(57)【要約】【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有する。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ2と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数、高い音速を有する弾性表面波デバイス１を実現する。【選択図】図２
2011139215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃ面を主面とするサファイア基板と、
前記サファイア基板の主面に形成される窒化アルミニウム膜と、
前記窒化アルミニウム膜の表面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極と、
前記櫛歯電極及び前記窒化アルミニウム膜の表面を覆う二酸化シリコン膜と、
を有することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記櫛歯電極にて励振される前記弾性表面波が１次のセザワ波であることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記窒化アルミニウム膜の厚さｔａ、前記二酸化シリコン膜の厚さｔｓ、前記弾性表面波の波長λとし、
前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＡｌＮ＝（２π／λ）・ｔａ、
前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＳｉＯ2＝（２π／λ）・ｔｓ、
で与えられる各々の前記規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、０．８８）
座標２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５０、１．１３）
座標３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７６、１．４２）
座標４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７７、１．７５）
座標５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６０、３．００）
座標６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５７、４．００）
座標７（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６０、５．００）
座標８（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７４、５．９６）
座標９（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．８０、６．８３）
座標１０（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．８０、７．８３）
座標１１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．８２、８．６７）
座標１２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．８２、１０．００）
座標１３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、１０．００）
これらの座標を、座標１〜座標１３の順に結ぶと共に座標１３と座標１とを結んだ領域内に含まれる前記ＫＨ‐ＡｌＮ及び前記ＫＨ‐ＳｉＯ2を用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記窒化アルミニウム膜の厚さｔａ、前記二酸化シリコン膜の厚さｔｓ、前記弾性表面波の波長λとし、
前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＡｌＮ＝（２π／λ）・ｔａ、
前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＳｉＯ2＝（２π／λ）・ｔｓ、
で与えられる各々の前記規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、２．２５）
座標２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．１０、１．７５）
座標３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．１７、０．９６）
座標４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５０、１．１３）
座標５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７６、１．４２）
座標６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７７、１．７５）
座標７（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６０、３．００）
座標８（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５７、４．００）
座標９（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６０、４．６７）
座標１０（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５１、５．００）
座標１１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５１、５．３３）
座標１２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６１、５．９２）
座標１３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６１、７．００）
座標１４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．４６、７．８３）
座標１５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．４５、１０．００）
座標１６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、１０．００）
これらの座標を、座標１〜座標１６の順に結ぶと共に座標１６と座標１とを結んだ領域内に含まれる前記ＫＨ‐ＡｌＮ及び前記ＫＨ‐ＳｉＯ2を用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記窒化アルミニウム膜の厚さｔａ、前記二酸化シリコン膜の厚さｔｓ、前記弾性表面波の波長λとし、
前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＡｌＮ＝（２π／λ）・ｔａ、
前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＳｉＯ2＝（２π／λ）・ｔｓ、
で与えられる各々の前記規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、３．４６）
座標２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．２７、２．００）
座標３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５０、１．１３）
座標４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７６、１．４２）
座標５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７７、１．７５）
座標６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６２、２．８３）
座標７（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．４１、３．５０）
座標８（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、５．９２）
これらの座標を、座標１〜座標８の順に結ぶと共に座標８と座標１とを結んだ領域内に含まれる前記ＫＨ‐ＡｌＮ及び前記ＫＨ‐ＳｉＯ2を用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記窒化アルミニウム膜の厚さｔａ、前記二酸化シリコン膜の厚さｔｓ、前記弾性表面波の波長λとし、
前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＡｌＮ＝（２π／λ）・ｔａ、
前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＳｉＯ2＝（２π／λ）・ｔｓ、
で与えられる各々の前記規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、３．９６）
座標２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．３９、２．００）
座標３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６４、１．３３）
座標４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７６、１．４２）
座標５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７７、１．７５）
座標６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７２、２．１３）
座標７（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５０、２．５８）
座標８（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．２８、３．５８）
座標９（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、５．１３）
これらの座標を、座標１〜座標９の順に結ぶと共に座標９と座標１とを結んだ領域内に含まれる前記ＫＨ‐ＡｌＮ及び前記ＫＨ‐ＳｉＯ2でを用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスを用いたことを特徴とする発振器。
【請求項８】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスを用いたことを特徴とするモジュール装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｃ面サファイア基板を用いた弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電体膜の表面を伝播する弾性表面波を用いる弾性表面波デバイスは、固有の透過帯域を有し、しかも小型化が可能であり部品数も少ないため、通信機器用のバンドパスフィルターや基準クロックとして共振子等に応用されている。フィルターや共振子に弾性表面波デバイスを用いる場合には、温度依存性を表す周波数温度計数（ＴＣＦ）または遅延時間温度係数（ＴＣＤ）や、電気機械変換の性能を表す電気機械結合係数（Ｋ2）が良好であることが求められる。
【０００３】
そこで、ガラス等の絶縁性基板に櫛歯電極（ＩＤＴ）を形成し、櫛歯電極の表面を覆う圧電体膜と、この圧電体膜を覆うように保護膜が形成される弾性表面波デバイスが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、Ｃ面サファイア基板上に櫛歯電極を形成し、櫛歯電極の表面を覆う圧電体膜を形成してなる弾性表面波デバイスが提案されている（例えば、特許文献２、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１７８３３０号公報
【特許文献２】特開平１０−１３５７７３号公報
【特許文献３】特開平８−１３０４３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１は、基板としてガラス等の絶縁基板を用いており、この基板上に櫛歯電極、さらに圧電体膜、保護膜を層状に形成することで、湿気や異物の侵入を防止し、外部雰囲気による圧電体膜の劣化や変質を防止することを目的としている。しかしながら、保護膜の材質や膜厚さを十分に考慮しなければ、弾性表面波の音速や電気機械結合係数、温度特性が変動するために、これらの良好な特性を得ることができない。
【０００７】
また、特許文献２及び特許文献３では、サファイア基板上にアルミニウム系合金からなる櫛歯電極を形成し、さらに櫛歯電極を覆うように酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜を形成することで、ストレスマイグレーション耐性を向上しようとしている。このような構成であっても、酸化亜鉛膜の膜厚さを十分に考慮しなければ、弾性表面波の音速や電気機械結合係数、温度特性が変動するために、これらの良好な特性を得ることができないという課題を有している。
【０００８】
また、Ｃ面サファイア基板上に圧電体膜として酸化亜鉛を用いる場合は、サファイア基板の音速と酸化亜鉛の音速との差が大きく、この音速差が周波数変動に影響することがあるという課題がある。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る弾性表面波デバイスは、Ｃ面を主面とするサファイア基板と、前記サファイア基板の主面に形成される窒化アルミニウム膜と、前記窒化アルミニウム膜の表面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極と、前記櫛歯電極及び前記窒化アルミニウム膜の表面を覆う二酸化シリコン膜と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、基板としてＣ面を主面とするサファイア基板（以降、Ｃ面サファイア基板と表すことがある）を用いていることから、基板として水晶やガラス等を用いる場合よりも高い音速を得られる。つまり、高周波デバイスを実現できる。
【００１１】
また、窒化アルミニウム膜と二酸化シリコン膜とを、互いに逆符号の遅延時間温度係数（ＴＣＤ）とすることにより、良好な周波数温度特性を得ることが可能となる。
【００１２】
窒化アルミニウムは、サファイア基板よりも電気機械結合係数（Ｋ2）が大きいこと、窒化アルミニウムをサファイア基板上に形成する場合、窒化アルミニウムの結晶性がよいことからさらに電気機械結合係数を大きくすることが可能で、弾性表面波の励振効率を高めることができる。
【００１３】
また、Ｃ面サファイア基板の音速と窒化アルミニウムの音速とがほぼ同じであるため、音速差に起因する周波数変動を抑制することができる。
【００１４】
また、二酸化シリコンと、窒化アルミニウムとは、逆符号の遅延時間温度係数（ＴＣＤ）を有するため、良好な周波数温度特性を有することが可能となる。
【００１５】
［適用例２］上記適用例に係る弾性表面波デバイスにおいて、前記櫛歯電極にて励振される前記弾性表面波が１次のセザワ波であることが好ましい。
【００１６】
本適用例では、レイリー波の高次モードのうち、１次モードを用いている。１次モードを用いる場合、窒化アルミニウム膜の膜厚を薄くできるため、膜厚分布のばらつきを抑えることが可能で、そのことから音速（周波数）のばらつきを抑制しやすいという効果がある。
【００１７】
［適用例３］上記適用例に係る弾性表面波デバイスにおいて、前記窒化アルミニウム膜の厚さｔａ、前記二酸化シリコン膜の厚さｔｓ、前記弾性表面波の波長λとし、前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＡｌＮ＝（２π／λ）・ｔａ、前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＳｉＯ2＝（２π／λ）・ｔｓ、で与えられる各々の前記規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、０．８８）
座標２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５０、１．１３）
座標３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７６、１．４２）
座標４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７７、１．７５）
座標５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６０、３．００）
座標６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５７、４．００）
座標７（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６０、５．００）
座標８（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７４、５．９６）
座標９（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．８０、６．８３）
座標１０（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．８０、７．８３）
座標１１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．８２、８．６７）
座標１２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．８２、１０．００）
座標１３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、１０．００）
これらの座標を、座標１〜座標１３の順に結ぶと共に座標１３と座標１とを結んだ領域内に含まれる前記ＫＨ‐ＡｌＮ及び前記ＫＨ‐ＳｉＯ2を用いることが望ましい。
【００１８】
この領域内では、弾性表面波の励振に必要とされる電気機械結合係数Ｋ2が０．１％以上と、音速５６００ｍ／ｓ以上と、の両方を満足させることができる。
【００１９】
［適用例４］上記適用例に係る弾性表面波デバイスにおいて、前記窒化アルミニウム膜の厚さｔａ、前記二酸化シリコン膜の厚さｔｓ、前記弾性表面波の波長λとし、前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＡｌＮ＝（２π／λ）・ｔａ、前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＳｉＯ2＝（２π／λ）・ｔｓ、で与えられる各々の前記規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、２．２５）
座標２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．１０、１．７５）
座標３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．１７、０．９６）
座標４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５０、１．１３）
座標５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７６、１．４２）
座標６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７７、１．７５）
座標７（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６０、３．００）
座標８（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５７、４．００）
座標９（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６０、４．６７）
座標１０（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５１、５．００）
座標１１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５１、５．３３）
座標１２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６１、５．９２）
座標１３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６１、７．００）
座標１４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．４６、７．８３）
座標１５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．４５、１０．００）
座標１６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、１０．００）
これらの座標を、座標１〜座標１６の順に結ぶと共に座標１６と座標１とを結んだ領域内に含まれる前記ＫＨ‐ＡｌＮ及び前記ＫＨ‐ＳｉＯ2を用いることが望ましい。
【００２０】
この領域内では、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）が、−２０ｐｐｍ／℃〜＋２０ｐｐｍ／℃を得ることができる。つまり、温度依存性を表す良好な周波数温度計数（ＴＣＦ）を得ることができ、電気機械結合係数Ｋ2が０．１％以上の両方を満たすことができる。
また、５６５０ｍ／ｓ以上の高い音速が実現でき、高周波帯域発振器に好適である。
【００２１】
［適用例５］上記適用例に係る弾性表面波デバイスにおいて、前記窒化アルミニウム膜の厚さｔａ、前記二酸化シリコン膜の厚さｔｓ、前記弾性表面波の波長λとし、前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＡｌＮ＝（２π／λ）・ｔａ、前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＳｉＯ2＝（２π／λ）・ｔｓ、で与えられる各々の前記規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、３．４６）
座標２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．２７、２．００）
座標３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５０、１．１３）
座標４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７６、１．４２）
座標５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７７、１．７５）
座標６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６２、２．８３）
座標７（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．４１、３．５０）
座標８（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、５．９２）
これらの座標を、座標１〜座標８の順に結ぶと共に座標８と座標１とを結んだ領域内に含まれる前記ＫＨ‐ＡｌＮ及び前記ＫＨ‐ＳｉＯ2を用いることが望ましい。
【００２２】
この領域内では、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）が、−１０ｐｐｍ／℃〜＋１０ｐｐｍ／℃、電気機械結合係数Ｋ2が０．１％以上の両方を満たすことができる。
また、５６５０ｍ／ｓ以上の高い音速が実現でき、高周波帯域発振器に好適である。
【００２３】
［適用例６］上記適用例に係る弾性表面波デバイスにおいて、前記窒化アルミニウム膜の厚さｔａ、前記二酸化シリコン膜の厚さｔｓ、前記弾性表面波の波長λとし、前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＡｌＮ＝（２π／λ）・ｔａ、前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をＫＨ‐ＳｉＯ2＝（２π／λ）・ｔｓ、で与えられる各々の前記規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、３．９６）
座標２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．３９、２．００）
座標３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６４、１．３３）
座標４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７６、１．４２）
座標５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７７、１．７５）
座標６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７２、２．１３）
座標７（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５０、２．５８）
座標８（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．２８、３．５８）
座標９（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、５．１３）
これらの座標を、座標１〜座標９の順に結ぶと共に座標９と座標１とを結んだ領域内に含まれる前記ＫＨ‐ＡｌＮ及び前記ＫＨ‐ＳｉＯ2を用いることが望ましい。
【００２４】
この領域内では、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）が、−５ｐｐｍ／℃〜＋５ｐｐｍ／℃、電気機械結合係数Ｋ2が０．１％以上の両方を満たすことができる。
また、５６５０ｍ／ｓ以上の高い音速が実現でき、高周波帯域発振器用の発振器に好適である。
【００２５】
［適用例７］本適用例に係る発振器は、上記適用例のいずれかに記載の弾性表面波デバイスを用いたことを特徴とする。
【００２６】
上述した弾性表面波デバイスを、ＳＡＷフィルターや集積回路素子と組み合わせて発振器とすることで、高い音速と、良好な周波数温度特性とを有する発振器を実現できる。
【００２７】
［適用例８］本適用例に係るモジュール装置は、上記適用例のいずれかに記載の弾性表面波デバイスを用いたことを特徴とする。
【００２８】
上述した弾性表面波デバイスをパッケージを用いて密閉することで、湿気や塵埃等の外部環境からの保護を行うことで、より信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】実施形態１に係る弾性表面波デバイスの上面図。
【図２】図１におけるＡ−Ａ切断面を示す断面図。
【図３】実施形態１に係る弾性表面波デバイスにおけるＫＨ‐ＡｌＮと、ＫＨ−ＳｉＯ2と、音速の関係を表すグラフ。
【図４】実施形態１に係る弾性表面波デバイスにおけるＫＨ‐ＡｌＮと、ＫＨ−ＳｉＯ2と、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）と、の関係を示すグラフ。
【図５】実施例１に係るＫＨ‐ＡｌＮとＫＨ‐ＳｉＯ2と、電気機械結合係数Ｋ2との関係を示すグラフ。
【図６】実施例２に係るＫＨ‐ＡｌＮとＫＨ‐ＳｉＯ2と、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）との関係を示すグラフ。
【図７】電気機械結合係数Ｋ2との関係を示すグラフ。
【図８】実施例３に係るＫＨ‐ＡｌＮとＫＨ‐ＳｉＯ2と、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）との関係を示すグラフ。
【図９】電気機械結合係数Ｋ2との関係を示すグラフ。
【図１０】実施例４に係るＫＨ‐ＡｌＮとＫＨ‐ＳｉＯ2と、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）との関係を示すグラフ。
【図１１】電気機械結合係数Ｋ2との関係を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（実施形態１）
【００３１】
図１は、実施形態１に係る弾性表面波デバイスの上面図を示し、図２は、図１におけるＡ−Ａ切断面を示す断面図である。なお、図１及び図２は、図示の都合上、縦、横の部材ないし部分の縦横の縮尺は実際のものとは異なる模式図である。
【００３２】
図１、図２において、弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１全体に形成される窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜３０と、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜３０表面に形成される櫛歯電極（ＩＤＴ：Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆うように形成される二酸化シリコン膜としての二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜４０とから構成されている。なお、Ｃ面はミラー指数で表すと（０００１）となる。また、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜３０は圧電体膜である。
【００３３】
櫛歯電極２１，２２は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなり、互いの交差指電極を間挿して構成されており、櫛歯電極２１の一端には電極パッド２１ａ、櫛歯電極２２の一端には電極パッド２２ａが形成されている。これら電極パッド２１ａ，２２ａは、それぞれ二酸化シリコン膜４０を貫通して、二酸化シリコン膜４０の表面に露出している。
【００３４】
なお、図１、図２に表す櫛歯電極２１，２２の構成は１例であって、櫛歯電極の構成、及び交差指電極の数は簡略化して図示している。
なお、櫛歯電極２１，２２の材質は、導電性を有していれば特に限定されない。
【００３５】
次に、弾性表面波デバイス１の製造方法について主要な工程について図２を参照して説明する。まず、サファイア基板１０の主面１１の表面に窒化アルミニウム膜３０をスパッタリング法により形成する。そして、窒化アルミニウム膜３０の表面にアルミニウム膜（またはアルミニウム合金膜）を蒸着法により形成する。そして、アルミニウム膜にフォトレジストを塗布し、ステッパーを用いて露光し、現像処理、エッチング、レジスト剥離処理を行うことで櫛歯電極２１，２２を形成する。
【００３６】
続いて、二酸化シリコン膜４０をスパッタリング法により形成する。次に、フォトリソグラフィ技術により二酸化シリコン膜４０を貫通する開口部を開設する。二酸化シリコン膜４０のエッチングにはＣＦ4をエッチングガスとして用い、ドライエッチング法により開口部の二酸化シリコン膜４０を除去する。その後、アルミニウム（またはアルミニウム合金）を蒸着法により成膜し、フォトリソグラフィ技術により電極パッド２１ａ，２２ａを形成する。
【００３７】
次に、このように形成される弾性表面波デバイス１の駆動について説明する。櫛歯電極２１、櫛歯電極２２は、入力側電極と出力側電極に相当し、入力側電極に印加された交流電力は、圧電体膜としての窒化アルミニウム膜３０の表面で機械的エネルギーに変換されるが、電極が櫛歯型であるために窒化アルミニウム膜３０内に粗密が発生し弾性波となり、窒化アルミニウム膜３０の表面を伝播して出力側電極へと到達する。そして、到達した弾性表面波は出力側電極により再び電気エネルギーに変換されて出力される。ここで、発生する弾性波は、レイリー波の高次モードであるセザワ波であって、本実施形態では、セザワ波の１次モードを用いる。
【００３８】
このように形成された弾性表面波デバイス１を駆動し、ネットワークアナライザーを用いてインピーダンス特性を測定し、その測定結果を図３に表す。
【００３９】
図３は、本実施形態に係る弾性表面波デバイスにおける窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚（以降、ＫＨ‐ＡｌＮと表す：縦軸）と、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚（以降、ＫＨ−ＳｉＯ2と表す：横軸）と、音速の関係を表すグラフである。同図は窒化アルミニウム膜３０の厚さをｔａ、二酸化シリコン膜４０の厚さをｔｓ、弾性表面波の波長をλとしたとき、窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚をＫＨ‐ＡＬＮ＝（２π／λ）／ｔａとし、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚をＫＨ‐ＳｉＯ２＝（２π／λ）／ｔａとして、縦軸をＫＨ‐ＡＬＮ、横軸をＫＨ‐ＳｉＯ２としたときのグラフを示している。図３に示すように、ＫＨ−ＳｉＯ2が２．００〜４．００の測定範囲で、音速は、ほぼ５４００ｍ／ｓ以上と十分に高い音速が得られている。
【００４０】
図４は、本実施形態に係る弾性表面波デバイスにおけるＫＨ‐ＡｌＮと、ＫＨ−ＳｉＯ2と、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）と、の関係を示すグラフである。図４に示すように、調査した範囲（ＫＨ−ＳｉＯ2が２．００〜４．００の範囲）において＋２０ｐｐｍ／℃〜−３０ｐｐｍ／℃の良好な遅延時間温度係数（ＴＣＤ）が得られた。
【００４１】
本実施形態によれば、基板としてＣ面サファイア基板を用いている。サファイア基板は、水晶の音速が３１００ｍ／ｓ程度が限界とされることに対して４５００ｍ／ｓ以上の音速が可能であることから、基板として水晶を用いる場合よりも高い音速を得られる。つまり、高周波デバイスを実現できる。
【００４２】
また、窒化アルミニウムは、サファイア基板よりも電気機械結合係数（Ｋ2）が大きいこと、窒化アルミニウムをサファイア基板上に形成する場合、窒化アルミニウムの結晶性がよいことからさらに電気機械結合係数を大きくすることが可能で、弾性表面波の励振効率を高めることができる。
【００４３】
また、窒化アルミニウムは音速が５６００ｍ／ｓであり、Ｃ面サファイア基板の音速と窒化アルミニウムの音速とが近いため、音速差に起因する周波数変動を抑制することができる。また、従来技術のように圧電体膜として酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜を用いると、酸化亜鉛膜は音速が３１００ｍ／ｓであってＣ面サファイア基板との音速差が大きく、高周波化を図ると音速差に起因する周波数変動が大きくなってしまう欠点がある。
【００４４】
二酸化シリコンと、窒化アルミニウムとは、逆符号の遅延時間温度係数（ＴＣＤ）を有するため、良好な周波数温度特性を有することが可能となる。
【００４５】
また、セザワ波の１次モードを用いる場合、窒化アルミニウムの膜厚を薄くできるため、膜厚分布のばらつきを抑えることが可能で、そのことから音速（周波数）のばらつきを抑制しやすいという効果がある。
【００４６】
なお、弾性表面波デバイス１は、固有の透過帯域を有し、しかも小型化が可能であり部品数も少ないため、通信機器用のバンドパスフィルターや基準クロックとして共振子等に応用される。フィルターや共振子に弾性表面波デバイスを用いる場合には、温度依存性を表す周波数温度係数（ＴＣＦ）または遅延時間温度係数（ＴＣＤ）や、電気機械変換の性能を表す電気機械結合係数（Ｋ2）が良好であることが求められる。
（実施例１）
【００４７】
そこで、本実施形態の具体的な実施例について説明する。
図５は、実施例１に係るＫＨ‐ＡｌＮとＫＨ‐ＳｉＯ2と、電気機械結合係数Ｋ2との関係を示すグラフである。ここで、窒化アルミニウム膜３０の厚さｔａ、二酸化シリコン膜４０の厚さｔｓ、弾性表面波の波長λ、としたとき、窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚は、ＫＨ‐ＡｌＮ＝（２π／λ）・ｔａ、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚は、ＫＨ‐ＳｉＯ2＝（２π／λ）・ｔｓ、で与えられる。これら各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、適切な領域を以下の座標で表すことができる。なお、図５では、座標１、座標２、座標３・・・をＺ１、Ｚ２、Ｚ３・・・と表している。
【００４８】
座標１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、０．８８）
座標２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５０、１．１３）
座標３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７６、１．４２）
座標４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７７、１．７５）
座標５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６０、３．００）
座標６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５７、４．００）
座標７（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６０、５．００）
座標８（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７４、５．９６）
座標９（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．８０、６．８３）
座標１０（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．８０、７．８３）
座標１１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．８２、８．６７）
座標１２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．８２、１０．００）
座標１３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、１０．００）
これらの座標を、座標１〜座標１３〜座標１の順に結線した領域内で発生するセザワ波の１次モードを用いる。なお、以降、温度特性として遅延時間温度係数（ＴＣＤ）を測定結果として表している。
【００４９】
この領域内では、電気機械結合係数Ｋ2が０．１％以上であり、弾性表面波の励振に必要とされる電気機械結合係数Ｋ2を得ることができる。
また、図３と図４の各座標系で結ばれる領域とを合成して判断すると、この領域内では、音速５６００ｍ／ｓ以上が得られる。
（実施例２）
【００５０】
次に、実施例２について説明する。実施例２は、前述した実施例１に対して遅延時間温度係数（ＴＣＤ）をより向上させる範囲を発現したものである。
図６は、実施例２に係るＫＨ‐ＡｌＮとＫＨ‐ＳｉＯ2と、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）との関係を示すグラフ、図７は電気機械結合係数Ｋ2との関係を示すグラフである。ここで、窒化アルミニウム膜３０の厚さｔａ、二酸化シリコン膜４０の厚さｔｓ、弾性表面波の波長λ、としたとき、窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚は、ＫＨ‐ＡｌＮ＝（２π／λ）・ｔａ、二酸化シリコン膜４０規格化膜厚は、ＫＨ‐ＳｉＯ2＝（２π／λ）・ｔｓ、で与えられる。これら各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、適切な領域を以下の座標で表すことができる。なお、図６、図７では、座標１、座標２、座標３・・・をＺ１、Ｚ２、Ｚ３・・・と表している。
【００５１】
座標１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、２．２５）
座標２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．１０、１．７５）
座標３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．１７、０．９６）
座標４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５０、１．１３）
座標５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７６、１．４２）
座標６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７７、１．７５）
座標７（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６０、３．００）
座標８（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５７、４．００）
座標９（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６０、４．６７）
座標１０（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５１、５．００）
座標１１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５１、５．３３）
座標１２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６１、５．９２）
座標１３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６１、７．００）
座標１４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．４６、７．８３）
座標１５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．４５、１０．００）
座標１６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、１０．００）
これらの座標を、座標１〜座標１６〜座標１の順に結線した領域内で発生するセザワ波の１次モードを用いる。
【００５２】
この領域内では、図６、図７に示すように、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）が、−２０ｐｐｍ／℃〜＋２０ｐｐｍ／℃を得ることができる。つまり、温度依存性を表す良好な周波数温度計数（ＴＣＦ）を得ることができ、電気機械結合係数Ｋ2が０．１％以上の両方を満たすことができる。
また、図３と図６の各座標系で結ばれる領域とを合成して判断すると、この領域内では、５６５０ｍ／ｓ以上の高い音速が実現でき、高周波帯域発振器に好適である。
（実施例３）
【００５３】
次に、実施例３について説明する。実施例３は、前述した実施例２に対して遅延時間温度係数（ＴＣＤ）をより向上させる範囲を発現したものである。
図８は、実施例３に係るＫＨ‐ＡｌＮとＫＨ‐ＳｉＯ2と、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）との関係を示すグラフ、図９は電気機械結合係数Ｋ2との関係を示すグラフである。ここで、窒化アルミニウム膜３０の厚さｔａ、二酸化シリコン膜４０の厚さｔｓ、弾性表面波の波長λ、としたとき、窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚は、ＫＨ‐ＡｌＮ＝（２π／λ）・ｔａ、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚は、ＫＨ‐ＳｉＯ2＝（２π／λ）・ｔｓ、で与えられる。これら各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、適切な領域を以下の座標で表すことができる。なお、図８、図９では、座標１、座標２、座標３・・・をＺ１、Ｚ２、Ｚ３・・・と表している。
【００５４】
座標１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、３．４６）
座標２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．２７、２．００）
座標３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５０、１．１３）
座標４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７６、１．４２）
座標５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７７、１．７５）
座標６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６２、２．８３）
座標７（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．４１、３．５０）
座標８（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、５．９２）
これらの座標を、座標１〜座標８〜座標１の順に結線した領域内で発生するセザワ波の１次モードを用いる。
【００５５】
この領域内では、図８、図９に示すように、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）が、−１０ｐｐｍ／℃〜＋１０ｐｐｍ／℃、電気機械結合係数Ｋ2が０．１％以上の両方を満たすことができる。
また、図３と図８の各座標系で結ばれる領域とを合成して判断すると、この領域内では、５６５０ｍ／ｓ以上の高い音速が実現でき、高周波帯域発振器に好適である。
（実施例４）
【００５６】
次に、実施例４について説明する。弾性表面波デバイスを発振器用の共振子として用いる場合には、電気機械結合係数Ｋ2を０．１％以上確保しつつ、さらに遅延時間温度係数（ＴＣＤ）を小さい範囲にすることが求められる。そこで、実施例４は、前述した実施例２及び実施例３に対して電気機械結合係数Ｋ2を０．１％以上に維持すると共に、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）より小さい範囲に発現するものである。
【００５７】
図１０は、実施例４に係るＫＨ‐ＡｌＮとＫＨ‐ＳｉＯ2と、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）との関係を示すグラフ、図１１は電気機械結合係数Ｋ2との関係を示すグラフである。ここで、窒化アルミニウム膜３０の厚さｔａ、二酸化シリコン膜４０の厚さｔｓ、弾性表面波の波長λ、としたとき、窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚は、ＫＨ‐ＡｌＮ＝（２π／λ）・ｔａ、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚は、ＫＨ‐ＳｉＯ2＝（２π／λ）・ｔｓ、で与えられる。これら各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、適切な領域を以下の座標で表すことができる。なお、図１０、図１１では、座標１、座標２、座標３・・・をＺ１、Ｚ２、Ｚ３・・・と表している。
【００５８】
座標１（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、３．９６）
座標２（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．３９、２．００）
座標３（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．６４、１．３３）
座標４（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７６、１．４２）
座標５（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７７、１．７５）
座標６（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．７２、２．１３）
座標７（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．５０、２．５８）
座標８（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．２８、３．５８）
座標９（ＫＨ‐ＳｉＯ2、ＫＨ‐ＡｌＮ）＝（２．００、５．１３）
これらの座標を、座標１〜座標９〜座標１の順に結線した領域内で発生するセザワ波の１次モードを用いる。
【００５９】
この領域内では、図１０、図１１に示すように、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）が、−５ｐｐｍ／℃〜＋５ｐｐｍ／℃、電気機械結合係数Ｋ2が０．１％以上の両方を満たすことができる。
また、図３と図１０の各座標系で結ばれる領域とを合成して判断すると、この領域内では、５６５０ｍ／ｓ以上の高い音速が実現でき、高周波帯域発振器用の発振器に好適である。
【００６０】
よって、前述した実施例１〜実施例４によれば、弾性表面波の励振に必要とされる０．１％以上の電気機械結合係数Ｋ2を確保しつつ、音速５６００ｍ／ｓ以上で良好な温度特性を有する弾性表面波デバイスを実現できる。
【００６１】
なお、上述した弾性表面波デバイス１をパッケージにて密閉することで、湿気や塵埃等の外部環境からの保護を行うことで、より信頼性を高めることができる。また、以上では図１に示すような１ポートの共振子についてのみ言及してきたが、フィルターや集積回路素子と組み合わせて形成した発振器、およびモジュール装置についても本発明を適用できる。
【符号の説明】
【００６２】
１…弾性表面波デバイス、１０…サファイア基板、１１…サファイア基板の主面、２１，２２…櫛歯電極（ＩＤＴ）、２１ａ，２２ａ…電極パッド、３０…窒化アルミニウム膜、４０…二酸化シリコン膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011139215.tif 000009
【図８】
2011139215.tif 000010
【図９】
2011139215.tif 000011
【図１０】
2011139215.tif 000012
【図１１】
2011139215.tif 000013