(57)【要約】【課題】液晶注入口に相当する領域だけを簡便な手段により、選択的に装飾層である撥水層を除去し、確実な液晶封止方法を提供する。【解決手段】対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の前記液晶層の側の表面に有機配向層を結合した無機配向膜を備える液晶表示装置の、前記基板の前記有機配向層の除去領域にエネルギー線を照射し、前記有機配向層を除去する液晶表示装置の製造方法であって、前記除去領域に対応する開口部を備え、前記開口部の前記液晶表示装置の表示部との境界線に直交する方向の開口長さの５倍以上の板厚を有するマスクを前記基板面に対向配置し、エネルギー線を照射する、ことを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の前記液晶層の側の表面に有機配向層を結合した無機配向膜を備える液晶表示装置の、前記基板の前記有機配向層の除去領域にエネルギー線を照射し、前記有機配向層を除去する液晶表示装置の製造方法であって、
前記除去領域に対応する開口部を備え、前記開口部の前記液晶表示装置の表示部との境界線に直交する方向の開口長さの５倍以上の板厚を有するマスクを前記基板面に対向配置し、エネルギー線を照射する、
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記マスクと前記基板との隙間δは
０ｍｍ＜δ≦０．５ｍｍ
の範囲に離間させて配置する、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記エネルギー線が紫外線である、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記マスクがステンレススチールである、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記除去領域が、前記基板間に液晶を注入する注入口形成領域である、
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、投射型表示装置、いわゆるプロジェクターのライトバルブや、携帯電話等の表示装置として液晶表示装置が広く採用されている。液晶表示装置は、互いに対向する２枚の基板間に液晶を保持し、２枚の基板の液晶側の面には液晶分子の配列を制御する配向膜が形成されている。
【０００３】
近年、この配向膜に有機配向層に代わって、熱や光に強いＳｉＯx（酸化シリコン）等の無機材料からなる無機配向膜が採用されている。更に、この無機配向膜の信頼性を向上させるために、形成された無機配向膜の表面を脂肪族アルコールやシランカップリング剤により修飾する技術が実用化されている（特許文献１）。
【０００４】
しかし、上述の無機配向膜にシランカップリング剤などにより形成される装飾層は、いわゆる撥水（疎水）性を発揮する機能層であり、液晶を基板間に封入し画像表示領域を形成するための基板間に形成されるシール部材との密封性能（接着性能）を阻害するものであった。そのため、画像表示領域にレジスト剤を塗布し、遮蔽マスクとして画像表示領域外に紫外線などを照射し、シランカップリング剤による装飾部分を除去する手段が適応された（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−８３３２５号公報
【特許文献２】特開平８−７８６８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上述の特許文献２に開示されたレジスト剤によるマスク形成方法では、画像表示領域からのマスク除去によって、形成された無機配向膜の配向性を乱してしまい、表示性能を著しく低下させてしまうという課題があった。
【０００７】
そこで、液晶注入口に相当する領域だけを簡便な手段により、選択的に装飾層である撥水層を除去し、確実な液晶封止方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、少なくとも上述の課題の一つを解決するように、下記の形態または適用例として実現され得る。
【０００９】
〔適用例１〕本適用例の液晶表示装置の製造方法は、対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の前記液晶層の側の表面に有機配向層を結合した無機配向膜を備える液晶表示装置の、前記基板の前記有機配向層の除去領域にエネルギー線を照射し、前記有機配向層を除去する液晶表示装置の製造方法であって、前記除去領域に対応する開口部を備え、前記開口部の前記液晶表示装置の表示部との境界線に直交する方向の開口長さの５倍以上の板厚を有するマスクを前記基板面に対向配置し、エネルギー線を照射することを特徴とする。
【００１０】
上述の適用例によれば、マスク開口を通して照射されるエネルギー線、例えば紫外線等の非平行光を照射しても、マスク開口長さに対して５倍以上の厚さの板厚のマスクを用いることで、マスク開口のマスク表裏面を貫通する貫通方向に対して非平行光がマスク開口の内壁面で遮断される。その結果、マスク開口の液晶表示装置の基板面側ではエネルギー線の回折、あるいはマスク表裏面を貫通する貫通方向に対して傾斜して出射するエネルギー線を抑制することができる。
【００１１】
従って、マスク開口の液晶表示装置の基板面側からは略平行光が出射されるため、マスク開口形状を正確に投影した位置、範囲の有機配向層だけをエネルギー線によって改質することができる。言い換えると、改質されてはならない画像表示領域との境界において、画像表示領域側へのエネルギー線の不要な照射を抑制することが可能となり、画像品質の低下を防止できる。
【００１２】
〔適用例２〕上述の適用例において、前記マスクと前記基板との隙間δは０ｍｍ＜δ≦０．５ｍｍ、の範囲に離間させて配置することを特徴とする。
【００１３】
上述の適用例によれば、基板上の形成された無機配向膜を損傷することなく、且つエネルギー線の散乱を抑制することができ、改質されてはならない画像表示領域との境界において、画像表示領域側へのエネルギー線の不要な照射を抑制することが可能となり、画像品質の低下を防止できる。
【００１４】
〔適用例３〕上述の適用例において、前記エネルギー線が紫外線であることを特徴とする。
【００１５】
上述の適用例によれば、有機配向層、特にシランカップリング剤のアルキル基鎖を容易に無機配向膜から離脱させることができる。
【００１６】
〔適用例４〕上述の適用例において、前記マスクがステンレススチールであることを特徴とする。
【００１７】
上述の適用例によれば、紫外線ランプが発する熱に対して耐久性が高いマスクを得ることができる。且つ、安価に製作することができる。
【００１８】
〔適用例５〕上述の適用例において、前記除去領域が、前記基板間に前記液晶を注入する注入口形成領域であることを特徴とする。
【００１９】
液晶表示装置の最終工程である液晶の注入口を封止、密閉する接着剤の密着性を確保し、シール品質を低下させることがない。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態に係る液晶表示装置の、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図。
【図２】図１（ａ）のＣ−Ｃ’断面部における、拡大模式図。
【図３】第１実施形態に係る液晶表示装置の製造フローチャート。
【図４】第１実施形態に係るマスクの、（ａ）は平面図、（ｂ）はＭ部拡大図、（ｃ）はＤ−Ｄ’断面図。
【図５】第１実施形態に係る紫外線照射工程を説明する概念図。
【図６】マスク厚みと漏れ照射面積との関係を示すグラフ。
【図７】第１実施形態に係るマスクの自重たわみのグラフ。
【図８】第１実施形態に係る液晶表示装置の組立て方法を説明する斜視図。
【図９】第２実施形態に係るマスクの、（ａ）は平面図、（ｂ）はｍ部拡大図。
【図１０】第３実施形態に係る、エネルギー線経路を説明する概念図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態を説明する。
【００２２】
（第１実施形態）
図１は第１実施形態に係る液晶表示装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面部における概略断面図である。液晶表示装置１００は、図１（ｂ）に示すようにＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０に対向配置される対向基板２０とを備え、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間にシール材３０によって液晶４０が封入されている。ＴＦＴ基板１０の対向基板２０に対向する面には画像表示領域１０ａを備え、画像表示領域１０ａを囲うようにシール材３０が設けられている。
【００２３】
シール材３０は、図１（ａ）に示すように連続した環状ではなく、後述する製造工程において、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とシール材３０とにより形成される空間に、液晶を注入するための部分的な切欠部の液晶注入口３０ａを備えている。液晶注入口３０ａは、液晶４０が注入された後、図１（ａ）のＢ−Ｂ’断面部を示す図１（ｃ）のように、封止材５０によって液晶注入口３０ａが封止され、液晶表示装置１００の内部に液晶４０が密封される。
【００２４】
シール材３０の外側の領域には、走査線に走査信号を供給する走査線駆動素子６１と、データ線に画像信号を供給するデータ線駆動素子６２とが実装されている。走査線駆動素子６１とデータ線駆動素子６２からは、ＴＦＴ基板１０の端部に設けた接続端子７０にかけて配線７１が引き回されている。
【００２５】
また、対向基板２０（図１（ａ）には図示せず）には、画像表示領域１０ａのほぼ全域に対応する範囲に、共通電極２０ａが形成され、共通電極２０ａの四隅には基板間導通部８０が形成されている。基板間導通部８０からは、接続端子７０まで配線７２が引き回されている。そして、接続端子７０を介して外部から入力された各種信号によって、画像表示領域１０ａに画像が表示されるように液晶表示装置１００が駆動される。
【００２６】
次に、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の互いに対向する面、すなわち液晶４０を挟持する面に形成される配向膜について説明する。図２は、図１（ａ）における封止材５０（液晶注入口３０ａ）部を含むＣ−Ｃ’断面部を模式的に拡大した断面図である。
【００２７】
図２に示すようにＴＦＴ基板１０、及び対向基板２０の液晶４０に面する側のＴＦＴ基板面１０ｂと対向基板面２０ｂの表面には、それぞれ無機配向膜１１、２１が形成されている。この無機配向膜１１、２１は蒸着、スパッタ等の方法によって無機化合物、例えばＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2等が形成されている。更に、無機配向膜１１、２１の表面には脂肪族アルコール、あるいはシランカップリング剤による有機配向層が形成されている。本実施形態では、シランカップリング単分子が、有機配向層１２、２２として無機配向膜１１、２１の表面に形成された例によって説明する。なお、図２は模式的に無機配向膜、シランカップリング単分子を描いたものであり、実際の構造を示すものではない。
【００２８】
シランカップリング単分子の有機配向層１２、２２は、撥水性能を有し、無機配向膜１１、２１の耐水性の向上などによる信頼性向上を目的に形成されている。しかし、撥水性能を有するために、液晶注入口３０ａにエポキシ系接着剤等によって形成される封止材５０に対しては密着性を阻害するものであり、封止材５０の塗布領域では有機配向層１２、２２は無機配向膜１１、２１から切り離し、除去することが必要となる。
【００２９】
本実施形態に係る液晶表示装置１００の製造方法は、上述の液晶注入口３０ａに対する封止材５０の密着性の向上に係るものであり、以下に具体的に説明する。
【００３０】
〔液晶表示装置の製造方法〕
図３は、本実施形態に係る液晶表示装置１００の製造フローチャートであり、液晶注入口封止までの工程を示している。
【００３１】
＜基板準備工程＞
先ず、ウエハーの形態でＴＦＴ、引き回し配線、接続端子などが形成され、液晶面側に無機配向膜、有機配向層を形成したＴＦＴ基板１０と、共通電極、無機配向膜、有機配向層を形成した対向基板２０を準備する（Ｓ１０１）。ＴＦＴ基板１０、対向基板２０共に十分に洗浄・乾燥されて次の工程に移行する。
【００３２】
＜ＵＶ照射工程＞
次に本願発明となる、ＵＶ照射工程（Ｓ１０２）に移行する。このＵＶ照射工程（Ｓ１０２）には、図４に示すマスク２００が用いられる。マスク２００は、例えばステンレススチール等の金属板より形成されている。マスク２００は図４（ａ）の平面図に示すように、複数の貫通した開口部２１０を備えている。この開口部２１０は、図４（ａ）のＭ部拡大図である図４（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０もしくは対向基板２０におけるシール材３０の液晶注入口３０ａに対応している。従って、マスク２００とＴＦＴ基板１０もしくは対向基板２０とは、マスク２００とＴＦＴ基板１０もしくは対向基板２０とに予め設けたアライメントマーク（図示せず）等を基準に位置合わせを行い、対向配置する。
【００３３】
マスク２００を基板ウエハーに対して位置合わせを行い、次にＵＶ（紫外線）照射を行う。図５（ａ）に示すように、マスク２００の上部からＵＶ光源３００より紫外線を照射する。適用する紫外線としては短波長帯、例えば２５４ｎｍ以下の波長の紫外線を照射することが好ましい。また、マスク２００とＴＦＴ基板１０もしくは対向基板２０との隙間δは、０（ゼロ）、すなわち密着させることが理想的ではある。しかし、ＴＦＴ基板１０、対向基板２０にはソリやウネリを持っているため、マスク２００を密着させることで、基板表面に形成された無機配向膜１１、２１や有機配向層１２、２２をマスク２００によって破壊する虞がある。従って、ソリやウネリの量に相当する隙間として、０ｍｍ＜δ≦０．５ｍｍの範囲で隙間を設けてマスク２００を配置することが好ましい。
【００３４】
このように配置されたマスク２００に、ＵＶ光３１０が照射されると、図５（ｂ）の拡大概略図のように、マスク２００の開口部２１０の貫通方向に対して平行に入射する平行光３２０がマスク２００表面に到達し、照射領域Ｐに形成された有機配向層１２、２２を無機配向膜１１、２１から切り離し、除去する。
【００３５】
しかし、ＵＶ光源３００から発光されるＵＶ光３１０は、放射状に出射されるために、ＵＶ光３１０の内、開口部２１０の貫通方向に対して斜方から照射される非平行光３３０は、ＴＦＴ基板１０あるいは対向基板２０の開口部２１０に対応する照射領域Ｐの外側の表面に照射され、不要な照射領域Ｑ（以後、不要照射領域Ｑという）を生じてしまう。この不要照射領域Ｑを極力少なくするため、開口部２１０を次のように設定する。
【００３６】
図４（ｃ）に示すように、画像表示領域１０ａとシール材３０との境界線に対して法線方向の開口部２１０の長さを開口長さＬとすると、図５（ｂ）に示すように、マスク２００の開口部２１０における開口長さＬに対して、マスク厚みＴとすると、不要照射領域Ｑにおける照射域ｑは、理論的には
ｑ＝δ×（Ｌ／Ｔ）
となる。開口長さＬは、液晶注入口３０ａの大きさとほぼ同じに設定されるため、マスク厚みＴを大きくすることで不要照射域ｑを小さくすることができる。さらにマスク２００とＴＦＴ基板１０、もしくは対向基板２０との隙間δを小さくすることも好ましいことが分かった。
【００３７】
上述の通り、隙間δは０ｍｍ＜δ≦０．５ｍｍの範囲で極力０に近づけるように設置される。従って、不要照射領域Ｑを狭くするにはマスク厚みＴを厚くする、すなわちＬ／Ｔを小さくすることが有効であることが分かった。ここで、Ｌ／Ｔの関係について図６により説明する。
【００３８】
図６は開口部２１０における開口長さＬを１ｍｍ、隙間δを０．５ｍｍとしたときの、マスク厚みＴに対するＵＶ光線の漏れ照射面積の関係を示したものである。ここで漏れ照射面積とは図５（ｂ）における照射領域Ｐの面積に対する不要照射領域Ｑの面積割合を示す。図６のグラフが示すように、マスク厚みＴ≧５ｍｍの範囲において実測値では１％以下、理論値でも４％以下であり、マスク厚みＴは開口長さＬに対して５倍以上、すなわちＴ／Ｌ≧５とすることで、不要照射領域Ｑはきわめて狭い領域とすることができる。なお図６のグラフにおける実測値の測定には「超高感度タイプ  ＵＶシールＳ（日油技研工業製）」を用いて測定した。
【００３９】
また、マスク２００は、ＵＶ光源３００から発生する熱に対して耐久性を有し、且つ線膨張係数が大きくない素材として、金属製が好ましく、特に加工性、コストの面からステンレススチールを用いることがより好ましい。金属製のマスク２００とすると、マスク厚みＴを厚くしすぎると、マスク重量が重くなり取扱が困難であり、また開口部２１０の開口長さＬは１ｍｍ程度の長さであるため、貫通孔に加工する点でも１０ｍｍ以下の厚さとすることが好ましい。しかし、マスク厚みＴが薄すぎると、マスク２００の自重によるたわみが大きくなり、マスク２００の中央部で基板との隙間を上述の通り０ｍｍ＜δ≦０．５ｍｍの範囲で設定しても、マスク２００の中央から外側に向けて、隙間δは徐々に大きくなってしまい、不要照射領域Ｑが拡大してしまう。
【００４０】
例えば、直径３００ｍｍのウエハー用のステンレススチール製のマスクの場合、図７に示すように、マスク２００の中心部での自重によるたわみは、マスク板厚１ｍｍでは約０．１４ｍｍ、マスク板厚３ｍｍでは約０．０１５ｍｍであるが、マスク板厚を５ｍｍとすると約０．００５ｍｍと格段に少ないたわみとなり、十分に無視できる量である。従って、たわみ量がほぼ無視できる５ｍｍ以上の厚さを有することが好ましい。
【００４１】
次にマスク２００の開口部２１０に関する、位置ならびに大きさの設定について説明する。図４（ｂ）に示すように液晶注入口３０ａの領域に対して、マスク２００の開口部２１０は次のように大きさ、位置を設定する。先ず、液晶４０とシール材３０との境界３０ｂと開口部２１０の開口形状に対応する１辺２１０ａとは平面視で一致させるのが最も好ましい。
【００４２】
しかし、位置合わせのばらつき等を考慮して、開口形状の１辺２１０ａは、少なくとも平面視ずれｓ１程度、境界３０ｂより外側になるよう設定する。この１辺２１０ａに対向する辺２１０ｂは、図５（ｂ）に示す開口長さＬとなるよう、すなわち液晶４０とシール材３０との境界３０ｂに対して法線方向の開口部２１０の開口の広さが開口長さＬに設定される。辺２１０ａ、２１０ｂと隣合う辺２１０ｃ、２１０ｄの位置は液晶注入口３０ａの幅を超える位置に設定し、液晶注入口３０ａ位置、幅より外側にオーバーラップｓ２を設ける。
【００４３】
上述のように設定された開口部２１０を備えるマスク２００を用いて、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０のＵＶ照射領域にＵＶを照射する。なお上述した通り、ＵＶ光源３００は熱を伴って発光する。その温度は、およそ９０℃程度までに至る。従って、マスク２００は金属マスクとすることが好ましく、例えばステンレススチールは耐久性、加工性、コストの面で好ましい。他には、チタン合金、アルミ合金など軽量且つ耐熱性に優れ、しかもマスク２００の冷却装置を設けた場合などには熱伝導率にも優れ、冷却効率に優れたマスク２００を得ることができる点で好ましい。さらに、熱膨張係数の小さい金属とすることも好ましい。
【００４４】
＜基板接合工程＞
次に、基板接合工程（Ｓ１０３）に移行する。基板接合工程（Ｓ１０３）は、図８に示すように、例えば紫外線硬化型樹脂成分からなるシール材３０を対向基板２０、もしくはＴＦＴ基板１０のどちらか一方の対向面にスクリーン印刷もしくはディスペンサー法により形成する（本図では便宜的にＴＦＴ基板１０にシール材３０の印刷領域１０ｃを描いている）。シール材３０の一部には、基板組立て後の液晶注入口３０ａとなる切欠き部が設けられている。
【００４５】
次に、シール材３０を接着手段としてＴＦＴ基板１０と対向基板２０を貼り合わせる。このとき、シール材３０の内側領域には液晶４０が封入されるためのＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に所定のスペース（隙間）を確保するため、スペーサー（図示しない）が投入される。ＴＦＴ基板１０と対向基板２０を貼り合わせた後、シール材３０に紫外線硬化型樹脂であれば、紫外線を照射し、硬化させる。この後、ウエハー状の基板から、個別基板に切断分離する。
【００４６】
＜液晶注入工程＞
次に、切断分離した基板に液晶を注入する液晶注入工程（Ｓ１０４）に移行する。液晶注入工程（Ｓ１０４）では、真空チャンバー内に基板を投入し、真空減圧して基板の液晶封入部を真空とする。次に、少なくとも液晶注入口３０ａ部位を液晶槽へ浸漬し、チャンバー内を大気圧に戻すことで、基板内に液晶が注入される。
【００４７】
＜液晶注入口封止工程＞
次に、液晶注入口封止工程（Ｓ１０５）に移行する。液晶注入口封止工程（Ｓ１０５）では、液晶注入工程（Ｓ１０４）で液晶が注入された基板のシール材３０に備えた液晶注入口３０ａ部に、エポキシ系の紫外線硬化型接着剤を、液晶注入口３０ａを塞ぐように塗布し、その後、紫外線照射により硬化させ、封止材５０となる。これにより、液晶注入口３０ａの封止が完了する。
【００４８】
この時、上述したＵＶ照射工程（Ｓ１０２）において、ＵＶが照射される照射領域に封止用の接着剤を塗布する。照射領域Ｐ（図５（ｂ））には、撥水性能を持つ有機配向層１２、２２が除去されているため、基板接合工程（Ｓ１０３）におけるシール材３０を基板間で押圧接着しなくても、接着剤と無機配向膜を含む基板との接着性能を確保することが可能となり、封止材として密閉性も確保できる。
【００４９】
さらに、上述の通りマスク２００の開口部２１０を、開口長さＬとマスク厚みＴとをＴ／Ｌ≧５とすることで、封止材５０の形成部である液晶注入口３０ａ近傍における基板上に形成された有機配向層１２、２２が除去されることを阻止し、液晶の耐久性や表示品質を向上させることができる。
【００５０】
上述の製造方法において、基板接合工程（Ｓ１０３）の前にＵＶ照射工程（Ｓ１０２）を実施する製造フローで説明したが、ＵＶ照射工程（Ｓ１０２）を液晶注入工程（Ｓ１０４）の後、液晶注入口封止工程（Ｓ１０５）の前に実施する製造フローとしても良い。
【００５１】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は上述の第１実施形態に対して、マスク２００の開口部２１０の形態のみが異なり、その他の形態は同じであるため、マスク２００の開口部について説明し、他は省略する。
【００５２】
図９は、第２実施形態に係るマスク２００の（ａ）は平面図、（ｂ）はｍ部拡大概略図である。マスク２００には、第１実施形態のマスク２００同様に開口部２１１が複数、対応する基板に合わせて備えられている。この開口部２１１は、図９（ｂ）に示すように、微小開口部２１１ａを複数備え、複数の微小開口部２１１ａによって、開口部２１１が構成されている。
【００５３】
第１実施形態での説明の通り、微小開口部２１１ａであっても、液晶４０とシール材３０との境界３０ｂに対して法線方向の開口広さを、第１実施形態の開口長さＬとして設定する。従って、マスク２００の板厚をＴとすると、Ｌ／Ｔ≧５の条件を満たすマスク２００とすることで、第１実施形態と同様の作用効果を発揮する。
【００５４】
なお、シール材３０における液晶注入口３０ａとマスク２００の開口部２１１の関係は、微小開口部２１１ａの複合形状、図９（ｂ）におけるＬ×Ｗの矩形領域が第１実施形態の開口部２１０に相当するので、第１実施形態に準じて設定される。
【００５５】
なお、上述のマスク２００の開口部２１０および２１１ａの貫通内周面につや消し仕上げを施すことによって、斜方から侵入するエネルギー線（紫外線）を乱反射させるので、なお斜方からのエネルギー線の基板への到達を抑制できるので、好ましい。
【００５６】
（第３実施形態）
第３実施形態として、第１および第２実施形態の金属製マスクに代えて、ガラス製マスクを用いた場合を説明する。
【００５７】
図１０は本実施形態に係るマスク４００の断面図を示す。マスク４００はガラス製のマスク基板４１０の両面に金属膜４２０を、蒸着もしくはスパッタによって成膜し、フォトリソグラフィーによって両面に開口部４３０ａ、４３０ｂを形成する。開口部４３０ａと４３０ｂは平面視で同一形状となっている。このマスク４００に照射されるエネルギー線の経路を見ると、平行光ｔは平行光ｔのままＴＦＴ基板１０もしくは対向基板２０に到達する。なお、以降の説明ではＴＦＴ基板１０を例として説明する。
【００５８】
次に、斜方からの斜方光ｕの場合、マスク基板４１０によって反射される反射光ｕ１と、マスク基板４１０に侵入する侵入光ｕ２に分かれ、侵入光ｕ２はＴＦＴ基板１０側に形成された金属膜４２０によって反射され、マスク基板４１０の内部を金属膜４２０に反射を繰り返し減衰してゆく。別の斜方光ｖの場合、マスク基板４１０によって反射される反射光ｖ１と、マスク基板４１０に侵入する侵入光ｖ２に分かれる。侵入光ｖ２は、マスク基板４１０のＴＦＴ基板１０側の内面側で反射される反射光ｖ３と、透過する透過光ｖ４に分かれる。
【００５９】
従って、斜方光ｖはＴＦＴ基板１０に到達するまでに２回の分岐（分光）を経るため、透過光ｖ４は微弱なエネルギー線となり、不要な照射領域への照射エネルギー量を軽減することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１０…ＴＦＴ基板、２０…対向基板、２００…マスク、３００…ＵＶ光源、３１０…ＵＶ線、３２０…平行光、３３０…非平行光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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