(57)【要約】 【課題】絶縁物と導体ピンとの接合状態の信頼性と、生体の安全性との双方を、同時に確保する。 【解決手段】   セラミック体と金属体との接合体であって、前記セラミック体と前記金属体とが、Ｐｔ、Ｐｄからなる第１の群から選ばれる少なくとも１種を主成分として含む第１接合層と、Ａｕを主成分として含むとともに、前記第１の群から選ばれる少なくとも一種を副成分として含む第２接合層と、を介して接合されており、前記第１接合層には、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈからなる第２の群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする偏析相が含まれていることを特徴とする、セラミックスと金属体との接合体を提供する。 【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック体と金属体との接合体であって、 
前記セラミック体と前記金属体とが、 
Ｐｔ、Ｐｄからなる第１の群から選ばれる少なくとも１種を主成分として含む第１接合層と、 
Ａｕを主成分として含むとともに、前記第１の群から選ばれる少なくとも一種を副成分として含む第２接合層と、 
を介して接合されており、 
前記第１接合層には、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈからなる第２の群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする偏析相が含まれていることを特徴とする、セラミックスと金属体との接合体。 
【請求項２】
前記セラミック体と前記第１接合層との間に、 
前記セラミックス体を構成する元素を主成分とし、ＳｉＯ２を副成分として含む第３の接合層を有することを特徴とする、請求項１記載のセラミックスと金属体との接合体。 
【請求項３】
前記金属体が、前記第１の群から選ばれる少なくとも１種を主成分として含むことを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載のセラミックスと金属体との接合体。 
【請求項４】
前記セラミック体は、アルミナを主成分とすることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のセラミックスと金属との接合体。 
【請求項５】
前記偏析相は、前記第２の群から選ばれる少なくとも１種の含有量が５０質量％以上６０質量％以下であることを特徴とする請求項１〜４記載のセラミックスと金属体との接合体。 
【請求項６】
前記セラミック体は、一方主面から他方主面に延びる貫通孔を備え、 
前記金属体は前記貫通孔に挿通されており、 
前記金属体が、前記貫通孔の内面に被着された前記第１接合層および前記第２接合層を介して前記セラミック体に接合されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のセラミックスと金属との接合体。 
【請求項７】
請求項６に記載のセラミックスと金属体との接合体を備えて構成された、 
前記金属体を電極端子として用いるフィードスルー。 
【請求項８】
請求項７記載のフィードスルーと、前記フィードスルーの前記金属体を介して電気エネルギーを送る送電部と、前記送信部からの電気エネルギ―を受け取る受電部と、を備えたことを特徴とする生体配置用装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックスと金属との接合体、フィードスルー、生体配置用装置に関する。 
【背景技術】
【０００２】
現在、人体の心臓の動きの異常を矯正する埋め込み型ペースメーカーや、埋め込み型心臓細動除去器などが、実際に人体に適用されている。例えば埋め込み型ペースメーカーでは、バッテリや回路基板等が内蔵されたケーシングにフィードスルー端子が設けられ、このフィードスルー端子の電極と、心臓の適切な場所に外科的に接続されたリード線とが接続される。かかるフィードスルーに要求される性能として、体液がケーシング内に侵入して回路基板やバッテリに付着し、ペースメーカーの動作の不具合を生じさせないこと、生体との適合性の高い安全な材質で構成されていること、等が挙げられる。特許文献１には、ペースメーカーで使用されるフィードスルーの一例が開示されている。特許文献１記載のフィードスルー２００では、図６に示すように、アルミナからなる絶縁物２０２に設けられた複数の貫通孔２００ａに、例えば白金からなる導体ピン２０４が挿通されている。フィードスルー２００の絶縁物２０２の上面には、面取部２０６が設けられている。この面取部２０６には、例えば金を含むろう材層２０８がスパッタリングによって形成されており、このろう材層２０８によって絶縁物２０２とピン２０４とが接合されている。 
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５―４０５８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１記載のフィードスルーでは、絶縁物２０２と導体ピン２０４とが、スパッタリングによって形成されたろう材層２０８によってのみ接合されており、導体ピン２０４に外力が加わることで、絶縁物２０２と導体ピン２０４との接合状態が悪化し易い。この場合、絶縁物２０２の貫通孔２０２ａを介してケーシング内に体液が侵入することもある。また、特許文献１では、このろう材層２０８による接合の強度を高めるため、ろう材を形成するに先がけて、チタンーモリブテンメタライズ層を形成することも提案されている。埋め込み型ペースメーカーに装着されるフィードスルーは、長期間にわたって体内に配置されるものであり、より高いレベルの安全性が求められている。本願発明は、かかる課題に鑑みてなされたものである。 
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、セラミック体と金属体との接合体であって、 前記セラミック体と前記金属体とが、 Ｐｔ、Ｐｄからなる第１の群から選ばれる少なくとも１種を主成分として含む第１接合層と、 Ａｕを主成分として含むとともに、前記第１の群から選ばれる少なくとも一種を副成分として含む第２接合層と、 を介して接合されており、 前記第１接合層には、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈからなる第２の群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする偏析相が含まれていることを特徴とする、セラミックスと金属体との接合体を提供する。 
【０００６】
また、上述のセラミックスと金属体との接合体を備えて構成された、 前記金属体を電極端子として用いるフィードスルー、および、フィードスルーと、前記フィードスルーの前記金属体を介して電気エネルギーを送る送電部と、前記送信部からの電気エネルギ―を受け取る受電部と、を備えたことを特徴とする生体配置用装置を提供する。 
【発明の効果】
【０００７】
本発明のセラミックスと金属との接合体は、人体との適合性が比較的高い材質からなる接合層によって、セラミックスと金属とが比較的強固に接合されている。本発明のフィードスルーは、例えばハートペーサーなどの生体配置用装置に用いた場合、絶縁物と導体ピンとの接合状態の信頼性と、生体の安全性との双方を、高いレベルで確保することができる。また、本発明の生体配置用装置は、動作の信頼性が比較的高く、かつ生体の安全性も比較的高い。 
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（ａ）は、本発明のフィードスルーの一実施形態であるフィードスルー１０の概略断面図、図１（ｂ）はフィードスルー１０の概略上面図である。
【図２】図１に示す破線で囲んだ領域を示す概略断面図である。
【図３】本願発明の生体配置用装置の一実施形態であって、図１に示すフィードスルー１０を備えて構成されたハートペーサー３０の概略断面図である。
【図４】（ａ）は、上記工程を経て作製されたフィードスルーの断面を、走査型電子顕微鏡で観察して得られた写真（断面ＳＥＭ写真）である。また（ｂ）〜（ｄ）は、（ａ）に示す断面ＳＥＭ写真を取得する際に測定した、当該断面における各元素の分布状態を示す図である。
【図５】図４（ａ）における点ＡについてＸＲＤ分析を行った結果を示すグラフである。
【図６】従来のフィードスルーを示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。図１（ａ）は、本発明のフィードスルーの一実施形態であるフィードスルー１０の概略断面図、図１（ｂ）はフィードスルー１０の概略上面図である。また、図２は、図１に示す破線で囲んだ領域を示す概略断面図である。 
【００１０】
本実施形態のフィードスルー１０は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とするセラミック体１２と、Ｐｔを主成分とする導体ピン１４と、Ｔｉ等の生体適合性を有する金属からなるハウジング１８とを有して構成されている。フィードスルー１０は、例えば後述するハートペーサー３０に装着されて用いられる。なお、以下に示す各元素の含有割合は、ＥＤＡＸ社製ＰＨＯＥＮＩＸを用い、加速電圧１５ｋＶで各原子に対応するスペクトルを求め、各原子に対応するスペクトル強度から算出することができる。 
【００１１】
セラミック体１２には、上面から下面に向かって貫通する貫通孔１２ａが、複数設けられている。セラミック体１２のアルミナの含有割合は５０質量％以上であり、例えば９０質量％以上であることが好ましい。 
【００１２】
導体ピン１４は、Ｐｔを９０質量％、Ｉｒを１０質量％含んだ合金で構成されている。導体ピン１４は、Ｐｔ以外にもＰｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ等、良好な生体適合性をもつ物質を含んでいてもよい。また、導体ピンは、これら、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ等を主成分としてもよい。 
【００１３】
導体ピン１４とセラミック体１２とは、接合部２０を介して接合している。接合部２０は、Ｐｔを主成分として含む第１接合層２１と、Ａｕを主成分として含むとともにＰｔを副成分として含む第２接合層２２と、セラミック体１２と第１接合層２１との間に形成された、Ａｌ２Ｏ３を主成分として含むとともに、ＳｉＯ２を副成分として含む第３接合層２３と、を有して構成されている。 
【００１４】
接合部２０は、大まかには次のような工程を経て形成されている。まず、セラミック体１２の貫通孔１２ａの内周面に、Ｐｔ粉末とＩｒ粉末に、焼結助剤としてＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯなどを主成分とするガラス成分を含有させたペーストを配置し、その後に焼成してメタライズ層を形成する。その後、メタライズ層が内面に被着された貫通孔１２ａに導体ピンを挿通した状態で、メタライズ層と導体ピン１４との間隙に溶融したＡｕロウを充填させて固化させて、セラミック体１２と導体ピン１４とを接合する接合部２０が形成されている。接合部２０の形成工程の詳細、およびセラミック体１２と導体ピン１４とを接合する工程については、後に詳述する。 
【００１５】
第１接合層２１は、Ｐｔを５０質量％以上、例えば約７０質量％以上含有する。図２に示すように、第１接合層２１には、Ｉｒを主成分とする偏析相２４が含まれている。Ｉｒを主成分とする偏析相２４とは、第１接合層２１に分散して存在する、Ｉｒの含有割合が周辺領域２５に比べて高い領域をいう。 
【００１６】
Ｉｒを主成分とする偏析相とは、好ましくは、Ｉｒの含有割合が６０質量％以上である領域をいう。第１接合層２１におけるＰｔの周辺領域２５においては、Ｉｒの含有割合は４０質量％未満である。本実施形態において、この偏析相２４では、Ｐｔの含有割合も、周辺領域２５に比べて高くなっている。例えば、上記測定方法と同様な測定方法による測定値で、偏析相２４におけるＩｒの含有割合は約６０質量％以上、周辺領域２５におけるＰｔの含有割合は約６０質量％となっている。 
【００１７】
第２接合層２２は、Ａｕを主成分として含むとともにＰｔを副成分として含んでいる。第２接合層２２において、Ａｕの含有割合は約８０質量％であり、Ｐｔの含有割合は約２０質量％となっている。 
【００１８】
第３接合層２３は、Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、ＳｉＯ２を副成分として含む。第３接合層におけるＡｌ２Ｏ３の含有割合は約６０質量％であり、ＳｉＯ２の含有割合は約２０質量％となっている。 
【００１９】
本実施形態では、接合部２０の第１接合層２１に、Ｉｒを主成分とする偏析相２４が含まれている。Ｉｒを含有したＰｔは機械強度が比較的高く、また、Ａｕやセラミックスに対する濡れ性も比較的高い。本実施形態では、第１接合層２１内の周辺領域２５においてもＩｒは含まれており、第１接合層２１全体の機械強度は比較的高く、セラミック体１２や導体ピン１４との接合強度も比較的高い。 
【００２０】
また、ＰｔにＩｒが含まれた合金は、ほぼ１００質量％の純粋なＰｔに比べて融点が低くなっている。仮に、生体適合性が良好であるＡｕのみを材質とするＡｕロウを、生体適合性が良好であるＰｔのみを用いたメタライズ層上に配置して、Ａｕロウおよびメタライズ層を加熱・溶融させる場合、Ａｕの融点である約１０６０℃に対して、Ｐｔの融点が約１８００℃と大幅に大きいため、Ｐｔが溶融するに先がけてＡｕの溶融が進み、接合部が良好に形成できない場合もある。 
【００２１】
本実施形態の第１接合層２１は、後述するように、ＰｔにＩｒを含有させたペーストを用いて形成されている。ＰｔにＩｒを混合したペーストは、ＰｔとＩｒとが合金を構成しつつ溶融が進み、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕを含む相の融点が低くなる。本実施形態では、Ａｕの融点に近い約１０８０℃に加熱することで、接合部２０を形成することができる。本実施形態の接合部２０は、このように、Ａｕの融点に近い温度で形成することができるので、第１接合層２１や第２接合層２２は、Ａｕの溶融が先に進むことに起因して生じる膜厚の偏在も小さく、強度も比較的高い。 
【００２２】
なお、本実施形態では、第１接合層２１にＩｒが偏析した偏析相２４が含まれており、第２接合層２２では、Ａｕを主成分として含むとともにＰｔが副成分として含まれている。接合部２０では、第１接合層２１および第２接合層２２の全体に、ＰｔおよびＡｕが拡散して合金化しており、機械的強度および接合強度の双方が、比較的十分な強度を有しており、また、化学的な安定性も比較的高い。 
【００２３】
また、セラミック体１２と第１接合層２１との間隙に、Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、ＳｉＯ２を副成分として含む第３接合層２３が形成されている。かかる第３接合層２３は、ＰｔにＩｒを含有させたペースト中のガラス成分（ＳｉＯ２）が、セラミック体１２の表面に拡散して形成されている。ガラス成分が分散された第３接合層２３は、第１接合層２１との接合強度が比較的強い。接合部２０によってセラミック体１２と導体１５とが、比較的強固に接合されている。 
【００２４】
なお、接合部２０は、貫通孔１２ａの内周面全体に設けられている必要はなく、貫通孔１２ａの内面の一部に設けられていればよい。セラミック体１２と導体ピン１４との接合強度を比較的高くするには、貫通孔１２ａの内周面の５０％以上の領域に、接合部２０が形成されていることが好ましい。 
【００２５】
ハウジング１８は、フィードスルー１０と、例えば後述するハートペーサーのケーシングと、を接合するための部位である。ハウジング１８も、例えばＴｉ等の生体適合性が比較的高い金属で構成されている。フィードスルー１０は、Ｐｔを主成分とする導体ピン１４、接合部２０のいずれもが生体適合性が高い成分で構成されており、例えばハートペーサーなどの生体配置用装置に用いられたとしても、係る装置は配置された人体に与える影響は比較的少ない。 
【００２６】
なお、生体適合性が比較的高い金属とは、体の細胞組織および血液に触れても、体の免疫反応、特に血栓形成および繊維化細胞組織による電極のカプセル化が少ない金属であり、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Nb、B等が挙げられる。また、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ等、融点が比較的高く、かつ化学的にも安定した貴金属類等が挙げられる。 
【００２７】
図３は、本願発明の生体配置用装置の一実施形態であって、図１に示すフィードスルー１０を備えて構成されたハートペーサー３０の概略断面図である。 
【００２８】
ハートペーサー３０は、内部にバッテリ４２、回路基板４４、ＥＭＩフィルタ４６、等を内蔵し、上側壁面にフィードスルー１０が固定された下部ケース４０と、フィードスルー１０の導体ピン１４と接続したリード線５２が内部を通過するとともに、フィードスルー１０の他の導体ピン１４と接続したアンテナ５４とが内部に配された上部ケース５０とが組み合わされた構成となっている。 
【００２９】
下部ケース４０は例えばＴｉからなり、上側の壁面にフィードスルー１０が固定されている。フィードスルー１０のハウジング１８と下部ケース４０とが接合されて、下部ケース４０にフィードスルー１０が固定されている。下部ケース４０内には例えばＬｉイオンバッテリからなるバッテリ４２と、このバッテリ４２と接続されて所定の電気信号を発生する回路基板４４と、例えばテレビの送信機、携帯電話、電波塔などからの電磁波等に起因するＥＭＩを除去するためのＥＭＩフィルタ４６等が内蔵されている。これらバッテリ４２、回路基板４４、およびＥＭＩフィルタ４６は、下部ケース４０およびフィードスルー１０によって、血液等の体液と分離されている。 
【００３０】
フィードスルー１０では、セラミック体１２の貫通孔１２ａに導体ピン１４が挿通されており、導体ピン１４を介して下部ケース４０内部の回路基板４４と、上部ケース５０を通過するリード線５２とが物理的および電気的に接続されている。リード線５２は、人体の心臓の所定位置に電気的に接続されており、回路基板４４から発せられて導体ピン１４を介して供給された電気信号を、人体の心臓の所定位置まで導く。上部ケース５０には、アンテナ５４も配置されており、このアンテナ５４も、フィードスルー１０の導体ピン１４を介して、下部ケース４０内の回路基板４４と接続されている。 
【００３１】
アンテナ５４は、ハートペーサー３０の動作状態を表すデータ、ハートペーサー３０の動作条件を調整するためのデータ、ハートペーサー３０を装着している人体の現在の健康状態を表すデータなど、種々のデータを外部の通信装置とやり取りする。アンテナ５４も、フィードスルー１０の導体ピン１４を介して、下部ケース４０内の回路基板４４と接続されており、回路基板４４からの信号を発信するとともに、外部の通信装置から送られた信号を受信して回路基板４４に送る。アンテナ５４は、例えばセラミック基板６２の表面に導体パターン６４が配されて構成されている。アンテナ５４をかかる構成とすると、例えば金属ワイヤによってアンテナを構成した場合等と比較し、製造工程が簡略化し、低コストでハートペーサーを作製することができるとともに、金属ワイヤの曲げ加工等にともなってフィードスルーの導体ピンに外力が付加されることも防ぐことができる。 
【００３２】
上述のように、フィードスルー１０は、生体適合性の高い金属材料のみで構成されており、人体に配置した場合であっても、人体に対する安全性は比較的高い。また、フィードスルー１０では、導体ピン１４とセラミック体１２との接合強度は比較的高く、例えばハードペーサー３０を装着した人物が、長期間に渡って継続的に激しい動作を繰り返した場合などでも、導体ピン１４とセラミック体１２との接合状態を良好に維持しておくことができる。 
【００３３】
本実施形態のフィードスルー１０は、例えば以下に示す方法で作製することができる。
【００３４】
まず、例えばアルミナを主成分とするセラミック体１２を準備する。セラミック体１２には、上面から下面に向かって貫通する貫通孔１２ａが、複数設けられている。この貫通孔１２ａの内面に、メタライズ層を形成する。 
【００３５】
なお、セラミック体１２は、アルミナ粉末をプレス成型した後焼成する、公知の手法によって作製することができる。なお、セラミック体の材質についてはアルミナであることに限定されないが、生体適合性を考慮すると、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア、チッカ珪素、等が好ましい。 
【００３６】
この貫通孔１２ａの内面に、Ｐｔを主成分とするメタライズ層を形成する。Ｐｔを主成分とするメタライズ層の形成には、従来周知の厚膜ペースト法を利用することができる。例えば、Ｐｔ粉末とＩｒ粉末とを所定量計量し、焼結助剤として所定量のＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯなどとをミキサーで混合し、ペーストを作成する。ペーストにおける各成分の含有割合は、例えばＰｔが約８１質量％、Ｉｒが約９質量％、焼結助剤が約１０質量％のものを用いればよい。作成したこのペーストを、ピン状の治具などを用いて、セラミック体１２の貫通孔１２ａ内に塗布し、大気雰囲気で例えば１４００℃で焼成して、Ｐｔを主成分とするメタライズ層を形成する。約１００質量％の純粋なＰｔは、融点が約１７６９℃と高いが、ＰｔとＩｒとの合金状態で融点は低くなっており、セラミック体１２に対して比較的強固に接合したメタライズ層が構成される。 
【００３７】
次に、メタライズ層が内面に被着された貫通孔１２ａに導体ピンを挿通した状態で、メタライズ層と導体ピン１４との間隙に溶融したＡｕロウを充填させて固化させる。具体的には、メタライズ層が内面に被着された貫通孔１２ａに導体ピン１４を挿通し、貫通孔１２ａと導体ピン１４との間隙の上側開口部分を塞ぐように、Ａｕを主成分とするリング状部材を配置する。この状態で、全体を真空炉内に配置し、真空雰囲気において１０８０℃で１０分間、熱処理を行う。リング状部材を構成するＡｕの融点は、１０６０℃程度であり、この加熱処理で溶融して、メタライズ層と貫通孔１２ａとの間隙全体に広がっていく。 
【００３８】
セラミック体１２に被着された状態のメタライズ層はＰｔを主成分とし、Ｉｒが含有されている。溶融したＡｕロウが流れ込んだ状態では、このＡｕロウとメタライズ層との接触部分において、Ａｕ−Ｐｔ−Ｉｒの合金状態となり、メタライズ層とＡｕロウとの接触部分における融点は１０６０℃に比べてさらに低くなる。Ａｕロウとメタライズ層との接触部分において、メタライズ層の主成分であるＰｔと、Ａｕロウの主成分であるＡｕとは、良好に拡散し、ＡｕとＰｔの合金が広範囲に一様に分布した状態となっている。Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒの中で、Ｉｒは融点が約２４５４℃と最も高く、粉末状態から合金状態へと変わり難い。メタライズ層には偏析した状態のＩｒが残留しやすい。また、焼成の最中においても、拡散したＩｒ原子がこの偏析部分に到達して捕まることでＩｒの偏析部分は成長していく。Ｉｒは、ＰｔとＡｕとの合金の融点を下げる一方、Ｉｒ自体はメタライズ層が形成されていた部分（セラミック体１２の近傍部分）に偏析することで、ＰｔとＡｕとの相互の拡散・合金化が促進される。 
【００３９】
なお、このメタライズ層の形成からＡｕロウの溶融に際する熱処理の最中、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２を含むペースト中のガラス成分が、セラミック体１２の表面に拡散し、Ａｌ２Ｏ３を主成分としてＳｉＯ２を副成分として含む層が形成される。このような製造工程を経て、フォードスルー１０を得ることができる。 
【実施例】
【００４０】
以下、本発明の実施例を示すとともに、本発明の効果の一例について説明しておく。図４（ａ）は、上記工程を経て作製されたフィードスルーの断面を、走査型電子顕微鏡で観察して得られた写真（断面ＳＥＭ写真）である。また、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す断面ＳＥＭ写真を取得する際に測定した、当該断面におけるＩｒ元素の分布状態を示す図である。また、図４（ｃ）は、図４（ａ）に示す断面ＳＥＭ写真を取得する際に測定した、当該断面におけるＰｔ元素の分布状態を示す図である。また、図４（ｄ）は、図４（ａ）に示す断面ＳＥＭ写真を取得する際に測定した、当該断面におけるＡｕ元素の分布状態を示す図である。走査型電子顕微鏡は、例えば日立製Ｓ−８００を用い、加速電圧１５ｋＶで撮影した。また、図５は、図４（ａ）における点ＡについてＸＲＤ分析を行った結果を示すグラフである。より詳しくは、図５に示すグラフは、ＥＤＡＸ社製ＰＨＯＥＮＩＸを用い、加速電圧１５ｋＶで各原子に対応するスペクトルを求め、各原子に対応するスペクトル強度から算出したものである。図４では、図１および図２に示す各部に対応する部分を、図１および図２における符号と同じ符号を用いて示している。 
【００４１】
上記製造方法によって、Ｉｒを主成分とする偏析相を含む第１接合層（図４(ａ)参照）と、Ａｕを主成分として含むとともにＰｔを副成分として含んでいる第２接合層（図４（ｂ）参照）と、Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、ＳｉＯ２を副成分として含む第３接合層（図４（ｄ）参照）とが形成されている。図４（ｂ）に示すように、Ｉｒを主成分とする偏析部は、ＳＥＭを用いて組成分析することで確認することができる。 
また、上述の製造工程を経て作製された本実施形態のフィードスルーについて、引っ張り試験を行った。Ｐｔ導体線としては、直径約０．３ｍｍであり、Ｐｔを約９０質量％。Ｉｒを約１０質量％含むものを用いた。引っ張り試験では、セラミック体を固定した状態で、Ｐｔ導体線のみを把持し、Ｐｔ導体線をセラミック体の貫通孔から引き抜く方向に力をかけた。実験の結果、フィードスルーの破壊モードは、Ｐｔ導体線自体が破断するモードであり、セラミック体とＰｔ導体線とが剥がれることはなかった。本実施形態のフィードスルーでは、セラミック体とＰｔ導体線とが比較的強固に接合されていることが確認できた。 
【００４２】
以上、本発明のセラミックスと金属との接合体、フィードスルー、生体配置用装置について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。  
【符号の説明】
【００４３】
１０  フィードスルー 
１２  セラミック体 
１２ａ  貫通孔 
１４  導体ピン 
１８  ハウジング 
２０  接合部
２１  第１接合層
２２  第２接合層
２３  第３接合層
２４  偏析相
２５  周辺領域
３０  ハートペーサー 
４０  下部ケース 
４２  バッテリ 
４４  回路基板 
４６  ＥＭＩフィルタ 
５２  リード線 
５４  アンテナ 
１００  アルミナ基板 
１０２  メタライズ層 
１０４  金属ロウ 
【図１】
2011110298.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図４】
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