(57)【要約】【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続された第１電極と、前記第１電極から離間し且つ前記第１電極と並んで配置された第２電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板に対向した第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、前記第１基板の前記液晶層と接触する面に配置され、前記液晶分子を前記第１基板の法線方向と略平行な方向に配向させる第１配向膜と、前記第２基板の前記液晶層と接触する面に配置されラビング処理された第２配向膜と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。【選択図】      図２
2011164212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続された第１電極と、前記第１電極から離間し且つ前記第１電極と並んで配置された第２電極と、を備えた第１基板と、
前記第１基板に対向した第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、
前記第１基板の前記液晶層と接触する面に配置され、前記液晶分子を前記第１基板の法線方向と略平行な方向に配向させる第１配向膜と、
前記第２基板の前記液晶層と接触する面に配置されラビング処理された第２配向膜と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
さらに、前記第１基板の外面に配置された第１偏光板と、前記第２基板の外面に配置された第２偏光板と、前記第１基板の背面側に配置されたバックライトと、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１偏光板の第１吸収軸は前記第２偏光板の第２吸収軸と直交し、しかも、前記第２吸収軸は前記第２配向膜のラビング方向と略平行であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２基板は、前記第２配向膜の下地となるオーバーコート層を備えたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、各種分野に適用されている。
【０００３】
例えば、特許文献１によれば、単位画素に形成されるカウンタ電極及びこのカウンタ電極とともにフリンジフィールドを発生させて液晶分子を動作させる画素電極を備えた下部基板と、下部基板と液晶層の間に介在し所定のラビング軸を有する水平配向膜と、上部基板と液晶層との間に介在する垂直配向膜と、上部基板の外側面に配置され所定の偏光軸を有する偏光素子と、下部基板に配置され上部基板の上方から入射される光を反射させる反射手段と、を備えた反射型フリンジフィールド駆動モードの液晶表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２２９０３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この発明の目的は、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明の一態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続された第１電極と、前記第１電極から離間し且つ前記第１電極と並んで配置された第２電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板に対向した第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、前記第１基板の前記液晶層と接触する面に配置され、前記液晶分子を前記第１基板の法線方向と略平行な方向に配向させる第１配向膜と、前記第２基板の前記液晶層と接触する面に配置されラビング処理された第２配向膜と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、表示品位の良好な液晶表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態における液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルの構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【図３】図３は、図２に示したアレイ基板における画素の構造を対向基板側から見た概略平面図である。
【図４】図４は、図３に示した画素をＡ−Ｂ線で切断した液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す図である。
【図５】図５は、対向基板の近傍に位置する液晶分子の配向状態を模式的に示す平面図である。
【図６】図６は、図５に示した第２配向膜のラビング方向に沿った液晶表示パネルの断面図である。
【図７】図７は、画素電極と対向電極との間の電位差によって電界が形成された状態での液晶分子の配向状態を模式的に示す平面図である。
【図８】図８は、比較例の液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す図である。
【図９】図９は、本実施形態と比較例とで画素電極にそれぞれ同一電圧を印加した際の透過率の比較結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本実施形態における液晶表示装置の構成を模式的に示す図である。
【００１１】
すなわち、液晶表示装置１は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルＬＰＮ、液晶表示パネルＬＰＮに接続された駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル配線基板３、液晶表示パネルＬＰＮを照明するバックライト４などを備えている。
【００１２】
液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板（第１基板）ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された対向基板（第２基板）ＣＴと、これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された図示しない液晶層と、を備えて構成されている。このような液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを備えている。このアクティブエリアＡＣＴは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている（但し、ｍ及びｎは正の整数）。
【００１３】
バックライト４は、図示した例では、アレイ基板ＡＲの背面側に配置されている。このようなバックライト４としては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。
【００１４】
図２は、図１に示した液晶表示パネルＬＰＮの構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【００１５】
アレイ基板ＡＲは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、Ｘ方向に沿ってそれぞれ延出したｎ本のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）及びｎ本の容量線Ｃ（Ｃ１〜Ｃｎ）、Ｘ方向に交差するＹ方向に沿ってそれぞれ延出したｍ本のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、各画素ＰＸにおいてゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されたｍ×ｎ個のスイッチング素子ＳＷ、各画素ＰＸにおいてスイッチング素子ＳＷに各々電気的に接続されたｍ×ｎ個の画素電極（第１電極）ＰＥ、容量線Ｃの一部であり画素電極ＰＥから離間したコモン電位の対向電極（第２電極）ＣＥなどを備えている。保持容量Ｃｓは、容量線Ｃと画素電極ＰＥとの間に形成される。液晶層ＬＱは、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に介在する。
【００１６】
各ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、第１駆動回路ＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、第２駆動回路ＳＤに接続されている。各容量線Ｃは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、第３駆動回路ＣＤに接続されている。これらの第１駆動回路ＧＤ、第２駆動回路ＳＤ、及び、第３駆動回路ＣＤは、例えば、アレイ基板ＡＲに形成され、駆動ＩＣチップ２と接続されている。
【００１７】
図示した例では、駆動ＩＣチップ２は、液晶表示パネルＬＰＮのアクティブエリアＡＣＴの外側において、アレイ基板ＡＲの上に実装されている。なお、フレキシブル配線基板の図示は省略しており、アレイ基板ＡＲには、フレキシブル配線基板を接続するための端子Ｔが形成されている。これらの端子Ｔは、各種配線を介して駆動ＩＣチップ２に接続されている。
【００１８】
また、図示した例の液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板ＡＲに画素電極ＰＥ及び対向電極ＣＥを備え、これらの間に形成される横電界（すなわち、基板の主面にほぼ平行な電界）を主に利用して液晶層ＬＱに含まれる液晶分子をスイッチングするＩｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ（ＩＰＳ）モードを適用している。
【００１９】
次に、本実施形態の液晶表示パネルＬＰＮについて説明する。
【００２０】
図３は、図２に示したアレイ基板ＡＲにおける画素ＰＸの構造を対向基板ＣＴの側から見た概略平面図である。
【００２１】
ゲート配線ＧはＸ方向に延在している。ソース配線ＳはＹ方向に延在している。スイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇとソース配線Ｓとの交差部近傍に配置され、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。このスイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣを備えている。この半導体層ＳＣは、例えば、ポリシリコンやアモルファスシリコンなどによって形成可能であり、ここではポリシリコンによって形成されている。
【００２２】
スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＷＧは、半導体層ＳＣの直上に位置し、ゲート配線Ｇに電気的に接続されている（図示した例では、ゲート電極ＷＧは、ゲート配線Ｇと一体的に形成されている）。スイッチング素子ＳＷのソース電極ＷＳは、ソース配線Ｓに電気的に接続されている（図示した例では、ソース電極ＷＳは、ソース配線Ｓと一体的に形成されている）。スイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＷＤは、画素電極ＰＥに電気的に接続されている。
【００２３】
容量線Ｃは、Ｘ方向に延在している。すなわち、容量線Ｃは、各画素ＰＸに配置されるとともにソース配線Ｓと交差し、Ｘ方向に隣接する各画素ＰＸに共通である。この容量線Ｃは、各画素ＰＸに対応して形成された対向電極ＣＥを含んでいる。図示した例では、容量線Ｃは、Ｙ方向に隣接する２つのゲート配線Ｇの間においてＸ方向に並んだ１行分の複数の画素ＰＸに対して共通である。また、図示した例では、容量線Ｃは、各画素ＰＸにおいて櫛歯状に形成された対向電極ＣＥを含んでいる。ここでは、対向電極ＣＥは、１画素につきＹ方向に延出した２本の櫛歯電極Ｅ１及びＥ２を含んでいる。
【００２４】
各画素ＰＸの画素電極ＰＥは、容量線Ｃの上方に配置されている。画素電極ＰＥの一部は、図示しない層間絶縁膜を介して容量線Ｃと対向し、保持容量Ｃｓを形成する。このような画素電極ＰＥは、各々スイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＷＤに接続されている。ＩＰＳモードを適用した本実施形態においては、Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ（ＦＦＳ）モードとは異なり、画素電極ＰＥは、アレイ基板ＡＲの主面と平行なＸ−Ｙ平面において、対向電極ＣＥと略一定の間隔をおいて並んで配置されている。図示した例では、画素電極ＰＥは、Ｙ方向に延出した略Ｉの字型に形成されている。つまり、画素電極ＰＥは、対向電極ＣＥを構成する櫛歯電極Ｅ１及びＥ２と略平行に延出しており、これらの２本の櫛歯電極Ｅ１及びＥ２の中間に位置している。
【００２５】
図４は、図３に示した画素ＰＸをＡ−Ｂ線で切断した液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す図である。
【００２６】
すなわち、アレイ基板ＡＲは、ガラス板などの光透過性を有する絶縁基板２０を用いて形成されている。このアレイ基板ＡＲは、絶縁基板２０の内面（すなわち液晶層ＬＱに対向する面）にスイッチング素子ＳＷを備えている。ここに示したスイッチング素子ＳＷは、トップゲート型の薄膜トランジスタである。半導体層ＳＣは、絶縁基板２０の上に配置されている。このような半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜２１によって覆われている。また、ゲート絶縁膜２１は、絶縁基板２０の上にも配置されている。
【００２７】
スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＷＧは、ゲート絶縁膜２１の上に配置され、半導体層ＳＣの直上に位置している。このようなゲート電極ＷＧは、第１層間絶縁膜２２によって覆われている。また、第１層間絶縁膜２２は、ゲート絶縁膜２１の上にも配置されている。これらのゲート絶縁膜２１及び第１層間絶縁膜２２は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。
【００２８】
スイッチング素子ＳＷのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第１層間絶縁膜２２の上に配置されている。これらのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、ゲート絶縁膜２１及び第１層間絶縁膜２２を貫通するコンタクトホールを介して半導体層ＳＣにコンタクトしている。これらのゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、及び、ドレイン電極ＷＤは、例えば、モリブデン、アルミニウム、タングステン、チタンなどの導電材料によって形成されている。
【００２９】
ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、有機絶縁膜２３によって覆われている。また、この有機絶縁膜２３は、第１層間絶縁膜２２の上にも配置されている。この有機絶縁膜２３は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの各種有機材料によって形成されている。
【００３０】
容量線Ｃに含まれる対向電極ＣＥは、有機絶縁膜２３の上に配置されている。このような対向電極ＣＥは、第２層間絶縁膜２４によって覆われている。また、この第２層間絶縁膜２４は、有機絶縁膜２３の上にも配置されている。
【００３１】
画素電極ＰＥは、第２層間絶縁膜２４の上に配置さている。つまり、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとは、第２層間絶縁膜２４を挟んで異なる層に配置されている。画素電極ＰＥは、対向電極ＣＥとアレイ基板ＡＲの法線方向Ｚに重なっているわけではなく、対向電極ＣＥとＸ方向に並んで配置されている。
【００３２】
この画素電極ＰＥは、有機絶縁膜２３及び第２層間絶縁膜２４を貫通するコンタクトホールを介してドレイン電極ＷＤに接続されている。容量線Ｃあるいは対向電極ＣＥと、画素電極ＰＥとは、ともに光透過性を有する導電材料、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などによって形成されている。画素電極ＰＥは、第１配向膜２５によって覆われている。この第１配向膜２５は、アレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱに接する面に配置されている。
【００３３】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス板などの光透過性を有する絶縁基板３０を用いて形成されている。この対向基板ＣＴは、絶縁基板３０の内面（すなわち液晶層ＬＱに対向する面）に、各画素ＰＸを区画するブラックマトリクス３１及びカラーフィルタ３２を備えている。
【００３４】
ブラックマトリクス３１は、絶縁基板３０上において、アレイ基板ＡＲに設けられたゲート配線Ｇやソース配線Ｓ、さらにはスイッチング素子ＳＷなどの配線部に対向するように配置されている。このブラックマトリクス３１は、例えば黒色に着色された樹脂材料やクロム（Ｃｒ）などの遮光性の金属材料によって形成されている。
【００３５】
カラーフィルタ３２は、絶縁基板３０の上に配置され、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料は赤色画素に対応して配置され、同様に、青色に着色された樹脂材料は青色画素に対応して配置され、緑色に着色された樹脂材料は緑色画素に対応して配置されている。
【００３６】
上述したような横電界を利用した液晶モードにおいては、対向基板ＣＴの液晶層ＬＱに接する面が平坦であることが望ましく、対向基板ＣＴは、さらに、ブラックマトリクス３１及びカラーフィルタ３２の表面の凹凸を平坦化するオーバーコート層３３を備えている。このようなオーバーコート層３３は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの各種有機材料によって形成されている。図示した例では、オーバーコート層３３は、ブラックマトリクス３１及びカラーフィルタ３２の上に配置されている。オーバーコート層３３は、第２配向膜３４によって覆われている。第２配向膜３４は、対向基板ＣＴの液晶層ＬＱに接する面に配置されている。
【００３７】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、第１配向膜２５及び第２配向膜３４が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間には、図示しないスペーサ（例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサ）が配置され、これにより、所定のギャップが形成される。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、所定のギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。
【００３８】
液晶層ＬＱは、これらのアレイ基板ＡＲの第１配向膜２５と対向基板ＣＴの第２配向膜３４との間に形成されたギャップに封入されたＰ型の液晶組成物によって構成されている。
【００３９】
液晶表示パネルＬＰＮの一方の外面、すなわちアレイ基板ＡＲを構成する絶縁基板２０の外面には、偏光板ＰＬ１が配置されている。また、液晶表示パネルＬＰＮの他方の外面、すなわち対向基板ＣＴを構成する絶縁基板３０の外面には、偏光板ＰＬ２が配置されている。
【００４０】
アレイ基板ＡＲと液晶層ＬＱとの間に介在する第１配向膜２５は、液晶層ＬＱを構成する図示しない液晶分子をアレイ基板ＡＲの法線方向Ｚに略平行な方向に配向させる垂直配向膜であり、ラビング処理が不要である。一方で、対向基板ＣＴと液晶層ＬＱとの間に介在する第２配向膜３４は、ラビング処理され、図示しない液晶分子を対向基板ＣＴの主面（Ｘ−Ｙ平面と平行な面）と略平行な面内においてラビング方向に配向させる水平配向膜である。
【００４１】
図５は、対向基板ＣＴの近傍に位置する液晶分子ＬＭの配向状態を模式的に示す図である。
【００４２】
第２配向膜３４のラビング方向ＲＢは、Ｘ方向及びＹ方向のいずれにも非平行であり、例えば、ラビング方向ＲＢとＹ方向とのなす角度は１０°前後である。対向基板ＣＴの近傍付近の液晶分子ＬＭは、その長軸ＬがＸ−Ｙ平面と略平行であり、かつラビング方向ＲＢと略平行な方向を向くように配向している。なお、図示しないが、アレイ基板側の画素電極ＰＥ及び対向電極ＣＥは、Ｙ方向に延出している。
【００４３】
図６は、図５に示した第２配向膜３４のラビング方向ＲＢに沿った液晶表示パネルＬＰＮの断面図である。なお、この図６においては、説明に必要な主要部のみを図示している。
【００４４】
アレイ基板ＡＲと液晶層ＬＱとの間に介在する第１配向膜２５は垂直配向膜であり、対向基板ＣＴと液晶層ＬＱとの間に介在する第２配向膜３４は水平配向膜である。このため、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子ＬＭは、ハイブリッド配向している。すなわち、アレイ基板ＡＲの近傍に位置する液晶分子ＬＭ１は、法線方向Ｚに略平行な方向に配向（ホメオトロピック配向）し、対向基板ＣＴの近傍に位置する液晶分子ＬＭ２は、ラビング方向ＲＢに配向（ホモジニアス配向）している。また、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間では、液晶分子ＬＭの配向状態が連続的に変化している。
【００４５】
本実施形態においては、ノーマリーブラックモードを実現するべく、アレイ基板ＡＲの外面に配置された第１偏光板ＰＬ１の第１吸収軸Ａ１は、対向基板ＣＴの外面に配置された第２偏光板ＰＬ２の第２吸収軸Ａ２と直交している。しかも、第２吸収軸Ａ２は、第２配向膜３４のラビング方向ＲＢと略平行である。
【００４６】
図７は、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間の電位差によって電界ＥＦが形成された状態での液晶分子ＬＭの配向状態を模式的に示す図である。この図７においては、液晶表示パネルＬＰＮを対向基板側から見たときの液晶分子ＬＭの配向状態を示している。
【００４７】
すなわち、画素電極ＰＥに対してコモン電位とは異なる電位が印加された際には、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に電界ＥＦが形成される。この電界ＥＦは、Ｘ−Ｙ平面と略平行であり、かつ、Ｘ方向に略平行な方向に沿って形成される。
【００４８】
このとき、アレイ基板近傍の液晶分子ＬＭ１は、その長軸Ｌが電界ＥＦに対して略平行となるように配向している。つまり、液晶分子ＬＭ１は、Ｘ−Ｙ平面と略平行であり、かつ、Ｘ方向と略平行な方向に配向している。
【００４９】
また、対向基板近傍の液晶分子ＬＭ２は、アレイ基板近傍に形成された電界ＥＦの影響が及びにくいため、電界が形成されていない状態と略同等の配向状態である。つまり、液晶分子ＬＭ２は、その長軸ＬがＸ−Ｙ平面と略平行であり、かつラビング方向（Ｙ方向に対して僅かに傾いた方向）ＲＢと略平行な方向を向くように配向している。
【００５０】
また、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間では、液晶分子ＬＭの配向状態が連続的に変化している。つまり、液晶分子ＬＭは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間でツイスト配向している。
【００５１】
上述した構成の液晶表示装置においては、無電界時には、液晶分子ＬＭは、アレイ基板近傍では略垂直に配向するとともに対向基板近傍ではラビング方向ＲＢに略水平に配向し、アレイ基板と対向基板との間でハイブリッド配向している。このような状態では、バックライトからのバックライト光は、第１偏光板ＰＬ１を透過した後、液晶表示パネルＬＰＮを透過し、第２偏光板ＰＬ２に吸収される（黒色表示）。
【００５２】
一方、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に電界が形成された場合には、アレイ基板近傍では電界方向に略水平に配向するとともに対向基板近傍ではラビング方向ＲＢに略水平に配向し、アレイ基板と対向基板との間でツイスト配向している。液晶分子ＬＭの配向方位がアレイ基板近傍において変化すると、液晶層ＬＱを透過する光に対する変調率が変化する。このため、バックライトから出射され液晶表示パネルＬＰＮを透過したバックライト光の一部は、第２偏光板ＰＬ２を透過する（白色表示）。つまり、液晶表示パネルＬＰＮの透過率は、電界ＥＦの大きさに依存して変化する。ＩＰＳモードでは、このようにして選択的にバックライト光を透過し、画像を表示する。
【００５３】
本実施形態の構成によれば、アレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱと接触する面に配置された第１配向膜２５に対するラビング処理が不要である。このため、ラビング処理に起因した不具合、例えば、ラビング部材が第１配向膜２５を局所的に強く接触したことに起因したキズやスジ状のラビングムラの発生を防止することが可能となる。
【００５４】
特に、アレイ基板ＡＲは、交差するように配置されたソース配線Ｓやゲート配線Ｇなどの各種配線や、各画素ＰＸに配置されたスイッチング素子ＳＷや画素電極ＰＥ、対向電極ＣＥなどを備えており、その液晶層ＬＱと接触する側に凹凸が形成されやすい。第１配向膜２５は、アレイ基板ＡＲの凹凸に沿って配置されており、ラビング部材による均一なラビング処理を施すことが難しい。ノーマリーブラックモードでは、第１配向膜２５にキズやラビングムラが形成された箇所は、黒色表示の際に輝線あるいは輝点となり、コントラストの低下を招く。
【００５５】
このため、第１配向膜２５のラビング処理が不要である本実施形態によれば、ラビング処理に起因した不具合が解消されるため、輝線あるいは輝点によるコントラストの低下を防止することができ、良好な表示品位を得ることが可能となる。また、本実施形態によれば、製造歩留まりの改善を図ることが可能となる。
【００５６】
なお、第２配向膜３４は水平配向膜であり、ラビング処理を必要とするが、本実施形態においては、対向基板ＣＴは、第２配向膜３４の下地となるオーバーコート層３３を備えている。つまり、第２配向膜３４は、表面が平滑化されたオーバーコート層３３の上に配置されているため、ラビング部材によるキズやラビングムラが発生しにくい。したがって、第２配向膜３４でのラビング処理に起因した不具合の発生は抑制される。
【００５７】
次に、ＩＰＳモードを適用した本実施形態と、ＦＦＳモードを適用した比較例とで透過率を比較した。
【００５８】
なお、本実施形態及び比較例ともに、第１配向膜２５として垂直配向膜を適用し、第２配向膜３４として水平配向膜を適用した透過型の液晶表示パネルＬＰＮを備え、第１偏光板ＰＬ１の第１吸収軸Ａ１と第２偏光板ＰＬ２の第２吸収軸Ａ２とが直交したノーマリーブラックモードである。
【００５９】
本実施形態の液晶表示パネルＬＰＮは、上述したＩＰＳモードの構成であり、有機絶縁膜２３の上の対向電極ＣＥと第２層間絶縁膜２４の上の画素電極ＰＥとが並んで配置された構成である。比較例の液晶表示パネルＬＰＮは、図８に示すようなＦＦＳモードの構成であり、有機絶縁膜２３の上に配置された対向電極ＣＥと、対向電極ＣＥを覆う第２層間絶縁膜２４の上に配置された画素電極ＰＥとを備え、画素電極ＰＥには対向電極ＣＥの直上に位置するスリットＳＬが形成されている。なお、比較例の液晶表示パネルＬＰＮについて、他の構成は図４に示した本実施形態と同一である。
【００６０】
図９は、本実施形態と比較例とで画素電極ＰＥにそれぞれ同一電圧を印加した際の透過率の比較結果を示す図である。なお、図の横軸は画素電極ＰＥの印加電圧（Ｖ）であり、図の縦軸は透過率である。
【００６１】
図示した通り、ＩＰＳモードを適用した本実施形態によれば、ＦＦＳモードを適用した比較例よりも高い最大透過率が得られ、しかも、比較例よりも大きな変調率が得られることが確認できた。
【００６２】
画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に形成されるフリンジ電界で液晶分子をスイッチングする比較例においては、フリンジ電界の境界付近では、液晶分子のスイッチングに必要な電界が弱く、無変調の領域となるため、表示に寄与せず、透過率の低下を招く。つまり、比較例の構成では、変調率が大幅に低下してしまう。
【００６３】
一方、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に形成される横電界で液晶分子をスイッチングする本実施形態においては、比較例よりも無変調の領域が少なく、透過率の低下が抑制できる。したがって、本実施形態の構成によれば、大きな変調率を得ることが可能となる。
【００６４】
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１…液晶表示装置
４…バックライト
ＬＰＮ…液晶表示パネル  ＡＲ…アレイ基板  ＣＴ…対向基板
ＬＱ…液晶層  ＬＭ…液晶分子
ＡＣＴ…アクティブエリア  ＰＸ…画素
ＰＥ…画素電極  Ｃ…容量線  ＣＥ…対向電極
２５…第１配向膜  ３４…第２配向膜
ＰＬ１…第１偏光板  ＰＬ２…第２偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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