(57)【要約】【課題】液浸液中の洗浄液の濃度を確実に規定値以下とすることが可能な液浸露光装置を提供する。【解決手段】投影光学系１４下端部の鉛直下方に配設可能で、露光対象膜を有する半導体基板を載置し、退避可能な基板ステージ１７、投影光学１４系下端部と露光対象膜との間に液浸液を満たすように供給する液浸液供給部３２及び液浸液を排出する液浸液排出部３６と液浸液排出管３７、基板ステージ１７を置き換えて、投影光学系１４下端部の鉛直下方に配設可能で、供給口から排出口へ流れる洗浄液２５または液浸液を保持し、退避可能な洗浄ステージ１５、洗浄ステージ１５中に、液浸液と接した接触領域を含むように洗浄液２５を供給する洗浄液供給部２１及び洗浄液を排出する洗浄液排出管２８、並びに、液浸液排出管３７に配設され、液浸液中の洗浄液２５の濃度を測定する濃度測定器３０を備える。【選択図】  図１
2011142250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系下端部の鉛直下方に配設することが可能で、露光対象膜を有する基体を載置し、退避可能に構成された基体ステージと、
前記投影光学系下端部と前記露光対象膜との間に液浸液を満たすように供給する液浸液供給系及び前記液浸液を排出する液浸液排出系と、
前記基体ステージを置き換えて、前記投影光学系下端部の鉛直下方に配設することが可能で、供給口から排出口へ流れる洗浄液または液浸液を保持し、退避可能に構成された洗浄ステージと、
前記洗浄ステージ中に、前記液浸液と接した接触領域を含むように前記洗浄液を供給する洗浄液供給系及び前記洗浄液を排出する洗浄液排出系と、
前記液浸液排出系または前記洗浄液排出系に配設され、前記液浸液中の前記洗浄液の濃度を測定する濃度測定器と、
を有することを特徴とする液浸露光装置。
【請求項２】
投影光学系と基体ステージの間の露光対象膜が液浸液を介して露光された後、前記基体ステージを前記投影光学系の下端部の近接位置から退避させる工程と、
前記投影光学系の下端部の鉛直下方に洗浄ステージを配設し、前記液浸液と接触した接触領域を含むように洗浄液を洗浄ステージに満たし、前記洗浄ステージ上の前記洗浄液を供給口から排出口へ流しながら前記接触領域を洗浄する工程と、
前記洗浄液を停止し、前記洗浄液を前記液浸液で置換しながら、前記液浸液中の前記洗浄液の濃度を測定し、前記濃度を規定値まで下げる工程と、
前記液浸液の供給を停止し、前記洗浄ステージを前記投影光学系の下端部の近接位置から退避させる工程と、
を有することを特徴とする液浸露光装置の洗浄方法。
【請求項３】
前記洗浄液の前記供給口または前記排出口は、前記洗浄ステージに設けられていることを特徴とする請求項２に記載の液浸露光装置の洗浄方法。
【請求項４】
前記洗浄液の前記供給口及び前記排出口は、前記洗浄ステージの外部に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の液浸露光装置の洗浄方法。
【請求項５】
前記液浸液中の前記洗浄液の濃度測定は、前記洗浄液の排出管、または、前記洗浄液及び前記液浸液の共用の排出管に開口を有する濃度測定器により行われることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の液浸露光装置の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液浸露光装置及びその洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化に伴い、液浸露光装置を使用したデバイス製造の機会が増えてきている。液浸露光装置は、投影光学系と露光対象膜（レジスト膜等）との間に液体（液浸液）を満たし、液浸液を介して露光対象膜に露光光を照射する構成をとる。液浸液は露光対象膜、投影光学系等と接触するため、接触した露光対象膜からの汚染物質が液浸液を介して投影光学系等へ付着する可能性がある。
【０００３】
そこで、付着した汚染物質を取り除くことが必要となる。例えば、液浸露光装置に供給される洗浄液に気泡を生成する気泡生成部と、気泡生成部で生成される気泡を制御するコントローラと、液浸露光装置の液浸液に接触した部位に付着したパーティクル（汚染物質）の情報を取得するパーティクルモニタとを備えて、付着したパーティクルを除去する液浸露光装置が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
開示された液浸露光装置は、レーザ照射によるパーティクル（汚染物質）の情報により、パーティクルが十分に除去されるまで洗浄することが可能である。しかしながら、パーティクルを一定量以下に除去した後、洗浄液を液浸液に置き換えるが、洗浄液として使用したオゾン水等の機能水の置換がどの程度なされているかについての言及及び示唆等は開示されていない。つまり、十分に置換されずに残った洗浄液を含んだ液浸液は、液浸液に接触する露光対象膜等をより多く溶解する場合があり、その結果、露光対象膜等が薄くなり、また、液浸液に接触した部位により多くの汚染物質が付着するという問題は残されたままである。汚染物質が投影光学系に付着すると、レチクル上のマスクパターンが正常に転写されずに半導体デバイスの製造歩留まりを下げるという問題も発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２５２０４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、液浸液中の洗浄液の濃度を確実に規定値以下とすることが可能な液浸露光装置及びその洗浄方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の液浸露光装置は、投影光学系下端部の鉛直下方に配設することが可能で、露光対象膜を有する基体を載置し、退避可能に構成された基体ステージと、前記投影光学系下端部と前記露光対象膜との間に液浸液を満たすように供給する液浸液供給系及び前記液浸液を排出する液浸液排出系と、前記基体ステージを置き換えて、前記投影光学系下端部の鉛直下方に配設することが可能で、供給口から排出口へ流れる洗浄液または液浸液を保持し、退避可能に構成された洗浄ステージと、前記洗浄ステージ中に、前記液浸液と接した接触領域を含むように前記洗浄液を供給する洗浄液供給系及び前記洗浄液を排出する洗浄液排出系と、前記液浸液排出系または前記洗浄液排出系に配設され、前記液浸液中の前記洗浄液の濃度を測定する濃度測定器とを有することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の別の態様の液浸露光装置の洗浄方法は、投影光学系と基体ステージの間の露光対象膜が液浸液を介して露光された後、前記基体ステージを前記投影光学系の下端部の近接位置から退避させる工程と、前記投影光学系の下端部の鉛直下方に洗浄ステージを配設し、前記液浸液と接触した接触領域を含むように洗浄液を洗浄ステージに満たし、前記洗浄ステージ上の前記洗浄液を供給口から排出口へ流しながら前記接触領域を洗浄する工程と、前記洗浄液を停止し、前記洗浄液を前記液浸液で置換しながら、前記液浸液中の前記洗浄液の濃度を測定し、前記濃度を規定値まで下げる工程と、前記液浸液の供給を停止し、前記洗浄ステージを前記投影光学系の下端部の近接位置から退避させる工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、液浸液中の洗浄液の濃度を確実に規定値以下とすることが可能な液浸露光装置及びその洗浄方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液浸露光装置の洗浄時の構成を模式的に示す図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る液浸露光装置の洗浄方法を示すフローチャート。
【図３】本発明の第２の実施形態の変形例に係る液浸露光装置の洗浄時の構成を模式的に示す図。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る液浸露光装置の洗浄時の構成を模式的に示す図。
【図５】本発明の第４の実施形態に係る液浸露光装置の洗浄時の構成を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付している。
【００１２】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る液浸露光装置及びその洗浄方法について、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００１３】
図１に示すように、液浸露光装置１は、鉛直線にほぼ平行な光軸に沿って上から、光源１１、照明光学系１２、レチクルステージ１３、及び投影光学系１４が配設されている。液浸露光装置１は、洗浄時、投影光学系１４の下方に洗浄ステージ１５が配設され、洗浄ステージ１５と投影光学系１４下端部（レンズ）の間に洗浄液２５が満たされる。洗浄液２５は供給側から排出側に流される。液浸露光装置１は、液浸液排出管３７の途中に液浸液中の洗浄液２５の濃度を監視する濃度測定器３０が配設されている。洗浄後、洗浄液２５の液浸液への置換時、濃度測定器３０が液浸液中の洗浄液濃度を監視する。
【００１４】
図示を省略するが、液浸露光装置１は、露光時、洗浄ステージ１５を置き換えて基体ステージである基板ステージ１７が配設され、基板ステージ１７上の露光対象膜が表面に形成された基体である半導体基板と投影光学系１４下端部との間の光路空間に、液浸液が満たされる。露光対象膜は、フォトレジスト膜（以下、レジスト膜）、フォトレジスト膜を保護するトップコート膜等からなる。
【００１５】
洗浄ステージ１５は、洗浄液２５を溜めるためのフェンス１６が上面の周囲に配設されている。洗浄ステージ１５は、フェンス１６で囲まれた上面に開いた開口を通して、下方から洗浄液２５が供給される。洗浄ステージ１５のこの供給口は、洗浄液供給管２２を介して洗浄液供給部２１に接続されている。洗浄液供給管２２は、途中に開閉を制御するバルブ２３が接続されている。洗浄液供給部２１は、洗浄液２５を収容するタンク、加圧ポンプ、流量制御器等を備えており、洗浄液供給管２２が比較的短い場合には、バルブ２３は必ずしも必要ない。洗浄液供給系は、洗浄液供給部２１、洗浄液供給管２２、及びバルブ２３を含んでいる。
【００１６】
洗浄液２５は、フェンス１６で囲まれた洗浄ステージ１５の上面に開いた別の開口を通して、下方へ排出される。洗浄ステージ１５のこの排出口は、洗浄液排出管２８を通して排出される。洗浄液排出管２８は、途中に開閉を制御するバルブ２７が接続されている。なお、洗浄液排出管２８は、洗浄液２５の排出量を制御する流量制御器、吸引ポンプ等を備えた洗浄液排出部に接続されることは可能である。洗浄液排出系は、バルブ２７及び洗浄液排出管２８を含んでいる。
【００１７】
液浸露光装置１は、投影光学系１４の外部から液浸液を供給するために、液浸液供給管３１、液浸液供給部３２、及び供給ノズル３３が順に接続されている。液浸液供給部３２は、液浸液を収容するタンク、加圧ポンプ、流量制御器等を備えている。供給ノズル３３は、投影光学系１４の下端部下方に光路を遮ることがない位置に配置されている。液浸液供給系は、液浸液供給管３１、液浸液供給部３２、及び供給ノズル３３を含んでいる。
【００１８】
露光時、液浸液は、液浸液供給管３１を介して、外部から液浸液供給部３２に供給されて、供給ノズル３３から半導体基板と投影光学系１４の下端部とが対向する光路空間に供給される。洗浄時、液浸液は、洗浄液を置換するために、露光時と同様な経路で、洗浄ステージ１５と投影光学系１４の下端部とが対向する空間に供給される。
【００１９】
液浸露光装置１は、外部へ液浸液を排出するために、排出ノズル３５、液浸液排出部３６、及び液浸液排出管３７が順に接続されている。液浸液排出部３６は、液浸液を収容するタンク、吸引ポンプ、流量制御器等を備えている。排出ノズル３５は、投影光学系１４の下端部下方に光路を遮ることがない位置に配置され、液浸液を効率的に排出する構成を有している。供給ノズル３３及び排出ノズル３５の先端部またはその近傍に、液浸液を半導体基板上の光路空間に保持するための囲いが配設されることは可能である。また、液浸液供給管３１及び液浸液排出管３７の途中に、それぞれ、開閉を制御するバルブが配設されてもよい。液浸液排出系は、排出ノズル３５、液浸液排出部３６、及び液浸液排出管３７を含んでいる。
【００２０】
液浸液排出管３７は、途中に開口を有し、この開口から液浸液が濃度測定器３０へ導入され、濃度測定器３０を経た液浸液が液浸液排出管３７の下流側に排出される。濃度測定器３０は、液浸液中の洗浄液の量（濃度）を測定し、規定値と比較する。
【００２１】
光源１１は、例えば、ＡｒＦエキシマレーザ（波長λ＝１９３ｎｍ）である。回路パターンの形成は、レチクルステージ１３上にマスクパターンが形成されたフォトマスクであるレチクル（図示略）が設置され、光源１１より発するレーザ光を照明光学系１２で集光してレチクルに照射することから始まる。レチクルに照射されたレーザ光は、投影光学系１４を介して基板ステージ１７上の露光対象膜表面で結像され、マスクパターンが露光対象膜のレジスト膜に転写される。なお、光源１１は、ＫｒＦエキシマレーザー（波長λ＝２４８ｎｍ）やＦ２レーザー（波長λ＝１５７ｎｍ）であってもよい。
【００２２】
図示を省略するが、レチクルステージ１３と基板ステージ１７は共に水平方向に駆動可能である。それぞれのステージ１３、１７位置は、例えば、それぞれのステージ干渉計によりモニタされ、制御される。レチクルステージ１３と基板ステージ１７は、例えば、スキャンアンドリピート方式で駆動され、マスクパターンが露光対象膜に転写される。
【００２３】
露光時、半導体基板と投影光学系１４の下端部とが対向する光路空間に液浸液の層（厚み１００μｍ程度）が形成される。例えば、純水である液浸液を満たして露光することにより、露光解像度を向上することができる。液浸液としてＡｒＦ光源における屈折率が１．４４となる純水を用いた液浸露光装置１は、空気（屈折率＝１）が投影光学系１４と露光対象膜との間に満たされているドライの露光装置に比べて、投影光学系１４の開口数が実質的に１．４４倍となり、解像度を向上することができる。
【００２４】
液浸液は、露光時、温度上昇を防ぐ等の目的で流れが形成され、流れながら露光対象膜が形成された半導体基板を始め、投影光学系１４下端部、供給ノズル３３、及び排出ノズル３５等に接触する。その結果、液浸液中には、主に露光対象膜から汚染物質が取り込まれ、汚染物質は、投影光学系１４下端部、供給ノズル３３、及び排出ノズル３５等の液浸液との接触領域に付着することになる。
【００２５】
次に、液浸露光装置１の液浸液を介して付着した汚染物質の洗浄方法について説明する。図２に示すように、露光対象膜に露光が終わった後、投影光学系１４下端部にある液浸液が基板ステージ１７に置かれた露光対象膜上等から排出され、露光された半導体基板が所定の位置に移動され、基板ステージ１７を退避させる（ステップＳ１１）。基板ステージ１７は水平方向に退避する他、投影光学系１４下端部に対向状態のまま、下方のより離れた位置に退避することは可能である。
【００２６】
投影光学系１４下端部に対向する位置に、洗浄ステージ１５が配設される（ステップＳ１２）。投影光学系１４下端部と露光対象膜との距離は、例えば、約１００μｍに保持されていたが、投影光学系１４下端部と洗浄ステージ１５の上面との距離は、約１００μｍより大きくてもよい。
【００２７】
洗浄ステージ１５の上面のフェンス１６に囲まれた液溜め領域に、液浸液に接触していた投影光学系１４下端部、供給ノズル３３、及び排出ノズル３５等の接触領域に少なくとも到達するまで洗浄液２５を供給する。この液溜め領域の洗浄液２５の量を維持しながら、洗浄液２５が流動化され、液浸液との接触領域の洗浄は、洗浄液２５の流量または供給時間等で管理されて、実施される（ステップＳ１３）。
【００２８】
液浸液との接触領域まで洗浄液２５を満たすため、洗浄液２５の表面位置を検出することは有効である。洗浄液２５は、洗浄ステージ１５の供給口から供給し、排出口から排出することによって、流れが形成される。洗浄液２５の流量または供給時間等は、直前に終了した半導体基板の露光対象膜種、処理枚数等により決められる。
【００２９】
洗浄液２５は、例えば、アルカリ性のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Tetramethylammonium Hydroxide、ＴＭＡＨ）を含んだ水溶液である。ＴＭＡＨは、例えば、２．３８重量％乃至それ以下の濃度で使用されることが多く、洗浄液２５中のＴＭＡＨの濃度は、高々２．３８重量％である。なお、洗浄液２５は、他にエーテル系の溶剤、例えば、ジエチルグリコールモノブチルエーテル等を含む溶液とすることが可能、また、アルコール系の溶剤、例えば、イソプロピルアルコール等を含む溶液とすることが可能である。
【００３０】
洗浄液２５の供給を停止し、洗浄ステージ１５の液溜め領域から排出する（ステップＳ１４）。洗浄液供給管２２のバルブ２３が閉じられ、洗浄液２５の排出後、洗浄液排出管２８のバルブ２７が閉じられる。
【００３１】
洗浄ステージ１５の液溜め領域に、液浸液供給部３２から純水（液浸液）が供給され、液溜め領域から溢れ出さないように液浸液排出部３６からの排出を開始し、洗浄液２５を液浸液に置き換える（ステップＳ１５）。液浸液は、洗浄液２５が接触した接触領域に少なくとも到達するまで供給される。液浸液の表面位置を検出することは有効である。なお、洗浄液２５を液浸液に置換するとき、一部を洗浄液排出管２８を通して排出し、また、液浸液の一部を洗浄液供給管２２のバルブ２３の洗浄ステージ１５側の直前に付けた排出バルブから排出して、洗浄液２５の液浸液置換への影響を低減することは可能である。
【００３２】
液浸液中の洗浄液２５の濃度を濃度測定器３０で測定し、測定した濃度を予め設定した規格値と比較する（ステップＳ１６）。規格値より大きい場合は、洗浄液２５が残っているので、ＮＧと判断され、洗浄液２５を液浸液に置き換える工程を継続する。一方、規格値より小さい場合は、洗浄液２５が液浸液として使用可能な程度まで減少しているので、ＯＫと判断され、次の工程に進める。
【００３３】
液浸液中の洗浄液２５の濃度規定値は、次に露光する半導体基板の露光対象膜種、液浸液と接触する可能性のある膜種等に基づいて設定される。なお、ＴＭＡＨを使用する場合、濃度測定器３０は、市販の測定器、例えば、導電率を測定して濃度に換算するＨＥ−９６０Ｈ−ＴＭ（堀場製作所）等を利用することは可能である。また、ジエチルグリコールモノブチルエーテル、イソプロピルアルコール等の場合、それぞれの溶剤の持つ化学的または物理的性質、例えば、屈折率等を測定し、濃度に換算することが可能である。
【００３４】
洗浄ステージ１５の液溜め領域へ供給される液浸液が止められ、液溜め領域から液浸液が排出された後、洗浄ステージ１５は投影光学系１４下の位置から退避される（ステップＳ１７）。液溜め領域中の液浸液は、必ずしも完全に排出されなくてもよい。
【００３５】
基板ステージ１７は、半導体基板が所定の位置に載置されて、投影光学系１４下の位置に配設される（ステップＳ１８）。洗浄ステージ１５が周知の露光工程を邪魔しない位置に退避されているので、基板ステージ１７が露光位置に配設されることにより、以降、周知の露光工程を実施することが可能である。
【００３６】
上述したように、液浸露光装置１は、洗浄液供給管２２及び洗浄液排出管２８が接続され、液浸液との接触領域を洗浄可能とする洗浄ステージ１５を有し、洗浄後、液浸液中の洗浄液濃度をモニタできる濃度測定器３０が液浸液排出管３７に設けられている。液浸露光装置１は、洗浄液濃度が規定値以下となるまで、十分な置換を実施することが可能となる。洗浄液の置換を時間等で管理する方法に比較して、より適する時間で、すなわちより短い時間で、液浸液中の洗浄液の濃度を確実に規定値以下に下げることができるので、洗浄液の残りが、露光対象膜、半導体基板等に及ぼす影響、例えば、過剰にエッチングされること等を抑制することが可能となる。つまり、液浸露光装置１は、洗浄液の液浸液への置換時間を必要最小限にとどめて、製造工程における歩留まり低下を抑制することが可能となる。
【００３７】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る液浸露光装置及びその洗浄方法について、図３を参照しながら説明する。第１の実施形態の液浸露光装置１との違いは、濃度測定器が洗浄液排出管の途中に設けられる点である。なお、第１の実施形態と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００３８】
図３に示すように、液浸露光装置２は、液浸露光装置１とは異なり、濃度測定器３０と同様な濃度測定器４０が洗浄液排出管２８の途中、例えば、洗浄ステージ１５とバルブ２７との間に設けられている。その他は、液浸露光装置１の構成と同じである。
【００３９】
濃度測定器４０が洗浄液排出管２８の途中に配設されたことで、洗浄液の液浸液への置換の排出経路が第１の実施形態とは異なる。すなわち、液浸液供給装置３２から供給された液浸液は、洗浄ステージ１５の液溜め領域から洗浄液排出管２８を経由して、排出される。濃度測定器４０による洗浄液の濃度測定は、第１の実施形態の濃度測定器３０と同様に行われる。液浸液中の洗浄液の濃度が規定値以下となった時点で、液浸液による置換を終了する。そして、濃度測定器４０が基板ステージ１７の投影光学系１４下への配設に支障をきたす場合、洗浄ステージ１５の退避に合わせて、濃度測定器４０も退避させる。
【００４０】
液浸露光装置２は、液浸露光装置１が有する効果を同様に有している。液浸露光装置２は、濃度測定器４０が洗浄液排出管２８の途中に設けられているので、液浸液の供給系及び排出系とは別な系として作製、取り付けることが可能である。その結果、従来の液浸露光装置に洗浄液供給系及び洗浄液排出系を比較的簡単に追加して、液浸露光装置２とすることが可能となる。
【００４１】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態に係る液浸露光装置及びその洗浄方法について、図４を参照しながら説明する。第１の実施形態の液浸露光装置１との違いは、液浸液排出管が洗浄液排出管を兼ねている点である。なお、第１及び第２の実施形態と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００４２】
図４に示すように、液浸露光装置３は、液浸露光装置１と異なり、専用の洗浄液排出管が配設されていない。液浸露光装置３は、液浸露光装置１の洗浄ステージ１５を置き換えて、洗浄ステージ４５が配設され、洗浄ステージ４５は洗浄液供給管２２を介して洗浄液供給部２１に接続されている。洗浄ステージ４５の洗浄液２５は、液浸液排出管３７を介して排出される構成である。つまり、液浸液排出系は、洗浄液排出系でもある。その他は、液浸露光装置１の構成と同じである。
【００４３】
専用の洗浄液排出管が省かれたことにより、洗浄液２５の排出経路が第１の実施形態とは異なる。すなわち、洗浄液供給部２１から洗浄ステージ４５へ供給された洗浄液は、洗浄ステージ４５の液溜め領域から液浸液排出管３７を経由して、排出される。洗浄後、洗浄液２５の液浸液への置換は、液浸露光装置１と同様であり、濃度測定器３０での測定、測定した濃度を予め設定した規格値と比較することも同様である。
【００４４】
液浸露光装置３は、液浸露光装置１が有する効果を同様に有している。液浸露光装置３は、専用の洗浄液排出管等の洗浄液排出系が省かれたことにより、洗浄ステージ４５及びその周辺の占有領域が減少され、洗浄時以外の退避等が容易となる。
【００４５】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態に係る液浸露光装置及びその洗浄方法について、図５を参照しながら説明する。第３の実施形態の液浸露光装置３との違いは、洗浄液供給が液浸液供給と同様に、洗浄ステージの上方から行われる点である。なお、第１乃至第３の実施形態と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００４６】
図５に示すように、液浸露光装置４は、液浸露光装置３と異なり、洗浄液供給管の供給口が洗浄ステージ５５の上方に、液浸液の供給ノズル３３に類する位置に配設されている。液浸露光装置４は、液浸露光装置３の洗浄ステージ４５を置き換えて、洗浄ステージ５５が配設され、洗浄ステージ５５には洗浄液供給管が直接接続されることはない。つまり、洗浄液供給部２１と接続された洗浄液供給管５２の供給口は、洗浄ステージ５５から離れて配置されている。なお、洗浄液供給管５２の供給口が、洗浄ステージ５５と接触して配置されてもよい。洗浄液供給系は、洗浄液供給部２１、洗浄液供給管５２、及びバルブ５３を含んでいる。
【００４７】
洗浄液供給管５２は、途中にバルブ５３が配設されているが、洗浄液供給管５２が短い場合、バルブ５３がなくてもよい。なお、液浸液の供給ノズル３３を介して、洗浄液２５を供給することは可能であり、その場合、洗浄液供給管５２は、供給ノズル３３に接続されて、露光時の退避が必要ない構成となる。その他は、液浸露光装置３の構成と同様である。
【００４８】
洗浄ステージ５５と接続される洗浄液供給管及び洗浄液排出管がない構成をなし、洗浄液２５は、液浸液と類似の供給及び排出経路をとる。すなわち、洗浄液供給部２１から洗浄液供給管５２を介して洗浄ステージ５５へ供給された洗浄液は、洗浄ステージ５５の液溜め領域から液浸液排出管３７を経由して、排出される。洗浄後、洗浄液２５の液浸液への置換は、液浸露光装置１と同様であり、濃度測定器３０での測定、測定した濃度を予め設定した規格値と比較することも同様である。洗浄液２５の液浸液への置換時及び露光時、洗浄液供給管５２は、液浸液と接触しないように退避される。
【００４９】
液浸露光装置４は、液浸露光装置３が有する効果を同様に有している。液浸露光装置４は、洗浄液供給管の接続がないことにより、洗浄ステージ５５及びその周辺の占有領域が一層低減され、洗浄時以外の退避等が容易となる。
【００５０】
第４の実施形態の変形例として、液浸露光装置４において、洗浄ステージ５５は液浸露光装置１の洗浄ステージ１５の有する洗浄液排出管２８及びバルブ２７が接続された構成を取ることは可能である。また、液浸露光装置４において、洗浄ステージ５５が液浸露光装置２の洗浄ステージ１５が有する洗浄液排出管２７、バルブ２７、及び濃度測定器４０が接続された構成を取ることは可能である。
【００５１】
以上、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【００５２】
例えば、実施形態では、液浸液が純水であり、洗浄液を純水で置換する例を示したが、液浸液が純水以外の露光に適する屈折率を有する液体であって、この液浸液で洗浄液を置換すること、また、洗浄液を置換するときにのみ液浸液供給ノズルから純水を供給して置換することは可能である。
【００５３】
また、基体は半導体基板である例を示したが、基体はガラス基板、誘電体結晶基板、プラスチック基板、金属板等であることは可能である。
【００５４】
以下の付記に記載されているような構成が考えられる。  
（付記１）  投影光学系と基体ステージの間の露光対象膜が液浸液を介して露光された後、前記基体ステージを前記投影光学系の下端部の近接位置から退避させる工程と、前記投影光学系の下端部の鉛直下方に洗浄ステージを配設し、前記液浸液と接触した接触領域を含むように洗浄液を洗浄ステージに満たし、前記洗浄ステージ上の前記洗浄液を供給口から排出口へ流しながら前記接触領域を洗浄する工程と、前記洗浄液を停止し、前記洗浄液を前記液浸液で置換しながら、前記液浸液中の前記洗浄液の濃度を測定し、前記濃度を規定値まで下げる工程と、前記液浸液の供給を停止し、前記洗浄ステージを前記投影光学系の下端部の近接位置から退避させる工程とを有する液浸露光装置の洗浄方法。
【００５５】
（付記２）  前記洗浄液は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、ジエチルグリコールモノブチルエーテル、及びイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）のいずれか１つを含む付記１に記載の液浸露光装置の洗浄方法。
【符号の説明】
【００５６】
１、２、３、４  液浸露光装置
１１  光源
１２  照明光学系
１３  レチクルステージ
１４  投影光学系
１５、４５、５５  洗浄ステージ
１６  フェンス
１７  基板ステージ
２１  洗浄液供給部
２２、５２  洗浄液供給管
２３、２７、５３  バルブ
２５  洗浄液
２８  洗浄液排出管
３０、４０  濃度測定器
３１  液浸液供給管
３２  液浸液供給部
３３  供給ノズル
３５  排出ノズル
３６  液浸液排出部
３７  液浸液排出管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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