(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁崩壊が減少または除去される、低圧で高電圧電気接続を行うために適した電気コネクタを備えるリソグラフィ装置が提供される。【解決手段】基板上にパターンを転写するように構成されたリソグラフィ装置が開示される。リソグラフィ装置は、電源と電気コネクタとを含む。電気コネクタは、電源をリソグラフィ装置の別の構成要素に電気的に接続する。電気コネクタは、順番に、第１導電層３７と、第１可撓性絶縁層３６と、電流を運ぶように構成された導体３３と、第２可撓性絶縁層３６と、第２導電層３７とを含む積層物を含む。【選択図】図３
2011018899.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にパターンを転写するリソグラフィ装置であって、
電源と、
電気コネクタであって、順に、以下の層、
第１導電層と、
第１可撓性絶縁層と、
電流を運ぶ導体と、
第２可撓性絶縁層と、
第２導電層と
を含む積層物を含む電気コネクタとを含み、
前記電気コネクタは、前記電源を前記リソグラフィ装置の別の構成要素に電気的に接続する、リソグラフィ装置。    
【請求項２】
前記第２導電層は、
前記導体に電気的に接続された導体部分と、
前記導体部分を囲み、かつ前記導体部分から電気的に絶縁された遮蔽部分と
を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記第１絶縁層の最小の厚さｔ１、前記第２絶縁層の最小の厚さｔ２、前記第１絶縁層の絶縁耐力ｓ１、および前記第２絶縁層の絶縁耐力ｓ２は、ｔ１×ｓ１≧１０ｋＶおよびｔ２×ｓ２≧１０ｋＶであるように設定される、請求項１または２によるリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記導体部分と前記遮蔽部分との間の最小距離ｄは、０．５ｍｍ≦ｄ≦３ｍｍ、好ましくは０．５ｍｍ≦１．５ｍｍであるように設定される、請求項２または３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記リソグラフィ装置は、
真空チャンバと、
前記真空チャンバ内の圧力を排気器が配置される環境の圧力より小さい圧力に減少する真空排気器とをさらに含み、
前記電気コネクタおよび前記コネクタが前記電源に接続する前記リソグラフィ装置の前記構成要素は、前記真空チャンバの中にあり、
任意的に、前記真空チャンバ内の前記圧力は１００Ｐａ以下である、請求項１〜４のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に複数の導体があり、任意的に、前記第２導電層内の対応する複数の導体部分の各々は、対応する導体に電気的に接続されており、前記遮蔽部分は、前記導体部分の各々を囲み、かつ前記導体部分の各々から電気的に絶縁される、請求項２〜５のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記導体は、ビアによって前記第２導電層の前記導体部分に電気的に接続される、請求項２〜６のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記導体は、第２電気コネクタに電気的に接続されており、前記第２電気コネクタは、順番に、以下の層、
第１導電層と、
第１可撓性絶縁層と、
電流を運ぶ導体と、
第２可撓性絶縁層と、
第２導電層と
を含む積層物を含む、請求項１〜７のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
両方の電気コネクタの前記第２導電層は、
前記導体に電気的に接続された導体部分と、
前記導体部分を囲み、かつ前記導体部分から電気的に絶縁された遮蔽部分とを含み、
前記電気コネクタの前記導体部分はお互いに電気的に接続されており、任意的に、前記電気コネクタの前記遮蔽部分はお互いに電気的に接続される、請求項８に記載のリソグラフィ装置。  
【請求項１０】
前記電気コネクタは、前記遮蔽部分を覆い、さらに任意的に前記導体部分を囲うトリプルポイント絶縁体をさらに含む、請求項２〜９のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記導体部分の幅は、前記導体の幅より小さく、任意的に少なくとも２．５×Ｈだけ小さく、Ｈは前記第２可撓性絶縁層の厚さである、請求項２〜１０のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記電気コネクタ間に絶縁シートが配置されており、前記電気接続は、前記絶縁シートを貫通する接点を介して間接的である、請求項８〜１１のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記接点は半楕円バネであり、任意的に、前記半楕円バネの端は前記導体部分より寸法的に小さい、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記第１可撓性絶縁層および／または前記第２可撓性絶縁層の厚さは、約５０μｍから約１５０μｍの間の範囲内にあり、および／または前記導体の厚さは、約１５μｍから約２５μｍの間の範囲内にあり、および／または前記半楕円バネの厚さは、約２０μｍから約４０μｍの間の範囲内にあり、および／または前記絶縁シートの厚さは、約０．５ｍｍから約１．５ｍｍの間の範囲内にある、請求項１〜１３のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記リソグラフィ装置は、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板を前記基板テーブルに保持する静電チャックであって、誘電材料から成る平面部材を含み、かつ前記基板テーブルとは別個の物体である、静電チャックと、
第１クランプ電極および第２クランプ電極であって、前記第１クランプ電極は前記基板テーブル上に設けられ、前記第２クランプ電極は前記基板上に導電層として設けられる、第１クランプ電極および第２クランプ電極とを含み、
前記電気コネクタが前記電源に電気的に接続する前記別の構成要素は、前記第１電極および前記第２電極のうちの１つであり、
任意的に前記電気コネクタは、クリップおよび任意的にピンによって前記電極に保持されており、前記ピンは、前記クリップに接続され、かつ前記電気コネクタ内の孔を通って延在して前記電極が上に形成される前記基板または基板テーブルに接触する、請求項１〜１４のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明の実施形態は、リソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置のいくつかの移動部分は、高電圧電源によって電力供給される。さらに、一部のリソグラフィプロセスに対しては、リソグラフィ装置の一部分は非常に低圧で保たれる。特に、非常に低圧においては、高電圧電源は、リソグラフィ装置の一部分であり得るあらゆるアクチュエータ、ブレードまたはクランプに電力供給するために使用することができる。アクチュエータは、基板が上に配置されたテーブルを位置決めするために使用される。アクチュエータは、投影ビームの一部を遮断するブレードに電力の供給もする。クランプは、マスクまたは基板をテーブルに保持する。クランプの一例は、電源に接続された電極を含む静電クランプである。
【０００４】
[0004]  高電圧が使用されるという事実により、また、特に構成要素が非常に低圧の環境で位置されるため、絶縁破壊(electrical breakdown)という問題が生じ得る。絶縁破壊の可能性は、電力線の電圧を制限し、安全性の問題をもたらす。破壊が生じた場合、光学面にダメージを与え、敏感な電子機器を妨害する電磁干渉を生成し、人間への安全性の問題をもたらす場合がある。放電は、電力線のあらゆる絶縁性材料の劣化を引き起こし得る。これは、電力線の寿命を縮める場合がある。放電は、電磁干渉などの望ましくない影響を生じさせる場合がある。そのような電磁干渉は、電子回路に悪い影響を与える場合があり、および／または産業基準の法律を違反し得る。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  絶縁崩壊が減少または除去される、低圧で高電圧電気接続を行うために適した電気コネクタが提供される。一実施形態では、電気接続は、高電圧電源とリソグラフィ装置の構成要素との間の使用のために提供される。
【０００６】
[0006]  本発明の一態様によると、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するように構成されたリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、電源と電気コネクタとを含む。電気コネクタは、電源をリソグラフィ装置の別の構成要素に電気的に接続する。電気コネクタは、順番に、第１導電層と、第１可撓性絶縁層と、電流を運ぶように構成された導体と、第２可撓性絶縁層と、第２導電層とを含む積層物を含む。
【０００７】
[0007]  本発明のさらなる態様によると、真空チャンバと、真空排気器(vacuum evacuator)と、電源と、電気コネクタとを含む装置が提供される。真空排気器は、真空チャンバ内の圧力を１００Ｐａ以下に減少させるように構成される。電気コネクタは、順番に、第１導電層と、第１可撓性絶縁層と、電流を運ぶように構成された導体と、第２可撓性絶縁層と、第２導電層とを含む積層物を含む。電気コネクタは、電源を装置の別の構成要素に電気的に接続する。電気コネクタおよび電気コネクタが電源に接続する装置の構成要素は、真空チャンバの中にある。
【０００８】
[0008]  本発明のさらなる態様によると、リソグラフィ装置の構成要素を電源に接続する電気コネクタが提供される。電気コネクタは、順番に、第１導電層と、第１可撓性絶縁層と、電流を運ぶように構成された導体と、第２可撓性絶縁層と、第２導電層とを含む積層物を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
[0009]  本発明の異なる態様の実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００１０】
【図１】[0010]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0011]  図２は、本発明の一実施形態による２つの可撓性平面電気コネクタの概略図を示す。
【図３】[0012]  図３は、本発明の一実施形態による可撓性平面電気コネクタの概略図を示す。
【図４】[0013]  図４は、本発明の一実施形態による可撓性平面電気コネクタの概略図を示す。
【図５】[0014]  図５は、本発明の一実施形態による電源に接続されたビーム遮断器を示す。
【図６】[0015]  図６は、本発明の一実施形態による電源に接続された静電クランプを示す。
【図７】[0016]  図７は、本発明の一実施形態による可撓性平面電気コネクタに接続された静電クランプを示す。
【図８】[0017]  図８は、空気内の平行板に対する理論上のパッシェン曲線を示す。
【図９】[0018]  図９は、本発明の一実施形態による可撓性平面電気コネクタの概略断面図を示す。
【図１０】[0019]  図１０は、本発明の一実施形態によるお互いに接続された可撓性平面電気コネクタの概略図を示す。
【図１１】[0020]  図１１は、本発明の一実施形態によるお互いに接続された可撓性平面電気コネクタの概略図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[0021]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。装置は、
-  放射ビームＢ（例えば、紫外線またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
-  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
-  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
-  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１２】
[0022]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、かつ／または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１３】
[0023]  サポート構造は、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１４】
[0024]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００１５】
[0025]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１６】
[0026]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１７】
[0027]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００１８】
[0028]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００１９】
[0029]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２０】
[0030]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２１】
[0031]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２２】
[0032]  照明装置ＩＬには、照明されるパターニング手段上のエリアを画定するマスキングデバイスが含まれてよい。マスキングデバイスは、例えば４枚などの複数のブレードを含んでよく、それらの位置は、ビームの断面を画定できるように、例えばステッパモータなどのアクチュエータにより制御可能である。マスキングデバイスは、パターニング手段の近傍に位置決めされる必要はなく、概してパターニング手段上に結像される面（パターニング手段の共役平面）に配置されることに留意されたい。マスキング手段の開放エリアは、照明されるパターニング手段上のエリアを画定するが、例えば介在する光学系が１とは異なる倍率を有している場合、そのエリアと全く同じでなくてもよい。
【００２３】
[0033]  本発明の一実施形態によると、マスキングデバイスはビーム遮断器(interceptor)２１０を含んでおり、かかるビーム遮断器２１０は、図５に示すように、放射ビームＢの一部を遮断するように構成された不透明ブレード２１１、２１２、２１３および２１４を含む。ブレード２１１、２１２、２１３および２１４は、マスクＭＡ上、よってターゲット部分Ｃ上の露光投影ビームＢのサイズおよび形状を操作する。ブレード２１１、２１２、２１３および２１４の移動および位置決めは、制御システム２２０によって制御される。投影されたターゲット部分Ｃが基板Ｗ上に完全に位置決めされていない場合、制御システム２２０は、この特定のターゲット部分Ｃに対して新しいサイズを画定し、それに応じてビーム遮断器２１０を駆動するように構成される。
【００２４】
[0034]  パターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）は、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上で保持され、パターニングデバイスによってパターン付けされる。マスクＭＡは、その両方の表面をマスクテーブルＭＴにクランプすることができる。マスクＭＡの両方の表面をクランプすることにより、滑りまたは変形を伴うことなくマスクは大きな加速度を受けることができる。クランプ力または保持力は、マスクの変形をさらに防止する薄膜を用いて加えられてよい。クランプによってマスクおよびマスクテーブルＭＴの隣接面の間に法線力が生成され、マスクおよびマスクテーブルの接触面の間に摩擦が結果として生ずる。マスクＭＡの表面へのクランプ力は、静電または機械クランプ技術を用いて生成することができる。
【００２５】
[0035]  ＥＵＶリソグラフィプロセスにおいては、静電クランプを使用してマスクＭＡをマスクテーブルＭＴに、および／または基板Ｗを基板テーブルＷＴにクランプすることができる。図６は、本発明の一実施形態による、電気接続システム２１を介して電源２０に接続された例示的静電クランプを示す。図６に示す例示的静電クランプでは、チャック６０は、埋め込まれた電極６２を有する誘電体または少し導電性のある物体６１を含む。電源２０は、マスクＭＡまたは基板Ｗとチャック６０との間、ならびにチャック６０とテーブルＭＴおよびＷＴとの間に電位差を付与するために使用され、それによって静電力は、マスクＭＡまたは基板Ｗおよびチャック６０をテーブルＭＴおよびＷＴにクランプする。埋め込まれた電極６２は、電源２０に接続される。
【００２６】
[0036]  図７は、本発明の一実施形態による電気接続システム２１の一部を含む可撓性平面電気コネクタ２５をどのようにマスクテーブルＭＴまたは基板テーブルＷＴの電極７１に接続することができるかを概略的に示す。可撓性電気コネクタ２５の導体３３は、電極７１と接触する。可撓性コネクタ２５は、クリップ７２によって電極７１に保持される。クリップは可撓性であり、コネクタ２５をテーブルへと押す力を与える。これは、可撓性コネクタ２５と電極７１との間に安全な電気接続を提供する。
【００２７】
[0037]  任意的に、電気コネクタ２５は、クリップ７２とピン７３との組み合わせにより電極７１に保持される。ピン７３は、クリップ７２に接続され、電気コネクタ２５内の孔を通って延在して電極７１が上に形成されたテーブルに接触する。
【００２８】
[0038]  放射ビームＢは、パターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射する。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２９】
[0039]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３０】
[0040]  本発明によるリソグラフィ投影装置では、第１オブジェクトテーブルＭＴ（パターニング手段、マスクを支持するサポート構造）および第２オブジェクトテーブルＷＴ（基板テーブル）のうちの少なくとも１つは、真空チャンバＶＣに設けられる。真空チャンバＶＣの中の真空は、排気手段ＶＥ（例えば、ポンプ）によって生成される。
【００３１】
[0041]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３２】
[0042]  第１ポジショナＰＭ、第２ポジショナＰＷ、マスキングデバイスに含まれ得るあらゆるブレードを制御するモータ、およびリソグラフィ投影装置に含まれ得るあらゆるクランプは、高電圧電源によって電力供給される。特に、近真空状況で基板Ｗを基板テーブルＷＴに、またはマスクＭをマスクテーブルＭＴにクランプするために使用される静電クランプの電極は、二極式高電圧源に接続される。
【００３３】
[0043]  高電圧は、電源が数百または数千程度のボルトの出力を生成することを意味するとされる。一実施形態では、電源の出力は、０．１ｋＶより大きく、０．２ｋＶより大きく、０．５ｋＶより大きく、１ｋＶより大きく、２ｋＶより大きく、５ｋＶより大きく、あるいは１０ｋＶより大きい。任意的に、電源は、２０ｋＶまでもの出力電圧を提供する。いくつかのリソグラフィ製造方法は、１００Ｐａ、５０Ｐａ、１０Ｐａまたは５Ｐａなどの非常に低圧で行われることが要求されている。例えば、ＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ方法は、非常に低圧で行われる必要がある。これは、空気がＥＵＶ放射を吸収するからである。したがって、リソグラフィ装置の各構成要素は、低圧での使用に適する必要がある。これは、リソグラフィ装置の１つ以上の構成要素を高電圧電源に接続する電気コネクタを含む。
【００３４】
[0044]  本発明の一実施形態によると、リソグラフィ装置の構成要素は、可撓性平面電気コネクタ２１によって電源に接続される。図３は、本発明の一実施形態による平面電気コネクタ２１の積層図を概略的に示す。平面コネクタ２１は、他の電気コネクタまたは電子デバイスに電気的に接続されてもよい。特に、平面コネクタ２１は、高電圧電源に接続されてもよい。
【００３５】
[0045]  可撓性平面電気コネクタ２１は、順に、第１平面導電層３７、第１可撓性平面絶縁層３６、電流を運ぶように構成された導体３３、第２可撓性平面絶縁層３６、および第２平面導電層３７を含む積層物を含む。
【００３６】
[0046]  第１および第２絶縁層３６は、導体３３と導電層との間の絶縁破壊を防ぐために十分である必要がある。任意的に、絶縁層の絶縁性材料は、４０ｋＶｍｍ−１より大きい、６０ｋＶｍｍ−１より大きい、８０ｋＶｍｍ−１より大きい、あるいは１００ｋＶｍｍ−１より大きい絶縁耐力(dielectric strength)を有する。絶縁性材料は、ポリイミド、液晶ポリマおよびガラスからなる群から選択されてよい。任意的に、第１絶縁層および第２絶縁層は、ポリ（４，４’−オキシジフェニレン−ピロメリトイミド）からなる。
【００３７】
[0047]  一実施形態では、絶縁層は、平面電気コネクタ２１の可撓性を改善するために薄い。任意的に、絶縁層の厚さは、０．３ｍｍ未満、０．２ｍｍ未満、０．１５ｍｍ未満、０．１ｍｍ未満、あるいは０．０５ｍｍ未満である。
【００３８】
[0048]  導電層３７は銅からなってもよい。図４に示すように、第２導電層３７は、平面コネクタの導体３３に電気的に接続された信号部分３１、および信号部分３１を囲み、かつ信号部分３１から電気的に絶縁された遮蔽部分３２を含んでもよい。この場合、第２導電層の信号部分３１は、例えば電気接続を形成するために、電源、リソグラフィ装置の構成要素または他の電気コネクタに電気的に接続されてもよい。
【００３９】
[0049]  図４は、第２導電層の側面から可撓性電気コネクタ２１の表面を概略的に示す。点線は、第２導電層の下で導体３３が形成される層の導電領域と絶縁領域との間の区分の延長を表す。第２導電層の信号部分３１および遮蔽部分３２が示されている。導電層では、導体３３は、絶縁性材料３５によりその層内の導電遮蔽から離されている。導体３３は銅から成ってもよい。
【００４０】
[0050]  平面電気コネクタ２１は、プリント基板（ＰＣＢ）として構成されてもよい。図２に示すように、任意的に、平面コネクタ２１の導体３３はビア２２によって第２導電層の信号部分３１に電気的に接続される。この場合、ビア２２は、例えば配線をビア２２内に挿入することによって平面コネクタを配線に接続するために使用されてもよい。別のビア２３は、第２導電層の遮蔽部分３２を第１導電層に接続してもよい。
【００４１】
[0051]  平面コネクタ２１がＰＣＢを用いて構成された場合、ＰＣＢは３層以上の導電層を有する。外側層は、コネクタ２１が使用されるアプリケーションの接地電位に接続された第１および第２導電層３７である。内側層は導体３３を形成するために使用される。層は、層と層との間に電圧差を有する導電面をお互いから絶縁させるのに十分な絶縁耐力を有する絶縁性材料３６を用いて離される。
【００４２】
[0052]  絶縁性材料の誘電特性の安定性、例えば絶縁耐力およびその信号制振特性の安定性は、比較的あまり重要ではない。さらに、導体３３ならびに層３６および３７の正確な形は、比較的あまり重要ではない。これは、電磁波の透過に対するどの条件にも適用されないからである。
【００４３】
[0053]  多くのリソグラフィ用途に対しては、特定のサブシステムの機能に対する所要の電圧は非常に高く、例えば数百または数千ボルトである。電界が制御、抑制または遮断されないかぎり、導体３３からリソグラフィ装置の別の構成要素へとアーク放電（arcing）が発生する危険性がある。
【００４４】
[0054]  導電層３７の目的は、導体３３を電気的に遮蔽することである。これは、平面コネクタ２１の絶縁体３６の外面に対する望ましくない電荷を防ぐ。導電層３７は、層と層の間にガス入り間隙を有さずに絶縁層３６に直接接続されてもよい。
【００４５】
[0055]  導電層３７は、電界をコネクタの内部に閉じ込める。これは、同軸ケーブルと同じ原理であるが、本発明の実施形態では、導電層は、導体３３の周りの完全なシールドのみに近似(approximate)する。絶縁性材料３６は、導電シールドによって完全に遮蔽されていない経路を介して絶縁破壊を防ぐ。任意的に、１層以上の導電層３７は電気接地に接続される。
【００４６】
[0056]  電気線を接続するために使用される電気コネクタでは、複数の電気線のうちの１本とリソグラフィ装置の別の電気部品との間のアーク放電の危険性に加えて、接続システム内の１本の電気線と別の１つ導電性材料との間のアーク放電というさらなる危険性がある。導体３３の端子を導電遮蔽層３７から電気的に絶縁するためには、適切な隙間を作る必要がある。隙間は導体３３の電圧に対して適切である必要がある。
【００４７】
[0057]  本発明の一実施形態では、遮蔽部分３２は、絶縁体３４によって信号部分３１から絶縁される。任意的に、導体３３と導電層３７との間の最小距離は、少なくとも０．５ｍｍ、少なくとも１ｍｍ、少なくとも１．５ｍｍ、あるいは少なくとも２ｍｍである。平面電気コネクタ内の導電性表面と導電性表面との間の距離に対する下限は、表面フラッシュまたは絶縁層３６の絶縁耐力を超えることによる電圧破壊を防ぐ。
【００４８】
[0058]  従来、間隙距離に対する下限のみが絶縁破壊を回避するために設定される。しかしながら、本発明の一実施形態による電気コネクタ２１では、導体３３の端子と平面電気コネクタ２１の接地された導電性表面との間の距離に対する上限も設定されてもよい。上限は、特に導電層３７から導体３３を離す固体の絶縁性材料がない場合、導体３３の端子で必要であり得る。
【００４９】
[0059]  導体端子と平面コネクタ２１の他の導電性表面との間の距離に対する上限は、電気コネクタ２１が低圧環境で使用された場合の絶縁破壊を減少または回避する。本発明の一実施形態によると、信号部分３１と遮蔽部分３２との間の最小距離は、任意的に、第最大で３ｍｍあるいは最大で２ｍｍである。
【００５０】
[0060]  非常に低圧において間隙距離に対する上限を設定することは、絶縁破壊を防ぐ。なぜなら、破壊電圧と間隙距離との関係は、気圧と比較して低圧では異なるからである。特に、気圧では、間隙距離を縮小するにつれて、破壊電圧がそれに応じて減少する。しかしながら、圧力が十分に低い場合、破壊電圧は、間隙距離が閾値距離より下に減少されるにつれて劇的に上昇する。１０Ｐａの圧力における間隙距離と破壊電圧との関係のグラフ形状を図８に示す。
【００５１】
[0061]  十分に低い圧力状況下では、絶縁破壊は、短い経路より電気導体と電気導体との間のより長い間隙に沿って起こりやすい。これは、電気コネクタ内の電気導体間の距離が十分に小さく、圧力が十分に小さければ、破壊電圧は、絶縁破壊が起こるには高すぎるということを意味する。
【００５２】
[0062]  実際、理論上の破壊電圧は、以下の式
【数１】
2011018899.tif 000003
による間隙距離と圧力との積に関連する。
【００５３】
[0063]  定数ＡおよびＢの値は、導体が位置するガスの組成、導体の材料および形状に依存する。空気内の平行板に対しては
【数２】
2011018899.tif 000004
であり、ここでは、Ｖはボルトで測定され、ｐはパスカルで測定され、ｄはメートルで測定される。上記したように、この式を使用して導体間の理論上の絶縁破壊電圧を予測することはできるが、ある状況における実際の絶縁破壊電圧は、この式によって求められる値とは異なる場合がある。
【００５４】
[0064]  Ｖの最小値は
【数３】
2011018899.tif 000005
で生じる。曲線（「屈曲部 (elbow)」）におけるこのターニングポイントの右では、破壊電圧は、間隙距離および圧力の両方がともに上昇するといった周知の態様で機能することが見られる。ひじの左では、破壊電圧は、間隙距離または圧力のいずれかが低下するにつれて劇的に上昇する。したがって、放電は、積ｐｄがひじの左にあることを確実にすることによって減少または回避することができる。
【００５５】
[0065]  図２は、本発明の一実施形態による２つの平面電気コネクタ２１の間の電気接続を概略的に示す。導体３３は、第２導電層の信号部分３１に接続される（図４）。平面コネクタ２１の信号部分３１は、ポイント２４で接触するようにお互いに押される。さらに、平面コネクタ２１の遮蔽部分３２は、ポイント２５でお互いと接触する。圧力板２６は、平面コネクタ２１を接続するための圧力を与えるために使用されてよい。圧力板は金属からなってもよい。
【００５６】
[0066]  本発明の一実施形態による平面コネクタ２１は、リソグラフィ装置における使用に適している。任意的に、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置は、圧力が閾値（例えば、１０Ｐａ）より低い場合、状態は安全であるという信号を表示する表示手段を制御するためのコントローラＣＮ（図１）を含む。圧力センサは、真空容器内の圧力を検出する。圧力が閾値より上に上昇したことを圧力センサが検出した場合、コントローラＣＮは信号が表示されることを止める。任意的に、コントローラＣＮは、予期していない漏れがあった場合に真空容器内の圧力が所定値（例えば、２０Ｐａ）より上に上昇することを防ぐ。
【００５７】
[0067]  任意的に、リソグラフィ装置は、セーフティ・カットアウトシステムを含む。コントローラＣＮは、圧力が特定の圧力より上に上昇した場合に電源を切る信号を送る。例えば、圧力センサは圧力を検出する。圧力が２０Ｐａより大きいと検出された場合、例えば、コントローラＣＮは切スイッチ信号を電源ユニットに送る。
【００５８】
[0068]  本発明は、可撓性平面電気コネクタ２１の内側層から成る単一の導体３３を有することに限定されない。可撓性コネクタ２１は、第１絶縁層と第２絶縁層との間に複数の導体３３を含んでもよい（図３）。この場合、導体３３は導電遮蔽３４によってお互いから離されてもよい。例えば、導体３３は単層の銅から成ってもよく、導体３３および中間遮蔽部分３４はエッチング動作によって形成される。絶縁性材料３５は、中間遮蔽部分３４を導体３３から電気的に絶縁する。一実施形態では、電気コネクタ内の導体３３の数は３つであるが、その数は２つ、４つ、５つ、６つ、９つなどでもよい。
【００５９】
[0069]  上記したように、２つの可撓性平面電気コネクタ２１は、導体部分３１を互いに押し合うことによってお互いに接続されてよく、それによって電気的相互接続を提供する。２つの表面をお互いに押し合うことが電気接続を提供する。この押すことの原理は、低圧（すなわち、真空）環境において導電性表面間の距離を縮小することによって絶縁破壊を回避できるということに応じたパッシェンの法則に基づく。導体３３によって生成される電界は、導体３３の形状、導体間の距離（複数の導体があった場合）、絶縁性材料３６の層の厚さ、および絶縁性材料の誘電定数に依存する。
【００６０】
[0070]  平面コネクタ２１の内側層における導体３３は、トレースの形態をとってもよい。導体３３は、平面コネクタ２１の遮蔽部分３２に平行して平面コネクタ２１の内側層に配置されてもよく、遮蔽部分３２は平面コネクタ２１の外側層にある。平面コネクタ２１が高電圧電源に接続された場合、導体３３と遮蔽部分３２との間に高い電位差がある。遮蔽部分３２は絶縁層３６に隣接しており、さらに平面コネクタ２１が位置する環境のガスにも隣接する。（導電性材料から成る）遮蔽部分３２、絶縁層３６の絶縁性材料、および周囲ガスのそれぞれがお互いに接触する、「トリプルポイント(triple point)」と呼ぶこともできるポイントがある。このトリプルポイントでは、遮蔽部分３２の導電性材料のエッジにおける電界を増幅することができる。増幅レベルは、絶縁層３６の絶縁性材料の誘電定数と周囲ガスの誘電定数との間の差に依存する。この増幅は、増大した電界放出という結果となる。電界放出は、望ましくない絶縁破壊という結果となり得る。
【００６１】
[0071]  一例として、絶縁層３６の絶縁性材料として使用することができるポリイミドの誘電定数は、約３．４である。周囲ガスに対する誘電定数は約１．０であってもよい。これは、約３．４倍の電界の増幅という結果となる。
【００６２】
[0072]  増大した電界の強さは、絶縁層３６の絶縁性材料および／または遮蔽部分３２の導電性材料の劣化という結果になり得る。これは、影響された材料の寿命の縮めるという結果になり得る。
【００６３】
[0073]  遮蔽部分３２自体は、接地電位に接続されてよい。上記したように、高電圧導体３３は、遮蔽部分３２と平行に向けられてよい。導体３３と遮蔽部分３２との間の大きな電位差は、遮蔽部分３２のトリプルポイントにおける電界という結果になり得る。平面コネクタ２１は、複数のトリプルポイントを有してよい。
【００６４】
[0074]  図９は、本発明の一実施形態による平面コネクタ２１の断面図を示す。導体３３の長手方向は、断面の平面にある。図９に示す実施形態では、トリプルポイント絶縁体９１が平面コネクタ２１の遮蔽部分３２を覆う。望ましくは、トリプルポイント絶縁体９１は、平面コネクタ２１の遮蔽部分３２と導体部分３１との間の領域に配置される。トリプルポイント絶縁体は、導体部分３１を実質的に囲んでよい。トリプルポイント絶縁体９１は、トリプルポイントを周囲ガスから絶縁する。トリプルポイント絶縁体９１は、絶縁層３６と接触する遮蔽部分の一部を周囲ガスから絶縁する。望ましくは、トリプルポイント絶縁体は、遮蔽部分３２の全体が周囲ガスと接触することを防ぐ。
【００６５】
[0075]  これは、あらゆるトリプルポイントを平面コネクタ２１から効果的に消去する。これは、そのようなトリプルポイントにおける電界のあらゆる増幅を防ぎ、それによって絶縁破壊の可能性を減少する。一実施形態では、トリプルポイント絶縁体９１を有する部分における平面コネクタ２１の厚さは、トリプルポイント絶縁体９１を有さない部分（例えば、導体部分３１）における平面コネクタ２１の厚さより大きい。
【００６６】
[0076]  導体部分３１および導体３３の電界は、導体３３と導体部分３１の形状、およびそれらの間の距離によって変化する。
【００６７】
[0077]  図１０は、本発明の一実施形態による平面コネクタ２１の断面図を示す。導体の長手方向は、断面の平面と垂直である。導体部分３１と導体３３の形状およびサイズは、導体３３および導体部分３１の電界からの絶縁破壊の可能性を減少させるように選択される。
【００６８】
[0078]  導体部分３１の直径は、導体３３の幅（厚さではない）より小さい。望ましくは、導体３３の幅と導体部分３１の幅との差は、少なくとも２．５×Ｈであり、ここでＨは、平面コネクタ２１の内側層と外側層との距離である。Ｈは、絶縁層３６の厚さである。
【００６９】
[0079]  望ましくは、導体３３の幅は２ｍｍから４ｍｍの間であり、より望ましくは、２．５ｍｍから３．５ｍｍの間であり、より望ましくは、約３ｍｍである。望ましくは、（平面コネクタ２１の内側層の）導体３３と絶縁体３４との間の距離は０．５ｍｍから１．５ｍｍの間であり、より望ましくは、約１ｍｍである。平面コネクタ２１の外側層の導体部分３１と遮蔽部分３２との間の距離は、望ましくは、１ｍｍから３ｍｍの間であり、より望ましくは、１．５ｍｍから２．５ｍｍであり、より望ましくは、約２ｍｍである。導体部分３１の直径は、１．５ｍｍから３．５ｍｍの間であってよく、より望ましくは、２ｍｍから３ｍｍの間であり、より望ましくは、約２．５ｍｍである。
【００７０】
[0080]  図１０に示す平面コネクタ２１の導体３３と導体部分３１の形状および関連距離の構成は、増大した寿命および絶縁崩壊の低下した可能性を有する平面コネクタ２１という結果になる。
【００７１】
[0081]  一実施形態では、導体部分３１は、平面コネクタ２１の接触側における最も外側の被覆層と同じレベルにはない。例えば、図９に示すように、導体部分３１は、トリプルポイント絶縁体９１に対する平面コネクタ２１の外面のくぼみにあってもよい。２つの平面コネクタ２１がお互いに押されてそれぞれの導体部分３１の間に電気接続を形成した場合、悪い接続が結果として起こる場合がある。接触を改善するために、２つの平面コネクタ２１間の接続は、以下に説明するように適合することができる。
【００７２】
[0082]  図１１は、２つの平面コネクタが電気接続を形成するためにお互いに接続される本発明の一実施形態を示す。図１１は概略的であり、本発明の製造された実施形態のアスペクト比を表さない場合がある。図１１に示すように、電気接続を形成するための２つの平面コネクタ２１の間に位置決めされた絶縁シート１１１があってもよい。２つの平面コネクタ２１は、絶縁シート１１１を介して間接的に電気的に接続されてよい。絶縁シート１１１を貫通する導電性材料から成る接点１１２を介してそれぞれの導電部分３１の間に電気接続が形成され得る。接点１１２は、絶縁シート１１１と統合されてよい。電気接続は、接点１１２を介して行われてよい。
【００７３】
[0083]  絶縁シート１１１は、フルオロポリマーエラストマーから成ってもよい。材料が絶縁特性を有することを条件として、他の材料を使用してもよい。一例として、絶縁シート１１１はＶｉｔｏｎ（登録商標）から成ってもよい。絶縁シート１１１は、０．５ｍｍから１．５ｍｍの間の厚さ、より望ましくは、約１ｍｍの厚さから成ってもよい。
【００７４】
[0084]  接点１１２は、板バネ（半楕円バネとしても知られている）の形態を有してもよい。接点１１２を形成する板バネは、導電性材料から成る。板バネは、例えばステンレス鋼から成ってもよい。別の導電性材料が使用されてもよい。望ましくは、接点１１２の厚さは２０μｍから４０μｍであり、より望ましくは、約３０μｍである。
【００７５】
[0085]  接点１１２である板バネは、接点１１２の端で平面コネクタ２１の導体部分３１と電気接続を行う。望ましくは、接点１１２の端は、平面コネクタ２１の導体部分３１より寸法的に小さい。この構成は、電気接続の許容性を改善する。一例として、接点１１２の端の直径は、約３ｍｍであり得る平面コネクタ２１の導体部分２１の直径と比較して、１ｍｍから３ｍｍの間であってよく、より望ましくは約２ｍｍである。接点１１２として板バネを使用することによって、板バネの弾性復元力は、接点１１２の端を平面コネクタ２１の導体部分３１に対して押し、それによって安全な電気接続を提供する。板バネは、接続が行われた場合、弾性的圧縮状態にある。
【００７６】
[0086]  図１１に示す実施形態は、平面コネクタ２１の遮蔽部分３２を覆うトリプルポイント絶縁体９１を有してよい。トリプルポイント絶縁体９１は、上記の図９に関して説明された特性と同じ特性を有してよい。
【００７７】
[0087]  本発明の電気コネクタおよび電気接続システム２１の上記した実施形態は、マスクテーブルＭＴまたは基板テーブルＷＴのいずれかのアクチュエータを電源２０に接続するためにリソグラフィ装置における使用に適している。さらに、本発明の実施形態は、あらゆるビーム遮断器２１０（例えば、ブレード）のアクチュエータまたはコントローラ、あるいはリソグラフィ装置の一部を形成し得るあらゆる静電クランプの電極を接続するために使用されてよい。しかしながら、本発明の実施形態による電気コネクタおよび電気接続システムは、リソグラフィ装置の一部としての使用に限定されない。電気コネクタおよび電気接続システムは、低圧環境において高電圧を有する電気線を接続することが望ましい他の状況で適用可能である。
【００７８】
[0088]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００７９】
[0089]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００８０】
[0090]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００８１】
[0091]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００８２】
[0092]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００８３】
[0093]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。 
【図１】
2011018899.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2011018899.tif 000015
【図１１】
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【外国語明細書】
2011018899000001.pdf