(57)【要約】【課題】基板の欠陥を検査する際に、検査レシピを効率よく更新する。【解決手段】ウェハを撮像して基準画像を取得し（工程Ｓ１）、当該基準画像を含む検査レシピを記憶部に記憶する（工程Ｓ３）。検査レシピに基づいてウェハを撮像して検査対象画像を取得し（工程Ｓ４）、検査レシピと検査対象画像に基づいてウェハの欠陥を検査する（工程Ｓ１０）。検査対象画像や検査結果等を含むレシピを記憶部に記憶する（工程Ｓ１１）。工程Ｓ４〜Ｓ１１を繰り返し行い、記憶部に所定の条件を満たす検査対象画像が記憶された際、当該検査対象画像を含むレシピに基づいて記憶部に記憶された前記検査レシピを更新する（工程Ｓ１２）。以後、更新された検査レシピに基づいて工程Ｓ４〜Ｓ１１が行われ、ウェハの欠陥が検される。【選択図】図８
2011174757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の欠陥を検査する方法であって、
基板を撮像して基準画像を取得し、当該基準画像を含む検査レシピを記憶部に記憶するレシピ設定工程と、
前記検査レシピに基づいて基板を撮像して検査対象画像を取得し、当該検査対象画像を含むレシピを前記記憶部に記憶する画像取得工程と、
前記検査レシピと前記検査対象画像とに基づいて、基板の欠陥を検査する検査工程と、
前記画像取得工程及び前記検査工程を繰り返し行い、前記記憶部に所定の条件を満たす前記検査対象画像が記憶された際、当該検査対象画像を含むレシピに基づいて前記記憶部に記憶された前記検査レシピを更新するレシピ更新工程と、を有し、
以後、前記更新された検査レシピで前記画像取得工程及び前記検査工程を行うことを特徴とする、欠陥検査方法。
【請求項２】
前記所定の条件は、
基板数に基づく条件、
基板のロット数に基づく条件、
前記画像取得工程及び前記検査工程を行う期間に基づく条件、
前記欠陥検査方法が行われる欠陥検査装置が複数ある場合の当該欠陥検査装置の数に基づく条件のうち、
少なくとも１以上の条件を有することを特徴とする、請求項１に記載の欠陥検査方法。
【請求項３】
前記レシピ更新工程では、前記記憶部に記憶された前記基準画像の輝度と前記検査対象画像の輝度との平均値が示された平均画像に基づいて、前記検査レシピを更新することを特徴とする、請求項１又は２に記載の欠陥検査方法。
【請求項４】
前記レシピ更新工程では、前記平均画像と、前記記憶部に記憶された前記基準画像の輝度と前記検査対象画像の輝度との標準偏差が示された標準偏差画像とに基づいて、前記検査レシピを更新することを特徴とする、請求項３に記載の欠陥検査方法。
【請求項５】
前記レシピ更新工程では、前記検査レシピを前記所定の条件を満たす前記検査対象画像を含むレシピに置換することを特徴とする、請求項１又は２に記載の欠陥検査方法。
【請求項６】
前記レシピ更新工程において、前記記憶部に所定の条件を満たす前記検査対象画像が記憶された際、基板の欠陥を検査する検査者に通知し、当該検査者の指示に基づいて前記検査レシピを更新することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の欠陥検査方法。
【請求項７】
前記欠陥検査方法は、フォトリソグラフィ処理においてレジスト塗布処理後であって露光処理前に行われることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の欠陥検査方法。
【請求項８】
前記欠陥検査方法は、フォトリソグラフィ処理において現像処理後に行われることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の欠陥検査方法。
【請求項９】
前記レシピ設定工程において、複数の基板の画像を取得し、当該複数の画像の輝度の平均値が示された画像を前記基準画像とすることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の欠陥検査方法。
【請求項１０】
前記レシピ設定工程において、基板上の複数のチップの画像を取得し、当該複数のチップの画像を比較して基板の欠陥を検査し、当該検査において欠陥がないと判断された基板の画像を前記基準画像とすることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の欠陥検査方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずかに記載の欠陥検査方法を欠陥検査装置によって実行させるために、当該欠陥検査装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項１３】
基板の欠陥を検査する装置であって、
基板を撮像する撮像部と、
基板の基準画像を含む検査レシピを設定するレシピ設定手段と、
前記検査レシピに基づいて前記撮像部で撮像された基板の検査対象画像を取得し、当該検査レシピと検査対象画像とに基づいて基板の欠陥を検査する検査手段と、を備え、
前記レシピ設定手段は、
前記検査レシピと前記検査対象画像を含むレシピとを記憶する記憶部と、
前記検査手段における基板の欠陥検査を繰り返し行い、前記記憶部に所定の条件を満たす前記検査対象画像が記憶された際、当該検査対象画像を含むレシピに基づいて前記記憶部に記憶された前記検査レシピを更新する更新部と、を有することを特徴とする、欠陥検査装置。
【請求項１４】
前記所定の条件は、
基板数に基づく条件、
基板のロット数に基づく条件、
前記欠陥検査装置において基板の検査が行われる期間に基づく条件、
前記欠陥検査装置が複数ある場合の当該欠陥検査装置の数に基づく条件のうち、
少なくとも１以上の条件を有することを特徴とする、請求項１３に記載の欠陥検査装置。
【請求項１５】
前記更新部は、前記記憶部に記憶された前記基準画像の輝度と前記検査対象画像の輝度との平均値が示された平均画像に基づいて、前記検査レシピを更新することを特徴とする、請求項１３又は１４に記載の欠陥検査装置。
【請求項１６】
前記更新部は、前記平均画像と、前記記憶部に記憶された前記基準画像の輝度と前記検査対象画像の輝度との標準偏差が示された標準偏差画像とに基づいて、前記検査レシピを更新することを特徴とする、請求項１５に記載の欠陥検査装置。
【請求項１７】
前記更新部は、前記検査レシピを前記所定の条件を満たす前記検査対象画像を含むレシピに置換することを特徴とする、請求項１３又は１４に記載の欠陥検査装置。
【請求項１８】
前記レシピ設定手段は、前記記憶部に所定の条件を満たす前記検査対象画像が記憶された際、基板の欠陥を検査する検査者に通知する通知部を有することを特徴とする、請求項１３〜１７のいずれかに記載の欠陥検査装置。
【請求項１９】
前記レシピ設定手段は、複数の基板の画像を取得し、当該複数の画像の輝度の平均値が示された画像を前記基準画像とすることを特徴とする、請求項１３〜１８のいずれかに記載の欠陥検査装置。
【請求項２０】
前記レシピ設定手段は、基板上の複数のチップの画像を取得し、当該複数のチップの画像を比較して基板の欠陥を検査し、当該検査において欠陥がないと判断された基板の画像を前記基準画像とすることを特徴とする、請求項１３〜１８のいずれかに記載の欠陥検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の欠陥を検査する方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び欠陥検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィ処理では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストのパターンが形成される。
【０００３】
一連のフォトリソグラフィ処理が行われたウェハには、検査装置によって、ウェハ表面に所定のレジスト膜が形成されているか否か、あるいは適切な露光処理が行われているかどうかについて、さらには傷、異物の付着があるかどうか等を検査する、いわゆるマクロ欠陥検査が行われる。
【０００４】
このようなマクロ欠陥検査は、ウェハを載置している載置台を移動させながら、当該載置台上のウェハに照明を照らして、例えばＣＣＤラインセンサの撮像装置によってウェハの画像を取り込み、この画像を画像処理して欠陥の有無を判定するようにしている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２４０５１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１に記載のマクロ欠陥検査は、例えば基準となるウェハの基準画像を含む検査レシピに基づいて行われる。そして、この検査レシピは例えばマクロ欠陥検査を行う検査者によって設定される。
【０００７】
しかしながら、上述した検査レシピに基づいてマクロ欠陥検査を繰り返し行うと、その検査結果によっては、検査者がこの検査レシピに不具合を発見する場合がある。また、検査装置内の部材の経時的変化などの要因により、検査レシピの更新が必要な場合もある。かかる場合に、検査者が都度検査レシピを更新しようとすると、その更新作業に多大な時間を要する。
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の欠陥を検査する際に、検査レシピを効率よく更新することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板の欠陥を検査する方法であって、基板を撮像して基準画像を取得し、当該基準画像を含む検査レシピを記憶部に記憶するレシピ設定工程と、前記検査レシピに基づいて基板を撮像して検査対象画像を取得し、当該検査対象画像を含むレシピを前記記憶部に記憶する画像取得工程と、前記検査レシピと前記検査対象画像とに基づいて、基板の欠陥を検査する検査工程と、前記画像取得工程及び前記検査工程を繰り返し行い、前記記憶部に所定の条件を満たす前記検査対象画像が記憶された際、当該検査対象画像を含むレシピに基づいて前記記憶部に記憶された前記検査レシピを更新するレシピ更新工程と、を有し、以後、前記更新された検査レシピで前記画像取得工程及び前記検査工程を行うことを特徴としている。なお、所定の条件は、基板の欠陥を検査する検査者側で任意に設定することができる。
【００１０】
本発明によれば、記憶部に所定の条件を満たす検査対象画像が記憶された際、当該検査対象画像を含むレシピに基づいて記憶部に記憶された検査レシピを更新することができる。すなわち、所定の条件を満たす場合に、記憶部に記憶された検査対象画像を含むレシピに基づいて検査レシピを自動で更新することができる。したがって、基板の欠陥を検査する検査者が都度検査レシピを更新する必要がなく、検査レシピを効率よく更新することができる。
【００１１】
前記所定の条件は、基板数に基づく条件、基板のロット数に基づく条件、前記画像取得工程及び前記検査工程を行う期間に基づく条件、前記欠陥検査方法が行われる欠陥検査装置が複数ある場合の当該欠陥検査装置の数に基づく条件のうち、少なくとも１以上の条件を有していてもよい。なお、ロットとは、所定の処理を施される一連の基板群をいう。
【００１２】
前記レシピ更新工程では、前記記憶部に記憶された前記基準画像の輝度と前記検査対象画像の輝度との平均値が示された平均画像に基づいて、前記検査レシピを更新してもよい。
【００１３】
前記レシピ更新工程では、前記平均画像と、前記記憶部に記憶された前記基準画像の輝度と前記検査対象画像の輝度との標準偏差が示された標準偏差画像とに基づいて、前記検査レシピを更新してもよい。
【００１４】
前記レシピ更新工程では、前記検査レシピを前記所定の条件を満たす前記検査対象画像を含むレシピに置換してもよい。
【００１５】
前記レシピ更新工程において、前記記憶部に所定の条件を満たす前記検査対象画像が記憶された際、基板の欠陥を検査する検査者に通知し、当該検査者の指示に基づいて前記検査レシピを更新してもよい。
【００１６】
前記欠陥検査方法は、フォトリソグラフィ処理においてレジスト塗布処理後であって露光処理前に行われてもよい。
【００１７】
前記欠陥検査方法は、フォトリソグラフィ処理において現像処理後に行われてもよい。
【００１８】
前記レシピ設定工程において、複数の基板の画像を取得し、当該複数の画像の輝度の平均値が示された画像を前記基準画像としてもよい。
【００１９】
前記レシピ設定工程において、基板上の複数のチップの画像を取得し、当該複数のチップの画像を比較して基板の欠陥を検査し、当該検査において欠陥がないと判断された基板の画像を前記基準画像としてもよい。
【００２０】
別な観点による本発明によれば、前記欠陥検査方法を欠陥検査装置によって実行させるために、当該欠陥検査装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２１】
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【００２２】
さらに別な観点による本発明は、基板の欠陥を検査する装置であって、基板を撮像する撮像部と、基板の基準画像を含む検査レシピを設定するレシピ設定手段と、前記検査レシピに基づいて前記撮像部で撮像された基板の検査対象画像を取得し、当該検査レシピと検査対象画像とに基づいて基板の欠陥を検査する検査手段と、を備え、前記レシピ設定手段は、前記検査レシピと前記検査対象画像を含むレシピとを記憶する記憶部と、前記検査手段における基板の欠陥検査を繰り返し行い、前記記憶部に所定の条件を満たす前記検査対象画像が記憶された際、当該検査対象画像を含むレシピに基づいて前記記憶部に記憶された前記検査レシピを更新する更新部と、を有することを特徴としている。
【００２３】
前記所定の条件は、基板数に基づく条件、基板のロット数に基づく条件、前記欠陥検査装置において基板の検査が行われる期間に基づく条件、前記欠陥検査装置が複数ある場合の当該欠陥検査装置の数に基づく条件のうち、少なくとも１以上の条件を有していてもよい。
【００２４】
前記更新部は、前記記憶部に記憶された前記基準画像の輝度と前記検査対象画像の輝度との平均値が示された平均画像に基づいて、前記検査レシピを更新してもよい。
【００２５】
前記更新部は、前記平均画像と、前記記憶部に記憶された前記基準画像の輝度と前記検査対象画像の輝度との標準偏差が示された標準偏差画像とに基づいて、前記検査レシピを更新してもよい。
【００２６】
前記更新部は、前記検査レシピを前記所定の条件を満たす前記検査対象画像を含むレシピに置換してもよい。
【００２７】
前記レシピ設定手段は、前記記憶部に所定の条件を満たす前記検査対象画像が記憶された際、基板の欠陥を検査する検査者に通知する通知部を有していてもよい。
【００２８】
前記レシピ設定手段は、複数の基板の画像を取得し、当該複数の画像の輝度の平均値が示された画像を前記基準画像としてもよい。
【００２９】
前記レシピ設定手段は、基板上の複数のチップの画像を取得し、当該複数のチップの画像を比較して基板の欠陥を検査し、当該検査において欠陥がないと判断された基板の画像を前記基準画像としてもよい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、基板の欠陥を検査する際に、検査レシピを効率よく更新することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本実施の形態にかかる欠陥検査装置を備えた塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】撮像ユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図５】撮像ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図６】バッファアームの構成の概略を示す平面図である。
【図７】検査ユニットの構成の概略を示す模式図である。
【図８】欠陥検査処理の各工程を示したフローチャートである。
【図９】他の実施の形態にかかる検査ユニットの構成の概略を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる欠陥検査装置を備えた塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図である。また、図２は塗布現像処理システム１の正面図であり、図３は塗布現像処理システム１の背面図である。
【００３３】
塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位（ロット単位）で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と、フォトリソグラフィ工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段に配置している処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置４との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
【００３４】
カセットステーション２には、カセット載置台６が設けられ、当該カセット載置台６は、複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。カセットステーション２には、搬送路７上をＸ方向に向かって移動可能なウェハ搬送体８が設けられている。ウェハ搬送体８は、カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウェハＷに対して選択的にアクセス可能である。
【００３５】
ウェハ搬送体８は、Ｚ軸周りのθ方向に回転可能であり、後述する処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属する温度調節装置６０やウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置６１に対してもアクセス可能である。
【００３６】
カセットステーション２に隣接する処理ステーション３は、複数の処理装置が多段に配置された、例えば５つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション３のＸ方向負方向（図１中の下方向）側には、カセットステーション２側から第１の処理装置群Ｇ１、第２の処理装置群Ｇ２が順に配置されている。処理ステーション３のＸ方向正方向（図１中の上方向）側には、カセットステーション２側から第３の処理装置群Ｇ３、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理装置群Ｇ３と第４の処理装置群Ｇ４の間には、第１の搬送装置Ａ１が設けられており、第１の搬送装置Ａ１の内部には、ウェハＷを支持して搬送する第１の搬送アーム１０が設けられている。第１の搬送アーム１０は、第１の処理装置群Ｇ１、第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送することができる。第４の処理装置群Ｇ４と第５の処理装置群Ｇ５の間には、第２の搬送装置Ａ２が設けられており、第２の搬送装置Ａ２の内部には、ウェハＷを支持して搬送する第２の搬送アーム１１が設けられている。第２の搬送アーム１１は、第２の処理装置群Ｇ２、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送することができる。
【００３７】
図２に示すように第１の処理装置群Ｇ１には、ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置、例えばウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置２０、２１、２２、露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティング装置２３、２４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理装置群Ｇ２には、液処理装置、例えばウェハＷに現像液を供給して現像処理する現像処理装置３０〜３４が下から順に５段に重ねられている。また、第１の処理装置群Ｇ１及び第２の処理装置群Ｇ２の最下段には、各処理装置群Ｇ１、Ｇ２内の液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室４０、４１がそれぞれ設けられている。
【００３８】
図３に示すように第３の処理装置群Ｇ３には、温度調節装置６０、トランジション装置６１、精度の高い温度管理下でウェハＷを温度調節する高精度温度調節装置６２〜６４及び欠陥検査装置６５、６６が下から順に７段に重ねられている。
【００３９】
図３に示すように第４の処理装置群Ｇ４には、例えば高精度温度調節装置７０、レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキング装置７１〜７４及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキング装置７５〜７９が下から順に１０段に重ねられている。
【００４０】
第５の処理装置群Ｇ５には、ウェハＷを熱処理する複数の熱処理装置、例えば高精度温度調節装置８０〜８３、露光後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキング装置８４〜８９が下から順に１０段に重ねられている。
【００４１】
図１に示すように第１の搬送装置Ａ１のＸ方向正方向側には、複数の処理装置が配置されており、例えば図３に示すようにウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョン装置９０、９１、ウェハＷを加熱する加熱装置９２、９３が下から順に４段に重ねられている。図１に示すように第２の搬送装置Ａ２のＸ方向正方向側には、例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置９４が配置されている。
【００４２】
インターフェイスステーション５には、例えば図１に示すようにＸ方向に向けて延伸する搬送路１００上を移動するウェハ搬送体１０１と、バッファカセット１０２が設けられている。ウェハ搬送体１０１は、Ｚ方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり、インターフェイスステーション５に隣接した露光装置４と、バッファカセット１０２及び第５の処理装置群Ｇ５に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００４３】
次に、上述した欠陥検査装置６５、６６の構成について説明する。欠陥検査装置６５は、図４及び図５に示すようにウェハＷを撮像して画像を取得する撮像ユニット１１０と、撮像ユニット１１０で撮像されたウェハＷの画像を取得し、当該ウェハＷの欠陥を検査する検査ユニット１１１とを有している。
【００４４】
撮像ユニット１１０は、図４に示すようにケーシング１１２を有している。ケーシング１１２の一端側（図４中のＸ方向負方向側）であって、ケーシング１１２の短手方向に対向する両側面には、ウェハＷを搬入出させる搬入出口１１３がそれぞれ形成されている。搬入出口１１３には、開閉シャッタ１１４がそれぞれ設けられている。
【００４５】
ケーシング１１２内には、図５に示すようにウェハＷを載置する載置台１２０が設けられている。この載置台１２０は、モータなどの回転駆動部１２１によって、回転、停止が自在であり、ウェハＷの位置を調節するアライメント機能を有している。ケーシング１１２の底面には、ケーシング１１２内の一端側（図５中のＸ方向負方向側）から他端側（図５中のＸ方向正方向側）まで延伸するガイドレール１２２が設けられている。載置台１２０と回転駆動部１２１は、ガイドレール１２２上に設けられ、例えばパルスモータなどの駆動部１２３によってガイドレール１２２に沿って移動できる。
【００４６】
ケーシング１１２内の一端側であって、ウェハＷをケーシング１１２に搬入出する位置Ｐ１（図５中の実線で示す位置）には、ウェハＷを一時的に支持するバッファアーム１２４が設けられている。バッファアーム１２４は、図６に示すように先端にウェハＷの支持部１２４ａを有している。支持部１２４ａは、例えば３／４円環状に形成されている。支持部１２４ａの３／４円環状の径は、載置台１２０の径よりも大きく、支持部１２４ａの内側に載置台１２０を収容できる。支持部１２４ａの３／４円環状の切り欠き部分は、ケーシング１１２内の他端側（図６中のＸ方向正方向側）に形成されており、載置台１２０は、支持部１２４ａと干渉せずに他端側に移動できる。支持部１２４ａ上には、複数の支持ピン１２４ｂが設けられ、ウェハＷは、この支持ピン１２４ｂ上に支持される。バッファアーム１２４の基部１２４ｃは、例えばシリンダなどの昇降駆動部１２５に取り付けられており、バッファアーム１２４は、載置台１２０の上下に昇降できる。
【００４７】
図５に示すようにケーシング１１２の他端側であって、ウェハＷのノッチ部の位置を調整するアライメント位置Ｐ２（図５中の点線で示す位置）には、載置台１２０上のウェハＷのノッチ部の位置を検出するセンサ１２６が設けられている。センサ１２６によってノッチ部の位置を検出しながら、回転駆動部１２１によって載置台１２０を回転させて、ウェハＷのノッチ部の位置を調節することができる。
【００４８】
ケーシング１１２内の他端側（図５のＸ方向正方向側）の側面には、撮像部１３０が設けられている。撮像部１３０には、例えば広角型のＣＣＤカメラが用いられる。ケーシング１１２の上部中央付近には、ハーフミラー１３１が設けられている。ハーフミラー１３１は、撮像部１３０と対向する位置に設けられ、鉛直方向から４５度傾斜して設けられている。ハーフミラー１３１の上方には、照度を変更することができる照明部１３２が設けられ、ハーフミラー１３１と照明部１３２は、ケーシング１１２の上面に固定されている。また、撮像部１３０、ハーフミラー１３１及び照明部１３２は、載置台１２０に載置されたウェハＷの上方にそれぞれ設けられている。そして、照明部１３２からの照明は、ハーフミラー１３１を通過して下方に向けて照らされる。したがって、この照射領域にある物体の反射光は、ハーフミラー１３１で反射して、撮像部１３０に取り込まれる。すなわち、撮像部１３０は、照射領域にある物体を撮像することができる。そして撮像部１３０で撮像したウェハＷの基準画像や検査対象画像は、検査ユニット１１１に出力される。
【００４９】
検査ユニット１１１は、図７に示すようにウェハＷの基準画像を含む検査レシピを設定するレシピ設定手段１４０と、レシピ設定手段１４０で設定された検査レシピに基づいて撮像部１３０で撮像されたウェハＷの検査対象画像を取得し、当該検査レシピと検査対象画像とに基づいてウェハＷの欠陥を検査する検査手段１４１とを有している。
【００５０】
レシピ設定手段１４０は、基準画像入力部１５０、前処理部１５１、記憶部１５２、更新部１５３、条件入力部１５４を有している。
【００５１】
基準画像入力部１５０には、検査対象画像が撮像される前に撮像ユニット１１０の撮像部１３０で撮像されたウェハＷの基準画像が入力される。なお、基準画像としては、例えば塗布現像処理システム１において最初に処理されるウェハＷの画像等、任意に設定することができる。
【００５２】
前処理部１５１では、基準画像入力部１５０に入力された基準画像に基づいて、例えば照明部１３２の最適照度の調節、ウェハＷの検査領域の設定、基準画像におけるウェハ領域の抽出等、種々の処理が行われる。
【００５３】
前処理部１５１において照明部１３２の最適照度の調節を行う場合、ウェハＷ上に複数の測定領域を予め設定しておき、撮像ユニット１１０においてウェハＷをウェハ搬入出位置Ｐ１からアライメント位置Ｐ２に移動させる。このとき、照明部１３２から各測定領域に対して異なる照度の照明を照らし、撮像部１３０で撮像する。撮像された各測定領域の画像は、基準画像入力部１５０を介して前処理部１５１に出力される。前処理部１５１では、各測定領域の画像の輝度のＲＧＢヒストグラムを抽出し、Ｒ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）毎の基準輝度を求める。そして、ＲＧＢ表色系のそれぞれの基準輝度について各測定領域毎にプロットしたグラフを作成し、ＲＧＢ表色系のいずれかの基準輝度が予め定められた所定の輝度に達する照度を、照明部１３２の最適照度と設定する。すなわち、ＲＧＢ表色系のいずれかの基準輝度と所定の輝度が一致する照度のうち、最も小さい照度を最適照度と設定する。なお、所定の輝度は、例えば欠陥のない基準ウェハを撮像して取得される画像の輝度から所定の範囲内の輝度である。その後、ウェハＷをアライメント位置Ｐ２からウェハ搬入出位置Ｐ１に移動させる際に、照明部１３２からウェハＷに前処理部１５１で設定された最適照度の照明を照らし、撮像部１３０で撮像する。撮像された画像は基準画像として、基準画像入力部１５０に出力される。
【００５４】
また、前処理部１５１では、ウェハＷの検査領域が、例えばウェハＷ上のチップ毎に分割され設定される。なお、検査領域はチップの領域に限定されず、検査者が任意に設定することができる。
【００５５】
さらに、前処理部１５１では、例えば撮像部１３０においてウェハ領域とその外側領域とが撮像された場合には、ウェハ領域の画像の輝度とその外側領域の輝度の閾値を用いて、基準画像をウェハＷと外側領域に２値化する。そして、基準画像からウェハ領域の画像のみを抽出する。
【００５６】
記憶部１５２には、前処理部１５１で処理されたウェハＷの基準画像が記憶される。このとき、例えばウェハＷの基準画像を取得する際の照明部１３２の最適照度も検査レシピとして記憶される。また、ウェハＷのノッチ部の位置情報やパターンの情報を有し、画像のアライメントを行うアライメントモデルも検査レシピとして記憶部１５２に記憶される。さらに、記憶部１５２には、後述するウェハＷの検査対象画像を含むレシピも記憶される。
【００５７】
更新部１５３では、後述するように検査手段１４１におけるウェハＷの欠陥検査を繰り返し行い、記憶部１５２に所定の条件を満たす検査対象画像が記憶された際、当該検査対象画像を含むレシピに基づいて記憶部１５２に記憶された検査レシピを更新する。
【００５８】
具体的には、記憶部１５２に記憶された基準画像の輝度と検査対象画像の輝度との平均値が示された平均画像を算出する。そして、基準画像を平均画像に置換して検査レシピを更新する。このとき、記憶部１５２に記憶された基準画像の輝度と検査対象画像の輝度との標準偏差が示された標準偏差画像を算出し、上述の平均画像と標準偏差画像に基づいて検査レシピを更新してもよい。
【００５９】
上述した所定の条件は、検査者が任意に設定することができる。検査者はレシピ設定手段１４０に設けられた条件入力部１５４にその条件を入力する。条件入力部１５４に入力された所定の入力された所定の条件は、記憶部１５２に出力される。この所定の条件としては、例えばウェハ数に基づく条件、ウェハＷのロット数に基づく条件、欠陥検査装置６５においてウェハＷの検査が行われる期間に基づく条件、欠陥検査装置６５、６６の数に基づく条件等が挙げられる。ウェハ数に基づく条件を設定した場合、例えば１０枚目のウェハＷの検査を行った際に検査レシピを更新する。ウェハＷのロット数に基づく条件を設定した場合、例えば３ロット目のウェハＷの検査を行った際に検査レシピを更新する。欠陥検査装置６５においてウェハＷの検査が行われる期間に基づく条件を設定した場合、例えばウェハＷの検査開始から１週間経過後に検査レシピを更新する。欠陥検査装置６５、６６の数に基づく条件を設定した場合、例えば２つの欠陥検査装置６５、６６においてウェハＷの検査を行った際に検査レシピを更新する。なお、検査者は、これら所定の条件を組み合わせて設定してもよい。
【００６０】
検査手段１４１は、検査対象画像入力部１６０、前処理部１６１、アライメント部１６２、欠陥検出部１６３、特徴量算出部１６４、分類部１６５、判定部１６６を有している。
【００６１】
検査対象画像入力部１６０には、記憶部１５２に記憶された検査レシピに基づいて撮像ユニット１１０の撮像部１３０で撮像されたウェハＷの検査対象画像が入力される。
【００６２】
前処理部１６１では、検査対象画像入力部１５０に入力された検査対象画像に基づいて、例えば検査対象画像におけるウェハ領域の抽出等の処理が行われる。前処理部１６１におけるウェハ領域の抽出は、上述したレシピ設定手段１４０の前処理部１５１におけるウェハ領域の抽出と同様であるので説明を省略する。また、検査対象画像は、前処理部１５１で設定された検査領域、例えばチップ毎の領域に分割される。
【００６３】
アライメント部１６２には、前処理部１６１で処理された検査対象画像が入力される。アライメント部１６２では、記憶部１５１に記憶された検査レシピのアライメントモデルに基づいて、検査対象画像のアライメントが行われる。
【００６４】
欠陥検出部１６３には、アライメント部１６２でアライメントされた検査対象画像が入力される。欠陥検出部１６３では、記憶部１５１に記憶された基準画像、又は平均画像及び標準偏差画像に基づいて、検査対象画像におけるウェハＷの欠陥が検査領域毎、例えばチップの領域毎に検出される。
【００６５】
特徴量算出部１６４では、欠陥検出部１６３で検出された欠陥の特徴量が算出される。欠陥の特徴量としては、例えば欠陥の濃淡、色などの特徴、テクスチャなどの空間の特徴、あるいは形状特徴（欠陥の大きさ、形状、長さ、幅）などの幾何学的特徴が算出される。
【００６６】
分類部１６５には、欠陥を分類するための分類クラスと、欠陥の特徴量と分類クラスとの関係とが予め保存されている。そして分類部１６５では、特徴量算出部１６４で算出された欠陥の特徴量に基づいて、当該欠陥を分類クラスに分類する。なお、欠陥の分類には、例えばニューラルネットワークや、ｋ−ＮＮ（ｋ−Ｎｅａｒｅｓｔ  Ｎｅｉｇｈｂａｒ）、ＴＦＣ（Ｔｅｓｔ  Ｆｅａｔｕｒｅ  Ｃｌａｓｓｉｆｉｅｒ）等の学習型分類手法を用いてもよい。
【００６７】
判定部１６６では、分類部１６５で分類された欠陥の分類クラスに基づいて、検査者がウェハＷの適否、すなわちウェハＷが製品として適当か否かを判定する。このとき、検査者による判定を容易にするため、検査領域毎に分類された欠陥をウェハＷ上に可視化してもよい。
【００６８】
なお、検査手段１４１における検査対象画像や検査結果等を含むレシピは、レシピ設定手段１４０の記憶部１５２に出力され記憶される。
【００６９】
上述したレシピ設定手段１４０と検査手段１４１を備えた検査ユニット１１１は、例えばコンピュータであり、上述したウェハＷの欠陥検査を実行するためのプログラムを有している。前記プログラムは、例えばハードディスク（ＨＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から検査ユニット１１１にインストールされたものであってもよい。
【００７０】
なお、欠陥検査装置６６の構成は、上述した欠陥検査装置６５の構成と同様であるので説明を省略する。
【００７１】
次に、以上のように構成された欠陥検査装置６５、６６で行われるウェハＷの欠陥の検査について、塗布現像処理システム１全体で行われるウェハ処理のプロセスと共に説明する。
【００７２】
先ず、ウェハ搬送体８によって、カセット載置台６上のカセットＣ内からウェハＷが一枚取り出され、第３の処理装置群Ｇ３の温度調節装置６０に搬送される。温度調節装置６０に搬送されたウェハＷは、所定温度に温度調節され、その後第１の搬送アーム１０によってボトムコーティング装置２３に搬送され、反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハＷは、第１の搬送アーム１０によって加熱装置９２、高精度温度調節装置７０に順次搬送され、各装置で所定の処理が施される。その後、ウェハＷはレジスト塗布装置２０に搬送され、当該ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
【００７３】
レジスト塗布装置２０においてウェハＷ上にレジスト膜が形成されると、ウェハＷは第１の搬送アーム１０によってプリベーキング装置７１に搬送され、続いて第２の搬送アーム１１によって周辺露光装置９４、高精度温調装置８３に順次搬送されて、各装置において所定の処理が施される。その後、インターフェイスステーション５のウェハ搬送体１０１によって露光装置４に搬送され、ウェハＷ上のレジスト膜に所定のパターンが露光される。露光処理の終了したウェハＷは、ウェハ搬送体１０１によってポストエクスポージャーベーキング装置８４に搬送され、所定の処理が施される。
【００７４】
ポストエクスポージャーベーキング装置８４における熱処理が終了すると、ウェハＷは第２の搬送アーム１１によって高精度温度調節装置８１に搬送されて温度調節され、その後現像処理装置３０に搬送され、ウェハＷ上に現像処理が施され、レジスト膜にパターンが形成される。その後ウェハＷは、第２の搬送アーム１１によってポストベーキング装置７５に搬送され、加熱処理が施された後、第１の搬送アーム１０によって高精度温度調節装置６３に搬送され温度調節される。そしてウェハＷは、第１の搬送アーム１０によって欠陥検査装置６５に搬送され、ウェハＷの欠陥検査が行われる。この欠陥検査の詳細については後述する。その後ウェハＷは、第１の搬送アーム１０によってトランジション装置６１に搬送され、ウェハ搬送体８によってカセットＣに戻されて一連のフォトリソグラフィ工程が終了する。
【００７５】
次に、欠陥検査装置６５におけるウェハＷの欠陥の検査方法について説明する。図８は、欠陥検査処理の主な工程のフローチャートを示している。
【００７６】
先ず、欠陥検査装置６５において、ウェハＷの基準画像を含む検査レシピを設定する。この基準画像を撮像する際の撮像ユニット１１０におけるパラメータ、例えばウェハＷのノッチ部の位置やウェハＷの移動速度等は予め検査者によって設定されている。
【００７７】
欠陥検査装置６５の撮像ユニット１１０において、第１の搬送アーム１０によってケーシング１１２内に搬送されたウェハＷは、載置台１２０上に載置される。このとき、照明部１３２の最適照度の調節を行うため、ウェハＷ上には複数の測定領域が例えばウェハＷの移動方向に沿って並ぶように設定されている。
【００７８】
その後、載置台１２０をウェハ搬入出位置Ｐ１からアライメント位置Ｐ２側に所定速度で移動させながら、ウェハＷがハーフミラー１３１の下を通過する際に、照明部１３２からウェハＷの各測定領域に対して異なる照度の照明を照らす。そして、撮像部１３０で各測定領域が撮像される。各撮像された測定領域の画像は、レシピ設定手段１４０の基準画像入力部１５０を介して前処理部１５１に出力される。前処理部１５１では、上述したように各測定領域の画像の輝度のＲＧＢヒストグラムを抽出し、ＲＧＢ毎の基準輝度を求め、ＲＧＢ表色系のいずれかの基準輝度が予め定められた所定の輝度に達する照度を、照明部１３２の最適照度と設定する。
【００７９】
このように照明部１３２の最適照度を設定している間、アライメント位置Ｐ２において、センサ１２６によってウェハＷのノッチ部の位置が調節される。
【００８０】
その後、載置台１２０をアライメント位置Ｐ２からウェハ搬入出位置Ｐ１側に所定速度で移動させながら、ウェハＷがハーフミラー１３１の下を通過する際に、照明部１３２からウェハＷに対して前処理部１５１で設定された最適照度の照明を照らす。そして、撮像部１３０によってウェハＷが撮像される。撮像された画像は基準画像として、基準画像入力部１５０に出力される（図８の工程Ｓ１）。なお、基準画像が撮像されたウェハＷは、搬入出口１１３側に移動された後、バッファアーム１２４からウェハ搬送体８に受け渡され、当該ウェハ搬送体８によって欠陥検査装置６５から搬出される。
【００８１】
基準画像入力部１５０に入力された基準画像は、前処理部１５１に出力される。前処理部１５１では、ウェハＷの検査領域の設定、基準画像におけるウェハ領域の抽出等が行われる（図８の工程Ｓ２）。
【００８２】
前処理部１５２で処理された基準画像は、記憶部１５２に記憶される。このとき、例えば照明部１３２の最適照度やアライメントモデルも検査レシピとして記憶される。こうして、欠陥検査装置６５における検査レシピが設定される（図８の工程Ｓ３）。
【００８３】
次に、後続のウェハＷが撮像ユニット１１０に搬送される。撮像ユニット１１０では、ウェハＷを載置した載置台１２０をウェハ搬入出位置Ｐ１からアライメント位置Ｐ２側に移動させる。そして、アライメント位置Ｐ２においてセンサ１２６によりウェハＷのノッチ部の位置が調節される。その後、載置台１２０をアライメント位置Ｐ２からウェハ搬入出位置Ｐ１側に所定速度で移動させながら、ウェハＷがハーフミラー１３１の下を通過する際に、照明部１３２からウェハＷに前処理部１５１で設定された最適照度の照明を照らす。そして、撮像部１３０によってウェハＷが撮像される。撮像された画像は検査対象画像として、検査手段１４１の検査対象画像入力部１６０に出力される（図８の工程Ｓ４）。なお、このウェハＷの撮像は、記憶部１５２に記憶された検査レシピに基づいて行われる。また、検査対象画像が撮像されたウェハＷは、搬入出口１１３側に移動された後、バッファアーム１２４からウェハ搬送体８に受け渡され、当該ウェハ搬送体８によって欠陥検査装置６５から搬出される。
【００８４】
検査対象画像入力部１６０に入力された基準画像は、前処理部１６１に出力される。前処理部１６１では、検査対象画像におけるウェハ領域の抽出等が行われる（図８の工程Ｓ５）。
【００８５】
前処理部１６１で処理された検査対象画像は、アライメント部１６２に出力される。アライメント部１６２では、記憶部１５１に記憶された検査レシピのアライメントモデルに基づいて、検査対象画像のアライメントが行われる（図８の工程Ｓ６）。
【００８６】
アライメント部１６２でアライメントされた検査対象画像は、欠陥検出部１６３に出力される。欠陥検出部１６３では、記憶部１５１に記憶された基準画像に基づいて検査対象画像におけるウェハＷの欠陥が検査領域毎、例えばチップの領域毎に検出される（図８の工程Ｓ７）。
【００８７】
欠陥検出部１６３で検出された欠陥は、特徴量算出部１６４に出力される。特徴量算出部１６４では、欠陥検出部１６３で検出された欠陥の特徴量が算出される（図８の工程Ｓ８）。
【００８８】
特徴量算出部１６４で算出された欠陥の特徴量は、分類部１６５に出力される。分類部１６５では、特徴量算出部で算出された欠陥の特徴量に基づいて、当該欠陥を分類クラスに分類する（図８の工程Ｓ９）。
【００８９】
分類部１６５における欠陥の分類結果は、判定部１６６に出力される。判定部１６６では、欠陥の分類クラスに基づいて、検査者がウェハＷの適否、すなわちウェハＷが製品として適当か否かを判定する（図８の工程Ｓ１０）。
【００９０】
以上の工程Ｓ４〜Ｓ１０で取得された検査対象画像や検査結果等を含むレシピは、レシピ設定手段１４０の記憶部１５２に出力され記憶される（図８の工程Ｓ１１）。なお、検査対象画像や検査結果等は、それぞれ工程Ｓ４、Ｓ１０の終了後、都度記憶部１５２に記憶してもよい。
【００９１】
以上の工程Ｓ４〜Ｓ１１（図８中の点線で囲った部分）を繰り返し行い、記憶部１５２に検査対象画像を含むレシピが複数記憶される。一方、条件入力部１５４には、検査者によって所定の条件が入力される。そして、記憶部１５２に所定の条件を満たす検査対象画像が記憶されると、更新部１５３において、当該検査対象画像を含むレシピに基づいて記憶部１５２に記憶された検査レシピを更新する（図８の工程Ｓ１２）。具体的には、上述したように基準画像の輝度と複数の検査対象画像の輝度との平均値が示された平均画像を算出し、基準画像を平均画像に置換して検査レシピを更新する。このとき、記憶部１５２に記憶された基準画像の輝度と検査対象画像の輝度との標準偏差が示された標準偏差画像を算出し、上述の平均画像と標準偏差画像に基づいて検査レシピを更新してもよい。
【００９２】
更新部１５３で検査レシピが更新されると、以後、更新された検査レシピに基づいて後続のウェハＷに対して工程Ｓ４〜工程Ｓ１１を行い、当該ウェハＷの欠陥を検査する。この際、工程Ｓ７では、更新された基準画像、すなわち上述した平均画像及び標準偏差画像に基づいて、検査対象画像におけるウェハＷの欠陥が検査領域毎、例えばチップの領域毎に検出される。
【００９３】
なお、図８中において、工程Ｓ１〜Ｓ３、Ｓ１１、Ｓ１２（図８中の左側）はレシピ設定手段１４０で行われる処理であり、工程Ｓ４〜Ｓ１０は検査手段１４１で行われる処理である。
【００９４】
以上の実施の形態によれば、工程Ｓ１２において、レシピ設定手段１４０の記憶部１５２に所定の条件を満たす検査対象画像が記憶された際、当該検査対象画像を含むレシピに基づいて記憶部１５２に記憶された検査レシピを更新することができる。すなわち、所定の条件を満たす場合に、記憶部１５２に記憶された検査対象画像を含むレシピに基づいて検査レシピを自動で更新することができる。したがって、ウェハＷの欠陥を検査する検査者が都度検査レシピを更新する必要がなく、検査レシピを効率よく更新することができる。
【００９５】
また、工程Ｓ１２における所定の条件は、検査者が任意に設定することができる。所定の条件として、例えばウェハ数に基づく条件、ウェハＷのロット数に基づく条件、欠陥検査装置６５においてウェハＷの検査が行われる期間に基づく条件を設定した場合、複数のウェハＷ間の欠陥のばらつきを吸収することができる。また、所定の条件として、欠陥検査装置６５、６６の数に基づく条件が設定された場合、欠陥検査装置６５、６６間の検査誤差を吸収することができる。なお、欠陥検査装置の数は本実施の形態に限定されず、塗布現像処理システム１に任意の数の欠陥検査装置を設けることができる。
【００９６】
また、工程Ｓ１２において、記憶部１５２に記憶された基準画像の輝度と検査対象画像の輝度の平均画像に基づいて検査レシピを更新している。かかる平均画像は複数のウェハＷの平均画像であるため、１枚のウェハＷの基準画像よりも精度が高い。そして、後続のウェハＷに対しては、工程Ｓ１２において平均画像とウェハＷの検査対象画像を比較するので、当該後続のウェハＷの欠陥検査を精度良く行うことができる。さらに、この検査レシピを更新する際に記憶部１５２に記憶された前記基準画像の輝度と前記検査対象画像の輝度の標準偏差が示された標準偏差画像を用いると、さらに欠陥検査の精度を高くできる。
【００９７】
以上の実施の形態の検査ユニット１１１のレシピ設定手段１４０には、図９に示すように通知部１７０が設けられていてもよい。通知部１７０は、上述した工程Ｓ１２において、記憶部１５２に所定の条件を満たす検査対象画像が記憶されると、その旨を検査者に通知する。検査者は、記憶部１５２に記憶された検査レシピを更新するか否かを選択することができる。そして、検査者が検査レシピを更新することを選択した場合には、上述した工程Ｓ１２と同様の方法で検査レシピが更新され、更新された検査レシピに基づいて後続のウェハＷの欠陥検査が行われる。一方、検査者が検査レシピを更新しないことを選択した場合には、検査レシピは更新されず、当該検査レシピに基づいて後続のウェハＷの欠陥検査が行われる。かかる場合、検査者が任意に検査レシピの更新を選択できるので、ウェハＷの欠陥検査の自由度が向上する。
【００９８】
以上の実施の形態では、工程Ｓ１２において、平均画像と標準偏差画像に基づいて記憶部１５２に記憶された検査レシピを更新していたが、所定の条件を満たす検査対象画像が記憶部１５２に記憶された際、当該検査対象画像を含むレシピを検査レシピと置換して検査レシピを更新してもよい。具体的には、所定の条件として、例えば１０枚目のウェハＷの検査を行った際に検査レシピを更新すると設定した場合、検査レシピは当該１０枚目のウェハＷの検査対象画像を含むレシピに置換される。かかる場合、より簡易な方法で検査レシピを更新することができる。
【００９９】
以上の実施の形態では、欠陥検査装置６５におけるウェハＷの欠陥検査は現像処理後に行われていたが、このウェハＷの欠陥検査をレジスト塗布処理後であって露光処理前に行ってもよい。かかる場合、レジスト塗布装置２０においてウェハＷにレジスト膜が形成され、プリベーキング装置７１においてウェハＷに加熱処理が施された後、欠陥検査装置６５においてウェハＷの欠陥検査が行われる。その後、周辺露光装置９４、高精度温調装置８３において順次ウェハＷに所定の処理が施された後、露光装置４においてウェハＷに露光処理が行われる。本実施の形態によれば、露光処理前にウェハＷの欠陥検査が行われるので、欠陥検査においてウェハＷに欠陥が検出された場合、当該ウェハＷを露光装置４に搬送する必要がない。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
【０１００】
以上の実施の形態では、工程Ｓ１において、塗布現像処理システム１で最初に処理されるウェハＷの画像を基準としていたが、複数のウェハＷの画像を取得し、当該複数の画像の輝度の平均値が示された画像を基準画像としてもよい。かかる場合、より精度の高い基準画像を取得することができる。
【０１０１】
また、工程Ｓ１において、ウェハＷ上の複数のチップの画像を取得し、当該複数のチップの画像を比較してウェハＷの欠陥を検査し、当該検査において欠陥がないと判断されたウェハＷの画像を基準画像としてもよい。かかる場合も、より精度の高い基準画像を取得することができる。
【０１０２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板の欠陥を検査する際に有用である。
【符号の説明】
【０１０４】
１    塗布現像処理システム
４    露光装置
２０〜２２  レジスト塗布装置
３０〜３４  現像処理装置
６５、６６  欠陥検査装置
１１０  撮像ユニット
１１１  検査ユニット
１２６  センサ
１３０  撮像部
１３２  照明部
１４０  レシピ設定手段
１４１  検査手段
１５０  基準画像入力部
１５１  前処理部
１５２  記憶部
１５３  更新部
１５４  条件入力部
１６０  検査対象画像入力部
１６１  前処理部
１６２  アライメント部
１６３  欠陥検出部
１６４  特徴量算出部
１６５  分類部
１６６  判定部
１７０  通知部
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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