(57)【要約】【課題】  プリント配線板上にＣＳＰと呼ばれる半導体構成体が設けられた半導体装置において、半導体構成体とプリント配線板の配線との間の電気的接続を安定化することができるようにする。【解決手段】  半導体構成体１の柱状電極(突起電極)１１を含む封止膜１２の下面に設けられた第２の配線１３のランド１３ａに、プリント配線板２１の第４の配線２４の無電解メッキ等により形成された下地金属層２６の一端部をフィルム基板（絶縁性基板）２２の導通用孔３３、３５を介して接続する。この場合、無電解メッキ等による接続であるので、電気的接続を安定化することができる。【選択図】  図２
2011181830.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、接続パッドと、該接続パッドに接続された第１の配線と、該第１の配線と電気的に接続された第２の配線と、を有する半導体構成体と、
前記第２の配線を覆う接着層と、
前記半導体構成体および前記接着層の周側面を覆い、且つ前記半導体構成体の下面を覆う外部封止膜と、
を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体および前記外部封止膜の上面に設けられた絶縁性基板と、該絶縁性基板および前記接着層に設けられた導通用孔を介して前記第２の配線に接続された第４の配線と、を備え、
前記第４の配線は、前記絶縁性基板の一面に設けられた、金属層、下地金属層および上部金属層からなる３層構造であり、前記下地金属層が前記導通用孔を介して前記半導体構成体の第２の配線のランドに接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体および前記外部封止膜の上面に設けられた絶縁性基板と、該絶縁性基板および前記接着層に設けられた導通用孔を介して前記第２の配線に接続された第４の配線と、を備え、
前記第４の配線は、前記絶縁性基板の一面に設けられた下地金属層および上部金属層からなる２層構造であり、前記下地金属層が前記導通用孔を介して前記半導体構成体の第２の配線のランドに接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の発明において、前記絶縁性基板の他面に第３の配線が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発明において、前記導通用孔は前記第３の配線を貫通して設けられ、前記第４の配線は前記導通用孔を介して前記第３の配線にも接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４に記載の発明において、前記第３の配線と前記第４の配線とは、前記導通用孔が設けられた領域以外の領域における前記絶縁性基板に設けられたスルーホール導通部を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４に記載の発明において、前記絶縁性基板の前記第３の配線が設けられた面に、薄膜誘導素子が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記第１の配線に接続された突起電極および該突起電極の周囲に設けられた封止膜を有し、前記第２の配線は前記突起電極を含む前記封止膜の外部に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項２乃至４、６、７に記載の発明において、前記絶縁性基板は、ガラス布基材エポキシ系樹脂、ガラス布基材ポリイミド系樹脂のいずれかからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
半導体基板と、接続パッドと、該接続パッドに接続された第１の配線と、該第１の配線と電気的に接続された第２の配線と、を有する半導体構成体を形成する工程と、
前記第２の配線を覆う接着層を形成する工程と、
前記半導体構成体および前記接着層の周側面を覆い、且つ前記半導体構成体の下面を覆う外部封止膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板と第２の配線とを有する半導体構成体と、絶縁性基板と、を準備する工程と、
前記絶縁性基板と、前記半導体構成体と、を接着層を介して接着する工程と、
前記第２の配線のランドに対応する部分における前記絶縁性基板および前記接着層に、導通用孔を形成する工程と、
前記導通用孔内を含む前記絶縁性基板の一面に下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層上に上部金属層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発明において、準備された前記絶縁性基板の一面には予め金属層が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の発明において、前記絶縁性基板の他面に第３の配線が予め形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発明において、前記導通用孔を形成する工程は、前記第３の配線に導通用孔を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の発明において、前記第３の配線と前記第４の配線とは、前記導通用孔が形成される領域以外の領域における前記絶縁性基板に設けられたスルーホール導通部を介して接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の発明において、前記絶縁性基板の前記第３の配線が設けられた面に、薄膜誘導素子が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１０または１１に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記配線に接続された突起電極および該突起電極の周囲に設けられた封止膜を有し、前記第２の配線は前記突起電極を含む前記封止膜の外部に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１１乃至１３、１５、１６に記載の発明において、前記絶縁性基板は、ガラス布基材エポキシ系樹脂、ガラス布基材ポリイミド系樹脂のいずれかからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、半導体チップをプリント配線板上に実装したものがある（例えば、特許文献１参照）。この場合、プリント配線板は、フィルム基板の上面に上層配線が設けられ、フィルム基板の下面に下層配線が設けられ、下層配線がフィルム基板に設けられた導通用孔を介して上層配線に接続されたものからなっている。そして、半導体チップは、その下面に設けられた突起電極をプリント配線板の上層配線に接続された状態で、プリント配線板上に実装されている。プリント配線板の下層配線の下面には半田ボールが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１３３４８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記従来の半導体装置では、半導体チップをプリント配線板上にマウントして実装しているので（特許文献１の第２１段落参照）、半導体チップの下面に設けられた突起電極とプリント配線板の上層配線との接続が単なる面接触となり、その間の電気的接続が不安定となってしまうという問題がある。
【０００５】
そこで、この発明は、プリント配線板上に実装された半導体チップ等からなる半導体構成体とプリント配線板の配線との間の電気的接続を安定化することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、半導体基板と、接続パッドと、該接続パッドに接続された第１の配線と、該第１の配線と電気的に接続された第２の配線と、を有する半導体構成体と、前記第２の配線を覆う接着層と、前記半導体構成体および前記接着層の周側面を覆い、且つ前記半導体構成体の下面を覆う外部封止膜と、を備えていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体および前記外部封止膜の上面に設けられた絶縁性基板と、該絶縁性基板および前記接着層に設けられた導通用孔を介して前記第２の配線に接続された第４の配線と、を備え、前記第４の配線は、前記絶縁性基板の一面に設けられた、金属層、下地金属層および上部金属層からなる３層構造であり、前記下地金属層が前記導通用孔を介して前記半導体構成体の第２の配線のランドに接続されていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体および前記外部封止膜の上面に設けられた絶縁性基板と、該絶縁性基板および前記接着層に設けられた導通用孔を介して前記第２の配線に接続された第４の配線と、を備え、前記第４の配線は、前記絶縁性基板の一面に設けられた下地金属層および上部金属層からなる２層構造であり、前記下地金属層が前記導通用孔を介して前記半導体構成体の第２の配線のランドに接続されていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項２または３に記載の発明において、前記絶縁性基板の他面に第３の配線が設けられていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置は、請求項４に記載の発明において、前記導通用孔は前記第３の配線を貫通して設けられ、前記第４の配線は前記導通用孔を介して前記第３の配線にも接続されていることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置は、請求項４に記載の発明において、前記第３の配線と前記第４の配線とは、前記導通用孔が設けられた領域以外の領域における前記絶縁性基板に設けられたスルーホール導通部を介して接続されていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置は、請求項４に記載の発明において、前記絶縁性基板の前記第３の配線が設けられた面に、薄膜誘導素子が設けられていることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記第１の配線に接続された突起電極および該突起電極の周囲に設けられた封止膜を有し、前記第２の配線は前記突起電極を含む前記封止膜の外部に設けられていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置は、請求項２乃至４、６、７に記載の発明において、前記絶縁性基板は、ガラス布基材エポキシ系樹脂、ガラス布基材ポリイミド系樹脂のいずれかからなることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と、接続パッドと、該接続パッドに接続された第１の配線と、該第１の配線と電気的に接続された第２の配線と、を有する半導体構成体を形成する工程と、前記第２の配線を覆う接着層を形成する工程と、前記半導体構成体および前記接着層の周側面を覆い、且つ前記半導体構成体の下面を覆う外部封止膜を形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と第２の配線とを有する半導体構成体と、絶縁性基板と、を準備する工程と、前記絶縁性基板と、前記半導体構成体と、を接着層を介して接着する工程と、前記第２の配線のランドに対応する部分における前記絶縁性基板および前記接着層に、導通用孔を形成する工程と、前記導通用孔内を含む前記絶縁性基板の一面に下地金属層を形成する工程と、前記下地金属層上に上部金属層を形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１１に記載の発明において、準備された前記絶縁性基板の一面には予め金属層が設けられていることを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１１に記載の発明において、前記絶縁性基板の他面に第３の配線が予め形成されていることを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１３に記載の発明において、前記導通用孔を形成する工程は、前記第３の配線に導通用孔を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項１５に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１３に記載の発明において、前記第３の配線と前記第４の配線とは、前記導通用孔が形成される領域以外の領域における前記絶縁性基板に設けられたスルーホール導通部を介して接続されていることを特徴とするものである。
請求項１６に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１３に記載の発明において、前記絶縁性基板の前記第３の配線が設けられた面に、薄膜誘導素子が形成されていることを特徴とするものである。
請求項１７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１０または１１に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記配線に接続された突起電極および該突起電極の周囲に設けられた封止膜を有し、前記第２の配線は前記突起電極を含む前記封止膜の外部に設けられていることを特徴とするものである。
請求項１８に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１１乃至１３、１５、１６に記載の発明において、前記絶縁性基板は、ガラス布基材エポキシ系樹脂、ガラス布基材ポリイミド系樹脂のいずれかからなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、絶縁性基板および接着層に設けられた導通用孔を介して半導体構成体の第２の配線のランドに接続される第４の配線の少なくとも一部をメッキにより形成することにより、絶縁性基板上に実装された半導体構成体と絶縁性基板の第４の配線との間の電気的接続を安定化することができる。また、半導体構成体の封止膜および接着層の周側面は外部封止膜によって覆われているので、これらの周側面が保護され、従って、熱や衝撃があった場合でも、半導体構成体の封止膜と接着層との界面にクラックが発生することはない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この発明の第１実施形態としての半導体装置の平面図。
【図２】図１のII−II線にほぼ沿う部分の断面図。
【図３】図１および図２に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初準備したものの断面図。
【図４】図３に示すフィルム基板の一部の平面図。
【図５】図３に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】この発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図。
【図１３】この発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図。
【図１４】図１３に示す半導体装置の薄膜誘導素子の部分の平面図。
【図１５】この発明の第４実施形態としての半導体装置の断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての半導体装置の平面図を示し、図２は図１のII−II線にほぼ沿う部分の断面図を示す。この半導体装置では、半導体構成体１がプリント配線板２１上の中央部に実装されている。まず、半導体構成体１について説明する。半導体構成体１は、一般的にはＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるものであり、平面方形状のシリコン基板（半導体基板）２を備えている。
【００１０】
シリコン基板２の下面には、図示していないが、所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子が形成されている。シリコン基板１の下面周辺部には、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド３が設けられている。
【００１１】
シリコン基板２の周辺部および接続パッド３の中央部を除くシリコン基板２の下面には酸化シリコン、窒化シリコン等からなるパッシベーション膜４が設けられ、接続パッド３の中央部はパッシベーション膜４に設けられた開口部５を介して露出されている。パッシベーション膜４の下面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜６が設けられている。パッシベーション膜４の開口部５に対応する部分における保護膜６には開口部７が設けられている。
【００１２】
保護膜６の下面には複数の第１の配線８が設けられている。第１の配線８は、保護膜６の下面に設けられた銅からなる下地金属層９と、下地金属層９の下面に設けられた銅からなる上部金属層１０との２層構造となっている。第１の配線８の一端部は、パッシベーション膜４および保護膜６の開口部５、７を介して接続パッド３に接続されている。
【００１３】
ここで、図１に示すように、第１の配線８は、接続パッド３に接続された端部８ａと、後述する柱状電極（突起電極）１１の台座となる平面円形状のランド８ｂと、その間の引き回し線部８ｃとからなっている。そして、第１の配線８のランド８ｂは保護膜６の下面にマトリクス状に配置されている。
【００１４】
第１の配線８のランド８ｂ下面には銅からなる平面円形状の柱状電極１１が設けられている。シリコン基板２の周辺部下面、第１の配線８を含む保護膜６の下面において柱状電極１１の周囲にはシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂からなる封止膜１２が設けられている。ここで、柱状電極１１は、その下面が封止膜１２の下面と面一乃至封止膜１２より数μｍ凹むように設けられている。
【００１５】
柱状電極１１を含む封止膜１２の下面には複数の第２の配線１３が設けられている。第２の配線１３は、柱状電極１１を含む封止膜１２の下面に設けられた銅からなる下地金属層１４と、下地金属層１４の下面に設けられた銅からなる上部金属層１５との２層構造となっている。第２の配線１３の一端部は柱状電極１１に接続されている。第２の配線１３の他端部は、封止膜１２の下面周辺部に配置され、ランド１３ａとなっている。この場合、第２の配線１３のランド１３ａは、接続パッド３と同数であり、平面的に見て接続パッド３と同じ位置に配置されているが、これに限定されるものではない。
【００１６】
次に、プリント配線板２１について説明する。プリント配線板２１は、ガラス布にエポキシやポリイミド等の樹脂を含浸させた、ガラス布基材エポキシ系樹脂、ガラス布基材ポリイミド系樹脂等からなるプリプレグ（樹脂含浸基材）である平面方形状のフィルム基板（絶縁性基板）２２を備えている。フィルム基板２２の平面サイズは半導体構成体１の平面サイズよりもある程度大きくなっている。フィルム基板２２の上面には銅箔からなる複数の第３の配線２３が設けられている。
【００１７】
フィルム基板２２の下面には複数の第４の配線２４が設けられている。第４の配線２４は、フィルム基板２２の下面に設けられた銅箔からなる金属層２５と、金属層２５の下面に設けられた銅からなる下地金属層２６と、下地金属層２６の下面に設けられた銅からなる上部金属層２７との３層構造となっている。このうち、金属層２５および下地金属層２６の詳細については後で説明する。
【００１８】
第４の配線２４を含むフィルム基板２２の下面にはソルダーレジスト等からなるオーバーコート膜２８が設けられている。第４の配線２４のランドに対応する部分におけるオーバーコート膜２８には開口部２９が設けられている。開口部２９内およびその下方には半田ボール３０が第４の配線２４のランドに接続されて設けられている。
【００１９】
次に、半導体構成体１のプリント配線板２１上への実装構造について説明する。半導体構成体１は、プリント配線板２１上の中央部に接着層３１を介して実装されている。この状態では、第１に、図２の右側に示すように、プリント配線板２１の一部の第４の配線２４の下地金属層２６の一端部は、金属層２５に設けられた開口部３２並びにフィルム基板２２および接着層３１に設けられた導通用孔３３を介して半導体構成体１の一部の第２の配線１３のランド１３ａに接続されている。
【００２０】
第２に、図２の左側に示すように、プリント配線板２１の残りの第４の配線２４の下地金属層２６の一端部は、金属層２５に設けられた開口部３４並びにフィルム基板２２、第３の配線２３および接着層３１に設けられた導通用孔３５を介して当該第３の配線２３および半導体構成体１の残りの第２の配線１３のランド１３ａに接続されている。ここで、金属層２５の開口部３２、３４の平面サイズは導通用孔３３、３５の平面サイズよりもやや大きくなっている。
【００２１】
そして、半導体構成体１の周囲におけるプリント配線板２１のフィルム基板２２の上面および半導体構成体１のシリコン基板１の上面にはシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂からなる外部封止膜３６が設けられている。この状態では、半導体構成体１のシリコン基板２および封止膜１２並びに接着層３１の周側面は外部封止膜３６によって覆われている。
【００２２】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図３に示すように、半導体構成体１の第２の配線１３を含む封止膜１２の下面に接着層３１が設けられたものを複数個準備し、また１枚のプリント配線板２１を準備する。この場合、プリント配線板２１は、フィルム基板２２の上面に銅箔からなる第３の配線２３が形成され、フィルム基板２２の下面に銅箔からなる金属層２５が形成されたものからなっている。
【００２３】
また、この時点では、フィルム基板２２および第３の配線２３には、図２に示す導通用孔３３、３５は形成されていない。また、金属層２５には、図２に示す導通用孔３３、３５を形成する領域に対応する部分に開口部３２、３４が形成されているだけであり、パターン化されていない。
【００２４】
また、図４に示すように、フィルム基板２２は長尺なものからなり、その幅方向両側には搬送用のスプロケットホール４１が形成されている。なお、図４において、一点鎖線で示す方形状の領域は半導体構成体１を実装する領域である。したがって、図４に示す場合、半導体構成体１はフィルム基板２２の幅方向に３個実装されることになる。また、図４において符号４２で示す二点鎖線および図３において符号４２で示す領域は切断ラインである。
【００２５】
ここで、半導体構成体１の製造方法の一例について簡単に説明する。まず、ウエハ状態のシリコン基板（半導体ウエハ）２下に接続パッド３、パッシベーション膜４、保護膜６、第１の配線８、柱状電極１１および封止膜１２が形成されたものを準備する。次に、柱状電極１１を含む封止膜１２の下面に、無電解メッキにより、銅からなる下地金属層を、電解メッキにより、銅からなる上部金属層を形成し、次いでこれらをフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、下地金属層１４および上部金属層１５からなる２層構造の第２の配線１３を形成する。
【００２６】
次に、第２の配線１３を含む封止膜１２の下面に、非導電性フィルムであるＮＣＦ（Non conductive
Film）等からなるフィルム状の接着層３１を貼り付ける。次に、ダイシングを行うと、図３に示すように、下面に接着層３１を有する半導体構成体１が複数個得られる。なお、フィルム状の接着層３１を貼り付ける前に、ダイシングを行い、個片化された半導体構成体１の下面に個片化されたフィルム状の接着層３１を貼り付けるようにしてもよい。
【００２７】
さて、図３に示すものを準備したら、次に、図５に示すように、ボンディングを行うことにより、第３の配線２３を含むフィルム基板２２の上面の半導体構成体実装領域に半導体構成体１の第２の配線１３を含む封止膜１２の下面を接着層３１を介して接着する。ここで、半導体構成体１の下面に接着層３１を貼り付けずに、第３の配線２３を含むフィルム基板２２の上面の半導体構成体実装領域に個片化されたフィルム状の接着層３１を貼り付けるようにしてもよい。また、フィルム状の接着層３１を用いずに、第３の配線２３を含むフィルム基板２２の上面の半導体構成体実装領域に、非導電性ペーストであるＮＣＰ（Non Conductive Paste）等からなる液状の接着剤をスクリーン印刷法等により塗布して、接着層３１を形成するようにしてもよい。
【００２８】
次に、図６に示すように、半導体構成体１および接着層３１の周囲におけるフィルム基板２２の上面および半導体構成体１のシリコン基板２の上面に、印刷法やモールド法等により、シリカフィラーを含むエポキシ系樹脂からなる外部封止膜３６を形成する。この状態では、半導体構成体１のシリコン基板２および封止膜１２並びに接着層３１の周側面は外部封止膜３６によって覆われている。
【００２９】
次に、図７に示すように、金属層２５の開口部３２の中央部にレーザビームを照射するレーザ加工を行うことにより、金属層２５の開口部３２の中央部に対応する部分におけるフィルム基板２２および接着層３１に、半導体構成体１の一部の第２の配線１３のランド１３ａに達する深さの導通用孔３３を形成する。また、金属層２５の開口部３４の中央部にレーザビームを照射するレーザ加工を行うことにより、金属層２５の開口部３４の中央部に対応する部分におけるフィルム基板２２、第３の配線２３および接着層３１に、半導体構成体１の残りの第２の配線１３のランド１３ａに達する深さの導通用孔３５を形成する。
【００３０】
ここで、この場合のレーザ加工について説明する。第２の配線１３の厚さは、そのランド１３ａがレーザビームの照射を受けても貫通孔が形成されないようにするため、比較的厚い厚さとなっている。第３の配線２３の厚さは、第３の配線２３にレーザ加工により導通用孔３３を形成することができるようにするため、第２の配線１３の厚さよりもある程度薄い厚さとなっている。
【００３１】
レーザとして例えばＣＯ２レーザを用いる場合には、第２の配線１３の厚さが１５μｍ以上であると、そのランド１３ａに貫通孔が形成されないようにすることができるので、第２の配線１３の厚さは１５〜２０μｍが好ましい。一方、第３の配線２３の厚さが１０μｍ以下であると、第３の配線２３に導通用孔３５を形成することができるので、第３の配線２３の厚さは３〜１０μｍが好ましい。
【００３２】
ところで、金属層２５は開口部３２、３４が形成されていないベタ状のものとしてもよい。このようにした場合には、ベタ状の金属層２５にもレーザ加工により導通用孔を形成することになるので、この金属層２５の厚さも比較的薄く、例えば３〜１０μｍとした方が好ましい。ただし、上述の如く、金属層２５には開口部３２、３４を予め形成しておく方がより一層好ましい。
【００３３】
次に、図８に示すように、金属層２５の開口部３２、３４内および導通用孔３３、３５内を含む金属層２５の下面に下地金属層２６を形成する。この場合、下地金属層２６は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００３４】
次に、下地金属層２６をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、下地金属層２６の下面に上部金属層２７を形成する。次に、上部金属層２７、下地金属層２６および金属層２５に対してフォトリソグラフィ法によるパターニングを行うと、図９に示すように、フィルム基板２２の下面に、金属層２５、下地金属層２６および上部金属層２７からなる３層構造の第４の配線２４が形成される。
【００３５】
この状態では、一部の第４の配線２４の下地金属層２６の一端部は、金属層２５に形成された開口部３２並びにフィルム基板２２および接着層３１に形成された導通用孔３３を介して半導体構成体１の一部の第２の配線１３のランド１３ａに接続されている。また、残りの第４の配線２４の下地金属層２６の一端部は、金属層２５に形成された開口部３４並びにフィルム基板２２、第３の配線２３および接着層３１に形成された導通用孔３５を介して当該第３の配線２３および半導体構成体１の残りの第２の配線１３のランド１３ａに接続されている。
【００３６】
次に、図１０に示すように、第４の配線２４を含むフィルム基板２２の下面に、スクリーン印刷法により、ソルダーレジスト等からなるオーバーコート膜２８を形成する。次に、第４の配線２４のランドに対応する部分におけるオーバーコート膜２８に、レーザビームを照射するレーザ加工により、開口部２９を形成する。次に、オーバーコート膜２８の開口部２９内およびその下方に半田ボール３０を第４の配線２４のランドに接続させて形成する。次に、図１１に示すように、外部封止膜３６、フィルム基板２２およびオーバーコート膜２８を切断ライン４２に沿って切断すると、図１および図２に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３７】
このようにして得られた半導体装置では、半導体構成体１の柱状電極１１を含む封止膜１２の下面に設けられた第２の配線１３のランド１３ａに、プリント配線板２１の第４の配線２４の無電解メッキ等により形成された下地金属層２６の一端部をフィルム基板２２の導通用孔３３、３５を介して接続しているので、上記従来の場合のマウントによる単なる面接触による電気的接続と比較して、電気的接続を安定化することができる。
【００３８】
なお、上記実施形態では、プリント配線板２１の第３の配線２３と第４の配線２４との接続を導通用孔３５内に形成された下地金属層２５を介して行っているが、これに限定されるものではない。例えば、プリント配線板２１は、導通用孔３３、３５を形成する領域以外の領域において、第３の配線２３と第４の配線２４とがフィルム基板２２に形成されたスルーホール導通部を介して接続されたものであってもよい。
【００３９】
また、上記実施形態では、プリント配線板２１の第４の配線２４を金属層２５、下地金属層２６および上部金属層２７の３層構造としているが、これに限定されるものではない。例えば、プリント配線板２１の第４の配線２４を下地金属層２６および上部金属層２７の２層構造としてもよい。すなわち、図３に示すような状態では、フィルム基板２２の下面に金属層２５が形成されていなくてもよい。ただし、この場合も、下地金属層２６は導通用孔３３、３５を介して半導体構成体１の第２の配線１３のランド１３ａに接続される。
【００４０】
更に、上記実施形態では、第２の配線１３および第４の配線２４を形成するとき、下地金属層１４、２６の下面全体に上部金属層１５、２７を形成しているが、これに限定されるものではない。例えば、下地金属層１４、２６の下面に開口部を有するレジスト膜を形成し、レジスト膜の開口部内における下地金属層１４、２６の下面に電解メッキにより上部金属層１５、２７を形成し、レジスト膜を剥離した後、上部金属層１５、２７をマスクとして下地金属層１４、２６（金属層２５を含む）をエッチングするようにしてもよい。
【００４１】
（第２実施形態）
図１２はこの発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図２に示す半導体装置と異なる点は、図２に示す半導体装置では、半田ボール３０を半導体構成体１下にのみ配置したのに対し、半田ボール３０を半導体構成体１下の周囲にも配置した点である。この半導体構成体の製造方法は、上記第１実施形態の場合と同様であるので、その説明は省略する。
【００４２】
（第３実施形態）
図１３はこの発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図を示し、図１４はその薄膜誘導素子５１の部分の平面図を示す。この場合、図１３は図１４のXIII−XIII線に沿う部分に相当する断面図である。この半導体装置において、図２に示す半導体装置と大きく異なる点は、プリント配線板２１のフィルム基板２２の上面に薄膜誘導素子５１を設けた点である。
【００４３】
すなわち、フィルム基板２２の上面には渦巻き形状の薄膜誘導素子５１が設けられている。薄膜誘導素子５１は、フィルム基板２２の上面に設けられた渦巻き形状の第１の銅層５１ａと、第１の銅層５１ａの平面円形状の内端部上面に設けられた第２の銅層５１ｂとからなっている。なお、薄膜誘導素子５１の渦巻き形状は、図１４に示す如く、角渦巻き形状であってもよく、また図示していないが、円渦巻き形状であってもよい。
【００４４】
薄膜誘導素子５１の外端部は所定の第３の配線２３の一端部に接続されている。薄膜誘導素子５１の内端部は所定の第４の配線２４の一端部に接続されている。この場合、所定の第４の配線２４の下地金属層２６の一端部は、金属層２５に設けられた開口部５２並びにフィルム基板２２および第１の銅層５１ａに設けられた導通用孔５３を介して薄膜誘導素子５１の内端部に接続されている。
【００４５】
次に、この半導体装置の薄膜誘導素子５１の部分の製造方法について説明する。まず、フィルム基板２２の上面にベタ状に形成された比較的薄い銅箔の上面の所定の箇所に、当該銅箔をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行うことにより、比較的厚い平面円形状の第２の銅層５１ｂを形成する。次に、ベタ状の当該銅箔をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、第３の配線２３および渦巻き形状の第１の銅層５１ａを形成する。ここで、比較的厚い平面円形状の第２の銅層５１ｂは、レーザビームの照射によるレーザ加工により導通用孔３４、３５、５３を形成するとき、薄膜誘導素子５１の内端部に貫通孔が形成されないようにするためのものである。
【００４６】
（第４実施形態）
図１５はこの発明の第４実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図２に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体１において、柱状電極１１を省略した点である。この場合、第１の配線８のランドに対応する部分における封止膜１２には、第２の配線１３の一端部を第１の配線８のランドに接続するための開口部１２ａが形成されている。また、封止膜１２はソルダーレジストによって形成するようにしてもよい。なお、この半導体構成体の製造方法は、上記第１実施形態の場合と同様であるので、その説明は省略する。
【符号の説明】
【００４７】
１  半導体構成体
２  シリコン基板（半導体基板）
３  接続パッド
４  パッシベーション膜
６  保護膜
８  第１の配線
１１  柱状電極（突起電極）
１２  封止膜
１３  第２の配線
２１  プリント配線板
２２  フィルム基板（絶縁性基板）
２３  第３の配線
２４  第４の配線
２８  オーバーコート膜
３０  半田ボール
３１  接着層
３２、３３  開口部
３４、３５  導通用孔
３６  外部封止膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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