(57)【要約】      （修正有）【課題】基板ステージ、パターニングデバイスステージ（例えばマスクステージ）、冷却デバイス等の移動により、リソグラフィ装置の投影系（投影レンズとも呼ばれる）に作用する振動または他の外乱の発生を抑制する。【解決手段】投影系は、アクティブレンズマウントによってリソグラフィ装置の基準構造に取り付けられる。アクティブレンズマウントは、上面２７を持つ上部と、底面２８を持つ底部とを有する。上部および底部は弾性構造５０によって両側で相互接続される。さらに３０、４０で示す圧電アクチュエータ−センサ複合体によって相互に接続される。適切な電気信号を用いて圧電素子３０、４０を介して上部および底部の間に作用する所望の力を導出することができる。【選択図】図２
2011135076.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物を保持するマウントであって、
前記対象物に力を及ぼすように構成される第１圧電素子と、
前記力を測定するように構成される第２圧電素子と、
前記第１圧電素子と第２圧電素子の間に配置され、切れ目を有する相互接続部材と、
を備えるマウント。
【請求項２】
前記切れ目は、前記第１圧電素子と前記第２圧電素子の間に所望のクロストークを与えるような大きさとされることを特徴とする請求項１に記載のマウント。
【請求項３】
前記切れ目は、前記力の方向と実質的に垂直である平面内の横方向切れ目であることを特徴とする請求項１に記載のマウント。
【請求項４】
前記相互接続部材の両側に横方向切れ目が設けられることを特徴とする請求項３に記載のマウント。
【請求項５】
前記切れ目同士の間の相互接続部材の残部が、該相互接続部材の幅の約４０％から８０％の範囲の幅を有するように、前記切れ目の深さが設定されることを特徴とする請求項４に記載のマウント。
【請求項６】
前記切れ目が三角形の切れ目であることを特徴とする請求項３に記載のマウント。
【請求項７】
前記切れ目が前記相互接続部材の両側に設けられることを特徴とする請求項６に記載のマウント。
【請求項８】
前記切れ目同士の間の相互接続部材の残部が、該相互接続部材の幅の約４０％から８０％の範囲の幅を有するように、前記切れ目の深さが設定されることを特徴とする請求項６に記載のマウント。
【請求項９】
前記切れ目が前記力の方向に沿って延びることを特徴とする請求項１に記載のマウント。
【請求項１０】
互いに実質的に直交する平面内に二つの切れ目が設けられることを特徴とする請求項９に記載のマウント。
【請求項１１】
前記第１圧電素子と前記第２圧電素子を通り抜けて前記切れ目が延び、これによって前記相互接続部材と前記第１圧電素子と前記第２圧電素子とを４つの部分に分割することを特徴とする請求項１０に記載のマウント。
【請求項１２】
前記平面に沿って複数の切れ目が平行に設けられ、前記相互接続部材の一部に柱状部を形成することを特徴とする請求項１０に記載のマウント。
【請求項１３】
前記相互接続部材を変形させるように構成された、圧電アクチュエータなどの変形部材が前記相互接続部材に設けられることを特徴とする請求項１に記載のマウント。
【請求項１４】
放射ビームを調整するように構成される照明系と、
前記放射ビームの断面にパターンを付与しパターン付与された放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構築される支持部と、
基板を保持するように構築される基板テーブルと、
前記基板の目標部分に前記パターン付与された放射ビームを投影するように構成される投影系であって、リソグラフィ装置のマウントによって該リソグラフィ装置の基準構造に取り付けられる投影系と、を備え、
前記マウントは、
前記投影系に力を及ぼすように構成される第１圧電素子と、
前記力を測定するように構成される第２圧電素子と、
前記第１圧電素子と第２圧電素子の間に配置され、切れ目を有する相互接続部材と、
を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１５】
対象物を保持するマウントであって、前記対象物に力を及ぼすように構成される第１圧電素子と、前記力を測定するように構成される第２圧電素子と、前記第１圧電素子と第２圧電素子の間に配置される相互接続部材と、を備えるマウントの調整方法であって、
（ａ）前記マウントの残存クロストークの測定と、（ｂ）前記相互接続部材の切断とを、前記残存クロストークが所望のレベルに到達するまで繰り返すことを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアクティブ（能動）マウント、アクティブマウントを備えるリソグラフィ装置、およびアクティブマウントを調整する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に転写する機械である。通常は基板の目標部分に転写する。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、ＩＣの各層に対応した回路パターンを形成するためにパターニングデバイスが使用される。パターニングデバイスはマスクまたはレチクルなどと呼ばれることもある。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）の（例えば１つまたは複数のダイ、またはダイの一部からなる）目標部分に転写される。パターンの転写は通常、基板上に形成された放射感応性材料（レジスト）層への結像による。一般に一枚の基板にはネットワーク状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的にパターン形成される。従来のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（スキャン方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をスキャン方向に平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。また、基板にパターンをインプリントすることによりパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
リソグラフィ装置には多数の可動部品が設けられてもよい。例えば、基板ステージ、パターニングデバイスステージ（例えばマスクステージ）、冷却デバイス等が移動してもよい。これらの移動により、リソグラフィ装置の投影系（投影レンズとも呼ばれる）に作用する振動または他の外乱が生じることがある。これによって、投影系全体の、および／または投影系の光学素子の振動または他の外乱が生じることがある。アクティブレンズマウントは、この種の振動による影響を低下させるように予め工夫されている。この種のアクティブレンズマウントでは、投影系に力を及ぼす第１圧電素子と、その力を測定する第２圧電素子とが設けられる。適切な制御システムを用いることで、投影系に加わる力を低減することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
改善された能動マウントを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態によると、対象物に力を及ぼす第１圧電素子と、力を測定する第２圧電素子と、第１圧電素子と第２圧電素子の間に配置され、切れ目を有する相互接続部材とを備える、対象物を保持するマウントが提供される。
【０００６】
本発明の別の実施形態では、リソグラフィ装置が提供される。この装置は、放射ビームを調整するように構成される照明系と、放射ビームの断面にパターンを付与しパターン付与された放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構築される支持部と、基板を保持するように構築される基板テーブルと、基板の目標部分にパターン付与された放射ビームを投影するように構成される投影系であって、リソグラフィ装置のマウントによって該リソグラフィ装置の基準構造上に取り付けられる投影系と、を備える。マウントは、投影系に力を及ぼすように構成される第１圧電素子と、力を測定するように構成される第２圧電素子と、第１圧電素子と第２圧電素子の間に配置され、切れ目を有する相互接続部材と、を備える。
【０００７】
本発明のさらに別の実施形態では、マウントの調整方法が提供される。マウントは対象物を保持し、対象物に力を及ぼすように構成される第１圧電素子と、力を測定するように構成される第２圧電素子と、第１圧電素子と第２圧電素子の間に配置される相互接続部材と、を備える。本方法は、（ａ）マウントの残存クロストークの測定と、（ｂ）相互接続部材の切断とを、残存クロストークが所望のレベルに到達するまで繰り返すことを含む。
【０００８】
以下、対応する参照符号が対応する部分を表す添付の模式図を参照して、本発明の実施形態を例示として説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態が使用されるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置で適用される圧電アクティブレンズマウントを示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る圧電アクティブマウントの圧電スタックを示す図である。
【図４】圧電スタックの周波数応答を示す図である。
【図５Ａ】本発明の実施形態に係るアクティブレンズマウントの圧電スタックを示す図である。
【図５Ｂ】本発明の実施形態に係るアクティブレンズマウントの圧電スタックを示す図である。
【図５Ｃ】本発明の実施形態に係るアクティブレンズマウントの圧電スタックを示す図である。
【図５Ｄ】本発明の実施形態に係るアクティブレンズマウントの圧電スタックを示す図である。
【図５Ｅ】本発明の実施形態に係るアクティブレンズマウントの圧電スタックを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整する照明系（照明器）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持し、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成された第１位置決めデバイスＰＭに接続されるパターニングデバイス支持部またはサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、を備える。この装置は、基板（例えば、レジストコートされたウェハ）Ｗを保持するよう構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成された第２位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェハテーブル）ＷＴまたは「基板支持部」をさらに備える。この装置は、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイを含む）に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを投影するよう構成された投影系（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳをさらに備える。
【００１１】
照明系は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組み合わせを含み得るものであり、放射ビームの向きや形状、あるいは他の特性を制御するためのものである。
【００１２】
パターニングデバイス支持部は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。パターニングデバイス支持部は、機械的、真空、静電気または他の取り付け技術を使用してパターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイス支持部は、必要に応じて固定または移動可能である、例えばフレームまたはテーブルであってもよい。パターニングデバイス支持部は、例えば投影システムに対してパターニングデバイスが所望の位置にあることを保証してもよい。本明細書における「レチクル」または「マスク」なる用語の使用は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義であるとみなすことができる。
【００１３】
本明細書において「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを生成するために放射ビーム断面にパターンを与えるのに使用される何らかのデバイスを指すものと広義に解釈される。放射ビームに付与されたパターンは、基板の目標部分に望まれるパターンに厳密に一致していなくてもよい。例えば、位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャがパターンに含まれていてもよい。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、目標部分に生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応する。
【００１４】
パターニングデバイスは、透過型であってもよいし、反射型であってもよい。パターニングデバイスには例えばマスク、プログラム可能ミラーアレイ、及びプログラム可能ＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスク、さらには多様なハイブリッド型マスクなどのマスクタイプが含まれる。プログラム可能ミラーアレイは例えば、微小ミラーのマトリックス配列で構成される。各微小ミラーは、入射する放射ビームを異なる複数の方向に反射するよう個別的に傾斜可能である。ミラーマトリックスにより反射された放射ビームには、傾斜されたミラーによってパターンが付与されている。
【００１５】
本明細書において「投影系」なる用語は、屈折光学素子、反射光学素子、反射屈折光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、またはこれらの組み合わせを含む何らかの投影系であると広義に解釈される。投影系は、使用される露光光に応じて、あるいは液浸液または真空の使用等のその他の要因に応じて適切とされるいかなる投影系であってもよい。本明細書において「投影レンズ」という用語は、より一般化された用語である「投影系」と同義であるとみなしてもよい。
【００１６】
図示されるように、装置は（例えば透過型マスクを有する）透過型である。なお、装置は（例えば上述したタイプのプログラム可能なミラーアレイを有するか、または反射型マスクを有する）反射型であってもよい。
【００１７】
リソグラフィ装置は二つ以上（二つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブルまたは「基板支持部」（及び／または二つ以上のマスクテーブルまたは「マスク支持部」）を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては、複数のテーブルが並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルまたはサポートで露光が行われている間に１以上の他のテーブルで準備工程が実行されるようにしてもよい。
【００１８】
リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆われるものであってもよい。この液体は、投影系と基板との間の空隙を満たす。液浸液は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）と投影系との間などのリソグラフィ装置の他の空間に適用されるものであってもよい。液浸技術は、投影系の開口数を増加させるものとして当分野で周知である。本明細書では「液浸」という用語は、基板等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光の際に投影系と基板との間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。
【００１９】
図１に示されるようにイルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば光源ＳＯがエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源ＳＯからビーム搬送系を介してイルミネータＩＬへと到達する。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用ミラー及び／またはビームエキスパンダを含む。別の場合には、例えば光源が水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称されることがある。
【００２０】
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における照度分布の少なくとも外径及び／または内径の値（通常それぞれ「σ−ｏｕｔｅｒ」、「σ−ｉｎｎｅｒ」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータＩＬはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。
【００２１】
放射ビームＢは、パターニングデバイス支持部（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを経た放射ビームは投影系ＰＳを通過する。投影系ＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦させる。第２位置決めデバイスＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴは正確に移動される。例えば放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃをそれぞれ位置決めするように移動される。同様に、例えば走査中またはマスクライブラリからのマスク交換後に、第１位置決めデバイスＰＭと別の位置センサ（図１に明示せず）により放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡは正確に位置決めされてもよい。一般に、パターニングデバイス支持部（例えばマスクテーブル）ＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＭの一部を形成する長ストロークモジュール（粗い位置決め）および短ストロークモジュール（細かい位置決め）の助けによって実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」の移動は、第２位置決めデバイスＰＷの一部を形成する長ストロークモジュールと短ストロークモジュールを用いて実現することができる。ステッパの場合は（スキャナとは反対に）、パターニングデバイス支持部（例えばマスクテーブル）は短ストロークアクチュエータのみに接続されてもよいし、または固定されてもよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡと基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２と基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせされてもよい。図示の基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間に間隔を空けて配置されてもよい（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に二つ以上のダイが設けられる状況においては、パターニングデバイスアライメントマークがダイの間に配置されてもよい。
【００２２】
図示の装置は以下のモードのうち少なくとも１つで使用することができる。
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で１つの目標部分Ｃに投影される間、パターニングデバイス支持部（例えばマスクテーブル）ＭＴまたは「マスク支持部」と基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」とが実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」がＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズによって、１回の静的露光で結像される目標部分Ｃの寸法が制限されることになる。
【００２３】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、パターニングデバイス支持部（例えばマスクテーブル）ＭＴまたは「マスク支持部」と基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」とが同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。パターニングデバイス支持部（例えばマスクテーブル）ＭＴまたは「マスク支持部」に対する基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」の速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが１回の動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。
【００２４】
３．別のモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、パターニングデバイス支持部（例えばマスクテーブル）ＭＴまたは「マスク支持部」はプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」は移動または走査される。このモードでは一般にパルス放射源が用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは走査中に基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」が移動するたびに、または連続するパルスとパルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラム可能ミラーアレイなどのプログラム可能パターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに適用可能である。
【００２５】
上記のモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードを用いてもよい。
【００２６】
アクティブレンズマウントの一実施形態が図２に示されている。図２は、上面２７を持つ上部と、底面２８を持つ底部とを有するアクティブレンズマウント（アクティブマウントとも呼ぶ）を示す。上部および底部は弾性構造５０によって両側で相互接続される。さらに、上部（２５で示す）と底部は、図２に３０、４０で示す圧電アクチュエータ−センサ複合体によって相互に接続される。アクチュエータ−センサ複合体はそれぞれ、アクチュエータとして機能する圧電素子と、センサとして機能する圧電素子とを備える。適切な電気信号を用いてアクチュエータを駆動することによって、圧電アクチュエータ素子を膨張させることができる。圧電センサ４０で取得される信号から、圧電素子３０、４０を介して上部および底部の間に作用する所望の力を導出することができる。アクチュエータ３０のそれぞれを駆動するために適切な制御システム（広く「コントローラ」と称される）が設けられてもよく、これによって対応するセンサ４０から取得されるそれぞれの信号を考慮に入れて、上部２５に影響を与える振動、外乱等に対して作用することができる。一実施形態では、図示したようなアクティブレンズマウントを三つ使用してもよい。投影系ＰＳ（図１に示す）が図示のように三つのレンズマウント上に搭載されてもよい。各レンズマウントにより二つの方向（この実施例では、例えば図２に示すような方向７０および８１）への力を発生させることができるので、複数の自由度、好ましくは６自由度の補正が可能である。図２は、上部と底部に設けられた取り付け孔９０をさらに示しており、アクティブレンズマウントを適切に固定できるようにされていることに注意する。さらに、上面２７と底面２８とを互いに押し付けるために圧縮ボルト６０が設けられてもよい。しかしながら、他の実施形態では、投影系自体の重量によって圧縮力を与えることができるので、このような圧縮ボルトが省略されてもよい。
【００２７】
圧電アクチュエータ−センサ複合体の一実施形態のより詳細であるが依然として模式的である図が図３に示されている。この実施形態では、圧電センサ３０、圧電アクチュエータ４０、およびアクチュエータ３０とセンサ４０とを相互接続する相互接続部材２０を含むスタック（積層体）が設けられる。センサ・アクチュエータアセンブリを上部および底部に接続するそれぞれのマウントが、図３中に参照番号１０によって示されている。特定された部品は接着によって相互に接続される。それぞれの接着層は図３中に模式的に示されており、参照番号７０によって特定される。
【００２８】
圧電アクチュエータは、電圧が印加されたとき、図３に表す方向Ｆに力（印加される電圧の極性に応じて、圧電材料は膨張特性または収縮特性のいずれかを呈するので、図示の方向における力は印加電圧の極性に応じて正または負になる）を生じさせる結晶構造を含む。この力は膨張または収縮を生じさせ、この方向におけるアクチュエータ３０の寸法が対応して増加／減少する。しかしながら、変形時に、圧電素子は方向Ｆに沿ってその寸法を増減させるだけでなく、アクチュエータの幅方向の変形も生じることがある。この変形は、接着剤７０を介して相互接続部材２０を変形させる。理想的には、センサ４０は、アクチュエータ３０、センサ４０および相互接続部材２０のアセンブリに作用する方向Ｆに沿った力のみを検出する。しかしながら、アクチュエータ３０の変形と、これに続く相互接続部材２０の変形は、接着層７０を介して、相互接続部材２０がセンサ４０と接触する接触面の変形を生じさせる。結果として、この種の変形に応答してセンサ４０によって信号が生成され、したがってクロストークが生じる。この挙動により、図４に連続線で示すような（点線については後述する）センサ４０の周波数応答が生じる。図４の水平軸に沿って、周波数のスケールが与えられている。上図では、垂直軸に沿って伝達（transfer）の規模が与えられ、下図では、垂直軸に沿って伝達の位相ＰＨが示されている。図から分かるように、この例では、１００Ｈｚを越える比較的高い周波数に対して、投影系は準定常状態を維持する。したがって、アクチュエータの駆動がセンサによる測定を線形的に生じさせる。理想的なケースでは、ゼロ近傍の非常に低い周波数に対しては、アクチュエータの一定駆動が投影系の変位を生じさせるので、伝達の大きさは理想的にはゼロである。こうすると、変位が安定した後、センサに実質的にゼロの出力が与えられる。したがって、静止の場合には、理想的にはゼロの伝達が期待される。これにより、特定の周波数範囲内のある周波数と実質的に二次的な関係（quadratic relation）がある理想的な伝達周波数特性が得られる。しかしながら、低周波数では、別の影響、すなわち図３を参照して述べた変形が重要な役割を果たすことがある。低周波数において、この変形は伝達を引き起こすが、これは、相互接続部材２０の変形の結果生じる上述のクロストークのためである。結果として、図４に示すような周波数特性が得られる。低周波数に対しては平坦な応答となり、続いて周波数に応じて二次的な応答が得られ、高周波数に対しては再び平坦な応答となる。
【００２９】
一実施形態では、アクチュエータ３０からセンサ４０へのクロストークを低減することができる切れ目が相互接続部材に設けられていてもよい。この種の切れ目の様々な実施形態を、図５Ａ−図５Ｅを参照して説明する。一般的に、切れ目は、その側面でセンサ４０と対向する相互接続部材２０の変形としてのクロストークの低減を支援することができる。この変形は、アクチュエータ３０の作動および変形のために発生する。一般に、切れ目は、力の方向Ｆにおける高い剛性を維持しつつ、センサに接着された相互接続部材の面の変形を低減するか好ましくは分断することを目的とする。一実施形態では、クロストークの低減を二つの方法で実現することができる。第１に、センサが接続された表面の変形を低減することである。第２に、変形による正負の影響が互いに実質的に相殺するとき、クロストークの低下が生じる。一例として、圧電センサ４０の垂直方向における圧縮と、同一方向における膨張とは、反対の電荷を生じさせる。この場合、変形の結果として、センサの一部が圧縮される一方、センサの別の部分が同一方向に拡張され、正負の電荷が少なくとも部分的にお互いに相殺し合う。これにより、このような変形の結果としてのセンサの出力を低下させる。これらの影響の一方または両方を利用して、複数の実施形態が考案されたが、これらを図５Ａ−図５Ｅを参照して以下で説明する。図５Ａでは、力の方向と実質的に直交する平面内での横方向切れ目が相互接続部材に与えられている。これによって、力の方向（図５Ａ−Ｅでは、垂直方向）の剛性が維持される一方、変形を減らすことができる。この実施形態では、相互接続部材の反対側にも横方向切れ目が設けられている。これによって対称性が生まれ、圧電センサの部分の膨張および収縮に起因する正負の電荷の相殺を改善することができる。切れ目の深さは、切れ目同士の間の相互接続部材の残存部が、相互接続部材の全幅の４０％から８０％の範囲内の幅となるような範囲で有益に設定される。
【００３０】
図５Ｂに別の例が模式的に示されている。ここでは、相互接続部材に三角形の切れ目が与えられる。図５Ａの実施形態と同一の説明がこれにも適用される。図５Ａと図５Ｂに係る実施形態を比較すると、力の方向における剛性は同様であるが、変形挙動の違いを観察することができる。図５Ａに係る実施形態では、相互接続部材の上部および下部（すなわち、切れ目の両側）がより高い曲げ剛性を発揮し、横断方向の収縮時に異なる挙動を示す。
【００３１】
さらに別の実施形態が図５Ｃに示されている。力の方向、すなわち図５Ｃの垂直方向に沿って切れ目が延びている。これによって、この実施例では、相互接続部材が複数の部分に分割されているだけでなく、第１および第２圧電素子も分割されている。代替的に、相互接続部材のみに切れ目が広がり、圧電素子はそれぞれ一体的な部品として残しておいてもよい。結果として、より小さな相互接続部材とより小さな圧電素子とが得られ、したがって変形の影響が小さくなる。一実施形態では、相互接続部材および第１、第２圧電素子が４つの部分に分割される。したがって、切れ目は、それぞれと実質的に直交する平面内に設けられる。
【００３２】
さらに別の実施形態では、複数の平行な切れ目が設けられる。これによって、他の実施形態と同様に、力の方向の剛性を維持しつつ、クロストークを低減することができる。複数の平面に沿って、好ましくは互いに対して実質的に直交する平面に沿って平行な切れ目を複数設けて、相互接続部材の中間部に柱状の構造を形成してもよい。図５Ｄに示した実施形態に対する変形例を図５Ｅに示す。ここでは二重の切れ目が設けられており、これによって柱状部の間に相互接続板が残されている。
【００３３】
一般に、切れ目を有する相互接続部材の利点は、第１圧電素子（すなわち、圧電アクチュエータ）と第２圧電素子（すなわち、圧電センサ）との間のクロストークが低下することである。図５Ａー図５Ｅに係る様々な実施形態を用いて特定の利点を実現することができる。これらの様々な実施形態は、曲げ剛性、横剛性、および力の方向（すなわち、第１圧電素子の作用方向）における剛性の点で異なっていてもよい。図５Ａおよび図５Ｂに係る実施形態の間の相違点については上述した。図５Ｃに係る実施形態では、相互接続部材の幅−高さの比率が変化しており、これによって剛性を同様の水準に維持することができる。このことは、相互接続部材の高さを小さくすべき状況において利点となり得る。図５Ｄに係る実施形態は、横方向（すなわち、力の方向と実質的に直交する方向。このような構成では、残存する「柱状部」の長さ／幅の比率が高くなって曲げのリスクが高まる場合、図５Ｅに係る実施形態ならばこのような曲げのリスクを増大／低下させる）における剛性が比較的小さな相互接続部材を提供することができる。したがって、相互接続部材の挙動を特定の要望に調整するために、異なる実施形態を適用することができる。
【００３４】
一実施形態では、図２に示した弾性構造５０を介して与えられるクロストークと実質的に反対向きである特定のレベルに到達するように、クロストークの大きさが決められてもよい。結果として、相互接続部材を介して得られるクロストークと、アクティブレンズマウントの平行な弾性構造５０を介して得られるクロストークとが、実質的に反対向きになる。その結果、全体のクロストークを実質的に減らすことができ、したがってアクティブレンズマウントの有効性が改善される。
【００３５】
さらなる実施形態では、相互接続部材の中に変形部材が設けられてもよい。変形部材は、例えば圧電アクチュエータで形成されてもよい。これによって、相互接続部材の適切な変形によって残存クロストークを低減できるので、アクティブな微調整を実現することができる。さらに、圧電アクチュエータ等のアクチュエータを、平行な弾性構造５０に作用するように設けてもよい。これによって、その剛性を特定の度合いに補正できる。結果として、平行な弾性構造の剛性として微調整をすることができる。したがって、第１および第２圧電素子の間の平行な弾性構造を介したクロストークを、相互接続部材の変形を介したクロストークと実質的に等しいが反対向きに調節することができる。これによって、全体のクロストークを実質的に削減することができる。
【００３６】
本発明の様々な実施形態の結果として、相互接続部材のクロストークを低減することができる。これは、一例として、図４に示す点線にしたがった周波数特性の変化を生み出すことができる。これによって、低周波数に対して、点線で示すように周波数に対する二次的関係が維持される。
【００３７】
上記の実施形態のそれぞれにおいて、リソグラフィ装置のアクティブレンズマウントを組み立て、アクティブレンズマウントの第１圧電素子と第２圧電素子の間のクロストークを測定し、クロストークが所定のレベルに到達するまで相互接続部材に切れ目を入れる（図５Ａ−図５Ｅを参照して説明した実施形態のいずれかのように）ことによって、調整をすることが可能になる。これによって、残存するクロストークに影響を及ぼし得る、製造公差、投影系の重量の違い、および他の要因などの様々な要因を考慮に入れた調節をすることが可能になる。一連のアクティブレンズマウントを実際に製造したり機械的に製作したりせずに、有限要素コンピュータシミュレーションで同様な反復的な改善を行うことも可能である。上述の概念は、リソグラフィ装置のアクティブレンズマウントにのみ適用可能である訳ではない。同一の概念を任意の応用形態にも適用でき、したがって任意のアクティブマウントに適用できることが理解されるだろう。
【００３８】
上記ではリソグラフィ装置への適用について説明してきたが、圧電アクティブマウントは多くの他のアプリケーションにも適用することができることが理解されよう。その一部の例を以下に述べる。本発明に係る圧電アクティブマウントを、例えば以下に適用してもよい。
−光学部品の機械部分などの部分を正確に製造するための旋盤、研磨機、切断機、ラップ盤等の振動ダンパー。したがって、この種の機械および／または機械加工される製品を取り付けるためにこのマウントを適用してもよい。
−投影系の結像面、焦平面等に配置される光学目標の振動ダンパー。リソグラフィ装置、走査型電子顕微鏡等の基板または基板テーブルがこの例に含まれる。
−パラボラアンテナ望遠鏡等の振動ダンパー。
−互いに対して複数の部品が正確に位置合わせされるアプリケーション。例えば、粒子加速器で見られるようなアプリケーション。
【００３９】
上記の例は、限定とみなされるべきではない。むしろ、本書で説明したようなマウントは、任意の振動を減衰する応用形態に適用することができる。
【００４０】
本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウエーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。
【００４１】
ここでは特に光リソグラフィを本発明に係る実施の形態に適用したものを例として説明しているが、本発明は例えばインプリントリソグラフィなど文脈が許す限り他にも適用可能であり、光リソグラフィに限られるものではない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが基板に生成されるパターンを決める。パターニングデバイスのトポグラフィが基板に塗布されているレジスト層に押し付けられ、電磁放射や熱、圧力、あるいはこれらの組み合わせによってレジストが硬化される。レジストが硬化されてから、パターニングデバイスは、パターンが生成されたレジストから外されて外部に移動される。
【００４２】
また、本明細書における「放射」及び「ビーム」なる用語は、（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射、（例えば５乃至２０ｎｍの範囲に波長を有する）極紫外（ＥＵＶ）放射、及び、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆる電磁放射を含む。
【００４３】
本明細書に記載の実施例において、「レンズ」なる用語は文脈が許す限り、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁的光学素子、及び静電的光学素子のいずれかまたは任意の組合せを示してもよい。
【００４４】
本発明の具体的な実施形態が上述のように説明されたが、本発明は上述の形式以外の形式でも実施可能であると理解されたい。例えば本発明は、上述の方法が記述された機械で読み取り可能な１以上の一連の指示を含むコンピュータプログラムの形式、またはこのようなコンピュータプログラムが記録されたデータ記録媒体（例えば半導体メモリや磁気・光ディスク）の形式をとってもよい。
【００４５】
本発明の種々の実施例を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではない。本発明の請求項の範囲から逸脱することなく種々に変更することができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。
【図１】
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【図３】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図２】
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【図４】
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【外国語明細書】
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