(57)【要約】  【課題】  本発明は、真空紫外領域で高輝度発光し、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる新たな真空紫外発光素子を提供することを目的とする。  【解決手段】  化学式ＬｉＬｕ１−ｘＴｍｘＦ４で表わされ、ｘが０．０００１〜１、より好ましくは０．００５〜０．１の範囲である金属フッ化物結晶からなることを特徴とする真空紫外発光素子である。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学式ＬｉＬｕ１−ｘＴｍｘＦ４で表わされ、ｘが０．０００１〜１の範囲である金属フッ化物結晶からなることを特徴とする真空紫外発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる新規な真空紫外発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
高輝度紫外発光素子は、半導体分野、情報分野、医療分野等における先端技術を支える材料であり、近年では、より短波長で発光する紫外発光素子の開発が進められている。
【０００３】
この短波長で発光する紫外発光素子としては、窒化ガリウム等の材料による発光波長３００ｎｍ台の発光素子が提案されており（非特許文献１参照）、また、近年では高純度六方晶窒化ホウ素単結晶による発光波長２１５ｎｍ台の発光素子が提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
発光波長が２００ｎｍ以下の真空紫外発光素子は、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌等にも好適に使用できるため、開発が望まれているが、かかる真空紫外発光素子を得ることは容易ではなく、わずかな例しか知られていないのが現状である。
【０００５】
真空紫外発光素子の開発が困難である要因としては、真空紫外線は多くの物質に吸収されてしまうため、自己吸収を起こさない材料が限られる点が挙げられる。
【０００６】
さらに、真空紫外領域における発光特性は、材料中の不純物の影響を受けやすく、また、たとえ真空紫外領域に発光のエネルギー準位を有する材料であっても、より低いエネルギー準位に基づく長波長での発光が支配的であったり、非輻射遷移による損失が甚大である等の理由により、所望の真空紫外発光を得られない場合が数多く見受けられる。
【０００７】
したがって、真空紫外領域における発光特性を予め予測することは極めて困難であり、このことが真空紫外発光素子の開発における大きな障壁となっている。
【０００８】
なお、本発明の真空紫外発光素子として用いた、化学式ＬｉＬｕ１−ｘＴｍｘＦ４で表わされる金属フッ化物結晶についても、赤外領域における発光特性については報告がなされているものの（非特許文献２参照）、真空紫外領域における発光特性については報告例が無く、したがって真空紫外発光素子としての有用性は未知であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−２２８８８６号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Ｉｗａｙａ．Ｍ  ｅｔ  ａｌ，  “Ｈｉｇｈ−ｐｏｗｅｒ  ＵＶ−ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｏｎ  ｓａｐｐｈｉｒｅ”，  Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｐａｒｔ１−Ｒｅｇｕｌａｒ  Ｐａｐｅｒｓ  Ｓｈｏｒｔ  Ｎｏｔｅｓ  ＆  Ｒｅｖｉｅｗ  Ｐａｐｅｒｓ，  ２００３，  ４２，  ｐ．４００−４０３
【非特許文献２】Ｆ．Ｃｏｒｎａｃｃｈｉａ  ｅｔ  ａｌ，  “Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ  ｏｆ  ｉｍｐｕｒｉｔｙ  ｑｕｅｎｃｈｅｄ  ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｅ  ｉｎ  Ｔｍ３＋：ＬｉＬｕＦ４”，  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ａｎｄ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄｓ，  ２００２，  ６３，  ｐ．１９７−２０２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、真空紫外領域で高輝度発光し、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる新たな真空紫外発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者等は、真空紫外領域で発光し、且つ発光した真空紫外線を自身が吸収しない材料につき種々検討した結果、フッ化リチウムルテチウム結晶（ＬｉＬｕＦ４）のルテチウムの一部又は全部をツリウムで置換することにより、真空紫外線の中でも特に波長の短い約１６７ｎｍにおいて、高輝度の真空紫外発光が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
即ち、本発明は、化学式ＬｉＬｕ１−ｘＴｍｘＦ４で表わされ、ｘが０．０００１〜１の範囲である金属フッ化物結晶からなることを特徴とする真空紫外発光素子である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の真空紫外発光素子によれば、真空紫外領域における高輝度な発光を得ることができる。かかる真空紫外発光素子は、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本図は、本発明の真空紫外発光素子の発光特性を表わす発光スペクトルである。
【図２】本図は、マイクロ引き下げ法による製造装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の真空紫外発光素子は、化学式ＬｉＬｕ１−ｘＴｍｘＦ４で表わされ、ｘが０．０００１〜１の範囲である、フッ化リチウムルテチウム結晶（ＬｉＬｕＦ４）のルテチウムの一部又は全部をツリウムで置換した金属フッ化物結晶（以下、Ｔｍ：ＬＬＦともいう）からなるものである。
【００１７】
前記化学式中のｘは、ルテチウムに対するツリウムの置換率を表わし、本発明において当該ｘは０．０００１〜１である。当該ｘが０．０００１未満である場合には、前記Ｔｍイオンを励起する際の励起効率が低下し、発光の輝度が低下する。なお、ｘの上限１のときはルテチウムの全部がツリウムで置換され、化学式ＬｉＴｍＦ４で表わされる。
【００１８】
なお、本発明において、前記ｘは０．００１〜０．３とすることが好ましい。ｘを０．００１以上とすることによって、前記励起効率が向上し、発光の輝度を特に高めることができる。また、ｘを０．３以下とすることによって、自己吸収あるいは濃度消光による発光の減退を避けることができる。より好ましくは、ｘは０．００５〜０．１であり、特に好ましくは０．０１〜０．０３である。
【００１９】
前記Ｔｍ：ＬＬＦは真空紫外線照射等の適当な励起方法で励起することにより、Ｔｍ：ＬＬＦ中のＴｍイオンが励起され、Ｔｍイオンの５ｄ−４ｆ遷移に由来する発光を得ることができる。当該Ｔｍ：ＬＬＦ中のＴｍイオンの発光は、発光波長が約１６７ｎｍであって、従来公知の発光素子に比較して極めて短く、且つ発光の輝度も高い。したがって、真空紫外発光素子として好適に使用できる。
【００２０】
本発明のＴｍ：ＬＬＦは、フッ化リチウムルテチウム型の結晶構造を有し、空間群Ｉ４１／ａに属する正方晶であって、粉末Ｘ線回折等の手法によって容易に同定することができる。また、良好な化学的安定性を有しており、通常の使用においては短期間での性能の劣化は認められない。さらに、機械的強度、及び加工性も良好であり、所望の形状に加工して用いることが容易である。
【００２１】
本発明において、真空紫外発光素子として用いるＴｍ：ＬＬＦは、結晶体の中でも単結晶として用いることが好ましい。単結晶として用いることによって、粒界における光の散逸や非輻射遷移による損失を生じることなく、高い発光強度を得ることができる。
【００２２】
本発明において、Ｔｍ：ＬＬＦの製造方法は特に限定されず、公知の製造方法によって製造することができるが、マイクロ引き下げ法、チョクラルスキー法、或いはブリッジマン法等の融液成長法によって、Ｔｍ：ＬＬＦの単結晶を製造することが好ましい。
【００２３】
融液成長法で製造することにより、発光特性等の品質に優れたＴｍ：ＬＬＦを製造することができる。特にマイクロ引下げ法によれば、所望の形状の単結晶を直接製造することができ、しかも短時間で製造することができる。一方、チョクラルスキー法、或いはブリッジマン法によれば、直径が数インチの大型の単結晶を安価に製造することが可能となる。
【００２４】
なお、前記融液成長法による単結晶の製造に際して、フッ素原子の欠損あるいは熱歪等に起因する結晶欠陥を除去する目的で、単結晶の製造後にアニール操作を行っても良い。
【００２５】
以下、マイクロ引き下げ法によってＴｍ：ＬＬＦの単結晶を製造する際の、一般的な方法について、図２を用いて説明する。
【００２６】
まず、所定量の原料を、底部に孔を設けた坩堝５に充填する。坩堝底部に設ける孔の形状は、特に限定されないが、直径が０．５〜５ｍｍ、長さが０〜２ｍｍの円柱状とすることが好ましい。
【００２７】
なお、原料としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ルテチウム（ＬｕＦ３）、フッ化ツリウム（ＴｍＦ３）等の金属フッ化物が用いられる。かかる原料の純度は特に限定されないが、９９．９９％以上とすることが好ましい。このような純度の高い混合原料を用いることにより、得られるＴｍ：ＬＬＦの純度を高めることができ、発光強度等の特性が向上する。原料は、粉末状あるいは粒状の原料を用いても良く、あらかじめ焼結或いは溶融固化させてから用いても良い。
【００２８】
次いで、上記原料を充填した坩堝５、アフターヒーター１、ヒーター２、断熱材３、及びステージ４を図２に示すようにセットする。真空排気装置を用いて、チャンバー６の内部を１．０×１０−３Ｐａ以下まで真空排気した後、高純度アルゴン等の不活性ガスをチャンバー内に導入してガス置換を行う。ガス置換後のチャンバー内の圧力は特に限定されないが、大気圧が一般的である。このガス置換操作によって、原料或いはチャンバー内に付着した水分を除去することができ、かかる水分に由来するＴｍ：ＬＬＦの特性の低下を妨げることができる。
【００２９】
上記ガス置換操作によっても除去できない水分による悪影響を避けるため、水分との反応性の高いスカベンジャーを用いて、水分を除去することが好ましい。かかるスカベンジャーとしては、フッ化亜鉛等の固体スカベンジャー或いは四フッ化メタン等の気体スカベンジャーを好適に用いることができる。なお、固体スカベンジャーを用いる場合には原料中に予め混合しておく方法が好適であり、気体スカベンジャーを用いる場合には上記不活性ガスに混合してチャンバー内に導入する方法が好適である。
【００３０】
ガス置換操作を行った後、高周波コイル７、及びヒーター２によって原料を加熱して溶融せしめる。加熱方法は特に限定されず、例えば上記高周波コイルとヒーターの構成に替えて、抵抗加熱式のカーボンヒーター等を適宜用いることができる。
【００３１】
次いで、溶融した原料融液を、引き下げロッド８を用いて坩堝底部の孔から引き出し、Ｔｍ：ＬＬＦの製造を開始する。なお、原料融液を坩堝底部の孔から円滑に引き出す目的で、前記引下げロッドの先端に金属ワイヤーを設けることが好ましい。当該金属ワイヤーとしては、例えば、Ｗ−Ｒｅ合金からなる外径約０．５ｍｍのワイヤー等が好適に使用できる。
【００３２】
Ｔｍ：ＬＬＦの製造を開始した後、高周波コイルの出力を適宜調整しながら一定の速度で連続的に引き下げることにより、所期のＴｍ：ＬＬＦの単結晶を得ることができる。かかる連続的に引き下げる際の速度は、特に限定されないが、０．５〜５０ｍｍ／ｈｒの範囲とすることによって、クラックのないＴｍ：ＬＬＦを得ることができるため好ましい。
【００３３】
Ｔｍ：ＬＬＦは、良好な加工性を有しており、所望の形状に加工して用いることが容易である。加工に際しては、公知のブレードソー、ワイヤーソー等の切断機、研削機、或いは研磨盤を何ら制限無く用いること事ができる。
【００３４】
Ｔｍ：ＬＬＦは所望の形状に加工して本発明の真空紫外発光素子とすることができる。本発明の真空紫外発光素子は、Ｆ２レーザー等の適当な励起源と組み合わせることにより、真空紫外光発生装置とすることができる。かかる真空紫外光発生装置は、フォトリソグラフィー、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等の分野において、好適に使用される。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら制限されるものではない。
【００３６】
実施例１〜６
（真空紫外発光素子の製造）
図２に示すマイクロ引下げ法による結晶製造装置を用いて、Ｔｍ：ＬＬＦの単結晶を製造した。原料としては、純度が９９．９９％以上のフッ化リチウム、フッ化ルテチウム、及びフッ化ツリウムを用いた。なお、アフターヒーター１、ヒーター２、断熱材３、ステージ４、及び坩堝５は、高純度カーボン製のものを使用し、坩堝底部に設けた孔の形状は直径２．２ｍｍ、長さ０．５ｍｍの円柱状とした。
【００３７】
まず、前記各原料を表１に示すとおりにそれぞれ秤量し、よく混合し、得られた混合原料を坩堝５に充填した。
【００３８】
原料を充填した坩堝５を、アフターヒーター１の上部にセットし、その周囲にヒーター２、及び断熱材３を順次セットした。次いで、油回転ポンプ及び油拡散ポンプからなる真空排気装置を用いて、チャンバー６内を５．０×１０−４Ｐａまで真空排気した後、５ｖｏｌ％の四フッ化メタンを含むアルゴンガスをチャンバー６内に大気圧まで導入し、ガス置換を行った。
【００３９】
高周波コイル７に高周波電流を印加し、誘導加熱によって原料を加熱して溶融せしめ、引き下げロッド８の先端に設けたＷ−Ｒｅワイヤーを、坩堝５底部の孔上記孔に挿入し、原料の融液を上記孔より引き下げ、結晶化を開始した。高周波の出力を調整しながら、３ｍｍ／ｈｒの速度で連続的に引き下げ、Ｔｍ：ＬＬＦを得た。当該Ｔｍ：ＬＬＦは直径が２．２ｍｍ、長さが約４０ｍｍであり、白濁やクラックの無い良質な単結晶であった。
【００４０】
このＴｍ：ＬＬＦを、ダイヤモンドワイヤーを備えたワイヤーソーによって１５ｍｍの長さに切断した後、研削し、長さ１５ｍｍ、幅２ｍｍ、厚さ１ｍｍの直方体に加工した。かかる直方体の長さ１５ｍｍ、幅２ｍｍの２つの面を真空紫外線の出射面とし、当該真空紫外線の出射面に光学研磨を施して、真空紫外発光素子を得た。
【００４１】
（真空紫外発光素子の同定）
・Ｘ線回折測定
前記真空紫外発光素子の製造で得られたＴｍ：ＬＬＦの単結晶を粉砕して粉末にし、粉末Ｘ線回折測定に供した。なお、分析装置はブルカー社製ＤｉｓｃｏｖｅｒＤ８を用いた。粉末Ｘ線回折法によって得られた回折パターンを解析した結果から、実施例１〜６の真空紫外発光素子はフッ化リチウムルテチウム型の結晶からなることが分かった。
・蛍光Ｘ線測定
得られたＴｍ：ＬＬＦの単結晶を粉砕した粉末をプレス成型してペレットにし、蛍光Ｘ線測定に供した。なお、分析装置はパナリティカル社製波長分散型蛍光Ｘ線測定装置Ａｘｉｏｓを用いた。
【００４２】
まず、所定量のフッ化ツリウム及びフッ化ルテチウムを混合し、プレス成型して、ツリウムとルテチウムの元素比が既知のペレットを作成し、当該ペレットについて、波長分散型蛍光Ｘ線測定を行い、検量線を作成した。
【００４３】
次いで、前記Ｔｍ：ＬＬＦの単結晶を粉砕し、プレス成型してなるペレットについて、蛍光Ｘ線測定を行い、前記検量線と比較してツリウムとルテチウムの元素比を求めた。
【００４４】
前記粉末Ｘ線回折測定、及び蛍光Ｘ線測定の結果から、実施例１〜６の真空紫外発光素子は、化学式ＬｉＬｕ１−ｘＴｍｘＦ４で表わされ、ｘが表１に示すとおりである金属フッ化物結晶からなることが分かった。
【００４５】
【表１】
2011016694.tif 000002
【００４６】
（真空紫外発光素子の発光特性の評価）
前記真空紫外発光素子を、１５５ｎｍの真空紫外線で励起した際の発光特性を以下の方法によって測定した。なお、当該測定は、装置内部を窒素で置換して実施した。
【００４７】
重水素ランプより生じた紫外線を分光器（分光計器製、ＫＶ２０１型極紫外分光器）にて単色化し、得られた１５５ｎｍの真空紫外線を真空紫外発光素子の紫外線出射面に照射し、真空紫外発光素子を励起した。
【００４８】
真空紫外発光素子の紫外線出射面より生じた発光を集光ミラーで集光し、分光器にて分光し、１５７〜２１０ｎｍの範囲の各波長における発光の強度を記録して真空紫外発光素子より生じた発光のスペクトルを得た。得られた発光のスペクトルを図１に示す。
【００４９】
上記測定の結果、本発明の真空紫外発光素子は、いずれも約１６７ｎｍの波長において、極めて強く発光することが確認された。
【００５０】
比較例１
Ｔｍを含まない、すなわちｘが０である、化学式ＬｉＬｕＦ４で表わされる金属フッ化物結晶からなる真空紫外発光素子を製造した。
【００５１】
各原料を表１に示すとおりとする以外は、実施例と同様にして真空紫外発光素子を得た。
【００５２】
実施例と同様にして真空紫外発光素子の同定を行った結果、化学式ＬｉＬｕＦ４で表わされる金属フッ化物結晶からなることが分かった。
【００５３】
実施例と同様にして発光特性の評価を行った。結果を図１に破線で示す。Ｔｍイオンの５ｄ−４ｆ遷移に由来する発光は見られず、真空紫外発光素子としての使用に耐えないことが分かる。
【符号の説明】
【００５４】
１  アフターヒーター
２  ヒーター
３  断熱材
４  ステージ
５  坩堝
６  チャンバー
７  高周波コイル
８  引き下げロッド
【図１】
2011016694.tif 000003
【図２】
2011016694.tif 000004