(57)【要約】【課題】  孤立パターンの解像性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】  本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、下記一般式（１）により表される繰り返し単位を含んだ樹脂を備えている。【化１】2011053365.tif 000068【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）により表される繰り返し単位を含んだ樹脂を備えた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化１】
2011053365.tif 000064
式中、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、水素原子又は１価の置換基を表す。
Ｌ１はアリーレン基を表す。
Ａ１は２価の連結基を表す。
Ｘは複数の芳香環を含んだ構造単位を表し、前記複数の芳香環は、縮環して多環式構造を形成しているか又は単結合を介して互いに連結されている。
Ｙは、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表し、ｎ１が２以上の場合、複数のＹは互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
ｎ１は１〜５の整数を表す。
【請求項２】
前記Ｘは、下記一般式（Ｘ１）〜（Ｘ６）の何れかにより表される構造単位である請求項１に記載の組成物。
【化２】
2011053365.tif 000065
式中、
Ｒ４は、複数存在する場合は各々独立に、１価の置換基を表す。
Ｒ５は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又は、前記Ａ１を表す。
ｎ２は０〜１４の整数である。
Ｘ１はＣＨ又はＮを表し、２つのＸ１は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
前記Ａ１、ＯＹ及びＲ４は、前記複数の芳香環を構成している原子の何れに結合していてもよい。
【請求項３】
前記Ｙは、水素原子又は下記一般式（２）により表される基である請求項１又は２に記載の組成物。
【化３】
2011053365.tif 000066
式中、
Ｒ６及びＲ７は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
Ｍは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｑは、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい脂環基、ヘテロ原子を含んでいてもよい芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。
Ｒ６、Ｒ７、Ｍ及びＱの少なくとも２つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。
【請求項４】
前記樹脂は、下記一般式（３）及び（４）により表される繰り返し単位の少なくとも一方を更に含んでいる請求項１乃至３の何れか１項に記載の組成物。
【化４】
2011053365.tif 000067
式中、Ｒ９〜Ｒ１４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。
Ｒ１５〜Ｒ１７は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒ１５〜Ｒ１７の少なくとも２つは、互いに結合して、シクロアルキル基を形成していもよい。
Ｌ２はアリーレン基を表す。
Ｚは水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。
Ｌ３は、単結合又は２価の連結基を表す。
【請求項５】
電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光により露光される請求項１乃至４の何れか１項に記載の組成物。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の組成物を用いて膜を形成することと、
前記膜を露光することと、
前記露光された膜を現像することと
を含んだパターン形成方法。
【請求項７】
前記露光は、電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いて行われる請求項６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法に関する。特に本発明は、超ＬＳＩ及び高容量マイクロチップの製造プロセス、ナノインプリント用モールド作成プロセス並びに高密度情報記録媒体の製造プロセス等に適用可能な超マイクロリソグラフィプロセス、並びにその他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられる組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法に関する。更に詳しくは、本発明は、電子線又はＥＵＶ光を用いる半導体素子の微細加工に好適に用いることができる組成物、及びそれを用いたパターン形成方法に関する。
【０００２】
なお、ここで「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、Ｘ線、及び電子線等を意味している。また、本発明において「光」とは、活性光線又は放射線を意味している。
【０００３】
また、ここで「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、遠紫外線、Ｘ線及びＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。
【背景技術】
【０００４】
レジスト組成物を用いた微細加工では、集積回路の高集積化に伴って、超微細パターンの形成が要求されている。それゆえ、露光波長にも短波長化の傾向が見られ、例えば、エキシマレーザー光の代わりに電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いたリソグラフィー技術の開発が進んでいる。また、近年では、レジスト組成物を用いた微細加工は、集積回路の製造のみならず、インプリント用モールド構造体の作成にも用いられている。
【０００５】
このような超微細パターンを形成するためには、レジストを薄膜化することが必要である。ところが、レジストを薄膜化すると、そのドライエッチング耐性が低下する場合がある。
【０００６】
また、電子線（ＥＢ）リソグラフィーでは、ＥＢの加速電圧を増大させることによって、レジスト膜中での電子散乱、即ち前方散乱の影響が小さくなることが分かっている。それゆえ、近年では、ＥＢの加速電圧は増大傾向にある。ところが、ＥＢの加速電圧を増大させると、レジスト膜の電子エネルギー捕捉率が低下し、感度が低下する場合がある。
【０００７】
これらの問題を解決する方法の１つとして、ナフタレン骨格を有する樹脂の使用が検討されている（例えば、特許文献１〜３参照）。ナフタレン骨格を有する樹脂を用いることにより、例えば、ドライエッチング耐性及び感度を向上させることが可能となる。
【０００８】
しかしながら、ＥＢの加速電圧を増大させると、前方散乱の影響が小さくなる代わりに、レジスト基板において反射した電子の散乱、即ち後方散乱の影響が増大する。そして、露光面積の大きい孤立パターンを形成する場合には、この後方散乱の影響が特に大きい。それゆえ、例えばＥＢの加速電圧を増大させると、孤立パターンの解像性が低下する可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−１６９３４６号公報
【特許文献２】国際公開第２００７−０４６４５３号公報
【特許文献３】特開２００８−５０５６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、孤立パターンの解像性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、例えば、以下の通りである。
【００１２】
〔１〕下記一般式（１）により表される繰り返し単位を含んだ樹脂を備えた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化１】
2011053365.tif 000002
【００１３】
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、水素原子又は１価の置換基を表す。Ｌ１はアリーレン基を表す。Ａ１は２価の連結基を表す。Ｘは複数の芳香環を含んだ構造単位を表し、前記複数の芳香環は、縮環して多環式構造を形成しているか又は単結合を介して互いに連結されている。Ｙは、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表し、ｎ１が２以上の場合、複数のＹは互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。ｎ１は１〜５の整数を表す。
【００１４】
〔２〕前記Ｘは、下記一般式（Ｘ１）〜（Ｘ６）の何れかにより表される構造単位である〔１〕に記載の組成物。
【化２】
2011053365.tif 000003
【００１５】
式中、Ｒ４は、複数存在する場合は各々独立に、１価の置換基を表す。Ｒ５は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又は、前記Ａ１を表す。ｎ２は０〜１４の整数である。Ｘ１はＣＨ又はＮを表し、２つのＸ１は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。前記Ａ１、ＯＹ及びＲ４は、前記複数の芳香環を構成している原子の何れに結合していてもよい。
【００１６】
〔３〕前記Ｙは、水素原子又は下記一般式（２）により表される基である〔１〕又は〔２〕に記載の組成物。
【化３】
2011053365.tif 000004
【００１７】
式中、Ｒ６及びＲ７は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。Ｍは、単結合又は２価の連結基を表す。Ｑは、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい脂環基、ヘテロ原子を含んでいてもよい芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。Ｒ６、Ｒ７、Ｍ及びＱの少なくとも２つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。
【００１８】
〔４〕前記樹脂は、下記一般式（３）及び（４）により表される繰り返し単位の少なくとも一方を更に含んでいる〔１〕〜〔３〕の何れかに記載の組成物。
【化４】
2011053365.tif 000005
【００１９】
式中、Ｒ９〜Ｒ１４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Ｒ１５〜Ｒ１７は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒ１５〜Ｒ１７の少なくとも２つは、互いに結合して、シクロアルキル基を形成していもよい。Ｌ２はアリーレン基を表す。Ｚは水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。Ｌ３は、単結合又は２価の連結基を表す。
【００２０】
〔５〕電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光により露光される〔１〕〜〔４〕の何れかに記載の組成物。
【００２１】
〔６〕〔１〕〜〔５〕の何れかに記載の組成物を用いて膜を形成することと、前記膜を露光することと、前記露光された膜を現像することとを含んだパターン形成方法。
【００２２】
〔７〕前記露光は、電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いて行われる〔６〕に記載の方法。
【発明の効果】
【００２３】
本発明により、孤立パターンの解像性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供することが可能となった。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明について詳細に説明する。  
なお、ここでは、置換又は無置換を明示していない基及び原子団には、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していない「アルキル基」は、置換基を有していないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有しているアルキル基（置換アルキル基）をも包含することとする。
【００２５】
本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、例えばポジ型の組成物であり、典型的にはポジ型のレジスト組成物である。以下、この組成物の構成を説明する。
【００２６】
〔１〕樹脂（Ｐ）
本発明に係る組成物は、樹脂（Ｐ）を含んでいる。この樹脂（Ｐ）は、下記一般式（１）により表される繰り返し単位を含んでいる。
【化５】
2011053365.tif 000006
【００２７】
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、水素原子又は１価の置換基を表す。Ｌ１はアリーレン基を表す。Ａ１は２価の連結基を表す。Ｘは複数の芳香環を含んだ構造単位を表し、前記複数の芳香環は、縮環して多環式構造を形成しているか又は単結合を介して互いに連結されている。Ｙは、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表し、ｎ１が２以上の場合、複数のＹは互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。ｎ１は１〜５の整数を表す。
【００２８】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の各々は、上述したように、水素原子又は１価の置換基である。１価の置換基としては、例えば、アルキル基；シクロアルキル基；ハロゲン原子；酸素原子、硫黄原子、窒素原子及びケイ素原子等のヘテロ原子を含んだ置換基；並びにこれらの組み合わせが挙げられる。
【００２９】
アルキル基の炭素数は、好ましくは２０以下とし、更に好ましくは８以下とする。このアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基が挙げられる。中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基及びｔ−ブチル基が特に好ましい。
【００３０】
シクロアルキル基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。このシクロアルキル基の炭素数は、好ましくは３〜８とする。
【００３１】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。これらのうち、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子がより好ましく、臭素原子が特に好ましい。
【００３２】
ヘテロ原子を含んだ置換基としては、例えば、水酸基、アルコキシ基、チオール基、チオエーテル基及びアミノ基が挙げられる。
【００３３】
アルコキシ基の炭素数は、好ましくは２０以下とし、更に好ましくは８以下とする。このアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブチロキシ基及びオクチロキシ基が挙げられる。中でも、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基及びｔ−ブトキシ基が特に好ましい。なお、チオエーテル基についても、酸素原子の代わりに硫黄原子を用いることを除いては、アルコキシ基と同様のものが挙げられる。
【００３４】
これらの基は、置換基を更に有していてもよい。これらの基が更に有し得る置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基が挙げられる。なお、この置換基の炭素数は、好ましくは８以下とする。
【００３５】
Ｌ１は、上述したように、アリーレン基を表す。このアリーレン基は、ヘテロ環を有していてもよい。また、このアリーレン基は、置換基を更に有していてもよい。
【００３６】
アリーレン基の炭素数は、好ましくは４〜２０とし、更に好ましくは６〜１４とする。このアリーレン基としては、例えば、フェニレン基及びナフチレン基が挙げられる。
【００３７】
アリーレン基が更に有し得る置換基としては、例えば、ニトロ基、フッ素原子等のハロゲン原子、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１５）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜７）、アシル基（好ましくは炭素数２〜１２）、及びアルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数２〜７）が挙げられる
Ａ１は、上述したように、２価の連結基を表す。この連結基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、−Ｏ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ）−及びこれらの組み合わせが挙げられる。ここで、Ｒは、アリール基、アルキル基又はシクロアルキルを表す。Ｌ１とＸとの間にＡ１を介在させることにより、樹脂のアルカリ溶解性の低下を抑制することが可能となる。
【００３８】
アルキレン基としては、好ましくは、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、及びドデカニレン基等の炭素数１〜１２のものが挙げられる。
【００３９】
シクロアルキレン基としては、好ましくは、シクロペンチレン基及びシクロヘキシレン基等の炭素数５〜８のものが挙げられる。
【００４０】
これらアルキレン基及びシクロアルキレン基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基が挙げられる。
【００４１】
Ａ１の「最小連結原子数」は、１〜５０であることが好ましく、２〜２５であることが更に好ましく、３〜１５であることが特に好ましい。この「最小連結原子数」が過度に小さいと、側鎖の構造が剛直となり、樹脂（Ｐ）のアルカリ現像液への溶解性が著しく低下する可能性がある。この「最小連結原子数」が過度に大きいと、樹脂（Ｐ）のガラス転移温度が低下し、膜中で露光により発生した酸が拡散しやすくなるため、ラフネス特性及び解像性等が低下する可能性がある。
【００４２】
なお、Ａ１の「最小連結原子数」は、以下のようにして定められる数である。即ち、まず、Ａ１を構成している原子のうち、Ｌ１と結合している原子と、Ｘと結合している原子とを結ぶ原子の列を考える。次に、これら列の各々に含まれる原子数を求める。そして、これら原子数のうち最小のものを、Ａ１の「最小連結原子数」とする。
【００４３】
例えば、Ａ１がプロピレン基である場合、その最小連結原子数は３である。Ａ１が−ＣＨ２−Ｏ−ＣＯ−である場合、その最小連結原子数は３である。Ａ１が２−メチル−ブチレン基である場合、その最小連結原子数は４である。Ａ１がシクロへキシレン基である場合、その最小連結原子数は４である。Ａ１が−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＯ−である場合、その最小連結原子数は６である。なお、Ａ１が直鎖状のアルキレン基の場合、Ａ１の最小連結原子数は、その炭素数に等しい。
【００４４】
Ｘは、上述したように、複数の芳香環を含んだ構造単位を表している。これら複数の芳香環は、縮環して多環式構造を形成していてもよく、単結合を介して互いに連結されていてもよい。なお、これら芳香環の各々は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。Ｘとして複数の芳香環を含んだ構造単位を用いることにより、ドライエッチング耐性の向上、及び二次電子発生量の増大に起因した感度の向上を達成し得る。
【００４５】
Ｘが含み得る芳香環としては、例えば、ベンゼン環、チオフェン環、ピロール環、フラン環、イミダゾール環、ピリジン環及びピラゾール環が挙げられる。
【００４６】
複数の芳香環が縮環して形成し得る多環式構造としては、例えば、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、トリフェニレン環、インドール環、ベンズイミダゾール環、カルバゾール環及びフェノチアジン環が挙げられる。この中でも、インドール環、ピレン環、フェナントレン環、アントラセン環及びナフタレン環が更に好ましく、インドール環、アントラセン環及びナフタレン環が特に好ましい。
【００４７】
複数の芳香環が単結合を介して互いに連結された構造としては、例えば、ビフェニル構造、ターフェニル構造及びビオローゲン構造が挙げられる。中でも、ビフェニル構造及びターフェニル構造が特に好ましい。
【００４８】
Ｘに含まれる芳香環の数は、好ましくは２〜６、より好ましくは２〜４、更に好ましくは２又は３である。なお、ここで「芳香環の数」とは、ベンゼン環又はそれに対応する単環ヘテロアリール環の数である。例えば、ナフタレン残基、ビフェニル残基及びビピリジン残基のそれは２であり、アントラセン残基、カルバゾール残基及びフェノチアジン残基のそれは３である。
【００４９】
Ｘは、好ましくは、下記一般式（Ｘ１）〜（Ｘ６）の何れかにより表される構造単位である。
【化６】
2011053365.tif 000007
【００５０】
式中、Ｒ４は、複数存在する場合は各々独立に、１価の置換基を表す。Ｒ５は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又は、一般式（１）におけるＡ１を表す。ｎ２は０〜１４の整数である。Ｘ１はＣＨ又はＮを表し、２つのＸ１は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。なお、これらＸにおいて、Ａ１、ＯＹ及びＲ４は、複数の芳香環を構成している原子の何れに結合していてもよい。
【００５１】
Ｒ４は、上述したように、１価の置換基である。この１価の置換基としては、例えば、先にＲ１〜Ｒ３について列挙したのと同様のものが挙げられる。これらのうち、フッ素原子及び臭素原子等のハロゲン原子、並びにアルキル基が特に好ましい。
【００５２】
Ｒ５は、上述したように、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又は、一般式（１）におけるＡ１である。アルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にＲ１〜Ｒ３について列挙したのと同様のものが挙げられる。
【００５３】
ｎ２は、上述したように、０〜１４の整数である。ｎ２は、好ましくは０〜１０であり、より好ましくは０〜８である。
【００５４】
以下に、一般式（Ｘ１）〜（Ｘ６）の何れかにより表される構造単位の具体例を示すが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【化７】
2011053365.tif 000008
【００５５】
【化８】
2011053365.tif 000009
【００５６】
Ｙは、上述したように、水素原子又は酸の作用により脱離する基である。なお、ｎ１が２以上の場合、複数のＹは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
【００５７】
酸の作用により脱離する基としては、例えば、下記一般式（５）〜（７）により表される基が挙げられる。
【化９】
2011053365.tif 000010
【００５８】
式中、Ｒ１８〜Ｒ２６は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。なお、Ｒ１８とＲ１９とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。  
アルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にＲ１〜Ｒ３について列挙したのと同様のものが挙げられる。
【００５９】
アリール基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。このアリール基の炭素数は、好ましくは４〜２０とし、更に好ましくは６〜１４とし、特に好ましくは６〜１２とする。このアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。
【００６０】
アリール基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１５）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜７）、アシル基（好ましくは炭素数２〜１２）、及びアルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数２〜７）が挙げられる。
【００６１】
以下に、一般式（５）〜（７）の何れかにより表される基の具体例を示すが、本発明がこれに限定されるものではない。なお、式中、「−」はＯ原子との連結基を表し、メチル基は「Ｍｅ−」として表記して区別している。
【化１０】
2011053365.tif 000011
【００６２】
Ｙが酸の作用により脱離する基である場合、このＹは、好ましくは、下記一般式（２）により表される基である。
【化１１】
2011053365.tif 000012
【００６３】
Ｒ６及びＲ７は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はこれらの組み合わせを表す。Ｍは、単結合又は２価の連結基を表す。Ｑは、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい脂環基、ヘテロ原子を含んでいてもよい芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。
【００６４】
なお、Ｒ６、Ｒ７、Ｍ及びＱの少なくとも２つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。この環は、５員環又は６員環であることが好ましい。
【００６５】
Ｒ６又はＲ７としてのアルキル基は、例えば、炭素数１〜８のアルキル基である。好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基が挙げられる。
【００６６】
Ｒ６又はＲ７としてのシクロアルキル基は、例えば、炭素数３〜１５のシクロアルキル基である。好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基が挙げられる。
【００６７】
Ｒ６又はＲ７としてのアリール基は、例えば、炭素数６〜１５のアリール基である。好ましくは、フェニル基、トリル基、ナフチル基及びアントリル基が挙げられる。
【００６８】
Ｒ６及びＲ７としてのアラルキル基は、例えば、炭素数６〜２０のアラルキル基である。好ましくは、ベンジル基及びフェネチル基が挙げられる。
【００６９】
Ｍとしての２価の連結基は、例えば、アルキレン基（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基又はオクチレン基）、シクロアルキレン基（例えば、シクロペンチレン基又はシクロヘキシレン基）、アルケニレン基（例えば、エチレン基、プロペニレン基又はブテニレン基）、アリーレン基（例えば、フェニレン基、トリレン基又はナフチレン基）、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｎ（Ｒ０）−、又はこれらの組み合わせである。ここで、Ｒ０は、水素原子又はアルキル基（例えば炭素数１〜８のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基等）である。
【００７０】
Ｑとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、例えば、上述したＲ６及びＲ７としての各基と同様である。
【００７１】
Ｑとしての脂環基及び芳香環基としては、例えば、上述したＲ６及びＲ７としてのシクロアルキル基及びアリール基が挙げられる。その炭素数は、好ましくは、３〜１５である。  
ヘテロ原子を含む脂環基及びヘテロ原子を含む芳香環基としては、例えば、チイラン、シクロチオラン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール及びピロリドンが挙げられる。
【００７２】
Ｒ６、Ｒ７、Ｍ及びＱの少なくとも２つが互いに結合して環を形成する場合としては、例えば、Ｒ６とＲ７とが結合してブチレン基又はペンチレン基を形成して５員環又は６員環を形成する場合、及び、Ｍ及びＱの何れかとＲ６及びＲ７の何れかとが結合してプロピレン基又はブチレン基を形成して、酸素原子を含有する５員環又は６員環を形成する場合が挙げられる。
【００７３】
Ｒ６、Ｒ７、Ｍ及びＱにより表される各基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、上記のＲ１〜Ｒ３が有し得る置換基として列挙したのと同様のものが挙げられる。なお、この置換基の炭素数は、好ましくは８以下である。
【００７４】
−（Ｍ−Ｑ）により表される基の炭素数は、好ましくは１〜３０であり、更に好ましくは５〜２０である。
【００７５】
以下に、一般式（２）により表される基の具体例を示すが、本発明がこれに限定されるものではない。なお、式中、「−」はＯ原子との連結基を表し、メチル基は「Ｍｅ−」として表記して区別している。
【化１２】
2011053365.tif 000013
【００７６】
ｎ１が２以上の場合、Ｙは、異なる２つの酸素原子と連結して環を形成していてもよい。即ち、Ｙは、「−Ｏ−Ｙ−Ｏ−」により表される部分構造を構成していてもよい。この場合、Ｙは、好ましくは、下記一般式（２’）により表される基である。
【化１３】
2011053365.tif 000014
【００７７】
式中、Ｒ６’及びＲ7’は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。これらＲ６’及びＲ7’の好ましい例は、Ｒ６及びＲ７の好ましい例と同様である。  
Ｙと異なる２つの酸素原子とが連結して形成し得る環としては、５員、６員又は７員環が好ましく、６員環が特に好ましい。
【００７８】
以下に、樹脂（Ｐ）の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
【化１４】
2011053365.tif 000015
【００７９】
【化１５】
2011053365.tif 000016
【００８０】
【化１６】
2011053365.tif 000017
【００８１】
【化１７】
2011053365.tif 000018
【００８２】
【化１８】
2011053365.tif 000019
【００８３】
樹脂（Ｐ）は、一般式（１）により表される繰り返し単位を１種類のみ含んでいてもよいが、一般式（１）により表される繰り返し単位を複数種類含んでいることが更に好ましい。
【００８４】
樹脂（Ｐ）は、下記一般式（３）及び（４）により表される繰り返し単位を更に含んでいてもよい。
【化１９】
2011053365.tif 000020
【００８５】
式中、Ｒ９〜Ｒ１４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Ｒ１５〜Ｒ１７は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。なお、Ｒ１５〜Ｒ１７の少なくとも２つは、互いに結合して、シクロアルキル基を形成していもよい。  
Ｌ２はアリーレン基を表す。Ｚは水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。Ｌ３は、単結合又は２価の連結基を表す。
【００８６】
Ｒ９〜Ｒ１４としてのアルキル基及びシクロアルキル基は、例えば、先にＲ１〜Ｒ３について列挙したのと同様のものである。  
Ｒ１５〜Ｒ１７のアルキル基としては、炭素数１〜４の直鎖又は分岐状のものが好ましい。  
Ｒ１５〜Ｒ１７のシクロアルキル基としては、炭素数３〜８の単環のシクロアルキル基又は炭素数７〜２０の多環のシクロアルキル基が好ましい。
【００８７】
Ｒ１５〜Ｒ１７の少なくとも２つが互いに結合して形成し得るシクロアルキル基としては、炭素数３〜８の単環のシクロアルキル基又は炭素数７〜２０の多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、炭素数５〜６の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。Ｒ１７がメチル基又はエチル基であり、Ｒ１５とＲ１６とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が更に好ましい。
【００８８】
Ｌ２としては、例えば、先にＬ１について列挙したのと同様の基が挙げられる。  
Ｚとしては、例えば、先にＹについて列挙したのと同様の基が挙げられる。
【００８９】
Ｌ３としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、−Ｏ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−Ｎ（ＲＮ）−及びこれらの複数の組み合わせが挙げられる。ここで、ＲＮは、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
【００９０】
ＲＮとしてのアリール基の炭素数は、好ましくは４〜２０であり、更に好ましくは６〜１４である。このアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。  
ＲＮとしてのアルキル基の炭素数は、好ましくは１〜８である。このアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基が挙げられる。  
ＲＮとしてのシクロアルキル基の炭素数は、好ましくは５〜８である。このシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。
【００９１】
一般式（３）により表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。
【化２０】
2011053365.tif 000021
【００９２】
【化２１】
2011053365.tif 000022
【００９３】
【化２２】
2011053365.tif 000023
【００９４】
一般式（４）により表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。
【化２３】
2011053365.tif 000024
【００９５】
【化２４】
2011053365.tif 000025
【００９６】
一般式（１）により表される繰り返し単位の樹脂（Ｐ）に占める含有量は、全繰り返し単位を基準として、３〜１００モル％とすることが好ましく、５〜９０モル％とすることがより好ましく、１０〜８０モル％とすることが更に好ましい。
【００９７】
樹脂（Ｐ）の形態は、ランダム型、ブロック型、クシ型及びスター型等の何れであってもよい。  
上述した樹脂（Ｐ）は、例えば、各繰り返し単位に対応する不飽和モノマーを、ラジカル、カチオン又はアニオン重合させることにより合成することができる。また各繰り返し単位の前駆体に相当する不飽和モノマーを用いて重合した後に、高分子反応を行うことにより合成することも可能である。
【００９８】
この樹脂（Ｐ）の分子量は、特に制限されないが、重量平均分子量が１０００〜１０００００の範囲であることが好ましく、１５００〜７００００の範囲であることがより好ましく、２０００〜５００００の範囲であることが特に好ましい。ここで、樹脂の重量平均分子量は、ＧＰＣ（溶媒：ＴＨＦ）によって測定したポリスチレン換算分子量を示す。
【００９９】
また、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは１．００〜３．５０であり、より好ましくは１．０３〜２．５０であり、更に好ましくは１．０５〜２．００である。
【０１００】
樹脂（Ｐ）の性能を更に向上させるべく、耐ドライエッチング性を著しく損なわない範囲で、他の重合性モノマー由来の繰り返し単位を更に含有させてもよい。
【０１０１】
他の重合性モノマー由来の繰り返し単位の樹脂（Ｐ）に占める含有量は、全繰り返し単位を基準として、一般的に５０モル％以下、好ましくは３０モル％以下である。使用可能な他の重合性モノマーには、例えば、（メタ）アクリル酸エステル類、（メタ）アクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類及びクロトン酸エステル類等から選択される付加重合性不飽和結合を少なくとも１個有する化合物が含まれる。その他、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びマレイロニトリルも挙げられる。
【０１０２】
樹脂（Ｐ）の含量は、組成物の全固形分を基準として、３０〜１００質量％とすることが好ましく、５０〜１００質量％とすることがより好ましく、７０〜１００質量％とすることが特に好ましい。
【０１０３】
樹脂（Ｐ）の例としては、一般式（１）により表される繰り返し単位の具体例から選択される１種以上の繰り返し単位を含んだ樹脂が挙げられる。また、樹脂（Ｐ）の他の例としては、一般式（１）により表される繰り返し単位の具体例から選択される１種以上の繰り返し単位と、一般式（３）により表される繰り返し単位の具体例から選択される１種以上の繰り返し単位と、一般式（４）により表される繰り返し単位の具体例から選択される１種以上の繰り返し単位とを含んだ樹脂が挙げられる。
【０１０４】
樹脂（Ｐ）の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。
【化２５】
2011053365.tif 000026
【０１０５】
【化２６】
2011053365.tif 000027
【０１０６】
【化２７】
2011053365.tif 000028
【０１０７】
【化２８】
2011053365.tif 000029
【０１０８】
【化２９】
2011053365.tif 000030
【０１０９】
【化３０】
2011053365.tif 000031
【０１１０】
＜その他の成分＞
本発明に係る組成物は、塩基性化合物、酸分解性樹脂、光酸発生剤、有機溶剤、界面活性剤、酸分解性溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、現像液に対する溶解を促進させる化合物、及びプロトンアクセプター性官能基を有する化合物等を更に含んでいてもよい。
【０１１１】
〔２〕塩基性化合物
本発明に係る組成物は、塩基性化合物を更に含んでいてもよい。塩基性化合物を更に含有させると、露光から加熱までの経時による性能変化を更に低減することが可能となる。また、こうすると、露光によって発生した酸の膜中拡散性を制御することが可能となる。
【０１１２】
この塩基性化合物は、含窒素有機化合物であることが好ましい。使用可能な化合物は特に限定されないが、例えば、以下の（１）〜（４）に分類される化合物を用いることができる。
【０１１３】
（１）下記一般式（ＢＳ−１）により表される化合物  
【化３１】
2011053365.tif 000032
【０１１４】
一般式（ＢＳ−１）中、
Ｒは、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。但し、３つのＲのうち少なくとも１つは有機基である。この有機基は、直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、単環若しくは多環のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。
【０１１５】
Ｒとしてのアルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１２である。  
Ｒとしてのシクロアルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常３〜２０であり、好ましくは５〜１５である。
【０１１６】
Ｒとしてのアリール基の炭素数は、特に限定されないが、通常６〜２０であり、好ましくは６〜１０である。具体的には、フェニル基及びナフチル基等が挙げられる。  
Ｒとしてのアラルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常７〜２０であり、好ましくは７〜１１である。具体的には、ベンジル基等が挙げられる。
【０１１７】
Ｒとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基及びアルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。  
なお、一般式（ＢＳ−１）により表される化合物では、Ｒのうち少なくとも２つが有機基であることが好ましい。
【０１１８】
一般式（ＢＳ−１）により表される化合物の具体例としては、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルアニリン、２，６−ジイソプロピルアニリン、及び２，４，６−トリ（ｔ−ブチル）アニリンが挙げられる。
【０１１９】
また、一般式（ＢＳ−１）により表される好ましい塩基性化合物として、少なくとも１つのＲがヒドロキシ基で置換されたアルキル基であるものが挙げられる。具体的には、例えば、トリエタノールアミン及びＮ，Ｎ−ジヒドロキシエチルアニリンが挙げられる。
【０１２０】
なお、Ｒとしてのアルキル基は、アルキル鎖中に酸素原子を有していてもよい。即ち、オキシアルキレン鎖が形成されていてもよい。オキシアルキレン鎖としては、−CH2CH2O−が好ましい。具体的には、例えば、トリス（メトキシエトキシエチル）アミン、及び、ＵＳ６０４０１１２号明細書のカラム３の６０行目以降に例示されている化合物が挙げられる。
【０１２１】
（２）含窒素複素環構造を有する化合物
この含窒素複素環は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよい。さらに、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、例えば、イミダゾール構造を有する化合物（２−フェニルベンゾイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾールなど）、ピペリジン構造を有する化合物〔Ｎ−ヒドロキシエチルピペリジン及びビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケートなど〕、ピリジン構造を有する化合物（４−ジメチルアミノピリジンなど）、並びにアンチピリン構造を有する化合物（アンチピリン及びヒドロキシアンチピリンなど）が挙げられる。
【０１２２】
また、環構造を２つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には、例えば、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン及び１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−ウンデカ−７−エンが挙げられる。
【０１２３】
（３）フェノキシ基を有するアミン化合物
フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物が含んでいるアルキル基のＮ原子と反対側の末端にフェノキシ基を備えた化合物である。フェノキシ基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシロキシ基及びアリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。
【０１２４】
この化合物は、より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも１つのオキシアルキレン鎖を有している。１分子中のオキシアルキレン鎖の数は、好ましくは３〜９個、さらに好ましくは４〜６個である。オキシアルキレン鎖の中でも−CH2CH2O−が特に好ましい。
【０１２５】
具体例としては、２−[２−{２―（２，２―ジメトキシ−フェノキシエトキシ）エチル}−ビス−（２−メトキシエチル）]−アミン、及び、ＵＳ2007/0224539A1号明細書の段落［0066］に例示されている化合物（C1-1）〜（C3-3）が挙げられる。
【０１２６】
（４）アンモニウム塩
アンモニウム塩も適宜用いることができる。このアンモニウム塩は、好ましくは、ヒドロキシド又はカルボキシレートである。より具体的には、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
【０１２７】
その他、本発明に係る組成物に使用可能なものとして、特開２００２−３６３１４６号公報の実施例で合成されている化合物、及び特開２００７−２９８５６９号公報の段落０１０８に記載の化合物等が挙げられる。
【０１２８】
また、塩基性化合物として、感光性の塩基性化合物を用いてもよい。感光性の塩基性化合物としては、例えば、特表２００３−５２４７９９号公報、及びＪ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ＆Ｔｅｃｈ． Ｖｏｌ．８，Ｐ．５４３−５５３（１９９５）等に記載の化合物を用いることができる。
【０１２９】
塩基性化合物の分子量は、２５０〜２０００であることが好ましく、４００〜１０００であることが更に好ましい。
【０１３０】
これらの塩基性化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。  
本発明に係る組成物が塩基性化合物を更に含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、通常は０．００１〜１０質量％とし、好ましくは０．０１〜５質量％とする。
【０１３１】
樹脂（Ｐ）の塩基性化合物に対するモル比は、１．５〜３００であることが好ましい。即ち、感度及び解像度を向上させる観点から２．５以上が好ましく、露光後加熱処理前におけるパターン太りによる解像度の低下を抑制する観点から３００以下が好ましい。このモル比は、より好ましくは２．０〜２００であり、更に好ましくは２．５〜１５０である。
【０１３２】
〔３〕酸分解性樹脂
本発明に係る組成物は、樹脂（Ｐ）以外に、酸の作用により分解してアルカリ水溶性に対する溶解速度が増大する樹脂、即ち酸分解性樹脂を更に含んでいてもよい。
【０１３３】
酸分解性樹脂は、典型的には、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基（以下、酸分解性基ともいう）を備えている。この樹脂は、酸分解性基を、主鎖及び側鎖の一方に備えていてもよく、これらの両方に備えていてもよい。この樹脂は、酸分解性基を側鎖に備えていることが好ましい。
【０１３４】
酸分解性樹脂は、欧州特許２５４８５３号明細書、特開平２−２５８５０号公報、同３−２２３８６０号公報及び同４−２５１２５９号公報等に開示されているように、例えば、樹脂に酸の作用により脱離する基の前駆体を反応させるか、又は、酸の作用により脱離する基の結合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを種々のモノマーと共重合させることにより得られる。
【０１３５】
酸分解性基としては、−ＣＯＯＨ基及び−ＯＨ基等のアルカリ可溶性基の水素原子を、酸の作用により脱離する基で置換した基が好ましい。  
酸分解性基の具体例及び好ましい例としては、樹脂（Ｐ）における「ＯＹ」と同様のものが挙げられる。
【０１３６】
上述したアルカリ可溶性基を有する樹脂としては、特に限定されないが、例えば、フェノール性水酸基を含んだ樹脂、並びに、（メタ）アクリル酸及びノルボルネンカルボン酸等のカルボキシル基を有する繰り返し単位を含んだ樹脂が挙げられる。  
フェノール性水酸基を含んだ樹脂としては、好ましくは、ポリ（ｏ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｍ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）及びこれらの共重合体、水素化ポリ（ヒドロキシスチレン）、下記構造により表される置換基を有するポリ（ヒドロキシスチレン）類、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、及び水素化ノボラック樹脂等のヒドロキシスチレン構造単位を有する樹脂が挙げられる。
【化３２】
2011053365.tif 000033
【０１３７】
これら樹脂のアルカリ溶解速度は、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）を用いて２３℃で測定して、１７０Å／秒以上であることが好ましく、３３０Å／秒以上であることがより好ましい。
【０１３８】
これら樹脂の原料として採用可能なモノマーとしては、例えば、アルキルカルボニルオキシスチレン（例えば、ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）、アルコキシスチレン（例えば、１−アルコキシエトキシスチレン又はｔ−ブトキシスチレン）、及び、（メタ）アクリル酸３級アルキルエステル（例えば、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート又は２−アルキル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート又はジアルキル（１−アダマンチル）メチル（メタ）アクリレート）が挙げられる。
【０１３９】
本発明に係る組成物に、ＫｒＦエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線又は波長５０ｎｍ以下の高エネルギー光線（例えばＥＵＶ）を照射する場合には、酸分解性樹脂は、芳香族基を備えた繰り返し単位を含んでいることが好ましい。特には、ヒドロキシスチレンを繰り返し単位として含んでいることが好ましい。このような樹脂としては、例えば、ヒドロキシスチレンと酸の作用により脱離する基で保護されたヒドロキシスチレンとの共重合体、又は、ヒドロキシスチレンと（メタ）アクリル酸３級アルキルエステルとの共重合体が挙げられる。
【０１４０】
酸分解性樹脂としては、上記一般式（３）又は（４）により表される繰り返し単位を有する樹脂が特に好ましい。
【０１４１】
酸分解性樹脂は、他の重合性モノマー由来の繰り返し単位を有していてもよい。これら他の重合性モノマーとしては、例えば、先に樹脂（Ｐ）が含み得る他の重合性モノマーとして説明したものが挙げられる。なお、これら他の重合性モノマー由来の繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位を基準として、一般的に５０モル％以下であり、好ましくは３０モル％以下である。
【０１４２】
水酸基、カルボキシ基及びスルホン酸基等のアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有率は、酸分解性樹脂を構成する全繰り返し単位中、好ましくは１〜９９モル％、より好ましくは３〜９５モル％、特に好ましくは５〜９０モル％である。
【０１４３】
酸分解性基を有する繰り返し単位の含有率は、酸分解性樹脂を構成する全繰り返し単位中、好ましくは３〜９５モル％、より好ましくは５〜９０モル％、特に好ましくは１０〜８５モル％である。
【０１４４】
酸分解性樹脂の重量平均分子量は、ＧＰＣ法（溶媒：ＴＨＦ）によるポリスチレン換算値として、好ましくは５０，０００以下であり、より好ましくは１，０００〜２０，０００であり、特に好ましくは１，０００〜１０，０００である。  
酸分解性樹脂の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは１．０〜３．０であり、より好ましくは１．０５〜２．０であり、更に好ましくは１．１〜１．７である。
【０１４５】
また、酸分解性樹脂は、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４６】
酸分解性樹脂の好ましい具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【化３３】
2011053365.tif 000034
【０１４７】
【化３４】
2011053365.tif 000035
【０１４８】
なお、本発明に係る組成物が樹脂（Ｐ）以外の樹脂を更に含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは０．５〜８０質量％であり、より好ましくは５〜５０質量％であり、更に好ましくは１０〜３０質量％である。
【０１４９】
〔４〕光酸発生剤
光酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である。光酸発生剤としては、例えば、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、マイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物、及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。これらの例としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩及びビス（アルキルスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。
【０１５０】
光酸発生剤の好ましい例としては、下記一般式（ＺＩ）、（ＺＩＩ）及び（ＺＩＩＩ）により表される化合物が挙げられる。
【化３５】
2011053365.tif 000036
【０１５１】
上記一般式（ＺＩ）において、Ｒ201、Ｒ202及びＲ203は、各々独立に、有機基を表す。Ｒ201、Ｒ202及びＲ203としての有機基の炭素数は、例えば１〜３０であり、好ましくは１〜２０である。
【０１５２】
Ｒ201〜Ｒ203のうち２つは、単結合又は連結基を介して互いに結合して、環を形成してもよい。この場合の連結基としては、例えば、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、アミド結合、カルボニル基、メチレン基及びエチレン基が挙げられる。Ｒ201〜Ｒ203のうちの２つが結合して形成する基としては、例えば、ブチレン基及びペンチレン基等のアルキレン基が挙げられる。
【０１５３】
Ｒ201、Ｒ202及びＲ203の具体例としては、後述する化合物（ＺＩ−１）、（ＺＩ−２）又は（ＺＩ−３）における対応する基が挙げられる。
【０１５４】
Ｘ−は、非求核性アニオンを表す。Ｘ−としては、例えば、スルホン酸アニオン、ビス（アルキルスルホニル）アミドアニオン、トリス（アルキルスルホニル）メチドアニオン、ＢＦ４−、ＰＦ６−及びＳｂＦ６−が挙げられる。Ｘ−は、好ましくは、炭素原子を含んだ有機アニオンである。好ましい有機アニオンとしては、例えば、下記ＡＮ１〜ＡＮ３に示す有機アニオンが挙げられる。
【化３６】
2011053365.tif 000037
【０１５５】
式ＡＮ１〜ＡＮ３中、Ｒｃ１〜Ｒｃ３は、各々独立に、有機基を表す。この有機基としては、例えば、炭素数１〜３０のものが挙げられ、好ましくは、アルキル基、アリール基、又はこれらの複数が連結基を介して連結された基である。なお、この連結基としては、例えば、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ２−、−Ｓ−、−ＳＯ3−及び−ＳＯ2Ｎ（Ｒｄ1）−が挙げられる。ここで、Ｒｄ1は水素原子又はアルキル基を表し、結合しているアルキル基又はアリール基と環を形成してもよい。
【０１５６】
Ｒｃ１〜Ｒｃ３の有機基は、１位がフッ素原子又はフロロアルキル基で置換されたアルキル基、又は、フッ素原子若しくはフロロアルキル基で置換されたフェニル基であってもよい。フッ素原子又はフロロアルキル基を含有させることにより、光照射によって発生する酸の酸性度を上昇させることが可能となる。これにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の感度を向上させることができる。なお、Ｒｃ１〜Ｒｃ３は、他のアルキル基及びアリール基等と結合して、環を形成していてもよい。
【０１５７】
また、好ましいＸ-として、下記一般式（ＳＡ１）又は（ＳＡ２）により表されるスルホン酸アニオンが挙げられる。
【化３７】
2011053365.tif 000038
【０１５８】
式（ＳＡ１）中、
Ａｒは、アリール基を表し、−（Ｄ−Ｂ）基以外の置換基を更に有していてもよい。  
ｎは、１以上の整数を表す。ｎは、好ましくは１〜４であり、より好ましくは２〜３であり、最も好ましくは３である。  
Ｄは、単結合又は２価の連結基を表す。この２価の連結基は、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、スルホキシド基、スルホン基、スルホン酸エステル基又はエステル基である。  
Ｂは、炭化水素基を表す。
【化３８】
2011053365.tif 000039
【０１５９】
式（ＳＡ２）中、
Ｘｆは、各々独立に、フッ素原子、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
【０１６０】
Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基から選ばれる基を表し、複数存在する場合のＲ１及びＲ２の各々は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。  
Ｌは、単結合又は２価の連結基を表し、複数存在する場合のＬは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。  
Ｅは、環状構造を有する基を表す。  
ｘは１〜２０の整数を表し、ｙは０〜１０の整数を表し、ｚは０〜１０の整数を表す。
【０１６１】
まず、式（ＳＡ１）により表されるスルホン酸アニオンについて、詳しく説明する。  
式（ＳＡ１）中、Ａｒは、好ましくは、炭素数６〜３０の芳香族環である。具体的には、Ａｒは、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インデセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセタフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環又はフェナジン環である。中でも、ラフネス改良と高感度化との両立の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
【０１６２】
Ａｒが−（Ｄ−Ｂ）基以外の置換基を更に有している場合、この置換基としては、例えば、以下のものが挙げられる。即ち、この置換基として、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基及びｐ−トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メチルチオキシ基、エチルチオキシ基及びｔｅｒｔ−ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基；フェニルチオキシ基及びｐ−トリルチオキシ基等のアリールチオキシ基；メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アセトキシ基；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基及び２―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基；分岐アルキル基；ビニル基、プロペニル基及びヘキセニル基等のアルケニル基；アセチレン基；プロピニル基及びヘキシニル基等のアルキニル基；フェニル基及びトリル基等のアリール基；ヒドロキシ基；カルボキシ基；並びにスルホン酸基が挙げられる。中でも、ラフネス改良の観点から、直鎖アルキル基及び分岐アルキル基が好ましい。
【０１６３】
式（ＳＡ１）中、Ｄは、好ましくは、単結合であるか、又は、エーテル基若しくはエステル基である。より好ましくは、Ｄは、単結合である。
【０１６４】
式（ＳＡ１）中、Ｂは、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はシクロアルキル基である。Ｂは、好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基である。Ｂとしてのアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。
【０１６５】
Ｂとしてのアルキル基は、好ましくは、分岐アルキル基である。この分岐アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、イソヘキシル基、３，３−ジメチルペンチル基及び２−エチルヘキシル基が挙げられる。
【０１６６】
Ｂとしてのシクロアルキル基は、単環のシクロアルキル基であってもよく、多環のシクロアルキル基であってもよい。単環のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基が挙げられる。多環のシクロアルキル基としては、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基及びピネニル基が挙げられる。
【０１６７】
Ｂとしてのアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はシクロアルキル基が置換基を有している場合、この置換基としては、例えば、以下のものが挙げられる。即ち、この置換基として、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基及びｐ−トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メチルチオキシ基、エチルチオキシ基及びｔｅｒｔ−ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基；フェニルチオキシ基及びｐ−トリルチオキシ基等のアリールチオキシ基；メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アセトキシ基；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基及び２―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基；分岐アルキル基；シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；ビニル基、プロペニル基及びヘキセニル基等のアルケニル基；アセチレン基；プロピニル基及びヘキシニル基等のアルキニル基；フェニル基及びトリル基等のアリール基；ヒドロキシ基；カルボキシ基；スルホン酸基；並びにカルボニル基等が挙げられる。中でも、ラフネス改良と高感度化との両立の観点から、直鎖アルキル基及び分岐アルキル基が好ましい。
【０１６８】
次に、式（ＳＡ２）により表されるスルホン酸アニオンについて、詳しく説明する。  
式（ＳＡ２）中、Ｘｆは、フッ素原子であるか、又は、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。このアルキル基としては、炭素数が１〜１０のものが好ましく、炭素数が１〜４のものがより好ましい。また、フッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。
【０１６９】
Ｘｆは、好ましくは、フッ素原子又は炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基である。具体的には、Ｘｆは、好ましくは、フッ素原子、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、Ｃ３Ｆ７、Ｃ４Ｆ９、Ｃ５Ｆ１１、Ｃ６Ｆ１３、Ｃ７Ｆ１５、Ｃ８Ｆ１７、ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２Ｃ４Ｆ９又はＣＨ２ＣＨ２Ｃ４Ｆ９である。中でも、フッ素原子又はＣＦ３が好ましく、フッ素原子が最も好ましい。
【０１７０】
式（ＳＡ２）中、Ｒ１及びＲ２の各々は、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基から選ばれる基である。このフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数１〜４のものが好ましい。また、フッ素原子で置換されたアルキル基としては、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基が特に好ましい。具体的には、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、Ｃ３Ｆ７、Ｃ４Ｆ９、Ｃ５Ｆ１１、Ｃ６Ｆ１３、Ｃ７Ｆ１５、Ｃ８Ｆ１７、ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２Ｃ４Ｆ９及びＣＨ２ＣＨ２Ｃ４Ｆ９が挙げられ、中でもＣＦ３が好ましい。
【０１７１】
式（ＳＡ２）中、ｘは１〜８が好ましく、１〜４がより好ましい。ｙは０〜４が好ましく、０がより好ましい。ｚは０〜８が好ましく、０〜４がより好ましい。  
式（ＳＡ２）中、Ｌは、単結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、アルキレン基、シクロアルキレン基及びアルケニレン基が挙げられる。中でも、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−又は−ＳＯ２−が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＳＯ２−がより好ましい。
【０１７２】
式（ＳＡ２）中、Ｅは、環構造を有する基を表す。Ｅとしては、例えば、環状脂肪族基、アリール基及び複素環構造を有する基が挙げられる。
【０１７３】
Ｅとしての環状脂肪族基は、単環構造を有していてもよく、多環構造を有していてもよい。単環構造を有した環状脂肪族基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基が好ましい。多環構造を有した環状脂肪族基としては、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。特には、Ｅとして６員環以上のかさ高い構造を有する環状脂肪族基を採用した場合、ＰＥＢ（露光後加熱）工程での膜中拡散性が抑制され、解像力及びＥＬ（露光ラチチュード）を更に向上させることが可能となる。
【０１７４】
Ｅとしてのアリール基は、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環又はアントラセン環である。  
Ｅとしての複素環構造を有する基は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。この基に含まれているヘテロ原子としては、窒素原子又は酸素原子が好ましい。複素環構造の具体例としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環及びモルホリン環等が挙げられる。中でも、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環及びモルホリン環が好ましい。
【０１７５】
Ｅは、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基（直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、炭素数１〜１２が好ましい）、アリール基（炭素数６〜１４が好ましい）、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基及びスルホン酸エステル基が挙げられる。これら置換基の中でも特に分岐アルキル基、環状アルキル基、およびアリール基が好ましい。これら置換基を有することで発生酸の拡散が抑えられ、解像力や露光ラティチュードの向上が期待できる。
【０１７６】
光酸発生剤としては、一般式（ＺＩ）により表される構造を複数有する化合物を使用してもよい。例えば、一般式（ＺＩ）により表される化合物のＲ201〜Ｒ203の少なくとも１つが、一般式（ＺＩ）により表されるもう１つの化合物のＲ201〜Ｒ203の少なくとも１つと結合した構造を有する化合物であってもよい。
【０１７７】
更に好ましい（ＺＩ）成分として、以下に説明する化合物（ＺＩ−１）〜（ＺＩ−４）を挙げることができる。
【０１７８】
化合物（ＺＩ−１）は、上記一般式（ＺＩ）のＲ201〜Ｒ203の少なくとも１つがアリール基である。即ち、化合物（ＺＩ−１）は、アリールスルホニム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
【０１７９】
化合物（ＺＩ−１）は、Ｒ201〜Ｒ203の全てがアリール基であってもよく、Ｒ201〜Ｒ203の一部がアリール基であり、それら以外がアルキル基であってもよい。なお、化合物（ＺＩ−１）が複数のアリール基を含んでいる場合、これらアリール基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
【０１８０】
化合物（ＺＩ−１）としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物及びアリールジアルキルスルホニウム化合物が挙げられる。
【０１８１】
化合物（ＺＩ−１）におけるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、又は、インドール残基及びピロール残基等のヘテロアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基又はインドール残基が特に好ましい。
【０１８２】
化合物（ＺＩ−１）が必要に応じて有しているアルキル基としては、炭素数１〜１５の直鎖、分岐又はシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。
【０１８３】
これらアリール基及びアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜１５）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１５）、ハロゲン原子、水酸基及びフェニルチオ基が挙げられる。
【０１８４】
好ましい置換基としては、炭素数１〜１２の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、及び、炭素数１〜１２の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基が挙げられる。特に好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数１〜６のアルコキシ基が挙げられる。置換基は、３つのＲ201〜Ｒ203のうちの何れか１つに置換していてもよいし、３つ全てに置換していてもよい。また、Ｒ201〜Ｒ203がフェニル基の場合には、置換基はアリール基のｐ−位に置換していることが好ましい。
【０１８５】
また、Ｒ201、Ｒ202及びＲ203のうち１つ又は２つが、置換基を有していてもよいアリール基であり、残りの基が直鎖、分岐又は環状のアルキル基である態様も好ましい。この構造の具体例としては、特開２００４−２１０６７０号公報の段落０１４１〜０１５３に記載の構造が挙げられる。
【０１８６】
このとき、上記アリール基としては、具体的には、Ｒ201、Ｒ202及びＲ203としてのアリール基と同様であり、フェニル基又はナフチル基が好ましい。また、アリール基は、水酸基、アルコキシ基又はアルキル基の何れかを置換基として有することが好ましい。置換基としより好ましくは、炭素数１〜１２のアルコキシ基であり、更に好ましくは、炭素数１〜６のアルコキシ基である。
【０１８７】
上記の残りの基としての直鎖、分岐又は環状のアルキル基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。これら基は、更に置換基を有していてもよい。また、上記の残りの基が２つ存在する場合、これら２つが互いに結合して、環構造を形成していてもよい。
【０１８８】
化合物（ＺＩ−１）は、例えば、以下の一般式（ＺＩ−１Ａ）により表される化合物である。
【化３９】
2011053365.tif 000040
【０１８９】
一般式（ＺＩ−１Ａ）中、  
Ｒ１３は、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基又はアルコキシカルボニル基を表す。  
Ｒ１４は、複数存在する場合は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基又はシクロアルキルスルホニル基を表す。
【０１９０】
Ｒ１５は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。２つのＲ１５は、互いに結合して、環構造を形成していてもよい。  
ｌは０〜２の整数を表す。  
ｒは０〜８の整数を表す。  
Ｘ−は、非求核性アニオンを表し、例えば、一般式（ＺＩ）におけるＸ−と同様のものが挙げられる。
【０１９１】
Ｒ１３、Ｒ１４又はＲ１５のアルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。このアルキル基としては、炭素数１〜１０のものが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基及びｎ−デシル基が挙げられる。これらのうち、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基及びｔ−ブチル基が特に好ましい。
【０１９２】
Ｒ１３、Ｒ１４又はＲ１５のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロベンテニル、シクロヘキセニル及びシクロオクタジエニル基が挙げられる。これらのうち、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロオクチル基が特に好ましい。
【０１９３】
Ｒ１３又はＲ１４のアルコキシ基のアルキル基部分としては、例えば、先にＲ１３、Ｒ１４又はＲ１５のアルキル基として列挙したものが挙げられる。このアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基及びｎ−ブトキシ基が特に好ましい。
【０１９４】
Ｒ１３のシクロアルキルオキシ基のシクロアルキル基部分としては、例えば、先にＲ１３、Ｒ１４又はＲ１５のシクロアルキル基として列挙したものが挙げられる。このシクロアルキルオキシ基としては、シクロペンチルオキシ基及びシクロヘキシルオキシ基が特に好ましい。
【０１９５】
Ｒ１３のアルコキシカルボニル基のアルコキシ基部分としては、例えば、先にＲ１３又はＲ１４のアルコキシ基として列挙したものが挙げられる。このアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基及びｎ−ブトキシカルボニル基が特に好ましい。
【０１９６】
Ｒ１４のアルキルスルホニル基のアルキル基部分としては、例えば、先にＲ１３、Ｒ１４又はＲ１５のアルキル基として列挙したものが挙げられる。また、Ｒ１４のシクロアルキルスルホニル基のシクロアルキル基部分としては、例えば、先にＲ１３、Ｒ１４又はＲ１５のシクロアルキル基として列挙したものが挙げられる。これらアルキルスルホニル基又はシクロアルキルスルホニル基としては、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、ｎ−プロパンスルホニル基、ｎ−ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基及びシクロヘキサンスルホニル基が特に好ましい。
【０１９７】
ｌは、好ましくは０又は１であり、より好ましくは１である。ｒは、好ましくは０〜２である。
【０１９８】
Ｒ１３、Ｒ１４及びＲ１５の各基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、フッ素原子等のハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アルコキシアルキル基、シクロアルキルオキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、及びシクロアルキルオキシカルボニルオキシ基が挙げられる。
【０１９９】
アルコキシ基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メチルプロポキシ基及びｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜２０のものが挙げられる。  
シクロアルキルオキシ基としては、例えば、シクロペンチルオキシ基及びシクロヘキシルオキシ基等の炭素数３〜２０のものが挙げられる。
【０２００】
アルコキシアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、１−メトキシエチル基、２−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基及び２−エトキシエチル基等の炭素数２〜２１のものが挙げられる。  
シクロアルキルオキシアルキル基としては、例えば、シクロペンチルオキシエチル基、シクロペンチルオキシペンチル基、シクロヘキシルオキシエチル基及びシクロヘキシルオキシペンチル基等の炭素数４〜２１のものが挙げられる。
【０２０１】
アルコキシカルボニル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチルプロポキシカルボニル基、１−メチルプロポキシカルボニル基及びｔ−ブトキシカルボニル基等の炭素数２〜２１のものが挙げられる。  
シクロアルキルオキシカルボニル基としては、例えば、シクロペンチルオキシカルボニル基及びシクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素数４〜２１のものが挙げられる。
【０２０２】
アルコキシカルボニルオキシ基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、ｉ−プロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基及びｔ−ブトキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜２１のものが挙げられる。  
シクロアルキルオキシカルボニルオキシ基としては、例えば、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基及びシクロヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数４〜２１のものが挙げられる。
【０２０３】
２つのＲ１５が互いに結合して形成し得る環構造としては、一般式（ＺＩ−１Ａ）中のＳ原子と共に、５員環又は６員環、特に好ましくは５員環（即ち、テトラヒドロチオフェン環）を形成する構造が好ましい。  
この環構造は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、及びアルコキシカルボニルオキシ基が挙げられる。
【０２０４】
Ｒ１５としては、メチル基、エチル基、及び２つのＲ１５が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する２価の基が特に好ましい。
【０２０５】
Ｒ１３のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基、Ｒ１４のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、及びハロゲン原子（特にフッ素原子）が好ましい。
【０２０６】
以下に、一般式（ＺＩ−１Ａ）により表される化合物におけるカチオンの好ましい具体例を示す。
【化４０】
2011053365.tif 000041
【０２０７】
次に、化合物（ＺＩ−２）について説明する。
【０２０８】
化合物（ＺＩ−２）は、式（ＺＩ）におけるＲ201〜Ｒ203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
【０２０９】
Ｒ201〜Ｒ203としての芳香環を含有しない有機基は、炭素数が例えば１〜３０であり、好ましくは１〜２０である。
【０２１０】
Ｒ201〜Ｒ203は、各々独立に、アルキル基、２−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基、ビニル基であることが好ましい。更に好ましくは、直鎖、分岐若しくは環状の２−オキソアルキル基又はアルコキシカルボニルメチル基であり、特に好ましくは、直鎖又は分岐の２−オキソアルキル基である。
【０２１１】
Ｒ201〜Ｒ203としてのアルキル基は、直鎖、分岐鎖及び環状のいずれであってもよく、好ましい例としては、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基）及び炭素数３〜１０のシクロアルキル基（シクロペンチル基、シクロヘキシル基又はノルボニル基）が挙げられる。
【０２１２】
Ｒ201〜Ｒ203としての２−オキソアルキル基は、直鎖、分岐及び環状のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の２位に＞Ｃ＝Ｏを有する基が挙げられる。
【０２１３】
Ｒ201〜Ｒ203としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基の好ましい例としては、炭素数１〜５のアルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基）が挙げられる。
【０２１４】
Ｒ201〜Ｒ203は、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば炭素数１〜５）、水酸基、シアノ基及び／又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。
【０２１５】
Ｒ201〜Ｒ203のうち２つが互いに結合して、環構造を形成していてもよい。この環構造は、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合及び／又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ201〜Ｒ203の内の２つが結合して形成する基としては、例えば、アルキレン基（例えば、ブチレン基又はペンチレン基）が挙げられる。
【０２１６】
次いで、化合物（ＺＩ−３）について説明する。  
化合物（ＺＩ−３）とは、以下の一般式（ＺＩ−３）により表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。
【化４１】
2011053365.tif 000042
【０２１７】
式中、Ｒ1c〜Ｒ5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。アルキル基及びアルコキシ基の炭素数は、１〜６が好ましい。  
Ｒ6c及びＲ7cは、水素原子又はアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１〜６が好ましい。  
Ｒｘ及びＲｙは、各々独立に、アルキル基、２−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基又はビニル基を表す。これら原子団の炭素数は、１〜６が好ましい。
【０２１８】
Ｒ1c〜Ｒ7cの何れか２つ以上が互いに結合して、環構造を形成していてもよい。また、ＲxとＲyとが結合して、環構造を形成していてもよい。これらの環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合及び／又はアミド結合を含んでいてもよい。  
一般式（ＺＩ−３）におけるＸ−は、一般式（ＺＩ）におけるＸ−と同義である。
【０２１９】
化合物（ＺＩ−３）の具体例としては、特開２００４−２３３６６１号公報の段落００４７及び００４８、又は、特開２００３−３５９４８号公報の段落００４０〜００４６に例示されている化合物に記載されている化合物が挙げられる。
【０２２０】
続いて、化合物（ＺＩ−４）について説明する。  
化合物（ＺＩ−４）は、以下の一般式（ＺＩ−４）により表されるカチオンを有した化合物である。この化合物（ＺＩ−４）は、アウトガスの抑制に有効である。
【化４２】
2011053365.tif 000043
【０２２１】
一般式（ＺＩ−４）中、
Ｒ1〜Ｒ13は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｒ1〜Ｒ13のうち少なくとも１つは、アルコール性水酸基を含む置換基であることが好ましい。なお、ここで「アルコール性水酸基」とは、アルキル基の炭素原子に結合した水酸基を意味している。  
Ｚは、単結合又は２価の連結基である。
【０２２２】
Ｒ1〜Ｒ13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、Ｒ1〜Ｒ13は−（Ｗ−Ｙ）により表される基であることが好ましい。ここで、Ｙは水酸基で置換されたアルキル基であり、Ｗは単結合又は２価の連結基である。
【０２２３】
Ｙにより表されるアルキル基の好ましい例としては、エチル基、プロピル基及びイソプロピル基が挙げられる。Ｙは、特に好ましくは、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＨにより表される構造を含んでいる。
【０２２４】
Ｗにより表される２価の連結基としては、特に制限は無いが、好ましくは単結合、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基又はカルバモイル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた２価の基であり、更に好ましくは、単結合、アシルオキシ基、アルキルスルホニル基、アシル基又はアルコキシカルボニル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた２価の基である。
【０２２５】
Ｒ1〜Ｒ13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、含まれる炭素数は、好ましくは２〜１０であり、更に好ましくは２〜６であり、特に好ましくは２〜４である。
【０２２６】
Ｒ1〜Ｒ13としてのアルコール性水酸基を含む置換基は、アルコール性水酸基を２つ以上有していてもよい。Ｒ1〜Ｒ13としてのアルコール性水酸基を含む置換基の有するアルコール性水酸基の数は、１〜６であり、好ましくは１〜３であり、更に好ましくは１である。
【０２２７】
一般式（ＺＩ−４）により表される化合物の有するアルコール性水酸基の数は、Ｒ1〜Ｒ13すべて合わせて１〜１０であり、好ましくは１〜６であり、更に好ましくは１〜３である。
【０２２８】
Ｒ1〜Ｒ13がアルコール性水酸基を含有しない場合、Ｒ1〜Ｒ13としての置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及び複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基〔−Ｂ（ＯＨ）2〕、ホスファト基〔−ＯＰＯ（ＯＨ）2〕、スルファト基（−ＯＳＯ3Ｈ）、並びに、他の公知の置換基が挙げられる。
【０２２９】
Ｒ1〜Ｒ13がアルコール性水酸基を含有しない場合、Ｒ1〜Ｒ13は、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、シリル基又はウレイド基である。
【０２３０】
Ｒ1〜Ｒ13がアルコール性水酸基を含有しない場合、Ｒ1〜Ｒ13は、更に好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アルコキシカルボニル基又はカルバモイル基である。
【０２３１】
Ｒ1〜Ｒ13がアルコール性水酸基を含有しない場合、Ｒ1〜Ｒ13は、特に好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はアルコキシ基である。
【０２３２】
Ｒ1〜Ｒ13のうちの隣接する２つが互いに結合して、環を形成してもよい。この環には、芳香族及び非芳香族の炭化水素環並びに複素環が含まれる。これら環は、更に組み合わされて、縮合環を形成していてもよい。
【０２３３】
化合物（ＺＩ−４）は、好ましくは、Ｒ1〜Ｒ13のうち少なくとも１つがアルコール性水酸基を含んだ構造を有しており、更に好ましくは、Ｒ9〜Ｒ13のうち少なくとも１つがアルコール性水酸基を含んだ構造を有している。
【０２３４】
Ｚは、上述したように、単結合又は２価の連結基を表している。この２価の連結基としては、例えば、アルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、カルボニルオキシ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミド基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、ジスルフィド基、アシル基、アルキルスルホニル基、−ＣＨ＝ＣＨ−、アミノカルボニルアミノ基及びアミノスルホニルアミノ基が挙げられる。
【０２３５】
この２価の連結基は、置換基を有していてもよい。これらの置換基としては、例えば、先にＲ1〜Ｒ13について列挙したのと同様のものが挙げられる。
【０２３６】
Ｚは、好ましくは、単結合、アルキレン基、アリーレン基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、−ＣＨ＝ＣＨ−、アミノカルボニルアミノ基及びアミノスルホニルアミノ基等の電子求引性を持たない結合又は基であり、更に好ましくは、単結合、エーテル基又はチオエーテル基であり、特に好ましくは、単結合である。
【０２３７】
以下、一般式（ＺＩＩ）及び（ＺＩＩＩ）について説明する。
【０２３８】
一般式（ＺＩＩ）及び（ＺＩＩＩ）中、Ｒ204〜Ｒ207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。これらアリール基、アルキル基及びシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。
【０２３９】
Ｒ204〜Ｒ207としてのアリール基の好ましい例としては、先に化合物（ＺＩ−１）におけるＲ201〜Ｒ203について列挙したのと同様の基が挙げられる。  
Ｒ204〜Ｒ207としてのアルキル基及びシクロアルキル基の好ましい例としては、先に化合物（ＺＩ−２）におけるＲ201〜Ｒ203について列挙した直鎖、分岐又はシクロアルキル基が挙げられる。
【０２４０】
なお、一般式（ＺＩＩ）及び（ＺＩＩＩ）におけるＸ−は、一般式（ＺＩ）におけるＸ−と同義である。
【０２４１】
光酸発生剤の他の好ましい例として、下記一般式（ＺＩＶ）、（ＺＶ）又は（ＺＶＩ）により表される化合物が挙げられる。
【化４３】
2011053365.tif 000044
【０２４２】
一般式（ＺＩＶ）〜（ＺＶＩ）中、
Ａｒ3及びＡｒ4は、各々独立に、置換又は無置換のアリール基を表す。  
Ｒ208は、一般式（ＺＶ）と（ＺＶＩ）とで各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表している。これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。  
これら基は、フッ素原子により置換されていることが好ましい。こうすると、光酸発生剤が発生する酸の強度を高めることが可能となる。
【０２４３】
Ｒ209及びＲ210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は電子吸引性基を表す。これらアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及び電子吸引性基は、置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。  
好ましいＲ209としては、置換又は無置換のアリール基が挙げられる。  
好ましいＲ210としては、電子吸引性基が挙げられる。この電子吸引性基としては、好ましくは、シアノ基及びフロロアルキル基が挙げられる。
【０２４４】
Ａは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。これらアルキレン基、アルケニレン基及びアリーレン基は、置換基を有していてもよい。
【０２４５】
なお、光酸発生剤として、一般式（ＺＶＩ）により表される構造を複数有する化合物も好ましい。このような化合物としては、例えば、一般式（ＺＶＩ）により表される化合物のＲ２０９又はＲ２１０と、一般式（ＺＶＩ）により表されるもう一つの化合物のＲ２０９又はＲ２１０とが互いに結合した構造を有する化合物が挙げられる。
【０２４６】
光酸発生剤としては、一般式（ＺＩ）〜（ＺＩＩＩ）により表される化合物がより好ましく、一般式（ＺＩ）により表される化合物が更に好ましく、化合物（ＺＩ−１）〜（ＺＩ−３）が特に好ましい。
【０２４７】
光酸発生剤の具体例を以下に示すが、本発明の範囲は、これらに限定されるものではない。
【化４４】
2011053365.tif 000045
【０２４８】
【化４５】
2011053365.tif 000046
【０２４９】
【化４６】
2011053365.tif 000047
【０２５０】
【化４７】
2011053365.tif 000048
【０２５１】
【化４８】
2011053365.tif 000049
【０２５２】
【化４９】
2011053365.tif 000050
【０２５３】
【化５０】
2011053365.tif 000051
【０２５４】
なお、光酸発生剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。２種以上を組み合わせて使用する際には、水素原子を除く全原子数が２以上異なる２種の有機酸を発生する化合物を組み合わせることが好ましい。
【０２５５】
本発明に係る組成物が光酸発生剤を更に含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは０．１〜４０質量％であり、より好ましくは０．５〜３０質量％であり、更に好ましくは１〜２０質量％である。
【０２５６】
〔５〕溶剤
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなど）、アルキレングリコールモノアルキルエーテル（プロピレングリコールモノメチルエーテルなど）、乳酸アルキルエステル（乳酸エチル、乳酸メチルなど）、環状ラクトン（γ−ブチロラクトンなど、好ましくは炭素数４〜１０）、鎖状又は環状のケトン（２−ヘプタノン、シクロヘキサノンなど、好ましくは炭素数４〜１０）、アルキレンカーボネート（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど）、カルボン酸アルキル（酢酸ブチルなどの酢酸アルキルが好ましい）、及びアルコキシ酢酸アルキル（エトキシプロピオン酸エチル）などが挙げられる。その他使用可能な溶媒として、例えば、ＵＳ２００８／０２４８４２５Ａ１号明細書の［０２４４］以降に記載されている溶剤などが挙げられる。
【０２５７】
上記の溶剤のうち、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、及び乳酸エチルが特に好ましい。
【０２５８】
これら溶媒は、単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場合、水酸基を含んだ溶剤と水酸基を含んでいない溶剤とを混合することが好ましい。水酸基を含んだ溶剤と水酸基を含んでいない溶剤との質量比は、通常は１／９９〜９９／１であり、好ましくは１０／９０〜９０／１０であり、更に好ましくは２０／８０〜６０／４０である。
【０２５９】
水酸基を含んだ溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテル又は乳酸アルキルエステルが好ましく、水酸基を含んでいない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。溶剤の５０質量％以上がプロピレングリコールモノメチルエーテルである溶剤を用いることが特に好ましい。
【０２６０】
なお、溶剤の使用量は、組成物の全固形分濃度が、好ましくは２．０〜４．０重量％、より好ましくは２．０〜３．０質量％となるように定める。
【０２６１】
〔６〕界面活性剤
本発明に係る組成物は、界面活性剤を更に含有していてもよい。この界面活性剤としては、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤が特に好ましい。
【０２６２】
この界面活性剤としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）製のメガファックＦ１７６及びメガファックＲ０８、ＯＭＮＯＶＡ社製のＰＦ６５６及びＰＦ６３２０、トロイケミカル（株）製のトロイゾルＳ−３６６、住友スリーエム（株）製のフロラードＦＣ４３０、並びに、信越化学工業（株）製のポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１が挙げられる。
【０２６３】
また、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤以外の界面活性剤を使用することもできる。より具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類及びポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類等が挙げられる。
【０２６４】
その他、公知の界面活性剤が適宜使用可能である。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許２００８／０２４８４２５Ａ１号明細書の［０２７３］以降に記載の界面活性剤が挙げられる。
【０２６５】
界面活性剤は、単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。  
本発明に係る組成物が界面活性剤を更に含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは０．０００１〜２質量％であり、より好ましくは０．００１〜１質量％である。
【０２６６】
〔７〕溶解阻止化合物
本発明に係る組成物は、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量３０００以下の溶解阻止化合物（以下、「溶解阻止化合物」ともいう）を更に含んでいてもよい。
【０２６７】
この溶解阻止化合物としては、２２０ｎｍ以下の透過性を低下させないため、Proceeding of SPIE, 2724,355 （1996）に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体等の、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。この酸分解性基としては、例えば、先に樹脂（Ｐ）の「ＯＹ」について説明したのと同様のものが挙げられる。
【０２６８】
なお、本発明に係る組成物をＫｒＦエキシマレーザーで露光するか又は電子線で照射する場合には、溶解阻止化合物としては、フェノール化合物のフェノール性水酸基を酸分解基で置換した構造を含んだ化合物が好ましい。フェノール化合物としては、フェノール骨格を１〜９個含有するものが好ましく、２〜６個含有するものが更に好ましい。
【０２６９】
溶解阻止化合物の分子量は、３０００以下であり、好ましくは３００〜３０００であり、更に好ましくは５００〜２５００である。
【０２７０】
溶解阻止化合物の添加量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは０〜２０質量％であり、より好ましくは０．５〜１０質量％である。
【０２７１】
以下に溶解阻止化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【化５１】
2011053365.tif 000052
【０２７２】
〔８〕その他の添加剤
本発明に係る組成物は、必要に応じて、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び現像液に対する溶解を促進させる化合物（以下、溶解促進性化合物ともいう）等を更に含有させることができる。また、特開２００６−２０８７８１号公報及び特開２００７−２８６５７４号公報等に記載されているプロトンアクセプター性官能基を備えた化合物も好適に用いることができる。
【０２７３】
上記の溶解促進性化合物は、フェノール性ＯＨ基を２個以上、又はカルボキシ基を１個以上有する分子量１，０００以下の低分子化合物である。なお、カルボキシ基を有する場合は、溶解促進性化合物は、脂環族又は脂肪族化合物であることが好ましい。
【０２７４】
これら溶解促進性化合物の添加量は、樹脂（Ｐ）の質量を基準として、好ましくは０〜５０質量％であり、更に好ましくは５〜３０質量％である。現像残渣抑制及び現像時パターン変形防止の観点から、この添加量は、５０質量％以下とすることが好ましい。
【０２７５】
なお、上記の溶解促進性化合物は、例えば、特開平４−１２２９３８号、特開平２−２８５３１号、米国特許第４９１６２１０号及び欧州特許第２１９２９４号等に記載の方法を参考にして、容易に合成することができる。
【０２７６】
〔９〕パターン形成方法
本発明に係る組成物は、典型的には、以下のようにして用いられる。即ち、本発明に係る組成物は、典型的には、基板等の支持体上に塗布されて、膜を形成する。この膜の厚みは、０.０２〜０．１μｍが好ましい。基板上に塗布する方法としては、スピン塗布が好ましく、その回転数は１０００〜３０００ｒｐｍが好ましい。
【０２７７】
例えば、この組成物は、精密集積回路素子の製造等に使用される基板（例：シリコン／二酸化シリコン被覆、窒化シリコン及びクロム蒸着された石英基板など）上に、スピナー及びコーター等の適当な塗布方法により塗布される。その後、これを乾燥して、感活性光線性又は感放射線性の膜（以下、感光性膜ともいう）を得る。なお、公知の反射防止膜を予め塗設することもできる。
【０２７８】
次いで、この感光性膜に活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク（通常80〜150℃、より好ましくは90〜130℃）を行った後、現像する。これにより良好なパターンを得ることができる。そして、このパターンをマスクとして用いて、適宜エッチング処理及びイオン注入などを行い、半導体微細回路及びインプリント用モールド構造体等を作成する。
【０２７９】
なお、本発明の組成物を用いてインプリント用モールドを作成する場合のプロセスの詳細については、例えば、特許第４１０９０８５号公報、特開２００８−１６２１０１号公報、及び「ナノインプリントの基礎と技術開発・応用展開―ナノインプリントの基板技術と最新の技術展開―編集：平井義彦（フロンティア出版）」等を参照されたい。また、特に情報記録媒体の製造に好適なモールド構造体の製造方法については、例えば、特許第４１０９０８５号公報及び特開２００８−１６２１０１号公報を参照されたい。
【０２８０】
現像工程では、通常アルカリ現像液を用いる。現像方法は、パドル形成、ディップ及びダイナミックディスペンス等の公知の方法を適宜使用する。アルカリ現像液としては、種々のアルカリ水溶液が適用可能であるが、通常は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドアルカリ性水溶液が使用される。アルカリ現像液には、アルコール類及び／又は界面活性剤を、適当量添加してもよい。
【０２８１】
アルカリ現像液の濃度は、通常、０．１〜２０質量％である。アルカリ現像液のｐＨは、通常、１０．０〜１５．０である。  
【実施例】
【０２８２】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明の内容はこれにより限定されるものではない。
【０２８３】
〔樹脂〕
まず、以下に示すモノマー（Ｍ−１）〜（Ｍ−９）を合成した。また、モノマー（Ｒ−１）を準備した。
【化５２】
2011053365.tif 000053
【０２８４】
＜合成例１：モノマー（Ｍ−１）の合成＞
１５質量部の６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸を、８０質量部のメタノールに溶解させた。得られた溶液に、３．３５質量部の水酸化リチウム一水和物を４８質量部のメタノールに溶解させた溶液を滴下して、室温で１時間に亘って撹拌した。その後、減圧下でメタノールを除去して、反応物を得た。  
この反応物を、５５質量部のジメチルスルホキシドに再溶解させた。次いで、これに１２．２質量部のクロロメチルスチレン（ＣＭＳ−１４、セイミケミカル社製）を加え、８０℃で４時間に亘って撹拌した。続いて、これに酢酸エチルと飽和塩化アンモニウム水溶液とを加え、抽出及び洗浄を行った。有機層を濃縮後、カラムクロマトグラフィーを用いて精製し、１７．１質量部のモノマー（Ｍ−１）を得た。
【０２８５】
１Ｈ ＮＭＲ(ＤＭＳＯ−ｄ６)：δ 10.22 (s, 1H), 8.53 (s, 1H), 8.00 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 7.90 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.77 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.54-7.47 (m, 4H), 7.19-7.15 (m, 2H), 6.76 (dd, J = 17.6, 10.5 Hz, 1H), 5.86 (d, J = 17.6 Hz, 1H), 5.38 (s, 2H), 5.29 (d, J = 10.5 Hz, 1H)。
【０２８６】
＜合成例２：モノマー（Ｍ−２）の合成＞
１０質量部のモノマー（Ｍ−１）と、５質量部の２−シクロヘキシルエチルビニルエーテルとを、５０質量部のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解した。次いで、この溶液に０．０１５質量部のカンファースルホン酸を加え、室温で３０分に亘って撹拌した。反応液に０．１質量部のトリエチルアミンを加え、減圧下で溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーを用いて精製した。これにより、１２．６質量部のモノマー（Ｍ−２）を得た。
【０２８７】
１Ｈ ＮＭＲ(ＤＭＳＯ−ｄ６)：δ 8.60 (s, 1H), 8.08 (d, J = 9.0 Hz, 1H), 7.97 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.90 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.54-7.48 (m, 5H), 7.30 (d, J = 9.0 Hz, 1H), 6.76 (dd, J = 18.0, 11.1 Hz, 1H), 5.86 (d, J = 18.0 Hz, 1H), 5.71 (q, J = 5.4 Hz, 1H), 5.39 (s, 2H), 5.28 (d, J = 11.1 Hz, 1H), 3.71-3.44 (m, 2H), 1.72-0.66 (m, 16H)。
【０２８８】
＜合成例３：モノマー（Ｍ−３）の合成＞
１５質量部の６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸の代わりに、１６．３質量部の３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸を用いたことを除いては、合成例１と同様にして、１５．２質量部のモノマー（Ｍ−３）を合成した。
【０２８９】
＜合成例４：モノマー（Ｍ−４）の合成＞
５質量部の２−シクロヘキシルエチルビニルエーテルの代わりに、２．４質量部の３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸を用いたことを除いては、合成例２と同様にして、１０．１質量部のモノマー(Ｍ−４)を合成した。
【０２９０】
＜合成例５：モノマー（Ｍ−５）の合成＞
まず、６−ビニル−２−ナフトール（ｍ−５ａ）を、以下のようにして合成した。即ち、７．６質量部のｔｅｒｔ−ブトキシカリウム及び９０質量部のテトラヒドロフランに、２４質量部のメチルトリフェニルホスホニウムブロミド及び１３０質量部のトルエンとを加え、室温で２時間に亘って撹拌した。この反応液に、５．０質量部の６−ヒドロキシ−２−ナフトアルデヒドを加え、室温で更に４時間に亘って撹拌した。反応物を酢酸エチルと飽和塩化アンモニウム水溶液とを用いて抽出及び洗浄し、ヘキサン／酢酸エチルを用いてカラムクロマトグラフィー精製した。これにより、２．６質量部の６−ビニル−２−ナフトール（ｍ−５ａ）を得た。  
次いで、以下の反応スキームに従って、モノマー（Ｍ−５）を合成した。
【化５３】
2011053365.tif 000054
【０２９１】
具体的には、まず、５質量部の（ｍ−５a）及び６．１２質量部の３−ブロモ−１−プロパノールを４５質量部のＮ−メチルピロリドンに溶解させた。次いで、これに８．１２質量部の炭酸カリウムを加えて、８０℃で７時間に亘って撹拌した。反応物を酢酸エチルと飽和塩化アンモニウム水溶液とを用いて抽出及び洗浄し、ヘキサン／酢酸エチルを用いてカラムクロマトグラフィー精製した。これにより、５．７３質量部の上記化合物（ｍ−５ｂ）を得た。
【０２９２】
５質量部の（ｍ−５ｂ）及び４．５９質量部の塩化パラトルエンスルホニルを５０質量部のピリジンに溶解させ、室温で５時間に亘って撹拌した。反応物を酢酸エチルと飽和塩化アンモニウム水溶液とを用いて抽出及び洗浄し、ヘキサン／酢酸エチルを用いてカラムクロマトグラフィー精製した。これにより、７．１５質量部の上記化合物（ｍ−５ｃ）を得た。
【０２９３】
４．８１質量部の４−(４−ヒドロキシフェニル）安息香酸を、６０質量部のメタノールに溶解させた。この溶液に、０．９４質量部の水酸化リチウム一水和物を２０質量部のメタノールに溶解させた溶液を滴下して、室温で1時間に亘って撹拌した。その後、減圧下でメタノールを除去して、反応物を得た。  
この反応物を５０質量部のＮ−メチルピロリドンに再溶解させた。次いで、これに、７．１５質量部の（ｍ−５ｃ）を加え、８０℃で８時間に亘って撹拌した。続いて、これに酢酸エチルと飽和塩化アンモニウム水溶液とを加え、抽出及び洗浄を行った。有機層を濃縮後、カラムクロマトグラフィーを用いて精製し、５．１質量部のモノマー（Ｍ−５）を得た。
【０２９４】
＜合成例６：モノマー（Ｍ−６）の合成＞
５質量部のモノマー(Ｍ−１)と０．４質量部の４−ジメチルアミノピリジンとを、８０質量部のアセトニトリルに溶解させた。得られた溶液に、４．３質量部のニ炭酸ジ−tert−ブチルを加え、室温にて２時間に亘って撹拌した。続いて、これにクロロホルムと希塩酸水溶液とを加え、抽出及び洗浄を行った。有機層を濃縮することで、６．０質量部のモノマー（Ｍ−６）を得た。
【０２９５】
＜合成例７：モノマー（Ｍ−７）の合成＞
以下の合成スキームに従ってモノマー(Ｍ−７)を合成した。
【化５４】
2011053365.tif 000055
【０２９６】
具体的には、５質量部の４−ヒドロキシインドールと、５．６４質量部の無水コハク酸と、３８質量部のトリエチルアミンとに、４００質量部のアセトニトリルを加え、１６時間に亘って還流した。溶媒を留去した後、ヘキサン／酢酸エチルを用いて、カラムクロマトグラフィー精製した。これにより、２．７１質量部の化合物（ｍ−７ａ）を得た。
【０２９７】
１００質量部のメタノールに４質量部の（ｍ−７a）を溶解させた。得られた溶液に、０．７２質量部の水酸化リチウム一水和物を２０質量部のメタノールに溶解した溶液を滴下して、１時間撹拌した。反応物を濃縮した後、１００質量部のＮ−メチルピロリドンに再溶解した。２．７５質量部のクロロメチルスチレン（ＣＭＳ−１４、セイミケミカル社製）を加え、８０℃で８時間に亘って撹拌した。続いて、これに酢酸エチルと飽和塩化アンモニウム水溶液とを加え、抽出及び洗浄を行った。有機層を濃縮後、カラムクロマトグラフィーを用いて精製し、４．２５質量部の化合物（ｍ−７ｂ）を得た。
【０２９８】
５質量部の（ｍ−７ｂ）と、２．９７質量部の２−（ビニルオキシ）エチル フェニルカルバメートとを、１００質量部のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解させた。次いで、得られた溶液に０．００４質量部のカンファースルホン酸を加え、室温で２時間に亘って撹拌した。反応液に０．１質量部のトリエチルアミンを加え、減圧下で溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーを用いて精製した。これにより、６．５３質量部のモノマー（Ｍ−７）を得た。
【０２９９】
＜合成例８：モノマー（Ｍ−８）の合成＞
以下の合成スキームに従ってモノマー(Ｍ−８)を合成した。
【化５５】
2011053365.tif 000056
【０３００】
具体的には、５．５６質量部のジエチレングリコールと８０質量部のＴＨＦとに、２．５２質量部の水素化ナトリウム（油性、６０％）を加え、室温で１時間に亘って撹拌した。続いて、５質量部のクロロメチルスチレン（ＣＭＳ−１４、セイミケミカル社製）を加え、室温で３時間撹拌した。反応液を濃縮後、酢酸エチルと飽和塩化アンモニウム水溶液とを加え、抽出及び洗浄を行った。有機層を濃縮後、カラムクロマトグラフィーを用いて精製し、３．９３質量部の化合物（ｍ−８ａ）を得た。
【０３０１】
４質量部の（ｍ−８ａ）及び３．７７質量部の塩化パラトルエンスルホニルを５０質量部のピリジンに溶解させ、室温で５時間に亘って撹拌した。反応物を酢酸エチルと飽和塩化アンモニウム水溶液とを用いて抽出及び洗浄し、ヘキサン／酢酸エチルを用いてカラムクロマトグラフィー精製した。これにより、５．４２質量部の化合物(ｍ−８ｂ)を得た。
【０３０２】
次に、１２．２質量部のクロロメチルスチレンの代わりに３０．１２質量部の（ｍ−８ｂ）を用いたことを除いては、合成例１と同様にして、１７．５８質量部の化合物（ｍ−８ｃ）を得た。  
次いで、１０質量部のモノマー（Ｍ−１）の代わりに１２．８９質量部の（ｍ−８ｃ）を用いたことを除いては、合成例２と同様にして、１５．２７質量部のモノマー（Ｍ−８）を得た。
【０３０３】
＜合成例９：モノマー（Ｍ−９）の合成＞
１０質量部の（ｍ−５ａ）と、４．２４質量部のエチルビニルエーテルとを、５０質量部のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解させた。次いで、得られた溶液に、０．０１５質量部のカンファースルホン酸を加え、室温で１時間に亘って撹拌した。反応液に０．１質量部のトリエチルアミンを加え、減圧下で溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーを用いて精製した。これにより、１２．１質量部のモノマー（Ｍ−９）を得た。
【０３０４】
次に、これらモノマーを用いて、樹脂を合成した。  
＜合成例９：樹脂（Ｐ−１）の合成＞
次式により表される樹脂（Ｐ−１）を、以下のようにして合成した。
【化５６】
2011053365.tif 000057
【０３０５】
即ち、まず、３．８６質量部の１−メトキシ−２−プロパノールを、窒素気流下、７５℃に加熱した。この液を攪拌しながら、７．００質量部の４−ヒドロキシスチレン（以下、「ＨＯＳＴ」ともいう）と、２．６４質量部のモノマー（Ｍ−２）と、１５．４２質量部の１−メトキシ−２−プロパノールと、０．７４質量部の２，２’−アゾビスイソ酪酸ジメチル〔Ｖ−６０１；和光純薬工業（株）製〕との混合溶液を、４時間かけて滴下した。滴下終了後、７５℃で更に２時間攪拌した。反応液を放冷後、多量のヘキサン／酢酸エチルを用いて再沈殿させた。その後、真空乾燥を行うことにより、３．９５質量部の樹脂（Ｐ−１）を得た。
【０３０６】
得られた樹脂（Ｐ−１）につき、１Ｈ−ＮＭＲの測定を行った。これにより、樹脂（Ｐ−１）の組成比（モル比）を算出した。また、ＧＰＣ（溶媒：ＴＨＦ）測定により、樹脂（Ｐ−１）の重量平均分子量（Ｍｗ：ポリスチレン換算）、数平均分子量（Ｍｎ：ポリスチレン換算）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ、以下「ＰＤＩ」ともいう）を算出した。これらの結果を、上記化学式中及び下記表１に示す。
【０３０７】
＜合成例１０：樹脂（Ｐ−２）〜（Ｐ−８）の合成＞
合成例９と同様にして、樹脂（Ｐ−２）〜（Ｐ−８）を合成した。使用した構造単位、その仕込み量（質量部）、重合濃度（反応液濃度：質量％）、及び重合開始剤の仕込み量（質量部）、並びに、得られた樹脂の組成比（モル比）、重量平均分子量及び分散度（ＰＤＩ）を下記表１に示す。
【表１】
2011053365.tif 000058
【０３０８】
以下、樹脂（Ｐ−１）〜（Ｐ−８）の各々について、構造、組成比、重量平均分子量、及び分散度を示す。
【化５７】
2011053365.tif 000059
【０３０９】
〔光酸発生剤〕
光酸発生剤としては、次式により表される化合物を用いた。
【化５８】
2011053365.tif 000060
【０３１０】
＜合成例１１：ＰＡＧ−１＞
（トリシクロヘキシルベンゼンの合成）
ベンゼン２０.０ｇに塩化アルミニウム６．８３ｇを加え、３℃で冷却攪拌し、シクロ
ヘキシルクロリド４０．４ｇをゆっくり滴下した。滴下後、室温で５時間攪拌し、氷水にあけた。酢酸エチルで有機層を抽出し、得られた有機層を４０℃で減圧留去した。更に１７０℃で減圧留去後、室温に冷却し、アセトン５０ｍｌを投入し、再結晶させた。析出した結晶を濾取し、トリシクロヘキシルベンゼン１４ｇを得た。
【０３１１】
（トリシクロヘキシルベンゼンスルホン酸ナトリウムの合成）
トリシクロヘキシルベンゼン３０ｇを塩化メチレン５０ｍｌに溶解し、３℃で冷却攪拌し、クロロスルホン酸１５．２ｇをゆっくり滴下した。滴下後、室温で５時間攪拌し、氷１０ｇを投入後、５０％水酸化ナトリウム水溶液を４０ｇ投入した。更にエタノールを２０ｇ加え、５０℃で１時間攪拌後、不溶分を濾過除去し、４０℃で減圧留去した。析出した結晶を濾取し、ヘキサン洗浄し、１，３，５−トリシクロヘキシルベンゼンスルホン酸ナトリウム３０ｇを得た。
【０３１２】
（ＰＡＧ−１の合成）
トリフェニルスルホニウムブロミド４．０ｇをメタノール２０ｍｌに溶解し、２０ｍｌのメタノールに溶解させた１，３，５−トリシクロヘキシルベンゼンスルホン酸ナトリウム５．０ｇを加えた。室温で２時間攪拌後、イオン交換水５０ｍｌを加えクロロホルムで抽出した。得られた有機層を水で洗浄後、４０℃で減圧留去し、得られた結晶をメタノール/酢酸エチル溶媒で再結晶した。これにより化合物ＰＡＧ−１を５．０ｇ得た。
【０３１３】
1H-NMR(400MHz, CDCl3) δ＝7.85 (d,6H), 7.68(t,3H), 7.59(t,6H), 6.97(s, 2H), 4.36-4.27(m,2H), 2.48-2.38(m,1H), 1.97-1.16(m,30H)。
【０３１４】
〔塩基性化合物〕
塩基性化合物としては、次式により表される化合物を用いた。
【化５９】
2011053365.tif 000061
【０３１５】
〔界面活性剤及び溶剤〕
界面活性剤としては、以下のものを用いた。
【０３１６】
Ｗ−１：メガファックＦ１７６（大日本インキ化学工業（株）製；フッ素系）
Ｗ−２：メガファックＲ０８（大日本インキ化学工業（株）製；フッ素及びシリコン系）
溶剤としては、以下のものを用いた。
【０３１７】
Ｓ１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
Ｓ２：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
〔実施例１〜１１及び比較例１〕
下記表２に示す各成分を、表２に示す溶剤に溶解させた。これを０．１μｍのポアサイズを有するポリテトラフルオロエチレンフィルターを用いてろ過した。これにより、表２に示す全固形分濃度のポジ型レジスト溶液を調製した。なお、表２に示す各成分の濃度は、全固形分の質量を基準とした質量濃度である。
【０３１８】
＜レジスト評価＞
調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコータを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布した。次いで、ホットプレートを用いて、１３０℃で９０秒間に亘って加熱乾燥を行った。これにより、膜厚１００ｎｍのレジスト膜を形成した。
【０３１９】
このレジスト膜に対して、電子線照射装置（（株）日立製作所製ＨＬ７５０；加速電圧５０ｋｅＶ）を用いて、電子線照射を行った。照射後直ぐに、１２０℃で９０秒間ホットプレート上にて加熱した。その後、濃度２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて、２３℃で６０秒間現像し、３０秒間純水を用いてリンスした後、乾燥させた。これにより、ラインアンドスペースパターン（ライン：スペース＝１：１）と孤立ラインパターン（ライン：スペース＝１：＞１００）とをそれぞれ形成した。なお、以下では、ラインアンドスペースパターンをＬ＆Ｓと略記し、孤立ラインパターンをＩＬと略記することがある。
【０３２０】
〔感度〕
得られた各パターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−4800）を用いて観察した。Ｌ＆Ｓパターン及びＩＬパターンの何れについても、１００ｎｍの線幅のラインを解像する際の最小照射エネルギーを感度（μＣ／ｃｍ２）とした。
【０３２１】
〔解像力〕
上記の感度を示す照射量における限界解像力（ラインとスペースが分離解像する最小の線幅）を解像力（ｎｍ）とした。
【０３２２】
〔残膜率（プラズマエッチング耐性）〕
ヘキサメチルジシラザン処理をしたウエハー上に、膜厚１００ｎｍのポジ型レジスト膜を形成した。この膜に対し、ＣＦ４（１０ｍＬ／ｍｉｎ）とＯ２（２０ｍＬ／ｍｉｎ）とＡｒ（１０００ｍＬ／ｍｉｎ）との混合ガスを用いて、２３℃で３０秒間プラズマエッチングを行った。その後、プラズマエッチング後のレジスト膜の膜厚を測定した。そして、このエッチング後の膜厚を、エッチング前の膜厚で除して１００倍することにより、残膜率（％）を得た。なお、残膜率が大きいほど、プラズマエッチング耐性は良好である。
【表２−１】
2011053365.tif 000062
【０３２３】
【表２−２】
2011053365.tif 000063
【０３２４】
表２に示すように、実施例１〜１１に係る組成物は、比較例１に係る組成物と比較して、ＩＬパターンを形成する際の感度及び解像度がより優れていた。また、実施例１〜１１に係る組成物は、プラズマエッチング耐性及びＬ＆Ｓパターンを形成する際の解像度にも優れていた。