(57)【要約】【課題】従来安価で高度集積回路を作製するため、ナノインプリントリソグラフイー方法が開発されているが、ウエハ上に回路パターンを重ねる位置合わせ精度が悪かった。特に耐久性があり安価な金属製型使用は不向きであった。【解決手段】  金属製型で安価で簡単に回路パターンを有するレジスト膜を作製し、ナノインプリント技術と従来のマスクによる密着露光方法とをミツクスする事で、安価で小型で位置合わせが正確なリソグラフイーが簡単にできる利点は残り、パーテイクル発生の問題の欠点がなくなったリソグラフイー方法が提供できる。【選択図】図１
2011222925.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンを有するレジスト膜を回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構で保持しウエハ直上で離しウエハに密着さしドライエツチングするナノインプリントリソグラフイー方法。
【請求項２】
回路パターンを有するレジスト膜をウエハに着脱させる力として、電気力又は磁力を利用する請求項１記載のナノインプリントリソグラフイー方法。
【請求項３】
回路パターンを有するレジスト膜を一度ウエハに密着さしてその回路パターンを有するレジスト膜の位置ズレを検出し、回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構に戻して、回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構で位置ズレを補正して、再度ウエハに密着しドライエツチングする請求項１記載のナノインプリントリソグラフイー方法。
【請求項４】
回路パターンを有するレジスト膜が、回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構からウエハに密着する時、回路パターンを有するレジスト膜の中央部が先行して移動する様にした請求項１記載のナノインプリントリソグラフイー方法。
【請求項５】
回路パターンを有するレジスト膜を導電性ポリマーで造った請求項１記載のナノインプリントリソグラフイー方法。
【請求項６】
回路パターンを有する金属膜をウエハに塗布したポリマーに密着し、酸素でドライエツチングし、ポリマーに回路パターンを転写する請求項１記載のナノインプリントリソグラフイー方法。
【請求項７】
水溶性ポリマーを型に注入して形成された回路パターンを有するレジスト膜の表面に、カーボンナノチユーブ又は導電性ポリマー水分散液を塗布してできた回路パターンを有するレジスト膜を使用した請求項１記載のナノインプリントリソグラフイー方法。
【請求項８】
すくなくとも一部に金属を含む回路パターンを有するレジスト膜を使用した請求項１記載のナノインプリントリソグラフイー方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、ナノインプリントリソグラフイー方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  従来のナノインプリントリソグラフイーは、ウエハ上にあるレジスト膜に直接型をつけていた（例えば、非特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】  特開２０００−３１００９  号公報
【特許文献２】  特開２０１０−４３２４９  号公報
【特許文献３】  特開２００８−０３１４３０号公報
【特許文献４】  特開２００４−３５６１７９号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】  「ナノインプリントのはなし」日刊工業新聞社
【非特許文献２】  Ｐａｎａｓｏｎｉｃ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｊｏｕｒｎａｌ  Ｖｏｌ．５５  Ｎｏ．３  Ｏｃｔ．２００９  ドライエツチング高速化技術の開発
【非特許文献３】  表面科学  Ｖｏｌ．２８（２００７）  ＮＯ．２  ＰＰ１０４−１１０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  従来のナノインプリントリソグラフイー方法は、ウエハ上にあるレジスト膜に直接型を押し当てて回路パターンを作製していたので、回路を重ねる場合にその位置合わせが難しく、何回も回路を重ねる間に生じるウエハの反りに十分対処できなかった。【０００６】  本発明は、従来のナノインプリントグラフイー方法のこの問題に対処するもので、極めて微細な回路をウエハ上に精度良く重ね合わせ作製でき、かつ安価なリソグラフイー方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  そして、本発明は上記目的を達成するため、回路パターンを有するレジスト膜を予め作っておき、回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構でその回路パターンを有するレジスト膜を保持し、ウエハ上に搬送し、回路パターンを有するレジスト膜を離してウエハに密着さして、ウエハをドライエツチングしている。
【発明の効果】
【０００８】  本発明ナノインプリントリソグラフイー方法は、上記の様な形能をとっているので、特許文献１に開示されているように、回路パターンを有するレジスト膜を一度ウエハに密着さして位置合わせ誤差を検出し、再度回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構に再度密着さし、その時回路パターンを有するレジスト膜の位置ズレを補正して再度ウエハに密着することで、位置合わせが正確となっている。【０００９】  回路パターンを有するレジスト膜は、極めて柔軟性に富んでいるので、回路パターンを重ねるにつれて大きくなるウエハの反りに沿って貼りついて密着でき、これも又位置合わせの正確さに寄与している。【００１０】  回路パターンを有するレジスト膜をウエハに密着さす時、回路パターンを有するレジスト膜の中央部を一番先にウエハに接触さすことで、前二者間のズレ応力が小さく、ピツタリと密着さすことができている。その上、回路パターンを有するレジスト膜が、極めて軽くかつ丈夫であるので、回路パターンを有するレジスト膜の回路パターンの倒れが認められない。【００１１】  非特許文献２に開示されているように、本発明ナノインプリントリソグラフイー方法は、ステツプアンドリピート方式でのドライエツチングに時間がかかるので、一枚のウエハに対して一直線状に並んだ数個の回路パターンを有するレジスト膜を密着さして、一度にドライエツチングし、又装置が安価で小型であるので、数個のウエハに対して同時にドライエツチング方式を採用する事ができ、スループツトの向上を図ることができる。【００１２】  又この時、回路パターンを有するレジスト膜を密着さしているが、従来の光、Ｘ線、電子線露光時のパーテイクル発生は、ウエハに脆いレジストを塗布していたが、本発明方法ではポリビニールアルコール等の高分子ポリマーをホトレジスト代りに使用しているので、剥離やパーテイクル発生は少なく、その上パーテイクルを含め直接ドライエツチングしているので、その影響は小さい。又レジストを塗布せず直接ウエハをドライエツチングする方法では、パーテイクル発生やレジスト剥離等の問題は存在しない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】回路パターンを有する導電性ポリマーレジスト膜作製側面図
【図２】回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構側面図
【図３】回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構正面図
【図４】ウエハのドライエツチング説明図
【図５】ウエハのドライエツチング説明図
【発明を実施するための形態】
【００１４】  以下、本発明の実施例を図１〜図５に基づいて説明する。
【実施例】
【００１５】  回路パターンを有するレジスト膜を作製するに、型１にシリコーンオイル又フツ素樹脂系の離型剤を塗布し、特許文献１に開示された有機溶剤たとえばトルエンに溶解さした導電性ポリマーを塗布し、その回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２を作製する。【００１６】  回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構として、図２にその側面図、図３にその正面図を示している様に、シリカでできている外枠板３にシリカでできている入り子４がはまっている。【００１７】  そして入り子４の周囲８か所に圧電素子５が埋め込められている。そして、その内部一平面上に多数の電極６が存在している。【００１８】  この回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構７を回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２上に被せ、この回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２と回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構７の内部にある電極６との間に電気力を働かして密着し、型１と回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２との間にも電気反発力を働かせながら、型１から回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２を離す。【００１９】  そして、回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構７に、回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２を保持したままウエハ直上に搬送し、【００２０】  特許文献１に開示されているように、ウエハ直上約６０μｍでウエハの回路パターンと位置合わせを行い、電極６と回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２との電気反発力で、回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２の中央部を先頭にしてウエハに密着さす。【００２１】  ここで、ウエハの回路パターと回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２との回路パターン位置ズレを測定し、再度回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構７に、回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２を密着さして、入れ子４の四角にある八つの圧電素子５にて回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２の位置ズレを補正し、【００２２】  再度回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２の中央部を先頭にしてウエハに密着さし、非特許文献２に開示されている図４のドライエツチング説明図に示した様に、ウエハ８の直上にある石英製の目の粗い綱の一面に金属膜を有するシヤワープレート９と、【００２３】回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２との間に電気反発力を働かせながら、回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構７を引き抜き、エツチングガス１０を注入し、シヤワープレート９の上部を高い圧力室、ウエハ８側を低圧室として、ウエハ８をドライエツチングしている。【００２４】  この時、ウエハ８上に前述の回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２を一列に多数同時に密着さし、一斉にドライエツチングをおこなう。図５に示すように、この様なドライエツチング機構を多数設け、ウエハ８をステ���プアンドリピートドライエツチングをおこない、スループツトの向上を図っている。【００２５】  導電性をもった回路パターンを有するレジスト膜２として、水溶性ポリマーであるポリビニールアルコールを型１に塗布し乾燥し、その表面に、特許文献３に開示された導電性ポリマーや非特許文献３に開示されたカーボンナノチユーブ分散液を塗布して導電性を持たせた実施例がある。【００２６】  型１に塩化鉄等の磁性体塩化金属水溶液を塗布し乾燥さして、磁石にて型１から取りだし、高温水素ガスを照射し、還元金属回路パターンを有するレジスト膜をステンシルマスク化し、ウエハ８表面に塗布したポリマーを酸素ガスでステツプアンドリピートドライエツチングし、ウエハ８上のポリマーに回路を転写する実施例がある。【００２７】  型１に塩化鉄水溶液を塗布し乾燥し、その上にポリビニールアルコール水溶液を塗布し磁石にて型１からこの塩化鉄とポリビニールアルコール二層から成る回路パターンを有するレジスト膜２を取り出して、ウエハ８上に搬送する前に、特許文献３に開示された一酸化炭素ガスであらかじめ回路パターンの溝の部分にある塩化鉄をドライエツチングで除去し、電磁力発生装置を有する回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構７と、ウエハ８裏面にも電磁力発生装置を置き、磁力でもって磁性体の回路パターンを有するレジスト膜２を移動密着さす実施例がある【００２８】  ウエハ８にポリビニールアルコールを塗布しレジストとして、回路パターンを有する導電性ポリマー乾燥膜２をその上に密着し、ドライエツチングすることにより、ポリビニールアルコールレジスト膜に回路パターンを一旦転写する実施例がある。
【産業上の利用可能性】
【００２９】  本発明は、数十ナノメートル単位の線幅を有する回路パターンのリソグラフイー方法に使用できる。
【符号の説明】
【００３０】１  型
２  回路パターンを有する電導性ポリマー乾燥膜
３  外枠板
４  入り子
５  圧電素子
６  電極
７  回路パターンを有するレジスト膜が着脱可能で回路パターンを有するレジスト膜の形状を保つ保持機構
８  ウエハ
９  シヤワープレート
１０  エツチングガス
【図１】
2011222925.tif 000003
【図２】
2011222925.tif 000004
【図３】
2011222925.tif 000005
【図４】
2011222925.tif 000006
【図５】
2011222925.tif 000007