(57)【要約】      （修正有）【課題】ＥＵＶリソグラフィシステムにＳＯＣＯＭＯシステムを組み込む場合に、より安価で、単純で堅牢なシステムを提供する。【解決手段】ＬＰＰターゲットシステム４０は、Ｓｎペレット（液滴）源２０を備える。Ｓｎペレット（液滴）源２０は、上述のＳｎペレット（液滴）２２を吐出する。Ｓｎペレット（液滴）２２は、比較的低質量のペレットであって、レーザ光線１３が照射されると、略等方性のＥＵＶ３０を生成する。このため、ＬＰＰ２４と中間焦点ＩＦとの間に光学軸Ａ１に沿って多層シェル型ＧＩＣミラーＭＧを配置することができる。レンズ１７は、レーザ光線１３を焦点Ｆ１３に収束させる。【選択図】図４
2011142323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィシステム用の光源集光モジュールであって、
光源集光モジュール軸に沿ってパルスレーザ光線を生成するレーザと、
前記パルスレーザ光線を受光して、ＥＵＶを生成する固体レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）を生成するように構成された表面を有する固体ＬＰＰターゲットと、
入射端及び出射端を有し、前記入射端において前記ＥＵＶを受光し、前記受光したＥＵＶの焦点を、前記出射端に隣接する中間焦点に合わせるように配置される斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーと
を備える、光源集光モジュール。
【請求項２】
前記ＧＩＣミラーは、第１反射面を有し、
前記第１反射面は、前記第１反射面の主要部分を覆う多層コーティングを有していない
請求項１に記載の光源集光モジュール。
【請求項３】
前記ＧＩＣミラーは、Ｒｕコーティングを有する
請求項１または２に記載の光源集光モジュール。
【請求項４】
前記ＧＩＣミラーは、多層コーティングを有する
請求項２に記載の光源集光モジュール。
【請求項５】
前記ＧＩＣミラーは、前記第１反射面および第２反射面を有する少なくとも一つの区画化ＧＩＣシェルを有しており、
前記第２反射面は、多層コーティングを有する
請求項２に記載の光源集光モジュール。
【請求項６】
前記レーザ光線は、前記出射端から前記入射端まで前記ＧＩＣミラーを進行し、前記ＬＰＰターゲットの前記表面に達する
請求項１から５のいずれかに記載の光源集光モジュール。
【請求項７】
前記ＬＰＰターゲットの前記表面は、基板上に形成されたＬＰＰ生成物質のコーティングを有する
請求項６に記載の光源集光モジュール。
【請求項８】
前記ＬＰＰターゲットの前記表面は、Ｓｎ及びＸｅのいずれかを含む
請求項１から７のいずれかに記載の光源集光モジュール。
【請求項９】
前記ＧＩＣミラーの前記出射端と前記中間焦点との間に配置され、ＥＵＶを焦点に向けるように構成される放射線集光強化装置をさらに備える
請求項１から８のいずれかに記載の光源集光モジュール。
【請求項１０】
反射レチクルに光を照射するための極端紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィシステムであって、
請求項１から９のいずれかに記載の光源集光モジュールと、
前記中間焦点で焦点が合わせられた前記ＥＵＶを受光して凝縮ＥＵＶを形成し、前記凝縮ＥＵＶを前記反射レチクルに照射するように構成されるイルミネータと
を備える、ＥＵＶリソグラフィシステム。
【請求項１１】
前記ＥＵＶリソグラフィシステムは、感光性半導体ウエハ上にパターン化された画像を形成するためのＥＵＶリソグラフィシステムであり、
前記反射レチクルの下流に配置され、前記反射レチクルから反射されたＥＵＶを受光し、そこから前記感光性半導体ウエハ上に前記パターン化された画像を形成するように構成される投影光学システムをさらに備える
請求項１０に記載のＥＵＶリソグラフィシステム。
【請求項１２】
レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）から極端紫外光（ＥＵＶ）を集光する方法であって、
入射端及び出射端を有する斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーを軸に沿って配置することと、
ターゲット面を有する固体ＬＰＰターゲットを有するＬＰＰターゲットシステムを前記ＧＩＣミラーの前記入射端に隣接して配置することと、
前記ＬＰＰターゲットを移動させながら、パルスレーザ光線を前記ＧＩＣ軸に沿って前記出射端から前記入射端まで前記ＧＩＣを通過させて前記ターゲット面まで送信し、前記ＥＵＶを発する前記ＬＰＰを形成することと、
前記ＧＩＣミラーの前記入射端において、前記ＧＩＣミラーにより、前記ＬＰＰからの前記ＥＵＶの一部を集光し、前記ＧＩＣミラーの前記出射端から出射する前記集光された放射線を導き、中間焦点に焦点を形成することと
を備える、方法。
【請求項１３】
前記ＧＩＣミラーの前記出射端と前記中間焦点との間に放射線集光強化装置を配置し、通常は前記ＧＩＣミラーによって前記焦点に導かれることのないＥＵＶを、前記焦点に導くことをさらに備える
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ＬＰＰ生成材料のコーティングを有する可動基板として前記ターゲットを設けることをさらに備え、
前記ＬＰＰ生成材料は、ＳｎまたはＸｅを含む
請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板は、表面および縁を有し、
前記表面及び前記縁の少なくともいずれかに前記コーティングを施すことをさらに備える
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
多層コーティングを有していない第１反射面をＧＩＣミラーに設けることをさらに備える
請求項１２から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記ＧＩＣミラーは、Ｒｕコーティングを有する
請求項１２から１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記ＧＩＣミラーは、多層コーティングを有する
請求項１２から１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
前記ＧＩＣミラーは、少なくとも一つの区画化ＧＩＣシェルを備え、
前記区画化ＧＩＣシェルは、前記第１反射面および第２反射面を有し、
前記第２反射面は、前記多層コーティングを有する
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記中間焦点において前記ＥＵＶから凝縮ＥＵＶを形成し、前記凝縮ＥＵＶを反射レチクルに照射することをさらに備える
請求項１２から１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記反射レチクルから反射される前記ＥＵＶを受光し、そこから投影光学システムを利用して、前記感光性半導体ウエハ上に前記パターン化された画像を形成することをさらに備える
請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
入射端及び出射端を有し、極端紫外光（ＥＵＶ）を発するレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）を生成するＬＰＰターゲットシステムと共に使用される斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーであって、
楕円形を有する３つの同心円状に配置された最内部ＧＩＣシェルと、
前記３つの最内部ＧＩＣシェルを同心円状に取り囲み、前記ＥＵＶの二重反射を実現する５つの最外部ＧＩＣシェルと
を備え、
前記最外部ＧＩＣシェルは、
それぞれが楕円形部と双曲線部とを、前記楕円形部の軸および前記双曲線部の軸に一致しない共通軸周りに回転させることにより規定される曲率を有しており、
前記入射端に入り、前記出射端から出るＥＵＶを単反射させるように構成される
ＧＩＣミラー。
【請求項２３】
前記ＧＩＣシェルは、それぞれが厚みを有しており、前記ＧＩＣシェルの厚みによる中間画像の変化を均一化する多項式表面形状補正を有する
請求項２２に記載のＧＩＣミラー。
【請求項２４】
極端紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィシステム用の光源集光モジュール（ＳＯＣＯＭＯ）であって、
請求項２３に記載のＧＩＣミラーと、
前記ＬＰＰが前記ＧＩＣミラーの前記入射端近傍に形成されるように構成される前記ＬＰＰターゲットシステムと
を備える、ＳＯＣＯＭＯ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、斜入射集光器（ＧＩＣ）に関し、特に、レーザ生成プラズマを採用する極端紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィシステムにおいて使用される光源集光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
(優先権主張) 
本出願は、米国特許法§１１９（ｅ）の下、２０１０年１月１１日に出願された米国仮特許出願第６１／３５５７００号の利益を主張するものである。また、当該仮出願を本出願に援用する。
【０００３】
例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）は、集光したレーザ光線をＳｎ液滴に照射することにより形成される。ＬＰＰは、電磁スペクトルの極端紫外光（ＥＵＶ）の範囲において放射することができる。このため、ＬＰＰは、ＥＵＶリソグラフィシステムにとって有望なＥＵＶ放射源として期待されている。
【０００４】
図１は、直入射集光器（ＮＩＣ）のミラーＭＮを利用する従前のＬＰＰ方式の光源集光モジュール（ＳＯＣＯＭＯ）１０の一般構成の概略図である。一方、図２は、図１の「ＬＰＰ・ＮＩＣ」型ＳＯＣＯＭＯ１０のより具体的な従前の例の構成図である。ＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１０は、高出力レーザ光源１２を備えている。高出力レーザ光源１２は、焦点Ｆ１３を有する高出力で高反復率のレーザ光線１３を生成する。また、ＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１０は、光学軸Ａ１に沿って、折り返しミラーＦＭと、大型の（例えば、径が６００ｍｍ以下の）楕円形ＮＩＣミラーＭＮを備えている。ＮＩＣミラーＭＮは、（ターゲットに向けてレーザ光線１３を通過させる開口を軸上に有し、）多層コーティング１８を含む表面１６を有する。多層コーティング１８は、ＥＵＶの波長において良好な略通常の鏡面反射率を確保するために不可欠である。また、ＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１０はＳｎペレット（液滴）源２０を備えている。Ｓｎペレット（液滴）源２０は、レーザ光線の焦点Ｆ１３を通過するＳｎペレット（液滴）２２のペレット流を放出する。
【０００５】
ＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１０の動作時、Ｓｎペレット（液滴）２２がレーザ光線の焦点Ｆ１３を通過する際に、レーザ光線１３がＳｎペレット（液滴）２２に照射され、これにより高出力ＬＰＰ２４が生成される。ＬＰＰ２４は、典型的には、ＮＩＣミラーＭＮから約数百ミリメートルの距離に位置し、エネルギーＳｎイオン、粒子、中性原子、赤外線（ＩＲ）とともにＥＵＶ３０を発する。ＥＵＶ３０の一部は、ＮＩＣミラーＭＮに導かれ、ＮＩＣミラーＭＮによって集光され、中間焦点ＩＦに導かれ（焦点が合わせられ）、中間焦点ＦＳを形成する。
【０００６】
ＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１０は、光学設計が簡素であること（即ち、単一の楕円形ＮＩＣミラーを使用すればよい）に利点があると共に、ＮＩＣミラーＭＮがＬＰＰ２４から放出されたＥＵＶ３０を広角度で集光するように設計可能であることから、理論上、集光率を高くすることができることに利点がある。なお、ＬＰＰ２４の反対側に配置される単反射型ＮＩＣミラーＭＮを使用することにより、中間焦点ＩＦが形成され、幾何学的に便利であるものの、ＮＩＣミラーＭＮから中間焦点ＩＦに送られるＥＵＶ３０をＳｎペレット（液滴）源２０が著しく妨げないようにする必要がある。したがって、例えば、Ｓｎペレット（液滴）２２のペレット流の吐出に器材が必要となることを除き、ＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１０には、一般的に、障害は存在しない。
【０００７】
ＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１０は、実験室及び実験装置においては良好に動作し、こうした環境ではＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１０の寿命や交換コストは問題視されない。しかし、商業的に利用されるＥＵＶリソグラフィシステムには、長寿命のＳＯＣＯＭＯが必要とされる。残念ながら、ＮＩＣミラーＭＮの表面１６及びその表面上の多層被覆膜１８からＬＰＰ２４までの距離が短いため、放射線集光プロセスの通常の入射特性が加わると、典型的なＥＵＶ方式の半導体製造条件では、多層コーティング１８を妥当な時間、損傷なく維持することは極めて困難である。損傷の原因となり得るのは、多層コーティング１８に入射してＥＵＶ３０の混合及び／または吸収を引き起こすイオンや、多層コーティング１８を覆ってＥＵＶ３０の反射を妨げるＳｎ原子や、その他、熱負荷、及び／又はイオン化電磁（ＥＭ）放射、及び／又はエネルギー電子である。
【０００８】
ＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１０には、物理的塵埃軽減装置（ＤＭＤ）と容易に連動させることができないというさらなる問題点がある。これは、ＥＵＶ３０がＮＩＣミラーＭＮによって反射されるのをＤＭＤが妨げるからである。さらに、液滴ターゲットを高反復率で使用するＮＩＣ構造では、正確な反復率がレーザシステムに要求される。このため、レーザシステムの分、コスト増となり、ＳＯＣＯＭＯシステムの信頼性をさらに損ねることになる。
【０００９】
また、多層コーティング１８は、Ｓｎが堆積すると、その性能が著しく低下しやすい。Ｓｎが数ナノメートルしか堆積していなくとも、ＳｎがＥＵＶ３０を著しく吸収し、多層コーティング１８の  反射率を低下させる。また、ＬＰＰ２４によって生成された上記のエネルギーイオン、原子、粒子は、多層コーティング１８に衝突し、多層コーティング１８の上層を順に破壊し得る。さらに、  エネルギーイオン、原子および粒子は、多層コーティング１８を侵食する。また、ＩＲの生成時に発生する熱により、多層コーティング１８の層が混合したり相互拡散したりする場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許出願第ＵＳ２００４／０２６５７１２Ａ１号、
【特許文献２】米国特許出願第ＵＳ２００５／００１６６７９Ａ１号
【特許文献３】米国特許出願第ＵＳ２００５／０１５５６２４Ａ１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述のＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１０の問題を解消するために、様々なサブシステムが提案されているが、これらは全て、商業ベースのＥＵＶリソグラフィシステムにＳＯＣＯＭＯシステムを組み込むことが非現実的になる程度まで、相当なコスト、信頼性のリスク、複雑性の問題を伴うことになる。したがって、ＬＰＰ方式のＥＵＶを利用するＥＵＶリソグラフィシステムでは、より安価で、より単純で、より堅牢な、一般的に商業的に実現可能なＳＯＣＯＭＯが必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願では、一般に、斜入射集光器（ＧＩＣ）が開示され、特に、ＥＵＶリソグラフィシステムに利用される光源集光モジュール（ＳＯＣＯＭＯ）を形成するためのＧＩＣミラーが開示される。なお、ＥＵＶリソグラフィシステムは、上述の液滴システムよりも、より簡素な構造を備える可動Ｓｎターゲット方式のＬＬＰ型ＥＵＶ光源を有する。このような簡素な構造には、回転式のＳｎ被覆ホイール又はディスクを組み込むこともできる。ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯは、例えば、ＬＰＰ源とＧＩＣミラーとの間に配置される塵埃低減装置を備え、ＧＩＣへの熱負荷や塵埃負荷を低減することにより、ＧＩＣミラーの寿命を延ばす。
本発明の一態様は、極端紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィシステム用の光源集光モジュールである。光源 集光モジュールは、レーザ、固体レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）ターゲットおよび斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーを備える。レーザは、光源集光モジュール軸に沿ってパルスレーザ光線を生成する。固体ＬＰＰターゲットは、パルスレーザ光線を受光して、ＥＵＶを生成する固体レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）を生成するように構成された表面を有する。ＧＩＣミラーは、入射端および出射端を有する。ＧＩＣミラーは、入射端においてＥＵＶを受光し、受光したＥＵＶの焦点を、出射端に隣接する中間焦点に合わせるように配置される。
この光源集光モジュールにおいて、ＧＩＣミラーは第１反射面を有するのが好ましい。第１反射面は、第１反射面の主要部分を覆う多層コーティングを有していない。
この光源集光モジュールにおいて、ＧＩＣミラーはＲｕコーティングを有するのが好ましい。
この光源集光モジュールにおいて、ＧＩＣミラーは多層コーティングを有するのが好ましい。
この光源集光モジュールにおいて、ＧＩＣミラーは、第１反射面および第２反射面を有する少なくとも一つの区画化ＧＩＣシェルを有するのが好ましい。第２反射面は多層コーティングを有する。
この光源集光モジュールにおいて、レーザ光線は、出射端から入射端までＧＩＣミラーを進行し、ＬＰＰターゲットの表面に達するのが好ましい。
この光源集光モジュールにおいて、ＬＰＰターゲットの表面は、基板上に形成されたＬＰＰ生成物質のコーティングを有するのが好ましい。
この光源集光モジュールにおいて、ＬＰＰターゲットの表面は、Ｓｎ及びＸｅのいずれかを含むのが好ましい。
光源集光モジュールは、放射線集光強化装置をさらに備えるのが好ましい。放射線集光強化装置は、ＧＩＣミラーの出射端と中間焦点との間に配置され、ＥＵＶを焦点に向けるように構成されている。
本発明の他の態様は、反射レチクルに光を照射するための極端紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィシステムである。ＥＵＶリソグラフィシステムは、上述の光源集光モジュールおよびイルミネータを備えている。イルミネータは、中間焦点で焦点が合わせられたＥＵＶを受光して凝縮ＥＵＶを形成し、凝縮ＥＵＶを反射レチクルに照射するように構成される。
ＥＵＶリソグラフィシステムは、感光性半導体ウエハ上にパターン化された画像を形成するのが好ましい。そして、ＥＵＶリソグラフィシステムは、投影光学システムをさらに備えるのが好ましい。投影光学システムは、反射レチクルの下流に配置され、反射レチクルから反射されたＥＵＶを受光し、そこから感光性半導体ウエハ上にパターン化された画像を形成するように構成される。
本発明の他の態様は、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）から極端紫外光（ＥＵＶ）を集光する方法である。その方法には、斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーを軸に沿って配置することが含まれる。斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーは、入射端及び出射端を有する。また、その方法には、ターゲット面を有する固体ＬＰＰターゲットを有するＬＰＰターゲットシステムをＧＩＣミラーの入射端に隣接して配置することが含まれる。また、その方法には、ＬＰＰターゲットを移動させながら、パルスレーザ光線をＧＩＣ軸に沿って出射端から入射端までＧＩＣを通過させてターゲット面まで送信し、ＥＵＶを発するＬＰＰを形成することが含まれる。さらに、その方法には、ＧＩＣミラーの入射端において、ＧＩＣミラーにより、ＬＰＰからのＥＵＶの一部を集光し、ＧＩＣミラーの出射端から出射する集光された放射線を導き、中間焦点に焦点を形成することが含まれる。
この方法には、ＧＩＣミラーの出射端と中間焦点との間に放射線集光強化装置を配置し、通常はＧＩＣミラーによって焦点に導かれることのないＥＵＶを、焦点に導くことがさらに含まれるのが好ましい。
この方法には、ＬＰＰ生成材料のコーティングを有する可動基板としてターゲットを設けることがさらに含まれるのが好ましい。ＬＰＰ生成材料は、ＳｎまたはＸｅを含む。
この方法において、基板は表面および縁を有するのが好ましい。そして、この方法には、表面及び縁の少なくともいずれかにコーティングを施すことがさらに含まれるのが好ましい。
この方法には、多層コーティングを有していない第１反射面をＧＩＣミラーに設けることがさらに含まれるのが好ましい。
この方法において、ＧＩＣミラーはＲｕコーティングを有するのが好ましい。
この方法において、ＧＩＣミラーは多層コーティングを有するのが好ましい。
この方法において、ＧＩＣミラーは少なくとも一つの区画化ＧＩＣシェルを備えるのが好ましい。区画化ＧＩＣシェルは、第１反射面および第２反射面を有する。第２反射面は、多層コーティングを有する。
この方法には、中間焦点においてＥＵＶから凝縮ＥＵＶを形成し、凝縮ＥＵＶを反射レチクルに照射することがさらに含まれるのが好ましい。
この方法には、反射レチクルから反射されるＥＵＶを受光し、そこから投影光学システムを利用して、感光性半導体ウエハ上にパターン化された画像を形成することがさらに含まれるのが好ましい。
本発明の他の態様は、入射端及び出射端を有し、極端紫外光（ＥＵＶ）を発するレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）を生成するＬＰＰターゲットシステムと共に使用される斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーである。ＧＩＣミラーは、３つの同心円状に配置された最内部ＧＩＣシェルと、５つの最外部ＧＩＣシェルとを備える。３つの同心円状に配置された最内部ＧＩＣシェルは、楕円形を有する。５つの最外部ＧＩＣシェルは、３つの最内部ＧＩＣシェルを同心円状に取り囲む。また、５つの最外部ＧＩＣシェルは、ＥＵＶの二重反射を実現する。また、５つの最外部ＧＩＣシェルは、それぞれが楕円形部と双曲線部とを、前記楕円形部の軸および前記双曲線部の軸に一致しない共通軸周りに回転させることにより規定される曲率を有している。そして、５つの最外部ＧＩＣシェルは、入射端に入り、出射端から出るＥＵＶを単反射させるように構成される。
このＧＩＣミラーにおいて、ＧＩＣシェルは、それぞれ厚みを有している。そして、ＧＩＣシェルは、ＧＩＣシェルの厚みによる中間画像の変化を均一化する多項式表面形状補正を有するのが好ましい。
本発明の他の態様は、極端紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィシステム用の光源集光モジュール（ＳＯＣＯＭＯ）である。ＳＯＣＯＭＯは、上述のＧＩＣミラーおよびＬＰＰターゲットシステムを備える。ＬＰＰターゲットシステムは、ＬＰＰがＧＩＣミラーの入射端近傍に形成されるように構成される。
【００１３】
本発明のさらなる特徴及び利点は、下記の詳細な説明（発明を実施するための形態）に明記されている。また、それらの一部は詳細な説明の記載内容から当業者にとって直ちに明白となるか、下記の詳細な説明、特許請求の範囲、添付図面を含む、ここに記載された発明を実施することによって認識される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従前のＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯの一般例の概略図である。
【図２】図１に係る従前のＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯの詳細例の概略図である。
【図３Ａ】ＬＰＰ源用のＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ（ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ）の一般例の概略図である。本図では、ＬＰＰ及び中間焦点は、ＧＩＣミラーの反対側に位置する。
【図３Ｂ】図３Ａと同様の図であって、放射線集光強化装置（ＲＣＥＤ）を備えるＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯの一例を示す図である。
【図４】本発明及び図３の一般構成に係るＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯの一例の概略図である。
【図５Ａ】本発明及び図３の一般構成に係るＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯの一例の概略図である。
【図５Ｂ】本発明及び図３の一般構成に係るＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯの一例の概略図である。
【図６Ａ】本発明及び図３の一般構成に係るＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯの一例の概略図である。
【図６Ｂ】本発明及び図３の一般構成に係るＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯの一例の概略図である。
【図７Ａ】図６ＡのＬＰＰターゲットシステムの詳細な概略側面図である。
【図７Ｂ】基板、及び、基板上に形成されたＬＰＰ生成材料のコーティングからなるＬＰＰターゲットの一例の断面図である。
【図７Ｃ】図７ＡのＬＰＰターゲットシステムの正面図の概略例を示す図であって、ターゲット処理機が複数の新しいＬＰＰターゲットを保存カセットから取付板まで如何にして移動させるかを示す図である。
【図７Ｄ】図７Ａと同様の図であって、２つのターゲットアセンブリを利用するＬＰＰターゲットシステムの一例を示す図であり、一方のターゲットアセンブリがＬＰＰ生成のために「オンライン」状態とされており、他方のターゲットアセンブリがＬＰＰターゲットの除去及び交換のために「オフライン」状態とされている状態を示す図である。
【図８Ａ】図６Ｂに示すＬＰＰターゲットシステムの一例の詳細な概略側面図である。本図において、ＬＰＰターゲットシステムの一例は、ターゲット面を前面ではなくディスクの縁に設けたディスク型ＬＰＰターゲットを備えている。
【図８Ｂ】図８ＡのＬＰＰターゲットの一例の斜視図であって、縁がＬＰＰ生成材料で被覆されたターゲット材料の一例を示す図である。
【図８Ｃ】図８ＡのＬＰＰターゲットの一例を８Ｃ―８Ｃに沿って切断した断面図であって、縁部がＬＰＰ生成材料で被覆されたターゲット材料の一例を示す図である。
【図８Ｄ】ターゲットアセンブリの一実施形態例の部分拡大図であって、ターゲットアセンブリを冷却する構成を示す図である。
【図９】ＥＵＶの第１反射及び第２反射を実現する第１面及び第２面をそれぞれ有する２つの区画を備えるＧＩＣミラーの一例の断面図である。
【図１０】図３と同様の概略図であって、ＬＰＰと、ＧＩＣミラー及びＲＣＥＤとの間に配置される塵埃低減装置を備えるＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯの一実施形態を示す図である。
【図１１】ＧＩＣミラーの一例の概略部分断面図であって、ＧＩＣミラーの外側部分において使用される２つの区画を有する複数のＧＩＣシェルのうちの２つのシェルを示す図である。
【図１２】図１１のＧＩＣミラーの概略部分断面図であって、全８つのＧＩＣシェルとＬＰＰとを示す図である。
【図１３Ａ】複数のＧＩＣシェルに対して多項式表面形状補正を適用せずに遠隔フィールド像の均一性を向上させる場合における、正規化遠隔フィールド位置に対する強度（任意の単位）のプロット図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａと同様のプロット図であって、遠隔フィールド像の均一性を向上させる多項式表面形状補正が実行された場合のプロット図である。
【図１４】本発明に係るＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯを利用するＥＵＶリソグラフィシステムの概略図である。
【００１５】
また、図中の様々な構成要素は、単に表示目的で図示されたものであり、必ずしも実際の縮尺通りに図示されている訳ではない。これらの構成要素のある部分は、誇張して図示されている場合もあれば、最小化して図示されている場合もある。本図面は、当業者によって理解され、適切に実行され得る本発明の実施形態の一例を図示することを意図するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本願では、一般に、斜入射集光器（ＧＩＣ）が開示され、特に、ＥＵＶリソグラフィシステムに利用される光源集光モジュール（ＳＯＣＯＭＯ）を形成するためのＧＩＣミラーが開示される。なお、ＥＵＶリソグラフィシステムは、ＬＬＰ型ＥＵＶ光源を有する。ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯには、例えば、ＧＩＣミラーの寿命を延ばすために、ＬＰＰとＧＩＣミラーとの間に塵埃低減装置（ＤＭＤ）が配置されてもよい。
【００１７】
図３Ａは、ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００の一般例の概略図である。本図では、ＬＰＰ２４及び中間焦点ＩＦはＧＩＣミラーＭＧの反対側に位置する。ＧＩＣミラーＭＧは、入射端３及び出射端５を有する。ＬＰＰ２４を生成するＬＰＰターゲットシステム４０についても図示されており、以下、ＬＰＰターゲットシステム４０の例について詳細に議論する。
【００１８】
図３Ｂは、図３Ａと同様の図であるが、放射線集光強化装置（ＲＣＥＤ）３７を備えるＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００の一例を示している。なお、ＲＣＥＤ３７は、中間焦点ＦＳが形成される位置、または、その近傍において、開口絞りＡＳに隣接して配置される。ＲＣＥＤ３７については、米国特許仮出願第６１／３４１，８０６号（発明の名称：ＥＵＶの集光を強化したＥＵＶ集光システム）において議論されており、当該仮出願は本出願に援用される。ＲＣＥＤ３７は、ＧＩＣミラーＭＧの出射端と中間焦点ＦＳとの間に配置されており、ＥＵＶ３０を中間焦点ＦＳに導くように構成されると共に、中間焦点ＦＳの形成には関与しないように構成される。
【００１９】
図４は、図３Ａの一般的構成に基づくＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００の一例の概略図である。図４のＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００では、ＬＰＰターゲットシステム４０が用いられる。ＬＰＰターゲットシステム４０は、Ｓｎペレット（液滴）源２０を備える。Ｓｎペレット（液滴）源２０は、上述のＳｎペレット（液滴）２２を吐出する。本実施形態において、Ｓｎペレット（液滴）２２は、比較的低質量のペレットであって、レーザ光線１３が照射されると、略等方性のＥＵＶ３０を生成する。このため、ＬＰＰ２４と中間焦点ＩＦとの間に光学軸Ａ１に沿って多層シェル型ＧＩＣミラーＭＧ（２つのＧＩＣシェルＭ１及びＭ２を図示）を配置することができる。レンズ１７は、レーザ光線１３を焦点Ｆ１３に収束させる。一実施形態の例において、ＧＩＣシェルＭ１及びＭ２は、Ｒｕコーティングを有している。Ｒｕコーティングは、比較的安定しており、ＧＩＣミラーＭＧの反射率を著しく低下させることなく、ＬＰＰ２４から生じるＳｎの堆積にある程度、耐えることができる。
【００２０】
図５ＡのＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００は、Ｓｎペレット（液滴）２２が比較的高質量のペレットであり、集束レーザ光線１３で照射された場合に、異方性のＥＵＶ３０が放射されるという点を除き、図４のＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００と同様である。図５ＡのＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００では、レーザ光源１２、集束レンズ１７および折り返しミラーＦＭは、Ｓｎペレット（液滴）２２が光学軸Ａ１に沿って−Ｘ方向に吐出されるように配置されている。このため、略＋Ｘ方向に放射されるＥＵＶ３０が生成される。最内部ＧＩＣシェルの径が限られているため、折り返しミラーＦＭによる軸方向の広がりが最小限に抑えられている。したがって、レーザ光線１３は略光学軸Ａ１に沿ってＧＩＣミラーＭＧを一方向に進行し、ＥＵＶは、ＧＩＣミラーＭＧを反対方向に通過し、中間焦点ＩＦに向かう。
【００２１】
図５Ｂは、図５Ａと同様の図であるが、ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００は、ＲＣＥＤ３７を備えている。ＲＣＥＤ３７は、中間焦点ＦＳが形成される位置、または、その付近において、開口絞りＡＳに隣接して配置されている。
【００２２】
図６ＡのＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００は、表面２９を有する比較的高質量の可動固体ＬＰＰターゲット２７をＬＰＰターゲットシステム４０が備えている点を除いて、図５ＡのＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００と同様である。様々の例において、ＬＰＰターゲット材料は、ＳｎまたはＸｅを含んでもよい。ＬＰＰターゲットシステム４０は、ターゲット駆動部３１（例えば、モータ）を有するターゲットアセンブリ４１と、ターゲット駆動部３１に取り付けられる駆動軸３２と、駆動軸３２に取り付けられる取付板ＭＰとを備えている。ＬＰＰターゲット２７は、取付板ＭＰに取り付けられる。レーザ光源１２からの入射レーザ光線１３は、軸方向に沿って−Ｘ方向にＧＩＣミラーＭＧを進行するように導かれ、ＬＰＰターゲット２７の表面２９に入射してＬＰＰ２４を形成する。可動ターゲット２７により、レーザ光線１３をレーザパルス毎に異なる位置でＬＰＰターゲット２７の表面２９に入射させることが可能となったり、ターゲット位置毎にレーザパルス数を限定してレーザ光線１３を照射させることが可能となったりする。ＬＰＰターゲット２７上に形成されたＬＰＰ２４からのＥＵＶ３０は、一般に＋Ｘ方向に放射され、レーザ光線１３の進行方向と逆方向に向かってＧＩＣミラーＭＧを通過する。
【００２３】
図６Ｂは、図６Ａと同様の図であって、回転円板状の固体ＬＰＰターゲット２７を有するＬＰＰターゲットシステム４０の一実施形態例を示している。なお、ＬＰＰターゲット２７の表面２９は、円板面というよりは円板縁である。以下、ＬＰＰターゲットシステム４０の実施形態について、より詳細に議論する。図６Ａ及び図６ＢのＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００の実施形態は、両方ともＲＣＥＤ３７を備えている。
【００２４】
（ターゲットの一実施形態例）
図７Ａは、図６ＡのＬＰＰターゲットシステムの詳細な概略側面図である。ＬＰＰターゲットシステム４０は、真空チャンバ４２を備えている。真空チャンバ４２は、内部４３及び開口部４４を有する。開口部４４はフランジ４５に囲まれており、そのフランジ４５は真空チャンバ４２をＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００用の大型真空チャンバ（図示せず）に接続するために使用される。
【００２５】
ＬＰＰターゲットシステム４０は、上記ターゲットアセンブリ４１を備えている。ターゲットアセンブリ４１は、ＬＰＰターゲット２７を支持する。ターゲットアセンブリ４１は、レーザ光線１３がＬＰＰターゲット２７の表面２９上を走査（例えば、ラスタ走査、螺旋走査等）することができるようにＬＰＰターゲット２７を平行移動及び／または回転するように構成されている。
【００２６】
図７Ｂに示されるように、一実施形態例では、ＬＰＰターゲット２７は、コーティング５２を有する基板（例えば、ガラス、セラミック、金属等）５０である。なお、コーティング５２は、例えば、ＳｎまたはＸｅ等のＬＰＰ生成材料からなる。コーティング５２の厚みＴＨは、例えば、１から５ミクロンである。一実施形態例では、基板５０は、半導体製造に使用される標準的な未使用のレチクルである。したがって、こうした基板用の処理装置が既に開発されており、その処理装置が直ちに利用可能であるという利点がある。他の実施形態例において、基板５０は、コーティング５２で覆われている点を除き、データ保存用の標準的な未使用のコンパクトディスク（ＣＤ）である。標準的な処理装置は、このような基板に対しても利用可能である。上記２種類の基板は、低コストで再生及び再利用することが可能である。
【００２７】
また、図７Ｃの正面図に示されるように、ＬＰＰターゲットシステム４０は、第１カセット６０Ｎ及び第２カセット６０Ｕを備えている。第１カセット６０Ｎは複数の新しいＬＰＰターゲット２７を保存し、第２カセット６０Ｕは複数の使用済ＬＰＰターゲット２７を保存する。また、ＬＰＰターゲットシステム４０は、ターゲット処理システム６２を備えている。ターゲット処理システム６２は、可動ターゲットホルダ６４と協働して、取付板ＭＰから複数の使用済ＬＰＰターゲット２７を取り除き、これらを（経路Ｐ１を通じて）保存用の第２カセット６０Ｕに移動し、第１カセット６０Ｎから新しい複数のターゲットを（経路Ｐ２を通じて）取り出して取付板ＭＰに設置するように構成されている。一実施形態例において、ターゲット処理システム６２は、真空係止ロボットを利用する。他の実施形態では、複数の使用済ＬＰＰターゲット２７を第２カセット６０Ｕに移動し、新たなＬＰＰターゲットを第１カセット６０Ｎから取り出す移動（平行移動）ターゲットアセンブリ４１が備えられている。この特別な実施形態は、軽量型ＬＰＰターゲット２７に最適である。
【００２８】
図７Ｄに示される他の実施形態では、一組のターゲットアセンブリ４１が備えられている。一方のターゲットアセンブリ４１は、使用済ターゲット２７を取り除いて新しいターゲットを交換するために「オフライン」状態になっている。他方のターゲットアセンブリ４１は、「オンライン」状態になっており、ＬＰＰ２４を生成するために使用される。
【００２９】
図８Ａは、円板型ＬＰＰターゲット２７を備えた図６ＢのＬＰＰターゲットシステム４０の一例の詳細な概略側面図である。図８Ａにおいて、ＬＰＰターゲット２７の表面２９は、円板の表側面というよりは縁に位置する部分である。ターゲットアセンブリ４１は、ＬＰＰターゲット２７を駆動するためにここでも使用されている。しかし、ＬＰＰターゲット２７は、ＬＰＰターゲット２７がＺ軸周りに回転駆動される際にレーザ光線１３がＬＰＰターゲット２７の縁に照射されるように、方向付けされている。
【００３０】
図８Ｂは、ＬＰＰターゲット２７の一例の斜視図である。図８Ｃは、８Ｃ−８Ｃに沿って切断したＬＰＰターゲット２７の一例の断面図であり、ＬＰＰ生成材料のコーティング５２で縁５１が被覆されたＬＰＰターゲット２７の基板５０を示している。このため、ＬＰＰターゲット２７の表面２９を規定するコーティング５２が形成される。コーティング５２の幅Ｗは、例えば、１から５ｍｍであり、コーティング５２の厚みＴＨは、例えば、１から５ミクロンである。
【００３１】
また、図８ＡのＬＰＰターゲットシステム４０は、溶融源７０を備えている。溶融源７０は、レーザ光線１３がＬＰＰターゲット２７の表面２９に入射する位置とは反対側に配置される。溶融源７０は、ＬＰＰターゲット２７の表面２９に照射されるエネルギー光線７２を放射する。エネルギー光線７２は、局所的にコーティング５２を溶融させて、ＬＰＰターゲット２７の表面２９を再生する。溶融源７０には、例えば、エネルギー光線システム、レーザ、加熱素子、フィラメント等が含まれる。表面仕上げモニタ８０は、エネルギー光線７２がＬＰＰターゲット２７の表面２９に入射する位置に対応して配置されており、ＬＰＰターゲット２７の再生済（再仕上げ済）の表面２９を監視する。折り返しミラー８１は、表面仕上げモニタ８０によるＬＰＰターゲット２７の再生済の表面２９の監視をわかり易く説明するために図示されている。
【００３２】
一実施形態例において、ＬＰＰターゲットシステム４０は、コントローラ９０を備えている。コントローラ９０は、ターゲット駆動部３１、溶融源７０および表面仕上げモニタ８０に動作可能に接続されている。また、コントローラ９０は、ＬＰＰターゲットシステム４０の全体的な動作を制御するように構成されている。コントローラ９０は、例えば、コンピュータ読み取り可能な媒体（メモリ）に複数の指示（ソフトウェア）を記録可能なコンピュータを備えている。コントローラ９０は、当該コンピュータに（搭載されたプロセッサを介して）ＬＰＰターゲットシステム４０を操作してＬＰＰ２４を生成する指示を実行する。コントローラ９０の動作としては、例えば、ＬＰＰ源２４の生成中においてコーティング５２の厚みＴＨが減少するにつれて、ＬＰＰターゲット２７をレーザ光線１３の方向に移動させることが挙げられる。
【００３３】
図８Ｄは、ターゲットアセンブリ４１の一実施形態例の部分拡大図である。図８Ｄに示されるように、駆動軸３２は、仕切り３３Ｄを備えた冷却チャネル３３を有している。また、ＬＰＰターゲット２７は、内部ターゲットチャンバ２８を有する。駆動軸３２の冷却チャネル３３と内部ターゲットチャンバ２８とは、流体接続されている。このため、上記の通り、冷却液ＣＦが冷却液源ＣＦＳから冷却チャネル３３を介して内部ターゲットチャンバ２８に向かって流れ、そして、冷却液源ＣＦＳに戻ることができる。他の冷却構成は、ここで説明した一例の範囲を超えることを意図している。このような冷却システムは、高反復率の実現にとって望ましいものであるが、これは、付随するコーティング５２の選択加熱によってＬＰＰターゲット２７の表面２９が劣化し得るからである。
【００３４】
（多層第１ミラーのないＳＯＣＯＭＯ）
ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００の一構成例では、多層コート「第１ミラー」が設けられていない。即ち、ＥＵＶ３０が最初に入射する（最初に反射する）ミラーまたはミラー部が、反射面の主要部分を覆う多層コーティング１８を有していない。ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００の他の構成例では、第１ミラーは、実質的に斜入射ミラーである。例えば、診断目的で、反射面の僅かな部分（即ち、非主要部分）のみに多層コーティング１８が設けられている。
【００３５】
ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００の主な利点は、その性能が多層被覆反射面の残存に依存しない点にある。一実施形態例に係るＧＩＣミラーＭＧは、例えば、図９に示されるＧＩＣシェルＭ１等のような、少なくとも一つの区画化ＧＩＣシェルが備えている。ＧＩＣシェルＭ１は、２つのミラー区画、即ち、第１面Ｓ１を有するミラー区画Ｍ１Ａと、第２面Ｓ２を有するミラー区画Ｍ１Ｂとを有することが示されている。第１面Ｓ１により第１反射が行われ（したがって、「第１ミラー」であり）、第２面Ｓ２により第２反射が行われる。なお、第２反射はＬＰＰ２４の視線上に位置しない。一実施形態例では、第２面Ｓ２が多層コーティング１８を支持する。これは、ＥＵＶ３０が一旦反射されると、その強度が相当弱められると共に、通常はＬＰＰ２４が視線上に位置しないので、多層コーティング１８に入射するイオン及び中性原子の量が最小になるからである。また、放射線は、第２反射において第２面Ｓ２に斜入射する。このため、最終的に多層コーティング１８が損傷するリスクはより少なくなる。
【００３６】
（ＳＯＣＯＭＯの寿命）
本発明に係るＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００の他の利点は、その見込み寿命が１年を超えており、半導体製造で使用されるＥＵＶリソグラフィシステムにおいて商業的に実現可能な寿命となっている点にある。他の利点としては、ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００は、ＬＰＰターゲットシステム４０が、注入されるＳｎペレット（液滴）２２に基づく必要がなく、むしろ、固体ＬＰＰターゲット２７（例えば、図６Ａ及び図６Ｂを参照）を採用する実施形態をサポートしている点にある。
【００３７】
（ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ対ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ）
ＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１０とＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００とには、あるトレードオフの関係が成立する。例えば、ＬＰＰ２４からのＥＵＶ３０の特定の集光角度に関しては、ＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１０は、ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００に比して、よりコンパクトに設計することができる。
【００３８】
また、ＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１０は、原則、（光学軸Ａ１に対して）９０°を超える角度で、光源から放射されたＥＵＶ３０を集光するように設計することができ、集光効率をより高めることができる。しかし、ＮＩＣの径が過度に大きくなる、または、ＥＵＶ３０が中間焦点ＩＦにおいて光学軸Ａ１となす角度が過度に大きくなるので、通常、上記の利点が実際に利用されることはない。
【００３９】
また、ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００により生成される遠隔フィールドの強度分布は、ＧＩＣシェルＭ１の厚みの影と複数のＧＩＣミラーＭＧを支持する機械的構造が原因で、さらに広がる。しかし、本発明において以下議論する実施形態においては、ＧＩＣの表面が、表面補正機能を有している。この表面補正機能により、ＧＩＣの複数のシェルの厚みによる陰影効果が低減され、中間焦点ＩＦにおける中間焦点ＦＳの均一性が向上する。
【００４０】
さらに、ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００は、ＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１０に比して、中間焦点ＩＦにおいて一般的により大きな中間焦点ＦＳを形成する。このような相違の大きさは、主としてＧＩＣミラーの形状誤差に関係があり、技術進歩に伴い低減されつつある。
【００４１】
全体としては、ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００から得られる利益、即ち、より長い動作寿命、費用の低減、簡素であること、維持費用及び問題の低減が、上記のトレードオフを上回るものであると一般に考えられている。
【００４２】
（塵埃低減装置を備えたＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ）
図１０は、図３Ｂと同様に、ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００を一般化した一実施形態例を示している。ただし、ここでは、ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００は、塵埃低減装置（ＤＭＤ）２００を備えている。塵埃低減装置（ＤＭＤ）２００は、ＬＰＰ２４とＧＩＣミラーＭＧとの間に配置されている。ＤＭＤ２００は、隠れ線で図示されている。これは、典型的には、ＥＵＶ３０がＤＭＤ２００を通過する際に、ＤＭＤ２００が、ＬＰＰ２４からの他の有害なイオン及び粒子（例えば、エネルギーＳｎイオン等）を遮断するという事実を示すためである。また、ＤＭＤ２００は、ＧＩＣミラーＭＧに形成される塵埃（Ｓｎ等）を除去するように構成されている。また、図１０には、ＲＣＥＤ３７が図示されている。
【００４３】
ＤＭＤ２００には、例えば、磁界ベースのＤＭＤや複数の放射金属ラメラに基づくＤＭＤ等、ＬＰＰ・ＮＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ技術で使用されるＤＭＤが含まれる。ＤＭＤは、例えば、米国特許第７，２３０，２５８号、７，４２３，２７５号、７，３７２，０４９号、７，３５５，１９０号、７，１９３，２２９号、７，１８０，０８３号、６，９６３，０７１号において言及されており、当該特許は本出願に援用される。また、ＤＭＤは、例えば、Ｄ．Ｊ．Ｗ．Ｋｌｕｎｄｅｒ等の論文「ＥＵＶリソグラフィ用のＳｎベースの光源に対する塵埃低減及び洗浄戦略（Ｄｅｂｒｉｓ  Ｍｉｔｉｇａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｃｌｅａｎｉｎｇ  Ｓｔｒａｔｅｇｉｅｓ  ｆｏｒ  Ｓｎ−Ｂａｓｅｄ  Ｓｏｕｒｃｅｓ  ｆｏｒ  ＥＵＶ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）」（ＳＰＩＥ論文集、Ｖｏｌ．５７５１、第９４３−９５１頁）にも記載されており、当該論文は本出願に援用される。
【００４４】
（ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ用ＧＩＣミラーの一例）
図１１は、ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００用のＧＩＣミラーＭＧの一例の概略部分側面図である。光学設計上、図１１のＧＩＣミラーＭＧは、実際には、図１２に示されるように、光学軸Ａ１周りに対称な円筒状の８つの入れ子状ＧＩＣシェル２１０から構成されている。また、ＧＩＣシェル２１０の数を最小化するために、３つの最内部ＧＩＣシェル２１０は楕円形を有し、５つの最外部ＧＩＣシェル２１０は、楕円形かつ双曲線状の断面を有する軸外し二重反射設計に基づいている。これは、欧州特許出願公報第ＥＰ１９０１１２６Ａ１（発明の名称：コレクタ光学システム）等に記載されており、当該公報は本出願に援用される。図１１は、２つの最外部ＧＩＣシェル２１０を図示している。当該最外部ＧＩＣシェル２１０は、それぞれ、楕円形部２１０Ｅ及び双曲線部２１０Ｈを有する。また、図１１には、光源焦点ＳＦ、仮想共通焦点ＶＣＦおよび中間焦点ＩＦに加えて、ＧＩＣシェル２１０の楕円形部２１０Ｅ及び双曲線部２１０Ｈそれぞれの軸ＡＥ及び軸ＡＨが図示されている。仮想共通焦点ＶＣＦと中間焦点ＩＦとの間の距離は、ΔＬである。仮想共通焦点ＶＣＦは、光学軸Ａ１から距離Δｒ分だけオフセットされている。光学軸Ａ１周りに楕円形部２１０Ｅ及び双曲線部２１０Ｈの断面を１回転させることで、光学面全体が得られる。
【００４５】
ＧＩＣミラーＭＧの一例の設計例が、下記の表１及び表２に掲載されている。当該設計の主な光学パラメータは、ａ）ＬＰＰ２４と中間焦点ＩＦとの間の距離ΔＬ＝２４００ｍｍ、ｂ）ＬＰＰ側の最大集光角度＝７０．７°である。一実施形態例において、各ＧＩＣシェル２１０は、Ｒｕコーティングを有しており、各ＥＵＶ波長での反射率が改善されている。複数のＧＩＣシェル２１０の光学面がＲｕで被覆された場合、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ３０に対するＧＩＣミラーＭＧの理論上の集光効率は、ＬＰＰ２４からの２πステラジアン放射に対して３７．６％である。
【００４６】
ＬＰＰ・ＥＵＶ光源は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）ＥＵＶ光源に比して随分小型（約１０分の１）である。このため、ＬＰＰ２４を使用すれば、ＧＩＣミラー出力とイルミネータ入力との間の面積効率（ｅｔｅｎｄｕｅ）を良好に一致させることができる。特に、ＬＰＰ２４における集光角度は、ＧＩＣミラーＭＧとイルミネータの面積効率との不一致による効率損失が無視できる程度の状態または極めて限定的な状態で、極めて大きな値に増加し得る。一実施形態例において、集光角度は７０度を超える。
【００４７】
特定の集光器の光学設計に関して、遠隔フィールドにおける強度分布の均一性がＤＰＰ源よりも劣る傾向にあるという点で、ＬＰＰ２４の寸法には問題がある。事実、ＬＰＰ２４は小型であるので、ＤＰＰ源に比して、複数のＧＩＣシェル２１０の厚みによる遠隔フィールドの影がより急激になる傾向がある。
【００４８】
こうした効果を少なくとも部分的に相殺するために、各ＧＩＣシェル２１０に対して表面形状（即ち光学プロファイル）補正が加えられ、遠隔フィールドにおける強度分布の均一性が改善されている（例えば、国際特許出願公報第ＷＯ２００９−０９５２１９Ａ１号（発明の名称：ＥＵＶ及びＸ線を適用する改良型斜入射集光器光学システム）を参照。なお、当該公報は本出願に援用される。）。このように、ＧＩＣミラーＭＧの一実施形態例では、各ＧＩＣシェル２１０は、ＧＩＣシェルの２つの縁において、ゼロに等しい多項式補正（放物線補正）が重畳されている。なお、その値は、最大でも０．０１ｍｍである。
【００４９】
表１及び表２には、図１０に示されるＧＩＣミラーＭＧの一設計例が示されている。「ミラー番号」は、特定のＧＩＣシェル２１０の番号であり、最内部ＧＩＣシェルから順に最外部ＧＩＣシェルまで付与されている。
【００５０】
【表１】
2011142323.tif 000003
【００５１】
【表２】
2011142323.tif 000004
【００５２】
図１３Ａは、ＧＩＣシェルのプロファイルを補正しない場合における、中間焦点ＩＦにおける正規化遠隔フィールド位置と、そこに入射する光線の強度（任意の単位）との関係を表すプロットである。当該プロットは、中間焦点ＩＦにおいて形成されるＬＰＰ２４の中間画像（即ち、「中間焦点」ＦＳ）の均一性に関する測定値である。ＬＰＰ２４は、０．２ｍｍの径を有する球体としてモデル化されている。
【００５３】
図１３Ｂは、複数のＧＩＣシェル２１０に上記補正を適用したことを除いて、先と同様のプロットである。図１３Ａのプロットと図１３Ｂのプロットとを比較すると、図１３Ｂの強度においては振幅が相当低減されており、複数のＧＩＣシェル２１０の表面形状を補正した結果、中間焦点ＩＦにおける中間焦点ＦＳでの遠隔フィールド均一性が著しく改善されていることがわかる。
【００５４】
（ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯを備えたＥＵＶリソグラフィシステム）
図１４は、本発明に係るＥＵＶリソグラフィシステム３００の一例である。ＥＵＶリソグラフィシステム３００は、例えば、米国特許出願第ＵＳ２００４／０２６５７１２Ａ１号、第ＵＳ２００５／００１６６７９Ａ１号、第ＵＳ２００５／０１５５６２４Ａ１号に開示されており、当該出願は本出願に援用される。
【００５５】
リソグラフィシステム３００は、システム軸ＡＳｙおよびＥＵＶ光源ＬＳを備えている。ＥＵＶ光源ＬＳは、例えば、上記の何れか一つのＬＰＰターゲットシステム４０を備えている。ＬＰＰターゲットシステム４０は、λ＝１３．５ｎｍの作用ＥＵＶ３０を放出するＬＰＰ２４を生成する。
【００５６】
リソグラフィシステム３００は、例えば、上記のようなＥＵＶ・ＧＩＣミラーＭＧを備えている。一実施形態例において、ＥＵＶ・ＧＩＣミラーＭＧは、米国特許出願第１２／５９２，７３５号に記載されているように冷却される。なお、当該米国特許出願は、本出願に援用される。ＥＵＶ・ＧＩＣミラーＭＧは、ＥＵＶ光源ＬＳの下流側の近傍に配置されており、集光器軸ＡＣがシステム軸ＡＳｙに沿うようにして配置されている。ＥＵＶ・ＧＩＣミラーＭＧは、光源焦点ＳＦに位置するＥＵＶ光源ＬＳからの作用ＥＵＶ３０（即ち、光線ＬＲ）を集光する。そして、集光された放射光線は、中間焦点ＩＦに中間光源像ＩＳ（即ち、中間焦点ＦＳ）を結像する。ＬＰＰ・ＧＩＣ型ＳＯＣＯＭＯ１００は、一例において、ＥＵＶ光源ＬＳ及びＧＩＣミラーＭＧを備えている。ＲＣＥＤ３７は、例示目的で図示されている。
【００５７】
照明システム３１６は、入力端３１７及び出力端３１８を有し、システム軸ＡＳｙに沿って配置され、入力端３１７がＥＵＶ・ＧＩＣミラーＭＧ側に配置された状態で、ＥＵＶ・ＧＩＣミラーＭＧの下流側の近傍に配置されている。照明システム３１６は、入力端３１７において中間光源像ＩＳからのＥＵＶ３０を受け、出力端３１８において略均一なＥＵＶ３２０（即ち、凝縮ＥＵＶ）を出力する。リソグラフィシステムシステム３００が走査型システムである場合、ＥＵＶ３２０は、典型的には、反射レチクル３３６を走査する略均一なライン状またはリングフィールド状のＥＵＶ３０として、反射レチクル３３６上に形成される。
【００５８】
投影光学システム３２６は、（屈折した）システム軸ＡＳｙに沿って、照明システム３１６の下流に配置されている。投影光学システム３２６は、照明システム３１６の出力端３１８に対向する入力端３２７と、反対側の出力端３２８を有する。反射レチクル３２６は投影光学システム３２６の入力端３２７に隣接して配置されており、半導体ウエハ３４０は投影光学システム３２６の出力端３２８に隣接して配置されている。反射レチクル３３６は、半導体ウエハ３４０に転写されるパターン（図示せず）を有し、半導体ウエハ３４０は感光性コーティング（例えば、フォトレジスト層）３４２を有する。動作時において、均一化されたＥＵＶ３２０は、反射レチクル３３６を照射し、レチクル３３６によって反射される。そして、投影光学システム３２６によって、半導体ウエハ３４０の感光性コーティング３４２の表面上に、レチクル３３６上のパターンが結像される。リソグラフィシステムシステム３００では、レチクル像が感光性コーティング３４２の表面上を走査し、露光フィールド上にパターンが形成される。典型的には、反射レチクル３３６と半導体ウエハ３４０とを同期させて移動させることにより、走査が実行される。
【００５９】
レチクルパターンが一旦半導体ウエハ３４０に結像され、記録されると、パターン化された半導体ウエハ３４０は、標準的なフォトリソグラフィ技術及び半導体プロセス技術を使用して処理される。その結果、複数の集積回路（ＩＣ）チップが形成される。
【００６０】
なお、一般的にリソグラフィシステム３００の構成要素は、共通の屈折した軸ＡＳｙに沿って配置されることが図１４に図示されている。当業者であれば、例えば、照明システム３１６や投影光学システム３２６の様々な構成  要素の入口軸及び出口軸がオフセットされる場合もあり得ることは、理解される。
【００６１】
当業者には明白であるが、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、本発明に対して様々な修正及び変更を加えることができる。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲及びその均等範囲内において本発明の修正及び変更を包含する。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【外国語明細書】
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１．Abstract
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２．Representative Drawing
Fig.1
Fig.1
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Fig.2
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Fig.3A
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Fig.3B
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Fig.4
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Fig.5A
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Fig.5B
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Fig.6A
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Fig.6B
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Fig.7A
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Fig.7B
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Fig.7C
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Fig.7D
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Fig.8A
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Fig.8B
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Fig.8C
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Fig.8D
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Fig.9
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Fig.10
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Fig.11
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Fig.12
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Fig.13A
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Fig.13B
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Fig.14
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