(57)【要約】【課題】バイアス電圧や走査線のオフ電圧の電圧ノイズに起因するノイズを検出して画像データに対するノイズの影響を低減することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】放射線画像撮影装置１は、走査線５や信号線６、複数の放射線検出素子７を備える検出部Ｐと、各放射線検出素子７から画像データＤ読み出す読み出し回路１７と、各走査線にオフ電圧Ｖoffを印加する走査駆動手段１５と、各放射線検出素子７にバイアス電圧Ｖbiasを供給するバイアス線９と、読み出し処理時にバイアス線９に印加されているバイアス電圧Ｖbiasに生じている電圧ノイズを第１のコンデンサＣ１で電荷ノイズに変換し、電荷ノイズに相当するノイズデータｄｎを増幅回路Ｎ１８から出力して検出するノイズ検出手段４３を備え、制御手段２２は検出されたノイズデータｄｎを各放射線検出素子７ごとの画像データＤからそれぞれ減算して補正後の画像データＤ＊を算出する。【選択図】図１５
2011142476.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部が設けられた基板と、
前記各放射線検出素子から前記各信号線を通じて電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を画像データに変換して出力する増幅回路を備えた複数の読み出し回路と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線に印加される電圧に応じてオン状態とオフ状態とが切り替えられるスイッチ手段と、
前記各走査線に対して印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるゲートドライバと、前記ゲートドライバに前記オン電圧および前記オフ電圧を供給する電源回路とを備える走査駆動手段と、
前記各放射線検出素子にバイアス線を介してバイアス電圧を印加するバイアス電源と、
少なくとも前記走査駆動手段と前記読み出し回路の各動作を制御して、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
さらに、補正信号線と、前記補正信号線と前記バイアス線との間の電位差を電荷に変換する第１のコンデンサと、前記補正信号線に接続された増幅回路とを備え、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理時に、前記バイアス線に印加されている前記バイアス電圧に生じている電圧ノイズを前記第１のコンデンサで電荷ノイズに変換し、変換された前記電荷ノイズに相当するノイズデータを前記増幅回路から出力して検出するノイズ検出手段を備え、
前記制御手段は、前記ノイズ検出手段が検出した前記ノイズデータを、前記読み出し回路が読み出した前記各放射線検出素子ごとの前記画像データからそれぞれ減算して補正後の画像データを算出することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
前記ノイズ検出手段は、さらに、前記補正信号線と前記バイアス線との間の電位差を電荷に変換する第２のコンデンサと、前記第２のコンデンサと前記補正信号線との接続、非接続を切り替えるスイッチ素子とを備え、
前記ノイズ検出手段は、前記スイッチ素子のオン／オフ動作を前記各放射線検出素子のリセット時および前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理時に前記スイッチ手段のオン／オフ動作にあわせて切り替えるとともに、前記各放射線検出素子のリセット時に前記バイアス線に印加されている前記バイアス電圧に生じている電圧ノイズを前記第２のコンデンサで電荷ノイズに変換して蓄積し、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理時に、前記リセット時に蓄積した前記電荷ノイズと前記読み出し処理時に蓄積される前記電荷ノイズとの差に相当するノイズデータを前記増幅回路から出力して検出することを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項３】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部が設けられた基板と、
前記各放射線検出素子から前記各信号線を通じて電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を画像データに変換して出力する増幅回路を備えた複数の読み出し回路と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線に印加される電圧に応じてオン状態とオフ状態とが切り替えられるスイッチ手段と、
前記各走査線に対して印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるゲートドライバと、前記ゲートドライバに前記オン電圧および前記オフ電圧を供給する電源回路とを備える走査駆動手段と、
前記各放射線検出素子にバイアス線を介してバイアス電圧を印加するバイアス電源と、
少なくとも前記走査駆動手段と前記読み出し回路の各動作を制御して、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
さらに、補正信号線と、前記補正信号線と前記バイアス線との間の電位差を電荷に変換する第２のコンデンサと、前記第２のコンデンサと前記補正信号線との接続、非接続を切り替えるスイッチ素子と、前記補正信号線に接続された増幅回路とを備えるノイズ検出手段を備え、
前記ノイズ検出手段は、前記スイッチ素子のオン／オフ動作を前記各放射線検出素子のリセット時および前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理時に前記スイッチ手段のオン／オフ動作にあわせて切り替えるとともに、前記各放射線検出素子のリセット時に前記バイアス線に印加されている前記バイアス電圧に生じている電圧ノイズを前記第２のコンデンサで電荷ノイズに変換して蓄積し、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理時に、前記リセット時に蓄積した前記電荷ノイズと前記読み出し処理時に蓄積される前記電荷ノイズとの差に相当するノイズデータを前記増幅回路から出力して検出し、
前記制御手段は、前記ノイズ検出手段が検出した前記ノイズデータを、前記読み出し回路が読み出した前記各放射線検出素子ごとの前記画像データからそれぞれ減算して補正後の画像データを算出することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記ノイズ検出手段は、さらに、前記補正信号線と前記走査線との間の電位差、または、前記補正信号線と、前記電源回路と前記ゲートドライバとを結ぶ配線との間の電位差を電荷に変換する第３のコンデンサを備え、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理時に、前記走査線または前記配線に印加されている前記オフ電圧に生じている電圧ノイズを、前記第３のコンデンサで電荷ノイズに変換し、変換された前記電荷ノイズに相当するノイズデータを前記増幅回路から出力して検出することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項５】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部が設けられた基板と、
前記各放射線検出素子から前記各信号線を通じて電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を画像データに変換して出力する増幅回路を備えた複数の読み出し回路と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線に印加される電圧に応じてオフ状態とオン状態とが切り替えられるスイッチ手段と、
前記各走査線に対して印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるゲートドライバと、前記ゲートドライバに前記オン電圧および前記オフ電圧を供給する電源回路とを備える走査駆動手段と、
前記各放射線検出素子にバイアス線を介してバイアス電圧を印加するバイアス電源と、
少なくとも前記走査駆動手段と前記読み出し回路の各動作を制御して、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
さらに、補正信号線と、前記補正信号線と前記走査線との間の電位差、または、前記補正信号線と、前記電源回路と前記ゲートドライバとを結ぶ配線との間の電位差を電荷に変換する第３のコンデンサと、前記補正信号線に接続された増幅回路とを備え、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理時に、前記走査線または前記配線に印加されている前記オフ電圧に生じている電圧ノイズを、前記第３のコンデンサで電荷ノイズに変換し、変換された前記電荷ノイズに相当するノイズデータを前記増幅回路から出力して検出するノイズ検出手段を備え、
前記制御手段は、前記ノイズ検出手段が検出した前記ノイズデータを、前記読み出し回路が読み出した前記各放射線検出素子ごとの前記画像データからそれぞれ減算して補正後の画像データを算出することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項６】
前記第１のコンデンサの容量は、前記信号線と前記バイアス線との間の寄生容量と同じ容量になるように設定されていることを特徴とする請求項１、請求項２または請求項４に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項７】
前記第２のコンデンサの容量は、前記放射線検出素子の寄生容量、または複数の前記放射線検出素子の寄生容量の平均値と同じ容量になるように設定されていることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項８】
前記第３のコンデンサの容量は、前記信号線と、それと交差する複数の前記走査線との間の各寄生容量の総和と同じ容量になるように設定されていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項９】
前記読み出し回路の前記増幅回路および前記ノイズ検出手段の前記増幅回路は、オペアンプとそれに並列に接続されたコンデンサとを備えたチャージアンプ回路でそれぞれ構成されており、
前記ノイズ検出手段の前記増幅回路の前記コンデンサの容量を、前記読み出し回路の前記増幅回路の前記コンデンサの容量より小さい容量になるように設定し、
前記制御手段は、前記ノイズ検出手段が検出した前記ノイズデータに、前記ノイズ検出手段の前記増幅回路の前記コンデンサの容量を前記読み出し回路の前記増幅回路の前記コンデンサの容量で除算した値が乗算された値を、前記読み出し回路が読み出した前記各放射線検出素子ごとの前記画像データからそれぞれ減算して補正後の画像データを算出することを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１０】
前記第１のコンデンサの容量は、前記信号線と前記バイアス線との間の寄生容量に、１より大きな値に設定された所定値を乗算した値になるように設定されており、
前記制御手段は、前記ノイズ検出手段が検出した前記ノイズデータに前記所定値の逆数が乗算された値を、前記読み出し回路が読み出した前記各放射線検出素子ごとの前記画像データからそれぞれ減算して補正後の画像データを算出することを特徴とする請求項１、請求項２または請求項４に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１１】
前記第２のコンデンサの容量は、前記放射線検出素子の寄生容量、または複数の前記放射線検出素子の寄生容量の平均値に、１より大きな値に設定された所定値を乗算した値になるように設定されており、
前記制御手段は、前記ノイズ検出手段が検出した前記ノイズデータに前記所定値の逆数が乗算された値を、前記読み出し回路が読み出した前記各放射線検出素子ごとの前記画像データからそれぞれ減算して補正後の画像データを算出することを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１２】
前記第３のコンデンサの容量は、前記信号線と、それと交差する複数の前記走査線との間の各寄生容量の総和に、１より大きな値に設定された所定値を乗算した値になるように設定されており、
前記制御手段は、前記ノイズ検出手段が検出した前記ノイズデータに前記所定値の逆数が乗算された値を、前記読み出し回路が読み出した前記各放射線検出素子ごとの前記画像データからそれぞれ減算して補正後の画像データを算出することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１３】
前記第１のコンデンサの容量は、前記信号線と前記バイアス線との間の寄生容量に、１より大きな値に設定された所定値を乗算した値になるように設定されており、
前記第２のコンデンサの容量は、前記放射線検出素子の寄生容量、または複数の前記放射線検出素子の寄生容量の平均値に前記所定値を乗算した値になるように設定されており、
前記制御手段は、前記ノイズ検出手段が検出した前記ノイズデータに前記所定値の逆数が乗算された値を、前記読み出し回路が読み出した前記各放射線検出素子ごとの前記画像データからそれぞれ減算して補正後の画像データを算出することを特徴とする請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１４】
前記第１のコンデンサの容量は、前記信号線と前記バイアス線との間の寄生容量に、１より大きな値に設定された所定値を乗算した値になるように設定されており、
前記第２のコンデンサの容量は、前記放射線検出素子の寄生容量、または複数の前記放射線検出素子の寄生容量の平均値に前記所定値を乗算した値になるように設定されており、
前記第３のコンデンサの容量は、前記信号線と、それと交差する複数の前記走査線との間の各寄生容量の総和に前記所定値を乗算した値になるように設定されており、
前記制御手段は、前記ノイズ検出手段が検出した前記ノイズデータに前記所定値の逆数が乗算された値を、前記読み出し回路が読み出した前記各放射線検出素子ごとの前記画像データからそれぞれ減算して補正後の画像データを算出することを特徴とする請求項４に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１５】
前記制御手段で、前記ノイズ検出手段が検出した前記ノイズデータ、または、前記ノイズ検出手段が検出した前記ノイズデータに前記所定値の逆数が乗算された値を、前記読み出し回路が読み出した前記各放射線検出素子ごとの前記画像データからそれぞれ減算する減算処理を行う代わりに、前記減算処理を行う差分回路を備えることを特徴とする請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１６】
前記ノイズ検出手段は、前記第１のコンデンサおよび前記第３のコンデンサを備える代わりに各抵抗器をそれぞれ備えるとともに、前記ノイズ検出手段の前記増幅回路は、オペアンプとそれに並列に接続された抵抗器とを備えたチャージアンプ回路で構成されていることを特徴とする請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に、読み出し回路で放射線検出素子から画像データを読み出す放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
【０００３】
このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られており、従来は支持台（或いはブッキー装置）と一体的に形成されていたが（例えば特許文献１参照）、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納した可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２、３参照）。
【０００４】
このような放射線画像撮影装置では、例えば後述する図７に示すように、通常、基板の検出部Ｐ上に複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設され、走査線５と信号線６とで区画された各領域にそれぞれ放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列されて形成されている。そして、各放射線検出素子７には、スイッチ手段である薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴという。）８が接続されており、各ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄ（図７ではＤと表現されている。）がそれぞれ信号線６に接続されている。
【０００５】
また、各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された増幅回路１８等を備える各読み出し回路１７に接続されており、各読み出し回路１７の出力側は、マルチプレクサ２１等を介してＡ／Ｄ変換回路２０に接続されている。読み出しＩＣ１６では、例えば１０２４個等の所定個数の読み出し回路１７ごとに１個のＡ／Ｄ変換回路２０が設けられるように構成されていることが多い。
【０００６】
また、各放射線検出素子７には、バイアス電源１４からバイアス線９やそれらを結束する結線１０を介してバイアス電圧が印加される。
【０００７】
そして、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理の際には、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに順次オン電圧が印加され、ゲート電極８ｇ（図７ではＧと表現されている。）にオン電圧が印加されたＴＦＴ８を介して、各放射線検出素子７内に蓄積された電荷が信号線６に放出されて各読み出し回路１７に読み出され、増幅回路１８で電荷電圧変換される等してアナログ値の画像データに変換された後、Ａ／Ｄ変換回路２０でデジタル値の画像データ（すなわちいわゆるrawデータ）に変換されて出力されて、記憶手段４０に保存される。
【０００８】
ところで、走査線５と信号線６とが交差する部分や、バイアス線９や結線１０と信号線６とが交差する部分には、それらの短絡を防止するために、通常、絶縁層が設けられている。そのため、それらが交差する部分には、走査線５と信号線６とその間の絶縁層や、バイアス線９（或いは結線１０）と信号線６とその間の絶縁層でコンデンサ状の構造が形成されている。
【０００９】
上記のような走査線５と信号線６との交差部分は、多数の走査線５（各ラインＬ１〜Ｌｘ）と多数の各信号線６とが交差する非常に多くの部分に形成されている。そして、上記のように走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに順次オン電圧を印加して各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理を行う場合、１本の走査線５にはオン電圧が印加されるが、その他の多数の走査線５にはオフ電圧が印加される。
【００１０】
そして、ゲートドライバ１５ｂから印加されるオフ電圧には、通常、ノイズが生じているため、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理では、オフ電圧に時間的にランダムに生じているノイズ（ゆらぎ）の影響を受ける。以下、オフ電圧等の電圧に生じているノイズを電圧ノイズという。
【００１１】
すなわち、後述する図８に示すように、例えば、読み出し回路１７の増幅回路１８が、オペアンプ１８ａとそれに並列にコンデンサ１８ｂと電荷リセット用スイッチ１８ｃが接続されたチャージアンプ回路で構成されており、電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフの状態で信号線６を介して電荷がコンデンサ１８ｂに流入して蓄積すると、蓄積した電荷量に応じた電圧値がオペアンプ１８ａの出力端子から出力されるように構成されている場合を考える。
【００１２】
この場合、読み出し処理の際には、増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに放射線検出素子７から読み出された電荷が流入するだけでなく、上記のように走査線５と信号線６との交差部分に形成されているコンデンサ状の構造により交差部分に生じている寄生容量で、オフ電圧の電圧ノイズが電荷的なノイズ（以下、電荷ノイズという。）に変換され、その電荷ノイズも増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに流入する。
【００１３】
そのため、放射線検出素子７から読み出されるべき真の画像データに対して、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加されるオフ電圧の電圧ノイズに起因する電荷ノイズが重畳された状態で画像データが読み出される状態となる。
【００１４】
なお、前述したように、読み出し処理では、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂからいずれかの走査線５にオン電圧が印加され、当該走査線５にＴＦＴ８を介して接続されている各放射線検出素子７から画像データが読み出されるが、同一の走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データの読み出しの際には、オン電圧が印加されている走査線５以外のオフ電圧が印加されている他の走査線５に生じている電圧ノイズは同一のものとなる。従って、当該走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データには、同じ電荷ノイズが重畳される。
【００１５】
しかし、オン電圧を印加する走査線５が次の走査線５に切り替えられた際には、オフ電圧に生じる電圧ノイズが時間的にランダムに発生するため、当該次の走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データには同じ電荷ノイズが重畳されるが、切り替えられる前の走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データに重畳された電荷ノイズとは値が異なる電荷ノイズが重畳される。
【００１６】
そのため、このようにして読み出された放射線検出素子７ごとの画像データに基づいて放射線画像を生成すると、走査線方向（通常、この方向は横方向とされる。）に延びる縞状の模様が現れるという現象が生じる。この走査線方向に延びる縞状の模様が生じるような上記のノイズは、一般に、横引きノイズと呼ばれる。
【００１７】
このような横引きノイズの発生を防止するために、例えば特許文献４や特許文献５では、検出部Ｐ（図７参照）に形成された複数の放射線検出素子７のうち、１個或いは所定個数の放射線検出素子７を放射線が入射しないようにシールドし、シールドされた放射線検出素子７からの出力値を、他の放射線が照射された（或いは、照射された放射線がシンチレータで変換された電磁波が照射された）各放射線検出素子７から読み出された画像データが減算する等して、横引きノイズが重畳されていない画像データを取得する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開平９−７３１４４号公報
【特許文献２】特開２００６−０５８１２４号公報
【特許文献３】特開平６−３４２０９９号公報
【特許文献４】特開平９−１９７０５３号公報
【特許文献５】特開２００１−９９９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、特許文献４や特許文献５に記載された技術では、上記のように検出部Ｐに形成された複数の放射線検出素子７のうちの一部の放射線検出素子７をシールドすることが必要となるため、必要数の放射線検出素子７にプラスしてシールドされる放射線検出素子７を形成しなければならず、検出部Ｐを必要以上に大きくしなければならない。
【００２０】
また、シールドされる放射線検出素子７を、検出部Ｐが形成される基板の各放射線検出素子７が設けられた面側に形成せざるを得ない。このように、特許文献４や特許文献５に記載された技術では、横引きノイズの発生を防止するための構造を設ける場所が、検出部Ｐが形成される基板の一面側に限定されるため、放射線画像撮影装置の構成の自由度が著しく制限されるといった問題がある。
【００２１】
また、前述したように、走査線５と信号線６とが交差する部分だけでなく、バイアス線９や結線１０と信号線６とが交差する部分にも、バイアス線９（或いは結線１０）と信号線６とその間の絶縁層でコンデンサ状の構造が形成されるため、このバイアス線９（結線１０）と信号線６との交差部分に生じている寄生容量で、バイアス電圧の電圧ノイズが電荷ノイズに変換される。
【００２２】
そして、このバイアス電圧の電圧ノイズに起因する電荷ノイズも増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに流入して画像データに重畳される可能性があるが、特許文献４や特許文献５に記載された技術では、このようなバイアス電圧の電圧ノイズに起因する電荷ノイズの除去については何ら触れられていない。
【００２３】
さらに、例えば後述する図５に示すように、各放射線検出素子７自体も、第１電極７４と第２電極７８との間に変換層であるｉ層７６が介在するコンデンサ状の構造を有しており、第２電極７８にバイアス電圧が印加される。
【００２４】
そのため、コンデンサ状の構造を有する放射線検出素子７自体に生じる寄生容量で、バイアス電圧の電圧ノイズが電荷ノイズに変換され、この電荷ノイズも増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに流入して画像データに重畳される可能性があるが、特許文献４や特許文献５に記載された技術では、このようなバイアス電圧の電圧ノイズに起因して各放射線検出素子７内で発生する電荷ノイズの除去についても何ら触れられていない。
【００２５】
画像データにノイズが重畳されて放射線画像の画質が低下すると、例えば、このような放射線画像を用いて診断を行うような場合に、病変部を見落としたり、正常な部分を病変部と見誤ったりして誤診を生じる等の不都合を生じる虞れがある。そのため、放射線画像撮影装置には、ノイズの影響ができるだけ排除された適切な画質の放射線画像が得られることが望まれる。
【００２６】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、バイアス電圧や走査線に印加されるオフ電圧の電圧ノイズに起因して生じるノイズを検出して画像データに対するノイズの影響を低減することが可能であり、かつ、そのようなノイズ検出手段を装置の任意の位置に形成可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部が設けられた基板と、
前記各放射線検出素子から前記各信号線を通じて電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を画像データに変換して出力する増幅回路を備えた複数の読み出し回路と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線に印加される電圧に応じてオン状態とオフ状態とが切り替えられるスイッチ手段と、
前記各走査線に対して印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるゲートドライバと、前記ゲートドライバに前記オン電圧および前記オフ電圧を供給する電源回路とを備える走査駆動手段と、
前記各放射線検出素子にバイアス線を介してバイアス電圧を印加するバイアス電源と、
少なくとも前記走査駆動手段と前記読み出し回路の各動作を制御して、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
さらに、補正信号線と、前記補正信号線と前記バイアス線との間の電位差を電荷に変換する第１のコンデンサと、前記補正信号線に接続された増幅回路とを備え、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理時に、前記バイアス線に印加されている前記バイアス電圧に生じている電圧ノイズを前記第１のコンデンサで電荷ノイズに変換し、変換された前記電荷ノイズに相当するノイズデータを前記増幅回路から出力して検出するノイズ検出手段を備え、
前記制御手段は、前記ノイズ検出手段が検出した前記ノイズデータを、前記読み出し回路が読み出した前記各放射線検出素子ごとの前記画像データからそれぞれ減算して補正後の画像データを算出することを特徴とする。
【００２８】
また、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部が設けられた基板と、
前記各放射線検出素子から前記各信号線を通じて電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を画像データに変換して出力する増幅回路を備えた複数の読み出し回路と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線に印加される電圧に応じてオン状態とオフ状態とが切り替えられるスイッチ手段と、
前記各走査線に対して印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるゲートドライバと、前記ゲートドライバに前記オン電圧および前記オフ電圧を供給する電源回路とを備える走査駆動手段と、
前記各放射線検出素子にバイアス線を介してバイアス電圧を印加するバイアス電源と、
少なくとも前記走査駆動手段と前記読み出し回路の各動作を制御して、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
さらに、補正信号線と、前記補正信号線と前記バイアス線との間の電位差を電荷に変換する第２のコンデンサと、前記第２のコンデンサと前記補正信号線との接続、非接続を切り替えるスイッチ素子と、前記補正信号線に接続された増幅回路とを備えるノイズ検出手段を備え、
前記ノイズ検出手段は、前記スイッチ素子のオン／オフ動作を前記各放射線検出素子のリセット時および前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理時に前記スイッチ手段のオン／オフ動作にあわせて切り替えるとともに、前記各放射線検出素子のリセット時に前記バイアス線に印加されている前記バイアス電圧に生じている電圧ノイズを前記第２のコンデンサで電荷ノイズに変換して蓄積し、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理時に、蓄積していた前記電荷ノイズに相当するノイズデータを前記増幅回路から出力して検出し、
前記制御手段は、前記ノイズ検出手段が検出した前記ノイズデータを、前記読み出し回路が読み出した前記各放射線検出素子ごとの前記画像データからそれぞれ減算して補正後の画像データを算出することを特徴とする。
【００２９】
また、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部が設けられた基板と、
前記各放射線検出素子から前記各信号線を通じて電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を画像データに変換して出力する増幅回路を備えた複数の読み出し回路と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線に印加される電圧に応じてオフ状態とオン状態とが切り替えられるスイッチ手段と、
前記各走査線に対して印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるゲートドライバと、前記ゲートドライバに前記オン電圧および前記オフ電圧を供給する電源回路とを備える走査駆動手段と、
前記各放射線検出素子にバイアス線を介してバイアス電圧を印加するバイアス電源と、
少なくとも前記走査駆動手段と前記読み出し回路の各動作を制御して、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
さらに、補正信号線と、前記補正信号線と前記走査線との間の電位差、または、前記補正信号線と、前記電源回路と前記ゲートドライバとを結ぶ配線との間の電位差を電荷に変換する第３のコンデンサと、前記補正信号線に接続された増幅回路とを備え、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理時に、前記走査線または前記配線に印加されている前記オフ電圧に生じている電圧ノイズを、前記第３のコンデンサで電荷ノイズに変換し、変換された前記電荷ノイズに相当するノイズデータを前記増幅回路から出力して検出するノイズ検出手段を備え、
前記制御手段は、前記ノイズ検出手段が検出した前記ノイズデータを、前記読み出し回路が読み出した前記各放射線検出素子ごとの前記画像データからそれぞれ減算して補正後の画像データを算出することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、ノイズ検出手段の補正信号線と、バイアス線やその結線との間に第１のコンデンサを設けたり、バイアス線や結線との間に第２のコンデンサとスイッチ素子を設けたり、或いは、走査線との間または走査駆動手段の電源回路とゲートドライバとを結ぶ配線との間に第３のコンデンサを設けて、各放射線検出素子から読み出された画像データに重畳されているバイアス電圧の電圧ノイズに起因するノイズデータやリセット終了時に発生するノイズデータ、或いはオフ電圧の電圧ノイズに起因するノイズデータを検出する。
【００３１】
そのため、それらを画像データから減算して画像データを補正することで、補正後の画像データである真の画像データを的確に算出することが可能となり、バイアス電圧や走査線に印加されるオフ電圧の電圧ノイズに起因して生じるノイズを的確に検出して、それらのノイズの画像データに対する影響を的確に低減することが可能となる。そのため、画像データに基づいて生成される放射線画像の画質が向上し、例えば、このような放射線画像を用いて診断を行うような場合に、医師等が病変部を見落としたり正常な部分を病変部と見誤ったりして誤診を生じる等の不都合を生じることを的確に防止することが可能となる。
【００３２】
また、ノイズ検出手段は、補正信号線や第１〜第３のコンデンサ等で構成され、それらと、バイアス線やその結線、或いは走査線や上記の配線とを電気的に接続するだけで構成することができる。そのため、ノイズ検出手段を基板の表面側や裏面側、或いは、後述するプリント配線基板（以下、ＰＣＢ基板という。）やフレキシブルプリント配線基板（以下、フレキ基板ＣＯＦ（Chip On Film）という。）上に設けるように構成することが可能となり、ノイズ検出手段を、放射線画像撮影装置の任意の位置に形成することが可能となる。
【００３３】
そのため、ノイズ検出手段を基板の表面側に設けることで基板を必要以上に大きくなり不都合である場合には、ノイズ検出手段を基板の裏面側やＰＣＢ基板やフレキ基板ＣＯＦ上に設けるように構成することで不都合を回避することが可能となるなど、放射線画像撮影装置の構成の自由度を十分に確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】第１、第２の実施形態に係る放射線画像撮影装置を示す斜視図である。
【図２】図１におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】基板の構成を示す平面図である。
【図４】図３の基板上の小領域に形成された放射線検出素子とＴＦＴ等の構成を示す拡大図である。
【図５】図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
【図６】フレキ基板ＣＯＦやＰＣＢ基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。
【図７】本実施形態に係る放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。
【図８】検出部を構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【図９】画像データの読み出し処理におけるタイミングチャートを表す図であり、（Ａ）は電荷リセット用スイッチ、（Ｂ）はパルス信号、（Ｃ）、（Ｄ）はそれぞれＴＦＴのオン／オフのタイミング等を表す。
【図１０】相関二重サンプリング回路における電圧値の変化等を表すグラフである。
【図１１】放射線検出素子からの画像データの読み出し処理時に各走査線にオン電圧を印加するタイミングを示すタイミングチャートである。
【図１２】第１の実施形態におけるノイズ検出手段の構成を表すブロック図である。
【図１３】走査駆動回路のゲートドライバの走査線が接続されない未接続の端子を説明する図である。
【図１４】図１２のノイズ検出手段を構成する各部分を説明する図である。
【図１５】ノイズ検出手段４３Ａの構成および電荷リセット用スイッチをオフ状態とした瞬間に各コンデンサに蓄積される電荷等を説明する図である。
【図１６】時刻ｔ０〜ｔ２における補正信号線とバイアス線の結線との間の電位差を説明するグラフである。
【図１７】放射線検出素子からのリセット処理時および画像データの読み出し処理時に各走査線にオン電圧を印加するタイミングを示すタイミングチャートである。
【図１８】各ＴＦＴにオン電圧を印加するタイミングや時間と同じタイミングで同じ時間だけスイッチ素子にオン電圧を印加することを説明するタイミングチャートである。
【図１９】各放射線検出素子から読み出された画像データおよびノイズデータを説明するグラフである。
【図２０】読み出し回路自体で発生するノイズ成分が重畳されたノイズデータを説明する図である。
【図２１】画像データやノイズデータが同じ値であっても異なるノイズ成分が重畳されていると真の画像データが異なる値になることを説明するグラフである。
【図２２】第２の実施形態におけるノイズ検出手段の構成を表すブロック図である。
【図２３】図２２のノイズ検出手段で検出するとノイズデータは第１の実施形態と同じノイズデータとなり、重畳されたノイズ成分は１／Ｗになることを説明する図である。
【図２４】重畳されたノイズ成分が１／Ｗになりノイズ成分同士の差が小さくなることを説明するグラフである。
【図２５】読み出し回路や乗算器の下流側にそれぞれ差分回路を設けた構成を説明するブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００３６】
なお、以下では、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換し光電変換素子で電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。また、放射線画像撮影装置が可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された放射線画像撮影装置に対しても適用される。
【００３７】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。本実施形態に係る放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体２内にシンチレータ３や基板４等が収納された可搬型（カセッテ型）の装置として構成されている。
【００３８】
筐体２は、少なくとも放射線の照射を受ける側の面Ｒ（以下、放射線入射面Ｒという。）が放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図１や図２では、筐体２がフレーム板２Ａとバック板２Ｂとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体２を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。
【００３９】
また、図１に示すように、筐体２の側面部分には、電源スイッチ３６や、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ３７、図示しないバッテリ４１（後述する図７参照）の交換等のために開閉可能とされた蓋部材３８等が配置されている。また、本実施形態では、蓋部材３８の側面部には、外部と無線で通信するための通信手段であるアンテナ装置３９が埋め込まれている。
【００４０】
なお、アンテナ装置３９の設置位置は蓋部材３８の側面部に限らず、放射線画像撮影装置１の任意の位置にアンテナ装置３９を設置することが可能である。また、設置するアンテナ装置３９は１個に限らず、複数設けることも可能である。さらに、画像データＤ等を外部装置に有線方式で送受信するように構成することも可能であり、その場合は、例えば、通信手段として、ケーブル等を差し込むなどして接続するための接続端子等が放射線画像撮影装置１の側面部等に設けられる。
【００４１】
また、図２に示すように、筐体２の内部には、基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置され、基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や緩衝部材３４等が取り付けられている。なお、本実施形態では、基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒには、それらを保護するためのガラス基板３５が配設されている。
【００４２】
シンチレータ３は、基板４の後述する検出部Ｐに対向するように貼り合わされるようになっている。シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。
【００４３】
基板４は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図３に示すように、基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各小領域ｒには、それぞれ放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。
【００４４】
このように、走査線５と信号線６で区画された各小領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７が設けられた領域ｒ全体、すなわち図３に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。
【００４５】
本実施形態では、放射線検出素子７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子７は、図３や図４の拡大図に示すように、スイッチ手段であるＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。
【００４６】
そして、ＴＦＴ８は、後述する走査駆動手段１５により、接続された走査線５にオン電圧が印加され、ゲート電極８ｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、放射線検出素子７内で発生し蓄積されている電荷を信号線６に放出させるようになっている。また、ＴＦＴ８は、接続された走査線５にオフ電圧が印加され、ゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止し、放射線検出素子７内で発生した電荷を保持して、放射線検出素子７内に蓄積させるようになっている。
【００４７】
ここで、本実施形態における放射線検出素子７やＴＦＴ８の構造について、図５に示す断面図を用いて簡単に説明する。図５は、図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
【００４８】
基板４の面４ａ上に、ＡｌやＣｒ等からなるＴＦＴ８のゲート電極８ｇが走査線５と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極８ｇ上および面４ａ上に積層された窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁層８１上のゲート電極８ｇの上方部分に、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなる半導体層８２を介して、放射線検出素子７の第１電極７４と接続されたソース電極８ｓと、信号線６と一体的に形成されるドレイン電極８ｄとが積層されて形成されている。
【００４９】
ソース電極８ｓとドレイン電極８ｄとは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第１パッシベーション層８３によって分割されており、さらに第１パッシベーション層８３は両電極８ｓ、８ｄを上側から被覆している。また、半導体層８２とソース電極８ｓやドレイン電極８ｄとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたオーミックコンタクト層８４ａ、８４ｂがそれぞれ積層されている。以上のようにしてＴＦＴ８が形成されている。
【００５０】
また、放射線検出素子７の部分では、基板４の面４ａ上に前記ゲート絶縁層８１と一体的に形成される絶縁層７１の上にＡｌやＣｒ等が積層されて補助電極７２が形成されており、補助電極７２上に前記第１パッシベーション層８３と一体的に形成される絶縁層７３を挟んでＡｌやＣｒ、Ｍｏ等からなる第１電極７４が積層されている。第１電極７４は、第１パッシベーション層８３に形成されたホールＨを介してＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。
【００５１】
第１電極７４の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたｎ層７５、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるｉ層７６、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてｐ型に形成されたｐ層７７が下方から順に積層されて形成されている。
【００５２】
放射線画像撮影装置１の筐体２の放射線入射面Ｒから放射線が入射し、シンチレータ３で可視光等の電磁波に変換され、変換された電磁波が図中上方から照射されると、電磁波は放射線検出素子７のｉ層７６に到達して、ｉ層７６内で電子正孔対が発生する。放射線検出素子７は、このようにして、シンチレータ３から照射された電磁波を電荷に変換するようになっている。
【００５３】
また、ｐ層７７の上には、ＩＴＯ等の透明電極とされた第２電極７８が積層されて形成されており、照射された電磁波がｉ層７６等に到達するように構成されている。本実施形態では、以上のようにして放射線検出素子７が形成されている。なお、ｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の積層の順番は上下逆であってもよい。また、本実施形態では、放射線検出素子７として、上記のようにｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の順に積層されて形成されたいわゆるｐｉｎ型の放射線検出素子を用いる場合が説明されているが、これに限定されない。
【００５４】
放射線検出素子７の第２電極７８の上面には、第２電極７８を介して放射線検出素子７にバイアス電圧を印加するバイアス線９が接続されている。なお、放射線検出素子７の第２電極７８やバイアス線９、ＴＦＴ８側に延出された第１電極７４、ＴＦＴ８の第１パッシベーション層８３等、すなわち放射線検出素子７とＴＦＴ８の上面部分は、その上方側から窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第２パッシベーション層７９で被覆されている。
【００５５】
図３や図４に示すように、本実施形態では、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子７に１本のバイアス線９が接続されており、各バイアス線９はそれぞれ信号線６に平行に配設されている。また、各バイアス線９は、基板４の検出部Ｐの外側の位置で結線１０にそれぞれ結束されている。
【００５６】
本実施形態では、図３に示すように、各走査線５や各信号線６、バイアス線９の結線１０は、それぞれ基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子（パッドともいう）１１に接続されている。各入出力端子１１には、図６に示すように、後述する走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂを構成するゲートＩＣ１２ａ等のチップがフィルム上に組み込まれたフレキ基板ＣＯＦ１２が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。
【００５７】
また、フレキ基板ＣＯＦ１２は、基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側で前述したＰＣＢ基板３３に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置１の基板４部分が形成されている。なお、図６では、電子部品３２等の図示が省略されている。
【００５８】
ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。図７は本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路を表すブロック図であり、図８は検出部Ｐを構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【００５９】
前述したように、基板４の検出部Ｐの各放射線検出素子７は、その第２電極７８にそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７８にそれぞれバイアス電圧を印加するようになっている。
【００６０】
また、本実施形態では、放射線検出素子７のｐ層７７側（図５参照）に第２電極７８を介してバイアス線９が接続されていることからも分かるように、バイアス電源１４からは、放射線検出素子７の第２電極７８にバイアス線９を介してバイアス電圧として放射線検出素子７の第１電極７４側にかかる電圧以下の電圧（すなわちいわゆる逆バイアス電圧）が印加されるようになっている。なお、バイアス電源１４には、バッテリ４１から電力が供給されている。
【００６１】
各放射線検出素子７の第１電極７４はＴＦＴ８のソース電極８ｓ（図７、図８中ではＳと表記されている。）に接続されており、各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇ（図７、図８中ではＧと表記されている。）は、後述する走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから延びる各走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにそれぞれ接続されている。また、各ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄ（図７、図８中ではＤと表記されている。）は各信号線６にそれぞれ接続されている。
【００６２】
走査駆動手段１５は、本実施形態では、電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとを備えており、ゲートドライバ１５ｂに接続されている各走査線５を介してＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加するオン電圧およびオフ電圧を制御するようになっている。本実施形態では、電源回路１５ａは、ゲートドライバ１５ｂに対して各走査線５を介してＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加するオン電圧およびオフ電圧を、配線１５ｃを介して供給するようになっている。また、ゲートドライバ１５ｂは、前述したゲートＩＣ１２ａがフィルム上に組み込まれたフレキ基板ＣＯＦ１２が複数並設されて形成されている。
【００６３】
各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。なお、各読み出しＩＣ１６には所定個数の読み出し回路１７がそれぞれ設けられており、読み出しＩＣ１６が複数設けられることにより、信号線６の本数分の読み出し回路１７が設けられるようになっている。
【００６４】
読み出し回路１７は、増幅回路１８と、相関二重サンプリング（Correlated Double Sampling）回路１９と、アナログマルチプレクサ２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とで構成されている。なお、図７や図８中では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。また、図８中では、アナログマルチプレクサ２１は省略されている。
【００６５】
本実施形態では、増幅回路１８はチャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ１８ａと、オペアンプ１８ａにそれぞれ並列にコンデンサ１８ｂおよび電荷リセット用スイッチ１８ｃが接続されて構成されている。また、増幅回路１８のオペアンプ１８ａの入力側の反転入力端子には信号線６が接続されており、増幅回路１８の入力側の非反転入力端子には基準電位Ｖ０が印加されるようになっている。なお、基準電位Ｖ０は適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば０［Ｖ］が印加されるようになっている。
【００６６】
また、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃは、後述する制御手段２２に接続されており、制御手段２２によりオン／オフが制御されるようになっている。電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフの状態で、放射線検出素子７のＴＦＴ８がオン状態とされると（すなわち、ＴＦＴ８のゲート電極８ｇに走査線５を介してオン電圧が印加されると）、当該放射線検出素子７から放出された電荷がコンデンサ１８ｂに流入して蓄積され、蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ１８ａの出力端子から出力されるようになっている。増幅回路１８は、このようにして、各放射線検出素子７から出力された電荷量に応じて電圧を出力して電荷電圧変換して増幅するようになっている。
【００６７】
また、電荷リセット用スイッチ１８ｃをオン状態とすることにより、増幅回路１８の入力側と出力側とが短絡されてコンデンサ１８ｂに蓄積された電荷が放電されて増幅回路１８をリセットすることができるようになっている。なお、増幅回路１８を、放射線検出素子７から出力された電荷に応じて電流を出力するように構成することも可能である。また、増幅回路１８には、バッテリ４１に接続された電源供給部１８ｄから増幅回路１８を駆動するための電力が供給されるようになっている。
【００６８】
増幅回路１８の出力側には、相関二重サンプリング回路（ＣＤＳ）１９が接続されている。相関二重サンプリング回路１９は、本実施形態では、サンプルホールド機能を有しており、この相関二重サンプリング回路１９におけるサンプルホールド機能は、後述する制御手段２２から送信されるパルス信号によりそのオン／オフが制御されるようになっている。
【００６９】
すなわち、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理においては、図９（Ａ）に示すように、まず、各読み出し回路１７の増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃを制御してオフ状態とされる。その際、電荷リセット用スイッチ１８ｃをオフ状態にした瞬間に、いわゆるｋＴＣノイズが発生し、増幅回路１８のコンデンサ１８ｂにｋＴＣノイズに起因する電荷ｑが溜まる。
【００７０】
前述したように、増幅回路１８では、コンデンサ１８ｂに蓄積された電荷量に応じた電圧値が増幅回路１８のオペアンプ１８ａの出力端子から出力されるが、上記のようにｋＴＣノイズに起因する電荷ｑがコンデンサ１８ｂに溜まることにより、図１０に示すように、オペアンプ１８ａの出力端子から出力される電圧値が、電荷リセット用スイッチ１８ｃをオフ状態にした瞬間（図１０では「１８ｃoff」と表示）に、前述した基準電位Ｖ０から、ｋＴＣノイズに起因する電荷ｑの分だけ瞬間的に変化し、電圧値Ｖinに変わる。
【００７１】
制御手段２２は、この段階で、図９（Ｂ）に示すように、相関二重サンプリング回路１９に１回目のパルス信号Ｓｐ１を送信して、その時点（図１０では「ＣＤＳ保持」（左側）と表示）で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖinを保持させる。
【００７２】
続いて、図９（Ｃ）に示すように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから１本の走査線５（例えば走査線５のラインＬｎ）にオン電圧を印加してその走査線５にゲート電極８ｇが接続されているＴＦＴ８をオン状態とすると（図１０では「ＴＦＴon」と表示）、これらのＴＦＴ８が接続されている各放射線検出素子７から蓄積された電荷が各信号線６を介して増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに流れ込んで蓄積され、図１０に示すように、コンデンサ１８ｂに蓄積された電荷量に応じてオペアンプ１８ａの出力側から出力される電圧値が上昇する。
【００７３】
そして、制御手段２２は、所定時間が経過した後、図９（Ｃ）に示すように、ゲートドライバ１５ｂから当該走査線５に印加しているオン電圧をオフ電圧に切り替えてその走査線５にゲート電極８ｇが接続されているＴＦＴ８をオフ状態とし（図１０では「ＴＦＴoff」と表示）、図９（Ｂ）に示すように、この段階で各相関二重サンプリング回路１９に２回目のパルス信号Ｓｐ２を送信して、その時点で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖfiを保持させる（図１０では「ＣＤＳ保持」（右側）と表示）。
【００７４】
各相関二重サンプリング回路１９は、２回目のパルス信号Ｓｐ２で電圧値Ｖfiを保持すると、電圧値の差分Ｖfi−Ｖinを算出し、算出した差分Ｖfi−Ｖinをアナログ値の画像データＤとして下流側に出力するようになっている。
【００７５】
相関二重サンプリング回路１９から出力された各放射線検出素子７の画像データＤは、アナログマルチプレクサ２１に送信され、アナログマルチプレクサ２１から順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信される。そして、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データＤに変換されて記憶手段４０に出力されて順次保存されるようになっている。
【００７６】
制御手段２２は、このようにして走査線５のラインＬｎにオン電圧を印加してラインＬｎにＴＦＴ８を介して接続されている各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出しを行うと、図９（Ｄ）に示すように、続いて、走査線５の次のラインＬn+1にオン電圧を印加して、同様にしてラインＬn+1にＴＦＴ８を介して接続されている各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出しを行う。
【００７７】
制御手段２２は、このようにして、図１１に示すように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂからオン電圧を印加する走査線５のラインＬを順次切り替えながら、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理を行うようになっている。
【００７８】
制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたマイクロコンピュータやＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各部材の動作等を制御するようになっている。また、制御手段２２には、ＤＲＡＭ（Dynamic ＲＡＭ）等で構成される記憶手段４０が接続されている。
【００７９】
また、本実施形態では、制御手段２２には、前述したアンテナ装置３９が接続されており、さらに、検出部Ｐやバイアス電源１４、走査駆動手段１５、読み出し回路１７、電源供給部４１、記憶手段４０等の各部材に電力を供給するためのバッテリ４１が接続されている。このように、バッテリ４１は、放射線画像撮影装置１のハウジング２内に内蔵されており、バッテリ４１には、外部装置からバッテリ４１に電力を供給してバッテリ４１を充電する際の接続端子４２が取り付けられている。
【００８０】
前述したように、制御手段２２は、バイアス電源１４を制御してバイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧を設定したり、読み出し回路１７の増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃのオン／オフを制御したり、相関二重サンプリング回路１９にパルス信号を送信して、そのサンプルホールド機能のオン／オフを制御する等の各種の処理を実行するようになっている。
【００８１】
また、制御手段２２は、各放射線検出素子７のリセット処理時や放射線画像撮影後の各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し時に、走査駆動手段１５に対して、走査駆動手段１５から各走査線５を介して各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えさせるためのパルス信号を送信するようになっている。
【００８２】
一方、本実施形態では、前述したように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂ（図７参照）は、図６に示したゲートＩＣ１２ａがフィルム上に組み込まれたフレキ基板ＣＯＦ１２が複数並設されて形成されているが、走査駆動手段１５の電源回路１５ａは、基板４の裏面４ｂ側のＰＣＢ基板３３上に形成されている。そして、配線１５ｃが、ＰＣＢ基板３３上の電源回路１５ａとフレキ基板ＣＯＦ１２上のゲートＩＣ１２ａ（すなわちゲートドライバ１５ｂ）とを結ぶように配線されている。
【００８３】
また、基板４の表面４ａ側で各放射線検出素子７に接続されるバイアス線９が結束された結線１０は、入出力端子１１やフレキ基板ＣＯＦ１２を介して基板４の裏面４ｂ側に引き回され、ＰＣＢ基板３３上に形成されたバイアス電源１４に接続されている。
【００８４】
そして、本実施形態では、図１２に示すようなノイズ検出手段４３が形成されている。なお、ノイズ検出手段４３の放射線画像撮影装置１における形成場所は、例えば、基板４の裏面４ｂ側のＰＣＢ基板３３上でもよく、フレキ基板ＣＯＦ１２上に設けるように構成することも可能であり、或いは、放射線検出素子７等が形成された基板４の表面４ａ側に設けてもよい。また、図１２中の矢印部分の符号は、各配線が接続される接続先を表す。さらに、後述する図１４に示すように、ノイズ検出手段４３を、後述するノイズ検出手段４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃのいずれかの部分或いはそれらの組み合わせで構成することも可能であり、それぞれを独立して構成することも可能であり、この点については後で説明する。
【００８５】
本実施形態では、ノイズ検出手段４３は、補正信号線４３ａと、補正信号線４３ａに接続された増幅回路とを備えて形成されている。増幅回路は読み出し回路と類似の構成が好ましい。特に、ノイズは時間で変化するため、同一のタイミングでサンプルホールドされることが好ましい。本実施形態では、増幅回路は、前述した読み出しＩＣ１６内に形成された読み出し回路１７（図７、図８参照）のうち、信号線６が接続されていない、いわゆる余った読み出し回路１７の増幅回路１８が用いられるようになっている。
【００８６】
従って、本実施形態では、増幅回路１８の下流側には、相関二重サンプリング回路１９やアナログマルチプレクサ２１、Ａ／Ｄ変換器２０等が設けられており、Ａ／Ｄ変換器２０でデジタル値化された出力値は制御手段２２を介して記憶手段４０に記憶される。
【００８７】
なお、この場合、増幅回路１８から出力され相関二重サンプリング回路１９でサンプルホールドされて出力され、Ａ／Ｄ変換器２０でデジタル値とされた出力値は、上記の場合のような画像データＤではなく、後述するように電圧ノイズが変換された電荷ノイズに相当する値であるため、以下、この出力値をノイズデータｄｎという。
【００８８】
また、本実施形態では、ノイズ検出手段４３の増幅回路等は、上記のように読み出し回路１７の増幅回路１８等が用いられているため、上記の読み出し回路１７等と同じ符号を付して説明するが、ノイズ検出手段４３における各機能部については、各機能部の符号の前にＮを付して説明する。すなわち、読み出し回路Ｎ１７や増幅回路Ｎ１８、相関二重サンプリング回路Ｎ１９等として説明する。
【００８９】
さらに、ノイズ検出手段４３の増幅回路として、上記のように読み出しＩＣ１６内に形成されている既設の読み出し回路１７の増幅回路１８を用いるように構成する必要はなく、読み出しＩＣ１６とは別体の増幅回路を設けることも可能である。
【００９０】
その際、必ずしも増幅回路の下流側に上記のような相関二重サンプリング回路を設ける必要はなく、増幅回路の電荷リセット用スイッチを、図９（Ｂ）に示した相関二重サンプリング回路１９用のパルス信号Ｓｐ１、Ｓｐ２にあわせてオン／オフさせる等の制御を行い、信号Ｓｐ１から信号Ｓｐ２までの間の増幅回路からの出力値を積分した積分値をＡ／Ｄ変換することで、読み出し回路１７の増幅回路１８等を用いる場合と同等のノイズデータｄｎを取得することができる。
【００９１】
本実施形態では、ノイズ検出手段４３は、さらに、補正信号線４３ａとバイアス線９或いはその結線１０との間に設けられる第１のコンデンサＣ１と、補正信号線４３ａとバイアス線９或いは結線１０との間に設けられる第２のコンデンサＣ２および第２のコンデンサＣ２と補正信号線４３ａとの接続、非接続を切り替えるスイッチ素子４３ｂと、補正信号線４３ａと電源回路１５ａ−ゲートドライバ１５ｂ間の配線１５ｃとの間に設けられる第３のコンデンサＣ３とを備えて構成されている。
【００９２】
なお、本実施形態では、図１２に示すように、第２のコンデンサＣ２とスイッチ素子４３ｂとの組が、走査線５の本数分設けられており、各スイッチ素子４３ｂは、ＴＦＴで構成されている。また、各スイッチ素子４３ｂのゲート電極は、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘ、或いは走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂ（図７参照）の、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘが接続された各端子にそれぞれ接続されている。
【００９３】
また、各組ごとの第２のコンデンサＣ２やスイッチ素子４３ｂを互いに区別して表す場合には、走査線５のラインＬｎに接続されているスイッチ素子４３ｂを４３ｂ(n)と表し、そのスイッチ素子４３ｂ(n)に接続されている第２のコンデンサＣ２をＣ２(n)と表す。
【００９４】
バイアス線９やその結線１０にはバイアス電源１４から同じバイアス電圧が印加されており、いずれを用いて検出しても同じようにバイアス電圧に生じている電圧ノイズを検出することができる。そのため、第１のコンデンサＣ１は、補正信号線４３ａとバイアス線９との間に設けられてもよく、また、補正信号線４３ａと結線１０との間に設けられてもよく、或いは、補正信号線４３ａとバイアス電源１４の出力側との間に設けることも可能である。
【００９５】
以下では、第１のコンデンサＣ１が、補正信号線４３ａと結線１０との間に設けられているものとして説明するが、補正信号線４３ａとバイアス線９との間に設けられている場合でも全く同様に説明できる。また、これは、第２のコンデンサＣ２の説明においても同様である。
【００９６】
また、同様に、走査駆動手段１５の電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとの間を結びオフ電圧を供給する配線１５ｃにも、各走査線５にも、電源回路１５ａから同じオフ電圧が印加されており、いずれを用いて検出しても同じようにオフ電圧に生じている電圧ノイズを検出することができる。そのため、第３のコンデンサＣ３は、補正信号線４３ａと配線１５ｃとの間に設けられてもよく、また、補正信号線４３ａと走査線５との間に設けられてもよい。
【００９７】
以下では、第３のコンデンサＣ３が、補正信号線４３ａと、走査駆動手段１５の電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとの間を結ぶ配線１５ｃとの間に設けられているものとして説明するが、補正信号線４３ａと走査線５との間に設けられている場合でも全く同様に説明できる。
【００９８】
なお、この場合、走査線５にはオン電圧が印加される場合もあるため、補正信号線４３ａと第３のコンデンサＣ３を介して接続される走査線５は、オフ電圧が印加されている走査線５が選択されるように構成する必要がある。また、図１３に示すように、走査駆動回路１５のゲートドライバ１５ｂを構成するゲートＩＣ１２ａの各端子のうち、走査線５が接続されていない未接続の端子ｐがある場合には、その未接続の端子ｐに対して、電源回路１５ａからゲートドライバ１５ｂを介して走査線５に印加しているオフ電圧と同じオフ電圧を常時印加するように構成し、その未接続の端子ｐと補正信号線４３ａとの間に第３のコンデンサＣ３を設けるように構成することも可能である。
【００９９】
まず、第１のコンデンサＣ１と、結線１０、補正信号線４３ａ、読み出し回路Ｎ１７の系で構成されるノイズ検出手段４３Ａについて説明する。この系は、図１２に示したノイズ検出手段４３のうち、図１４に示す４３Ａの部分で構成されるノイズ検出手段である。
【０１００】
第１のコンデンサＣ１は、補正信号線４３ａとバイアス線９の結線１０との間の電位差Ｖ０−Ｖbiasを、
ｑ１＝ｃ１・（Ｖ０−Ｖbias）    …（１）
の関係に従って電荷ｑ１に変換するようになっている。なお、上記（１）式におけるｃ１は第１のコンデンサＣ１の容量を表し、Ｖ０は前述したように増幅回路１８のオペアンプ１８ａ（図８参照）の入力側の非反転入力端子に印加される基準電位を表す。
【０１０１】
また、本実施形態では、第１のコンデンサＣ１の容量ｃ１は、通常の信号線６（すなわち補正信号線４３ａではない図３に示した信号線６）と結線１０との間の寄生容量ｃs-bと同じ容量になるように設定されている。図３に示した信号線６の場合、結線１０との寄生容量ｃs-bは、主に図中にＡで示される信号線６と結線１０との交差部分で発生する。
【０１０２】
しかし、理想的にはバイアス電圧Ｖbiasは一定値となるが、実際には、バイアス電圧Ｖbiasには時間的にランダムに電圧ノイズ（ゆらぎ）が生じている。そのため、バイアス電圧Ｖbiasを時間によって変動する値としてＶbias(t)と表すと、第１のコンデンサＣ１に蓄積される電荷ｑ１も時間によって変動し、その値をｑ１(t)と表すと、上記（１）式は、
ｑ１(t)＝ｃ１・（Ｖ０−Ｖbias(t)）    …（２）
と書き換えられる。
【０１０３】
そして、第１のコンデンサＣ１と、結線１０、補正信号線４３ａ、読み出し回路Ｎ１７の系で構成されるノイズ検出手段４３Ａは、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理時に、図９（Ａ）、（Ｂ）に示したタイミングチャートに従って読み出し回路１７の増幅回路１８や相関二重サンプリング回路１９等を動作させた場合に読み出される画像データＤに重畳される、バイアス電圧Ｖbias(t)の電圧ノイズに起因するノイズ成分、すなわちノイズデータｄｎを検出するものである。以下、このノイズデータｄｎを、バイアス電圧Ｖbias(t)の電圧ノイズに起因するノイズデータｄｎＡという。
【０１０４】
具体的には、本実施形態では、図９（Ｂ）に示した各読み出し回路１７の相関二重サンプリング回路１９に送信されるパルス信号Ｓｐ１、Ｓｐ２が、同じタイミングで、ノイズ検出手段４３Ａの読み出し回路Ｎ１７の相関二重サンプリング回路Ｎ１９にも送信されるようになっている。
【０１０５】
そして、相関二重サンプリング回路Ｎ１９は、１回目のパルス信号Ｓｐ１（図９（Ｂ）参照）を受信した時点（例えば時刻ｔ１とする。）で増幅回路Ｎ１８のオペアンプＮ１８ａの出力側から出力されている電圧値Ｖin(t1)を保持し、２回目のパルス信号Ｓｐ２を受信した時点（例えば時刻ｔ２とする。）でオペアンプＮ１８ａの出力側から出力されている電圧値Ｖfi(t2)を保持し、それらの差分Ｖfi(t2)−Ｖin(t1)をアナログ値のノイズデータｄｎＡとして出力するようになっている。
【０１０６】
この場合、信号線６が接続された通常の読み出し回路１７では、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷が信号線６に放出されて増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに蓄積されるため、各放射線検出素子７から繰り返し読み出されて増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに蓄積される電荷が飽和しないようにするために、図９（Ａ）に示したように、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃのオン／オフ動作が必要となる。
【０１０７】
しかし、図１２に示すように、ノイズ検出手段４３Ａの補正信号線４３ａは、放射線検出素子７には接続されていないため、増幅回路Ｎ１８のコンデンサＮ１８ｂには、放射線検出素子７から電荷が流入することはなく、ノイズ検出手段４３Ａの増幅回路Ｎ１８のコンデンサＮ１８ｂは電荷が飽和することがない。そのため、ノイズ検出手段４３Ａの増幅回路Ｎ１８では、必ずしも図９（Ａ）に示したような電荷リセット用スイッチＮ１８ｃのオン／オフ動作を行う必要はなく、例えば読み出し開始前に１回だけオン動作を行うことも可能であり、常時オフ状態とすることも可能である。また、電荷リセット用スイッチＮ１８ｃを、図９（Ａ）に示したようにオン／オフ動作させてもよい。
【０１０８】
いま、仮にノイズ検出手段４３Ａの増幅回路Ｎ１８の電荷リセット用スイッチＮ１８ｃでも図９（Ａ）に示したようなオン／オフ動作を行うこととし、図１５に示すように、電荷リセット用スイッチＮ１８ｃをオフ状態とした瞬間（例えば時刻ｔ０とする。）に、前述したいわゆるｋＴＣノイズ等を含め、増幅回路Ｎ１８のコンデンサＮ１８ｂに蓄積されている電荷ｑが、前述したいわゆるｋＴＣノイズ等を含めて、初期電荷ｑ０であるとする。なお、図１５では、電荷リセット用スイッチＮ１８ｃ等の記載が省略されている。
【０１０９】
また、図１６に示すように、その瞬間（時刻ｔ０）の補正信号線４３ａとバイアス線９の結線１０との間の電位差を、Ｖ０−Ｖbias(t0)と表す。従って、第１のコンデンサＣ１には、
ｑ１(t0)＝ｃ１・（Ｖ０−Ｖbias(t0)）    …（３）
の電荷ｑ１(t0)が蓄積されているものとする。なお、図１６では、基準電位Ｖ０が０［Ｖ］の場合が示されている。
【０１１０】
そして、上記のように、相関二重サンプリング回路Ｎ１９に１回目のパルス信号Ｓｐ１が送信される時刻ｔ１には、補正信号線４３ａとバイアス線９の結線１０との間の電位差はＶ０−Ｖbias(t1)に変動しており、第１のコンデンサＣ１に蓄積されている電荷ｑ１(t1)は、
ｑ１(t1)＝ｃ１・（Ｖ０−Ｖbias(t1)）    …（４）
に変化している。
【０１１１】
そのため、第１のコンデンサＣ１には、時刻ｔ０から時刻ｔ１の間に、
ｑ１(t1)−ｑ１(t0)＝ｃ１・（Ｖ０−Ｖbias(t1)）−ｃ１・（Ｖ０−Ｖbias(t0)）
＝ｃ１・（Ｖbias(t0) −Ｖbias(t1)）
の電荷が流入する。また、増幅回路Ｎ１８のコンデンサＮ１８ｂには、等量の正負が逆の電荷が流入するため、増幅回路Ｎ１８のコンデンサＮ１８ｂに蓄積されている電荷ｑは、初期電荷ｑ０からｑ０＋ｃ１・（Ｖbias(t1) −Ｖbias(t0)）に変化する。
【０１１２】
そして、この電荷ｑ０＋ｃ１・（Ｖbias(t1) −Ｖbias(t0)）に応じて増幅回路Ｎ１８のオペアンプＮ１８ａの出力側から出力されている電圧値が電圧値Ｖin(t1)として保持される。仮に増幅回路Ｎ１８のコンデンサＮ１８ｂに蓄積されている電荷ｑに比例した電圧値が増幅回路Ｎ１８のオペアンプＮ１８ａの出力側から出力されるとすると、比例定数をａとして、この場合、電圧値Ｖin(t1)は、
Ｖin(t1)＝ａ・｛ｑ０＋ｃ１・（Ｖbias(t1) −Ｖbias(t0)）｝  …（５）
となる。
【０１１３】
また、上記のように、相関二重サンプリング回路Ｎ１９に２回目のパルス信号Ｓｐ２が送信される時刻ｔ２には、補正信号線４３ａとバイアス線９の結線１０との間の電位差はＶ０−Ｖbias(t2)（図１６参照）に変動しており、第１のコンデンサＣ１に蓄積されている電荷ｑ１(t2)は、
ｑ１(t2)＝ｃ１・（Ｖ０−Ｖbias(t2)）    …（６）
に変化している。
【０１１４】
そのため、第１のコンデンサＣ１には、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間に、
ｑ１(t2)−ｑ１(t1)＝ｃ１・（Ｖ０−Ｖbias(t2)）−ｃ１・（Ｖ０−Ｖbias(t1)）
＝ｃ１・（Ｖbias(t1) −Ｖbias(t2)）
の電荷が流入する。また、増幅回路Ｎ１８のコンデンサＮ１８ｂには、ｃ１・（Ｖbias(t2) −Ｖbias(t1)）の電荷が流入するため、増幅回路Ｎ１８のコンデンサＮ１８ｂに蓄積されている電荷ｑは、時刻ｔ１のｑ０＋ｃ１・（Ｖbias(t1) −Ｖbias(t0)）から、
ｑ０＋ｃ１・（Ｖbias(t1) −Ｖbias(t0)）＋ｃ１・（Ｖbias(t2) −Ｖbias(t1)）
＝ｑ０＋ｃ１・（Ｖbias(t2) −Ｖbias(t0)）
に変化する。
【０１１５】
そして、この電荷ｑ０＋ｃ１・（Ｖbias(t2) −Ｖbias(t0)）に応じて増幅回路Ｎ１８のオペアンプＮ１８ａの出力側から出力されている電圧値が電圧値Ｖfi(t2)として保持される。そして、増幅回路Ｎ１８のコンデンサＮ１８ｂに蓄積されている電荷ｑに比例した電圧値が増幅回路Ｎ１８のオペアンプＮ１８ａの出力側から出力されるとすると、電圧値Ｖfi(t2)は、
Ｖfi(t2)＝ａ・｛ｑ０＋ｃ１・（Ｖbias(t2) −Ｖbias(t0)）｝  …（７）
となる。
【０１１６】
そのため、相関二重サンプリング回路Ｎ１９で算出されて出力される差分Ｖfi(t2)−Ｖin(t1)は、上記（５）式および（７）式から、
Ｖfi(t2)−Ｖin(t1)＝ａ・｛ｑ０＋ｃ１・（Ｖbias(t2) −Ｖbias(t0)）｝
−ａ・｛ｑ０＋ｃ１・（Ｖbias(t1) −Ｖbias(t0)）｝
∴Ｖfi(t2)−Ｖin(t1)＝ａ・ｃ１・（Ｖbias(t2) −Ｖbias(t1)）｝  …（８）
となり、この（８）式で算出されるａ・ｃ１・（Ｖbias(t2) −Ｖbias(t1)）｝がバイアス電圧Ｖbias(t)の電圧ノイズに起因するノイズデータｄｎＡとして出力される。
【０１１７】
そして、相関二重サンプリング回路Ｎ１９から出力されたバイアス電圧Ｖbias(t)の電圧ノイズに起因するノイズデータｄｎＡは、本実施形態では、図１５には図示を省略されているアナログマルチプレクサＮ２１を介してＡ／Ｄ変換器Ｎ２０に送信され、Ａ／Ｄ変換器Ｎ２０でデジタル値のノイズデータｄｎＡに変換されて、記憶手段４０に記憶される。
【０１１８】
ノイズ検出手段４３Ａは、このようにして、制御手段２２から相関二重サンプリング回路Ｎ１９にパルス信号Ｓｐ１、Ｓｐ２が送信されてくるごとに上記の動作を繰り返し、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理時に、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧が順次印加されてラインＬ１〜Ｌｘごとに各放射線検出素子７から画像データＤが読み出されるのにあわせて、各画像データＤに重畳されるバイアス電圧Ｖbias(t)の電圧ノイズに起因するノイズデータｄｎＡを順次取得していくようになっている。
【０１１９】
なお、上記の説明からも分かるように、バイアス電圧Ｖbias(t)には電圧ノイズが生じており時間的に変動するものであるため、走査線５の１ラインＬｎ分の各放射線検出素子７から読み出される画像データＤには同じノイズデータｄｎＡが重畳されるが、別のタイミングで読み出し動作が行われる走査線５の別のラインＬｍ分の各放射線検出素子７から読み出される画像データＤには、走査線５のラインＬｎ分の各放射線検出素子７から読み出される画像データＤに重畳されるノイズデータｄｎＡとは異なるノイズデータｄｎＡが重畳される。
【０１２０】
次に、第２のコンデンサＣ２およびスイッチ素子４３ｂと、結線１０、補正信号線４３ａ、読み出し回路Ｎ１７の系で構成されるノイズ検出手段４３Ｂの説明の前に、第３のコンデンサＣ３と、オフ電圧を供給している配線１５ｃ（或いはオフ電圧が印加されている走査線５）、補正信号線４３ａ、読み出し回路Ｎ１７の系で構成されるノイズ検出手段４３Ｃについて説明する。この系は、図１２に示したノイズ検出手段４３のうち、図１４に示す４３Ｂの部分で構成されるノイズ検出手段である。
【０１２１】
第３のコンデンサＣ３は、補正信号線４３ａと、走査駆動手段１５の電源回路１５ａからゲートドライバ１５ｂにオフ電圧を供給している配線１５ｃ（或いはオフ電圧が印加されている走査線５）との間の電位差Ｖ０−Ｖoffを、
ｑ３＝ｃ３・（Ｖ０−Ｖoff）    …（９）
の関係に従って電荷ｑ３に変換するようになっている。
【０１２２】
この場合も、オフ電圧Ｖoffは理想的には一定値となるが、実際には、オフ電圧Ｖoffには時間的にランダムに電圧ノイズ（ゆらぎ）が生じているため、オフ電圧Ｖoffを時間によって変動する値としてＶoff(t)と表すと、第３のコンデンサＣ３に蓄積される電荷ｑ３も時間によって変動する。そして、その値をｑ３(t)と表すと、上記（９）式は、
ｑ３(t)＝ｃ３・（Ｖ０−Ｖoff(t)）    …（１０）
と書き換えられる。なお、上記（９）、（１０）式におけるｃ３は第３のコンデンサＣ３の容量を表す。
【０１２３】
図３に示した信号線６の場合、走査線５との寄生容量は、主に図中にＢで示される信号線６と各走査線５との交差部分で発生する。そして、寄生容量が、１本の信号線６に対して、それと交差している走査線５の本数分発生し、しかも、信号線６と各走査線５とその間の絶縁層で形成されるコンデンサ状の構造が並列状に接続されたような状態となっている。
【０１２４】
そして、各走査線５には、ゲートドライバ１５ｂを介して走査駆動手段１５の電源回路１５ａから同じオフ電圧が印加されている（なお、そのため、各走査線５のオフ電圧には同じ電圧ノイズが生じている。）。そのため、交差する各走査線５に相当する１本の走査線を仮に想定した場合、その１本の走査線と当該信号線６とで形成されるコンデンサ状の構造の寄生容量は、信号線６と実際の各走査線５との間に形成されるコンデンサ状の構造における寄生容量の総和となる。
【０１２５】
そこで、本実施形態では、ノイズ検出手段４３Ｃの第３のコンデンサＣ３の容量ｃ３は、通常の信号線６（すなわち補正信号線４３ａではない図３に示した信号線６）と、それと交差しオフ電圧が印加された各走査線５との間の各寄生容量の総和ｃs-ｇと同じ容量になるように設定されている。
【０１２６】
なお、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理時には、通常の信号線６と交差する各走査線５のうち、１本の走査線５にオン電圧が印加され、その残りの各走査線５にオフ電圧が印加されるため、第３のコンデンサＣ３の容量ｃ３は、正確には、通常の信号線６と交差する各走査線５との間の各寄生容量の総和ｃs-ｇからコンデンサ状の構造１個分の寄生容量を減算した値に設定されるべきである。しかし、コンデンサ状の構造１個分の寄生容量は非常に小さいものであるため、第３のコンデンサＣ３の容量ｃ３を、通常の信号線６と交差する全ての走査線５との間の各寄生容量の総和ｃs-ｇと同じ容量に設定しても、実際上、何ら問題はない。
【０１２７】
また、第３のコンデンサＣ３を、補正信号線４３ａと走査線５との間に設ける場合にも、第３のコンデンサＣ３の容量ｃ３は、上記のように、通常の信号線６と交差する全ての走査線５との間の各寄生容量の総和ｃs-ｇと同じ容量に設定される。
【０１２８】
第３のコンデンサＣ３と、オフ電圧を供給している配線１５ｃ（或いはオフ電圧が印加されている走査線５）、補正信号線４３ａ、読み出し回路Ｎ１７の系で構成されるノイズ検出手段４３Ｃは、上記の第１のコンデンサＣ１を含む系がバイアス電圧Ｖbiasに起因するノイズデータｄｎＡを検出するものであったのに対し、読み出される画像データＤに重畳される、オフ電圧Ｖoff(t)の電圧ノイズに起因するノイズデータｄｎＣを検出するものである。
【０１２９】
従って、上記の第１のコンデンサＣ１の容量ｃ１、蓄積される電荷ｑ１、バイアス電圧Ｖbias（或いはバイアス電圧Ｖbias(t)）を、第３のコンデンサＣ３のｃ３、蓄積される電荷ｑ３、オフ電圧Ｖoff（或いはオフ電圧Ｖoff (t)）に変えるだけで全く同様に説明される。
【０１３０】
そして、この場合も、ノイズ検出手段４３Ｃは、制御手段２２から相関二重サンプリング回路Ｎ１９にパルス信号Ｓｐ１、Ｓｐ２が送信されてくるごとに上記の動作を繰り返し、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理時に、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧が順次印加されてラインＬ１〜Ｌｘごとに各放射線検出素子７から画像データＤが読み出されるのにあわせて、各画像データＤに重畳されるオフ電圧Ｖoff(t)の電圧ノイズに起因するノイズデータｄｎＣを順次取得し、Ａ／Ｄ変換器Ｎ２０でデジタル値のノイズデータｄｎＣに変換して、記憶手段４０に記憶するようになっている。
【０１３１】
なお、この場合も、ノイズ検出手段４３Ｃの増幅回路Ｎ１８では、必ずしも図９（Ａ）に示したような電荷リセット用スイッチＮ１８ｃのオン／オフ動作を行う必要はなく、例えば読み出し開始前に１回だけオン動作を行うことも可能であり、常時オフ状態とすることも可能である。また、電荷リセット用スイッチＮ１８ｃを、図９（Ａ）に示したようにオン／オフ動作させてもよい。
【０１３２】
次に、第２のコンデンサＣ２およびスイッチ素子４３ｂと、バイアス線９の結線１０、補正信号線４３ａ、読み出し回路Ｎ１７の系で構成されるノイズ検出手段４３Ｂについて説明する。
【０１３３】
この系は、図１２に示したノイズ検出手段４３のうち、図１４に示す４３Ｂの部分で構成されるノイズ検出手段であり、各放射線検出素子７のリセット処理の終了時と読み出し処理の終了時の間に各放射線検出素子７に蓄積されるノイズ成分をノイズデータｄｎとして検出するものである。以下、このノイズデータｄｎを、リセット終了時と読み出し終了時に発生するノイズデータｄｎＢという。
【０１３４】
本実施形態では、前述したように、放射線画像撮影装置１に対する放射線照射が行われて放射線画像撮影が行われた後、オン電圧を印加する走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘを順次切り替えながら、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理が行われるが、図１７に示すように、放射線画像撮影における放射線照射に先立って、各放射線検出素子７内に残存する電荷を放出してリセットする各放射線検出素子７のリセット処理が行われるようになっている。
【０１３５】
本実施形態では、リセット処理では、読み出し処理時と同様に、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから所定時間オン電圧を印加する走査線５を、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘごとに順次切り替えながら、オン電圧が印加された走査線５のラインＬに接続されている各ＴＦＴ８を順次オン状態として、各放射線検出素子７内に残存している電荷を順次信号線６に放出させるようになっている。
【０１３６】
一方、図５に示したように、放射線検出素子７は、第１電極７４と第２電極７８との間に変換層であるｉ層７６が介在するコンデンサ状の構造を有しており、放射線検出素子７自体が寄生容量ｃｐを有している。そして、図８に示したように、放射線検出素子７の第１電極７４には、増幅回路１８を介して基準電位Ｖ０が印加されており、第２電極７８にはバイアス線９や結線１０を介してバイアス電源１４からバイアス電圧が印加されている。
【０１３７】
前述したようにバイアス電圧Ｖbias(t)には電圧ノイズ（ゆらぎ）が生じているため、走査線５の１つのラインＬｎに注目した場合、リセット処理において、走査線５の当該ラインＬｎに所定時間印加されたオン電圧がオフ電圧に切り替えられ、走査線５の当該ラインＬｎに接続されている各ＴＦＴ８が一斉にオフ状態とされた瞬間（例えば時刻ｔ３とするが、上記の時刻ｔ０、ｔ１、ｔ２よりも前である。）のバイアス電圧Ｖbias(t)が予め設定された設定値Ｖbias_inと異なったものであると、各放射線検出素子７の各電極には、本来、
ｑin＝ｃｐ・（Ｖ０−Ｖbias_in）    …（１１）
で表される電荷ｑinが蓄積されるべきであるにもかかわらず、
ｑ(t3)＝ｃｐ・（Ｖ０−Ｖbias(t3)）    …（１２）
で表される電荷ｑ(t3)が蓄積される。
【０１３８】
そして、その状態で、各ＴＦＴ８がオフ状態とされ、各放射線検出素子７が、信号線６や読み出し回路１７から隔離されるが、その際、各放射線検出素子７は、
ｑ(t3)−ｑin＝ｃｐ・（Ｖ０−Ｖbias(t3)）−ｃｐ・（Ｖ０−Ｖbias_in）
∴ｑ(t3)−ｑin＝ｃｐ・（Ｖbias_in−Ｖbias(t3)）    …（１３）
で表される余分な電荷が蓄積された状態で隔離されてしまう。
【０１３９】
そして、その後、図１７に示したように、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されて放射線画像撮影が行われ、各放射線検出素子７に放射線の照射に伴う電荷すなわち真の画像データＤ＊に相当する電荷が蓄積され、それが読み出し処理で読み出される際に、この余分な電荷ｑ(t3)−ｑinも読み出される。
【０１４０】
また、真の画像データＤ＊に相当する電荷には、上記のようなリセット処理時にＴＦＴ８がオフ状態とされた際に隔離される余分な電荷ｑ(t3)のほかに、読み出し処理時に生じる余分な電荷が重畳される。
【０１４１】
すなわち、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理時に、読み出し処理が終了して、読み出し処理を行った走査線５の当該ラインＬｎに接続されている各ＴＦＴ８が一斉にオフ状態とされた瞬間（例えば時刻ｔ４とするが、上記の時刻ｔ０、ｔ１よりも後で時刻ｔ２よりも前である。）のバイアス電圧Ｖbias(t)が予め設定された設定値Ｖbias_inと異なったものであると、各放射線検出素子７の各電極には、やはり、上記と同様にして、
ｑ(t4)−ｑin＝ｃｐ・（Ｖbias_in−Ｖbias(t4)）    …（１４）
の電荷が各放射線検出素子７に保持される。
【０１４２】
そのため、走査線５の当該ラインＬｎにＴＦＴ８を介して接続された各放射線検出素子７から読み出される真の画像データＤ＊に相当する電荷には、結局、
ｑ(t3)−ｑ(t4)＝ｃｐ・（Ｖbias(t4)−Ｖbias(t3)）    …（１５）
の電荷が重畳されて読み出されることになる。
【０１４３】
このようにして、各放射線検出素子７のリセット処理が終了してＴＦＴ８がオフ状態とされた瞬間と読み出し処理が終了してＴＦＴ８がオフ状態とされた瞬間のバイアス電圧Ｖbiasの電圧ノイズに起因する電荷ｑ(t3)−ｑ(t4)に相当するノイズが、画像データＤに重畳される。なお、図１７に示したように、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加されたオン電圧がオフ電圧に切り替えられるタイミング、すなわち上記の時刻ｔ３、ｔ４が走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘごとに異なるため、この電荷ｑ(t3)−ｑ(t4)の値や、電荷ｑ(t3)−ｑ(t4)に相当するノイズも、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘごとに異なる値になる。
【０１４４】
ノイズ検出手段４３Ｂは、このノイズ成分をノイズデータｄｎＢとして検出するものである。すなわち、上記の走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘごとの放射線検出素子７とＴＦＴ８の組と、バイアス線９の結線１０、信号線６、読み出し回路１７の関係を、ゲート電極が走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにそれぞれ接続されたスイッチ素子４３ｂと第２のコンデンサＣ２との組（すなわち第２のコンデンサＣ２(n)とスイッチ素子４３ｂ(n)との組）と、結線１０、補正信号線４３ａ、読み出し回路Ｎ１７の系で再現して、上記のノイズ成分を、リセット終了時に発生するノイズデータｄｎＢとして検出するようになっている。
【０１４５】
本実施形態では、第２のコンデンサＣ２の容量ｃ２は、各放射線検出素子７の寄生容量ｃｐ（或いはそれらの平均値）と同じ容量とされている。そして、図１８に示すように、スイッチ素子４３ｂ(n)には、各放射線検出素子７のリセット処理時に、当該スイッチ素子４３ｂ(n)のゲート電極が接続されている走査線５のラインＬｎにオン電圧を印加するタイミングや時間と同じタイミングで同じ時間だけオン電圧を印加し、その後、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理に、走査線５のラインＬｎに接続されたＴＦＴ８にオン電圧を印加するタイミングや時間と同じタイミングで同じ時間だけオン電圧を印加して、第２のコンデンサＣ２(n)からノイズデータｄｎＢを読み出すようになっている。
【０１４６】
ところで、本実施形態では、図１２や図１４に示したように、ノイズ検出手段４３として、上記のノイズ検出手段４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃを全て含む形のノイズ検出手段４３を形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、これらのノイズ検出手段４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃを別々に設けることも可能である。この場合、補正信号線４３ａや読み出し回路Ｎ１７も別々に設けられる。
【０１４７】
また、画像データＤに重畳されるノイズデータｄｎＡ、ｄｎＢ、ｄｎＣの大きさは、バイアス電圧Ｖbiasやオフ電圧Ｖoffの電圧ノイズ自体の大きさに依存し、バイアス電圧Ｖbiasやオフ電圧Ｖoffの電圧ノイズ自体の大きさは、放射線画像撮影装置１に備えられるバイアス電源１４や走査駆動手段１５の電源回路１５ａの性能等で決まる。
【０１４８】
また、放射線検出素子７としてのフォトダイオードの寄生容量ｃｐの大きさや、基板４上における走査線５や信号線６、バイアス線９、結線１０等の配置や絶縁層の誘電率等によって決まる信号線６−走査線５間の寄生容量や信号線６−バイアス線９（或いは結線１０）間の寄生容量ｃs-bの大きさ等によっても画像データＤに重畳されるノイズデータｄｎＡ、ｄｎＢ、ｄｎＣの大きさが変わる。
【０１４９】
そして、ノイズデータｄｎＡ、ｄｎＢ、ｄｎＣの相対的な大きさも、上記のような種々の条件で変わり得る。
【０１５０】
そこで、例えば、各ノイズ検出手段４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃのうち、画像データＤに対して最も大きなノイズとして重畳されるノイズデータｄｎを検出するいずれか１つのノイズ検出手段のみでノイズ検出手段４３を構成することが可能である。また、画像データＤに対して相対的に大きなノイズとして重畳される２つのノイズデータｄｎを検出する２つのノイズ検出手段を組み合わせて構成することも可能である。
【０１５１】
制御手段２２は、上記のようにしてノイズ検出手段４３が検出したノイズデータｄｎＡ、ｄｎＢ、ｄｎＣを、通常の読み出し回路１７が読み出した各放射線検出素子７ごとの画像データＤからそれぞれ下記（１６）式に従って減算して補正して、補正後の真の画像データＤ＊を算出するようになっている。
Ｄ＊＝Ｄ−（ｄｎＡ＋ｄｎＢ＋ｄｎＣ）    …（１６）
【０１５２】
なお、上記のように、上記（１６）式の括弧内は、ノイズ検出手段４３がノイズ検出手段４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃのいずれかで構成されている場合にはｄｎＡ、ｄｎＢ、ｄｎＣのいずれか１つの項となり、また、ノイズ検出手段４３がノイズ検出手段４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃのいずれか２つが組み合わされて構成されている場合にはｄｎＡとｄｎＢ、ｄｎＡとｄｎＣ、ｄｎＢとｄｎＣのいずれか１つの項となることは言うまでもない。
【０１５３】
制御手段２２は、算出した各放射線検出素子７ごとの真の画像データＤ＊を、記憶手段４０に保存するとともに、所定のタイミングでアンテナ装置３９（図１、図７参照）を介して図示しないコンソール等の外部の画像処理装置に送信するようになっている。
【０１５４】
次に、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用について説明する。
【０１５５】
各放射線検出素子７に対するリセット処理が行われ、放射線画像撮影により図示しない被写体を介して放射線画像撮影装置１に放射線が照射された後、各放射線検出素子７から画像データＤを読み出すと、図１９に示すように、各放射線検出素子Ｉ１、Ｉ２、Ｊ、Ｋからはそれぞれの値の各画像データＤが読み出される。
【０１５６】
なお、図１９において、各放射線検出素子Ｉ１、Ｉ２は各ＴＦＴ８を介して同一の走査線５のラインＬｉに接続された放射線検出素子７であり、放射線検出素子Ｊ、ＫはラインＬｉとは異なる走査線５のラインＬｊ、Ｌｋ（ｉ≠ｊ≠ｋ）にそれぞれ接続された放射線検出素子７であるものとする。また、以下では、説明が複雑になることを避けるために、各放射線検出素子Ｉ１、Ｉ２、Ｊ、Ｋ自体の寄生容量ｃｐは同一であるものとする。
【０１５７】
前述したように、各放射線検出素子７のリセット処理時に、各放射線検出素子Ｉ１（およびＩ２）、Ｊ、Ｋの各ＴＦＴ８にそれぞれオン電圧が順次所定時間印加された後、各ＴＦＴ８がそれぞれオフ状態とされて各放射線検出素子Ｉ１（Ｉ２）、Ｊ、Ｋが信号線６や読み出し回路１７からそれぞれ隔離された瞬間（時刻ｔ３）のバイアス電圧Ｖbias(t3)の電圧ノイズに起因する電荷ｑ(t3)−ｑinに相当する各ノイズが、各放射線検出素子７内に蓄積される。バイアス電圧Ｖbias(t)が時間的にランダムにゆらぐため、この電荷ｑ(t3)−ｑinは、各放射線検出素子Ｉ１（およびＩ２）、Ｊ、Ｋの各ＴＦＴ８がそれぞれオフ状態される各タイミングで異なる値をとる。
【０１５８】
また、上記のように、各放射線検出素子Ｉ１、Ｉ２、Ｊ、Ｋからの画像データＤの読み出し処理において走査線５の各ラインＬｉ、Ｌｊ、Ｌｋにオン電圧が印加された後、オフ電圧が印加されるタイミングがそれぞれ異なる。そのため、結局、上記（１５）式で算出される電荷ｑ(t3)−ｑ(t4)に相当するノイズ、すなわち、異なるタイミングでリセット処理され、異なるタイミングで読み出される放射線検出素子Ｉ１（Ｉ２）、Ｊ、Ｋからの各画像データＤに重畳されるリセット終了時と読み出し終了時に発生するノイズデータｄｎＢは、それぞれ異なる値になる。なお、放射線検出素子Ｉ１、Ｉ２では、ノイズデータｄｎＢは同じ値になる。
【０１５９】
そして、このノイズデータｄｎＢは、図１８に示したように、リセット処理や読み出し処理で、放射線検出素子Ｉ１（Ｉ２）、Ｊ、Ｋの各ＴＦＴ８に走査線５の各ラインＬｉ、Ｌｊ、Ｌｋからオン電圧やオフ電圧を印加するタイミングと同じタイミングで、ノイズ検出手段４３Ｂ（図１４参照）のスイッチ素子４３ｂ(i)、４３ｂ(j)、４３ｂ(k)にオン電圧やオフ電圧を印加して読み出し回路Ｎ１７で読み出すことで、各放射線検出素子Ｉ１（Ｉ２）、Ｊ、Ｋに対応する第２のコンデンサＣ２(i)、Ｃ２(j)、Ｃ２(k)からそれぞれ読み出して検出することができる。
【０１６０】
また、上記のように、各放射線検出素子Ｉ１、Ｉ２、Ｊ、Ｋからの画像データＤの読み出し処理において走査線５の各ラインＬｉ、Ｌｊ、Ｌｋにオン電圧が印加されるタイミングがそれぞれ異なるため、時間的にランダムにゆらぐバイアス電圧Ｖbias(t)の電圧ノイズやオフ電圧Ｖoff(t)の電圧ノイズも各タイミングで異なる値をとる。
【０１６１】
そのため、同一の走査線５のラインＬｉに接続され、同じタイミングで読み出される放射線検出素子Ｉ１、Ｉ２からの各画像データＤに重畳される、バイアス電圧Ｖbias(t)の電圧ノイズに起因するノイズデータｄｎＡやオフ電圧Ｖoff(t)の電圧ノイズに起因するノイズデータｄｎＣは、それぞれ同じ値となるが、異なる走査線５のラインＬｉ、Ｌｊ、Ｌｋに接続され、異なるタイミングで読み出される放射線検出素子Ｉ１（Ｉ２）、Ｊ、Ｋからの各画像データＤに重畳されるノイズデータｄｎＡやノイズデータｄｎＣは、それぞれ異なる値になる。
【０１６２】
そして、これらのノイズデータｄｎＡやノイズデータｄｎＣは、ノイズ検出手段４３Ａやノイズ検出手段４３Ｃ（図１４参照）で、放射線検出素子Ｉ１（Ｉ２）、Ｊ、Ｋからの各画像データＤの読み出しタイミングと同じタイミングで電圧ノイズに起因する電荷ノイズを検出することで、各読み出しタイミングごとのノイズデータｄｎＡやノイズデータｄｎＣを検出することができる。
【０１６３】
この場合、本実施形態のように、ノイズ検出手段４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃが同一の読み出し回路Ｎ１７を共有するように構成されていれば、読み出し回路Ｎ１７では、各読み出しタイミングごとに、ノイズデータｄｎＡ、ｄｎＢ、ｄｎＣの合計がノイズデータｄｎとして検出される。
【０１６４】
そのため、制御手段２２で、上記（１６）式に従って、各放射線検出素子Ｉ１、Ｉ２、Ｊ、Ｋから読みされた各画像データＤから、検出されたｄｎＢ、および、各画像データＤを読み出した読み出しタイミングと同じタイミングで検出されたノイズデータｄｎＡ、ｄｎＣを減算して補正することで、各放射線検出素子Ｉ１、Ｉ２、Ｊ、Ｋごとの真の画像データＤ＊を取得することが可能となる。
【０１６５】
なお、図１９では、いずれもノイズデータｄｎＡ、ｄｎＢ、ｄｎＣがそれぞれ正の値である場合が示されているが、ノイズデータｄｎＡ、ｄｎＢ、ｄｎＣは０や負の値となる場合もある。
【０１６６】
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、ノイズ検出手段４３の補正信号線４３ａと、バイアス線９や結線１０との間に第１のコンデンサＣ１を設けたり、バイアス線９や結線１０との間に第２のコンデンサＣ２とスイッチ素子４３ｂを設けたり、或いは、走査線５との間または走査駆動手段１５の電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとを結ぶ配線１５ｃとの間に第３のコンデンサＣ３を設けて、各放射線検出素子７から読み出された画像データＤに重畳されているバイアス電圧Ｖbias(t)の電圧ノイズに起因するノイズデータｄｎＡやリセット終了時と読み出し終了時に発生するノイズデータｄｎＢ、或いはオフ電圧Ｖoff(t)の電圧ノイズに起因するノイズデータｄｎＣを検出する。
【０１６７】
そのため、それらを画像データＤから減算して画像データＤを補正することで、補正後の画像データである真の画像データＤ＊を的確に算出することが可能となり、バイアス電圧Ｖbias(t)や走査線５に印加されるオフ電圧Ｖoff(t)の電圧ノイズに起因して生じるノイズを的確に検出して、それらノイズの画像データＤに対する影響を的確に低減することが可能となる。
【０１６８】
そして、そのため、画像データＤに基づいて生成される放射線画像の画質が向上し、例えば、このような放射線画像を用いて診断を行うような場合に、医師等が病変部を見落としたり正常な部分を病変部と見誤ったりして誤診を生じる等の不都合を生じることを的確に防止することが可能となる。
【０１６９】
また、ノイズ検出手段４３は、補正信号線４３ａや第１、第２、第３のコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３等で構成され、それらと、バイアス線９やその結線１０、或いは、走査線５や走査駆動手段１５の電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとを結ぶ配線１５ｃとを電気的に接続するだけで構成することができる。そのため、ノイズ検出手段４３を基板４の表面４ａ側や裏面４ｂ側、或いは、フレキ基板ＣＯＦ１２上に設けるように構成することが可能となり、ノイズ検出手段４３を、放射線画像撮影装置１の任意の位置に形成することが可能となる。
【０１７０】
そのため、ノイズ検出手段４３を基板４の表面４ａ側に設けることで基板４が必要以上に大きくなり不都合である場合には、ノイズ検出手段４３を基板４の裏面４ｂ側やフレキ基板ＣＯＦ１２上に設けるように構成することで不都合を回避することが可能となるなど、放射線画像撮影装置１の構成の自由度を十分に確保することが可能となる。
【０１７１】
なお、検出部Ｐにおける信号線６等の構成は図３に示した構成に限定されず、種々の構成を取ることができる。そして、例えば、信号線６とバイアス線９やその結線１０とが基板４上で交差しないように構成することも可能であり、検出部Ｐにおける信号線６等の構成は適宜決められる。
【０１７２】
また、その際、バイアス電圧Ｖbias(t)の電圧ノイズに起因するノイズデータｄｎＡが他のノイズデータｄｎＢ、ｄｎＣと比較して相対的に小さな値となり無視できるようになる場合がある。そのような場合に、ノイズ検出手段４３を、リセット終了時と読み出し終了時に発生するノイズデータｄｎＢを検出するノイズ検出手段４３Ｂや、オフ電圧Ｖoff(t)の電圧ノイズに起因するノイズデータｄｎＣを検出するノイズ検出手段４３Ｃ、或いはそれらを組み合わせて構成することが可能であることは前述したとおりである。
【０１７３】
［第２の実施の形態］
ノイズ検出手段４３を、上記の図１２や図１４、図１５に示したように構成すると、第１の実施形態で説明したとおり、読み出し回路１７で読み出されたバイアス電圧Ｖbias(t)の電圧ノイズに起因するノイズデータｄｎＡや、リセット終了時と読み出し終了時に発生するノイズデータｄｎＢ、或いはオフ電圧Ｖoff(t)の電圧ノイズに起因するノイズデータｄｎＣをノイズ検出手段４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃで的確に検出することが可能となり、検出したノイズデータｄｎを画像データＤから減算して補正することで、真の画像データＤ＊を的確に算出して取得することが可能となる。
【０１７４】
しかし、その場合、ノイズ検出手段４３の読み出し回路Ｎ１７の性能にもよるが、ノイズデータｄｎの検出の際に、図２０に示すように、ノイズデータｄｎに、ノイズ検出手段４３の読み出し回路Ｎ１７自体で発生するノイズ成分ｄｎ_roが重畳されて検出される場合がある。このノイズ成分ｄｎ_roも時間的にランダムに発生するノイズとなる。
【０１７５】
そのため、図２１に示すように、仮に、走査線５のラインＬｓ、Ｌｔに接続された各放射線検出素子Ｓ、Ｔから異なる読み出しタイミングで読み出された各画像データＤが同じ値であり、各画像データＤ中のノイズデータｄｎ（すなわち本実施形態ではｄｎＡ＋ｄｎＢ＋ｄｎＣ）が同じ値であっても、異なるノイズ成分ｄｎ_roが重畳されたノイズデータｄｎを画像データＤから減算して真の画像データＤ＊を算出すると、真の画像データＤ＊が異なる値になる。
【０１７６】
このように、同じ読み出しタイミングで走査線５の１ラインＬｓ分の各放射線検出素子７から画像データＤが読み出されるのと同時に読み出されるノイズデータｄｎには同じノイズ成分ｄｎ_roが重畳されるが、別の読み出しタイミングで走査線５の１ラインＬｔ分の各放射線検出素子７から画像データＤが読み出されるのと同時に読み出されるノイズデータｄｎには、上記のノイズ成分ｄｎ_roとは異なるノイズ成分ｄｎ_roがノイズデータｄｎに重畳される。
【０１７７】
そのため、ノイズ検出手段４３で検出したノイズ成分ｄｎ_roが重畳されたノイズデータｄｎで画像データＤを補正して算出した真の画像データＤ＊に基づいて放射線画像を生成すると、前述した横引きノイズの場合と同様に、やはり走査線方向に延びる縞状の模様が現れる現象が生じる場合がある。
【０１７８】
本発明の第２の実施形態では、上記の第１の実施形態に係る放射線画像撮影装置１の効果を的確に発揮させつつ、しかも、このようなノイズ検出手段４３の読み出し回路Ｎ１７で発生するノイズ成分ｄｎ_roの画像データＤ（真の画像データＤ＊）に対する影響を低減可能な放射線画像撮影装置について説明する。
【０１７９】
これを実現するために、本実施形態のノイズ検出手段４３では、ノイズ検出手段４３Ａにおける第１のコンデンサＣ１の容量ｃ１として、通常の信号線６とバイアス線９或いはその結線１０との間の寄生容量ｃs-bと同じ容量ではなく、その寄生容量ｃs-bに所定値Ｗ１（Ｗ１＞１）を乗算した値Ｗ１ｃs-bになるように設定されるようになっている。
【０１８０】
また、ノイズ検出手段４３Ｂにおける第２のコンデンサＣ２の容量ｃ２として、各放射線検出素子７の寄生容量ｃｐ（或いはそれらの平均値）と同じ容量ではなく、その寄生容量ｃｐに所定値Ｗ２（Ｗ２＞１）を乗算した値Ｗ２ｃｐになるように設定されるようになっている。
【０１８１】
さらに、ノイズ検出手段４３Ｃにおける第３のコンデンサＣ３の容量ｃ３として、通常の信号線６と、それと交差しオフ電圧が印加された各走査線５との間の各寄生容量の総和ｃs-ｇと同じ容量ではなく、その各寄生容量の総和ｃs-ｇに所定値Ｗ３（Ｗ３＞１）を乗算した値Ｗ３ｃs-ｇになるように設定されるようになっている。
【０１８２】
そして、各所定値Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３が同一の値であれば処理を容易に行うことが可能となるため、上記の所定値として同一の所定値Ｗを用いることが好ましい。本実施形態においても、上記の所定値として同一の所定値Ｗを用いるようになっている。所定値Ｗは、例えば１０に設定される。その場合、第１、第２、第３のコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３の容量ｃ１、ｃ２、ｃ３は、それぞれ１０×ｃs-b、１０×ｃｐ、１０×ｃs-ｇに設定される。
【０１８３】
このように第１のコンデンサＣ１等の容量ｃ１等が例えばＷ×ｃs-b等に設定されると、読み出し回路Ｎ１７から出力されるノイズデータは、第１の実施形態の場合に検出されるノイズデータｄｎがＷ倍されたノイズデータとして出力されて検出される。以下、このＷ倍されたノイズデータをノイズデータＤｎと表す。
【０１８４】
また、本実施形態では、ノイズ検出手段４３には、図２２に示すように、読み出し回路Ｎ１７の下流側に乗算器４３ｃが設けられており、乗算器４３ｃは、ノイズ検出手段４３が検出し、読み出し回路Ｎ１７から出力されたノイズデータＤｎに、前記所定値Ｗの逆数１／Ｗを乗算するようになっている。
【０１８５】
なお、乗算器４３ｃを、読み出し回路Ｎ１７の下流側に設ける代わりに、例えば読み出し回路Ｎ１７の増幅回路Ｎ１８（図１５参照）の下流側に設けてもよく、乗算器４３ｃは、読み出し回路Ｎ１７の増幅回路Ｎ１８の下流側であれば、任意の位置に設けることが可能である。
【０１８６】
ノイズ検出手段４３を上記のように構成すると、上記のように、ノイズ検出手段４３では、第１の実施形態の場合に検出されるノイズデータｄｎのＷ倍のノイズデータＤｎが検出される。しかし、読み出し回路Ｎ１７自体は第１の実施形態における読み出し回路Ｎ１７と同じ読み出し回路が用いられているため、図２３に示すように、読み出し回路Ｎ１７自体で発生しノイズデータＤｎに重畳されるノイズ成分ｄｎ_roは、第１の実施形態の場合にノイズデータｄｎに重畳されるノイズ成分ｄｎ_roと同じ値になる。
【０１８７】
そして、乗算器４３ｃで、ノイズ成分ｄｎ_roが重畳されたノイズデータＤｎが１／Ｗ倍されると、ノイズデータＤｎが１／Ｗ倍されて第１の実施形態の場合と同じノイズデータｄｎとなるとともに、読み出し回路Ｎ１７自体で発生してノイズデータＤｎに重畳されたノイズ成分ｄｎ_roはその１／Ｗに小さくなる。
【０１８８】
そして、例えば、図２１に示した条件と同じ条件、すなわち走査線５のラインＬｓ、Ｌｔに接続された各放射線検出素子Ｓ、Ｔから異なる読み出しタイミングで読み出した各画像データＤや各画像データ中のノイズデータｄｎがそれぞれ同じ値であり、ノイズデータｄｎに重畳される読み出し回路Ｎ１７自体のノイズ成分ｄｎ_roが異なる場合であっても、ノイズ成分ｄｎ_roが１／Ｗ倍されると、１／Ｗ倍されたノイズ成分ｄｎ_ro同士すなわち１／Ｗ×ｄｎ_ro同士の差は小さくなる。
【０１８９】
そこで、ノイズ検出手段４３でノイズデータｄｎがＷ倍されたノイズデータＤｎを検出し、乗算器４３ｃで、ノイズ検出手段４３が検出したノイズデータＤｎとそれに重畳された読み出し回路Ｎ１７自体で発生したノイズ成分ｄｎ_roに対して所定値Ｗの逆数１／Ｗを乗算した値ｄｎ＋（１／Ｗ×ｄｎ_ro）を出力する。
【０１９０】
そして、図２４に示すように、制御手段２２で、読み出し回路１７が読み出した各画像データＤから、それぞれ乗算器４３ｃが出力した値ｄｎ＋（１／Ｗ×ｄｎ_ro）を減算して補正し、補正後の画像データすなわち真の画像データＤ＊を算出するように構成することが可能である。
【０１９１】
そして、このように構成すれば、１／Ｗ倍されたノイズ成分ｄｎ_ro（すなわち１／Ｗ×ｄｎ_ro）同士の差が小さくなるため、真の画像データＤ＊に基づいて放射線画像を生成すると、放射線画像では、前述したような走査線方向に延びる縞状の模様が視認できなくなり、放射線画像の画質を向上させることが可能となる。
【０１９２】
なお、所定値Ｗの値を大きくしても、ノイズデータｄｎは、Ｗ倍された後、１／Ｗ倍されるため、第１の実施形態におけるノイズデータｄｎを同じノイズデータｄｎが得られる。そのため、本実施形態においても、ノイズ検出手段４３で画像データＤ中に重畳されているノイズデータｄｎを的確に検出し、制御手段２２で、画像データＤからノイズデータｄｎを減算して的確に真の画像データＤ＊を算出することができる。
【０１９３】
また、所定値Ｗの値を大きくすれば、読み出し回路Ｎ１７自体で発生したノイズ成分ｄｎ_roに乗算される所定値Ｗの逆数１／Ｗは小さくなるため、１／Ｗ倍されたノイズ成分ｄｎ_roはより小さくなり、制御手段２２で減算することで、補正後の画像データを真の画像データＤ＊により近い値とすることが可能となる。
【０１９４】
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置によれば、第１の実施形態に係る放射線画像撮影装置１と全く同様の効果を得ることが可能となる。また、第１の実施形態の構成では、ノイズ検出手段４３の読み出し回路Ｎ１７自体で発生するノイズ成分ｄｎ_roが大きく、真の画像データＤ＊に基づいて生成した放射線画像上に走査線方向に延びる縞状の模様が現れる現象が生じる場合であっても、読み出し回路Ｎ１７自体で発生するノイズ成分ｄｎ_roを１／Ｗ倍して低減することで、真の画像データＤ＊に基づいて生成した放射線画像上に、走査線方向に延びる縞状の模様が視認できない状態とすることが可能となり、放射線画像の画質を向上させることが可能となる。
【０１９５】
そして、そのため、例えば、このような放射線画像を用いて診断を行うような場合に、医師等が病変部を見落としたり正常な部分を病変部と見誤ったりして誤診を生じる等の不都合を生じることを的確に防止することが可能となる。
【０１９６】
また、本実施形態のノイズ検出手段４３は、第１の実施形態に係るノイズ検出手段４３に乗算器４３ｃを加えるだけで形成できるため、ノイズ検出手段４３を基板４の表面４ａ側や裏面４ｂ側、或いは、フレキ基板ＣＯＦ１２上に設けるように構成することが可能となり、ノイズ検出手段４３を、放射線画像撮影装置１の任意の位置に形成することが可能となる。
【０１９７】
そのため、ノイズ検出手段４３を基板４の表面４ａ側に設けることで基板４を必要以上に大きくなり不都合である場合には、ノイズ検出手段４３を基板４の裏面４ｂ側やフレキ基板ＣＯＦ１２上に設けるように構成することで不都合を回避することが可能となるなど、放射線画像撮影装置１の構成の自由度を十分に確保することが可能となる。
【０１９８】
なお、上記の第２の実施形態において、ノイズ検出手段４３の第１、第２、第３のコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３の容量ｃ１、ｃ２、ｃ３を、第１の実施形態の場合の各容量に所定値Ｗ１（Ｗ１＞１）を乗算した値になるように設定する代わりに、ノイズ検出手段４３の増幅回路Ｎ１８のコンデンサＮ１８ｂ（図１５参照）の容量を、読み出し回路１７の増幅回路１８のコンデンサ１８ｂよりも小さい容量に設定することで、ノイズ検出手段４３で検出されるノイズデータを、第１の実施形態で検出されるノイズデータｄｎの所定値Ｗ倍するように構成することも可能である。
【０１９９】
すなわち、読み出し回路１７の増幅回路１８のコンデンサ１８ｂの容量をｃｆとし、ノイズ検出手段４３の増幅回路Ｎ１８のコンデンサＮ１８ｂの容量をｃｆｎとすると、この場合、ノイズ検出手段４３の読み出し回路Ｎ１８から出力されるノイズデータは、第１の実施形態のノイズ検出手段４３の読み出し回路Ｎ１８から出力されるノイズデータｄｎのｃｆ／ｃｆｎ倍になる。
【０２００】
そのため、ノイズ検出手段４３の読み出し回路Ｎ１８のコンデンサＮ１８ｂの容量ｃｆｎを、
Ｗ＝ｃｆ／ｃｆｎ
∴ｃｆｎ＝ｃｆ／Ｗ    …（１７）
で算出される容量ｃｆｎに設定すれば、第１、第２、第３のコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３の容量ｃ１、ｃ２、ｃ３が第１の実施形態の場合の各容量と同じ容量のままでも、読み出し回路Ｎ１７から出力されるノイズデータを、上記のノイズデータＤｎと同様に、実質的に第１の実施形態で検出されるノイズデータｄｎのＷ倍とすることが可能となる。
【０２０１】
なお、ノイズ検出手段４３の増幅回路Ｎ１８のコンデンサＮ１８ｂの容量をｃｆｎに可変させても、読み出し回路Ｎ１７自体で発生し、ノイズデータＤｎに重畳されるノイズ成分ｄｎ_ro自体の大きさは変わらない。そのため、読み出し回路Ｎ１７の下流側に乗算器４３ｃを設け、乗算器４３ｃで、ノイズ検出手段４３の読み出し回路Ｎ１７から出力された値を１／Ｗ倍すれば、上記の第２の実施形態と全く同様の効果を得ることが可能となる。なお、乗算器４３ｃは、アナログ回路で構成しても良く、また、デジタル演算処理を行うように構成することも可能である。
【０２０２】
また、上記の第２の実施形態では、読み出し回路１７で読み出した画像データＤから、ノイズ検出手段４３からの出力値が１／Ｗ倍された値を減算する減算処理を制御手段２２で行う場合について説明したが、図２５に簡略化して示すように、読み出し回路１７や乗算器４３ｃの下流側にそれぞれ差分回路４４を設け、差分回路４４で上記の減算処理をアナログ信号上で自動的に行うように構成することも可能である。これは、第２の実施形態に限らず、第１の実施形態においても同様である。なお、第１の実施形態に差分回路４４を設ける場合には、図２５に示した乗算器４３ｃが設けられないことは言うまでもない。
【０２０３】
さらに、上記の第２の実施形態では、同一の読み出し回路Ｎ１７に対して、第１、第２、第３のコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３を接続する構成について説明したが、第１、第２、第３のコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３ごとに独立した読み出し回路Ｎ１７を設け、すなわち、ノイズ検出手段４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃをそれぞれ独立して設けて、検出したノイズデータｄｎＡ、ｄｎＢ、ｄｎＣを所定値Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３で除算して加算し、加算値を画像データＤから差分するように構成することも可能である（上記（１６）式参照）。
【０２０４】
この場合、所定値Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３はそれぞれ別々の値に設定することが可能であり、その場合、ノイズデータｄｎＡ、ｄｎＢ、ｄｎＣをそれぞれ所定値Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３で除算すれば、除算した値ｄｎＡ／Ｗ１、ｄｎＢ／Ｗ２、ｄｎＣ／Ｗ３は、画像データＤに実際に重畳されるノイズ成分と確実に同じ値となり、真の画像データＤ＊を的確に算出することが可能となる。
【０２０５】
一方、上記の第１、第２の実施形態では、前述したように、ノイズ検出手段４３Ａ、４３Ｃはバイアス電圧Ｖbias(t)やオフ電圧Ｖoff(t)の電圧ノイズに起因する電荷ノイズであるノイズデータｄｎＡ、ｄｎＣを検出するものであり、ノイズ検出手段４３の第１、第３のコンデンサＣ１、Ｃ３は、それぞれ電圧ノイズを電荷ノイズに変換するものであるが、ノイズ検出手段４３が、第１、第３のコンデンサＣ１、Ｃ３を備える代わりに、それらの容量ｃ１、ｃ３に対応する抵抗値ｒ１、ｒ３を有する抵抗器Ｒ１、Ｒ３を備えるように構成することも可能である。
【０２０６】
このように構成すれば、信号線６（或いはそれに対応する補正信号線４３ａ）とバイアス線９（或いはその結線１０）との間の電位差Ｖ０−Ｖbias(t)等を、電荷に変換することなく電流に変換し、変換された電流を電圧に変換することで直接検出し、電圧ノイズを直接検出して画像データＤを補正することが可能となる。
【０２０７】
なお、このように構成する場合、ノイズ検出手段４３の増幅回路Ｎ１８においても、コンデンサＮ１８ｃの代わりに、その容量ｃｆｎに対応する抵抗値ｒｆｎを有する抵抗器Ｒｆが用いられる。その際、抵抗器Ｒ１、Ｒ３、Ｒｆの抵抗値ｒ１、ｒ３、ｒｆｎは、
ｃ１／ｃｆｎ＝ｒｆｎ／ｒ１    …（１８）
ｃ３／ｃｆｎ＝ｒｆｎ／ｒ３    …（１９）
の関係を満たすように設定される。なお、ｃｆｎは、前述したように、ノイズ検出手段４３の増幅回路Ｎ１８のコンデンサＮ１８ｂの容量である。
【０２０８】
なお、その他、本発明が上記の各実施形態に限定されず、適宜変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【０２０９】
１  放射線画像撮影装置
４  基板
５  走査線
６  信号線
７  放射線検出素子
８  ＴＦＴ（スイッチ手段）
９  バイアス線
１０  結線（バイアス線）
１４  バイアス電源
１５  走査駆動手段
１５ａ  電源回路
１５ｂ  ゲートドライバ
１５ｃ  配線
１７  読み出し回路
１８  増幅回路
１８ａ  オペアンプ
１８ｂ  コンデンサ
２２  制御手段
４３、４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ  ノイズ検出手段
４３ａ  補正信号線
４３ｂ  スイッチ素子
４４  差分回路
Ｃ１  第１のコンデンサ
ｃ１  第１のコンデンサの容量
Ｃ２  第２のコンデンサ
ｃ２  第２のコンデンサの容量
Ｃ３  第３のコンデンサ
ｃ３  第３のコンデンサの容量
ｃｆ  読み出し回路の増幅回路のコンデンサの容量
ｃｆｎ  ノイズ検出手段の増幅回路のコンデンサの容量
ｃｐ  放射線検出素子の寄生容量
ｃs-b  信号線とバイアス線との間の寄生容量
ｃs-g  信号線と交差する複数の走査線との間の各寄生容量の総和
Ｄ  画像データ
Ｄ＊  真の画像データ（補正後の画像データ）
ｄｎ、ｄｎＡ、ｄｎＢ、ｄｎＣ  ノイズデータ
Ｎ１８  増幅回路
Ｎ１８ａ  オペアンプ
Ｎ１８ｂ  コンデンサ
Ｐ  検出部
ｑ(t3)−ｑ(t4)  リセット時の電荷ノイズと読み出し処理時の電荷ノイズとの差
ｒ  領域
Ｖ０−Ｖbias(t)  補正信号線とバイアス線との間の電位差
Ｖ０−Ｖoff(t)  補正信号線と走査線との間の電位差
Ｖ０−Ｖoff(t)  補正信号線と配線との間の電位差
Ｖbias、Ｖbias(t)  バイアス電圧
Ｖoff、Ｖoff(t)  オフ電圧
Ｗ  所定値
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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