(57)【要約】【課題】超高容量の具現が可能でありながらも強度が高い積層セラミックスキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】本発明による積層セラミックスキャパシタの製造方法は、基礎誘電体層を形成する段階；前記基礎誘電体層の上面に内部誘電体層及び内部電極層を交互に蒸着した単位セラミックスキャパシタを形成する段階；及び前記単位セラミックスキャパシタを２層以上で積層する段階；を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基礎誘電体層を形成する段階；
前記基礎誘電体層の上面に内部誘電体層及び内部電極層を交互に蒸着した単位セラミックスキャパシタを形成する段階；及び
前記単位セラミックスキャパシタを２層以上に積層する段階；
を含む積層セラミックスキャパシタの製造方法 。
【請求項２】
前記基礎誘電体層を形成する段階は、
誘電体材料のスラリーを用いてグリーンシートを形成する方式からなることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックスキャパシタの製造方法。
【請求項３】
前記単位セラミックスキャパシタを形成する段階は、
マスクを水平方向に移動させながら蒸着を遂行することを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックスキャパシタの製造方法。
【請求項４】
単一のマスクを用いて、前記内部誘電体層の蒸着時には前記マスクを既設定された地点に整列し、前記内部電極層の蒸着時には前記マスクを前記既設定された地点から既設定された距離だけ左側または右側に移動させることを特徴とする請求項３に記載の積層セラミックスキャパシタの製造方法。
【請求項５】
前記単位セラミックスキャパシタを形成する段階は、
前記内部誘電体層は粒径が１から３０ｎｍ、厚さが１０から５００ｎｍになるように形成し、
前記内部電極層は粒径が１から５ｎｍ、厚さが１から２００ｎｍになるように形成することを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックスキャパシタの製造方法。
【請求項６】
前記基礎誘電体層を形成する段階は、
その粒径が１５０から３００ｎｍ、その厚さが１から１０ｕｍになるように形成することを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックスキャパシタの製造方法。
【請求項７】
前記単位セラミックスキャパシタを形成する段階は、
スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、パルスレーザー蒸着法（ｐｕｌｓｅｄ  ｌａｓｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＬＤ）、電子ビーム蒸着法（ｅ‐ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａtｉｏｎ）、熱蒸着法（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のうち何れか一つを用いて遂行されることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックスキャパシタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は積層セラミックスキャパシタの製造方法に関し、さらに詳細には、超高容量の具現が可能でありながらも強度の高い積層セラミックスキャパシタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、積層セラミックスキャパシタは複数のセラミックス誘電体シートとこの複数のセラミックス誘電体シートの間に挿入された内部電極を含む。このような積層セラミックスキャパシタは大きさが小型でありながらも、高い静電容量を具現することができ、基板上に容易に実装されることができて多様な電子装置の容量性部品として広く用いられている。
【０００３】
最近、電子製品が小型化及び多機能化されるにつれてチップ部品も小型化及び高機能化される趣勢であるため、積層セラミックスキャパシタもその大きさが小さいながら容量が大きい高容量の製品が求められている。
【０００４】
積層セラミックスキャパシタの容量を大きくするためには、内部電極の間の誘電体層の厚さの小さいものが求められる。しかし、一般的に用いられるスラリーを用いたグリーンシートの形成方法ではその厚さを減少させることに限界があり、超高容量の具現が困難であるという問題点がある。
【０００５】
また、従来の積層セラミックスキャパシタは、一つの誘電体のシート上に多層で蒸着する場合、温度変化による層間クラックが発生する可能性があり、積層数の制約があり、物理的な衝撃に弱いという問題点がある。
【０００６】
従って、安定的な破壊強度とともに超高容量の具現が可能である積層セラミックスキャパシタの開発が必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】韓国公開特許第２００５−００７７６８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、超高容量の具現が可能でありながらも強度が高い積層セラミックスキャパシタの製造方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態による積層セラミックスキャパシタの製造方法は、基礎誘電体層を形成する段階；前記基礎誘電体層の上面に内部誘電体層及び内部電極層を交互に蒸着した単位セラミックスキャパシタを形成する段階；及び前記単位セラミックスキャパシタを２層以上で積層する段階；を含むことができる。
【００１０】
この際、前記基礎誘電体層を形成する段階は、誘電体材料のスラリーを用いてグリーンシートを形成する方式からなることができる。
【００１１】
また、前記単位セラミックスキャパシタを形成する段階は、マスクを水平方向に移動させながら蒸着を遂行することができる。
この際、単一のマスクを用いて、前記内部誘電体層の蒸着時には前記マスクを既設定された地点に整列し、前記内部電極層の蒸着時には前記マスクを前記既設定された地点から既設定された距離だけ左側または右側に移動させることができる。
【００１２】
また、前記単位セラミックスキャパシタを形成する段階は、前記内部誘電体層は粒径が１から３０ｎｍ、厚さが１０から５００ｎｍになるように形成し、前記内部電極層は粒径が１から５ｎｍ、厚さが１から２００ｎｍになるように形成することができる。
【００１３】
また、前記基礎誘電体層を形成する段階は、その粒径が１５０から３００ｎｍ、その厚さが０．５から１０ｕｍになるように形成することができる。
【００１４】
また、前記単位セラミックスキャパシタを形成する段階は、スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、パルスレーザー蒸着法（ｐｕｌｓｅｄ  ｌａｓｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＬＤ）、電子ビーム蒸着法（ｅ‐ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒatｉｏｎ）、熱蒸着法（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）などの通常的な真空蒸着法のうち一つの方法を用いて遂行されることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による積層セラミックスキャパシタの製造方法は、相当の厚さを有する基礎誘電体層に誘電体層及び内部電極層を蒸着する方式で形成することにより、非常に薄い誘電体層及び内部電極層を得ることができて、超高容量を具現することができる。
【００１６】
また、上記のように誘電体層及び内部電極層が蒸着された基礎誘電体層を２層以上に積層することにより、高い破壊強度を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックスキャパシタの製造方法を順に図示した図面である。
【図２ａ】マスクを用いて内部誘電体層を蒸着する過程を図示した図面である。
【図２ｂ】マスクを用いて内部電極層を蒸着する過程を図示した図面である。
【図２ｃ】マスクを用いて内部誘電体層を蒸着する過程を図示した図面である。
【図３】本発明の一実施形態による積層セラミックスキャパシタの製造方法により製造された積層セラミックスキャパシタの断面を図示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付された図面を参照して、本発明が属する技術分野にて通常の知識を有する者が本発明を容易に実施することができるように、好ましい実施形態を詳細に説明する。但し、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明するにおいて、係わる公知技術または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要にぼかす可能性があると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。
【００１９】
また、類似の機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて同一の符号を用いる。
【００２０】
なお、明細書の全体において、ある部分が他の部分と「連結」されているとする場合、これは「直接的に連結」されている場合だけではなく、その間に他の構成を介して「間接的に連結」されている場合も含む。また、ある構成要素を「含む」とすることは、特別に反対される記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。
【００２１】
図１は本発明の一実施形態による積層セラミックスキャパシタの製造方法を順に図示した図面である。
【００２２】
図１の（ａ）を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミックスキャパシタの製造方法は基礎誘電体層１０を備える段階から始まることができる。
【００２３】
前記基礎誘電体層１０はその上面に複数の内部誘電体層及び内部電極層を蒸着するための基礎になるものであり、積層セラミックスキャパシタの強度を高めるために相当の厚さを有するように形成されることができる。
【００２４】
前記基礎誘電体層１０はＢａＴｉＯ３などの誘電体材料のスラリーを用いてグリーンシートを形成する方式で加工されることができる。
【００２５】
この際、スラリー形態で加工された誘電体材料の粒子の粒径は約１５０〜３００ｎｍであり、加工された基礎誘電体層１０の厚さは約１〜１０ｕｍであることができる。
【００２６】
図１の（ｂ）は、前記図１の（ａ）で備えられた基礎誘電体層１０の上面に内部電極層２０を形成する段階を図示したものである。
【００２７】
前記内部電極層２０は蒸着する方式で形成されることにより、非常に薄い厚さを有するように形成されることができる。
【００２８】
具体的に、前記蒸着工程は、スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、パルスレーザー蒸着法（ｐｕｌｓｅｄ  ｌａｓｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＬＤ）、電子ビーム蒸着法（ｅ‐ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒatｉｏｎ）、熱蒸着法（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）などの常用化された真空蒸着方法が用いられることができる。
【００２９】
蒸着方式で形成された前記内部電極層２０はニッケル（Ｎｉ）などで形成されることができて、その粒径が約１〜５ｎｍであり、その厚さが約１〜２００ｎｍになるように形成されることができる。
【００３０】
蒸着する方式で内部電極層２０を形成することにより、非常に薄い厚さの内部電極層２０を得ることができて、従って積層セラミックスキャパシタの小型化の面で有利である。
【００３１】
本実施形態では基礎誘電体層１０の上面に直接に内部電極層２０を形成したが、これと異なって基礎誘電体層１０の上面に内部誘電体層を先に蒸着し、その上に内部電極層２０を蒸着することも可能である。
【００３２】
図１の（ｃ）は、前記図１の（ｂ）で形成された内部電極層２０の上面に内部誘電体層３０を形成する段階を図示したものである。
【００３３】
前記内部誘電体層３０は前記内部電極層２０と同様に蒸着する方式で形成されることにより、非常に薄い厚さを有するように形成されることができる。
【００３４】
具体的に、前記蒸着工程は、スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、パルスレーザー蒸着法（ｐｕｌｓｅｄ  ｌａｓｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＬＤ）、電子ビーム蒸着法（ｅ‐ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａtｉｏｎ）、熱蒸着法（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）などの常用化された真空蒸着方法が用いられることができる。
【００３５】
蒸着方式で形成された前記内部誘電体層３０はＢａＴｉＯ３などで形成されることができて、その粒径が約１〜３０ｎｍであり、その厚さが約１０〜５００ｎｍになるように形成されることができる。
【００３６】
このように蒸着する方式で内部誘電体層３０を形成することにより、非常に薄い厚さの内部誘電体層３０を得ることができるため、超高容量の具現が可能である。
【００３７】
また、薄く形成された内部誘電体層３０は積層セラミックスキャパシタの小型化の面でも有利である。
【００３８】
図１の（ｄ）及び図１の（ｅ）は蒸着された内部誘電体層３０の上に再び内部電極層２０を蒸着し、その上に再び内部誘電体層３０を蒸着する段階を図示したものである。
【００３９】
このように基礎誘電体層１０の上面に内部電極層２０及び内部誘電体層３０を交互に蒸着形成することにより、単位セラミックスキャパシタが製作される。
【００４０】
本実施形態では単位セラミックスキャパシタが二つの内部電極層２０及び内部誘電体層３０を有すると説明したが、内部電極層２０及び内部誘電体層３０の数は必要によっていくらでも変更が可能である。
【００４１】
図１の（ｆ）は、図１の（ａ）から図１の（ｅ）に図示された段階によって製作された単位セラミックスキャパシタを２層で積層する段階を図示したものである。
【００４２】
このように複数の単位セラミックスキャパシタを積層することにより、積層セラミックスキャパシタの強度を高めることができる。
【００４３】
この際、蒸着によって形成された内部誘電体層３０により、高容量を具現することができるとともに、基礎誘電体層１０を二つ以上含むように積層することにより、高い強度を得ることが可能である。
【００４４】
また、前記基礎誘電体層１０は積層セラミックスキャパシタの強度にのみ寄与するのではなく、一定部分容量にも寄与することができる。
【００４５】
本実施形態では二つの単位セラミックスキャパシタを積層すると説明したが、積層される単位セラミックスキャパシタの数は必要によっていくらでも変更が可能である。
【００４６】
図２ａから図２ｃは本発明の一実施形態による積層セラミックスキャパシタの製造方法のうち、内部誘電体層及び内部電極層を蒸着する過程を具体的に図示した図面である。
【００４７】
図２ａから図２ｃを参照すると、内部誘電体層及び内部電極層の蒸着工程では多数の開口５２を有するマスク５０が用いられることができる。
【００４８】
図２ａは基礎誘電体層１０の上面に内部誘電体層３０を蒸着する段階を図示したものである。図２ａを参照すると、内部誘電体層３０の蒸着時にはマスク５０の一辺の中心Ｃ２と前記基礎誘電体層１０の対応される一辺の中心Ｃ１が一致するように前記マスク５０を整列することができる。
【００４９】
このような状態で、前記マスク５０の開口５２を通じて内部誘電体層３０が蒸着されるようにすることができる。
【００５０】
図２ｂは内部誘電体層３０の上に内部電極層２０を蒸着する段階を図示したものである。図２ｂを参照すると、内部電極層２０の蒸着時にはマスク５０の一辺の中心Ｃ２が前記基礎誘電体層１０の対応される一辺の中心Ｃ１から水平方向に一定距離で離れるように、前記マスク５０を水平移動させることができる。
【００５１】
図２ｃは再び内部電極層２０の上に内部誘電体層３０を蒸着する段階を図示したものである。
【００５２】
この際は、再び前記マスク５０の一辺の中心Ｃ２と前記基礎誘電体層１０の対応される一辺の中心Ｃ１が一致するように前記マスク５０を水平移動させることができる。
【００５３】
図面に図示していないが、その後に図２ｂに図示された方向と反対方向に前記マスク５０を水平移動させて、内部電極層２０を形成する過程を繰り返すことにより、複数の内部電極層２０及び内部誘電体層３０を蒸着することができる。
【００５４】
図３は本発明の一実施形態による積層セラミックスキャパシタの製造方法により製造された積層セラミックスキャパシタの断面を図示した図面である。
【００５５】
図３を参照すると、図１の（ｆ）に図示された段階で２層以上で積層された単位セラミックスキャパシタを焼成して、外部電極４０を形成し、積層セラミックスキャパシタが完成されることができる。
【００５６】
本発明は、上述の実施形態及び添付の図面により限定されない。当技術分野の通常の知識を有する者において、本発明の技術的思想を外れない範囲内で本発明による構成要素を置換、変形及び変更が出来るということは明白であろう。
【符号の説明】
【００５７】
１０  基礎誘電体層
２０  内部電極層
３０  内部誘電体層
４０  外部電極
５０  マスク
５２  開口
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図３】
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