(57)【要約】【課題】電気光学装置において、製造コストの削減を可能ならしめつつ、表示画像のコントラスト比を向上させることにより、画像表示の高品位化を図る。【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素電極（９）と、導電層（６、７、１１、７１）と、導電層の端面の少なくとも一部を導電層よりも光反射率の低い遮光性材料で覆うように形成された反射防止膜（８０）とを備える。反射防止膜は、基板上で導電層の下地をなす下地面に、接する又は面する先端部並びにこの先端部に繋がる本体部を有し、先端部の膜厚が本体部の膜厚より薄くなるように、且つその表面が導電層の端面に比して湾曲して又は斜めになるように、形成されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
画素電極と、
前記画素電極に信号を供給するための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、
前記導電層の端面の少なくとも一部を前記導電層よりも光反射率の低い遮光性材料で覆うように形成された反射防止膜と
を備え、
前記反射防止膜は、(i)前記基板上で前記導電層の下地をなす下地面に、接する又は面する先端部並びに(ii)前記先端部に繋がる本体部を有し、前記先端部の膜厚が前記本体部の膜厚より薄くなるように、且つ表面が前記端面に比して湾曲して又は斜めになるように、形成されている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記反射防止膜は、前記端面を覆うことに加えて、前記導電層を上面側から覆うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記反射防止膜は、前記導電層の上面には部分的に又は全く設けられていないことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記反射防止膜は、前記下地面上に形成されていないことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記導電層は、
前記画素電極より下層側に形成された第１導電層と、
前記第１導電層より下層側に形成された第２導電層と
を含んでなり、
前記反射防止膜は、前記第１導電層及び前記第２導電層の夫々の端面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１導電層及び前記第２導電層は夫々、第１方向及び前記第１方向に交わる第２方向に沿って延在するデータ線及び走査線であり、
前記画素電極が配置される画素毎の開口領域を互いに隔てる非開口領域は、前記データ線及び前記走査線によって少なくとも部分的に規定されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素電極が配置された画素毎の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち、第１方向に沿って延在する第１領域及び前記第１方向に交わる第２方向に沿って延在する第２領域が互いに交差する交差領域を除く前記第１領域及び前記第２領域における前記導電層の端面の少なくとも一部には、前記交差領域において前記導電層の端面に設けられた前記反射防止膜が延在して設けられていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
基板上に、画素電極と、前記画素電極に信号を供給するための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、前記導電層の端面の少なくとも一部を前記導電層よりも光反射率の低い遮光性材料で覆うように形成された反射防止膜とを備える電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上で前記導電層の下地をなす下地面上の一面に、前記導電層を構成する導電性材料膜を形成する工程と、
前記反射防止膜を部分的に構成し得る第１反射防止性材料膜を前記形成された導電性材料膜上の一面に形成する工程と、
前記導電層の平面パターンを有するように、前記導電性材料膜及び前記第１反射防止性材料膜をまとめてパターニングする工程と、
前記パターニングされた導電性材料膜である前記導電層上に残された前記第１反射防止性材料膜の部分上及び該部分の脇から露出する前記下地面の部分上の一面に、前記反射防止膜のうち少なくとも前記端面を覆う部分を構成する第２反射防止性材料膜を形成する工程と、
前記第１及び第２反射防止性材料膜を、前記端面に沿って指向性を有する異方性エッチングによりエッチバックする工程と
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上に、画素電極と、前記画素電極に信号を供給するための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、前記導電層の端面の少なくとも一部を前記導電層よりも光反射率の低い遮光性材料で覆うように形成された反射防止膜とを備える電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上で前記導電層の下地をなす下地面上の一面に、前記導電層を構成する導電性材料膜を形成する工程と、
前記導電層の平面パターンを有するように、前記導電性材料膜をパターニングする工程と、
前記パターニングされた導電性材料膜である前記導電層上及び前記導電層の脇から露出する前記下地面の部分上の一面に、前記反射防止膜を構成する反射防止性材料膜を形成する工程と、
前記反射防止性材料膜を、前記端面に沿って指向性を有する異方性エッチングによりエッチバックする工程と
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば素子基板上にスイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下、適宜「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）」という）が画素毎に配置された液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、基板上に、画素電極、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴを備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。このような電気光学装置では、相隣り合う画素電極間の隙間から光源光が漏れ出ることにより、表示画像のコントラストが低下すること等を抑制又は防止することを目的として、画素電極間の隔たりに遮光膜を形成することにより、非開口領域（即ち、画素毎に表示に寄与する光が出射しない領域）が形成されている。しかしながら、光源光の一部は、電気光学装置内に形成された素子、配線等によって屈折、散乱又は反射されることにより、少なからず非開口領域から漏れ、表示画像のコントラスト比を低下させてしまう。
【０００３】
特許文献１及び２では夫々、位相差フィルム及び光学補償板を設けることによって、表示画像のコントラスト比を向上させる技術が開示されている。また、特許文献３では、基板上の導電パターンの断面を逆テーパ状に形成することで、導電パターンの側壁での反射を防ぎ、表示画像のコントラスト比を向上させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１０５１３号公報
【特許文献２】特開２００８−２５６９５６号公報
【特許文献３】特開２００９−３１３７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１及び２に開示された技術では、液晶パネルに位相差フィルム及び光学補償板を組み込む必要があり、液晶装置の構成が複雑になってしまうため、製造方法が技術的に難しくなったり、製造コストの増大を招いてしまう。また、特許文献３に開示された技術では、基板上の導電性パターンの断面を逆テーパ状に形成する際に技術的な困難を伴う。具体的には、導電パターンを逆テーパ状に形成する際のエッチング角度を、非開口領域からの光漏れを最小に抑えるために最適な値に調整する必要があるが、この値は、個々の電気光学装置によって異なるため、その選定が技術的に難しい。また、導電パターンへのエッチングを逆テーパ状に行おうとすると、エッチング工程が複雑化してしまう。更に、逆テーパ状だと、その上に形成される膜の品質或いは付き回りにも悪影響を与えかねない。このように、上述の技術は実践上の問題点を有している。
【０００６】
更に、このような漏れ光の発生抑制用の構造を作るために、基板上で導電パターン付近を製造する際の工程数を無闇に増やすこと、パターニング工程等の複雑高度な工程を追加すること、基板上で導電パターン付近における積層構造を肥大化させること等は、製造コスト等の観点からは避けるのが基本的に好ましい。即ち、いずれの対策を採るにしても、製造コストの抑制、製造歩留まりの向上、装置構成の複雑化を避けての信頼性向上等を図ることが望ましい。
【０００７】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、比較的容易に製造可能であり、表示画像のコントラスト比を向上させることにより、高品位な画像表示が可能な電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を用いた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、前記画素電極に信号を供給するための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、前記導電層の端面の少なくとも一部を前記導電層よりも光反射率の低い遮光性材料で覆うように形成された反射防止膜とを備え、前記反射防止膜は、(i)前記基板上で前記導電層の下地をなす下地面に、接する又は面する先端部並びに(ii)前記先端部に繋がる本体部を有し、前記先端部の膜厚が前記本体部の膜厚より薄くなるように、且つ表面が前記端面に比して湾曲して又は斜めになるように、形成されている。
【０００９】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えば基板上に形成されたデータ線から画素電極への画像信号の供給が制御され、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。尚、画像信号は、例えば、データ線及び画素電極間に電気的に接続されたスイッチング素子であるトランジスタが走査線から供給される走査信号に応じてオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線からトランジスタを介して画素電極に供給される。画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる透明電極であり、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられる。
【００１０】
走査線、データ線及びトランジスタは、典型的には、表示の妨げとならないように、画素領域内における、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に設けられる。
【００１１】
ここで、「画素領域」とは、個々の画素の領域ではなく、複数の画素がマトリクス状に配列されてなる領域全体を意味し、「画像表示領域」或いは「表示領域」とも呼ばれる。「開口領域」とは、画素毎に表示に実際に寄与する光が出射する領域など、各画素において電気光学素子或いは電気光学物質による電気光学動作が実際に行なわれる領域をいう。
【００１２】
また、本発明に係る「非開口領域」は、画素毎の開口領域を互いに隔てる領域であり、画素毎に表示に寄与する光が出射しない領域など、各画素において電気光学素子或いは電気光学物質による電気光学動作が実際に行なわれない領域をいう。非開口領域は、例えば、データ線や走査線の少なくとも一部が遮光性を有する遮光膜から形成され、このような遮光膜により各画素に入射される光を遮光可能な領域として、基板上に開口領域を囲むように規定される。これに加えて又は代えて、非開口領域は、容量電極等の他の機能を有する遮光膜や遮光専用の基板に内蔵された遮光膜、或いは基板上又は対向基板上に形成されたブラックマトリクスやブラックマスクなどにより、少なくとも部分的に若しくは冗長的に規定されてもよい。
【００１３】
導電層は、画素が配列された画素領域において、例えば電気光学動作を行うためなど、画素電極に信号を供給するための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する。導電層は、例えばデータ線や走査線であってもよいし、画素電極の電圧保持特性を向上させるための付加容量を構成する一対の容量電極の一方として構成してもよい。導電層は、平面的に見て、少なくともその一部において又はその全部が、非開口領域内に配置されている。導電層は、光を反射又は吸収する遮光膜から構成され、非開口領域を少なくとも部分的に又は冗長的に規定してもよい。
【００１４】
反射防止膜は、例えば交差領域において、前記導電層の端面の少なくとも一部を、前記導電層よりも光反射率の低い材料で覆うように形成されることにより、表示画像のコントラスト比を向上させることができる。
【００１５】
反射防止膜は、例えば、基板上で平面的に見て前記導電層が配置されていると共に前記画素毎の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち、第１方向に沿って延在する第１領域及び前記第１方向に交わる第２方向に沿って延在する第２領域が互いに交差する交差領域において、前記導電層の端面の少なくとも一部を、覆うように形成される。或いは、交差領域に加えて又は代えて、交差領域以外の非開口領域にて、反射防止膜が前記導電層の端面の少なくとも一部を、覆うように形成されてもよい。
【００１６】
ここで、「非開口領域における交差領域」とは、画素毎の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち、第１方向に沿って延在する第１領域及び第１方向に交わる第２方向に沿って延在する第２領域が互いに交差する領域である。
【００１７】
交差領域では、仮に何らの対策も講じないとすれば、交差領域に配置された導電層の端面によって光源光が反射されることにより、光漏れが生じやすい。このような光漏れが生じると、表示画像のコントラストが低下し、画質の低下を引き起こしてしまう。
【００１８】
例えば、端面で反射した光が、画像信号に対応して開口領域を通過する表示光に混入することにより、或いは、非開口領域内にある薄膜トランジスタ内に進入して光リークを引き起こすことにより、開口領域における光漏れが無視し得ない程度に生じ得る。
【００１９】
しかるに本発明に係る電気光学装置は、例えば交差領域において光源光が導電層の端面によって反射されることを防止又は抑制するべく、導電層の端面を覆うように、光反射率の低い材料から形成された反射防止膜を設けることによって、漏れ光の発生を抑制することができる。
【００２０】
反射防止膜は、導電層よりも光反射率の低い材料から形成される。例えば、導電層がアルミニウムから形成されている場合、ＴｉＮ（チタニウム・ナイトライド）やＷ（タングステン）などのアルミニウムに比べて光反射率の低い材料から反射防止膜を形成するとよい。言い換えれば、導電層を光反射率の高い材料から形成しても、その端面における光源光の反射を、反射防止膜の反射率の低さに応じて低減することが可能となる。
【００２１】
しかも、本発明に係る電気光学装置によれば、反射防止膜は、下地面に接する若しくは面する先端部の膜厚が、本体部の膜厚より薄くなっており、且つその表面が導電層の端面に比して湾曲して又は斜めになっている。従って、例えば、導電層の端面を、その脇に広がる下地面もろとも覆う場合と比べて、言い換えれば、基板上で平面的に見て一回り大きな反射防止膜を鍔のあるハット状にして、導電層の端面を多大なる冗長性を持って被覆する場合と比べて、積層構造の肥大化を招かないで済む。
【００２２】
更に、湾曲して又は斜めになっている表面を有する反射防止膜により、単に平坦な表面を有する反射防止膜による場合と比べて、表面積が増大している分だけ、端面に入射しようとする斜め光をより高効率にて吸収可能となる。言い換えれば、反射防止膜の表面が、端面上に湾曲した又は斜めの表面を有するように形成されている分だけ、端面の面積（即ち端面の表面積）を基準とする、反射防止膜の光吸収能力が増大されることになる。加えて、このような湾曲した又は斜めの表面を有する反射防止膜であれば、吸収しきれずに反射した光についても、少なくとも部分的に、表示光に含まれない方向にまで逸らすことも可能となる。
【００２３】
そして特に、このような反射防止膜は、後述の製造方法のように異方性エッチングを用いてのエッチバックにより、独自のパターニングを利用することなく形成可能であるので、製造が容易であると共に信頼性の高い膜として製造される。即ち、電気光学装置は、製造コストが低いと共に、信頼性の高い装置として製造可能である。
【００２４】
なお、このような反射防止膜は、例えば交差領域において端面の全域を覆うように形成されてもよい。即ち、先端部が、端面に沿って下地面に、丁度接する高さまで（又は丁度接しない高さまで）延在していてもよい。更に、導電層の脇に位置する下地面の部分上にまでも、反射防止膜が僅かに延在してもよい。
【００２５】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置では、交差領域や交差領域以外の非開口領域において導電層の端面を反射防止膜で覆うことによって、表示領域における漏れ光の発生を抑制することができる。しかも、特殊な形状を有する反射防止膜を採用することにより、高いコントラスト比を有する高品位な画像表示を実現可能な電気光学装置を、比較的簡単に或いは比較的低コストで、実現することができる。
【００２６】
尚、交差領域と交差領域以外の非開口領域とで、導電層の端面を、相互に同じ反射防止膜で覆ってもよいし、材質や厚さにおいて相異なる反射防止膜で覆ってもよい。或いは、端面以外の面において、導電層を、交差領域における端面と同じ又は異なる反射防止膜で覆うことも任意である。
【００２７】
本発明の電気光学装置の一の態様では、前記反射防止膜は、前記端面を覆うことに加えて、前記導電層を上面側から覆うように形成されている。
【００２８】
この態様によれば、基板上で平面的に見て、反射防止膜を導電層上に少なくとも導電層より広く形成することによって、反射防止膜の寸法精度や位置精度によらずに導電層の端面における光源光の反射を確実に防ぐことができ、更に導電層の上面における光源光の反射も防ぐことができる。その製造も位置合わせのマージンが広がる分だけ容易となる。特に、導電層の上面に入射した光源光は、導電層の表面で反射されることによって電気光学装置内で迷光となり、表示面から射出することによって、導電層の端面で反射された漏れ光と同様に表示画像のコントラスト比を低下させる原因となり得る。本態様では、導電層の端面及び上面において光源光が反射されることを防止し、表示画像のコントラスト比を向上させることができる。
【００２９】
或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記反射防止膜は、前記導電層の上面には部分的に又は全く設けられていない。
【００３０】
この態様によれば、導電層の上面には部分的に又は全く反射防止膜が形成されていないので、導電層を含む積層構造を、その厚み方向に肥大化させることを阻止できる。導電層の端面に形成された反射防止膜によって、よりコンパクトな全体構造を維持しつつ、導電層の端面における光源光の反射を低減できる。しかも、このような電気光学装置は、後述のように異方性エッチングを用いてのエッチバックにより、独自のパターニングを利用することなく形成可能であるので、製造コストを抑制できると共に信頼性の高い膜として製造される。即ち、電気光学装置は、製造コストが低いと共に、信頼性の高い装置として製造可能である。
【００３１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記反射防止膜は、前記下地面上に形成されていない。
【００３２】
この態様によれば、先端部が下地面にまで延在することなく、端面の根本側に、先端部により覆われていない領域が僅かに残されるか、又は、端面の根本にて、先端部の先端が下地面に丁度接する。すると、積層構造の肥大化を確実に避ける上では有利となる。他方、端面が反射防止膜にて覆われている比率に応じて、端面反射による悪影響を相応に低減できる。
【００３３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記導電層は、前記画素電極より下層側に形成された第１導電層と、前記第１導電層より下層側に形成された第２導電層とを含んでなり、前記反射防止膜は、前記第１導電層及び前記第２導電層の夫々の端面を覆うように形成されている。
【００３４】
この態様によれば、導電層は第１導電層及び第２導電層を含む、複数の導電層から構成されている。この場合、第１導電層及び第２導電層夫々の端面によって光源光が反射されることによって漏れ光が生じることを防ぐために、例えば交差領域や交差領域以外の非開口領域において、第１導電層及び第２導電層夫々の端面に反射防止膜が形成されている。即ち、例えば交差領域内において、複数の導電層が立体的に交差している場合には、夫々の導電層の端面に反射防止膜を設けることによって、漏れ光が生じることを防ぎ、コントラスト比を高めることができる。
【００３５】
尚、このような第１及び第２導電層間には、例えば薄膜トランジスタ等の電子素子、他の配線や電極等や、層間絶縁膜等が、適宜に構築されてよい。
【００３６】
上述の第１導電層及び第２導電層を含んでなる態様では、前記第１導電層及び前記第２導電層は夫々、第１方向及び前記第１方向に交わる第２方向に沿って延在するデータ線及び走査線であり、前記画素電極が配置される画素毎の開口領域を互いに隔てる非開口領域は、前記データ線及び前記走査線によって少なくとも部分的に規定されていてもよい。
【００３７】
このように構成すれば、データ線及び走査線が互いに交差する第１方向及び第２方向に沿って延在することによって、非開口領域を少なくとも部分的に規定している。この場合、データ線及び走査線が互いに交差する交差領域においては、データ線及び走査線が立体的に交差しているため、交差領域におけるデータ線及び走査線の端面には反射防止膜が形成されることにより、漏れ光が生じることを防ぐことが可能となる。
【００３８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極が配置された画素毎の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち、第１方向に沿って延在する第１領域及び前記第１方向に交わる第２方向に沿って延在する第２領域が互いに交差する交差領域を除く前記第１領域及び前記第２領域における前記導電層の端面の少なくとも一部には、前記交差領域において前記導電層の端面に設けられた前記反射防止膜が延在して設けられている。
【００３９】
本態様によれば、交差領域に加えて、交差領域以外の非開口領域（例えば、非開口領域のうち、第１方向に沿って延在する第１領域や、第２方向に沿って延在する第２領域）における導電層の端面に、少なくとも部分的に或いは好ましくは全部に、反射防止膜が形成されている。表示画像のコントラストの低下をもたらす漏れ光は、主に交差領域において生じやすいが、その他の領域においても少なからず生じる場合がある。また、上下遮光膜等の構造によっては、交差領域と同等以上に交差領域以外の非開口領域における導電層の端面反射が問題となる場合もあり得る。本態様では、交差領域以外の非開口領域において生じる漏れ光を、効果的に防ぐことができるので、よりコントラスト比の高い、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。
【００４０】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。
【００４１】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像を表示することが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。
【００４２】
本発明に係る電気光学装置の第１製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、前記画素電極に信号を供給するための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、前記導電層の端面の少なくとも一部を前記導電層よりも光反射率の低い遮光性材料で覆うように形成された反射防止膜とを備える電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上で前記導電層の下地をなす下地面上の一面に、前記導電層を構成する導電性材料膜を形成する工程と、前記反射防止膜を部分的に構成し得る第１反射防止性材料膜を前記形成された導電性材料膜上の一面に形成する工程と、前記導電層の平面パターンを有するように、前記導電性材料膜及び前記第１反射防止性材料膜をまとめてパターニングする工程と、前記パターニングされた導電性材料膜である前記導電層上に残された前記第１反射防止性材料膜の部分上及び該部分の脇から露出する前記下地面の部分上の一面に、前記反射防止膜のうち少なくとも前記端面を覆う部分を構成する第２反射防止性材料膜を形成する工程と、前記第１及び第２反射防止性材料膜を、前記端面に沿って指向性を有する異方性エッチングによりエッチバックする工程とを備える。
【００４３】
本発明に係る電気光学装置の第１製造方法によれば、基板上における各種配線、各種電極、各種電子素子や各種層間絶縁膜等の成膜工程に相前後して、先ず、下地面上の一面に、例えばスパッタリング、蒸着等により、アルミニウム等の導電性材料膜が形成される。更にこの上の一面に、例えばスパッタリング、蒸着等により、ＴｉＮ、Ｗ等の第１反射防止性材料膜が形成される。なお、本発明において「一面」とは、ベタ一面の意味であるが、形成すべき導電層を基準にして一面或いはベタ一面であれば足りるという意味である。言い換えれば、導電層の有無に拘わらずに導電層の周囲一面という意味であり、基板の全面まで隈なく成膜しなければならないという意味ではない。
【００４４】
続いて、例えばフォトリソグラフィ及びエッチングを伴うパターニングにより、導電性材料膜及び第１反射防止性材料膜は、まとめて（言い換えれば同一機会に又は同時に）パターニングされ、共に導電層の平面パターンを有することになる。ここでのエッチングは、ドライエッチング、ウエットエッチングなど、異方性エッチングや等方性エッチングとして行われる。
【００４５】
続いて、これら上の一面に、例えばスパッタリング、蒸着等により、ＴｉＮ、Ｗなどの第２反射防止性材料膜が形成される。第２反射防止性材料膜は、第１反射防止性材料膜と同一材料の膜でもよいし、異なる材料の膜でもよい。
【００４６】
続いて、このように形成された第１及び第２反射防止性材料膜は、導電層の端面に沿って指向性を有する（典型的には、基板面に垂直な方向に指向性を有する）例えばドライエッチング等の異方性エッチングにより、エッチバック或いは全面エッチバックされる。特に、第２反射防止性材料膜のうち第１反射防止性材料膜上にない（言い換えれば、平面的に見て導電層上にない）部分を、完全に除去するまで、エッチバックを行えば、導電層の端面に信頼性の高い反射防止膜を、第２反射防止性材料膜から形成できる。
【００４７】
しかも、導電層上に、導電層と同一平面パターンを有する第１反射防止性材料膜を、部分的に又は全部残すことも可能である。或いは、導電層上に、導電層と同一平面パターンを有する第１反射防止性材料膜を、エッチバックにより部分的に又は完全に除去することも可能である。
【００４８】
いずれにしても、端面に残される第２反射防止性材料膜から構成される反射防止膜は、例えば交差領域や交差領域以外の非開口領域における導電層の端面を、部分的に又は完全に覆うことになる。この際特に、エッチングガス或いはエッチング液がその流れの先端にて下地面にぶつかることで指向性が局所的に乱れるので、反射防止膜は、そのような下地面に近接して残される先端部の膜厚が、上流側に残される本体部の膜厚より薄くなるように、且つ表面が導電層の端面に比して湾曲して又は斜めになるように、形成される。
【００４９】
以上の結果、エッチバックという比較的簡単な工程を採用しつつ、導電層の端面に、前述した特殊形状を有する反射防止膜を形成可能となる。即ち、上述した本発明に係る電気光学装置を比較的容易にして製造できる。製造コストの抑制を図ることも可能である。
【００５０】
本発明に係る電気光学装置の第２製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、前記画素電極に信号を供給するための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、前記導電層の端面の少なくとも一部を前記導電層よりも光反射率の低い遮光性材料で覆うように形成された反射防止膜とを備える電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上で前記導電層の下地をなす下地面上の一面に、前記導電層を構成する導電性材料膜を形成する工程と、前記導電層の平面パターンを有するように、前記導電性材料膜をパターニングする工程と、前記パターニングされた導電性材料膜である前記導電層上及び前記導電層の脇から露出する前記下地面の部分上の一面に、前記反射防止膜を構成する反射防止性材料膜を形成する工程と、前記反射防止性材料膜を、前記端面に沿って指向性を有する異方性エッチングによりエッチバックする工程とを備える。
【００５１】
本発明に係る電気光学装置の第２製造方法によれば、基板上における各種配線、各種電極、各種電子素子や各種層間絶縁膜等の成膜工程に相前後して、先ず、下地面上の一面に、例えばスパッタリング、蒸着等により、アルミニウム等の導電性材料膜が形成される。
【００５２】
続いて、例えばフォトリソグラフィ及びエッチングを伴うパターニングにより、導電性材料膜は、パターニングされ、導電層の平面パターンを有することになる。
【００５３】
続いて、これら上の一面に、例えばスパッタリング、蒸着等により、ＴｉＮ、Ｗなどの反射防止性材料膜が形成される。
【００５４】
続いて、このように形成された反射防止性材料膜は、導電層の端面に沿って指向性を有する（典型的には、基板面に垂直な方向に指向性を有する）例えばドライエッチング等の異方性エッチングにより、エッチバック或いは全面エッチバックされる。特に、反射防止性材料膜のうち、導電層上にない部分及び導電層の上面上にある部分を、完全に除去するまで、エッチバックを行えば、導電層の端面にのみ、信頼性の高い反射防止膜を、反射防止性材料膜から形成できる。
【００５５】
いずれにしても、端面に残される反射防止性材料膜から構成される反射防止膜は、例えば交差領域や交差領域以外の非開口領域における導電層の端面を、部分的に又は完全に覆うことになる。この際特に、エッチングガス或いはエッチング液がその流れの先端にて下地面にぶつかることで指向性が局所的に乱れるので、反射防止膜は、そのような下地面に近接して残される先端部の膜厚が、上流側に残される本体部の膜厚より薄くなるように、且つ表面が導電層の端面に比して湾曲して又は斜めになるように、形成される。
【００５６】
以上の結果、エッチバックという比較的簡単な工程を採用しつつ、導電層の端面に、前述した特殊形状を有する反射防止膜を形成可能となる。即ち、上述した本発明に係る電気光学装置を比較的容易にして製造できる。製造コストの抑制を図ることも可能である。
【００５７】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を透過的に示した平面模式図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´線断面である。
【図６】図４中の反射防止膜の部分を抜粋して拡大して示す部分断面図である。
【図７】本実施形態に係る液晶装置において、反射防止膜が形成される領域の、データ線及び走査線に対する位置関係を視覚的に示す立体模式図である。
【図８】第１変形例に係る液晶装置において、反射防止膜が形成される領域の、データ線及び走査線に対する位置関係を視覚的に示す立体模式図である。
【図９】第２変形例に係る液晶装置における図５と同趣旨の断面図である。
【図１０】図９中の反射防止膜の部分を抜粋して拡大して示す部分断面図である。
【図１１】製造方法の第１実施形態に係る工程図（その１）である。
【図１２】製造方法の第１実施形態に係る工程図（その２）である。
【図１３】製造方法の第２実施形態に係る工程図である。
【図１４】本実施形態に係る液晶装置を適用した電子機器の例である。
【発明を実施するための形態】
【００５９】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００６０】
＜１．液晶装置＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００６１】
図１は、ＴＦＴアレイ基板１０を、その上に形成された各構成要素と共に、対向基板２０の側から見た液晶装置の構成を示す概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【００６２】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板又はシリコン基板である。対向基板２０も例えばＴＦＴアレイ基板１０と同様の材料からなる基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、電気光学動作の行われる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００６３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。
【００６４】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００６５】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、走査線駆動回路１０４及び外部回路接続端子１０２が夫々形成されている。
【００６６】
ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に夫々沿って設けられている。
【００６７】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置されている。
【００６８】
また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００６９】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられている。
【００７０】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９は、ＩＴＯ膜からなる透明電極として形成されている。画素電極９上には、配向膜１６が形成されている。
【００７１】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中、遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。
【００７２】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９と対向電極２１との間には液晶保持容量が形成されている。
【００７３】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００７４】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００７５】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９及び画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９に電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置の動作時に画素電極９をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６は、ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００７６】
ＴＦＴ３０のゲートには走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。
【００７７】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００７８】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９と対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に、蓄積容量７０が付加されている。
【００７９】
次に、図４から図６を参照して、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける具体的な積層構造について詳しく説明する。
【００８０】
図４は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を透過的に示した平面模式図である。図５は、図４のＡ−Ａ´線断面である。図６は、図４中の反射防止膜の部分を抜粋して拡大して示す部分断面図である。尚、図４から図６では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、後述するように、非開口領域を規定するデータ線６及び走査線１１の交差領域では、データ線６、走査線１１、中継層７の端面に反射防止膜８０が形成されているが、図４では、夫々の電極及び配線等の位置関係をわかりやすく表示するために、反射防止膜８０の表示を省略している。尚、詳細な反射防止膜８０の構造及び配置については、図５及び図６を参照されたい。
【００８１】
図４及び図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１及びデータ線６が、夫々Ｘ方向及びＹ方向に沿って配置されており、データ線６と走査線１１の交差付近にＴＦＴ３０（即ち、半導体層３０ａ及びゲート電極３０ｂ）が形成されている。
【００８２】
走査線１１は、遮光性の導電材料、例えば、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタニウム・ナイトライド）等から形成されており、ＴＦＴ３０の半導体層３０aを含むように半導体層３０ａより幅広に形成されている。走査線１１は半導体層３０ａより下層側に配置されているので、このように走査線１１をＴＦＴ３０の半導体層３０ａよりも幅広に形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域３０ｂを殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、液晶装置の動作時に、ＴＦＴ３０における光リーク電流は低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。
【００８３】
本実施形態では特に、画像表示領域１０ａにおける非開口領域（即ち、表示光が透過しない領域）は、走査線１１及びデータ線６によって規定されている。しかしながら、単にＸ方向及びＹ方向に沿って走査線１１及びデータ線６を配置することによって画像表示領域１０ａにおける非開口領域を規定しただけでは、少なからず光源光が漏れ出し、表示画像のコントラスト比が悪化する場合がある。特に、走査線１１及びデータ線６が直角に交差する領域６０（図４において、一点鎖線で囲んだ領域）の近傍では、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された電極及び配線等の端面によって光源光が反射されることにより、漏れ光が生じやすい。このような漏れ光は、液晶装置の画像表示面から射出されることによって、表示画像のコントラスト比を悪化させる要因となるため問題となる。そこで、本実施形態では、後述するように、交差領域におけるデータ線６、走査線１１、中継層７の端面（即ち、データ線６の端面６´、走査線１１の端面１１´、中継層７の端面７´及び容量電極７１の端面７１´）に反射防止膜８０を形成することによって光源光が反射されることを防ぎ、コントラスト比を高く確保することができるように構成されている。
【００８４】
非開口領域は、対向基板２０又はＴＦＴアレイ基板１０に形成された、一般にブラックマトリクス或いはブラックマスクと称される、遮光膜２３により、冗長的に規定されていてもよい。或いは、平面的に見た場合における、このような遮光膜２３により規定される非開口領域部分が、データ線、走査線１１等により規定される非開口領域部分よりも一回り大きくてもよいし又は一回り小さくてもよい。
【００８５】
走査線１１は、下地絶縁膜１２によって覆われることにより、表面が平坦化されている。尚、下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能も有している。
【００８６】
下地絶縁膜１２上にはＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと、ゲート電極３０ｂとを有して構成されている。半導体層３０ａは、ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、ドレイン領域３０ａ３含んで形成されている。チャネル領域３０ａ２とソース領域３０ａ１、又は、チャネル領域３０ａ２とドレイン領域３０ａ３との界面にはＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域が形成されていてもよい。
【００８７】
尚、ＴＦＴ３０のゲート電極は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体層３０ａのチャネル領域３０ａ２に重なる領域において、ゲート絶縁膜１３を介して設けられている。尚、ゲート電極３０ｂは、下層側に配置された走査線１１にコンタクトホール３５を介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってＴＦＴ３０をオン／オフ制御する。ゲート電極３０ｂは、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。
【００８８】
半導体層３０ａのうちソース領域３０ａ１は、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１４及び第２層間絶縁膜１５に開孔されたコンタクトホール３１を介して、画像信号が供給されるデータ線６に電気的に接続されている。一方、ドレイン領域３０ａ３は、上層側に形成された画素電極９に、中継層７を介して、電気的に接続されている。ここで、中継層７は、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１４に開孔されたコンタクトホール３２に形成されており、ドレイン領域３０ａ３及び画素電極９間を電気的に接続している。画素電極９は、中継層７の上層側に配置されており、第２層間絶縁膜１５及び第３層間絶縁膜１６に形成されたコンタクトホール１６を介して、中継層７に電気的に接続されている。
【００８９】
中継層７の上層側には、中継層７に対向するように容量電極７１が形成されている。容量電極７１及び中継層７間には容量絶縁膜７２が挟持されており、蓄積容量７０が形成されている。このように蓄積容量７０を設けることによって、画素電極９のドレイン領域３０ａ３から印加された駆動電圧に対する保持特性を向上させることができる。
【００９０】
図５に示すように、本発明における「導電層」の一例である、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の夫々の端面（即ち、データ線６の端面６´、走査線１１の端面１１´、中継層７の端面７´及び容量電極７１の端面７１´）には、光反射率の低い材料で覆うように反射防止膜８０が形成されている。反射防止膜８０は、例えばＴｉＮ（窒化チタン）やＷ（タングステン）などの光反射率の低い材料から形成される。ＴｉＮ（窒化チタン）やＷ（タングステン）は、データ線６、走査線１１及び中継層７を構成しているアルミニウムや、容量電極７１を構成しているポリシリコン等に比べて低い光反射率を有しているため、反射防止膜８０に照射する光は、その大部分が反射されることなく、反射防止膜８０に吸収されることとなる。
【００９１】
図６に拡大して示すように、反射防止膜８０は、図中その下端に当る先端にて、基板上でデータ線６の下地をなす下地面たる層間絶縁膜１５上に、接する若しくは面する先端部８０ａを有する。先端部８０ａは、反射防止膜８０の表面８０ｓの断面において、下側に窄まる形状となっている。更に、反射防止膜８０は、先端部８０ａの上側に繋がる本体部８０ｂを有する。
【００９２】
反射防止膜８０は、先端部８０ａの膜厚Ｗが、本体部８０ｂの膜厚Ｗより薄くなるように形成されている。即ち、先端部８０ａの膜厚Ｗは、下側に当る先端に向うに連れて漸減しており、反射防止膜８０は、その表面８０ｓが、ほぼ垂直に切り立った平面であるデータ線６の端面に比して、湾曲して又は斜めになるように、形成されている。
【００９３】
なお、反射防止膜８０は、その上端にて、膜厚Ｗが、上端に当る先端に向うに連れて漸減している先端部８０ｃを有する。
【００９４】
従って、例えば、データ線６の端面を、その脇に広がる下地面である層間絶縁膜１５もろとも大きく覆う場合と比べて、言い換えれば、層間絶縁膜１５上で平面視して一回り大きな反射防止膜８０を鍔のあるハット状にして、データ線６の端面を多大なる冗長性を持って被覆する場合と比べて、データ線６の周囲における積層構造の肥大化を招かないで済む。
【００９５】
更に、反射防止膜８０は、湾曲して又は斜めになっている表面８０ｓを有するので、単に平坦な表面を有する反射防止膜による場合と比べて、表面積が増大している分だけ、データ線７の端面に入射しようとする斜め光、迷光、装置内で乱反射した光等を、より高効率にて吸収可能となる。加えて、このような湾曲した又は斜めの表面８０ｓを有する反射防止膜８０であるが故に、その表面８０ｓを介して吸収しきれずに反射した光についても、少なくとも部分的に、各画素の開口領域から概ね基板に垂直な方向へと出射する表示光に含まれないような急峻な方向或いは角度にまで、逸らすことも可能となる。
【００９６】
この意味では、下端にあると共に丸みを帯びた先端部８０ａのみならず、上単にあると共に丸みを帯びた先端部８０ｃも、データ線６の端面に入射しようとする斜め光等を、より高効率にて吸収することに貢献している。
【００９７】
本実施形態では特に、反射防止膜８０は、交差領域において端面の全域を覆うように形成されている。即ち、先端部８０ａが、端面に沿って層間絶縁膜１５の上面に、丁度接する高さまで延在している。よって、データ線６の端面における端面反射を確実に低減できる。
【００９８】
しかも後述するように（図１３参照）、反射防止膜８０は、異方性エッチングを用いてのエッチバックにより形成可能であるので、製造が容易であると共に信頼性の高い膜として製造される。
【００９９】
図５及び図６に示したように、本発明に係る「導電層」の夫々一例である、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の端面についても、やはり「導電層」の一例であるデータ線６の場合と同様に、先端部８０ａ、本体部８０ｂ及び先端部８０ｃを有する反射防止膜８０を夫々有する。
【０１００】
ここで、図５に加え図７を参照して、データ線６及び走査線１１における反射防止膜８０が形成されている領域について、更に説明を加える。図７は、本実施形態に係る液晶装置において、反射防止膜８０が形成される領域の、データ線６及び走査線１１に対する位置関係を視覚的に示す立体模式図である。尚、図７では、データ線６及び走査線１１以外の種々の構成要素は、説明の便宜上、表示を省略している。
【０１０１】
図７に示すように、走査線１１及びデータ線６は、夫々Ｘ方向及びＹ方向に沿って延在している。図７においてハッチパターンで示した領域は、反射防止膜８０が形成されている領域である。
【０１０２】
尚、ここでは説明の便宜上から、データ線６及び走査線１１について反射防止膜８０が形成されている領域を説明しているが、中継層７及び容量電極７１についても、同様に、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見たときに、交差領域に重なる領域における端面に反射防止膜８０が形成されている。
【０１０３】
このように、本実施形態に係る液晶装置では、交差領域における、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の夫々の端面に反射防止膜８０を形成することにより、非開口領域からの漏れ光の発生を効果的に防ぎ、表示画像のコントラスト比を向上させることができる。
＜第１変形例＞
続いて、図８を参照して第１変形例に係る液晶装置について説明する。図８は、第１変形例に係る液晶装置において、反射防止膜８０が形成される領域の、データ線６及び走査線１１に対する位置関係を視覚的に示す立体模式図である。尚、図８では、データ線６及び走査線１１以外の種々の構成要素は、説明の便宜上、表示を省略している。
【０１０４】
図８に示すように、本変形例に係る液晶装置では、データ線６及び走査線１１の全体に渡って、その端面に反射防止膜８０が形成される点において、上述の実施形態と異なっている。尚、この点以外については、上述の実施形態の場合と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【０１０５】
表示画像のコントラストの低下をもたらす漏れ光は、上述の通り、主にデータ線６及び走査線１１の交差領域において生じるが、その他の非開口領域におけるデータ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の夫々の端面においても少なからず生じる。そこで、本変形例のように、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の全体に渡って、その端面に反射防止膜８０が形成することによって、より効果的に非開口領域において生じる漏れ光を軽減することができるので、よりコントラスト比の高い、高品位な画像表示が可能となる（図８において中継層７及び容量電極７１については図示省略）。
＜第２変形例＞
続いて、図９及び図１０を参照して第２変形例に係る液晶装置について説明する。図９は、第２変形例に係る液晶装置において、図５と同様の趣旨に基づく断面図である。図１０は、図９中の反射防止膜の部分を抜粋して拡大して示す部分断面図である。尚、反射防止膜８０以外の点については、上述の実施形態の場合と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【０１０６】
図９に示すように、本変形例に係る液晶装置では、反射防止膜８０が、交差領域において、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１を上面側から覆うように形成されている点において、上述の形態とは異なっている。即ち、本変形例では、反射防止膜８０は、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の端面（即ち、データ線６の端面６´、走査線１１の端面１１´、中継層７の端面７´及び容量電極７１の端面７１´）だけでなく、夫々の上面にも形成されている。
【０１０７】
図１０に拡大して示すように、反射防止膜８０は、図６に示した反射防止膜８０の場合と同様に下端に当る先端部８０ａ、膜厚Ｗが相対的に厚く形成された本体部８０ｂ、及び上端に当る先端部８０ｃを有することに加えて、上層部８０ｄを有する。
【０１０８】
上述の各種態様では、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の端面によって光源光が反射されることによって生じる漏れ光を防ぐために、反射防止膜８０を設けているが、実際の液晶装置では、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の表面で反射された光源光が液晶装置内で迷光となり、表示面から射出することによって、同様に表示画像のコントラスト比を低下させる原因となってしまう。その点、本変形例のように、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の表面を覆うように反射防止膜８０を形成することによって、よりコントラスト比の高い、高品位な画像表示が可能となる。
【０１０９】
しかも後述するように（図１１及び図１２参照）、反射防止膜８０は、異方性エッチングを用いてのエッチバックにより形成可能であるので、製造が容易であると共に信頼性の高い膜として製造される。
【０１１０】
なお図９及び図１０に示したように、本発明に係る「導電層」の夫々一例である、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の端面及び上面についても、やはり「導電層」の一例であるデータ線６の場合と同様に、先端部８０ａ、本体部８０ｂ及び先端部８０ｃに加えて、上層部８０ｄを有する反射防止膜８０を夫々有する。
【０１１１】
＜製造方法＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置の製造方法について説明を加える。ここでは特に、反射防止膜８０を形成する各種工程について、図面を交えて詳細に説明する。
【０１１２】
先ず、上述の図９及び図１０に示した如き反射防止膜８０を有する電気光学装置の製造方法の一例について、図１１及び図１２を参照して説明する。図１１及び図１２は、該製造方法に係る一連の工程図（その１及びその２）である。
【０１１３】
図１１の工程Ｓ１１に示すように、層間絶縁膜１５上の一面に、例えばスパッタリング、蒸着等により、アルミニウム等の導電性材料膜６ｐが形成される。なお工程Ｓ１１に先んじて、層間絶縁膜１５下には、図９に示した如き、走査線１１、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０、各層間絶縁膜等が、各種成膜工程、各種エッチング工程等を介して形成されている。
【０１１４】
続いて、工程Ｓ１２に示すように、導電性材料膜６ｐ上の一面に、例えばスパッタリング、蒸着等により、ＴｉＮ、Ｗ等の第１反射防止性材料膜８０ｐａが形成される。
【０１１５】
続いて、工程Ｓ１３に示すように、フォトリソグラフィによりレジスト８０１ｒが形成される。即ち、ポジ型又はネガ型レジスト材料の全面塗布、マスクを介しての光照射、現像、焼成等が行われ、データ線６のパターンに対応するレジスト８０１ｒが、第１反射防止性材料膜８０ｐａ上に形成される。
【０１１６】
続いて、工程Ｓ１４では、レジスト８０１ｒを介しての基板面に垂直な方向に指向性を有するドライエッチング等の異方性エッチングにより、導電性材料膜６ｐ及び第１反射防止性材料膜８０ｐａは、まとめてパターニングされる。これにより、データ線６と、データ線と同一の平面パターンを有する第１反射防止性材料膜８０ｐａとが、層間絶縁膜１５上に形成される。
【０１１７】
続いて、工程Ｓ１５では、レジスト８０１ｒが、除去される。
【０１１８】
続いて、図１２の工程Ｓ１６では、一面に、例えばスパッタリング、蒸着等により、ＴｉＮ、Ｗなどの第２反射防止性材料膜８０ｐｂが形成される。第２反射防止性材料膜８０ｐｂは、第１反射防止性材料膜８０ｐａと同一材料の膜でよい。
【０１１９】
続いて、工程Ｓ１７では、このように形成された第２反射防止性材料膜８０ｐｂは、基板面に垂直な方向に指向性を有する、エッチングガス９０１ｅにより、全面エッチバックされる。このようなエッチバックの工程においては、エッチングガス９０１ｅがその流れの先端にて下地面にぶつかることで指向性が局所的に乱れるので、反射防止膜８０は、データ線６の平坦なる端面に比して、遥かに丸みを帯びるように形成されて行く。
【０１２０】
工程Ｓ１８に示すように、第２反射防止性材料膜８０ｐｂのうち第１反射防止性材料膜８０ｐａ上にない部分を、完全に除去するまで、エッチバックが続けられると、データ線６の端面に信頼性の高い反射防止膜８０を、第２反射防止性材料膜８０ｐｂから形成できる。同時に、データ線６の上面に、反射防止性材料からなる上層部を第１反射防止性材料膜８０ｐａから形成できる。
【０１２１】
以上の工程により、図９及び図１０に示した如き反射防止膜８０が、データ線６の端面及び上面に形成される。
【０１２２】
その後、層間絶縁膜１６、画素電極９等が形成されることなどにより、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板側が完成され、その後、対向基板側との貼り合せ、液晶注入等の工程を経て、図１及び図２に示した如き電気光学装置が完成される。
【０１２３】
なお、図１２の工程Ｓ１９に示したように、データ線６と同一平面パターンを有する第１反射防止性材料膜８０ｐａを、元々の膜厚よりも若干薄くした形で、データ線６上に残すことにより、より薄い反射防止膜８０を形成することも可能である。
【０１２４】
以上の結果、エッチバックという比較的簡単な工程を採用しつつ、データ線６の端面及び上面に、図９及び図１０に示したごとき特殊形状を有する反射防止膜８０を形成できる。エッチバックを利用することで、工程Ｓ１３〜Ｓ１５に示した如きフォトリソグラフィ及びエッチング工程を行う回数を無闇に増大させないで済むので、製造コストの抑制を図れる。
【０１２５】
なお、図９及び図１０に示した走査線１１、中継層７及び容量電極７１の端面及び上面についても、図１１及び図１２を参照して説明したデータ線６を形成する場合と同様に、反射防止膜８０が夫々形成される。
【０１２６】
次に、上述の図５及び図６に示した如き反射防止膜８０を有する電気光学装置の製造方法の一例について、図１３を参照して説明する。図１３は、該製造方法に係る一連の工程図である。
【０１２７】
図１３の工程Ｓ２１に示すように、層間絶縁膜１５上の一面に、例えばスパッタリング、蒸着等により、アルミニウム等の導電性材料膜６ｐが形成される。なお工程Ｓ１１に先んじて、層間絶縁膜１５下には、図５に示した如き、走査線１１、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０、各層間絶縁膜等が、各種成膜工程、各種エッチング工程等を介して形成されている。
【０１２８】
続いて、工程Ｓ２２に示すように、フォトリソグラフィによりレジスト８０１ｒが形成される。即ち、ポジ型又はネガ型レジスト材料の全面塗布、マスクを介しての光照射、現像、焼成等が行われ、データ線６のパターンに対応するレジスト８０１ｒが、導電性材料膜６ｐ上に形成される。
【０１２９】
続いて、工程Ｓ２３では、レジスト８０１ｒを介しての基板面に垂直な方向に指向性を有するドライエッチング等の異方性エッチングにより、導電性材料膜６ｐは、パターニングされる。これにより、データ線６が、層間絶縁膜１５上に形成される。
【０１３０】
続いて、工程Ｓ２４では、レジスト８０１ｒが、除去される。
【０１３１】
続いて、工程Ｓ２５では、一面に、例えばスパッタリング、蒸着等により、ＴｉＮ、Ｗなどの反射防止性材料膜８０ｐが形成される。
【０１３２】
続いて、工程Ｓ２６では、このように形成された反射防止性材料膜８０ｐは、基板面に垂直な方向に指向性を有する、エッチングガス９０１ｅにより、全面エッチバックされる。このようなエッチバックの工程においては、エッチングガス９０１ｅがその流れの先端にて下地面にぶつかることで指向性が局所的に乱れるので、反射防止膜８０は、データ線６の平坦なる端面に比して、遥かに丸みを帯びるように形成されて行く。
【０１３３】
工程Ｓ２７に示すように、反射防止性材料膜８０ｐのうちデータ線６上にない部分を、完全に除去するまで、エッチバックが続けられると、データ線６の端面に信頼性の高い反射防止膜８０を、反射防止性材料膜８０ｐから形成できる。この場合、データ線６の上面に、反射防止性材料膜８０ｐが残ることもない。
【０１３４】
以上の工程により、図５及び図６に示した如き反射防止膜８０が、データ線６の端面に形成される。
【０１３５】
その後、層間絶縁膜１６、画素電極９等が形成されることなどにより、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板側が完成され、その後、対向基板側との貼り合せ、液晶注入等の工程を経て、図１及び図２に示した如き電気光学装置が完成される。
【０１３６】
以上の結果、エッチバックという比較的簡単な工程を採用しつつ、データ線６の端面に、図５及び図６に示したごとき特殊形状を有する反射防止膜８０を形成できる。エッチバックを利用することで、工程Ｓ２２〜Ｓ２４に示した如きフォトリソグラフィ及びエッチング工程を行う回数を無闇に増大させないで済むので、製造コストの抑制を図れる。
【０１３７】
なお、図５及び図６に示した走査線１１、中継層７及び容量電極７１の端面についても、図１３を参照して説明したデータ線６を形成する場合と同様に、反射防止膜８０が夫々形成される。
【０１３８】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【０１３９】
図１４は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【０１４０】
図１４に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１４１】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１４２】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１４３】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１４４】
尚、図１４を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１４５】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１４６】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１４７】
６  データ線、  ７  中継層、  ９  画素電極、  １０  ＴＦＴアレイ基板、  １０ａ  画像表示領域、  １１  走査線、  １３  ゲート絶縁膜、  ２０  対向基板、  ３０  ＴＦＴ、  ３０ａ  半導体層、  ３０ａ１  ソース領域、  ３０ａ２  チャネル領域、  ３０ａ３  ドレイン領域、  ３０ｂ  ゲート電極、  ７０  蓄積容量、  ７１  容量電極、  ７２  容量絶縁膜、  ８０  反射防止膜、  ８０ａ  先端部、  ８０ｂ  本体部、８０ｄ  上層部
【図１】
2011164451.tif 000003
【図２】
2011164451.tif 000004
【図３】
2011164451.tif 000005
【図４】
2011164451.tif 000006
【図５】
2011164451.tif 000007
【図６】
2011164451.tif 000008
【図７】
2011164451.tif 000009
【図８】
2011164451.tif 000010
【図９】
2011164451.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2011164451.tif 000015
【図１４】
2011164451.tif 000016