(57)【要約】【課題】表示装置が置かれる環境条件の影響を受けることなく、有効画素の輝度の劣化量を検出できるようにする。【解決手段】表示パネル４０上に劣化測定基準画素部５１と基準画素部５２とを隣接して設ける。劣化測定基準画素部５１についてはあらかじめ定められた輝度で発光駆動し、当該劣化測定基準画素部５１の輝度を検出する。一方、基準画素部５２については、輝度の劣化量を検出するときに発光駆動し、当該基準画素部５２の輝度を検出する。そして、劣化測定基準画素部５１および基準画素部５２の各輝度の検出結果を基に、有効画素の輝度の劣化分を補正する処理を行う。【選択図】図３
2011039311.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
あらかじめ定められた輝度で発光駆動される第１の基準画素部と、
輝度の劣化量を検出するときに発光駆動される第２の基準画素部と、
前記第１、第２の基準画素部の各輝度の検出結果を基に表示に寄与する有効画素の輝度の劣化分を補正する補正部と
を備える表示装置。
【請求項２】
前記第１、第２の基準画素部は、前記有効画素が配置されてなる画素アレイ部の周辺部に隣接して設けられている
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の基準画素部は、異なる輝度で発光駆動される複数の基準画素部からなる
請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２の基準画素部は、前記第１の基準画素部の複数の基準画素部に対して１対１の対応関係をもって設けられる複数の基準画素部からなる
請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１、第２の基準画素部は、前記画素アレイ部を挟んで当該画素アレイ部の両側に設けられている
請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１の基準画素部は、前記画素アレイ部を挟んで両側に設けられるとき、一方側の複数の基準画素部と他方側の複数の基準画素部とが同じ輝度で発光駆動される
請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の基準画素部は、前記画素アレイ部を挟んで両側に設けられるとき、一方側の複数の基準画素部と他方側の複数の基準画素部とが全て異なる輝度で発光駆動される
請求項５記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２の基準画素部は、単一の基準画素部からなり、
前記第１の基準画素部の複数の基準画素部は前記第２の基準画素部を囲んで設けられている
請求項３記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１、第２の基準画素部の組は、前記画素アレイ部を挟んで当該画素アレイ部の両側に設けられている
請求項８記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１の基準画素部の輝度の劣化を検出する第１の輝度センサと、
前記第２の基準画素部の輝度の劣化を検出する第２の輝度センサとを有する
請求項２記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１、第２の輝度センサの周りが遮光板で囲まれている
請求項１０記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１、第２の輝度センサは、前記第１、第２の基準画素部の中間位置に共通に設けられた単一の輝度センサからなる
請求項１０記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１、第２の輝度センサと前記単一の輝度センサとの間に拡散板が設けられている
請求項１２記載の表示装置。
【請求項１４】
表示装置の輝度劣化の補正に当たって、
あらかじめ定められた輝度で発光駆動される第１の基準画素部と、
輝度の劣化量を検出するときに発光駆動される第２の基準画素部とを用い、
前記第１、第２の基準画素部の各輝度の検出結果を基に表示に寄与する有効画素の輝度の劣化分を補正する
輝度劣化補正方法。
【請求項１５】
あらかじめ定められた輝度で発光駆動される第１の基準画素部と、
輝度の劣化量を検出するときに発光駆動される第２の基準画素部と、
前記第１、第２の基準画素部の各輝度の検出結果を基に表示に寄与する有効画素の輝度の劣化分を補正する補正部と
を備える表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、輝度劣化補正方法および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、電気光学素子として自発光型の素子（自発光素子）を用いた画素が行列状に配置されてなる平面型（フラットパネル型）の自発光表示装置が急速に普及している。自発光素子としては、例えば、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子が知られている。有機ＥＬ素子は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、いわゆる電流駆動型の電気光学素子である。
【０００３】
有機ＥＬ素子を電気光学素子として用いた有機ＥＬ表示装置は、次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために消費電力が小さい。有機ＥＬ素子は、自発光素子であることから、画素ごとに液晶にて光源からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高い。しかも、バックライト等の照明部材を必要としないために軽量化および薄型化が容易である。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。
【０００４】
一方で、有機ＥＬ素子に代表される自発光素子は、一般的に、発光量と発光時間に比例して輝度効率が低下することが知られている。そのため、自発光表示装置においては、表示に寄与する有効画素と同じ表示パネル（基板）上に、表示に寄与しないダミー画素を基準画素として設け、当該基準画素の輝度の劣化量から有効画素の輝度の劣化量を予測するようにしている。そして、基準画素の輝度の劣化量を検出（測定）し、その検出結果を基に有効画素の輝度が劣化した分を補正するようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２４０８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１記載の従来技術のように、基準画素の輝度の劣化量を基に有効画素の輝度劣化を補正するに当たっては、基準画素の輝度の劣化量を正しく検出（測定）する必要がある。しかしながら、一般的に、基準画素の輝度の劣化量を検出する環境の温度や明るさなどの環境条件によって検出結果が大きく左右されるために、正しい劣化量を検出することは非常に難しい。
【０００７】
基準画素の輝度の劣化量を正しく検出するには、一定の入力に応じた出力レベルを定期的に観測して初期の値と比較する必要がある。ここで、劣化量を正確に検出するための阻害となる要因としては、基準画素の発光輝度を測定する輝度測定器の特性ばらつきと測定環境が挙げられる。
【０００８】
表示装置において、輝度測定器を用いて基準画素の輝度の劣化量を定期的に測定するには当該輝度測定器は大きく、高価であるために不向きである。したがって、一般的には、フォトダイオード等による輝度センサが基準画素の輝度の劣化量の検出に用いられる。この輝度センサは、ダイオードと同程度の特性ばらつきを持っているため、基準画素の輝度の劣化量を正確な絶対値として検出することが難しい。また、輝度センサはフォトダイオードからなることによって温度特性が大きいために、表示装置が置かれる環境条件によって検出値が大きくことなってしまう。
【０００９】
そこで、本発明は、表示装置が置かれる環境条件の影響を受けることなく、有効画素の輝度の劣化量を検出することが可能な表示装置、当該表示装置における輝度劣化補正方法および当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、表示装置の輝度劣化の補正に当たって、
あらかじめ定められた輝度で発光駆動される第１の基準画素部と、
輝度の劣化量を検出するときに発光駆動される第２の基準画素部とを用い、
前記第１、第２の基準画素部の各輝度の検出結果を基に表示に寄与する有効画素の輝度の劣化分を補正する。
【００１１】
第１の基準画素部をあらかじめ定められた輝度で発光駆動し、当該第１の基準画素部の輝度を検出することで、輝度劣化が進行した第１の基準画素部の輝度の検出結果を、表示装置が置かれる環境条件に応じて得ることができる。この輝度劣化後の検出結果からは、輝度劣化が進行した有効画素の輝度の劣化量を、表示装置が置かれる環境条件に応じて予測することができる。一方、輝度の劣化量を検出するときに第２の基準画素部を発光駆動し、当該第２の基準画素部の輝度を検出することで、輝度劣化が進行していない初期状態の第２の基準画素部の輝度の検出結果を、表示装置が置かれる環境条件に応じて得ることができる。この初期の輝度状態の検出結果からは、表示装置が置かれる環境条件に応じた有効画素の初期状態の輝度を予測することができる。
【００１２】
すなわち、第１の基準画素部の輝度の検出結果も、第２の基準画素部の輝度の検出結果も共に、表示装置が置かれる環境条件に応じた検出結果となる。これら第１、第２の基準画素部の各輝度の検出結果からは、表示装置が置かれる環境条件の影響を排除した、有効画素の初期状態からの輝度の劣化量を求めことができる。そして、第１、第２の基準画素部の各輝度の検出結果から求めた劣化量を基に有効画素の輝度を制御することで、有効画素の初期状態からの輝度の劣化分を補正することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、第１、第２の基準画素部の各輝度の検出結果が共に表示装置が置かれる環境条件に応じた検出結果であるために、当該環境条件の影響を受けることなく、有効画素の輝度の劣化量を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の画素（画素回路）の回路構成を示す回路図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成例を示す概略構成図である。
【図４】第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における基準画素部と劣化測定画素部の配置関係を示す図である。
【図５】実施例１に係る輝度センサの配置構造を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側断面図である。
【図６】実施例２に係る輝度センサの配置構造を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側断面図である。
【図７】実施例３に係る輝度センサの配置構造を示す側断面図である。
【図８】輝度劣化補正処理部の構成の一例を示すブロック図である。
【図９】特定の輝度における発光時間に対する輝度の劣化率を示す図である。
【図１０】劣化測定画素部および基準画素部の各々についての発光時間に対する検出輝度（実測値）の変化を示す図である。
【図１１】発光時間に対する劣化測定画素部の輝度の劣化率を示す図である。
【図１２】劣化測定画素部の明るさを３通りに設定した場合の発光時間に対する劣化測定画素部の輝度の劣化率を示す図である。
【図１３】劣化測定画素部の明るさを１０通りに設定した場合の発光時間に対する劣化測定画素部の輝度の劣化率を示す図である。
【図１４】発光時間に対する有効画素の輝度劣化分の補正値を示す図である。
【図１５】輝度劣化量の測定処理の一例を示すフローチャートである。
【図１６】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成例を示す概略構成図である。
【図１７】第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における基準画素部と劣化測定画素部の配置関係を示す図である。
【図１８】本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。
【図１９】本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図２０】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。
【図２１】本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。
【図２２】本発明が適用される携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、発明を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．本発明が適用される表示装置（有機ＥＬ表示装置の例）
１−１．システム構成
１−２．画素回路
２．第１実施形態（基準画素と劣化測定画素を横に並べた例）
２−１．基準画素部の構成
２−２．輝度センサの構成
２−３．輝度劣化補正処理部
２−４．輝度劣化量の測定方法
２−５．第１実施形態の作用効果
３．第２実施形態（基準画素を中心に劣化測定画素を上下左右斜めに並べた例）
３−１．基準画素部の構成
３−２．輝度センサの構成
３−３．第２実施形態の作用効果
４．変形例
５．適用例（電子機器）
【００１６】
＜１．本発明が適用される表示装置＞
［１−１．システム構成］
図１は、本発明が適用されるアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子を画素（画素回路）の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。
【００１７】
図１に示すように、本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０は、自発光素子である有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状に２次元配置された画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する駆動部とを有する構成となっている。ここでは図示を省略するが、駆動部は書込み走査部、電源供給部、信号供給部等からなる。
【００１８】
ここで、有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、１つの画素は複数の副画素（サブピクセル）から構成され、この副画素が画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示用の表示装置では、１つの画素は、赤色光（Ｒ）を発光する副画素、緑色光（Ｇ）を発光する副画素、青色光（Ｂ）を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【００１９】
ただし、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素にさらに１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色光（Ｗ）を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００２０】
画素アレイ部３０には、行列状の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向）に沿って書込み走査線３１と電源供給線３２とが画素行ごとに配線されている。さらに、列方向（画素列の画素の配列方向）に沿って信号線３３が画素列ごとに配線されている。
【００２１】
画素アレイ部３０は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成されている。これにより、有機ＥＬ表示装置１０は、平面型（フラット型）のパネル構造となっている。画素２０の有機ＥＬ素子を駆動する駆動回路は、アモルファスシリコンＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）または低温ポリシリコンＴＦＴを用いて形成することができる。低温ポリシリコンＴＦＴを用いる場合には、書込み走査部、電源供給部、信号供給部等の駆動部についても、画素アレイ部３０を形成する表示パネル（基板）４０上に実装することができる。
【００２２】
［１−２．画素回路］
図２は、画素（画素回路）２０の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。
【００２３】
図２に示すように、画素２０は、自発光素子、例えばデバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である有機ＥＬ素子２１と、当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線（いわゆる、ベタ配線）された共通電源供給線３４にカソード電極が接続されている。
【００２４】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３および保持容量２４によって構成されている。ここでは、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３として、Ｎチャネル型のトランジスタを用いている。ただし、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００２５】
なお、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３としてＮチャネル型のＴＦＴを用いると、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）プロセスを用いることができる。ａ−Ｓｉプロセスを用いることで、ＴＦＴを作成する基板の低コスト化、ひいては本有機ＥＬ表示装置１０の低コスト化を図ることが可能になる。また、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３を同じ導電型の組み合わせにすると、両トランジスタ２２，２３を同じプロセスで作成することができるために低コスト化に寄与できる。
【００２６】
駆動トランジスタ２２は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が電源供給線３２に接続されている。
【００２７】
ここで、電源供給線３２には電源供給部（図示せず）から、第１電源電位と当該第１電源電位よりも低い第２電源電位で切り替わる電源電位が選択的に供給される。本例に係る画素回路の場合、電源供給線３２の電源電位の切替えにより、画素２０の発光／非発光の制御が行なわれる。
【００２８】
書込みトランジスタ２３は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が信号線３３に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。また、書込みトランジスタ２３のゲート電極は、走査線３１に接続されている。
【００２９】
駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３において、一方の電極とは、ソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言い、他方の電極とは、ドレイン／ソース領域に電気的に接続された金属配線を言う。また、一方の電極と他方の電極との電位関係によって一方の電極がソース電極ともなればドレイン電極ともなり、他方の電極がドレイン電極ともなればソース電極ともなる。
【００３０】
保持容量２４は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２の他方の電極および有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。
【００３１】
上記構成の画素２０において、書込みトランジスタ２３は、書込み走査部（図示せず）から走査線３１を通してゲート電極に印加されるＨｉｇｈアクティブの書込み走査信号に応答して導通状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３は、信号線３３を通して信号出力回路６０から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇをサンプリングして画素２０内に書き込む。この書き込まれた信号電圧Ｖｓｉｇは、駆動トランジスタ２２のゲート電極に印加されるとともに保持容量２４に保持される。
【００３２】
駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２の電源電位が第１電源電位にあるときには、一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極となって飽和領域で動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２から電流の供給を受けて有機ＥＬ素子２１を電流駆動にて発光駆動する。より具体的には、駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作することにより、保持容量２４に保持された信号電圧Ｖｓｉｇの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給し、当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動することによって発光させる。
【００３３】
駆動トランジスタ２２はさらに、電源供給線３２の電源電位が第１電源電位から第２電源電位に切り替わったときは、一方の電極がソース電極、他方の電極がドレイン電極となってスイッチングトランジスタとして動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１への駆動電流の供給を停止し、有機ＥＬ素子２１を非発光状態にする。すなわち、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するトランジスタとしての機能をも併せ持っている。
【００３４】
この駆動トランジスタ２２のスイッチング動作により、有機ＥＬ素子２１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、有機ＥＬ素子２１の発光期間と非発光期間の割合（デューティ）を制御することができる。このデューティ制御により、１フレーム期間に亘って画素が発光することに伴う残像ボケを低減できるために、特に動画の画品位をより優れたものとすることができる。
【００３５】
なお、上述した画素回路の回路構成は一例に過ぎない。すなわち、有機ＥＬ素子２１の駆動回路としては、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３の２つのトランジスタ素子と保持容量２４の１つの容量素子とからなる回路構成のものに限られるものではない。
【００３６】
他の回路例としては、例えば、一方の電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に、他方の電極が固定電位にそれぞれ接続されることで、有機ＥＬ素子２１の容量不足分を補う補助容量を必要に応じて設けた回路構成を採ることも可能である。さらには、駆動トランジスタ２２に対して直列にスイッチングトランジスタを接続し、当該スイッチングトランジスタの導通／非導通によって有機ＥＬ素子２１の発光／非発光の制御を行う回路構成を採ることも可能である。
【００３７】
上記構成の有機ＥＬ表示装置１０に代表される自発光型表示装置では、前にも述べたように、表示パネル４０上に、表示に寄与しないダミー画素を基準画素として設け、当該基準画素の輝度の劣化量から画素２０の輝度の劣化量を予測するようにしている。ここで、画素アレイ部３０の画素２０は表示に寄与する画素である（以下、有効画素２０と記述する場合もある）。そして、基準画素の輝度の劣化量を検出（測定）し、その検出結果を基に有効画素２０の輝度が劣化した分を補正するようにしている。本発明は、この輝度劣化補正回路、特に基準画素の部分の構成を特徴としている。以下に、その具体的な実施形態について説明する。
【００３８】
＜２．第１実施形態＞
［２−１．基準画素部の構成］
図３は、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａの構成例を示す概略構成図である。図３において、図１と同等部分（対応する部分）には同一符号を付して示し、その詳細な説明については重複するのでここでは省略する。
【００３９】
図３に示すように、表示パネル４０上の画素アレイ部（有効表示領域）３０の周辺部、例えば画素アレイ部３０を挟んでその左右両側の空白領域（いわゆる、額縁領域）には、第１，第２の基準画素部５１，５２が対をなして複数組設けられている。すなわち、第１，第２の基準画素部５１，５２は１対1の対応関係をもって設けられている。また、対をなす第１，第２の基準画素部５１，５２は、例えば隣接して設けられている。
【００４０】
図４に示すように、隣接して設けられる第１，第２の基準画素部５１，５２のうち、第１の基準画素部５１は、有効画素２０の輝度の劣化量を測定するためのダミー画素である。したがって、第１の基準画素部５１は、あらかじめ定められた特定の色および輝度で有効画素回路と同等の駆動方式により常時発光駆動される。そして、第１の基準画素部５１の輝度を検出することで、その検出結果から有効画素２０の輝度の劣化量を予測することができる。以下、この第１の基準画素部５１を劣化測定画素部５１と記述する。複数組分の劣化測定画素部５１は各々異なる輝度で発光駆動される。
【００４１】
一方、第２の基準画素部５２は、有効画素２０の初期状態の輝度を測定するためのダミー画素である。したがって、第２の基準画素部５２は、常時消灯状態にあり、有効画素２０の輝度の劣化量を検出するときに発光駆動される。そして、後述するように、第２の基準画素部５２の検出結果を基準とし、第１の基準画素部５１の検出結果と第２の基準画素部５２の検出結果とを比較することにより、有効画素２０の初期状態からの輝度の劣化量を予測することができる。以下、この第２の基準画素部５２を単に基準画素部５２と記述する。
【００４２】
ここで、常時消灯状態にある基準画素部５２は、輝度の劣化状態を検出（測定）するときのみ劣化測定画素部５１と同じ条件で発光駆動される。一方、劣化測定画素部５１については、有機ＥＬ表示装置１０Ａが動作している期間に亘って一定の条件で常時発光駆動される。ここで、一定の発光条件としては、様々な条件が挙げられるが、以下にその一例を列挙する。
【００４３】
発光条件例１）
劣化測定画素部５１を基準輝度で常時発光駆動する。基準輝度としては、例えば、有機ＥＬ表示装置１０Ａの最大輝度または当該最大輝度の１／２の輝度が考えられる。
発光条件例２）
有機ＥＬ表示装置１０Ａの全体に表示されている輝度の平均レベルで劣化測定画素部５１を常時発光駆動する。
【００４４】
劣化測定画素部５１および基準画素部５２の各輝度は後述する輝度センサによって検出（測定）される。この輝度センサが十分な光量を検出するためには、劣化測定画素部５１および基準画素部５２にはなるべく多くの画素を配置することが望ましい。
【００４５】
一例として、画素アレイ部３０の画素２０のサイズを基準としたとき、劣化測定画素部５１および基準画素部５２は、たて数ピクセル×よこ数ピクセルの画素数（ピクセル数）とすることにより、輝度センサが十分な光量を検出することができる。また、劣化測定画素部５１および基準画素部５２を、輝度センサが検出する光量を満足する画素数とすることで、輝度センサを劣化測定画素部５１および基準画素部５２に対して設置する際の機械的な寸法精度を緩和することができる。
【００４６】
ただし、劣化測定画素部５１および基準画素部５２の各々に多くの画素を配置しすぎると画素アレイ部（有効表示領域）３０外のスペースを多くとり、デザイン的な制約が多くなるというデメリットがある。そればかりでなく、発光画素自身による温度上昇の影響も無視できなくなるため、輝度センサへの光量を満足しつつ最小限の画素数で配置することが望ましい。具体的には、一例として、１．５ｍｍ角の輝度センサに対して、３倍程度の４．５ｍｍ角となるような画素数にて劣化測定画素部５１および基準画素部５２を構成する。
【００４７】
（発光駆動の形態例）
図３の例では、劣化測定画素部５１および基準画素部５２の対を、画素アレイ部３０の左右両側の額縁領域に複数組ずつ、例えば５組ずつ計１０組配置している。この配置例において、１０組の劣化測定画素部５１の発光駆動に関して、例えば次の２つの駆動例が考えられる。
【００４８】
形態例１）
１０組の対の配置例において、一方の額縁側の５組の対の劣化測定画素部５１についてそれぞれ異なる輝度、計５段階の輝度で発光駆動するようにする。他方の額縁側の５組の対の劣化測定画素部５１についても、一方の額縁側の５組の劣化測定画素部５１と同じ計５段階の輝度で発光駆動するようにする。
【００４９】
このように、画素アレイ部３０の左右両側に設けられた例えば５組ずつの対の劣化測定画素部５１について左右両側で同じ輝度で発光駆動することにより、左右両側で同じ発光条件で輝度の劣化量を検出できる。したがって、片側の額縁側だけで輝度の劣化量の検出を行う場合に比べて劣化量の検出精度を上げることができる。
【００５０】
形態例２）
１０組の対の配置例において、一方の額縁側の５組の対の劣化測定画素部５１および他方の額縁側の５組の対の劣化測定画素部５１について全て異なる輝度で発光駆動するようにする。すなわち、画素アレイ部３０の片側５組、計１０組の対の劣化測定画素部５１について全て異なる輝度、即ち計１０段階の輝度で発光駆動するようにする。
【００５１】
このように、画素アレイ部３０の左右両側に例えば５組ずつ設けられた劣化測定画素部５１について全て異なる輝度で発光駆動することにより、１０段階の輝度の下で輝度の劣化量を検出できる。したがって、５段階の輝度の下で輝度の劣化量の検出を行う場合に比べて劣化量を検出する際の分解能を上げることができる。
【００５２】
［２−２．輝度センサの構成］
輝度センサは、例えば劣化測定画素部５１および基準画素部５２の発光面側に設けられる。輝度センサには周知の光検出素子を用いることができる。一例として、アモルファスシリコン半導体を用いた可視光センサを用いることができる。輝度センサは、例えば、電流値として検出される輝度情報（光量情報）を電圧値として出力する。以下に、輝度センサの配置構造の具体的な実施例について説明する。
【００５３】
（実施例１）
図５は、実施例１に係る輝度センサの配置構造を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側断面図である。
【００５４】
図５に示すように、実施例１に係る輝度センサの配置構造では、劣化測定画素部５１および基準画素部５２に対して輝度センサ５３，５４が１対１の対応関係をもって１個ずつ配置されている。輝度センサ５３，５４は、劣化測定画素部５１および基準画素部５２の各受光面と対向するように配置されている。
【００５５】
この配置関係において、輝度センサ５３，５４の各々に対して、隣接する画素部５２，５１からの光や外光が入り込まないようにするために、輝度センサ５３，５４の周りを遮光板５５で囲むようにする。遮光板５５を設けなくても、輝度センサ５３，５４間の距離を十分に離すようにしても、輝度センサ５３，５４に隣接する画素部５２，５１からの光が入り込まないようにすることができる。
【００５６】
ただし、輝度センサ５３，５４間の距離を十分に離すようにした場合、劣化測定画素部５１および基準画素部５２を隣接させる効果（その詳細について後述する）が薄れてしまうため、輝度センサ５３，５４間の距離を離すよりも遮光板５５を設ける方が望ましい。
【００５７】
このように、劣化測定画素部５１および基準画素部５２に対して輝度センサ５３，５４を１個ずつ配置することで、劣化測定画素部５１および基準画素部５２の各輝度（光量）を並行して検出（測定）することができる。また、劣化測定画素部５１および基準画素部５２の各輝度が輝度センサ５３，５４によって個別に検出されるため、劣化測定画素部５１および基準画素部５２の各サイズについては必ずしも同じに設定する必要はない。
【００５８】
（実施例２）
図６は、実施例２に係る輝度センサの配置構造を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側断面図である。
【００５９】
図６に示すように、実施例２に係る輝度センサの配置構造では、劣化測定画素部５１および基準画素部５２に対してその受光面側の中間位置に輝度センサ５６が、劣化測定画素部５１および基準画素部５２の双方に跨った状態で１個配置されている。
【００６０】
実施例１に係る輝度センサの配置構造では、劣化測定画素部５１および基準画素部５２に対して輝度センサ５３，５４が１個ずつ配置されている。この場合、輝度センサ５３，５４について、その特性が劣化測定画素部５１および基準画素部５２の各々について同等の特性であることをあらかじめ確認しておく必要がある。
【００６１】
つまり、輝度劣化の検出を行うための測定を行う前に輝度センサ５３，５４の各々について校正を行っておく必要があるということになる。この校正作業については、作業工程が増え、コストアップになるばかりか、精度を増すために比較用の画素部の数を増やすとすると、輝度センサの数も同じだけ増えるとともに、その校正結果を保存しておくメモリも必要となり、さらにその量も増大することとなる。
【００６２】
これに対して、劣化測定画素部５１および基準画素部５２の輝度検出に単一の輝度センサ５６を共用する実施例２に係る輝度センサの配置構造によれば、上記の校正作業を行う必要がなくなる。また、輝度センサの数量も、劣化測定画素部５１および基準画素部５２に対して１個ずつ配置場合に比べて半分で済む。また、校正結果を保存しておくメモリも不要になる。
【００６３】
（実施例３）
図７は、実施例３に係る輝度センサの配置構造を示す側断面図である。
【００６４】
図７に示すように、実施例３に係る輝度センサの配置構造では、実施例２に係る輝度センサの配置構造と同様に、劣化測定画素部５１および基準画素部５２の輝度検出に単一の輝度センサ５６を共用する構造を採る。加えて、実施例３に係る輝度センサの配置構造では、劣化測定画素部５１および基準画素部５２と輝度センサ５６との間に拡散板５７を配置した構造を採っている。
【００６５】
このように、劣化測定画素部５１および基準画素部５２と輝度センサ５６との間に拡散板５７を配置することで、当該拡散板５７の散乱・拡散作用によって劣化測定画素部５１および基準画素部５２から発せられる光を輝度センサ５６の全体に入射させることができる。
【００６６】
［２−３．輝度劣化補正処理部］
続いて、劣化測定画素部５１および基準画素部５２の輝度検出データを基に、画素アレイ部３０の全画素（有効画素）２０の輝度の劣化分を補正する輝度劣化補正処理部６０の構成および処理について説明する。
【００６７】
図８は、輝度劣化補正処理部６０の構成の一例を示すブロック図である。図８に示すように、本例に係る輝度劣化補正処理部６０は、劣化量算出部６１、補正値算出部６２、画像データ積算部６３および補正部６４によって構成されている。
【００６８】
劣化量算出部６１は、複数の劣化測定画素部５１をそれぞれ異なる輝度で発光させた場合の検出センサ５３／５５の検出結果（以下、「劣化データ」と記述する）を取得することで、基準となる輝度における発光時間に対する輝度の劣化率（劣化量）を算出する。図９に、特定の輝度における発光時間に対する輝度の劣化率を示す。
【００６９】
図１０は、劣化測定画素部５１および基準画素部５２の各々についての発光時間に対する検出輝度（実測値）の変化を示す図である。図１０において、検出輝度が発光時間に比例して低下しないのは、即ち検出輝度が上下に変動するのは、有機ＥＬ表示装置１０が置かれる環境条件、具体的には環境の温度や明るさの影響を受けるからである。
【００７０】
そして、劣化量算出部６１において、（劣化測定画素部５１についての劣化データ／基準画素部５２についての劣化データ）なる演算を行うことで、発光時間に対する劣化測定画素部５１の劣化率（劣化量）を求めることができる。図１１は、発光時間に対する劣化測定画素部５１の輝度の劣化率を示す図である。図１２に、劣化測定画素部５１の明るさ（輝度）を３通りに設定した場合の発光時間に対する劣化測定画素部５１の輝度の劣化率を示す。また、図１３に、劣化測定画素部５１の明るさを１０通りに設定した場合の発光時間に対する劣化測定画素部５１の輝度の劣化率を示す。
【００７１】
補正値算出部６２は、劣化量算出部６１で算出された劣化量（劣化率）と画像データ積算部６３から与えられる情報とを基に、全ての有効画素２０について輝度劣化分の補正値を算出する。図１４に、発光時間に対する有効画素２０の輝度劣化分の補正値を示す。画像データ積算部６３は、補正部６４で輝度の劣化分が補正された画像データを積算して各有効画素２０が基準でどのくらいの時間に相当する発光時間で発光したかを算出する。
【００７２】
補正部６４は、補正値算出部６２で算出された輝度劣化分の補正値を基に、入力される映像データに対して画素単位で補正処理を行う。輝度劣化分の補正が為された映像データは、画像データ積算部６３に供給されるとともに、パネル駆動タイミング発生部７０に供給される。パネル駆動タイミング発生部７０は、先述した画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する駆動部に相当し、書込み走査部、電源供給部、信号供給部等によって構成される。
【００７３】
以上、輝度劣化補正処理部６０の構成の一例について説明したが、輝度劣化補正処理部６０としてはこの構成のものに限られるものではない。すなわち、劣化測定画素部５１についての劣化データおよび基準画素部５２についての劣化データに基づいて、有効画素２０の輝度の劣化分を補正できるものであればその構成は問わない。
【００７４】
［２−４．輝度劣化量の測定方法］
次に、輝度劣化量の測定方法について、図１５のフローチャートを用いて説明する。ここでは、実施例１に係る輝度センサの配置構造、即ち劣化測定画素部５１および基準画素部５２に対して輝度センサ５３，５４が１個ずつ配置されている配置構造の場合を例に挙げて説明するものとする。
【００７５】
まず始めに、劣化測定画素部５１および基準画素部５２の初期状態を観測する（ステップＳ１１）。初期状態は、劣化測定画素部５１とそれに隣接する基準画素部５２について同じ光量で発光させてそれぞれの輝度センサ５３，５４で光量（輝度）を測定する。このときの光量は輝度センサ５３，５４が測定し比較における精度を得るに十分な光量であることが望ましい。
【００７６】
ここで、初期状態の輝度の測定により、劣化測定画素部５１の初期輝度とそれに隣接する基準画素部５２の初期輝度を得ることができる。ただし、測定値には測定誤差や輝度センサ５３，５４の特性バラツキが含まれているために必ずしも初期の測定値が一致するとは限らず、むしろ異なる値を示すことが多い。
【００７７】
そこで、初期状態の観測によって得られた値の比を初期状態（経過時間＝０）比１００％とする。
初期状態比１００％（経過０時間）＝センサ測定値（劣化測定画素輝度）
／センサ測定値（基準画素輝度）  …（１）
【００７８】
次に、有効画素２０の劣化状態を測定するまでの間についての条件について述べる。基準画素部５２については、常時消灯させておき劣化状態を測定するときのみ劣化測定画素部５１と同じ条件で発光させる。
【００７９】
劣化測定画素部５１については、有機ＥＬ表示装置１０が動作している間一定の条件で常時発光させておく。ここで、一定の条件としては様々な条件が挙げられるが、以下にその一例を列挙する。
【００８０】
表示例１）
基準輝度で発光させる。例えば、有機ＥＬ表示装置１０の最大輝度。または、有機ＥＬ表示装置１０の最大輝度の１／２。
表示例２）
有機ＥＬ表示装置１０全体に表示されている平均レベルで発光させる。
【００８１】
初期状態比１００％の算出後、一定時間経過したか否かを判断し（ステップＳ１３）、一定時間経過した後初期状態を測定したときと同じ要領で劣化測定画素部５１の輝度とそれに隣接する基準画素部５２の輝度を輝度センサ５３，５４によって測定する（ステップＳ１４）。
【００８２】
ここで、劣化測定画素部５１と基準画素部５２の各輝度の測定間隔について、理想的にはなるべく短い間隔で測定することが望ましい。その際、あらかじめ素子の劣化特性が推測できる場合においては、劣化が１％に満たない間隔で測定を行い、補正をかけることにより、有機ＥＬ表示装置１０の表示品位を損なうことが無い。ただし、これは理想的な測定間隔であり、表示内容や使用目的、表示装置の性格により適切に設定するようにすると良い。
【００８３】
次に、それぞれの輝度センサ５３，５４で測定した値より、次式（２）に基づいて経過時間ｈ後の比を計算する。
劣化率（経過時間ｈ）＝センサ測定値（劣化測定画素輝度）
／センサ測定値（基準画素輝度）  …（２）
【００８４】
式（２）に基づく計算により、経過時間ｈ後の被測定素子、即ち劣化測定画素部５１の劣化率が得られる。
【００８５】
このとき、初期状態から時間ｈが経過した時点では、初期状態を測定したときと環境が大きく異なっていることが考えられる。例えば、初期状態では有機ＥＬ表示装置１０の製造工場において温度や湿度が一定の状態に管理された条件で測定された基準となる値であったとしても、時間ｈが経過した後は同じ環境条件にあるとは言えない。
【００８６】
すなわち、時間ｈが経過した後は有機ＥＬ表示装置１０が使用される環境下において輝度の測定が行われるため温度や湿度がいかなる条件の下で使用されるかは想定できない
よって、温度や湿度による輝度センサ５３，５４の特性変動や有機ＥＬ表示装置１０自身の温度特性が直接測定値に現れてしまうことになる。
【００８７】
しかし、劣化測定画素部５１とそれに隣接する基準画素部５２について、輝度センサ５３，５４の各検出結果を比較する際の精度を得るに十分な光量で発光させ、それらの検出結果を比較することにより、環境変化の影響をキャンセルした劣化度合いを得ることができる。しかも、このとき得られた劣化被測定素子の劣化度合いは比で表され一目瞭然である。
【００８８】
以上では、実施例１に係る輝度センサの配置構造の場合の輝度劣化量の測定方法について述べたが、実施例２，３に係る輝度センサの配置構造の場合にも基本的に同様である。そして、実施例２，３に係る輝度センサの配置構造、即ち劣化測定画素部５１および基準画素部５２に対して単一の輝度センサ５５を共用する配置構造の場合には、輝度センサの特性ばらつきや環境による測定誤差については排除することが可能となる。
【００８９】
［２−５．第１実施形態の作用効果］
以上説明したように、劣化測定基準画素部５１と基準画素部５２とを用い、これら画素部５１，５２の各輝度の検出結果を基に、有効画素２０の輝度の劣化分を補正する処理を行うことで、次のような作用効果をすることができる。
【００９０】
すなわち、劣化測定基準画素部５１をあらかじめ定められた輝度で発光駆動し、当該劣化測定基準画素部５１の輝度を検出することで、輝度劣化が進行した劣化測定基準画素部５１の輝度の検出結果を、有機ＥＬ表示装置１０Ａが置かれる環境条件に応じて得ることができる。この輝度劣化後の検出結果からは、輝度劣化が進行した有効画素２０の輝度の劣化量を、有機ＥＬ表示装置１０Ａが置かれる環境条件に応じて予測することができる。
【００９１】
一方、輝度の劣化量を検出するときに基準画素部５２を発光駆動し、当該基準画素部５２の輝度を検出することで、輝度劣化が進行していない初期状態の基準画素部５２の輝度の検出結果を、有機ＥＬ表示装置１０Ａが置かれる環境条件に応じて得ることができる。この初期の輝度状態の検出結果からは、有機ＥＬ表示装置１０Ａが置かれる環境条件に応じた有効画素２０の初期状態の輝度を予測することができる。
【００９２】
すなわち、劣化測定基準画素部５１の輝度の検出結果も、基準画素部５２の輝度の検出結果も共に、有機ＥＬ表示装置１０Ａが置かれる環境条件に応じた検出結果となる。劣化測定基準画素部５１および基準画素部５２の各輝度の検出結果からは、有機ＥＬ表示装置１０Ａが置かれる環境条件の影響を排除した、有効画素２０の初期状態からの輝度の劣化量を求めことができる。
【００９３】
そして、劣化測定基準画素部５１および基準画素部５２の各輝度の検出結果から求めた劣化量を基に有効画素２０の輝度を制御することで、有効画素２０の初期状態からの輝度の劣化分を補正することができる。すなわち、劣化測定基準画素部５１および基準画素部５２の各輝度の検出結果が共に有機ＥＬ表示装置１０Ａが置かれる環境条件に応じた検出結果であるために、当該環境条件の影響を受けることなく、有効画素２０の輝度の劣化量を検出することができる。
【００９４】
＜３．第２実施形態＞
［３−１．基準画素部の構成］
図１６は、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ｂの構成例を示す概略構成図である。図１６において、図３と同等部分（対応する部分）には同一符号を付して示し、その詳細な説明については重複するのでここでは省略する。
【００９５】
図１６に示すように、表示パネル４０上の画素アレイ部３０の周辺部、例えば画素アレイ部３０を挟んでその左右両側の額縁領域には、１つの基準画素部（第２の基準画素部）５２と複数の劣化測定画素部（第２の基準画素部）８１とが組をなして設けられている。本例では、１つの基準画素部５２と複数の劣化測定画素部８１との組が、左右両側の額縁領域に複数組、本例では６組設けられている。
【００９６】
具体的には、図１７に示すように、１つの基準画素部５２と複数の劣化測定画素部８１との組は、基準画素部５２を中心とし、当該基準画素部５２の周囲に例えば８個の劣化測定画素部５１−１〜５１−８が設けられた構成となっている。すなわち、８個の劣化測定画素部５１−１〜５１−８は、基準画素部５２に対してその上下左右斜めの位置関係で隣接して設けられている。
【００９７】
８個の劣化測定画素部５１−１〜５１−８は、画素アレイ部３０の各有効画素２０の輝度の劣化量を測定するためのダミー画素である。そして、劣化測定画素部５１−１〜５１−８は、あらかじめ定められた特定の輝度で常時発光駆動される。そして、８個の劣化測定画素部５１−１〜５１−８の輝度を検出することで、その検出結果から有効画素２０の輝度ごとの劣化量を予測することができる。
【００９８】
一方、基準画素部５２は、有効画素２０の初期状態の輝度を測定するためのダミー画素である。この基準画素部５２は、常時消灯状態にあり、有効画素２０の輝度の劣化量を検出するときに発光駆動される。そして、第１実施形態の場合と同様に、基準画素部５２の検出結果を基準とし、劣化測定画素部５１−１〜５１−８の検出結果と基準画素部５２の検出結果とを比較することにより、有効画素２０の初期状態からの輝度の劣化量を予測することができる。
【００９９】
劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２の各輝度は、第１実施形態の場合と同様に、輝度センサによって検出（測定）される。この輝度センサが十分な光量を検出するためには、劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２にはなるべく多くの画素を配置することが望ましい。
【０１００】
一例として、画素アレイ部３０の画素２０のサイズを基準としたとき、劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２は、たて数ピクセル×よこ数ピクセルの画素数（ピクセル数）とすることにより、輝度センサが十分な光量を検出することができる。また、劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２を、輝度センサが検出する光量を満足する画素数とすることで、輝度センサを劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２に対して設置する際の機械的な寸法精度を緩和することができる。
【０１０１】
ただし、劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２の各々に多くの画素を配置しすぎると額縁領域のスペースを多くとり、デザイン的な制約が多くなるというデメリットがある。そればかりでなく、発光画素自身による温度上昇の影響も無視できなくなるため、輝度センサへの光量を満足しつつ最小限の画素数で配置することが望ましい。具体的には、一例として、１．５ｍｍ角の輝度センサに対して、３倍程度の４．５ｍｍ角となるような画素数にて劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２を構成する。
【０１０２】
ここで、常時消灯状態にある基準画素部５２は、輝度の劣化状態を検出（測定）するときのみ劣化測定画素部５１と同じ条件で発光駆動される。一方、劣化測定画素部５１−１〜５１−８については、これら８個の劣化測定画素部５１−１〜５１−８の発光条件として複数設定することが可能となる。
【０１０３】
具体的には、第１実施形態の場合の発光条件例１（有機ＥＬ表示装置１０Ｂの最大輝度または当該最大輝度の１／２の輝度）での発光と、発光条件例２（有機ＥＬ表示装置１０Ｂの全体に表示されている輝度の平均レベル）での発光の双方を同時に実施可能となる。また他の発光条件例として次のような条件が考えられる。すなわち、８個の劣化測定画素部５１−１〜５１−８のうちの１個を、有機ＥＬ表示装置１０Ｂの全体に表示されている輝度の平均レベルで発光駆動し、残りの７個についてはそれぞれ異なる基準輝度にて７段階の輝度で発光駆動する。
【０１０４】
［３−２．輝度センサの構成］
輝度センサについては、第１実施形態の場合と同様に、アモルファスシリコン半導体を用いた可視光センサを用いることができる。また、劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２との関係においては、第１実施形態の実施例１また実施例３に係る輝度センサの配置構造を採ることができる。
【０１０５】
（実施例１の場合）
第１実施形態の実施例１に係る配置構造の場合と同様に、劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２に対して輝度センサを１対１の対応関係をもって１個ずつ配置する（図５参照）。このとき、輝度センサは、劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２の各受光面と対向するように配置される。
【０１０６】
このように、劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２に対して輝度センサを１個ずつ配置することで、各画素部５１−１〜５１−８，５２の輝度（光量）を並行して検出（測定）することができる。また、各画素部５１−１〜５１−８，５２の輝度が輝度センサによって個別に検出されるため、劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２の各サイズについては必ずしも同じに設定する必要はない。
【０１０７】
（実施例３の場合）
第１実施形態の実施例３に係る配置構造の場合と同様に、劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２に対して単一の輝度センサを共用する一方、当該輝度センサと劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２との間に拡散板を配置する（図７参照）。
【０１０８】
このように、劣化測定画素部５１−１〜５１−８および基準画素部５２と単一の輝度センサとの間に拡散板を配置することで、当該拡散板の散乱・拡散作用によって各画素部５１−１〜５１−８，５２から発せられる光を単一の輝度センサに導くことができる。したがって、基準画素部５２を中心としてその周囲に隣接して劣化測定画素部５１を複数配置できるとともに、単一の輝度センサを複数の劣化測定画素部５１に対して共用できる利点がある。
【０１０９】
上記構成の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ｂにおいて、輝度センサの検出結果（劣化データ）に基づく輝度劣化の補正や輝度劣化量の測定については、基本的には、第１実施形態に有機ＥＬ表示装置１０Ａの場合と同じである。したがって、ここでは、その詳細な説明については重複するので省略する。
【０１１０】
［３−３．第２実施形態の作用効果］
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ｂの場合にも、基本的に、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａの場合と同様に作用効果、即ち有機ＥＬ表示装置１０Ｂが置かれる環境条件の影響を受けることなく、有効画素２０の輝度の劣化量を検出することができる。加えて、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ｂの場合には、劣化測定画素部５１−１〜５１−８の発光条件を複数設定することができるために、より細やかな補正のための劣化状況を把握することができる。
【０１１１】
＜４．変形例＞
上記実施形態では、画素２０の電気光学素子（発光素子）として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではない。すなわち、本発明は、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子などの自発光素子を画素２０の電気光学素子として用いる自発光型の表示装置全般に対して適用可能である。
【０１１２】
＜５．適用例＞
以上説明した本発明による表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。一例として、図１８〜図２２に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなどの表示装置に適用することが可能である。
【０１１３】
このように、あらゆる分野の電子機器の表示装置として本発明による表示装置を用いることにより、各種の電子機器において高品位な画像表示を行うことができる。すなわち、先述した実施形態の説明から明らかなように、本発明による表示装置は、自発光素子の輝度の劣化量を確実に検出し、その検出結果に基づいて自発光素子の輝度の劣化分を補正することができるために高品質な表示画像を得ることができる。
【０１１４】
本発明による表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部３０に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。なお、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。
【０１１５】
以下に、本発明が適用される電子機器の具体例について説明する。
【０１１６】
図１８は、本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。本適用例に係るテレビジョンセットは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１１７】
図１９は、本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１１８】
図２０は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１１９】
図２１は、本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１２０】
図２２は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含んでいる。そして、ディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明による表示装置を用いることにより本適用例に係る携帯電話機が作製される。
【符号の説明】
【０１２１】
１０，１０Ａ，１０Ｂ…有機ＥＬ表示装置、２０…画素、２１…有機ＥＬ素子、２２…駆動トランジスタ、２３…書込みトランジスタ、２４…保持容量、３０…画素アレイ部、４０…表示パネル、５１…劣化測定画素部（第１の基準画素部）、５２…基準画素部（第２の基準画素部）、５３，５４，５６…輝度センサ、５５…遮光板、５７…拡散板、６０…輝度劣化補正処理部、６１…劣化量算出部、６２…補正値算出部、６３…画像データ積算部、６４…補正部、７０…パネル駆動タイミング発生部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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