(57)【要約】【課題】最終研磨にコロイダルシリカスラリーを用いる場合、研磨時間に比例して端部のダレ量が増加する傾向が見られるため、最終研磨前のガラス基板のロールオフを小さくしてこの問題を解決する。【解決手段】円形ガラス板を研磨して磁気ディスク用ガラス基板を製造する方法であって、アミノ基を有する水溶性有機高分子、アミン塩基を有する水溶性有機高分子および第４級アンモニウム塩基を有する水溶性有機高分子からなる群から選ばれる１以上の水溶性有機高分子および平均粒径が０．４〜１．８μｍの酸化セリウム砥粒を含有するスラリーと、研磨布とを用いて円形ガラス板の主表面を研磨する工程を有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形ガラス板を研磨して磁気ディスク用ガラス基板を製造する方法であって、
アミノ基を有する水溶性有機高分子、アミン塩基を有する水溶性有機高分子および第４級アンモニウム塩基を有する水溶性有機高分子からなる群から選ばれる１以上の水溶性有機高分子および平均粒径が０．４〜１．８μｍの酸化セリウム砥粒を含有するスラリーと、研磨布とを用いて円形ガラス板の主表面を研磨する工程を有することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記アミノ基を有する水溶性有機高分子が、水溶性ポリエーテルポリアミンまたは水溶性ポリアルキレンポリアミンであることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスクガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記第４級アンモニウム塩基を有する水溶性有機高分子が、エチレンオキサイド付加型４級アンモニウム塩またはジ４級アンモニウム塩を有する水溶性有機高分子であることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記スラリー中の前記水溶性有機高分子の質量百分率表示含有量が０．００１〜１０％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記スラリーのｐＨが９．５〜１２であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記研磨布が、ショアＡ硬度６０°以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項７】
前記研磨布がスエードパッドであることを特徴とする請求項６に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項８】
前記水溶性有機高分子および平均粒径が０．４〜１．８μｍの酸化セリウム砥粒を含有するスラリーと、研磨布とを用いて円形ガラス板の主表面を研磨する工程を経た円形ガラス板の主表面のロールオフが−５０ｎｍ以上であり、形状波長２〜２５０μｍにおける微小うねりが０．３ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６または７に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項９】
前記研磨布が、ショアＡ硬度７０°以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項１０】
前記研磨布が独立気泡ウレタンパッドであることを特徴とする請求項９に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項１１】
前記水溶性有機高分子および平均粒径が０．４〜１．８μｍの酸化セリウム砥粒を含有するスラリーと、研磨布とを用いて円形ガラス板の主表面を研磨する工程を経た円形ガラス板の主表面のロールオフが−３０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項９または１０に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項１２】
ｐＨが１〜６のコロイダルシリカスラリーを用いて最終研磨する工程を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法により製造されたことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項１４】
請求項１３記載の磁気ディスク用ガラス基板の上に、少なくとも磁性層が形成されていることを特徴とする磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法、特に主表面の研磨方法に関する。本発明はまた、前記磁気ディスク用ガラス基板の主表面上に磁性層を形成してなる磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブなどの情報処理機器に搭載される磁気ディスクに対する高記録密度化の要請は近年強くなっており、磁気ディスクの基板となるガラス基板には、高平滑性と、より広い面積において記録層が形成できるように端部形状の乱れを抑制することが必要になっている。
【０００３】
ガラス基板の製造は一般に、円形ガラス板をラッピング後、酸化セリウム砥粒を含有するスラリーと硬質ウレタンパッドとを用いて主表面の研磨を行い、更にコロイダルシリカ砥粒を含有するスラリーとスエードパッドとを用いて最終研磨を行う（たとえば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１４１８５２公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
最終研磨にコロイダルシリカスラリーを用いる場合、研磨時間に比例して端部のダレ量（ロールオフ）が増加する傾向が見られる問題があり、特に酸性コロイダルシリカスラリーを用いる場合にこのような問題は顕著であった。
【０００６】
特許文献１の発明においては、最終研磨に特定の研磨パッドを用いてこの問題を解決しようとしている。これに対し、本発明は、最終研磨前のガラス基板のロールオフを小さくしてこの問題を解決しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明は、下記の磁気ディスク用ガラス基板、その製造方法および磁気ディスクを提供する。
（１）円形ガラス板を研磨して磁気ディスク用ガラス基板を製造する方法であって、
アミノ基を有する水溶性有機高分子、アミン塩基を有する水溶性有機高分子および第４級アンモニウム塩基を有する水溶性有機高分子からなる群から選ばれる１以上の水溶性有機高分子および平均粒径が０．４〜１．８μｍの酸化セリウム砥粒を含有するスラリーと、研磨布とを用いて円形ガラス板の主表面を研磨する工程（以下、この工程を本発明の研磨工程という。）を有することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（２）前記アミノ基を有する水溶性有機高分子が、水溶性ポリエーテルポリアミンまたは水溶性ポリアルキレンポリアミンであることを特徴とする上記（１）記載の磁気ディスクガラス基板の製造方法。
（３）前記第４級アンモニウム塩基を有する水溶性有機高分子が、エチレンオキサイド付加型４級アンモニウム塩またはジ４級アンモニウム塩を有する水溶性有機高分子であることを特徴とする上記（１）記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（４）前記スラリー中の前記水溶性有機高分子の質量百分率表示含有量が０．００１〜１０％であることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（５）前記スラリーのｐＨが９．５〜１２であることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（６）前記研磨布が、ショアＡ硬度６０°以下であることを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（７）前記研磨布がスエードパッドであることを特徴とする上記（６）に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（８）前記水溶性有機高分子および平均粒径が０．４〜１．８μｍの酸化セリウム砥粒を含有するスラリーと、研磨布とを用いて円形ガラス板の主表面を研磨する工程を経た円形ガラス板の主表面のロールオフが−５０ｎｍ以上であり、形状波長２〜２５０μｍにおける微小うねりが０．３ｎｍ以下であることを特徴とする上記（６）または（７）に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（９）前記研磨布が、ショアＡ硬度７０°以上であることを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（１０）前記研磨布が独立気泡ウレタンパッドであることを特徴とする上記（９）に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（１１）前記水溶性有機高分子および平均粒径が０．４〜１．８μｍの酸化セリウム砥粒を含有するスラリーと、研磨布とを用いて円形ガラス板の主表面を研磨する工程を経た円形ガラス板の主表面のロールオフが−３０ｎｍ以上であることを特徴とする上記（９）または（１０）に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（１２）ｐＨが１〜６のコロイダルシリカスラリーを用いて最終研磨する工程を含むことを特徴とする上記（１）〜（１１）のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（１３）上記（１）〜（１２）のいずれか１項に記載の方法により製造されたことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
（１４）上記（１３）記載の磁気ディスク用ガラス基板の上に、少なくとも磁性層が形成されていることを特徴とする磁気ディスク。
【０００８】
ここで、微小うねりＷａは、主表面について、白色干渉法によって形状波長が２〜２５０μｍである１平方ｍｍの領域の微小うねりを測定し、算術平均した値である。また、ロールオフの大きさとは下記のようにして求められる。
【０００９】
図１は主表面外周部、チャンファー面(面取りされた面)および外周端面を含む部分の断面の概念図であり、図中のａはチャンファー面、ｂは外周端面、ｃは主表面外周部であり、ｄはチャンファー面ａと主表面外周部ｃとの境界である。また、図中点線で示されている直線はロールオフ（端部だれ）の大きさを定めるための基準線ｇであり、この基準線ｇは、主表面外周部ｃのうち境界ｄから主表面中心に向かって２．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の部分ｆと重なるか、この部分ｆを最もよく近似する直線として定められる。そして、主表面外周部ｃのうち境界ｄから主表面中心に向かって０．２５ｍｍ以上５ｍｍ以下の部分はロールオフ測定領域ｅである。そして、ロールオフの大きさは、ロールオフ測定領域ｅにおける主表面外周部ｃの基準線ｇからの最大高さおよび最小高さの差である。なお、主表面外周部ｃが基準線ｇよりも上方にある場合は高さを正、下方にある場合は高さを負とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、最終研磨前の主表面の研磨工程においてロールオフを小さくすることができ、その後のコロイダルシリカ研磨による最終研磨に起因するものとあわせた主表面のロールオフの悪化を低減できる。また、研磨布としてスエードパッドを用いることにより、ロールオフに加えて平坦性（微小うねり：低）を高めることもでき、硬質ウレタンパッドを用いた場合には研磨レートの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】磁気ディスク用ガラス基板における主表面外周部、チャンファー面(面取りされた面)および外周端面を含む部分の断面の概念図である。
【図２】スエードパッドの一例の断面を撮影した顕微鏡写真である。
【図３】硬質パッド（独立気泡ウレタンパッド）の一例の断面を撮影した顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、通常次のような各工程を経る。すなわち、円形ガラス板の中央に円孔を開け、面取り、主表面ラッピング、端面鏡面研磨を順次行う。その後、このような加工が行われた円形ガラス板を積層して内周端面をエッチング処理し、そのエッチング処理された内周端面にブラシ研磨を実施する。次に、主表面を研磨して平坦かつ平滑な面としガラス基板とされる。
【００１３】
上記に限らず、たとえば主表面ラッピング工程を粗ラッピング工程と精ラッピング工程とに分け、それらの間に形状加工工程（円形ガラス板中央の孔開け、面取り、端面研磨）を設けてもよいし、主表面研磨工程の後に化学強化工程を設けてもよい。なお、中央に円孔を有さないガラス基板を製造する場合には当然、円形ガラス板中央の孔開けは不要である。
【００１４】
主表面ラッピングは通常、平均粒径が６〜８μｍである酸化アルミニウム砥粒または酸化アルミニウム質の砥粒を用いて行う。ラッピングされた主表面は通常、３０〜４０μｍ研磨される。
【００１５】
次いで本発明の研磨工程に移り、主表面の研磨を行う。
【００１６】
本発明の研磨工程においては、平均粒径が０．４〜１．８μｍの酸化セリウム砥粒と、アミノ基を有する水溶性有機高分子、アミン塩基を有する水溶性有機高分子および第４級アンモニウム塩基を有する水溶性有機高分子から選ばれる少なくとも１種とを含むスラリー（以下、本発明のスラリーという）を用いて行う。酸化セリウム砥粒は、純酸化セリウムであってもよいが、通常はランタンなどの希土類及びフッ素を含んだものが用いられる。酸化セリウム砥粒の平均粒径が０．４μｍ未満の微細粒子では、研磨レートが低くなることに加えて研磨布の空孔の目詰まりを起こしやすく、１．８μｍを超える大径粒子では目的とする平坦性及びロールオフを実現し難くなる。また、本発明のスラリーにおける酸化セリウム砥粒の含有量は、典型的には５〜２０質量％である。
【００１７】
また、本発明のスラリーには、酸化セリウム砥粒の分散性を良化するために、ポリアクリル酸塩、ポリスルフォン酸塩などのポリカルボン酸塩やその共重合体を、酸化セリウム砥粒に対して０．５〜５質量％添加しても良い。この場合、ポリカルボン酸塩の分子量は２０００以上１０００００以下が好ましい。
【００１８】
上記水溶性有機高分子のアミノ基やアミン塩基が、ガラス表面のシラノール基と結合して水溶性有機高分子からなる層が形成される。そして、この水溶性有機高分子からなる層は潤滑性を有するため、主表面の凹凸の凸部の酸化セリウム砥粒による研磨状態はあまり変わらないものの、凹部では酸化セリウム砥粒との接触抵抗がより小さくなって研磨され難くなり、結果として凸部がより選択的に研磨されるようになり、平坦性が向上する。また、チャンファー面ａ（図１参照）では、研磨布による押圧力が主表面よりも小さいため、酸化セリウム砥粒との接触抵抗が小さくなる結果、より研磨され難くなり、ロールオフのダレ幅が小さくなる。
【００１９】
そのため、水溶性有機高分子のアミノ基やアミン塩基と、ガラス表面のシラノール基とを結合しやくするために、本発明のスラリーのｐＨを９．５〜１４とすることが好ましい。スラリーのｐＨが９．５未満では、水溶性有機高分子のアミノ基やアミン塩基と、ガラス表面のシラノール基とが結合しにくくなり、目的とする主表面の平坦性やロールオフを実現できないおそれがある。特に、ｐＨが８未満になると、研磨砥粒が沈降しやすくなるという問題も加わる。一方、ｐＨが１４を越える強アルカリ性になると、ガラスが溶け易くなり、平坦性が悪くなる。ｐＨの上限は１２がより好ましい。
【００２０】
上記水溶性有機高分子の第４級アンモニウム塩についても、アルカリ水溶液中では乖離しており、シラノール基と結合し、ガラス上に皮膜を形成する。この皮膜が潤滑剤として寄与し、ロールオフのダレ幅が小さくなると考えられる。
【００２１】
水溶性有機高分子のスラリー中の含有量は、０．００１〜１０質量％であることが好ましい。０．００１質量％未満ではロールオフ及び前記Ｒａが十分には小さくならないおそれがある。より好ましくは０．１質量％以上、特に好ましくは０．５質量％以上である。一方、１０質量％超では研磨速度が著しく低下するおそれがある。より好ましくは５質量％以下である。
【００２２】
本発明のスラリーのｐＨは典型的には９．５〜１２である。９．５未満ではガラス表面のシラノール基の乖離が不十分でアミノ基を有する水溶性有機高分子と結合されにくく、ロールオフのダレ幅を小さく出来ない可能性がある。１２超では研磨に使用するウレタンパッド内のウレタン結合が分解され、パッドが軟化しやすく、ロールオフのダレ幅を小さく出来ない可能性がある。
【００２３】
アミノ基を有する水溶性有機高分子（以下、水溶性ポリアミンという。）としては、一分子中に２個以上のアミノ基を有する水溶性の化合物であればどのようなものでもよい。なお、本明細書にいう水溶性は、研磨剤として使用する濃度においてその研磨剤液中に目視で完全に溶解している状態となる限り、どの程度のものであってもよい。通常は、純水に１質量％以上、好ましくは５質量％以上、より好ましくは３０質量％以上溶解するものをいう。具体的には、水溶性ポリエーテルポリアミン、水溶性ポリアルキレンポリアミン、ポリエチレンイミン、水溶性ポリビニルアミン、水溶性ポリアリルアミン、水溶性ポリリジンおよび水溶性キトサンからなる群から選ばれた１種以上の水溶性高分子が好ましい。特に好ましい水溶性ポリアミンは、水溶性ポリエーテルポリアミンおよび水溶性ポリアルキレンポリアミンである。
【００２４】
水溶性ポリアミンの分子量は水溶性を有する範囲の分子量である限り限定されるものではないが、重量平均分子量で、１００〜１０００００の範囲にあることが好ましく、１００〜２０００の範囲にあることがより好ましい。重量平均分子量が１００未満の場合はその効果が小さい。１０００００を超えると、たとえ水溶性であっても研磨剤の流動性等の物性に悪影響を与えるおそれがある。２０００を超えると純水への溶解性が低下する場合が多い。特に好ましい水溶性ポリアミンは、重量平均分子量が１００〜２０００の水溶性ポリエーテルポリアミンと水溶性ポリアルキレンポリアミンである。
【００２５】
本発明において特に好ましい水溶性ポリアミンは、重量平均分子量が１００〜２０００の水溶性ポリエーテルポリアミンおよび重量平均分子量が１００〜２０００の水溶性ポリアルキレンポリアミンからなる群から選ばれた１種以上の水溶性ポリアミンである。コロイダルシリカに対する分散安定化効果が高いと言う観点からは、この水溶性ポリエーテルポリアミンのより好ましい重量平均分子量は１５０〜８００であり、さらにより好ましくは重量平均分子量は１００〜４００である。
【００２６】
上記ポリエーテルポリアミンとは、２個以上のアミノ基と２個以上のエーテル性酸素原子を有する化合物を意味する。アミノ基としては１級アミノ基（−ＮＨ２）が好ましい。アミノ基として２級アミノ基（−ＮＨ−）や３級アミノ基を有していてもよいが、本発明におけるポリエーテルポリアミンとしては、２個以上の１級アミノ基を有し、他のアミノ基を実質的に有しない化合物が好ましく、特に１級アミノ基のみを２個有するポリエーテルジアミンが好ましい。ポリエーテルポリアミンは、多価アルコールやポリエーテルポリオールの水酸基の水素原子をアミノアルキル基に置換した構造を有する化合物が好ましい。多価アルコールとしては２〜６価のアルコール、特に２価アルコールが好ましく、ポリエーテルポリオールとしては２〜６価のポリオキシアルキレンポリオール、特にポリオキシアルキレンジオールが好ましい。アミノアルキル基としては、２−アミノエチル基、２−アミノプロピル基、２−アミノ−１−メチルエチル基、２−アミノプロピル基、３−アミノプロピル基、２−アミノ−１、１−ジメチルエチル基、４−アミノブチル基などの炭素数２〜６のアミノアルキル基が好ましい。
【００２７】
上記多価アルコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどのエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数２〜８の２価アルコールが好ましい。ポリエーテルポリオールとしては、トリエチレングリコールやテトラエチレングリコールなどのポリエチレングリコール（すなわち、ポリオキシエチレンジオール）、トリプロピレングリコールやテトラプロピレングリコールなどのポリプロピレングリコール（すなわち、ポリオキシプロピレンジオール）、ポリ（オキシプロピレン・オキシエチレン）ジオールなどの２種以上のオキシアルキレン基を有するポリオキシアルキレンジオールなどの繰り返し単位が炭素数２〜６のオキシアルキレン基であるポリエーテルジオールが好ましい。
【００２８】
上記ポリアルキレンポリアミンとは、３個以上のアミノ基がアルキレン基を介して結合した化合物を意味する。末端のアミノ基は１級アミノ基であり分子内のアミノ基は２級アミノ基であることが好ましい。より好ましくは、両分子末端に１級アミノ基を有し、分子内に１個以上の２級アミノ基を有する線状ポリアルキレンポリアミンである。アミノ基と他のアミノ基との間に挟まれ、アルキレン基よりなる結合部分は、一分子内に三つ以上に存在することになるが、これら複数のアミノ基間結合部分は、互いに同一でも異なっていてもよく、すべて同一であるか、両末端の１級アミノ基に結合する２個のアミノ基間結合部分は同一で、かつ他のアミノ基間結合部分とは異なっていることが好ましい。一つのアミノ基間結合部分に含まれる炭素数は２〜８が好ましく、特に両末端の１級アミノ基に結合する２個のアミノ基間結合部分に含まれる炭素数は２〜８、それ以外のアミノ基間結合部分に含まれる炭素数は２〜６が好ましい。
【００２９】
上記ポリエーテルジアミンとポリアルキレンポリアミンとしては、下記式（１）で表される構造を有する化合物が好ましい。
Ｈ２Ｎ−（Ｒ−Ｘ−）ｋ−Ｒ−ＮＨ２        （１）
ただし、Ｒは炭素数２〜８のアルキレン基を表し、Ｘは酸素原子または−ＮＨ−を表し、ｋは、ポリエーテルジアミンの場合には２以上の整数を表し、ポリアルキレンポリアミンの場合には１以上の整数を表す。１分子中の複数のＲは互いに異なっていてもよい。
【００３０】
特にポリエーテルジアミンとしては下記式（２）で表される構造を有する化合物が好ましく、ポリアルキレンポリアミンとしては、下記式（３）で表される構造を有する化合物が好ましい。
【００３１】
Ｈ２Ｎ−Ｒ２−Ｏ−（Ｒ１−Ｏ−）ｍ−Ｒ２−ＮＨ２            （２）
Ｈ２Ｎ−Ｒ４−ＮＨ−（Ｒ３−ＮＨ−）ｎ−Ｒ４−ＮＨ２        （３）
ただし、Ｒ１はエチレン基またはプロピレン基、Ｒ２は炭素数２から６のアルキレン基、Ｒ３は炭素数２から６のアルキレン基、Ｒ４は炭素数２〜８のアルキレン基、ｍは１以上の整数、ｎは１以上の整数を表し、Ｒ１とＲ２は同一でも異なっていてもよく、Ｒ３とＲ４は同一でも異なっていてもよい。
【００３２】
式（２）で表される具体的なポリエーテルジアミンとしては、例えば、ポリオキシプロピレンジアミン（Ｒ１、Ｒ２がプロピレン基、ｍが１以上の化合物）、ポリオキシエチレンジアミン（Ｒ１、Ｒ２がエチレン基、ｍが１以上の化合物）、４，７，１０−トリオキサ−トリデカン−１，１３−ジアミン（Ｒ１がエチレン基、Ｒ２がトリメチレン基、ｍが２の化合物）などがある。式（３）で表される具体的なポリアルキレンポリアミンとしては、例えば、テトラエチレンペンタミン（Ｒ３、Ｒ４がエチレン基、ｎが２の化合物）、ペンタエチレンヘキサミン（Ｒ３、Ｒ４がエチレン基、ｎが３の化合物）、ヘプタエチレンオクタミン（Ｒ３、Ｒ４がエチレン基、ｎが５の化合物）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）−エチレンジアミン（Ｒ３がエチレン基、Ｒ４がトリメチレン基、ｎが１の化合物）、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−アミノエチル）−１、４−ブタンジアミン（Ｒ３がテトラメチレン基、Ｒ４がエチレン基、ｎが１の化合物）などがある。
【００３３】
アミン塩基を有する水溶性有機高分子としては、ヤシアミン、硬化牛脂アミン、ロジンアミン、エチレンオキサイド付加型高級アルキルアミンが例示される。
【００３４】
第４級アンモニウム塩基を有する水溶性有機高分子としては、第４級アンモニウム塩基がエチレンオキサイド付加型４級アンモニウム塩、ジ４級アンモニウム塩であるものが例示される。
【００３５】
上記の水溶性有機高分子の中では、水溶性ポリエーテルポリアミンが好ましい。
【００３６】
本発明の研磨工程における研磨布には制限はなく、目的に応じて選択することができる。例えば、ショアＡ硬度が６０°以下であって、図２（断面の顕微鏡写真）に示すように、研磨面に開孔が形成され、開孔から厚さ方向に縦長に延びる空孔が形成された、一般に「スエードパッド」と称される研磨布を使用することができる。このスエードパッドの研磨面の開口率は、ダイヤドレスを用いて開口させるものに関しては１０〜８０％、バフによる開口が行われているものに関しては５０〜８０％であり、断面形状については、水平方向の平均空孔径が１０μｍ以上５００μｍ以下、垂直方向の平均空孔径が５０μｍ以上の空孔を有する発泡体である。尚、ショアＡ硬度は２０°以上であることが好ましく、２０°未満では研磨速度が低下するおそれがある。また、材質はポリウレタンが一般的である。スエードパッドを用いることにより、端部だれが小さくできることに加えて微小うねりを小さくすることもで、ロールオフとしては−５０ｎｍ以上、微小うねりとしては０．３ｎｍ以下が典型的である。
【００３７】
以下、本研磨工程において研磨布としてショアＡ硬度が６０°以下であるものを用いるものを本研磨工程１という。
【００３８】
また、研磨レートを重視する場合または研磨布寿命を長くしたい場合は、ショアＡ硬度７０°以上で、図３（断面の顕微鏡写真）に示すように独立気泡を有する、一般に「硬質パッド」と称される研磨布を用いる。尚、ショアＡ硬度が７０より低いと研磨レートが低下するおそれがある。また、材質はポリウレタンが一般的であり、そのようなものは一般に「独立気泡ウレタンパッド」と称される。また、ショアＤ硬度で２０°以上であることが好ましい。独立気泡ウレタンパッドを用いることによりロールオフを−３０ｎｍ以上とすることが可能になる。
【００３９】
以下、本研磨工程において研磨布としてショアＡ硬度が７０°以上であるものを用いるものを本研磨工程２という。
【００４０】
本研磨工程はたとえば、本研磨工程１のみからなるものや、本研磨工程２のみからなるものでもよいし、本研磨工程２の後に本研磨工程１を有するものであってもよい。
【００４１】
上記のショアＡ硬度はＪＩＳ  Ｋ  ６２５３に従い求められ、例えば高分子計器製マイクロゴム硬度計ＭＤ―１により測定される。また、ショアＤ硬度はＪＩＳ  Ｋ  ６２５３に従い求められ、例えば（高分子計器製アスカーゴム硬度計Ｄ型）により測定される。
【００４２】
研磨圧力にも制限はなく、研磨布の種類に応じて適宜選択できるが、５〜１５ｋＰａが適当である。５ｋＰａ未満では研磨時の研磨機定盤の安定性が低下してばたつきやすくなり、その結果主表面のうねりが大きくなるおそれがある。一方、１５ｋＰａ超では、研磨布とガラス間の摩擦抵抗が高くなり、スムーズに研磨機定盤がまわらず、ガラスが割れてしまう恐れがある。研磨圧力は、１２ｋＰａ以下であることが好ましい。
【００４３】
本発明の研磨工程における主表面の研磨量は通常１μｍ以上であり、３０〜４０μｍが一般的である。得られる円形ガラス板は、主表面外周部のロールオフの大きさが典型的には−５０ｎｍ以上、好ましくは０ｎｍ以上である。また、典型的には主表面の１平方ｍｍ当たりの微小うねりＷａが０．３ｎｍ以下、好ましくは０．２ｎｍ以下である。微小うねりＷａが０．３ｎｍを超えると、その後の酸性コロイダルシリカによる仕上げ研磨時に、例えばＲａを０．１５ｎｍ以下にする為には５分以上の研磨時間が必要となり、最終的なロールオフがだれる方向で絶対値が大きくなるため好ましくない。
【００４４】
洗浄後、円形ガラス板をコロイダルシリカスラリーによる仕上げ研磨（最終研磨工程）を行う。洗浄には水や洗浄剤を含む水溶液を用いるが、添加した水溶性有機高分子は、酸化セリウム砥粒を伴った状態で洗い落とされるため、洗浄効率が高まるという利点がある。
【００４５】
仕上げ研磨工程では、たとえば、平均粒径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下のコロイダルシリカ砥粒を含むスラリーを用いて研磨するだけでもよく、平均粒径５０ｎｍ超１００ｎｍ以下のコロイダルシリカ砥粒を含むスラリーを用いて前研磨した後、平均粒径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下のコロイダルシリカ砥粒を含むスラリーを用いて仕上げ研磨してもよい。
【００４６】
コロイダルシリカスラリーのｐＨは、１〜６が好ましい。ｐＨ調整剤としては、酸としては無機酸又は有機酸が用いられる。無機酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、燐酸、ポリ燐酸、アミド硫酸等が挙げられる。また、有機酸としては、カルボン酸、有機燐酸、アミノ酸等が挙げられ、例えば、カルボン酸は、酢酸、グリコール酸、アスコルビン酸等の一価カルボン酸、蓚酸、酒石酸等の二価カルボン酸、クエン酸等の三価カルボン酸が挙げられる。特にｐＨ１以上３以下とすることが好ましく、その場合は無機酸が好適に用いられる。また、ｐＨ３超においては、カルボン酸を用いるとコロイダルシリカ砥粒のゲル化を抑制できるため好ましい。更には、スラリーにアニオンもしくはノニオン界面活性剤を添加してもよい。
【００４７】
仕上げ研磨工程における研磨具は、スエードパッドであることが好ましい。このスエードパッドは、本研磨工程１で使用することが好ましいとしたスエードパッドが典型的である。
【００４８】
仕上げ研磨工程では、円形ガラス板の主表面の二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下、好ましくは０．１３ｎｍ以下の平坦性を有するように研磨されることが好ましい。この研磨における研磨量は、典型的には０．５〜２μｍである。
【００４９】
仕上げ研磨工程の後、コロダルシリカ砥粒を除去するために洗浄を行う。この洗浄工程では、少なくとも１回はｐＨ１０以上のアルカリ性洗浄剤による洗浄を行うことが好ましい。アルカリ性洗浄液としては、例えば、界面活性剤と、ビルダーとして、クレート剤や水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどを含んだものを使用できる。また、洗浄工程では酸性洗浄液を併用することもでき、例えば、リン酸やクエン酸などキレート効果を有する酸を含んだものを使用できる。洗浄方法は、ガラス円板を浸漬して超音波振動を加えてもよいし、スクラブ洗浄を用いてもよい。また、両方を組み合わせてもよい。更に、洗浄の前後に、純水による浸漬工程やリンス工程を行うことが好ましい。
【００５０】
最終のリンス工程後に乾燥するが、乾燥方法としてはイソプロピルアルコール蒸気を用いる乾燥方法やスピン乾燥、真空乾燥などが用いられる。
【００５１】
上記一連の工程により本発明の磁気ディスク用ガラス基板が得られるが、その主表面は高度に平坦化されており、端部だれも小さい。そのため、主表面に磁性層を含む層を形成して得られる本発明の磁気記録媒体は、高密度記録が可能になる。尚、その製造は周知の方法によって行われる。
【実施例】
【００５２】
以下に実施例および比較例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明はこれにより何ら制限されるものはない。尚、ショアＡ硬度は高分子計器製マイクロゴム硬度計ＭＤ―１により測定した。ロールオフはＺｙｇｏ社製ＮｅｗＶｉｅｗ５００を用いて円形ガラス板８枚について測定し、その平均値及び最小値を求めた。また、微小うねりＷａはＺｙｇｏ社製ＮｅｗＶｉｅｗ５００を用いて、半径１０ｍｍ以上３０ｍｍ以内のドーナツ形の領域中の３箇所についてうねりを測定し、その平均値を求めた。
【００５３】
（実施例１）
フロート法で成形されたシリケートガラス板を、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍのガラス基板が得られるようなドーナツ状円形ガラス板（中央に円孔を有する円形ガラス板）に加工した。なお、内周面および外周面の研削加工はダイヤモンド砥石を用いて行い、主表面のラッピングは酸化アルミニウム砥粒を用いて行った。
【００５４】
一方、本発明のスラリーを次のようにして作製した。
【００５５】
ポリオキシプロピレンジアミン（ＢＡＳＦ社製「ポリエーテルアミンＤ４００」、重量平均分子量４００）２０ｇと、ポリアクリル酸塩（ライオン社製）１．５ｇ（スラリー全量に対しては１．２質量％）とを蒸留水１６７８．５ｇで希釈して水溶液Ａを調製した。次に、酸化セリウムを主成分とし、ランタンなどの希土類及びフッ素を含む平均粒子径１μｍの酸化セリウム研磨砥粒（昭和電工製ＮＸ０２）１００ｇを水溶液Ａに添加して、１２時間攪拌してスラリーＡを得た。スラリーＡのｐＨは１１．０であった。
【００５６】
その後、研磨材として上記スラリーＡを用い、研磨具としてショアＡ硬度５５°、代表的な水平方向の平均空孔径が４０μｍ、厚さが５００μｍであるウレタンスエードパッドを用いて、片面研磨装置（スピードファム社製「ＦＡＭ１２Ｂ研磨機」）により円形ガラス板の主表面研磨を行った。研磨加工圧は１０ｋＰａとし、５０分間研磨した。加工量は厚さ方向で計１０μｍであった。
【００５７】
得られた円形ガラス板の主表面の微小うねりＷａは０．１４ｎｍ、ロールオフの最小値は−４２．８ｎｍ、平均値は−３７ｎｍであった。
【００５８】
（比較例１）
ポリアクリル酸塩（ライオン社製）１．５ｇを蒸留水１６７８．５ｇで希釈して水溶液Ｂを調製した。次いで、実施例１で用いた酸化セリウム研磨砥粒１００ｇを水溶液Ｂに添加して、１２時間攪拌してスラリーＢを得た。スラリーＢのｐＨは１１．０であった。
【００５９】
その後、研磨材として上記スラリーＢを用い、研磨具としてショアＡ硬度５５°、代表的な水平方向の平均空孔径が４０μｍ、厚さが５００μｍであるウレタンスエードパッドを用いて、片面研磨装置により上記の円形ガラス板の主表面の研磨加工を行った。研磨加工圧は１０ｋＰａとし、５０分間研磨した。加工量は厚さ方向で計１０μｍであった。
【００６０】
得られた円形ガラス板の主表面の微小ねりＷａは０．２１ｎｍ、ロールオフの最小値は−２１２ｎｍ、平均値は−１７５ｎｍであった。
【００６１】
（実施例２）
フロート法で成形されたシリケートガラス板を、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍのガラス基板が得られるようなドーナツ状円形ガラス板（中央に円孔を有する円形ガラス板）に加工した。なお、内周面および外周面の研削加工はダイヤモンド砥石を用いて行い、主表面のラッピングは酸化アルミニウム砥粒を用いて行った。
【００６２】
次に、エチレンオキシド−プロピレンオキシド共重合物（ビス（２−アミノプロピル）エーテル（ハンツマン社製「ジェファーミン  ＥＤ６００」）２５０ｇ（スラリー全量に対しては１質量％）を蒸留水２２２５０ｇで希釈して水溶液Ｃを調製した。次いで、酸化セリウム（Ｅ３０，三井金属社製）２５００ｇを水溶液Ｃに添加して、１２時間攪拌してスラリーＣを得た。スラリーＣのｐＨは１０．８であった。
【００６３】
その後、研磨材として上記スラリーＣを用い、研磨具としてショアＡ硬度９３°で、代表的な独立気泡の直径が平均８６ｎｍである硬質ウレタンパッド（フジボウ社製「ＦＸ８Ｈ−０４１Ｕ」）を用いて、両面研磨装置（スピードファム社製「ＦＡＭ９Ｂ研磨機」）により上記の円形ガラス板の主表面の研磨加工を行った。研磨加工圧は６ｋＰａとし、５０分間研磨した。得られた円形ガラス板の主表面の微小うねりＷａは０．４９ｎｍ、ロールオフの最小値は−１５．６ｎｍ、平均値は−２．９ｎｍであった。
【００６４】
（実施例３）
研磨加工圧を８．５ｋＰａにした以外は実施例２と同様にして研磨した。得られた円形ガラス板の主表面の微小うねりＷａは０．５０ｎｍ、ロールオフの最小値は１８．１ｎｍ、平均値は３２．５ｎｍであった。
【００６５】
（実施例４）
研磨加工圧を１２ｋＰａにした以外は実施例２と同様にして研磨した。得られた円形ガラス板の主表面の微小うねりＷａは０．５１ｎｍ、ロールオフの最小値は４７．６ｎｍ、平均値は５５．９ｎｍであった。
【００６６】
（実施例５）
エチレンオキシド−プロピレンオキシド共重合物（ビス（２−アミノプロピル）エーテル（ハンツマン社製「ジェファーミン  ＥＤ６００」）７５０ｇ（スラリー全量に対しては３．１質量％）を蒸留水２１７５０ｇで希釈して水溶液Ｄを調製した。次いで、酸化セリウム（Ｅ３０，三井金属社製）２５００ｇを水溶液Ｄに添加して、１２時間攪拌してスラリーＤを得た。スラリーＤのｐＨは１１．１であった。
【００６７】
その後、研磨材として上記スラリーＤを用い、研磨具としてショアＡ硬度９３°の硬質ウレタンパッド（フジボウ社製「ＦＸ８Ｈ−０４１Ｕ」）を用いて、両面研磨装置により上記の円形ガラス板の主表面の研磨加工を行った。研磨加工圧は８．５ｋＰａとし、５０分間研磨した。得られた円形ガラス板の主表面の微小うねりＷａは０．４１ｎｍ、ロールオフの最小値は４０．３ｎｍ、平均値は５２．１ｎｍであった。
【００６８】
（比較例２）
実施例２で用いた酸化セリウム研磨砥粒２５００ｇを蒸留水２２５００ｇに添加して、１２時間攪拌してスラリーＦを得た。スラリーＦのｐＨは９．６であった。スラリーＦを用い、実施例２と同様にして上記の円形ガラス板の主表面を研磨した。得られた円形ガラス板の主表面の微小うねりＷａは０．６９ｎｍ、ロールオフの最小値は−１３２．５ｎｍ、平均値は−３８．８ｎｍであった。
【００６９】
（比較例３）
研磨加工圧を８．５ｋＰａにした以外は比較例２と同様にして研磨した。得られた円形ガラス板の主表面の微小うねりＷａは０．５６ｎｍ、ロールオフの最小値は−１１６．７ｎｍ、平均値は−１９．３ｎｍであった。
【００７０】
（比較例４）
研磨加工圧を１２ｋＰａにした以外は比較例２と同様にして研磨した。得られた円形ガラス板の主表面の微小うねりＷａは０．５９ｎｍ、ロールオフの最小値は−６８．４ｎｍ、平均値は１．３ｎｍであった。
【００７１】
（比較例５）
酸化セリウム研磨砥粒として、平均粒子径３５ｎｍのものを使用した以外は実施例１と同様にして円形ガラス板の研磨を行った。加工量を同じく１０μｍとするのに要した時間に時間は２５０分であり、実施例１の５０分間に比べてかなりの時間を要した。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
磁気ディスク用ガラス基板の製造に利用できる。
【符号の説明】
【００７３】
ａ：チャンファー面
ｂ：外周端面
ｃ：主表面外周部
ｄ：チャンファー面ａと主表面外周部ｃとの境界
ｅ：ロールオフ測定領域
ｇ：ロールオフの大きさを定めるための基準線
【図１】
2011104691.tif 000002
【図２】
2011104691.tif 000003
【図３】
2011104691.tif 000004