(57)【要約】【課題】耐衝撃性に優れ、しかも平滑性や平坦性の高いガラス基板を製造すること。【解決手段】円板状に形成されたガラス基板の中に含まれる一部のイオンを、そのイオンより大きなイオン径のイオンに置換することにより上記ガラス基板を強化する化学強化工程を備えた情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、上記化学強化工程後にアニールおよびセッタープレスを施す形状矯正工程を備えていることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状に形成されたガラス基板の中に含まれる一部のイオンを、そのイオンより大きなイオン径のイオンに置換することにより上記ガラス基板を強化する化学強化工程を備えた情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
上記化学強化工程後にアニールおよびセッタープレスを施す形状矯正工程を備えている
ことを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
上記形状矯正工程後に少なくとも１回行われる精密研磨工程をさらに備えている
ことを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
上記精密研磨工程は、上記ガラス基板の主表面に上記強化層が残るように実施される
ことを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
請求項２または３に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
上記精密研磨工程は、ガラス基板の周方向ＴＩＲが、１．０μｍ未満になるように実施される
ことを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１または２記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
上記形状矯正工程のアニールの温度は、ガラス基板の歪点から２０℃を越え５０℃未満とし、昇温および冷却を除く処理時間を１分から２時間未満とする
ことを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今、磁気ハードディスクドライブに代表される情報記録用媒体の基材（サブストレート）として、ガラス基板の需要が高まっている。
【０００３】
近年、情報記録用媒体の高記録密度化を実現するため、サブストレートとしてのガラス基板の高い平滑性（滑らかであること）や、平坦性（平らであること）に対する要請が厳しくなっている。とりわけ、近年では、高い記録密度を達成するため、情報記録用媒体からその読み取りヘッドまでの浮上量は、非常に小さい値となっている。かかる浮上量を実現するには、ガラス基板の表面のうねり（Ｗａ）を抑えて、情報記録用媒体用のガラス基板の平滑性や平坦性を向上させ、ガラス素材の成形時に発生するそりや歪みを可及的に除去することが不可欠である。
【０００４】
他方、情報記録用媒体には、耐衝撃性も同時に求められている。ガラス基板の耐衝撃性を向上させる方法の一つとして、化学強化法が知られている。ここで化学強化とは、所定の処理液にガラス基板を接触させて加熱することにより、ガラス基板に含まれているイオンを、それよりも大きなイオン半径を有するイオンに交換することである。イオン交換されたガラス素材の表面には、圧縮応力が発生する強化層が形成される。
【０００５】
化学強化を行うことにより、ガラス基板の強度は上昇する。しかしながら、強化層のムラによる応力ばらつきに起因する反りやうねりが同時に発生し、情報記録媒体の高密度化に致命的な欠陥が発生する場合がある。
【０００６】
そこで、化学強化による反り等を改善するために、化学強化中にセッタープレスを行い、反りの発生を抑制する方法が提案されている（特許文献１）。特許文献１に係るセッタープレスは、中央に円孔が形成された主表面、内周端面、並びに外周端面を備える円板状のガラス基板を複数枚重ね合わせて、隣接するガラス基板の主表面同士を密着させた積層体を形成し、セッターで加圧しながら該積層体を化学強化する方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１９８２８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１の方法では、主表面（記録面）に化学強化処理が施されないので、化学強化処理に起因する反りを防止することができ、平滑性や平坦性を担保することができる。
【０００９】
しかしながら、化学強化は、ガラス基板のガラス転移点近傍で実施されることから、化学強化処理時にセッタープレス法でガラス基板を加圧すると、セッターとガラス基板とが離れなくなったり、冷却時にガラス基板が割れたりする等して、不良率が高いという問題があった。さらに特許文献１に開示された方法では、主表面が強化されないため、所要の耐衝撃性を得ることができないという致命的な問題があった。
【００１０】
本発明は、上記不具合に鑑みてなされたものであり、耐衝撃性に優れ、しかも平滑性や平坦性の高いガラス基板を製造することのできる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明は、円板状に形成されたガラス基板の中に含まれる一部のイオンを、そのイオンより大きなイオン径のイオンに置換することにより上記ガラス基板を強化する化学強化工程を備えた情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、上記化学強化工程後にアニールおよびセッタープレスを施す形状矯正工程を備えていることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法である。この態様では、化学強化工程で生成された強化層のばらつきが、形状矯正工程のアニール、セッタープレスによって緩和される。この結果、強化層のばらつきに起因するガラス基板のうねりが除去され、ガラス基板の平滑性や平坦性が著しく向上する。加えて、強化層のばらつきが緩和されることにより、後工程で研磨加工を施すことも可能になり、より平滑性や平坦性の高いガラス基板を製造することができる。他方、ガラス基板の主表面にも強化層を形成することができるので、ガラス基板の耐衝撃性を格段に高めることが可能になる。
【００１２】
好ましい態様において、上記形状矯正工程後に少なくとも１回行われる精密研磨工程をさらに備えている。この態様では、ガラス基板の平滑性や平坦性がさらに高くなる。本来、化学強化を行った後に研磨工程を実施すると、化学強化で発生した反りがさらに悪化する。これは研磨によりガラス基板の上下面で強化層ムラがさらに大きくなり、応力ばらつきが増大するためである。これに対して本態様では、化学強化後にアニールやセッタープレスを行って強化層ムラを緩和させることができるので、化学強化での反りが抑制されるばかりでなく、研磨工程を経ても反りが発生しなくなる。従って、ガラス基板の平滑性や平坦性がさらに高くなるのである。
【００１３】
好ましい態様において、上記精密研磨工程は、上記ガラス基板の主表面に上記強化層が残るように実施される。この態様では、強化層が維持されて、強化ガラスとしての耐衝撃性を担保しつつ、平滑性、平坦性の極めて高いガラス基板を製造することができる。
【００１４】
好ましい態様において、上記精密研磨工程は、ガラス基板の周方向ＴＩＲが、１．０μｍ未満になるように実施される。この態様では、ガラス基板の平滑性、平坦性がより高く担保される。ここでＴＩＲ（Ｔｏｔａｌ  Ｉｎｄｉｃａｔｅｄ  Ｒｕｎｏｕｔ）とは、情報記録媒体のうねり量を表す指標であり、理想的な平面（評価面（基板表面）の最小二乗平面）に対するガラス基板表面上の最高点と最低点との差を示す測定結果をいう。また、周方向ＴＩＲとは、ガラス基板の主表面上にあって、下記（１）式を充足する所定半径Ｒのトラック１周分を測定したガラス基板のＴＩＲである。
【００１５】
【数１】
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【００１６】
今後さらにヘッドが低浮上化し、ガラス基板で構成されるハードディスクの回転数が増大すると、ガラス基板の周方向ＴＩＲを抑えることが必要不可欠となる。周方向ＴＩＲが１．０μｍ以上であると、ヘッドとハードディスクとの接触による記録や再生エラーの危険性が避けられないからである。本態様では、周方向ＴＩＲを１．０μｍ以下にして、ガラス基板の周方向ＴＩＲを抑えているので、ヘッドの低浮上化や高速回転への対応が容易になり、ヘッドとハードディスクとの接触を可及的に防止して、安定した記録や再生を実現することが可能になる。
【００１７】
好ましい態様において、上記形状矯正工程のアニールの温度は、ガラス基板の歪点から２０℃を越え５０℃未満とし、昇温および冷却を除く処理時間を１分から２時間未満とする。この態様では、化学強化による強化層の維持と、反りやうねりの除去とを好適に両立することができる。強化層は、歪点以上になると徐々に強化がゆるくなっていく。温度を一定以上もしくはアニール時間を一定時間以上にすると、強化層が完全に除去され、化学強化の意味がなくなる。また、処理時間が短いと、強化層ムラが残るため反りを除去することができなくなる。他方、処理温度が歪点よりも５０℃以上高ければ、好適な処理時間が短くなりすぎるため、処理が困難である。本態様では、ガラス基板の歪点より２０℃を越え５０℃未満の低い温度に設定しているので、強化層への影響を可及的に低減することができ、しかも強化層の有無や強化の強さを制御しやすくなる。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明によれば、化学強化工程で生成された強化層のばらつきが、形状矯正工程のアニールや、セッタープレスによって緩和され、ガラス基板の平滑性や平坦性が著しく向上する一方、ガラス基板の耐衝撃性を格段に高めることが可能になるという顕著な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る実施形態の一例を示す工程図である。
【図２】図１の実施形態に好適なオスカー研磨方式の研磨装置の概略図である。
【図３】図２の研磨装置の動作を模式的に説明する平面略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して本発明に係る実施形態を詳細に説明する。しかしながら、本発明は、以下に説明する実施形態や実施例の製造方法に限られているわけではない。
【００２１】
本実施形態に係るガラス基板は、磁気ディスクに好適な環状のガラス板であり、０．８インチ型ディスク（内径６ｍｍ、外径２１．６ｍｍ、板厚０．３８１ｍｍ）、１．０インチ型ディスク（内径７ｍｍ、外径２７．４ｍｍ、板厚０．３８１ｍｍ）、１．８インチ型磁気ディスク（内径１２ｍｍ、外径４８ｍｍ、板厚０．５０８ｍｍ）などの仕様で製造される。また、２．５インチ型ディスクや３．５インチ型ディスクとして製造してもよい。
【００２２】
図１を参照して、本実施形態に係るガラス基板の製造方法は、板状ガラス成形工程、第１ラッピング工程、切り出し成形工程、第２ラッピング工程、主表面研磨工程、化学強化工程、形状矯正（アニール／プレス）工程を備えている。好ましくは、第２ラッピング工程の後、化学強化工程の前に端面研磨工程を施してもよい。また、図１に例示しているように、形状矯正工程の後に、ポリッシュ工程や洗浄工程を実施することが好ましい。ポリッシュ工程は、好ましくは、２回に分けて、段階的に細かく研磨する。
（板状ガラス成形工程）
本実施形態に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法においては、まず、溶融ガラスを材料として、ダイレクトプレス法、フロート法、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法など、公知の成形方法を用いて、板状ガラスを製造する。
【００２３】
これらのうち、ダイレクトプレス法は、溶解したガラスを直接、目的とするガラス成形品に成形できるので、同一の形状を有するガラス物品を多量に生産する場合に好適であり、情報記録媒体用ガラス基板製造の主流となっている。ダイレクトプレス法では、溶融ガラスをプレス成形型に供給し、このガラスが軟化状態にある間にプレス成形型でプレスして板状ガラスを成形する。
【００２４】
板状ガラスの材質としては、アモルファスガラスやガラスセラミクス（結晶化ガラス）を利用できる。板状ガラスの材料としては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス等を用いることができる。特にアモルファスガラスとしては、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦性及び基板強度において優れた磁気ディスク用基板を供給することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好ましく用いることができる。
（第１ラッピング工程）
次いで、板状ガラスの表面をラッピング（研削）加工してガラス母材を得る。ラッピング加工は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行う。具体的には、板状ガラスの両面に上下からラップ定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液を板状ガラスの主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行う。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス基板を得ることができる。
（切り出し成形工程）
次に、ダイヤモンドカッタを用いてガラス母材を切断し、このガラス母材から円盤状のガラス基板を切り出す切り出し成形工程を実施する。この切り出し成形工程では、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、このガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板を成形する（コアリング）。そして内周端面および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を施す（フォーミング、チャンファリング）。
（第２ラッピング工程）
次に、得られたガラス基板の両主表面について、第１ラッピング工程と同様に、第２ラッピング加工を行う。この第２ラッピング工程を行うことにより、前工程である切り出し成形工程において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができ、後続の主表面研磨工程を短時間で完了させることができるようになる。
（主表面研磨工程）
端面が研磨されたガラス基板は、好ましくは複数に分けて主表面が研磨される。例えば、第１、第２研磨工程の２回にわけて主表面を研磨することにより、徐々にガラス基板の仕上がり精度を高めることが好ましい。その場合、第１研磨工程は、前述のラッピング工程において主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とし、第２研磨工程は、主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする。また、第２研磨工程は、好ましくは、後述する形状矯正工程の後に施すことが好ましい。
【００２５】
図２および図３を参照して、主表面研磨工程は、オスカー研磨方式で研磨することが好ましい。同図に示すように、オスカー研磨方式の両面研磨装置１０では、鉛直軸回りに回動する下研磨皿１１と、下研磨皿１１の上面に対向する上研磨皿１２と、両研磨皿１１、１２間に介在し、ガラス基板としてのワークＷを保持する研磨はめ込み冶具１４とを備えている。
【００２６】
下研磨皿１１は、図略のモータによって、定位置にて所定回転速度で一方向ω１に回転されるように構成されている。下研磨皿１１の周囲には、環状のガイド枠（或いは周壁）１１ａが立設されており、このガイド枠１１ａに囲まれた範囲に研磨はめ込み冶具１４で支持された多数のワークＷが、当該ワークＷの中心回りに回動可能に配置される。
【００２７】
上研磨皿１２は、下研磨皿１１と僅かに偏心して対向する位置でワークＷを下研磨皿１１との間で挟み込み、図略のクランク機構を介して、平面視左右（矢印Ａ方向）に揺動するように構成されるものである。この際、上研磨皿１２は、その中心線回りに回動するように支持されている。
【００２８】
研磨はめ込み冶具１４は、下研磨皿１１のガイド枠１１ａ内に配置され、下研磨皿１１の上面にワークＷを保持するものである。ワークＷは、研磨はめ込み冶具１４に保持された状態で下研磨皿１１の上面に敷き詰められる。この際、研磨はめ込み冶具１４は、ワークＷの両面を対応する研磨皿１１、１２に接触させつつ、ワークＷがそれぞれの中心線回りに矢印Ｂ方向へ回動することを許容する。
【００２９】
以上の構成により、ワークＷを研磨はめ込み冶具１４で下研磨皿１１に敷き詰めるように保持し、上方から上研磨皿１２を対向させて、両研磨皿１１、１２を駆動することにより、下研磨皿１１は一方向ω１に回転し、上研磨皿１２は、中心線回りに連れ回りしながら、矢印Ａ方向に揺動する。そして、これら研磨皿１１、１２に挟み込まれたワークＷは、それぞれの中心線回りに矢印Ｂの方向に回転しながら、両研磨皿１１、１２に摺接する。この結果、当該ワークＷの主表面が研磨される。
【００３０】
本実施形態においては、化学強化工程後に形状矯正工程を施しているので、形状矯正工程後（すなわち化学強化工程後）に研磨工程を施しても、強化層のばらつきに起因する反り等が生じにくくなる。この結果、極めて平滑で平坦なガラス基板を得ることが可能になる。
【００３１】
研磨工程毎に、ガラス基板を洗浄することが好ましい。ガラス基板を洗浄する際には、洗浄槽に超音波を印加することが好ましい。
（化学強化工程）
次に、最初の主表面研磨工程を終えたガラス基板に化学強化を施す。化学強化は、例えば、歪点を超えるガラス転移点近傍の高温に加熱された化学強化処理液を用意し、歪点近傍に予熱された洗浄済みのガラス基板をこの化学強化処理液中に約３時間浸漬する。本実施形態に係るガラス強化工程では、ガラス基板の主表面も強化されるように、ガラス基板が化学強化処理液中に浸漬されることが好ましい。この化学強化処理液に浸漬処理することによって、ガラス基板は、その表面のイオンが化学強化処理液中のイオンに置換され、表面に強化層が形成される。
【００３２】
化学強化処理を終えたガラス基板は、熱処理後に洗浄される。
（形状矯正工程）
化学強化後のガラス基板は、形状矯正工程が施される。この形状矯正工程は、アニールとセッタープレスとを組み合わせたものであり、化学強化によって生じた強化層のばらつきを緩和し、ガラス基板のうねりを除去するために実施される。
【００３３】
具体的には、平板状のセッター治具にガラス基板を挟み込み、熱処理炉にてアニールを実施する。アニールの処理温度、処理時間は、ガラス基板のガラス転移点や歪点に基づいて、適宜決定される。アニールの処理温度は、歪点から２０℃を越え５０℃未満の高い温度で処理を行う方が好ましい。例えば、ガラス転移点が５００℃程度、歪点は３５０℃程度のガラス基板では、処理温度を３８０℃で行い、処理時間を昇温、除冷時間除いて２０分で行う。また、この際、除冷スピードが早い（急冷）を行うと別の反りが発生するため、除冷スピードは遅い方が好ましい。
【００３４】
セッター冶具の材質としては、ステンレス（オーステナイト系、マルテンサイト系
）、鋳物（ＦＣ系、ＦＣＤ系）、耐熱合金（Ｃｏ系やＮｉ系）、セラミックス（ＳｉＣ、ＳｉＮ3）等を使用することができる。また、押圧部材表面に、硬度が高く酸化しにくいＣｒメッキ、Ｎｉ−Ｐ無電解メッキ等の処理を行うこともできる。押圧面の形状は、上下面とも平滑でかつ、上下面が互いに平行なものを使用することが好ましい。セッター面の形状は、温度によって変形するため、使用温度や型材料の膨張特性などを考慮し、ガラス基板主表面を加圧する際に所望の形状になるように配慮して決める。
【実施例】
【００３５】
（板状ガラス成形工程）
溶融させたアルミノシリケートガラスを上型、下型を用いたダイレクトプレスによりディスク形状に成形し、アモルファスの板状ガラスを得た。なお、アルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ2：５８重量％〜７５重量％、Ａｌ2Ｏ3：５重量％〜２３重量％、Ｌｉ2Ｏ：３重量％〜１０重量％、Ｎａ2Ｏ：４重量％〜１３重量％を主成分として含有する化学強化ガラスを使用した。板状ガラスのガラス転移点は、約５００℃、歪点は、約３５０℃であった。
（第１ラッピング工程）
次に、実施形態に記載のラッピング加工により、平滑な主表面を有するガラス母材を得た。
（切り出し成形工程）
次に、実施形態に記載の切り出し成形工程を施してガラス母材を切断し、このガラス母材から円板状のガラス基板を切り出して、コアリング、フォーミング、チャンファリングを施した。
（第２ラッピング工程）
次に、得られたガラス基板の両主表面について、第１ラッピング工程と同様に、第２ラッピング加工を行った。
（端面研磨工程）
次に、ガラス基板の外周端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行った。このとき、研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いた。そして、端面研磨工程を終えたガラス基板を水洗浄した。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、ナトリウムやカリウムの析出の発生を防止できる鏡面状態に加工された。特に内周端面は、２００〜３００枚ほどの多数枚を積層して研磨した場合であっても、内孔の公差や真円度が低下することなく良好な状態であった。
（主表面第１研磨工程）
主表面研磨工程として、まず第１研磨工程を施した。本実施例に係る第１研磨工程においては、図２および図３に示した両面研磨装置１０により、軟質スウェードパットを各研磨皿１１、１２に用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研磨剤（遊離砥粒）としては、コロイダルシリカを用いた。この第１研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
（化学強化工程）
次に、主表面第１研磨工程を終えたガラス基板に、化学強化を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）を混合して加熱溶融した化学強化処理液を用意し、この化学強化処理液を４００℃に加熱しておくとともに、洗浄済みのガラス基板を３００℃に予熱し、化学強化処理液中に約３時間浸漬し、ガラス基板全面にわたって強化層を形成した。
（熱処理、洗浄処理）
化学強化処理を終えたガラス基板を、２０℃の水槽に浸漬して急冷し、約１０分間維持した。そして、急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加熱した濃硫酸に浸漬して洗浄を行った。さらに、硫酸洗浄を終えたガラス基板を純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。
（形状矯正工程）
化学強化後セッター治具にガラス基板をはさんだ後、熱処理炉にてアニールとセッタープレスとを施した。
【００３６】
アニールの温度、時間は、それぞれ表１の通りとした。
【００３７】
【表１】
2011210310.tif 000004
【００３８】
セッター冶具としては、アルミナを使用し、押圧部材表面に、Ｎｉ−Ｐ無電解メッキを施したものを使用した。セッタープレスの処理の条件としては、複数のガラス基板と平板状のセッター冶具とを交互に積み重ね、各ガラス基板にかかる圧力を４ｇ／ｃｍ2から２０ｇ／ｃｍ2にした。
（主表面第２研磨工程）
形状矯正工程の後、実施形態に示した装置を用いて最終的な仕上げの研磨を行った。研磨剤（遊離砥粒）としては、第１研磨よりも砥粒が小さいコロイダルシリカを用いた。そして、端面研磨工程を終えたガラス基板を水洗浄した。
【００３９】
得られたガラス基板は、１．０インチ型ディスク（内径７ｍｍ、外径２７．４ｍｍ、板厚０．３８１ｍｍ）であった。また、各実施例１〜１０における強化層の厚さは、５０μｍであった。
（比較例）
本実施形態の効果を確認するため、比較例を実施した。比較例は、形状矯正工程の効果を確認するために実施したものであり、形状矯正工程を全く行わないこと以外は、上述した実施例と同じ工程でガラス基板を製造した。
（評価方法）
実施例１〜１０、比較例毎に試料となるガラス基板を１００枚ずつ製造し、強度の有無、うねりＷａ、周方向ＴＩＲを測定してそれぞれの平均値を求めた。
【００４０】
強度の有無は、ストレスフォトニクス社の応力測定器（Ｐ１４００）を用いて、応力を測定した。その際、比較例の強度を１（基準）として、０．８以上を◎、０．８未満から０．２を○、０．２未満を×の三段階で評価した。
【００４１】
うねりＷａは、フェイズシフトテクノロジー社の光学測定装置を用いて、光学的測定方法により、測定波長が０．１ｍｍから５．０ｍｍの値を求めた。
【００４２】
周方向ＴＩＲは、うねりＷａと同様の光学測定装置を用いて、起伏を測定し、最小二乗平面に対する最大値と最小値の差を求めた。その際、測定箇所は、（１）式
【００４３】
【数２】
2011210310.tif 000005
【００４４】
の中から、Ｒ＝２５．４６ｍｍ部分とした。そして、周方向ＴＩＲの値が０．５μｍ未満を◎、０．５μｍ以上、０．７μｍ未満を○、０．７μｍ以上１．０μｍ未満を△、１．０μｍ以上を×の４段階で評価した。
【００４５】
測定結果を表２に示す。
【００４６】
【表２】
2011210310.tif 000006
【００４７】
以上の実施結果から明らかなように、本実施例では、化学強化工程で生成された強化層のばらつきが、形状矯正工程のアニール、セッタープレスによって緩和された。この結果、強化層のばらつきに起因するガラス基板のうねりが除去され、ガラス基板の平滑性や平坦性が著しく向上した。加えて、強化層のばらつきが緩和されることにより、後工程で研磨加工を施すことも可能になり、より平滑性や平坦性の高い（Ｗａが０．２ｎｍ以下）ガラス基板を製造することができた。他方、ガラス基板の主表面にも強化層を形成することができるので、ガラス基板の耐衝撃性を格段に高めることが可能になった。
【００４８】
また、形状矯正工程後に少なくとも１回、精密研磨工程を施しているので、ガラス基板の平滑性や平坦性がさらに高くなった。比較例の結果から明らかなように、本来、化学強化を行った後に研磨工程を実施すると、化学強化で発生した反りがさらに悪化する。これは研磨によりガラス基板の上下面で強化層ムラがさらに大きくなり、応力ばらつきが増大するためである。これに対して各実施例では、化学強化後にアニールやセッタープレスを行って強化層ムラを緩和させることができるので、化学強化での反りが抑制されるばかりでなく、研磨工程を経ても反りが発生しなくなる。従って、ガラス基板の平滑性や平坦性がさらに高くなり、うねりＷａの値も０．２ｎｍ以下に仕上げることができた。
【００４９】
また、本実施例では、精密研磨工程は、上記ガラス基板の主表面に上記強化層が残るように実施した。このため、強化層が維持されて、強化ガラスとしての耐衝撃性を担保することができた。
【００５０】
また、精密研磨工程は、ガラス基板の周方向ＴＩＲが、１．０μｍ未満になるように実施したので、ガラス基板の平滑性、平坦性がより高く担保された。このため、今後さらにヘッドが低浮上化し、ガラス基板で構成されるハードディスクの回転数が増大しても、ガラス基板の周方向ＴＩＲを抑えることが可能になり、情報記録媒体に要請される高い記録密度を達成することが可能になることが確認された。また、周方向ＴＩＲを１．０μｍ以下にして、ガラス基板の周方向ＴＩＲを抑えているので、ヘッドの低浮上化や高速回転への対応が容易になり、ヘッドとハードディスクとの接触を可及的に防止して、安定した記録や再生を実現することが可能になる。
【００５１】
また、本実施例に係る形状矯正工程のアニールの温度は、ガラス基板の歪点から２０℃を越え５０℃未満とし、昇温および冷却を除く処理時間を１分から２時間未満にしているので、化学強化による強化層の維持と、反りやうねりの除去とを好適に両立することができる。
【００５２】
強化層は、歪点以上になると徐々に強化がゆるくなっていく。また、温度を一定以上もしくはアニール時間を一定時間以上にすると、強化層が完全に除去され、化学強化の意味がなくなるおそれがある。他方、処理時間が短いと、強化層ムラが残るため、うねりＷａを除去することができなくなるおそれがある。さらに、処理温度が歪点よりも５０℃以上高ければ、好適な処理時間が短くなりすぎるため、処理が困難である。本実施例では、ガラス基板の歪点（約３５０℃）より２０℃を越え５０℃未満の温度に設定した。このことにより、強化層への影響を可及的に低減することができ、しかも強化層の有無や強化の強さを制御しやすくなることが確認された。
【００５３】
上述した実施の形態は、本発明の好ましい具体例を例示したものに過ぎず、本発明は上述した実施形態に限定されない。本発明の特許請求の範囲内で種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2011210310.tif 000009