(57)【要約】【課題】接合部材が接合された後、電子部品における歪の発生を抑制することができ、電子部品と配線基板とを高精度に位置決めすることができる電子装置と電子装置の製造方法とを提供する。【解決手段】電子装置１は、所望する位置に機能領域１０ａを有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０と機械的且つ電気的に積層状に接合する配線基板３０と、半導体チップ１０と配線基板３０とを接合する少なくとも１つの第１の接合部材５０と、半導体チップ１０と配線基板３０とを接合する第２の接合部材７０と、を具備する。【選択図】      図１
2011018749.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所望する位置に機能領域を有する半導体チップと、
前記半導体チップと機械的且つ電気的に積層状に接合する基板と、
前記半導体チップと前記基板とを接合する少なくとも１つの第１の接合部材と、
前記半導体チップと前記基板とを接合する第２の接合部材と、
を具備することを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記第１の接合部材は、樹脂材料であり、
前記第２の接合部材は、金属材料であり、
前記第１の接合部材の軟化点は、前記第２の接合部材の融点よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記第１の接合部材と前記第２の接合部材とは、金属材料であり、
前記第１の接合部材の融点は、前記第２の接合部材の融点よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項４】
前記第１の接合部材は、金属材料であり、
前記第２の接合部材は、樹脂材料であり、
前記第１の接合部材の融点は、前記第２の接合部材の硬化温度と前記第２の接合部材の硬化後の軟化点との少なくとも一方よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項５】
前記第１の接合部材と前記第２の接合部材とは、樹脂材料であり、
前記第１の接合部材の硬化後の軟化点は、前記第２の接合部材の硬化温度よりも高い、または前記第２の接合部材の硬化後の軟化点よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項６】
前記第１の接合部材は、前記機能領域の平面上の中心点を原点とした平面座標において、前記原点を通る直線によって２つに分割される一方の領域に配設されることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１つに記載の電子装置。
【請求項７】
前記第１の接合部材同士を結ぶ直線は、前記平面座標において、前記機能領域と重ならないように配設されていることを特徴とする請求項６に記載の電子装置。
【請求項８】
前記第１の接合部材同士を結ぶ直線は、前記平面座標において、前記第１の接合部材の偏角の線上に配設されていることを特徴とする請求項７に記載の電子装置。
【請求項９】
所望する位置に機能領域を有する半導体チップと、基板とを第１の接合部材によって接合する第１の工程と、
前記半導体チップと前記基板とを第２の接合部材によって接合する第２の工程と、
を具備することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の工程は、前記半導体チップと前記基板とが前記第１の接合部材によって接合されている工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の工程は、
前記第２の工程前、または前記第２の工程内において一時的に、前記第２の接合部材を再溶融する工程と、
前記第２の接合部材が再溶融した後に前記第２の接合部材を固化し、前記半導体チップと前記基板とを前記第２の接合部材によって接合する工程と、
を含むことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の工程は、
前記第２の工程前、または前記第２の工程内において一時的に、前記第２の接合部材を加熱硬化し、前記半導体チップと前記基板とを前記第２の接合部材とによって接合する工程と、を含むことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の工程は、前記半導体チップを前記第１の接合部材と前記第２の接合部材と以外の構成部とは非接触な状態である工程を含むことを特徴とする請求項９乃至請求項１２のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置と電子装置の製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１には、半導体装置およびその製造方法が開示されている。特許文献１において、電子部品（半導体チップ）と配線基板（キャリア基板）との接合部材（ジョイント）であるバンプは、電子部品の外周部で発生する応力を分散させるため、電子部品と配線基板との間にて、且つ電子部品と配線基板との平面方向に配置される。
【０００３】
この配置において、バンプは、中心から外周側（最外周縁部）に向かって、異なる大きさの径を有しており、異なる大きさの径を有するバンプが放射状に配置されている。つまり中心に配置されるバンプの径と、外周側に配置されるバンプの径とは、異なる。バンプの大きさは、最外周縁部から中心に向かって順次小さくなる。
【０００４】
この構成は、電子部品と、配線基板と、バンプと、電子部品と配線基板との隙間を封止する封止樹脂等のそれぞれの熱膨張係数の差によって生じるバンプにかかる応力の差を緩和し、応力集中による電子部品と配線基板との接合不良を防止する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３０３１７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した特許文献１において、最外周縁部に大きな径を有しているバンプが配置されると、電子部品と配線基板との接合部（バンプの面積）が大きくなる。これにより各バンプの接合部の単位面積当たりに生じる応力が減ることとなる。またこのバンプが接合するためには、電子部品が実装機で保持され、バンプが大きな荷重を印加される必要がある。
【０００７】
しかしながら実装機による保持力や、電子部品を保持及び押圧する部材の平面度や、チップ保持界面のゴミなどの異物によって、バンプは、電子部品に応力（歪）が残留した状態で、接合（実装）されてしまう。この歪は、電子部品の機能を低下させ、電子部品を搭載する半導体装置（デバイス）の機能を低下させる虞が生じる。また電子部品と配線基板との位置精度は、歪によって低下してしまう。
【０００８】
本発明は、これらの事情に鑑みてなされたものであり、接合部材が接合された後、電子部品における歪の発生を抑制することができ、電子部品と配線基板とを高精度に位置決めすることができる電子装置と電子装置の製造方法とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は目的を達成するために、所望する位置に機能領域を有する半導体チップと、前記半導体チップと機械的且つ電気的に積層状に接合する基板と、前記半導体チップと前記基板とを接合する少なくとも１つの第１の接合部材と、前記半導体チップと前記基板とを接合する第２の接合部材と、を具備することを特徴とする電子装置を提供する。
【００１０】
また本発明は目的を達成するために、所望する位置に機能領域を有する半導体チップと、基板とを第１の接合部材によって接合する第１の工程と、前記半導体チップと前記基板とを第２の接合部材によって接合する第２の工程と、を具備することを特徴とする電子装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、接合部材が接合された後、電子部品における歪の発生を抑制することができ、電子部品と配線基板とを高精度に位置決めすることができる電子装置と電子装置の製造方法とを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態の電子装置を半導体チップ側から見た際の構成を示す概略図である。
【図２】図２は、図１をＡ−Ａ線断面から見た図である。
【図３】図３は、第１の接合部材周辺の拡大図である。
【図４】図４は、第２の接合部材周辺の拡大図である。
【図５Ａ】図５Ａは、機能領域が第１の接合部材によって囲まれている状態を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、機能領域が第１の接合部材によって囲まれていない状態を示す図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施形態の電子装置を半導体チップ側から見た際の構成を示す概略図である。
【図７】図７は、図６をＢ−Ｂ線断面から見た図である。
【図８】図８は、第１の接合部材周辺の拡大図である。
【図９】図９は、第２の接合部材周辺の拡大図である。
【図１０】図１０は、第１の接合部材の材質と第２の接合部材の材質との組み合わせを示す図である。
【図１１】図１１は、第１の接合部材の配置位置の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。  
図１乃至図４と図５Ａと図５Ｂとを参照して第１の実施形態について説明する。なお図示の簡略化のため、例えば図２では、接合パッド１０ｄ，３０ｂを省略するように、一部の図面では構成部材の一部を省略している。
【００１４】
図１に示すように電子装置１は、機能領域１０ａを有する電子部品である半導体チップ１０と、半導体チップ１０と機械的且つ電気的に積層状に接合し、機能領域１０ａに対して所望の電気配線を有する配線基板３０と、半導体チップ１０と配線基板３０とを機械的且つ電気的に接合する第１の接合部材５０と、第２の接合部材７０とを有している。半導体チップ１０は、第１の接合部材５０と第２の接合部材７０とを介して配線基板３０に積層する。
【００１５】
半導体チップ１０は、Ｓｉ製の板状部材である。機能領域１０ａは、半導体チップ１０の所望する位置である例えば平面方向における中央部において配設されており、配線基板３０に対向する。詳細には、機能領域１０ａは、半導体チップ１０の内部から裏面１０ｃ側に向って配設されている。
【００１６】
なお半導体チップ１０は、機能領域１０ａを有している。機能領域１０ａは、配線基板３０に対向する。
【００１７】
配線基板３０は、ＳｉＯ２製の板状部材であり、半導体チップ１０よりも大きい。
【００１８】
また半導体チップ１０の裏面１０ｃには、半導体チップ１０を配線基板３０に電気的に接合保持させる平面状の接合パッド１０ｄが所望の位置に配設されている。  
また配線基板３０の表面３０ａには、配線基板３０を半導体チップ１０に電気的に接合保持させる平面状の接合パッド３０ｂが配設されている。接合パッド３０ｂは、接合パッド１０ｄに対向するように配置されている。  
接合パッド１０ｄと接合パッド３０ｂとは、半導体チップ１０の中央部（機能領域１０ａ）から外周側に向かって放射状に広がるように配設されている。
【００１９】
半導体チップ１０と配線基板３０とが積層する際、接合パッド１０ｄと接合パッド３０ｂとの間には、上述した第２の接合部材７０が配置される。本実施形態では第２の接合部材７０が例えばはんだである場合、接合パッド１０ｄには、Ｃｒ層とＮｉ層とＡｕ層とが裏面１０ｃから表面３０ａに向かって順に積層され、接合パッド３０ｂには、Ｃｒ層とＮｉ層とＡｕ層とが表面３０ａから裏面１０ｃに向かって順に積層されている。
【００２０】
なお第２の接合部材７０の金属材料が例えばはんだである場合、このはんだはＳｎ／Ｂｉの共晶低融点はんだであることが好適である。また接合パッド１０ｄと接合パッド３０ｂとの材質は、第２の接合部材７０によって所望に変えることができる。
【００２１】
また本実施形態では第１の接合部材５０は、例えば樹脂製（樹脂材料）の接着剤であり、導電性を有する樹脂であっても良い。  
ここで第１の接合部材５０の配設位置について説明する。  
機能領域１０ａの平面上の中心点を原点とした平面座標において、第１の接合部材５０は、この原点を通る第１の直線８０によって２つに分割される一方の領域８５にのみに配設される。本実施形態では、第１の接合部材５０は、接合パッド１０ｄと接合パッド３０ｂと機能領域１０ａとは重ならず、接合パッド１０ｄと接合パッド３０ｂとよりも半導体チップ１０の外周側に直線状に配設される。つまり第１の接合部材５０は、機能領域１０ａを囲わずに、機能領域１０ａの平面方向において機能領域１０ａと対向して配設されている。
【００２２】
次に第１の接合部材５０の材質と第２の接合部材７０の材質との関係について説明する。  
本実施形態において、第１の接合部材５０の材質の軟化点は、第２の接合部材７０の材質の融点よりも高くなる必要がある。そのため、第２の接合部材７０が上述したようにはんだである場合、第１の接合部材５０は、はんだの融点よりも軟化点が高い例えば熱硬化型の樹脂製の接着剤となる。
【００２３】
本実施形態において、軟化点とは、樹脂の剛性が大きく変動する温度であり、例えばガラス転移温度やビカット軟化点などが挙げられるが、本実施形態の軟化点はガラス転移温度であることを定義する。
【００２４】
次に本実施形態の製造方法について説明する。  
まず半導体チップ１０の配線基板３０への積層方法について説明する。  
接合パッド３０ｂには、第２の接合部材７０であるはんだバンプが製作される。本実施形態において、はんだバンプは、例えば、はんだペーストを例えばスクリーン印刷法等の供給方法によって接合パッド３０ｂに供給され、例えばリフロー等によって加熱されることで、製作される。  
次に配線基板３０には、第１の接合部材５０である接着剤が例えばディスペンス法等の塗布方法によって塗布される。
【００２５】
なお第１の接合部材５０の塗布方法と第２の接合部材７０の供給方法とは、上記に限定されない。塗布方法は、例えばスクリーン印刷法や転写方法等でもよく、供給方法は、例えばボールバンピングやメッキ法等でもよい。
【００２６】
また第１の接合部材５０の塗布量と第２の接合部材７０の供給量とは、半導体チップ１０と配線基板３０との実装後における半導体チップ１０と配線基板３０との間隔を考慮して、実装後の間隔量より所望に多くするものである。
【００２７】
次に半導体チップ１０の配線基板３０への実装工程について説明する。  
本実施形態において、この実装工程は、第１の実装工程と、第２の実装工程とに分かれる。
【００２８】
まず第１の実装工程について説明する。  
半導体チップ１０と、第１の接合部材５０が塗布され第２の接合部材７０が供給された配線基板３０とにおいて、半導体チップ１０は図示しない実装機の上側ステージに真空吸着されて固定され、配線基板３０は図示しない実装機の下側ステージに真空吸着されて固定される。つまり半導体チップ１０と配線基板３０とは、実装機によって保持される。
【００２９】
この状態で、半導体チップ１０と配線基板３０との位置精度が、例えばカメラなどの撮像部によって撮像された撮像画像などを基に、図示しない調整部によって調整される。その後、半導体チップ１０と配線基板３０とは、上側ステージと下側ステージとを介して例えばヒータなどの図示しない加熱部によって所望な温度によって予備加熱される。
【００３０】
このとき、所望な温度とは、第２の接合部材７０の融点以上の温度である。つまり配線基板３０が予備加熱されると、第２の接合部材７０が溶融する。言い換えると、配線基板３０を予備加熱することは、第２の接合部材７０を溶融することである。
【００３１】
なお所望な温度は、半導体チップ１０と配線基板３０とが第１の接合部材５０によって接合する前に、第１の接合部材５０が硬化しない温度でもある。つまり配線基板３０が予備加熱されても、第１の接合部材５０が硬化しない。言い換えると、配線基板３０を予備加熱することは、第１の接合部材５０を硬化させないことである。
【００３２】
このように所望な温度は、第２の接合部材７０の融点以上の温度、且つ第１の接合部材５０の硬化温度以下の温度である。
【００３３】
その後、半導体チップ１０と配線基板３０との間隔が所望量となるように、上側ステージと下側ステージとの少なくとも一方が他方に近づく。上側ステージと下側ステージとが所望する位置に位置決めされると、半導体チップ１０と配線基板３０とは、上側ステージと下側ステージとを介して加熱部によって所望な温度によって本加熱される。
【００３４】
このときの所望な温度とは、第１の接合部材５０の硬化温度以上の温度である。本加熱が第１の接合部材５０の硬化時間分だけ行われると、上側ステージと下側ステージと共に半導体チップ１０と配線基板３０とは、図示しない冷却部によって所望する温度（第２の接合部材７０の融点以下の温度）まで所望する時間冷却され、固化される。よって第１の接合部材５０と第２の接合部材７０とも、冷却され、固化される。
【００３５】
これにより半導体チップ１０と配線基板３０とは、第１の接合部材５０によって機械的に接合し、第２の接合部材７０によって機械的且つ電気的に接合する。
【００３６】
次に第２の実装工程について説明する。  
第１の実装工程後の状態においては、半導体チップ１０が実装機によって保持され接合することで、半導体チップ１０には、この保持力や上側ステージの平面度や、半導体チップ１０の保持界面でのゴミなどの異物によって、応力（歪）が残留している。
【００３７】
そこで、第２の実装工程では、第１の実装工程において接合された半導体チップ１０及び配線基板３０を、恒温槽に入れ、所望な温度で再加熱する。この所望な温度とは、第２の接合部材７０の融点以上の温度、且つ第１の接合部材５０の軟化温度以下の温度である。
【００３８】
これにより第２の接合部材７０は、再溶融する。このとき、半導体チップ１０には、第２の接合部材７０に残留する接合力が解除され、第１の接合部材５０の接合力のみが作用する。つまり半導体チップ１０と配線基板３０とは、第１の接合部材５０によって機械的に接合しているのみである。なお第２の接合部材７０は、第１の実装工程と第２の実装工程との間、または上述したように第２の実装工程中に再溶融する。
【００３９】
このとき図５Ａに示すように、接合している半導体チップ１０と配線基板３０との断面線Ａ−Ａにおいて、歪を生じさせたくない機能領域１０ａが第１の接合部材５０によって形成される固定領域Ａに挟まれると、半導体チップ１０には第１の接合部材５０からの接合力によって歪が発生してしまう。
【００４０】
しかしながら、図５Ｂに示すように本実施形態の場合、歪を生じさせたくない機能領域１０ａが第１の接合部材５０によって形成される固定領域Ａに挟まれないため、半導体チップ１０には第１の接合部材５０からの接合力によって歪が発生しない。つまり本実施形態は、第１の接合部材５０を一方の領域８５にのみ配設し、第１の実装工程にて第１の接合部材５０と第２の接合部材７０とによって半導体チップ１０と配線基板３０とを電気的且つ機械的に接合し、第２の接合部材７０を第２の実装工程にて再溶融することで、半導体チップ１０に歪を発生させることを抑制（防止）している。
【００４１】
この後、第１の接合部材５０と第２の接合部材７０と以外の構成部とは非接触な状態である半導体チップ１０において（半導体チップ１０は接合部材５０，７０以外の構成部とは接触しない状態）、第２の接合部材７０は自然冷却され固化される。これにより半導体チップ１０に歪の発生が抑制され、第１の接合部材５０によって配線基板３０と機械的に接合している半導体チップ１０が第２の接合部材７０によって配線基板３０と機械的且つ電気的に接合し、半導体チップ１０が配線基板３０に実装され、電子装置１が形成される。
【００４２】
またこのとき歪の発生が抑制されているため、電子部品（半導体チップ１０）と配線基板３０との位置精度は、応力（歪）を抑制され、高精度となる。
【００４３】
このように第２の実装工程は、第２の接合部材７０を再溶融し、その後第２の接合部材７０が半導体チップ１０と配線基板３０とを電気的に接合する工程であることを示す。  
またこの第２の実装工程は、上述したように半導体チップ１０と配線基板３０とが第１の接合部材５０のみによって機械的に接合されている状態（工程）を含んでいる。  
またこの第２の実装工程は、上述したようにこの工程前、またはこの工程内において一時的に、第２の接合部材７０が再溶融する状態（工程）と、第２の接合部材７０が再溶融した後に第２の接合部材７０を固化し、半導体チップ１０と配線基板３０とを第２の接合部材７０によって機械的且つ電気的に接合する状態（工程）とを含んでいる。
【００４４】
このように本実施形態では、第１の接合部材５０と第２の接合部材７０とが半導体チップ１０と配線基板３０とに接合された後において、電子部品（半導体チップ１０）における歪の発生を抑制することができ、電子部品（半導体チップ１０）と配線基板３０とを高精度に位置決めすることができる電子装置１を提供できる。
【００４５】
また本実施形態では、上述したように第１の接合部材５０を一方の領域８５にのみ配設し、第２の接合部材７０を放射状に配設し、第１の実装工程にて第１の接合部材５０と第２の接合部材７０とによって半導体チップ１０と配線基板３０とに接合させ、第２の実装工程にて第２の接合部材７０を再溶融と固化させることで、半導体チップ１０と配線基板３０とが接合された後において、半導体チップ１０における歪の発生を抑制することができ、半導体チップ１０と配線基板３０とを高精度に位置決めすることができる。
【００４６】
このように本実施形態は、上述したように歪の発生を防止できるために、第２の実装工程では、半導体チップ１０が実装機によって保持されず、半導体チップ１０と配線基板３０とが全体加熱により実装された際に、半導体チップ１０と配線基板３０との位置決め精度が極端に悪化してしまうことも防止することができる。  
また本実施形態は、半導体チップ１０が実装機によって保持された際に歪の発生を抑制できるために、半導体チップ１０の性能が劣化してしまうことを防止することもできる。
【００４７】
なお第１の接合部材５０の配設位置と形状とは、接合パッド１０ｄと接合パッド３０ｂと機能領域１０ａとに重ならなければ、限定されない。第１の接合部材５０は、例えば接合パッド１０ｄと接合パッド３０ｂとよりも半導体チップ１０の内周側（機能領域１０ａ側）に配設されても良い。また本実施形態では、平面方向において図１に示す断面線Ａ−Ａに沿って、第２の接合部材７０と、第１の接合部材５０と、機能領域１０ａと、第２の接合部材７０との順で配設されていても良い。
【００４８】
なお本実施形態の電子装置１は、例えば、光学機能を有するマイクロミラーデバイスである。
【００４９】
また第１の接合部材５０は、曲線形状や円弧形状を有していても良い。
【００５０】
次に図６乃至図９を参照して第２の実施形態について説明する。前述した第１の実施形態と同一部位については同符合を付し、その詳細な説明は省略する。なお図示の簡略化のため、例えば図７では、接合パッド１０ｄ，１０ｅ，３０ｂ，３０ｃを省略するように、一部の図面では構成部材の一部を省略している。
【００５１】
本実施形態の半導体チップ１０の裏面１０ｃには、半導体チップ１０を配線基板３０に機械的に接合保持させる平面状の接合パッド１０ｅが所望の位置に配設されている。  
また配線基板３０の表面３０ａには、配線基板３０を半導体チップ１０に機械的に接合保持させる平面状の接合パッド３０ｃが配設されている。接合パッド３０ｃは、接合パッド１０ｅに対向するように配置されている。  
半導体チップ１０と配線基板３０とが積層する際、接合パッド１０ｅと接合パッド３０ｃとの間には、第１の接合部材５０が配置される。接合パッド１０ｅには、Ｃｒ層とＡｕ層とが裏面１０ｃから表面３０ａに向かって順に積層され、接合パッド３０ｃには、Ａｌ層が形成されている。第１の接合部材５０と接合パッド１０ｅと接合パッド３０ｃとは、２個配設されている。
【００５２】
本実施形態において、第１の接合部材５０と第２の接合部材７０とは、金属材料である。このとき第１の接合部材５０の材質の融点は、第２の接合部材７０の材質の融点よりも高い。第１の接合部材５０は例えばＡｕバンプであり、第２の接合部材７０は例えばＳｎ／Ｂｉの共晶低融点はんだである。
【００５３】
ここで本実施形態の第１の接合部材５０の配設位置について説明する。  
機能領域１０ａの平面上の中心点を原点とした平面座標において、第１の接合部材５０は、第１の実施形態と同様に領域８５に配設される。また本実施形態の第１の接合部材５０同士を結ぶ第２の直線８１は、平面座標において、第１の接合部材５０の偏角の線上に配設されている。この第２の直線８１は、機能領域１０ａとは重ならないように配設されている。言い換えると、第２の直線８１は、半導体チップ１０の平面方向における機能領域１０ａと半導体チップ１０との間に配設され、機能領域１０ａと交差することはない。つまり第１の接合部材５０は、機能領域１０ａと重ならずに第１の接合部材５０同士を結ぶ第２の直線８１上に配設されている。そのため２つの第１の接合部材５０は、機能領域１０ａを挟まずに、機能領域１０ａの平面方向において機能領域１０ａと対向して配設されている。
【００５４】
次に本実施形態の製造方法について説明する。  
まず半導体チップ１０の配線基板３０への積層方法について説明する。  
接合パッド３０ｂには、第１の実施形態と同様に第２の接合部材７０であるはんだバンプ（Ｓｎ／Ｂｉの共晶低融点はんだ）が製作される。また接合パッド３０ｃには、第１の接合部材５０であるＡｕバンプが供給（製作）される。Ａｕバンプは、溶融したＡｕ線の一部からＡｕボールを形成した後、Ａｕボールに対して超音波接合によって、接合パッド３０ｃに接合するスタッドバンプを用いる。Ａｕバンプの製作方法は、これに限定される必要はなく、例えばメッキ法などでもよい。
【００５５】
第１の接合部材５０の供給量と第２の接合部材７０の供給量とは、第１の実施形態と同様に半導体チップ１０と配線基板３０との実装後における半導体チップ１０と配線基板３０との間隔を考慮して、実装後の間隔量より所望にも多くするものである。
【００５６】
次に半導体チップ１０の配線基板３０への実装工程について説明する。  
本実施形態において、この実装工程は、第１の実装工程と、第２の実装工程とに分かれる。
【００５７】
まず第１の実装工程について説明する。  
半導体チップ１０と、第１の接合部材５０と第２の接合部材７０とが供給された配線基板３０とにおいて、半導体チップ１０は図示しない実装機の上側ステージに真空吸着されて固定され、配線基板３０は図示しない実装機の下側ステージに真空吸着されて固定される。つまり半導体チップ１０と配線基板３０とは、実装機によって保持される。
【００５８】
この状態で、半導体チップ１０と配線基板３０との位置精度が、例えばカメラなどの撮像部によって撮像された撮像画像などを基に、図示しない調整部によって調整される。その後、半導体チップ１０と配線基板３０とは、上側ステージと下側ステージとを介して例えばヒータなどの加熱部によって所望な温度によって予備加熱される。
【００５９】
その後、半導体チップ１０と配線基板３０との間隔が所望量となるように、上側ステージと下側ステージとの少なくとも一方が他方に近づく。上側ステージと下側ステージとが所望する位置に位置決めされると、半導体チップ１０と配線基板３０とは、上側ステージと下側ステージとを介して加熱部によって所望な温度によって本加熱され、上側ステージと下側ステージとを介して図示しない加圧部によって所望な圧力で加圧される。これにより第１の接合部材５０と接合パッド１０ｅとが固相拡散接合する。
【００６０】
本加熱と加圧が、第１の接合部材５０と接合パッド１０ｅとが固相拡散接合する時間分だけ行われると、上側ステージと下側ステージと共に半導体チップ１０と配線基板３０とは、図示しない冷却部によって所望する温度まで所望する時間冷却され、固化される。よって第１の接合部材５０と第２の接合部材７０とも、冷却され、固化される。
【００６１】
これにより半導体チップ１０と配線基板３０とは、第１の接合部材５０によって機械的に接合し、第２の接合部材７０によって電気的に接合する。
【００６２】
なお半導体チップ１０と配線基板３０とが接合前に、例えばプラズマ洗浄などによって第１の接合部材５０の表面と接合パッド１０ｅの表面とにおける接合阻害物を除去しておいても良い。プラズマ洗浄を行う場合、第１の接合部材５０と接合パッド１０ｅとはより低温で固相拡散接合することができる。
【００６３】
次に第２の実装工程について説明する。  
第１の実施形態と同様に半導体チップ１０と配線基板３０とが機械的且つ電気的に接合した状態において、半導体チップ１０が実装機によって保持されることで、半導体チップ１０には、この保持力や上側ステージの平面度や、半導体チップ１０の保持界面でのゴミなどの異物によって、応力（歪）が残留している。
【００６４】
そのため第２の実装工程では、電気的且つ機械的に接合している半導体チップ１０と配線基板３０とは、図示しない恒温槽に配置され、恒温槽を介して所望な温度で再加熱される。この所望な温度とは、第２の接合部材７０の融点以上の温度、且つ第１の接合部材５０の融点以下の温度である。
【００６５】
これにより第２の接合部材７０は、再溶融する。このとき、半導体チップ１０には、第２の接合部材７０の接合力が解除され、第１の接合部材５０の接合力のみが作用する。つまり半導体チップ１０と配線基板３０とは、第１の接合部材５０によって機械的に接合しているのみである。なお第２の接合部材７０は、第１の実装工程と第２の実装工程との間、または上述したように第２の実装工程中に再溶融する。
【００６６】
このとき、第１の実施形態と同様に、歪を生じさせたくない機能領域１０ａが第１の接合部材５０によって形成される固定領域Ａに挟まれると、半導体チップ１０には第１の接合部材５０からの接合力によって歪が発生してしまう。
【００６７】
しかしながら、本実施形態の場合、歪を生じさせたくない機能領域１０ａが第１の接合部材５０によって形成される固定領域Ａに挟まれないため、半導体チップ１０には第１の接合部材５０からの接合力によって歪の発生が抑制される。つまり本実施形態では、第１の接合部材５０を一方の領域８５に且つ第２の直線８１上にのみ配設し、第１の実装工程にて第１の接合部材５０と第２の接合部材７０とによって半導体チップ１０と配線基板３０とを電気的且つ機械的に接合し、第２の接合部材７０を第２の実装工程にて再溶融することで、半導体チップ１０に歪を発生させることを抑制（防止）している。
【００６８】
また本実施形態の場合、第１の接合部材５０の配置によって、第１の接合部材５０からの接合力によって生じる応力を、機能領域１０ａに伝播させることをより防止している。
【００６９】
この後、第１の接合部材５０と第２の接合部材７０と以外の構成部とは非接触な状態である半導体チップ１０において（半導体チップ１０は接合部材５０，７０以外の構成部とは接触しない状態）、第２の接合部材７０は自然冷却され固化される。これにより半導体チップ１０に歪が発生せず、第１の接合部材５０によって配線基板３０と機械的に接合している半導体チップ１０が第２の接合部材７０によって配線基板３０と電気的に接合し、半導体チップ１０が配線基板３０に実装され、電子装置１が形成される。
【００７０】
またこのとき歪の発生が抑制されているため、電子部品（半導体チップ１０）と配線基板３０との位置精度は、ずれを抑制され、高精度となる。
【００７１】
このように本実施形態では、第１の実施形態と同様の効果をえることができる。
【００７２】
また本実施形態では、第１の接合部材５０の配置によって、第１の接合部材５０からの接合力によって生じる応力を、機能領域１０ａに伝播させることをより防止することができる。
【００７３】
また本実施形態では、第１の接合部材５０をＡｕバンプとすることで、樹脂材料に比べて、電子装置１を減圧雰囲気や不活性雰囲気で封止する際に、封止性能の劣化を防止することができる。
【００７４】
また本実施形態において、第２の直線８１は半導体チップ１０の対角線として配設されているが、これに限定する必要ない。例えば第２の直線８１は、原点を通らず、機能領域１０ａとは重ならないように所望に傾いて配設されていても良い。また第１の接合部材５０の数は、限定されない。
【００７５】
上述した各実施形態において、第１の接合部材５０と第２の接合部材７０との材質は、上記に限定される必要は無い。これらの材質の組み合わせを図１０に示す。  
パターン１は、第１の実施形態を示す。パターン２は、第２の実施形態を示す。
【００７６】
パターン３は、第２の実施形態の変形例を示す。  
パターン３において、第１の接合部材５０と第２の接合部材７０とが共に金属材料であり、第１の接合部材５０の材質の融点は第２の接合部材７０の材質の融点よりも高い。第１の接合部材５０は例えば高い融点を有する高融点はんだであり、第２の接合部材７０は例えば第１の接合部材５０よりも低い融点を有する低融点はんだである。
【００７７】
パターン４  
例えば第１の接合部材５０は金属材料で、第２の接合部材７０は樹脂材料である。この場合、第１の接合部材５０の材質の融点は、第２の接合部材７０の材質の硬化温度と第２の接合部材７０の材質の硬化後の軟化点との少なくとも一方よりも高ければよい。第１の接合部材５０は例えばＡｕバンプであり、第２の接合部材７０は例えば樹脂製の接着剤、具体的には熱硬化型の樹脂製の接着剤である。
【００７８】
パターン５  
第１の接合部材５０と第２の接合部材７０とが共に樹脂材料である。この場合、第１の接合部材５０の材質の硬化後の軟化点は、第２の接合部材７０の材質の硬化温度よりも高い、または第２の接合部材７０の材質の硬化後の軟化点よりも高い。第１の接合部材５０は、第１の接合部材５０の材質の硬化後の軟化点が、第２の接合部材７０の材質の硬化温度よりも高い材質、または第２の接合部材７０の材質の硬化後の軟化点よりも高い材質である。  
また上述した各実施形態において、第１の接合部材５０の配置位置は、上記に限定される必要は無い。例えば図１１に示すように、第１の実施形態と第２の実施形態とを組み合わせても良い。例えば第１の接合部材５０は領域８５にのみに配設される。また第１の接合部材５０は、機能領域１０ａと重ならずに第１の接合部材５０同士を結ぶ第２の直線８１上に配設されている。なお図１１において第１の接合部材５０は、放射状に配設されているが、これに限定される必要はなく、第２の直線８１が機能領域１０ａと重ならなければ、機能領域１０ａや半導体チップ１０の縁に沿って平行に配設されていても良い。
【００７９】
なお上記において、第２の接合部材７０と接合パッド１０ｄと接合パッド３０ｂとは、半導体チップ１０の中央部（機能領域１０ａ）から外周側に向かって放射状に広がるように配設されているが、第２の接合部材７０が半導体チップ１０と配線基板３０とを電気的に接合できれば、これに限定する必要はない。
【００８０】
本発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。
【符号の説明】
【００８１】
１…電子装置、１０…半導体チップ、１０ａ…機能領域、１０ｃ…裏面、１０ｄ…接合パッド、１０ｅ…接合パッド、３０…配線基板、３０ａ…表面、３０ｂ…接合パッド、３０ｃ…接合パッド、５０…第１の接合部材、７０…第２の接合部材、８０…第１の直線、８１…第２の直線、８５…領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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