(57)【要約】【課題】透明導電層を良好に形成することができると共に、透明導電層の下地へのダメージを低減することができる太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】酸化物系透明導電膜の形成材料を備えた円筒型のターゲット５０にスパッタ電圧を印加しつつターゲット５０の表面に平行磁場を発生させて、平行磁場の平均値を６００ガウス以上にしてスパッタを行うことで透明導電層を形成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物系透明導電膜からなる透明導電層を有する太陽電池の製造方法であって、
前記酸化物系透明導電膜の形成材料を備えた円筒型のターゲットにスパッタ電圧を印加しつつ前記ターゲットの表面に平行磁場を発生させて、前記平行磁場の平均値を６００ガウス以上にしてスパッタを行うことで前記透明導電層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記酸化物系透明導電膜が、ＺｎＯを基本構成元素とする材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記酸化物系透明導電膜が、Ｉｎを含む酸化物からなる材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記酸化物系透明導電膜の材料としてＧＺＯを用いたことを特徴とする請求項２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記酸化物系透明導電膜の材料としてＡＺＯを用いたことを特徴とする請求項２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記酸化物系透明導電膜の材料としてＩｎ２Ｏ３を用いたことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記酸化物系透明導電膜の材料としてＩＴＯを用いたことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記透明導電層が、光入射側とは反対面側に設けられて電力取出し電極として機能する裏面電極と光発電セルとの間に配置されたバッファ層であることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、太陽電池の電極の材料として、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）等の透明電極材料が用いられている。またＩＴＯの原料となるインジウム（Ｉｎ）は希少金属であり、今後は入手困難によるコスト上昇が予想される。このため、透明導電層の材料としては、ＩＴＯの他にも、豊富かつ安価なＺｎＯ系材料なども注目されてきている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ＺｎＯ系材料は、大型基板への均一成膜が可能なスパッタリングに適しており、成膜装置においてＩＴＯ等のＩｎ２Ｏ３系材料のターゲットをＺｎＯ系材料のターゲットに変更することで比較的簡単に成膜することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−８７８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
太陽電池の構成としては、詳しくは後述するが、例えば、表面を構成するガラス基板上に、上部電極、光発電セル、バッファ層及び裏面電極が順次積層されたものが知られている。
【０００６】
このような太陽電池を構成する透明導電層、例えば、バッファ層も、マグネトロンスパッタ法等よって比較的簡単に成膜することが可能である。しかしながら、プラズマにより励起された負イオンが加速され、この負イオンによって下地となるボトムセルにダメージが発生して太陽電池の変換効率が低下してしまう虞がある。
【０００７】
またボトムセルを透過した光を裏面電極で反射させてボトムセルに再入射させて発電に寄与させるため、バッファ層には高い光透過率が要求されている。また同様の問題は、例えば、上部電極等、バッファ層以外の透明導電層においても存在する。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、透明導電層を良好に形成することができると共に、透明導電層の下地へのダメージを低減することができる太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、酸化物系透明導電膜からなる透明導電層を有する太陽電池の製造方法であって、前記酸化物系透明導電膜の形成材料を備えた円筒型のターゲットにスパッタ電圧を印加しつつ前記ターゲットの表面に平行磁場を発生させて、前記平行磁場の平均値を６００ガウス以上にしてスパッタを行うことで前記透明導電層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法にある。
【００１０】
かかる第１の態様では、円筒型のターゲットを備えるスパッタ装置を用いて透明導電層を形成することで、膜質に優れた透明導電層を形成することができ、太陽電池の変換効率が高まる。
【００１１】
本発明の第２の態様は、前記酸化物系透明導電膜が、ＺｎＯを基本構成元素とする材料で形成されていることを特徴とする第１の態様の太陽電池の製造方法にある。
【００１２】
本発明の第３の態様は、前記酸化物系透明導電膜が、Ｉｎを含む酸化物からなる材料で形成されていることを特徴とする第１の態様の太陽電池の製造方法にある。
【００１３】
かかる第２又は３の態様では、透明導電層の膜質をより確実に向上させることができる。
【００１４】
本発明の第４の態様は、前記酸化物系透明導電膜の材料としてＧＺＯを用いたことを特徴とする第２の態様の太陽電池の製造方法にある。
【００１５】
本発明の第５の態様は、前記酸化物系透明導電膜の材料としてＡＺＯを用いたことを特徴とする第２の態様の太陽電池の製造方法にある。
【００１６】
本発明の第６の態様は、前記酸化物系透明導電膜の材料としてＩｎ２Ｏ３を用いたことを特徴とする第３の態様の太陽電池の製造方法にある。
【００１７】
本発明の第７の態様は、前記酸化物系透明導電膜の材料としてＩＴＯを用いたことを特徴とする第３の態様の太陽電池の製造方法にある。
【００１８】
かかる第４〜７の態様では、透明導電層の膜質をより確実に向上させることができる。例えば、酸化物系透明導電膜の材料としてＧＺＯを用いた場合、特に、隣接する膜とのコンタクト性が向上する。
【００１９】
本発明の第８の態様は、前記透明導電層が、光入射側とは反対面側に設けられて電力取出し電極として機能する裏面電極と光発電セルとの間に配置されたバッファ層であることを特徴とする第１〜７の何れか一つの態様の太陽電池の製造方法にある。
【００２０】
かかる第８の態様では、膜質に優れたバッファ層が形成されることで、太陽光が裏面電極で良好に反射するようになり、太陽電池の変換効率がさらに高まる。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように本発明によれば、膜質に優れた透明導電層、例えば、バッファ層を形成することができ、また透明導電層の下地へのダメージを低減することができる。これにより、太陽電池の変換効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態に係る太陽電池の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るマグネトロンスパッタ装置の概略構成図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る成膜室の概略構成を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るスパッタカソード機構を示す概略斜視図である。
【図５】水平磁場強度とＧＺＯ膜の比抵抗との関係を示すグラフである。
【図６】水平磁場強度とＡＺＯ膜の比抵抗との関係を示すグラフである。
【図７】水平磁場強度とＩＴＯ膜の比抵抗との関係を示すグラフである。
【図８】水平磁場強度とフィルファクタ（ＦＦ）との関係を示すグラフである。
【図９】水平磁場強度と太陽電池の変換効率との関係を示すグラフである。
【図１０】マグネトロンスパッタ装置の変形例を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の一実施形態に係る太陽電池の製造方法について図面を参照して詳細に説明する。まずは、太陽電池の構成について説明する。図１は、太陽電池の概略構成を示す図である。
【００２４】
図１に示すように、太陽電池１０は、表面を構成するガラス基板１１と、ガラス基板１１上に積層される透明導電層である上部電極１２と、アモルファスシリコンで構成された光発電セル１３と、酸化物系透明導電膜からなる透明導電層であるバッファ層１４と、金属膜からなる裏面電極１５とで構成されている。つまり、太陽電池１０は、シングル接合型の太陽電池となっている。
【００２５】
光発電セル１３は、ｐ層（１３ｐ）と、ｉ層（１３ｉ）と、ｎ層（１３ｎ）との三層で構成されており、このうちｉ層（１３ｉ）がアモルファスシリコンで形成されている。
【００２６】
このような構成の太陽電池１０は、太陽光がｉ層１３ｉに当たると、光起電力効果により、電子と正孔とが発生し、電子はｎ層に向かって移動し、正孔はｐ層に向かって移動する。この光起電力効果により発生した電子を上部電極１２と裏面電極１５とによって取り出して、光エネルギーを電気エネルギーに変換する。
【００２７】
なおガラス基板１１側から入射した太陽光は、ガラス基板１１上に積層された各層を通過して裏面電極１５で反射される。このため太陽電池１０には、光エネルギーの変換効率を向上させるために、上部電極１２に入射した太陽光の光路を伸ばすプリズム効果と光の閉じ込め効果を目的としたテクスチャ構造が採用されている。
【００２８】
ここで、このような太陽電池１０を構成するバッファ層（透明導電層）１４は、後述するマグネトロンスパッタ装置を用いて形成された酸化物系透明導電膜からなる。この透明導電膜は、例えば、酸化亜鉛にガリウムを添加したＧＺＯ、酸化亜鉛にアルミニウムを添加したＡＺＯ等のＺｎＯ系の酸化膜で形成されていることが好ましい。あるいは透明導電膜は、インジウム（Ｉｎ）を含む酸化粒からなる材料、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）や、酸化インジウムに錫を添加したＩＴＯ膜等で形成されていることが好ましい。なお本実施形態では、上部電極１２もバッファ層１４と同一の酸化物系透明電極膜で形成されている。
【００２９】
ガラス基板１１上に上部電極１２と光発電セル１３とを積層形成し、透明導電層であるバッファ層１４をマグネトロンスパッタ装置によって形成する際には、プラズマにより励起された負イオンが加速され、その負イオンによってバッファ層１４の下地となる光発電セル１３がダメージを受け、太陽電池１０の変換効率が低下してしまう虞がある。
【００３０】
そこで本実施形態では、太陽電池１０を製造する際に、以下に説明する方法で透明導電層であるバッファ層１４を形成するようにした。これにより、下地である光発電セル１３のダメージを抑制しつつ、良好な膜質のバッファ層１４を形成することができる。
【００３１】
以下、太陽電池１０の製造方法、特に、バッファ層１４の形成方法について説明する。まずはバッファ層１４の形成等に用いられるマグネトロンスパッタ装置の構成について説明する。図２は、マグネトロンスパッタ装置の概略構成図である。
【００３２】
図２に示すように、マグネトロンスパッタ装置３０は、例えば、インライン式の装置であり、仕込み室３１と、成膜室３２と、取出し室３３とを順に備えている。仕込み室３１及び取出し室３３には、ロータリーポンプ等の粗引き排気手段３１ｐ，３３ｐがそれぞれ接続され、成膜室３２には、ターボ分子ポンプ等の高真空排気手段３２ｐが接続されている。このスパッタ装置３０では、基板Ｓを縦型に支持して仕込み室３１に搬入し、粗引き排気手段３１ｐで仕込み室３１を排気する。次に、高真空排気手段３２ｐで高真空排気した成膜室３２内に基板Ｓを搬送して成膜処理を行う。成膜後の基板Ｓは、粗引き排気手段３３ｐで排気した取出し室３３から外部に搬出する。
【００３３】
成膜室３２には、Ａｒ等のスパッタリングガスを供給するガス供給手段３４が接続されている。このガス供給手段３４からは、例えば、Ｏ２等の反応ガスを供給することも可能である。また成膜室３２内には、縦型のスパッタカソード機構４０が設置されている。
【００３４】
図３は、成膜室内の概略構成を示す図である。図３に示すように、成膜室３２の一方の側面には、基板Ｓを加熱するヒータ３５が配置されている。スパッタカソード機構４０は、成膜室３２の幅方向における他方の側面に配置されている。スパッタカソード機構４０は、回転軸４１に対して回転可能に支持された円筒状のターゲット５０と、ターゲット５０の内部に配される磁気回路６０とを備えている。またスパッタカソード機構４０は、ターゲット５０に電力を供給するＤＣ電源４２を備える。
【００３５】
ターゲット５０は、金属製のバッキングチューブ５１の外周面に所定の材料からなるターゲット層５２を均一に形成したものである。磁気回路６０は、ターゲット層５２の表面に水平磁場（ターゲット層５２の表面に対して略平行な方向の磁場）を発生させるためのものである。磁気回路６０の構成は、特に限定されないが、本実施形態では、先端側の極性が相互に異なる第１磁石６１と第２磁石６２とを備えている。
【００３６】
図４は、スパッタカソード機構の概略斜視図である。図４に示すように、スパッタカソード機構４０を構成する磁気回路６０は、ターゲット５０の内部に配されている。第１磁石６１は、回転軸４１に沿って直線状に配置され、第２磁石６２は、第１磁石６１の周縁部から所定距離をおいて額縁状に配置されている。これら第１磁石６１と第２磁石６２とがヨーク６３に装着されて、磁気回路６０が構成されている。
【００３７】
また図３に示すように、極性が異なる第１磁石６１と第２磁石６２とにより、磁場が発生する。これにより、第１磁石６１と第２磁石６２との間におけるターゲット層５２の表面において、垂直磁場（ターゲット層５２の表面に対して略直交する方向の磁場）が０となる位置、すなわち平行磁場が最大となる位置５５が発生する。この位置５５では、電子が磁場により最も捕捉されて高密度プラズマが生成することで、成膜速度を向上し得るようになっている。
【００３８】
なお成膜室３２内には、基板Ｓを縦型に支持した状態で搬送する搬送手段（図示なし）が設けられており、基板Ｓは、この搬送手段によってスパッタカソード機構４０に対向して搬送されるようになっている。そして、基板Ｓがスパッタカソード機構４０の前を通過する過程で、スパッタカソード機構４０によって基板Ｓ上に薄膜が形成されることになる。
【００３９】
太陽電池１０の製造手順としては、まず基板Ｓに上部電極１２を形成する。この上部電極１２は、後述するバッファ層１４の形成方法と略同一の方法により形成する。次いで、上部電極１２上に光発電セル１３を形成した後、上述したマグネトロンスパッタ装置３０を用いて、この光発電セル１３上にバッファ層１４を形成する。
【００４０】
具体的には、上部電極１２、光発電セル１３が形成されたガラス基板１１を成膜室３２に搬入し、必要に応じてヒータ３５でガラス基板１１を加熱する。なおヒータ３５によりガラス基板１１を加熱する場合は、２００℃以下に加熱することが好ましい。光発電セル１３の耐熱性を考慮したためである。また高真空排気手段３２ｐにより成膜室３２を高真空排気し、ガス供給手段３４からスパッタガスとしてＡｒガスを導入し、成膜室３２の圧力を２〜１０ｍＴｏｒｒに維持する。この状態で、円筒型のターゲット５０を回転させながら、ＤＣ電源４２によりターゲット５０に電力密度１〜８ｗ／ｃｍ２の電力を投入する。また磁気回路６０によってターゲット５０の表面に平行磁場を発生させる。なお磁場強度の大きさは、特に限定されないが、上記の位置５５における水平磁場強度の平均値が６００ガウス以上であることが好ましい。
【００４１】
これにより、上述したように成膜室３２内でプラズマにより励起されたスパッタガスのイオンが、ターゲット層５２に衝突して原子を飛び出させる。飛び出した原子が光発電セル１３上に付着することによって透明導電層であるバッファ層１４が形成される。なお加熱成膜を行うため成膜後のアニール処理を行わないが、成膜後のアニール処理を行ってもよい。
【００４２】
その後、バッファ層１４上に、ＡｇやＡｌなどの金属膜からなる裏面電極１５を形成することで太陽電池１０が製造される。
【００４３】
このような太陽電池１０の製造において、本実施形態では上述したように、円筒型のターゲット５０を備えるマグネトロンスパッタ装置３０によって透明導電層であるバッファ層１４を形成するようにした。すなわち、回転する円筒型のターゲット５０に対してスパッタ電圧を印加しつつ、磁気回路６０によってターゲット層５２の表面に平行磁場を発生させてスパッタすることにより光発電セル１３上にバッファ層１４を形成するようにした。
【００４４】
これにより良好な膜質のバッファ層１４を形成することができる。具体的には、バッファ層１４と隣接する膜とのコンタクト性が向上し、それに伴って太陽電池１０の変換効率が向上する。またバッファ層１４がＧＺＯ膜からなることで、バッファ層１４のコンタクト性がさらに向上する。
【００４５】
また結晶格子の整ったバッファ層１４を形成することができるため、バッファ層１４の比抵抗を低下させることができる。比抵抗が低くなることで、バッファ層１４の膜厚を、例えば、５０ｎｍ程度に薄くすることもできる。これによりバッファ層１４の光透過性が向上し、それに伴って太陽電池１０の変換効率がさらに向上する。また膜厚が薄くなることで製造コストを低減することもできる。
【００４６】
さらに本実施形態では、上述のように透明電極層である上部電極１２は、バッファ層１４の形成方法と略同一の方法により形成しているため、上部電極１２の膜質も向上している。
【００４７】
ここで、一般的に太陽電池を構成するＧＺＯ膜の膜質の判断の目安として、比抵抗が考えられる。太陽電池中で発生したキャリア電流の損失を防ぐためには、比抵抗は比較的低い値であることが好ましい。
【００４８】
本願の発明者は、ＧＺＯ膜を形成する際の水平磁場強度の平均値（以下、単に「水平磁場強度」という）と、ＧＺＯ膜の比抵抗との関係を調べた。具体的には、水平磁場強度を変化させた以外は、他の条件を一定としてＧＺＯ膜を形成したときの比抵抗の変化を調べた。図５は、その結果を示すグラフである。この図から分かるように、ＧＺＯ膜の比抵抗は、水平磁場強度が６００ガウス程度に達するまでは水平磁場強度の上昇に伴って５００μΩｃｍ程度まで低下し、その後安定する。この結果から、ＧＺＯ膜からなるバッファ層１４を形成する際の水平磁場強度も、比抵抗が低く安定する６００ガウス以上であることが好ましいと考えられる。
【００４９】
また上述したようにバッファ層１４等を構成する酸化物系透明導電膜としては、ＧＺＯ膜の他、例えば、ＡＺＯ膜や、ＩＴＯ膜等も好適に用いられる。これらＡＺＯ膜やＩＴＯ膜の膜質の判断目安としても、ＧＺＯ膜と同様に比抵抗が考えられる。そこで本願の発明者は、ＡＺＯ膜を形成する際の水平磁場強度とＡＺＯ膜の比抵抗との関係、及びＩＴＯ膜を形成する際の水平磁場強度とＩＴＯ膜の比抵抗との関係、を調べた。図６は、ＡＺＯ膜の結果を示すグラフであり、図７は、ＩＴＯ膜の結果を示すグラフである。
【００５０】
図６から分かるように、ＡＺＯ膜の比抵抗は、水平磁場強度が６００ガウス程度に達するまでは水平磁場強度の上昇に伴って４５０μΩｃｍ程度まで低下し、その後安定する。また図７から分かるように、ＩＴＯ膜の比抵抗は、水平磁場強度が６００ガウス程度に達するまでは水平磁場強度の上昇に伴って２００μΩｃｍ程度まで低下し、その後安定する。これらの結果から、ＡＺＯ膜又はＩＴＯ膜からなるバッファ層１４を形成する際の水平磁場強度も、比抵抗が低く安定する６００ガウス以上であることが好ましいと考えられる。
【００５１】
さらに本願の発明者は、ＧＺＯ膜を形成する際の水平磁場強度とフィルファクタ（ＦＦ）との関係についても調べた。すなわち、水平磁場強度を変化させた以外は、他の条件を一定としてＧＺＯ膜を形成したときのＦＦの変化を調べた。図８は、その結果を示すグラフである。この図から分かるように、ＧＺＯ膜のＦＦは、水平磁場強度が６００ガウス程度に達するまでは水平磁場強度の上昇に伴って０．７程度まで上昇し、その後安定する。そして、この結果からも、ＧＺＯ膜からなるバッファ層１４を形成する際の水平磁場強度は、ＦＦが高い値に安定する６００ガウス以上であることが好ましいと考えられる。
【００５２】
また本願の発明者は、上述したマグネトロンスパッタ装置３０によってバッファ層１４を形成する際の水平磁場強度の平均値と、太陽電池の変換効率との関係についても調べた。図９は、その結果を示すグラフである。この図から分かるように、太陽電池１０の変換効率は、水平磁場強度が６００ガウス程度に達するまでは水平磁場強度の上昇に伴って８．０％程度まで上昇し、その後安定する。上述の結果の場合と同様に、この結果からも、バッファ層１４を形成する際の水平磁場強度は、変換効率が高い値に安定する６００ガウス以上であることが好ましいことが確認された。
【００５３】
以上のように、ＧＺＯ膜からなるバッファ層１４を形成する際の水平磁場強度の平均値が６００ガウス以上となるようにすることで、膜質に優れたバッファ層１４を形成することができ、太陽電池の変換効率を向上することができる。またＡＺＯ膜やＩＴＯ膜からなるバッファ層１４を形成する際も同様に、水平磁場強度の平均値を６００ガウス以上となるようにすることで、膜質に優れたバッファ層１４を形成することができる。
【００５４】
また本発明では、円筒型のターゲット５０を備えるマグネトロンスパッタ装置３０によってバッファ層１４を形成するようにしているため、次のような効果も得られる。ＧＺＯ膜からなるバッファ層１４のように、酸化物系透明電極膜からなる透明導電層をスパッタ法で形成する場合、ターゲット表面にノジュールと呼ばれる黒色の酸化物が発生し、ターゲット上での異常放電や膜中への異物の混入などの問題を引き起こすことが知られている。円筒型のターゲット５０を備えるマグネトロンスパッタ装置３０では、従来の平板型のターゲットを備える装置に比べてノジュールの発生を大幅に低減することができる。したがって、長時間の連続生産が可能となり、製造コストの削減を図ることができる。
【００５５】
また円筒型のターゲット５０は、平板型のターゲットに比べて非エロージョン領域を大幅に減少させることができる。さらにターゲットの使用効率を向上させることで、投入パワーを増大させスループットの向上を図ることもできる。
【００５６】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明は、その目的を逸脱しない範囲内において、適宜変更することができるものである。
【００５７】
例えば、ＧＺＯ膜からなるバッファ層１４を形成する際に、成膜室３２内にＯ２ガスを供給するようにしてもよい。これにより、酸素リッチなＧＺＯ膜となり、バッファ層１４の光透過率がさらに向上する。
【００５８】
また例えば、上述の実施形態では、磁気回路６０がターゲット５０内に固定されている例を説明したが、磁気回路６０は回転軸４１を中心として揺動可能に設けられていてもよい。
【００５９】
また例えば、上述の実施形態では、インライン方式のスパッタ装置３０を例示して本発明を説明したが、例えば、このスパッタ装置は、インターバック方式のものであってもよい。具体的には、図１０に示すように、インターバック式のスパッタ装置３０Ａは、仕込み／取出し室３１Ａと、スパッタカソード機構４０等が設けられた成膜室３２とを備えている。このスパッタ装置３０Ａでは、基板を縦型に支持して仕込み／取出し室３１Ａに搬入し、粗引き排気手段３１Ａｐで仕込み／取出し室３１Ａを排気する。次に、高真空排気手段３２ｐで高真空排気した成膜室３２に基板Ｓを搬送し、スパッタカソード機構４０等により成膜処理を行う。成膜後の基板Ｓは、再び、仕込み／取出し室３１Ａを介して外部に搬出する。
【００６０】
さらに、上述の実施形態のスパッタ装置は、基板を縦型支持してスパッタを行うものであるが、勿論、基板を水平支持してスパッタを行うものであってもよい。また実施形態のスパッタカソード機構ではＤＣ電源（直流電源）を採用したが、ＤＣ電源及びＲＦ電源（高周波電源）を併用することも可能である。
【００６１】
さらに、上述の本実施形態では、シングル構造の太陽電池の場合について説明したが、本発明は、中間電極を挟んで光発電セルを２つ備えるタンデム接合型の太陽電池にも適用できる。この場合、バッファ層と同様に、中間電極が酸化物系導透明導電膜からなる。つまり透明導電層である中間電極の製造に、上述したバッファ層の製造方法を採用することで、膜質に優れた中間電極を形成することができる。さらに本発明は、バッファ層、中間電極などの製造に限られず、太陽電池を構成する酸化物系透明電極膜からなるあらゆる透明導電層の製造に適用することができるものである。
【符号の説明】
【００６２】
１０  太陽電池
１１  ガラス基板
１２  上部電極
１３  光発電セル
１４  バッファ層
１５  裏面電極
３０  スパッタ装置
３１  仕込み室
３１ｐ、３３ｐ  粗挽き排気手段
３２  成膜室
３２ｐ  高真空排気手段
３３  取出し室
３４  ガス供給手段
３５  ヒータ
４０  スパッタカソード機構
４１  回転軸
４２  ＤＣ電源
５０  ターゲット
５１  バッキングチューブ
５２  ターゲット層
６０  磁気回路
６１  第１磁石
６２  第２磁石
６３  ヨーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図４】
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