(57)【要約】【課題】リソグラフィ装置の真空チャンバ内にコンポーネントを収容するためのシステムを提供する。【解決手段】リソグラフィ装置内で使用されるコンテナが提供される。コンテナは、複数のガス気泡を含む充填材料で少なくとも部分的に満たされた内部空間に、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネントを収容するように構成される。【選択図】図４
2011135073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置サブシステムであって、
内部空間に前記リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネントを収容する密閉コンテナを含み、前記コンテナの前記内部空間の少なくとも一部は、複数のガス気泡を含む充填材料で満たされる、リソグラフィ装置サブシステム。
【請求項２】
排気されるように構成された真空チャンバをさらに含み、前記密閉コンテナは、前記真空チャンバ内に設けられる、請求項１に記載のリソグラフィ装置サブシステム。
【請求項３】
フィラー材料をさらに含み、前記フィラー材料は、前記コンテナの前記内部空間の全体が前記リソグラフィ装置の前記少なくとも１つのコンポーネント、前記充填材料、および前記フィラー材料で満たされるように、前記リソグラフィ装置の前記少なくとも１つのコンポーネントおよび前記充填材料の周りの空隙を満たすように配置される、請求項１または２に記載のリソグラフィ装置サブシステム。
【請求項４】
前記充填材料内の前記ガス気泡は、独立気泡である、請求項１〜３のいずれかに記載のリソグラフィ装置サブシステム。
【請求項５】
前記密閉コンテナおよび前記リソグラフィ装置の前記少なくとも１つのコンポーネントは、前記充填材料より堅い、請求項１〜４のいずれかに記載のリソグラフィ装置サブシステム。
【請求項６】
前記充填材料は、ポリメタアクリルイミド硬質フォーム、押出法ポリスチレンフォーム、発泡ポリスチレンフォーム、フォームラバー、バルサ材、およびマイクロバルーンからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む、請求項１〜５のいずれかに記載のリソグラフィ装置サブシステム。
【請求項７】
前記密閉コンテナは金属パネルから形成される、請求項１〜６のいずれかに記載のリソグラフィ装置サブシステム。
【請求項８】
リソグラフィ装置内で使用する密閉コンテナを準備する方法であって、
前記リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネントを前記コンテナの内部空間に設けることと、
充填材料を前記コンテナの前記内部空間に設けることであって、前記充填材料は複数のガス気泡を含むことと、を含む、方法。
【請求項９】
前記コンテナの前記内部空間にフィラー材料を設けて、前記コンテナの前記内部空間の全体が前記リソグラフィ装置の前記少なくとも１つのコンポーネント、前記充填材料、および前記フィラー材料によって満たされるように、前記リソグラフィ装置の前記少なくとも１つのコンポーネントおよび前記充填材料の周りの空隙を満たすことをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記充填材料は、前記コンテナの前記内部空間に配置される前に所望の形状に形成される、請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記コンテナは、前記充填材料が前記コンテナの前記内部空間に配置された後に密閉される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記充填材料は、前記コンテナの前記内部空間内で所望の形状に形成される、請求項８または９に記載の方法。
【請求項１３】
前記充填材料を前記コンテナに設ける前記ステップは、ポリマーと、マイクロバルーンおよび発泡剤の少なくとも１つとの混合物を前記密閉コンテナに注入することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
リソグラフィ装置内で使用されるコンテナであって、複数のガス気泡を含む充填材料で少なくとも部分的に満たされた内部空間に前記リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネントを収容する、コンテナ。
【請求項１５】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームにパターン付けをしてパターン付けされた放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記パターン付けされた放射ビームを基板上に投影する投影システムと、
内部空間に前記リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネントを収容する密閉コンテナであって、前記コンテナの前記内部空間の少なくとも一部は、複数のガス気泡を含む充填材料で満たされる密閉コンテナを含む、請求項１〜７のいずれかに記載のリソグラフィ装置サブシステムと、を含む、リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００３】
[0003]  リソグラフィは、ＩＣや他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型ＩＣや他のデバイスおよび／または構造を製造できるようにするための、より決定的な要因になりつつある。
【０００４】
[0004]  パターンプリンティングの限界の理論的な推定値は、式（１）に示す分解能のレイリー規準によって与えられ得る：
【数１】
2011135073.tif 000003
ここで、λは、使用される放射の波長であり、ＮＡは、パターンを印刷するために使用される投影システムの開口数である。ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは、印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンジョン）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、３つの方法、すなわち露光波長λを短くすること、開口数ＮＡを大きくすること、またはｋ１の値を小さくすること、によって達成可能であるということになる。
【０００５】
[0005]  露光波長を短くするため、従って、最小印刷可能サイズを縮小させるために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。さらに、１０ｎｍ未満、例えば５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内（６．７ｎｍまたは６．８ｎｍなど）の波長を有するＥＵＶ放射が使用可能であることが提案されている。そのような放射は、極端紫外線または軟Ｘ線と呼ばれる。可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングによって与えられるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。
【０００６】
[0006]  ＥＵＶ放射は、プラズマを使用して生成することができる。ＥＵＶ放射を生成する放射システムは、燃料を励起してプラズマを提供するレーザと、プラズマを収容するソースコレクタモジュールとを備え得る。プラズマは、例えば、レーザビームを適切な材料（例えば、スズ）の粒子、適切なガス流または蒸気流（Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気など）などの燃料に誘導させることによって生成することができる。結果として得られるプラズマは、放射コレクタを使用して収集される出力放射、例えば、ＥＵＶ放射を放出する。放射コレクタは、ミラー垂直入射放射コレクタとすることができ、ミラー垂直入射放射コレクタは、放射を受け、その放射をビームに集束させる。ソースコレクタモジュールは、真空環境を提供してプラズマを支持するように配置された囲い構造またはチャンバを含み得る。そのような放射システムは、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。
【０００７】
[0007]  ＥＵＶ放射は、一般にほとんどの材料によって吸収される。従って、真空チャンバをリソグラフィ装置内に設けることが望ましい場合がある。真空チャンバは、例えば、ＥＵＶ放射が通過し得る真空ポンプを使用して排気されてよい。当然のことながら、リソグラフィ装置のコンポーネントの少なくとも一部が真空チャンバ内に配置される必要がある。しかし、一部のコンポーネントは、真空チャンバ内に配置される場合、問題をもたらすおそれがある。例えば、一部のコンポーネントは、真空チャンバ内の状態によって損傷を受けたり、ならびに／もしくは、準最適な方法で作動したりすることがある。
【０００８】
[0008]  その代わりに、または、それに加えて、例えば、一部のコンポーネントは、真空チャンバの機能に悪影響を与えるおそれがある。例えば、一部のコンポーネントは、所望の真空レベルが達成されるのを妨げたり、所望の真空レベルの達成を困難にすることがある高ガス放出性の材料を含む場合がある。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  リソグラフィ装置の真空チャンバ内にコンポーネントを収容するためのシステムを提供することが望ましい。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置サブシステムであって、内部空間に前記リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネントを収容する密閉コンテナを含み、前記コンテナの前記内部空間の少なくとも一部は、複数のガス気泡を含む充填材料で満たされる、リソグラフィ装置サブシステムが提供される。
【００１１】
[0011]  充填材料が約０．１バール未満の圧力にさらされる場合、充填材料は、複数のガス気泡がはじけないように選択され得る。充填材料が約０．０５バール未満の圧力にさらされる場合、充填材料は、複数のガス気泡がはじけないように選択され得る。充填材料が絶対真空にさらされる場合、充填材料は、複数のガス気泡がはじけないように選択され得る。フィラー材料が約１バールから約１０バールの圧力で密閉コンテナ内に注入される場合、充填材料は、複数のガス気泡がはじけないように選択され得る。フィラー材料が約６バールの圧力で密閉コンテナ内に注入される場合、充填材料は、複数のガス気泡がはじけないように選択され得る。
【００１２】
[0012]  充填材料の密度は、約１００ｋｇ／ｍ３未満とすることができる。リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネントは、センサ、コイル、または磁石、あるいはそれらのあらゆる組合せを備え得る。コンテナの内部空間全体は、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネントおよび充填材料によって満たされ得る。充填材料は、発泡剤と混合されたポリマを含み得る。
【００１３】
[0013]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置内で使用する密閉コンテナを準備する方法であって、前記リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネントを前記コンテナの内部空間に設けることと、充填材料を前記コンテナの前記内部空間に設けることであって、前記充填材料は複数のガス気泡を含むことと、を含む、方法が提供される。
【００１４】
[0014]  フィラー材料は、約１バールから約１０バール、例えば、約３バール、約４バール、または約６バールの圧力でコンテナの内部空間に注入され得る。当該方法は、密閉コンテナをリソグラフィ装置内で使用される真空チャンバ内に設置することをさらに含む。コンテナの内部空間の圧力は、フィラー材料がコンテナの内部空間に設けられる前に、約０．０５バールから約０．１バールの圧力まで低減され得る。
【００１５】
[0015]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置内で使用されるコンテナが提供される。前記コンテナは、複数のガス気泡を含む充填材料で少なくとも部分的に満たされた内部空間に前記リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネントを収容する。
【００１６】
[0016]  本発明の一態様によれば、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートを含むリソグラフィ装置が提供される。前記パターニングデバイスは、放射ビームにパターン付けをしてパターン付けされた放射ビームを形成するように構成される。また、前記リソグラフィ装置は、前記パターン付けされた放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、内部空間に前記リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネントを収容する密閉コンテナであって、前記コンテナの前記内部空間の少なくとも一部は、複数のガス気泡を含む充填材料で満たされる密閉コンテナと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
[0017]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００１８】
【図１】[0018]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0019]  図２は、図１の装置のより詳細な図である。
【図３】[0020]  図３は、図１および図２の装置のソースコレクタモジュールのより詳細な図である。
【図４】[0021]  図４は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置のコンポーネント用コンテナを含むリソグラフィ装置サブシステムを示す。
【図５】[0022]  図５は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置のコンポーネント用コンテナを含むリソグラフィ装置サブシステムを示す。
【図６】[0023]  図６は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置のコンポーネント用コンテナを含むリソグラフィ装置サブシステムを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
[0024]  図１は、本発明の一実施形態に係る、ソースコレクタモジュールＭＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影システム）ＰＳと、を含む。
【００２０】
[0025]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２１】
[0026]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００２２】
[0027]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応し得る。
【００２３】
[0028]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２４】
[0029]  照明システムなどの投影システムは、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２５】
[0030]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。
【００２６】
[0031]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２７】
[0032]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法としては、ＥＵＶ範囲の１つ以上の発光線で材料を少なくとも１つの元素、例えばキセノン、リチウム、またはスズを有するプラズマ状態に変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多いそのような方法において、必要とされる線発光素子を有する材料の小滴、流れ、またはクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって、必要とされるプラズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを供給するための、図１に示されないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として得られるプラズマは、出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、この出力放射は、ソースコレクタモジュール内に配置される放射コレクタを使用して収集される。例えば、ＣＯ２レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを供給する場合、レーザおよびソースコレクタモジュールは、別個の構成要素であってもよい。
【００２８】
[0033]  そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源がＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は、ソースコレクタモジュールの一体部分とすることもできる。
【００２９】
[0034]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイスおよびファセット瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３０】
[0035]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００３１】
[0036]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３２】
[0037]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３３】
[0038]  図２は、ソースコレクタモジュールＳＯと、照明システムＩＬと、投影システムとを含む装置１００をより詳細に示している。ソースコレクタモジュールＳＯは、真空環境をソースコレクタモジュールＳＯの囲い構造２２０内に維持することができるように構成および配置される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０が、放電生成プラズマ源によって形成され得る。ＥＵＶ放射は、ガスまたは蒸気、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気によって生成することができ、非常に高温のプラズマ２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射を放出する。非常に高温のプラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを引き起こす放電によって生成される。Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または他の適切なガスまたは蒸気の、例えば１０Ｐａの分圧が、放射を効率よく発生させるために必要とされ得る。一実施形態において、励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマを設けてＥＵＶ放射を生成する。
【００３４】
[0039]  高温プラズマ２１０が放出する放射は、放射源チャンバ２１１の開口内または開口の後ろに位置決めされる、任意のガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（場合によっては汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれる）を介して放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内に送られる。汚染物質トラップ２３０は、チャネル構造を含み得る。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリアまたはガスバリアとチャネル構造の組合せを含み得る。本明細書で示される汚染物質トラップまたは汚染物質バリア２３０は、当該技術分野で公知のように、チャネル構造を少なくとも含む。
【００３５】
[0040]  コレクタチャンバ２１２は、いわゆるかすめ入射コレクタとすることができる放射コレクタＣＯを含み得る。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１と下流放射コレクタ側２５２とを有する。コレクタＣＯを横切る放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射されて仮想放射源点ＩＦに集束されることが可能である。仮想放射源点ＩＦは、一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが囲い構造２２０の開口２２１に、または開口２２１の付近に位置するように配置される。仮想放射源点ＩＦは放射放出プラズマ２１０の像である。
【００３６】
[0041]  その後、放射は照明システムＩＬを横切る。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおける放射ビーム２１の所望の角度分布およびパターニングデバイスＭＡにおける放射強度の所望の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２およびファセット瞳ミラーデバイス２４を含み得る。サポート構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２１が反射されると、パターン付けされたビーム２６が形成され、パターン付けされたビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射エレメント２８および３０を介して、ウェーハステージまたは基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に結像される。
【００３７】
[0042]  一般に、図示されたエレメントより数の多いエレメントが照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳに存在してよい。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプによって任意で存在してよい。さらに、図示されたミラーより数の多いミラーが存在してよい。例えば、図２に示すものと比較して、投影システムＰＳ内に追加の１〜６つの反射エレメントが存在してよい。
【００３８】
[0043]  図２に示すコレクタ光学系ＣＯは、コレクタ（またはコレクタミラー）の単なる一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４および２５５を有する入れ子式コレクタとして描かれている。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４および２５５は、光軸Ｏの周りで軸方向に対称的に配置され、このタイプのコレクタ光学系ＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて使用されることが好ましい。
【００３９】
[0044]  あるいは、ソースコレクタモジュールＳＯは、図３に示すようにＬＰＰ放射システムの一部であってもよい。レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、またはリチウム（Ｌｉ）などの燃料内にレーザエネルギーを堆積させるように配置され、それによって電子温度が数１０ｅＶの高電離プラズマ２１０が生成される。イオンの脱励起および再結合中に生成されたエネルギー放射は、プラズマから放出され、囲い構造２２０において近垂直入射コレクタ光学系ＣＯによって収集され、開口２２１上に集束される。
【００４０】
[0045]  リソグラフィ装置のコンポーネントが真空チャンバ内で使用され得るようにこれらのコンポーネントを収容するために、これまで、金属コンテナにコンポーネントを密閉することが提案されてきた。例えば、気密性を備えるために溶接シームを有するコンテナを形成してよい。これは、所望の真空レベルに達する、すなわち、真空チャンバ内の圧力を所望のレベルまで低減させることが困難または不可能となり得る、高いガス放出性を有する材料を含むコンポーネントにとって有用であり得る。さらに、そのようなコンテナにコンポーネントを収容することによって、コンポーネントを攻撃的なＨ＋ラジカルから保護することができる。Ｈ＋ラジカルは、ＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置で使用される真空チャンバ内で存在し得る。すなわち、Ｈ＋ラジカルは、装置の表面を掃除するために使用され得る。例えば、ＮｄＦｅＢ磁石はＨ＋ラジカルによって損傷を受けることがある。
【００４１】
[0046]  しかし、そのようなコンテナを設けることによって新たな問題が生じ得る。特に、コンテナには所定の体積のガスが入るので、さらなる問題が生じ得る。例えば、コンテナの壁またはコンテナ溶接部の一つに非常に小さい漏れが存在する場合、コンテナは非常に長い時間にわたってガスを流出させる可能性がある。例えば、コンテナが真空チャンバ内に配置される場合、ガスは数週間または数ヶ月コンテナから流出することがある。これによって、真空チャンバが高い真空、すなわち非常に低い圧力に到達することが不可能になり得る。そのような漏れは探知するのが困難な場合がある。
【００４２】
[0047]  さらに、コンテナに閉じ込められたガスは、コンテナの変形を引き起こし得る。それに加えて、変形は、コンテナの外の圧力、すなわち真空チャンバ内の圧力によって異なる場合がある。この変形は、コンテナ内に設置されたコンポーネントおよび／または真空チャンバ内の他のコンポーネントの動作のエラーを引き起こし得る。
【００４３】
[0048]  その上、コンテナに閉じ込められたガスは、コンテナの周囲の圧力が低減された際に、コンテナおよび溶接部への応力の原因となる。このことは、コンテナの故障をもたらし得る。従って、その代わりに、または、それに加えて、コンテナがそのような応力に耐えるに十分厚い壁を備えることが必要である。これによってコンテナの質量は増加する可能性があり、このことは望ましくない場合がある。例えば、このことは、ひいては移動されるリソグラフィ装置のサブシステムの質量を増加させ得る。そしてまた、サブシステムを動かす、より強力なアクチュエータシステムが必要となったり、そのようなアクチュエータシステムから放散される熱の増加をもたらしたり、ならびに／あるいはアクチュエータシステムの精度および／または応答率を減少させたりすることがある。
【００４４】
[0049]  コンテナをポリマ、例えば、低粘度エポキシで満たすことによって上述した問題を緩和することがこれまで提案されてきた。しかし、このことはさらなる問題をもたらすことが分かっている。
【００４５】
[0050]  従って、本発明において、リソグラフィ装置のコンポーネントを、真空チャンバ内に設けられる密閉されたコンテナの内部空間に収容することができる、ということが分かる。コンテナの内部空間の少なくとも一部を、複数のガス気泡を含む充填材料で満たすことができる。
【００４６】
[0051]  上述したような構成を設けることによって、例えば水の９５％〜２００％の密度を有し得るエポキシで内部空間が満たされたコンテナと比較して、コンテナの最終的な質量を実質的に低減させることができる。
【００４７】
[0052]  図４は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィサブシステムを示している。図示の通り、リソグラフィ装置の真空チャンバ３５内に設置され得るコンテナ４０が設けられる。コンテナ４０は、例えば、溶接部４２などによって密閉状態で互いに固定される薄い金属パネル４１から形成されてよい。パネルは、例えば、グレード５のチタンなどのチタン、またはＡＩＳＩ３１６ＬまたはＡＩＳＩ３１０Ｓなどのステンレス鋼から形成されてよい。壁は約０．２ｍｍから約１．５ｍｍの間の厚さを有してよい。より薄い壁を使用してもよく、例えば、約０．０１ｍｍの薄い壁を使用してもよい。
【００４８】
[0053]  リソグラフィ装置の１つ以上のコンポーネント４５が、コンテナ４０の内部空間４３に設置されてよい。例えば、リソグラフィ装置の真空チャンバ３５内に直接ではなく、コンテナ４０に望ましくは収容され得るリソグラフィ装置のコンポーネントとして、アクチュエータシステムの一部を形成し得るセンサ、コイル、および／または磁石が含まれる。
【００４９】
[0054]  図４に示す通り、本発明の一実施形態において、コンテナ４０の内部空間４３を少なくとも部分的に満たすために、複数のガス気泡を含む充填材料の部分４６が設けられる。そのような充填材料４６を設けることによって、遊離ガスがコンテナの内部空間４３から除去され、上述のガスが満たされたコンテナの問題を回避する。しかし、複数のガス気泡を有する充填材料を使用することで、コンテナ４０をエポキシなどのポリマで満たすことで発生する問題が回避され得る。例えば、ガス気泡を含む充填材料の密度は、エポキシの密度より著しく低くなり得る。従って、完成したコンテナの質量は、エポキシで満たされたものより著しく少なくなり得る。
【００５０】
[0055]  さらに、充填材料は比較的不良熱導体とすることができる。従って、充填材料の使用は、コンポーネント内で発生しうる熱のコンテナの壁への伝達を低減させ得る。これによって、熱膨張によるコンテナの歪みが減少したり、および／またはリソグラフィ装置の残りの部分への熱のさらなる伝達が減少したりすることがある。
【００５１】
[0056]  充填材料は、例えば、Ｅｖｏｎｉｃｋ  ＧｍｂＨ製のＲｏｈａｃｅｌｌなどのポリメタアクリルイミド硬質フォーム、Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙ製のＳｔｙｒｏｆｏａｍなどの押出法ポリスチレンフォーム、発泡ポリスチレンフォーム、ＤｕＰｏｎｔ製のネオプレンなどのフォームラバー、バルサ材、および凝固フォーム（solidified foam）などの他の同様の材料のうちの少なくとも１つから形成されてよい。充填材料内のガス気泡は、充填材料が製造中にガスまたは液体を吸収するのを防止する、および／または使用中にガスまたは液体を漏らすのを防止するために、好ましくは独立気泡とすることができる。
【００５２】
[0057]  充填材料は、コンテナ４０およびコンテナ内のコンポーネント４５の少なくとも１つより堅くないように選択されてよい。従って、例えば、温度変化によりコンテナ４０内の１つ以上のコンポーネント４５が膨張する場合、充填材料４６は、ひずみを吸収することができる、すなわち変形することができる。これによって１つ以上のコンポーネント４５および／またはコンテナ４０の変形を防止することができる。
【００５３】
[0058]  同様に、充填材料の熱膨張係数が１つ以上のコンポーネント４５および／またはコンテナ４０の熱膨張係数と異なる場合、温度が変化すると、１つ以上のコンポーネント４５およびコンテナ４０ではなく、充填材料４６が変形することがある。これは、これまでに提案されてきたような、コンテナが単にエポキシなどのポリマで満たされる構成とは異なる。そのようなコンテナにおいては、エポキシの熱膨張および／またはコンテナに収容されるコンポーネントの熱膨張が、コンポーネントまたはコンテナの変形につながるおそれがある。
【００５４】
[0059]  図４に示す実施形態のコンテナ４０を形成するために、以下のプロセスを用いることができる。最初に、コンテナ４０は部分的に形成されてよく、リソグラフィ装置のコンポーネント４５はコンテナ４０内に配置されてよい。充填材料の事前形成部分４６も、部分的に形成されたコンテナ４０内に配置されてよい。コンポーネント４５を設置する前に充填材料の事前形成部分４６の少なくとも１つを設けることが必要であり得ることが明らかである。あるいは、事前形成部分４６はすべて、コンポーネント４５の後に設けられてよい。充填材料の事前形成部分４６がコンテナ４０内に配置されると、最終パネル４１の例えば取り付けおよび封止によってコンテナを完成することができる。
【００５５】
[0060]  充填材料の事前形成部分４６は、１つ以上の事前形成部分４６がコンポーネント４５とともにコンテナ４０内に配置される際に、コンテナの内部空間４３全体が満たされるように形成され得る。１つの構成において、充填材料の１つ以上の事前形成部分４６は、充填材料が必ずわずかに圧縮されてコンテナ４０の内部空間４３内に収まるように、満たされることになる空間に対してわずかに大きくなるように設計されてよい。そのような構成によって、空隙が全く残らないことが確実となり得る。
【００５６】
[0061]  その代わりに、または、それに加えて、図４に示す通り、コンポーネント４５および充填材料の部分４６の周りに残る空隙は、ポリマ４８などのフィラー材料によって満たされ得る。例えば、（充填材料の部分が内部にある状態で）コンテナ４０が完成すると、ポリマ４８は残っているあらゆる空隙を満たすためにコンテナ４０の内部空間４３に注入されてよい。従って、例えば、ポリマ４８が注入されるポート４９がコンテナ４０内に設けられ得る。１つの構成において、コンテナ４０は、ポリマ４８の注入前に排気されてよい。そのような構成によって、ポリマ４８が注入された後にコンテナ４０内に残るガスポケットの発生する可能性を低減させることができる。
【００５７】
[0062]  コンポーネント４５の周りのコンテナの内部空間４３の少なくとも一部、および場合により、利用可能な内部空間のほとんどまたはすべてが充填材料で満たされる上述したような構成は、内部空間がポリマで満たされるこれまでに提案されてきたコンテナよりさらに有利かもしれない。例えば、ほとんどのポリマは硬化中に、通常３または４％まで著しく縮む。従って、コンテナが主にポリマで満たされる場合、硬化プロセスはコンテナの変形の原因となることがあり、上述した関連する問題をもたらす。本発明の一実施形態において、コンポーネント４５の周りのコンテナ４０の内部空間の一部またはすべては、充填材料で満たされてよい。従って、ポリマの硬化がもたらす問題を緩和または解消することができる。
【００５８】
[0063]  ポリマが充填材料およびコンポーネントの周りの空隙を満たすように注入される本発明の一実施形態において、必要とされるポリマの体積は、その量のポリマの収縮がコンテナ４０の著しい変形を引き起こさないよう程度に十分に小さくてよいことが明らかである。その代わりに、または、それに加えて、上述した通り、ポリマの収縮は、コンテナ４０の変形ではなく充填材料の変形によって吸収されてもよい。
【００５９】
[0064]  リソグラフィ装置のコンポーネント４５を収容するコンテナ４０を形成するための上述したような方法において、ポリマは、ポリマ４８がすべての残りの空隙を満たすことを確実にするために、比較的高い圧力の下でコンテナ４０の内部空間４３内に注入されてよい。例えば、ポリマ４８は、約１バールから約１０バールの圧力、例えば、約３バール、約４バール、または約６バールでコンテナ４０内に注入されてよい。従って、充填材料は、ポリマ４８を注入するために使用される圧力下で特定の閾値を越えて収縮されない程度に十分強くなるように選択されてよい。最低でも、充填材料は、使用される圧力下で充填材料内のガス気泡がはじける程度まで圧縮されないように選択され得ることが明らかである。
【００６０】
[0065]  同様に、コンテナ４０がポリマ４８の注入前に排気される場合、充填材料は、排気状態に耐え得る程度に、すなわち、圧力が必要とされるレベルまで低減された際に、充填材料内のガス気泡がはじけない程度に選択されてよい。当然のことながら、大気圧より低い圧力を使用してよい。特に、コンテナ４０は、約０．０５バールから約０．１バールの圧力まで低減されてよい。従って、充填材料は、少なくともこれらの圧力までの排気に耐えるように選択することができる。充填材料は、充填材料が絶対真空、すなわち負圧が及ぼし得る最大応力に耐える程度に十分に強いように選択されてよい。そのような圧力は、コンテナを形成するプロセスにおいて実際には使用されないことが明らかである。
【００６１】
[0066]  上述の通り、完成したコンテナ４０の質量が最小化されることが望ましい。従って、充填材料は、必要とされる機械的性質をもたらすと同時に可能な限り低い密度を有するように選択され得る。好ましくは、充填材料の密度は、約１００ｋｇ／ｍ３未満であるべきである。これによって、これまでに提案されてきた、約９００ｋｇ／ｍ３から約２０００ｋｇ／ｍ３の密度を有し得る低粘度のエポキシの使用と比較して、著しい軽量化をもたらすことができる。例えば、ポリメタアクリルイミドフォームは、約３０ｋｇ／ｍ３から約７５ｋｇ／ｍ３の密度、押出法ポリスチレンフォームは、約３０ｋｇ／ｍ３から約６０ｋｇ／ｍ３の密度、発泡ポリスチレンフォームは、約１５ｋｇ／ｍ３から約５０ｋｇ／ｍ３の密度を有し得る。
【００６２】
[0067]  充填材料の密度と充填材料の強度の兼ね合いが存在し得ることが明らかである。特に、充填材料は、コンポーネント４５またはコンテナ４０ではなく、充填材料が変形するように選択されてよいが、充填材料がコンテナ４０に対して強度を提供することが望ましいことがある。例えば、充填材料は、パネル４１を支持することによってコンテナ４０に強度および剛性を提供することができる。従って、わずかに強い充填材料の使用によって、より薄いパネル４１を使用してコンテナ４０を形成することが可能となり得る。結果として生じるコンテナの壁の質量の減少は、より強い充填材料を提供するために必要であり得る質量増加を相殺することができ、完成したコンテナ４０の質量減少という結果になり得る。
【００６３】
[0068]  図５は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置サブシステムを示している。この実施形態は、図４に示す実施形態と同様であり、従って、違いのみを詳細に検討する。図示の通り、本実施形態において、コンポーネント４５はコンテナ４０内に収容され、コンテナ４０の内部空間４３の残りは、充填材料５１および５２によって満たされる。特に、充填材料５１および５２は、複数のマイクロバルーン５２がポリマ５１全体にわたって分散されたエポキシ樹脂５１などのポリマを含んでよい。マイクロバルーン５２は、例えば、小さな中空ガラス球またはフェノール樹脂球とすることができる。そのようなマイクロバルーンは、約１２０ｋｇ／ｍ３から約２００ｋｇ／ｍ３の密度を有し得る。
【００６４】
[0069]  図５に示す実施形態のコンテナを形成するために、上述の通り、リソグラフィ装置のコンポーネント４５は、コンテナ４０および完成したコンテナ内に配置され得る。その後、マイクロバルーン５２が分散したポリマ５１はポート４９を介してコンテナ４０の内部空間４３内に注入され得る。上述した方法と同様の方法で、ガスポケットがコンテナ４０内に含まれるのを回避するために、内部空間４３は、ポリマ５１およびマイクロバルーン５２の注入前に排気されてよい。
【００６５】
[0070]  図５に示す実施形態の変形例において、マイクロバルーン５２が分散したポリマ５１をコンテナ内に注入する代わりに、ポリマおよび発泡剤の混合物を注入してよい。従って、そのような構成において、充填材料は気体の泡で満たされたポリマからなるであろう。
【００６６】
[0071]  図６は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置サブシステムを示している。再び、上述の実施形態と異なる特徴のみを詳細に検討する。図示の通り、コンポーネント４５はコンテナ４０内に収容される。コンポーネント４５の周りのコンテナの内部空間４３のほとんどを満たす充填材料５５が設けられる。さらに、ポリマ５６が、コンテナ４０の内部空間４３に残る空隙を満たすために設けられる。
【００６７】
[0072]  図６に示す実施形態を形成するために、コンポーネント４５がコンテナ４０内にある状態でコンテナ４０が密閉された後に、充填材料５５は、ポート４９を介して注入されてよい。言い換えると、図４に示す実施形態とは異なり、ガス気泡を含む充填材料は、事前形成されてコンテナ４０内に配置されるのではなく、コンテナ４０の内部空間４３に形成される。
【００６８】
[0073]  しかし、図６に示すように、このように形成された充填材料は、コンテナ４０の内部空間４３を完全には満たさない場合がある。このようであり得るのは、特に充填材料５５は例えば硬化中に収縮し得るという理由からである。従って、コンテナ４０の内部空間４３内の利用可能な空間の大部分を満たす充填材料５５の形成後に、残りの空隙を満たすためにポート４９を介してポリマ５６を注入してよい。上述の通り、コンテナ４０の内部空間４３は、ポリマ５６の注入前に排気されてよい。
【００６９】
[0074]  真空チャンバ内に配置されることになるコンテナ内に密閉されたコンポーネントの準備に特に関連して本発明を説明してきたが、密閉コンテナ内のコンポーネントの構成は他の状況においても使用され得ることが明らかである。例えば、この構成は、大気圧で作動するリソグラフィ装置に対して設けられてよい。こういった意味合いで、本発明は、コンテナ内に配置されるコンポーネントとコンテナ外に配置されるコンポーネントとの間の汚染物質の移動の防止する有益な助けとなることができる。
【００７０】
[0075]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００７１】
[0076]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００７２】
[0077]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００７３】
[0078]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。従って、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
2011135073.tif 000004
【図２】
2011135073.tif 000005
【図３】
2011135073.tif 000006
【図４】
2011135073.tif 000007
【図５】
2011135073.tif 000008
【図６】
2011135073.tif 000009
【外国語明細書】
2011135073000001.pdf