(57)【要約】【課題】本発明は、寸法変換差予測の精度を向上させることができるフォトマスクの設計方法を提供する。【解決手段】設計パターンデータを所定の領域に分割する手順と、前記分割された領域におけるパターンの周囲長を求める手順と、前記手順を繰り返すことで設計パターンデータ全域におけるパターンの周囲長を求める手順と、前記設計パターンデータ全域におけるパターンの周囲長と、予め求められたパターンの周囲長と寸法変換差との相関関係と、から前記設計パターンデータ全域における寸法変換差を求める手順と、前記求められた寸法変換差の値を用いて設計パターンデータのプロセス変換差補正を行う手順と、前記補正後の設計パターンデータから露光パターンデータを作成する手順と、を備えたことを特徴とするフォトマスクの設計方法が提供される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
設計パターンデータを所定の領域に分割する手順と、
前記分割された領域におけるパターンの周囲長を求める手順と、
前記手順を繰り返すことで設計パターンデータ全域におけるパターンの周囲長を求める手順と、
前記設計パターンデータ全域におけるパターンの周囲長と、予め求められたパターンの周囲長と寸法変換差との相関関係と、から前記設計パターンデータ全域における寸法変換差を求める手順と、
前記求められた寸法変換差の値を用いて設計パターンデータのプロセス変換差補正を行う手順と、
前記補正後の設計パターンデータから露光パターンデータを作成する手順と、
を備えたことを特徴とするフォトマスクの設計方法。
【請求項２】
前記分割された領域におけるパターンの周囲長を求める手順において、さらにパターン面積率が求められ、
前記設計パターンデータ全域におけるパターンの周囲長を求める手順において、さらに前記設計パターンデータ全域におけるパターン面積率が求められ、
前記寸法変換差を求める手順において、前記設計パターンデータ全域におけるパターンの周囲長およびパターン面積率と、予め求められたパターンの周囲長およびパターン面積率と寸法変換差との相関関係と、から前記設計パターンデータ全域における寸法変換差が求められること、を特徴とする請求項１記載のフォトマスクの設計方法。
【請求項３】
前記寸法変換差を求める手順において、前記設計パターンデータから抽出されたデータとプロセスデータとに基づいて解析されたガスの流れと寸法変換差との相関関係が考慮されることを特徴とする請求項１または２に記載のフォトマスクの設計方法。
【請求項４】
前記補正後の設計パターンデータにおいて設計ルールを満たさない部分の検証を行う手順を、さらに備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のフォトマスクの設計方法。
【請求項５】
前記プロセス変換差補正を行う手順において、光近接効果補正を併せて行うこと、を特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のフォトマスクの設計方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクの設計方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体装置等においては、パターンの微細化が目覚ましく、設計ルールが微細化するに伴い設計パターンを基体（例えば、ウェーハ）上に精度よく転写することが困難になってきている。そして、例えば、ウェーハ上に設計パターンを転写する場合において、設計パターンと転写されたウェーハ上のパターンとの間の差が大きくなると、電気特性が劣化したり、パターンのブリッジや断線などが発生したり、歩留まりが低下したりするおそれがある。    
そのため、設計パターンの形状、寸法通りに転写がされるようにマスクパターンの形状に補正を加えるプロセス変換差補正（ＰＰＣ：Process Proximity Correction）などが行われている。
【０００３】
ここで、エッチング工程におけるいわゆるマイクロローディング効果により形成するパターン寸法のバラツキが大きくなることが知られている。  
そのため、マイクロローディング効果を考慮したプロセス変換差補正を行うフォトマスクの製造方法が提案されている（特許文献１を参照）。  
この特許文献１に開示された技術においては、補正対象となるパターンを含む領域内におけるパターン面積率（被覆率）を演算し、予め求められたパターン面積率（被覆率）毎のプロセス変換差補正データと演算されたパターン面積率（被覆率）とに基づいて設計パターンを補正するようにしている。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された技術においてはパターンの粗密度に対する考慮がされていなかった。そのため、予め求められたプロセス変換差補正データを用いると、パターンの粗密度に応じて寸法変換差予測に誤差が発生するおそれがあった。また、近年の微細化が進むパターンに対しては、寸法変換差予測の誤差がさらに大きくなるおそれがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３３３５２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、寸法変換差予測の精度を向上させることができるフォトマスクの設計方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、設計パターンデータを所定の領域に分割する手順と、前記分割された領域におけるパターンの周囲長を求める手順と、前記手順を繰り返すことで設計パターンデータ全域におけるパターンの周囲長を求める手順と、前記設計パターンデータ全域におけるパターンの周囲長と、予め求められたパターンの周囲長と寸法変換差との相関関係と、から前記設計パターンデータ全域における寸法変換差を求める手順と、前記求められた寸法変換差の値を用いて設計パターンデータのプロセス変換差補正を行う手順と、前記補正後の設計パターンデータから露光パターンデータを作成する手順と、を備えたことを特徴とするフォトマスクの設計方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、寸法変換差予測の精度を向上させることができるフォトマスクの設計方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】「パターン面積率（被覆率）」が同じであったとしても寸法変換差が異なる場合を例示するための模式平面図である。
【図２】寸法変換差とパターン側面の表面積との関係を例示するための模式図である。
【図３】密なパターン領域と粗なパターン領域とを区分けする方法を例示するための模式図である。
【図４】密なパターン領域と粗なパターン領域とを区分けする他の方法を例示するための模式図である。
【図５】ガスの流れ（拡散性）を考慮して寸法変換差を予測する場合を例示するための模式図である。
【図６】本実施の形態に係るフォトマスクの設計方法について例示をするためのフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。  
設計パターンの寸法、形状の通りに転写をするためには、寸法変換差を予め予測（寸法変換差予測）して、リソグラフィ工程で用いられるフォトマスク（レチクル）上のパターン形状を補正する必要がある。そのため、寸法変換差予測の精度を向上させることができれば、所望のパターンを精度よく形成することができる。
【００１１】
ここで、寸法変換差予測の精度に影響を与える事項に関する解析指標を特定し、解析指標と寸法変換差との相関関係を明らかにすれば、寸法変換差予測の精度を大幅に向上させることができる。  
そのため、まず、寸法変換差予測の精度に影響を与える事項に関する解析指標について本発明者の得た知見を例示する。
【００１２】
寸法変換差予測の精度に影響を与える事項に関する解析指標としては、「パターン面積率（被覆率）」を例示することができる。「パターン面積率（被覆率）」は、単位面積あたりに占めるパターンの面積である。  
ここで、「パターン面積率（被覆率）」が変化すれば、入射物（例えば、ラジカルやイオンなど）の入射量も変化するので、それに応じて寸法変換差も変化する。
【００１３】
そのため、実験やシミュレーションなどにより「パターン面積率（被覆率）」と寸法変換差との相関関係を予め求めるようにすれば、寸法変換差を予測することができる。すなわち、単位面積あたりに占めるパターンの面積を設計パターンデータに基づいて求め、予め求められた「パターン面積率（被覆率）」と寸法変換差との相関関係から寸法変換差を予測することができる。
【００１４】
ところが、本発明者の得た知見によれば「パターン面積率（被覆率）」が同じであったとしても寸法変換差が異なる場合がある。  
図１は、「パターン面積率（被覆率）」が同じであったとしても寸法変換差が異なる場合を例示するための模式平面図である。  
図２は、寸法変換差とパターン側面の表面積との関係を例示するための模式図である。  図１（ａ）に示す場合においては、パターン１００ａに関する「パターン面積率（被覆率）」は５０％となる。一方、図１（ｂ）に示す場合においても、パターン１００ｂに関する「パターン面積率（被覆率）」は５０％となる。
【００１５】
ところが、パターン１００ａとパターン１００ｂの高さ寸法（図示した平面形状に略垂直な方向の寸法）が同じであるとすると、パターン１００ｂの側面１０２ｂの表面積の総和はパターン１００ａの側面１０２ａの表面積の総和よりも大きくなる。この場合、側面の表面積が大きくなるほど入射物（例えば、ラジカルやイオンなど）の入射量が多くなる。そのため、同一パターン形状１００ｃにおける寸法変換差の値は、図２に示すように表面積が大きくなるほど大きくなる。
【００１６】
すなわち、「パターン面積率（被覆率）」が同じであったとしても寸法変換差が異なることになる。そのため、「パターン面積率（被覆率）」に基づいて寸法変換差を求めるようにすれば、寸法変換差予測に誤差が生じることになる。また、近年の微細化が進むパターンに対しては寸法変換差予測の誤差がさらに大きくなるおそれがある。
【００１７】
そこで、本実施の形態においては、「パターンの周囲長」を解析指標とすることでパターン側面の表面積の違いを考慮するようにしている。  
この場合、「パターンの周囲長」は、単位面積あたりに占めるパターンの平面形状における外周長さとすることができる。
【００１８】
前述したように、「パターンの周囲長」が長くなればパターンの側面の表面積が大きくなるので入射物（例えば、ラジカルやイオンなど）の入射量も多くなる。そのため、それに応じて寸法変換差も大きくなる。  
そこで、実験やシミュレーションなどにより「パターンの周囲長」と寸法変換差との相関関係を予め求めるようにすれば、寸法変換差を予測することができる。すなわち、単位面積あたりに占めるパターンの平面形状における外周長さ（「パターンの周囲長」）を設計パターンデータに基づいて求め、予め求められた「パターンの周囲長」と寸法変換差との相関関係から寸法変換差を予測することができる。  
この様にすれば、パターンの側面の表面積の違いを反映した寸法変換差の予測を行うことができるので、寸法変換差予測の精度を向上させることができる。
【００１９】
この場合、処理が成膜処理などの場合には「パターン面積率（被覆率）」の影響が小さくなるので「パターンの周囲長」のみを用いて寸法変換差を予測することができる。一方、処理がエッチング処理などの場合には「パターン面積率（被覆率）」の影響が大きくなるので「パターンの周囲長」のみならず「パターン面積率（被覆率）」をも用いて寸法変換差を予測するようにすることが好ましい。なお、処理が成膜処理などの場合であっても「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを用いて寸法変換差を予測するようにすることもできる。
【００２０】
「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを用いて寸法変換差を予測する場合には、パターンの粗密度に応じて「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを使い分けたり、「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを組み合わせて用いることができる。  
例えば、粗なパターン領域においては「パターンの周囲長」の影響が小さくなるので「パターン面積率（被覆率）」を用いて寸法変換差を予測するようにすることができる。また、密なパターン領域や微細化されたパターンである場合には「パターンの周囲長」の影響が大きくなるので「パターンの周囲長」を用いて寸法変換差を予測するようにすることができる。この場合、「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを組み合わせて用いるようにすれば、寸法変換差予測の精度をさらに向上させることができる。
【００２１】
ここで、パターンの粗密度に応じて「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを使い分ける場合には、設計パターンにおける密なパターン領域と粗なパターン領域とを区分けする必要がある。  
図３は、密なパターン領域と粗なパターン領域とを区分けする方法を例示するための模式図である。  
密なパターン領域と粗なパターン領域とを区分けする場合には、まず、設計パターンデータを所定の領域（例えば、微小領域）に分割し、図３（ａ）に示すように分割された領域に含まれるパターンを抽出する。
【００２２】
次に、図３（ｂ）に示すように、抽出されたパターンにおける「パターンの周囲長」を求める。そして、求められた「パターンの周囲長」を所定の閾値を用いて区分することで、密なパターン領域（「パターンの周囲長」が長い部分）と粗なパターン領域（「パターンの周囲長」が短い部分）との区分けを行う。  
次に、図３（ｃ）に示すように、密なパターン領域を抽出する。なお、粗なパターン領域を抽出するようにすることもできる。  
そして、前述した手順を繰り返すことで設計パターンデータ全域における密なパターン領域と粗なパターン領域との区分けを行う。
【００２３】
図４は、密なパターン領域と粗なパターン領域とを区分けする他の方法を例示するための模式図である。  
まず、設計パターンデータを所定の領域（例えば、微小領域）に分割し、図４（ａ）に示すように分割された領域に含まれるパターンを抽出する。
【００２４】
次に、図４（ｂ）に示すように、各パターンを幅方向に拡張させる。この場合、パターン間の寸法が短い部分においてパターン同士が当接する程度に拡張させる。  
次に、図４（ｃ）に示すように、いわゆるマージ処理を行う。この際、パターン同士が当接している部分においては、各パターンが重ね合わされることで一体化される。
【００２５】
次に、図４（ｄ）に示すように、マージ処理をしたパターンを幅方向に縮小させる。この際、図４（ｂ）において拡張させた分だけ縮小させるようにする。  
次に、図４（ｅ）に示すように、図４（ａ）におけるパターンと図４（ｄ）におけるパターンとの排他的論理和（ＸＯＲ）によって密なパターン領域と粗なパターン領域とを区分けする。
【００２６】
寸法変換差予測の精度に影響を与える事項に関する他の解析指標としては、「拡散性に関するもの」を例示することができる。  
例えば、エッチング処理においては、入射物（例えば、ラジカルやイオンなど）により除去された物質が拡散するようにして処理空間に放出される。また、成膜処理においても入射物が拡散するようにして被処理面に到達する。そのため、拡散性に応じて寸法変換差も変化することになる。
【００２７】
ここで、パターンの形成などの処理は、一般的に数Ｐａ程度の減圧環境下で行われることが多いので、ガスの流れを考慮して拡散性を解析することができる。この場合、拡散方程式を導くことが困難な場合には、モンテカルロ法などにより近似的な解を求めるようにしてもよい。
【００２８】
そして、実験やシミュレーションなどによりガスの流れ（拡散性）と寸法変換差との相関関係を予め求めるようにすれば、寸法変換差を予測することができる。例えば、設計パターンデータ（例えば、パターンの粗密度など）とプロセスデータ（例えば、処理圧力など）とに基づいてガスの流れ（拡散性）を解析し、予め求められたガスの流れ（拡散性）と寸法変換差との相関関係から寸法変換差を予測することができる。すなわち、解析指標である「拡散性に関するもの」は、設計パターンデータから抽出されたデータとプロセスデータとに基づいて解析されたガスの流れと寸法変換差との相関関係に関するものとすることができる。
【００２９】
この場合、解析指標である「拡散性に関するもの（ガスの流れと寸法変換差との相関関係に関するもの）」と、前述した「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」とを組み合わせて寸法変換差を予測するようにすることもできる。すなわち、ガスの流れ（拡散性）を考慮して寸法変換差を予測するようにすることもできる。
【００３０】
図５は、ガスの流れ（拡散性）を考慮して寸法変換差を予測する場合を例示するための模式図である。なお、図５（ａ）は被処理部分（例えば、エッチング処理により除去が行われる部分）の形状を例示するための模式図、図５（ｂ）はガスの流れ（拡散性）がないとした場合を例示するための模式図、図５（ｃ）はガスの流れ（拡散性）を考慮した場合を例示するための模式図である。
【００３１】
図５（ａ）に示すように、被処理部分１０１の近傍を格子状に区画し、各区画におけるガスの流れ（拡散性）をシミュレーションなどにより求めるようにする。  
ガスの流れ（拡散性）がないとした場合には、図５（ｂ）に示すように被処理部分１０１においてのみ処理（例えば、エッチング処理による除去）が行われる。この場合、ガスの流れ（拡散性）を考慮する場合と比較するために処理の程度を「１」としている。  
一方、ガスの流れ（拡散性）を考慮する場合には、図５（ｃ）に示すように被処理部分１０１の周囲においても処理（例えば、エッチング処理による除去）が行われる。この場合、被処理部分１０１における処理の程度は、図５（ｂ）に示すガスの流れ（拡散性）がないとした場合と比べて低くなる。また、被処理部分１０１から離れるほど処理の程度が低くなる。なお、図５（ｃ）に示すものの場合には、一例として、被処理部分１０１における処理の程度を「０．８」、被処理部分１０１の周囲における処理の程度を「０．２」としている。
【００３２】
この場合、処理の程度が高くなるほど寸法変化が大きくなり、寸法変換差も大きくなる。そのため、図５（ｃ）に例示をしたような被処理部分１０１の大きさや形状と処理の程度との関係、すなわち、「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」と、「拡散性に関するもの（ガスの流れと寸法変換差との相関関係に関するもの）」との関係から、これらを組み合わせた場合における寸法変換差を予測することができる。
【００３３】
また、ガスの流れ（拡散性）はパターンの粗密度の影響を受ける。一般的には、粗なパターン領域においてはガスの流れ（拡散性）が生じやすく、密なパターン領域や微細化されたパターンにおいてはガスの流れ（拡散性）が停滞しやすくなる。  
また、前述したようにパターンの粗密度に応じて「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを使い分けたり、「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを組み合わせて用いることができる。
【００３４】
そのため、パターンの粗密度に応じて「拡散性に関するもの（ガスの流れと寸法変換差との相関関係に関するもの）」と、「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」とを組合せ、それぞれの場合における寸法変換差との相関関係を実験やシミュレーションなどにより求めるようにすることもできる。
【００３５】
以上に例示をしたように、「拡散性に関するもの（ガスの流れと寸法変換差との相関関係に関するもの）」と、「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」とを組み合わせるようにすれば、より精度の高い総合的な解析指標を得ることができる。そして、この様な解析指標を用いることで、寸法変換差予測の精度をさらに向上させることができる。
【００３６】
本実施の形態に係るフォトマスクの設計方法においては、以上に例示をした解析指標に基づいて寸法変換差を求め、求められた寸法変換差の値を用いてリソグラフィ工程で使用されるフォトマスクのパターン形状を補正する。  
以下、本実施の形態に係るフォトマスクの設計方法について例示をする。  
図６は、本実施の形態に係るフォトマスクの設計方法について例示をするためのフローチャート図である。  
まず、設計パターンデータ（基体（例えば、ウェーハ）上に形成されるパターンのデータ）を作成する（ステップＳ１）。  
次に、設計パターンデータを所定の領域（例えば、微小領域）に分割する（ステップＳ２）。  
次に、分割された領域における「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」を求める（ステップＳ３）。  
例えば、分割された領域に含まれるパターンを抽出し、抽出されたパターンに基づいて「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」を求める。  
次に、前述した手順を繰り返すことで設計パターンデータ全域における「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」を求める（ステップＳ４）。
【００３７】
次に、「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」に基づいて寸法変換差を求める（寸法変換差予測を行う）（ステップＳ５）。  
例えば、設計パターンデータ全域における「パターンの周囲長」、「パターン面積率」と、予め求められた「パターンの周囲長」、「パターン面積率」と寸法変換差との相関関係と、から設計パターンデータ全域における寸法変換差を求める。
【００３８】
この場合、解析指標として「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」を用いる場合には、ステップＳ４において求められた「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」と、予め求められた「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」と寸法変換差との相関関係から寸法変換差が求められる。  
また、「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを用いて寸法変換差を予測する場合には、パターンの粗密度に応じて「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを使い分けたり、「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを組み合わせて用いることができる。  
また、「拡散性に関するもの（ガスの流れと寸法変換差との相関関係に関するもの）」と、「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」とを組み合わせて寸法変換差を求めるようにすることもできる。すなわち、寸法変換差を求める手順において、設計パターンデータから抽出されたデータとプロセスデータとに基づいて解析されたガスの流れと寸法変換差との相関関係が考慮されるようにすることもできる。
【００３９】
次に、求められた寸法変換差の値を用いて設計パターンデータのプロセス変換差補正を行う（ステップＳ６）。  
次に、補正後の設計パターンデータから露光パターンデータを作成する（ステップＳ７）。
【００４０】
また、補正後の設計パターンデータにおいて、設計ルールを満たさない部分の検証を行う手順をさらに備えるようにすることもできる。  
そして、補正後の設計パターンデータに設計ルールを満たさない部分（例えば、危険点など）がある場合には、設計パターンデータの修正が行われ、修正後のデータに対して寸法変換差を求め、求められた寸法変換差の値を用いてプロセス変換差補正を再度行うようにすることができる。
【００４１】
また、プロセス変換差補正を行う手順において光近接効果補正を併せて行うようにすることもできる。  
光近接効果補正を併せて行う場合には、まず、「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」を水準振りしたテスト用マスクを作成する（ステップＳ１１）。    
例えば、所定の大きさの領域にドットパターンなどを敷き詰め、開口部を設けることで所望の「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」を有するテスト用マスクを作成する。
【００４２】
次に、テスト用マスクを用いて転写を行い、転写されたパターンの寸法測定値に基づいて「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」と光近接効果補正の値との相関関係を求める（ステップＳ１２）。  
求められた「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」と光近接効果補正の値との相関関係は、ステップＳ５において光近接効果補正を併せて行う際に用いられる。なお、光近接効果補正に関しては、既知の技術を適用させることができるので、その説明は省略する。  
以上のようにして、フォトマスクの設計が行われる。  
なお、設計パターンデータの作成は必ずしも必要ではなく、作成された設計パターンデータを用いるようにすることもできる。  
また、例示をしたものは「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」に基づいて寸法変換差予測を行っているが、「パターンの周囲長」に基づいて寸法変換差予測を行うようにすることもできる。ただし、「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」に基づいて寸法変換差予測を行うようにすれば予測精度を向上させることができる。
【００４３】
本実施の形態に係るフォトマスクの設計方法によれば、「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」に基づいて寸法変換差を求めることができるので、寸法変換差予測の精度を向上させることができる。そのため、的確なプロセス変換差補正を行うことができる。  
また、パターンの粗密度に応じて「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを使い分けたり、「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを組み合わせて用いることで、寸法変換差予測の精度をさらに向上させることができる。
【００４４】
また、「拡散性に関するもの（ガスの流れと寸法変換差との相関関係に関するもの）」と、「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」とを適宜組み合わせて寸法変換差を求めるようにすれば、寸法変換差予測の精度をさらに向上させることができる。  
また、設計ルールを満たさない部分（例えば、危険点など）の抽出も的確に行うことができるので、設計パターンデータの検証精度を向上させることもできる。
【００４５】
次に、本実施の形態に係るフォトマスクの製造方法について例示をする。  
本実施の形態に係るフォトマスクの製造方法においては、前述したフォトマスクの設計方法により設計パターンデータから露光パターンデータを作成し、作成された露光パターンデータに基づいてフォトマスクを作成する。この場合、フォトマスクはエッチング法を用いて作成するようにすることができる。
【００４６】
本実施の形態に係るフォトマスクの製造方法によれば、前述した「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」などに基づいて寸法変換差を求めることができるので、寸法変換差予測の精度を向上させることができる。そのため、的確なプロセス変換差補正を行うことができるので、寸法変換差の少ないフォトマスクを得ることができる。また、設計ルールを満たさない部分（例えば、危険点など）の抽出なども的確に行うことができる。その結果、製品歩留まりに優れたフォトマスクを得ることができる。
【００４７】
次に、本実施の形態に係る電子部品の製造方法について例示をする。    
なお、一例として、半導体装置の製造方法を例にとり説明する。    
半導体装置の製造方法は、成膜・レジスト塗布・露光・現像・エッチング・レジスト除去などによりウェーハ上にパターンを形成する工程、検査工程、洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、拡散工程、平坦化工程などの複数の工程を繰り返すことにより実施される。そして、このような半導体装置の製造方法において、前述したフォトマスクの製造方法によりフォトマスクが製造され、また、そのようにして製造されたフォトマスクを用いて露光が行われる。    
なお、前述したフォトマスクの製造方法以外のものは、既知の各工程の技術を適用することができるので、それらの説明は省略する。
【００４８】
また、一例として、本実施の形態に係る電子部品の製造方法として半導体装置の製造方法を例にとり説明したが、これに限定されるわけではない。例えば、フラットパネルディスプレイの製造におけるパターンの形成（例えば、液晶カラーフィルタやアレイ基板などにおけるパターンの形成）などのようにフォトリソグラフィ技術を用いる電子部品の製造に広く適用させることができる。
【００４９】
本実施の形態に係る電子部品の製造方法によれば、寸法変換差の少ないフォトマスクを用いてパターンを形成することができる。また、設計ルールを満たさない部分（例えば、危険点など）の抽出などが的確に行われたフォトマスクを用いてパターンを形成することができる。そのため、パターンが変形することによる電気特性の劣化、パターンのブリッジや断線などを抑制することができるので、製品歩留まりや品質などの向上を図ることができる。
【００５０】
次に、本実施の形態に係るフォトマスクの設計プログラムについて例示をする。  
本実施の形態に係るフォトマスクの設計プログラムは、コンピュータに、設計パターンデータを演算させ、少なくとも「パターンの周囲長」に基づいて寸法変換差を演算させ、演算された寸法変換差の値を用いて設計パターンデータのプロセス変換差補正を実行させ、補正後の設計パターンデータから露光パターンデータを演算させる。また、プロセス変換差補正の際に光近接効果補正を併せて実行させるようにすることもできる。また、「パターンの周囲長」と、「パターン面積率（被覆率）」、「拡散性に関するもの（ガスの流れと寸法変換差との相関関係に関するもの）」とを適宜組み合わせて寸法変換差を求めるようにすることもできる。
【００５１】
フォトマスクの設計プログラムを実行させるために、本実施の形態に係るフォトマスクの設計プログラムが、コンピュータに設けられた図示しない格納部に格納される。この場合、フォトマスクの設計プログラムは、例えば、図示しない記録媒体に格納された状態でコンピュータに供給され、読み出されることでコンピュータに設けられた図示しない格納部に格納されるようにすることができる。また、コンピュータに接続された通信回線などを介して、コンピュータに設けられた図示しない格納部に格納されるようにすることもできる。
【００５２】
そして、コンピュータに設けられた図示しない格納部に格納されたフォトマスクの設計プログラムにより、例えば、以下の手順（１）〜（７）が実行されるようにすることができる。  
（１）図示しないデータベースからの入力や作業者による入力に基づいて設計パターンデータを演算する手順。  
（２）設計パターンデータを所定の領域（例えば、微小領域）に分割する手順。  
（３）分割された領域における「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」を演算する手順。  
（４）前述した手順を繰り返すことで設計パターンデータ全域における「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」を演算する手順。  
（５）「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」に基づいて寸法変換差を演算する手順。
【００５３】
（６）演算された寸法変換差の値を用いて設計パターンデータのプロセス変換差補正を実行する手順。  
（７）補正後の設計パターンデータから露光パターンデータを作成する手順。
【００５４】
なお、（６）において、プロセス変換差補正の際に光近接効果補正を併せて実行させるようにすることもできる。  
また、設計パターンデータを演算する手順は必ずしも必要ではなく、演算された設計パターンデータが提供または抽出されるようにすることもできる。  
また、本実施の形態に係るフォトマスクの設計プログラムは、単一の演算部により実行されるものであってもよいし、複数の演算部によって分散して実行されるものであってもよい。
【００５５】
また、補正後の設計パターンデータにおいて、設計ルールを満たさない部分の検証を実行させる手順を備えるようにすることもできる。  
そして、補正後の設計パターンデータに設計ルールを満たさない部分（例えば、危険点など）がある場合には、作業者に報知するようにすることができる。また、設計ルールを満たさない部分に対して設計パターンデータの修正を行い、修正後のデータに対して寸法変換差を演算し、演算された寸法変換差の値を用いてプロセス変換差補正を再度実行させるようにすることもできる。
【００５６】
なお、「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」、「拡散性に関するもの（ガスの流れと寸法変換差との相関関係に関するもの）」や、解析指標に基づいて寸法変換差を求めることなどに関しては、前述したものと同様のためそれらの説明は省略する。
【００５７】
本実施の形態に係るフォトマスクの設計プログラムによれば、「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」に基づいて寸法変換差を求めることができるので、寸法変換差予測の精度を向上させることができる。そのため、的確なプロセス変換差補正を行うことができる。  
また、パターンの粗密度に応じて「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを使い分けたり、「パターンの周囲長」と「パターン面積率（被覆率）」とを組み合わせて用いることで、寸法変換差予測の精度をさらに向上させることができる。  
また、「拡散性に関するもの（ガスの流れと寸法変換差との相関関係に関するもの）」と、「パターンの周囲長」、「パターン面積率（被覆率）」とを適宜組み合わせて寸法変換差を演算させるようにすれば、寸法変換差予測の精度をさらに向上させることができる。  
また、設計ルールを満たさない部分（例えば、危険点など）の抽出も的確に行うことができるので、設計パターンデータの検証精度を向上させることもできる。
【００５８】
以上、本実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。  
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。  
例えば、エッチングに関する場合を例示したが、被処理部に成膜を行う場合も同様とすることができる。  
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５９】
１００ａ  パターン、１００ｂ  パターン、１０１  被処理部分、１０２ａ  側面、１０２ｂ  側面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図５】
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