(57)【要約】【課題】加工精度が良く高品質の振動片の提供。【解決手段】本発明は、シリコンで形成される基部１と、シリコンで形成され基部１の左側面１３に一体に接続される振動部２と、振動部２などに形成される電極と、を備えている。振動部２は、３つの振動腕部片２１〜２３からなる。その振動腕部片２１〜２３のそれぞれは、面方位（１１１）面からなる上面と、その上面と対向し面方位（１１１）面からなる下面と、を有する。【選択図】図１
2011130001.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンで形成される基部と、
前記シリコンで形成され、前記基部の第１の面に一体に形成される振動部と、
前記振動部に形成される電極と、を備え、
前記振動部は、面方位（１１１）面からなる第２の面と、前記第２の面と向かい合い面方位（１１１）面からなる第３の面と、を有すること特徴とする振動片。
【請求項２】
前記振動部の前記第３の面と前記第１の面との間で形成される外角が鈍角からなることを特徴とする請求項１に記載の振動片。
【請求項３】
前記基部は、前記第１の面と向かい合う第４の面と、前記第２の面に対し平行であり且つ前記第１の面及び前記第４の面と隣接する第５の面とを有し、
前記第４の面と前記第５の面との間で形成される内角が鈍角からなることを特徴とする請求項１に記載の振動片。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のうちのいずれか１項に記載の振動片を含むことを特徴とする振動子。
【請求項５】
請求項４に記載の振動子を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項６】
シリコンで形成され、基部、振動部、および電極を含む振動片の製造方法であって、
面方位が（１１１）面の単結晶シリコン基板にレーザ光を照射して、所定の深さの変質部を形成する第１の工程と、
前記変質部に対して異方性エッチングを行い、前記単結晶シリコン基板に縦穴部を形成し、前記単結晶シリコン基板の板面と前記縦穴部の底面とで挟まれた薄板部を形成する第２の工程と、
前記薄板部と前記薄板部に続く部分とに対してドライエッチングを行い、前記基部と、前記基部から突出される前記振動部とを一体に形成する第３の工程と、
前記基部と前記振動部とにわたって電極を形成する第４の工程と、
を備えることを特徴とする振動片の製造方法。
【請求項７】
前記基部は、前記振動部の延伸方向の断面形状が平行四辺形であって、傾斜面を有するように形成され、
前記振動部は、面方位（１１１）面からなる第１の面と、前記第１の面と向かい合い面方位（１１１）面からなる第２の面と、を有するように形成され、
前記第２の面と前記傾斜面との間で形成される外角が鈍角からなることを特徴とする請求項６に記載の振動片の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンなどからなる振動片、振動子、電子デバイス、および振動片の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の振動片としては、例えば特許文献１に記載のように水晶からなる振動片が知られている。
この振動片は、基部と、この基部から突出して一体的に形成される３つの振動腕部とから構成される。振動腕部のそれぞれは、上電極、中間電極、および下電極などを備えている。また、この振動片は、２つの水晶片を重ね合わせて形成されている。
このように、従来の水晶からなる振動片は、その構造が複雑である上に、その製造の際に２つの水晶片を重ね合わせる必要がある。
このため、従来技術では、水晶片を重ね合わせる際の位置ずれによって、振動腕部の寸法が変動するという不具合が考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２００７０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、本発明の幾つかの態様の目的は、加工精度が良く高品質の振動片の提供、およびその振動片の製造方法などを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決し本発明の目的を達成するために、本発明は、以下のように構成される。
本発明に係る振動片の態様の１つは、シリコンで形成される基部と、前記シリコンで形成され、前記基部の第１の面に一体に形成される振動部と、前記振動部に形成される電極と、を備え、前記振動部は、面方位（１１１）面からなる第２の面と、前記第２の面と向かい合い面方位（１１１）面からなる第３の面と、を有する。
【０００６】
このような構成によれば、加工精度が良い振動部を得ることができるので、高品質の振動片を得ることができる。
前記振動部の前記第３の面と前記第１の面との間で形成される外角が鈍角からなる。
このような構成によれば、振動部の第３の面と基部の第１の面とにわたって配線を施す場合に、鈍角部において配線の付きまわりが良くなって断線が起こりにくくなる。
【０００７】
また、前記基部は、前記第１の面と向かい合う第４の面と、前記第２の面に対し平行であり且つ前記第１の面及び前記第４の面と隣接する第５の面とを有し、前記第４の面と前記第５の面との間で形成される内角が鈍角からなる。
このような構成によれば、第５の面と第４の面とにわたって配線パターンを施す必要がある場合には、その鈍角部において配線の付きまわり良くなって断線しにくくなる。
【０００８】
本発明に係る振動子は、上記の振動片を含んでいる。
これによれば、本発明に係る振動片を活用した振動子を提供できる。
本発明に係る電子デバイスは、上記の振動子を備えている。
これによれば、本発明に係る振動片を活用した電子デバイスを提供できる。
さらに、本発明に係る振動片の製造方法の態様の１つは、シリコンで形成され、基部、振動部、および電極を含む振動片の製造方法であって、面方位が（１１１）面の単結晶シリコン基板にレーザ光を照射して、所定の深さの変質部を形成する第１の工程と、前記変質部に対して異方性エッチングを行い、前記単結晶シリコン基板に縦穴部を形成し、前記単結晶シリコン基板の板面と前記縦穴部の底面とで挟まれた薄板部を形成する第２の工程と、前記薄板部と前記薄板部に続く部分とに対してドライエッチングを行い、前記基部と、前記基部から突出される前記振動部とを一体に形成する第３の工程と、前記基部と前記振動部とにわたって電極を形成する第４の工程と、を備える。
【０００９】
これによれば、加工精度が良い振動部を得ることができるので、高品質の振動片を製造できる。
前記基部は、前記振動部の延伸方向の断面形状が平行四辺形であって、傾斜面を有するように形成され、前記振動部は、面方位（１１１）面からなる第１の面と、前記第１の面と向かい合い面方位（１１１）面からなる第２の面と、を有するように形成され、前記第２の面と前記傾斜面との間で形成される外角が鈍角からなる。
これによれば、振動部の第２の面と基部の傾斜面とにわたって配線を施す場合に、鈍角部において配線の付きまわりが良くなって断線が起こりにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の振動片の実施形態の構成を示す斜視図である。
【図２】その実施形態の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線の断面図である。
【図４】本発明の振動片の製造方法の第１実施形態の工程を示す工程図である。
【図５】その第１の製造方法の工程途中の平面図である。
【図６】本発明の振動片の製造方法の第２実施形態の工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
（振動片の実施形態）
図１は、本発明の振動片の実施形態の構成を示す斜視図である。図２はその平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ線の断面図である。
この実施形態に係る振動片は、基部１と、この基部１の一部から突出した状態で接続される振動部２とを備え、これらは単結晶シリコンにより形成されている。すなわち、基部１と振動部２とは、単結晶シリコンにより一体に形成されている。そして、基部１と振動部２のそれぞれには、後述のように電極や配線などが形成または配置されている。
【００１２】
基部１は、単結晶シリコンからなる６面体で構成され、図１〜図３に示すように、上面１１、下面１２、左側面１３、右側面１４、正面１５、および背面１６を有する。また、基部１は、この例では図３に示すように断面形状が平行四辺形からなり、左側面１３と右側面１４がそれぞれ傾斜面になっている。このため、左側面１３と下面１２との間で形成される角度θ１、および上面１１と右側面１４との間で形成される角度θ２は、それぞれ９０度以上の鈍角となる。この例では、その角度θ１、θ２はそれぞれ１０９．４７度である。
【００１３】
このように構成される基部１は、６面のうち、上面１１、下面１２、左側面１３、および右側面１４のそれぞれには、単結晶シリコンの面方位（１１１）面が表われている。
振動部２は、１つまたは複数の振動腕部片を備え、この例では同一形状からなる３つの振動腕部片２１、２２、２３を備えている。振動腕部片２１、２２、２３のそれぞれは、所定の幅、所定の長さ、および所定の厚さからなり、全体が板状のものである。そして、振動腕部片２１、２２、２３は、同一平面内に所定間隔をおいて配置され、この状態で基部１と一体に形成されている。
【００１４】
振動腕部片２１は、上面２１ａとこの上面２１ａと平行に対向する下面２１ｂとを有し、その上面２１ａと下面２１ｂのそれぞれは面方位（１１１）面からなる。同様に、振動腕部片２２は、上面２２ａとこの上面２２ａと平行に対向する下面２２ｂとを有し、その上面２２ａと下面２２ｂのそれぞれは面方位（１１１）面からなる。また、振動腕部片２３は、上面２３ａとこの上面２３ａと平行に対向する下面２３ｂとを有し、その上面２３ａと下面２３ｂのそれぞれは面方位（１１１）面からなる。
【００１５】
次に、振動部２の振動腕部片２１、２２、２３と基部１との関係について、具体的に説明する。
振動腕部片２１は、その端部（一端）が基部１の左側面１３の上端側に一体に形成されている。具体的には、振動腕部片２１は、基部１の左側面１３から水平に突き出すように、その左側面１３に一体に形成されている。そして、振動腕部片２１の下面２１ｂと基部１の左側面１３との間で形成される角度θ３は、９０度以上の鈍角からなる。この例では、その角度θ３は１０９．４７度である。
同様に、振動腕部片２２は、基部１の左側面１３の上端側に一体に形成され、振動腕部片２２の下面２２ｂと基部１の左側面１３との間で形成される角度は鈍角からなる。また、振動腕部片２３は、基部１の左側面１３の上端側に一体に形成され、振動腕部片２３の下面２３ｂと基部１の左側面１３との間で形成される角度は鈍角からなる。この例では、その角度は１０９．４７度である。
【００１６】
次に、基部１と振動部２の振動腕部片２１、２２、２３とにわたって配置または形成される電極などの構成について、具体的に説明する。
振動腕部片２１の上面２１ａと基部１の上面１１には、下電極３１が形成されている。また、下電極３１の上面には、圧電膜４１が形成されている。さらに、圧電膜４１上には、圧電膜４１を被覆するように上電極５１が形成されている。
同様に、振動腕部片２２の上面２２ａと基部１の上面１１には、下電極３２が形成されている。また、下電極３２の上面には、圧電膜４２が形成されている。さらに、圧電膜４２上には、圧電膜４２を被覆するように上電極５２が形成されている。
振動腕部片２３の上面２３ａと基部１の上面１１には、下電極３３が形成されている。また、下電極３３の上面には、圧電膜４３が形成されている。さらに、圧電膜４３上には、圧電膜４３を被覆するように上電極５３が形成されている。
【００１７】
そして、下電極３１、下電極３３、および上電極５２は、基部１の上面１１などに形成される配線パターン（図示せず）により電気的に共通接続されている。そして、その共通接続部は、配線パターン６３などを介して、基部１の下面１２に形成される電極６１に電気的に接続されている。配線パターン６３は、振動腕部片２１の下面２１ｂ、基部１の左側面１３、および基部１の下面１２にわたって形成されている（図３参照）。
下電極３２、上電極５１、および上電極５３は、基部１の上面１１などに形成される配線パターン（図示せず）により電気的に共通接続されている。そして、その共通接続部は、配線パターン６４などを介して、基部１の下面１２に形成される電極６２に電気的に接続されている。配線パターン６４は、振動腕部片２３の下面２３ｂ、基部１の左側面１３、および基部１の下面１２にわたって形成されている。
【００１８】
以上のように、振動片の実施形態では、基部１と振動部２とを備え、振動部２を構成する３つの振動腕部片２１、２２、２３のそれぞれは、上面と下面との両者を面方位（１１１）面で形成するようにした。このため、この実施形態では、振動腕部片２１、２２、２３の上下面が鏡面となって平坦化できるので、加工の精度が高い振動腕部片２１、２２、２３を得ることができ、もって高品質の振動片を得ることができる。
【００１９】
また、振動片の実施形態では、振動部２が基部１に一体に接続（形成）され、両者が接続されたときには、振動部２の振動腕部片２１、２２、２３の下面と基部１の左側面１３との間で形成される角度θ３が鈍角からなるようにした。このため、振動腕部片２１、２３の下面と基部１の左側面１３にわたって形成される配線パターン６３、６４は、その鈍角部において、配線の付きまわり良くなって断線しにくくなる。
【００２０】
さらに、振動片の実施形態では、基部１が上面１１、下面１２、左側面１３、および右側面１４を有し、左側面１３と下面１２との間で形成される角度θ１、および上面１１と右側面１４との間で形成される角度θ２は、それぞれ９０度以上の鈍角となっている。
このため、左側面１３と下面１２にわたって形成される配線パターン６３、６４は、その鈍角部において配線の付きまわり良くなって断線しにくくなる。また、上面１１と  右側面１４にわたって配線パターンを施す必要がある場合には、その鈍角部において配線の付きまわり良くなって断線しにくくなる。
【００２１】
（振動片の製造方法の第１実施形態）
次に、振動片の製造方法の第１実施形態について、図４および図５を参照して説明する。そして、この製造方法の第１実施形態で製造される振動片は、図１〜図３に示すものとする。
まず、図４（Ａ）に示すように、所定の厚さ（例えば１００μｍ）からなり面方位が（１１１）面の単結晶シリコン基板（以下、シリコン基板）７０を用意し、そのシリコン基板７０の表面全体に、エッチング保護膜８０を形成する。また、シリコン基板７０の裏面であって、振動片の振動部を形成すべき位置に縦穴部７１を形成するために、その縦穴部７１の形状に対応する孔９１を有するエッチング保護膜９０を形成する。
ここで、エッチング保護膜８０、９０は、シリコン基板７０のエッチングのときに溶出せず、レーザ光の透過性を有するものであれば良い。エッチング保護膜８０、９０としては、酸化シリコン（ＳｉＯ２  ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などを使用する。
【００２２】
次に、シリコン基板７０の縦穴部７１が形成される位置に、シリコン基板７０の厚さ方向に沿ってレーザ光を照射する（図４（Ａ）参照）。レーザ光の照射は、レーザ光をレンズを用いて集光し、集光点が厚さ方向に沿って走査（移動）することにより行う。その後、レーザ光による照射（走査）が終了すると、シリコン基板７０の縦穴部７１が形成される部分（領域）に、シリコン基板７０の板面から所定深さの変質部（改質部）７２が形成される（図４（Ａ）参照）。
【００２３】
ここで、シリコン基板７０に形成される変質部７２は、例えばシリコン基板７０の密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲とは異なって変質が生じた部分をいい、エッチングで容易に除去できる部分をいう。
このような変質部７２をシリコン基板７０内に形成し得る限り、レーザ光としては種々のものを採用し得る。上記のレーザ光の例としては、シリコンに対して透過性のある近赤外光レーザ光を使用する。例えば、波長が１０６４〔ｎｍ〕であるＹＡＧレーザ光とＶＹＯ４レーザ光、および波長が１０４７若しくは１０５３〔ｎｍ〕であるＹＬＦレーザ光などを使用する。
【００２４】
次に、シリコン基板７０に対して、所定のエッチング液を使用して所定のエッチング条件（時間、温度、濃度）で異方性エッチングを行い、変質部７２に係る部位を除去し、シリコン基板７０に縦穴部７１形成する（図４（Ｂ）参照）。これにより、シリコン基板７０には、縦穴部７１の底面とシリコン基板７０の表面とで構成される薄板部７３が形成される。
ここで、シリコン基板７０は、縦穴部７１をエッチングで形成する際に、最適なエッチング特性を有する、面方位（１１１）の単結晶シリコン基板を使用するようにした。このため、縦穴部７１が形成される変質部７２をエッチングする際には、そのエッチングは変質部７２の長さ方向に進み、変質していない部分が出現すると、そこでエッチングが停止して（１１１）面が表われる。その一方、変質部７２の長さ方向と直交する方向では変質していない部分が出現すると、そこでエッチングが停止して（１１１）面が表われる。
【００２５】
したがって、シリコン基板７０には、面方位（１１１）のシリコン基板のエッチング特性を活かして、高精度、高品質の形状の縦穴部７１を作成できる。このため、薄板部７３は、対向する両面が（１１１）面で形成されるので、平坦性が良く精度の良いものが得られる。
なお、上記のエッチング液としては、例えば水酸化カリウム溶液（ＫＯＨ溶液）を使用するが、シリコン基板７０がエッチング可能であれば良い。
【００２６】
次に、振動片の外形を切り出すために、シリコン基板７０に形成される薄板部７３と、この薄板部７３に続く部位（部分）とに対してドライエッチングを行う（図４（Ｃ）参照）。このドライエッチングが終了すると、基部１と振動部２とが一体に形成される振動片を得ることができる。
さらに、図４（Ｃ）の状態からエッチング保護膜８０、９０をそれぞれ除去し、このときの基部１と振動部２の平面図は、例えば図５に示すようになる。図５によれば、基部１の一部が接続部７４を介してシリコン基板７０に接続された状態となり、また、振動部２は３つの振動腕部片２１、２２、２３を有した状態となる。
その後、基部１の上面と振動部２の振動腕部片２１、２２、２３の上面にわたって、それらの上面に下電極３１〜３３をそれぞれ形成する（図４（Ｄ）参照）。なお、図４（Ｄ）では、振動腕部片２３と下電極３３だけが描かれている。
【００２７】
次に、下電極３１〜３３上の所定位置に、所定の厚さの圧電膜４１〜４３をそれぞれ形成する（図４（Ｅ）参照）。なお、図４（Ｅ）では、振動腕部片２３、下電極３３、および圧電膜４３だけが描かれている。
さらに、圧電膜４１〜４３上に、上電極５１〜５３をそれぞれ形成する（図４（Ｆ）参照）。なお、図４（Ｆ）では、振動腕部片２３、下電極３３、および圧電膜４３、および上電極５３だけが描かれている。
【００２８】
次いで、下電極３１、下電極３３、および上電極５２を基部１の下面１２に形成する電極６１に電気的に接続し、かつ、下電極３２、上電極５１、および上電極５３を基部１の下面１２に形成する電極６１に電気的に接続する必要がある。
このため、基部１の上面１１に配線パターン（図示せず）を形成し、振動腕部片２１、２３の下面、基部１の左側面１３、および基部１の下面１２に配線パターン６３、６４を形成し、かつ、基部１の下面１２に電極６１、６２を形成する（図４（Ｆ）参照）。ここで、配線パターンの上に、さらに絶縁膜が必要な場合には絶縁膜を形成する。
【００２９】
その後、基部１とシリコン基板７０とが接続される接続部７４を切断することにより（図５参照）、図１に示すような基部１と振動部２が一体に形成された振動片を得ることができる（図４（Ｅ）参照）。
以上のように、製造方法の第１実施形態によれば、振動部２の上下面は鏡面で形成されて平坦化を実現できるので、高精度の振動部２を得ることができ、もって高品質の振動片を得ることができる。
【００３０】
また、製造方法の第１実施形態によれば、振動部２の振動腕部片２１の下面と基部１の左側面１３との間で形成される角度が鈍角からなる振動片を得ることができる（図３参照）。このため、このため、振動腕部片２１、２３の下面と基部１の左側面１３にわたって形成される配線パターン６３、６４は、その鈍角部において、配線の付きまわり良くなって断線しにくくなる。
【００３１】
さらに、製造方法の第１実施形態によれば、基部１が上面１１、下面１２、左側面１３、および右側面１４を有し、左側面１３と下面１２との間で形成される角度θ１、および上面１１と右側面１４との間で形成される角度θ２が、それぞれ９０度以上の鈍角のものを得ることができる。
このため、左側面１３と下面１２にわたって形成される配線パターン６３、６４は、その鈍角部において配線の付きまわり良くなって断線しにくくなる。また、上面１１と  右側面１４にわたって配線パターンを施す必要がある場合には、その鈍角部において配線の付きまわり良くなって断線しにくくなる。
【００３２】
（振動片の製造方法の第２実施形態）
次に、振動片の製造方法の第２実施形態について、図６を参照して説明する。この製造方法の第２実施形態で製造される振動片は、第１実施形態と同様に図１〜図３に示すものである。
上記の第１実施形態は、所望の厚さのシリコン基板７０が予め用意されている場合であるが、第２実施形態は、そのようなものが予め用意できない場合の製造工程である。
すなわち、第２実施形態は、例えば所望の厚さのシリコン基板７０が容易に得られないので、第１実施形態の製造工程に先立ち、シリコン基板７０を所望の厚さに薄型化する工程を追加するようにしたものである。
【００３３】
このため、第２実施形態は、その薄型化の工程以外は第１実施形態の工程が基本的に適用できるので、以下に薄型化の工程について説明する。
いま、シリコン基板７０として、その厚さが７００μｍのものが用意され、これを１００μｍの厚さまで薄型化する場合について説明する。
まず、図６（Ａ）に示すように、その用意したシリコン基板７０の表面であって、薄型化のための縦穴部７５を形成するために、縦穴部７５を除く部分にエッチング保護膜８０を形成する。また、シリコン基板７０の裏面であって、振動片の振動部を形成すべき位置に縦穴部７１を形成するために、その縦穴部７１の形状に対応する孔９１を有するエッチング保護膜９０を形成する。
【００３４】
次に、シリコン基板７０の縦穴部７５の形成領域の各所定位置において、シリコン基板７０の厚さ方向に沿って所定の深さまでレーザ光を照射する（図６（Ａ）参照）。さらに、シリコン基板７０の縦穴部７１が形成される位置に、シリコン基板７０の厚さ方向に沿ってレーザ光を照射する（図６（Ａ）参照）。レーザ光の照射は、レーザ光をレンズを用いて集光し、集光点が厚さ方向に沿って走査することにより行う。
その後、レーザ光による照射が終了すると、図６（Ａ）に示すように、シリコン基板７０の縦穴部７５の形成領域内に所定の深さの変質部７６が多数形成されるとともに、シリコン基板７０の縦穴部７１が形成される部分に所定の深さの変質部７２が形成される。
【００３５】
次に、シリコン基板７０に対して、所定のエッチング液を使用して所定のエッチング条件で異方性エッチングを行い、変質部７２、７６に係る部位をそれぞれ除去すると、シリコン基板７０に縦穴部７１、７５がそれぞれ形成される（図６（Ｂ）参照）。この結果、シリコン基板７０の板厚は１００μｍになるとともに、縦穴部７５の底面と縦穴部７１の底面とで挟まれた所定の厚さの薄板部７３が形成される。
その後は、第１実施形態で説明した図４（Ｃ）以下の各工程を実施することにより、図１に示すような基部１と振動部２が一体に形成された振動片を得ることができる。
以上のように、製造方法の第２実施形態によれば、シリコン基板を所望の厚さまで薄型化できる上に、第１実施形態と同様の作用効果を実現できる。
【００３６】
（その他の実施形態など）
（１）第１の変形例
上記の振動片の実施形態では、図１〜図３に示すように、基部１の下面１２に電極６１、６２を設けるようにした。そして、電極６１と、下電極３１、下電極３３、および上電極５２とを配線パターン６３などを介して電気的に接続するようにした。さらに、電極６２と、下電極３２、上電極５１、および上電極５３とを配線パターン６４などを介して電気的に接続するようにした。
【００３７】
これに代えて、第１の変形例として、基部１の右側面１４に電極６１、６２を設けるようにしても良い。この場合には、電極６１と、下電極３１、下電極３３、および上電極５２とを電気的に接続し、かつ、電極６２と、下電極３２、上電極５１、および上電極５３とを電気的に接続するために、基部１の上面１１と右側面１４にわたって第１および第２の配線パターンをそれぞれ形成する。
【００３８】
ここで、基部１のおよび上面１１と右側面１４との間で形成される角度θ２は、それぞれ９０度以上の鈍角となっている。このため、上面１１と右側面１４にわたって形成される第１および第２の配線パターンのそれぞれは、その鈍角部において配線の付きまわり良くなって断線しにくくなる。
また、上面１１と右側面１４とにわたって配線パターンを施す必要がある場合には、その鈍角部において配線の付きまわり良くなって断線しにくくなる。
【００３９】
（２）第２の変形例
第２の変形例として、基部１の上面１２に電極６１、６２を設け、その上面１２に配線パターンを形成し、その配線パターンを使用することにより、上述と同様に電極同士を電気的に接続するようにしても良い。
（３）第１および第２の変形例は、上記の振動片の製造方法の第１実施形態または第２実施形態により製造することができる。
【００４０】
（４）振動子の実施形態
上記の実施形態の振動片（例えば図１参照）は、パッケージ内に封入することにより、本発明に係る振動子として使用できる。
この振動子は、例えば、図１に示す振動片と、この振動片の基部１側が固定され、その振動片が収容される空間を有するパッケージ本体（図示せす）と、このパッケージ本体の開口部を塞ぐ蓋（図示せず）とを備えている。そして、パッケージ本体の開口部は、蓋により塞がれている。
また、パッケージ本体の一部には、製造工程において、ガスを排気するための貫通孔が設けられている。そして、その貫通孔は、充填材を充填することによって塞がれている。
このような振動子によれば、上記の実施形態の振動片を有効に活用した振動子が得られる。
【００４１】
（５）電子デバイスの実施形態
上記の振動子は、集積回路などと組み合わせることにより、発振回路などの電子デバイスとして使用できる。
この電子デバイスは、例えば、上記の振動子と集積回路（図示せず）とを、配線パターンを形成させたモジュール基板に実装することにより形成する。
このような電子デバイスによれば、上記の実施形態の振動片を有効に活用した電子デバイスが得られる。
【符号の説明】
【００４２】
１・・・基部、２・・・振動部、１１・・・上面、１２・・・下面、１３・・・左側面、１４・・・右側面、２１、２２、２３・・・振動腕部片、２１ａ、２２ａ、２３ａ・・・上面、２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ・・・下面、３１、３２、３３・・・下電極、５１、５２、５３・・・上電極、７０・・・単結晶シリコン基板、７１、７５・・・縦穴部、７２、７６・・・変質部、７３・・・薄板部、８０、９０・・・エッチング保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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