(57)【要約】【課題】電極との接触抵抗が低減された化合物半導体素子を提供する。【解決手段】化合物半導体素子は、表面Ｓ１と表面Ｓ２とを有しており六方晶系化合物半導体のＧａＮからなるｎ基板３と、ｎ基板３の表面Ｓ１に設けられたｎ電極１３と、ｎ基板３の表面Ｓ２に設けられたｎクラッド層５、活性層７、ｐクラッド層９及びコンタクト層１１を有する積層体と、ｐクラッド層９上に設けられたｐ電極１５とを備える。ｎ基板３の表面Ｓ１に含まれるＮ原子の数は表面Ｓ１に含まれるＧａ原子の数より大きく、表面Ｓ１に設けられる電極はｎ電極１３であり、表面Ｓ１の酸素濃度は５原子パーセント以下である。コンタクト層１１の表面Ｓ３に含まれるＧａ原子の数は表面Ｓ３に含まれるＮ原子の数より大きく、表面Ｓ３に設けられる電極はｐ電極１５であり、表面Ｓ３の酸素濃度は５原子パーセント以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と該第１の面の反対側にある第２の面とを有しており六方晶系化合物半導体からなる化合物半導体層と、
前記化合物半導体層の前記第１の面に設けられた第１の電極と、
前記化合物半導体層の前記第２の面に設けられた複数の半導体層を有しており該複数の半導体層が積層されてなる積層体と、
前記積層体上に設けられた第２の電極と、
を備え、
前記第１の面に含まれるアニオン原子の数は前記第１の面に含まれるカチオン原子の数より大きく、
前記第１の電極はｎ電極であり、
前記第１の面の酸素濃度は５原子パーセント以下であり、
前記化合物半導体層は、ＩＩＩ族窒化物半導体、又は、ＳｉＣ、からなる、
ことを特徴とする化合物半導体素子。
【請求項２】
前記ｎ電極は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ａｕの元素のうち少なくとも一の元素を含む材料からなる、ことを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体素子。
【請求項３】
前記第１の面の結晶学的面指数（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）に含まれている第４番目の指数ｋは負の整数である、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の化合物半導体素子。
【請求項４】
前記第１の面は、｛２０−２−１｝面、｛１０−１−１｝面のいずれかの面であることを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の化合物半導体素子。
【請求項５】
第１の面と該第１の面の反対側にある第２の面とを有しており六方晶系化合物半導体からなる化合物半導体層と、
前記化合物半導体層の前記第１の面に設けられた第１の電極と、
前記化合物半導体層の前記第２の面に設けられた複数の半導体層を有しており該複数の半導体層が積層されてなる積層体と、
前記積層体上に設けられた第２の電極と、
を備え、
前記第１の面に含まれるアニオン原子の数は前記第１の面に含まれるカチオン原子の数より小さく、
前記第１の電極はｐ電極であり、
前記第１の面の酸素濃度は５原子パーセント以下であり、
前記化合物半導体層は、ＩＩＩ族窒化物半導体、又は、ＳｉＣ、からなる、
ことを特徴とする化合物半導体素子。
【請求項６】
前記ｐ電極は、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｗの元素のうち少なくとも一の元素を含む材料からなる、ことを特徴とする請求項５に記載の化合物半導体素子。
【請求項７】
前記第１の面の結晶学的面指数（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）に含まれている第４番目の指数ｋは正の整数である、ことを特徴とする請求項５又は６に記載の化合物半導体素子。
【請求項８】
前記第１の面は、｛２０−２１｝面、｛１０−１１｝面のいずれかの面であることを特徴とする請求項５〜請求項７の何れか一項に記載の化合物半導体素子。
【請求項９】
前記積層体は活性層を有する、ことを特徴とする請求項１〜請求項８の何れか一項に記載の化合物半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、対向電極構造の窒化物半導体素子が開示されている。この窒化物半導体のｎ極性を示す面には、少なくとも（０００−１）面以外の傾斜面を有し、且つ電極を形成している。また、この窒化物半導体のｎ極性を示す面は凹凸段差を有する。さらに上記（０００−１）面以外の傾斜面は、凹凸段差の段差側面に形成されており、上記（０００−１）面以外の傾斜面は、（０００−１）面からのオフ角が０．２度以上９０度以下となっている。特許文献２には、半導体装置（ＨＦＥＴ）が開示されている。このＨＦＥＴは、ＳｉＣ基板上にバッファ層を介在させて形成された第１の窒化物半導体層と、この第１の窒化物半導体層の上に形成され、この第１の窒化物半導体層の上部に２次元電子ガス層を生成する第２の窒化物半導体層と、この第２の窒化物半導体層の上に選択的に形成されたオーム性を持つ二つの電極とを有する。第２の窒化物半導体層は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部を有し、オーム性を持つ上記二つの電極はコンタクト部に形成されている。
【０００３】
特許文献３には、ＧａＮ系半導体の窒素極性面上に、コンタクト抵抗の低いｎ電極が形成された半導体素子が開示されている。この半導体素子は、ｎ電極と接する部分に、（ＩＩＩ族原子数）／（Ｖ族原子数）の値が１よりも大きいＶ族原子の空孔領域を有する。特許文献４には、窒化物半導体装置が開示されている。この窒化物半導体装置は、ｎ型ＧａＮ基板と、ｎ型ＧａＮ基板の主面に形成されｐ型領域およびｎ型領域を含む半導体積層構造と、半導体積層構造に含まれるｐ型領域の一部に接触するｐ側電極と、ｎ型ＧａＮ基板の裏面に設けられたｎ側電極とを備える。この窒化物半導体装置は、ｎ型ＧａＮ基板の裏面が窒素面を含み、その裏面とｎ側電極との界面における炭素濃度が５原子％以下に調整されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１７２５６８号公報
【特許文献２】特開２００５−１２９６９６号公報
【特許文献３】特開２００７−１１６０７６号公報
【特許文献４】国際公開第ＷＯ２００６／０９８２１５号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、特許文献１〜４には化合物半導体に電極が設けられた構成が開示されている。しかしながら、特許文献１〜４の場合、電極の導電型の選択（ｎ型又はｐ型の選択）が、電極の接触抵抗を十分低減できるようなものにはなっていない。そこで、本発明は、上記の事項を鑑みてなされたものであり、電極との接触抵抗が低減された化合物半導体素子を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の化合物半導体素子は、第１の面と該第１の面の反対側にある第２の面とを有しており六方晶系化合物半導体からなる化合物半導体層と、前記化合物半導体層の前記第１の面に設けられた第１の電極と、前記化合物半導体層の前記第２の面に設けられた複数の半導体層を有しており該複数の半導体層が積層されてなる積層体と、前記積層体上に設けられた第２の電極と、を備え、前記第１の面に含まれるアニオン原子の数は前記第１の面に含まれるカチオン原子の数より大きく、前記第１の電極はｎ電極であり、前記第１の面の酸素濃度は５原子パーセント以下であり、前記化合物半導体層は、ＩＩＩ族窒化物半導体、又は、ＳｉＣ、からなる、ことを特徴とする。電極の導電型の選択には、この電極の設けられる化合物半導体層の表面のアニオン原子数及びカチオン原子数や表面の酸化濃度を考慮する必要がある。本発明によれば、ｎ型の第１の電極を設ける面を、アニオン原子の数がカチオン原子の数よりも大きい面であってアニオン原子の空孔を比較的大きい面とすることによって、第１の電極と化合物半導体層との接触抵抗値を低減できる。第１の電極を設ける面を、酸素濃度の比較的低い面とすることによって、第１の電極と化合物半導体層との接触抵抗値をさらに低減できる。
【０００７】
本発明の化合物半導体素子では、前記ｎ電極は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ａｕの元素のうち少なくとも一の元素を含む材料からなるのが好ましく、前記第１の面の結晶学的面指数（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）に含まれている第４番目の指数ｋは負の整数となっているのが好ましく、前記第１の面は、｛２０−２−１｝面、｛１０−１−１｝面のいずれかの面であるのが好ましい。
【０００８】
本発明の化合物半導体素子は、第１の面と該第１の面の反対側にある第２の面とを有しており六方晶系化合物半導体からなる化合物半導体層と、前記化合物半導体層の前記第１の面に設けられた第１の電極と、前記化合物半導体層の前記第２の面に設けられた複数の半導体層を有しており該複数の半導体層が積層されてなる積層体と、前記積層体上に設けられた第２の電極と、を備え、前記第１の面に含まれるアニオン原子の数は前記第１の面に含まれるカチオン原子の数より小さく、前記第１の電極はｐ電極であり、前記第１の面の酸素濃度は５原子パーセント以下であり、前記化合物半導体層は、ＩＩＩ族窒化物半導体、又は、ＳｉＣ、からなる、ことを特徴とする。電極の導電型の選択には、この電極の設けられる化合物半導体層の表面のアニオン原子数及びカチオン原子数や表面の酸化濃度を考慮する必要がある。本発明によれば、ｐ型の第１の電極を設ける面を、カチオン原子の数がアニオン原子の数よりも大きい面であってカチオン原子の空孔が比較的大きい面とすることによって、第１の電極と化合物半導体層との接触抵抗値を低減できる。第１の電極を設ける面を、酸素濃度の比較的低い面とすることによって、第１の電極と化合物半導体層との接触抵抗値をさらに低減できる。
【０００９】
本発明の化合物半導体素子では、前記ｐ電極は、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｗの元素のうち少なくとも一の元素を含む材料からなるのが好ましく、前記第１の面の結晶学的面指数（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）に含まれている第４番目の指数ｋは正の整数となっているのが好ましく、前記第１の面は、｛２０−２１｝面、｛１０−１１｝面のいずれかの面であるのが好ましい。また、本発明の化合物半導体素子では、前記積層体が活性層を有していてもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、電極との接触抵抗が低減された化合物半導体素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係る化合物半導体素子の構成を示す図である。
【図２】実施形態に係る化合物半導体素子の効果を説明するためのグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図１に、実施形態に係る化合物半導体素子の構成を示す。図１に示す化合物半導体素子１はＬＥＤである。化合物半導体素子１は、ｎ基板３、ｎクラッド層５、活性層７、ｐクラッド層９、コンタクト層１１、ｎ電極１３及びｐ電極１５を備える。ｎ基板３は、表面Ｓ１と、表面Ｓ１の反対側にある表面Ｓ２とを有しており、六方晶系化合物半導体であるＧａＮからなるものとするが、ＧａＡｓ等の他のＩＩＩ族窒化物半導体、又は、ＳｉＣ、からなるものであってもよい。ｎ基板３の表面Ｓ１は、カチオン原子の数よりもアニオン原子の数のほうが大きい。このように、アニオン原子の数のほうが大きい場合には、アニオン原子の空孔も多くなる。アニオン原子の空孔はドナーと同等と考えられるので、アニオン原子の空孔分だけ表面Ｓ１のドナー濃度（ｃｍ−２）も高い。ｎ基板３はＧａＮからなるので、アニオン原子がＮ原子に対応し、カチオン原子がＧａ原子に対応する。よって、表面Ｓ１は、Ｇａ原子よりもＮ原子のほうを多く含むので、表面Ｓ１に含まれるＮ原子の空孔も多くなる。Ｎ原子の空孔はドナーと同等と考えられるので、Ｎ原子の空孔分だけ表面Ｓ１のドナー濃度（ｃｍ−２）も高い。従って、このようにアニオン原子の数のほうがカチオン原子の数よりも大きい表面Ｓ１に電極を設ける場合には、ｎ電極の方がｐ電極に比較して接触抵抗が低く、よって、オーミック性が向上する。このため、ｎ基板３の表面Ｓ１に設けられる電極は、ｎ電極１３となっている。
【００１３】
また、表面Ｓ１の酸素濃度は５原子パーセント以下となっており、表面Ｓ１上の酸化膜の膜厚は５０オングストローム以下である。表面Ｓ１の酸素濃度が低いほど、及び、酸化膜の膜厚が小さいほど、ｎ電極１３との接触抵抗が低くなる。なお、表面Ｓ１の結晶学的面指数（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）に含まれている４番目の指数ｋは、カチオン原子よりもアニオン原子の方が表面Ｓ１に多く含まれる場合、負の整数となっており（ｈ，ｉ，ｊは何れも整数）、例えば、（２０−２−１）、（１１−２−２）、（１０−１−１）、（１０−１−３）等である。特に、表面Ｓ１は、結晶格子の対称性を考慮にいれると、｛２０−２−１｝面、｛１０−１−１｝面のいずれかの面となっているのが好ましい。
【００１４】
ここで、表面Ｓ１に設けられたｎ電極１３の接触抵抗値の実測値を、表面Ｓ１の結晶学的面指数毎に図２（Ａ）に示す。図２（Ａ）に示すように、表面Ｓ１の結晶学的面指数が（２０−２−１）、（１１−２−２）、（１０−１−１）、（１０−１−３）の場合、すなわち、表面Ｓ１の結晶学的面指数（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）に含まれている第４番目の指数ｋが負の整数の場合には、ｎ電極１３の接触抵抗値が１．０×１０−４Ωｃｍ２程度以下となっているが、これに対し、表面Ｓ１の結晶学的面指数が（２０−２１）、（１１−２２）、（１０−１１）、（１０−１３）の場合、すなわち、表面Ｓ１の結晶学的面指数（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）に含まれている４番目の指数ｋが正の整数となっている場合には、ｎ電極１３の接触抵抗値が２．０×１０−４Ωｃｍ２程度以上となっている。このように、指数ｋが負の場合のほうが正の場合に比較してｎ電極１３の接触抵抗値が小さいことがわかる。
【００１５】
なお、ＧａＮからなるｎ基板３の表面Ｓ１と同様に、ＧａＮ以外の他のＩＩＩ族窒化物半導体（例えばＧａＡｓ等）、又は、ＳｉＣからなる半導体、の表面であっても、アニオン原子の数がカチオン原子の数よりも大きい場合には、アニオン原子の空孔も多くなるので、ｎ電極の方がｐ電極に比較して接触抵抗が低く、よって、オーミック性が向上する。このような表面の結晶学的面指数（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）は、例えば（２０−２−１）、（１１−２−２）、（１０−１−１）、（１０−１−３）等のように、（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）に含まれている第４番目の指数ｋが負の整数となっている。
【００１６】
図１に戻って説明する。ｎ基板３の表面Ｓ２には、ｎクラッド層５、活性層７、ｐクラッド層９及びコンタクト層１１からなる積層体が設けられている。ｎクラッド層５、活性層７、ｐクラッド層９及びコンタクト層１１は、ｎ基板３上に順次積層される。ｎクラッド層５は、ｎ型のＩｎＧａＮからなる。活性層７は、一又は複数のバリア層と、一又は複数の井戸層とを含む。バリア層は例えばＧａＮからなり、井戸層は例えばＩｎＧａＮからなる。ｐクラッド層９は、ｐ型のＡｌＧａＮからなり、コンタクト層１１は、ｐ型のＧａＮからなる。
【００１７】
コンタクト層１１は、ｐクラッド層９との界面（コンタクト層１１の表面Ｓ４）の反対側にあるコンタクト層１１の面であり、ｐ電極１５が設けられる面である表面Ｓ３を有する。コンタクト層１１の表面Ｓ４には、ｐクラッド層９、活性層７、ｎクラッド層５及びｎ基板３からなる積層体が設けられていることになる。コンタクト層１１の表面Ｓ３は、ｎ基板３の表面Ｓ１の場合とは逆に、アニオン原子の数よりもカチオン原子の数のほうが大きい。このように、カチオン原子の数のほうが大きい場合、カチオン原子の空孔も多くなる。カチオン原子の空孔はアクセプタと同等と考えられるので、カチオン原子の空孔分だけ表面Ｓ３のアクセプタ濃度（ｃｍ−２）も高い。コンタクト層１１はＧａＮからなるので、アニオン原子がＮ原子に対応し、カチオン原子がＧａ原子に対応する。よって、表面Ｓ３は、Ｎ原子よりもＧａ原子のほうを多く含むので、表面Ｓ３に含まれるＧａ原子の空孔も多くなる。Ｇａ原子の空孔はアクセプタと同等と考えられるので、Ｇａ原子の空孔分だけ表面Ｓ３のアクセプタ濃度（ｃｍ−２）も高い。従って、このようにカチオン原子の数のほうがアニオン原子の数よりも大きい表面Ｓ３に電極を設ける場合には、ｐ電極の方がｎ電極に比較して接触抵抗が低く、よって、オーミック性が向上する。このため、コンタクト層１１の表面Ｓ３に設けられる電極は、ｐ電極１５となっている。なお、表面Ｓ３の結晶学的面指数（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）に含まれている４番目の指数ｋは、アニオン原子よりもカチオン原子の方が表面Ｓ３に多く含まれる場合、正の整数となっており（ｈ，ｉ，ｊは何れも整数）、例えば、（２０−２１）、（１１−２２）、（１０−１１）、（１０−１３）等である。特に、表面Ｓ３は、結晶格子の対称性を考慮にいれると、｛２０−２１｝面、｛１０−１１｝面のいずれかの面となっているのが好ましい。
【００１８】
また、表面Ｓ３の酸素濃度は５原子パーセント以下となっており、表面Ｓ３上の酸化膜の膜厚は５０オングストローム以下である。表面Ｓ３の酸素濃度が低いほど、及び、酸化膜の膜厚が小さいほど、ｐ電極１５との接触抵抗が低くなる。
【００１９】
ここで、表面Ｓ３に設けられたｐ電極１５の接触抵抗値の実測値を、表面Ｓ３の結晶学的面指数毎に図２（Ｂ）に示す。図２（Ｂ）に示す実測値は、ＧａＮからなるコンタクト層１１に対して測定されたものである。図２（Ｂ）に示すように、表面Ｓ３の結晶学的面指数が（２０−２１）、（１１−２２）、（１０−１１）、（１０−１３）の場合、すなわち、表面Ｓ３の結晶学的面指数（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）に含まれている第４番目の指数ｋが正の整数の場合には、ｐ電極１５の接触抵抗値が１．０×１０−３Ωｃｍ２程度以下となっているが、これに対し、表面Ｓ３の結晶学的面指数が（２０−２−１）、（１１−２−２）、（１０−１−１）、（１０−１−３）の場合、すなわち、表面Ｓ３の結晶学的面指数（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）に含まれている４番目の指数ｋが負の整数となっている場合には、ｐ電極１５の接触抵抗値が４．０×１０−３Ωｃｍ２程度以上となっている。このように、指数ｋが正の場合のほうが負の場合に比較してｐ電極１５の接触抵抗値が小さいことがわかる。
【００２０】
なお、ＧａＮからなるコンタクト層１１の表面Ｓ３と同様に、ＧａＮ以外の他のＩＩＩ族窒化物半導体（例えばＧａＡｓ等）、又は、ＳｉＣからなる半導体、の表面であっても、カチオン原子の数がアニオン原子の数よりも大きい場合には、カチオン原子の空孔も多くなるので、ｐ電極の方がｎ電極に比較して接触抵抗が低く、よって、オーミック性が向上する。このような表面の結晶学的面指数（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）は、例えば（２０−２１）、（１１−２２）、（１０−１１）、（１０−１３）等のように、（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）に含まれている第４番目の指数ｋが正の整数となっている。
【００２１】
図１に戻って説明する。ｎ電極１３は、ｎ基板３の表面Ｓ１に設けられており、表面Ｓ１に接触している。ｎ電極１３は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ａｕの元素のうち少なくとも一の元素を含む材料からなるが、例えば、Ａｌ、Ａｕの元素を含む材料からなるのが好ましい。ｐ電極１５は、コンタクト層１１の表面Ｓ３に設けられており、表面Ｓ３に接触している。ｐ電極１５は、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｗの元素のうち少なくとも一の元素を含む材料からなるが、例えば、Ｐｄ，Ａｕの元素を含む材料、又は、Ｐｔ，Ａｕの元素を含む材料からなるのが好ましい。
【００２２】
次に、化合物半導体素子１の製造方法について説明する。まず、ｎ基板３を用意する。次に、ｎ基板３上に、ｎクラッド層５、活性層７、ｐクラッド層９及びコンタクト層１１をエピタキシャル成長させる。そして、この後、コンタクト層１１の表面Ｓ３にｐ電極１５を形成し、ｎ基板３の表面Ｓ１にｎ電極１３を形成する。ｎ電極１３は、まず電子ビーム蒸着装置を用いてＡｌを蒸着し、この後、抵抗過熱型蒸着装置を用いてＡｕを蒸着することによって、形成される。ｐ電極１５は、まず電子ビーム蒸着装置を用いてＰｄ（又はＰｔ）を蒸着し、この後、抵抗過熱型蒸着装置を用いてＡｕを蒸着することによって、形成される。なお、ｎ電極１３及びｐ電極１５の形成前に、ｎ基板３の表面Ｓ１及びコンタクト層１１の表面Ｓ３に形成される酸化膜を除去するための表面処理を、表面Ｓ１と表面Ｓ３とに対して施す。表面Ｓ１に対しては、表面Ｓ１をアセトン、イソプロピル・アルコールを用いて有機洗浄した後に、硫酸及び過酸化水素水の混合液、フッ酸、王水、塩酸を用いて表面処理した後に、Ａｌ及びＡｕを蒸着することによってｎ電極１３を形成する。表面Ｓ３に対しては、表面Ｓ１をアセトン、イソプロピル・アルコールを用いて有機洗浄した後に、硫酸及び過酸化水素水の混合液、フッ酸、王水、塩酸を用いて表面処理した後に、Ｐｄ及びＡｕを蒸着する、又は、Ｐｔ及びＡｕを蒸着する、ことによって、ｐ電極１５を形成する。
【００２３】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。具体的には、六方晶系化合物半導体の半導体層（例えばｎ基板３）と、この半導体層の表面のうちアニオン原子の数の多い表面（すなわち、アニオン原子の空孔の多い表面であり、結晶学的面指数（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）に含まれている第４番目の指数ｋが負の整数となっている面。例えば表面Ｓ１）に設けられるｎ型の電極（例えばｎ電極１３）とを含む構成を、他の素子（例えば、ＬＤ、ショットキーダイオード、トランジスタ、ＨＥＭＴ等）に適用してもよいし、六方晶系化合物半導体の半導体層（例えばコンタクト層１１）と、この半導体層の表面のうちカチオン原子の数の多い表面（すなわち、カチオン原子の空孔の多い面であり、結晶学的面指数（ｈ，ｉ，ｊ，ｋ）に含まれている第４番目の指数ｋが正の整数となっている面。例えば表面Ｓ３）に設けられるｐ型の電極（例えばｐ電極１５）とを含む構成を、他の素子（例えば、ＬＤ、ショットキーダイオード、トランジスタ、ＨＥＭＴ等）に適用してもよい。
【符号の説明】
【００２４】
１…化合物半導体素子、１１…コンタクト層、１３…ｎ電極、１５…ｐ電極、３…ｎ基板、５…ｎクラッド層、７…活性層、９…ｐクラッド層、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４…表面。
【図１】
2011103400.tif 000003
【図２】
2011103400.tif 000004