(57)【要約】【課題】本発明は、不要な電磁波の放射を低減することを目的とする。【解決手段】光伝送モジュールは、電気及び光の一方を他方に変換する光電変換素子を内部に含む光電変換本体部１８と、光電変換本体部１８の表面に設けられた、光ファイバ３２を光電変換素子に光学的に接続するための光学結合部３０と、光学結合部３０の少なくとも光電変換本体部１８とは反対の端部を外側に出して、回路基板１０及び光電変換本体部１８を内側に収容するケース３６と、導電抵抗部材４６と、を有し、光電変換本体部１８及び光学結合部３０の表面は、それぞれ、導電材料からなり、相互に電気的に導通し、導電抵抗部材４６は、光電変換本体部１８及び光学結合部３０のいずれよりも高い電気抵抗を有する導電材料からなり、光電変換本体部１８の光学結合部３０が設けられる面に対向するように、ケース３６の内側に配置されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
電気及び光の一方を他方に変換する光電変換素子を内部に含み、前記回路基板に電気的に接続されるように搭載された光電変換本体部と、
前記光電変換本体部の表面に設けられた、光ファイバを前記光電変換素子に光学的に接続するための光学結合部と、
前記光学結合部の少なくとも前記光電変換本体部とは反対の端部を外側に出して、前記回路基板及び前記光電変換本体部を内側に収容するケースと、
導電抵抗部材と、
を有し、
前記光電変換本体部及び前記光学結合部の表面は、それぞれ、導電材料からなり、相互に電気的に導通し、
前記導電抵抗部材は、前記光電変換本体部及び前記光学結合部のいずれよりも高い電気抵抗を有する導電材料からなり、前記光電変換本体部の前記光学結合部が設けられる面に対向するように、前記ケースの内側に配置されていることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載された光伝送モジュールにおいて、
前記導電抵抗部材は、前記光電変換本体部の前記表面に電気的に接続されていることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項３】
請求項１に記載された光伝送モジュールにおいて、
前記導電抵抗部材は、前記光電変換本体部の前記表面とは電気的に絶縁されていることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された光伝送モジュールにおいて、
前記ケースは、貫通穴を有する金属からなり、
前記貫通穴から前記光学結合部が突出していることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項５】
請求項４に記載された光伝送モジュールにおいて、
前記貫通穴の内側に、前記光学結合部の周囲を覆う弾性体をさらに有することを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載された光伝送モジュールにおいて、
前記光学結合部は、前記光電変換本体部から離れる方向に先細りになる形状を有することを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載された光伝送モジュールにおいて、
前記導電抵抗部材は、シート形状で穴又は切り欠きを有し、前記穴又は前記切り欠きの内側に前記光学結合部が配置されていることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項８】
請求項７に記載された光伝送モジュールにおいて、
前記導電抵抗部材は、外縁から前記穴又は前記切り欠きに至る切れ目を有することを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載された光伝送モジュールにおいて、
前記導電抵抗部材は、カーボン粉末を混入させたゴムからなることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれか１項に記載された光伝送モジュールにおいて、
前記導電抵抗部材は、金属粉末を混入させたゴムからなることを特徴とする光伝送モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光伝送モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光伝送モジュールには、通信量の増大に伴い、光伝送速度の高速化の要求が高い。この理由は、既施設済みの光ファイバをそのまま利用して伝送量を増大させることにより、新たな光ファイバの敷設という高額な投資を抑えることができる点にある。
【０００３】
現状、主流の光伝送速度は2.5Gbit/sから10Gbit/s及び40Gbit/sに移ってきており、さらに伝送容量を上げるため光伝送モジュールを小型化し光伝送モジュールの搭載数を増加させるニーズがある。
【０００４】
そのため光伝送モジュール内部のクロック周波数も数100MHz〜40GHz前後とミリ波帯まで高周波化すると同時に、小型化を実現するために40Gbit/sなどの光伝送モジュールでも変調器を含んだ光サブアセンブリの一部である光学結合部分を光伝送モジュールの金属ケース外に突出させる形態に移行している。その結果、通常は導体金属で形成される光学結合部分が電磁波の放射アンテナとして働き、光伝送モジュールから放射する不要電磁波が著しく増加する原因となっている。
【０００５】
この突出した光学結合部から放射する電磁波を軽減する手段としては、特許文献１にあるように、上下ケースのうちの一方または両方を延長させることで、もしくは別の金属部材を組み合わせることで、光学結合部とその外周の弾性部材全体を覆い電磁波の放出を防ぐことが知られている。
【０００６】
あるいは、特許文献２にあるように、光学結合部の外周を覆う弾性部材そのものを所定の抵抗率を有する導電性材料で被うことで、電磁波の放出を防ぐことが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２４７７００号公報
【特許文献２】特開２００９−２５８４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１にある従来技術では、光学結合部を被う弾性部材のさらに外周に、金属製のキャップを取り付けて電磁波の放射を抑制している。しかし光学結合部の先端から引き出された光ファイバに対して横方向に引張り屈曲させた場合の光強度の劣化を制限した、いわゆるファイバーサイドプル試験に際して、金属製のキャップが光ファイバの滑らかな屈曲を阻害するため、ファイバーサイドプル試験に適合することが困難であった。また光学結合部の外周形状がキャップの分だけ大きくなり、光伝送モジュールを搭載する側の基板の有効実装面積が縮小するなどの問題があった。
【０００９】
また、特許文献２にある従来技術では、光学結合部を被う弾性部材に導電性の材料を使用することで電磁波の放射を抑制している。しかしこの弾性部材については、上述のファイバーサイドプル試験に適合するための適度な弾性率を満足する材料の選定と、その厚みに対する緻密な設計が必要であった。加えてこの弾性部材については、その形状外形を円柱状もしくは円錐状を組み合わせた形状に、内孔についても脱落防止の窪みを設けるなど複雑な形状に立体成形する必要があり、さらに弾性材料の立体成形には、加工メーカ独自のノウハウが必要となるため、コストが割高になるといった懸念があった。
【００１０】
本発明は、不要な電磁波の放射を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）本発明に係る光伝送モジュールは、回路基板と、電気及び光の一方を他方に変換する光電変換素子を内部に含み、前記回路基板に電気的に接続されるように搭載された光電変換本体部と、前記光電変換本体部の表面に設けられた、光ファイバを前記光電変換素子に光学的に接続するための光学結合部と、前記光学結合部の少なくとも前記光電変換本体部とは反対の端部を外側に出して、前記回路基板及び前記光電変換本体部を内側に収容するケースと、導電抵抗部材と、を有し、前記光電変換本体部及び前記光学結合部の表面は、それぞれ、導電材料からなり、相互に電気的に導通し、前記導電抵抗部材は、前記光電変換本体部及び前記光学結合部のいずれよりも高い電気抵抗を有する導電材料からなり、前記光電変換本体部の前記光学結合部が設けられる面に対向するように、前記ケースの内側に配置されていることを特徴とする。本発明によれば、光電変換本体部の表面を流れるノイズ電流を、その一部を導電抵抗部材に流すことで減少させ、光学結合部の表面に伝わるノイズ電流を減少させ、これにより不要な電磁波の放射を低減することができる。
【００１２】
（２）（１）記載された光伝送モジュールにおいて、前記導電抵抗部材は、前記光電変換本体部の前記表面に電気的に接続されていることを特徴としてもよい。
【００１３】
（３）（１）に記載された光伝送モジュールにおいて、前記導電抵抗部材は、前記光電変換本体部の前記表面とは電気的に絶縁されていることを特徴としてもよい。
【００１４】
（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された光伝送モジュールにおいて、前記ケースは、貫通穴を有する金属からなり、前記貫通穴から前記光学結合部が突出していることを特徴としてもよい。
【００１５】
（５）（４）に記載された光伝送モジュールにおいて、前記貫通穴の内側に、前記光学結合部の周囲を覆う弾性体をさらに有することを特徴としてもよい。
【００１６】
（６）（１）から（５）のいずれか１項に記載された光伝送モジュールにおいて、前記光学結合部は、前記光電変換本体部から離れる方向に先細りになる形状を有することを特徴としてもよい。
【００１７】
（７）（１）から（６）のいずれか１項に記載された光伝送モジュールにおいて、前記導電抵抗部材は、シート形状で穴又は切り欠きを有し、前記穴又は前記切り欠きの内側に前記光学結合部が配置されていることを特徴としてもよい。
【００１８】
（８）（７）に記載された光伝送モジュールにおいて、前記導電抵抗部材は、外縁から前記穴又は前記切り欠きに至る切れ目を有することを特徴としてもよい。
【００１９】
（９）（１）から（８）のいずれか１項に記載された光伝送モジュールにおいて、前記導電抵抗部材は、カーボン粉末を混入させたゴムからなることを特徴としてもよい。
【００２０】
（１０）（１）から（８）のいずれか１項に記載された光伝送モジュールにおいて、前記導電抵抗部材は、金属粉末を混入させたゴムからなることを特徴としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態に係る光伝送モジュールを示す斜視図である。
【図２】図１に示す光伝送モジュールの底面図である。
【図３】図２に示す光伝送モジュールから下ケースを取り外した状態を示す図である。
【図４】光電変換本体部を示す図である。
【図５】図２に示す光伝送モジュールのＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】導電抵抗部材を示す図である。
【図７】導電抵抗部材の変形例を示す図である。
【図８】導電抵抗部材の変形例を示す図である。
【図９】導電抵抗部材の変形例を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る光伝送モジュールの不要な電磁波放射の抑制効果の一例を表すグラフである。
【図１１】本発明の実施形態に係る光伝送モジュールの不要な電磁波放射の抑制効果の一例を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る光伝送モジュールを示す斜視図である。図２は、図１に示す光伝送モジュールの底面図である。図３は、図２に示す光伝送モジュールから下ケースを取り外した状態を示す図である。
【００２３】
光伝送モジュールは、回路基板１０を有する。回路基板１０には、電気信号を光伝送モジュールの外部にある基板（図示せず）に接続するための電気コネクタ１２が搭載されている。回路基板１０には、電気コネクタ１２から入力された並列電気信号を多重化する信号多重回路部品１４、受信した光信号から変換された電気信号を並列電気信号に分離する信号分離回路部品１６、電源生成回路（図示せず）や制御回路（図示せず）などの周辺回路部品が搭載されている。
【００２４】
光伝送モジュールは、光電変換本体部１８を有する。図４は、光電変換本体部１８を示す図である。図５は、図２に示す光伝送モジュールのＶ−Ｖ線断面図である。光電変換本体部１８は、電気及び光の一方を他方に変換する光電変換素子を内部に含む。具体的には、一方の光電変換本体部１８は、電気信号を光信号に変換する発光素子２０及び電気信号を増幅するドライバ素子（図示せず）を内蔵した送信側の部品である。送信側の光電変換本体部１８には、信号多重回路部品１４からの信号出力を入力するための送信側同軸ケーブル２２が接続されている。他方の光電変換本体部１８は、光信号を電気信号に変換する受光素子２４及び電気信号を増幅するアンプ素子（図示せず）を内蔵した受信側の部品である。受信側の光電変換本体部１８には、光信号から変換された電気信号を信号分離回路部品１６に伝達するための受信側同軸ケーブル２６が接続されている。光電変換本体部１８は、入出力端子２８（図４参照）を有し、回路基板１０に電気的に接続されるように搭載されている。光電変換本体部１８の表面は、導電材料（例えば金属）からなる。
【００２５】
光伝送モジュールは、光学結合部３０を有する。光学結合部３０は、光電変換本体部１８の表面に設けられている。光学結合部３０は、光ファイバ３２を光電変換素子に光学的に接続するためのものであり、図示しないレンズ等を内部に有している。光学結合部３０の表面は、導電材料（例えば金属）からなる。したがって、光電変換本体部１８及び光学結合部３０の表面は、相互に電気的に導通する。光学結合部３０は、光電変換本体部１８から離れる方向に先細りになる形状を有する。光学結合部３０は、光電変換本体部１８から垂直に突出している。光学結合部３０の周囲は弾性体３４によって覆われている。弾性体３４は、光ファイバ３２の屈曲保護のための部材であり、例えばゴムからなる。
【００２６】
光伝送モジュールは、ケース３６を有する。ケース３６は金属からなる。ケース３６は、上ケース３８及び下ケース４０を含む。ケース３６は、回路基板１０及び光電変換本体部１８を内側に収容する。ケース３６は、貫通穴４２（図３及び図５参照）を有する。貫通穴４２から光学結合部３０が突出している。ケース３６は、光学結合部３０の少なくとも光電変換本体部１８とは反対の端部を外側に出している。光学結合部３０の周囲を、上述した弾性体３４が覆っている。弾性体３４は貫通穴４２の内側に配置されている。
【００２７】
貫通穴４２の内側には、ケース３６（上ケース３８及び下ケース４０）の内面に密着（圧接）するように、シール部材４４が設けられている。光学結合部３０及びその周囲の弾性体３４がシール部材４４を貫通している。シール部材４４は、導電性の弾性材料からなり、ケース３６の内部（回路基板１０上の部品）で発生した不要電磁波が外部に漏洩することを抑制している。ただし、シール部材４４のみによって電磁波を完全に遮断することは困難である。なお、電気コネクタ１２の露出部については、光伝送モジュールが搭載される基板（図示せず）との間で十分な電磁波遮蔽構造を構成することは容易である。
【００２８】
不要輻射をもたらすノイズ電流の発生源は、光電変換本体部１８を含めた電子回路部品であり、これらの部品から発生したノイズ電流は、回路基板１０上の不特定の導体パターンやケース３６の内側表面付近などを経由して光伝送モジュールの内部の導体表面をあらゆる方向に伝播する。不要輻射はこのノイズ電流が導体の突出した形状の箇所に達することで、その部位をアンテナとして空間に輻射されることで発生する。回路基板１０や光電変換本体部１８で生じたノイズ電流は、その表面を経由して光学結合部３０に達する。光学結合部３０は前述の通り導体であり、且つ光電変換本体部１８から突出しているため、光学結合部３０は不要輻射を空間に放射するアンテナとして働く。
【００２９】
光伝送モジュールは、導電抵抗部材４６を有する。導電抵抗部材４６は、光電変換本体部１８及び光学結合部３０のいずれよりも高い電気抵抗を有する導電材料からなる。導電抵抗部材４６は、カーボン粉末を混入させたゴムや、金属粉末を混入させたゴムから形成されている。導電抵抗部材４６は、光電変換本体部１８の光学結合部３０が設けられる面に対向するように、ケース３６の内側に配置されている。
【００３０】
図６は、本実施形態に係る導電抵抗部材４６を示す図である。導電抵抗部材４６は、シート形状で切り欠き４８を有している。この形状の導電抵抗部材４６が、切り欠き４８の内側に光学結合部３０が配置される。変形例として、図７に示すように、導電抵抗部材１４６は、外縁から切り欠き１４８に至る切れ目１５０を有していてもよい。この例では、分割された複数の部材を組み合わせて導電抵抗部材１４６が構成される。
【００３１】
他の変形例として、図８に示すように、導電抵抗部材２４６は、シート形状で穴２４８を有していてもよい。この例では、穴２４８の内側に光学結合部３０を配置するために、導電抵抗部材２４６は、外縁から穴２４８に至る切れ目２５０を有している。さらに、図９に示すように、導電抵抗部材３４６には、穴３４８に至る複数の切れ目３５０が形成されていてもよい。
【００３２】
導電抵抗部材４６は、光電変換本体部１８の表面に電気的に接続されていてもよいし、光電変換本体部１８の表面とは電気的に絶縁されていてもよい。導電抵抗部材４６は、送信側及び受信側の両方の光電変換本体部１８に設けてもよいし、いずれか一方のみに設けてもよい。
【００３３】
導電抵抗部材４６は光電変換本体部１８に密着させる必要はなく、電気的に導通させる必要はない。よって導電抵抗部材４６を光電変換本体部１８に固定する際に、図示しない両面テープや接着剤などの組立が平易で安価な固定方法を選択してもよい。導電抵抗部材４６はその表面部分が導電性である必要はないので、光電変換本体部１８や、上ケース３８又は下ケース４０に対して電気的に導通する必要はない。
【００３４】
本実施形態に係る光伝送モジュールでは、導電抵抗部材４６を光電変換本体部１８に対向するように配置することで、ノイズ電流が、アンテナとなる光学結合部３０に到達する前にノイズ電流を減衰させることが出来る。これによりケース３６の貫通穴４２からの不要輻射に対して大幅な抑制を実現することができる。そのメカニズムは、導電抵抗部材４６が光電変換本体部１８に電気的に導通している場合と、導電抵抗部材４６が光電変換本体部１８とは電気的に導通していない場合とでは異なるが、いずれの場合もノイズ電流を減衰させる効果がある。以下、そのメカニズムについて説明する。
【００３５】
まず、導電抵抗部材４６が存在しない従来技術の場合を考える。周波数が数〜数10GHzに及ぶミリ波帯では、導体を流れる電流は表皮効果のため導体表面から深さ0.数〜数μmまでの極浅い表面に集中する。例えば磁性体でない金属を伝わる電流の場合で、金属表面の電流に対し1/e（eは自然対数）すなわち約0.368倍の電流に減衰する深さは、電流の周波数fの平方根の逆数及び金属の導電率σの平方根の逆数に比例する。この深さは一般に浸透の深さと呼ばれる。比例定数は約503.3である。具体例で述べると、例えば10GHzの電流が導電率40MS/mのアルミ導体を流れる場合、0.368倍の電流に減衰する深さは0.8μm、40GHzの場合は約0.4μmとなる。光電変換本体部１８も導体であり、ノイズ電流も数〜数10GHzの電流のため、光電変換本体部１８を流れるノイズ電流は、0.数〜数μmといった極浅い表面に集中して流れている。
【００３６】
次に、導電抵抗部材４６が光電変換本体部１８に接触して電気的に導通している場合を考える。導電抵抗部材４６を光電変換本体部１８に電気的に接続した場合、導電抵抗部材４６と光電変換本体部１８は、部分的に導電率が異なる１つの導体と見なせる。よってノイズ電流の大半は導電抵抗部材４６の表面から、導電抵抗部材４６の導電率で求まる浸透の深さに応じた深さの範囲に集中する。導電抵抗部材４６の導電率と厚さを適切にすることで、ノイズ電流の大半を光電変換本体部１８ではなく、導電抵抗部材４６に集中させることが出来る。導電抵抗部材４６の体積抵抗率を例えば5Ω・cmとすると、導電率は20S/mであるから導電抵抗部材４６を流れる電流の大半は、40GHzでは表面からの深さ0.56mm、10GHzでは表面からの深さ1.13mmを流れる。よってこの場合導電抵抗部材４６の厚さを1mm以上にすれば、ノイズ電流の大半を導電抵抗部材４６に集中させることが出来る。高周波電流が抵抗体に流れると電流の一部はジュール熱となって消費されるため、ノイズ電流を減衰させる効果が得られる。
【００３７】
次に、導電抵抗部材４６が光電変換本体部１８から僅かに離れて電気的に導通していない場合を考える。前述のとおり、ノイズ電流は光電変換本体部１８の表面から深さ0.数〜数μmといった極浅い表面に集中して流れている。導電抵抗部材４６を光電変換本体部１８から僅かに離れた位置に配置すると、ノイズ電流による磁界が導電抵抗部材４６に交差する。ノイズ電流は高周波電流であり時間的に変化しているため、導電抵抗部材４６に起電力を発生させ、導電抵抗部材４６にノイズ電流による磁界を打ち消す方向に誘導電流を生じさせる。結果、光電変換本体部１８を流れるノイズ電流の一部は等価的に導電抵抗部材４６を流れることになり、前述の通りノイズ電流の一部がジュール熱となって消費されるため、ノイズ電流を減衰させる効果が得られる。
【００３８】
上述の通り本実施形態に係る光伝送モジュールでは、前述の従来技術に挙げた金属製のキャップは不要であり、また光学結合部３０を被う弾性体３４に導電性の材料を使用する必要がないため、ファイバーサイドプル試験に際して特性劣化を招く恐れもなく、光伝送モジュールを搭載する側の基板（図示せず）の有効実装面積の現象を招く恐れもなく、緻密な構造設計を不要とする低コストな方法で不要な電磁波の放射を抑制することが出来る。さらに不要電磁波の漏洩箇所、放射箇所を対策する技術ではなく、放射の原因となるノイズ電流に対して、ノイズ電流を供給する経路側での低減技術であるため、光伝送モジュールの外形形状に影響を与えることなく実施でき、さらに製品化直前のEMI (Electro Magnetic Interference)評価で特性改善が必要と判明した場合などにも、短期間での追加抑制対策として実施できる。
【００３９】
米国のEMI (Electro Magnetic Interference)規格であるFCC (Federal Communications Commission) Standard Part15 SubpartB ClassB規格（3m測定法）では、1Gbit/sから40Gbit/sまでのAverage測定時の放射電界強度限界値として53.9dB(μV/m)が示されている。そこで、本実施形態では、この限界値に対して6dBのマージンを持った47.9dB(μV/m)を、当該装置における放射電界強度の目標上限値とした。
【００４０】
本実施形態に係る光伝送モジュールの不要な電磁波放射の抑制効果を図１０、図１１に示す。図１０は、導電抵抗部材４６を受信側の光電変換本体部１８に適用した場合の不要電磁波の抑制効果を表す。測定周波数は39.8GHz、縦軸はモジュールから3mの距離での不要電磁波の放射電界強度、白の棒グラフは垂直方向の電界強度、黒の棒グラフは水平方向の電界強度、横軸は導電抵抗部材４６の光電変換本体部１８からの距離を示している。但し横軸の左端の棒グラフのみ導電抵抗部材４６がない場合を示す。
【００４１】
導電抵抗部材４６がない場合と、導電抵抗部材４６を光電変換本体部１８から0mmの距離においた場合では、導電抵抗部材４６を光電変換本体部１８から0mmの距離においた時の方が、不要輻射が約10dB低減する。また距離を0.5mm、1.0mmと離す事で低減量は9dB弱、8dB弱と効果は減少するものの、依然として47.9dB(μV/m)を大幅に下回る低減効果が得られる。
【００４２】
図１１は、導電抵抗部材４６を送信側の光電変換本体部１８に適用した場合の不要電磁波の抑制効果を表す。測定周波数は39.8GHz、縦軸はモジュールから3mの距離での不要電磁波の放射電界強度、白の棒グラフは垂直方向の電界強度、黒の棒グラフは水平方向の電界強度、横軸は導電抵抗部材４６の有無を示す。導電抵抗部材４６がない場合と、導電抵抗部材４６を光電変換本体部１８に適用した場合では、導電抵抗部材４６を光電変換本体部１８に適用した場合の方が、不要輻射が約10dB低減する。
【００４３】
導電抵抗部材４６の材料は、導電性のゴムが好適である。例えば、導電性ミラブル型シリコーンゴムなどが好適であり、既存のものでは導電性フィラーとしてカーボンブラックを混入した白金加硫型のミラブル型シリコーンゴム（体積抵抗率:5Ω・cm、タイプA硬さ:60）なども適している。上述の導電ゴム部材を用いると、体積抵抗率5Ω・cm、すなわち導電率は20S/mであり、電波の浸透の深さはたとえば40GHzでは0.56mm、10GHzでは1.13mmとなるため、導電抵抗部材４６の厚さが、例えば、1.5mm程度でも充分なノイズ電流抑制効果が得られ、不要な電磁波放射を抑制できる。但し、導電抵抗部材４６の材料を、体積抵抗率が5Ω・cm以下のものに限定するものではない。
【００４４】
また、上記のカーボンブラックを混入したシリコーンゴムは、金属フィラーの混入もハロゲン化物の含有もないため、金属フィラーの脱落による回路の短絡や腐食、ハロゲン化物に起因する脱酸素、脱ハロゲンの問題がなく、安全性や信頼性の確保、腐食耐性などの面でも特に優れている。
【００４５】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４６】
１０  回路基板、１２  電気コネクタ、１４  信号多重回路部品、１６  信号分離回路部品、１８  光電変換本体部、２０  発光素子、２２  送信側同軸ケーブル、２４  受光素子、２６  受信側同軸ケーブル、２８  入出力端子、３０  光学結合部、３２  光ファイバ、３４  弾性体、３６  ケース、３８  上ケース、４０  下ケース、４２  貫通穴、４４  シール部材、４６  導電抵抗部材、４８  切り欠き、１４６  導電抵抗部材、１４８  切り欠き、１５０  切れ目、２４６  導電抵抗部材、２４８  穴、２５０  切れ目、３４６  導電抵抗部材、３４８  穴、３５０  切れ目。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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