(57)【要約】【課題】酸化セリウムの粒子径を大粒径化することなく研磨レートの向上、ひいては生産性の向上を実現する、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。【解決手段】研磨スラリーを研磨布と円形ガラス板の間に供給し、研磨布により円形ガラス板の主表面を研磨する研磨工程と、該研磨スラリーが当該研磨工程で使用された研磨スラリーを含むようにするスラリー循環工程とを有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、該研磨スラリーが、メディアン径が０．３〜３μｍである酸化セリウム粒子とアセチレン系界面活性剤とを含有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨スラリーを研磨布と円形ガラス板の間に供給し、研磨布により円形ガラス板の主表面を研磨する研磨工程と、該研磨スラリーが当該研磨工程で使用された研磨スラリーを含むようにするスラリー循環工程とを有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
該研磨スラリーが、メディアン径が０．３〜３μｍである酸化セリウム粒子とアセチレン系界面活性剤とを含有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
アセチレン系界面活性剤が、アセチレンジオール系界面活性剤およびアセチレンアルコール系界面活性剤の少なくともいずれか１種である請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
研磨布が、ショアＡ硬度が７０°以上である請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法によって製造された磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって製造された磁気ディスク用ガラス基板の上に、記録層となるべき磁性層を含む複数の層が積層されている磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ等の情報処理機器に搭載される磁気ディスクに対する高記録密度化の要請は近年強くなっており、このような状況の下、従来のアルミニウム基板に替わってガラス基板が広く用いられるようになってきている（特許文献１）。
【０００３】
磁気ディスク用ガラス基板は、例えば、円形ガラス板の中央に円孔を開け、面取り、主表面ラッピング、端面鏡面研磨を順次行い、酸化セリウム系の研磨スラリーによる１段階目の研磨、コロイダルシリカ系の研磨スラリーによる２段階目の研磨により円形ガラス板の主表面を研磨して製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１０５１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
酸化セリウム系の研磨スラリーによる１段階目の研磨においては、ラッピング工程で発生した円形ガラス板の主表面のキズを除去する必要性から、長時間の酸化セリウム研磨をおこなっており、生産性の低下の原因となっている。しかしながら、従来のように大粒径の酸化セリウム粒子を用いることで研磨レートを向上させるのは、新たなキズの発生や形状品質の悪化といった問題を引き起こす可能性がある。
【０００６】
また、酸化セリウム系の研磨スラリーは、通常繰り返し循環させて利用することが多く、大粒径の酸化セリウム粒子を用いても使用中に粒子が粉砕されてしまい、所望の研磨レートが得られないおそれがある。
【０００７】
そこで本発明は、かかる課題を鑑みてなされたものであり、その目的は酸化セリウムの粒子径を大粒径化することなく研磨レートの向上、ひいては生産性の向上を実現する、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決するために種々の添加剤を研磨スラリーに加え、研磨レートを向上させることができないか鋭意検討を重ねた。その結果、研磨レートを向上させることが可能な添加剤としてパーフルオロアルキルカルボン酸塩を見出したが、スラリー循環工程において研磨スラリーに泡立ちが生じてしまい、研磨レートを低下させる、または研磨スラリー循環配管からスラリーが漏出するなどして研磨工程に支障を与えることが判明した。
【０００９】
本発明者らは、以下の構成を採用することにより、上記泡立ちの問題も含めて本発明の課題を解決できることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成させた。すなわち、本発明は以下のとおりである。
１．研磨スラリーを研磨布と円形ガラス板の間に供給し、研磨布により円形ガラス板の主表面を研磨する研磨工程と、該研磨スラリーが当該研磨工程で使用された研磨スラリーを含むようにするスラリー循環工程とを有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
該研磨スラリーが、メディアン径が０．３〜３μｍである酸化セリウム粒子とアセチレン系界面活性剤とを含有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
２．アセチレン系界面活性剤が、アセチレンジオール系界面活性剤およびアセチレンアルコール系界面活性剤の少なくともいずれか１種である前項１に記載の製造方法。
３．研磨布が、ショアＡ硬度が７０°以上である前項１または２に記載の製造方法。
４．前項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法によって製造された磁気ディスク用ガラス基板。
５．前項１〜４のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって製造された磁気ディスク用ガラス基板の上に、記録層となるべき磁性層を含む複数の層が積層されている磁気ディスク。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の製造方法によれば、大粒子径の酸化セリウムを用いることなく、研磨スラリーを循環させて繰り返し使用した場合において、研磨スラリーの泡立ちを抑制しつつガラスの研磨レートを向上することができる。
【００１１】
また、本発明の製造方法によれば、研磨スラリーにイオン性添加剤を添加したときに起こりやすい酸化セリウム砥粒の凝集沈降を防ぐことができる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に関して詳細に説明する。
【００１３】
本発明の製造方法では、本発明の研磨スラリーを用いる円形ガラス板の主表面の研磨工程以外の製造工程は特に限定されず適切に選択されればよく、典型的には従来公知の工程により処理する。例えば、通常次のような各工程を経て磁気ディスク用ガラス基板を製造する。円形ガラス板の中央に円孔を開け、面取り、主表面ラッピング、端面鏡面研磨を順次行う。その後、このような加工を施した円形ガラス板を積層して内周端面をエッチング処理し、そのエッチング処理された内周端面にたとえばポリシラザン化合物含有液をスプレー法等によって塗布し、焼成して内周端面に被膜（保護被膜）を形成する。次に、内周端面に被膜が形成された円形ガラス板の主表面を研磨して平坦かつ平滑な面とし、磁気ディスク用ガラス基板とする。
【００１４】
前記各工程に限らず、例えば、内周端面に対する保護被膜形成に替えて内周端面のブラシ研磨を行ってもよいし、主表面ラッピング工程を粗ラッピング工程と精ラッピング工程に分け、これらの工程の間に形状加工工程（円形ガラス板中央の孔開け、面取り、端面研磨）を設けてもよいし、主表面研磨工程の後に化学強化工程を設けてもよい。なお、中央に円孔を有さないガラス基板を製造する場合には、当然円形ガラス板中央の孔開けは不要である。主表面ラッピングは通常、平均粒径が６〜８μｍである酸化アルミニウム砥粒または酸化アルミニウム質の砥粒を用いて行う。
【００１５】
本発明の製造方法は、本発明の研磨スラリー（以下、単に研磨スラリーということがある。）を用いて円形ガラス板の主表面を研磨する研磨工程と、該研磨工程で使用された研磨スラリーを循環させるスラリー循環工程とを有する。以下、各工程について説明する。
【００１６】
[研磨工程] 
この工程は、研磨スラリーを研磨布と円形ガラス板の間に供給し、研磨布により円形ガラス板の主表面を研磨する工程である。研磨スラリーは、酸化セリウム粒子とアセチレン系界面活性剤とを含有する。
【００１７】
研磨スラリー中の酸化セリウム粒子のメディアン径は０．３〜３μｍが好ましく、０．３〜２．５μｍがより好ましく、０．５〜２μｍが特に好ましい。メディアン径が０．３μｍより小さいと研磨レートが十分でなく、３μｍより大きいとキズの原因となる恐れがある。
【００１８】
研磨スラリー中の酸化セリウム粒子の濃度は１〜４０質量％が好ましく、１〜２０質量％がより好ましく、３〜２０質量％が特に好ましい。酸化セリウム粒子の濃度が１質量％より少ないと十分な研磨が進行せず、４０質量％より多いと流動性が悪化する。
【００１９】
酸化セリウム粒子のＴＲＥＯ（Ｔｏｔａｌ  Ｒａｒｅ  Ｅａｒｔｈ  Ｏｘｉｄｅｓ）は、研磨レート向上の観点から、５０％以上であることが好ましい。
【００２０】
研磨スラリーは研磨レートを高くするためにアセチレン系界面活性剤を含有する。なお、アセチレン系界面活性剤は研磨スラリーの泡立ちを生じさせない、または泡立ちが生じても軽微である。アセチレン系界面活性剤はアセチレンジオール系界面活性剤およびアセチレンアルコール系界面活性剤の少なくともいずれか１種であることが好ましい。
【００２１】
研磨スラリー中のアセチレン系界面活性剤の濃度は０．０１〜１０質量％が好ましく、０．０１〜１質量％がより好ましい。アセチレン系界面活性剤の濃度が０．０１質量％より少ないと研磨レートを高める効果が得られず、１０質量％より多いとガラスへの吸着が起こり、研磨レートの低下あるいは有機汚れが発生する恐れがある。
【００２２】
アセチレンジオール系界面活性剤は、典型的には、疎水基としてアルキル基を有し、親水基として水酸基を有する構造を有するこのの親水性の領域により、被研磨物との親和性が向上し、良好な研磨レートが得られる。
【００２３】
アセチレンジオール系界面活性剤としては、下記式（１）で表される化合物が好ましい。式（１）中のＲ１〜Ｒ４は水素原子または低級アルキル基である。
【００２４】
【化１】
2011110637.tif 000002
【００２５】
アセチレンジオール系界面活性剤の具体例としては、例えば、２，４，７，９−テトラメチルー５−デシン４，７−ジオールおよび２，５，８，１１−テトラメチル−６−ドデシン−５，８−ジオール並びにそれらのポリエトキシレート等を挙げることができる。
【００２６】
アセチレンアルコール系界面活性剤は、アセチレンジオール系界面活性剤と同様に、典型的には、疎水基としてアルキル基を有し、親水基として水酸基を有する構造を有することから、良好な研磨レートが得られる。
【００２７】
アセチレンアルコール系界面活性剤としては、下記式（２）で表される化合物が好ましい。下記式（２）中のＲ１〜Ｒ３は水素原子または低級アルキル基である。
【００２８】
【化２】
2011110637.tif 000003
【００２９】
アセチレンアルコール系界面活性剤の具体例としては、例えば、１−ヘプチン−３−オール、１−エチニル−１-シクロヘキサノール、３−ブチン−２−オール、３−ブチン−２−オール、５−ヘキシン−１−オール、５−メチル−１−ヘキシン−３−オールおよび５−フェニル−４−ペンチン−１−オール等を挙げることができる。
【００３０】
アセチレンジオール系界面活性剤およびアセチレンアルコール系界面活性剤のＨＬＢ（Ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｅ−Ｌｉｐｏｐｈｉｌｅ  Ｂａｌａｎｃｅ）値は、典型的には８以下である。
【００３１】
アセチレンジオール系界面活性剤およびアセチレンアルコール系界面活性剤は混合して用いてもよい。
【００３２】
研磨スラリーのｐＨは７〜１４が好ましく、７〜１２がより好ましく、９〜１２が特に好ましい。ｐＨが７未満では酸化セリウム粒子が凝集するおそれがあり、１４超ではハンドリングに問題が生じるおそれがある。
【００３３】
研磨スラリーにはｐＨを調整する目的で、例えば、リン酸、酢酸、プロピオン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、クエン酸、エチレンジアミン、ピリジン、２−アミノピリジン、３−アミノピリジン、キサントシン、トルイジン、ピコリン酸、ヒスチジン、ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、２−ビス（２−ヒドロキシエチル）アミノ−２−（ヒドロキシメチル）−１，３−プロパンジオール、尿酸、硝酸、塩酸、過塩素酸、シュウ酸およびアンモニアからなる群から選ばれる１種以上のｐＨ安定剤およびその塩を含有してもよい。
【００３４】
同じ目的で、研磨スラリーにアルカリ金属水酸化物を含有してもよい。
【００３５】
また、研磨スラリーには、ｐＨ緩衝剤として、例えば、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドおよびテトラプロピルアンモニウムヒドロキシドからなる群から選ばれる１種以上の４級アンモニウムヒドロキシドを含有してもよい。
【００３６】
研磨スラリーの溶媒には水を用い、その水に特に制限はないが、他の剤に対する影響、不純物の混入、ｐＨ等への影響の観点から、例えば、純水、超純水、イオン交換水を好ましく使用することができる。その他、研磨スラリーには必要に応じて各種成分を添加してもよい。
【００３７】
研磨布としては、ショアＡ硬度が好ましくは７０°以上、より好ましくは８０°以上であり、典型的には独立気泡を有するものを使用する。研磨布のショアＡ硬度が７０°未満では、研磨レートを高くできない恐れがある。また、独立気泡を有する研磨布を用いることにより、研磨布に十分な研磨スラリーが保持され、研磨効率の向上が期待できる。このような研磨布としては、例えば、発泡ポリウレタン、多孔質樹脂等からなるものが挙げられる。また、研磨スラリーの供給を促進させたり、研磨スラリーが一定量溜まるようにするために、研磨パッドの表面に、格子状、同心円状、らせん状などの溝加工がなされていてもよい。
【００３８】
研磨圧力は、４ｋＰａ以上であることが好ましい。研磨圧力が４ｋＰａ未満では研磨時のガラス基板の安定性が低下してばたつきやすくなり、その結果主表面のうねりが大きくなるおそれがある。
【００３９】
主表面の研磨量は、１０〜４０μｍが適当であり、研磨液の供給量や研磨時間、研磨液中の酸化セリウム粒子濃度、研磨圧力、回転数等を調整する。
【００４０】
上記の円形ガラス板の主表面研磨の後、洗浄、乾燥して磁気ディスク用ガラス基板が得られる。洗浄および乾燥は限定されないが通常は従来公知の方法で行う。例えば、酸性洗剤溶液への浸漬、アルカリ性洗剤溶液への浸漬、ベルクリンおよびアルカリ洗剤によるスクラブ洗浄、アルカリ性洗剤溶液への浸漬した状態での超音波洗浄、および純水浸漬状態での超音波洗浄を順次行った後、スピンドライ乾燥またはイソプロピルアルコール蒸気乾燥等の方法で乾燥する。
【００４１】
[スラリー循環工程]
この工程は、研磨工程で使用した研磨スラリーを、循環させて研磨工程に供する工程である。研磨スラリーの循環は限定されないが通常は、従来公知の方法によることができ、例えば、特開２００１−６４０３９号公報に記載の方法が挙げられる。
【実施例】
【００４２】
以下、本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。例１−５が実施例、その他が比較例である。
【００４３】
［被験体の作製］
フロート法で成形されたシリケートガラス板を、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍのガラス基板が得られるようなドーナツ状円形ガラス板（中央に円孔を有する円形ガラス板）に加工した。尚、内周面及び外周面の研削加工はダイヤモンド砥石を用いて行い、ガラス板上下面のラッピングは酸化アルミニウム砥粒を用いて行った。
【００４４】
次に、内外周の端面を、面取り幅０．１５ｍｍ、面取り角度４５°となるように面取り加工を行った。内外周加工の後、研磨材として酸化セリウムスラリーを用い、研磨具としてブラシを用い、ブラシ研磨により端面の鏡面加工を行った。加工量は半径方向の除去量で３０μｍであった。
【００４５】
［研磨スラリーの調製］
（例１）
酸化セリウム（Ｅ３０、三井金属社製、平均粒径：１．２〜１．６μｍ）２０ｇ、アセチレンジオール系界面活性剤（サーフィノール１０４ＰＡ、エアープロダクツジャパン社製、有効成分５０質量％、ＨＬＢ４）０．２ｇ、純水１７９．８ｇを混合し、砥粒濃度１０質量％、界面活性剤濃度０．０５質量％の研磨スラリーＡ１を得た。
また、例１の研磨レート向上を界面活性剤無添加の研磨スラリーに対する比で評価するべく、比較のための研磨スラリーＡ１’を作製した。すなわち、酸化セリウム（Ｅ３０、三井金属社製、平均粒径：１．２〜１．６μｍ）２０ｇ、純水１８０ｇを混合し、界面活性剤を含有しない砥粒濃度１０質量％の研磨スラリーＡ１’を作製した。
【００４６】
（例２および３）
界面活性剤濃度を表１に示すように変化させた以外は、例１と同様に研磨スラリーＡ２（例２）、Ａ３（例３）を調製した。また、比較のために、例１と同様に研磨スラリーＡ２、Ａ３に対応する界面活性剤無添加研磨スラリーＡ２’、Ａ３’を作製した。
【００４７】
（例４および５）
酸化セリウム（Ｅ３０、三井金属社製、平均粒径：１．２〜１．６μｍ）２．５ｋｇ、アセチレンジオール系界面活性剤（サーフィノール１０４ＰＡ、エアープロダクツジャパン社製、有効成分５０質量％、ＨＬＢ４）０．２５ｋｇ、純水２２．４７５ｋｇを混合し、砥粒濃度１０質量％、界面活性剤濃度０．０５質量％の研磨スラリーＡ４（例４）、Ａ５（例５）を得た。
また、研磨スラリーＡ４、Ａ５で界面活性剤濃度を０とした比較のための研磨スラリーＡ４’、Ａ５’を作製した。
【００４８】
（例６）
酸化セリウム（Ｅ３０、三井金属社製、平均粒径：１．２〜１．６μｍ）２０ｇ、パーフルオロアルキルカルボン酸塩系界面活性剤（サーフロン、ＡＧＣセイミケミカル社製、有効成分１００質量％）０．１ｇ、純水１７９．９ｇを混合し、砥粒濃度１０質量％、界面活性剤濃度０．０５質量％の研磨スラリーＢ１を得た。
また、研磨スラリーＢ１で界面活性剤濃度を０とした比較のための研磨スラリーＢ１’を作製した。
【００４９】
（例７）
界面活性剤濃度を０．５質量％とした以外は、例６と同様に研磨スラリーＢ２を調製した。
また、研磨スラリーＢ２で界面活性剤濃度を０とした比較のための研磨スラリーＢ２’を作製した。
【００５０】
（例８）
酸化セリウム（Ｅ３０、三井金属社製、平均粒径：１．２〜１．６μｍ）２０ｇ、ポリエーテルアミン系界面活性剤（ＥＤ６００、ハンツマン社製、有効成分１００質量％）２ｇ、純水１７８ｇを混合し、砥粒濃度１０質量％、界面活性剤濃度１質量％の研磨スラリーＣ１を得た。
また、研磨スラリーＣ１で界面活性剤濃度を０とした比較のための研磨スラリーＣ１’を作製した。
【００５１】
（例９）
酸化セリウム（Ｅ３０、三井金属社製、平均粒径：１．２〜１．６μｍ）２．５ｋｇ、ポリエーテルアミン系界面活性剤（ＥＤ６００、ハンツマン社製、有効成分１００質量％）０．２５ｋｇ、純水２２．２５ｋｇを混合し、砥粒濃度１０質量％、界面活性剤濃度１質量％の研磨スラリーＣ２を得た。
また、研磨スラリーＣ２で界面活性剤濃度を０とした比較のための研磨スラリーＣ２’を作製した。
【００５２】
（例１０）
酸化セリウム（Ｅ３０、三井金属社製、平均粒径：１．２〜１．６μｍ）２０ｇ、アセチレンアルコール系界面活性剤（試薬：１−オクチン−３−オール、有効成分１００質量％）１ｇ、純水１７９ｇを混合し、砥粒濃度１０質量％、界面活性剤濃度０．５質量％の研磨スラリーＤ１を得た。
また、研磨スラリーＤ１で界面活性剤濃度を０とした比較のための研磨スラリーＤ１’を作製した。
【００５３】
（例１１）
酸化セリウム（Ｅ３０、三井金属社製、平均粒径：１．２〜１．６μｍ）２０ｇ、アセチレンアルコール系界面活性剤（試薬：３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、有効成分１００質量％）１ｇ、純水１７９ｇを混合し、砥粒濃度１０質量％、界面活性剤濃度０．５質量％の研磨スラリーＤ２を得た。
また、研磨スラリーＤ２で界面活性剤濃度を０とした比較のための研磨スラリーＤ２’を作製した。
【００５４】
上記の方法で得られた例１〜９の研磨スラリーの特性を下記の方法により評価した。その結果を表１に示すが、例１〜５、１０および１１が実施例、その他が比較例である。
【００５５】
（１）ｐＨ
研磨スラリーのｐＨは、Ｄ−５４（ＨＯＲＩＢＡ社製）で測定した。
【００５６】
（２）泡立ち評価
研磨スラリーの泡立ちは、２５０ｍｌの蓋付き容器に１００ｇの研磨スラリーを投入し、３０秒間振とうした後、発生した泡がなくなるまでの時間を測定した。発生した泡がなくなるまでの時間が短いほど、研磨スラリーの泡立ちが抑制されていることになる。表中に「直後」と記載したものは振とう後直ちに泡がなくなったことを示す。
【００５７】
（３）分散性評価
研磨スラリー中の酸化セリウム粒子の分散性を評価するためには、ＨＯＲＩＢＡ社製のＬＡ−９５０Ｖ２により、研磨スラリーの粒度分布測定をおこない、メディアン径を算出した。メディアン径が小さいほど、酸化セリウム粒子の凝集が抑制されていることになる。メディアン径は２μｍ以下であることが好ましい。
【００５８】
［主表面の研磨］
上記の被験体の主表面を、上記の研磨スラリーを循環させながら下記条件により５０分間研磨した。次いで、研磨後の被験体を、酸性洗剤溶液への浸漬、アルカリ性洗剤溶液への浸漬、ベルクリン及びアルカリ洗剤によるスクラブ洗浄、アルカリ性洗剤溶液への浸漬、純水浸漬状態での超音波洗浄を順次行い、スピンドライ乾燥した。尚、研磨液を交換する度に、研磨パッドを、純水を供給しながら３分間ブラシ洗浄を行った。その後、研磨レートを測定した。また、各例の研磨レートを比較評価するために、各例の研磨スラリーで界面活性剤を無添加とした研磨スラリーを用いて同様にして研磨レートを測定した。
【００５９】
研磨機：
片面研磨機（ＦＡＭ１２Ｂ、スピードファム社製）（例１−３、６−８、１０、１１）
研磨スラリー供給速度：１００ｍｌ／分
定盤周速：４０ｒｐｍ
研磨パッド：ＦＸ８Ｈ（ショアＡ硬度９３、フジボウ社製）（独立気泡タイプ）
研磨圧：１２ｋＰａ（例１−３、６−８、１０、１１）
両面研磨機（ＤＳＭ９Ｂ、スピードファム社製）（例４、５、９）
研磨スラリー供給速度：３Ｌ／分
下定盤周速：３５ｒｐｍ
研磨パッド：ＦＸ８Ｈ（ショアＡ硬度９３、フジボウ社製）（独立気泡タイプ）
研磨圧：６ｋＰａ（例４）、８．５ｋＰａ（例５、９）
【００６０】
［研磨レート］
研磨レートは、研磨前後の重量変化と研磨面積、被研磨物密度により求めた。表１に、界面活性剤を無添加とした研磨スラリーを用いた場合の研磨レートを１とした相対値（研磨レート比）で研磨レートを示す。たとえば、例１の研磨レートは研磨スラリーＡ１での研磨レートを比較のための研磨スラリーＡ１’での研磨レートで除したものを例１の研磨レート比とする。なお、研磨レート比は１．０３以上であることが好ましい。１．０３未満では実質的に研磨レートが向上したとは言いにくい。
【００６１】
【表１】
2011110637.tif 000004
【００６２】
表１に示したように、本発明に従い、アセチレンジオール系界面活性剤またはアセチレンアルコール系界面活性剤を研磨スラリーに添加した例１〜５、１０および１１では研磨レートが向上した。また、アセチレンジオール系界面活性剤またはアセチレンアルコール系界面活性剤を添加した例１〜５、１０および１１の研磨スラリーは、泡切れが良好であり、酸化セリウム砥粒の分散性にも優れていた。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明の方法は、磁気ディスク用ガラス基板の製造に利用できる。