、エタロン５を透過する光を受光する受光手段としての受光素子３１と、エタロン５で透過させる光の波長を可変する電圧制御手段６と、を備えている。また、測色センサー３は、エタロン５に対向する位置に、被検査対象Ａで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー３は、エタロン５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光のみを分光し、分光した光を受光素子３１にて受光する。
受光素子３１は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光素子３１は、制御装置４に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置４に出力する。
【００２３】
（３−１．エタロンの構成）
図２は、本発明の波長可変干渉フィルターを構成するエタロン５の概略構成を示す平面
図であり、図３は、エタロン５の概略構成を示す断面図である。なお、図１では、エタロン５に検査対象光が図中下側から入射しているが、図３では、検査対象光が図中上側から入射するものとする。
エタロン５は、図２に示すように、平面正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば１０ｍｍに形成されている。このエタロン５は、図３に示すように、第一基板５１、及び第二基板５２を備えている。これらの２枚の各基板５１，５２は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。これらの中でも、各基板５１，５２の構成材料としては、例えばナトリウム（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）などのアルカリ金属を含有したガラスが好ましく、このようなガラスにより各基板５１，５２を形成することで、後述するミラー５６，５７や、各電極の密着性や、基板同士の接合強度を向上させることが可能となる。そして、これらの２枚の各基板５１，５２は、外周部近傍に形成される接合面５１３，５２３において接合され、一体的に構成されている。エタロン５では、プラズマ重合膜５８を介して接合されている。
【００２４】
第一基板５１と、第二基板５２との間には、一対のミラー５６，５７が設けられる。第一基板５１には、第一反射膜としての固定ミラー５６が設けられ、第二基板５２には、第二反射膜としての可動ミラー５７が設けられている。ここで、固定ミラー５６は、第一基板５１の第二基板５２に対向する面に固定され、可動ミラー５７は、第二基板５２の第一基板５１に対向する面に固定されている。また、これらの固定ミラー５６及び可動ミラー５７は、ミラー間ギャップＧを介して対向配置されている。固定ミラー５６及び可動ミラー５７については後に詳述する。
また、第一基板５１と第二基板５２との間には、固定ミラー５６及び可動ミラー５７の間のミラー間ギャップＧの寸法を調整するための静電アクチュエーター５４が設けられている。
【００２５】
（３−１−１．第一基板の構成）
第一基板５１は、厚みが例えば５００μｍに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、図３に示すように、第一基板５１には、エッチングにより電極形成溝５１１及びミラー固定部５１２が形成される。
電極形成溝５１１は、図２に示すようなエタロン５を厚み方向から見た平面視（以降、エタロン平面視と称す）において、平面中心点を中心とした円形に形成されている。ミラー固定部５１２は、図３に示すように、電極形成溝５１１の中心部から第二基板５２側に突出して形成される。
また、第一基板５１には、後述する第一変位用電極パッド５４１Ｂが形成される位置に溝が形成されている。さらに、第一基板５１には、第二基板５２の後述する第二変位用電極パッド５４２Ｂに対向する位置にも溝が形成されている。
【００２６】
電極形成溝５１１は、ミラー固定部５１２の外周縁から、当該電極形成溝５１１の内周壁面までの間に、リング状の電極固定面５１１Ａが形成され、この電極固定面５１１Ａに第一変位用電極５４１が形成される。また、第一変位用電極５４１の外周縁の一部からは、図２に示すようなエタロン平面視において、エタロン５の左下方向に向かって、第一変位用電極引出部５４１Ａが延出し、形成されている。さらに、この第一変位用電極引出部５４１Ａの先端には、第一変位用電極パッド５４１Ｂが形成され、電圧制御手段６に接続される。なお、第一基板５１には、この第一変位用電極引出部５４１Ａ及び第一変位用電極パッド５４１Ｂが形成可能な溝が形成され、当該溝は電極形成溝５１１に連続している。さらに、第一基板５１には、第二基板５２に形成される後述する第二変位用電極パッド５４２Ｂに対向する位置にも溝が形成されている。これらの溝は、第一変位用電極パッド５４１Ｂ、又は第二変位用電極パッド５４２Ｂと電圧制御手段６とを接続する配線等のスペースとして活用できる。
ここで、静電アクチュエーター５４を駆動させる際には、電圧制御手段６により、第一変位用電極パッド５４１Ｂに電圧が印加される。
なお、本実施形態では、第一変位用電極５４１に対して一つの第一変位用電極パッド５４１Ｂが形成される例を示すが、これに限定されず、例えば、図２に示すエタロン平面視において、右下方向に延びる第一変位用電極引出部５４１Ａ及び第一変位用電極パッド５４１Ｂが形成される構成としてもよい。この場合、二つの第一変位用電極パッド５４１Ｂのうち、一方を第一変位用電極５４１に電圧を印加するための電圧印加用端子として用い、他方を第一変位用電極５４１に保持される電荷を検出するための電荷検出用端子として用いてもよい。
【００２７】
ミラー固定部５１２は、上述したように、電極形成溝５１１と同軸上で、電極形成溝５１１よりも小さい径寸法となる円柱状に形成されている。なお、本実施形態では、図３に示すように、ミラー固定部５１２の第二基板５２に対向するミラー固定面５１２Ａが、電極固定面５１１Ａよりも第二基板５２に近接して形成される例を示すが、これに限られない。電極固定面５１１Ａ及びミラー固定面５１２Ａの高さ位置は、ミラー固定面５１２Ａに固定される固定ミラー５６、及び第二基板５２に形成される可動ミラー５７の間のミラー間ギャップＧの寸法、第一変位用電極５４１及び第二基板５２に形成される後述の第二変位用電極５４２の間の寸法、固定ミラー５６や可動ミラー５７の厚み寸法により適宜設定されるものであり、上記のような構成に限られない。例えばミラー５６，５７として、誘電体多層膜ミラーを用い、その厚み寸法が増大する場合、電極固定面５１１Ａとミラー固定面５１２Ａとが同一面に形成される構成や、電極固定面５１１Ａの中心部に、円柱凹溝状のミラー固定溝が形成され、このミラー固定溝の底面にミラー固定面５１２Ａが形成される構成などとしてもよい。
【００２８】
また、ミラー固定部５１２のミラー固定面５１２Ａは、エタロン５を透過させる波長域をも考慮して、溝深さが設計されることが好ましい。例えば、本実施形態では、固定ミラー５６及び可動ミラー５７の間のミラー間ギャップＧの初期値（第一変位用電極５４１及び第二変位用電極５４２間に電圧が印加されていない状態のミラー間ギャップＧの寸法）が４５０ｎｍに設定され、第一変位用電極５４１及び第二変位用電極５４２間に電圧を印加することにより、ミラー間ギャップＧが例えば２５０ｎｍになるまで可動ミラー５７を変位させることが可能となっており、これにより、第一変位用電極５４１及び第二変位用電極５４２間の電圧を可変することで、可視光全域の波長の光を選択的に分光させて透過させることが可能となる。この場合、固定ミラー５６及び可動ミラー５７の膜厚及びミラー固定面５１２Ａや電極固定面５１１Ａの高さ寸法は、ミラー間ギャップＧを２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの間で変位可能な値に設定されていればよい。
【００２９】
そして、ミラー固定面５１２Ａには、直径が約３ｍｍの円形状に形成される固定ミラー５６が固定されている。この固定ミラー５６は、ＡｇＣ単層により形成されるミラーであり、スパッタリングなどの手法によりミラー固定面５１２Ａに形成される。また、ＡｇＣ単層ミラーの膜厚寸法は、例えば０．０３μｍに形成されている。
なお、本実施形態では、固定ミラー５６として、エタロン５で分光可能な波長域として可視光全域をカバーできるＡｇＣ単層のミラーを用いる例を示すが、これに限定されず、例えば、エタロン５で分光可能な波長域が狭いが、ＡｇＣ単層ミラーよりも、分光された光の透過率が大きく、透過率の半値幅も狭く分解能が良好な、例えばＴｉＯ２−ＳｉＯ２系誘電体多層膜ミラーを用いる構成としてもよい。ただし、この場合、上述したように、第一基板５１のミラー固定面５１２Ａや電極固定面５１１Ａの高さ位置を、固定ミラー５６や可動ミラー５７、分光させる光の波長選択域などにより、適宜設定する必要がある。
【００３０】
さらに、第一基板５１は、第二基板５２に対向する上面とは反対側の下面において、固定ミラー５６に対応する位置に図示略の反射防止膜（ＡＲ）が形成されている。この反射防止膜は、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで形成され、第一基板５１の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。
【００３１】
（３−１−２．第二基板の構成）
第二基板５２は、第一層５２０と第二層５３０とが、接合層５５０を介して接合された積層体である。そして、第二基板５２は、第二層５３０が第一基板５１に対向するように、第一基板５１に対して接合されている。第一層５２０及び第二層５３０は、光学的に透光性を有する部材で構成され、エタロン５では第一層用基材及び第二層用基材としてのガラス基材が加工されて形成されてなる。これらのガラス基材の厚み寸法としては、エタロン５のサイズ、分光させる光の波長選択域に対するミラー間ギャップＧの変位可能量、第二基板５２の製造時における加工時間などにより適宜設定される。本実施形態では、第一層用基材としてのガラス基材の厚み寸法は、例えば、２００μｍ〜１ｍｍであり、このようなガラス基材に対して切削、研磨などの加工を施すことで、第一層５２０が形成され、例えば、後述する可動部や肩部の厚み寸法が５００μｍとされる。また、第二層用基材としてのガラス基材の厚み寸法は、例えば、１００μｍ〜２００μｍであり、このようなガラス基材を切削、研磨などの加工を施すことで、例えば５０μｍの第二層５３０が形成される。
【００３２】
第一層５２０は、図２に示すような平面視において、基板中心点を中心とした円形の可動部５２１を備えている。また、可動部５２１は、図３に示すような断面視において、台形状である。この可動部５２１は、可動ミラー５７の撓みを抑制する。
さらに、第一層５２０は、その外周端部に図３に示すような肩部５２２を備えている。
これらの可動部５２１及び肩部５２２は、第一層用基材としてのガラス基材が、可動部５２１及び肩部５２２が形成される領域を残して除去されて形成されたものである。この第一層用基材が除去された領域は、エタロン平面視で後述する支持部５３１に重なる領域（支持部領域５２４）に当る。そして、支持部領域５２４には、図３に示すように第一層５２０を構成する可動部５２１や肩部５２２が積層されておらず、支持部５３１と、支持部５３１上の接合層５５０だけが設けられている。
可動部５２１及び肩部５２２は、後述する支持部５３１よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、第一層用基材としてのガラス基材厚み寸法と同じ５００μｍに形成されている。この場合、第一層用基材としてのガラス基材厚み寸法を５００μｍ以上としておいて、可動部５２１及び肩部５２２の厚み寸法が５００μｍとなるようにエッチング加工してもよい。
可動部５２１は、第二層５３０と接合される面とは反対側の上面において、可動ミラー５７に対応する位置に図示略の反射防止膜（ＡＲ）が形成されている。この反射防止膜は、第一基板５１に形成される反射防止膜と同様の構成を有し、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで形成される。
【００３３】
肩部５２２は、第一層５２０の外周縁に沿って形成され、エタロン５の強度を高めるためのものである。
後述する第二変位用電極パッド５４２Ｂに対向する第一基板５１側には、前述の通り、溝が形成されている。そのため、第二変位用電極パッド５４２Ｂが形成される位置は、当該溝があるために、第一基板５１に対して接合されていない。そして、第二変位用電極パッド５４２Ｂの形成位置に対応する第一層５２０側に肩部５２２が形成されていないと、第二変位用電極パッド５４２Ｂは、第一層５２０よりも薄い第二層５３０によって支持されることになる。そうすると、第二変位用電極パッド５４２Ｂが形成された部分の強度が弱く、例えば、第二変位用電極パッド５４２Ｂを電圧制御手段６に接続する際に破損するおそれがある。また、基板中央領域に対して外周領域は、外力の影響を受け易いため、通常使用でも衝撃により破損するおそれがある。肩部５２２を形成することで破損を防止できる。
【００３４】
第二層５３０は、厚み寸法が一様な板状に形成される。そして、第一層５２０の支持部領域５２４に対向する第二層５３０の領域が、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を変位可能に支持する支持部５３１として機能する。エタロン５において、第二層５３０は、可動部５２１及び肩部５２２を支持する。支持部５３１は、可動部５２１の周囲を囲い、可動部５２１を変位可能に支持し、ダイヤフラムとして機能する。本実施形態では、一様な厚み寸法となる板状の第二層５３０の一部を支持部５３１として機能させる構成としたが、例えば、第二層用基材であるガラス基材の一部に、切削、研磨などの加工により、厚み寸法が一様な支持部５３１を形成する構成としてもよい。
【００３５】
支持部５３１の第一基板５１に対向する面には、第一変位用電極５４１と約１μｍの電極ギャップを介して対向する、リング状の第二変位用電極５４２が形成されている。
第二変位用電極５４２の外周縁の一部からは、第二変位用電極引出部５４２Ａが外周方向に向かって形成され、この第二変位用電極引出部５４２Ａの先端には第二変位用電極パッド５４２Ｂが形成されている。より具体的には、第二変位用電極引出部５４２Ａは、図２に示すように、エタロン平面視において、エタロン５の右上方向に向かって延出し、形成されている。
また、第二変位用電極パッド５４２Ｂも、第一変位用電極パッド５４１Ｂと同様に、電圧制御手段６に接続され、静電アクチュエーター５４の駆動時には、第二変位用電極パッド５４２Ｂに電圧が印加される。
なお、本実施形態では、第二変位用電極５４２に対して一つの第二変位用電極パッド５４２Ｂが形成される例を示すが、これに限定されず、例えば、図２に示すエタロン平面視において、左上方向に延びる第二変位用電極引出部５４２Ａ及び第二変位用電極パッド５４２Ｂが形成される構成としてもよい。この場合、二つの第二変位用電極パッド５４２Ｂのうち、一方を第二変位用電極５４２に電圧を印加するための電圧印加用端子として用い、他方を第二変位用電極５４２に保持される電荷を検出するための電荷検出用端子として用いてもよい。
【００３６】
ここで、この第二変位用電極５４２及び前述した第一変位用電極５４１により、本発明の可変部である静電アクチュエーター５４が構成される。
そして、エタロン５では、静電アクチュエーター５４に所定の電圧を印加することで、第一変位用電極５４１と第二変位用電極５４２との間に静電引力が発生する。この静電引力によって可動部５２１を基板厚み方向に沿って移動させてミラー間ギャップＧを調整し、検査対象光から分光させる光を選択することが可能となる。
【００３７】
そして、第二層５３０の下面であって、第一層５２０の可動部５２１に対応する位置（図３では、第二層５３０を挟んで可動部５２１の下側）に、可動ミラー５７が、第一基板５１の固定ミラー５６に対向して設けられている。エタロン平面視では、可動ミラー５７は、可動部５２１と重なる位置に設けられている。また、エタロン５では、可動ミラー５７と固定ミラー５６との間のミラー間ギャップＧは、初期状態において、４５０ｎｍに設定されている。
ここで、この可動ミラー５７は、上述した固定ミラー５６と同一の構成のミラーが用いられ、エタロン５では、ＡｇＣ単層ミラーが用いられる。また、ＡｇＣ単層ミラーの膜厚寸法は、例えば０．０３μｍに形成されている。
【００３８】
接合層５５０は、前述したように第一層５２０と第二層５３０とを接合し、両者の接合強度を高めるとともに、光学的に透過性を有するものである。エタロン５では、エタロン平面視で支持部５３１に重なる領域（支持部領域５２４）にも、接合層５５０の一部が設けられている。そのため、ミラー間ギャップＧの調整時の支持部５３１の撓みに伴って、当該接合層５５０の一部領域も撓む。
エタロン５においては、接合層５５０は、接着剤で構成されている。接着剤としては、第一層５２０と第二層５３０とを接合することができるものであって、光学的に透過性を有するものであれば良い。エタロン５では、第一層５２０及び第二層５３０は、ガラス基材で構成されるので、ガラス同士を接合することができる接着剤であれば良く、例えば、エポキシ系樹脂、又はアモルファスフッ素系樹脂が好ましい。接合層５５０がエポキシ系樹脂、又はアモルファスフッ素系樹脂で構成される場合、ガラス基材をフッ酸等でウェットエッチング加工する際に、接合層５５０は、エッチングストップ層として機能し、オーバーエッチングを防ぐことができる。
また、接合層５５０の厚み寸法は、一様に形成されていることが好ましく、例えば１μｍに形成されている。
なお、支持部領域５２４には第一層５２０が積層されておらず、支持部５３１の厚み寸法が５０μｍであるのに対して、接合層５５０の厚み寸法が１μｍであるので、接合層５５０の厚みが支持部５３１のダイヤフラムとしての機能に及ぼす影響は、ほぼ無い。
【００３９】
（３−２．電圧制御手段の構成）
電圧制御手段６は、上記エタロン５とともに、本発明の波長可変干渉フィルターを構成する。この電圧制御手段６は、制御装置４からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５４の第一変位用電極５４１及び第二変位用電極５４２に印加する電圧を制御する。
【００４０】
〔４．制御装置の構成〕
制御装置４は、測色モジュール１の全体動作を制御する。
この制御装置４としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置４は、図１に示すように、光源制御部４１、測色センサー制御部４２、及び測色処理部４３などを備えて構成されている。
光源制御部４１は、光源装置２に接続されている。そして、光源制御部４１は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置２に所定の制御信号を出力し、光源装置２から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部４２は、測色センサー３に接続されている。そして、測色センサー制御部４２は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー３にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー３に出力する。これにより、測色センサー３の電圧制御手段６は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター５４への印加電圧を設定する。
【００４１】
〔５．エタロンの製造方法〕
次に、上記エタロン５の製造方法について、図面に基づいて説明する。
（５−１．第一基板の製造）
図４は、エタロン５の第一基板５１の製造工程の概略を示す図であり、（Ａ）は、第一基板５１にミラー固定面５１２Ａ形成用のレジストを形成するレジスト形成工程の概略図、（Ｂ）は、ミラー固定面５１２Ａを形成する第一溝形成工程の概略図、（Ｃ）は、電極固定面５１１Ａを形成する第二溝形成工程の概略図、（Ｄ）は、ＡｇＣ層を形成するＡｇＣ形成工程の概略図、（Ｅ）は、ＡｇＣ除去工程を示す概略図である。
【００４２】
第一基板５１を製造するためには、まず、図４（Ａ）に示すように、第一基板５１の製造素材であるガラス基板にレジスト６１を形成し（レジスト形成工程）、図４（Ｂ）に示すように、ミラー固定面５１２Ａを含む第一溝６２を形成する（第一溝形成工程）。
具体的には、レジスト形成工程では、接合面５１３にレジスト６１を形成する。そして、第一溝形成工程では、レジスト６１が形成されない接合面５１３以外の部分を等方性エッチングし、ミラー固定面５１２Ａを含む第一溝６２を形成する。
【００４３】
そして、第一溝６２の形成後、図４（Ｃ）に示すように、この第一溝６２のミラー固定面５１２Ａの形成位置にレジスト６１を形成し、さらに等方性エッチングを実施する（第二溝形成工程）。これにより、電極形成溝５１１、電極固定面５１１Ａ、及びミラー固定部５１２が形成される。
【００４４】
この後、図４（Ｄ）に示すように、第一基板５１のレジスト６１を除去し、第二基板５２に対向する面にＡｇＣ薄膜６３を例えば厚み寸法が３０ｎｍとなるように形成する（ＡｇＣ形成工程）。また、ＡｇＣ形成工程では、形成されたＡｇＣ薄膜６３上の、固定ミラー５６の形成部分、及び第一変位用電極５４１の形成部分にそれぞれレジスト６１を形成する。
そして、レジスト６１が設けられていない部分のＡｇＣ薄膜６３を除去することで、図４（Ｅ）に示すように、固定ミラー５６、及び第一変位用電極５４１が形成される（ＡｇＣ除去工程）。
以上により、第一基板５１が形成される。
【００４５】
（５−２．第二基板の製造）
次に、第二基板５２の製造方法について説明する。
図５及び図６は、第二基板の製造工程の概略を示す図である。
図５（Ａ）は、第一層用基材５２０Ａと第二層用基材５３０Ａとを積層して接合する積層工程の概略図、図５（Ｂ）は、第二層用基材５３０Ａの厚みを支持部５３１厚みに加工する第二層形成工程の概略図、図５（Ｃ）は、可動部５２１や肩部５２２を形成するためのレジストを形成するレジスト形成工程の概略図である。
図６（Ｄ）は、第一層用基材５２０Ａをブラスト加工で掘削する第一層形成工程の前半部を示す概略図、図６（Ｅ）は、第一層形成工程の前半部に引き続いて第一層用基材５２０Ａをエッチング加工で除去する第一層形成工程の後半部を示す概略図、図６（Ｆ）は、ＡｇＣ薄膜上にレジストを形成する工程の概略図、図６（Ｇ）は、可動ミラー５７及び第二変位用電極５４２を形成する工程を示す概略図である。
【００４６】
第二基板５２の製造では、まず、図５（Ａ）に示すように、第二基板５２を構成する第一層５２０を形成するための第一層用基材５２０Ａ（ガラス基板）と第二層５３０を形成するための第二層用基材５３０Ａ（ガラス基板）とを積層させて、接合層５５０を介して接合させる（積層工程）。第二基板５２においては、第一層用基材５２０Ａ及び第二層用基材５３０Ａの少なくともいずれか一方の基材の片面に接着剤をスピンコーティング法等の方法で均一に塗布し、接合層５５０の厚み寸法が一様になるように貼り合わせ、積層体とする。なお、エタロン５の製造においては、エポキシ系樹脂、又はアモルファスフッ素系樹脂を含む接着剤で接合層５５０を形成する。
【００４７】
次に、図５（Ｂ）に示すように、第二層用基材５３０Ａの厚み寸法を所望の支持部５３１厚み寸法に加工する。ここでは、第二層用基材５３０Ａに対し等方性エッチング加工を施して第二層用基材５３０Ａの厚み寸法を小さくし、所望の厚み寸法を有する支持部５３１を備えた板状の第二層５３０を形成する（第二層形成工程）。なお、エッチングする際に、第一層用基材５２０Ａもエッチングされないように、第一層用基材５２０Ａの表面に図示略のレジストを形成しておくと良い。レジスト材は、耐エッチング性を有するものが良い。
【００４８】
その後、図５（Ｃ）に示すように、第一層用基材５２０Ａの可動部５２１及び肩部５２２の形成位置、支持部領域５２４、並びに第二基板５２の接合面５２３の形成位置（第二層用基材５３０Ａの下面側）に対応させて、それぞれレジスト６１を形成する（レジスト形成工程）。
【００４９】
そして、図６（Ｄ）に示すように、第一層用基材５２０Ａに形成されたレジスト６１領域以外をブラスト加工で掘削する（第一層形成工程の前半部）。ここでは、掘削が接合層５５０へ到達する前に、ブラスト加工を停止する。ブラスト加工で掘削する深さの目安としては、第一層用基材５２０Ａの厚み寸法の１／２から３／４程度であるが、接合層５５０に到達しない限り、さらに掘削してもよい。
また、接合層５５０が掘削されないようにするために、第一層用基材５２０Ａの表層側（掘削初期）から接合層５５０に近づくまでは、吹き付け強度を強めに設定し、接合層５５０に近づいてきたら吹き付け強度を弱めに設定するようにしてもよい。
なお、ブラスト加工としては、アルミナ微粒子を吹き付けて掘削するサンドブラスト加工や、研磨剤と液体を均一に混ぜたスラリーを吹き付けて掘削するウェットブラスト加工などが挙げられる。
【００５０】
続いて、図６（Ｅ）に示すように、ブラスト加工（第一層形成工程の前半部）に引き続いて第一層用基材５２０Ａをエッチング加工して、接合層５５０に到達するまで支持部領域５２４の第一層用基材５２０Ａを除去することで、可動部５２１及び肩部５２２が形成される（第一層形成工程の後半部）。このように、レジスト６１が形成されていない領域をエッチング加工して、第一層用基材５２０Ａを除去することによって、第二層５３０の支持部５３１に当る領域の厚みは、第二層５３０の厚み寸法と接合層５５０の厚み寸法とを合わせた厚み寸法となる。
エッチング加工としては、ウェットエッチング法やドライエッチング法が挙げられる。なお、エタロン５の製造においては、第一層用基材５２０Ａがガラス基材なので、フッ酸を用いたウェットエッチング法によって、エッチング加工を行うことができる。前述の通り、接合層５５０が、フッ酸に耐性のあるエポキシ系樹脂、又はアモルファスフッ素系樹脂で形成されるので、エッチング加工の際に、第二層５３０までエッチングされるのを防止できる。すなわち、接合層５５０は、エッチングストップ層として機能する。
【００５１】
この後、第一層用基材５２０Ａ及び第二層用基材５３０Ａに形成されたレジスト６１を除去し、図６（Ｆ）に示すように、第一基板５１の製造と同様にして、第一基板５１に対向する面（第二層５３０の下面）にＡｇＣ薄膜６３を例えば厚み寸法が３０ｎｍとなるように形成する（第二ＡｇＣ形成工程）。さらに、図６（Ｆ）に示すように、第二ＡｇＣ形成工程では、形成されたＡｇＣ薄膜６３上の、可動ミラー５７の形成部分、及び第二変位用電極５４２の形成部分にそれぞれレジスト６１を形成する。
そして、レジスト６１が設けられていない部分のＡｇＣ薄膜６３を除去することで、図４（Ｇ）に示すように、可動ミラー５７、及び第二変位用電極５４２が形成される（ＡｇＣ除去工程）。
【００５２】
（５−３．エタロンの製造）
次に、上述のように製造された第一基板５１及び第二基板５２を用いたエタロン５の製造について説明する。
エタロン５の製造では、第一基板５１及び第二基板５２を接合する接合工程を実施する。接合工程では、接合面５１３，５２３にそれぞれプラズマ重合膜５８を成膜し、互いのプラズマ重合膜５８を貼り合わせて第一基板５１と第二基板５２と接合する。
【００５３】
〔６．第一実施形態の作用効果〕
第一実施形態のエタロン５では、第二層５３０の支持部５３１上には、接合層５５０の一部が積層され、支持部領域５２４には第一層５２０が積層されていないので、支持部５３１の厚み寸法は、第二層５３０の厚み寸法によって決定される。ここで、第二層５３０は、均一な厚み寸法の板状に形成されているため、支持部５３１の厚み寸法も均一な厚み寸法となる。そのため、可動部５２１が変位する際に、支持部５３１に均一に撓み応力が作用するため、支持部５３１をバランスよく撓ませることができ、固定ミラー５６及び可動ミラー５７の平行を維持した状態で、可動部５２１を変位させることができる。したがって、可動部５２１を変位させた際でも、透過光の波長分解能が低下するなどの不都合がなく、良好な分光精度を維持することができる。
また、第二基板５２の製造において、支持部領域５２４の第一層用基材５２０Ａが除去されて可動部５２１及び肩部５２２を有する第一層５２０が形成される。このため、第二層５３０の支持部５３１上に、第一層用基材５２０Ａが残存して支持部５３１厚み寸法がばらつくことなく、支持部５３１の厚み寸法を一様にすることができる。
【００５４】
さらに、接合層５５０がガラス同士を強固に接合できるエポキシ系樹脂、又はアモルファスフッ素系樹脂で構成されている。そのため、第一層５２０と第二層５３０との接合強度が強くなり、例えば、第一基板５１と第二基板５２とをプラズマ重合膜５８で接合する際や、第二層５３０が撓んだ際に、可動部５２１の剥離を防ぐことができる。
加えて、エポキシ系樹脂、又はアモルファスフッ素系樹脂は、フッ化水素に対して耐性を有するので、第一層形成工程におけるエッチング加工の際に、第二層５３０までエッチングされるのを防止できる。すなわち、接合層５５０は、エッチングストップ層として機能する。その結果、第一層用基材５２０Ａの支持部重畳領域をエッチング加工する際に、支持部５３１上の第一層用基材５２０Ａを確実かつ容易に除去することが可能となり、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００５５】
そして、第一層形成工程の前半部では、第一層用基材５２０Ａを除去加工する速度がエッチング加工よりも速いブラスト加工であり、所望の厚み（掘削が接合層５５０へ到達する手前）まで第一層用基材５２０Ａを掘削する。そのため、第一層用基材５２０Ａをエッチングのみで除去加工する場合と比べて、第一層５２０を形成する時間を短縮することができる。
【００５６】
そしてさらに、本実施形態のエタロン５の製造方法では、ブラスト加工で迅速に第一層用基材５２０Ａを掘削できるので、第一層５２０の厚み寸法を５００μｍ〜１ｍｍと大きくしたとしても、製造効率を低下させずに、厚み寸法の大きい可動部を有するエタロン５を製造することができる。このように製造されたエタロン５は、可動ミラー５７の撓みをより効果的に抑制することができる。なお、従来の第二基板の厚み寸法は、製造効率の観点から大きくすることができず、２００μｍ程度であったため、可動部厚みも２００μｍ程度となっていた。
【００５７】
また、第一層形成工程の後半部では、ブラスト加工で第一層用基材５２０Ａを途中まで除去した後、エッチング加工で残りの第一層用基材５２０Ａを除去する。ここで、第一層用基材５２０Ａをすべてブラスト加工で除去しようとする場合、例えば、ブラスト加工の停止のタイミングが遅いと、接合層５５０や接合層５５０の下側にある支持部５３１までも掘削してしまい接合層５５０や支持部５３１厚みがばらつくおそれがある。また、ブラスト加工の停止のタイミングが早いと支持部５３１及び接合層５５０上に第一層用基材５２０Ａが残留し、当該残留によって支持部５３１に均一に撓み応力が作用せず、支持部５３１をバランスよく撓ませることができなくなるおそれがある。
これに対して、エタロン５では、第一層用基材５２０Ａの一部をブラスト加工により迅速に除去した後、残部をエッチング加工することで、エッチング精度を上げることができ、第一層用基材５２０Ａの残留や第二層用基材５３０Ａの掘削を防止できる。
【００５８】
〔他の実施の形態〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００５９】
例えば、第一基板５１と第二基板５２との接合は、接着剤等の接合部材を用いた接合や、常温活性化接合法（オプティカルコンタクト）でもよい。ここで、常温活性化接合法を採用する場合、各基板５１，５２を真空チャンバーに入れ、真空状態下で、イオンビームの照射やプラズマ処理を実施することで、接合面５１３，５２３を活性化させる。そして、活性化された接合面５１３、５２３同士を重ね合わせて、第一基板５１及び第二基板５２の厚み方向に対して加重を印加することで、第一基板５１及び第二基板５２を接合する。
【００６０】
また、第二基板５２の第一層５２０及び第二層５３０同士の接合においても、前記実施形態では、接着剤を用いたがこれに限られず、プラズマ重合膜による接合や常温活性化接合による接合であっても良い。
加えて、上記実施形態では、支持部５３１上に接合層５５０が形成されていたが、接合層５５０が形成されていなくてもよい。第二層５３０のみで厚み寸法が一様な支持部５３１を形成してもよい。
（例１）例えば、上記実施形態と同様にして、第一層５２０と第二層５３０とを接合層５５０を介して接合させる場合、支持部領域５２４の第一層用基材５２０Ａだけでなく、支持部領域５２４に対応する接合層５５０も除去した構造でもよい。この場合、可動部５２１及び肩部５２２は、接合層５５０を介して、第二層５３０と接合されていることになるが、支持部５３１上には、接合層５５０が残留しておらず、厚み寸法が一様な支持部５３１がエタロン平面視で露出していることになる。
そのため、前述のブラスト加工で第一層用基材５２０Ａを通過して接合層５５０を一部まで掘削して、接合層５５０の厚み寸法にばらつきが生じた場合でも、当該接合層５５０を除去することで、厚み寸法が一様な支持部５３１のみによって機能するダイヤフラムを形成することができる。
（例２）例えば、接合層５５０を介さずに、第一層５２０と第二層５３０とを積層させて接合した構造でもよい。この場合、上述の常温活性化接合によって、第一層用基材５２０Ａと第二層用基材５３０Ａとを接合させたのち、支持部領域５２４の第一層用基材５２０Ａを除去すれば、厚み寸法が一様な支持部５３１がエタロン平面視で露出していることになる。そのため、厚み寸法が一様な支持部５３１のみによって機能するダイヤフラムを形成することができる。
【００６１】
さらに、第二層５３０の厚み寸法は、全体が支持部５３１と同じ厚み寸法であっても良いし、支持部５３１以外の第二層５３０部分の厚み寸法を、支持部５３１の厚み寸法よりも大きくしてもよい。すなわち、第二層５３０が一様な厚み寸法となるように第二層用基材５３０Ａの面全体をエッチングするのではなく、支持部５３１の形成領域を選択的にエッチングして、支持部５３１とそれ以外の部分とで厚み寸法の差を、二段階以上で第二層５３０に設けても良い。
【００６２】
そして、可変部としては、静電アクチュエーター５４に限られずミラー間ギャップＧを調整することができるものであれば良く、例えば、圧電素子によって第二基板５２を撓ませる方法でも良い。
【００６３】
また、上記実施形態において、第一層形成工程では、ブラスト加工とエッチング加工とを組み合わせた製造方法で説明したが、これに限られない。
例えば、第一層用基材５２０Ａをエッチング加工のみで除去してもよい。この場合でも、エッチング耐性を有する接合層５５０を形成しておけば、接合層５５０がエッチングストップ層となって、支持部５３１の厚みばらつきを防止できる。
一方で、第一層用基材５２０Ａをブラスト加工のみで除去してもよい。この場合、エッチング等で除去可能な材料で接合層５５０を設けておいて、接合層５５０が掘削、貫通されてブラスト加工が支持部５３１へ到達する前にブラスト加工を停止させる。その後、接合層５５０をエッチング等で除去すれば、厚みが一様な支持部５３１によってダイヤフラムとして機能させることができる。この場合、接合層５５０の厚み寸法を上記実施形態における厚み寸法よりも大きくしておくことで、ブラスト加工による支持部５３１の掘削をより確実に防止することができる。
【００６４】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造及び手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。
【符号の説明】
【００６５】
５…エタロン（波長可変干渉フィルター）、５１…第一基板、５２…第二基板、５４…静電アクチュエーター（可変部）、５６…固定ミラー（第一反射膜）、５７…可動ミラー（第二反射膜）、５２０…第一層、５２０Ａ…第一層用基材、５２１…可動部、５２４…支持部領域、５３０…第二層、５３０Ａ…第二層用基材、５３１…支持部、５５０…接合層、Ｇ…ミラー間ギャップ（ギャップ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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