(57)【要約】【課題】簡易な方法で、ガス中のフタル酸ジアルキルを検出できるガスセンサ及びガス検出方法を提供する。【解決手段】メソポーラスシリカを充填した捕集カラム１と、捕集カラム１を加熱する加熱装置２と、ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子４と、センサ素子４の電気抵抗値を測定する検出器５と、測定すべき空間から採取された空気を試料ガスとして、捕集カラム１に流通させると共に、同空気を脱離用ガスとして、捕集カラム１及び前記センサ素子４に流通させる空気流通手段とを備えているガスセンサを用いてガス中のフタル酸ジアルキルを検出する。【選択図】図１
2011237308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気中のフタル酸ジアルキルを検出するためのガスセンサであって、
比表面積が３００ｍ２／ｇ以上、平均細孔径が１．５ｎｍ以上のメソポーラスシリカを充填した捕集カラムと、
前記捕集カラムを加熱する加熱装置と、
ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子と、
前記センサ素子の電気抵抗値を測定する検出器と、
測定すべき空間から採取された空気を試料ガスとして、前記捕集カラムに流通させると共に、同空気を脱離用ガスとして、前記捕集カラム及び前記センサ素子に流通させる空気流通手段とを備えていることを特徴とするガスセンサ。
【請求項２】
前記捕集カラムに前記空気を所定の流速で所定時間流通させた後、前記加熱手段を作動して前記捕集カラム内の雰囲気温度を２５０〜４５０℃に調整すると共に、前記空気の流速を前記流速よりも低下させて、前記捕集カラムを通して前記検出器に流通させるように構成されている、請求項１記載のガスセンサ。
【請求項３】
ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、前記センサ素子とは異なる径の細孔を持ったシリカマスクが形成された別のセンサ素子、及び／又は、ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面にシリカマスクを有さないセンサ素子を更に備え、
前記検出器は、各センサ素子の電気抵抗値を測定するように構成されている、請求項１又は２に記載のガスセンサ。
【請求項４】
前記金属酸化物は、ＳｎＯ２に触媒を担持させたものである、請求項１〜３のいずれか１つに記載のガスセンサ。
【請求項５】
前記シリカマスクが形成されたセンサ素子は、前記金属酸化物の表面に、脂肪族アルデヒド類、脂肪族カルボン酸類、芳香族アルデヒド類及び芳香族カルボン酸類から選ばれる鋳型形成用化合物を、単分子層未満の吸着密度で吸着させた後に、シリカ前駆体分子を蒸着し、これをシリカに加水分解してシリカマスクを形成してなるものである、請求項１〜４のいずれか１項に記載のガスセンサ。
【請求項６】
空気中のフタル酸ジアルキルを検出するためのガス検出方法であって、
比表面積が３００ｍ２／ｇ以上、平均細孔径が１．５ｎｍ以上のメソポーラスシリカを充填した捕集カラムと、
前記捕集カラムを加熱する加熱装置と、
ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子と、
前記センサ素子の電気抵抗値を測定する検出器とを用い、
測定すべき空間から採取された空気を試料ガスとして、前記捕集カラムに所定の流速で所定時間流通させた後、前記捕集カラム内の雰囲気温度を２５０〜４５０℃に調整すると共に、前記空気の流速を前記流速よりも低下させて、前記捕集カラムを通して前記センサ素子に流通させ、該センサ素子の電気抵抗値を測定して該試料ガス中のフタル酸ジアルキルを検出することを特徴とするガス検出方法。
【請求項７】
ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、前記センサ素子とは異なる径の細孔を持ったシリカマスクが形成された別のセンサ素子、及び／又は、ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面にシリカマスクを有さないセンサ素子を更に用い、
各センサ素子に試料ガスを供給して、各センサ素子の電気抵抗値を測定する、請求項６に記載のガス検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス中のフタル酸ジアルキルを検出するためのガスセンサ及びガス中のフタル酸ジアルキルの検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガスセンサの一つとして、ＳｎＯ２をセンサ素子として使用したガスセンサが知られている。ＳｎＯ２の電気抵抗は、酸素雰囲気中で２５０〜５００℃に加熱すると、ＳｎＯ２の粒子表面に酸素を活性化吸着して高抵抗化するが、還元性ガス（有機物質）中では、吸着酸素が除去されて抵抗値が減少する。このような性質を利用して、ＳｎＯ２をセンサ素子として使用したガスセンサは、ＬＰガスや都市ガス等のガス漏れ警報器用に利用されている。
【０００３】
ところで、フタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）やフタル酸ジブチル（ＤＢＰ）などのフタル酸ジアルキルは、化成品や電子部品等の製造工程における可塑剤として多用されている。主に加工精度が数十ｎｍオーダーの電子素子製造工程では、クリーンルーム内にフタル酸ジアルキルが混在していると製品不良の原因となる恐れがあるので、クリーンルームを換気して、クリーンルーム内にフタル酸ジアルキルが混在しないようにしている。
【０００４】
しかしながら、クリーンルームに限らず、フタル酸ジアルキルは、トルエン等の他の揮発性有機化合物と共存していることが多い。ＳｎＯ２は、あらゆる還元性ガスに対して応答するので、種々の成分が混在したガスから、特定のガス成分、例えばフタル酸ジアルキルのみを検出することは困難であった。
【０００５】
このため、種々の成分が混在したガスから、特定成分の有無を検出するにあたり、従来より、試料ガスを捕集剤に接触させて検出すべきガス成分を捕集して濃縮し、その後、窒素ガス等の不活性ガスを流通させながら捕集剤を加熱して、捕集したガス成分を捕集剤から脱離させ、ガスクロマトグラフなどの分析機器に供してその成分や濃度を分析していた。
【０００６】
しかしながら、ガスクロマトグラフ等の分析機器を用いる方法では、分析に時間を要するので、リアルタイムでの検出が困難であった。
【０００７】
例えば、下記特許文献１には、検出すべきガス成分を捕集剤に吸着させた後、捕集剤を加熱して捕集剤から検出すべきガス成分を発散させて、検出すべきガス成分が濃縮されたガスを、ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面に所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子に試料ガスを供給し、センサ素子の電気抵抗値を測定して、ガス中のフタル酸ジアルキルを検出するガス検出方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−５４２０５号公報（請求の範囲、段落番号００４０〜００４６）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
フタル酸ジアルキル等の揮発性有機化合物の捕集剤として、従来より、「ＴＥＮＡＸ−ＴＡ」（商品名、株式会社ジーエルサイエンス製、２，６−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎ  ｏｘｉｄｅ）等の高分子系粒子、活性炭、グラスウールなどが使用されている。上記特許文献１においても、かかる捕集剤を使用している。
【００１０】
しかしながら、「ＴＥＮＡＸ−ＴＡ」等の高分子系粒子や活性炭は、耐熱性が低く、酸素の存在下で加熱すると捕集剤自体が熱分解したり、燃焼する問題があった。このため、捕集剤を加熱する際には、流路を切り換えて不活性ガスを通じる必要があり、不活性ガスの供給のための仕掛け（ボンベ、マスフロー弁など）や、流路の切替のための仕掛け（コックなど）が必要となり、装置構成が複雑化する問題があった。更には、窒素ガスボンベ等の不活性ガス源を用意する必要があった。
【００１１】
また、グラスウールは、耐熱性はあるものの、フタル酸ジアルキル等の吸着力が低く、フタル酸ジアルキルを十分に濃縮できないことがあった。
【００１２】
したがって、本発明の目的は、簡単な装置構成で、低濃度のフタル酸ジアルキルを選択的に検出できるガスセンサ及びガス検出方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、種々の検討の結果、メソポーラスシリカは、耐熱性があり、フタル酸ジアルキルの吸着性に優れ、更には、吸着したフタル酸ジアルキルを比較的低温で脱離できることを見出し、本発明に至った。
【００１４】
すなわち、本発明のガスセンサは、ガス中のフタル酸ジアルキルを検出するためのガスセンサであって、比表面積が３００ｍ２／ｇ以上、平均細孔径が１．５ｎｍ以上のメソポーラスシリカを充填した捕集カラムと、前記捕集カラムを加熱する加熱装置と、ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子と、前記センサ素子の電気抵抗値を測定する検出器と、測定すべき空間から採取された空気を試料ガスとして、前記捕集カラムに流通させると共に、同空気を脱離用ガスとして、前記捕集カラム及び前記センサ素子に流通させる空気流通手段とを備えていることを特徴とする。
【００１５】
上記メソポーラスシリカは、フタル酸ジアルキルの吸着性に優れ、更には、吸着したフタル酸ジアルキルを比較的低温で脱離できるので、フタル酸ジアルキルを酸化分解することなく、メソポーラスシリカが吸着したフタル酸ジアルキルのほぼ全量を脱離できる。このため、フタル酸ジアルキルを効率よく濃縮してセンサ素子に供給できる。
また、このメソポーラスシリカは、耐熱性に優れるので、メソポーラスシリカが吸着したガス成分をメソポーラスシリカから脱離するに際し、脱離用ガスとして窒素ガス等の不活性ガスを用いる必要がない。すなわち、測定すべき空間から採取された空気を脱離用ガスとして使用できる。このため、窒素ボンベなどを別途用意する必要がなく、更には、配管経路などをより簡略化できる。
そして、このガスセンサに用いるセンサ素子は、ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されてなるものなので、該センサ素子にフタル酸ジアルキルを含む試料ガスを供給すると、フタル酸ジアルキルは、ベンゼン環から伸びた比較的長い側鎖部分を有しているため、該側鎖部分がセンサ素子表面の細孔を通ってＳｎＯ２の表面に到達する。一方、フタル酸ジアルキルの側鎖部分よりも嵩高となる分子（例えばアセトンなど）や、短い側鎖の分子（例えばトルエンなど）は、シリカマスクによってＳｎＯ２の表面との接触が遮られる。このため、センサ素子に試料ガスを供給し、該センサ素子の電気抵抗値を測定することにより、フタル酸ジアルキルを選択的に検出できる。
このように、本発明のガスセンサによれば、試料ガス中のフタル酸ジアルキルを濃縮してセンサ素子に供給するので、試料ガス中のフタル酸ジアルキルが極微量であっても、フタル酸ジアルキルの有無を、短時間で、かつ、精度良く検出できる。
【００１６】
本発明のガスセンサは、前記捕集カラムに前記空気を所定の流速で所定時間流通させた後、前記加熱手段を作動して前記捕集カラム内の雰囲気温度を２５０〜４５０℃に調整すると共に、前記空気の流速を前記流速よりも低下させて、前記捕集カラムを通して前記検出器に流通させるように構成されていることが好ましい。捕集カラム内の雰囲気温度を２５０〜４５０℃に調整することにより、メソポーラスシリカに吸着されたフタル酸ジアルキルをほぼ完全に脱離できる。そして、メソポーラスシリカからフタル酸ジアルキルを脱離する際の空気の流速を遅くすることにより、フタル酸ジアルキルの濃縮率をより高めることができるので、フタル酸ジアルキルの検出精度が向上する。
【００１７】
本発明のガスセンサは、ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、前記センサ素子とは異なる径の細孔を持ったシリカマスクが形成された別のセンサ素子、及び／又は、ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面にシリカマスクを有さないセンサ素子を更に備え、前記検出器は、各センサ素子の電気抵抗値を測定するように構成されていることが好ましい。この態様によれば、それぞれのセンサ素子の感度を比較することで、検出対象ガス中の主成分の推定や、特定のアルキル側鎖を有するフタル酸ジアルキルの有無などを推定できる。
【００１８】
本発明のガスセンサの前記金属酸化物は、ＳｎＯ２に触媒を担持させたものであることが好ましい。ＳｎＯ２に触媒を担持させることで、有機物の酸化活性が向上することからフタル酸ジアルキルに対する感度が向上し、より低濃度のフタル酸ジアルキルを高感度で検出できる。
【００１９】
本発明のガスセンサのシリカマスクが形成されたセンサ素子は、前記金属酸化物の表面に、脂肪族アルデヒド類、脂肪族カルボン酸類、芳香族アルデヒド類及び芳香族カルボン酸類から選ばれる鋳型形成用化合物を、単分子層未満の吸着密度で吸着させた後に、シリカ前駆体分子を蒸着し、これをシリカに加水分解してシリカマスクを形成してなるものであることが好ましい。この態様によれば、金属酸化物の表面に所定の細孔を持ったシリカマスクを簡単に形成することができる。また、細孔のサイズは、鋳型形成用化合物の種類を変えることで容易に制御できるので、フタル酸ジアルキルの検出感度をより向上できる。
【００２０】
また、本発明のガスの検出方法は、空気中のフタル酸ジアルキルを検出するためのガス検出方法であって、比表面積が３００ｍ２／ｇ以上、平均細孔径が１．５ｎｍ以上のメソポーラスシリカを充填した捕集カラムと、前記捕集カラムを加熱する加熱装置と、ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子と、前記センサ素子の電気抵抗値を測定する検出器とを用い、測定すべき空間から採取された空気を試料ガスとして、前記捕集カラムに所定の流速で所定時間流通させた後、前記捕集カラム内の雰囲気温度を２５０〜４５０℃に調整すると共に、前記空気の流速を前記流速よりも低下させて、前記捕集カラムを通して前記センサ素子に流通させ、該センサ素子の電気抵抗値を測定して該試料ガス中のフタル酸ジアルキルを検出することを特徴とする。
【００２１】
本発明のガス検出方法は、ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、前記センサ素子とは異なる径の細孔を持ったシリカマスクが形成された別のセンサ素子、及び／又は、ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物の表面にシリカマスクを有さないセンサ素子を更に用い、各センサ素子に試料ガスを供給して、各センサ素子の電気抵抗値を測定することが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、試料ガス中のフタル酸ジアルキルが極微量であっても、簡単な装置構成で、フタル酸ジアルキルの有無を、短時間で、かつ、精度良く検出できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明のガスセンサの第一の実施形態を示す概略図である。
【図２】本発明のガスセンサの第二の実施形態を示す概略図である。
【図３】センサ固定台座の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明のガスセンサは、ガス中のフタル酸ジアルキルを検出するためのガスセンサである。本発明のガスセンサの第一の実施形態について、図１を用いて説明する。
【００２５】
図１に示すガスセンサは、捕集カラム１と、捕集カラム１を加熱する加熱装置２と、センサ本体３とで主に構成されている。すなわち、試料ガスの供給源から伸びた配管Ｌ１が、捕集カラム１のガス導入口に接続している。この捕集カラム１には、加熱装置２が配置されている。捕集カラム１の後段にはセンサ本体３が配置され、配管Ｌ２を介してそれぞれが連結している。センサ本体３のガス排気口には、吸気ポンプＰ１が介装された配管Ｌ３が接続している。
【００２６】
捕集カラム１には、メソポーラスシリカが充填されている。メソポーラスシリカとは、ＳｉＯ２を材質とし、ほぼ均一で規則的な細孔（メソ孔）を持つ多孔質シリカである。メソポーラスシリカは、ＳｉＯ２を材質としてなるもので、耐熱性に優れ、酸素中で加熱されても、熱分解され難い。ただし、無機不純物や、有機不純物などを含んでいると、これらの不純物によって耐熱性が損なわれる傾向にある。このため、本発明において、メソポーラスシリカは、実質的に組成がＳｉＯ２のみからなり、水分以外の不純物含有量が１％以下であるものが好ましく用いられる。
【００２７】
メソポーラスシリカの比表面積は、３００ｍ２／ｇ以上であり、好ましくは８００ｍ２／ｇ以上であり、さらに好ましくは９５０〜１３００ｍ２／ｇである。また、平均細孔径は、１．５ｎｍ以上であり、好ましくは２ｎｍ以上であり、さらに好ましくは２．５〜１０ｎｍである。揮発性有機化合物を効率よく吸着するには、比表面積が大きく、かつ、平均細孔径が大きいことが好ましいが、メソポーラスシリカ以外の物質では一般に比表面積が大きくなるに伴い、平均細孔径が小さくなるので、メソポーラスシリカを用いることが好ましい。そして、メソポーラスシリカの比表面積が３００ｍ２／ｇ以上で、平均細孔径が１．５ｎｍ以上であれば、フタル酸ジアルキル等の揮発性有機化合物を効率よく吸着できる。
【００２８】
なお、本発明において、メソポーラスシリカの比表面積は、７７Ｋにおける窒素吸着等温線からＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）法で算出した値を意味する。また、メソポーラスシリカの平均細孔径は、７７Ｋにおける窒素吸着等温線からＢＪＨ（Ｂａｒｒｅｔｔ−Ｊｏｙｎｅｒ−Ｈａｌｅｎｄａ）法で算出した値を意味する。
【００２９】
このようなメソポーラスシリカの製法は公知であり、例えば、以下の文献等に示されたものなど好ましく用いることができる。例えば、「ＭＣＭ−４１」（Ｃ．Ｔ．Ｋｒｅｓｇｅ，Ｍ．Ｅ．Ｌｅｏｎｏｗｉｃｚ，Ｗ．Ｊ．Ｒｏｔｈ，Ｊ．Ｃ．Ｖａｒｔｕｌｉ，Ｊ．Ｓ．Ｂｅｃｋ，Ｎａｔｕｒｅ，Ｖｏｌ．３５９，７１０（１９９２））、「ＭＣＭ−４８」（米国特許第６０９６２８８号）、「ＦＳＭ−１６」（Ｓ．Ｉｎａｇａｋｉ，Ａ．Ｋｏｉｗａｉ，Ｎ．Ｓｕｚｕｋｉ，Ｙ．Ｆｕｋｕｓｈｉｍａ，Ｋ．Ｋｕｒｏｄａ，Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，ｖｏｌ．６９，１４４９（１９９６））、「ＳＢＡ−１５」（Ｄ．Ｚｈａｏ，Ｊ．Ｆｅｎｇ，Ｑ．Ｈｕｏ，Ｎ．Ｍｅｌｏｓｈ，Ｇ．Ｈ．Ｆｒｅｄｒｉｃｋｓｏｎ，Ｂ．Ｆ．Ｃｈｍｅｌｋａ，Ｇ．Ｄ．Ｓｔｕｃｋｙ，Ｇ．Ｄ．Ｓｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌ．２７９，５４８（１９９８））等が挙げられる。
【００３０】
なお、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２などの、ＳｉＯ２以外の金属酸化物の場合は、揮発性有機化合物を強固に吸着する傾向にあるので、これらの金属酸化物を４５０℃以上に加熱しても、上記金属酸化物に吸着された揮発性有機化合物は、完全に脱離せず、金属酸化物に残存し易かった。また、脱離温度を高くする必要があるため、脱離の際の加熱により、フタル酸ジアルキルが酸化分解することがあった。このため、ＳｉＯ２以外の金属酸化物では、フタル酸ジアルキルを効率よく濃縮できなかった。これに対し、メソポーラスシリカの場合、フタル酸ジアルキルの吸着力が適度であるので、フタル酸ジアルキルの吸放出性に優れ、比較的低温で吸着したフタル酸ジアルキルをほぼ完全に脱離でき、フタル酸ジアルキルを効率よく濃縮できる。
【００３１】
捕集カラム１に併設された加熱装置２は、捕集カラム１内のメソポーラスシリカに吸着されたフタル酸ジアルキルなどの検出すべきガス成分を、メソポーラスシリカから脱離する際に作動させるものである。加熱装置２は、捕集カラム１を加熱できるようなものであればよく、特に限定は無い。例えば、熱風ヒータ、電熱ヒータ等が挙げられる。
【００３２】
この実施形態におけるセンサ本体３は、センサ素子４と、該センサ素子４の電気抵抗値を測定する検出器５と、センサ素子４を加熱する加熱ヒータ６とで構成されている。
【００３３】
上記センサ素子４は、ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物１１の微粒子を固めたものであって、それぞれの金属酸化物１１の微粒子表面に、所定の細孔１２ａを持ったシリカマスク１２が形成されている。
【００３４】
金属酸化物１１は、ＳｎＯ２単独で構成されているものでもよく、ＳｎＯ２に触媒を担持させてなるものでもよい。触媒としては、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕなどが挙げられ、貴金属が好ましく、Ｐｄが特に好ましい。ＳｎＯ２に触媒を担持させることで、有機物の酸化活性が向上してフタル酸ジアルキルに対する感度が向上するので、より低濃度のフタル酸ジアルキルを検出することができる。なかでも、貴金属は、酸化活性の向上効果が高く、特にＰｄは酸化活性の向上効果が高いので、検出感度がより向上する。
【００３５】
シリカマスク１２に形成された細孔１２ａは、フタル酸ジアルキルのベンゼン環から伸びた側鎖部分が通過できる程度の寸法を備えていることが好ましい。細孔１２ａが小さすぎると、フタル酸ジアルキルの検出感度が十分でないことがある。また、細孔１２ａが大きすぎると、フタル酸ジアルキル以外の有機物を検知することがあり、フタル酸ジアルキルを選択的に検出できないことがある。細孔１２ａのサイズは、０．２５〜１．５ｎｍが好ましく、０．４〜１．２ｎｍがより好ましい。
【００３６】
上記センサ素子４は、例えば、特開２０１０−５４２０５の段落番号００２５〜００３１に記載された方法等に基づいて製造することができる。すなわち、まず、金属酸化物の表面に、脂肪族アルデヒド類、脂肪族カルボン酸類、芳香族アルデヒド類及び芳香族カルボン酸類から選ばれる鋳型形成用化合物を単分子層未満の吸着密度で吸着させる。次いで、シリカ前駆体分子を蒸着し、蒸着したシリカ前駆体分子をシリカに加水分解する。その後、鋳型形成用化合物を除去する。このようにして、金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子を製造することができる。この方法によれば、鋳型形成用化合物が金属酸化物の表面から除去されることで、鋳型形成用化合物のサイズや形状に対応した細孔がシリカマスクに形成されるので、鋳型形成用化合物の種類を変えるだけで、細孔のサイズを容易に調整できる。
【００３７】
鋳型形成用化合物としては、金属酸化物１１の表面に吸着された状態での該表面と平行な方向における最大幅が０．５〜１．２ｎｍとなるものが好ましく、ベンズアルデヒド、安息香酸、１‐ナフトアルデヒド、１‐ナフタレンカルボン酸などが挙げられる。なかでも、１‐ナフトアルデヒド又は１‐ナフタレンカルボン酸が特に好ましい。
【００３８】
ベンズアルデヒドを鋳型形成化合物として用いた場合、ベンズアルデヒドのベンゼン環部分の横幅は、ベンゼン環内におけるＣ−Ｃ結合距離を０．１４ｎｍ、Ｃ−Ｈ結合距離を０．１１ｎｍ、Ｈ原子のファンデルワールス半径を０．１２ｎｍとすると、およそ０．７１ｎｍと見積られる。また、ベンゼン環の厚みは０．３７ｎｍであることが知られている。したがって、ベンズアルデヒドを鋳型形成化合物として用いた場合、金属酸化物１１の表面と平行な方向における最大幅がおよそ０．７１ｎｍの大きさの細孔がシリカマスクに形成されると予測される。また、例えばクリーンルーム内において、トルエンはフタル酸ジアルキルと共存した状態で空気中に存在することが多い。しかしながら、例えばベンズアルデヒドを鋳型形成用化合物として用いた場合に形成されるシリカマスクの細孔は、ベンゼン環の大きさに近いため、ベンゼン環は細孔を通り抜けできない。また、トルエンの側鎖（メチル基）は短いので、トルエンは金属酸化物１１の表面に到達し難い。一方、フタル酸ジアルキルの側鎖部分は、比較的長く、嵩も低いため、トルエンよりも金属酸化物１１の表面に到達し易い。また、トルエン以外には、例えばアセトンが存在することがあるが、アセトン分子は中央の炭素原子から３方向にメチル基２つと酸素が枝分かれしており、アルキル基に比べると嵩高い。このため、アセトン分子もシリカマスクの細孔を通り抜けできず、金属酸化物１１の表面に到達し難い。
【００３９】
また、フタル酸ジイソブチル（ＤＩＢＰ）などのような枝分かれしたアルキル側鎖を有するフタル酸ジアルキルの場合においては、鋳型形成用化合物としてベンズアルデヒドを用いると、細孔内での拡散が遅くなり、表面に到達しにくくなることがある。このため、低濃度では感度が低下する場合があるが、１‐ナフトアルデヒドや１‐ナフタレンカルボン酸を鋳型形成用化合物として用いることで、シリカマスクの細孔サイズが大きくなって、これらのフタル酸ジアルキルの細孔内の拡散速度が向上するので、低濃度であってもフタル酸ジアルキルの感度が向上し、検出し易くなる。例えば、１‐ナフトアルデヒドを用いた場合には、金属酸化物１１の表面と平行な方向における最大幅がおよそ０．９５ｎｍの大きさの細孔がシリカマスクに形成されると予測される。
【００４０】
そして、前記最大幅が０．５〜１．２ｎｍとなる鋳型形成用化合物を用いて形成されたシリカマスクであれば、トルエンやアセトン等の有機溶剤との共存下であっても、フタル酸ジアルキルが優先的に金属酸化物１１の表面に到達するので、電気抵抗値の変化を観測することで、フタル酸ジアルキルを選択的に検出できる。
【００４１】
次に、上記ガスセンサを用いた、本発明のガス検出方法について説明する。
【００４２】
まず、試料ガスとして、測定すべき空間から採取した空気を捕集カラム１に導入し、捕集カラム１に充填されたメソポーラスシリカに、試料ガス中のフタル酸ジアルキル等の揮発性有機化合物を吸着させる（吸着工程）。
【００４３】
この吸着工程では、捕集カラム１内の雰囲気温度を、好ましくは２００℃以下とし、より好ましくは２０〜１００℃として、捕集カラム１に試料ガスを導入する。捕集カラム１内の雰囲気温度が上記温度範囲であれば、試料ガスに含まれるフタル酸ジアルキル等の揮発性有機化合物のほぼ全量が、メソポーラスシリカに吸着される。吸着工程の際、捕集カラム１から排出されるガスは、センサ本体３を通って、配管Ｌ３から系外に排気される。ただし、配管Ｌ２に流路切り替えバルブ等を設けて、センサ本体３を通さずに系外に排気してもよい。
【００４４】
吸着工程時では、試料ガスはできるだけ多量に流すことが好ましい。試料ガス中のフタル酸ジアルキル濃度が低濃度であっても、試料ガスを多量に流すことにより、試料ガス中のフタル酸ジアルキルが捕集剤に吸着されるので、実質的な感度を高めることができる。具体的な一例をあげて説明すると、捕集剤１ｍｇあたり２０〜５０ｃｍ３／ｍｉｎ流速で試料ガスを流すことが好ましい。試料ガスの流速が捕集剤１ｍｇあたり５０ｃｍ３／ｍｉｎを超えると、試料ガス中のフタル酸ジアルキルが捕集剤に吸着されずにそのまま通過してしまうことがある。
【００４５】
このようにして、試料ガス中のフタル酸ジアルキル等の揮発性有機化合物を、メソポーラスシリカに吸着した後、加熱装置２を作動して、捕集カラム１を加熱すると共に（脱離工程）、試料ガスを捕集カラム１に導入し、センサ本体３を通過させて配管Ｌ３から系外に排気させる。すなわち、本発明では、試料ガス、すなわち空気を脱離ガスとして用いることができる。なお、この場合、空気をフィルター等に通して浮遊する粒子などを除去して脱離ガスとして用いてもよい。
【００４６】
脱離工程では、捕集カラム１の雰囲気温度が２５０〜４５０℃となるように加熱し、好ましくは３００〜４００℃とし、より好ましくは３２５〜３７５℃とする。脱離工程における捕集カラム１の雰囲気温度が２５０℃未満であると、メソポーラスシリカが吸着した揮発性有機化合物を完全に脱離できないことがある。４５０℃を超えると、フタル酸ジアルキルが酸化分解する恐れがある。
【００４７】
脱離工程では試料ガスの流速は小さいことが好ましい。脱離工程時における試料ガスの流速を小さくすることにより、目的物質であるフタル酸ジアルキル濃度をより高めることができる。具体的な一例をあげて説明すると、捕集剤１ｍｇあたり１〜２０ｃｍ３／ｍｉｎ流速で試料ガスを流すことが好ましい。試料ガスの流速が捕集剤１ｍｇあたり１ｃｍ３／ｍｉｎ未満であると、捕捉剤から脱離したフタル酸ジアルキルをセンサ本体３まで供給できないことがある。
【００４８】
メソポーラスシリカから脱離したガス成分は、脱離ガス（試料ガス）とともにセンサ本体３に導入され、センサ素子４の電気抵抗値を検出器５で測定して、電気抵抗値の変化から、試料ガス中のフタル酸ジアルキルを検出する。
【００４９】
検出対象のフタル酸ジアルキルとしては、特に限定はなく、フタル酸ジメチル（ＤＭＰ）、フタル酸ジエチル（ＤＥＰ）、フタル酸ジブチル（ＤＢＰ）、フタル酸ジイソブチル（ＤＩＢＰ）、フタル酸ジ‐２‐エチルヘキシル（ＤＥＨＰ）、フタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）等が一例として挙げられる。
【００５０】
フタル酸ジアルキルの検出時は、センサ素子４の温度は２５０〜４５０℃とすることが好ましく、３００〜４００℃がより好ましい。センサ素子４の温度が上記範囲であれば、良好な感度が得られる。
【００５１】
ＳｎＯ２は、還元性ガスが接触すると、電気抵抗値に変化が生じる。フタル酸ジアルキルは、ベンゼン環から伸びた比較的長い側鎖部分を有しているので、該側鎖部分はシリカマスクの細孔を通って金属酸化物の表面に到達する。一方、フタル酸ジアルキルの側鎖部分よりも嵩高の分子（例えばアセトンなど）や、短い側鎖の分子（例えばトルエンなど）は、シリカマスクの細孔を通過しにくく、シリカマスクによってＳｎＯ２の表面との接触が遮られ易い。このため、フタル酸ジアルキル以外のガス成分は、シリカマスク１２によって金属酸化物１１の表面への接触が妨げられるので、センサ素子４の電気抵抗値は、フタル酸アルキル以外のガス成分に対しての応答はほとんどなく、トルエンやアセトンなどが共存していても、ガス中のフタル酸ジアルキルを選択的に検出できる。
【００５２】
そして、本発明では、捕集カラム１で、検出すべきガス成分（フタル酸ジアルキル）を濃縮してセンサ本体３に供給するので、試料ガス中のフタル酸ジアルキル濃度が極めて低濃度であっても、感度良く検出することができ、ｐｐｂオーダーでのフタル酸ジアルキルの検出が可能となる。
【００５３】
また、捕集カラム１に充填したメソポーラスシリカは、耐熱性に優れるので、酸素の存在下で加熱しても燃焼し難い。このため、脱離工程において、従来のように不活性ガスを脱離ガスとして用いる必要はなく、試料ガスである空気を脱離ガスとして用いることができるので、不活性ガスボンベなどを別途用意する必要がなく、運転コストを軽減できる。また、吸着工程と脱離工程との切り替え時に、必ずしも流路を切り替える必要がなく、加熱装置２の運転を制御するだけでよいので、装置構成が簡略となる。
【００５４】
本発明のガスセンサの第二の実施形態について、図２を用いて説明する。この実施形態では、センサ本体３’として、ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物１１の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスク１２が形成された第一センサ素子４ａと、ＳｎＯ２を主成分としてなる金属酸化物２１の表面にシリカマスクを有さない第二センサ素子４ｂとを備えている。各センサ素子４ａ，４ｂは、それぞれの基板上に支持されている。そして、第１センサ素子４ａ及び第二センサ素子４ｂは、それぞれの電気抵抗値を測定する検出器５ａ，５ｂが、導線により接続されている。
【００５５】
センサの感度は、物質の種類及び測定温度によって異なるので、第一センサ素子４ａの感度と、第二センサ素子４ｂの感度の比（［第一センサ素子４ａの感度］／［第二センサ素子４ｂの感度］）を指針とし、様々な物質に対する感度の比を予め調べておくことで、検出対象ガス中の主成分を推測することができる。センサ素子の感度としては、例えば、試料ガスの注入前の抵抗をＲａ、注入後の抵抗をＲとして、（Ｒａ／Ｒ−１）で表した値等が用いられる。
【００５６】
なお、第二センサ素子４ｂは、第一センサ素子４ａとは異なる径の細孔を持ったシリカマスクが形成された金属酸化物からなるものであってもよい。例えば、フタル酸ジイソブチル（ＤＩＢＰ）のアルキル側鎖は枝分かれしているので、フタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）に比べ細孔内での拡散速度が遅く、感度が低い傾向にある。このため、前記感度の比から、フタル酸ジイソブチル（ＤＩＢＰ）の有無など、特定のアルキル側鎖を有するフタル酸ジアルキルの有無などを推定できる。
【実施例】
【００５７】
以下、実施例を用いて本発明について更に具体的に説明する。
【００５８】
［センサ素子の製造］
（製造例１−１）
特級２８ｗｔ％アンモニア水（和光純薬工業製）１７１ｃｍ３をイオン交換水で６６０ｃｍ３に希釈したアンモニア水溶液を調製した。次に、特級濃塩酸（和光純薬工業製）１．８５ｃｍ３をイオン交換水４４０ｃｍ３に混合し、１００ｇの特級塩化スズ（ＩＩ）二水和物（和光純薬工業製）を加えて溶かし、塩化スズ水溶液を調製した。この塩化スズ水溶液を攪拌しながら前記アンモニア水溶液を滴下ロートを用いてゆっくり滴下し、生成した懸濁溶液を１日静置し、上澄みを捨ててスズ水酸化物を得た。次に、このスズ水酸化物をイオン交換水１０００ｃｍ３に混合し、攪拌し、１日静置して上澄みを捨てる操作を、上澄み液が硝酸銀水溶液と混合しても白沈が認められなくなるまで行って洗浄した。そして、洗浄処理後のスズ水酸化物を送風乾燥器中で３８３Ｋで２４時間乾燥し、その後マッフル炉を用いて大気中で７７３Ｋで２時間焼成してＳｎＯ２粉末を得た。
得られたＳｎＯ２粉末は、窒素吸着実験を行ったところ、ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）法で算出した比表面積は２０ｍ２ｇ−１であった。また、ＢＪＨ（Ｂａｒｒｅｔｔ−Ｊｏｙｎｅｒ−Ｈａｌｅｎｄａ）法で算出した平均メソ細孔直径は２１ｎｍであった。なお、窒素吸着実験は、試料約５０ｍｇを日本ベル製吸着実験装置（製品名「ＢＥＬＳｏｒｐ  Ｍｉｎｉ」）の試料管にセットし、６７３Ｋで１時間真空脱気後、７７Ｋで圧力０〜１０５Ｐａにおける窒素の平衡吸着量を測定した。
上記ＳｎＯ２粉末の３ｍｇを、０．１ｃｍ３の特級エタノール（和光純薬工業製）に懸濁させ、スラリー状にした。そして、図３に示す、アルミナ板からなる固定台３１に、孔３３を通して巻き付けられた直径０．１ｍｍの２本の白金線３２をまたぐように前記懸濁スラリーを塗布し、酸素流（大気圧、５０ｃｍ３ｍｉｎ−１）中で７７３Ｋで２時間焼成して、センサ素子材料を得た。固定台３１の各部分の寸法は、図示する通りである。
上記センサ素子材料を、内径１８ｍｍのガラス管内で酸素流（大気圧、５０ｃｍ３ｍｉｎ−１）中で７７３Ｋで１時間焼成した。次に、液体窒素トラップを用いて脱水精製したヘリウム（大気圧、５０ｃｍ３ｍｉｎ−１）を流通させ、４２３Ｋに保ち、上流に設置した注入口（ヒーターで４７３Ｋに加熱）から特級ベンズアルデヒド（和光純薬工業製）の液体１ｍｍ３を注入した。ベンズアルデヒドは瞬時に気化して蒸気となってＳｎＯ２の表面に接触した。ベンズアルデヒドの注入を８回繰り返した後、４７３Ｋでヘリウム流にテトラメトキシシラン（東京化成工業製）の蒸気３６０Ｐａを混入させて１時間供給し、Ｓｉ成分を蒸着させた。４７３Ｋで酢酸（特級，和光純薬工業製）−イオン交換水のモル比１：１の混合溶液を注入口から５ｍｍ３ずつ８回注入し、気化させてＳｎＯ２と接触させた。４７３Ｋでベンズアルデヒドの注入を３回繰り返した後、４７３Ｋでヘリウム流にテトラメトキシシランの蒸気３６０Ｐａを混入させて１時間供給し、Ｓｉ成分を蒸着させた。その後、６７３Ｋで酸素流（大気圧、５０ｃｍ３ｍｉｎ−１）中で１．５時間焼成して、製造例１−１のセンサ素子を得た。
得られたセンサ素子上のシリカ修飾ＳｎＯ２粉末は、ＳｎＯ２の表面に、ベンズアルデヒドを鋳型とする細孔が、表面積１ｎｍ２あたり、およそ０．５個生成されていた。また、ベンズアルデヒドのベンゼン環部分の横幅は、およそ０．７１ｎｍと見積もられる。また、ベンゼン環の厚みは０．３７ｎｍであることが知られている。したがって、ベンズアルデヒドは、ＳｎＯ２の表面に吸着された状態での該表面と平行な方向における最大幅は、およそ０．７１ｎｍと見積もられる。よって、このシリカ修飾ＳｎＯ２粉末は、水平方向に０．７１ｎｍ，紙面の奥行き方向に０．３７ｎｍの大きさを持つ細孔が形成されていると予測される。またこの条件ではシリカ層の厚さはＳｉとＯ原子の１組分となることがわかっているので、シリカマスクの厚さは、Ｓｉの共有結合半径０．１２ｎｍ、Ｏの共有結合半径０．０７ｎｍの和の２倍に当たる０．３８ｎｍと見積もられる。
【００５９】
（製造例１−２）
Ｐｄ（ＮＨ３）４Ｃｌ２・Ｈ２Ｏ（Ａｌｄｒｉｃｈ製）０．１２１ｇをイオン交換水で希釈して５０ｃｍ３とし、得られた溶液の２ｃｍ３を、製造例１−１で調製したＳｎＯ２粉末１ｇと混合し、ビーカー中で加熱して水を蒸発させ、乾固した固体を４５３Ｋで４時間乾燥させてＰｄ／ＳｎＯ２粉末を得た。このＰｄ／ＳｎＯ２粉末は、Ｐｄ原子が１ｎｍ２あたり、およそ０．３個配置されていた。
上記Ｐｄ／ＳｎＯ２粉末の３ｍｇを、０．１ｃｍ３の特級エタノール（和光純薬工業製）に懸濁させ、スラリー状にした。そして、図３に示す、アルミナ板からなる固定台３１に、孔３３を通して巻き付けられた直径０．１ｍｍの２本の白金線３２をまたぐように前記懸濁スラリーを塗布し、酸素流（大気圧、５０ｃｍ３ｍｉｎ−１）中で７７３Ｋで２時間焼成して、センサ素子材料を得た。固定台３１の各部分の寸法は、図示する通りである。
上記センサ素子材料を、内径１８ｍｍのガラス管内で酸素流（大気圧、５０ｃｍ３ｍｉｎ−１）中で７７３Ｋで１時間焼成した。次に、液体窒素トラップを用いて脱水精製したヘリウム（大気圧、５０ｃｍ３ｍｉｎ−１）を流通させ、３４３Ｋに保ち、上流に設置した注入口（ヒーターで４７３Ｋに加熱）から一級１‐ナフトアルデヒド（和光純薬工業製）の液体１ｍｍ３を注入した。１‐ナフトアルデヒドは瞬時に気化して蒸気となってＰｄ／ＳｎＯ２の表面に接触した。１‐ナフトアルデヒドの注入を８回繰り返した後、４７３Ｋでヘリウム流にテトラメトキシシラン（東京化成工業製）の蒸気３６０Ｐａを混入させて１時間供給し、Ｓｉ成分を蒸着させた。４７３Ｋで酢酸（特級，和光純薬工業製）−イオン交換水のモル比１：１の混合溶液を注入口から５ｍｍ３ずつ８回注入し、気化させて接触させた。４７３Ｋで１‐ナフトアルデヒドの注入を３回繰り返した後、４７３Ｋでヘリウム流にテトラメトキシシランの蒸気３６０Ｐａを混入させて１時間供給し、Ｓｉ成分を蒸着させた。その後、６７３Ｋで酸素流（大気圧、５０ｃｍ３ｍｉｎ−１）中で１．５時間焼成して、製造例１−２のセンサ素子を得た。
得られたセンサ素子上のシリカ修飾Ｐｄ／ＳｎＯ２粉末は、ＳｎＯ２からなる金属酸化物の表面に、１‐ナフトアルデヒドを鋳型とする細孔が、表面積１ｎｍ２あたり、およそ０．５個生成されていた。また、１‐ナフトアルデヒドは、ＳｎＯ２の表面に吸着された状態での該表面と平行な方向における最大幅がおよそ０．９５ｎｍと見積もられる。また、ベンゼン環の厚みは０．３７ｎｍであることが知られている。したがって、上記シリカ修飾Ｐｄ／ＳｎＯ２粉末は、水平方向に０．９５ｎｍ，紙面の奥行き方向に０．３７ｎｍの大きさを持つ細孔が形成されたと予測される。またこの条件ではシリカ層の厚さはＳｉとＯ原子の１組分となることがわかっているので、シリカマスクの厚さは、Ｓｉの共有結合半径０．１２ｎｍ、Ｏの共有結合半径０．０７ｎｍの和の２倍に当たる０．３８ｎｍと見積もられる。
【００６０】
（製造例１−３）
製造例１−２で調製したセンサ素子材料を、内径１８ｍｍのガラス管内で酸素流（大気圧、５０ｃｍ３ｍｉｎ−１）中で７７３Ｋで１時間焼成した。次に、液体窒素トラップを用いて脱水精製したヘリウム（大気圧、５０ｃｍ３ｍｉｎ−１）を流通させ、４２３Ｋに保ち、上流に設置した注入口（ヒーターで４７３Ｋに加熱）から特級ベンズアルデヒド（和光純薬工業製）の液体１ｍｍ３を注入した。ベンズアルデヒドは瞬時に気化して蒸気となってＳｎＯ２の表面に接触した。ベンズアルデヒドの注入を８回繰り返した後、４７３Ｋでヘリウム流にテトラメトキシシラン（東京化成工業製）の蒸気３６０Ｐａを混入させて１時間供給し、Ｓｉ成分を蒸着させた。４７３Ｋで酢酸（特級，和光純薬工業製）−イオン交換水のモル比１：１の混合溶液を注入口から５ｍｍ３ずつ８回注入し、気化させてＳｎＯ２と接触させた。４７３Ｋでベンズアルデヒドの注入を３回繰り返した後、４７３Ｋでヘリウム流にテトラメトキシシランの蒸気３６０Ｐａを混入させて１時間供給し、Ｓｉ成分を蒸着させた。その後、６７３Ｋで酸素流（大気圧、５０ｃｍ３ｍｉｎ−１）中で１．５時間焼成して、製造例１−３のセンサ素子を得た。
得られたセンサ素子上のシリカ修飾ＳｎＯ２粉末は、ＳｎＯ２の表面に、ベンズアルデヒドを鋳型とする細孔が、表面積１ｎｍ２あたり、およそ０．５個生成されていた。
【００６１】
［メソポーラスシリカの製造］
（製造例２）
「Ｋ．Ｏｋｕｍｕｒａ，Ｋ．Ｎｉｓｈｉｇａｋｉ，Ｍ．Ｎｉｗａ，Ｍｉｃｒｏｐｏｒｏｕｓ  ａｎｄ  Ｍｅｓｏｐｏｒｏｕｓ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ｖｏｌ．４４−４５（２００１）５０９」に記載された方法に基づいてメソポーラスシリカを調製した。
すなわち、３４．８ｇのコロイダルシリカＨＳ−４０（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製造販売）を１６９．６ｇの水に溶解させ，０．６６９ｇの２８％アンモニア水、４．６８ｇの水酸化ナトリウム、１３．１２ｇのテトラデシルトリメチルアンモニウムブロミドを順次添加し、攪拌した。この混合物を密閉容器中で１００℃で１日間加熱した。放冷した後に攪拌しながら混合物のｐＨを測定しつつ、３０ｗｔ％酢酸水溶液を滴下してｐＨが１１となるまで３０ｗｔ％酢酸水溶液を加えた。この、１００℃で１日加熱し、酢酸水溶液を加えてｐＨを１１に保つ、という操作を５回繰り返した。混合物中に生じた固体を濾過、イオン交換水で洗浄、酸素−窒素（モル比１：１，総流量６０ｃｍ３／ｍｉｎ）流中５４０℃で４ｈ焼成し、メソポーラスシリカを得た。
このようにして得られたメソポーラスシリカの比表面積及び平均細孔径を、７７Ｋにおける窒素吸着等温線からＢＥＴ法により測定したところ、比表面積１１００ｍ２／ｇ、平均細孔径３ｎｍであった。
【００６２】
［フタル酸ジオクチルの検出試験］
（実施例１）
図１に示すガスセンサを用いて、フタル酸ジオクチルの検出を行った。なお、センサ素子４としては、製造例１−２のセンサ素子を用いた。また、捕集カラム１としては、内径４ｍｍ，長さ４ｃｍのステンレス管に、製造例２のメソポーラスシリカ（比表面積１１００ｍ２／ｇ、平均細孔径３ｎｍ）を５ｍｇ充填したものを用いた。また、試料ガスとして、フタル酸ジオクチルを０．０９〜７．５ｐｐｂ含む空気を用いた。
試料ガスを、配管Ｌ１から導入し、２５０ｃｍ３／ｍｉｎの流速で、４０分間流通した。この間の捕集カラム１内の雰囲気温度は約７５℃であった。
次に、試料ガスの流速を１００ｃｍ３／ｍｉｎとし、加熱装置２を作動して、捕集カラム１を４２０℃まで加熱し、センサ素子４の応答を調べた。結果を表１に記す。下記表１に示すように、フタル酸ジオクチルを、ｐｐｂレベルでの検出が可能であった。
【００６３】
【表１】
2011237308.tif 000003
【００６４】
（比較例１）
実施例１において、メソポーラスシリカの代わりに、Ａｌ２Ｏ３（平均粒径０．１μｍ、比表面積１５０ｍ２／ｇ、平均細孔径３５ｎｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、フタル酸ジオクチルの検出を行ったところ、センサ素子の応答が見られず、フタル酸ジオクチルを検出できなかった。フタル酸ジオクチルがＡｌ２Ｏ３に強固に吸着されていたため、脱離工程時において、フタル酸ジオクチルがＡｌ２Ｏ３から脱離できなかったためであると推測できる。
【００６５】
（比較例２）
実施例１において、メソポーラスシリカの代わりに、ＺｒＯ２（平均粒径０．２μｍ、比表面積３０ｍ２／ｇ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、フタル酸ジオクチルの検出を行ったところ、センサ素子の応答が見られず、フタル酸ジオクチルを検出できなかった。フタル酸ジオクチルがＺｒＯ２に強固に吸着されていたため、脱離工程時において、フタル酸ジオクチルがＺｒＯ２から脱離できなかったためであると推測できる。
【００６６】
（比較例３）
実施例１において、メソポーラスシリカの代わりに、ＴｉＯ２（平均粒径０．２μｍ、比表面積４０ｍ２／ｇ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、フタル酸ジオクチルの検出を行ったところ、センサ素子の応答が見られず、フタル酸ジオクチルを検出できなかった。フタル酸ジオクチルがＴｉＯ２に強固に吸着されていたため、脱離工程時において、フタル酸ジオクチルがＴｉＯ２から脱離できなかったためであると推測できる。
【符号の説明】
【００６７】
１：捕集カラム
２：加熱装置
３：センサ本体
４：センサ素子
４ａ：第一センサ素子
４ｂ：第二センサ素子
５，５ａ，５ｂ：検出器
６：加熱ヒータ
１１、２１：金属酸化物
１２：シリカマスク
１２ａ：細孔
Ｌ１〜Ｌ３：配管
Ｐ１：吸気ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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