(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高い信頼性を実現する。【解決手段】電気光学装置は、画素電極（９ａ）と、画素電極に対応して設けられたトランジスター（３０）と、トランジスターと電気的に接続されたデータ線（６ａ）と、画素電極及びトランジスター間に設けられ、第１電極（７２）及び第２電極（７１）が容量絶縁膜（７５）を介して対向配置されることで形成される蓄積容量（７０）と、第１電極と同一層に設けられた第１付加容量電極（４０１）と、第１電極及び第２電極とは異なる層に設けられた第２付加容量電極（４０２）とが、付加容量絶縁膜（４２）を介して対向配置されることで形成され、データ線と電気的に接続された付加容量（４００）とを備える。【選択図】図８
2011237776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、
前記画素電極に対応して設けられたトランジスターと、
前記トランジスターと電気的に接続されたデータ線と、
前記画素電極及び前記トランジスター間に設けられ、第１電極及び第２電極が容量絶縁膜を介して対向配置されることで形成される蓄積容量と、
前記第１電極と同一層に設けられた第１付加容量電極と、前記第１電極及び前記第２電極とは異なる層に設けられた第２付加容量電極とが、付加容量絶縁膜を介して対向配置されることで形成され、前記データ線と電気的に接続された付加容量と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１電極及び前記第２電極は、同時にパターニングされることで、互いに同じ領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２付加容量電極と同一層に設けられた第３電極を備え、
前記第１電極及び前記第３電極は、他の容量絶縁膜を介して対向配置されている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記１電極は、前記画素電極及び前記トランジスターに電気的に接続されており、
前記第２電極及び前記第３電極は、定電位を供給する定電位配線に電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記１電極は、定電位を供給する定電位配線に電気的に接続されており、
前記第２電極及び前記第３電極は、前記画素電極及び前記トランジスターに電気 
的に接続されている
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１付加容量電極は、前記第２電極と同一層に設けられた電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
複数の前記データ線からなるデータ線ブロック毎に前記画像信号を供給する画像信号供給手段を備え、
前記データ線ブロックの端に位置するデータ線と電気的に接続された前記付加容量は、前記データ線ブロックの他のデータ線と電気的に接続された前記付加容量よりも小さい
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
画素電極と、
前記画素電極に対応して設けられたトランジスターと、
前記トランジスターと電気的に接続されたデータ線と、
前記画素電極及び前記トランジスター間に設けられ、第１電極と、前記第１電極及び前記トランジスターの間に設けられた第２電極とが、容量絶縁膜を介して対向配置されることで形成される蓄積容量と、
前記第１電極と同一層に設けられた第１付加容量電極と、前記第１電極及び前記第２電極とは異なる層に設けられた第２付加容量電極とが、付加容量絶縁膜を介して対向配置されることで形成され、前記データ線と電気的に接続された付加容量と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置として、例えばサンプリング回路におけるサンプリングスイッチのオンオフを切替えることで、データ線に画像信号を供給するものがある。このような装置においては、例えばサンプリングスイッチのドレイン側のデータ線の画像信号電位が本来より低くなってしまう現象（所謂、プッシュダウン）や、逆に高くなってしまう現象（所謂、プッシュアップ）が生じ得るため、周辺領域に延在するデータ線の一部に付加容量を設けるという技術が提案されている（例えば、特許文献１及び２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１２５８８７号公報
【特許文献２】特開２００８−８９４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
データ線に設けられる付加容量は、例えば画素部に設けられる保持容量と比べると、静電気等の比較的高い電圧が印加されてしまい易い。しかしながら、上述した特許文献１及び２には、付加容量の耐圧性能を高めることについて何ら記載されておらず、仮に意図しない高電圧が付加容量に印加されてしまうと、表示上の不具合、更には装置の故障を招くおそれがある。即ち、上述した技術には、装置の十分な信頼性が得られないという技術的問題点がある。
【０００５】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、高い信頼性を実現することが可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、画素電極と、前記画素電極に対応して設けられたトランジスターと、前記トランジスターと電気的に接続されたデータ線と、前記画素電極及び前記トランジスター間に設けられ、第１電極及び第２電極が容量絶縁膜を介して対向配置されることで形成される蓄積容量と、前記第１電極と同一層に設けられた第１付加容量電極と、前記第１電極及び前記第２電極とは異なる層に設けられた第２付加容量電極とが、付加容量絶縁膜を介して対向配置されることで形成され、前記データ線と電気的に接続された付加容量とを備える。
【０００７】
本発明の電気光学装置は、例えば、画素電極及び該画素電極に電気的に接続された画素スイッチング用ＴＦＴ等であるトランジスターが設けられた素子基板と、画素電極に対向する対向電極が設けられた対向基板との間に、液晶等の電気光学物質が挟持されてなる。当該電気光学装置の動作時には、画像信号が画素電極へ選択的に供給されることで、複数の画素電極が配列された画素領域（或いは画像表示領域）における画像表示が行われる。尚、画像信号は、データ線及び画素電極間に電気的に接続されたトランジスターがオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線から画素電極に供給される。
【０００８】
本発明では、画素電極及びトランジスター間に蓄積容量が設けられている。蓄積容量は、第１電極及び第２電極が容量絶縁膜を介して対向配置されることで形成される。より具体的には、第１電極及び第２電極の一方の電極は、画像信号が供給されることで画素電位側容量電極として機能し、他方の電極は、対向電極に供給される共通電位等の定電位が供給されることで固定電位側容量電極として機能する。この蓄積容量によれば、画素電極の電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカーの低減が実現できる。
【０００９】
本発明では更に、例えば表示領域の周辺に位置する周辺領域において、データ線に付加容量が設けられている。この付加容量によれば、例えばデータ線が保有すべき電位の変動を抑制することが可能となる。従って、データ線の電位変動に起因する表示ムラの発生を防止でき、表示品質を向上させることができる。
【００１０】
ここで本発明では特に、上述した付加容量は、表示領域において蓄積容量を形成する第１電極と同一層に設けられた第１付加容量電極と、第１電極及び第２電極とは異なる層に設けられた第２付加容量電極とが、付加容量絶縁膜を介して対向配置されることで形成されている。即ち、付加容量を形成する一方の電極は、蓄積容量を形成する電極と同一層として設けられており、他方の電極は、蓄積容量を形成する電極とは異なる層として設けられている。尚、ここでの「同一層」とは、同一の成膜工程によって形成される層を意味している。
【００１１】
上述した構成によれば、付加容量を形成する第１付加容量電極及び第２付加容量電極が互いに別層として設けられるため、付加容量の耐圧性能を高めることができる。具体的には、第１付加容量電極及び第２付加容量電極を互いに別層として設けることで、対向する２つの電極の端面が互いに揃わないように形成することができる。よって、電界集中を防止することができ、耐圧性能が高められる。
【００１２】
付加容量は、例えば表示領域に設けられた蓄積容量と比べると、静電気等の比較的高い電圧が印加されてしまい易い。よって、付加容量の耐圧性能を高めることで、極めて効果的に装置の信頼性を高めることができる。
【００１３】
更に、第１付加容量電極は、蓄積容量を形成する第１電極と同一層に設けられているため、例えば第１付加容量電極及び第２付加容量電極を共に、蓄積容量を形成する第１電極及び第２電極とは異なる層として設ける場合と比べて、装置構成及び製造工程の高度複雑化や、製造コストの増大を防止することができる。
【００１４】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、好適に付加容量の耐圧性能を高めることができる。従って、信頼性の高い装置を実現することが可能である。
【００１５】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記第１電極及び前記第２電極は、同時にパターニングされることで、互いに同じ領域に形成されている。
【００１６】
この態様によれば、蓄積容量を形成する第１電極及び第２電極は、夫々を構成する２つの膜が形成された後に同時にパターニングされることで、互いに同じ領域に形成される。尚、ここでの「同時」とは、第１電極及び第２電極が完全に同時にパターニングされることを意味するものではなく、第１電極及び第２電極が、同一の工程によってパターニングされることを意味している。第１電極及び第２電極は、例えば積層するように成膜された後にまとめてエッチングされる。
【００１７】
第１電極及び第２電極が互いに同じ領域に形成されることで、効率よく蓄積容量を形成することが可能となる。即ち、比較的小さいスペースで高い容量値を実現できる。また仮に、第１容量電極及び第２付加容量電極が、それぞれ第１電極及び第２電極と同一層として設けられていたとすると、第１付加容量電極及び第２付加容量電極も互いに同じ領域に形成されることとなり、付加容量における耐圧性能が著しく低下してしまうそれがある。しかしながら、第２付加容量電極は、第１電極及び第２電極とは異なる層として設けられている。従って、付加容量における耐圧性能の低下を防止することができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２付加容量電極と同一層に設けられた第３電極を備え、前記第１電極及び前記第３電極は、他の容量絶縁膜を介して対向配置されている。
【００１９】
この態様によれば、第１電極及び第３電極で蓄積容量を形成することができる。よって蓄積容量は、第１電極及び第２電極間と、第１電極及び第３電極間との２箇所において形成される。従って、単位面積当たりの容量値を高くすることが可能である。
【００２０】
上述した第３電極を備える態様では、前記第１電極は、前記画素電極及び前記トランジスターに電気的に接続されており、前記第２電極及び前記第３電極は、定電位を供給する定電位配線に電気的に接続されているように構成してもよい。
【００２１】
この場合、第１電極は、例えば画素電極やトランジスターと画素電極の電気的接続を中継する中継層と、コンタクトホールを介して電気的に接続される。よって、第１電極は、画素電極と同電位とされる。一方、第２電極及び第３電極は、例えば容量線とコンタクトホールによって電気的に接続され、対向電極に供給される共通電位等の定電位が供給される。
【００２２】
上述した構成によれば、第１電極及び第２電極間と、第１電極及び第３電極間において確実に蓄積容量を形成でき、それらの蓄積容量が並列に接続された構成となる。従って、比較的少ない面積で高密度な蓄積容量を形成することができる。
【００２３】
或いは第３電極を備える態様では、前記１電極は、定電位を供給する定電位配線に電気的に接続されており、前記第２電極及び前記第３電極は、前記画素電極及び前記トランジスターに電気的に接続されているように構成してもよい。
【００２４】
この場合、第１電極は、例えば容量線とコンタクトホールによって電気的に接続され、対向電極に供給される共通電位等の定電位が供給される。一方、第２電極及び第３電極は、例えば画素電極やトランジスターと画素電極の電気的接続を中継する中継層と、コンタクトホールを介して電気的に接続される。よって、第２電極及び第３電極は、画素電極と同電位とされる。
【００２５】
上述した構成によれば、第１電極及び第２電極間と、第１電極及び第３電極間において確実に蓄積容量を形成でき、それらの蓄積容量が並列に接続された構成となる。従って、比較的少ない面積で高密度な蓄積容量を形成することができる。
【００２６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１付加容量電極は、前記第２電極と同一層に設けられた電極と電気的に接続されている。
【００２７】
この態様によれば、第１電極と同一層に設けられた第１付加容量電極が、第２電極と同一層に設けられた電極と電気的に接続されるため、第１付加容量電極に対して安定的に電位を供給することができる。また、比較的耐圧性能が低いと考えられる電極間を予め電気的に接続しておくことにより、意図しない短絡等に起因する装置の不具合を防止することが可能である。
【００２８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、複数の前記データ線からなるデータ線ブロック毎に前記画像信号を供給する画像信号供給手段を備え、前記データ線ブロックの端に位置するデータ線と電気的に接続された前記付加容量は、前記データ線ブロックの他のデータ線と電気的に接続された前記付加容量よりも小さい。
【００２９】
この態様によれば、画像信号は、複数のデータ線からなるデータ線ブロック毎にまとめて供給される。このような場合、各データ線ブロックの端に位置するデータ線は、隣り合うデータ線に他のデータ線ブロックのデータ線が含まれるため、同じデータ線ブロックにおける他のデータ線とは発生する寄生容量が異なる。
【００３０】
具体的には、データ線ブロックの端に位置するデータ線に書き込みが行われる場合、隣り合うデータ線（即ち、他のデータ線ブロックのデータ線）は保持又は書き込みが完了した状態となっている。このため、寄生容量は比較的大きくなる。他方で、データ線ブロックの端に位置しないデータ線に書き込みが行われる場合には、隣り合うデータ線も同様に書き込みが行われている状態である。このため、寄生容量は比較的小さくなる。従って、仮に何らの対策も施さなければ、データ線ブロック内の各データ線には寄生容量のばらつきが生じてしまう。
【００３１】
しかるに本態様では、データ線ブロックの端に位置するデータ線と電気的に接続された付加容量は、データ線ブロックの他のデータ線と電気的に接続された付加容量よりも小さくされている。即ち、寄生容量が比較的大きくなってしまうデータ線の付加容量を小さく設定することで、寄生容量及び付加容量を合計した容量値のばらつきを低減することができる。従って、容量値のばらつきに起因する系列スジ等の表示上の不具合を効果的に防止することが可能である。
【００３２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、画素電極と、前記画素電極に対応して設けられたトランジスターと、前記トランジスターと電気的に接続されたデータ線と、前記画素電極及び前記トランジスター間に設けられ、第１電極と、前記第１電極及び前記トランジスターの間に設けられた第２電極とが、容量絶縁膜を介して対向配置されることで形成される蓄積容量と、前記第１電極と同一層に設けられた第１付加容量電極と、前記第１電極及び前記第２電極とは異なる層に設けられた第２付加容量電極とが、付加容量絶縁膜を介して対向配置されることで形成され、前記データ線と電気的に接続された付加容量とを備える。
【００３３】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。
【００３４】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、信頼性の高い投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。
【００３５】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】第１実施形態に係る電気光学装置のＴＦＴ周辺における導電層の配置を透過的に示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’線断面図である。
【図６】図４のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図７】第１実施形態に係る電気光学装置の付加容量を構成する各層を透過的に示す平面図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ’線断面図である。
【図９】比較例に係る電気光学装置の付加容量を構成する各層を透過的に示す平面図である。
【図１０】図９のＤ−Ｄ’線断面図である。
【図１１】第２実施形態に係る電気光学装置のＴＦＴ周辺における導電層の配置を透過的に示す平面図である。
【図１２】図１１のＥ−Ｅ’線断面図である。
【図１３】図１１のＦ−Ｆ’線断面図である。
【図１４】第２実施形態に係る電気光学装置の付加容量を構成する各層を透過的に示す平面図である。
【図１５】図１４のＧ−Ｇ’線断面図である。
【図１６】第３実施形態に係る電気光学装置のＴＦＴ周辺における導電層の配置を透過的に示す平面図ある。
【図１７】図１６のＩ−Ｉ’線断面図である。
【図１８】図１６のＪ−Ｊ’線断面図である。
【図１９】第４実施形態に係る電気光学装置の構成を示す平面図である。
【図２０】第４実施形態に係る電気光学装置における付加容量の構成を示す概念図である。
【図２１】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００３８】
＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置について図１から図２０を参照して説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例として駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を挙げて説明する。
【００３９】
＜第１実施形態＞
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００４０】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００４１】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により、相互に接着されている。
【００４２】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００４３】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４４】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４５】
ＴＦＴアレイ基板１０上における対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域には、両基板間を上下導通材で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００４７】
画素電極９ａは、対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００４８】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクター用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００４９】
遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。また遮光膜２３上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルターが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００５０】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、上述したデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５１】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５２】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５３】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５４】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００５５】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の具体的な構成については、後に詳述する。
【００５６】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４から図６を参照して説明する。ここに図４は、第１実施形態に係る電気光学装置のＴＦＴ周辺における導電層の配置を透過的に示す平面図ある。また図５は、図４のＡ−Ａ’線断面図であり、図６は、図４のＢ−Ｂ’線断面図である。尚、図４から図６では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また図４では、説明の便宜上、半導体層より下層側及びデータ線より上層側の各層について図示を省略している。
【００５７】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、ゲート電極３ｂとを含んで構成されている。
【００５８】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。
【００５９】
データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ’を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。
【００６０】
データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。
【００６１】
尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６２】
ゲート電極３ｂは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、部分的に半導体層１ａのチャネル領域１ａ’と対向するように形成されている。ゲート電極３ｂ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２によって絶縁されている。また、ゲート電極３ｂと同層には、第１中継層９１が形成されている。
【００６３】
図５及び図６において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも下地絶縁膜１２を介して下層側には、走査線１１が設けられている。走査線１１は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。走査線１１は、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などである、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光から、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその周辺を遮光する下側遮光膜としても機能する。
【００６４】
図６において、走査線１１は、コンタクトホール８２ａ及び８２ｂを介してゲート電極３ｂと電気的に接続されている。これにより、ゲート電極３ｂには、走査線１１によって伝達されるゲート信号が供給される。
【００６５】
下地絶縁膜１２は、走査線１１からＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００６６】
図５及び図６において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも第１層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、下部容量電極７１と上部容量電極７２が誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。尚、ここでの下部容量電極７１は、本発明の「第２容量電極」の一例であり、上部容量電極７２は、本発明の「第１容量電極」の一例であり、誘電体膜７５は、本発明の「容量絶縁膜」の一例である。
【００６７】
上部容量電極７２は、後述する容量線３００を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極７２は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。尚、上部容量電極７２は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。この場合には、上部容量電極７２の内臓遮光膜としての機能を高めることができる。
【００６８】
下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、コンタクトホール８４を介して第１中継層９１に電気的に接続されている。第１中継層９１は、コンタクトホール８５を介して第２中継層９２に電気的に接続されている。第２中継層９２は、コンタクトホール８６を介して第３中継層９３に電気的に接続されている。第３中継層９３は、コンタクトホール８７を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、第１中継層９１、第２中継層９２及び第３中継層９３と共に、画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。尚、下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極７１とＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。
【００６９】
誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、或いは窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００７０】
上述した上部容量電極７２及び下部容量電極７１、並びに誘電体膜７５は、例えば同一のマスクを用いてパターニングされることで同じ領域に形成されている。このように形成された蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカーの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００７１】
図５及び図６において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも第２層間絶縁膜４２を介して上層側には、容量中継層２００が設けられている。容量中継層２００は、第２層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール２５０を介して、上部容量電極７２と電気的に接続されており、容量線３００を介して供給される電位を上部容量電極７２に供給可能に構成されている。具体的には、図６に示すように、容量線３００は、コンタクトホール８８を介して第４中継層９４と電気的に接続されている。また第４中継層９４は、コンタクトホール８９を介して遮光膜２００と電気的に接続されている。容量線３００からは、固定電位として、例えば対向共通電位（即ち、対向電極２０（図２参照）に供給される電位）が供給される。
【００７２】
図５及び図６において、ＴＦＴアレイ基板１０上の遮光膜２００よりも第３層間絶縁膜４３を介して上層側には、データ線６ａ、第２中継層９２及び第４中継層９４が設けられている。
【００７３】
データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００７４】
第２中継層９２及び第４中継層９４は、第３層間絶縁膜４３上においてデータ線６ａと同層に形成されている。データ線６ａ、第２中継層９２及び第４中継層９４は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を、第３層間絶縁膜４３上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。このように、データ線６ａ、第２中継層９２及び第４中継層９４を同一工程で形成すれば、装置の製造 プロセスを簡便にできる。
【００７５】
図５及び図６において、ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａよりも第４層間絶縁膜４４を介して上層側には、容量線３００及び第３中継層９３が設けられている。
【００７６】
容量線３００は、例えばアルミニウム等の金属を含んで構成されており、上述したように、上部容量電極７２に対して固定電位を供給する。一方で、容量線３００と同層に形成された第３中継層９３は、半導体層１ａにおける画素電極側ソースドレイン領域１ｅと画素電極９ａとの電気的導通を中継している。
【００７７】
図５及び図６において、画素電極９ａは、容量線３００よりも第５層間絶縁膜４５を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、第３中継層９３，第２中継層９２，第１中継層、及び下部容量電極７１を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。画素電極９ａと第３中継層９３とを電気的に接続するコンタクトホール８７は、第５層間絶縁層４５を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。
【００７８】
上述した画素部の構成は各画素部に共通であり、画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。
【００７９】
次に、上述した画素部の周辺に位置する周辺領域において、データ線と電気的に接続されるように設けられる付加容量について、図７から図１０を参照して説明する。ここに図７は、第１実施形態に係る電気光学装置の付加容量を構成する各層を透過的に示す平面図であり、図８は、図７のＣ−Ｃ’線断面図である。また図９は、比較例に係る電気光学装置の付加容量を構成する各層を透過的に示す平面図であり、図１０は、図９のＤ−Ｄ’線断面図である。尚、図７から図１０では、図５や図６において示した各層のうち付加容量に関連の深い層のみを示し、その他の層については適宜図示を省略している。
【００８０】
図７及び図８において、周辺領域における付加容量が形成される箇所周辺では、データ線６ａと同一層に、容量中継層６ｂ及び検査回路連絡配線６ｃが設けられている。
【００８１】
データ線６ａは、その端部において、コンタクトホール５０１を介して中継層４０５に電気的に接続されている。また、コンタクトホール５０２を介して第１付加容量電極４０１に電気的に接続されている。
【００８２】
第１付加容量電極４０１は、画素部における上部容量電極７２と同一層に設けられている。第３付加容量電極４０３は、画素部における下部容量電極７１と同一層に設けられており、容量絶縁膜７５を介して、第１付加容量電極４０１と対向配置されている。但し、第１付加容量電極４０１及び第３付加容量電極４０３は、コンタクトホール５０５を介して電気的に接続されている。また第３付加容量電極４０３は、コンタクトホール５０３を介して中継層４０５に電気的に接続されている。このため、第１付加容量電極４０１及び第３付加容量電極４０３間には、容量は形成されない。
【００８３】
容量中継層６ｂは、容量線から定電位が供給される層であり、コンタクトホール５０４を介して第２付加容量電極４０２と電気的に接続されている。このため、第２付加容量電極４０２は定電位とされる。第２付加容量電極４０２は、画素部における容量中継層２００（図５又は図６参照）と同一層に設けられている。
【００８４】
検査回路連絡配線６ｃは、コンタクトホール５０６を介して中継層４０５と電気的に接続されている。検査回路連絡配線６ｃは、図に示す端部とは反対の端部が検査回路に電気的に接続されている。これにより、データ線６ａに対して検査用の電位を供給することが可能となる。
【００８５】
本実施形態では、第１付加容量電極４０１及び第２付加容量電極４０２間で付加容量４００が形成されている。この付加容量４００によれば、例えばデータ線６ａが保有すべき電位の変動（例えば、プッシュダウンやプッシュアップ）を抑制することが可能となる。従って、データ線６ａの電位変動に起因する表示ムラの発生を防止でき、表示品質を向上させることができる。
【００８６】
ここで本実施形態では特に、付加容量４００を形成する第１付加容量電極４０１は、画素部における上部容量電極７２と同一層に設けられており、第２付加容量電極４０２は、容量中継層２００と同一層に設けられている。即ち、付加容量４００を形成する一方の電極は、蓄積容量７０を形成する電極と同一層として設けられており、他方の電極は、蓄積容量７０を形成する電極とは異なる層として設けられている。
【００８７】
上述した構成によれば、付加容量４００を形成する第１付加容量電極４０１及び第２付加容量電極４０２が互いに別層として設けられるため、付加容量の耐圧性能を高めることができる。より具体的には、図を見ても分かるように、第１付加容量電極４０１及び第２付加容量電極４０２の端面が互いに揃わないように形成することができる。よって、電界集中を防止することができ、付加容量４００の耐圧性能が高められる。
【００８８】
図９及び図１０において、付加容量４００が蓄積容量７０を形成する層と同一の２層（即ち、上部容量電極７２と同一層の第１付加容量電極４０１及び下部容量電極７１と同一層の第３付加容量電極４０３）の間で形成されている場合を考える。この場合、第１付加容量電極４０１及び第３付加容量電極４０３は、上部容量電極７２及び下部容量電極７１と同様に端面が互いに揃っている。従って、電界集中が生じ易く、付加容量４００の耐圧性能は著しく低いものとなってしまう。
【００８９】
これに対し本実施形態では、上述したように、付加容量４００が互いに端面の揃わない第１付加容量電極４０１及び第２付加容量電極４０２によって形成されている。従って、高い耐圧性能を実現することができる。付加容量４００は、例えば画像表示領域１０ａに設けられた蓄積容量７０と比べると、静電気等の比較的高い電圧が印加されてしまい易い。よって、付加容量４００の耐圧性能を高めることで、極めて効果的に装置の信頼性を高めることができる。
【００９０】
更に、第１付加容量電極４０１は、蓄積容量７０を形成する上部容量電極７２と同一層に設けられているため、例えば第１付加容量電極４０１及び第２付加容量電極４０２を共に、蓄積容量７０を形成する電極とは異なる層として設ける場合と比べて、装置構成及び製造工程の高度複雑化や、製造コストの増大を防止することができる。
【００９１】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、好適に付加容量４００の耐圧性能を高めることができる。従って、信頼性の高い装置を実現することが可能である。
【００９２】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る電気光学装置について、図１１から図１５を参照して説明する。尚、第２実施形態は、上述の第１実施形態と比べて、積層構造の一部が異なり、その他の構成及び動作については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００９３】
先ず、第２実施形態に係る電気光学装置の画素部の構成について、図１１から図１３を参照して説明する。ここに図１１は、第２実施形態に係る電気光学装置のＴＦＴ周辺における導電層の配置を透過的に示す平面図ある。また図１２は、図１１のＥ−Ｅ’線断面図であり、図１３は、図１１のＦ−Ｆ’線断面図である。尚、図１１から図１３では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また図１１では、説明の便宜上、半導体層より下層側及びデータ線より上層側の各層について図示を省略している。
【００９４】
図１１から図１３において、第２実施形態に係る電気光学装置では、蓄積容量７０が２箇所において形成されている。具体的には、第１実施形態と同様の上部容量電極７２及び下部容量電極７１間に加えて、上部容量電極７２及び並列容量電極２０１間において蓄積容量７０が形成されている。これら２つの蓄積容量７０は並列に接続された構造となる。
【００９５】
図１２において、上部容量電極７２は、コンタクトホール８３を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。またコンタクトホール８５を介して第２中継層９２と電気的に接続されている。よって、上部容量電極７２は、画素電位側容量電極として機能する。
【００９６】
図１３において、下部容量電極７１は、コンタクトホール８９ａを介して第４中継層９４と電気的に接続されている。また並列容量電極２０１は、コンタクトホール８９ｂを介して第４中継層と電気的に接続されている。よって、下部容量電極７１及び並列容量電極２０１は、それぞれ固定電位側容量電極として機能する。
【００９７】
上述した構成によれば、第１実施形態と比べて、上部容量電極７２及び並列容量電極２０１間において容量を形成できる分だけ、蓄積容量７０の容量値を高めることができる。また、上部容量電極７２及び並列容量電極２０１間に形成される容量は、上部容量電極７２及び下部容量電極７１間に形成される容量と平面的に重なる領域において形成される。従って、単位面積当たりの容量値を高くすることが可能である。
【００９８】
次に、第２実施形態に係る付加容量４００の構成について、図１４及び図１５を参照して説明する。ここに図１４は、第２実施形態に係る電気光学装置の付加容量を構成する各層を透過的に示す平面図であり、図１５は、図１４のＧ−Ｇ’線断面図である。尚、図１４及び図１５では、図５や図６において示した各層のうち付加容量に関連の深い層のみを示し、その他の層については適宜図示を省略している。
【００９９】
図１４及び図１５に示したように、第２実施形態に係る電気光学装置では、第１付加容量電極４０１及び第２付加容量電極４０２間に付加容量４００ａが形成される。第１付加容量電極４０１及び第２付加容量電極４０２は、同一のマスクを用いてパターニングするものではなく、端面を揃わないように形成できるので、耐圧性能を高くすることができる。
【０１００】
以上説明したように、第２実施形態に係る電気光学装置によれば、好適に付加容量４００の耐圧性能を高めると共に、付加容量４００の容量値を増大させることができる。従って、より信頼性の高い装置を実現することが可能である。
【０１０１】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る電気光学装置について、図１６から図１８を参照して説明する。尚、第３実施形態は、上述の第１及び第２実施形態と比べて、積層構造の一部が異なり、その他の構成及び動作については概ね同様である。このため第３実施形態では、第１及び第２実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１０２】
先ず、第３実施形態に係る電気光学装置の画素部の構成について、図１６から図１８を参照して説明する。ここに図１６は、第３実施形態に係る電気光学装置のＴＦＴ周辺における導電層の配置を透過的に示す平面図ある。また図１７は、図１６のＩ−Ｉ’線断面図であり、図１８は、図１６のＪ−Ｊ’線断面図である。尚、図１６から図１８では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また図１６では、説明の便宜上、半導体層より下層側及びデータ線より上層側の各層について図示を省略している。
【０１０３】
図１６から図１８において、第３実施形態に係る電気光学装置では、蓄積容量７０が２箇所において形成されている。具体的には、第２実施形態と同様に、上部容量電極７２及び下部容量電極７１間に加えて、上部容量電極７２及び並列容量電極２０２間において蓄積容量７０が形成されている。これら２つの蓄積容量７０は並列に接続された構造となる。
【０１０４】
図１７において、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。また並列容量電極２０２は、コンタクトホール２６０を介して第２中継層９２と電気的に接続されている。よって、下部容量電極７１及び並列容量電極２０２は、それぞれ画素電位側容量電極として機能する。
【０１０５】
図１８において、上部容量電極７２は、コンタクトホール８９を介して第４中継層９４と電気的に接続されている。よって、上部容量電極７２は、画素電位側容量電極として機能する。
【０１０６】
上述した構成によれば、第２実施形態と同様に、上部容量電極７２及び並列容量電極２０２間において容量を形成できる分だけ、蓄積容量７０の容量値を高めることができる。また、上部容量電極７２及び並列容量電極２０２間に形成される容量は、上部容量電極７２及び下部容量電極７１間に形成される容量と平面的に重なる領域において形成される。従って、単位面積当たりの容量値を高くすることが可能である。
【０１０７】
第３実施形態に電気光学装置の付加容量４００は、既出の図７及び図８に示すような構成とされる。即ち、第１実施形態に係る電気光学装置と同様の構成とされる。従って、付加容量４００は、互いに端面の揃わない第１付加容量電極４０１及び第２付加容量電極４０２によって形成され、高い耐圧性能が実現される。
【０１０８】
以上説明したように、第３実施形態に係る電気光学装置によれば、蓄積容量の容量値を高めつつ、好適に付加容量４００の耐圧性能を高めることができる。従って、信頼性の高い装置を実現することが可能である。
【０１０９】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態に係る電気光学装置について、図１９と図２０を参照して説明する。尚、第４実施形態は、上述の第１から第３実施形態と比べて、一部の動作方法と付加容量の構成が異なり、その他の構成及び動作については概ね同様である。このため第４実施形態では、第１から第３実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１１０】
先ず、第４実施形態に係る電気光学装置の動作を実現するための画素部の構成について、図１９を参照して説明する。ここに図１９は、第４実施形態に係る電気光学装置の構成を示す平面図である。
【０１１１】
図１９において、第４実施形態に係る電気光学装置は、画像表示領域１０ａの周辺に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７が配置されて構成されている。
【０１１２】
画像表示領域１０ａは、画素電極９ａやＴＦＴ３０、蓄積容量７０等を含む画素部６００が配列される領域であり、本実施形態では、１０８８行の走査線１１が横方向（即ち、Ｘ方向）に設けられており、１９８４列のデータ線６ａが縦方向（即ち、Ｙ方向）に設けられている。そして、これらの走査線１１とデータ線６ａとの交差の各々に対応するように画素部６００が夫々設けられている。
【０１１３】
走査線駆動回路１０４は、シフトレジスターーを有しており、１、２、３、・・・、１０８８行目の走査線１１に、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、・・・、Ｇ１０８８を供給する。詳細には、走査線駆動回路１０４は、１フレームの期間にわたって１、２、３、・・・、１０８８行目の走査線１１を順番に選択するとともに、選択した走査線への走査信号を選択電圧に相当するＨレベルとし、それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧に相当するＬレベルとする。
【０１１４】
データ線駆動回路１０１は、シフトレジスター７００と、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４を夫々供給するイネーブル信号供給線５１０と、複数のＡＮＤ回路５２０と、信号ＮＲＧを供給するＮＲＧ供給線５３０と、複数のＯＲ回路５４０とを備えて構成されている。
【０１１５】
シフトレジスター７００から出力された信号は、先ずＡＮＤ回路５２０において、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４との論理積が求められ、結果として論理積信号が後段のＯＲ回路５４０へと出力される。ＯＲ回路５４０では、論理積信号と信号ＮＲＧとの論理和が求められ、結果として論理和信号がサンプリング回路７へと出力される。
【０１１６】
サンプリング回路７は、図示しない画像信号出力回路から出力された画像信号を供給する複数の画像信号線８００と、トランジスター７１とを備えて構成されて 
いる。
【０１１７】
画像信号線８００は、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２に対応して、１２本設けられている。即ち本実施形態では、画像信号が１２系列にシリアル−パラレル変換されている。このようなシリアル−パラレル変換は、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けられる回路によって行われてもよいし、外部（例えば、電気光学装置に接続されるフレキシブル基板上）に設けられた回路において行われてもよい。
【０１１８】
トランジスター７１は、例えばｎチャネル型の薄膜トランジスター（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）であり、１〜１９８４列のデータ線６ａの各々に対して設けられている。トランジスター７１は、データ線駆動回路１０１から供給される信号によって夫々制御され、サンプリングスイッチとして機能する。
【０１１９】
ここで本実施形態では特に、サンプリング回路７において画像信号がサンプリングされることで、１２本のデータ線６ａからなるデータ線ブロック毎に時系列で供給される。即ち、画像信号は１２本のデータ線６ａに対して同時にまとめて供給される。
【０１２０】
次に、第４実施形態に係る電気光学装置における付加容量の構成及びその効果について、図２０を参照して説明する。ここに図２０は、第４実施形態に係る電気光学装置における付加容量の構成を示す概念図である。
【０１２１】
図２０において、互いに隣り合う３つのデータ線ブロックを考えると、データ線ブロックの両端に位置するデータ線６ａ（即ち、１本目と１２本目のデータ線）に書き込みが行われる際には、隣り合うデータ線（即ち、他のデータ線ブロックのデータ線）は保持又は書き込みが完了した状態となっている。このため、寄生容量は比較的大きくなる。
【０１２２】
他方で、データ線ブロックの端に位置しないデータ線（即ち、２本目から１１本目のデータ線）に書き込みが行われる際には、隣り合うデータ線も同様に書き込みが行われている状態である。このため、寄生容量は比較的小さくなる。従って、仮に何らの対策も施さなければ、データ線ブロック内の各データ線には寄生容量のばらつきが生じてしまう。
【０１２３】
しかるに本態様では、図に示すように、データ線ブロックの端に位置するデータ線と電気的に接続された付加容量４００は、データ線ブロックの他のデータ線と電気的に接続された付加容量４００よりも小さくされている。即ち、寄生容量が比較的大きくなってしまうデータ線６ａの付加容量を小さく設定することで、寄生容量及び付加容量４００を合計した容量値のばらつきを低減することができる。従って、容量値のばらつきに起因する系列スジ等の表示上の不具合を効果的に防止することができる。
【０１２４】
以上説明したように、第４実施形態に係る電気光学装置によれば、付加容量４００の容量値を調整することによって、高品質な画像表示を実現することが可能である。
【０１２５】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図２１は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。
【０１２６】
図２１に示されるように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１２７】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１２８】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１２９】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。
【０１３０】
尚、図２１を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピューターや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１３１】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１３２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１３３】
半導体層１ａ、ゲート電極３ｂ、６ａ…データ線、７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１…走査線、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７１…下部容量電極、７２…上部容量電極、７５…誘電体膜、１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回路、２００…容量中継層、２０１，２０２…並列容量電極、３００…容量線、４００…付加容量、４０１…第１付加容量電極、４０２…第２付加容量電極、４０３…第３付加容量電極、６００…画素部、７００…シフトレジスター、８００…画像信号線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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