(57)【要約】【課題】有機電界発光素子などの有機デバイスにおいて、駆動安定性の高いデバイスを得るために有用な有機デバイス用組成物と、この組成物を用いた駆動安定性の高い有機電界発光素子を提供する。【解決手段】２種以上の架橋性化合物を含有する有機デバイス用組成物であって、該架橋性化合物のうち、少なくとも２種は、架橋基の数が異なることを特徴とする有機デバイス用組成物。この有機デバイス用組成物を成膜後、該架橋性化合物を重合させて得られる高分子膜。基板上に、陽極および陰極と、該陽極および陰極の間に配置された有機層とを有する有機電界発光素子において、該有機層の少なくとも１層が、この有機デバイス用組成物を成膜後、架橋性化合物を重合させて得られる層である有機電界発光素子。【選択図】図１
2011142342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２種以上の架橋性化合物を含有する有機デバイス用組成物であって、
該架橋性化合物のうち、少なくとも２種は、架橋基の数が異なり、
少なくとも２種の架橋基の数が異なる架橋性化合物が、それぞれ、正孔輸送部位を有し、繰り返し単位を有する重合体であって、該少なくとも２種の重合体の繰り返し単位当たりの平均架橋基数及び／又は繰り返し単位以外にある架橋基数が異なり、
繰り返し単位当たりの平均架橋基数がＬＡである架橋性化合物（Ａ）および繰り返し単位当たりの平均架橋基数がＬＢである架橋性化合物（Ｂ）を含有し、ＬＡおよびＬＢが、それぞれ下記式（Ｉ）および（II）を満たすことを特徴とする、有機デバイス用組成物。
ＬＡ＞ＬＢ                      …（Ｉ）
（ＬＡ−ＬＢ）／ＬＢ≧０．０５    …（II）
【請求項２】
架橋性化合物（Ａ）および架橋性化合物（Ｂ）が、それぞれ、共重合体であることを特徴とする、請求項１に記載の有機デバイス用組成物。
【請求項３】
架橋性化合物（Ａ）：架橋性化合物（Ｂ）が、重量比で、１：１〜１：２０であることを特徴とする、請求項１または２に記載の有機デバイス用組成物。
【請求項４】
架橋性化合物が、下記式で表される部分構造を有する化合物であることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の有機デバイス用組成物。
【化１】
2011142342.tif 000116
【請求項５】
有機電界発光素子用であることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の有機デバイス用組成物。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の有機デバイス用組成物を成膜後、該架橋性化合物を重合させて得られることを特徴とする、高分子膜。
【請求項７】
基板上に、陽極および陰極と、該陽極および陰極の間に配置された有機層とを有する有機電界発光素子において、該有機層の少なくとも１層が、請求項５に記載の有機デバイス用組成物を成膜後、該架橋性化合物を重合させて得られる層であることを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項８】
該有機層として、正孔輸送層および発光層を含み、
該正孔輸送層が、請求項５に記載の有機デバイス用組成物を成膜後、該架橋性化合物を重合させて得られる層であり、
該発光層が、湿式成膜法により形成された、分子量１００００以下の低分子系発光材料を含有する層であることを特徴とする、請求項１０に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子などの有機デバイスの有機層を形成するために用いられる、有機デバイス用組成物に関する。
本発明はまた、この有機デバイス用組成物よりなる高分子膜と、この有機デバイス用組成物を用いて形成された有機層を有する、駆動安定性の高い有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機薄膜を用いた電界発光素子（有機電界発光素子）の開発が行われている。有機電界発光素子における有機薄膜の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法が挙げられる。
【０００３】
このうち、真空蒸着法は積層化が可能であるため、陽極および／または陰極からの電荷注入の改善、励起子の発光層封じ込めが容易であるという利点を有する。
【０００４】
一方、湿式成膜法は真空プロセスが要らず、大面積化が容易で、１つの層（塗布液）に様々な機能をもった複数の材料を混合して入れることが容易である等の利点がある。
しかしながら、湿式成膜法は積層化が困難であるため、真空蒸着法による素子に比べて駆動安定性に劣り、一部を除いて実用レベルに至っていないのが現状である。
湿式成膜法での積層化の方法として、有機溶媒に不溶な高分子と水系溶媒を用いて一層目を成膜し、その上に有機溶媒を用いて二層目を成膜することが行われているが、三層以上の積層化は困難であった。
【０００５】
上記問題を解決するために、特許文献１には、下記のような架橋基を有する化合物を塗布後に重合反応させて不溶化された膜を用いる方法が記載されている。
【０００６】
【化１】
2011142342.tif 000003
【０００７】
しかしながら、上記の方法では、駆動安定性が高い有機電界発光素子は得られていなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−１９９９３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、有機電界発光素子などの有機デバイスにおいて、駆動安定性の高いデバイスを得るために有用な組成物を提供することを課題とする。
本発明はまた、この有機デバイス用組成物を用いた、駆動安定性の高い有機電界発光素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らが鋭意検討した結果、架橋基の数が異なる２種以上の架橋性化合物を併用することにより、上記課題が解決できることがわかり、本発明に到達した。
【００１１】
すなわち、本発明は、
２種以上の架橋性化合物を含有する有機デバイス用組成物であって、該架橋性化合物のうち、少なくとも２種は、架橋基の数が異なり、少なくとも２種の架橋基の数が異なる架橋性化合物が、それぞれ、正孔輸送部位を有し、繰り返し単位を有する重合体であって、該少なくとも２種の重合体の繰り返し単位当たりの平均架橋基数及び／又は繰り返し単位以外にある架橋基数が異なり、繰り返し単位当たりの平均架橋基数がＬＡである架橋性化合物（Ａ）および繰り返し単位当たりの平均架橋基数がＬＢである架橋性化合物（Ｂ）を含有し、ＬＡおよびＬＢが、それぞれ下記式（Ｉ）および（II）を満たすことを特徴とする有機デバイス用組成物、
ＬＡ＞ＬＢ                      …（Ｉ）
（ＬＡ−ＬＢ）／ＬＢ≧０．０５    …（II）
該有機デバイス用組成物を成膜後、該架橋性化合物を重合させて得られることを特徴とする高分子膜、
ならびに
基板上に、陽極および陰極と、該陽極および陰極の間に配置された有機層とを有する有機電界発光素子において、該有機層の少なくとも１層が、該有機デバイス用組成物を成膜後、該架橋性化合物を重合させて得られる層であることを特徴とする有機電界発光素子、
に存する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の有機デバイス用組成物によれば、安定性の高い高分子膜を得ることができるため、本発明の有機デバイス用組成物を成膜後、該架橋性化合物を重合させて得られる層を有する有機電界発光素子は、駆動安定性が高い。
従って、本発明の有機デバイス用組成物を用いて形成された層を有する有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えら、その技術的価値は高いものである。
また、本発明の有機デバイス用組成物は、安定性の高い高分子膜を得ることができることから、有機電界発光素子に限らず、その他、電子写真感光体、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等の有機デバイスにも有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に本発明の有機デバイス用組成物、高分子膜、および有機電界発光素子の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
【００１５】
なお、本発明において「有機デバイス」とは、外部から供給されたエネルギーを、他のエネルギーおよび／または有効な仕事に変換する機能をもつ構造体であり、主たる機能を発現する部分が有機物により構成されてなるものをいう。
有機デバイスの例としては、有機電界発光素子、有機トランジスタ、有機太陽電池、有機発光トランジスタ、有機磁性デバイス、有機ダイオード、電子写真感光体、有機整流素子、有機アクチュエーター（モーター等）、有機センサー（圧力、温度、湿度センサー等）等が挙げられる。
本発明の有機デバイス用組成物は、安定性の高い高分子膜を得ることができることから、これらの有機デバイスに有効に適用することができる。本発明の有機デバイス用組成物は、特に有機電界発光素子に適用されることが好ましい。
【００１６】
［１］  有機デバイス用組成物
本発明の有機デバイス用組成物は、２種以上の架橋性化合物を含有する有機デバイス用組成物であって、該架橋性化合物のうち、少なくとも２種は、架橋基の数が異なることを特徴とするものであって、特に、有機電界発光素子用組成物として使用されることが好ましい。
【００１７】
従来、本発明のような架橋性化合物を重合させて得られる膜を有機層として使用する有機デバイスの場合、前述の通り、駆動安定性が高い有機デバイスが得られていなかった。
本発明者らの検討によると、これは、架橋性化合物を１種類しか用いていないため、架橋基数の制御ができず、重合後、未反応の架橋基が多く残存し、この未反応の架橋基が駆動安定性低下の原因となっているものと考えられた。
そこで、本発明では、架橋基の数が異なる架橋性化合物を２種以上用いることにより、架橋基の数を制御することを試みたところ、駆動安定性の向上を図ることができた。これは架橋基の数の制御によって、未反応架橋基の数を減らすことができたためであると推測される。
【００１８】
本発明の有機デバイス用組成物は、２種以上の架橋性化合物を含有するが、通常は架橋性化合物を１０種以下、好ましくは５種以下、さらに好ましくは３種以下、特に好ましくは２種含有している。この架橋性化合物のうち、少なくとも２種は、架橋基の数が異なる化合物であることを特徴とする。
【００１９】
本発明の有機デバイス用組成物は、通常、架橋性化合物と、溶媒と、必要に応じて添加される各種の添加剤とを含む。
【００２０】
［架橋性化合物］
本発明における架橋性化合物とは、架橋基を１以上有する化合物である。また、架橋性化合物の例としては、架橋基を有するモノマー（単一の分子量を有する化合物）、架橋基を有するオリゴマー（繰り返し単位を有する低分子量重合体）、または架橋基を有するポリマー（繰り返し単位を有する高分子量重合体）が挙げられる。
即ち、本発明の有機デバイス用組成物は、架橋性化合物として、下記（１）〜（３）を含む場合がある。
（１）  単一の分子量を有する化合物（モノマー）を２種以上含む
（２）  繰り返し単位を有する重合体（オリゴマーおよび／またはポリマー）を２種以上含む
（３）  単一の分子量を有する化合物（モノマー）の１種以上と繰り返し単位を有する重合体（オリゴマーおよび／またはポリマー）の１種以上とを含む
【００２１】
架橋性化合物としては、高純度化が容易な点、安定した性能を得られる点で、単一の分子量を有する化合物が好ましく、また、成膜性が優れる点で、オリゴマーやポリマーのような繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。
【００２２】
なお、本発明の有機デバイス用組成物に含まれる架橋性化合物は、単一の分子量を有する化合物であっても繰り返し単位を有する重合体であっても、正孔輸送部位を有する架橋性化合物であることが好ましい。
【００２３】
上記（１）〜（３）のいずれの態様においても、本発明の有機デバイス用組成物中に含まれる架橋性化合物が、架橋基を２個以上有する場合、架橋性化合物中に複数ある架橋基は互いに同一であってもよく、異なるものであってもよい。
また、有機デバイス用組成物中に含まれる２種以上の架橋性化合物についても、各々の架橋性化合物が有する架橋基は同一であっても異なるものであってもよい。
【００２４】
｛架橋性化合物として、単一の分子量を有する化合物を含む有機デバイス用組成物｝
本発明において、単一の分子量を有する化合物とは、繰り返し単位を有する重合体のように分子量分布を持たない化合物であり、化合物の構造から一義的に分子量が特定できるものをいう。
【００２５】
本発明の有機デバイス用組成物に含まれる架橋性化合物としての単一の分子量を有する化合物は、分子量が通常５０００以下、好ましくは２５００以下であり、また好ましくは３００以上、さらに好ましくは５００以上である。
分子量がこの上限を超えると、不純物の高分子量化によって精製が困難となる場合があり、また分子量がこの下限を下回ると、ガラス転移温度および、融点、気化温度などが低下するため、耐熱性が著しく損なわれる場合がある。
【００２６】
単一の分子量を有する架橋性化合物が、一分子中に有する架橋基の数は１以上、好ましくは８以下、さらに好ましくは４以下である。
【００２７】
本発明の有機デバイス用組成物において、単一の分子量を有する架橋性化合物を用いる場合、重合後の未反応架橋基を低減させるための架橋基数の制御を容易に行うためには、有機デバイス用組成物中に、架橋基を１つ有する架橋性化合物および架橋基を２つ以上有する架橋性化合物を含有することが好ましく、特に、架橋基を１つ有する架橋性化合物と架橋基を２つ有する架橋性化合物とを含有することが好ましい。
【００２８】
また、本発明の有機デバイス用組成物中の架橋基の数が異なる架橋性化合物のそれぞれの含有比は適宜選択できるが、単一の分子量を有する架橋性化合物を用いる場合、架橋基の数の少ない架橋性化合物を、架橋基の数の多い架橋性化合物よりもモル比で多く含有することが、重合後の未反応架橋基をより低減できるため、好ましい。特に、有機デバイス用組成物中に架橋基の数が異なる架橋性化合物を２種のみ含有する場合、各架橋性化合物の含有割合は、モル比で、（架橋基の数の少ない架橋性化合物）：（架橋基の数の多い架橋性化合物）が６０：４０〜９９：１であることが好ましく、７０：３０〜９５：５であることがより好ましい。
また、有機デバイス用組成物中に架橋基の数が異なる架橋性化合物を３種以上含有する場合は、少なくとも１種は架橋基を１つ有する架橋性化合物であることが好ましい。この場合、有機デバイス用組成物中の各架橋性化合物の含有割合は、モル比で（架橋基を１つ有する架橋性化合物の合計）：（架橋基を２つ以上有する架橋性化合物の合計）が、６０：４０〜９９：１であることが好ましく、７０：３０〜９５：５であることがより好ましい。
【００２９】
｛架橋性化合物として、繰り返し単位を有する重合体を含む有機デバイス用組成物｝
本発明の有機デバイス用組成物が、架橋性化合物として、繰り返し単位を有する重合体を２種以上含有する場合、該架橋性化合物は、繰り返し単位当りの平均架橋基数、及び／又は繰り返し単位以外にある架橋基の数が異なる２種以上であればよい。
本発明の有機デバイス用組成物に含まれる、架橋性化合物としての繰り返し単位を有する重合体（以下、単に「重合体」と称す場合がある。なお、本発明において、重合体とは、共重合体を包含する広義の重合体を意味する。）が有する架橋基は、繰り返し単位中にあってもよく、また、繰り返し単位以外の部分（例えば重合体分子末端）にあってもよい。
【００３０】
繰り返し単位を有する重合体は、単一の分子量を有する化合物とは異なり、分子量分布を有するため、重合体分子（繰り返し単位で構成される重合体の一単位）に含まれる架橋基の数や、重合体の分子量当たりの架橋基の数や、１重合体分子中の繰り返し単位の数は、通常、重合体の平均分子量のように平均値で表される。本発明においては、「平均架橋基数」と「繰り返し単位当たりの平均架橋基数」で重合体の架橋基数を評価する。
【００３１】
＜平均架橋基数＞
平均架橋基数とは、１つの重合体分子が有する架橋基の数の平均値である。この平均架橋基数は、当該重合体の合成時の仕込みモノマー比と、合成された重合体の重量平均分子量とから決定される重合体分子の構造式から求めることができる。
【００３２】
例えば、後掲の合成例９で合成した目的物２９（実施例８で用いた架橋性化合物（Ｈ９））は、重量平均分子量が１４４０００で、合成時の仕込みモノマー比から、以下の構造式で表されるため、１重合体分子中の架橋基を２個有する繰り返し単位（以下の構造式において右側の繰り返し単位）の数の平均値は２６．８１個であるので、平均架橋基数は５３．６２と算出される。
【００３３】
【化２】
2011142342.tif 000004
【００３４】
同様に、後掲の合成例１０で合成した目的物３０（実施例８で用いた架橋性化合物（Ｈ１０））は、重量平均分子量が９２４００で、合成時の仕込みモノマー比から、以下の構造式で表されるため、１重合体分子中の架橋基を２個有する繰り返し単位（以下の構造式において右側の繰り返し単位）の数の平均値は６８．４６個であるので、平均架橋基数は１３６．９２と算出される。
【００３５】
【化３】
2011142342.tif 000005
【００３６】
なお、繰り返し単位中ではなく、重合体分子の末端に架橋基を有する場合には、当該架橋基の数が平均架橋基数と等しくなる。
【００３７】
このように、本発明の有機デバイス用組成物が架橋性化合物として、繰り返し単位を有する重合体を含む場合、この重合体である架橋性化合物が有する架橋基の数は、繰り返し単位当たりの平均架橋基数を指すものとする。
【００３８】
＜繰り返し単位当たりの平均架橋基数＞
上述のようにして求められた平均架橋基数を、１つの重合体分子の平均的な繰り返し単位の総数で除した値を、繰り返し単位当たりの平均架橋基数とする。
例えば、前述の化合物（Ｈ９）は、その重量平均分子量と合成時の仕込みモノマー比から求められた構造式から、全繰り返し単位数の平均値は２６８．１３であるため、前述の平均架橋基数５３．６２を２６８．１３で除した値０．２が、繰り返し単位当たりの平均架橋基数となる。
【００３９】
同様に、前述の化合物（Ｈ１０）は、その重量平均分子量と合成時の仕込みモノマー比から求められた構造式から、全繰り返し単位数の平均値は１３６．９２であるため、前述の平均架橋基数１３６．９２を１３６．９２で除した値１．０が、繰り返し単位当たりの平均架橋基数となる。
【００４０】
なお、重合体の重量平均分子量の測定方法については後述の通りである。
【００４１】
本発明において、架橋性化合物としての重合体の平均架橋基数は、好ましくは１以上、より好ましくは２以上、また、好ましくは２００以下、より好ましくは１００以下である。重合体の平均架橋基数がこの下限を下回ると不溶化が十分でなく湿式成膜法による積層成膜ができないおそれがあり、この上限を上回るとクラッキングによって平坦な膜が得られないおそれがある。
【００４２】
また、架橋基が重合体の繰り返し単位以外の部分にある場合、重合体の繰り返し単位以外の部分にある架橋基の数は、通常３以下、好ましくは２以下である。この上限値を上回ると、局所的に架橋密度が上がるため、膜質が低下するおそれがある。
【００４３】
また、重合体の繰り返し単位当たりの平均架橋基数は、好ましくは０．００５以上、より好ましくは０．０１以上、また、好ましくは３．０以下、より好ましくは２．０以下、更に好ましくは１．０以下である。重合体の繰り返し単位当たりの平均架橋基数がこの下限を下回ると不溶化が十分でなく、湿式成膜法による成膜ができないおそれがあり、この上限を上回るとクラッキングによって平坦な膜が得られないおそれがある。
【００４４】
また、該重合体の重量平均分子量は、通常３，０００，０００以下、好ましくは１，０００，０００以下、より好ましくは５００，０００以下であり、また通常１，０００以上、好ましくは２，５００以上、より好ましくは５，０００以上である。
また、該重合体の数平均分子量は、通常２，５００，０００以下、好ましくは７５０，０００以下、より好ましくは４００，０００以下であり、また通常５００以上、好ましくは１，５００以上、より好ましくは３，０００以上である。
該重合体の分子量がこの上限を超えると、不純物の高分子量化によって精製が困難となるおそれがある。また、該重合体の分子量がこの下限を下回ると、成膜性が低下するおそれがあり、ガラス転移温度、融点および気化温度が低下するため、耐熱性が著しく損なわれるおそれがある。
【００４５】
また、該重合体の分散度Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗ：重量平均分子量、Ｍｎ：数平均分子量）は、通常３．０以下、好ましくは２．５以下、より好ましくは２．０以下であり、好ましくは１．０以上、さらに好ましくは１．１以上、特に好ましくは１．２以上である。該重合体の分散度がこの上限を上回ると、精製が困難となる、溶媒溶解性が低下する、電荷輸送性が低下するといった不具合の恐れがある。
【００４６】
該重合体の重量平均分子量および数平均分子量は、通常ＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー）測定により決定される。ＳＥＣ測定では高分子量成分ほど溶出時間が短く、低分子量成分ほど溶出時間が長くなるが、分子量既知のポリスチレン（標準試料）の溶出時間から算出した校正曲線を用いて、サンプルの溶出時間を分子量に換算することによって、重量平均分子量および数平均分子量が算出される。
【００４７】
本発明の有機デバイス用組成物は、材料設計や組成比を調整することでより良好な膜物性をもつ膜を得られやすい点で、架橋性化合物として、繰り返し単位当たりの平均架橋基数及び／又は、繰り返し単位以外にある架橋基数が異なる重合体を２種以上含むことが好ましい。より好ましくは、本発明の有機デバイス用組成物が、架橋基の数が異なる２種の架橋性化合物として、いずれも繰り返し単位を有する重合体を含む場合、異なる２種の架橋性化合物を架橋性化合物（Ａ）および架橋性化合物（Ｂ）とすると、架橋性化合物（Ａ）の繰り返し単位当たりの平均架橋基数ＬＡと架橋性化合物（Ｂ）の繰り返し単位当たりの平均架橋基数ＬＢは、下記式（Ｉ）および（II）を満たすことが好ましい。
ＬＡ＞ＬＢ                      …（Ｉ）
（ＬＡ−ＬＢ）／ＬＢ≧０．０５    …（II）
【００４８】
（ＬＡ−ＬＢ）／ＬＢの値は、通常０．０５以上、好ましくは０．１以上である。（ＬＡ−ＬＢ）／ＬＢがこの下限を下回ると未反応架橋基の数が増える恐れがある。（ＬＡ−ＬＢ）／ＬＢの上限に関しては、不溶性が担保されている限りは特に制限はないが、通常は１００以下である。
【００４９】
本発明の有機デバイス用組成物に該重合体が３種以上含まれている場合は、少なくとも２種の重合体が上記式（Ｉ）および（II）を満たせばよい。
【００５０】
本発明の有機デバイス用組成物に含まれる架橋性化合物が重合体である場合も、架橋性化合物として単一の分子量を有する化合物を有する場合と同様に、有機デバイス用組成物中の架橋基の数が異なる架橋性化合物の含有比は適宜選択できるが、繰り返し単位当たりの平均架橋基数が少ない架橋性化合物を、繰り返し単位当たりの平均架橋基数が多い架橋性化合物に対して、重量比で同量以上含有することが、重合後の未反応架橋基をより低減できるため好ましい。
【００５１】
特に、上述の式（Ｉ），（II）を満たす架橋性化合物（Ａ）：架橋性化合物（Ｂ）が、有機デバイス用組成物中に、重量比で、１：１〜１：２０の含有割合で含まれることが好ましく、１：２〜１：１０の含有割合で含まれることがより好ましい。
【００５２】
また、上述の式（Ｉ），（II）を満たす架橋性化合物（Ａ）：架橋性化合物（Ｂ）が、有機デバイス用組成物中に、繰り返し単位モル比で１：１〜１：２０の含有割合で含まれることが好ましく、１：２〜１：１０の含有割合で含まれることがより好ましい。
ここで、繰り返し単位モル比は以下の様に定義される。
【００５３】
【化４】
2011142342.tif 000006
【００５４】
（ｍ、ｎは、各々独立して、０以上の整数を表し、
Ａｍは、架橋基を有さない繰り返し単位、Ｂｎは架橋基を有する繰り返し単位を表す。
また、ｘｍ、ｙｎはそれぞれＡｍ及びＢｎにおける繰り返し単位の数の比を表す）
における、繰り返し単位のモル比は、
繰り返し単位のモル比＝繰り返し単位を有する重合体の重量（ｇ）／繰り返し単位の平均分子量Ｍ
で表される。また、繰り返し単位の平均分子量は、共重合体の繰り返し単位が何種あっても以下の式で示される。
【００５５】
【数１】
2011142342.tif 000007
（ＭＡｍは繰り返し単位Ａｍの分子量、ＭＢｎは繰り返し単位Ｂｎの分子量を表す）
【００５６】
また、該重合体は、該重合体を構成する繰り返し単位として、架橋基を有する繰り返し単位のみからなるものであってもよい。また該重合体を構成する繰り返し単位として、架橋基を有さない繰り返し単位のみからなるものであってもよいが、その場合は重合体中において繰り返し単位としてカウントされない部位に架橋基を有するものである。特に、該重合体は、架橋基を有する繰り返し単位と、架橋基を有さない繰り返し単位との共重合体であることが好ましい。尚、架橋基を有する繰り返し単位は、１つの繰り返し単位中に架橋基を３以下有することが好ましく、２以下有することがさらに好ましい。
【００５７】
架橋性化合物としての共重合体は、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体がのいずれでもよいが、溶解性の点から、ランダム共重合体であることが好ましい。
【００５８】
本発明の有機デバイス用組成物において、架橋基の数が異なる少なくとも２種の架橋性化合物が、それぞれ共重合体である場合、該２種の共重合体は、それぞれを構成する繰り返し単位が、同一であっても、異なるものであってもよい。
それぞれを構成する繰り返し単位が同一とは、該２種の共重合体がいずれも、例えば、繰り返し単位Ｘと繰り返し単位Ｙとから構成される共重合体である場合などを意味する。この場合、共重合体中における繰り返し単位Ｘと繰り返し単位Ｙとの存在割合が異なることにより、繰り返し単位当たりの平均架橋基数が異なる２種の共重合体となる。
【００５９】
本発明の有機デバイス用組成物において、架橋基の数が異なる少なくとも２種の架橋性化合物は、それぞれ共重合体であって、該少なくとも２種の共重合体はそれぞれを構成する繰り返し単位が同一であることが好ましい。
【００６０】
特に、該少なくとも２種の共重合体は、それぞれ、繰り返し単位として、架橋基をｘ個有する繰り返し単位Ｘおよび架橋基をｙ個有する繰り返し単位Ｙとからなる共重合体であり、共重合体中の繰り返し単位Ｘおよび繰り返し単位Ｙの存在割合が異なることが好ましい。
ここで、ｘおよびｙはそれぞれ整数を表し、ｘとｙは０であってもよい異なる整数である。ｘおよびｙは、それぞれ、３以下が好ましく、２以下がさらに好ましい。
【００６１】
前述の通り、本発明の有機デバイス用組成物は、架橋性化合物として、架橋基を有する繰り返し単位と、架橋基を有さない繰り返し単位との共重合体を用いることが好ましい。
この場合、共重合体中において、架橋基を有さない繰り返し単位：架橋基を有する繰り返し単位＝９９．９：０．１〜１：１であることが好ましい。
【００６２】
即ち、本発明の有機デバイス用組成物が、架橋性化合物として重合体のみを有する場合、この重合体として、下記式（ＩＡ），（ＩＢ）で表されるように、架橋基をｘ個有する繰り返し単位Ｘと架橋基をｙ個有する繰り返し単位Ｙとからなり、繰り返し単位Ｘと繰り返し単位Ｙの存在割合が異なる２種の共重合体を含み、ｘが０であり、ｙが３以下、特に２以下の正数（即ち、２または１）であることが好ましい。また、ｐ：ｑ＝５０：５０〜９９：１であり、ｒ：ｓ＝５０：５０〜９９：１であり、ｑ：ｓはｑ：ｓ＝１：１〜５０：１であることが好ましい。
【００６３】
【化５】
2011142342.tif 000008
【００６４】
｛架橋性化合物として、単一の分子量を有する化合物と繰り返し単位を有する重合体を含む有機デバイス用組成物｝
本発明の有機デバイス用組成物は、架橋基の数が異なる少なくとも２種の架橋性化合物として、繰り返し単位を有する重合体の１種または２種以上と、単一の分子量を有する化合物の１種または２種以上とを含有する組成物であってもよい。
【００６５】
この場合、単一の分子量を有する化合物、繰り返し単位を有する重合体としては、それぞれ｛架橋性化合物として、単一の分子量を有する化合物を含む有機デバイス用組成物｝、｛架橋性化合物として、繰り返し単位を有する重合体を含む有機デバイス用組成物｝の項で説明したものを用いることができる。
【００６６】
特に、本発明の有機デバイス用組成物は、架橋基の数が異なる２種の架橋性化合物として、単一の分子量を有する化合物の１種と繰り返し単位を有する重合体の１種とを含み、単一の分子量を有する化合物が有する架橋基の数と繰り返し単位を有する重合体が有する繰り返し単位当たりの平均架橋基数とが異なることが好ましい。
【００６７】
単一の分子量を有する化合物の架橋基数と繰り返し単位を有する重合体の繰り返し単位当たりの平均架橋基数とはいずれが多く、いずれが少なくてもよいが、単一の分子量を有する化合物の架橋基数よりも繰り返し単位を有する重合体の繰り返し単位当たりの平均架橋基数が少ないことが好ましい。
【００６８】
また、有機デバイス用組成物中に、単一の分子量を有する化合物の架橋基数と繰り返し単位を有する重合体の平均架橋基数とで、架橋基数（重合体の場合は繰り返し単位当たりの平均架橋基数）が少ない方の架橋性化合物を、架橋基数（重合体の場合は繰り返し単位当たりの平均架橋基数）が多い架橋性化合物に対して同重量以上含むことが好ましく、特に架橋基数（重合体の場合は繰り返し単位当たりの平均架橋基数）が多い架橋性化合物：架橋基数（重合体の場合は繰り返し単位当たりの平均架橋基数）が少ない架橋性化合物＝１：１〜１：１０の重量比で含むことが好ましい。
【００６９】
｛架橋基｝
本発明において、架橋基とは、熱および／または活性エネルギー線の照射により、近傍に位置する他の分子の同一または異なる基と反応して、新しい化学結合を生成する基を含む基をいう。尚、活性エネルギー線としては、紫外線、電子線、赤外線、マイクロ波などが挙げられる。
【００７０】
具体的に架橋基としては、特に制限されるものではないが、不飽和二重結合、環状エーテル、ベンゾシクロブタン等を含む基が好ましい。中でも、下記の架橋基群Ｔから選ばれる基を含む基であることが好ましい。
【００７１】
＜架橋基群Ｔ＞
【化６】
2011142342.tif 000009
【００７２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、各々独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ａｒ１００は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。）
【００７３】
Ｒ１〜Ｒ５のアルキル基としては、炭素数１〜２０のものが挙げられ、特に、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基である。
【００７４】
Ａｒ１００の芳香族炭化水素基を例示するならば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の１価の基が挙げられる。
【００７５】
Ａｒ１００の芳香族複素環基を例示するならば、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の１価の基が挙げられる。
【００７６】
電気化学的安定性および／または反応性（架橋のしやすさ）の点から、Ａｒ１００は、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、チオフェン環、フラン環、およびピリジン環からなる群より選ばれる環由来の１価の基が好ましく、無置換のフェニル基、１または２置換のフェニル基がさらに好ましい。
【００７７】
Ａｒ１００の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、例えば、下記置換基群Ｚから選ばれる１種または２種以上が挙げられる。
【００７８】
＜置換基群Ｚ＞
メチル基、エチル基等の好ましくは炭素数１〜２４、更に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基；
ビニル基等の好ましくは炭素数２〜２４、更に好ましくは炭素数２〜１２のアルケニル基；
エチニル基等の好ましくは炭素数２〜２４、更に好ましくは炭素数２〜１２のアルキニル基；
メトキシ基、エトキシ基等の好ましくは炭素数１〜２４、更に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基；
フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の好ましくは炭素数４〜３６、更に好ましくは炭素数５〜２４のアリールオキシ基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の好ましくは炭素数２〜２４、更に好ましくは炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基；
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の好ましくは炭素数２〜２４、更に好ましくは炭素数２〜１２のジアルキルアミノ基；
ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ−カルバゾリル基等の好ましくは炭素数１０〜３６、更に好ましくは炭素数１２〜２４のジアリールアミノ基；
フェニルメチルアミノ基等の好ましくは炭素数６〜３６、更に好ましくは炭素数７〜２４のアリールアルキルアミノ基；
アセチル基、ベンゾイル基等の好ましくは炭素数２〜２４、更に好ましくは炭素数２〜１２のアシル基；
フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；
トリフルオロメチル基等の好ましくは炭素数１〜１２、更に好ましくは炭素数１〜６のハロアルキル基；
メチルチオ基、エチルチオ基等の好ましくは炭素数１〜２４、更に好ましくは炭素数１〜１２のアルキルチオ基；
フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の好ましくは炭素数４〜３６、更に好ましくは炭素数５〜２４のアリールチオ基；
トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の好ましくは炭素数２〜３６、更に好ましくは炭素数３〜２４のシリル基；
トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の好ましくは炭素数２〜３６、更に好ましくは炭素数３〜２４のシロキシ基；
シアノ基；
フェニル基、ナフチル基等の好ましくは炭素数６〜３６、更に好ましくは炭素数６〜２４の芳香族炭化水素環基；
チエニル基、ピリジル基等の好ましくは炭素数３〜３６、更に好ましくは炭素数４〜２４の芳香族複素環基
【００７９】
上記各置換基は、さらに置換基を有していてもよく、その例としては前記置換基群Ｚに例示した基が挙げられる。
【００８０】
溶解性の点から、Ａｒ１００が有していてもよい置換基としては、各々独立に、炭素数１〜１２のアルキル基および炭素数１〜１２のアルコキシ基が好ましい。
【００８１】
本発明に係る架橋性化合物は、分子内に芳香族炭化水素基および／または芳香族複素環基を有することが好ましい。この場合、分子内において、架橋基は分子内の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に直接結合してもよいが、−Ｏ−基、−Ｃ（＝Ｏ）−基または（置換基を有していてもよい）−ＣＨ２−基から選ばれる基を任意の順番で１〜３０個連結してなる２価の基を介して、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に結合することが好ましい。
これら２価の基を介する架橋基、すなわち、架橋基を含む基の具体例は以下の通り（Ｔ−１〜Ｔ−８４）であるが、これらに限定されるものではない。
尚、架橋基を含む基の分子量は、通常２５以上、通常４００以下、好ましくは２００以下である。
【００８２】
【化７】
2011142342.tif 000010
【００８３】
【化８】
2011142342.tif 000011
【００８４】
｛架橋性化合物の例｝
架橋性化合物の具体例としては、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体、２，４，６−トリフェニルピリジン誘導体、Ｃ６０誘導体、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体誘導体などが挙げられるが、トリアリールアミン誘導体であることが好ましい。
【００８５】
該架橋性化合物は分子内に電荷輸送部位、発光部位または正孔輸送部位を有することが好ましいが、正孔輸送性の層を形成する場合、該架橋性化合物は分子内に正孔輸送部位を有することが好ましい。特に、架橋性化合物は分子内に、下記式で表される部分構造を有することが好ましい。
【００８６】
【化９】
2011142342.tif 000012
【００８７】
該架橋性化合物の具体例は以下の通りであるが、これらに限定されるものではない。尚、以下において、Ｔは架橋基を表すが、一分子内に複数のＴが存在する場合、複数のＴは同一であっても異なっていてもよい。
【００８８】
【化１０】
2011142342.tif 000013
【００８９】
【化１１】
2011142342.tif 000014
【００９０】
【化１２】
2011142342.tif 000015
【００９１】
【化１３】
2011142342.tif 000016
【００９２】
【化１４】
2011142342.tif 000017
【００９３】
【化１５】
2011142342.tif 000018
【００９４】
【化１６】
2011142342.tif 000019
【００９５】
【化１７】
2011142342.tif 000020
【００９６】
【化１８】
2011142342.tif 000021
【００９７】
【化１９】
2011142342.tif 000022
【００９８】
【化２０】
2011142342.tif 000023
【００９９】
【化２１】
2011142342.tif 000024
【０１００】
【化２２】
2011142342.tif 000025
【０１０１】
【化２３】
2011142342.tif 000026
【０１０２】
【化２４】
2011142342.tif 000027
【０１０３】
【化２５】
2011142342.tif 000028
【０１０４】
【化２６】
2011142342.tif 000029
【０１０５】
【化２７】
2011142342.tif 000030
【０１０６】
【化２８】
2011142342.tif 000031
【０１０７】
【化２９】
2011142342.tif 000032
【０１０８】
【化３０】
2011142342.tif 000033
【０１０９】
【化３１】
2011142342.tif 000034
【０１１０】
【化３２】
2011142342.tif 000035
【０１１１】
【化３３】
2011142342.tif 000036
【０１１２】
【化３４】
2011142342.tif 000037
【０１１３】
【化３５】
2011142342.tif 000038
【０１１４】
【化３６】
2011142342.tif 000039
【０１１５】
【化３７】
2011142342.tif 000040
【０１１６】
【化３８】
2011142342.tif 000041
【０１１７】
【化３９】
2011142342.tif 000042
【０１１８】
【化４０】
2011142342.tif 000043
【０１１９】
｛架橋性化合物の含有量｝
本発明の有機デバイス用組成物には、架橋性化合物を合計で、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。
【０１２０】
［溶媒］
本発明の有機デバイス用組成物は、通常さらに溶媒を含有する。該溶媒は、架橋性化合物を溶解するものが好ましく、通常、架橋性化合物を０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上溶解する溶媒である。
【０１２１】
溶媒として具体的には、特に制限されるものではないが、架橋性化合物を溶解させる必要があることから、好ましくは、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、ペンタフルオロメトキシベンゼン、エチル（ペンタフルオロベンゾエート）等の芳香族化合物；１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の含ハロゲン溶媒；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル、１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、トリフルオロメトキシアニソール、３−（トリフルオロメチル）アニソール、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸イソプロピル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等のエステル系溶媒等の有機溶媒が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１２２】
なお、有機デバイス用組成物に含有される溶媒として、前述した溶媒以外にも、必要に応じて、各種の他の溶媒を含んでいてもよい。このような他の溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド等がある。
【０１２３】
本発明の有機デバイス用組成物に含有される溶媒の組成物中の濃度は、通常１０重量％以上、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上である。
【０１２４】
なお、水分は有機電界発光素子の性能劣化、中でも特に連続駆動時の輝度低下を促進する可能性があることが広く知られており、塗膜中に残留する水分をできる限り低減するために、これらの溶媒の中でも、２５℃における水の溶解度が１重量％以下であるものが好ましく、０．１重量％以下である溶媒がより好ましい。また、溶媒として、２０℃における表面張力が４０ｄｙｎ／ｃｍ未満、好ましくは３６ｄｙｎ／ｃｍ以下、より好ましくは３３ｄｙｎ／ｃｍ以下である溶媒が挙げられる。溶媒としてはまた、２５℃における蒸気圧が１０ｍｍＨｇ以下、好ましくは５ｍｍＨｇ以下で、通常０．１ｍｍＨｇ以上の溶媒が挙げられる。このような溶媒を使用することにより、有機電界発光素子を湿式成膜法により製造するプロセスに好適な、また、架橋性化合物の性質に適した組成物を調製することができる。
【０１２５】
本発明の有機デバイス用組成物に含有される溶媒として、２５℃における蒸気圧が２ｍｍＨｇ以上、好ましくは３ｍｍＨｇ以上、より好ましくは４ｍｍＨｇ以上（但し、上限は好ましくは１０ｍｍＨｇ以下である。）である溶媒と、２５℃における蒸気圧が２ｍｍＨｇ未満、好ましくは１ｍｍＨｇ以下、より好ましくは０．５ｍｍＨｇ以下である溶媒との混合溶媒が挙げられる。
【０１２６】
［添加剤］
また、本発明の有機デバイス用組成物は、必要に応じ、電子受容性化合物や、レベリング剤や消泡剤等の塗布性改良剤などの各種添加剤、後述の有機電界発光素子の正孔輸送層の溶解性を低下させ、正孔輸送層上へ他の層を塗布することを可能とする架橋反応を促進するための添加物等の添加剤を含んでいてもよい。この場合は、溶媒としては、架橋性化合物と添加剤の双方を０．０５重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、さらに好ましくは１重量％以上溶解する溶媒を使用することが好ましい。
【０１２７】
本発明の有機デバイス用組成物に用いられる架橋反応を促進する添加物としては、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩などの重合開始剤や重合促進剤、縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物などの光増感剤等が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、電子受容性化合物としては、下記詳述する有機電界発光素子の正孔注入層に含有される電子受容性化合物として後述したものの１種または２種以上を使用することができる。
【０１２８】
［未反応架橋基量］
本発明の有機デバイス用組成物は、前述の如く、架橋基の数が異なる架橋性化合物を少なくとも２種用いて架橋基の数を制御することによって、重合後の未反応架橋基の数を減らし、これにより駆動安定性の向上を図る。
本発明の有機デバイス用組成物は、このような架橋基数の制御により、この有機デバイス用組成物をガラス基板に乾燥後の厚さが２０ｎｍとなるように塗布し、２００℃で６０分間加熱処理して架橋性化合物を重合させて得られる膜について、以下の条件下でＩＲ法により測定した未反応架橋基に由来する反射吸収スペクトルのピーク値が０．０１以下である程度にまで、未反応架橋基数を低減することができる。
【０１２９】
＜ＩＲ測定方法＞
ＩＲ測定はアクセサリとしてスペクトラテック社製ＦＴ８５を装備したサーモエレクトロン社製ＮＥＸＵＳ６７０ＦＴＩＲを用いて測定を行う。試料面法線から８５度の角度から赤外線を入射し、水銀カドミウムテルル検出器（ＭＣＴ検出器；液体窒素冷却）によって反射吸収スペクトルを得る。分解能は４ｃｍ−１、積算回数は１０２４回とする。試料の反射吸収スペクトルは、試料の基板として用いるＩＴＯ基板について測定し、これをバックグラウンドとして試料の測定データを除することで試料の反射吸収スペクトルを得る。
【０１３０】
［II］高分子膜
本発明の有機デバイス用組成物を成膜後、架橋性化合物を重合させることにより高分子膜が得られる。
通常、本発明の有機デバイス用組成物は溶媒を含有する塗布液として、基板や他の層の上などに湿式成膜法により成膜される。成膜法としては、下地となる基板や他の層の性質によって、スピンコート法、スプレー法などの塗布法や、インクジェット法、スクリーン法などの印刷法等、公知の湿式成膜法が採用できる。
【０１３１】
湿式成膜法を用いる場合、架橋性化合物および必要に応じて用いられるその他の成分（電子受容性化合物、架橋反応を促進する添加物や塗布性改良剤等）を、適切な溶媒に溶解させ、上記有機デバイス用組成物を調製する。この組成物を、上記の成膜法により、形成する層の下層に該当する層上に成膜、乾燥して層を形成する。成膜後、加熱および／または活性エネルギー線の照射により、架橋性化合物が重合反応（架橋反応）を起こし、高分子膜が得られる。
【０１３２】
加熱の手法は特に限定されないが、例としては、加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。加熱乾燥の場合の条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下に成膜された層を加熱する。加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、形成された層を有する基板あるいは積層体をホットプレート上にのせたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
【０１３３】
活性エネルギー線の照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。また、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
【０１３４】
加熱および／または活性エネルギー線の照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
【０１３５】
加熱および／または活性エネルギー線の照射は、実施後に層に含有する水分および／または表面に吸着する水分の量を低減するために、窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが好ましい。同様の目的で加熱および／または活性エネルギー線の照射を組み合わせて行う場合には、少なくとも上の層の形成直前の工程を窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが特に好ましい。
【０１３６】
このようにして形成される本発明の高分子膜の膜厚には特に制限はなく、その用途に応じて適宜決定される。
【０１３７】
［III］有機電界発光素子
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極、陰極、および該陽極と該陰極の間に配置された１層または２層以上の有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層の少なくとも１層が、本発明の有機電界発光素子用組成物である有機デバイス用組成物を成膜後、組成物中の架橋性化合物を重合させて形成された本発明の高分子膜よりなる層であることを特徴とする。
【０１３８】
本発明の高分子膜よりなる層は、下記詳述する正孔輸送層であることが好ましく、該正孔輸送層は、前記本発明の有機電界発光素子用組成物である有機デバイス用組成物を湿式成膜法により成膜して形成されることが好ましい。
【０１３９】
また、該正孔輸送層の陰極側には、湿式成膜法で形成される発光層を有することが好ましく、さらに、該正孔輸送層の陽極側には、湿式成膜法で形成される正孔注入層を有することが好ましい。
すなわち、本発明の有機電界発光素子は、正孔注入層、正孔輸送層および発光層の全てが湿式成膜法で形成されることが好ましく、特にこの湿式成膜法で形成される発光層は分子量１００００以下の低分子系発光材料を含む層であることが好ましい。
【０１４０】
図１は、本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。図１に示す有機電界発光素子は、基板１の上に、陽極２、正孔注入層３、正孔輸送層４、有機発光層５、正孔阻止層６、電子輸送層７、電子注入層８および陰極９を、この順に積層して構成される。この構成の場合、通常は正孔輸送層４が上述の本発明の有機デバイス用組成物を成膜後、重合して得られる層に該当することになる。
【０１４１】
［１］基板
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【０１４２】
［２］陽極
陽極２は、後述する有機発光層側の層（正孔注入層３または有機発光層５など）への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。更に、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Applied  Physics  Letters，1992年，Vol.60，pp.2711参照）。陽極２は異なる物質で積層して形成することも可能である。
【０１４３】
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましく、この場合、厚みは、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。不透明で良い場合、陽極２は基板１と同一でもよい。また、更には上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【０１４４】
なお、陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的として、陽極表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理することが好ましい。また、正孔注入の効率を更に向上させ、かつ、有機層全体の陽極への付着力を改善させる目的で、正孔注入層３と陽極２との間に公知の陽極バッファ層を挿入してもよい。
【０１４５】
［３］正孔注入層
正孔注入層３は、陽極２から有機発光層５へ正孔を輸送する層である。通常はこの正孔注入層３が、陽極２上に形成される。よって、正孔注入層３は、好ましくは正孔注入性化合物および電子受容性化合物を含有して構成されることになる。更に、正孔注入層３は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。
【０１４６】
正孔注入層３を陽極２上に形成する手法としては、湿式成膜法、真空蒸着法が挙げられるが、上述したように、均質で欠陥がない薄膜を容易に得られる点や、形成のための時間が短くて済む点から、湿式成膜法が好ましい。また、陽極２として一般的に用いられるＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）は、その表面が１０ｎｍ程度の表面粗さ（Ｒａ）を有するのに加えて、局所的に突起を有することが多く、短絡欠陥を生じ易いという課題があった。陽極２の上の正孔注入層３を湿式成膜法により形成することは、真空蒸着法で形成する場合と比較して、陽極２表面の凹凸に起因する素子の欠陥の発生を低減するという利点をも有する。
【０１４７】
正孔注入性化合物としての芳香族アミン化合物としては、トリアリールアミン構造を含む化合物が好ましく、従来有機電界発光素子における正孔注入層の形成材料として利用されてきた化合物の中から適宜選択してもよい。芳香族アミン化合物として、例えば、下記一般式（１）で表されるビナフチル系化合物が挙げられる。
【０１４８】
【化４１】
2011142342.tif 000044
【０１４９】
一般式（１）中、Ａｒａ〜Ａｒｄは各々独立に、置換基を有していてもよい５または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または縮合環基であり、ＡｒａとＡｒｂ、ＡｒｃとＡｒｄは、各々結合して環を形成していてもよい。Ｗ１およびＷ２は各々０〜４の整数を表し、Ｗ１＋Ｗ２≧１である。Ｘ１およびＸ２は各々独立に、直接結合または２価の連結基を表す。また、一般式（１）中のナフタレン環は、−（Ｘ１ＮＡｒａＡｒｂ）および−（Ｘ２ＮＡｒｃＡｒｄ）に加えて、任意の置換基を有していてもよい。
【０１５０】
一般式（１）中、Ａｒａ〜Ａｒｄの置換基を有していてもよい５または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または縮合環基としては、各々独立に、例えば５または６員環の単環または２〜３縮合環であり、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等の芳香族炭化水素環由来の基；ピリジル基、チエニル基等の芳香族複素環由来の基が挙げられる。これらはいずれも置換基を有していてもよい。
【０１５１】
Ａｒａ〜Ａｒｄの有することがある置換基としては、Ａｒｅ〜Ａｒｌが有することがある置換基として後述するもの、および、アリールアミノ基（即ち、後述の−（ＮＡｒｅＡｒｆ），−（ＮＡｒｇＡｒｈ）に相当する）が挙げられる。
【０１５２】
また、ＡｒａとＡｒｂ、および／または、ＡｒｃとＡｒｄは、各々結合して環を形成していてもよい。この場合、形成する環の具体例としては、それぞれ、置換基を有することがあるカルバゾール環、フェノキサジン環、イミノスチルベン環、フェノチアジン環、アクリドン環、アクリジン環、イミノジベンジル環等が挙げられる。中でもカルバゾール環が好ましい。
【０１５３】
一般式（１）において、Ｗ１およびＷ２は各々０〜４の整数を表し、Ｗ１＋Ｗ２≧１である。特に好ましいものは、Ｗ１＝１かつＷ２＝１である。なお、Ｗ１および／またはＷ２が２以上の場合のアリールアミノ基は、各々同一であっても異なっていても良い。
【０１５４】
Ｘ１およびＸ２は各々独立に直接結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては特に制限はないが、例えば、下記に示すもの等が挙げられる。Ｘ１およびＸ２として、直接結合が特に好ましい。
【０１５５】
【化４２】
2011142342.tif 000045
【０１５６】
一般式（１）におけるナフタレン環は、−（Ｘ１ＮＡｒａＡｒｂ）および−（Ｘ２ＮＡｒｃＡｒｄ）に加えて、任意の位置に任意の置換基を１個または２個以上有していてもよい。このような置換基として好ましいものは、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基よりなる群から選ばれる１種または２種以上の置換基である。これらのうち、アルキル基が特に好ましい。
【０１５７】
一般式（１）で表されるビナフチル系化合物として、下記一般式（１−１）で表されるように、ＡｒａおよびＡｒｃが、更にそれぞれアリールアミノ基で置換されたビナフチル系化合物が好ましい。
【０１５８】
【化４３】
2011142342.tif 000046
（一般式（１−１）中、Ａｒｅ〜Ａｒｌは各々独立に、置換基を有していてもよい５または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または縮合環基を表し、ＡｒｅとＡｒｆ、ＡｒｇとＡｒｈは各々結合して環を形成していてもよい。Ｗ１およびＷ２は一般式（１）におけるのと同義である。Ｘ１およびＸ２は一般式（１）におけるのと同義である。）  
【０１５９】
一般式（１−１）中のナフタレン環は、ナフタレン環にそれぞれ結合したアリールアミノ基を含む置換基−（Ｘ１ＮＡｒｉＡｒｊＮＡｒｆＡｒｅ）および−（Ｘ２ＮＡｒｋＡｒｌＮＡｒｇＡｒｈ）に加えて、任意の置換基を有していてもよい。また、これらの置換基−（Ｘ１ＮＡｒｉＡｒｊＮＡｒｆＡｒｅ）および−（Ｘ２ＮＡｒｋＡｒｌＮＡｒｇＡｒｈ）は、ナフタレン環のいずれの置換位置に置換基を有していてもよい。中でも、一般式（１−１）におけるナフタレン環の、各々４−位、４’−位に置換したビナフチル系化合物がより好ましい。
【０１６０】
また、正孔注入性化合物として使用する、分子中に正孔輸送部位を有する高分子化合物としては、例えば芳香族三級アミノ基を構成単位として主骨格に含む高分子化合物が挙げられる。具体例として、以下の一般式（２）で表される構造を繰り返し単位として有する正孔注入性化合物が挙げられる。
【０１６１】
【化４４】
2011142342.tif 000047
（式（２）中、Ａｒ４４〜Ａｒ４８は、各々独立して置換基を有していてもよい２価の芳香族環基を示し、Ｒ３１〜Ｒ３２は、各々独立して置換基を有していてもよい１価の芳香族環基を示し、Ｑは直接結合、または下記の連結基から選ばれる。なお、「芳香族環基」とは、「芳香族炭化水素環由来の基」および「芳香族複素環由来の基」の両方を含む。）
【化４５】
2011142342.tif 000048
（式（３）中、Ａｒ４９は置換基を有していてもよい２価の芳香族環基を示し、Ａｒ５０は置換基を有していてもよい１価の芳香族環基を示す。）  
【０１６２】
一般式（２）において、Ａｒ４４〜Ａｒ４８は、好ましくは、各々独立して置換基を有していてもよい２価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環由来の基またはビフェニル基であり、好ましくはベンゼン環由来の基である。前記置換基としてはハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数２〜７の直鎖または分岐のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などの炭素数６〜１２のアリールオキシ基；ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等の、炭素数１〜６のアルキル鎖を有するジアルキルアミノ基、などが挙げられる。これらのうち、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基が挙げられ、特に好ましくはメチル基が挙げられる。Ａｒ４４〜Ａｒ４８がいずれも無置換の芳香族環基である場合が、最も好ましい。
【０１６３】
Ｒ３１およびＲ３２として好ましくは、各々独立して、置換基を有することがあるフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基、チエニル基、またはビフェニル基であり、好ましくはフェニル基、ナフチル基またはビフェニル基であり、より好ましくはフェニル基である。該置換基としては、Ａｒ４４〜Ａｒ４８における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられる。
【０１６４】
一般式（３）において、Ａｒ４９は、置換基を有していてもよい２価の芳香族環基、好ましくは正孔輸送性の面からは芳香族炭化水素環基であり、具体的には置換基を有していてもよい２価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環由来の基、ビフェニレン基、およびターフェニレン基等が挙げられる。また、該置換基としては、Ａｒ４４〜Ａｒ４８における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられる。これらのうち、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基が挙げられ、特に好ましくはメチル基が挙げられる。
【０１６５】
Ａｒ５０は、置換基を有していてもよい芳香族環基、好ましくは正孔輸送性の面からは芳香族炭化水素環基であり、具体的には、置換基を有することがあるフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基、チエニル基、およびビフェニル基等が挙げられる。該置換基としては、一般式（２）のＡｒ４４〜Ａｒ４８における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられる。
【０１６６】
一般式（３）において、Ａｒ４９およびＡｒ５０がいずれも無置換の芳香族環基である場合が、最も好ましい。
【０１６７】
芳香族三級アミノ基を側鎖として含む正孔注入性化合物としては、例えば、以下の一般式（４）および（５）で表される構造を有する繰り返し単位として有する化合物が挙げられる。
【０１６８】
【化４６】
2011142342.tif 000049
（式（４）中、Ａｒ５１は置換基を有していてもよい２価の芳香族環基を示し、Ａｒ５２〜Ａｒ５３は、各々独立して置換基を有していてもよい１価の芳香族環基を示し、Ｒ３３〜Ｒ３５は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、置換基を有していてもよい１価の芳香族環基を示す。）
【０１６９】
【化４７】
2011142342.tif 000050
（式（５）中、Ａｒ５４〜Ａｒ５８は、各々独立して置換基を有していてもよい２価の芳香族環基を示し、Ｒ３６およびＲ３７は、各々独立して置換基を有していてもよい芳香族環基を示し、Ｙは直接結合、または下記の連結基から選ばれる。）
【化４８】
2011142342.tif 000051
【０１７０】
一般式（４）において、Ａｒ５１は、好ましくは、各々置換基を有していてもよい２価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環由来の基、ビフェニレン基であり、また、置換基としては、例えば、前述した一般式（２）のＡｒ４４〜Ａｒ４８における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられ、好ましい基も同様である。
【０１７１】
Ａｒ５２およびＡｒ５３として、好ましくは、各々独立してフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基、チエニル基、およびビフェニル基が挙げられ、これらは置換基を有することがある。該置換基としては例えば、一般式（２）のＡｒ４４〜Ａｒ４８における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられ、好ましい基も同様である。
【０１７２】
Ｒ３３〜Ｒ３５は、好ましくは、各々独立して、水素原子；ハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基；フェニル基；またはトリル基である。
【０１７３】
一般式（５）において、Ａｒ５４〜Ａｒ５８は、好ましくは、各々独立して置換基を有することがある２価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環由来の基、ビフェニレン基であり、好ましくはベンゼン環由来の基である。該置換基としては、一般式（２）のＡｒ４４〜Ａｒ４８における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられ、好ましい基も同様である。
【０１７４】
Ｒ３６およびＲ３７は、好ましくは、各々独立して置換基を有することがあるフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基、チエニル基、またはビフェニル基である。該置換基としては、一般式（２）のＡｒ４４〜Ａｒ４８における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられ、好ましい基も同様である。
【０１７５】
一般式（２）〜（５）で示される構造のうち好ましい例を以下に示すが、何らこれらに限定されない。
【０１７６】
【化４９】
2011142342.tif 000052
【０１７７】
分子中に正孔輸送部位を有する高分子化合物である正孔注入性化合物は、一般式（２）〜（５）のいずれかで表される構造のホモポリマーであることが最も好ましいが、他の任意のモノマーとの共重合体（コポリマー）であってもよい。共重合体である場合、一般式（２）〜（５）で表される構成単位を５０モル％以上、特に７０モル％以上含有することが好ましい。なお、高分子化合物である正孔注入性材料は、一化合物中に、一般式（２）〜（５）で表される構造を複数種含有していてもよい。また、一般式（２）〜（５）で表される構造を含む化合物を、複数種併用して用いてもよい。一般式（２）〜（５）のうち、特に好ましくは、一般式（２）で表される繰り返し単位からなるホモポリマーである。
【０１７８】
高分子化合物からなる正孔注入性材料としては、さらに、共役系高分子が挙げられる。この目的のために、ポリフルオレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレンが好適である。
【０１７９】
次に、電子受容性化合物について説明する。
正孔注入層に含有される電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種または２種以上の化合物等が挙げられる。これらの電子受容性化合物は、正孔注入性材料と混合して用いられ、正孔注入性材料を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
【０１８０】
電子受容性化合物として、トリアリールホウ素化合物としては、下記一般式（６）に示したホウ素化合物が挙げられる。一般式（６）で表されるホウ素化合物は、ルイス酸であることが好ましい。また、このホウ素化合物の電子親和力は、通常４ｅＶ以上、好ましく、５ｅＶ以上である。
【０１８１】
【化５０】
2011142342.tif 000053
【０１８２】
一般式（６）において、好ましくは、Ａｒ101〜Ａｒ103は、各々独立に、置換基を有することがあるフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基等の５または６員環の単環、またはこれらが２〜３個縮合および／または直接結合してなる芳香族炭化水素環基；或いは置換基を有することがあるチエニル基、ピリジル基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基等の５または６員環の単環、またはこれらが２〜３個縮合および／または直接結合してなる芳香族複素環基を表す。
【０１８３】
Ａｒ101〜Ａｒ103が有することがある置換基としては、例えば、ハロゲン原子；アルキル基；アルケニル基；アルコキシカルボニル基；アルコキシ基；アリールオキシ基；アシル基；ハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。
【０１８４】
特に、Ａｒ101〜Ａｒ103の少なくとも１つが、ハメット定数（σｍおよび／またはσｐ）が正の値を示す置換基であることが好ましく、Ａｒ101〜Ａｒ103が、いずれもハメット定数（σｍおよび／またはσｐ）が正の値を示す置換基であることが特に好ましい。このような、電子吸引性の置換基を有することにより、これらの化合物の電子受容性が向上する。また、Ａｒ101〜Ａｒ103がいずれも、ハロゲン原子で置換された芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることがさらに好ましい。
【０１８５】
一般式（６）で表されるホウ素化合物の好ましい具体例を以下の６−１〜６−１７に示すが、これらに限定するものではない。
【０１８６】
【化５１】
2011142342.tif 000054
【０１８７】
【化５２】
2011142342.tif 000055
【０１８８】
これらの中で、以下に示す化合物が特に好ましい。
【０１８９】
【化５３】
2011142342.tif 000056
【０１９０】
電子受容性化合物として、オニウム塩としては、ＷＯ２００５／０８９０２４号公報に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であるが、特に好ましくは以下の化合物である。
【０１９１】
【化５４】
2011142342.tif 000057
【０１９２】
正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
【０１９３】
なお、正孔注入層３における電子受容性化合物の正孔注入性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
【０１９４】
［４］正孔輸送層
正孔輸送層４は、陽極２、正孔注入層３の順に注入された正孔を有機発光層５に注入する機能を有すると共に、発光層５から電子が陽極２側に注入されることによる発光効率の低下を抑制する機能を有する。
【０１９５】
この機能を発現するため、正孔輸送層４は、本発明の有機電界発光素子用組成物である有機デバイス用組成物により形成された層であることが好ましい。すなわち、本発明の高分子膜は正孔輸送層として使用されることが好ましい。
【０１９６】
正孔輸送層は、前記本発明の高分子膜の説明に記載された方法で形成される。
その膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
【０１９７】
［５］有機発光層
正孔輸送層４の上には、通常有機発光層５が設けられる。有機発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から正孔注入層３および正孔輸送層４を通じて注入された正孔と、陰極９から電子注入層７，正孔阻止層６を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
【０１９８】
有機発光層５は、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する材料（正孔輸送性化合物）、或いは、電子輸送の性質を有する材料（電子輸送性化合物）とを含有する。更に、有機発光層５は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。これらの材料としては、後述のように湿式成膜法で有機発光層５を形成する観点から、何れも低分子系の材料を使用することが好ましい。
【０１９９】
発光材料としては、任意の公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。
【０２００】
なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも、重要である。
【０２０１】
青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、ＤＣＭ（4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【０２０２】
燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７〜１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
【０２０３】
燐光性有機金属錯体に含まれる、周期表第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記式（III）または式（IV）で表される化合物が挙げられる。
【０２０４】
ＭＬ（ｑ−ｊ）Ｌ′ｊ        （III）
（式（III）中、Ｍは金属を表し、ｑは上記金属の価数を表す。また、ＬおよびＬ′は二座配位子を表す。ｊは０、１または２の数を表す。）
【０２０５】
【化５５】
2011142342.tif 000058
（式（IV）中、Ｍ７は金属を表し、Ｄは炭素原子または窒素原子を表す。Ｒ９２〜Ｒ９５は、それぞれ独立に置換基を表す。但し、Ｄが窒素原子の場合は、Ｒ９４およびＲ９５は無い。）
【０２０６】
以下、まず、式（III）で表される化合物について説明する。
式（III）中、Ｍは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表第７〜１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
【０２０７】
また、式（III）中、二座配位子Ｌは、以下の部分構造を有する配位子を示す。
【化５６】
2011142342.tif 000059
（上記Ｌの部分構造において、環Ａ１は、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。）
【０２０８】
該芳香族炭化水素基としては、５または６員環の単環または２〜５縮合環が挙げられる。具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環由来の１価の基などが挙げられる。
【０２０９】
該芳香族複素環基としては、５または６員環の単環または２〜４縮合環が挙げられる。具体例としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環由来の１価の基などが挙げられる。
【０２１０】
また、上記Ｌの部分構造において、環Ａ２は、置換基を有していてもよい、含窒素芳香族複素環基を表す。
【０２１１】
該含窒素芳香族複素環基としては、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の基が挙げられる。具体例としては、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、フロピロール環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環由来の１価の基などが挙げられる。
【０２１２】
環Ａ１または環Ａ２がそれぞれ有していてもよい置換基の例としては、ハロゲン原子；アルキル基；アルケニル基；アルコキシカルボニル基；アルコキシ基；アリールオキシ基；ジアルキルアミノ基；ジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アシル基；ハロアルキル基；シアノ基；芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【０２１３】
また、式（III）中、二座配位子Ｌ′は、以下の部分構造を有する配位子を示す。但し、以下の式において、「Ｐｈ」はフェニル基を表す。
【０２１４】
【化５７】
2011142342.tif 000060
【０２１５】
中でも、Ｌ′としては、錯体の安定性の観点から、以下に挙げる配位子が好ましい。
【０２１６】
【化５８】
2011142342.tif 000061
【０２１７】
式（III）で表される化合物として、更に好ましくは、下記式（IIIａ），（IIIｂ），（IIIｃ）で表される化合物が挙げられる。
【０２１８】
【化５９】
2011142342.tif 000062
（式（IIIａ）中、Ｍ４は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、上記金属の価数を表し、環Ａ１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、環Ａ２は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０２１９】
【化６０】
2011142342.tif 000063
（式（IIIｂ）中、Ｍ５は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、上記金属の価数を表し、環Ａ１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、環Ａ２は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０２２０】
【化６１】
2011142342.tif 000064
（式（IIIｃ）中、Ｍ６は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、上記金属の価数を表し、ｊは、０、１または２を表し、環Ａ１および環Ａ１′は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、環Ａ２および環Ａ２′は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０２２１】
上記式（IIIａ），（IIIｂ），（IIIｃ）において、環Ａ１および環Ａ１′の好ましい
例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
【０２２２】
上記式（IIIａ）〜（IIIｃ）において、環Ａ２および環Ａ２′の好ましい例としては、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
【０２２３】
上記式（IIIａ）〜（IIIｃ）で表される化合物が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子；アルキル基；アルケニル基；アルコキシカルボニル基；アルコキシ基；アリールオキシ基；ジアルキルアミノ基；ジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アシル基；ハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。
【０２２４】
なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環Ａ１が有する置換基と環Ａ２が有する置換基とが結合するか、または、環Ａ１′が有する置換基と環Ａ２′が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環としては、７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
【０２２５】
中でも、環Ａ１、環Ａ１′、環Ａ２および環Ａ２′の置換基として、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。
【０２２６】
また、式（IIIａ）〜（IIIｃ）におけるＭ４〜Ｍ６の好ましい例としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられる。
【０２２７】
上記式（III）および（IIIａ）〜（IIIｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない。
【０２２８】
【化６２】
2011142342.tif 000065
【０２２９】
【化６３】
2011142342.tif 000066
【０２３０】
【化６４】
2011142342.tif 000067
【０２３１】
上記式（III）で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｌおよび／またはＬ′として２−アリールピリジン系配位子、即ち、２−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、および、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。
【０２３２】
また、国際特許公開第２００５／０１９３７３号明細書に記載の化合物も、発光材料として使用することが可能である。
【０２３３】
次に、式（IV）で表される化合物について説明する。
式（IV）中、Ｍ７は金属を表す。具体例としては、周期表第７〜１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が挙げられる。
【０２３４】
また、式（IV）において、Ｒ９２およびＲ９３は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。
【０２３５】
更に、Ｄが炭素原子の場合、Ｒ９４およびＲ９５は、それぞれ独立に、Ｒ９２およびＲ９３と同様の例示物で表される置換基を表す。また、Ｄが窒素原子の場合は、Ｒ９４およびＲ９５は無い。
【０２３６】
また、Ｒ９２〜Ｒ９５は、更に置換基を有していてもよい。置換基を有する場合、その種類に特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
更に、Ｒ９２〜Ｒ９５のうち任意の２つ以上の基が互いに連結して環を形成してもよい。
【０２３７】
式（IV）で表される有機金属錯体の具体例（Ｄ−１〜Ｄ−７）を以下に示すが、下記の例示物に限定されるものではない。また、以下の化学式において、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表す。
【０２３８】
【化６５】
2011142342.tif 000068
【０２３９】
本発明において、発光材料として用いる化合物の分子量は、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。分子量が１００未満であると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、或いはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりするため、好ましくない。分子量が１００００を超えると、有機化合物の精製が困難となったり、溶媒に溶解させる際に時間を要する可能性が高いため、好ましくない。
【０２４０】
なお、発光層は、上に説明した各種の発光材料のうち、何れか一種を単独で含有していてもよく、二種以上を任意の組み合わせおよび比率で併有していてもよい。
【０２４１】
低分子系の正孔輸送性化合物の例としては、前述の正孔輸送層の正孔輸送性化合物として例示した各種の化合物の他、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルに代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Journal  of  Luminescence，1997年，Vol.72-74，pp.985）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Chemical  Communications，1996年，pp.2175）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Synthetic  Metals，1997年，Vol.91，pp.209）等が挙げられる。
【０２４２】
低分子系の電子輸送性化合物の例としては、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）や、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）や、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）や、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）や、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−ビフェニル（ＣＢＰ）等がある。
【０２４３】
これら正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物は発光層においてホスト材料として使用されることが好ましいが、ホスト材料として具体的には以下のような化合物を使用することができる。
【０２４４】
【化６６】
2011142342.tif 000069
【０２４５】
有機発光層５の形成法としては、湿式成膜法、真空蒸着法が挙げられるが、上述したように、均質で欠陥がない薄膜を容易に得られる点や、形成のための時間が短くて済む点、更には、本発明の有機デバイス用組成物による正孔輸送層４の不溶化の効果を享受できる点から、湿式成膜法が好ましい。湿式成膜法により有機発光層５を形成する場合、上述の材料を適切な溶剤に溶解させて塗布溶液を調製し、それを上述の形成後の正孔輸送層４の上に塗布・成膜し、乾燥して溶剤を除去することにより形成する。その形成方法としては、前記正孔輸送層の形成方法と同様である。
【０２４６】
有機発光層５の膜厚は、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
【０２４７】
［６］正孔阻止層
図１では、有機発光層５と電子輸送層７の間に、正孔阻止層６が設けられているが、正孔阻止層６はこれを省略してもよい。
正孔阻止層６は、有機発光層５の上に、有機発光層５の陰極９側の界面に接するように積層されるが、陽極２から移動してくる正孔が陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく有機発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。
【０２４８】
正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。
【０２４９】
このような条件を満たす正孔阻止材料としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラト），（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト），（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）が挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号公報に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止材料として好ましい。
【０２５０】
具体的には以下に記載の化合物が挙げられる。
【化６７】
2011142342.tif 000070
【０２５１】
正孔阻止層６も、正孔注入層３や有機発光層５と同様、湿式成膜法を用いて形成することもできるが、通常は真空蒸着法により形成される。真空蒸着法の手順の詳細は、後述の電子注入層８の場合と同様である。
【０２５２】
正孔阻止層６の膜厚は、通常０．５ｎｍ以上、好ましくは１ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０２５３】
［７］電子輸送層
電子輸送層７は素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、発光層５と電子注入層８との間に設けられる。
電子輸送層７は、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極９または電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。
【０２５４】
このような条件を満たす材料としては、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−または５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５，６４５，９４８号）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０２５５】
電子輸送層７の膜厚は、通常下限は１ｎｍ、好ましくは５ｎｍ程度であり、上限は通常３００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。
【０２５６】
電子輸送層７は、前記と同様にして湿式成膜法、或いは真空蒸着法により正孔阻止層６上に積層することにより形成されるが、通常は、真空蒸着法が用いられる。
【０２５７】
［８］電子注入層
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率良く、電子輸送層７または有機発光層５へ注入する役割を果たす。
電子注入を効率よく行うには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。
【０２５８】
更に、後述するバソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は通常、５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
【０２５９】
電子注入層８は、湿式成膜法或いは真空蒸着法により、有機発光層５またはその上の正孔阻止層６上に積層することにより形成される。
【０２６０】
湿式成膜法の場合の詳細は、正孔注入層３および有機発光層５の場合と同様である。
一方、真空蒸着法の場合には、真空容器内に設置されたるつぼまたは金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、るつぼまたは金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼまたは金属ボートと向き合って置かれた基板上の有機発光層５、正孔阻止層６または電子輸送層７上に電子注入層８を形成する。
【０２６１】
電子注入層としてのアルカリ金属の蒸着は、クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを用いて行う。このディスペンサーを真空容器内で加熱することにより、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。有機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、各々のるつぼおよびディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼおよびディスペンサーと向き合って置かれた基板上に電子注入層８を形成する。
このとき、電子注入層８の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。
【０２６２】
［９］陰極
陰極９は、有機発光層５側の層（電子注入層８または有機発光層５など）に電子を注入する役割を果たす。陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【０２６３】
陰極９の膜厚は通常、陽極２と同様である。
【０２６４】
低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
【０２６５】
［１０］その他
以上、図１に示す層構成の有機電界発光素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
【０２６６】
なお、本発明においては、正孔輸送層４に本発明の有機デバイス用組成物を使用することにより、正孔注入層３、正孔輸送層４および有機発光層５を全て湿式成膜法により積層形成することができる。これにより、大面積のディスプレイを製造することが可能となる。
【０２６７】
なお、図１とは逆の構造、即ち、基板１上に陰極、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。
さらには、図１に示す層構成を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その際には段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合はその２層）の代わりに、例えばＶ２Ｏ５等を電荷発生層（ＣＧＬ）として用いると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０２６８】
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
【実施例】
【０２６９】
次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【０２７０】
［合成例］
以下に架橋性化合物の合成例を示す。
（合成例１）
目的物１の合成
【化６８】
2011142342.tif 000071
【０２７１】
ＤＣスターラー、滴下漏斗、冷却管を装備した４口フラスコに５０重量％ＮａＯＨ水溶液（３００ｇ）とヘキサン（２５０ｍＬ）の混合溶液を加え、テトラｎ−ブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢＡＢｒ）（４．９８ｇ，１５．５ｍｍｏｌ）を添加した。混合物を５℃まで冷却後、オキセタン（３１ｇ）とジブロモブタン（２００ｇ）の混合物を激しく攪拌しながら滴下した。滴下終了後、室温で１５分間攪拌し、さらに還流下１５分間攪拌し、室温まで放冷しながら１５分間攪拌した。有機層を分離し、有機層を水洗して硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下に除去し、減圧蒸留（０．４２ｍｍＨｇ、７２℃）にて目的物１（５２．２ｇ）を得た。
【０２７２】
目的物２の合成
【化６９】
2011142342.tif 000072
【０２７３】
窒素気流中、ジメチルスルホキシド（５０ｍｌ）の溶液に粉砕した水酸化カリウム（８．９８ｇ）、を加え、ｍ−ブロモフェノール（６．９２ｇ）を加えて３０分間撹拌後、目的物１（１２．３３ｇ）を加えて室温で６時間撹拌した。析出物を濾取した後、塩化メチレンで抽出してオイル層を濃縮し、ヘキサン：塩化メチレン＝２：１でカラム精製することにより、目的物２（１１．４ｇ）を得た。
【０２７４】
目的物３の合成
【化７０】
2011142342.tif 000073
【０２７５】
窒素気流中、Ｎ，Ｎ'−ビス（４−ビフェニル）アミン（４．６９ｇ）、目的物２（４．００ｇ）、tert-ブトキシナトリウム（１．６３ｇ）、およびトルエン（９０ｍｌ）の溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．０６３ｇ）、トリ−tert-ブチルフォスフィン（０．０９８ｇ）、およびトルエン（１０ｍｌ）を窒素雰囲気下、６０℃で１５分間攪拌して調製した溶液を加えて、８５℃に加熱下、４時間攪拌した。放冷後、トルエンおよび活性白土を加え、室温で１５分間攪拌した後、不溶物を濾別、濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン溶媒）で精製し、トルエン溶媒で活性白土処理を行うことにより、目的物３（２．６１ｇ）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=５６９（M+））により目的物３であることを確認した。
【０２７６】
（合成例２）
目的物４の合成
【化７１】
2011142342.tif 000074
【０２７７】
窒素気流中、ｐ−アニシジン（５．４２ｇ）、４−ブロモビフェニル（９．３２ｇ）、tert-ブトキシナトリウム（５．３８ｇ）、およびトルエン（８０ｍｌ）の溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．１０４ｇ）、ビス（トリフェニルフォスフィノ）フェロセン（０．２２２ｇ）、およびトルエン（５ｍｌ）を窒素雰囲気下、６０℃で１５分間攪拌して調製した溶液を加えて、加熱還流下、１０時間攪拌した。放冷後、活性白土およびトルエン（１００ｍｌ）を加え、加熱還流下、１５分間攪拌した。放冷後、不溶物を濾別し、濾液に活性白土を加え、加熱還流下、１５分間攪拌した。放冷後、不溶物を濾別、濃縮し、得られた析出物をトルエンで再結晶することにより、目的物１（６．５９ｇ）を得た。
【０２７８】
目的物５の合成
【化７２】
2011142342.tif 000075
【０２７９】
窒素気流中、４−ブロモ−４'−メトキシビフェニル（１０．０ｇ）、よう化カリウム（６３．１ｇ）、よう化銅（Ｉ）（３６．２ｇ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（６４ｍｌ）を、加熱還流下、８時間撹拌した。反応混合物を０．１Ｎ塩酸（３６０ｍｌ）に加えて、攪拌した後、沈殿を濾別し、エタノールで洗浄した。得られた固形分に、クロロホルム（１５０ｍｌ）を加え、加熱還流下、１時間撹拌し、可溶成分を溶解させた後、溶液成分を濾別して、濃縮した。得られた固形分をメタノールでからの再結晶により精製し、目的物５（９．５６ｇ）を得た。
【０２８０】
目的物６の合成
【化７３】
2011142342.tif 000076
【０２８１】
窒素気流中、目的物４（５．７８ｇ）、目的物５（７．１６ｇ）、銅（１．８７ｇ）、炭酸カリウム（５．８０ｇ）、テトラグライム（１５ｍｌ）を、２００℃に加熱下、１０時間撹拌した。放冷後、クロロホルム（２００ｍｌ）を加えて、攪拌した後、不溶物を濾別し、濾液を濃縮した。得られた固形分をエタノールで懸濁洗浄し、目的物６（７．１０ｇ）を得た。
【０２８２】
目的物７の合成
【化７４】
2011142342.tif 000077
【０２８３】
窒素気流中、目的物６（６．８６ｇ）、ジクロロメタン（１００ｍｌ）を、０℃に冷却し、三臭化ホウ素の１Ｍ塩化メチレン溶液（３５ｍｌ）を滴下した。室温まで昇温し、２時間攪拌した。重曹水を加えた後、酢酸エチルで抽出し、有機層を濃縮して、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）によって精製し、目的物７（３．６８ｇ）を得た。
ＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝４２９（M+））により、目的物７であることを確認した。
【０２８４】
【化７５】
2011142342.tif 000078
【０２８５】
窒素気流中、水酸化カリウム（３．２５ｇ）、ジメチルスルホキシド（１００ｍｌ）を、室温で１５分撹拌し、目的物７（５．００ｇ）を加え、室温で１５分攪拌し、３−（４−ブロモブトキシメチル）−３−メチルオキセタン（６．９０ｇ）を加え、室温で８時間攪拌した。塩化メチレン（２００ｍｌ）および水（２００ｍｌ）を加えて、攪拌した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル混合液）で精製することにより、目的物８（４．２ｇ）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=７４１（M+））により目的物８であることを確認した。
【０２８６】
（合成例３）
目的物９の合成
【化７６】
2011142342.tif 000079
【０２８７】
窒素気流中、ｐ−メトキシフェニルボロン酸（２０．５１ｇ）、トリス（４−ブロモフェニル）アミン（１４．４６ｇ）、炭酸ナトリウム（２８．６２ｇ）、トルエン（２００ｍｌ）、エタノール（５０ｍｌ）、脱塩水（１００ｍｌ）を入れ、窒素でバブリングして系内を窒素で置換した。テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム３．１２ｇを加えた後、オイルバス中、８０℃で５時間３０分、窒素気流下で加熱撹拌を行った。放冷後、得られた沈殿を濾取し、水・メタノール懸洗にて無機物を除去し、白色結晶の目的物９（１４．１２ｇ）を得た。
【０２８８】
目的物１０の合成
【化７７】
2011142342.tif 000080
【０２８９】
窒素気流中、目的物９（１３．５３ｇ）と塩化メチレン（２００ｍｌ）の混合物を撹拌し、氷浴により０℃に冷却した。ここに、三臭化ホウ素（１ｍｏｌ／ｌジクロロメタン溶液  １００ｍｌ）を滴下し、滴下終了後は室温で撹拌して一晩反応させた。氷水１００ｍｌを入れたビーカーにこれを添加し、析出する沈殿を濾取した。得られた固形分はシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル）で精製し、酢酸エチル、ヘキサンで再沈殿することにより、目的物１０（９．６ｇ）を得た。
【０２９０】
目的物１１の合成
【化７８】
2011142342.tif 000081
【０２９１】
窒素気流中、目的物１０（５．０ｇ）、ｐ−フルオロベンズアルデヒド（３．６９ｇ）、炭酸カリウム（３．９８ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（５０ｍｌ）を、３．５時間、加熱還流し、室温まで放冷した。反応混合物に２０重量％メタノール水溶液を加え、不溶物を濾別した。得られた粗結晶を８０重量％メタノール水溶液で懸洗し、目的物１１（７．５３ｇ）を得た。
【０２９２】
目的物１２の合成
【化７９】
2011142342.tif 000082
【０２９３】
窒素気流中、目的物１１（８．４５ｇ）、メチルトリフェニルフォスフィンヨーダイド（１２．７ｇ）、脱水テトラヒドロフラン（１７０ｍｌ）に、氷冷下、tert-ブトキシカリウム（３．５３ｇ）を少しずつ加えた。その温度で２．５時間攪拌した後、反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗し、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル、２回目はトルエン）にて精製し、メタノールで洗浄することにより、目的物１２（３．０９ｇ）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=８２８（M+））により目的物１２であることを確認した。
【０２９４】
（合成例４）
目的物１３の合成
【化８０】
2011142342.tif 000083
【０２９５】
窒素気流中、水酸化カリウム（４９．４ｇ）、ジメチルスルホキシド（２２０ｍｌ）の混合溶液に、１−ブロモヘキサン（２８．１ｍｌ）、３−ブロモフェノール（３６．３ｇ）を順次投入し、室温で８時間撹拌した。反応溶液に水３５０ｍｌを加えて得られた溶液から、塩化メチレン（４５０ｍｌ）で抽出し、抽出液を食塩水で２回洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、無色の液体として、目的物１３（４４．３ｇ）を得た。
【０２９６】
目的物１４の合成
【化８１】
2011142342.tif 000084
【０２９７】
窒素気流中、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．６７３ｇ）、ビス（トリフェニルフォスフィノ）フェロセン（０．７０８ｇ）、およびトルエン（４５５ｍｌ）を、室温で１０分間攪拌して得た溶液に、３，４'−ジアミノジフェニルエーテル（１３．０２ｇ）、目的物１３（３３．１０ｇ）、tert-ブトキシナトリウム（１４．９９ｇ）を順次投入し、９０℃の油浴中、６時間攪拌した。放冷後、酢酸エチル１リットルと食塩水５００ｍｌを加え、振り混ぜた後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン混合液）および塩化メチレン／メタノールからの再結晶により精製し、目的物１４の白色結晶（２１．４４ｇ）を得た。
【０２９８】
目的物１５の合成
【化８２】
2011142342.tif 000085
【０２９９】
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．０４６ｇ）、ビス（トリフェニルフォスフィノ）フェロセン（０．０４８ｇ）、およびトルエン（１０ｍｌ）を窒素雰囲気下、室温で３０分間攪拌して得た溶液を、目的物１４（３．６６３ｇ）、４，４'−ジブロモビフェニル（１．３７８ｇ）、tert-ブトキシナトリウム（１．０２ｇ）の混合溶液に投入し、加熱還流下、４．５時間攪拌した。ここに、中間体１（０．９２２ｇ）、tert-ブトキシナトリウム（１．０２ｇ）を投入して４時間後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．０６５ｇ）、ビス（トリフェニルフォスフィノ）フェロセン（０．０７２ｇ）、およびトルエン（７ｍｌ）を窒素雰囲気下、室温で１５分間攪拌して得た溶液を加え、１時間撹拌後、さらに中間体１（３ｇ）を投入し、１．５時間撹拌し、ここに、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．１００ｇ）、ビス（トリフェニルフォスフィノ）フェロセン（０．１１５ｇ）、およびトルエン（８ｍｌ）を窒素雰囲気下、５０℃で１５分間攪拌して得た溶液を加え、１．５時間撹拌した。放冷後、活性白土を加えてよく撹拌した後、濾過し、濾液を２規定塩酸水溶液、次いで食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥、濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン／ヘキサンおよび塩化メチレン／酢酸エチル）で精製後、トルエンに溶解させた溶液に、活性白土を加え、よく撹拌後、濾過し、濾液を濃縮、減圧下、加熱乾燥して、目的物１５（４．４４ｇ）を得た。
【０３００】
目的物１６の合成
【化８３】
2011142342.tif 000086
【０３０１】
窒素気流中、メチルトリフェニルフォスフォニウムアイオダイド（２．２９２ｇ）、テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）の溶液に、氷冷下、tert-ブトキシカリウム（０．６６８ｇ）のテトラヒドロフラン溶液（１０ｍｌ）を、１０分間かけて滴下した後、１５分間撹拌して得た溶液を、氷冷下で、目的物１５（４．４４ｇ）のテトラヒドロフラン溶液（２０ｍｌ）に投入し、１時間撹拌後、室温下でさらに１時間撹拌した。得られた溶液に氷水および食塩を投入後、塩化メチレンで抽出し、抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン／ヘキサン）で精製後、トルエンに溶解させた溶液に、活性白土を加えてよく撹拌後、不溶分を除去した後、濃縮した。これを再びシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン／ヘキサン）で精製し、得られた固形分を減圧下、７０℃で加熱乾燥し、目的物１６（１．４０ｇ）（ｎ＝０〜４）を得た。
【０３０２】
（合成例５）
目的物１７の合成
【化８４】
2011142342.tif 000087
【０３０３】
窒素気流中、Ｎ，Ｎ'−ビス（４−ビフェニル）アミン（４．８２ｇ）、中間体１（５．０６ｇ）、tert-ブトキシナトリウム（２．０２ｇ）、およびトルエン（９０ｍｌ）の溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．０７８ｇ）、トリ−tert-ブチルフォスフィン（０．１２１ｇ）、およびトルエン（１０ｍｌ）を窒素雰囲気下、６０℃で１５分間攪拌して調製した溶液を加えて、８５℃に加熱下、４時間攪拌した。放冷後、トルエンおよび活性白土を加え、室温で１５分間攪拌した後、不溶物を濾別し、濾液を濃縮して、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン溶媒）で精製後、塩化メチレン（２００ｍｌ）に溶解させた溶液を１規定塩酸水溶液、次いで食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を５０ｍｌまで濃縮した後、メタノールに再沈殿させることにより、目的物１７（６．５０ｇ）を得た。
【０３０４】
目的物１８の合成
【化８５】
2011142342.tif 000088
【０３０５】
窒素気流中、目的物１７（５．００ｇ）、メチルトリフェニルフォスフィンヨーダイド（４．２３ｇ）、脱水テトラヒドロフラン（８０ｍｌ）に、氷冷下、tert-ブトキシカリウム（１．１９ｇ）の脱水テトラヒドロフラン溶液（２０ｍｌ）を少しずつ加えた。その温度で５０分間攪拌した後、反応混合物に水およびトルエンを加え、攪拌した。有機層を食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムおよび活性白土と加え攪拌した後、不溶物を濾別し、濾液を濃縮して、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン）にて精製し、塩化メチレン／メタノールで再沈殿、酢酸エチル／エタノールで再結晶することにより、目的物１８（２．８３ｇ）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=５１５（M+））により目的物１８であることを確認した。
【０３０６】
（合成例６）
目的物１９の合成
【化８６】
2011142342.tif 000089
【０３０７】
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．１８５ｇ）、ビス（トリフェニルフォスフィノ）フェロセン（０．１９８ｇ）、トルエン（２００ｍｌ）を窒素雰囲気下、室温で１０分間撹拌後、アニリン（７．１５ｇ）、目的物２（８．４２５ｇ）、tert-ブトキシナトリウム（２．９５１ｇ）を加え、１００℃の加熱下で９時間撹拌した。放冷後に吸引濾過し、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝１／１０から塩化メチレン／酢酸エチル＝１０／１）で精製し、目的物１９（８．２８ｇ）を得た。
【０３０８】
目的物２０の合成
【化８７】
2011142342.tif 000090
【０３０９】
窒素気流中、目的物１９（２．６７ｇ）、Ｎ−（３−ブロモフェニル）カルバゾール（３．２８ｇ）、tert-ブトキシナトリウム（０．８２ｇ）、およびトルエン（５０ｍｌ）の溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．１０ｇ）、トリ−tert-ブチルフォスフィン（０．１１ｇ）、およびトルエン（７ｍｌ）を窒素雰囲気下、５０℃で１５分間撹拌して調製した溶液を加えて、１００℃で２時間撹拌した。放冷後、反応液を水で洗浄し、油層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。得られた油状成分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン：酢酸エチル＝２０：１）で精製し、濃縮した。トルエンおよび活性白土を加え３０分間攪拌した後、不溶物を濾別し、濾液を濃縮して、目的物２０（４．０４ｇ）を得た。
このもののガラス転移温度は３５．７℃、窒素気流下での重量減少開始温度は４５２℃であった。
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=７２２（M+））により目的物２０であることを確認した。
【０３１０】
（合成例７）
目的物２１の合成
【化８８】
2011142342.tif 000091
【０３１１】
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニル）アミン（１６．５ｇ）、１−ベンジロキシ−３−ブロモベンゼン（１４．８６ｇ）、ｔ−ブトキシナトリウム（１０．８５ｇ）、トルエン（２２０ｍｌ）を反応器に加え、系内を窒素置換して、６０℃まで加温した（溶液Ａ）。トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（１．０６ｇ）のトルエン２０ｍｌ溶液に、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（１．２５ｇ）を加え、６０℃まで加温した（溶液Ｂ）。窒素気流中、溶液Ａに溶液Ｂを添加し、３．５時間、加熱還流した。室温まで放冷し、不溶物を濾別して、濾液を濃縮した。得られた粗生成物を、ヘキサン／塩化メチレン（１／１）溶液で２回懸洗し、さらにメタノールで懸洗し、目的物２１（１８．４ｇ）を得た。
【０３１２】
目的物２２の合成
【化８９】
2011142342.tif 000092
【０３１３】
目的物２１（１８ｇ）をテトラヒドロフラン（１２０ｍｌ）に溶解し、５％Ｐｄ／Ｃ（２．５２ｇ）を加え、水素置換し、５５℃で６時間還元反応を行った。反応終了後、系内を窒素置換し、触媒を濾別し、濾液を濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン）にて精製し、目的物２２（１４．３３ｇ）を得た。
【０３１４】
目的物２３の合成
【化９０】
2011142342.tif 000093
【０３１５】
目的物２２（３．０６ｇ）、２−クロロエチルビニルエーテル（０．９ｇ）、炭酸カリウム（２．０５ｇ）、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（３０ｍｌ）を反応器に加え、少量のヨウ化カリムを加え、７０℃で１０時間加熱反応した。放冷後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を２回水洗し、さらに飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸ナトリウムを加え脱水乾燥し、濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン）にて精製し、目的物２３（１．４６ｇ）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=４８３（M+））により目的物２３であることを確認した。
【０３１６】
（合成例８）
目的物２４の合成
【化９１】
2011142342.tif 000094
【０３１７】
３，４’−ジフェニルアミノエーテル（２４．０３ｇ）、ブロモベンゼン（３７．６８ｇ）、tert-ブトキシナトリウム（２５．３７ｇ）、およびトルエン（１９０ｍｌ）を反応器に加え、系内を十分に窒素置換して、５０℃まで加温した（溶液Ａ）。トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０．６２ｇ）のトルエン１０ｍｌ溶液に、ビス（トリフェニルフォスフィノ）フェロセン（１．３５ｇ）を加え、５０℃まで加温した（溶液Ｂ）。窒素気流中、溶液Ａに溶液Ｂを添加し、１００℃で６時間半、加熱反応した。放冷後、吸引濾過をして濾液を濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝１：１）にて精製し、化合物２４（２３．６０ｇ）を得た。
【０３１８】
目的物２５の合成
【化９２】
2011142342.tif 000095
【０３１９】
目的物２４（７．８ｇ）、１−ベンジロキシ−３−ブロモベンゼン（１２．８８ｇ）、ｔ−ブトキシナトリウム（９．３６ｇ）、およびトルエン（１９０ｍｌ）を反応器に加え、系内を十分に窒素置換して、６０℃まで加温した（溶液Ａ）。トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０．９２ｇ）のトルエン１５ｍｌ溶液に、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（１．１ｇ）を加え、６０℃まで加温した（溶液Ｂ）。窒素気流中、溶液Ａに溶液Ｂを添加し、５時間、加熱還流した。室温まで放冷し、不溶物を濾別し、濾液を濃縮した。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン）にて精製し、目的物２５（１４．８ｇ）を得た。
【０３２０】
目的物２６の合成
【化９３】
2011142342.tif 000096
【０３２１】
目的物２５（１４．８ｇ）をテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）に溶解し、５％Ｐｄ／Ｃ（２．２０ｇ）を加え、系内を水素置換した。６０℃で７時間還元させた。反応終了後、系内を窒素置換し、触媒を濾別し、濾液を濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン）にて精製し、目的物２６（１０．００ｇ）を得た。
【０３２２】
目的物２７の合成
【化９４】
2011142342.tif 000097
【０３２３】
目的物２６（３．０５ｇ）、２−クロロエチルビニルエーテル（２．４２ｇ）、炭酸カリウム（３．５３ｇ）、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２５ｍｌ）を反応器に加え、少量のヨウ化カリムを加え、８０℃で５時間、さらに１００℃で２．５時間、加熱攪拌した。反応終了後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を２回水洗し、さらに飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸ナトリウムを加えて脱水乾燥し、その後濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン、２回目はヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、目的物２７（１．９１ｇ）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=６７６（M+））により目的物２７であることを確認した。
【０３２４】
（合成例９）
目的物２８の合成
【化９５】
2011142342.tif 000098
【０３２５】
窒素気流中、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（２．７４ｇ）、目的物２（９．００ｇ）、tert-ブトキシナトリウム（３．６９ｇ）、およびトルエン（５０ｍｌ）の溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．０７１ｇ）、ビス（トリフェニルフォスフィノ）フェロセン（０．１５２ｇ）、およびトルエン（５ｍｌ）を窒素雰囲気下、６０℃で１５分間攪拌して調製した溶液を加えて、８５℃に加熱下、２時間攪拌した。放冷後、トルエンおよび活性白土を加え１５分間攪拌した後、不溶物を濾別、濾液を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル／塩化メチレン混合液）で精製することにより、目的物２８（６．５２ｇ）を得た。
【０３２６】
目的物２９の合成
【化９６】
2011142342.tif 000099
【０３２７】
窒素気流中、目的物２４（３．０６ｇ）、目的物２８（０．６５９ｇ）、４，４’−ジブロモビフェニル（２．９５ｇ）、tert-ブトキシナトリウム（２．９１ｇ）、およびトルエン（３０ｍｌ）の溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．０９８ｇ）、トリ-tert-ブチルフォスフィン（０．１５３ｇ）、およびトルエン（１０ｍｌ）を窒素雰囲気下、６０℃で１５分間攪拌して調製した溶液を加えて、加熱還流下、１時間攪拌した。続いて、４，４’−ジブロモブフェニル（０．０３０ｇ）を加え、加熱還流下、１時間攪拌し、続いて、４，４’−ジブロモブフェニル（０．０２９ｇ）およびトルエン（１０ｍｌ）を加え、加熱還流下、１時間攪拌した。続いて、ブロモベンゼン（０．１４９ｇ）を加え、加熱還流下、１時間攪拌した。続いて、ジフェニルアミン（０．３２０ｇ）及びトルエン（５ｍｌ）を加え、さらに、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．０４９ｇ）、トリ-tert-ブチルフォスフィン（０．０７７ｇ）、およびトルエン（５ｍｌ）を窒素雰囲気下、６０℃で１５分間攪拌して調製した溶液を加えて、加熱還流下、３．５時間攪拌した。放冷後、メタノールに反応液を添加し、析出した固体をメタノール／水混合液で懸洗した後、濾取した。得られた固体をトルエンに溶解させて吸引ろ過し、濾液をアセトンに再沈殿させた。析出した固体を濾取し、トルエンに溶解させてアセトンに再沈殿させた。析出した固体を濾取し、トルエンに溶解させてメタノールに再沈殿させ、目的物２９（３．０９ｇ）を得た。
【０３２８】
この高分子化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は１４４０００、数平均分子量（Ｍｎ）は３１１００であった。
また、目的物２９の繰り返し単位当りの平均架橋基数は０．２である。
【０３２９】
（合成例１０）
目的物３０の合成
【化９７】
2011142342.tif 000100
【０３３０】
目的物２４（３．００ｇ）、目的物２８（５．９３ｇ）、４，４’−ジブロモビフェニル（５．０２）、tert-ブトキシナトリウム（４．４９ｇl）、およびトルエン（３５ｍｌ）を仕込み、系内を十分に窒素置換して、５０℃まで加温した（溶液Ａ）。トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０．２０ｇ）のトルエン５ｍｌ溶液に、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．３１ｇ）を加え、５０℃まで加温した（溶液Ｂ）。窒素気流中、溶液Ａに溶液Ｂを添加し、２時間、加熱還流反応した。反応液を放冷して、反応液をメタノール／エタノール２００ｍｌ中に滴下し、粗ポリマーを晶出させた。
【０３３１】
得られた粗ポリマーをトルエン２４０ｍｌに溶解させ、ブロモベンゼン（０．５３ｇ）、tert-ブトキシナトリウム（０．８２ｇ）を仕込み、系内を十分に窒素置換して、６０℃まで加温した（溶液Ｃ）。トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．０８８ｇ）のトルエン１０ｍｌ溶液に、トリ-tert-ブチルフォスフィン（０．１３８ｇ）を加え、６０℃まで加温した（溶液Ｄ）。窒素気流中、溶液Ｃに溶液Ｄを添加し、１時間、加熱還流反応した。この反応液に、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン（０．８５ｇ）を添加し、さらに、２時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノールに滴下し、粗ポリマーを得た。この粗ポリマーをトルエンに溶解し、アセトンに再沈殿し、析出したポリマーを濾別した。得られたポリマーをトルエンに溶解させ、希塩酸にて洗浄し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物３０（４．３６ｇ）を得た。
【０３３２】
この高分子化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は９２４００、数平均分子量（Ｍｎ）は３９８００であった。
また、目的物３０の繰り返し単位当りの平均架橋基数は１．０である。
【０３３３】
［有機電界発光素子の作製］
（実施例１）
図１に示す有機電界発光素子を作製した。
ガラス基板１上に、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍの厚さに堆積したもの（三容真空社製、スパッタ成膜品）を、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０３３４】
まず、下の構造式（Ｐ１）に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子材料（重量平均分子量：２６５００，数平均分子量：１２０００）、構造式（Ａ１）に示す４−イソプロピル−４'−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラートおよび安息香酸エチルを含有する、下記組成の正孔注入層形成用塗布液を調製した。この塗布液を下記条件で陽極２上にスピンコートにより成膜して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層３を得た。
【０３３５】
【化９８】
2011142342.tif 000101
【０３３６】
＜正孔注入層形成用塗布液組成＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            Ｐ１：２．０重量％
Ａ１：０．８重量％
【０３３７】
＜正孔注入層の成膜条件＞
スピナ回転数          １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間        ３０秒
スピンコート雰囲気    大気中
加熱条件              大気中  ２３０℃  ３時間
【０３３８】
引き続き、以下の構造式に示す、架橋基を１つ有する架橋性化合物（Ｈ１）（合成例１で合成した目的物３）、架橋基を２つ有する架橋性化合物（Ｈ２）（合成例２で合成した目的物８）およびキシレンを含有する下記組成の有機デバイス用組成物を用い、下記の条件でスピンコートにより成膜した後、加熱により重合させることにより膜厚１６ｎｍの正孔輸送層４を形成した。
【０３３９】
【化９９】
2011142342.tif 000102
【０３４０】
＜有機デバイス用組成物組成＞
溶媒                  キシレン
固形分濃度            １．０重量％
固形分組成            （Ｈ１）：（Ｈ２）＝９０：１０（モル比）
【０３４１】
＜正孔輸送層の成膜条件＞
スピナ回転数          １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間        ３０秒
スピンコート雰囲気    窒素中
加熱条件              窒素中、２００℃、１時間
【０３４２】
次に、以下の構造式に示す化合物（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｃ３）およびキシレンを含有する、下記組成の発光層形成用塗布液を調製した。この塗布液を下記の条件でスピンコートにより成膜することにより膜厚４０ｎｍの発光層５を形成した。
【０３４３】
【化１００】
2011142342.tif 000103
【０３４４】
＜発光層形成用塗布液組成＞
溶媒                  キシレン
塗布液濃度            Ｃ１：１．０重量％
Ｃ２：１．０重量％
Ｃ３：０．１重量％
【０３４５】
＜発光層の成膜条件＞
スピナ回転数          １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間        ３０秒
スピンコート雰囲気    窒素中
ベーク条件            真空中  １３０℃  １時間
【０３４６】
次に、正孔注入層３、正孔輸送層４および発光層５を成膜した基板をグローブボックスに連結されたマルチチャンバー型真空蒸着装置内に大気に曝すことなく搬入し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が５．３×１０−５Ｐａ以下になるまでクライオポンプを用いて排気し、下記構造式（Ｃ４）で表される化合物を真空蒸着法によって積層して正孔阻止層６を得た。蒸着時の真空度は３．１〜４．８×１０−５Ｐａ、蒸着速度は０．６〜１．１Å／秒の範囲で制御し、発光層５の上に積層して膜厚５ｎｍの膜の正孔阻止層６を形成した。
【０３４７】
【化１０１】
2011142342.tif 000104
【０３４８】
次いで、下記構造式（Ｃ５）に示すトリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（Ａｌｑ３）を加熱して蒸着を行い、電子輸送層７を成膜した。蒸着時の真空度は２．９〜４．９×１０−５Ｐａ、蒸着速度は０．７〜１．３Å／秒の範囲で制御し、膜厚３０ｎｍの膜を正孔阻止層６の上に積層して電子輸送層７を形成した。
【０３４９】
【化１０２】
2011142342.tif 000105
【０３５０】
ここで、電子輸送層７までの蒸着を行った素子を、電子輸送層までを蒸着した有機層蒸着チャンバーから金属蒸着チャンバーへと真空中で搬送し、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプと直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して、有機層蒸着時と同様にして装置内の真空度が８．７×１０−５Ｐａ以下になるまで排気した。
電子注入層８として、先ずフッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．０７〜０．１５Å／秒、真空度４．７〜１０．０×１０−５Ｐａで制御し、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層７の上に成膜した。次に、陰極９としてアルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．６〜１６．０Å／秒、真空度２．０〜１３．０×１０−５Ｐａで制御して膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成した。以上の２層の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【０３５１】
引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。
真空蒸着装置に連結された窒素グローブボックス中で、２３ｍｍ×２３ｍｍサイズのガラス板の外周部に、約１ｍｍの幅で光硬化性樹脂（株式会社スリーボンド製３０Ｙ−４３７）を塗布し、中央部に水分ゲッターシート（ダイニック株式会社製）を設置した。この上に、陰極形成を終了した基板を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
【０３５２】
得られた有機電界発光素子の初期輝度を２５００ｃｄ／ｍ２とした際の規格化駆動寿命を表１に示す。
表１に示す如く、本発明の有機デバイス用組成物を用いることで、長寿命な素子が得られた。
【０３５３】
（実施例２）
実施例１において、正孔輸送層４を形成するための有機デバイス用組成物中における、架橋性化合物（Ｈ１）および（Ｈ２）の組成比を以下の通りに変更して、膜厚２１ｎｍの正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１と同様にして図１に示す有機電界発光素子を作製した。
【０３５４】
＜有機デバイス用組成物組成＞
溶媒                  キシレン
固形分濃度            １．０重量％
固形分組成            （Ｈ１）：（Ｈ２）＝７０：３０（モル比）
【０３５５】
＜正孔輸送層の成膜条件＞
スピナ回転数          １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間        ３０秒
スピンコート雰囲気    窒素中
加熱条件              窒素中  ２００℃  １時間
【０３５６】
得られた有機電界発光素子の初期輝度を２５００ｃｄ／ｍ２とした際の規格化駆動寿命を表１に示す。
表１に示す如く、本発明の有機デバイス用組成物を用いることで、長寿命な素子が得られた。
【０３５７】
（実施例３）
実施例１において、正孔輸送層４を形成するための有機デバイス用組成物中における、架橋性化合物（Ｈ１）および（Ｈ２）の組成比を以下の通りに変更して、膜厚１４ｎｍの正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１と同様にして図１に示す有機電界発光素子を作製した。
【０３５８】
＜有機デバイス用組成物組成＞
溶媒                  キシレン
固形分濃度            １．０重量％
固形分組成            （Ｈ１）：（Ｈ２）＝９５：５（モル比）
【０３５９】
得られた有機電界発光素子の初期輝度を２５００ｃｄ／ｍ２とした際の規格化駆動寿命を表１に示す。
表１に示す如く、本発明の有機デバイス用組成物を用いることで、長寿命な素子が得られた。
【０３６０】
（実施例４）
正孔輸送層４を形成するための有機デバイス用組成物として、前述の架橋性化合物（Ｈ１）、（Ｈ２）、下記に示す構造の架橋性化合物（Ｈ３）（合成例５で合成した目的物２０）およびキシレンを含有する、下記組成の組成物を用いて、以下の条件でスピンコートにより成膜した後、加熱により重合させ、重合後の膜を、キシレンリンスすることにより膜厚１７ｎｍの正孔輸送層４を形成したこと、および、発光層５を形成するための発光層形成用塗布液を以下の組成のものに変更したこと以外は、実施例１と同様にして図１に示す有機電界発光素子を作製した。
【０３６１】
【化１０３】
2011142342.tif 000106
【０３６２】
＜有機デバイス用組成物組成＞
溶媒                  キシレン
固形分濃度            １．０重量％
固形分組成          （Ｈ１）：（Ｈ２）：（Ｈ３）＝５０：４０：１０（モル比）
【０３６３】
＜正孔輸送層の成膜条件＞
スピナ回転数          １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間        ３０秒
スピンコート雰囲気    窒素中
加熱条件              窒素中  ２００℃  １時間
【０３６４】
＜発光層形成用塗布液組成＞
溶媒                  キシレン
塗布液濃度            Ｃ１：１．８重量％
Ｃ２：０．２重量％
Ｃ３：０．１重量％
【０３６５】
得られた有機電界発光素子の初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ２とした際の規格化駆動寿命を表１に示す。
表１に示す如く、本発明の有機デバイス用組成物を用いることで、長寿命な素子が得られた。
【０３６６】
（比較例１）
実施例１において、正孔輸送層４を形成するための有機デバイス用組成物の架橋性化合物として、前述の架橋性化合物（Ｈ２）のみを以下の組成で用いて、以下の条件でスピンコートにより成膜して、加熱により重合させ、膜厚１８ｎｍの正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１と同様にして図１に示す有機電界発光素子を作製した。
【０３６７】
＜有機デバイス用組成物組成＞
溶媒                  キシレン
固形分濃度            ０．８重量％
固形分組成            （Ｈ２）
【０３６８】
＜正孔輸送層の成膜条件＞
スピナ回転数          １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間        ３０秒
スピンコート雰囲気    窒素中
加熱条件              真空中  １３０℃  １時間
【０３６９】
得られた有機電界発光素子の初期輝度を２５００ｃｄ／ｍ２とした際の規格化駆動寿命を表１に示す。
【０３７０】
【表１】
2011142342.tif 000107
【０３７１】
（実施例５）
実施例１において、正孔輸送層４を形成するための有機デバイス用組成物として、下記に示す構造の架橋性化合物（Ｈ４）（合成例４で合成した目的物１６）、（Ｈ５）（合成例３で合成した目的物１２）およびトルエンを含有する、下記組成の組成物を用いて、膜厚２４ｎｍの正孔輸送層４を形成したこと、および、発光層５を形成するための発光層形成用塗布液組成を以下の条件のものに変更したこと以外は、実施例１と同様にして図１に示す有機電界発光素子を作製した。
【０３７２】
【化１０４】
2011142342.tif 000108
【０３７３】
＜有機デバイス用組成物組成＞
溶媒                  トルエン
固形分濃度            ０．５重量％
固形分組成            （Ｈ４）：（Ｈ５）＝９５：５（モル比）
【０３７４】
＜発光層形成用塗布液組成＞
溶媒                  キシレン
塗布液濃度            Ｃ１：１．８重量％
Ｃ２：０．２重量％
Ｃ３：０．１重量％
【０３７５】
得られた有機電界発光素子の初期輝度を２５００ｃｄ／ｍ２とした際の規格化駆動寿命を表２に示す。
表２に示す如く、本発明の有機デバイス用組成物を用いることで、長寿命な素子が得られた。
【０３７６】
（実施例６）
実施例５において、正孔輸送層４を、前述の架橋性化合物（Ｈ４）、下記に示す構造を有する架橋性化合物（Ｈ６）（合成例５で合成した目的物１８）およびキシレンを含有する下記組成の有機デバイス用組成物を用いて、以下の条件でスピンコートにより成膜した後、紫外線照射後加熱して重合させ、膜厚２２ｎｍの正孔輸送層４を形成した以外は、実施例５と同様にして図１に示す有機電界発光素子を作製した。
【０３７７】
【化１０５】
2011142342.tif 000109
【０３７８】
＜有機デバイス用組成物組成＞
溶媒                  キシレン
固形分濃度            １．０重量％
固形分組成            （Ｈ４）：（Ｈ６）＝９５：５（モル比）
【０３７９】
＜正孔輸送層の成膜条件＞
スピナ回転数          １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間        ３０秒
スピンコート雰囲気    窒素中
ＵＶ露光条件          窒素中  ５Ｊ／ｃｍ２
加熱条件              窒素中  ２００℃  １時間
【０３８０】
得られた有機電界発光素子の初期輝度を２５００ｃｄ／ｍ２とした際の規格化駆動寿命を表２に示す。
表２に示す如く、本発明の有機デバイス用組成物を用いることで、長寿命な素子が得られた。
【０３８１】
（比較例２）
実施例５において、正孔輸送層４を形成するための有機デバイス用組成物の架橋性化合物として、前述の架橋性化合物（Ｈ４）のみを以下の組成で用いて、膜厚２２ｎｍの正孔輸送層４を形成した以外は、実施例５と同様にして図１に示す有機電界発光素子を作製した。
【０３８２】
＜有機デバイス用組成物組成＞
溶媒                  キシレン
固形分濃度            １．０重量％
固形分組成            （Ｈ４）
【０３８３】
得られた有機電界発光素子の初期輝度を２５００ｃｄ／ｍ２とした際の規格化駆動寿命を表２に示す。
【０３８４】
【表２】
2011142342.tif 000110
【０３８５】
（実施例７）
正孔輸送層４を形成するための有機デバイス用組成物として、下記に示す構造の架橋性化合物（Ｈ７）（合成例７で合成した目的物２３）、（Ｈ８）（合成例８で合成した目的物２７）、およびキシレンを含有する組成物を用いて、膜厚１９ｎｍの正孔輸送層４を形成したこと、および、発光層５を形成するための発光層形成用塗布液を以下の条件のものに変更したこと以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。
【０３８６】
【化１０６】
2011142342.tif 000111
【０３８７】
＜有機デバイス用組成物組成＞
溶媒                  キシレン
固形分濃度            １．０重量％
固形分組成            （Ｈ７）：（Ｈ８）＝７０：３０（モル比）
【０３８８】
＜発光層形成用塗布液組成＞
溶媒                  キシレン
塗布液濃度            Ｃ１：１．８重量％
Ｃ２：０．２重量％
Ｃ３：０．１重量％
【０３８９】
得られた有機電界発光素子を初期輝度２５００ｃｄ／ｍ２として直流電流駆動を行い、輝度が初期輝度の９０％となった時間を比較例３の値で規格化した値を表３に示す。表３に示すが如く、本発明の有機デバイス用組成物を用いることで、長寿命な素子が得られた。
【０３９０】
（比較例３）
実施例７において、正孔輸送層４を形成するための有機デバイス用組成物の架橋性化合物として、前述の架橋性化合物（Ｈ８）のみを用いて、膜厚１６ｎｍの正孔輸送層４を形成した以外は、実施例７と同様にして有機電界発光素子を作製した。
【０３９１】
＜有機デバイス用組成物組成＞
溶媒                  キシレン
固形分濃度            ０．７重量％
固形分組成            （Ｈ８）のみ
【０３９２】
得られた有機電界発光素子を初期輝度２５００ｃｄ／ｍ２として直流電流駆動を行い、輝度が初期輝度の９０％となった時間を比較例３の値で規格化した値を表３に示す。
【０３９３】
【表３】
2011142342.tif 000112
【０３９４】
（実施例８）
図１に示す有機電界発光素子を作製した。
正孔注入層３の形成までは、実施例１と同様にして行った後、正孔輸送層４を形成するための有機デバイス用組成物として、下記に示す構造の架橋性化合物（Ｈ９）（合成例９で合成した目的物２９）、（Ｈ１０）（合成例１０で合成した目的物３０）、およびトルエンを含有する、下記組成の組成物を用いて、以下の条件でスピンコートにより成膜した後、加熱により重合させることにより膜厚２０ｎｍの正孔輸送層４を形成した。
【０３９５】
【化１０７】
2011142342.tif 000113
【０３９６】
＜有機デバイス用組成物組成＞
溶媒                  トルエン
塗布液濃度            Ｈ９：０．２重量％
Ｈ１０：０．２重量％
【０３９７】
＜正孔輸送層の成膜条件＞
スピナ回転数          １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間        ３０秒
スピンコート雰囲気    窒素中
加熱条件              窒素中  １８０℃  １５分
【０３９８】
次に、実施例１で用いた化合物（Ｃ１）、（Ｃ２）および（Ｃ３）を用いて下記に示す組成の発光層形成用塗布液を調製し、この塗布液を以下に示す条件で正孔輸送層４上にスピンコートにより成膜することにより膜厚６０ｎｍの発光層５を形成した。
【０３９９】
＜発光層形成用塗布液組成＞
溶媒                  キシレン
塗布液濃度            Ｃ１：１．８重量％
Ｃ２：０．２重量％
Ｃ１：０．１重量％
【０４００】
＜発光層の成膜条件＞
スピナ回転数          １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間        ３０秒
スピンコート雰囲気    窒素中
ベーク条件            真空中  １３０℃  １時間
【０４０１】
ここで、発光層５までを成膜した基板を真空蒸着装置内に移し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が２．４×１０−４Ｐａ以下になるまでクライオポンプを用いて排気した後、下記構造の化合物（Ｃ６）を真空蒸着法によって積層して正孔阻止層６を得た。このとき、蒸着速度を０．７〜０．８Å／秒の範囲で制御し、発光層５の上に積層して膜厚１０ｎｍの膜の正孔阻止層６を形成した。蒸着時の真空度は２．４〜２．７×１０−４Ｐａであった。
【０４０２】
【化１０８】
2011142342.tif 000114
【０４０３】
続いて、実施例１で用いたトリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（Ａｌｑ３）を加熱して蒸着を行い、電子輸送層７を成膜した。蒸着時の真空度は０．４〜１．６×１０−４Ｐａ、蒸着速度は１．０〜１．５Å／秒の範囲で制御し、膜厚１０ｎｍの膜を正孔阻止層６の上に積層して電子輸送層７を形成した。
【０４０４】
ここで、電子輸送層７までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層蒸着時と同様にして装置内の真空度が６．４×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。
【０４０５】
電子注入層８として、先ずフッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．１〜０．４Å／秒、真空度３．２〜６．７×１０−４Ｐａで制御し、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層７の上に成膜した。次に、陰極９としてアルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．７〜５．３Å／秒、真空度２．８〜１１．１×１０−４Ｐａで制御して膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成した。以上の２層の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【０４０６】
引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、実施例１と同様にして封止処理を行った。
以上のようにして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。得られた素子の特性（素子を初期輝度２５００ｃｄ／ｍ２として直流電流駆動を行い、輝度が初期輝度の半分となった時間を比較例４の値で規格化した規格化半減駆動寿命と、１００ｃｄ／ｍ２時の電流効率）を表４に示す。
【０４０７】
（比較例４）
実施例８において、正孔輸送層４を形成するための有機デバイス用組成物の架橋性化合物として、前述の架橋性化合物（Ｈ１０）のみを以下の組成で用いて、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層４を形成した以外は、実施例８と同様にして図１に示す有機電界発光素子を作製した。得られた素子の特性を表４に示す。
【０４０８】
＜有機デバイス用組成物組成＞
溶媒                  トルエン
塗布液濃度            Ｈ１０：０．４重量％
【０４０９】
【表４】
2011142342.tif 000115
【０４１０】
以上の結果から明らかなように、架橋基数の異なる２種以上の架橋性化合物を含む組成物を用いて正孔輸送層を形成した実施例の有機電界発光素子は、単一の架橋性化合物を含有する組成物を用いて正孔輸送層を形成した比較例の素子と比較して、効率が高く、駆動時における輝度低下が小さく、より安定な素子が得られていることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０４１１】
本発明は、有機電界発光素子が使用される各種の分野、例えば、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯等の分野において、好適に使用することが出来る。
【符号の説明】
【０４１２】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入層
４  正孔輸送層
５  発光層
６  正孔阻止層
７  電子輸送層
８  電子注入層
９  陰極
【図１】
2011142342.tif 000117