(57)【要約】【課題】可動電極を有するセンサチップを接着剤を介してパッケージに実装したとしても、パッケージとセンサチップとの平行度を確保しつつ、接着剤の応力遮断能力が低下しないようにすることができるセンサ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】セラミックパッケージ２と回路チップ３とを接着するシリコーン系樹脂で形成された接着剤２０として、複数同じ高さで形成されセラミックパッケージ２と回路チップ３との間の距離を一定に保持するスペーサとしての第１の接着剤２１と、第１の接着剤２１により形成されたセラミックパッケージ２と回路チップ３との間の隙間に配置されると共に、セラミックパッケージ２と回路チップ３とを接着する第２の接着剤２２と、を備えて構成されたものを用いる。【選択図】図１
2011174803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層（５）がパターニングされることで固定電極（１６）と可動電極（１２）とが対向するように形成され、前記可動電極（１２）と前記固定電極（１６）との間に形成される静電容量に基づいて物理量を検出するセンサチップ（４）が回路チップ（３）の上に固定され、前記回路チップ（３）が接着剤（２０）を介してパッケージ（２）に固定されたセンサ装置であって、
前記接着剤（２０）は、
シリコーン系樹脂で複数同じ高さで形成され、前記パッケージ（２）と前記回路チップ（３）との間の距離を一定に保持するスペーサとしての第１の接着剤（２１）と、
シリコーン系樹脂で形成され、前記第１の接着剤（２１）により形成された前記パッケージ（２）と前記回路チップ（３）との間の隙間に配置されると共に、前記パッケージ（２）と前記回路チップ（３）とを接着する第２の接着剤（２２）と、を備えて構成されていることを特徴とするセンサ装置。
【請求項２】
前記第１の接着剤（２１）は、フィラーが配合されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項３】
前記第２の接着剤（２２）は、フィラーが配合されていることを特徴とする請求項１または２に記載のセンサ装置。
【請求項４】
半導体層（５）がパターニングされることで固定電極（１６）と可動電極（１２）とが対向するように形成されると共に前記可動電極（１２）と前記固定電極（１６）との間に形成される静電容量に基づいて物理量を検出するセンサチップ（４）が回路チップ（３）の上に固定され、前記回路チップ（３）が接着剤（２１、２２）を介してパッケージ（２）に固定されたセンサ装置の製造方法であって、
前記センサチップ（４）が固定された前記回路チップ（３）と前記パッケージ（２）とを用意し、シリコーン系樹脂で形成されたペースト状の第１の接着剤（２１）を、前記パッケージ（２）のうち前記回路チップ（３）が実装される領域内に同じ高さに複数塗布すると共に熱硬化させる工程と、
前記第１の接着剤（２１）を形成した後、シリコーン系樹脂で形成されたペースト状の第２の接着剤（２２）を、前記パッケージ（２）のうち前記回路チップ（３）が実装される領域内に塗布する工程と、
前記第１の接着剤（２１）を前記パッケージ（２）と前記回路チップ（３）との間の距離を一定に保持するスペーサとして、前記第１の接着剤（２１）および前記第２の接着剤（２２）の上に前記回路チップ（３）を配置すると共に、前記第２の接着剤（２２）を熱硬化させることにより前記回路チップ（３）を前記パッケージ（２）に固定する工程と、を含んでいることを特徴とするセンサ装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の接着剤（２１）を塗布する工程では、前記第１の接着剤（２１）としてフィラーが配合されたものを用いることを特徴とする請求項４に記載のセンサ装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の接着剤（２２）を塗布する工程では、前記第２の接着剤（２２）としてフィラーが配合されたものを用いることを特徴とする請求項４または５に記載のセンサ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージにセンサチップが実装されたセンサ装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、加速度を検出するための固定電極と可動電極とを備えたセンサチップが接着剤を介してパッケージに実装されてなる加速度センサ装置が、例えば特許文献１で提案されている。
【０００３】
センサチップは、半導体基板に可動電極と固定電極とが形成され、加速度が印加されたときに可動電極が固定電極に対して移動することで、両電極間の容量変化に基づいて加速度が検出されるように構成されている。固定電極に対して可動電極が変位する方向が加速度の検出軸方向である。
【０００４】
そして、特許文献１では、センサチップが固定された回路チップとパッケージとの間に介在する接着剤の配置パターンが、検出軸方向よりも検出軸方向と直交する方向の方が長くなっている。このように、接着剤の配置パターンを工夫することで、センサチップにおいて温度による出力値の変動を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２２０４５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の技術では、パッケージに外乱応力が加わると、この外乱応力が接着剤および回路チップを介してセンサチップに伝達されてしまい、センサチップの検出精度が低下してしまうという問題がある。
【０００７】
そこで、接着剤として低弾性のペーストを用いることで外乱応力を遮断する方法が考えられる。しかし、ペーストはフィルムのように厚さが一定ではないため、ペーストの厚さの保持やセンサチップの傾きを防止するために硬質樹脂等のスペーサをペーストに混入する必要がある。
【０００８】
具体的には、図５に示されるように、センサ装置３０は、回路チップ３１の上にフィルム状の接着剤３２を介してセンサチップ３３が固定され、回路チップ３１が硬質樹脂ビーズ等のスペーサ３４が混入されたペースト３５を介してパッケージ３６に接着固定されて構成されている。このようなスペーサ３４は例えば数ＧＰａの高弾性率であると共に硬いため、例えば数ＭＰａの低弾性率であるペースト３５の応力遮断能力が低下する問題があった。
【０００９】
このように、パッケージ３６と回路チップ３１との間に硬いスペーサ３４が介在すると、セラミック等で形成されたパッケージ３６と半導体材料で形成された回路チップ３１との熱膨張係数が異なることにより、パッケージ３６の応力がスペーサ３４を介して回路チップ３１やセンサチップ３３に伝達してしまう。実際に、発明者らは、センサ装置３０の温度を変化させたときの２５℃のセンサチップ３３の出力に対する出力誤差（Ｇ）を調べた。その結果を図６に示す。この図に示されるように、センサ装置３０がさらされる温度が高温または低温になると、センサチップ３３に加速度を与えていないときの出力に大きな誤差が生じている。すなわち、センサ装置３０の温度に応じてパッケージ３６からスペーサ３４を介して回路チップ３１およびセンサチップ３３に熱膨張係数の差に基づく応力が伝達したことによりセンサチップ３３の出力に影響が出てしまっている。
【００１０】
したがって、スペーサ３４を用いずに接着することが考えられるが、パッケージ３６に対してセンサチップ３３が傾いてしまう可能性があり、パッケージ３６とセンサチップ３３との平行度を確保することが困難になってしまう。この解決策として、例えば特開２００９−１２８１２１号公報では、ペーストにスペーサを混入させるものの、ペーストの塗布位置を工夫することにより応力遮断能力が低下しないようにする方法が提案されている。しかし、ペーストの位置や量の制御の手間がかかり製造コストが高くなる問題があった。また、硬いスペーサを用いることにかわりはなく、ペーストの応力遮断能力の低下を阻止できるとまでは言えない。
【００１１】
本発明は上記点に鑑み、可動電極を有するセンサチップを接着剤を介してパッケージに実装したとしても、パッケージとセンサチップとの平行度を確保しつつ、接着剤の応力遮断能力が低下しないようにすることができるセンサ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、接着剤（２０）は、シリコーン系樹脂で複数同じ高さで形成され、パッケージ（２）と回路チップ（３）との間の距離を一定に保持するスペーサとしての第１の接着剤（２１）と、シリコーン系樹脂で形成され、第１の接着剤（２１）により形成されたパッケージ（２）と回路チップ（３）との間の隙間に配置されると共に、パッケージ（２）と回路チップ（３）とを接着する第２の接着剤（２２）と、を備えて構成されていることを特徴とする。
【００１３】
これによると、スペーサとしての第１の接着剤（２１）は軟らかい材料のシリコーン系樹脂で形成され、第２の接着剤（２２）もシリコーン系樹脂で形成されているので、パッケージ（２）から第１の接着剤（２１）および第２の接着剤（２２）を介して回路チップ（３）およびセンサチップ（４）に応力が伝達しにくくなる。また、スペーサとしての第１の接着剤（２１）によりパッケージ（２）と回路チップ（３）との間が一定に保持されるので、パッケージ（２）に対してセンサチップ（４）が傾くこともない。したがって、パッケージ（２）とセンサチップ（４）との平行度を確保しつつ、接着剤（２０）の応力遮断能力が低下しないようにすることができる。
【００１４】
また、請求項２に記載の発明のように、第１の接着剤（２１）はフィラーが配合されていても良いし、請求項３に記載の発明のように、第２の接着剤（２２）はフィラーが配合されていても良い。
【００１５】
このように、第１の接着剤（２１）や第２の接着剤（２２）にフィラーが配合されているので、パッケージ（２）と回路チップ（３）およびセンサチップ（４）との共振点を合わせることができる。
【００１６】
請求項４に記載の発明では、センサチップ（４）が固定された回路チップ（３）とパッケージ（２）とを用意し、シリコーン系樹脂で形成されたペースト状の第１の接着剤（２１）を、パッケージ（２）のうち回路チップ（３）が実装される領域内に同じ高さに複数塗布すると共に熱硬化させる工程と、第１の接着剤（２１）を形成した後、シリコーン系樹脂で形成されたペースト状の第２の接着剤（２２）を、パッケージ（２）のうち回路チップ（３）が実装される領域内に塗布する工程と、第１の接着剤（２１）をパッケージ（２）と回路チップ（３）との間の距離を一定に保持するスペーサとして、第１の接着剤（２１）および第２の接着剤（２２）の上に回路チップ（３）を配置すると共に、第２の接着剤（２２）を熱硬化させることにより回路チップ（３）をパッケージ（２）に固定する工程と、を含んでいることを特徴とする。
【００１７】
これによると、第１の接着剤（２１）をスペーサとしているので、パッケージ（２）とセンサチップ（４）との平行度を確保することができる。また、第１の接着剤（２１）および第２の接着剤（２２）としてシリコーン系樹脂で形成されたものを用いているので、パッケージ（２）から第１の接着剤（２１）および第２の接着剤（２２）を介して回路チップ（３）およびセンサチップ（４）に応力が伝達されにくくなる。したがって、パッケージ（２）とセンサチップ（４）との平行度を確保しつつ、接着剤（２１、２２）の応力遮断能力が低下しないようにすることができる構造を得ることができる。
【００１８】
また、請求項５に記載の発明のように、第１の接着剤（２１）を塗布する工程では第１の接着剤（２１）としてフィラーが配合されたものを用いても良いし、請求項６に記載の発明のように、第２の接着剤（２２）を塗布する工程では、第２の接着剤（２２）としてフィラーが配合されたものを用いても良い。
【００１９】
このように、第１の接着剤（２１）や第２の接着剤（２２）としてフィラーが配合されたものを用いているので、パッケージ（２）と回路チップ（３）およびセンサチップ（４）との共振点を操作することができる。
【００２０】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態に係るセンサ装置の断面図である。
【図２】センサチップの平面図である。
【図３】センサ装置の製造工程を示した図である。
【図４】図１に示されるセンサチップの出力の温度依存性を示した図である。
【図５】課題を説明するためのセンサ装置の断面図である。
【図６】図５に示されるセンサチップの出力の温度依存性を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の一実施形態について図を参照して説明する。本発明に係るセンサ装置は例えば加速度を検出するために車両に搭載され、エアバッグを動作させるために用いられる。
【００２３】
図１は、一実施形態に係るセンサ装置の断面図である。この図に示されるように、センサ装置１は、セラミックパッケージ２と回路チップ３とセンサチップ４とを備えて構成されている。
【００２４】
セラミックパッケージ２は、センサ装置１を車両等の被測定体に取り付けるための容器状のケースである。このセラミックパッケージ２の表面には、回路チップ３と外部とを電気的に接続するための中継部となる図示しない配線が設けられている。そして、この配線と回路チップ３とが図示しないボンディングワイヤで電気的に接続されていると共に、この配線と外部とが電気的に接続される。なお、セラミックパッケージ２の材質はセラミックスに限らず、樹脂等で形成されたパッケージでも良い。
【００２５】
回路チップ３は、センサチップ４から入力される検出信号の信号処理を行うためのスイッチドキャパシタ回路等の各種回路が形成されたものである。
【００２６】
センサチップ４は物理量を検出するセンサであり、当該センサ素子は例えばＭＥＭＳ技術によって形成されている。本実施形態では、センサ素子として、加速度を検出する加速度センサが形成されている。
【００２７】
具体的に、センサチップ４の構造について説明する。センサチップ４は、図示しない支持基板と半導体層とにより犠牲層が挟み込まれたＳＯＩ基板により構成されたものである。支持基板および半導体層として、例えばＮ型の単結晶シリコンが採用される。また、犠牲層として例えばＳｉＯ２が採用される。
【００２８】
図２は、センサチップ４の平面図である。上記の加速度センサ素子はＳＯＩ基板のうち、図２に示される半導体層５に形成されている。
【００２９】
半導体層５は、可動部６と、固定部７と、および周辺部８とを有するものである。これら可動部６、固定部７、および周辺部８は、半導体層５を貫通した開口部９により構成されている。つまり、半導体層５は開口部９が形成されていることにより、可動部６、固定部７、および周辺部８にそれぞれ画定されている。そして、可動部６および固定部７により加速度を検出するためのセンシング部が構成されている。
【００３０】
可動部６は、アンカー部１０、錘部１１、可動電極１２、および梁部１３を備えて構成されている。このうちのアンカー部１０は、支持基板に対して錘部１１を浮かせて支持するためのものである。このアンカー部１０はブロック状をなしており、犠牲層の上に２箇所設けられている。また、錘部１１は、センサ装置１に加速度が印加されたときに各アンカー部１０に対して可動電極１２を移動させる錘として機能するものであり、細長状をなしている。
【００３１】
可動電極１２は、錘部１１の長手方向に対して直角方向に延設され、複数本が設けられることで櫛歯状に配置されている。各可動電極１２の間隔は、一定間隔とされており、各可動電極１２の幅、長さも一定とされている。
【００３２】
梁部１３は、アンカー部１０と錘部１１とを連結するものである。この梁部１３は、平行な２本の梁がその両端で連結された矩形枠状をなしており、２本の梁の長手方向と直交する方向に変位するバネ機能を有するものである。このような梁部１３により、錘部１１がアンカー部１０に一体に連結されて支持されている。本実施形態では、２つの梁部１３がアンカー部１０と錘部１１とをそれぞれ連結している。
【００３３】
そして、梁部１３、錘部１１、および可動電極１２の下部の犠牲層、すなわち図２に示される破線で囲まれた領域１４の犠牲層が部分的に除去され、梁部１３、錘部１１、および可動電極１２は支持基板の上に一定の間隔で浮遊した状態になっている。
【００３４】
一方、固定部７は、可動部６を構成する細長状の錘部１１の長辺と対向するように配置されている。したがって、２つの固定部７が錘部１１を挟むように配置されている。このような固定部７は、配線部１５と固定電極１６とを備えて構成されている。
【００３５】
配線部１５は、固定電極１６と外部とを電気的に接続するための配線として機能する部位である。また、固定電極１６は、配線部１５のうちの錘部１１と対向する辺から直角方向に延設され、配線部１５に複数本ずつ備えられることで櫛歯状に配置されている。各固定電極１６の間隔は、一定間隔とされており、各固定電極１６の幅、長さも一定とされている。
【００３６】
上述のように、図２に示された領域１４の犠牲層が取り除かれているので、配線部１５は犠牲層を介して支持基板に固定されている一方、固定電極１６は支持基板に対して浮いた状態になっている。
【００３７】
そして、各固定電極１６が各可動電極１２に対向配置され、各固定電極１６と各可動電極１２との間にコンデンサが形成されている。つまり、可動部６および固定部７は、可動電極１２と固定電極１６との間に形成される静電容量に基づいて物理量（加速度）を検出するように構成されている。このため、支持基板の平面方向であって錘部１１の長手方向に加速度が印加されたときに、該コンデンサの静電容量値の変化に基づいてその加速度を検出することが可能になっている。
【００３８】
周辺部８は、可動部６や固定部７の周囲に配置されたものである。本実施形態では、可動部６および固定部７の周囲を一周して囲むように形成されている。
【００３９】
上記の構成において、２つのアンカー部１０のうちの一方には可動部用パッド１７が設けられている。また、各固定部７の各配線部１５には固定部用パッド１８がそれぞれ設けられている。例えば、アンカー部１０や配線部１５には所定電位が印加される。このようなパッド１７、１８としては、例えばＡｌが採用される。
【００４０】
上記の構造において、可動電極１２と固定電極１６とが対向配置された第１コンデンサおよび第２コンデンサが直列に接続され、各コンデンサにおける差動容量の変化が出力されるようになっている。ここで、第１コンデンサの容量をＣＳ１、第２コンデンサの容量をＣＳ２とすると、各コンデンサの差動容量の変化（ＣＳ１−ＣＳ２）が回路チップ３に設けられたスイッチドキャパシタ回路に入力される。
【００４１】
スイッチドキャパシタ回路は、第１、第２コンデンサの出力、すなわち差動容量の変化を電圧に変換するものであり、図示しないオペアンプ、容量がＣｆであるコンデンサ、スイッチを有して構成されている。そして、オペアンプの反転入力端子には第１、第２コンデンサに共通の可動電極１２が接続されており、オペアンプの反転入力端子と出力端子との間に容量Ｃｆのコンデンサおよびスイッチが並列に接続されている。
【００４２】
第１、第２コンデンサの各固定電極１６に位相差が１８０°の矩形波電圧Ｖｃｃがそれぞれ周期的に印加され、スイッチドキャパシタ回路の非反転入力端子に基準電圧（Ｖｃｃ／２）が入力され、スイッチが所定のタイミングでオン／オフされる。そして、センサチップ４において錘部１１の長手方向に加速度が加わり、第１、第２コンデンサの可動電極１２の変位に応じた差動容量変化ＣＳ１−ＣＳ２がスイッチドキャパシタ回路に入力されると、スイッチドキャパシタ回路から（ＣＳ１−ＣＳ２）・Ｖｃｃ／Ｃｆに相当する信号が出力される。この出力が回路チップ３に設けられた他の処理回路にて処理され、センサ装置１の外部に出力されるようになっている。
【００４３】
上記構成のセンサチップ４は、図１に示されるように、例えば、ポリイミドフィルムやシリコーンフィルム等の接着剤１９を介して回路チップ３に固定されている。なお、センサチップ４と回路チップ３とは例えばボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。
【００４４】
また、センサチップ４と回路チップ３とが一体化されたものが、接着剤２０を介してセラミックパッケージ２に固定されている。本実施形態では、接着剤２０は、第１の接着剤２１と第２の接着剤２２とを備えて構成されている。
【００４５】
第１の接着剤２１は、セラミックパッケージ２と回路チップ３との間の距離を一定に保持するスペーサとしての役割を果たすものである。このような第１の接着剤２１は、シリコーン系樹脂でドット状に形成され、セラミックパッケージ２の底面２ａに複数同じ高さで形成されている。第１の接着剤２１は、ペースト状のものがセラミックパッケージ２の底面２ａに塗布されて熱硬化されることで形成される。本実施形態では、例えば四角形状の回路チップ３の四隅に対応するように４箇所設けられている。
【００４６】
第２の接着剤２２は、セラミックパッケージ２と回路チップ３とを接着固定するものであり、シリコーン系樹脂で形成されている。この第２の接着剤２２は、第１の接着剤２１により形成されたセラミックパッケージ２の底面２ａと回路チップ３との間の隙間に配置されており、熱硬化されることでセラミックパッケージ２と回路チップ３とを接着している。
【００４７】
上述のように、第１の接着剤２１および第２の接着剤２２は、共にシリコーン系樹脂で形成されており、弾性率が例えば１〜１０ＭＰａ程度の低弾性のものである。このため、第１の接着剤２１および第２の接着剤２２は軟らかい材料となっており、応力等の力を伝達しにくくなっている。以上が、本実施形態に係るセンサ装置１の全体構成である。
【００４８】
次に、図１に示されるセンサ装置１の製造方法について、図３を参照して説明する。図３は、センサ装置１の製造工程図を示したものである。
【００４９】
センサ装置１を製造するべく、まず、セラミックパッケージ２、回路チップ３、およびセンサチップ４を用意する。センサチップ４には上述のように固定電極１６と可動電極１２とが半導体層５にパターニングされている。そして、回路チップ３にフィルム状の接着剤１９を介してセンサチップ４を固定する。
【００５０】
続いて、図３（ａ）に示す工程では、シリコーン系樹脂で形成されたペースト状の第１の接着剤２１を、セラミックパッケージ２の底面２ａに同じ高さに複数塗布する。塗布の方法としては、例えばインクジェットの方法等が採用される。本実施形態では、例えばセラミックパッケージ２の底面２ａのうち回路チップ３が実装される領域内の４箇所にペースト状の第１の接着剤２１をドット状に塗布する。そして、ペースト状の第１の接着剤２１を熱硬化させる。これにより、第１の接着剤２１がスペーサとして機能する。
【００５１】
この後、図３（ｂ）に示す工程では、シリコーン系樹脂で形成されたペースト状の第２の接着剤２２を、セラミックパッケージ２の底面２ａのうち回路チップ３が実装される領域にインクジェットの方法等で塗布する。この場合、図３（ｂ）に示されるように、ペースト状の第２の接着剤２２で第１の接着剤２１を覆う。なお、これは塗布の一例であり、例えば第１の接着剤２１の頂上がわずかに露出するように第２の接着剤２２を塗布しても良い。
【００５２】
そして、図３（ｂ）に示す工程では、センサチップ４と回路チップ３とが一体化されたものを、第１の接着剤２１をスペーサとして第２の接着剤２２の上に配置する。上述のように、第２の接着剤２２はスペーサとしての第１の接着剤２１を覆っているが、第２の接着剤２２はペースト状で流動するので、第２の接着剤２２の上に回路チップ３を配置すると、スペーサとしての第１の接着剤２１と回路チップ３との間の第２の接着剤２２が押し出され、第１の接着剤２１が回路チップ３に接触する。もしくは、第１の接着剤２１と回路チップ３との間に極薄の第２の接着剤２２が残された状態となる。このように、第１の接着剤２１をセラミックパッケージ２と回路チップ３との間の距離を一定に保持するスペーサとして利用することで、セラミックパッケージ２と回路チップ３およびセンサチップ４との平行度を確保できる。この後、第２の接着剤２２を熱硬化させることにより回路チップ３をセラミックパッケージ２に固定する。
【００５３】
次に、センサチップ４と回路チップ３とをボンディングワイヤで電気的に接続し、回路チップ３とセラミックパッケージ２に設けられた配線とをボンディングワイヤで電気的に接続することでセンサ装置１が完成する。
【００５４】
このような構造においては、セラミックパッケージ２と回路チップ３およびセンサチップ４とが異なる材料で構成されているので、温度に対する熱膨張係数がそれぞれ異なる。このため、センサ装置１の温度に従ってセラミックパッケージ２に応力が生じる。そこで、発明者らは、上記構造のセンサ装置１において、センサチップ４の出力の温度依存性を調べた。その結果を図４に示す。
【００５５】
図４において横軸はセンサ装置１の温度であり、縦軸は２５℃のセンサチップ４の出力に対する出力誤差（Ｇ）である。そして、センサ装置１の温度が５０℃を超える高温となっても、図４に示されるように、センサチップ４の出力誤差は０Ｇ付近になっている。同様に、センサ装置１の温度が−５０℃付近になっても、出力誤差は０Ｇ付近になっている。図６に示された従来品の出力誤差と比較すると、本発明に係るセンサチップ４の出力誤差が小さくなっていることがわかる。
【００５６】
このような結果は、接着剤２０の全体が軟らかい低弾性のシリコーン系樹脂で形成されているため、セラミックパッケージ２と回路チップ３およびセンサチップ４との熱膨張係数の差に基づく応力がセラミックパッケージ２から回路チップ３およびセンサチップ４に伝達しにくくなったためである。このように、シリコーン系樹脂の接着剤２０を用いているため、接着剤２０の応力遮断能力が低下するということは起こらないし、センサチップ４の出力の精度が低下することもない。
【００５７】
以上説明したように、本実施形態では、セラミックパッケージ２にシリコーン系樹脂で形成された接着剤２０を介して回路チップ３およびセンサチップ４を実装した構造が特徴となっている。
【００５８】
このように、接着剤２０は軟らかいシリコーン系樹脂で形成されているので、セラミックパッケージ２から第１の接着剤２１および第２の接着剤２２を介して回路チップ３およびセンサチップ４に応力を伝達しにくくすることができる。つまり、接着剤２０の応力遮断能力が低下しないようにすることができる。
【００５９】
また、接着剤２０を構成する第１の接着剤２１をスペーサとして利用しているので、第１の接着剤２１によりセラミックパッケージ２と回路チップ３との間を一定の距離に保持することができる。したがって、セラミックパッケージ２とセンサチップ４との平行度を確保することができる。
【００６０】
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、セラミックパッケージ２が特許請求の範囲のパッケージに対応する。 
【００６１】
（他の実施形態）
上記の実施形態では、センサチップ４は加速度を検出するものとして構成されているが、これは一例であり、角速度や圧力を検出するものでも良い。
【００６２】
上記の実施形態では、第１の接着剤２１はドット状に形成されていたが、第１の接着剤２１の形状はこれに限らず、突起状に形成されていれば良い。また、第１の接着剤２１の数も４箇所に限らず、３箇所でも５箇所以上でも良い。
【００６３】
上記の実施形態で示された接着剤２０はフィラーが配合されたものでも良い。この場合、第１の接着剤２１にフィラーが配合され第２の接着剤２２にフィラーが配合されない場合や、第１の接着剤２１にフィラーが配合されずに第２の接着剤２２にフィラーが配合される場合や、第１の接着剤２１および第２の接着剤２２の両方にフィラーが配合される場合がある。このように接着剤２０にフィラーが配合されることで、セラミックパッケージ２と回路チップ３およびセンサチップ４との共振点を操作することができる。なお、製造の際には、フィラーが配合された第１の接着剤２１を用いたり、フィラーが配合された第２の接着剤２２を用いることとなる。また、フィラーとしては、例えば銀フィラーやガラスフィラー等を用いることができる。
【００６４】
上記の実施形態では、第１の接着剤２１をスペーサとして利用していたが、例えば、低弾性の接着剤にスペーサを混入させて回路チップ３をセラミックパッケージ２に実装し、このときには接着剤中にスペーサが存在していたとしても、センサチップ４の使用時までに当該スペーサを熱処理等で除去したり当該スペーサの弾性率を低下させる等の処理を施すことで、接着剤の厚さやセンサチップ４の傾きを制御しても良い。
【符号の説明】
【００６５】
２    セラミックパッケージ
３    回路チップ
４    センサチップ
５    半導体層
１２  可動電極
１６  固定電極
２０  接着剤
２１  第１の接着剤
２２  第２の接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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