(57)【要約】【課題】良好な記録感度およびジッター特性を有する光記録媒体を提供する。【解決手段】この光記録媒体１０は、基板１１と、前記基板１１の記録面１６側に積層され、青色レーザー光である記録光を反射する反射層１２と、前記反射層１２の記録面１６側に積層され、極大吸収波長が３９０〜５００ｎｍであって、極大吸収波長における光学濃度が０.３以下である色素材料を含む記録層１３と、前記記録層１３の記録面側に積層され、前記記録層１３を保護すると共に導電性を有する誘電体材料からなる保護層１４と、を備えた。【選択図】図１
2011110725.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の記録面側に積層され、青色レーザー光である記録光を反射する反射層と、
前記反射層の記録面側に積層され、極大吸収波長が３９０〜５００ｎｍであって、極大吸収波長における光学濃度が０.３以下である色素材料を含む記録層と、
前記記録層の記録面側に積層され、前記記録層を保護すると共に導電性を有する誘電体材料からなる保護層と、を備えたことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
色素材料が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【化１】
2011110725.tif 000031
（式中、環Ｄは、下記式（ａ）又は（ｂ）で表される基であり、環Ｅは、下記式（ｃ）又は（ｄ）で表される基であり、Ａｎｑ−はｑ価の陰イオンを表し、ｑは１又は２を表し、ｐは電荷を中性に保つ係数を表す。）
【化２】
2011110725.tif 000032
（式中、Ｒ１〜Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基又はシアノ基を表し、Ｒ１及びＲ３、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ９、或いはＲ１１及びＲ１２はそれぞれ連結して環を形成してもよく、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−ＣＲ１３Ｒ１４−、−ＮＨ−又は−ＮＹａ―を表し、Ｒ１３及びＲ１４は、各々独立に、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、下記一般式（II）で表される置換基、下記一般式（III）又は下記一般式（III’）で表される置換基を表し、Ｒ１３及びＲ１４は連結して環を形成してもよく、Ｙａ、Ｙ１及びＹ２は、各々独立に、水素原子、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、又は下記一般式（II）で表される置換基を表し、上記Ｙａ、Ｙ１及びＹ２で表される無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基中のメチレン基は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で中断されていてもよい。）
【化３】
2011110725.tif 000033
（式中、Ｒａ〜Ｒｉは、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は−Ｏ−又は−ＣＯ−で中断されていてもよく、Ｑは直接結合又は置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキレン基を表し、該アルキレン基中のメチレン基は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で中断されていてもよく、Ｍ１はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ又はＩｒを表す。）
【化４】
2011110725.tif 000034
（上記一般式（III）において、ＧとＴの間の結合は、二重結合、共役二重結合又は三重結合であり、Ｇは炭素原子を表し、Ｔは炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し（ただし、Ｔが酸素原子である場合はｙとｚは０であり、Ｔが窒素原子である場合はｙ＋ｚは０又は１である。）、ｗは０〜４の数を表し、ｘ、ｙ及びｚは、０又は１を表し、Ｒ０１、Ｒ０２、Ｒ０３及びＲ０４は、各々独立に、水素原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で中断されていてもよく、Ｒ０１とＲ０４は結合してシクロアルケン環又は複素環を形成してもよい。上記一般式（III’）において、Ｇ’とＴ’の間の結合は、二重結合又は共役二重結合であり、Ｇ’は炭素原子を表し、Ｔ’は炭素原子又は窒素原子を表し、ｗ’は０〜４の数を表し、Ｒ０１’は水素原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で中断されていてもよく、Ｇ’及びＴ’を含む環は、ヘテロ原子を含んでもよい５員環、ヘテロ原子を含んでもよい６員環、ナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、アントラセン環又はアントラキノン環を表し、これらＧ’及びＴ’を含む環は、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基で置換されていてもよい。）
【請求項３】
色素材料が、下記一般式（ＩＶ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【化５】
2011110725.tif 000035
（式（ＩＶ）中、Ａは一価の有機陽イオンを表し、環Ｊ及び環Ｌは、それぞれ独立に、芳香族環又は複素環を表し、Ｚは窒素原子又は−ＣＨ−であり、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立に、窒素原子又は酸素原子であり、Ｍ２は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｌ又はＩｒである。）
【請求項４】
色素材料が、下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることを特徴とする請求項２に記載の光記録媒体。
【化６】
2011110725.tif 000036
（式（Ｖ）中、Ｒ１３及びＲ１４、Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２、Ａｎｑ−、ｑ及びｐは、上記一般式（Ｉ）と同じであり、Ｒ１６〜Ｒ２３は、各々独立に、水素原子、水酸基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基又はシアノ基を表し、Ｒ１６及びＲ１７、Ｒ１７及びＲ１８、Ｒ１８及びＲ１９、Ｒ２０及びＲ２１、Ｒ２１及びＲ２２、或いはＲ２２及びＲ２３はそれぞれ連結して環を形成してもよい。）
【請求項５】
色素材料が、下記一般式（ＶＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
【化７】
2011110725.tif 000037
（式（ＶＩ）中、Ａ、Ｚ及びＭ２は、上記一般式（ＩＶ）と同じであり、Ｒ２４〜Ｒ３９は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、無置換の又は置換基を有する炭素原子１〜２０のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子１〜２０のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基又は−ＮＲＲ’を表し、Ｒ及びＲ’は無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、ＲとＲ’、隣接するＲ２４〜Ｒ３９同士、Ｒと−ＮＲＲ’に隣接するＲ２４〜Ｒ３９のいずれか、或いはＲ’と−ＮＲＲ’に隣接するＲ２４〜Ｒ３９のいずれかはそれぞれ連結して環を形成してもよい。）
【請求項６】
色素材料が、下記一般式（Ｘ）で表される化合物であることを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載の光記録媒体。
【化８】
2011110725.tif 000038
（式（Ｘ）中、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｘ１、Ｙ１及びＹ２は、上記一般式（Ｉ）と同じであり、Ｒ１６〜Ｒ２０は、上記一般式（Ｖ）と同じであり、Ｚ及びＭ２は、上記一般式（ＩＶ）と同じであり、Ｒ２４〜Ｒ３９は、上記一般式（ＶＩ）と同じである。）
【請求項７】
上記一般式（Ｘ）において、Ｒ１３及び／又はＲ１４が無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、上記一般式（III）又は（III’）で表されることを特徴とする請求項６に記載の光記録媒体。
【請求項８】
前記誘電体材料は、ＺｎＳおよびＳｉＯ２からなる化合物と、導電性を付与するドーパント化合物と、からなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項９】
前記ドーパント化合物は、ＺｎＯが１０〜３０ｍｏｌ％、Ｉｎ２Ｏ３が１〜１５ｍｏｌ％、Ｇａ２Ｏ３が１〜１５ｍｏｌ％およびＡｌ２Ｏ３が０．０５〜２ｍｏｌ％のうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項８に記載の光記録媒体。
【請求項１０】
前記保護層は、直流電源を用いたスパッタ法により形成されていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、色素材料を含む記録層および記録層を保護する保護層を有する光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光記録媒体（光ディスク）において、国際公開２００７／１１４０７３号公報では、特定の色素材料（光記録材料）が、波長３８０ｎｍ〜４２０ｎｍの短波長レーザー用の光ディスクに好適に用いられることが開示されている。
特開２００９−０９３７２５号公報では、色素材料からなる記録層と、カバー層と、を備えた光記録媒体において、記録層とカバー層との間に、抵抗値を所定範囲に調整した複合酸化物をターゲットとしてＲＦスパッタ法により成膜した中間層（保護層）を有する光記録媒体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開２００７／１１４０７３号公報
【特許文献２】特開２００９−０９３７２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した従来の保護層を有した光記録媒体では、記録層の良好な熱分解挙動が阻害され、記録感度やジッター特性が悪く、光記録媒体に対する良好な記録を行うことが困難であった。また、ＺｎＳおよびＳｉＯ２から成る化合物は、導電性を有さないため、高周波電圧をかける必要のあるＲＦスパッタ法によらなければ成膜することができなかった。
【０００５】
また、ＲＦスパッタ法による成膜では、ターゲットの抵抗値や印加する高周波電圧の調整が困難であると共に、一般的にＲＦスパッタ法は、ＤＣスパッタ法に比してスパッタリングレート（成膜速度）が低いという問題がある。さらに、ＲＦスパッタ法を実施する装置は高価であり、製造コストの増加という問題もある。
【０００６】
本願発明は、良好な記録感度およびジッター特性を有する光記録媒体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光記録媒体は、基板と、基板の記録面側に積層され、青色レーザー光である記録光を反射する反射層と、反射層の記録面側に積層され、極大吸収波長が３９０〜５００ｎｍであって、極大吸収波長における光学濃度が０.３以下である色素材料を含む記録層と、記録層の記録面側に積層され、記録層を保護すると共に導電性を有する誘電体材料からなる保護層と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
この場合、色素材料が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることが好ましい。
【化１】
2011110725.tif 000003
（式中、環Ｄは、下記式（ａ）又は（ｂ）で表される基であり、環Ｅは、下記式（ｃ）又は（ｄ）で表される基であり、Ａｎｑ−はｑ価の陰イオンを表し、ｑは１又は２を表し、ｐは電荷を中性に保つ係数を表す。）
【化２】
2011110725.tif 000004
（式中、Ｒ１〜Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基又はシアノ基を表し、Ｒ１及びＲ３、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ９、或いはＲ１１及びＲ１２はそれぞれ連結して環を形成してもよく、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−ＣＲ１３Ｒ１４−、−ＮＨ−又は−ＮＹａ―を表し、Ｒ１３及びＲ１４は、各々独立に、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、下記一般式（II）で表される置換基、下記一般式（III）又は下記一般式（III’）で表される置換基を表し、Ｒ１３及びＲ１４は連結して環を形成してもよく、Ｙａ、Ｙ１及びＹ２は、各々独立に、水素原子、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、又は下記一般式（II）で表される置換基を表し、上記Ｙａ、Ｙ１及びＹ２で表される無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基中のメチレン基は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で中断されていてもよい。）
【化３】
2011110725.tif 000005
（式中、Ｒａ〜Ｒｉは、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は−Ｏ−又は−ＣＯ−で中断されていてもよく、Ｑは直接結合又は置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキレン基を表し、該アルキレン基中のメチレン基は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で中断されていてもよく、Ｍ１はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ又はＩｒを表す。）
【化４】
2011110725.tif 000006
（上記一般式（III）において、ＧとＴの間の結合は、二重結合、共役二重結合又は三重結合であり、Ｇは炭素原子を表し、Ｔは炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し（ただし、Ｔが酸素原子である場合はｙとｚは０であり、Ｔが窒素原子である場合はｙ＋ｚは０又は１である。）、ｗは０〜４の数を表し、ｘ、ｙ及びｚは、０又は１を表し、Ｒ０１、Ｒ０２、Ｒ０３及びＲ０４は、各々独立に、水素原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で中断されていてもよく、Ｒ０１とＲ０４は結合してシクロアルケン環又は複素環を形成してもよい。上記一般式（III’）において、Ｇ’とＴ’の間の結合は、二重結合又は共役二重結合であり、Ｇ’は炭素原子を表し、Ｔ’は炭素原子又は窒素原子を表し、ｗ’は０〜４の数を表し、Ｒ０１’は水素原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で中断されていてもよく、Ｇ’及びＴ’を含む環は、ヘテロ原子を含んでもよい５員環、ヘテロ原子を含んでもよい６員環、ナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、アントラセン環又はアントラキノン環を表し、これらＧ’及びＴ’を含む環は、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基で置換されていてもよい。）
【０００９】
この場合、色素材料が、下記一般式（ＩＶ）で表される化合物であることが好ましい。
【化５】
2011110725.tif 000007
（式（ＩＶ）中、Ａは一価の有機陽イオンを表し、環Ｊ及び環Ｌは、それぞれ独立に、芳香族環又は複素環を表し、Ｚは窒素原子又は−ＣＨ−であり、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立に、窒素原子又は酸素原子であり、Ｍ２は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｌ又はＩｒである。）
【００１０】
この場合、色素材料が、下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることが好ましい。
【化６】
2011110725.tif 000008
（式（Ｖ）中、Ｒ１３及びＲ１４、Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２、Ａｎｑ−、ｑ及びｐは、上記一般式（Ｉ）と同じであり、Ｒ１６〜Ｒ２３は、各々独立に、水素原子、水酸基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基又はシアノ基を表し、Ｒ１６及びＲ１７、Ｒ１７及びＲ１８、Ｒ１８及びＲ１９、Ｒ２０及びＲ２１、Ｒ２１及びＲ２２、或いはＲ２２及びＲ２３はそれぞれ連結して環を形成してもよい。）
【００１１】
この場合、色素材料が、下記一般式（ＶＩ）で表される化合物であることが好ましい。
【化７】
2011110725.tif 000009
（式（ＶＩ）中、Ａ、Ｚ及びＭ２は、上記一般式（ＩＶ）と同じであり、Ｒ２４〜Ｒ３９は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、無置換の又は置換基を有する炭素原子１〜２０のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子１〜２０のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基又は−ＮＲＲ’を表し、Ｒ及びＲ’は無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、ＲとＲ’、隣接するＲ２４〜Ｒ３９同士、Ｒと−ＮＲＲ’に隣接するＲ２４〜Ｒ３９のいずれか、或いはＲ’と−ＮＲＲ’に隣接するＲ２４〜Ｒ３９のいずれかはそれぞれ連結して環を形成してもよい。）
【００１２】
これらの場合、色素材料が、下記一般式（Ｘ）で表される化合物であることが好ましい。
【化８】
2011110725.tif 000010
（式（Ｘ）中、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｘ１、Ｙ１及びＹ２は、上記一般式（Ｉ）と同じであり、Ｒ１６〜Ｒ２０は、上記一般式（Ｖ）と同じであり、Ｚ及びＭ２は、上記一般式（ＩＶ）と同じであり、Ｒ２４〜Ｒ３９は、上記一般式（ＶＩ）と同じである。）
【００１３】
この場合、上記一般式（Ｘ）において、Ｒ１３及び／又はＲ１４が無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、上記一般式（III）又は（III’）で表されることが好ましい。
【００１４】
これらの場合、誘電体材料は、ＺｎＳおよびＳｉＯ２からなる化合物と、導電性を付与するドーパント化合物と、からなることが好ましい。
【００１５】
また、この場合、ドーパント化合物は、ＺｎＯが１０〜３０ｍｏｌ％、Ｉｎ２Ｏ３が１〜１５ｍｏｌ％、Ｇａ２Ｏ３が１〜１５ｍｏｌ％およびＡｌ２Ｏ３が０．０５〜２ｍｏｌ％のうち、少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００１６】
これらの場合、保護層は、直流電源を用いたスパッタ法により形成されていることが好ましい。
【００１７】
これらの構成によれば、短波長（青色）のレーザー光を用いて記録／再生を行う光記録媒体において、良好な記録感度および良好なジッター特性を得ることができることが実証されている。特に２倍速記録の際の記録感度およびジッター性能を大きく向上させることが確認されている。なお、色素材料の極大吸収波長は、４００〜４６０ｎｍであることが望ましい。
また、保護層は、導電性を付加された誘電体材料から構成されているため、保護層の成膜には、直流電源（ＤＣ）を用いたスパッタ法（ＤＣスパッタ法）を用いることができる。ＤＣスパッタ装置は、その構成および原理が簡単であるため、光記憶媒体の製造（保護層の成膜）についての費用対効果を向上させることができる。なお、ＤＣスパッタ法により製造された光記憶媒体は、交流電源を用いたスパッタ法（ＲＦスパッタ法）により製造されたものと比較して、記録感度およびジッター性能が大幅に向上することが実証されている。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態に係る光記録媒体の構成例を説明する断面図である。
【図２】記録層に用いられる色素材料の成膜後における分光スペクトルを示す図（ａ）および色素材料の成膜後における光学濃度とジッターとの関係を示す図（ｂ）である。
【図３】保護層の膜厚とジッターとの関係を示す図である。
【図４】Ｄｉｓｃ１とＤｉｓｃ２との記録感度（ａ）およびジッター特性（ｂ）を比較する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付の図面を参照して、本発明の光記録媒体について説明する。この光記録媒体は、例えば、Blu-ray Disc等であり、色素材料を含む記録層に対して青色のレーザー光（記録光）を照射することで色素材料の光学特性を変化させて所望の情報の記録および／または再生を行うものである。
【００２０】
図１に示すように、光記録媒体１０は、基板１１と、基板１１の記録面１６側に成膜され、記録用のレーザー光（記録光）を反射する反射層１２と、反射層１２の記録面１６側に成膜され、記録光により情報が記録される記録層１３と、記録層１３を保護するように記録面１６側に成膜された保護層１４と、記録光が入射する側（記録面１６側）の防傷等のために形成されたカバー層１５と、が順次積層されて形成されている。なお、記録光または再生用のレーザー光（再生光）は、カバー層１５側から入射する。
【００２１】
基板１１は、ポリカーボネート樹脂（透明基板）から構成されており、その表面には、トラッキングサーボ用の案内溝が形成されている。案内溝のトラックピッチと溝深さの最適範囲は、一般的な有機色素系光記録媒体では、記録光または再生光の波長に依存する。なお、基板１１の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等を用いることも可能である。
【００２２】
基板１１のレーザー光の入射面とは反対側の面は、レーベル面となっており、スピンコート法による紫外線硬化樹脂またはスパッタ法による無機膜により、バックコーティング（Back Coat層）されている。
【００２３】
反射層１２は、記録層１３を透過した記録光を、効率良く反射するように銀（Ａｇ）を主成分とする合金から構成されている。また、反射層１２は、記録時または再生時のレーザー光を反射して、そのレーザー光の利用効率を高めると共に、記録時に発生する熱を逃がす放熱層の役割も担っている。反射層１２の膜厚は、５０〜１５０ｎｍであり、より厚い方が放熱の効果が良好なものとなる。また、反射層１２を成膜方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が用いられる。なお、反射層１２の材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｐｄ等の金属、またはこれらを主成分とする合金を用いることも可能である。また、金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層１２として用いてもよい。
【００２４】
図２（ａ）に示すように、記録層１３は、極大吸収波長が３９０〜５００ｎｍ（望ましくは４００〜４６０ｎｍ）で、且つ極大吸収波長での光学濃度が０.３以下である色素材料を含んでいる。色素材料としては特に制限されず光学記録媒体に一般的に用いられているものを用いることができ、例えば、シアニン化合物、アゾ系化合物、フタロシアニン系化合物、オキソノール系化合物、スクアリリウム系化合物、インドール化合物、スチリル系化合物、ポルフィン系化合物、アズレニウム系化合物、クロコニックメチン系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリリウム系化合物、トリアリールメタン系化合物、ジフェニルメタン系化合物、テトラヒドロコリン系化合物、インドフェノール系化合物、アントラキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、キサンテン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系化合物、オキサジン系化合物、スピロピラン系化合物、フルオレン系化合物、ローダミン系化合物等が挙げられるが、中でもシアニン化合物が好ましく、特に下記一般式（Ｉ）又は（ＩＶ）で表される化合物が、溶解性がよく構造設計が容易なので好ましい。
【００２５】
【化１】
2011110725.tif 000011
（式中、環Ｄは、下記式（ａ）又は（ｂ）で表される基であり、環Ｅは、下記式（ｃ）又は（ｄ）で表される基であり、Ａｎｑ−はｑ価の陰イオンを表し、ｑは１又は２を表し、ｐは電荷を中性に保つ係数を表す。）
【００２６】
【化２】
2011110725.tif 000012
（式中、Ｒ１〜Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基又はシアノ基を表し、Ｒ１及びＲ３、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ９、或いはＲ１１及びＲ１２はそれぞれ連結して環を形成してもよく、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−ＣＲ１３Ｒ１４−、−ＮＨ−又は−ＮＹａ―を表し、Ｒ１３及びＲ１４は、各々独立に、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、下記一般式（II）で表される置換基、下記一般式（III）又は下記一般式（III’）で表される置換基を表し、Ｒ１３及びＲ１４は連結して環を形成してもよく、Ｙａ、Ｙ１及びＹ２は、各々独立に、水素原子、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、又は下記一般式（II）で表される置換基を表し、上記Ｙａ、Ｙ１及びＹ２で表される無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基中のメチレン基は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で中断されていてもよい。）
【００２７】
【化３】
2011110725.tif 000013
（式中、Ｒａ〜Ｒｉは、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は−Ｏ−又は−ＣＯ−で中断されていてもよく、Ｑは直接結合又は無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキレン基を表し、該アルキレン基中のメチレン基は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で中断されていてもよく、Ｍ１はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ又はＩｒを表す。）
【００２８】
【化４】
2011110725.tif 000014
（上記一般式（III）において、ＧとＴの間の結合は、二重結合、共役二重結合又は三重結合であり、Ｇは炭素原子を表し、Ｔは炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し（ただし、Ｔが酸素原子である場合はｙとｚは０であり、Ｔが窒素原子である場合はｙ＋ｚは０又は１である。）、ｗは０〜４の数を表し、ｘ、ｙ及びｚは、０又は１を表し、Ｒ０１、Ｒ０２、Ｒ０３及びＲ０４は、各々独立に、水素原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で中断されていてもよく、Ｒ０１とＲ０４は結合してシクロアルケン環又は複素環を形成してもよい。上記一般式（III’）において、Ｇ’とＴ’の間の結合は、二重結合又は共役二重結合であり、Ｇ’は炭素原子を表し、Ｔ’は炭素原子又は窒素原子を表し、ｗ’は０〜４の数を表し、Ｒ０１’は水素原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−、−ＣＯ−で中断されていてもよく、Ｇ’及びＴ’を含む環は、ヘテロ原子を含んでもよい５員環、ヘテロ原子を含んでもよい６員環、ナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、アントラセン環又はアントラキノン環を表し、これらＧ’及びＴ’を含む環は、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基で置換されていてもよい。）
【００２９】
【化５】
2011110725.tif 000015
（式（ＩＶ）中、Ａは一価の有機陽イオンを表し、環Ｊ及び環Ｌは、それぞれ独立に、芳香族環又は複素環を表し、Ｚは窒素原子又は−ＣＨ−であり、Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立に、窒素原子又は酸素原子であり、Ｍ２は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｌ又はＩｒである。）
【００３０】
上記一般式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ１４、Ｙａ、Ｙ１及びＹ２で表される炭素原子数１〜８のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、ｔ−アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチル、２−シクロヘキシルエチル、ヘプチル、イソヘプチル、ｔ−ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、ｔ−オクチル、２−エチルヘキシル等が挙げられ、該アルキル基は、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルチオ基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基又は炭素原子数１〜６のエステル基で置換されていてもよく、置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基としては、２−メトキシエチル、３−メトキシプロピル、４−メトキシブチル、２−ブトキシエチル、２−（２−メトキシエトキシ）エチル、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エチル、３−メトキシブチル、２−メチルチオエチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、クロロメチル、ジクロロメチル、トリクロロメチル、ブロモメチル、ジブロモメチル、トリブロモメチル、ジフルオロエチル、トリクロロエチル、ジクロロジフルオロエチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロプロピル、ノナフルオロブチル、デカフルオロペンチル、トリデカフルオロヘキシル、ペンタデカフルオロヘプチル、ヘプタデカフルオロオクチル、メトキシメチル、２−メトキシエトキシメチル、メチルチオメチル、２−エチルチオエチル、ブトキシメチル、ｔ−ブチルチオメチル、トリクロロエトキシメチル、ビス（２−クロロエトキシ）メチル、メトキシシクロヘキシル、１−（２−クロロエトキシ）エチル、１−メチル−１−メトキシエチル、エチルジチオエチル、ｔ−ブトキシカルボニルメチル、エチルオキシカルボニルメチル、エチルカルボニルメチル、ｔ−ブトキシカルボニルメチル、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、１−ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、３−ヒドロキシプロピル、３−ヒドロキシブチル、４−ヒドロキシブチル、１，２−ジヒドロキシエチル等が挙げられる。
Ｒ１〜Ｒ１４、Ｙａ、Ｙ１及びＹ２で表される炭素原子数１〜８のアルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブトキシ、ｔ−ブトキシ等が挙げられ、該アルコキシ基は、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルチオ基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基又は炭素原子数１〜６のエステル基で置換されていてもよく、置換基を有する炭素原子数１〜８のアルコキシ基としては、２−メトキシエチルオキシ、３−メトキシプロピルオキシ、４−メトキシブチルオキシ、２−ブトキシエチルオキシ、２−（２−メトキシエトキシ）エチルオキシ、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エチルオキシ、３−メトキシブチルオキシ、２−メチルチオエチルオキシ、トリフルオロメチルオキシ、ヒドロキシメチルオキシ、１−ヒドロキシエチルオキシ、２−ヒドロキシエチルオキシ、２−ヒドロキシプロピルオキシ、３−ヒドロキシプロピルオキシ、２，３−ジヒドロキシプロピルオキシ、２−ヒドロキシ−１−メチルプロピルオキシ、２−ヒドロキシ−１−メチルエチルオキシ、２−ヒドロキシブチルオキシ、４−ヒドロキシブチルオキシ、２，３−ジヒドロキシブチルオキシ、３，４−ジヒドロキシブチルオキシ、２,３，４−トリヒドロキシブチルオキシ、２−（２−ヒドロキシエチルオキシ）エチルオキシ、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピルオキシ、５−ヒドロキシペンチルオキシ、２−ヒドロキシ−２−（ヒドロキシメチル）ブチルオキシ、３−ヒドロキシ−２−ジ（ヒドロキシメチル）プロピルオキシ、６−ヒドロキシヘキシルオキシ、５，６−ジヒドロキシヘキシルオキシ、２−ヒドロキシシクロヘキシルオキシ、４−ヒドロキシシクロヘキシルオキシ、２，３，４，５，６−ペンタヒドロキシシクロヘキシルオキシ、２−（２−（２−ヒドロキシエチルオキシ）エチルオキシ）エチルオキシ、４−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルオキシ、２−ジ（ヒドロキシメチル）ブチルオキシ等が挙げられる。
Ｒ１〜Ｒ１４、Ｙａ、Ｙ１及びＹ２で表される炭素原子数６〜３０のアリール基としては、フェニル、ナフチル、アントラセニル等が挙げられ、該アリール基は、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルチオ基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基又は炭素原子数１〜６のエステル基で置換されていてもよく、置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基としては、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、４−エチルフェニル、３−イソプロピルフェニル、４−イソプロピルフェニル、４−ブチルフェニル、４−イソブチルフェニル、４−ｔ−ブチルフェニル、４−ヘキシルフェニル、４−シクロヘキシルフェニル、４−オクチルフェニル、４−（２−エチルヘキシル）フェニル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル、シクロヘキシルフェニル、４−クロロフェニル、４−フルオロフェニル、４−カルボキシルフェニル、４−メチルカルボニルオキシフェニル等が挙げられる。
Ｒ１〜Ｒ１４、Ｙａ、Ｙ１及びＹ２で表される炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基としては、ベンジル、フェネチル等が挙げられ、該アリールアルキル基は、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数１〜６のチオアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基又は炭素原子数１〜６のエステル基で置換されていてもよく、置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基としては、２−フェニルプロパン−２−イル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、４−カルボキシルベンジル、４−メチルカルボニルオキシベンジル、４−ニトロベンジル、４−フルオロベンジル、４−シアノベンジル、４−メチルベンジル等が挙げられる。
Ｒ１〜Ｒ１２で表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
Ｒ１及びＲ３、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ９、或いはＲ１１及びＲ１２、或いはＲ１３及びＲ１４はそれぞれ連結して環を形成してもよく、形成する環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、シクロヘキサン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロへプタン環、ピペリジン環、ピペラジン環、ピロリジン環、モルフォリン環、チオモルフォリン環、ジュロリジン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、イミダゾール環、オキサゾール環、イミダゾリジン環、ピラゾリジン環、イソオキサゾリジン環、イソチアゾリジン環等が挙げられ、これらの環は他の環と縮合されていたり、炭素原子数１〜６のアルキル基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基又は炭素原子数１〜６のエステル基で置換されていたりしてもよい。
【００３１】
上記一般式（Ｉ）中、Ａｎｑ−で表される陰イオンとしては、例えば、一価のものとして、塩素陰イオン、臭素陰イオン、ヨウ素陰イオン、フッ素陰イオン等のハロゲン陰イオン；過塩素酸陰イオン、塩素酸陰イオン、チオシアン酸陰イオン、六フッ化リン酸陰イオン、六フッ化アンチモン陰イオン、四フッ化ホウ素陰イオン等の無機系陰イオン；ベンゼンスルホン酸陰イオン、トルエンスルホン酸陰イオン、トリフルオロメタンスルホン酸陰イオン、ジフェニルアミン−４−スルホン酸陰イオン、２−アミノ−４−メチル−５−クロロベンゼンスルホン酸陰イオン、２−アミノ−５−ニトロベンゼンスルホン酸陰イオン、特開２００４−５３７９９号公報に記載されたスルホン酸陰イオン等の有機スルホン酸陰イオン；オクチルリン酸陰イオン、ドデシルリン酸陰イオン、オクタデシルリン酸陰イオン、フェニルリン酸陰イオン、ノニルフェニルリン酸陰イオン、２，２’−メチレンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスホン酸陰イオン等の有機リン酸系陰イオン、ビストリフルオロメチルスルホニルイミド陰イオン、ビスパーフルオロブタンスルホニルイミド陰イオン、パーフルオロ−４−エチルシクロヘキサンスルホネート陰イオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸陰イオン等が挙げられ、二価のものとしては、例えば、ベンゼンジスルホン酸陰イオン、ナフタレンジスルホン酸陰イオン等が挙げられる。また、励起状態にある活性分子を脱励起させる（クエンチングさせる）機能を有するクエンチャー陰イオンやシクロペンタジエニル環にカルボキシル基やホスホン酸基、スルホン酸基等の陰イオン性基を有するフェロセン、ルテオセン等のメタロセン化合物陰イオン等も、必要に応じて用いることができる。
【００３２】
上記のクエンチャー陰イオンとしては、例えば、上記一般式（ＩＶ）で表されるものの他、下記一般式（１）又は（２）で表されるもの、特開昭６０−２３４８９２号公報、特開平５−４３８１４号公報、特開平５−３０５７７０号公報、特開平６−２３９０２８号公報、特開平９−３０９８８６号公報、特開平９−３２３４７８号公報、特開平１０−４５７６７号公報、特開平１１−２０８１１８号公報、特開２０００−１６８２３７号公報、特開２００２−２０１３７３号公報、特開２００２−２０６０６１号公報、特開２００５−２９７４０７号公報、特公平７−９６３３４号公報、国際公開９８／２９２５７号公報等に記載されたような陰イオンが挙げられる。
【００３３】
【化６】
2011110725.tif 000016
（式中、Ｍ３及びＭ４は、それぞれ独立に、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｌ又はＩｒであり、Ｒ５１及びＲ５２は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基又は−ＳＯ２−Ｕ基を表し、Ｕは、アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいアリール基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、ピペリジノ基又はモルホリノ基を表し、ｓ及びｔは、それぞれ独立に、０〜４の数を表す。また、Ｒ５３、Ｒ５４、Ｒ５５及びＲ５６は、各々独立にアルキル基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基又はハロゲン化フェニル基を表す。）
【００３４】
上記一般式（II）中、Ｒａ〜Ｒｉで表される炭素原子数１〜４のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチル等が挙げられ、該アルキル基中のメチレン基が−Ｏ−で中断された基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、２−メトキシエチル等が挙げられ、該アルキル基中のメチレン基が−ＣＯ−で中断された基としては、アセチル、１−カルボニルエチル、アセチルメチル、１−カルボニルプロピル、２−オキソブチル、２−アセチルエチル、１−カルボニルイソプロピル等が挙げられる。
Ｑで表される無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキレン基としては、例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、メチルエチレン、ブチレン、１−メチルプロピレン、２−メチルプロピレン、１，２−ジメチルプロピレン、１，３−ジメチルプロピレン、１−メチルブチレン、２−メチルブチレン、３−メチルブチレン、４−メチルブチレン、２，４−ジメチルブチレン、１，３−ジメチルブチレン、ペンチレン、へキシレン、ヘプチレン、オクチレン、エタン−１，１−ジイル、プロパン−２，２−ジイル等が挙げられ、該アルキレン基中のメチレン基が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換された基としては、例えば、メチレンオキシ、エチレンオキシ、オキシメチレン、チオメチレン、カルボニルメチレン、カルボニルオキシメチレン、メチレンカルボニルオキシ、スルホニルメチレン、アミノメチレン、アセチルアミノ、エチレンカルボキシアミド、エタンイミドイル、エテニレン、プロペニレン等が挙げられる。
【００３５】
上記一般式（III）におけるＲ01、Ｒ02、Ｒ03、Ｒ04及び上記一般式（III’）におけるＲ01'で表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、上記一般式（III）におけるＲ01、Ｒ02、Ｒ03、Ｒ04及び上記一般式（III’）におけるＲ01'で表される炭素原子数１〜４のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチル等が挙げられ、該アルキル基中のメチレン基が−Ｏ−で中断された基としては、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、２−メトキシエチル等が挙げられ、該アルキル基中のメチレン基が−ＣＯ−で中断された基としては、アセチル、１−カルボニルエチル、アセチルメチル、１−カルボニルプロピル、２−オキソブチル、２−アセチルエチル、１−カルボニルイソプロピル等が挙げられ、これらはいずれも、置換基を有していてもよい。
Ｒ01とＲ04とが連結して形成するシクロアルケン環としては、シクロプロペン環、シクロブテン環、シクロペンテン環、シクロヘキセン環等が挙げられ、Ｒ01とＲ04とが連結して形成する複素環としては、テトラヒドロピラン環、ピペリジン環、ピペラジン環、ピロリジン環、モルホリン環、チオモルホリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、イミダゾール環、オキサゾール環、イミダゾリジン環、ピラゾリジン環、イソオキサゾリジン環、イソチアゾリジン環等が挙げられ、これらの環は他の環と縮合されていたり、炭素原子数１〜６のアルキル基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基又は炭素原子数１〜６のエステル基で置換されていたりしてもよい。
【００３６】
上記一般式（III’）におけるヘテロ原子を含む５員環としては、例えばイミダゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環等が挙げられ、上記一般式（III’）におけるヘテロ原子を含む６員環としては、例えばピリジン環、ピペラジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ジュロリジン環、ピラジン環、ピロン環、ピロリジン環等が挙げられる。
【００３７】
Ｇ’及びＴ’を含む環を置換してもよいハロゲン原子としては、Ｒ01〜Ｒ04、Ｒ01'の説明で例示したものが挙げられる。上記一般式（III’）において、Ｇ’及びＴ’を含む環が置換基として有していてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基としては、Ｒ01〜Ｒ04、Ｒ01'の説明で例示したものが挙げられ、Ｇ’及びＴ’を含む環が置換基として有していてもよい炭素原子数１〜４のアルコキシ基としては、上記アルキル基から誘導されるものが挙げられる。
【００３８】
上記一般式（ＩＶ）中、Ａで表される一価の有機陽イオンとしては、シアニン化合物のカチオン部分の他、イモニウム化合物のカチオン部分、アミニウム化合物のカチオン部分、四級アンモニウムイオン、ホスホニウムイオン等が挙げられ、環Ｊ及び環Ｌで表される芳香族環としては、ベンゼン、ナフタレン等が挙げられ、環Ｊ及び環Ｌで表される複素環としては、ピリジン、ピリミジン、チオフェン、メルドラム酸、バルビツール酸、ピリドン、ピロール、インドール、キノリン、ピリダジン、トリアジン、イソキノリン、イミダゾール、オキサゾール、イミダゾリジン、ピラゾリジン、イソオキサゾリジン、イソチアゾリジン等が挙げられる。
【００３９】
上記一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、下記一般式（Ｖ）で表されるものが、極大吸収波長が３９０〜５００ｎｍで、且つ極大吸収波長での光学濃度が０．３以下となり、また安価に得られるので好ましい。
【化７】
2011110725.tif 000017
（式（Ｖ）中、Ｒ１３及びＲ１４、Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２、Ａｎｑ−、ｑ及びｐは、上記一般式（Ｉ）と同じであり、Ｒ１６〜Ｒ２３は、各々独立に、水素原子、水酸基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜８のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基又はシアノ基を表し、Ｒ１６及びＲ１７、Ｒ１７及びＲ１８、Ｒ１８及びＲ１９、Ｒ２０及びＲ２１、Ｒ２１及びＲ２２、或いはＲ２２及びＲ２３はそれぞれ連結して環を形成してもよい。）
【００４０】
上記一般式（ＩＶ）で表される化合物のうち、下記一般式（ＶＩ）〜（ＩＸ）で表されるものが、安価に得られるので好ましい。
【００４１】
【化８】
2011110725.tif 000018
（式（ＶＩ）中、Ａ、Ｚ及びＭ２は、上記一般式（ＩＶ）と同じであり、Ｒ２４〜Ｒ３９は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、無置換の又は置換基を有する炭素原子１〜２０のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子１〜２０のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基又は−ＮＲＲ’を表し、Ｒ及びＲ’は無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、ＲとＲ’、隣接するＲ２４〜Ｒ３９同士、Ｒと−ＮＲＲ’に隣接するＲ２４〜Ｒ３９のいずれか、或いはＲ’とＮＲＲ’と隣接するＲ２４〜Ｒ３９のいずれかはそれぞれ連結して環を形成してもよい。）
【００４２】
【化９】
2011110725.tif 000019
（式（ＶＩＩ）中、Ａ、Ｚ及びＭ２は、上記一般式（ＩＶ）と同じであり、Ｒ６１〜Ｒ７２は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、無置換の又は置換基を有する炭素原子１〜２０のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子１〜２０のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基又は−ＮＲＲ’を表し、Ｒ及びＲ’は無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、ＲとＲ’、隣接するＲ６１〜Ｒ６４同士、隣接するＲ６７〜Ｒ７０同士、Ｒと−ＮＲＲ’に隣接するＲ６１〜Ｒ６４及びＲ６７〜Ｒ７０のいずれか、或いはＲ’と−ＮＲＲ’に隣接するＲ６１〜Ｒ６４及びＲ６７〜Ｒ７０のいずれかはそれぞれ連結して環を形成してもよい。）
【００４３】
【化１０】
2011110725.tif 000020
（式（ＶＩＩＩ）中、Ａ、Ｚ及びＭ２は、上記一般式（ＩＶ）と同じであり、Ｒ８１〜Ｒ９２は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、無置換の又は置換基を有する炭素原子１〜２０のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子１〜２０のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基又は−ＮＲＲ’を表し、Ｒ及びＲ’は無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ及びＲ’、隣接するＲ８１〜Ｒ８４同士、隣接するＲ８７〜Ｒ９０同士、Ｒと−ＮＲＲ’に隣接するＲ８１〜Ｒ８４及びＲ８７〜Ｒ９０のいずれか、或いはＲ’と−ＮＲＲ’に隣接するＲ８１〜Ｒ８４及びＲ８７〜Ｒ９０のいずれかはそれぞれ連結して環を形成してもよい。）
【００４４】
【化１１】
2011110725.tif 000021
（式（ＩＸ）中、Ａ及びＭ２は、上記一般式（ＩＶ）と同じであり、Ｒ４１〜Ｒ４６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、無置換の又は置換基を有する炭素原子１〜２０のアルキル基、無置換の又は置換基を有する炭素原子１〜２０のアルコキシ基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数６〜３０のアリール基、無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基又は−ＮＲＲ’を表し、Ｒ及びＲ’は無置換の又は置換基を有する炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ及びＲ’は互いに連結して環を形成していてもよい。）
【００４５】
上記一般式（ＶＩ）中、Ｒ２４〜Ｒ３９で表されるハロゲン原子、炭素原子１〜２０のアルキル基、炭素原子１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、或いはＲ及びＲ’、隣接するＲ２４〜Ｒ３９同士、ＲとＲ２４〜Ｒ３９のいずれか、或いはＲ’とＲ２４〜Ｒ３９のいずれかがそれぞれ連結して形成する環としては、上記一般式（Ｉ）で例示したものが挙げられる。
【００４６】
上記一般式（ＶＩＩ）中、Ｒ６１〜Ｒ７２で表されるハロゲン原子、炭素原子１〜２０のアルキル基、炭素原子１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、或いはＲ及びＲ’、隣接するＲ６１〜Ｒ６４同士、隣接するＲ６７〜Ｒ７０同士、ＲとＲ６１〜Ｒ６４及びＲ６７〜Ｒ７０のいずれか、或いはＲ’とＲ６１〜Ｒ６４及びＲ６７〜Ｒ７０のいずれかがそれぞれ連結して形成する環としては、上記一般式（Ｉ）で例示したものが挙げられる。
【００４７】
上記一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｒ８１〜Ｒ９２で表されるハロゲン原子、炭素原子１〜２０のアルキル基、炭素原子１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、或いはＲ及びＲ’、隣接するＲ８１〜Ｒ８４同士、隣接するＲ８７〜Ｒ９０同士、ＲとＲ８１〜Ｒ８４及びＲ８７〜Ｒ９０のいずれか、或いはＲ’とＲ８１〜Ｒ８４及びＲ８７〜Ｒ９０のいずれかがそれぞれ連結して形成する環としては、上記一般式（Ｉ）で例示したものが挙げられる。
【００４８】
上記一般式（ＩＸ）中、Ｒ４１〜Ｒ４６で表されるハロゲン原子、炭素原子１〜２０のアルキル基、炭素原子１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、或いはＲ及びＲ’が連結して形成する環としては、上記一般式（Ｉ）で例示したものが挙げられる。
【００４９】
上記一般式（Ｉ）又は（ＩＶ）で表される化合物のうち、下記一般式（Ｘ）で表されるものが、耐久性が高いので好ましい。
【００５０】
【化１２】
2011110725.tif 000022
（式（Ｘ）中、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｘ１、Ｙ１及びＹ２は、上記一般式（Ｉ）と同じであり、Ｒ１６〜Ｒ２０は、上記一般式（Ｖ）と同じであり、Ｚ及びＭ２は、上記一般式（ＩＶ）と同じであり、Ｒ２４〜Ｒ３９は、上記一般式（ＶＩ）と同じである。）
【００５１】
上記一般式（Ｘ）で表される化合物のうち、Ｒ１３及び／又はＲ１４が無置換の又は置換基を有する炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、上記一般式（III）又は（III’）で表されるものが、分解特性がよくジッター性能が大きく向上するので好ましい。
【００５２】
上記一般式（Ｉ）で表される化合物について、好ましい具体例としては、下記化合物Ｎｏ．１Ａ〜７８Ａで表される化合物が挙げられる。尚、以下の例示では、陰イオンを省いたシアニン陽イオンで示している。本発明に係る化合物において、メチン鎖は共鳴構造をとっていてもよい。
【００５３】
【化１３】
2011110725.tif 000023
【００５４】
【化１４】
2011110725.tif 000024
【００５５】
【化１５】
2011110725.tif 000025
【００５６】
【化１６】
2011110725.tif 000026
【００５７】
上記一般式（ＩＶ）で表される化合物について、好ましい具体例としては、下記化合物Ｎｏ．１Ｂ〜２４Ｂが挙げられる。尚、以下の例示では、陽イオンを省いた陰イオンで示している。
【００５８】
【化１７】
2011110725.tif 000027
【００５９】
【化１８】
2011110725.tif 000028
【００６０】
【化１９】
2011110725.tif 000029
【００６１】
【化２０】
2011110725.tif 000030
【００６２】
図２（ｂ）に示すように、記録層１３の成膜後の極大吸収波長での光学濃度が０.３を下回ると、ジッター性能が大きく向上することが確認されている。なお、記録層１３は、該色素材料を溶剤に溶解させて、スピンコート法により成膜される。
この記録層１３に対し、記録光を照射すると、その照射された部分が、該レーザー光を吸収することで昇温し、色素材料が分解・減量するため膜厚が減少（流動変形）し、記録マークが形成される。このように、色素材料の光学特性（反射率）を変化させることで記録（記録マークの形成）が行われ、記録マークに入射した再生光の反射率の変化を検出することにより再生（読み取り）が行われる。
【００６３】
保護層１４は、導電性を有する誘電体材料から構成されており、記録光の照射の際における記録層１３（色素材料）の流動変形により、色素材料が流れ出さないように保護するものである。保護層１４の膜厚は、１〜５０ｎｍであり、望ましくは、１０〜３０ｎｍである。図３に示すように、保護層１４の膜厚は少なくとも１８〜２４ｎｍで規格（ジッター７％以下）を満足する特性が確認されている。なお、言うまでもないが、保護層１４は、青色のレーザー光に対し高い光透過率（８０％以上）であることが好ましい。
【００６４】
保護層１４を構成する誘電体材料は、ＺｎＳおよびＳｉＯ２から成る化合物と、導電性を付与するドーパント化合物と、から構成されている。すなわち、この保護層１４は、導電性を有する誘電体材料から構成されている。このドーパント化合物の種類および添加される割合としては、ＺｎＯが１０〜３０ｍｏｌ％、Ｉｎ２Ｏ３が１〜１５ｍｏｌ％、Ｇａ２Ｏ３が１〜１５ｍｏｌ％およびＡｌ２Ｏ３が０．０５〜２ｍｏｌ％であり、これらのうち少なくとも１つが、ＺｎＳおよびＳｉＯ２から成る化合物に添加されていればよい。そして、保護層１４の最も好適な組成は、ＺｎＯが２１．８ｍｏｌ％、ＺｎＳが６４．１ｍｏｌ％、Ｉｎ２Ｏ３が５．５ｍｏｌ％、Ｇａ２Ｏ３が５．５ｍｏｌ％、ＳｉＯ２が３．１ｍｏｌ％、である。
【００６５】
ここで、導電性を欠くＺｎＳおよびＳｉＯ２から成る化合物を原料（ターゲット）としてスパッタ法を適用する場合には、ＤＣスパッタ法を用いることはできない（ターゲットが絶縁物の場合、その表面にイオンが堆積し、放電が止まってしまうから。）。
しかし、上記したように導電性を有する誘電体材料をターゲットとして用いることで、直流電源を用いたスパッタ装置を用いたスパッタリング（ＤＣスパッタ法）により、保護層１４を成膜することができる。詳細は後述するが、このＤＣスパッタ法により製造された光記録媒体１０は、交流電源（ＲＦ）を用いたスパッタ法（ＲＦスパッタ法）により製造された光記録媒体１０と比較して、記録感度およびジッター性能が大幅に向上している。また、ＤＣスパッタ装置は、その構造・原理が簡単であり、安価であるため、光記録媒体１０の製造について費用対効果を向上させることもできる。
【００６６】
カバー層１５は、Blu-ray Discの場合には、レーザー光が入射し、透過する層で、その厚さは、１００μｍ程度である。カバー層１５は、保護層１４側からソフトカバー層１５ａ、中間カバー層１５ｂおよびハードカバー層１５ｃを順次積層して構成されている。各層１５ａ，１５ｂ，１５ｃは、いずれも透明な紫外線硬化樹脂から構成されている。
ソフトカバー層１５ａは、記録層１３および保護層１４の形状変化を許容するように柔軟性を有している。中間カバー層１５ｂは、記録層１３および保護層１４等をカバーするものであり、硬質な樹脂で形成されている。ハードカバー層１５ｃは、レーザー光の入射面となる外郭を形成するものであり、傷が付きにくい硬質な樹脂で形成されている。なお、ソフトカバー層１５ａと中間カバー層１５ｂとを一つの層で構成してもよい。
【００６７】
続いて、図４を参照して、上述した構成により製造した光記録媒体１０（Blu-ray
Disc）についての評価結果について説明する。
本実施形態に係る光記録媒体１０の記録層１３は、化合物Ｎｏ．１Ａと化合物Ｎｏ．１Ｂとの塩からなる色素材料の０．５質量％２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール溶液をスピンコート法によって塗工して得たもので厚さは２１ｎｍとなっている。また光学記録媒体１０の保護層１４は、ＤＣスパッタ法により成膜され、その組成（成分および割合）は、ＺｎＯが２１．８ｍｏｌ％、ＺｎＳが６４．１ｍｏｌ％、Ｉｎ２Ｏ３が５．５ｍｏｌ％、Ｇａ２Ｏ３が５．５ｍｏｌ％、ＳｉＯ２が３．１ｍｏｌ％、となっている。また、保護層１４の膜厚は、１７ｎｍとなっている。なお、この保護層１４の組成は、一例であり、上記のドーパント化合物を任意の割合で、且つ任意に組合せて用いることを妨げない。
また、比較対象として、ＲＦスパッタ法により成膜され、その組成を、ＺｎＳおよびＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）とし、その膜厚を１７ｎｍとした保護層１４を有する光記録媒体１０を用意した。
なお、以降、本実施形態に係る光記録媒体１０を「Ｄｉｓｃ１」と呼び、比較対象となる光記録媒体１０を「Ｄｉｓｃ２」と呼ぶ。また、「Ｄｉｓｃ２」は「Ｄｉｓｃ１」の導電性を有する誘電体保護膜の代わりに、導電性を欠く誘電体保護膜を有する構成である。
【００６８】
図４（ａ）に示すように、記録感度については、Ｄｉｓｃ１、Ｄｉｓｃ２共に、１倍速記録よりも２倍速記録の際に、より大きい電力を使用している。
Ｄｉｓｃ１およびＤｉｓｃ２それぞれの１倍速記録の時を比較すると、Ｄｉｓｃ１の方が、より小さい電力で書き込み（記録パワー）が行われている。すなわち、記録感度が高いことを示している。また、２倍速記録の時も同様である。特に、２倍速記録の時に、電力の下がり幅が大きく、２倍速記録において記録感度が良好であることを示している。
【００６９】
次に、図４（ｂ）に示すように、ジッター性能（特性）については、Ｄｉｓｃ１、Ｄｉｓｃ２共に、１倍速記録よりも２倍速記録の際に、より大きな値となっている。また、記録（書き込み）速度に関わらず、記録マークの先頭部のジッター（Leadingジッター）よりも、記録マークの終端部のジッター(Trailingジッター)の方が、値が大きくなっている。
Ｄｉｓｃ１およびＤｉｓｃ２それぞれの１倍速記録の時のLeadingジッターおよびTrailingジッターを比較すると、Ｄｉｓｃ１の方が、それぞれ、より小さい値となっている。すなわち、ジッター特性が良好であることを示している。また、２倍速記録の時も同様である。特に、２倍速記録の時のTrailingジッターの下がり幅が大きく、２倍速記録においてジッター特性が良好であることを示している。
【００７０】
以上の結果より、本実施形態に係る光記録媒体１０（Ｄｉｓｃ１）は、従来の光記録媒体１０（Ｄｉｓｃ２）に比して、記録感度およびジッター性能が飛躍的に向上しており、高線速記録に適しているといえる。
【００７１】
以上の構成によれば、短波長（青色）のレーザー光を用いて記録／再生を行う光記録媒体１０において、良好な記録感度および良好なジッター特性を得ることができるまた、光記録媒体１０の保護層１４を、ＤＣスパッタ法により、簡単に且つ効率良く成膜することができる。
【符号の説明】
【００７２】
１０：光記録媒体、１１：基板、１２：反射層、１３：記録層、１４：保護層、１５：カバー層、１６：記録面
【図１】
2011110725.tif 000039
【図２】
2011110725.tif 000040
【図３】
2011110725.tif 000041
【図４】
2011110725.tif 000042