(57)【要約】【課題】固体封止方式の有機ＥＬ表示装置において、周辺封止領域における、引き出し線を覆うパッシベーション膜の欠陥に起因する水分の浸入を防止し、有機ＥＬ層の劣化を防止する。【解決手段】表示領域の配線と端子部２５を接続する引き出し線５０が周辺封止領域３０を通過している。引き出し線５０は周辺封止領域３０においては、無機パッシベーション膜によって覆われている。引き出し線５０に対し周辺封止領域３０内において、屈曲部を第１の屈曲部５１と第２の屈曲部５２の２箇所設けることによって、無機パッシベーション膜に発生したボイドあるいはクラックが、周辺封止領域３０を貫通することを防止する。これによって外部から水分が透過し、有機ＥＬ層を劣化させることを防止することが出来る。【選択図】図４
2011018686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と上部電極に挟持された有機ＥＬ層とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に配置され、前記画素と接続する配線が形成された表示領域と、前記表示領域の周辺に形成された周辺封止領域と、端子部を有し、前記配線と前記端子部を接続する引き出し線を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記周辺封止領域において、前記引き出し線は無機膜によって直接覆われて形成され、
前記引き出し線は前記周辺封止領域において、屈曲部が前記引き出し線１本当たり、２箇所形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記屈曲部は９０度〜１５０度の角度で屈曲していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記屈曲部は９０度〜１２０度の角度で屈曲していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記屈曲部は９０度の角度で屈曲していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
下部電極と上部電極に挟持された有機ＥＬ層とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に配置され、前記画素と接続する配線が形成された表示領域と、前記表示領域の周辺に形成された周辺封止領域と、端子部を有し、前記配線と前記端子部を接続する引き出し線をする有機ＥＬ表示装置であって、
前記周辺封止領域において、前記引き出し線は無機膜によって直接覆われて形成され、
前記引き出し線は前記周辺封止領域において、屈曲部が前記引き出し線１本当たり、第１の屈曲部と第２の屈曲部が形成されており、前記第１の屈曲部の角度と前記第２の屈曲部の角度が異なることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
下部電極と上部電極に挟持された有機ＥＬ層とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に配置され、前記画素と接続する複数の配線が形成された表示領域と、前記表示領域の周辺に形成された周辺封止領域と、複数の端子部を有し、前記複数の配線と前記複数の端子部を接続する複数の引き出し線を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記周辺封止領域において、前記引き出し線は無機膜によって直接覆われて形成され、
前記複数の引き出し線は前記周辺封止領域において、屈曲部が前記複数の引き出し線の１本当たり、２箇所形成されており、前記複数の引き出し線の屈曲部の角度が異なることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
下部電極と上部電極に挟持された有機ＥＬ層とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に配置され、前記画素と接続する配線が形成された表示領域と、前記表示領域の周辺に形成された周辺封止領域と、端子部を有し、前記配線と前記端子部を接続する引き出し線をする有機ＥＬ表示装置であって、
前記周辺封止領域は、前記端子部が形成された領域に隣接する辺と他の辺を有し、前記周辺封止領域の前記端子部が形成された領域に隣接する辺の幅は、前記他の辺の幅よりも大きく、
前記周辺封止領域は、前記端子部が形成された領域に隣接する辺において、前記引き出し線は無機膜によって直接覆われて形成され、
前記引き出し線は前記端子部が形成された領域に隣接する辺において、屈曲部が前記引き出し線１本当たり、２箇所形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記周辺封止領域の前記端子部が形成された領域に隣接する辺の幅は、前記他の辺の幅の１０倍以上であることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ表示装置に係り、特に水分によるダークエリア等の発生を抑えた、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置では下部電極と上部電極との間に有機ＥＬ層を挟持し、上部電極に一定電圧を印加し、下部電極にデータ信号電圧を印加して有機ＥＬ層の発光を制御する。下部電極へのデータ信号電圧の供給は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を介して行われる。有機ＥＬ層は、発光層の材料によって赤、緑、青の発光を行う。このような有機ＥＬ層とＴＦＴを有する画素をマトリクス状に配置し、各画素の発光を制御することによって画像を形成する。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置には、有機ＥＬ層から発光した光を、有機ＥＬ層等が形成されたガラス基板方向に取り出すボトムエミッション型と、有機ＥＬ層等が形成されたガラス基板と逆の方向に取り出すトップエミッション型とがある。トップエミッション型はＴＦＴが形成された領域の上にも発光領域を形成できるという利点がある。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置に使用される有機ＥＬ材料は水分が存在すると発光特性が劣化し、長時間動作をさせると、水分によって劣化した場所が発光しなくなる。これは表示領域のダークスポットとして現れる。このダークスポットは時間の経過とともに成長し、画像の欠陥となる。また、映像信号線や走査線等は引き出し線によって周辺封止領域を通って端子部に接続する。端子部が通過する周辺封止領域は水分が浸入しやすく、この付近にダークエリアと称する発光しなくなる部分が発生する。
【０００５】
ダークエリア等の発生、あるいは成長を防止するためには、有機ＥＬ表示装置内への水分の浸入の防止、あるいは、浸入した水分を除去する必要がある。このために従来は、有機ＥＬ層が形成された素子基板を周囲に設置したシールを介して、封止基板によって封止し、外部から有機ＥＬ表示装置内への水分の浸入を防止する技術が開発されてきた。封止された内部の空間にはＮ２等の不活性ガスを充填する。一方、有機ＥＬ表示装置内に進入した水分を除去するために、有機ＥＬ表示装置内に乾燥剤を設置する。これを中空封止型有機ＥＬ表示装置という。
【０００６】
しかし、中空封止型有機ＥＬ表示装置では、素子基板と封止基板のギャップ調整が難しい、内部への水分の浸入を防止するために、素子基板と封止基板を周辺で接着するシール材の幅を広くとる必要がある、封止剤によって封止するときの、封止剤から放出されたガスによる有機ＥＬ材料の汚染、スループットが低い等の問題がある。さらに完成した有機ＥＬ表示装置において素子基板あるいは封止基板に外力が加わると素子基板と封止基板が接触することによって有機ＥＬ層が破壊されるという問題点を有している。
【０００７】
中空封止の問題を対策するものとして、「特許文献１」には、封止基板を使用せずに、有機ＥＬ層と上部電極が形成された有機ＥＬ表示パネルの上に無機パッシベーション膜、有機平坦化膜、さらに無機パッシベーション膜を形成することによって水分の浸入を防止する技術が記載されている。以後このような封止構造を固体封止という。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−１５６０５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
有機ＥＬ層の電子注入層はアルカリ金属やアルカリ土類金属などの反応性の高い金属を用いる場合が多く、水分が存在すると、これと反応して、失活するので、水分の進入を防ぐように封止をする必要がある。上部電極まで形成された有機ＥＬ表示パネルに対し、無機パッシベーション膜、有機平坦化膜、および無機パッシベーション膜で被覆した構成は、比較的堅牢で、薄く、コストの低い有機ＥＬ表示装置を形成できる可能性がある。このような封止方法を本明細書では固体封止と称する。
【００１０】
有機ＥＬ層が形成された表示領域は周辺封止領域によって囲まれている。周辺封止領域においては、外部から水分の透過を防止するために、有機平坦化膜等の有機膜は形成せずに、無機パッシベーション膜等の無機膜のみによって封止している。有機膜は水分を透過するからである。
【００１１】
しかし、このように、周辺封止領域を無機膜のみで形成しても、無機膜にボイド等の欠陥が存在するとこの部分から水分が浸入し、端子領域に隣接した表示領域内の、端子領域付近において、ダークエリアが発生する。無機パッシベーション膜等はプラズマＣＶＤ等の低温ＣＶＤで形成されるが、ボイド等の欠陥を皆無にすることは難しい。
【００１２】
本発明の課題は、周辺封止領域において、無機パッシベーション膜等にボイドが発生したとしても、ボイドが周辺封止領域を貫通しないようにして、外部から水分の浸入を防止し、寿命特性の優れた有機ＥＬ表示装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は上記課題を解決するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１４】
（１）下部電極と上部電極に挟持された有機ＥＬ層とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に配置され、前記画素と接続する配線が形成された表示領域と、前記表示領域の周辺に形成された周辺封止領域と、端子部を有し、前記配線と前記端子部を接続する引き出し線をする有機ＥＬ表示装置であって、前記周辺封止領域において、前記引き出し線は無機膜によって直接覆われて形成され、
前記引き出し線は前記周辺封止領域において、屈曲部が前記引き出し線１本当たり、２箇所形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１５】
（２）前記屈曲部は９０度〜１５０度の角度で屈曲していることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１６】
（３）前記屈曲部は９０度〜１２０度の角度で屈曲していることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１７】
（４）前記屈曲部は９０度の角度で屈曲していることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１８】
（５）下部電極と上部電極に挟持された有機ＥＬ層とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に配置され、前記画素と接続する配線が形成された表示領域と、前記表示領域の周辺に形成された周辺封止領域と、端子部を有し、前記配線と前記端子部を接続する引き出し線をする有機ＥＬ表示装置であって、前記周辺封止領域において、前記引き出し線は無機膜によって直接覆われて形成され、
前記引き出し線は前記周辺封止領域において、屈曲部が前記引き出し線１本当たり、第１の屈曲部と第２の屈曲部が形成されており、前記第１の屈曲部の角度と前記第２の屈曲部の角度が異なることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１９】
（６）下部電極と上部電極に挟持された有機ＥＬ層とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に配置され、前記画素と接続する複数の配線が形成された表示領域と、前記表示領域の周辺に形成された周辺封止領域と、複数の端子部を有し、前記複数の配線と前記複数の端子部を接続する複数の引き出し線を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記周辺封止領域において、前記引き出し線は無機膜によって直接覆われて形成され、前記複数の引き出し線は前記周辺封止領域において、屈曲部が前記複数の引き出し線の１本当たり、２箇所形成されており、前記複数の引き出し線の屈曲部の角度が異なることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００２０】
（７）下部電極と上部電極に挟持された有機ＥＬ層とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に配置され、前記画素と接続する配線が形成された表示領域と、前記表示領域の周辺に形成された周辺封止領域と、端子部を有し、前記配線と前記端子部を接続する引き出し線をする有機ＥＬ表示装置であって、
前記周辺封止領域は、前記端子部が形成された領域に隣接する辺と他の辺を有し、前記周辺封止領域の前記端子部が形成された領域に隣接する辺の幅は、前記他の辺の幅よりも大きく、前記周辺封止領域は、前記端子部が形成された領域に隣接する辺において、前記引き出し線は無機膜によって直接覆われて形成され、前記引き出し線は前記端子部が形成された領域に隣接する辺において、屈曲部が前記引き出し線１本当たり、２箇所形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００２１】
（８）前記周辺封止領域の前記端子部が形成された領域に隣接する辺の幅は、前記他の辺の幅の１０倍以上であることを特徴とする（７）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、固体封止タイプの有機ＥＬ表示装置において、表示領域周辺の周辺封止領域において、引き出し線を被覆する無機パッシベーション膜のボイドあるいはクラックを防止することが出来るので、引き出し線部からの水分の進入を防止することが出来る。したがって、有機ＥＬ層が水分によって劣化することを防止することが出来、有機ＥＬ表示装置におけるダークエリアの発生を防止することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】ダークエリアが生じた有機ＥＬ表示パネルの斜視図である。
【図３】本発明を使用しない、周辺封止領域での引き出し線の形状である。
【図４】実施例１における、周辺封止領域での引き出し線の形状である。
【図５】実施例１における周辺封止領域での引き出し線の説明図である。
【図６】実施例１における周辺封止領域での引き出し線の斜視図である。
【図７】図６のＡ断面図である。
【図８】図６のＢ断面図である。
【図９】実施例１の有機ＥＬ表示装置の斜視図である。
【図１０】実施例２の引き出し線の形状の説明図である。
【図１１】実施例２における周辺封止領域での引き出し線の形状である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の具体的な構成を説明する前に、本発明が適用される固体封止タイプの有機ＥＬ表示装置について説明する。図２は本発明が適用される有機ＥＬ表示装置１０において、端子領域付近の表示領域２０にダークエリア４０が発生した状態を示す斜視図である。図２において、ガラスで形成された素子基板１００の上に表示領域２０と端子領域１５が形成されている。表示領域２０は、有機平坦化膜１３０によって被覆されており、有機平坦化膜１３０と表示領域２０とはほぼ一致している。表示領域２０の周辺には、有機平坦化膜１３０が存在せず、無機パッシベーション膜によって覆われた周辺封止領域３０が形成されている。有機膜は水分が透過するので、周辺封止領域３０には、有機平坦化膜１３０を削除している。
【００２５】
表示領域２０の外側には端子領域１５が形成されており、端子領域１５には、走査線、映像信号線、電源線等の引き出し線５０が引き出され、端子領域１５に形成された端子部２５に接続している。端子部２５から走査信号、映像信号、電流等を供給する。
【００２６】
図１は本発明の構造を示す断面模式図である。図１は、表示領域２０の１部と周辺封止領域３０と、端子領域１５の断面を示している。なお、以下の説明では、有機ＥＬ表示装置１０はトップエミッションタイプであることを前提として説明するが、本発明はこれに限らず、ボトムエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置にも適用することが出来る。
【００２７】
図１の表示領域２０において、ガラスで形成された素子基板１００の上に、ＳｉＮで形成された第１下地膜１０１が形成され、その上にＳｉＯ２で形成された第２下地膜１０２が形成されている。第１下地膜１０１と第２下地膜１０２の役割は、ガラス基板から析出する不純物が半導体層１０３を汚染して特性を劣化させることを防止することである。
【００２８】
第２下地膜１０２の上には、半導体層１０３が形成されている。本実施例では、半導体層１０３はｐｏｌｙ−Ｓｉによって形成され、厚さは５０ｎｍ程度である。ｐｏｌｙ−Ｓｉ半導体層１０３の形成方法は、まず、ａ−Ｓｉ層を形成し、これを、エキシマレーザ等によってアニールすることによってｐｏｌｙ−Ｓｉ層に変換する。
【００２９】
半導体層１０３の上にはゲート電極１０５が形成される。ゲート電極１０５はゲート配線と同層で形成される。半導体層１０３には、チャンネル部とソース領域、ドレイン領域が形成されるが、このソース領域およびドレイン領域は、ゲート電極１０５をマスクとして半導体層１０３にイオンインプランテーションによって不純物を添加することによって形成される。
【００３０】
ゲート電極１０５を覆って層間絶縁膜１０６がＳｉＮ等によって形成される。層間絶縁膜１０６の上には、ソース配線１０８、ドレイン配線１０７が形成される。本実施例では、映像信号線はドレイン配線１０７と同義である。ソース配線１０８、ドレイン配線１０７には有機ＥＬ層１１４を発光させるための電流が流れるので、抵抗が低い金属であるＡｌが用いられ、厚さも７００ｎｍ程度と、厚く形成される。なお、Ａｌ配線の下層には、Ａｌによる半導体等への汚染を防止するためのバリアメタル１０７１がＭｏあるいはＴｉ等の高融点金属で形成され、Ａｌ配線の上方には、Ａｌのヒロックを防止するためのキャップメタル１０７２がＭｏあるいはＴｉ等の高融点金属で形成される。
【００３１】
ソース配線１０８およびドレイン配線１０７は、ゲート絶縁膜１０４および層間絶縁膜１０６に形成されたスルーホールを介して、それぞれ、半導体層１０３のソース領域、ドレイン領域と接続する。また、ドレイン配線１０７は、周辺封止領域３０を通って、端子部２５に延在している。一方、ソース配線１０８は有機ＥＬ層１１４の下部電極１１２と接続する。
【００３２】
ソース配線１０８、ドレイン配線１０７を覆って、第１無機パッシベーション膜１０９がＳｉＮ等で形成される。第１無機パッシベーション役割は、主として、ＴＦＴを外部からの不純物から保護することである。第１無機パッシベーション膜１０９の上には、有機パッシベーション膜１１０が形成される。有機パッシベーション膜の役割は、ＴＦＴを保護するとともに、表面を平坦化することである。これによって、有機ＥＬ層１１４を平坦化された面に形成することが可能となり、有機ＥＬ層１１４が断切れを生じたりすることを防止することが出来る。
【００３３】
有機パッシベーション膜１１０の上には、反射膜１１１がＡｌあるいはＡｇ等の反射率の高い金属によって形成される。本実施例における有機ＥＬ表示装置１０は、トップエミッション型なので、反射膜１１１によって有機ＥＬ層１１４で発生した光を図１の上方に反射して光の利用効率を高める。
【００３４】
反射膜１１１の上には、有機ＥＬ層１１４のアノードとなる透明導電膜であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）で形成された下部電極１１２を被着する。下部電極１１２となるＩＴＯは、第１無機パッシベーション膜１０９および有機パッシベーション膜１１０に形成されたスルーホールを介してソース配線１０８と接続する。
【００３５】
下部電極１１２の上には有機ＥＬ層１１４が形成される。有機ＥＬ層１１４は、一般には複数の層で形成されている。例えば、アノード側から、ホール注入層５０ｎｍ、ホール輸送層５０ｎｍ、発光層２０ｎｍ、電子輸送層２０ｎｍ、電子注入層１ｎｍ等である。各層は非常に薄く、５層トータルでも１４０ｎｍ程度である。
【００３６】
なお、下部電極１１２および有機パッシベーション膜１１０の上には、各画素を区画することになるバンク１１３がアクリル樹脂等で形成される。上記のように、有機ＥＬ層１１４の各層は厚さが非常に小さいので、段部があるとこの部分で断切れを生ずる。バンク１１３は、特に有機ＥＬ層１１４の端部における断切れを防止する役割を有する。
【００３７】
有機ＥＬ層１１４の上には、カソードとなる上部電極１１５が透明導電膜であるＩｎＺｎＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）によって形成される。ＩｎＺｎＯもＩＴＯも透明導電膜であるが、アニールする前は、ＩｎＺｎＯのほうがＩＴＯよりも抵抗が低い。有機ＥＬ層１１４は熱に弱いので、有機ＥＬ層１１４を被着した後は、アニールが出来ないので、カソードにＩｎＺｎＯを使用している。
【００３８】
以上によって、通常の有機ＥＬ表示装置１０の素子基板１００側は完成する。この後本発明は固体封止であるので、上部電極１１５の上をＳｉＮ等で形成された第２無機パッシベーション膜１２０によって被覆する。有機ＥＬ層１１４を水分から保護するためである。第２無機パッシベーション膜１２０の厚さは２００ｎｍ程度である。
【００３９】
第２無機パッシベーション膜１２０の上をさらに有機平坦化膜１３０によって被覆する。有機平坦化膜１３０は、エポキシ樹脂、熱可塑性のポリプロピレンやポリエチレン等を用いることが出来る。有機平坦化膜１３０は３０μｍ程度と厚く形成されるので、印刷あるいは、フィルム転写等によって形成される。なお、有機平坦化膜１３０の厚さは、有機ＥＬ表示装置製品の仕様に応じて１０μｍ〜１００μｍ程度に形成することが出来る。
【００４０】
有機平坦化膜１３０の上には第３無機パッシベーション膜１４０が形成される。第３無機パッシベーション膜１４０は、プラズマＣＶＤあるいはタングステンワイヤを触媒とした熱分解ＣＶＤ等の低温ＣＶＤによってＳｉＮを約１μｍ程度被着することによって形成される。外部からの水分は主としてこの第３無機パッシベーション膜１４０によってブロックされる。第３無機パッシベーション膜１４０は端子部２５を除いて全面に被着されている。第３無機パッシベーション膜１４０は、端子部２５からは、フォトリソグラフィ等によって除去されている。
【００４１】
図１において、周辺封止領域３０は、端子と接続するドレイン配線１０７が貫通している。ドレイン配線１０７の下には、第１下地膜１０１、第２下地膜１０２、ゲート絶縁膜１０４、層間絶縁膜１０６が存在し、ドレイン配線１０７の上には、第１無機パッシベーション膜１０９、第２無機パッシベーション膜１２０、第３無機パッシベーション膜１４０が存在している。すなわち、有機膜は水分を透過するために、周辺封止領域３０は無機膜のみによって封止されている。
【００４２】
図１において、端子領域１５に、ドレイン配線１０７が延在し、端子部２５から映像信号が供給される。ドレイン配線１０７は主としてＡｌで形成されており、外部環境によって腐食しやすいので、端子部２５においては、ＩＴＯによって形成される端子部導電膜２５１によって被覆されている。端子部導電膜２５１を形成するＩＴＯは下部電極１１２と同層で形成される。
【００４３】
なお、端子領域１５に延在しているドレイン配線１０７は、第１無機パッシベーション膜１０９と同層で形成された保護膜１０９１、有機パッシベーション膜１１０と同層で形成された保護膜１１０１、バンク１１３と同層で形成された保護膜１１３１によって覆われ、外部雰囲気から保護されている。
【００４４】
図３は、図２に示す有機ＥＬ表示装置１０の端子領域１５付近の周辺封止領域３０と引き出し線５０の形状を示す平面図である。図３において、引き出し線５０は周辺封止領域３０を直線状に通過している。周辺封止領域３０において、図１に示すように、引き出し線５０は第１無機パッシベーション膜１０９、第２無機パッシベーション膜１２０および第３無機パッシベーション膜１４０によって覆われている。
【００４５】
図３において、引き出し線５０と接するのは第１無機パッシベーション膜１０９であり、この第１無機パッシベーション膜１０９にボイド等の欠陥が発生しやすい。発生した欠陥は、周辺封止領域３０の下に直線状に形成された引き出し線５０に沿って連続して伸びることが多い。このような欠陥が周辺封止領域３０を貫通して形成されてしまうと、水分が周辺封止領域３０を通過して、有機ＥＬ表示装置１０の内部に達し、有機ＥＬ層を劣化させ、ダークエリア４０を発生させる。
【００４６】
本発明は、周辺封止領域３０のこのような欠陥を防止し、水分が周辺封止領域３０を透過することを防止する構成を実現することである。以下、実施例によって本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００４７】
図４は、本発明の第１の実施例における周辺封止領域３０での引き出し線５０の形状を示す平面図である。図４は、例えば、映像信号線の引き出し線５０である。図４の構造では、表示領域２０における映像信号線のピッチよりも端子ピッチのほうが小さい場合である。図４において、表示領域２０からの引き出し線５０は第１の屈曲部５１と第２の屈曲部５２において２回折れ曲がっている。
【００４８】
無機パッシベーション膜は、プラズマＣＶＤあるいはタングステンワイヤを触媒とした熱分解ＣＶＤ等の低温ＣＶＤによってＳｉＮを必要量被着することによって形成される。スループットを向上させるために、短時間に多量の無機パッシベーション膜を形成するのでボイド６０等の欠陥が生じやすい。なお、ボイド６０は図７に示すようなものである。
【００４９】
このように、低温ＣＶＤによって形成される無機パッシベーション膜は、図５に示す第１の屈曲部５１、あるいは、第２の屈曲部５２におけるＷ側においては、ボイド６０が生じない。これは気相成長する際、Ｗ側では、Ｎ側に比べて空間が広く開いているために、活性分子が妨げられずに配線部に届くためである。
【００５０】
図５において、表示領域２０側から発生した無機パッシベーション膜のボイド６０が引き出し線５０の矢印１に沿って進行してきたとしても、第１の屈曲部５１のＷ側において、ボイド６０が消失する。また、端子領域１５から引き出し線５０の矢印２に沿って進行してきたボイド６０は、第２の屈曲部５２のＷ側において、消失する。
【００５１】
一方、表示領域２０から矢印３に沿って進行してきたボイド６０は、第２の屈曲部５２のＷ側において消失する。また、端子領域１５側から矢印４に沿って進行してきたボイド６０は、第１の屈曲部５１のＷ側において消失する。このように、周辺封止領域３０において、引き出し線５０の屈曲部を２箇所形成することによって無機パッシベーション膜中のボイド６０を確実に消失させることが出来る。
【００５２】
図６〜図７は上記で説明した内容をさらに詳しく説明する図である。図６は、基板上に引き出し線５０を形成し、その上に無機パッシベーション膜を形成した状態を示す斜視図である。引き出し線５０は映像信号線と同層で、同じ構造で形成される。実際の製品では、映像信号線あるいは引き出し線５０は層間絶縁膜の上に形成されるが、図６〜図７では層間絶縁膜以下の膜構成は省略されている。図７において、映像信号線および引き出し線５０はＡｌで形成され、Ａｌの下側はＭｏ、Ｔｉ等の高融点金属によるバリヤメタル１０７１が形成され、Ａｌ上側はＭｏ、Ｔｉ等の高融点金属によるキャップメタル１０７２が形成されている。映像信号線および引き出し線５０はＣＶＤで形成されたＳｉＮによる第１無機パッシベーション膜１０９によって覆われている。
【００５３】
図７は図６の直線部の断面を示すＡ断面である。図７において、配線の両側にボイド６０が生じている。このボイド６０は配線に沿って伸びるが、多くの場合、どこかでこのボイド６０はＳｉＮによって埋められて消失するが、パッシベーション膜を貫通することもある。ボイド６０が貫通するとこの部分を水分が通過し、有機ＥＬ層を劣化させる。また、ボイド６０に沿って、無機パッシベーション膜にクラックが入る場合もあり、そのクラックに沿って水分が浸入してダークエリア４０を生ずる場合もある。
【００５４】
図８は、図６のＢ断面であり、引き出し線５０がクランク状に屈曲した部分の断面図である。図８に示すように、クランク状に屈曲した外側の部分は広く開放されているので、ＣＶＤにおける活性分子が妨げられず、ＣＶＤ膜が十分に成長するのでボイド６０が消失する。また、ボイド６０に沿って無機パッシベーション膜のクラックが進行した場合も、この屈曲部においてクラックが止まる。
【００５５】
図６〜図８は屈曲部において、引き出し線５０が右側に屈曲する場合であるが、左側に屈曲する場合も、同様に、屈曲部において、広く開放した側において、ボイド６０の進行、あるいは、ボイド６０に起因したクラックの進行を防止することが出来る。すなわち、周辺封止領域３０内に引き出し線５０の屈曲部を２箇所設けることによってボイド６０あるいはクラックの進行を確実に防止することが出来る。
【００５６】
このように、引き出し線５０を周辺封止領域３０において２回屈曲させると、この部分の封止幅ｗ１が大きくなる。しかし、この部分の周辺封止領域３０は、端子領域１５と隣接する領域なので、幅を比較的大きくとることが出来る。一方、他の辺における周辺封止領域３０は額縁を小さくしたいという要求から幅を大きくすることは出来ない。図９に本発明を適用した有機ＥＬ表示装置１０の斜視図を示す。
【００５７】
図９において、表示領域２０の周辺に周辺封止領域３０が形成されている。表示領域２０から端子領域１５の方向に引き出し線５０が伸びており、この引き出し線５０は、幅がｗ１のように大きく形成された周辺封止領域３０の下部でクランク状に屈曲し、端子部２５と接続する。
【００５８】
図９において、引き出し線５０がクランク状に形成されている部分を覆う周辺封止領域３０の幅ｗ１は大きく形成されており、例えば３ｍｍである。これに対して、有機ＥＬ表示装置１０の他の辺における周辺封止領域３０の幅ｗ２は額縁を小さくしたいという要求から５０μｍ程度に設定される。
【００５９】
この場合、引き出し線５０が通過する周辺封止領域３０の幅ｗ１は他の辺の周辺封止領域３０の幅ｗ２の６０倍である。一般には、引き出し線５０が通過する周辺封止領域３０の幅ｗ１は他の辺の周辺封止領域３０の幅ｗ２の１０倍以上とすることによって、表示領域２０周辺の額縁領域を小さくし、かつ、引き出し線５０部分の封止の信頼性を保つことが出来る。
【実施例２】
【００６０】
実施例１は周辺封止領域３０において引き出し線５０を９０度のクランク状に屈曲させた例について説明した。しかし、無機パッシベーション膜のボイド６０の進行あるいは無機パッシベーション膜のクラックの進行の阻止は、引き出し線５０を必ずしも９０度に曲げなくても防止することが出来る。
【００６１】
図１０は、１本の引き出し線５０を９０度よりも大きい角度で屈曲させた例である。すなわち、図１０における角度θは、実施例１では９０度であるが。本実施例では、９０度よりも大きい。この場合であっても、周辺封止領域３０から引き出し線５０に沿って進行した無機パッシベーション膜のボイド６０あるいはクラックは、屈曲部５１あるいは屈曲部５２における広く開放された部分、すなわち、角度が（３６０−θ）の側において進行が阻止される。
【００６２】
実験によれば、角度θは、９０度〜１５０度程度で効果があり、より好ましくは９０度〜１２０度、さらに好ましくは、９０度〜１００度である。また、図１０においては、屈曲部５１および屈曲部５２の角度は同じであるが、実際には同じである必要は無く、引き出し線５０の配置の要請から屈曲部５１と屈曲部５２での角度を変えても良い。
【００６３】
図１０に示すような引き出し線５０を実際の製品に適用した例を図１１に示す。図１１において、各引き出し線５０は屈曲部が２箇所形成されている。しかし、各引き出し線５０の屈曲部における屈曲角度は同じである必要はなく、引き出し線５０の配置される位置によって変わっても良い。
【００６４】
図１１に示すように、引き出し線５０の屈曲角度、すなわち、図１０におけるθは、端子列の中央付近の引き出し線５０よりも周辺付近の引き出し線５０のほうが小さくなる傾向にある。このような場合、少なくとも周辺の引き出し線５０において、図１０の角度θは、９０度〜１５０度程度で効果があり、より好ましくは９０度〜１２０度、さらに好ましくは、９０度〜１００度である。
【００６５】
また、周辺封止領域３０において、すべての引き出し線５０が２回の屈曲部を有していることが理想的ではあるが、配線設計によっては、全ての引き出し線５０に対して２箇所の屈曲部を形成することは困難な場合もある。このような場合、１部の引き出し線５０において、屈曲部を２回形成できなくとも、一定の効果を得ることが出来る。すなわち、無機パッシベーション膜のボイド６０あるいはクラックの発生、および進行は確率の問題なので、一部の引き出し線５０において、２箇所屈曲部が形成できなくとも、水分の透過の確率を小さくすることが出来る。
【００６６】
以上の説明では、ＳｉＮ等の無機パッシベーション膜は低温ＣＶＤで形成するとして説明したが、無機パッシベーション膜をスパッタリングによって形成する場合にも、実施例１および実施例２で説明した構成によって、水分による有機ＥＬ層の劣化に対する効果を上げることが出来る。
【符号の説明】
【００６７】
１０…有機ＥＬ表示装置、  １５…端子領域、  ２０…表示領域、  ２５…端子部、  ３０…周辺封止領域、  ４０…ダークエリア、  ５０…引出し線、  ５１…第１の屈曲点、  ５２…第２の屈曲点、  ６０…ボイド、  １００…素子基板、  １０１…第１下地膜、  １０２…第２下地膜、  １０３…半導体層、  １０４…ゲート絶縁膜、  １０５…ゲート電極、  １０６…層間絶縁膜、  １０７…ドレイン配線、  １０８…ソース配線、  １０９…第１無機パッシベーション膜、  １１０…有機パッシベーション膜、  １１１…反射膜、  １１２…下部電極、  １１３…バンク、  １１４…有機ＥＬ層、  １１５…上部電極、  １２０…第２無機パッシベーション膜、  １３０…有機平坦化膜、  １４０…第３無機パッシベーション膜、  ２５１…端子部導電膜、  １０９１、１１０１、１１３１…端子保護膜、  １０７１…バリヤメタル、  １０７２…キャップメタル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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