(57)【要約】【課題】半導体ウェハが薄型の場合にも、当該薄型の半導体ウェハをダイシングする際の保持力と、ダイシングにより得られる半導体チップをその接着剤層と一体に剥離する際の剥離性と、半導体チップに切削屑の付着がない低汚染性とのバランス特性に優れた半導体チップの汚染防止に優れた新規な半導体装置製造用フィルムを提供すること。【解決手段】半導体装置の製造の際に用いる半導体装置製造用フィルムであって、基材層と、基材層上に設けられた第一粘着剤層と、第一粘着剤層上に設けられており、かつ、放射線の照射により予め硬化された放射線硬化型の第二粘着剤層と、第二粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有する半導体装置製造用フィルム。【選択図】  図１
2011174042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造の際に用いる半導体装置製造用フィルムであって、
基材層と、
前記基材層上に設けられた第一粘着剤層と、
前記第一粘着剤層上に設けられており、かつ、放射線の照射により予め硬化された放射線硬化型の第二粘着剤層と、
前記第二粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有する半導体装置製造用フィルム。
【請求項２】
前記第二粘着剤層及び接着剤層は、少なくとも前記第一粘着剤層におけるダイシングリングの貼り付け部分の内側に収まるように設けられており、
前記接着剤層の平面形状は前記第二粘着剤層よりも大きく、かつ、前記接着剤層が第二粘着剤層の全面を覆うように設けられており、
更に、前記接着剤層において前記第二粘着剤層上に位置しない周縁部は、前記第一粘着剤層上に設けられている請求項１に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項３】
前記基材層、前記第一粘着剤層、及び、前記第二粘着剤層を重ねた構造物は、Ｅ×Ｉにより算出される曲げ剛性Ｓが、５．０×１０４〜７．０×１０５の範囲内である請求項１又は２に記載の半導体装置製造用フィルム。
（但し、Ｉは、ｂ×Ｔ３／１２で表される断面２次モーメントであり、ｂは、前記構造物の試験片の幅である１０（ｍｍ）であり、Ｔは、前記構造物の厚み(ｍｍ)であり、Ｅは、前記構造物の２５℃における引張貯蔵弾性率(Ｐａ)である。）
【請求項４】
前記第二粘着剤層と接着剤層の間の剥離強度Ｘは、０．０１Ｎ／２０ｍｍ〜０．２Ｎ／２０ｍｍの範囲内である請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項５】
前記第一粘着剤層と第二粘着剤層の間の剥離強度Ｙは、０．２Ｎ／２０ｍｍ〜１０Ｎ／２０ｍｍの範囲内である請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項６】
前記第二粘着剤層と接着剤層の間の剥離強度Ｘと、第一粘着剤層と第二粘着剤層の間の剥離強度Ｙの比（Ｙ／Ｘ）は、３〜５００の範囲内である請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項７】
前記第二粘着剤層の厚みは、１０μｍ〜１００μｍの範囲内である請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項８】
前記第一粘着剤層と、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板との間の剥離強度は、０．２Ｎ／２０ｍｍ〜１１Ｎ／２０ｍｍの範囲内ある請求項２に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項９】
前記第二粘着剤層は、当該第二粘着剤層の前駆体が放射線の照射により硬化された後に、前記第一粘着剤層上に形成されたものである請求項１〜８の何れか１項に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項１０】
前記第二粘着剤層は、当該第二粘着剤層の前駆体が前記第一粘着剤層上に設けられた後に、放射線の照射により硬化されて形成されたものである請求項１〜８の何れか１項に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項１１】
前記接着剤層は、放射線の照射により予め硬化された第二粘着剤層上に形成されたものである請求項１〜１０の何れか１項に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項１２】
前記接着剤層は、放射線の照射により硬化される前の第二粘着剤層の前駆体上に設けられたものである請求項１〜１０の何れか１項に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項１３】
前記接着剤層は、少なくともエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂により形成されたものである請求項１〜１２の何れか１項に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項１４】
前記アクリル樹脂のガラス転移温度が、−３０℃〜１０℃の範囲内である請求項１〜１３の何れか１項に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項１５】
前記第二粘着剤層は、少なくともアクリル系ポリマーにより形成されたものである請求項１〜１４の何れか１項に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項１６】
請求項１〜１５の何れか１項に記載の半導体装置製造用フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置製造用フィルムの前記接着剤層上に半導体ウェハを圧着する工程と、
前記半導体ウェハを前記接着剤層と共にダイシングすることにより半導体チップを形成する工程であって、ダイシングの切り込み深さを前記第二粘着剤層でとどめる工程と、
前記半導体チップを前記接着剤層と共に、前記第二粘着剤層から剥離する工程とを少なくとも含み、
前記半導体ウェハの圧着工程から半導体チップの剥離工程までは、前記第二粘着剤層に放射線を照射しないことを特徴とする半導体装置の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造に使用される半導体装置製造用フィルムに関し、より詳細には、半導体ウェハをダイシングして半導体チップを形成したのち、当該半導体チップを被着体上に接着・固定するまでの一連の工程などに使用される半導体装置製造用フィルムに関する。また、本発明は、前記半導体装置製造用フィルムを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路パターンを形成した半導体ウェハは、必要に応じて裏面研磨により厚さを調整した後、半導体チップにダイシングされる（ダイシング工程）。ダイシング工程では、切断層の除去のため半導体ウェハを適度な液圧（通常、２ｋｇ／ｃｍ２程度）で洗浄するのが一般的である。次いで、前記半導体チップを接着剤にてリードフレームなどの被着体上にダイボンディングされる。この工程においては、接着剤をリードフレームや半導体チップに塗布していた。しかし、この方法では接着剤層の均一化が困難であり、また接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、ダイボンディングに必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている（例えば、特開昭６０−５７６４２号公報参照）。
【０００３】
特許文献１に記載のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持フィルム（基材層）上に粘着性剥離層（粘着剤層）及び導電性の接着剤層が設けられたものである。すなわち、接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングしたのち、支持フィルムを延伸して半導体チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレームなどの被着体に固着させるようにしたものである。
【０００４】
この種のダイシング・ダイボンドフィルムの接着剤層には、ダイシング不能や寸法ミスなどが生じないように、半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを接着剤層と一体に支持基材から剥離し得る良好な剥離性が望まれる。また、ダイシング・ダイボンドフィルムの粘着剤層は、リングフレームに対する良好な保持力と、ダイシング時の個片化された半導体チップの飛散防ぐための接着剤層との密着性と、ダイシング時に発生する切削屑が接着剤層付き半導体チップに付着しない低汚染性が望まれる。
【０００５】
しかし、これらの特性をバランス良く発揮させることは容易でなく、特に近年、半導体チップは高容量化を目的に薄型化・大面積化していることから、基材層及び粘着剤層に種々の要求を満足させることは一層困難になっている。つまり、種々の要求特性に対して、従来のダイシング・ダイボンドフィルムは機能別に対応していないので、前記特性をバランス良く発揮させることができない。
【０００６】
そこで、これらの問題を解決するため、種々の改良法が提案されている。例えば、特許文献２では、ダイシングシート、剥離フィルム、ダイアタッチフィルム及び離型フィルムが順次積層されたダイシング用粘着テープが開示されている。このダイシング用粘着テープでは、ダイシングシート上に新たに剥離フィルムを設け、かつ、剥離フィルムとダイアタッチフィルムとの剥離力を、剥離フィルムとダイシングシートとの剥離力よりも小さくすることで、半導体チップのピックアップの際に、ダイアタッチフィルムが半導体チップと共に容易剥離できるようにしている。また、ダイシングフレーム（ダイシングリング）はダイシングシート上に貼り付けられる構成であるので、ダイシングリングの固定機能は確保されている。即ち、特許文献２に記載のダイシング用粘着テープは、ダイシングシートとダイアタッチフィルムの間に剥離フィルムを設けることで、これまで求められていたダイシング・ダイボンドフィルムの性能、即ち、ダイシング時の接着性とピックアップ時の剥離性とのそれぞれの機能を分離した構造となっている。
【０００７】
しかし、特許文献２に記載のダイシング用粘着テープであっても、半導体ウェハのダイシングの際にはダイシングシートから切削屑が発生し、当該切削屑が半導体チップの側面等にバリやヒゲとして付着することにより、半導体装置の製造歩留まりが低下するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６０−５７６４２号公報
【特許文献２】特開２００６−２０３０００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、半導体ウェハが薄型の場合にも、当該薄型の半導体ウェハをダイシングする際の保持力と、ダイシングにより得られる半導体チップをその接着剤層と一体に剥離する際の剥離性と、前記半導体チップに切削屑の付着がない低汚染性とのバランス特性に優れた半導体チップの汚染防止に優れた新規な半導体装置製造用フィルム及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、半導体装置製造用フィルム及び半導体装置の製造方法について検討した。その結果、下記構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。
【００１１】
本発明に係る半導体装置製造用フィルムは、前記の課題を解決する為に、半導体装置の製造の際に用いる半導体装置製造用フィルムであって、基材層と、前記基材層上に設けられた第一粘着剤層と、前記第一粘着剤層上に設けられており、かつ、放射線の照射により予め硬化された放射線硬化型の第二粘着剤層と、前記第二粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有することを特徴とする。
【００１２】
半導体装置の製造に用いられる従来のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材層上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層された構造が一般的である。そして、前記粘着剤層は、半導体ウェハのダイシングの際には半導体チップのチップ飛びを防止し得る粘着性と、前記半導体チップのピックアップの際には接着剤層と容易に剥離し得る剥離性とが求められている。即ち、粘着剤層はダイシング工程とピックアップ工程で、相反する性能が求められていた。
【００１３】
一方、本発明では、前記構成の通り、基材層上に第一粘着剤層及び第二粘着剤層を順次設けることにより、従来のダイシング・ダイボンドフィルムの粘着剤層に対して求められていたダイシング時の粘着性と、ピックアップ時の剥離性の機能分離を可能にしている。即ち、第一粘着剤層は第二粘着剤層を接着して固定するものであるので、接着剤層上に貼り付けられた半導体ウェハをダイシングする際には、半導体チップのチップ飛びを防止することができる。第一粘着剤層に対しては、ピックアップ時の剥離性が求められないので、基材層上に第一粘着剤層が設けられた構造は、一種のキャリアテープとしての機能を果たす。一方、第二粘着剤層は放射線照射により予め硬化されたものであるので、接着剤層に対して良好な剥離性を示す。その為、半導体チップのピックアップを良好に行うことができる。また、ピックアップの前に放射線を照射する工程を省略することも可能になる。
【００１４】
また、従来のダイシング・ダイボンドフィルムにおいては、半導体ウェハのダイシングの際にダイシングブレード等の切り込み深さを粘着剤層又は基材層に到達するまで行っていた。しかし、ダイシングが粘着剤層の一部まで行われると、切断面において粘着剤層の一部がバリやヒゲとなって粘着剤層と接着剤層の境界に付着する場合があった。また、ダイシングが基材層まで行われると、糸状の切削屑が発生し、半導体チップを汚染する場合があった。しかし、本発明に於いては、基材層上に第一粘着剤層及び第二粘着剤層が積層された構造であるので、ダイシングブレード等の切り込み深さを第一粘着剤層まで行う必要がなく、第二粘着剤層で止めることができる。更に、第二粘着剤層は放射線の照射により予め硬化されたものであるので、切断面において第二粘着剤層の一部がバリとなって、第二粘着剤層と接着剤層の境界に付着するのを抑制することができる。その結果、接着剤層付きの半導体チップを良好にピックアップすることができる。また、ダイシングは基材層に達するまで行う必要がないので、糸状の切削屑が発生することもない。そのため、本発明の半導体装置製造用フィルムにおいては、半導体チップに対し低汚染性が図れる。
【００１５】
前記の構成に於いて、前記第二粘着剤層及び接着剤層は、少なくとも前記第一粘着剤層におけるダイシングリングの貼り付け部分の内側に収まるように設けられており、前記接着剤層の平面形状は前記第二粘着剤層よりも大きく、かつ、前記接着剤層が第二粘着剤層の全面を覆うように設けられており、更に、前記接着剤層において前記第二粘着剤層上に位置しない周縁部は、前記第一粘着剤層上に設けられていることが好ましい。
【００１６】
前記構成によれば、ピックアップ時の剥離性が要求されない第一粘着剤層上にダイシングリングの貼り付けが可能となっているので、当該ダイシングリングをダイシングの際に確実に固定しておくことができる。更に、接着剤層上にダイシングリングを貼り付けた場合と比べて、使用後のダイシングリングを剥離する際に、糊付着が発生するのを抑制することもできる。また、接着剤層は、その平面形状が第二粘着剤層よりも大きく、かつ、第二粘着剤層の全面を覆うように設けられている。更に、接着剤層の周縁部は、第二粘着剤層上ではなく第一粘着剤層上に設けられており、強固に接着した構成であるので、例えば、ダイシングの際に接着剤層が第二粘着剤層から剥離してめくれが生じるのを防止することができる。
【００１７】
前記の構成に於いて、前記基材層、前記第一粘着剤層、及び、前記第二粘着剤層を重ねた構造物（例えば、ダイシングフィルム）は、Ｅ×Ｉにより算出される曲げ剛性Ｓが、５．０×１０４〜７．０×１０５の範囲内であることが好ましい。（但し、Ｉは、ｂ×Ｔ３／１２で表される断面２次モーメントであり、ｂは、前記構造物の試験片の幅である１０（ｍｍ）であり、Ｔは、前記構造物の厚み(ｍｍ)であり、Ｅは、前記構造物の２５℃における引張貯蔵弾性率(Ｐａ)である。）前記曲げ剛性Ｓを５．０×１０４以上にすることにより、前記構造物の剛性を保つことができ、ウエハ貼り合わせ時にシワ無く貼り合わせが可能となる。その一方、前記曲げ剛性Ｓを７．０×１０５以下にすることにより、ピックアップ時に適正に前記構造物が曲がり安定なピックアップを実現できる。
【００１８】
前記の構成に於いて、前記第二粘着剤層と接着剤層の間の剥離強度Ｘは、０．０１Ｎ／２０ｍｍ〜０．２Ｎ／２０ｍｍの範囲内であることが好ましい。第二粘着剤層と接着剤層の間の剥離強度Ｘを０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、例えば、半導体ウェハのダイシングの際に、両者の間で剥離が生じ、半導体チップのチップ飛びが発生するのを防止することができる。その一方、前記剥離強度Ｘを０．２Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、放射線の照射工程を省略しても、半導体チップを良好にピックアップすることができる。
【００１９】
前記の構成に於いて、前記第一粘着剤層と第二粘着剤層の間の剥離強度Ｙは、０．２Ｎ／２０ｍｍ〜１０Ｎ／２０ｍｍの範囲内であることが好ましい。第一粘着剤層と第二粘着剤層の間の剥離強度Ｙを０．２Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、例えば、ダイシングの際に、半導体ウェハや半導体チップを確実に固定することができる。また、前記剥離強度Ｙを１０Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、第一粘着剤層から第二粘着剤層を剥離するのを可能にし、基材層及び第一粘着剤層により構成されるキャリアテープとしての積層フィルムの再利用を可能にする。
【００２０】
前記の構成に於いて、前記第二粘着剤層と接着剤層の間の剥離強度Ｘと、第一粘着剤層と第二粘着剤層の間の剥離強度Ｙの比（Ｙ／Ｘ）は、３〜５００の範囲内であることが好ましい。前記剥離強度Ｘと剥離強度Ｙの比（Ｙ／Ｘ）を３以上にすることにより、半導体チップのピックアップ時の剥離界面を第二粘着剤層と接着剤層の境界にすることができる。その一方、前記比（Ｙ／Ｘ）を５００以下にすることにより、ダイシング時のチップ飛びや接着剤層のめくれを抑制し、安定したダイシングを可能にする。
【００２１】
前記の構成に於いて、前記第二粘着剤層の厚みは、１０μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。第二粘着剤層の厚みを１０μｍ以上にすることにより、ダイシングの際にダイシングブレード等の切り込み深さが第一粘着剤層にまで到達するのを防止することができる。その一方、第二粘着剤層の厚みを１００μｍ以下にすることにより、半導体チップの安定したピックアップを可能にする。
【００２２】
前記の構成に於いて、前記第一粘着剤層と、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板との間の剥離強度は、０．２Ｎ／２０ｍｍ〜１１Ｎ／２０ｍｍの範囲内あることが好ましい。第一粘着剤層とＳＵＳ３０４−ＢＡ板の間の剥離強度を０．２Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、ダイシングリングの接着固定を確実にし、ダイシングを良好に行うことができる。その一方、前記剥離強度を１１Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、使用後のダイシングリングを第一粘着剤層から剥離する際に、ダイシングリングに糊残りが発生するのを低減することができる。
【００２３】
前記の構成に於いて、前記第二粘着剤層は、当該第二粘着剤層の前駆体が放射線の照射により硬化された後に、前記第一粘着剤層上に形成されたものであることが好ましい。
【００２４】
前記の構成に於いて、前記第二粘着剤層は、当該第二粘着剤層の前駆体が前記第一粘着剤層上に設けられた後に、放射線の照射により硬化されて形成されたものであることが好ましい。
【００２５】
前記の構成に於いて、前記接着剤層は、放射線の照射により予め硬化された第二粘着剤層上に形成されたものであることが好ましい。
【００２６】
前記の構成に於いて、前記接着剤層は、放射線の照射により硬化される前の第二粘着剤層の前駆体上に設けられたものであることが好ましい。
【００２７】
前記の構成に於いて、前記接着剤層は、少なくともエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂により形成されたものであることが好ましい。
【００２８】
前記の構成に於いて、前記アクリル樹脂のガラス転移温度が、−３０℃〜１０℃の範囲内であることが好ましい。アクリル樹脂のガラス転移温度を−３０℃以上にすることにより、接着剤層の高温時（例えば、１００〜２００℃）の貯蔵弾性率を維持することができる。その一方、前記ガラス転移温度を１０℃以下にすることにより、半導体ウェハに対する良好な密着性、貼着性を発現させることができる。
【００２９】
前記の構成に於いて、前記第二粘着剤層は、少なくともアクリル系ポリマーにより形成されたものであることが好ましい。
【００３０】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記の課題を解決する為に、前記に記載の半導体装置製造用フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置製造用フィルムの前記接着剤層上に半導体ウェハを圧着する工程と、前記半導体ウェハを前記接着剤層と共にダイシングすることにより半導体チップを形成する工程であって、ダイシングの切り込み深さを前記第二粘着剤層でとどめる工程と、前記半導体チップを前記接着剤層と共に、前記第二粘着剤層から剥離する工程とを少なくとも含み、前記半導体ウェハの圧着工程から半導体チップの剥離工程までは、前記第二粘着剤層に放射線を照射しないことを特徴とする。
【００３１】
前記の方法に於いては、基材層上に第一粘着剤層、第二粘着剤層及び接着剤層を順次積層した構造の半導体装置製造用フィルムを用いて半導体装置の製造を行う。ここで、前記第一粘着剤層は第二粘着剤層を接着して固定するものであるので、半導体ウェハのダイシングの際には、半導体チップのチップ飛びを防止することができる。また、半導体ウェハのダイシングに於いては、ダイシングの切り込み深さを第二粘着剤層でとどめるので、基材層をダイシングした場合に発生する切削屑がバリやヒゲとなって半導体チップに付着するのを防止することができる。更に、第二粘着剤層は予め放射線の照射により硬化されたものであるので、切断面において第二粘着剤層の一部がバリやヒゲとなって、第二粘着剤層と接着剤層の境界に付着するのも抑制できる。その結果、接着剤層付きの半導体チップを良好にピックアップすることができる。
【００３２】
更に、第二粘着剤層は放射線照射により予め硬化されたものであるので、接着剤層に対して良好な剥離性を示す。その為、半導体チップのピックアップを良好に行うことができる。更に、半導体ウェハの圧着工程から半導体チップの剥離工程までは、前記第二粘着剤層に放射線を照射する必要がないので、工程数の低減が図れる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。即ち、本発明の半導体装置製造用フィルムによれば、基材層上に第一粘着剤層、第二粘着剤層及び接着剤層を順次設けた構成を採用し、第一粘着剤層に対しては第二粘着剤層を確実に接着固定させる機能を付与し、第二粘着剤層に対しては予め放射線照射により硬化させておくことで、接着剤層との良好な剥離性を付与している。即ち、従来のダイシング・ダイボンドフィルムの粘着剤層に対して求められていたダイシング時の粘着性と、ピックアップ時の剥離性を機能分離させている。その結果、半導体チップが薄型化・大型化した場合にも、半導体ウェハをダイシングする際の保持力と、半導体チップをピックアップする際の剥離性に優れた半導体装置製造用フィルムが得られる。また、ダイシングの際に、基材層まで切り込みを行う必要がなく、第二粘着剤層でとどめることができるので、切削屑の発生を抑制し、当該切削屑が半導体チップに付着するのを低減することができる。即ち、本発明によれば、低汚染性に優れた半導体装置製造用フィルムを提供することができる。また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、前記半導体装置製造用フィルムを用いて半導体装置の製造を行うことにより、歩留まりの向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施の一形態に係る半導体装置製造用フィルムを示す断面模式図である。
【図２】前記半導体装置製造用フィルムをセパレータ側から見た場合の平面図である。
【図３】前記半導体装置製造用フィルムを用いた半導体装置の製造方法の説明図であって、図３（ａ）は半導体装置製造用フィルム上に半導体ウェハを貼り付ける工程を表し、図３（ｂ）は前記半導体ウェハをダイシングする工程を表し、図３（ｃ）は半導体チップをピックアップする工程を表す。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
（半導体装置製造用フィルム）
本実施の形態に係る半導体装置製造用フィルムについて、図１及び図２を参照しながら以下に説明する。図１は、本発明の実施の一形態に係る半導体装置製造用フィルムを示す断面模式図である。図２は、前記半導体装置製造用フィルムをセパレータ側から見た場合の平面図である。
【００３６】
図１に示すように、半導体装置製造用フィルム１は、基材層１１上に、少なくとも第一粘着剤層１２、第二粘着剤層１３及び接着剤層１４が順次設けられた構造を有する。また、本発明の半導体装置製造用フィルム１は、図１に示すように、第一粘着剤層１２及び接着剤層１４の表面を保護するためのセパレータ１５が設けられていてもよい。また、前記基材層１１及び第一粘着剤層１２は、第二粘着剤層１３や後述するダイシングリングを接着して固定するためのものであり、キャリアテープとして機能する。
【００３７】
［基材層］
前記基材層１１の構成材料は特に限定されず、例えば低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、これらの混合物等からなるプラスチックフィルムが挙げられる。また基材層１１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。
【００３８】
前記基材層１１の表面は、第一粘着剤層１２との密着性、保持性等を高めるため、慣用の表面処理を行ってもよい。その方法としては、例えばクロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理等が挙げられる。
【００３９】
前記基材層１１の構成材料は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができる。また、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。更に、基材層１１としては、帯電防止能を付与するため、前記のプラスチックフィルム上に金属、合金又はこれらの酸化物等からなる、厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けたフィルムを用いることもできる。更に、前記フィルム同士、又は他のフィルムとを貼り合わせたラミネート体等を用いることもできる。また、基材層１１は、単層又は前記材料を用いたフィルム等を２層以上に複層化した積層フィルムであってもよい。
【００４０】
基材層１１の厚さは、後述のエキスパンドの際に破断しない程度であれば特に制限されず、適宜に設定することができる。一般的には５μｍ〜２００μｍの範囲内が好ましい。
【００４１】
［第一粘着剤層］
前記第一粘着剤層１２は基材層１１上に設けられており、第二粘着剤層１３やダイシングリングを接着固定するための層である。図１では、第一粘着剤層１２は矩形状の基材層１１の全面に設けられており、平面形状が矩形状となっているが、円形状等であってもよい。また、後述の半導体チップのピックアップの際には、第二粘着剤層１３と接着剤層１４の間で剥離が行われるので、第一粘着剤層１２に対して、ピックアップ時の剥離性能は特に要求されない。即ち、第一粘着剤層１２の基本性能は粘着性にある。その為、第一粘着剤層１２の構成材料は特に限定されず、従来公知のものを採用することができる。
【００４２】
第一粘着剤層１２を構成する粘着剤としては、一般的に使用されている感圧性の粘着剤を使用できる。具体的には、例えばアクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリビニルエーテル等の各種粘着剤が挙げられる。なかでも、被切断体としての半導体ウェハや半導体パッケージに対する接着性、剥離後の半導体ウェハ等の超純水やアルコール等の有機溶剤による洗浄性などの点から、（メタ）アクリル系ポリマーをベースポリマーとする（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。尚、（メタ）とは、例えば（メタ）アクリル系ポリマーの場合、アクリル系ポリマーとメタクリル系ポリマーの双方を含む意味である。このことは、以下に例示する化合物においても同様である。
【００４３】
前記（メタ）アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、イソノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどの炭素数１〜３０のアルキル基、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）、（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル（例えば、ヒドロキシエチルエステル、ヒドロキシブチルエステル、ヒドロキシヘキシルエステル等）、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸、（メタ）アクリル酸アミド、（メタ）アクリル酸Ｎ−ヒドロキシメチルアミド、（メタ）アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル（例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ｔ−ブチルアミノエチルメタクリレート等）、酢酸ビニル、スチレンの１種又は２種以上を単量体成分として用いた（メタ）アクリル系ポリマーなどが挙げられる。
【００４４】
前記（メタ）アクリル系ポリマーは凝集力、接着性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどが挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましく、さらに好ましくは１５重量％以下である。
【００４５】
さらに、前記（メタ）アクリル系ポリマーは、これを架橋させるため、多官能性モノマーなども必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。ベースポリマーを架橋させることにより、粘着剤層の自己保持性が向上するので粘着シートの大きな変形を防止でき、第一粘着剤層１２の平板状態を維持しやすくなる。
【００４６】
多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００４７】
前記（メタ）アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は二種以上のモノマー混合物を重合することにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合、光重合等の何れの方式で行うこともできる。特に、紫外線や電子線などの放射線を照射して重合する場合には、ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーにモノマー成分と光重合開始剤とを配合して得られる液状組成物をキャストして光重合させることにより（メタ）アクリル系ポリマーを合成することが好ましい。
【００４８】
前記ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーは、数平均分子量が５００〜１０万程度、好ましくは１０００〜３万のものであり、かつエステル・ジオールを主骨格とする２官能化合物である。また、モノマー成分としては、モルホリン（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、メトキシ化シクロデカトリエン（メタ）アクリレート等が挙げられる。ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーとモノマー成分との混合比は、オリゴマー：モノマー成分＝９５〜５：５〜９５（重量％）であることが好ましく、さらに好ましくは５０〜７０：５０〜３０（重量％）である。ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーの含有量が多いと液状組成物の粘度が高くなって重合が困難となる傾向にある。
【００４９】
前記（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は、凝集力の観点から、１０万〜１００万程度が好ましく、さらに好ましくは１５万〜９０万程度である。
【００５０】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーである（メタ）アクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミン、カルボキシル基含有ポリマーなどのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、１〜５重量部程度配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により前記成分の他に従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。
【００５１】
第一粘着剤層１２の厚さは特に限定されないが、粘着性の観点から、１μｍ〜３０μｍの範囲内が好ましく、２μｍ〜２５μｍの範囲がより好ましく、３μｍ〜２０μｍの範囲が特に好ましい。
【００５２】
第一粘着剤層１２と、ダイシングリングとの間の剥離強度は、０．２Ｎ／２０ｍｍ〜１０Ｎ／２０ｍｍの範囲内が好ましく、０．３Ｎ／２０ｍｍ〜９．５Ｎ／２０ｍｍの範囲内がより好ましく、０．５Ｎ／２０ｍｍ〜９Ｎ／２０ｍｍの範囲内が特に好ましい。第一粘着剤層１２とダイシングリングの間の剥離強度を０．２Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、当該ダイシングリングの接着固定を確実にし、ダイシングを良好に行うことができる。その一方、前記剥離強度を１０Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、糊残りの発生を抑制しつつ使用後のダイシングリングを第一粘着剤層から剥離することができる。
【００５３】
尚、第一粘着剤層１２には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤等）が含まれていてもよい。
【００５４】
［第二粘着剤層］
前記第二粘着剤層１３は第一粘着剤層１２上に設けられている。第二粘着剤層１３は、半導体ウェハのダイシングの際に、ダイシングブレード等の切り込み深さが基材層１１や第一粘着剤層１２に到達するのを防ぐ機能を果たす。この為、基材層１１が切断された場合に生じる糸状の切削屑の発生を防止することができる。その結果、半導体チップの汚染も低減することができる。更に、第一粘着剤層１２を切断した場合に生じるバリの発生も防止することができる。
【００５５】
また、第二粘着剤層１３は少なくとも放射線硬化型粘着剤により形成されており、放射線の照射により予め硬化されている。その為、第二粘着剤層１３の粘着力は通常の粘着剤層よりも低減されており、接着剤層１４に対する剥離性に優れている。即ち、第二粘着剤層１３は、半導体チップのピックアップ性を向上させる機能を果たす。更に、ダイシングの際にダイシングブレードにより一部が切断されても、バリが発生するのを低減することができる。その結果、第二粘着剤層１３と接着剤層１４の境界に粘着剤が付着して、ピックアップ時に両者の剥離を阻害することもない。尚、前記放射線としては、Ｘ線、紫外線、電子線等が挙げられる。
【００５６】
第二粘着剤層１３が設けられている領域は、第一粘着剤層１２上のダイシングリングの貼り付け部分１８の内側であることが好ましい。例えば、図２に示すように、第二粘着剤層１３の平面形状が円形状である場合、その直径はダイシングリングの内径より小さいことが好ましい。これにより、第一粘着剤層１２は第二粘着剤層１３やダイシングリングを確実に固定させる性能（即ち、粘着性）を有していれば足り、ピックアップ時の剥離性を考慮する必要がなくなる。
【００５７】
第二粘着剤層１３は第一粘着剤層１２の全面に設けられていてもよいが、図１に示すように、ダイシングリングの貼り付け部分の内側に収まるように設けられていることが好ましい。これにより、ダイシングリングを第一粘着剤層１２上に貼り付けることが可能になり、第二粘着剤層１３上に貼り付ける必要がなくなる。これにより、第二粘着剤層１３は半導体チップのピックアップ時における剥離性が良好であればよく、ダイシングリングに対する粘着性能までは要求されなくなる。
【００５８】
第二粘着剤層１３は、放射線照射により予め硬化されたものを第一粘着剤層１２上に設けたものである。紫外線照射により第二粘着剤層１３を放射線硬化させると、架橋構造が形成されることにより第二粘着剤層１３の体積が縮小する。そのため、例えば第一粘着剤層１２との貼り合わせ後に第二粘着剤層１３の放射線硬化を行うと、第二粘着剤層１３の体積収縮に起因して基材層１１及び第一粘着剤層１２に対し応力が加わり、反りが生じる場合がある。しかし、予め放射線硬化されたものであれば、基材層１１等に対し不要な応力が加わるのを防止し、反りのない半導体装置製造用フィルムが得られる。
【００５９】
但し、第一粘着剤層１２上に第二粘着剤層１３の前駆体（以下、「第二粘着剤層前駆体」という）を積層した後に、当該第二粘着剤層前駆体に放射線を照射してこれを硬化させ、第二粘着剤層１３を形成してもよい。この場合、第一粘着剤層１２と第二粘着剤層１３との間の密着性が過度に損なわれない積層状態が維持され得る。その結果、第二粘着剤層１３の粘着性が過度に低下するのを抑制することができる。更に、第二粘着剤層前駆体上に接着剤層１４を積層した後に、当該第二粘着剤層前駆体に放射線を照射してこれを硬化させ、第二粘着剤層１３を形成してもよい。
【００６０】
前記放射線硬化型粘着剤としては、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用できる。より具体的には、放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等の一般的な感圧性接着剤に、放射線硬化性のモノマー成分や放射線硬化性のオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。前記放射線硬化型粘着剤としては、半導体ウェハ又はガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマー又はポリマー主成分とするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００６１】
前記アクリル系ポリマーとしては、アクリル系ポリマーの全量に対し、ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数６〜１０、より好ましくは８〜９のアルキル基である）で表されるアクリル酸アルキルエステルと、ヒドロキシル基含有モノマーとを含み、かつ、カルボキシル基含有モノマーを含まないモノマー組成物によるアクリル系ポリマーが好ましい。前記アクリル酸アルキルエステルにおいて、前記アルキル基の炭素数が６未満であると、剥離力が大きくなり過ぎてピックアップ性が低下する場合がある。一方、前記アルキル基の炭素数が１０を超えると、接着剤層１４との接着性又は密着性が低下し、その結果、ダイシングの際にチップ飛びが発生する場合がある。
【００６２】
アクリル酸アルキルエステルは、具体的には、例えば、アクリル酸ヘキシルエステル、アクリル酸ヘプチルエステル、アクリル酸オクチルエステル、アクリル酸イソオクチルエステル、アクリル酸２−エチルヘキシルエステル、アクリル酸ノニルエステル、アクリル酸イソノニルエステル、アクリル酸デシルエステル、アクリル酸イソデシルエステル等のアルキル基の炭素数が６〜１０（特に炭素数８〜９）の直鎖状又は分岐鎖状のアクリル酸アルキルエステルなどが挙げられる。これらのモノマーは単独で又は２種以上を併用して用いてもよい。また、アクリル酸アルキルエステルのうち、アルキル基の炭素数が８〜９のアクリル酸アルキルエステルが特に好ましく、より具体的には、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸イソオクチル、アクリル酸イソノニルエステルが、ピックアップ性の観点から最適である。
【００６３】
前記アクリル酸アルキルエステルの配合量は、アクリル系ポリマーの全量に対し５０重量％以上が好ましく、より好ましくは７０重量％〜９０重量％である。アクリル酸アルキルエステルの前記配合量が５０重量％未満であると、剥離力が大きくなり過ぎ、ピックアップ性が低下する場合がある。
【００６４】
前記アクリル系ポリマーには、前記アクリル酸アルキルエステルと共重合可能なヒドロキシル基含有モノマーが必須成分として使用されることが好ましい。ヒドロキシル基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。前記ヒドロキシル基含有モノマーは単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
【００６５】
前記ヒドロキシル基含有モノマーの配合量は、モノマー成分の全量に対し１重量％〜３０重量％の範囲内が好ましく、３重量％〜１０重量％の範囲内でより好ましい。ヒドロキシル基含有モノマーの配合量が１重量％未満であると、粘着剤の凝集力が低下し、ピックアップ性が低下する場合がある。その一方、前記含有量が３０重量％を超えると、粘着剤の極性が高くなり、接着剤層との相互作用が高くなることによりピックアップ性が低下する場合がある。
【００６６】
ここで、アクリル系ポリマーには、前記化学式で表されるアクリル酸アルキルエステル以外のアクリル酸エステルがモノマー成分として用いられていてもよい。このようなアクリル酸エステルとしては、前記化学式で表されるアクリル酸アルキルエステル以外の他のアクリル酸アルキルエステルの他、芳香族環を有するアクリル酸エステル（アクリル酸フェニル等のアクリル酸アリールエステルなど）、脂環式炭化水素基を有するアクリル酸エステル（アクリル酸シクロペンチル、アクリル酸シクロヘキシル等のアクリル酸シクロアルキルエステルや、アクリル酸イソボルニルなど）などが挙げられる。このようなアクリル酸エステルは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらのうち、前記他のアクリル酸アルキルエステル、アクリル酸シクロアルキルエステルが好適であり、特に他のアクリル酸アルキルエステルを好適に用いることができる。
【００６７】
前記他のアクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ｓ−ブチル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸ペンチル、アクリル酸イソペンチル等のアルキル基の炭素数が５以下のアクリル酸アルキルエステル；アクリル酸ウンデシル、アクリル酸ドデシル、アクリル酸トリデシル、アクリル酸テトラデシル、アクリル酸ヘキサデシル、アクリル酸オクタデシル、アクリル酸エイコシルなどのアルキル基の炭素数が１１以上（好ましくは１１〜３０）のアクリル酸アルキルエステルなどが挙げられる。
【００６８】
前記アクリル酸エステルの配合量は、モノマー成分の全量に対し５０重量％以上が好ましく、７０重量％〜９０重量％の範囲内でより好ましい。アクリル酸エステルの配合量が５０重量％未満であると、第二粘着剤層１３の剥離力が過度に大きくなる場合がある。
【００６９】
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記アクリル酸アルキルエステルやヒドロキシル基含有モノマーと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。共重合可能な他のモノマー成分としては、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸ｓ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル等のメタクリル酸エステル；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２一ヒドロキシエチルアクリロイルボスフェート等のリン酸基含有モノマー；スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレンなどのスチレン系単量体；エチレン、ブタジエン、イソプレン、イソブチレンなどのオレフィン又はジエン類；塩化ビニルなどのハロゲン原子含有単量体；フッ素（メタ）アクリレートなどのフッ素原子含有単量体；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上を使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００７０】
但し、本実施の形態では、カルボキシル基含有モノマーを用いないことが重要である。カルボキシル基含有モノマーが用いられていると、そのカルボキシル基と接着剤層１４中のエポキシ樹脂におけるエポキシ基とが反応することにより、第二粘着剤層１３と接着剤層１４との接着性が高くなり、両者の剥離性が低下する。このようなカルボキシル基含有モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などが挙げられる。
【００７１】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合（例えば、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合など）、乳化重合、塊状重合、懸濁重合、光重合（例えば、紫外線（ＵＶ）重合など）等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの重量平均分子量は、好ましくは３５万〜１００万、より好ましくは４５万〜８０万程度である。
【００７２】
また、前記第二粘着剤層１３には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の重量平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、１０重量部以下が好ましく、０．１重量部〜８重量部がより好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
【００７３】
配合する前記紫外線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４一ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また紫外線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その重量平均分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記第二粘着剤層１３の種類に応じて、粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５重量部〜５００重量部の範囲内が好ましく、より好ましくは４０重量部〜１５０重量部程度である。
【００７４】
また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造の第二粘着剤層１３を形成することができる為好ましい。
【００７５】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
【００７６】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計において容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の紫外線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
【００７７】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
【００７８】
前記内在型の紫外線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲内である。
【００７９】
前記紫外線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシー２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシーα，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシー２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチルー１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルポニルクロリド等の芳香族スルポニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルポスフィノキシド；アシルボスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
【００８０】
また紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するアクリル系粘着剤等が挙げられる。尚、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の第二粘着剤層１３の表面から酸素（空気）を遮断するのが望ましい。その方法としては、例えば第二粘着剤層１３の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。
【００８１】
第二粘着剤層１３の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着剤層１４の固定保持、切削屑の低減の観点から、１０μｍ〜１００μｍ程度が好ましく、より好ましくは１５μｍ〜８０μｍ、更に好ましくは２０μｍ〜５０μｍである。尚、第二粘着剤層１３は単層、複層の何れであってもよい。
【００８２】
第二粘着剤層１３の剪断貯蔵弾性率は、２３℃及び１５０℃に於いて５×１０４〜１×１０１０Ｐａであることが好ましく、１×１０５〜１×１０８Ｐａであることがより好ましい。剪断貯蔵弾性率が５×１０４Ｐａ未満であると、第二粘着剤層１３と接着剤層１４の剥離が困難になる場合がある。その一方、剪断貯蔵弾性率が１×１０１０Ｐａを超えると、第二粘着剤層１３と接着剤層１４の間の密着性が低下する場合がある。第二粘着剤層１３の剪断貯蔵弾性率は、次の通りにして得られる値である。即ち、先ず粘着剤層を厚さ約１．５ｍｍ、直径７．９ｍｍの円筒状に成形する。次に、動的粘弾性測定装置としてレオメトリックサイエンティフィック社製のＡＲＥＳ粘弾性測定装置を用いて、第二粘着剤層１３をパラレルプレートの治具に取り付け、剪断モードで歪み０．１％（２３℃）、０．３％（１５０℃）、周波数１Ｈｚのせん断歪を与えながら、２３℃から１５０℃の温度範囲を昇温速度５℃／ｍｉｎで温度変化させる。このときの弾性率を測定することで２３℃及び１５０℃での剪断貯蔵弾性率が得られる。尚、第二粘着剤層１３が放射線硬化型である場合、前記剪断貯蔵弾性率の値は放射線硬化後の値である。また、剪断貯蔵弾性率は、例えば、外部架橋剤の添加により適宜調整することができる。
【００８３】
第二粘着剤層１３の接着剤層１４との貼り合わせ面における表面自由エネルギーは３０ｍＪ／ｍ２以下が好ましく、１ｍＪ／ｍ２〜３０ｍＪ／ｍ２がより好ましく、１５〜３０ｍＪ／ｍ２が更に好ましく、２０〜２８ｍＪ／ｍ２が特に好ましい。表面自由エネルギーが３０ｍＪ／ｍ２を超えると、接着剤層１４に対する第二粘着剤層１３の接着性が大きくなり過ぎ、ピックアップ性が低下する場合がある。また、第二粘着剤層前駆体の接着剤層１４との貼り合わせ面における表面自由エネルギーは３０ｍＪ／ｍ２以下が好ましく、１ｍＪ／ｍ２〜３０ｍＪ／ｍ２がより好ましく、１５ｍＪ／ｍ２〜３０ｍＪ／ｍ２が更に好ましく、２０ｍＪ／ｍ２〜２８ｍＪ／ｍ２であることが特に好ましい。表面自由エネルギーが３０ｍＪ／ｍ２を超えると、接着剤層１４に対する第二粘着剤層１３の接着性が大きくなり過ぎ、ピックアップ性が低下する場合がある。第二粘着剤層１３又は第二粘着剤層前駆体の表面自由エネルギーは、例えば、外部架橋剤の添加により適宜調整することができる。尚、表面自由エネルギーは、次の方法により算出することができる。即ち、第二粘着剤層１３の表面に対し水及びヨウ化メチレンを用いてそれぞれ接触角（θ（rad））を測定する。次に、この測定値と、接触角測定液体の表面自由エネルギー値として文献により既知の値とを用いて、下記式により表面自由エネルギー（γｓ）を算出する。
【００８４】
【数１】
2011174042.tif 000003
【００８５】
尚、文献により既知の表面自由エネルギーの値は以下の通りである。
水：分散成分（γＬｄ）  ２１．８ｍＪ／ｍ２、極性成分（γＬｐ）  ５１．０ｍＪ／ｍ２
ヨウ化メチレン：分散成分（γＬｄ）  ４９．５ｍＪ／ｍ２、極性成分（γＬｐ）  １．３ｍＪ／ｍ２
【００８６】
また、第二粘着剤層１３の接着剤層１４との貼り合わせ面における水及びヨウ化メチレンの接触角の測定は、次の通りにして得られた値である。即ち、ＪＩＳ  Ｚ８７０３に準じて、温度２３±２℃、相対湿度５０±５％Ｒｈの環境下において、第二粘着剤層１３の表面に約１μＬの水（蒸留水）又はヨウ化メチレンの液滴を滴下する。次に、表面接触角計「ＣＡ−Ｘ」（ＦＡＣＥ社製）を用いて、滴下３０秒後に３点法（平均値を用いた）により接触角を測定した。
【００８７】
尚、第二粘着剤層１３には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤等）が含まれていてもよい。
【００８８】
基材層１１、第一粘着剤層１２、及び、第二粘着剤層１３を重ねた構造物は、Ｅ×Ｉにより算出される曲げ剛性Ｓが、５．０×１０４〜７．０×１０５の範囲内であることが好ましい（但し、Ｉは、ｂ×Ｔ３／１２で表される断面２次モーメントであり、ｂは、前記構造物の試験片の幅である１０（ｍｍ）であり、Ｔは、前記構造物の厚み(ｍｍ)であり、Ｅは、前記構造物の２５℃における引張貯蔵弾性率(Ｐａ)である。）。前記曲げ剛性Ｓは、６．０×１０４〜６．０×１０５の範囲内であることがより好ましく、７．０×１０４〜５．０×１０５の範囲内であることがさらに好ましい。前記曲げ剛性Ｓを５．０×１０４以上にすることにより、前記構造物の剛性を保つことができ、ウエハ貼り合わせ時にシワ無く貼り合わせが可能となる。その一方、前記曲げ剛性Ｓを７．０×１０５以下にすることにより、ピックアップ時に適正に前記構造物が曲がり安定なピックアップを実現できる。ここで、前記構造物の２５℃における引張弾性率（Ｐａ）は、動的粘弾性測定装置（ＲＳＡ−III、レオメトリクスサイエンティフィク社製）を用いて昇温５℃／ｍｉｎ で測定し、得られた値である。
【００８９】
［接着剤層］
接着剤層１４は第二粘着剤層１３上に設けられており、半導体ウェハ等に対し接着機能を有する層である。図２に示すように、円形状の第二粘着剤層１３が、第一粘着剤層１２上のダイシングリングの貼り付け部分１８の内側に設けられている場合には、接着剤層１４の平面形状も円形状とし、かつ、第二粘着剤層１３の中心に対して略同心円となる位置に設けられていることが好ましい。また、接着剤層１４の平面形状は第二粘着剤層１３よりも大きく、かつ、第二粘着剤層１３の全面を覆う様に設けられていることが好ましい。これにより、接着剤層１４の周縁部１４ａ（図２における斜線部の領域）は第一粘着剤層１２上に積層させることができる。この様な積層構造であると、接着剤層１４の周縁部は、軽剥離の第二粘着剤層１３上ではなく第一粘着剤層１２上で強固に接着した構成となる。その結果、例えば、ダイシングの際に接着剤層１４が第二粘着剤層１３から剥離してめくれが生じるのを防止することができる。
【００９０】
接着剤層１４の構成材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものが挙げられる。又、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂単独でも使用可能である。また、接着剤層１４の積層構造は特に限定されず、例えば単層のみからなるものや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造のもの等が挙げられる。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。
【００９１】
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
【００９２】
前記アクリル樹脂としては、例えば、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
【００９３】
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
【００９４】
更に、前記アクリル樹脂としてはアクリル共重合体が好ましい。当該アクリル共重合体に用いるモノマー成分としては特に限定されず、例えば、ブチルアクリレート、エチルアクリレート等が挙げられる。本発明に於いては、全モノマー成分に対し、１０〜６０重量％の範囲内のブチルアクリレートと、４０〜９０重量％の範囲内のエチルアクリレートとを含み構成される共重合体が好ましい。
【００９５】
また、前記モノマー成分と共重合可能な他のモノマー成分としては特に限定されず、例えば、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分の使用量は、全モノマー成分に対し１〜２０重量％の範囲内であることが好ましい。当該数値範囲内の他のモノマー成分を含有させることにより、凝集力、接着性などの改質が図れる。
【００９６】
アクリル共重合体の重合方法としては特に限定されず、例えば、溶液重合法、隗状重合法、懸濁重合法、乳化重合法等の従来公知の方法を採用することができる。
【００９７】
前記アクリル共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−３０℃〜１０℃であることが好ましく、−２５℃〜８℃であることがより好ましい。前記ガラス転移温度を−３０℃以上にすることにより、接着剤層１４の高温時（例えば、１００〜２００℃）の貯蔵弾性率を確保することができる。その一方、１０℃以下にすることにより、半導体ウェハに対する良好な密着性・貼着性を発現させることができる。
【００９８】
前記アクリル共重合体の重量平均分子量は、１０万以上であることが好ましく、６０万〜１２０万であることがより好ましく、７０万〜１００万であることが特に好ましい。重量平均分子量を１０万以上にすることにより、配線基板等の被着体や半導体素子、半導体ウェハ表面に対する高温時の接着性に優れ、かつ、耐熱性も向上させることができる。尚、重量平均分子量が１２０万以下にすることにより、容易に有機溶剤への溶解することができる。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロトマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００９９】
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
【０１００】
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。尚、エポキシ樹脂は、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ない。
【０１０１】
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうち、下記化学式で表されるビフェニル型フェノールノボラック樹脂や、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【０１０２】
【化１】
2011174042.tif 000004
尚、前記ｎは０〜１０の自然数であることが好ましく、０〜５の自然数であることがより好ましい。前記数値範囲内にすることにより、接着剤層１４の流動性の確保が図れる。
【０１０３】
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
【０１０４】
尚、本発明に於いては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を用いた接着剤層が特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。この場合の配合比は、アクリル樹脂成分１００重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が１０〜２００重量部である。
【０１０５】
本発明の接着剤層１４を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
【０１０６】
前記架橋剤としては、特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。
【０１０７】
また、接着剤層１４には、無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、接着剤層１４の表面に凹凸を付与する。また、導電性の付与や熱伝導性の向上、貯蔵弾性率の調節等も可能にする。
【０１０８】
前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。
【０１０９】
無機充填剤の平均粒径は、０．１〜５μｍの範囲内であることが好ましく、０．２〜３μｍの範囲内であることがより好ましい。無機充填剤の平均粒径が０．１μｍ未満であると、前記接着剤層のＲａを０．１５μｍ以上にすることが困難になる。その一方、前記平均粒径が５μｍを超えると、Ｒａを１μｍ未満にすることが困難になる。尚、本発明に於いては、平均粒径が相互に異なる無機充填剤同士を組み合わせて使用してもよい。また、平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
【０１１０】
前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対し２０〜８０重量部に設定することが好ましい。特に好ましくは２０〜７０重量部である。無機充填剤の配合量が２０重量部未満であると、耐熱性が低下するため、長時間高温の熱履歴にさらされると接着剤層１４が硬化し、流動性や埋め込み性が低下する場合がある。また、８０重量部を超えると、接着剤層１４の貯蔵弾性率が大きくなる。このため、硬化した接着剤が応力緩和しづらくなり、封止工程に於いて凹凸に対する埋め込み性が低下する場合がある。
【０１１１】
尚、接着剤層１４には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
【０１１２】
接着剤層１４は、必要に応じて着色されていてもよい。接着剤層１４において、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色、緑色などが好ましい。接着剤層１４は、ダイボンドフィルムとして用いる場合には、通常、着色されていないが（着色されていても良いが）、フリップチップ型半導体裏面用フィルムとして用いる場合には、通常、着色されている。着色に際しては、顔料、染料などの公知の着色剤の中から適宜選択して用いることができる。
【０１１３】
接着剤層１４の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば、５〜１００μｍ程度、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
【０１１４】
なお、本発明の接着剤層は、ダイボンドフィルムや、フリップチップ型半導体裏面用フィルムとして用いることができる。ここで、フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、半導体チップをフリップチップボンディングにより基板に実装する際に、半導体チップの裏面（露出している裏面）を保護するために用いられるものである。
【０１１５】
［各層間における剥離力］
前記第二粘着剤層１３と接着剤層１４の間の剥離強度Ｘは、０．０１Ｎ／２０ｍｍ〜０．２Ｎ／２０ｍｍの範囲内が好ましく、０．０１５Ｎ／２０ｍｍ〜０．１８Ｎ／２０ｍｍの範囲内がより好ましい。前記剥離強度Ｘを０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、例えば、半導体ウェハのダイシングの際に、両者の間で剥離が生じ、半導体チップのチップ飛びが発生するのを防止することができる。その一方、前記剥離強度Ｘを０．２Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、放射線の照射工程を省略しても、半導体チップを良好にピックアップすることができる。
【０１１６】
また、前記第一粘着剤層１２と第二粘着剤層１３の間の剥離強度Ｙは、０．２Ｎ／２０ｍｍ〜１０Ｎ／２０ｍｍの範囲内が好ましく、０．３Ｎ／２０ｍｍ〜９．５Ｎ／２０ｍｍの範囲内がより好ましい。前記剥離強度Ｙを０．２Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、例えば、ダイシングの際に、半導体ウェハや半導体チップを確実に固定することができる。また、前記剥離強度Ｙを１０Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、第一粘着剤層１２から第二粘着剤層１３を剥離するのを可能にし、基材層１１及び第一粘着剤層１２により構成されるキャリアテープとしての積層フィルムの再利用を可能にする。
【０１１７】
前記第二粘着剤層１３と接着剤層１４の間の剥離強度Ｘと、第一粘着剤層１２と第二粘着剤層１３の間の剥離強度Ｙの比（Ｙ／Ｘ）は、３〜５００の範囲内が好ましく、４〜４００の範囲内がより好ましい。前記剥離強度Ｘと剥離強度Ｙの比（Ｙ／Ｘ）を３以上にすることにより、半導体チップのピックアップ時の剥離界面を第二粘着剤層１３と接着剤層１４の境界にすることができる。その一方、前記比（Ｙ／Ｘ）を５００以下にすることにより、ダイシング時のチップ飛びや接着剤層のめくれを抑制し、安定したダイシングを可能にする。
【０１１８】
前記第一粘着剤層１２と、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板との間の剥離強度は、０．２Ｎ／２０ｍｍ〜１１Ｎ／２０ｍｍの範囲内が好ましく、０．３Ｎ／２０ｍｍ〜９．５Ｎ／２０ｍｍの範囲内が好ましい。前記剥離強度を０．２Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、当該ダイシングリングの接着固定を確実にし、ダイシングを良好に行うことができる。その一方、前記剥離強度を１１Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、使用後のダイシングリングを第一粘着剤層１２から剥離する際に、ダイシングリングに糊残りが発生するのを抑制することができる。
【０１１９】
［セパレータ］
前記セパレータ１５は、実用に供するまで接着剤層１４を保護する保護材としての機能を有している。但し、図２に示すように、第二粘着剤層１３及び接着剤層１４がダイシングリングの貼り付け部分１８の内側に設けられる場合は、セパレータ１５は第一粘着剤層１２をも保護する。また、セパレータ１５は、第二粘着剤層１３に接着剤層１４を転写する際の基材として用いることができる。セパレータ１５は接着剤層１４上に半導体ウェハを貼着する際に剥がされる。セパレータ１５としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。
【０１２０】
（半導体装置製造用フィルムの製造方法）
次に、本発明の半導体装置製造用フィルムの製造方法について、半導体装置製造用フィルム１を例にして説明する。先ず、基材層１１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
【０１２１】
次に、第一粘着剤層１２を基材層１１上に形成する。即ち、基材層１１上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、第一粘着剤層１２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては塗布膜の厚さや材料等に応じて種々設定される。具体的には、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて第一粘着剤層１２を形成してもよい。その後、基材層１１上に第一粘着剤層１２を転写する。
【０１２２】
次に、第一粘着剤層１２上に第二粘着剤層１３を形成する。即ち、セパレータ上に放射線硬化型の粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、第二粘着剤層前駆体を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては塗布膜の厚さや材料等に応じて種々設定される。具体的には、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて第二粘着剤層前駆体を形成してもよい。
【０１２３】
この様にして形成された第二粘着剤層前駆体は放射線照射され、これにより第二粘着剤層１３が形成される。放射線として紫外線を用いる場合、その照射条件としては、その積算光量が５０ｍＪ／ｃｍ２〜１０００ｍＪ／ｃｍ２となる範囲内であることが好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ２〜８００ｍＪ／ｃｍ２となる範囲内であることがより好ましい。紫外線の照射が５０ｍＪ／ｃｍ２未満であると、第二粘着剤層１３の硬化が不十分になる場合がある。その結果、接着剤層１４との密着性が増大し、ピックアップ性の低下を招来する。またピックアップ後、接着剤層１４に糊残りが発生する。その一方、紫外線の照射が１０００ｍＪ／ｃｍ２を超えると、第二粘着剤層１３の硬化が過度に進行して引張弾性率が大きくなりすぎ、エキスパンド性が低下する。更に、粘着力が過度に低下し、これにより半導体ウェハのダイシングの際に、チップ飛びが発生する場合がある。
【０１２４】
その後、放射線照射により硬化された第二粘着剤層１３は、第一粘着剤層１２上に転写される。尚、本実施の形態に於いては、第一粘着剤層１２上に第二粘着剤層前駆体を転写した後に、当該第一粘着剤層前駆体に放射線照射を行い第二粘着剤層１３を形成してもよい。この場合の照射条件としては、放射線として紫外線を用いる場合、その積算光量は５０ｍＪ／ｃｍ２〜１０００ｍＪ／ｃｍ２となる範囲内であることが好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ２〜８００ｍＪ／ｃｍ２となる範囲内であることがより好ましい。紫外線の照射が５０ｍＪ／ｃｍ２未満であると、第二粘着剤層１３の硬化が不十分になる場合がある。その結果、接着剤層１４との密着性が増大し、ピックアップ性の低下を招来する。またピックアップ後、接着剤層１４に糊残りが発生する。その一方、紫外線の照射が１０００ｍＪ／ｃｍ２を超えると、第二粘着剤層１３の硬化が過度に進行して引張弾性率が大きくなりすぎ、エキスパンド性が低下する。更に、粘着力が過度に低下し、これにより半導体ウェハのダイシングの際に、チップ飛びが発生する場合がある。
【０１２５】
続いて、第二粘着剤層１３上に接着剤層１４を形成する。即ち、接着剤層１４を形成する為の接着剤組成物を剥離紙上に所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して接着剤層１４を形成する。この接着剤層１４を第二粘着剤層１３上に転写することにより、本実施の形態に係る半導体装置製造用フィルム１を形成することができる。尚、接着剤層１４の転写は、第二粘着剤層前駆体に対して行ってもよい。この場合、接着剤層１４の転写後に第二粘着剤層前駆体に放射線を照射し、第二粘着剤層１３を形成する。この場合の放射線の照射条件は、第一粘着剤層１２上に第二粘着剤層前駆体を転写した場合に準じることができる。
【０１２６】
（半導体装置の製造方法）
前記半導体装置製造用フィルム１を用いた半導体装置の製造方法を、図３を参照しながら以下に説明する。図３は、前記半導体装置製造用フィルムの接着剤層上に貼着された半導体ウェハをダイシングする様子を表す断面模式図である。
【０１２７】
先ず、図３（ａ）に示すように、半導体装置製造用フィルム１に於ける接着剤層１４上に半導体ウェハ２１を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。貼り合わせ条件としては特に限定されないが、通常は貼り付け温度２５℃〜８０℃、貼り付け速度１ｍｍ／ｓｅｃ〜１００ｍｍ／ｓｅｃ、貼り付け圧力０．０５ＭＰａ〜１ＭＰａで行うことができる。
【０１２８】
次に、図３（ｂ）に示すように、半導体ウェハ２１のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ２１を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ２２を形成する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ２１の回路面側から常法に従い行われる。第一粘着剤層１２上のダイシングリングの貼り付け部分１８には、ダイシングリング２３が設けられている。また、本工程では、ダイシングブレード２４による切り込みを第二粘着剤層１３の一部まで行い、第一粘着剤層１２にまで達しないようにする。第二粘着剤層１３は予め放射線硬化されているので、ダイシングにより切断されても、その切断面において粘着剤の糊はみ出し（バリ）が生じるのを低減することができる。その結果、切断面同士が再付着（ブロッキング）するのを防止し、後述のピックアップを一層良好に行うことができる。また、基材層１１や第一粘着剤層１２は切断されないので、基材層１１の切断に起因して発生する糸状の切削屑がバリやヒゲとして半導体チップ２１の側面等に付着するのを防止し、低汚染性が図れる。また、第一粘着剤層１２の切断に起因して発生するバリ等も防止することができる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハ２１は接着剤層１４により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ２１の破損も抑制できる。
【０１２９】
次に、半導体装置製造用フィルム１のエキスパンドを行う。エキスパンドは、従来公知のエキスパンド装置を用いて行う。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介して半導体装置製造用フィルム１を下方に押し下げることが可能なドーナツ状の外リングと、該外リングよりも径が小さく半導体装置製造用フィルム１を支持する内リングとを有している。
【０１３０】
続いて、図３（ｃ）に示すように、半導体装置製造用フィルム１に接着固定された半導体チップ２２を剥離する為に、半導体チップ２２のピックアップを行う。ピックアップは、第二粘着剤層１３が予め放射線照射により硬化されているので、放射線を照射することなく行われる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ２２を半導体装置製造用フィルム１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ２２をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。本発明の半導体装置製造用フィルム１では、第二粘着剤層１３と接着剤層１４の剥離性が良好であるので、例えばニードル数を低減したり、突き上げ量を小さくしても歩留まりを向上してピックアップを行うことができる。
【０１３１】
ピックアップした半導体チップ２２は、接着剤層１４を介して被着体に接着固定される（ダイボンド）。被着体はヒートブロック９上に載置されている。被着体としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。
【０１３２】
前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。
【０１３３】
接着剤層１４が熱硬化型の場合には、加熱硬化により、半導体チップ２２を被着体に接着固定し、耐熱強度を向上させる。尚、接着剤層１４を介して半導体チップ２２が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。その後、基板の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ２２上の電極パッドとをボンディングワイヤーで電気的に接続するワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップを封止樹脂で封止し、当該封止樹脂をアフターキュアする。これにより、本実施の形態に係る半導体装置が作製される。
【実施例】
【０１３４】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【０１３５】
（実施例１）
＜第二粘着剤層の作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（２ＥＨＡ）：８０重量部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）：２０重量部及びトルエン：６５重量部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間の重合処理をしアクリル系ポリマーＸを得た。
【０１３６】
このアクリル系ポリマーＸ：１００重量部に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）：２４．１重量部（ＨＥＡに対し９０ｍｏｌ％）を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＹを得た。
【０１３７】
次に、アクリル系ポリマーＹ：１００重量部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業株式会社製）：３重量部、及び光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ（株）製）５重量部を加えて、粘着剤溶液を調製した。
【０１３８】
前記で調製した粘着剤溶液を、厚さ５０μｍＰＥＴフィルムのシリコーン処理を施した面上に塗布し、８０℃で３分間加熱架橋して、厚さ３０μｍの放射線硬化型の第二粘着剤層前駆体を形成し、その後、紫外線（ＵＶ）照射装置（商品名「ＵＭ−８１０」（日東精機株式会社製））を用いて、紫外線照射積算光量：３００ｍＪ／ｃｍ２にて紫外線照射し、第二粘着剤層を作製した。
【０１３９】
＜接着剤層の作製＞
エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ５０１ＨＹ）５０重量部、フェノール樹脂（明和化成（株）製、商品名；ＭＥＨ７８００）５０重量部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１、重量平均分子量７０万、ガラス転移点−１５℃）１００重量部、及びフィラーとしての球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ、平均粒径０．５μｍ）７０重量部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
【０１４０】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍの接着剤層を作製した。
【０１４１】
＜半導体装置製造用フィルムの作製＞
基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、日東電工（株）製の商品名Ｓ−４００Ｘを用いた。このキャリアテープの第一粘着剤層上に、３１５ｍｍφに切り出した第二粘着剤層を常温で貼り合わせた。その後、３３０ｍｍφに切り出した接着剤層が第二粘着剤層を完全に覆うように４０℃で貼り合わせ、本実施例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１４２】
（実施例２）
本実施例に於いては、基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、日東電工（株）製の商品名ＣＢ−７００を用いたこと以外は実施例１とにして、本実施例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１４３】
（実施例３）
本実施例に於いては、基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、日東電工（株）製の商品名Ｍ−４００１を用いたこと以外は実施例１とにして、本実施例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１４４】
（実施例４）
本実施例に於いては、基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、日東電工（株）製の商品名ＨＲ−４０１１を用いたこと以外は実施例１とにして、本実施例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１４５】
（実施例５）
本実施例に於いては、基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、日東電工（株）製の商品名Ｖ８−Ｓを用いたこと以外は実施例１とにして、本実施例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１４６】
（実施例６）
本実施例に於いては、基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、日東電工（株）製の商品名ＵＥ−１０８８Ｊを用いたこと以外は実施例１とにして、本実施例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１４７】
（実施例７）
本実施例に於いては、基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、日東電工（株）製の商品名ＵＢ−２１３０Ｅを用いたこと以外は実施例１とにして、本実施例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１４８】
（実施例８）
＜第二粘着剤層の作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（２ＥＨＡ）：８０重量部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）：２０重量部及びトルエン：６５重量部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間の重合処理をしアクリル系ポリマーＸを得た。
【０１４９】
このアクリル系ポリマーＸ：１００重量部に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）：２４．１重量部（ＨＥＡに対し９０ｍｏｌ％）を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＹを得た。
【０１５０】
次に、アクリル系ポリマーＹ：１００重量部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業株式会社製）：８重量部、及び光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ（株）製）５重量部を加えて、粘着剤溶液を調製した。
【０１５１】
前記で調製した粘着剤溶液を、厚さ５０μｍＰＥＴフィルムのシリコーン処理を施した面上に塗布し、８０℃で３分間加熱架橋して、厚さ３０μｍの放射線硬化型の第二粘着剤層前駆体を形成し、その後、紫外線（ＵＶ）照射装置（商品名「ＵＭ−８１０」（日東精機株式会社製））を用いて、紫外線照射積算光量：３００ｍＪ／ｃｍ２にて紫外線照射し、第二粘着剤層を作製した。
【０１５２】
＜接着剤層の作製＞
本実施例に係る接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
【０１５３】
＜半導体装置製造用フィルムの作製＞
基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、実施例１と同様のものを用いた。このキャリアテープの第一粘着剤層上に、３１５ｍｍφに切り出した第二粘着剤層を常温で貼り合わせた。その後、３３０ｍｍφに切り出した接着剤層が第二粘着剤層を完全に覆うように４０℃で貼り合わせ、本実施例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１５４】
（実施例９）
＜第二粘着剤層前駆体の作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（２ＥＨＡ）：８０重量部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）：２０重量部及びトルエン：６５重量部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間の重合処理をしアクリル系ポリマーＸを得た。
【０１５５】
このアクリル系ポリマーＸ：１００重量部に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）：２４．１重量部（ＨＥＡに対し９０ｍｏｌ％）を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＹを得た。
【０１５６】
次に、アクリル系ポリマーＹ：１００重量部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業株式会社製）：５重量部、及び光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ（株）製）５重量部を加えて、粘着剤溶液を調製した。
【０１５７】
前記で調製した粘着剤溶液を、厚さ５０μｍＰＥＴフィルムのシリコーン処理を施した面上に塗布し、８０℃で３分間加熱架橋して、厚さ３０μｍの放射線硬化型の第二粘着剤層前駆体を形成した。
【０１５８】
＜接着剤層の作製＞
本実施例に係る接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
【０１５９】
＜半導体装置製造用フィルムの作製＞
基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、実施例１と同様のものを用いた。このキャリアテープの第一粘着剤層上に、３１５ｍｍφに切り出した第二粘着剤層前駆体を常温で貼り合わせた。その後、３３０ｍｍφに切り出した接着剤層が第二粘着剤層前駆体を完全に覆うように４０℃で貼り合わせた。その後、紫外線（ＵＶ）照射装置（商品名「ＵＭ−８１０」（日東精機株式会社製））を用いて、基材層側から第二粘着剤層前駆体に紫外線照射積算光量：３００ｍＪ／ｃｍ２にて紫外線照射し、第二粘着剤層を形成した。これにより、本実施例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１６０】
（実施例１０）
＜第二粘着剤層の作製＞
本実施例に係る第二粘着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
【０１６１】
＜接着剤層の作製＞
エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ５０１ＨＹ）２００重量部、フェノール樹脂（明和化成（株）製、商品名；ＭＥＨ７８００）２００重量部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１、重量平均分子量７０万、ガラス転移点−１５℃）１００重量部、及びフィラーとしての球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ、平均粒径０．５μｍ）２００重量部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
【０１６２】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍの接着剤層を作製した。
【０１６３】
＜半導体装置製造用フィルムの作製＞
基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、実施例１と同様のものを用いた。このキャリアテープの第一粘着剤層上に、３１５ｍｍφに切り出した第二粘着剤層を常温で貼り合わせた。その後、３３０ｍｍφに切り出した接着剤層が第二粘着剤層を完全に覆うように４０℃で貼り合わせ、本実施例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１６４】
（実施例１１）
＜第二粘着剤層の作製＞
本実施例に係る第二粘着剤層については、実施例８と同様のものを用いた。
【０１６５】
＜接着剤層の作製＞
本実施例に係る接着剤層については、実施例１０と同様のものを用いた。
【０１６６】
＜半導体装置製造用フィルムの作製＞
基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、実施例１と同様のものを用いた。このキャリアテープの第一粘着剤層上に、３１５ｍｍφに切り出した第二粘着剤層を常温で貼り合わせた。その後、３３０ｍｍφに切り出した接着剤層が第二粘着剤層を完全に覆うように４０℃で貼り合わせ、本実施例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１６７】
（実施例１２）
＜第二粘着剤層前駆体の作製＞
本実施例に係る第二粘着剤層前駆体については、実施例８と同様のものを用いた。
【０１６８】
＜接着剤層の作製＞
本実施例に係る接着剤層については、実施例１０と同様のものを用いた。
【０１６９】
＜半導体装置製造用フィルムの作製＞
基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、実施例１と同様のものを用いた。このキャリアテープの第一粘着剤層上に、３１５ｍｍφに切り出した第二粘着剤層前駆体を常温で貼り合わせた。その後、３３０ｍｍφに切り出した接着剤層が第二粘着剤層前駆体を完全に覆うように４０℃で貼り合わせた。その後、紫外線（ＵＶ）照射装置（商品名「ＵＭ−８１０」（日東精機株式会社製））を用いて、基材層側から第二粘着剤層前駆体に紫外線照射積算光量：３００ｍＪ／ｃｍ２にて紫外線照射し、第二粘着剤層を形成した。これにより、本実施例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１７０】
（実施例１３）
＜第二粘着剤層前駆体の作製＞
本実施例に係る第二粘着剤層前駆体については、実施例９と同様のものを用いた。
【０１７１】
＜接着剤層の作製＞
本実施例に係る接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
【０１７２】
＜半導体装置製造用フィルムの作製＞
基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、実施例１と同様のものを用いた。このキャリアテープの第一粘着剤層上に、３１５ｍｍφに切り出した第二粘着剤層前駆体を常温で貼り合わせた。その後、３３０ｍｍφに切り出した接着剤層が第二粘着剤層前駆体を完全に覆うように４０℃で貼り合わせた。その後、紫外線（ＵＶ）照射装置（商品名「ＵＭ−８１０」（日東精機株式会社製））を用いて、基材層側から第二粘着剤層前駆体に紫外線照射積算光量：３００ｍＪ／ｃｍ２にて紫外線照射し、第二粘着剤層を形成した。これにより、本実施例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１７３】
（実施例１４）
＜第二粘着剤層前駆体の作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（２ＥＨＡ）：８０重量部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）：２０重量部及びトルエン：６５重量部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間の重合処理をしアクリル系ポリマーＸを得た。
【０１７４】
このアクリル系ポリマーＸ：１００重量部に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）：２４．１重量部（ＨＥＡに対し９０ｍｏｌ％）を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＹを得た。
【０１７５】
次に、アクリル系ポリマーＹ：１００重量部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業株式会社製）：８重量部、及び光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ（株）製）５重量部を加えて、粘着剤溶液を調製した。
【０１７６】
前記で調製した粘着剤溶液を、厚さ５０μｍＰＥＴフィルムのシリコーン処理を施した面上に塗布し、８０℃で３分間加熱架橋して、厚さ３０μｍの放射線硬化型の第二粘着剤層前駆体を形成した。
【０１７７】
＜接着剤層の作製＞
本実施例に係る接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
【０１７８】
＜半導体装置製造用フィルムの作製＞
基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、日東電工（株）製の商品名Ｓ−４００Ｘを用いた。このキャリアテープの第一粘着剤層上に、３１５ｍｍφに切り出した第二粘着剤層前駆体を常温で貼り合わせた。次に、紫外線（ＵＶ）照射装置（商品名「ＵＭ−８１０」（日東精機株式会社製））を用いて、基材層側から第二粘着剤層前駆体に紫外線照射積算光量：３００ｍＪ／ｃｍ２にて紫外線照射し、第二粘着剤層を形成した。その後、３３０ｍｍφに切り出した接着剤層が第二粘着剤層を完全に覆うように４０℃で貼り合わせ、本実施例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１７９】
（比較例１）
本比較例に於いては、第二粘着剤層に代えてＯＰＰフィルム（二軸延伸したポリプロピレンフィルム、フタムラ化学（株）製、商品名；ＦＢＳ−６）を用いたこと以外は実施例１とにして、本比較例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１８０】
（比較例２）
本比較例に於いては、第二粘着剤層に代えて、表面がシリコーン処理されたＰＥフィルム（ポリエチレンフィルム、王子特殊紙（株）製、商品名；４０ＲＬ−０２）を用いたこと以外は実施例１とにして、本比較例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。尚、前記ＰＥフィルムにおける接着剤層との貼り合わせ面は、シリコーン処理された面とした。
【０１８１】
（比較例３）
本比較例に於いては、前記実施例１の半導体装置製造用フィルムにおいて、第二粘着剤層を備えない構造としたこと以外は、同実施例と同様にして本比較例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。即ち、キャリアテープの第一粘着剤層上に第二粘着剤層を貼り合わせず、３３０ｍｍφに切り出した接着剤層のみを４０℃で貼り合わせて半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１８２】
（比較例４）
＜第二粘着剤層の作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（２ＥＨＡ）：８０重量部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）：２０重量部及びトルエン：６５重量部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間の重合処理をしアクリル系ポリマーＸを得た。
【０１８３】
このアクリル系ポリマーＸ：１００重量部に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）：２４．１重量部（ＨＥＡに対し９０ｍｏｌ％）を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＹを得た。
【０１８４】
次に、アクリル系ポリマーＹ：１００重量部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業株式会社製）：５重量部、及び光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ（株）製）５重量部を加えて、粘着剤溶液を調製した。
【０１８５】
前記で調製した粘着剤溶液を、厚さ５０μｍＰＥＴフィルムのシリコーン処理を施した面上に塗布し、８０℃で３分間加熱架橋して、厚さ３０μｍの放射線硬化型の第二粘着剤層を形成した。
【０１８６】
＜接着剤層の作製＞
本比較例に係る接着剤層については、実施例９と同様のものを用いた。
【０１８７】
＜半導体装置製造用フィルムの作製＞
基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、実施例１と同様のものを用いた。このキャリアテープの第一粘着剤層上に、３１５ｍｍφに切り出した第二粘着剤層前駆体を常温で貼り合わせた。その後、３３０ｍｍφに切り出した接着剤層が第二粘着剤層を完全に覆うように４０℃で貼り合わせた。これにより、本比較例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１８８】
（比較例５）
本比較例に於いては、基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、日東電工（株）製の商品名ＧＥ−３００を用いたこと以外は比較例４と同様にして、本比較例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１８９】
（比較例６）
本比較例に於いては、基材層上に第一粘着剤層が積層されたキャリアテープとして、日東電工（株）製の商品名ＢＴ−３１５Ｓを用いたこと以外は比較例４と同様にして、本比較例に係る半導体装置製造用フィルムを作製した。
【０１９０】
（第二粘着剤層と接着剤層の間の剥離強度）
各実施例及び比較例において作製した半導体装置製造用フィルムから、長さ１００ｍｍ×幅２０ｍｍの試料を切り出した。次に、接着剤層の表面にテープ（日東電工（株）製、商品名；ＢＴ−３１５）を常温で貼り合わせ、接着剤層を補強した。更に、第二粘着剤層と接着剤層をチャッキングし、引張試験機（（株）島津製作所製、商品名；ＡＧＳ−Ｊ）を用いて両者の間の剥離強度を測定した。剥離条件は、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、温度２５℃、相対湿度５０％Ｒｈで行った。
【０１９１】
（第一粘着剤層と第二粘着剤層との間の剥離力）
各実施例及び比較例において作製した半導体装置製造用フィルムから接着剤層を引き剥がした。続いて、接着剤層を引き剥がした後の各半導体装置製造用フィルムから、長さ１００ｍｍ×幅２０ｍｍの試料を切り出した。次に、第二粘着剤層の表面にテープ（日東電工（株）製、商品名；ＢＴ−３１５）を常温で貼り合わせ、第二粘着剤層を補強した。更に、第二粘着剤層と第一粘着剤層をチャッキングし、引張試験機（（株）島津製作所製、商品名；ＡＧＳ−Ｊ）を用いて両者の間の剥離強度を測定した。剥離条件は、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、温度２５℃、相対湿度５０％Ｒｈで行った。
【０１９２】
（第一粘着剤層とＳＵＳの間の剥離力）
各実施例及び比較例において作製した半導体装置製造用フィルムから接着剤層及び第二粘着剤層を引き剥がした。続いて、接着剤層及び第二粘着剤層を引き剥がした後の各半導体装置製造用フィルムから、長さ１００ｍｍ×幅２０ｍｍの試料を切り出した。次に、第一粘着剤層の表面にＳＵＳ−３０４ＢＡ板に２ｋｇローラーを用いて貼り合わせた。その後、第一粘着剤層とＳＵＳ３０４−ＢＡ板をチャッキングし、引張試験機（（株）島津製作所製、商品名；ＡＧＳ−Ｊ）を用いて両者の間の剥離強度を測定した。剥離条件は、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、温度２５℃、相対湿度５０％Ｒｈで行った。
【０１９３】
（リング貼り合わせ性）
各実施例及び比較例のそれぞれ半導体装置製造用フィルムを用いて、以下の要領で、ダイシングリング貼り合わせ性を評価した。
半導体装置製造用フィルムからセパレータを剥離した後、その第一粘着剤層上にダイシングリングを２５℃でロール圧着して貼り合わせした。このとき、シワ無く貼り合せが可能だった場合を○、シワが発生した場合を×として、リング貼り合わせ性を評価した。結果を表１〜３に示す。
【０１９４】
（リワーク性）
各実施例及び比較例のそれぞれ半導体装置製造用フィルムを用いて、以下の要領で、リワーク性を評価した。
半導体装置製造用フィルムからセパレータを剥離した後、その第一粘着剤層上にダイシングリングを２５℃でロール圧着して貼り合わせした。半導体装置製造用フィルムが貼られたリングより、半導体装置製造フィルムを剥離し、リングに第一粘着剤層の残渣（糊残り）が確認されない場合を○、確認される場合を×として、リワーク性を評価した。結果を表１〜３に示す。
【０１９５】
（ガラス転移点（Ｔｇ）の測定）
各実施例及び比較例で使用したアクリル共重合体のガラス転移点は、粘弾性測定装置（Rheometic Scientific社製、ＡＲＥＳ）を用いて昇温速度１０℃／分、周波数１ＭＨｚに於けるＴａｎ（Ｇ”（損失弾性率）／Ｇ’（貯蔵弾性率））から測定した。
【０１９６】
（ウエハ貼り合わせ性、チップ飛び、チップ汚染性、及びピックアップ性）
各実施例及び比較例のそれぞれ半導体装置製造用フィルムを用いて、以下の要領で、実際に半導体ウェハの裏面研削工程からピックアップ工程までを行い、ウエハ貼り合わせ性、チップ飛び、チップ汚染性、及びピックアップ性を評価した。
【０１９７】
半導体ウェハ（直径１２インチ、厚さ０．６ｍｍ）を裏面研磨処理し、厚さ０．０５ｍｍのミラーウェハをワークとして用いた。半導体装置製造用フィルムからセパレータを剥離した後、その接着剤層上にミラーウェハを４０℃でロール圧着して貼り合わせした。このとき、シワ無く貼り合せが可能だった場合を○、シワが発生した場合を×として、ウエハ貼り合わせ性を評価した。結果を表１〜３に示す。更にダイシングを行い、２０個の半導体チップを形成した。ダイシングは１０ｍｍ角のチップサイズとなる様にフルカットした。また、ダイシングは、半導体ウェハの厚みの半分までは下記ダイシングブレードＺ１と用いた。更に、第二粘着剤層の厚みの半分までは、下記ダイシングブレードＺ２を用いた。また、ダイシングブレードＺ１及びＺ２の種類に応じて、ダイシング条件を下記の通りに変更した。ダイシングの際に半導体チップのチップ飛びが発生した場合を○とし、チップ飛びが発生しなかった場合を×として、チップ飛びを評価した。結果を表１〜３に示す。
【０１９８】
＜ウェハ研削条件＞
研削装置：ディスコ社製  ＤＦＧ−８５６０
半導体ウェハ：１２インチ径（厚さ０．６ｍｍから０．０５ｍｍに裏面研削）
【０１９９】
＜ウエハ貼り合わせ条件＞
貼り付け装置：日東精機製、ＭＡ−３０００II
貼り付け速度計：１０ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：４０℃
【０２００】
＜ダイシング条件＞
ダイシング装置：ディスコ社製、ＤＦＤ−６３６１
ダイシングリング：２−１２−１（ディスコ社製）
ダイシング速度：３０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：
Ｚ１；ディスコ社製ＮＢＣ−ＺＨ２０３０−ＳＥ２７ＨＣＤＤ
ダイシングブレード回転数：４０，０００ｒｐｍ
ブレード高さ：半導体ウェハの厚みの半分
Ｚ２；ディスコ社製ＮＢＣ−ＺＨ１０３０−ＳＥ２７ＨＣＢＢ
ダイシングブレード回転数：４５，０００ｒｐｍ
ブレード高さ：第二粘着剤層の厚みの半分
カット方式：Ａモード／ステップカット
ウェハチップサイズ：１０．０ｍｍ角
【０２０１】
次に、半導体装置製造用フィルムを引き伸ばして、各チップ間を所定の間隔とするエキスパンド工程を行った。更に、各半導体装置製造用フィルムの基材層側からニードルによる突き上げ方式で半導体チップをピックアップしピックアップ性の評価を行った。具体的には、２０個の半導体チップを連続してピックアップし、各半導体チップを顕微鏡で観察した。ピックアップ条件は、下記の通りである。観察の結果、半導体チップの側面に付着したバリやヒゲの数が０個の場合を○とし、１〜１０個の場合を△とし、１１個以上の場合を×として、チップ汚染性を評価した。また、ピックアップ高さが０μｍ〜６００μｍの範囲内で半導体チップのピックアップを行い、全てピックアップされた場合を○とし、１個でもピックアップできなかった場合を×として、ピックアップ性を評価した。結果を表１〜３に示す。
【０２０２】
＜ピックアップ条件＞
ピックアップ装置：ＳＰＡ−３００（新川（株）製）
ニードル数：５本
ニードルの種類：直径０．７ｍｍ、鋭角度１５°、長さ１０ｍｍ、先端Ｒ３５０μｍ
ピックアップ時間：１０００ｍｓｅｃ
ピックアップ速度：５ｍｍ／秒
ピックアップ高さ：前記の通り
【０２０３】
（曲げ剛性の測定）
基材層、第一粘着剤層、第二粘着剤層を順次はり合せたフィルム（ダイシングフィルム）の厚みを計測した。その後、１０ｍｍ幅に切りだし、引張貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置（RSA−III、レオメトリクスサイエンティフィク社製）を用いて昇温５℃／ｍｉｎ で測定し、２５℃時の引張貯蔵弾性率の値(Ｅ［単位Pa］)を記録した。そして、Ｅ×Ｉにより算出される曲げ剛性Ｓを求めた。ここで、Ｉは、ｂ×Ｔ３／１２で表される断面２次モーメントであり、ｂは、ダイシングフィルムの試験片の幅である１０（ｍｍ）であり、Ｔは、ダイシングフィルムの厚み(ｍｍ)であり、Ｅは、ダイシングフィルムの２５℃における引張貯蔵弾性率(Ｐａ)である。結果を表１〜３に示す。
【０２０４】
（総合判定）
リング貼り合わせ性、ウエハ貼り合わせ性、チップ汚染性、チップ飛び、ピックアップ性、リワーク性の評価結果のうち、ひとつでも×が存在する場合は×、全ての評価結果で○であった場合を○と評価した。結果を表１〜３に示す。
【０２０５】
【表１】
2011174042.tif 000005
【０２０６】
【表２】
2011174042.tif 000006
【０２０７】
【表３】
2011174042.tif 000007
【０２０８】
（結果）
前記表１及び２から分かる通り、実施例１〜１４に係る半導体装置製造用フィルムであると、基材層上に第一粘着剤層及び第二粘着剤層を順次設けた構造にしたことにより、ダイシングの際に、薄型で大面積の半導体チップのチップ飛びを防止することができた。更に、半導体チップの側面等にバリやヒゲが付着しておらず、半導体チップの汚染も防止することができた。また、半導体チップのピックアップの際には、全ての半導体チップを良好にピックアップすることができ、剥離性にも優れていることが確認できた。
【０２０９】
その一方、比較例１に係る半導体装置製造用フィルムの様に、第二粘着剤層に代えてＯＰＰフィルムを用いた場合には、ダイシングの際にダイシングブレードをＯＰＰフィルムの一部まで切断したため、ＯＰＰフィルムに起因する切削屑が半導体チップの側面等にバリやヒゲとして付着しているのが確認された。更に、接着剤層との剥離性に劣っていたため、半導体チップのピックアップ不良も発生した。また、比較例２に係る半導体装置製造用フィルムの様に、第二粘着剤層に代えてシリコーン処理をしたＰＥフィルムを用いた場合には、ダイシングの際にダイシングブレードをＰＥフィルムの一部まで切断したため、ＰＥフィルムに起因する切削屑が半導体チップの側面等にバリやヒゲとして付着しているのが確認された。また、比較例４に係る半導体装置製造用フィルムの様に、第二粘着剤層に紫外線照射しなかった場合は、第二粘着剤層が硬化せず、接着剤層との剥離性が著しく減少し半導体チップのピックアップ不良が発生した。また、比較例５に係る半導体装置製造用フィルムの様に、曲げ剛性が小さい場合は、ウエハの貼り合せ時にシワが入り不良であった。また、比較例６に係る半導体装置製造用フィルムの様に、曲げ剛性が大きい場合は、ピックアップ時にフィルムが曲がらず、接着剤層と第二粘着剤層との剥離のきっかけが発生せず、不良であった。
【符号の説明】
【０２１０】
１    半導体装置製造用フィルム
１１    基材層
１２    第一粘着剤層
１３    第二粘着剤層
１４    接着剤層
１４ａ  周縁部
１５    セパレータ
１８    ダイシングリングの貼り付け部分
２１    半導体ウェハ
２２    半導体チップ
２３    ダイシングリング
２４    ダイシングブレード
【図１】
2011174042.tif 000008
【図２】
2011174042.tif 000009
【図３】
2011174042.tif 000010