(57)【要約】【課題】エレクトレットを備える音響共振器、および前記共振器を製造する方法、切り替え可能な結合共振器フィルターへの応用を提供すること。【解決手段】共振器は、少なくとも１つの圧電層（３０）と、この層の両側にある電極（２４、２６）と、永久電界を圧電層に印加するための電極間の少なくとも１つのエレクトレット層（３２）とを備える。この電界の強度は、所望の値だけ共振器の共振周波数をシフトするように決定される。圧電層は、電荷を含み、それ自体エレクトレット層を構成することができる。【選択図】図４Ａ
2011135576.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音響共振器であって、
少なくとも１つの圧電層（２２；３０；３４、３６）と、
前記圧電層の両側にある第１および第２の電極（２４、２６）と、
永久電界を前記圧電層に印加するための、前記第１の電極と前記第２の電極との間の少なくとも１つのエレクトレット層（２２、３２）とを備え、
前記電界の強度は、所望の値だけ前記共振器の共振周波数をシフトするように決定されることを特徴とする音響共振器。
【請求項２】
前記圧電層はそれぞれ電気機械的特性を有し、前記エレクトレット層（２２、３２）は、永久電荷を備え、これにより、前記電気機械的特性を変更することが可能になる請求項１に記載の音響共振器。
【請求項３】
前記エレクトレット層（２２、３２）は、圧電材料から作られる請求項１および２のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項４】
前記エレクトレット層（２２、３２）の厚さは、数ナノメートルから数１０マイクロメートルまでの範囲で選択され、好ましくは、約１μｍ以下である請求項１から３のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項５】
１つの基板をさらに備え、前記基板の一方の面に前記電極（２４、２６）のうちの１つが配置される請求項１から４のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項６】
前記圧電層（２２）は、それ自体エレクトレット層を構成するための電荷を含む請求項１から５のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項７】
前記エレクトレット層（３２）は、前記圧電層から隔てられている請求項１から６のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項８】
前記エレクトレット層（３２）は、前記圧電層（３０）と前記第１および第２の電極（２４、２６）のうちの一方との間に配置される請求項７に記載の音響共振器。
【請求項９】
第１および第２の圧電層（３４、３６）を備え、前記エレクトレット層（３２）は、前記第１の圧電層と前記第２の圧電層との間に配置される請求項７に記載の音響共振器。
【請求項１０】
１つの基板をさらに備え、前記基板の一方の面に前記電極（２４、２６）のうちの１つが配置され、前記基板は、前記基板の少なくとも一方の面に開くキャビティ（５４）、または孔を備え、前記第１および第２の電極の１つが前記キャビティの上の、前記基板のこの面上に置かれる請求項５から９のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項１１】
１つの基板をさらに備え、前記基板の一方の面に前記電極（２４、２６）のうちの１つが配置され、さらに前記音響共振器は前記基板と前記第１および第２の電極のうちの一方との間に配置される音響ブラッグ格子（７０、７２、７４、７６）を備える請求項５から９のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項１２】
前記エレクトレット層は、結晶質である請求項１から１１のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項１３】
前記エレクトレット層は、非晶質である請求項１から１１のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項１４】
前記エレクトレット層は、鉱物材料から作られる請求項１から１３のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項１５】
互いに音響的に結合された音響共振器（７８、８０）を備え、前記音響共振器のうちの少なくとも１つ（８０）は請求項１から１４のいずれか一項に記載の音響共振器である、切り替え可能な結合共振器フィルター。
【請求項１６】
音響共振器を製造する方法であって、
少なくとも１つの圧電層（４６；６６、６８）の形成と、
前記圧電層の両側にある第１および第２の電極（４４、５２）の形成と、
連続および永久電界を前記圧電層に印加するための、前記第１の電極と前記第２の電極との間の少なくとも１つのエレクトレット層（４６、６２、６４）の形成とを含み、
前記電界の強度は、所望の値だけ前記共振器の前記共振周波数をシフトするように決定される方法。
【請求項１７】
前記第１の電極（４４）を備える基板（３６）であって、前記基板の一面に犠牲層（４０）があり、前記第１の電極が前記基板の前記一面上の、前記犠牲層の上に配置されている基板から開始し、
前記第１の電極上への構造の形成であって、前記構造は、
前記圧電層と前記エレクトレット層の両方を構成するのに適している層と、
前記圧電層と前記エレクトレット層を構成するのに適している層とを含む集合体と、
第１および第２の圧電層と、前記第１の圧電層と第２の圧電層との間の前記エレクトレット層を構成するのに適している層とを含む集合体とから選択される、構造の形成と、
前記第２の電極（５２）の形成と、
前記エレクトレット層を構成するのに適している前記層の永久的帯電と、
前記犠牲層の全部または一部の排除とを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
基板（３６）上への音響ブラッグ格子（７０、７２、７４、７６）の形成と、
前記音響ブラッグ格子上への前記第１の電極（４４）の形成と、
前記第１の電極上への構造の形成であって、前記構造は、
前記圧電層と前記エレクトレット層の両方を構成するのに適している層と、
前記圧電層と前記エレクトレット層を構成するのに適している層とを含む集合体と、
第１および第２の圧電層と、前記第１の圧電層と第２の圧電層との間の前記エレクトレット層を構成するのに適している層とを含む集合体とから選択される、構造の形成と、
前記第２の電極（５２）の形成と、
前記エレクトレット層を構成するのに適している前記層の永久的帯電とを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記エレクトレット層を構成するのに適している前記層の前記永久的帯電は、イオン注入および／または電子注入および／またはコロナ放電のうちから選択された方法によって実行される請求項１７および１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記エレクトレット層を構成するのに適している前記層の前記永久的帯電は、イオン注入および／または電子注入および／またはコロナ放電および／またはダンプ電極法のうちから選択された方法によって実行され、前記第２の電極の形成の前に前記永久的帯電が実行される請求項１７および１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
共振周波数を有するスタックを形成する圧電層について、前記エレクトレット層を構成するのに適している前記層中に導入される前記永久電荷は、前記共振器の前記周波数をトリミングすることを可能にする、前記スタックの前記共振周波数の、決定された、または選択されたシフトを得ることを可能にするような永久電荷である請求項１７から２０のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、音響共振器および前記共振器を製造する方法に関する。
【０００２】
これは、特に、電気通信分野に応用され、より具体的には、携帯電話に応用される。
【背景技術】
【０００３】
携帯電話の分野では、特に、フィルタリングおよび時間参照デバイス（ｆｉｌｔｅｒｉｎｇ  ａｎｄ  ｔｉｍｅ  ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｄｅｖｉｃｅｓ）については、多数の音響共振器が必要とされる。これらのデバイスでは、ＳＡＷ型（表面弾性波）またはＢＡＷ型（バルク超音波）音響共振器が現在使用されており、これらはＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、およびＡｌＮなどの圧電材料を使用している。
【０００４】
図１に概略が示されているように、ＢＡＷ型共振器は、典型的には、下側電極２、圧電層４、および上側電極６の３つの層で構成される。このような共振器の共振周波数は、圧電層４の厚さによって一次に決定される。
【０００５】
電気通信規格によれば、共振周波数の決定に必要な精度は、０．１％のオーダーである。これは、圧電層の厚さに関する精度もこの値をとらなければならないことを意味している。
【０００６】
しかし、電極の厚さも共振周波数の値に影響を及ぼすので、厚さを適切に制御することも不可欠であることに留意されたい。
【０００７】
しかし、従来から圧電材料の層（特に、ＢＡＷ型共振器に圧倒的に最も広く使用されている材料であるＡｌＮ）または電極を形成するために使用されている、蒸着技術（特に、陰極スパッタリング）では、直径２００ｍｍのウェハ上で達成可能な精度はせいぜい１％である。
【０００８】
したがって、このようなウェハ上で高出力を達成するためには、共振周波数のトリミングを行う工程を用意することが不可欠である。この工程では、それぞれの共振器上にあらかじめ蒸着されている装填物（ｌｏａｄ）の局所的エッチング（ｌｏｃａｌｉｓｅｄ  ｅｔｃｈｉｎｇ）を実行するが、これは、典型的には、ＳｉＯ２またはＳｉＮの層または上側電極それ自体さえも含む。
【０００９】
共振周波数の最初の測定は、この装填物の蒸着後に実行される。
【００１０】
その後、特殊な機器を利用することで、共振器を装荷する層の画定された厚みの局所的エッチングを行い、共振周波数を所望の周波数に合わせて再トリミングする。
【００１１】
このトリミング工程により、ウェハの生産量をかなり増大させることが可能である。
【００１２】
しかし、局所的エッチングに特殊な機器が必要であるため、費用がかかり、制御も非常にデリケートであり、さらに、メンテナンスも難しい。
【００１３】
ＢＡＷ型共振器の共振周波数を変更するためには、その操作のために使用される高周波信号に加えて、共振器に対し直流電圧を印加することも可能である。
【００１４】
実際、圧電材料、特にＡｌＮは、このような直流電圧の下で共振周波数のドリフトを示すことが判明している。
【００１５】
このドリフトに関連する物理現象は、直流電圧の変化によって生じるＡｌＮの剛性の変動、つまり、音速の変動、したがって共振周波数の変動をそれ自身引き起こす変動である。
【００１６】
この点に関しては、Ｒｏｍａｎ  Ｌａｎｚ、「Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍｓ  ｆｏｒ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ：  Ｆｒｏｍ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｔｏ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｆｉｌｔｅｒｓ」、ｌ’Ｅｃｏｌｅ  Ｐｏｌｙｔｅｃｈｎｉｑｕｅ  Ｆｅｄｅｒａｌｅ  ｄｅ  Ｌａｕｓａｎｎｅ  （２００４年）に提出された論文を参照されたい。
【００１７】
より具体的には、上述の変動について説明されているこの論文の６４ページを参照されたい。
【００１８】
観察される変動の標準値は、厚さ３８０ｎｍのＡｌＮ層については７２ｐｐｍ／Ｖに等しく、その反共振周波数は８ＧＨｚのオーダーである。
【００１９】
これは、＋７０Ｖの電圧をこのＡｌＮ層に印加すると、＋０．５％の反共振周波数の変動が生じることを意味している。さらに、−７０Ｖの電圧を印加すると、−０．５％のこの周波数の変動が生じる。
【００２０】
さらに、ＡｌＮは、５  ＭＶ／ｃｍのオーダーの破壊電界を有する。したがって、厚さが３８０ｎｍの場合、その破壊電圧は、１９０Ｖのオーダーとなる。そのため、３８０ｎｍのＡｌＮに＋７０Ｖまたは−７０Ｖを印加しても、材料の破壊は生じず、反共振周波数の１％（または＋／−０．５％）の変動が生じる。
【００２１】
共振周波数および反共振周波数の変動は、直流電圧が印加される場合にはＡｌＮにおいて実質的に同一であることに留意されたい。
【００２２】
したがって、１％のオーダーの厚さの変動を補償することを目的として、共振器の電気通信への応用のために、直流電圧を印加することは、共振器の固有振動数をトリミングする上での１つの解決策である。
【００２３】
しかし、この解決策は、携帯電話の場合は適用できない。実際、携帯電話の電池の電圧は、数ボルト程度（典型的には３Ｖ）しかないが、上述のとおり１００ボルトからそこらの電圧が必要になるのである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２４】
【特許文献１】欧州特許第０６０８１６２号明細書
【特許文献２】米国特許第６９２８１７８号明細書
【特許文献３】仏国特許発明第２９０５２０７号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００８／１２９４１６号明細書
【特許文献５】米国特許第６７２０８４４号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２００５／０２０６４７６号明細書
【特許文献７】米国特許第６９１７２６１号明細書
【特許文献８】国際公開第２００５／０４６０５２号
【非特許文献】
【００２５】
【非特許文献１】Ｒｏｍａｎ  Ｌａｎｚ、「Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍｓ  ｆｏｒ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ：  Ｆｒｏｍ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｔｏ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｆｉｌｔｅｒｓ」、ｌ’Ｅｃｏｌｅ  Ｐｏｌｙｔｅｃｈｎｉｑｕｅ  Ｆｅｄｅｒａｌｅ  ｄｅ  Ｌａｕｓａｎｎｅ  （２００４年）に提出された論文
【非特許文献２】Ｊ．Ａ．  Ｇｉａｃｏｍｅｔｔｉらの論文「Ｃｏｒｏｎａ  Ｃｈａｒｇｉｎｇ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，  ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ」、第２７巻、ｎ°５、１９９２年１０月
【非特許文献３】Ｆａｂｉｏ  Ｐｅａｎｏらの論文、「Ｄｅｓｉｇｎ  ａｎｄ  ｏｐｔｉｍｉｓａｔｉｏｎ  ｏｆ  ａ  ＭＥＭＳ  ｅｌｅｃｔｒｅｔ−ｂａｓｅｄ  ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  ｅｎｅｒｇｙ  ｓｃａｖｅｎｇｅｒ」、Ｊ．  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍｓ、第１４巻（３）、２００５年
【非特許文献４】Ｐ．  Ｇｕｎｔｈｅｒの論文、「Ｃｈａｒｇｉｎｇ，  Ｌｏｎｇ−ｔｅｒｍ  Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ，  ａｎｄ  ＴＳＤ  ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ  ｏｆ  ＳｉＯ２  ｅｌｅｃｔｒｅｔｓ」、ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ、第２４巻、ｎ°３、１９８９年６月
【非特許文献５】Ｖ．  Ｌｅｏｎｏｖらの論文、「Ｓｔａｂｉｌｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｐｏｓｉｔｉｖｅ  Ｃｈａｒｇｅ  ｉｎ  ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４  Ｅｌｅｃｔｒｅｔｓ，  ＩＭＥＣ」、ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ  ａｎｄ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ、第１３巻、ｎ°５、２００６年１０月
【非特許文献６】Ａ．  Ｖｏｌａｔｉｅｒらの論文、「Ｄｅｓｉｇｎ，  ｅｌａｂｏｒａｔｉｏｎ  ａｎｄ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒ  ｆｉｌｔｅｒｓ  ｆｏｒ  ＷＣＤＭＡ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」、Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ、Ｖａｎｃｏｕｖｅｒ  ＢＣ、２００６年、８２９〜８３２頁
【非特許文献７】Ａ．  Ｖｏｌａｔｉｅｒらの論文、「Ｓｗｉｔｃｈａｂｌｅ  ａｎｄ  ｔｕｎａｂｌｅ  ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ  ｔｉｔａｎａｔｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｓｔｒｉｃｔｉｖｅ  ｂｕｌｋ  ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｗａｖｅ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｗｉｔｈ  ａ  Ｂｒａｇｇ  ｍｉｒｒｏｒ」、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、第９２巻、ｎ°３、２００８年０３２９０６〜０３２９０９頁
【非特許文献８】Ｋ．  Ｉｋｅｚａｋｉらの論文、「Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  Ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ  Ｃｕｒｒｅｎｔｓ  ｆｒｏｍ  Ｉｏｎ−Ｉｎｊｅｃｔｅｄ  Ｔｅｆｌｏｎ−ＦＥＰ  Ｆｉｌｍ  Ｅｌｅｃｔｒｅｔｓ」、Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  ２０  （１９８１年）、１７４１〜１７４７頁
【非特許文献９】Ｍ．  Ｂｒｕｅｌの論文、「Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  ｍａｔｅｒｉａｌ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｌｅｔｔｅｒｓ、３１  （１４）、１２０１〜１２０２頁、１９９５年
【非特許文献１０】Ｌ．  ＤｉＣｉｏｃｃｉｏら、「Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃａｒｂｉｄｅ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  ｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｓｍａｒｔ  ＣｕｔＴＭ  ｐｒｏｃｅｓｓ」、Ｍａｓｔｅｒ、Ｓｃｉ．  Ｅｎｇ．  第Ｂ４６巻、３４９〜３５６頁（１９９７年）
【非特許文献１１】Ｅ．  Ｊａｌａｇｕｉｅｒら、「Ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｏｎ  ｔｈｉｎ  ＧａＡｓ  ｆｉｌｍ  ｏｎ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｂｙ  ｐｒｏｔｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓ」、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｌｅｔｔｅｒｓ、第３４巻、ｎ°４、４０８〜４０９頁（１９９８年）
【非特許文献１２】Ｅ．  Ｊａｌａｇｕｉｅｒら、「Ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｏｆ  ｔｈｉｎ  ＩｎＰ  ｆｉｌｍ  ｏｎｔｏ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｂｙ  ｐｒｏｔｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓ」、ＩＥＥＥ  Ｐｒｏｃ．  １１ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｎ  Ｉｎｄｉｕｍ  Ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、ダボス（スイス）（１９９９年）
【非特許文献１３】Ａ．  Ｔａｕｚｉｎら、「Ｔｒａｎｓｆｅｒｓ  ｏｆ  ２−ｉｎｃｈ  ＧａＮ  ｆｉｌｍｓ  ｏｎｔｏ  ｓａｐｐｈｉｒｅ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ  ｕｓｉｎｇ  Ｓｍａｒｔ  ＣｕｔＴＭ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ２００５年、第４１巻、Ｎ°１１
【非特許文献１４】Ｃ．  Ｄｅｇｕｅｔら、「２００  ｍｍ  Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  （ＧｅＯＩ）  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ  ｒｅａｌｉｚｅｄ  ｆｒｏｍ  ｅｐｉｔａｘｉａｌ  Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ  ｗａｆｅｒｓ  ｂｙ  ｔｈｅ  Ｓｍａｒｔ  ＣｕｔＴＭ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」、Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ２００５年
【非特許文献１５】Ｗ．Ｅ．  Ｎｅｗｅｌｌの論文、「Ｆａｃｅ−ｍｏｕｎｔｅｄ  ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ」、Ｐｒｏｃ．  ｏｆ  ＩＥＥＥ、５７５〜５８１頁、１９６５年
【非特許文献１６】Ｋ．Ｍ．  Ｌａｋｉｎら、「Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｆ  ｍｉｎｉａｔｕｒｅ  ｆｉｌｔｅｒｓ  ｆｏｒ  ｗｉｒｅｌｅｓｓ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」、ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｔｈｅｏｒｙ．  Ｔｅｃｈ．、第４３巻、ｎ°１２、２９３３〜２９３９頁、１９９５年
【非特許文献１７】Ｋ．Ｍ．  Ｌａｋｉｎの論文、「Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ」、ＩＥＥＥ  Ｆｒｅｑ．  Ｃｏｎｔｒ．  Ｓｙｍｐ．、２０１〜２０６頁、１９９１年
【非特許文献１８】Ｍ．Ａ．  Ｄｕｂｏｉｓの論文、「Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ  ｎｉｔｒｉｄｅ  ａｎｄ  ｌｅａｄ  ｚｉｒｃｏｎａｔｅ−ｔｉｔａｎａｔｅ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍｓ  ｆｏｒ  ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ：  ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ，  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ａｎｄ  ｄｅｖｉｃｅｓ」、Ｔｈｅｓｉｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ＥＰＦＬ、１９９９年
【非特許文献１９】Ａ．  Ｓｈｉｒａｋａｗａら、「Ａ  ｈｉｇｈ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ａｎｄ  ｈｉｇｈ  ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ  Ｌａｄｄｅｒ−Ｌａｔｔｉｃｅ  ＢＡＷ  ＢＡＷ−ＳＭＲ  ｆｉｌｔｅｒ」、ＩＥＥＥ  Ｅｕｒ．  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｃｏｎｆ．、９０５〜９０８頁、２００６年
【非特許文献２０】Ｇ．Ｒ．  Ｋｌｉｎｅら、「Ｌｏｗ  ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ  ｌｏｓｓ  ｆｉｌｔｅｒｓ  ｓｙｎｔｈｅｔｉｚｅｄ  ｗｉｔｈ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ」、ＩＥＥＥ  Ｕｌｔｒａｓｏｎ．  Ｓｙｍｐ．、１９８７年
【非特許文献２１】Ｋ．Ｍ．  Ｌａｋｉｎ、「Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ」、ＩＥＥＥ  Ｕｌｔｒａｓｏｎ．  Ｓｙｍｐ．、９０１〜９０８頁、２００２年
【非特許文献２２】Ｇ．Ｇ．  Ｆａｔｔｉｎｇｅｒら、「Ｃｏｕｐｌｅｄ  ｂｕｌｋ  ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｗａｖｅ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒ  ｆｉｌｔｅｒｓ：  Ｋｅｙ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｆｏｒ  ｓｉｎｇｌｅ−ｔｏｂａｌａｎｃｅｄ  ＲＦ  ｆｉｌｔｅｒｓ」、ＩＥＥＥ  ＭＴＴ−Ｓ  Ｄｉｇｅｓｔ、９２７〜９２９頁、２００４年
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
本発明の目的は、上述の、知られている解決策の欠点を解消することである。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明によれば、圧電材料の層を備える音響共振器の共振周波数をシフトするために、エレクトレットがこの層に加えられる。このエレクトレットは、永久的な定電界を層に付与する。
【００２８】
この電界は、共振器の共振周波数をシフトする。より具体的には、この電界の強度は、所望の値だけ共振周波数をシフトするように決定される。
【００２９】
エレクトレットを使用することで、磁石が永久外部発生源なしで永久磁界を印加するのと同様にして、電源を用いずに連続電界を印加することが可能であることに留意されたい。
【００３０】
このようなエレクトレットは、シリカまたは窒化ケイ素などの誘電体材料の薄膜を帯電させること、コロナ放電、電子注入、またはイオン注入などの技術を使用することによってその中に電荷（電子もしくは正孔）を注入することによって得られる。
【００３１】
この注入の結果得られる電界の強度は、注入された電荷の量に応じたものである。
【００３２】
本発明の対象は、特に、音響共振器であり、この音響共振器は、
−  少なくとも１つの圧電層と、
−  圧電層の両側にある第１および第２の電極と、
−  永久電界を圧電層に印加するための、第１の電極と第２の電極との間の少なくとも１つのエレクトレット層とを備え、
この電界の強度は、所望の値だけ共振器の共振周波数をシフトするように決定されることを特徴とする。
【００３３】
本発明の対象である音響共振器の特定の一実施形態によれば、１つまたは複数の圧電層はそれぞれ電気機械的特性を有し、前記エレクトレット層は、永久電荷を備え、これにより、前記電気機械的特性を変更することが可能になる。
【００３４】
層の電気機械的特性は、特に前記層の電気機械結合、その誘電率、およびその剛性を意味するものと解釈される。
【００３５】
エレクトレット層は、圧電材料から作ることができる。この場合、エレクトレット層は、圧電層とマージされるか、または分離した層によって形成される。
【００３６】
エレクトレット層の厚さは、数ナノメートルから数１０マイクロメートルまでの範囲で選択することができるが、好ましくは、約１μｍ以下である。
【００３７】
本発明の対象である音響共振器は、１つの基板をさらに備え、その基板の一方の面に複数の電極のうちの１つが配置されうる。
【００３８】
圧電層とエレクトレット層によって形成されるスタックの厚さがどうであれ、この共振器は１つの基板を備えうることが指摘される。それに加えて、上述の電極は、直接的に、または中間層を介して、基板上に配置されうる。
【００３９】
圧電層は、電荷を含み、それ自体エレクトレット層を構成しうる。
【００４０】
エレクトレット層は、１つまたは複数の圧電層から分離されてよい。
【００４１】
この場合、第１の特定の実施形態により、エレクトレット層は、圧電層と第１および第２の電極のうちの一方との間に配置される。
【００４２】
この同じ場合において、第２の特定の実施形態により、音響共振器は、第１および第２の圧電層を備え、エレクトレット層は、第１の圧電層と第２の圧電層との間に配置される。
【００４３】
本発明の第１の特定の実施形態によれば、基板は、キャビティ、または孔を備え、これは少なくとも基板の一方の面に開いており、第１および第２の電極はキャビティの上の、基板のこの面上に置かれる。
【００４４】
この孔は、スルーホールであってもなくてもよい。
【００４５】
本発明の第２の特定の実施形態によれば、音響共振器は、基板と第１および第２の電極のうちの一方との間に配置されている、音響ブラッグ格子をさらに備える。
【００４６】
本発明において、エレクトレット層は、結晶質であるか、またはそれと正反対に、非晶質であるものであってよい。
【００４７】
本発明は、互いに音響的に結合され、音響共振器のうちの少なくとも１つが本発明の対象である音響共振器である、音響共振器を備える、切り替え可能な結合共振器フィルターにも関係する。
【００４８】
さらに、本発明は、音響共振器を製造する方法に関するものであり、
−  少なくとも１つの圧電層の形成と、
−  圧電層の両側にある第１および第２の電極の形成と、
−  連続および永久電界を圧電層に印加するための、第１の電極と第２の電極との間の少なくとも１つのエレクトレット層の形成とを含み、
この電界の強度は、所望の値だけ共振器の共振周波数をシフトするように決定される。
【００４９】
第１の特定の実施形態によれば、本発明の対象である方法は、第１の電極を備える基板であって、この基板の片面に犠牲層があり、第１の電極が基板のこの面上の、犠牲層の上に配置されている基板から開始され、
−  第１の電極上への構造の形成であって、この構造は
・圧電層とエレクトレット層の両方を構成するのに適している層と、
・圧電層とエレクトレット層を構成するのに適している層とを含む集合体と、
・第１および第２の圧電層と、第１の圧電層と第２の圧電層との間のエレクトレット層を構成するのに適している層とを含む集合体と、から選択される、形成と、
−  第２の電極の形成と、
−  エレクトレット層を構成するのに適している層の永久的帯電と、
−  犠牲層の全部または一部の排除とを含む。
【００５０】
第２の特定の実施形態によれば、本発明の対象である方法は、
−  基板上への音響ブラッグ格子の形成と、
−  音響ブラッグ格子上への第１の電極の形成と、
−  第１の電極上への構造の形成であって、この構造は
・圧電層とエレクトレット層の両方を構成するのに適している層と、
・圧電層とエレクトレット層を構成するのに適している層とを含む集合体と、
・第１および第２の圧電層と、第１の圧電層と第２の圧電層との間のエレクトレット層を構成するのに適している層とを含む集合体とから選択される、形成と、
−  第２の電極の形成と、
−  エレクトレット層を構成するのに適している層の永久的帯電とを含む。
【００５１】
２つの前の実施形態を含む、この方法では、工程の順序が変更されうることに留意されたい。
【００５２】
エレクトレット層を構成するのに適している層の永久的帯電は、イオン注入および／または電子注入および／またはコロナ放電のうちから選択された方法によって実行されうる。
【００５３】
一変更形態として、エレクトレット層を構成するのに適している層の永久的帯電は、イオン注入および／または電子注入および／またはコロナ放電および／またはダンプ電極法（ｄａｍｐ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  ｍｅｔｈｏｄ）のうちから選択された方法によって実行され、次いで、第２の電極の形成の前に永久的帯電が実行される。
【００５４】
本発明の対象である方法の特定の実施形態によれば、共振周波数を有するスタックを形成する１つまたは複数の圧電層について、エレクトレット層を構成するのに適している層中に導入される永久電荷は、共振器の周波数をトリミングすることを可能にする、スタックの共振周波数の、決定された、または選択されたシフトを得ることを可能にするような永久電荷である。
【００５５】
本発明は、例示として、かつ限定することなく、添付の図面を参照することによってこれ以降に示される実施形態の例の説明を読むと理解が進むであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】（ＢＡＷ型の）体積波共振器に対する、すでに説明されている典型的なスタックの略図である。
【図２】点格子型のコロナ放電（トライオード）デバイスの略図である。
【図３】本発明において使用されうる、圧電層がエレクトレット層としても使用される、構造の略図である。
【図４Ａ】本発明において使用されうる、圧電層およびエレクトレットが解離される、他の構造の略図である。
【図４Ｂ】本発明において使用されうる、圧電層およびエレクトレットが解離される、他の構造の略図である。
【図５】本発明において使用されうる、エレクトレットが２つの圧電層の間に置かれている、他の構造の略図である。
【図６Ａ】本発明の対象である方法の第１の特定の実施形態を例示する略図である。
【図６Ｂ】本発明の対象である方法の第１の特定の実施形態を例示する略図である。
【図６Ｃ】本発明の対象である方法の第１の特定の実施形態を例示する略図である。
【図６Ｄ】本発明の対象である方法の第１の特定の実施形態を例示する略図である。
【図６Ｅ】本発明の対象である方法の第１の特定の実施形態を例示する略図である。
【図６Ｆ】本発明の対象である方法の第１の特定の実施形態を例示する略図である。
【図６Ｇ】本発明の対象である方法の第１の特定の実施形態を例示する略図である。
【図６Ｈ】本発明の対象である方法の第１の特定の実施形態を例示する略図である。
【図６Ｉ】本発明の対象である方法の第１の特定の実施形態を例示する略図である。
【図６Ｊ】本発明の対象である方法の第１の特定の実施形態を例示する略図である。
【図６Ｋ】本発明の対象である方法の第１の特定の実施形態を例示する略図である。
【図６Ｌ】本発明の対象である方法の第１の特定の実施形態を例示する略図である。
【図７Ａ】本発明の対象である方法の第２の特定の実施形態を例示する略図である。
【図７Ｂ】本発明の対象である方法の第２の特定の実施形態を例示する略図である。
【図７Ｃ】本発明の対象である方法の第２の特定の実施形態を例示する略図である。
【図７Ｄ】本発明の対象である方法の第２の特定の実施形態を例示する略図である。
【図７Ｅ】本発明の対象である方法の第２の特定の実施形態を例示する略図である。
【図７Ｆ】本発明の対象である方法の第２の特定の実施形態を例示する略図である。
【図７Ｇ】本発明の対象である方法の第２の特定の実施形態を例示する略図である。
【図７Ｈ】本発明の対象である方法の第２の特定の実施形態を例示する略図である。
【図８Ａ】本発明の対象である方法の第３の特定の実施形態を例示する略図である。
【図８Ｂ】本発明の対象である方法の第３の特定の実施形態を例示する略図である。
【図９】本発明の対象である方法の第４の特定の実施形態を例示する略図である。
【図１０Ａ】本発明の対象である方法の第５の特定の実施形態を例示する略図である。
【図１０Ｂ】本発明の対象である方法の第５の特定の実施形態を例示する略図である。
【図１１】本発明の対象である、切り替え可能な結合共振器フィルターの特定の実施形態の概略断面図である。
【図１２】本発明で使用されうる、ダンプ電極法の原理の概略を示す図である。
【図１３】本発明で使用されうる、ダンプ電極法の原理の概略を示す図である。
【図１４】本発明で使用されうる、ダンプ電極法の原理の概略を示す図である。
【図１５Ａ】ラダー型トポロジー（ｌａｄｄｅｒ  ｔｏｐｏｌｏｇｙ）のＢＡＷフィルターで使用される、電気的結合トポロジーを示す略図である。
【図１５Ｂ】格子型トポロジー（ｌａｔｔｉｃｅ  ｔｏｐｏｌｏｇｙ）のＢＡＷフィルターで使用される、電気的結合トポロジーを示す略図である。
【図１６Ａ】ラダー型フィルターの動作原理を示す略図である。
【図１６Ｂ】ラダー型フィルターの動作原理を示す略図である。
【図１７Ａ】ＢＡＷ型フィルターで使用される、２つの音響結合トポロジー（ａｃｏｕｓｔｉｃａｌ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｔｏｐｏｌｏｇｉｅｓ）を示す略図である。
【図１７Ｂ】ＢＡＷ型フィルターで使用される、２つの音響結合トポロジー（ａｃｏｕｓｔｉｃａｌ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｔｏｐｏｌｏｇｉｅｓ）を示す略図である。
【発明を実施するための形態】
【００５７】
これ以降では、コロナ放電の実装について言及する。
【００５８】
この点に関しては、例えば、Ｊ．Ａ．  Ｇｉａｃｏｍｅｔｔｉらの論文「Ｃｏｒｏｎａ  Ｃｈａｒｇｉｎｇ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，  ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ」、第２７巻、ｎ°５、１９９２年１０月を参照されたい。
【００５９】
図２は、トライオード型（電極点格子）のコロナ放電デバイスの略図である。
【００６０】
この技術を使用するために、電荷を注入したい試料８を、研磨した電極１０上に置く。
【００６１】
点形電極１２を試料８の上に置く。格子１４を電極１０と試料８との間に配置する。
【００６２】
適切な電圧源１６を使用し、電極１０を正電位にすることで放電を行わせる。図２からわかるように、放電電流は、電流計１８によって測定され、適切な電圧源２０を使用して格子１４の電位を調節することによって制御される。
【００６３】
この説明の終わりのところで、コロナ放電に戻る。
【００６４】
本発明で使用される他の技術は、電子注入である。この点に関して、例えば、欧州特許第０６０８１６２号明細書を参照されたい。
【００６５】
エレクトレットは、いくつかのマイクロシステムにおいて使用されており、特に、マイクロホンの製造（例えば、米国特許第６９２８１７８号明細書を参照）およびいくつかのエネルギー回収システムの製造（例えば、Ｆａｂｉｏ  Ｐｅａｎｏらの論文、「Ｄｅｓｉｇｎ  ａｎｄ  ｏｐｔｉｍｉｓａｔｉｏｎ  ｏｆ  ａ  ＭＥＭＳ  ｅｌｅｃｔｒｅｔ−ｂａｓｅｄ  ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  ｅｎｅｒｇｙ  ｓｃａｖｅｎｇｅｒ」、Ｊ．  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍｓ、第１４巻（３）、２００５年を参照）に使用されている。
【００６６】
従来技術では、エレクトレットは、その誘導される圧電特性のために使用される。
【００６７】
これは、本発明の範囲内では、時間が経過しても一定のままの、永久的に印加される直流電圧が存在しない場合に存在する、電界に対してのみ使用される。
【００６８】
図３は、本発明による音響共振器において使用されうる第１の構造の概略断面図である。この構造は、例えば両方ともモリブデンで作られた２つの電極２４と２６との間に共振層２２を備える。
【００６９】
この構造では、共振層２２は、圧電材料、例えば、ＡｌＮ、ＺｎＯ、またはＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３で作られる。
【００７０】
さらに、これ自体は、エレクトレット層として使用され、そのために、電荷２８がその中に注入される。
【００７１】
したがって、電界が共振層２２に永久的に印加される。上に示されているように、この電界の強度は、所望の値だけ共振器の共振周波数をシフトするように決定される。
【００７２】
一変更形態として、共振層は、電歪材料（言い換えると、圧電性でない誘電体材料）、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）ＴｉＯ３、または（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３で作られ、ここでもまた、エレクトレット層として使用され、この目的のためにその中に電荷が注入される。
【００７３】
図３に示されている構造を備える音響共振器を使用するために、高周波信号を２つの電極のうちの一方に印加し、他方の電極を接地する。
【００７４】
同じことが、これ以降で説明される音響共振器についても言える。
【００７５】
図４Ａは、本発明による音響共振器において使用されうる第２の構造の概略断面図である。
【００７６】
この構造は、電極２４（下側電極）と電極２６（上側電極）との間で互いに隔てられている２つの層、つまり、共振層３０とエレクトレット層３２を備える。
【００７７】
後者は、共振層３０と上側電極２６との間に置かれる。
【００７８】
それとは反対に、図４Ｂに示されている変更形態では、これは、共振層３０と下側電極２４との間に置かれる。
【００７９】
この構造（図４Ａまたは４Ｂ）では、層３０は、圧電材料、例えば、ＡｌＮ、ＺｎＯ、またはＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３で作られる。
【００８０】
電歪材料、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）ＴｉＯ３、または（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３を使用することも可能である。
【００８１】
エレクトレット層は、その一部に関して、中に注入された電荷２８を節約することができる任意の誘電体、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリマー（例えば、ＰＴＦＥまたはパリレン）、またはＡｌ２Ｏ３で作ることができる。
【００８２】
図５は、本発明による音響共振器において使用されうる第３の構造の概略断面図である。
【００８３】
これは、図４Ａおよび４Ｂの一変更形態を含み、電荷２８を帯びたエレクトレット層３２が、２つの共振層３４と３６との間に置かれる。
【００８４】
前記共振層のそれぞれは、ここでもまた、圧電材料または電歪材料で作ることができる。
【００８５】
層３２、３４、および３６の集合体は、ここでもまた、図に示されているように、電極２４と２６との間に置かれる。
【００８６】
エレクトレット層３２を共振層３４と３６との間に置くことで、エレクトレット効果を高める、言い換えると、エレクトレットによって圧電材料または電歪材料に印加される電界の強度を高めることが可能になる。
【００８７】
本発明により音響共振器を製造する方法のさまざまな実例を以下に示す。
【００８８】
エレクトレットを得るために、以下の２つのことを行うことが可能である。
−  電荷を圧電層に注入すること（これ以降、電歪層の場合を考える）。
−  これらの電荷を、熱補償も使用可能にできる追加の層、例えば、ＳｉＯ２層中に注入すること。
【００８９】
第１の例は、ＦＢＡＲ（薄膜バルク音響共振器）型の音響共振器の製造に関するものであり、その圧電材料は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）である。
【００９０】
製造方法のさまざまな工程について、以下で詳述する。
【００９１】
−  直径２００ｍｍ、標準厚さ７００μｍのシリコン基板３６から始める（製造時の共振器の上面図である図６Ａおよび図６Ａの断面ＡＡである図６Ｂを参照）。
【００９２】
−  ７７０℃の温度でＰＥＶＣＤによってＳｉＯ２層３８を厚さ２μｍに蒸着する。
【００９３】
−  最初のリソグラフィによって、最終的な「膜」を剥離するためのキャビティのケーソン、言い換えると、最終的に形成される共振器が画成される。
【００９４】
−  乾式エッチングによってＳｉＯ２の１μｍのエッチングを行う（ＣＨＦ３／Ｏ２）。
【００９５】
−  エッチングに使用されたレジストを取り除く。
【００９６】
−  ＣＶＤによって２μｍのポリシリコンを蒸着する。
【００９７】
−  ＳｉＯ２上に停止部分を設けてポリシリコンの化学機械研磨（ＣＭＰ）を実行し、厚さ１μｍのポリシリコンのケーソン４０を形成する。
【００９８】
−  陰極スパッタリングによって、（形成される下側電極の結晶配向を改善するために）ＡｌＮシード層４２を厚さ２０ｎｍに蒸着する（図６Ｃの上面図および図６Ｄの、図６Ｃの断面ＡＡを参照）。
【００９９】
−  陰極スパッタリングによって、下側白金電極の層を厚さ２００ｎｍに蒸着する。
【０１００】
−  第２のリソグラフィによって、下側電極４４を画成する。
【０１０１】
−  イオン加工によって、下側電極４４およびシード層４２をエッチングする。エッチングされたゾーンは参照番号４５を有する。
【０１０２】
−  このエッチングに使用されたレジストを取り除く。
【０１０３】
−  陰極スパッタリングによって、圧電材料４６の層、つまり、１μｍのＡｌＮを蒸着する（図６Ｅの上面図、および図６Ｆの、図６Ｅの断面ＡＡを参照）。
【０１０４】
−  第３のリソグラフィを実行して、下側電極４４の２つの接触ゾーン４８を画成する。参照符号５０は、ＡｌＮがＳｉＯ２と接触しているゾーンを表す。
【０１０５】
−  １３０℃でＨ３ＰＯ４によってＡｌＮの化学エッチングを実行する。
【０１０６】
−  このエッチングに使用されたレジストを取り除く。
【０１０７】
−  陰極スパッタリングによって、上側白金電極の層を厚さ２００ｎｍに蒸着する（図６Ｇの上面図、および図６Ｈの、図６Ｇの断面ＡＡを参照）。
【０１０８】
−  第４のリソグラフィによって、上側電極５２を画成する。
【０１０９】
−  イオン加工によって、上側電極の白金の乾式エッチングを実行し、上側電極のパターンを画成する。
【０１１０】
−  このエッチングに使用されたレジストを取り除く。
【０１１１】
−  ＸｅＦ２によってポリシリコン４０の乾式エッチングを実行する（図６Ｉの上面図、図６Ｊの、図６Ｉの断面ＡＡを参照）。
【０１１２】
−  そこで、キャビティ５４が共振器の下に形成され、それを剥離する。共振器によって構成される膜の剥離は、シリコン基板３６のエッチングによって、前記基板の背面から行うこともできる。そこで、これは、この基板内の深いエッチングを伴う。
【０１１３】
−  共振器の固有振動数は、ネットワークアナライザー（図示せず）を使って測定される。図６Ｋの矢印５６（共振器の上面図）は、測定のためにアナライザーと下側電極４４との接続およびアナライザーと上側電極５２との接続を表している。
【０１１４】
−  上側電極５２から構成される金属層に十分なエネルギーを通して電子またはイオン注入（矢印５８は正または負の値をとりうる電荷の注入を記号的に表している）を用いて共振器の帯電（図６Ｌの断面図を参照）を実行する（コロナ放電では、上側電極に通すことはできない）。注入電荷は、参照符号５９を有する。連続電界の関数としてのＡｌＮの変動の反共振周波数係数が上述のＲ．Ｌａｎｚの論文により０．２５Ｈｚ．ｍ／Ｖに等しいものとすると、選択された電荷は、共振器を正しい周波数にリセットすることを可能にする電荷に対応する。
【０１１５】
−  形成されたスタックによって画成される共振器は、電荷を印加する前に１．８７０ＧＨｚの共振周波数および１．９１８ＧＨｚの反共振周波数を有する。
【０１１６】
−  ＋１００Ｖの電位に対応する電荷を印加した後、反共振周波数は、１．９４３ＧＨｚに等しく、これに続いて、＋１．３％の相対周波数変動が生じる。
【０１１７】
第２の例は、誘電体（ＡｌＮ層）を帯電させるためにコロナ放電が使用されることを除き、第１の例と同一である。次いで、上側電極の蒸着の前に誘電体の帯電を実行する。
【０１１８】
したがって、ＡｌＮ層を帯電させる前に固有振動数の測定はない。そのため、この層に電荷がどれだけ注入されたかはわからない。
【０１１９】
しかし、電圧は、上側電極を蒸着した後に、したがって固有振動数を測定できた後に共振器を加熱することにより、誘電体内で電荷を移動させることで調節することができる。共振器の加熱は、例えば、オーブンまたは局部加熱（例えば、レーザを使用する）を用いて、典型的には２０℃から７００℃までの範囲内で実行されうる。
【０１２０】
第２の例に対応する方法のさまざまな工程について、以下で詳述する。
【０１２１】
第１の例で使用された参照符号は、同じ部分を指定するために維持されている。
【０１２２】
−  直径２００ｍｍおよび標準厚さ７００μｍのシリコン基板３６から始める（図７Ａの、製造時の共振器の上面図、図７Ｂの、図７Ａの断面ＡＡを参照）。
【０１２３】
−  ７７０℃でＰＥＶＣＤによって厚さ２μｍのＳｉＯ２層３８を蒸着する。
【０１２４】
−  最初のリソグラフィによって、最終的な膜の剥離キャビティのケーソンが画成される。
【０１２５】
−  乾式エッチングによって厚さ１μｍのＳｉＯ２層３８をエッチングする（ＣＨＦ３／Ｏ２）。
【０１２６】
−  このエッチングに使用されたレジストを取り除く。
【０１２７】
−  ＣＶＤによって２μｍのポリシリコンを蒸着する。
【０１２８】
−  ＳｉＯ２上に停止部分を設けて化学機械研磨（ＣＭＰ）を実行し、厚さ１μｍのポリシリコンのケーソン４０を形成する。
【０１２９】
−  陰極スパッタリングによって、（形成される下側電極の結晶配向を改善するために）厚さ２０ｎｍのＡｌＮシード層４２を蒸着する（図７Ｃの上面図、図７Ｄの、図７Ｃの断面ＡＡ）。
【０１３０】
−  陰極スパッタリングによって、厚さ２００ｎｍの下側白金電極４４を蒸着する。
【０１３１】
−  第２のリソグラフィによって、この下側電極を画成する。
【０１３２】
−  イオン加工によって、下側電極４４およびシード層４２のエッチングを実行する。エッチングされたゾーンは参照符号４５を有する。
【０１３３】
−  このエッチングに使用されたレジストを取り除く。
【０１３４】
−  陰極スパッタリングによって、厚さ１μｍの圧電性ＡｌＮ層４６を蒸着する（図７Ｅの上面図、図７Ｆの、図７Ｅの断面ＡＡ）。
【０１３５】
−  第３のリソグラフィによって、下側電極４４の２つの接触ゾーン４８を画成する。参照符号５０は、ＡｌＮがＳｉＯ２と接触しているゾーンを表す。
【０１３６】
−  １３０℃でＨ３ＰＯ４によってＡｌＮの化学エッチングを実行する。
【０１３７】
−  このエッチングに使用されたレジストを取り除く。
【０１３８】
−  コロナ放電技術によって、電荷を注入する（これは、誘電体（ＡｌＮ）内で正でも負でもよい）。この注入には、１００Ｖ程度の電圧が選択される。電荷の注入は、図７Ｇ（断面図）内の矢印６０によって記号的に表されている。注入電荷は、参照符号６１を有する。
【０１３９】
−  陰極スパッタリングによって、厚さ２００ｎｍの上側白金電極の層を蒸着する（図７Ｈの断面図）。
【０１４０】
−  第４のリソグラフィによって、上側電極５２を画成する。
【０１４１】
−  イオン加工によってこの上側電極の乾式エッチングを実行する。
【０１４２】
−  このエッチングに使用されたレジストを取り除く。
【０１４３】
−  ＸｅＦ２によるポリシリコン４０の乾式エッチングを実行する。
【０１４４】
−  そこで、キャビティ５４が共振器の下に形成され、それを剥離する。この共振器によって構成される膜の剥離は、シリコン基板３６のエッチングによって、前記基板の背面から行うこともできる。そこで、これは、この基板内の深いエッチングを伴う。
【０１４５】
−  共振器の固有振動数は、ネットワークアナライザー（図示せず）を使って測定される。
【０１４６】
−  共振器を加熱することによって、周波数をトリミングする。この加熱により、誘電体（ＡｌＮ層）内の電荷を移動させることが可能になり、したがって、誘電体によって保持されている直流電圧を変化させることが可能である。
【０１４７】
この第２の例では、コロナ放電の代わりにイオンまたは電子注入を使用することを妨げるものは何もないことに留意されたい。
【０１４８】
第３の例では（図８Ａの上面図、図８Ｂの、図８Ａの断面ＡＡ）、厚さ２００ｎｍのＳｉＯ２層６２を下側電極４４と上側電極５２との間に加える。この層６２は、図８の場合である、ＡｌＮ層４６に隣接していてもよい。しかし、これは、ＡｌＮであってもよく、言い換えると、この層６２は、ＡｌＮの２つの層の間に置くことができる。
【０１４９】
シリカ（ＳｉＯ２）は、エレクトレットに対する誘電体として認められている材料をなす。この材料は、実際、中に注入された電荷を適切に保つことができる。
【０１５０】
この点で、Ｐ．  Ｇｕｎｔｈｅｒの論文、「Ｃｈａｒｇｉｎｇ，  Ｌｏｎｇ−ｔｅｒｍ  Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ，  ａｎｄ  ＴＳＤ  ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ  ｏｆ  ＳｉＯ２  ｅｌｅｃｔｒｅｔｓ」、ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ、第２４巻、ｎ°３、１９８９年６月、さらにＶ．  Ｌｅｏｎｏｖらの論文、「Ｓｔａｂｉｌｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｐｏｓｉｔｉｖｅ  Ｃｈａｒｇｅ  ｉｎ  ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４  Ｅｌｅｃｔｒｅｔｓ，  ＩＭＥＣ」、ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ  ａｎｄ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ、第１３巻、ｎ°５、２００６年１０月も参照されたい。
【０１５１】
製造方法は、第１の例と同じであるが、上側電極の蒸着の前に、ＡｌＮ層の上のＰＥＶＣＤによるＳｉＯ２の蒸着の工程を加えている。こうして蒸着されたＳｉＯ２層は、ＣＨＦ３／Ｏ２を使った乾式エッチング、またはＨＦを使った湿式エッチングで、上側電極に使用されるのと同じリソグラフィによりエッチングされる。この方法の終わりに、形成された構造は、図８Ａおよび８Ｂに見ることができるようなものである。
【０１５２】
したがって、ＳｉＯ２層はＡｌＮ層の上にある。しかし、ＡｌＮ層の前にＳｉＯ２層を形成することも可能である。
【０１５３】
エレクトレットの帯電は、第１の例と第２の例と同じ仕方で行われる。第１の例の場合には以下の通りである。
−  ＡｌＮの蒸着
−  エレクトレット層となることを意図されている、誘電体の層の蒸着
−  コロナ放電または電子もしくはイオン注入による帯電
−  上側電極の蒸着
−  共振器の固有振動数の測定。
【０１５４】
次いで、温度がエレクトレット中に捕獲された電荷に移動性を与えることが可能であるため、構造を加熱することによって最終的な周波数を変化させることができる。
【０１５５】
したがって、周波数のトリミングは、固有振動数の測定、ターゲット周波数との比較、加熱（焼き鈍し温度は誘電体に依存するが、１００度かそこらの大きさ、あるいは数百度の大きさですらあることには変わりない）、固有振動数の測定の順に、所望の周波数が得られるまで続けられる。
【０１５６】
第２の例の場合には以下の通りである。
−  ＡｌＮの蒸着
−  エレクトレット層となることを意図されている、誘電体層の蒸着
−  上側電極の蒸着
−  共振器の固有振動数の測定
−  誘電体層の電子またはイオン注入による帯電。連続電界の関数としてのＡｌＮの反共振周波数変動係数が上述のＲ．Ｌａｎｚの論文により０．２５Ｈｚ．ｍ／Ｖに等しいものとすると、ＡｌＮの最終的な直流電圧が百ボルトかそこらのオーダーとなるように電荷を選択する。
【０１５７】
エレクトレットを形成するためにシリカを使用する上での他の利点は、シリカを使用すればこのエレクトレットを含む共振器の温度のドリフトを補償することが可能になることである。
【０１５８】
ＳｉＯ２以外の材料、特に窒化ケイ素、ＰＴＦＥ、およびポリマーをエレクトレットとして使用することができることに留意されたい。
【０１５９】
第４の例を以下に示す。
【０１６０】
第４の例に対応するスタックにおいて、エレクトレットを圧電材料内に入れる（図９を参照）。したがって、このスタックは、厚さ２００ｎｍの下側白金電極４４−厚さ０．５μｍの圧電ＡｌＮ層６６−厚さ２００ｎｍのＳｉＯ２層６４−厚さ０．５μｍのＡｌＮ層６８−厚さ２００ｎｍの上側白金電極５２のように積層される。
【０１６１】
前記のものと比較したこのようなスタックの利点は、エレクトレット中に蓄積されている電荷を電極から移し去ることが可能になるという点である。これにより、印加したい電圧を、誘電体を絶縁破壊することなく高めることができる。帯電は、前の例と同じ仕方で、つまり、エレクトレットを形成することが意図されている誘電体の蒸着の直後、またはＡｌＮの蒸着の直後、または上側電極の蒸着の後に生じうる。
【０１６２】
次に、図１０Ａ（断面図）および図１０Ｂ（図１０Ａの断面ＡＡ）を参照しつつ、第５の例について説明する。
【０１６３】
４つの先行する例は、ＦＢＡＲに関するもの、言い換えると、キャビティ上の共振器であった。
【０１６４】
音響ブラッグミラーとも称される、音響ブラッグ格子上にこれらの共振器を形成することも可能である。
【０１６５】
共振器は、このようなミラー上にすでに形成されている。
【０１６６】
この点に関しては、例えば、Ａ．  Ｖｏｌａｔｉｅｒらの論文、「Ｄｅｓｉｇｎ，  ｅｌａｂｏｒａｔｉｏｎ  ａｎｄ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒ  ｆｉｌｔｅｒｓ  ｆｏｒ  ＷＣＤＭＡ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」、Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ、Ｖａｎｃｏｕｖｅｒ  ＢＣ、２００６年、８２９〜８３２頁を参照されたい。
【０１６７】
製造は、すでに説明されているものと同じであるが、ただし、もう必要なくなった、開始および最終剥離を除く。
【０１６８】
音響ブラッグミラーが最初に基板３６上に形成される。これを行うために、陰極スパッタリングによって厚さ６７０ｎｍのタングステン層７０を基板３６上に蒸着し、次いで、ＰＥＣＶＤによって厚さ８００ｎｍのＳｉＯ２層７２を蒸着し、次いで、もう一度厚さ６７０ｎｍのタングステン層７４を蒸着し、次いで、もう一度厚さ８００ｎｍのＳｉＯ２層７６を蒸着する。
【０１６９】
スタックの形成は、厚さ２０ｎｍのＡｌＮシード層４２の形成とともに続く。
【０１７０】
前のスタックのように、以下同様に続ける。
【０１７１】
図１０Ｂで見られるスタックについては、ブラッグミラーが防音材の役割を果たすので、ＸｅＦ２で共振器を剥離する必要はない。ミラーを構成する層の厚さの選択は、従来技術において知られている。例えば、上述のＡ．  Ｖｏｌａｔｉｅｒらの論文を参照されたい。
【０１７２】
明らかに、このブラッグミラーは、すべての先行する例と「組み合わせる」ことができ、共振器をキャビティの上に置く代わりに、ブラッグミラーの上に置く。
【０１７３】
エレクトレットを形成するための誘電体（ＳｉＯ２）の帯電は、前の例とまったく同様に行われる。さらに、第１の例のように、この誘電体を取り除くこと、およびＡｌＮをエレクトレットとして保つことのみが可能である。
【０１７４】
本発明の対象である音響共振器は、切り替え可能な結合共振器フィルターに適用される。
【０１７５】
このようなフィルターに関しては、Ａ．  Ｖｏｌａｔｉｅｒらの発明である、切り替え可能な共振器フィルターの仏国特許発明第２９０５２０７号明細書、または仏国特許発明第２９０５２０７号明細書に対応する米国特許出願公開第２００８／１２９４１６号明細書を参照されたい。このようなフィルターでは、２つの音響共振器は一方が他方の上になるように配置され、互いに音響的に結合される（上ですでに引用されているＡ．Ｖｏｌａｔｉｅｒらの論文「Ｄｅｓｉｇｎ，  ｅｌａｂｏｒａｔｉｏｎ  ．．．  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」を参照）。
【０１７６】
本発明を実装するために、そこで、上側共振器の誘電体または下側共振器の誘電体を帯電させることが可能である。
【０１７７】
図１１は、本発明による切り替え可能な結合共振器フィルターの概略断面図である。下側共振器７８、上側共振器８０、およびこれらの共振器を互いに音響的に結合するための手段８２もここに見える。
【０１７８】
共振器７８は、２つの電極８６と８８との間に圧電材料の層８４を備える。同様にして、共振器８０は、２つの電極９２と９４との間に圧電材料の層９０を備える。
【０１７９】
この例では、電荷９６は、その後に共振層とエレクトレットの両方として使用される層９０内に注入されている。明らかに、本発明のために、または本発明の他の変更形態のために、別々の共振層およびエレクトレット層をこの共振器内に設けることも可能である。
【０１８０】
図１１に概略が示されているフィルターを使用する場合、電極８８および９２は接地され、入力信号Ｖｅが電極９４に印加され、出力信号Ｖ１が電極８６上に復元される。
【０１８１】
本発明は、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３（ＢＳＴ）、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、Ｐｂ（Ｍｂ，Ｎｂ，Ｔｉ）Ｏ３などの電歪材料に直流電圧を印加し、それらに永久磁界をかけるためにも使用されうる。
【０１８２】
直流電圧が励起信号に加えられる電歪材料は、誘起圧電体となる（例えば、Ａ．  Ｖｏｌａｔｉｅｒらの論文、「Ｓｗｉｔｃｈａｂｌｅ  ａｎｄ  ｔｕｎａｂｌｅ  ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ  ｔｉｔａｎａｔｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｓｔｒｉｃｔｉｖｅ  ｂｕｌｋ  ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｗａｖｅ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｗｉｔｈ  ａ  Ｂｒａｇｇ  ｍｉｒｒｏｒ」、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、第９２巻、ｎ°３、２００８年０３２９０６〜０３２９０９頁を参照）。
【０１８３】
電荷を隣接するエレクトレットを介してそのような材料に印加するか、またはさらには直接的に、電歪材料中に印加することで、電荷がエレクトレット内に残留していることを条件として、動作時にもはや直流電圧を印加する必要がない共振器（またはアクチュエータ）を製作することが可能である。この方法により、前述のスタックのすべてを取り、中のＡｌＮを例えばＢＳＴなどの電歪材料で置き換えることによって、本発明に適合する他の共振器を形成することが可能である。
【０１８４】
以下では、コロナ放電に戻る。
【０１８５】
コロナ放電は、一般的に、コピー機で使用され、オゾンを発生するか、または代わりに、いくつかの材料の湿潤性を高める。
【０１８６】
本発明の場合、その目的は、長期間（典型的には数年間）にわたって保存することができる誘電体材料中に電荷を注入することであり、これは、エレクトレットを伴う。材料内での表面電位の出現および電界の発生が続いて生じる。これは、永久磁石が磁気双極子であるのと同様に、電気双極子を伴う。
【０１８７】
永久磁界の値を制御する場合、一般的に、試料の表面電位を制御する方が容易である。実際、コロナトライオードシステムのおかげで（点６／格子８／電極４−図２を参照）、試料２の表面電位（Ｖｓ）は、格子に加えられる電位の値（Ｖｇ）をとり、したがって、
【０１８８】
【数１】
2011135576.tif 000003
【０１８９】
となるが、ただし、ｄは試料の厚さであり、Ｅは電界である。
【０１９０】
試料の材料中に存在する電荷の量は、この材料の厚さ（ｄ）、その誘電率（ε）、およびその表面に、深部に、または多層システムの場合には界面に電荷を優先的に保存する材料の能力に依存する。
【０１９１】
したがって、材料が電荷（Ｑ）を表面（Ｓ）に保存する場合、電荷表面密度（σ）は、
【０１９２】
【数２】
2011135576.tif 000004
【０１９３】
（ε０：真空の誘電率）に等しいと推定される。
【０１９４】
深部に蓄積する場合、材料中の電荷体積密度（ρ）を決定することはより困難である。
【０１９５】
典型的な大きさは、５００ｎｍのＳｉＯ２上の２００Ｖの表面電位に対応する電荷２ｍＣ／ｍ２である。
【０１９６】
帯電は、標準の温度および圧力条件（１０５Ｐａで２０℃）の下で実行することができるが、他の条件、および特により高い温度もしくはより低い圧力の下で、またその逆に、実行することは除外されない。帯電時に試料を加熱することも除外されず、この加熱は一般的に材料中の電荷の侵入深さを高めるだけでなく、安定性も増大させる効果を有する。
【０１９７】
帯電は、一般的に、周囲空気（Ｏ２：２０％、Ｎ２：８０％）中で行われる。しかしながら、これらの比を変えるか、またはさらにはガスを変更することは除外されない。
【０１９８】
点の電圧（Ｖｐ）は、数キロボルトの大きさである。格子の電圧（Ｖｇ）は、０Ｖから５００Ｖまでの間で変化しうる。これら２つの値は、正（コロナ＋）または負（コロナ−）であるものとすることができる。これらの電圧は、例えば、ＤＣ／ＨＶコンバータを使って得ることができる。
【０１９９】
一般に、点と格子との間の空間は、格子と試料との間の空間と同様に、１ｃｍのオーダーである。格子の孔は、それらに関しては、ミリメートルのサイズである。
【０２００】
帯電については、他の技術、つまり、ダンプ電極法（液体電極法とも称される）が、コロナ放電の代わりに使用されうる。
【０２０１】
この方法に関しては、Ｋ．  Ｉｋｅｚａｋｉらの論文、「Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  Ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ  Ｃｕｒｒｅｎｔｓ  ｆｒｏｍ  Ｉｏｎ−Ｉｎｊｅｃｔｅｄ  Ｔｅｆｌｏｎ−ＦＥＰ  Ｆｉｌｍ  Ｅｌｅｃｔｒｅｔｓ」、Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  ２０  （１９８１年）、１７４１〜１７４７頁を参照されたい。
【０２０２】
この方法の原理については、図１２、１３、および１４に概略が示されている。
【０２０３】
これらの図において、参照符号９８は上側白金電極を示し、参照符号１００はコットン緩衝材を示し、参照符号１０２は電解質水溶液を示し、参照符号１０４は試料を構成する層を示し、参照符号１０６は試料を担持し、接地されている下側電極を示している。
【０２０４】
上側電極は、負に帯電し（図示されていない、適切な手段によって）、緩衝材１００によって囲まれている。そして、上側電極は、試料上に配置されている。
【０２０５】
第１の工程（図１２）において、上側電極は溶液に向かって近づいてゆく。次いで、影響力によって溶液と試料が正に帯電する。
【０２０６】
第２の工程（図１３）において、溶液は緩衝材に吸収され、正の電荷が試料上に残る。次いで、溶液を吸った緩衝材を備える上側電極を移動して離す。
【０２０７】
上側電極が引っ込められた後、正に帯電した試料が電極１０６上に得られる（図１４）。
【０２０８】
圧電層および／またはエレクトレット層を形成するために本発明で使用することができるＳｍａｒｔ  Ｃｕｔ（登録商標）法の詳細を以下で述べる。
【０２０９】
単結晶材料の薄膜を形成するために、単結晶性を保存することを可能にする、薄膜を転写する２種類の既存の技術、つまり、気体イオン（典型的には水素イオン）の注入に基づく、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（登録商標）技術、および接着／薄化技術を利用すると都合がよい。
【０２１０】
これらの技術は、単結晶層をホスト基板上に転写することを可能にする独自の技術である。これらの技術は、シリコン上で完全に制御され、とりわけ、ＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）ウェハの工業生産を可能にする。
【０２１１】
これら２つの技術は、転写したい材料の厚さの範囲だけ異なり、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（登録商標）法では、典型的には約０．５μｍ未満にできる、非常に薄い厚さが得られる。
【０２１２】
Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（登録商標）法（Ｍ．  Ｂｒｕｅｌの論文、「Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  ｍａｔｅｒｉａｌ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｌｅｔｔｅｒｓ、３１  （１４）、１２０１〜１２０２頁、１９９５年を参照）では、絶縁体上のシリコンを含む、ＳＯＩ基板の製造が可能になる。
【０２１３】
Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（登録商標）技術法は、大まかに以下の４つの必須工程にまとめられる。
【０２１４】
工程１：酸化Ｓｉ基板Ａ上で水素注入を行う。そこで、酸化物層がＳＯＩ構造のその後の埋め込まれた絶縁膜を構成する。この注入工程は、剥離現象に基づいて成長する、複数のマイクロキャビティで構成される脆弱化ゾーン（ｆｒａｇｉｌｉｓｅｄ  ｚｏｎｅ）の形成を深部で行う。
【０２１５】
工程２：分子付着による接着を行うことで、必ずしも酸化されない支持ウェハ（カウンタプレートまたは基部）に注入ウェハＡを接合することが可能になる。良好な品質の接着を得るためには、表面処理が必要である。
【０２１６】
工程３：４００℃〜６００℃の範囲内の温度処理を用いて、破砕工程を脆弱化ゾーンで行う。一方で、ＳＯＩ構造が形成され、他方で、最初に注入された基板Ａが、転写層から剥離される。次いで、転写層をリサイクルして次の転写を行うことができる。
【０２１７】
工程４：最終処理は、一方で、高温で焼き鈍しし転写された薄膜と支持基板との間の接着界面を固める処理であり、他方で、研磨を行い、表面シリコン薄膜の望ましい最終厚さ、さらには良好な表面条件を得られるようにする処理である。
【０２１８】
転写層の厚さは、イオンビームの注入エネルギーに直接関連しており、したがって、これにより、厚い組み合わせ（薄膜と埋め込まれた酸化物）に関して良好な柔軟性を得ることが可能である。例えば、転写されるシリコンの厚さは、従来の注入装置（２１０ｋｅＶ未満のエネルギー）を使用することによって数十ナノメートルから約２μｍの範囲に定めることができる。
【０２１９】
転写される層は、厚さが一様で均一であるが、それは、注入深さによって画成され、機械的薄化によって画成されないからである。
【０２２０】
一方で、基板のリサイクル（最初に注入されたウェハは、薄膜の転写後に再利用することができる）によって、また他方で、マイクロエレクトロニクスにおける標準機器の使用によって、製造コストが低減される。
【０２２１】
これは、例えば、ヘテロ構造を形成することを可能にする柔軟な方法である。したがって、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（登録商標）技術を用いると、バルクＳｉで作られた支持基板の利点（特に、コスト、重量、および機械的特性）と活性薄膜の利点を併せ持たせることが可能になる。この方法で、以下のようなさまざまな材料の層の転写を実行することが可能である。
−  ＳｉＣ  −  Ｌ．  ＤｉＣｉｏｃｃｉｏら、「Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃａｒｂｉｄｅ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  ｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｓｍａｒｔ  ＣｕｔＴＭ  ｐｒｏｃｅｓｓ」、Ｍａｓｔｅｒ、Ｓｃｉ．  Ｅｎｇ．  第Ｂ４６巻、３４９〜３５６頁（１９９７年）を参照。
−  ＧａＡｓ  −  Ｅ．  Ｊａｌａｇｕｉｅｒら、「Ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｏｎ  ｔｈｉｎ  ＧａＡｓ  ｆｉｌｍ  ｏｎ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｂｙ  ｐｒｏｔｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓ」、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｌｅｔｔｅｒｓ、第３４巻、ｎ°４、４０８〜４０９頁（１９９８年）を参照。
−  ＩｎＰ  −  Ｅ．  Ｊａｌａｇｕｉｅｒら、「Ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｏｆ  ｔｈｉｎ  ＩｎＰ  ｆｉｌｍ  ｏｎｔｏ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｂｙ  ｐｒｏｔｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓ」、ＩＥＥＥ  Ｐｒｏｃ．  １１ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｎ  Ｉｎｄｉｕｍ  Ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、ダボス（スイス）（１９９９年）を参照。
−  ＧａＮ  −  Ａ．  Ｔａｕｚｉｎら、「Ｔｒａｎｓｆｅｒｓ  ｏｆ  ２−ｉｎｃｈ  ＧａＮ  ｆｉｌｍｓ  ｏｎｔｏ  ｓａｐｐｈｉｒｅ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ  ｕｓｉｎｇ  Ｓｍａｒｔ  ＣｕｔＴＭ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ２００５年、第４１巻、Ｎ°１１を参照。
−  またはＧａ  −  Ｃ．  Ｄｅｇｕｅｔら、「２００  ｍｍ  Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  （ＧｅＯＩ）  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ  ｒｅａｌｉｚｅｄ  ｆｒｏｍ  ｅｐｉｔａｘｉａｌ  Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ  ｗａｆｅｒｓ  ｂｙ  ｔｈｅ  Ｓｍａｒｔ  ＣｕｔＴＭ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」、Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ２００５年を参照。
【０２２２】
これらの転写は、さまざまな基板、特に、石英、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、およびサファイア上で実行されうる。
【０２２３】
次に、ブラッグミラーに戻る。
【０２２４】
ＢＡＷ（バルク超音波）型音響共振器を基板から絶縁するための１つの解決策は、光学系で非常に広く使用されている原理に基づくもの、つまり、ブラッグミラーである。
【０２２５】
その音響的転置（ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｔｒａｎｓｐｏｓｉｔｉｏｎ）は、共振器の下で、低音響インピーダンスを持つ材料の四分の一波長層と高音響インピーダンスを持つ材料の四分の一波長層が交互に配置されるスタックを形成することである。この構成では、共振器は、ＳＭＲ（Ｓｏｌｉｄｌｙ  Ｍｏｕｎｔｅｄ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）とも呼ばれる。
【０２２６】
水晶振動子について、１９６５年に初めて提案されたこのアイデア−Ｗ．Ｅ．  Ｎｅｗｅｌｌの論文、「Ｆａｃｅ−ｍｏｕｎｔｅｄ  ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ」、Ｐｒｏｃ．  ｏｆ  ＩＥＥＥ、５７５〜５８１頁、１９６５年を参照−は、Ｋ．Ｍ．  Ｌａｋｉｎら、「Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｆ  ｍｉｎｉａｔｕｒｅ  ｆｉｌｔｅｒｓ  ｆｏｒ  ｗｉｒｅｌｅｓｓ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」、ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｔｈｅｏｒｙ．  Ｔｅｃｈ．、第４３巻、ｎ°１２、２９３３〜２９３９頁、１９９５年で製作されたＢＡＷ  ＳＭＲ共振器において取り上げられた。
【０２２７】
ブラッグミラーの場合、反射率は、材料および使用される層の数に依存し、周波数帯全域にわたって一定していない。したがって、ブラッグミラーの応答の主要パラメータおよび特性が明確になる。
【０２２８】
伝送路タイプのモデルを使用してブラッグミラーが縦波に対して持つ反射率を計算することが可能である−Ｋ．Ｍ．  Ｌａｋｉｎの論文、「Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ」、ＩＥＥＥ  Ｆｒｅｑ．  Ｃｏｎｔｒ．  Ｓｙｍｐ．、２０１〜２０６頁、１９９１年を参照。このモデルでは、
【０２２９】
【数３】
2011135576.tif 000005
【０２３０】
により、層によってもたらされる音響インピーダンスＺｎを下側層Ｚｎ−１の音響インピーダンスの関数として表すことが可能であるが、ただし、
【０２３１】
【数４】
2011135576.tif 000006
【０２３２】
は脈動（ｐｕｌｓａｔｉｏｎ）であり、Ｚｍａｔ、ｅｍａｔ、およびＶｍａｔはそれぞれ層の縦波の音響インピーダンス、厚さ、および速度である。
【０２３３】
この式から、下側電極とブラッグミラーとの間の界面のところでブラッグミラーによって与えられるインピーダンスＺＢｒａｇｇを決定することが可能である。縦波に対する反射率Ｒは、
【０２３４】
【数５】
2011135576.tif 000007
【０２３５】
で表されるが、ただし、Ｚｅｌｅｃは下側電極の音響インピーダンスを表す。
【０２３６】
ブラッグミラーによって与えられる反射率は、層の数の関数となっている。一組の材料ＳｉＯ２／Ｗが通常使用されるが、それは、４つの層で音響絶縁の機能を果たすことが可能になるからである。
【０２３７】
必要な層の数は、音響インピーダンスの比が低い材料が使用されると増大する。したがって、利用すべき最初の１つであった、対ＳｉＯ２／ＡｌＮの場合、十分な反射率を得るためには２つの層が必要である−Ｍ．Ａ．  Ｄｕｂｏｉｓの論文、「Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ  ｎｉｔｒｉｄｅ  ａｎｄ  ｌｅａｄ  ｚｉｒｃｏｎａｔｅ−ｔｉｔａｎａｔｅ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍｓ  ｆｏｒ  ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ：  ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ，  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ａｎｄ  ｄｅｖｉｃｅｓ」、Ｔｈｅｓｉｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ＥＰＦＬ、１９９９年を参照。
【０２３８】
音響インピーダンスの比は、ブラッグミラーの反射通過帯域の幅も画定する。音響インピーダンスの比が高ければ高いほど、ブラッグミラーが良好な反射率を有する周波数帯域が広がる。そのため、６つの層を持つミラーに対するこの反射帯域は、対ＳｉＯ２／ＡｌＮについては１．５ＧＨｚ、対ＳｉＯ２／Ｗについては２．８ＧＨｚを達成する。
【０２３９】
したがって、対ＳｉＯ２／Ｗは、使用する層が少なく、しかも反射帯域が広いという利点を有する。その一方で、寄生静電結合を回避するためにＢＡＷフィルターの組み込みには活性ゾーンの外側のタングステンをエッチングすることが必要である。
【０２４０】
さまざまな種類のフィルターに関する情報を以下に示す。この情報は、特に挿入損失を改善することによってエレクトレットを含むフィルターの応答を改善することが可能であるため、本発明では有用である。
【０２４１】
共振器の電気的結合に基づく、２種類のトポロジー、ラダー型トポロジーと格子型トポロジーを、ＢＡＷ型高周波通過帯域フィルターの製造に使用することができる。
【０２４２】
図１５Ｂに示されているラティス型フィルターは、１９２９年にＷ．Ｐ．  Ｗａｔｓｏｎによって初めて開発された。これは、選択度が低いにもかかわらず帯域外減衰に関して良好な性能を得るために特に使用されている。さらに、その対称性により、差動アーキテクチャに適切に適合されたフィルターとなる。
【０２４３】
ラダー型トポロジー（図１５Ａを参照）は、１９２７年にＬ．  Ｅｓｐｅｎｃｈｉｅｄによって提案された。ラティス型フィルターとは異なり、このタイプのフィルターは、選択性が非常に良好であるが、帯域外除去レベルは可もなく不可もなくといったところである。
【０２４４】
これら２つのフィルターを製造するには、異なる周波数を有する２種類の共振器を用意する必要がある。周波数シフトは、標準共振器から、追加層を加えて周波数を下げるか（例えば、ＳｉＯ２）、または上側層をエッチングして周波数を高めることによって得られる。
【０２４５】
この周波数シフトは、通過帯域の幅について、さらには挿入損失のレベルについて一次の挙動を示すので、これらのフィルターの製造の際に非常に敏感なポイントとなる。
【０２４６】
図１６Ａは、このタイプのフィルターのベースセル（ｂａｓｅ  ｃｅｌｌ）を示している（Ｖｉｎ：入力電圧、Ｖｏｕｔ：出力電圧）。共振器のレイアウトが示されている場合、Ｒ２と「並列」の共振器の反共振周波数は、Ｒ１  と「直列」の共振器の共振周波数と一致するようにシフトされなければならない。図１６Ｂを参照すると、パラメータＳ１２（ｄＢ単位）は、周波数ｆ（任意の単位）の関数として表されている。ゾーンＩはＲ２の共振に対応し、ゾーンＩＩはＲ１の反共振に対応し、ゾーンＩＩＩはＲ１の共振およびＲ２の反共振に対応し、ゾーンＩＶは共振のどれにも対応せず、したがって、２つのキャパシタンスのブリッジに単に対応するだけである。
【０２４７】
このタイプの非常に簡素化されたアーキテクチャでは、共振器の性能の影響はもう一度見つかる。帯域通過幅は、電気機械結合係数ｋＩ２に直接関連している。挿入損失のレベルは、共振器内の損失に、したがって品質係数に関連している。最後に、品質係数は、フィルターの選択性に影響を及ぼすことにもなる。
【０２４８】
これらのフィルターの利点の１つは製造の相対的な容易さであるが、それは、複素フィルターすら形成することができる共振器の製造と比較して単一の追加層を使用すれば十分であるからである。
【０２４９】
さらに、これら２つのアーキテクチャは、相補的な特性を有しており、設計に関しての自由度が高い。近年、さらに、ラダー型／ラティス型混合アーキテクチャの使用に関する研究に光が当てられており、これにより良好な帯域外除去の利点と良好な選択性の利点の両方を併せ持たせることが可能になっている（Ａ．  Ｓｈｉｒａｋａｗａら、「Ａ  ｈｉｇｈ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ａｎｄ  ｈｉｇｈ  ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ  Ｌａｄｄｅｒ−Ｌａｔｔｉｃｅ  ＢＡＷ  ＢＡＷ−ＳＭＲ  ｆｉｌｔｅｒ」、ＩＥＥＥ  Ｅｕｒ．  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｃｏｎｆ．、９０５〜９０８頁、２００６年を参照）。
【０２５０】
他方で、これらのフィルターは、ＳＡＷ電気的結合フィルターと同様に、完全な非対称または差動型ではありえない。さらに、これらでは、インピーダンス変換を実行することができない。したがって、ＲＦアーキテクチャにこれらの変換が必要な場合には、かさばり、損失が大きい「ＢａｌＵｎ」（平衡／不平衡）型コンポーネントを追加する必要がある。
【０２５１】
次に、ＢＡＷ型フィルターにおいて使用される、ＳＣＦ型（積層結晶型フィルター）およびＣＲＦ型（結合共振器フィルター）音響結合フィルターについて考察する。
【０２５２】
これらのコンポーネントについては、以下で簡潔に述べる。
【０２５３】
厚さモードの音響結合フィルターに関する第１の研究は、１９７２年および１９７３年のＡ．  ＢａｌｌａｔｏおよびＴ．  Ｌｕｋａｓｚｅｋによるものである。２つの水晶振動子ｒ１およびｒ２（参照符号１０８および１０９が電極を示し、参照符号１１０がアース面を示し、参照符号１１２および１１４が圧電層を示す図１７Ａを参照）からなるデバイスが再び１９８７年に取り上げられたが、これは接着の問題を解決するためにマイクロ電子工学技術を利用している（Ｇ．Ｒ．  Ｋｌｉｎｅら、「Ｌｏｗ  ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ  ｌｏｓｓ  ｆｉｌｔｅｒｓ  ｓｙｎｔｈｅｔｉｚｅｄ  ｗｉｔｈ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ」、ＩＥＥＥ  Ｕｌｔｒａｓｏｎ．  Ｓｙｍｐ．、１９８７年を参照）。
【０２５４】
ＳＡＷ  ＤＭＳ技術を用いることで、フィルター機能とモードおよびインピーダンス変換機能の両方を組み合わせることが可能になる。この利点が、カプセル封入および電力処理に関するＳＡＷ技術においてもたらされた進歩と相まって、今日では、高周波フィルター市場において無視できないこれらのフィルターコンポーネントが作られている。必要なのは、より多くの製造工程を必要とするＢＡＷ技術によってモード変換およびインピーダンス変換のこれらの特性が与えられなければならないことである。
【０２５５】
これらの要件を満たすコンポーネントが提案されている（米国特許第６７２０８４４号明細書を参照）（図１７Ｂを参照）。これは、ＳＣＦ（積層水晶型フィルター）の概念に基づいており、１つまたは複数の絶縁結合層１１６は、２つの共振器ｒ１とｒ２との間に挿入される。これは、一方で、フィルターの通過帯域を広げるという利点を有し、また他方で、出力から電気的入力を電気的に絶縁するという利点を有する。このコンポーネントはＣＦＲ（結合共振器フィルター）と記されている。
【０２５６】
このコンポーネントを使用することで、よりコンパクトでより完全なフィルターを構成することができる（米国特許出願公開第２００５／０２０６４７６号明細書、米国特許第６９１７２６１号明細書、および国際公開第２００５／０４６０５２号を参照）。他方で、波の結合が基板の平面内で行われる、音響結合ＳＡＷフィルターとは異なり、２つのＢＡＷ共振器の積層を必要とするため、ＣＲＦフィルターの製造は複雑なものとなることがわかる。
【０２５７】
さらに、このフィルターを正しく動作するために無視できない条件の１つは、２つの共振器の共振周波数の数ＭＨｚに近いトリミングである。このことによって、ＢＡＷ共振器およびフィルターの分野に非常に多数の文献があるにもかかわらず、今日までになされているＣＲＦフィルターの機能的実現はなぜ２つしかないのかを説明することができる（Ｋ．Ｍ．  Ｌａｋｉｎ、「Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ」、ＩＥＥＥ  Ｕｌｔｒａｓｏｎ．  Ｓｙｍｐ．、９０１〜９０８頁、２００２年、およびＧ．Ｇ．  Ｆａｔｔｉｎｇｅｒら、「Ｃｏｕｐｌｅｄ  ｂｕｌｋ  ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｗａｖｅ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒ  ｆｉｌｔｅｒｓ：  Ｋｅｙ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｆｏｒ  ｓｉｎｇｌｅ−ｔｏ−ｂａｌａｎｃｅｄ  ＲＦ  ｆｉｌｔｅｒｓ」、ＩＥＥＥ  ＭＴＴ−Ｓ  Ｄｉｇｅｓｔ、９２７〜９２９頁、２００４年）。
【０２５８】
本発明による共振器では、エレクトレットによって発生する電界の強度は、所望の値だけ共振器の共振周波数をシフトするように決定されることを思い出して欲しい。また、このエレクトレットは、ポリマー材料で作られたエレクトレットであってもよいが、鉱物材料で作られたエレクトレットはポリマー材料で作られたエレクトレットに比べて剛性がかなり高いという利点があるため、好ましくは鉱物材料、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、またはＳｒＴｉＯ３で作られたエレクトレットであることに留意されたい。
【符号の説明】
【０２５９】
Ａ  酸化Ｓｉ基板
２  試料
４  電極
６  点
８  格子
８  試料
１０  電極
１２  点形電極
１４  格子
１６  電圧源
１８  電流計
２２  共振層
２４、２６  電極
２８  電荷
３０  共振層
３２  エレクトレット層
３４、３６  共振層
３６  シリコン基板
３８  ＳｉＯ２層
４０  ポリシリコンのケーソン
４２  ＡｌＮシード層
４４  下側電極
４５  エッチングされたゾーン
４６  圧電材料
４８  接触ゾーン
５０  ＡＩＮがＳｉＯ２と接触しているゾーン
５２  上側電極
５４  キャビティ
５６  矢印
５８  矢印
５９  注入電荷
６０  矢印
６１  注入電荷
６２  ＳｉＯ２層
６４  ＳｉＯ２層
６６  圧電ＡｌＮ層
６８  ＡｌＮ層
７０  タングステン層
７２  ＳｉＯ２層
７４  タングステン層
７６  ＳｉＯ２層
７８  下側共振器
８０  上側共振器
８２  手段
８４  圧電材料の層
８６  電極
８８  電極
９０  圧電材料の層
９２、９４  電極
９６  電荷
９８  上側白金電極
１００  緩衝材
１０２  電解質水溶液
１０４  試料を構成する層
１０６  電極
【図１】
2011135576.tif 000008
【図２】
2011135576.tif 000009
【図３】
2011135576.tif 000010
【図４Ａ】
2011135576.tif 000011
【図４Ｂ】
2011135576.tif 000012
【図５】
2011135576.tif 000013
【図６Ａ】
2011135576.tif 000014
【図６Ｂ】
2011135576.tif 000015
【図６Ｃ】
2011135576.tif 000016
【図６Ｄ】
2011135576.tif 000017
【図６Ｅ】
2011135576.tif 000018
【図６Ｆ】
2011135576.tif 000019
【図６Ｇ】
2011135576.tif 000020
【図６Ｈ】
2011135576.tif 000021
【図６Ｉ】
2011135576.tif 000022
【図６Ｊ】
2011135576.tif 000023
【図６Ｋ】
2011135576.tif 000024
【図６Ｌ】
2011135576.tif 000025
【図７Ａ】
2011135576.tif 000026
【図７Ｂ】
2011135576.tif 000027
【図７Ｃ】
2011135576.tif 000028
【図７Ｄ】
2011135576.tif 000029
【図７Ｅ】
2011135576.tif 000030
【図７Ｆ】
2011135576.tif 000031
【図７Ｇ】
2011135576.tif 000032
【図７Ｈ】
2011135576.tif 000033
【図８Ａ】
2011135576.tif 000034
【図８Ｂ】
2011135576.tif 000035
【図９】
2011135576.tif 000036
【図１０Ａ】
2011135576.tif 000037
【図１０Ｂ】
2011135576.tif 000038
【図１１】
2011135576.tif 000039
【図１２】
2011135576.tif 000040
【図１３】
2011135576.tif 000041
【図１４】
2011135576.tif 000042
【図１５Ａ】
2011135576.tif 000043
【図１５Ｂ】
2011135576.tif 000044
【図１６Ａ】
2011135576.tif 000045
【図１６Ｂ】
2011135576.tif 000046
【図１７Ａ】
2011135576.tif 000047
【図１７Ｂ】
2011135576.tif 000048
【外国語明細書】
2011135576.tif 000049
2011135576.tif 000050
2011135576.tif 000051
2011135576.tif 000052
2011135576.tif 000053
2011135576.tif 000054
2011135576.tif 000055
2011135576.tif 000056
2011135576.tif 000057
2011135576.tif 000058
2011135576.tif 000059
2011135576.tif 000060
2011135576.tif 000061
2011135576.tif 000062
2011135576.tif 000063
2011135576.tif 000064
2011135576.tif 000065
2011135576.tif 000066
2011135576.tif 000067
2011135576.tif 000068
2011135576.tif 000069
2011135576.tif 000070
2011135576.tif 000071
2011135576.tif 000072
2011135576.tif 000073
2011135576.tif 000074
2011135576.tif 000075
2011135576.tif 000076
2011135576.tif 000077
2011135576.tif 000078
2011135576.tif 000079
2011135576.tif 000080
2011135576.tif 000081
2011135576.tif 000082
2011135576.tif 000083
2011135576.tif 000084
2011135576.tif 000085
2011135576.tif 000086
2011135576.tif 000087
2011135576.tif 000088
2011135576.tif 000089
2011135576.tif 000090
2011135576.tif 000091
2011135576.tif 000092
2011135576.tif 000093
2011135576.tif 000094
2011135576.tif 000095
2011135576.tif 000096
2011135576.tif 000097
2011135576.tif 000098
2011135576.tif 000099
2011135576.tif 000100
2011135576.tif 000101
2011135576.tif 000102
2011135576.tif 000103
2011135576.tif 000104
2011135576.tif 000105
2011135576.tif 000106
2011135576.tif 000107
2011135576.tif 000108
2011135576.tif 000109
2011135576.tif 000110
2011135576.tif 000111