(57)【要約】【課題】より容易にマイクロミラーアレイ基板を製造すること。【解決手段】基板３上に配列させた金属柱２２を封止膜２３で被覆し、封止膜２３と金属柱２２の表面が略面一となるように研削して、封止膜２３の表面から金属柱２２の上端面２２ａを露出させる際、その上端面２２ａを研磨して鏡面加工を施し、光反射面２として形成することにより、マイクロミラーアレイ基板１Ａのミラー面に複数の光反射面２を一括して形成することを可能にした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配列され、上端面に光反射面が設けられている複数の金属柱と、
前記基板の上面を覆うとともに前記金属柱の側面を被覆して、その金属柱の上端面を露出させる封止膜と、
を備えることを特徴とするマイクロミラーアレイ基板。
【請求項２】
前記基板は、半導体基板の表面に接続端子が形成された半導体デバイスウエハと、その半導体デバイスウエハの表面を覆うとともに前記接続端子を露出させる開口が設けられた絶縁膜と、を有し、前記金属柱は前記基板における前記絶縁膜上に形成されており、
前記絶縁膜の上面に形成され一端が前記接続端子と接続された再配線と、
前記再配線の他端の表面に形成された柱状電極と、
を備え、
前記封止膜は、前記再配線を封止するとともに前記柱状電極と前記金属柱の側面を被覆して、前記柱状電極及び前記金属柱の上端面を露出させることを特徴とする請求項１に記載のマイクロミラーアレイ基板。
【請求項３】
前記柱状電極と前記金属柱とは、同じ金属材料で形成されていることを特徴とする請求項２に記載のマイクロミラーアレイ基板。
【請求項４】
前記光反射面は、前記金属柱の上端面が研磨されて鏡面加工が施されてなることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のマイクロミラーアレイ基板。
【請求項５】
前記光反射面は、前記金属柱の上端面に設けられた金属部材の表面が研磨されて鏡面加工が施されてなることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のマイクロミラーアレイ基板。
【請求項６】
基板上に複数の金属柱を配列させて設ける金属柱形成工程と、
前記基板の上面を覆うとともに前記金属柱を封止する封止膜を設ける封止膜形成工程と、
前記封止膜とともに前記金属柱を研削して、その金属柱の端部が研磨された上端面を露出させる露出工程と、
を備えることを特徴とするマイクロミラーアレイ基板の製造方法。
【請求項７】
半導体基板上に接続端子が形成された半導体デバイスウエハの表面を覆うとともに、前記接続端子を露出させる開口を有する絶縁膜を設けて、前記半導体デバイスウエハに前記絶縁膜が積層された前記基板を形成する基板形成工程と、
前記基板における前記絶縁膜の上面に、前記接続端子と一端が接続される再配線を形成する再配線形成工程と、
を備え、
前記金属柱形成工程は、前記絶縁膜の上面に前記金属柱を形成するとともに、前記再配線の他端の表面に柱状電極を形成する工程を含み、
前記封止膜形成工程は、前記金属柱とともに、前記柱状電極と前記再配線を前記封止膜で封止する工程を含み、
前記露出工程は、前記封止膜とともに前記柱状電極及び前記金属柱を研削して、前記柱状電極及び前記金属柱の端部が研磨された上端面を露出させる工程を含むことを特徴とする請求項６に記載のマイクロミラーアレイ基板の製造方法。
【請求項８】
前記露出工程は、前記金属柱の上端面に鏡面加工を施し、その上端面を光反射面に形成する工程を含むことを特徴とする請求項６又は７に記載のマイクロミラーアレイ基板の製造方法。
【請求項９】
前記露出工程の後に、前記金属柱の上端面に金属部材を設け、その金属部材の表面を研磨して光反射面に形成する工程を備えることを特徴とする請求項６又は７に記載のマイクロミラーアレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロミラーアレイ基板及びマイクロミラーアレイ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光通信や光情報処理の分野で使用されるマイクロミラーに関する技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２４２３９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）に属するマイクロミラーの場合、微細な構造を有するミラーであるため、そのマイクロミラーを製造するには半導体製造プロセスと同レベルの複雑な設備やクリーンな環境管理が必要となる。
また、ＭＥＭＳに属さない機械的工法によるミラーアレイの場合、製造が機械的であるがゆえに多数の素子を一括処理で製造することは困難であり、製造できるミラーのサイズは大きくならざるを得ない。
【０００５】
本発明の課題は、より容易にマイクロミラーアレイ基板を製造することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様は、マイクロミラーアレイ基板であって、
基板上に配列され、上端面に光反射面が設けられている複数の金属柱と、
前記基板の上面を覆うとともに前記金属柱の側面を被覆して、その金属柱の上端面を露出させる封止膜と、
を備えることを特徴としている。
好ましくは、前記基板は、半導体基板の表面に接続端子が形成された半導体デバイスウエハと、その半導体デバイスウエハの表面を覆うとともに前記接続端子を露出させる開口が設けられた絶縁膜と、を有し、前記金属柱は前記基板における前記絶縁膜上に形成されており、
前記絶縁膜の上面に形成され一端が前記接続端子と接続された再配線と、
前記再配線の他端の表面に形成された柱状電極と、
を備え、
前記封止膜は、前記再配線を封止するとともに前記柱状電極と前記金属柱の側面を被覆して、前記柱状電極及び前記金属柱の上端面を露出させる。
また、好ましくは、前記柱状電極と前記金属柱とは、同じ金属材料で形成されている。
また、好ましくは、前記光反射面は、前記金属柱の上端面が研磨されて鏡面加工が施されてなる。
また、好ましくは、前記光反射面は、前記金属柱の上端面に設けられた金属部材の表面が研磨されて鏡面加工が施されてなる。
【０００７】
また、本発明の他の態様は、マイクロミラーアレイ基板の製造方法であって、
基板上に複数の金属柱を配列させて設ける金属柱形成工程と、
前記基板の上面を覆うとともに前記金属柱を封止する封止膜を設ける封止膜形成工程と、
前記封止膜とともに前記金属柱を研削して、その金属柱の端部が研磨された上端面を露出させる露出工程と、
を備えることを特徴としている。
好ましくは、半導体基板上に接続端子が形成された半導体デバイスウエハの表面を覆うとともに、前記接続端子を露出させる開口を有する絶縁膜を設けて、前記半導体デバイスウエハに前記絶縁膜が積層された前記基板を形成する基板形成工程と、
前記基板における前記絶縁膜の上面に、前記接続端子と一端が接続される再配線を形成する再配線形成工程と、
を備え、
前記金属柱形成工程は、前記絶縁膜の上面に前記金属柱を形成するとともに、前記再配線の他端の表面に柱状電極を形成する工程を含み、
前記封止膜形成工程は、前記金属柱とともに、前記柱状電極と前記再配線を前記封止膜で封止する工程を含み、
前記露出工程は、前記封止膜とともに前記柱状電極及び前記金属柱を研削して、前記柱状電極及び前記金属柱の端部が研磨された上端面を露出させる工程を含む。
また、好ましくは、前記露出工程は、前記金属柱の上端面に鏡面加工を施し、その上端面を光反射面に形成する工程を含む。
また、好ましくは、前記露出工程の後に、前記金属柱の上端面に金属部材を設け、その金属部材の表面を研磨して光反射面に形成する工程を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、より容易にマイクロミラーアレイ基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態１に係るマイクロミラーアレイ基板を示す平面図である。
【図２】図１のII−II矢視断面図である。
【図３】実施形態１に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図４】実施形態１に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図５】実施形態１に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図６】実施形態１に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図７】実施形態１に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図８】本発明の実施形態２に係るマイクロミラーアレイ基板を示す断面図である。
【図９】マイクロミラーアレイ基板の変形例を示す平面図である。
【図１０】マイクロミラーアレイ基板の変形例を示す平面図である。
【図１１】マイクロミラーアレイ基板の変形例を示す平面図である。
【図１２】本発明の実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板を示す断面図である。
【図１３】実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図１４】実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図１５】実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図１６】実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図１７】実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図１８】実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図１９】実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図２０】実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図２１】実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図２２】実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図２３】実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【図２４】実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板の製造方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１１】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係るマイクロミラーアレイ基板１Ａを示す平面図であり、図２は図１のII−II矢視断面図である。
【００１２】
マイクロミラーアレイ基板１Ａは、図１、図２に示すように、基板３上に配列された複数（例えば、２５個）の金属柱２２が封止膜２３で被覆されて、金属柱２２の上端面２２ａがミラー面に露出された構造を有している。この金属柱２２の上端面２２ａに鏡面加工が施されて光反射面２が形成されている。
そして、マイクロミラーアレイ基板１Ａは、図１に示すように、例えば、１．０ｍｍ四方のミラー面に、直径０．１ｍｍの円形の光反射面２が２５個、０．２ｍｍ間隔に配列されて設けられている。
このマイクロミラーアレイ基板１Ａのミラー面に向けた光ファイバの向きや配置を調整し、何れかの光反射面２に入射させた光の反射角度を切り替えて、その反射光を目的の方向に誘導することができる。つまり、マイクロミラーアレイ基板１Ａは、入力側の光ファイバの光信号を出力側の光ファイバにスイッチングする光スイッチとして機能させることが可能である。
【００１３】
次に、マイクロミラーアレイ基板１Ａの製造方法について図３から図７を用いて説明する。
【００１４】
まず、図３に示すように、基板３の表面にスパッタ処理等によってシード層とする金属薄膜４を形成する。基板３は、例えばシリコン基板であるが、その他の金属製基板、ガラス製基板、セラミック製基板であってもよい。
【００１５】
次に、図４に示すように、基板３における金属薄膜４上に、金属ポスト用レジスト２０となるドライフィルムを貼り付け、そのドライフィルムをパターニングしてミラーアレイにおける光反射面２に対応する位置に開口２０ａを形成する。
【００１６】
次に、図５に示すように、金属薄膜４を陰極とする電解めっきによって、金属ポスト用レジスト２０の開口２０ａ内に銀メッキを施し、銀製の金属柱２２を形成する。なお、金属柱２２を銀で形成することに限らず、その他の銀色を呈する金属（例えば、ニッケル、クロム、アルミニウム、鉄など）で形成してもよい。
【００１７】
次に、図６に示すように、金属ポスト用レジスト２０を除去する。また、金属柱２２が形成されていない部分の金属薄膜４も除去する。
【００１８】
次に、図７に示すように、基板３の上面を覆うとともに金属柱２２を封止する封止膜２３となる樹脂を塗布し、封止膜２３を形成する。
【００１９】
その後、封止膜２３と金属柱２２の表面が略面一となるように研削して、封止膜２３の表面から金属柱２２の上端面２２ａを露出させる（図２参照）。この上端面２２ａは、金属柱２２の端部が研磨されることで鏡面加工が施され、光反射面２として形成されている。
そして、図１、図２に示すように、ミラー面に複数（本実施形態では２５個）の光反射面２が配列されたマイクロミラーアレイ基板１Ａが製造される。
【００２０】
このように、本実施形態によれば、マイクロミラーアレイ基板のミラー面に複数の光反射面２を一括して形成することができるので、より容易にマイクロミラーアレイ基板１Ａを製造することができる。
【００２１】
（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２に係るマイクロミラーアレイ基板について説明する。なお、実施形態１と同様の構成については、同符号を付して説明を割愛する。
【００２２】
図８は、実施形態２に係るマイクロミラーアレイ基板１Ｂを示す断面図である。実施形態２においては、金属ポスト用レジスト２０の開口２０ａ内に銅メッキを施し、銅製の金属柱２２を形成している。
そして、封止膜２３と金属柱２２の表面が略面一となるように研削して、封止膜２３の表面から金属柱２２の上端面２２ａを露出させた後、その銅製の金属柱２２の上端面２２ａに無電解めっきによってニッケルメッキを施し、ニッケル製の金属部材２４を形成している。
この金属部材２４の表面を研磨して鏡面加工を施し、光反射面２が形成されている。なお、金属部材２４をニッケルで形成することに限らず、その他の銀色を呈する金属（例えば、銀、クロム、アルミニウム、鉄など）で形成してもよい。
【００２３】
このように、金属柱２２の上端面に設けた金属部材２４の表面を研磨して光反射面２を形成することによって、容易にマイクロミラーアレイ基板１Ｂを製造することができる。
特に、銅製の金属柱２２の上端面２２ａを光反射面とするにはその反射率が低いような場合、金属柱２２の上端面２２ａに銀色を呈する金属（例えば、ニッケル）からなる金属部材２４を設け、その金属部材２４の表面に鏡面加工を施して、銀色の光反射面２を形成することで、好適な反射率の光反射面２を備えるマイクロミラーアレイ基板１Ｂを製造することができる。
【００２４】
（変形例）
図９から図１１は、本実施形態の変形例に係るマイクロミラーアレイ基板を示す平面図である。本変形例においては、マイクロミラーアレイ基板のミラー面に様々な形状の光反射面が設けられている。
図９に示すように、マイクロミラーアレイ基板１Ｃには、それぞれ異なる直径を有する９つの光反射面２が設けられている。このようなマイクロミラーアレイ基板１Ｃは、異なる光径の光を反射させることに適している。
図１０に示すように、マイクロミラーアレイ基板１Ｄには、それぞれ異なる形状を有する９つの光反射面２が設けられている。このようなマイクロミラーアレイ基板１Ｄは、反射光の断面形状を所望する形に変化させることに適している。
図１１に示すように、マイクロミラーアレイ基板１Ｅには、スリット状に５つの光反射面２が設けられている。このようなマイクロミラーアレイ基板１Ｅは、幅広い光や、光路が左右にぶれやすい光を反射させることに適している。
これらマイクロミラーアレイ基板１Ｃ、１Ｄ、１Ｅは、金属ポスト用レジスト２０に形成する開口２０ａの形状をコントロールして、その開口２０ａ内に形成する金属柱２２の断面形状を所望する形状とすることにより、それぞれ製造することができる。
つまり、本実施形態によれば、任意の形状の光反射面２を有するマイクロミラーアレイ基板を容易に製造することができる。
【００２５】
（実施形態３）
次に、本発明の実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板について説明する。
【００２６】
図１２は、実施形態３に係るマイクロミラーアレイ基板１Ｆを示す断面図である。
マイクロミラーアレイ基板１Ｆは、ウエハレベルパッケージと称される半導体装置に光反射面２を形成することにより、その半導体装置をマイクロミラーアレイ基板としても機能させることを可能にするものである。
【００２７】
マイクロミラーアレイ基板１Ｆは、図１２に示すように、基板１５の表面に再配線１９、柱状電極２１、金属柱２２、金属部材２４、半田端子２５等を形成してなる。
基板１５は、図１２に示すように、半導体デバイスウェハ１０に絶縁膜１４が積層されてなる。
半導体デバイスウェハ１０は、図１２に示すように、シリコン等からなる半導体基板１１と、金属等の導電性材料からなる接続パッド（接続端子）１２と、酸化シリコン等の絶縁性材料からなるパッシベーション膜１３と、等を備えている。
【００２８】
半導体基板１１の表面には、ＬＳＩや配線等が形成されている。接続パッド１２は半導体基板１１上の配線と接続されている。パッシベーション膜１３は半導体基板１１の表面に形成され、ＬＳＩや配線等を被覆する。また、パッシベーション膜１３には、接続パッド１２を露出させる開口１３ａが設けられている。図１２に示すように、開口１３ａは接続パッド１２よりも小さい。
【００２９】
パッシベーション膜１３の表面には、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる絶縁膜１４が形成されている。絶縁膜１４には、ポリイミド（ＰＩ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）等の高機能プラスチック材料、エポキシ系、フェノール系、シリコン系等のプラスチック材料、またはこれらの複合材料等を用いることができる。
【００３０】
絶縁膜１４には、接続パッド１２を露出させる開口１４ａが設けられている。開口１４ａは例えばレーザにより形成することができる。図１２に示すように、絶縁膜１４の開口１４ａはパッシベーション膜１３の開口１３ａよりも小さく、開口１４ａの外周部で接続パッド１２と絶縁膜１４とが密着している。
【００３１】
絶縁膜１４の表面の一部、及び開口１４ａから露出した接続パッド１２の上部には、銅等からなる電解めっき用シード層１６が形成されている。電解めっき用シード層１６は、２００ｎｍ〜２０００ｎｍの厚さが好ましい。電解めっき用シード層１６の一端部は、開口１３ａと開口１４ａを通じて接続パッド１２に接続されている。
電解めっき用シード層１６の表面には銅等の導電性材料からなる再配線１９が形成されている。再配線１９は１μｍ〜１０μｍの厚さが好ましい。再配線１９の一端は電解めっき用シード層１６を介して接続パッド１２に接続されている。
【００３２】
再配線１９の接続パッド１２とは反対側の他端の上面には、銅等の導電性材料からなる柱状電極２１が形成されている。
再配線１９が形成されていない絶縁膜１４の表面には、電解めっき用シード層１６を介して銅等の導電性材料からなる金属柱２２が形成されている。
【００３３】
再配線１９及び絶縁膜１４の表面には、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜２３が設けられている。
封止膜２３は、柱状電極２１と金属柱２２の側面を被覆し、その表面が柱状電極２１及び金属柱２２の表面と略面一となることで柱状電極２１及び金属柱２２の上端面が露出されるように設けられている。
【００３４】
柱状電極２１と金属柱２２の上端面には、それぞれ金属部材２４が設けられている。金属部材２４は、ニッケル等の銀色を呈する金属材料からなる。
柱状電極２１上の金属部材２４には、半導体基板１１の接続パッド１２と電気的に接続するための略球形状の半田端子２５が設けられている。
金属柱２２上の金属部材２４の表面は研磨されており、光反射面２が形成されている。
【００３５】
次に、マイクロミラーアレイ基板１Ｆの製造方法について図１３から図２４を用いて説明する。
【００３６】
まず、図１３に示すように、半導体デバイスウェハ１０の表面に絶縁膜１４を設け、その絶縁膜１４にパターニングを施して接続パッド１２に対応する位置に開口１４ａを形成し、基板１５を形成する。
次に、図１４に示すように、スパッタ等の気相堆積法により基板１５における絶縁膜１４の全面及び接続パッド１２の全面を覆う電解めっき用シード層１６を形成する。
【００３７】
次に、図１５に示すように、電解めっき用シード層１６上の再配線１９を形成しない位置に再配線レジスト１７を形成する。
次に、図１６に示すように、電解めっき用シード層１６を陰極とする電解めっきにより再配線レジスト１７が形成されていない部分に再配線１９を形成する。
その後、図１７に示すように、再配線レジスト１７を除去する。
【００３８】
次に、図１８に示すように、電解めっき用シード層１６及び再配線１９の上に、金属ポスト用レジスト２０となるドライフィルムを貼り付け、そのドライフィルムをパターニングして、柱状電極２１及び金属柱２２を形成する位置に開口２０ａを形成する。
次に、図１９に示すように、電解めっき用シード層１６を陰極とする電解めっきにより開口２０ａ内に柱状電極２１及び金属柱２２を形成する。なお、柱状電極２１と金属柱２２は、同じ金属材料（例えば、銅）からなり、再配線１９上に形成されたものが柱状電極２１、シード層１６を介して絶縁膜１４上に形成されたものが金属柱２２となる。
【００３９】
次に、図２０に示すように、金属ポスト用レジスト２０を除去する。
その後、図２１に示すように、エッチングにより再配線１９及び金属柱２２が形成されていない部分の電解めっき用シード層１６を除去する。なお、このとき再配線１９、柱状電極２１、金属柱２２の一部もエッチングされるが、それらは電解めっき用シード層１６と比較して充分に厚いため、影響はない。
【００４０】
次に、図２２に示すように、印刷法により封止膜２３となる樹脂を塗布し、封止膜２３を形成する。
次に、図２３に示すように、封止膜２３の表面を研削することにより、封止膜２３の表面が柱状電極２１及び金属柱２２の表面と略面一となるように、柱状電極２１及び金属柱２２の上端面を露出させる。
【００４１】
次に、図２４に示すように、柱状電極２１及び金属柱２２の上端面に無電解めっきにより金属部材２４を形成する。この金属部材２４の表面は研磨され、特に金属柱２２上の金属部材２４の表面は鏡面加工が施されて光反射面２とされる。
その後、柱状電極２１上の金属部材２４の表面に略球形状の半田端子２５を形成する。
そして、ウエハレベルの一括処理を完了した後、必要に応じてダイシングして個片化することにより、半導体装置としての機能を有するマイクロミラーアレイ基板１Ｆが製造される。
【００４２】
このように、本実施形態によれば、半導体装置のパッケージに複数の光反射面２を一括して形成することが可能であるので、半導体装置としての機能を有するマイクロミラーアレイ基板１Ｆを容易に製造することができる。
そして、このマイクロミラーアレイ基板１Ｆは、例えば、入力側の光ファイバの光信号を出力側の光ファイバにスイッチングする光スイッチに関する制御を行なう半導体装置として用いることができる。
【００４３】
また、マイクロミラーアレイ基板１Ｆの金属柱２２を実施形態１のように銀色を呈する金属（例えば、銀、ニッケル等）で形成し、その金属柱２２の上端面２２ａを光反射面２に磨きあげれば、金属部材２４を用いないマイクロミラーアレイ基板とすることができる。その場合、柱状電極２１の上端に半田端子２５を形成することになる。
【００４４】
なお、本発明の適用は上述した実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ  マイクロミラーアレイ基板
２      光反射面
３      基板
４      金属薄膜
１０    半導体デバイスウェハ
１１    半導体基板
１２    接続パッド（接続端子）
１３    パッシベーション膜
１４    絶縁膜
１５    基板
１６    電解めっき用シード層
１９    再配線
２１    柱状電極
２２    金属柱
２２ａ  上端面
２３    封止膜
２４    金属部材
２５    半田端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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