(57)【要約】【課題】パターンドメディアディスク上に繰り返し発生した欠陥をスタンパの経時的変化による劣化により発生した欠陥と、プロセスの不良により発生した欠陥とを識別して、スタンパの経時変化により発生した欠陥を検出する。【解決手段】試料上に塗布されたレジストに微細なパターンを転写するためのスタンパの不良を検出するパターンドメディア用スタンパの検査方法において、表面に塗布されたレジスト膜にスタンパの微細なパターンが転写された試料に光を照射し、光が照射された試料からの反射光を分光検出し、分光検出して得た検出波形から欠陥を抽出し、抽出した欠陥のうち複数の試料上の同じ位置に発生した欠陥についてスタンパに起因する欠陥と、レジスト膜のパターンを形成するプロセスに起因する欠陥とを弁別し、スタンパに起因する欠陥の個数が予め設定した個数を超えたときに警告を通知するようにした。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料上に塗布されたレジストに微細なパターンを転写するためのスタンパの不良を検出する装置であって、
表面に塗布されたレジスト膜にスタンパの微細なパターンが転写された試料に光を照射する照明光学系と、
該照明光学系により光が照射された試料からの反射光を分光検出する分光検出光学系と、
該分光検出光学系により分光検出して得られた検出波形から欠陥を抽出する欠陥抽出手段と、
該欠陥抽出手段により抽出した欠陥のうち複数の試料上の同じ位置に発生した欠陥について前記スタンパに起因する欠陥と、前記レジスト膜のパターンを形成するプロセスに起因する欠陥とを弁別する欠陥データ処理部と、
該欠陥データ処理部で前記スタンパに起因する欠陥の個数が予め設定した個数を超えたときに警告を通知する出力部と
を備えたことを特徴とするパターンドメディアの欠陥検査装置。
【請求項２】
前記欠陥データ処理部は、前記分光検出光学系により分光検出して得られた検出波形から繰り返して試料上の同じ位置に発生する欠陥のうち前記スタンパに起因する欠陥と前記レジスト膜のパターンを形成するプロセスに起因する欠陥とを弁別することを、前記試料上の同一座標に発生する欠陥の数が第一の閾値を超えてから第二の閾値を越えるまでの時間を予め設定した時間と比較して、前記第一の閾値を超えてから第二の閾値を越えるまでの時間が前記予め設定した時間よりも長い場合には前記スタンパに起因する欠陥と判定することを特徴とする請求項１記載のパターンドメディアの欠陥検査装置。
【請求項３】
前記出力部が通知する警告が、スタンパの交換時期を知らせるものであることを特徴とする請求項１又は２に記載のパターンドメディアの欠陥検査装置。
【請求項４】
前記出力部は表示画面を有し、前記警告を通知するとともに、前記スタンパに起因する欠陥の発生位置を示す情報を前記画面上に表示することを特徴とする請求項１又は２に記載のパターンドメディアの欠陥検査装置。
【請求項５】
試料上に塗布されたレジストに微細なパターンを転写するためのスタンパの不良を検出する方法であって、
表面に塗布されたレジスト膜にスタンパの微細なパターンが転写された試料に光を照射し、
該光が照射された試料からの反射光を分光検出し、
前記分光検出して得た検出波形から欠陥を抽出し、
該抽出した欠陥のうち複数の試料上の同じ位置に発生した欠陥について前記スタンパに起因する欠陥と、前記レジスト膜のパターンを形成するプロセスに起因する欠陥とを弁別し、
前記スタンパに起因する欠陥の個数が予め設定した個数を超えたときに警告を通知すること
を特徴とするパターンドメディア用スタンパの検査方法。
【請求項６】
前記分光検出して得た検出波形から複数の試料上の同じ位置に発生する欠陥のうち前記スタンパに起因する欠陥と前記レジスト膜のパターンを形成するプロセスに起因する欠陥とを弁別することを、前記複数の試料上の同じ位置に発生する欠陥の数が第一の閾値を超えてから第二の閾値を越えるまでの時間を予め設定した時間と比較して、前記第一の閾値を超えてから第二の閾値を越えるまでの時間が前記予め設定した時間よりも長い場合には前記スタンパに起因する欠陥と判定することを特徴とする請求項１記載のパターンドメディア用スタンパの検査方法。
【請求項７】
前記通知する警告が、スタンパの交換時期を知らせるものであることを特徴とする請求項５又は６に記載のパターンドメディア用スタンパの検査方法。
【請求項８】
警告を通知するとともに、前記スタンパに起因する欠陥の発生位置を示す情報を画面上に表示することを特徴とする請求項５又は６に記載のパターンドメディア用スタンパの検査方法。
【請求項９】
試料上に塗布されたレジストに微細なパターンを転写するためのスタンパの不良を検出する方法であって、
表面に塗布されたレジスト膜にスタンパの微細なパターンが転写された試料に光を照射し、
該光が照射された試料からの反射光を分光検出し、
前記分光検出して得た検出波形から欠陥を抽出し、
該抽出した欠陥のうち複数の試料上の同じ位置に発生した欠陥の数の経時的な変化の状態から前記スタンパに起因する欠陥と、前記レジスト膜のパターンを形成するプロセスに起因する欠陥とを弁別し、
該弁別したスタンパに起因する欠陥について該欠陥の発生位置情報を出力する
ことを特徴とするパターンドメディア用スタンパの検査方法。
【請求項１０】
前記弁別したスタンパに起因する欠陥に基づいて、前記スタンパの交換時期を知らせ情報を出力することを特徴とする請求項９記載のパターンドメディア用スタンパの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンドメディアの欠陥検査装置及びそれを用いてパターンドメディア用スタンパの経時変化により発生する不良および劣化をモニタリングする技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータに用いられる記録媒体であるハードディスクは大容量化が進んでいる。記録情報の大容量化には１枚のディスク内に記録する密度の向上が不可欠である。従来のディスク媒体に比較して大幅に記録密度を向上可能な方式としてディスク表面にパターンを形成させた媒体であるパターンドメディアが有望視されている。
【０００３】
パターンドメディアの検査に関しては、特許文献１および２に開示されているように、分光検査により微細なパターンの欠陥を検査することが知られている。また、スタンパの欠陥検出技術として、光ディスクの欠陥を検出して同じ位置に繰り返し発生する欠陥をスタンパの欠陥として検出するスタンパの欠陥を検査する技術が特許文献３に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９-２５７９９３号公報
【特許文献２】特開２００９-１５０８３２号公報
【特許文献３】特開平０５-０７２１４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
パターンドメディアディスクのパターン形成工程で使用するスタンパに問題が発生した場合、同一箇所に連続して欠陥が転写され、不良ディスクとなってしまう。特許文献１および２に開示されている技術では、スタンパにより発生した欠陥と、製造工程が原因になって発生した欠陥とを識別することが難しい。
【０００６】
一方、特許文献３に開示されている技術では、同じ位置に繰り返し発生する欠陥をスタンパの欠陥としており、プロセスの不良により発生した繰り返し欠陥と、スタンパの劣化により発生した繰り返し欠陥とを識別することについては、配慮されていなかった。
【０００７】
本発明の目的は、パターンドメディアディスク上に繰り返し発生した欠陥をスタンパの経時的変化による劣化により発生した欠陥と、プロセスの不良により発生した欠陥とを識別して、スタンパの経時変化により発生した欠陥を検出するパターンドメディアの欠陥検査装置及びそれを用いてパターンドメディア用スタンパの検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した目的を達成するために、本発明では、試料上に塗布されたレジストに微細なパターンを転写するためのスタンパの不良を検出するパターンドメディアの欠陥検査装置を、表面に塗布されたレジスト膜にスタンパの微細なパターンが転写された試料に光を照射する照明光学系と、照明光学系により光が照射された試料からの反射光を分光検出する分光検出光学系と、分光検出光学系により分光検出して得られた検出波形から欠陥を抽出する欠陥抽出手段と、欠陥抽出手段により抽出した欠陥のうち複数の試料上の同じ位置に発生した欠陥についてスタンパに起因する欠陥と、レジスト膜のパターンを形成するプロセスに起因する欠陥とを弁別する欠陥データ処理部と、欠陥データ処理部で前記スタンパに起因する欠陥の個数が予め設定した個数を超えたときに警告を通知する出力部とを備えて構成した。
【０００９】
また、上記した目的を達成するために、本発明では、試料上に塗布されたレジストに微細なパターンを転写するためのスタンパの不良を検出するパターンドメディア用スタンパの検査方法において、表面に塗布されたレジスト膜にスタンパの微細なパターンが転写された試料に光を照射し、光が照射された試料からの反射光を分光検出し、分光検出して得た検出波形から欠陥を抽出し、抽出した欠陥のうち複数の試料上の同じ位置に発生した欠陥についてスタンパに起因する欠陥と、レジスト膜のパターンを形成するプロセスに起因する欠陥とを弁別し、スタンパに起因する欠陥の個数が予め設定した個数を超えたときに警告を通知するようにした。
【００１０】
また、上記した目的を達成するために、本発明では、試料上に塗布されたレジストに微細なパターンを転写するためのスタンパの不良を検出するパターンドメディア用スタンパの検査方法において、表面に塗布されたレジスト膜にスタンパの微細なパターンが転写された試料に光を照射し、光が照射された試料からの反射光を分光検出し、分光検出して得た検出波形から欠陥を抽出し、抽出した欠陥のうち複数の試料上の同じ位置に発生した欠陥の数の経時的な変化の状態からスタンパに起因する欠陥と、レジスト膜のパターンを形成するプロセスに起因する欠陥とを弁別し、弁別したスタンパに起因する欠陥について該欠陥の発生位置情報を出力するようにした。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、複数のパターンドメディアディスク上の同じ箇所に繰り返し発生した欠陥について、スタンパの経時的変化による劣化により発生した欠陥と、プロセスの不良により発生した欠陥とを識別して、スタンパの経時変化により発生した欠陥を検出してスタンパの寿命や不良の発生を警告または不良として早期検出することにより、スタンパ起因による欠陥の大量発生を未然に防ぐことが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ディスクリートメディアのパターン形成工程を示す図である。
【図２】ナノインプリントプロセスを示す工程図である。
【図３】パターンドメディア検査装置の全体構成を示すブロック図である。
【図４】磁性膜層上に形成されたレジストパターンの断面図である。
【図５】分光波長検出チャンネルごとの検出出力を示すグラフである。
【図６】分光波形データから欠陥を検出する手順を示すフロー図である。
【図７】スタンパの異常とプロセスの異常とを識別する処理の流れを示すフロー図である。
【図８】スタンパ異常の検出結果を表示する画面の正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
まず、本発明で検査対象とするパターンドメディア(試料)１のパターンを形成する工程について、図１を用いて説明する。先ず、基板１０上に下地層１１、中間層１２、記録層１３などの薄膜を多層形成する（Ｓ１０１）。次に、多層の薄膜層が形成された基板にレジスト１４を塗布し、微細な凹凸パターンが形成されたスタンパを基板上のレジストに押し付けた状態で露光光を照射しレジストを露光してナノインプリントを行う（Ｓ１０２）。次に、ナノインプリントにより基板１０上に転写されたレジスト１４の微細パターンの形状を検査する（Ｓ１０３）。検査で合格しなかった基板は、表面のレジストが剥離されて再度S１０２のナノインプリントの工程に送られる。  
この検査で合格した基板について、ナノインプリントで形成されたレジスト１４のパターンをマスクとして基板１０上の多層の薄膜層のうち記録層１３をエッチングし、レジストを除去して微細パターンを形成する（Ｓ１０４）。次に、基板１０上に非磁性膜１５を形成して記録層１３に形成した微細パターンに非磁性膜１５を埋め込み（Ｓ１０５）、基板表面を平坦化加工（ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）加工）して記録層１３に形成した微細パターンの部分を残して基板１０上に形成した非磁性膜を除去し（Ｓ１０６）、基板１０の表面に保護膜１６を形成して（Ｓ１０７）一連の工程を終了する。
【００１４】
次に、図１に示した工程のうち、ナノインプリントにより基板１０上に形成されたれじすと１４の微細パターンを検査する検査工程（Ｓ１０３）について、図２を用いて詳細に説明する。
【００１５】
図２（ａ）は、記録層２０２(図１の１３に相当)が形成された基板２０３(図１の１０に相当)上にレジスト膜２０１(図１の１４に相当)が塗布された状態で、基板２０３の上方に表面に転写するための微細なパターンが形成されたスタンパ２００が待機している状態を示す。図２においては、説明を簡単にするために、図１で説明した下地層１１と中間層１２とを省略して図示してある。つぎに、図２(ｂ)に示すようにスタンパ２００を基板２０３に押し付けて表面のレジスト膜２０１をスタンパ２００に形成された微細なパターンに倣わせる。この状態で図２（ｃ）に示すようにスタンパ２００の裏側から露光光を照射してスタンパ２００を押し付けられた状態のレジスト２０１を露光する。レジストが露光されて硬化した後、スタンパ２００をレジスト２０１から剥離すると、記録層２０２の上には、図２（ｄ）に示すようなレジストのパターンが形成される。
【００１６】
本発明では、この図２（ｄ）に示すような記録層２０２の上に形成されたレジスト２０１のパターの出来具合をチェックして、レジスト２０１のパターンを形成するためのスタンパ２００に形成された微細なパターンの状態を検査するための検査装置とその検査方法に関するものである。
【００１７】
次に、本発明に係るパターンドメディア検査装置について図３を用いて説明する。
【００１８】
本発明に係るパターンドメディア検査装置は、被検査対象の試料(パターンドメディア)１を搭載し回転するθステージ１４１と、分光検出光学系１００、制御ユニット１２０、分光検出光学系１００を一軸方向へ駆動する駆動ユニット１３０、及び制御ユニット１２０へのデータの入出力を行う入出力手段１２５とを備えて構成されている。
【００１９】
分光検出光学系１００は、遠紫外(ＤＵＶ)光を含む広帯域の光を発射する光源１０１、光源１０１から発射された光を集光する集光レンズ１０２、θステージ１４１に搭載されている検査対象であるパターンドメディア１上の検出視野を決める開口部１０３１を有する視野絞り１０３、検査対象である試料１（図１でＳ１０２のステップで表面にレジスト１４のパターンが形成されたもの）に適するように照明光の波長を選択する波長選択フィルタ１０４、照明光を特定方向に偏光させる偏光子１０５、偏光された照明光の光路を検査対象であるパターンドディア１の側に折り曲げるハーフミラー１０６、照明光を検査対象であるパターンドメディア１の表面に集光させる対物レンズ１０７、パターンドメディア１の表面で反射されて再び対物レンズ１０７で集光されハーフミラー１０６を透過した反射光を通過させて周辺からの迷光をカットするための開口部１０８１を有する絞り１０８、及び絞り１０８を通過した反射光を分光して検出する分光器１０９を備えて構成されている。分光器１０９は、絞り１０８を通過した反射光を回折させて分光する回折格子１１０と、回折格子１１０で回折して分光された分光波形を検出する複数の検出画素を一列に配置して構成されたリニア光検出器１１１とを備えている。
【００２０】
制御ユニット１２０は、分光器１０９のリニア光検出器１１１で検出された分光波形信号を入力してＡ/Ｄ変換しデジタル信号を出力する分光波形処理部１２１と、Ａ/Ｄ変換された信号を処理して検査対象であるパターンドメディア１のパターン形状を検査するデータ処理部１２２、分光波形信号データとパターン欠陥形状との関係を示すデータを記憶しておくデータベース１２３、全体を制御する制御部１２４を備えている。データ処理部１２２及び制御部１２４は、表示画面１２６を備えた外部の入出力手段１２５と接続されている。
【００２１】
次に、図２に示した構成を有するパターンドメディア検査装置でパターンドメディア１に形成されたパターン形状の検査を行う方法について説明する。
【００２２】
まず、制御部１２４で制御して駆動ユニット１３０を検査開始位置にセットし、θステージ１４１の高速回転を開始する。ステージ１４１の回転によりパターンドメディア１を高速に回転させた状態で、駆動ユニット１３０を一定の速度で一方向（パターンドメディア１の半径方向）に移動させる。この状態で光源１０１からは、遠紫外（ＤＵＶ）光を含む広帯域(多波長)の照明光(例えば、波長が２００〜８００ｎｍ)が発射される。光源１０１としては、Ｘｅランプ、ハロゲンランプ、重水素ランプ、水銀ランプなどを用いることができる。  
光源１０１から発射された光は、集光レンズ１０２により視野絞り１０３の開口部１０３１の位置に集光される。この視野絞り１０３の開口部１０３１に集光された光の像は、対物レンズ１０６により検査対象であるパターンドメディア１の表面に結像される。また、視野絞り１０３を通過した照明光は波長選択フィルタ１０４により検査に適した波長が選択され、選択された波長の光は偏光光学要素１０５によりパターンドメディア１に形成されたパターンの形状計測を高感度に行えるような偏光状態に調整された後、ハーフミラー１０６で一部が対物レンズ１０７の方向に反射されて対物レンズ１０７を透過してパターンドメディア１に照射される。
【００２３】
視野絞り１０３の開口部１０３１の像が投影されたパターンドメディア１からの反射光は、再び対物レンズ１０７に入射してその一部がハーフミラー１０６を透過して絞り１０８に達する。ここで絞り１０８の位置を調整することにより、対物レンズ１０７を透過したパターンドメディア１からの反射光の像が絞り１０８の開口部１０８１の位置に結像される。絞り１０８の開口部１０８１の大きさをパターンドメディア１上の検出視野(視野絞り１０３の開口部１０３１の像が投影された領域)の大きさに合わせることにより（必ずしも同じ大きさである必要はなく、検出視野の大きさより小さくても良い）、迷光や絞り１０８上に結像しない光を遮断することができる。
【００２４】
絞り１０８の開口部１０８１を通過したパターンドメディア１上の検出視野からの反射光（正反射光）は、分光光学系１０９の回折格子１１０に到達し、回折格子１１０で波長に応じて回折角が異なる分光波形となり、複数の検出素子が配列されたリニア光検出器１１１で分光された回折光がそれぞれの検出素子で分離されて検出される。リニア光検出器１１１で検出された分光波形検出信号は制御ユニット１２０の分光波形処理部１２１に入力してＡ/Ｄ変換され、デジタル化した分光波形信号が得られる。このデジタル化した分光波形信号はデータ処理部１２２へ送られて処理され、検査対象であるパターンドメディア１上に形成されたパターンの形状が検査される。  
次に、制御ユニット１２０で実行するパターン形状の検査方法について図６を用いて説明する。まず、予め正常な凹凸パターンを有してパターン形状が既知の標準試料の分光波形信号データを取得し（Ｓ６０１），データベース部１２３に記憶しておく（Ｓ６０２）。次に、この標準試料の分光波形信号データに基づいて電磁波解析により凹凸パターン形状（図４に示すような、磁性膜層２０２（１３）の上に形成されたレジスト２０１（１４）のパターンの高さ、パターンの幅、下地の厚さなど）が変化した場合の分光波形信号を求めてデータベース部１２３に記憶しておくとともに、凹凸パターン形状変化の限界値に対応する分光波形信号データを決めてデータベース部１２３に登録しておく（Ｓ６０３）。
【００２５】
即ち、図５の分光波長に対応する各検出チャンネルごとの検出出力を示すグラフに示すように、正常な凹凸パターンを計測して得られた分光波形データ５０２と、この分光波形データ５０２に基づいて電磁波解析により求めた許容される凹凸パターンの形状変化の限界に対応する分光波形データ５０３および５０４をデータベース部１２３に登録しておく。なお、図５において横軸は検出波長に対応するリニア光検出器１１０のチャンネル（ｃｈ）番号を示しており、チャンネルの番号は検出波長に対応しており、番号が大きくなるほど検出波長が長いことを示している。
【００２６】
凹凸パターンの形状で、例えばパターンの高さが変化した場合とパターンの幅が変化した場合とで、分光波形データの変化の仕方が異なる。即ち、凹凸パターン形状の不良の原因に応じて分光波形データが異なる。この特性を利用して、予め凹凸パターン形状の不良の原因と分光波形データの特性との関係をデータベース部１２３に登録しておき、検査対象試料を検査して得られた分光波形データをデータベース部１２３に登録しておいた標準試料の分光波形データと比較して許容値を超える波長帯域の分布特性を求め、データベース部１２３に登録しておいた凹凸パターン形状の不良の原因と分光波形データの特性との関係の情報から検査対象試料のパターン形状の欠陥を検出し、その欠陥の種類を特定することができる。
【００２７】
そこで、表面にレジストパターンが形成された検査対象試料を図３の検査装置で検査して分光波形データを取得し（Ｓ６０４），この検査対象試料の分光波形データをデータベース部１２３に記憶しておいた標準試料の分光波形データと比較して（Ｓ６０５）先に述べたような方法で欠陥を検出し（Ｓ６０６）、検出した欠陥の分光波形データを欠陥の位置情報と共に記憶しておく（Ｓ６０７）。
【００２８】
なお、図３に示したパターンドメディア検査装置においては、θテーブル１４０を回転させながら分光検出光学系１００を駆動ユニット１３０で一方向に移動させる構成を示したが、θテーブル１４０を一軸方向に移動可能なテーブルに載置して、分光検出光学系１００を固定した状態でθテーブル１４０を回転させながら一軸方向に移動させてディスクの全面を検査するようにしても良い。
【００２９】
このような欠陥検出方法を用いて、スタンパ２００に形成された微細なパターンの状態をモニタリングする方法について、図７を用いて説明する。
【００３０】
ナノインプリント技術を用いて基板上に微細なパターンを転写する場合に、順次処理する複数の基板上の同じ箇所に繰り返して発生する不良の原因としては、一般に、微細なパターンを形成するプロセスに起因する場合とナノインプリント用のスタンパの経時変化による劣化に起因する場合とが考えられる。この場合、プロセスに起因する不良は比較的短時間に突発的に発生するが、スタンパの経時変化による劣化に起因する不良は時間的に徐々に増加する。本実施例においては、この特性の違いを利用して、以下に説明するような方法でディスク上に形成されたパターンの不良の増加の仕方からプロセスに起因する不良とスタンパの経時変化による劣化に起因する不良とを識別してスタンパの不良を検知するようにした。
【００３１】
まず、スタンパ２００により微細なパターンが転写された検査対象の試料１を図３の検査装置のθテーブル１４０にセットしてθテーブル１４０を回転させながら試料１上に形成されたアライメントマークを分光検出光学系１００で検出し、検出信号を分光波形処理部１２１とデータ処理部１２２で処理して得られたデータと、そのときのθテーブル１４０の回転角の情報と駆動ユニット１３０の位置情報とを記憶しておく（Ｓ７０１）。
【００３２】
次に、試料１の全面を図３の検査装置で検査して、図６のＳ６０４からＳ６０７までの処理を実行して欠陥を検出し、検出した欠陥の分光波形データとθテーブル１４０の回転角の情報と駆動ユニット１３０の位置情報とを得て（Ｓ７０２）記憶しておく。
【００３３】
次に、検出した欠陥の位置情報とその分光波形データとを先に検査して記憶してある別の基板の検査データ（欠陥の位置情報とその分光波形データ）と比較して、アライメントマークを基準としたときに基板上の同じ位置に同じ種類の欠陥があるか否かをチェックする（Ｓ７０３）。
【００３４】
次に、Ｓ７０３でチェックした結果、同一座標に存在すると判断された同じ種類の欠陥のサイズまたは個数が予め設定しておいた警告設定値を超えているか否かを判断する（Ｓ７０４）。その結果、検出された欠陥のサイズまたは個数が予め設定しておいた警告設定値を超えていない場合には、プロセスの問題はなく、且つ、使用しているスタンパは正常に使用できるものとして特に何もせずに、次のディスクが有る場合には次のディスクを検査する（Ｓ７０９）。
【００３５】
一方、欠陥のサイズまたは個数が予め設定しておいた警告設定値を超えている場合には、その欠陥のサイズまたは個数が予め設定しておいた異常設定値を超えているか否かを判断する（Ｓ７０５）。その結果、欠陥のサイズまたは個数が予め設定しておいた異常設定値を超えていると判断した場合には、Ｓ７０４で警告設定値超えを検出してからＳ７０５で異常設定値超えを検出するまでの時間（試料１の処理枚数）をチェックし（Ｓ７０６）、予め設定した時間（試料１の処理枚数）よりも長い（多い）場合には、経時変化により徐々に劣化したスタンパの寿命を検出したとして入出力部１２５からスタンパ異常の信号を出力し、図８に示すように入出力手段１２５の画面８００（１２６）上に、発生した欠陥の位置を示す欠陥マップ８０１やスタンパの情報８０３を表示すると共に、図１に示したナノインプリント工程（Ｓ１０２）を実施するナノインプリント装置(図示せず)にスタンパ異常信号を出力する（Ｓ７０７）。なお、画面８００(１２６)上には、上記した欠陥マップ８０１として、スタンパの欠陥に対応する欠陥が検出された試料１上の位置を検出されて欠陥の種類ごとにアライメントマーク位置８０２と対応付けて表示する。また、スタンパの情報８０３のほかに、スタンパの現在の状態を表示する領域８０４と、検出される欠陥の種類を表示する領域８０５を有している。
【００３６】
一方、Ｓ７０４で警告設定値超えを検出してからＳ７０５で異常設定値超えを検出するまでの時間（試料１の処理枚数）が予め設定した時間（試料１の処理枚数）と比較して短い（少ない）場合には多数の不良が短時間に発生したことになり、プロセスに異常が発生したとして入出力部１２５からプロセス異常警告を発する（Ｓ７０８）。
【００３７】
Ｓ７０５で欠陥のサイズまたは個数が予め設定しておいた異常設定値を超えていないと判断した場合には、同一箇所に欠陥が発生していることを知らせる警告を出力して（Ｓ７１０）終了する。
【００３８】
本実施例によれば、ディスク上の同じ箇所で検出した欠陥のサイズまたは個数を警告設定値と異常設定値との二段階でチェックするようにしたので、プロセス不良により発生した繰り返し欠陥とスタンパの経時変化による劣化により発生した繰り返し欠陥とを識別して検出することが可能になり、スタンパの経時変化による劣化を早期に検知して、スタンパ起因による欠陥の大量発生を未然に防ぐことが可能になった。
【符号の説明】
【００３９】
１・・・パターンドメディア    １００・・・分光検出光学系    １０１・・・光源    １０２・・・集光レンズ    １０３・・・絞り    １０４・・・波長選択フィルタ      １０５・・・偏光フィルタ    １０６・・・ハーフミラー    １０７・・・対物レンズ    １０８・・・絞り      １０９・・・分光光学系    １１０・・・回折格子            １１１  ・・・リニア光検出器    １２０・・・制御ユニット    １２１・・・分光波形処理部    １２２・・・データ処理部    １２３・・・データベース部    １２４・・・制御部    １２５・・・入出力部    １３０・・・駆動ユニット    １４０・・・θテーブル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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