(57)【要約】【課題】被処理基板に処理を行う基板処理装置において、基板全面に均一に基板処理を行うことができる基板処理装置及びその基板処理装置における基板処理方法を提供する。【解決手段】搬送路３４の途中に設けられたステージ面１５２を有し、被処理基板Ｇをステージ面１５２の上に載置する載置ステージ１５０と、ステージ面１５２の下方で搬送路３４を横切る方向に延びる軸１５６に沿って回転可能に設けられ、ステージ面１５２より上方に突出可能な半径を有する回転体の一部を軸１５６に沿って切り落とした形状に形成され、それぞれ第１及び第２の回転角度位置にあるときにステージ面１５２と略平行な面を形成する第１及び第２の弦部１６４、１７４を備えた第１及び第２の回転体１６０、１７０を有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を一方向に沿って搬送する搬送路の途中に設けられたステージ面を有し、前記被処理基板を前記ステージ面の上に載置する載置ステージと、
前記ステージ面の下方で前記搬送路を横切る方向に延びる軸に沿って回転可能に設けられ、前記ステージ面より上方に突出可能な半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第１の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第１の弦部を備えた第１の回転体と、
前記軸に沿って前記第１の回転体と独立して回転可能に設けられ、前記半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第２の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第２の弦部を備えた第２の回転体と
を有する、基板処理装置。
【請求項２】
前記載置ステージは、前記ステージ面に開口部が形成されており、
前記第１の回転体は、前記開口部を介して前記ステージ面より上方に突出可能な第１の円弧部を備え、
前記第２の回転体は、前記開口部を介して前記ステージ面より上方に突出可能な第２の円弧部を備えた、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の弦部は、前記軸の周りに沿って複数設けられた、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２の弦部は、前記軸の周りに沿って複数設けられた、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の回転体は、前記軸に沿って複数設けられ、
前記第２の回転体は、前記軸に沿って複数設けられ、
前記複数の第１の回転体は、第１の回転駆動機構によって回転駆動され、
前記複数の第２の回転体は、第２の回転駆動機構によって回転駆動される、請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記搬送路の途中に設けられ、前記被処理基板を収容するための空間を有する減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内を真空排気する排気部と
を有し、
前記載置ステージと、前記第１の回転体と、前記第２の回転体とは、前記チャンバ内に設けられた、請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
被処理基板を一方向に沿って搬送する搬送路の途中に設けられたステージ面を有し、前記被処理基板を前記ステージ面の上に載置する載置ステージと、前記ステージ面の下方で前記搬送路を横切る方向に延びる軸に沿って回転可能に設けられ、前記ステージ面より上方に突出可能な半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第１の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第１の弦部を備えた第１の回転体と、前記軸に沿って前記第１の回転体と独立して回転可能に設けられ、前記半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第２の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第２の弦部を備えた第２の回転体とを有する、基板処理装置における基板処理方法であって、
前記軸に沿って視たときに前記第１の弦部と前記第２の弦部とが重ならない状態で、前記第１の回転体と前記第２の回転体とを回転駆動して前記被処理基板を前記載置ステージ上に搬入する搬入工程と、
前記第１の回転体の回転角度位置が前記第１の回転角度位置にあり、前記第２の回転体の回転角度位置が前記第２の回転角度位置にある状態で、前記第１の回転体の回転駆動及び前記第２の回転体の回転駆動を停止して、前記被処理基板を前記ステージ面に載置する載置工程と
を有する、基板処理方法。
【請求項８】
前記載置工程は、
前記搬入工程の後、前記第１の回転体の回転角度位置が前記第１の回転角度位置にある時に前記第１の回転体の回転を停止する第１の回転停止工程と、
前記第１の回転停止工程の後、前記第２の回転体の回転角度位置が前記第２の回転角度位置にある時に前記第２の回転体の回転を停止し、前記被処理基板を前記ステージ面の上に載置する第２の回転停止工程と
を有する、請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記搬出工程は、
前記載置工程の後、前記第２の回転体の回転を開始する第１の回転開始工程と、
前記第１の回転開始工程の後、前記第２の回転体の回転角度位置が前記第２の弦部が前記ステージ面より突出しない回転角度位置にある時に前記第１の回転体の回転を開始し、前記軸に沿って視たときに前記第１の弦部と前記第２の弦部とが重ならない状態で、前記第１の回転体と前記第２の回転体とを回転駆動して前記被処理基板を前記載置ステージ上から搬出する第２の回転開始工程と
を有する請求項７又は請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記載置ステージは、前記ステージ面に開口部が形成されており、
前記第１の回転体は、前記開口部を介して前記ステージ面より上方に突出可能な第１の円弧部を備え、
前記第２の回転体は、前記開口部を介して前記ステージ面より上方に突出可能な第２の円弧部を備えた、請求項７から請求項９のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記第１の弦部は、前記軸の周りに沿って複数設けられた、請求項７から請求項１０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記第２の弦部は、前記軸の周りに沿って複数設けられた、請求項７から請求項１１のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記第１の回転体は、前記軸に沿って複数設けられ、
前記第２の回転体は、前記軸に沿って複数設けられ、
前記複数の第１の回転体は、第１の回転駆動機構によって回転駆動され、
前記複数の第２の回転体は、第２の回転駆動機構によって回転駆動される、請求項７から請求項１２のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記基板処理装置は、前記搬送路の途中に設けられ、前記被処理基板を収容するための空間を有する減圧可能なチャンバと、前記チャンバ内を真空排気する排気部とを有し、
前記載置ステージと、前記第１の回転体と、前記第２の回転体とは、前記チャンバ内に設けられた、請求項７から請求項１３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１５】
コンピュータに請求項７から請求項１４のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置、その基板処理装置における基板処理方法、及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造においては、基板処理装置を用い、ガラス基板等の被処理基板（以下「基板」ともいう。）上にレジスト（処理液）を塗布処理し、塗布処理した基板を加熱処理し、露光し、現像処理してレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程を行う。フォトリソグラフィー工程の中で、レジスト等（以下「処理液」という場合がある。）を塗布した後、レジスト中の残存溶剤を蒸発させる加熱処理つまりプリベーキングを即座に行うと、溶剤の蒸発が不均一になり、乾燥して形成される塗布膜の膜厚にムラが発生するという問題がある。これは、例えば加熱処理を行う加熱処理ユニット内で、基板と接触するリフトピン、支持ピンまたはバキューム溝等から熱的な影響を受けて溶剤の蒸発が基板面内で不均一になるためである。
【０００３】
そこで、レジストを塗布した後、プリベーキングに先立って、減圧雰囲気中で基板上のレジスト中の残存溶剤をある程度まで揮発させることでレジスト塗布膜の表面に固い層（一種の変質層）を形成する減圧乾燥処理が行われている。レジスト塗布膜の内部またはバルク部を液状に保ちつつ表層部のみを固化する減圧乾燥処理を行うことにより、プリベーキングの際にバルクレジストの流動を抑制して乾燥斑の発生を低減し、膜厚にムラが発生することを防止する。これによって、露光時におけるレジスト解像度が高くなる。
【０００４】
このような減圧乾燥処理を行う基板処理装置は、基板を減圧下に保持するためのチャンバよりなる減圧乾燥ユニットを有する（例えば特許文献１参照）。減圧乾燥ユニットのチャンバは、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバと、この下部チャンバの上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバとを有しており、下部チャンバの中にはステージが配設されている。このステージ上にレジストが塗布処理された基板を水平に載置し、チャンバを閉じて室内を排気して減圧状態にする。
【０００５】
また、減圧乾燥ユニットのチャンバの中に、基板をピン先端で略水平に支えて上げ下げするために離散的に配置された多数のリフトピンを有するものがある（例えば特許文献２参照）。減圧乾燥処理を行うときはリフトピンの先端をコロ搬送路よりも高くして基板を支持し、基板の搬入出を行うときはリフトピンのピン先端をコロ搬送路よりも低くして搬送機構による基板のコロ搬送を可能としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１８１０７９号公報
【特許文献２】特開２００８−１２４３６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のような基板処理装置においては、減圧乾燥ユニット内において、被処理基板を支持する支持部材が被処理基板に点状に接触した状態で、被処理基板が停止する。そのため、減圧乾燥処理して形成される塗布膜の膜厚にムラが生じやすいということが問題になっている。
【０００８】
例えば、塗布処理された被処理基板を、減圧乾燥ユニット内において搬送コロによってコロ搬送し、その搬送コロ上で停止させて減圧乾燥処理するときに、減圧乾燥処理して形成される塗布膜に点状に接触した搬送コロの跡が膜厚のムラとして残ってしまうことがある。また、塗布処理された被処理基板を、減圧乾燥ユニット内で搬送コロの上方に突出するリフトピンにより支持して減圧乾燥処理するときに、減圧乾燥処理して形成される塗布膜にリフトピンの跡が膜厚のムラとして残ってしまうことがある。更に、減圧乾燥ユニット以外の各ユニット及び搬送路においても、基板を停止すると、基板全面を均一に支持することができない。そのため、基板温度にムラが生じ、塗布処理、検査処理を含めた基板処理の各工程において、基板全面に均一に基板処理を行うことができないという問題がある。
【０００９】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、被処理基板に処理を行う基板処理装置において、基板全面に均一に基板処理を行うことができる基板処理装置及びその基板処理装置における基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の一実施例によれば、被処理基板を一方向に沿って搬送する搬送路の途中に設けられたステージ面を有し、前記被処理基板を前記ステージ面の上に載置する載置ステージと、前記ステージ面の下方で前記搬送路を横切る方向に延びる軸に沿って回転可能に設けられ、前記ステージ面より上方に突出可能な半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第１の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第１の弦部を備えた第１の回転体と、前記軸に沿って前記第１の回転体と独立して回転可能に設けられ、前記半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第２の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第２の弦部を備えた第２の回転体とを有する、基板処理装置が提供される。
【００１２】
また、本発明の一実施例によれば、被処理基板を一方向に沿って搬送する搬送路の途中に設けられたステージ面を有し、前記被処理基板を前記ステージ面の上に載置する載置ステージと、前記ステージ面の下方で前記搬送路を横切る方向に延びる軸に沿って回転可能に設けられ、前記ステージ面より上方に突出可能な半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第１の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第１の弦部を備えた第１の回転体と、前記軸に沿って前記第１の回転体と独立して回転可能に設けられ、前記半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第２の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第２の弦部を備えた第２の回転体とを有する、基板処理装置における基板処理方法であって、前記軸に沿って視たときに前記第１の弦部と前記第２の弦部とが重ならない状態で、前記第１の回転体と前記第２の回転体とを回転駆動して前記被処理基板を前記載置ステージ上に搬入する搬入工程と、前記第１の回転体の回転角度位置が前記第１の回転角度位置にあり、前記第２の回転体の回転角度位置が前記第２の回転角度位置にある状態で、前記第１の回転体の回転駆動及び前記第２の回転体の回転駆動を停止して、前記被処理基板を前記ステージ面に載置する載置工程とを有する、基板処理方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、被処理基板に処理を行う基板処理装置及びその基板処理装置における基板処理方法において、基板全面に均一に基板処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置を適用した塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおける１枚の基板に対する全工程の処理手順を示すフローチャートである。
【図３】第１の実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニット、減圧乾燥ユニット及びプリベークユニットの構成を示す一部断面を含む平面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る基板処理装置の減圧乾燥ユニットの構成を示す一部断面を含む側面図である。
【図５】載置ステージ、第１のコロ及び第２のコロの構成を示す斜視図である。
【図６】載置ステージ、第１のコロ及び第２のコロの構成を示す斜視図である。
【図７】第１のコロ及び第２のコロの構成を示す斜視図である。
【図８】載置ステージ及び第１のコロを、軸に沿って視たときの一部断面を含む図である。
【図９】減圧乾燥ユニットを用いた基板処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【図１０Ａ】減圧乾燥ユニットを用いた基板処理方法の各工程における第１のコロ及び第２のコロの回転の様子を示す一部断面を含む図である（その１）。
【図１０Ｂ】減圧乾燥ユニットを用いた基板処理方法の各工程における第１のコロ及び第２のコロの回転の様子を示す一部断面を含む図である（その２）。
【図１１】第１の実施の形態の第１の変形例における第１のコロ及び第２のコロの構成を示す斜視図である。
【図１２】第１の実施の形態の第２の変形例における第１のコロ及び第２のコロの回転の様子を示す一部断面を含む図である。
【図１３】第２の実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニット、減圧乾燥ユニット及びプリベークユニットの構成を示す一部断面を含む平面図である。
【図１４】第３の実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおける検査ユニットの一部の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
（第１の実施の形態）
始めに、図１から図９を参照し、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
【００１６】
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置を適用した塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。
【００１７】
図１に示すように、塗布現像処理システム１０は、例えばガラス基板（以下「基板Ｇ」という。）を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像及びポストベーク等の一連の処理を行う。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００１８】
塗布現像処理システム１０は、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６及びインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８を有している。塗布現像処理システム１０の中心部には横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６が配置され、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とが配置されている。
【００１９】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、カセットステージ２０及び搬送機構２２を備えている。カセットステージ２０は、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置できる。搬送機構２２は、カセットステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う。搬送機構２２は、基板Ｇを１枚単位で保持できる搬送アーム２２ａを有し、Ｘ、Ｙ、Ｚ、θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００２０】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のプロセスラインＡ、Ｂを有している。また、プロセスラインＡ、Ｂには、各処理部がプロセスフローまたは工程の順に配置されている。
【００２１】
プロセスラインＡは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインである。プロセスラインＡは、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０、第２の熱的処理部３２及び第１の搬送路３４を有している。搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０及び第２の熱的処理部３２は、第１の搬送路３４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。なお、第１の搬送路３４は、本発明における搬送路に相当する。
【００２２】
搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４は、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２から未処理の基板Ｇを受け取り、被処理面を上に向けた状態で第１の搬送路３４に投入する。洗浄プロセス部２６は、第１の搬送路３４に沿って上流側から順に設けられたエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６及びスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８を有している。第１の熱的処理部２８は、上流側から順に設けられたアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０及び冷却ユニット（ＣＯＬ）４２を有している。塗布プロセス部３０は、上流側から順に設けられたレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４及び減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６を有している。第２の熱的処理部３２は、上流側から順に設けられたプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８及び冷却ユニット（ＣＯＬ）５０を有している。第２の熱的処理部３２の下流側隣に位置する第１の搬送路３４の終点にはパスユニット（ＰＡＳＳ）５２が設けられている。第１の搬送路３４上を搬送されてきた基板Ｇは、この終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８へ渡されるようになっている。
【００２３】
プロセスラインＢは、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインである。プロセスラインＢは、現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０、搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）６２及び第２の搬送路６４を有している。現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０及び搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）６２は、第２の搬送路６４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６及び冷却ユニット（ＣＯＬ）５８は第３の熱的処理部６６を構成する。搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の搬送路６４から処理済の基板Ｇを１枚ずつ受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２に渡す。
【００２４】
両プロセスラインＡ、Ｂの間には補助搬送空間６８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル７０が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００２５】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、搬送装置７２、ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４及び周辺装置７６を有している。搬送装置７２は、上記第１及び第２の搬送路３４、６４や隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行う。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４及び周辺装置７６は、搬送装置７２の周囲に配置されている。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４は、基板Ｇを水平面内で回転させるステージであり、露光装置１２との受け渡しに際して長方形の基板Ｇの向きを変換するために用いられる。周辺装置７６は、例えばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）や周辺露光装置（ＥＥ）等よりなる。周辺装置７６は、第２の搬送路６４に接続されている。
【００２６】
図２は、本実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおける１枚の基板に対する全工程の処理手順を示すフローチャートである。
【００２７】
先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２が、カセットステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを１枚取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４に搬入する（ステップＳ１）。搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４に搬入された基板Ｇは、第１の搬送路３４上に移載または投入される。
【００２８】
第１の搬送路３４に投入された基板Ｇは、最初に洗浄プロセス部２６においてエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６及びスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８により紫外線洗浄処理（ステップＳ２）及びスクラビング洗浄処理（ステップＳ３）を順次施される。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８において、基板Ｇは、基板表面から粒子状の汚れを除去するブラッシング洗浄やブロー洗浄が施され、その後にリンス処理が施され、最後にエアーナイフ等を用いて乾燥処理が施される。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における一連の洗浄処理が施された後、基板Ｇは第１の搬送路３４を通って第１の熱的処理部２８へ搬入される。
【００２９】
第１の熱的処理部２８において、基板Ｇは、最初にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（ステップＳ４）。アドヒージョン処理が施された後、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ５）。その後、基板Ｇは第１の搬送路３４を通って塗布プロセス部３０へ搬入される。
【００３０】
塗布プロセス部３０において、基板Ｇは、最初にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４で基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布処理され、その後に、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６で後述する減圧雰囲気下のレジスト乾燥処理を受ける（ステップＳ６）。その後、基板Ｇは、第１の搬送路３４を通って第２の熱的処理部３２へ搬入される。
【００３１】
第２の熱的処理部３２において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを施される（ステップＳ７）。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５０で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ８）。その後、基板Ｇは、第１の搬送路３４の終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７２に引き取られる。
【００３２】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４で例えば９０度の方向変換を受けてから周辺装置７６の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入される。周辺露光装置に搬入された基板Ｇは、周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ９）。
【００３３】
露光装置１２では、基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。パターン露光が施された基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ９）、先ず周辺装置７６のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入される。タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）において、基板Ｇは、基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ１０）。その後、基板Ｇは、搬送装置７２よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＢ側に敷設されている第２の搬送路６４の始点に搬入される。
【００３４】
こうして、基板Ｇは、今度は第２の搬送路６４上を、被処理面を上に向けた状態でプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット（ＤＥＶ）５４において、基板Ｇは、現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（ステップＳ１１）。
【００３５】
現像ユニット（ＤＥＶ）５４で一連の現像処理が施された基板Ｇは、第２の搬送路６４を通って第３の熱的処理部６６及び検査ユニット（ＡＰ）６０に順次搬入される。第３の熱的処理部６６において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（ステップＳ１２）。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ１３）。検査ユニット（ＡＰ）６０では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（ステップＳ１４）。
【００３６】
搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の搬送路６４から全工程の処理を終えてきた基板Ｇを受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２へ渡す。カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２から受け取った処理済の基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（ステップＳ１）。
【００３７】
塗布現像処理システム１０においては、塗布プロセス部３０のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４４から第２の熱的処理部３２のプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８までのレジスト処理部（４４、４６、４８）のうち、特に減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６に本発明を適用することができる。以下、図３から図９を参照し、本実施の形態におけるレジスト処理部（４４、４６、４８）の構成及び作用を詳細に説明する。
【００３８】
図３は、本実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニット、減圧乾燥ユニット及びプリベークユニットの構成を示す一部断面を含む平面図である。
【００３９】
図３に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４は、塗布処理用浮上ステージ８０、基板搬送機構８２、レジストノズル８４及びリフレッシュ部８６を有している。塗布処理用浮上ステージ８０は、第１の搬送路３４の一部または一区間を構成する。基板搬送機構８２は、塗布処理用浮上ステージ８０上で浮上している基板Ｇを塗布処理用浮上ステージ８０の長手方向（Ｘ方向）に搬送する。レジストノズル８４は、塗布処理用浮上ステージ８０上を搬送される基板Ｇの上面にレジスト液を供給する。ノズルリフレッシュ部８６は、塗布処理の合間にレジストノズル８４をリフレッシュする。
【００４０】
塗布処理用浮上ステージ８０の上面には所定のガス（例えばエア）を上方に噴射する多数のガス噴射孔８８が設けられており、それらのガス噴射孔８８から噴射されるガスの圧力によって基板Ｇがステージ上面から一定の高さに浮上するように構成されている。
【００４１】
基板搬送機構８２は、ガイドレール９０ａ、９０ｂ、スライダ９２を備えている。ガイドレール９０ａ、９０ｂは、塗布処理用浮上ステージ８０を挟んでＸ方向に延びる一対のガイドレールである。スライダ９２は、ガイドレール９０ａ、９０ｂに沿って往復移動可能に設けられている。また、スライダ９２には、塗布処理用浮上ステージ８０上で基板Ｇの両側端部を着脱可能に保持するように、吸着パッド等の基板保持部材（図示せず）が設けられている。また、基板搬送機構８２には、図示しない直進移動機構が設けられており、直進移動機構によりスライダ９２を搬送方向（Ｘ方向）に移動させることによって、塗布処理用浮上ステージ８０上で基板Ｇの浮上搬送を行うように構成されている。
【００４２】
レジストノズル８４は、塗布処理用浮上ステージ８０の上方を搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に横断して延びる長尺形ノズルである。レジストノズル８４は、所定の塗布位置でその直下を通過する基板Ｇの上面に対してスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出するようになっている。また、レジストノズル８４は、このノズルを支持するノズル支持部材９４と一体にＸ方向に移動可能、かつＺ方向に昇降可能に構成されており、上記塗布位置とノズルリフレッシュ部８６との間で移動できるようになっている。
【００４３】
ノズルリフレッシュ部８６は、プライミング処理部９８、ノズルバス１００及びノズル洗浄機構１０２を備えている。プライミング処理部９８は、塗布処理用浮上ステージ８０の上方の所定位置で支柱部材９６に保持されており、塗布処理のための下準備としてレジストノズル８４にレジスト液を吐出させるためのものである。ノズルバス１００は、レジストノズル８４のレジスト吐出口を乾燥防止の目的から溶剤蒸気の雰囲気中に保つためのものである。洗浄機構１０２は、ノズルバス１００と、レジストノズル８４のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのものである。
【００４４】
ここで、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４における主な作用を説明する。先ず、上流側の第１の熱的処理部２８（図１）より例えばコロ搬送で搬送されてきた基板Ｇが、塗布処理用浮上ステージ８０上の前端側に設定された搬入部に搬入され、そこで待機していたスライダ９２が基板Ｇを保持して受け取る。塗布処理用浮上ステージ８０上で基板Ｇはガス噴射孔８８より噴射されるガス（エア）の圧力を受けて略水平な姿勢で浮上状態を保つ。
【００４５】
基板Ｇは、スライダ９２に保持された状態で減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６側に向かって搬送方向（Ｘ方向）に搬送される。そして、基板Ｇがレジストノズル８４の下を通過する際に、レジストノズル８４が基板Ｇの上面である被処理面に向けて液状のレジスト液を帯状に吐出することにより、基板Ｇの被処理面上に基板前端から後端に向ってレジストが塗布処理される。レジストが塗布処理された基板Ｇは、スライダ９２により塗布処理用浮上ステージ８０上で浮上搬送され、塗布処理用浮上ステージ８０の後端を越えると、受け渡し用のコロ搬送路１０４に受け渡される。コロ搬送路１０４に受け渡された基板Ｇは、下流側の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６へ搬入される。
【００４６】
一方、塗布処理が施された基板Ｇを減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６側へ搬出した後、スライダ９２は次の基板Ｇを受け取るために塗布処理用浮上ステージ８０の前端側の搬入部へ戻る。また、レジストノズル８４は、１回または複数回の塗布処理を終えると、塗布位置（レジスト吐出位置）からノズルリフレッシュ部８６へ移動してそこでノズル洗浄やプライミング処理等のリフレッシュないし下準備をしてから、塗布位置に戻る。
【００４７】
図３に示すように、第１の搬送路３４の途中であって、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４の塗布処理用浮上ステージ８０の延長線上（下流側）には、コロ搬送路１０４及び減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６が設けられている。また、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の延長線上（下流側）には、コロ搬送路１０５及びプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）４８が設けられている。
【００４８】
次に、図３及び図４を参照し、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６について説明する。図４は、本実施の形態に係る基板処理装置の減圧乾燥ユニットの構成を示す一部断面を含む側面図である。
【００４９】
図３に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４の塗布処理用浮上ステージ８０の延長上（下流側）には、第１の搬送路３４の一部または一区間を構成するコロ搬送路１０４が敷設されている。コロ搬送路１０４は、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の後述するチャンバ１０６の中と外（前後）で連続して敷設されている。
【００５０】
コロ搬送路１０４は、搬入側コロ搬送路１０４ａ、内部コロ搬送路１０４ｂ及び搬出側コロ搬送路１０４ｃを有する。
【００５１】
搬入側コロ搬送路１０４ａは、チャンバ１０６の搬送上流側つまり搬入側に敷設されている。搬入側コロ搬送路１０４ａは、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４の塗布処理用浮上ステージ８０から浮上搬送の延長で搬出された基板Ｇを受け取り、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６内へコロ搬送する。搬入側コロ搬送路１０４ａは、搬送方向（Ｘ方向）にそれぞれ適当な間隔で配置した複数本のコロ１０８ａを各独立または共通の搬送駆動部により回転させて、基板Ｇをコロ搬送で搬送方向（Ｘ方向）に送るようになっている。
【００５２】
搬出側コロ搬送路１０４ｃは、チャンバ１０６の搬送下流側つまり搬出側に敷設されている。搬出側コロ搬送路１０４ｃは、チャンバ１０６内から送り出されてくる処理済の基板Ｇを同速度のコロ搬送で引き出して後段の処理部（第２の熱的処理部３２）へ送る。搬出側コロ搬送路１０４ｃは、搬送方向（Ｘ方向）にそれぞれ適当な間隔で配置した複数本のコロ１０８ｃを各独立または共通の搬送駆動部により回転させて、基板Ｇをコロ搬送で搬送方向（Ｘ方向）に送るようになっている。
【００５３】
一方、内部コロ搬送路１０４ｂは、後述するように、チャンバ１０６内に敷設されている。内部コロ搬送路１０４ｂは、載置ステージ１５０のステージ面１５２より上方に突出可能に設けられている。内部コロ搬送路１０４ｂは、搬入側コロ搬送路１０４ａからコロ搬送で送られてくる基板Ｇを同速度のコロ搬送でチャンバ１０６内に引き込むとともに、チャンバ１０６内で減圧乾燥処理の済んだ基板Ｇをチャンバ１０６の外（後段）へコロ搬送で送り出す。
【００５４】
図３及び図４に示すように、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６は、チャンバ１０６、内部コロ搬送路１０４ｂを有する。内部コロ搬送路１０４ｂは、載置ステージ１５０、第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０を有する。
【００５５】
チャンバ１０６は、比較的扁平な直方体に形成され、その中に基板Ｇを水平に収容するための空間を有している。このチャンバ１０６の搬送方向（Ｘ方向）において互いに向き合う一対（上流側および下流側）のチャンバ側壁には、基板Ｇが平流しでようやく通れる大きさに形成されたスリット状の搬入口１１０および搬出口１１２がそれぞれ設けられている。さらに、これらの搬入口１１０および搬出口１１２を開閉するためのゲート機構１１４、１１６がチャンバ１０６の外壁に取り付けられている。チャンバ１０６の上面部または上蓋１１８は、メンテナンス用に取り外し可能になっている。
【００５６】
チャンバ１０６の底壁には１箇所または複数個所に排気口１３８が形成されている。これらの排気口１３８には排気管１４０を介して真空排気装置１４２が接続されている。各真空排気装置１４２は、チャンバ１０６を真空排気する真空ポンプを有している。これにより、チャンバ１０６は、チャンバ１０６内を大気圧状態から所定の真空度の減圧状態に減圧可能に設けられている。
【００５７】
チャンバ１０６内の両端部、つまり搬入口１１０および搬出口１１２の近くで内部コロ搬送路１０４ｂよりも低い位置に、Ｙ方向に延びる円筒状の窒素ガス噴出部１４４が設けられている。これらの窒素ガス噴出部１４４は、たとえば金属粉末を焼結してなる多孔質の中空管からなり、窒素ガス供給源（図示せず）に接続されている。減圧乾燥処理の終了後にチャンバ１０６を密閉したまま減圧状態から大気圧状態に戻す際に、これらの窒素ガス噴出部１４４が管の全周面から窒素ガスを噴き出すようになっている。
【００５８】
ここで、図３から図８を参照し、載置ステージ、第１のコロ及び第２のコロについて説明する。図５及び図６は、載置ステージ、第１のコロ及び第２のコロの構成を示す斜視図である。図７は、第１のコロ及び第２のコロの構成を示す斜視図である。図５は、図３において点線Iで囲まれた部分を切り出して示す。図６及び図７は、図５における点線IIで囲まれた第１のコロ及び第２のコロの周辺を拡大して示す図である。図８は、載置ステージ及び第１のコロを、軸に沿って視たときの一部断面を含む図である。図８では、第１のコロ及び第２のコロを第１のコロで代表し、第２のコロの図示を省略している。図８（ａ）は、第１のコロがステージ面と同一の平面を形成している状態を示す。図８（ｂ）及び図８（ｃ）は、第１のコロがステージ面より上方に突出している状態を示す。
【００５９】
図３及び図４に示すように、載置ステージ１５０は、チャンバ１０６内に設けられている。載置ステージ１５０は、基板Ｇを一方向に沿って搬送する第１の搬送路３４の途中に設けられている。載置ステージ１５０は、ステージ面１５２を有し、基板Ｇをステージ面１５２の上に載置する。ステージ面１５２は、水平面に略平行であり、平面視において基板Ｇと略同じ大きさか、又は基板Ｇより少し大きくなるように設けられている。また、ステージ面１５２には開口部１５４が形成されており、開口部１５４を除いて平坦な面を形成している。
【００６０】
図５から図７に示すように、第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０は、ステージ面１５２の下方で搬送路を横切る方向（Ｙ方向）に延びる軸１５６に沿って互いに独立して回転可能に設けられている。
【００６１】
第１のコロ１６０は、軸１５６に対して軸対称であってステージ面１５２より上方に突出可能な半径を有するコロの一部を軸１５６に沿って切り落とした形状に形成されている。第１のコロ１６０は、第１の円弧部１６２と、第１の回転角度位置にあるときにステージ面１５２と同一の平面を形成する第１の弦部１６４とを有する。第２のコロ１７０も、軸１５６に対して軸対称であってステージ面１５２より上方に突出可能な半径を有するコロの一部を軸１５６に沿って切り落とした形状に形成されている。第２のコロ１７０は、第２の円弧部１７２と、第２の回転角度位置にあるときにステージ面１５２と同一の平面を形成する第２の弦部１７４とを有する。第２のコロ１７０も、第１のコロ１６０も、等しい半径を有するコロの一部を軸１５６に沿って切り落とした形状に形成されることができる。
【００６２】
なお、本実施の形態におけるコロは、本発明における回転体に相当する。また、本実施の形態におけるコロとは、半径に対する回転軸方向の長さの比率が大きな円柱形状（丸棒形状）の回転体も、半径に対する回転軸方向の長さの比率が小さな円板形状の回転体も含むものとする。
【００６３】
また、以下では、一例として、第１の弦部１６４及び第２の弦部１７４が、ステージ面１５２と同一の平面を形成する場合について説明する。ここで、ステージ面１５２と同一の平面とは、ステージ面１５２と等しい高さの平面を意味する。しかしながら、第１の弦部１６４、第２の弦部１７４が形成する平面は、ステージ面１５２と同一の平面（等しい高さの平面）に限定されず、ステージ面１５２と略同一の平面（略等しい高さの平面）であってもよい。また、第１の弦部１６４及び第２の弦部１７４は、後述するように、エンボス加工やブラスト加工により形成してもよく、凹凸や溝が形成されていてもよい。更に、第１の弦部１６４及び第２の弦部１７４が形成する平面が、ステージ面１５２と少し異なる高さにある場合も含まれる。従って、第１の弦部１６４は、第１の回転角度位置にあるときにステージ面１５２と略平行な面を形成するものであってもよい。また、第２の弦部１７４は、第２の回転角度位置にあるときにステージ面１５２と略平行な面を形成するものであってもよい。
【００６４】
図８に示すように、第１のコロ１６０の第１の円弧部１６２の半径をＲ１、軸１５６から載置ステージ１５０のステージ面１５２までの距離をＤ０、軸１５６から第１の弦部１６４までの距離をＤ１とする。そして、図８では図示を省略するが、第２のコロ１７０の第２の円弧部１７２の半径をＲ２、軸１５６から第２の弦部１７４までの距離をＤ２とする。そして、Ｒ１＝Ｒ２、Ｄ０＝Ｄ１＝Ｄ２とする。すなわち、第２の円弧部１７２の半径Ｒ２を、第１の円弧部１６２の半径Ｒ１と等しくする。また、軸１５６から第１の弦部１６４までの距離Ｄ１及び軸１５６から第２の弦部１７４までの距離Ｄ２を、軸１５６から載置ステージ１５０のステージ面１５２までの距離Ｄ０と等しくする。
【００６５】
また、円において、中心から弦までの距離は、半径よりも小さいことから、Ｄ１＜Ｒ１、Ｄ２＜Ｒ２が成り立つ。すなわち、軸１５６から第１の弦部１６４までの距離Ｄ１は、第１の円弧部１６２の半径Ｒ１より小さく、軸１５６から第２の弦部１７４までの距離Ｄ２は、第２の円弧部１７２の半径Ｒ２より小さい。
【００６６】
以上の関係を満たすことにより、第１のコロ１６０における回転角度位置とステージ面１５２からの突出の有無の関係は、次のようになる。
【００６７】
第１の弦部１６４がステージ面１５２と平行になるような回転角度位置（第１の回転角度位置）にあるときは、図８（ａ）に示すように、第１の弦部１６４は、ステージ面１５２と同一の平面を形成することができる。図８（ａ）に示す状態では、第１のコロ１６０は、いずれの部分でもステージ面１５２より突出していない。また、回転角度位置が第１の回転角度位置でないときは、図８（ｂ）に示すように、第１の円弧部１６２が開口部１５４を介してステージ面１５２より上方に突出する。特に、第１の弦部１６４が完全にステージ面１５２より下方になるような回転角度位置の範囲にあるときは、図８（ｃ）に示すように、第１の円弧部１６２のみが開口部１５４を介してステージ面１５２より上方に突出する。図８（ｃ）に示す状態では、第１のコロ１６０は、最高点においてステージ面１５２より距離Ｒ１−Ｄ０だけ突出する。
【００６８】
また、第２のコロ１７０における回転角度位置とステージ面１５２より上方への突出の有無の関係も、上記した第１のコロ１６０における回転角度位置とステージ面１５２より上方への突出の有無の関係と同様である。すなわち、第２の弦部１７４がステージ面１５２と平行になるような回転角度位置（第２の回転角度位置）にあるときは、第２の弦部１７４は、ステージ面１５２と同一の平面を形成する。
【００６９】
また、第１のコロ１６０が第１の回転角度位置にあり、第２のコロ１７０が第２の回転角度位置にあるときに、載置ステージ１５０は、基板Ｇを、開口部１５４を含むステージ面１５２の略全面に当接して載置することができる。
【００７０】
図４に示すように、第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０よりなる内部搬送路１０４ｂは、その軸１５６が、搬入側コロ搬送路１０４ａ、搬出側コロ搬送路１０４ｃ及び搬入出口（１１０、１１２）に対応した高さ位置に設けられている。従って、第１の弦部１６４及び第２の弦部１７４がステージ面１５２と同一の平面を形成し、基板Ｇがステージ面１５２に載置されるとき、基板Ｇの高さは、搬入側コロ搬送路１０４ａ、搬出側コロ搬送路１０４ｃ及び搬入出口（１１０、１１２）に対応した高さよりも低い高さに保持されている。
【００７１】
図６及び図７に示すように、軸１５６に沿って設けられた第１のコロ１６０は、第１のギヤ１６６及び第１の駆動軸１６８を介し、チャンバ１０６の外に設けられている図示しない第１の回転モータに接続されている。第１のギヤ１６６、第１の駆動軸１６８及び第１の回転モータは、本発明における第１の回転駆動機構に相当する。また、第１のコロ１６０は、軸１５６に沿って複数設けられていてもよい。
【００７２】
一方、図６及び図７に示すように、軸１５６に沿って設けられた第２のコロ１７０は、第２のギヤ１７６及び第２の駆動軸１７８を介し、チャンバ１０６の外に設けられている図示しない第２の回転モータに接続されている。第２のギヤ１７６、第２の駆動軸１７８及び第２の回転モータは、本発明における第２の回転駆動機構に相当する。また、第２のコロ１７０は、軸１５６に沿って複数設けられていてもよい。
【００７３】
図３及び図５に示すように、第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０が設けられる軸１５６は、載置ステージ１５０の略全体に亘り、搬送方向（Ｘ方向）に適当な間隔を置いて配列するように配置されている。
【００７４】
図５から図７に示すように、第１のコロ１６０と第２のコロ１７０は、１つの開口部１５４を介してステージ面１５２より上方に突出可能なように、軸１５６に沿って接するように設けられている。また、開口部１５４は、軸１５６に沿って接する第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０と隙間がほとんど無いように、ステージ面１５２に形成されている。
【００７５】
第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０は、例えば直径が５０〜１００ｍｍ程度、軸方向の厚さが５ｍｍ程度の円板の一部を軸に沿って切り落とした半月状の形状にすることができる。また、開口部１５４と第１のコロ１６０又は第２のコロ１７０との隙間は、例えば０．３ｍｍ〜０．４ｍｍ程度にすることができる。
【００７６】
このように第１のコロ１６０と第２のコロ１７０とを接して設け、開口部１５４との隙間をほとんど無くすことにより、載置ステージ１５０、第１のコロ１６０、第２のコロ１７０が隙間無く同一の平面を形成することができる。これにより、載置ステージ１５０に基板Ｇを載置して停止するときに、基板Ｇ全面を均一に支持することができ、基板Ｇの温度にムラが生じることを防止でき、基板Ｇ全面に均一に基板処理を行うことができる。
【００７７】
また、ステージ面１５２をエンボス加工やブラスト加工により形成してもよい。ステージ面１５２をエンボス加工やブラスト加工により形成することにより、微小な凹凸面が面上に均一に分布して形成される。従って、ステージ面１５２の上に基板Ｇを載置する際に、基板Ｇの下面と接触する接触点の分布を基板全面に亘り均一にすることができる。これにより、ステージ面１５２の上に載置する基板Ｇの温度にムラが生じることを防止できる。
【００７８】
更に、ステージ面１５２をエンボス加工やブラスト加工にするときは、第１の弦部１６４及び第２の弦部１７４の表面であって、回転角度位置によりステージ面１５２と同一の平面を形成する面も、同様にエンボス加工やブラスト加工により形成してもよい。これによっても、ステージ面１５２の上に載置する基板Ｇの温度にムラが生じることを防止できる。
【００７９】
次に、図９から図１０Ｂを参照し、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６を用いた基板処理方法及びその作用について説明する。
【００８０】
図９は、減圧乾燥ユニットを用いた基板処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。図１０Ａ及び図１０Ｂは、各工程における第１のコロ及び第２のコロの回転の様子を示す一部断面を含む図である。図１０Ａ（ａ）から図１０Ｂ（ｇ）において、第１のコロ及び第２のコロの回転角度位置を示す斜視図を左側に示し、その回転角度位置における基板、載置ステージ、第１のコロ及び第２のコロの様子を軸に沿って視たときの一部断面を右側に示す。なお、図１０Ａから図１０Ｂでは、見やすくするために、搬送方向に沿った基板の長さを短くしている。
【００８１】
図９に示すように、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６を用いた基板処理方法は、搬入工程（ステップＳ２１）、載置工程（ステップＳ２２及びステップＳ２３）、搬出工程（ステップＳ２４及びステップＳ２５）を有する。載置工程は、第１の回転停止工程（ステップＳ２２）及び第２の回転停止工程（ステップＳ２３）を有する。搬出工程は、第１の回転開始工程（ステップＳ２４）及び第２の回転開始工程（ステップＳ２５）を有する。
【００８２】
始めに、ステップＳ２１の搬入工程を行う。ステップＳ２１では、軸１５６に沿って視たときに第１の弦部１６４と第２の弦部１７４とが重ならない状態で、第１のコロ１６０と第２のコロ１７０とを回転駆動して基板Ｇを載置ステージ１５０上に搬入する。図１０Ａ（ａ）に、ステップＳ２１における第１のコロ及び第２のコロの回転角度位置を示す。
【００８３】
あらかじめ、上流側隣のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４でレジスト液を塗布された基板Ｇは、塗布処理用浮上ステージ８０から搬入側コロ搬送部１０４ａのコロ１０８ａに受け渡される。コロ１０８ａ上に受け渡された基板Ｇは、コロ１０８ａの駆動力によって搬送方向（Ｘ方向）に搬送され、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６の中にその搬入口１１０から進入する。この時、ゲート機構１１４は搬入口１１０を開けておく。
【００８４】
ステップＳ２１では、複数の第１のコロ１６０及び複数の第２のコロ１７０を、それぞれ第１の回転駆動機構及び第２の回転駆動機構により同期して回転駆動する。図１０Ａ（ａ）に示すように、第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０は、軸１５６に沿って視たときに第１の弦部１６４と第２の弦部１７４とが重ならない状態で、同期して回転駆動される。また、第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０は、軸１５６に沿って視たときに一つの円に見えるような状態で、同期して回転駆動される。これにより、第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０は、一つの通常の円柱形状（丸棒形状）又は円板形状のコロとして機能する。従って、基板Ｇは、同期して回転駆動される第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０により、被処理面を上に向けた状態で水平に保持されたまま、搬送方向（Ｘ方向）に沿って水平に滑らかに搬送される。
【００８５】
このようにして、複数の第１のコロ１６０及び複数の第２のコロ１７０よりなる内部コロ搬送路１０４ｂは、搬入側コロ搬送路１０４ａのコロ搬送動作とタイミングの合った同一搬送速度のコロ搬送動作を行い、搬入口１１０から入ってきた基板Ｇをコロ搬送でチャンバ１０６の奥に引き込む。
【００８６】
なお、ステップＳ２１では、第２のコロ１７０の最高点のステージ面１５２からの距離は、Ｒ２−Ｄ０である。
【００８７】
次に、ステップＳ２２の第１の回転停止工程を行う。ステップＳ２２では、第１のコロ１６０が第１の回転角度位置にある時に第１のコロ１６０の回転を停止する。図１０Ａ（ｂ）に、ステップＳ２２における第１のコロ及び第２のコロの回転角度位置を示す。
【００８８】
ステップＳ２２では、第１のコロ１６０の第１の弦部１６４がステージ面１５２と同一の平面を形成する時、すなわち回転角度位置が第１の回転角度位置にある時に、第１の回転駆動機構を停止することにより第１のコロ１６０の回転を停止する。ステップＳ２１では、複数の第１のコロ１６０及び複数の第２のコロ１７０は、それぞれ第１の回転駆動機構及び第２の回転駆動機構により同期して回転駆動されていた。従って、ステップＳ２２では、第２のコロ１７０は、ステップＳ２１に引続いて第２の回転駆動機構により回転駆動される。これにより、基板Ｇは、回転駆動される第２のコロ１７０により、被処理面を上に向けた状態で水平に保持されたまま、搬送方向（Ｘ方向）に沿って水平に滑らかに搬送される。
【００８９】
ただし、ステップＳ２２の途中で、第２のコロ１７０の第２の弦部１７４が開口部１５４を介してステージ面１５２より上方に突出し、さらに第２の弦部１７４の前端Ｐ１が軸１５６の真上を通過した後、基板Ｇのステージ面１５２からの高さが徐々に減少する。図１０Ａ（ｃ）は、第２の弦部の前端が軸の真上を通過した後の第１のコロ及び第２のコロの回転角度位置を示す。
【００９０】
図１０Ａ（ｃ）に示すように、第２の弦部１７４の先端Ｐ１が軸１５６の上を通過した後の状態では、第２のコロ１７０の最高点のステージ面１５２からの距離は、前述したＲ２−Ｄ０よりも小さい。従って、基板Ｇが、被処理面を上に向けた状態で、搬送方向（Ｘ方向）に沿って搬送されるのは変わらないが、ステージ面１５２からの高さが徐々に減少する。
【００９１】
次に、ステップＳ２３の第２の回転停止工程を行う。ステップＳ２３では、第２のコロ１７０が第２の回転角度位置にある時に第２のコロ１７０の回転を停止し、基板Ｇをステージ面１５２の上に載置する。図１０Ａ（ｄ）に、ステップＳ２３における第１のコロ及び第２のコロの回転角度位置を示す。
【００９２】
ステップＳ２３では、第２のコロ１７０の第２の弦部１７４がステージ面１５２と同一の平面を形成する時、すなわち回転角度位置が第２の回転角度位置にある時に、第２の回転駆動機構を停止することにより第２のコロ１７０の回転を停止する。これにより、基板Ｇは、被処理面を上に向けた状態で水平に保持されたまま、載置ステージ１５０のステージ面１５２の上に載置される。
【００９３】
なお、ステップＳ２１を行った後、ステップＳ２２を行う前若しくは行う際又はステップＳ２３を行う際に、ゲート機構１１４、１１６が作動して、それまで開けていた搬入口１１０および搬出口１１２をそれぞれ閉塞し、チャンバ１０６を密閉する。そして、チャンバ１０６が密閉された直後から真空排気装置１４２が作動して、チャンバ１０６内を所定の真空度まで真空排気する。これにより、レジスト塗布膜における溶剤の空中への拡散（揮発）を一定に保持することができる。その結果、レジスト塗布膜内の乾燥度合いにばらつき（乾燥斑）を生じることなく膜厚が面内均一に乾燥初期値（例えば８μｍ）から所望の乾燥目標値（例えば２〜３μｍ）まで減少することになる。このようにして、チャンバ１０６内で基板Ｇが減圧雰囲気の中に置かれることで、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４によりレジストが塗布処理された基板Ｇ上のレジスト液膜が、減圧下で乾燥処理される。
【００９４】
上記の減圧乾燥処理は一定時間を経過すると終了し、真空排気装置１４２が排気動作を停止する。これと入れ代わりに、窒素ガス噴出部１４４がチャンバ１０６内に窒素ガスを流し込む。そして、室内の圧力が大気圧まで上がってから、ゲート機構１１４、１１６が作動して搬入口１１０および搬出口１１２を開ける。
【００９５】
次に、ステップＳ２４の第１の回転開始工程を行う。ステップＳ２４では、第２のコロ１７０の回転を開始する。図１０Ｂ（ｆ）に、ステップＳ２４における第１のコロ及び第２のコロの回転角度位置を示す。
【００９６】
ステップＳ２４では、第１のコロ１６０の第１の弦部１６４がステージ面１５２と同一の平面を形成する状態、すなわち回転角度位置が第１の回転角度位置にある状態で、第２の回転駆動機構により第２のコロ１７０の回転を開始する。これにより、基板Ｇは、回転駆動される第２のコロ１７０により、被処理面を上に向けた状態で水平に保持されたまま、搬送方向（Ｘ方向）に沿って水平に滑らかに搬送される。
【００９７】
ただし、ステップＳ２４を開始した後、第２のコロ１７０の第２の弦部１７４が開口部１５４を介してステージ面１５２より上方に突出し、第２の弦部１７４の後端Ｐ２が軸１５６の真上を通過する前は、基板Ｇのステージ面１５２からの高さが徐々に増加する。図１０Ｂ（ｅ）は、第２の弦部の後端が軸の真上を通過する前の第１のコロ及び第２のコロの回転角度位置を示す。
【００９８】
図１０Ｂ（ｅ）に示すように、第２の弦部１７４の後端Ｐ２が軸１５６の上を通過する前の状態では、第２のコロ１７０の最高点のステージ面１５２からの距離は、前述したＲ２−Ｄ０よりも小さい。また、基板Ｇが、被処理面を上に向けた状態で、搬送方向（Ｘ方向）に沿って搬送されるのは変わらないが、ステージ面１５２からの高さが徐々に増大する。
【００９９】
次に、ステップＳ２５の第２の回転開始工程を行う。ステップＳ２５では、第２のコロ１７０の第２の弦部１７４がステージ面１５２より上方へ突出しない回転角度位置にある時に第１のコロ１６０の回転を停止する。図１０Ｂ（ｇ）に、ステップＳ２５における第１のコロ及び第２のコロの回転角度位置を示す。
【０１００】
ステップＳ２５では、図１０Ｂ（ｇ）に示すように、第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０が、軸１５６に沿って視たときに一つの円に見えるような状態になった時に、第１の回転駆動機構により第１のコロ１６０の回転を開始する。ステップＳ２５では、複数の第１のコロ１６０及び複数の第２のコロ１７０を、それぞれ第１の回転駆動機構及び第２の回転駆動機構により同期して回転駆動する。これにより、第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０は、一つの通常の円柱形状（丸棒形状）又は円板形状のコロとして機能する。従って、基板Ｇは、同期して回転駆動される第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０により、被処理面を上に向けた状態で水平に保持されたまま、搬送方向（Ｘ方向）に沿って水平に滑らかに搬送される。
【０１０１】
このようにして、複数の第１のコロ１６０及び複数の第２のコロ１７０よりなる内部コロ搬送路１０４ｂでコロ搬送動作が開始される。そして、減圧乾燥処理が行われた基板Ｇは、搬出口１１２からコロ搬送によって搬出され、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８に搬入される。
【０１０２】
図３に示すように、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８は、加熱用のヒータとして例えば平板形のシーズヒータ１８４を有している。シーズヒータ１８４は、コロ搬送路１０５を構成する相隣接するコロ１０９とコロ１０９の間に、搬送方向（Ｘ方向）に１枚または複数枚並べて配置されている。各シーズヒータ１８４は、その表面（上面）に例えばセラミックコーティングを有している。セラミックコーティングが図示しないヒータ電源より供給される電力により通電して発熱することにより、シーズヒータ１８４の高温の表面から放射する熱を至近距離からコロ搬送路１０５上の基板Ｇに与える。
【０１０３】
さらに、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８には、コロ搬送路１０５に沿ってその上方に例えばグレイチングパネルからなる排気用吸い込み天井板（多孔板）１９０が設けられていてもよい。排気用吸い込み天井板１９０は、コロ搬送路１０５の搬送面から所定距離のギャップを挟んで水平に配置されており、その上方にバッファ室１９２が形成されていてもよい。バッファ室１９２は、排気管または排気路１９４を介して排気ポンプまたは排気ファン等を有している排気部１９６に通じている。コロ搬送路１０５上で基板Ｇ上のレジスト塗布膜から蒸発した溶剤は周囲の空気と一緒に排気用吸い込み天井板１９０の中へ吸い込まれ、排気部１９６へ送られるようになっている。
【０１０４】
なお、コロ搬送路１０５を構成するコロ１０９は、図示しない例えばフレーム等に固定された軸受に回転可能に支持されており、電気モータ等の搬送駆動源に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。
【０１０５】
次に、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８における作用を説明する。
【０１０６】
減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６で乾燥処理を終えた基板Ｇは、コロ搬送路１０５に搬送されてプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８へ搬入される。コロ搬送路１０５上で基板Ｇは、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８に搬入されると、そこで至近距離のシーズヒータ１８４から基板裏面に放射熱を受ける。この急速加熱より、コロ搬送路１０５上を搬送される間に基板Ｇの温度は所定温度（例えば１８０〜２００℃程度）まで上昇し、短時間の間にレジスト塗布膜中の残留溶媒の大部分が蒸発して膜が一層薄く固くなり、基板Ｇとの密着性が高められる。このプリベーキングの加熱処理の際に、シーズヒータ１８４からの熱的な影響を受けても、前工程の常圧乾燥処理によってレジスト塗布膜のバルク部内の溶剤が平均化ないし均一化されており、かつ膜厚も十分に（例えば２〜３μｍまでに）薄くなっている。そのため、加熱工程でもレジスト塗布膜に斑は発生し難い。なお、レジスト塗布膜から蒸発した溶剤は、周囲の空気と一緒に排気用吸い込み天井板１９０の中へ吸い込まれて、排気部１９６へ送られる。
【０１０７】
プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でプリベーキングの加熱処理を終えた基板Ｇはそのままコロ搬送路１０５上を搬送され、下流側隣の冷却ユニット（ＣＯＬ）５０（図１）へ送られる。
【０１０８】
また、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６及びプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８内の各部は、図１に示すように、コントローラ２０１によって制御される。コントローラ２０１をマイクロコンピュータで構成した場合は、コントローラ２０１に装置全体の動作（シーケンス）を統括制御させることもできる。また、コントローラ２０１には、基板処理装置である塗布現像処理システムで実行される各種処理をコントローラの制御にて実現するための制御プログラムを格納した記憶媒体（記録媒体）よりなる記憶部２０２が接続されていてもよい。記憶媒体（記録媒体）は、ハードディスクや半導体メモリであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介して制御プログラムを適宜伝送させるようにしてもよい。
【０１０９】
また、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６に基板Ｇを搬入し（搬入工程）、載置ステージに載置し（載置工程）、乾燥処理後に搬出する（搬出工程）工程を含む基板処理方法をコントローラ２０１に実行させるための制御プログラムを、記憶媒体（記録媒体）よりなる記憶部２０２に記憶してもよい。
【０１１０】
なお、本実施の形態では、第１のコロと第２のコロとを軸に沿って隣接するように設け、同一の開口部を介してステージ面より上方に突出可能に設けられて例を説明した。しかしながら、第１のコロと第２のコロとは、軸に沿って離れて設けられてもよく、離れて形成された異なる開口部を介してステージ面より上方に突出可能に設けられてもよい。
（第１の実施の形態の第１の変形例）
次に、図１１を参照し、本発明の第１の実施の形態の第１の変形例に係る基板処理装置について説明する。
【０１１１】
本変形例に係る基板処理装置は、複数の第１のコロ及び複数の第２のコロに、回転モータが個別に取り付けられている点で、第１の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。
【０１１２】
図１１は、第１のコロ及び第２のコロの構成を示す斜視図である。なお、以下の文中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある（以下の変形例及び実施の形態においても同様）。
【０１１３】
本変形例でも、減圧乾燥ユニット以外の塗布現像処理システムの各処理部は、図１から図４を用いて説明した第１の実施の形態に係る塗布現像処理システムと同様にすることができる。また、載置ステージ、第１のコロ及び第２のコロは、図３から図５を用いて説明した第１の実施の形態と同様にすることができる。
【０１１４】
また、本変形例におけるコロも、本発明における回転体に相当する。また、本変形例におけるコロも、半径に対する回転軸方向の長さの比率が大きな円柱形状（丸棒形状）の回転体も、半径に対する回転軸方向の長さの比率が小さな円板形状の回転体も含むものとする。
【０１１５】
また、本変形例でも、第１の弦部は、第１の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。また、第２の弦部は、第２の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。
【０１１６】
一方、本変形例では、軸１５６に沿って設けられている第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０は、ギヤ及び駆動軸を介してチャンバ１０６の外に設けられている回転モータに接続されていない。第１のコロ１６０及び第２のコロ１７０は、個別に回転モータ１６９、１７９に直結されている。回転モータ１６９、１７９の回転軸１６９ａ、１７９ａは、取付部材１６９ｂ、１７９ｂにより、載置ステージに取り付けられる。それぞれの回転モータは、それぞれ１つのコロを回転駆動させればよいため、小型で安価なものを用いることができる。
【０１１７】
本変形例でも、第１のコロ及び第２のコロがそれぞれ第１の弦部及び第２の弦部を有しており、第１の弦部及び第２の弦部が載置ステージのステージ面と同一の平面を形成することができる。そのため、基板を停止するときに、基板全面を均一に支持することができ、基板温度にムラが生じることを防止でき、基板全面に均一に基板処理を行うことができる。
【０１１８】
更に、本変形例では、ギヤ、駆動軸及びチャンバの外に設けられる回転モータを省略することができる。従って、基板処理装置を小型化し、基板処理装置の装置コストを削減することができる。
（第１の実施の形態の第２の変形例）
次に、図１２を参照し、本発明の第１の実施の形態の第２の変形例に係る基板処理装置について説明する。
【０１１９】
本変形例に係る基板処理装置は、第１の弦部が軸の周りに沿って複数設けられている点で、第１の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。
【０１２０】
なお、後述するように、第２の弦部も軸の周りに沿って複数設けられていてもよいが、ここでは、一例として、第２の弦部は一つ設けられており、第１の弦部のみ複数設けられている例について説明する。
【０１２１】
図１２は、第１のコロ及び第２のコロの回転の様子を示す一部断面を含む図である。図１２（ａ）から図１２（ｄ）において、第１のコロ及び第２のコロの回転角度位置を示す斜視図を左側に示し、その回転角度位置における基板、載置ステージ、第１のコロ及び第２のコロの様子を軸に沿って視たときの一部断面を右側に示す。
【０１２２】
本変形例でも、減圧乾燥ユニット以外の塗布現像処理システムの各処理部は、図１から図４を用いて説明した第１の実施の形態に係る塗布現像処理システムと同様にすることができる。また、載置ステージ及び第２のコロは、図３から図５を用いて説明した第１の実施の形態と同様にすることができる。
【０１２３】
また、本変形例におけるコロも、本発明における回転体に相当する。また、本変形例におけるコロも、半径に対する回転軸方向の長さの比率が大きな円柱形状（丸棒形状）の回転体も、半径に対する回転軸方向の長さの比率が小さな円板形状の回転体も含むものとする。
【０１２４】
また、本変形例でも、第１の弦部は、第１の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。また、第２の弦部は、第２の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。
【０１２５】
一方、本変形例では、第１のコロ１６０ａにおいて、第１の弦部１６４ａが軸１５６の周りに沿って複数設けられている。例えば図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、第１の弦部１６４ａを３つ設けることができる。図１２（ａ）は、第１のコロと第２のコロとを同期回転させて基板を搬送するときの状態を示す。第１のコロ１６０ａ及び第２のコロ１７０は、軸１５６に沿って視たときに一つの円に見えるような状態で、同期して回転駆動されている。図１２（ｂ）は、第１の弦部及び第２の弦部がステージ面と同一の平面を形成するときの状態を示す。すなわち、第１のコロ１６０ａの回転角度位置及び第２のコロ１７０の回転角度位置が、それぞれ第１の回転角度位置及び第２の回転角度位置にある状態を示す。
【０１２６】
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、第１の弦部１６４ａは、軸１５６の周りに沿って３つ設けられている。また、第１の円弧部１６２ａは、軸１５６の周りに沿って３つ設けられた第１の弦部１６４ａと交互に配列するように３つ設けられている。従って、第１のコロ１６０ａは、第１の弦部１６４ａがステージ面１５２と同一の平面を形成するような回転角度位置を３つ有する。すなわち、１周３６０°の範囲に３つの第１の回転角度位置がある。
【０１２７】
第１の回転角度位置は、例えば１２０°、２４０°、３６０°のように、回転角度位置が等間隔になるように設けられてもよい。このようなときは、第１のコロ１６０ａは、軸１５６に沿って視たときに３回対称となるような形状を有する。ただし、３回対称の形状には限定されない。
【０１２８】
また、本変形例では、例えば図１２（ｃ）及び図１２（ｄ）に示すように、第１の弦部１６４ｂを４つ設けることもできる。図１２（ｃ）は、第１のコロと第２のコロとを同期回転させて基板を搬送するときの状態を示す。第１のコロ１６０ｂ及び第２のコロ１７０は、軸１５６に沿って視たときに一つの円に見えるような状態で、同期して回転駆動されている。図１２（ｄ）は、第１の弦部及び第２の弦部がステージ面と同一の平面を形成するときの状態を示す。すなわち第１のコロ１６０ｂの回転角度位置及び第２のコロ１７０の回転角度位置が、それぞれ第１の回転角度位置及び第２の回転角度位置にある状態を示す。
【０１２９】
図１２（ｃ）及び図１２（ｄ）に示すように、第１の弦部１６４ｂは、軸１５６の周りに沿って４つ設けられている。また、第１の円弧部１６２ｂは、軸１５６の周りに沿って４つ設けられた第１の弦部１６４ｂと交互に配列するように４つ設けられている。従って、第１のコロ１６０ｂは、第１の弦部１６４ｂがステージ面１５２と同一の平面を形成するような回転角度位置を４つ有する。すなわち、１周３６０°の範囲に４つの回転角度位置がある。
【０１３０】
第１の回転角度位置は、例えば９０°、１８０°、２７０°、３６０°のように、回転角度位置が等間隔になるように設けられてもよい。このようなときは、第１のコロ１６０ｂは、軸１５６に沿って視たときに４回対称となるような形状を有する。ただし、４回対称の形状には限定されない。
【０１３１】
本変形例でも、第１のコロ及び第２のコロがそれぞれ第１の弦部及び第２の弦部を有しており、第１の弦部及び第２の弦部が載置ステージのステージ面と同一の平面を形成することができる。そのため、基板を停止するときに、基板全面を均一に支持することができ、基板温度にムラが生じることを防止でき、基板全面に均一に基板処理を行うことができる。
【０１３２】
更に、本変形例では、第１の弦部を複数設けることができるため、第１のコロの形状を例えば軽量化するために任意の形状で設計することができる。
【０１３３】
また、第１のコロ及び第２のコロを、軸に沿って視たときに第１の弦部と第２の弦部とが周方向に沿って近接するような配置で同期して回転駆動するときは、第１のコロを停止してから第２のコロを停止するまでに基板が移動する距離を短くすることができる。よって、載置ステージの搬送方向に沿った長さを、基板の搬送方向に沿った長さに略等しくなるように短くすることができ、基板処理装置のフットプリントを削減することができる。また、チャンバの容積を小さくすることにより、真空排気装置を小型化、省電力化することができる。
【０１３４】
なお、本変形例では、第２のコロの形状を第１の実施の形態と同様にし、第１のコロの形状を第１の弦部が複数設けられるように変えた例を説明した。しかし、第１のコロの形状を第１の実施の形態と同様にし、第２のコロの形状を第２の弦部が複数設けられるようにしてもよい。
【０１３５】
また、第１のコロ及び第２のコロは、ステージ面と略同一の平面を形成するものであればよいため、第１の弦部及び第２の弦部は、平面でなく多少の凹凸、溝等を有していてもよい。
【０１３６】
また、本変形例では、第１のコロのみ、第１の弦部が軸の周りに沿って複数設けられている例を説明した。しかし、前述したように、第１のコロにおいて第１の弦部が軸の周りに沿って複数設けられているのに加え、第２のコロにおいて第２の弦部が軸の周りに沿って複数設けられていてもよい。すなわち、第２のコロの形状を、本変形例における第１のコロの形状と略同じにしてもよい。このとき、第２のコロにおいても、複数の第２の弦部及び複数の第２の円弧部が、軸の周りに沿って交互に配列するように設けられる。これにより、第１のコロ及び第２のコロは、どのような回転角度位置においても、軸に沿って視たときに第１の弦部と第２の弦部とが周方向に沿って近接する。従って、第１のコロを停止してから第２のコロを停止するまでに基板が移動する距離を短くすることができる。よって、載置ステージの搬送方向に沿った長さを基板の搬送方向に沿った長さに略等しくなるように短くすることができ、基板処理装置のフットプリントを削減することができる。また、チャンバの容積を小さくすることにより、真空排気装置を小型化、省電力化することができる。
（第２の実施の形態）
次に、図１３を参照し、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
【０１３７】
本実施の形態に係る基板処理装置は、レジスト塗布ユニットが、載置ステージ、第１のコロ及び第２のコロを有する点で、第１の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。
【０１３８】
図１３は、本実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニット、減圧乾燥ユニット及びプリベークユニットの構成を示す一部断面を含む平面図である。なお、図１３においては、リフレッシュ部の図示を省略している。
【０１３９】
本実施の形態でも、レジスト塗布ユニット以外の塗布現像処理システムの各処理部は、図１から図４を用いて説明した第１の実施の形態に係る塗布現像処理システムと同様にすることができる。また、図１３において図示していないリフレッシュ部は、図３から図５を用いて説明した第１の実施の形態と同様にすることができる。
【０１４０】
また、本実施の形態におけるコロも、本発明における回転体に相当する。また、本実施の形態におけるコロも、半径に対する回転軸方向の長さの比率が大きな円柱形状（丸棒形状）の回転体も、半径に対する回転軸方向の長さの比率が小さな円板形状の回転体も含むものとする。
【０１４１】
また、本実施の形態でも、第１の弦部は、第１の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。また、第２の弦部は、第２の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。
【０１４２】
一方、本実施の形態では、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４は、塗布処理用浮上ステージ、基板搬送機構を有していない。それらに代え、本実施の形態では、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４は、載置ステージ２５０、第１のコロ２６０及び第２のコロ２７０を有する。また、本実施の形態では、レジストノズル２８４は、載置ステージ２５０上で搬送方向（Ｘ方向）に沿って前後に移動可能に設けられている。
【０１４３】
載置ステージ２５０は、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）に備えられた載置ステージ１５０と同様に、基板Ｇを一方向に沿って搬送する第１の搬送路３４の途中に設けられている。載置ステージ２５０は、ステージ面２５２を有し、基板Ｇをステージ面２５２の上に載置する。ステージ面２５２には開口部２５４が形成されており、開口部２５４を除いて平坦な面を形成している。
【０１４４】
第１のコロ２６０及び第２のコロ２７０は、ステージ面２５２の下方で搬送路を横切る方向（Ｙ方向）に延びる軸２５６に沿って互いに独立して回転可能に設けられている。第１のコロ２６０及び第２のコロ２７０は、軸２５６に対して軸対称であってステージ面２５２より上方に突出可能な互いに等しい半径を有するコロの一部を軸２５６に沿って切り落とした形状に形成されている。第１のコロ２６０は、図１０Ａ及び図１０Ｂに示した第１のコロ１６０と同様に、第１の円弧部と、第１の回転角度位置にあるときにステージ面２５２と同一の平面を形成する第１の弦部とを有する。第２のコロ２７０は、図１０Ａ及び図１０Ｂに示した第２のコロ１７０と同様に、第２の円弧部と、第２の回転角度位置にあるときにステージ面２５２と同一の平面を形成する第２の弦部とを有する。また、載置ステージ２５０、第１のコロ２６０及び第２のコロ２７０については、第１の回転駆動機構及び第２の回転駆動機構その他の部分についても、第１の実施の形態と同様にすることができる。
【０１４５】
レジストノズル２８４は、載置ステージ２５０の上方を搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に横断して延びる長尺形ノズルである。レジストノズル２８４は、塗布位置を移動しながらその直下の基板Ｇの上面に対してスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出するようになっている。
【０１４６】
レジストノズル２８４は、第１の実施の形態よりも長い距離の範囲で、載置ステージ２５０の上方をＸ方向に移動できるようになっている。レジストノズル２８４は、このノズルを支持するノズル支持部材２９４と一体に第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に移動可能に構成されている。これにより、第１の弦部及び第２の弦部が載置ステージ２５０のステージ面２５２と同一の平面を形成するような回転角度位置で停止し、基板Ｇをステージ面２５２の上に載置した後、レジストノズル２８４を搬送方向（Ｘ方向）に移動させながら、基板Ｇ全面に亘りレジスト液を塗布することができる。
【０１４７】
本実施の形態では、第１のコロ及び第２のコロがそれぞれ第１の弦部及び第２の弦部を有しているため、基板を停止するときに、基板全面を均一に支持することができ、基板温度にムラが生じることを防止でき、基板全面に均一に基板処理を行うことができる。これにより、レジスト液を塗布する際の塗りムラを防止することができる。
（第３の実施の形態）
次に、図１４を参照し、本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
【０１４８】
本実施の形態に係る基板処理装置は、検査ユニットが、載置ステージ、第１のコロ及び第２のコロを有する点で、第１の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。
【０１４９】
図１４は、本実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおける検査ユニットの一部の構成を示す斜視図である。
【０１５０】
本実施の形態でも、検査ユニット以外の塗布現像処理システムの各処理部は、図１から図４を用いて説明した第１の実施の形態に係る塗布現像処理システムと同様にすることができる。
【０１５１】
また、本実施の形態におけるコロも、本発明における回転体に相当する。また、本実施の形態におけるコロも、半径に対する回転軸方向の長さの比率が大きな円柱形状（丸棒形状）の回転体も、半径に対する回転軸方向の長さの比率が小さな円板形状の回転体も含むものとする。
【０１５２】
また、本実施の形態でも、第１の弦部は、第１の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。また、第２の弦部は、第２の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。
【０１５３】
一方、本実施の形態では、検査ユニット（ＡＰ）６０は、載置ステージ３５０、第１のコロ３６０及び第２のコロ３７０を有する。
【０１５４】
載置ステージ３５０は、基板Ｇを一方向に沿って搬送する第２の搬送路６４の途中に設けられている。載置ステージ３５０は、ステージ面３５２を有し、基板Ｇをステージ面３５２の上に載置する。ステージ面３５２には開口部３５４が形成されており、開口部３５４を除いて平坦な面を形成している。なお、第２の搬送路６４は、本発明における搬送路に相当する。
【０１５５】
第１のコロ３６０及び第２のコロ３７０は、ステージ面３５２の下方で第２の搬送路６４を横切る方向（Ｙ方向）に延びる軸３５６に沿って互いに独立して回転可能に設けられている。第１のコロ３６０及び第２のコロ３７０は、軸３５６に対して軸対称であってステージ面３５２より上方に突出可能な互いに等しい半径を有するコロの一部を軸３５６に沿って切り落とした形状に形成されている。第１のコロ３６０は、図１０Ａ及び図１０Ｂに示した第１のコロ１６０と同様に、第１の円弧部３６２と、第１の回転角度位置にあるときにステージ面３５２と同一の平面を形成する第１の弦部とを有する。第２のコロ３７０は、図１０Ａ及び図１０Ｂに示した第２のコロ１７０と同様に、第２の円弧部３７２と、第２の回転角度位置にあるときにステージ面３５２と同一の平面を形成する第２の弦部３７４とを有する。また、載置ステージ３５０、第１のコロ３６０及び第２のコロ３７０については、第１の回転駆動機構及び第２の回転駆動機構その他の部分についても、第１の実施の形態と同様にすることができる。
【０１５６】
しかしながら、本実施の形態では、載置ステージ３５０は、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）に備えられた載置ステージと相違し、図１４に示すように、搬送方向（Ｘ方向）に沿った長さが基板Ｇの長さよりも短い。従って、第１のコロ３６０及び第２のコロ３７０が設けられる軸３５６は、搬送方向（Ｘ方向）に沿って例えば１つ程度設けられる。また、第１のコロ３６０及び第２のコロ３７０よりなる組は、図１４に示すように、例えば２組程度設けられる。
【０１５７】
検査ユニット（ＡＰ）６０では、非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる。そして、検査項目によっては、基板全面に亘り同時に検査を行うのではなく、検査ステップと搬送ステップとを繰り返して順次検査を行う場合がある。具体的には、搬送路を横切る方向（Ｙ方向）に沿ってライン状に検査装置を設置し、検査装置の下で一旦停止させて基板Ｇの一部を検査する検査ステップと、搬送方向（Ｘ方向）に沿って微小距離移動させる移動ステップとを繰り返す。
【０１５８】
本実施の形態では、検査ステップにおいて一旦停止させて基板の一部を検査するとき、検査する部分を載置ステージ３５０のステージ面３５２に載置する。第１のコロ３６０及び第２のコロ３７０がそれぞれ第１の弦部及び第２の弦部３７４を有しており、第１の弦部及び第２の弦部３７４が載置ステージ３５０のステージ面３５２と同一の平面を形成することができる。そのため、基板を停止するときに、基板全面を均一に支持することができ、基板温度にムラが生じることを防止できる。よって、温度依存性の大きな検査装置を用いる場合、または温度依存性が大きい検査項目を検査する場合にも、基板全面に均一に検査処理を行うことができる。
【０１５９】
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【０１６０】
１０  塗布現像処理システム
３４  第１の搬送路
４６  減圧乾燥ユニット（ＶＤ）
１５０  載置ステージ
１５２  ステージ面
１５４  開口部
１５６  軸
１６０  第１のコロ
１６４  第１の弦部
１７０  第２のコロ
１７４  第２の弦部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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