(57)【要約】【課題】有機発光表示装置を提供する。【解決手段】透過領域ＴＡと該透過領域ＴＡを介して相互離隔された複数の画素領域ＰＡとが区画された基板と、基板の第１面上に形成され、各画素領域ＰＡ内に位置する複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジスタを覆い、透過領域及び画素領域にいずれも形成され、透過領域のうち少なくとも一部に対応する位置に第１開口を備えたパッシベーション膜と、パッシベーション膜上に各薄膜トランジスタと電気的に連結されるように形成され、各画素領域内に位置し、各薄膜トランジスタに重畳して配された複数の画素電極２２１と、複数の画素電極２２１と対向して透光可能に形成され、透過領域ＴＡ及び画素領域ＰＡにわたって位置する対向電極と、画素電極２２１と対向電極との間に介在されて発光する有機発光層と、を備える有機発光表示装置である。【選択図】図４
2011142290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過領域と前記透過領域を介して相互離隔された複数の画素領域とが区画された基板と、
前記基板の第１面上に形成され、前記各画素領域内に位置する複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、
前記複数のＴＦＴを覆い、前記透過領域及び画素領域にいずれも形成され、前記透過領域のうち少なくとも一部に対応する位置に第１開口を備えたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に前記各ＴＦＴと電気的に連結されるように形成され、前記各画素領域内に位置し、前記各ＴＦＴ上に前記各ＴＦＴに重畳して配された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極と対向して透光可能に形成され、前記透過領域及び画素領域にわたって位置する対向電極と、
前記画素電極と対向電極との間に介在されて発光する有機発光層と、を備える有機発光表示装置。
【請求項２】
前記透過領域の面積は、前記画素領域の面積と前記透過領域の面積との和に対して２０％ないし９０％の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記画素電極の面積は、前記画素領域のうち一つの面積と同じであることを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記各ＴＦＴと電気的に連結された複数の導電ラインをさらに含み、前記導電ラインは、いずれも前記各画素電極に重畳して配列されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記パッシベーション膜は、透明な物質で備えられたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記基板の有する透過率は、前記パッシベーション膜の透過率より大きいか、または同じであることを特徴とする請求項１〜５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記透過領域に対応する位置に複数の絶縁膜が備えられ、前記絶縁膜のうち少なくとも一つは、前記透過領域のうち少なくとも一部に対応する位置に第２開口を備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第２開口は、前記第１開口と連結されたことを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第１電極及び第２電極のうち少なくとも一つは、透明電極であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
透過領域と、前記透過領域を介して相互離隔された複数の画素領域とが区画された基板と、
前記基板の第１面上に形成され、それぞれ少なくとも一つのＴＦＴを備え、前記各画素領域内に位置する複数の画素回路部と、
前記画素回路部を覆い、前記透過領域及び画素領域に形成され、前記透過領域のうち少なくとも一部に対応する位置に第３開口を備えた第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に前記各画素回路部と電気的に連結されるように形成され、前記各画素回路部を遮れるように前記各画素回路部に重畳して配された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極と対向して透光可能に形成され、前記透過領域及び画素領域にわたって位置する対向電極と、
前記画素電極と対向電極との間に介在されて発光する有機発光層と、を備える有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記透過領域の面積は、前記画素領域の面積と前記透過領域の面積との和に対して２０％ないし９０％の範囲内であることを特徴とする請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記画素電極は、前記各画素領域と同じ領域に形成されたことを特徴とする請求項１０または１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記各画素回路部と電気的に連結された複数の導電ラインをさらに含み、前記各導電ラインは、いずれも前記各画素領域を通過するように配列されたことを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記第１絶縁膜は、透明な物質で備えられ、
前記透過領域及び画素領域には、透明な物質で備えられた複数の第２絶縁膜がさらに配されたことを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記基板の有する透過率は、前記第１絶縁膜及び第２絶縁膜の透過率より大きいか、または同じであることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記第２絶縁膜のうち少なくとも一つは、前記透過領域のうち少なくとも一部に対応する位置に第４開口を備えたことを特徴とする請求項１４または１５に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記第４開口は、前記第１開口と連結されたことを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１８】
前記第１電極及び第２電極のうち少なくとも一つは、透明電極であることを特徴とする請求項１０〜１７のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）に係り、特に、透明な有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤは、視野角、コントラスト、応答速度、消費電力等の面で優れた特性を有するため、ＭＰ３プレイヤや携帯電話のような個人用携帯機器からテレビ（ＴＶ）に至るまで応用範囲が拡大されている。
【０００３】
このようなＯＬＥＤは、自発光特性を有し、液晶表示装置とは異なり、別途の光源を必要としないので、厚さ及び重さを低減できる。
【０００４】
また、ＯＬＥＤは、装置内部の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や有機発光素子を透明な形態に作ることによって、透明表示装置に形成できる。
【０００５】
このような透明表示装置では、スイッチオフ状態である時、反対側に位置した事物またはイメージが有機発光素子だけではなく、ＴＦＴ及び色々な配線パターン間を透過してユーザに伝達される。このとき、透過イメージが当該パターンによって歪曲され、歪曲された透過イメージがユーザに表示装置を通して伝達されるという問題点がある。これは、当該パターン間の間隔が数百ｎｍ、すなわち、可視光波長と同等幅であるため、透過された光の散乱をもたらすためである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、透過する光の散乱を抑制して透過イメージの歪曲現象を防止する透明なＯＬＥＤを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を達成するために、本発明は、透過領域と前記透過領域を介して相互離隔された複数の画素領域とが区画された基板と、前記基板の第１面上に形成され、前記各画素領域内に位置する複数のＴＦＴと、前記複数のＴＦＴを覆い、前記透過領域及び画素領域にいずれも形成され、前記透過領域のうち少なくとも一部に対応する位置に第１開口を備えたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に前記各ＴＦＴと電気的に連結されて形成され、前記各画素領域内に位置し、前記各ＴＦＴ上に前記各ＴＦＴに重畳して配された複数の画素電極と、前記複数の画素電極と対向し、透光可能に形成され、前記透過領域及び画素領域にわたって位置する対向電極と、前記画素電極と対向電極との間に介在されて発光する有機発光層と、を備えるＯＬＥＤを提供する。
【０００８】
本発明はまた、前記課題を達成するために、透過領域と、前記透過領域を介して相互離隔された複数の画素領域とが区画された基板と、前記基板の第１面上に形成され、それぞれ少なくとも一つのＴＦＴを備え、前記各画素領域内に位置する複数の画素回路部と、前記画素回路部を覆い、前記透過領域及び画素領域にいずれも形成され、前記透過領域のうち少なくとも一部に対応する位置に第３開口を備えた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に前記各画素回路部と電気的に連結されて形成され、前記各画素回路部上に前記各画素回路部に重畳して配された複数の画素電極と、前記複数の画素電極と対向し、透光可能に形成され、前記透過領域及び画素領域にわたって位置する対向電極と、前記画素電極と対向電極との間に介在されて発光する有機発光層と、を備えるＯＬＥＤを提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、透過する光の散乱を抑制して透過イメージの歪曲現象を防止する透明なＯＬＥＤが達成できる。また、透過領域からの透光度を高めうる。さらに、透過領域における多層の透明な絶縁膜による光干渉現象を防止し、これによる色純度低下及び色変化を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の望ましい一実施形態によるＯＬＥＤを示す断面図である。
【図２】図１の一実施形態をさらに詳細に示す断面図である。
【図３】図１の他の一実施形態をさらに詳細に示す断面図である。
【図４】図２または図３の有機発光部の一例を概略的に示す概略図である。
【図５】図４の画素回路部の一例を含む有機発光部を示す概略図である。
【図６】図５の有機発光部の一例をさらに具体的に示す平面図である。
【図７】図６の有機発光部の一例をさらに具体的に示す平面図である。
【図８】図５の有機発光部の一例をさらに具体的に示す断面図である。
【図９】図５の有機発光部の他の一例をさらに具体的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施形態についてさらに詳細に説明する。
【００１２】
図１は、本発明の望ましい一実施形態による有機発光表示装置（以下、ＯＬＥＤ）を示した断面図である。
【００１３】
図１を参照すれば、本発明の望ましい一実施形態によるＯＬＥＤは、基板１の第１面１１にディスプレイ部２が備えられる。
【００１４】
このようなＯＬＥＤでは、外光は、基板１及びディスプレイ部２を透過する。
【００１５】
ディスプレイ部２は、後述するように、外光が透過可能に備えられたものである。すなわち、ディスプレイ部２は、図１に示したように、イメージが表示される側に位置するユーザが、基板１の下部の外側（基板１の下側）のイメージを観察できるように備えられる。
【００１６】
図２は、図１のＯＬＥＤをさらに具体的に示した一実施形態である。ディスプレイ部２は、基板１の第１面１１に形成された有機発光部２１と、この有機発光部２１を密封する密封基板２３とを備える。
【００１７】
密封基板２３は、透明な部材から形成され、有機発光部２１による画像を表示可能とし、また有機発光部２１への外気及び水分の侵入を遮断する。
【００１８】
密封基板２３と有機発光部２１とは、エッジがシーラント（図示せず）によって密封され、これにより、密封基板２３と有機発光部２１との間に空間２５が形成される。この空間２５には、吸湿剤や充填材が含まれてもよい。
【００１９】
密封基板２３の代わりに、図３に示したように、薄膜密封フィルム２４を有機発光部２１上に形成することによって、有機発光部２１を外気から保護できる。密封フィルム２４は、酸化シリコンまたは窒化シリコンのような無機物からなる膜と、エポキシ、ポリイミドのような有機物からなる膜とが交互に成膜された構造を有するが、必ずしもこれに限定されず、透明な薄膜上の密封構造であれば、いかなる材質も適用可能である。
【００２０】
図４は、図２または図３の有機発光部２１の概略的な構成を示す概略図であり、図５は、画素回路部ＰＣのさらに具体的な一例を示した概略図である。図２ないし図４に示したように、本発明の望ましい一実施形態によれば、有機発光部２１は、外光が透過されるように備えられた透過領域ＴＡと、この透過領域ＴＡを介して相互離隔された複数の画素領域ＰＡとに区画されて基板１上に形成される。
【００２１】
各画素領域ＰＡ内には、画素回路部ＰＣが備えられており、スキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶのような複数の導電ラインが、この画素回路部ＰＣに電気的に連結される。図示しないが、画素回路部ＰＣの構成によって、スキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶの他、さらに多様な導電ラインが備えられる。
【００２２】
図５に示したように、画素回路部ＰＣは、スキャンラインＳとデータラインＤとに連結された第１のＴＦＴであるＴＲ１と、ＴＲ１と駆動電源ラインＶとに連結された第２のＴＦＴであるＴＲ２と、ＴＲ１とＴＲ２とに連結されたキャパシタＣｓｔとを備える。ＴＲ１はスイッチングトランジスタであり、ＴＲ２は駆動トランジスタである。ＴＲ２は、画素電極２２１と電気的に連結されている。図５では、ＴＲ１とＴＲ２とはＰ型に示されているが、必ずしもこれに限定されず、少なくとも一つがＮ型に形成されることもある。
【００２３】
本発明の望ましい一実施形態によれば、スキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶを含む導電ラインは、いずれも画素領域ＰＡ上を横切るように配され、透過領域ＴＡのみを横切るように導電ラインは配されない。
【００２４】
具体的には、発光領域である各画素領域ＰＡには、当該発光領域内に画素回路部ＰＣが形成され、さらにスキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶを含む導電ラインが当該発光領域上を横切るように配される。また、ユーザは、当該発光領域からの画像を主に視認する一方、透過領域ＴＡを通じて外部を見ることができる。言い換えると、太陽光等の外光は、透過領域ＴＡを通過する時、散乱されることがない。したがって、外光が画素回路部ＰＣ内の素子のパターンと干渉して散乱することによる透過イメージの歪曲が防止される。さらに、画素領域ＰＡと画素領域ＰＡとの間の透過領域ＴＡにもスキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶを含む導電ラインが横切るように配されるとしても、当該導電ラインは非常に薄く形成されるため、これはユーザの緻密な観察によってのみ発見されうる程度であり、有機発光部２１の全体透過度には影響を及ぼさない。特に、透明ディスプレイの表示性能が低減されることはない。また、ディスプレイ領域に画素領域ＰＡによって覆われた領域が形成されたとしても、ディスプレイ領域を全体的に見る場合、画素領域ＰＡは、透明ガラスの表面に複数の点が規則的に配列されているようなものである。このようなディスプレイ領域はあたかも透明ガラスに薄く着色したようなものであるので、ユーザが透過イメージを観察する分には大きな支障はない。
【００２５】
このように、画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとの、全体面積に対する透過領域ＴＡの面積の比率が２０％ないし９０％の範囲に属するように、画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとが形成される。
【００２６】
画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとの全体面積に対する透過領域ＴＡの面積の比率が２０％より小さければ、図１でディスプレイ部２がスイッチオフ状態である時、ディスプレイ部２を透過できる光は過小であるので、ユーザは、反対側に位置した事物またはイメージを観察し難い。すなわち、ディスプレイ部２は透明であると言えない。また、透過領域ＴＡの面積が、画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとの全体面積に対する比率が２０％ほどであるとしても、画素領域ＰＡを全体透過領域ＴＡに対してアイランド状に形成し、画素領域ＰＡ内に可能な限りすべての導電パターンを配することにより、外光の散乱度を低下させ得る。したがって、表示装置は、透明ディスプレイとして十分に機能しうる。そして、後述するように、画素回路部ＰＣに備えられるＴＦＴを酸化物半導体のように透明ＴＦＴから形成し、有機発光素子についても透明素子から形成することにより、透明ディスプレイとしての視認性が増大されうる。この場合、従来の透明ディスプレイとは異なり、画素領域ＰＡ内に可能な限りすべての導電パターンを配することにより太陽光による散乱を最大限抑制できるため、ユーザは、歪曲されることのない透過イメージを視認できことになる。
【００２７】
画素領域ＰＡと透明領域ＴＡとの全体面積に対する透明領域ＴＡの面積の比率が９０％より大きければ、ディスプレイ部２の画素集積度が過小であり、画素領域ＰＡからの発光を通しての安定した画像の表示が難しい。すなわち、画素領域ＰＡの面積が小さくなるほど、画像を表示するための、有機発光膜２２３から発光する光の輝度を高めねばならない。また、このように有機発光素子を高輝度状態で作動させれば、表示装置の寿命を急激に低下させることになる。また、一つの画素領域ＰＡのサイズを適正に維持しても、透明領域ＴＡの面積比率が９０％より大きければ、画素領域ＰＡの数は過小となり、解像度を低下させることになる。
【００２８】
したがって、画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとの全体面積に対する透過領域ＴＡの面積の比率は、４０％ないし７０％の範囲に構成することが望ましい。
【００２９】
すなわち、４０％未満では、透過領域ＴＡに比べて、画素領域ＰＡの面積が過大となり、ユーザが透過領域ＴＡを通じて外部イメージを視認することが難しくなる。一方、７０％を超える場合、画素領域ＰＡ内に配される画素回路部ＰＣの設計に多くの制約を生じさせてしまう。
【００３０】
画素領域ＰＡには、この画素領域ＰＡの面積に対応して画素回路部ＰＣと電気的に連結された画素電極２２１が備えられる。画素回路部ＰＣは、画素電極２２１に覆われるように、画素電極２２１に重畳される。そして、前述したスキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶを含む導電ラインも、いずれもこの画素電極２２１を通過するように配される。本発明の望ましい一実施形態によれば、画素電極２２１は、画素領域ＰＡの面積と同一か、またはそれより若干小さくすることが望ましい。したがって、図６に示したように、ユーザ側から見る時、画素電極２２１によって前述した画素回路部ＰＣが覆われた状態となり、導電ラインの相当部分も覆われた状態となる。これにより、導電ラインの一部のみが透過領域ＴＡを上を通して形成されることになる。このように、透過領域ＴＡにおいて透過性が向上され、前述したように、太陽光等の外光の散乱を最大限抑制でき、それにより、歪曲されていない透過イメージを達成できる。
【００３１】
本発明は、透過領域ＴＡでの外光透過率をさらに高めるために、透過領域ＴＡの少なくとも一部に対応する位置の絶縁膜に開口２２９を形成する。これについての詳細な説明は、後述する。
【００３２】
図７及び図８は、前記有機発光部２１をさらに詳細に説明するための一実施形態を示した平面図及び断面図であって、図５に示した画素回路部ＰＣを詳細に示したものである。
【００３３】
図７及び図８による本発明の望ましい一実施形態によれば、基板１の第１面１１上にバッファ膜２１１が形成され、このバッファ膜２１１上に第１のＴＦＴであるＴＲ１と、キャパシタＣｓｔと、第２のＴＦＴであるＴＲ２とが形成される。
【００３４】
まず、バッファ膜２１１上には、第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂが形成される。
【００３５】
バッファ膜２１１は、不純物の浸透を防止し、表面を平坦化する役割を行うものであって、このような役割を担うための多様な物質から形成されうる。一例として、バッファ膜２１１は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンまたは窒化チタンのような無機物や、ポリイミド、ポリエステル、アクリルのような有機物またはこれらの積層物から形成されうる。バッファ膜２１１は、必須構成要素ではなく、必要に応じて備えられないこともある。
【００３６】
第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂは、多結晶シリコンで形成されうるが、必ずしもこれに限定されず、酸化物半導体から形成されうる。例えば、Ｇ−Ｉ−Ｚ−Ｏ層［ａ（Ｉｎ２Ｏ３）ｂ（Ｇａ２Ｏ３）ｃ（ＺｎＯ）層］（ａ、ｂ、ｃは、それぞれａ≧０、ｂ≧０、ｃ＞０の条件を満足する実数）でありうる。このように、第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂを酸化物半導体から形成する場合には、透光度をさらに高めうる。
【００３７】
第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂを覆うように、ゲート絶縁膜２１３がバッファ膜２１１上に形成される。ゲート絶縁膜２１３上に第１ゲート電極２１４ａ及び第２ゲート電極２１４ｂが形成される。
【００３８】
第１ゲート電極２１４ａ及び第２ゲート電極２１４ｂを覆うように、層間絶縁膜２１５が形成される。当該層間絶縁膜２１５上には、第１ソース電極２１６ａと第１ドレイン電極２１７ａ、及び第２ソース電極２１６ｂと第２ドレイン電極２１７ｂが形成され、それぞれ第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂとコンタクトホールを通じてコンタクトされる。
【００３９】
図８に示したように、スキャンラインＳは、第１ゲート電極２１４ａ及び第２ゲート電極２１４ｂの形成時に形成されうる。そして、データラインＤは、第１ソース電極２１６ａ形成時に第１ソース電極２１６ａと連結されるように形成されうる。駆動電源ラインＶは、第２ソース電極２１６ｂ形成時に、第２ソース電極２１６ｂと連結されるように形成されうる。
【００４０】
キャパシタＣｓｔにおいて、下部電極２２０ａは、第１ゲート電極２１４ａ及び第２ゲート電極２１４ｂの形成時に形成される。上部電極２２０ｂは、第１ドレイン電極２１７ａ時に形成される。
【００４１】
前記のようなＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及びＴＲ２の構造は、必ずしもこれに限定されず、多様な形態のＴＦＴ及びキャパシタの構造が適用可能である。
【００４２】
パッシベーション膜２１８は、ＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及びＴＲ２を覆うように形成される。パッシベーション膜２１８は、上面が平坦化された単一または複数層の絶縁膜となりうる。このパッシベーション膜２１８は、無機物及び／または有機物から形成されうる。
【００４３】
パッシベーション膜２１８上には、図７及び図８に示したように、画素電極２２１は、ＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及びＴＲ２を覆うように形成される。画素電極２２１は、パッシベーション膜２１８に形成されたビアホールによってＴＲ２のドレイン電極２１７ｂに連結される。各画素電極２２１は、図７に示したように、相互独立したアイランド状に形成される。
【００４４】
パッシベーション膜２１８上には、画素電極２２１のエッジを覆うように、画素定義膜２１９が形成される。画素電極２２１上には、有機発光層２２３と対向電極２２２とが順次積層される。対向電極２２２は、全体画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとにわたって形成される。
【００４５】
有機発光層２２３は、低分子または高分子有機膜から形成されうる。低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）が単一あるいは複合の構造として積層されて形成される。使用可能な有機材料としては、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）等が適用可能である。これらの低分子有機膜は、真空蒸着の方法により形成されうる。この時、ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＴＬ、及びＥＩＬは、共通層であって、赤、緑、青色のピクセルに共通に適用されうる。したがって、図７とは異なり、これらの共通層は、対向電極２２２のように、全体画素領域ＰＡ及び透過領域ＴＡを覆うように形成されうる。
【００４６】
画素電極２２１は、アノード電極としての機能を有し、対向電極２２２は、カソード電極としての機能を有するが、もちろん、これらの画素電極２２１と対向電極２２２との極性は、相互逆になってもよい。
【００４７】
本発明の一実施形態によれば、画素電極２２１は反射電極でもよく、対向電極２２２は透明電極でもよい。画素電極２２１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物から形成された反射膜、及び仕事関数の高いＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３を含みうる。また、対向電極２２２は、仕事関数の小さい金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａから形成されうる。したがって、有機発光部２１は、対向電極２２２の方向に画像を具現する前面発光型となる。
【００４８】
このように、画素電極２２１が反射電極で備えられる場合、その下部に配された画素回路部は、画素電極２２１によって覆われた状態となり、これにより、図７に示したように、対向電極２２２の上部の外側で、画素電極２２１の下部の第１のＴＦＴであるＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及び第２のＴＦＴであるＴＲ２の各パターンとスキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶの一部は、ユーザにより視認されない。したがって、これらを構成する各導電パターンによって外部イメージの歪曲が発生せず、鮮明な透過イメージを達成できる。
【００４９】
しかし、本発明は、必ずしもこれに限定されず、画素電極２２１も、透明電極から形成されうる。この場合、仕事関数の高いＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３から形成されうる。このように、画素電極２２１が透明な場合、対向電極２２２の上部の外側から画素電極２２１の下部のＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及びＴＲ２の各パターンとスキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶの一部が視認されうる。しかし、画素電極２２１が透明であるとしても、透光率は１００％ではないので、透過される光に損失が発生し、透光率が低減される。また、導電パターンが画素電極２２１の領域内に配されることにより、画素電極２２１によって外光の透光率がさらに低下する。しかし、これらの導電パターンに直接外光が入射されて外光との干渉効果が発生する時よりも、上述のように透光率が低減される時の方が、透過イメージの歪曲現象が低減され、より鮮明な透過イメージを達成できる。
【００５０】
パッシベーション膜２１８、ゲート絶縁膜２１３、層間絶縁膜２１５及び画素定義膜２１９は、透明な絶縁膜で形成することが望ましい。この時、基板１は、絶縁膜の有する全体的な透過率より大きいか、または同じ透過率を有する。
【００５１】
パッシベーション膜２１８は、第１絶縁膜に相当する。そして、前述したゲート絶縁膜２１３、層間絶縁膜２１５及び画素定義膜２１９は、第２絶縁膜に相当する。
【００５２】
一方、本発明において、透過領域ＴＡの透光率をさらに高め、透過領域ＴＡで多層の透明な絶縁膜による光干渉現象及びこれによる色純度低下と色変化とを防止するために、透過領域ＴＡに対応する少なくとも一部領域で、絶縁膜のうち少なくとも一部の絶縁膜に開口２２９を形成する。
【００５３】
本実施形態において、透過領域ＴＡの外光の透過率を高めるためには、透過領域ＴＡの面積を増加するか、または透過領域ＴＡに形成される材料の透過率を高めなければならない。しかし、透過領域ＴＡの面積を増やすことは、画素回路部ＰＣの設計に対する制約となるので、透過領域ＴＡに形成される材料の透過率を高めることが重要となる。しかし、材料自体の透過率を高めることは、材料開発の制約により限界がある。
【００５４】
このため、本実施形態においては、透過領域ＴＡに対応する少なくとも一部領域で、絶縁膜のうち少なくとも一部の絶縁膜に開口２２９を形成する。
【００５５】
図８に示したように、画素回路部ＰＣを覆うパッシベーション膜２１８に第１開口２２４を形成し、パッシベーション膜２１８上の画素定義膜２１９に第２開口２２５を形成する。そして、層間絶縁膜２１５には、第３開口２２６を、ゲート絶縁膜２１３には、第４開口２２７をそれぞれ形成する。第１開口２２４ないし第４開口２２７は、相互連結させて開口２２９を形成することが望ましい。
【００５６】
このような開口２２９は、各絶縁膜の形成時、マスクを利用して形成することによって絶縁膜を形成することなく形成することもでき、ウェットエッチング工程やその他のパターニング方法によって除去して形成できる。
【００５７】
開口２２９は、スキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶと接触しない範囲内で可能な限り広く形成されることが望ましい。
【００５８】
図８で、バッファ膜２１１には、開口を形成しなかったが、これは、基板１の外側から浸透しうる不純物を遮断するためであり、図９に示したように、場合によっては、バッファ膜２１１に第５開口２２８を形成して第４開口２２７と連結させうる。
【００５９】
第６開口２２９は、必ずしも図８及び図９に示された例に限定されず、透過領域ＴＡの絶縁膜、すなわち、画素定義膜２１９、パッシベーション膜２１８、層間絶縁膜２１５、ゲート絶縁膜２１３及びバッファ膜２１１のうち少なくとも一つに形成された開口により構成されうる。
【００６０】
このように、透過領域ＴＡに第６開口２２９を形成することによって、透過領域ＴＡでの透光度をさらに高め、これにより、ユーザの透過イメージの視認性がさらに向上されうる。
【００６１】
本実施形態は、添付した図面に示された一実施形態を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によって決定されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、表示装置関連の技術分野に好適に適用可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１  基板、
２  ディスプレイ部、
１１  第１面、
２１  有機発光部、
２３  密封基板、
２５  空間。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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