(57)【要約】【課題】複数のセルを用いた磁気計測装置を小型化する技術を提供する。【解決手段】磁気計測装置１は、内部空間に円偏光によって励起する所定の原子を含み、光を透過させる第１の面及び第２の面と、第２の面から入射した光が通過する第３の面とを有する複数のセル３１〜３３が、第１の面、第２の面、第３の面の向きが各セルにおいて同じになるように台座４に配置されて構成される。また、台座４には、各セルの第３の面を通過した光を第２の面方向に反射させる反射鏡５が設けられている。磁気計測装置１は、ポンプ光照射部１０により各セルの第１の面にポンプ光の平行光を照射し、プローブ光検出部２０によってセル内でポンプ光と交差するようにプローブ光の平行光を第２の面に照射し、反射鏡５で反射されたプローブ光を検出することでセル３１〜３３における磁気を検出する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間を有し、円偏光により励起される原子群が当該内部空間に封入され、光を透過させる第１の面及び第２の面と、前記第２の面から前記内部空間に入射した光が通過する第３の面とを有する多面体で構成された複数のセルと、
前記セルが有する前記第１の面、前記第２の面、前記第３の面の各々の向きが、前記複数のセルにおいて同じ方向となるように保持する台座と、
前記台座に保持されている各セルの前記第１の面に対してポンプ光の平行光を照射するポンプ光照射部と、
前記台座に保持されている各セルの前記第２の面に対し、当該セルに照射された前記ポンプ光と交差するように第１のプローブ光の平行光を照射する第１プローブ光照射部と、
前記各セルの第２の面から当該セルの内部空間に入射して前記第３の面を通過した前記第１のプローブ光を前記第２の面方向へ反射させ、反射光を当該セルの外部へ出射する第１反射部と、
前記各セルの前記第１反射部から出射された前記反射光を受光し、セル毎の反射光の偏光成分を検出する第１検出部と
を備えることを特徴とする磁気計測装置。
【請求項２】
前記各セルの第１の面及び前記第２の面の各々は、各面を構成する各辺から予め定められた距離だけ当該面の内側に設けられた前記ポンプ光及び前記プローブ光の各平行光を透過させる透過可能領域と、前記透過可能領域を除く領域であって、前記ポンプ光及び前記プローブ光を吸収する非透過領域とを有すること
を特徴とする請求項１に記載の磁気計測装置。
【請求項３】
前記複数のセルは、第２のプローブ光を透過させる第４の面と、当該第４の面から当該セルの内部空間に入射された前記第２のプローブ光が通過する第５の面とを有し、
前記台座は、前記複数のセルの前記第１の面、前記第２の面、前記第３の面、前記第４の面の各々の向きが同じ方向となるように前記複数のセルを保持し、
前記台座に保持されている前記各セルの第４の面に対して前記第２のプローブ光の平行光を照射する第２プローブ光照射部と、
前記第２プローブ光照射部により前記各セルの第４の面に照射されて当該セルの前記第５の面を通過した前記第２のプローブ光を当該セルの前記第４の面方向へ反射させ、反射光を当該セルの外部へ出射する第２反射部と、
前記各セルの前記第２反射部から出射された前記反射光を受光し、セル毎の反射光の偏光成分を検出する第２検出部とを備えること
を特徴とする請求項２に記載の磁気計測装置。
【請求項４】
前記各セルの前記第４の面は、前記透過可能領域と前記非透過領域とを有すること
を特徴とする請求項３に記載の磁気計測装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気計測装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
生体の心臓等から発せられる磁場を検出する磁気計測装置等において、光ポンピングを利用した磁気センサーが利用されている。このような磁気センサーにおいては、所定の原子が封入された各セルに対して円偏光成分を有するポンプ光と直線偏光成分を有するプローブ光とが直交するように照射し、各セルにおける生体から発する磁場をプローブ光によって検出する。下記特許文献１には、そのような光ポンピング原子磁力計が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２３６５９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
多数のセルを並べて配置して心臓等の生体から発する磁場を広範囲に測定する場合、磁気センサーの構成はできるだけ小さい方が望ましい。
本発明は、複数のセルを用いた磁気計測装置を小型化する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様に係る磁気計測装置は、内部空間を有し、円偏光により励起される原子群が当該内部空間に封入され、光を透過させる第１の面及び第２の面と、前記第２の面から前記内部空間に入射した光が通過する第３の面とを有する多面体で構成された複数のセルと、前記セルが有する前記第１の面、前記第２の面、前記第３の面の各々の向きが、前記複数のセルにおいて同じ方向となるように保持する台座と、前記台座に保持されている各セルの前記第１の面に対してポンプ光の平行光を照射するポンプ光照射部と、前記台座に保持されている各セルの前記第２の面に対し、当該セルに照射された前記ポンプ光と交差するように第１のプローブ光の平行光を照射する第１プローブ光照射部と、前記各セルの第２の面から当該セルの内部空間に入射して前記第３の面を通過した前記第１のプローブ光を前記第２の面方向へ反射させ、反射光を当該セルの外部へ出射する第１反射部と、
前記各セルの前記第１反射部から出射された前記反射光を受光し、セル毎の反射光の偏光成分を検出する第１検出部とを備えることを特徴とする。
この構成によれば、ポンプ光とプローブ光の各平行光が全てのセルに対して一度に照射されるようにセルが配置されるので、磁気計測装置を小型化することができる。
【０００６】
本発明に係る磁気計測装置は、別の好ましい態様において、前記各セルの第１の面及び前記第２の面の各々は、各面を構成する各辺から予め定められた距離だけ当該面の内側に設けられた前記ポンプ光及び前記プローブ光の各平行光を透過させる透過可能領域と、前記透過可能領域を除く領域であって、前記ポンプ光及び前記プローブ光を吸収する非透過領域とを有することとしてもよい。
この構成によれば、各セルに対して位照射された光が、セルの面を構成する辺等にあたった際の散乱光を軽減し、磁気の検出精度を向上させることができる。
【０００７】
本発明に係る磁気計測装置は、さらに別の好ましい態様において、前記複数のセルは、第２のプローブ光を透過させる第４の面と、当該第４の面から当該セルの内部空間に入射された前記第２のプローブ光が通過する第５の面とを有し、前記台座は、前記複数のセルの前記第１の面、前記第２の面、前記第３の面、前記第４の面の各々の向きが同じ方向となるように前記複数のセルを保持し、前記台座に保持されている前記各セルの第４の面に対して前記第２のプローブ光の平行光を照射する第２プローブ光照射部と、前記第２プローブ光照射部により前記各セルの第４の面に照射されて当該セルの前記第５の面を通過した前記第２のプローブ光を当該セルの前記第４の面方向へ反射させ、反射光を当該セルの外部へ出射する第２反射部と、前記各セルの前記第２反射部から出射された前記反射光を受光し、セル毎の反射光の偏光成分を検出する第２検出部とを備えることとしてもよい。
この構成によれば、２つのプローブ光の各平行光が各セルに対して照射されるようセルが配置されるので、２つのプローブ光の照射方向に応じた異なる２方向の磁気を計測することができる。
【０００８】
本発明に係る磁気計測装置は、さらに別の好ましい態様において、前記各セルの前記第４の面は、前記透過可能領域と前記非透過領域とを有することとしてもよい。
この構成によれば、各セルに対して照射された光が、セルの面を構成する辺等にあたった際の散乱光を軽減し、磁気の検出精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態に係る磁気計測装置の構成例を示す図である。
【図２】（ａ）は、実施形態に係るセルを示す模式図である。（ｂ）は、実施形態に係る磁気センサーアレイの構成を説明する図である。
【図３】プローブ光の受光イメージを表す図である。
【図４】（ａ）は、変形例１に係るセルを示す模式図である。（ｂ）は、変形例１に係るセルの配置例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（構成）
図１は、本発明に係る実施形態の磁気計測装置の構成を表す図である。図１において、磁気計測装置１は、矢印Ｄ方向に位置する検体から発せられる磁場を計測するものであり、この例においては、直交する３軸(ＸＹＺ軸)のＺ軸方向における磁場が計測される。磁気計測装置１は、図１に示すように、磁気センサーアレイ２、ポンプ光照射部１０、プローブ光検出部２０を含んでいる。以下、本実施形態に係る磁気計測装置１の各部について説明する。
【００１１】
磁気センサーアレイ２は、一列に配列された各セル３１〜３３と各セルを配置する台座４を備える。以下、各セルを区別しない場合はセル３と言う。ここで、磁気センサーアレイ２の各部について図２を用いて説明する。図２（ａ）は、セル３を模式的に表した図である。セル３は、光を透過するガラス等の素材で構成され、内部に所定の原子を含む立方体形状の物体である。
図２（ａ）に示すように、セル３の第１の面３Ａと第２の面３Ｂは、光を透過させるための円形状の部分３ｐ（以下、透過領域と言う）と斜線で示す光を吸収する領域３ｑ（以下、非透過領域と言う）を有し、非透過領域３ｑは、黒色の樹脂が接着されて形成されている。本実施形態では、第１の面３Ａにポンプ光が照射され、第２の面３Ｂにポンプ光と直交するようにプローブ光が照射される。
なお、上記セル３は立方体の例を用いたが、セル３の形状は、所定の誤差範囲であれば必ずしも隣り合う全ての面の間の角度が直角でなくてもよい。また、セル内においてポンプ光とプローブ光は直交するように照射されることが好ましいが、ポンプ光とプローブ光はセル内で交差していればよい。また、上記非透過領域３ｑは、黒色の樹脂が接着されている例を用いたが、光を吸収する色であって、ポンプ光及びプローブ光の熱に耐えうる素材で形成されていればよい。また、上記透過領域３Ｐは、円形状である例を用いたが第１の面３Ａ及び第２の面３Ｂを構成する各辺から一定の距離の内側に設けられた領域であれば円形以外の形状でもよい。
【００１２】
所定の原子は、円偏光によって励起状態となり、スピン偏極する原子であり、例えば、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）及びフランシウム（Ｆｒ）等のアルカリ金属であり、気体（ガス）の状態でセル３に含まれている。セル３内でスピン偏極している原子は、検体からの磁場の大きさに応じて歳差運動を行う。セル３内部のアルカリ金属の原子は、磁気センサーアレイ２により磁気を検出する際に気体の状態であればよく、常時気体の状態である必要はない。また、ヘリウム（Ｈｅ）、窒素（Ｎ）などのバッファーガスも含まれていてもよい。
【００１３】
図２(ｂ)は、本実施形態に係る磁気センサーアレイ２の断面を示す図である。この例において、台座４は、セル３の第１の面３Ａに対向する面(図示略)と、第２の面３Ｂに対向し、第２の面３Ｂに照射されたプローブ光を透過する第３の面(図示略)が台座４に接するように凹凸が形成されており、３つのセル３が一列に配置される。このようにセル３を台座４に配置することで、第１の面３Ａ、第２の面３Ｂ、第３の面のそれぞれの向きが各セル３において同じ方向となる。また、各セル３における第３の面が接する台座４の部分には、第３の面を透過したプローブ光を第２の面３Ｂ方向へ反射させる反射鏡５が接着されている。なお、上記の例では３つのセル３を一列に配置する台座４であるが、複数のセル３を上記のように配置する構成であればセル３の数はこれに限定されない。
【００１４】
以上が、本実施形態に係る磁気センサーアレイ２の構成である。次に、図１に戻り、ポンプ光照射部１０及びプローブ光検出部２０の構成について説明する。ポンプ光照射部１０は、円偏光成分を有するポンプ光を出力する手段であり、ポンプ光光源１１、コリメートレンズ１２、偏光板１３、１／４波長板１４を含んで構成されている。ポンプ光光源１１は、無偏光のレーザー光であって、セル３内部のアルカリ金属原子を励起させる波長のレーザー光を発生させる光源である。ポンプ光源１１から出射されたレーザー光は、コリメートレンズ１２によって平行光にされ、偏光板１３で直線偏光にされて１／４波長板１４に入射され、１／４波長板１４で円偏光に変換されて出力される。これにより、円偏光成分を有するポンプ光が磁気センサーアレイ２における各セル３の第１の面３Ａに照射される。
【００１５】
プローブ光検出部２０は、直線偏光成分を有するプローブ光をセル３の第２の面３Ｂに向けて照射し、セル３を透過して反射されたプローブ光を検出する。プローブ光検出部２０は、プローブ光源２１、ビームスプリッター２２、コリメートレンズ２３、半波長板２４、偏光ビームスプリッター２５、Ｐ偏光受光素子２６、Ｓ偏光受光素子２７、演算部２８を含んでいる。プローブ光源２１は、無偏光のレーザー光を出力する。ビームスプリッター２２は、プローブ光源２１から出力されたレーザー光を反射してコリメートレンズ２３に入射させる。コリメートレンズ２３に入射された光は平行光にされ、半波長板２４により偏光面が回転されて各セル３の第２の面３Ｂに向けて照射される。なお、プローブ光は、各セル３内においてポンプ光と直交し、各セル３の第３の面と対応する位置に設けられている反射鏡５に対して垂直に透過するように第２の面３Ｂに照射される。
【００１６】
各セル３の第２の面３Ｂに照射されたプローブ光はセル３内に入射すると、セル３内のスピン偏極された原子の歳差運動による回転力に応じて、偏光面が回転されて当該セル３の第３の面(第２の面３Ｂに対向する面)を透過し、台座４に設けられた反射鏡５によって第２の面３Ｂ方向に反射されてセル３の外部へ出力される。各セル３から出力されたプローブ光は、再び、半波長板２４とコリメートレンズ２３を透過し、コリメートレンズ２３で集光されたプローブ光はビームスプリッター２２に入射され、ビームスプリッター２２を透過したプローブ光は偏光ビームスプリッター２５に向かう。
偏光ビームスプリッター２５は、反射光であるプローブ光をＰ偏光成分とＳ偏光成分に分離し、Ｐ偏光成分のプローブ光は直進してＰ偏光受光素子２６に向かい、Ｓ偏光成分のプローブ光はＰ偏光成分と直交するＳ偏光受光素子２７の方へ向かう。Ｐ偏光受光素子２６及びＳ偏光受光素子２７は、入射光に応じた電気信号を出力するフォトダイオード等で構成されており、Ｐ偏光成分のプローブ光とＳ偏光成分のプローブ光を各々受光し、受光した光量に応じた電気信号を出力する。演算部２８は、Ｐ偏光受光素子２６から出力された電気信号と、Ｓ偏光受光素子２７から出力された電気信号との差分を求めることによりプローブ光の偏光面の回転角度を求め、検体が発した磁場の大きさを回転角に基づいて検出する。
【００１７】
（動作）
以上が、本実施形態に係る磁気計測装置１の構成である。この磁気計測装置１を用いて、図１に示す台座４の下方に配置された検体から発せられる磁場を測定する動作を説明する。
磁気計測装置１において磁気の計測が開始されると、ポンプ光照射部１０のポンプ光光源１１からレーザー光が出力される。ポンプ光光源１１から出力されたレーザー光は、コリメートレンズ１２、偏光板１３、１／４波長板１４を透過し、円偏光成分を有する平行光のポンプ光として出力される。出力されたポンプ光は各セル３の第１の面３Ａに照射され、第１の面３Ａの透過領域３ｐを通過したポンプ光のみが各セル３内に入射し、それ以外のポンプ光は各セル３の第１の面３Ａに設けられている非透過領域３ｑで吸収される。
【００１８】
各セル３内の原子は、セル３内に入射した円偏光成分を有するポンプ光により励起されてスピン偏極され、検体からの磁場に応じて歳差運動を始める。続いて、プローブ光検出部２０のプローブ光光源２１からレーザー光が出力される。出力されたレーザー光は、ビームスプリッター２２によってコリメートレンズ２３に導かれ、半波長板２４を透過して直線偏光成分を有する平行光のプローブ光として出力される。出力されたプローブ光は、各セル３の第２の面３Ｂに照射され、第２の面３Ｂの透過領域３ｐを透過したプローブ光が各セル３内に入射し、それ以外のプローブ光は各セル３の第２の面３Ｂに設けられている非透過領域３ｑで吸収される。
【００１９】
各セル３内に入射したプローブ光は、セル３内で磁化されている原子群を通過すると、ファラデー回転効果により偏光面が角度θだけ回転されて第２の面３Ｂと対向する第３の面の方へ進み、反射鏡５で反射される。反射鏡５で反射された反射光は、セル３の内部空間へ向けて進み、プローブ光の入射方向とは逆方向、即ち、入射時の磁界の方向とは逆方向に原子群を通過する。これにより、プローブ光の反射光の偏光面は、ファラデー回転の非相反性によって１回目の偏光面の回転方向と同じ方向に角度θだけ回転される。つまり、セル３から出力されたプローブ光は偏光面が角度２θだけ回転され、セル３の透過領域３ｐを通過して外部へ出力される。
【００２０】
各セル３の第２の面３Ｂから出力されたプローブ光の反射光は、半波長板２４、コリメートレンズ２３を再び透過し、コリメートレンズ２３によって集光されてビームスプリッター２２に入射する。各セル３からの反射光は、偏光ビームスプリッター２５によってＰ偏光成分とＳ偏光成分に分離され、反射光のＰ偏光成分はＰ偏光受光素子２６に進み、反射光のＳ偏光成分はＳ偏光受光素子２７に進む。Ｐ偏光受光素子２６は、偏光ビームスプリッター２５から各セル３からの反射光のＰ偏光成分を受光し、受光した光量に応じた電気信号をセル３毎に演算部２８へ出力する。また、Ｓ偏光受光素子２７は、偏光ビームスプリッター２５から各セル３からの反射光のＳ偏光成分を受光し、受光した光量に応じた電気信号をセル３毎に演算部２８に出力する。
【００２１】
図３は、Ｐ偏光受光素子２６及びＳ偏光受光素子２７において、図１のセル３１〜３３の各々から出力されたプローブ光が受光される際の受光イメージを表す図である。Ｐ偏光受光素子２６及びＳ偏光受光素子２７では、図３に示すように、セル３１、セル３２、セル３の各第２の面３Ｂに設けられた円形状の透過領域３ｐを透過したプローブ光の光量に応じた光の強度が検出される。
Ｐ偏光受光素子２６及びＳ偏光受光素子２７は、各セル３に対応する受光領域で受光された反射光のＰ偏光成分とＳ偏光成分の光量に応じた電気信号を各々Ａ／Ｄ変換したデータと、当該セル３を示す情報とを演算部２８へ出力する。演算部２８は、Ｐ偏光受光素子２６とＳ偏光受光素子２７から出力されたセル３１、セル３２、セル３３の各Ｐ偏光成分と各Ｓ偏光成分のセル毎の差分に基づいてプローブ光の偏光面の回転角を求め、セル３１、セル３２、セル３３における磁場の大きさを求める。
【００２２】
本実施形態では、磁気センサーアレイ２は、ポンプ光とプローブ光の各平行光が各セル３に一度に照射されるように各セル３を隣接して台座４に配置する構造であるため、セル３毎にポンプ光照射部１０及びプローブ光検出部２０を設けなくても一方向の磁場を検出することができ、磁気計測装置１を小型化することができる。また、磁気計測装置１は、各セル３から出力されたプローブ光がセル３毎にＰ偏光成分とＳ偏光成分に分離されて受光されるように構成され、セル３毎のＰ偏光成分とＳ偏光成分のプローブ光の解析を行うことができるので、各セル３における磁場を計測することができる。また、本実施形態におけるセル３は、第１の面３Ａと第２の面３Ｂに設けられた非透過領域３ｑにおいて、セル３の辺や角の部分に照射されたレーザー光が吸収されるように構成されているので、セル３の辺や角の部分にあたった散乱光が除去され、プローブ光の検出精度を向上させることができる。
【００２３】
＜変形例＞
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、以下のように変形させて実施してもよい。また、以下の変形例を組み合わせてもよい。
（１）上述した実施形態では、１方向の磁場を測定する例について説明したが、２方向の磁場を測定するようにしてもよい。なお、この場合には、セル３は、図４（ａ）に示すように第１の面３Ａ及び第２の面３Ｂに加えて、第１の面３Ａ及び第２の面３Ｂに隣接する第４の面３Ｃに透過領域３ｐと非透過領域３ｑを設けるように構成する。第４の面３Ｃは、第２の面３Ｂに照射するプローブ光(以下、プローブ光１と言う)とは別のプローブ光(以下、プローブ光２と言う)がポンプ光と直交するように照射される面である。このように構成されたセル３は、図４(ｂ)に示すように、セル３の第１の面３Ａ、第２の面３Ｂ、第４の面３Ｃの向きが各セル３において同じ方向となるように台座４に配置される。なお、図４(ｂ)においては、便宜上、台座４及びセル３の透過領域３ｐ及び非透過領域３ｑの図示を省略している。本変形例では、台座４(図示略)において、第４の面３Ｃに対向する面(図示略)、即ち、第４の面３Ｃからセル３内に入射したプローブ光２が透過する第５の面と接する部分には、実施形態と同様の反射鏡５が設けられる。また、図４(ｂ)に示すように、台座４は、前列３１０のセル３とセル３の間に後列３２０の各セル３を配置し、各セル３の第１の面３Ａにポンプ光の平行光が照射されるように構成される。
【００２４】
この磁気センサーアレイ２の各セル３に対し、第１の面３Ａにポンプ光を照射し、第２の面３Ｂにプローブ光１を照射すると、ポンプ光とプローブ光１の各方向に直交するＺ１方向の磁気を測定することができる。また、第１の面３Ａにポンプ光を照射し、第４の面３Ｃにプローブ光２を照射すると、ポンプ光とプローブ光２の各方向に直交するＺ２方向の磁気を測定することができる。なお、本変形例では、実施形態と同様のポンプ光照射部１０を備え、プローブ光１を照射してその反射光を検出する実施形態と同様のプローブ光検出部(第１のプローブ光検出部)と、プローブ光２を照射してその反射光を検出する実施形態と同様のプローブ光検出部(第２のプローブ光検出部)を備える。
【００２５】
（２）上述した実施形態では、反射鏡５は、台座４において、セル３の第２の面３Ｂと対向する第３の面と接する部分に設けられている例であったが、第１の面３Ａと対向する面と接する部分にも設けられていてもよい。このような構成にすることで、右円偏光又は左円偏光のポンプ光は、第１の面３Ａからセル３内の原子群に入射し、第１の面３Ａと対向する面の位置に設けられた反射鏡で反射されて、左円偏光又は右円偏光の反射光となる。そして、この反射光は、入射方向とは逆方向に原子群を通過する。原子のスピン偏極の方向は、右円偏光の場合には光の伝搬方向となり、左円偏光の場合には光の伝搬方向とは逆方向となる。従って、原子群のスピン偏極は、ポンプ光がセル３に入射された入射方向に揃うこととなり、原子群のスピン偏極率を向上させることができる。
【００２６】
（３）また、上述した実施形態では、プローブ光検出部２０は演算部２８を備える構成である例について説明したが、Ｐ偏光受光素子２６及びＳ偏光受光素子２７から出力された電気信号を磁気計測装置１の外部の演算装置に出力し、当該演算装置においてプローブ光の回転角を算出し、回転角に応じた磁場の大きさを検出するようにしてもよい。
【００２７】
（４）上述した実施形態では、黒色の樹脂を各セル３の第１の面３Ａ及び第２の面３Ｂに接着させて非透過領域３ｑを形成する例であったが、台座４に配置した各セル３の透過領域３ｐを除く部分に、黒色等の光を透過させない色の樹脂で形成され、台座４に配置された各セル３の形状と一致する蓋状のものを被せるように構成してもよい。
【００２８】
（５）上述した実施形態では、セル３の形状が立方体である例であったが、セル３の形状は立方体形状に限らない。各セルに対してポンプ光が同時に照射される第１の面と、ポンプ光と交差するように各セルに対してプローブ光が同時に照射される第２の面と、各セルの第２の面から入射したプローブ光が透過する第３の面を有する多面体であればよい。なお、ポンプ光とプローブ光が直交していない場合には、プローブ光の方向に生じるポンピングベクトルの成分を除去するように補正してもよい。また、このような多面体の形状を有するセル３を保持する台座４は、セルの第１の面、第２の面、第３の面の各々の向きが各セルにおいて同じ方向となるように保持する構成であればよい。また、磁気センサーアレイ２において、各セル３の第３の面が台座４と接している場合には、実施形態と同様に第３の面が接する台座４の部分に反射鏡５を接着し、反射鏡５と一体となって形成されていてもよい。また、セル３の第３の面の外側の部分に反射鏡５を接着して、セル３と反射鏡５とが一体となって形成されていてもよい。また、磁気センサーアレイ２において、反射鏡５は、セル３及び台座４とは別体として、セル３の第３の面と台座４との間に設けてもよい。
【符号の説明】
【００２９】
１・・・磁気計測装置、２・・・磁気センサーアレイ、３，３１，３２，３３・・・セル、３Ａ・・・第１の面、３Ｂ・・・第２の面、３Ｃ・・・第４の面、４・・・台座、５・・・反射鏡、１０・・・ポンプ光照射部、１１・・・ポンプ光光源、１２，２３・・・コリメートレンズ、１３・・・偏光板、１４・・・１／４波長板、２０・・・プローブ光検出部、２１・・・プローブ光源、２２・・・ビームスプリッター、２４・・・半波長板、２５・・・偏光ビームスプリッター、２６・・・Ｐ偏光受光素子、２７・・・Ｓ偏光受光素子、２８・・・演算部
【図１】
2011237362.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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