(57)【要約】【課題】ゲッタリング工程時の接合膜の飛散を抑制し、良好な電気的特性が得られる圧電振動子の製造方法と、良好な電気的特性が得られる圧電振動子を搭載した発振器、電子機器及び電波時計を提供する。【解決手段】ベース基板２の外側からベース基板２を貫通して、ゲッター材３４に第１レーザＬ１を照射し、ゲッター材３４を活性化させてキャビティＣ内に存在する気体を吸着するゲッタリング工程Ｓ８０と、ベース基板２の外側からベース基板２を貫通して、圧電振動片４の振動腕部１０，１１の先端に形成された重り金属膜２１に第２レーザＬ２を照射し、圧電振動片４の周波数を調整する周波数調整工程Ｓ９０と、を有しており、ゲッタリング工程Ｓ８０における第１レーザＬ１の強度は、周波数調整工程Ｓ９０における第２レーザＬ２の強度よりも弱いことを特徴とする。【選択図】図１０
2011142591.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに接合されたベース基板およびリッド基板と、
前記リッド基板における前記ベース基板との接合面側の全体に形成された接合膜と、
前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティと、
前記キャビティ内に封入され、前記ベース基板に実装された圧電振動片と、
前記キャビティ内に封入され、前記ベース基板に形成されたゲッター材と、
を備えた圧電振動子の製造方法であって、
前記ベース基板の外側から前記ベース基板を貫通して、前記ゲッター材に第１レーザを照射し、前記ゲッター材を活性化させて前記キャビティ内に存在する気体を吸着するゲッタリング工程と、
前記ベース基板の外側から前記ベース基板を貫通して、前記圧電振動片の振動腕部の先端に形成された重り金属膜に第２レーザを照射し、前記圧電振動片の周波数を調整する周波数調整工程と、を有しており、
前記ゲッタリング工程における前記第１レーザの強度は、前記周波数調整工程における前記第２レーザの強度よりも弱いことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電振動子の製造方法であって、前記第１レーザは、前記ゲッター材を貫通しないことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の圧電振動子の製造方法であって、前記ゲッタリング工程と前記周波数調整工程とで同じレーザ照射装置を用いてレーザ強度を調整することにより、前記第１レーザおよび前記第２レーザを照射することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の製造方法であって、前記接合膜がＳｉからなることを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法で製造された圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法で製造された圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法で製造された圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器、および電波時計に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として、水晶等の圧電材料からなる圧電振動片を利用した圧電振動子が用いられている。圧電振動片として、一対の振動腕部を備えた音叉型の圧電振動片が採用されている。
【０００３】
この種の圧電振動子として、表面実装型（ＳＭＤ、Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）の圧電振動子が知られている。
表面実装型の圧電振動子として、ベース基板とリッド基板とでパッケージを形成し、パッケージの内部に形成されたキャビティに圧電振動片を収納したものが提案されている。ベース基板とリッド基板とは、両者間に接合膜を配置して陽極接合により接合されている。接合膜は、アルミニウム（Ａｌ）やクロム（Ｃｒ）等の金属やシリコン（Ｓｉ）等の半導体等からなり、ベース基板におけるリッド基板との接合面側もしくはリッド基板におけるベース基板との接合面側に設けられる。ここで、リッド基板は電極を有していないので、リッド基板に接合膜を形成する場合には電極をマスキングする工程が不要となる。そのため、製造工程の簡単化および製造コスト削減の要望から、最近時はリッド基板におけるベース基板との接合面側の全体に接合膜を形成する場合が多い。
【０００４】
ところで、圧電振動子は、等価抵抗値（実効抵抗値、Ｒｅ）を低く抑えることが望まれている。等価抵抗値が低い圧電振動子は、低電力で圧電振動片を振動させることが可能であるため、エネルギー効率のよい圧電振動子になる。等価抵抗値を抑えるための一般的な方法の一つとして、圧電振動片の封止されているキャビティ内を真空に近づけて、等価抵抗値と比例関係にある直列共振抵抗値（Ｒ１）を低下させる方法が知られている。
【０００５】
キャビティ内を真空に近づける方法として、キャビティ内のベース基板上にＡｌやＣｒ等からなるゲッター材を封止し、外部よりレーザを照射して前記ゲッター材を活性化させるゲッタリング工程を有する方法が知られている（特許文献１参照）。この方法によれば、活性化状態になったゲッター材によって、陽極接合の際に発生する酸素を吸収することができるので、キャビティ内を真空に近づけることができる。
【０００６】
また、ゲッタリング工程後、振動腕部の先端部に形成された重り金属膜にレーザを照射し、重り金属膜をトリミングして圧電振動片の周波数の微調整を行う（周波数調整工程）。この周波数調整工程を行うことで、圧電振動片の周波数を公称周波数の範囲内に収めることができる。
【０００７】
なお、ゲッター材および重り金属膜は近くに形成されているので、上述したゲッタリング工程では、周波数調整工程と同じレーザ照射装置を用いて、周波数調整工程と同じレーザ強度で、ゲッター材にレーザを照射するのが一般的である。ゲッタリング工程および周波数調整工程でレーザ照射装置を共用化することにより、製造装置のコスト上昇を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１４２９７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、ゲッタリング工程で、ベース基板の外側からベース基板の内側に形成されたゲッター材にレーザを照射すると、レーザがゲッター材を突き抜けてリッド基板に到達する場合がある。そして、上述のように、リッド基板の内側に接合膜が形成されている場合には、レーザが接合膜に照射されて接合膜が飛散する。
【００１０】
ここで、接合膜がＡｌ等のゲッタリング効果を有している金属からなる場合、レーザ照射により飛散したＡｌ等の接合膜が活性化して周囲のガスを吸着する。そして、キャビティ内をさらに真空に近づけることができるので、圧電振動子の等価抵抗値を改善することができる。しかし、その一方で、飛散した接合膜の一部が圧電振動片の振動腕部に付着する虞がある。そして、圧電振動片の振動腕部に接合膜が付着すると、圧電振動子の等価抵抗値は上昇する。このとき、ゲッタリング効果による等価抵抗値の改善よりも、接合膜の付着による等価抵抗値の悪化が上回ったときには、総合的に圧電振動子の等価抵抗値が上昇するため、結果として圧電振動子の効率が悪化する。
【００１１】
なお、両基板の接合部において接合膜が外部に露出するので、Ａｌ等の金属からなる接合膜は腐食して、パッケージの気密性を保持できなくなるという問題がある。そこで、接合膜の腐食を防止して接合膜のシール機能をより向上させるために、Ａｌ等の金属に代えてＳｉを接合膜に用いることがある。ここで、前述と同様に、ゲッター材を突き抜けたレーザが接合膜に照射されると、Ｓｉは飛散する。しかし、ＳｉはＡｌ等の金属と異なりゲッタリング効果を有していない。そして、飛散したＳｉの一部が圧電振動片の振動腕部に付着すると、圧電振動子の等価抵抗値が上昇して圧電振動子の効率が悪化する。
【００１２】
そこで、本発明は、ゲッタリング工程時の接合膜の飛散を抑制し、良好な電気的特性が得られる圧電振動子の製造方法と、良好な電気的特性が得られる圧電振動子を搭載した発振器、電子機器及び電波時計の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決するため、本発明の圧電振動子の製造方法は、互いに接合されたベース基板およびリッド基板と、前記リッド基板における前記ベース基板との接合面側の全体に形成された接合膜と、前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティと、前記キャビティ内に封入され、前記ベース基板に実装された圧電振動片と、前記キャビティ内に封入され、前記ベース基板に形成されたゲッター材と、を備えた圧電振動子の製造方法であって、前記ベース基板の外側から前記ベース基板を貫通して、前記ゲッター材に第１レーザを照射し、前記ゲッター材を活性化させて前記キャビティ内に存在する気体を吸着するゲッタリング工程と、前記ベース基板の外側から前記ベース基板を貫通して、前記圧電振動片の振動腕部の先端に形成された重り金属膜に第２レーザを照射し、前記圧電振動片の周波数を調整する周波数調整工程と、を有しており、前記ゲッタリング工程における前記第１レーザの強度は、前記周波数調整工程における前記第２レーザの強度よりも弱いことを特徴とする。
本発明によれば、ゲッタリング工程において、第１レーザの強度は第２レーザの強度よりも弱いので、第１レーザがゲッター材を貫通してリッド基板に形成された接合膜に到達しても、接合膜の飛散する量は少ない。これにより、圧電振動片の振動腕部に付着する接合膜を減少させることができるので、圧電振動子の等価抵抗値が上昇するのを抑制することができる。したがって、圧電振動子の効率悪化を抑制することができ、良好な電気的特性が得られる圧電振動子を製造することができる。
【００１４】
また、前記第１レーザは、前記ゲッター材を貫通しないことが望ましい。
本発明によれば、ゲッタリング工程において第１レーザはゲッター材を貫通しないので、リッド基板に形成された接合膜に第１レーザが到達することはなく、接合膜が飛散することもない。これにより、圧電振動片の振動腕部に接合膜が付着することがないので、圧電振動子の等価抵抗値が上昇するのを確実に抑制することができる。したがって、圧電振動子の効率悪化を確実に抑制することができ、より良好な電気的特性が得られる圧電振動子を製造することができる。
【００１５】
また、前記ゲッタリング工程と前記周波数調整工程とで同じレーザ照射装置を用いてレーザ強度を調整することにより、前記第１レーザおよび前記第２レーザを照射することが望ましい。
本発明によれば、同じレーザ照射装置を用いてレーザ強度を調整することにより、ゲッタリング工程における第１レーザおよび周波数調整工程における第２レーザを照射している。これにより、ゲッタリング工程および周波数調整工程においてレーザ照射装置の共用化をすることができるので、圧電振動子の製造コストの上昇を抑制することができる。
【００１６】
また、前記接合膜がＳｉからなることが望ましい。
本発明によれば、接合膜がＳｉにより形成されているので、接合膜がＡｌ等の金属からなる場合に比較して、耐腐食性に優れている。したがって、接合膜のシール機能をより向上することができる。ただし、上述したようにＳｉにはゲッタリング効果がないので、第１レーザによりＳｉが飛散して圧電振動片に付着すると、圧電振動子の等価抵抗値が上昇することになる。これに対して本発明では、第１レーザは接合膜に到達しないか、もしくは第１レーザが接合膜に到達してもレーザ強度が弱いので、Ｓｉの接合膜が飛散するのを抑制することができる。これにより、圧電振動片の振動腕部に付着するＳｉの接合膜を減少させることができるので、圧電振動子の等価抵抗値が上昇するのを抑制することができる。
【００１７】
本発明の発振器は、上述した製造方法で製造された圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の電子機器は、上述した製造方法で製造された圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の電波時計は、上述した製造方法で製造された圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明にかかる発振器、電子機器および電波時計によれば、良好な電気的特性が得られる製造方法で製造された圧電振動子を備えているので、性能が良好な発振器、電子機器および電波時計を提供することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ゲッタリング工程において、第１レーザの強度は第２レーザよりも弱いので、第１レーザがゲッター材を貫通してリッド基板に形成された接合膜に到達しても、接合膜の飛散する量は少ない。これにより、圧電振動片の振動腕部に付着する接合膜を減少させることができるので、圧電振動子の等価抵抗値の上昇を抑制することができる。したがって、圧電振動子の効率悪化を抑制することができ、良好な電気的特性が得られる圧電振動子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】圧電振動子を示す外観斜視図である。
【図２】図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線における断面図である。
【図４】図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。
【図５】圧電振動片の平面図である。
【図６】圧電振動片の底面図である。
【図７】図５のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図８】圧電振動子の製造方法のフローチャートである。
【図９】ウエハ体の分解斜視図である。
【図１０】ゲッタリング工程および周波数調整工程の説明図である。
【図１１】発振器の一実施形態を示す構成図である。
【図１２】電子機器の一実施形態を示す構成図である。
【図１３】電波時計の一実施形態を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態に係る圧電振動子を、図面を参照して説明する。
なお、以下において、ベース基板におけるリッド基板との接合面を第１面Ｕとし、その反対面を第２面Ｌとして説明する。
図１は本実施形態における圧電振動子の外観斜視図である。
図２は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。
図３は図２のＡ−Ａ線における断面図である。
図４は図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。
なお、図４においては、図面を見易くするために後述する励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７および重り金属膜２１の図示を省略している。
図１から図４に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板２およびリッド基板３が接合膜３５を介して陽極接合されたパッケージ９と、パッケージ９のキャビティＣに収納された圧電振動片４と、を備えた表面実装型の圧電振動子１である。
【００２２】
（圧電振動片）
図５は圧電振動片の平面図である。
図６は圧電振動片の底面図である。
図７は図５のＢ−Ｂ線における断面図である。
図５から図７に示すように、圧電振動片４は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。この圧電振動片４は、平行に配置された一対の振動腕部１０，１１と、前記一対の振動腕部１０，１１の基端側を一体的に固定する基部１２と、一対の振動腕部１０，１１の両主面上に形成された溝部１８とを備えている。この溝部１８は、該振動腕部１０，１１の長手方向に沿って振動腕部１０，１１の基端側から略中間付近まで形成されている。
【００２３】
この圧電振動片４は、一対の振動腕部１０，１１の外表面上に形成されて一対の振動腕部１０，１１を振動させる第１の励振電極１３および第２の励振電極１４からなる励振電極１５と、第１の励振電極１３および第２の励振電極１４に電気的に接続されたマウント電極１６，１７とを有している。励振電極１５、マウント電極１６，１７および引き出し電極１９，２０は、例えば、Ｃｒやニッケル（Ｎｉ）、Ａｌ、チタン（Ｔｉ）などの導電性材料の被膜により形成されている。
【００２４】
励振電極１５は、一対の振動腕部１０，１１を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極である。励振電極１５を構成する第１の励振電極１３および第２の励振電極１４は、一対の振動腕部１０，１１の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、第１の励振電極１３が、一方の振動腕部１０の溝部１８上と他方の振動腕部１１の両側面上とに主に形成され、第２の励振電極１４が、一方の振動腕部１０の両側面上と他方の振動腕部１１の溝部１８上とに主に形成されている。また、第１の励振電極１３および第２の励振電極１４は、基部１２の両主面上において、それぞれ引き出し電極１９，２０を介してマウント電極１６，１７に電気的に接続されている。
【００２５】
また、一対の振動腕部１０，１１の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整（周波数調整）を行うための重り金属膜２１が被膜されている。この重り金属膜２１は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜２１ａと、微小に調整する際に使用される微調膜２１ｂとに分かれている。これら粗調膜２１ａおよび微調膜２１ｂを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部１０，１１の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。
【００２６】
（圧電振動子）
図１、図３および図４に示すように、リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる陽極接合可能な基板であり、略板状に形成されている。リッド基板３におけるベース基板２との接合面側には、圧電振動片４を収容するキャビティＣ用の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは、両基板２、３が重ね合わされたときに、圧電振動片４を収容するキャビティＣとなるキャビティ用の凹部である。
【００２７】
リッド基板３におけるベース基板２との接合面側の全体に、陽極接合用の接合膜３５が形成されている。すなわち接合膜３５は、凹部３ａの内面全体に加えて、凹部３ａの周囲の額縁領域に形成されている。本実施形態の接合膜３５はＳｉで形成されている。Ｓｉで接合膜３５が形成されている場合は、後述するＡｌ等の金属から接合膜３５が形成されている場合に比較して、耐腐食性に優れている。したがって、接合膜３５のシール機能をより向上することができる。そして、この接合膜３５とベース基板２とが、後述するように陽極接合されることにより、キャビティＣが真空封止されている。
【００２８】
なお、接合膜３５は、陽極接合可能で、かつレーザ照射により活性化して周囲のガス（例えば酸素）を吸着しうる材料（例えばＡｌ）で形成することも可能である。この場合、接合膜３５はゲッター材としても機能する。ただし、耐腐食性という点で本実施形態のＳｉの接合膜３５に優位性がある。
【００２９】
ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる基板であり、図１から図４に示すように、リッド基板３と同等の外形で略板状に形成されている。
そして、図２から図４に示すように、本実施形態のベース基板２の第１面Ｕには、圧電振動子１を形成したときにキャビティＣ内に収まるように、ゲッター材３４が形成されている。
【００３０】
ゲッター材３４は、レーザ照射により活性化して周囲のガスを吸着するものであり、例えばＡｌやＣｒ、Ｔｉ、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属、またはそれらの合金等で形成することが可能である。本実施形態では、ゲッター材３４は、Ｃｒを主成分とする金属材料により形成されている。
【００３１】
ゲッター材３４は、圧電振動子１の外部からレーザ照射しうる位置に配置されている。ここで、前述したリッド基板３における凹部３ａの底面は非研磨面（擦りガラス状）である。このため、リッド基板３の外側から凹部３ａを介してレーザを照射しても、レーザが発散してしまい、レーザの焦点をゲッター材３４にあわせることができない。一方、ベース基板２は、後述する貫通電極形成工程において、ベース基板用ウエハの状態で両面が研磨されている。そのため、研磨面を有するベース基板２の外側からレーザを照射する。これにより、レーザが発散することなく、レーザの焦点をゲッター材３４にあわせることができる。そして、ベース基板２の平面視において、後述する外部電極３８，３９と重ならない位置にゲッター材３４を配置する。
【００３２】
さらにゲッター材３４は、圧電振動片４をベース基板２に実装したときに、ベース基板２の平面視において、圧電振動片４と重ならない位置にゲッター材３４が配置されている。なお図示の例では、ベース基板２の平面視において、圧電振動片４の幅方向における一対の振動腕部１０，１１の両外側に、それぞれ一対のゲッター材３４が配置されている。
【００３３】
また、このベース基板２には、ベース基板２を厚さ方向に貫通する一対の貫通孔３０，３１と、貫通電極３２，３３とが形成されている。
図２および図３に示すように、貫通孔３０，３１は、圧電振動子１を形成したときにキャビティＣ内に収まるように形成される。より詳しく説明すると、本実施形態の貫通孔３０，３１は、後述するマウント工程で実装される圧電振動片４の基部１２側に対応した位置に一方の貫通孔３０が形成され、振動腕部１０，１１の先端側に対応した位置に他方の貫通孔３１が形成される。
【００３４】
貫通電極３２は、図３に示すように、貫通孔３０の内部に配置されたガラスの筒体６および導電部材７によって形成されたものである。
本実施形態では、筒体６は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体６は、両端が平坦で且つベース基板２と略同じ厚みに形成されている。そして、筒体６の中心には、導電部材７が筒体６を貫通するように配されている。そして、筒体６は、導電部材７および貫通孔３０に対して強固に固着している。
筒体６および導電部材７は、貫通孔３０を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、後述する引き回し電極３６と外部電極３８とを導通させる役割を担っている。なお、貫通電極３３は貫通電極３２と同様に形成される。また、貫通電極３３、引き回し電極３７および外部電極３９の関係についても、前述の貫通電極３２、引き回し電極３６および外部電極３９と同様の関係となっている。
【００３５】
図２から図４に示すように、ベース基板２の第１面Ｕ側には、一対の引き回し電極３６，３７がパターニングされている。一対の引き回し電極３６，３７のうち、一方の引き回し電極３６は、一方の貫通電極３２の真上に位置するように形成されている。また、他方の引き回し電極３７は、一方の引き回し電極３６に隣接した位置から、振動腕部１０，１１に沿って前記振動腕部１０，１１の先端側に引き回しされた後、他方の貫通電極３３の真上に位置するように形成されている。
【００３６】
そして、これら一対の引き回し電極３６，３７上にそれぞれバンプＢが形成されており、前記バンプＢを利用して圧電振動片４の一対のマウント電極が実装されている。これにより、圧電振動片４の一方のマウント電極１６が、一方の引き回し電極３６を介して一方の貫通電極３２に導通し、他方のマウント電極１７が、他方の引き回し電極３７を介して他方の貫通電極３３に導通するようになっている。
【００３７】
またベース基板２の第２面Ｌには、図１、図３および図４に示すように、一対の外部電極３８，３９が形成されている。一対の外部電極３８，３９は、ベース基板２の長手方向の両端部に形成され、一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ電気的に接続されている。
【００３８】
このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極３８，３９に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片４の第１の励振電極１３および第２の励振電極１４からなる励振電極１５に電圧を印加することができるので、一対の振動腕部１０，１１を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部１０，１１の振動を利用して、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として利用することができる。
【００３９】
（圧電振動子の製造方法）
次に、上述した圧電振動子の製造方法を、フローチャートを参照しながら説明する。
図８は本実施形態の圧電振動子の製造方法のフローチャートである。
図９は、ウエハ体の分解斜視図である。
本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程Ｓ１０と、リッド基板用ウエハ作製工程Ｓ２０と、ベース基板用ウエハ作製工程Ｓ３０と、組立工程（Ｓ４０以降）を有している。そのうち、圧電振動片作製工程Ｓ１０、リッド基板用ウエハ作製工程Ｓ２０およびベース基板用ウエハ作製工程Ｓ３０は、並行して実施することが可能である。
【００４０】
（圧電振動片作製工程）
圧電振動片作製工程Ｓ１０では、図５から図７に示す圧電振動片４を作製する。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュなどの鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄などの適切な処理を施した後、該ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片４の外形形状にパターニングするとともに、金属膜の成膜およびパターニングを行って、励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７および重り金属膜２１を形成する。これにより、複数の圧電振動片４を作製することができる。次に、圧電振動片４の共振周波数の粗調を行う。これは、重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、振動腕部１０，１１の重量を変化させることで行う。
【００４１】
（リッド基板用ウエハ作製工程）
リッド基板用ウエハ作製工程Ｓ２０では、図９に示すように、後にリッド基板となるリッド基板用ウエハ５０を作製する。まず、ソーダ石灰ガラスからなる円板状のリッド基板用ウエハ５０を、所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチングなどにより最表面の加工変質層を除去する（Ｓ２１）。次いで、凹部形成工程Ｓ２２では、リッド基板用ウエハ５０におけるベース基板用ウエハ４０との接合面に、キャビティ用の凹部３ａを複数形成する。凹部３ａの形成は、加熱プレス成型やエッチング加工などによって行う。次に、接合面研磨工程Ｓ２３では、ベース基板用ウエハ４０との接合面を研磨する。
【００４２】
次に、接合膜形成工程Ｓ２４では、ベース基板用ウエハ４０との接合面に、図１、図２および図４に示す接合膜３５を形成する。本来、接合膜３５は、ベース基板用ウエハ４０との接合面に形成すれば足りるが、本実施形態ではリッド基板における前記ベース基板との接合面側の全体に接合膜３５を形成している。これにより、接合膜３５のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。接合膜３５の形成は、スパッタやＣＶＤ等の成膜方法によって行うことができる。接合膜形成工程Ｓ２４の前に接合面研磨工程Ｓ２３を行っているので、接合膜３５の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ４０との安定した接合を実現することができる。この時点で、リッド基板用ウエハ作製工程Ｓ２０が終了する。
【００４３】
（ベース基板用ウエハ作製工程）
ベース基板用ウエハ作製工程Ｓ３０では、図９に示すように、後にベース基板となるベース基板用ウエハ４０を作製する。まず、ソーダ石灰ガラスからなる円板状のベース基板用ウエハ４０を、所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチングなどにより最表面の加工変質層を除去する（Ｓ３１）。
【００４４】
（貫通電極形成工程）
次いで、ベース基板用ウエハ４０に、一対の貫通電極３２を形成する貫通電極形成工程Ｓ３２を行う。なお、以下には貫通電極３２の形成工程を説明するが、貫通電極３３の形成工程についても同様である。
【００４５】
まず、ベース基板用ウエハ４０の第２面Ｌから第１面Ｕにかけてプレス加工等で貫通孔３０を成型する。次に、貫通孔３０内に導電部材７を挿入してガラスフリットからなるペースト材を充填する。続いて、ペースト材を焼成して、ガラスの筒体６、貫通孔３０および導電部材７を一体化させる。最後に、ベース基板用ウエハ４０の第１面Ｕおよび第２面Ｌを研磨して、導電部材７を第１面Ｕおよび第２面Ｌに露出させつつ平坦面とすることにより、貫通孔３０内に貫通電極３２を形成する。貫通電極３２により、ベース基板用ウエハ４０の第１面Ｕ側と第２面Ｌ側との導電性が確保されると同時に、キャビティＣ内の気密性を確保することができる。
【００４６】
（ゲッター材形成工程）
次に、図４に示すようにベース基板用ウエハ４０の第１面Ｕ側に導電性材料をパターニングして、ゲッター材３４を形成するゲッター材形成工程Ｓ３４を行う。なお、ゲッター材形成工程Ｓ３４および後述する引き回し電極形成工程Ｓ３６は、どちらの工程を先に行ってもよい。さらに、ゲッター材３４および引き回し電極３６，３７を同一材料で形成する場合には、同時に行ってもよい。
【００４７】
本実施形態では、前述のとおり、ゲッター材３４はＣｒを主成分とする金属材料で形成されており、ベース基板用ウエハ４０の第１面ＵにＣｒ層をパターニングすることにより形成する。なお、引き回し電極３６，３７の下地層をＣｒ層で形成する場合は、ゲッター材３４および引き回し電極３６，３７の下地層を同時に形成することができる。図２および図４に示すように、後にベース基板用ウエハ４０に圧電振動片４をマウントしたときに、平面視において、圧電振動片４を挟んで両側に対向配置するように各々のゲッター材３４を形成する。そして、平面視において、振動腕部１０、１１に対して隣接すると共に平行に延在するように、各々のゲッター材３４を形成する。
【００４８】
（引き回し電極形成工程）
次に、図９に戻り、貫通電極にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極３６，３７を複数形成する引き回し電極形成工程Ｓ３６を行う。なお、引き回し電極３６，３７を前述のゲッター材３４と同時に形成することにより、圧電振動子１をより効率良く製造することができる。そして、引き回し電極３６，３７上に、それぞれ金等からなる先細り形状のバンプを形成する。なお、図９では、図面の見易さのためバンプの図示を省略している。この時点でベース基板用ウエハ作製工程Ｓ３０が終了する。
【００４９】
（マウント工程）
次に、ベース基板用ウエハ４０の引き回し電極３６，３７上に、バンプＢを介して圧電振動片４を接合するマウント工程Ｓ４０を行う。具体的には、圧電振動片４の基部１２をバンプＢ上に載置し、バンプＢを所定温度に加熱しながら圧電振動片４をバンプＢに押し付ける。これにより、図３に示すように、圧電振動片４の振動腕部１０，１１がベース基板用ウエハ４０の第１面Ｕから浮いた状態で、基部１２がバンプＢに機械的に固着される。また、マウント電極１６，１７と引き回し電極３６，３７とが電気的に接続された状態となる。
【００５０】
（重ね合わせ工程）
圧電振動片４の実装が終了した後、図９に示すように、ベース基板用ウエハ４０に対してリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる重ね合わせ工程Ｓ５０を行う。具体的には、図示しない基準マークなどを指標としながら、両ウエハ４０、５０を正しい位置にアライメントする。これにより、ベース基板用ウエハ４０に実装された圧電振動片４が、リッド基板用ウエハ５０の凹部３ａとベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収容された状態となる。
【００５１】
（接合工程）
重ね合わせ工程Ｓ５０の後、重ね合わせた両ウエハ４０，５０を図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程Ｓ６０を行う。具体的には、接合膜３５とベース基板用ウエハ４０との間に所定の電圧を印加する。すると、接合膜３５とベース基板用ウエハ４０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片４をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合した、図９に示すウエハ体６０を得ることができる。なお、図９においては、図面を見易くするために、ウエハ体６０を分解した状態を図示しており、リッド基板用ウエハ５０から接合膜３５の図示を省略している。なお、図９に示す点線は、後に行う切断工程で切断する切断線Ｍを図示している。
【００５２】
（外部電極形成工程）
次に、ベース基板用ウエハ４０の第２面Ｌに導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極３２，３３にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極３８，３９（図３参照）を複数形成する外部電極形成工程Ｓ７０を行う。この工程により、圧電振動片４は、貫通電極３２，３３を介して外部電極３８，３９と導通する。
【００５３】
（ゲッタリング工程）
図１０はゲッタリング工程および周波数調整工程の説明図である。
次に、図１０に示すように、ゲッター材３４に第１レーザＬ１を照射し、ゲッター材３４を活性化させて、キャビティＣ内に存在する気体を吸着するゲッタリング工程Ｓ８０を行う。第１レーザＬ１として、例えばグリーンレーザを採用している。第１レーザＬ１の強度については後述する。上述したように、リッド基板用ウエハ５０の外側からは第１レーザＬ１を照射できないので、ベース基板用ウエハ４０の外側から第１レーザＬ１を照射する。第１レーザＬ１をゲッター材３４に照射してゲッター材３４を蒸発させると、蒸発したゲッター材３４は、キャビティＣ内の酸素を吸収して金属酸化物を生成する。これにより、キャビティＣ内の酸素が消費されるので、キャビティＣ内の真空度を向上させることができる。
【００５４】
なお、ゲッタリングの適正回数の判断方法としては、例えば、圧電振動子の種類ごとに直列振動抵抗値の閾値を予め設定しておき、この閾値を下回った際に適正と判断する方法としてもよい。また、ゲッタリング直前の直列振動抵抗値を記憶してからゲッタリングを行い、ゲッタリング直後の直列振動抵抗値との変化の割合を算出し、この変化の割合を予め設定した値と比較することで判断してもよい。
【００５５】
（周波数調整工程）
次に、図１０に示すように、キャビティＣ内に封止された圧電振動片４の振動腕部１０，１１の先端に形成された重り金属膜２１に第２レーザＬ２を照射して、圧電振動片４の周波数を微調整する周波数調整工程Ｓ９０を行う。第２レーザＬ２として、第１レーザＬ１と同様にグリーンレーザを採用している。なお、第２レーザＬ２の強度については後述する。
【００５６】
具体的な周波数調整工程Ｓ９０の手順としては、まず、外部電極３８，３９から所定電圧を継続的に印加して、圧電振動片４を振動させつつ周波数を計測する。次に、この状態で、図１０に示すように、ベース基板用ウエハ４０の外部から第２レーザを照射し、図５および図６に示す重り金属膜２１の微調膜２１ｂ（図５参照）を蒸発させる。これにより、一対の振動腕部１０，１１の先端側の重量が低下するため、圧電振動片４の周波数が上昇する。これにより、圧電振動子の周波数を微調整して、公称周波数の範囲内に収めることができる。
【００５７】
（第１レーザおよび第２レーザの強度）
ゲッタリング工程Ｓ８０における第１レーザＬ１の強度は、周波数調整工程Ｓ９０における第２レーザＬ２の強度よりも弱く設定する。例えば、第１レーザＬ１の強度は第２レーザＬ２の強度の９０パーセント程度で設定する。理由は以下の通りである。
【００５８】
図１０に示すように、周波数調整工程Ｓ９０における第２レーザＬ２の強度は、圧電振動片４の重り金属膜２１を突き抜けて照射できるように設定されている。重り金属膜２１を突き抜けて第２レーザＬ２を照射することより、圧電振動片に熱エネルギーを残さずに重り金属膜２１の微調膜を蒸発させることができる。ここで、第２レーザＬ２は接合膜３５に到達して、接合膜３５が飛散する虞がある。しかし、周波数調整工程Ｓ９０では、重り金属膜２１のトリミング量が非常に少ないため、第２レーザＬ２が接合膜３５に到達しても、接合膜３５がトリミングされる量は極めて少量である。そして、飛散した接合膜３５が圧電振動片４の振動腕部１０，１１に付着しても、その重量は軽いため、圧電振動子１の直列振動抵抗値には影響がない。
【００５９】
一方で、ゲッタリング工程Ｓ８０において、第１レーザＬ１を第２レーザＬ２と同等の強度に設定した場合、ゲッター材３４および圧電振動片４を貫通して、リッド基板用ウエハ５０に形成された接合膜３５に到達し、接合膜３５が飛散する虞がある。ここで、ゲッタリング工程Ｓ８０のトリミング量は、周波数調整工程Ｓ９０のトリミング量の約５倍程度と多いため、第１レーザＬ１が接合膜３５に到達すると、接合膜３５が多量にトリミングされる。そして、飛散した接合膜３５が圧電振動片４の振動腕部１０，１１に付着すると、その重量により、圧電振動子１の直列振動抵抗値が悪化する。
【００６０】
なお、接合膜３５がＡｌ等により形成されている場合は、接合膜３５のゲッタリング効果により、キャビティＣ内の真空度が向上する。その結果、圧電振動子１の直列振動抵抗値が向上する可能性がある。ところが、本実施形態のように、接合膜３５がＳｉで形成されている場合には、接合膜３５にゲッタリング効果がないため、圧電振動子１の直列振動抵抗値が向上することもない。そのため、接合膜３５がＳｉで形成されている場合に、接合膜の飛散を抑制する必要性が高い。
【００６１】
以上の理由から、ゲッタリング工程Ｓ８０において、第１レーザＬ１の強度を第２レーザＬ２の強度よりも弱くして、仮に第１レーザＬ１が接合膜３５に到達しても、接合膜３５の飛散する量が少なくなるように設定する。これにより、圧電振動片４の振動腕部１０，１１に付着する接合膜３５を減少させることができるので、圧電振動子１の等価抵抗値が上昇するのを抑制することができる。
【００６２】
さらに、本実施形態では、第１レーザＬ１の強度を第２レーザＬ２の強度よりも弱くし、かつ第１レーザＬ１は、ゲッター材３４を貫通しないように設定している。これにより、接合膜３５に第１レーザＬ１が到達することはなく、接合膜３５が飛散することもない。したがって、圧電振動片４の振動腕部１０，１１に接合膜３５が付着することもないので、圧電振動子１の等価抵抗値が上昇するのを確実に抑制することができる。
【００６３】
なお、本実施形態では、ゲッタリング工程Ｓ８０と周波数調整工程Ｓ９０とで、同じレーザ照射装置（不図示）を用いてレーザ強度を調整している。これにより、ゲッタリング工程Ｓ８０と周波数調整工程Ｓ９０とでレーザ照射装置を共用できるので、製造コストの上昇を抑制することができる。
【００６４】
（切断工程）
周波数の微調が終了後、接合されたウエハ体６０を図９に示す切断線Ｍに沿って切断する切断工程Ｓ１００を行う。具体的には、まずウエハ体６０のベース基板用ウエハ４０の表面にＵＶテープを貼り付ける。次に、リッド基板用ウエハ５０側から切断線Ｍに沿ってレーザを照射する（スクライブ）。次に、ＵＶテープの表面から切断線Ｍに沿って切断刃を押し当て、ウエハ体６０を割断する（ブレーキング）。その後、ＵＶを照射してＵＶテープを剥離する。これにより、ウエハ体６０を複数の圧電振動子に分離することができる。なお、これ以外のダイシング等の方法によりウエハ体６０を切断してもよい。
【００６５】
なお、切断工程Ｓ１００を行って個々の圧電振動子にした後に、周波数調整工程Ｓ９０を行う工程順序でも構わない。但し、上述したように、周波数調整工程Ｓ９０を先に行うことで、ウエハ体６０の状態で微調を行うことができるため、複数の圧電振動子をより効率良く微調することができる。よって、スループットの向上化を図ることができるため好ましい。
【００６６】
（電気特性検査）
その後、内部の電気特性検査Ｓ１１０を行う。即ち、圧電振動片４の共振周波数や共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数および共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。そして、最後に圧電振動子の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電振動子の製造が終了する。
【００６７】
本実施形態によれば、図１０に示すように、ゲッタリング工程Ｓ８０において、第１レーザＬ１の強度は第２レーザＬ２の強度よりも弱いので、第１レーザＬ１がゲッター材３４を貫通してリッド基板３に形成された接合膜３５に到達しても、接合膜３５の飛散する量は少ない。これにより、圧電振動片４の振動腕部１０，１１に付着する接合膜３５を減少させることができるので、圧電振動子１の等価抵抗値の上昇を抑制することができる。したがって、圧電振動子１の効率悪化を抑制することができ、良好な電気的特性が得られる圧電振動子１を製造することができる。
【００６８】
（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１１を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１１０は、図１１に示すように、圧電振動子１を、集積回路１１１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１１０は、コンデンサ等の電子素子部品１１２が実装された基板１１３を備えている。基板１１３には、発振器用の前記集積回路１１１が実装されており、この集積回路１１１の近傍に、圧電振動子１の圧電振動片が実装されている。これら電子素子部品１１２、集積回路１１１および圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
【００６９】
このように構成された発振器１１０において、圧電振動子１に電圧を印加すると、圧電振動子１内の圧電振動片が振動する。この振動は、圧電振動片が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１１１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１１１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１１１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
【００７０】
本実施形態の発振器１１０によれば、良好な電気的特性が得られる製造方法で製造された圧電振動子１を備えているので、性能が良好な発振器１１０を提供することができる。
【００７１】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１２を参照して説明する。なお電子機器として、前述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１２０を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器１２０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカおよびマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化および軽量化されている。
【００７２】
次に、本実施形態の携帯情報機器１２０の構成について説明する。この携帯情報機器１２０は、図１２に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１２１とを備えている。電源部１２１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１２１には、各種制御を行う制御部１２２と、時刻等のカウントを行う計時部１２３と、外部との通信を行う通信部１２４と、各種情報を表示する表示部１２５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１２６とが並列に接続されている。そして、電源部１２１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
【００７３】
制御部１２２は、各機能部を制御して音声データの送信や受信、現在時刻の計測、表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１２２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、該ＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、該ＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。
【００７４】
計時部１２３は、発振回路やレジスタ回路、カウンタ回路、インターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１２２と信号の送受信が行われ、表示部１２５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
【００７５】
通信部１２４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１２７、音声処理部１２８、切替部１２９、増幅部１３０、音声入出力部１３１、電話番号入力部１３２、着信音発生部１３３および呼制御メモリ部１３４を備えている。
無線部１２７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１３５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１２８は、無線部１２７又は増幅部１３０から入力された音声信号を符号化および複号化する。増幅部１３０は、音声処理部１２８又は音声入出力部１３１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１３１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【００７６】
また、着信音発生部１３３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１２９は、着信時に限って、音声処理部１２８に接続されている増幅部１３０を着信音発生部１３３に切り替えることによって、着信音発生部１３３において生成された着信音が増幅部１３０を介して音声入出力部１３１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１３４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１３２は、例えば、０から９の番号キーおよびその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
【００７７】
電圧検出部１２６は、電源部１２１によって制御部１２２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１２２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１２４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１２６から電圧降下の通知を受けた制御部１２２は、無線部１２７、音声処理部１２８、切替部１２９および着信音発生部１３３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１２７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１２５に、通信部１２４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【００７８】
すなわち、電圧検出部１２６と制御部１２２とによって、通信部１２４の動作を禁止し、その旨を表示部１２５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１２５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１２４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１３６を備えることで、通信部１２４の機能をより確実に停止することができる。
【００７９】
本実施形態の携帯情報機器１２０によれば、良好な電気的特性が得られる製造方法で製造された圧電振動子１を備えているので、性能が良好な携帯情報機器１２０を提供することができる。
【００８０】
（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１３を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１４０は、図１３に示すように、フィルタ部１４１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、前述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【００８１】
以下、電波時計１４０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１４２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１４３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１４１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、前記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚおよび６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１４８、１４９をそれぞれ備えている。
【００８２】
更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１４４により検波復調される。
続いて、波形整形回路１４５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１４６でカウントされる。ＣＰＵ１４６では、現在の年や積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１４８に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１４８、１４９は、前述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【００８３】
なお、前述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１４０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【００８４】
本実施形態の電波時計１４０によれば、良好な電気的特性が得られる製造方法で製造された圧電振動子１を備えているので、性能が良好な電波時計１４０を提供することができる。
【００８５】
なお、この発明は上述した実施の形態に限られるものではない。
本実施形態では、音叉型の圧電振動片を用いた圧電振動子を例に挙げて製造方法を説明した。しかし、例えばＡＴカット型の圧電振動片（厚み滑り振動片）を用いた圧電振動子に本実施形態の製造方法を採用しても構わない。
【００８６】
本実施形態では、ゲッター材をＣｒで形成し、接合膜をＳｉで形成しており、ゲッター材と接合膜とは異なる材料で形成しているが、両者を同一の材料で形成してもよい。ただし、接合膜をＳｉで形成すると耐腐食性が向上するので本実施形態に優位性がある。
【００８７】
本実施形態では、第１レーザおよび第２レーザとしてグリーンレーザ（波長５３２ｎｍ）を採用している。しかし、異なる波長のレーザを採用してもよい。ただし、微細加工に優れているという点で本実施形態のグリーンレーザに優位性がある。
【００８８】
本実施形態では、ゲッタリング工程における第１レーザおよび周波数調整工程における第２レーザの照射は、同一のレーザ照射装置を用いて行っている。しかし、第１レーザおよび第２レーザを別々のレーザ照射装置から照射してもよい。別々のレーザ照射装置を有することで、第１レーザおよび第２レーザのレーザ強度を調整する必要がなくなる。したがって、製造工数を削減することができる。ただし、製造設備のコストの点では、レーザ照射装置を共用する本実施形態に優位性がある。
【符号の説明】
【００８９】
１・・・圧電振動子  ２・・・ベース基板  ３・・・リッド基板  ４・・・圧電振動片  １０，１１・・・振動腕部  ２１・・・重り金属膜  ３４・・・ゲッター材  ３５・・・接合膜  １１０・・・発振器  １２０・・・携帯情報機器（電子機器）  １２３・・・計時部  １４０・・・電波時計  １４１・・・フィルタ部  Ｃ・・・キャビティ  Ｌ１・・・第１レーザ  Ｌ２・・・第２レーザ  Ｓ８０・・・ゲッタリング工程  Ｓ９０・・・周波数調整工程
【図１】
2011142591.tif 000003
【図２】
2011142591.tif 000004
【図３】
2011142591.tif 000005
【図４】
2011142591.tif 000006
【図５】
2011142591.tif 000007
【図６】
2011142591.tif 000008
【図７】
2011142591.tif 000009
【図８】
2011142591.tif 000010
【図９】
2011142591.tif 000011
【図１０】
2011142591.tif 000012
【図１１】
2011142591.tif 000013
【図１２】
2011142591.tif 000014
【図１３】
2011142591.tif 000015