(57)【要約】【課題】高抵抗化しても方形波耐量特性が良好な状態を維持することができる電圧非直線抵抗体およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】酸化亜鉛を主成分として作成され、希土類元素を含有するＲ相５とスピネル相と酸化ビスマス相とを結晶相として含む電圧非直線抵抗体において、抵抗体切断面におけるＲ相５の面積率を０．０２〜５％の範囲に規定した。Ｒ相５による優れた粒成長抑制効果を利用することで高抵抗化を実現しつつ、絶縁物粒子総面積の増加を抑制して方形波耐量特性を良好な状態に維持する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化亜鉛を主成分として作成され、希土類元素を含有するＲ相、スピネル相、および酸化ビスマス相を結晶相として含む電圧非直線抵抗体において、
前記電圧非直線抵抗体の切断面における前記Ｒ相の面積比が０．０２〜５％の範囲にあることを特徴とする電圧非直線抵抗体。
【請求項２】
前記切断面における前記Ｒ相、前記スピネル相、および前記酸化ビスマス相の面積の総和の比が、１８．５〜１８．７％の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の電圧非直線抵抗体。
【請求項３】
前記電圧非直線抵抗体には、珪酸亜鉛相も含まれることを特徴とする請求項１に記載の電圧非直線抵抗体。
【請求項４】
主成分である亜鉛酸化物に少なくとも希土類元素酸化物とアンチモン酸化物とビスマス酸化物を添加して電圧非直線抵抗体を作成する電圧非直線抵抗体の製造方法において、
前記希土類元素を含有した結晶相であるＲ相の面積率が抵抗体切断面において０．０２〜５％の範囲となるように規定されていることを特徴とする電圧非直線抵抗体の製造方法。
【請求項５】
前記亜鉛酸化物には、珪酸亜鉛相も添加されることを特徴とする請求項４に記載の電圧非直線抵抗体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化亜鉛形の電圧非直線抵抗体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
避雷器などに用いられる酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体は、電圧非直線性の発現に必要な例えば酸化ビスマスをはじめ、電気特性の改善に有効な添加物を、主成分である酸化亜鉛に混合し、造粒、成形、焼結の各工程を経て得られるものである。
【０００３】
電圧非直線抵抗体を避雷器に適用する場合、電圧非直線抵抗体のバリスタ電圧を高くすることにより、避雷器を構成する抵抗体の素子枚数を減じることができるので、避雷器を小形化できるメリットがある。
【０００４】
バリスタ電圧を高くする（高抵抗化する）方法として先ず講じられるのは、電圧非直線抵抗体の焼成温度を下げて酸化亜鉛の粒成長を抑える方法がある。ただし、焼成温度を下げすぎると、バリスタ電圧は大きくできるものの、他の特性、例えば電流平坦性を損なう場合があるので注意を要する。すなわち、この方法によれば、バリスタ電圧をある程度は大きくできるが、電流平坦性を損なうなどの弊害がでてくるので限定的な使用に留められている。
【０００５】
また、焼成温度の低温化以外に、バリスタ電圧を高くする（高抵抗化する）方法として従来から知られている方法としては、
（１）Ｓｂ（アンチモン）を主成分とするスピネル粒子の生成を増大させる
（２）Ｓｉ（珪素）を主成分とする珪酸亜鉛の生成を増大させる
ものがある。
【０００６】
即ち、Ｓｂは酸化亜鉛と反応しスピネル粒子（Zn7Sb2O12：アンチモン酸亜鉛）となり、酸化亜鉛同士の結合による粒成長を抑制する効果を持つ。また、Ｓｉは酸化亜鉛と反応し珪酸亜鉛（Zn2SiO4）となり、酸化亜鉛同士の結合による粒成長を抑制する効果を持つ。その結果、抵抗体素子中にスピネル粒子が多いほどあるいは珪酸亜鉛が多いほど高抵抗化がなされ、バリスタ電圧が大きくなる（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平５−５５００８号公報
【特許文献２】特開平８−３１６１５号公報
【特許文献３】特開平８−１０７００４号公報
【特許文献４】特開平１０−２７０２０９号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】三菱電機技報  Ｖｏｌ．７３  Ｎｏ．２  ｐ５２  １９９９年
【非特許文献２】電気学会技術報告  第１１３２号  ｐ３３  ２００８年
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら上記の（１）、（２）のようなスピネル粒子、珪酸亜鉛を増加させる従来の方法では、抵抗体素子は、高抵抗化はされるものの、スピネル粒子、珪酸亜鉛は酸化亜鉛に比べて非常に高抵抗で絶縁物粒子として振舞うため、抵抗体素子の方形波耐量が低下するという問題があった。ここで、方形波耐量とは、抵抗体素子に方形波を印加したときの放電耐量を表し、方形波耐量が低いと、例えば避雷器がサージに対して破壊されてしまうという問題がある。
【００１０】
この発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、高抵抗化しても方形波耐量特性が良好な状態を維持することができる電圧非直線抵抗体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る電圧非直線抵抗体は、酸化亜鉛を主成分として作成され、希土類元素を含有するＲ相、スピネル相、および酸化ビスマス相を結晶相として含む電圧非直線抵抗体において、前記電圧非直線抵抗体の切断面における前記Ｒ相の面積比が０．０２〜５％の範囲にあることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、高抵抗化しても方形波耐量特性および小電流平坦率特性が良好な電圧非直線抵抗体を得ることができる、という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、従来の酸化亜鉛素子の微細構造を模式的に示した断面図である。
【図２】図２は、実施の形態の酸化亜鉛素子の微細構造を模式的に示した断面図である。
【図３】図３は、酸化亜鉛素子中の電流経路を模式的に示した図であり、（ａ）実施の形態の酸化亜鉛素子における電流経路、（ｂ）従来の酸化亜鉛素子における電流経路を表す図である。
【図４】図４は、酸化亜鉛素子の電流−電圧特性の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明に係る電圧非直線抵抗体およびその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１５】
背景技術で説明したように、スピネル粒子、珪酸亜鉛を増加させる従来の方法では、電圧非直線抵抗体を高抵抗化させることはできるものの、抵抗体素子の方形波耐量は低下するという問題があった。以下では、まず、従来の酸化亜鉛形非直線抵抗体およびその製造方法について具体的に説明し、次に、本実施の形態の酸化亜鉛形非直線抵抗体およびその製造方法について具体的に説明する。
【００１６】
まず、高抵抗化された酸化亜鉛形の電圧非直線抵抗体素子（以下、酸化亜鉛素子または抵抗体素子ともいう。）を製造する従来の方法について具体的に説明する。基本配合として、酸化亜鉛形非直線抵抗体の一般的な配合としてよく知られている例えば特許文献２の表１に記載の配合を選んだ。具体的には、酸化亜鉛（ZnO）を主成分とし、配合比は、ｍｏｌ（モル）％表示で、酸化ビスマス（Bi2O3）＝０．５、酸化アンチモン（Sb2O3）＝１．０、酸化コバルト（Co3O4）＝０．３、酸化マンガン（Mn3O4）＝０．２、酸化クロム（Cr2O3）＝０．５、酸化ニッケル（NiO）＝１．０、酸化珪素（SiO2）＝１．０、酸化アルミニウム（Al2O3）＝０．００２、酸化ホウ素（B2O3）＝０．０２である。これを配合ベースとして、スピネル粒子（Zn7Sb2O12）を増加する場合には、Sb2O3を１．０から３．０ｍｏｌ％の範囲で添加量を変えて試作した。珪酸亜鉛（Zn2SiO4）の制御はSiO2量を変えた。その他の元素も電気特性を良好にするためSb量と連動して適宜変えた。
【００１７】
このように配合された粉体を粉砕、混合、造粒、成形、バインダー除去、焼成、側面処理、研磨、電極付けという一般的方法で抵抗体素子を作製した。ここで、成形体サイズは、例えば径（φ）１２５ｍｍ、厚さ（ｔ）３０ｍｍである。焼成温度は、例えば１０３０〜１２５０℃の範囲から選んだ。
【００１８】
抵抗体素子の電気特性は次のように評価した。即ち、バリスタ電圧は、交流（ＡＣ）の３ｍＡを通電したときの素子両端の電圧Ｖ３ｍＡ（ＡＣ）で評価し、小電流域の平坦率は、直流（ＤＣ）の３ｍＡと１０μＡをそれぞれ通電したときの素子両端の電圧Ｖ３ｍＡ（ＤＣ），Ｖ１０μＡ（ＤＣ）を測定し、両者の比：Ｖ３ｍＡ／Ｖ１０μＡで評価した。この小電流域の平坦率は、１．４０以下が望ましい。なお、小電流域の平坦率については、例えば特許文献４の段落０００５，０００６等に記載されている。
【００１９】
方形波耐量特性を評価するため、２０００から２５００Ａの一定電流を抵抗体素子に通電し破壊されるまでの時間（数ｍｓ程度）とその時の電圧を計測して抵抗体素子が吸収したエネルギを求め、これを単位体積当たりの値に換算した。このような計測を同じ配合で作成された１０個の抵抗体素子について行い、これら１０個の抵抗体素子の吸収エネルギの平均値を求めてその方形波耐量値とするとともに、異なる配合の抵抗体素子間の比較においては相対的耐量値を求めて比較する。このようにして得られた従来の抵抗体素子の特性は、下記の表２では、比較例１〜５として記載されている。例えば、表２の比較例１では、抵抗体素子の単位長さあたりのバリスタ電圧は、２３０（Ｖ／ｍｍ）、小電流域の平坦率（小電流平坦率）Ｖ３ｍＡ／Ｖ１０μＡ＝１．２４、相対的耐量値は自身を基準にしているので１００（％）である。
【００２０】
ところで、方形波耐量特性は、電流が抵抗体素子を通過する際、抵抗体素子が破壊されずにどれだけエネルギが吸収されるかというものであるから、方形波耐量特性を詳細に調べるためには、抵抗体素子中を流れる電流の経路（電流パスという）の評価をする必要がある。そこで、スピネル粒子、珪酸亜鉛粒子を含んだ酸化亜鉛素子の微細構造を図１にて模式的に示した。すなわち、図１は、従来の酸化亜鉛素子の微細構造を模式的に示した断面図である。図１では、酸化ビスマス１、スピネル粒子２、酸化亜鉛グレイン３、珪酸亜鉛粒子４、酸化亜鉛グレイン粒界部６がそれぞれ示されている。ここで、粒子間の境界を粒界という。また、これらの構成相からなる酸化亜鉛素子の電圧−電流特性の一例を図４に示す。なお、図４は、非特許文献２の図５．２．６と同じ内容の図である。ここで、バリスタ電圧は１ｍＡに対応する電圧とし、このバリスタ電圧より電圧の低い小電流領域Ｉの範囲で電圧印加した条件では、これら構成相の電気抵抗は一般に表１の値となる。
【００２１】
【表１】
2011210878.tif 000003
【００２２】
【表２】
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【００２３】
ところが、方形波耐量試験時の電流は〜１０３Ａ程度であり、これは中電流領域IIに相当する。そして、図４から分かるように、中電流領域IIにおける抵抗体素子の抵抗は、小電流領域Ｉにおけるそれよりも非常に小さくなる。中電流領域IIでは、例えば電流が１０７倍増加しても電圧はせいぜい２倍しか増加しない。これは酸化亜鉛グレイン粒界部６の抵抗が非常に小さくなり、この部分を電流が通過するためである。
【００２４】
従って、中電流領域IIにおいては、抵抗値が１０１４Ω・ｃｍより大きいスピネル粒子２や珪酸亜鉛粒子４はもちろん酸化亜鉛グレイン粒界部６から離れた酸化ビスマス溜まり（酸化ビスマス１）も絶縁物粒子として振る舞う。
【００２５】
その結果、中電流領域IIにおいて、従来の酸化亜鉛素子中の電流パスは、絶縁物粒子を避けて形成されることから、図３（ｂ）に示されたようになる。すなわち、絶縁物粒子１１の粒径が大きくかつ数が多くなるので、電流パス１０は狭くなるとともに蛇行する。
【００２６】
これをさらに詳細に調べるため、素子電極と平行な断面を観察し、各構成相の占める面積を求めて、その断面積中に占める各構成相の割合を調査した。即ち、素子電極と平行に抵抗体素子を切断、研磨しその断面について抵抗体素子を構成する結晶相の大きさを測定した。抵抗体素子を構成する結晶相は、酸化亜鉛相、酸化ビスマス相、スピネル相、および珪酸亜鉛相から成る（図１参照）。
【００２７】
なお、スピネル相（Sp）は、酸化アンチモン（Sb2O3）を主成分とし、酸化亜鉛（ZnO）等と反応して次式で生成される。
Py + ZnO → Sp + Bi2O3
ここで、Pyはパイロクロア相を示し、酸化ビスマス（Bi2O3）、酸化アンチモン（Sb2O3）、酸化亜鉛（ZnO）等からなる結晶相である。従って、スピネル相と酸化ビスマス相は隣接・混在して存在する場合が多く、そのため面積は一緒に求めた。これが分離して存在する場合は極めて少ない。また、珪酸亜鉛相は、酸化珪素粉体と酸化亜鉛粉体が約１０００℃以上の温度で次式のように反応して生成される。
SiO2+ 2ZnO → Zn2SiO4
それゆえ、珪酸亜鉛（Zn2SiO4）相は酸化亜鉛（ZnO）相の隣に存在する。このため珪酸亜鉛相は他の相と区別して面積を計測できる。
【００２８】
各結晶相の面積の測定は、例えば、特許文献３の図１にも示されているが、ここでは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により組成像（ＣＯＭＰＯ像）の写真を撮り、この写真をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製型番ＶＨ−６３００）を使って面積測定を行った。以上のようにして求めた結果を表２の比較例１〜５に示す。例えば、表２の比較例１では、素子断面に占める各構成相の面積率は次の通りである。すなわち、スピネル粒子とこれに隣接した酸化ビスマスの面積率（Sp+Bi）が１７％、珪酸亜鉛の面積率（ZS）が０％、後述するＲ相の面積率（Ｒ相）は０％、これらの面積率の総和である絶縁物総和の面積率は１７．０％である。
【００２９】
表２の比較例１〜５の相互の比較からわかるように、絶縁物総和が増大するとバリスタ電圧も増大するが、相対的耐量値（％）は減少する。前述のように、抵抗体素子中の絶縁物粒子（スピネル粒子や珪酸亜鉛粒子が該当する）の粒径が増大しかつ数も多く分布するようになると、電流パスが狭くなるとともに蛇行するようになるため（図３（ｂ）を参照）、抵抗体素子の発熱分布が不均一となり方形波耐量値が下がることとなる。このように、従来の抵抗体素子では、高抵抗化は実現されるものの、スピネル相や珪酸亜鉛相を増やしているため、通電パスが狭くかつ蛇行する分布となり、発熱分布が不均一となって、方形波耐量値が下がるという問題点があった。
【００３０】
そこで、本実施の形態では、高抵抗化と方形波耐量を両立させることを目的として、抵抗体素子の製造において希土類元素（Ｒ元素）を添加し、さらに、スピネル相、珪酸亜鉛相、およびＲ相の存在量に規定を設ける。
【００３１】
実施の形態
本実施の形態では、酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体に希土類元素を添加することにより、バリスタ電圧の増大と方形波耐量特性の改善を図る。希土類元素（Ｒ元素）は、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕのうちから選択された少なくとも１種類以上とすることができる。本実施の形態では、一例としてＹ（イットリウム）を添加する場合について説明する。なお、他の希土類元素を添加した場合も同様の効果を奏する。
【００３２】
酸化亜鉛形素子を製造する際の添加物の基本配合としては、上記と同様に、特許文献２の表１に記載の配合を選んだ。そして、基本配合のうち、Bi2O3を０．５から１．０、Sb2O3を１．０から３．０、SiO2を０から１．０まで変えながら（モル％表示）、Ｒ相を形成するため希土類元素としてＹを選び、Y2O3を０．０１から３．０（モル％表示）まで添加量を変えて試作した。
【００３３】
抵抗体素子に酸化イットリウム（Y2O3）を添加すると、Ｒ相という結晶相が生成される。Ｒ相の生成は、次式の反応
Py + Y2O3 + ZnO → R + Bi2O3+ Sp
によると想定される。ここで、Pyはパイロクロア相、ＲはＲ相、Spはスピネル相をそれぞれ示す。なお、Ｒ相については、例えば非特許文献１に記載され、また、Ｒ相の結晶の面間隔については、例えば特許文献４の請求項１に示されている。
【００３４】
従って、Ｒ相は酸化ビスマス（Bi2O3）相や酸化亜鉛（ZnO）相と隣接して、酸化亜鉛粒子の粒界に存在することが多い。図２に、Ｒ相の形成された酸化亜鉛素子の微細構造を模式的に示す。図２では、酸化ビスマス１、スピネル粒子２、酸化亜鉛グレイン３、珪酸亜鉛粒子４、Ｒ相５、酸化亜鉛グレイン粒界部６がそれぞれ示されている。Ｒ相５は、酸化ビスマス１、スピネル粒子２、酸化亜鉛グレイン３に隣接して形成されている。
【００３５】
また、Ｒ相の成分については、例えば非特許文献１のｐ５２に示されている。すなわち、非特許文献１では、Ｒ相の組成として以下の関係が報告されている。
Y：Bi：Sb：Zn：Mn＝13：3：13：8：1
【００３６】
次に、上記のような配合比で焼成された抵抗体素子の電気特性と素子断面に占める各構成相の面積率を、表２の実施例１〜６に示す。なお、成形体サイズは、比較例と同様に、例えば径（φ）１２５ｍｍ、厚さ（ｔ）３０ｍｍである。また、焼成温度は１１００℃〜１２５０℃の間であり、１１５０℃を中心に焼成し、バリスタ電圧を変化させた。焼成温度を１１００℃よりも低くすればさらに高抵抗化するが、下げすぎると焼結反応が不十分となり電気特性は悪化する傾向を示す。また、１２５０℃よりも高い焼成温度では粒成長が大きくなり効果的に高抵抗化が図れない。
【００３７】
表２において、「Ｒ相」は、Ｒ相の面積率を表す。その他の項目は従来例１〜５で説明したとおりであり、例えば、相対的耐量値は、比較例１または２の方形波耐量値を基準に示した耐量値である。また、結晶相の面積の測定などは既に説明した方法による。
【００３８】
実施例１〜６では、スピネル粒子とこれと隣接した酸化ビスマスの面積率（Sp+Bi）は１０〜１７％、珪酸亜鉛の面積率（ZS）が０〜１．５％、Ｒ相の面積率（「Ｒ相」）は０．０２〜７．２％、バリスタ電圧は３６５〜６５０（Ｖ／ｍｍ）、小電流平坦率は１．２７〜１．４５、相対的耐量値は１００％である。
【００３９】
表２に示すように、Ｒ相の含まれない比較例１〜５では、スピネル粒子と酸化ビスマス粒子と珪酸亜鉛粒子を含めた絶縁物粒子の総面積（「絶縁物総和」）が１７．０〜３４．５％の範囲でバリスタ電圧は２３０〜６５０Ｖ／ｍｍとなる。したがって、絶縁物粒子の面積が増えるほどバリスタ電圧は増加しているが、その一方で、相対的耐量値は大幅に低下するという問題点がある。例えば比較例５では、比較例１と比較して、バリスタ電圧は２３０から６５０Ｖ／ｍｍとなって増加しているが、相対的耐量値は５０％も低下している。
【００４０】
一方、Ｒ相の含まれる実施例１〜６では、「絶縁物総和」は比較例１と同程度に保たれつつ（１７．２〜１８．７％）、Ｒ相の面積を０．０２〜５．０％の範囲に規定することにより、バリスタ電圧を３６５〜５９４Ｖ／ｍｍの範囲に高抵抗化できるとともに、小電流平坦率を１．４０以下の望ましい範囲内に抑え、しかも耐量値を悪化させないという利点があることがわかる。なお、なお、Ｒ相の面積が７．２％まで多くなると小電流平坦率が悪化した（具体的には１．４５）。よって、Ｒ相の面積率は５％迄が好ましい。
【００４１】
Ｒ相を形成することで耐量値が低下しない理由は次のように考えられる。従来の方法では、高抵抗化（バリスタ電圧を２３０から６５０Ｖ／ｍｍへ増大）を実現するためには、絶縁物粒子の総面積を１６．５％増加させなければならなかったところ、Ｒ相を利用する本実施の形態では、Ｒ相による優れた粒成長抑制効果を利用することで高抵抗化を実現しつつ、スピネル粒子成分とコンバートするなどして絶縁物粒子総面積を微増に抑制することができる。そのため、図３（ａ）に示すように、Ｒ相を含む抵抗体素子では、絶縁物粒子１１の断面積が小さくなり、絶縁物粒子１１間の相互間隔が広くなるので、電流が抵抗体素子を通流するときに絶縁物粒子１１を迂回して進む頻度が従来の抵抗体素子と比較して大幅に少なくなり、従って電流パス１０が蛇行することがない。よって、電流による発熱が均一分布となり抵抗体素子が破壊されにくくなり、その結果、方形波耐量特性が良好に維持されると推測される。
【００４２】
本実施の形態によれば、抵抗体素子にて酸化亜鉛粒成長を抑制する効果をもつ希土類元素を含有するＲ相を形成し、抵抗体切断面におけるその面積率を０．０２〜５．０％の範囲に規定することにより、抵抗体素子の高抵抗化を実現するとともにその方形波耐量特性と小電流平坦率を良好な状態に維持することができる。
【００４３】
また、本実施の形態の抵抗体素子は高抵抗化されていることから、これを積載した避雷器は小型化できるという効果がある。さらに、抵抗体素子は高抵抗化されていても方形波耐量値が下がらないので、避雷器がサージに対して破壊されず、避雷器の信頼性が向上するという効果がある。
【００４４】
本実施の形態によれば、スピネル相、酸化ビスマス相、および珪酸亜鉛相の各構成相の量に応じて様々なバリスタ電圧を有する素子が得られた場合でも、スピネル相、酸化ビスマス相および珪酸亜鉛相と交換しながらＲ相粒子の断面積率を０．０２〜５％の範囲に規定することで、ベースとなった従来構成相の素子よりも小電流平坦率を悪化させずに高抵抗化を図りながら方形波耐量値を維持できる効果がある。
【００４５】
Ｒ相粒子は優れた粒成長抑制効果をもつので、スピネル粒子や珪酸亜鉛粒子よりも少量で高抵抗化を実現する効果を有する。そのため、スピネル粒子や珪酸亜鉛粒子とＲ相を交換した抵抗体素子と従来の抵抗体素子の微細構造を同じバリスタ電圧に対して比較すると、図３に示すように、Ｒ相を利用した抵抗体素子（図３（ａ））の方が、絶縁物粒子１１が少なくかつ粒径が小さいので、電流パス１０が広く、蛇行することが少なく、従って方形波耐量値は優れたものとなる。
【００４６】
なお、従来配合の抵抗体素子のスピネル相またはスピネル相および珪酸亜鉛相の双方をＲ相で置き換えて、焼成温度を更に下げれば、より大きなバリスタ電圧の素子が得られる。例えば、焼成温度を１０３０から１１００℃の範囲に低温化すれば、表１の実施例５のバリスタ電圧は８００Ｖ／ｍｍにもなる。この素子はＲ相を利用しない従来配合で同じバリスタ電圧を得た素子よりも電気特性、耐量とも優れたものになっていることを確認した。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明に係る電圧非直線抵抗体は、高抵抗かつ高耐圧な素子として避雷器に好適に適用することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１     酸化ビスマス
２     スピネル粒子
３     酸化亜鉛グレイン
４     珪酸亜鉛粒子
５     Ｒ相
６     酸化亜鉛グレイン粒界部
１０   電流パス
１１   絶縁物粒子
【図１】
2011210878.tif 000005
【図２】
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【図３】
2011210878.tif 000007
【図４】
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