(57)【要約】【課題】製造工程に起因する層間の接続不良や電子部品の劣化などが抑制された多層プリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】集光層、発光層、感光層の各作製工程では、各層にコンタクト部が形成される。配線電源層の作製工程では、配線電源層に導電性ペーストが形成される。発光層、感光層、信号処理層の各作製工程では、各層にスルーホールが形成される。スキャナの組付工程では、コンタクト部、導電性ペースト、スルーホールが略一致する位置で、配線電源層上に信号処理層、感光層、発光層、集光層の順に積層される（Ｓ７７）。集光層、発光層、感光層、信号処理層、配線電源層が積層された状態で加熱圧着される（Ｓ７９）。【選択図】図１４
2011210945.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板における一の基板面に、導電性を有する板状部材であるコンタクト部を形成するコンタクト形成工程と、
第２の基板における一の基板面に、導電性を有するペースト体である導電性ペーストを形成するペースト形成工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に積層される第３の基板に、前記第３の基板を貫通するホールを形成するホール形成工程と、
前記第１の基板、前記第２の基板および前記第３の基板が積層される積層方向からみて、前記コンタクト部、前記導電性ペースト、前記ホールが略一致する位置で、且つ、前記コンタクト部が形成された基板面と、前記導電性ペーストが形成された基板面とが対向するように、前記第３の基板を挟んで前記第１の基板と前記第２の基板とを圧着する基板圧着工程と
を備えたことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記基板圧着工程が実行される前に、前記第２の基板における前記導電性ペーストの周囲に、前記導電性ペーストと親和性の小さい材料からなる撥ペースト部を形成する撥ペースト部形成工程を備えたことを特徴とする請求項１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記撥ペースト部形成工程は、前記導電性ペーストが親油性である場合、前記導電性ペーストの周囲に疎油性材料を形成して前記撥ペースト部を形成することを特徴とする請求項２に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記撥ペースト部形成工程は、前記導電性ペーストが親水性である場合、前記導電性ペーストの周囲に疎水性材料を形成して前記撥ペースト部を形成することを特徴とする請求項２に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記ホール形成工程は、複数の前記第３の基板のそれぞれに前記ホールを形成し、
前記基板圧着工程は、さらに、前記複数の第３の基板にそれぞれ形成された前記ホールが略一致する位置で、前記複数の第３の基板を挟んで前記第１の基板と前記第２の基板とを圧着することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記基板圧着工程が実行される前に、前記基板圧着工程によって他の前記第３の基板に積層される前記第３の基板において、前記基板圧着工程の実行時に前記他の第３の基板との隙間を塞ぐ液止め部材を、前記ホールの周囲に形成する液止め形成工程を備えたことを特徴とする請求項５に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記基板圧着工程が実行される前に、前記基板圧着工程によって前記第１の基板に積層される前記第３の基板において、前記基板圧着工程の実行時に前記導電性ペーストを挟んで前記コンタクト部と対向する導電性のランド部を、前記ホールの周囲に形成するランド形成工程を備えたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項８】
前記ペースト形成工程によって形成された前記導電性ペーストは、前記第２の基板に形成される配線と接続し、
前記ランド形成工程によって形成された前記ランド部は、前記第３の基板に形成される電子部品と接続し、
前記第２の基板に形成された配線は、前記電子部品と接続して回路パターンを構成することを特徴とする請求項７に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項９】
前記ホール形成工程によって形成された前記ホールは、２〜２０μｍ径であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、絶縁基板の表裏両面だけでなく、その内部にも導体パターンを形成した多層プリント配線板では、内外層間の導通を確保するためにめっきスルーホールを用いることが知られている（例えば、非特許文献１参照）。具体的には、めっきスルーホールを用いた多層プリント配線板を製造する場合、まず導体パターンを形成した複数の薄い積層板を貼り合わせる。貼り合わせた積層板に、ＮＣ高速多軸ボール盤等を使用したドリル加工によって、スルーホール用の穴を開ける。貼り合わせた積層板の表面と、スルーホール用の穴内の壁面とに、サブトラクティブ法等でめっきを施して内外層を接続する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】伊藤謹司著「プリント配線板製造入門」日刊工業新聞社、１９９５年、Ｐ．１２―１３、Ｐ．８１―８３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のめっきスルーホールを用いた多層プリント配線板の製造方法では、ＮＣ高速多軸ボール盤等を使用したドリル加工時に、加工穴の周囲にバリが発生することがある。すると、加工穴の周囲に形成されためっきが剥がれて、層間の接続不良を生じるおそれがあった。また、サブトラクティブ法等によるめっき加工時に、積層板にめっき液が浸透して電子部品の劣化を生じるおそれがあった。また、導体パターンの形成時にも、ハンダの流動性を確保するための高温加熱によって電子部品の劣化を生じるおそれがあった。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、製造工程に起因する層間の接続不良や電子部品の劣化などが抑制された多層プリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る多層プリント配線板の製造方法は、第１の基板における一の基板面に、導電性を有する板状部材であるコンタクト部を形成するコンタクト形成工程と、第２の基板における一の基板面に、導電性を有するペースト体である導電性ペーストを形成するペースト形成工程と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に積層される第３の基板に、前記第３の基板を貫通するホールを形成するホール形成工程と、前記第１の基板、前記第２の基板および前記第３の基板が積層される積層方向からみて、前記コンタクト部、前記導電性ペースト、前記ホールが略一致する位置で、且つ、前記コンタクト部が形成された基板面と、前記導電性ペーストが形成された基板面とが対向するように、前記第３の基板を挟んで前記第１の基板と前記第２の基板とを圧着する基板圧着工程とを備えている。
【０００７】
本態様によれば、コンタクト形成工程で第１の基板にコンタクト部が形成され、ペースト形成工程で第２の基板に導電性ペーストが形成され、ホール形成工程で第３の基板にホールが形成される。基板圧着工程で、コンタクト部、導電性ペースト、ホールが略一致する位置で、且つ、第１の基板上に形成されたコンタクト部と第２の基板上に形成された導電性ペーストが対向するように、第３の基板を挟んで第１の基板と第２の基板とが圧着される。第２の基板上の導電性ペーストが、第３の基板に形成されたホールを介して、第１の基板上に形成されたコンタクト部に接触する。これにより、第１の基板と第３の基板との間に配設される電子回路の構成要素（例えば、電子部品や配線など）と、第２の基板と第３の基板との間に配設される電子回路の構成要素とは、導電性ペーストで形成される層間ラインを介して導通可能となる。
【０００８】
したがって、従来のようなスルーホールのめっき加工を行うことなく、異なる基板上に配設される電子回路の構成要素を層間接続できるので、バリの発生に起因する層間の接続不良や、めっき液の浸透に起因する電子部品の劣化などが抑制される。また、第１の基板、第２の基板、第３の基板を独立して作製したのちに、各基板を圧着すればよい。各基板の作製時には、例えば各基板に配設される電子回路の構成要素に応じた最適な温度条件で加熱処理（ベーク処理）を行うなど、各基板を最適な加工条件および加工プロセスで作製することができる。そのため、より高品質の多層プリント配線板を、従来よりも簡易かつ正確に製造することができる。
【０００９】
また、本態様において、前記基板圧着工程が実行される前に、前記第２の基板における前記導電性ペーストの周囲に、前記導電性ペーストと親和性の小さい材料からなる撥ペースト部を形成する撥ペースト部形成工程を備えてもよい。導電性ペーストが第２の基板上で拡散するのを防止して、第２の基板に形成されたスルーホール内に導電性ペーストを適切に進入させることができる。
【００１０】
また、本態様において、前記撥ペースト部形成工程は、前記導電性ペーストが親油性である場合、前記導電性ペーストの周囲に疎油性材料を形成して前記撥ペースト部を形成してもよい。これにより、親油性の導電性ペーストが第２の基板上で拡散するのを確実に防止することができる。
【００１１】
また、本態様において、前記撥ペースト部形成工程は、前記導電性ペーストが親水性である場合、前記導電性ペーストの周囲に疎水性材料を形成して前記撥ペースト部を形成してもよい。これにより、親水性の導電性ペーストが第２の基板上で拡散するのを確実に防止することができる。
【００１２】
また、本態様において、前記ホール形成工程は、複数の前記第３の基板のそれぞれに前記ホールを形成し、前記基板圧着工程は、さらに、前記複数の第３の基板にそれぞれ形成された前記ホールが略一致する位置で、前記複数の第３の基板を挟んで前記第１の基板と前記第２の基板とを圧着してもよい。これにより、第１の基板と第２の基板との間に複数の第３の基板が積層される場合でも、複数の第３の基板のそれぞれに形成されたホールが積層方向に連通するため、第２の基板上に形成された導電性ペーストを第１の基板上に形成されたコンタクト部に接触させることができる。
【００１３】
また、本態様において、前記基板圧着工程が実行される前に、前記基板圧着工程によって他の前記第３の基板に積層される前記第３の基板において、前記基板圧着工程の実行時に前記他の第３の基板との隙間を塞ぐ液止め部材を、前記ホールの周囲に形成する液止め形成工程を備えてもよい。これにより、複数の第３の基板が積層され、導電性ペーストがその積層方向に連通する複数のホールを経由する場合でも、複数の第３の基板によって形成される間隙における導電性ペーストの漏出が適切に防止される。
【００１４】
また、本態様において、前記基板圧着工程が実行される前に、前記基板圧着工程によって前記第１の基板に積層される前記第３の基板において、前記基板圧着工程の実行時に前記導電性ペーストを挟んで前記コンタクト部と対向する導電性のランド部を、前記ホールの周囲に形成するランド形成工程を備えてもよい。これにより、第３の基板を挟んで第１の基板と第２の基板とが圧着されると、導電性ペーストがコンタクト部とランド部との間で保持される。これにより、第１の基板と第３の基板との間に配設される電子回路の構成要素をランド部に接続することで、第２の基板と第３の基板との間に配設される電子回路の構成要素と導通可能となる。特に、ランド部は第３の基板上に形成されているため、第３の基板上に電子回路の構成要素が形成されている場合は、その電子部品をランド部に接続容易である。
【００１５】
また、本態様において、前記ペースト形成工程によって形成された前記導電性ペーストは、前記第２の基板に形成される配線と接続し、前記ランド形成工程によって形成された前記ランド部は、前記第３の基板に形成される電子部品と接続し、前記第２の基板に形成される配線は、前記電子部品と接続して回路パターンを構成してもよい。つまり、第３の基板上に電子部品を形成し、第２の基板上にその電子部品に接続して回路パターンを構成する配線を形成してもよい。これにより、第２の基板上のみで回路パターンを形成するためのフォルム上配線の引き回しを行うことができ、多層プリント配線板の設計および製造が容易となる。また、第３の基板上ではフォルム上配線が不要となるため、電子部品の実装面積を大きくすることができる。
【００１６】
また、本態様において、前記ホール形成工程によって形成された前記ホールは、２〜２０μｍ径であってもよい。第３の基板に形成されるホールを２〜２０μｍ径の小径とすることで、第３の基板を挟んで第１の基板と第２の基板とが圧着されると、導電性ペーストが毛細管現象によってホール内を上昇する。したがって、第３の基板に形成された導電性ペーストと、第１の基板に形成されたコンタクト部とを、小径のホールに生じる毛細管現象を利用して正確且つ容易に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】スキャナ１における画素単位の縦断面図である。
【図２】スキャナ１の使用態様を示す概要図である。
【図３】スキャナ１および外部回路２の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】層別に部品展開したスキャナ１の外観斜視図である。
【図５】層別に部品展開したスキャナ１における画素単位の縦断面図である。
【図６】集光層１０の作製工程を示すフローチャートである。
【図７】集光層１０の平面図である。
【図８】発光層２０の作製工程を示すフローチャートである。
【図９】発光層２０の平面図である。
【図１０】感光層３０の作製工程を示すフローチャートである。
【図１１】感光層３０の平面図である。
【図１２】信号処理層４０の作製工程を示すフローチャートである。
【図１３】信号処理層４０の平面図である。
【図１４】スキャナ１の組付工程を示すフローチャートである。
【図１５】配線電源層５０の平面図である。
【図１６】変形例におけるスキャナ１の組付工程を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を具現化した実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、参照する図面は、本発明が採用しうる技術的特徴を説明するために用いられるものであり、記載されている装置構成や製造方法などは、それのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例である。
【００１９】
本発明の一実施形態について、図１〜図１５を参照して説明する。本実施形態では、集光レンズ１２を最上層側（つまり、対象物との対向側）に配置した密着型イメージスキャナ（以下、スキャナ）１を製造する場合を例示して説明する。
【００２０】
本実施形態に係るスキャナ１の物理的構造について、図１を参照して説明する。図１は、スキャナ１の縦断面図であって、スキャナ１に配設される一画素を部分的に拡大して示している。以下では、図１における上側をスキャナ１の上側、図１における下側をスキャナ１の下側として説明する。
【００２１】
図１に示すように、スキャナ１は、機能別に構成された複数の薄型基板が上下方向に積層されてなり、全体として薄板状の外観を有する。本実施形態のスキャナ１では、集光層１０、発光層２０、感光層３０、信号処理層４０、配線電源層５０の順に、上側から下側に向けて５つが積層されている。具体的には、各層１０、２０、３０、４０、５０は１００μｍ厚程度とし、これらが積層されたスキャナ１は５００μｍ厚程度である。
【００２２】
スキャナ１は、読み取り単位を構成する複数の画素が平面視でマトリクス状に配設された２次元のエリアセンサーとして構成されている。本実施形態のスキャナ１では、画素サイズが２５０μｍ程度に設定されており、解像度が１００ｄｐｉ（ｄｏｔ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）であるものとする。
【００２３】
集光層１０は、集光層１０の上側に存在する対象物（例えば、原稿）からの反射光を集光する機能を有する層である。集光層１０には、フィルム基板１１に、集光レンズ１２と、コンタクト部１３とが、画素ごとに設けられている。フィルム基板１１は、集光レンズ１２を形成可能な厚みおよび透光性を有し、且つ、可撓性および絶縁性を有する薄型基板（アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネートなど）であればよい。本実施形態のフィルム基板１１は、１００μｍ厚の無色透明なアクリル板とする（後述のフィルム基板２１も同様）。
【００２４】
集光レンズ１２は、フィルム基板１１の下面に、上側から入射される光を下側に集光するための凹凸パターンが形成された、公知のフレネルレンズである。集光レンズ１２の屈折率は、後述の有機フォトダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ：以下有機ＰＤと記す）３３に集光されるように調整されている。集光レンズ１２は、後述の有機エレクトロルミネッセンス（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下有機ＥＬと記す）２３の上方に設けられ、より好適には平面視で有機ＥＬ２３の全体を含んでいる。本実施形態の集光レンズ１２は、各画素の中央位置に２００μｍ幅の略正方形状で形成されている。
【００２５】
コンタクト部１３は、フィルム基板１１の下面に形成された、数μｍ厚程度の薄板円盤状の導体である。コンタクト部１３を形成する材料は、樹脂上に形成可能な導体（例えば、銅やアルミ）であればよく、本実施形態では銅メッキとする（後述のコンタクト部２７、３６も同様）。コンタクト部１３は、集光レンズ１２を透過する光を遮らないように、平面視で集光レンズ１２の形成範囲よりも外側に設けられている。コンタクト部１３は、後述するように、有機ＥＬ２３に接続される層間ライン７０に対応する数量が設けられている。本実施形態では、コンタクト部１３の形成幅は２５μｍである（後述のコンタクト部２７、３６も同様）。
【００２６】
発光層２０は、集光層１０の上側に位置する対象物にスキャン光を照射する機能を有する層である。発光層２０には、フィルム基板２１に、スルーホール２２と、有機ＥＬ２３と、光透過部２４と、ランド部２５と、接着シート２６と、コンタクト部２７とが、画素ごとに設けられている。フィルム基板２１は、反射光を透過可能な透光性を有し、且つ、可撓性および絶縁性を有する薄型基板（アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネートなど）であればよいが、本実施形態では１００μｍ厚の無色透明なアクリル板としている。
【００２７】
有機ＥＬ２３は、フィルム基板２１の上面に設けられ、上方に向けてスキャン光を照射する面光源である。有機ＥＬ２３は、数１００ｎｍ〜数μｍ厚程度の薄膜状をなす公知の有機ＥＬであって、平面視で略正方形状に発光セグメントが形成されたセグメント構造を有する。また、有機ＥＬ２３は、発光素子を上下で挟む陰極および陽極が透明電極（ＩＴＯ）で構成された、非発光時に透明となる透明有機ＥＬである。有機ＥＬ２３の発光セグメントの内側に形成される透明部位が、透光性の窓部２３Ａである。本実施形態の有機ＥＬ２３は、上側に配設される集光レンズ１２の形成範囲とほぼ一致するように、各画素の中央位置に２００μｍ幅の略正方形状で形成されている。また、有機ＥＬ２３の輪郭に沿って略正方形状の発光セグメントが形成されるとともに、有機ＥＬ２３の中心位置に１５０μｍ幅で略正方形の窓部２３Ａが形成されている。
【００２８】
フィルム基板２１のうちで窓部２３Ａを介して反射光が入射する領域が、反射光の受光面として機能する光透過部２４である。光透過部２４は、後述の有機ＰＤ３３の上方に設けられ、より好適には平面視で有機ＰＤ３３の全体を含んでいる。本実施形態では、有機ＥＬ２３の中央位置に窓部２３Ａが１５０μｍ幅の略正方形状で形成されていることに対応して、光透過部２４が各画素の中央位置に１５０μｍ幅の略正方形状で形成されている。
【００２９】
スルーホール２２は、フィルム基板２１を貫通する小径の孔部であり、コンタクト部１３のほぼ中央に対応する平面位置に形成されている。スルーホール２２は、有機ＥＬ２３に接続される層間ライン７０に対応する数量が設けられている。本実施形態では、スルーホール２２の形成幅は１０μｍである（後述のスルーホール３２、４２も同様）。
【００３０】
ランド部２５は、フィルム基板２１の上面に設けられて、スルーホール２２の上端開口縁を被覆する数μｍ厚程度の薄板円環状の導体である。ランド部２５を形成する材料は、樹脂上に形成可能な導体（例えば、銅やアルミ）であればよく、本実施形態では銅メッキとする（後述のランド部３４、４４も同様）。ランド部２５は、後述の接着シート２６および導電性ペースト６０を挟んで、コンタクト部１３と上下方向に対向しており、且つ、フィルム基板２１上で有機ＥＬ２３と電気的に接続されている。本実施形態では、ランド部２５の形成幅は２５μｍである（後述のランド部３４、４４も同様）。
【００３１】
本実施形態では、有機ＥＬ２３の陰極および陽極に接続される２つの層間ライン７０を構成するために、画素ごとの発光層２０に２つのスルーホール２２が設けられている（図９参照）。各スルーホール２２の上端周囲には、フィルム基板２１上で有機ＥＬ２３の陽極および陰極とそれぞれ電気的に接続された２つのランド部２５が設けられている。各ランド部２５の上方には、２つのコンタクト部１３がそれぞれ対向配置されている。２つの層間ライン７０の上端部は、上下に対向するランド部２５およびコンタクト部１３と接続されている。
【００３２】
集光層１０と発光層２０との間には、高絶縁性の透明接着フィルムである接着シート２６が設けられている。接着シート２６は、絶縁性かつ透明性に優れた樹脂製接着シート（例えば、ポリエステル、シリコン、ポリイミドなど）であればよく、層間を適正に接着できる程度のシート厚（例えば、５μｍ〜３０μｍ）を有していればよい（後述の接着シート３５、４５、５４も同様）。詳細には、接着シート２６は、コンタクト部１３とランド部２５との間に介在して、発光層２０を集光層１０の下側に接着させる。ただし、接着シート２６には、スルーホール２２を上方に連通させるとともにランド部２５を露出させる孔部が形成されている。
【００３３】
コンタクト部２７は、コンタクト部１３と同様の導体であり、フィルム基板２１の下面に形成されている。コンタクト部２７は、光透過部２４を透過する光を遮らないように、平面視で光透過部２４の形成範囲よりも外側に設けられている。コンタクト部２７は、後述するように、有機ＰＤ３３に接続される層間ライン７０に対応する数量が設けられている。
【００３４】
感光層３０は、対象物からの反射光を受光して、その光量に応じた電荷を蓄積する層である。感光層３０には、フィルム基板３１に、スルーホール３２と、有機ＰＤ３３と、ランド部３４と、接着シート３５と、コンタクト部３６とが、画素ごとに設けられている。フィルム基板３１は、可撓性および絶縁性を有する薄型基板（アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネートなど）であれば、光透過性を有しているか否かを問わない。本実施形態のフィルム基板３１は、１００μｍ厚の無色透明なアクリル板とする（後述のフィルム基板４１、５１も同様）。
【００３５】
有機ＰＤ３３は、フィルム基板３１の上面に設けられ、上側から入射する光量に応じて電荷を蓄積する感光部である。有機ＰＤ３３は、数１００ｎｍ〜数μｍ厚程度の薄膜状をなし、光吸収用組成物として有機材料を使用した公知の有機ＰＤである。本実施形態の有機ＰＤ３３は、上側に形成される窓部２３Ａ（つまり、光透過部２４）の形成範囲とほぼ一致するように、各画素の中央位置に１５０μｍ幅の略正方形状で形成されている。
【００３６】
スルーホール３２は、スルーホール２２と同様にフィルム基板３１を貫通する孔部であり、コンタクト部２７のほぼ中央に対応する平面位置と、スルーホール２２とほぼ同一の平面位置とに形成されている。スルーホール３２は、感光層３０よりも上側に位置する電子部品（つまり、有機ＥＬ２３）に接続される層間ライン７０、および、有機ＰＤ３３に接続される層間ライン７０に対応する数量が設けられている。
【００３７】
ランド部３４は、ランド部２５と同様の導体であり、コンタクト部２７の下方に位置するスルーホール３２（つまり、有機ＰＤ３３に接続される層間ライン７０を形成するスルーホール３２）の上端開口縁を被覆する。ランド部３４は、後述の導電性ペースト６０を挟んでコンタクト部２７と上下方向に対向しており、且つ、フィルム基板３１上で有機ＰＤ３３と電気的に接続されている。
【００３８】
本実施形態では、有機ＥＬ２３の陰極および陽極と、有機ＰＤ３３の陰極および陽極とにそれぞれ接続される４つの層間ライン７０を構成するために、画素ごとの感光層３０に４つのスルーホール３２が設けられている（図１１参照）。そのうち、２つのスルーホール３２の上端周囲には、有機ＰＤ３３の陽極および陰極とそれぞれ電気的に接続された２つのランド部３４が設けられている。各ランド部３４の上方には、２つのコンタクト部２７がそれぞれ対向配置されている。４つの層間ライン７０のうちで、２つの層間ライン７０の上端部は、上下に対向するランド部３４およびコンタクト部２７と接続されている。
【００３９】
発光層２０と感光層３０との間には、接着シート２６と同様に接着シート３５が設けられている。詳細には、接着シート３５は、フィルム基板２１、３１の間に介在して、感光層３０を発光層２０の下側に接着させる。ただし、接着シート３５には、有機ＰＤ３３およびランド部３４を露出させる開口部が形成されている。また、スルーホール２２の下方に位置するスルーホール３２（つまり、有機ＥＬ２３または有機ＰＤ３３に接続される層間ライン７０を形成するスルーホール３２）を、上方のスルーホール２２と連通させる孔部が形成されている。
【００４０】
コンタクト部３６は、コンタクト部１３と同様の導体であり、フィルム基板３１の下面に形成されている。コンタクト部３６は、後述するように、有機トランジスタ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下有機ＴＦＴと記す）４３に接続される層間ライン７０に対応する数量が設けられている。本実施形態のコンタクト部３６は、有機ＰＤ３３のほぼ直下に形成されている。
【００４１】
信号処理層４０は、感光層３０に蓄積された電荷を読み取って信号処理を行う層である。信号処理層４０には、フィルム基板４１に、スルーホール４２と、有機ＴＦＴ４３と、ランド部４４と、接着シート４５とが、画素ごとに設けられている。
【００４２】
有機ＴＦＴ４３は、フィルム基板４１の上面に設けられ、有機ＰＤ３３に蓄積された電荷を読み取って光電流を増幅して出力する光電変換素子である。有機ＴＦＴ４３は、数１０ｎｍ〜数μｍ厚程度の薄膜状をなし、有機半導体を使用した公知の有機ＴＦＴである。本実施形態では、２つのＴＦＴ４３Ａ，４３Ｂで構成された有機ＴＦＴ４３を例示する（図４、図１３等参照）。
【００４３】
スルーホール４２は、スルーホール２２と同様にフィルム基板４１を貫通する孔部であり、コンタクト部３６のほぼ中央に対応する位置と、スルーホール３２とほぼ同一の平面位置とに形成されている。スルーホール４２は、信号処理層４０よりも上側に位置する電子部品（つまり、有機ＥＬ２３および有機ＰＤ３３）に接続される層間ライン７０、および、有機ＴＦＴ４３に接続される層間ライン７０に対応する数量が設けられている。
【００４４】
ランド部４４は、ランド部２５と同様の導体であり、コンタクト部３６の下方に位置するスルーホール４２（つまり、有機ＴＦＴ４３に接続される層間ライン７０を形成するスルーホール４２）の上端開口縁を被覆する。ランド部４４は、後述の導電性ペースト６０を挟んでコンタクト部３６と上下方向に対向しており、且つ、フィルム基板４１上で有機ＴＦＴ４３と電気的に接続されている。
【００４５】
本実施形態では、有機ＥＬ２３の陰極および陽極と、有機ＰＤ３３の陰極および陽極と、ＴＦＴ４３Ａのソース電極、ドレイン電極、ゲート電極と、ＴＦＴ４３Ｂのソース電極、ドレイン電極、ゲート電極と、にそれぞれ接続される１０つの層間ライン７０を構成するために、画素ごとの信号処理層４０に１０つのスルーホール４２が設けられている（図１３参照）。そのうち、６つのスルーホール３２の上端周囲には、フィルム基板４１上でＴＦＴ４３Ａ、４３Ｂのソース電極、ドレイン電極、ゲート電極とそれぞれ電気的に接続された６つのランド部４４が設けられている。各ランド部４４の上方には、６つのコンタクト部３６がそれぞれ対向配置されている。１０つの層間ライン７０のうちで、６つの層間ライン７０の上端部は、上下に対向するランド部４４およびコンタクト部３６と接続されている。
【００４６】
感光層３０と信号処理層４０との間には、接着シート２６と同様に接着シート４５が設けられている。詳細には、接着シート４５は、フィルム基板３１、４１の間に介在して、信号処理層４０を感光層３０の下側に接着させる。ただし、接着シート４５には、有機ＴＦＴ４３およびランド部４４を露出させる開口部が形成されている。また、スルーホール３２の下方に位置するスルーホール４２（つまり、有機ＥＬ２３、有機ＰＤ３３および有機ＴＦＴ４３のいずれかに接続される層間ライン７０を形成するスルーホール４２）を、上方のスルーホール３２と連通させる孔部が形成されている。
【００４７】
配線電源層５０は、各層２０、３０、４０に配設された電子部品（つまり、有機ＥＬ２３、有機ＰＤ３３、有機ＴＦＴ４３）に接続される電源ラインおよび配線ラインが形成される層である。配線電源層５０には、フィルム基板５１に、配線５２と、ライン接続部５３と、接着シート５４とが、画素ごとに設けられている。
【００４８】
配線５２は、数μｍ厚程度のアルミ箔で形成された配線であり、電源ラインおよび配線ラインを含む。ライン接続部５３は、配線５２上または配線５２に隣接して設けられ、導電性ペースト６０が形成される部位である。ライン接続部５３は、配線電源層５０よりも上側に位置する電子部品（つまり、有機ＥＬ２３、有機ＰＤ３３、有機ＴＦＴ４３）に接続される層間ライン７０に対応する数量が設けられている。本実施形態では、有機ＥＬ２３、有機ＰＤ３３、有機ＴＦＴ４３のいずれかに接続される１０つの層間ライン７０に対応して、配線電源層５０に１０つのライン接続部５３が設けられている（図１５参照）。なお、導電性ペースト６０は、高導電性および高粘性を有する公知の導電性ペーストであり、ライン接続部５３に形成されると配線５２と物理的に接触する。本実施形態の導電性ペースト６０は、銀ナノ粒子（６ｗｔ％、エタノール溶媒、粒子径５ｎｍ）のペースト体である。
【００４９】
信号処理層４０と配線電源層５０の間には、接着シート２６と同様に接着シート５４が設けられている。詳細には、接着シート５４は、フィルム基板４１、５１の間に介在して、配線電源層５０を信号処理層４０の下側に接着させる。ただし、接着シート５４にはライン接続部５３を露出させる孔部が形成されている。
【００５０】
コンタクト部１３とライン接続部５３との間には、スルーホール２２、３２、４２を介して上下方向に延びる小径の連通孔が形成されており、この連通孔に導電性ペースト６０が充填された状態で固化している。さらに、上下方向に対向するコンタクト部１３およびランド部２５で形成される数μｍ厚程度の間隙に、導電性ペースト６０が充填された状態で固化している。つまり、有機ＥＬ２３は、発光層２０にフォイル上配線を形成することなく、ランド部２５および層間ライン７０を介して配線５２と導通する。
【００５１】
コンタクト部２７とライン接続部５３との間には、スルーホール３２、４２を介して上下方向に延びる小径の連通孔が形成されており、この連通孔に導電性ペースト６０が充填された状態で固化している。さらに、上下方向に対向するコンタクト部２７およびランド部３４で形成される数μｍ厚程度の間隙に、導電性ペースト６０が充填された状態で固化している。つまり、有機ＰＤ３３は、感光層３０にフォイル上配線を形成することなく、ランド部３４および層間ライン７０を介して配線５２と導通する。
【００５２】
コンタクト部３６とライン接続部５３との間には、スルーホール４２を介して上下方向に延びる小径の連通孔が形成されており、この連通孔に導電性ペースト６０が充填された状態で固化している。さらに、上下方向に対向するコンタクト部３６およびランド部４４で形成される数μｍ厚程度の間隙に、導電性ペースト６０が充填された状態で固化している。つまり、有機ＴＦＴ４３は、信号処理層４０にフォイル上配線を形成することなく、ランド部４４および層間ライン７０を介して配線５２と導通する。
【００５３】
上記構成を備えたスキャナ１では、フィルム基板１１、２１、３１、４１、５１以外の構成部材は数μｍ以下の厚みである。よって、各層１０、２０、３０、４０、５０の厚みは、フィルム基板１１、２１、３１、４１、５１の厚み（１００μｍ厚）にほぼ等しい。また、各層１０、２０、３０、４０、５０間には接着シート２６、３５、４５、５４が介在されているが、各層１０、２０、３０、４０、５０間の上下幅は、数μｍ〜１０μｍ程度である。そのため、スキャナ１は、各層１０、２０、３０、４０、５０が積層されても、全体の厚みは略５００μｍ程度であるため、従来のスキャナと比して極めて薄型軽量である。
【００５４】
さらに、スキャナ１の構成部材は、全て薄板状または薄膜状をなす可撓体であり、特に画素を構成する電子部品（有機ＥＬ２３、有機ＰＤ３３、有機ＴＦＴ４３）も、有機材料で構成された薄膜状の可撓体である。そのため、スキャナ１は全体としても薄板状の可撓体であり、且つ、スキャナ１が撓んでも素子構造は破壊されることなく保持される。よって、スキャナ１は撓んだ状態でも、対象物から適切に画像読取を実行可能である。
【００５５】
なお、接着シート２６、３５、４５、５４は、各層１０、２０、３０、４０、５０の間隙で導電性ペースト６０の流出を防ぐ周壁としてそれぞれ機能する。よって、スルーホール２２、３２、４２の間隙において、導電性ペースト６０が流出して電子部品（有機ＥＬ２３、有機ＰＤ３３、有機ＴＦＴ４３）に付着するおそれが防止されている。
【００５６】
次に、本実施形態に係るスキャナ１の電気的構造および動作態様について、図１〜図３を参照して説明する。
【００５７】
図２に示すように、スキャナ１は、スキャナ１の読取動作を制御する外部回路２に、リード線によって接続される。外部回路２は、例えばＵＳＢケーブルによって、ユーザが操作するＰＣ９に接続されている。本実施形態では、ユーザがＰＣ９を操作してスキャナ１に画像読取を指示し、スキャナ１によって読み取られた画像イメージがＰＣ９に出力される場合を例示する。
【００５８】
図３に示すように、スキャナ１は、発光回路３、受光回路４および信号処理回路５を有する。発光回路３は、有機ＥＬ２３および有機ＥＬ２３に層間接続された配線５２で形成される回路であって、有機ＥＬ２３に電圧を印加して発光させる。受光回路４は、有機ＰＤ３３および有機ＰＤ３３に層間接続された配線５２で形成される回路であって、有機ＰＤ３３に一定逆電圧（バイアス）を印加することで、受光量に対応して増加する電荷を蓄積させる。信号処理回路５は、有機ＴＦＴ４３および有機ＴＦＴ４３に層間接続された配線５２で形成される回路であって、発光回路３および受光回路４を駆動し、有機ＰＤ３３から読み出される電荷を電圧として読み出して増幅する。
【００５９】
外部回路２は、制御回路６および電源回路７を有する。制御回路６は、スキャナ１の読取動作を制御する回路である。電源回路７は、スキャナ１に電源を供給する回路である。本実施形態では、スキャナ１の薄型軽量化を図るために外部回路２を装置外に設けているが、スキャナ１が外部回路２を一体に備えていてもよい。
【００６０】
以下では、より具体的に、スキャナ１の読取動作について説明する。まず、ユーザは、スキャナ１を読取対象の原稿Ｔに対して密接させる。このとき、スキャナ１の上面（つまり、集光層１０）が原稿Ｔの読取面に対向するように面接触させる。上記構成を有するスキャナ１は、全体として可撓性の薄型板状をなすため、原稿Ｔの読取面が湾曲している状態でも、その湾曲形状に合わせてスキャナ１を撓ませて面接触させることができる。
【００６１】
ユーザは、スキャナ１を原稿Ｔの読取面に密接させた状態で、ＰＣ９を操作してスキャナ１に画像読取を指示すると、制御回路６は、信号処理回路５にスキャン信号を入力する。信号処理回路５は、スキャン信号が入力されると、発光回路３を駆動して有機ＥＬ２３を発光させる。有機ＥＬ２３は、先述のように平面視で集光レンズ１２の形成範囲に含まれる。そのため、有機ＥＬ２３の発光セグメントから上方に照射されたスキャン光は、有機ＥＬ２３の上方に位置する集光レンズ１２を透過して原稿Ｔに照射される。
【００６２】
原稿Ｔからの反射光は、集光レンズ１２にて画素中心に向けて屈折されて、集光レンズ１２の下方に位置する窓部２３Ａに入射する。先述のように、有機ＰＤ３３は、平面視で光透過部２４の形成範囲に含まれる。そのため、窓部２３Ａに入射した反射光は、さらに光透過部２４を透過して、光透過部２４の下方に位置する有機ＰＤ３３上に集光される。受光回路４の駆動により、有機ＰＤ３３で光量に応じた電荷が蓄積されて光イメージが結像される。
【００６３】
信号処理回路５は、発光回路３の駆動制御に合わせて、受光回路４を駆動する。受光回路４の駆動により、有機ＰＤ３３に蓄積された電荷が有機ＴＦＴ４３に読み出され、その電荷が電圧値として増幅される。各セルごとの電圧値は、信号処理回路５から制御回路６にデータ信号として出力される。制御回路６は、スキャナ１から出力されるデータ信号に基づいて画像イメージを生成し、その画像イメージをＰＣ９に出力する。
【００６４】
次に、本実施形態に係るスキャナ１の製造方法について、図４〜図１５を参照して説明する。なお、図４はスキャナ１の９画素分について、図５はスキャナ１の１画素分について、図７、図９、図１１、図１３、図１５はスキャナ１の４画素分について、それぞれ図示している。スキャナ１は、各層１０、２０、３０、４０をそれぞれ作製する作製工程と、スキャナ１の組付工程とによって製造される。スキャナ１の組付工程では、配線電源層５０を作製して、各層１０、２０、３０、４０、５０を積層する。各層１０、２０、３０、４０の作製工程は、スキャナ１の組付工程が行われる前にそれぞれ独立して行われる。
【００６５】
［集光層１０の作製工程］
図６を参照して、集光層１０の作製工程を説明する。まず、図４、図５、図７に例示するように、集光層１０の作製工程では、まずフィルム基板１１の下面に、集光レンズ１２を画素ごとに形成する（Ｓ１）。集光レンズ１２は、公知の熱プレス法やキャスティング法などで形成されればよいが、公知のナノインプリントリソグラフィを用いて形成することが好ましい。また、集光レンズ１２をフィルム基板１１に一体形成されるフレネルレンズとすることで、フィルム基板１１の厚みを抑制することができる。なお、集光レンズ１２に屈折率差を設けるため、フィルム基板１１の材料系として、高屈折率金属酸化物（ＴｉＯ２、ＺｒＯ２等）ナノ粒子ポリマー、低屈折率フッ素系樹脂ポリマー等を用いることが好適である。
【００６６】
次に、図５に例示するように、フィルム基板１１の下面において、平面視で各集光レンズ１２の形成範囲の外側に、コンタクト部１３を画素ごとに形成する（Ｓ３）。コンタクト部１３は、公知のエッチング法、メッキ法、スクリーン印刷法などで形成されればよい（後述のコンタクト部２７、３６も同様）。コンタクト部１３の形成幅は、少なくともスルーホール２２の直径よりも大きい。好適には、スルーホール２２の直径の２倍以上（例えば、２０μｍ〜５０μｍの範囲内）であり、本実施形態では２５μｍ幅としている。後述のコンタクト部２７、３６も、スルーホール３２、４２との関係において同様である。本実施形態では、後述のライン接続部５３Ａ、５３Ｂ（図１５参照）と対応する位置に、２つのコンタクト部１３を形成する。
【００６７】
［発光層２０の作製工程］
図８を参照して、発光層２０の作製工程を説明する。まず、図４、図５、図９に例示するように、フィルム基板２１にスルーホール２２を画素ごとに形成する（Ｓ１１）。スルーホール２２は、導電性ペースト６０を毛細管現象によって内部で上昇させる程度の小径（例えば、２〜２０μｍ程度）であり、本実施形態では１０μｍ径としている。スルーホール２２が２〜２０μｍのような小径である場合は、マイクロドリルを使用して形成するのが好適である。後述のスルーホール３２、４２も同様である。スルーホール２２は、公知のパンチングやマイクロドリルなどを用いて形成されればよい。本実施形態では、後述のライン接続部５３Ａ、５３Ｂ（図１５参照）と対応する位置に、２つのスルーホール２２Ａ、２２Ｂを形成する。
【００６８】
次に、図５に例示するように、フィルム基板２１の下面における、平面視で窓部２３Ａ（つまり、光透過部２４）の形成範囲の外側に、コンタクト部２７を画素ごとに形成する（Ｓ１３）。本実施形態では、後述のライン接続部５３Ｂ、５３Ｃ（図１５参照）と対応する位置に、２つのコンタクト部２７を形成する。
【００６９】
次に、図５、図９に例示するように、フィルム基板２１の上面に、スルーホール２２の上端開口縁を被覆するランド部２５を画素ごとに形成する（Ｓ１５）。ランド部２５は、公知のエッチング法、めっき法、スクリーン印刷法などで形成されればよい。ランド部２５の形成幅は、コンタクト部１３の形成幅と同程度であることが好適であり、本実施形態では２５μｍ幅としている（後述のランド部３４、４４も同様）。本実施形態では、スルーホール２２Ａ、２２Ｂの上端開口縁に沿って、２つのランド部２５Ａ、２５Ｂを形成する。
【００７０】
次に、図４、図５、図９に例示するように、フィルム基板２１の上面に、有機ＥＬ２３を画素ごとに形成する（Ｓ１７）。有機ＥＬ２３は、公知のフォトリソグラフィ法、スクリーン印刷法、インクジェット法などによって、少なくとも一部に窓部２３Ａを有するセグメント構造の有機ＥＬ２３を形成すればよい。有機ＥＬ２３の発光セグメントおよび窓部２３Ａは、透明電極（ＩＴＯ）のパターニング、または、１０ｎｍ以上の薄層絶縁膜形成によって作り分ければよい。なお、ランド部２５Ａ、２５Ｂに、有機ＥＬ２３の陽極および陰極をそれぞれ電気的に接続させる。
【００７１】
最後に、図５に例示するように、接着シート２６を、フィルム基板２１の上面側を被覆するように形成する（Ｓ１９）。ただし、有機ＥＬ２３が露出するように（つまり、有機ＥＬ２３が被覆されないように）、公知のエッチング法などで接着シート２６に開口部を形成する。さらに、ランド部２５の孔部周り（つまり、スルーホール２２の上端開口縁）が露出するように、公知のマイクロドリルなどで接着シート２６に孔部を形成する。
【００７２】
［感光層３０の作製工程］
図１０を参照して、感光層３０の作製工程を説明する。まず、図４、図５、図１１に例示するように、フィルム基板３１にスルーホール３２を画素ごとに形成する（Ｓ３１）。本実施形態では、後述のライン接続部５３Ａ〜５３Ｄ（図１０参照）と対応する位置に、４つのスルーホール３２Ａ〜３２Ｄを形成する。
【００７３】
次に、図５に例示するように、フィルム基板３１の下面に、上側に形成される有機ＰＤ３３のほぼ直下に相当する位置（本実施形態では、画素のほぼ中央位置）に、コンタクト部３６を画素ごとに形成する（Ｓ３３）。本実施形態では、後述のライン接続部５３Ｅ〜５３Ｈ、５３Ｊ、５３Ｋ（図１５参照）と対応する位置に、６つのコンタクト部３６を形成する。
【００７４】
次に、図５、図１１に例示するように、フィルム基板３１の上面に、スルーホール３２の上端開口縁を被覆するランド部３４を画素ごとに形成する（Ｓ３５）。本実施形態では、スルーホール３２Ｃ、３２Ｄの上端開口縁に沿って、２つのランド部３４Ａ、３４Ｂを形成する。
【００７５】
次に、図４、図５、図１１に例示するように、フィルム基板３１の上面に、有機ＰＤ３３を画素ごとに形成する（Ｓ３７）。有機ＰＤ３３は、公知のフォトリソグラフィ法、スクリーン印刷法、インクジェット法などによって形成すればよい。本実施形態では、公知の自己整合技術（例えば、特開２００６−２５３６３２号公報等を参照）を用いて有機ＰＤ３３を形成する。これによれば、有機ＰＤ３３の高明暗電流比および高感度を実現するとともに、有機ＰＤ３３を正確且つ容易に形成することができる。図示しないが、フィルム基板３１の上面に、有機ＰＤ３３に並列接続されるコンデンサを、公知の手法により形成する。なお、ランド部３４Ａ、３４Ｂに、有機ＰＤ３３の陽極および陰極をそれぞれ電気的に接続させる。
【００７６】
最後に、図５に例示するように、接着シート３５を、フィルム基板３１の上面側を被覆するように形成する（Ｓ３９）。ただし、有機ＰＤ３３およびランド部３４が露出するように（つまり、有機ＰＤ３３およびランド部３４が被覆されないように）、接着シート３５に開口部を形成する。さらに、ランド部３４が形成されていないスルーホール３２（本実施形態では、スルーホール３２Ａ、３２Ｂ）が上方に連通するように、接着シート２６に孔部を形成する。
【００７７】
［信号処理層４０の作製工程］
図１２を参照して、信号処理層４０の作製工程を説明する。まず、図４、図５、図１３に例示するように、フィルム基板４１にスルーホール４２を画素ごとに形成する（Ｓ５１）。本実施形態では、後述のライン接続部５３Ａ〜５３Ｈ、５３Ｊ、５３Ｋ（図１５参照）と対応する位置に、１０つのスルーホール４２Ａ〜４２Ｈ、４２Ｊ、４２Ｋを形成する。
【００７８】
次に、図５、図１３に例示するように、フィルム基板４１の上面に、スルーホール４２の上端開口縁を被覆するランド部４４を画素ごとに形成する（Ｓ５３）。本実施形態では、スルーホール４２Ｅ〜４２Ｈ、４２Ｊ、４２Ｋの上端開口縁に沿って、６つのランド部４４Ａ〜４４Ｆを形成する。
【００７９】
次に、図４、図５、図１３に例示するように、フィルム基板４１の上面に、有機ＴＦＴ４３を画素ごとに形成する（Ｓ５５）。有機ＴＦＴ４３は、公知のフォトリソグラフィ法などによって形成すればよい。本実施形態では、公知の自己整合技術（例えば、特開２００５−１５８７７４号公報等を参照）を用いて、透明酸化物半導体である有機ＴＦＴ４３を形成する。これによれば、素子特性の高い有機ＴＦＴ４３を正確且つ容易に形成することができる。なお、有機ＴＦＴ４３を、２つのＴＦＴ（第１ＴＦＴ４３Ａおよび第２ＴＦＴ４３Ｂ）で構成する。ランド部４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｅに、第１ＴＦＴ４３Ａのソース電極、ドレイン電極、ゲート電極をそれぞれ電気的に接続させる。ランド部４４Ｃ、４４Ｄ、４４Ｆに、第２ＴＦＴ４３Ｂのソース電極、ドレイン電極、ゲート電極をそれぞれ電気的に接続させる。
【００８０】
最後に、図５に例示するように、接着シート４５を、フィルム基板４１の上面側を被覆するように形成する（Ｓ５７）。ただし、有機ＴＦＴ４３およびランド部４４が露出するように（つまり、有機ＴＦＴ４３およびランド部４４が被覆されないように）、接着シート４５に開口部を形成する。さらに、ランド部４４が形成されていないスルーホール４２（本実施形態では、スルーホール４２Ａ〜４２Ｄ）が上方に連通するように、接着シート４５に孔部を形成する。
【００８１】
［スキャナ１の組付工程］
図１４を参照して、スキャナ１の組付工程を説明する。スキャナ１の組付工程では、まず配線電源層５０を作製する。初めに、図４、図５、図１５に例示するように、フィルム基板５１の上面に、配線５２を形成する（Ｓ７１）。配線５２は、公知のフォトリソグラフィ法やエッチング法などによって形成すればよい。より好適には、超微細配線パターンを形成可能な手法（例えば、特開２００６−２２２２９５号公報等を参照）で配線５２を形成するのが望ましい。
【００８２】
本実施形態では、フィルム基板５１上に形成される配線５２として、画素ごとのセルがそれぞれ接続される一対のスキャンライン（ロウ配線５２Ｃ、５２Ｄ）および一対のデータライン（カラム配線５２Ｅ、５２Ｆ）を、マトリクス状に形成する。データラインと平行をなす電源ライン（Ｖｓｓ）５２ＡおよびＧＮＤライン（Ｖｄｄ）５２Ｂを、隣り合う画素の間に形成する。データライン（カラム配線５２Ｅ、５２Ｆ）は、各カラムのトランジスタ（ＴＦＴ４３Ａ，４３Ｂ）をアクティブにするための配線である。スキャンライン（ロウ配線５２Ｃ、５２Ｄ）は、各ロウのトランジスタ（ＴＦＴ４３Ａ，４３Ｂ）をセレクトするための配線である。かかる構成のもと、スキャナ１の読取動作時には、所謂２次元スイッチを駆動するロウ・カラム方式の読取制御が行われるが、詳細は後述する。
【００８３】
さらに、フィルム基板５１上における層間ライン７０が形成される位置（つまり、ライン接続部５３Ａ〜５３Ｈ、５３Ｊ、５３Ｋ）を、次のような接続関係とする。すなわち、電源ライン５２Ａ上に、ライン接続部５３Ｂを形成する。ＧＮＤライン５２Ｂ上に、ライン接続部５３Ｄを形成する。ロウ配線５２Ｃに、ライン接続部５３Ｊを配線接続する。ロウ配線５２Ｄ上に、ライン接続部５３Ｋを形成する。カラム配線５２Ｅに、ライン接続部５３Ｅを配線接続する。カラム配線５２Ｆに、ライン接続部５３Ｇを配線接続する。ライン接続部５３Ｃとライン接続部５３Ｈとを配線接続する。なお、図１５において、フィルム基板５１上で配線５２同士が交差する部位は、絶縁被膜が施されている。
【００８４】
次に、図５に例示するように、フィルム基板５１の上面に、公知のインクジェット技術などによって、ライン接続部５３上に導電性ペースト６０を吐着して形成する（Ｓ７３）。導電性ペースト６０は、スルーホール２２等の内部を毛細管現象によって上昇するのに必要な密度を有する導電性ペーストであればよい。より好適には、導電性ペースト６０は、低温加熱（例えば、１４０℃以下）によって硬化し、且つ、接着力が高いものが望ましく、本実施形態では銀ナノ粒子（６ｗｔ％、エタノール溶媒、粒子径５ｎｍ）のペースト体としている。
【００８５】
ライン接続部５３に対する導電性ペースト６０の吐着量は、そのライン接続部５３に形成される層間ライン７０によって異なる。例えば、コンタクト部１３（つまり、集光層１０）まで延びる層間ライン７０が形成されるライン接続部５３には、３つのスルーホール２２、３２、４２を充填するのに必要な量の導電性ペースト６０を吐着する。また、コンタクト部３６（つまり、感光層３０）まで延びる層間ライン７０が形成されるライン接続部５３には、１つのスルーホール４２を充填するのに必要な量の導電性ペースト６０を吐着する。
【００８６】
次に、図５に例示するように、接着シート５４を、フィルム基板５１の上面側を被覆するように形成する。ただし、ライン接続部５３上に形成された導電性ペースト６０が露出するように（つまり、導電性ペースト６０が被覆されないように）、接着シート５４に孔部を形成する（Ｓ７５）。
【００８７】
次に、図４、図５に例示するように、上記のように作製された配線電源層５０を最下層として、上記作製工程で形成された信号処理層４０、感光層３０、発光層２０、集光層１０を下から順に積み上げて積層する（Ｓ７７）。このとき、各コンタクト部１３、２７、３６および各スルーホール２２、３２、４２が、それぞれ対応するライン接続部５３の平面位置と略一致するように、各層１０、２０、３０、４０、５０を積層させる。これにより、コンタクト部１３からスルーホール２２、３２、４２を経由してライン接続部５３に至る小径の連通孔が形成される。同様に、コンタクト部２７からスルーホール３２、４２を経由してライン接続部５３に至る小径の連通孔が形成され、コンタクト部３６からスルーホール４２を経由してライン接続部５３に至る小径の連通孔が形成される（図１参照）。
【００８８】
各層１０、２０、３０、４０、５０が積層されると、ライン接続部５３に形成されている導電性ペースト６０が、毛細管現象によってスルーホール４２の内周壁に沿って上昇する。スルーホール４２の上端開口縁にランド部４４が形成されている場合、導電性ペースト６０はスルーホール４２の上端開口から進出してコンタクト部３６に接触する。コンタクト部３６に接触した導電性ペースト６０は、コンタクト部３６の表面に沿って平面方向に広がり、コンタクト部３６とランド部４４との間隙に進入する。かかる状態で導電性ペースト６０が固化すると、有機ＴＦＴ４３を配線５２に接続させる層間ライン７０が形成される。
【００８９】
スルーホール４２が上方のスルーホール３２と連通している場合、導電性ペースト６０はスルーホール４２を経由してスルーホール３２に進入し、さらにスルーホール３２の内周壁に沿って上昇する。スルーホール３２の上端開口縁にランド部３４が形成されている場合、導電性ペースト６０はコンタクト部２７に接触することによって、コンタクト部２７とランド部３４との間隙に進入する。かかる状態で導電性ペースト６０が固化すると、有機ＰＤ３３を配線５２に接続させる層間ライン７０が形成される。
【００９０】
スルーホール３２が上方のスルーホール２２と連通している場合、導電性ペースト６０はさらにスルーホール２２の内周壁に沿って上昇する。そして、導電性ペースト６０は、スルーホール２２の上端開口から進出してコンタクト部１３に接触して、コンタクト部１３とランド部２５との間隙に充填される。かかる状態で導電性ペースト６０が固化すると、有機ＥＬ２３を配線５２に接続させる層間ライン７０が形成される。
【００９１】
最後に、図１に例示するように、各層１０、２０、３０、４０、５０を積層した状態で加熱圧着する（Ｓ７９）。これにより、各層間に配置された接着シート２６、３５、４５、５４を加熱溶解して、各層１０、２０、３０、４０、５０が接着される。また、導電性ペースト６０が加熱固化して、上記のように層間ライン７０が形成される。この加熱圧着は、接着シート２６、３５、４５、５４を加熱溶着する温度で行えばよいが、より好適には画素を構成する電子部品を熱劣化させない温度であることが望ましい。本実施形態では、有機ＥＬ２３、有機ＰＤ３３、有機ＴＦＴ４３の全てを熱劣化させないという条件（１４０℃以下）を満たす８０℃で加熱圧着を行うものとする。そのため、接着シート２６、３５、４５、５４は８０℃で加熱溶着する材料で形成されるとともに、導電性ペースト６０も８０℃で加熱固化する材料で形成されている。
【００９２】
これにより、本実施形態のスキャナ１（図７、図９、図１１、図１３、図１５参照）では、有機ＥＬ２３の陰極は、配線電源層５０上で接続されるライン接続部５３Ａ、５３Ｆを介して、第１ＴＦＴ４３Ａのドレイン電極に結線される。有機ＥＬ２３の陽極は、ライン接続部５３Ｂが形成された電源ライン５２Ａに結線される。有機ＰＤ３３の陰極は、配線電源層５０上で接続されるライン接続部５３Ｃ、５３Ｈを介して、第２ＴＦＴ４３Ｂのドレイン電極に結線される。有機ＰＤ３３の陽極は、ライン接続部５３Ｄが形成されたＧＮＤライン５２Ｂに結線される。第１ＴＦＴ４３Ａのソース電極は、ライン接続部５３Ｅが接続されたカラム配線５２Ｅに結線され、第２ＴＦＴ４３Ｂのソース電極は、ライン接続部５３Ｇが接続されたカラム配線５２Ｆに結線される。第１ＴＦＴ４３Ａのゲート電極は、ライン接続部５３Ｊが接続されたロウ配線５２Ｃに結線され、第２ＴＦＴ４３Ｂのソース電極は、ライン接続部５３Ｋが接続されたロウ配線５２Ｄに結線される。
【００９３】
その結果、発光層２０の回路構成（図３に示す発光回路３）では、第１ＴＦＴ４３Ａのドレイン電極から有機ＥＬ２３の陰極に入り、有機ＥＬ２３の陽極が電源ライン５２Ａに繋がる。感光層３０の回路構成（図３に示す受光回路４）では、第１ＴＦＴ４３Ａのドレイン電極から有機ＰＤ３３の陰極に入り、有機ＰＤ３３の陽極がＧＮＤライン５２Ｂに繋がる。信号処理層４０の回路構成（図３に示す信号処理回路５）は、ロウ配線５２Ｃから第１ＴＦＴ４３Ａのゲート電極に入り、第１ＴＦＴ４３Ａのソース電極を経てカラム配線５２Ｅに繋がる。ロウ配線５２Ｄから第２ＴＦＴ４３Ｂのゲート電極に入り、第２ＴＦＴ４３Ｂのソース電極を経てカラム配線５２Ｆに繋がる。
【００９４】
このような配線パターンによって、各電子部品（有機ＥＬ２３、有機ＰＤ３３、有機ＴＦＴ４３）と配線５２とが、層間ライン７０によって画素ごとに層間接続され、発光回路３、受光回路４、信号処理回路５（図３参照）が画素ごとに形成される。データライン（カラム配線５２Ｅ、５２Ｆ）で所定時間アクティブになったカラムのトランジスタ（ＴＦＴ４３Ａ、４３Ｂ）のうち、スキャンライン（ロウ配線５２Ｃ、５２Ｄ）でセレクトされたロウに相当するトランジスタのみ、所定時間ゲート電圧がＯＮになってドレイン電流が流れる。そのため、スキャナ１の読み取り動作時には、スキャンライン（ロウ配線５２Ｃ、５２Ｄ）とデータライン（カラム配線５２Ｅ、５２Ｆ）とに選択的にデータ入力が行われることで、２次元的に配置された有機ＥＬ２２が発光され、且つ、２次元的に配置された有機ＰＤ３３から光起電力分布が得られる。
【００９５】
より詳細には、ロウ配線５２Ｃおよびカラム配線５２Ｅにスキャン信号が入力されると、第１ＴＦＴ４３Ａのゲート電極に電圧が印加される。この電圧印加によってゲート電極が開き、第１ＴＦＴ４３Ａのソース電極からドレイン電極へ電流が流れて、有機ＥＬ２３が発光する。これにあわせて、ロウ配線５２Ｄおよびカラム配線５２Ｆにスキャン信号が入力されると、第２ＴＦＴ４３Ｂのゲート電極に電圧が印加される。この電圧印加によってゲート電極が開き、有機ＰＤ３３が原稿から受光した反射光の光量に応じて、第２ＴＦＴ４３Ｂのソース電極からドレイン電極に電流が流れる。このときの光起電力がデータ信号として外部回路２（図３参照）に出力され、外部回路２にて原稿からの反射光強度が特定されることで画像イメージが生成される。
【００９６】
このように、本実施形態のスキャナ１では、光源部（有機ＥＬ２３）と感光部（有機ＰＤ３３）とを各画素ごとに備えて、有機ＥＬ２３の発光制御と有機ＰＤ３３の受光制御とが各画素ごとに実行される。そのため、従来のスキャナ装置のように、光源部の発光制御と感光部の受光制御とを別々に制御する必要がなく、画像読み取り動作を迅速かつ正確に行うことが可能である。
【００９７】
以上説明したように、本実施形態に係るスキャナ１の製造方法によれば、各画素に画像読取に必要な電子部品（有機ＥＬ２３、有機ＰＤ３３、有機ＴＦＴ４３）を一体に備え、全体として薄型軽量且つ可撓性を有するスキャナ１が製造される。ここで、本実施形態に係るスキャナ１の製造方法の特徴およびその作用について、代表的なものを例示する。
【００９８】
本実施形態に係るスキャナ１の製造方法では、集光層１０、発光層２０、感光層３０（つまり、フィルム基板１１、２１、３１）の下面に、それぞれコンタクト部１３、２７、３６が形成される（Ｓ３、Ｓ１３、Ｓ３３）。発光層２０、感光層３０、信号処理層４０（つまり、フィルム基板２１、３１、４１）に、それぞれスルーホール２２、３２、４２が形成される（Ｓ１１、Ｓ３３、Ｓ５３）。配線電源層５０（つまり、フィルム基板５１）のライン接続部５３に、導電性ペースト６０が形成される（Ｓ７３）。そして、各層１０、２０、３０、４０、５０が積層された状態で圧着される（Ｓ７７〜Ｓ７９）。
【００９９】
具体的には、平面視でコンタクト部１３、スルーホール２２、３２、４２、ライン接続部５３（つまり、配線電源層５０上に形成された導電性ペースト６０）が略一致する位置で、各層２０、３０、４０を挟んで集光層１０と配線電源層５０とが圧着される。圧着される際に、導電性ペースト６０が、スルーホール２２、３２、４２を介してコンタクト部１３に接触する。これにより、フィルム基板１１、２１間に配設される電子回路の構成要素（具体的には、発光層２０に形成される有機ＥＬ２３）と、フィルム基板４１、５１との間に配設される電子回路の構成要素（具体的には、配線電源層５０に形成される配線５２）とが、導電性ペースト６０で形成される層間ライン７０を介して導通可能となる。
【０１００】
同様に、平面視でコンタクト部２７、スルーホール３２、４２、ライン接続部５３が略一致する位置で、各層３０、４０を挟んで発光層２０と配線電源層５０とが圧着される際に、導電性ペースト６０がスルーホール３２、４２を介してコンタクト部２７に接触する。これにより、フィルム基板２１、３１間に配設される電子回路の構成要素（具体的には、感光層３０に形成される有機ＰＤ３３）が、導電性ペースト６０で形成される層間ライン７０を介して配線５２と導通可能となる。また、平面視でコンタクト部３６、スルーホール４２、ライン接続部５３が略一致する位置で、信号処理層４０を挟んで感光層３０と配線電源層５０とが圧着される。圧着される際に、導電性ペースト６０がスルーホール４２を介してコンタクト部３６に接触する。これにより、フィルム基板３１、４１間に配設される電子回路の構成要素（具体的には、信号処理層４０に形成される有機ＴＦＴ４３）が、導電性ペースト６０で形成される層間ライン７０を介して配線５２と導通可能となる。
【０１０１】
したがって、従来のようなスルーホールのめっき加工を行うことなく、各層１０、２０、３０、４０、５０上に配設される電子回路の構成要素を層間接続できるので、バリの発生に起因する層間の接続不良や、めっき液の浸透に起因する電子部品の劣化などが抑制される。また、各層１０、２０、３０、４０、５０を独立して作製したのちに、各層１０、２０、３０、４０、５０を圧着すればよい。そのため、各層１０、２０、３０、４０、５０の作製時には、例えば各フィルム基板１１、２１、３１、４１、５１に配設される電子回路の構成要素に応じた最適な温度条件で加熱処理（ベーク処理）を行うなど、各層１０、２０、３０、４０、５０を最適な加工条件および加工プロセスで作製することができる。そのため、より高品質のスキャナ１を、従来よりも簡易かつ正確に製造することができる。
【０１０２】
各層１０、２０、３０、４０、５０が積層された場合に、コンタクト部１３に対応するスルーホール２２、３２、４２が上下方向に連通するため、配線電源層５０上に形成された導電性ペースト６０を集光層１０上に形成されたコンタクト部１３に接触させることができる。同様に、コンタクト部２７に対応するスルーホール３２、４２が上下方向に連通するため、配線電源層５０上に形成された導電性ペースト６０を発光層２０上に形成されたコンタクト部２７に接触させることができる。
【０１０３】
スキャナ１の組付工程（図１４参照）が実行される前に、発光層２０と感光層３０との隙間を塞ぐ接着シート３５がスルーホール３２の周囲に形成される（Ｓ３９）。これにより、発光層２０と感光層３０との間隙における導電性ペースト６０の漏出が適切に防止される。同様に、感光層３０と信号処理層４０との隙間を塞ぐ接着シート４５がスルーホール４２の周囲に形成される（Ｓ５９）。これにより、感光層３０と信号処理層４０との間隙における導電性ペースト６０の漏出が適切に防止される。
【０１０４】
スキャナ１の組付工程（図１４参照）が実行される前に、導電性ペースト６０を挟んでコンタクト部１３と対向するランド部２５がスルーホール２２の周囲に形成される（Ｓ１５）。各層１０、２０、３０、４０、５０が圧着されると、導電性ペースト６０がコンタクト部１３とランド部２５との間で保持される。これにより、発光層２０に形成される有機ＥＬ２３をランド部２５に接続することで、有機ＥＬ２３が配線５２と導通可能となる。同様に、ランド部３４がスルーホール３２の周囲に形成されるため（Ｓ３５）、感光層３０に形成される有機ＰＤ３３をランド部３４に接続すれば配線５２と導通可能となる。また、ランド部４４がスルーホール４２の周囲に形成されるため（Ｓ５５）、信号処理層４０に形成される有機ＴＦＴ４３をランド部４４に接続すれば配線５２と導通可能となる。
【０１０５】
また、配線電源層５０上に形成された導電性ペースト６０は、配線電源層５０上に形成される配線５２と接続する。各層２０、３０、４０に形成されたランド部２５、３４、４４は、それぞれ各層２０、３０、４０に形成される有機ＥＬ２３、有機ＰＤ３３、有機ＴＦＴ４３と接続する。配線電源層５０上に形成される配線５２は、有機ＥＬ２３、有機ＰＤ３３、有機ＴＦＴ４３とそれぞれ接続して発光回路３、受光回路４、信号処理回路５を構成する。つまり、各層２０、３０、４０上に電子部品（有機ＥＬ２３、有機ＰＤ３３、有機ＴＦＴ４３）を形成し、配線電源層５０上にその電子部品に接続して回路パターン（発光回路３、受光回路４、信号処理回路５）を構成する配線５２を形成している。
【０１０６】
これにより、配線電源層５０上のみで回路パターンを形成するためのフォルム上配線の引き回しを行うことができ、スキャナ１（特に、配線ライン・電源ラインの引き回し）の設計および製造が容易となる。また、各層２０、３０、４０上ではフォルム上配線が不要となるため、電子部品の実装面積を大きくすることができる。さらに、スキャナ１の最下層側に設けられる配線電源層５０の上面側にのみフォルム上配線を行えばよいため、スキャナ１の設計および製造をさらに容易とすることができる。
【０１０７】
各層２０、３０、４０にそれぞれ形成されるスルーホール２２、３２、４２は、５〜１０μｍ径である。スルーホール２２、３２、４２を５〜１０μｍ径の小径とすることで、各層１０、２０、３０、４０、５０が圧着されると、導電性ペースト６０が毛細管現象によってスルーホール２２、３２、４２内を上昇する。したがって、配線電源層５０上に形成された導電性ペースト６０と、各層１０、２０、３０に形成されたコンタクト部１３、２７、３６とを、小径のスルーホール２２、３２、４２に生じる毛細管現象を利用して正確且つ容易に接続することができる。
【０１０８】
ところで、上記実施形態において、コンタクト部１３、２７、３６を形成する工程（Ｓ３，Ｓ１３、Ｓ３３）が、本発明の「コンタクト形成工程」にそれぞれ相当する。ライン接続部５３に導電性ペースト６０を形成する工程（Ｓ１０３）が、本発明の「ペースト形成工程」に相当する。スルーホール２２、３２、４２を形成する工程（Ｓ１１，Ｓ３１、Ｓ５１）が、本発明の「ホール形成工程」にそれぞれ相当する。各層１０、２０、３０、４０、５０を積層して圧着する工程（Ｓ１０７〜Ｓ１０９）が、本発明の「基板圧着工程」に相当する。後述する導電性ペースト６０の周囲に撥ペースト処理を施す工程（Ｓ１０５）が、本発明の「撥ペースト部形成工程」に相当する。接着シート２６、３５、４５を形成する工程（Ｓ１９、Ｓ３９、Ｓ５７）が、本発明の「液止め形成工程」にそれぞれ相当する。ランド部２５、３４、４４を形成する工程（Ｓ１５，Ｓ３５、Ｓ５３）が、本発明の「ランド形成工程」にそれぞれ相当する。
【０１０９】
上記実施形態では、配線電源層５０が本発明の「第２の基板」に相当する。ここで、集光層１０を本発明の「第１の基板」とした場合、スルーホール２２、３２、４２が形成される各層２０、３０、４０がそれぞれ本発明の「第３の基板」に相当する。発光層２０を本発明の「第１の基板」とした場合、スルーホール３２、４２が形成される各層３０、４０がそれぞれ本発明の「第３の基板」に相当する。感光層３０を本発明の「第１の基板」とした場合、スルーホール４２が形成される信号処理層４０が本発明の「第３の基板」に相当する。
【０１１０】
なお、本発明は、前述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【０１１１】
例えば、上記実施形態では、信号処理層４０と配線電源層５０との間に接着シート５４を介在させ、接着シート５４に形成される開孔をライン接続部５３に形成された導電性ペースト６０の拡散を防ぐ周壁としている。これにより、導ライン接続部５３に形成された導電性ペースト６０が信号処理層４０と配線電源層５０との間隙に漏出することが防止されているが、これに限定されない。以下、図１６を参照して、スキャナ１の組付工程の変形例について説明する。
【０１１２】
図１６に示すように、変形例に係るスキャナ１の組付工程の変形例では、まずＳ７１と同様に、フィルム基板５１の上面に、配線・電源ラインを構成する配線５２を形成する（Ｓ１０１）。Ｓ７３と同様に、フィルム基板５１の上面に、ライン接続部５３上に導電性ペースト６０を吐着して形成する（Ｓ１０３）。次に、フィルム基板５１の上面において、導電性ペースト６０の周囲（つまり、ライン接続部５３の周囲）に撥ペースト処理を施す（Ｓ１０５）。撥ペースト処理としては、具体的には、導電性ペースト６０が疎水性材料で構成されている場合は、各スルーホール３２等の上端開口縁に撥水加工を施す。導電性ペースト６０が疎油性材料で構成されている場合は、各スルーホール３２等の上端開口縁に撥油加工を施す。
【０１１３】
その後、Ｓ７７と同様に、Ｓ１０１〜１０５で作製された配線電源層５０を最下層として、上記作製工程で形成された信号処理層４０、感光層３０、発光層２０、集光層１０を下から順に積み上げて積層する（Ｓ１０７）。最後に、Ｓ７９と同様に、各層１０、２０、３０、４０、５０を積層した状態で加熱圧着する（Ｓ１０９）。以上により、接着シート５４を用いない場合でも、導電性ペースト６０がフィルム基板５１上に拡散することを防止できる。そして、配線電源層５０上に形成された導電性ペースト６０を、適切にスルーホール４２に進入させて層間ライン７０を形成することができる。
【０１１４】
なお、上記と同様に、各スルーホール２２、３２、４２の周囲（詳細には、各上端開口縁）に撥ペースト処理を施すことで、各層２０、３０、４０の間隙における導電性ペースト６０の漏出を防止することもできる。このように、撥ペースト処理で導電性ペースト６０の漏出を防ぐ場合は、例えば各接着シート２６、３５、４５、５４を各画素の輪郭に沿って開口させる等、各層１０、２０、３０、４０、５０の接着に必要な面積で各接着シート２６等を介在させればよい。また、導電性ペースト６０が高接着性を有している場合は、層間ライン７０が形成されると導電性ペースト６０によって各層が固着されるため、接着シート２６等を用いずにスキャナ１を製造できる。
【０１１５】
また、上記実施形態では、各層２０、３０、４０の上面（つまり、フィルム基板２１、３１、４１の上面）において、各電子部品（有機ＥＬ２３、有機ＰＤ３３、有機ＴＦＴ４３）がランド部２５、３４、４４を介して層間ライン７０と接続されているが、これに限定されない。例えば、有機ＥＬ２３を集光層１０の下面（つまり、フィルム基板１１の下面）に設けるとともに、有機ＥＬ２３がコンタクト部１３を介して層間ライン７０と接続されてもよい。このように、有機ＥＬ２３を同一面に設けられた導体（ランド部２５またはコンタクト部１３）に接続することで、有機ＥＬ２３を層間ライン７０に対して容易に接続することができる。
【０１１６】
もちろん、有機ＥＬ２３が発光層２０の上面に設けられている場合に、有機ＥＬ２３がコンタクト部１３を介して層間ライン７０に接続されてもよい。逆に、有機ＥＬ２３が集光層１０の下面に設けられている場合に、有機ＥＬ２３がランド部２５を介して層間ライン７０と接続してもよい。さらに、有機ＥＬ２３は、発光層２０の上面および集光層１０の下面のいずれに設けられているかに関わらず、コンタクト部１３とライン接続部５３とを繋ぐ導電性ペースト６０（つまり、層間ライン７０）に直接接続してもよい。
【０１１７】
このように、集光層１０と発光層２０との間に配設される電子部品（つまり、有機ＥＬ２３）は、層間ライン７０に対して様々な態様で接続可能である。発光層２０と感光層３０との間に配設される電子部品（つまり、有機ＰＤ３３）、および、感光層３０と信号処理層４０の間に配設される電子部品（つまり、有機ＴＦＴ４３）についても同様である。また、他の層間に他の電子部品を設ける場合も同様である。
【０１１８】
なお、上記実施形態では、多層プリント配線板の製造方法の一例として、機能別に異なる複数の層で構成されるスキャナ１を製造する場合を例示したが、本発明は他の多層プリント配線板を製造する場合にも適用できることはもちろんである。また、多層プリント配線板の構成要素（複数の基板、スルーホール、コンタクト部、ランド部、導電性ペースト、電子部品、配線など）について、数量、材料、位置、形状、大きさなどを適宜変更可能なことは、いうまでもない。
【符号の説明】
【０１１９】
１    密着型イメージスキャナ
１０    集光層
１１    フィルム基板
１２    集光レンズ
１３    コンタクト部
１４    遮光マスク
２０    発光層
２１    フィルム基板
２２（２２Ａ、２２Ｂ）    スルーホール
２３    有機ＥＬ
２３Ａ    窓部
２４    光透過部
２５    ランド部
２６    接着シート
３０    感光層
３１    フィルム基板
３２（３２Ａ〜３２Ｄ）    スルーホール
３３    有機ＰＤ
３４    ランド部
３５    接着シート
３６    コンタクト部
４０    信号処理層
４１    フィルム基板
４２（４２Ａ〜４２Ｋ）    スルーホール
４３（４３Ａ、４３Ｂ）    有機ＴＦＴ
４４    ランド部
４５    接着シート
５０    配線電源層
５１    フィルム基板
５２    配線
５２Ａ    電源ライン
５２Ｂ    ＧＮＤライン
５２Ｃ    ロウ配線
５２Ｄ    ロウ配線
５２Ｅ    カラム配線
５２Ｆ    カラム配線
５３（５３Ａ〜５３Ｋ）    ライン接続部
５４    接着シート
６０    導電性ペースト
７０    層間ライン
【図１】
2011210945.tif 000003
【図２】
2011210945.tif 000004
【図３】
2011210945.tif 000005
【図４】
2011210945.tif 000006
【図５】
2011210945.tif 000007
【図６】
2011210945.tif 000008
【図７】
2011210945.tif 000009
【図８】
2011210945.tif 000010
【図９】
2011210945.tif 000011
【図１０】
2011210945.tif 000012
【図１１】
2011210945.tif 000013
【図１２】
2011210945.tif 000014
【図１３】
2011210945.tif 000015
【図１４】
2011210945.tif 000016
【図１５】
2011210945.tif 000017
【図１６】
2011210945.tif 000018