(57)【要約】【課題】  本発明は、ダイボンディング工程やワイヤーボンディング工程において半導体チップとダイパッド面との接着性や半導体チップとボンディングワイヤーとの接着性を低下させる虞を抑制しつつ、糊残りの虞をも抑制することができるような半導体製品組立用テープを提供することを目的とする。【解決手段】  耐熱性基材シート面上に粘着層を形成してなる半導体製品組立用テープであって、粘着層は、熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物と酸化防止剤とを含有する粘着層形成用組成物の硬化物である、ことを特徴とする半導体製品組立用テープにより、ダイボンディング工程やワイヤーボンディング工程において半導体チップとダイパッド面との接着性や半導体チップとボンディングワイヤーとの接着性を低下させる虞を抑制しつつ、糊残りの虞をも抑制することができる。【選択図】  図１
2011018767.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱性基材シート面上に粘着層を形成してなる半導体製品組立用テープであって、粘着層は、熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物と酸化防止剤とを含有する粘着層形成用組成物の硬化物である、ことを特徴とする半導体製品組立用テープ。
【請求項２】
粘着層が常温粘着性を有する、請求項１記載の半導体製品組立用テープ。
【請求項３】
粘着層は、ガラス転移温度が３０℃未満であり、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠するボールタック試験で１以上である、請求項１または２に記載の半導体製品組立用テープ。
【請求項４】
熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物は、下記式（１）に示すテトラカルボン酸二無水物ならびに下記式（２）に示すテトラカルボン酸及びテトラカルボン酸の誘導体からなる群より選ばれた１種以上の化合物（Ｑ）と下記式（３）に示す脂肪族ジアミンとを、化合物（Ｑ）のモル数のほうが脂肪族ジアミンのモル数よりも多くなるように配合して加熱反応させてポリイミド（Ａ）となし、ポリイミド（Ａ）と下記式（４）に示す芳香族ジアミンとを加熱反応させてポリイミド（Ｂ）となし、ポリイミド（Ｂ）と下記式（５）に示すビスマレイミド化合物とを混合してなり、
粘着層は、熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物と酸化防止剤を混合してなる粘着層形成用組成物を耐熱性基材シート面上に塗布して形成される塗布膜を加熱して塗布膜に含まれるポリイミド（Ｂ）とビスマレイミド化合物とを架橋重合反応させて形成されるものである、請求項１から３のいずれかに記載の半導体製品組立用テープ
【化１】
2011018767.tif 000018
（Ｒ１は４価の有機基である）
【化２】
2011018767.tif 000019
（Ｒ２は４価の有機基であり、Ｙ１〜Ｙ４は独立した水素または炭素数１〜８の炭化水素基である）
【化３】
2011018767.tif 000020
（Ｒ３は、アミノ基に脂肪族基または脂環基が直接結合している炭素数１〜２２１の２価の有機基であり、その構造の一部に芳香族基、エーテル基、その他の置換基を含んでいてもよい。）
【化４】
2011018767.tif 000021
（Ｒ４は、アミノ基に芳香族環が直接結合している炭素数６〜２７の２価の有機基であり、その構造の一部に脂肪族基、脂環基、その他の置換基を含んでいてもよい。）
【化５】
2011018767.tif 000022
（Ｚは２価の有機基である）
【請求項５】
酸化防止剤は、ヒンダートフェノール誘導体またはベンゾトリアゾール誘導体である、請求項１から４のいずれかに記載の半導体製品組立用テープ。
【請求項６】
粘着層は、熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物と酸化防止剤とを、１００重量部の熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物に対する酸化防止剤の配合量を０．１重量部以上１０重量部以下の範囲にして含有している、請求項１から５のいずれかに記載の半導体製品組立用テープ。
【請求項７】
リードフレームのダイパッド上に半導体チップを固定するダイボンディング工程と、リードフレームのインナーリードとダイパッド上の半導体チップにボンディングワイヤーを接続するワイヤーボンディング行程と、インナーリードと半導体チップとボンディングワイヤーを樹脂材料で被覆する樹脂封止工程とを備える半導体製品の製造方法において用いられるものであり、且つ、ダイボンディング工程の前にリードフレームの一方面に貼り付けられるものであるとともに、樹脂封止工程の後にリードフレームの一方面から剥離されるものである、請求項１から６のいずれかに記載の半導体製品組立用テープ。
【請求項８】
耐熱性基材シートは、２５０℃で１時間加熱前後の重量減少率が５％未満である、請求項１から７のいずれかに記載の半導体製品組立用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製品組立用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器類の小型・薄型・高機能化により各種電子部品の小型・高集積化、電子部品の中でも特に半導体チップを搭載した半導体製品の小型・高集積化、が要請され、この要請に応える半導体チップのパッケージ形態の実現が重要とされている。
【０００３】
半導体チップの高密度実装を実現するパッケージ形態として、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が提案されている。ＣＳＰの中でも、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるパッケージ形態が、小型・高集積化を容易に実現可能な技術である点で特に注目される。
【０００４】
ＱＦＮの製造方法としては、生産性の高さの点で、複数のチップを一括封止するＭＡＰ（Ｍｏｌｄｅｄ  Ａｒｒａｙ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）方式による製造方法が用いられることが多い。この製造方法は、次のようなものである。
【０００５】
リードフレームのパッケージパターン領域に、複数のＱＦＮ用を配置されるダイパッドを所定パターンで整然と配置しあるいは形成する。次に、リードフレームの裏面（ダイパッドの裏面（半導体チップの非当接面となるほうの面））側にマスクキングシートを面あたりにリードフレームに貼り付ける（貼付工程）。そして、そのリードフレームの露出面側のダイパッド上に半導体チップをエポキシ銀ペースト（エポキシ樹脂を樹脂成分とする銀ペースト）による接着などにて搭載する（ダイボンディング工程）。さらに、半導体チップのボンディングパッドとリードフレームのリード部とをボンディングワイヤーにより接続する（ワイヤーボンディング工程）。その後、ボンディングワイヤーを接続された半導体チップは、エポキシ樹脂などの樹脂でリードフレームの表面から封止される（樹脂封止工程）。樹脂封止工程の後、リードフレームに貼着られていたマスクシートが取り除かれる（剥離工程）。最後に、リードフレームを、各パッケージ単位に分割して（カッティングして）個片化し、ＱＦＮが製造される。
【０００６】
マスキングシートについて、ポリイミド系熱可塑性積層フィルムを用いる技術が提案されている（特許文献１）。ところが、この技術では、貼付工程において、リードフレームの面にポリイミド系熱可塑性積層フィルムを当接してなる積層体を、１３０℃から２７０℃程度という比較的高温条件下でプレスすることによって、ポリイミド系熱可塑性積層フィルムがリードフレームの一方面に貼り付けられる。すると、貼付工程においてポリイミド系熱可塑性積層フィルムをリードフレームに均一にプレスすることが重要となる。均一なプレスを行うためには、特別の装置が必要になることから、そのような装置を準備する問題（設備の面の問題）が生じ、さらに作業効率が向上しにくいという問題（作業性の問題）が生じてくる。
【０００７】
また、マスキングシートについては、上記のほかに、耐熱性フィルムにシリコーン系粘着剤を塗布して粘着層を形成したテープ（半導体製品組立用テープ）を用いる技術が提案されている（特許文献２）。この技術では、樹脂封止工程の前に半導体製品組立用テープがリードフレームに貼り付けられており、半導体製品組立用テープの粘着性により、樹脂封止工程時におけるモールドフラッシュが発生するという問題が抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−２４９６１７号公報
【特許文献２】特開２００４−１８６３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、樹脂封止工程の前にあたるダイボンディング工程やワイヤーボンディング工程が実施される前の段階で、この半導体製品組立用テープが面あたりにリードフレームに貼り着けられる場合、ダイボンディング工程やワイヤーボンディング工程が通常高熱条件下で行われる工程であるために、そうした工程において、半導体製品組立用テープの粘着剤であるシリコーン系粘着剤の一部が分解してしまうという問題が新たに生じてしまう。そして、シリコーン系粘着剤の一部が分解した際にシロキサンガスが発生し、これが、ダイボンディング工程やワイヤーボンディング工程を進めるにあたり、半導体チップとダイパッド面との接着性や半導体チップとボンディングワイヤーとの接着性を低下させてしまうという問題が生じる。一方、ダイボンディング工程やワイヤーボンディング工程の実施後に、この半導体製品組立用テープが面あたりにリードフレームに貼り付けられると、その貼り付け時にボンディングワイヤーと半導体チップとの接続が切断される虞があるばかりか、リードフレームのリード部にぐらつきが生じないようにリード部を固定することができず、ワイヤーボンディング工程時にボンディングワイヤーをリード部に効率的に取り付けることができない虞が大きくなる。
【００１０】
こうした問題があるうえで、さらに、シリコーン系粘着剤を用いた半導体製品組立用テープでは、剥離工程において、リードフレームの面に粘着剤の一部が残ってしまう（糊残り）という問題も生じていた。
【００１１】
この糊残りは、半導体製品組立用テープとリードフレームとの接触面領域に不均一に生じることが多く、半導体製品組立用テープとリードフレームの接触面のうち面内方向中央の部分から接触端縁近傍の部分に向かうほど強く生じていた。リードフレームに糊残りが発生すると、ＱＦＮを基板に実装した際に、導通不良を起こす虞が大きいことから、このような糊残りは重要な問題である。
【００１２】
糊残りが発生する原因については、粘着剤の構造など様々な可能性が挙げられてきたが、「ダイボンディング工程やワイヤーボンディング工程といった高温条件下で実施される工程において半導体製品組立用テープの粘着剤の層が熱分解してしまう」ということが、主な原因であると言われてきた。
【００１３】
そこで、粘着剤の耐熱性を向上させることで糊残りを抑制することが研究されてきたが、
それでも、糊残りの発生を抑制できていないのが実情であった。
【００１４】
ところで、半導体製品組立用テープの剥離時の課題となる粘着剤の糊残りとは無関係な研究として、金属の被着体に対する糊を粘着性の向上という粘着時の課題に関する研究が進められてきた。
【００１５】
本発明者は、上記した粘着時の課題に関する研究を進めるために、被着体をなす金属表面の酸化によって被着体と粘着剤との粘着性が影響をうけてしまう虞を排除する手法を検討していた。そして、この手法を検討するなかで、本発明者は、金属からなる被着体の酸化が抑えられた場合には、被着体の金属表面から粘着剤を剥離してもその被着体の金属表面に糊残りが殆ど発生していないこと発見した。
【００１６】
本発明者は、この発見で得られた知見を基礎としつつ、別途、半導体製品組立用テープの剥離時の課題となる粘着剤の糊残りについての研究を行い、半導体製品組立用テープの粘着剤の糊残りの主な原因が、半導体製品組立用テープの粘着層の熱分解よりも酸素による粘着層の酸化にあることを突き止め、本発明を完成するに至った。
【００１７】
本発明は、ダイボンディング工程やワイヤーボンディング工程において半導体チップとダイパッド面との接着性や半導体チップとボンディングワイヤーとの接着性を低下させる虞を抑制しつつ、糊残りの虞をも抑制することができるような半導体製品組立用テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、（１）耐熱性基材シート面上に粘着層を形成してなる半導体製品組立用テープであって、粘着層は、熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物と酸化防止剤とを含有する粘着層形成用組成物の硬化物である、ことを特徴とする半導体製品組立用テープ、
（２）粘着層が常温粘着性を有する、上記（１）記載の半導体製品組立用テープ、
（３）粘着層は、ガラス転移温度が３０℃未満であり、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠するボールタック試験で１以上である、上記（１）または（２）に記載の半導体製品組立用テープ、
（４）熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物は、下記式（１）に示すテトラカルボン酸二無水物ならびに下記式（２）に示すテトラカルボン酸及びテトラカルボン酸の誘導体からなる群より選ばれた１種以上の化合物（Ｑ）と下記式（３）に示す脂肪族ジアミンとを、化合物（Ｑ）のモル数のほうが脂肪族ジアミンのモル数よりも多くなるように配合して加熱反応させてポリイミド（Ａ）となし、ポリイミド（Ａ）と下記式（４）に示す芳香族ジアミンとを加熱反応させてポリイミド（Ｂ）となし、ポリイミド（Ｂ）と下記式（５）に示すビスマレイミド化合物とを混合してなり、粘着層は、熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物と酸化防止剤を混合してなる粘着層形成用組成物を耐熱性基材シート面上に塗布して形成される塗布膜を加熱して塗布膜に含まれるポリイミド（Ｂ）とビスマレイミド化合物とを架橋重合反応させて形成されるものである、上記（１）から（３）のいずれかに記載の半導体製品組立用テープ
【００１９】
【化１】
2011018767.tif 000003
（Ｒ１は４価の有機基である）
【００２０】
【化２】
2011018767.tif 000004
（Ｒ２は４価の有機基であり、Ｙ１〜Ｙ４は独立した水素または炭素数１〜８の炭化水素基である）
【００２１】
【化３】
2011018767.tif 000005
（Ｒ３は、アミノ基に脂肪族基または脂環基が直接結合している炭素数１〜２２１の２価の有機基であり、その構造の一部に芳香族基、エーテル基、その他の置換基を含んでいてもよい。）
【００２２】
【化４】
2011018767.tif 000006
（Ｒ４は、アミノ基に芳香族環が直接結合している炭素数６〜２７の２価の有機基であり、その構造の一部に脂肪族基、脂環基、その他の置換基を含んでいてもよい。）
【００２３】
【化５】
2011018767.tif 000007
（Ｚは２価の有機基である）
（５）酸化防止剤は、ヒンダートフェノール誘導体またはベンゾトリアゾール誘導体である、上記（１）から（４）のいずれかに記載の半導体製品組立用テープ、
（６）粘着層は、熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物と酸化防止剤とを、１００重量部の熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物に対する酸化防止剤の配合量を０．１重量部以上１０重量部以下の範囲にして含有している、上記（１）から（５）のいずれかに記載の半導体製品組立用テープ、
（７）リードフレームのダイパッド上に半導体チップを固定するダイボンディング工程と、リードフレームのインナーリードとダイパッド上の半導体チップにボンディングワイヤーを接続するワイヤーボンディング行程と、インナーリードと半導体チップとボンディングワイヤーを樹脂材料で被覆する樹脂封止工程とを備える半導体製品の製造方法において用いられるものであり、且つ、ダイボンディング工程の前にリードフレームの一方面に貼り付けられるものであるとともに、樹脂封止工程の後にリードフレームの一方面から剥離されるものである、上記（１）から（６）のいずれかに記載の半導体製品組立用テープ、
（８）耐熱性基材シートは、２５０℃で１時間加熱前後の重量減少率が５％未満である、上記（１）から（７）のいずれかに記載の半導体製品組立用テープ、を要旨とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、耐熱性基材シート面上に粘着層を形成してなる半導体製品組立用テープにおいて、粘着層が熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物と酸化防止剤とを含有する粘着層形成用組成物の硬化物であることにより、ダイボンディング工程やワイヤーボンディング工程において半導体チップとダイパッド面との接着性や半導体チップとボンディングワイヤーとの接着性を低下させる虞を抑制しつつ、糊残りの虞をも効果的に抑制することができるような半導体製品組立用テープを得ることができる。
【００２５】
また、「ＱＦＮ等の半導体製品を製造する各工程」は通常酸素不存在の雰囲気下で行われるものではない。この点、本発明によれば、こうした各工程を酸素不存在の雰囲気で実施しなくても、糊残りの虞をも効果的に抑制することができるような半導体製品組立用テープを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の半導体製品組立用テープの実施例の１つを示す断面図である。
【図２】（ａ）リードフレームの１つを模式的に示す平面模式図である。（ｂ）図２（ａ）における領域Ｓの部分を拡大した状態を模式的に示す部分拡大模式図である、（ｃ）図２（ａ）におけるＡ−Ａ線断面を模式的に示す部分断面模式図である。
【図３】（ａ）半導体製品組立用テープをリードフレームに接着する貼付工程を説明するための工程断面図である、（ｂ）ダイボンディング工程を説明するための工程断面図である、（ｃ）ワイヤーボンディング工程を説明するための工程断面図である、（ｄ）樹脂封止工程を説明するための工程断面図である、（ｅ）剥離工程を説明するための工程断面図である、（ｆ）ＱＦＮプロセスによって得られる半導体製品を説明するための断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の半導体製品組立用テープ１は、耐熱性基材シート２面上に粘着層３を形成してなる。
【００２８】
（耐熱性基材シート２）
耐熱性基材シート２は、その融点が「ＱＦＮ等の半導体製品を製造する各工程を実施する際の最も高い処理温度」（工程最高処理温度）を超えるシート材からなる。
【００２９】
耐熱性基材シート２となるシート材は、リードフレームに貼り付ける貼付工程やリードフレームから取り除く剥離工程を容易に実施するためには、柔軟性を有するフィルム材であることが好ましい。また、耐熱性基材シート２をなすフィルム材の厚みは、５μｍから２００μｍの範囲であることが好ましい。ただし、柔軟性を有するフィルム材は、半導体製品を製造する各工程を実施する際の温度範囲で過剰な膨張を生じないものであることが好ましい。このようなフィルム材としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、トリアセチルセルロース、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート等からなるフィルム材が例示されるが、耐熱性に優れる点で、特にポリイミドが好ましい。
【００３０】
耐熱性基材シート２となるシート材は、２５０℃で１時間加熱前後の重量減少率が５％未満であり、ガラス転移点が１５０℃以上であることが好ましく、１８０℃以上であることがより好ましい。また１５０℃から２５０℃における熱膨張係数が５〜５０ｐｐｍ／℃であることが好ましく、１０〜３０ｐｐｍ／℃であることがより好ましい。耐熱性基材シート２が２５０℃で１時間加熱前後の高温加熱時の減少率が低く、重量減少率が５％未満である場合には、ＱＦＮ等の半導体製品を製造する各工程（半導体製品製造工程）を実施する際における高温加熱時に耐熱性基材シート２の分解が抑制されている。耐熱性基材シート２のガラス転移点が１５０℃以上であれば、半導体製品製造工程の高温加熱時に耐熱性基材シート２の軟化を抑制できる。また、耐熱性基材シート２の１５０℃から２５０℃における熱膨張係数が５〜５０ｐｐｍ／℃であることで、半導体製品組立用テープ１の半導体製品製造工程時に加熱が行われた後の冷却にともなう熱収縮を抑え、半導体製品に反りが発生する虞を抑制することができる。
【００３１】
（粘着層３）
粘着層３は、常温粘着性を有する層である。
【００３２】
本明細書において、「常温粘着性を有する」とは、常温（２３℃から３０℃）下でＪＩＳ  Ｚ  ０２３７の貼り付け方法により被着体に貼り付け可能であることを示す。さらに、貼り付け可能とは、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に規定されるＳＵＳ（ステンレス鋼）に対する粘着層３の剥離強度が０．００１（Ｎ／２５ｍｍ）以上であることを示す。なお、粘着層３の剥離強度は、好ましくは０．０１（Ｎ／２５ｍｍ）以上である。
【００３３】
粘着層３は、所望の被着体に対する粘着性が、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に基づくボールタック試験で１以上（ボールナンバーが１以上）であることが、より好ましい。粘着層３が、ボールタック試験法で１以上であるような粘着性を有すると、より確実に常温粘着性を示すこととなる。
【００３４】
粘着性の測定に用いるＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠したボールタック試験は、次のように実施される。
【００３５】
まず、半導体製品組立用テープ（粘着テープ）を幅２５ｍｍ〜５０ｍｍ×長さ１００ｍｍ以上に裁断した試験体を準備する。次に、ボールタック試験機に、粘着面が表面になるようにするとともに粘着面の傾斜角が３０度となるように、試験体をセットする。さらに、ボールタック試験機にセットされた試験体の粘着面のうち所定の測定面内の領域を通過するように鋼球を転がす。このとき、鋼球を転がされる測定面の長さは、１００ｍｍである。また、鋼球は、直径が１／３２インチから１インチまでの大きさのものを用いられるである。そして、これらの鋼球を転がした際に測定面の領域内で停止するような鋼球のうち、最大径のボールナンバーを見出す。ボールナンバーは、鋼球の直径を３２倍することで求められる。ボールナンバーが１以上であれば、粘着面に粘着性が存在し、ボールナンバーが大きいほど、粘着性が強い。
【００３６】
粘着層３は、熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物と酸化防止剤とを含有する粘着層形成用組成物の硬化物であり、耐熱性基材シート２面上に層状に形成されている。
【００３７】
（熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物）
熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物（組成物（Ｋ））は、下記に示す、第１の工程から第３の工程を順次実施して製造されるものである。
【００３８】
すなわち、化合物（Ｑ）と脂肪族ジアミンとを加熱反応（イミド化反応）させてポリイミド（Ａ）を合成する工程（第１の工程）、ポリイミド（Ａ）と芳香族ジアミンとを加熱反応させてポリイミド（Ｂ）を合成する工程（第２の工程）、ポリイミド（Ｂ）とビスマレイミド化合物とを配合して所定の温度下で混合する工程（第３の工程）を実施することで、組成物（Ｋ）が製造される。
【００３９】
（第１の工程について）
第１の工程では、上記したような脂肪族ジアミンと化合物（Ｑ）を無溶剤下で加熱して脂肪族ジアミンと化合物（Ｑ）のイミド化反応を行い、イミド化反応の反応生成物としてポリイミド（Ａ）が合成される。
【００４０】
イミド化反応は、ポリイミド（Ａ）の両末端に酸無水物基またはイミド化可能なジカルボン酸誘導体の官能基を配させるようにする点と、イミド化可能な官能基を有するモノマーである化合物（Ｑ）の残留量を抑制する点で、化合物（Ｑ）のモル数のほうが脂肪族ジアミンのモル数よりも多くなるように配合して実施されることが好ましく、具体的には脂肪族ジアミン１モルに対して化合物（Ｑ）を１モル以上２モル以下の比で配合して実施されることが好ましい。
【００４１】
なお、第１の工程は、各種の有機溶媒中で脂肪族ジアミンと化合物（Ｑ）をイミド化反応させることにて実施されても良い。使用できる有機溶媒としては、特に限定されないが、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスルホン、ｍ−クレゾール、フェノール、ジグライム、トリグライム、テトラグライム、ジオキサン、γ―ブチロラクトン、ジオキソラン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどが使用可能であるが、Ｎ−メチルー２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、γ―ブチロラクトンを単独または併用するのが好ましい。
【００４２】
第１の工程においては、イミド化反応が、１〜１２時間の反応時間、１５０〜２００℃の反応温度という条件下で実施されることが好ましい。
【００４３】
（化合物（Ｑ））
化合物（Ｑ）は、下記式（１）に示すテトラカルボン酸二無水物ならびに下記式（２）に示すテトラカルボン酸及びその誘導体からなる群より選ばれた１種以上の化合物である。
【００４４】
【化６】
2011018767.tif 000008
（Ｒ１は４価の有機基である）
【００４５】
【化７】
2011018767.tif 000009
（Ｒ２は４価の有機基であり、Ｙ１〜Ｙ４は独立して水素または炭素数１〜８の炭化水素基である。）
【００４６】
テトラカルボン酸二無水物としては、脂肪族テトラカルボン酸二無水物が例示できる。また所望の耐熱性を発現させるために必要に応じて例示した芳香族テトラカルボン酸二無水物を使用することも出来る。
【００４７】
脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物などを例示できる。使用するものとして特に限定されるものではないが、好ましくは、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物であり、より好ましくは１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物である。
【００４８】
芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，  ２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）  エーテル二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−（ｐ−フェニレンジオキシ）ジフタル酸二無水物、４，４’−（ｍ−フェニレンジオキシ）ジフタル酸二無水物、エチレンテトラカルボン酸二無水物、３−カルボキシメチル−１，２，４−シクロペンタントリカルボン酸二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物等を挙げる事ができる。
【００４９】
テトラカルボン酸及びその誘導体としては、脂肪族テトラカルボン酸及びその誘導体と、芳香族テトラカルボン酸及びその誘導体、をあげることができる。
【００５０】
脂肪族テトラカルボン酸としては、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸、ビシクロ［２．２．２］オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸、ジシクロヘキシルテトラカルボン酸などが例示される。脂肪族テトラカルボン酸の誘導体としては、上記した脂肪族テトラカルボン酸とアルコール（炭素数１〜８）とのエステルが例示される。
【００５１】
芳香族テトラカルボン酸としては、ピロメリット酸、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エーテル、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、４，４’−（ｐ−フェニレンジオキシ）ジフタル酸、４，４’−（ｍ−フェニレンジオキシ）ジフタル酸、エチレンテトラカルボン酸、３−カルボキシメチル−１，２，４−シクロペンタントリカルボン酸、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン等を挙げることができる。芳香族テトラカルボン酸の誘導体としては、上記した芳香族テトラカルボン酸とアルコール（炭素数１〜８）とのエステルが例示される。
【００５２】
（脂肪族ジアミン）
脂肪族ジアミンは、下記式（３）に示すものである。
【００５３】
【化８】
2011018767.tif 000010
（Ｒ３は、アミノ基に脂肪族基または脂環基が直接結合している炭素数１〜２２１の２価の有機基であり、その構造の一部に芳香族基、エーテル基、その他の置換基を含んでいてもよい。）
【００５４】
したがって、脂肪族ジアミンは、アミノ基に脂肪族基または脂環基が直接結合している分子構造を有するジアミンである。脂肪族ジアミンには、分子構造の一部に芳香族基、エーテル基、その他の置換基を含んでいてもよい。脂肪族ジアミンとしては、ポリオキシアルキレンジアミンを挙げることができるほか、４，４’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、イソホロンジアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ノルボルナンジアミン、パラキシリレンジアミン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ジアミノシクロヘキサン、ヘキサメチレンジアミン、メタキシリレンジアミン、４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）、ビシクロヘキシルジアミン、シロキサンジアミン類などを挙げることができる。脂肪族ジアミンは、熱硬化性ポリイミド樹脂組成物の硬化物を可撓性と粘着性に優れたものとするためには、ポリオキシアルキレンジアミンであることが好ましい。
【００５５】
（第２の工程について）
第２の工程では、ポリイミド（Ａ）に芳香族ジアミンを配合し無溶剤下で加熱してイミド化反応を行うことによりポリイミド（Ｂ）が合成される。
【００５６】
第２の工程では、各種の有機溶媒中でポリイミド（Ａ）と芳香族ジアミンのイミド化反応を実施しても良い。有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスルホン、テトラヒドロフラン、アセトン等を使用できる。また、ｍ−クレゾール、フェノール、ジグライム、トリグライム、テトラグライム、ジオキサン、γ―ブチロラクトン、ジオキソラン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンなども使用可能であるが、Ｎ−メチルー２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトンを単独または併用するのが好ましい。
【００５７】
第２の工程においては、第１の工程と同じく、イミド化反応が、１〜１２時間の反応時間、１５０〜２００℃の反応温度という条件下で実施されることが好ましい。
【００５８】
（芳香族ジアミン）
芳香族ジアミンは、下記式（４）に示すものである。
【００５９】
【化９】
2011018767.tif 000011
（Ｒ４は、アミノ基に芳香族環が直接結合している炭素数６〜２７の２価の有機基であり、その構造の一部に脂肪族基、脂環基、その他の置換基を含んでいてもよい。）
【００６０】
芳香族ジアミンは、アミノ基に芳香族環が直接結合しているジアミンである。芳香族ジアミンとしては、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、２，４−トルエンジアミン、ジアミノベンゾフェノン、２，６−ジアミノナフタレン、１，５−ジアミノナフタレン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、α、α’−ビス（３−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベンゼン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、α、α’―ビス（４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベンゼンおよび２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン等が例示される。この中で耐熱性と粘着性の観点から３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパンが好ましい。
【００６１】
（第３の工程について）
第３の工程では、ポリイミド（Ｂ）とビスマレイミド化合物を配合して所定の温度条件下で混合する事により組成物（Ｋ）が得られる。具体的には、第３の工程は、第２の工程で合成されたポリイミド（Ｂ）とビスマレイミド化合物とを所定の温度下で溶媒に溶かして均一な液になるまで混合する。そして、これにより得られる溶液が組成物（Ｋ）である。ビスマレイミド化合物は、架橋剤としての機能を示すものであり、ポリイミド（Ａ）を製造するために用いた脂肪族ジアミン１モルに対して０．２５モル以上４モル以下で配合されることが、熱硬化性ポリイミド樹脂組成物の硬化物を可撓性に優れたものとするためには好ましい。また、溶媒の量は、キャスト製膜が可能な粘度となる量である事が好ましい。
【００６２】
第３の工程において、ポリイミド（Ｂ）とビスマレイミド化合物を混合させる温度は、ビスマレイミド化合物を効果的に溶解させて均一な溶液を得るとともに組成物（Ｋ）の硬化が進行してしまうことを抑制するためには、０℃〜８０℃が好ましく、２０℃〜６０℃がより好ましい。
【００６３】
（ビスマレイミド化合物）
ビスマレイミド化合物は、下記式（５）に示す化合物である。
【００６４】
【化３】
2011018767.tif 000012
（Ｚは２価の有機基である）
【００６５】
ビスマレイミド化合物としては、Ｎ，Ｎ’−（４，４’−ジフェニルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（４，４’−ジフェニルオキシ）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（４，４’−ジフェニルスルホン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２，４−トリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２，６−トリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−エチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−｛４，４’−〔２，２’−ビス（４’’，４’’’−フェノキシフェニル）イソプロピリデン〕｝ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−｛４，４’−〔２，２’−ビス（４’’，４’’’−フェノキシフェニル）ヘキサフルオロイソプロピリデン〕｝ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−〔４，４’−ビス（３，５−ジメチルフェニル）メタン〕ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−〔４，４’−ビス（３，５−ジエチルフェニル）メタン〕ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−〔４，４’−（３−メチル−５−エチルフェニル）メタン〕ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−〔４，４’−ビス（３，５−ジイソプロピルフェニル）メタン〕ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（４，４’−ジシクロヘキシルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ―キシリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｍ―キシリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（１，３−ジメチレンシクロヘキサン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（１，４−ジメチレンシクロヘキサン）ビスマレイミド、ビスマレイミド化合物としては、Ｎ，Ｎ’―（４，４’―ジフェニルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−〔４，４’−ビス（３−メチル−５−エチルフェニル）メタン〕ビスマレイミド、ポリフェニルメタンマレイミドなどが例示できる。この中で耐熱性の観点からＮ，Ｎ’−（４，４’−ジフェニルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−〔４，４’−（３−メチル−５−エチルフェニル）メタン〕ビスマレイミド、ポリフェニルメタンマレイミドが好ましい。
【００６６】
（第３の工程で使用される溶媒）
第３の工程で使用される溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホルアミド等のアミド系の溶媒、メチルエチルケトン、アセトン等のケトン系の溶媒、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル系の溶媒、他にアセトニトリル等が挙げられる。特に、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホルアミド等のアミド系の溶媒を単独もしくは併用して用いる事が好ましい。
【００６７】
（酸化防止剤）
酸化防止剤は、耐熱性を有するものであれば特に限定されるものではない。具体的に、酸化防止剤としては、ヒンダートアミン誘導体、ヒンダードフェノール誘導体、リン系化合物、イオウ系化合物、ヒドロキシル系化合物、トリアゾール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、トリアジン誘導体などが例示されるが、ヒンダートフェノール誘導体及び／又はベンゾトリアゾール誘導体が使用されることが好ましい。このような酸化防止剤が粘着層３に含まれることにより、「ＱＦＮ等の半導体製品の製造する各工程を実施する際に半導体製品組立用テープ１が用いられた場合に各工程時に加えられる熱によって粘着層３が劣化してしまう」という問題を防ぐ効果が発揮される。
【００６８】
（その他添加剤）
粘着層３には、半導体製品組立用テープ１の作用、効果を害しない範囲で、可塑剤、充填材、帯電防止剤などの各種添加剤や必要であれば反応を促進させる光重合開始剤や塩基性触媒等の添加剤が含まれていてもよい。
【００６９】
粘着層３は、熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物と酸化防止剤とを、１００重量部の熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物に対する酸化防止剤の配合量が０．１重量部以上１０重量部以下の範囲となるような配合割合にて含有している、ことが好ましい。酸化防止剤の配合量が０．１未満であると粘着層３の酸化劣化を抑制する能力が不足し、酸化防止剤の配合量が１０重量部を超えると粘着層３からの酸化防止剤のブリードによる糊残りが生じるため好ましくない。
【００７０】
粘着層３は、その厚みが３μｍ以上５０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、より好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下の範囲内である。粘着層３の厚みが３μｍ以下であると粘着強度が不足し、被着体への貼り付け性が低下する点で好ましくなく、５０μｍ以上では熱履歴後に糊残りが生じる虞があることから好ましくない。
【００７１】
粘着層３は、ガラス転移温度が３０℃未満であることが好ましい。ガラス転移温度が３０℃未満であると、常温下（２３℃から３０℃）において、粘着層３は、より確実に粘着性を有するものとなる。
【００７２】
ガラス転移温度は、損失正接（ｔａｎδ）のピークトップの値に基づく方法（ＤＭＡ法）により測定されたものである。損失正接は、損失弾性率／貯蔵弾性率の値により測定される。損失弾性率と貯蔵弾性率は、熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物からなる層構造に対して一定の周波数で力を付与しその力を与えた時の応力を、動的粘弾性計測装置を用いて計測することで測定される。
【００７３】
（半導体製品組立用テープ１の製造）
本発明の半導体製品組立用テープ１は、次のように製造される。
【００７４】
上記したような耐熱性基材シート２を準備し、その一方で、熱硬化性ポリイミド樹脂組成物と酸化防止剤とを混合して粘着層形成用組成物を調整する。耐熱性基材シート２面上に、粘着層形成用組成物を塗布して塗布膜を形成し、塗布膜を形成した耐熱性基材シート２を加熱する（加熱工程）。加熱工程では、塗布膜に含まれる熱硬化性ポリイミド系樹脂組成物と酸化防止剤を混合してなる粘着層形成用組成物が加熱されることで、ポリイミド（Ｂ）とビスマレイミド化合物が、架橋重合反応する。この架橋重合反応の進行により塗布膜の硬化が生じる。そして、このとき、塗布膜が硬化して粘着層形成用組成物の硬化物となり、これが粘着層３をなす。こうして、半導体製品組立用テープ１が製造される。
【００７５】
粘着層形成用組成物の塗布方法は、ダイレクトグラビアコート法、グラビアリバースコート法、マイクログラビアコート法、ファンテンコート法、ディッピング法、コンマコート法、ダイコート法等の公知の塗布方式を適宜採用することができる。
【００７６】
加熱工程は、１５０〜２５０℃の温度条件下で実施されることが、熱硬化性ポリイミド樹脂組成物の未硬化物の残存を抑制するとともに製造コストの高騰を抑制する点で、好ましい。
【００７７】
なお、粘着層形成用組成物には、上記したように粘着層３の性質を害しない範囲で、架橋剤、可塑剤、充填材、帯電防止剤などの各種添加剤や反応を促進させる光重合開始剤や塩基性触媒等の添加剤を入れることも可能である。
【００７８】
（半導体製品組立用テープ１の使用）
半導体製品組立用テープ１は、次に示すような半導体製品の製造プロセスに使用される。ここでは、半導体製品のパッケージ形態をＱＦＮとする場合の半導体製品の製造プロセス（ＱＦＮプロセス）を例としてあげつつ、半導体製品組立用テープ１の使用方法を説明する。
【００７９】
ＱＦＮプロセスは、半導体製品組立用テープ１をリードフレームに貼り付ける工程（貼付工程）、リードフレームに半導体チップを搭載する工程（ダイボンディング工程）、リードフレームのリード部と半導体チップとをボンディングワイヤーで接続する工程（ワイヤーボンディング工程）、リードフレームの表面の半導体チップを樹脂で封止する工程（樹脂封止工程）、リードフレーム裏面の半導体製品組立用テープ１を取り除く工程（剥離工程）、リードフレームを分割する工程（カッティング工程）を備えてなる。
【００８０】
（貼付工程）
まず、図２（ａ）に例示するようなリードフレーム１０を準備する。この例に示すリードフレーム１０は、枠部３０と、枠部３０に取り囲まれたパッケージ用領域形成部３１とからなる。パッケージ用領域形成部３１は、複数の単位領域１１に区画化されている。各単位領域１１は、整然と区画化されて形成されている。リードフレーム１０では、例えば、図２に示すように、リードフレーム１０上のパッケージ用領域形成部３１は、平面視上、縦横のマトリックス状のパターンに区画化され、図２（ａ）（ｃ）に示すように、区画化された各部分の領域が単位領域１１をなす。図２（ｃ）は、図２（ａ）におけるＡ−Ａ線断面を模式的に示す部分断面模式図である。
【００８１】
リードフレーム１０においては、図２（ｂ）に示すように単位領域１１には、個々のＱＦＮ用の半導体チップを配置されるダイパッドを形成した所定のパッケージパターン形成部３２が形成されている。具体的には、単位領域１１ごとにＱＦＮの規格に応じたパッケージパターン形成部３２が形成されている。リードフレーム１０は、例えば銅などの金属を素材としており、また、リードフレーム１０の厚みは、５０〜３００μｍが一般的である。図２（ｂ）は、図２（ａ）における領域Ｓの部分を拡大した状態を模式的に示す部分拡大模式図である。
【００８２】
リードフレーム１０の単位領域１１に形成されるパッケージパターン形成部３２は、図２（ｂ）の例では、半導体チップを搭載される平面視上矩形状のダイパッド１２を単位領域１１の中央に形成し、ダイパッド１２の周囲に櫛歯状のリード部１３をその先端をダイパッド１２の四側周縁に向けて形成し、ダイパッド１２とリード部１３との間に隙間部１４を形成し、ダイパッド１２の四方を支える４つの支持部３３を形成してなる。
【００８３】
貼付工程では、半導体製品組立用テープ１が、その粘着層３面を、リードフレーム１０の裏面側に当接するように配置されるとともにリードフレーム１０に押し当てられ、半導体製品組立用テープ１が面あたりにリードフレーム１０の裏面に貼り付けられる（図３（ａ））。なお、リードフレーム１０の裏面とは、ダイパッド１２の裏面、すなわち半導体チップの非当接面となるほうの面を示す。
【００８４】
半導体製品組立用テープ１は、少なくともパッケージ用領域形成部３１の領域を含みさらにその周縁よりも外側の領域まで含む領域にわたってリードフレーム１０裏面に貼着され、樹脂にて封止されるリードフレーム１０の部分に対応する領域の外側まで貼着される。
【００８５】
（ダイボンディング工程）
貼付工程の後、図３（ｂ）に示すように、リードフレーム１０の露出面側（表面側）のダイパッド１２の表面（図３において符号１２ａで示す）上に半導体チップ１５を、固定材１６を介して接着する。これにより、ダイパッド１２上に半導体チップ１５を搭載する。固定材１６には、エポキシ銀ペースト（エポキシ樹脂を樹脂成分とする銀ペースト）などの接着剤が用いられる。
【００８６】
このダイボンディング工程は、温度１５０℃から１８０℃の雰囲気下で実施される。
【００８７】
（ワイヤーボンディング工程）
ダイボンディング工程の後、半導体チップ１５とリードフレーム１０のリード部１３とをボンディングワイヤー１７により電気的に通電可能に接続する（図３（ｃ））。
【００８８】
このワイヤーボンディング工程は、温度１８０℃から２５０℃の雰囲気下で実施される。
【００８９】
（樹脂封止工程）
ワイヤーボンディング工程の後、ボンディングワイヤー１７を接続された半導体チップ１５を搭載したリードフレーム１０の表面全面を覆うように、樹脂を流しこんで、樹脂層１８を形成する。このとき、ボンディングワイヤー１７を接続された半導体チップ１５が樹脂層１８に閉じ込められた状態が形成され、樹脂によって「半導体チップ１５やボンディングワイヤー１７が保護される」とともに「半導体チップ１５とリード部１３とがボンディングワイヤー１７を介して接続された状態」にて封止がなされる（図３（ｄ））。この封止のために使用される樹脂としては、エポキシ樹脂などを挙げることができる。
【００９０】
封止工程は、具体的に、リードフレーム１０を所定形状の金型内にセットして溶融状態の樹脂を注ぎ込んで金型中で樹脂層の成型が行われることが通常である。この成形は、樹脂を１７０〜１８０℃程度の温度まで加熱し、この温度で樹脂層の成形が行われる。
【００９１】
（剥離工程）
樹脂封止工程の後、リードフレーム１０の裏面に貼着されていた半導体製品組立用テープ１が取り除かれる（図３（ｅ））。
【００９２】
そして、最後に、リードフレーム１０を、各パッケージ単位に分割して（分割位置の例については、図３（ｅ）において、Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４にて示す）（カッティングして）個片化し、図３（ｆ）に示すようなＱＦＮ２０が製造される。カッティングは、例えばダイサーなどの切断刃にて樹脂層１８とリードフレーム１０をカットすることにより実現できる。
【００９３】
なお、リードフレームを説明するにあたり、図２（ｃ）に示すように単位領域１１が互いに離間している場合を例としたが、このような例に限定されず、となりあう単位領域１１同士は境界を接していてもよい。その場合、図３（ｅ）に示す分割位置Ｋ１、Ｋ２は、互い重なり合っていてもよく、さらにまた、分割位置Ｋ３、Ｋ４も重なり合っていてもよい。
【００９４】
このように、本発明の半導体製品組立用粘着テープは、半導体チップの搭載及び結線が実施される前のリードフレームの裏面側に貼り合わせられ、且つ、リードフレームのダイパッド上に搭載された半導体チップを樹脂により封止された後に剥離されるものである。そして、リードフレーム裏面から耐熱性粘着テープが剥離された後においては、所定のサイズにカットされて半導体製品が製造されることになる。
【００９５】
（他の使用）
なお、上記では、半導体製品組立用テープがＱＦＮプロセスで半導体製品が製造される際に用いられる場合を例として説明したが、半導体製品組立用テープは、ＱＦＮプロセスに限定されず、ＳＯＮプロセス、ＤＦＮ（Ｄｕａｌ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）プロセスなど、ダイパッドにチップを固定した状態にして樹脂を封止するように構成されるパッケージプロセスで半導体製品が製造される際にも用いることが可能なものである。さらに、この半導体製品組立用テープは、パッケージプロセスの途中の必要なプロセスにのみ使用される半導体組立用テープとしての用途以外に、最終製品の接着層を形成するために用いるテープとして永久的に接着する用途でも適応可能である。
【実施例】
【００９６】
本発明の半導体製品組立用テープを製造するにあたり、粘着層を形成するための熱硬化性ポリイミド樹脂組成物を調整した。
【００９７】
熱硬化性ポリイミド樹脂組成物を調整するために、次のようにポリイミド（Ａ）を調整し、さらにポリイミド（Ｂ）を調整した。
【００９８】
＜ポリイミド（Ａ、Ｂ）の合成＞
１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物２０．３５ｇ（０．０９０モル）、ポリオキシプロピレンジアミン（三井化学ファイン社製、ジェファーミンＤ２０００）１１８．８１ｇ（０．０６０モル）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン９１．５０ｇを窒素気流下で加え合わせ、２００℃に昇温して３時間イミド化反応を行い、ディーンスターク装置を用いて生成水を分離した。反応後、水の留出がないことを確認し、室温（２３℃）まで放冷し反応物（ポリイミド（Ａ））を得た。ポリイミド（Ａ）の生成有無は、ＩＲスペクトルを確認して、ν（Ｃ＝Ｏ）１７７０、１７０６ｃｍ−１のイミド環の特性吸収を確認することで判定できる。次に、ポリイミド（Ａ）に、４，４’―ジアミノジフェニルエーテル１２．０８ｇ（０．０６０モル）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン９．７４ｇを加え、２００℃に昇温して３時間イミド化反応を行い、ディーンスターク装置で生成水を分離した。イミド化反応後、水の留出が止まったのを確認し、反応生成物溶液を室温まで放冷し、反応生成物溶液中に反応物（ポリイミド（Ｂ））を得た。ポリイミド（Ｂ）の生成有無は、ＩＲスペクトルから確認される。
【００９９】
得られたポリイミド（Ｂ）に基づき、粘着層を形成する熱硬化性ポリイミド樹脂組成物（Ｐ）が調整され、熱硬化性ポリイミド樹脂組成物からなる硬化物に基づき、その耐熱性とゴム弾性と、ガラス転移温度が特定された。
【０１００】
＜熱硬化性ポリイミド樹脂組成物（Ｐ）の調整＞
窒素気流下、ポリイミド（Ｂ）に架橋剤のＮ，Ｎ’−（４，４’−ジフェニルメタン）ビスマレイミドを混合するとともに（熱硬化性ポリイミド樹脂組成物（Ｐ））、これに酸化防止剤を表１に示す配合量（重量比）で混合させて混合物（表１、混合物Ｗ１からＷ６）を得て、これをＮ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）と１，３−ジオキソランの混合液（混合液の混合比率は、体積比率でＤＭＡｃ：１，３−ジオキソラン＝５０％：５０％とした）を用いて、固形分濃度（重量％）が２５％となるように希釈し、室温で１時間攪拌し完全に溶解させ、熱硬化性ポリイミド樹脂組成物（表１中、材料組成物Ｎ１からＮ６）を得た。この熱硬化性ポリイミド樹脂組成物の２００℃で３０分硬化させた硬化物のガラス転移温度は、損失正接（ｔａｎδ）のピークトップの値に基づくと（ＤＭＡ法に基づくと）、−４３．０℃である。
【０１０１】
酸化防止剤には、次に示す酸化防止剤Ａ１〜Ａ３を用いた。なお、混合物Ｗ１からＷ６のそれぞれに添加される酸化防止剤の種別は、表１に示すとおりである。
酸化防止剤Ａ１：ヒンダートフェノール系酸化防止剤（チバ・ジャパン株式会社製、ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０）
酸化防止剤Ａ２：ヒンダートフェノール系酸化防止剤（チバ・ジャパン株式会社製、ＩＲＧＡＮＯＸ１０９８）
酸化防止剤Ａ３：ヒンダートフェノール系酸化防止剤（チバ・ジャパン株式会社製、ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０）と１，２，３−ベンゾトリアゾールの併用
（配合比率は、ヒンダートフェノール系酸化防止剤：１，２，３−ベンゾトリアゾール＝２（重量部）：１（重量部））
【０１０２】
【表１】
2011018767.tif 000013
【０１０３】
実施例１
材料組成物Ｎ１を用いてのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、カプトン１００Ｖ）（厚さ２５μｍ）の片面に、乾燥後の厚さが５μｍになるようベーカー式アプリケーターを用いて一面塗布して塗布膜を作製し、２００℃に設定したオーブン中で３０ｍｉｎ間乾燥し、熱硬化型ポリイミド樹脂組成物塗布膜を粘着層となすことで、粘着テープ（半導体製品組立用テープ）を得た。
【０１０４】
得られた粘着テープを用いて粘着性試験を実施して粘着層の粘着性を測定し、さらに剥離試験を実施して糊残りの発生有無を確認するとともに、粘着強度の測定を行った。結果を表２に示す。
【０１０５】
（粘着性試験）
粘着性試験は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠したボールタック試験により実施された。
【０１０６】
まず、得られた粘着テープを幅２５ｍｍ×長さ１００ｍｍに裁断した試験体を準備した。次に、ボールタック試験機（テスター産業株式会社製）に、粘着面が表面になるように試験体をセットした（粘着面の傾斜角が３０°）。さらに、２３℃雰囲気下で、ボールタック試験機にセットされた試験体の粘着層表面の測定面領域を通過するように鋼球を転がす（測定面の長さは、１００ｍｍ）。このとき、鋼球は、直径が１／３２インチから１インチまでの大きさのものを用いた。そして、これらの鋼球を転がした際に測定面の領域内で停止するような鋼球のうち、最大径のボールナンバーの値を特定した（表２）。ボールナンバーは、鋼球の直径を３２倍することで求められる。表２中、ボールタック試験欄の各数値は、ボールナンバーの値を示す。
【０１０７】
（剥離試験）
剥離試験は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠した粘着力測定方法を行うことにより実現された。粘着力測定方法として次のような初期粘着強度測定と加熱後粘着強度測定を行った。
【０１０８】
（初期粘着強度測定）
得られた粘着テープを２５ｍｍ幅×１５０ｍｍに裁断し、貼り付け面積が２５ｍｍ×１００ｍｍになるように室温下２ｋｇローラーでＳＵＳ３０４に貼り付けて試験体を得た。試験体を１時間室温下で保管し（保管処理）、保管処理の後、試験体を引張試験機（エーアンドディ社製（ＴＥＮＳＩＬＯＮ  ＲＴＦ−１１５０−Ｈ））にセットして、試験体から粘着テープを、引張速度３００ｍｍ／分で、１８０°方向に引き剥がし（剥離処理）、剥離処理の際に試験体から粘着テープを剥離するために要する力を測定することで粘着強度（Ｎ／２５ｍｍ）を測定した（表３）。
【０１０９】
（加熱後粘着強度測定）
加熱後粘着強度測定は、保管処理にかえて試験体を２５０℃×３０ｍｉｎ加熱する処理（加熱処理）を行ったほかは、初期粘着強度測定と同じ方法を用いて実施され、粘着強度（Ｎ／２５ｍｍ）が測定された。加熱後粘着強度測定では、さらに、剥離処理の際に被着体表面に糊残りが生じたか否かについて目視にて確認した（表３）。表３中、剥離試験欄において、数値は、粘着強度を示し、「あり」が、糊残りがあったことを示し、「なし」が、糊残りがなかったことを示す。
【０１１０】
被着体としては、初期粘着強度測定についてはＳＵＳ（ＳＵＳ３０４）が用いられ、加熱後粘着強度測定については、銅材（古河電工株式会社製、ＥＦＴＥＣ６４Ｔ）およびＳＵＳ（ＳＵＳ３０４）の２種類が用いられた。
【０１１１】
剥離試験は、初期粘着強度測定については、酸素存在雰囲気下でのみ実施され、加熱後粘着強度測定については、酸素存在雰囲気下と窒素雰囲気下の２通りの雰囲気下で実施された。酸素存在雰囲気下での剥離試験は、空気雰囲気下で剥離試験を行うことで実施され、窒素雰囲気下での剥離試験は、密閉容器内に試験体を配置して容器内に窒素ガスを充填させて形成される雰囲気下で剥離試験を行うことで実施された。なお、酸素存在雰囲気下で行われる剥離試験が、通常の半導体製品組立工程の条件下（通常条件下）での粘着テープの性能を示している。
【０１１２】
実施例２から５
材料組成物Ｎ１にかえて材料組成物Ｎ２（実施例２）、材料組成物Ｎ３（実施例３）、材料組成物Ｎ４（実施例４）、材料組成物Ｎ５（実施例５）を用いたほかは、実施例１と同様にして粘着テープを得た。それぞれ得られた粘着テープを用いて粘着性試験と剥離試験を実施して、糊残りの発生有無を確認するとともに、粘着強度の測定を行った。結果を表２，３に示す。
【０１１３】
実施例２，４，５については、それぞれで得られた粘着テープを用いてワイヤーボンディング試験を実施し、半導体製品組立工程のワイヤーボンディング工程の歩留まりを測定した。結果を表４に示す。
【０１１４】
（ワイヤーボンディング試験）
粘着テープをリードフレーム（ＱＦＮ用リードフレーム（Ｃｕリードフレーム）縦２００ｍｍ×横５０ｍｍ）の裏面に貼り付け、ダイパット部分にエポキシフェノール系の銀ペーストを接着剤として用いて半導体チップに接着し、１８０℃の雰囲気下で９０分間銀ペーストの硬化処理を実施することで、ダイパット上に半導体チップを搭載した。次に、ワイヤーボンディングを行った。ワイヤーボンディングは、１つのワイヤの一方端をダイパッド上のチップ領域内の１箇所に接続する工程（ファーストボンディング）と、他端をリード部の１箇所に接続する工程（セカンドボンディング）とで１セットとなっており、この工程をダイパッド領域内の接続箇所数に応じたセット数くりかえして実施される。ワイヤーボンディング試験では、ダイパッド上のチップ１つにおけるリード部に対面する部分に、垂直方向に４ワイヤ（ワイヤ長２ｍｍ弱）、水平方向に４ワイヤ（ワイヤ長２ｍｍ弱）、これを５段、合計４０箇所のワイヤーボンディングを行った。したがって、上記ファーストボンディングとセカンドボンディングが４０セットくりかえして実施された。このとき、未着状況の確認を行った。
【０１１５】
ワイヤーボンディングには、ワイヤーボンダー（ＨＷ２７Ｕ−ＨＦ（パナソニックファクトリーソリューションズ株式会社）が用いられ、下記のボンディング条件で実施された。
【０１１６】
（ボンディング条件）
・トーチレベル：０．９９９ｍｍ
・ボンドレベル：（１ｓｔ）５．５８２６ｍｍ、（２ｎｄ）５．８２６ｍｍ
・サーチ速度：（１ｓｔ）６、（２ｎｄ）６
・ループ高さ：Ｎｏｎｓｅｔ、ｒｅｖ−０．１８０ｍｍ
・ループモード：ＳＴＤ  Ｂ
・テール長さ：０．６９９ｍｍ
・軌跡補正：０．０００ｍｓ
・ＵＳ（超音波）発振時間：（１ｓｔ）１５ｍｓ、（２ｎｄ）１０ｍｓ
・ＵＳパワー：（１ｓｔ）５５ｂｉｔ、（２ｎｄ）１５０ｂｉｔ
・ボンド荷重：（１ｓｔ）４０ｇ、（２ｎｄ）１２０ｇ
・ボンディング温度：２００℃
【０１１７】
（樹脂はみだし確認試験）
実施例２，４，５について、ワイヤーボンディング試験に引き続き、樹脂のはみ出し確認試験を行った。樹脂のはみ出し確認試験は、ワイヤーボンディング終了後、さらにエポキシ系モールド樹脂を用いて、１７５℃雰囲気下、５分間の条件でその樹脂による封止処理を実施した後、室温下で粘着テープを剥離処理し、この剥離処理の際にフレームからの樹脂のはみ出しが認められる否かを確認することによって実施された。結果を表５に示す。
【０１１８】
比較例１
材料組成物Ｎ１にかえて材料組成物Ｎ６を用いたほかは、実施例１と同様にして粘着テープを得た。得られた粘着テープを用いて加熱後粘着強度測定を実施して、糊残りの発生有無を確認するとともに、粘着強度の測定を行った。結果を表３に示す。粘着テープの剥離後、銅材、ＳＵＳ材の面を観察したところ、粘着面の端縁に強い糊残りが認められた。
【０１１９】
比較例２
実施例１の粘着テープにかえて市販のテープ（日東電工社製、ＴＲＭ−６２５０Ｌ）を用いたほかは、実施例２と同様にしてワイヤーボンディング試験を行った。結果を表４に示す。ワイヤーボンディング試験の結果、未着箇所が９箇所確認された。９箇所のうちファーストボンディングで未着であった箇所が３箇所、セカンドボンディングで未着であった箇所が５箇所、ファーストボンディングおよびセカンドボンディングともに未着であった箇所が１箇所であった。
【０１２０】
【表２】
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【０１２１】
【表３】
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【０１２２】
【表４】
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【０１２３】
【表５】
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【０１２４】
表３の比較例１により、金属からなる被着体の酸化が抑えられた場合（窒素雰囲気下）では、酸素条件下と異なり、被着体の金属表面から粘着剤を剥離してもその被着体の金属表面に糊残りが殆ど発生していないことが確認される。また、このことは、通常条件下で比較例１の粘着テープを使用することに問題があることを示している。この点、実施例１から５の粘着テープでは、金属からなる被着体の酸化が抑えられた場合（窒素雰囲気下）はもちろん、酸素条件下でも、被着体の金属表面から粘着剤を剥離してもその被着体の金属表面に糊残りが殆ど発生していないことが確認される。
【０１２５】
また、表３から５により、本発明の粘着テープは、半導体製品組立用テープとして有効なものであることが確認される。
【符号の説明】
【０１２６】
１  半導体製品組立用テープ
２  耐熱性基材シート
３  粘着層
１０  リードフレーム
１１  単位領域
１２  ダイパッド
１３  リード部
１４  隙間部
１５  半導体チップ
１６  固定材
１７  ボンディングワイヤー
１８  樹脂層
２０  ＱＦＮ
３０  枠部
３１  パッケージ用領域形成部
３２  パッケージパターン形成部
３３  支持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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