(57)【要約】【課題】シャワーヘッド電極に加えて、低コストでメンテナンスが容易な原料ガスの供給機構を用いることにより、基板への膜の均一性を向上させることが可能なプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤによる成膜方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、真空容器２内に原料ガスを供給して、プラズマＣＶＤ成膜法により基板１の表面に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、真空容器２内には、原料ガスを供給するためのシャワーヘッド電極９が配設されているとともに、シャワーヘッド電極９に対して側面方向から原料ガスを供給するためのガス供給機構１４がさらに配設されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内に原料ガスを供給して、プラズマＣＶＤ成膜法により基板の表面に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、前記真空容器内には、原料ガスを供給するためのシャワーヘッド電極が配設されているとともに、前記シャワーヘッド電極に対して側面方向から原料ガスを供給するためのガス供給機構がさらに配設されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記シャワーヘッド電極からの原料ガスの供給動作と、前記ガス供給機構からの原料ガスの供給動作を同時に制御し、あるいは各々独立に制御する制御手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記シャワーヘッド電極からの原料ガスの供給量と、前記ガス供給機構からの原料ガスの供給量を同一に制御し、あるいは異なる供給量で各々独立に制御する制御手段を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記ガス供給機構は、前記シャワーヘッド電極の周囲に先端が配置され、成膜領域に対してガス供給用の開口部が設けられた複数のガス供給管を備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記複数のガス供給管のガス流量を同一に制御し、あるいは各々独立に制御する制御手段を備えていることを特徴とする請求項４に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記ガス供給機構のガス供給管の先端部には、原料ガスを拡散させる拡散部が設けられていることを特徴とする請求項４または５に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置を用い、長尺の基板に対して、ステップ搬送成膜を行い、あるいは連続搬送成膜を行うことを特徴とするプラズマＣＶＤによる成膜方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置を用い、長尺の基板に対して、ステップ搬送成膜を行い、あるいは連続搬送成膜を行うことにより、薄膜太陽電池を製造することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤによる成膜方法に係り、特に絶縁性の長尺基板、好ましくはプラスチックフィルム基板の表面に薄膜太陽電池を成膜する際に用いられるプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤ（化学気相成長）による成膜方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
薄膜太陽電池は、薄型で軽量、かつ製造コストが安価であり、大面積化が容易であることなどから、太陽光を利用して電力を発生させる太陽電池の主流となると考えられ、電力供給用以外に、建物の屋根や窓などに取付けて利用される業務用、一般住宅用にも需要が広がって来ている。  
このような薄膜太陽電池、特に薄膜Ｓｉ系太陽電池は、ＳｉＨ４ガスなどを主原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ成膜法によって製造されることが多い。この方法としては、各成膜室内を連続的に移動する基板上に連続的に層を成膜するロールツーロール方式と、各成膜室内で同時に停止させた基板上に成膜し、その後、成膜が終了した基板部分を次の成膜室へ送り出すステッピングロール方式とがある。
【０００３】
図３は、共通真空室内に複数の成膜室を有し、鉛直にして搬送される基板の一面上に薄膜を形成するようにしたステッピングロール成膜方式の成膜装置を示す概略構成図である。図４は図３における成膜室の詳細を示す概略構成図であり、（Ａ）は基板搬送時、（Ｂ）は成膜時を示している。
図３に示す成膜装置は、長尺の可撓性基板（プラスチックフィルム基板）５１を巻いた巻出しロール５２が収容される巻出し室５３と、可撓性基板５１を巻取る巻取りロール５４が収容される巻取り室５５と、これら巻出し室５３と巻取り室５５との間で可撓性基板５１の搬送方向に沿って配置され、可撓性基板５１に金属電極層、光電変換層及び透明電極層などの薄膜を形成するために設けられた複数個の独立した処理空間としての成膜室５６とを備えている。
このような成膜装置において、可撓性基板５１は、巻出し室５３内の巻出しロール５２から巻出され、巻取り室５５の巻取りロール５４に巻き取られる間に、複数の成膜室５６で成膜されるように構成されている。
【０００４】
各成膜室５６内には、図４に示すように、プラズマＣＶＤ成膜法で可撓性基板５１に薄膜を形成するために、高電圧の高周波を印加するシャワーヘッド電極としての平行平板のカソード電極（高周波電極）５７とアノード電極（接地電極）５８とが互いに間隔を置いて対向して配置されている。カソード電極５７には、高周波電源５９及びガス供給管６０が接続されており、ガス供給管６０に導入された原料ガスが、シャワーヘッド電極として多数のガス流通孔を有するカソード電極５７の表面から成膜室５６内の可撓性基板５１へシャワー状に供給されるようになっている。アノード電極（接地電極）５８には、可撓性基板５１を加熱するためのヒータ５８ａが内蔵されている。
成膜室５６は、断続的に搬送されて来る可撓性基板５１の上下に対向して配置され、ボックス形状を形成する上部壁体６１と下部壁体６２とを備えている。そして、成膜時には、図４（Ｂ）に示すように、上部壁体６１が下降し、アノード電極５８が搬入された可撓性基板５１を押さえ、下部壁体６２の開口側端部のシール部材６３に接触する。これにより、下部壁体６２と可撓性基板５１とから、排気管６４に連通する気密に密閉された成膜空間６５が形成される。この状態で、カソード電極５７へ高周波電圧を印加することにより、プラズマを成膜空間６５に発生させ、ガス供給管６０に導入された原料ガスを分解して可撓性基板５１の表面に薄膜が形成され、成膜が行われることになる。
【０００５】
ところで、シャワーヘッド電極を平行平板のカソード電極として用いたプラズマＣＶＤ成膜法によって、薄膜Ｓｉ系太陽電池を量産する場合、生産性を高めるためには成膜速度の高速化が重要となる。一方、このようなプラズマＣＶＤ成膜法では、成膜速度を高速化するほど、膜厚分布が一定でなくなり、薄膜の特性などが損なわれ、膜の均一性が低下しやすいという問題を有している。
【０００６】
そのため、従来において、膜の均一性低下を改善し、薄膜の品質を維持する観点から、被処理物の処理面に対してシャワー状に原料ガスを吹き出すガス吹き出し方法、及び当該処理面に対して平行に真空容器室（成膜室）の側面からリング状にガスを吹き出すガス吹き出し方法の２つのガス吹き出し方法を併用したプラズマ処理装置が提供されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−２０３６９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
プラズマＣＶＤ成膜法の課題の一つとして、被処理基板以外にも膜や粉が形成され、それらが成膜中に剥離して基板に付着するなどして、歩留まりが低下することが挙げられる。このため、プラズマＣＶＤ装置においては、一定量の成膜を行った後に、成膜室内部のクリーニング作業を中心としたメンテナンスを行う必要がある。これは、従来技術に共通した課題である。
【０００９】
そして、シャワーヘッド電極のクリーニングに関しては、同一形状の予備品と交換することが多く行われている。この場合、上述した特許文献１のような形状では、パーツ自体の機械加工費が高くなるため、コスト高を招来するという問題がある。
また、取り外し後の予備品であるシャワーヘッド電極を再使用する場合は、酸洗浄などの化学的手法によるクリーニングを行うことが多く、これにより、シャワーヘッド電極の表面に付着した不要な膜などを十分に洗浄することにより除去している。しかしながら、特に薄膜Ｓｉを化学エッチングする場合は、フッ化水素酸などを使用するために、クリーニング作業に危険が伴うという問題を有している。しかも、多くの作業時間が必要となり、大規模な洗浄設備を要するので、生産コストも増大するおそれがある。
【００１０】
また、サンドブラスト処理等の機械的手法でシャワーヘッド電極のクリーニングを行う場合、上述した特許文献１のようなリング形状のガス供給機構は、サンドブラスト処理でシャワーヘッド電極が圧損にて変形してしまうと、元の円形状への形状補正などが困難であり、作業性に問題を有している。
さらに、上述した特許文献１のようなリング形状のガス供給機構では、その配置構成から、円形ウェハー状の基板以外に対して、均一にガスを供給するのは困難である。
【００１１】
本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであって、その目的は、シャワーヘッド電極に加えて、低コストでメンテナンスが容易な原料ガスの供給機構を用いることにより、基板への膜の均一性を向上させることが可能なプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤによる成膜方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、真空容器内に原料ガスを供給して、プラズマＣＶＤ成膜法により基板の表面に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、前記真空容器内には、原料ガスを供給するためのシャワーヘッド電極が配設されているとともに、前記シャワーヘッド電極に対して側面方向から原料ガスを供給するためのガス供給機構がさらに配設されている。
【００１３】
また、本発明において、前記シャワーヘッド電極からの原料ガスの供給動作と、前記ガス供給機構からの原料ガスの供給動作を同時に制御し、あるいは各々独立に制御する制御手段を備えている。
さらに、本発明において、前記シャワーヘッド電極からの原料ガスの供給量と、前記ガス供給機構からの原料ガスの供給量を同一に制御し、あるいは異なる供給量で各々独立に制御する制御手段を備えている。
【００１４】
そして、本発明において、前記ガス供給機構は、前記シャワーヘッド電極の周囲に先端が配置され、成膜領域に対してガス供給用の開口部が設けられた複数のガス供給管を備えている。
また、本発明において、前記複数のガス供給管のガス流量を同一に制御し、あるいは各々独立に制御する制御手段を備えている。
さらに、本発明において、前記ガス供給機構のガス供給管の先端部には、原料ガスを拡散させる拡散部が設けられている。
【００１５】
一方、本発明は、上記したプラズマＣＶＤ装置を用い、長尺の基板に対して、ステップ搬送成膜を行い、あるいは連続搬送成膜を行っている。
また、本発明は、上記したプラズマＣＶＤ装置を用い、長尺の基板に対して、ステップ搬送成膜を行い、あるいは連続搬送成膜を行うことにより、薄膜太陽電池を製造している。
【発明の効果】
【００１６】
上述の如く、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、真空容器内に原料ガスを供給して、プラズマＣＶＤ成膜法により基板の表面に薄膜を形成するものであって、前記真空容器内には、原料ガスを供給するためのシャワーヘッド電極が配設されているとともに、前記シャワーヘッド電極に対して側面方向から原料ガスを供給するためのガス供給機構がさらに配設されているので、従来技術と比較して、低コストでかつメンテナンスが容易になるとともに、基板の表面に形成される膜の均一性の向上を図ることができる。
【００１７】
また、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、前記シャワーヘッド電極からの原料ガスの供給動作と、前記ガス供給機構からの原料ガスの供給動作を同時に制御し、あるいは各々独立に制御する制御手段を備えているので、成膜時期や搬送形態などに応じて原料ガスの供給方向や供給量を適宜選択することができる。
さらに、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、前記シャワーヘッド電極からの原料ガスの供給量と、前記ガス供給機構からの原料ガスの供給量を同一に制御し、あるいは異なる供給量で各々独立に制御する制御手段を備えているので、上記発明と同様の効果を得ることができる。
【００１８】
また、本発明のプラズマＣＶＤ装置では、前記ガス供給機構が、前記シャワーヘッド電極の周囲に先端が配置され、成膜領域に対してガス供給用の開口部が設けられた複数のガス供給管を備え、さらに前記複数のガス供給管のガス流量を同一に制御し、あるいは各々独立に制御する制御手段を備えているので、成膜時期や搬送形態などに応じて原料ガスの供給方向や供給量を適宜選択することができる。
【００１９】
しかも、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、前記ガス供給機構のガス供給管の先端部に、原料ガスを拡散させる拡散部が設けられているので、原料ガスを効果的に分散させて供給することができるとともに、短時間に必要な流量を増大させることができる。
【００２０】
一方、本発明のプラズマＣＶＤによる成膜方法は、上記したプラズマＣＶＤ装置を用い、長尺の基板に対して、ステップ搬送成膜を行い、あるいは連続搬送成膜を行っているので、成膜時期や正逆の搬送形態などによって原料ガスの供給方向や供給量を適宜制御でき、優れた生産効率で高品質の薄膜を長尺の基板に成膜することができる。
また、本発明は、記したプラズマＣＶＤ装置を用い、長尺の基板に対して、ステップ搬送成膜を行い、あるいは連続搬送成膜を行うことにより、薄膜太陽電池を製造しているので、成膜時期や搬送形態などによって原料ガスの供給方向や供給量を適宜制御でき、優れた生産効率で高品質の薄膜太陽電池を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面模式図である。
【図２】本発明の実施形態におけるシャワーヘッド電極とガス供給管の先端との配置関係を示す概略平面図である。
【図３】従来のステッピングロール方式の一般的な薄膜装置の一例を示す概略構成図である。
【図４】図３に示す一般的な薄膜装置の成膜室の詳細を示すものであって、（Ａ）は基板搬送時、（Ｂ）は成膜時を示している。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤによる成膜方法について、図面を参照しながら、その実施形態に基づき詳細に説明する。
【００２３】
図１は本発明の実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置の断面模式図、図２は本発明の実施形態におけるシャワーヘッド電極とガス供給管の先端との配置関係を示す概略平面図である。
本発明の実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置は、図１に示すように、ステッピングロール方式で長尺の基板１をステップ搬送し、プラズマＣＶＤ法によって静止した状態で基板１の表面に薄膜を成膜するように構成されている。すなわち、本発明の実施形態のプラズマＣＶＤ装置は、真空容器２内の一端側から他端側へ向かって順に、巻出し室３、成膜室４、及び巻取り室５が形成されており、巻出し室３の巻出しロール（コア）６から巻出された長尺の基板１は、ガイドロール７を介して成膜室４に入り、該成膜室４で表面への成膜が行われた後、ガイドロール７を介して巻取り室５の巻取りロール（コア）８に巻取られるように構成されている。
【００２４】
そのため、成膜室４内には、高電圧の高周波を印加する平行平板のカソード電極（高周波電極）としてのシャワーヘッド電極９と、搬送された基板１を加熱するためのヒータを内蔵したアノード電極（接地電極）１０とが互いに間隔を置いて対向して配置されており、成膜時には、アノード電極１０が基板１を押さえ、成膜空間を形成した状態で、シャワーヘッド電極９へ高周波電圧を印加することによりプラズマを発生させ、供給された原料ガス（例えば、シランなどのシリコン化合物ガス、あるいはシランなどのシリコン化合物ガスと水素ガス等からなる混合ガス）を分解して基板１の表面に薄膜が形成され、成膜が行われるようになっている。
【００２５】
本発明の実施形態のシャワーヘッド電極９は、原料ガスが導かれるガス分散空間形成部と、該ガス分散空間形成部の原料ガスを表面側のガス流通孔からシャワー状に流出させるシャワーヘッド部とを備えており、ガス分散空間形成部の一方側には、原料ガスを導くガス供給管１１が設けられている。このガス供給管１１の基端は流量調整弁１２を介してガス供給源１３に接続されている。なお、シャワーヘッド電極９は、図３に示す従来例と同様、図示しない高周波電源に接続されている。
【００２６】
本発明の実施形態における真空容器２内の成膜室４には、図１及び図２に示すように、シャワーヘッド電極９に対して側面方向からシャワーヘッド電極９の中央部側に向かって原料ガスを供給するためのガス供給機構１４が、シャワーヘッド電極９とは別個のガス供給装置としてさらに配設されている。このため、ガス供給機構１４は、シャワーヘッド電極９の周囲で基板１の搬送方向上に先端が対向配置され、成膜領域に対してガス供給用の開口部２４ａ，２４ｂが形成された複数本（本実施形態では２本）のステンレス鋼製（金属製以外の樹脂製でも良い）のガス供給管１４ａ，１４ｂを備えており、これらガス供給管１４ａ，１４ｂは、原料ガスを流出させる先端の開口部２４ａ，２４ｂが互いに向き合う方向にほぼ直角に折り曲げられている。しかも、ガス供給管１４ａ，１４ｂの先端部には、原料ガスを広い範囲わたって拡散させる拡散部が設けられており、この拡散部は、ノズルや拡散板などによって形成されている。
一方、ガス供給管１４ａ，１４ｂの基端は、流量調整弁１５ａ，１５ｂを介してガス供給源１３にそれぞれ接続されている。
【００２７】
流量調整弁１２，１５ａ，１５ｂは、図１に示すように、ガス供給管１１，１４ａ，１４ｂとガス供給源１３とを連通する管路の途中に配設され、それぞれが制御手段１６と電気的に接続されている。この制御手段１６は、流量調整弁１２，１５ａ，１５ｂの開閉動作や弁開度などを制御するために設けられている。
すなわち、本実施形態の制御手段１６は、シャワーヘッド電極９からの原料ガスの供給動作と、ガス供給機構１４のガス供給管１４ａ，１４ｂからの原料ガスの供給動作を同時に制御し、あるいは各々独立に制御することが可能に構成されている。また、制御手段１６は、シャワーヘッド電極９からの原料ガスの供給量と、ガス供給機構１４のガス供給管１４ａ，１４ｂからの原料ガスの供給量を同一に制御し、あるいは異なる供給量で各々別個独立に制御することが可能に構成されている。さらに、制御手段１６は、ガス供給機構１４を構成する２本のガス供給管１４ａ，１４ｂからのガス流量を同一に制御し、あるいは各々別個独立に制御することが可能に構成されている。
【００２８】
次に、本発明の実施形態のプラズマＣＶＤ装置を用いて、長尺の基板１に対して成膜を行うには、巻出し室３の巻出しロール６により長尺の基板１を真空容器２内の成膜室４に連続搬送し、高周波電極のシャワーヘッド電極９と接地電極１０との間に配置するとともに、接地電極１０内のヒータによって基板１を加熱する。そして、ガス供給源１３からシャワーヘッド電極９及びガス供給機構１４に原料ガスを送給し、基板１に向けて放出するとともに、シャワーヘッド電極９に高周波電圧を印加することにより、シャワーヘッド電極９と基板１との間の放電空間にプラズマを発生させる。すると、放出された原料ガスはプラズマ中で分解された後、基板１の表面に水素化Ｓｉ膜が形成される。なお、薄膜太陽電池の製造方法も、同様の手順で行えば、所望の薄膜太陽電池が得られることになる。
その際、制御手段１６がシャワーヘッド電極９及びガス供給管１４ａ，１４ｂの流量調整弁１２，１５ａ，１５ｂの開閉動作や弁開度を制御することによって、例えば、成膜工程の初期段階では搬送方向の下流側に位置するガス供給管１４ｂの流量調整弁１５ｂを閉じるとともに、搬送方向の下流側に位置するシャワーヘッド電極９及びガス供給管１４ａの流量調整弁１２，１５ａを開き、所望の厚さ、あるいは所望の結晶性、あるいは所望の厚さと結晶性を有する薄膜を基板１上に形成するようにすることが可能である。また、逆転搬送する場合には、ガス供給管１４ａの流量調整弁１５ａを閉じるとともに、シャワーヘッド電極９及びガス供給管１４ｂの流量調整弁１２，１５ｂを開くことも可能である。さらに、より厚い薄膜を基板１上に成膜する場合には、シャワーヘッド電極９及びガス供給管１４ａ，１４ｂへの原料ガスの供給量あるいはガス組成比を所望の結晶性が得られるように変化させることも可能である。
【実施例】
【００２９】
本発明の実施形態のプラズマＣＶＤ装置について、より具体的に説明する。
適用する長尺の基板１としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ポリエチレンナフタレート(ＰＥＮ) 、ポリエチレンテレフタレート(ＰＥＴ)、ポリエーテルイミド(ＰＥＩ)、ポリエーテルエーテルケトン(ＰＥＥＫ) 、ポリエーテルスルホン(ＰＥＳ)、アクリル、アラミドなどの可撓性を有する絶縁性の基板が挙げられるが、金属基板上に絶縁層を形成した基板やガラス基板など、可撓性を有していない絶縁性の基板であっても良い。
【００３０】
本発明の実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置の作用効果を確認するため、シャワーヘッド電極９と、該シャワーヘッド電極９の側方に設けたガス供給機構１４のガス供給管１４ａ，１４ｂから同時に原料ガスの供給を行った場合と、シャワーヘッド電極９のみで原料ガスを供給した場合とについて、薄膜ＳｉをプラズマＣＶＤ成膜して、その際の基板１への膜厚分布を比較した。
また、原料ガスとしては、ＳｉＨ４とＨ２ガスの混合ガス（流量２５ｓｃｃｍ：１７５０ｓｃｃｍ）を用い、圧力１２Ｔｏｒｒ、放電周波数４０．６８ＭＨｚ、パワー２００Ｗ、ヒータ温度１８０℃において、基板１の表面に薄膜ＳｉをプラズマＣＶＤ成膜した。また、成膜時は基板１を静止状態とした。
なお、ガス供給管１４ａ，１４ｂから供給した混合ガスの流量は、シャワーヘッド電極９から供給した混合ガスと流量を同一としたが、所望の薄膜が成膜できるのであれば、同一としなくても良い。また、２本のガス供給管１４ａ，１４ｂのガス流量は各々同一としたが、所望の薄膜が成膜できるのであれば、２本のガス供給管１４ａ，１４ｂのガス流量を個別に制御して、同一としなくても良い。
【００３１】
作製した各サンプルについては、シャワーヘッド電極９の端部の中点と対向した基板１上の位置を基準として、各サンプルの成膜面端部から成膜面の中心に向かって２．５ｍｍの間隔で、１０点の膜厚を測定した。さらに、１０点の膜厚について、相対標準偏差を計算した。
【００３２】
シャワーヘッド電極９のみで成膜した際の、薄膜Ｓｉの膜厚の相対標準偏差は０．１９であった。これに対して、シャワーヘッド電極９とガス供給管１４ａ，１４ｂを用いて成膜した際の、薄膜Ｓｉの膜厚の相対標準偏差は０．１４であった。
以上の結果から、本発明の実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置を用いて基板１の表面に成膜を行えば、膜の均一性の向上を図ることが可能であることが確認できた。
【００３３】
なお、ガス供給管１４ａ，１４ｂの先端の開口部２４ａ，２４ｂの中心高さは、シャワーヘッド電極９と接地電極１０との間の中心位置としたが、基板１の搬送などに支障がなく、かつ所望の薄膜が成膜できるのであれば、ガス供給管１４ａ，１４ｂの開口部２４ａ，２４ｂの中心位置を電極９，１０間の中心としなくても良い。
また、ガス供給管１４ａ，１４ｂの先端部の固定位置は、シャワーヘッド電極９の中心と同軸上として、シャワーヘッド電極９から５０ｍｍ、真空容器２から２００ｍｍ離れた位置としたが、基板１の搬送などに支障がなく、なおかつ所望の薄膜が成膜できるのであれば、どのような固定位置としても良い。
【００３４】
以上、本発明の実施の形態につき述べたが、本発明は既述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変形及び変更が可能である。
【００３５】
例えば、既述の実施形態では、長尺の基板１を静止した状態で成膜するステッピングロール方式のプラズマＣＶＤ装置としたが、長尺の基板１を連続搬送して成膜するロールツーロール方式のプラズマＣＶＤ装置としても良い。
また、既述の実施形態では、２本のガス供給管１４ａ，１４ｂの開口部２４ａ，２４ｂの向きを基板１の搬送方向に対して平行としたが、基板１の搬送などに支障がなく、なおかつ所望の薄膜が成膜できるのであれば、どの方向に俯角を与えても良い。
【００３６】
そして、既述の実施形態では、２本のガス供給管１４ａ，１４ｂを設けたが、基板１の表面に所望の薄膜を成膜できるのであれば、図２の鎖線で示すように、シャワーヘッド電極９の周囲に先端が配置され、成膜領域に対してガス供給用の開口部２４ａ，２４ｂが形成された１本あるいは３本以上のガス供給管を設けても良い。
また、既述の実施形態では、シャワーヘッド電極９のガス供給管１１及びガス供給機構１４のガス供給管１４ａ，１４ｂをそれぞれ独立してガス供給源１３に連通しているが、ガス供給機構１４のガス供給管１４ａ，１４ｂは、シャワーヘッド電極９のガス供給管１１の管路の途中から分岐した管路に接続されていても良い。
さらに、既述の実施形態では、ガス供給管１４ａ，１４ｂの材質をステンレス鋼製としたが、樹脂製のチューブなどを部分的に用いても良い。
【符号の説明】
【００３７】
１  基板
２  真空容器
４  成膜室
９  シャワーヘッド電極
１１  ガス供給管
１２  流量調整弁
１３  ガス供給源
１４  ガス供給機構
１４ａ，１４ｂ  ガス供給管
１５ａ，１５ｂ  流量調整弁
１６  制御手段
２４ａ，２４ｂ  開口部
【図１】
2011063827.tif 000003
【図２】
2011063827.tif 000004
【図３】
2011063827.tif 000005
【図４】
2011063827.tif 000006