(57)【要約】【課題】ウエハの薄膜化が進行する中で、ウエハ表面へのデバイス形成プロセスが完了した時点で、ウエハの裏面の周辺部にリング状の肉厚の部分を形成した状態で、ウエハ裏面工程やダイシング工程に移行するプロセス技法が提案されている。このプロセス技法においては、ウエハの裏面側から回転ブレード等により、周辺リングを切断分離した後、残ったウエハをダイシングテープに張り替える等の複雑な処理が不可避である。【解決手段】本願発明は、ウエハ裏面の内部をデバイスに要求される最終的な厚さにした後、ダイシング工程等に移行するウエハ周辺リングプロセスにおいて、ウエハ周辺リング等が形成されたウエハの裏面をその形状に沿うように、ダイシングテープに貼り付けた状態で、ウエハの表面側からウエハ周辺リングを切断/分離した後、その状態でダイシングテープ上に残ったウエハをダイシング処理することにより、個々のチップに分離するものである。【選択図】図１６
2011222843.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ウエハの第１の主面側に複数の半導体チップ領域を形成する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記ウエハの前記第１の主面に保護テープを貼り付ける工程；
（ｃ）前記ウエハの前記第１の主面に前記保護テープが貼り付けられた状態で、前記ウエハの第２の主面側の周辺部に第１の厚さを有する円環状領域を形成し、前記第２の主面の内部領域に前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有する円形リセス領域を形成する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記保護テープを除去する工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記ウエハの前記第２の主面に金属膜を成膜する工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記ウエハの前記第２の主面に、その形状に倣うように、ダイシングテープを貼り付ける工程；
（ｇ）前記ウエハの前記第２の主面に前記ダイシングテープが貼り付けられた状態で、前記円環状領域を前記内部領域および前記ダイシングテープから分離する工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記ウエハの前記第２の主面に前記ダイシングテープが貼り付けられた状態で、前記ウエハに対して、ダイシング処理を実行することにより、前記複数の半導体チップ領域を個々の半導体チップに分離する工程。
【請求項２】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｈ）において、前記ダイシングテープの周辺部はダイシングフレームに固定されている。
【請求項３】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）から（ｈ）において、前記ダイシングテープの周辺部はダイシングフレームに固定されている。
【請求項４】
前記３項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）は、真空容器内で実行される。
【請求項５】
前記４項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｃ）は、前記ウエハの前記第２の主面を部分的にグラインディング処理を施すことによって実行される。
【請求項６】
前記５項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｇ）において、前記円環状領域の前記内部領域からの分離は、回転ブレードによって実行される。
【請求項７】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｈ）における前記ダイシング処理は、回転ブレードによって実行される。
【請求項８】
前記７項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｅ）は、スパッタリング成膜によって実行される。
【請求項９】
前記８項の半導体装置の製造方法において、更に、以下の工程を含む：
（ｉ）前記工程（ｃ）の後であって、前記工程（ｄ）の前に、前記ウエハの前記第２の主面に対して、ストレスリリーフ処理を施す工程。
【請求項１０】
前記９項の半導体装置の製造方法において、ストレスリリーフ処理は、ウエットエッチング処理である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法におけるウエハダイシング周辺技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本特開２００３−３３２２７１号公報（特許文献１）または、これに対応する米国特許公開２００３−２１５９８５号公報（特許文献２）には、ウエハの裏面内部領域のみを薄膜化することによって、周辺部を厚いまま残してリング状枠部とし、ウエハのそりを防止する周辺リング状ウエハダイシング方法の一例が開示されている。そこに示されている方法は、まず、ウエハの裏面に沿うようにダイシングテープを貼り付けた後、ウエハの裏面の凹部にステージを挿入して支えとした状態で、ウエハの表面から、先ず、ダイシングブレードによるダイシングを実行し、その後、リング状枠部を除去するというものである。
【０００３】
日本特開２００８−２９４２８７号公報（特許文献３）または、これに対応する米国特許公開２００８−２９３２２１号公報（特許文献４）には、ウエハの裏面内部領域のみを薄膜化することによって、周辺部を厚いまま残してリング状枠部とし、ウエハのそりを防止する周辺リング状ウエハダイシング方法の一例が開示されている。そこにおいては、まず、ウエハの表面に保護テープを貼り付けた状態で、ウエハの裏面からブレードによりリング状枠部を除去し、その後、ウエハの裏面にダイシングテープを貼り付けるとともに、先の保護テープを剥がす。最後に、ウエハの表面側からダイシングブレードでダイシングを実行するというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３３２２７１号公報
【特許文献２】米国特許公開２００３−２１５９８５号公報
【特許文献３】特開２００８−２９４２８７号公報
【特許文献４】米国特許公開２００８−２９３２２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ウエハの薄膜化が進行する中で、ウエハ表面へのデバイス形成プロセスがほぼ完了した時点で、ウエハの裏面の周辺部にリング状の肉厚の部分を残し、ウエハ裏面の内部をデバイスに要求される最終的な厚さ又はそれに近い厚さにした後、ウエハ裏面工程やダイシング工程に移行するプロセス技法（「ウエハ周辺リングプロセス」という）が開発されている。
【０００６】
このウエハ周辺リングプロセスにおいては、前記引用文献に開示されているように、周辺リングを残したまま、ダイシングを実行したり（先行ダイシング方式）、ウエハの裏面側から回転ブレード等により、周辺リングを切断分離した後、再度、残ったウエハをダイシングテープに張り替える等の複雑な処理（先行リング除去＆張替え方式）が提案されている。しかし、先行ダイシング方式では、周辺に肉厚の周辺リングがあるためにダイシング自体の実行が困難であり、先行リング除去＆張替え方式では、プロセスが複雑になるという問題があった。
【０００７】
本願発明は、これらの課題を解決するためになされたものである。
【０００８】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置の製造プロセスを提供することにある。
【０００９】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１１】
すなわち、本願の一つの発明は、ウエハ裏面の内部をデバイスに要求される最終的な厚さ又はそれに近い厚さにした後、ウエハ裏面工程やダイシング工程に移行するウエハ周辺リングプロセスにおいて、ウエハ周辺リング（円環状領域）およびその内部の円形リセス領域が形成されたウエハの裏面をその形状に沿うように、ダイシングテープに貼り付けた状態で、ウエハの表面側からウエハ周辺リングを切断することで、ウエハの内部領域及びダイシングテープからウエハ周辺リングを分離した後、その状態でダイシングテープ上に残ったウエハをダイシング処理することにより、個々のチップに分離するものである。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１３】
すなわち、ウエハ裏面の内部をデバイスに要求される最終的な厚さ又はそれに近い厚さにした後、ウエハ裏面工程やダイシング工程に移行するウエハ周辺リングプロセスにおいて、ウエハ周辺リング（円環状領域）およびその内部の円形リセス領域が形成されたウエハの裏面をその形状に沿うように、ダイシングテープに貼り付けた状態で、ウエハの表面側からウエハ周辺リングを切断することで、ウエハの内部領域及びダイシングテープからウエハ周辺リングを分離した後、その状態でダイシングテープ上に残ったウエハをダイシング処理することにより、個々のチップに分離するので、単純なプロセスにより、薄膜ウエハのダイシング処理を実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（ウエハ表面デバイス形成工程完了時点）を説明するためのウエハ上面図である。
【図２】図１のＸ’−Ｘ断面に対応するウエハ模式断面図（本願においては、図示の都合上、ウエハの厚さ方向を誇張して描いている。また、ウエハのベベル部は図示が複雑になるので垂直の側面で代用させている。）である。
【図３】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（表面保護テープ貼り付け時点）を説明するためのウエハ下面図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ’断面に対応するウエハ模式断面図である。
【図５】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（予備バックグラインディング工程）を説明するためのウエハ模式断面である。
【図６】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（円形リセス領域形成工程）を説明するためのウエハ下面図である。
【図７】図６のＸ−Ｘ’断面に対応するウエハ模式断面図である。
【図８】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（ストレスリリーフ工程）を説明するためのウエハ模式断面である。
【図９】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（保護テープ剥離工程）を説明するためのウエハ模式断面である。
【図１０】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（裏面メタル電極形成工程）を説明するためのウエハ模式断面である。
【図１１】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（真空容器中でのダイシングテープ貼り付け工程開始時点）を説明するためのウエハ模式断面である。
【図１２】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（真空容器中でのダイシングテープ貼り付け工程完了時点）を説明するためのウエハ模式断面である。
【図１３】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（リングカット工程開始時点）を説明するためのウエハ模式断面である。
【図１４】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（リングカット工程完了時点）を説明するためのウエハ上面図である。
【図１５】図１４のＸ’−Ｘ断面に対応するウエハ模式断面図である。
【図１６】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（円環状領域取り外し工程）を説明するためのウエハ模式断面である。
【図１７】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（ダイシング工程途中）を説明するためのウエハ上面図である。
【図１８】図１７のＸ’−Ｘ断面に対応するウエハ模式断面図（なお、図２と同様に上下方向の距離は誇張されて大きく描かれている）である。
【図１９】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（ダイシング工程完了時点）を説明するためのウエハ上面図である。
【図２０】図１９のＸ’−Ｘ断面に対応するウエハ模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
【００１６】
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ウエハの第１の主面側に複数の半導体チップ領域を形成する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記ウエハの前記第１の主面に保護テープを貼り付ける工程；
（ｃ）前記ウエハの前記第１の主面に前記保護テープが貼り付けられた状態で、前記ウエハの第２の主面側の周辺部に第１の厚さを有する円環状領域を形成し、前記第２の主面の内部領域に前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有する円形リセス領域を形成する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記保護テープを除去する工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記ウエハの前記第２の主面に金属膜を成膜する工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記ウエハの前記第２の主面に、その形状に倣うように、ダイシングテープを貼り付ける工程；
（ｇ）前記ウエハの前記第２の主面に前記ダイシングテープが貼り付けられた状態で、前記円環状領域を前記内部領域および前記ダイシングテープから分離する工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記ウエハの前記第２の主面に前記ダイシングテープが貼り付けられた状態で、前記ウエハに対して、ダイシング処理を実行することにより、前記複数の半導体チップ領域を個々の半導体チップに分離する工程。
【００１７】
２．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｈ）において、前記ダイシングテープの周辺部はダイシングフレームに固定されている。
【００１８】
３．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）から（ｈ）において、前記ダイシングテープの周辺部はダイシングフレームに固定されている。
【００１９】
４．前記１から３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）は、真空容器内で実行される。
【００２０】
５．前記１から４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｃ）は、前記ウエハの前記第２の主面を部分的にグラインディング処理を施すことによって実行される。
【００２１】
６．前記１から５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｇ）において、前記円環状領域の前記内部領域からの分離は、回転ブレードによって実行される。
【００２２】
７．前記１から６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｈ）における前記ダイシング処理は、回転ブレードによって実行される。
【００２３】
８．前記１から７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｅ）は、スパッタリング成膜によって実行される。
【００２４】
９．前記１から８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、更に、以下の工程を含む：
（ｉ）前記工程（ｃ）の後であって、前記工程（ｄ）の前に、前記ウエハの前記第２の主面に対して、ストレスリリーフ処理を施す工程。
【００２５】
１０．前記９項の半導体装置の製造方法において、ストレスリリーフ処理は、ウエットエッチング処理である。
【００２６】
〔本願における記載形式、基本的用語、用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００２７】
更に、本願において、「半導体装置」というときは、主に、各種トランジスタ（能動素子）などの単体デバイスや、これらを中心に、抵抗、コンデンサ等を半導体チップ等（たとえば単結晶シリコン基板）上に集積したものをいう。なお、単体といっても、実際は、微小な素子を複数集積したものもある。ここで、各種トランジスタの代表的なものとしては、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に代表されるＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を例示することができる。また、「ＭＯＳ」といっても、絶縁膜を酸化物に限定しているわけではない。
【００２８】
２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかに、そうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。
【００２９】
３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。
【００３０】
４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００３１】
５．「ウエハ」というときは、通常は半導体装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、ＳＯＩ基板、ＬＣＤガラス基板等の絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。
【００３２】
６．本願において、「パワー系半導体装置」とは、たとえば、パワーＭＯＳＦＥＴ，ＩＧＢＴ，ＬＤＭＯＳＦＥＴ（Ｌａｔｅｒａｌｌｙ  Ｄｉｆｆｕｓｅｄ  ＭＯＳＦＥＴ）、パワーダイオード等、および、これらのうち少なくとも一つを有する集積回路を指す。「パワーＭＯＳ系半導体装置」、「ＩＧＢＴ系半導体装置」、「ＬＤＭＯＳ系半導体装置」等についても同様である。
【００３３】
７．本願において、「ダイシング」または「ダイシング処理」というときは、回転ブレードによるものだけでなく、レーザ等による場合も含む。また、「レーザ等による場合」とは、レーザによる変質層の形成によるもの、レーザによるグルービングを利用するもの、および、これらと回転ブレードによるものとの組み合わせプロセスを含む。
【００３４】
〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００３５】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するために、ハッチングを付すことがある。
【００３６】
１．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセスの説明（主に図１から図２０）
ここでは、薄膜ウエハのハンドリングを中心に説明するため、具体的には、比較的耐圧の低いパワーＭＯＳＦＥＴを想定したウエハプロセスを例にとって説明するが、以下の工程は、より耐圧の高いパワーＭＯＳＦＥＴ等に適用できることは言うまでもない。また、以下のプロセスは、パワーＭＯＳＦＥＴに限らず、ＩＧＢＴ，バイポーラパワートランジスタ、パワーダイオードその他のパワー系半導体装置にも適用できることは言うまでもない。
【００３７】
図１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（ウエハ表面デバイス形成工程完了時点）を説明するためのウエハ上面図である。図２は図１のＸ’−Ｘ断面に対応するウエハ模式断面図である。図３は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（表面保護テープ貼り付け時点）を説明するためのウエハ下面図である。図４は図３のＸ−Ｘ’断面に対応するウエハ模式断面図である。図５は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（予備バックグラインディング工程）を説明するためのウエハ模式断面である。図６は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（円形リセス領域形成工程）を説明するためのウエハ下面図である。図７は図６のＸ−Ｘ’断面に対応するウエハ模式断面図である。図８は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（ストレスリリーフ工程）を説明するためのウエハ模式断面である。図９は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（保護テープ剥離工程）を説明するためのウエハ模式断面である。図１０は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（裏面メタル電極形成工程）を説明するためのウエハ模式断面である。図１１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（真空容器中でのダイシングテープ貼り付け工程開始時点）を説明するためのウエハ模式断面である。図１２は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（真空容器中でのダイシングテープ貼り付け工程完了時点）を説明するためのウエハ模式断面である。図１３は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（リングカット工程開始時点）を説明するためのウエハ模式断面である。図１４は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（リングカット工程完了時点）を説明するためのウエハ上面図である。図１５は図１４のＸ’−Ｘ断面に対応するウエハ模式断面図である。図１６は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（円環状領域取り外し工程）を説明するためのウエハ模式断面である。図１７は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（ダイシング工程途中）を説明するためのウエハ上面図である。図１８は図１７のＸ’−Ｘ断面に対応するウエハ模式断面図である。図１９は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセス（ダイシング工程完了時点）を説明するためのウエハ上面図である。図２０は図１９のＸ’−Ｘ断面に対応するウエハ模式断面図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ処理プロセスを説明する。
【００３８】
ここでは、２００ファイのＮ−型エピタキシャルウエハ１（Ｎ＋型単結晶シリコンウエハにＮ−型シリコンエピタキシャル層を形成したもの）を原材料ウエハ（ウエハ厚は、たとえば５００から９００マイクロメータ程度）として使用する例を想定して説明するが、ウエハの径は３００ファイでも４５０ファイでも、その他でもよい。また、必要があれば、Ｐ型エピタキシャルウエハ、シリコン系以外の半導体ウエハ又は基板であってもよい。なお、ウエハの厚さ（初期ウエハ厚さ）については、任意であるが、個々では、説明の都合上、たとえば、７２５マイクロメートル程度とする。
【００３９】
ウエハ表面プロセスがほぼ完成したウエハ１を図１に示す。図１に示すように、ウエハ１は、ノッチ３を有するほぼ円形を呈しており、その表側主面１ａ（第１の主面）の内部領域には、複数のチップ領域２が形成されている。
【００４０】
次に、図１のＸ’−Ｘ断面を図２に示す。図２に示すように、この段階では、ウエハ１の裏側主面１ｂ（第２の主面）には、（図示しない不純物領域等を除き）何も形成されていないが、ウエハ１の表側主面１ａ（第１の主面）には、たとえば、ソース領域、ゲート電極、ソース電極等の半導体素子主要部４が各半導体チップ領域２（半導体チップ）に対応して設けられている。
【００４１】
次に、表面保護テープ貼り付け工程を説明する。表面保護テープ５（表面保護粘着シート）を貼り付けた状態のウエハ１を図３（破線は表側主面１ａ上の半導体チップ領域２である）及び図４（図３のＸ−Ｘ’断面である）に示す。図３に示すように、図１と同様に、基本的に何も形成されていない。一方、ウエハ１の表側主面１ａには、図４に示すように、そのほぼ全表面を覆うように、片面粘着テープ５（表面保護テープ）が貼り付けられている。
【００４２】
次に、予備バックグラインディング工程に移る。この工程では、図５に示すように、ウエハ１の表側主面１ａに表面保護テープ５（表面保護粘着シート）を貼り付けた状態で、研削刃５２、研削刃保持板５３等からなるグラインディングホイール５１を加圧状態で相対的に回転および平行移動させることによって、ウエハ１の裏面１ｂ（通常、ウエハも自転している）を全面的に均一にバックグラインディング処理（「全面バックグラインディング処理」という）し、研削目標厚さ６にまでウエハ厚さを減少させる。この、研削目標厚さ６も、必要に応じて変更可能であるが、ここでは、たとえば、６５０マイクロメートル程度とする。すなわち、この例では、削り量は、７５マイクロメートル程度となる。なお、この工程は、初期ウエハ厚さによっては不要となる。
【００４３】
次に、ウエハ内部領域薄膜化処理工程（「ウエハ部分薄膜化処理」または「部分バックグラインディング処理」という）に移る。図６及び図７に示すように、ウエハ１の裏面１ｂの周辺に円環状領域７（ウエハ周辺領域）を残して、ウエハ内部領域８（ほぼ全ての半導体チップ領域２を含むほぼ円形の領域）をウエハ１の裏面から先と同様なグラインディングホイール５１を加圧状態で相対的に回転および平行移動（先と同様に、通常、ウエハも自転させている）させることによって、部分バックグラインディング処理を施す。これにより、ウエハ内部領域８を円形リセス領域８とするとともに、ウエハ１の周辺部に肉厚の円環状領域７を残す。部分バックグラインディング処理が完了した時点での円形リセス領域８（ウエハ内部領域）の厚さは、任意であるが、ここでは、たとえば、５０マイクロメートル程度（これは第２の厚さである。範囲としては、２０から２００マイクロメートル）とする。従って、ここでの削り量は、６００マイクロメートル程度となる。また、部分バックグラインディング処理が完了した時点での円環状領域７の厚さ（第１の厚さ）は、この例では、６５０マイクロメートル程度であり、その幅は、比較的任意であるが、たとえば、ベベル部の幅を除いて２．５ミリメートル程度（好適な範囲としては、たとえば、２００ファイの場合は１．５から７ミリメートル程度を例示することができる）である。
【００４４】
次に、主に部分バックグラインディング処理によって、ウエハ１の裏面１ｂに形成された変質層を除去するために、ウエハ１の裏面１ｂに対してストレスリリーフ処理を実行する。このストレスリリーフ処理は、たとえば、図８に示すように、表面保護テープ５が貼り付けられたウエハ１の表側主面１ａをスピンテーブル５４に吸着した状態で、回転させ、その状態で、ウエハ１の裏側主面１ｂ、すなわち、円形リセス領域８の表面に、ノズル５５等から薬液５６（シリコンエッチング液）を供給することによって行われる。なお、ストレスリリーフ処理は、ウエットエッチングに限らず、ドライポリッシュやＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等のその他の方法でもよい。なお、シリコンエッチング液としては、たとえば弗酸と硝酸の混酸等を例示することができる。このウエットエッチングの際のエッチング量としては、０．５から３マイクロメートル程度、望ましくは、１から２マイクロメートル程度を例示することができる。
【００４５】
次に、図９に示すように、表面保護テープ５（表面保護粘着シート）をウエハ１の表側主面１ａから剥離（除去）する。これは、後の裏面処理が、摂氏数百度程度以上における熱処理を伴うからである。
【００４６】
次に、図１０に示すように、裏面金属電極９（たとえば、ウエハに近い層から、チタン膜/ニッケル膜/金膜などを例示することができる）の成膜工程が、スパッタリング成膜等により実行される。このスパッタリング成膜等の際には、部分薄膜化されたウエハ１は、たとえば、耐熱性のリング状サセプタ５７（材料としては、たとえば、石英、耐熱金属、その他耐熱性のセラミックスなど）に収容された状態で、処理されるようにすれば、ハンドリングが容易である。この際、ウエハ１には、肉厚の円環状領域７があるので、その形状を維持することができる。なお、スパッタリング成膜処理装置のウエハステージ等に留意すれば、このようなサセプタを使用しないでも、処理可能である。ただし、装置構造が複雑となる恐れがある。また、ウエハ１の裏面１ｂに耐熱性の補強板を貼り付けて処理しても良いが、この場合は、工程が複雑になるほか、補強板材料が高価である。
【００４７】
この裏面金属電極の成膜工程の後（ダイシング工程の前）に、ウエハプローブテストを必要に応じて実行する。また、必要があれば、ウエハプローブテストは、全面バックグラインディング処理とウエハ部分薄膜化処理の間に実行してもよい。ただし、裏面金属電極の成膜工程の後の方が、裏面金属電極が測定に利用できる分、測定精度が高い。
【００４８】
次に、図１１に示すように、真空容器５９内でダイシングテープ６３（この場合、ダイシングテープの周辺部は、たとえば、ほぼ円環状のダイシングフレーム６２に予め、粘着固定されている。なお、後で固定しても良い）へのウエハ１の裏面１ｂの貼り付けを実行する。この場合、ダイシングテープ６３（片側粘着テープ）は、ウエハ１の裏面１ｂとの間にほぼ間隙を作らないように、その形状に倣って粘着（接着）させる必要がある。従って、第１段階として、図１１に示すように、ウエハ表面保護ステージ５８上（ウエハの表面を傷つけたり汚染したりしないように、たとえば、フルオロカーボン系の樹脂等で形成した表面を有するウエハステージが好適である。なお、ウエハ１の表面１ａに保護テープを再度貼り付けても良いが、その場合は工程が複雑となる）に、ウエハ１を下向きに保持し、その上にダイシングフレーム６２付のダイシングテープ６３を乗せた状態で、オーリング６０で封じられた真空容器５９内に収容して、真空排気孔６１から排気することによって真空状態とする。なお、ダイシングテープ６３としては、たとえば、９０マイクロメートル程度の厚さのＵＶ硬化型テープを例示することができる。また、ダイシングフレーム６２としては、たとえば、ステンレス製の厚さ１．２ミリメートル程度、内径（内部の円形開口の直径）２５０ミリメートル程度の物を例示することができる。
【００４９】
次に図１２に示すように、大気開放すると、円形リセス領域８、円環状領域７、およびダイシングテープ６３で囲まれた空間のみが、真空のままとなるので、ダイシングテープ６３は伸張して、ウエハ１の裏面形状に倣って、密着する（円形リセス領域８と円環状領域７の段差は、この場合は、僅か、０．６ミリメートル程度である）。
【００５０】
ウエハ１の裏面へのダイシングテープ６３の貼り付けが完了すると、ウエハ１、ダイシングテープ６３およびダイシングフレーム６２等からなるウエハ等複合体を真空容器５９から取り出して、次のリングカット工程（円環状領域切断工程）に移る。
【００５１】
図１３に示すように、たとえばウエハ裏面保持テーブル６５（真空吸着テーブル）上に、ウエハ等複合体をセットした状態で、ウエハ１の表側主面１ａ側から、回転ブレード６４により、円環状領域７と円形リセス領域８の円周状境界に沿って、切断する。
【００５２】
すなわち、図１４及び図１５に示すように、円環状領域７と円形リセス領域８の円周状境界に沿って、切断することにより円形分離溝１０を形成する。このことによって、円環状領域７と円形リセス領域８とが物理的に分離されることとなった。
【００５３】
次に、図１６に示すように、円環状領域７をダイシングテープ６３から分離することによって、円環状領域７をウエハ等複合体から分離する。このことによって、ウエハ等複合体には、円形リセス領域８（ウエハ内部領域）、ダイシングテープ６３およびダイシングフレーム６２のみが残ることとなる。以後、円形リセス領域８（ウエハ内部領域）が実質的にウエハ１となる。
【００５４】
次に、図１７及び図１８に示すように、ウエハ１の裏面１ｂがダイシングテープ６３に貼り付けられた状態で（ウエハ１はダイシングテープ６３を介してダイシングフレーム６２に保持されている）、たとえば、先ずＹ方向の回転ブレード６４によるダイシング処理が行われ、ダイシング溝１１が形成される。ここで、図１６の段階では、ダイシングテープ６３に若干たるみが残っているが、ダイシングの際には、若干、ダイシングフレーム６２が下方に押し下げられる結果、たるみは解消する。通常、ダイシング方式としては、粘着剤層を含むダイシングテープ６３の一部まで達する切り込み深さを有するフルカット方式で実行される。しかし、必要に応じて、その他のセミフルカット方式でもハーフカット方式でもよい。ただし、フルカット方式がチッピングの少なさおよびピックアップのし易さ等の点でもっとも有利である。
【００５５】
次に、図１９及び図２０に示すように、ウエハ１の裏面１ｂがダイシングテープ６３に貼り付けられた状態で（ウエハ１はダイシングテープ６３を介してダイシングフレーム６２に保持されている）、Ｘ方向の回転ブレード６４によるダイシング処理が行われ、更にＸ方向ダイシング溝１１が形成される。
【００５６】
これにより、複数の半導体チップ領域が、個々の半導体チップに分離されたことになる。
【００５７】
２．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５８】
例えば、前記実施の形態においては、主にパワー系半導体装置を例にとり、具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、一般の半導体集積回路装置（裏面メタル電極のないものを含む）にも、ほぼ同様に適用できることは言うまでもない。
【００５９】
また、前記実施の形態においては、ダイシングの例として、主に回転ブレードダイシングを例にとり具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、レーザを用いたダイシングにも同様に適用できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００６０】
１  ウエハ
１ａ  ウエハの第１の主面（表側主面）
１ｂ  ウエハの第２の主面（裏側主面）
２  半導体チップ領域（半導体チップ）
３  ノッチ
４  半導体素子主要部
５  表面保護テープ（表面保護粘着シート）
６  研削目標厚さ
７  ウエハ周辺領域（円環状領域）
８  ウエハ内部領域（円形リセス領域）
９  裏面メタル電極
１０  円形分離溝
１１  ダイシング溝
５１  グラインディングホイール
５２  研削刃
５３  研削刃保持板
５４  スピンテーブル
５５  薬液ノズル
５６  エッチング液
５７  リング状サセプタ
５８  ウエハ表面保護ステージ
５９  真空容器
６０  オーリング
６１  真空排気孔
６２  ダイシングフレーム
６３  ダイシングテープ
６４  回転ブレード
６５  ウエハ裏面保持テーブル
６６  ダイシングテーブル
【図１】
2011222843.tif 000003
【図２】
2011222843.tif 000004
【図３】
2011222843.tif 000005
【図４】
2011222843.tif 000006
【図５】
2011222843.tif 000007
【図６】
2011222843.tif 000008
【図７】
2011222843.tif 000009
【図８】
2011222843.tif 000010
【図９】
2011222843.tif 000011
【図１０】
2011222843.tif 000012
【図１１】
2011222843.tif 000013
【図１２】
2011222843.tif 000014
【図１３】
2011222843.tif 000015
【図１４】
2011222843.tif 000016
【図１５】
2011222843.tif 000017
【図１６】
2011222843.tif 000018
【図１７】
2011222843.tif 000019
【図１８】
2011222843.tif 000020
【図１９】
2011222843.tif 000021
【図２０】
2011222843.tif 000022