(57)【要約】【課題】構成を複雑にすることなく開口率の高い明るい表示を実現できる液晶装置を提供する。【解決手段】互いに対向し液晶層７を挟持する第１基板４及び第２基板５と、第１基板４上に設けられたスイッチング素子２１と、第１基板４上に設けられたスイッチング素子２１のドレイン電極端子３５と同じ層に設けられ、該ドレイン電極端子３５と接続された画素電極２２と、スイッチング素子２１及び画素電極２２を覆って第１基板４上に設けられた絶縁膜２３と、絶縁膜２３上に設けられた共通電極２４とを有する液晶装置である。画素電極２２と共通電極２４との間に横斜め電界Ｅが形成され、この横斜め電界Ｅによって液晶分子が基板水平面内で配向制御される。共通電極２４はベタ状態の電極であり、開口率を高めることができる。【選択図】図２
2011237836.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向して液晶層を挟持する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板上に設けられたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と同じ層に設けられた画素電極と、
前記スイッチング素子及び前記画素電極を覆って前記第１基板上に設けられた絶縁膜と、
該絶縁膜上に設けられた共通電極と、
前記第１基板上に設けられ前記スイッチング素子に信号を伝送する信号線と、
を有し、前記共通電極は、平面視で前記信号線に重なる部分の一部の領域を除いて形成される、液晶装置。
【請求項２】
電圧印加時に前記画素電極と前記共通電極の間に電界を生じさせる、請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第１基板の液晶挟持側の面に沿って互いに隣接する前記画素電極と前記共通電極との間の距離をＤ0とし、前記液晶層の層厚をＤ1とするとき、
Ｄ1＞Ｄ0
である請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記共通電極が形成されない領域は、平面視で前記信号線を挟んで互いに隣接する前記画素電極の間に、前記画素電極の前記信号線の方向の長さと同じ長さである、請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の液晶装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の液晶装置を有する、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、横電界によって液晶分子の配向を制御する液晶装置及びそれを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant：携帯情報端末機）等といった電子機器に液晶装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種情報を表示する表示部として液晶装置が用いられている。この液晶装置として、従来、ＴＮ（Twisted Nematic）液晶を用いた液晶装置に代表される縦電界型の液晶装置が知られている。この液晶装置では、基板に対して直角方向に電界を形成することにより液晶分子を基板に対して直角方向に立たせる状態で液晶分子の配向制御を行い、その液晶分子の配向制御に対応した光透過率変化を利用して表示が行われる。
【０００３】
上記の縦電界型の液晶装置においては、液晶分子を基板面に対して直角方向に駆動するため、液晶装置の表示面を見る角度により液晶分子を違う方向から見ることになり、視野角が狭い傾向にあるという問題を有していた。この問題を解消した液晶装置として、横電界型の液晶装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
横電界型の液晶装置では、基板に対して平行方向に電界を形成することにより液晶分子を基板面と平行な面内で回転させ、その液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用して表示が行われる。この横電界型の液晶装置においては、液晶装置の表示面を見る角度が変わっても、液晶分子を見る方向は同じであるので、視野角が広くなるという長所を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１８２２３０号公報（第４〜５頁、図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１０は、特許文献１に開示された従来の横電界型液晶装置、特にＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶装置における１つの画素近傍の平面的な構成を示している。図１１は、図１０のＺ０−Ｚ０線に従った断面構造を模式的に示している。なお、複数色、例えばＲ(赤色)、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色によってカラー表示を行う場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３つの画素の集まりを画素と呼び、Ｒ，Ｇ，Ｂの個々の画素（すなわち、単位画素）をサブ画素と呼ぶことがあるが、図１０に示す画素はサブ画素に相当するものである。
【０００７】
ＦＦＳモードの液晶装置では、図１０に示すように、複数本のゲート線２０１と複数本のデータ線２０２が平面的に見て互いに交差した状態に配置されている。そして、ゲート線２０１とデータ線２０２との交差部にスイッチング素子であるＴＦＴ素子２０３が設けられている。
【０００８】
ゲート線２０１とデータ線２０２によって囲まれた平面領域内には、画素電極２０４が形成されている。画素電極２０４の平面形状は長方形状であり、その内部に複数の長方形状スリット（すなわち、貫通開口）Ｓ0が設けられている。また、画素電極２０４の下層（すなわち、図１０の奥側）には、絶縁膜２０７（図１１参照）を挟んで画素電極２０４に平面的に重なる位置に共通電極２０６が形成されている。共通電極２０６は、実際には画素電極２０４と略同じ面積の長方形状に形成されることが多いが、図１０では構成を分かり易く示すために共通電極２０６を画素電極２０４よりも少し大きく描いている。
【０００９】
このように、画素電極２０４及び共通電極２０６が設けられた平面領域内、すなわち、ゲート線２０１とデータ線２０２によって囲まれた平面領域内にサブ画素Ｄが形成されている。また、異なるサブ画素Ｄに属する個々の共通電極２０６同士は、ゲート線２０１と平行に設けられた共通信号線２０５によって互いに導電接続されている。
【００１０】
画素電極２０４に複数のスリットＳ0を設けたことにより、共通電極２０６と画素電極２０４との間に電圧を印加すると、図１１に示すように、両電極間に縦方向でない横方向（すなわち、図のＹ方向）に進む電界が発生する。また、共通電極２０６と画素電極２０４とが絶縁膜２０７を介して積層されているため、共通電極２０６と画素電極２０４との基板面に沿った距離がゼロであるので、画素電極２０４とスリットＳ0との境界の近傍には、基板面に対して垂直な方向（すなわち、図のＺ方向）にも電界が発生する。その結果、図１１において符号Ｅで示すように横斜め電界又は放物線電界が発生する。この横斜め電界が発生する領域が、いわゆるフリンジフィールドと呼ばれている。
【００１１】
横電界型液晶装置として、ＦＦＳモード以外にＩＰＳ（In-Plain Switching）モードの液晶装置が知られている。このＩＰＳモードの場合には共通電極と画素電極との間の基板面に沿った距離が長く設定されているため、電界は主にそれらの電極間で基板面と平行な横方向のみに発生し、画素電極の上方領域には電界が形成されないという現象が生じ、そのために開口率が低くなる傾向にあった。これに対し、ＦＦＳモードの場合には、上記の横斜め電界の作用により、画素電極２０４の上方領域にも十分な電界を形成することが可能となり、その結果、互いに隣接する電極２０４，２０４間に在る液晶分子はもとより、画素電極２０４の上方に在る液晶分子をも十分に駆動することができることになり、開口率を高めることが可能となっている。
【００１２】
ところで、特許文献１に開示された図１０の液晶装置において、複数の共通電極２０６に導通する共通信号線２０５は、液晶装置の開口率を考慮すれば、透光性を有することが望ましい。一方、共通信号線２０５は、液晶装置の動作を考慮すれば、低抵抗の材料で形成されることが望ましい。しかしながら、透光性の導電材料は、一般に金属材料等に比べて抵抗値が高いので、共通信号線２０５を透光性の導電材料を用いて形成することは難しかった。そのため、高い開口率と安定した動作の両方を実現できる液晶装置を得ることは難しかった。
【００１３】
また、画素電極２０４と共通電極２０６とから成る、いわゆるＦＦＳ構造はゲート線２０１、データ線２０２及び共通信号線２０５に囲まれた平面領域内に配置されているので、画素電極２０４の面積、すなわち表示に寄与するサブ画素Ｄの面積を広くすることが難しかった。そのため、液晶装置の開口率を高くすることが難しかった。また、ＴＦＴ素子２０３のドレイン電極端子と画素電極２０４とを導通させるためにスルーホール等といったコンタクト穴を設ける必要があり、このコンタクト穴の近傍では光漏れが生じるおそれがあるのでこの部分は表示領域に寄与できない領域とされていた。
【００１４】
以上のように、特許文献１に開示された横電界型の液晶装置においては、（１）共通電極へ信号を伝送するために所定線幅の共通信号線を基板上に形成していた。この信号線は、低抵抗である必要があり低抵抗の金属によって形成されることが多かった。この金属は一般に不透明であった。また、（２）共通信号線を設けた領域は電界制御領域として用いることができないので、仮に共通信号線をＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム・スズ酸化物）等といった透光性材料によって形成したとしても、この共通信号線の領域を表示に寄与する領域とすることは難しかった。また、（３）従来の横電界型の液晶装置では、基板上に共通電極と共にスイッチング素子を形成し、それらの上に絶縁膜を形成し、その上に画素電極を形成していた。そして、スイッチング素子と画素電極とを導通させるために絶縁膜の適所にコンタクト穴を設けていた。このコンタクト穴は光漏れを誘起するので表示に寄与する領域とすることは難しかった。以上の（１）から（３）の理由により、従来の横電界型の液晶装置は開口率が低くなる傾向にあるという問題があった。
【００１５】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、構成を複雑にすることなく開口率の高い明るい表示を実現できる液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明に係る液晶装置は、互いに対向して液晶装置を挟持する第１基板及び第２基板と、前記第１基板上に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と同じ層に設けられた画素電極と、前記スイッチング素子及び前記画素電極を覆って前記第１基板上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた共通電極と、前記第１基板上に設けられ前記スイッチング素子に信号を伝送する信号線と、を有し、前記共通電極は、平面視で前記信号線に重なる部分の一部の領域を除いて形成される。本発明態様のように、信号線に対応する部分には共通電極を設けないことにすれば、不要な容量を削減できる。
【００１７】
次に、本発明に係る液晶装置において、電圧印加時に前記画素電極と前記共通電極の間に電界を生じさせることが望ましい。この構成で発生させる電界は横斜め方向の電界である。横斜め電界とは、ＩＰＳモードにける横電界のような基板面に対して平行なだけの電界ではなく、液晶分子を斜めに傾けながら放物線状に横方向へ配向させるような電界のことである。この電界は、共通電極と画素電極との間の基板面に沿った距離が液晶層の厚さよりも小さい（距離がゼロの場合も含む）というＦＦＳモードの場合に得られる電界である。
【００１８】
次に、本発明に係る液晶装置において、第１基板の液晶挟持側の面に沿って互いに隣接する画素電極と共通電極との間の距離をＤ0とし、液晶層の層厚をＤ1とするとき、
Ｄ1＞Ｄ0
であることが望ましい。この構成は横斜め電界を形成し得る具体的な条件を規定するものである。
【００１９】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶装置を有することを特徴とする。このような電子機器としては、携帯電話機、ＰＤＡ、液晶ディスプレイ等が考えられる。本発明に係る液晶装置によれば、液晶装置において構成を複雑にすることなく開口率の高い明るい表示を実現できるので、本発明に係る電子機器においても、電子機器に関する各種の情報を明るく見易い状態で表示できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１の矢印Ｚ１で示す部分を拡大して示す断面図である。
【図３】図２の矢印Ａに従い素子基板上の１つのサブ画素及びその周辺の平面構造を示す平面図である。
【図４】本発明に係る液晶装置の他の実施形態を示す断面図である。
【図５】図４の矢印Ａに従い素子基板上の１つのサブ画素及びその周辺の平面構造を示す平面図である。
【図６】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態を示す平面図である。
【図７】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態を示す断面図である。
【図８】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図９】本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図である。
【図１０】従来の液晶装置の一例の要部を示す平面図である。
【図１１】図１０のＺ０−Ｚ０線に従った断面構造を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（液晶装置の第１実施形態）
以下、液晶装置の一例として、透過型でカラー表示が可能なアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。また、本実施形態では、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いた液晶装置に本発明を適用する。また、本実施形態における液晶装置では、動作モードとしてＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードを採用するものとする。なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、以下の説明で用いる図面では、特徴部分を分かり易く示すために、複数の構成要素の寸法を実際とは異なった比率で示す場合がある。
【００２２】
図１は、本発明に係る液晶装置の断面構造を示している。図２は、図１の矢印Ｚ１で示す部分、すなわち１つのサブ画素近傍を拡大して示している。図３は、図２の液晶パネルにおける図面下方の素子基板の平面構造を矢印Ａに従って示している。なお、図２は、図３のＺ２−Ｚ２線に従って示す断面図である。
【００２３】
図１において、液晶装置１は、液晶パネル２と照明装置３とを有する。この液晶装置１に関しては、矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。
【００２４】
液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板４及び５を有する。基板４はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板５はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。本実施形態では、観察側にカラーフィルタ基板５が配置され、観察側から見て背面に素子基板４が配置される。
【００２５】
シール材６は、素子基板４とカラーフィルタ基板５との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シール材６はその一部に液晶注入口（図示せず）を有し、この液晶注入口を介して素子基板４とカラーフィルタ基板５との間に電気光学物質である液晶が注入される。注入された液晶はセルギャップＧ内で液晶層７を形成する。液晶注入口は液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口を通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶を滴下する方法でもよい。本実施形態では、液晶として、負の誘電率異方性を有するネマティック液晶（いわゆる、ネガ液晶）を用いることにする。なお、負の誘電率異方性を有するネマティック液晶に代えて、正の誘電率異方性を有するネマティック液晶（いわゆる、ポジ液晶）を用いることもできる。
【００２６】
セルギャップＧの間隔、従って液晶層７の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板４又はカラーフィルタ基板５の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。
【００２７】
照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１１と、導光体１２とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１２は、例えば透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１１に対向する側面が光入射面１２ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１２ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１２の背面には、必要に応じて、光反射膜１３が設けられる。また、導光体１２の光出射面１２ｂには、必要に応じて、光拡散膜１４が設けられる。
【００２８】
素子基板４は、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成された第１の透光性の基板４ａを有する。この第１透光性基板４ａの外側表面には偏光板１５ａが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１５ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板４ａの内側表面には、矢印Ｚ１で示す部分の拡大図である図２及びその平面図である図３に示すように、ソース線１９が列方向Ｙ（すなわち、図２の左右方向）に延びている。また、ゲート線２０が行方向Ｘ（すなわち、図２の紙面垂直方向）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるＴＦＴ素子２１がソース線１９及びゲート線２０に接続して形成されている。
【００２９】
ＴＦＴ素子２１と同じ層内に画素電極２２が形成されている。画素電極２２はスリットを持たない長方形状で平板状の電極である。ＴＦＴ素子２１、画素電極２２、ソース線１９及びゲート線２０の上にそれらを覆う絶縁膜である保護膜２３が形成され、その上に共通電極２４が形成され、その上に配向膜２５ａが形成されている。共通電極２４は複数のサブ画素Ｄによって形成される表示領域の全体にわたって面状（いわゆる、ベタ状）に形成され、個々のサブ画素Ｄ内に複数の斜めのスリット（すなわち、貫通開口）２６を有している。スリット２６を形成する部分の共通電極２４は図２の紙面垂直方向に延びる帯状になっている。スリット２６の一端を外部へ開放する形状とすれば、複数の帯状の共通電極２４は矢印Ａ方向から見たときに櫛歯状の形状となる。
【００３０】
本実施形態では、スリット２６を形成している複数の帯状の共通電極２４の下方位置に面状の画素電極２２が設けられているので、帯状の共通電極２４と画素電極２２との間の基板平面に沿った（すなわち、Ｙ方向に沿った）距離をＤ0とすると、Ｄ0＝０（ゼロ）であり、液晶層７の層厚をＤ１とすれば、
Ｄ１＞Ｄ０  …（１）
である。
【００３１】
画素電極２２は必ずしも面状の電極でなければならないわけではなく、共通電極２４に設けたスリット２６と平行なスリットを設けることによって画素電極２２も図２の紙面垂
直方向に延びる帯状に形成することができる。このように画素電極２２を帯状の共通電極２４と平行に延びる帯状に形成した場合には、帯状の共通電極２４と帯状の画素電極２２との間の距離Ｄ０がゼロ以外の値をとる場合がある。この場合でも、上式（１）が成立すれば、共通電極２４と画素電極２２との間に所定の電圧を印加したときに、ＦＦＳモードを実現する横斜め電界Ｅを両電極間に形成することができる。因みに、Ｄ１＜Ｄ０が成立すれば、両電極間には横斜め電界Ｅではなく、横電界が形成され、ＩＰＳモードが実現される。
【００３２】
次に、保護膜２３は、例えば、透光性及び絶縁性を有する窒化膜（ＳｉＮ）を用いて形成される。保護膜２３は、また、二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ2）を用いて形成することもできる。配向膜２５ａは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成されている。配向膜２５ａには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板４の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００３３】
図１において、素子基板４側の画素電極２２は、矢印Ａ方向から平面的に見て素子基板４上に行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成されている。個々の画素電極２２は、図３に示すように、各ソース線１９と各ゲート線２０とが交差する位置の近傍に設けられていて、個々のＴＦＴ素子２１に接続されている。画素電極２２は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。
【００３４】
図２において、ＴＦＴ素子２１は、ボトムゲート構造及びシングルゲート構造のチャネルエッチ型のアモルファスシリコンＴＦＴである。このＴＦＴ素子２１は、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３１と、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を用いて形成された半導体膜３２と、リンをドープすることによって半導体膜３２の両端部に形成されたＮ+−Ｓｉ膜３３ａ，３３ｂと、ソース電極３４と、そしてドレイン電極端子３５とを有する。なお、ＴＦＴ素子２１はトップゲート構造とすることもできる。
【００３５】
ドレイン電極端子３５は接続用端子としての機能を有し、その一端がＮ+−Ｓｉ膜３３ｂを介して半導体膜３２に接続している。ドレイン電極端子３５の他端には画素電極２２の一部が積層されており、ドレイン電極端子３５と画素電極２２とが電気的に接続されている。また、ソース電極端子３４は、図３に示すように、ソース線１９から分岐して形成されている。ゲート電極２０は、ソース線１９に対して直角方向に延びるゲート線２０の一部であって、特にソース線１９から延びたソース電極端子３４と交差する部分のことである。
【００３６】
図２において保護膜２３上に設けられた共通電極２４は、例えばＩＴＯ等といった透光性を有する金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。この共通電極２４は、図１において保護膜２３の表面の全面、すなわち、素子基板４の表面のうちシール材６で囲まれた領域の全面に設けられている。一方、保護膜２３を挟んで設けられた複数の画素電極２２は、矢印Ａ方向から平面的に見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極２２と共通電極２４とは、矢印Ａ方向から見て複数のドット状の領域で重なっている。このように重なり合った領域が表示のためのサブ画素Ｄを形成している。そして、図１において、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又は正方形状の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００３７】
共通電極２４は、図３において鎖線で示すように、画素電極２２と平面的に重なる領域内（すなわち、サブ画素Ｄの領域内）に複数のスリット２６を有している。個々のスリット２６は、平面的に見て行方向Ｘに沿って右上がりに傾斜する略長方形状の溝であり、その溝が列方向Ｙに一定の間隔を空けて配置されている。従って、Ｚ２−Ｚ２線に従う断面である図２においては、スリット２６の部分と共通電極２４を構成する導電膜の部分とが列方向Ｙに沿って交互に並んで配置されている。なお、斜めスリット２６の配列構成は、図３に示す構成に限られない。例えば、図３に示す形状の個々のスリット２６の傾斜方向を、サブ画素Ｄの中心を境として上下方向（すなわち、列方向Ｙ）で対称に配置することもできる。つまり、サブ画素Ｄ内の上半分では右上がりの傾斜状態とし、下半分では右下がりの傾斜状態とすることができる。
【００３８】
次に、図１に戻って、素子基板４に対向するカラーフィルタ基板５は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板５ａを有する。この第２透光性基板５ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板５ａの外側表面には偏光板１５ｂが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１５ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００３９】
第２透光性基板５ａの内側表面には、図２にも示すように、カラーフィルタを構成する着色膜３６が形成され、その周囲に遮光膜３７が形成されている。個々の着色膜３６は矢印Ａ方向から見てサブ画素Ｄに対応する長方形又は正方形のドット状（すなわち、島状）に形成されている。また、着色膜３６は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。遮光膜３７はそれらの着色膜３６を囲む格子状に形成されている。
【００４０】
着色膜３６の個々はＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＲ，Ｇ，Ｂの着色膜３６が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。着色膜３６の光学的特性はＲ，Ｇ，Ｂの３色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３色を通過させる特性とすることもできる。また、４色以上によって１つの画素を構成することもできる。遮光膜３７は、異なる色の着色膜３６を重ねたり、あるいは所定の材料（例えば、Ｃｒ）によって形成される。
【００４１】
本実施形態のように、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色から成る着色膜３６を用いてカラー表示を行う場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する３つの着色膜３６に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。着色膜３６及び遮光膜３７の上にオーバーコート膜３８が形成され、その上に配向膜２５ｂが形成されている。オーバーコート膜３８は、カラーフィルタを保護する保護膜として機能する。配向膜２５ｂは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成される。
【００４２】
図１において、素子基板４側の配向膜２５ａ及びカラーフィルタ基板５側の配向膜２５ｂに施されるラビング方向は、本実施形態のように液晶層７を負の誘電率異方性を有するネマティック液晶を用いて形成した場合、図３における画面垂直方向（すなわち、Ｙ方向）である。なお、正の誘電率異方性を有するネマティック液晶を用いて液晶層７を形成する場合には、ラビング配向は図３における画面水平方向（すなわち、Ｘ方向）である。また、図１において素子基板４側の偏光板１５ａ及びカラーフィルタ基板５側の偏光板１５ｂの透過軸は互いに直角であり、それらのうちの１つは、配向膜２５ａ，２５ｂのラビング方向と平行である。
【００４３】
次に、図１において、素子基板４を構成する第１透光性基板４ａはカラーフィルタ基板５の外側へ張り出す張出し部４１を有している。この張出し部４１の表面には、配線４２がフォトエッチング処理等によって形成されている。配線４２は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向に沿って互いに間隔を空けて並べられている。また、張出し部４１の辺端には複数の外部接続用端子４３が紙面垂直方向に沿って互いに間隔を空けて並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４３が設けられた張出し部４１の辺端に、例えば、ＦＰＣ基板（図示せず）が接続される。
【００４４】
複数の配線４２は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成されている。これらの配線４２の一部は、素子基板４上のソース線１９（図２参照）に直接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線４２の他の一部は、シール材６によって囲まれた領域内で素子基板４の側辺に沿ってＹ方向に延びるように形成され、さらに折れ曲って行方向Ｘに延びるパターンとして形成されている。このパターンの配線４２は、素子基板４上のゲート線２０（図２参照）に直接に繋がって走査線として機能する。
【００４５】
張出し部４１の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）４４を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ４５が実装されている。駆動用ＩＣ４５は、ソース線１９へデータ信号を伝送し、ゲート線２０へ走査信号を伝送する。駆動用ＩＣ４５は１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩＣチップで形成しても良い。駆動用ＩＣ４５を複数のＩＣチップによって構成する場合には、それらのＩＣチップは張出し部４１上で図１の紙面垂直方向に並べて実装される。また、駆動用ＩＣ４５を基板４上に実装するのではなく、液晶パネル２とは別体の回路基板上に実装し、ＦＰＣ基板を介して液晶パネル２と駆動用ＩＣ４５とを接続しても良い。
【００４６】
以上のように構成された液晶装置１によれば、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。この場合、図１の照明装置３のＬＥＤ１１が点灯し、それからの光が導光体１２の光入射面１２ａから導光体１２へ導入され、さらに、光出射面１２ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図２に符号Ｌ１で示すようにサブ画素Ｄ内を通って液晶層７へ供給される。
【００４７】
以上のように液晶層７へ光が供給される間、素子基板４上の画素電極２２と共通電極２４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、液晶層７内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御される。具体的には、図２において、画素電極２２と共通電極２４とが保護膜２３を挟んで積層されることにより、両電極間の基板面に沿った（すなわちＹ方向に沿った）距離Ｄ0がゼロであるので、液晶層の層厚Ｄ1との関係でＤ1＞Ｄ0であり、両電極間に所定の電圧が印加されると、スリット２６の近傍で両電極間に横斜め電界Ｅが発生する。この横斜め電界Ｅは、液晶層７の厚さ方向（すなわちＺ方向）と横方向Ｙの両方向にわたって斜めに進む電界、換言すれば放物線状の電界である。この横斜め電界Ｅによって、液晶層７内の液晶分子の配向が基板水平面内で制御される。
【００４８】
この結果、液晶層７に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板５の偏光板１５ｂ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１５ｂの偏光特性によりサブ画素Ｄごとに通過を規制され、素子基板４の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００４９】
ところで、従来のＦＦＳモードの液晶装置においては、図１０に示すように、共通電極２０６はサブ画素Ｄごとに別々に設けられ、それらの共通電極２０６を接続する共通信号線２０５が設けられていた。この共通信号線２０５は、低抵抗であることが必要であることから透光性を有しない金属材料を用いて形成されていた。そのため、表示の開口率を高くすることが難しかった。また、画素電極２０４と共通電極２０６から成るＦＦＳ構造は、ゲート線２０１とデータ線２０２に囲まれた平面領域内に配置されるが、共通信号線２０５に重なる部分は表示に寄与する領域として利用できないので、液晶装置の開口率を高くすることが難しかった。
【００５０】
これに対し、本実施形態に係る液晶装置では、図２に示すように、ＴＦＴ素子２１のドレイン電極端子３５と画素電極２２とを同一層内に設け、これらのＴＦＴ素子２１及び画素電極２２に保護膜２３を挟んで共通電極２４を積層する構成とした。これにより、共通電極２４は保護膜２３によって画素電極２２及びＴＦＴ素子２１と電気的に絶縁されているので、表示領域Ｖ（図１参照）の全域に面状（いわゆるベタ状）に形成できる。その結果、サブ画素ごとに共通電極を設ける従来の液晶装置のように複数の共通電極を導電接続する共通信号線を設ける必要がなくなる。これにより、表示に寄与できる領域を広くすることができるので、液晶装置１の表示の開口率を高くすることができる。
【００５１】
また、ＴＦＴ素子２１と画素電極２２を同一層内に形成し、ドレイン電極端子３５と画素電極２２とを直接に接触させることにしたので、画素電極２２とドレイン電極端子３５とを導通させるためのコンタクトホールを形成する必要がなく、従来装置においてコンタクトホールからの光漏れに起因して発生していた表示品質の低下を解消できる。
【００５２】
（液晶装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置の他の実施形態を図４に基づいて説明する。本実施形態に係る液晶装置の外観形状は、概ね、図１と同じである。図４は本実施形態に係る液晶装置の主要部を示しており、図１のＺ３−Ｚ３線に従った断面構造を示している。また、図５は、図４に示す液晶パネル内の下側の基板である素子基板の平面構造を矢印Ａに従って示している。なお、図４は、図５のＺ４−Ｚ４線に従って示す断面図である。
【００５３】
既述の第１実施形態では、図２に示したように、ＴＦＴ素子２１及び画素電極２２を覆う保護膜２３の表面の全域に共通電極２４が形成されている。そして共通電極２４のうちの画素電極２２に平面的に重なる領域であるサブ画素Ｄの領域内に複数のスリット２６を形成している。すなわち、保護膜２３の表面のうち、スリット２６が設けられた部分以外には共通電極２４が形成されている。
【００５４】
これに対し、本実施形態では、図５に示すように、スリット２６の他に、信号線としてのソース線１９に平面的に重なる部分に共通電極２４を形成しない領域を設けている。以下、本実施形態を図２及び図３に示した実施形態と異なる点を中心に説明する。なお、本実施形態において、第１実施形態と同じ構成要素は同じ符号を付すことにして、その説明は省略する。
【００５５】
本実施形態において、図４の共通電極２４以外の液晶パネル２の構成要素は、図２及び図３で示した第１実施形態の場合と同じとすることができる。図４において、共通電極２４に開口５１が設けられている。この開口５１は、矢印Ａ方向から平面的に見てソース線１９に重なる位置に設けられている。個々の開口５１は、図５において平面的に示すように、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域内であって、列方向Ｙ（すなわち、図５の上下方向）に延びるソース線１９に重なる領域に形成されている。
【００５６】
この開口５１は、共通電極２４をその膜厚方向（すなわち、図５の紙面垂直方向）に貫通して形成されている。つまり、この開口５１は、共通電極２４を構成するＩＴＯの膜が設けられていない領域である。開口５１は、共通電極２４をパターニングする際、スリット２６を形成するのと同時に形成することができる。例えば、フォトエッチング処理によって、開口５１に対応する領域の共通電極２４を除去することによって形成できる。
【００５７】
なお、開口５１は、共通電極２４のうちソース線１９に平面的に重なる部分の一部に設けられている。具体的には、行方向Ｘにおいて互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域に、サブ画素Ｄの列方向Ｙの長さと同じ長さに形成されている。従って、開口５１は、列方向Ｙにおいて互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域（すなわち、ゲート線２０及びＴＦＴ素子２１が設けられた領域）Ｒには形成されていない。このように領域Ｒにおいて開口５１を設けない（すなわち、共通電極２４を設ける）ことにより、共通電極２４の全域における電気的な導通を確保できる。
【００５８】
以上のように、ソース線１９に平面的に重なる部分の共通電極２４に開口５１を設けることにより、共通電極２４とソース線１９との間の電気容量が大きくなることを防止でき、液晶装置の消費電力が増えることを防止できる。なお、図５では開口５１の幅をソース線１９と同じ幅に設定したが、画像表示の上で必要であるのは開口５１を通して画素電極２２が見えてしまうほど開口５１の幅を広くしてはならないということであり、その条件が満足できれば開口５１の幅に制限はないということである。容量削減用の開口５１の幅は、画素電極２２に対向して共通電極２４内に設ける表示用スリット２６の形状や容量等の設計上の要請に従って自由に設計できる。例えば、図６に示すように、開口５１の幅を、その側辺が平面視で画素電極２２の長辺に接触するまで広げても良い。
【００５９】
さらに、図５及び図６に示す実施形態ではソース線１９に対応して共通電極２４内に開口５１を設けたが、開口５１はゲート線２０に対向する部分に設けることもできる。また、開口５１はＴＦＴ素子２１に対向する部分に設けることもできる。このようにソース線１９に対応する部分以外にも、ゲート線２０やＴＦＴ素子２１に対応する部分に開口５１を設けることにより、液晶装置の消費電力をより下げることができる。また、これらの場合においても、開口５１と画素電極２２が平面視で重ならない程度に開口５１の幅を広くすれば、液晶装置の消費電力をより下げることができる。但し、これらいずれの場合においても、表示領域Ｖ（図１参照）内の全域にわたっての共通電極２４の導通が切れない程度に開口５１を設けなければならないことはもちろんのことである。
【００６０】
（液晶装置の第３実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態を図７に基づいて説明する。本実施形態においても、液晶装置の外観形状は、概ね、図１と同じである。図７は、本発明に係る液晶装置の主要部を示しており、図１の矢印Ｚ１で示す部分、すなわち１つのサブ画素近傍を拡大して示している。
【００６１】
既述の第１実施形態では、図２に示したように、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子２１をスイッチング素子として用いた。このＴＦＴ素子２１は、いわゆるボトムゲート型の素子である。これに対し、本実施形態では、図７において、トップゲート型のポリシリコンＴＦＴ素子６１を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用するものである。本発明においてもＦＦＳモードの動作モードを採用するものとする。
【００６２】
なお、ポリシリコンＴＦＴ素子は、ＴＦＴ素子の形成工程における温度条件の違いに応じて、低温ポリシリコンＴＦＴ素子と高温ポリシリコンＴＦＴ素子とに大別できる。本実施形態では、特に、低温ポリシリコンＴＦＴ素子を用いた場合を例示する。高温ポリシリコンＴＦＴ素子の場合、ＴＦＴ素子の形成を高温雰囲気下で行うため、基板として高温に耐え得る石英ガラス基板が用いられる。これに対し、低温ポリシリコンＴＦＴ素子は、高温ポリシリコンに比べて低い温度で形成できるので、アモルファスシリコンＴＦＴ素子と同様に、通常のガラス又はプラスチックから成る基板を用いることができる。
【００６３】
以下、本実施形態を図２及び図３に示した実施形態と異なる点を中心に説明する。なお、本実施形態において、第１実施形態と同じ構成要素は同じ符号を付すことにして、その説明は省略する。本実施形態において、図７のＴＦＴ素子６１以外の液晶装置１の構成要素は、図２及び図３で示した第１実施形態の場合と同じとすることができる。
【００６４】
図７において、素子基板４を構成する第１透光性基板４ａの表面には、低温ポリシリコンＴＦＴ素子６１が形成されている。このＴＦＴ素子６１は、チャネル領域の両側にソース領域Ａsとドレイン領域Ａdとを有するポリシリコン半導体層６２と、ゲート絶縁膜６３と、ゲート電極６４と、ソース電極端子６５と、ドレイン電極端子６６とを有する。ソース電極端子６５は図７の紙面垂直方向に延びるソース電極線の一部分であり、ドレイン電極端子６６は図７の紙面垂直方向に延びるドレイン電極線の一部分である。以下の説明では、ソース電極線もソース電極端子と同様に符号６５を用いて示すことがあり、ドレイン電極線もドレイン電極端子と同様に符号６６を用いて示すことがある。
【００６５】
ソース電極端子６５及びドレイン電極端子６６は絶縁膜６７によってゲート電極６４から絶縁されている。また、絶縁膜６７の表面には画素電極２２が形成されている。そして、ソース電極端子６５、ドレイン電極端子６６及び画素電極２２の上に保護膜２３が設けられ、その上に共通電極２４が設けられ、その上に配向膜２５ａが設けられている。
【００６６】
ドレイン電極端子６６は接続用端子としての機能を有し、その一端がポリシリコン半導体層６２のドレイン領域Ａdに接続されている。ドレイン電極端子６６の他端には画素電極２２の一部が積層されており、こうしてドレイン電極端子６６と画素電極２２とが電気的に接続されている。
【００６７】
本実施形態においても、共通電極２４は、画素電極２２と平面的に重なる領域内（すなわち、サブ画素Ｄの領域内）に複数のスリット２６を有している。このスリット２６の形状は、図３に示す第１実施形態の場合と同じである。すなわち、図３において鎖線で示すように、個々のスリット２６は、平面的に見て行方向Ｘに沿って右上がりに傾く略長方形状の溝であり、その溝が列方向Ｙに一定の間隔を空けて配置されている。従って、図７においては、スリット２６の部分と共通電極２４を構成する導電膜の部分とが列方向Ｙに交互に並んで配置されている。
【００６８】
本実施形態の液晶装置では、画素電極２２と共通電極２４とが保護膜２３を挟んで積層され、両電極間のＹ方向に沿った距離がゼロとなっているので、スリット２６において両電極間に横斜め電界Ｅが発生する。この横斜め電界Ｅによって、液晶層７の液晶分子の配向が基板水平面内で制御される。
【００６９】
本実施形態に係る液晶装置においても、ＴＦＴ素子６１のドレイン電極端子６６と画素電極２２とを同一層内に設け、これらのＴＦＴ素子６１及び画素電極２２に保護膜２３を挟んで共通電極２４を積層する構成を採用した。これにより、共通電極２４は保護膜２３によって画素電極２２及びＴＦＴ素子６１から電気的に絶縁されているので、表示領域Ｖ（図１参照）の全域にベタ状に形成できる。その結果、図１０に示した従来の構成において複数の共通電極２０６間を導電接続するために用いた共通信号線２０５を本実施形態の液晶装置では設ける必要がなくなり、表示に寄与できる領域を広くすることができ、そのため、液晶装置の表示の開口率を高くすることができる。これにより、明るい画像表示を行うことが可能となった。
【００７０】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記の各実施形態では、ＦＦＳモードの液晶装置に本発明を適用したが、本発明はＩＰＳモードの液晶装置にも適用できる。ここで、ＩＰＳモードは、画素電極と共通電極との間に横斜め電界でなく横電界を形成するタイプの動作モードである。横電界は、液晶層の層厚方向な電界がほとんどなく基板面に平行な電界だけによって形成される電界である。この横電界は、画素電極と共通電極との間の基板平面に沿った距離を液晶層の層厚よりも十分に大きくとることによって形成できる。
【００７１】
上記の各実施形態では、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ素子を用いる液晶装置に本発明を適用したが、本発明は、スイッチング素子として２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いる液晶装置にも適用できる。
【００７２】
（電子機器の第１実施形態）
以下、本発明に係る電子機器の実施形態を説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【００７３】
図８は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有する。制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ１０８によって構成される。そして、液晶装置１０１は液晶パネル１０３及び駆動回路１０４を有する。
【００７４】
表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する。
【００７５】
次に、表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆動回路１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【００７６】
液晶装置１０１は、例えば、図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装置１に関しては、図２において、ＴＦＴ素子２１のドレイン電極端子３５と画素電極２２とを同一層内に設け、これらＴＦＴ素子２１及び画素電極２２に保護膜２３を挟んで共通電極２４を積層する構成を採用したことにより、共通電極２４を基板４ａ上の全域にわたって面状に（いわゆるベタ状に）形成できる。その結果、従来の液晶装置において複数の共通電極間を導電接続するために必要とされていた共通信号線を設ける必要がないので、表示に寄与できる領域を広くすることができ、液晶装置１の表示の開口率を高くすることができる。また、ＴＦＴ素子２１と画素電極２２とが同一層内に形成され、ドレイン電極端子３５と画素電極２２とが直接に接続されるので、従来の液晶装置において画素電極２２とドレイン電極端子３５との導通をとるために用いられていたコンタクトホールが不要となった。その結果、コンタクトホールからの光漏れに起因する表示品質の低下を防止できる。従って、この液晶装置を用いた本実施形態の電子機器においても、表示品質が高く且つ開口率が高くて明るい表示を行うことができる。
【００７７】
（電子機器の第２実施形態）
図９は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、この本体部１１１に対して開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。本体部１１１には操作ボタン１１５及び送話部１１６が設けられる。表示体部１１２には表示装置１１３及び受話部１１７が設けられる。電話通信に関する各種表示は、表示装置１１３の表示画面１１４に表示される。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。
【００７８】
表示装置１１３は、例えば、図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装置１に関しては、図２において、ＴＦＴ素子２１のドレイン電極端子３５と画素電極２２とを同一層内に設け、これらのＴＦＴ素子２１及び画素電極２２に保護膜２３を挟んで共通電極２４を積層する構成を採用したことにより、共通電極２４を基板４ａ上の全域にわたって面状に（いわゆるベタ状に）形成できる。その結果、従来の液晶装置において複数の共通電極間を導電接続するために必要とされていた共通信号線を設ける必要がなくなり、表示に寄与できる領域を広くすることができ、液晶装置１の表示の開口率を高くすることができる。また、ＴＦＴ素子２１と画素電極２２とが同一層内に形成され、ドレイン電極端子３５と画素電極２２とが直接に接続されるので、従来の液晶装置において画素電極２２とドレイン電極端子３５との導通をとるために用いられていたコンタクトホールが不要となった。その結果、コンタクトホールからの光漏れに起因する表示品質の低下を防止できる。従って、この液晶装置を用いた本実施形態の携帯電話機においても、表示品質が高く且つ開口率が高くて明るい表示を行うことができる。
【００７９】
なお、本発明を適用可能な電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００８０】
１．液晶装置、  ２．液晶パネル、  ３．照明装置、  ４．素子基板（第１基板）、  ４ａ．第１透光性基板、  ５．カラーフィルタ基板（第２基板）、５ａ．第２透光性基板、  ６．シール材、  ７．液晶層、  １１．ＬＥＤ、  １２．導光体、  １３．光反射膜、  １４．光拡散膜、  １５ａ，１５ｂ．偏光板、  １９．ソース線、  ２０，６４．ゲート線（ゲート電極）、  ２１，６１．ＴＦＴ素子（スイッチング素子）、  ２２．画素電極、  ２３．保護膜、  ２４．共通電極、  ２５ａ，２５ｂ．配向膜、  ２６．スリット、  ３１，６３．ゲート絶縁膜、  ３２．半導体膜、  ３３ａ，３３ｂ．Ｎ+−Ｓｉ膜、  ３４．ソース電極端子、  ３５．ドレイン電極端子、  ３６．着色膜、  ３７．遮光膜、３８．オーバーコート膜、  ４１．張出し部、  ４２．配線、  ４３．外部接続用端子、４４．ＡＣＦ、  ４５．駆動用ＩＣ、  ５１．開口、  ６２．ポリシリコン半導体層、  ６５．ソース電極端子、  ６６．ドレイン電極端子、  ６７．絶縁膜、  １０１．液晶装置、  １０２．制御回路、  １０３．液晶パネル、  １０４．駆動回路、  １１０．携帯電話機（電子機器）、  Ｄ．サブ画素、  Ｅ．電界、  Ｇ．セルギャップ、  Ｌ１．光、  Ｖ．表示領域
【図１】
2011237836.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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