(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエハの表面側外周縁に欠けを生ずることなく又外周にナイフエッジを形成することなく所定の厚みに形成することができるウエハの加工方法の提供。【解決手段】表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域２２０と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域２３０とを有し、外周端部に面取り部２３１が形成されたウエハを所定の厚みに形成する加工方法であって、ウエハの表面に保護テープＴを貼着する工程と、ウエハの保護テープ側を回転可能なチャックテーブルに保持し、ウエハの外周余剰領域に回転する切削ブレード３２１を位置付け、チャックテーブルを回転させて切削することで、面取り部を分離する工程と、ウエハの裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程を含み、面取り部分離工程は、外周余剰領域の幅より小さい値の厚みに設定された切削ブレードを外周余剰領域における面取り部とデバイス領域の間に位置付けて実施する。【選択図】図５
2011103389.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、該外周余剰領域の外周端部に面取り部が形成されたウエーハを所定の厚みに形成するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該保護テープ貼着工程が実施されたウエーハの保護テープ側を回転可能なチャックテーブルに保持し、ウエーハの外周余剰領域に回転する切削ブレードを位置付け、チャックテーブルを回転させて切削することにより、面取り部を分離する面取り部分離工程と、
該面取り部分離工程が実施されたウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程と、を含み、
該面取り部分離工程は、外周余剰領域の幅より小さい値の厚みに設定された切削ブレードを外周余剰領域における面取り部とデバイス領域との間に位置付けて実施する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハを所定の厚みに形成するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々にIC,LSI等のデバイスを形成する。このように多数のデバイスが形成された半導体ウエーハをストリートに沿って分割することにより、個々のデバイスを形成する。デバイスの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割する前に、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成している。
【０００３】
しかるに、ウエーハの外周には面取り部が形成されているので、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みまで薄くすると、残存する面取り部が鋭利な所謂ナイフエッジの形態となり、危険であるとともにウエーハを研削している際にナイフエッジから亀裂が入りウエーハが損傷するという問題がある。
【０００４】
このような問題を解消するために、ウエーハの面取り部を切削して除去し、面取り部が除去されたウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する加工方法が下記特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１６５８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
而して、チャックテーブルにウエーハの表面側を保持し、ウエーハの面取り部に回転する切削ブレードを位置付け、チャックテーブルを回転させて面取り部を切削すると、切削加工部が振動してウエーハの表面側外周縁に欠けが発生してデバイスの品質を低下させるという問題がある。
【０００７】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハの表面側外周縁に欠けを生ずることなく、またウエーハの外周にナイフエッジを形成することなくウエーハを所定の厚みに形成することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、該外周余剰領域の外周端部に面取り部が形成されたウエーハを所定の厚みに形成するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該保護テープ貼着工程が実施されたウエーハの保護テープ側を回転可能なチャックテーブルに保持し、ウエーハの外周余剰領域に回転する切削ブレードを位置付け、チャックテーブルを回転させて切削することにより、面取り部を分離する面取り部分離工程と、
該面取り部分離工程が実施されたウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程と、を含み、
該面取り部分離工程は、外周余剰領域の幅より小さい値の厚みに設定された切削ブレードを外周余剰領域における面取り部とデバイス領域との間に位置付けて実施する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によるウエーハの加工方法においては、面取り部分離工程においてウエーハの面取り部を切削して分離することによりウエーハの外周面が表面および裏面に対して直角に形成された後に、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程を実施するので、所定の厚みに形成しても所謂ナイフエッジとはならず欠けの発生やその後の取り扱いが容易となる。そして、上記面取り部分離工程においては、ウエーハは外周余剰領域における面取り部とデバイス領域との間の所定位置に沿って切削されるので、切削部は面取り部とデバイス領域とによって両側から支持されるため、切削によって生じるウエーハの振動が抑えられてウエーハの表面側の外周縁に発生する欠けが減少する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明によるウエーハの分割方法によって加工される半導体ウエーハの斜視図。
【図２】図１に示すウエーハの拡大断面図。
【図３】本発明によるウエーハの分割方法における保護テープ貼着工程の説明図。
【図４】本発明によるウエーハの分割方法における面取り部分離工程を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図５】本発明によるウエーハの分割方法における面取り部分離工程の説明図。
【図６】本発明によるウエーハの分割方法における裏面研削工程を実施するための研削装置の要部斜視図。
【図７】本発明によるウエーハの分割方法における裏面研削工程が実施された半導体ウエーハの断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１には、本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが７００μmのシリコンウエーハからなり、表面２ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス２２が形成されている。このように形成される半導体ウエーハ２は、複数のデバイス２２が形成されるデバイス領域２２０と、該デバイス領域２２０を囲繞する外周余剰領域２３０を備えている。また、外周余剰領域２３０の外周端部には、不用意に受ける衝撃によって割れや欠けが発生することを防ぐために、図２に示すように表面２ａから裏面２bにわたって断面形状が円弧面をなす面取り部２３１が形成されている。
【００１３】
上記半導体ウエーハ２を所定の厚み（例えば、１００μm）に形成するには、先ず半導体ウエーハ２の表面２ａに形成されたデバイス２２を保護するために、図３の(a)および(b)に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに塩化ビニール等からなる保護テープTを貼着する（保護テープ貼着工程）。
【００１４】
上述した保護テープ貼着工程を実施したならば、ウエーハの保護テープ側を回転可能なチャックテーブルに保持し、ウエーハの外周余剰領域に回転する切削ブレードを位置付け、チャックテーブルを回転させて切削することにより、面取り部を分離する面取り部分離工程を実施する。この面取り部分離工程は、図４に示す切削装置３を用いて実施する。図４に示す切削装置３は、回転可能なチャックテーブル３１と、切削ブレード３２１を備えた切削手段３２と、撮像手段３３を具備している。なお、切削ブレード３２１の厚みは、外周余剰領域２３０の幅より小さい値（例えば、３０μm）に設定されている。この切削装置３を用いて面取り部分離工程を実施するには、チャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２の保護テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ２をチャックテーブル３１上に保護テープTを介して保持する。従って、チャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。そして、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を撮像手段３３の直下に位置付け、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の切削すべき領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０における面取り部２３１とデバイス領域２２０との間の所定位置と切削ブレード３２１との位置合わせを行うためのアライメント作業を遂行する。
【００１５】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削すべき領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削領域に移動する。そして、切削手段３２の切削ブレード３２１を図５の(a)において２点鎖線で示すようにチャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０における面取り部２３１とデバイス領域２２０との間の所定位置（例えば、半導体ウエーハ２の外周縁から２mmの位置）の直上に位置付ける。そして、図５の(a)に示すように切削ブレード３２１を矢印３２１aで示す方向に回転しつつ２点鎖線で示す待機位置から下方に切り込み送りし、実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、切削ブレード３２１の外周縁が保護テープTに達する位置に設定されている。
【００１６】
次に、上述したように切削ブレード３２１を矢印３２１aで示す方向に回転しつつチャックテーブル３１を図５の(a)において矢印３１aで示す方向に回転せしめる。そして、チャックテーブル５１が１回転することにより、図５の(b)に示すように半導体ウエーハ２は外周余剰領域２３０における面取り部２３１とデバイス領域２２０との間の所定位置に沿って形成される環状切削溝２４０によって切断され、面取り部２３１が分離される。この面取り部分離工程においては、半導体ウエーハ２は外周余剰領域２３０における面取り部２３１とデバイス領域２２０との間の所定位置に沿って切削されるので、切削部は面取り部２３１とデバイス領域２２０とによって両側から支持されるため、切削によって生じるウエーハの振動が抑えられてウエーハの表面側の外周縁に発生する欠けが減少する。
【００１７】
上述した面取り部分離工程を実施したならば、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図６に示す研削装置４によって実施する。図６に示す研削装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１に保持された被加工物を研削する研削手段４２を具備している。チャックテーブル４１は、上面に被加工物を吸引保持し図６において矢印４１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段４２は、スピンドルハウジング４２１と、該スピンドルハウジング４２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル４２２と、該回転スピンドル４２２の下端に装着されたマウンター４２３と、該マウンター４２３の下面に取り付けられた研削ホイール４２４とを具備している。この研削ホイール４２４は、円板状の基台４２５と、該基台４２５の下面に環状に装着された研削砥石４２６とからなっており、基台４２５がマウンター４２３の下面に締結ボルト４２７によって取り付けられている。
【００１８】
上述した研削装置４を用いて裏面研削工程を実施するには、チャックテーブル４１の上面（保持面）に上述した面取り部分離工程が実施された半導体ウエーハ２の保護テープT側を載置する。このとき、面取り部分離工程を実施することによって分離された面取り部２３１を保護テープTから剥離して載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル４１上に保護テープTを介して半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、チャックテーブル４１上に保護テープTを介し吸引保持された半導体ウエーハ２は、裏面２ｂが上側となる。このようにチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２を吸引保持したならば、チャックテーブル４１を矢印４１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段４２の研削ホイール４２４を矢印４２４aで示す方向に例えば６００ｒｐｍで回転せしめて半導体ウエーハ２の裏面２bに研削砥石４２６の下面である研削面を接触せしめ、研削ホイール４２４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。この結果、図７に示すように半導体ウエーハ２の裏面２bが所定量研削され、所定の厚み(例えば、１００μm)に形成される。なお、上述した裏面研削工程においては、面取り部分離工程が実施され分離された面取り部２３１を保護テープTから剥離して実施したが、面取り部２３１が保護テープTに貼着された状態で裏面研削工程を実施しても１００μｍ程度の厚みに研削することにより研削加工過程で破断され保護テープTから剥離される。このようにして裏面研削工程が実施され所定の厚み(例えば、１００μm)に形成された半導体ウエーハ２は、上記面取り部分離工程が実施されることにより外周面が表面２aおよび裏面２bに対して直角に形成されているので、所定の厚み(例えば、１００μm)に形成しても所謂ナイフエッジとはならず欠けの発生やその後の取り扱いが容易となる。
【００１９】
以上のようにして、所定の厚み(例えば、１００μm)に形成された半導体ウエーハ２は、ストリート２１に沿って個々のデバイス２２に分割する分割工程に搬送される。
【符号の説明】
【００２０】
２：半導体ウエーハ
２１：ストリート
２２：デバイス
２２０：デバイス領域
２３０：外周余剰領域
２３１：面取り部
３：切削装置
３１：切削装置のチャックテーブル
３２：切削手段
３２１：切削ブレード
４：研削装置
４１：研削装置のチャックテーブル
４２：研削手段
４２４：研削ホイール
T：保護テープ
【図１】
2011103389.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2011103389.tif 000008
【図７】
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