(57)【要約】【課題】高密度に微細電極が配列されたディスプレーパネルを効果的に検査することができ、検査工程中のピンミスを減少させることができるプローブブロック用プローブフィルム、及びその製造方法を提供する。【解決手段】プローブブロック用プローブフィルムの製造方法は、信号ライン部１５１及び信号ライン部１５１から突出して形成されたコンタクトバンプ１５２をそれぞれ含む複数個のプローブ部１５０を、フォトリソグラフィ法を用いて基板上に設定された間隔で一括して形成するプローブ部形成段階と、プローブ部１５０の上部面をフィルム部１７０と接合するフィルム接合段階と、基板を除去する基板除去段階とを含む。【選択図】図６
2011237404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレーパネルを検査するためのプローブブロック用プローブフィルムの製造方法において、
信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成されたコンタクトバンプをそれぞれ含む複数個のプローブ部をフォトリソグラフィ法を用いて基板上に設定された間隔で一括して形成するプローブ部形成段階と、
前記プローブ部の上部面をフィルム部と接合するフィルム接合段階と、
前記基板を除去する基板除去段階と、
を含むことを特徴とするプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。
【請求項２】
前記プローブ部形成段階は、
前記基板上にパターニングされた第１のフォトレジスト層をマスクとし、エッチングによりコンタクトバンプ領域を形成する段階と、
前記コンタクトバンプ領域を形成して露出した前記基板の上部面と前記第１のフォトレジスト層の上部面にシード層を形成する段階と、
前記シード層の上部面に第２のフォトレジスト層をパターニングして信号ライン部領域を形成する段階と、
前記コンタクトバンプ領域及び信号ライン部領域を導電性物質で満たす段階と、
前記導電性物質で満たされた領域の上部面を平坦化して前記プローブ部を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。
【請求項３】
前記コンタクトバンプ領域は、先端部の幅が他の部分の幅より広く、高さが縦方向に減少するような形であることを特徴とする請求項２に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。
【請求項４】
前記コンタクトバンプ領域は、ＤＲＩＥ工程で形成されることを特徴とする請求項２に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。
【請求項５】
前記シード層は、前記コンタクトバンプ領域及び前記第１のフォトレジスト層の上部面にＴｉをスパッタリングした後、Ｃｕをスパッタリングして形成されることを特徴とする請求項２に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。
【請求項６】
前記導電性物質で満たされた領域の上部面は、化学的機械的研磨工程で平坦化されることを特徴とする請求項２に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。
【請求項７】
前記コンタクトバンプ領域及び信号ライン部領域を導電性物質で満たす段階は、メッキする工程で行われることを特徴とする請求項２に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。
【請求項８】
前記フィルム接合段階は、
前記第２のフォトレジスト層を除去する段階と、
前記第２のフォトレジスト層を除去して露出したシード層を除去する段階と、
前記プローブ部の上部面に接着剤を塗布して前記フィルム部を接合する段階と、
を含むことを特徴とする請求項２に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。
【請求項９】
前記第１のフォトレジスト層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。
【請求項１０】
前記第１のフォトレジスト層は、湿式エッチング工程で除去されることを特徴とする請求項９に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。
【請求項１１】
前記第２のフォトレジスト層は、アッシング工程、湿式除去工程、及びＯ2プラズマ方法のうち、何れか一つで除去されることを特徴とする請求項８に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。
【請求項１２】
前記シード層は、乾式エッチングまたは湿式エッチング工程で除去されることを特徴とする請求項８に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。
【請求項１３】
ディスプレーパネルを検査するためのプローブブロック用プローブフィルムにおいて、
信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成され、前記ディスプレーパネルに具備された複数個の電極に接触するコンタクトバンプをそれぞれ含む複数個のプローブ部と、
前記プローブ部の上部面に接合したフィルム部と、
を含むことを特徴とするプローブブロック用プローブフィルム。
【請求項１４】
前記プローブ部は、フォトリソグラフィ法を用いて基板上に設定された間隔で一括して形成されたものであることを特徴とする請求項１３に記載のプローブブロック用プローブフィルム。
【請求項１５】
前記信号ライン部は、第１の長さに形成された第１の信号ライン部と、前記第１の信号ライン部より短い第２の長さに形成された第２の信号ライン部と、を含み、
前記第１の信号ライン部と第２の信号ライン部が交互に配列されていることを特徴とする請求項１３に記載のプローブブロック用プローブフィルム。
【請求項１６】
前記コンタクトバンプは、先端部の幅が他の部分の幅より広く、高さが縦方向に減少する形状であることを特徴とする請求項１３に記載のプローブブロック用プローブフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブブロック用プローブフィルム及びこの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）生産工程は、ディスプレーパネルを作るセル（cell）工程と、ドライバー（driver）、バックライト（back light）、導光板及び偏光板をセル工程で生産されたディスプレーパネルと組立てて完成品を作り出すモジュール（module）組み立て工程とに大別される。
【０００３】
ここで、ディスプレーパネルは、ソース電極及びゲート電極がそれぞれ形成されている面を基板上に対向して配置した画像表示装置であって、基板間に液晶物質を入れ込んだ後、両電極に電圧を印加して電場を発生させ、この発生された電場によって液晶分子を動かして光の透過率を変化させることで画像を表現する。
【０００４】
この時、ディスプレー検査用プローブユニット（以下、「プローブユニット」という。）は、セル工程で生産されたディスプレーパネルに対する検査を行うことで、製造工程で発生し得る欠陥の有無を確認する。
【０００５】
例えば、プローブユニットは、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）、ＴＮ（Twisted Nematic）、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）、ＣＳＴＮ（Color Super Twisted Nematic）、ＤＳＴＮ（Double Super Twisted Nematic）、有機ＥＬ（Electro Luminescence）などのディスプレーパネルの電極（またはパッド）にテスト用電気信号を印加して、該当ディスプレーパネルがピクセルエラー（pixel error）を起こさず正常に作動するか否かを検査する。
【０００６】
図１は、ディスプレーパネルを検査するための従来のプローブユニットの全体構成図である。
【０００７】
図１に示すように、プローブユニット１０は、ディスプレーパネル２０に位置して各セルの異常有無を検査する。この時、プローブユニット１０は、電気信号をディスプレーパネル２０の電極に印加し、それによる出力信号を受けて検査システムに伝達する。
【０００８】
このような過程を通じて、製造工程で発生し得るディスプレーパネル２０の点欠陥、線欠陥、染み欠陥などの欠陥有無を検査する。
【０００９】
図２は、従来のプローブユニットの斜視図である。
【００１０】
図２に示すように、上述のプローブユニット１０は、一般的にプローブブロック１２、ＰＣＢ部１６、及びヘッドブロック１４を含む。
【００１１】
プローブブロック１２は、ディスプレーパネル２０の電極にプローブを接触させ、電気信号を印加し、それによる出力信号を検出して検査工程を行う。ここで、プローブブロック１２は、ＴＣＰ（Taped Carrier Package）ブロック（図示せず）と一体に形成されることができ、このようなＴＣＰブロックは、ＰＣＢ部１６から受信した電気信号をプローブブロック１２に伝達する。
【００１２】
ヘッドブロック１４は、プローブブロック１２のプローブが適当な物理的圧力でディスプレーパネル２０の電極と接触するように、プローブブロック１２を上下に移動させたり、一定の位置に固定させる。
【００１３】
ＰＣＢ部１６は、ディスプレーパネル２０の各セルの検査のための電気信号を生成し、フィルム１８を媒介にしてプローブブロック１２に伝達する。
【００１４】
一方、最近は、高画質のディスプレーパネルが持続的に増加しつつあり、それによって高密度のディスプレーパネルを検査するためのプローブを具備したプローブブロックの必要性が大きくなっている。
【００１５】
しかし、上述の従来のプローブブロックに構成されたプローブの径は、少なくとも３００マイクロメートル程度であるため、高密度に微細電極が配列されたディスプレーパネルを検査するのに限界があった。特に、プローブを加工する技術的な限界によって均一かつ正確に配列されたプローブを具備した高密度のプローブブロックを作るのは困難であった。
【００１６】
また、従来のプローブブロックに構成されたプローブの場合、プローブの先端部がディスプレーパネルに接触する時にプローブに摩耗が生じて、ディスプレーパネルに対する検査が正確に行われなかったり、適時にプローブを交換しなければならないという不便があった。そして、プローブの個別的な上下運動により、ピンミス（pin miss）が発生することもあった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明の一実施例は、フォトリソグラフィ（photolithography）法を用いてプローブ部を高密度でかつ均一に一括して形成することにより、高密度に微細電極が配列されたディスプレーパネルを効果的に検査することができ、また、プローブ部の流動性がないため検査工程中のピンミスを減少させることができる、プローブブロック用プローブフィルム及びこの製造方法を提供することを目的としている。
【００１８】
また、本発明の一実施例は、摩耗したコンタクトバンプから次のコンタクトバンプにコンタクト位置が変更されるように、複数個のコンタクトバンプをそれぞれの信号ラインに従ってプローブ部に一括して形成することにより、摩耗したコンタクトバンプを交換せずに次のコンタクトバンプを用いてディスプレーパネルに対する検査工程を持続的に行うことができる、プローブブロック用プローブフィルム及びこの製造方法を提供することを目的としている。
【００１９】
また、本発明の一実施例は、互いに違う長さを有する複数個の信号ライン部を交互に一定間隔毎に配列することにより、高電圧差によって発生し得る電気信号の干渉を最小化することができる、プローブブロック用プローブフィルム及びこの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上述の技術的課題を解決するための技術的手段として、本発明の第１の側面によるディスプレーパネルを検査するためのプローブブロック用プローブフィルムの製造方法は、信号ライン部及び信号ライン部から突出して形成されたコンタクトバンプをそれぞれ含む複数個のプローブ部をフォトリソグラフィ法を用いて基板上に設定された間隔で一括して形成するプローブ部形成段階と、プローブ部の上部面をフィルム部と接合するフィルム接合段階と、基板を除去する基板除去段階と、を含む。
【００２１】
本発明の第２の側面によるディスプレーパネルを検査するためのプローブブロック用プローブフィルムは、信号ライン部及び信号ライン部から突出して形成されてディスプレーパネルに具備された複数個の電極に接触されるコンタクトバンプをそれぞれ含む複数個のプローブ部と、プローブ部の上部面に接合されたフィルム部と、を含む。
【発明の効果】
【００２２】
前述の本発明の課題解決手段によれば、フォトリソグラフィ法を用いて、プローブ部が高密度でかつ均一に一括して形成されるので、高密度に微細電極が配列されたディスプレーパネルを効果的に検査することができ、また、プローブ部の流動性がないため検査工程中のピンミスを減少させることができる。
【００２３】
また、前述の本発明の課題解決手段によれば、摩耗したコンタクトバンプから次のコンタクトバンプにコンタクト位置が変更されるように、複数個のコンタクトバンプがそれぞれの信号ラインに従ってプローブ部に一括して形成されるので、摩耗したコンタクトバンプを交換せずに次のコンタクトバンプを用いてディスプレーパネルに対する検査工程を持続的に行うことができる。
【００２４】
また、前述の本発明の課題解決手段によれば、互いに違う長さを有する複数個の信号ライン部が交互に一定間隔毎に配列されるので、高電圧差によって発生し得る電気信号の干渉を最小化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】従来のディスプレーパネルを検査するためのプローブユニットの全体構成図である。
【図２】従来のプローブユニットの斜視図である。
【図３】本発明の一実施例によるプローブユニットを示す図である。
【図４ａ】プローブブロックの先端部を示す図である。
【図４ｂ】プローブブロックの先端部を示す図である。
【図４ｃ】プローブブロックの先端部を示す図である。
【図５】図３のプローブユニットの分解斜視図である。
【図６】本発明の一実施例によるプローブフィルムの斜視図である。
【図７】図６のプローブフィルムの平面図である。
【図８】本発明の一実施例による一定のパターンに形成された信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成されたコンタクトバンプを例示した図である。
【図９】本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法の全体フロー図である。
【図１０】本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法の詳細フロー図である。
【図１１ａ】本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。
【図１１ｂ】本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。
【図１１ｃ】本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。
【図１１ｄ】本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。
【図１１ｅ】本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。
【図１１ｆ】本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。
【図１１ｇ】本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。
【図１１ｈ】本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。
【図１１ｉ】本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。
【図１１ｊ】本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。
【図１１ｋ】本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。
【図１２】図１１ａ〜図１１ｋの工程で形成された信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成された複数個のコンタクトバンプを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下では、添付した図面を参照して、本発明が属する技術分野において通常の知識を持った者が容易に実施することができるように本発明の実施例を詳しく説明する。但し、本発明は、様々な相異した形態に具現されることができ、ここで説明する実施例に限定されない。また、図面で本発明を明確に説明するための説明と関係ない部分は省略し、明細書全体に亘って類似している部分に対しては同様の図面符号を付けた。
【００２７】
明細書全体で、ある部分が他の部分と「連結」されている場合、これは「直接的に連結」されている場合だけではなく、その中間に他の素子を置いて「電気的に連結」されている場合も含む。また、ある部分がどの構成要素を「含む」場合、これは特別に反対される記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【００２８】
図３は、本発明の一実施例によるプローブユニットを示す図である。図４ａ〜図４ｃは、プローブブロックの先端部を示す。そして、図５は、図３のプローブユニットの分解斜視図である。
【００２９】
図３〜図５に示すように、本発明のプローブユニット２００は、ヘッドブロック２１０、プローブブロック２２０、及び圧着ブロック２３０を含む。
【００３０】
ヘッドブロック２１０は、プローブブロック２２０の上部に結合されてプローブブロック２２０のプローブ部が適当な物理的圧力でディスプレーパネルの電極と接触するようにプローブブロック２２０を上下に移動及び固定させる。
【００３１】
プローブブロック２２０は、傾斜突出部２２４を含むプローブブロック本体部２２２と、傾斜突出部２２４の下側面に結合され、傾斜突出部２２４の先端から突出して延長され、ディスプレーパネルの電極に接触して信号を印加するプローブフィルム１００と、傾斜突出部２２４の上側面に結合され、突出して延長されたプローブフィルム１００の上部面と接触してプローブフィルム１００を支持する第２のプレート２４２とを含む。ここで、プローブブロック２２０は、第２のプレート２４２の上部面に結合され、第２のプレート２４２を固定して支持する固定ブロック２５０をさらに含むことができる。
【００３２】
より具体的には、図４ａに示すように、プローブブロック２２０の先端部Ａは、傾斜突出部２２４の下側面に結合される第１のプレート２４１と、第１のプレート２４１の下側面に結合され、ディスプレーパネルの電極に接触されて信号を印加するプローブフィルム１００と、傾斜突出部２２４の上側面に結合され、第１のプレート２４１の上部面と接触して第１のプレートの先端部２４１−１を支持する第２のプレート２４２と、を含むことができる。この時、第２のプレート２４２の先端部２４２−１は、第１のプレート２４１の先端部２４１−１に傾いた角度で接触することができる。
【００３３】
そして、図４ｂに示すように、他の実施例において、プローブブロック２２０の先端部Ａ’は、傾斜突出部２２４の下側面とプローブフィルム１００との間に上述の第１のプレート２４１が介在せず、プローブフィルム１００が傾斜突出部２２４の下側面に結合されて傾斜突出部２２４の先端から突出して延長され、第２のプレート２４２の先端部２４２−２が突出して延長されたプローブフィルム１００の上部面に並んで接触するように延長された形態で構成されることができる。
【００３４】
また、図４ｃに示すように、他の実施例において、プローブブロック２２０の先端部Ａ”は、第１のプレート２４１と第２のプレート２４２が一体に形成され、第１のプレート２４１の下側面にプローブフィルム１００が結合した形態で構成されることもできる。
【００３５】
圧着ブロック２３０は、プローブブロック２２０の下部に着脱可能に結合される。圧着ブロック２３０は、プローブブロック２２０の下部に形成された窪み部に収容される圧着ブロック本体部２３１と、本体部２３１の一側に突出して形成される結合突出部２３２と、圧着ブロック本体部２３１の下部から結合突出部２３２の回りに延長され、結合突出部２３２の上部面でプローブフィルム１００側に圧着して接続された連結フィルム２３３と、を含む。
【００３６】
ここで、連結フィルム２３３は、ディスプレーパネルを検査する駆動ＩＣ（Drive Integrated Circuit）（図示せず）を実装したものである。このような駆動ＩＣは、ディスプレーパネルの各電極に電気的信号を印加すると共に、出力を検出することでディスプレーパネルの不良有無に対する検査工程を行う。連結フィルム２３３は、チップオンフィルム（Chip On Film）に具現されることができる。
【００３７】
以下、図６及び図７を通じて、上述のプローブフィルム１００についてより具体的に説明する。
【００３８】
図６は、本発明の一実施例によるプローブフィルムの斜視図である。図７は、図６のプローブフィルムの平面図である。
【００３９】
図６及び図７に示すように、ディスプレーパネル検査用プローブブロックに装着されるプローブフィルム１００は、信号ライン部１５１及び前記信号ライン部１５１から突出して形成され、ディスプレーパネルに具備された複数個の電極に接触されるコンタクトバンプ１５２をそれぞれ含む複数個のプローブ部１５０の上部面にフィルム１７０が接合された形態である。
【００４０】
ここで、プローブ部１５０は、フォトリソグラフィ法を用いて一定間隔で一括して形成されたものである。
【００４１】
そして、プローブ部１５０のコンタクトバンプ１５２は、ディスプレーパネルに具備された複数個の電極に接触する部分である。ここで、コンタクトバンプ１５２は、先端部１５３の幅（ａ’）が他の部分の幅より広く形成され、高さ（ｂ’）が縦方向に減少するような非対称の菱形であることができる。すなわち、コンタクトバンプ１５２は縦方向の線（ｃ’）と先端部１５３の幅方向の線（ａ’）が交差する点の高さ（ｂ’）が一番大きく、縦方向に行くほど高さが減少する形であることができる。
【００４２】
そして、プローブ部１５０の信号ライン部１５１は、ディスプレーパネルに接触したコンタクトバンプ１５２を通じて電気信号をディスプレーパネルに印加し、それによる出力信号を検査システムに伝達する。このようなコンタクトバンプ１５２と信号ライン部１５１は、後述する図８の形態に配列されることができる。
【００４３】
図８は、本発明の一実施例による一定パターンに形成された信号ライン部及び前記信号ラ
イン部から突出して形成されたコンタクトバンプを示す図である。
【００４４】
図８に示すように、コンタクトバンプ１５２は、互いに違う長さを持った複数個の信号ライン部１５１ａ、１５１ｂに複数個突出して形成されることができる。ここで、信号ライン部１５１ａ、１５１ｂは、第１の長さに形成された第１の信号ライン部１５１ａと、前記第１の信号ライン部１５１ａより後退され、第１の信号ライン部１５１ａより短い第２の長さに形成された第２の信号ライン部１５１ｂと、を含み、第１の信号ライン部１５１ａと第２の信号ライン部１５１ｂは交互に配列されることができる。
【００４５】
ここで、同じ長さの信号ライン部には同信号が伝達され、第１の長さに形成された信号ライン部１５１ａと第２の長さに形成された信号ライン部１５１ｂとの電圧差が２０Ｖ〜４０Ｖであることができる。このように、それぞれの信号ライン部１５１ａ、１５１ｂが交互に一定間隔で配列されることで、その電圧差によって発生し得る電気信号の干渉を最小化することができる。
【００４６】
そして、コンタクトバンプ１５２が信号ライン部に複数個突出して形成されているため、摩耗したコンタクトバンプを交換する必要なく、次のコンタクトバンプを用いてディスプレーパネルに対する検査工程を効果的に行うことができる。
【００４７】
より具体的には、コンタクトバンプ１５２は、上述の非対称の菱形に形成され、摩耗したコンタクトバンプから次のコンタクトバンプにスムーズにコンタクトの位置が変更されることができ、それによって摩耗したコンタクトバンプを交換せずに次のコンタクトバンプを用いてディスプレーパネルに対する検査工程が持続的に行われる。
【００４８】
また、上述のプローブ部１５０は、フォトリソグラフィ法を用いて一定間隔で一括して形成されたものであって、コンタクトバンプ及び信号ライン部が流動せず、均一かつ正確に配列されているため、ディスプレーパネルに対する検査を行う時にピンミスを減少させることができる。以下、図９を通じてプローブブロック用プローブフィルムの製造方法についてより具体的に説明する。
【００４９】
図９は、本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法の全体フロー図である。
【００５０】
図９に示すように、本発明のプローブブロック用プローブフィルムを製造するために、先ず信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成されたコンタクトバンプをそれぞれ含む複数個のプローブ部１５０をフォトリソグラフィ法を用いて基板上に設定された間隔で一括して形成する（ステップＳ１００１）。このステップＳ１００１は後述するステップＳ１１０１〜Ｓ１１０８に対応している。
【００５１】
次に、プローブ部１５０の上部面をフィルム部と接合する（ステップＳ１００２）。このステップＳ１００２は、後述するステップＳ１１０９〜Ｓ１１１０に対応している。
【００５２】
そして、前記基板を除去する（ステップＳ１００３）。このステップＳ１００３は、後述するステップＳ１１１１に対応している。
【００５３】
上述の図９のプローブフィルムの製造方法のより具体的な工程及び詳細な製造順序に関しては、以下、図１０及び図１１ａ〜図１１ｋを通じて後述する。
【００５４】
図１０は、本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法の詳細フロー図である。そして、図１１ａ〜図１１ｋは、本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。
【００５５】
図１１ａに示すように、シリコーン（Si）基板１１０（以下、「基板」という。）上に形成された第１のフォトレジスト層１２０をパターニングして、一定の幅（ｃ’）のパターンを形成する（ステップＳ１１０１）。ここで、該当幅（ｃ’）はコンタクトバンプ１５２の長さに対応するように形成されることができる。より具体的には、予め定義されたマスク層を用いて紫外線露光装置などによって露光し、露光されたフォトレジスト層に現象工程を行ってマスクのパターンにより第１のフォトレジスト層１２０をパターニングすることができる。
【００５６】
次に、図１１ｂに示すように、第１のフォトレジスト層１２０をマスクにし、基板１１０をエッチングしてコンタクトバンプ領域１２２を形成する（Ｓ１１０２）。より具体的には、ＤＲＩＥ（Deep silicon Reactive Ion Etching）工程を用いて第１のフォトレジスト層１２０をマスクにし、予め設定された深さで基板１１０をエッチングしてコンタクトバンプ領域１２２を形成することができる。
【００５７】
ここでＤＲＩＥ工程は、例えば、ポリマー蒸着段階、ポリマーエッチング段階及びシリコーンエッチング段階順に行われることができる。そして、前記設定された深さは、コンタクトバンプ１５２の非対称の菱形に応じてその程度が異なることがある。すなわち縦方向の線（ｃ’）と先端部の幅方向の線（ａ’）が交差する点が一番深くエッチングされる。これについては上述の図６及び図７を参照してほしい。
【００５８】
次に、図１１ｃに示すように、コンタクトバンプ領域１２２を形成して露出した基板１１０の上部面と第１のフォトレジスト層１２０の上部面にシード層１３０を形成する（ステップＳ１１０３）。ここで、Ｔｉ（例えば、５０ｎｍ）及びＣｕ（例えば、１００ｎｍ）シード金属をスパッタリングしてシード層１３０を形成することができる。より詳しくは、Ｔｉをスパッタリングした後、Ｃｕをスパッタリングする工程でシード層１３０を形成することができる。
【００５９】
次に、図１１ｄに示すように、シード層１３０の上部に第２のフォトレジスト層１４０をパターニングし、信号ライン部領域１４２を形成する（ステップＳ１１０４）。ここで、第２のフォトレジスト層１４０は信号ライン部領域１４２が形成されるように予め定義されたマスク層を用いて紫外線露光装置などによって露光し、露光されたフォトレジスト層に現象工程を行いマスクのパターンによってパターニングされることができる。
【００６０】
次に、図１１ｅに示すように、前記コンタクトバンプ領域１２２と信号ライン部領域１４２を導電性物質１４４で満たす（ステップＳ１１０５）。ここで、Ｎｉ、ＮｉＣｏ、ＮｉＦｅ及びＮｉＷのうち、少なくとも一つの金属をメッキする工程でこのステップＳ１１０５が行われる。
【００６１】
次に、図１１ｆに示すように、導電性物質１４４で満たされた領域１２２、１４２の上部面を平坦化してプローブ部１５０を形成する（ステップＳ１１０６）。ここで、導電性物質１４４で満たされた領域１２２、１４２の上部面を化学的機械的研磨（ＣＭＰ、Chemical Mechanical Polishing）工程で平坦化することができる。この時、プローブ部１５０の一端部１５１は信号ライン部に用いられ、一端部１５１から突出して形成された他端部１５２はコンタクトバンプに用いられる。
【００６２】
次に、図１１ｇに示すように、上述の第２のフォトレジスト層１４０を除去する（ステップＳ１１０７）。ここで、アッシング（ashing）工程、湿式除去工程、及びＯ2プラズマ方法のうち、何れか一つで第２のフォトレジスト層１４０を除去することができる。
【００６３】
また、図１１ｈに示すように、第２のフォトレジスト層１４０が除去されて露出したシード層１３１を除去する（ステップＳ１１０８）。ここで、乾式エッチングまたは湿式エッチング工程を通じて該当シード層１３１が除去されることができる。
【００６４】
次に、図１１ｉに示すように、プローブ部１５０の上部面に接着剤１６０を塗布する（ステップＳ１１０９）。この時、エポキシスプレディング（epoxy spreading）を行って接着剤１６０を塗布することができ、工程方法に応じて第１のフォトレジスト層１２０の上部面にも一括して接着剤１６０を塗布することができる。
【００６５】
次に、図１１ｊに示すように、接着剤１６０にフィルム部１７０を接合する（ステップＳ１１１０）。
【００６６】
また、図１１ｋに示すように、基板１１０を除去してプローブフィルムの製作を完了する（ステップＳ１１１１）。ここで、第１のフォトレジスト層１２０を共に除去することができる。この時、基板１１０及び第１のフォトレジスト層１２０を湿式エッチング工程で除去することができる。湿式エッチング工程はシリコーンをエッチングさせ得る条件のアルカリ溶液であるＫＯＨ溶液またはＴＭＡＨ（tetramethyl ammonium hydroxide）溶液を使って行われることができる。そして、例えば、４４ｗｔ％のＫＯＨ（potassium hydroxide）溶液を使って６５℃の温度で湿式エッチングが行われることができる。また、湿式エッチング工程に使われるＫＯＨ溶液にイソプロフィルアルコールが添加されることができる。
【００６７】
これと違って、ＤＲＩＥなどの乾式エッチング工程により、基板１１０及び第１のフォトレジスト層１２０が除去されることもできる。
【００６８】
この実施例では、基板１１０上に第１のフォトレジスト層１２０を形成及びパターニングした後、これをマスクにして基板１１０をエッチングすることで、コンタクトバンプ領域を形成したが、これとは違って、基板１１０上に複数個のフォトレジスト層を積み上げた後、基板１１０をエッチングせずに複数個のフォトレジスト層のみをエッチングすることで、コンタクトバンプ領域を形成することもできる。
【００６９】
このように硬い基板１１０をエッチングしないで、コンタクトバンプ領域を形成することで、工程の単純化及び製造原価の節減を図ることができる。
【００７０】
図１２は、前記図１１ａ〜図１１ｋの工程で形成された信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成された複数個のコンタクトバンプを示す図である。
【００７１】
図１２に示すように、上述の図１１ａ〜図１１ｋの工程で、信号ライン部１５１及び前記信号ライン部１５１から突出して形成された複数個のコンタクトバンプ１５２が一括して形成されることができる。この時、一つのコンタクトバンプ１５２が信号ライン部１５１から突出して形成されることもできる。
【００７２】
一方、前述の本発明の説明は例示のためのものであり、本発明が属する技術分野の通常の知識を持った者は、本発明の技術的思想や必須的特徴を変更しなくても、他の具体的な形態に容易に変形することができる。よって、前述した実施例はすべての面において例示的なものであり、限定的なものではないことを理解するべきである。例えば、単一型に説明されている各構成要素は分散して実施されることもでき、これと同様に、分散したものと説明されている構成要素も結合した形態で実施されることができる。
【００７３】
また、本発明の範囲は、前記詳細な説明ではなく特許請求の範囲により表されるはずであり、特許請求の範囲の意味及び範囲、またその均等概念から導出される全ての変更または変形された形態が本発明の範囲に含まれるものと解釈するべきである。
【符号の説明】
【００７４】
１００    プローブフィルム
１５０    プローブ部
１５１    信号ライン部
１５２    コンタクトバンプ
１７０    フィルム部
２００    プローブユニット
２１０    ヘッドブロック
２２０    プローブブロック
２３０    圧着ブロック
２４１    第１のプレート
２４２    第２のプレート
２５０    固定ブロック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
2011237404.tif 000006
【図４ｂ】
2011237404.tif 000007
【図４ｃ】
2011237404.tif 000008
【図５】
2011237404.tif 000009
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１ａ】
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【図１１ｂ】
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【図１１ｃ】
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【図１１ｄ】
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【図１１ｅ】
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【図１１ｆ】
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【図１１ｇ】
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【図１１ｈ】
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【図１１ｉ】
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【図１１ｊ】
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【図１１ｋ】
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【図１２】
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