(57)【要約】【課題】磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれ、繰り返し磁気転写に使用できる使用可能回数が十分に多い耐久性に優れたマスター情報担体を提供する。【解決手段】磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれた磁性層１０１と、最表面に配置された親水性樹脂からなる防汚層１０３とを備えるマスター情報担体Ｍとする。【選択図】図１
2011248939.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれた磁性層と、最表面に配置された親水性樹脂からなる防汚層とを備えることを特徴とするマスター情報担体。
【請求項２】
前記親水性樹脂が、ポリ（メタ）アクリル酸（塩）、ポリヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ポリヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ポリジエチルアミノエチルアクリレート、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、ポリグリセリルメタクリレート、ポリ（メタ）アクリルアミド、ポリジメチルアクリルアミド、ポリジアセトンアクリルアミド、ポリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド）、ポリ〔２−アクリルアミド−２−プロパンスルホン酸（塩）〕およびこれらの部分架橋体であることを特徴とする請求項１に記載のマスター情報担体。
【請求項３】
前記磁性層と前記防汚層との間に、保護層を備えるものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマスター情報担体。
【請求項４】
前記磁性層が、前記情報信号に対応する形状の凸部を備えるものであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のマスター情報担体。
【請求項５】
基板上に磁性層と保護層と潤滑層とを順に積層する工程と、前記磁性層に情報信号を書き込む情報信号書き込み工程とを備え、
前記情報信号書き込み工程において、前記磁性層の形成された複数枚の前記基板の前記磁性層に対し、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のマスター情報担体を用いて、繰り返し前記情報信号を磁気転写することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記情報信号書き込み工程において１枚以上の前記基板の前記磁性層に対して前記情報信号を磁気転写してから、次の前記基板の前記磁性層に対して前記情報信号を磁気転写するまでの間、または前記情報信号書き込み工程を行う前に、前記マスター情報担体を洗浄する工程を行うことを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サーボ信号等の磁気記録媒体に磁気転写する情報信号の書き込まれたマスター情報担体および、このマスター情報担体を用いて磁気記録媒体に情報信号の磁気転写を行う磁気記録媒体の製造方法に関し、特に、繰り返し磁気転写に使用できる回数の多いマスター情報担体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、磁気記録再生装置の一種であるハードディスク装置（ハードディスクドライブ）においては、記録密度が年１．５倍以上増えており、今後もその増加傾向が続くと言われている。ハードディスク装置の記録密度の増大に伴って、高記録密度化に適した磁気ヘッド及び磁気記録媒体の開発が進められている。最新の磁気記録媒体においては、トラック密度は３２０ｋＴＰＩにも達している。
【０００３】
高いトラック密度を有する磁気記録媒体では、磁気ヘッドをトラック上で正確に走査するために、磁気ヘッドのトラッキングサーボ技術が重要な役割を果たしている。現在のハードディスクドライブには、ディスクの１周中、一定の角度間隔でトラッキング用のサーボ信号や、アドレス情報信号、再生クロック信号などのサーボ信号等の情報信号が記録されている。そして、磁気ヘッドから一定間隔の時間で再生されるこれらの情報信号によって、磁気ヘッドの位置を検出しながら、磁気ヘッドが正確にトラック上を走査するように磁気ヘッドの位置を修正する制御が行われている。
【０００４】
上述したサーボ信号等は、磁気ヘッドが正確にトラック上を走査するための基準信号となる。このため、サーボ信号等の書き込みには高い位置決め精度が求められる。
従来のハードディスクドライブの製造現場では、高精度の位置検出装置を組み込んだサーボ信号記録装置（以下、サーボライタという。）を用いて、磁気記録媒体に対するサーボ信号の書き込みを行っている。サーボライタは、一般に、生産性を高めるために、一つのスピンドルに多数枚の磁気記録媒体をチャッキングして、多数枚の磁気記録媒体に対して同時にサーボ信号等を書き込む構造となっている。
【０００５】
サーボライタを用いてサーボ信号を書き込む場合、磁気ヘッドを高精度に位置決めしながら多数のトラックに亘って信号を書き込むため、長い時間が必要であり、生産性が低いという課題がある。この課題を解決するためには、同時にサーボ信号を書き込む磁気記録媒体の枚数を多くすればよい。
しかしながら、同時にサーボ信号を書き込む磁気記録媒体の枚数を増やすためにサーボライタの数を増やすと、サーボライタの維持管理に多額のコストがかかる。また、サーボライタのスピンドルを長くして、同時にチャッキングできる磁気記録媒体の枚数を増やすと、サーボ信号を書き込む際の磁気記録媒体にブレが生じ易くなり、磁気記録媒体に対するサーボ信号の書き込み精度が低下する。このため、１つのスピンドルにチャッキングできる磁気記録媒体の枚数に限界があり、同時にチャッキングできる磁気記録媒体の枚数を増やすことは困難であった。
【０００６】
さらに、上述したサーボライタの数を増やす場合の問題や、同時にチャッキングできる磁気記録媒体の枚数を増やす場合の問題は、磁気記録媒体のトラック密度が向上し、トラック数が多くなるほど深刻となる。
そこで、サーボライタを用いることなく、磁気記録媒体にサーボ信号等の書き込みを行う技術が提案されている。具体的には、サーボ信号等の情報信号の書き込まれたマスター情報担体と磁気記録媒体とを重ね合わせ、外部から転写用のエネルギーを与えることにより、マスター情報担体に書き込まれた情報信号を磁気記録媒体に磁気転写する技術が提案されている。
【０００７】
例えば、特許文献１および特許文献２には、基体の表面に情報信号に対応する凹凸形状が形成されたマスター情報坦体表面を磁気記録媒体の表面に接触させることにより、マスター情報坦体表面の凹凸形状に対応する磁化パターンを磁気記録媒体に記録する技術が記載されている。
磁気記録媒体に磁気転写されるサーボ信号等の情報信号が書き込まれたマスター情報担体を用いて、磁気記録媒体に情報信号の磁気転写を行う場合、サーボライタを用いる場合と比較して、磁気記録媒体に対する情報信号の書き込み作業を短時間で行うことができる。
また、特許文献１には、磁気記録媒体の表面に存在する突起を除去する技術として、バーニッシュ処理が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−００６１６９号公報
【特許文献２】特開平１０−４０５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
磁気転写に用いられる情報信号の書き込まれたマスター情報担体は、非常に高価なものであるが、磁気記録媒体に情報信号を転写する際に繰り返し使用できるものである。このため、マスター情報担体の繰り返し磁気転写に使用できる回数（使用可能回数）をより多くして、磁気記録媒体の製造単価を低下させ、情報信号の書き込まれた磁気記録媒体の商業生産にマスター情報担体を適用できるようにすることが要求されている。
マスター情報担体の使用可能回数をより多くする方法としては、磁気転写を行う前に、磁気記録媒体の表面の突起物や埃等を除去しておくことにより、マスター情報担体の表面の摩耗を抑制する方法が考えられる。磁気記録媒体の表面の突起物や埃等を除去する方法としては、バーニッシュ処理や織布等を用いたワイピング処理、湿式洗浄などがある。
【００１０】
しかしながら、磁気転写を行う前に、磁気記録媒体の表面の突起物や埃等を除去しても、マスター情報担体が摩耗によって破損に至る前に、転写パターンが不完全となる場合があった。このため、従来の技術では、マスター情報担体の使用可能回数を、商業生産に適用するのに十分な回数まで多くすることは困難であった。
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑みて提案されたものであり、磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれ、繰り返し磁気転写に使用できる使用可能回数が十分に多い耐久性に優れたマスター情報担体を提供することを目的とする。
また、本発明は、使用可能回数が十分に多い本発明のマスター情報担体を用いて、磁気記録媒体に情報信号を磁気転写する工程を備える磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、磁気記録媒体に繰り返し磁気転写を行うことによって、マスター情報担体の表面に少しずつ汚れが蓄積されて、磁気記録媒体に転写された転写パターンが不完全となる場合があることが分かった。
さらに、本発明者は、マスター情報担体の表面に蓄積された汚れの原因について検討を重ねた。その結果、汚れの主な原因は、磁気記録媒体の表面に塗布されている潤滑剤が、磁気記録媒体に磁気転写を行う度に、磁気記録媒体からマスター情報担体の表面に少しずつ転写されて蓄積されたものであることが分かった。
【００１３】
磁気記録媒体の表面に塗布されている潤滑剤に起因するマスター情報担体の汚れの問題を解決するためには、磁気記録媒体の表面に潤滑剤を塗布する前に、磁気記録媒体に情報信号を磁気転写すればよい。しかしながら、表面に潤滑剤を塗布する前の磁気記録媒体に情報信号を磁気転写したとしても、以下に示すように、繰り返し磁気転写に使用できるマスター情報担体の使用可能回数を多くすることは困難であった。
【００１４】
すなわち、磁気記録媒体は、通常、基板上に磁性層と保護層と潤滑層とが順に積層された構造を有している。したがって、表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成する前に、磁気記録媒体に情報信号を磁気転写する場合、情報信号の磁気転写される表面には、磁性層の損傷を防ぐために設けられた硬質炭素膜などからなる硬い保護層が露出されていることになる。このため、磁気記録媒体に情報信号を磁気転写する際に、磁気記録媒体の表面に露出されている保護層とマスター情報担体とが接触して、マスター情報担体の摩耗を促進させてしまう。したがって、表面に潤滑剤を塗布する前に磁気記録媒体に情報信号を磁気転写した場合、潤滑剤に起因するマスター情報担体の汚れの問題は解決できるが、表面に潤滑剤を塗布した後の磁気記録媒体に情報信号を磁気転写した場合と比較して、繰り返し磁気転写に使用できるマスター情報担体の使用可能回数を多くすることは困難であった。
【００１５】
そこで、本発明者らは、表面に汚れが蓄積されにくいマスター情報担体とするべく、鋭意検討を行った。
その結果、マスター情報担体の最表面に親水性樹脂からなる防汚層を設ければよいことを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下の手段を提供する。
【００１６】
（１）  磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれた磁性層と、最表面に配置された親水性樹脂からなる防汚層とを備えることを特徴とするマスター情報担体。
（２）  前記親水性樹脂が、ポリ（メタ）アクリル酸（塩）、ポリヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ポリヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ポリジエチルアミノエチルアクリレート、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、ポリグリセリルメタクリレート、ポリ（メタ）アクリルアミド、ポリジメチルアクリルアミド、ポリジアセトンアクリルアミド、ポリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド）、ポリ〔２−アクリルアミド−２−プロパンスルホン酸（塩）〕およびこれらの部分架橋体であることを特徴とする（１）に記載のマスター情報担体。
（３）  前記磁性層と前記防汚層との間に、保護層を備えるものであることを特徴とする（１）または（２）に記載のマスター情報担体。
（４）  前記磁性層が、前記情報信号に対応する形状の凸部を備えるものであることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載のマスター情報担体。
【００１７】
（５）  基板上に磁性層と保護層と潤滑層とを順に積層する工程と、前記磁性層に情報信号を書き込む情報信号書き込み工程とを備え、前記情報信号書き込み工程において、前記磁性層の形成された複数枚の前記基板の前記磁性層に対し、（１）〜（４）のいずれかに記載のマスター情報担体を用いて、繰り返し前記情報信号を磁気転写することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（６）  前記情報信号書き込み工程において１枚以上の前記基板の前記磁性層に対して前記情報信号を磁気転写してから、次の前記基板の前記磁性層に対して前記情報信号を磁気転写するまでの間、または前記情報信号書き込み工程を行う前に、前記マスター情報担体を洗浄する工程を行うことを特徴とする（５）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のマスター情報担体は、磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれた磁性層と、最表面に配置された親水性樹脂からなる防汚層とを備えるものであるので、表面に汚れが蓄積されにくいものとなる。したがって、情報信号が書き込まれる磁気記録媒体が、最表面に潤滑剤を塗布してなる潤滑層が形成されているものであったとしても、潤滑剤がマスター情報担体の最表面に転写されにくく、マスター情報担体に潤滑剤に起因する汚れが蓄積されにくい。よって、本発明のマスター情報担体は、繰り返し磁気転写に使用できる使用可能回数が十分に多く、耐久性に優れたものとなる。
【００１９】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、本発明のマスター情報担体を用いて、磁性層の形成された複数枚の前記基板の前記磁性層に対し、繰り返し前記情報信号を磁気転写する方法であるので、１枚のマスター情報担体の使用可能回数が十分に多くなる。その結果、本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、磁気記録媒体の生産コストを大幅に低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明のマスター情報担体の一例の一部を拡大して示した拡大断面図である。
【図２】図２は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造された磁気記録媒体の一例を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の磁気記録媒体の製造方法において磁気記録媒体の磁性層に情報信号を書き込む工程を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明のマスター情報担体および磁気記録媒体の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を模式的に示している場合があり、各部の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００２２】
「マスター情報担体」
図１は、本発明のマスター情報担体の一例の一部を拡大して示した拡大断面図である。図１に示すマスター情報担体Ｍは、基材１００と、基材１００上に形成された磁性層１０１と、磁性層１０１上に形成された保護層１０２と、保護層１０２上に形成された防汚層１０３とを備えている。図１に示すように、防汚層１０３は、マスター情報担体Ｍの最表面に配置されている。
【００２３】
基材１００は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、または樹脂などの精密加工、精密成形可能な金属などの材料からなるものであり、Ｎｉからなるものであることが好ましい。基材１００は、図１に示すように、表面に基材凸部１００ａと基材凹部１００ｂとを備えるものである。
また、基材１００と磁性層１０１との間には、磁性層１０１を構成する磁性粒子を転写面に対して垂直に配向させるためＲｕ膜などからなる下地層が設けられていてもよい。
【００２４】
磁性層１０１は、図１に示すように、基材１００の表面に形成された基材凸部１００ａおよび基材凹部１００ｂの形状に沿って形成されている。このことにより、磁性層１０１は、磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれたものとされている。基材１００上に形成された磁性層１０１のうち、基材１００の基材凸部１００ａ上に形成された磁性層凸部１０１ａは、磁気記録媒体に磁気転写する情報信号に対応する形状のものであり、磁気記録媒体の磁気転写に用いられる。また、磁性層１０１のうち、基材１００の基材凹部１００ｂ上に形成された磁性層凹部１０１ｂは、磁気記録媒体に磁気転写する際に磁気記録媒体と接触しない部分であり、磁気記録媒体の磁気転写には用いられない。
磁性層１０１としては、従来公知の材料を用いることができ、具体的には、後述する磁気記録媒体の磁性層に用いることのできる材料などを使用することができる。
【００２５】
保護層１０２は、磁性層１０１と防汚層１０３との間に設けられている。保護層１０２は、マスター情報担体Ｍの磁性層１０１の腐食を防ぐとともに、マスター情報担体Ｍの耐摩耗性を高め、マスター情報担体Ｍの繰り返し磁気転写に使用できる使用可能回数を増やすためのものである。保護層１０２としては、従来公知の材料を用いることができ、例えば、数ｎｍ程度の厚さの硬質炭素膜などを用いることができる。
【００２６】
本願発明の防汚層１０３は、親水性樹脂から構成する。親水性樹脂とは、その構造中にＯＨ、ＮＨ２、ＳＯ３Ｈ等の親水基を有する樹脂である。磁気記録媒体の表面に形成される潤滑剤としては、一般的にはパーフルオロポリエーテル等のフッ素系の潤滑剤が用いられる。フッ素系の潤滑剤は、親水性樹脂の表面に対して接触角が高い特性を有する。このため、情報信号が書き込まれる磁気記録媒体の表面に形成された潤滑層と、親水性樹脂からなる防汚層１０３とが接触しても、潤滑剤が防汚層１０３に転写されにくく、マスター情報担体Ｍに潤滑剤に起因する汚れが蓄積されることが防止される。
【００２７】
防汚層１０３に用いられる親水性樹脂としては、親水性を有する合成高分子、天然高分子、半合成高分子等が挙げられ、これらの何れであってもよい。
合成高分子としては、親水性であれば特に制限はないが、カルボン酸（塩）含有ポリマー、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリ（メタ）アクリルアミド、スルホン酸（塩）含有ポリマーおよび、これらの部分架橋体等が挙げられる。特にカルボキシル基またはその塩を有する化合物が好ましく挙げられ、具体的には下記する化合物等が例示できる。
【００２８】
ポリ（メタ）アクリル酸（塩）、ポリイタコン酸（塩）、ポリヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ポリヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ポリジエチルアミノエチルアクリレート、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、ポリグリセリルメタクリレート、ポリ（メタ）アクリルアミド、ポリジメチルアクリルアミド、ポリジアセトンアクリルアミド、ポリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド）、ポリ〔２−アクリルアミド−２−プロパンスルホン酸（塩）〕およびこれらの部分架橋体等。このうちポリアクリル酸（塩）およびその部分架橋体が好ましい。
【００２９】
また、この他、例えばポリピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ポリビニルアルコールのような水溶性高分子も使用可能である。
合成高分子は１種または２種以上の混合物として使用することができる。また、上述した合成高分子からなるポリマーユニットの２種以上の共重合体あるいは上述した合成高分子からなるポリマーユニット１種以上とその他の非水溶性ポリマーユニットを含有してなる親水性共重合体（交互、ブロック、ランダム、グラフト）も用いることができる。
【００３０】
天然高分子としては、特に制限はないが、アルギン酸（塩）、カラギナン、ファーセルラン、寒天、ペクチン（塩）、アミロース、アミロペクチン、パストラン、フルクタン、ラーチガム、ローカストビーンガム、グアシードガム、サイリュウムシードガム、キンスシードガム、タマリンドシードガム、コーンスターチ、セルロース、ゼラチン、ケラチン、コラーゲン、ニカワ、カゼイン、アルブミン、グロブリン、グルテン、グルテリン、グリアジン、キチン、キトサン、デキストラン、ザンタンガム、ヒアルロン酸（塩）、グリコーゲン、ヘパリン、コンドロイチン酸（塩）、コンドロイチン硫酸（塩）、レバン、ガラクトカロロース、マンノカロロース、ルグロース、カプレオラン、ルテイン酸（塩）、スクレロチオース、デオキシリボ核酸（ＤＮＡ）、リボ核酸（ＲＮＡ）等を例示することができる。また、上記天然高分子としては、多糖類が好ましく、該多糖類としては、上述したペクチン（塩）、ヒアルロン酸（塩）、コンドロイチン酸（塩）、コンドロイチン硫酸（塩）及びアルギン酸（塩）が挙げられる。
【００３１】
半合成高分子としては、特に制限はないが、アルギン酸プロピレングリコール（塩）、メトキシペクチン、カルボキシメチル化澱粉（塩）、ヒドロキシプロピルスターチ、カルボキシメチルセルロース（塩）、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、酢酸フタル酸セルロースおよび上記天然高分子の部分架橋体等が挙げられる。
【００３２】
防汚層１０３に用いられる親水性樹脂としては、上記の親水性樹脂の中でも特に、薄膜形成が容易で耐摩耗性の良好なポリ（メタ）アクリル酸（塩）、ポリヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ポリヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ポリジエチルアミノエチルアクリレート、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、ポリグリセリルメタクリレート、ポリ（メタ）アクリルアミド、ポリジメチルアクリルアミド、ポリジアセトンアクリルアミド、ポリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド）、ポリ〔２−アクリルアミド−２−プロパンスルホン酸（塩）〕およびこれらの部分架橋体を用いるのが好ましい。
【００３３】
防汚層１０３に用いられる親水性樹脂として、上記のものを用いることで、防汚層１０３の潤滑層を反発する性質がより優れたものとなり、表面に汚れが蓄積されにくく、より一層優れた防汚効果を有するものとなる。
【００３４】
図１に示すマスター情報担体を製造するには、まず、マスター情報担体Ｍを作製するための原盤を形成する。
原盤は、公知の方法によって製造できる。例えば、シリコンウェハの表面にスピンコート法によりレジストを塗布した後、電子線露光装置を用いてレジストに電子ビームを照射し、レジストの露光・現像を行う。その後、レジストの未露光部分を除去することによって、シリコンウェハ上に、磁気記録媒体に磁気転写される情報信号に対応したレジストパターンを形成する。
【００３５】
次に、このレジストパターンをマスクにして、シリコンウェハに対して反応性エッチング処理を行い、レジストパターンでマスクされていない箇所を掘り下げる。その後、シリコンウェハ上に残存するレジストを溶剤で除去し、シリコンウェハを乾燥させることによって、マスター情報担体Ｍを作製するための原盤とする。
【００３６】
次に、この原盤上に、スパッタ法などによりＮｉからなる導電層を１０ｎｍ程度の厚みで形成する。続いて、導電層の形成された原盤を母型として用い、電鋳法により原盤上に数ミクロン厚のＮｉ層を形成する。その後、原盤からＮｉ層を外し、洗浄等を行うことにより、図１に示すように、表面に基材凸部１００ａと基材凹部１００ｂとを備えるＮｉからなる基材１００とする。
【００３７】
次に、図１に示すように、基材１００上に、スパッタ法など公知の方法を用いて、基材１００の表面に形成された基材凸部１００ａおよび基材凹部１００ｂの形状に沿って磁性層１０１を形成する。
続いて、磁性層１０１上に、ＣＶＤ法など公知の方法を用いて保護層１０２を形成する。
その後、保護層１０２上に、スピンコート法などを用いて親水性樹脂を塗布して硬化させる方法などによって防汚層１０３を形成する。
以上の工程を経ることによって、磁気記録媒体に磁気転写する情報信号の書き込まれたマスター情報担体Ｍが得られる。
【００３８】
本実施形態のマスター情報担体Ｍは、磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれた磁性層１０１と、最表面に配置された防汚層１０３とを備えるものであるので、表面に汚れが蓄積されにくいものとなる。したがって、情報信号の書き込まれる磁気記録媒体が、最表面に潤滑剤を塗布してなる潤滑層が形成されているものであったとしても、潤滑剤がマスター情報担体Ｍの最表面に転写されにくく、マスター情報担体Ｍの潤滑剤に起因する汚れが蓄積されにくい。よって、本実施形態のマスター情報担体Ｍは、繰り返し磁気転写に使用できる使用可能回数が十分に多く、耐久性に優れたものとなる。
【００３９】
「磁気記録媒体」
図２は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造された磁気記録媒体の一例を示す断面図である。図２に示す磁気記録媒体Ｗは、非磁性基板３１上に、軟磁性下地層３２と、配向制御層３３と、垂直磁性層３４と、保護層３５と、潤滑層３６とが順次積層されたものである。磁気記録媒体Ｗの垂直磁性層３４には、サーボ信号等に対応した磁化パターンからなる情報信号が磁気転写により書き込まれている。
【００４０】
非磁性基板３１としては、例えば、アルミニウムやアルミニウム合金などの金属材料からなる金属基板や、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板などを用いることができる。また、非磁性基板３１としては、金属基板や非金属基板の表面に、例えばメッキ法やスパッタ法などを用いて、ＮｉＰ層やＮｉＰ合金層などが形成されたものを用いることもできる。
【００４１】
非磁性基板３１として用いられるガラス基板としては、例えば、アモルファスガラスや結晶化ガラスなどを用いることができる。アモルファスガラスとしては、例えば、汎用のソーダライムガラスや、アルミノシリケートガラスなどを用いることができる。また、結晶化ガラスとしては、例えば、リチウム系結晶化ガラスなどを用いることができる。
非磁性基板３１として用いられるセラミック基板としては、例えば、汎用の酸化アルミニウムや、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体、又はこれらの繊維強化物などを用いることができる。
【００４２】
非磁性基板３１は、平均表面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ（１０Å）以下、好ましくは０．５ｎｍ以下であることが、磁気ヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。また、端面のチャンファー部の面取り部と側面部との少なくとも一方の表面平均粗さ（Ｒａ）が１０ｎｍ以下、より好ましくは９．５ｎｍ以下のものを用いることが、磁気ヘッドの飛行安定性にとって好ましい。
また、非磁性基板３１は、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下、より好ましくは０．２５ｎｍ以下であることが、磁気ヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。なお、微少うねり（Ｗａ）は、例えば、表面荒粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＭ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。
【００４３】
また、非磁性基板３１と軟磁性下地層３２の間には、密着層を設けることが好ましい。非磁性基板３１は、Ｃｏ又はＦｅが主成分となる軟磁性下地層３２と接することで、表面の吸着ガスや水分の影響、基板成分の拡散などにより、腐食が進行する可能性がある。非磁性基板３１と軟磁性下地層３２の間に密着層を設けることにより、非磁性基板３１の腐食を抑制できる。密着層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金などを適宜選択できる。また、密着層の厚みは特に限定されないが、非磁性基板３１の腐食を効果的に抑制するために、２ｎｍ（２０Å）以上であることが好ましい。
【００４４】
軟磁性下地層３２は、図２に示すように、スペーサ層３２ｂにより反強磁性結合させた２層の軟磁性層３２ａを含むものであことが好ましい。
軟磁性層３２ａとしては、Ｆｅ：Ｃｏを４０：６０〜７０：３０（原子比）の範囲で含む材料を用いることが好ましい。また、軟磁性層３２ａは、透磁率および耐食性を高めるために、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒの中から選ばれる何れか１種を１〜８原子％の範囲で含有するものであることが好ましい。
スペーサ層３２ｂとしては、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｃｕ等を用いることができるが、中でも特にＲｕを用いることが好ましい。
【００４５】
配向制御層３３は、垂直磁性層３４の結晶粒を微細化して、記録再生特性を改善するものである。配向制御層３３としては、特に限定されるものではないが、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造、アモルファス構造を有する材料を用いることが好ましい。特に、配向制御層３３として、Ｒｕ系合金、Ｎｉ系合金、Ｃｏ系合金、Ｐｔ系合金、Ｃｕ系合金からなるものを用いることが好ましい。また、配向制御層３３は、これらの合金を多層化してなるものであってもよく、例えば、基板側からＮｉ系合金とＲｕ系合金とを積層した多層構造や、Ｃｏ系合金とＲｕ系合金とを積層した多層構造、Ｐｔ系合金とＲｕ系合金とを積層した多層構造などを採用することが好ましい。
【００４６】
本実施形態の磁気記録媒体Ｗにおいては、図２に示すように、配向制御層３３と垂直磁性層３４との間に非磁性下地層３８が設けられている。配向制御層３３直上に垂直磁性層３４が配置されている場合、配向制御層３３直上の垂直磁性層３４にノイズの原因となる結晶成長の乱れが生じやすい。本実施形態においては、配向制御層３３と垂直磁性層３４との間に非磁性下地層３８が設けられているので、配向制御層３３の直上の結晶成長の乱れが生じやすい部分が、垂直磁性層３４から非磁性下地層３８に置き換えられたものとなり、垂直磁性層３４の結晶成長の乱れに起因するノイズの発生を抑制できる。
【００４７】
非磁性下地層３８としては、Ｃｏを主成分とし、更に酸化物を含んだ材料からなるものを用いることが好ましい。Ｃｒの含有量は、２５原子％以上、５０原子％以下とすることが好ましい。非磁性下地層３８に含まれる酸化物としては、例えばＣｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物を用いることが好ましく、中でも特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２などを用いることが好ましい。非磁性下地層３８に含まれる酸化物の含有量としては、例えばＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ等の合金を１つの化合物として算出したｍｏｌ総量に対して、３ｍｏｌ％以上、１８ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。
なお、図２に示すように、配向制御層３３と垂直磁性層３４の間に非磁性下地層３８が設けられていることが好ましいが、設けられていなくてもよい。
【００４８】
本実施形態の磁気記録媒体Ｗにおいて、垂直磁性層３４は、下層の磁性層３４ａと、中層の磁性層３４ｂと、上層の磁性層３４ｃの３層を含み、磁性層３４ａと磁性層３４ｂの間に非磁性層３７ａが挟み込まれ、磁性層３４ｂと磁性層３４ｃの間に非磁性層３７ｂが挟み込まれることにより、磁性層３４ａ〜３４ｃと非磁性層３７ａ，３７ｂとが交互に積層された構造を有している。
【００４９】
磁性層３４ａ，３４ｂは、グラニュラー構造のものであることが好ましく、Ｃｏを主成分とし、更に酸化物を含んだ材料を用いることが好ましい。磁性層３４ａ，３４ｂに含まれる酸化物としては、例えばＣｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物を用いることが好ましく、中でも特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２などが好適に用いられる。
また、下層の磁性層３４ａは、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物を含むものであることが好ましい。中でも特に、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２などを好適に用いることができる。
【００５０】
磁性層３４ａ，３４ｂに適した材料としては、例えば、９０（Ｃｏ１４Ｃｒ１８Ｐｔ）−１０（ＳｉＯ２）｛Ｃｒ含有量１４原子％、Ｐｔ含有量１８原子％、残部Ｃｏからなる磁性粒子を１つの化合物として算出したモル濃度が９０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２からなる酸化物組成が１０ｍｏｌ％｝、９２（Ｃｏ１０Ｃｒ１６Ｐｔ）−８（ＳｉＯ２）、９４（Ｃｏ８Ｃｒ１４Ｐｔ４Ｎｂ）−６（Ｃｒ２Ｏ３）の他、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｔａ２Ｏ５）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ２Ｏ３）−（ＴｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ２Ｏ３）−（ＳｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ２Ｏ３）−（ＳｉＯ２）−（ＴｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔＭｏ）−（ＴｉＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＷ）−（ＴｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔＢ）−（Ａｌ２Ｏ３）、（ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ）−（ＭｇＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ）−（Ｙ２Ｏ３）、（ＣｏＣｒＰｔＲｕ）−（ＳｉＯ２）などの基本組成を挙げることができる。
【００５１】
また、上層の磁性層３４ｃは、酸化物を含まない磁性層とすることが好ましい。上層の磁性層３４ｃに適した材料としては、具体的には、上述した磁性層３４ａ，３４ｂに適した材料から酸化物を除いた材料などが挙げられる。
【００５２】
なお、垂直磁性層３４は、４層以上の磁性層で構成してもよい。例えば、グラニュラー構造の磁性層を上記磁性層３４ａ，３４ｂに１層加えて３層で構成し、その上に、酸化物を含まない磁性層３４ｃを設けた４層構造の垂直磁性層としてもよいし、グラニュラー構造の磁性層３４ａ，３４ｂの上に、酸化物を含まない磁性層３４ｃを２層構造として設けた４層構造の垂直磁性層３４としてもよい。
【００５３】
また、垂直磁性層３４を構成する３層以上の磁性層間には、非磁性層３７ａ、３７ｂが設けられていることが好ましい。非磁性層３７ａ、３７ｂを適度な厚みで設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができる。その結果Ｓ／Ｎ比をより向上させることが可能である。非磁性層３７ａ、３７ｂには、従来公知の材料を用いることができ、例えばＲｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｃｕなどを用いることが可能である。
【００５４】
保護層３５は、垂直磁性層３４の腐食を防ぐと共に、磁気ヘッドが磁気記録媒体Ｗに接触したときの表面の損傷を防ぐためのものである。保護層３５には、従来公知の材料を用いることができ、例えばＣ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２などを含むものを用いることが可能である。保護層３５の厚みは、１〜１０ｎｍとすることが、磁気ヘッドと磁気記録媒体Ｗとの距離を小さくできるので高記録密度の点から好ましい。
【００５５】
潤滑層３６は、磁気記録媒体に磁気記録再生ヘッドが偶発的に接触した際に磁気記録媒体を保護する機能を有するが、加えて、マスター情報担体Ｍを用いて、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４に情報信号を書き込む際に、保護層３５がマスター情報担体Ｍに接触して、マスター情報担体Ｍの摩耗を促進させることを防止するものである。潤滑層３６としては、従来公知の材料を用いることができ、例えば、本願発明のマスター情報担体の防汚層を構成する親水性樹脂に対して接触角の大きいパーフルオロポリエーテルなどの潤滑剤を保護層３５上に塗布することによって形成できる。
【００５６】
「磁気記録媒体の製造方法」
図２に示す磁気記録媒体Ｗを製造するには、まず、非磁性基板３１上に、密着層と、軟磁性下地層３２と、配向制御層３３と、非磁性下地層３８と、垂直磁性層３４と、保護層３５と、潤滑層３６とを順次積層する積層構造形成工程を行う。その後、本実施形態においては、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４に情報信号を書き込む情報信号書き込み工程を行う。
【００５７】
積層構造形成工程は、公知の方法によって行うことができる。例えば、非磁性基板３１上に、スパッタ法などを用いて、密着層、軟磁性層３２ａとスペーサ層３２ｂと軟磁性層３２ａとからなる軟磁性下地層３２、配向制御層３３、非磁性下地層３８、下層の磁性層３４ａと非磁性層３７ａと中層の磁性層３４ｂと非磁性層３７ｂと上層の磁性層３４ｃとからなる垂直磁性層３４を下から順に積層する。その後、ＣＶＤ法などを用いて保護層３５を成膜する。次いで、保護層３５上に潤滑剤を塗布する方法などによって潤滑層３６を形成する。
【００５８】
本実施形態においては、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４に情報信号を書き込む情報信号書き込み工程を行う前に、マスター情報担体Ｍを洗浄する工程を行う。
本実施形態では、情報信号書き込み工程において、マスター情報担体Ｍとして、最表面に防汚層１０３が配置された図１に示すマスター情報担体Ｍを用いる。防汚層１０３が最表面に設けられていることにより、マスター情報担体Ｍの表面に汚れが蓄積されにくくなるだけでなく、表面に付着した汚れが落ちやすくなる。したがって、情報信号書き込み工程を行う前に、マスター情報担体Ｍを洗浄することで、容易に非常に清浄な表面を有するマスター情報担体Ｍが得られる。また、マスター情報担体Ｍを洗浄してから情報信号書き込み工程を行う場合、非常に清浄な表面を有するマスター情報担体Ｍを用いて、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４に情報信号を書き込むので、マスター情報担体の表面に汚れが蓄積されることによって、磁気記録媒体Ｗに転写された転写パターンが不完全となることをより効果的に抑制できる。したがって、マスター情報担体Ｍの繰り返し磁気転写に使用できる使用可能回数をより一層多くすることができる。
【００５９】
本実施形態のマスター情報担体Ｍは、表面に付着した汚れが落ちやすいものであるので、公知のいかなる方法であっても、容易に効果的に洗浄でき、清浄な表面が得られる。このため、マスター情報担体Ｍを洗浄する工程において用いる洗浄方法は、特に限定されない。例えば、マスター情報担体Ｍを洗浄する方法として、洗浄液が層流の状態で流れる洗浄槽内にマスター情報担体Ｍを浸漬する方法や、ワイピング処理、バーニッシュ処理、スピン洗浄などから選ばれる１種または２種以上の方法を１回以上用いることができる。
【００６０】
中でも特に、洗浄液が層流の状態で流れる洗浄槽内にマスター情報担体Ｍを浸漬する方法は、金属腐食物に代表されるイオン性の不純物等が汚れとして磁気記録媒体からマスター情報担体に転写されている場合に、これらをマスター情報担体の表面から効率よく除去することが可能であるため好ましい。
また、マスター情報担体Ｍを、洗浄液が層流の状態で流れる洗浄槽内に浸漬して洗浄する方法では、洗浄槽内で洗浄液を横方向に流しながら、マスター情報担体Ｍを洗浄することが好ましい。この場合、汚染物質を含む洗浄液を浸漬槽の外へと速やかに排出することができるため、マスター情報担体Ｍの表面に汚染物質が再付着することを防止できる。その結果、従来の方法では得られない清浄な表面を有するマスター情報担体Ｍが得られる。
【００６１】
マスター情報担体Ｍを洗浄する工程において、洗浄液を用いてマスター情報担体Ｍを洗浄する場合、洗浄液として、水素水を含む洗浄液を用いることが好ましい。水素水とは、超純水又は純水に高純度の水素ガスを溶解したものであり、水のクラスターを小さくして洗浄能力を高めたものである。洗浄液として、水素水を含む洗浄液を用いた場合、洗浄液によるマスター情報担体Ｍの腐食が発生しにくく、磁気記録媒体からマスター情報担体Ｍに転写された金属腐食物等からなる汚れを高い洗浄力で除去できる。特に、水素水中の溶存水素濃度を０．１ｐｐｍ〜５ｐｐｍの範囲とし、水素水の酸化還元電位を−２００ｍＶ〜−８００ｍＶの範囲とすることによって、その機能を高めることが可能となる。
【００６２】
また、マスター情報担体Ｍを洗浄する工程は、多段工程であってもよい。多段工程としては、例えば、マスター情報担体Ｍを、水素水とアルカリとを含む洗浄液を用いて洗浄した後、水素水を含み且つアルカリを含まない洗浄液を用いて洗浄する方法が挙げられる。マスター情報担体Ｍを、水素水と、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、アンモニア、またはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドのうち少なくとも１種を含む洗浄液を用いて洗浄した場合、洗浄液として水素水のみを用いた場合と比較して、洗浄力を高めることができる。
【００６３】
しかしながら、洗浄後のマスター情報担体Ｍの表面にアルカリが残留すると、マスター情報担体Ｍの汚染原因となる。
洗浄後のマスター情報担体Ｍへのアルカリの残留を防ぐためには、洗浄液に含有されるアルカリの含有濃度を０．０５ｐｐｍ〜５ｐｐｍの範囲とすることが好ましい。また、マスター情報担体Ｍをアルカリと水素水とを含む洗浄液を用いて洗浄した後に、アルカリを含まずに水素水を含む洗浄液を用いて洗浄することが好ましい。このような多段工程を行うことで、マスター情報担体Ｍへのアルカリの残留を防止しつつ、マスター情報担体Ｍに対する洗浄力を高めることが可能である。
【００６４】
また、マスター情報担体Ｍを洗浄する方法としてワイピング処理を行う場合、例えば、布製などのワイピングテープを磁気記録媒体Ｗの表面に対して相対走行させつつ、ゴム製のコンタクトロール又はパッドによってワイピングテープの表面を磁気記録媒体Ｗの表面に押し当てることにより、媒体表面を軽く拭く方法を用いることができる。このようなワイピング処理を行うことにより、磁気記録媒体Ｗの表面に付着したスパッタダスト等の汚れを除去できる。
【００６５】
また、マスター情報担体Ｍを洗浄する方法としてバーニッシュ処理を行う場合、例えば、研磨テープを用いてその表面を研磨する方法を用いることができる。このようなバーニッシュ処理を行うことにより、磁気記録媒体Ｗの表面にある突起物を除去でき、情報信号書き込み工程において磁気記録媒体Ｗとマスター情報担体Ｍとの間に隙間が生じて転写パターンが不鮮明になるとともに、マスター情報担体Ｍが損傷を受けることを防止できる。
【００６６】
マスター情報担体Ｍを洗浄する工程は、上述したように、情報信号書き込み工程を行う前に行ってもよいが、後述する情報信号書き込み工程において、１枚以上の基板の磁性層（本実施形態においては、積層構造形成工程において形成された潤滑層３６までの各層を備える非磁性基板３１の磁性層３４）に対して、情報信号を磁気転写してから、次の基板の磁性層に対して情報信号を磁気転写するまでの間に行ってもよい。この場合、マスター情報担体Ｍを洗浄する工程は、以下に示すように、定期的に行うことが好ましい。
【００６７】
すなわち、マスター情報担体Ｍの汚れは、情報信号書き込み工程を繰り返し行うことにより、情報信号を磁気転写される非磁性基板３１からマスター情報担体Ｍに少しずつ転写されて蓄積される。蓄積された汚れは、徐々にマスター情報担体Ｍの転写面に浸食して、マスター情報担体Ｍによる転写精度を低下させる。したがって、マスター情報担体Ｍを洗浄する工程は、汚れの蓄積によってマスター情報担体Ｍの転写精度が低下する前に、定期的に行うことが好ましい。具体的には、５０００〜５００００枚の基板に対して情報信号を磁気転写する毎に、マスター情報担体Ｍを洗浄する工程を行うことが好ましい。
【００６８】
次に、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４が設けられている側の面である信号記録面を初期磁化する。信号記録面の初期磁化は、面内磁気記録媒体を製造する場合は、トラック方向の一方向に初期直流磁界を印加することにより行い、垂直磁気記録媒体を製造する場合は、媒体表面に対して垂直な方向の一方向に初期直流磁界を印加することにより行う。初期磁化に用いられる初期直流磁界は、永久磁石や電磁石を用いて磁気記録媒体Ｗに印加することが可能である。初期直流磁界の印加は、磁気記録媒体Ｗと非接触の状態で行うことが、磁気記録媒体Ｗの表面の清浄性を維持する上で好ましい。また、永久磁石としては、より安定で磁力の強いＮｄＦｅＢ系の焼結磁石を用いることが好ましい。
【００６９】
次に、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４に情報信号を書き込む情報信号書き込み工程を行う。
情報信号書き込み工程においては、マスター情報担体Ｍを用いて、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４に情報信号を磁気転写することにより、磁気記録媒体Ｗにサーボ信号等に対応した情報信号を書き込む。
図３は、本発明の磁気記録媒体の製造方法において磁気記録媒体の磁性層に情報信号を書き込む工程を説明するための断面図である。なお、図３においては、図面を見やすくするために、磁気記録媒体Ｗにおいては非磁性基板３１と磁性層３４のみを図示し、磁気記録媒体Ｗを構成するそれ以外の部材についての図示を省略する。また、図３において符号１０５は、マスター情報担体Ｍの基材１００側から順に配置された磁性層１０１と保護層１０２と防汚層１０３とを示している。
【００７０】
情報信号書き込み工程においては、まず、初期磁化の終わった磁気記録媒体Ｗの信号記録面（磁性層３４側の面）と、洗浄済のマスター情報担体Ｍの磁性層１０１側の面とを接触させた状態で、所定の押圧力で密着させる。そして、図３に示すように、マスター情報担体Ｍの基材１００側の面から、磁界生成手段Ｇを用いて、磁界生成手段Ｇを相対的にトラック方向Ｘに移動させながら、マスター情報担体Ｍおよび磁気記録媒体Ｗに転写用の外部磁界を印加する。
【００７１】
情報信号書き込み工程において用いられる磁界生成手段Ｇは、電磁石や永久磁石によって構成されるものである。磁界生成手段Ｇは、磁気記録媒体Ｗの半径方向において同一方向の外部磁界を発生させながら、磁気記録媒体Ｗの中心にトラック方向Ｘに回転移動させることが可能となっているものである。
面内磁気記録媒体に情報信号を書き込む場合は、トラック方向の他方向に転写用の外部磁界を発生させる。また、垂直磁気記録媒体に情報信号を書き込む場合は、媒体表面に対して垂直な方向の他方向に転写用の外部磁界を発生させる。なお、転写用の外部磁界は、磁気記録媒体Ｗを初期磁化する際に印加した初期直流磁界とは逆方向となる磁界である。
【００７２】
このように、マスター情報担体Ｍおよび磁気記録媒体Ｗに転写用の外部磁界を印加することにより、図３に示すように、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４における、マスター情報担体Ｍの転写パターンを構成する磁性層凸部１０１ａおよび磁性層凹部１０１ｂと対向する箇所で磁化反転が生じる。その結果、マスター情報担体Ｍに書き込まれたサーボ信号等に対応する情報信号である磁化パターンが、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４に磁気転写されて書き込まれる。
【００７３】
なお、本実施形態においては、磁気記録媒体Ｗとして、図２に示すように、非磁性基板３１の一方の面にのみ磁性層３４を含む各層が設けられているものを例に挙げて説明したが、図２に示す非磁性基板３１上に設けられている各層は、非磁性基板３１の両面に設けられていてもよい。
【００７４】
磁気記録媒体Ｗが、非磁性基板３１の両面に磁性層３４を含む各層が設けられているものである場合、情報信号書き込み工程は、磁気記録媒体Ｗの両面を一対のマスター情報担体Ｍで挟み込み、各マスター情報担体Ｍの基材１００側の面から、磁界生成手段Ｇを用いてマスター情報担体Ｍおよび磁気記録媒体Ｗに転写用の外部磁界を印加する方法によって行うことが好ましい。これにより、磁気記録媒体Ｗの両面に容易に効率よくサーボ信号等に対応する情報信号を書き込むことができる。
【００７５】
本実施形態の磁気記録媒体Ｗの製造方法は、最表面に配置された防汚層１０３を備えるマスター情報担体Ｍを用いて、非磁性基板３１の磁性層３４に情報信号を磁気転写する方法であるので、１枚のマスター情報担体Ｍの使用可能回数を十分に多くすることができる。その結果、本実施形態の磁気記録媒体Ｗの製造方法によれば、磁気記録媒体Ｗの生産コストを大幅に低減できる。
【実施例】
【００７６】
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下に示す実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施できる。
（実施例１）
＜マスター情報担体の製造＞
表面に２７１ｋトラック／インチのサーボ信号等の転写パターンに対応する形状を有する基材凸部と基材凹部とを備えるＮｉからなる基材を用意した。なお、基材の磁気記録媒体Ｗに磁気転写される情報信号に対応するトラックは幅１２０ｎｍ、トラック間隔は６０ｎｍであり、基材凸部と基材凹部との段差（転写パターンの段差）は４５ｎｍであった。
【００７７】
このような基材上に、ＤＣスパッタリング法を用いて、層厚１０ｎｍのＲｕ膜からなる下地層を基材凸部および基材凹部の形状に沿って形成した。その後、下地層上に基材凸部および基材凹部の形状に沿って、ＤＣスパッタリング法を用いて、層厚２０ｎｍの７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２合金膜と、層厚１５ｎｍの８０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ合金膜とからなる磁性層とを順次積層し、磁気記録媒体Ｗに磁気転写される情報信号が書き込まれた磁性層を形成した。
【００７８】
次に、磁性層上に、ＣＶＤ法により、層厚２０ｎｍの炭素膜からなる保護層を形成した。
その後、保護層上に、スピンコート法を用いて樹脂を塗布し、硬化させて防汚層を形成することによって、実施例１のマスター情報担体Ｍを得た。
具体的には樹脂としてアクリルアミドを使用し、ビームセット３７１（荒川化学工業社製）を５０質量部、イルガキュア１２７（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）の２５質量％アセトン溶液を６．０質量部、酢酸エチル（希釈溶剤）を残部配合して、紫外線硬化性の親水性樹脂材料の溶液を調製した。これをマスター情報担体の保護層上に塗布後、その表面に照度が３０ｍＷ／ｃｍ２に設定された紫外線照射装置（波長３６５ｎｍのＬＥＤランプ）により紫外線を２０秒間照射して樹脂を硬化させ、防汚層とした。防汚層の層厚は１０ｎｍとした。
【００７９】
＜磁気記録媒体の製造＞
非磁性基板として、洗浄済みのガラス基板（コニカミノルタ社製、外形２．５インチ）を用意し、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０４０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した。
その後、ガラス基板の上に６０Ｃｒ−４０Ｔｉターゲットを用いて層厚１０ｎｍの密着層を成膜した。
【００８０】
次に、密着層の上に４６Ｆｅ−４６Ｃｏ−５Ｚｒ−３Ｂ｛Ｆｅ含有量４６原子％、Ｃｏ含有量４６原子％、Ｚｒ含有量５原子％、Ｂ含有量３原子％｝のターゲットを用いて１００℃以下の基板温度で、層厚３４ｎｍの軟磁性層、層厚０．７６ｎｍのＲｕ層、層厚３４ｎｍの４６Ｆｅ−４６Ｃｏ−５Ｚｒ−３Ｂの軟磁性層を成膜し、これを軟磁性下地層とした。
次に、軟磁性下地層の上に、Ｎｉ−６Ｗ｛Ｗ含有量６原子％、残部Ｎｉ｝ターゲット、Ｒｕターゲットを用いて、それぞれ５ｎｍ、２０ｎｍの層厚で順に成膜し、これを配向制御層とした。
【００８１】
次に、配向制御層の上に、スパッタ法を用いて９１（Ｃｏ９Ｃｒ１６Ｐｔ）−９（ＴｉＯ２）（膜厚３ｎｍ）からなる磁性層と、Ｒｕ（膜厚１ｎｍ）からなる非磁性層と、９２（Ｃｏ１７Ｃｒ１６Ｐｔ）−８（ＳｉＯ２）（膜厚５ｎｍ）からなる磁性層と、Ｃｏ２１Ｃｒ１４Ｐｔ１Ｂ（膜厚５ｎｍ）からなる磁性層とを下から順に積層した。
【００８２】
次に、ＣＶＤ法により層厚２．５ｎｍの炭素膜からなる保護層を成膜した。
次に、保護層上に、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を塗布することによって、厚さ１５オングストローム（１．５ｎｍ）の潤滑層を形成した。以上の工程により、磁気記録媒体Ｗを得た。
【００８３】
次に、磁気記録媒体Ｗの磁性層が設けられている側の面である信号記録面を初期磁化した。具体的には、磁気記録媒体の両データ面に対し、磁気記録媒体を貫通する１０ｋＯｅの磁界を、ＮｄＦｅＢ系焼結磁石を用いて加えた。
次に、磁気記録媒体Ｗの磁性層に情報信号を書き込む磁気転写工程を行った。
磁気転写工程においては、初期磁化の終わった磁気記録媒体Ｗの信号記録面と、マスター情報担体Ｍの磁性層側の面とを接触させた状態で、９８ｍＮの押圧力で密着させ、マスター情報担体Ｍの基材側の面から、４ｋＯｅの磁界生成手段を用いて、磁界生成手段Ｇを相対的にトラック方向Ｘに移動させながら、マスター情報担体Ｍおよび磁気記録媒体Ｗに転写用の外部磁界を印加し、マスター情報担体Ｍに書き込まれたサーボ信号等に対応する情報信号である磁化パターンを、磁気記録媒体Ｗの磁性層に磁気転写して書き込んだ。転写時間は１０秒間とした。
【００８４】
このような磁気転写工程を複数回行って、繰り返し磁気転写に使用できるマスター情報担体の使用可能回数を調べた。その結果、実施例１では、２３４０００回の磁気転写が可能であった。
【００８５】
（比較例１）
防汚層を設けないこと以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体の製造を行った。その結果、比較例１では、１５１０００回の磁気転写が可能であった。
【符号の説明】
【００８６】
３１…非磁性基板  ３２…軟磁性下地層  ３２ａ…軟磁性層  ３２ｂ…スペーサ層  ３３…配向制御層  ３４…垂直磁性層  ３４ａ，３４ｂ，３４ｃ…磁性層  ３５…保護層  ３６…潤滑層  ３７ａ，３７ｂ…非磁性層  ３８…非磁性下地層  １００…基材  １００ａ…基材凸部  １００ｂ…基材凹部  １０１…磁性層  １０１ａ…磁性層凸部  １０１ｂ…磁性層凹部  １０２…保護層  １０３…防汚層  Ｗ…磁気記録媒体  Ｍ…マスター情報担体  Ｇ…磁界生成手段
【図１】
2011248939.tif 000003
【図２】
2011248939.tif 000004
【図３】
2011248939.tif 000005