(57)【要約】【課題】ホット端子に対するプローブピンの当接確実性の向上を図ると共に、半田引き付け量を制限することのできる発振器を提供する。【解決手段】振動子１２と、ＩＣ３８を備えるベース基板３０とを半田ボール４２を介して上下に接続した発振器１０であって、振動子１２の下面には、半田ボール４２との接続用に形成された接続用金属膜２２とホット端子１８とが設けられ、前記ホット端子１８は振動片２６と電気的に導通し、接続用金属膜２２よりも面積が大きく、ホット端子１８の形成領域には、導電性を有する金属膜と、前記金属膜よりも半田ぬれ性の低い撥液部２０が形成され、撥液部２０は、接続用金属膜の面積と同じ、または実用上概ね同じ面積となる実装部１８ａを囲うように配置され、少なくとも一部において、実装部１８ａの金属膜と実装部１８ａの外側に位置する金属膜１８ｂとの導電性が確保されるように形成することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動子と、発振回路を備えるベース基板とを半田ボールを介して上下に接続した発振器であって、
前記振動子の下面には、前記半田ボールとの接続用に形成された接続用金属膜とホット端子とが設けられ、
前記ホット端子は振動片と電気的に導通し、前記接続用金属膜よりも面積が大きく、
前記ホット端子の形成領域には、導電性を有する金属膜と、前記金属膜よりも半田ぬれ性の低い撥液部が形成され、
前記撥液部は、前記接続用金属膜の面積と同じ、または実用上概ね同じ面積となる実装部を囲うように配置され、少なくとも一部において、前記実装部の金属膜と前記実装部の外側に位置する金属膜との導電性が確保されるように形成されることを特徴とする発振器。
【請求項２】
請求項１に記載の発振器であって、
前記撥液部は、前記実装部を囲うように設けられた複数の領域から成ることを特徴とする発振器。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の発振器であって、
前記ホット端子は、少なくとも表面金属層と下地金属層とを積層して構成され、
前記導電性を有する金属膜を前記表面金属層が担い、
前記撥液部を前記下地金属層が担うことを特徴とする発振器。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の発振器であって、
前記振動子の下面はセラミックスにより構成され、
前記撥液部は前記セラミックスが露出することにより構成されることを特徴とする発振器。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の発振器であって、
前記実装部の形状を概ね円形とし、前記実装部の直径をＬ１、前記半田ボールの直径をＬ２とした場合、
Ｌ２＜Ｌ１≦１．３×Ｌ２
の関係を満たすことを特徴とする発振器。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の発振器であって、
前記接続用金属膜の平面形状を円形とし、前記接続用金属膜の直径をＬ３、前記半田ボールの直径をＬ２とした場合、
Ｌ２＜Ｌ３≦１．３×Ｌ２
の関係を満たすことを特徴とする発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発振器に係り、特に発振部となる振動子と、振動子による発振を制御する発振回路を搭載したベース基板とを半田ボールを介して積層する構造とした発振器に関する。  
【背景技術】
【０００２】
実装面積の小型化の要請により、振動子と発振回路を搭載したベース基板とを半田ボールを介して積層する構造とした発振器は種々提案されており、例えば特許文献１に開示されているような発振器が知られている。
【０００３】
特許文献１に開示されている発振器は、ベース基板に形成された端子（パターン）上に半田を塗布すると共に半田ボールを配置し、半田ボール上に半田を塗布すると共に振動子を配置することにより構成されるといった基本構成を有するものである。このような構成の発振器では、ベース基板に形成された端子上に半田ボールを配置する際の位置決め性が問題視されることとなり、特許文献２に開示されているような構成を有する発振器が提案されている。
【０００４】
特許文献２に開示されている発振器は、ベース基板の端子の周囲に、樹脂などの絶縁性部材により土手を形成し、この土手により半田ボールの位置決めを成すこととしている。
このような技術によりベース基板側の位置決めが可能となると、半田ボールに対して振動子を搭載した際に生ずる回転方向のずれが問題視される。このような問題に対して、半田ボールに対する振動子のセルフアライメント性の向上を図る技術が、特許文献３、４に開示されている。
【０００５】
特許文献３に開示されている技術は、ベース基板上に形成された端子、および振動子の下面に形成された端子の双方に、半田ボールの位置決めを成す凹部を形成するというものである。また、特許文献４に開示されている技術は、振動子搭載時に生ずる振動子の回転方向に着目し、振動子の下面に形成する接続用の金属膜の形状により半田の流れ方向を規制することで、振動子の水平方向の回転を抑制し、セルフアライメント性を向上させることを特徴としたものである。ホット端子と異なり、実質的な接続先の無い接続用金属膜は、形状形成の自由度が高く、その面積だけホット端子と同一とすれば、振動子を実装した際の半田の濡れ広がり状態も略同一となり、振動子を実装した際に傾きが生ずる虞も無い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１８５２５４号公報
【特許文献２】特開２００４−１８００１２号公報
【特許文献３】特開２００２−３６８３７３号公報
【特許文献４】特開２００８−１０４０９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、発振器の小型化が進む近年、振動子の振動特性を検査する際にホット端子に当接されるプローブピンの当接確実性が課題とされ、振動子の下面に形成されるホット端子の占有面積の拡大化が望まれている。こうした実状の中、実際にホット端子の占有面積を拡大すると、次のような問題が生ずることが明らかとなった。
【０００８】
すなわち、ホット端子を形成する金属膜の方が、半田ボールのコアよりも濡れ性が高くなることがあり、リフロー工程などの半田溶融工程が多発すると、接続用の半田がホット端子側に引き付けられ、電気的、機械的な接続状態が不十分となってしまうというものである。
【０００９】
本発明では、このような問題を解決し、ホット端子に対するプローブピンの当接確実性の向上を図ると共に、半田引き付け量を制限し、半田ボールと振動子の電気的、機械的接続状態の安定性を図ることのできる発振器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］振動子と、発振回路を備えるベース基板とを半田ボールを介して上下に接続した発振器であって、前記振動子の下面には、前記半田ボールとの接続用に形成された接続用金属膜とホット端子とが設けられ、前記ホット端子は振動片と電気的に導通し、前記接続用金属膜よりも面積が大きく、前記ホット端子の形成領域には、導電性を有する金属膜と、前記金属膜よりも半田ぬれ性の低い撥液部が形成され、前記撥液部は、前記接続用金属膜の面積と同じ、または実用上概ね同じ面積となる実装部を囲うように配置され、少なくとも一部において、前記実装部の金属膜と前記実装部の外側に位置する金属膜との導電性が確保されるように形成されることを特徴とする発振器。
【００１１】
このような特徴を有する発振器によれば、ホット端子の占有面積を広くすることができるため、ホット端子に対するプローブピンの当接確実性を向上させることができる。また、撥液部により実装部の面積を制限することとしたため、ホット端子に対する半田引き付け量を制限することができ、半田ボールと振動子の電気的、機械的接続状態の安定性を図ることができる。
【００１２】
［適用例２］適用例１に記載の発振器であって、前記撥液部は、前記実装部を囲うように設けられた複数の領域から成ることを特徴とする発振器。
撥液部を複数の領域により構成することにより、設計上の自由度が飛躍的に拡大化される。
【００１３】
［適用例３］適用例１または適用例２に記載の発振器であって、前記ホット端子は、少なくとも表面金属層と下地金属層とを積層して構成され、前記導電性を有する金属膜を前記表面金属層が担い、前記撥液部を前記下地金属層が担うことを特徴とする発振器。
このような構成とした場合、下地金属層も導電性を有することとなる。このため、実装部を撥液部により完全に囲った場合であっても、実装部と撥液部の外に位置する金属膜との導電性を確保することができる。
【００１４】
［適用例４］適用例１または適用例２に記載の発振器であって、前記振動子の下面はセラミックスにより構成され、前記撥液部は前記セラミックスが露出することにより構成されることを特徴とする発振器。
このような構成とした場合、金属膜を積層構造とする場合であっても、下地金属層と表面金属層との間で、スクリーン形状を変える必要が無く、生産性を下げる虞が無い。
【００１５】
［適用例５］適用例１乃至適用例４のいずれか１例に記載の発振器であって、前記実装部の形状を概ね円形とし、前記実装部の直径をＬ１、前記半田ボールの直径をＬ２とした場合、Ｌ２＜Ｌ１≦１．３×Ｌ２の関係を満たすことを特徴とする発振器。
このような構成とすることにより、実装部による半田引き付け量が好適な値となり、振動子の搭載に際してはセルフアライメント効果も奏することが可能となる。
【００１６】
［適用例６］適用例１乃至適用例４のいずれか１例に記載の発振器であって、前記接続用金属膜の平面形状を円形とし、前記接続用金属膜の直径をＬ３、前記半田ボールの直径をＬ２とした場合、Ｌ２＜Ｌ３≦１．３×Ｌ２の関係を満たすことを特徴とする発振器。
このような構成とすることにより、接続用金属膜による半田引き付け量が好適な値となり、振動子の搭載に際してはセルフアライメント効果も奏することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施形態に係る発振器の構成を示す図である。
【図２】半田ボールの構成を示す断面図である。
【図３】半田ボールの使用形態を示す発振器の部分拡大図である。
【図４】振動子の振動特性検査に用いるプローブの先端形状に関する工夫を説明するための図である。
【図５】ホット端子を積層構造とする場合における下地層と表面層との関係を示す図である。
【図６】実装部を囲う撥液部の配置密度を、放射状に増やした場合におけるホット端子の構成を示す図である。
【図７】第２の実施形態に係る発振器における振動子の下面構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の発振器に係る実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。まず、図１を参照して、本発明の発振器に係る第１の実施形態について説明する。なお、図１において図１（Ａ）は発振器の正面断面を示す図であり、図１（Ｂ）は同図（Ａ）におけるＡ−Ａ断面における構成を示す図であり、図１（Ｃ）は同図（Ａ）におけるＢ−Ｂ断面における構成を示す図である。
【００１９】
本実施形態に係る発振器１０は、振動子１２とベース基板３０、および振動子１２とベース基板３０を接続する半田ボール４２を基本として構成される。
振動子１２は、パッケージベース１４と蓋体２４、および振動片２６を有する。実施形態に係るパッケージベース１４は、詳細を後述する振動片２６を収容するための凹陥部を有する枡状に形成された容器である。パッケージベース１４には、凹陥部の底となる底面に振動片２６を実装するための実装端子１６、下面に外部実装を成すホット端子１８と接続用金属膜２２がそれぞれ設けられる。なお、実装端子１６とホット端子１８は、１対１となるように、電気的に接続されている。
【００２０】
本実施形態では、ホット端子１８は、その面積が接続用金属膜２２よりも大きくなるように形成している（図１（Ｂ）参照）。このような形態とすることで、ホット端子１８に対する検査用プローブの当接確実性を向上させることができる。また、接続用金属膜２２は、詳細を後述する半田ボール４２との接合に必要十分な面積とすることができ、接続用金属膜２２が半田を必要以上に引き付け、半田ボール４２と接続用金属膜２２との間における電気的、機械的接続が不十分となることを避けることができる。
【００２１】
ホット端子１８は、矩形の一部を切欠くように、略鉤状の平面形状を有する。このような平面形状を有することで、詳細を後述するＩＣ３８の実装に用いるワイヤー４４の引き回しが高くなった場合であっても、ワイヤー４４とホット端子１８とが接触し、短絡を生じさせるといった事態を効果的に回避することができる。
【００２２】
また、ホット端子１８の外形線により囲われているホット端子形成領域には、導電性を有する金属膜と、この金属膜よりも濡れ性の低い撥液部２０が形成されている。撥液部２０は、所定領域を囲繞するように、複数の領域を間欠的に並べて配置される。ここで、間欠的に配置された撥液部２０を仮想的に結んで形成される領域は、接続用金属膜２２の面積と同じ、または実用上概ね同じ面積となるようにする。撥液部２０によって囲われた領域を、半田ボール４２が接続される実装部１８ａとした場合、間欠的に配置された撥液部２０の隙間は半田が流れ難くなるため、ホット端子１８における半田の濡れ広がりによる過度な半田の引き付けを抑制し、半田ボール４２とホット端子１８との間における電気的、機械的接続が不十分となることを避けることができる。
【００２３】
また、撥液部２０は間欠的に設けられているため、実装部１８ａと撥液部２０の外側に位置する金属膜１８ｂとは導電性が確保され、プローブの当接確実性も確保することができる。ここで、撥液部２０の配置間隔は、隣接配置される撥液部２０間の距離の中間点をｙとした場合に、ｙに生ずるせん断応力τ（Ｐａ）と、金属膜と溶融した半田の界面に作用する応力Ｐ（Ｐａ）との関係が、τ＜Ｐの関係を満たすように定めると良い。
【００２４】
以下、τとＰとの関係についての説明を行う。
半田溶融時の表面張力をＴ（Ｎ／ｍ）とした場合に、表面張力により金属膜との界面に働く力Ｗ（Ｎ）は、半田と金属膜との界面長さＬとの積であるから、
【数１】
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となる。ここで、流出する半田における界面部分の表面積をＡ（ｍ２）とする。応力は、単位面積あたりに働く力であることより、界面に働く力Ｗ（Ｎ）を表面積Ａ（ｍ２）で割ると、界面に作用する応力Ｐ（Ｐａ）とすることができる。
【数２】
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【００２５】
ここで、ニュートンの粘性の法則では、固体壁（本実施形態における撥液部）からｙだけ離れた断面上のせん断応力τは、
【数３】
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で表すことができる。なお、数式３において、μは流体（溶融した半田の粘度（Ｐａ・ｓ））、ｄｙは固体壁からｙだけ離れた箇所を基点とした微小距離、ｄｕは、固体壁から微小距離ｄｙ離れる間に進む流体の速度を示す。数式２と数式３より、隣接配置される撥液部２０間の距離の中間点をｙとした場合におけるせん断応力τ（Ｐａ）と界面に作用する応力Ｐ（Ｐａ）との関係が、τ＜Ｐの関係を満たすことで、半田が実装部１８ａから漏れ出すことを防ぐことができる。よって、撥液部２０の配置間隔は、τ＜Ｐの関係を満たすようにすると良い。
【００２６】
本実施形態では、パッケージベース１４の構成材料をセラミックスとしている。セラミックスは、溶融半田に対する撥液性を有するため、ホット端子形成領域において、金属膜の間欠部からパッケージベース１４を露出させることにより、撥液部２０を構成することができる。
【００２７】
接続用金属膜２２は、振動子１２と、詳細を後述するベース基板３０とを、半田ボール４２を介して接続（接合）する際のバランス確保、並びに機械的強度確保のために設けられた金属膜であり、半田接続のための濡れ性を有する。接続用金属膜２２の平面形状を円形とし、その直径をＬ３とした場合、半田ボール４２の直径Ｌ２との関係において、数式４の関係を満たすようにすることが望ましい。
【数４】
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【００２８】
このような関係を満たすことにより、汎用される半田ボール４２に被覆されている半田量との関係において、接続用金属膜２２側に引き付けられる半田量が適度に制限され、接続部に理想的なフィレットを形成することができる。また、接続用金属膜２２の平面形状を円形とすることで、セルフアライメントが働き、振動子１２搭載時の回転抑制と位置決め効果を奏することができるからである。このことより、接続用金属膜２２と略同じ面積で構成されるホット端子１８の実装部１８ａの平面形状も円形とすることで、同様な効果を奏することができる。
【００２９】
この場合、平面形状を円形とした実装部１８ａの直径をＬ１とし、半田ボール４２の直径をＬ２とした時に、
【数５】
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の関係を満たすようにすれば良い。
【００３０】
振動子１２を構成する蓋体２４は、詳細を後述する振動片２６を実装するパッケージベース１４の凹陥部を覆い、振動片実装空間を気密に封止する役割を担う部材である。よって蓋体２４は、凹陥部の開口形状よりも大きな平板であれば良く、パッケージベース１４をセラミックスとした場合、パッケージベース１４と先膨張係数の近い金属、またはソーダガラスなどにより構成すると良い。リフロー時などの加熱時に膨張量の違いによって接合部などにクラックや歪みが生ずることを防ぐためである。なお蓋体２４は、パッケージベース１４に対して図示しないシームリングや、低融点ガラスなどの接合部材を介して接合すれば良い。
【００３１】
振動片２６は、実装端子１６を介して入力される外部からの信号を受けて振動を励起させる部材であれば良い。本実施形態では振動片２６として、圧電部材、特に水晶により構成される振動片２６を一例として挙げることとする。圧電部材として水晶を採用して構成される振動片２６は多岐に亙り、例えばＡＴカットやＢＴカットといったカット角で切り出された水晶基板により構成される振動片は、厚み滑り振動を主振動として励起する。また、+２°Ｘカットと呼ばれるカット角で切り出された水晶基板により構成される振動片は、屈曲振動を主振動として励起する。なお、本実施形態では、水晶基板により構成される振動片を例に挙げて説明するが、これを他の構成による振動片に置換した場合であっても、発明の実施に影響を与えるものでは無い。
【００３２】
振動片２６は、図示しない励振電極と引出電極、および入出力電極を備え、引出電極とパッケージベース１４に形成された実装端子１６とが、導電性接着剤２８を介して接続されることで、励振電極とホット端子１８との電気的接続が図られる。
【００３３】
ベース基板３０は、一方の主面に、発振回路を構成するＩＣ３８と、ＩＣ３８を実装するための複数の実装端子３２、および振動子１２との接続を図るための接続用パターン３４を有し、他方の主面に、発振器１０を電子機器等のマザー基板（不図示）に実装するための外部実装端子３６を有する。ベース基板３０は、エポキシ系樹脂やセラミックスなどの絶縁部材により構成すれば良い。本実施形態では、ＩＣ３８とベース基板３０に形成された実装端子３２とはワイヤボンディングにより電気的に接続する。ＩＣ３８と接続される実装端子３２のうちのいずれか２つの端子は、振動子１２と電気的に接続される端子とされ、接続用パターン３４と電気的に接続されている。また、少なくとも他の２つの端子は、ＩＣ３８に対する電気信号の入出力を行うための端子であり、外部実装端子３６と電気的に接続されている。
【００３４】
半田ボール４２は、振動子１２とベース基板３０とを電気的、機械的に接続する接続部材である。半田ボール４２は図２に示すように、金属や樹脂により構成されるコア４２ａの周囲に半田４２ｂを被覆することで構成される。コア４２ａは図３に発振器１０の部分拡大図を示すように、振動子１２とベース基板３０との間の距離を確保するためのスペーサーとしての役割を担うため、外周に被覆する半田よりも融点の高い物質とする。また、コア４２ａを金属（例えば銅）により構成すれば、コア４２ａ自体も導電性部材としての役割を担うことができる。
【００３５】
このような構成要素を基本として構成される本実施形態に係る発振器１０は、半田ボール４２（詳細には、半田ボール４２のコア４２ａ）をスペーサーとして形成される振動子１２とベース基板３０との間の空隙に、樹脂などの絶縁性部材から成るモールド材４６が設けられる。このような構成とすることで、ワイヤー４４の保護や接続部分における短絡、半田４２ｂの酸化等の抑制を図ることができる。
【００３６】
このような構成の発振器１０は、振動子１２の製造を行った後、振動子１２の振動特性の検査を行う。この際、上述したようにホット端子１８の面積を広くすることで、検査に用いるプローブの当接確実性を向上させることができる。ここで、プローブの当接確実性を向上させる観点からアプローチした場合、プローブ先端の形状に工夫を凝らすこともできる。例えば、従来プローブの先端形状が、図４（Ａ）に断面形状を示すスピア型や、図４（Ｂ）に断面形状を示す平面型であるとした場合、次のような問題により、当接確実性が低下する可能性がある。例えば、先端形状をスピア型とした場合、検査時の接触箇所が撥液部２０となってしまった場合に、導通をとることができず、接触不良となってしまう。また、先端形状を平面型とした場合には、先端にゴミなどが付着した場合、それが微小なものであったとしても、ホット端子１８に対しては接触不良を生じさせることとなる。このような問題を回避するために、プローブの先端形状を平面型としつつ、平面部に中刳りを設けたもの（図４（Ｃ）参照）や、スピア型を複数並列に設けたもの（図４（Ｄ）参照）とすることができる。プローブの先端形状をこのようなものとすることによれば、接触箇所やゴミの影響による当接不良を防ぐことが可能となる。
【００３７】
振動特性の検査を終えた振動子１２は、ＩＣ３８が実装されたベース基板３０と、半田ボール４２を介して上下、すなわち積層方向に接続される。半田ボール４２はまず、シート状のベース基板に形成された接続用パターン３４に塗布された半田上に配置される。次に、半田ボール４２の上頂部に接続用の半田が塗布され、半田ボール４２上に振動子１２が搭載される。その後、シート状のベース基板と振動子１２との間にモールド材４６が充填され、モールド材４６が硬化した後に個片に切断されることで発振器１０が完成する。
【００３８】
このようにして形成される本実施形態に係る発振器１０によれば、振動子１２におけるホット端子１８に対するプローブの当接確実性の向上を図ると共に、半田引き付け量を制限し、半田ボール４２と振動子１２の電気的、機械的接続状態の安定性を図ることができる。
【００３９】
なお、上記実施形態においては、振動子１２を構成するパッケージベース１４として枡形のものを採用し、蓋体２４として平板状のものを採用する旨記載した。しかしながら本実施形態に係る振動子１２は、パッケージベース１４として平板状のものを採用し、蓋体２４として凹陥部を有するキャップ状のものを採用しても良い。また、ＩＣ３８の実装形態としてワイヤボンディングを採用する旨記載したが、これをフリップチップボンディングとしても良い。さらに、実施形態では、ＩＣ３８に発振回路を搭載する旨記載したが、ＩＣ３８には、発振回路に加え、電圧制御回路や、温度補償回路を搭載しても良い。また、半田ボール４２として、コア４２ａの構成部材に銅を採用する旨記載したが、これを金や銀、あるいは錫などとしても良い。
【００４０】
また、ホット端子１８を構成する金属膜は実質上、ベース基板に対する吸着性の関係から、図５に示すように、複数の金属材料を積層して構成されることとなる。なお、図５において、図５（Ａ）はホット端子１８を構成する下地層１９の形態を示す図であり、図５（Ｂ）はパッケージベース１４上に形成された下地層１９の上に表面層１９ａを形成した形態を示す図であり、図５（Ｃ）はホット端子１８の断面構成を示す図である。
【００４１】
この場合において、下地層（下地金属層）１９をパッケージベース１４を構成するセラミックスへの吸着性が良好なタングステンやモリブデンとし、表面層（表面金属層）１９ａを半田に対する濡れ性の良好な金とすると良い。そして、タングステンやモリブデンは金に比べて、酸化物形成の自由エネルギーが高く、半田に対する濡れ性が悪いため、表面層１９ａに設けた間欠部から露出させた下地層１９により撥液部を構成するようにしても良い。また、下地層１９を第１下地層、第２下地層とする場合には、第１下地層をタングステンやモリブデン、第２下地層をニッケルとすることができる。
【００４２】
また、実施形態では、撥液部２０の配置間隔により、半田の濡れ広がりを抑制する旨記載した。しかしながら、半田の濡れ広がりを撥液部２０の密度により抑制するようにしても良い。この場合、ホット端子１８において図６に示すように、実装部１８ａの中心から遠ざかるに従って、撥液部２０の配置密度を増加させるようにすると良い。撥液部２０をこのように配置することで、半田ボール４２が接続される中心である実装部１８ａの中心から周辺に向けて、放射状に濡れ性が低下することとなる。これにより、半田が所定の範囲以上に濡れ広がることが無くなり、ホット端子１８に対して過度に半田が引き付けられてしまう事態を避けることができる。
【００４３】
次に、本発明の発振器に係る第２の実施形態について、図７を参照して説明する。なお、本実施形態に係る発振器の殆どの構成は、上述した第１の実施形態に係る発振器１０と同様である。よって、図７には、本実施形態に係る発振器と第１の実施形態に係る発振器１０との相違点であるホット端子の形状が明確となるように、振動子における底面の形態を示すこととする。
【００４４】
本実施形態に係る発振器では、ホット端子１８に設ける撥液部２０の形態を、Ｃ字型のスリットとし、少なくとも１箇所で、実装部１８ａと撥液部２０の外側に位置する金属膜１８ｂとを電気的に接続する形態とした。なお、実装部１８ａと外側に位置する金属膜１８ｂとの接続部は、半田の流出を抑制する効果を奏することのできる程度の幅とすれば良い。このような形態とした場合であっても、上記第１の実施形態に係る発振器１０と同様な効果を奏することができる。
【符号の説明】
【００４５】
１０………発振器、１２………振動子、１４………パッケージベース、１６………実装端子、１８………ホット端子、２０………撥液部、２２………接続用金属膜、２４………蓋体、２６………振動片、２８………導電性接着剤、３０………ベース基板、３２………実装端子、３４………接続用パターン、３６………外部実装端子、３８………ＩＣ、４２………半田ボール、４４………ワイヤー、４６………モールド材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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