(57)【要約】      （修正有）【課題】耐リフロー性及び接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする粘接着剤組成物、回路部材接続用粘接着剤シート及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｄ）グリシジル基及びエチレン性不飽和基を有する化合物と、（Ｅ）光開始剤とを含む粘接着剤組成物、及び光透過性の支持基材３と、該支持基材上に設けられ、該粘接着剤組成物からなる粘接着剤層２とを備える回路部材接続用粘接着剤シート１０、並びに該粘接着剤シートを使用した半導体装置の製造方法。【選択図】図１
2011174010.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、
（Ｂ）エポキシ樹脂と、
（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤と、
（Ｄ）グリシジル基及びエチレン性不飽和基を有する化合物と、
（Ｅ）光開始剤と、
を含む、粘接着剤組成物。
【請求項２】
（Ｆ）硬化促進剤を更に含む、請求項１記載の粘接着剤組成物。
【請求項３】
光透過性の支持基材と、該支持基材上に設けられ、請求項１又は２記載の粘接着剤組成物からなる粘接着剤層と、を備える、回路部材接続用粘接着剤シート。
【請求項４】
主面の一方に複数の回路電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの前記回路電極が設けられている側に、請求項３記載の回路部材接続用粘接着剤シートの粘接着剤層を貼付ける工程と、
前記半導体ウエハの前記回路電極が設けられている側とは反対側を研削して前記半導体ウエハを薄化する工程と、
前記粘接着剤層に放射線を照射する工程と、
前記薄化した半導体ウエハ及び前記放射線が照射された粘接着剤層をダイシングしてフィルム状粘接着剤付半導体素子に個片化する工程と、
前記フィルム状粘接着剤付半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを前記フィルム状粘接着剤付半導体素子のフィルム状粘接着剤を介して接着する工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘接着剤組成物、それを用いた回路部材接続用粘接着剤シート及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体チップの実装技術として、半導体チップを直接回路基板に接続するフェイスダウンボンディング方式が知られている。この方式には、半導体チップの電極部分にはんだバンプを形成して回路基板の電極にはんだ接続する方法や、半導体チップに設けた突起電極に導電性接着剤を塗布して回路基板の電極との電気的な接続を行う方法がある。
【０００３】
フェイスダウンボンディング方式で製造された半導体装置は、各種環境下に曝された場合、接続されたチップと基板の熱膨張係数差に基づくストレスが接続界面で発生するため、接続信頼性が低下しやすいという問題を有している。このため、接続界面のストレスを緩和する目的で、チップと基板の間隙をエポキシ樹脂等のアンダーフィル材で充填することが行われている。
【０００４】
アンダーフィル材の充填方式としては、チップと基板とを接続した後に低粘度の液状樹脂を注入する方式と、基板上にアンダーフィル材を設けた後にチップを搭載する方式がある。更に、後者の方式には、液状樹脂を塗布する方式とフィルム状樹脂を貼付ける方式がある。
【０００５】
液状樹脂を用いる方式は、ディスペンサーによる精密な塗布量コントロールが困難である。特に、近年の薄型化されたチップを実装する場合、塗布量が多すぎると、ボンディング時に滲み出した樹脂がチップの側面を這い上がり、ボンディングツールを汚染してしまう。そのため、本方式では、ツールの洗浄が必要となり、量産時の工程が煩雑化する。
【０００６】
他方、フィルム状樹脂を用いる方式は、フィルムの厚みを調整することによって最適な樹脂量を与えることが容易にできる反面、仮圧着工程と呼ばれるフィルム状樹脂を基板に貼付ける工程を必要とする。通常、仮圧着工程は、対象となるチップ幅よりも大きめの幅にスリットされたリール状の接着剤テープを用意し、チップサイズに応じて基材上の接着剤テープをカットして接着剤が反応しない程度の温度で基板上に熱圧着する。ところが、チップ搭載位置にフィルムを精度よく供給することは難しく、また微小チップなどに対応した細幅のリール加工は困難であることから、一般的に、歩留りの確保には、仮圧着で貼付けるフィルムをチップサイズより大きくすることで対応している。そのため、本方式では、隣接部品との距離や実装面積を余分に確保する必要があり、高密度化実装に対応しにくい。
【０００７】
最近、高密度化実装技術の一つとして、フィルム状接着剤付チップを用いる方法が検討されている。例えば、下記特許文献１及び２には、フィルム状の接着剤が貼付されたウエハを準備し、このウエハの裏面を研削した後、ウエハを接着剤と共に切断してチップ化することにより、チップにチップサイズと同サイズの接着剤が付着したフィルム状接着剤付チップを作製し、これを回路基板に実装して半導体装置を製造する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−０４９４８２号公報
【特許文献２】特許第２８３３１１１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記の方法において、フィルム状接着剤を用いたウエハへの貼付工程、ウエハ裏面研削工程、ダイシング工程、フリップチップボンディング工程を経たのち、封止剤でモールディングされ、半導体装置（パッケージ）が作製される。上記方法により、工程の削減は大きく可能だが、パッケージには、信頼性のより一層の向上が要求されている。これに伴い、耐リフロー性及び接続信頼性が十分に高い半導体装置の作製を可能とするフィルム状接着剤の開発が求められている。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、耐リフロー性及び接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする粘接着剤組成物、回路部材接続用粘接着剤シート及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明は、（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｄ）グリシジル基及びエチレン性不飽和基を有する化合物と、（Ｅ）光開始剤とを含む粘接着剤組成物を提供する。
【００１２】
本発明の粘接着剤組成物によれば、上記構成を有することにより、耐リフロー性及び接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする。
【００１３】
本発明の粘接着剤組成物により上記効果が得られる理由を、本発明者らは以下のように推測している。すなわち、本発明の粘接着剤組成物を用いた半導体装置の作製工程において、紫外線照射によって（Ｄ）成分中のエチレン性不飽和基と（Ｅ）光開始剤との反応がおこり粘接着剤層中の架橋が進行し、フリップチップボンディング時の加熱時の流動性を制御することができる。さらに、（Ｄ）成分がグリシジル基を有するため、最終的な粘接着剤層の加熱硬化時に（Ｂ）エポキシ樹脂及び（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤と共に、架橋反応に寄与することにより、強固に架橋が維持されるようになる。その結果、粘接着剤層の弾性率を上昇させると共に、線膨張係数を低下させることができ、耐リフロー性及び接続信頼性の両方の特性を同時に満足する半導体装置を作製可能としたと考えられる。
【００１４】
本発明の粘接着剤組成物は、（Ｂ）成分の硬化を促進する観点から、（Ｆ）硬化促進剤を更に含むことができる。
【００１５】
本発明はまた、光透過性の支持基材と、該支持基材上に設けられ、上記本発明の粘接着剤組成物からなる粘接着剤層とを備える、回路部材接続用粘接着剤シートを提供する。
【００１６】
本発明はさらに、主面の一方に複数の回路電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの回路電極が設けられている側に、上記本発明の回路部材接続用粘接着剤シートの粘接着剤層を貼付ける工程と、半導体ウエハの回路電極が設けられている側とは反対側を研削して半導体ウエハを薄化する工程と、粘接着剤層に放射線を照射する工程と、薄化した半導体ウエハ及び放射線が照射された粘接着剤層をダイシングしてフィルム状粘接着剤付半導体素子に個片化する工程と、フィルム状粘接着剤付半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とをフィルム状粘接着剤付半導体素子のフィルム状接着剤を介して接着する工程とを備える半導体装置の製造方法を提供する。これにより、耐リフロー性及び接続信頼性に優れる半導体装置を作製することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、耐リフロー性及び接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする粘接着剤組成物、これを用いた回路部材接続用粘接着剤シート及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る回路部材接続用粘接着剤シートの好適な一実施形態を示す模式断面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図４】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図５】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図６】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、本発明に係る回路部材接続用粘接着剤シートの好適な一実施形態を示す模式断面図である。図１に示す回路部材接続用粘接着剤シート１０は、支持基材３と、該支持基材３上に設けられ、本発明の粘接着剤組成物からなる粘接着剤層２と、粘接着剤層２を被覆する保護フィルム１とを備えている。
【００２０】
まず、粘接着剤層２を構成する本発明に係る粘接着剤組成物について説明する。
【００２１】
本発明に係る粘接着剤組成物は、（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｄ）グリシジル基及びエチレン性不飽和基を有る化合物と、（Ｅ）光開始剤とを含む。
【００２２】
（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分としては、接着性向上の点で、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、カルボキシル基、水酸基、エピスルフィド基などの官能基を有するものが好ましい。このような高分子量成分としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムなどが挙げられる。特に、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレート及びアクリロニトリルなどとの共重合体や、エチルアクリレート及びアクリロニトリルなどとの共重合体などからなるゴムである。共重合体モノマーとしては、例えば、ブチルアクリレート、エチルアクリレートアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、アクリロニトリル等を挙げることができる。
【００２３】
また、（Ａ）成分としては、架橋性の点で、グリシジル基を有する高分子量成分が好ましい。具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを含む原料モノマーを重合させて得られる重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体を挙げることができる。なお、本明細書において、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体とは、グリシジル基含有アクリル共重合体とグリシジル基含有メタクリル共重合体の両方を示す語句である。
【００２４】
重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体は、上記共重合モノマーと、グリシジルアクリレートやグリシジルメタクリレートなどとから適宜モノマーを選択して製造したものを用いることができる。また、市販品（例えば、ナガセケムテックス（株）製、商品名「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３」等）を用いることもできる。
【００２５】
（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分は、官能基の含有量を適宜変更することにより架橋密度を調整することができる。高分子量成分が複数のモノマーの共重合体である場合は、原料として使用する官能基含有モノマーが、共重合体の０．５〜６．０質量％程度含まれることが好ましい。
【００２６】
グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体の場合、グリシジルアクリレートやグリシジルメタクリレート等のグリシジル基を有する反復単位を好ましくは０．５〜６．０質量％、より好ましくは０．５〜５．０質量％、さらにより好ましくは０．８〜５．０質量％含有するグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体が用いられる。グリシジル基を有する反復単位の量が上記範囲にあると、グリシジル基の緩やかな架橋が起こるため、接着力を確保しつつゲル化を防止することが容易となる。また、（Ｂ）エポキシ樹脂と非相溶になるため、応力緩和性に優れるようになる。
【００２７】
また、上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等以外に他の官能基が組み込まれていてもよい。その場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度を考慮して決定することが好ましい。具体的には、かかる重合体のガラス転移温度が−１０℃以上となるように混合比率を設定することが好ましい。重合体のガラス転移温度が−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での粘接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じないため好ましい。
【００２８】
（Ａ）成分として、上記グリシジル基含有モノマーを重合させて得られるグリシジル基含有アクリル共重合体を使用する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。
【００２９】
本発明において、（Ａ）成分の重量平均分子量は１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、４０万〜２５０万であることがより好ましく、５０万〜２００万であることが特に好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状とした粘接着剤層の強度、可とう性及びタック性を良好にバランスさせることが容易となるとともに粘接着剤層のフロー性が良好となるため、配線の回路充填性（埋込性）を十分確保できる。なお、本明細書において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
【００３０】
また、（Ａ）成分は、耐リフロー性の点で、（Ｂ）エポキシ樹脂と非相溶であることが好ましい。ただし、相溶性については（Ａ）成分の特性のみでは決定されないので、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の両者が相溶しない組み合わせを選択する。
【００３１】
（Ｂ）エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂ハンドブック（新保正樹編、日刊工業新聞社）等に記載されるエポキシ樹脂を広く使用することができる。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
【００３２】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名「エピコート８０７」、「エピコート８１５」、「エピコート８２５」、「エピコート８２７」、「エピコート８２８」、「エピコート８３４」、「エピコート１００１」、「エピコート１００４」、「エピコート１００７」及び「エピコート１００９」、ダウケミカル社製、商品名「ＤＥＲ−３３０」、「ＤＥＲ−３０１」及び「ＤＥＲ−３６１」並びに東都化成（株）製、商品名「ＹＤ８１２５」及び「ＹＤＦ８１７０」が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名「エピコート１５２」及び「エピコート１５４」、日本化薬（株）製、商品名「ＥＰＰＮ−２０１」、ダウケミカル社製、商品名「ＤＥＮ−４３８」が挙げられる。また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬（株）製、商品名「ＥＯＣＮ−１０２Ｓ」、「ＥＯＣＮ−１０３Ｓ」、「ＥＯＣＮ−１０４Ｓ」、「ＥＯＣＮ−１０１２」、「ＥＯＣＮ−１０２５」及び「ＥＯＣＮ−１０２７」、東都化成（株）製、商品名「ＹＤＣＮ７０１」、「ＹＤＣＮ７０２」、「ＹＤＣＮ７０３」及び「ＹＤＣＮ７０４」が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名「Ｅ１０３２−Ｈ６０」、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名「アラルダイト０１６３」並びにナガセ化成（株）製、商品名「デナコールＥＸ−６１１」、「デナコールＥＸ−６１４」、「デナコールＥＸ−６１４Ｂ」、「デナコールＥＸ−６２２」、「デナコールＥＸ−５１２」、「デナコールＥＸ−５２１」、「デナコールＥＸ−４２１」、「デナコールＥＸ−４１１」及び「デナコールＥＸ−３２１」が挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名「エピコート６０４」、東都化成（株）製、商品名「ＹＨ−４３４」、三菱ガス化学（株）製、商品名「ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ」、「ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ」、住友化学（株）製、商品名「ＥＬＭ−１２０」が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名「アラルダイトＰＴ８１０」、ＵＣＣ社製、商品名「ＥＲＬ４２３４」、「ＥＲＬ４２９９」、「ＥＲＬ４２２１」及び「ＥＲＬ４２０６」が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３３】
また、本発明においては、高接着力を付与するためには、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びフェノールノボラック型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００３４】
本実施形態に係る粘接着剤組成物における（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して５〜５００質量部であることが好ましく、１０〜４００質量部とすることが好ましく、４０〜３００質量部とすることがより好ましい。（Ｂ）成分の含有量が上記の範囲にあると、フィルム状に形成した粘接着剤層の弾性率及び成型時のフロー性抑制が十分確保でき、高温での取り扱い性を良好にできる。
【００３５】
（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂と組み合わせることによって、高温高圧下において耐衝撃性が優れ、厳しい熱吸湿下においても充分な接着物性を保持することを可能とする。
【００３６】
（Ｃ）成分としては、特に限定されないが、耐熱性を向上する観点から、フェノール系エポキシ樹脂硬化剤であることが好ましく、例えば、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂等を用いることができる。より具体的には、例えば、ＤＩＣ（株）製、商品名「フェノライトＬＦ４８５１」、「フェノライトＴＤ−２０９０」、「フェノライトＴＤ−２１４９」、「フェノライトＶＨ−４１５０」、「フェノライトＶＨ４１７０」、「ＬＡ−３０１８」、日本化薬（株）製、商品名「ＤＰＮ−Ｌ」、明和化成（株）製、商品名「ＭＥＨ−７５００」が挙げられる。また、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３７】
本発明に係る粘接着剤組成物における（Ｃ）成分の含有量は、吸湿時の耐電食性を付与する観点から、（Ｂ）成分のエポキシ基に対する（Ｃ）成分のフェノール性水酸基の当量比が０．５〜１．５となることが好ましく、０．８〜１．２となることがより好ましい。かかる当量比で（Ｃ）成分を含有させることにより、エポキシ樹脂の硬化（橋かけ）を十分なレベルまで進行させることができ、硬化物のガラス転移温度を十分高めることがより確実にできる。これにより、硬化した粘接着剤層の耐湿性及び高温での接続信頼性を十分確保でき、その結果、吸湿時の耐電食性がより確実に向上する。
【００３８】
（Ｄ）成分であるグリシジル基及びエチレン性不飽和基を有する化合物は、熱だけでなく、光による反応性を有する光反応性モノマーである。（Ｄ）成分において、エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル基、プロパギル基、ブテニル基、エチニル基、フェニルエチニル基、マレイミド基、ナジイミド基及び（メタ）アクリル基が挙げられ、反応性の観点から、（メタ）アクリル基が好ましい。また、グリシジル基は文章中エポキシ基と言う場合もある。
【００３９】
（Ｄ）成分として、特に限定されないが、例えば、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、４−ヒドロキシブチルメタクリレートグリシジルエーテルの他、グリシジル基と反応する官能基及びエチレン性不飽和基を有する化合物と多官能エポキシ樹脂とを反応させて得られる化合物を用いることができる。上記グリシジル基と反応する官能基としては、特に限定はしないが、イソシアネート基、カルボキシル基、フェノール性水酸基、水酸基、酸無水物、アミノ基、チオール基、アミド基等が挙げられる。これらの化合物は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４０】
（Ｄ）成分は、例えば、トリフェニルホスフィンやテトラブチルアンモニウムブロミドの存在下、１分子中に少なくとも２つ以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ樹脂と、エポキシ基１当量に対し０．１〜０．９当量の（メタ）アクリル酸とを反応させることによって得られる。また、ジブチルスズジラウレートの存在下、多官能イソシアネート化合物とヒドロキシ基含有（メタ）アクリレート及びヒドロキシ基含有エポキシ化合物とを反応させ、又は多官能エポキシ樹脂とイソシアネート基含有（メタ）アクリレートとを反応させることにより、グリシジル基含有ウレタン（メタ）アクリレート等が得られる。
【００４１】
（Ｄ）成分は、保存安定性、接着性、組立て加熱時及び組立て後のパッケージの低アウトガス性、耐熱・耐湿性の観点から、５％重量減少温度が１５０℃以上であることが好ましく、１８０℃以上であることがより好ましく、２００℃以上であることが更に好ましく、２６０℃以上であることが最も好ましい。
【００４２】
さらに、（Ｄ）成分としては、不純物イオンであるアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特には塩素イオンや加水分解性塩素等を１０００ｐｐｍ以下に低減した高純度品を用いることが、エレクトロマイグレーション防止や金属導体回路の腐食防止の観点から好ましい。例えば、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン等を低減した多官能エポキシ樹脂を原料として用いることで上記不純物イオン濃度を満足することができる。
【００４３】
（Ｄ）成分は、耐熱性の観点から、芳香環を有することが好ましい。上記耐熱性と純度を満たす（Ｄ）成分としては、特に限定はしないが、ビスフェノールＡ型（又はＡＤ型、Ｓ型、Ｆ型）のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールＡ及び／又はＦ型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールＡ及び／又はＦ型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等を原料としたものが挙げられる。
【００４４】
特に、濡れ性、低応力性及び接着性を改善し、耐リフロー性、耐ＴＣＴＲ性を維持するためには、（Ｄ）成分のグリシジル基及びエチレン性不飽和基の数がそれぞれ３つ以下であることが好ましく、特にエチレン性不飽和基の数は２つ以下であることが好ましい。このような（Ｂ）成分としては特に限定はしないが、下記一般式（１３）、（１４）、（１５）、（１６）又は（１７）で表される化合物等が好ましく用いられる。下記一般式（１３）〜（１７）において、Ｒ１２は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１３及びＲ１４は２価の有機基を示し、アルキレン基であることが好ましい。Ｒ１５〜Ｒ１９はグリシジル基又はエチレン性不飽和基を有する有機基を示す。なお、式（１６）におけるＲ１６及びＲ１７のうち、いずれか一方がグリシジル基有する有機基であり、他方がエチレン性不飽和基有する有機基である。式（１７）におけるＲ１８及びＲ１９についても同様に、いずれか一方がグリシジル基有する有機基であり、他方がエチレン性不飽和基有する有機基である。
【００４５】
【化１】
2011174010.tif 000003
【００４６】
本実施形態の粘接着剤組成物における（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して１〜１００質量部であることが好ましく、２〜８０質量部であることがより好ましく、５〜７０質量部であることが更に好ましい。この含有量が１００質量部を超えると、フィルム形成時にはチキソ性が低下しフィルム形成しにくくなる傾向や、タック性が上昇し取り扱い性が十分でなくなる傾向がある。また、ＵＶ照射後にフィルムが固まりすぎ、基盤への埋込性や濡れ性が低下するために、接着性や耐リフロー性に影響を及ぼす傾向がある。一方、上記（Ｄ）成分の含有量が１質量部未満であると、添加の効果が十分に得られなくなる傾向がある。
【００４７】
（Ｅ）光開始剤としては、例えば、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイドが挙げられる。また、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名「Ｉｒｇ−１８４」、「Ｉｒｇ−８１９」等の市販品を用いることができる。
【００４８】
本実施形態に係る粘接着剤組成物における（Ｅ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０．１〜３０質量部であることが好ましい。係る配合量が０．１質量部より小さいと、未反応の（Ｄ）成分が残存しやすくなる。この場合、高温圧着時にボイドが多くなり、埋込性に悪影響を与える傾向にある。一方、上記配合量が３０質量部を超えると、重合反応によって分子量を十分に増加させることが困難となり、低分子量成分が多く存在する傾向にある。この場合、低分子量成分が熱時の流動性に影響を及ぼす可能性がある。上記配合量は、０．５〜２０質量部がより好ましく、１〜１０質量部が特に好ましい。
【００４９】
本実施形態に係る粘接着剤組成物は、（Ｂ）エポキシ樹脂の硬化を促進するために、（Ｃ）成分と共に（Ｆ）硬化促進剤を含むことができる。（Ｆ）硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７−テトラフェニルボレートが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５０】
本実施形態に係る粘接着剤組成物における（Ｆ）成分の含有量は、硬化性と保存安定性とを両立する観点から、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して、０．１〜２０質量部が好ましく、０．１〜１０質量部が好ましく、０．２〜５重量部がより好ましい。
【００５１】
また、上記粘接着剤組成物には、可とう性やタック性を付与する目的で、（Ｄ）成分と共に（Ｄ）成分とは異なる（Ｇ）放射線重合性化合物を併用することができる。（Ｇ）放射線重合性化合物としては、放射線の照射により架橋し得る化合物が挙げられる。（Ｇ）成分の具体例としては、例えば、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、２，２−ビス〔４−（メタクリロキシ・ジエトキシ）フェニル〕プロパンアクリレート等のアクリレートが挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。また、新中村工業化学株式会社製、商品名「Ａ−ＤＰＨ」、日立化成工業株式会社製、商品名「ＦＡ−５１２ＡＳ」、「ＦＡ−５１３ＡＳ」等の市販品を用いることができる。
【００５２】
本発明に係る粘接着剤組成物には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、（Ｈ）エポキシ樹脂と相溶性がある上記（Ａ）成分以外の高分子量樹脂を配合することができる。このような（Ｈ）成分としては、（Ａ）成分と非相溶になるものが信頼性向上の観点で好ましく、例えば、フェノキシ樹脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５３】
互いに相溶する（Ａ）成分と（Ｂ）エポキシ樹脂とを用いる場合、上記の（Ｈ）成分を配合して（Ｂ）エポキシ樹脂を（Ｈ）成分とより相溶させることにより、結果的に（Ｂ）エポキシ樹脂と（Ａ）成分とを非相溶にすることが可能となる場合がある。このような作用によって、可とう性や耐リフロークラック性をより向上させることができる。
【００５４】
（Ｈ）成分の配合量は、粘接着剤層のＴｇを確保する観点から、（Ｂ）及び（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して、４０質量部以下とすることが好ましい。
【００５５】
本発明に係る粘接着剤組成物には、形成される粘接着剤層の取扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与を目的として、無機フィラーを添加することができる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。これらのフィラーは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。また、フィラーの形状は特に制限されない。
【００５６】
上記のフィラーの中でも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。さらには、ムライト、コージェライト等の複合酸化物、モンモリロナイト、スメクタイトなどの粘土鉱物を用いることもできる。また、フィルムの熱時流動性向上のためには、ナノフィラーを用いることがより好ましい。
【００５７】
無機フィラーの配合量は、粘接着剤組成物全量１００質量部に対して１〜１００質量部が好ましい。係る配合量が１質量部未満であると、添加効果が十分に得られない傾向があり、１００質量部を超えると、粘接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が発生しやすくなる傾向がある。
【００５８】
また、本発明に係る粘接着剤組成物には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することができる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられる。
【００５９】
上記シラン系カップリング剤としては、例えば、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシランが挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。また、日本ユニカー株式会社製、商品名「Ａ−１８９」、「Ａ−１１６０」等の市販品を用いることもできる。
【００６０】
上記カップリング剤の配合量は、添加効果や耐熱性及びコストの面から、（Ａ）成分１００質量部に対して０．０１〜１０質量部とするのが好ましい。
【００６１】
さらに、粘接着剤組成物には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を向上させる目的で、イオン捕捉剤を更に添加することができる。このようなイオン捕捉剤としては、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤が挙げられる。
【００６２】
上記イオン捕捉剤の配合量は、添加効果や耐熱性及びコスト等の点から、（Ａ）成分１００質量部に対して０．１〜１０質量部とするのが好ましい。
【００６３】
粘接着剤層２は、上述した本発明の粘接着剤組成物を溶剤に溶解若しくは分散してワニスとし、このワニスを支持基材３上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって形成することができる。或いは、上記ワニスを保護フィルム（以下、場合により「離型シート」という）１上に上記ワニスを塗布し、加熱により溶剤を除去することによって接着層２を形成した後、支持基材３を積層することができる。
【００６４】
用いる溶剤は、特に限定されないが、粘接着剤層形成時の揮発性などを沸点から考慮して決めることが好ましい。具体的には、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒は粘接着剤層形成時に粘接着剤層の硬化が進みにくい点で好ましい。また、塗工性を向上させる目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較例高沸点の溶媒を使用することが好ましい。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００６５】
支持基材３としては、放射線透過性を有するものであれば公知のものを使用することができる。支持基材３として、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルムなどのプラスチックフィルムが挙げられる。また、支持基材３は、上記の材料から選ばれる２種以上が混合されたもの、又は、上記のフィルムが複層化されたものでもよい。
【００６６】
支持基材３の厚みは、特に制限はないが、５〜２５０μｍが好ましい。厚みが５μｍより薄いと、半導体ウエハの研削（バックグラインド）時に支持基材が切れる可能性があり、２５０μｍより厚いと経済的でなくなるため好ましくない。
【００６７】
支持基材３は、光透過性が高いことが好ましく、具体的には、５００〜８００ｎｍの波長域における最小光透過率が１０％以上であることが好ましい。
【００６８】
保護フィルム１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムを用いることができる。市販のものとして、例えば、帝人デュポンフィルム株式会社製の「Ａ−３１」等のポリエチレンテレフタレートフィルムが挙げられる。保護フィルムは、厚みが１０〜１００μｍであることが好ましく、３０〜７５μｍであることがより好ましく、３５〜５０μｍであることが特に好ましい。この厚みが１０μｍ未満では塗工の際、保護フィルムが破れる傾向があり、１００μｍを超えると廉価性に劣る傾向がある。
【００６９】
上記ワニスを支持基材又は保護フィルム上に塗布する方法としては、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等、一般に周知の方法が挙げられる。
【００７０】
加熱により溶剤を除去するときの温度条件は７０〜１５０℃程度が好ましい。
【００７１】
粘接着剤層２の厚みは、特に制限はないが、３〜２００μｍが好ましい。厚みが３μｍより小さいと、応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、２００μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えることが困難となる。
【００７２】
粘接着剤層２は、耐リフロー性の観点から２６０℃の熱時の接着力が１．０ＭＰａ以上であることが好ましい。また、粘接着剤層２は、耐リフロー性の観点から、２６０℃における弾性率が８〜５０ＭＰａであることが好ましく、耐ＴＣＴ性の観点から０℃の弾性率と１２５℃の弾性率の差が１５００ＭＰａ以下であることが好ましい。さらに、耐ＴＣＴ性の観点から粘接着剤層２は、３０〜１２５℃における線膨張係数が２００×１０−６ｍ／℃以下であることが好ましい。
【００７３】
また、フリップチップボンディング時の埋込性をより一層向上する観点から、粘接着剤層２の５％重量減少温度は、１８０℃以上であることが好ましく、２００〜３５０℃であることがより好ましい。
【００７４】
上述した回路部材接続用粘接着剤シート１０は、相対向しハンダ接合される回路電極を有する回路部材と半導体素子との間又は半導体素子同士の間に介在させ、回路部材と半導体素子又は半導体素子同士を接着するために用いることができる。この場合、回路部材と半導体素子又は半導体素子同士を熱圧着することにより、ボイド発生を抑制しつつ十分な接着力で接着することができる。これにより、接続信頼性に優れた接続体を得ることができる。
【００７５】
次に、回路部材接続用粘接着剤シート１０を用いて半導体装置を製造する方法について説明する。
【００７６】
図２〜図６は、本発明に係る半導体装置の製造方法の好適な一実施形態を説明するための模式断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、
（ａ）主面の一方に複数の回路電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの回路電極が設けられている側に、上述した本発明に係る回路部材接続用粘接着剤シートの粘接着剤層を貼付ける工程と、
（ｂ）半導体ウエハの回路電極が設けられている側とは反対側を研削して半導体ウエハを薄化する工程と、
（ｃ）粘接着剤層に放射線を照射してから支持基材を除去する工程と、
（ｄ）薄化した半導体ウエハ及び放射線を照射した粘接着剤層をダイシングしてフィルム状粘接着剤付半導体素子に個片化する工程と、
（ｅ）フィルム状粘接着剤付半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とをフィルム状粘接着剤付半導体素子のフィルム状粘接着剤を介して接着する工程と、
を備える。以下、図面を参照しながら、各工程について説明する。
【００７７】
（ａ）工程
先ず、粘接着剤シート１０を所定の装置に配置し、保護フィルム１を剥がす。続いて、主面の一方に複数の回路電極２０を有する半導体ウエハＡを準備し、半導体ウエハＡの回路電極が設けられている側に粘接着剤層２を貼付け、支持基材３／粘接着剤層２／半導体ウエハＡが積層された積層体を得る（図２を参照）。回路電極２０には、ハンダ接合用のハンダバンプを設けられている。なお、回路電極２０にハンダバンプを設けず、半導体素子搭載用支持部材の回路電極にハンダバンプを設けることもできる。
【００７８】
（ｂ）工程
次に、図３（ａ）に示されるように、半導体ウエハＡの回路電極２０が設けられている側とは反対側をグラインダー４によって研削し、半導体ウエハを薄化する。半導体ウエハの厚みは、例えば、１０μｍ〜３００μｍとすることができる。半導体装置の小型化、薄型化の観点から、半導体ウエハの厚みを２０μｍ〜１００μｍとすることが好ましい。なお、本実施形態においては支持基材３がバックグラインドテープとして機能しているが、支持基材３にバックグラインドテープを貼付けて半導体ウエハの研削を行うこともできる。
【００７９】
（ｃ）工程
図３（ｂ）に示されるように、粘接着剤層２に支持基材３側から放射線を照射することにより粘接着剤層２を硬化させ、粘接着剤層２と支持基材３との間の接着力を低下させる。ここで、使用される放射線としては、例えば、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。本実施形態においては、波長３００〜８００ｎｍの放射線を用いることが好ましく、その照射条件としては、照度：５〜３００ｍＷ／ｃｍ２で上記アクリルモノマーなどの（Ｄ）成分が重合する程度の照射量３００〜１０００ｍＪとなるように照射することが好ましい。
【００８０】
（ｄ）工程
次に、図４（ａ）に示されるように、積層体の半導体Ａにダイシングテープ５を貼付け、これを所定の装置に配置して支持基材３を剥がす。このとき、粘接着剤層２に放射線が照射されていることにより、支持基材３を容易に剥がすことができる。支持基材３を剥離した後、図４（ｂ）に示されるように、半導体ウエハＡ及び粘接着剤層２をダイシングソウ６によりダイシングする。こうして、半導体ウエハＡは複数の半導体素子Ａ’に分割され、粘接着剤層２は複数のフィルム状粘接着剤２ａに分割される。
【００８１】
続いて、図５に示されるように、ダイシングテープ５をエキスパンド（拡張）することにより、上記ダイシングにより得られた各半導体素子Ａ’を互いに離間させつつ、ダイシングテープ５側からニードルで突き上げられた半導体素子Ａ’及びフィルム状粘接着剤２ａからなるフィルム状粘接着剤付半導体素子１２を吸引コレット７で吸引してピックアップする。
【００８２】
（ｅ）工程
次に、図６に示されるように、フィルム状粘接着剤２ａが付着した半導体素子Ａ’の回路電極２０と、半導体素子搭載用支持部材８の回路電極２２とを位置合わせし、フィルム状粘接着剤付半導体素子１２と半導体素子搭載用支持部材８とを熱圧着する。この熱圧着により、回路電極２０と回路電極２２とが電気的に接続されるとともに、半導体素子Ａ’と半導体素子搭載用支持部材８との間にフィルム状粘接着剤２ａの硬化物が形成される。
【００８３】
また、回路電極２０或いは回路電極２２にハンダバンプが設けられている場合、熱圧着により、回路電極２０と回路電極２２とがハンダ接合により電気的且つ機械的に接続される。
【００８４】
熱圧着時の温度は、ハンダ接合、粘接着剤の硬化の観点から、２００℃以上であることが好ましく、２２０〜２６０℃であることがより好ましい。熱圧着時間は、１〜２０秒とすることができる。熱圧着の圧力は、０．１〜５ＭＰａとすることができる。
【００８５】
以上の工程を経て、半導体装置３０が得られる。本実施形態の半導体装置の製造方法では、本発明に係る回路部材接続用粘接着剤シートを用いることにより、上記（ａ）工程では、剥離やボイドの発生を十分抑制でき、上記（ｂ）工程ではウエハを破損やクラックの発生を十分防止しつつ研削することができ、上記（ｅ）工程では、ボイドの発生を十分抑制しつつ半導体素子と半導体素子搭載用部材とを良好に接着することができる。これにより、半導体装置３０は接続信頼性に優れたものになり得る。また、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、そのような半導体装置を歩留まりよく製造することができる。
【実施例】
【００８６】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明する。但し、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００８７】
（Ｄ）成分：グリシジル基及びエチレン性不飽和基を有する化合物
（Ｄ−１）
撹拌機、温度計及び窒素置換装置を備えた５００ｍＬフラスコ内に、液状の高純度ビスフェノールＡビスグリシジルエーテルエポキシ樹脂（エポキシ当量１７８ｇ／ｅｑ、東都化成社製、商品名「ＹＤ−８２５ＧＳ」）１７８ｇ（１．０当量）、アクリル酸３６ｇ（０．５当量）、トリフェニルホスフィン０．５ｇ及びヒドロキノン０．１５ｇを仕込み、１００℃で７時間撹拌し、分子内にグリシジル基及びエチレン性不飽和基を有する化合物（Ｄ−１）を得た。（Ｄ−１）を水酸化カリウムのエタノール溶液で滴定し、酸価が０．３ＫＯＨｍｇ／ｇ以下であることを確認した。（５％重量減少温度：３００℃、エポキシ基数：約１、（メタ）アクリル基数：約１）
【００８８】
（Ｄ−２）
撹拌機、温度計及び窒素置換装置を備えた５００ｍＬフラスコ内に、フェノールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７４ｇ／ｅｑ、東都化成社製、商品名「ＹＤＰＮ−６３８」）１７４ｇ（１．０当量）、アクリル酸３６ｇ（０．５当量）、トリフェニルホスフィン０．４８ｇ及びヒドロキノン０．１０ｇを仕込み、９０℃〜１００℃で７時間撹拌し、分子内にグリシジル基及びエチレン性不飽和基を有する化合物（Ｄ−２）を得た。（Ｄ−２）を水酸化カリウムのエタノール溶液で滴定し、酸価が０．３ＫＯＨｍｇ／ｇ以下であることを確認した。（５％重量減少温度：３１０℃、エポキシ基数：約１．７、（メタ）アクリル基数：約１．７）
【００８９】
（Ｄ−３）
撹拌機、温度計及び窒素置換装置を備えた５００ｍＬフラスコ内に、液状の高純度ビスフェノールＦビスグリシジルエーテルエポキシ樹脂（エポキシ当量１６０ｇ／ｅｑ、東都化成社製、商品名「ＹＤＦ−８７０ＧＳ）１６８ｇ（１．０当量）、アクリル酸３６ｇ（０．５当量）、トリフェニルホスフィン０．５ｇ及びヒドロキノン０．１５ｇを仕込み、１００℃で７時間撹拌し、分子内にグリシジル基及びエチレン性不飽和基を有する化合物（Ｄ−３）を得た。（Ｄ−３）を水酸化カリウムのエタノール溶液で滴定し、酸価が０．３ＫＯＨｍｇ／ｇ以下であることを確認した。（５％重量減少温度：３００℃、エポキシ基数：約１、（メタ）アクリル基数：約１）
【００９０】
（実施例１）
＜粘接着剤組成物の調製＞
まず、シクロヘキサノンに、（Ａ）成分として「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３」（ナガセケムテックス（株）製商品名、グリシジル基含有アクリルゴム、重量平均分子量８０万、Ｔｇ−７℃）１００質量部、（Ｂ）成分として「１０３２−Ｈ６０」（ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名、高純度特殊多官能エポキシ樹脂、エポキシ当量１６９）１５０質量部、（Ｃ）成分として「ＤＰＮ−Ｌ」（日本化薬（株）製、商品名、ジシクロペンタジエン骨格フェノール樹脂、水酸基当量１６９）１５０質量部、（Ｄ）成分として（Ｄ−１）１５質量部、（Ｅ）成分として「Ｉｒｇ−１８４」（チバスペシャリティーケミカルズ（株）製、商品名）１．５質量部、（Ｆ）成分として「２ＰＺ−ＣＮ」（四国化成（株）製、商品名、イミダゾール化合物）３質量部及び（Ｇ）成分として「Ａ−ＤＰＨ」（新中村化学工業（株）製、商品名、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）１５質量部を加え、撹拌混合し、更に真空脱気することにより、粘接着剤ワニスを得た。
【００９１】
＜回路部材接続用粘接着剤シートの作製＞
得られた粘接着剤ワニスを、保護フィルムである表面離型処理ポリエチレンテレフタレート（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名「テイジンテトロンフィルムＡ−３１」、厚さ５０μｍ）上に乾燥後の厚みが３０μｍとなるように塗布し、１００℃で３０分間加熱乾燥して粘接着層を形成した。次いで、上記粘接着層上に、支持基材（軟質ポリオレフィンフィルム、ロンシール社製、商品名「ＰＯＦ−１２０Ａ」、厚さ１００μｍ）をラミネートすることにより保護フィルム、粘接着層及び支持基材からなる回路部材接続用粘接着剤シートを得た。
【００９２】
（実施例２）
粘接着剤ワニスの調製において、（Ｂ）成分として「１０３２−Ｈ６０」５０質量部、「ＨＰ−４０３２Ｄ」（ＤＩＣ（株）製、商品名）４５質量部、「ＮＣ−３０００」（日本化薬（株）製、商品名）８５質量部及び「ＹＤＦ−８１７０Ｃ」（東都化成（株）製、商品名）１５質量部、（Ｃ）成分として「ＭＥＨ−７５００」（明和化成（株）製、商品名）１０５質量部を用いた以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用粘接着剤シートを得た。
【００９３】
（実施例３）
実施例１のワニスの調製において、（Ｂ）成分として「１０３２−Ｈ６０」８０質量部及び「ＨＰ−４０３２Ｄ」６５質量部、（Ｃ）成分として「ＤＰＮ−Ｌ」１５５質量部、（Ｆ）成分として「２ＰＺ−ＣＮ」１．５質量部を用いた以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用粘接着剤シートを得た。
【００９４】
（実施例４）
実施例１のワニスの調製において、（Ｄ）成分として（Ｄ−２）１５質量部を用いた以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用粘接着剤シートを得た。
【００９５】
（実施例５）
実施例１のワニスの調製において、（Ｄ）成分として（Ｄ−３）１５質量部を用いた以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用粘接着剤シートを得た。
【００９６】
（比較例１）
実施例１のワニスの調製において、（Ｇ）成分として「Ａ−ＤＰＨ」３０質量部を用い、（Ｄ）成分を配合しなかった以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用粘接着剤シートを得た。
【００９７】
（比較例２）
実施例１のワニスの調製において、（Ｂ）成分として「１０３２−Ｈ６０」２５０質量部、（Ｃ）成分として「ＤＰＮ−Ｌ」２５０質量部を用い、（Ｄ）成分を配合しなかった以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用粘接着剤シートを得た。
【００９８】
（比較例３）
実施例２のワニス調整において、（Ｇ）成分として「Ａ−ＤＰＨ」３０質量部を用い、（Ｄ）成分を配合しなかった以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用粘接着剤シートを得た。
【００９９】
（比較例４）
実施例１のワニスの調製において、（Ｂ）成分として「１０３２−Ｈ６０」７５質量部、（Ｃ）成分として「ＤＰＮ−Ｌ」７５質量部を用い、（Ｄ）成分を配合しなかった以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用粘接着剤シートを得た。
【０１００】
（比較例５）
実施例１のワニスの調製において、（Ｃ）成分を添加しない以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用粘接着剤シートを得た。
【０１０１】
（比較例６）
実施例１のワニスの調製において、（Ｄ）成分及び（Ｇ）成分を配合しなかった以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用粘接着剤シートを得た。
【０１０２】
［回路部材接続用粘接着剤シートの評価］
上記実施例及び比較例で得られた回路部材接続用粘接着剤シートについて、下記の通り評価した。結果を表１及び２に示す。
【０１０３】
＜接着力測定＞
実施例及び比較例の粘接着剤シートを６．５ｍｍ×６．５ｍｍの半導体チップのＳｉＯ２面に６０〜８０℃でラミネートした後、照度：２０ｍＷ／ｃｍ２照射量：５００ｍＪの紫外線照射を行い、回路部材接続用粘接着剤シート付き半導体チップを有機基板（ＰＳＲ−４０００、ＳＲ−ＡＵＳ５、０．２ｍｍｔ）に２５０℃−０．５ＭＰａ−１０秒の条件でフリップチップボンディングし、１７５℃２時間の後硬化を加え評価サンプルを得た。その評価サンプルを２６５℃の熱板上で３０秒間保持した後にチップと有機基板との剪断接着強度を測定した。
Ａ：剪断接着強度が１．０ＭＰａ以上
Ｂ：剪断接着強度が１．０ＭＰａ未満
【０１０４】
＜弾性率測定＞
実施例及び比較例の粘接着剤シートにおける粘接着剤層をそれぞれ長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、厚み３０μｍのサイズに切り出し、レオロジ社製、商品名「ＤＶＥ−Ｖ４」を用いて、次の条件で弾性率を測定した。
測定温度：−４０℃〜２７０℃、
昇温速度：５℃／分、
測定モード：引張りモード、
周波数：１０Ｈｚ
【０１０５】
＜線膨張係数測定＞
実施例及び比較例の粘接着剤シートを１７５℃で５時間硬化した後、硬化後の粘接着剤層をそれぞれ長さ３０ｍｍ、幅２ｍｍ、厚み３０μｍのサイズに切り出し、セイコーインスツルメンツ社製、商品名「ＴＭＡ／ＳＳ６１００」を用いて、次の条件で線膨張係数を測定した。
測定温度：２０℃〜３００℃、
昇温速度：５℃／分、
測定モード：引張りモード
チャック間：２０ｍｍ
荷重条件：断面積に対し０．５ＭＰａ
【０１０６】
＜耐リフロー性評価＞
実施例及び比較例の粘接着剤シートの耐リフロー性を以下の手順で評価した。まず、接着シートを１０ｃｍ角の大きさに切断し、保護フィルムを剥離した後、金ワイヤーバンプ（レベリング済み、バンプ高さ３０μｍ、１８４バンプ）付きチップ（１０ｍｍ角、厚み２８０μｍ）に６０〜８０℃でラミネートした後、照度：２０ｍＷ／ｃｍ２、照射量：５００ｍＪで紫外線照射を行い、支持基材を剥離し接着剤層付き半導体チップを得た。その後、接着剤層付き半導体チップを、表面にレジスト「ＳＲ−ＡＵＳ３０８」（太陽インキ製造（株）製、商品名）を塗布したＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板上に加熱温度２５０℃、荷重０．５ＭＰａの条件で、１０秒間圧着して半導体装置のサンプルを作製した。次に、このサンプルに対して、封止剤（日立化成社製、商品名「ＣＥＬ−９７００−ＨＦ１０」）を用いて所定の形状にモールドし、１７５℃で５時間硬化させてパッケージとした。次に、このパッケージを８５℃／６０％ＲＨの条件で７日間保管した後、パッケージ表面の最高温度が２６０℃となる温度で２０秒間保持するように設定したＩＲリフロー炉にパッケージを通過させ、パッケージ中のクラックを目視と超音波顕微鏡で視察した。この時のパッケージ１０個に対するクッラク発生率により耐リフロー性を評価した。
Ａ：クラック発生率２０％未満
Ｂ：クラック発生率２０％以上
【０１０７】
＜耐ＴＣＴ性評価＞
ＩＲリフロー後のパッケージを温度サイクル試験機（条件：−５５℃３０分間／室温５分間／１２５℃３０分間）内に放置し、試験器内における接続抵抗を測定した。パッケージの接続抵抗が５０Ωを超えたサイクル数をＮＧとし、５個のＮＧの平均値をそのフィルムの耐ＴＣＴ性のサイクル数として評価した。
Ａ：ＮＧの平均値が５００サイクル以上
Ｂ：ＮＧの平均値が５００サイクル未満
【０１０８】
【表１】
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【０１０９】
【表２】
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【符号の説明】
【０１１０】
１…保護フィルム、２…粘接着剤層、３…支持基材、４…グラインダー、５…ダイシングテープ、６…ダイシングソウ、７…吸引コレット、８…半導体素子搭載用支持部材、１０…回路部材接続用粘接着剤シート、１２…フィルム状粘接着剤付半導体素子、２０…回路電極、３０…半導体装置、Ａ…半導体ウエハ、Ｂ…放射線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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