(57)【要約】【課題】従来の封止方法では、パッケージの外部の水分が樹脂モールド等の層に浸入して上記チップ型デバイスへ浸入するという課題があり、耐湿性の高いデバイス封止体を提供すること、および耐湿性の高いデバイス封止体を効率よく製造できるデバイス封止体の製造方法を提供することを目的としていた。【解決手段】本発明のデバイス封止体は、チップ型デバイスが樹脂層で封止されたチップ型デバイス本体と、前記チップ型デバイスが実装された基板と、前記基板上で、接着層を挟んで前記チップ型デバイス本体を囲繞するように設けられた耐湿層と、を備えることを特徴としている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ型デバイスが樹脂層で封止されたチップ型デバイス本体と、
前記チップ型デバイスが実装された基板と、
前記基板上で、接着層を挟んで前記チップ型デバイス本体を囲繞するように設けられた耐湿層と、
を備えることを特徴とするデバイス封止体。
【請求項２】
前記基板は、前記チップ型デバイス本体が実装される実装面部の外周側に、前記実装面部よりも低い段部が形成され、
前記耐湿層は、少なくとも一部が前記実装面部と前記段部との間の段差部に跨るように設けられていることを特徴とする請求項１に記載のデバイス封止体。
【請求項３】
前記耐湿層は、フッ素樹脂を含有することを特徴とする請求項１または２に記載のデバイス封止体。
【請求項４】
前記チップ型デバイスは、空間層を生じさせる中空構造体と前記空間層に一部が露出する弾性表面波チップとを有する弾性表面波デバイスであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のデバイス封止体。
【請求項５】
基板の一方の表面に２以上のチップ型デバイスを実装する実装工程と、
前記実装工程の後に、前記チップ型デバイスを覆って封止する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層形成工程の後に、前記樹脂層及び前記基板を前記樹脂層の表面から前記基板の中間部の深さまで溝形成加工して、前記チップ型デバイスを１以上含んで分断された単位樹脂層と、前記単位樹脂層のそれぞれの間の前記基板に設けられた溝部とを形成するハーフダイシング工程と、
前記ハーフダイシング工程の後に、耐湿性を有する耐湿層と、前記耐湿層及び前記基板に対して接着性を有する接着層と、からなる二層構造体を、前記接着層が前記単位樹脂層のそれぞれに接触し、かつ、前記溝部のそれぞれを覆うように前記単位樹脂層上に前記基板と対向して形成する二層構造体形成工程と、
前記二層構造体形成工程の後に、前記溝部に位置する前記二層構造体を前記溝部に少なくとも一部を挿入できる押圧部材によって前記基板の前記溝部に押し付けて前記二層構造体を前記基板に接合させる接合工程と、
前記接合工程の後に、前記溝部の位置で前記基板の厚さ方向に前記基板及び前記二層構造体を切断して前記基板を分断するフルダイシング工程と、
を備えるデバイス封止体の製造方法。
【請求項６】
前記チップ型デバイスは、空間層を生じさせる中空構造体と前記空間層に一部が露出する弾性表面波チップとを有する弾性表面波デバイスであることを特徴とする請求項５に記載のデバイス封止体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイス封止体及びデバイス封止体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）デバイスは、周波数フィルタ（ＳＡＷフィルタ）として広く利用されている。このＳＡＷフィルタは、小型、軽量という特徴をもっている。さらに、ＳＡＷフィルタは、半導体デバイスの製造に用いられるフォトリソグラフィ技術をその製造プロセスに利用できるため量産性にも優れている。
【０００３】
ＳＡＷデバイスは、ＳＡＷチップにおけるＳＡＷ伝播領域である空間層を生じさせる中空構造体を有している。このため、ＳＡＷフィルタのようなＳＡＷデバイスをパッケージに封入する場合には、パッケージに一般的な半導体チップを封入する場合と異なり、ＳＡＷチップと中空構造体とがともに封入される必要がある。
また、このようなＳＡＷチップのパッケージには、従来一般的であったセラミックパッケージや、コスト面で優れる樹脂モールドをＳＡＷチップが実装された基板上に積層する樹脂モールドパッケージ等が知られている。
【０００４】
ＳＡＷデバイスをパッケージに封入する例として、特許文献１には、チップ型デバイスを封止するための封止用フィルム接着剤、封止用フィルム積層体及び封止方法が開示されている。この特許文献１に記載の封止用フィルム接着剤、封止用フィルム積層体によれば、ＳＡＷデバイスなどの中空構造を有するチップを基材上で一括して封止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３２７６２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＳＡＷフィルタは、大気中の水分によって、弾性表面波の通過特性の劣化、フィルタ中心周波数の変動、及びＳＡＷデバイスにおける回路のマッチング状態（インピーダンス整合）の変動を生じることがある。このため、ＳＡＷフィルタ等のＳＡＷデバイスは、耐湿性を有するパッケージに密封されることが好ましい。
しかしながら、上記従来の封止方法では、パッケージの外部の水分が樹脂モールド等の層に浸入して上記チップ型デバイスへ浸入する場合があった。
【０００７】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は耐湿性の高いデバイス封止体を提供することであり、耐湿性の高いデバイス封止体を効率よく製造できるデバイス封止体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明のデバイス封止体は、チップ型デバイスが樹脂層で封止されたチップ型デバイス本体と、前記チップ型デバイスが実装された基板と、前記基板上で、接着層を挟んで前記チップ型デバイス本体を囲繞するように設けられた耐湿層と、を備えることを特徴としている。
【０００９】
この発明によれば、チップ型デバイス本体を囲繞するように設けられた耐湿層によって、デバイス封止体の外部から内部への水分の浸入を抑制できる。
【００１０】
また、前記基板は、前記チップ型デバイス本体が実装される実装面部の外周側に、前記実装面部よりも低い段部が形成され、前記耐湿層は、少なくとも一部が前記実装面部と前記段部との間の段差部に跨るように設けられていることが好ましい。
この場合、段差部に跨るように配置された耐湿層によってチップ型デバイス本体と基板との境界部分が被覆されているので、チップ型デバイス本体と基板との境界部分からの水分の進入を抑制できる。
【００１１】
また、前記耐湿層は、フッ素樹脂を含有することが好ましい。
この場合、デバイス封止体の内部への水分の浸入を好適に抑制することができる。
【００１２】
本発明のデバイス封止体は、前記チップ型デバイスが、空間層を生じさせる中空構造体と前記空間層に一部が露出する弾性表面波チップとを有する弾性表面波デバイスであることが好ましい。
この場合、弾性表面波デバイスへの水分の侵入を抑制できるので、水分の影響を受けやすい弾性表面波デバイスをデバイス封止体に好適に封止することができる。
【００１３】
本発明のデバイス封止体の製造方法は、基板の一方の表面に２以上のチップ型デバイスを実装する実装工程と、前記実装工程の後に、前記チップ型デバイスを覆って封止する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層形成工程の後に、前記樹脂層及び前記基板を前記樹脂層の表面から前記基板の中間部の深さまで溝形成加工して、前記チップ型デバイスを１以上含んで分断された単位樹脂層と、前記単位樹脂層のそれぞれの間の前記基板に設けられた溝部とを形成するハーフダイシング工程と、前記ハーフダイシング工程の後に、耐湿性を有する耐湿層と、前記耐湿層及び前記基板に対して接着性を有する接着層と、からなる二層構造体を、前記接着層が前記単位樹脂層のそれぞれに接触し、かつ、前記溝部のそれぞれを覆うように前記単位樹脂層上に前記基板と対向して形成する二層構造体形成工程と、前記二層構造体形成工程の後に、前記溝部に位置する前記二層構造体を前記溝部に少なくとも一部を挿入できる押圧部材によって前記基板の前記溝部に押し付けて前記二層構造体を前記基板に接合させる接合工程と、前記接合工程の後に、前記溝部の位置で前記基板の厚さ方向に前記基板及び前記二層構造体を切断して前記基板を分断するフルダイシング工程と、を備えることを特徴としている。
【００１４】
この発明によれば、ハーフダイシング工程では基板が一部繋がった状態で単位樹脂層を分断し、二層構造体形成工程では基板が一部繋がった状態で単位樹脂層に二層構造体を形成している。
このため、複数の単位樹脂層のそれぞれの相対位置は決まっており、位置決めをおこなうことなく押圧部材によって一動作で接合工程を行うことができる。このため、耐湿性の高いデバイス封止体を効率よく製造できる。
【００１５】
また、本発明のデバイス封止体の製造方法は、前記チップ型デバイスが、空間層を生じさせる中空構造体と前記空間層に一部が露出する弾性表面波チップとを有する弾性表面波デバイスであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のデバイス封止体によれば、基板と耐湿層との間の密封性を高めることができるので、耐湿性を高めることができる。
また、本発明のデバイス封止体の製造方法によれば、耐湿性の高い弾性表面波デバイスを効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】デバイス封止体の耐湿性を高めるための一構成例を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態のデバイス封止体を示す断面図である。
【図３】同実施形態のデバイス封止体の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】（Ａ）ないし（Ｃ）は同実施形態のデバイス封止体の製造工程におけるデバイス封止体を示す断面図である。
【図５】（Ａ）および（Ｂ）は同実施形態のデバイス封止体の製造工程におけるデバイス封止体を示す断面図である。
【図６】同実施形態のデバイス封止体における変形例の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
（構成例）
本発明の実施形態の説明に先立って、デバイス封止体の耐湿性を高めるための一構成例について図１を参照して説明する。図１はデバイス封止体１の構成を示す断面図である。
【００１９】
図１に示すように、デバイス封止体１は、基板２と、基板２に実装された弾性表面波デバイス１０と、弾性表面波デバイス１０を封止するように基板２上に形成された樹脂層３と、樹脂層３に積層された接着層４と、接着層４に積層された耐湿層５とを備えている。
【００２０】
弾性表面波デバイス１０は、圧電基板である弾性表面波チップ１１と、弾性表面波チップ１１上に形成された電極指１２と、電極指１２を囲繞するように弾性表面波チップ１１上に形成された中空構造体１３とを有している。
中空構造体１３は、例えば永久レジスト等を用いたパターニングによって弾性表面波チップ１１上に形成することができる。また、中空構造体１３によって形成された空間層Ｃの内部には、規則的に配置された電極指１２を有するインターデジタル変換器（Inter Digital Transducer, IDT）が設けられ、弾性表面波の伝播領域になっている。
【００２１】
また、弾性表面波デバイス１０は、配線１４ａ、１４ｂによるワイヤボンディング等によって基板２の実装面部２ａにおける図示しない接続部（ランド）と結線されている。
【００２２】
樹脂層３は、弾性表面波デバイス１０の外面に密着するように形成された樹脂による層であり、周知の樹脂モールドを適宜採用することができる。また、弾性表面波デバイス１０が樹脂層３で封止された構造体が弾性表面波デバイス本体１５である。
【００２３】
接着層４は、樹脂層３及び耐湿層５に対して接着可能な層であり、例えば樹脂層３と耐湿層５とをラミネート加工によって接着する熱溶着シートを採用することができる。
耐湿層５は、デバイス封止体１の内部と外部とで耐湿層５を通じた水分浸入を抑制するための層である。耐湿層５の材料としては、吸湿性が低く耐透湿性が高い素材であることが好ましい。本実施形態では、耐湿層５はフッ素樹脂によって構成されている。また、耐湿層５の材料としてテフロン（登録商標）シートを採用してもよい。
【００２４】
デバイス封止体１において、樹脂層３の側面３ａは外部に露出している。これは、デバイス封止体１は、複数の基板２が一体的に形成されるウエハ上に複数の弾性表面波デバイス１０が実装されて製造され、樹脂層３、接着層４、及び耐湿層５が積層された後に、弾性表面波デバイス１０ごとに基板２のウエハが分断（ダイシング）されるためである。
このように、上述の構成例に示す弾性表面波デバイス１は、樹脂層３において耐湿層５が積層された領域では水分の浸入が抑制されており、耐湿層５が積層された領域では耐湿性が高められている。
【００２５】
従来、フッ素樹脂の層と他の樹脂層とを接合させるために、フッ素樹脂の層及び他の樹脂層に熱や圧力をかける方法が知られている。しかしながら、上述の構成例に示す弾性表面波デバイス１０のように空間層Ｃを有するデバイスにこれらの熱及び圧力をかけると、空間層Ｃの気密状態が維持できず弾性表面波デバイス１０の性能を保てなくなる恐れがある。
これに対して、上述の構成例に示すデバイス封止体１では、耐湿層５は、接着層４によって接着されている。このため、耐湿層５を接着するために要する熱及び圧力を低減する事ができ、弾性表面波デバイス１０などの内部に空間層を有するチップ型デバイスの耐湿性を高めることができる。
【００２６】
（実施形態）
以下では、本発明の一実施形態のデバイス封止体、及びデバイス封止体の製造方法について説明する。
【００２７】
図２は、本発明の第１実施形態のデバイス封止体２１を示す断面図である。
図２に示すように、デバイス封止体２１は、上述の構成例に示す弾性表面波デバイス１と異なり、基板２に代えて基板２２を備え、接着層４及び耐湿層５は符号２４、２５にそれぞれ示すように樹脂層３の側面３ａまで延びて形成されている。
【００２８】
基板２２において、弾性表面波デバイス１０が実装される側の実装面部２２ａの外周側には、実装面部２２ａよりも低い段部２２ｂが形成されている。段部２２ｂは、実装面部２２ａから基板２２の厚さ方向の中間部に窪んだ形状である。実装面部２２ａと段部２２ｂとをつなぐ面には、段差部２２ｃが形成されている。
段部２２ｂ及び段差部２２ｃには、接着層４が接合されている。また、接着層４は、樹脂層３と基板２２との境界部分（実装面部２２ａ）を被覆するように樹脂層３と段差部２２ｃとの両方に接合されている。
基板２２と、接着層４と、耐湿層５とによって、パッケージ７が構成されている。
【００２９】
以上に説明した構成の、本実施形態のデバイス封止体２１の製造方法について、図３ないし図５を参照して説明する。図３は、本実施形態のデバイス封止体の製造の工程を示すフローチャートである。また、図４及び図５は、デバイス封止体の製造工程におけるデバイス封止体を示す断面図である。
【００３０】
ステップＳ１は、基板２２のウエハ（図４（Ａ）参照）上に複数の弾性表面波デバイス１０を実装する実装工程である。ステップＳ１では、周知の方法によって弾性表面波デバイス１０を基板２２に固定し、ワイヤボンディングによって弾性表面波チップ１１と基板２２とを結線する。これでステップＳ１は終了し、ステップＳ２へ移行する。
【００３１】
ステップＳ２は、図４（Ａ）に示すように弾性表面波デバイス１０が実装された基板２２に対して樹脂モールド成形によって樹脂層３を成形する樹脂層形成工程である。ステップＳ２では、例えば熱硬化性樹脂を、流動性を有する状態で基板２２上に供給した後に熱硬化させるなど、周知の樹脂モールド成形を行ってよい。これでステップＳ２は終了し、ステップＳ３へ移行する。
【００３２】
ステップＳ３は、樹脂層３及び基板２２を樹脂層３の表面から基板２２の中間部の深さまで溝形成加工するハーフダイシング工程である。
ステップＳ３では、図４（Ｂ）に示すように、複数の弾性表面波デバイス１０の中間部において、例えば円形の回転刃であるダイシングブレード等によって樹脂層３から基板２２に向かう方向にハーフダイシングを行う。ステップＳ３におけるハーフダイシングとは、樹脂層３は分断されるが基板２２の一部は繋がった状態で残されるように溝形成加工を行うことである。基板２２における実装面部２２ａから厚さ方向に溝形成加工を行う深さは、基板２２の実装面部２２ａから厚さ方向の中間部までの間においてあらかじめ設定した深さである。ステップＳ３では、基板２２のウエハにおいて基板２２のウエハに一定の深さの溝を形成してゆく。溝形成加工が行われた領域には、溝部１００が生じている。
【００３３】
このとき、樹脂層３は厚さ方向に完全に切断され、図４（Ｂ）に示すように弾性表面波デバイス１０ごとに分断された単位樹脂層３ｂが形成されている。また、基板２２には、溝部１００において繋がった状態の段部２２ｂが形成されている。
複数の弾性表面波デバイス１０の間のすべてに溝部１００を生じさせて単位樹脂層３ｂとして分断したら、ステップＳ３は終了し、ステップＳ４へ移行する。
【００３４】
以下に示すステップＳ４及びステップＳ５は、接着層４と耐湿層５とからなる二層構造体６（図４（Ｃ）参照）を樹脂層３に形成する二層構造体形成工程である。
【００３５】
まず、ステップＳ４が開始される。ステップＳ４は、樹脂層３に対して接着層４を積層する接着層積層工程である。ステップＳ４では、上述の熱溶着シート等のシートを、溝部１００が封止されるように樹脂層３に積層する。なお、接着層４は、樹脂層３の少なくとも一部と溝部１００のすべてを覆うように樹脂層３に積層されていれば、一部に穴が形成されていても構わない。これでステップＳ４は終了し、ステップＳ５へ移行する。
【００３６】
ステップＳ５は、樹脂層３に積層された接着層４に対してさらに耐湿層５を積層する耐湿層積層工程である。ステップＳ５では、基板２２の厚さ方向に見たときに単位樹脂層３ｂおよび溝部１００のすべてに重なるように耐湿層５の材料となる上述のフッ素樹脂のシートを積層する。さらに、樹脂層３と耐湿層５との間に接着層４が介在された状態で耐湿層５と基板２２とを基板２２の厚さ方向に挟み込み、約１６０℃の温度でラミネート加工を行う。これにより、接着層４と単位樹脂層３ｂとの接触部分において接着層４と単位樹脂層３ｂとは接着される。こうして、樹脂層３には上述の二層構造体６が配置される。以上でステップＳ５は終了し、ステップＳ６へ移行する。
【００３７】
ステップＳ６は、溝部１００に位置する二層構造体６と基板２２とを接合させる接合工程である。
ステップＳ６では、図５（Ａ）に示すように、溝部１００に少なくとも一部を挿入できる押圧部材１０２の先端１０２ａによって接着層４が段部２２ｂに接触するように二層構造体６を押圧する。押圧部材１０２は、基板２２の実装面部２２ａが延びる方向で溝部１００の形状に沿って延びて形成されており、弾性表面波デバイス１０を囲む格子状の部材である。また、押圧部材１０２は図示しない制御部によって耐湿層５と基板２２とを接合可能な接合温度（例えば３００℃）に発熱可能である。
【００３８】
押圧部材１０２は、段部２２ｂに接触した二層構造体６をさらに押圧する。このとき、押圧部材１０２は上述の接合温度まで加熱されている。そのため、押圧部材１０２が接触している二層構造体６は加熱される。すると、二層構造体６は、基板２２における段部２２ｂ及び段差部２２ｃと、樹脂層３と、耐湿層５とのすべてに接合される。
押圧部材１０２が発熱を継続する時間は、二層構造体６が接合される時間に基づいて上述の制御部において設定されて制御されており、設定された時間が経過すると押圧部材１０２の発熱は停止される。続いて、溝部１００から押圧部材１０２を取り外す。このとき、二層構造体６は溝部１００に沿った形状で段部２２ｂ、段差部２２ｃ、及び樹脂層３に接合されている。これで、ステップＳ６は終了し、ステップＳ７へ移行する。
【００３９】
ステップＳ７は、溝部１００に沿って基板２２のウエハを切断して基板２２のそれぞれを分断するフルダイシング工程である。
ステップＳ７では、押圧部材１０２を取り外した後の溝部１００において二層構造体６に挟まれた隙間に挿入可能なダイシングブレード等を用いて、図５（Ｂ）に示す中間位置１０３において基板２２のウエハと二層構造体６との両方を基板２２の厚さ方向に切断する。弾性表面波デバイス１０を囲むように格子状に生じている溝部１００に沿って基板２２のウエハと二層構造体６とを切断すると、基板２２のウエハは基板２２のそれぞれに分断され、図２に示すデバイス封止体２１になる。これで、ステップＳ７は終了し、本実施形態のデバイス封止体の製造工程は終了する。
【００４０】
以上説明したように、本実施形態のデバイス封止体２１によれば、耐湿層５によって弾性表面波デバイス本体１５が囲繞されている。これにより、耐湿層５を通じた水分の流通が抑制されているので、パッケージ７の外部から樹脂層３および弾性表面波デバイス１０への水分の浸入を抑制できる。
【００４１】
また、基板２２に段部２２ｂが形成されており、段部２２ｂの段差部２２ｃに跨るように耐湿層５が接着層４によって接着されている。このため、基板２２と樹脂層３との境界部分は接着層４及び耐湿層５によって囲繞されている。したがって、弾性表面波デバイス本体１５と基板２２との境界部分である実装面部２２ａ部分からの水分の進入を抑制できる。
【００４２】
また、耐湿層５の材料としてフッ素樹脂が採用されているので、デバイス封止体２１の内部への水分の浸入を好適に抑制することができる。
さらに、フッ素樹脂で形成された耐湿層５を接着層４によって樹脂層３に接着するので、フッ素樹脂を直接樹脂層３に接合させるよりも接着に要する温度と圧力を低く抑えることができる。
【００４３】
また、パッケージ７に弾性表面波デバイス本体１５が封止された本実施形態のデバイス封止体によれば、空間層Ｃを生じさせる中空構造体１３に対する熱や圧力の影響を低減できるので、パッケージ７に封止された弾性表面波デバイス１０の破損等を抑制できる。
【００４４】
また、パッケージ７の内部に水分が浸入することが抑制されているため、水分によって腐食される可能性がある材料であって弾性表面波デバイス１０の材料とすることができる。例えば、中空構造体１３を構成する永久レジストには、安価な反面腐食しやすい材料もある。本実施形態のデバイス封止体２１では、腐食しやすいが安価な材料を選択することが可能になるので、デバイス封止体の製造コストを下げることができる。
【００４５】
また、本実施形態のデバイス封止体の製造方法によれば、ステップＳ３（ハーフダイシング工程）でハーフダイシングを行い、ステップＳ４及びステップＳ５（二層構造体形成工程）では基板２２が一部繋がった状態で二層構造体６を形成している。ここで、基板２２が一部繋がった状態であるので複数の単位樹脂層３ｂのそれぞれの相対位置は決まっており、接合を要するすべての溝部１００に対して押圧部材１０２によって一動作でステップＳ６（接合工程）を行うことができる。このため、耐湿性の高いデバイス封止体を効率よく製造できる。
【００４６】
さらに、ステップＳ４及びＳ５（二層構造体形成工程）とステップＳ６（接合工程）とをともに備えているので、溝部１００においては、必要とする熱及び圧力が接着に対して相対的に高い状態で接合が行われ、単位樹脂層３ｂにおいては、必要となる熱及び圧力が接合に対して相対的に低い状態で接着が行われる。このため、単位樹脂層３ｂの内部に位置する弾性表面波デバイス１０に対する熱や圧力の影響を低減する事ができる。これにより、基板２２と二層構造体６とを強固に接続できるとともに弾性表面波デバイス１０の破損を抑制できる。
【００４７】
（変形例）
以下では、本実施形態のデバイス封止体の変形例について図６を参照して説明する。図６は、本変形例のデバイス封止体３１を示す断面図である。
図６に示すように、本変形例では、弾性表面波デバイス１０に代えて弾性表面波デバイス３０を有している点で上述のデバイス封止体１、２１と構成が異なっている。
【００４８】
弾性表面波デバイス３０は、上述の実施形態における弾性表面波デバイス１０と異なり、ワイヤボンディングではなくバンプＢを介した表面実装によって基板２２に接続されている。より詳しくは、バンプＢにハンダボールが採用されたＷＬＣＳＰ（ウエハーレベルチップサイズパッケージ）のフリップ実装を採用することができる。
【００４９】
本変形例のデバイス封止体でも上述の実施形態と同様に耐湿性を高めることができる。
また、弾性表面波デバイス３０がフリップ実装できるので、上述の実施形態におけるワイヤボンディングによる結線よりも加圧に対する耐性を高めることができる。
【００５０】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【００５１】
例えば、上述の実施形態のパッケージ７は、弾性表面波デバイス以外のチップ型デバイスが封止されて製造されてもよく、デバイス封止体の耐湿性が高いという本発明の効果を上述の実施形態と同様に奏することができる。
【００５２】
また、上述の実施形態では、ステップＳ４とステップＳ５とがこの順に行われて二層構造体６が生じる例を説明したが、これに限らず、予め接着層４と耐湿層５とが積層された二層構造体６を構成した後に二層構造体６を単位樹脂層３ｂに配置してステップＳ４とステップＳ５とを同時に行っても良い。
【符号の説明】
【００５３】
２１、３１  デバイス封止体
２、２２  基板
３  樹脂層
３ｂ  単位樹脂層
４  接着層
５  耐湿層
６  二層構造体
７  パッケージ
１０、３０  弾性表面波デバイス
１１  弾性表面波チップ
１２  電極指
１３  中空構造体
１５  弾性表面波デバイス本体
２２ｂ  段差部
Ｓ１  ステップ（実装工程）
Ｓ２  ステップ（樹脂層形成工程）
Ｓ３  ステップ（ハーフダイシング工程）
Ｓ４  ステップ（接着層形成工程）
Ｓ５  ステップ（耐湿層形成工程）
Ｓ６  ステップ（接合工程）
Ｓ７  ステップ（フルダイシング工程）
１００  溝部
１０２  押圧部材
Ｃ  空間層
【図１】
2011018671.tif 000003
【図２】
2011018671.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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