(57)【要約】      （修正有）【課題】Ｎｉを含む内部電極層を有する電子部品から不純物を除去し、電子部品の信頼性を向上させることのできる電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】脱バインダ工程Ｓ２と焼成工程Ｓ４との間に、酸素分圧ＰＯ２とし、温度Ｔとしてセラミック素体２を加熱することによって、セラミック素体２中の不純物を分解除去する分解除去工程Ｓ３を行う。この分解除去工程Ｓ３において、温度Ｔ（Ｋ）は式（１）を満たし、酸素分圧ＰＯ２（atm）は式（２）を満たす。このように、分解除去温度を最適な温度に保ち、酸素分圧ＰＯ２を最適な値に調整することによって、確実にセラミック素体２中の不純物を除去することができる。2011210842.tif 000009［ただし、Ｔは分解除去工程の炉の中の絶対温度。］2011210842.tif 000010［ただし、ΔＧは標準生成ギブスエネルギーであり、Ｒは気体定数である。また、酸素分圧ＰＯ２の単位はatmである。］【選択図】図２
2011210842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層、及びＮｉを含有する複数の内部電極層を積層することによって、セラミック素体を準備する素体準備工程と、
前記セラミック素体に含まれるバインダを加熱して除去する脱バインダ工程と、
前記脱バインダ工程の後、酸素分圧をＰＯ２とし、温度をＴとして前記セラミック素体を加熱することによって、前記セラミック素体中の不純物を分解除去する分解除去工程と、
前記分解除去工程の後、前記セラミック素体を焼成する焼成工程と、を備え、
前記分解除去工程において、
【数１】
2011210842.tif 000007
［ただし、Ｔは分解除去工程における炉の中の絶対温度である。］
【数２】
2011210842.tif 000008
［ただし、ΔＧは標準生成ギブスエネルギーであり、Ｒは気体定数である。また、酸素分圧ＰＯ２の単位はatmである。］
とした場合、前記Ｔ（Ｋ）は式（１）を満たし、前記ＰＯ２（atm）は式（２）を満たすことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記脱バインダ工程が行われる炉と、前記分解除去工程が行われる炉と、前記焼成工程が行われる炉とは、それぞれ異なることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記分解除去工程と前記焼成工程は、同じ炉で行われ、
前記脱バインダ工程が行われる炉と、前記分解除去工程及び前記焼成工程が行われる炉は、互いに異なっていることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記脱バインダ工程と前記分解除去工程は、同じ炉で行われ、
前記脱バインダ工程及び前記分解除去工程が行われる炉と、前記焼成工程が行われる炉は、互いに異なっていることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記焼成工程が行われた後の前記誘電体層の厚みが１．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品の製造方法として、複数の誘電体層とＮｉによって構成される複数の内部電極層とを積層することによってセラミック素体を準備し、当該セラミック素体のバインダを除去するために加熱することによって脱バインダ処理を行い、その後、還元雰囲気中にて加熱することによって焼成処理を行っていた（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１７０６９２号公報
【特許文献２】特開平１０−１３５０７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、セラミック素体中には不純物（例えば、ＣやＳなど）が含有されており、脱バインダ時や焼成時に排出される当該不純物によって、電子部品の内部構造や電気特性が影響を受けるという問題があった。しかしながら、上述の従来の電子部品の製造方法では、不純物の除去が不十分であり、より確実に不純物を除去することが求められていた。
【０００５】
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、Ｎｉを含む内部電極層を有する電子部品から不純物を除去し、電子部品の信頼性を向上させることのできる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電子部品の製造方法は、複数の誘電体層、及びＮｉを含有する複数の内部電極層を積層することによって、セラミック素体を準備する素体準備工程と、セラミック素体に含まれるバインダを加熱して除去する脱バインダ工程と、脱バインダ工程の後、酸素分圧をＰＯ２とし、温度をＴとしてセラミック素体を加熱することによって、セラミック素体中の不純物を分解除去する分解除去工程と、分解除去工程の後、セラミック素体を焼成する焼成工程と、を備え、分解除去工程において、Ｔ（Ｋ）は式（１）を満たし、ＰＯ２（atm）は式（２）を満たすことを特徴とする。
【０００７】
【数１】
2011210842.tif 000003
［ただし、Ｔは分解除去工程における炉の中の絶対温度である。］
【０００８】
【数２】
2011210842.tif 000004
［ただし、ΔＧは標準生成ギブスエネルギーであり、Ｒは気体定数である。また、酸素分圧ＰＯ２の単位はatmである。］
【０００９】
本発明に係る電子部品の製造方法によれば、脱バインダ工程と焼成工程との間に、焼成前のセラミック素体中の不純物を分解除去するための分解除去工程が行われている。ここで、分解除去工程での酸素分圧ＰＯ２が低すぎる場合、セラミック素体中の不純物の分解が不十分となり、不純物が残存してしまう可能性がある。しかしながら、本発明において、式（２）における酸素分圧ＰＯ２の下限値は、ＳＯ２の標準生成ギブスエネルギーを用いて、不純物の中で最も分解条件の厳しいＳ（硫黄）の除去に必須となる酸素分圧ＰＯ２を求めることによって設定されている。一方、分解除去工程での酸素分圧ＰＯ２が高すぎる場合、不純物の分解反応よりも、Ｎｉ＋Ｏ→ＮｉＯの反応が支配的になり、内部電極層のＮｉが酸化されてしまう可能性がある。しかしながら、本発明において、式（２）における酸素分圧ＰＯ２の上限値は、ＮｉＯの標準生成ギブスエネルギーを用いて、Ｎｉの酸化を防ぐための酸素分圧ＰＯ２を求めることによって設定されている。このように、分解除去工程においては、式（１）に示すように加熱時の絶対温度Ｔを最適な温度に保ち、酸素分圧ＰＯ２を式（２）に示すような最適な値に調整することによって、確実にセラミック素体中の不純物を除去することができる。以上によって、Ｎｉを含む内部電極層を有する電子部品から不純物を除去し、電子部品の信頼性を向上させることができる。
【００１０】
また、本発明に係る電子部品の製造方法において、脱バインダ工程が行われる炉と、分解除去工程が行われる炉と、焼成工程が行われる炉とは、それぞれ異なることが好ましい。脱バインダ工程、分解除去工程、及び焼成工程を全て異なる炉で行うことによって、前工程によって炉内に残留する物質の影響を考慮することなく、次の工程を行うことが可能となる。
【００１１】
また、本発明に係る電子部品の製造方法において、分解除去工程と焼成工程は、同じ炉で行われ、脱バインダ工程が行われる炉と、分解除去工程及び焼成工程が行われる炉は、互いに異なっていることが好ましい。分解除去工程、及び焼成工程を、脱バインダ工程が行われる炉とは異なる炉で行うことによって、少なくとも炉内に残留するバインダの影響を考慮することなく、分解除去工程及び焼成工程を行うことが可能となる。
【００１２】
また、本発明に係る電子部品の製造方法において、脱バインダ工程と分解除去工程は、同じ炉で行われ、脱バインダ工程及び分解除去工程が行われる炉と、焼成工程が行われる炉は、互いに異なっていることが好ましい。焼成工程において、脱バインダ工程で発生する炉内のバインダ残存や、分解除去工程における不純物の炉内への残存を考慮すること無く焼成することができるため、品質の向上に有利である。品質の観点からは、脱バインダ工程・分解除去工程・焼成工程をそれぞれ別々の炉で行うことが、最も好ましいが、脱バインダ工程と分解除去工程を同じ炉で行った場合であっても品質への影響がほとんど無いため、工程簡略化の観点も踏まえると、脱バインダ工程と分解除去工程を同じ炉で行い、焼成工程のみ別の炉を用いることが工程・品質面から有利である。
【００１３】
また、本発明に係る電子部品の製造方法において、焼成工程が行われた後の誘電体層の厚みが１．５μｍ以下であることが好ましい。誘電体層や内部電極層の厚みが十分に厚い製品においては、不純物の残存による製品特性の影響は大きくないが、誘電体層や内部電極層の厚みが薄い製品では、不純物の残存による影響が大きくなる。従って、焼成工程が行われた後の誘電体層の厚みが１．５μｍ以下である場合、本発明の効果が一層顕著となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、Ｎｉを含む内部電極層を有する電子部品から不純物を除去し、電子部品の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る製造方法によって製造された電子部品を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法を示すフロー図である。
【図３】本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法の脱バインダ温度と、分解除去温度と、焼成温度との関係を示す線図である。
【図４】本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法の脱バインダ温度と、分解除去温度と、焼成温度との関係を示す線図である。
【図５】本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法の実施例及び比較例の評価結果を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１７】
図１を参照して、本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法によって製造された電子部品１の構成を説明する。図１は、本発明の実施形態に係る製造方法によって製造された電子部品１を示す断面図である。
【００１８】
図１に示すように、電子部品１は、例えば、セラミックコンデンサなどの電子部品であり、複数の板状のセラミックグリーンシートを積層して一体化することによって略直方体形状に構成されたセラミック素体２と、セラミック素体２の両端面に形成された外部電極３，４とを備えて構成される。セラミック素体２は、セラミック素体２の長手方向に向かい合って互いに平行をなす一対の端面２ａ，２ｂと、端面２ａ，２ｂと直交すると共に端面２ａ，２ｂ同士を連結する四つの側面２ｃを有する。外部電極３は、一方の端面２ａ及び端面２ａと直交する四つの側面２ｃの各縁部の一部を覆うように形成されている。また、外部電極４は、他方の端面２ｂ及び端面２ｂと直交する四つの側面２ｃの各縁部の一部を覆うように形成されている。電子部品１は、例えば、縦が０．６〜３．２ｍｍ程度に設定され、横が０．３〜２．５ｍｍ程度に設定され、厚みが０．３〜２．５ｍｍ程度に設定されている。
【００１９】
外部電極３，４は、セラミック素体２の外面にＣｕやＮｉ、あるいはＡｇ、Ｐｄ等を主成分とする導電性ペーストを後述の方法によって付着させた後に所定温度（例えば、７００℃程度）にて焼き付け、更に電気めっきを施すことにより形成される。電気めっきには、Ｎｉ、Ｓｎ等を用いることができる。
【００２０】
セラミック素体２は、図１に示すように、複数の長方形板状の誘電体層６と、それぞれ複数の内部電極層７及び内部電極層８とが積層された積層体として構成されている。内部電極層７と内部電極層８とは、セラミック素体２内において誘電体層６の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する。）に沿ってそれぞれ一層ずつ配置されている。内部電極層７と内部電極層８とは、少なくとも一層の誘電体層６を挟むように対向配置されている。焼成前のセラミック素体には、炭素（Ｃ）や硫黄（Ｓ）などの不純物が含有されており、特に、Ｓが含まれている。なお、不純物であるＳの含有量は例えば数百〜数千ppmである。この含有量は特に限定されず、本実施形態による製造方法によればＳの含有量に関わらず良好に除去することができる。実際の電子部品１では、複数の誘電体層６は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。誘電体層６は、ＢａＴｉＯ３を主成分として構成されている。また、誘電体層６は、焼成後の厚みが２．０μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以下とすることがより好ましい。このような厚みの場合、本実施形態に係る製造方法による不純物の除去による製品特性向上の効果が一層顕著になる。
【００２１】
内部電極層７，８はＮｉによって構成されるＮｉ内部電極層である。内部電極層７，８の焼成後の厚みは、１．５μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましい。このような厚みの場合、本実施形態に係る製造方法による不純物の除去による製品特性向上の効果が一層顕著になる。内部電極層７，８は、積層方向から見て互いに重なりあう領域を有するような形状であれば、特に形状は限定されず、例えば矩形状などの形状をなしている。内部電極層７，８は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。内部電極層７は外部電極３と電気的に接続されており、内部電極層８は外部電極４と電気的に接続されている。
【００２２】
続いて、図２を参照して本発明の実施形態に係る電子部品１の製造方法について説明する。図２は、電子部品１の製造方法を示すフロー図である。
【００２３】
図２に示すように、電子部品１の製造方法では、素体準備工程Ｓ１から工程を開始する。この素体準備工程Ｓ１では以下の処理がなされる。すなわち、誘電体層６となるセラミックグリーンシートを形成した後、当該セラミックグリーンシート上に内部電極層７，８のパターンをＮｉ導電性ペーストで印刷し、乾燥することによって電極パターンを形成する。Ｎｉ導電性ペーストは、Ｎｉ粉末を有機バインダ及び有機溶剤に分散させてペースト状にしたものである。このように電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを複数枚重ね合わせ、そのセラミックグリーンシートの積層体をそれぞれセラミック素体２の大きさのチップとなるように切断する。続いて、ポリエチレン等の材料からなる密閉回転ポットに水と複数のチップと研磨用のメディアを入れて、この密閉回転ポットを回転させることによって、チップの角部分の面取りが行われ、それぞれの角部分が所定の曲率半径を有することとなる（バレル研磨）。焼成前のセラミック素体２の準備ができた後、当該セラミック素体２を焼成用セッターに載置する。焼成前のセラミック素体２は、焼成用セッターの単位面積あたり０．０５ｇ／ｃｍ２以上となるように載置されることが好ましい。
【００２４】
次に、セラミック素体２に含まれるバインダを加熱して除去する脱バインダ工程Ｓ２が行われる。脱バインダ工程Ｓ２では、セラミック素体２から、焼成前の誘電体層６及び内部電極層６，７に含まれる各有機バインダや有機溶剤等が除去される。脱バインダ工程Ｓ２においては、セッターに載置されたセラミック素体２を炉内に配置すると共に、炉内の絶対温度を２００＋２７３．１５Ｋ〜４００＋２７３．１５Ｋ（すなわち、２００〜４００℃）にし、設定した脱バインダ温度を一定に保った状態で１時間〜２０時間加熱する。これによってセラミック素体２内の有機バインダや有機溶剤等を気化又は分解等してガス化する。この脱バインダ工程Ｓ２において、炉内雰囲気として、空気雰囲気で行う。または、Ｎ２，Ｈ２、Ｈ２Ｏガスが封入され、Ｎ２，Ｈ２、Ｈ２Ｏガスそれぞれの量を調整することで、ＰＯ２＝１．０×１０-60atm〜１．０×１０-5atmの酸素分圧に調整される。
【００２５】
次に、焼成前のセラミック素体２の不純物を分解除去する分解除去工程Ｓ３が行われる。分解除去工程Ｓ３では、セッターに載置されたセラミック素体２を炉内に配置すると共に、炉内の絶対温度を分解除去温度Ｔ（Ｋ）にし、設定した分解除去温度を一定に保った状態で１時間〜２０時間加熱する。この分解除去工程Ｓ３において、炉内には、Ｎ２，Ｈ２、Ｈ２Ｏガスが封入され、所望の酸素分圧ＰＯ２に調整される。
【００２６】
分解除去工程Ｓ３では、分解除去温度Ｔ（Ｋ）は、式（１）を満たす範囲内の温度が設定される。また、酸素分圧ＰＯ２（atm）は、式（２）を満たす範囲内で設定される。
【００２７】
【数１】
2011210842.tif 000005
［ただし、Ｔは分解除去工程における炉の中の絶対温度である。］
【００２８】
【数２】
2011210842.tif 000006
［ただし、ΔＧは標準生成ギブスエネルギーである。Ｒは気体定数（＝８．３１４）である。また、酸素分圧ＰＯ２の単位はatmである。］
【００２９】
酸素分圧ＰＯ２が低すぎる場合、セラミック素体中の不純物の分解が不十分となり、不純物が残存してしまう。従って、式（２）の酸素分圧ＰＯ２の下限値は、ＳＯ２の標準生成ギブスエネルギーを用いて、Ｓ（硫黄）の除去に必須となる酸素分圧を求めることによって設定されている。なお、不純物除去の中でもＳ（硫黄）が最も分解条件が厳しいため、Ｓ（硫黄）に基づいて下限値を設定している。Ｓ（硫黄）が分解できる条件であれば、他の不純物も十分に分解することができるためである。一方、酸素分圧ＰＯ２が高すぎる場合、不純物の分解反応よりも、Ｎｉ＋Ｏ→ＮｉＯの反応が支配的になり、内部電極層のＮｉが酸化されてしまう。従って、式（２）の酸素分圧ＰＯ２の上限値は、ＮｉＯの標準生成ギブスエネルギーを用いて、Ｎｉの酸化を防ぐための酸素分圧を求めることによって設定されている。
【００３０】
ここで、式（２）についての説明を行う。まず、標準生成ギブスエネルギーΔＧは、式（３）及び式（４）によって示される。式（４）を式（５）に変形することによって、式（２）ＰＯ２の上限値及び下限値を定める式（６）が得られる。更に、当該式（６）に式（３）を代入することで、成分によって定まる定数であるＡ，Ｂ，Ｃ及び分解除去温度Ｔによって酸素分圧ＰＯ２を求めることができる式（７）が得られる。
【００３１】
ΔＧ＝Ａ＋Ｂ・Ｔ・ｌｏｇ（Ｔ）＋Ｃ・Ｔ  …（３）
［ただし、Ａ，Ｂ，Ｃは成分によって決まる定数］
ΔＧ＝Ｒ・Ｔ・ｌｎＰＯ２  …（４）
（ΔＧ）／（Ｒ・Ｔ）＝ｌｎＰＯ２  …（５）
ｅ（ΔＧ）／（Ｒ・Ｔ）＝ＰＯ２  …（６）
ｅ｛Ａ＋Ｂ・Ｔ・ｌｏｇ（Ｔ）＋Ｃ・Ｔ｝／（Ｒ・Ｔ）＝ＰＯ２  …（７）
【００３２】
ここで、ΔＧＳＯ２の場合、Ａ＝−３６２５９５．６５（Ｊ／ｍｏｌ）、Ｂ＝０（Ｊ／ｍｏｌ・Ｋ）、Ｃ＝７２．４６（Ｊ／ｍｏｌ・Ｋ）に設定することができ、ΔＧＮｉＯの場合、Ａ＝−４６８９２１．３２（Ｊ／ｍｏｌ）、Ｂ＝０（Ｊ／ｍｏｌ・Ｋ）、Ｃ＝１７０．５４（Ｊ／ｍｏｌ・Ｋ）に設定することができる。ここで例示した定数は、「"Metallurgical Thermochemistry 5th ED" by O. Kubaschewskiand C. B. Alcock」による文献値である。このような値を用いることによって、式（２）に示す酸素分圧ＰＯ２の上限値と下限値を、分解除去温度Ｔを代入することのみで導き出すことができる。
【００３３】
次に、セラミック素体２を焼成する焼成工程Ｓ４が行われる。焼成工程Ｓ４では、セッターに載置されたセラミック素体２を炉内に配置すると共に、炉内の絶対温度を１１００＋２７３．１５Ｋ〜１３００＋２７３．１５Ｋ（すなわち、１１００〜１３００℃）にし、設定した焼成温度を一定に保った状態で０．５時間〜５．０時間加熱する。この焼成工程Ｓ４において、炉内には、Ｎ２，Ｈ２、Ｈ２Ｏガスが封入され、Ｎ２，Ｈ２、Ｈ２Ｏガスそれぞれの量を調整することで、ＰＯ２＝１．０×１０-30atm〜１．０×１０-5atmの酸素分圧に調整される。
【００３４】
焼成工程Ｓ４の後、外部電極形成工程Ｓ５が行われる。この外部電極形成工程Ｓ５では、焼成工程Ｓ４で用いた炉からセッターを取り出すと共に、セッターからセラミック素体２を取り出し、当該セラミック素体２の端面２ａ，２ｂに浸漬法によって導電性ペーストが塗布されて熱処理が行われた後、表面にＮｉやＳｎのメッキ層が形成されることによって外部電極３，４が形成される。以上によって、図２に示す工程が終了し、電子部品１を得ることができる。
【００３５】
ここで、図２の各熱処理工程は、同じ炉で行われてもよく、異なる炉で行われてもよい。具体的には、脱バインダ工程Ｓ２、分解除去工程Ｓ３、及び焼成工程Ｓ４を全て同じ炉で行ってもよい。このような方法では、各工程が終了するごとにセラミック素体２から炉内に出てくる不純物を排気する。このときのセラミック素体２に対する温度変化は、図３（ａ）に示される。図３（ａ）に示すように、まず、炉内の温度は脱バインダ温度まで上昇すると共に、当該脱バインダ温度で一定に保たれ、設定された時間だけ脱バインダのための熱処理が行われる（脱バインダゾーンＺ１）。次に、炉内の温度は分解除去温度まで上昇すると共に、当該分解除去温度で一定に保たれ、設定された時間だけ分解除去のための熱処理が行われる（分解除去ゾーンＺ２）。次に、炉内の温度は焼成温度まで上昇すると共に、当該焼成温度で一定に保たれ、設定された時間だけ焼成のための熱処理が行われる（焼成ゾーンＺ３）。
【００３６】
また、分解除去工程Ｓ３及び焼成工程Ｓ４を同じ炉で行い、脱バインダ工程Ｓ２のみを異なる炉で行ってもよい。脱バインダ工程Ｓ２で用いる炉とは異なる炉で分解除去工程Ｓ３及び焼成工程Ｓ４を行うため、分解除去工程Ｓ３及び焼成工程Ｓ４を行うときには、炉内にバインダは完全に存在しない状態となる。これによって、少なくとも炉内に残留するバインダの影響を考慮することなく、分解除去工程Ｓ３及び焼成工程Ｓ４を行うことが可能となる。このときのセラミック素体２に対する温度変化は、図３（ｂ）に示される。図３（ｂ）に示すように、まず、炉内の温度は脱バインダ温度まで上昇すると共に、当該脱バインダ温度で一定に保たれ、設定された時間だけ脱バインダのための熱処理が行われる（脱バインダゾーンＺ１）。次に、セラミック素体２は別の炉に移動する。新たな炉において、炉内の温度は分解除去温度まで上昇すると共に、当該分解除去温度で一定に保たれ、設定された時間だけ分解除去のための熱処理が行われる（分解除去ゾーンＺ２）。次に、炉内の温度は焼成温度まで上昇すると共に、当該焼成温度で一定に保たれ、設定された時間だけ焼成のための熱処理が行われる（焼成ゾーンＺ３）。
【００３７】
なお、脱バインダ工程Ｓ２及び分解除去工程Ｓ３を同じ炉で行い、焼成工程Ｓ４を別の炉で行ってもよい。この場合（すなわち、脱バインダ工程Ｓ２及び分解除去工程Ｓ３を同じ炉で行い、焼成工程Ｓ４を別の炉で行う場合）、焼成工程Ｓ４において、脱バインダ工程Ｓ２で発生する炉内のバインダ残存や、分解除去工程Ｓ３における不純物の炉内への残存を考慮すること無く焼成することができるため、品質の向上に有利である。品質の観点からは、脱バインダ工程Ｓ２・分解除去工程Ｓ３・焼成工程Ｓ４をそれぞれ別々の炉で行うことが、最も好ましいが、脱バインダ工程Ｓ２と分解除去工程Ｓ３を同じ炉で行った場合であっても品質への影響がほとんど無いため、工程簡略化の観点も踏まえると、脱バインダ工程Ｓ２と分解除去工程Ｓ３を同じ炉で行い、焼成工程Ｓ４のみ別の炉を用いることが工程・品質面から最も好ましい。このときのセラミック素体２に対する温度変化は、図４（ａ）に示される。図４（ａ）に示すように、まず、炉内の温度は脱バインダ温度まで上昇すると共に、当該脱バインダ温度で一定に保たれ、設定された時間だけ脱バインダのための熱処理が行われる（脱バインダゾーンＺ１）。次に、炉内の温度は分解除去温度まで上昇すると共に、当該分解除去温度で一定に保たれ、設定された時間だけ分解除去のための熱処理が行われる（分解除去ゾーンＺ２）。次に、セラミック素体２は別の炉に移動する。新たな炉において、炉内の温度は焼成温度まで上昇すると共に、当該焼成温度で一定に保たれ、設定された時間だけ焼成のための熱処理が行われる（焼成ゾーンＺ３）。
【００３８】
また、脱バインダ工程Ｓ２が行われる炉と、分解除去工程Ｓ３が行われる炉と、焼成工程Ｓ４が行われる炉が、それぞれ異なっていてもよい。脱バインダ工程Ｓ２、分解除去工程Ｓ３、及び焼成工程Ｓ４を全て異なる炉で行うことによって、前工程によって炉内に残留する物質の影響を考慮することなく、次の工程を行うことが可能となる。このときのセラミック素体２に対する温度変化は、図４（ｂ）に示される。図４（ｂ）に示すように、まず、炉内の温度は脱バインダ温度まで上昇すると共に、当該脱バインダ温度で一定に保たれ、設定された時間だけ脱バインダのための熱処理が行われる（脱バインダゾーンＺ１）。次に、セラミック素体２は別の炉に移動する。新たな炉において、炉内の温度は分解除去温度まで上昇すると共に、当該分解除去温度で一定に保たれ、設定された時間だけ分解除去のための熱処理が行われる（分解除去ゾーンＺ２）。次に、セラミック素体２は別の炉に移動する。新たな炉において、炉内の温度は焼成温度まで上昇すると共に、当該焼成温度で一定に保たれ、設定された時間だけ焼成のための熱処理が行われる（焼成ゾーンＺ３）。なお、用いる炉のタイプは特に限定されず、例えば、ローラハース炉やバッチ炉などを用いることができる。
【００３９】
次に、本発明の実施形態に係る電子部品１の製造方法の作用・効果について説明する。
【００４０】
本実施形態に係る電子部品１の製造方法によれば、脱バインダ工程Ｓ２と焼成工程Ｓ４との間に、焼成前のセラミック素体２中の不純物を分解除去するための分解除去工程Ｓ３が行われている。ここで、分解除去工程Ｓ３での酸素分圧ＰＯ２が低すぎる場合、セラミック素体２中の不純物の分解が不十分となり、不純物が残存してしまう可能性がある。しかしながら、本実施形態において、式（２）における酸素分圧ＰＯ２の下限値は、ＳＯ２の標準生成ギブスエネルギーを用いて、不純物の中で最も分解条件の厳しいＳ（硫黄）の除去に必須となる酸素分圧ＰＯ２を求めることによって設定されている。一方、分解除去工程Ｓ３での酸素分圧ＰＯ２が高すぎる場合、不純物の分解反応よりも、Ｎｉ＋Ｏ→ＮｉＯの反応が支配的になり、内部電極層のＮｉが酸化されてしまう可能性がある。しかしながら、本実施形態において、式（２）における酸素分圧ＰＯ２の上限値は、ＮｉＯの標準生成ギブスエネルギーを用いて、Ｎｉの酸化を防ぐための酸素分圧ＰＯ２を求めることによって設定されている。このように、分解除去工程Ｓ３においては、式（１）に示すように分解除去温度Ｔを最適な温度に保ち、酸素分圧ＰＯ２を式（２）に示すような最適な値に調整することによって、確実にセラミック素体２中の不純物を除去することができる。以上によって、Ｎｉを含む内部電極層７，８を有する電子部品から不純物を除去し、電子部品１の信頼性を向上させることができる。
【００４１】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【実施例】
【００４２】
以下に示す実施例及び比較例では、いずれも分解除去工程Ｓ３での分解除去温度を９００℃、すなわち９００＋２７３．１５Ｋに設定した。このとき、式（７）に各定数Ａ，Ｂ，Ｃの値とＴ＝９００＋２７３．１５（Ｋ）と気体定数Ｒ＝８．３１４を代入することによって、式（２）における酸素分圧ＰＯ２の範囲を求めると、４．４×１０-13[atm]≦ＰＯ２＜１．１×１０-12[atm]となる。実施例では、４．４×１０-13[atm]≦ＰＯ２＜１．１×１０-12[atm]を満たす酸素分圧ＰＯ２に設定し、比較例では、４．４×１０-13[atm]≦ＰＯ２＜１．１×１０-12 [atm]を満たさない酸素分圧ＰＯ２に設定した。
【００４３】
［実施例１］
実施例１では、酸素分圧ＰＯ２＝８．０×１０−１３[atm]に設定して分解除去工程を行った。具体的には、脱バインダ工程Ｓ２において、炉の中にＮ２，Ｈ２、Ｈ２Ｏガスを酸素分圧ＰＯ２＝  ２．０×１０−３６[atm]で封入し、セラミック素体２を３５０℃で１時間加熱することによって、脱バインダを行った。また、分解除去工程Ｓ３において、炉の中にＮ２，Ｈ２、Ｈ２Ｏガスを酸素分圧ＰＯ２＝８．０×１０−１３[atm]で封入し、セラミック素体２を９００℃、すなわち９００＋２７３．１５Ｋで１時間加熱することによって、不純物の分解除去を行った。また、焼成工程Ｓ４において、炉の中にＮ２，Ｈ２、Ｈ２Ｏガスを酸素分圧ＰＯ２＝５．０×１０−１２[atm]の分圧で封入し、セラミック素体２を１２６０℃で２時間加熱することによって、焼成を行った。実施例１においては、焼成後のセラミック素体２の誘電体層６の厚みは１．２μｍであり、内部電極層７，８の厚みは１．０μｍである。また、脱バインダ工程Ｓ２前におけるセラミック積層体には、セラミック積層体全体に対して４５０ｗｔ％の量のＳが含有されている。また、セッターに載置するセラミック素体２の量は、０．０７ｇ／ｃｍ２とした。また、用いる炉については、脱バインダ工程と分解除去工程では同じ炉を用い、焼成工程では別の炉を用いた。
【００４４】
［実施例２］
実施例２では、酸素分圧ＰＯ２＝５．０×１０−１３[atm]に設定して分解除去工程を行った。その他の条件については、実施例１と同様である。
【００４５】
［比較例１］
比較例１では、酸素分圧ＰＯ２＝５．０×１０−１４[atm]に設定して分解除去工程を行った。その他の条件については、実施例１と同様である。
【００４６】
［比較例２］
比較例１では、酸素分圧ＰＯ２＝１．０×１０−１３[atm]に設定して分解除去工程を行った。その他の条件については、実施例１と同様である。
【００４７】
［比較例３］
比較例３では、酸素分圧ＰＯ２＝５．０×１０−１２[atm]に設定して分解除去工程を行った。その他の条件については、実施例１と同様である。
【００４８】
（電子部品の評価）
上記実施例１及び実施例２、比較例１〜３の電子部品について、不純物の残存の評価、Ｎｉ内部電極層のＮｉの酸化の評価、及び電子部品としての容量の評価を行った。評価結果を図４に示す。
【００４９】
（不純物の残存の評価）
当該評価においては、炭素・硫黄分析装置（ＣＳ分析装置）によって評価した。このとき、Ｓの残存量が５０ppm以上の場合に不合格品とした。図４に示すように、実施例１、実施例２及び比較例３では、十分に不純物が除去されていた。一方、比較例１及び比較例２では、十分に不純物が除去されず、残存していた。当該結果から、酸素分圧ＰＯ２が式（２）の下限値より小さくなった場合は、十分にセラミック素体２中の不純物を除去することができないことが理解される。
【００５０】
（Ｎｉ内部電極層のＮｉの酸化の評価）
当該評価においては、焼成後のセラミック素体２を端面から研磨し、断面を観察することよって１０００個のサンプルを評価した。このとき、１０００個のサンプルの中でＮｉの酸化が一つでも確認された場合に不合格品とした。図４に示すように、実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２では内部電極層のＮｉの酸化が発生していなかった。一方、比較例３では、内部電極層のＮｉに酸化が発生していた。当該結果から、酸素分圧ＰＯ２が式（２）の上限値以上である場合は、内部電極層にＮｉの酸化が生じてしまうことが理解される。
【００５１】
（電子部品の容量評価）
当該評価においては、電子部品の静電容量を測定した。このとき、目的とする静電容量の規格範囲から外れるものを不合格品とした。具体的には、測定した静電容量が目的とする静電容量から±１０％の範囲外となったものを不合格品とした。図４に示すように、実施例１、実施例２では静電容量の測定値が目的とする静電容量の規格範囲内に収まっていた。一方、比較例１、比較例２、及び比較例３では、静電容量の測定値が目的とする静電容量の規格範囲外となっていた。当該結果から、酸素分圧ＰＯ２が式（２）の範囲内である場合は、所望の製品性能を得ることができることが理解される。
【００５２】
（総合評価）
以上より、酸素分圧ＰＯ２が式（２）の範囲外に設定されている場合は、セラミック素体２中に不純物が残り、あるいは内部電極にＮｉの酸化が発生する。また、得られる電子部品は、静電容量の測定値が目的とする静電容量の規格範囲外となり、所望の製品性能を得ることができないことが理解される。一方、酸素分圧ＰＯ２が式（２）の範囲内に設定されている場合は、セラミック素体２中に不純物が残らず、内部電極にＮｉの酸化が発生しない。また、得られる電子部品は、静電容量の測定値が目的とする静電容量の規格範囲内となり、所望の製品性能を得ることができることが理解される。
【符号の説明】
【００５３】
１…電子部品、２…セラミック素体、６…誘電体層、７，８…内部電極層、Ｓ１…素体準備工程、Ｓ２…脱バインダ工程、Ｓ３…分解除去工程、Ｓ４…焼成工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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