(57)【要約】【課題】最終試験を所定回数繰り返す毎に行うクリーニング工程を不要とし、半導体集積回路の生産性を向上できるコンタクタ、半導体集積回路の試験方法及び試験装置を提供する。【解決手段】半導体集積回路１１が載置されるＩＣ搭載部２０と、コンタクトピン２６が立設されるベース部材２３との間に研磨シート３１を配置する。研磨シート３１にはコンタクトピン２６が挿通可能なスリットが設けられている。半導体集積回路１１を押し下げると研磨シート３１によりコンタクトピン２６の先端が擦れて研磨され、コンタクトピン２６の先端に付着している異物が除去される。その後、更に半導体集積回路１１を押し下げると、コンタクトピン２６が半導体集積回路１１の接続端子に接触する。この状態で半導体集積回路１１を駆動し、出力信号により良否を判定する。【選択図】図７
2011027519.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路が載置されるＩＣ搭載部と、
ベース部材と、
前記ベース部材に立設される複数のコンタクトピンと、
前記ＩＣ搭載部及び前記ベース部材の少なくとも一方を移動させて前記コンタクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる接触手段と、
前記ＩＣ搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置され、前記接触手段による前記半導体集積回路又は前記コンタクトピンの移動時に前記コンタクトピンの先端を擦る研磨シートと
を有することを特徴とする半導体集積回路用コンタクタ。
【請求項２】
前記ＩＣ搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置された前記研磨シートの数が複数であることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路用コンタクタ。
【請求項３】
前記複数の研磨シートには、前記コンタクトピンに接触するスリットと、前記コンタクトピンに接触しない貫通穴とが選択的に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路用コンタクタ。
【請求項４】
半導体集積回路と検査装置本体に電気的に接続された複数のコンタクトピンとの間に研磨シートを配置する工程と、
前記コンタクトピン及び前記研磨シートの少なくとも一方を移動させて前記研磨シートにより前記コンタクトピンの先端を擦る工程と、
更に前記コンタクトピン及び前記半導体集積回路の少なくとも一方を移動させて前記コンタクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる工程と、
前記検査装置本体から前記半導体集積回路に試験信号を供給して前記半導体集積回路の電気特性を測定する工程と
を有することを特徴とする半導体集積回路の試験方法。
【請求項５】
試験信号を発生する試験装置本体と、半導体集積回路が載置され前記試験装置本体から出力される試験信号を前記半導体集積回路に伝達するコンタクタとを有し、
前記コンタクタが、
ベース部材と、
前記ベース部材に立設される複数のコンタクトピンと、
前記ベース部材から離隔して配置され前記半導体集積回路が載置されるＩＣ搭載部と、
前記ＩＣ搭載部及び前記ベース部材の少なくとも一方を移動させて前記コンタクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる接触手段と、
前記ＩＣ搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置され、前記接触手段による前記半導体集積回路又は前記コンタクトピンの移動時に前記コンタクトピンの先端を擦る研磨シートと
を有することを特徴とする半導体集積回路の試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）の試験に使用するコンタクタ、半導体集積回路の試験方法及び試験装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯通信端末、携帯電話及びデジタルカメラ等の携帯型電子機器が広く普及しており、これらの電子機器のより一層の小型化、高性能化及び軽量化が要望されている。また、これらの電子機器に使用される半導体集積回路にも小型化、高性能化及び軽量化が要求されており、半導体集積回路の接続端子の数が増加するとともに接続端子の配列ピッチが狭くなる傾向がある。
【０００３】
携帯型電子機器に使用される半導体集積回路のパッケージには、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＦＢＧＡ（Fine-pitch Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）、及びＦＬＧＡ（Fine-pitch Land Grid Array）等がある。ＢＧＡ及びＦＢＧＡでははんだにより形成されたボール状の電極を接続端子としてパッケージ底面に格子状に並べており、リフロー炉により配線基板上にはんだ付けする。ＬＧＡ及びＦＬＧＡは、はんだボールの替わりに平面電極パッドを接続端子としてパッケージ底面に格子状に並べたものであり、はんだ付け又はＩＣソケットを介して配線基板に実装される。
【０００４】
ところで、半導体集積回路製造時の最終工程において、最終試験（ファイナルテスト）が実施される。この最終試験では、ＩＣテスターを用いて半導体集積回路の電気特性を測定して良否を判定する。ＩＣテスター本体と半導体集積回路との電気的接続は、例えば多数のコンタクトピンを有するコンタクタ（電気的接続をとるための冶具）を介して行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−４４８２５号公報
【特許文献２】特開平１１−２３３２２０号公報
【特許文献３】特開２００４−２１９１４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
最終試験は、半導体集積回路を高速動作させた状態で実施されることが多く、要求される電気特性も厳しい。また、コンタクトピンと半導体集積回路の接続端子との間の接触抵抗が電気特性の測定結果に与える影響が大きく、接触抵抗の管理が厳しく要求されている。しかし、従来の試験装置は、単にコンタクトピンを半導体集積回路の接続端子（はんだボール又は平面電極等）に接触させるだけである。そのため、最終試験を繰り返し行うとコンタクトピンの先端に異物（例えばめっき物から剥がれためっき膜等）が付着して接触抵抗が増大し、電気特性を正確に測定できないことがある。
【０００７】
このような不具合を回避するために、従来は例えば最終試験を所定回数繰り返した後、コンタクトピンの先端を研磨又は薬液洗浄するクリーニング工程を実行している。しかしながら、クリーニング工程を頻繁に行うと、半導体集積回路の製造（最終試験工程を含む）に要する時間が長くなり、生産性が低下するという問題がある。
【０００８】
以上から、最終試験を所定回数繰り返す毎に行うクリーニング工程を不要とし、半導体集積回路の生産性を向上できるコンタクタ、半導体集積回路の試験方法及び試験装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一観点によれば、半導体集積回路が載置されるＩＣ搭載部と、ベース部材と、前記ベース部材に立設される複数のコンタクトピンと、前記ＩＣ搭載部及び前記ベース部材の少なくとも一方を移動させて前記コンタクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる接触手段と、前記ＩＣ搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置され、前記接触手段による前記半導体集積回路又は前記コンタクトピンの移動時に前記コンタクトピンの先端を擦る研磨シートとを有する半導体集積回路用コンタクタが提供される。
【発明の効果】
【００１０】
上記一観点によれば、ＩＣ搭載部に載置された半導体集積回路とベース部材との間に、研磨シートを配置している。この研磨シートは、例えばコンタクトピンが通るスリット又は穴が設けられており、接触手段による半導体集積回路又はコンタクトピンの移動時にコンタクトピンの先端を擦るようになっている。このため、仮にコンタクトピンの先端に異物が付着していても、研磨シートにより異物が除去される。これにより、コンタクトピンと半導体集積回路の接続端子との接触状態を常に良好にすることができる。上記一観点によれば、試験を行うたびにコンタクトピンの先端が清浄化されるので、試験工程とは別にコンタクトピンを研磨したり洗浄したりする工程が不要になり、生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る試験装置を示す模式図である。
【図２】図２は、コンタクタの断面図である。
【図３】図３は、コンタクトピンを示す模式図である。
【図４】図４は、ＩＣ搭載部及びカバー部材を上から見た状態を示す平面図である。
【図５】図５は、図４の一部（角部）を拡大して示す図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は、研磨シートの取り付け方法の一例を示す図である。
【図７】図７は、第１の実施形態に係る半導体集積回路の試験方法を示す断面図である。
【図８】図８は、第１の実施形態に係る半導体集積回路の試験方法を示す模式図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｄ）は、研磨シートのスリットの例を示す図である。
【図１０】図１０（ａ），（ｂ）は、第２の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｃ）は、最終試験時におけるコンタクトピンの先端部の動きを示す模式図である。
【図１２】図１２（ａ），（ｂ）は、第３の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。
【図１３】図１３は、４枚の研磨シートをそれぞれ示す平面図である。
【図１４】図１４は、コンタクトピンが研磨シートを透過して半導体集積回路の接続端子と接続した状態を示す模式図である。
【図１５】図１５は、第４の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。
【図１６】図１６（ａ），（ｂ）は、第５の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。
【図１７】図１７（ａ）〜（ｃ）は、最終試験時におけるコンタクトピンの先端部の動きを示す模式図である。
【図１８】図１８（ａ），（ｂ）は、第６の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。
【図１９】図１９（ａ）〜（ｃ）は、最終試験時におけるコンタクトピンの先端の動きを示す模式図である。
【図２０】図２０は、半導体集積回路に対し最終試験を自動で行う半導体集積回路試験システムの概要を示す図である。
【図２１】図２１（ａ），（ｂ）は、第３の搬送装置と、試験ステージに配置されたコンタクタとを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る試験装置（ＩＣテスター）を示す模式図である。本実施形態に係る試験装置は、被試験体である半導体集積回路が搭載されるテスターヘッド２０と、予め設定されたプログラムにしたがって試験信号を発生し半導体集積回路の電気特性を測定する試験装置本体１０とを有している。試験装置本体１０とテスターヘッド２０との間は、ケーブル１５により電気的に接続されている。
【００１４】
テスターヘッド２０は、試験回路基板２１と、この試験回路基板２１上に搭載されたコンタクタ２２とを有している。試験回路基板２１には所定のパターンで電極及び配線が形成されている。図１では試験回路基板２１上に２個のコンタクタ２２が搭載されている例を示しているが、試験回路基板２１上に搭載するコンタクタ２２の数は１個でもよく、３個以上でもよい。
【００１５】
コンタクタ２２には、蝶番を介して蓋部３０が取り付けられている。この蓋部３０には、コンタクタ２２上に搭載された半導体集積回路を押圧する押圧部３０ａが設けられている。
【００１６】
図２は、コンタクタ２２の断面図である。この図２に示すように、コンタクタ２２は、ベース部材２３，２４と、カバー部材２５と、多数のコンタクトピン２６と、ガイドピン２７と、コイルばね２８と、ＩＣ搭載部２９とを有している。ＩＣ搭載部２９には、被試験体である半導体集積回路１１に整合する大きさの凹部が設けられており、この凹部内に半導体集積回路１１を載置するようになっている。
【００１７】
図３はコンタクトピン２６を示す模式図である。コンタクトピン２６は電気抵抗が小さい金属により形成されており、円筒状の固定部２６ａと、固定部２６ａ内に配置されたコイルばね２６ｂと、コイルばね２６ｂにより上下方向に移動可能に支持された可動部２６ｃとを有している。可動部２６ｃの先端（上端）には、半導体集積回路１１の接続端子に接触する接触部２６ｂが設けられている。また、固定部２６ａの下端は、試験回路基板２１に設けられた電極と電気的に接続される。
【００１８】
図２に示すように、ベース部材２３は、試験回路基板２１上に配置される。ベース部材２４も試験回路基板２１上に配置されるが、ベース部材２４の下側にはベース部材２３を内包する空間が設けられている。これらのベース部材２３，２４は絶縁材料により形成されており、コンタクトピン２６を立設するための多数の孔（コンタクトピン立設用孔）が設けられている。これらの孔の配列ピッチは、半導体集積回路１１の接続端子の配列ピッチと同一に設定されている。
【００１９】
また、ベース部材２３，２４のコンタクトピン立設用孔が設けられた領域の外側には複数（この例では２本）のガイドピン２７が立設されている。これらのガイドピン２７の上部はＩＣ搭載部２９に設けられたガイド穴に挿入されるようになっている。ガイドピン２７の周囲にはコイルばね２８が巻かれている。ＩＣ搭載部２９は、これらのガイドピン２７及びコイルばね２８によりコンタクトピン２６の上に保持されている。後述するように、ＩＣ搭載部２９の上に半導体集積回路１１を載置し、蓋部３０（押圧部３０ａ）により半導体集積回路１１を押し下げると、ガイドピン２７に沿ってＩＣ搭載部２９が下降し、半導体集積回路１１の接続端子とコンタクトピン２６の接触部２６ｄとが接触する。
【００２０】
ベース部材２４の上にはカバー部材２５が配置されている。図２に示すように、カバー部材２５にはＩＣ搭載部２９に対応する大きさの開口部が設けられている。初期状態（蓋部３０による押圧前の状態）では、カバー部材２５の開口部側の縁部下側がコイルばね２８により押し上げられたＩＣ搭載部２９の縁部に当接して、ＩＣ搭載部２９の位置が決定される。
【００２１】
図４はＩＣ搭載部２９及びカバー部材２５を上から見た状態を示す平面図、図５は図４の一部（角部）を拡大して示す図である。前述したように、ＩＣ搭載部２９には半導体集積回路１１に整合する大きさの凹部が設けられている。この凹部の底部には研磨シート３１が取り付けられており、図４，図５に示すように研磨シート３１には多数の十字状のスリット３１ａが設けられている。スリット３１ａの配列ピッチは、半導体集積回路１１の接続端子の配列ピッチと同じに設定されている。
【００２２】
研磨シート３１は、例えば表面に研磨剤が付着した柔軟性のある薄板からなる。研磨シート３１は、後述するように最終試験（高速動作試験）時にコンタクトピン２６の先端を擦って異物を除去するものである。また、ＩＣ搭載部２９は、研磨シート３１を容易に交換できる構造であることが好ましい。
【００２３】
図６は、研磨シート３１の取り付け方法の一例を示す図である。図６（ａ）はＩＣ搭載部２９の断面図、図６（ｂ），（ｃ）はＩＣ搭載部２９の部分拡大図である。
【００２４】
図６（ａ）に示すＩＣ搭載部２９は、ＩＣ搭載部本体４１と、研磨シート３１を挟んでＩＣ搭載部本体４１の下側に配置される研磨シート保持具４２とを有している。ＩＣ搭載部本体４１の下面側にはガイド穴４１ａが複数設けられており、研磨シート保持具４２にはガイド穴４１ａに挿入される凸状の位置決めポスト４２ａが設けられている。また、研磨シート３１には、位置決めポスト４２ａに対応する位置に位置決め穴４０ａが設けられている。
【００２５】
位置決めポスト４２ａは、図６（ａ）に示すように、水平面に対し中心側（研磨シート保持具４２の中心側）の面がほぼ垂直、外側の面が斜めであって、頂部の幅が研磨シート３１の位置決め穴４０ａの幅よりも小さく、底部の幅がＩＣ搭載部本体４１のガイド穴４１ａの幅とほぼ同じに設定されている。
【００２６】
ＩＣ搭載部２９に研磨シート３１を設置する場合、図６（ｂ）に示すように研磨シート保持具４２の位置決めポスト４２ａに研磨シート３１の位置決め穴４０ａを嵌め合わせる。その後、図６（ｃ）に示すように、位置決めポスト４２ａをＩＣ搭載部本体４１のガイド穴４１ａに嵌め込む。このとき、位置決めポスト４２ａの外側の傾斜面に沿って研磨シート３１が外側に引っ張られ、研磨シート３１の全体に張力が発生する。これにより、ＩＣ搭載部２９に研磨シート３１を平坦な状態で張り付けることができる。また、研磨シート３１が摩耗した場合、研磨シート３１を容易に交換することができる。
【００２７】
以下、図７，図８を参照して、本実施形態に係る半導体集積回路の試験方法について説明する。なお、図７（ａ），（ｂ）は最終試験（ファイナルテスト）時におけるコンタクタ２２の動きを示す断面図であり、図８（ａ）〜（ｃ）は最終試験時におけるコンタクトピン２６の先端部の動きを示す模式図である。また、図７（ａ），（ｂ）において、符号３０はコンタクタ２２に取り付けられた蓋部を示し、符号３０ａは蓋部３０に設けられた押圧部を示している（図１参照）。
【００２８】
まず、図７（ａ）に示すように、ＩＣ搭載部２９の凹部に半導体集積回路１１を載置する。この状態では、ＩＣ搭載部２９はコイルばね２８によりコンタクトピン２６の上方に保持されており、図８（ａ）に示すように、半導体集積回路１１の接続端子（はんだボール）１１ａとコンタクトピン２６とは接触していない。
【００２９】
次に、蓋部３０を閉じて押圧部３０ａにより半導体集積回路１１を押圧する。そうすると、半導体集積回路１１がＩＣ搭載部２９とともにガイドピン２７に沿って下降し、図８（ｂ）に示すように、コンタクトピン２６の先端の接触部２６ｄが研磨シート３１のスリット３１ａを通り抜ける。このとき、研磨シート３１によりコンタクトピン２６の接触部２６ｄが擦られて研磨（ワイピング）される。これにより、接触部２６ｄに異物が付着していても、異物が接触部２６ｄから除去される。
【００３０】
その後、更に押圧部３０ａにより半導体集積回路１１及びＩＣ搭載部２９を押圧して下降させると、図７（ｂ），図８（ｃ）に示すように、コンタクトピン２６の先端部（接続部２６ｄ）が半導体集積回路１１の接続端子１１ａと接触する。
【００３１】
このようにしてコンタクトピン２６と半導体集積回路１１の接続端子１１ａとを接触させた後、試験装置本体１０（図１参照）から試験信号を出力して半導体集積回路１１を動作させ、半導体集積回路１１の電気特性を測定する。そして、その測定結果に基づき、半導体集積回路１１の良否を判定する。
【００３２】
本実施形態では、蓋部３０（押圧部３０ａ）により半導体集積回路１１を押圧してＩＣ搭載部２９を下方に移動させると、コンタクトピン２６の先端（接続部２６ｄ）が研磨シート３１により擦られて研磨（ワイピング）される。このため、仮にコンタクトピン２６の先端に異物が付着していても、コンタクトピン２６が半導体集積回路１１の接続端子１１ａに接触する前に異物が除去される。これにより、最終試験において半導体集積回路１１の電気特性を常に良好な精度で測定することができ、最終試験の信頼性が向上する。また、最終試験とは別にコンタクトピン２６を研磨又は洗浄するクリーニング工程が不要となるので、半導体集積回路の製造（最終試験工程を含む）に要する時間が短縮される。その結果、半導体集積回路の生産性が向上する。更に、従来の方法ではコンタクトピン２６を過剰に研磨したり薬液によりコンタクトピン２６の電気特性を劣化させるおそれがあるが、本実施形態ではそれらのおそれがなく、コンタクトピン２６の寿命が延びるという利点もある。
【００３３】
図９（ａ）〜（ｄ）は、研磨シート３１のスリットの例を示す図である。図９（ａ）は上述の実施形態で説明したようにスリットを十字状としたものであり、図９（ｂ），（ｃ）はコンタクトピン２６の接触部２６ｄに対応する位置に接触部２６ｄよりも小径の円形の穴を設け、更に円形の穴から放射状に直線状のスリットを配置したものである。更に、図９（ｄ）はコンタクトピン２６の接触部２６ｄの形状に合わせて穴及びスリットを設けた例である。これらの図９（ａ）〜（ｄ）に示すように、研磨シート３１の穴又はスリットの形状は、適宜設定すればよい。
【００３４】
（第２の実施形態）
図１０（ａ），（ｂ）は、第２の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。また、図１１（ａ）〜（ｃ）は、最終試験時におけるコンタクトピン２６の先端部の動きを示す模式図である。なお、図１０（ａ），（ｂ）において、図７（ａ），（ｂ）と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００３５】
本実施形態の試験装置の基本的な構造は第１の実施形態と同様であるが、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態においてはＩＣ搭載部２９に２枚の研磨シート３２ａ，３２ｂが上下方向に相互に離隔して配置されている。これらの研磨シート３２ａ，３２ｂには、第１の実施形態の研磨シート３１と同様に、多数の十字形のスリットが設けられている。これらのスリットの配列ピッチは、被試験体である半導体集積回路１１の接続端子の配列ピッチと同じに設定されている。
【００３６】
試験前の状態では、図１０（ａ），図１１（ａ）に示すように、コンタクトピン２６の接触部２６ｄは第１の研磨シート３２ａの下方に位置している。蓋部３０（図１，図７参照）に設けられた押圧部３０ａにより半導体集積回路１１が下方に押し下げられると、図１１（ｂ）に示すようにコンタクトピン２６の接触部２６ｄは第１の研磨シート３２ａのスリットを透過する。そして、更に半導体集積回路１１が押し下げられると、図１０（ｂ），図１１（ｃ）に示すようにコンタクトピン２６の接触部２６ｄは第２の研磨シート３２ｂのスリットも透過して、半導体集積回路１１の接続端子１１ａに接触する。
【００３７】
本実施形態においては、ＩＣ搭載部２９の１回の移動（下降）によりコンタクトピン２６の接触部２６ｄが第１及び第２の研磨シート３２ａ，３２ｂにより合計２回研磨（ワイピング）される。このため、本実施形態においては、第１の実施形態に比べて接触部２６ｄに付着した異物をより確実に除去できるという利点がある。
【００３８】
なお、本実施形態ではＩＣ搭載部２９に２枚の研磨シート３２ａ，３２ｂが配置される場合について説明したが、３枚以上の研磨シートを上下方向に相互に離隔して配置してもよい。
【００３９】
（第３の実施形態）
図１２（ａ），（ｂ）は、第３の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。なお、図１２（ａ），（ｂ）において、図７（ａ），（ｂ）と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００４０】
本実施形態の試験装置の基本的な構造は第１の実施形態と同様であるが、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態においてはＩＣ搭載部２９に４枚の研磨シート３３ａ〜３３ｄが上下方向に相互に離隔して配置されている。
【００４１】
図１３は、各研磨シート３３ａ〜３３ｄをそれぞれ示す平面図である。この図１３に示すように、各研磨シート３３ａ〜３３ｄにはそれぞれスリット３４ａ及び貫通穴３４ｂが設けられている。これらのスリット３４ａ及び貫通穴３４ｂの配列ピッチは、半導体集積回路１１の接続端子の配列ピッチと同じに設定されている。
【００４２】
スリット３４ａは第１の実施形態と同様に十字形に形成されており、コンタクトピン２６が通る際にコンタクトピン２６の先端（接触部）を擦るようになっている。また、貫通穴３４ｂはコンタクトピン２６の先端の径よりも若干大きく形成されており、コンタクトピン２６が通る際に研磨シートに接触しないようになっている。
【００４３】
図１４は、コンタクトピン２６が研磨シート３２ａ〜３３ｄを透過して半導体集積回路１１の接続端子１１ａと接続した状態を示す模式図である。この図１４及び上述した図１３に示すように、各研磨シート３２ａ〜３２に形成されたスリット３４ａの位置はそれぞれずれており、ＩＣ搭載部２９の１回の移動（下降）により各コンタクトピン２６がそれぞれ１回だけスリット３４ａを通過するようになっている。
【００４４】
第１の実施形態では１枚の研磨シート３１で全てのコンタクトピン２６の先端を研磨（ワイピング）するので、コンタクトピン２６の数が多い場合は研磨シート３１に大きな負荷がかかり、研磨シート３１が破損することが考えられる。これに対し、本実施形態においては、１枚の研磨シートにはスリット３４ａの数と同数のコンタクトピン２６しか接触しない。すなわち、本実施形態においては、研磨シート３３ａ〜３３ｄに負荷をかけるコンタクトピン２６の数をそれぞれ制限でき、研磨シート３３ａ〜３３ｄの破損を確実に回避できる。
【００４５】
研磨シートの枚数、研磨シートに形成するスリット３４ａ及び貫通穴３４ｂの数、並びにスリット３４ａ及び貫通穴３４ｂのレイアウトは、半導体集積回路１１の接続端子の数や研磨シートの耐久性などを考慮して適宜設定すればよい。
【００４６】
なお、上述の実施形態においては、ＩＣ搭載部２９の１回の移動（下降）により全てのコンタクトピン２６がいずれも１回だけスリット３４ａを通過するものとしている。しかし、半導体集積回路１１のＮＣ(Non-Connection）端子に接触するコンタクトピン２６がある場合に、各研磨シートの当該コンタクトピン２６に対応する部分にスリット３４ａを設けず、貫通穴３４ｂだけとしてもよい。これにより、研磨シート３３ａ〜３３ｄにかかる負荷をより一層軽減することができる。
【００４７】
また、電気特性が厳しく要求されない接続端子に接続するコンタクトピン２６がある場合にも、同様に各研磨シートの当該コンタクトピン２６に対応する部分にはスリット３４ａを設けず、貫通穴３４ｂのみとしてもよい。
【００４８】
更に、最終試験時にダミーのコンタクトピン使用する場合も、各研磨シートの当該ダミーコンタクトピンに対応する部分にはスリット３４ａを設けず、貫通穴３４ｂのみとしてもよい。
【００４９】
（第４の実施形態）
図１５は、第４の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。なお、図１５において、図２と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【００５０】
本実施形態の試験装置の基本的な構造は第１の実施形態と同様であるが、図１５に示すように、本実施形態においてはＩＣ搭載部２９に２種類の研磨シート３５ａ，３５ｂを上下方向に相互に離隔して配置している。
【００５１】
下側に配置された研磨シート３５ａは粒度が粗い研磨材を含有しており、上側に配置された研磨シート３５ｂは粒度が細かい研磨材を含有している。これらの研磨シート３５ａ、３５ｂには、第１の実施形態の研磨シート３１と同様に、十字状のスリットが配列して形成されている。それらのスリットの配列ピッチは、被試験体である半導体集積回路１１の接続端子の配列ピッチと同じに設定されている。
【００５２】
ＩＣ搭載部２９上に半導体集積回路１１を載置して蓋部（加圧部）により半導体集積回路１１を押圧すると、半導体集積回路１１はＩＣ搭載部２９とともにガイドピン２７に沿って下降する。そして、コンタクトピン２６の先端（接触部）が研磨シート３５ａのスリットを透過する。このとき、コンタクトピン２６の先端が研磨シート３５ａにより擦られ、粗研磨される。
【００５３】
更にＩＣ搭載部２９が下降すると、コンタクトピン２６の先端が研磨シート３５ｂのスリットを透過する。このとき、コンタクトピン２６の先端が研磨シート３５ｂにより擦られ、仕上げ研磨される。
【００５４】
本実施形態では、ＩＣ搭載部２９の１回の移動（下降）の際に研磨の程度が異なる２種類の研磨シート３５ａ，３５ｂによりコンタクトピン２６の先端を研磨する。このため、コンタクトピン２６の研磨状態を任意に設定することができる。
【００５５】
なお、本実施形態のように複数枚の研磨シートを使用する場合、それらの研磨シートの間隔を変更できるようにしてもよい。例えば図１５のように２枚の研磨シート３５ａ，３５ｂを使用する場合、コンタクトピン２６の先端が１枚目の研磨シート３５ａと接触すると、コンタクトピン２６はばね２６ｂ（図３参照）により収縮し、研磨シート３５ａを通り抜けると負荷がとれて一気に伸長する。２枚目の研磨シート３５ｂを１枚目の研磨シート３５ａの近くに配置するか離れたところに配置するかにより、２枚目の研磨シート３５ｂとコンタクトピン２６との接触圧が変わる。すなわち、研磨シート３５ａ，３５ｂの間隔を変えることにより、研磨状態を調整することができる。
【００５６】
（第５の実施形態）
図１６（ａ），（ｂ）は、第５の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。また、図１７（ａ）〜（ｃ）は、最終試験時におけるコンタクトピンの先端部の動きを示す模式図である。なお、図１６（ａ），（ｂ）において、図６（ａ），（ｂ）と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００５７】
本実施形態の基本的な構造は第１の実施形態と同様であるが、図１６，図１７に示すように、本実施形態においては、ＩＣ搭載部２９に取り付ける研磨シート３６が、２枚のフィルム３６ａの間にゴム等の弾性体に研磨剤を含んで形成された球３６ｂを挟んだ構造を有している。フィルム３６ａには被試験体である半導体集積回路１１の接続端子の配列ピッチと同じピッチで、コンタクトピン２６が挿通する穴が設けられている。
【００５８】
最終試験前の状態では、図１６（ａ），図１７（ａ）に示すように、コンタクトピン２６の接続部２６ａは研磨シート３６の下方に位置している。蓋部（図１参照）により半導体集積回路１１が下方に押し下げられると、図１７（ｂ）に示すようにコンタクトピン２６の先端（接触部２６ｄ）は研磨シート３６内に入る。このとき、コンタクトピン２６の先端が球３６ｂにより擦られて研磨される。
【００５９】
そして、更に半導体集積回路１１が押し下げられると、図１６（ｂ），図１７（ｃ）に示すように、コンタクトピン２６の先端は研磨シート３６を通り抜け、半導体集積回路１１の接続端子１１ａに接触する。本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６０】
（第６の実施形態）
図１８（ａ），（ｂ）は、第６の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。また、図１９（ａ）〜（ｃ）は、最終試験時におけるコンタクトピンの先端の動きを示す模式図である。なお、図１８（ａ），（ｂ）において、図６（ａ），（ｂ）と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００６１】
本実施形態の基本的な構造は第１の実施形態と同様であるが、図１８，図１９に示すように、本実施形態においては、ＩＣ搭載部２９に取り付ける研磨シート３７が、ゴム等の弾性体に研磨剤を含んだ材料により形成されている。研磨シート３７には、被試験体である半導体集積回路１１の接続端子の配列ピッチと同じピッチで穴３７ａが設けられている。穴３７ａの直径は、コンタクトピン２６の先端（接続部２６ｄ）の直径よりも若干小さく設定されている。
【００６２】
研磨前の状態では、図１８（ａ），図１９（ａ）に示すように、コンタクトピン２６の接続部２６ａは研磨シート３７の下方に位置している。蓋部（図１参照）により半導体集積回路１１が下方に押し下げられると、図１９（ｂ）に示すようにコンタクトピン２６の先端（接触部２６ｄ）は研磨シート３７の穴３７ａ内に入る。このとき、コンタクトピン２６の先端が研磨シート３７（穴３７ａの壁面）に擦られて研磨される。
【００６３】
そして、更に半導体集積回路１１が押し下げられると、図１８（ｂ），図１９（ｃ）に示すように、コンタクトピン２６の先端は研磨シート３７を通り抜け、半導体集積回路１１の接続端子１１ａに接触する。本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６４】
（第７の実施形態）
図２０は、半導体集積回路に対し最終試験（ファイナルテスト）を自動で行う半導体集積回路試験システムの概要を示す図である。
【００６５】
試験すべき半導体集積回路は、トレイに収納されて未試験品トレイ収納部５１に載置される。第１の搬送装置５２は、未試験品トレイ収納部５１から未試験の半導体集積回路を吸着し、プリヒート部５３まで搬送する。プリヒート部５３では、必要に応じて半導体集積回路を所定の温度まで加温する。常温で最終試験（ファイナルテスト）を実施する場合は、プリヒート部５３を設けなくてもよい。
【００６６】
第２の搬送装置５４は、プレヒート部５３に載置された半導体集積回路を、アライメント部５５に搬送する。このアライメント部５５では、半導体集積回路の位置及び向きが調整される。第３の搬送装置５７は、アライメント部５５に載置された半導体集積回路を吸着し、コンタクタが配置された試験ステージ５６まで搬送する。
【００６７】
図２１（ａ），（ｂ）は、第３の搬送装置５７と、試験ステージ５６に配置されたコンタクタとを示す図である。なお、本実施形態で使用するコンタクタは蓋部を有しないこと以外は基本的に第１の実施形態で説明したコンタクタと同様の構造を有しているので、図２１（ａ），（ｂ）において図２と同一物には同一符号を付している。また、以下の説明では、図１，図８も随時参照する。
【００６８】
図２１（ａ）に示すように、第３の搬送装置５７は、ヘッド部７３と、ヘッド部７３の下部に配置されて半導体集積回路１１を吸着するチャック７４と、ヘッド部７３を垂直方向（上下方向）に移動させる垂直移動部と、ヘッド部７３を水平方向に移動させる水平移動部とを有している。垂直移動部は、モータ（図示せず）及びリードスクリュー７２等により構成されており、水平移動部はモータ（図示せず）及びガイドレール７１等により構成されている。
【００６９】
第３の搬送装置５７は、図２１（ａ）に示すようにコンタクタ２２の上方まで半導体集積回路１１を搬送すると、ヘッド部７３を下降させて半導体集積回路１１をコンタクタ２２のＩＣ搭載部２９の上に配置する。
【００７０】
次に、第３の搬送装置５７は、ヘッド部７３を更に下降させ、半導体集積回路１１を介してＩＣ搭載部２９を押圧する。これにより、ＩＣ搭載部２９がガイドピン２７に沿って下降し、コンタクトピン２６と半導体集積回路１１の接続端子１１ａとが接触する。このとき、図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、コンタクトピン２６の先端（接続部２６ｄ）が研磨シート３１により擦られて清浄化される。
【００７１】
次に、試験装置本体１０（図１参照）からコンタクタ２２を介して半導体集積回路１１に試験信号が供給され、半導体集積回路１１から試験信号に応じた信号が出力される。試験装置本体１０は、半導体集積回路１１に入力された信号と半導体集積回路１１から出力された信号とを調べ、当該半導体集積回路１１の良否を判定する。
【００７２】
このようにして最終試験が終了した後、第３の搬送装置５７は、半導体集積回路１１を吸着したままヘッド部７３を上昇させ、仮置き場５８まで半導体集積回路１１を搬送する。第４の搬送装置５９は、仮置き場５８に載置された半導体集積回路１１を吸着し、最終試験の結果に応じて良品収納トレイ６０又は不良品収納トレイ６１まで半導体集積回路１１を搬送する。
【００７３】
本実施形態においては、多数の半導体集積回路に対し最終試験を自動で連続的に実施することができる。この場合、最終試験を実施する毎にコンタクトピン２６の先端が研磨シート３１に擦られて清浄化されるので、コンタクトピン２６と半導体集積回路１１の接続端子１１ａとの接続状態が常に安定な状態となり、最終試験の信頼性が向上する。
【００７４】
なお、上述した第１〜第７の実施形態ではいずれも半導体集積回路１１のパッケージがＢＧＡの場合について説明したが、上記に開示した技術をＦＢＧＡ、ＬＧＡ及びＦＬＧＡ等のＣＳＰ（Chip Size Package）タイプの半導体集積回路、並びにＱＦＰ（Quad Flat Package）及びＳＯＰ（Small Outline Package）等のリードタイプの半導体集積回路に適用することもできる。
【００７５】
以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。
【００７６】
（付記１）半導体集積回路が載置されるＩＣ搭載部と、
ベース部材と、
前記ベース部材に立設される複数のコンタクトピンと、
前記ＩＣ搭載部及び前記ベース部材の少なくとも一方を移動させて前記コンタクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる接触手段と、
前記ＩＣ搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置され、前記接触手段による前記半導体集積回路又は前記コンタクトピンの移動時に前記コンタクトピンの先端を擦る研磨シートと
を有することを特徴とする半導体集積回路用コンタクタ。
【００７７】
（付記２）前記研磨シートには、研磨剤が含まれていることを特徴とする付記１に記載の半導体集積回路用コンタクタ。
【００７８】
（付記３）前記研磨シートが、前記ＩＣ搭載部に着脱自在に取り付けられていることを特徴とする付記１又は２に記載の半導体集積回路用コンタクタ。
【００７９】
（付記４）前記ＩＣ搭載部には、前記研磨シートを取り付けるときに前記研磨シートに対し張力を付加する張力付加機構が設けられていることを特徴とする付記３に記載の半導体集積回路用コンタクタ。
【００８０】
（付記５）前記ＩＣ搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置された前記研磨シートの数が複数であることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載の半導体集積回路用コンタクタ。
【００８１】
（付記６）前記複数の研磨シートには、前記コンタクトピンに接触するスリットと、前記コンタクトピンに接触しない貫通穴とが選択的に設けられていることを特徴とする付記５に記載の半導体集積回路用コンタクタ。
【００８２】
（付記７）半導体集積回路と試験装置本体に電気的に接続された複数のコンタクトピンとの間に研磨シートを配置する工程と、
前記コンタクトピン及び前記研磨シートの少なくとも一方を移動させて前記研磨シートにより前記コンタクトピンの先端を擦る工程と、
更に前記コンタクトピン及び前記半導体集積回路の少なくとも一方を移動させて前記コ  タクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる工程と、
前記試験装置本体から前記半導体集積回路に試験信号を供給して前記半導体集積回路の電気特性を測定する工程と
を有することを特徴とする半導体集積回路の試験方法。
【００８３】
（付記８）試験信号を発生する試験装置本体と、半導体集積回路が載置され前記試験装置本体から出力される試験信号を前記半導体集積回路に伝達するコンタクタとを有し、
前記コンタクタが、
ベース部材と、
前記ベース部材に立設される複数のコンタクトピンと、
前記ベース部材から離隔して配置され前記半導体集積回路が載置されるＩＣ搭載部と、
前記ＩＣ搭載部及び前記ベース部材の少なくとも一方を移動させて前記コンタクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる接触手段と、
前記ＩＣ搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置され、前記接触手段による前記半導体集積回路又は前記コンタクトピンの移動時に前記コンタクトピンの先端を擦る研磨シートと
を有することを特徴とする半導体集積回路の試験装置。
【００８４】
（付記９）試験信号を発生する試験装置本体と、半導体集積回路が載置され前記試験装置本体から出力される試験信号を前記半導体集積回路に伝達するコンタクタと、試験前の前記半導体集積回路を前記コンタクタまで搬送し、試験終了後の前記半導体集積回路を前記コンタクタから搬出する搬送装置とを有し、
前記コンタクタが、
ベース部材と、
前記ベース部材に立設される複数のコンタクトピンと、
前記ベース部材から離隔して配置され前記半導体集積回路が載置されるＩＣ搭載部と、
前記ＩＣ搭載部及び前記ベース部材の少なくとも一方を移動させて前記コンタクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる接触手段と、
前記ＩＣ搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置され、前記接触手段による前記半導体集積回路又は前記コンタクトピンの移動時に前記コンタクトピンの先端を擦る研磨シートと
を有することを特徴とする半導体集積回路の試験システム。
【００８５】
（付記１０）前記搬送装置が、試験中も前記半導体集積回路を保持し続けることを特徴とする付記９に記載の半導体集積回路の試験システム。
【符号の説明】
【００８６】
１０…試験装置本体、１１…半導体集積回路、１１ａ…接続端子、１５…ケーブル、２０…テスターヘッド、２１…試験回路基板、２２…コンタクタ、２３，２４…ベース部材、２５…カバー部、２６…コンタクトピン、２７…ガイドピン、２８…コイルばね、２９…ＩＣ搭載部、３０…蓋部、３０ａ…押圧部、３１，３２ａ，３２ｂ，３３ａ〜３３ｄ，３５ａ，３５ｂ，３６，３７…研磨シート、３１ａ，３４ａ…スリット、３４ｂ…貫通穴、４０…位置決め穴、４１…ＩＣ搭載部本体、４１ａ…ガイド穴、４２…研磨シート保持具、４２ａ…位置決めポスト、５１…未試験品トレイ収納部、５２…第１の搬送装置、５３…プリヒート部、５４…第２の搬送装置、５５…アライメント部、５６…試験ステージ、５７…第３の搬送装置、５８…仮置き場、５９…第４の搬送装置、６０…良品収納トレイ、６１…不良品収納トレイ、７１…ガイドレール、７２…リードスクリュー、７３…ヘッド部、７４…チャック。
【図１】
2011027519.tif 000003
【図２】
2011027519.tif 000004
【図３】
2011027519.tif 000005
【図４】
2011027519.tif 000006
【図５】
2011027519.tif 000007
【図６】
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【図７】
2011027519.tif 000009
【図８】
2011027519.tif 000010
【図９】
2011027519.tif 000011
【図１０】
2011027519.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2011027519.tif 000015
【図１４】
2011027519.tif 000016
【図１５】
2011027519.tif 000017
【図１６】
2011027519.tif 000018
【図１７】
2011027519.tif 000019
【図１８】
2011027519.tif 000020
【図１９】
2011027519.tif 000021
【図２０】
2011027519.tif 000022
【図２１】
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