(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁性基板と導体膜とを簡単かつ強固に接合することができる回路基板の製造方法、および、かかる製造方法を用いて製造された回路基板を提供する。【解決手段】第１のキャリア１０３上に形成された第１の導体膜２２を覆うように、樹脂の低分子量成分を主成分として構成された液状の組成物１２１を供給し、組成物１２１の第１の導体膜２２とは反対側の面上に、第２のキャリア１０４上に形成された第２の導体膜２３を設置する組成物供給工程と、低分子量成分を重合させることにより、組成物１２１を硬化させて、絶縁性基板を形成する基板形成工程と、第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４を絶縁性基板から除去するキャリア除去工程とを有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア上に形成された導体膜を覆うように、樹脂の低分子量成分を主成分として構成された液状の組成物を供給する組成物供給工程と、
前記組成物を硬化または重合させて、絶縁性基板を形成する基板形成工程と、
前記キャリアを前記絶縁性基板から除去するキャリア除去工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
第１のキャリア上に形成された第１の導体膜を覆うように、樹脂の低分子量成分を主成分として構成された液状の組成物を供給し、前記組成物の前記第１の導体膜とは反対側の面上に、第２のキャリア上に形成された第２の導体膜を設置する組成物供給工程と、
前記組成物を硬化または重合させて、絶縁性基板を形成する基板形成工程と、
前記第１のキャリアおよび前記第２のキャリアを前記絶縁性基板から除去するキャリア除去工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記組成物供給工程では、容器の底面上に前記第１のキャリアを設置した状態で、前記容器内に前記組成物を充填することにより、前記第１の導体膜を覆うように前記組成物を供給する請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
第１のキャリア上に形成された第１の導体膜と、第２のキャリア上に形成された第２の導体膜とを互いに対面かつ離間させて設置し、前記第１の導体膜と前記第２の導体膜との間に、樹脂の低分子量成分を主成分として構成された液状の組成物を供給する組成物供給工程と、
前記組成物を硬化または重合させて、絶縁性基板を形成する基板形成工程と、
前記第１のキャリアおよび前記第２のキャリアを前記絶縁性基板から除去するキャリア除去工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記組成物供給工程では、容器の互いに対向する１対の側面に前記第１のキャリアおよび前記第２のキャリアを設置した状態で、前記容器内に前記組成物を充填することにより、前記第１の導体膜と前記第２の導体膜との間に前記組成物を供給する請求項４に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１の導体膜は、パターンニングされている請求項２ないし５のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１のキャリアを前記絶縁性基板から除去した後に、前記第１の導体膜をパターンニングする工程を有する請求項２ないし５のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２の導体膜は、パターンニングされている請求項２ないし７のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２のキャリアを前記絶縁性基板から除去した後に、前記第２の導体膜をパターンニングする工程を有する請求項２ないし７のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記組成物の粘度は、０．５〜２００Ｐａ・ｓである請求項１ないし９のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記低分子量成分は、ノルボルネン系モノマーである請求項１ないし１０のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法および回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性基板上に配線や電極等を構成する導体パターンを設けて構成された回路基板として、例えば、フレキシブル配線基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
フレキシブル配線基板は、一般に、ポリイミドやポリエステル等の樹脂材料で構成されたフィルム状の絶縁性基板上に、薄い銅箔をパターンニングして形成された導体パターンが設けられている。
【０００４】
従来のフレキシブル配線基板では、例えば、絶縁性基板と導体パターンとが接着層を介して接合されている。
【０００５】
しかしながら、絶縁性基板と導体パターンとを接着層を介して接合した場合、絶縁性基板と導体パターンとの接合強度が低いと言う問題があった。
【０００６】
仮に絶縁体基板上にシード層を無電解メッキにより形成した後に、そのシード層上に導体パターンを電解メッキにより形成した場合、接着層を介さずに絶縁性基板と導体パターンとを接合させることができるが、かかる場合でも、絶縁性基板と導体パターンとの接合強度を十分に高めることができない。また、かかる場合には、フレキシブル配線基板の製造工程が複雑化し、その結果、得られるフレキシブル配線基板の高コスト化を招くと言う問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平３−１３１０４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、絶縁性基板と導体膜とを簡単かつ強固に接合することができる回路基板の製造方法、および、かかる製造方法を用いて製造された回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記（１）〜（１２）に記載の本発明により達成される。
（１）  キャリア上に形成された導体膜を覆うように、樹脂の低分子量成分を主成分として構成された液状の組成物を供給する組成物供給工程と、
前記組成物を硬化または重合させて、絶縁性基板を形成する基板形成工程と、
前記キャリアを前記絶縁性基板から除去するキャリア除去工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【００１０】
（２）  第１のキャリア上に形成された第１の導体膜を覆うように、樹脂の低分子量成分を主成分として構成された液状の組成物を供給し、前記組成物の前記第１の導体膜とは反対側の面上に、第２のキャリア上に形成された第２の導体膜を設置する組成物供給工程と、
前記組成物を硬化または重合させて、絶縁性基板を形成する基板形成工程と、
前記第１のキャリアおよび前記第２のキャリアを前記絶縁性基板から除去するキャリア除去工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【００１１】
（３）  前記組成物供給工程では、容器の底面上に前記第１のキャリアを設置した状態で、前記容器内に前記組成物を充填することにより、前記第１の導体膜を覆うように前記組成物を供給する上記（２）に記載の回路基板の製造方法。
【００１２】
（４）  第１のキャリア上に形成された第１の導体膜と、第２のキャリア上に形成された第２の導体膜とを互いに対面かつ離間させて設置し、前記第１の導体膜と前記第２の導体膜との間に、樹脂の低分子量成分を主成分として構成された液状の組成物を供給する組成物供給工程と、
前記組成物を硬化または重合させて、絶縁性基板を形成する基板形成工程と、
前記第１のキャリアおよび前記第２のキャリアを前記絶縁性基板から除去するキャリア除去工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【００１３】
（５）  前記組成物供給工程では、容器の互いに対向する１対の側面に前記第１のキャリアおよび前記第２のキャリアを設置した状態で、前記容器内に前記組成物を充填することにより、前記第１の導体膜と前記第２の導体膜との間に前記組成物を供給する上記（４）に記載の回路基板の製造方法。
【００１４】
（６）  前記第１の導体膜は、パターンニングされている上記（２）ないし（５）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【００１５】
（７）  前記第１のキャリアを前記絶縁性基板から除去した後に、前記第１の導体膜をパターンニングする工程を有する上記（２）ないし（５）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【００１６】
（８）  前記第２の導体膜は、パターンニングされている上記（２）ないし（７）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【００１７】
（９）  前記第２のキャリアを前記絶縁性基板から除去した後に、前記第２の導体膜をパターンニングする工程を有する上記（２）ないし（７）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【００１８】
（１０）  前記組成物の粘度は、０．５〜２００Ｐａ・ｓである上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【００１９】
（１１）  前記低分子量成分は、ノルボルネン系モノマーである上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【００２０】
（１２）  上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする回路基板。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、絶縁性基板と導体膜とを簡単かつ強固に接合することができる回路基板の製造方法を提供することができる。
【００２２】
また、かかる製造方法を用いて製造された回路基板は、絶縁性基板と導体膜とが強固に接合されているので、信頼性に優れたものとなる。例えば、かかる回路基板をフレキシブル配線基板として用いた場合であっても、導体膜が絶縁性基板から剥離するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の回路基板を備える回路基板モジュールの第１実施形態を示す模式的断面図である。
【図２】図１に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図３】図１に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図４】図１に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図５】図１に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図６】図１に示す回路基板モジュールの他の製造方法を説明するための図である。
【図７】図１に示す回路基板モジュールの他の製造方法を説明するための図である。
【図８】本発明の回路基板を備える回路基板モジュールの第２実施形態を示す模式的断面図である。
【図９】図８に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図１０】図８に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の回路基板を備える回路基板モジュールの第３実施形態を示す模式的断面図である。
【図１２】図１１に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図１３】図１１に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図１４】図１１に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図１５】本発明の回路基板を備える回路基板モジュールの第４実施形態を示す模式的断面図である。
【図１６】図１５に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図１７】図１５に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の回路基板の製造方法および回路基板の実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００２５】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の回路基板を備える回路基板モジュールの第１実施形態を示す模式的断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２６】
この回路基板モジュール１は、図１に示すように、回路基板２と、電子部品３と、導体部４１、４２、４３とを有し、回路基板２と電子部品３とが導体部４１、４２、４３を介して電気的に接続されている。
【００２７】
以下、回路基板モジュール１を構成する各部を順次詳細に説明する。
（回路基板）
回路基板２は、図１に示すように、絶縁性基板２１と、この絶縁性基板２１の一方の面側（図２にて下面側）に設けられた第１の導体膜（第１の導体パターン）２２と、絶縁性基板２１の他方の面側（図２にて上面側）に設けられた第２の導体膜（第２の導体パターン）２３とを有している。
【００２８】
［絶縁性基板］
絶縁性基板２１は、板状をなしている。本実施形態では、絶縁性基板２１は、平面視にて、正方形をなしている。なお、絶縁性基板２１の平面視形状は、正方形に限らず、任意であり、例えば、長方形、台形、平行四辺形、菱形等の他の四角形であってもよいし、３角形、５角形等の他の多角形や、円形、楕円形等であってもよい。
【００２９】
この絶縁性基板２１は、樹脂材料を主材料として構成されている。
すなわち、絶縁性基板２１は、樹脂（前記樹脂材料）を構成する低分子量成分を主材料として構成された液状の組成物を硬化または重合することにより形成されたものである。なお、絶縁性基板２１の構成材料については、後述する回路基板２（回路基板モジュール１）の製造方法の説明において、詳述する。
【００３０】
また、絶縁性基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜５ｍｍ程度であり、特に、回路基板２をフレキシブル配線基板として用いる場合には、０．１〜２ｍｍ程度である。
【００３１】
［第１の導体膜］
第１の導体膜２２は、前述した絶縁性基板２１の一方の面側（図１にて下面側）に設けられている。
【００３２】
より具体的には、第１の導体膜（導体膜）２２は、絶縁性基板２１の一方の面（図１にて下面）付近に埋設されている。本実施形態では、絶縁性基板２１の下面と第１の導体膜２２の下面とで平坦面をなすように、第１の導体膜２２が絶縁性基板２１の下面付近に埋設されている。これにより、絶縁性基板２１の前記一方の面における第１の導体膜２２による凹凸の発生を防止または抑制することができる。その結果、得られる回路基板２の実装性を向上させることができる。また、第１の導体膜２２がアンカー効果により絶縁性基板２１に固定されるため、第１の導体膜２２と絶縁性基板２１との接合強度が高められ、第１の導体膜２２が絶縁性基板２１から剥離するのを防止することができる。
【００３３】
本実施形態では、第１の導体膜２２には、３つの電極２２１、２２２、２２３と、１対の接続電極２２４、２２５とが形成されている。すなわち、第１の導体膜２２は、３つの電極２２１、２２２、２２３を構成する導体パターンと、１対の接続電極２２４、２２５を構成する導体パターンとを含んでいる。
【００３４】
また、電極２２２は、図示しない配線を介して、接続電極２２４に電気的に接続され、また、電極２２３は、図示しない配線を介して、接続電極２２５に電気的に接続されている。
【００３５】
なお、第１の導体膜２２の形状は、回路基板２の使用形態に応じて適宜設定されるものであり、前述したものに限定されない。
【００３６】
このような第１の導体膜２２の構成材料としては、特に限定されず、有機導電性材料や金属材料等の各種導電性材料を用いることができるが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の各種金属材料が好適に用いられる。
【００３７】
また、このような第１の導体膜２２の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、１００〜１００００ｎｍ程度である。
【００３８】
［第２の導体膜］
第２の導体膜２３は、前述した絶縁性基板２１の他方の面側（図１にて上面側）に設けられている。
【００３９】
より具体的には、第２の導体膜（導体膜）２３は、絶縁性基板２１の他方の面（図１にて上面）付近に埋設されている。本実施形態では、絶縁性基板２１の上面が平坦面をなすように、第２の導体膜２３が絶縁性基板２１の上面付近に埋設されている。すなわち、第２の導体膜２３の下面と、絶縁性基板２１の上面のうちの第２の導体膜２３が埋設されていない部分とが同一面となるように、第２の導体膜２３が絶縁性基板２１の上面付近に埋設されている。また、第２の導体膜２３がアンカー効果により絶縁性基板２１に固定されるため、第２の導体膜２３と絶縁性基板２１との接合強度が高められ、第２の導体膜２３が絶縁性基板２１から剥離するのを防止することができる。
【００４０】
なお、第２の導体膜２３の形状は、回路基板２の使用形態に応じて適宜設定されるものであり、図示のものに限定されない。
【００４１】
また、第２の導体膜２３は、前述した第１の導体膜２２に対し、図示しない導体ポストを介して電気的に接続されていてもよい。また、絶縁性基板２１が所定の誘電特性を有する場合、第２の導体膜２３は、前述した第１の導体膜２２に対し、電磁界結合により電気的に接続されていてもよい。
【００４２】
また、第２の導体膜２３は、信号の伝達に関与しないダミー回路が形成された導体パターンを含んでいてもよい。このようなダミー回路を適宜形成することにより、第１の導体膜２２と絶縁性基板２１との間の残留応力を緩和することができる。
【００４３】
このような第２の導体膜２３の構成材料としては、特に限定されず、有機導電性材料や金属材料等の各種導電性材料を用いることができるが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の各種金属材料が好適に用いられる。
【００４４】
（電子部品）
電子部品３は、例えばＩＣ（集積回路）であり、前述した電極２２１に給電する機能を有する。
【００４５】
また、電子部品３に搭載される回路としては、特に限定されないが、例えば、信号の周波数を小さく変換する機能を有するダウンコンバータ回路、信号の周波数を大きく変換する機能を有するアップコンバータ回路、信号を増幅する機能を有する増幅回路、電磁波を送信するための送信回路、電磁波を受信するための受信回路、信号を変調する機能を有する変調回路、信号を復調する機能を有する復調回路等が挙げられ、電子部品３には、これらのうち１つまたは２つ以上を組み合わせた回路が搭載される。
【００４６】
このような電子部品３には、図示しない複数の端子が設けられており、これらの端子には、導体部４２を介して電極２２１に電気的に接続され、導体部４１を介して電極２２２に電気的に接続され、導体部４３を介して電極２２３に電気的に接続されている。これにより、１対の接続電極２２４、２２５と電子部品３とが１対の電極２２２、２２３および導体部４１、４３を介して電気的に接続される。そして、電子部品３が導体部４２を介して電極２２１に給電することができる。
【００４７】
（導体部）
各導体部４１、４２、４３は、各種ハンダ、各種ろう材等で構成されている。例えば、各導体部４１、４２、４３を構成するハンダまたはろう材としては、Ｓｎ−Ｐｂ系の鉛ハンダ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ａｌ系の各種鉛フリーハンダ、ＪＩＳに規定された各種低温ろう材等が挙げられる。
【００４８】
＜回路基板の製造方法＞
次に、本発明の回路基板の製造方法を、前述した回路基板モジュール１を製造する場合を例として説明する。
【００４９】
図２ないし図５は、それぞれ、図１に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【００５０】
図１に示す回路基板モジュール１の製造方法は、［１］回路基板２を製造する工程と、［２］回路基板２と電子部品３とを導体部４１、４２、４３を介して接続する工程とを有する。
【００５１】
以下、各工程を順次詳細に説明する。
［１］回路基板２の製造工程（回路基板の製造方法）
［１−１］第１の導体膜２２の形成工程
まず、図２（ａ）に示すように、シート状の第１のキャリア１０３上に形成された第１の導体膜１２２を用意する。
【００５２】
この第１の導体膜１２２は、前述した第１の導体膜２２を形成するためのものであり、パターンニングが施される前のものである。このような第１の導体膜１２２は、例えば、第１の導体膜１２２は、第１のキャリア１０３上を覆うように一様に形成されている。また、第１の導体膜１２２は、前述した第１の導体膜２２の構成材料と同様の導電性材料で構成されている。
【００５３】
この第１の導体膜１２２の平均厚さ（第１の導体膜２２の平均厚さ）は、第１の導体膜１２２の構成材料や第１の導体膜２２に要求される特性等に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、１〜３５μｍ程度である。
【００５４】
第１のキャリア１０３は、第１の導体膜１２２を支持するものである。また、この第１のキャリア１０３は、第１の導体膜１２２をパターンニングして形成された第１の導体膜２２をも支持するものであり、後述するキャリア除去工程［１−５］において除去されるものである。
【００５５】
また、この第１のキャリア１０３は、第１の導体膜１２２に対して剥離可能に接合されているのが好ましい。より具体的には、第１のキャリア１０３と第１の導体膜１２２とは、人手等により容易に、かつ、これらの界面で正確に剥離できる程度の接合力で接合されているのが好ましい。これにより、後述するキャリア除去工程［１−５］において、簡単かつ確実に、第１のキャリア１０３を除去することができる。
【００５６】
この第１のキャリア１０３の構成材料としては、第１のキャリア１０３が第１の導体膜１２２（第１の導体膜２２）を支持することができれば、特に限定されず、各種樹脂材料等の有機材料、各種金属材料や各種セラミックス材料等の無機材料を用いることができるが、後述するキャリア除去工程［１−５］におけるキャリア除去の容易性の観点から、樹脂材料、金属材料が好適に用いられる。
【００５７】
また、第１のキャリア１０３の平均厚さとしては、第１のキャリア１０３の構成材料や、後述するキャリア除去工程［１−５］における第１のキャリア１０３の除去方法に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、第１のキャリア１０３が銅等の金属材料で構成されている場合、３０〜１００μｍ程度である。第１のキャリア１０３の厚さをこのような範囲とすることにより、後述する各工程において、第１のキャリア１０３と第１の導体膜２２とが接合されてなる接合体の取り扱い性を良好なものとすることができる。また、第１のキャリア１０３を所望時に簡単かつ綺麗に除去することができる。
【００５８】
例えば、第１のキャリア１０３および第１の導体膜１２２をそれぞれ銅で構成した場合、第１のキャリア１０３および第１の導体膜１２２で構成される接合体として、例えば、銅箔キャリア付きの極薄銅箔（三井金属工業株式会社製  MTSD-H、Micro Thin Ex等）を用いることができる。
【００５９】
なお、本実施形態では、第１のキャリア１０３の厚さが比較的薄い場合を例に説明するが、第１のキャリア１０３の厚さを上記の範囲よりも厚くしてもよい。この場合、第１のキャリア１０３の剛性が高められ、後述する基板形成工程［１−４］において、第１のキャリア１０３および第１の導体膜２２の不本意な変形を抑えることができる。その結果、所望の形状を有する絶縁性基板２１を容易に形成することができる。
【００６０】
そして、図２（ｂ）に示すように、第１の導体膜１２２をパターンニングして、第１の導体膜２２を形成する。
【００６１】
第１の導体膜１２２のパターンニング法としては、特に限定されないが、例えば、フォトリソグラフィー法とエッチング法とを組み合わせた方法、レーザー加工等が挙げられる。
【００６２】
［１−２］第２の導体膜２３の形成工程
一方、図２（ｃ）に示すように、シート状の第２のキャリア１０４上に形成された第２の導体膜１２３を用意する。
【００６３】
この第２の導体膜１２３は、前述した第２の導体膜２３を形成するためのものであり、パターンニングが施される前のものである。このような第２の導体膜１２３は、例えば、第２の導体膜１２３は、第２のキャリア１０４上を覆うように一様に形成されている。また、第２の導体膜１２３は、前述した第２の導体膜２３の構成材料と同様の金属材料で構成されている。
【００６４】
この第２の導体膜１２３の平均厚さ（第２の導体膜２３の平均厚さ）は、第２の導体膜１２３の構成材料や第２の導体膜２３に要求される特性等に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、１〜３５μｍ程度である。
【００６５】
第２のキャリア１０４は、第２の導体膜１２３を支持するものである。また、この第２のキャリア１０４は、第２の導体膜１２３をパターンニングして形成された第２の導体膜２３をも支持するものであり、後述するキャリア除去工程［１−５］において除去されるものである。
【００６６】
また、この第２のキャリア１０４は、第２の導体膜１２３に対して剥離可能に接合されているのが好ましい。より具体的には、第２のキャリア１０４と第２の導体膜１２３とは、人手等により容易に、かつ、これらの界面で正確に剥離できる程度の接合力で接合されているのが好ましい。これにより、後述するキャリア除去工程［１−５］において、簡単かつ確実に、第２のキャリア１０４を除去することができる。
【００６７】
この第２のキャリア１０４の構成材料としては、第２のキャリア１０４が第２の導体膜１２３を支持することができれば、特に限定されず、前述した第１のキャリア１０３と同様のものを用いることができる。
【００６８】
また、第２のキャリア１０４の平均厚さとしては、第２のキャリア１０４の構成材料や、後述するキャリア除去工程［１−５］における第２のキャリア１０４の除去方法に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、第２のキャリア１０４が銅等の金属材料で構成されている場合、３０〜１００μｍ程度である。
【００６９】
このような第２のキャリア１０４および第２の導体膜１２３で構成される接合体は、前述した第１のキャリア１０３および第１の導体膜１２２で構成される接合体と同じものを用いることができる。
【００７０】
例えば、第２のキャリア１０４および第２の導体膜１２３をそれぞれ銅で構成した場合、第２のキャリア１０４および第２の導体膜１２３で構成される接合体として、例えば、銅箔キャリア付きの極薄銅箔（三井金属工業株式会社製  MTSD-H、Micro Thin Ex等）を用いることができる。
【００７１】
なお、本実施形態では、第２のキャリア１０４の厚さが比較的薄い場合を例に説明するが、第２のキャリア１０４の厚さを上記の範囲よりも厚くしてもよい。この場合、第２のキャリア１０４の剛性が高められ、後述する基板形成工程［１−４］において、第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３の不本意な変形を抑えたり、液状の組成物１２１の液面と第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３との間に隙間が生じるのを防止したりすることができる。その結果、所望の形状を有する絶縁性基板２１を容易に形成することができる。
【００７２】
そして、図２（ｄ）に示すように、第２の導体膜１２３をパターンニングして、第２の導体膜２３を形成する。
【００７３】
第２の導体膜１２３のパターンニング法としては、特に限定されず、前述した第１の導体膜１２２のパターンニング法と同様の方法を用いることができる。
【００７４】
［１−３］組成物供給工程
（１−３ａ）
次に、図３（ａ）に示すように、上方に開口する収納部Ｃ１を備える容器１０５を用意する。
【００７５】
この容器１０５は、収納部Ｃ１の下面が平坦面で構成されている。すなわち、容器１０５は、平坦面で構成された底面１０５ａを有している。この容器１０５は、底面１０５ａが水平となるように設置されるのが好ましい。これにより、後述する基板形成工程［１−４］において、厚さの均一な絶縁性基板２１を容易に形成することができる。
【００７６】
また、容器１０５の内周面には、離型処理が施されていてもよい。これにより、後述する工程（１−５ａ）において、絶縁性基板２１を容器１０５から簡単に取り出すことができる。かかる離型処理としては、特に限定されないが、例えば、容器１０５の内周面にフッ素系やシリコーン系の離型剤を塗布する処理等が挙げられる。
【００７７】
なお、図３の図示では、容器１０５が１部材で構成されているが、容器１０５を分割可能な複数の部材で構成（例えば、底板と枠体とで構成）してもよい。これにより、後述する工程（１−５ａ）において、容器１０５から絶縁性基板２１を容易に取出すことができる。
【００７８】
（１−３ｂ）
そして、図３（ｂ）に示すように、容器１０５の底面１０５ａ上に、第１のキャリア１０３を第１の導体膜２２が形成された側の面を上側にして設置する。すなわち、第１のキャリア１０３の第１の導体膜２２が形成されていない側の面が容器１０５の底面１０５ａに対面かつ接するようにして、第１のキャリア１０３を収納部Ｃ１内に設置する。
【００７９】
（１−３ｃ）
次に、図４（ａ）に示すように、容器１０５の収納部Ｃ１内に、液状の組成物１２１を充填する。
【００８０】
この液状の組成物１２１は、後述する基板形成工程［１−４］において、硬化または重合させることにより、絶縁性基板２１を形成するためのものである。
【００８１】
したがって、収納部Ｃ１への組成物１２１の供給量は、絶縁性基板２１が所望の厚さとなるように調整する。その際、後述する基板形成工程［１−４］における組成物１２１の硬化または重合に伴う収縮量等を考慮して、かかる供給量を設定する。
【００８２】
このような液状の組成物１２１は、樹脂の低分子量成分を主成分として構成されている。
【００８３】
また、かかる低分子量成分としては、モノマー、ダイマー、トリマー、オリゴマー、プレポリマーが挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８４】
特に、かかる樹脂の低分子量成分としては、エポキシ樹脂のプレポリマーと硬化剤の組合せを用いるものが好ましい。エポキシ樹脂は、比誘電率が比較的低く、また、ガラス転移点も比較的高い。
【００８５】
また、熱可塑性樹脂の低分子量成分としては、重合性モノマーを用いるのが好ましい。
この重合性モノマーとしては、ノルボルネン系モノマー、（メタ）アクリル系モノマー等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８６】
また、液状の組成物１２１は、前述したような樹脂の低分子量成分以外の成分を実質的に含まずに、加熱により前記低分子量成分同士が硬化または重合するように構成されているのが好ましい。ここで、『実質的に含まず』とは、組成物１２１中に含まれる低分子量成分以外の成分の含有量が５％以下の状態を指す。組成物１２１がこのように構成されていると、得られる誘電体基板２１の構成材料中における極性基の含有量を少なくすることができる。その結果、形成される誘電体基板２１の比誘電率を低くすることができ、高利得化を図ることができる。
【００８７】
これらの中でも、ノルボルネン系モノマーは、重合触媒等の添加剤を少なくしても、加熱により比較的容易に重合させることができるため好ましい。
【００８８】
また、ノルボルネン系モノマーは、極性基ができるだけ少ないものが好ましい。これにより、得られる誘電体基板２１の比誘電率および誘電正接を低めることができる。
【００８９】
前記ノルボルネン系モノマーとしては、特に制限はないが、下記一般式（１）で示される構造を有するノルボルネン系モノマーが好ましい。
【００９０】
【化１】
2011210907.tif 000003
［上記一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ４は、水素、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、芳香族基、脂環族基、グリシジルエーテル基、下記一般式（２）で表される置換基のいずれかであり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、炭素数１〜１２のアルキル基または脂肪族炭化水素基である。ｍは０〜４の整数である。］
【００９１】
【化２】
2011210907.tif 000004
［上記一般式（２）において、Ｒ５は、それぞれ、水素、メチル基またはエチル基であり、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルコキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルペルオキシ基、置換もしくは未置換の炭素数６〜２０のアリールオキシ基のいずれかであり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、ｎは０〜５の整数である。］
【００９２】
上記一般式（１）中の線状または炭素数１〜２０の線状または分岐状のアルキル基としては、特に制限はないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられるが、これらの中でも、誘電体基板２１の脆性と剛性が両立するという理由からプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が好ましい。
【００９３】
上記一般式（１）中の芳香族基としては、特に制限はないが、フェニル基、フェネチル基、ナフチル基等が挙げられるが、これらの中でも、誘電体基板２１の誘電特性と耐熱性の両立という理由からフェネチル基が好ましい。
【００９４】
上記一般式（１）中の脂環族としては、特に制限はないが、シクロヘキシル基、ノルボルネニル基、ジヒドロジシクロペンタジエチル基、テトラシクロドデシル基、メチルテトラシクロドデシル基、テトラシクロドデカジエチル基、ジメチルテトラシクロドデシル基、エチルテトラシクロドデシル基、エチリデニルテトラシクロドデシル基、フエニルテトラシクロドデシル基、シクロペンタジエチル基の三量体等の脂環族基等が挙げられる。
【００９５】
上記一般式（１）中のｍは、０〜４の整数であり、特に制限はないが、０または１が好ましい。
【００９６】
また、上記一般式（１）中Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、炭素数１〜１２のアルキル基または脂肪族炭化水素基である。これにより、誘電体基板２１の４５ＧＨｚにおける比誘電率を２．７以下に、さらに、誘電正接を１×１０−３未満にすることができる。
【００９７】
上記一般式（２）の置換基中のＲ５は、誘電特性が優れるという理由から水素が好ましい。
【００９８】
上記置換基中のＲ６、Ｒ７およびＲ８は、独立に、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルコキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルペルオキシ基そして置換もしくは未置換の炭素数６〜２０のアリールオキシ基であれば、特に限定されるわけではないが、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチロキシ基、アセトキシ基、プロピオキシ基、ブチロキシ基、メチルペルオキシ基、イソプロピルペルオキシ基、ｔ−ブチルペルオキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基等が挙げられる。
【００９９】
これらの中でも、導体層２２、２３との密着性に優れるという理由からメトキシ基、エトキシ基が好ましい。
【０１００】
前記組成物１２１の重合性モノマーとしてノルボルネン系のモノマーを適用する場合、組成物１２１は重合触媒を含むことが好ましい。
【０１０１】
前記重合触媒としては、特に制限はないが、パラジウムイオンを含有する重合触媒触、ニッケルと白金を含有する重合触媒が好ましく、これらは、単独でも混合して用いてもよい。
【０１０２】
前記パラジウムイオンを含有する重合触媒触、ニッケルと白金を含有する重合触媒の添加量は、モル比で１００，０００（ノルボルネン系モノマー）：０．３〜１０（パラジウムイオンを含有する重合触媒触、ニッケルと白金を含有する重合触媒）であることが好ましく、１００，０００：０．５〜５であることが特に好ましい。かかる添加量とすることにより、誘電体基板２１の誘電特性を向上することができる。
【０１０３】
また、硬化後または重合後の組成物１２１の周波数４５ＧＨｚにおける比誘電率は２．７以下であるのが好ましく、２．５以下であるのがより好ましい。また、硬化後または重合後の組成物１２１の周波数４５ＧＨｚにおける誘電正接は１×１０−３未満であるのが好ましく、５×１０−４未満であることが特に好ましい。これにより、マイクロ波のような波長の短い電磁波を用いた場合であっても、誘電体基板２１内での電磁波の減衰（損失）を抑えることができる。その結果、アンテナ装置２をマイクロ波用として用いた場合でも高利得化および小型化を図ることができる。
【０１０４】
ここで、比誘電率および誘電特性は、φ２０ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍに切り出したものを測定サンプルとし、測定サンプルを遮断円筒導波管の導体円筒の中央にセットした。この共振器の励振および検波は先端に微小ループを持つ外径１．２ｍｍのＵＴ−４７セミリジッド同軸線路を用いた。比誘電率は共振周波数の測定値より、誘電正接はＱ値より求めた。これらの測定法は、ＪＩＳ１６６０−１、ＩＥＣ６１３３８−１−４に準ずるものである。
【０１０５】
また、硬化後または重合後の組成物１２１のガラス転移点（誘電体基板２１の構成材料として用いられる樹脂材料のガラス転移点）は、２００℃以上であるのが好ましく、２５０〜３００℃であるのがより好ましい。これにより、得られる回路基板２は、半田実装における耐熱性に優れたものとなる。
【０１０６】
ここで、ガラス転移温度は、組成物１２１からなる測定サンプルを準備し、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツル株式会社製、型番：ＤＭＳ６１００）により、測定サンプルサイズ：４ｍｍ（幅）×２０ｍｍ（長さ）×１００μｍ（厚み）、周波数：１Ｈｚ、測定温度範囲：３０〜３００℃、昇温速度：１０℃／分により測定し、Ｔａｎδのピークが発現する温度を測定値とした。
【０１０７】
また、組成物１２１の粘度は、０．５〜２００Ｐａ・ｓであるのが好ましく、１〜１５０Ｐａ・ｓであるのがより好ましい。これにより、液状の組成物１２１が第１の導体膜２２と第２の導体膜２３と間の所望の領域の全域に亘って容易に拡がるので、所望の形状をなす誘電体基板２１を得ることができる。なお、かかる粘度は、例えば常温（２５℃）でＥ型粘度計等を用いて、測定条件０．５〜５ｒｐｍで評価することができる。
【０１０８】
なお、誘電体基板２１に必要な機能を実現し得るものであれば、組成物１２１中には、低分子成分以外の成分を含んでいてもよい。かかる低分子量成分以外の成分としては、例えば、硬化剤、硬化助剤、硬化促進剤、無機充填剤、酸化防止剤等が挙げられる。また、低分子量成分は、光、放射線等で重合または硬化するものであってもよい。
【０１０９】
組成物１２１中における前記低分子量成分の含有量は、例えば、９０〜１００ｗｔ％であるのが好ましく、９５〜１００ｗｔ％であるのがより好ましい。これにより、得られる誘電体基板２１の構成材料中における極性基の含有量を少なくすることができる。
【０１１０】
（１−３ｄ）
次に、図４（ｂ）に示すように、液状の組成物１２１の第１の導体膜２２とは反対の面側に、第２の導体膜２３が下側となるようにして、第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３を設置する。すなわち、第２のキャリア１０４の第２の導体膜２３が形成されていない側の面が上方を向くようにして、第２の導体膜２３を液状の組成物１２１の液面上に設置する。
【０１１１】
以上説明したようにして、第１の導体膜２２上に液状の組成物１２１を供給し、この組成物１２１の第１の導体膜２２とは反対側の面上に第２の導体膜２３を設置する。
【０１１２】
特に、この工程（組成物供給工程）［１−３］では、容器１０５の底面１０５ａ上に第１のキャリア１０３を設置した状態で、容器１０５内に組成物１２１を充填することにより、第１の導体膜２２上に組成物１２１を供給する。これにより、容器１０５への組成物１２１の供給量に応じて、得られる絶縁性基板２１の厚さを調整することができる。そのため、所望の厚さを有する絶縁性基板２１を容易かつ安価に形成することができる。
【０１１３】
また、組成物１２１を容器１０５内に供給する前に、第１の導体膜１２２および第２の導体膜１２３をパターンニングして第１の導体膜２２および第２の導体膜２３を形成しているので、組成物１２１を容器１０５内に供給する際、容器１０５内の第１の導体膜２２および第２の導体膜２３は、それぞれ、パターンニングされている。これにより、得られる回路基板２において、パターンニングされた第１の導体膜２２を前述したように絶縁性基板２１の一方の面付近に配設（埋設）させることができる。そのため、絶縁性基板２１の一方の面における第１の導体膜２２による凹凸の発生を防止または抑制することができる。同様に、得られる回路基板２において、パターンニングされた第２の導体膜２３を前述したように絶縁性基板２１の他方の面付近に配設（埋設）させることができる。そのため、絶縁性基板２１の他方の面における第２の導体膜２３による凹凸の発生を防止または抑制することができる。その結果、得られる回路基板２の実装性を向上させることができる。
【０１１４】
［１−４］絶縁性基板２１を形成する工程（基板形成工程）
次に、図４（ｃ）に示すように、液状の組成物１２１を硬化または重合させて、絶縁性基板２１を形成する。
【０１１５】
このとき、絶縁性基板２１は容器１０５内に収納されており、その絶縁性基板２１の一方の面側には、パターンニング済みの第１の導体膜２２が第１のキャリア１０３と接合した状態のまま埋設され、絶縁性基板２１の他方の面側には、パターンニング済みの第２の導体膜２３が第２のキャリア１０４と接合した状態のまま埋設されている。
【０１１６】
すなわち、容器１０５内には、回路基板２が第１のキャリア１０３と第２のキャリア１０４との間に挟持された状態で収納されている。
【０１１７】
本実施形態では、熱により、組成物１２１を硬化または重合させる。なお、図４（ｃ）では、液状の組成物１２１が加熱により重合する場合を例として図示している。
【０１１８】
組成物１２１の加熱方法としては、特に限定されないが、例えば、加熱された熱盤上に容器１０５を載置して組成物１２１を加熱する方法、加熱されたオーブン内に容器１０５を載置して組成物１２１を加熱する方法、赤外線を組成物１２１に照射して加熱する方法等が挙げられる。
【０１１９】
この加熱温度は、組成物１２１の組成や加熱時間等に応じて適宜設定されるものであり、組成物１２１の低分子量成分同士を重合させて絶縁性基板２１を形成することができるものであれば、特に限定されないが、例えば、樹脂の低分子量成分（重合性モノマー）としてノルボルネン系モノマーを用いた場合、３０〜２２０℃程度である。
【０１２０】
また、加熱時間は、組成物１２１の組成や加熱温度等に応じて適宜設定されるものであり、組成物１２１の低分子量成分同士を硬化または重合させて絶縁性基板２１を形成することができるものであれば、特に限定されないが、例えば、樹脂の低分子量成分（重合性モノマー）としてノルボルネン系モノマーを用いた場合、１〜２４時間程度である。
【０１２１】
また、この加熱は、第２のキャリア１０４の上面を板状部材の板面等の面に貼り付けた状態で行ってもよい。これにより、第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３の不本意な変形を抑えたり、液状の組成物１２１の液面と第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３との間に隙間が生じるのを防止したりすることができる。その結果、所望の形状の絶縁性基板２１を容易に形成することができる。また、第２のキャリア１０４の上面に貼り付ける面の形状を適宜設定することにより、その面の形状に応じて絶縁性基板２１の板面を形成することもできる。
【０１２２】
［１−５］キャリア除去工程
（１−５ａ）
次に、図５（ａ）に示すように、絶縁性基板２１を第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４が接合された状態のまま容器１０５から取出す。
【０１２３】
（１−５ｂ）
そして、図５（ｂ）に示すように、第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４をそれぞれ絶縁性基板２１から除去する。これにより、回路基板２が得られる。
【０１２４】
第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４の除去方法としては、第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４の構成材料や厚さ等に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、溶剤を用いて溶かす方法、機械加工により除去する方法、剥離する方法等を用いることができる。中でも、かかる除去方法としては、剥離する方法を用いるのが好ましい。この場合、例えば、前述したような銅箔キャリア付きの極薄銅箔を用いることができる。
【０１２５】
なお、本工程［１−５］は、第２のキャリア１０４を絶縁性基板２１から除去した後に、絶縁性基板２１を第１のキャリア１０３と接合した状態のまま容器１０５から取出し、その後、第１のキャリア１０３を絶縁性基板２１から除去してもよい。
【０１２６】
［２］回路基板２と電子部品３との接続工程
その後、図５（ｃ）に示すように、導体部４１、４２、４３を介して、回路基板２と電子部品３とを接続する。
【０１２７】
以上説明したような回路基板モジュール１および回路基板２の製造方法によれば、絶第１の導体膜２２および第２の導体膜２３をそれぞれ絶縁性基板２１に簡単かつ強固に接合することができる。
【０１２８】
また、かかる製造方法を用いて製造された回路基板２は、絶縁性基板２１と第１の導体膜２２および第２の導体膜２３とが強固に接合されているので、信頼性に優れたものとなる。特に、本実施形態では、第１の導体膜２２および第２の導体膜２３がそれぞれ絶縁性基板２１に埋設されるので、絶縁性基板２１と第１の導体膜２２および第２の導体膜２３との接合強度が極めて高くなる。したがって、例えば、かかる回路基板２をフレキシブル配線基板として用いた場合であっても、第１の導体膜２２および第２の導体膜２３が絶縁性基板２１から剥離するのを防止することができる。
【０１２９】
また、かかる製造方法によれば、前述したような容器１０５を用いているので、容器１０５への組成物１２１の供給量に応じて、得られる絶縁性基板２１の厚さを調整することができる。そのため、所望の厚さを有する絶縁性基板２１を容易かつ安価に形成することができる。
【０１３０】
（回路基板の他の製造方法）
ここで、第１実施形態に係る回路基板モジュール１の製造方法の他の例を説明する。なお、前述した製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１３１】
図６および図７は、それぞれ、図１に示す回路基板モジュールの他の製造方法を説明するための図である。
【０１３２】
この他の例に係る製造方法では、前述した製造方法の工程［１−３］において、容器１０５と異なる容器１０６を用いる以外は、前述した製造方法と同様である。
【０１３３】
この他の製造方法は、前述した製造方法の工程［１−３］、［１−４］に代えて、工程［１’−３］、［１’−４］を有している。
【０１３４】
以下、工程［１’−３］、［１’−４］を順次説明する。
［１’−３］組成物供給工程
（１’−３ａ）
図６（ａ）に示すように、上方に開口する収納部Ｃ２を備える容器１０６を用意する。
【０１３５】
この容器１０６は、収納部Ｃ２が互いに対向する平坦な１対の側面を有する。すなわち、容器１０６は、平坦面で構成された互いに対向する１対の側面１０６ａ、１０６ｂを有している。
【０１３６】
また、容器１０６は、図６（ｂ）に示すように、側面１０６ａと側面１０６ｂとの間で分割可能な２つの部材１０６１、１０６２で構成されている。これにより、後述する工程（１’−３ｂ）において、第１のキャリア１０３付き第１の導体膜２２、および、第２のキャリア１０４付き第２の導体膜２３を、容器１０６の収納部Ｃ２内の所望の位置へ、容易かつ確実に設置することができる。また、後述する基板形成工程［１’−４］の後において、容器１０６内から絶縁性基板２１を容易に取出すことができる。
【０１３７】
（１’−３ｂ）
そして、図７（ａ）に示すように、容器１０６の収納部Ｃ２内に、第１のキャリア１０３付き第１の導体膜２２、および、第２のキャリア１０４付き第２の導体膜２３を設置する。
【０１３８】
このとき、第１のキャリア１０３の第１の導体膜２２が形成されていない側の面を側面１０６ａに対面かつ接するようにして、第１のキャリア１０３を収納部Ｃ２内に設置する。また、第２のキャリア１０４の第２の導体膜２３が形成されていない側の面を側面１０６ｂに対面かつ接するようにして、第２のキャリア１０４を収納部Ｃ２内に設置する。
【０１３９】
これにより、収納部Ｃ２内において、第１の導体膜２２と第２の導体膜２３とが対面かつ離間するように設置される。
【０１４０】
（１’−３ｃ）
次に、図７（ｂ）に示すように、容器１０６の収納部Ｃ２内に液状の組成物１２１を充填する。
【０１４１】
以上説明したようにして、第１のキャリア１０３上に形成された第１の導体膜２２と、第２のキャリア１０４上に形成された第２の導体膜２３とを互いに対面かつ離間させて設置し、第１の導体膜２２と第２の導体膜２３との間に液状の組成物１２１を供給する。
【０１４２】
特に、この工程（組成物供給工程）［１’−３］では、容器１０６の互いに対向する１対の側面１０６ａ、１０６ｂに第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４を設置した状態で、容器１０６内に組成物１２１を充填することにより、第１の導体膜２２と第２の導体膜２３との間に組成物１２１を供給する。これにより、容器１０６の１対の側面１０６ａ、１０６ｂ間の距離を適宜設定することにより、所望の厚さを有する絶縁性基板２１を容易かつ安価に形成することができる。なお、得られる絶縁性基板２１の厚さは、１対の側面１０６ａ、１０６ｂ間の距離から第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４のそれぞれの厚さを差し引いたものに略等しくなる。
【０１４３】
［１’−４］基板形成工程
その後、図７（ｃ）に示すように、液状の組成物１２１を硬化または重合させて、絶縁性基板２１を形成する。
【０１４４】
この基板形成工程［１’−４］は、前述した製造方法の基板形成工程［１−４］と同様にして行うことができる。なお、図７（ｃ）では、液状の組成物１２１が加熱により重合する場合を例として図示している。
【０１４５】
以上説明したような製造方法によっても、回路基板２および回路基板モジュール１を製造することができる。
【０１４６】
特に、かかる製造方法では、前述したような容器１０６を用いるので、容器１０６の１対の側面１０６ａ、１０６ｂ間の距離に応じて、得られる絶縁性基板２１の厚さを調整することができる。そのため、所望の厚さを有する絶縁性基板２１を容易かつ安価に形成することができる。
【０１４７】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態を説明する。
【０１４８】
図８は、本発明の回路基板を備える回路基板モジュールの第２実施形態を示す模式的断面図である。
【０１４９】
本実施形態にかかる回路基板および回路基板モジュールは、第２の導体膜が絶縁性基板に埋設されていない以外は、前述した第１実施形態にかかる回路基板２および回路基板モジュール１と同様である。
【０１５０】
なお、以下の説明では、第２実施形態に関し、第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図８において、第１実施形態の構成と同様のものについては、同一の符号を付している。
【０１５１】
本実施形態の回路基板モジュール１Ａは、導体部４１、４２、４３を介して電子部品３に電気的に接続された回路基板２Ａを有している。
【０１５２】
この回路基板２Ａは、図８に示すように、絶縁性基板２１Ａと、この絶縁性基板２１Ａの一方の面側（図８にて下面側）に設けられた第１の導体膜（第１の導体パターン）２２と、絶縁性基板２１Ａの他方の面側（図８にて上面側）に設けられた第２の導体膜（第２の導体パターン）２３とを有している。
【０１５３】
絶縁性基板２１Ａは、前記他方の面（図８にて上側の面）が平坦面で構成されている。
そして、この絶縁性基板２１Ａの前記他方の面上に、第２の導体膜２３が設けられている。このように、本実施形態では、第２の導体膜２３は、絶縁性基板２１Ａ内に埋設されずに、絶縁性基板２１Ａの表面に接合されている。
【０１５４】
このような回路基板２Ａは、前述した第１実施形態の回路基板２と同様の機能を有し、第１実施形態に回路基板２と同様の効果を発揮することができる。
【０１５５】
（回路基板の製造方法）
次に、本発明の回路基板の製造方法を、前述した回路基板モジュール１Ａを製造する場合を一例として説明する。
【０１５６】
図９および図１０は、それぞれ、図８に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【０１５７】
回路基板モジュール１Ａの製造方法は、前述した第１実施形態の回路基板モジュール１の製造方法において、工程［１−２］におけるパターンニングを省略し、かかるパターンニングを工程［１−４］の後に行う以外は、前述した第１実施形態の製造方法と同様である。
【０１５８】
図８に示す回路基板モジュール１Ａの製造方法は、［１Ａ］回路基板２Ａを製造する工程と、［２Ａ］回路基板２Ａと電子部品３とを導体部４１、４２、４３を介して接続する工程とを有する。
【０１５９】
以下、各工程を順次詳細に説明する。
［１Ａ］回路基板２Ａの製造工程（回路基板の製造方法）
［１Ａ−１］第１の導体膜２２の形成工程
まず、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程［１−１］と同様に、シート状の第１のキャリア１０３上に形成された第１の導体膜１２２をパターンニングして、第１の導体膜２２を形成する。
【０１６０】
［１Ａ−２］第２の導体膜１２３の用意
一方、シート状の第２のキャリア１０４上に形成された第２の導体膜１２３を用意する。
【０１６１】
［１Ａ−３］組成物供給工程
（１Ａ−３ａ）
次に、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程（１−３ａ）と同様に、上方に開口する収納部Ｃ１を備える容器１０５を用意する。
【０１６２】
（１Ａ−３ｂ）
そして、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程（１−３ｂ）と同様に、容器１０５内に、第１のキャリア１０３付きの第１の導体膜２２を設置する。
【０１６３】
（１Ａ−３ｃ）
次に、図９（ａ）に示すように、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程（１−３ｃ）と同様に、容器１０５の収納部Ｃ１内に、液状の組成物１２１を充填する。
【０１６４】
（１Ａ−３ｄ）
次に、図９（ｂ）に示すように、液状の組成物１２１の第１の導体膜２２とは反対の面側に、第２の導体膜１２３が下側となるようにして、第２のキャリア１０４および第２の導体膜１２３を設置する。すなわち、第２のキャリア１０４の第２の導体膜１２３が形成されていない側の面が上方を向くようにして、第２の導体膜１２３を液状の組成物１２１の液面上に設置する。
【０１６５】
以上説明したようにして、第１の導体膜２２上に液状の組成物１２１を供給し、この組成物１２１の第１の導体膜２２とは反対側の面上に第２の導体膜１２３を設置する。
【０１６６】
［１Ａ−４］絶縁性基板２１Ａを形成する工程（基板形成工程）
次に、図９（ｃ）に示すように、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程［１−５］と同様に、液状の組成物１２１を硬化または重合させて、絶縁性基板２１Ａを形成する。
【０１６７】
［１Ａ−５］キャリア除去工程
（１Ａ−５ａ）
次に、図１０（ａ）に示すように、絶縁性基板２１Ａを第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４が接合された状態のまま容器１０５から取出す。
【０１６８】
（１Ａ−５ｂ）
そして、図１０（ｂ）に示すように、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程（１−５ｂ）と同様に、第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４をそれぞれ絶縁性基板２１Ａから除去する。
【０１６９】
［１Ａ−６］
そして、図１０（ｃ）に示すように、第２の導体膜１２３をパターンニングして、第２の導体膜２３を形成する。これにより、回路基板２Ａが得られる。
【０１７０】
この工程における第２の導体膜１２３のパターンニング法としては、特に限定されないが、例えば、フォトリソグラフィー法とエッチング法、ダイレクトイメージング法とを組み合わせた方法等が挙げられる。
【０１７１】
［２Ａ］回路基板２Ａと電子部品３との接続工程
その後、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程［２］と同様に、導体部４１、４２、４３を介して、回路基板２Ａと電子部品３とを接続する。
【０１７２】
以上説明したような回路基板モジュール１Ａおよび回路基板２Ａの製造方法によっても、前述した第１実施形態に係る製造方法と同様の効果を得ることができる。
【０１７３】
特に、本実施形態に係る製造方法では、組成物１２１を容器１０５内に供給する際、第２の導体膜１２３はパターンニングされておらず、第２のキャリア１０４を絶縁性基板２１Ａから除去した後に、第２の導体膜１２３をパターンニングする工程を有するので、第２の導体膜１２３をパターンニングする工程を適宜変更することにより、様々な形態の第２の導体膜２３を有する回路基板２Ａを製造することができる。その際、第２の導体膜１２３をパターンニングする工程の前の各工程の条件が第２の導体膜１２３のパターンニングの変更の影響を受けない。そのため、様々な特性を有する回路基板２Ａを安価に製造することができる。
【０１７４】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態を説明する。
【０１７５】
図１１は、本発明の回路基板を備える回路基板モジュールの第３実施形態を示す模式的断面図である。
【０１７６】
本実施形態にかかる回路基板および回路基板モジュールは、第１の導体膜が絶縁性基板に埋設されていない以外は、前述した第１実施形態にかかる回路基板２および回路基板モジュール１と同様である。
【０１７７】
なお、以下の説明では、第３実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１１において、前述した実施形態の構成と同様のものについては、同一の符号を付している。
【０１７８】
本実施形態の回路基板モジュール１Ｂは、導体部４１、４２、４３を介して電子部品３に電気的に接続された回路基板２Ｂを有している。
【０１７９】
この回路基板２Ｂは、図１１に示すように、絶縁性基板２１Ｂと、この絶縁性基板２１Ｂの一方の面側（図１１にて下面側）に設けられた第１の導体膜（第１の導体パターン）２２と、絶縁性基板２１Ｂの他方の面側（図１１にて上面側）に設けられた第２の導体膜（第２の導体パターン）２３とを有している。
【０１８０】
絶縁性基板２１Ｂは、前記一方の面（図１１にて下側の面）が平坦面で構成されている。
【０１８１】
そして、この絶縁性基板２１Ｂの前記一方の面上に、第１の導体膜２２が設けられている。このように、本実施形態では、第１の導体膜２２は、絶縁性基板２１Ｂ内に埋設されずに、絶縁性基板２１Ｂの表面に接合されている。
【０１８２】
このような回路基板２Ｂは、前述した第１実施形態の回路基板２と同様の機能を有し、第１実施形態に回路基板２と同様の効果を発揮することができる。
【０１８３】
（回路基板の製造方法）
次に、本発明の回路基板の製造方法を、前述した回路基板モジュール１Ｂを製造する場合を一例として説明する。
【０１８４】
図１２ないし図１４は、それぞれ、図１１に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【０１８５】
回路基板モジュール１Ｂの製造方法は、前述した第１実施形態の回路基板モジュール１の製造方法において、工程［１−１］におけるパターンニングを省略し、かかるパターンニングを工程［１−４］の後に行う以外は、前述した第１実施形態の製造方法と同様である。
【０１８６】
図１１に示す回路基板モジュール１Ｂの製造方法は、［１Ｂ］回路基板２Ｂを製造する工程と、［２Ｂ］回路基板２Ｂと電子部品３とを導体部４１、４２、４３を介して接続する工程とを有する。
【０１８７】
以下、各工程を順次詳細に説明する。
［１Ｂ］回路基板２Ｂの製造工程（回路基板の製造方法）
［１Ｂ−１］第１の導体膜２２の用意
まず、シート状の第１のキャリア１０３上に形成された第１の導体膜１２２を用意する。
【０１８８】
［１Ｂ−２］第２の導体膜２３の形成工程
一方、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程［１−２］と同様に、シート状の第２のキャリア１０４上に形成された第２の導体膜１２３をパターンニングして、第２の導体膜２３を形成する。
【０１８９】
［１Ｂ−３］組成物供給工程
（１Ｂ−３ａ）
次に、図１２（ａ）に示すように、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程（１−３ａ）と同様に、上方に開口する収納部Ｃ１を備える容器１０５を用意する。
【０１９０】
（１Ｂ−３ｂ）
そして、図１２（ｂ）に示すように、容器１０５の底面１０５ａ上に、第１のキャリア１０３を第１の導体膜１２２が形成された側の面を上側にして設置する。
【０１９１】
（１Ｂ−３ｃ）
次に、図１３（ａ）に示すように、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程（１−３ｃ）と同様に、容器１０５の収納部Ｃ１内に、液状の組成物１２１を充填する。
【０１９２】
（１Ｂ−３ｄ）
次に、図１３（ｂ）に示すように、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程（１−３ｄ）と同様に、液状の組成物１２１の第１の導体膜１２２とは反対の面側に、第２の導体膜２３が下側となるようにして、第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３を設置する。
【０１９３】
以上説明したようにして、第１の導体膜１２２上に液状の組成物１２１を供給し、この組成物１２１の第１の導体膜１２２とは反対側の面上に第２の導体膜２３を設置する。
【０１９４】
［１Ｂ−４］絶縁性基板２１Ｂを形成する工程（基板形成工程）
次に、図１３（ｃ）に示すように、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程［１−４］と同様に、液状の組成物１２１を硬化または重合させて、絶縁性基板２１Ｂを形成する。
【０１９５】
［１Ｂ−５］キャリア除去工程
（１Ｂ−５ａ）
次に、図１４（ａ）に示すように、絶縁性基板２１Ｂを第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４が接合された状態のまま容器１０５から取出す。
【０１９６】
（１Ｂ−５ｂ）
そして、図１４（ｂ）に示すように、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程（１−５ｂ）と同様に、第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４をそれぞれ絶縁性基板２１Ｂから除去する。
【０１９７】
［１Ｂ−６］
そして、図１４（ｃ）に示すように、第１の導体膜１２２をパターンニングして、第１の導体膜２２を形成する。これにより、回路基板２Ｂが得られる。
【０１９８】
この工程における第１の導体膜１２２のパターンニング法としては、特に限定されないが、例えば、フォトリソグラフィー法とエッチング法と、ダイレクトイメージング法を組み合わせた方法等が挙げられる。
【０１９９】
［２Ｂ］回路基板２Ｂと電子部品３との接続工程
その後、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程［２］と同様に、導体部４１、４２、４３を介して、回路基板２Ｂと電子部品３とを接続する。
【０２００】
以上説明したような回路基板モジュール１Ｂおよび回路基板２Ｂの製造方法によっても、前述した第１実施形態に係る製造方法と同様の効果を得ることができる。
【０２０１】
特に、本実施形態に係る製造方法では、組成物１２１を容器１０５内に供給する際、第１の導体膜１２２はパターンニングされておらず、第１のキャリア１０３を絶縁性基板２１Ｂから除去した後に、第１の導体膜１２２をパターンニングする工程を有するので、第１の導体膜１２２をパターンニングする工程を適宜変更することにより、様々な形態の第１の導体膜２２を有する回路基板２Ｂを製造することができる。その際、第１の導体膜１２２をパターンニングする工程の前の各工程の条件が第１の導体膜１２２のパターンニングの変更の影響を受けない。そのため、様々な特性を有する回路基板２Ｂを安価に製造することができる。
【０２０２】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態を説明する。
【０２０３】
図１５は、本発明の回路基板を備える回路基板モジュールの第４実施形態を示す模式的断面図である。
【０２０４】
本実施形態にかかる回路基板および回路基板モジュールは、第１の導体膜および第２の導体膜が絶縁性基板に埋設されていない以外は、前述した第１実施形態にかかる回路基板２および回路基板モジュール１と同様である。
【０２０５】
なお、以下の説明では、第４実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１５において、前述した実施形態の構成と同様のものについては、同一の符号を付している。
【０２０６】
本実施形態の回路基板モジュール１Ｃは、導体部４１、４２、４３を介して電子部品３に電気的に接続された回路基板２Ｃを有している。
【０２０７】
この回路基板２Ｃは、図１５に示すように、絶縁性基板２１Ｃと、この絶縁性基板２１Ｃの一方の面側（図１５にて下面側）に設けられた第１の導体膜（第１の導体パターン）２２と、絶縁性基板２１Ｃの他方の面側（図１５にて上面側）に設けられた第２の導体膜（第２の導体パターン）２３とを有している。
【０２０８】
絶縁性基板２１Ｃは、その両面がそれぞれ平坦面で構成されている。
そして、この絶縁性基板２１Ｃの前記一方の面上に、第１の導体膜２２が設けられ、また、絶縁性基板２１Ｃの前記他方の面上に、第２の導体膜２３が設けられている。このように、本実施形態では、第１の導体膜２２および第２の導体膜２３は、それぞれ、絶縁性基板２１Ｃ内に埋設されずに、絶縁性基板２１Ｃの表面に接合されている。
【０２０９】
このような回路基板２Ｃは、前述した第１実施形態の回路基板２と同様の機能を有し、第１実施形態に回路基板２と同様の効果を発揮することができる。
【０２１０】
（回路基板の製造方法）
次に、本発明の回路基板の製造方法を、前述した回路基板モジュール１Ｃを製造する場合を一例として説明する。
【０２１１】
図１６および図１７は、それぞれ、図１５に示す回路基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【０２１２】
回路基板モジュール１Ｃの製造方法は、前述した第１実施形態の回路基板モジュール１の製造方法において、工程［１−１］および［１−２］におけるそれぞれのパターンニングを省略し、かかるパターンニングを工程［１−４］の後に行う以外は、前述した第１実施形態の製造方法と同様である。
【０２１３】
図１５に示す回路基板モジュール１Ｃの製造方法は、［１Ｃ］回路基板２Ｃを製造する工程と、［２Ｃ］回路基板２Ｃと電子部品３とを導体部４１、４２、４３を介して接続する工程とを有する。
【０２１４】
以下、各工程を順次詳細に説明する。
［１Ｃ］回路基板２Ｃの製造工程（回路基板の製造方法）
［１Ｃ−１］第１の導体膜２２の用意
まず、シート状の第１のキャリア１０３上に形成された第１の導体膜１２２を用意する。
【０２１５】
［１Ｃ−２］第２の導体膜１２３の用意
一方、シート状の第２のキャリア１０４上に形成された第２の導体膜１２３を用意する。
【０２１６】
［１Ｃ−３］組成物供給工程
（１Ｃ−３ａ）
次に、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程（１−３ａ）と同様に、上方に開口する収納部Ｃ１を備える容器１０５を用意する。
【０２１７】
（１Ｃ−３ｂ）
そして、前述した第３実施形態に係る製造方法の工程（１Ｂ−３ｂ）と同様に、容器１０５内に、第１のキャリア１０３付きの第１の導体膜１２２を設置する。
【０２１８】
（１Ｃ−３ｃ）
次に、図１６（ａ）に示すように、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程（１−３ｃ）と同様に、容器１０５の収納部Ｃ１内に、液状の組成物１２１を充填する。
【０２１９】
（１Ｃ−３ｄ）
次に、図１６（ｂ）に示すように、前述した第２実施形態に係る製造方法の工程（１Ａ−３ｄ）と同様に、液状の組成物１２１の第１の導体膜１２２とは反対の面側に、第２の導体膜１２３が下側となるようにして、第２のキャリア１０４および第２の導体膜１２３を設置する。
【０２２０】
以上説明したようにして、第１の導体膜１２２上に液状の組成物１２１を供給し、この組成物１２１の第１の導体膜１２２とは反対側の面上に第２の導体膜１２３を設置する。
【０２２１】
［１Ｃ−４］絶縁性基板２１Ｃを形成する工程（基板形成工程）
次に、図１６（ｃ）に示すように、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程［１−４］と同様に、液状の組成物１２１を硬化または重合させて、絶縁性基板２１Ｃを形成する。
【０２２２】
［１Ｃ−５］キャリア除去工程
（１Ｃ−５ａ）
次に、図１７（ａ）に示すように、絶縁性基板２１Ｃを第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４が接合された状態のまま容器１０５から取出す。
【０２２３】
（１Ｃ−５ｂ）
そして、図１７（ｂ）に示すように、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程（１−５ｂ）と同様に、第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４をそれぞれ絶縁性基板２１Ｃから除去する。
【０２２４】
［１Ｃ−６］
そして、図１７（ｃ）に示すように、前述した第３実施形態に係る製造方法の工程［１Ｂ−６］と同様に、第１の導体膜１２２をパターンニングして、第１の導体膜２２を形成する。また、前述した第２実施形態に係る製造方法の工程［１Ａ−６］と同様に、第２の導体膜１２３をパターンニングして、第２の導体膜２３を形成する。これにより、回路基板２Ｃが得られる。
【０２２５】
［２Ｃ］回路基板２Ｃと電子部品３との接続工程
その後、前述した第１実施形態に係る製造方法の工程［２］と同様に、導体部４１、４２、４３を介して、回路基板２Ｃと電子部品３とを接続する。
【０２２６】
以上説明したような回路基板モジュール１Ｃおよび回路基板２Ｃの製造方法によっても、前述した第１実施形態に係る製造方法と同様の効果を得ることができる。
【０２２７】
特に、本実施形態に係る製造方法では、組成物１２１を容器１０５内に供給する際、第１の導体膜１２２および第２の導体膜１２３はパターンニングされておらず、第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４を絶縁性基板２１Ｃから除去した後に、第１の導体膜１２２および第２の導体膜１２３をパターンニングする工程を有するので、第１の導体膜１２２および第２の導体膜１２３をパターンニングする工程を適宜変更することにより、様々な形態の第１の導体膜２２および第２の導体膜２３を有する回路基板２Ｃを製造することができる。その際、第１の導体膜１２２および第２の導体膜１２３をパターンニングする工程の前の各工程の条件が第１の導体膜１２２および第２の導体膜１２３のパターンニングの変更の影響を受けない。そのため、様々な形態の回路基板２Ｃを安価に製造することができる。
【０２２８】
以上、本発明について、好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２２９】
例えば、本発明の回路基板の製造方法では、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。例えば、スルホールを形成する工程、メッキ工程等を設けてもよい。
【０２３０】
また、本発明の回路基板の各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
【０２３１】
また、前述した実施形態では、半田やろう材等で構成された導体部を介して第１の導体膜と電子部品とを電気的に接続した場合を説明したが、これに限定されず、例えば、第１の導体膜と電子部品との間に、両面プリント基板を介在させ、この両面プリント基板に対し第１の導体膜および電子部品をそれぞれ電気的に接続してもよい。この場合、両面プリント基板に対し第１の導体膜および電子部品をそれぞれ半田やろう材等を介して電気的に接続してもよいし、第１の導体膜が両面プリント基板の一方の面の導体膜を兼ねていてもよい。また、電子部品と第１の導体膜とは、電磁結合により電気的に接続されていてもよい。
【符号の説明】
【０２３２】
１          回路基板モジュール
１Ａ          回路基板モジュール
１Ｂ          回路基板モジュール
１Ｃ          回路基板モジュール
２          回路基板
２Ａ          回路基板
２Ｂ          回路基板
２Ｃ          回路基板
３          電子部品
２１          絶縁性基板
２１Ａ          絶縁性基板
２１Ｂ          絶縁性基板
２１Ｃ          絶縁性基板
２２          導体膜
２３          導体膜
４１          導体部
４２          導体部
４３          導体部
１０３          第１のキャリア
１０４          第２のキャリア
１０５          容器
１０５ａ          底面
１０６          容器
１０６ａ          側面
１０６ｂ          側面
１２１          組成物
１２２          第１の導体膜
１２３          第２の導体膜
２２１          電極
２２２          電極
２２３          電極
２２４          接続電極
２２５          接続電極
１０６１          部材
１０６２          部材
Ｃ１          収納部
Ｃ２          収納部
【図１】
2011210907.tif 000005
【図２】
2011210907.tif 000006
【図３】
2011210907.tif 000007
【図４】
2011210907.tif 000008
【図５】
2011210907.tif 000009
【図６】
2011210907.tif 000010
【図７】
2011210907.tif 000011
【図８】
2011210907.tif 000012
【図９】
2011210907.tif 000013
【図１０】
2011210907.tif 000014
【図１１】
2011210907.tif 000015
【図１２】
2011210907.tif 000016
【図１３】
2011210907.tif 000017
【図１４】
2011210907.tif 000018
【図１５】
2011210907.tif 000019
【図１６】
2011210907.tif 000020
【図１７】
2011210907.tif 000021