(57)【要約】【課題】  負電源のみで動作させた場合でも、ゲートソース間電圧を自由に変化させることができて、抵抗またはダイオード等の形成材料の種類に影響されることなく、大きな温度補償量を得ることができるバイアス回路を提供する。【解決手段】  本発明のバイアス回路１０は、ゲート端子、ドレイン端子、ソース端子を有するトランジスタ１１と、一端がゲート端子に、他端が第１のコントロール端子１６に接続され、負の温度依存性の第１の抵抗体１２と、一端がドレイン端子に、他端が第２のコントロール端子１７に接続され、正の温度依存性の第２の抵抗体１３と、一端がソース端子に、他端がゲートバイアス出力端子１９に接続され、負の温度依存性の第３の抵抗体１４と、一端が第３の抵抗体１４の前記他端に、他端が第３のコントロール端子１８に接続され、正の温度依存性の第４の抵抗体１５とを有することを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート端子、ドレイン端子およびソース端子を有するトランジスタと、
一端が前記ゲート端子に電気的に接続され、かつ、電気抵抗値の変化量が負の温度依存性を示す第１の抵抗体と、
前記第１の抵抗体の他端に電気的に接続された第１のコントロール端子と、
一端が前記ドレイン端子に電気的に接続され、かつ、電気抵抗値の変化量が正の温度依存性を示す第２の抵抗体と、
前記第２の抵抗体の他端に電気的に接続された第２のコントロール端子と、
一端が前記ソース端子に電気的に接続され、かつ、電気抵抗値の変化量が負の温度依存性を示す第３の抵抗体と、
前記第３の抵抗体の他端に電気的に接続されたゲートバイアス出力端子と、
一端が前記第３の抵抗体の前記他端に電気的に接続され、かつ、電気抵抗値の変化量が正の温度依存性を示す第４の抵抗体と、
前記第４の抵抗体の他端に電気的に接続された第３のコントロール端子とを有することを特徴とするバイアス回路。
【請求項２】
前記第１の抵抗体および前記第３の抵抗体が、半導体材料を用いたダイオードであることを特徴とする請求項１記載のバイアス回路。
【請求項３】
前記第２の抵抗体および前記第４の抵抗体が、金属材料を用いた抵抗体であることを特徴とする請求項１または２記載のバイアス回路。
【請求項４】
入力された信号を増幅するトランジスタと、バイアス回路とを有し、
前記バイアス回路が、請求項１から３のいずれか一項に記載のバイアス回路であり、
前記トランジスタのゲート端子と、前記ゲートバイアス出力端子とが、電気的に接続され、
前記トランジスタおよび前記バイアス回路が、同一基板上に、モノリシックに集積されていることを特徴とする増幅器。
【請求項５】
前記第１のコントロール端子に、０Ｖまたは負の電圧を印加し、
前記第２のコントロール端子に、０Ｖまたは負の電圧を印加し、
前記第３のコントロール端子に、負の電圧を印加し、
前記第３のコントロール端子に印加する前記負の電圧の絶対値が、前記第２のコントロール端子に印加する前記電圧の絶対値より大きいことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のバイアス回路の動作方法。
【請求項６】
前記トランジスタのゲートソース間電圧が、その閾値電圧より大きくなるように、前記各コントロール端子に、前記各電圧を印加することを特徴とする請求項５記載の動作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バイアス回路、増幅器およびバイアス回路の動作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波帯、ミリ波帯等の高周波増幅に用いられるトランジスタは、温度によってその利得が変化する。例えば、半導体材料を用いた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Ｆｅｉｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）では、温度が高くなると、キャリアの熱散乱により利得が低下する。このため、例えば、前記ＦＥＴを用いた前記マイクロ波帯、ミリ波帯等の高周波増幅器等の利得は、温度上昇に伴って減少する。
【０００３】
この利得低下を補償するために、増幅器に用いる前記ＦＥＴのゲート端子に印加されるゲートバイアス電圧を、温度変化に伴って高くするバイアス回路等が開示されている（特許文献１および２参照）。
【０００４】
前記特許文献１に記載のゲートバイアス供給手段（バイアス回路）では、周囲温度の上昇に伴ってダイオードの端子間の電圧が低下することを利用して、出力されるゲートバイアス電圧を高くする（同文献の明細書第６頁〜第７頁、第７図〜第１０図）。
【０００５】
前記特許文献２に記載のバイアス回路では、温度上昇に対して、ＦＥＴのドレイン電流が減少させて、出力されるゲートバイアス電圧を高くする（正の温度係数を持たせる）。さらに、前記バイアス回路では、ダイオードの温度特性を組み合わせて、温度上昇に対して、出力されるゲートバイアス電圧を高くする（同文献の明細書第３頁〜第６頁、第１図〜第７図参照）。
【０００６】
しかしながら、前記特許文献１および２に記載のゲートバイアス回路では、負電源のみで動作させた場合、温度変化に対する出力電圧の補償量が小さい。
【０００７】
そこで、特許文献３においては、温度上昇に伴う閾値電圧Ｖｔｈ低下により、ドレイン電流が増加するＦＥＴと、前記ＦＥＴのソース端子と第１の抵抗との間で順方向になるように接続されたダイオードとを備えたバイアス回路が開示されている。前記特許文献３に記載のバイアス回路によれば、前記ダイオードの端子間電圧が、温度上昇に伴って低くなる特性（負の温度依存性）を利用して、温度上昇に伴い前記ＦＥＴのゲートソース間電圧（Ｖｇｓ）を上昇させている。これにより、前記ＦＥＴのソースドレイン間電流（Ｉｄｓ）を増加させることで、負電源のみで駆動させた場合でも、温度補償効果が得られる（同文献の明細書第００２０段落〜００２２段落、図３等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−３２０２４２号公報
【特許文献２】特開２００３−６０４４４号公報
【特許文献３】特開２００９−５５４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、前記特許文献３に記載のバイアス回路では、以下のとおり、負電源のみで動作させても、温度補償効果が得られない場合がある。
【００１０】
例えば、抵抗またはダイオードが温度依存性を有することに起因する問題がある。すなわち、前記ＦＥＴのソース端子に接続される抵抗（同文献の図１における抵抗６）のみが正の温度依存性を示す場合、前記ＦＥＴの前記Ｖｇｓが減少するため、温度補償効果が得られない。
【００１１】
一方、前記抵抗に、負の温度依存性を示す抵抗を用いた場合でも、印加される電圧範囲によっては、温度補償効果が得られない場合がある。これは、前記バイアス回路において、ＧａＡｓ材料を用いたダイオードを用いていることに起因する。前記ＧａＡｓ材料を用いたダイオードでは、閾値電圧近傍では温度上昇に伴って、前記ダイオードの両端の電圧が増加する。一方、十分な電流が流れる電圧領域では、温度上昇に伴って、前記ダイオードの両端の電圧が減少する（同文献の図２参照）。このため、例えば、前記ダイオードの両端に印加される電圧が小さい場合、温度上昇に伴い、前記ダイオードの両端に出力される電圧が上昇する。このため、前記Ｖｇｓが小さくなり、前記Ｉｄｓが減少する。この結果、前記バイアス回路では、温度補償効果を得られる、前記Ｖｇｓの範囲が限定される。このため、特許文献３に記載のバイアス回路では、得られる温度補償量も限定される。
【００１２】
本発明の目的は、負電源のみで動作させた場合でも、ゲートソース間電圧を自由に変化させることができて、抵抗またはダイオード等の形成材料の種類に影響されることなく、大きな温度補償量を得ることができるバイアス回路、増幅器およびバイアス回路の動作方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、本発明のバイアス回路は、
ゲート端子、ドレイン端子およびソース端子を有するトランジスタと、
一端が前記ゲート端子に電気的に接続され、かつ、電気抵抗値の変化量が負の温度依存性を示す第１の抵抗体と、
前記第１の抵抗体の他端に電気的に接続された第１のコントロール端子と、
一端が前記ドレイン端子に電気的に接続され、かつ、電気抵抗値の変化量が正の温度依存性を示す第２の抵抗体と、
前記第２の抵抗体の他端に電気的に接続された第２のコントロール端子と、
一端が前記ソース端子に電気的に接続され、かつ、電気抵抗値の変化量が負の温度依存性を示す第３の抵抗体と、
前記第３の抵抗体の他端に電気的に接続されたゲートバイアス出力端子と、
一端が前記第３の抵抗体の前記他端に電気的に接続され、かつ、電気抵抗値の変化量が正の温度依存性を示す第４の抵抗体と、
前記第４の抵抗体の他端に電気的に接続された第３のコントロール端子とを有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の増幅器は、
入力された信号を増幅するトランジスタと、バイアス回路とを有し、
前記バイアス回路が、前記本発明のバイアス回路であり、
前記トランジスタのゲート端子と、前記ゲートバイアス出力端子とが、電気的に接続され、
前記トランジスタおよび前記バイアス回路が、同一基板上に、モノリシックに集積されていることを特徴とする。
【００１５】
また、前記本発明のバイアス回路の動作方法は、
前記第１のコントロール端子に、０Ｖまたは負の電圧を印加し、
前記第２のコントロール端子に、０Ｖまたは負の電圧を印加し、
前記第３のコントロール端子に、負の電圧を印加し、
前記第３のコントロール端子に印加する前記負の電圧の絶対値が、前記第２のコントロール端子に印加する前記電圧の絶対値より大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、負電源のみで動作させた場合でも、ゲートソース間電圧を自由に変化させることができて、抵抗またはダイオード等の形成材料の種類に影響されることなく、大きな温度補償量を得ることができるバイアス回路、増幅器およびバイアス回路の動作方法を提供可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明のバイアス回路の実施形態１における一例の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の増幅器の実施形態２における一例の構成を示す回路図である。
【図３】特許文献３に記載のバイアス回路の構成を例示する回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明のバイアス回路および増幅器について、例を挙げて詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態に限定されない。なお、以下の図１から図３において、同一部分には、同一符号を付している。また、図面においては、説明の便宜上、各部の構造は適宜簡略化して示す場合があり、各部の寸法比等は、実際とは異なる場合がある。
【００１９】
（実施形態１）
図１の回路図に、本実施形態のバイアス回路の一例の構成を示す。図示のとおり、このバイアス回路１０は、ゲート端子、ドレイン端子およびソース端子を有するトランジスタ１１と、一端が前記ゲート端子に電気的に接続された抵抗１２と、抵抗１２の他端に電気的に接続された端子１６と、一端が前記ドレイン端子に電気的に接続された抵抗１３と、抵抗１３の他端に電気的に接続された端子１７と、一端が前記ソース端子に電気的に接続され抵抗１４と、一端が抵抗１４の他端に電気的に接続された抵抗１５と、抵抗１５の他端に電気的に接続された端子１８と、一端が抵抗１４の前記他端に電気的に接続され、他端が端子１９に接続された抵抗２０とを有する。前記各抵抗および前記各端子は、金属配線（伝送線路）を介して電気的に接続されている。前記「抵抗１２」は、本発明における「第１の抵抗体」に相当する。前記「抵抗１３」は、本発明における「第２の抵抗体」に相当する。前記「抵抗１４」は、本発明における「第３の抵抗体」に相当する。前記「抵抗１５」は、本発明における「第４の抵抗体」に相当する。前記「端子１６」は、本発明における「第１のコントロール端子」に相当する。前記「端子１７」は、本発明における「第２のコントロール端子」に相当する。前記「端子１８」は、本発明における「第３のコントロール端子」に相当する。前記「端子１９」は、本発明における「ゲートバイアス出力端子」に相当する。なお、本実施形態のバイアス回路１０は、図示しない基板上に形成されている。前記基板としては、例えば、半導体基板、金属基板等があげられる。
【００２０】
抵抗１２および抵抗１４は、電気抵抗値の変化量が負の温度依存性を示す。なお、負の温度依存性を示す抵抗には、例えば、閾値電圧近傍では、温度上昇に伴ってその両端の電圧が増加し、一方、十分な電流が流れる電圧領域では、温度上昇に伴ってその両端の電圧が減少する抵抗も含まれる。抵抗１３および抵抗１５は、温度に対する電気抵抗値の変化量が正の温度依存性を示す。
【００２１】
抵抗１２および抵抗１４は、前記負の温度依存性を示せばよく、例えば、半導体材料を用いたダイオード、負の温度特性を示す金属材料を用いた抵抗体等があげられる。例えば、抵抗１２および抵抗１４に、前記ダイオードを用いる場合には、前記ダイオードは、順方向に接続される。前記半導体材料としては、例えば、化合物半導体、シリコン系半導体等があげられる。前記化合物半導体としては、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族半導体等があげられる。前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体は、例えば、ＩＩＩ族窒化物半導体であってもよいし、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ等であってもよい。前記ＩＩＩ族窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等があげられる。前記金属材料としては、例えば、従来公知のものがあげられる。
【００２２】
抵抗１３および抵抗１５は、前記正の温度依存性を示せばよく、例えば、正の温度特性を示す金属材料を用いた抵抗体、エピタキシャル成長させた半導体材料を用いた抵抗体等があげられる。前記金属材料としては、例えば、従来公知のものがあげられる。
【００２３】
つぎに、本実施形態のバイアス回路の動作は、特に制限されないが、前記本発明の動作方法にしたがって動作させることが好ましい。以下、このような動作方法の一例について説明する。
【００２４】
端子１６、端子１７および端子１８に、所望の電圧を印加する。前記各電圧は、トランジスタ１１において、そのゲートソース間電圧（Ｖｇｓ）が閾値電圧より大きくなり、かつ、抵抗１３、抵抗１４および抵抗１５により分圧されるゲートバイアス出力電圧（Ｖ＿ｏｕｔ）が所望の電圧となるように、前記各端子に印加される。トランジスタ１１のオン時、前記Ｖ＿ｏｕｔは、トランジスタ１１のソースドレイン間に流れる電流をＩｄｓとして、下記式（１）で表される。この状態で、温度が上昇すると、抵抗１２の両端および抵抗１４の両端に印加される電圧が低下する。一方、抵抗１３の両端および抵抗１５の両端に印加される電圧が増加する。
Ｖ＿ｏｕｔ＝Ｖ１４＋Ｉｄｓ×Ｒ１５    （１）
Ｖ＿ｏｕｔ：ゲートバイアス出力電圧
Ｖ１４    ：抵抗１４の両端に印加される電圧
Ｉｄｓ    ：トランジスタ１１のソースドレイン間に流れる電流
Ｒ１５    ：抵抗１５の電気抵抗値
【００２５】
前述のように、抵抗１２の両端および抵抗１４の両端に印加される電圧が低下すると、トランジスタ１１の前記Ｖｇｓが、正に増加する。これにより、トランジスタに流れる前記Ｉｄｓが増加する。この結果、前記式（１）より、前記Ｖ＿ｏｕｔが増加する。
【００２６】
つぎに、上記の動作について、半導体材料としてＧａＮを用い、ゲート幅４×７５μｍのトランジスタモデルを使用して、端子１９（ゲートバイアス出力端子）から出力される電圧値（Ｖ＿ｏｕｔ）のシミュレーションを行った。環境温度は、２５℃および１０５℃とした。端子１７に印加する電圧は、−３Ｖに設定した。端子１８に印加する電圧は、−８Ｖに設定した。端子１６に印加する電圧は、０Ｖに設定した。すなわち、本実施形態のバイアス回路１０を負電源のみで動作させた。抵抗１２には、ゲート幅４×７５μｍのダイオードを用い、電気抵抗値を０．９Ωに設定した。抵抗１４には、ゲート幅４×７５μｍのダイオードを用い、電気抵抗値を０．９Ωに設定した。抵抗１３には、正の温度特性を示す従来の金属抵抗を用い、電気抵抗値を１００Ωに設定した。抵抗１５には、正の温度特性を示す従来の金属抵抗を用い、電気抵抗値を５０００Ωに設定した。抵抗２０には、従来の金属抵抗を用い、電気抵抗値を１Ωに設定した。
【００２７】
また、比較対象として、図３の回路図に示す、前記特許文献３に記載のバイアス回路を使用した。図示のとおり、このバイアス回路１０００は、マイナス側電圧印加端子１００１、出力電圧端子１００２及びプラス側電圧印加端子１００３を有し、トランジスタ１００４、ダイオード１００５及び抵抗１００６〜１００９を備える。この回路において、マイナス側電圧印加端子１００１は、抵抗（第２の抵抗）１００７の一端と接続しており、抵抗１００７の他端は抵抗（第１の抵抗）１００６に接続している。また、ダイオード１００５は、トランジスタ１００４のソース端子と抵抗１００６の抵抗１００７側でない他端との間に順方向に接続され、このダイオード１００５と抵抗１００６との接続部に出力電圧端子１００２が接続する。トランジスタ１００４は、抵抗（第４の抵抗）１００９とドレイン端子が接続し、ゲート端子が抵抗（第３の抵抗）１００８と接続している。抵抗１００８は、一端がトランジスタ１００４のゲート端子に接続し、他端が抵抗１００６と抵抗１００７との接続部に接続している。また、プラス側電圧印加端子１００３は、抵抗１００９のトランジスタ１００４側でない端部と接続することにより、抵抗１００９を介してトランジスタ１００４のドレイン端子と接続している。抵抗１００８および抵抗１００９は電圧の安定化のために抵抗値Ｒ３ａ、Ｒ４ａが設定される。
【００２８】
前記プラス側電圧端子１００３には、本実施形態における端子１７に印加される同一の電圧（−３Ｖ）を印加した。前記マイナス側電圧端子１００１には、本実施形態における端子１８に印加される同一の電圧（−８Ｖ）を印加した。すなわち、図３の回路図に示す、前記特許文献３に記載のバイアス回路を負電源のみで動作させた。また、このバイアス回路１０００における前記各抵抗および前記ダイオードの電気抵抗値を、本実施形態のバイアス回路における前記各抵抗の電気抵抗値と同様とした。
【００２９】
本実施形態のバイアス回路および比較対象のバイアス回路における、前記Ｖ＿ｏｕｔのシミュレーション結果を下記表１に示す。下記表１中の単位は、Ｖ（ボルト）である。
【００３０】
（表１）
２５℃      １０５℃    ８０℃あたりの変化量
本実施形態（Ｖ＿ｏｕｔ）  −４．３６４  −３．８４７              ０．５１７
比較対象  （Ｖ＿ｏｕｔ）  −４．６４１  −４．４４１              ０．２    
【００３１】
前記表１に示すとおり、前記シミュレーションの結果から、本実施形態のバイアス回路では、負電源のみで動作させた場合でも、大きな温度補償量を得ることができることが分かる。一方、比較対象として使用した、図３の回路図に示す前記特許文献３に記載のバイアス回路では、負電源のみで動作させた場合には、十分な温度補償量を得ることができない。なお、本発明において、前記各端子に印加する電圧は、上記シミュレーションでの設定条件のみに限定されない。本実施形態のバイアス回路を負電圧のみで動作させるには、例えば、前記第１のコントロール端子である端子１６には、０Ｖまたは負の電圧を印加する。また、前記第２のコントロール端子である端子１７には、例えば、０Ｖまたは負の電圧を印加する。また、例えば、前記第３のコントロール端子である端子１８には、負の電圧を印加する。この負の電圧の絶対値は、端子１７に印加する電圧の絶対値より大きいことが好ましい。
【００３２】
本実施形態のバイアス回路では、端子１６に独立に電圧を印加することができる。このため、抵抗１２の両端に印加される電圧を自由に変化させることができる。この結果、前述のＧａＡｓ材料を用いたダイオード等のような特殊な電流電圧特性を有する抵抗を用いる場合であっても、ゲートソース間電圧を自由に変化させて、温度に対して、所望の電気抵抗値の変化量を得ることができる。このように、本実施形態のバイアス回路では、負電源のみで動作させた場合でも、ゲートソース間電圧を自由に変化させることができて、抵抗またはダイオード等の形成材料の種類に影響されることなく、大きな温度補償量を得ることができる。
【００３３】
つぎに、本実施形態のバイアス回路の製造方法の一例を、図１を参照して説明する。
【００３４】
まず、半導体基板等の基板（図示せず）上に、例えば、一般的なゲート開口プロセスを用いて、トランジスタ１１を形成する（トランジスタ形成工程）。
【００３５】
つぎに、温度に対する電気抵抗値の変化量が負の温度依存性を示す抵抗（ダイオード）１２および１４を、例えば、ゲートダイオード作成プロセスを用いて形成する（第１の抵抗体形成工程および第３の抵抗体形成工程）。つぎに、温度に対する電気抵抗値の変化量が正の温度依存性を示す抵抗（金属抵抗）１３および１５を、例えば、メタル配線蒸着プロセスを用いて形成する（第２の抵抗体形成工程および第４の抵抗体形成工程）。また、抵抗（金属抵抗）２０を、抵抗１３および抵抗１５と同様の方法を用いて形成する。
【００３６】
つぎに、前記各抵抗およびトランジスタ１１を、例えば、蒸着配線プロセスを用いて、図１に示すように、金属配線を用いて結線して（伝送線路を介して）、電気的に接続する（各構成部材接続工程）。このようにして、図１に示す本実施形態のバイアス回路を製造可能である。ただし、本実施形態のバイアス回路を製造する方法は、この例に限定されない。例えば、市販されている前記各構成部材を購入して、図１に示すように配置し、例えば、導線を用いて電気的に接続する。このようにして、本実施形態のバイアス回路を製造してもよい。
【００３７】
前述のとおり、本発明のバイアス回路は、負電源のみで動作させた場合でも、ゲートソース間電圧を自由に変化させることができて、抵抗またはダイオード等の形成材料の種類に影響されることなく、大きな温度補償量を得ることができる。従って、本発明のバイアス回路の用途としては、例えば、マイクロ波およびミリ波帯集積回路（ＭＭＩＣ：Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）用のバイアス回路等があげられる。ただし、その用途は限定されず、広い分野に適用可能である。
【００３８】
（実施形態２）
図２の回路図に、本実施形態の増幅器の一例の構成を示す。図示のとおり、この増幅器１００は、入力されたＲＦ（Ｒａｔｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号を増幅するトランジスタ２１と、バイアス回路１０とを有する。バイアス回路１０は、実施形態１のバイアス回路である。トランジスタ２１のゲート端子２２と、バイアス回路１０の端子（ゲートバイアス出力端子）１９とは、電気的に接続されている（ソースフォロワ型）。トランジスタ２１とバイアス回路１０とは、同一基板（図示せず）上に、モノリシックに集積されている。本実施形態の増幅器は、前記実施形態１のバイアス回路を有するため、例えば、環境温度の上昇よりトランジスタ２１の利得が低下しても、前述の実施形態１のバイアス回路により得られる効果によって、この利得低下を補償することができる。なお、本発明の増幅器における前記バイアス回路は、前述の実施形態１のバイアス回路に限定されず、本発明のバイアス回路であればよい。
【符号の説明】
【００３９】
１０      バイアス回路
１１      トランジスタ
１２      抵抗（第１の抵抗体）
１３      抵抗（第２の抵抗体）
１４      抵抗（第３の抵抗体）
１５      抵抗（第４の抵抗体）
１６      端子（第１のコントロール端子）
１７      端子（第２のコントロール端子）
１８      端子（第３のコントロール端子）
１９      端子（ゲートバイアス出力端子）
２０      抵抗
２１      入力されたＲＦ信号を増幅するトランジスタ
２２      トランジスタ２１のゲート端子
１００    増幅器
１０００  特許文献３に記載のバイアス回路
１００１  マイナス側電圧印加端子
１００２  出力電圧端子
１００３  プラス側電圧印加端子
１００４  トランジスタ
１００５  ダイオード
１００６、１００７、１００８、１００９  抵抗
【図１】
2011223428.tif 000003
【図２】
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【図３】
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