(57)【要約】【課題】アライメントマークが形成された台座付きの基板を作製するにあたって、アライメントマークと台座の相対的な位置ずれを低減する。【解決手段】本発明の基板作製方法は、光透過性の基板１の第１の主面上に、この基板１に形成すべきアライメントマーク５と台座の位置に応じたハードマスク２ａを形成する工程と、そのハードマスク２ａを用いて基板１をエッチングすることにより、基板１の第１の主面にアライメントマーク５を形成する工程と、基板１の第１の主面上にハードマスク２ａを覆う状態でレジスト層６を形成した後、このレジスト層６に基板１の第２の主面側から露光用の光を照射することにより、レジスト層６を露光する工程と、そのレジスト層６の露光部分を現像により除去して得られるレジストパターン６ａをマスクに用いて基板１をエッチングすることにより、基板１の第１の主面側に台座を形成する工程と、を有する。【選択図】図３
2011210862.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏の関係にある第１の主面および第２の主面を有する光透過性の基板を用いて、前記基板の第１の主面上にハードマスク層を形成した後、このハードマスク層を覆う状態で第１のレジスト層を形成する工程と、
前記第１のレジスト層を、前記基板に形成すべきアライメントマークと台座の位置に応じた露光マスクにより露光し現像することにより、前記ハードマスク層の上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングすることにより、前記基板の第１の主面上にハードマスクを形成した後、前記第１のレジストパターンおよび前記ハードマスクを用いて前記基板をエッチングすることにより、前記基板の第１の主面に前記アライメントマークを形成する工程と、
前記アライメントマークを形成した前記基板の第１の主面上から前記第１のレジストパターンを除去した後、前記基板の第１の主面上に前記ハードマスクを覆う状態で第２のレジスト層を形成する工程と、
前記ハードマスクを露光用のマスクに利用して前記基板の第２の主面側から露光用の光を照射して前記第２のレジスト層を露光し現像することにより、前記ハードマスクの上に第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクに用いて前記基板をエッチングすることにより、前記基板の第１の主面側に前記台座を形成する工程と、
を有することを特徴とする基板作製方法。
【請求項２】
前記アライメントマークを形成するパターンの寸法に応じた厚みで前記第１のレジスト層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の基板作製方法。
【請求項３】
前記第１のレジスト層よりも厚い膜厚で前記第２のレジスト層を形成する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の基板作製方法。
【請求項４】
露光の対象となる基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部で支持した前記基板に向けて、露光用の光を照射する光学系と、
前記基板支持部で支持した前記基板の向きを、前記光学系に対して表裏反転させる基板反転部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば、インプリント技術を実施する際に用いて好適な基板作製方法と、当該基板作製方法に用いて好適な露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ法を用いたインプリント技術が知られている（たとえば、特許文献１を参照）。このインプリント技術は、元型基板と被転写基板とを用いて、凹凸のパターンを転写する技術である。かかる技術においては、予め、元型基板の一主面に凹凸のパターンを形成する一方、被転写基板の一主面にレジスト層を形成しておく。そして、被転写基板を加熱してレジスト層を軟化させた状態で、元型基板の凹凸のパターンを被転写基板のレジスト層に接触させて加圧することにより、レジスト層を変形させる。さらに、その状態で被転写基板を冷却または露光してレジスト層を硬化させる。そうすると、元型基板の凹凸のパターンの、凹と凸の関係を反転させたかたちのパターンが、被転写基板のレジスト層に転写（形成）される。
【０００３】
こうしたインプリント技術は、たとえば、サブマスターモールドと呼ばれる元型基板を利用してハードディスク用途の記録メディアを作製する場合や、マスターモールドと呼ばれる元型基板を利用して、上記のサブマスターモールドを作製する場合などに利用されている。また、サブマスターモールドは、プリメサ基板と呼ばれる基板を素材に製造される。プリメサ基板とは、記録メディア等の外径に対応した外径をもって基板の中央部分に凸状の台座が設けられた基板をいう。サブマスターモールドは、このプリメサ基板にインプリント技術によってマスターモールドの凹凸のパターンを転写することにより作製される。
【０００４】
プリメサ基板は、光を透過する性質（以下、「光透過性」とも記す）を有するガラス基板を素材に用いて作製される。また、プリメサ基板には、位置合わせのためのマーク（以下、「アライメントマーク」とも記す）が設けられる。このアライメントマークは、たとえば、マスターモールドとプリメサ基板との相対的な位置合わせや、このプリメサ基板を素材として作製されるサブマスターモールドを利用して記録メディアを作製する場合に、この記録メディアとの位置合わせのために利用される。
【０００５】
上記のアライメントマークは、プリメサ基板を作製する工程で付される。このため、プリメサ基板の一連の作製工程のなかには、その素材となるガラス基板にアライメントマークを形成するための工程（以下、「アライメントマーク形成工程」と記す）と、上記ガラス基板に台座を形成するための工程（以下、「台座形成工程」と記す）がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２０６３３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のプリメサ基板の作製工程には、次のような問題があった。
すなわち、アライメントマーク形成工程では、アライメントマークに対応した露光マスクを用いてレジスト層を露光し、その後、現像によって得られるレジストのパターン（以下、「レジストパターン」と記す）をマスクに用いて、ガラス基板にアライメントマークを形成している。同様に、台座形成工程では、台座の外径に対応した露光マスクを用いてレジスト層を露光し、その後、現像によって得られるレジストのパターンをマスクに用いて、ガラス基板に台座を形成している。
【０００８】
このため、先行して形成されるアライメントマークの位置に合わせて、台座形成用の露光マスクを位置合わせする必要がある。その際、露光装置の精度上、どうしても位置合わせの誤差が生じる。こうした誤差は、アライメントマーク形成用の露光マスクと、台座形成用の露光マスクとの相対的な位置ずれとなる。そして、この位置ずれが、プリメサ基板の主面と平行な面内において、アライメントマークと台座の相対的な位置ずれとなって現れてしまう。この位置ずれは、プリメサ基板からサブマスターモールドを作製する際のパターン位置などの精度、ひいてはサブマスターモールドにより生産される製品の精度にも少なからず影響を与える。
【０００９】
本発明の主たる目的は、アライメントマークが形成された台座付きの基板を作製するにあたって、アライメントマークと台座の相対的な位置ずれを低減し、パターン精度を向上させることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の態様は、
表裏の関係にある第１の主面および第２の主面を有する光透過性の基板を用いて、前記基板の第１の主面上にハードマスク層を形成した後、このハードマスク層を覆う状態で第１のレジスト層を形成する工程と、
前記第１のレジスト層を、前記基板に形成すべきアライメントマークと台座の位置に応じた露光マスクにより露光し現像することにより、前記ハードマスク層の上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングすることにより、前記基板の第１の主面上にハードマスクを形成した後、前記第１のレジストパターンおよび前記ハードマスクを用いて前記基板をエッチングすることにより、前記基板の第１の主面に前記アライメントマークを形成する工程と、
前記アライメントマークを形成した前記基板の第１の主面上から前記第１のレジストパターンを除去した後、前記基板の第１の主面上に前記ハードマスクを覆う状態で第２のレジスト層を形成する工程と、
前記ハードマスクを露光用のマスクに利用して前記基板の第２の主面側から露光用の光を照射して前記第２のレジスト層を露光し現像することにより、前記ハードマスクの上に第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクに用いて前記基板をエッチングすることにより、前記基板の第１の主面側に前記台座を形成する工程と、
を有する基板作製方法である。
【００１１】
本発明の第２の態様は、
前記アライメントマークを形成するパターンの寸法に応じた厚みで前記第１のレジスト層を形成する、
上記第１の態様に記載の基板作製方法である。
【００１２】
本発明の第３の態様は、
前記第１のレジスト層よりも厚い膜厚で前記第２のレジスト層を形成する、
上記第１または第２の態様に記載の基板作製方法である。
【００１３】
本発明の第４の態様は、
露光の対象となる基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部で支持した前記基板に向けて露光用の光を照射する光学系と、
前記基板支持部で支持した前記基板の向きを、前記光学系に対して表裏反転させる基板反転部と、
を備える露光装置である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、アライメントマークが形成された台座付きの基板を作製するにあたって、アライメントマークと台座の相対的な位置ずれを低減し、パターン精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】インプリント技術を用いたサブマスターモールドの作製工程と、インプリント技術を用いた記録メディアの作製工程とを説明する概略図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る基板作製方法の工程フロー図（その１）である。
【図３】本発明の実施の形態に係る基板作製方法の工程フロー図（その２）である。
【図４】本発明の実施の形態に係る基板作製方法の工程フロー図（その３）である。
【図５】本発明の実施の形態に係る露光装置の構成例を概略的に示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
まず、本発明の実施の形態を説明するのに先立って、インプリント技術を用いたサブマスターモールドの作製工程と、インプリント技術を用いた記録メディアの作製工程について、図１を用いて説明する。
【００１７】
サブマスターモールド１０１を作製する工程では、予め凸状の台座１０２が形成されたプリメサ基板１０３を基材とする。そして、プリメサ基板１０３の台座１０２の部分に、マスターモールド１００を元型基板としたインプリント技術により微細な凹凸のパターン１０１ａを形成(転写）する。
【００１８】
その際、マスターモールド１００全体をプリメサ基板１０３に密着させて、マスターモールド１００のパターン１００ａを転写すると、その後で基板を剥離しづらくなる。このため、プリメサ基板１０３側にたとえば段差１５μｍ程度の台座１０２を形成して基板を剥離しやすくしている。また、基板相互の位置合わせを行うために、プリメサ基板１０３の台座１０２の部分に図示しないアライメントマークを形成している。
【００１９】
一方、記録メディア１０４を作製する工程では、上記のサブマスターモールド１０１を元型基板として、当該サブマスターモールド１０１の凹凸のパターン（マスターモールド１００のパターン１００ａの凹凸を反転したパターン）１０１ａをインプリント技術により記録メディア１０４に形成（転写）する。これにより、マスターモールド１００のパターン１００ａと同様のパターンをもつ記録メディア１０４が得られる。
【００２０】
続いて、本発明の実施の形態について説明する。本発明の実施の形態に係る基板作製方法は、好適には、上述のようにインプリント技術を用いて記録メディアを作製する場合に、元型基板として用いられるサブマスターモールドの元になるプリメサ基板を作製する方法として適用されるものである。ただし、本発明はこれに限らず、記録メディアを作製する用途以外の用途、あるいはインプリント技術以外の用途で、台座付きの基板を作製する場合に適用してもかまわない。以下、プリメサ基板を作製する場合について説明する。
【００２１】
本発明の実施の形態に係る基板作製方法は、以下に記述する複数の工程を含む。
１．ハードマスク層形成工程
２．第１のレジスト層形成工程
３．第１の露光工程
４．第１の現像工程
５．ハードマスクエッチング工程
６．第１の基板エッチング工程（アライメントマーク形成）
７．第１のレジスト除去工程
８．第２のレジスト層形成工程
９．第２の露光工程
１０．第２の現像工程
１１．第２の基板エッチング工程（台座形成）
１２．第２のレジスト除去工程
１３．ハードマスク除去工程
以下、各工程について順に説明する。
【００２２】
＜１．ハードマスク層形成工程＞
まず、図２（Ａ）に示すように、プリメサ基板の素材となる基板１を用意して、この基板１の第１の主面上にハードマスク層２を形成する。ここでは、基板１の２つ（表裏）の主面のうち、基板１の一方の主面を「第１の主面」とし、他方の主面を「第２の主面」とする。基板１としては、光透過性を有する基板（たとえば、ガラス基板）を用いる。基板１は、一般にプリメサ基板用途では円形の基板が用いられる。ただし、本発明を実施するにあたっては、円形の基板に限らず、たとえば、四角形等を含む多角形の基板であってもよい。ハードマスク層２は、たとえば、クロムからなる金属層、またはクロムを含む金属層（合金層）によって形成する。また、ハードマスク層２は、たとえば、スパッタリング法によって形成する。ハードマスク層２の厚み（膜厚）は、後述する「第1の基板エッチング工程」でエッチングに耐えられること、および「第２の露光工程」で露光光に対する遮光性を維持できること、を満たす範囲で、できるだけ薄くなるように、たとえば、０．１〜１．０μｍの範囲で設定する。
【００２３】
＜２．第１のレジスト層形成工程＞
次に、図２（Ｂ）に示すように、基板１の第１の主面上に、上記のハードマスク層２を覆う状態で、レジスト層３を形成する。レジスト層３は、後述する「ハードマスクエッチング工程」でエッチングに用いるマスク（レジストパターン）を形成するためのものである。レジスト層３は、たとえば、ポジ型のレジストを用いて、スピンコート法等によって形成する。このレジスト層３は、後述するアライメントマークをたとえば２μｍ程度の微細パターンで形成する場合は、その微細パターンの寸法に応じて、当該パターン寸法の半分程度の厚さ、たとえば、１μｍの厚さで形成しておく。
【００２４】
＜３．第１の露光工程＞
次に、図２（Ｃ）に示すように、露光マスク４を用いて、上記のレジスト層３を露光する。露光マスク４は、たとえば、光透過性の基板（ガラス基板等）に、遮光性の成膜材料（たとえば、クロム等）を用いて、露光用の遮光パターン４ａを形成した構造になっている。本実施の形態においては、レジスト層３がポジ型のレジストで形成されている。このため、露光マスク４を通して露光したレジスト層３の一部（感光された部分）が可溶化する。そこで、露光マスク４の遮光パターン４ａは、基板１の第１の主面上において、後述するアライメントマークを形成すべき部位と、後述する台座を形成すべき部位が、どちらも同時に露光されるように、所定のパターン形状をもって形成されている。具体的には、遮光パターン４ａの中央部分にアライメントマークの形状に対応した開口が形成されている。また、遮光パターン４ａは、台座の平面形状に対応した円形のパターンとなっており、かつ、当該パターンの外径が台座の外径に対応したものとなっている。
【００２５】
＜４．第１の現像工程＞
次に、図２（Ｄ）に示すように、上記露光マスク４を用いて露光されたレジスト層３の一部を、現像によって除去することにより、レジストパターン３ａを形成する。これにより、現像後においては、レジスト層３の他部が、レジストパターン３ａとなって残る。このレジストパターン３ａの外径は、上述した遮光パターン４ａの外径に対応したものとなる。また、レジストパターン３ａは、後述するアライメントマークの平面的な形状に対応した開口部Ｈを含んだものとなる。
【００２６】
＜５．ハードマスクエッチング工程＞
次に、図２（Ｅ）に示すように、上記のレジストパターン３ａをマスクに用いて、ハードマスク層２をクロムエッチング液でエッチングする。これにより、レジストパターン３ａと同様の平面形状をもってハードマスク層２の一部がエッチングされる。そして、このエッチング後においては、ハードマスク層２の他部（エッチングされなかった部分）が、ハードマスク２ａとなって残る。この場合、ハードマスク２ａの外径は、後述する台座の外径に対応したものとなる。なぜなら、ハードマスク層２のエッチングに用いたレジストパターン３ａの外径が、上述した露光マスク４の遮光パターン４ａに対応し、さらにこの遮光パターン４ａの外径が、上述した台座の外径に対応しているからである。また、ハードマスク層２のエッチングに際しては、上述した開口部Ｈがハードマスク層２の厚みに応じて掘り下げられる。
【００２７】
＜６．第１の基板エッチング工程（アライメントマーク形成）＞
次に、図３（Ａ）に示すように、上記のレジストパターン３ａとハードマスク２ａとを用いて、基板１をたとえばドライエッチングする。これにより、基板１の第１の主面（表面）にアライメントマーク５が形成される。このアライメントマーク５は、上述した開口部Ｈを掘り下げるかたちで形成されるため、当該開口部Ｈの開口形状にならったものとなる。また、アライメントマーク５は、基板１のエッチング量に応じて、たとえば、０．１μｍの深さで形成される。さらに、基板１の第１の主面上で、ハードマスク２ａおよびレジストパターン３ａが積層されていない部分は、アライメントマーク５の形成と同時進行でエッチングされる。
【００２８】
＜７．第１のレジスト除去工程＞
次に、図３（Ｂ）に示すように、基板１の第１の主面上から上記のレジストパターン３ａを除去する。レジストパターン３ａの除去は、たとえば、レジスト剥離液によって行う。
【００２９】
＜８．第２のレジスト層形成工程＞
次に、図３（Ｃ）に示すように、基板１の第１の主面上にハードマスク２ａを覆う状態でレジスト層６を形成する。このとき、基板１のアライメントマーク５の形成部分とこれに通じる上記開口部Ｈの部分がレジスト材料によって埋め込まれる。レジスト層６は、ポジ型のレジストを用いて、スピンコート法等によって形成する。この場合は、前述したレジスト層３よりも厚くなるようにレジスト層６を形成する。たとえば、前述したようにレジスト層３を微細パターンのサイズの半分程度の厚さである１μｍで形成した場合、レジスト層６については、上記微細パターンのサイズの数倍以上の厚さ、たとえば、２０μｍの厚さで形成する。
【００３０】
＜９．第２の露光工程＞
次に、図３（Ｄ）に示すように、基板１の第２の主面側、すなわちハードマスク２ａが形成されている面と反対側から、このハードマスク２ａを露光用のマスクに利用して、露光用の光を照射することにより、基板１を通してレジスト層６を露光する。図中の点線の矢印は、露光用の光（以下、「露光光」と記す）を示している。このとき、基板１の第１の主面においては、ハードマスク２ａが遮光マスクとして機能する。このため、ハードマスク２ａが形成されている領域に入射した露光光の進行は、ハードマスク２ａによって遮られる。
【００３１】
また、ハードマスク２ａの形成領域内で、アライメントマーク５が形成されている部分に入射した露光光は、当該アライメントマスク５を構成する微細なパターンによって散乱される。このため、露光光が入射する側から見て、基板１の裏側に位置するレジスト層６の一部６ａは、アライメントマーク５に通じるハードマスク２ａの開口部分の近傍（たとえば、図３（Ｄ）の符号６ｃで示す部分）で感光されるものの、それ以外の部分は感光されることがない。また、この場合は、アライメントマーク５を形成する微細パターンの部位から光が漏れるものの、そこから漏れた光は、当該微細パターンで拡散され、その強度が徐々に弱まる。このため、レジスト層６の厚みを、上記散乱光の影響を受けない程度に十分に厚くしておけば、漏れた光がレジスト層６の表層部分に到達したとしても、そこでの露光量不足により、当該表層部分が可溶化することがない。
【００３２】
以上のことから、ハードマスク２ａの外縁を境にレジスト層６を内側領域６ａと外側領域６ｂの２つに区分すると、露光によって内側領域６ａに蓄積される露光エネルギー量は外側領域６ｂに蓄積される露光エネルギー量よりも少なくなる。そこで、かかる工程においては、レジスト層６の外側領域６ｂの露光エネルギー量が、レジスト層６を可溶化するのに必要な露光エネルギー量以上となるように、露光条件（露光光の出力、露光時間など）を設定している。また、かかる工程では、レジスト層６の内側領域６ａの露光エネルギー量が、レジスト層６を可溶化するのに必要な露光エネルギー量未満となるように、露光条件を設定している。このため、レジスト層６の厚み方向において、基板１の第１の主面から最も遠いレジスト層６の表層部分で比較すると、レジスト層６の内側領域６ａの表層部分は感光（可溶化）されず、レジスト層６の外側領域６ｂの表層部分は感光される。
【００３３】
＜１０．第２の現像工程＞
次に、図３（Ｅ）に示すように、基板１を介して露光されたレジスト層６の一部（可溶化された部分）を、現像によって除去することにより、上記ハードマスク２ａの上にレジストパターン６ａを形成する。これにより、現像後においては、レジスト層６の他部が、レジストパターン６ａとして残る。このレジストパターン６ａの外径は、ハードマスク２ａの外径に対応したものとなる。また、前述したように、ハードマスク２ａの外径は、後述する台座の外径に対応したものとなっている。このため、レジストパターン６ａの外径は、台座の外径に対応したものとなる。
【００３４】
＜１１．第２の基板エッチング工程（台座形成）＞
次に、図４（Ａ）に示すように、レジストパターン６ａをマスクに用いて、基板１をエッチングする。これにより、基板１の第１の主面に、凸状に台座７が形成される。この場合、エッチングによって形成される台座７の段差（エッチング量）は、たとえば前述したように１５μｍに設定されるため、このエッチングを短時間で行うためにはウェットエッチングを採用することが望ましい。ウェットエッチングを採用した場合、基板１のエッチングは、基板１の厚み方向だけでなく、基板１の半径（縮径）方向にも進行する。このため、エッチングによって形成される台座７の外径は、ハードマスク２ａおよびレジストパターン６ａの外径よりも小さくなる。また、基板１のエッチングに際しては、台座７の部分に形成されているアライメントマーク５がハードマスク２ａとレジストパターン６ａに覆われた状態で保護される。このため、アライメントマーク５は、エッチングによって消失することなく、元の形状および深さのままに維持される。なお、ここでは好ましい例としてウェットエッチングを採用するものとしたが、これに限らず、ドライエッチングを採用してもかまわない。
【００３５】
＜１２．第２のレジスト除去工程＞
次に、図４（Ｂ）に示すように、基板１の第１の主面上から上記のレジストパターン６ａを除去する。レジストパターン６ａの除去は、たとえば、硫酸過水によって行う。
【００３６】
＜１３．ハードマスク除去工程＞
次に、図４（Ｃ）に示すように、基板１の第１の主面上から上記のハードマスク２ａを除去する。ハードマスク２ａの除去は、たとえば、クロムエッチング液によって行う。
【００３７】
以上の工程により、アライメントマーク５と台座７を第１の主面側に有する基板（プリメサ基板）１が得られる。
【００３８】
＜実施の形態の効果＞
本発明の実施の形態に係る基板作製方法においては、次のような効果が得られる。
【００３９】
すなわち、基板１に台座７を形成する場合に、アライメントマーク５の形成（エッチング）に用いたハードマスク２ａを露光用のマスクに利用して、台座形成のためのレジストパターン６ａを形成している。このため、アライメントマーク５の形成位置にあわせて自己整合的に台座７が形成される。したがって、従来のようにアライメントマークと台座を別々の露光マスクを用いて形成する場合に比べて、アライメントマーク５と台座７の相対的な位置ずれを低減することができる。
【００４０】
また、上記実施の形態においては、基板１と別体の露光マスクを用いたマスク露光が１回で済むため、従来は２回必要とされていたマスク露光における露光マスク相互の位置合わせが不要になる。このため、位置合わせのずれが生じる機会がなくなる。したがって、マスク露光にかかる位置ずれを低減してパターン精度の向上を図ることができる。
【００４１】
また、従来においては、先行して形成されるアライメントマークの位置に合わせて、台座形成用の露光マスクを位置合わせするため、アライメント機能付きの露光装置が必要となる。この種の露光装置は、高い位置合わせの精度が要求されるため、非常に高価なものとなる。これに対して、本発明の実施の形態に係る基板作製方法では、露光マスクを用いたレジスト層の露光処理が１回で済むため、そうした高価な露光装置が不要になる。このため、設備コストの低減によって基板作製プロセスの低コストを図ることができる。
【００４２】
また、上記実施の形態においては、アライメントマーク５を形成するパターンの寸法に応じた厚みでレジスト層３を薄く形成している。より具体的には、レジスト層３の厚みをアライメントマーク５のパターン寸法の半分程度となる１μｍに設定している。このため、レジスト層３をパターニングして得られるレジストパターン３ａをエッチングのマスクに用いて、基板１にアライメントマーク５を形成することにより、微細なパターンをもってアライメントマーク５を形成することができる。
【００４３】
また、上記実施の形態においては、レジスト層３よりも厚い膜厚でレジスト層６を形成している。より具体的には、レジスト層６がレジスト層３よりも厚くなるように、たとえば、レジスト層３の厚みの数倍以上の膜厚でレジスト層６の厚みを設定している。このため、基板１の第２の主面側から露光光を照射したときに、この露光光の入射側からみてハードマスク２ａの裏側に存在するレジストパターン６ａの表層部分まで露光光が到達しても、そこでのレジスト層６の可溶化を抑制することができる。したがって、露光後の現像工程においては、基板１の第１の主面側にレジストパターン６ａを確実に残し、このレジストパターン６ａを用いて台座形成のためのエッチングを行うことができる。
【００４４】
また、上記実施の形態に係る基板作製方法を実施するにあたっては、図５に示す構成の露光装置２００を用いることが好ましい。この露光装置２００は、露光用の光を発生させる光源２０１と、この光源２０１で発生させた光を制御する光学系２０２と、露光の対象となる基板（不図示）を支持する基板支持部２０３と、この基板支持部２０３で支持した基板を表裏反転させる基板反転部２０４とを備えた構成となっている。
【００４５】
上記構成の露光装置２００においては、基板支持部２０３で支持した基板を基板反転部２０４で反転させることにより、この基板の向きが光学系２０２に対して表裏反転した状態となる。このため、たとえば、上記実施の形態で記述したように、表裏の関係にある二つの主面を有する基板の露光を行う場合に、第１の主面側からの露光と、第２の主面側からの露光を、基板反転部２０４による基板の反転動作によって容易に実現することができる。
【００４６】
＜変形例＞
なお、本発明の技術的範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
【００４７】
たとえば、上記実施の形態においては、レジスト層３をポジ型のレジストを用いて形成するものとしたが、これに限らず、ネガ型のレジストを用いて形成してもよい。その場合は、レジスト層３の露光された部分が不溶化するため、露光マスク４の遮光パターンの形状を変えればよい。
【００４８】
また、上記実施の形態においては、ハードマスク層２を、クロムからなる金属層、またはクロムを含む金属層（合金層）で形成するものとしたが、これに限らず、ハードマスク層２を、クロムを含まない金属層（合金層を含む）によって形成してもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１…基板、２…ハードマスク層、２ａ…ハードマスク、３…レジスト層（第１のレジスト層）、３ａ…レジストパターン（第１のレジストパターン）、４…露光マスク、５…アライメントマーク、６…レジスト層（第２のレジスト層）、６ａ…レジストパターン（第２のレジストパターン）、７…台座、２００…露光装置、２０１…光源、２０２…光学系、２０３…基板支持部、２０４…基板反転部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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