(57)【要約】【課題】レチクルを交換する時間を削減しつつ、露光処理を精度良く行うための計測、補正時間をも削減する露光装置及び露光方法を提供する。【解決手段】原版３を載置及び保持する原版ステージ４と、基板６を載置及び保持する少なくとも２つの基板ステージ７、８とを有し、原版３のパターンを基板６に対して多重露光する露光装置１であって、更に、原版ステージ４及び各基板ステージ７、８の動作と、露光処理を制御する制御部９を有し、制御部９は、第１の原版のパターンを、露光処理部に位置する第１の基板ステージ７に載置された第１の基板に対して投影転写させ、次に、各基板ステージ７、８を移動させて基板６を交換し、第１の原版のパターンを、第２の基板ステージ８に載置された第２の基板に対して投影転写させ、更に、投影転写に使用する原版３を、第１の原版から第２の原版へと交換した場合は、原版３の交換前後で同一の基板ステージに載置された同一の基板６に対して投影転写させる。【選択図】図１
2011018861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版を載置及び保持する原版ステージと、基板を載置及び保持する少なくとも２つの基板ステージとを有し、前記原版のパターンを前記基板に対して多重露光する露光装置であって、
更に、前記原版ステージ及び前記各基板ステージの動作と、露光処理を制御する制御部を有し、
前記制御部は、前記第１の原版のパターンを、露光処理部に位置する前記第１の基板ステージに載置された前記第１の基板に対して投影転写させ、
次に、前記各基板ステージを移動させて前記基板を交換し、前記第１の原版のパターンを、前記第２の基板ステージに載置された前記第２の基板に対して投影転写させ、
更に、投影転写に使用する前記原版を、前記第１の原版から前記第２の原版へと交換した場合は、前記原版の交換前後で同一の前記基板ステージに載置された同一の前記基板に対して投影転写させることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記原版の交換後において、前記制御部が前記露光処理部に位置する前記基板ステージに対して実施する計測、補正項目は、前記原版の交換前に比べて、少なくとも一項目減少することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記原版の交換後において、前記制御部が前記露光処理部に位置する前記基板ステージに対して実施する計測、補正項目のうち少なくとも一項目は、投影転写を行わない側である計測部に位置する前記基板ステージに対して実施された計測、補正項目を参照することを特徴とする請求項１及び２に記載の露光装置。
【請求項４】
原版を載置及び保持する原版ステージと、基板を載置及び保持する少なくとも２つの基板ステージとを有し、前記原版のパターンを前記基板に対して多重露光する露光方法であって、
前記第１の原版のパターンを、露光処理部に位置する前記第１の基板ステージに載置された前記第１の基板に対して投影転写する工程と、
前記各基板ステージを移動させて前記基板を交換し、前記第１の原版のパターンを、前記第２の基板ステージに載置された前記第２の基板に対して投影転写する工程と、
投影転写に使用する前記原版を、前記第１の原版から前記第２の原版へと交換した場合は、前記原版の交換前後で同一の前記基板ステージに載置された同一の前記基板に対して投影転写する工程と、
を有することを特徴とする露光方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の露光装置、若しくは、請求項４に記載の露光方法を用いて基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及び露光方法、それを用いたデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
露光装置は、半導体デバイスや液晶表示装置等の製造工程であるリソグラフィ工程において、原版（レチクル）のパターンを、投影光学系を介して感光性の被処理基板（例えば、表面にレジスト層が形成されたウエハやガラスプレート等）に転写する装置である。この露光装置としては、ステップ・アンド・リピート方式の投影型露光装置（ステッパ）や、ステップ・アンド・スキャン方式の投影型露光装置（スキャン）が多用されている。
【０００３】
近年、半導体デバイスの製造に用いられる露光装置では、単位時間当たりの生産量を上げるために、被処理基板であるウエハを載置、保持するウエハステージを２箇所有する構成（以下、「ツインステージ」と表記する）が一般的となっている。ウエハステージが単数のみの従来の露光装置の場合、ウエハの入れ替えや事前計測の間、ウエハに露光処理を施せない空白状態が存在する。これに対して、ツインステージ型の露光装置では、一方のウエハステージにおいて露光処理している間に、他方のウエハステージにおいてウエハの入れ替えや事前計測を行う。そして、一方の露光処理が終了した直後に、他方のウエハステージにおいて露光処理を開始することができる。即ち、ツインステージ型の露光装置は、上記空白状態がなく、常に、あるウエハに対して露光処理を施している状態とすることができるため、単位時間当たりの生産量を上げられることが可能となる。
【０００４】
また、通常、メモリやＣＰＵ等の半導体デバイスは、多層構造を有しており、製造工程では、それぞれの層（レイヤー）に対して露光処理を実施した後に、エッチング工程等を実施し、その後、次の層の工程に移る流れになっている。これに対して、近年、解像パターンの微細化要求達成の一手段として、１つの層に対してエッチング等の工程を介さず、レチクルを交換して連続的に複数回露光処理を施す「多重露光」が提唱されている。
【０００５】
しかしながら、上記の多重露光の方法では、微細なパターンを解像することは可能となるが、１つの層に対して複数回の露光処理を実施するため、生産性が落ちるという課題がある。この処理時間が増加する要因としては、単に露光処理の回数分の時間増加だけではなく、レチクルを交換する時間や、露光処理を精度良く行うための計測、補正時間等もあり、処理全体として非常に多くの時間増加が発生する。
【０００６】
そこで、多重露光における時間削減の対策として、特許文献１は、ツインステージ型の露光装置であって、レチクル交換の頻度を低減する方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−５７２９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の方法は、レチクルを交換する頻度（時間）を削減することはできるが、露光処理を精度良く行うための計測、補正時間は、削減できない。
【０００９】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、レチクルを交換する時間を削減しつつ、露光処理を精度良く行うための計測、補正時間をも削減する露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、原版を載置及び保持する原版ステージと、基板を載置及び保持する少なくとも２つの基板ステージとを有し、原版のパターンを基板に対して多重露光する露光装置であって、更に、原版ステージ及び各基板ステージの動作と、露光処理を制御する制御部を有し、制御部は、第１の原版のパターンを、露光処理部に位置する第１の基板ステージに載置された第１の基板に対して投影転写させ、次に、各基板ステージを相互移動させて基板を交換し、第１の原版のパターンを、第２の基板ステージに載置された第２の基板に対して投影転写させ、更に、投影転写に使用する原版を、第１の原版から第２の原版へと交換した場合は、原版の交換前後で同一の基板ステージに載置された同一の基板に対して投影転写させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、多重露光において投影転写に使用する原版を交換した場合、原版の交換前後で同一の基板ステージ上の基板に対して投影転写させるので、原版を交換する時間を削減させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】ウエハステージの位置計測、及び補正方法を説明するための概略図である。
【図３】従来の露光装置における多重露光時の各部位の関係を示す関係図である。
【図４】本発明の露光装置における多重露光時の各部位の関係を示す関係図である。
【図５】本発明の露光装置における露光処理間の流れを示すフローチャートである。
【図６】従来のツインステージの交換動作を示す概略図（平面図）である。
【図７】本発明のツインステージの交換動作を示す概略図（平面図）である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。
【００１４】
まず、本発明の露光装置の構成について説明する。図１は、本発明の露光装置の構成を示す概略図である。本実施形態における露光装置は、半導体デバイス製造工程に使用される、被処理基板であるウエハ（基板）に対して露光処理を施す装置であって、ウエハを保持、及び位置決めするためのウエハステージを２箇所有するツインステージ型の露光装置である。また、この露光装置は、ステップ・アンド・リピート方式、又はステップ・アンド・スキャン方式を採用した走査型投影露光装置である。なお、以下の図において、投影光学系の光軸に平行にＺ軸を取り、該Ｚ軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクル及びウエハの走査方向にＹ軸を取り、該Ｙ軸に直交する非走査方向にＸ軸を取って説明する。
【００１５】
露光装置１は、照明光学系２と、レチクル（原版）３を保持するレチクルステージ４と、投影光学系５と、ウエハ６を保持し、位置決めする第１のウエハステージ７及び第２のウエハステージ８と、露光装置１の各構成要素を制御する制御部９とを備える。
【００１６】
照明光学系２は、不図示の光源部を備え、転写用の回路パターンが形成されたレチクル３を照明する装置である。光源部において、光源は、例えば、レーザーを使用する。使用可能なレーザーは、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザー等である。なお、レーザーの種類は、エキシマレーザーに限定されず、例えば、ＹＡＧレーザーを使用しても良いし、レーザーの個数も限定されない。また、光源部にレーザーが使用される場合、レーザー光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザーをインコヒーレント化するインコヒーレント光学系を使用することが好ましい。更に、光源部に使用可能な光源は、レーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプ等のランプも使用可能である。
【００１７】
また、照明光学系２は、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、及び絞り等を含む。一般に、光学系は、コンデンサーレンズ、ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリット、結像光学系の順で整列する。照明光学系２は、軸上光、軸外光を問わず使用可能である。ライトインテグレーターは、ハエの目レンズや２組のシリンドリカルレンズアレイ板を重ねることによって構成されるインテグレーター等を含む。なお、ライトインテグレーターは、光学ロッドや回折要素に置換される場合もある。また、開口絞りは、円形絞り、変形照明用の輪帯照明絞り、及び４重極照明絞り等として構成される。
【００１８】
レチクル３は、例えば、石英ガラス製であり、転写されるべき回路パターンが形成されている。また、レチクルステージ４は、ＸＹ方向に移動可能な原版ステージであって、レチクルを保持、及び位置決めするための装置である。更に、本実施形態では、レチクルステージ４は、多重露光に対応するために、各種レチクル（後述するレチクルＡ（第１の原版）及びレチクルＢ（第２の原版））を適宜交換可能な構成としている。なお、レチクルステージ４は、レチクルステージ定盤１０に支持されている。
【００１９】
投影光学系５は、照明光学系２からの露光光で照明されたレチクル３上のパターンを所定倍率（例えば、１／４、若しくは１／５）でウエハ６上に投影露光する。投影光学系５としては、複数の光学要素のみから構成される光学系や、複数の光学要素と少なくとも一枚の凹面鏡とから構成される光学系（カタディオプトリック光学系）が採用可能である。若しくは、投影光学系５として、複数の光学要素と少なくとも一枚のキノフォーム等の回折光学要素とから構成される光学系や、全ミラー型の光学系等も採用可能である。なお、レチクルステージ定盤１０及び投影光学系５は、基盤面１１上に、ダンパ１２を介した鏡筒定盤１３に支持されている。
【００２０】
ウエハ６は、表面上にレジスト（感光剤）が塗布された、シリコンウエハ等の被処理基板（被処理体）である。また、第１のウエハステージ（第１の基板ステージ）７、及び第２のウエハステージ（第２の基板ステージ）８は、それぞれＸＹ方向に移動可能な基板ステージであって、ウエハ６を保持、及び位置決めするための装置である。第１及び第２のウエハステージ７、８は、基盤面１１上に載置されたステージ定盤１４上に設置されている。
【００２１】
制御部９は、露光処理、及び、該露光処理に際してレチクル３やウエハ６の交換動作等を実施させるために、光学系やステージ系等の各構成要素を制御する制御手段である。制御部９は、本発明の露光方法をシーケンス、若しくはプログラムの形態で実施するものであり、磁気記憶装置やメモリ等を備えたコンピュータ、及びシーケンサ等で構成される。なお、制御部９は、露光装置１本体と一体で構成されても良いし、若しくは、露光装置１本体の設置場所とは異なる場所に設置し、遠隔で制御するものであっても良い。
【００２２】
また、露光装置１は、ウエハ６上のアライメントマーク、及び各ウエハステージ７、８上の基準マークを計測し、ウエハ６のアライメントを行うための第１のアライメントスコープ１５を備える。更に、露光装置１は、レチクル３とウエハ６との相対位置を計測する第２のアライメントスコープ１６を備える。ここで、通常、各ウエハステージの位置計測、及び補正には、以下のような項目を計測することが必要となる。即ち、各項目は、レチクル、ウエハ、及びウエハステージの各位置関係、ウエハステージ自体の想定位置からのずれ、及びレチクルやウエハの形状変形等である。これらの項目の計測、補正方法について、図２を用いて説明する。図２は、ウエハステージの位置計測、及び補正方法を説明するための概略図であって、ウエハステージ上の基準マークと、それに対応する露光装置の構成を示す。なお、図２において、図１と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。
【００２３】
まず、レチクル３、ウエハ６、及びウエハステージ７の各位置関係の計測、補正について説明する。まず、制御部９は、第１（若しくは第２）のウエハステージ７（８）上に設置された基準マーク１７（１７ａ）で、矩形のレチクル３の対角上の隅に設置された不図示の基準マーク、及び投影光学系５を通過した投影光を測定する。これにより、制御部９は、レチクル上の基準マークとウエハステージ上の基準マーク１７(１７ａ)の相対位置を正確に補正できる。
【００２４】
次に、第１（若しくは第２）のウエハステージ７（８）を、上記の各位置関係の測定に使用しなかった他方の基準マーク１７ｂの位置に駆動させ、ウエハステージ７の位置の計測・補正を行う。これも上記と同様に、基準マーク１７ｂで、矩形のレチクル３の対角上の隅に設置された不図示の基準マーク、及び投影光学系５を通過した投影光を測定することで行っている。このとき、制御部９は、指示したウエハステージ７の駆動量と、実際の計測結果とに基づいて、ウエハステージ７の回転量と高さ変化を補正する。その後、制御部９は、第１のアライメントスコープ１５等を用いて、ウエハステージ７（８）上に設置された２つの基準マーク１７ａ及び１７ｂと、ウエハ６上にある複数のアライメントマークとの位置関係を事前に測定する。そして、制御部９は、測定された位置関係の結果に基づいて、ウエハ６の各位置における、レチクル３の対角上の隅に設置された不図示の基準マークとの位置関係を補正する。
【００２５】
次に、レチクル３の形状変形の計測、補正について説明する。まず、レチクル３の形状変形について、制御部９は、レチクルステージ４を駆動させ、レチクル３上に複数ある基準マークに順に光を通過させる。その後、制御部９は、レチクル３の基準マークを通過した投影光をウエハステージ７上の基準マーク１７に向けて照射することで位置計測し、レチクルステージ４の駆動量と基準マーク１７での計測値とに基づいて、レチクル３の形状変化を補正する。
【００２６】
次に、ウエハステージ７（８）の位置をモニターする方法について説明する。ウエハステージ７には、固定して配置された不図示の反射ミラーが複数あり、露光装置１の非可動部に固定された複数の干渉計からの発光光を反射し、該干渉計で受光する事によってウエハステージ７の位置を正確に把握する仕組みを用いている。この仕組みの場合、ウエハステージ７が常に干渉計によって計測可能な位置にある限り、一度上記のような補正を行い、絶対値を決めた後は、そこからの変化量で現在位置を常にモニターすることができる。本実施形態では、ウエハステージを２つ有し、それぞれ互いに第１のアライメントスコープ１５近傍の計測ステーションと投影光学系近傍の露光ステーションの間を行き来きしている。その際、干渉計の発光光が他方のウエハステージに遮られてしまうことや、ウエハステージの駆動距離が長いため干渉計の発光光が反射ミラーにあたらない等の制約から、継続的にモニターする事ができない。そのため、計測ステーション近傍でのモニターと露光ステーション近傍でのモニターを独立して行っており、各ステーションに入った段階で、その都度ウエハ６の位置だし（補正）を行っている。
【００２７】
なお、上記のウエハステージ７上の基準マーク１７を、レチクル３上の基準マーク、及び、投影光学系５を通過した投影光の位置に正確に追い込むためには、投影光の位置をより高倍率のスコープを用いて計測する必要がある。しかしながら、スコープで観察可能な視野は、投影光の位置を精度良く計測しようとするほど狭くなり、スコープの視野内に投影光が入らない場合がある。そこで、本実施形態では、制御部９は、始めに、倍率の低いスコープを用いて大まかな投影光の位置を基準マーク１７に合わせ、その後、高倍率のスコープに切り替えて、更に正確に投影光の位置を基準マーク１７の中心に合わせる動作を実施する。
【００２８】
本実施形態の露光装置１において、レチクル３から発せられた回折光は、投影光学系５を通過し、第１のウエハステージ７に載置されたウエハ６上に投影される。該ウエハ６とレチクル３とは、共役の関係にある。走査型の投影露光装置の場合は、レチクル３とウエハ６とを走査することにより、レチクル３のパターンをウエハ６上に転写する。なお、ステッパの場合は、レチクル３とウエハ６とを静止させた状態で露光処理が行われる。
【００２９】
次に、本実施形態の露光装置に係るウエハステージの動作シーケンスの流れについて、従来の動作シーケンスと比較して説明する。図３は、従来のツインステージ型の露光装置における２重露光（多重露光）時の各部位に関係を露光順に示す関係図である。一方、図４は、本発明の露光装置における２重露光時の各部位に関係を示す関係図である。ここで、図３及び図４において、左側から、露光処理の順番を示す露光番号（露光Ｎｏ．）、露光処理部に位置するウエハステージ、該ウエハステージに載置されるウエハの順番を示すウエハ番号（ウエハＮｏ．）、及び露光処理時に使用されるレチクルを示す。
【００３０】
図３に示すように、従来の露光手順としては、まず、露光装置は、露光Ｎｏ．１において、Ｒ（右）側のウエハステージ（図１における第１のウエハステージ７）に載置したウエハＮｏ．１のウエハを、レチクルＡを用いて投影転写する。次に、露光装置は、Ｌ（左）側のウエハステージ（図１における第２のウエハステージ８）に載置したウエハＮｏ．２のウエハを、レチクルＡを用いて投影転写する。その後、露光装置は、レチクルをＡからＢへ交換し、１番目から４番目までのウエハに投影転写する。即ち、露光装置は、１つのウエハに対して、レチクルＡとレチクルＢとを交換しながら露光処理を実施するのではなく、可能な限りレチクルの交換が発生しないようなシーケンスとすることで、レチクルを交換する時間を削減することができる。
【００３１】
これに対して、図４に示すように、本発明の露光装置１は、露光Ｎｏ．３、７、１１、１５、１８の露光処理時において、レチクルの交換前後で、同一のウエハステージ、更に同一のウエハに対して露光処理を実施する。以下、具体的な露光処理間の流れについて、図５を用いて説明する。
【００３２】
図５は、本発明の露光装置における露光処理間の流れを示すフローチャートである。まず、制御部９は、ある露光処理が終了した後（ステップＳ１０１）、レチクル３に交換動作が発生するかどうかを判定する（ステップＳ１０２）。ここで、例えば、図４において、露光Ｎｏ．１のウエハＮｏ．１のウエハ（第１の基板）に対する露光処理が終了したと仮定すると、次の露光Ｎｏ．２の露光処理では、レチクル３は、交換されない。この場合、制御部９は、ウエハステージをＲ側（ウエハステージ７）からＬ側（ウエハステージ８）へ交換する（ステップＳ１０６）。このとき、干渉計によるウエハステージの位置モニターが一旦切れることになるので、制御部９は、上述したウエハ６の形状変形の計測、補正の確認を実行する（ステップＳ１０７）。次に、制御部９は、上述したウエハステージ８自体の想定位置からのずれの計測、補正の確認を実行する（ステップＳ１０８）。更に、制御部９は、レチクル３、ウエハ６、及びウエハステージ８との位置関係の計測、補正を確認し（ステップＳ１０５）、露光Ｎｏ．２の露光処理へと移行する（ステップＳ１０９）。
【００３３】
一方、例えば、図４において、露光Ｎｏ．２の露光処理が終了したと仮定すると、次の露光Ｎｏ．３の露光処理では、レチクル３が交換される。この場合、まず、制御部９は、露光Ｎｏ．２において露光処理されたウエハＮｏ．２のウエハ（第２の基板）を載置したＬ側のウエハステージ８をそのまま露光処理部の位置に待機させる。次に、制御部９は、レチクル３をＡからＢへ交換する（ステップＳ１０４）。Ｌ側のウエハステージ８は、露光処理部の位置に留まっているため、干渉計によるウエハステージの位置モニターが切れることがない。このため、レチクルの交換後、制御部９は、上述のステップＳ１０７とステップＳ１０８に示した計測、補正の確認を実行することなく、ステップＳ１０５の計測、補正の確認を実行する。これは、干渉計によるウエハステージの位置モニターが切れていないためウエハステージの位置の補正は不要だが、レチクルは交換されたため、レチクルとの位置関係は再度確認する必要が生じるためである。引き続き、制御部９は、ウエハＮｏ．３のウエハ（第２の基板）に対する露光Ｎｏ．３の露光処理へと移行する（ステップＳ１０９）。なお、露光Ｎｏ．３の露光処理時に使用するウエハステージ８自体の想定位置からのずれ等の計測、補正項目は、先の露光Ｎｏ．２の際の投影転写を行わない側である計測部に位置していたウエハステージ８に対して実施された計測、補正項目を参照すれば良い。即ち、制御部９が露光処理部に位置するウエハステージに対して実施する計測、補正項目は、レチクル３の交換前に比べて、少なくとも一項目減少することになる。
【００３４】
次に、本実施形態における第１及び第２のウエハステージ７、８の交換動作について、従来のツインステージの交換動作と比較して説明する。図６は、従来のツインステージの交換動作を示す概略図（平面図）であって、（ａ）〜（ｃ）は、ツインステージの動作を時系列で示している。図６において、第１の中心点２０は、露光処理部側の投影光学系５のレンズ中心位置を示す。一方、第２の中心点２１は、計測部側の第１のアライメントスコープ１５の中心位置を示す。従来、例えば、図３の露光Ｎｏ．１において、一方のウエハステージ（Ｒ）上のウエハに対して露光処理が終了すると（図６（ａ））、ウエハステージの交換のために、ウエハステージ（Ｒ）は、一旦、計測部側の位置に大きく移動する（図６（ｂ））。同時に、他方のウエハステージ（Ｌ）は、計測部から露光処理部に移動し、露光装置は、露光Ｎｏ．２の露光処理を実施する。その後、ウエハステージ（Ｒ）は、レチクルをＡからＢに変更した露光Ｎｏ．３の露光処理を実施するために、再び露光処理部に戻り、制御部は、露光処理に先立ち、レチクル、ウエハ、及びウエハステージの各位置関係の計測、補正を実施する（図６（ｃ））。このように、従来のツインステージ型の露光装置は、移動距離が長く、かつ、露光処理の間隔が比較的長くなるウエハステージの交換動作を、露光処理毎に繰り返す。結果的に、ウエハステージの相互移動毎に、上述のレチクル、ウエハ、及びウエハステージの各位置関係の計測、補正が必要であった。
【００３５】
図７は、本実施形態のツインステージの交換動作を示す概略図（平面図）であって、(ａ）及び（ｂ）は、ツインステージの動作を時系列で示している。なお、図７において、図６と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。まず、本実施形態では、例えば、図４の露光Ｎｏ．１において、一方のウエハステージ（Ｒ）上の第１のウエハに対して露光処理が終了すると、ウエハステージの交換のために、ウエハステージ（Ｒ）は、一旦、計測部側の位置に大きく移動する。同時に、他方のウエハステージ（Ｌ）は、計測部から露光処理部に移動し、露光装置１は、露光Ｎｏ．２の第２のウエハ（ウエハＮｏ．２）に対する露光処理を実施する。以上の動作は、図６（ａ）、(ｂ）に示す従来の交換動作と同一である。しかしながら、その後、制御部９は、露光処理部に位置したままのウエハステージ（Ｌ）上の第２のウエハ（ウエハＮｏ．３）に対して、レチクルをＡからＢに変更した露光Ｎｏ．３の露光処理を実施する。したがって、各ウエハステージは、ここでは交換されず、制御部９は、露光処理に先立ち、図７（ａ）及び（ｂ）に示す、レチクル、ウエハ、及びウエハステージの各位置関係の計測、補正を実施するのみである。このように、本実施形態のツインステージ型の露光装置は、移動距離が長く、かつ、露光処理の間隔が比較的長くなるウエハステージの交換動作を極力減らすことができる。
【００３６】
以上のように、本発明によれば、従来のツインステージ型の露光装置と比較して、レチクルを交換する時間を削減し、かつ、ウエハステージの位置計測、補正にかかる時間をも削減でき、結果的に、生産性の向上を図ることができる。具体的には、本発明の露光装置は、ある露光番号の露光処理では、上述した倍率の低いスコープを用いた大まかな位置合わせを行わなくても、精度の良い位置合わせができる。同様に、ある露光番号の露光処理では、ウエハステージ自体の想定位置からのずれも補正を行う必要がなくなり、これらの計測時間を削減することが可能である。
【００３７】
なお、本実施形態によれば、露光処理をしていない計測部側のウエハステージは、露光処理を２つのウエハ分実施する間、計測側の位置で待機することになり、計測に必要な時間に対して余裕が生じる。したがって、この間、特に計測項目を変えない場合は、空いた時間に計測側の各種計算処理が不要になり、露光処理側の計算処理時間を高速化できるので、結果的に、生産性を上げることができる。逆の視点から見れば、空いた時間に計測項目を増加させて、露光処理における投影転写精度の向上を図ることも可能となる。
【００３８】
（デバイスの製造方法）
次に、上記露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、薄膜磁気ヘッド等のデバイスは、レジストが塗布された基板を、上記露光装置を用いて露光する工程と、露光された基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を経ることによって製造される。該周知の工程は、例えば、酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、及びパッケージング等の少なくとも１つの工程を含む。
【００３９】
なお、本発明は、その精神、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実現する事ができる。したがって、前述の実施形態は、あらゆる点において単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。
【符号の説明】
【００４０】
１    露光装置
３    レチクル
４    レチクルステージ
６    ウエハ
７    第１のウエハステージ
８    第２のウエハステージ
９    制御部
【図１】
2011018861.tif 000003
【図２】
2011018861.tif 000004
【図３】
2011018861.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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