(57)【要約】【課題】容量向上を可能とした可変容量素子を提供すること。【解決手段】平面形状において略短冊形状であり、一方の電極が可動であるキャパシタ電極１１，１２と、キャパシタ電極１１，１２に接続され、かつ、絶縁された駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄと、キャパシタ電極１１，１２のそれぞれに電気的に接続されるキャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄとを有し、駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄ間に電位差を与えることによってキャパシタ電極１１を可動させる可変容量素子１であって、キャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄは、各対ごとに近接した箇所でキャパシタ電極１１，１２とそれぞれ電気的に接続され、該キャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄを上方から見た場合に接続箇所からそれぞれ平行に延伸するように形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面形状において略短冊形状であり、一方の電極が可動である一対のキャパシタ電極と、
前記一対のキャパシタ電極に接続され、かつ、絶縁された一対の駆動電極と、
前記一対のキャパシタ電極のそれぞれに電気的に接続される一対のキャパシタ配線と、
を有し、
前記一対の駆動電極間に電位差を与えることによって前記一方のキャパシタ電極を可動させる可変容量素子において、
前記一対のキャパシタ配線は、近接した箇所で前記一対のキャパシタ電極とそれぞれ電気的に接続され、該キャパシタ配線を上方から見た場合に接続箇所からそれぞれ平行に延伸するように形成されることを特徴とする可変容量素子。
【請求項２】
前記一対のキャパシタ配線は、二対以上設けられ、前記略短冊形状のキャパシタ電極の長辺と接続されることを特徴とする請求項１に記載の可変容量素子。
【請求項３】
前記一対の駆動電極は、二対以上設けられ、
前記一対のキャパシタ配線と前記一対の駆動電極とは、前記一対のキャパシタ電極の各周に沿って交互に設けられることを特徴とする請求項１または２に記載の可変容量素子。
【請求項４】
前記キャパシタ電極および前記駆動電極は、薄膜によって封止されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の可変容量素子。
【請求項５】
前記一対のキャパシタ配線と前記一対の駆動電極とは、それぞれ偶数対設けられることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の可変容量素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可変容量素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話システムにおいては、使用周波数が７０ＭＨｚから５ＧＨｚまでと広範囲にわたる。このような複数の周波数帯の信号を一台の端末装置で処理するためには、従来では、端末装置内に、異なる周波数帯の信号をそれぞれ送受信するＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路を用意するシステムが必要であった。端末装置に対しては、小型化および薄型化のためハードウェアが占める面積を可能な限り減らすよう要求されるのに対し、この方法では周波数帯域ごとにＲＦ回路を設けなければならないため、回路が占める面積が非常に大きくなってしまうという問題があった。そこで、いくつかのシステムを共有化するため、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）技術用いて形成された可変容量素子による整合素子を導入し、システムの簡素化を図る試みが進められている。
【０００３】
このような、可変容量素子として、一対の平行平板型のキャパシタ電極と、一方がキャパシタ電極の一方と機械的に接続された平行平板型の駆動電極とを有する可変容量素子が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。このような可変容量素子においては、駆動電極間に電圧差を与えて静電引力を発生させることによって、駆動電極の一方と機械的に接続されたキャパシタ電極の一方を移動させて、一対のキャパシタ電極によって形成されるキャパシタの静電容量を変化させている。そして、このような可変容量素子においては、キャパシタ電極以外の部分に静電容量が存在すると容量の可変比が低下することから、キャパシタ電極以外の部分での静電容量の存在をなくすために、各キャパシタ電極に接続するキャパシタ配線は直交するように配置される。
【０００４】
ここで、容量向上の要求を満たすためにキャパシタ電極の面積を大きくした場合、キャパシタの自己共振周波数の低下を防止するためにキャパシタのインダクタンスを低くする必要がある。たとえば、自己共振周波数を５ＧＨｚに抑制するには、実効的な静電容量が１ｐＦである場合には実効的なインダクタンスを１ｎＨ以下にすれば足りる。これに対し、キャパシタ電極の面積を大きくして実効的な静電容量を１０ｐＦまで高めた場合には実効的なインダクタンスを１００ｐＨ以下にする必要がある。しかしながら、従来では、各キャパシタ電極に接続するキャパシタ配線は直交するように配置されるため、インダクタンスが大きく、可変容量素子全体を実装するパッケージを考慮すると１００ｐＨ以下までインダクタンスを減らすことは困難であった。
【０００５】
さらに、キャパシタ電極の可動性を確保するため、中空の気密封止構造体で可変容量素子全体を封止する必要がある。可変容量素子を半導体ウェハプロセスで製造する場合には、ウェハプロセス中で気密封止構造体まで製造することが望ましく、薄い絶縁膜で形成する方法が提案されている。しかしながら、容量向上のためにキャパシタ電極の面積を大きくした場合には気密封止構造体自体の寸法も大型化してしまい、薄い絶縁膜では機械的強度を確保することができず、可変容量素子が正常に作動しないという問題があった。
【０００６】
上記のように、インダクタンス低減と封止体の機械的強度の確保とが困難であったため、可変容量素子の容量向上を実現することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−３２７８７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、容量向上を可能とした可変容量素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願発明の一態様によれば、平面形状において略短冊形状であり、一方の電極が可動である一対のキャパシタ電極と、前記一対のキャパシタ電極に接続され、かつ、絶縁された一対の駆動電極と、前記一対のキャパシタ電極のそれぞれに電気的に接続される一対のキャパシタ配線と、を有し、前記一対の駆動電極間に電位差を与えることによって前記一方のキャパシタ電極を可動させる可変容量素子において、前記一対のキャパシタ配線は、近接した箇所で前記一対のキャパシタ電極とそれぞれ電気的に接続され、該キャパシタ配線を上方から見た場合に接続箇所からそれぞれ平行に延伸するように形成されることを特徴とする可変容量素子が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、容量向上を可能とした可変容量素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態にかかる可変容量素子の斜視図。
【図２】図１に示すＡ−Ａ線で切断した断面図。
【図３】図１に示すＢ−Ｂ線で切断した断面図。
【図４】実施の形態にかかる可変容量素子の気密封止構造体外観図。
【図５】比較例にかかる可変容量素子の斜視図。
【図６】比較例にかかる可変容量素子の気密封止構造体外観図。
【図７】実施の形態にかかる可変容量素子の他の例を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態にかかる可変容量素子を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、各層の厚みと幅との関係、各層の比率などは、現実と異なることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
【００１３】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態にかかる可変容量素子の斜視図である。図２は、図１に示すＡ−Ａ線で切断した断面図であり、矢印方向から切断面を見た図となる。図３は、図１に示すＢ−Ｂ線で切断した断面図であり、矢印方向から切断面を見た図となる。
【００１４】
図１に示すように、本発明の実施の形態にかかる可変容量素子１は、ＭＥＭＳ技術を用いて、微小形状に製造されたものである。図１〜図３に示すように、可変容量素子１は、基板２上に、一対の平行平板型のキャパシタ電極１１，１２と、複数対の平行平板型の駆動電極１５ａ，１６ａ，１５ｂ，１６ｂ，１５ｃ，１６ｃ，１５ｄ，１６ｄを備える。各対の駆動電極のうち上部に位置する駆動電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄは、各連結部１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄを介して、キャパシタ電極１２の上部に位置するキャパシタ電極１１の縁部と接続されている。この連結部１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄは絶縁体で形成されているため、駆動電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄは、キャパシタ電極１１と絶縁された状態で接続されている。基板２は、たとえばシリコンや石英で形成されており、キャパシタ電極１１，１２は、たとえばアルミニウムや銅、金等の電気抵抗率の小さな金属材料のスパッタリング処理や蒸着処理を施すことによって形成され、駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄは、たとえばアルミニウムや銅、金等の電気抵抗率の小さな金属材のスパッタリング処理や蒸着処理を施すことによって形成される。なお、図２に示す領域Ａ１および図３に示す領域Ｂ１に、キャパシタ電極１１，１２が位置し、図３に示す領域Ｂ２に、駆動電極１５ａ，１６ａ，１５ｂ，１６ｂが位置する。
【００１５】
キャパシタ電極１１，１２のうちキャパシタ電極１２は、基板２上の絶縁膜２２上に積層された状態で形成されており、基板２直上に固定配置されている。キャパシタ電極１１は、キャパシタ電極１２と空隙を介して対向するように配置される。そして、キャパシタ電極１１は、駆動電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄにより両端から支持されることで上下動可能な状態で保持されている。さらに、キャパシタ電極１１，１２の平面形状は、略短冊形状である。なお、図２および図３に示すように、キャパシタ電極１２は、表面に絶縁膜２１が形成され、キャパシタ電極１１との電気的短絡を防止する構造となっている。なお、図２に示す断面図は、それぞれ矢印方向から切断面を見たものであるため、キャパシタ配線１４ｃ，１４ｄは、切断面よりも奥でキャパシタ電極１２と電気的に接続する。
【００１６】
駆動電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄは、それぞれ対となる駆動電極１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄと、空隙を介して対向している。各駆動電極１６ａ〜１６ｄもキャパシタ電極１２と同じく絶縁膜２１が表面に形成され、駆動電極１６ａ〜１６ｄとの電気的短絡を防止する構造となっている。また、駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄは、絶縁膜２２上に形成される。各対の駆動電極のうち、駆動電極１５ａ，１６ａは、キャパシタ電極１１，１２の一方の短辺と接続し、駆動電極１５ｂ，１６ｂは、キャパシタ電極１１，１２の他方の短辺であって駆動電極１５ａ，１６ａと対向する位置に接続し、駆動電極１５ｃ，１６ｃは、キャパシタ電極１１，１２の長辺に接続し、駆動電極１５ｄ，１６ｄは、キャパシタ電極１１，１２の他方の長辺であって駆動電極１５ｃ，１６ｃと対向する位置に接続する。
【００１７】
この可変容量素子１は、キャパシタ電極１１とキャパシタ電極１２との距離Ｄを変化させることで、可変容量素子１の静電容量が調整されるように構成される。具体的に、可変容量素子１の静電容量調整方法について説明する。まず、駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄ間に電圧差を与えることによって、図３の矢印に示すように、静電引力が発生する。なお、この電圧差は、各駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄにそれぞれ接続する駆動配線１８，１９に所定の電圧を印加することによって生じる。なお、図３に示す断面図は、それぞれ矢印方向から切断面を見たものであるため、駆動配線１９は、切断面よりも奥で駆動電極１６ａ，１６ｂと電気的に接続する。
【００１８】
そして、発生した静電引力によって、上部の駆動電極１５ａ〜１５ｄが下部の駆動電極１６ａ〜１６ｄに引き寄せられ、上部の駆動電極１５ａ〜１５ｄが下降する。この上部の駆動電極１５ａ〜１５ｄとキャパシタ電極１１とは、連結部１７ａ〜１７ｄを介して機械的に接続されているため、上部の駆動電極１５ａ〜１５ｄが下降することによって、キャパシタ電極１１も下降する。この結果、キャパシタ電極１１とキャパシタ電極１２との距離Ｄが変化し、可変容量素子１の静電容量も、この距離Ｄの変化にともない変化する。さらに、駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄ間の電圧差を０とすると、駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄ間に生じていた静電引力も消滅するため、電極の張力により上部の駆動電極１５ａ〜１５ｄは元の位置に戻る。これにともない、キャパシタ電極１２も元の位置に戻り、可変容量素子１の静電容量も元の値に戻る。
【００１９】
このキャパシタ電極１１には、外部回路と接続されるキャパシタ配線１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄが一体に形成されている。このため、キャパシタ電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄは、キャパシタ電極１１と電気的に接続される。また、キャパシタ電極１２には、外部回路と接続されるキャパシタ配線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄが一体に形成されている。このため、キャパシタ電極１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄは、キャパシタ電極１２と電気的に接続される。キャパシタ電極１１，１２は、生成した静電容量を、キャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄを介して外部回路に供給する。
【００２０】
一対のキャパシタ配線１３ａ，１４ａは、近接した箇所でキャパシタ電極１１，１２と接続するとともに、接続箇所からそれぞれ同方向に延伸するように形成される。したがって、キャパシタ配線１３ａ，１４ａは、可変容量素子１上方から見た場合、キャパシタ配線１３ａ，１４ａがそれぞれ重ならないように、平行に延伸するように形成されている。さらに、図３に示すように、キャパシタ配線１３ａ，１４ａは、側面から見た場合も、平行に対向して配置する。そして、キャパシタ配線１３ａ，１４ａは、キャパシタ電極１１，１２にそれぞれ接続するまで、可変容量素子１上方から見た場合および側面から見た場合のいずれにおいても、平行に延伸した状態で形成される。また、実効的なインダクタンスを小さくするために、キャパシタ電極１１，１２間の容量に影響を及ぼさない程度に、キャパシタ配線１３ａ，１４ａを近づけるように配置している。このキャパシタ配線は複数対設けられ、可変容量素子１は、たとえば、キャパシタ配線１３ａ，１４ａと対向した位置に形成されたキャパシタ配線１３ｂ，１４ｂ、キャパシタ配線１３ａ，１４ｂとキャパシタ電極１１，１２の同一辺に形成されたキャパシタ配線１３ｃ，１４ｃ、および、キャパシタ配線１３ｃ，１４ｃと対向した位置に形成されたキャパシタ配線１３ｄ，１４ｄの４対のキャパシタ配線を備える。上述したように、駆動電極１５ａ，１６ａ，１５ｂ，１６ｂ，１５ｃ，１６ｃ，１５ｄ，１６ｄも複数対設けられ、各対のキャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄと駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄとは、キャパシタ電極１１，１２の各周に沿って、交互に設けられる。キャパシタ配線と駆動電極とは、キャパシタ電極１１，１２の各周に沿って交互に設けられることから、図１に例示するように、偶数対であることが望ましい。
【００２１】
このように、本実施の形態にかかる可変容量素子１は、一対のキャパシタ電極１１，１２の平面形状が略短冊形状であり、キャパシタ電極１１，１２とそれぞれ接続する対となるキャパシタ配線は、近接した箇所でキャパシタ電極１１，１２のそれぞれと接続するとともに、キャパシタ配線を上方から見た場合に接続箇所からそれぞれ平行に延伸するように形成される。
【００２２】
また、可変容量素子１の可動性を確保するために、図４に例示するような中空の気密封止構造体２０が必要となる。可変容量素子１を半導体ウェハプロセスで製造する場合には、ウェハプロセス中で気密封止構造体２０まで製造することが望ましく、この気密封止構造体２０は、たとえば、薄い絶縁膜をＣＶＤ処理で形成した後、エッチング処理で加工することによって形成される。気密封止構造体２０の平面形状は、封止対象の可変容量素子１のキャパシタ電極１１，１２の形状に対応し、略短冊形状を有するとともに、キャパシタ電極１１，１２に接続する駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄもともに封止するため、駆動電極箇所に対応した領域に凸部を有する。
【００２３】
ここで、従来の可変容量素子について説明する。図５は、比較例にかかる可変容量素子の斜視図であり、図６は、比較例にかかる可変容量素子を気密封止構造体で封止した場合の斜視図である。図５に示すように、従来においては、キャパシタ電極１１１，１１２の平面形状は、略正方形であり、各キャパシタ電極１１１，１１２にそれぞれ接続するキャパシタ配線１１３，１１４は、それぞれ直交するように配置される。そして、キャパシタ電極１１１には、駆動電極１１５が接続部１１７を介して機械的に接続され、この駆動電極１１５に対向するように駆動電極１１６が形成されている。なお、駆動電極１１５，１１６は、それぞれ駆動配線１１８，１１９と接続している。
【００２４】
そして、実効的な静電容量をＣとし、実効的なインダクタンスをＬとした場合、自己共振周波数ｆは、以下の（１）式で表される。
ｆ＝１／２／π／（ＬＣ）１／２                                      ・・・（１）
【００２５】
この（１）式に示すように、従来の可変容量素子の構造を取る場合、容量向上の要求を満たすためにキャパシタ電極の面積をそのまま大きくした場合、キャパシタの自己共振周波数の低下を防止するには、キャパシタのインダクタンスを低くする必要がある。たとえば、正方形状の各辺をそれぞれ延伸してキャパシタ電極面積を大きくすることによって実効的な静電容量を１０ｐＦまで高めた場合には実効的なインダクタンスを１００ｐＨ以下にしなければならない。しかしながら、従来では、各キャパシタ電極に接続するキャパシタ配線は直交するように配置されるため、このキャパシタ配線によるインダクタンスが大きく、可変容量素子全体を実装するパッケージを考慮すると１００ｐＨ以下までインダクタンスを減らすことは困難であった。
【００２６】
さらに、キャパシタ電極の面積を正方形状のまま大きくし、さらに、図６に示すような中空の気密封止構造体１２０で可変容量素子全体を封止した場合、気密封止構造体１２０の寸法も正方形状に大型化してしまい、気密封止構造体１２０を上方から見た場合における縦幅および横幅の双方ともに長くなってしまう。したがって、気密封止構造体１２０の平面形状が縦方向および横方向のいずれにも幅広になることから、気密封止体１２０の外力に対する機械的強度が低下する。そのため、後の実装工程・使用環境に耐える事ができず、気密封止体の変形・破損・気密性劣化を起し、可変容量素子が正常に作動しないという問題があった。
【００２７】
これに対し、本実施の形態にかかる可変容量素子１においては、図１〜図３に示すように、キャパシタ電極１１，１２を、一組の対辺を延伸させた略短冊形状となるように大きくすることによって、キャパシタ電極１１，１２の面積を拡大化して要求される静電容量にまで高めている。
【００２８】
そして、キャパシタ電極１１に接続するそれぞれ対となるキャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄを、上方から見た場合に接続箇所からそれぞれ平行に延伸するように形成していることから、従来の直交するように配置されたキャパシタ配線１１３，１１４と比較して、キャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄ間に生じる実効的なインダクタンスを小さくすることが可能になる。さらに、可変容量素子１においては、キャパシタ電極１１，１２を略短冊形状とすることで、短辺方向に加え長辺方向にも複数対のキャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄを設けることができる。このため、可変容量素子１は、従来よりも多い対数のキャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄを容易に設けることができるため、実効的なインダクタンスをさらに小さくすることが可能になる。また、このキャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄにも静電容量が発生するものの、面積を拡大化させたキャパシタ電極の静電容量が格段に大きいため、キャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄに発生した静電容量は可変容量素子１の動作には影響を及ぼさない。
【００２９】
また、キャパシタ配線は、対となるキャパシタ配線間以外の導電体と電気的接合を持つと、浮遊容量の増加や実効的なインダクタンスの増加を招くことがある。可変容量素子１においては、キャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄおよび駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄが、キャパシタ電極１１，１２の周方向に沿って交互に配置され、さらに、キャパシタ電極１１，１２を上方から見た場合、各対のキャパシタ配線間には、絶縁体で構成される連結部１７ａ〜１７ｄを介してキャパシタ電極１１，１２と接続する駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄが設けられている。したがって、キャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄは、対となるキャパシタ配線以外の導電体と電気的に接合しないように形成されているため、不要な電気的接合を最小限とすることができることから、浮遊容量の増加および実効的なインダクタンスの増加を回避することができる。
【００３０】
従来の低容量タイプの可変容量素子では、容量値が数百ｆＦ〜数ｐＦ程度であっても、キャパシタの実効インダクタンス値が数百ｐＨ〜数ｎＨまで上がってしまっていたのに対し、本実施の形態における可変容量素子１においては、キャパシタ電極１１，１２の長辺を数十μｍ〜数ｍｍの大きさで形成して容量値を数十ｐＦ〜数百ｐＦまで向上させることができる上に、さらに、キャパシタの実効インダクタンス値を数十ｐＨ〜数百ｐＨまで低減することができる。
【００３１】
また、気密封止構造体は、薄い絶縁膜で形成されており、外力に対する変形は、キャパシタ電極上方から見た場合、気密封止構造体の中央近傍が最も変形しやすい。可変容量素子１においては、キャパシタ電極１１，１２の平面形状を略短冊形状とすることによって面積を大きくしており、気密封止構造体２０の平面形状も、駆動電極およびキャパシタ配線に対応した凸部を備えた略短冊形状となっている。言い換えると、気密封止構造体２０を上方から見た場合、横方向の幅は短いままで、縦方向の幅のみが幅広になっている。したがって、キャパシタ電極を正方形状にそのまま大型化した従来と比較し、気密封止構造体２０の短辺に対応する幅は狭いままであるため、外力がかかった場合の気密封止構造体の変形も従来と比較して小さくなる。このため、気密封止構造体２０を厚さ数μｍの薄い絶縁膜で形成した場合であっても、機械的強度を十分に確保することができる。この結果、気密封止構造体２０の中央部分が下方にたわんでしまうこともなく、キャパシタ電極１１を確実に中空に支えることができることから、可変容量素子の正常な駆動を保持することができる。
【００３２】
また、キャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄおよび駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄはそれぞれ偶数対設けられ、さらに、キャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄおよび駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄは、キャパシタ電極１１，１２の各辺を介して対向するように配置している。気密封止構造体２０の凸部も、これらのキャパシタ配線１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄおよび駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄの位置に応じて対向して形成されるため、この凸部によって、気密封止構造体２０の略短冊形状の長辺および短辺は、それぞれ両側から支えられることとなることから、機械的強度をさらに確保できる構造となっている。
【００３３】
また、可変容量素子１では、上方から見た場合、キャパシタ電極１１に接続するキャパシタ配線１３ａ〜１３ｄとキャパシタ電極１２に接続するキャパシタ配線１４ａ〜１４ｄとが、それぞれ交互となるように配置されている。このため、この可変容量素子１を半導体パッケージに搭載する場合、パッケージ外部端子がキャパシタ電極１１およびキャパシタ電極１２と交互に接続するように配置したパッケージ設計を容易に行なうことができる。
【００３４】
また、本実施の形態においては、図１に示すように、キャパシタ電極１１，１２の各短辺に二対の駆動電極１５ａ，１６ａ，１５ｂ，１６ｂを配置した場合を例に説明したが、もちろんこれに限らず、図７に示すように、キャパシタ電極２１１，２１２の各短辺にそれぞれ接続するように二対のキャパシタ配線２１３ａ，２１４ａ，２１３ｂ，２１４ｂを配置してもよい。この場合、図７に示すように、キャパシタ電極２１１，２１２の各長辺に、二対の駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄをそれぞれ対向させて配置させ、これらの各駆動電極１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄの間に、二対のキャパシタ配線２１３ｃ，２１４ｃ，２１３ｄ，２１４ｄを配置することによって、キャパシタ電極２１１，２１２の各周方向に沿って、キャパシタ配線と駆動電極とを交互に配置している。
【符号の説明】
【００３５】
１  可変容量素子、２  基板、１１，１２，１１１，１１２，２１１，２１２  キャパシタ電極、１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄ，２１３ａ〜２１３ｄ，２１４ａ〜２１４ｄ  キャパシタ配線、１５ａ〜１５ｄ，１６ａ〜１６ｄ  駆動電極、１７ａ〜１７ｄ  連結部、１８，１９  駆動配線、２０  気密封止構造体、２１，２２，２３，２４  絶縁膜
【図１】
2011018831.tif 000003
【図２】
2011018831.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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