(57)【要約】【課題】入力装置をより簡単な構成で実現することができるようにする。【解決手段】表示装置の表示部１３において、スイッチ回路６１は、入力領域に対応して行列状に複数配置され、受光量に応じてオンまたはオフする。電圧検出部５１ｘおよび５１ｙは、行列状に配置された複数のスイッチ回路６１のうちの所定のスイッチ回路６１がオンまたはオフすることによって変化する電圧をｘ方向およびｙ方向ごとに検出する。位置検出部は、電圧検出部５１ｘおよび５１ｙの検出結果から、ユーザによって入力された入力領域内の位置を検出する。本発明は、例えば、映像の表示とともに、入力も可能とする表示装置に適用できる。【選択図】図４
2011142440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力領域に対応して行列状に複数配置され、受光量に応じてオンまたはオフするスイッチ回路と、
行列状に配置された複数の前記スイッチ回路のうちの所定のスイッチ回路がオンまたはオフすることによって変化する電圧値を検出する電圧検出手段と、
前記電圧検出手段の検出結果から、ユーザによって入力された前記入力領域内の位置を検出する位置検出手段と
を備え、
前記スイッチ回路は、
オフ状態において前記受光量に応じた電流を流すセンサトランジスタと、
前記センサトランジスタと接続され、前記センサトランジスタがオフのとき流れる電荷を蓄積し、保持する保持容量と、
前記保持容量に蓄積された電荷の量が所定の値より大となったときオンする出力トランジスタと
を備える
入力装置。
【請求項２】
前記電圧検出手段は、前記入力領域内のｘ方向の位置に応じて変化する電圧値を検出するｘ方向電圧検出手段と、前記入力領域内のｙ方向の位置に応じて変化する電圧値を検出するｙ方向電圧検出手段とからなる
請求項１に記載の入力装置。
【請求項３】
前記スイッチ回路の前記センサトランジスタのドレインの電位を制御するセンサ制御手段をさらに備え、
前記センサ制御手段は、前記センサトランジスタのドレインを低電位に設定することにより、前記センサトランジスタをオン状態にし、前記センサトランジスタのドレインを高電位に設定することにより、前記センサトランジスタをオフ状態とする
請求項２に記載の入力装置。
【請求項４】
請求項３に記載の入力装置と、
行列状に配置された複数の前記スイッチ回路と１対１に対応して配置され、映像信号に応じて自発光素子による発光を行う画素回路と
を備える表示装置。
【請求項５】
入力領域に対応して行列状に複数配置され、受光量に応じてオンまたはオフするスイッチ回路と、所定の電圧値を検出する電圧検出手段と、前記電圧検出手段の検出結果から、ユーザによって入力された前記入力領域内の位置を検出する位置検出手段とを備え、前記スイッチ回路が、オフ状態において前記受光量に応じた電流を流すセンサトランジスタと、前記センサトランジスタと接続される保持容量と、前記センサトランジスタおよび前記保持容量と接続される出力トランジスタとを備える入力装置の
行列状に配置された複数の前記スイッチ回路のうちの所定のスイッチ回路の
前記センサトランジスタが、オフ状態において前記受光量に応じた電流を流し、
前記保持容量が、前記センサトランジスタがオフのとき流れる電荷を蓄積して保持し、
前記出力トランジスタが、前記保持容量に蓄積された電荷の量が所定の値より大となったときオンし、
前記電圧検出手段が、前記所定のスイッチ回路がオンすることによって変化した電圧値を検出し、
前記位置検出手段が、前記電圧検出手段の検出結果から、ユーザによって入力された前記入力領域内の位置を検出する
入力装置の位置検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力装置およびその位置検出方法、並びに表示装置に関し、特に、より簡単な構成で実現することができるようにする入力装置およびその位置検出方法、並びに表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画面内に光センサを組み込み、画像の表示と光検出の両方が可能な表示装置が提案されている（例えば、特許文献１乃至４参照）。光検出の検出結果は、画素の発光輝度の補正に利用したり、タッチパネルのような入力装置として利用することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００８−５０５３６６号公報
【特許文献２】特開２００７−１１２３３号公報
【特許文献３】特開２００６−３０３１７号公報
【特許文献４】特開２００５−１６５２５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来技術で提案されている方式は、いずれも、センサ回路の素子数と配線数が多いため、歩留りが悪化しやすいという問題がある。また、センサ回路の素子数と配線数が多いため、システム全体としても大きくなる傾向にあり、コストが高くなりやすい。
【０００５】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、入力装置をより簡単な構成で実現することができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第1の側面の入力装置は、入力領域に対応して行列状に複数配置され、受光量に応じてオンまたはオフするスイッチ回路と、行列状に配置された複数の前記スイッチ回路のうちの所定のスイッチ回路がオンまたはオフすることによって変化する電圧値を検出する電圧検出手段と、前記電圧検出手段の検出結果から、ユーザによって入力された前記入力領域内の位置を検出する位置検出手段とを備え、前記スイッチ回路は、オフ状態において前記受光量に応じた電流を流すセンサトランジスタと、前記センサトランジスタと接続され、前記センサトランジスタがオフのとき流れる電荷を蓄積し、保持する保持容量と、前記保持容量に蓄積された電荷の量が所定の値より大となったときオンする出力トランジスタとを備える。
【０００７】
本発明の第２の側面の表示装置は、前記入力装置と、行列状に配置された複数の前記スイッチ回路と１対１に対応して配置され、映像信号に応じて自発光素子による発光を行う画素回路とを備える。
【０００８】
本発明の第１の側面の入力装置の位置検出方法は、入力領域に対応して行列状に複数配置され、受光量に応じてオンまたはオフするスイッチ回路と、所定の電圧値を検出する電圧検出手段と、前記電圧検出手段の検出結果から、ユーザによって入力された前記入力領域内の位置を検出する位置検出手段とを備え、前記スイッチ回路が、オフ状態において前記受光量に応じた電流を流すセンサトランジスタと、前記センサトランジスタと接続される保持容量と、前記センサトランジスタおよび前記保持容量と接続される出力トランジスタとを備える入力装置の行列状に配置された複数の前記スイッチ回路のうちの所定のスイッチ回路の前記センサトランジスタが、オフ状態において前記受光量に応じた電流を流し、前記保持容量が、前記センサトランジスタがオフのとき流れる電荷を蓄積して保持し、前記出力トランジスタが、前記保持容量に蓄積された電荷の量が所定の値より大となったときオンし、前記電圧検出手段が、前記所定のスイッチ回路がオンすることによって変化した電圧値を検出し、前記位置検出手段が、前記電圧検出手段の検出結果から、ユーザによって入力された前記入力領域内の位置を検出する。
【０００９】
本発明の第１および第２の側面においては、行列状に配置された複数のスイッチ回路のうちの所定のスイッチ回路の、センサトランジスタにおいて、オフ状態において受光量に応じた電流が流され、保持容量において、センサトランジスタがオフのとき流れる電荷が蓄積されて保持され、出力トランジスタにおいて、保持容量に蓄積された電荷の量が所定の値より大となったときオンされ、電圧検出手段において、所定のスイッチ回路がオンすることによって変化した電圧が検出され、位置検出手段において、電圧検出手段の検出結果から、ユーザによって入力された入力領域内の位置が検出される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の第１および第２の側面によれば、入力装置をより簡単な構成で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明を適用した表示装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
【図２】画像表示機能に関する、表示装置の詳細構成例を示す図である。
【図３】画素回路の詳細構成例を示す図である。
【図４】位置検出機能に関する、表示装置の詳細構成例を示す図である。
【図５】スイッチ回路の詳細構成例を示す図である。
【図６】トランジスタの受光特性を示す図である。
【図７】スイッチ回路の動作を示すタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［本発明を適用した表示装置の構成例］
図１は、本発明を適用した表示装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
【００１３】
図１の表示装置１０は、一般に有機ELディスプレイと呼ばれる、発光素子として自発光素子である有機EL素子を各画素回路内部に有するアクティブマトリクス方式の表示装置である。また、表示装置１０は、映像の表示のみならず、光検出を用いた位置検出機能も有する。位置検出機能は、ユーザが指やペン（スタイラス）で入力した位置を検出する機能であり、入力装置の一部として機能する。
【００１４】
表示装置１０は、図１に示されるように、映像処理部１１、映像信号出力回路１２、表示部１３、書き込み走査回路１４、センサ走査回路１５、センサ出力検出回路１６、および位置検出部１７により構成される。
【００１５】
映像処理部１１は、入力される映像信号に補正処理等の所定の信号変換処理を行い、処理後の映像信号を映像信号出力回路１２に出力する。
【００１６】
映像信号出力回路１２は、映像処理部１１から入力される信号電位Vsigの映像信号を書き込み走査回路１４の走査に同期して表示部１３の各画素回路に出力する。表示部１３は、行列状に配置された、映像表示（発光）のための画素回路（図２の画素回路２１）と、位置検出のためのスイッチ回路（図４のスイッチ回路６１）を有する。
【００１７】
書き込み走査回路１４は、映像信号出力回路１２が出力した信号電位Vsigの映像信号を行列状に配置された画素回路へ線順次に書き込む制御を行う。センサ走査回路１５は、表示部１３内の各スイッチ回路を制御する。
【００１８】
センサ出力検出回路１６は、表示部１３内の各スイッチ回路のオンオフ状態により決定されるｘ方向（行と平行な方向）およびｙ方向（列と平行な方向）ごとの電圧値を検出し、位置検出部１７に出力する。位置検出部１７は、センサ出力検出回路１６から供給されるｘ方向およびｙ方向ごとの電圧値に基づいて、ユーザが入力した表示部１３上の位置を検出する。位置検出結果は、位置検出部１７から、入力された情報（位置）に対応する処理を実行する情報処理部（不図示）に供給される。
【００１９】
［画像表示機能に関する詳細構成例］
図２は、画像表示機能に関する、表示装置１の詳細構成例を示す図である。
【００２０】
表示部１３には、Ｎ×Ｍ個（Ｎ,Ｍは相互に独立した２以上の整数値）の画素回路２１1,1乃至２１N,Mが行列状に配置されて構成されている。図２では、紙面の制約上、画素回路２１1,1乃至２１N,Mの一部のみが示されている。なお、以下において、画素回路２１1,1乃至２１N,Mのそれぞれを特に区別する必要がない場合には、単に画素回路２１と称する。
【００２１】
表示部１３内の行列状に配置された画素回路２１のうちの縦方向に並ぶ画素回路２１どうしは、１本の映像信号線DTLで映像信号出力回路１２と接続されている。例えば、第１列目の画素回路２１1,1乃至２１1,Mは、映像信号線DTL1で映像信号出力回路１２と接続されている。従って、表示部１３全体と映像信号出力回路１２とは、N本の映像信号線DTL1乃至DTLNで接続されている。
【００２２】
また、表示部１３内の行列状に配置された画素回路２１のうちの横方向に並ぶ画素回路２１どうしは、１本の書き込み走査線WSLで書き込み走査回路１４と接続されている。例えば、第１行目の画素回路２１1,1乃至２１N,1は、書き込み走査線WSL1で書き込み走査回路１４と接続されている。従って、表示部１３全体と書き込み走査回路１４とは、M本の映像信号線WSL1乃至WSLMで接続されている。
【００２３】
［画素回路の詳細構成例］
図３は、画素回路２１の詳細構成例を示す図である。
【００２４】
画素回路２１は、ｎチャネルＴＦＴ(Thin Film Transistor)によるサンプリングトランジスタＴWS、保持容量Ｃ１、ｐチャネルＴＦＴによる駆動トランジスタＴDRV、および有機EL素子ELPを有する。
【００２５】
映像信号線DTLは、サンプリングトランジスタＴWSのドレインと接続され、書き込み走査線WSLは、サンプリングトランジスタＴDRVのゲートと接続されている。
【００２６】
駆動トランジスタＴDRV及び有機EL素子ELPは、電源Ｖｃｃ（不図示）と、接地電位であるカソード電位Ｖｃａｔの間に接続されている。サンプリングトランジスタＴWS及び保持容量Ｃ１は、駆動トランジスタＴDRVのゲートと接続されている。
【００２７】
次に、画素回路２１の動作について簡単に説明する。
【００２８】
画素回路２１では、１フィールド期間（１F）のうちの、自分への信号電位Vsigが映像信号線DTLに供給されている1H期間に、書き込み走査回路１４が、書き込み走査線WSLの電位を高電位ＶWS_Hとする。これにより、サンプリングトランジスタＴWSが導通して信号電位Vsigが保持容量Ｃ１に書き込まれる。また、保持容量Ｃ１に書き込まれた信号電位Vsigが駆動トランジスタＴDRVのゲート電位Ｖｇとなる。
【００２９】
次に、書き込み走査回路１４が書き込み走査線WSLの電位を低電位ＶWS_Lにする。これにより、映像信号線DTLと駆動トランジスタＴDRVとは電気的に切り離されるが、駆動トランジスタＴDRVのゲート電位Ｖｇは、保持容量Ｃ１によって安定に保持される。このとき、駆動電流Ｉｄｓが、駆動トランジスタＴDRV及び有機EL素子ELPに流れる。この電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタＴDRVのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた値となり、有機EL素子ELPは、その電流値Ｉｄｓに応じた輝度で発光する。つまり、画素回路２１は、保持容量Ｃ１に映像信号線DTLからの信号電位Vsigを書き込むことによって駆動トランジスタＴDRVのゲート印加電圧を変化させ、これにより有機EL素子ELPに流れる電流値Ｉｄｓをコントロールして発色の階調を得る。
【００３０】
ｐチャネルＴＦＴによる駆動トランジスタＴDRVのソースは電源Ｖｃｃに接続されており、常に飽和領域で動作するように設計されているので、駆動トランジスタＴDRVは次式（１）に示した値を持つ定電流源となる。
【数１】
2011142440.tif 000003
式（１）において、Ｉｄｓは飽和領域で動作する駆動トランジスタＴDRVのドレイン・ソース間に流れる電流、μは駆動トランジスタＴDRVの移動度を表す。また、Ｗは駆動トランジスタＴDRVのチャネル幅、Ｌは駆動トランジスタＴDRVのチャネル長、Ｃｏｘは駆動トランジスタＴDRVのゲート容量、Ｖｔｈは駆動トランジスタＴDRVの閾値電圧を表している。
【００３１】
この式（１）から明らかな様に、飽和領域では駆動トランジスタＴDRVのドレイン電流Ｉｄｓはゲート・ソース間電圧Ｖｇｓによって制御される。駆動トランジスタＴDRVは、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一定に保持される為、定電流源として動作し、有機EL素子ELPを一定の輝度で発光させることができる。
【００３２】
［位置検出機能に関する詳細構成例］
次に、表示装置１の位置検出機能について説明する。
【００３３】
図４は、位置検出機能に関する、表示装置１の詳細構成例を示す図である。なお、図４において、センサ出力検出回路１６は、説明の便宜上、分けて記載してある。
【００３４】
表示部１３の領域は、ユーザの入力が可能な領域（入力領域）と対応する。表示部１３には、行列状に配置された画素回路２１に１対１に対応して、スイッチ回路６１が配置されている。各スイッチ回路６１は、その傍に配される配線６２ｙか、または、その傍に配される配線６２ｘのいずれかと接続されている。図４では、配線６２ｙが実線で、配線６２ｘが１点鎖線で、それぞれ示されている。
【００３５】
配線６２ｘは、表示部１３内におけるｘ軸方向の位置を検出するために設けられた線であり、センサ出力検出回路１６内の電源Ｖｃｃ１と、抵抗Ｒｘを介して接続されている。配線６２ｘは、ｙ軸方向のスイッチ回路６１の個数と同じ本数の、ｘ軸方向に伸びた線を有し、それらが結合されて、センサ出力検出回路１６内の電源Ｖｃｃ１および抵抗Ｒｘと接続されている。また、配線６２ｘには、接続されている各スイッチ回路６１に対応して配置された複数の抵抗６３も接続されている。
【００３６】
配線６２ｙは、表示部１３内におけるｙ軸方向の位置を検出するために設けられた線であり、センサ出力検出回路１６内の電源Ｖｃｃ２と、抵抗Ｒｙを介して接続されている。配線６２ｙは、ｘ軸方向のスイッチ回路６１の個数と同じ本数の、ｙ軸方向に伸びた線を有し、それらが結合されて、センサ出力検出回路１６内の電源Ｖｃｃ２および抵抗Ｒｙと接続されている。また、配線６２ｙには、接続されている各スイッチ回路６１に対応して配置された複数の抵抗６３も接続されている。なお、図４では、図面を見やすくするため、スイッチ回路６１および抵抗６３の符号の一部が省略されている。
【００３７】
センサ出力検出回路１６内の電圧検出部５１ｘは、配線６２ｘとの接続点であるａ点の電位（電圧）を検出し、検出結果を位置検出部１７に供給する。また、電圧検出部５１ｙは、配線６２ｙとの接続点であるｂ点の電位（電圧）を検出し、検出結果を位置検出部１７に供給する。
【００３８】
以上のような構成を有する表示部１３において、行列状に配置されたスイッチ回路６１のなかの所定のスイッチ回路６１がオンすることにより、配線６２ｘまたは配線６２ｙを流れる電流が変化する。配線６２ｘまたは配線６２ｙを流れる電流が変化すると、電圧検出部５１ｘまたは電圧検出部５１ｙが検出する電圧が変化する。行列状に配置されたスイッチ回路６１のなかの、どのスイッチ回路６１がオンするかで、電圧検出部５１ｘおよび電圧検出部５１ｙが検出する電圧は異なる。逆に言えば、電圧検出部５１ｘおよび電圧検出部５１ｙが検出した電圧がいくつかによって、どのスイッチ回路６１がオンしたのかが分かる。従って、センサ出力検出回路１６から供給されるｘ方向およびｙ方向の電圧値に基づいて、位置検出部１７は、表示部１３の入力領域内の位置を特定することができる。
【００３９】
［スイッチ回路の詳細構成例］
図５は、スイッチ回路６１の詳細構成例を示す図である。
【００４０】
図４では、図示を省略したが、表示部１３の横方向に並ぶスイッチ回路６１どうしは、１本の電源走査線DSSでセンサ走査回路１５と接続されている。従って、表示部１３全体とセンサ走査回路１５とはM本の電源走査線DSS1乃至DSSMで接続されている。
【００４１】
スイッチ回路６１は、センサトランジスタＴSE、保持容量Cse、および、ｎチャネルＴＦＴによる出力トランジスタＴOUTにより構成されている。
【００４２】
図６は、トランジスタの受光特性を示している。図６に示されるように、トランジスタは、オフ状態において、受光量に応じてリーク電流が発生し、その大きさが受光量に応じて変化する特性を有している。スイッチ回路６１では、このトランジスタの特性が利用される。
【００４３】
図５において、センサトランジスタＴSEのドレインは電源走査線DSSと接続され、センサトランジスタＴSEのゲートおよびソースは出力トランジスタＴOUTのゲートと接続されている。即ち、センサトランジスタＴSEは、ダイオード接続した形で、電源走査線DSSと出力トランジスタＴOUTのゲートの間に接続されている。また、センサトランジスタＴSEのゲートおよびソースは、保持容量Cseとも接続されている。
【００４４】
保持容量Cseは、一方が出力トランジスタＴOUTのゲートおよびソースと、他方が接地電位（カソード電位ＶCAT）と接続されている。保持容量Cseは、リーク電流としてセンサトランジスタＴSEから供給される電荷を蓄積して保持する。
【００４５】
センサトランジスタＴSEのソース、保持容量Cseの一方、および出力トランジスタＴOUTのゲートの接続点をｃ点とすると、センサトランジスタＴSEにリーク電流が流れることによる、ｃ点の電位Ｖｃの上昇量△Ｖは、次式（２）で表すことができる。
【数２】
2011142440.tif 000004
式（２）において、ｉはリーク電流、Ｃは、保持容量Cseと出力トランジスタＴOUTのゲート容量の２つの容量の合成容量、ｔは時間を表す。
【００４６】
出力トランジスタＴOUTのドレインは、配線６２ｘまたは配線６２ｙに接続される。図５は、配線６２ｙと接続されている例である。出力トランジスタＴOUTのソースは接地されている。
【００４７】
［スイッチ回路６１の動作］
次に、図７を参照して、スイッチ回路６１の動作について説明する。図７は、スイッチ回路６１の動作を示すタイミングチャートである。
【００４８】
センサ出力検出回路１６内の電圧検出部５１ｘおよび５１ｙは、１Cycle時間に１回の間隔で電圧値を検出し、検出結果を位置検出部１７に供給する。そこで、図７の時刻ｔ1から時刻ｔ4までの１Cycle時間の動作について説明する。ここで、１Cycle時間は、表示部５３のすべての画素回路２１に対し１回ずつ書き込み制御が行われる時間、すなわち、１画面分のスキャン時間に相当する。
【００４９】
時刻ｔ1から時刻ｔ2までは、ｃ点の電位Ｖｃを初期化する初期化期間である。具体的には、時刻ｔ1に、センサ走査回路１５によって、電源走査線DSSの電位が低電位ＶDSS_Lに設定される。これにより、センサトランジスタＴSEがオンし、ｃ点の電位ＶｃがＶDSS_Lとなる。
【００５０】
ここで、センサトランジスタＴSEの閾値電圧をＶｔｈSEとすると、ｃ点の電位Ｖｃは、ＶDSS_L＋ＶｔｈSE（Ｖｃ＝ＶDSS_L＋ＶｔｈSE）と表すことができる。そして、電源走査線DSSの低電位ＶDSS_Lは、センサトランジスタＴSEがオン状態のときに出力トランジスタＴOUTがオフとなるように設定されている。即ち、出力トランジスタＴOUTの閾値電圧をＶｔｈOUTとすると、（ＶDSS_L＋ＶｔｈSE）＜ＶｔｈOUTの関係が成り立つ。
【００５１】
時刻ｔ2から時刻ｔ4までは、ユーザによって入力された位置を検出する検出期間である。即ち、時刻ｔ2に、センサ走査回路１５によって、電源走査線DSSの電位が高電位ＶDSS_Hに設定される。これにより、センサトランジスタＴSEはオフ状態となり、受光量に応じたリーク電流が、電源走査線DSS側からｃ点へ流れる。その結果、ｃ点の電位Ｖｃは、図７において点線で示されるように上昇する。
【００５２】
そして、時刻ｔ3において、ｃ点の電位Ｖｃが、出力トランジスタＴOUTの閾値電圧ＶｔｈOUTより大となると、出力トランジスタＴOUTがオンする。時刻ｔ3以降も、検出期間が終了する時刻ｔ4まで、式（２）に従い、ｃ点の電位Ｖｃは、受光量に応じて上昇する。電圧検出部５１ｙは、時刻ｔ3から時刻ｔ4までの予め設定されたタイミングで、ｂ点の電位Ｖｂを検出する。
【００５３】
出力トランジスタＴOUTがオンしたとき、そこに流れる電流の大きさは、センサ出力検出回路１６内の電源Ｖｃｃ２から、オンした出力トランジスタＴOUTまでの、抵抗Ｒｙと抵抗６３の合計抵抗値により決定される。表示部１３内のどのスイッチ回路６１の出力トランジスタＴOUTがオンするかによって、センサ出力検出回路１６内の電源Ｖｃｃ２から、オンした出力トランジスタＴOUTまでの合計抵抗値は異なる。従って、電圧検出部５１ｙがｂ点の電位Ｖｂを検出し、このとき配線６２ｙを流れる電流に応じた電圧降下量を検出することにより、表示部１３内のどのスイッチ回路６１の出力トランジスタＴOUTがオンしたかが分かる。即ち、ユーザが操作（入力）した表示部１３の入力領域内のｙ方向の位置がわかる。
【００５４】
同様に、電圧検出部５１ｘがａ点の電位Ｖａを検出することにより、ユーザが操作（入力）した表示部１３の入力領域内のｘ方向の位置がわかる。
【００５５】
以上のように、図１の表示装置１０では、表示部１３内にスイッチ回路６１を行列状に配置し、ｘ方向およびｙ方向ごとの電圧値を検出することで表示部１３の入力領域内のｘ方向およびｙ方向の位置を検出することができる。スイッチ回路６１は、センサトランジスタＴSE、保持容量Cse、および出力トランジスタＴOUTのみで構成することができるので、より簡単な構成で入力装置を実現することができる。
【００５６】
本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【００５７】
例えば、画素回路２１の構成については全く上記例に限定されず、他にも多様な構成が採用できる。即ち、本発明は画素回路構成にかかわらず、発光動作を行う画素回路を採用する表示装置であって、画素回路とは別に、ユーザにより入力される位置を検出するスイッチ回路を設ける表示装置に広く採用できる。
【符号の説明】
【００５８】
１０  表示装置，  １３  表示部，  １５  センサ走査回路，  １６  センサ出力検出回路，  １７  位置検出部，  ５１ｘ，５１ｙ  電圧検出部，  ６１  スイッチ回路，  ６２ｘ，６２ｙ  配線，  ６３  抵抗，  ＴSE  センサトランジスタ，  Cse  保持容量，  ＴOUT  出力トランジスタ
【図１】
2011142440.tif 000005
【図２】
2011142440.tif 000006
【図３】
2011142440.tif 000007
【図４】
2011142440.tif 000008
【図５】
2011142440.tif 000009
【図６】
2011142440.tif 000010
【図７】
2011142440.tif 000011