(57)【要約】【課題】部品と貼着性シートとの間の密着性を向上させて、この間への絶縁材の潜り込みをより確実に防止し、部品の搭載位置精度を向上させる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】主面間に貫通した収容部１１１を有する板状のコア基板１１と、収容部内に収容された部品１２と、収容部と部品との間隙を閉塞する充填部１５と、を備えた配線基板１の製法であって、複数のコア基板１１が連結されてなる連結コア部ＡＧ１１を有するコア基板集合体ＡＧを準備する工程ＰＲ１と、貼着面２ａを有する貼着性シート２を、面２ａが収容部の内部に露出するように、連結コア部の一方の主面ＭＰ２に貼着して、収容部の一方の主面ＭＰ２側を閉塞する工程ＰＲ２と、収容部内に露出された面２ａに部品を貼着して固定する工程ＰＲ３と、減圧下において部品と貼着性シートとを密着させる工程ＰＲ４と、を備える。【選択図】図２
2011210892.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面間に貫通してなる収容部を有する板状のコア基板と、該収容部内に収容された部品と、該収容部と該部品との間隙を閉塞する充填部と、を備えた配線基板の製造方法であって、
複数の前記コア基板が連結されてなる連結コア部を有するコア基板集合体を準備するコア基板集合体準備工程と、
貼着面を有する貼着性シートを、該貼着面が前記収容部の内部に露出するように、前記連結コア部の一方の主面に貼着して、該収容部の一方の主面側を閉塞する収容部閉塞工程と、
前記収容部内に露出された前記貼着面に、前記部品を貼着して固定する部品配置工程と、
減圧下において、前記部品と前記貼着性シートとを密着させる部品密着工程と、を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記部品密着工程における前記密着は、前記部品を、第１主面側から押圧して行う請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記部品密着工程における前記密着は、前記貼着性シートの前記部品が貼着された部位を第２主面側から押圧して行う請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記部品は、表面導体層を有し、
前記部品密着工程の後に、粗化液を用いて前記表面導体層を粗化する粗化工程を備える請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１主面上に、フィルム状の絶縁材を配置する絶縁材配置工程と、
前記絶縁材を加熱押圧して、該絶縁材の一部を前記収容部内に充填するとともに、前記充填部を形成する絶縁材充填工程と、を備える請求項１乃至４のうちのいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁材充填工程後に、前記貼着性シートを、前記第２主面から剥離する剥離工程を備える請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記コア基板の主面上に絶縁層と導体層とを交互に積層することによりビルドアップ部を形成するビルドアップ部形成工程、をさらに備える請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板の製造方法に関する。更に詳しくは、部品を内蔵した配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、搭載される半導体集積回路素子のスイッチングノイズ低減及び動作電源電圧の安定化等の目的でコンデンサを内蔵した配線基板が知られているように、各種部品を配線基板の内部に内蔵させた配線基板が知られている。このような配線基板の製造に際しては、予めコア基板に形成された収容部に部品を配置した後、コア基板の収容部と部品との間隙を閉塞し、収容部内に部品を固定する方法が採用される。このような技術として下記特許公報１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３５１７７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記特許文献１には、コア基板に形成された収容部（特許文献１における副コア収容部）の第２主面側の開口を粘着シートで塞ぎ、部品（特許文献１におけるセラミック副コア）を収容部の第１主面の開口側から収容した後、コア基板と部品との隙間に絶縁剤（特許文献１における充填樹脂）を注入して硬化させる方法が特許文献１に開示されている。そして、前記収容の際に部品が粘着シートにうまく密着していない状態で充填樹脂の注入を行うと、部品と粘着シートとの間に絶縁材が浸入してしまうという問題があることが開示されている。
【０００５】
本発明は、上記問題を異なる観点から解決するものであり、収容部に収容された部品の底面と貼着性シートとの間の密着性を更に向上させて、部品の底面と貼着性シートの貼着面との間への絶縁材の潜り込みをより確実に防止すると共に、部品の搭載位置精度を向上させることができる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は以下に示す通りである。
〔１〕主面ＭＰ１、ＭＰ２間に貫通してなる収容部１１１を有する板状のコア基板１１と、該収容部１１１内に収容された部品１２と、該収容部１１１と該部品１２との間隙を閉塞する充填部１５と、を備えた配線基板１の製造方法であって、
複数の前記コア基板１１が連結されてなる連結コア部ＡＧ１１を有するコア基板集合体ＡＧを準備するコア基板集合体準備工程ＰＲ１と、
貼着面２ａを有する貼着性シート２を、該貼着面２ａが前記収容部１１１の内部に露出するように、前記連結コア部ＡＧ１１の一方の主面ＭＰ２に貼着して、該収容部１１１の一方の主面ＭＰ２側を閉塞する収容部閉塞工程ＰＲ２と、
前記収容部１１１内に露出された前記貼着面２ａに、前記部品１２を貼着して固定する部品配置工程ＰＲ３と、
減圧下において、前記部品１２と前記貼着性シート２とを密着させる部品密着工程ＰＲ４と、を備えることを特徴とする配線基板１の製造方法。
〔２〕前記部品密着工程ＰＲ４における前記密着は、前記部品１２を、第１主面ＭＰ１側から押圧して行う前記〔１〕に記載の配線基板１の製造方法。
〔３〕前記部品密着工程ＰＲ４における前記密着は、前記貼着性シート２の前記部品１２が貼着された部位を第２主面ＭＰ２側から押圧して行う前記〔１〕又は〔２〕に記載の配線基板１の製造方法。
〔４〕前記部品１２は、表面導体層１２４を有し、
前記部品密着工程ＰＲ４の後に、粗化液を用いて前記表面導体層１２４を粗化する粗化工程ＰＲ５を備える前記〔１〕乃至〔３〕のうちのいずれかに記載の配線基板１の製造方法。
〔５〕前記第１主面ＭＰ１上に、フィルム状の絶縁材Ｓ１５を配置する絶縁材配置工程ＰＲ６と、
前記絶縁材Ｓ１５を加熱押圧して、該絶縁材Ｓ１５の一部を前記収容部１１１内に充填するとともに、前記充填部１５を形成する絶縁材充填工程ＰＲ７と、を備える前記〔１〕乃至〔４〕のうちのいずれかに記載の配線基板１の製造方法。
〔６〕前記絶縁材充填工程ＰＲ７後に、前記貼着性シート２を、前記第２主面ＭＰ２から剥離する剥離工程ＰＲ８を備える前記〔１〕乃至〔５〕のうちのいずれかに記載の配線基板１の製造方法。
〔７〕前記コア基板１１の主面ＭＰ１、ＭＰ２上に絶縁層１３１と導体層１３２とを交互に積層することによりビルドアップ部１３を形成するビルドアップ部形成工程ＰＲ１０、をさらに備える前記〔６〕に記載の配線基板１の製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法によれば、収容部１１１に収容された部品１２の底面と貼着性シート２の貼着面２ａとの間の密着性を更に向上させて、部１２品の底面と貼着性シート２ａの貼着面２ａとの間への絶縁材Ｓ１５の潜り込みをより確実に防止すると共に、部品１２の搭載位置精度を向上させることができる。
部品密着工程ＰＲ４における密着が、部品１２を、第１主面ＭＰ１側から押圧して行われる場合には、より効果的に、部品１２の底面と貼着性シート２ａの貼着面２ａとの間の密着性を向上させることができる。
部品密着工程ＰＲ４における密着が、貼着性シート２の部品１２が貼着された部位を第２主面ＭＰ２側から押圧して行われる場合には、部品１２の底面と貼着性シート２ａの貼着面２ａとの間の密着性を向上させることができる。
部品１２が表面導体層１２４を有し、部品密着工程ＰＲ４の後に、粗化液を用いて表面導体層１２４を粗化する粗化工程ＰＲ５を備える場合は、粗化液が部品１２の底面と貼着性シート２の貼着面２ａとの間へ侵入することを防止できるために、部品密着工程ＰＲ４を行うことによる作用をより効果的に得ることができる。
第１主面ＭＰ１上に、フィルム状の絶縁材Ｓ１５を配置する絶縁材配置工程ＰＲ６と、絶縁材Ｓ１５を加熱押圧して、絶縁材Ｓ１５の一部を収容部１１１内に充填するとともに、充填部１５を形成する絶縁材充填工程ＰＲ７と、を備える場合は、ディスペンサーを用いて流動性を有する絶縁材を部品１２と収容部１１１との間隙を閉塞する方法に比べて、より大きな圧力で充填剤が充填されるために、部品密着工程ＰＲ４を行うことによる作用をより効果的に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本製造方法により製造できる配線基板の一例の断面図である。
【図２】本製造方法の概要を模式的に示す説明図である。
【図３】部品密着工程の一例を模式的に示す説明図である。
【図４】部品密着工程の他例を模式的に示す説明図である。
【図５】部品密着工程の概要を模式的に示す説明図である。
【図６】部品配置工程前におけるコア基板集合体の平面視状態を説明する説明図である。
【図７】絶縁材充填工程後におけるコア基板集合体の平面視状態を説明する説明図である。
【図８】部品としての積層セラミックコンデンサの一例の模式的な断面図である。
【図９】積層セラミックコンデンサの一の導体層の形状を説明する平面図である。
【図１０】積層セラミックコンデンサの他の導体層の形状を説明する平面図である。
【図１１】積層セラミックコンデンサの表面導体層の形状を説明する平面図である。
【図１２】本実施例に用いた製造方法を説明する説明図である。
【図１３】図１２に続く工程の説明図である。
【図１４】図１３に続く工程の説明図である。
【図１５】図１４に続く工程の説明図である。
【図１６】図１５に続く工程の説明図である。
【図１７】図１６に続く工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明について、図面を参照しながら以下詳細に説明する。尚、図２〜７ではコア基板集合体ＡＧを示して説明するが、図１及び図８〜１７では、細部をより詳細に図示するために便宜上、１つのコア基板１１を示して説明する。また、以下では、コア基板１１に限らず、各部は図中上面を第１主面ＭＰ１側とし、下面を第２主面ＭＰ２側として説明する。
【００１０】
本発明の配線基板の製造方法は、主面ＭＰ１、ＭＰ２間に貫通してなる収容部１１１を有する板状のコア基板１１と、該収容部１１１内に収容された部品１２と、該収容部１１１と該部品１２との間隙を閉塞する充填部１５と、を備えた配線基板１の製造方法である。本方法で製造するこの配線基板１について、図を用いて詳述する。
【００１１】
［１］配線基板
前記「配線基板（１）」は、コア基板１１と、部品１２と、充填部１５と、を備える（図１参照）。
前記「コア基板（１１）」は、絶縁材料から構成された板状体であり、配線基板１の厚さ方向における中心部をなす。コア基板１１を構成する絶縁材料としては絶縁性樹脂が好ましく、例えば、エポキシ樹脂やビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。また、コア基板１１には、補強材（ガラス繊維等の補強繊維）及び充填剤（シリカ、アルミナ等の各種フィラー）等が含まれてもよい。即ち、例えば、コア基板１１としては、ガラス繊維強化エポキシ樹脂等の繊維強化樹脂板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂板等の耐熱性樹脂板などを用いることができる。また、このコア基板１１は、複層化されていてもよく、更には、内部に配線層（内層パターン）を有していてもよい。
【００１２】
このコア基板１１は、第１主面ＭＰ１と第２主面ＭＰ２とを有する板状の基板である。また、後述する部品１２を収容するための収容部１１１を備える。収容部１１１は、第１主面ＭＰ１と第２主面ＭＰ２との間に貫通した貫通孔からなる。収容部１１１の平面形状は特に限定されず、例えば、略四角形（四角形、角部が面取りされた四角形等が含まれる）であってもよく、略円形（真円形状、楕円形状等が含まれる）などであってもよい。
また、収容部１１１の内壁面（内側壁面）は、充填部１５と内壁面との密着性を向上させるための各種処理が施されていてもよい。このような処理としては、過マンガン酸カリウム等による粗化処理や、絶縁材Ｓ１５と収容部１１１の内壁面との両方の材料に対して親和性を有するカップリングによるカップリング処理等が挙げられる。
尚、コア基板１１は、前記収容部１１１に加えて、第１主面ＭＰ１に開口し、第２主面ＭＰ２には開口しない凹部（有底凹部）を同様な収容部として備えることができる。
【００１３】
前記「部品（１２）」は、前記コア基板１１の収容部１１１内に収容された部品である。この部品１２としては、収容部１１１内に搭載可能であればどのような部品であってもよく、コンデンサ、インダクタ、フィルタ、抵抗及びトランジスタ等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、本方法は、コンデンサに適しており、特に積層セラミックコンデンサに好適である。
【００１４】
積層セラミックコンデンサは、図８〜１１に例示されるように、セラミック層１２１と、導体層１２２と、貫通導体１２３と、表面導体層１２４と、を備える。
セラミック層１２１は、絶縁性セラミック材料から構成されている。この絶縁性セラミック材料としては、各種ガラス（ホウケイ酸系ガラス、ホウケイ酸鉛系ガラス等）、アルミナ、シリカ、窒化珪素、及び窒化アルミニウム等が挙げられる。これらの絶縁性セラミック材料は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。即ち、例えば、前記ガラスと、そのガラス内に分散含有された他の絶縁性セラミック材料からなるフィラーと、を含むガラスセラミック絶縁性材料等が挙げられる。より具体的にはフィラーを４０〜６０質量部添加したガラスセラミック絶縁材料（ガラスを１００質量部とする）等が挙げられる。
【００１５】
一方、導体層１２２を構成する材料は導電性を有すればよく特に限定されないが、通常、金属から構成される。この構成金属としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｌ等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
この導体層１２２には、少なくとも２種の導体層１２２ａ及び導体層１２２ｂが含まれる。導体層１２２ａは、導体層１２２ａ同士は貫通導体１２３のうちの貫通導体１２３ａによって接続されている。一方、導体層１２２ｂ同士は貫通導体１２３のうちの貫通導体１２３ｂによって接続されている。これらの導体層１２２ａと導体層１２２ｂは、図８に例示されるように交互に配置される。更に、図８に示されるように、積層セラミックコンデンサの表裏には、各々表面導体層１２４を備える。表面導体層１２４は、貫通導体１２３のうちの貫通導体１２３ａ及び貫通導体１２３ｂを各々積層セラミックコンデンサの表面に導出する外部電極パッド（メタライズパッド１２４ａ及び１２４ｂ）と、この外部電極パッドを取り囲むメタライズ層１２４ｃとを備える。
【００１６】
貫通導体１２３は、積層セラミックコンデンサの積層方向に貫通されて配置されると共に、前記導体層１２２ａ同士を電気的に接続する貫通導体１２３ａと、前記導体層１２２ｂ同士を電気的に接続する貫通導体１２３ｂと、を有する。これらの貫通導体１２３は、各々導体層１２４によって、積層セラミックコンデンサの外へと導出される。通常、貫通導体１２３が有する貫通導体１２３ａ及び貫通導体１２３ｂのうちのいずれか１種は、電源端子として機能され、他方がグランド端子として機能される。
【００１７】
尚、積層セラミックコンデンサを構成するセラミック層１２１と、導体層１２２と、貫通導体１２３と、は同時焼成によって得ることができる。
また、積層セラミックコンデンサに限られず、収容される部品１２とコア基板１１やビルドアップ部１３等との導通は、部品１２の一方の主面側のみから行ってもよく、図１に例示されるように、両主面ＭＰ１、ＭＰ２側から行ってもよい。
【００１８】
前記「充填部（１５）」は、収容部１１１と部品１２との間隙１６に絶縁材Ｓ１５が充填されてなる部分、又は、充填された後に硬化されてなる部分である。この充填部１５は、通常、硬化された硬化樹脂と、硬化樹脂内に分散・含有された無機フィラーとを含む。この充填部１５は、部品１２をコア基板１１内に固定すると共に、部品１２とコア基板１１との間の熱膨張差を緩和する機能を有する。また、後述するように、ビルドアップ部１３を備える場合には、ビルドアップ部１３が備える絶縁層１３１と、この充填部１５とは、連続し、一体に構成されている。
尚、間隙１６は、部品１２の体積に対して余剰な収容部１１１の内容積である。
【００１９】
この充填部１５の具体的な熱膨張特性は限定されないが、前記緩和する機能をより得易いことから、充填部１５のガラス転移温度以上の温度領域（通常Ｔｇ〜２４０℃）における熱膨張係数の値（ＣＴＥα２）と、充填部１５のガラス転移温度以下の温度領域（通常２５℃〜Ｔｇ）における熱膨張係数の値（ＣＴＥα１）と、の差の絶対値が５０ｐｐｍ／℃以下（｜ＣＴＥα２−ＣＴＥα１｜≦５０ｐｐｍ／℃）であることが好ましい。更に、前記ＣＴＥα２は、９０ｐｐｍ／℃以下が好ましく、６０ｐｐｍ／℃以下がより好ましい。
尚、前記ガラス転移温度は、熱機械分析装置（ＴＭＡ、ＪＰＣＡ−ＢＵ０１に規定される）により得られる値である。
【００２０】
前記「絶縁材（Ｓ１５）」は、加熱押圧されて、収容部１１１と部品１２との間隙１６に充填されて充填部１５となる。通常、この絶縁材Ｓ１５は、収容部１１１と部品１２との間隙１６に充填された後、硬化される。
絶縁材Ｓ１５を構成する成分は特に限定されないが、通常、硬化可能な硬化性樹脂と、硬化性樹脂内に分散・含有された無機フィラーとが含まれる。このうち硬化性樹脂の種類は特に限定されず、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。また、これらの硬化性樹脂が有する硬化特性は、熱硬化性であってもよく、光硬化性であってもよく、これらが併用された硬化特性を有してもよい。
【００２１】
また、無機フィラーを構成する無機成分としては、シリカ及びアルミナ等の低熱膨張性セラミック；チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム及びチタン酸鉛等の誘電性セラミック；窒化アルミナ、窒化ホウ素、炭化硅素、窒化珪素等の耐熱性セラミック；ホウケイ酸系ガラス等のガラス等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、低熱膨張性のセラミックフィラーが好ましく、更にはシリカが好ましい。
【００２２】
絶縁材Ｓ１５を構成する硬化性樹脂と無機フィラーとの配合は特に限定されないが、硬化性樹脂と無機フィラーと合計を１００質量％とした場合に、無機フィラーは５３〜８０質量％が好ましく、５８〜７８質量％がより好ましく、６３〜７３質量％が特に好ましい。
また、絶縁材Ｓ１５は、フィルム状をなしている。その厚さは特に限定されず、収容部１１１の大きさに応じて適宜の厚さとすることができるものの、通常、２００〜４００ｍｍである。
【００２３】
尚、絶縁材Ｓ１５は、１層のみで用いてもよく、また、必要に応じて、例えば、上記好ましい厚さを得るために２層以上を積層・併用することができる。更に、絶縁材Ｓ１５は、その表面に保護フィルムを備えることができる。保護フィルムを備えることで、絶縁材Ｓ１５を汚損から守ることができる。更に、この保護フィルムを用いることで、後述する充填に際しては、加熱加圧を行う部材への付着を防止できる。
【００２４】
また、この配線基板１は、前記各部に加えて、ビルドアップ部１３を備えることができる。ビルドアップ部１３の構成は特に限定されないが、通常、絶縁層１３１と導体層１３２とが交互に積層された複層構造をなす部分である。このビルドアップ部１３は、第１主面ＭＰ１側、及び、第２主面ＭＰ２側、のいずれか一方にのみ備えてもよいが、通常、その両面に備える。更に、ビルドアップ部１３の外表面には更にレジスト層１３４を備えることができる。
【００２５】
このビルドアップ部１３を備える場合、ビルドアップ部１３を構成する絶縁層１３１の構成は特に限定されないが、前記充填部１５と同様に、硬化された硬化樹脂と、硬化樹脂内に分散・含有された無機フィラーとを含むことができる。これらの各々の材料については前記絶縁材Ｓ１５において例示した各種材料を同様に利用することができる。
また、ビルドアップ部１３を備える場合であって、その絶縁層１３１が、充填部１５と同様に、硬化樹脂と、硬化樹脂内に分散・含有された無機フィラーとを含む場合、絶縁層１３１全体に含まれる無機フィラーの質量割合をＲ１とし、且つ、充填部１５全体に含まれる無機フィラーの質量割合をＲ２とした場合に、Ｒ１＜Ｒ２であることが好ましい。即ち、絶縁層１３１の方が、充填部１５よりも無機フィラーの質量割合が低いことが好ましい。この質量割合は、Ｒ２／Ｒ１として表した場合に、１．１〜２．５が好ましく、１．４〜２．２がより好ましく、１．７〜１．９が特に好ましい。
【００２６】
［２］製造工程
本発明の配線基板の製造方法は、複数の前記コア基板１１が連結されてなる連結コア部ＡＧ１１を有するコア基板集合体ＡＧを準備するコア基板集合体準備工程ＰＲ１と、
貼着面２ａを有する貼着性シート２を、該貼着面２ａが前記収容部１１１の内部に露出するように、前記連結コア部ＡＧ１１の一方の主面ＭＰ２に貼着して、該収容部１１１の一方の主面ＭＰ２側を閉塞する収容部閉塞工程ＰＲ２と、
前記収容部１１１内に露出された前記貼着面２ａに、前記部品１２を貼着して固定する部品配置工程ＰＲ３と、
減圧下において、前記部品１２と前記貼着性シート２とを密着させる部品密着工程ＰＲ４と、を備えることを特徴とする。
即ち、本方法は、コア基板集合体ＡＧを利用して、一括して、複数の配線基板１が連結された状態を形成する方法に関する。その後、通常、得られた複数の配線基板１の集合体を分割して１つの配線基板１を得る。
【００２７】
前記「コア基板集合体準備工程（ＰＲ１）」は、複数のコア基板１１が連結されてなる連結コア部ＡＧ１１を有するコア基板集合体ＡＧを準備する工程である（図２及び図１２参照）。
連結コア部ＡＧ１１は、通常、四角形状を呈する。この連結コア部ＡＧ１１には、コア基板１１以外の他部を有してもいてもよい。この他部としては、コア基板１１同士の間に挟まれた裁断しろ部等が挙げられる。尚、コア基板集合体ＡＧは、通常、前記コア基板１１と同じ材質からなる。
【００２８】
更に、コア基板集合体ＡＧは、前記連結コア部ＡＧ１１以外にも、図６及び図７に例示される、外側部ＡＧ１３を連結コア部ＡＧ１１の外側に備えることができる。この外側部ＡＧ１３は、（１）図６及び図７に例示されるように、連結コア部ＡＧ１１の４辺の全てから延設されて、連結コア部ＡＧ１１を取り囲む形態とすることができる。また、（２）連結コア部ＡＧ１１が有する４辺のうちの対向された２辺のみから延設されて、連結コア部ＡＧ１１を挟む形態とすることができる。更に、その他の形態であってもよい。
【００２９】
前記外側部ＡＧ１３は、通常、孔部ＡＧ１４を備える。孔部ＡＧ１４は、外側部ＡＧ１３を貫通して、形成された孔である。この孔部ＡＧ１４は、配線基板１の製造過程において、コア基板集合体ＡＧ全体を固定するための位置決め用のガイドピンに挿通する等して利用できる。即ち、孔部ＡＧ１４としては、ガイドピンを挿通するためのガイドホール等が挙げられる。
孔部ＡＧ１４は、１つのみを有してもよく、２つ以上を有してもよいが、通常、前記用途から複数の孔部ＡＧ１４を備えている。孔部ＡＧ１４を複数備える場合であって、前記（１）のように、外側部ＡＧ１３が連結コア部ＡＧ１１の全周を取り囲む形態である場合には、外周部ＡＧ１３の全周に孔部ＡＧ１４を備えてもよく、図６及び図７に例示されるように、外周部ＡＧ１３のうちの対向する２辺側にのみ備えてもよい。また、前記（２）のように、外側部ＡＧ１３が連結コア部ＡＧ１１の対向２辺を挟む形態である場合には、通常、外側部ＡＧ１３の２辺側に孔部ＡＧ１４を備える。
【００３０】
更に、コア基板集合体ＡＧは、光学的位置検知を行うための光学標識ＡＧ１５を備えることができる。この光学標識ＡＧ１５はどのような形態のものであってもよく、例えば、光反射特性を有してもよく、光吸収特性を有してもよく、更には、その他の光学的位置検知に必要な特性を有することができる。この光学標識ＡＧ１５を有する場合、コア基板集合体ＡＧのどこに備えてもよいが、通常、前記外側部ＡＧ１３に備える。また、外側部ＡＧ１３は、前述の通り、孔部ＡＧ１４を備えるが、光学標識ＡＧ１５は、孔部ＡＧ１４に対して、外周寄りに備えてもよく、また、内周寄りに備えてもよい。内周寄りに備えるとは、即ち、外側部ＡＧ１３のうちの孔部ＡＧ１４に対して連結コア部ＡＧ１１寄りに配置されることを意味する。
【００３１】
前記「収容部閉塞工程（ＰＲ２）」は、貼着面２ａを有する貼着性シート２を、貼着面２ａが収容部１１１の内部に露出するように、連結コア部ＡＧ１１の一方の主面ＭＰ２に貼着して、収容部１１１の一方の主面ＭＰ２側を閉塞する工程である。収容部閉塞工程ＰＲ２で、貼着性シート２を第２主面ＭＰ２に貼着することにより、貫通孔である収容部１１１の第２主面ＭＰ２側の開口部が閉塞されて、第１主面ＭＰ１側にのみ開口する有底形状の収容部１１１を形成できる。更に、収容部１１１の内部には、貼着面２ａが露出されるために、後述する部品配置工程ＰＲ３において部品１２を収容部１１１内に収容した際に、部品１２を収容部１１１内の所定の位置に固定することができる。
【００３２】
前記「貼着性シート（２）」は、貼着面２ａを有するシートである。貼着性シート２が、貼着面２ａを有することにより、主面ＭＰ２に貼着された貼着性シート２自体の位置ずれを防止できる。更に、部品配置工程ＰＲ３以降においては、部品１２と貼着性シート２との間の位置ずれを防止できる。加えて、部品密着工程ＰＲ４以降においては、部品１２と貼着性シート２との間に異物（気体、液体、固体）が入り込むことを防止できる。
【００３３】
貼着性シート２は、貼着面２ａを介して、連結コア部ＡＧ１１の主面ＭＰ２に貼り付けることができればよく、どのような形態で貼着してもよいが、通常、貼着性シート２が、貼着剤層２２と、これを支持する支持層２１（樹脂フィルム、紙など）とを備えるシートとすることができる。この場合には、貼着剤層２２の表面が貼着面２ａとして機能し、この貼着面２ａにおいて貼着性シート２は主面ＭＰ２に貼着される。貼着剤層２２を有する貼着性シート２を用いた場合には、貼着性シート２が必要なくなった時点で、後工程において剥離することができる（後述する剥離工程ＰＲ８参照）。また、貼着性シート２は、貼着性シート２が、接着剤層２２と、これを支持する支持層２１（樹脂フィルム、紙など）とを備えるシートとすることができる。この場合には、接着剤層２２の表面が貼着面２ａとして機能し、この貼着面２ａにおいて貼着性シート２は主面ＭＰ２に貼着される。
【００３４】
貼着材層を構成する貼着材の種類は特に限定されないが、特に粘着剤が好ましい。この粘着剤としては、シリコン粘着剤、ゴム粘着剤、アクリル粘着剤及びその他の粘着剤が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらのなかでも、ゴム粘着剤が好ましい。ゴム粘着剤を用いた場合には、コア基板１１及び部品１２の第２主面ＭＰ２側における剥離残渣を抑制し、洗浄及び研磨を行うことなく貼着性シートの剥離を行うことができる。
前記ゴム粘着剤の具体的な粘着力は特に限定されないが、ＪＩＳ  Ｚ０２３７に規定された１８０°引きはがし法による測定値において、６Ｎ／２５ｍｍ以上１２Ｎ／２５ｍｍ以下が好ましい。この範囲では、部品１２を十分に固定できると共に、剥離残渣をより効果的に抑制できる。尚、前記単位［Ｎ／２５ｍｍ］は、幅２５ｍｍの貼着性シートを試料として測定された力を意味する。
【００３５】
貼着性シート２が、前述のように支持層２１を備える場合、この支持層２１を構成する材料は特に限定されないが、シートとしての柔軟性を有する範囲においてより硬質な材料が好ましい。硬質な材料で形成されることにより、部品密着工程ＰＲ４において、部品１２と貼着性シート２との間に気体が入り込んでいる場合に、その気体をより確実に排除することができる。また、これにより、部品１２と貼着性シート２との密着をより強固できる。このような硬質な材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、等が挙げられる。
【００３６】
また、貼着性シート２の厚さは特に限定されないが、３０〜１００μｍが好ましい。この範囲では、部品密着工程ＰＲ４において、部品１２と貼着性シート２との間に気体が入り込んでいる場合に、その気体をより確実に排除することができる。また、これにより、部品１２と貼着性シート２との密着をより強固できる。
【００３７】
前記「部品配置工程（ＰＲ３）」は、収容部１１１内に露出された貼着面２ａに、部品１２を貼着して固定する工程である。この工程では、収容部１１１において開口された第１主面ＭＰ１側から部品１２を収容部１１１内に入れると共に、収容部１１１の底面を形成している貼着面２ａに部品１２の底面を貼着することによって、部品１２を収容部１１１内に固定する。この工程は、例えば、公知のマウント装置で行うことができる。
【００３８】
前記「部品密着工程（ＰＲ４）」は、減圧下において、部品１２と貼着性シート２とを密着させる工程である。この工程を行うことにより、この工程ＰＲ４を行う前まで時点において、部品１２と貼着面２ａとの間に入った気体（空気など）を除去することができ、部品１２の底面と貼着面２ａとの密着をより向上させることができる。
【００３９】
部品１２の底面と貼着面２ａとの間に気体が入る（封入される）と、部品１２の底面と貼着面２ａとの貼着面積が減少するために密着性が低下する傾向にある。また、部品１２の底面と貼着面２ａとの間に気体が介在すると、温度が上昇した際に、気体の体積が膨張して貼着面積が更に減少し、密着性が更に低下する場合がある。
密着性が低下すると、配線基板１を製造する過程で部品１２の位置を十分に維持して、位置精度を保ち難くなる場合がある。特に部品１２が積層セラミックコンデンサである場合には、ビルドアップ部等との電気的な接続を行ううえで極めて高い位置精度を維持する必要があるため、前記気体が介在されることは好ましくない。また、部品１２の底面と貼着面２ａとの間に気体が介在されていると、後述する粗化工程ＰＲ５を備える場合に、粗化液が部品１２の底面と貼着面２ａとの間に侵入するおそれがある。これらの理由から、部品１２の底面と貼着面２ａとの間に入った気体は除去することが好ましい。
【００４０】
前記介在された気体が除去されることで、部品１２と貼着性シート２と密着性が向上されて、配線基板１を製造する過程において部品１２の位置精度を十分維持できる。特に部品１２が積層セラミックコンデンサである場合には、ビルドアップ部等との電気的な接続を行うのに十分な位置精度を保つことができる。更に、後述する粗化工程ＰＲ５を備える場合であっても、粗化液が部品１２の底面と貼着面２ａとの間に侵入することがなく、意図しない部位の粗化を生じることや、粗化液の残存を生じることがない。
【００４１】
この工程における前記密着はどのように行ってもよいが、通常、減圧下において押圧して行う。押圧により前記介在された気体を外へ押し出すと共に、減圧を行うことにより強制的に部品１２の底面と貼着面２ａとの間から気体を除去することができるからである。押圧を行う場合において、前記密着はどのように行ってもよいが、例えば、（１）部品１２を、第１主面ＭＰ１側から押圧して密着させてもよく（図３参照）、（２）貼着性シート２の部品１２が貼着された部位を第２主面ＭＰ２側から押圧して密着させてもよく（図４参照）、（３）これら２つ｛前記（１）及び前記（２）｝の両方を行って密着させてもよく（図２及び図５参照）、更に、（４）その他の方法で密着させてもよい。
【００４２】
また、前記押圧の方法は特に限定されず、例えば、バッチ式プレス機で行ってもよく、ローラー式プレス機（図３〜５参照）で行ってもよく、その他の方法で行ってもよく、更には、２種以上を組み合わせて行ってもよい。これらのうちでは、製造ラインを流通させながら押圧を行うことができるために、ローラー式プレス機を用いることが好ましい。図５に例示されるように、部品１２の底面と貼着面２ａとの間に気体５が介在されている場合に、ローラー式プレス機を用いると、部品１２の位置を維持しながらも、気体のみを移動させて間隙１６から減圧下において吸引するようにして除去することができる。また、ローラー式プレス機を用いた場合には、押圧は前記（３）のように、部品１２を第１主面ＭＰ１側から押圧すると共に、貼着性シート２の部品１２が貼着された部位を第２主面ＭＰ２側から押圧することとなり、より効率的な押圧を行うことができる。その為に、部品１２の底面と貼着面２ａとの間に介在された気体をより効率よく、且つ、確実に除去することができる。
【００４３】
前記押圧を行う際の圧力は特に限定されず、部品１２の特性等によって適宜な圧力とすることが好ましいが、例えば、３００〜５００Ｐａとすることができ、更には３２０〜４８０Ｐａとすることができ、特に３５０〜４５０Ｐａとすることができる。
また、前記減圧の程度は特に限定されないが、通常、大気圧に対して−９０ｋＰａ以下の減圧下であることが好ましい。これにより、部品１２の底面と貼着面２ａとの間に介在された気体を効率よく除去できる。
【００４４】
本発明の配線基板の製造方法では、前記工程ＰＲ１〜ＰＲ４以外にも他の工程を備えることができる。他の工程としては、粗化工程ＰＲ５、絶縁材配置工程ＰＲ６、絶縁材充填工程ＰＲ７、剥離工程ＰＲ８、研磨工程ＰＲ９、及び、ビルドアップ部形成工程ＰＲ１０等が挙げられる。
【００４５】
前記「粗化工程（ＰＲ５）」は、部品１２が表面導体層１２４を有する場合に、部品密着工程ＰＲ４の後に、粗化液を用いて表面導体層１２４を粗化する工程である。
この粗化工程ＰＲ５を、部品密着工程ＰＲ４の後に行うことにより、粗化液が部品１２の底面と貼着面２ａとの間に侵入することを防止できる。特に粗化液は一般に浸透性に優れるために、部品１２の底面と貼着面２ａとのより確実な密着性が必要となる。この粗化液の侵入を防止することで、部品１２の底面側における意図しない粗化が生じることを防止できる。また、粗化工程ＰＲ５を行ったとしても、粗化工程ＰＲ５以降の工程における部品１２の位置精度及び密着性（部品１２と貼着性シート２との密着性）を十分に維持することができる。
【００４６】
前記表面導体層１２４とは、部品１２の底面以外の表面に露出された電極である。この表面導体層１２４を備える場合は、充填部１５や、コア基板１１上に更に積層されるビルドアップ部１３等との密着性を十分に得るために、表面導体層１２４を粗化することが好ましい。表面導体層１２４が粗化されることで、充填部１５や、ビルドアップ部１３等との密着性は向上される。この効果は、表面導体層１２４の面積が大きい部品１２である程、大きく得られる。従って、部品１２が、コンデンサ（積層セラミックコンデンサ、チップコンデンサ等）等である場合には、この粗化工程ＰＲ５を備えることにより効果が特に得られやすいため、粗化工程ＰＲ５を、部品密着工程ＰＲ４の後に行うことによる前記効果をとりわけ得易い。
尚、前記表面導体層１２４を構成する材料は特に限定されない。この導体構成材料としては、銅、アルミニウム、ニッケル、錫等が挙げられる。これらの導体構成材料は、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００４７】
前記粗化液は、表面導体層１２４の粗化を行う液体であれば、その種類や特性は特に限定されない。この粗化液は、通常、酸及び／又は酸化剤を粗化成分として含有する。この粗化成分としては、例えば、塩酸、塩酸塩、亜塩素酸、亜塩素酸塩、硝酸、硝酸塩、硫酸、硫酸塩、過硫酸、過硫酸塩、フッ酸、フッ酸塩、リン酸、リン酸塩、過マンガン酸、過マンガン酸塩、ピロリン酸、ピロリン酸塩、メタリン酸、メタリン酸塩、炭酸、炭酸塩、炭酸水素塩、蟻酸、蟻酸塩、シュウ酸、シュウ酸塩、アルカリ金属の硫化物、アルカリ金属の水酸化物、塩化アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅、塩化テトラミン銅等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。粗化液は、前記粗化成分以外に、溶媒として、水及び有機溶媒等を含有できる。
【００４８】
前記「絶縁材配置工程（ＰＲ６）」は、第１主面ＭＰ１上に、フィルム状の絶縁材Ｓ１５を配置する工程である。
この工程ＰＲ６では、前述のように、外側部ＡＧ１３を備えると共に、孔部ＡＧ１４を備える場合には、孔部ＡＧ１４の第１主面ＭＰ１側の開口部に接しないように、第１主面ＭＰ１上にフィルム状の絶縁材Ｓ１５を配置することが好ましい。また、絶縁材Ｓ１５は、第１主面ＭＰ１上であって、且つ、連結コア部ＡＧ１１上に配置される。この工程ＰＲ６では、複数枚の絶縁材Ｓ１５を用いてもよいが、通常、１枚の絶縁材Ｓ１５を用いて充填が必要な部位に配置する。１枚の絶縁材Ｓ１５を用いた方が作業性がよいからである。
【００４９】
前記「絶縁材充填工程（ＰＲ７）」は、絶縁材Ｓ１５を加熱押圧して、絶縁材Ｓ１５の一部を収容部１１１内に充填するとともに、充填部１５を形成する工程である。
この加熱押圧は、加熱及び押圧（加圧）を行うことを意味しており、通常、加熱及び押圧を同時に行うものである。但し、加熱及び押圧を同時に行う時間を有すればよく、加熱又は押圧のうちのいずれか一方を先に行った後に、他方を追加して行うことにより、加熱及び押圧を同時に行う時間を形成してもよい。尚、絶縁材Ｓ１５の十分な流動性を確保できるのであれば、加熱を行った後、加熱を停止して押圧を行うこともできる。加熱押圧における加熱条件及び加圧条件は特に限定されず、用いる絶縁材Ｓ１５の特性及び量により適宜の条件とすることが好ましい。
また、押圧は、バッチ式プレス機で行ってもよいが、製造ラインを流通させながら押圧を行うことができるために、ローラー式プレス機等を用いることができる。
【００５０】
また、加熱押圧により、収容部１１１内（収容部１１１と部品１２との間隙１６）に充填される絶縁材Ｓ１５は少なくとも一部であり、その全部を充填してもよいが、通常、より完全な充填を行うために収容部１１１と部品１２との間隙１６の容積よりも体積の大きな絶縁材Ｓ１５を用いて充填を行う。このため、絶縁材Ｓ１５の一部のみが充填され、絶縁材Ｓ１５の余剰分は、コア基板集合体ＡＧの表面に沿って広がることとなる。
更に、絶縁材Ｓ１５は、充填を完了し、加圧を停止し、更に、加熱を停止することにより、絶縁材Ｓ１５自体の温度が低下し、絶縁材Ｓ１５が固化して充填部１５を形成してもよいが、絶縁材Ｓ１５を硬化させて充填部１５とすることができる。従って、後工程で絶縁材Ｓ１５の硬化を行う場合（即ち、絶縁材硬化工程を備える場合）には、絶縁材充填工程ＰＲ７で充填して得られた充填部１５は、硬化前の充填部１５（以下、「硬化前充填部」ともいう）である。
【００５１】
前記「剥離工程（ＰＲ８）」は、絶縁材充填工程ＰＲ７後に、貼着性シート２を、第２主面ＭＰ２から剥離する工程である（図１３参照）。
前記「研磨工程（ＰＲ９）」は、硬化された絶縁材Ｓ１５（間隙１６内で硬化された部位は充填部１５）のうちの、コア基板集合体ＡＧ上に広がった部位を平坦化するため、又は、除去するために、絶縁材Ｓ１５を研磨する工程である（図１４参照）。
前記「ビルドアップ部形成工程（ＰＲ１０）」は、コア基板１１の主面ＭＰ１、ＭＰ２上に絶縁層１３１と導体層１３２とを交互に積層することによりビルドアップ部１３を形成する工程である（図１４〜１７参照）。
【実施例】
【００５２】
以下、部品１２として積層セラミックコンデンサを用いた配線基板１の製造方法について実施例により具体的に説明する。但し、本発明は本実施例において利用する条件等に拘束されるものではない。
【００５３】
本実施例で製造される配線基板１は、図１に示すように、コア基板１１のうち半田バンプ１３５の下部領域に、部品１２としての積層セラミックコンデンサを有する。積層セラミックコンデンサ１２は、半田バンプ１３５（Ｐｂ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｚｎ系の半田等）の下部領域に配置されることで、半田バンプ１３５に接続される半導体集積回路素子のスイッチングノイズの低減及び動作電源電圧を安定化できる。更に、半導体集積回路素子と積層セラミックコンデンサ１２との間の配線長を短縮でき、配線のインダクタンス成分を減少させることができる。
【００５４】
コア基板１１は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂で板状に構成される。コア基板１１内には配線パターン（内層パターン）が形成されてもよい。また、半田バンプ１３５の下部領域を含む位置には、主面ＭＰ１、ＭＰ２間を貫通する収容部１１１（貫通孔）が形成され、その内部には積層セラミックコンデンサ１２が収容される。
【００５５】
収容部１１１内で積層セラミックコンデンサ１２とコア基板１１との隙間１６をなす空間には、絶縁材Ｓ１５が充填・硬化されて充填部１５をなす。充填部１５は、各主面ＭＰ１、ＭＰ２側に形成されたビルドアップ部１３の最下層の絶縁層１３１ａと連続・一体に形成されており、積層セラミックコンデンサ１２をコア基板１１に固定すると共に、積層セラミックコンデンサ１２とコア基板１１との面内方向及び厚さ方向の線膨張係数差を自身の弾性変形により吸収する。また、絶縁層１３１ａと連続・一体に構成され、コア基板１１とビルドアップ部１３とは密着性が高く構成されている。
【００５６】
コア基板１１の両主面ＭＰ１、ＭＰ２上に設けられたビルドアップ部１３は、複数の絶縁層１３１と複数の導体層１３２とが交互に積層された構造を有する。導体層１３２は、銅めっきからなり、必要に応じたパターニングがなされる。各導体層１３２間は、必要に応じてビア導体１３３によって層間接続され、両主面ＭＰ１、ＭＰ２間における導通を確保する。
【００５７】
絶縁層１３１は、エポキシ樹脂及びシリカフィラーを含む。絶縁層１３１は導体層１３２同士の間を絶縁すると共に、層間接続のためのビア導体１３３が貫通形成されている。配線基板の主面ＭＰ１１、ＭＰ１２の最表層には、レジスト層１３４を各々備える。レジスト層１３４には、層下の導体層１３２ａを必要に応じて露出させるための開口を有する。
【００５８】
更に、コア基板１１及び絶縁層１３１を貫通するスルーホール１３６が形成され、その内壁にはスルーホール導体１３７を備える。スルーホール導体１３７内は、エポキシ樹脂及びシリカフィラーを含む穴埋め材１３８によって閉塞されている。更に、スルーホール導体１３７の端部には銅めっきからなる蓋導体１３９を備える。
【００５９】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施形態を図１４〜図１９を用いて説明する。
（１）コア基板集合体準備工程ＰＲ１
縦４１５ｍｍ×横４１５ｍｍ×厚み０．８ｍｍのガラス繊維強化エポキシ樹脂板で構成され、収容部１１１として主面ＭＰ１、ＭＰ２間に貫通した収容部１１１としての貫通孔を有し、両主面に厚み３５μｍのパターニングされた銅めっき製のコア基板導体層１１２を備えたコア基板１１（コア基板１１は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂板からなるコア層１１３と、その両主面ＭＰ１、ＭＰ２に形成された導体層１１２とを備える）が複数連結されてなるコア基板集合体ＡＧを用意する（図２、図６、図１２参照）。
【００６０】
このコア基板集合体ＡＧは、コア基板１１が複数連結されてなる、縦３３２ｍｍ×横３３２ｍｍの四角形状の連結コア部ＡＧ１１を有する。更に、連結コア部ＡＧ１１は、その四辺が幅４１．５ｍｍ（図６におけるＤ３の距離）に延設されてなる外側部ＡＧ１３によって取り囲まれている。
この外側部ＡＧ１３のうちの対向する２辺部分には、貫通孔である孔部ＡＧ１４が孔設されている。また、この孔部ＡＧ１４（孔部ＡＧ１４の中心）は、コア基板集合体ＡＧの外側端から１５ｍｍ内側（連結コア部ＡＧ１１寄り）に配置されている（図６におけるＤ１の距離）。
また、連結コア部ＡＧ１１の四隅には光学標識ＡＧ１５を各隅に１つずつ合計４つを備える。各光学標識ＡＧ１５（光学標識ＡＧ１５の中心）は、コア基板集合体ＡＧの外側端から３０ｍｍ内側（連結コア部ＡＧ１１寄り）に配置されている（図６におけるＤ２の距離）。
【００６１】
更に、コア基板集合体ＡＧが備える収容部１１１は一辺１４ｍｍ且つ四隅にフィレットを有する平面視四角形状の孔であり、その内壁面は過マンガン酸カリウムによる粗化処理が施され、後の充填部１５との密着性が十分に確保されるように処理が施される。また、コア基板導体層１１２のうちの第１主面ＭＰ１側のコア基板導体層１１２には、銅粗化処理（マイクロエッチング法及び黒化処理等）が施されている。
【００６２】
（２）収容部閉塞工程ＰＲ２
コア基板集合体準備工程ＰＲ１で準備された前記コア基板集合体ＡＧの第２主面ＭＰ２側に、貼着面２ａを有する貼着性シート２が貼着し、収容部１１１内に貼着面２ａが露出させる。
貼着性シート２は、厚さ５５μｍであり、支持層２１と貼着剤層２２とから構成される。支持層２１としては、ＰＥＴ等のポリエステル及びポリイミド等の樹脂シートを用いることができる。また、粘着層２２としては、熱可塑性ゴム粘着剤を用いることができる。また、貼着性シート２による貼着力は、幅２５ｍｍの貼着性シート２を試料として測定されたＪＩＳ  Ｚ０２３７の１８０°引きはがし法による粘着力が８．０Ｎ／２５ｍｍ以上とすることができる。
【００６３】
（３）部品配置工程ＰＲ３
コア基板集合体ＡＧの収容部１１１内に、積層セラミックコンデンサ１２をマウント装置で収容し、収容部１１１内に露出された貼着性シート２の貼着面２ａに積層セラミックコンデンサ１２を固着する。収容は収容部１１１の内壁面から等間隔となるように、積層セラミックコンデンサ１２は中央部に収容され、収容部１１１の内壁面と積層セラミックコンデンサ１２との間には幅１ｍｍの隙間１６が形成される。この間隙１６には、後工程において絶縁材Ｓ１５が充填されることとなる。
【００６４】
収容する積層セラミックコンデンサ１２（図８〜１１参照）は、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの略矩形平板状を呈し、四隅が面取りされている。また、同時焼成によって形成された各々複数のセラミック層１２１と導体層１２２と貫通導体１２３と、焼成後に金属めっき被覆された表面導体層１２４と、を備える。チタン酸バリウムを含む誘電体から構成されるセラミック層１２１と、金属ニッケルを含む金属導体から構成される導体層１２２とは、交互に積層される。導体層１２２は、電源側導体層１２２ａと、グランド側導体層１２２ｂと、を有し、各々セラミック層１２１により隔てられて直流的に分離されて積層方向に交互に配列される。導体層１２２のうちの電源側導体層１２２ａは、貫通導体１２３のうちの電源側貫通導体１２３ａにより接続される。一方、グランド側導体層１２２ｂは、グランド側貫通導体１２３ｂにより接続される。
【００６５】
また、積層セラミックコンデンサ１２の各主面ＭＰ１、ＭＰ２には、各々、表面導体層１２４を備える。この表面導体層１２４は、電源側導体層１２２ａ又はグランド側導体層１２２ｂから導出されたメタライズパッド１２４ａ及び１２４ｂを備える。更に、このメタライズパッド１２４ａ及び１２４ｂを取り囲むようにメタライズ層１２４ｃを備える。
【００６６】
（４）部品密着工程ＰＲ４
コア基板集合体ＡＧを挟持するように上下に配置されたゴムからなる弾性表面を有するローラー９を備えるローラー式プレス機を用いて部品密着工程ＰＲ４を行う。この工程ＰＲ４における密着は、部品１２を、第１主面ＭＰ１側から押圧して行うと共に、貼着性シート２の部品１２が貼着された部位を第２主面ＭＰ２側から押圧して行う。即ち、図１２に示すようにコア基板集合体ＡＧの厚さ方向に相互に押圧する。部品１２は、コア基板１１と略同じ厚さを有する。更に、また、この押圧に際しては、ローラー９と、部品１２及びコア基板１１等との間に押圧板９ａ及び９ｂを介在させることができる。押圧板９ｂを介在させることで圧力をより均一に付加することができる。押圧板９ａ及び９ｂとしては、例えば、ゴム（シリコンゴム及びフッ素ゴム等）又はエラストマー（熱可塑性樹脂エラストマー等）等の弾性材料を用いて形成された板状体を利用できる。更には、ＳＵＳ等の金属板を用いることができる。押圧板９ａ及び９ｂの介在により、コア基板１１及び部品１２等の汚損や傷付きを防止できると共に、ローラー９による圧力を負荷面により均一に付与することができる。この工程ＰＲ４における密着は、減圧環境；大気圧に対して−９０ｋＰａ、ローラー圧力；０．４ＭＰａ、搬送速度；０．３ｍ／分で行う。
【００６７】
（５）粗化工程ＰＲ５
前記部品密着工程ＰＲ４を終えた後に、蟻酸を含む粗化液６に浸漬して、部品１２の表面導体層１２４の粗化を行う。これにより、積層セラミックコンデンサ１２の第１主面ＭＰ１側の表面導体層１２４のみ（第２主面ＭＰ２側には施されていない）に銅粗化処理が施される。
その後、粗化を行ったコア基板集合体ＡＧを洗浄及び乾燥させる。
【００６８】
（６）絶縁材配置工程ＰＲ６
絶縁材Ｓ１５を、前記（５）までに積層セラミックコンデンサ１２が収容部１１１に収容されたコア基板集合体ＡＧの第１主面ＭＰ１上に配置する。この絶縁材Ｓ１５は、エポキシ樹脂とシリカフィラーとを含有し、これらの合計を１００質量％とした場合に、シリカフィラーの割合が６８質量％である（この割合は、硬化後においても実質的に変化しないものであり、充填部１５のシリカフィラーの質量割合Ｒ２に等しい）。尚、後述するように、ビルドアップ部１３を構成する絶縁層１３１はシリカフィラーの割合Ｒ１が３８質量％であり、Ｒ１＜Ｒ２である。また、絶縁材Ｓ１５には、離型シート１５１が付されており、配置後には第１主面ＭＰ１側に位置される。この離型シート１５１があることによって充填を行う際の加熱押圧時に、プレス機（プレス型）に絶縁材Ｓ１５が付着することを防止する。
【００６９】
この絶縁材配置工程ＰＲ６では、縦３３２ｍｍ×横３３２ｍｍであるコア基板連結部ＡＧ１１よりも大きい、縦３８０ｍｍ×横３８０ｍｍの絶縁材Ｓ１５を用いる。また、絶縁材Ｓ１５の厚さは４００μｍ（２００μｍ厚の絶縁材を２層積層して使用）であり、ビルドアップ層１３の作製に用いる絶縁層用のもの（４０μｍ）よりも厚く形成されている。具体的には、絶縁材Ｓ１５の厚さは、ビルドアップ層１３の硬化前の絶縁層の厚さに対しては２倍以上１０倍以下程度が好ましい。
更に、絶縁材Ｓ１５は、コア基板連結部ＡＧ１１の全面を覆いつつ、前記光学標識ＡＧ１５は覆って配置される。
【００７０】
（７）絶縁材充填工程ＰＲ７
前記（６）で配置された絶縁材Ｓ１５を前記離型シート１５１が付されたままの状態で、減圧雰囲気下で加熱押圧する。この加熱押圧では、コア基板１１の第１主面ＭＰ１に絶縁材Ｓ１５が圧着されると共に、絶縁材Ｓ１５の一部が収容部１１１と積層セラミックコンデンサ１２との間隙１６にも充填されることとなる。加熱温度は１００℃とし、加圧条件は０．７ＭＰａとする。これにより、絶縁材Ｓ１５は、収容部１１１と積層セラミックコンデンサ１２との間隙１６の全部に十分に充填される（第２主面ＭＰ２側からの再充填の必要はない）。
その後、温度１７５℃の硬化炉内を通過させて、絶縁材Ｓ１５を加熱硬化する。これにより、収容部１１１と積層セラミックコンデンサ１２との間隙１６に充填された絶縁材Ｓ１５も硬化されて、充填部１５となる。
【００７１】
（８）剥離工程ＰＲ８
前記（７）の絶縁材充填工程ＰＲ７の後、絶縁材Ｓ１５が放冷して固化した後に、貼着性シート２（支持層２１及び貼着剤層２２の両層を含む）を剥離する。
【００７２】
（９）研磨工程ＰＲ９
前記（８）までに得られた絶縁材Ｓ１５の硬化された不要部分を除去するために、コア基板重合体ＡＧの第１主面ＭＰ１側を研磨して、コア基板１１の第１主面ＭＰ１側のコア基板導体層１１２を露出させる。
【００７３】
（１０）ビルドアップ工程ＰＲ１０（図１４〜１７参照）
前記（９）までに得られたコア基板集合体ＡＧの両主面ＭＰ１、ＭＰ２に各々ビルドアップ層１３を形成する。各ビルドアップ層１３は、公知のビルドアップ法（セミアディティブ法やフォトリソグラフィ技術などを組み合わせた工程）を用いて形成できる。
具体的には、前記（９）までに得られたコア基板集合体ＡＧの第１主面ＭＰ１側に、ビルドアップ部絶縁層１３１となる未硬化絶縁層Ｓ１３１を積層する。未硬化絶縁層Ｓ１３１は、エポキシ樹脂とシリカフィラーとを含有し、これらの合計を１００質量％とした場合に、シリカフィラーの割合が３８質量％である（この割合は、硬化後においても実質的に変化しないものであり、絶縁層１３１のシリカフィラーの質量割合Ｒ１に等しい）。尚、未硬化絶縁層Ｓ１３１の厚さは４０μｍである。
次いで、未硬化絶縁層Ｓ１３１を、前記絶縁材Ｓ１５の硬化と同様にして、加熱押圧して圧着した後、加熱硬化して絶縁層１３１とする。
次いで、第２主面ＭＰ２側の表面を銅粗化処理したうえで、第２主面ＭＰ２側にも、第１主面ＭＰ１側と同様にして絶縁層１３１を形成する。
【００７４】
次いで、レーザビアプロセス又はフォトビアプロセス等の手法により、絶縁層１３１にビア孔１３３Ｈを穿設して、ビア孔１３３Ｈ内に直下の積層セラミックコンデンサ１２のメタライズパッド１２４ａ及び１２４ｂを露出させる。更に、コア基板１１の第１主面ＭＰ１と第２主面ＭＰ２とを貫通するスルーホール１３６をドリル等により穿設する。更に、過マンガン酸カリウム等を用いたデスミア処理（樹脂残渣除去処理）により、ビア孔１３３Ｈ内に露出された導体表面を洗浄する。その後、銅めっき（無電解銅めっき後に電解銅めっき）を全面に施して、ビア孔１３３Ｈ内を充填したビア導体１３３を形成すると共に、スルーホール１３６の内面にスルーホール導体１３７を形成する。
【００７５】
その後、スルーホール導体１３７の内側に樹脂製穴埋め材１３８を充填し、更に、銅めっきを施すことにより、蓋導体１３９を形成する。次いで、この時点で両主面ＭＰ１及びＭＰ２に露出されている銅めっきをパターニングして、ビルドアップ部１３の導体層１３２を形成する。
次いで、必要に応じてビルドアップ部１３の絶縁層１３１及び導体層１３２を前記と同様にして、交互に積層形成して、ビルドアップ部１３を積層形成する。
【００７６】
その後、レジスト層１３４を形成した後、レジスト層１３４を穿設して、両主面ＭＰ１、ＭＰ２の両レジスト層１３４下の導体層１３２ａを必要に応じて露出させる。更に、これらの露出された導体層１３２ａの表面にＮｉ−Ａｕめっきが施され、第１主面ＭＰ１側の導体層１３２ａ上のＮｉ−Ａｕめっき表面に半田バンプ１３５を形成して、配線基板１が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は電子部品関連分野において広く利用できる。また、本発明の製造方法により得られる配線基板は、マザーボード等の通常の配線基板、フリップチップ用配線基板、ＣＳＰ用配線基板及びＭＣＰ用配線基板等の半導体素子搭載用配線基板、アンテナスイッチモジュール用配線基板、ミキサーモジュール用配線基板、ＰＬＬモジュール用配線基板及びＭＣＭ用配線基板等のモジュール用配線基板等に利用される。
【符号の説明】
【００７８】
ＭＰ１；第１主面、ＭＰ２；第２主面、
１；配線基板、
１１；コア基板、１１１；収容部、１１２；導体層（コア基板導体層）、１１３；コア層、
１２；部品（積層セラミックコンデンサ）、
１２１；セラミック層、１２２、１２２ａ、１２２ｂ；導体層、１２３、１２３ａ、１２３ｂ；貫通導体、１２４；表面導体層、１２４ａ、１２４ｂ；メタライズパッド、１２４ｃ；メタライズ層、
１３；ビルドアップ部、１３１；絶縁層、Ｓ１３１；未硬化絶縁層、１３２；導体層、１３３；ビア導体、Ｈ１３３；ビア孔、１３４；レジスト層、１３５；半田バンプ、１３６；スルーホール、１３７；スルーホール導体、１３８；穴埋め材（スルーホール導体内穴埋め材）、１３９；蓋導体、
１５；充填部、Ｓ１５；絶縁材、１５１；離型シート、
１６；間隙（収容部と部品との間隙）、
２；貼着性シート、２１；支持層、２２；貼着剤層、
５；気体（気泡）、
６；粗化液、
９；プレス機（プレスローラー）、９ａ、９ｂ；支持板、
ＡＧ；コア基板集合体、ＡＧ１１；連結コア部、ＡＧ１３；外側部、ＡＧ１４；孔部（ガイドホール）、ＡＧ１４ｓ；開口部（ガイドホール開口部）、ＡＧ１５；光学標識、
ＰＲ１；コア基板集合体準備工程、ＰＲ２；収容部閉塞工程、ＰＲ３；部品配置工程、ＰＲ４；部品密着工程、ＰＲ５；粗化工程、ＰＲ６；絶縁材配置工程、ＰＲ７；絶縁材充填工程、ＰＲ８；剥離工程、ＰＲ９；研磨工程、ＰＲ１０；ビルドアップ部形成工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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