(57)【要約】【課題】酸化絶縁物による電流狭窄構造を有するストライプ状リッジ構造の半導体レーザにおいて、酸化絶縁物による電流狭窄構造部分からクラック等が発生するのを防止または抑制する。【解決手段】基板１０と、基板内の活性層１４と、基板に設けられた第１および第２の溝４２、４４と、溝４２と４４の間に形成されＡｌ含有化合物半導体を含む層を有するリッジ４６とを備え、Ａｌ含有化合物半導体を含む層は、第１の溝の全周囲にわたって設けられた酸化絶縁物２０と、第２の溝の全周囲にわたって設けられた酸化絶縁物２０と、リッジ内の両側の酸化絶縁物２０に挟まれたＡｌ含有化合物半導体と、を有し、リッジ内において、両側の酸化絶縁物２０により電流狭窄構造を形成し、基板の端面には酸化絶縁物２０は露出しない。【選択図】図２
2011142212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板内に設けられた活性層と、
前記基板内に設けられた、Ａｌ含有化合物半導体を含む層と、
前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層をそれぞれ露出して前記基板に設けられた第１および第２の溝と、を備え、
前記第１の溝と前記第２の溝との間には、前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層を有するストライプ状のリッジが形成され、
前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層は、第１の酸化絶縁物と、第２の酸化絶縁物と、前記第１の酸化絶縁物および第２の酸化絶縁物以外の領域に存在する前記Ａｌ含有化合物半導体とからなり、
前記第１の酸化絶縁物は、前記第１の溝の全周囲に露出して設けられ、
前記第２の酸化絶縁物は、前記第２の溝の全周囲に露出して設けられ、
前記リッジ内において、前記第１の酸化絶縁物と前記第２の酸化絶縁物とによって、前記第１の酸化絶縁物と前記第２の酸化絶縁物との間に存在する前記Ａｌ含有化合物半導体に電流経路を狭窄する電流狭窄構造が形成され、
前記基板の端面には前記第１の酸化絶縁物と前記第２の酸化絶縁物は露出しない半導体レーザ。
【請求項２】
前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層をそれぞれ露出して前記基板に設けられた第３および第４の溝、をさらに備え、
前記第３の溝と前記第４の溝との間には、前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層を有するストライプ状の第２のリッジが形成され、
前記第３の溝は前記第２の溝と隣接し、
前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層は、前記第１の酸化絶縁物と、前記第２の酸化絶縁物と、第３の酸化絶縁物と、第４の酸化絶縁物と、前記第１乃至第４の酸化絶縁物以外の領域に存在する前記Ａｌ含有化合物半導体と、からなり、
前記第３の酸化絶縁物は、前記第３の溝の全周囲に露出して設けられ、
前記第４の酸化絶縁物は、前記第４の溝の全周囲に露出して設けられ、
前記第２のリッジ内において、前記第３の酸化絶縁物と前記第４の酸化絶縁物とによって、前記第３の酸化絶縁物と前記第４の酸化絶縁物との間に存在する前記Ａｌ含有化合物半導体に電流経路を狭窄する第２の電流狭窄構造が形成され、
前記基板の端面には前記第１乃至第４の酸化絶縁物のいずれもが露出しない請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層を露出して、前記第２の溝に隣接して前記基板に設けられた第３の溝をさらに備え、
前記第２の溝と前記第３の溝との間には、前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層を有するストライプ状の第２のリッジが形成され、
前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層は、前記第１の酸化絶縁物と、前記第２の酸化絶縁物と、第３の酸化絶縁物と、前記第１乃至第３の酸化絶縁物以外の領域に存在する前記Ａｌ含有化合物半導体と、からなり、
前記第３の酸化絶縁物は、前記第３の溝の全周囲に露出して設けられ、
前記第２のリッジ内において、前記第２の酸化絶縁物と前記第３の酸化絶縁物とによって、前記第２の酸化絶縁物と前記第３の酸化絶縁物との間に存在する前記Ａｌ含有化合物半導体に電流経路を狭窄する第２の電流狭窄構造が形成され、
前記基板の端面には前記第１乃至第３の酸化絶縁物のいずれもが露出しない請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層と前記基板の端面とが交差する箇所の全てにおいて、前記Ａｌ含有化合物半導体が露出している請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記ストライプ状のリッジの長手方向と交差する前記基板の端面がレーザ光の発振面である請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体レーザ。
【請求項６】
前記第１の溝に露出する前記第１の酸化絶縁物、前記第２の溝に露出する前記第２の酸化絶縁物、前記第３の溝に露出する前記第３の酸化絶縁物および前記第４の溝に露出する前記第４の酸化絶縁物を覆うパッシベーション膜をさらに備える請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体レーザ。
【請求項７】
前記基板はＩｎＰ基板であり、前記Ａｌ含有化合物半導体はＡｌＩｎＡｓであり、前記第１乃至第４の酸化絶縁物は、ＡｌＩｎＡｓを酸化した絶縁物である請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体レーザ。
【請求項８】
前記基板はＧａＡｓ基板であり、前記Ａｌ含有化合物半導体はＡｌＧａＡｓであり、前記第１乃至第４の酸化絶縁物は、ＡｌＧａＡｓを酸化した絶縁物である請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体レーザ。
【請求項９】
前記基板はＧａＡｓ基板であり、前記Ａｌ含有化合物半導体はＡｌＡｓであり、前記第１乃至第４の酸化絶縁物は、アルミニウムの酸化物である請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体レーザ。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の半導体レーザを用いた光通信システム。
【請求項１１】
活性層と、Ａｌ含有化合物半導体からなる層と、を含む基板を準備する工程と、
前記Ａｌ含有化合物半導体からなる層をそれぞれ全周囲にわたって露出する第１の溝および第２の溝の対を、前記基板の一主面内の第１の方向および前記第１の方向と交差する第２の方向にそれぞれ複数、前記基板の一主面側から前記基板に形成し、各対の前記第１の溝と前記第２の溝との間には、前記Ａｌ含有化合物半導体からなる層を有し長手方向が前記第１の方向に延在するストライプ状のリッジを形成する工程と、
前記Ａｌ含有化合物半導体からなる層を、前記Ａｌ含有化合物半導体からなる層が前記第１の溝の全周囲にわたって露出する部分および前記第２の溝の全周囲にわたって露出する部分から酸化して、前記第１の溝の全周囲に露出する第１の酸化絶縁物と、前記第２の溝の全周囲に露出する第２の酸化絶縁物と、前記第１の酸化絶縁物および前記第２の酸化絶縁物以外の領域に残る前記Ａｌ含有化合物半導体とからなるＡｌ含有化合物半導体を含む層に形成する工程と、
各対の前記第１の溝および第２の溝の前記第１の方向における両側であって、前記第１の溝および前記第２の溝に対して前記第１の酸化絶縁物および前記第２の酸化絶縁物よりも外側で前記第２の方向に沿って前記基板を切断し、隣接する前記第１の溝および第２の溝の対の間であって、各対にとって前記第１の酸化絶縁物および前記第２の酸化絶縁物よりも外側で前記第１の方向に沿って前記基板を切断する工程と、
を備える半導体レーザの製造方法。
【請求項１２】
前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層と前記基板の端面とが交差する箇所の全てにおいて、前記Ａｌ含有化合物半導体が露出している請求項１１記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項１３】
前記ストライプ状のリッジまたは前記ストライプ状の第１および第２のリッジの長手方向と交差する前記基板の端面がレーザ光の発振面である請求項１１または１２記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項１４】
前記第１の溝に露出する前記第１の酸化絶縁物および前記第２の溝に露出する前記第２の酸化絶縁物を覆ってパッシベーション膜を形成する工程をさらに備える請求項１１乃至１３のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項１５】
前記基板はＩｎＰ基板であり、前記Ａｌ含有化合物半導体はＡｌＩｎＡｓであり、前記第１および第２の酸化絶縁物は、ＡｌＩｎＡｓを酸化した絶縁物である請求項１１乃至１４のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項１６】
前記基板はＧａＡｓ基板であり、前記Ａｌ含有化合物半導体はＡｌＧａＡｓであり、前記第１および第２の酸化絶縁物は、ＡｌＧａＡｓを酸化した絶縁物である請求項１１乃至１４のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項１７】
前記基板はＧａＡｓ基板であり、前記Ａｌ含有化合物半導体はＡｌＡｓであり、前記第１および第２の酸化絶縁物は、アルミニウムの酸化物である請求項１１乃至１４のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザおよびその製造方法に関し、特に、酸化絶縁物による電流狭窄構造を有するストライプ状リッジ構造の半導体レーザおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
酸化絶縁物による電流狭窄構造を有するストライプ状リッジ構造の半導体レーザは、例えば、特許文献１、２に開示されている。このような構造の半導体レーザでは、リッジ構造内のＡｌ含有化合物半導体層を、当該Ａｌ含有化合物半導体層がリッジの側面に露出する両側から酸化して酸化絶縁物を形成し、中央には当該Ａｌ含有化合物半導体層を残しているので、両側に形成される酸化絶縁物が電流狭窄層として機能する。しかしながら、このような中央のＡｌ含有化合物半導体層とその両側の酸化絶縁物が共に存在する構造では、材料の違いから歪が蓄積されることになる。
【０００３】
そして、このようなストライプ状リッジ構造の半導体レーザでは、ストライプ状リッジ構造の長手方向と直交する方向に半導体基板を劈開し、その劈開面をレーザ光の発振面としている。従って、その劈開面には、中央のＡｌ含有化合物半導体層とその両側の酸化絶縁物が共に露出することになり、上記歪により、劈開時やその後の熱履歴等によって、クラック等が発生するという問題があった。
【０００４】
このような問題を解決するために、ストライプ状リッジ構造の長手方向の両端のレーザ光の発振面近傍では、リッジの幅を広くして、半導体レーザの基板の幅と同じにすることが提案されている（特許文献３参照）。このようにすれば、レーザ光の発振面にはＡｌ含有化合物半導体層のみが露出し酸化絶縁物は露出しない構造とすることができる。従って、レーザ光の発振面には、クラック等が発生せず、半導体レーザの不良化率を低減することができるとされていた。
【０００５】
しかしながら、本発明者達がこのような構造の半導体レーザについて、鋭意研究した結果、ストライプ状リッジ構造の長手方向と平行な面において、劈開時やその後の熱履歴等によって、クラック等が発生するという問題があることを見出した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１０１１８９号公報
【特許文献２】特開２０００−１２４５４７号公報
【特許文献３】特開２０００−１３３８７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、本発明の主な目的は、酸化絶縁物による電流狭窄構造を有するストライプ状リッジ構造の半導体レーザにおいて、酸化絶縁物による電流狭窄構造部分からクラック等が発生するのを防止または抑制できる半導体レーザおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、
基板と、
前記基板内に設けられた活性層と、
前記基板内に設けられた、Ａｌ含有化合物半導体を含む層と、
前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層をそれぞれ露出して前記基板に設けられた第１および第２の溝と、を備え、
前記第１の溝と前記第２の溝との間には、前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層を有するストライプ状のリッジが形成され、
前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層は、第１の酸化絶縁物と、第２の酸化絶縁物と、前記第１の酸化絶縁物および第２の酸化絶縁物以外の領域に存在する前記Ａｌ含有化合物半導体とからなり、
前記第１の酸化絶縁物は、前記第１の溝の全周囲に露出して設けられ、
前記第２の酸化絶縁物は、前記第２の溝の全周囲に露出して設けられ、
前記リッジ内において、前記第１の酸化絶縁物と前記第２の酸化絶縁物とによって、前記第１の酸化絶縁物と前記第２の酸化絶縁物との間に存在する前記Ａｌ含有化合物半導体に電流経路を狭窄する電流狭窄構造が形成され、
前記基板の端面には前記第１の酸化絶縁物と前記第２の酸化絶縁物は露出しない半導体レーザが提供される。
【０００９】
上記半導体レーザは、
前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層をそれぞれ露出して前記基板に設けられた第３および第４の溝、をさらに備え、
前記第３の溝と前記第４の溝との間には、前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層を有するストライプ状の第２のリッジが形成され、
前記第３の溝は前記第２の溝と隣接し、
前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層は、前記第１の酸化絶縁物と、前記第２の酸化絶縁物と、第３の酸化絶縁物と、第４の酸化絶縁物と、前記第１乃至第４の酸化絶縁物以外の領域に存在する前記Ａｌ含有化合物半導体と、からなり、
前記第３の酸化絶縁物は、前記第３の溝の全周囲に露出して設けられ、
前記第４の酸化絶縁物は、前記第４の溝の全周囲に露出して設けられ、
前記第２のリッジ内において、前記第３の酸化絶縁物と前記第４の酸化絶縁物とによって、前記第３の酸化絶縁物と前記第４の酸化絶縁物との間に存在する前記Ａｌ含有化合物半導体に電流経路を狭窄する第２の電流狭窄構造が形成され、
前記基板の端面には前記第１乃至第４の酸化絶縁物のいずれもが露出しない構造のものとすることもできる。
【００１０】
また、上記半導体レーザは、
前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層を露出して、前記第２の溝に隣接して前記基板に設けられた第３の溝をさらに備え、
前記第２の溝と前記第３の溝との間には、前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層を有するストライプ状の第２のリッジが形成され、
前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層は、前記第１の酸化絶縁物と、前記第２の酸化絶縁物と、第３の酸化絶縁物と、前記第１乃至第３の酸化絶縁物以外の領域に存在する前記Ａｌ含有化合物半導体と、からなり、
前記第３の酸化絶縁物は、前記第３の溝の全周囲に露出して設けられ、
前記第２のリッジ内において、前記第２の酸化絶縁物と前記第３の酸化絶縁物とによって、前記第２の酸化絶縁物と前記第３の酸化絶縁物との間に存在する前記Ａｌ含有化合物半導体に電流経路を狭窄する第２の電流狭窄構造が形成され、
前記基板の端面には前記第１乃至第３の酸化絶縁物のいずれもが露出しない構造のものとすることもできる。
【００１１】
好ましくは、前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層と前記基板の端面とが交差する箇所の全てにおいて、前記Ａｌ含有化合物半導体が露出している。
【００１２】
また、好ましくは、前記ストライプ状のリッジの長手方向と交差する前記基板の端面がレーザ光の発振面である。
【００１３】
また、好ましくは、前記第１の溝に露出する前記第１の酸化絶縁物、前記第２の溝に露出する前記第２の酸化絶縁物、前記第３の溝に露出する前記第３の酸化絶縁物および前記第４の溝に露出する前記第４の酸化絶縁物を覆うパッシベーション膜をさらに備える。
【００１４】
また、好ましくは、前記基板はＩｎＰ基板であり、前記Ａｌ含有化合物半導体はＡｌＩｎＡｓであり、前記第１乃至第４の酸化絶縁物は、ＡｌＩｎＡｓを酸化した絶縁物である。
【００１５】
また、好ましくは、前記基板はＧａＡｓ基板であり、前記Ａｌ含有化合物半導体はＡｌＧａＡｓであり、前記第１乃至第４の酸化絶縁物は、ＡｌＧａＡｓを酸化した絶縁物である。
【００１６】
また、好ましくは、前記基板はＧａＡｓ基板であり、前記Ａｌ含有化合物半導体はＡｌＡｓであり、前記第１乃至第４の酸化絶縁物は、アルミニウムの酸化物である。
【００１７】
また、本発明の他の態様によれば、上記いずれかの半導体レーザを用いた光通信システムが提供される。
【００１８】
本発明のさらに他の態様によれば、
活性層と、Ａｌ含有化合物半導体からなる層と、を含む基板を準備する工程と、
前記Ａｌ含有化合物半導体からなる層をそれぞれ全周囲にわたって露出する第１の溝および第２の溝の対を、前記基板の一主面内の第１の方向および前記第１の方向と交差する第２の方向にそれぞれ複数、前記基板の一主面側から前記基板に形成し、各対の前記第１の溝と前記第２の溝との間には、前記Ａｌ含有化合物半導体からなる層を有し長手方向が前記第１の方向に延在するストライプ状のリッジを形成する工程と、
前記Ａｌ含有化合物半導体からなる層を、前記Ａｌ含有化合物半導体からなる層が前記第１の溝の全周囲にわたって露出する部分および前記第２の溝の全周囲にわたって露出する部分から酸化して、前記第１の溝の全周囲に露出する第１の酸化絶縁物と、前記第２の溝の全周囲に露出する第２の酸化絶縁物と、前記第１の酸化絶縁物および前記第２の酸化絶縁物以外の領域に残る前記Ａｌ含有化合物半導体とからなるＡｌ含有化合物半導体を含む層に形成する工程と、
各対の前記第１の溝および第２の溝の前記第１の方向における両側であって、前記第１の溝および前記第２の溝に対して前記第１の酸化絶縁物および前記第２の酸化絶縁物よりも外側で前記第２の方向に沿って前記基板を切断し、隣接する前記第１の溝および第２の溝の対の間であって、各対にとって前記第１の酸化絶縁物および前記第２の酸化絶縁物よりも外側で前記第１の方向に沿って前記基板を切断する工程と、
を備える半導体レーザの製造方法が提供される。
【００１９】
好ましくは、前記Ａｌ含有化合物半導体を含む層と前記基板の端面とが交差する箇所の全てにおいて、前記Ａｌ含有化合物半導体が露出している。
【００２０】
また、好ましくは、前記ストライプ状のリッジまたは前記ストライプ状の第１および第２のリッジの長手方向と交差する前記基板の端面がレーザ光の発振面である。
【００２１】
また、好ましくは、前記第１の溝に露出する前記第１の酸化絶縁物および前記第２の溝に露出する前記第２の酸化絶縁物を覆ってパッシベーション膜を形成する工程をさらに備える。
【００２２】
また、好ましくは、前記基板はＩｎＰ基板であり、前記Ａｌ含有化合物半導体はＡｌＩｎＡｓであり、前記第１および第２の酸化絶縁物は、ＡｌＩｎＡｓを酸化した絶縁物である。
【００２３】
また、好ましくは、前記基板はＧａＡｓ基板であり、前記Ａｌ含有化合物半導体はＡｌＧａＡｓであり、前記第１および第２の酸化絶縁物は、ＡｌＧａＡｓを酸化した絶縁物である。
【００２４】
また、好ましくは、前記基板はＧａＡｓ基板であり、前記Ａｌ含有化合物半導体はＡｌＡｓであり、前記第１および第２の酸化絶縁物は、アルミニウムの酸化物である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、酸化絶縁物による電流狭窄構造を有するストライプ状リッジ構造の半導体レーザにおいて、酸化絶縁物による電流狭窄構造部分からクラック等が発生するのを防止または抑制できる半導体レーザおよびその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の好ましい第１の実施の形態の半導体レーザを説明するための概略斜視図である。
【図２】図１のＸ１−Ｘ１線概略縦断面図である。
【図３】図１のＸ２−Ｘ２線概略側面図である。
【図４】本発明の好ましい第１の実施の形態の半導体レーザの製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図５】本発明の好ましい第１の実施の形態の半導体レーザの製造方法を説明するための概略側面図である。
【図６】本発明の好ましい第１および第２の実施の形態の半導体レーザの構造および製造方法を説明するための概略上面図である。
【図７】本発明の好ましい第２の実施の形態の半導体レーザを説明するための概略斜視図である。
【図８】図７のＸ３−Ｘ３線概略縦断面図である。
【図９】図７のＸ４−Ｘ４線概略側面図である。
【図１０】本発明の好ましい第３の実施の形態の半導体レーザを説明するための概略斜視図である。
【図１１】図１０のＸ５−Ｘ５線概略縦断面図である。
【図１２】図７のＸ６−Ｘ６線概略側面図である。
【図１３】本発明の好ましい第４の実施の形態の半導体レーザを説明するための概略斜視図である。
【図１４】図１３のＸ７−Ｘ７線概略縦断面図である。
【図１５】図７のＸ８−Ｘ８線概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２８】
（第１の実施の形態）
図１〜図３を参照すれば、本発明の第１の実施の形態の端面発光型の半導体レーザ１００は、略直方体形状であり、上面１０１、底面１０２、側部の端面１０３〜１０６を備えている。端面１０３と端面１０４は互いに対向し、方向１０７、１０８を含む面に平行に延在している。端面１０５と端面１０６は互いに対向し、方向１０７、１０９を含む面に平行に延在している。
【００２９】
半導体レーザ１００は、ｎ−ＩｎＰ基板１０と、ｎ−ＩｎＰ基板１０上のｎ−ＩｎＰクラッド層１２と、ｎ−ＩｎＰクラッド層１２上のＳＣＨ−ＭＱＷ（Separate Confinement Heterostructure Multiple Quantum Well）活性層１４と、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１４上の第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６と、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６上のｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９上の第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２と、第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２上のｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４とを備えている。なお、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１４には，例えば，レーザの発振波長が１．２５〜１．６μｍ帯の場合には，ＧａＩｎＡｓＰ井戸層やＡｌＧａＩｎＡｓ井戸層が用いられる
【００３０】
基板１０の上面１０１側には、溝４２、４４が設けられている。溝４２、４４は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９よりも深く、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６に達して設けられている。
【００３１】
溝４２、４４は、方向１０９に沿って横長に設けられている。溝４２と溝４４との間には、ストライプ状のリッジ４６が形成されている。ストライプ状のリッジ４６の長手方向は、方向１０９に沿っている。ストライプ状のリッジ４６は、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６の上部と、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と、第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２と、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４とを備えている。
【００３２】
溝４２の側部４２ａには、溝４２の全周囲にわたって、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６と、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と、第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２と、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４とが露出している。溝４２の底部４２ｂには、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６が露出している。
【００３３】
溝４４の側部４４ａには、溝４４の全周囲にわたって、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６と、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と、第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２と、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４とが露出している。溝４４の底部４４ｂには、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６が露出している。
【００３４】
ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８と、ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０とを備えている。ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０は、溝４２および溝４４の全周囲にわたってそれぞれ設けられており（図６参照）、酸化絶縁物層２０の端部２０ａは、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出し、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出している。
【００３５】
溝４２と溝４４との間には、ストライプ状のリッジ４６が形成されていることから、溝４２の内側の側面４２ａおよび溝４４の内側の側面４４ａはリッジ４６の両側の側面４６ａであり、リッジ４６の両側の側面４６ａに酸化絶縁物層２０の端部２０ａが露出し、酸化絶縁物層２０は、両側の側面４６ａからリッジ４６の内側に向かってｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９内に延在して設けられている。ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９のリッジ４６の中央の領域には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれて設けられている。
【００３６】
溝４２の周囲の酸化絶縁物層２０の外側の領域および溝４４の周囲の酸化絶縁物層２０の外側の領域のｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が設けられている。ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と側部の端面１０３〜１０６とが交差する箇所の全てにおいて、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が露出している。ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と側部の端面１０３〜１０６とが交差する箇所のいずれにおいても、酸化絶縁物層２０は露出していない。
【００３７】
ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４上、溝４２の側面４２ａ上および底面４２ｂ上、ならびに溝４４の側面４４ａ上および底面４４ｂ上には、ＳｉＮX膜２６が設けられている。従って、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出する酸化絶縁物層２０および溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する酸化絶縁物層２０は、ＳｉＮX膜２６によって覆われている。ＳｉＮX膜２６はパッシベーション膜として機能する。
【００３８】
リッジ４６上のＳｉＮX膜２６の中央部には、窓３２が方向１０９に沿って、端面１０３から端面１０４にわたって設けられている（図６参照）。窓３２によって、リッジ４６のｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４が露出している。
【００３９】
上面１０１のＳｉＮX膜２６上には、全面にわたってｐ側電極２８が設けられている。ｐ側電極２８は窓３２を介して、リッジ４６のｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４に接続されている。基板１０の底面１０２側には、ｎ側電極３０が設けられている。
【００４０】
リッジ４６内のｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９においては、中央のｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれて設けられている。そのため、両側の酸化絶縁物層２０が、窓３２に設けられたｐ側電極２８と底面のｎ側電極３０との間を上下方向に流れる電流を狭窄する電流狭窄構造として機能する。
【００４１】
方向１０９と交差する端面１０３、１０４がレーザ光の発振面であり、端面１０３、１０４に露出するＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１４からレーザ光が出射する。
【００４２】
本実施の形態においては、ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０は、溝４２および溝４４の全周囲にわたってそれぞれ設けられており、酸化絶縁物層２０の端部２０ａは、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出し、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出している。従って、溝４２、４４には、酸化絶縁物層２０のみが露出し、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８は露出しないので、酸化絶縁物層２０とｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が共に露出する場合のような歪は存在せず、その結果、熱履歴等によってこの歪が原因となってクラック等が発生するのを防止または有効に抑制することができる。
【００４３】
酸化絶縁物層２０は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９に含まれているが、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と側部の端面１０３〜１０６とが交差する箇所の全てにおいて、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が露出しており、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と側部の端面１０３〜１０６とが交差する箇所のいずれにおいても、酸化絶縁物層２０は露出していない構造となっているので、端面１０３〜１０６を劈開等で形成する場合にも、劈開等によってクラックが端面１０３〜１０６に発生するのを防止または有効に抑制することができる。
【００４４】
また、ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０は大気中の水分を吸収して酸化絶縁物層２０の強度が弱くなる傾向があるが、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出する酸化絶縁物層２０の端部２０ａおよび溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する酸化絶縁物層２０の端部２０ａは、パッシベーション膜として機能するＳｉＮX膜２６によって覆われているので、酸化絶縁物層２０が大気中の水分を吸収することを防止できる。
【００４５】
次に、図４〜６を参照して、第１の実施の形態の半導体レーザ１００の製造方法を説明する。
【００４６】
まず、図４（ａ）、図５（ａ）に示すように、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ−ＩｎＰ基板１０上に、ｎ−ＩｎＰクラッド層１２を形成し、ｎ−ＩｎＰクラッド層１２上にＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１４を形成し、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１４上に第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６を形成し、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６上にｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１７を形成し、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１７上に第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２を形成し、第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２上にｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４を形成する。
【００４７】
その後、図４（ｂ）、図５（ｂ）、図６に示すように、ＳｉＯ２からなるマスク４０を選択的に形成し、マスク４０をエッチングマスクとして、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４、第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１７をエッチング除去し、さらに、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６を途中までエッチング除去し、溝４２および溝４４の対を、方向１０８および方向１０９にそれぞれ複数形成する。これにより、各対の溝４２と溝４４との間には、方向１０９に延在するストライプ状のリッジ４６が形成される。溝４２、４４は、方向１０９に沿って横長に設けられる。ストライプ状のリッジ４６は、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６の上部と、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１７と、第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２と、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４とを備えている。
【００４８】
溝４２の側部４２ａには、溝４２の全周囲にわたって、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６と、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１７と、第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２と、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４とが露出している。溝４２の底部４２ｂには、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６が露出している。
【００４９】
溝４４の側部４４ａには、溝４４の全周囲にわたって、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６と、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１７と、第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２と、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４とが露出している。溝４４の底部４４ｂには、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６が露出している。
【００５０】
次に、図４（ｃ）、図５（ｃ）、図６に示すように、マスク４０を除去する。その後、水蒸気を使用して酸化する酸化装置（図示せず）によって、水蒸気中、約４５０℃で酸化処理を行い、溝４２の側部４２ａに全周囲にわたって露出するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１７と、溝４４の側部４４ａに全周囲にわたって露出するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１７を、溝４２の側部４２ａおよび溝４４の側部４４ａから酸化し、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１７を、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８と、ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０とを備えるｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９に形成する。
【００５１】
ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０は、溝４２および溝４４の全周囲にわたってそれぞれ形成され（図６参照）、酸化絶縁物層２０の端部２０ａは、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出し、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する。
【００５２】
溝４２と溝４４との間には、ストライプ状のリッジ４６が形成されることから、リッジ４６の両側の側面４６ａに酸化絶縁物層２０の端部２０ａが露出し、酸化絶縁物層２０は、両側の側面４６ａからリッジ４６の内側に向かってｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９内を延在し、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９のリッジ４６の中央の領域には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれた状態で残される。
【００５３】
水蒸気中、約４５０℃での酸化処理の後、基板１０の温度を下げて酸化を止めるが、１００℃よりも低い温度にはせず、基板１０を１００℃以上、例えば２５０℃の温度に保持した状態で、酸化装置（図示せず）から搬出し、その後プラズマＣＶＤ装置（図示せず）に搬入する。あるいは、酸化装置（図示せず）とプラズマＣＶＤ装置（図示せず）との間にロードロック室（図示せず）を接続して、窒素雰囲気中または真空雰囲気中で、基板１０を酸化装置（図示せず）からロードロック室（図示せず）を経由してプラズマＣＶＤ装置（図示せず）に搬送する。この場合は、基板１０の温度を１００℃よりも低い温度として搬送してもよい。
【００５４】
次に、プラズマＣＶＤ装置（図示せず）を使用して、モノシランガスと窒素ガスとを用いてプラズマＣＶＤ法により、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４上、溝４２の側面４２ａ上および底面４２ｂ上、ならびに溝４４の側面４４ａ上および底面４４ｂ上に、ＳｉＮX膜２６を形成する。これによって、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出する酸化絶縁物層２０および溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する酸化絶縁物層２０を、ＳｉＮX膜２６によって覆う。なお、ＳｉＮX膜２６はパッシベーション膜として機能する。
【００５５】
次に、リッジ４６上のＳｉＮX膜２６の中央部に、窓３２を方向１０９に沿って形成する（図６参照）。窓３２によって、リッジ４６のｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４を露出する。
【００５６】
次に、ｎ−ＩｎＰ基板１０が所定の厚さとなるように、ｎ−ＩｎＰ基板１０の底面１０２を研磨する。
【００５７】
その後、ＳｉＮX膜２６上に、全面にわたってｐ側電極２８を設ける。ｐ側電極２８は窓３２を介して、リッジ４６のｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４に接続される。また、基板１０の底面１０２側には、ｎ側電極３０を形成する。
【００５８】
次に、図６に示すように、方向１０８の切断線６０および方向１０９の切断線７０に沿って基板１０を劈開して、上述した本実施の形態の半導体レーザを形成する。切断線６０は、溝４２および溝４４の方向１０９における両側であって、溝４２および溝４４に対して酸化絶縁物２０よりも外側で方向１０８に沿って設けられた線であり、切断線７０は、溝４２および溝４４の対と溝４２および溝４４の対との間であって、各対にとって酸化絶縁物２０よりも外側で方向１０９に沿って設けられた線である。
【００５９】
上述のように、溝４２および溝４４を形成することによりこれらの溝４２、４４間にリッジを形成し、溝４２の側部４２ａおよび溝４４の側部４４ａのそれぞれの全周囲にわたって露出するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１７を酸化して、ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物を形成するので、ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０は、溝４２および溝４４の全周囲にわたってそれぞれ設けられることになり、酸化絶縁物層２０の端部２０ａは、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出し、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する。従って、溝４２、４４には、酸化絶縁物層２０のみが露出し、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８は露出しないので、酸化絶縁物層２０とｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が共に露出する場合のような歪は存在せず、その結果、熱履歴等によってこの歪が原因となってクラック等が発生するのを防止または有効に抑制することができる。
【００６０】
また、図６に示すように、溝４２および溝４４の方向１０９における両側であって、溝４２および溝４４に対して酸化絶縁物２０よりも外側で方向１０８の切断線６０、および溝４２および溝４４の対と溝４２および溝４４の対との間であって、各対にとって酸化絶縁物２０よりも外側で方向１０９の切断線７０に沿って劈開するので、劈開面には酸化絶縁物層２０が露出していない状態で劈開することになり、劈開時にクラックが発生するのを防止または有効に抑制することができる。
【００６１】
また、ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０は大気中の水分を吸収して酸化絶縁物層２０の強度が弱くなる傾向があるが、水蒸気中、約４５０℃での酸化処理の後、基板１０を１００℃以上に保持した状態で、酸化装置（図示せず）かプラズマＣＶＤ装置（図示せず）に搬送するか、あるいは、窒素雰囲気中または真空雰囲気中の非酸化雰囲気中で、基板１０を酸化装置（図示せず）からプラズマＣＶＤ装置（図示せず）に搬送するので、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出する酸化絶縁物層２０および溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する酸化絶縁物層２０は、大気中の水分に晒されることなくプラズマＣＶＤ装置（図示せず）に搬送される。その結果、大気中の水分を吸収して酸化絶縁物層２０の強度が弱くなることが防止される。
【００６２】
さらに、プラズマＣＶＤ装置（図示せず）によって、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出する酸化絶縁物層２０の端部２０ａおよび溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する酸化絶縁物層２０の端部２０ａを、パッシベーション膜として機能するＳｉＮX膜２６によって覆うので、酸化絶縁物層２０が大気中の水分を吸収することを防止でき、大気中の水分を吸収して酸化絶縁物層２０の強度が弱くなることが防止される。
【００６３】
（第２の実施の形態）
図７〜図９を参照すれば、本発明の第２の実施の形態の端面発光型の半導体レーザ１００は、略直方体形状であり、上面１０１、底面１０２、側部の端面１０３〜１０６を備えている。端面１０３と端面１０４は互いに対向し、方向１０７、１０８を含む面に平行に延在している。端面１０５と端面１０６は互いに対向し、方向１０７、１０９を含む面に平行に延在している。
【００６４】
半導体レーザ１００は、ｎ−ＧａＡｓ基板１１０と、ｎ−ＧａＡｓ基板１１０上のｎ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１１２と、ｎ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１１２上のＳＣＨ−ＭＱＷ（Separate Confinement Heterostructure Multiple Quantum Well）活性層１１４と、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１１４上の第１のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１１６と、第１のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１１６上のｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９と、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９上の第２のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１２２と、第２のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１２２上のｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２４とを備えている。なお、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１１４には、レーザの発振波長が８５０ｎｍ帯の場合には、ＧａＡｓ／Ａｌ０．２ＧａＡｓ量子井戸構造が用いられ、９６０−１２００ｎｍ帯の場合には、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造が用いられ、９８０−１６００ｎｍ帯の場合には、ＩｎＧａＮＡｓ（Ｓｂ）／ＧａＡｓ量子井戸構造が用いられる。
【００６５】
基板１０の上面１０１側には、溝４２、４４が設けられている。溝４２、４４は、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９よりも深く、第１のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１１６に達して設けられている。
【００６６】
溝４２、４４は、方向１０９に沿って横長に設けられている。溝４２と溝４４との間には、ストライプ状のリッジ４６が形成されている。ストライプ状のリッジ４６の長手方向は、方向１０９に沿っている。ストライプ状のリッジ４６は、第１のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１１６の上部と、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９と、第２のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１２２と、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２４とを備えている。
【００６７】
溝４２の側部４２ａには、溝４２の全周囲にわたって、第１のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１１６と、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９と、第２のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１２２と、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２４とが露出している。溝４２の底部４２ｂには、第１のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１１６が露出している。
【００６８】
溝４４の側部４４ａには、溝４４の全周囲にわたって、第１のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１１６と、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９と、第２のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１２２と、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２４とが露出している。溝４４の底部４４ｂには、第１のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１１６が露出している。
【００６９】
ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９は、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層１１８と、Ａｌ０．９８ＧａＡｓを酸化した酸化絶縁物層１２０とを備えている。Ａｌ０．９８ＧａＡｓを酸化した酸化絶縁物層１２０は、溝４２および溝４４の全周囲にわたってそれぞれ設けられており（図６参照）、酸化絶縁物層１２０の端部１２０ａは、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出し、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出している。
【００７０】
溝４２と溝４４との間には、ストライプ状のリッジ４６が形成されていることから、溝４２の内側の側面４２ａおよび溝４４の内側の側面４４ａはリッジ４６の両側の側面４６ａであり、リッジ４６の両側の側面４６ａに酸化絶縁物層１２０の端部１２０ａが露出し、酸化絶縁物層１２０は、両側の側面４６ａからリッジ４６の内側に向かってｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９内に延在して設けられている。ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９のリッジ４６の中央の領域には、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層１１８が両側の酸化絶縁物層１２０に挟まれて設けられている。
【００７１】
溝４２の周囲の酸化絶縁物層１２０の外側の領域および溝４４の周囲の酸化絶縁物層１２０の外側の領域のｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９には、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層１１８が設けられている。ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９と側部の端面１０３〜１０６とが交差する箇所の全てにおいて、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層１１８が露出している。ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９と側部の端面１０３〜１０６とが交差する箇所のいずれにおいても、酸化絶縁物層１２０は露出していない。
【００７２】
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２４上、溝４２の側面４２ａ上および底面４２ｂ上、ならびに溝４４の側面４４ａ上および底面４４ｂ上には、ＳｉＮX膜２６が設けられている。従って、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出する酸化絶縁物層１２０および溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する酸化絶縁物層１２０は、ＳｉＮX膜２６によって覆われている。ＳｉＮX膜２６はパッシベーション膜として機能する。
【００７３】
リッジ４６上のＳｉＮX膜２６の中央部には、窓３２が方向１０９に沿って、端面１０３から端面１０４にわたって設けられている（図６参照）。窓３２によって、リッジ４６のｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２４が露出している。
【００７４】
上面１０１のＳｉＮX膜２６上には、全面にわたってｐ側電極２８が設けられている。ｐ側電極２８は窓３２を介して、リッジ４６のｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２４に接続されている。基板１０の底面１０２側には、ｎ側電極３０が設けられている。
【００７５】
リッジ４６内のｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９においては、中央のｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ１１８が両側の酸化絶縁物層１２０に挟まれて設けられている。そのため、両側の酸化絶縁物層１２０が、窓３２に設けられたｐ側電極２８と底面のｎ側電極３０との間を上下方向に流れる電流を狭窄する電流狭窄構造として機能する。
【００７６】
方向１０９と交差する端面１０３、１０４がレーザ光の発振面であり、端面１０３、１０４に露出するＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１１４からレーザ光が出射する。
【００７７】
本実施の形態においては、Ａｌ０．９８ＧａＡｓを酸化した酸化絶縁物層１２０は、溝４２および溝４４の全周囲にわたってそれぞれ設けられており、酸化絶縁物層１２０の端部１２０ａは、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出し、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出している。従って、溝４２、４４には、酸化絶縁物層１２０のみが露出し、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層１１８は露出しないので、酸化絶縁物層１２０とｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層１１８が共に露出する場合のような歪は存在せず、その結果、熱履歴等によってこの歪が原因となってクラック等が発生するのを防止または有効に抑制することができる。
【００７８】
酸化絶縁物層１２０は、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９に含まれているが、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９と側部の端面１０３〜１０６とが交差する箇所の全てにおいて、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層１１８が露出しており、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９と側部の端面１０３〜１０６とが交差する箇所のいずれにおいても、酸化絶縁物層１２０は露出していない構造となっているので、端面１０３〜１０６を劈開等で形成する場合にも、劈開等によってクラックが端面１０３〜１０６に発生するのを防止または有効に抑制することができる。
【００７９】
また、Ａｌ０．９８ＧａＡｓを酸化した酸化絶縁物層１２０は大気中の水分を吸収して酸化絶縁物層１２０の強度が弱くなる傾向があるが、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出する酸化絶縁物層１２０の端部１２０ａおよび溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する酸化絶縁物層１２０の端部１２０ａは、パッシベーション膜として機能するＳｉＮX膜２６によって覆われているので、酸化絶縁物層１２０が大気中の水分を吸収することを防止できる。
【００８０】
次に、第２の実施の形態の半導体レーザ１００の製造方法を説明するが、上述の第１の実施の形態の半導体レーザ１００の製造方法と各層の組成等が異なるが、基本的には類似の方法なので詳細は省略する。
【００８１】
本実施の形態においても、溝４２および溝４４の対を、方向１０８および方向１０９にそれぞれ複数形成して、各対の溝４２と溝４４との間には、方向１０９に延在するストライプ状のリッジ４６を形成する。
【００８２】
その後、第１の実施の形態と同じ装置を使用し、同じ方法で、水蒸気中、約４００℃で酸化処理を行い、溝４２の側部４２ａに全周囲にわたって露出するｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層と、溝４４の側部４４ａに全周囲にわたって露出するｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層を、溝４２の側部４２ａおよび溝４４の側部４４ａから酸化し、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層を、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層１１８と、Ａｌ０．９８ＧａＡｓを酸化した酸化絶縁物層１２０とを備えるｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９に形成する。
【００８３】
Ａｌ０．９８ＧａＡｓを酸化した酸化絶縁物層１２０は、溝４２および溝４４の全周囲にわたってそれぞれ形成され（図６参照）、酸化絶縁物層１２０の端部２０ａは、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出し、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する。
【００８４】
溝４２と溝４４との間には、ストライプ状のリッジ４６が形成されることから、リッジ４６の両側の側面４６ａに酸化絶縁物層１２０の端部１２０ａが露出し、酸化絶縁物層１２０は、両側の側面４６ａからリッジ４６の内側に向かってｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９内を延在し、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９のリッジ４６の中央の領域には、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層１１８が両側の酸化絶縁物層１２０に挟まれた状態で残される。
【００８５】
水蒸気中、約４００℃での酸化処理の後、第１の実施の形態と同じ装置を使用し、同じ方法で、基板１０をプラズマＣＶＤ装置（図示せず）に搬送する。
【００８６】
次に、プラズマＣＶＤ装置（図示せず）を使用して、モノシランガスと窒素ガスとを用いてプラズマＣＶＤ法により、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２４上、溝４２の側面４２ａ上および底面４２ｂ上、ならびに溝４４の側面４４ａ上および底面４４ｂ上に、ＳｉＮX膜２６を形成する。これによって、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出する酸化絶縁物層１２０および溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する酸化絶縁物層１２０を、ＳｉＮX膜２６によって覆う。
【００８７】
次に、第１の実施の形態と同じ方法で窓３２を形成し、ｎ−ＧａＡｓ基板１１０の底面１０２を研磨し、ｐ側電極２８およびｎ側電極３０を形成する。
【００８８】
次に、図６に示すように、第１の実施の形態と同じ方法で、方向１０８の切断線６０および方向１０９の切断線７０に沿って基板１０を劈開して、上述した本実施の形態の半導体レーザ１００を形成する。
【００８９】
上述のように、溝４２および溝４４を形成することによりこれらの溝４２、４４間にリッジを形成し、溝４２の側部４２ａおよび溝４４の側部４４ａのそれぞれの全周囲にわたって露出するｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層を酸化して、Ａｌ０．９８ＧａＡｓを酸化した酸化絶縁物を形成するので、Ａｌ０．９８ＧａＡｓを酸化した酸化絶縁物層１２０は、溝４２および溝４４の全周囲にわたってそれぞれ設けられることになり、酸化絶縁物層１２０の端部１２０ａは、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出し、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する。従って、溝４２、４４には、酸化絶縁物層１２０のみが露出し、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層１１８は露出しないので、酸化絶縁物層１２０とｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層１１８が共に露出する場合のような歪は存在せず、その結果、熱履歴等によってこの歪が原因となってクラック等が発生するのを防止または有効に抑制することができる。
【００９０】
また、図６に示すように、溝４２および溝４４の方向１０９における両側であって、溝４２および溝４４に対して酸化絶縁物１２０よりも外側で方向１０８の切断線６０、および溝４２および溝４４の対と溝４２および溝４４の対との間であって、各対にとって酸化絶縁物１２０よりも外側で方向１０９の切断線７０に沿って劈開するので、劈開面には酸化絶縁物層１２０が露出していない状態で劈開することになり、劈開時にクラックが発生するのを防止または有効に抑制することができる。
【００９１】
また、水蒸気中、約４００℃での酸化処理の後、第１の実施の形態と同じく、基板１０を１００℃以上に保持した状態で、酸化装置（図示せず）かプラズマＣＶＤ装置（図示せず）に搬送するか、あるいは、窒素雰囲気中または真空雰囲気中の非酸化雰囲気中で、基板１０を酸化装置（図示せず）からプラズマＣＶＤ装置（図示せず）に搬送するので、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出する酸化絶縁物層１２０および溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する酸化絶縁物層１２０は、大気中の水分に晒されることなくプラズマＣＶＤ装置（図示せず）に搬送される。その結果、大気中の水分を吸収して酸化絶縁物層１２０の強度が弱くなることが防止される。
【００９２】
さらに、プラズマＣＶＤ装置（図示せず）によって、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出する酸化絶縁物層１２０の端部１２０ａおよび溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する酸化絶縁物層１２０の端部１２０ａを、パッシベーション膜として機能するＳｉＮX膜２６によって覆うので、酸化絶縁物層１２０が大気中の水分を吸収することを防止でき、大気中の水分を吸収して酸化絶縁物層１２０の強度が弱くなることが防止される。
【００９３】
なお、本実施の形態では、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層を酸化して、中央のｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ１１８と両側の酸化絶縁物層１２０とを備えるｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９からなる電流狭窄構造を形成したが、ｐ−ＡｌＡｓ層を酸化して形成した、中央のｐ−ＡｌＡｓと両側のアルミニウムの酸化物からなる電流狭窄構造を用いることもできる。
【００９４】
（第３の実施の形態）
図１０〜図１２を参照すれば、本実施の形態の半導体レーザ１００は、ｎ−ＩｎＰ基板１０と、ｎ−ＩｎＰ基板１０上のｎ−ＩｎＰクラッド層１２と、ｎ−ＩｎＰクラッド層１２上のＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１４と、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１４上の第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６と、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６上のｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９上の第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２と、第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２上のｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４と、ＳｉＮX膜２６と、ｐ側電極２８とｎ側電極３０とを備えている。
【００９５】
第１の実施の形態の端面発光型の半導体レーザ１００では、溝４２、４４を設け、溝４２、４４間にストライプ状のリッジ４６を形成したが、本実施の形態では、溝４２、４４を設け、溝４２、４４間にストライプ状のリッジ４６を形成し、溝５２、５４を設け、溝５２、５４間にストライプ状のリッジ５６を形成している。溝４２と溝５４は隣接している。溝４２、４４およびリッジ４６の構造は第１の実施の形態の溝４２、４４およびリッジ４６の構造と同じである。溝５２、５４およびリッジ５６の構造は本実施の形態の溝４２、４４およびリッジ４６の構造と同じである。
【００９６】
ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８と、ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０とを備えている。ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０は、溝４２、溝４４、溝５２および溝５４の全周囲にわたってそれぞれ設けられており、酸化絶縁物層２０の端部２０ａは、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出し、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出し、溝５２の全周囲にわたって溝５２の側部５２ａに露出し、溝５４の全周囲にわたって溝５４の側部５４ａに露出している。
【００９７】
溝４２と溝４４との間には、ストライプ状のリッジ４６が形成されていることから、溝４２の内側の側面４２ａおよび溝４４の内側の側面４４ａはリッジ４６の両側の側面４６ａであり、リッジ４６の両側の側面４６ａに酸化絶縁物層２０の端部２０ａが露出し、酸化絶縁物層２０は、両側の側面４６ａからリッジ４６の内側に向かってｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９内に延在して設けられている。ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９のリッジ４６の中央の領域には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれて設けられている。
【００９８】
溝５２と溝５４との間には、ストライプ状のリッジ５６が形成されていることから、溝５２の内側の側面５２ａおよび溝５４の内側の側面５４ａはリッジ５６の両側の側面５６ａであり、リッジ５６の両側の側面５６ａに酸化絶縁物層２０の端部２０ａが露出し、酸化絶縁物層２０は、両側の側面５６ａからリッジ５６の内側に向かってｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９内に延在して設けられている。ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９のリッジ５６の中央の領域には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれて設けられている。
【００９９】
溝４２の周囲の酸化絶縁物層２０の外側の領域、溝４４の周囲の酸化絶縁物層２０の外側の領域、溝５２の周囲の酸化絶縁物層２０の外側の領域、溝５４の周囲の酸化絶縁物層２０の外側の領域および溝４２の周囲の酸化絶縁物層２０と溝５４の周囲の酸化絶縁物層２０との間の領域のｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が設けられている。ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と側部の端面１０３〜１０６とが交差する箇所の全てにおいて、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が露出している。ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と側部の端面１０３〜１０６とが交差する箇所のいずれにおいても、酸化絶縁物層２０は露出していない。
【０１００】
リッジ４６内のｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９においては、中央のｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれて設けられている。そのため、両側の酸化絶縁物層２０が、窓３２に設けられたｐ側電極２８と底面のｎ側電極３０との間を上下方向に流れる電流を狭窄する電流狭窄構造として機能する。
【０１０１】
リッジ５６内のｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９においては、中央のｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれて設けられている。そのため、両側の酸化絶縁物層２０が、窓３２に設けられたｐ側電極２８と底面のｎ側電極３０との間を上下方向に流れる電流を狭窄する電流狭窄構造として機能する。
【０１０２】
上面１０１は、パッシベーション膜として機能するＳｉＮX膜２６によって覆われている。従って、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出する酸化絶縁物層２０、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する酸化絶縁物層２０、溝５２の全周囲にわたって溝５２の側部５２ａに露出する酸化絶縁物層２０、溝５４の全周囲にわたって溝５４の側部５４ａに露出する酸化絶縁物層２０は、ＳｉＮX膜２６によって覆われている。
【０１０３】
方向１０９と交差する端面１０３、１０４がレーザ光の発振面であり、端面１０３、１０４に露出するＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１４からレーザ光が出射する。
【０１０４】
次に、第３の実施の形態の半導体レーザ１００の製造方法を説明するが、上述の第１の実施の形態の半導体レーザ１００の製造方法と各層の組成も同じであり、基本的には類似の方法なので詳細は省略する。
【０１０５】
本実施の形態においては、溝４２、溝４４、溝５２および溝５４の組を、方向１０８および方向１０９にそれぞれ複数形成して、各組の溝４２と溝４４との間には、方向１０９に延在するストライプ状のリッジ４６を形成し、各組の溝５２と溝５４との間には、方向１０９に延在するストライプ状のリッジ５６を形成する。
【０１０６】
その後、第１の実施の形態と同じ装置を使用し、同じ方法で、水蒸気中、約４５０℃で酸化処理を行い、溝４２の側部４２ａに全周囲にわたって露出するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層と、溝４４の側部４４ａに全周囲にわたって露出するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層と、溝５２の側部５２ａに全周囲にわたって露出するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層と、溝５４の側部５４ａに全周囲にわたって露出するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層とを、溝４２の側部４２ａ、溝４４の側部４４ａ、溝５２の側部５２ａおよび溝５４の側部５４ａから酸化し、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層を、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８と、ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０とを備えるｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９に形成する。
【０１０７】
ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０は、溝４２、溝４４、溝５２および溝５４の全周囲にわたってそれぞれ形成され、酸化絶縁物層２０の端部２０ａは、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出し、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出し、溝５２の全周囲にわたって溝５２の側部５２ａに露出し、溝５４の全周囲にわたって溝５４の側部５４ａに露出する。
【０１０８】
溝４２と溝４４との間には、ストライプ状のリッジ４６が形成されることから、リッジ４６の両側の側面４６ａに酸化絶縁物層２０の端部２０ａが露出し、酸化絶縁物層２０は、両側の側面４６ａからリッジ４６の内側に向かってｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９内を延在し、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９のリッジ４６の中央の領域には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれた状態で残される。
【０１０９】
溝５２と溝５４との間には、ストライプ状のリッジ５６が形成されることから、リッジ５６の両側の側面５６ａに酸化絶縁物層２０の端部２０ａが露出し、酸化絶縁物層２０は、両側の側面５６ａからリッジ５６の内側に向かってｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９内を延在し、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９のリッジ５６の中央の領域には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれた状態で残される。
【０１１０】
水蒸気中、約４５０℃での酸化処理の後、第１の実施の形態と同じ装置を使用し、同じ方法で、基板１０をプラズマＣＶＤ装置（図示せず）に搬送する。
【０１１１】
次に、プラズマＣＶＤ装置（図示せず）を使用して、モノシランガスと窒素ガスとを用いてプラズマＣＶＤ法により、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４上、溝４２の側面４２ａ上および底面４２ｂ上、溝４４の側面４４ａ上および底面４４ｂ上、溝５２の側面５２ａ上および底面５２ｂ上、ならびに溝５４の側面５４ａ上および底面５４ｂ上に、ＳｉＮX膜２６を形成する。これによって、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出する酸化絶縁物層２０、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する酸化絶縁物層２０、溝５２の全周囲にわたって溝５２の側部５２ａに露出する酸化絶縁物層２０および溝５４の全周囲にわたって溝５４の側部５４ａに露出する酸化絶縁物層２０を、ＳｉＮX膜２６によって覆う。
【０１１２】
次に、第１の実施の形態と同じ方法で窓３２を形成し、ｎ−ＩｎＰ基板１０の底面１０２を研磨し、ｐ側電極２８およびｎ側電極３０を形成する。
【０１１３】
次に、第１の実施の形態と同じ方法で、溝４２、溝４４、溝５２および溝５４の方向１０９における両側であって、溝４２、溝４４、溝５２および溝５４に対して酸化絶縁物２０よりも外側で方向１０８に沿って設けられた切断線、および溝４２、溝４４、溝５２および溝５４の組と溝４２、溝４４、溝５２および溝５４の組との間であって、各組にとって酸化絶縁物２０よりも外側で方向１０９に沿って設けられた切断線に沿って基板１０を劈開して、上述した本実施の形態の半導体レーザ１００を形成する。
【０１１４】
（第４の実施の形態）
図１３〜図１５を参照すれば、本実施の形態の半導体レーザ１００は、ｎ−ＩｎＰ基板１０と、ｎ−ＩｎＰ基板１０上のｎ−ＩｎＰクラッド層１２と、ｎ−ＩｎＰクラッド層１２上のＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１４と、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１４上の第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６と、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６上のｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９上の第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２と、第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２上のｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４と、ＳｉＮX膜２６と、ｐ側電極２８とｎ側電極３０とを備えている。
【０１１５】
第１の実施の形態の端面発光型の半導体レーザ１００では、溝４２、４４を設け、溝４２、４４間にストライプ状のリッジ４６を形成したが、本実施の形態では、溝４２、４４、７２を設け、溝４２、４４間にストライプ状のリッジ４６を形成し、溝４２、７２間にストライプ状のリッジ７６を形成している。溝４２、４４および７２の構造は第１の実施の形態の溝４２および４４の構造と同じである。リッジ４６、７６の構造は、第１の実施の形態のリッジ４６の構造と同じである。
【０１１６】
ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８と、ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０とを備えている。ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０は、溝４２、溝４４および溝７２の全周囲にわたってそれぞれ設けられており、酸化絶縁物層２０の端部２０ａは、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出し、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出し、溝７２の全周囲にわたって溝７２の側部７２ａに露出している。
【０１１７】
溝４２と溝４４との間には、ストライプ状のリッジ４６が形成されていることから、溝４２の内側の側面４２ａおよび溝４４の内側の側面４４ａはリッジ４６の両側の側面４６ａであり、リッジ４６の両側の側面４６ａに酸化絶縁物層２０の端部２０ａが露出し、酸化絶縁物層２０は、両側の側面４６ａからリッジ４６の内側に向かってｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９内に延在して設けられている。ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９のリッジ４６の中央の領域には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれて設けられている。
【０１１８】
溝４２と溝７４との間には、ストライプ状のリッジ７６が形成されていることから、溝４２の内側の側面４２ａおよび溝７２の内側の側面７２ａはリッジ７６の両側の側面７６ａであり、リッジ７６の両側の側面７６ａに酸化絶縁物層２０の端部２０ａが露出し、酸化絶縁物層２０は、両側の側面７６ａからリッジ７６の内側に向かってｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９内に延在して設けられている。ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９のリッジ７６の中央の領域には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれて設けられている。
【０１１９】
溝４２の周囲の酸化絶縁物層２０の外側の領域、溝４４の周囲の酸化絶縁物層２０の外側の領域および溝７２の周囲の酸化絶縁物層２０の外側の領域のｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が設けられている。ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と側部の端面１０３〜１０６とが交差する箇所の全てにおいて、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が露出している。ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と側部の端面１０３〜１０６とが交差する箇所のいずれにおいても、酸化絶縁物層２０は露出していない。
【０１２０】
リッジ４６内のｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９においては、中央のｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれて設けられている。そのため、両側の酸化絶縁物層２０が、窓３２に設けられたｐ側電極２８と底面のｎ側電極３０との間を上下方向に流れる電流を狭窄する電流狭窄構造として機能する。
【０１２１】
リッジ７６内のｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９においては、中央のｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれて設けられている。そのため、両側の酸化絶縁物層２０が、窓３２に設けられたｐ側電極２８と底面のｎ側電極３０との間を上下方向に流れる電流を狭窄する電流狭窄構造として機能する。
【０１２２】
上面１０１は、パッシベーション膜として機能するＳｉＮX膜２６によって覆われている。従って、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出する酸化絶縁物層２０、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する酸化絶縁物層２０、溝７２の全周囲にわたって溝７２の側部７２ａに露出する酸化絶縁物層２０は、ＳｉＮX膜２６によって覆われている。
【０１２３】
方向１０９と交差する端面１０３、１０４がレーザ光の発振面であり、端面１０３、１０４に露出するＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１４からレーザ光が出射する。
【０１２４】
次に、第４の実施の形態の半導体レーザ１００の製造方法を説明するが、上述の第１の実施の形態の半導体レーザ１００の製造方法と各層の組成も同じであり、基本的には類似の方法なので詳細は省略する。
【０１２５】
本実施の形態においては、溝４２、溝４４および溝７２の組を、方向１０８および方向１０９にそれぞれ複数形成して、各組の溝４２と溝４４との間には、方向１０９に延在するストライプ状のリッジ４６を形成し、各組の溝４２と溝７２との間には、方向１０９に延在するストライプ状のリッジ７６を形成する。
【０１２６】
その後、第１の実施の形態と同じ装置を使用し、同じ方法で、水蒸気中、約４５０℃で酸化処理を行い、溝４２の側部４２ａに全周囲にわたって露出するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層と、溝４４の側部４４ａに全周囲にわたって露出するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層と、溝７２の側部７２ａに全周囲にわたって露出するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層とを、溝４２の側部４２ａ、溝４４の側部４４ａおよび溝５７の側部７２ａから酸化し、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層を、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８と、ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０とを備えるｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９に形成する。
【０１２７】
ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層２０は、溝４２、溝４４および溝７２の全周囲にわたってそれぞれ形成され、酸化絶縁物層２０の端部２０ａは、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出し、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出し、溝７２の全周囲にわたって溝７２の側部７２ａに露出する。
【０１２８】
溝４２と溝４４との間には、ストライプ状のリッジ４６が形成されることから、リッジ４６の両側の側面４６ａに酸化絶縁物層２０の端部２０ａが露出し、酸化絶縁物層２０は、両側の側面４６ａからリッジ４６の内側に向かってｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９内を延在し、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９のリッジ４６の中央の領域には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれた状態で残される。
【０１２９】
溝４２と溝７２との間には、ストライプ状のリッジ７６が形成されることから、リッジ７６の両側の側面７６ａに酸化絶縁物層２０の端部２０ａが露出し、酸化絶縁物層２０は、両側の側面７６ａからリッジ７６の内側に向かってｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９内を延在し、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９のリッジ７６の中央の領域には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層１８が両側の酸化絶縁物層２０に挟まれた状態で残される。
【０１３０】
水蒸気中、約４５０℃での酸化処理の後、第１の実施の形態と同じ装置を使用し、同じ方法で、基板１０をプラズマＣＶＤ装置（図示せず）に搬送する。
【０１３１】
次に、プラズマＣＶＤ装置（図示せず）を使用して、モノシランガスと窒素ガスとを用いてプラズマＣＶＤ法により、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４上、溝４２の側面４２ａ上および底面４２ｂ上、溝４４の側面４４ａ上および底面４４ｂ上、ならびに溝７２の側面７２ａ上および底面７２ｂ上に、ＳｉＮX膜２６を形成する。これによって、溝４２の全周囲にわたって溝４２の側部４２ａに露出する酸化絶縁物層２０、溝４４の全周囲にわたって溝４４の側部４４ａに露出する酸化絶縁物層２０および溝７２の全周囲にわたって溝７２の側部７２ａに露出する酸化絶縁物層２０を、ＳｉＮX膜２６によって覆う。
【０１３２】
次に、第１の実施の形態と同じ方法で窓３２を形成し、ｎ−ＩｎＰ基板１０の底面１０２を研磨し、ｐ側電極２８およびｎ側電極３０を形成する。
【０１３３】
次に、第１の実施の形態と同じ方法で、溝４２、溝４４および溝７２の方向１０９における両側であって、溝４２、溝４４および溝７２に対して酸化絶縁物２０よりも外側で方向１０８に沿って設けられた切断線、および溝４２、溝４４および溝７２の組と溝４２、溝４４および溝７２の組との間であって、各組にとって酸化絶縁物２０よりも外側で方向１０９に沿って設けられた切断線に沿って基板１０を劈開して、上述した本実施の形態の半導体レーザ１００を形成する。
【０１３４】
なお、第３の実施の形態および第４の実施の形態では、第１の実施の形態と同じく、ｎ−ＩｎＰ基板１０と、ｎ−ＩｎＰ基板１０上のｎ−ＩｎＰクラッド層１２と、ｎ−ＩｎＰクラッド層１２上のＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１４と、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１４上の第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６と、第１のＰ−ＩｎＰクラッド層１６上のｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９と、ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層１９上の第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２と、第２のＰ−ＩｎＰクラッド層２２上のｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２４と、ＳｉＮX膜２６と、ｐ側電極２８とｎ側電極３０とを備える半導体レーザを例にとって説明したが、第３の実施の形態のように、溝４２、４４を設け、溝４２、４４間にストライプ状のリッジ４６を形成し、溝５２、５４を設け、溝５２、５４間にストライプ状のリッジ５６を形成する構造や、第４の実施の形態のように、溝４２、４４、７２を設け、溝４２、４４間にストライプ状のリッジ４６を形成し、溝４２、７２間にストライプ状のリッジ７６を形成する構造は、第２の実施の形態のように、ｎ−ＧａＡｓ基板１１０と、ｎ−ＧａＡｓ基板１１０上のｎ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１１２と、ｎ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１１２上のＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１１４と、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層１１４上の第１のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１１６と、第１のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１１６上のｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９と、ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層１１９上の第２のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１２２と、第２のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層１２２上のｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２４と、ＳｉＮX膜２６と、ｐ側電極２８とｎ側電極３０とを備える半導体レーザについても、適用できる。
【０１３５】
また、上記各半導体レーザは、当該半導体レーザを用いた光通信システムに好適に使用できる。さらに、上記各半導体レーザは、ファイバーレーザの励起用や産業用の溶接用などにも好適に使用できる。
【０１３６】
以上、本発明の種々の典型的な実施の形態を説明してきたが、本発明はそれらの実施の形態に限定されない。従って、本発明の範囲は、次の特許請求の範囲によってのみ限定されるものである。
【符号の説明】
【０１３７】
１０  ｎ−ＩｎＰ基板
１２  ｎ−ＩｎＰクラッド層
１４  ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層
１６  第１のＰ−ＩｎＰクラッド層
１７  ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層
１８  ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層
１９  ｐ−ＡｌＩｎＡｓを含む層
２０  ＡｌＩｎＡｓを酸化した酸化絶縁物層
２０ａ  端部
２２  第２のＰ−ＩｎＰクラッド層
２４  ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層
２６  ＳｉＮX膜
２８  ｐ側電極
３０  ｎ側電極
３２  窓
４０  マスク
４２、４４、５２、５４、７２  溝
４２ａ、４４ａ、５２ａ、５４ａ、７２ａ  側部
４２ｂ、４４ｂ  底部
４６、５６、７６  リッジ
４６ａ、５６ａ、７６ａ  側部
６０、７０  切断線
１００  半導体レーザ
１０１  上面
１０２  底面
１０３〜１０６  端面
１０７〜１０９  方向
１１０  ｎ−ＧａＡｓ基板
１１２  ｎ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層
１１４  ＳＣＨ−ＳＱＷ活性層
１１６  第１のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層
１１８  ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓ層
１１９  ｐ−Ａｌ０．９８ＧａＡｓを含む層
１２０  Ａｌ０．９８ＧａＡｓを酸化した酸化絶縁物層
１２０ａ  端部
１２２  第２のＰ−Ａｌ０．３ＧａＡｓクラッド層
１２４  ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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