(57)【要約】      （修正有）【課題】回転するディスク上のヘッドがディスクにタッチダウンされるポイントを検出することが可能な、新規かつ改良されたヘッドのタッチダウン検出方法、これを利用したヘッド浮上高の調整方法、ディスク・ドライブおよび記録媒体を提供する。【解決手段】ヘッドのタッチダウン検出方法は、スライダに設けられた温度によって電気的な特性因子値が変わるセンサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率を検出するステップと、検出されたセンサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率が閾値の条件を満足する場合、回転するディスク上のヘッドの浮上高がタッチダウン浮上高に達したと判定するステップと、を含む。【選択図】図１３
2011210359.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライダに設けられた、温度によって電気的な特性因子値が変わるセンサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率を検出するステップと、
前記検出されたセンサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率が閾値の条件を満足する場合、回転するディスク上のヘッドの浮上高がタッチダウン浮上高に達したと判定するステップと、
を含むことを特徴とするヘッドのタッチダウン検出方法。
【請求項２】
前記電気的な特性因子値は、抵抗値を含むことを特徴とする請求項１に記載のヘッドのタッチダウン検出方法。
【請求項３】
前記センサは、ＮｉＦｅからなる素子を含むことを特徴とする請求項１に記載のヘッドのタッチダウン検出方法。
【請求項４】
前記センサの電気的な特性因子値の検出は、前記センサに一定電圧を印加した状態で、前記センサに流れる電流値を測定することで、抵抗値を算出することを特徴とする請求項１に記載のヘッドのタッチダウン検出方法。
【請求項５】
前記センサの電気的な特性因子値の検出は、前記センサに一定の電流を印加した状態で、前記センサ両端子の電圧値を測定することで、抵抗値を算出することを特徴とする請求項１に記載のヘッドのタッチダウン検出方法。
【請求項６】
回転するディスク上のヘッドの浮上高を調整する第１信号値を変更しつつ、前記第１信号値の変更による前記ヘッドとディスクとの間の磁気空間の変化量プロファイルを算出するステップと、
スライダに設けられた、温度によって電気的な特性因子値が変わるセンサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率を検出し、検出された前記センサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率に基づいて、前記ヘッドがディスクにタッチダウンされる時点を判定するステップと、
前記判定するステップにより前記ヘッドがディスクにタッチダウンされる時点と判定した時点での前記第１信号値を基準に、前記算出された前記ヘッドとディスクとの間の磁気空間の変化量プロファイルから、目標浮上高に相応する第１信号値を決定するステップと、
を含むことを特徴とするヘッド浮上高の調整方法。
【請求項７】
前記第１信号は、前記スライダに搭載されたヒータに供給される電力の大きさを決定する信号を含むことを特徴とする請求項６に記載のヘッド浮上高の調整方法。
【請求項８】
情報を記録するディスクと、
ヒータ、温度によって電気的な特性因子値が変わるセンサ、及び前記ディスクへの情報の記録または前記ディスクからの情報の読み取りを行うヘッドを備えるスライダと、
前記ヒータに供給される電力を調整する第１信号値の変更による前記センサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率を検出し、検出された前記センサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率に基づいて、前記ヘッドがディスクにタッチダウンされる時点を判定し、ヘッドの浮上高を制御するコントローラと、
を備えることを特徴とするディスク・ドライブ。
【請求項９】
前記コントローラは、前記第１信号値の変更による前記ヘッドとディスクとの間の磁気空間の変化量プロファイルを算出し、前記ヘッドがディスクにタッチダウンされる時点での第１信号値を基準に、前記算出された前記ヘッドとディスクとの間の磁気空間の変化量プロファイルから、前記ヘッドの目標浮上高に相応する第１信号値を決定することを特徴とする請求項８に記載のディスク・ドライブ。
【請求項１０】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の方法をコンピュータで実行させるためのプログラムコードを記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘッドのタッチダウン検出方法、これを利用したヘッド浮上高の調整方法、ディスク・ドライブおよび記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明に関連した先行技術としては、例えば、特許文献１及び特許文献２がある。
【０００３】
データ保存装置の一つであるディスク・ドライブは、ホスト装置に接続され、ホスト装置の命令に従って、記録媒体にデータを記録したり、記録媒体から記録されたデータを読み取ったりする。このようなディスク・ドライブは、近年、だんだんと高容量化、高密度化、小型化されつつあり、さらに、ディスク回転方向の密度であるＢＰＩ（ｂｉｔ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）と、半径方向の密度であるＴＰＩ（ｔｒａｃｋ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）とが増大しつつあるため、より精巧なメカニズムが要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２６５５１７号公報
【特許文献２】特開２００７−２５０１７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、ディスク・ドライブの性能に影響を及ぼすヘッドとディスクの間のヘッド浮上高を調整するために、ヘッドのタッチダウン状態を正確に測定する技術に関する発明が求められた。
【０００６】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、回転するディスク上のヘッドがディスクにタッチダウンされるポイントを検出することが可能な、新規かつ改良されたヘッドのタッチダウン検出方法、これを利用したヘッド浮上高の調整方法、ディスク・ドライブおよび記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、スライダに設けられた、温度によって電気的な特性因子値が変わるセンサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率を検出するステップと、前記検出されたセンサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率が閾値の条件を満足する場合、回転するディスク上のヘッドの浮上高がタッチダウン浮上高に達したと判定するステップと、を含むことを特徴とするヘッドのタッチダウン検出方法が提供される。
【０００８】
また、前記電気的な特性因子値は、抵抗値を含んでもよい。
【０００９】
また、前記センサは、ＮｉＦｅからなる素子を含んでもよい。
【００１０】
また、前記センサは、前記スライダで、ディスク表面と最も近接した位置に設けられてもよい。
【００１１】
また、前記センサの電気的な特性因子値の検出は、前記センサに一定電圧を印加した状態で、前記センサに流れる電流値を測定することで、抵抗値を算出してもよい。
【００１２】
前記センサの電気的な特性因子値の検出は、前記センサに一定の電流を印加した状態で、前記センサ両端子の電圧値を測定することで、抵抗値を算出してもよい。
【００１３】
また、前記ヘッドの浮上高は、前記スライダに搭載されたヒータに供給される電力値によって変化させてもよい。
【００１４】
また、前記センサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率を検出するステップは、前記回転するディスク上のヘッドの浮上高を調整する第１信号値を変更し、前記ヘッドの浮上高をだんだんと低くするステップ、及び前記第１信号の変更による前記センサの抵抗値の変化を検出するステップを含んでもよい。
【００１５】
また、前記閾値の条件は、前記検出されたセンサの電気的な特性因子値が、第１閾値に達する条件を含んでもよい。
【００１６】
また、前記閾値の条件は、前記スライダに搭載されたヒータに供給される電力変化に係わる前記センサの電気的な特性因子値の変化率が、第２閾値に達する条件を含んでもよい。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、回転するディスク上のヘッドの浮上高を調整する第１信号値を変更しつつ、前記第１信号値の変更による前記ヘッドとディスクとの間の磁気空間の変化量プロファイルを算出するステップと、スライダに設けられた、温度によって電気的な特性因子値が変わるセンサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率を検出し、検出された前記センサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率に基づいて、前記ヘッドがディスクにタッチダウンされる時点を判定するステップと、前記判定するステップにより前記ヘッドがディスクにタッチダウンされる時点と判定した時点での前記第１信号値を基準に、前記算出された前記ヘッドとディスクとの間の磁気空間の変化量プロファイルから、目標浮上高に相応する第１信号値を決定するステップと、を含むことを特徴とするヘッド浮上高の調整方法が提供される。
【００１８】
また、前記第１信号は、前記スライダに搭載されたヒータに供給される電力の大きさを決定する信号を含んでもよい。
【００１９】
また、前記検出されたセンサの電気的な特性因子値が、第１閾値条件を満足するか、または前記スライダに搭載されたヒータに供給される電力変化に係わる前記センサの電気的な特性因子値の変化率が、第２閾値条件を満足させる時点をタッチダウン発生時点と判定してもよい。
【００２０】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、情報を記録するディスクと、ヒータ、温度によって電気的な特性因子値が変わるセンサ、及び前記ディスクへの情報の記録または前記ディスクからの情報の読み取りを行うヘッドを備えるスライダと、前記ヒータに供給される電力を調整する第１信号値の変更による前記センサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率を検出し、検出された前記センサの電気的な特性因子値または特性因子値の変化率に基づいて、前記ヘッドがディスクにタッチダウンされる時点を判定し、ヘッドの浮上高を制御するコントローラと、を備えることを特徴とするディスク・ドライブが提供される。
【００２１】
また、前記コントローラは、前記第１信号値の変更による前記ヘッドとディスクとの間の磁気空間の変化量プロファイルを算出し、前記ヘッドがディスクにタッチダウンされる時点での第１信号値を基準に、前記算出された前記ヘッドとディスクとの間の磁気空間の変化量プロファイルから、前記ヘッドの目標浮上高に相応する第１信号値を決定してもよい。
【００２２】
また、前記スライダは、ヒータ、センサ及びヘッドをプリアンプ回路と電気的に連結させるためのパッドを備えてもよい。
【００２３】
また、前記パッドは、前記ヒータに連結される第１パッド及び第２パッド、前記センサに連結される第３パッド及び第４パッド、前記ヘッドに含まれたライタに連結される第５パッド及び第６パッド、前記ヘッドに含まれたリーダに連結される第７パッド及び第８パッドを含んでもよい。
【００２４】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、前記ヘッドのタッチダウン検出方法及びヘッド浮上高の調整方法を、コンピュータで実行させるためのプログラムコードが記録されているコンピュータで読み取り可能な記録媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２５】
以上説明したように本発明によれば、回転するディスク上のヘッドがディスクにタッチダウンされるポイントを検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施例によるデータ保存装置の構成図である。
【図２】図１に示されたデータ保存装置のソフトウェア構成図である。
【図３】本発明の一実施例によるディスク・ドライブのヘッドディスク・アセンブリの平面図である。
【図４】本発明の一実施例によるディスク・ドライブのブロック構成図である。
【図５】本発明の一実施例によるディスク・ドライブのスライダの平面図である。
【図６】図５に示されたスライダに搭載されたヘッドの断面図である。
【図７】本発明の一実施例によるディスク・ドライブのスライダとプリアンプのパッドとの結線図である。
【図８】本発明の一実施例によるヘッド浮上高の調整装置のブロック構成図である。
【図９】本発明の他の実施例によるヘッド浮上高の調整装置のブロック構成図である。
【図１０】本発明の実施例に適用される記録媒体のディスクの１トラックにおけるセクタ構造を示す図である。
【図１１】図１０に示されたトラックに含まれるサーボ情報フィールドＳの構造を示す図である。
【図１２】本発明の一実施例によるヘッド浮上高の調整方法のステップを示すフローチャートである。
【図１３】本発明の一実施例によるヘッドのタッチダウン状態検出方法のステップを示すフローチャートである。
【図１４】本発明の他の実施例によるヘッドのタッチダウン状態検出方法のステップを示すフローチャートである。
【図１５】本発明の一実施例によるスライダに定着されたセンサとして使用するＮｉＦｅ素子の温度により抵抗値が変化する特性を示すグラフである。
【図１６】本発明の一実施例によるスライダに搭載されたヒータに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値によるセンサの抵抗値（ＨＤＩ＿Ｒ）の変化および変化率（ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡ）を示すグラフである。
【図１７】本発明の一実施例によるディスク・ドライブの使用温度別、ディスクの半径領域別にヒータに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値によるセンサの抵抗値（ＨＤＩ＿Ｒ）の変化特性を示すグラフである。
【図１８】本発明の一実施例によるディスク・ドライブの使用温度別、ディスクの半径領域別にヒータに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値によるセンサの抵抗値（ＨＤＩ＿Ｒ）の変化率特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の技術的思想による実施例について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。しかし、本発明の技術的思想による実施例は、さまざまな他の形態に変形され、本発明の範囲が以下で説明する実施例によって限定されるものであると解釈されてはならない。本発明の技術的思想による実施例は、本発明が属する技術分野で当業者に、本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。添付図面の同じ符号は、一貫して同じ構成要素を意味する。
【００２８】
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の技術的思想による望ましい実施例について詳細に説明する。
【００２９】
図１は、本発明の一実施例によるデータ保存装置のブロック構成図である。図１に示されるように、本発明の一実施例によるデータ保存装置は、プロセッサ１１０、ＲＯＭ（ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ）１２０、ＲＡＭ（ｒａｎｄｏｍ−ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）１３０、メディア・インターフェース（Ｉ／Ｆ）１４０、メディア１５０、ホスト・インターフェース（Ｉ／Ｆ）１６０、ホスト機器１７０、外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）１８０及びバス１９０を備える。
【００３０】
プロセッサ１１０は、命令語（ｃｏｍｍａｎｄ）を解釈し、解釈された結果によって、データ保存装置の各構成を制御する機能を有する。プロセッサ１１０は、コード・オブジェクト管理ユニットを含み、当該コード・オブジェクト管理ユニットを利用し、メディア１５０に保存されているコード・オブジェクトをＲＡＭ１３０にローディングさせる。プロセッサ１１０は、タッチダウン・テストを実行する前に、図１２〜図１４に示すフローチャートによるヘッドのタッチダウン状態検出方法、及びこれを利用したヘッド浮上高の調整方法を実行させるためのコード・オブジェクトをＲＡＭ１３０にローディングさせる。
【００３１】
これによりプロセッサ１１０は、ＲＡＭ１３０にローディングされたコード・オブジェクトを利用し、図１２〜図１４に示すフローチャートによって、ヘッドのタッチダウン状態を検出し、ヘッドの浮上高を調整するタスク（ｔａｓｋ）を実行する。また、タッチダウン検出及びヘッド浮上高の調整処理を実行するのに必要な情報を、メディア１５０またはＲＯＭ１２０に保存する。ヘッドのタッチダウン検出及びヘッド浮上高の調整処理を実行するのに必要な情報の例としては、タッチダウン近接状態を判定するのに利用される第１閾値ＴＨ１及び第２閾値ＴＨ２、並びにＦＯＤ  ＤＡＣ（ｆｌｙｉｎｇ  ｏｎ  ｄｅｍａｎｄ  ｄｉｇｉｔａｌ−ｔｏ−ａｎａｌｏｇ  ｃｏｎｖｅｒｔｅｄ  ｓｉｇｎａｌ）のステップ増加分であるΔＶなどが含まれうる。
【００３２】
プロセッサ１１０によってヘッドのタッチダウン状態を検出し、ヘッド浮上高を調整する処理を実行する方法については、以下の図１２〜図１４を参照して詳細に説明する。
【００３３】
ＲＯＭ１２０には、データ保存装置を動作させるのに必要なプログラムコード及びデータが保存されている。
【００３４】
ＲＡＭ１３０には、プロセッサ１１０の制御によって、ＲＯＭ１２０またはメディア１５０に保存されたプログラムコード及びデータがローディングされる。
【００３５】
メディア１５０は、データ保存装置の主記録メディアとして、ディスクを含むことができる。データ保存装置は、ディスク・ドライブを含むことができる。
【００３６】
図３は、本発明の一実施例によるディスク・ドライブのヘッドディスク・アセンブリ１００の細部構成を示す図である。図３を参照すれば、ヘッドディスク・アセンブリ１００は、スピンドル・モータ１４によって回転する少なくとも１枚のディスク１２を含む。また、ディスク・ドライブは、ディスク１２の表面に隣接するように配置されたヘッド１６を含む。
【００３７】
ディスク１２が回転している間、ヘッド１６は、それぞれのディスク１２の磁界を感知若しくは磁化させることによって、ディスク１２から情報の読み取り若しくはディスク１２に情報の書き込みを行うことが可能である。一般的にヘッド１６は、各ディスク１２の表面に結合される。たとえ単一のヘッド１６として図３に示されていても、ヘッド１６は、ディスク１２を磁化させるための記録用ヘッド（ライタ）と、ディスク１２の磁界を感知するための読み取り用ヘッド（リーダ）とを含む構成であると当然理解される。読み取り用ヘッドは、磁気抵抗（ＭＲ：ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を含む。ヘッド１６は、通常、磁気ヘッド（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｈｅａｄ）または変換器（ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）とも称される。
【００３８】
ヘッド１６は、スライダ２０に搭載される。スライダ２０は、ヘッド１６表面とディスク１２表面との間に、空気ベアリング（ａｉｒ  ｂｅａｒｉｎｇ）を生成させる構造を有する。スライダ２０は、ヘッドジンバル・アセンブリ２２に結合される。ヘッドジンバル・アセンブリ２２は、ボイスコイル２６を有するアクチュエータ・アーム２４に取り付けられる。ボイスコイル２６は、ボイスコイル・モータ（ＶＣＭ：ｖｏｉｃｅ  ｃｏｉｌ  ｍｏｔｏｒ）３０を特定するように、マグネチック・アセンブリ２８に隣接するように位置している。ボイスコイル２６に供給される電流は、ベアリング・アセンブリ３２に対して、アクチュエータ・アーム２４を回転させるトルクを発生させる。アクチュエータ・アーム２４の回転により、ヘッド１６はディスク１２表面を横切って移動する。
【００３９】
本発明の一実施例によるスライダ２０の詳細な構造を図５に示す。
【００４０】
図５に示されるように、スライダ２０の表面には、ディスク１２表面との間で空気ベアリングを生成させるためのパターン２０−１が形成される。また、ヘッド１６は、スライダ２０に搭載される。
【００４１】
図６は、図５のＡ−Ａ’に沿って切開して図示したヘッド１６の断面図である。図６に示されるように、ヘッド１６は、リーダ１６−１とライタ１６−２とを含む。より詳細には、リーダ１６−１は、１対のシールド６Ｃ，６Ｅと、当該１対のシールド６Ｃ，６Ｅ間に搭載されたＭＲ素子６Ｄを含む。ライタ１６−２は、ディスク１２に磁場を加えるメインポール６Ｆ、メインポール６Ｆと共に磁路を形成するリターンヨーク６Ｇ、メインポール６Ｆに磁場を誘導するコイル６Ｈを含む。そして、ヘッド１６は、ＡｌＴｉＣからなるスライダ本体６Ａに搭載され、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる保護層６Ｂに囲まれる構造を有する。また、スライダ２０には、ヘッドの浮上高を調節するためのヒータ６Ｉが搭載される。スライダ２０に搭載されたヒータ６Ｉに、電力が供給されれば、ヘッド１６の終端部分であるポールチップ（ｐｏｌｅ  ｔｉｐ）で熱膨張が発生し、ディスク１２表面に対するヘッドの浮上高が縮小する。すなわち、ヒータ６Ｉに供給される電流または電圧の大きさの変化によって、ヘッド浮上高も変化する。
【００４２】
そして、本実施例によるスライダ２０には、温度によって電気的な特性因子値が変わるセンサ６Ｊが搭載される。センサ６Ｊは、温度によって抵抗値が変わる素材を利用でき、一例として、ＮｉＦｅからなる素子を利用できる。センサ６Ｊは、スライダ２０で、ディスク１２表面と最も近接した位置に取り付けられてもよい。
【００４３】
スライダ２０で、センサ６Ｊとして使用するＮｉＦｅ素子の温度により抵抗値が変化する特性を、図１５に示す。図１５では、ＮｉＦｅ素子における温度による抵抗値の変化特性曲線（２）と、タングステン（Ｔｕ）ＭＲ素子における温度による抵抗値の変化特性曲線（１）とを共に示す。図１５を参照すれば、ＮｉＦｅ素子が、温度によって抵抗値が変化する特性を有するという事実が分かる。本実施例では、このようなＮｉＦｅ素子の特性を利用し、ヘッドのタッチダウン状態を判定する方案を提案する。これについての具体的な説明は後述する。
【００４４】
再び図３を参照すれば、通常、ディスク１２の環状トラック３４内にデータが保存される。各トラック３４は、一般的に複数のセクタを含んでいる。１トラックが含むセクタ構成について図１０に示す。
【００４５】
図１０に示されているように、１つのトラックは、サーボ情報が記録されたサーボ情報フィールドＳと、データが保存されるデータセクタＤとから構成される。そして、サーボ情報フィールドＳ間に、複数個のデータセクタＤが含まれうる。もちろん、サーボ情報フィールドＳ間に、単一のデータセクタＤが含まれるように設計することも可能である。そして、サーボ情報フィールド１０Ａには、より詳細には、図１１に示すような信号が記録されている。
【００４６】
図１１に示されているように、サーボ情報フィールド１０Ａには、プリアンブル１０１、サーボ同期表示信号（ＳＡＭ／ＳＩＭ）１０２、グレイコード１０３及びバースト信号１０４が記録されている。
【００４７】
プリアンブル１０１は、サーボ情報の読取り時にクロック同期を提供し、またサーボセクタ前にギャップ（ｇａｐ）をおいて、一定のタイミング・マージンを提供する。そして、自動ゲイン制御（ＡＧＣ）回路のゲインを決定するのに利用される。
【００４８】
サーボ同期表示信号１０２は、サーボアドレス・マーク（ＳＡＭ：ｓｅｒｖｏ  ａｄｄｒｅｓｓ  ｍａｒｋ）及びサーボインデックス・マーク（ＳＩＭ：ｓｅｒｖｏ  ｉｎｄｅｘ  ｍａｒｋ）によって構成される。サーボアドレス・マークは、セクタの開始を示す信号であり、サーボインデックス・マークは、トラックでの最初のセクタの開始を示す信号である。
【００４９】
グレイコード１０３は、トラック情報を提供し、バースト信号１０４は、ヘッド１６がトラック３４の中央を追従するように制御するのに利用される信号である。バースト信号１０４は、一例として、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの４個のパターンから構成され、４個のバースト・パターンを組み合わせて、トラック追従制御時に使われる位置エラー信号（ＰＥＳ）を生成させる。
【００５０】
再び図３を参照すれば、ディスク１２の記録可能な領域には、論理ブロックアドレスが割り当てられる。論理ブロックアドレスは、ディスク・ドライブでシリンダ／ヘッド／セクタ情報に変換され、ディスク１２の記録領域が指定される。ディスク１２は、ユーザがアクセスできないメンテナンス・シリンダ（ｍａｉｎｔｅｎａｎｃｅ  ｃｙｌｉｎｄｅｒ）領域と、ユーザがアクセスできるユーザデータ領域とに区分される。メンテナンス・シリンダ領域をシステム領域とも称する。メンテナンス・シリンダ領域には、ディスク・ドライブ制御に必要な各種情報が保存されており、特に、ヘッド浮上高を制御するのに必要な情報も保存される。
【００５１】
ヘッド１６は、他のトラックにある情報を読み取ったり、あるいは書き込んだりするために、ディスク１２表面を横切って移動する。ディスク１２には、ディスク・ドライブで多様な機能を具現させるための複数個のコード・オブジェクトが保存されうる。一例として、ＭＰ３プレーヤ機能を遂行するためのコード・オブジェクト、ナビゲーション機能を遂行するためのコード・オブジェクト、多様なビデオゲームを遂行するためのコード・オブジェクトなどがディスク１２に保存されうる。
【００５２】
再び図１を参照すれば、メディア・インターフェース１４０は、プロセッサ１１０がメディア１５０にアクセスし、情報を書き込んだり読み取ったりすることができるように処理する構成手段である。ディスク・ドライブにより実現されるデータ保存装置でのメディア・インターフェース１４０は、より詳細には、ヘッドディスク・アセンブリ１００を制御するサーボ回路、及びデータリード／ライト（Ｒ／Ｗ：ｒｅａｄ／ｗｒｉｔｅ）のための信号処理を行うリード／ライト・チャネル回路を含む。
【００５３】
ホスト・インターフェース１６０は、パソコンのようなホスト機器１７０とのデータ送受信処理を実行する手段である。例えば、ＳＡＴＡ（ｓｅｒｉａｌ  ａｄｖａｎｃｅｄ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）インターフェース、ＰＡＴＡ（ｐａｒａｌｌｅｌ  ａｄｖａｎｃｅｄ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）インターフェース、ＵＳＢ（ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  ｓｅｒｉａｌ  ｂｕｓ）インターフェースのような多様な規格のインターフェースを利用できる。
【００５４】
そして、外部インターフェース１８０は、データ保存装置に設けられた入出力端子を介して、外部装置とのデータ送受信処理を実行する手段である。例えば、ＡＧＰ（ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ  ｇｒａｐｈｉｃｓ  ｐｏｒｔ）インターフェース、ＵＳＢインターフェース、ＩＥＥＥ１３９４インターフェース、ＰＣＭＣＩＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｃｏｍｐｕｔｅｒ  ｍｅｍｏｒｙ  ｃａｒｄ  ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）インターフェース、ＬＡＮ（ｌｏｃａｌ  ａｒｅａ  ｎｅｔｗｏｒｋ）インターフェース、ブルートゥース（ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ）インターフェース、ＨＤＭＩ（ｈｉｇｈ  ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ  ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＰＣＩ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  ｉｎｔｅｒｆａｃｅｅ）、ＩＳＡ（ｉｎｄｕｓｔｒｙ  ｓｔａｎｄａｒｄ  ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ）インターフェース、ＰＣＩ−Ｅ（ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ  ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ−ｅｘｐｒｅｓｓ）インターフェース、エクスプレスカード（ｅｘｐｒｅｓｓ  ｃａｒｄ）インターフェース、ＳＡＴＡインターフェース、ＰＡＴＡインターフェース、シリアル（ｓｅｒｉａｌ）インターフェースのような多様な規格のインターフェースを利用できる。
【００５５】
バス１９０は、データ保存装置の構成手段間の情報を伝達する役割を行う。
【００５６】
次に、データ保存装置の一例であるハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ）のソフトウェア構成について、図２を参照して説明する。
【００５７】
図２に示されているように、ハードディスク・ドライブのメディア１５０には、複数のコード・オブジェクト（ＣＯＤＥ  ＯＢＪＥＣＴ  １〜Ｎ）が保存されている。
【００５８】
ＲＯＭ１２０にはブートイメージ（ＢＯＯＴ  ＩＭＡＧＥ）及び圧縮されたＲＴＯＳ（ｒｅａｌ−ｔｉｍｅ  ｏｐｅｒａｔｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ）イメージ（ＰＡＣＫＥＤ  ＲＴＯＳ  ＩＭＡＧＥ）が保存される。
【００５９】
ＨＤＤメディア１５０であるディスクには、複数のコード・オブジェクト（ＣＯＤＥＯＢＪＥＣＴ  １〜Ｎ）が保存されている。ディスクに保存されたコード・オブジェクトは、ディスク・ドライブの動作に必要なコード・オブジェクトだけではなく、ディスク・ドライブに拡張できる多様な機能に関連したコード・オブジェクトも含まれうる。特に、本発明の実施例によるヘッドのタッチダウン検出方法、及びこれを利用したヘッド浮上高の調整方法のステップを示した図１２〜図１４のフローチャートを実行させるためのコード・オブジェクトもディスクに保存される。もちろん、図１２〜図１４のフローチャートを実行させるためのコード・オブジェクトを、ＨＤＤメディア１５０のディスクの代わりに、ＲＯＭ１２０に保存することもできる。そして、ＭＰ３プレーヤ機能、ナビゲーション機能、ビデオゲーム機能などの多様な機能を行うコード・オブジェクトもディスクに保存されうる。
【００６０】
ＲＡＭ１３０には、ブーティング過程で、ＲＯＭ１２０からブートイメージ（ＢＯＯＴ  ＩＭＡＧＥ）を読み取り、圧縮解除されたＲＴＯＳイメージ（ＵＮＰＡＣＫＥＤ  ＲＴＯＳ  ＩＭＡＧＥ）がローディングされる。そして、ＨＤＤメディア１５０に保存されているホスト・インターフェース及び外部インターフェースの遂行に必要なコード・オブジェクトが、ＲＡＭ１３０にローディングされる。もちろん、ＲＡＭ１３０には、データを保存するための領域（ＤＡＴＡ  ＡＲＥＡ）も割り当てられている。
【００６１】
チャネル回路２００には、データリード／ライトのための信号処理を行うのに必要な回路が内蔵されており、サーボ回路２１０には、データリード／ライトを行うために、ヘッドディスク・アセンブリ１００を制御するのに必要な回路が内蔵されている。
【００６２】
ＲＴＯＳ（ｒｅａｌ  ｔｉｍｅ  ｏｐｅｒａｔｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ）１１０Ａは、リアルタイム運用体系プログラムであり、ディスクを利用した多重プログラム運用体系である。タスク（ｔａｓｋ）によって優先順位の高い前位（ｆｏｒｅｇｒｏｕｎｄ）では、リアルタイム多重処理を行い、優先順位の低い後位（ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ）では、一括処理を行う。そして、ディスクからのコード・オブジェクトのローディングと、ディスクへのコード・オブジェクトのアンローディングとを行う。
【００６３】
ＲＴＯＳ１１０Ａは、コード・オブジェクト管理ユニット（ＣＯＭＵ：ｃｏｄｅ  ｏｂｊｅｃｔ  ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  ｕｎｉｔ）１１０−１、コード・オブジェクト・ローダ（ＣＯＬ：ｃｏｄｅ  ｏｂｊｅｃｔ  ｌｏａｄｅｒ）１１０−２、メモリ・ハンドラ（ＭＨ：ｍｅｍｏｒｙ  ｈａｎｄｌｅｒ）１１０−３、チャネル制御モジュール（ＣＣＭ：ｃｈａｎｎｅｌ  ｃｏｎｔｒｏｌ  ｍｏｄｕｌｅ）１１０−４及びサーボ制御モジュール（ＳＣＭ：ｓｅｒｖｏ  ｃｏｎｔｒｏｌ  ｍｏｄｕｌｅ）１１０−５を管理し、要請された命令によるタスクを実行する。ＲＴＯＳ１１０Ａはまた、アプリケーション・プログラム２２０を管理する。
【００６４】
より詳細には、ＲＴＯＳ １１０Ａは、ディスク・ドライブのブーティング過程で、ディスク・ドライブ制御に必要なコード・オブジェクトを、ＲＡＭ１３０にローディングさせる。従って、ブーティング過程を実行してから、ＲＡＭ１３０にローディングされたコード・オブジェクトを利用し、ディスク・ドライブを動作させることができる。
【００６５】
ＣＯＭＵ１１０−１は、コード・オブジェクトが記録されている位置情報を保存し、仮想アドレスを実際アドレスに変換させ、バスを仲裁する処理を行う。また、実行されているタスクの優先順位についての情報も保存されている。そして、コード・オブジェクトに係わるタスクの遂行に必要なタスク制御ブロック（ＴＣＢ：ｔａｓｋ  ｃｏｎｔｒｏｌ  ｂｌｏｃｋ）情報及びスタック情報も管理する。
【００６６】
ＣＯＬ１１０−２は、ＣＯＭＵ１１０−１を利用し、ＨＤＤメディア１５０に保存されているコード・オブジェクトをＲＡＭ１３０にローディングするか、ＲＡＭ１３０に保存されているコード・オブジェクトをＨＤＤメディア１５０にアンローディングさせる処理を行う。これによって、ＣＯＬ１１０−２は、ＨＤＤメディア１５０に保存されている図１２〜図１４に示すフローチャートによるヘッドのタッチダウン検出方法、及びこれを利用したヘッド浮上高の調整方法を実行させるためのコード・オブジェクトをＲＡＭ１３０にローディングさせる。
【００６７】
ＲＴＯＳ１１０Ａは、ＲＡＭ１３０にローディングされたコード・オブジェクトを利用し、以下で説明する図１２〜図１４に示すフローチャートによるヘッドのタッチダウン検出方法、及びこれを利用したヘッド浮上高の調整方法を実行させることができる。
【００６８】
ＭＨ１１０−３は、ＲＯＭ１２０及びＲＡＭ１３０にデータを書き込んだり読み取ったりする処理を行う。
【００６９】
ＣＣＭ１１０−４は、データリード／ライトのための信号処理を行うのに必要なチャネル制御を行い、ＳＣＭ１１０−５は、データリード／ライトを行うために、ヘッドディスク・アセンブリを含むサーボ制御を行う。
【００７０】
図４は、図１に示された本実施例によるデータ保存装置の一例であるディスク・ドライブのブロック構成図である。
【００７１】
図４に示されているように、本発明の技術的思想による一実施例によるディスク・ドライブは、プリアンプ４１０、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル４２０、コントローラ４３０、ボイスコイル・モータ（ＶＣＭ）駆動部４４０、スピンドル・モータ（ＳＰＭ）駆動部４５０、ヒータ電力供給回路４６０、ＲＯＭ１２０、ＲＡＭ１３０及びホスト・インターフェース１６０を具備する。
【００７２】
プリアンプ４１０とスライダ２０との電気的な信号の接続関係を示すパッドの結線図を図７に示した。スライダ２０には、ヒータ６Ｉの両端子に連結される２個のパッドＨ＋，Ｈ−／Ｇ、ライタ１６−２のコイル６Ｈに連結される２個のパッドＷ＋，Ｗ−、リーダ１６−１のＭＲ素子６Ｄの両端子に連結されるパッドＲ＋，Ｒ−、センサ６Ｊの両端子に連結される２個のパッドＳ＋，Ｓ−／Ｇが存在する。ここで、パッドＨ−／Ｇ及びパッドＳ−／Ｇは接地端子であり、単一のパッドとして統合されもする。
【００７３】
ヒータ電力供給回路４６０は、コントローラ４３０から印加されるＦＯＤ ＤＡＣ値に相応するパワーをヘッド１６に設けられたヒータに供給する役割を行う。ここで、ＦＯＤ
ＤＡＣは、ヘッドの浮上高を調整するための制御信号であり、ヘッド１６に設けられたヒータに印加される電圧または電流の大きさを決定する。
【００７４】
ヒータ電力供給回路４６０は、ＦＯＤオンモードでＦＯＤ ＤＡＣ値による電流を発生させ、ヘッド１６に設けられたヒータに供給し、ＦＯＤオフモードでは、ヘッド１６に設けられたヒータに供給される電流を遮断する。
【００７５】
コントローラ４３０は、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ：ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｉｇｎａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、プロセッサなどになりうる。コントローラ４３０は、ホスト・インターフェース回路１６０を介してホスト機器から受信されるコマンド（ｃｏｍｍａｎｄ）によって、ディスク１２から情報を読み取ったり、またはディスク１２に情報を書き込んだりするために、リード／ライト・チャネル４２０を制御する。
【００７６】
コントローラ４３０は、ボイスコイル・モータ（ＶＣＭ）３０を駆動させるための駆動電流を供給するＶＣＭ駆動部４４０に結合されている。コントローラ４３０は、ヘッド１６の動きを制御するために、ＶＣＭ駆動部４４０に制御信号を供給する。
【００７７】
コントローラ４３０は、スピンドル・モータ（ＳＰＭ）１４を駆動させるための駆動電流を供給するＳＰＭ駆動部４５０にさらに結合されている。コントローラ４３０は、電源が供給されれば、スピンドル・モータ１４を目標速度で回転させるために、ＳＰＭ駆動部４５０に制御信号を供給する。
【００７８】
コントローラ４３０は、ヒータ電力供給回路４６０と結合され、スライダ２０に設けられたヒータ６Ｉに供給する電圧または電流の大きさを決定する制御信号であるＦＯＤ
ＤＡＣを発生させる。
【００７９】
コントローラ４３０は、ＲＯＭ１２０及びＲＡＭ１３０とそれぞれ結合されている。ＲＯＭ１２０には、ディスク・ドライブを制御するファームウェア及び制御データが保存されている。図１２〜図１４に示された本発明の実施例によるヘッドのタッチダウン検出方法、及びこれを利用したヘッド浮上高の調整方法を実行させるためのプログラムコード並びに情報が保存される。もちろん、図１２〜図１４に示された本発明の技術的思想によるヘッドのタッチダウン検出方法、及びこれを利用したヘッド浮上高の調整方法を実行させるためのプログラムコード並びに情報を、ＲＯＭ１２０の代わりに、ディスク１２のメンテナンス・シリンダ領域に保存することもできる。
【００８０】
コントローラ４３０は、ＲＯＭ１２０またはディスク１２に保存されたヘッドのタッチダウン検出方法、及びこれを利用したヘッド浮上高の調整方法を実行させるためのプログラムコード並びに情報をＲＡＭ１３０にローディングさせ、ＲＡＭ１３０にローディングされたプログラムコード及び情報を利用し、図１２〜図１４に示された本発明の実施例によるヘッドのタッチダウン検出方法、及びこれを利用したヘッド浮上高の調整方法を実行させるように構成手段を制御できる。
【００８１】
そして、コントローラ４３０は、スライダ２０のセンサ６Ｊと電気的に接続されるように設計し、図８または図９に示すような本発明の実施例によるヘッド浮上高の調整装置に係わる回路を内蔵するように設計できる。もちろん、図８または図９に示すようなヘッド浮上高の調整装置に係わる回路をコントローラ４３０と分離して設計することもできる。
【００８２】
まず、ディスク・ドライブの一般的なデータリード動作及びデータライト動作について説明する。
【００８３】
データ読み取り（ｒｅａｄ）モードで、ディスク・ドライブは、ディスク１２からヘッド１６によって感知された電気的な信号を、プリアンプ４１０で増幅させる。その後、リード／ライト・チャネル４２０で、信号の大きさによって、ゲインを自動的に可変させる自動ゲイン制御回路（図示せず）によってプリアンプ４２０から出力される信号を増幅させ、これをデジタル信号に変換させた後、復号処理を行ってデータを検出する。検出されたデータは、コントローラ４３０で、一例として、エラー訂正コードであるリードソロモン・コードを利用したエラー訂正処理を実行した後、ストリームデータに変換し、ホスト・インターフェース回路１６０を介してホスト機器に伝送する。
【００８４】
そして、データ書き込み（ｗｒｉｔｅ）モードで、ディスク・ドライブは、ホスト・インターフェース回路１６０を介してホスト機器からデータを入力され、コントローラ４３０で、リードソロモン・コードによるエラー訂正用シンボルを付加し、リード／ライト・チャネル回路４２０によって記録チャネルに適するように符号化処理した後、プリアンプ４１０によって増幅された記録電流で、ヘッド１６を介してディスク１２に記録させる。
【００８５】
次に、本発明の実施例によるヘッドのタッチダウン検出方法、及びこれを利用したヘッド浮上高の調整方法を実行するディスク・ドライブについて、具体的に説明する。
【００８６】
まず、本実施例で提案するヘッドのタッチダウン検出方法の原理について説明する。
【００８７】
ディスク・ドライブのヘッドディスク・アセンブリ１００において、ヘッド１６とディスク１２との間隔であるヘッド浮上高を目標浮上高に調整するように制御するためには、タッチダウン・テストを介して、ヘッドがタッチダウン位置に達するポイントを正確に検出する必要がある。
【００８８】
本実施例では、温度によって、電気的な特性因子値（一例として、抵抗値）が変わるセンサ６Ｊをスライダ２０に搭載し、スライダ２０に搭載されたセンサ６Ｊの電気的な特性因子値の変化に基づいて、ヘッドのタッチダウン状態を検出する方案を提案する。
【００８９】
さて、次に本発明の実施例によるヘッド浮上高の調整装置について説明する。
【００９０】
本発明の実施例によるヘッド浮上高の調整装置の回路ブロック構成の例を、図８及び図９に示す。図８及び図９に示されたヘッド浮上高の調整装置は、図１のデータ保存装置のプロセッサ１１０、または図４のコントローラ４３０に含まれるように設計され、場合によっては、別途の回路構成によって設計することもできる。
【００９１】
本発明の一実施例では、図８及び図９に示されたヘッド浮上高の調整装置をプロセッサ１１０またはコントローラ４３０に含めるように設計した。以下では、説明の便宜のために、図８及び図９に示されたヘッド浮上高の調整装置が一例としてコントローラ４３０に含まれているとして説明する。
【００９２】
まず、図８に示された本発明の技術的思想の一実施例によるヘッド浮上高の調整装置について説明する。
【００９３】
図８に示されているように、本発明の技術的思想の一実施例によるヘッド浮上高の調整装置は、センサ抵抗値検出部８１０、タッチダウン判定部８２０Ａ、磁気空間の変化量プロファイル生成部８３０、及びＦＯＤ制御値決定部８４０を具備する。
【００９４】
センサ抵抗値検出部８１０は、ヘッド１６の浮上高をだんだんと低くするタッチダウンプロセスを実行しつつ、スライダ２０に搭載されたセンサ６Ｊの抵抗値を検出する手段である。すなわち、ヘッドの浮上高を測定するためのタッチダウン・テストモードで、コントローラ４３０は、ヒータ電力供給回路４６０に印加されるＦＯＤ  ＤＡＣ値をタッチダウン発生時点までだんだんと増大させる。
【００９５】
かようなタッチダウン・テスト条件で、センサ抵抗値検出部８１０は、センサ６Ｊの両端子間に一定電圧Ｖ１を印加した状態で、センサ６Ｊに流れる電流Ｉ１を測定し、Ｖ１／Ｉ１を演算して、センサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒを検出できる。すなわち、図７を参照すれば、一定電圧Ｖ１を発生させる電圧源（図示せず）を、パッドＳ＋とパッドＳ−／Ｇとの間に連結した状態で、パッドＳ＋とセンサ６Ｊとを連結する導線を介して流れる電流Ｉ１を測定し、センサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒを検出できる。
【００９６】
また、センサ抵抗値検出部８１０は、センサ６Ｊに一定の電流 Ｉ２を印加した状態で、センサ６Ｊの両端子にかかる電圧Ｖ２を測定し、Ｖ２／Ｉ２を演算してセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒを検出することもできる。すなわち、図７を参照すれば、一定の電流
Ｉ２を発生させる電流源（図示せず）を、パッドＳ＋とセンサ６Ｊとの間に直列に連結した状態で、パッドＳ＋とパッドＳ−／Ｇとの間にかかる電圧Ｖ２を測定し、センサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒを検出できる。
【００９７】
タッチダウン判定部８２０Ａは、センサ抵抗値検出部８１０で検出されるセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒと第１閾値ＴＨ１とを比較し、センサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒが第１閾値ＴＨ１と同じであるか、それよりも大きい場合、ヘッドがタッチダウン位置に達するを知らせる信号Ｓ＿ＴＤを生成させ、これと共に、このときに適用されたＦＯＤ
ＤＡＣ値ＦＯＤ ＤＡＣ＿ＴＤをタッチダウン基準値として決定する。ここで、第１閾値ＴＨ１は、スライダ２０とディスク１２とが接触するタッチダウン時点を判定するためのセンサ６Ｊの臨界抵抗値であり、センサ６Ｊの温度による抵抗変化特性を考慮し、ディスク・ドライブ開発過程で実験的に決定できる。
【００９８】
図１６を参照し、第１閾値ＴＨ１を決定する方法について具体的に説明すれば、次の通りである。図１６には、スライダ２０に搭載されたヒータ６Ｉに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値によるセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒの変化を示す曲線（１）が示されている。図１６に示された曲線（１）は、ヒータ６Ｉに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値が増大するにつれて、センサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒも比較的緩慢に増加し、ヘッドのタッチダウン・ポイント（ＴＤ  ＰＯＩＮＴ）が発生した後の領域Ａ１で、センサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒが急増するということを示している。従って、複数の実験を介して具現されたヘッドのタッチダウン・ポイントでのセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒの平均値を演算して、第１閾値ＴＨ１を決定できる。すなわち、センサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒが急増し始める時点のセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒを、実験的にまたはシミュレーションを介して求めて第１閾値ＴＨ１を決定できる。そして、第１閾値ＴＨ１は、ディスク・ドライブの使用温度別に設定する。
【００９９】
図１７は、ディスク・ドライブの使用温度別にヒータ６Ｉに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値によるセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒの変化特性を示している。図１７で特性曲線Ｇ１は、ディスク・ドライブ温度３５℃で、ヒータ６Ｉに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値によるセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒの変化特性を、ディスクの内周（ＩＤ）領域、中央（ＭＤ）領域、外周（ＯＤ）領域別に図示したものであり、特性曲線Ｇ２は、ディスク・ドライブ温度５０℃で、ヒータ６Ｉに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値によるセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒの変化特性を、ディスクの内周（ＩＤ）領域、中央（ＭＤ）領域、外周（ＯＤ）領域別に図示したものであり、特性曲線Ｇ３は、ディスク・ドライブ温度６０℃で、ヒータ６Ｉに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値によるセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒの変化特性を、ディスクの内周（ＩＤ）領域、中央（ＭＤ）領域、外周（ＯＤ）領域別に図示したものである。
【０１００】
図１７を参照すれば、ディスク・ドライブの使用温度によって、ヒータ６Ｉに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値によるセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒの変化特性が変わるということが分かる。従って、ディスク・ドライブの使用温度別に、第１閾値ＴＨ１を異なって設定する必要がある。そして、ディスクの半径位置によってヒータ６Ｉに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値によるセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒの変化特性は、若干の差があるが、無視できるほどの差に該当する。もしかような特性差も、ディスク・ドライブ設計時に考慮しようとするならば、第１閾値ＴＨ１を使用温度分類によって、ディスクのゾーン別、または内周（ＩＤ）領域、中央（ＭＤ）領域、外周（ＯＤ）領域別にそれぞれ実験を介して決定すればよい。
【０１０１】
第１閾値ＴＨ１をディスク・ドライブの使用温度別に決定した場合、タッチダウン判定部８２０Ａは、タッチダウン・テストを実行するディスク・ドライブの使用温度に相応する第１閾値ＴＨ１を選択し、センサ抵抗値検出部８１０で検出されるセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒが選択された第１閾値ＴＨ１と同じであるか、それよりも大きい場合、ヘッド１６がタッチダウン位置に達したことを知らせる信号Ｓ＿ＴＤを生成させる。
【０１０２】
コントローラ４３０は、タッチダウン位置に達したことを知らせる信号Ｓ＿ＴＤが発せられれば、タッチダウンプロセスを終了する。
【０１０３】
磁気空間の変化量プロファイル生成部８３０は、ＦＯＤ  ＤＡＣ値の変化によるヘッド１６とディスク１２との間の磁気空間の変化量プロファイルを算出する手段である。一例として、ヘッド１６とディスク１２との間の磁気空間の変化量は、公知のＷａｌｌａｃｅ空間損失方程式（Ｗａｌｌａｃｅ  ｓｐａｃｉｎｇ  ｌｏｓｓ  ｅｑｕａｔｉｏｎ）を利用し、ＦＯＤ  ＤＡＣ値の変化に係わるディスク１２上でのヘッド１６の浮上高のプロファイルを求めることができる。
【０１０４】
Wallace空間損失方程式は、下記数式１の通りである。
【０１０５】
[数１]
ｄ＝（λ／２π）＊Ｌｓ
【０１０６】
ここで、ｄ＝ディスクとヘッドとの間の磁気空間の変化量であり、λ＝記録波長＝線速度／記録周波数であり、Ｌｓ＝Ｌｎ（ＴＡＡ１／ＴＡＡ２）であり、Ｌｎは、自然ログであり、ＴＡＡ１は、以前ＡＧＣゲイン値であり、ＴＡＡ２は、現在ＡＧＣゲイン値である。
【０１０７】
従って、数式１を利用して、ＡＧＣゲイン値ＡＧＣ＿ｇａｉｎの変化に係わるディスク１２とヘッド１６との間の磁気空間の変化量を求めることができる。参考までに、ＦＯＤ
ＤＡＣ値の変化によるＡＧＣゲイン値を測定できるので、ＦＯＤ ＤＡＣ値の変化によるディスク１２とヘッド１６との間の磁気空間の変化量のプロファイルが求められる。
【０１０８】
ＦＯＤ制御値決定部８４０は、タッチダウン判定部８２０Ａから入力されるＦＯＤ ＤＡＣ＿ＴＤを基準として、磁気空間の変化量プロファイル生成部８３０で求められたＦＯＤ
ＤＡＣ値の変化によるディスク１２とヘッド１６との間の磁気空間の変化量のプロファイルから、目標基準高に対応するＦＯＤ ＤＡＣ値のＦＯＤ＿target値を決定する。
【０１０９】
これにより、コントローラ４３０は、ＦＯＤ制御値決定部８４０で決定されたＦＯＤ＿ｔａｒｇｅｔ値をＦＯＤ
ＤＡＣ値に適用し、ヘッド浮上高が目標浮上高に達するように制御できる。
【０１１０】
次に、図９に示された本発明の技術的思想の他の実施例によるヘッド浮上高の調整装置について説明する。
【０１１１】
図９に示されているように、本発明の技術的思想の他の実施例によるヘッド浮上高の調整装置は、センサ抵抗値検出部８１０、タッチダウン判定部８２０Ｂ、磁気空間の変化量プロファイル生成部８３０、ＦＯＤ制御値決定部８４０及び抵抗変化率算出部８５０を具備する。
【０１１２】
センサ抵抗値検出部８１０は、ヘッド１６の浮上高をだんだんと低くするタッチダウンプロセスを実行しつつ、スライダ２０に搭載されたセンサ６Ｊの抵抗値を検出する手段である。センサ抵抗値検出部８１０については、図８で既に詳細に説明したので、重複する説明は避ける。
【０１１３】
抵抗変化率算出部８５０は、スライダ２０に搭載されたヒータ６Ｉに供給される電力変化に係わるセンサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡを演算する手段である。すなわち、ヒータ６Ｉに供給される電力変化によるセンサ６Ｊの抵抗変化量を、ヒータ６Ｉに供給される電力変化量で割り、センサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡを求めることができる。場合によっては、ヒータ６Ｉに供給される電力変化によるセンサ６Ｊの抵抗変化量を、ヒータ電力供給回路４６０に印加されるＦＯＤ  ＤＡＣ値の変化量で割り、センサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡを求めることもできる。
【０１１４】
タッチダウン判定部８２０Ｂは、抵抗変化率算出部８５０で算出された抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡと第２閾値ＴＨ２とを比較し、抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡが第２閾値ＴＨ２と同じであるか、あるいはそれよりも小さい場合、ヘッドがタッチダウン位置に達したことを知らせる信号Ｓ＿ＴＤを生成させ、これと共に、このとき適用されたＦＯＤ  ＤＡＣ値ＦＯＤ  ＤＡＣ＿ＴＤをタッチダウン基準値として決定する。ここで、第２閾値ＴＨ２は、スライダ２０とディスク１２とが接触するタッチダウン時点を判定するためのセンサ６Ｊの臨界抵抗変化率であり、センサ６Ｊの温度による抵抗変化特性を考慮し、ディスク・ドライブ開発過程で実験的に決定できる。
【０１１５】
図１６を参照し、第２閾値ＴＨ２を決定する方法について具体的に説明すれば、次の通りである。図１６には、スライダ２０に搭載されたヒータ６Ｉに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値の変化に係わるセンサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡを示す曲線（２）が示されている。図１６に示された曲線（２）は、ヒータ６Ｉに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値が増加することによって、センサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡが比較的緩慢に低下し、ヘッドのタッチダウン・ポイントで、センサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡが０（ゼロ）になり、タッチダウン・ポイント経過後の領域Ａ１では、抵抗値ＨＤＩ＿Ｒの変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡが急激に増大するということを示している。従って、この場合、第２閾値ＴＨ２は、０（ゼロ）に決定できる。参考までに、ヒータ６Ｉに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値を増大させれば、センサ６Ｊ抵抗は増大していて、ヘッド１６がディスク１２に近く接近し始めれば、ディスクの回転によるクーリング効果（ｃｏｏｌｉｎｇ  ｅｆｆｅｃｔ）が発生し、センサ６Ｊ抵抗の増大率が低下し始める。センサ６Ｊの抵抗の増大率が最小化した後には、ヘッド１６とディスク１２とが接触し、ヘッド１６とディスク１２との接触によって、センサ６Ｊ抵抗の増大率は急増する。
【０１１６】
図１８には、ディスク・ドライブの使用温度が３５℃、５０℃、６０℃である場合、ディスクの内周（ＩＤ）領域、中央（ＭＤ）領域、外周（ＯＤ）領域で、それぞれヒータ６Ｉに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値が増大することによるセンサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡ特性が示されている。図１８を参照すれば、ディスク・ドライブの使用温度及びディスク半径位置に関係なく、センサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡがほぼ０（ゼロ）近くでタッチダウンが発生するということが分かる。
【０１１７】
磁気空間の変化量プロファイル生成部８３０は、ＦＯＤ  ＤＡＣ値の変化によるヘッド１６とディスク１２との間の磁気空間の変化量プロファイルを算出する手段である。これに係わる動作は、図８を参照して詳細に説明を行ったので、ここでは重複する説明を避ける。
【０１１８】
そして、ＦＯＤ制御値決定部８４０は、タッチダウン判定部８２０Ｂから入力されるＦＯＤ  ＤＡＣ＿ＴＤを基準として、磁気空間の変化量プロファイル生成部８３０で求められたＦＯＤ  ＤＡＣ値の変化によるディスク１２とヘッド１６との間の磁気空間の変化量のプロファイルから、目標基準高に対応するＦＯＤ  ＤＡＣ値であるＦＯＤ＿ｔａｒｇｅｔ値を決定する。
【０１１９】
これにより、コントローラ４３０は、ＦＯＤ制御値決定部８４０で決定されたＦＯＤ＿ｔａｒｇｅｔ値をＦＯＤ  ＤＡＣ値に適用し、ヘッド浮上高が目標浮上高に達するように制御できる。
【０１２０】
次に、図１のデータ保存装置のプロセッサ１１０、または図４のディスク・ドライブのコントローラ４３０の制御によって実行される本発明の技術的思想によるヘッドのタッチダウン検出方法、及びこれを利用したヘッド浮上高の調整方法について、図１２〜図１４のフローチャートを参照しつつ説明する。以下では、説明の便宜のために、コントローラ４３０の制御によって実行されることに限定して説明する。もちろん、本発明がこれに限定されるものではない。
【０１２１】
まず、図１２を参照して、本発明の実施例によるヘッド浮上高の調整方法について説明する。
【０１２２】
コントローラ４３０は、ディスク・ドライブがヘッドの浮上高（ＦＨ）を測定するためのモードに遷移しているか否かを判断する（Ｓ１０１）。ヘッドの浮上高を測定するためのモードは、ドライブ組み立て後の検査工程で実行されうる。
【０１２３】
段階１０１（Ｓ１０１）の判断結果、ディスク・ドライブがヘッドの浮上高を測定するためのモードに遷移される場合には、コントローラ４３０は、ヘッド浮上高を測定しようとするディスクゾーンで、ヘッドの浮上高をだんだんと低くするように、ＦＯＤ制御値（ＦＯＤ
ＤＡＣ値）を変更しつつ、ヘッドとディスクとの間の磁気空間変化量を算出するプロセスを実行する（Ｓ１０２）。すなわち、コントローラ４３０の制御によって、ヒータ電力供給回路４６０に印加されるＦＯＤ
ＤＡＣ値をだんだんと増加させつつ、数式１のようなＷａｌｌａｃｅ空間損失方程式を利用し、ＦＯＤ ＤＡＣ値の変化に係わるディスク１２上でのヘッド１６の浮上高のプロファイルを求めることができる。
【０１２４】
段階１０２（Ｓ１０２）を実行しつつ、スライダ２０がディスク１２に接触するタッチダウン状態が発生しているか否かを判断する（Ｓ１０３）。本実施例で提案するタッチダウン判断方式は、スライダ２０に定着されたセンサ６Ｊを利用し、タッチダウンが発生する時点を検出する。センサ６Ｊは、温度によって電気的な特性因子値が変わる素材を使用し、一例として、温度によって抵抗値が変化する特性を有する素子を利用できる。より詳細には、ＮｉＦｅからなる素子をセンサ６Ｊとして利用できる。スライダ２０に搭載されたセンサ６Ｊを利用し、ヘッドのタッチダウン状態を検出する方法については、図１３〜図１４を参照して詳細に説明する。
【０１２５】
ステップＳ１０３の判断結果、タッチダウン状態に達したと判定された場合には、ステップＳ１０２で求めたＦＯＤ  ＤＡＣ値の変化に係わるディスク１２とヘッド１６との間の磁気空間の変化量のプロファイルから、目標浮上高に相応するＦＯＤ  ＤＡＣ値を、当該ゾーンのＦＯＤ制御値として決定する（Ｓ１０４）。すなわち、タッチダウン発生時点でのＦＯＤ  ＤＡＣ値を基準で、ステップＳ１０２で求めたＦＯＤ
ＤＡＣ値の変化によるディスク１２とヘッド１６との間の磁気空間の変化量のプロファイルから、目標浮上高に相応するＦＯＤ  ＤＡＣ値を求める。その後、求められたＦＯＤ  ＤＡＣ値をヒータ電力供給回路４６０に印加すれば、スライダ２０に搭載されたヒータ６Ｉで発生する熱によってヘッド１６のポールチップが膨脹し、ヘッド１６の浮上高が目標浮上高に調整されうる。
【０１２６】
以上のようなヘッド浮上高測定テストを、ディスクのゾーン別、または複数のゾーンを含む領域別に遂行すれば、ゾーン別または領域別に目標浮上高に相応するＦＯＤ  ＤＡＣ値を求められる。そして、複数のゾーン聞く含む領域別に、ヘッド浮上高測定テストを遂行した場合には、補間（ｉｎｔｅｒｐｏｌａｔｉｏｎ）方式または外挿（ｅｘｔｒａｐｏｌａｔｉｏｎ）方式を利用し、測定されていないゾーンでの目標浮上高に相応するＦＯＤ  ＤＡＣ値を推定できる。
【０１２７】
次に、本実施例で提案するヘッドのタッチダウン検出方法について、図１３〜図１４を参照しつつ説明する。
【０１２８】
まず、図１３に示されたフローチャートを参照して、本発明の技術的思想の一実施例によるヘッドのタッチダウン検出方法について説明する。
【０１２９】
図１３による実施例では、スライダの浮上高変化によるスライダ２０に定着されたセンサ６Ｊの抵抗値の変化を利用するタッチダウン検出方法を提案している。
【０１３０】
コントローラ４３０は、タッチダウン・テストプロセスで、ヘッドの浮上高を調整する制御信号の初期ＦＯＤ  ＤＡＣ値を最小値（ＦＯＤ＿ｍｉｎ）に設定し、設定されたＦＯＤ  ＤＡＣ値をヒータ電力供給回路４６０に印加する（Ｓ２０１）。ここで、ＦＯＤ＿ｍｉｎは、「０」に設定できる。
【０１３１】
次に、コントローラ４３０は、スライダ２０に定着されたセンサ６Ｊの抵抗値を検出する（Ｓ２０２）。一例として、センサ６Ｊの両端子間に、一定電圧Ｖ１を印加した状態で、センサ６Ｊに流れる電流Ｉ１を測定し、Ｖ１／Ｉ１を演算してセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒを検出できる。他の例として、センサ６Ｊに一定の電流
Ｉ２を印加した状態で、センサ６Ｊの両端子にかかる電圧Ｖ２を測定し、Ｖ２／Ｉ２を演算してセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒを検出することもできる。
【０１３２】
次に、コントローラ４３０は、ステップＳ２０２で検出されたセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒが、第１閾値ＴＨ１と同じであるか、あるいはそれよりも大きいかを判断する（Ｓ２０３）。ここで、第１閾値ＴＨ１は、実験を介してヒータ６Ｉに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値によるセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒの変化を示す曲線から、センサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒが急増し始める時点のセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒとして決定できる。
【０１３３】
ステップＳ２０３の判断結果、センサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒが、第１閾値ＴＨ１より小さい場合には、現在設定されているＦＯＤ  ＤＡＣ値をΔＶほど増加させた後（Ｓ２０４）、段階２０２（Ｓ２０２）で再び行う。ここで、ΔＶは、ヘッド浮上高を調整する制御信号の単位増加分を意味する。
【０１３４】
もしステップＳ２０３の判断結果、センサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒが、第１閾値ＴＨ１と同じであるか、あるいはそれよりも大きい場合には、ヘッドの浮上高がタッチダウン状態に入り込んだと判定する（Ｓ２０５）。すなわち、センサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒが、第１閾値ＴＨ１と同じであるか、あるいはそれよりも大きい場合には、ヘッドがタッチダウンされる時点であると判定し、ヘッドがタッチダウン状態に達したことを知らせる信号Ｓ＿ＴＤを生成させ、これと共に、このとき適用されたＦＯＤ
ＤＡＣ値ＦＯＤ ＤＡＣ＿ＴＤをタッチダウン基準値として決定する。
【０１３５】
次に、図１４に示されたフローチャートを参照して、本発明の技術的思想の他の実施例によるヘッドのタッチダウン検出方法について説明する。
【０１３６】
図１４による実施例では、スライダの浮上高変化によるスライダ２０に定着されたセンサ６Ｊの抵抗値の変化率を利用するタッチダウン検出方法を提案している。
【０１３７】
コントローラ４３０は、タッチダウン・テストプロセスで、ヘッドの浮上高を調整する制御信号の初期ＦＯＤ  ＤＡＣ値を最小値（ＦＯＤ＿ｍｉｎ）として設定し、設定されたＦＯＤ  ＤＡＣ値を、ヒータ電力供給回路４６０に印加する（Ｓ３０１）。ここで、ＦＯＤ＿ｍｉｎは、「０」に設定できる。
【０１３８】
次に、コントローラ４３０は、スライダ２０に定着されたセンサ６Ｊの抵抗値を検出する（Ｓ３０２）。一例として、センサ６Ｊの両端子間に、一定電圧Ｖ１を印加した状態で、センサ６Ｊに流れる電流Ｉ１を測定し、Ｖ１／Ｉ１を演算してセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒを検出できる。他の例として、センサ６Ｊに一定の電流
Ｉ２を印加した状態で、センサ６Ｊの両端子にかかる電圧Ｖ２を測定し、Ｖ２／Ｉ２を演算してセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒを検出することもできる。
【０１３９】
次に、コントローラ４３０は、スライダ２０に搭載されたヒータ６Ｉに供給される電力変化に係わるセンサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡを演算する（Ｓ３０３）。すなわち、ＦＯＤ  ＤＡＣ値の変化量ΔＶによるセンサ６Ｊの抵抗変化量を、ヒータ６Ｉに供給される電力変化量で割り、センサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡを求めることができる。場合によっては、ＦＯＤ  ＤＡＣ値の変化量ΔＶによるセンサ６Ｊの抵抗変化量を、ヒータ電力供給回路４６０に印加されるＦＯＤ  ＤＡＣ値の変化量ΔＶで直接割り、センサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡを求めることもできる。
【０１４０】
次に、コントローラ４３０は、演算されたセンサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡが、第２閾値ＴＨ２より小さいか、あるいは同じであるかを判断する（Ｓ３０４）。ここで、第２閾値ＴＨ２は、実験を介してヒータ６Ｉに供給される電力（ＦＯＤ  ＰＯＷＥＲ）値によるセンサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒの変化率を示す曲線から、ヘッドのタッチダウン・ポイントで、センサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡが０（ゼロ）になるという事実から、０（ゼロ）と決定できる。
【０１４１】
ステップＳ３０４の判断結果、センサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡが、第２閾値ＴＨ２より大きい場合には、現在設定されているＦＯＤ  ＤＡＣ値をΔＶほど増加させた後（Ｓ３０５）、段階３０２（Ｓ３０２）から再び行う。
【０１４２】
もしステップＳ３０４の判断結果、センサ６Ｊの抵抗変化率ＨＤＩ＿Ｒ  ＤＥＬＴＡが、第２閾値ＴＨ２より小さいか、あるいは同じである場合には、ヘッドの浮上高がタッチダウン状態に入り込んだと判定する（Ｓ３０６）。すなわち、センサ６Ｊの抵抗値ＨＤＩ＿Ｒが、第２閾値ＴＨ２と同じであるか、あるいはそれよりも大きい場合には、ヘッドがタッチダウンされる時点であると判定し、ヘッドがタッチダウン状態に達したことを知らせる信号Ｓ＿ＴＤを生成させ、これと共に、このとき適用されたＦＯＤ  ＤＡＣ値ＦＯＤ  ＤＡＣ＿ＴＤを、タッチダウン基準値として決定する。
【０１４３】
従って、スライダ２０に搭載された、温度によって抵抗値が変わるセンサ６Ｊのヘッドの浮上高によるセンサ６Ｊの抵抗値の変化または変化率を利用し、ヘッドのタッチダウン・ポイントを正確に検出できる。
【０１４４】
本発明は、方法、装置、システムなどとして実行されうる。ソフトウェアで実行されるとき、本発明の構成手段は、必然的に必要な作業を実行するコードセグメントである。プログラムまたはコードセグメントは、プロセッサで読み取り可能な媒体に保存されうる。
【０１４５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１４６】
本発明は、多様な形態の保存装置に適用され、特に、ハードディスク・ドライブがデータ保存システムに適用する場合に、ディスクの全領域で一定間隔の浮上高余裕を有するように、ヘッド浮上高を制御できる。
【符号の説明】
【０１４７】
６Ａ    スライダ本体
６Ｂ    保護層
６Ｃ，６Ｅ    シールド
６Ｄ    ＭＲ素子
６Ｆ    メインポール
６Ｇ    リターンヨーク
６Ｈ    コイル
６Ｉ    ヒータ
６Ｊ    センサ
１０Ａ    サーボ情報フィールド
１２    ディスク
１４    スピンドル・モータ
１６    ヘッド
１６−１    リーダ
１６−２    ライタ
２０    スライダ
２０−１    パターン
２２    ハードジンバル・アセンブリ
２４    アクチュエータ・アーム
２６    ボイスコイル
２８    マグネチック・アセンブリ
３０    ボイスコイル・モータ
３２    ベアリング・アセンブリ
３４    トラック
１００    ハードディスク・アセンブリ
１０１    プリアンブル
１０２    サーボアドレス・マーク及びサーボインデックス・マーク
１０３    グレイコード
１０４    バースト信号
１１０    プロセッサ
１１０−１    コード・オブジェクト管理ユニット
１１０−２    コード・オブジェクト・ローダ
１１０−３    メモリ・ハンドラ
１１０−４    チャネル制御モジュール
１１０−５    サーボ制御モジュール
１１０Ａ    ＲＴＯＳ
１２０    ＲＯＭ
１３０    ＲＡＭ
１４０    メディア・インターフェース
１５０    メディア
１６０    ホスト・インターフェース
１７０    ホスト機器
１８０    外部インターフェース
１９０    バス
２００    チャネル回路
２１０    サーボ回路
２２０    アプリケーション・プログラム
４１０    プリアンプ
４２０    リード／ライト・チャネル
４３０    コントローラ
４４０    ボイスコイル・モータ駆動部
４５０    スピンドル・モータ駆動部
４６０    ヒータ電力供給回路
８１０    センサ抵抗値検出部
８２０Ａ，８２０Ｂ    タッチダウン判定部
８３０    磁気空間の変化量プロファイル生成部
８４０    ＦＯＤ制御値決定部
８５０    抵抗変化率算出部
【図１】
2011210359.tif 000003
【図２】
2011210359.tif 000004
【図３】
2011210359.tif 000005
【図４】
2011210359.tif 000006
【図５】
2011210359.tif 000007
【図６】
2011210359.tif 000008
【図７】
2011210359.tif 000009
【図８】
2011210359.tif 000010
【図９】
2011210359.tif 000011
【図１０】
2011210359.tif 000012
【図１１】
2011210359.tif 000013
【図１２】
2011210359.tif 000014
【図１３】
2011210359.tif 000015
【図１４】
2011210359.tif 000016
【図１５】
2011210359.tif 000017
【図１６】
2011210359.tif 000018
【図１７】
2011210359.tif 000019
【図１８】
2011210359.tif 000020