(57)【要約】【課題】ヘイズのような微小な段差の異物を簡素な構成の装置により正確に検出する。【解決手段】レチクル検査装置１００は、レチクル３に照射される照射光１０を発光する光源（例えばレーザ１）を有する。レチクル検査装置１００は、レチクル３の表面３ａにおける照射光１０の照射位置Ｐを調整し、該照射光１０をレチクル３上で走査させる照射位置調整部と、レチクル３の表面３ａからの正反射光１１を受光する受光部（例えばフォトマル８）とを有する。レチクル検査装置１００は、受光部により受光される正反射光１１の光量の変動に基づいてレチクル３の表面３ａの異物（例えばヘイズ）の有無を判定する判定部（制御部９）を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルに照射される照射光を発光する光源と、
前記レチクルの表面における前記照射光の照射位置を調整し、該照射光を前記レチクル上で走査させる照射位置調整部と、
前記レチクルの表面からの正反射光を受光する受光部と、
前記受光部により受光される前記正反射光の光量の変動に基づいて前記レチクルの表面における異物の有無を判定する判定部と、
を有することを特徴とするレチクル検査装置。
【請求項２】
前記判定部は、前記光量の最大値と最小値との差が所定の閾値以上となった場合に、前記レチクルの表面に異物があると判定することを特徴とする請求項１に記載のレチクル検査装置。
【請求項３】
前記判定部は、前記光量が所定の閾値以下となった場合に、前記レチクルの表面に異物があると判定することを特徴とする請求項１に記載のレチクル検査装置。
【請求項４】
前記光源からの照射光を前記レチクル側に反射させるミラーと、
前記レチクルを保持するステージと、
を有し、
前記照射位置調整部は、
前記ステージを一方向及びその反対方向に移動させることによって、前記ミラーからの反射光が前記レチクルの表面上に照射される位置を前記反対方向及び前記一方向に走査させるステージ移動部と、
前記ミラーの向きを調節することによって、前記ミラーからの反射光が前記レチクルの表面上に照射される位置を前記一方向及び前記反対方向に対して直交する方向において走査させるミラー移動部と、
を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のレチクル検査装置。
【請求項５】
前記光源がレーザであり、前記照射光がレーザ光であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載のレチクル検査装置。
【請求項６】
前記受光部は、前記正反射光を電気信号に変換する光電変換素子であり、
前記判定部は、前記光電変換素子により変換された前記電気信号の変動に基づいて前記レチクルの表面における異物の有無を判定することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載のレチクル検査装置。
【請求項７】
レチクルに照射光を照射しながら前記レチクルの表面における前記照射光の照射位置を動かして、該照射光を前記レチクル上で走査させる工程と、
前記レチクルの表面からの正反射光を受光する工程と、
受光される前記正反射光の光量の変動に基づいて前記レチクルの表面における異物の有無を判定する工程と、
を有することを特徴とするレチクル検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レチクル検査装置及びレチクル検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置におけるパターンの微細化に伴い、半導体装置の製造工程に含まれるフォトリソグラフィー工程で用いられる露光光の短波長化が進行している。
【０００３】
しかしながら、その弊害で、フォトリソグラフィー工程で用いられるレチクル（マスク）の表面が活性化されやすくなっている。このため、レチクルの表面に付着しているケミカルコンタミネーションが結晶成長することにより、該表面にヘイズ（曇り）等の異物が生じることがある。
【０００４】
表面にヘイズ等の異物があるレチクルを用いて露光を行うと、異物の形状がフォトレジスト膜に転写されることに起因して、製造される半導体装置に欠陥が生じることがある。
【０００５】
このため、レチクルのヘイズ等を検出できるようにすることが望まれている。
【０００６】
特許文献１には、レチクルの表面に対してレーザ光を照射し、その表面からの反射散乱光の強度を光検出器によって検出し、その検出結果に基づいてレチクル表面における異物の有無を判別することが記載されている。
【０００７】
また、特許文献２には、レチクルにビームを照射し、レチクルからの反射出力及び透過出力をそれぞれ検出し、それら反射出力と透過出力とを比較してレチクルの欠陥を検出することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平０４−１３４２５４号公報
【特許文献２】特開昭５８−１６２０３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１の技術では、反射散乱光を用いて異物の有無を判別するが、ヘイズのような微小な段差の異物からは散乱光が発生しにくいため、そのような異物はほとんど検出することが不可能である。
【００１０】
また、特許文献２では、レチクルからの反射出力と透過出力とを検出するための手段をそれぞれ設ける必要があるため検査装置の構成要素が多くなり、装置が大型になるとともに高コストになる。また、同文献には不透過性のゴミ等の検出を行うことは記載されているが、ヘイズのような微小な段差の異物を検出する点については記載されておらず、そのような異物を検出できるかどうかは不明である。
【００１１】
このように、ヘイズ（曇り）のような微小な段差の異物を簡素な構成の装置により正確に検出することは困難だった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、レチクルに照射される照射光を発光する光源と、
前記レチクルの表面における前記照射光の照射位置を調整し、該照射光を前記レチクル上で走査させる照射位置調整部と、
前記レチクルの表面からの正反射光を受光する受光部と、
前記受光部により受光される前記正反射光の光量の変動に基づいて前記レチクルの表面における異物の有無を判定する判定部と、
を有することを特徴とするレチクル検査装置を提供する。
【００１３】
このレチクル検査装置によれば、レチクルの表面からの正反射光の光量の変動に基づいてレチクルの表面の異物の有無を検出する。このため、反射散乱光に基づいてレチクルの表面の異物を検出する場合とは異なり、ヘイズのような微小な段差の異物も正確に検出することが可能となる。また、１つの受光部を用いて正反射光を受光すれば良いため、例えばレチクルからの反射出力と透過出力とを検出するための手段をそれぞれ設ける場合と比べて検査装置の構成要素を少なくでき、検査装置を小型かつ低コストに構成することができる。
このように、ヘイズのような微小な段差の異物を簡素な構成の装置により正確に検出することができる。
【００１４】
また、本発明は、レチクルに照射光を照射しながら前記レチクルの表面における前記照射光の照射位置を動かして、該照射光を前記レチクル上で走査させる工程と、
前記レチクルの表面からの正反射光を受光する工程と、
受光される前記正反射光の光量の変動に基づいて前記レチクルの表面における異物の有無を判定する工程と、
を有することを特徴とするレチクル検査方法を提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ヘイズのような微小な段差の異物を簡素な構成の装置により正確に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態に係るレチクル検査装置の構成を示す模式的な側面図である。
【図２】実施形態に係るレチクル検査装置の構成を示す模式的な平面図である。
【図３】実施形態に係るレチクル検査装置のブロック図である。
【図４】実施形態に係るレチクル検査装置における信号処理の流れを示す信号処理系統図である。
【図５】レチクルに照射光が照射される様子を示す模式的な側面図である。
【図６】実施形態に係るレチクル検査装置の判定動作を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
【００１８】
図１乃至図３は実施形態に係るレチクル検査装置１００の構成を示す図であり、このうち図１は模式的な側面図、図２は模式的な平面図、図３はブロック図である。
【００１９】
本実施形態に係るレチクル検査装置１００は、レチクル３に照射される照射光１０を発光する光源（例えばレーザ１）と、レチクル３の表面３ａ（図４参照）における照射光（反射光１０ａ）の照射位置Ｐを調整し、該照射光をレチクル３上で走査させる照射位置調整部（例えば、スキャナーミラー移動部１３及びステージ移動部１２）と、レチクル３の表面３ａからの正反射光１１を受光する受光部（例えばフォトマル８）と、受光部により受光される正反射光１１の光量の変動に基づいてレチクル３の表面３ａの異物（例えばヘイズ１９）の有無を判定する判定部（制御部９）と、を有する。
また、本実施形態に係るレチクル検査方法は、レチクル３に照射光（反射光１０ａ）を照射しながらレチクル３の表面３ａにおける照射光の照射位置を動かして、該照射光をレチクル３上で走査させる工程と、レチクル３の表面３ａからの正反射光１１を受光する工程と、受光される正反射光１１の光量の変動に基づいてレチクル３の表面３ａにおける異物（例えばヘイズ１９）の有無を判定する工程と、を有する。
以下、詳細に説明する。
【００２０】
図１に示すように、レチクル検査装置１００は、光源としてのレーザ１と、レーザ１から照射される照射光１０をレチクル３側に反射させるスキャナーミラー２と、レチクル３を保持するステージ４と、を有している。
更に、レチクル検査装置１００は、ハービングミラー５と、折り返しミラー６と、受光スリット７ａを有する遮光体７と、フォトマル８と、制御部９と、を有している。
【００２１】
図３に示すように、レチクル検査装置１００は、更に、ステージ移動部１２と、スキャナーミラー移動部１３と、ハービングミラー移動部１４と、プリアンプ１５と、オートゲインコントローラー１６と、Ａ／Ｄ変換器１７と、表示部１８と、を有している。
【００２２】
レーザ１から発せられたレーザ光、すなわち照射光１０は、スキャナーミラー２に入射し、このスキャナーミラー２からレチクル３側に反射光１０ａとして反射される。この反射光１０ａは、所定の入射角αでレチクル３の表面３ａに入射し、この表面３ａにて正反射（鏡面反射）し、正反射光１１となる。
【００２３】
ここで、反射光１０ａは、例えば、表面３ａにて正反射光１１となる成分と、表面３ａからレチクル３内に進入する成分とに分かれる。上記入射角αは、このレチクル３内に進入する成分がレチクル３の面３ｂにて全反射しないような角度に設定されていることが好ましい。逆に言えば、レチクル３内に浸入する上記成分のうちの少なくとも一部の成分が、面３ｂからレチクル３の外側に抜け出るように、入射角αが設定されていることが好ましい。このようにすることにより、正反射光１１以外の成分がフォトマル８に入射してしまうことを抑制でき、検出精度を高めることができる。
また、面３ｂにて表面３ａ側に反射する成分は、表面３ａにて再び面３ｂ側に反射する成分と、表面３ａからレチクル３の外側に抜け出る成分と、に分かれる。上記のように入射角αを設定することにより、これらのうち表面３ａからレチクル３の外側に抜け出る成分の割合を減らし、表面３ａにて再び面３ｂ側に反射する成分の割合を高めることができるので、このことによっても反射光１１以外の成分がフォトマル８に入射してしまうことを抑制でき、検出精度を高めることができる。
【００２４】
なお、レチクル３は、例えば石英ガラス等の光透過性の材質により構成されている。
【００２５】
ステージ４には、レチクル３が載置されるようになっている。ステージ移動部１２は、このステージ４をレチクル３ごと一方向（図１及び図２の矢印Ａ方向）及びその反対方向（図１及び図２の矢印Ｂ方向）に移動させることができるように構成されている。ステージ移動部１２は、例えば、モータ等の駆動源と、この駆動源の動力を直線動作に変換してステージ４を矢印Ａ方向又はＢ方向に直線移動させる駆動伝達機構と、を有している（何れも図示略）。
【００２６】
このようにステージ移動部１２によってステージ４及びレチクル３を移動させることにより、スキャナーミラー２からの反射光１０ａがレチクル３の表面３ａ上に照射される照射位置Ｐを、図１及び図２の矢印Ｂ方向及びＡ方向に走査させることができる。以下、表面３ａ上において、矢印Ａ方向又はＢ方向での照射位置ＰをＸ座標と称する。
【００２７】
スキャナーミラー移動部１３は、スキャナーミラー２を移動させることによって、該スキャナーミラー２からの反射光１０ａをレチクル３の表面３ａ上において走査させる。より具体的には、スキャナーミラー移動部１３による走査によって、反射光１０ａは、レチクル３の表面３ａ上で、上記一方向及び反対方向（矢印Ａ方向及びＢ方向）と直交する方向（図２の矢印Ｃ方向及びＤ方向）において、図２に示す範囲Ｈ内で反復的に走査される。具体的には、スキャナーミラー移動部１３は、スキャナーミラー２を定位置で首振りさせることによって、反射光１０ａをこのように走査させる。以下、表面３ａ上において、矢印Ｃ方向又はＤ方向での照射位置ＰをＹ座標と称する。
【００２８】
そして、ステージ移動部１２による走査とスキャナーミラー移動部１３による走査とを組み合わせて行うことによって、反射光１０ａをレチクル３の表面３ａ上における任意の位置に走査させることができる。すなわち、反射光１０ａが表面３ａ上に照射される照射位置Ｐを、表面３ａ上における任意の位置に移動させることができる。
【００２９】
反射光１０ａがレチクル３の表面３ａ上で正反射することによって得られる正反射光１１は、ハービングミラー５に入射し、該ハービングミラー５から折り返しミラー６側に反射する。折り返しミラー６は固定されている。ハービングミラー５により反射された正反射光１１は、折り返しミラー６に入射し、該折り返しミラー６からフォトマル８側へ反射する。この正反射光１１は、遮光体７の受光スリット７ａを介してフォトマル８により受光される。
【００３０】
ここで、ハービングミラー移動部１４は、スキャナーミラー２の移動（首振り）に同期させて、ハービングミラー５をスキャナーミラー２とはほぼ面対称に移動（定位置で首振り）させる。これにより、表面３ａ上における照射位置Ｐにかかわらず、折り返しミラー６のほぼ同じ位置に常に正反射光１１が入射するようになっている。そして、表面３ａにヘイズ１９等の異物が存在しない場合には、表面３ａ上における照射位置Ｐにかかわらず、フォトマル８はほぼ同じ強度の光を受光するようになっている。
【００３１】
なお、反射光１０ａは、レチクル３の表面３ａ上において正反射する以外に散乱もするが、正反射する成分（正反射光１１）が最も強い成分となる。
【００３２】
フォトマル（光電変換素子）８は、正反射光１１を受光すると、該正反射光１１を光電変換する（正反射光１１を電気信号に変換する）。すなわち、フォトマル８は、正反射光１１の光量に応じた大きさの電流を出力する。この電流は、プリアンプ１５に入力される。プリアンプ１５は、入力される電流を電圧に変換するとともに増幅した後で、オートゲインコントローラー１６に出力する。オートゲインコントローラー１６は、入力される電圧をゲイン調整し、Ａ／Ｄ変換器１７に出力する。Ａ／Ｄ変換器１７は入力されるアナログ信号、すなわち電圧値をデジタル値に変換し、該変換後のデジタル値を制御部９に出力する。
【００３３】
制御部９は、正反射光１１の光量と相関する値、すなわちＡ／Ｄ変換器１７から入力されるデジタル値をモニターし、このデジタル値の変動に基づいてレチクル３の表面３ａにおけるヘイズ１９等の異物の有無を判定する。すなわち、レチクル３の表面３ａ上において照射光（反射光１０ａ）を走査させながら、該表面３ａからの正反射光１１の光量の変動をモニターし、光量の変動に基づいてレチクル３の表面３ａにおける異物の有無を判定する。
【００３４】
このように、本実施形態では、受光部は、正反射光１１を電気信号に変換する光電変換素子（例えばフォトマル８）であり、判定部としての制御部９は、光電変換素子により変換された電気信号の変動に基づいてレチクル３の表面３ａにおける異物の有無を判定する。
【００３５】
なお、制御部９は、異物の有無の判定の他に、レーザ１、ステージ移動部１２、スキャナーミラー移動部１３、ハービングミラー移動部１４及び表示部１８の動作制御を行う。
【００３６】
以下、レチクル検査装置１００の動作をより詳細に説明する。
【００３７】
図４はレチクル検査装置１００における信号処理の流れを示す信号処理系統図である。図５はレチクル３に照射光（反射光１０ａ）が照射される様子を示す模式的な側面図である。このうち（Ａ）はヘイズ１９等の異物がない位置に照射される状態を、（Ｂ）はヘイズ１９がある位置に照射される状態を、それぞれ示す。図６はレチクル検査装置１００の判定動作を説明するための図であり、照射光の照射位置（横軸）とＡ／Ｄ変換器１７から出力されるデジタル値（電圧値）（縦軸）との関係を示す。このうち（Ａ）はヘイズ１９等の異物がない場合を、（Ｂ）はヘイズ１９がある場合を、それぞれ示す。
【００３８】
レーザ１により発光されスキャナーミラー２によりレチクル３側に反射された照射光（反射光１０ａ）を、レチクル３の表面３ａ上において走査させながら、フォトマル８で正反射光１１を受光する。フォトマル８は、正反射光１１を光電変換し、正反射光１１の光量に応じた電流値をプリアンプ１５へ出力する（図４のステップＳ１）。
【００３９】
ここで、レチクル３の表面３ａとは、例えば、図５に示すように、露光により転写される所定のパターン２０が形成されている面３ｂとは反対側の面である。
【００４０】
プリアンプ１５は、フォトマル８から出力された電流を電圧に変換するとともに増幅し、オートゲインコントローラー１６へ出力する（図４のステップＳ２）
【００４１】
オートゲインコントローラー１６は、プリアンプ１５から出力された電圧のゲイン調整を行った後に、該電圧をＡ／Ｄ変換器１７へ出力する（図４のステップＳ３）。
【００４２】
Ａ／Ｄ変換器１７は、オートゲインコントローラー１６から出力された電圧、すなわちアナログ信号をＡ／Ｄ変換し、該Ａ／Ｄ変換後のデジタル信号を制御部９へ出力する（図４のステップＳ４）。
【００４３】
ここで、照射光（反射光１０ａ）の照射位置Ｐを表面３ａ上で走査させる際に、ステージ移動部１２は、矢印Ａ方向又はＢ方向におけるステージ４の位置を示す情報を照射位置ＰのＸ座標を示す情報（以下、Ｘ座標位置情報）として制御部９に随時に出力する。同様に、ハービングミラー移動部１４は、ハービングミラー５の角度を示す情報を照射位置ＰのＹ座標を示す情報（以下、Ｙ座標位置情報）として随時に制御部９に出力する。
【００４４】
制御部９は、Ｘ座標位置情報及びＹ座標位置情報と、Ａ／Ｄ変換器１７から出力されるデジタル信号と、を用いて、フォトマル８が受光する光量と、照射光（反射光１０ａ）の照射位置Ｐと、の関係を求めるためのデジタル波形処理を行う（図４のステップＳ５）。すなわち、制御部９は、Ａ／Ｄ変換器１７から出力されるデジタル信号を、Ｘ座標位置情報及びＹ座標位置情報が示すＸ−Ｙ座標系における座標毎にプロットする。
【００４５】
図６は、照射位置Ｐを一方向（例えば図２の矢印Ｄ方向）に走査したときに、Ａ／Ｄ変換器１７から出力されるデジタル信号をプロットした結果を示す。
【００４６】
制御部９は、上述のデジタル波形処理により得られた照射位置（横軸）と電圧値（デジタル信号の値）（縦軸）との関係に基づいて、ヘイズ１９等の異物の有無を判定する（図４のステップＳ６）。
【００４７】
図６（Ａ）に示すように、ヘイズ１９等の異物が存在しない場合（図５（Ａ）に対応）には、電圧値の最大値（ＭＡＸ）と最小値（ＭＩＮ）との差が所定の閾値Ｔ未満となる。このため、制御部９は、異物が存在しないと判定する。
【００４８】
一方、図６（Ｂ）に示すように、ヘイズ１９等の異物が存在する場合（図５（Ｂ）に対応）には、電圧値の最大値（ＭＡＸ）と最小値（ＭＩＮ）との差が所定の閾値Ｔ以上となる。なぜなら、図５（Ｂ）に示すようにヘイズ１９等の異物に照射光（反射光１０ａ）が照射されると、異物が存在しない場合（図５（Ｂ）に二点鎖線で示す正反射光１１）と比べて正反射光１１の光路が変動することにより、受光スリット７ａを介してフォトマル８により受光される正反射光１１の光量が減少するためである。そして、この光量の減少により、フォトマル８から出力される電流値、ひいてはＡ／Ｄ変換器１７から出力されるデジタル信号（電圧値）の値も小さくなる（図６（Ｂ）の光量減少箇所Ｒ参照）。このため、制御部９は、異物が存在すると判定する。
【００４９】
なお、制御部９は、例えば、判定結果を表示部１８に表示出力させる（図４のステップＳ７）。すなわち、異物がない場合には異物がない旨を、異物がある場合には異物がある旨を、それぞれ表示出力させる。
【００５０】
以上のような実施形態によれば、レチクル３からの正反射光１１の光量の変動に基づいてレチクル３の表面３ａの異物の有無を検出する。このため、反射散乱光に基づいてレチクルの表面の異物を検出する場合とは異なり、ヘイズ１９のような微小な段差の異物も正確に検出することが可能となる。また、１つの受光部（フォトマル８）を用いて正反射光１１を受光すれば良いため、例えばレチクルからの反射出力と透過出力とを検出するための手段をそれぞれ設ける場合と比べて、レチクル検査装置１００の構成要素を少なくでき、レチクル検査装置１００を小型かつ低コストに構成することができる。
このように、ヘイズ１９のような微小な段差の異物を簡素な構成のレチクル検査装置１００により正確に検出することができる。
【００５１】
また、レチクル検査装置１００は、レーザ１からの照射光１０をレチクル３側に反射させるミラー（スキャナーミラー２）と、レチクル３を保持するステージ４と、を有し、照射位置調整部は、ステージ４を一方向及びその反対方向（矢印Ａ方向及びＢ方向）に移動させることによって、ミラーからの反射光１０ａがレチクル３の表面３ａ上に照射される位置（照射位置Ｐ）を反対方向及び一方向に走査させるステージ移動部１２と、ミラーの向きを調節することによって、ミラーからの反射光１０ａがレチクル３の表面３ａ上に照射される位置を一方向及び反対方向に対して直交する方向（矢印Ｃ方向及びＤ方向）において走査させるミラー移動部（スキャナーミラー移動部１３）と、を含む。ここで、ステージ４の位置調整による照射位置Ｐの走査は、一般に、照射位置Ｐを高精度に制御できるというメリットがある反面、レチクル検査装置１００が大型化するというデメリットがある。一方、ミラー（スキャナーミラー２）の向きを調節することによる照射位置Ｐの走査は、一般に、レチクル検査装置１００をさほど大型化させずに済むというメリットがある反面、ステージ４の位置調整による走査に比べて精度が劣るというデメリットがある。そこで、本実施形態の様に、ステージ移動部１２による走査とスキャナーミラー移動部１３による走査とを組み合わせて行うことによって、レチクル検査装置１００の大型化を抑制しつつ、極力高精度に照射位置Ｐを制御できるようになる。
【００５２】
なお、上記の実施形態では、制御部（判定部）９は、レチクル３の表面３ａからの正反射光１１の光量の最大値（ＭＡＸ）と最小値（ＭＩＮ）との差が所定の閾値Ｔ以上となった場合に、レチクル３の表面３ａに異物があると判定する例を説明したが、本発明はこの例に限らない。例えば、制御部（判定部）９は、レチクル３の表面３ａからの正反射光１１の光量が所定の閾値以下となった場合に、レチクル３の表面３ａに異物があると判定するようにしても良い。
【００５３】
また、上記の実施形態では、受光部がフォトマル８である例を説明したが、フォトマル８以外の光電変換素子（例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ））を用いても良い。
【００５４】
また、上記の実施形態では、照射位置ＰのＹ座標を示す情報として、ハービングミラー５の角度を示す情報を用いる例を説明したが、スキャナーミラー２の角度を示す情報を照射位置ＰのＹ座標を示す情報として用いても良い。
【００５５】
また、上記においては、スキャナーミラー２の向きを変えることによって照射位置Ｐを矢印Ｃ方向及びＤ方向において走査させる例を説明したが、スキャナーミラー２の向きを変える代わりに、ステージ４を矢印Ｃ方向及びＤ方向にも移動できるように構成し、ステージ４を矢印Ｃ方向及びＤ方向に移動させることによって、照射位置Ｐを矢印Ｃ方向及びＤ方向において走査させるようにしても良い。
或いは、逆に、ステージ４を固定とし、スキャナーミラー２の移動（スキャナーミラー２の向きの変更）のみにより、照射位置Ｐを矢印Ａ方向、Ｂ方向、Ｃ方向及びＤ方向に走査できるようにしても良い。
【符号の説明】
【００５６】
１ レーザ（光源）
２ スキャナーミラー（ミラー）
３ レチクル
３ａ 表面
３ｂ 面
４ ステージ
５ ハービングミラー
６ 折り返しミラー
７ 遮光体
７ａ 受光スリット
８ フォトマル（受光部、光電変換素子）
９ 制御部（判定部）
１０ 照射光
１０ａ 反射光（照射光）
１１ 正反射光
１２ ステージ移動部（照射位置調整部）
１３ スキャナーミラー移動部（照射位置調整部）
１４ ハービングミラー移動部
１５ プリアンプ
１６ オートゲインコントローラー
１７ Ａ／Ｄ変換器
１８ 表示部
１９ ヘイズ（異物）
２０ パターン
１００ レチクル検査装置
Ｈ 範囲
Ｐ 照射位置
Ｒ 光量減少箇所
Ｔ 閾値
α 入射角
【図１】
2011232088.tif 000003
【図２】
2011232088.tif 000004
【図３】
2011232088.tif 000005
【図４】
2011232088.tif 000006
【図５】
2011232088.tif 000007
【図６】
2011232088.tif 000008