(57)【要約】【課題】コンタミナントがリソグラフィ装置の投影系に侵入するのを防ぐ効果を改善する。【解決手段】リソグラフィ装置は、パターン形成された放射ビームを基板上に投影するよう構成された投影系を備える。投影系は、パターン形成された放射ビームが通過可能な開口部を備える。開口部の少なくとも一部は、投影系の壁の傾斜面と、投影系のミラーの傾斜面とを備える。【選択図】図３ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成された放射ビームを基板上に投影するよう構成された投影系を備えるリソグラフィ装置であって、
前記投影系は、パターン形成された放射ビームが通過可能な開口部を備え、
前記開口部の少なくとも一部は、前記投影系の壁の傾斜面と、前記投影系のミラーの傾斜面とを備える、
ことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記投影系の壁の傾斜面は、パターン形成された放射ビームの放射円錐面に実質的に一致する角度で傾斜していることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記ミラーの傾斜面は、パターン形成された放射ビームの放射円錐面に実質的に一致する角度で傾斜していることを特徴とする請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記ミラーの傾斜面および前記投影系の壁の傾斜面は、実質的に同じ角度で傾斜していることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記ミラーの傾斜面および前記壁の傾斜面は面一となっていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
全ての前記開口部が、投影系の壁の傾斜面と、投影系のミラーの傾斜面とを備えることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
パターン形成された放射ビームを投影系の開口部を通して基板に投影するステップを備えるリソグラフィ方法であって、
前記投影系の少なくとも一部は、ガスが前記開口部を通って前記投影系から前記基板へ流れるように、前記基板における圧力よりも高い圧力とされており、
前記開口部の少なくとも一部は、前記投影系の壁の傾斜面と、前記投影系のミラーの傾斜面とを備える、
ことを特徴とするリソグラフィ方法。
【請求項８】
前記投影系の壁の傾斜面は、パターン形成された放射ビームの放射円錐面に実質的に一致する角度で傾斜していることを特徴とする請求項７に記載のリソグラフィ方法。
【請求項９】
前記ミラーの傾斜面は、パターン形成された放射ビームの放射円錐面に実質的に一致する角度で傾斜していることを特徴とする請求項７または８に記載のリソグラフィ方法。
【請求項１０】
前記ミラーの傾斜面および前記投影系の壁の傾斜面は、実質的に同じ角度で傾斜していることを特徴とする請求項７から９のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
【請求項１１】
全ての前記開口部が、投影系の壁の傾斜面と、投影系のミラーの傾斜面とを備えることを特徴とする請求項７から１０のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板の目標部分に付与する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。その場合、パターニングデバイスが、これはマスクまたはレチクルと呼ばれることもあるが、ＩＣの個別の層に形成されるべき回路パターンを生成するために使用される。このパターンが基板（例えばシリコンウェーハ）の（例えばダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）目標部分に転写される。パターンの転写は通常、基板に形成された放射感応性材料（レジスト）層に結像されることによって行われる。一般に一枚の基板には網状に隣接する複数の目標部分が含まれており、これらに連続的にパターンが付与される。
【０００３】
リソグラフィは、ＩＣまたはその他のデバイス及び／または構造の製造における１つの重要工程であると広く認識されている。ところが、リソグラフィを使用して作られる形状の寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィこそが、製造されるべきＩＣまたはその他のデバイス及び／または構造の微細化にとってのより重要な因子となってきている。
【０００４】
理論的にはパターン転写の限界は、式（１）に示される解像度についてのレイリー条件によって見積もられる。
CD=k1λ / NAPS   (1)
【０００５】
ここで、λは使用される放射の波長であり、ＮＡＰＳはパターンの転写に使用される投影系の開口数であり、ｋ１はプロセス依存の調整因子でありレイリー定数とも呼ばれており、ＣＤは転写されるフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンション）である。式（１）から導かれるのは、最小の転写可能フィーチャサイズを小さくするには３つの方法があるということである。すなわち、露光波長λを短くするか、開口数ＮＡＰＳを大きくするか、ｋ１の値を小さくするか、である。
【０００６】
露光波長を短くして最小転写可能サイズを小さくするために、極紫外（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射源は、５〜２０ｎｍの範囲（例えば１３ｎｍ）の放射波長を出力するよう構成されている。よってＥＵＶ放射源は、微小フィーチャの転写実現に向けて大きな一歩を与える。こうした放射は極紫外または軟Ｘ線と呼ばれており、これを可能とする放射源には例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、あるいは電子蓄積リングからのシンクロトロン放射がある。
【０００７】
ＥＵＶリソグラフィ装置のいくつかの部分に侵入するコンタミナントの量を低減することが望ましい。ＥＵＶリソグラフィ装置の投影系に侵入するコンタミナントは、例えば投影系内の光学面に堆積し、（例えば、装置内のミラーの反射率を低減させることにより）装置の動作に悪影響を与える可能性がある。コンタミナントの一つのもとは、リソグラフィ装置により露光される基板である。リソグラフィ装置の投影系と基板との間にウィンドウを設けることは望ましくない。ウィンドウがＥＵＶ放射を吸収するからである。従って、従来の技術では、ＥＵＶ放射が投影系から基板に通過できるように、投影系と基板との間に開口部が設けられている。この開口部を通ってコンタミナントが投影系に入ってくるリスクがある。
【０００８】
投影系を基板の圧力よりも高い圧力とし、投影系から基板に向かう連続的なガスの流れを形成することが提案されている。投影系から基板に向かうガスの流れは、コンタミナントが基板から投影系に入ってくる可能性を低減する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
少なくとも一つの従来技術に係るリソグラフィ装置と比べて、コンタミナントがリソグラフィ装置の投影系に侵入するのを防ぐ効果を改善することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の態様によると、パターン形成された放射ビームを基板上に投影するよう構成された投影系を備えるリソグラフィ装置が提供される。投影系は、パターン形成された放射ビームが通過可能な開口部を備える。開口部の少なくとも一部は、投影系の壁の傾斜面と、投影系のミラーの傾斜面とを備える。
【００１１】
本発明の第２の態様によると、パターン形成された放射ビームを投影系の開口部を通して基板に投影するステップを備えるリソグラフィ方法が提供される。投影系の少なくとも一部は、ガスが開口部を通って投影系から基板へ流れるように、基板における圧力よりも高い圧力とされている。開口部の少なくとも一部は、投影系の壁の傾斜面と、投影系のミラーの傾斜面とを備える。
【００１２】
本発明のさらなる特徴および効果は、本発明の種々の実施形態の構成および動作と同様に、添付の図面を参照して詳細に説明される。本発明は、本明細書に記載される特定の実施形態に限定されないことを留意されたい。このような実施形態は、説明のみを目的として記載されている。本明細書に含まれる開示に基づいて、追加的な実施形態が関連する技術分野の当業者に明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
本明細書に組み込まれると共に説明の一部を形成する添付の図面は、本発明を説明しており、明細書の記載とあわせて本発明の原理を説明するのに役立つものであり、当業者が本発明を構成し使用することを可能とする。
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。
【図２】図１のリソグラフィ投影装置を模式的ではあるがより詳細に示す図である。
【図３ａ】図１および図２のリソグラフィ装置の投影系の一部を示す図である。
【図３ｂ】図１および図２のリソグラフィ装置の投影系の一部を示す図である。
【図４】図１および図２のリソグラフィ装置の投影系の一部を示す図である。
【図５】リソグラフィ装置におけるガスの流れを説明するための図である。
【図６ａ】本発明の別の実施形態に係るリソグラフィ装置の一部を模式的に示す図である。
【図６ｂ】本発明の別の実施形態に係るリソグラフィ装置の一部を模式的に示す図である。
【図７ａ】本発明の別の実施形態に係るリソグラフィ装置の一部を模式的に示す図である。
【図７ｂ】本発明の別の実施形態に係るリソグラフィ装置の一部を模式的に示す図である。
【図８】本発明の別の実施形態に係るリソグラフィ装置の一部を模式的に示す図である。
【００１５】
本発明の特徴および利点は、図面と共同して下記に提示される詳細な説明からより明らかになるであろう。図面においては、明細書を通して同様の符号は対応する構成要素を特定する。図面においては、同様の符号は、一般的に同一、機能が類似、及び／または構造的に類似の構成要素を示す。図面において最初に表れる構成要素は、対応する符号の左端の数字により示される。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本明細書は本発明の特徴を組み入れた１つまたは複数の実施の形態を開示する。開示された実施の形態は本発明の例示にすぎない。本発明の範囲は開示された実施の形態には限定されない。本発明は添付の請求項により定義される。
【００１７】
本明細書において「一実施形態」、「実施形態」、「実施例」等は、説明した実施の形態が特定の特性、構造、または特徴を含んでいてもよいことを表すが、すべての実施の形態がその特定の特性、構造、または特徴を必ずしも含んでいるわけではない。さらにまた、上記のフレーズは必ずしも同じ実施形態を指すものではない。さらに、特定の特性、構造、または特徴を一実施の形態に関して説明するとき、明示的に説明しようがしまいが、他の実施の形態に関してそのような特定の特性、構造、または特徴を作用させることは、当業者の知識の範囲内であるとして理解すべきである。
【００１８】
本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの組み合わせで実現されてもよい。本発明の実施形態は、また、一つ以上のプロセッサにより読み込まれ、実行されるコンピュータ読み取り可能媒体に記憶されたインストラクションとして実現されてもよい。コンピュータ読み取り可能媒体は、機械により読み取り可能な形式の情報を記憶または伝送するメカニズムを含んでもよい（例えば、コンピュータデバイス）。例えば、コンピュータ読み取り可能媒体は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）；ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）；磁気ディスク記憶媒体；光記憶媒体；フラッシュメモリ装置；電気的、光学的、音響的またはその他の形式の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号）などである。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、インストラクションは、特定の動作を実行できるものとして、ここで説明されてもよい。しかしながら、このような説明は、単に便宜上のためだけであり、このような動作は、実際は、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、インストラクションなどを実行するコンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、その他のデバイスによって生じるものであると理解すべきである。
【００１９】
しかしながら、このような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実装可能である例示的な環境を提示することが有益である。
【００２０】
図１は、本発明の実施形態に係るリソグラフィ装置１を模式的に示す。リソグラフィ装置１は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するよう構成された照明系ＩＬ（照明器とも称される）と、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持し、パターニングデバイスをあるパラメータに従って正確に位置決めするよう構成された第１位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストでコーティングされたウェハ）Ｗを保持し、基板をぱるパラメータに従って正確に位置決めするよう構成された第２位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイを含む）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影系（例えば屈折投影レンズ系）ＰＳと、を含む。
【００２１】
照明系は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組合せを含み得るものであり、放射の向きや形状を整え、あるいは放射を制御するためのものである。
【００２２】
支持構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、パターニングデバイスの重みを支える。支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置１の設計、及びパターニングデバイスが真空環境で保持されるか否か等のその他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定技術を用いてもよい。支持構造は、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、これらは固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影系に対して所望の位置にあることを保証してもよい。本明細書における「レチクル」または「マスク」なる用語の使用は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同じ意味と見なしてよい。
【００２３】
本明細書において「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを生成するために放射ビーム断面にパターンを与えるのに使用される何らかのデバイスについて言及するものとして広義に解釈される。放射ビームに付与されたパターンは、基板の目標部分に望まれるパターンに厳密に一致していなくてもよい。例えば、位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャがパターンに含まれていてもよい。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、目標部分に生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応する。
【００２４】
パターニングデバイスには、例えばマスク、プログラム可能ミラーアレイが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、通常、ＥＵＶ放射（またはＥＵＶを超えた放射）リソグラフィ装置においては、マスクは反射型である。プログラム可能ミラーアレイは例えば、微小ミラーのマトリックス配列で構成される。各微小ミラーは、入射する放射ビームを異なる複数の方向に反射するよう個別に傾斜可能である。ミラーマトリックスにより反射された放射ビームには、傾斜されたミラーによってパターンが付与されている。
【００２５】
本明細書において「投影系」なる用語は、種々の投影系を包含するものとして広義に解釈される。通常、ＥＵＶ放射リソグラフィ装置においては、光学部材は反射型である。しかしながら、他の種類の光学部材が用いられてもよい。本明細書において「投影レンズ」という用語は、より一般化された用語である「投影系」と同義であるとみなしてもよい。
【００２６】
図示されるように、装置１は反射型である（例えば反射型マスクを有する）。
【００２７】
リソグラフィ装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブル（及び／または２つ以上のマスクテーブル）を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては、複数のテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に１以上の他のテーブルで準備工程が実行されるようにしてもよい。
【００２８】
図１を参照すると、照明系ＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源ＳＯおよび放射系ＩＬは、放射系と総称されてもよい。
【００２９】
照明系ＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタを備えてもよい。一般的には、照明系の瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／または内側半径範囲（通常それぞれ「σｏｕｔｅｒ」、「σｉｎｎｅｒ」と呼ばれる）が調整される。加えて照明系ＩＬは、インテグレータ及びコンデンサなどの他の要素を備えてもよい。照明系ＩＬは、ビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームＢを調整するために用いられる。
【００３０】
放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。マスクＭＡで反射された後、放射ビームＢは投影系ＰＳを通過する。投影系ＰＳは、ビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦させる。第２位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴは正確に移動される。例えば放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃをそれぞれ位置決めするように移動される。同様に、例えば走査中またはマスクライブラリからのマスク交換後に、第１位置決め装置ＰＭと別の位置センサＩＦ１により放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡは正確に位置決めされてもよい。
【００３１】
一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、ロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。これらモジュールは、第１位置決め装置ＰＭの一部を構成する。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパの場合には（スキャナとは異なり）、マスクテーブルＭＴはショートストロークモジュールにのみ接続されていてもよいし、マスクテーブルＭＴは固定されていてもよい。マスクＭＡと基板Ｗとは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされる。図示される基板アライメントマークは専用の目標部分を占有しているが、基板アライメントマークは目標部分間の領域に配置されていてもよい（スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、マスクＭＡに複数のダイがある場合には、マスクアライメントマークがダイ間に配置されてもよい。
【００３２】
図示の装置１は、以下のモードのうち少なくとも１つで使用することができる。
【００３３】
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で１つの目標部分Ｃに投影される間、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴが基板の面内において移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズによって、１回の静的露光で結像される目標部分Ｃの寸法が制限されることになる。
【００３４】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが１回の動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。
【００３５】
３．別のモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、マスクテーブルＭＴはプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルＷＴは移動または走査される。このモードでは一般にパルス放射源が用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは走査中に基板テーブルＷＴが移動するたびに、または連続するパルスとパルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラム可能ミラーアレイなどのプログラム可能パターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに適用可能である。
【００３６】
上記のモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードを用いてもよい。
【００３７】
図２は、模式的にではあるが、図１のリソグラフィ装置１をより詳細に示す。リソグラフィ装置１は、放射源ＳＯと、照明系ＩＬと、投影系ＰＳとを備える。ＥＵＶ範囲の電磁スペクトルの放射を発するプラズマ２を作り出すことにより、ＥＵＶ放射が生成される。プラズマ２は、レーザビーム５を用いてターゲット材供給部１９により供給されるターゲット材の液滴を照射することにより生成されてよい。ターゲット材の液滴は、例えばＸｅ，ＬｉまたはＳｎであってよい。
【００３８】
プラズマ２により発せられた放射は、該放射を焦点に合わせるよう構成された集光ミラー３により反射され、放射ビームが形成される。本実施形態において、焦点は、いわゆる中間焦点８と一致している。本実施形態において、放射は、かすめ入射ミラー７を介して焦点合わせされる。別の実施形態においては、かすめ入射ミラー７は省略されてもよい。かすめ入射ミラー７は、格子スペクトルフィルタ７であってもよい。
【００３９】
放射ビーム９は、照明系ＩＬにおいて、ミラー１０，１１によってパターニングデバイス支持部ＭＴ（例えば、レチクルテーブルまたはマスクテーブル）上に位置するパターニングデバイスＭＡ（例えばレチクルまたはマスク）上に反射される。パターンが付与された放射ビーム１２が形成され、該放射ビーム１２は、投影系ＰＳにおいて、反射素子１３，１４によって基板テーブルＷＴ上の基板Ｗに結像される。
【００４０】
図２に図示されるよりも多くのまたは少ない素子が放射源ＳＯ、照明系ＩＬ、および投影系ＰＳに存在してもよいことを理解されたい。
【００４１】
投影系ＰＳの第１ミラー１３は、投影系の壁３０の最下面の近傍に位置する。投影系ＰＳは開口部２０を備える。パターン付与されたＥＵＶ放射ビーム１２は、該開口部２０を通過した後、基板Ｗに入射する。
【００４２】
投影系ＰＳは、基板Ｗが位置する環境の圧力よりも高い圧力に維持される。この圧力差により、ガスは開口部２０から基板Ｗに向けて流れ出す。投影系ＰＳおよび基板Ｗの圧力は、例えば、１〜３０Ｐａの範囲であってよい。
【００４３】
開口部２０を通ったガス流は、コンタミナントが投影系ＰＳ内に入り込むのを抑圧する。これは、基板Ｗにおけるコンタミナント濃度と投影系ＰＳにおけるコンタミナントとの比である抑圧比Ｒとして表されてもよい。抑圧比Ｒは、ペクレ数Ｐｅを用いて下記の式（２）のように表される。
2011135078.tif 000003
【００４４】
ここで、Ｑはガスの質量流量（Ｐａ・ｍ３／ｓ）であり、Ｌは抑圧長（開口部２０の高さ）であり、Ｄｐはコンタミナント拡散率Ｄとバルクガス圧ｐの圧力独立積（pressure-independent product）（以下、コンタミナントＤｐと呼ぶ）であり、Ａは開口部２０の実効断面積である。式（２）から、開口部２０は長い抑圧長Ｌと小領域Ａを有することが望ましいことが分かる。
【００４５】
図３ａは、側方から見た投影系ＰＳの最下端部を模式的に示す。投影系ＰＳは、ミラー１３と投影系の壁３０の一部とを備える。また、図３ａには、基板Ｗと基板テーブルＷＴとが図示されている。矢印は、基板表面上を投影系ＰＳから基板Ｗへ向かうガス流を模式的に表すために用いられている。図３ｂは、上方から見たミラー１３と、投影系１３の壁の一部を模式的に示す。
【００４６】
図３ａには、投影系ＰＳの最下端部の開口部２０が図示されている。開口部２０の一部は、投影系の壁３０の傾斜面３２により形成されている。傾斜面３２は、上方且つ外側に向かって傾斜しており、これにより、ガスの流れの方向に狭くなる開口部２０が提供される。投影系の壁３０の傾斜面３２は、リソグラフィ装置の動作の間に開口部２０を通って基板Ｗに焦点合わせされるＥＵＶ放射ビーム１２（図３に図示せず）を収容できるよう形成される。
【００４７】
開口部２０の一部はまた、ミラー１３の傾斜面３４によっても形成されている。ミラーの傾斜面３４は、上方且つ外側に向かって傾斜しており、これにより、ガスの流れの方向に狭くなる開口部２０が提供される。ミラー１３の傾斜面３４は、リソグラフィ装置の動作の間に開口部２０を通って基板Ｗに焦点合わせされるＥＵＶ放射ビーム１２（図３に図示せず）を収容できるよう形成される。投影系の壁３０の傾斜面３２およびミラー１３の傾斜面３４は、図示を簡略化するために、図３ｂにおいては一つの面３２，３４として図示されている。
【００４８】
図３ｂから分かるように、ミラー１３は、反射部１３ａと支持部１３ｂとを備える。反射部１３ａは、ＥＵＶ放射ビーム１２を投影系ＰＳの次のミラー１４に向けて反射するよう構成される（図２参照）。その後、ミラー１４は、ＥＵＶ放射を基板Ｗに向けて反射する。支持部１３ｂは、反射部１３ａを支持するよう構成される。支持部１３ｂは、マウンティングアーム（図示せず）が接続される３つのマウンティングポイントが設けられる。任意の適切な数のマウンティングポイントが任意の適切な位置に設けられてよい。マウンティングアームはまた、投影系の次のミラー１４を支持する。フレームは、投影系ＰＳの壁３０から機械的に独立しており、従ってミラー１３は、投影系の壁に対して移動可能である。ミラーが移動したときに投影系の壁に触れないよう、ミラー１３と投影系ＰＳの壁３０との間にはギャップ３８が設けられている。ギャップ３８は、数ミリメートルであってよい。例えば、ギャップは１ｍｍから８ｍｍの間であってよい。
【００４９】
ミラー１３の傾斜面３４および投影系の壁３０の傾斜面３２が一緒になって開口部２０の傾斜面が設けられており、該開口部２０を通ってガスが投影系ＰＳから基板Ｗに流れる。
【００５０】
式（２）から、投影系の壁３０の傾斜面とミラー１３の傾斜面３４とを用いて開口部２０を形成することにより、（例えば、投影系の壁３０の傾斜面３２のみを用いて開口部２０が形成された場合と比較して）投影系ＰＳからのコンタミナントがより効果的に抑圧されることが分かる。これは、壁３０とミラー１３とが一緒になって、より長い抑圧長Ｌを提供するからである。抑圧比Ｒは、指数関数的に抑圧長に依存する。
【００５１】
ミラー１３の傾斜面３４および投影系の壁３０の傾斜面３２の角度は、ＥＵＶ放射ビームの角度範囲に一致しているか、または実質的に一致していてよい。式（２）から、投影系ＰＳに入るコンタミナントの抑制におけるガス流の有効性は、開口部２０の実効面積Ａが減少するにつれて増大する。理想的なシステムでは、開口部２０はできるだけ狭く、傾斜面３２，３４の角度はできるだけ垂直に近い（より浅い傾斜は大きな実効面積を与える）。しかしながら、ＥＵＶ放射ビームによりパターンを基板上に投影するために、開口部２０はＥＵＶ放射ビームを収容できなければならない。従って、ＥＵＶ放射ビームが基板Ｗ上に正確にパターンを投影するのを開口部２０は妨げてはならないという制限を条件として、開口部２０はできるだけ狭く形成されてよい。同様に、ＥＵＶ放射ビームが基板Ｗ上に正確にパターンを投影するのを開口部２０は妨げてはならないという制限を条件として、開口部２０はできるだけ急勾配であってよい。これは、ミラー１３の傾斜面３４および傾斜面３２をＥＵＶ放射ビームの角度範囲と一致させる、または実質的に一致させることにより達成される。傾斜面３２、３４の角度は、それ故、リソグラフィ装置の開口数に依存する。より高い開口数は、垂直からの更なる傾斜（すなわち、より浅い傾斜）を必要とする。開口数は、例えば０．３３である。
【００５２】
傾斜面３２、３４は、面が垂直であり且つ放射ビームを収容できるよう十分に間隔があけられているケースよりも、（特定の質量流量Ｑに対して）高い抑圧比Ｒを提供する。これは、開口部２０の実効面積Ａが減少するからである。本明細書において、放射ビームが基板Ｗに入射するときに放射ビームの光軸が実質的に垂直であるようにリソグラフィ装置が構成された場合、「傾斜」なる用語は垂直でないことを意味するものと解釈されてよい。「傾斜」なる用語は、放射ビームが基板Ｗに入射するときに放射ビームの光軸に対して平行でないことを意味するものと解釈されてもよい。
【００５３】
投影系ＰＳ内の圧力は、例えば１〜３０Ｐａの範囲であってよい。この圧力は、基板Ｗと投影系ＰＳの壁３０との間隔に応じて選択されてよい。基板Ｗ上において特定の所望のガス流が実現された場合、より大きな間隔はより小さな圧力を必要とする。
【００５４】
ガスが一直線に流れるようにした場合、屈曲部やコーナの周りを流れるのと比較して、ガスはより容易に流れる。このため、図示の本発明の実施形態において、ミラー１３の傾斜面３４の角度は、投影系の壁３０の傾斜面３２の角度と同じ（または実質的に同じ）である。加えて、ミラー１３の傾斜面３４は、投影系の壁３０の傾斜面３２と面一となっている。本明細書において、「面一」なる用語は、ミラーの傾斜面から投影系の壁の傾斜面に通過するときに、（ギャップ３８は切れ目を生じさせるが）上下の段差が存在しないか又は実質的に上下の段差が存在しないことを意味することを目的としている。ある実施形態においては、ミラー１３の傾斜面３４の角度は、投影系の壁３０の傾斜面３２の角度と異なっていてもよい。この場合、コンタミナントの投影系ＰＳへの混入防止において、ガス流の効果が弱くなる可能性がある。
【００５５】
ガスは、ミラー１３と投影系の壁３０との間のギャップ３８を通って流れることができる。ガスは、開口部２０に向かって流れてもよいし、開口部２０から離れて流れてもよい。ギャップ３８を通るガス流は、開口部２０における又は開口部２０の周りのガス流を変更する可能性がある。しかしながら、ギャップ３８を通るガス流は、開口部２０によりもたらされる抑圧比Ｒにわずかな影響しか与えない。可能性のある圧力、傾斜面の間隔および角度に基づいた計算では、ギャップの影響は５％未満である。
【００５６】
ギャップ３８のガス流は、２枚のディスク間の同心流（concentric flow）として近似されてもよい。２枚の平行なディスクの縁から中心に向かうガスの粘性流は、外側（半径ＲＡ）での圧力ｐＡ、半径ＲＢでの圧力ｐＢ、ディスク間のギャップｈ、およびガスの動粘性係数μを用いて表すことができる。簡単な解析によると、質量流量Ｑと圧力との間の関係は、下記の式（３）のように得られる。
2011135078.tif 000004
【００５７】
ここで、ｐは平均圧力（ｐＡとｐＢの平均）を意味し、Δｐはディスクの外側領域と内側領域の間の圧力差である。この流れに関係するペクレ数は以下の式（４）のように表される。
2011135078.tif 000005
【００５８】
上記の式は、ガス流が粘性流であると仮定している。ギャップ３８が比較的小さいサイズであるとすると、場合によっては粘性流の仮定が完全には適用できない可能性がある。このような場合、ギャップ３８を通るガス流は、式により表される値よりも小さくなる可能性が高い。
【００５９】
図４は、図３ａの投影系の壁３０およびミラー１３を表し、ギャップ３８を通るガス流の推定される影響を評価するために用いられる種々のラベル付きの位置および寸法を含んでいる。図３ａに関連して用いられる種々のラベルは、図４では図面を明瞭とするために省略されている。
【００６０】
図４を参照すると、２つの圧力が圧力計算に関係している。投影系ＰＳにおける圧力ｐＰＳと、基板Ｗ表面の真上の領域ＷＳにおける圧力ｐＷＳである。
【００６１】
実施例として以下の圧力値を用いる：ｐＰＳ＝１９Ｐａ、ｐＷＳ＝１０Ｐａ。また、以下の寸法を用いる：ｈ＝２ｍｍ（ギャップ３８の高さ）ＲＡ＝２ｃｍ、ＲＢ＝５ｃｍ。ガスは水素であり、コンタミナントは水である。また、以下の物質特性を与える：ガス粘度μ＝８．８ｅ−６Ｐａ・ｓおよびコンタミナントＤｐ＝８．５Ｐａ・ｍ２／ｓ。
【００６２】
式（３）を用いることにより、ギャップ３８を通るガスの流量Ｑ２は、上記の値に基づいて推定される。推定される流量は、Ｑ２＝０．０５５Ｐａ・ｍ３／ｓであり、比較的小さい流量である。式（４）を用いることにより、ギャップ３８に対するペクレ数Ｐｅもまた推定される。ペクレ数もまた、比較的小さい値：Ｐｅ＝１．２である。小さい流量および小さいペクレ数の組み合わせにより、ギャップ３８を通るガス流の影響は比較的小さくなる。
【００６３】
別の実施例では、以下の圧力値が用いられる：ｐＰＳ＝１５Ｐａ、ｐＷＳ＝８Ｐａ。また、以下の寸法を用いる：ｈ＝２ｍｍ（ギャップ３８の高さ）ＲＡ＝２ｃｍ、ＲＢ＝５ｃｍ。ガスは窒素であり、コンタミナントは水である。また、以下の物質特性を与える：μ＝１．８ｅ−５Ｐａ・ｓおよびＤｐ＝２．５Ｐａ・ｍ２／ｓ。
【００６４】
式（３）を用いることにより、ギャップ３８を通るガスの流量Ｑ２は、上記の値に基づいて推定される。推定される流量は、Ｑ２＝０．０１６Ｐａ・ｍ３／ｓであり、比較的小さい流量である。式（４）を用いることにより、ギャップ３８に対するペクレ数Ｐｅもまた推定される。ペクレ数もまた、比較的小さい値：Ｐｅ＝１．２である。小さい流量および小さいペクレ数の組み合わせにより、ギャップ３８を通るガス流の影響は比較的小さくなる。
【００６５】
全体的な系（すなわち開口部２０およびギャップ３８）に対する抑圧比Ｒは、以下の式を用いて決定される。この式は、図５と併せて説明される（図５においてＱ２、Ｐｅ２は、それぞれギャップ３８における流量およびペクレ数を表す）。
2011135078.tif 000006
【００６６】
式（５）は、低い値のＰｅ２（ギャップ３８のガス流に対する）は、ギャップを通るガスのバルク流Ｑ２が比較的低い場合には大きな影響を有しないことを表している。一般的には、ギャップ３８を通るガスのバルク流Ｑ２は、開口部２０を通るガスのバルク流Ｑ１の５倍未満、１０倍未満、２０またはそれ以上倍未満である。従って、ギャップ３８は、開口部２０により与えられる抑圧比Ｒに大きな影響を及ぼさない。上記の両方の実施例における抑圧比Ｒは、１００００を超える。
【００６７】
実施例はコンタミナントの例として水を用いているが、本発明は、水以外（例えばより重いコンタミナント）を抑圧するために用いることができる。実施例においては水素および窒素が用いられているが、他のガス（例えばヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、酸素）を用いることもできる。
【００６８】
開口部２０は、投影系ＰＳから基板Ｗに向けてガスを流し込む漏斗であると考えられてもよい。
【００６９】
図３ａおよび図４は、開口部２０の両側において高さが等しいミラー１３を示しているが、ミラーは開口部の両側において高さが異なっていてもよい。ある例においては、ミラー１３により形成された開口部２０の一つ以上の部分は、傾斜していない面を有していてもよい（例えば、表面の一部が垂直である）。
【００７０】
図３ａ、図３ｂおよび図４は、開口部２０の両側において高さが等しい投影系の壁３０を示しているが、投影系の壁は開口部の両側において高さが異なっていてもよい。同様に、壁３０の傾斜面３２の長さは、開口部２０の一方の側が開口部の他方の側よりも大きくてもよい。
【００７１】
図６ａは、側方から見た本発明の別の実施形態を模式的に示す。図６ｂは、上方から見た本実施形態を模式的に示す。本実施形態は、概して図３ａ、図３ｂに示す実施形態に対応しており、図３ａ、図３ｂの実施形態の構成要素と共通する本実施形態の構成要素には同一の符号を付す。図６ａ、図６ｂの本実施形態においては、投影系ＰＳ内に内壁４２が存在する。この内壁４２は、投影系の外側部分４６から投影系の内側部分４４を分離している。投影系の内側部分４４は、投影系の外側部分４６よりも高い圧力とされている。
【００７２】
図６ｂにも、マウンティングアーム（図示せず）が接続されるマウンティングポイント３６ａが図示されている。任意の適切な数のマウンティングポイントが任意の適切な位置に設けられてよい。マウンティングアームは、投影系の次のミラー１４を支持するフレーム（図示せず）の一部を形成する。フレームは、投影系ＰＳの外壁３０および内壁４２から機械的に独立しており、従ってミラー１３は投影系の壁に対して移動可能である。ミラーが移動した際に投影系の壁に接触しないようにするために、ミラー１３と投影系ＰＳの壁３０との間にはギャップ３８が設けられている。ギャップ３８は、数ミリメートルであってよい。例えば、ギャップは１ｍｍから８ｍｍの間であってよい。
【００７３】
内壁４２は、ミラー１３に向けて延設されているが、ミラー１３に接触はしていない。その代わりに、内壁４２とミラー１３との間にはギャップ４８が存在する。このギャップ４８によって、ミラー１３は内壁４２に接触せずに移動することができる。ギャップ４８は、図３ｂで確認できる。図３ｂでは、内壁４２の最内縁が図示されている。ギャップ４８は数ミリメートルであってよい。ガスは、投影系の内側部分４４から投影系の外側部分４６にギャップ４８を通って流れることができる。
【００７４】
図３ａ、図３ｂに示す実施形態と異なり、ミラー１３は完全には開口部２０の周囲に広がっていない。その代わりに、ミラーは、開口部２０の片側にのみ位置している。このため、内壁４２の一部は、ミラー１３に向かって延びるのではなく、代わりに投影系の外壁３０の傾斜面３２に向かって延びている。投影系における内壁４２と外壁３０の傾斜面３２との間には、機械的な理由からギャップ４９が存在する。ギャップ４９は、数ミリメートルであってよい。ギャップ４９により、ガスは投影系の内側部分４４から投影系の外側部分４６に流れることができる。図面を簡略化するために、投影系の外壁３０の傾斜面３２およびギャップ４９は図６ｂには図示されていない。ギャップ４９はある実施形態においては省略されてもよい。
【００７５】
投影系ＰＳの外側部分４６にはポンプ４０が位置している。ポンプ４０は、投影系の外側部分４６からガスを吸い出すために用いられる。
【００７６】
投影系の傾斜面３２とミラー１３の傾斜面３４は共に開口部２０の一部を形成している。それらの傾斜の角度は、リソグラフィ装置のＥＵＶ放射ビームの角度範囲と一致または実質的に一致してよい。このようにして、投影系の傾斜面３２とミラー１３の傾斜面３２は、開口部２０により与えられる抑圧比Ｒを増大させる役割を果たす。
【００７７】
開口部２０近傍の投影系の内壁４２は、投影系の外壁３０の傾斜面の角度と一致する角度で傾斜している。さらに、内壁４２の内側は、投影系の外壁の傾斜面３２と面一である。このようにして、内壁４２は、ミラー１３の傾斜面３４と同じように開口部２０により与えられる抑圧比Ｒを増大させる役割を果たす。開口部２０近傍の投影系の内壁４２の傾斜角度は、リソグラフィ装置のＥＵＶ放射ビームの角度範囲と一致または実質的に一致してよい。
【００７８】
図６ａ、図６ｂにおいて、内壁４２は（開口部２０の近傍において）ミラー１３の傾斜面３４と同じ角度で傾斜している。しかしながら、内壁４２は、異なる傾斜角度、及び／または二つ以上の傾斜角度を有してもよい。例えば、内壁４２は、開口部２０の近傍においてＥＵＶ放射ビームの角度範囲と一致または実質的に一致する傾斜を有し、開口部２０からさらに離れた位置で異なる傾斜を有してよい。開口部２０近傍の内壁４２は任意の適切な傾斜を有してよい。
【００７９】
図６ａにおいては、開口部２０の右手側の投影系の壁の傾斜面３２が開口部の左手側よりも高く延びている。しかしながら、開口部の両側において傾斜面３２が同じ高さであってもよいし、または開口部２０の右手側の傾斜面が開口部の左手側よりも低くなっていてもよい。傾斜面３２は任意の適切な高さに延びていてよく、高さは開口部の両側で異なっていてもよい。
【００８０】
図７ａは、側方から見た本発明の別の実施形態を模式的に示す。図７ｂは、上方から見た本実施形態を模式的に示す。図７ａ、図７ｂの実施形態は、図６ａ、図６ｂの実施形態とほとんどが一致しており、図６ａ、図６ｂの実施形態の構成要素と共通する本実施形態の構成要素には同一の符号を付す。
【００８１】
図６ａ、図６ｂに示す実施形態と同様に、投影系ＰＳ内に内壁４２ａが存在する。内壁４２ａは、投影系の外側部分４６から投影系の内側部分４４を分離している。投影系の内側部分４４は、投影系の外側部分４６よりも高い圧力とされている。図７ａの左手に見られるように、内壁４２ａは、ミラー１３の最上の角を過ぎて下方に延びており、内壁４２ａとミラー１３の外面との間にチャネル５０を構成している。ガスは、チャネル５０を通って投影系ＰＳの内側部分４４から投影系の外側部分４６に流れることができる。
【００８２】
図６ａ、図６ｂの実施形態と同様に、ミラー１３は、完全には開口部２０の周囲に広がっていないが、その代わりに、開口部の片側に位置している。投影系の壁３０の傾斜面３２は、図６ａ、図６ｂの実施形態の場合よりもさらに延びており、傾斜面３２の最上端はミラー１３の最上面と同じ高さ（または実質的に同じ高さ）である。内壁４２ａは投影系の外壁３０の傾斜面３２向かって下方に延びている。内壁４２ａと投影系の外壁３０との間にはギャップ５１が存在する。ギャップ５１により、ガスは、投影系の内側部分４４から投影系の外側部分４６に流れることができる。
【００８３】
投影系の傾斜面３２とミラー１３の傾斜面３４は共に開口部２０を形成している。それらの傾斜角度は、リソグラフィ装置のＥＵＶ放射ビームの角度範囲と一致または実質的に一致していてよい。このようにして、投影系の傾斜面３２とミラー１３の傾斜面３４は、開口部２０により与えられる抑圧比Ｒを増大させる役割を果たす。投影系の傾斜面３２とミラー１３の傾斜面３４は、任意の適切な傾斜角を有してよい。
【００８４】
図示の本実施形態では、内壁４２ａは開口部２０の一部を形成しておらず、投影系の外壁３０の傾斜面３２の傾斜角と一致する傾斜角を有していない。内壁４２ａは任意の適切な形状であってよい。
【００８５】
また、図７ｂにはマウンティングアーム（図示せず）が接続されるマウンティングポイント３６ａが図示されている。任意の適切な数のマウンティングポイントが任意の適切な位置に設けられてよい。マウンティングアームは、投影系の次のミラー１４を支持するフレーム（図示せず）の一部を形成する。フレームは、投影系ＰＳの外壁３０と内壁４２から機械的に独立しており、ミラー１３は従って、投影系の壁に対して移動することができる。ミラーが移動した際に投影系の壁に接触しないよう、ミラー１３と投影系ＰＳの壁３０との間にはギャップ３８が設けられている。ギャップ３８は数ミリメートルであってよい。例えば、ギャップは１ｍｍから８ｍｍの間であってよい。
【００８６】
図７ａは、ミラー１３の最上面と同じ高さの投影系の壁の傾斜面３２を示している。しかしながら、傾斜面３２は任意の適切な高さに延びていてよい。
【００８７】
ある実施形態において、内壁４２ａは省略される。
【００８８】
図８は、側方から見た本発明の別の実施形態を模式的に示す。図８の実施形態は、図６ａ、図６ｂの実施形態と一部において一致しており、図６ａ、図６ｂの実施形態の構成要素と共通する本実施形態の構成要素には同一の符号を付す。
【００８９】
図６ａ、図６ｂの実施形態と同様に、ミラー１３は、完全には開口部２０の周囲に広がっていないが、その代わりに、開口部の片側に位置している。投影系の傾斜面１３２とミラー１３の傾斜面３４は共に開口部２０の一部を形成している。それらの傾斜角度は、リソグラフィ装置のＥＵＶ放射ビームの角度範囲と一致または実質的に一致していてよい。
【００９０】
開口部２０の反対側にはミラー１３は存在しない。投影系の傾斜面１３２と投影系ＰＳの内壁４２はともに開口部２０の一部を形成している。開口部２０の近傍の内壁４２は、投影系の外壁３０の傾斜面１３２の傾斜角度と一致する角度で傾斜している。開口部２０近傍の投影系の内壁４２の傾斜角度は、リソグラフィ装置のＥＵＶ放射ビームの角度範囲と一致または実質的に一致していてよい。
【００９１】
内壁４２は、投影系ＰＳの内側部分４４を投影系の外側部分４６から分離している。投影系の内側部分４４は、投影系の外側部分４６よりも高い圧力とされている。図８の左手に見られるように、内壁４２はミラー１３の最上の角に延びているが、内壁とミラーとの間にはガスが通ることのできるギャップ４８が存在する。同様に、図８の右手に見られるように、内壁４２は投影系の外壁の傾斜面１３２の最上端に延びているが、それらの間にはガスが流れることのできるギャップ４９が存在する。ガスは、投影系ＰＳの内側部分４４から投影系の外側部分４６に流れることができる。投影系ＰＳの外側部分４６にはポンプ４０が位置している。ポンプ４０は、投影系の外側部分４６からガスを吸い出すために用いられる。
【００９２】
投影系ＰＳの傾斜面１３２は、開口部２０の周囲に広がる構造体１６０に設けられている。構造体１６０内にはチャンバ１６１が設けられており、このチャンバは構造体内においてループを形成している。構造体１６０の傾斜面１３２の中途には排気口１６２が設けられている。この排気口はチャンバ１６１に接続されている。排気口１６２の高さは、チャンバ１６１の高さよりも小さい。チャンバ１６１には導管１６３が接続されており、この導管は、ガスをチャンバに供給するように構成される。チャンバ１６１により受け取られたガスは、チャンバの周囲を移動し、チャンバ内のガスの圧力は少なくとも部分的に均一とされる。
【００９３】
ガスはチャンバ１６１の排気口１６２を出て、投影系と基板Ｗの間の開口部２０に流れる。ある割合のガスは、（矢印で図示されるように）開口部の下方部分２０ａを十手基板Ｗに向かって流れ、その後、投影系の外壁３０と基板Ｗとの間に導かれる。上述のようにして、開口部の下方部分２０ａを通るガスの流れは、投影系ＰＳ内にコンタミナントが入り込むのを抑圧する。上述の式（２）を参照すると、抑圧比Ｒは、ガスの質量流量Ｑ、抑圧長Ｌ（すなわち、開口部の下方部分２０ａの高さ）、および開口部の下方部分２０ａの実効断面積Ａに依存する。図８から分かるように、開口部の下方部分２０ａの抑圧長Ｌは、他の図で説明した実施形態における開口部の抑圧長よりも短くてよい。しかしながら、開口部の下方部分２０ａを通るガスの質量流量Ｑを増大させることにより、抑圧比Ｒは改善される。ガスの質量流量は、排気口１６２から供給されるガスにより増加される。
【００９４】
図８に示す実施形態の利点は、投影系ＰＳ全体にわたってガスの圧力を増大させずとも、開口部の下方部分２０ａを通過するガスの質量流量Ｑを増やすことができることである。これは、投影系ＰＳのガス圧力を増大させると、ガスによるＥＵＶ放射の吸収が増大し、その結果基板Ｗに投影されるＥＵＶ放射の強度が減少してリソグラフィ装置のスループットが減少するので、有利である。排気口１６２からのガスの供給によりガス流量Ｑを増大させることは、開口部２０近傍のガス圧力の局部的な増大を生じさせるが、この局部的なガス圧力の増大は、投影系ＰＳ全体のガス圧力を増大させる場合よりもＥＵＶ放射の吸収を大幅に少なくする。開口部２０を通るＥＵＶ放射の経路は十分に短いので、開口部に存在するガスによるＥＵＶ放射の吸収は、無視できる程度である。
【００９５】
ある割合のガスは、（矢印で図示されるように）開口部の上方部分２０ｂを通って上方に流れる。このガスの流れは、コンタミナントの抑圧には寄与しない。従って、開口部２０から上方に流れるガスの量を制限することが望ましい。ガスの流れは開口部の上方部分２０ｂの粘性により決定される。粘性は、開口部２０の上方部分の直径および長さによりある程度決定される。このため、開口部の上方部分２０ｂは、一部分においてミラー１３の傾斜面３４により形成される（仮に開口部の一部を形成するのにミラーを用いない場合よりも長い開口部を提供する）。また、開口部の上方部分２０ｂは、一部分において傾斜した内壁４２により形成される（仮に開口部の一部を形成するのに傾斜した内壁を用いない場合よりも長い開口部を提供する）。ミラー１３の傾斜面３４および傾斜した内壁４２の傾斜角度は、リソグラフィ装置のＥＵＶ放射ビームの角度範囲と一致または実質的に一致していてよい。同様に、構造体１６０の傾斜面１３２の傾斜角度は、リソグラフィ装置のＥＵＶ放射ビームの角度範囲と一致または実質的に一致していてよい。これは、開口部の上方部分２０ｂを通って流れるガスの割合を最小にする、または実質的に最小にする。言い換えると、これは、開口部の下方部分２０ａを通って流れるガスの割合を最大にする、または実質的に最大にし、その結果、ガスにより与えられる抑圧比Ｒが改善される。
【００９６】
開口部の下方部分２０ａを通って流れるガスの割合は（開口部の上方部分２０ｂを通って流れるのとは対照的に）、例えば０．１から０．５の範囲であってよく、例えば０．１５から０．２５の範囲であってよい。この割合は、例えば導管１６３を介して供給されるガスの圧力を変えたり、または開口部２０の形状を変えることにより修正されてよい。
【００９７】
投影系のガス圧力は、例えば１〜１０Ｐａであってよい。しかしながら、これよりも高い圧力が開口部２０で与えられてもよい。例えば、２０〜５０Ｐａの圧力が開口部２０で与えられてもよい。排気口１６２の近傍の圧力は、例えば開口部２０の中央よりも高くてよい。開口部の上方部分２０ｂを通って流れる少なくとも一部のガスは、ギャップ４８，４９を通って投影系の外側部分４６に流れてよく、ポンプ４０により投影系から吸い出されてよい。
【００９８】
開口部１６２は、一つの開口部として図示されているが、一つの開口部に代えて複数の開口部が設けられてもよい。
【００９９】
図８に示す実施形態ではミラー３４が開口部２０の片側のみに設けられているが、（例えば図５に示されるように）ミラーは開口部の周囲に広がっていてもよい。
【０１００】
上述した本発明の実施形態における異なる構成要素が一緒に組み合わされてもよい。
【０１０１】
ＥＵＶ放射ビームは、開口部２０において円錐形であってよい。その結果、ＥＵＶ放射ビームは放射円錐面を有する。傾斜角度を放射ビームの角度範囲に一致させるまたは実質的に一致させるという上述の言及は、傾斜角度を放射ビームの放射円錐面に一致させることと等価と考えてよい。放射ビームはリソグラフィ装置の動作の間にパターン形成されてよい。
【０１０２】
上述の実施形態において、投影系ＰＳの壁３０は、例えば鋼鉄、アルミニウムなどの任意の適切な材料で形成されてよい。ミラー１３は、例えば鋼鉄、ガラス、アルミニウムなどの任意の適切な材料で形成されてよい。
【０１０３】
上記において、投影系ＰＳは基板Ｗの周囲よりも高い圧力とされている。ある例においては、投影系の一部のみ（例えば、一つ以上の投影系のミラーを含む部分）が高い圧力とされる。
【０１０４】
上述の図における放射源ＳＯはレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源である。本発明の別の実施形態では、放射源ＳＯは放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源である。
【０１０５】
本明細書では集積回路の製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本明細書で説明したリソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。
【０１０６】
本明細書では本発明の実施形態を光リソグラフィに使用した例を説明しているが、本発明は他のアプリケーションにも使用可能であることを理解されたい。
【０１０７】
本明細書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、３４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する）および極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を示す。
【０１０８】
本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。
【０１０９】
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。
【０１１０】
結語
「発明を実施するための形態」が特許請求の範囲を解釈するために用いられることが意図されており、「発明の概要」および「要約」の部分は特許請求の範囲を解釈するために用いられることが意図されていないことが認められるべきである。「発明の概要」および「要約」の部分は、発明者によって考案された本発明の実施形態のうち一つまたは複数について述べているが、全ての例示的な実施形態について述べている訳ではない。したがって、本発明および添付の特許請求の範囲をいかなる方法によっても限定する意図はない。
【０１１１】
特定の機能および関係の実現を例証する機能的な構成要素の助けを用いて本発明を説明してきた。これらの機能的な構成要素の境界は、説明の便宜上、適宜定義されている。それらの特別な機能および関係が適切に実行される限り、別の境界も定義することができる。
【０１１２】
特定の実施形態についての上記説明は発明の一般的性質を完全に公開しており、したがって、当分野の能力に含まれる知識を適用することによって、過度の実験をすることなく、および本発明の一般概念から逸脱することなく、種々の応用に対してそのような特定の実施形態を直ちに修正しおよび／または適応させることができる。したがって、そのような適応および修正は、本書に提示された教示および助言に基づき、開示された実施形態の意義および等価物の範囲内であると意図されている。本書の言葉遣いおよび専門用語は説明を目的としており限定のためではなく、本明細書の専門用語または言葉遣いは教示および助言を考慮して当業者によって解釈されるべきものであることを理解されたい。
【０１１３】
本発明の広がりおよび範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲およびそれらの等価物にしたがってのみ規定されるべきである。
【０１１４】
本願における特許請求の範囲は、その親出願または他の関連出願と異なるものである。従って、出願人は、本願に関係する親出願または先行出願においてなされた特許請求の範囲のいかなるディスクレーマーを取り消す。それ故、審査官には回避された以前のディスクレーマーおよび引用文献について再調査が必要となる可能性があることを助言する。さらに、審査官は本願におけるいかなるディスクレーマーも本願に対して読み込まれるべきではないことを注意されたい。
【図１】
2011135078.tif 000007
【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
2011135078.tif 000013
【図６ｂ】
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【図７ａ】
2011135078.tif 000015
【図７ｂ】
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【図８】
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【外国語明細書】
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