(57)【要約】【課題】  第一に、集電電極、インターコネクタ又は補助電極となる導体層の接触性、接続信頼性に優れる太陽電池構造体、第２に密着信頼性が優れ、その導体層を含む太陽電池構造体を提供するものである。【解決手段】  パターン状の導体層及び樹脂層を含む基材であって、その樹脂層に導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設されている基材が、その導体層を集電電極、インターコネクタ又は補助電極とするように、組み込まれてなる太陽電池構造体。上記の基材はその導体層の存在する面が電気取出面に向かうように積層され、電気取出面には、透明導電膜や金属からなり、光電変換層に接続する電気取出電極又はこれに接続する集電電極を構成する導電層が存在する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン状の導体層及び樹脂層を含む基材であって、その樹脂層に導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設されている基材が、その導体層を集電電極、インターコネクタ又は補助電極とするように、組み込まれてなる太陽電池構造体。
【請求項２】
パターン状の導体層及び樹脂層を含む基材がその導体層の存在する面を電気取出面に向かうように積層されている請求項１記載の太陽電池構造体。
【請求項３】
電気取出面に、基材上の導体層と導通させるべき導電層が存在する請求項２記載の太陽電池構造体。
【請求項４】
導電層が、光電変換層に接続する電気取出電極又はこれに接続する集電電極である請求項３記載の太陽電池構造体。
【請求項５】
電気取出電極が、透明導電膜又は導電性金属である請求項４記載の太陽電池構造体。
【請求項６】
基材上の導体層を太陽電池構造体の表面側又は裏面側に存在させる請求項１〜５のいずれかに記載の太陽電池構造体。
【請求項７】
基材の樹脂層が電気取出面に密着している請求項１〜６のいずれかに記載の太陽電池構造体。
【請求項８】
基材上の導体層の断面形状が、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状であって、上記導体層は、少なくとも上面又は上記台形状の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層に埋設されている請求項１〜７のいずれかに記載の太陽電池構造体。
【請求項９】
上記導体層の断面形状の台形形状部の高さが０．１〜１０μｍ、側面の角度が３０°以上８０°以下の範囲である請求項８記載の太陽電池構造体。
【請求項１０】
基材上の導体層の断面形状が、その上部に湾曲した表面を有し、上記導体層は、少なくともその上部表面の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層に埋設されている請求項１〜７のいずれかに記載の太陽電池構造体。
【請求項１１】
導体層の最大幅（Ｌ）に対する最大幅より上部の導体層の厚み（Ｔ２）の割合（Ｔ２／Ｌ）が０．０１〜２の範囲である請求項１０記載の太陽電池構造体。
【請求項１２】
上記導体層の厚さが２〜１００μｍの範囲である請求項１〜１１のいずれかに記載の太陽電池構造体。
【請求項１３】
パターン状の導体層及び樹脂層を含む基材であって、その樹脂層に導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設されている基材を、その導体層を集電電極、インターコネクタ又は補助電極とするように、太陽電池要素の電気取出面に貼り合わせることを特徴とする太陽電池構造体の製造法。
【請求項１４】
太陽電池要素が光電変換層及びそれに接続する電気取出電極を含むものであり、その電気取出面は、その電気取出電極又は集電電極が露出している面である請求項１３記載の太陽電池構造体の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池構造体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池に使用される光電変換層の種類としては、単結晶シリコン型、多結晶シリコン型、アモルファスシリコン型、ＣＩＧＳ型、ＣＩＳ型、その他化合物型、有機薄膜型、色素増感型等を挙げることができる。いずれの種類でも光電変換層に太陽光等の光が照射されると、電子と正孔の対が生じ、電子と正孔はｐ型とｎ型半導体との接合面で、電子（−）がｎ型へ、正孔（＋）がｐ型へ集まり、その結果、ｎ型とｐ型との間に起電力が生じる。この電子と正孔を取り出すための電極（取出電極）と負荷とを電気的に接続することで負荷に電力を供給できる。
単結晶シリコン型、多結晶シリコン型では一般的に、受光面に比較的細い金属からなり集電電極と、集電電極によって集められた電流を隣合う太陽電池セルに通電するためのインターコネクタと、集電電極とインターコネクタを接続するためのバスバーを有し、これらの低い抵抗により太陽電池セルの内部抵抗を低くしている。集電電極の代表としてＡｇフィンガー電極があり、インターコネクタの代表としてタブが挙げられる。しかし、集電電極、インターコネクタ、バスバーは不透明であるため、これらの面積増大は太陽電池の有効面積の減少となる。そのため、これらの電極の面積を増やさずに抵抗を下げるためには、電極材料の比抵抗の減少と電極の幅減少と厚み増加が有効な手段である。メッキにて形成した集電電極（特許文献１、２）が例として挙げられる。
また、アモルファスシリコン型、ＣＩＧＳ型、ＣＩＳ型、その他の化合物型、有機薄膜型、色素増感型等の薄膜太陽電池においては、一般的には、受光面の表面抵抗を減少させるために透明導電膜を形成しており、透明導電膜が結晶シリコン型における集電電極やインターコネクタの機能をもつ。しかし、透明導電膜は金属に比べて抵抗が高いために太陽電池セルの内部抵抗が高くなる問題があるが、補助電極の形成によって内部抵抗を減らす工夫がなされている。補助電極の形成方法として、アモルファスシリコン型におけるスプレー法にて形成した例（特許文献３）、ＣＩＧＳ型における蒸着法にて形成した例（特許文献４）、有機薄膜型におけるメッシュ電極を用いた例（特許文献５、６）、色素増感型における印刷法にて形成した例（特許文献７、８）が挙げられる。
【０００３】
これらの電極の形成法としては、蒸着法（フォトリソ法）、メッキ法及び印刷法等の方法が一般的に用いられている。
しかし、（１）蒸着法は、品質は良好ではあるが高価な真空系の設備が必要であるため、コストがかさむ上に、同じ理由で製造に時間がかかる。また、パターニングの際にはマスキングも必要であるとの問題がある（特許文献９参照）。
（２）メッキ法では、Ｎｉの無電解メッキ等が一般的に行なわれているが、やはりパターニングの際には、マスクが必要であるという点と、剥離し易さが問題となっている（特許文献１０参照）。
（３）印刷法はコストも低く、パターニングできることもあり、銀ペーストをスクリーン印刷して高温で焼結してコンタクトする方法が実用化されている。しかし、焼結温度は数百度の高温であるため、耐熱性の低いアモルファスシリコン型、有機薄膜型、または耐熱性の高くないＣＩＧＳ型、ＣＩＳ型では、焼結による銀電極を得ることができない。
（４）従って、印刷法を耐熱性の低いアモルファスシリコン型、有機薄膜型、または耐熱性の高くないＣＩＧＳ型、ＣＩＳ型に適用する場合は、高分子バインダーを含む銀導電性ペースト等を比較的低い温度で硬化させて用いることとなる。このため、比抵抗が例えば３×１０−５Ωｃｍ以上の電極しか得ることができない。これは純粋な銀（比抵抗１．６×１０−６Ωｃｍ）、銅（比抵抗１．７×１０−６Ωｃｍ）やアルミニウム（２．８×１０−６Ωｃｍ）の比抵抗の１０倍以上の値であり、導電性が劣る。そこで、電極の面積を変えずに抵抗を下げようとすると電極を１０倍以上の厚さにする必要がある。１０倍以上の厚みを得るためにはペーストをより高粘度にすること、バインダー量を減らすこと等の工夫が必要となるが、いずれも印刷適性の悪化を招く等の不具合が発生することとなるが、実質的にスクリーン印刷によって作製できる電極の厚みとしては１０〜２０μｍというのが一般的である。スクリーン印刷を数度繰り返し行うことにより、厚膜塗りも可能ではあるが、インクを完全に乾燥させなければならないため工程が長くなり、更には同じ位置に印刷するためのアライメントの問題も発生することになる。従って、スクリーン印刷法により集電電極を設ける際は幅広にして抵抗を下げるのが一般的であった。このような事情からスクリーン印刷法を用いた集電電極においては有効面積の損失が大きいというのが実状であった。
（５）また、印刷等によりオフラインで形成した電極、あるいは繊維メッシュを太陽電池に接着する場合がある（特許文献１１、特許文献１２参照）。この場合、接着剤を硬化する工程で接着剤を流動させ、電極と太陽電池に確実に接触させなくてはならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２７７７６２号公報
【特許文献２】特開２０００−２７７７６８号公報
【特許文献３】特開平０６−２０４５３２号公報
【特許文献４】特表２０００−５０１２３２号公報
【特許文献５】特開２００９−０７６６６８号公報
【特許文献６】特表２００６−５２１７００号公報
【特許文献７】特開２００３−２９７１５８号公報
【特許文献８】特開２００８−２８８１０２号公報
【特許文献９】特開平９−２７５２２１号公報
【特許文献１０】特開２０００−２２３４４３号公報
【特許文献１１】特開２００９−０９９５７４号公報
【特許文献１２】特表２００６−５２１７００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、第一に、集電電極、インターコネクタ又は補助電極となる導体層の接触性、接続信頼性に優れる太陽電池構造体、第２に密着信頼性が優れ、その導体層を含む太陽電池構造体を提供するものである。
さらに、本発明は、そのような太陽電池構造体を生産性良く製造する方法、さらには、耐熱性の低い要素を含む太陽電池構造体の作製にも適用できる低い温度で、容易に、そのような太陽電池構造体を製造する方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、次のものに関する。
１．  パターン状の導体層及び樹脂層を含む基材であって、その樹脂層に導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設されている基材が、その導体層を集電電極、インターコネクタ又は補助電極とするように、組み込まれてなる太陽電池構造体。
２．  パターン状の導体層及び樹脂層を含む基材がその導体層の存在する面を電気取出面に向かうように積層されている項１記載の太陽電池構造体。
３．  電気取出面に、基材上の導体層と導通させるべき導電層が存在する項２記載の太陽電池構造体。
４．  導電層が、光電変換層に接続する電気取出電極又はこれに接続する集電電極である項３記載の太陽電池構造体。
５．  電気取出電極が、透明導電膜又は導電性金属である項４記載の太陽電池構造体。
６．  基材上の導体層を太陽電池構造体の表面側又は裏面側に存在させる項１〜５のいずれかに記載の太陽電池構造体。
７．  基材の樹脂層が電気取出面に密着している項１〜６のいずれかに記載の太陽電池構造体。
８．  基材上の導体層の断面形状が、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状であって、上記導体層は、少なくとも上面又は上記台形状の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層に埋設されている項１〜７のいずれかに記載の太陽電池構造体。
９．  上記導体層の断面形状の台形形状部の高さが０．１〜１０μｍ、側面の角度が３０°以上８０°以下の範囲である項８記載の太陽電池構造体。
１０．  上記導体層の断面形状が、その上部に湾曲した表面を有し、上記導体層は、少なくともその上部表面の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層に埋設されている項１〜７のいずれかに記載の太陽電池構造体。
１１．  導体層の最大幅（Ｌ）に対する最大幅より上部の導体層の厚み（Ｔ２）の割合（Ｔ２／Ｌ）が０．０１〜２の範囲である項１０記載の太陽電池構造体。
１２．  上記導体層の厚さが２〜１００μｍの範囲である項１〜１１のいずれかに記載の太陽電池構造体。
１３．  パターン状の導体層及び樹脂層を含む基材であって、その樹脂層に導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設されている基材を、その導体層を集電電極、インターコネクタ又は補助電極とするように、太陽電池要素の電気取出面に貼り合わせることを特徴とする太陽電池構造体の製造法。
１４．  太陽電池要素が光電変換層及びそれに接続する電気取出電極を含むものであり、その電気取出面は、その電気取出電極又は集電電極が露出している面である項１３記載の太陽電池構造体の製造法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る太陽電池構造体は、光電変換層に接続する電気取出電極若しくはそれに接続する集電電極と、パターン状の導体層及び樹脂層を含む基材に由来する集電電極、インターコネクタ又は補助電極との接触性、接続信頼性等が良好であり、また、密着信頼性に優れる。
本発明に係る太陽電池構造体は、パターン状の導体層及び樹脂層を含む基材をその導体層が集電電極、インターコネクタ又は補助電極として機能する太陽電池用電極基材として用いて作製されるものであり、太陽電池要素の電気取出面に存在する電気取出電極又はそれに接続する集電電極と上記基材の導体層との接触性、接続信頼性等が良好であり、それらの接続に当たって電気取出面への蒸着、塗布等の特別な密着方法を行わなくてもよい。また、本発明に係る太陽電池構造体は、加熱加湿試験等の信頼性試験や、耐水試験を行った後の電気取出面での密着力の低下がなく、密着信頼性に優れる。
【０００８】
本発明におけるパターン状の導体層及び樹脂層を含む基材では、導体層の最大幅となる部分が、基材上に形成した樹脂層に埋没している場合、樹脂と導体層の接触面積が増え、導体層の密着性が向上する。特に、導体層の横方向のせん断密着力が向上する。したがって、振動衝撃に対してパターン異常がなく、製造工程を経た後や搬送後にも特性の低下がない。また、加熱加湿試験等の信頼性試験や、耐水試験を行った後の密着力に対しても優れた効果を示す。
【０００９】
本発明における太陽電池構造体では、集電電極、インターコネクタ又は補助電極の機能を有する部材の少なくとも一部を比抵抗の低い金属とすることができるので優れた導電性が得られ、フィルファクターを向上させることができる。
本発明における太陽電池構造体では、導体層の幅を狭くして頂部電極側の開口率を高くすることができ、導体層による受光面積の減少を抑制することができる。
【００１０】
本発明の太陽電池構造体の製造法によれば、太陽電池要素の電気取出面に、パターン状の導体層及び樹脂層を含む基材を貼り合わせることによって、電気取出電極と導通する集電電極、インターコネクタ又は補助電極を設置することができるため、その製造が容易で、生産効率が優れる。
さらに、このとき、太陽電池構造体内の集電電極、インターコネクタ又は補助電極の形成を低温で行うことができる。そのため、本発明の太陽電池要素は耐熱性の高いものに限定されることはない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る導体層パターン付き基材の一例を示す部分切り取り斜視図。
【図２】導体層の一部を切り取った斜視図。
【図３】図２（ｂ）に示す導体層の幅方向の断面図。
【図４】図２（ｂ）に示す導体層の幅方向の他の例の断面図。
【図５】導体層の横断面図。
【図６】導体層の横断面図。
【図７】導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。
【図８】導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。
【図９】本発明のめっき用導電性基材の一例を示す斜視図。
【図１０】図９のＡ−Ａ断面図。
【図１１】めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図。
【図１２】中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。
【図１３】導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図。
【図１４】導体層パターン付き基材の作製例の後半を示す断面図。
【図１５】めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより導体層パターンを形成した状態を示す断面図。
【図１６】図１５に示す凹部内の導体層パターンを転写して得られた導体層パターン付き基材の断面図。
【図１７】導体層が保護されている導体層パターン付き基材の例を示す断面図。
【図１８】導体層パターン付き基材の一例を示す断面図。
【図１９】導体層付き樹脂層の例を示す断面図。
【図２０】支持基材の交換工程の一例を示す断面図
【図２１】新しい支持基材として、粘着剤層を有するものを使用して得られた導体層パターン付き基材の断面図。
【図２２】導体層の一部を切り取った斜視図。
【図２３】図２２（ａ）に示す導体層の幅方向の断面図。
【図２４】図２２（ａ）に示す導体層の他の例の幅方向の断面図。
【図２５】導体層の横断面図。
【図２６】導体層の横断面図。
【図２７】導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。
【図２８】導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。
【図２９】（Ｃ）工程を示す断面図。
【図３０】（Ｄ）工程及び埋設調整工程を示す断面図。
【図３１】露出した導体層を有する導体層パターン付き基材の一例を示す断面図。
【図３２】基材が樹脂層だけからなる導体層パターン付き基材の一例を示す断面図。
【図３３】（Ｅ）の工程を示す断面図。
【図３４】（Ｅ）の工程を経て得られる導体層パターン付き基材の一例を示す断面図。
【図３５】他の工程を経て得られる転写用基材を含む導体層パターン付き基材の断面図。
【図３６】本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池構造体の構成を示す断面図。
【図３７】本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池構造体の別の構成を示す断面図。
【図３８】太陽電池要素の断面図。
【図３９】別の太陽電池要素の断面図。
【図４０】別の太陽電池要素の断面図。
【図４１】別の太陽電池要素の断面図。
【図４２】太陽電池構造体の一例を示す断面図。
【図４３】太陽電池構造体の他の例を示す断面図。
【図４４】太陽電池構造体の他の例を示す断面図。
【図４５】太陽電池構造体の他の例を示す断面図。
【図４６】太陽電池構造体の他の例を示す断面図。
【図４７】太陽電池構造体の参考例を示す断面図。
【図４８】太陽電池構造体の参考例を示す断面図。
【図４９】太陽電池構造体の他の例を示す断面図。
【図５０】太陽電池構造体の他の例を示す断面図。
【図５１】太陽電池構造体の他の例を示す断面図。
【図５２】太陽電池構造体の他の例を示す断面図。
【図５３】太陽電池構造体の他の例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明で使用するパターン状の導体層及び樹脂層を含む基材（以下、「導体層パターン付き基材」という）は、樹脂層を含む基材にパターン状の導体層が積層されているものである。この導体層としては、その断面形状が、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状のもの（「導体層Ａ」という）がある。上記の導体層パターン付き基材において、この導体層の少なくとも上面の一部又は上記台形状の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層に埋設されてなるものが好ましく、導体層パターンが、断面形状の台形形状部の少なくとも上面が樹脂層からは露出していることが好ましく、導体層パターンは、断面形状の台形形状部の一部が樹脂層からは露出していてもよい。
【００１３】
また、本発明で使用する導体層パターン付き基材において、導体層がその断面形状の上部に湾曲した表面を有するもの（「導体層Ｂ」という）であってもよく、この導体層のパターンは、少なくともその上部表面の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層に埋設されていることが好ましい。
【００１４】
また、本発明で使用する導体層パターン付き基材において、導体層は、その断面形状が矩形状のもの（「導体層Ｃ」という）であってもよく、少なくともその表面の一部は樹脂層からは露出している。また、厚さで少なくとも５０〜１００％が上記基材の樹脂層に埋設されていることが好ましい。
【００１５】
本発明に係る導体層パターン付き基材は、樹脂層を含む基材及び導体層を含み、基材の表面に導体層がパターン状に配置されている。
図１は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例を示す部分切り取り斜視図（模式図）である。導体層パターン付き基材１は、支持基材２上に樹脂層３を有する基材４の表面に導体層５が埋設されている。
【００１６】
基材４は、従って、それを構成する樹脂層及び支持基材は、使い方により適宜選択することができるが、太陽光照射面側に使用する場合は、透明のものが好ましい。このとき、本発明における導体層パターン付き基材は、特に可視領域で光透過性を有することが好ましい。
上記基材は、その表面のうち導体層を埋設する側に導体層を埋設するための樹脂層を有する。
この樹脂層は、熱可塑性樹脂でもよいが、硬化性樹脂であってもよい。硬化性樹脂は硬化させてあってもそうでなくてもよく、樹脂の硬化は、導体層パターン付き基材を使用に供してから行ってもよい。
また、この樹脂層は、支持基材上に積層されていてもよく、樹脂層だけで基材を構成していてもよいが、樹脂層だけで基材を構成していると全体の厚さを薄くすることができるのでより好ましい。
【００１７】
支持基材としては、ガラス、プラスチック等からなる板、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどがある。ガラスとしては、ソーダガラス、無アルカリガラス、強化ガラス等のガラスを使用することができる。
プラスチックとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂が好適に用いられる。別の基材の厚みは、０．５ｍｍ〜５ｍｍがディスプレイの保護や強度、取扱い性から好ましい。
【００１８】
上記のプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂などのプラスチックからなるフィルムが好ましい。これらは単層で使うこともできるが、２層以上を組合せた多層フィルムとして使用してもよい。前記プラスチックフィルムのうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリカーボネートフィルムが特に好ましい。
上記プラスチックフィルムの厚さは特に制限はないが、１ｍｍ以下のものが好ましく、厚すぎると可視光透過率が低下しやすくなる傾向がある。また、薄すぎると取扱い性が悪くなることを勘案すると、上記プラスチックフィルムの厚さは５〜５００μｍがより好ましく、１５〜２００μｍとすることがさらに好ましい。
これらのプラスチックフィルム等の基材は、ガラス板、プラスチック板に比較して、より柔軟であり、好ましい。
【００１９】
樹脂層を形成するための樹脂としては、前記の通り、熱可塑性樹脂又は硬化性樹脂が使用される。
上記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−１，２−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−２−ヘプチル−１，３−ブタジエン、ポリ−２−ｔ−ブチル−１，３−ブタジエン、ポリ−１，３−ブタジエン）などの（ジ）エン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−２−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−ｔ−ブチルアクリレート、ポリ−３−エトキシプロピルアクリレート）、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−ｎ−プロピルメタクリレート、ポリ−３，３，５−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−２−ニトロ−２−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−１，１−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ（メタ）アクリル酸エステル、熱可塑性ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリアミド樹脂などが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、２種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを２種類以上ブレンドして使用することも可能である。
【００２０】
前記硬化性樹脂のうち、活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、アクリル基（アクリロイル基）、メタクリル基（メタクリロイル基）、ビニル基、アリル基などの炭素−炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基（アクリロイル基）が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基（グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基）が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ（メタ）アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン（メタ）アクリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。また、上記の材料の他に汎用の熱可塑性樹脂をブレンドしても良い。
【００２１】
また、前記硬化性樹脂のうち、熱硬化性樹脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂と架橋剤としての硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することもできる。
【００２２】
熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。
【００２３】
さらに、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．６０）、ウレタンアクリレート（ｎ＝１．５〜１．６）、ポリエーテルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．４９）、ポリエステルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．５４）なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、１、６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の（メタ）アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、２種以上併用することができる。
【００２４】
なお、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂には、汎用の熱可塑性樹脂がブレンドされていてもよい。
また、樹脂層には、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤などの添加剤が配合されていてもよい。
前記樹脂層の厚さは、少なくとも、導体層を埋設させる厚さよりも厚いことが必要である。より確実に導体層を樹脂中に埋没させるためには、樹脂層の厚さは、導体層を埋設させる厚さの１．５倍以上であることがさらに好ましい。
【００２５】
導体層の寸法として、導体層の厚さ（Ｔ）は２〜１００μｍであることが好ましい。２μｍ未満では、電極材料として十分に低い抵抗を得ることが困難となる傾向がある。１００μｍを越えると、抵抗はほとんど変化しないため、材料費、製造工程時間が増え、コスト的に不利になる。また、粘接着剤に導体層を埋設させるために必要な粘接着剤の厚みが厚くなる。
また、導体層パターンの厚みは８０μｍ以下がより好ましく、また、金属層をめっきにより形成させるのにかかる時間を短縮することにもなるので６０μｍ以下とすることが導体層の作製上より好ましい。また、あまりに厚みが薄いと抵抗が大きくなりすぎるようになるため、４μｍ以上が好ましく、６μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上がさらに好ましい。そのため、以上を考慮して４〜８０μｍであることがより好ましく、６〜６０μｍの範囲であることがさらに好ましい。
【００２６】
導体層の幅（Ｌ）は１〜５０００μｍであることが好ましい。導体層の幅が１μｍ未満では抵抗が増加する傾向があり、導電性の観点からは３μｍ以上がより好ましく、６μｍ以上がさらに好ましい。
導体層の幅は、光透過性が問題にならない場合には、大きくしてもよいが、この場合でも、最大で５０００μｍであることが好ましい。例えば、バックコンタクト型太陽電池の集電電極とインターコネクタの機能をもつ裏面電極としての導体層の幅Ｌは、光透過性を必要としないが、その導体層の幅（Ｌ）は、バックコンタクト型太陽電池の電気取出電極である底部電極のパターンのライン幅若しくは大きさやピッチにより制限される。そこで、導体層の幅が５０００μｍを超えると、バックコンタクト型太陽電池の底部電極のサイズに比較して大きくなりすぎるため、となり合う底部電極を短絡させる恐れがある。また、バックコンタクト型太陽電池において、裏面電極としての導体層の幅（Ｌ）が５０μｍよりも低いと、バックコンタクトの底部電極のサイズよりも小さくなりすぎるため、接続面積を確保することが難しくなる。以上の観点から、バックコンタクト型太陽電池の裏面電極としての導体層の幅（Ｌ）は、１００〜２０００μｍであることがより好ましく、２００〜６００μｍであることがさらに好ましい。
光透過性が必要な場合、導体層の幅（Ｌ）は８０μｍ以下が好ましく、６０μｍ以下がより好ましく、４０μｍ以下がさらに好ましい。そのため、光透過性が必要な場合の導体層の最大幅Ｌは、１〜８０μｍであることが好ましく、３〜６０μｍであることがよりに好ましく、６μｍ〜４０μｍであることがさらに好ましい。ただし、太陽電池表面側の電気取出電極又はその一部がＡｇフィンガー電極である場合のように、電極自体が遮光性であるときは、光透過性を付与するために電極には適当な間隔が設けられるが、このとき、導体層と電気取出電極とが重なる箇所においては、導体層が電気取出電極よりも細ければ新たに遮光部分が生じない。そのため、遮光性の電気取出電極と重なる部分の導体層の幅はそれより小さいこと（たとえば、Ａｇフィンガー電極であれば、１３０μｍ以下であること）が好ましい。そのため、Ａｇフィンガー電極に接続する導体層の最大幅Ｌは、１〜１３０μｍであることが好ましく、３〜１００μｍであることがよりに好ましく、６μｍ〜８０μｍであることがさらに好ましい。
【００２７】
また、導体層のパターンとしては、種々のものが可能であるが、具体的な用途により適宜選択される。
導体層のパターンとして、導体層自体は線状又は平面的に広がりのある形状であって、導体層自体が、平面形状として、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などの幾何学図形のものであっても、また、導体層により、特に、線状その他の形状の導体層により、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などの幾何学図形又はこれらを適宜組み合わせた模様を描くようにしてもよい（たとえば、平面上の導体層にこれらの図形の穴を開けたような形状であってもよい）。これらの単位は、単独で又は２種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。
また、導体層のパターンは、太陽電池用電極基材用としては、メッシュ状のパターン、ストライプ状のパターン、櫛状のパターンが好ましい。導体層のパターンは、集電電極として使用する場合には導通していることが必要であるが、集電電極の一部又は補助電極としては、パターンとして必ずしも導通しているとは限らない。
【００２８】
導体層のライン間隔は、太陽電池の構造により適宜決定される。
電気取出電極がＩＴＯ等の透明導電膜、アルミニウム金属等の金属膜でべた状のもの（これらは、後記するように集電機能を有する）である場合、これらに重ねるべき基材上の導体層パターンがメッシュ状のパターン、ストライプ状のパターン、櫛状のパターン等の導体層パターン（集電電極若しくはその補助電極又はこれらとインターコネクタの複合体として使用される場合）のライン間隔は、５０μｍ〜４０００μｍの範囲とすることが好ましい。ライン間隔が小さ過ぎると樹脂層（粘着剤層）が太陽電池要素の電気取出面との接触面積が小さくなるため接着力が低下しやすくなる。一方、ライン間隔が大き過ぎると集電電極の面積が小さくなりすぎるため抵抗が大きくなり電気の取出しが非効率なりやすい。光透過性の必要な場合の導体層のライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、光透過率は向上する。一方、ライン間隔が大きくなり過ぎると、上記のとおり抵抗が大きくなる傾向がある。そのため、光透過性が必要な場合の導体層のライン間隔は１００μｍ〜４０００μｍがより好ましく、２００〜３５００μｍがさらに好ましく、３００〜３０００μｍが特に好ましい。光透過性が不要な場合の導体層のライン間隔は１００〜３５００μｍがより好ましく、２００〜３０００μｍがさらに好ましい。
なお、ライン間隔は、導体層パターンが導体層で囲まれる幾何学図形等の組合せで複雑となる場合には、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。
太陽電池要素が、その電気取出面に電気取出電極、集電電極又はこれらの積層体などが散在して存在している場合、基材上の導体層を、集電電極、インターコネクタ若しくは補助電極又はこれらの複合体として使用する場合、各散在する電極又は積層体が基材上の導体層のいずれかのラインに接触するように、メッシュ状のパターン、ストライプ状のパターン、櫛状のパターン等の導体層パターンのラインが配置され、電極との接触点では、導体層は、その電極からはみ出さないようにすることが好ましく、電極間は上記した導体層の幅とされることが好ましい。
光透過性を要求される場合、導体層の開口率は８０％以上が好ましく、９０％以上がさらに好ましい。
【００２９】
本発明における導体層の一例である導体層（Ａ）は、前記したとおり、断面形状が台形状のもの又は断面形状が台形状の上部とこれに連続した下部からなる。
図面を用いて説明する。図２は、導体層５のパターンの一部を切り取った斜視図である。図２（ａ）は、断面形状が台形状の導体層パターンであり、図２（ｂ）は、断面形状が上部の台形状部分とこの台形状部分より幅広の下部である摧円形状部分からなる導体層５のパターンである。図３は、図２（ｂ）に示す導体層５の幅方向の断面図であり、断面が台形状の上部６とこの上部に連続しており、この上部より幅広な摧円形状の下部７からなり、台形状部分６の底辺と摧円形状部分７の摧円形の弦の一部分で一体となっている。図２（ｂ）及び図３において、下部は断面形状が摧円形であるが、これにかぎらない。図２（ｂ）及び図３に示されるような場合には、下部の摧円形状部分７の台形状部分の下底から突出したような肩部８は、一つの特徴となりうる。なお、上記の摧円形とは、必ずしも真円を切り取った形だけでなく、楕円又は楕円や真円を変形させたような形状を切り取ったものを包含する。例えば、図４（図２（ｂ）に示す導体層の幅方向の断面図の他の例）の（ａ）、（ｂ）又は（ｃ）であらわされるような形状であってもよい。
また、図２及び図３において、下部の最大幅（したがって導体層パターンの最大幅）は、平面部にそってあるが、肩部より下部に最大幅が存在する形状であってもよい。
さらに、導体層パターンは、その横断面において、前記したような上部に対し連続している下部が、上部の最大幅よりも狭い最大幅を有するものであってもよい。また、下部の断面形状が矩形状であってもよい。
【００３０】
導体層（Ａ）の寸法を図面を用いてさらに説明する。
図５は、導体層の横断面図を示す。図５（ａ）は台形状であり、図５（ｂ）は、上部の台形状部分とこの台形状部分より幅広な摧円形状部分（下部）が一体となったものである。両者において、上面幅（台形状の上底の長さ）Ｌ１、導体層パターンの断面形状における最大幅Ｌは、それぞれ次のようにすることが好ましい。
【００３１】
導体層の厚さ（Ｔ）は、前記の通りである。
図５（ｂ）における形状である場合、台形状部分（上部）の厚さＴ１と摧円形状部分（下部）の厚さＴ２の合計厚さＴが２〜１００μｍの範囲となっていることが好ましく、Ｔ１とＴ２の値にそれ以上の制限はないが、樹脂層と導体層パターンとの密着性をより高めるためには、Ｔ２が０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがさらに好ましい。
【００３２】
また、導体層の最大幅Ｌは、前記した導体層の幅（Ｌ）のとおりである。
図５（ｂ）における形状である場合、上部台形状部分の上底の幅Ｌ１と下底の幅Ｌ２は、最大幅Ｌが上記の範囲となり、後述するように、台形状部分の側辺の角度が後記する条件を満たせば、その幅に特に制約はない。下部が完全に埋没し、樹脂層が肩部及び上部の一部を被覆するようになると、導体層と樹脂層の密着性が向上することになるが、この観点からは、最大幅Ｌと上部の台形状部分の下底の幅Ｌ２の差は、１μｍ以上であることが好ましい。また、図５の（ａ）又は（ｂ）における形状である場合、Ｌ１は後記する製法上、１μｍ以上とすることが好ましい。
【００３３】
図５の（ａ）及び（ｂ）において、台形状であることは、条件としてその側辺が内側に傾きを持つということであるが、台形形状の側辺の傾きは、左右のぞれぞれの内角αが３０°以上９０°未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。台形形状の角度が小さいと、台形形状の高さに対して幅が広くなるため、透明性を阻害しやすくなる。また、角度が大きくなるほど、製法上、透明導電膜によって側面が覆われにくくなり、電解質液におかされて腐食されやすくなる。台形状の側辺の傾きは、左右のぞれぞれの内角は、等しくなくてもよい。
【００３４】
また、導体層の断面形状が台形の部分は、その幅が、上面に向かって全体として狭まっていればよい。上記図面のように勾配αで一定勾配で狭まっている必要は必ずしもなく、上面に向かって広がっておらず全体として狭まっていればよい。特に、側面が上面に対して垂直となっている部分がないようにすることが好ましい。
【００３５】
前記の導体層の断面形状が台形状の部分に相当する側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図６にその導体層の横断面図を示すように、前記の勾配αは、台形の高さｈと台形の側辺の幅ｓ（水平方向で台形の側辺の幅方向）を求め、式（１）
【数１】
2011142127.tif 000002
によってαを決定する。
αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。
【００３６】
前記図５において、Ｌ３とＴ１は、
【数２】
2011142127.tif 000003
の関係にあることが好ましい。また、
【数３】
2011142127.tif 000004
の関係にあることがより好ましい。
これにより、導体層は、幅方向へのめっきの広がりよりも、厚み方向への広がりが大きく、厚み方向に異方的にめっきが生長するので、表面抵抗を上昇させることなく、ライン幅を微細化することができ、このような導体層を有する導体層パターン付き基材は、透明性と低抵抗の両立を高いレベルで実現可能である。特に、ライン幅が３０μｍ以下の微細パターンにおいて、上記効果は顕著である。めっきが厚み方向に異方的に生長すると、等方的に生長した場合に比較して、断面形状が円形状に近づく。したがって、このような導体層を有する導体層付きパターン基材は、ラインを転写する際の応力によるラインの折れが改善され、抵抗の低下や外観の異常をより良く抑制することができる。特に、めっき厚が薄くなるほど、この効果は、顕著となってくる。
【００３７】
本発明における、導体層は、少なくとも上面が露出した状態で全体又は一部が樹脂層に埋設されていることが好ましい。これにより、アンカー効果が発現するので導体層パターンの樹脂層への密着性が向上する。
図７及び図８に、導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図である。
図７（ａ）では、断面形状が台形状の導体層５が一部、樹脂層３に埋設されている状態を示し、図７（ｂ）は、上面が樹脂層３からは露出しながら導体層５全体が樹脂層３に埋設されている状態を示す。図８（ａ）は、断面が上部の台形状部分６とこの上部より幅広な下部の摧円形部分７が、台形状部分６の台形状の底辺と摧円形部分７の摧円形の弦の一部分で一体となっている導体層の下部の摧円形部分７全体（深さ方向で）が樹脂層３に埋設されている状態（肩部８が露出している）を示す。図８（ｂ）は、同様の導体層が上部の台形状部分６の上面を含む一部が樹脂層３からは露出した状態で樹脂層３に埋設されている状態を示す。また、図８（ｃ）は、同様の導体層が上部の台形状部分６の上面のみ樹脂層３からは露出した状態で樹脂層３に埋設されている状態を示す。これらの何れの場合も導体層の最大幅の部分は、樹脂層１２に埋設されている。
また、図７（ｂ）又は図８（ｃ）の状態において、さらに、樹脂層３が、導体層５又は上部の台形状部分６の上面の一部を被さるようにして被覆していてもよい。
【００３８】
本発明に係る導体層パターン付き基材の製造法について、説明する。
本発明に係る導体層パターン付き基材は、
（Ｉ）まず、めっき用導電性基材上に導体層をめっきにより形成する導体層作製工程を行い、
（ＩＩ）その後、めっき用導電性基材上に形成された導体層を樹脂層を含む適当な基材に転写する転写工程、
及び
（ＩＩＩ）場合により、さらに、該基材を別の基材に交換する工程
を含む方法により作製される。樹脂層に導体層を埋設する工程は、前記の転写工程において行われるか又は転写工程の後に行われる。
【００３９】
本発明によるめっき用導電性基材は、パターン状のめっき形成部を有する導電性基材であって、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部（めっき形成部）が形成されている。この凹部の底面には導電性材料が露出している。このめっき用導電性基材は、繰り返し使用することができるめっきのための版である。
【００４０】
本発明において、導電性基材に用いられる導電性材料は、その露出表面に電解めっきで金属を析出させるために十分な導電性を有するものであり、金属であることが特に好ましい。また、その基材は表面に電解めっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層との密着力が低く、容易に剥離できるものであることが好ましい。このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどが特に好ましい。
【００４１】
前記の導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体（ロール）に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の２箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。導電性基材をロールに巻きつけて使用する場合、ロールとして導電性のものを使用し、ロールと導電性基材が容易に導通するようにしたものが好ましい。
【００４２】
絶縁層の厚さは、凹部の深さに対応する。凹部の深さは、析出するめっきの厚さとも関係するため、目的に応じて適宜決定される。絶縁層の厚さは、０．１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．５μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。絶縁層が薄すぎると絶縁層にピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。絶縁層の厚さは、１〜１０μｍであることが特に好ましい。
【００４３】
上記の絶縁層は、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣとする）薄膜のうち、絶縁性を有するものにて形成することができる。ＤＬＣ薄膜は、特に、耐久性、耐薬品性に優れているため、特に好ましい。
さらに、絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２のような無機材料で形成することもできる。
【００４４】
凹部又は絶縁層の形状は、前記した導体層のパターンに応じて適宜決定される。凹部には導体層が形成されるので、この形状により、導体層のパターン形状はほぼ決定される。一つのめっき用導電性基材において、凹部の形状と絶縁層の形状は、互いに対応した形状となる。凹部又は絶縁層の形状は、平面形状が、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型、直線などの幾何学図形があり、これらを適宜組み合わせた模様としてもよい、これらの単位は、単独で又は２種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。
【００４５】
本発明のめっき用導電性基材の例を図面を用いて説明する。
図９は、本発明のめっき用導電性基材の一例を示す一部斜視図である。図１０は、図９のＡ−Ａ断面図を示す。図１０の（ａ）は凹部の側面が平面的であるが、（ｂ）は凹部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。めっき用導電性基材１１は、導電性基材１２の上に絶縁層１３が積層されており、絶縁層１３に凹部１４が形成されており、凹部１４の底部は、導電性基材１２が露出している。凹部１４の底部は、導電性基材に導通している導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層１３は、幾何学図形としては正方形であり、この正方形の周りに凹部１４が溝状に形成されている。
導電性基材１２と絶縁層１３の間には、絶縁層１３の接着性の改善等を目的として、導電性又は絶縁性の中間層（図示せず）が積層されていてもよい。または、凹部１４は、その幅が、開口方向に向かって全体として幅広になっている。図面のよう勾配αで一定に幅広になっている必要は必ずしもない。めっきにより形成される導体層パターンの剥離に問題がなければ、凹部は、開口方向に向かって幅が狭くなっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、凹部は開口方向に向かって狭まっておらず全体として広がっていることが好ましい。特に、凹部の一側面がその対面と共に、底面に対して垂直となっている部分が高さ方向で１μｍ以上続く部分がないようにすることが好ましい。このようなめっき用導電性基材であれば、それを用いてめっきを行った後、析出した金属層をめっき用導電性基材から剥離するに際し、金属層と絶縁層との間の摩擦又は抵抗を小さくすることができ、その剥離がより容易になる。
【００４６】
凹部の側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図１０（ｂ）に示すように、前記の勾配αは、凹部の高さｈ（これは、すなわち、絶縁層の厚さとなる）と凹部の側面の幅ｓ（水平方向で凹部の側面の幅方向）を求め、式（１）
【数４】
2011142127.tif 000005
によってαを決定する。
αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。この角度が小さいと作製が困難となる傾向があり、大きいと凹部にめっきにより形成し得た金属層（導体層パターン）を剥離する際、又は、別の基材に転写する際の抵抗が大きくなる傾向がある。
【００４７】
本発明のめっき用導電性基材における絶縁層の平面形状及びその厚さ若しくは凹部の深さは、本発明のめっき用導電性基材を用いて得られる導体層パターンの役割に応じて適宜決定される。
上記めっき用導電性基材の凹部は、めっきにより生成する導体層の形状に対応するが、同様に導体層パターン付き基材における導体層パターンに対応するものであり、その導体層パターンは、太陽電池用電極基材としての導体層パターン付き基材の導体層のパターンに対応するものである。
【００４８】
また、絶縁層の厚さは、前記と同様であるが、これに対応するように、本発明のめっき用導電性基材における凹部４の深さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、０．５〜３０μｍであることがより好ましく、１〜１０μｍであることがさらに好ましい。
【００４９】
本発明のめっき用導電性基材を用いて転写法により光透過性が要求される電極基材を作製するために使用するときは、図１０に示すような凹部１４の幅は、開口部の幅ｄが２〜６０μｍ、底部の幅ｄ′が１〜４０μｍで有ることが好ましい。また、凹部１４の開口部の幅ｄは４〜１５μｍ、底部の幅ｄ′は３〜１０μｍであることが特に好ましい。凹部１４の中心間隔（ラインピッチ）は５０〜２０００μｍであることが好ましく、特に１００〜１０００μｍであることが好ましい。溝の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を好ましくは５０％以上、より好ましくは６０％以上、特に好ましくは８０％以上とすることを考慮して決定する。
凹部の幅その他の寸法は、前記した導体層の形状に対応して決定される。
なお、本発明において、凹部の中心間隔（ラインピッチ）は、凹部によって形成されている絶縁層の図形パターンが複雑な図形であったり、複数の図形の組み合わせであったりして簡単に決定できない場合は、パターンの繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さであると定義する。
【００５０】
上記のめっき用導電性基材によれば、めっきにより金属層が形成される凹部が開口方向に向かった幅広となっているため、めっきにより得られる導体層パターンの剥離が容易である。また、絶縁層をＤＬＣ又は無機材料からなるため導電性基材への密着性が優れ、その耐剥離性が優れる。その絶縁層は、中間層により導電性基材と絶縁層の間の密着性を向上させることができ、これにより、めっき用導電性基材の寿命を、さらに長くすることができる。本発明の開口方向に向かって幅広の凹部を持つめっき用導電性基材は、導電性基材上に凸状のパターンを形成し、絶縁層を形成後に、絶縁層が付着している凸状のパターンを除去することにより凹部を作製することができるため、その製造が容易で、生産性に富む。
【００５１】
本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法としては、導電性基材の表面に、導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を含む。
この工程は、（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、（Ｂ）除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成す
る工程及び
（Ｃ）絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程を含む。
【００５２】
上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、フォトリソグラフ法を利用して、レジストパターンを形成する方法を利用することができる。
この方法（ａ法）は、
（ａ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ａ−２）感光性レジスト層を導体層パターンに対応したマスクを通して露光する工程及び
（ａ−３）露光後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。
【００５３】
また、上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、レーザ光を利用する方法を適用することができる。この方法（ｂ法）は、
（ｂ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ｂ−２）感光性レジスト層に導体層パターンに対応した部分にマスクをせずレーザー光を照射する工程及び（ｂ−３）レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程を含む。
【００５４】
感光性レジストとしては、よく知られたネガ型レジスト（光が照射された部分が硬化する）を使用することができる。また、このとき、マスクもネガ型マスク（凹部に対応する部分は光が通過する）が使用される。また、感光性レジストとしてはポジ型レジストを用いることができる。これらの方式に対応して上記ａ法及びｂ法における光照射部分が適宜決定される。
【００５５】
具体的方法として、導電性基材上にドライフィルムレジスト（感光性樹脂層）をラミネートし、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することができる。また、凸状パターンは、導電性基材に液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥するかあるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することもできる。液状レジストは、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。
【００５６】
上記において、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後に、マスクを介して露光する代わりにレーザー光などでマスクを使用せず直接に露光する方法を採用することもできる。光硬化性樹脂にマスクを介して又は介さずして活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザー光などで直接に露光する方法が好ましい。
【００５７】
前記において、感光性レジストの代わりに熱硬化性樹脂を用い、レーザー光の照射により熱硬化性樹脂の不要部を除去する方法によっても行うことができる。
【００５８】
印刷法を用いてレジストパターン（凸状パターン）を形成することができるが、この場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。印刷後、光照射又は熱によりレジストを硬化させる。
【００５９】
本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法の一例を図面を用いて説明する。
図１１は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
【００６０】
導電性基材１２の上に感光性レジスト層（感光性樹脂層）１５形成されている（図１１（ａ））。この積層物の感光性レジスト層（感光性樹脂層）１５に対し、フォトリソグラフ法を適用して感光性レジスト層１５をパターン化する（図１１（ｂ））。パターン化は、パターンが形成されたフォトマスクを感光性レジスト層１５の上に載置し、露光した後、現像して感光性レジスト層１５の不要部を除去して突起部１６を残すことにより行われる。突起部１６の形状とそれからなる凸状パターンは、導電性基材１２上の凹部１４とそのパターンに対応するよう考慮される。
【００６１】
この時、突起部１６の断面形状において、その側面は、導電性基材に対して垂直であること、又は、突起部１６が導電性基材１２に接する端部に対して、突起部１６の側面上方の少なくとも一部がその端部に覆い被さるような位置にあることが好ましい。突起部１６の幅で言う場合は、凸状パターン幅の最大値ｄ１は、凸状パターンと導電性基材１２に接する幅ｄ０と等しいか大きくすることが好ましい。これは、形成される密着性のよい絶縁層の凹部幅はｄ１によって決定されるからである。ここで、突起部１６の断面形状で、突起部１６の幅の最大値ｄ１が突起部１６と導電性基１２に接する幅ｄ０と等しいか大きくする方法としては、突起部１６の現像時にオーバ現像するか、形状がアンダーカットとなる特性を有するレジストを使用すれば良い。ｄ１は凸部の上部で実現されていることが好ましい。
除去可能な凸部のパターンを形成する突起部１６の形状は、凹部の形状に対応づけられるが、その作製の容易性から、最大幅１μｍ以上、間隔が１μｍ以上、高さが１〜５０μｍであることが好ましい。めっき用導電性基材を、光透過性電磁波遮蔽部材用の導体層パターンを作製するために使用するときは、突起部１６は、最大幅１〜４０μｍ、間隔が５０〜１０００μｍ及び高さ１〜３０μｍであることがそれぞれ好ましい。特に最大幅３〜１０μｍ、間隔が１００〜４００μｍであることが好ましい。
【００６２】
前記した（Ｂ）除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程について、説明する。
突起部１６からなる凸状パターンを有する導電性基材１２の表面に絶縁層１７を形成する（図１１（ｃ））。
【００６３】
絶縁層としてＤＬＣ薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法等の物理気相成長法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温から制御できる高周波やパルス放電を利用するプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。
【００６４】
上記ＤＬＣ薄膜をプラズマＣＶＤ法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。上記ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして上記した炭素源と水素ガスとの混合物、上記した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第０属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。
【００６５】
絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性のＤＬＣ薄膜によって形成してもよいが、当該ＤＬＣ薄膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上させて、絶縁層の耐久性をさらに向上させるためには、この両者の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉもしくはそれらの窒化物又は炭化物から選ばれる一種以上の成分又はその他よりなる中間層を介挿することが好ましい。
上記ＳｉまたはＳｉＣの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のＤＬＣ薄膜との界面においてＳｉＣを形成して、当該ＤＬＣ薄膜の密着性を向上させる効果を有している。
中間層は、前記したようなドライコーティング法により形成させることができる。
中間層の厚みは、１μｍ以下であることが好ましく、生産性を考慮すると０．５μｍ以下であることが更に好ましい。１μｍ以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。
【００６６】
絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２のような無機材料で形成する場合にも、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法やプラズマＣＶＤといった化学気相成長法を用いることができる。例えばスパッタリング法で形成する場合には、ターゲットをＳｉまたはＡｌにして反応性ガスとして酸素、窒素などの導入することでＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などの酸化物、窒化物を成膜することができる。また、イオンプレーティング
法を用いる場合にはＳｉやＡｌを原料とし、電子ビームをこれらに照射することで蒸発させ、基板に成膜することができる。その際に、酸素、窒素、アセチレンといった反応性ガスを導入することで酸化物、窒化物、炭化物を成膜することができる。
また、ＣＶＤ法で成膜する場合には金属塩化物、金属水素化物、有機金属化合物などのような化合物ガスを原料とし、それらの化学反応を利用して成膜することでできる。酸化シリコンのＣＶＤは、例えばＴＥＯＳ、オゾンを用いたプラズマＣＶＤで行える。窒化シリコンのＣＶＤは、例えばアンモニアとシランを用いたプラズマＣＶＤで行える。
【００６７】
次に、前記した（Ｃ）絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程について説明する。絶縁層１７が付いている状態（図１１（ｃ）参照）で、突起部１６からなる凸状パターンを除去する（図１１（ｄ）参照）。
絶縁層の付着しているレジストの除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。
剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。
剥離液としては、例えば、３％ＮａＯＨ溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。
【００６８】
導電性基材１２上に形成される絶縁層と、突起部１６の側面に形成される絶縁層とでは、性質又は特性が異なるようにする。すなわち、硬度が、前者の方が後者より大きい。ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法で形成するときは、このようになる。一般に絶縁膜を形成するときに、絶縁材料の移動速度が例えば９０度の角度で異なるような場合に、上記のように形成される膜の性質又は特性が異なるようになる。
突起部１６を除去するとき、絶縁層は、この境界で分離され、その結果、凹部の側面が、傾斜角αを有するようになる。傾斜角αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく４０度以上６０度以下が特に好ましく、ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤで作製する場合、ほぼ４０〜６０度に制御することが容易になる。すなわち、凹部１４は、開口方向に向かって幅広になるように形成される。傾斜角αの制御方法としては、突起部１６の高さを調整する方法が好ましい。突起部１６の高さが大きくなるほど、傾斜角αを大きく制御しやすくなる。
【００６９】
上記の絶縁層の形成において、導電性基材はレジストの影にならないので、導電性基材上の絶縁層は性質が均一である。これに対し、凸状パターンの側面への絶縁層の形成は、凸状パターンの側面が導電性基材上の膜厚方向に対し角度を有しているため、形成される絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、導電性基材上の絶縁層と同じ特性（例えば、同じ硬度）の絶縁層が得られない。このような異質な絶縁層の接触面においては、絶縁層の成長に伴い絶縁層の境界面が形成され、しかも、その境界面は絶縁層の成長面であることから、滑らかである。このため、突起部からなる凸状パターンを除去するとき、絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、この境界で容易に分離される。さらに、この境界面、即ち、凹部側面となる傾斜角αは、導電性基材上の膜厚方向に対し突起部の側面で絶縁層の成長が遅れるため、結果として、境界面の傾斜角は、上記のように制御される。
【００７０】
本発明において導電性基材上に形成された絶縁層の硬度は、１０〜４０ＧＰａであることが好ましい。硬度が１０ＧＰａ未満の絶縁層は軟質であり、本導電性基材をめっき用版として用いる際に、繰り返し使用における耐久性が低くなる。硬度が４０ＧＰａ以上では、導電性基材を折り曲げ等の加工をした際に基材の変形に追随できなくなり、絶縁層にひびや割れが発生しやすくなる。導電性基材上に形成される絶縁層の硬度は、より好ましくは１２〜３０ＧＰａである。
これに対して、凸部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１５ＧＰａであることが好ましい。凸部側面に形成される絶縁層は、少なくとも導電性基材上に形成される絶縁層の硬度よりも低くなるように形成しなければならない。そうすることにより両者間に境界面が形成され、後の絶縁層の付着した突起部からなる凸状パターンを剥離する工程を経た後に、幅広な凹部が形成されることになる。突起部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１０ＧＰａであることがより好ましい。
【００７１】
絶縁層の硬度は、ナノインデンテーション法を用いて測定することができる。ナノインデンテーション法とは、先端形状がダイヤモンドチップから成る正三角錐（バーコビッチ型）の圧子を薄膜や材料の表面に押込み、そのときの圧子にかかる荷重と圧子の下の射影面積から硬度を求める。ナノインデンテーション法による測定として、ナノインデンターという装置が市販されている。導電性基材上に形成された膜の硬度はそのまま導電性基材上から圧子を押し込んで測定することができる。また、凸部側面に形成される膜の硬度を測定するためには、導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、断面から凸部側面に形成された絶縁層に圧子を押し込んで測定することができる。通常ナノインデンテーション法では圧子に１〜１００ｍＮの微少荷重をかけて硬度測定を行うが、本発明では３ｍＮの荷重で１０秒間負荷をかけて測定した値を硬度の値として記載している。
このようにして、めっき用導電性基材１１を作製することができる。
【００７２】
図１２は、中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。
突起部１６からなる凸状パターンが形成された導電性基材１２の表面に、絶縁層１７を形成する前に、中間層１８を形成することが好ましい（図１２（ｃ′））。中間層としては、前記したものが使用でき、その形成方法も前記したとおりである。中間層１８を形成した場合、得られるめっき用導電性基材は、凹部１４の底部は、導電性基材１２が露出しており、それ以外では、中間層１８の上に絶縁層１７が形成されている（図１２（ｄ′））。また、中間層は、凸状パターン１６の形成前に、導電性基材１２の表面に形成しても良い。この後、その表面に、前記したように導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を行っても良い。この場合、中間層として、電界めっきが十分可能な程度に導電性のものを使用した場合、凹部の底部はその中間層のままでよいが、十分な導電性を有していない場合は、ドライエッチング等の方法により、凹部の底部の中間層を除去し、導電性基材１２を露出させる。
【００７３】
本発明におけるめっき法は公知の方法を採用することができる。めっき法としては、電解めっき法、無電解めっき法その他のめっき法を適用することができる。
電解めっきについてさらに説明する。例えば、電解銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤（光沢剤としての効果も有する）を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電解ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加して
もよい。さらに、電解金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの２元合金や、金−銅−銀の３元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電界めっき法としては、例えば、「現場技術者のための実用めっき」（日本プレーティング協会編、１９８６年槇書店発行）第８７〜５０４頁を参照することができる。
【００７４】
次に、無電解めっきについてさらに説明する。無電解めっき法としては、銅めっき、ニッケルめっき、代表的であるが、その他、すずめっき、金めっき、銀めっき、コバルトめっき、鉄めっき等が挙げられる。工業的に利用されている無電解めっきのプロセスでは、還元剤をめっき液に添加し、その酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用するのであり、めっき液は、金属塩、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、ｐＨ緩衝材、安定剤等から成り立っている。無電解銅めっきの場合は、金属塩として硫酸銅、還元剤としてホルマリン、錯化剤としてロッセル塩やエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）が好んで用いられる。また、ｐＨは主として水酸化ナトリウムによって調整されるが、水酸化カリウムや水酸化リチウムなども使用でき、緩衝剤としては、炭酸塩やリン酸塩が用いられ、安定化剤としては、１価の銅と優先的に錯形成するシアン化物、チオ尿素、ビピリジル、Ｏ−フェナントロリン、ネオクプロイン等が用いられる。また、無電解ニッケルめっきの場合は、金属塩として硫酸ニッケル、還元剤には、次亜りん酸ナトリウムやヒドラジン、水素化ホウ素化合物等が好んで用いられる。次亜りん酸ナトリウムを用いた場合には、めっき皮膜中にりんが含有され、耐食性や耐摩耗性が優れている。また、緩衝剤としては、モノカルボン酸またはそのアルカリ金属塩を使用する場合が多い。錯化剤は、めっき液中でニッケルイオンと安定な可溶性錯体を形成するものが使用され、酢酸、乳酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、グリシン、アラニン、ＥＤＴＡ等が用いられ、安定化剤としては、硫黄化合物や鉛イオンが添加される。無電解めっき法については上記「現場技術者のための実用めっき」（日本プレーティング協会編、１９８６年槇書店発行）の第５０５〜５４５頁を参照することができる。
さらに、還元剤の還元作用を得るためには、金属表面の触媒活性化が必要になることがある。素地が鉄、鋼、ニッケルなどの金属の場合には、それらの金属が触媒活性を持つため、無電解めっき液に浸漬するだけで析出するが、銅、銀あるいはそれらの合金、ステンレスが素地となる場合には、触媒活性化を付与するために、塩化パラジウムの塩酸酸性溶液中に被めっき物を浸漬し、イオン置換によって、表面にパラジウムを析出させる方法が用いられる。
【００７５】
本発明で利用できる無電解めっきは、例えば、めっき用導電性基材の凹部に、必要に応じてパラジウム触媒を付着させたあと、温度６０〜９０℃程度とした無電解銅めっき液に浸漬して、銅めっきを施す方法である。
無電解めっきでは、基材は必ずしも導電性である必要はない。しかし、基材を陽極酸化処理するような場合は、基材は導電性である必要がある。
特に、導電性基材の材質がＮｉである場合、無電解めっきするには、凹部を陽極酸化した後、無電解銅めっき液に浸漬して、銅を析出させる方法がある。
【００７６】
めっきによって出現又は析出する金属としては、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有するものが使用されるが、２０℃での体積抵抗率（比抵抗）が２０μΩ・ｃｍ以下の金属を少なくとも１種類以上含むことが望ましい。本発明により得られる構造体を電磁波遮蔽シートとして用いる場合には電磁波を電流としてアースするためにこれを構成する金属は導電性が高い方が電磁波遮蔽性に優れるためである。このような金属としては、銀（１．６２μΩ・ｃｍ）、銅（１．７２μΩ・ｃｍ）、金（２．４μΩ・ｃｍ）、アルミニウム（２．７５μΩ・ｃｍ）、タングステン（５．５μΩ・ｃｍ）、ニッケル（７．２４μΩ・ｃｍ）、鉄（９．８μΩ・ｃｍ）、クロム（１７μΩ・ｃｍ、全て２０℃での値）などがあるが特にこれらに限定するものではない。できれば体積抵抗率が１０μΩ・ｃｍであることがより好ましく、５μΩ・ｃｍであることがさらに好ましい。金属の価格や入手の容易さを考慮すると銅を用いることが最も好ましい。これらの金属は単体で用いてもよく、さらに機能性を付与するために他の金属との合金でも構わないし、金属の酸化物であってもよい。ただし、体積抵抗率が２０μΩ・ｃｍである金属が成分として最も多く含まれていることが導電性の観点から好ましい。
【００７７】
前記した導電性基材の凹部にめっきにより形成される金属層の厚さ（めっき厚さ）は、目的に応じて適宜決定されるが、その厚さについては、導体層の厚さに関する前記の記載の通りである。
【００７８】
析出する金属層の厚さに対して相対的に凹部がより深くなることにより、析出する金属層をより形状的に規正することができるという観点から、めっきにより形成される金属箔の厚さを絶縁層の高さの２倍以下とすることが好ましく、特に１．５倍以下、さらに１．２倍以下とすることが好ましいが、これに制限されるものではない。
めっきの程度を、析出する金属層が凹部内に存在する程度とすることができる。このような場合であっても、凹部形状が開口方向に幅広であるため、さらには、絶縁層により形成される凹部側面の表面を平滑にできるため、金属箔パターンの剥離時のアンカー効果を小さくできる。また、析出する金属層の幅に対する高さの割合を高くすることが可能となり、透過率をより向上させることができる。
【００７９】
本発明における導体層は、前記しためっき用導電性基材の表面形状に対応した形状となる。その形状及び寸法については前記したとおりである。
【００８０】
前記した導体層のＬ３とＴ１の関係が式（２）〔より好ましくは式（３）〕の関係になるようにするためには、例えば、めっき液として、硫酸銅浴を使用する場合、次の配合からなるものが好ましい。
【００８１】
硫酸銅（五水和物）    ５０〜４００  ｇ／Ｌ（銅分として１２〜１００  ｇ／Ｌ）
硫酸                  ５０〜２００  ｇ／Ｌ
を含み、必要に応じて、
塩素イオン（塩酸または塩化ナトリウム）  ２０〜１００  ｍｇ／Ｌ
光沢剤（３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸塩など）  適量
界面活性剤（ポリエチレングリコール類など）    適量
を溶解・配合した水溶液が用いられる。
光沢剤及び界面活性剤に替わる薬剤として
高分子多糖類
低分子膠
を用いても対応可能である。
【００８２】
ついで、導体層パターン付き基材の製造工程における次の工程、すなわち、（ＩＩ）めっき用導電性基材上に形成された導体層（上記めっき用導電性基材の凹部に析出させた金属）を樹脂層を含む適当な基材に転写する転写工程、について説明する。
【００８３】
上記の適当な基材（樹脂層又は支持基材及びその上の樹脂層を含む）については前記したとおりであるが、転写工程においては、その樹脂層は、粘着性を有しているもの又は粘着性を示すもの（これらを、「粘着剤」又は「粘着樹脂」という）からなる。この粘着剤には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合していてもよい。なお、上記「粘着性」とは、「接着性」を包含する。
転写用基材の支持基材としては、生産性を考えると、プラスチックフィルムが、好ましい。また、場合により、転写用基材は粘着剤層のみからなっていてもよい。
【００８４】
粘着剤層（樹脂層）の厚さは、薄すぎると十分な強度が得られないため、めっきで形成された導体層を転写する際に、導体層が粘着剤層に密着せず、転写不良が発生することがある。したがって、粘着剤層の厚みは、０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましく、量産時の転写信頼性を確保するためには３μｍ以上であることがさらに好ましい。また、粘着剤層の厚さが厚すぎると、粘着剤層の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、粘着剤層の変形量が多くなるため、粘着剤層の厚みは１１０μｍ以下が好ましく、９０μｍ以下がより好ましく、７０μｍ以下がさらに好ましい。
転写用基材を、めっき用導電性基材の導体層が形成されている面に貼り合わせる際には、粘着剤層の特性に応じて、特に、粘着剤層が適度な流動性又は粘着性を発揮するために、必要ならば加熱される。転写用基材が粘着剤層を保持する支持基材を有する場合、支持基材は、このような加熱に際しても形状を維持する程度に十分な耐熱性を有することが好ましい。
【００８５】
上記の転写工程を経て導体層パターン付き基材を作製する例を次に示す。
図１３は、導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図である。また、図１４はその後半を示す断面図である。
前記のめっき用導電性基材１１上に、前記しためっき工程により、凹部１４内にめっきを施し、導体層１９のパターンを形成する（図１３（ｅ））。ついで、別個に準備された転写用基材２０、これは、支持基材（透明基材）２１に粘着剤層２２が積層されている。導体層１９のパターンが形成されためっき用導電性基材１１に転写用基材２０を粘着剤層２２を向けて圧着する準備を行う（図１３（ｆ））。このとき、支持基材２１として、表面に粘着剤層２２とは異なった粘着剤を有していてもよい。これよって、例えば、後で、支持基材２１を粘着剤層２２から剥離しやすくすることができる。
【００８６】
ついで、導体層パターンが形成されためっき用導電性基材１１に転写用基材２０を粘着剤層２２を向けて圧着する（図１４（ｇ））。このとき、粘着剤層２２が絶縁層１７に接触してもよい。圧着の程度により、導体層１９の粘着剤層２２への埋設厚さを調整することができる。このとき、粘着剤層２２は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層２２を流動させるために、加熱される。
【００８７】
導体層パターンが形成されためっき用導電性基材１１に転写用基材２０を粘着剤層２２を向けて圧着する（図１４（ｇ））のと同様の状態は、次のようにしても実現することができる。すなわち、導体層パターンが形成されためっき用導電性基材１１の上に、液状の粘着剤を一定の厚さに塗布するか、シート状の粘着剤を載置し、さらにその上に支持基材２１を載置し、適宜圧力をかけて接着する。このとき、粘着剤としては、活性エネルギー線の照射により硬化する光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂を使用するときは、適宜、活性エネルギー線を照射するか加熱して硬化を進める。硬化の程度は、粘着剤に粘着性を残存させる程度などにより適宜決定される。粘着剤として熱可塑性樹脂を用いた場合には、支持基材の載置後に相対的に冷却して固化させることが好ましい。上記において、支持基材として（又は支持基材の代わり）剥離性基材を用いて、粘着剤層を硬化又は固化させた後剥離するようにしてもよい。このとき、樹脂層を含む基材は支持基材を含まないものになる。
【００８８】
ついで、転写用基材２０を引きはがすと導体層１９のパターンは、その粘着剤層１２に接着してめっき用導電性基材１１から剥離され、この結果、導体層パターン付き基材２３が得られる（図１４（ｈ））。得られた導体層パターン付き基材２３の上からフィルム（剥離性フィルムが好ましい）を介して圧着ロール等で圧着して導体層の粘着剤層２２への埋設させている厚さを調整することができる。このとき、粘着剤層２２は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層２２を流動させるために、加熱される。
【００８９】
図１５は、めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより導体層パターンを形成した状態を示す断面図、図１６は、その凹部内の導体層パターンを転写して得られた導体層パターン付き基材２３の断面図を示す。
めっき用導電性基材にめっきした際、めっきは等方的に生長するため、導電性基材の露出部分から始まっためっきの析出は、それが進むと凹部からあふれて絶縁層に覆い被さるように突出して析出する。転写用基材への貼着の観点から、突出するようにめっきを析出させることが好ましい。しかし、このとき、めっきの析出を凹部１４内に収まる程度に施しても良い。この状態を図１５に示す。この場合でも、図１６に示すように、転写用基材を圧着することにより、導体層１９のパターンを粘着剤層２２に転着して、めっき用導電性基材１１から導体層１９のパターンを剥離して、導体層パターン付き基材２３を作製することができる。この場合には、導体層は粘着剤層２２に完全には埋設されていないので、得られた導体層パターン付き基材２３の上からフィルム（剥離性フィルムが好ましい）を介して圧着ロール等で圧着して適当な厚さだけ導体層を粘着剤層２２に埋設させる。このとき、粘着剤層２２は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層２２を流動させるために、加熱される。なお、この場合の転写工程においても、前記したように、導体層１９のパターンを有するめっき用導電性基材１１の上に、液状の粘着剤を一定の厚さに塗布するか、シート状の粘着剤を載置し、さらにその上に支持基材２１を載置し、適宜圧力をかけて接着する方法を採用することができる。
【００９０】
転写工程において、転写用基材２０の粘着剤層２２に、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の硬化性樹脂を含む粘着剤を使用した場合、その硬化は、転写用基材２０をめっき用導電性基材１１から剥離する前に行っても、剥離した後で行ってもよく、剥離前に半硬化させ、剥離後に完全硬化させてもよい。
特に、硬化性樹脂を含む粘着剤の硬化又は完全硬化を、転写用基材２０をめっき用導電性基材１１から剥離した後に行う場合、カバーレイフィルム、剥離性支持体を積層して、粘着剤層に貼り合わせると同時に行ってもよい。これにより、導体層を保護した導体層パターン付き基材とすることができる。
一般に、前記の導体層パターン付き基材の導体層パターン側を、カバーレフィルム、剥離性支持体等を、場合により樹脂層を介して、貼り合わせることにより、また、樹脂層を塗布などして被覆することにより、導体層を保護した導体層パターン付き基材とすることができる。
【００９１】
前記の導体層パターン付き基材２３（図１４（ｈ）又は図１６）は、適宜、導体層１９の粘着剤層２２への埋設厚さを調整した後、使用に供することができる。このとき、粘着剤層２２とそれに埋設された導体層１９の上面が面一になるようにすることが特に好ましい。なお。導体層パターン付き基材が支持基材を含むとき、この支持基材を基材（Ｉ）ということがある。上記の導体層パターン付き基材２３の支持基材２１は、基材（Ｉ）に当たる。
【００９２】
図１７は、保護基材で、なお、導体層が保護されている導体層パターン付き基材の例を示す断面図である。この保護基材を基材（ＩＩ）ということがある。
図１７は、導体層パターン付き基材２３の導体層側に、保護基材〔基材（ＩＩ）〕を積層したもの、すなわち、表面保護された導体層パターン付き基材２５を示す。すなわち、支持基材２１上の樹脂層２２に導体層１９が埋設されており、その上に保護基材２４が積層されている。方法としては、導体層パターン付き基材２３に、その導体層１９の上からフィルム（剥離性フィルムが好ましい）等の保護基材２４〔基材（ＩＩ）〕を圧着ロール等で圧着して適当な厚さだけ導体層を粘着剤層２２に埋設させるが、図１７では、粘着剤層２２とそれに埋設された導体層１９の上面が面一になっている。このとき、粘着剤層２２は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層２２を流動させるために、加熱される。上記保護基材２４には、樹脂層２２及び導体層１９への貼着面に、粘着剤が積層されていてもよい。なお、基材（ＩＩ）は、導体層を保護する機能を有していれば、同時に他の機能を有していてもよい。基材（ＩＩ）は、前記した支持基材と同様のものから適宜選択して使用することができる。
【００９３】
図１８の導体層パターン付き基材の一例を示す断面図であり、図１８に示す導体層パターン付き基材２６は、図１７の表面保護された導体層パターン付き基材２５から保護基材２４を剥離したものであり、支持基材２１上の樹脂層２２に導体層１９が埋設されて、樹脂層２２の表面（導体層１９がない部分）と導体層１９の上面が面一になっている。
導体層パターン付き基材２６は、露出した樹脂層（粘着剤層）２２の導体層１９の上面が露出している面を太陽電池要素の電気取出面に接触させるようにして使用する。
【００９４】
導体層パターン付き基材２３（（図１４（ｈ）又は図１６））又は導体層パターン付き基材２６（図１８）は、また、支持基材２１を剥離して、樹脂層（粘着剤層）２２に導体層１９が埋設されている導体層付き樹脂層（粘着剤層）２７を作製し、これを使用に供することができる。図１９は、この断面図を示す。このとき、導体層１９の埋設厚さは前記したように予め調整しておくことが好ましく、粘着剤層２２はもはや粘着性が残存していなくてもよい。
【００９５】
導体層パターン付き基材の製造工程における第３の工程、すなわち、（ＩＩＩ）上記の基材が支持基材を含む場合には、場合により、さらに、該支持基材〔基材（Ｉ）〕を別の支持基材〔これを基材（ＩＩＩ）ともいう〕に交換する工程について説明する。この工程は、適宜行われ、場合により行わなくてもよい。
この工程に関連して、種々の積層構造物を派生して作製することができる。
【００９６】
前記した（ＩＩ）の転写工程において、めっき用導電性基材上に形成されためっきを樹脂層を含む基材に転写することにより導体層パターン付き基材が得られる。従って、これによって得られる導体層パターン付き基材を以後使用するようにすると、導体層パターン付き基材の製造法としては、工程数が少なくてすむので、好ましいが、量産性を考えると、基材として、柔軟な樹脂フィルムを使用する場合などはよいが、ガラス板等の硬い材料を基材材料として使用する場合は、ロールトゥロール方式等の連続的な製造方法を選択できない等、生産方式に制約がある。
そこで、めっき用導電性基材上に形成されためっきを、樹脂層を含む適当な基材にロールトゥロール方式により転写し、ロール状の導電層担持基材を得た後に、ガラス板等の硬い基材に導電層を貼り合わせて硬い基材に導電層を形成することで、量産性を損なわずに導電層パターン付きの硬い基材を製造でき、かつ簡便にガラス基材等の硬い基材上に導電層を形成できる。
上記（ＩＩＩ）の工程はこのような場合に、便利であり、また、適宜支持基材を交換できるので便利である。
【００９７】
（ＩＩＩ）の工程を行う場合、前記（ＩＩ）の工程における適当な基材は、支持基材及びその上の樹脂層を含むものであって、既に上述した基材と同様であるが、支持基材としては、プラスチックフィルムが好ましい。また、樹脂層は、粘着性を有する粘着剤層が好ましい。
また、交換する新たな支持基材としては、ガラス板、プラスチック板等のリジッドなものが、上記の方法に特に適合しているが、これらに限られるものではない。
上記の工程中又は工程の後、導体層は少なくともその最大幅の部分から下部を樹脂層に埋設される。転写時または転写後における導体層の埋設厚さの調整は、前記したのと同様に行うことができる。
【００９８】
上記（ＩＩ）の工程において、導体層の上を、樹脂層を介してカバーレイフィルム、剥離性支持体等を積層することにより、また、樹脂を塗布するなどして被覆することにより、基材（ＩＩ）を積層して表面保護された導体層パターン付き基材とすることができ、これを、次の支持基材の交換工程に供することが好ましい。
上記の積層には、ラミネータ、プレス、ホットプレス、真空加圧ラミネータ等を用いて行うことができる。
【００９９】
上記（ＩＩＩ）の工程において、交換する新しい支持基材〔基材（ＩＩＩ）〕は、前記した支持基材が使用できるが、その表面に、粘着剤層を有していてもよい。
古い支持基材〔基材（Ｉ）〕と新しい支持基材〔基材（ＩＩＩ）〕の交換方法としては、前者を剥離しつつ若しくは剥離した後、その剥離面に後者（新しい支持基材）をラミネートする方法などがある。
【０１００】
上記（ＩＩＩ）の工程（交換工程）を図面を用いて説明する。
この工程中、種々の中間的な積層物が得られるが、これらも適宜、特定の用途のための使用に供することができる。
図２０は、支持基材の交換工程の一例を示す断面図である。
図２０（ａ）は、図１７に示す表面保護された導体層パターン付き基材２５の支持基材２１〔基材（Ｉ）〕を剥離するところを示す断面図である。
【０１０１】
図２０（ｂ）は、表面保護された導体層パターン付き基材２５の支持基材２１が完全に剥離された導体層パターン付き基材３０の断面図である。樹脂層２２に粘着性が残存しているときは、その粘着性を利用して、また、樹脂層２２に粘着性が無いときには、別個に粘着剤を塗布又は積層して目的物に貼着することができる。
【０１０２】
支持基材２１が剥離された表面保護された導体層パターン付き基材３０には、新しい支持基材が貼着される。図２０（ｃ）は、新しい支持基材が貼着され、表面が保護されている導体層パターン付き基材の断面図である。図２０（ｃ）は、新しい支持基材３１〔基材（ＩＩＩ）〕上に樹脂層２２、それに埋設されているが、上面は樹脂層２２からは露出している導体層１９及びこれを保護するために積層されている保護基材２４〔基材（ＩＩ）〕からなる導体層パターン付き基材３２を示す。
【０１０３】
図２０（ａ）に示すように、支持基材２１〔基材（Ｉ）〕を剥離するためには、樹脂層２２と支持基材２１との接着力よりも樹脂層２２と保護基材２４〔基材（ＩＩ）〕との接着力のほうが高くならなくてはならない。しかし、上記（ＩＩ）の工程において、図１４（ｈ）に示すように転写用基材２３はめっき用導電性基材１２から導体層１９を剥離しなければならない。そのために、導体層１９とめっき用導電性基材１２との接着力より導体層１９と樹脂層２２との接着力のほうが高くなくてはならない。また、樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力よりも樹脂層２２と支持基材２１との接着力のほうが高くならなくてはならない。この接着力の関係は、
樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力、
樹脂層２２と支持基材２１との接着力
及び
樹脂層２２と保護基材２４との接着力
の順に大きく（以上「関係１」という）、
また、
導体層１９とめっき用導電性基材１２との接着力
及び
導体層１９と樹脂層２２との接着力
の順に大きい（以上「関係２」という）関係となる。
具体的には、樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力は低いため、例えば、支持基材２１に中剥離セパレータあるいは重剥離セパレータを用い、保護基材２４にポリエチレンテレフタレートを用いることで、「関係１」を満たすことができる。また、めっき条件等により導体層１９とめっき用導電性基材１２との接着力を低くすることにより、「関係２」を満たすことができる。
【０１０４】
図２０（ｃ）の保護基材を有する新しい導体層パターン付き基材３２は、そのまま、電磁波シールドフィルム、フィルムアンテナ、その他の用途の使用に供されてもよいが、表面の保護基材２４〔基材（ＩＩ）〕を剥離して、太陽電池用電極基材等の使用に供してもよい。図２０（ｄ）は、保護基材を剥離し、導体層の上面が露出した導体層パターン付き基材の断面図である。図２０（ｄ）は、新しい支持基材３１上に樹脂層２２、それに埋設されているが、上面は樹脂層２２から露出している導体層１９が積層された導体層パターン付き基材３３を示す。樹脂層２２は、粘着性が残存しているときは、その粘着性を利用して、また、樹脂層２２に粘着性が無いときには、別個に粘着剤を塗布又は積層して目的物に貼着することができる。
【０１０５】
図２０（ｄ）に示すように、保護基材２４〔基材（ＩＩ）〕を剥離するためには、樹脂層２２と保護基材２４との接着力よりも樹脂層２２と新しい支持基材３１〔基材（ＩＩＩ）〕との接着力のほうが高くならなくてはならない。この接着力の関係は、
樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力、
樹脂層２２と支持基材２１との接着力、
樹脂層２２と保護基材２４との接着力
及び
樹脂層２２と新しい支持基材３１との接着力の順に大きい（以下「関係３」という）の関係となる。
樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力は低いため、例えば、支持基材２１に中剥離セパレータあるいは重剥離セパレータを用い、保護基材２４にポリエチレンテレフタレートを用い、新しい支持基材３１にガラスを用いることで、「関係３」を満たすことができる。また、熱処理等により被着体への密着性を向上させて、樹脂層２２と新しい支持基材３１との接着力を向上させることで、「関係３」を満たすこともできる。あるいは、熱処理や活性光線の照射等により樹脂層２２中に官能基等を発生させて、樹脂層２２と新しい支持基材３１との接着力を向上させることで、「関係３」を満たすこともできる。
【０１０６】
導体層パターン付き基材３３を太陽電池用基材として使用するときには、樹脂層２２及び導体層１９の表面が太陽電池要素に積層される。例えば、新しい支持基材３１にエチレン−ビニルアセテート共重合体を用いた場合、導電層パターン付き基材３３と太陽電池要素とを積層するプロセスとエチレン−ビニルアセテート共重合体による太陽電池要素の封止プロセスとを同じくすることもできる。
【０１０７】
図２１は、図２０（ｄ）の導体層パターン付き基材３３と同様のものであるが、新しい支持基材として、粘着剤層を有するものを使用して得られた導体層パターン付き基材の断面図である。すなわち、図２１は、新しい支持基材３１上に粘着剤層３４を介して樹脂層２２、それに埋設されているが上面は樹脂層２２からは露出している導体層１９が積層されている導体層パターン付き基材３５を示す。これにより樹脂層２２と新しい支持基材３１との接着力が低く、「関係３」が成立しない場合でも、実現することができる。この場合の接着力の関係は、
樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力、
樹脂層２２と支持基材２１との接着力、
樹脂層２２と保護基材２４との接着力
及び
樹脂層２２と粘着剤層３４との接着力
の順に大きく（以下「関係４」という）、
また、
樹脂層２２と保護基材２４との接着力
及び
粘着剤層３４と新しい支持基材３１との接着力
の順に大きい（以下「関係５」という）関係
となる。具体的には、粘着剤層３４に高い接着力の粘着剤を用いれば、「関係４」および「関係５」は満たすことができる。
【０１０８】
本発明における導体層の樹脂層への埋設方法について、さらに説明するが、これに限るものではない。
めっき用導電性基材の凹部に析出しためっきを樹脂層を含む基材に転写した直後においては、導体層の少なくとも最大幅となる部分以下が既に樹脂層に埋没していてもよいし、埋没していなくてもよい。転写した直後において導体層の少なくとも最大幅となる部分以下を既に埋没させるためには、転写時における基材の樹脂層の流動性を高くする必要がある。それには、例えば、ラミネート温度を高くする方法、樹脂層の組成として反応性の低分子量物を添加しておく方法、樹脂層として液状樹脂を使用する方法等がある。また、この場合、基材がめっき用導電性基材に接触している状態で、樹脂層を硬化反応又は固化させてから、透明基材を剥離することが好ましい。硬化反応は、加熱、紫外線等の活性エネルギー線の照射などによるものであるが、瞬時に硬化させた方が生産性が向上するので、紫外線等の活性エネルギー線の照射による硬化が好ましい。
また、導体層を基材に転写した直後において、未だ導体層の最大幅となる部分が樹脂層に埋没していない場合（全く又はほとんど埋設されていない場合を含む）には、別工程で導体層を樹脂層中に少なくとも導体層の最大幅となる部分以下を樹脂層に埋没させる必要がある。そのためには、導体層を基材に転写後、導体層の付いている基材をロールラミネータやプレスなどで、必要に応じて加熱又は活性エネルギー線を照射しながら、加圧して少なくとも導体層の少なくとも最大幅の部分以下を樹脂中に埋没させる。このとき、必要に応じて加熱又はエネルギー線を照射して硬化反応を同時に行ってもよく、加熱は流動性を高めるために行ってもよい。また、この場合、表面を保護したり、加圧工程又は後工程で樹脂を紫外線硬化する場合の酸素遮断を目的に、別途フィルムその他の剥離可能な基材を導体層の付いている基材の導体層の上から積層しても良い。樹脂層に硬化性樹脂を使用した場合は、加圧と同時に硬化させない場合は、上記の加圧後に加熱又は活性エネルギー線を照射するなどして樹脂層を硬化させることが好ましい。
また、樹脂層に硬化性樹脂を用いた場合には、基材を上記の転写に供する前、転写後の埋設工程に供する前に、樹脂層の流動性を調整するために、部分的に硬化反応を行っても良いが、転写前に行うときには、転写に必要な粘着性を損なわない程度に行われる。
【０１０９】
基材の樹脂層は、転写の際にめっき用導電性基材の絶縁層に接触するため、樹脂厚が厚くなると密着性が高くなり、引き剥がしが困難になったり、引き剥がし時にハンチングが発生しめっき折れが発生することがあるので、厚さとしては、１１０μｍ以下が好ましい。必要以上に厚くしても無駄になるだけある。さらに、薄すぎると十分な接着強度が得られないため、０．５μｍ以上が好ましい。樹脂層の厚さは、１μｍ〜９０μｍがより好ましく、３μｍ〜７０μｍがさらに好ましい。樹脂層が硬化性樹脂であるなら、基材を転写に供する前に密着性又は流動性を調整するために部分硬化させてもよい。
【０１１０】
また、図７（ａ）、（ｂ）、図８の（ｂ）、（ｃ）において、金属配線層の上部の台形形状の全部（上面を除く）又はその一部までが樹脂層に覆われている。これは転写時又は転写後の埋設工程で、加圧して（さらに、必要に応じて加熱して）樹脂を流動させることにより行うことができる。このためには、樹脂が金属配線層の形状に沿って回り込むように流動することが必要である。従って、金属配線層が図５（ａ）のような形状をしている場合の厚さＴ、また、金属配線層が図５（ｂ）のような形状をしている場合の上部の厚さＴ１が厚いと、樹脂の流動量が大きくなるため、完全に被覆することが困難であったり、あるいは、加熱加圧工程の時間が長くなり生産性が低下することがあるが、これを回避するためには、上記のＴ又はＴ１は、１００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下であることがさらに好ましい。また、金属配線層が図５（ｂ）のような形状をしている場合、Ｔ１が薄いと、下部の上方に存在する樹脂厚が薄くなり、密着性向上効果が小さくなるため、Ｔ１の厚みは０．１μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がさらに好ましい。
【０１１１】
本発明における導体層パターン付き基材では、めっき用導電性基材に析出しためっき上にフィルムを貼り合わせる工程、転写後にカバーフィルムを貼り合わせる工程で、必要に応じて加熱加圧することで、パターンを樹脂中に埋設させることができる。特に、転写後にパターン面に貼り合わせるカバーフィルムの濁度を２．０以下とすることで、高透明の導体層パターン付き基材を得ることができる。
【０１１２】
本発明における導体層は、断面形状が、その上部に湾曲した表面を有するもの（導体層（Ｂ））であってもよい。これについて、以下に詳細に説明する。なお、全体が逆台形状のものも可能である。
図面を用いて説明する。図２２は、導体層の一部を切り取った斜視図である。図２２（ａ）は、導体層５の断面形状がその上部に湾曲した表面を有するものであり、図２２（ｂ）は、導体層５の断面形状が逆台形状のものである。これらは、図２で示すものを上下逆転させたものである。図２３は、図３図で示すものを上下逆転させたものである。従って、符号としては同一のものを使用するが、上部と下部が異なることになる。図２３は、図２２（ａ）に示す導体層の幅方向の断面図であり、断面形状が上部の摧円形状部分７とこの上部に連続しており、この摧円形状部分７より幅が狭い断面が下部の台形状部分６からなり、上部の摧円形状部分７の摧円形の弦の一部分と下部の台形状部分６の台形状の下底で一体となっている。図２２（ａ）及び図２３において、下部は逆台形状であるが、これにかぎらない。図２２（ａ）及び図２３に示されるような場合には、上部の摧円形状部分７の下部の台形形状部分６の下底から突出したような肩部８は、一つの特徴となりうる。なお、上記の摧円形とは、必ずしも真円を切り取った形だけでなく、楕円又は楕円や真円を変形させたような形状を切り取ったものを包含する。例えば、図２４（図２２（ａ）に示す導体層の幅方向の断面図の他の例）の（ａ）、（ｂ）又は（ｃ）であらわされるような形状であってもよい。これらは、図４に示すものを上下逆転させたものである。
また、図２２（ａ）及び図２３において、導体層の最大幅は摧円形状部分７の弦の部分であるが、それより上部又は下部に最大幅が存在する形状であってもよい。
さらに、導体層は、その横断面において、台形状部分６の断面形状が矩形状であってもよい。
【０１１３】
導体層の最大幅（Ｌ）としては、一概に言うのは難しいが、太陽電池用表面電極のための導体層の最大幅（Ｌ）は、３〜８０μｍであることが好ましく、６〜６０μｍであることがより好ましく、１０〜４０μｍであることが特に好ましい。光透過性が必要なときは５０μｍ以下の最大幅（Ｌ）が好ましい。導電性の観点からは、１μｍ以上の最大幅（Ｌ）が好ましい。
また、太陽電池用裏面電極のための導体層の最大幅（Ｌ）は、５０〜５０００μｍであることが好ましく、１００〜２０００μｍであることがより好ましく、２００〜６００μｍであることが特に好ましい。太陽電池用裏面電極の用途での最大幅（Ｌ）は、太陽電池セルの接続用電極のパターンのライン幅やピッチによって制限され、最大幅（Ｌ）が大きすぎると、上記パターンの裕度が低下する傾向があり、また、不要となる。一方、小さすぎる最大幅Ｌは接続用電極との接続面積が小さくなるために接続強度や導電性の低下しやすくなる。導体層の最大幅は光透過性が問題にならない場合には、幅を大きくしてもよい。導体層の最大幅に特に制限はなく、その大きさは、例えば、５ｍｍであってもよい。
導体層の幅は、導体層パターンの非視認性の観点からは５０μｍ以下、導電性の観点から１μｍ以上が特に好ましい。
【０１１４】
導体層の最大幅Ｌに対する導体層の最大幅部分より上部（上記の例における摧円形状部分）の厚さＴ２の比（Ｔ２／Ｌ）としては、０．０１〜２の範囲であることが好ましく、用途に応じて適宜決定される。
導体層を太陽電池の表側（光入射側）で用いるいずれの場合においても、透明性と導電性が必要であるために比Ｔ２／Ｌは高い方が好ましいが、めっきの成長では厚さＴ２とともに最大幅Ｌも増大するために比Ｔ２／Ｌは２を超えることは困難である。一方、低すぎる比Ｔ２／Ｌは導電性の確保に必要な断面積を得るための最大幅Ｌが大きすぎるために、透明性を損なわれる傾向が増す。
太陽電池構造体（特に、裏面の電気取出電極の幅が大きな太陽電池構造体）の裏側（光入射側の反対側）で用いる場合は導体層の導体幅が大きくても良く、比Ｔ２／Ｌは、０．０１〜０．８であることが好ましく、０．０２〜０．４であることがより好ましく、０．０３〜０．２であることが特に好ましい。低すぎる比Ｔ２／Ｌは導電性の確保に必要な厚さＴが得られにくくなり好ましくない。
【０１１５】
なお、断面が逆台形状の場合、最大幅Ｌ及び全体の厚さＴは上記と同様である。
【０１１６】
導体層の寸法を図面を用いてさらに説明する。
図２５は、導体層の横断面図を示す。図２５（ａ）は、その上部に湾曲した表面を有する導体層の横断面図であり、この図では、逆台形状部分６の下部とこの下部より幅が広い摧円形状部分７の上部が一体となったものである。図２５（ｂ）は導体層の逆台形状の横断面図である。
【０１１７】
導体層の全体の厚さＴは、前記の通りである。
図２５（ａ）における形状である場合、導体層の全体の厚さ（Ｔ）は、最大幅（Ｌ）の箇所より下部の厚さ（Ｔ１）と最大幅の部分から上部の厚さ（Ｔ２）の合計である。
本発明において、比（Ｔ２／Ｌ）は前記したとおりであるが、この条件が満足されている限り、下部の厚さ（Ｔ１）は、０であってもよい。また、導体層の最大幅Ｌは、前記したとおりである。
【０１１８】
図２５（ａ）における形状である場合、下部台形形状の上底の幅Ｌ１と下底の幅Ｌ２は、その幅に特に制約はない。後述するように、後記する導体層製法によれば、その製法上の制約により特定の条件を満たす必要がある。下部が完全に埋没し、樹脂層が肩部及び上部の一部を被覆するようになると、導体層と樹脂層の密着性が向上することになる。
【０１１９】
図２５の（ａ）又は（ｂ）における形状である場合、光透過性を重要視する場合、Ｌ１は後記する製法上、１〜８０μｍとすることが好ましい。
【０１２０】
図２５の（ａ）及び（ｂ）において、断面形状が、台形状であること又はそれを含む理由は、後記する製法上からの制約であるが、この場合、条件としてその側辺が内側に傾きを持つということであるが、台形状の側辺の傾きは、左右のぞれぞれの内角αが３０°以上９０°未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。
【０１２１】
また、導体層の断面形状が台形状の部分は、その幅が、上方に向かって全体として広がっていればよい。上記図面のように勾配αにて一定勾配で広がっている必要は必ずしもなく、上方に向かって狭まっておらず全体として広がっていればよい。特に、側面が上低又は下底に対して垂直となっている部分がないようにすることが好ましい。
【０１２２】
前記の導体層の断面形状が台形状の部分に相当する側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図２６にその導体層の横断面図を示すように、前記の勾配αは、台形の高さｈと台形の側辺の幅ｓ（水平方向で台形の側辺の幅方向）を求め、前記式（１）から求めることができる。
【０１２３】
光透過性の観点からの導体層のライン間隔は、前記した通りである。
【０１２４】
本発明における、導体層は、少なくとも上面の一部が露出した状態で全体又は一部が樹脂層に埋設されていることが好ましい。これにより、アンカー効果が発現するので導体層パターンの基材への密着性が向上する。樹脂層と導体層との密着性をより高めるためには、Ｔ２が０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがさらに好ましい。
【０１２５】
図２７及び図２８に、導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図である。
図２７（ａ）は、導体層の断面形状が、その上部に湾曲した表面を有し、上記導体層が、少なくともその上部の表面の一部が樹脂層９からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層９に埋設されている状態を示す。図２７（ｂ）は、同様の状態を示すが、断面形状で、導体層の上部の湾曲部が端にあり、その上面の多くがほぼ平らな導体層を用いた状態を示す。図２８（ａ）では、断面形状が逆台形の導体層５が一部、樹脂層９に埋設されている状態を示し、図２８（ｂ）は、断面形状の台形底辺に対応する面が樹脂層９からは露出しながら導体層５全体が樹脂層９に埋設されている状態を示す。
【０１２６】
導体層パターン付き基材を太陽電池構造物に組み込み、その電極取出面と接触させて用いるが、このとき、光電変換層に接続する電気取出電極、集電電極又はインターコネクターと導体層とが接触する面積が高いことが望ましく、導体層を接触させる箇所（特に、その表面が平坦又はほぼ平坦である場合）に対して、図２７（ｂ）に示すような上面の多くがほぼ平らな導体層を用いることで、導体層とその接触箇所との接触面積を高めることができる。また、電極取出面の表面が太陽電池表面のテクスチャー構造のように微細な凹凸構造を有する場合、図２７（ａ）や図２７（ｂ）に示すような導体層の上部全体あるいは上部の端に曲率の大きな湾曲部がある場合、導体層の微細な凹凸と機能層の微細な凹凸が接触部でかみ合うことにより接触面積を高めることができる。
電極取出面に接触している導体層は図２７（ａ）や図２７（ｂ）に示すように上部を露出させながら導体層のほとんどが樹脂層に埋没していることが望ましい。樹脂層が電極取出面の導体層との接触面以外の部分に接触するようにし、導体層とその接触箇所との接触を維持することができるためである。そのため、導体層が樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）の導体層全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）が０．１〜１．０であることが好ましく、０．３〜１．０がさらに好ましく、０．５〜１．０が最も好ましい。
【０１２７】
導体層パターン付き基材を電極取出面に接触させる前は、上記の効果を実現するために、導体層が樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）の導体層全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）が０．１〜１．０であることが好ましく、０．１〜０．８がさらに好ましく、０．１〜０．６が最も好ましい。
また、少なくとも導体層の最大幅の箇所から下部が樹脂層に埋設されていることが好ましい。
【０１２８】
また、図２８は、断面が逆台形状の導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す。図２８（ａ）では、一部が埋設されているが、樹脂層との密着効果が小さい、また、図２８（ｂ）では、樹脂層に導体層が上面を露出した状態で全部埋設されている。この場合、樹脂層との密着効果が図２８（ａ）の状態に比べて、向上しているとは言えるが、図２７（ａ）又は（ｂ）の場合と比較すると、樹脂層との密着効果は小さい。
【０１２９】
本発明に係る導体層パターン付き基材の製造法について、説明する。
本発明に係る導体層パターン付き基材は、
（Ａ）めっき用導電性基材上に導体層パタ−ンをめっきにより形成する導体層作製工程を行い、
（Ｂ）めっき用導電性基材上に形成された導体層のパターンを転写用基材に転写する転写工程、
（Ｃ）得られた導体層パターンを有する転写用基材に表面に樹脂層を含む基材を導体層パターンが存在する面に、樹脂層が接触するように積層して積層物を作製する積層物作製工程
を含む方法により製造される。
上記（Ｃ）の工程の後、適宜、次の（ｉ）〜（ｖｉｉ）の工程のいずれかの工程又はその他の工程を行うことができる。
（ｉ）  （Ｄ）上記（Ｃ）の工程で得られた積層物から転写用基材を剥離する工程。
（ｉｉ）  （Ｅ）上記（Ｃ）の工程で得られた積層物から転写用基材を剥離し、代わりに保護基材を積層して新しい積層物を作製する工程。
（ｉｉｉ）  上記（Ｅ）工程を行い、その後、（Ｆ）保護基材を剥離する工程。
（ｉｖ）  上記（Ｅ）工程を行い、その後、（Ｇ）得られた新しい積層物（ただし、表面に樹脂層を含む基材として、表面に樹脂層及び支持基材を含む基材を使用して得られるもの）の支持基材を別の支持基材に交換する工程。
（ｖ）  上記（Ｇ）の工程の後、（Ｈ）保護基材を剥離する工程。
（ｖｉ）  （Ｊ）上記（Ｃ）の工程で得られた積層物（ただし、表面に樹脂層を含む基材として、表面に樹脂層及び支持基材を含む基材を使用して得られるもの）の支持基材を別の支持基材に交換する工程。
（ｖｉｉ）  上記（Ｊ）の工程を行い、（Ｋ）転写用基材を剥離する工程。
以上の導体層パターン付き基材の製造法において、上記（Ｃ）の工程又はそれ以後において、前記樹脂層に導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が埋設されるように調整される。以下、このように調整する工程を「埋設調整工程」という。上記（Ｃ）の工程において、導体層パターンを有する転写用基材に表面に樹脂層を含む基材を導体層パターンが存在する面に、樹脂層が接触するように積層して積層物を作製した時点で、前記樹脂層に導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分が埋設されている場合も、上記の埋設調整工程に含まれる。
【０１３０】
まず、（Ａ）導体層作製工程について説明する。この工程は前記した導体層（Ａ）に関する（Ｉ）導体層作製工程と同様である。使用できるめっき用導電性基材、利用できるめっき法等前記と同様である。
【０１３１】
前記（Ｂ）転写工程は、前記した（ＩＩ）めっき用導電性基材上に形成された導体層（上記めっき用導電性基材の凹部に析出させた金属）を樹脂層を含む適当な基材に転写する転写工程と同様である。この転写用基材は、次の工程のために、導体層パターンの剥離性を有するものである。
前記したように図１４（ｇ）のように、導体層１９のパターンが形成されためっき用導電性基材に転写用基材２０を粘着剤層２２を向けて圧着する。このとき、粘着剤層２２が絶縁層１７に接触してもよく、圧着の程度又は粘着剤層の厚さにより、導体層１９の粘着剤層２２への埋設厚さを調整することができるが、導体層の最大幅の部分は、次の工程で樹脂層に埋設させるために、露出させておくことが好ましい。
ついで、図１４（ｈ）に示すように、転写用基材２０を引きはがすと導体層１９のパターンは、その粘着剤層２２に接着してめっき用導電性基材から剥離され、この結果、前記の導体層パターン付き基材２３は、導体層パターン付き転写用基材として得られ、次の（Ｃ）工程に供される。
【０１３２】
転写工程において、転写用基材２０の粘着剤層２２に、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の硬化性樹脂を含む粘着剤を使用した場合、その硬化は、転写用基材６０をめっき用導電性基材５１から剥離する前に行っても、剥離した後で行ってもよく、剥離前に半硬化させ、剥離後に完全硬化させてもよい。
特に、硬化性樹脂を含む粘着剤の部分硬化又は完全硬化を、転写用基材２０をめっき用導電性基材から剥離した後に行う場合、カバーレイフィルム、剥離性支持体などを一時的に積層して行ってもよい。これらの場合においても、（Ｃ）工程のために、導体層パターンの剥離性が確保される。
【０１３３】
ついで、図２９〜３４を用いて（Ｃ）工程以下の説明を行う。
図２９は、（Ｃ）積層物作製工程を示す断面図である。
（Ｃ）工程として、上記で得られた導体層１９のパターンを有する転写用基材（導体層パターン付き転写用基材）２３に、支持基材３６及びその上に樹脂層３７を含む基材３８（以下、「保持用基材」という）を積層する準備を行う〔図２９（ａ）〕。ついで、これらを、その基材２６の樹脂層２５が転写用基材２３の導体層１９が存在する面に接触するように積層して積層物３９を作製する〔図２９（ｂ）〕。積層物２７を作製した時点で、導体層１９の最大幅の部分及びこれより下部の部分が樹脂層２５に埋設されていれば、本発明に係る導体層パターン付き基材として使用可能である。
【０１３４】
上記保持用基材３８は、支持基材３６及びその上の樹脂層３７を含むものであるが、場合により支持基材３６を含まなくてもよい。これらについては前記に例示した支持基材及び樹脂層が使用できる。樹脂層については、転写工程において説明した粘着剤と同様のものが使用できる。
【０１３５】
この工程において、保持用基材は、支持基材及びその上の樹脂層を含むものであって、既に上述した基材と同様であるが、支持基材としては透明性を有するプラスチックフィルム、あるいはガラスのような透明性と耐熱性を有する基材が好ましい。また、樹脂層は、粘着性を有する粘着剤層が好ましい。
【０１３６】
次に、（Ｃ）工程より後の工程及び埋設調整工程について説明する。
図３０は、転写用基材剥離工程及び埋設調整工程を示す断面図である。また、図３１は露出した導体層を有する導体層パターン付き基材の一例を示す断面図、図３２は基材が樹脂層だけからなる導体層パターン付き基材の一例を示す断面図である。
上記（Ｃ）工程の後、（Ｄ）工程として、転写用基材２３が剥離され、積層物４０が得られる〔図３０（ｃ）〕。この積層物４０は、この時点で、導体層１９の最大幅の部分及びこれより下部の部分が樹脂層３７に埋設されていれば、本発明に係る導体層パターン付き基材として使用可能である。
【０１３７】
図１４、図２９及び図３０において、導体層１９のパターンをめっき用導電性基材から転写用基材及び保持用基材に次々に転写することになる。
このとき、導体層１９と樹脂層２２との接着力よりも導体層１９と樹脂層３７との接着力のほうが高くなくてはならない。しかし、上記（Ｂ）の工程において、樹脂層２２に導体層１９のパターンをめっき用導電性基材から転写しなければならない。そのため、導体層１９とめっき用導電性基材との接着力よりも導体層１９と樹脂層２２との接着力のほうが高くなくてはならない。この接着力の関係は、
導体層１９とめっき用導電性基材との接着力、
導体層１９と樹脂層２２との接着力
及び
導体層１９と樹脂層３７との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係１」という）となる。
めっき条件等により導体層１９とめっき用導電性基材との接着力を低くすること、及び樹脂層２２よりも高い接着力を有する樹脂層２５を用いることで、「関係１」を満たすことができる。
【０１３８】
あるいは、樹脂層２２を紫外線（ＵＶ）照射あるいは熱により硬化させること等により、上記（Ｂ）の工程における樹脂層２２の接着力よりも上記（Ｄ）の工程における樹脂層２２の接着力を低下させて、上記（Ｄ）の工程を実施することができる。その場合の接着力の関係は、
導体層１９とめっき用導電性基材との接着力
及び
導体層１９と樹脂層２２との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係２」という）と、
導体層１９と樹脂層２２との接着力
及び
導体層１９と樹脂層３７との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係３」という）との二つの関係に分かれる。
めっき条件等により導体層１９とめっき用導電性基材との接着力は低くできるために「関係２」は満たされやすくなり、硬化後の樹脂層２２の接着力は低くなるために「関係３」は満たされやすくなる。
【０１３９】
また、導体層のパターンを転写するためには、樹脂層２２と樹脂層３７の接着力よりも樹脂層３７と支持基材３６との接着力のほうが高くなくてはならない。しかし、上記（Ｂ）の工程において、樹脂層２２に導体層１９のパターンをめっき用導電性基材から転写しなくてはならない。そのため、樹脂層２２とめっき用導電性基材との接着力よりも樹脂層２５と樹脂層２２との接着力のほうが高くなくてはならない。この接着力の関係は、
樹脂層２２とめっき用導電性基材との接着力、
樹脂層２２と樹脂層３７との接着力
及び
樹脂層３７と支持基材３６との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係４」という）となる。
めっき用導電性基材と樹脂層２２の接着力は低いため、支持基材３６にコロナ処理済み基材や易接着層付き基材等の接着性向上の処理が施された基材を用いること等によって「関係４」を満たすことができる。
あるいは、樹脂層２２をＵＶ照射あるいは熱により硬化させること等により、上記（Ｂ）の工程における樹脂層２２の接着力よりも上記（Ｄ）の工程における樹脂層２２の接着力を低下させて、上記（Ｄ）の工程を実施することができる。その場合の接着力の関係は、
樹脂層３７と樹脂層２２との接着力
及び
樹脂層３７と支持基材３６との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係５」という）となる。
硬化後の樹脂層２２の接着力は低くなるために「関係５」は満たされる。
【０１４０】
導体層１９の樹脂層３７への埋設厚さを調整する工程（埋設調整工程）として、上記の保持用基材の積層工程中又は工程の後、導体層は少なくともその最大幅の部分から下部を樹脂層に埋設されるように埋設厚さが調整される。前記の（Ｃ）工程そのもの〔図２９（ｂ）対応〕で、この調整工程を行ってもよいが、（Ｅ）工程として（Ｄ）工程の後（図３０（ｃ）に対応、転写用基材を剥離して、代わりに）、積層物４０の導体層１９が存在する面に、カバーフィルム、剥離性基材等の基材を積層したり、樹脂を塗布し硬化又は固化するなどして導体層パターンが存在する面を保護基材４１により積層する工程を行い、適宜プレス、ラミネータ等により圧力をかけることよって、導体層１９の埋設厚さを調整することができる。樹脂層は圧力を受けて流動性を示すものであることが好ましく、また、このとき、必要に応じて、樹脂層は、それに流動性を与えるために加熱される。以上により、少なくとも一時的には、表面保護された導体層パターン付き基材４２が得られ〔図３０（ｄ）〕、この状態で利用できる。保護基材４１は継続的に残るものであっても、後で剥離できるものであってもよい。（Ｆ）工程として、保護基材４１を剥離することにより、導体層の埋設厚さが調整された導体層パターン付き基材４３を得ることができる（図３１）。
導体層パターン付き基材４３から支持基材３６を剥離することにより、基材が樹脂層３７のみからなる導体層パターン付き基材４４を得ることができる（図３２）。これを使用に供することができる。この樹脂層３７は、粘着剤層であるが、既に粘着性を喪失していてもよい。なお、粘着質の喪失は、硬化性樹脂であれば、硬化度を進めることにより行うことができ、また、樹脂のガラス転移温度よりも低い環境に置くことにより行うことができる。
導体層パターン付き基材４３、４４は、本発明における導体層パターン付き基材として利用できる。
導体層パターン付き基材４３、４４は、導体層１９が存在する樹脂層３７の面にＩＴＯ等の透明導電膜を形成することにより、太陽電池用配線基材（電極基材）とすることもできる。この太陽電池用配線基材（電極基材）上にアモルファスシリコン等の光電気変換膜を形成し、その上に金属電極層を形成することで、最終的に太陽電池とされる。
【０１４１】
図３３は、支持基材の交換工程である（Ｇ）の工程を示す断面図である。図３４は、（Ｇ）の工程を経て得られる導体層パターン付き基材の一例を示す断面図である。
保持用基材が、支持基材３６を有するものである場合、前記の（Ｅ）工程で得られた表面保護された導体層パターン付き基材４２の支持基材３６を新しい支持基材４６に交換することができる。そのためには、表面保護された導体層パターン付き基材４２から、支持基材３６を剥離し、積層物４５とし〔図３３（ｅ）〕、支持基材３６の代わりに新しい支持基材４６を貼着して、新しい表面保護された導体層パターン付き基材４７を得るようにする〔図３３（ｆ）〕。表面保護された導体層パターン付き基材４７は、この状態で利用できる。交換する前の支持基材３６としては、プラスチックフィルムを使用し、交換する新たな支持基材４６としては、ガラス板、プラスチック板等のリジッドなものが、この方法に特に適合しているが、これらに限られるものではない。さらに、（Ｈ）工程として、保護基材４１を剥離することにより、新しい導体層パターン付き基材４８を得る（図３４）。導体層パターン付き基材４８は、この状態で利用できる。
【０１４２】
支持基材３６を支持基材４６に交換するためには、下記のような接着力の関係が必要となる。
それは、
樹脂層３７と樹脂層２２との接着力、
樹脂層３７と支持基材３６との接着力、
樹脂層３７と支持基材４１との接着力
及び
樹脂層３７と支持基材４６との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係６」という）となる。
樹脂層２２との接着力はＵＶあるいは熱による硬化により低下させることができる。そのため、支持基材３６に重剥離セパレータを用い、支持基材２９にポリエチレンテレフタレートを用い、支持基材４６にガラスあるいは接着性を有する支持基材を用いることで「関係６」を満たすことができる。
【０１４３】
図３５は、他の工程を経て得られる転写用基材を含む導体層パターン付き基材４９の断面図である。
上記と同様の支持基材の交換は、積層物４２の代わりに積層物３９を用いて行うことができる。すなわち、（Ｊ）工程として、上記（Ｃ）工程で得られた積層物３９の支持基材３６を剥離し、代わりに新しい支持基材４６を貼着して積層物（導体層パターン付き基材）４９とする（図３５）。この後、（Ｋ）工程として、転写用基材（支持基材２１及び粘着剤層２２）を剥離して前記した図３４と同様の積層物（導体層パターン付き基材）を得ることできる。得られた積層物は、既に導体層１９の樹脂層への埋設厚さの調整がなされているのであれば、そのまま導体層パターン付き基材として使用できる。また、これに、前記したのと同様にカバーレイフィルムや剥離性基材を積層して（図３０（ｄ）のごとく保護基材４１を積層して）、保護層の形成又は導体層１９の樹脂層への埋設厚さの調整行うこともできる。この保護基材４１は、後で剥離できるものである。
この場合、下記のような接着力の関係が必要となる。
それは、
樹脂層３７と支持基材３６との接着力
及び
樹脂層３７と樹脂層２２との接着力
の順に大きい関係（この関係を「関係７」という）となる。
支持基材３６に軽剥離セパレータを用いることで「関係７」を満たすことができる。
【０１４４】
上記した支持基材を交換するいずれの工程も次のような意義がある。
めっき用導電性基材上に形成された導体層のパターンを転写用基材に転写し、さらに、保持用基材の積層又は保持用基材への導体層のパターンの転写によって導体層パターン付き基材が得られる。従って、これによって得られる導体層パターン付き基材を以後使用するようにすると、導体層パターン付き基材の製造法としては、工程数が増えないので、好ましいが、この場合、量産性を考えると、支持基材として、柔軟な樹脂フィルムを使用する場合などはよいが、ガラス板等の硬い材料を基材材料として使用する場合は、ロールトゥロール方式等の連続的な製造方法を選択できない等、生産方式に制約がある。そこで、保持用基材の支持基材としてロールトゥロール方式が可能で、ロール状の導体層担持基材を得ることができるプラスチックフィルムを使用し（同様の理由で、転写用基材の支持基材もプラスチックフィルムを使用することが好ましい）、支持基材のみをガラス板等の硬い基材に交換することで、量産性を低下させずに導体層パターン付きの硬い基材を製造でき、かつ簡便にガラス基材等の硬い基材上に導体層のパターンを形成できる。
上記の交換工程はこのような場合に、便利であり、また、適宜支持基材を交換できるので便利である。
【０１４５】
本発明で使用する導体層パターン付き基材において、導体層の断面形状が矩形状のもの（「導体層Ｃ」という）であるものは、導電性基材上に、フォトリソグラフ法により、溝パターンを有するレジストパターンを形成し、この溝内にめっきにより金属層を形成して金属パターンを形成し、この金属パターンを前記した転写用基材に転写する方法により作製することができる。なお、上記の溝は、導電性基材が露出しており、フォトリソグラフ法により断面形状を容易に矩形状にできる。めっき法は前記しためっき法を利用することができる。また、めっきは、溝から少々はみ出るようにして、前記した転写工程と同様にして転写用基材に転写することができる。得られた導体層パターン付き基材のさらなる加工は、前記の方法と同様に行うことができる。また、導体層の樹脂層への埋設量の調整も前記と同様に行うことができる。
【０１４６】
本発明により得られる導体層パターン付き基材の導体層を黒化処理して、黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材とすることができる。このためには、上記図１４（ｈ）又は図１６に示す導体層パターン付き基材２３若しくはこれらと同様の導体層パターン付き基材又はこれらの導体層パターン付き基材で導体層の埋設厚さを調整したものの導体層１９を黒化処理する方法、めっき用導電性基材１１の凹部１４に形成された導体層１９をそれが剥離・転写される前に黒化処理する方法及びこれらの両方の黒化処理を行う方法がある。
このように黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を黒色層を光入射側にして利用することにより光反射を防ぐことができる。
上記の黒化処理の方法は、金属パターンに黒色層を形成する手法であるが、このためには、金属層にめっきや酸化処理、印刷などの様々な手法を用いることができる。
【０１４７】
本発明に係る導体層パターン付き基材の太陽電池構造体への利用を説明する。
図３６は、本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池の構成を示す断面図である。太陽電池要素５０が、露出した面を有する導体層１９のパターンを埋設して担持している樹脂層２５からなる導体層パターン付き基材２個により挟まれて積層されている〔図３６（ａ）〕。また、導体層パターン付き基材の導体層が露出している面とは反対の面に、支持基材２４が積層されていてもよい〔図３６（ｂ）〕。太陽電池要素５０には、導体層パターン付き基材の露出した導体層１９のパターンが太陽電池要素５０の電気取出電極、集電電極又はインターコネクタと接触するように積層される。
【０１４８】
以上の構成の太陽電池は、複数個を、ガラス板及びバックシートの間に透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体により担持させることにより太陽電池モジュールとすることができる。その際に、導電層パターンは太陽電池要素を接続する配線の役割を果たす。例えば、太陽電池要素の片面にある導電層パターンの一部が太陽電池要素の端部からはみ出している場合、そのはみ出している部分の導体層パターンと、隣にある太陽電池の反対面に形成された配線と接続することで、太陽電池要素同士の接続を形成することができる。導体層パターンと隣にある太陽電池の反対面に形成された配線との接続は、どのような方法でもよく、導電性接着剤を用いた接続、導電性粒子を介しての接続、あるいは樹脂層２２の粘着性による隣にある太陽電池の反対面に形成された配線との貼り合せ接続でも良い。
これらの太陽電池構造体は、さらに透明な封止剤で封止されていても良い。
【０１４９】
図３７は、本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池構造体の別の構成を示す断面図である。太陽電池要素５０が、露出した面を有する導体層１９のパターンを埋設して担持している樹脂層２５からなる導体層パターン付き基材の上に形成されている〔図３７（ａ）〕。また、導体層パターン付き基材の導体層が露出している面とは反対の面に、支持基材２４が積層されていてもよい（〔図３７（ｂ）〕。太陽電池要素５０には、導体層パターン付き基材の露出した導体層１９のパターンが接触するように積層される。
これらの太陽電池構造体は、前記と同様さらに透明な封止剤で封止されていても良い。
【０１５０】
本発明において、太陽電池要素とは、前記導体層パターン付き基材を含み太陽電池として機能する本発明の太陽電池構造体から前記導体層パターン付き基材を除いた部分を意味する。太陽電池要素は、光電変換層及びそれに接続している電気取出電極を少なくとも含むものである。
光電変換層は、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層を含み、適宜ｉ型半導体層やバッファ層を含むものである。
電気取出電極は、光電変換層で発生した電子と正孔を取り出すために、光電変換層の両面に一方がプラス電極で他方がマイナス電極となるように形成されるか、バックコンタクト型太陽電池のように片面にプラス電極とマイナス電極として形成されている。
上記の電気取出電極は、太陽電池セルの厚み方向へ通電する機能（電気取出機能）を有する。そのため、電気取出電極は導電率の高い材料や厚みの薄い材料から形成されることが抵抗を低下させることができるので好ましい。電気取出電極は、面方向への導通を目的に（換言すれば、集電機能のために）、面方向に２次元的に広がりがあるものであってもよく、特定の幅で１次元的に延びるものであってもよく、または、各電極（プラス電極とマイナス電極の同種のもの）を導通させるために導電性部材で接続されていてもよい。電極を導通させるための接続には、電極と同じ材料又は異なる材料が使用される。以上からもわかるように電気取出電極は、それ自体が、集電機能を有していてもよい。
例えば、面方向に２次元的に広がりのある電気取出電極としては、ＩＴＯ等の透明導電膜やべた状の金属膜がある。ＩＴＯ等の透明導電膜では、面内の通電機能は短距離に限定され、集電機能が劣るので、その上に補強的に集電電極を積層することが好ましく、この集電電極を本発明おける導体層パターン付き基材の導体層に担わせることができる。また、特定の幅で１次元的に延びる電気取出電極としては、従来のいわゆるＡｇフィンガー電極がある。本発明において、Ａｇフィンガー電極と連続しているバスパーは、集電機能を有する電気取出電極の一部である。
本発明における太陽電池要素は、上記の電気取出電極を有するものであるが、それに集電電極が別個に接続するものであってもよく、タブのようなインターコネクタが接続されているものであってもよい。インターコネクタを接続するときには、既に電気取出電極が集電機能を有しているか電気取出電極に集電電極が接続されている。
本発明において、電気取出面とは、光電変換層及びそれに接続している電気取出電極を少なくとも含む太陽電池要素の電気取出電極又は集電電極が存在し、これらのうち少なくともいずれか一つが露出している面を言う。
本発明において、前記導体層パターン付き基材は、導体層パターンを、上記電気取出電極に接触させて該電極同士を接続する集電電極として、集電電極又は集電機能を有する電気取出電極に接触させて各電極同士を接続するためのインターコネクタとして、また、太陽電池要素の電気取出電極、集電電極又はインターコネクターに接触させてその面内の抵抗を減少させるための補助電極として機能させるように、上記電気取出面に積層される。
このように導体層パターン付き基材の導体層パターンは、太陽電池セルの電気取出面に接することによって、太陽電池セルの面内を通電する役目又はその補助を行い、また、太陽電池セル間を通電する役目又はその補助を行う。
更に説明すると、前記の透明導電膜としては、アモルファスシリコン層を有する結晶シリコン太陽電池の光電変換層に積層される透明導電膜や、無機薄膜系太陽電池（アモルファスシリコン型、ＣＩＧＳ型、ＣＩＳ型、その他の化合物型、有機薄膜型、色素増感型等）の光電変換層に積層される透明導電膜が挙げられる。この透明導電膜と導体層パターンとを接触させることで、セル面内の通電距離を長くできる（集電機能を向上又は付与することができる）。本発明おける基材上の導体層パターンは、太陽電池要素の電気取出面において、面内方向の導通を行い、また、その補強をすることができる。さらに、導体層パターンをセル間にわたるように接続することにより、セル間を通電することも可能である。
厚み方向への通電機能（電気取出）と面内の通電機能（集電機能）を有する電気取出電極の例には、単結晶シリコン太陽電池や多結晶シリコン太陽電池の光電変換層に積層されるＡｇフィンガー電極やＡｌベタ状電極がある。
【０１５１】
前記した図３６の太陽電池要素５０について説明する。
このような太陽電池要素５０としては、図３８に示すものがある。図３８は、太陽電池要素の断面図である。図３８に示すのは、単結晶ｎ型シリコン５１の両面にＣＶＤ法等にてｉ型アモルファスシリコン５２が積層され、その一方の面をＣＶＤ法等にてｐ型アモルファスシリコン５３、そのもう一方の面をＣＶＤ法等にてｎ型アモルファスシリコン５４、さらに、それらの上にスパッタ法等にてＩＴＯ等の透明導電膜５５が積層された構造を有する太陽電池要素５６である。この太陽電池要素５６の透明導電膜５５の両方に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層１９を接触するように、樹脂層２５によって貼着される。このときの導体層１９は、集電電極として機能している。上下の導体層１９のパターンは、それぞれ、頂部電極及び裏面電極である。
以上の構成の太陽電池構造体は、複数個を、ガラス板及びバックシートの間に透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体により担持させることにより太陽電池モジュールとすることができる。
【０１５２】
前記した図３７の太陽電池要素５０について説明する。
このような太陽電池要素５０としては、図３９に示すものがある。図３９は、別の太陽電池要素の断面図である。単結晶ｎ型シリコン５１の両面にＣＶＤ法等にてｉ型アモルファスシリコン５２が積層され、その一方の面にＣＶＤ法等にてｐ型アモルファスシリコン５３及びスパッタ法等にて透明導電膜５５が順次積層され、もう一方の面にＣＶＤ法等にてｎ型アモルファスシリコン５４及びスパッタ法や印刷法にてＡｌやＡｇ等の金属膜５７が順次積層されている構造を有する太陽電池要素５８である。透明導電膜５５に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層１９を接触するように、樹脂層２５によって貼着される。
また、図３７の太陽電池要素５０としては、図４０に示すものがある。図４０は、別の太陽電池要素の断面図である。単結晶ｎ型シリコン５１の両面にＣＶＤ法等にてｉ型アモルファスシリコン５２が積層され、その一方の面にＣＶＤ法等にてｐ型アモルファスシリコン５３及びスパッタ法等にて透明導電膜５５が順次積層され、もう一方の面にスパッタ法や印刷法にてＡｌやＡｇ等の金属膜５７が積層されている構造を有する太陽電池要素５９である。この太陽電池要素５９の透明導電膜５５に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層１９を接触するように、樹脂層２５によって貼着される。
また、図３７の太陽電池要素５０としては、図４１に示すものがある。図４１は、別の太陽電池要素の断面図である。単結晶ｎ型シリコン５１の一方の面にＣＶＤ法等にてｉ型アモルファスシリコン５２、ＣＶＤ法等にてｐ型アモルファスシリコン５３及びスパッタ法等にて透明導電膜５５が順次積層され、もう一方の面にスパッタ法や印刷法にてＡｌやＡｇ等の金属膜５７が積層されている構造を有する太陽電池要素６０である。この太陽電池要素６０の透明導電膜５５に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層１９を接触するように、樹脂層２５によって貼着される。
これらの場合について、導体層１９は、集電電極として機能している。導体層１９のパターンは頂部電極である。
【０１５３】
太陽電池構造体の他の態様を説明する。
図４２は、太陽電池構造体の一例を示す断面図である。
支持基材２４（ガラス板等の透明耐熱性基材）上に積層されている樹脂層２５に導体層１９が露出するように埋設されている。以上の構成は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例である。導体層１９が露出している面に、ＩＴＯ等の透明導電膜５５がスパッタ法等により形成され、レーザー、硬質材料の針の機械的研磨などを用いる適当なエッチングにより、溝が形成されて一定のパターンが形成される。透明導電膜５５の上には、ｐ型アモルファスシリコン５３が特定のパターンにより積層される。そして、この上に重なるようにｉ型アモルファスシリコン５２及びｎ型アモルファスシリコン５４がＣＶＤ法により積層され、レーザー、硬質材料の針の機械的研磨を用いる等の適当なエッチングにより、溝が形成されて一定のパターンが形成される。さらにその上にＭｏ等の金属膜５７をスパッタ法等により積層し、レーザー、硬質材料の針の機械的研磨等を用いる適当なエッチングにより、溝が形成されて一定のパターンが形成される。この金属膜５７は、一方の隣の透明導電膜５７と導通するように、ｐ型アモルファスシリコン５３、ｉ型アモルファスシリコン５２及びｎ型アモルファスシリコン５４の側面を通じて形成される。これにより、太陽電池構造体６１が構成されている。
この場合、導体層１９は、電気取出電極である透明導電膜５５の導電性を改善する補助電極として機能している。
以上の構造体は、図３７（ｂ）の型の太陽電池構造体である。
図４３は、太陽電池構造体の他の例を示す断面図である。図４２に示す太陽電池構造体６１の金属膜５７側を透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体６２で封止し、バックシート６３を貼り合わせている構造の太陽電池構造体６４である。
【０１５４】
図４４は、太陽電池構造体の他の例を示す断面図である。
支持基材２４（エチレン−ビニルアセテート共重合体シート、またはエチレンテトラフロオロエチレンシート等）上に積層されている樹脂層２５に導体層１９が露出するように埋設されている。以上の構成は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例である。導体層１９の一部は取出電極６５として利用される。
上記の導体層１９が露出している面に、一定のパターンを繰り返すように一定の層構造が形成されている。この一定の層構造は、透明導電膜５５、ｐ型アモルファスシリコン５３、ｉ型アモルファスシリコン５２及びｎ型アモルファスシリコン５４が積層され、さらに、ｐ型アモルファスシリコンゲルマニウム６６、ｉ型アモルファスシリコンゲルマニウム６７及びｎ型アモルファスシリコンゲルマニウム６８が積層され、さらに、金属膜５７（底部電極）が積層されているが、透明導電膜５５から金属膜５７は、一定の繰り返しパターンで、ポリイミドフィルム６９の上に形成されていると言える。ポリイミドのもう一方の面には、特定のパターンで、背面電極７０が形成されており、ポリイミドフィルム６９から透明導電膜５５に至るスルホール７１及びポリイミドフィルム５９から金属膜５７に至るスルホール７２内には、それぞれ、透明導電膜５５又は金属膜５７と背面電極７０とが導通するように、金属が蒸着されている。このようにして構成されている太陽電池構造体７３は、上記の透明導電膜以下の層構造体に、本発明に係る導体層パターン付き基材を圧着して貼着して得られる。このとき、導体層パターン付き基材の樹脂層２５を層構造体を封止するように流動させる。
上記導体層１９は、電気取出電極（上部電極）である透明導電膜５５の導電性を改善する補助電極として機能している。
以上の構造体は、図３７（ｂ）の型の太陽電池構造体である。
以上の構成の太陽電池構造体を、エチレンテトラフロオロエチレン（ＥＴＦＥ）とＥＴＦＥあるいはガルバリウム鋼板の間にエチレン−ビニルアセテート共重合体により担持させることにより太陽電池モジュールとすることができる。
【０１５５】
図４５は、太陽電池構造体の他の例を示す断面図である。
支持基材２４（ガラス板等の透明耐熱性基材あるいはエチレン−ビニルアセテート共重合体シート）上に積層されている樹脂層２５に導体層１９が露出するように埋設されている。以上の構成は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例である。導体層１９の一部は取出電極６５として利用される。
上記の導体層１９が露出している面に、一定のパターンを繰り返すように一定の層構造が形成されている。この一定の層構造は、透明導電膜５５、バッファ７４及びＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅからなる半導体のＣＩＧＳ光吸収層７５が積層され、さらに、パターン化されたモリブデン裏面電極７６が積層されている。導体層１９の一部は取出電極６５及び取出電極７７となる。バッファ７４はＣｄｓ、ＺｎＯやＩｎＳ等のｎ型層であり、スパッタ法やケミカル・バス・デポジション等にて形成される。ＣＩＧＳ光吸収層７５はＣｕ、Ｉｎ、Ｇａをスパッタ法や蒸着等にて積層してプリカーサを形成し、Ｈ２Ｓｅ雰囲気中でプリカーサをアニールし、セレン化することで得られる。モリブデン裏面電極７６の他の面には、ガラス板７８が積層されていると言える。このようにして構成されている太陽電池構造体７９は、上記の透明導電膜以下の層構造体に、本発明に係る導体層パターン付き基材を圧着して貼着して得られる。このとき、導体層パターン付き基材の樹脂層２５が層構造体を封止するように流動させる。層構造体は、ガラス板の上に上記したのと反対にモリブデン裏面電極７６から透明導電膜５５までを積層形成して形成される。なお、透明導電膜５７は、ＣｄＳバッファ７４及びＣＩＧＳ光吸収層７５の側面を通って隣のモリブデン裏面電極７６と導通している。
上記導体層１９は、電気取出電極（上部電極）である透明導電膜５５の導電性を改善する補助電極として機能している。
以上の構造体は、図３７（ｂ）の型の太陽電池構造体である。
支持基材２４がガラス板等の透明耐熱性基材でない場合、以上の構成の太陽電池構造体は、支持基材２４側に、透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体で封止するように最外層となるガラス板とをそれぞれ積層することにより太陽電池モジュールとすることができる。
【０１５６】
図４６は、太陽電池構造体の他の例を示す断面図（模式図）である。
単結晶ｐ型シリコン８０の一方の側にｐ型シリコン８１及びｎ型シリコン８２が積層されており、ｐ型シリコン８１にはアルミニウム電極８３及びｎ型シリコン８２には銀電極８４がそれぞれ積層され、アルミニウム電極８３及び銀電極８４は導通している。銀電極８４の上に集電のための細いタブ線８５及び太いタブ線８６が積層されている。この銀電極８４は、集電機能を有する電気取出電極の一部である。ｎ型シリコン層８２上の銀電極８４は細いタブ線８５をはんだ接続するために特定の箇所にのみ積層されている。銀電極８４以外の裏面全面をアルミニウム電極８３とｐ型シリコン層８１の積層物が覆っている。細いタブ線８５及び太いタブ線８６の材質ははんだが被覆された銅線である。アルミニウム電極８３、銀電極８４、細いタブ線８５及び太いタブ線８６が一方の集電機構である。単結晶ｐ型シリコン８０の他方の側には、全面に高濃度不純物を含むｎ型シリコン８７が積層されており、ｎ型シリコン８７の上には、窒化珪素パッシベーション膜８８と銀フィンガー電極８９が積層されている。銀フィンガー電極８９はｎ型シリコン層８７に積層されており、窒化珪素パッシベーション膜８８は銀フィンガー電極８９以外の部分のｎ型シリコン８７表面全面を覆っている。そして、その上に、本発明に係る導体層パターン付き基材（銅配線９０が粘着剤９１を介してプラスチックフィルム９２に積層されている）の導体層（メッシュ状銅配線９０）が銀フィンガー電極８９に接触するように積層されている。そのため、導体層は補助電極として機能している。導体層（例えばメッシュ状銅配線９０）は、さらに太いタブ線９３と接触している。太陽電池セルと連続していない導体とを導通できるため、導体層はインターコネクタ機能を有する。メッシュ状銅配線９０は、ストライプ状銅配線でもよく、この場合、その配線は、紙面と並行に設けられる。ただし、導体層１９はパターンとして、紙面と平行方向に導通している。図４６でメッシュ状銅配線は、紙面に垂直方向のもののみを作図している。プラスチックフィルム９２は本発明の機能に寄与しないために存在しなくとも良い。プラスチックフィルム９２は電気取出面に銅配線９０及び粘着剤９１が接着した後、エチレン−酢酸ビニル共重合体で封止する前にはく離しても良い。あるいは、プラスチックフィルム９２を予めはく離した銅配線９０及び粘着剤９１をエチレン−酢酸ビニル共重合体に固定し、その後に電気取出面に接着しても良い。銀フィンガー電極８９、銅配線９０及び太いタブ線９３がもう一方の集電機構である。以上の構成は、透明なエチレン−酢酸ビニル共重合体９４で封止され、全体がＰＥＴフィルム９５とガラス板９６で挟むよう構成されている。
上記の銀フィンガー電極８９は、電気取出電極であり、導体層である銅配線９０は、補助電極、または補助電極とインターコネクタの複合体として機能している。
【０１５７】
図４７は、太陽電池構造体の参考例を示す断面図（模式図）である。図４７と同じ構成であるが、図４６における銅配線９０（従って、導体層パターン付き基材）の代わりに、細いタブ線９７が用いられている。細いタブ線９７の材質ははんだが被覆された銅線である。
【０１５８】
図４８〜５３に、それぞれ、本発明に係る太陽電池構造体の別の例を示す。
図４８では、単結晶ｐ型シリコン８０の一方の側に高濃度不純物を含むｐ型シリコン８１がほぼ全面に積層されており、同じ面の特定の部位にｎ型シリコンも存在する（図示せず）。ｐ型シリコン８１上にはアルミニウム電極８３が全面に積層されている。ｎ型シリコン上にはＡｇ電極が積層されており（図示せず）、Ａｇ電極上に細いタブ線８５が積層されている。アルミニウム電極８３が集電機能を有する電気取出電極であり、細いタブ線８５がインターコネクタであり、それらが一方の集電機構である。単結晶ｐ型シリコン８０の他方の側には、全面にｎ型シリコン８７が積層されており、ｎ型シリコン８７の上には、窒化珪素パッシベーション膜８８と銀フィンガー電極８９が積層されている。銀フィンガー電極８９はｎ型シリコン層８７に積層されており、窒化珪素パッシベーション膜８８は銀フィンガー電極８９以外の部分のｎ型シリコン８７表面全面を覆っている。そして、その上に、本発明に係る導体層パターン付き基材（銅配線９０が粘着剤層９１に埋設し担持されている）の導体層（メッシュ状銅配線９０）が銀フィンガー電極８９に接触するように積層されている。そのため、導体層は補助電極として機能している。導体層（例えばメッシュ状銅配線９０）及び粘着剤層９１は、電気取出面をはみ出て積層されているが、はみ出ている部分の導体層は、細いタブ線の役目をしている。太陽電池セルと連続していない導体とを導通できるため、導体層はインターコネクタ機能を有する。メッシュ状銅配線９０は、ストライプ状銅配線でもよく、この場合、その配線は、紙面と平行に設けられる。図４８でメッシュ状銅配線は、紙面に垂直方向のもののみを作図している。上記の導体層パターン付き基材には、プラスチックフィルム等の支持基材はないが、支持基材は、電気取出面に銅配線９０及び粘着剤９１が接着した後、エチレン−酢酸ビニル共重合体で封止する前にはく離したものであるか支持基材を予めはく離した銅配線９０及び粘着剤９１をエチレン−酢酸ビニル共重合体に固定し、その後に電気取出面に接着したものである。銀フィンガー電極８９及び銅配線９０がもう一方の集電機構である。以上の構成は、透明なエチレン−酢酸ビニル共重合体９４で封止され、全体がＰＥＴフィルム９５とガラス板９６で挟むよう構成されている。
上記の銀フィンガー電極８９は、電気取出電極であり、導体層である銅配線９０は、補助電極、または補助電極とインターコネクタの複合体として機能している。
【０１５９】
図４９では、単結晶ｐ型シリコン８０の一方の側に高濃度不純物を含むｐ型シリコン８１が全面に積層されており、ｐ型シリコン８１にはアルミニウム電極８３が全面に積層され、電気取出電極であるアルミニウム電極８３の上に補助電極（裏面電極）として本発明に係る導体層パターン付き基材（銅配線９０が粘着剤層９１に埋設し担持されている）が、導体層（メッシュ状銅配線９０）がアルミニウム電極８３に接触するように積層されている。アルミニウム電極８３及び導体層（メッシュ状銅配線９０）一方の集電機構である。なお、ｐ型シリコンと並列にｎ型シリコンが面内に部分的に存在し、そのｎ型シリコン層の上にＡｇ電極が形成されていても良い。導体層（例えばメッシュ状銅配線９０）及び粘着剤層９１は、電気取出面をはみ出て積層されているが、はみ出ている部分の導体層は、細いタブ線の役目をしている。太陽電池セルと連続していない導体に導体層を介して導通できるため、導体層はインターコネクタ機能を有する。メッシュ状銅配線９０は、ストライプ状銅配線でもよく、この場合、その配線は、紙面と並行に設けられる。ただし、導体層１９は、パターンとして導通している。図４８でメッシュ状銅配線は、紙面に垂直方向のもののみを作図している。上記の導体層パターン付き基材には、プラスチックフィルム等の支持基材はないが、支持基材は、電気取出面に銅配線９０及び粘着剤９１が接着した後、エチレン−酢酸ビニル共重合体で封止する前にはく離したものであるか支持基材を予めはく離した銅配線９０及び粘着剤９１をエチレン−酢酸ビニル共重合体に固定し、その後に電気取出面に接着したものである。
単結晶ｐ型シリコン８０の他方の側には、全面にｎ型シリコン８７が積層されており、ｎ型シリコン８７の上には、窒化珪素パッシベーション膜８８と銀フィンガー電極８９が積層されている。銀フィンガー電極８９はｎ型シリコン層８７に積層されており、窒化珪素パッシベーション膜８８は銀フィンガー電極８９以外の部分のｎ型シリコン８７表面全面を覆っている。そして、銀フィンガー電極８９の上に、細いタブ線８５が積層されている。銀フィンガー電極８９が集電機能を有する電気取出電極であり、細いタブ線８５がインターコネクタであり、それらが一方の集電機構である。
以上の構成は、透明なエチレン−酢酸ビニル共重合体９４で封止され、全体がＰＥＴフィルム９５とガラス板９６で挟むよう構成されている。
【０１６０】
図５０では、単結晶ｐ型シリコン８０の一方の側にｐ型シリコン８１及びｎ型シリコン８２が積層されており、ｐ型シリコン８１にはアルミニウム電極８３及びｎ型シリコン８２には銀電極８４がそれぞれ積層され、アルミニウム電極８３及び銀電極８４は導通している。銀電極８４の上にインターコネクタとしての細いタブ線８５が積層されている。銀電極８４以外の裏面全面をアルミニウム電極８３とｐ型シリコン層８１の積層物が覆っている。アルミニウム電極８３が集電機能を有する電気取出電極であり、タブ線８５がインターコネクタであり、これらが一方の集電機構である。
単結晶ｐ型シリコン８０の他方の側には、全面にｎ型シリコン８７が積層されており、ｎ型シリコン８７の上には、電気取出電極（上部電極）である銀フィンガー電極８９が積層されている。そして、この銀フィンガー電極８９の上に、インターコネクタとしての細いタブ線８５と、補助電極である銅配線９０を含む本発明に係る導体層パターン付き基材（銅配線９０が短冊状に形成されており、粘着剤９１に埋設されている）が交互に積層されている。銀フィンガー電極８９、細いタブ線８５及び銅配線９０で一方の集電機構を形成している。
以上の構成は、透明なエチレン−酢酸ビニル共重合体９４で封止され、全体がＰＥＴフィルム９５とガラス板９６で挟むよう構成されている。
なお、導体層（メッシュ状銅配線９０）は、ストライプ状銅配線でもよく、この場合、その配線は、紙面と垂直方向に設けられる。図５０でメッシュ状銅配線は、紙面に垂直方向のもののみを作図している。上記導体層パターン付き基材が支持基材を有しないのは、図４８におけるのと同じ理由である。
【０１６１】
図５１では、図５０と同様の構造を有するが、単結晶ｐ型シリコン８０の他方の側には、全面にｎ型シリコン８７が積層されており、ｎ型シリコン８７の上には、銀フィンガー電極８９が積層されている。そして、この銀フィンガー電極８９の上から本発明に係る導体層パターン付き基材（銅配線９０が粘着剤９１に埋設し担持されている）が電気取出面の全面に形成され、部分的に粘着剤層９１がなく、導体層９０が露出しており、この露出した導体層９０の上に細いタブ線８５が形成されている。その工程は、まず、電気取出面の全面に本発明に係る導体層パターン付き基材（銅配線９０が粘着剤９１に埋設し担持されている）を積層し、予め粘着剤には短冊状に切り込みを入れておき、積層して接着後に短冊状に粘着剤層を剥がし、露出した導体層上にタブ線を積層することにより行うことができる。また、この工程の代わりに、導体層パターン付き基材として、めっき用導電性基材に導体層を形成し、転写用基材に導体層パターンを転写して導体層パターン付き基材を作製するときに、転写用基材として基材材料上に部分的に粘着剤層が形成されていないものを用いて得られた導体層パターン付き基材を使用し、この導体層パターン付き基材を銀フィンガー電極の上から電気取出面に貼り付け、この後、導体層パターン付き基材の基材材料を剥離し、ついで、露出した導体層上にタブ線を積層する工程によっても形成することができる。
上記の露出した導体層とタブ線の接続は、はんだ接続や導電性粒子を介する接続等一般的な接続方法で行うことができる。
銀フィンガー電極８９が集電機能を有する電気取出電極であり、細いタブ線８５がインターコネクタであり、導体層９０が補助電極及びインターコネクターであり、それらが一方の集電機構である。
以上の構成は、透明なエチレン−酢酸ビニル共重合体９４で封止され、全体がＰＥＴフィルム９５とガラス板９６で挟むよう構成されている。
なお、導体層（メッシュ状銅配線９０）は、ストライプ状銅配線でもよく、この場合、その配線は、紙面と垂直方向に設けられる。図５０でメッシュ状銅配線は、紙面に垂直方向のもののみを作図している。上記導体層パターン付き基材が支持基材を有しないのは、図４８におけるのと同じ理由である。
【０１６２】
図５２では、バックコンタクト型太陽電池構造体を示す。
単結晶ｐ型シリコン８０の一方の面に窒化珪素パッシベーション膜８８が形成されており、その反対面には、高濃度不純物含有ｐ型シリコン８１及びｎ型シリコン８７の各層が単結晶ｐ型シリコン８０に埋め込まれるように形成されている。そして、ｐ型シリコン８１には＋電極９８が積層され、ｎ型シリコン８７には−電極９９が積層され、これらの電極以外の部分は窒化珪素パッシベーション膜が形成されている。そして、これらの電極に導体層が重なるように、本発明に係る導体層パターン付き基材（銅配線９０が粘着剤９１に埋設し担持されている）が積層されている。銅配線９０は、集電電極及びインターコネクタとして機能するものであるが、＋電極９８に接触するものと−電極９９に接触するものが導通しないように構成されている。
以上の構成は、透明なエチレン−酢酸ビニル共重合体９４で封止され、全体がＰＥＴフィルム９５とガラス板９６で挟むよう構成されている。
【０１６３】
図５３では、Ｍｏ等の金属膜をスパッタ法等により積層し、レーザー、硬質材料の針の機械的研磨等を用いる適当なエッチングにより、溝が形成されて一定のパターンが形成されているパターン化されたモリブデン裏面電極７６が一方のガラス板７８上に形成されている。モリブデン裏面電極７６の上には特定のパターンでモリブデン裏面電極７６の片方の側面にも接するように半導体のＣＩＧＳ光吸収層が形成され、この上に重なるようにＣｄｓ１００の層が形成されている。さらにその上にｎ型酸化亜鉛１０１及びドーピング酸化亜鉛１０２が順次形成され、これらは、順次その下層の一方の側面を覆うように形成され、ドーピング酸化亜鉛１０２は、隣の同様な層構造のパターン化されたモリブデン裏面電極７６と導通して、電気的に直接に接続されている。図面ではこのような繰り返しは２回だけ表示しているが、右方向に適当数だけ繰り返される。以上の各層構造の上に、本発明に係る導体層パターン付き基材（導体層１９が粘着剤２０に埋設し担持されている）が積層される。各層構造の一番上のドーピング酸化亜鉛１０２の上に銅配線９０が接するようにされるが、この導体層１９は、横方向の短冊状の導体層であり、紙面に垂直方向に配列されており、その場合は各導体層が互いに導通していない。しかし、各導体層が互いに導通していても良い。また、導体層１９は隣合うＭｏ電極７６（紙面右手）上にまで形成されていても良い。これらの導体層は、ドーピング酸化亜鉛１０２の導電性を高める補助電極として機能している。また、各層構造の繰り返し部は、導体層１９によって覆われる以外の部分は、粘着剤２０により覆われている。このためには、導体層パターン付き基材を積層するときに、圧力をかけ、粘着剤２０を流動させる。粘着剤２０が導体層１９と共に各層構造を覆ってから粘着剤２０を固化又は硬化させる。この粘着剤としては、光硬化性樹脂を使用すると、硬化の時、加熱しなくても良いので好ましい。
この後、その上をさらに、透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体９４で封止し、もう一つのガラス板７８を貼り合わせている。
【０１６４】
本発明では、導体層パターン付き基材の導体層パターンを表面に電気取出電極（金属電極あるいは透明導電膜）を有する太陽電池要素に接触させて接続することで、光電変換層で発生した電気の集電電極機能、インターコネクト機能、補助電極機能を発揮させることができる。例えば、表面に透明導電膜を有する太陽電池の場合、透明導電膜に導電性パターンを接触させて接続することで、導体層パターンの低い抵抗率のために、光電変換層での発生電力を電力損失を低く抑えて集電することができる。そのため、透明導電膜上にＡｇ電極が積層された結晶系Ｓｉ太陽電池においては、集電電極として通常用いられるＡｇ電極を省略することができる。また、薄膜Ｓｉ太陽電池やＣＩＧＳ薄膜太陽電池ではセル幅と共に大きくなる電力損失を低く抑えるために効率の向上を図ることができる。さらに、導体層パターンには容易に配線機能も有さしめることができ、配線機能を有する導体層パターンを用いれば、別途に配線材料を必要としない。例えば、結晶Ｓｉ太陽電池に配線として通常用いられるタブ線を省略することができ、薄膜Ｓｉ太陽電池やＣＩＧＳ薄膜太陽電池ではモジュール端部に形成される電気取出電極の形成を省略することが出来る。このように導体層パターンが太陽電池の集電電極、インターコネクタ又は補助電極に利用されるためにそれらの材料コストの低減につながる。さらに本発明の導体層パターン付き基材を貼り付けるだけで、必要な導体層パターンを供給できるので、例えば太陽電池の集電電極、インターコネクタおよび補助電極の形成が容易になり、コストも大幅に低減できる。
【０１６５】
導体層パターンを電気取出面に接続し続ける上で、導体層パターンと電気取出面の電極やインターコネクタとの機械的接触を維持する必要があり、そのためには導体層パターンが電気取出面の電極やインターコネクタに押し付けられる方向に力が加わり続けなければならない。例えば、太陽電池においてはその出力は長期間安定していなければならず、信頼性試験としては８５℃８５％ＲＨの高温高湿下で１０００時間経過後も出力電力の低下が５％以内であることが望まれる。本発明の導体層パターン付き基材と太陽電池要素とを貼り合わせることにより、その導体層のパターンと太陽電池要素の電気取出面の電極やインターコネクタとを接触させて接続することができるが、これにより、導体層パターンを供給して集電電極、補助電極又はインターコネクタとしての機能を示し、さらに１０００時間以上の安定性も示すことができる。
【０１６６】
また、本発明で用いられるめっき用導電性基材として、回転体（ロール）を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。回転体（ロール）は金属製が好ましい。さらに、回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的低い材料を用いることが好ましい。導電性基材として回転体を用いることにより連続的に作製して巻物として導体層パターン付き基材を得ることが可能となるため、この場合、生産性が飛躍的に大きくなる。
回転体を用いて、電界めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、導体層パターン付き基材を巻物として得る工程及び導電性基材としてドラム電極を用いた場合に、ドラム電極を回転させつつ、金属を電界めっきにより連続的に析出させ、また、析出した金属を連続的に剥離する装置は、国際公開ＷＯ２００８／０８１９０４に記載される方法及び装置を利用することができる。
【０１６７】
さらに、本発明で用いられるめっき用導電性基材として、フープ状のめっき用導電性基材を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。フープ状のめっき用導電性基材は、帯状の導電性基材の表面に絶縁層と凹部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。導電性基材の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的小さい材料を用いることが好ましい。フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防錆処理、転写等の工程を、１つの連続した工程で処理可能となるため導電性パターン付き基材の生産性が高く、また、導電性パターン付き基材を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、１００〜１０００μｍであることが好ましい。
フープ状の導電性基材を用いて、電界めっきにより形成された導体層パターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程及び導電性基材としてフープ状導電性基材を用いた場合に連続的に導体層パターンを電界めっきにより析出させながら剥離する装置は、国際公開ＷＯ２００８／０８１９０４に記載される方法及び装置を利用することができる。
【実施例１】
【０１６８】
（パターン仕様１）
以下の仕様で、パターン形成用のネガフィルムを作製した。光透過部のライン幅が１２μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°（正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して４５度の角度になるように配されている）で、格子状にパターンを１２０ｍｍ角のサイズで形成した。
【０１６９】
（凸状パターンの形成）
レジストフィルム（フォテックＲＹ３３１５、日立化成工業株式会社製）を１５０ｍｍ角のステンレス板（ＳＵＳ３１６Ｌ、＃４００研磨仕上げ、厚さ５００μｍ、日新製鋼（株）製）の両面に貼り合わせた（図１１（ａ）に対応するが同一ではない）。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、パターン仕様１のネガフィルムを、ステンレス板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を２５０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅１５〜１７μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５度の突起部レジスト膜（突起部；高さ１５μｍ）を得た。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている（図１１（ｂ）に対応するが同一ではない）。
【０１７０】
（絶縁層の形成）
ＰＢＩＩ／Ｄ装置（ＴｙｐｅＩＩＩ、株式会社栗田製作所製）によりＤＬＣ膜を形成する。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚０．１μｍとなるように中間層を成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が２〜３μｍとなるように、中間層の上にＤＬＣ層を形成した（図１１（ｃ）に対応するが同一ではない）。
【０１７１】
（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液（１０％、５０℃）に浸漬し、時々揺動を加えながら８時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したＤＬＣ膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た（図１１（ｄ）に対応するが同一ではない）。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは２〜３μｍであった。また、凹部の底部での幅は、１５〜１７μｍ、開口部での幅（最大幅）は１９〜２３μｍであった。凹部のピッチはピッチ３００μｍであった。
【０１７２】
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面（裏面）に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ６μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
【０１７３】
（透明基材の作製）
厚さ１００μｍ、１２０ｍｍ角の支持基材であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面に粘着剤であるバイロンＵＲ−１４００（東洋紡（株）製、熱可塑性樹脂であるポリエステルポリウレタン樹脂がトルエンとメチルエチルケトンの混合溶媒で希釈されている。樹脂のガラス転移点は８０℃であった。）を塗布し、１００℃乾燥後の膜厚が２５μｍになるように塗布して支持基材上に粘着剤層を形成して透明基材を作製した。乾燥条件は１００℃１０分間であった。
【０１７４】
（転写及び埋設）
上記透明基材を、１００℃５分間プレヒートしてから、粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１５０℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が転写されていた。
銅が転写された透明基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ｂ）のような形状であり、上部の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度αは４５°、最大幅Ｌは２１〜２４μｍ、ＬとＬ２の差は２〜３μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、全体の厚みは５〜６μｍ、ラインピッチ３００μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、同時に図８（ｃ）に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。また、ガスケットをパターン面に静置し、５００ｇの荷重をかけながら移動させた場合に、パターン面の異常はなかった。さらに、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。
６５℃９５％ＲＨの加熱加湿試験１０００時間後、上記２つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。
【実施例２】
【０１７５】
実施例１のめっき用導電性基材に、実施例１と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
＜透明基材の作製＞
（配合組成物１）
２−エチルヘキシルメタクリレート  ７０重量部
ブチルアクリレート      １５重量部
２−ヒドロキシエチルメタクリレート  １０重量部
アクリル酸    ５重量部
アゾビスイソブチロニトリル  ０．１重量部
トルエン  ６０重量部
酢酸エチル  ６０重量部
温度計、冷却管、窒素導入管を備えた５００ｃｍ３の三つ口フラスコに、上記した配合組成物１を投入し、穏やかに撹拌しながら、６０℃に加熱して重合を開始させ、窒素でバブリングさせながら、６０℃で８時間、還流中で攪拌を行い、側鎖にヒドロキシル基を有するアクリル樹脂を得た。その後、カレンズ  ＭＯＩ（２−イソシアナトエチルメタクリレート；昭和電工（株）製）５重量部を添加し、穏やかに撹拌しながら５０℃で反応させ、側鎖に光重合性官能基を有する反応性ポリマーの溶液１を得た。
得られた反応性ポリマー１は、側鎖にメタクリロイル基を有しており、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は８００，０００であった。反応性ポリマーの溶液１を１００重量部（固形分）に光重合開始剤として２−メチル−１［４−メチルチオ］フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（商品名イルガキュア９０７、チバガイギー（株））を１重量部、イソシアネート系架橋剤（商品名コロネートＬ−３８ＥＴ、日本ポリウレタン（株）製）を３重量部、トルエンを５０重量部添加し、樹脂組成物１とした。
得られた樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面に、１００℃乾燥後の膜厚が２０μｍになるように塗布して、支持基材上にＵＶ硬化性を有する粘着剤層を形成して、透明基材を作製した。乾燥条件は、１００℃１０分間であった。
（転写及び埋設）
実施例１と同様のめっき用版を用いて、実施例１と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
次いで、上記透明基材のＵＶ硬化性を有する粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材に転写されていた。
銅が転写されている透明基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとり、観察し、導体層パターンが図５（ｂ）の様な断面形状であること確かめ、また、任意に五カ所選択し、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部の厚みＴ２は３〜４μｍであり、下部がその下側の１〜２μｍだけ樹脂層に埋没していることを確認した。
さらに、上記で得た銅が転写されている透明基材の銅の上から厚さ５０μｍのカバーフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の易接着層とは反対面をロールラミネートで貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度８０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。この後、導体層パターンが形成された面とは反対の面から、照射量１Ｊ／ｃｍ２となるように、紫外線を照射して、カバーフィルムを剥離して、導体層パターン付き基材を得た。
この導体層パターン付き基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとり、観察し、図８（ｃ）に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認し、また、任意に五カ所選択して、導体層パターンの上部層の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度は４５°、最大幅Ｌは２１〜２４μｍ、ＬとＬ２の差は２〜３μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、全体の厚みは５〜６μｍ、ラインピッチ３００μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られたことを確認した。導体層パターンの開口率は８４．０％であった。
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。
また、ガスケットをパターン面に静置し、５００ｇの荷重をかけながら移動させた場合に、パターン面の異常はなかった。さらに、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。
６５℃９５％ＲＨの加熱加湿試験１０００時間後、上記２つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。得られた基材の透過率は７８％、濁度は２．８であった。
【実施例３】
【０１７６】
（転写及び埋設）
実施例１のめっき用導電性基材に、実施例１と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。導電性基材の銅めっきを施した面に、液状の無用剤型ＵＶ硬化型樹脂（商品名：アデカオプトマーＫＲＸ−４００、旭電化（株）製）を、１００ｍｍの幅で１０ｍｌ滴下した。次いで、厚さ１００μｍの支持基材であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）を樹脂上に接触させ、ロールラミネートした。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード２．０ｍ／ｍｉｎとした。これにより、樹脂が一様に広がり、導電性基材と基材フィルムの間に、１５μｍの液状のＵＶ硬化型樹脂層を形成した。その後、支持基材側から、照射量１Ｊ／ｃｍ２となるように、紫外線を照射して粘着剤層を硬化した後、透明基材を剥離して、導体層パターン付き基材を得た。
この導体層パターン付き基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとり、観察し、図５（ｂ）に示すように、導体層パターンの断面が台形形状である上部が、樹脂層から露出した状態で導体層パターンが樹脂層に埋設されていることを確認し、また、樹脂層の厚さが２５μｍであることを確認し、さらに、任意に五カ所選択して、導体層パターンの上部の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度は４５°であった。また、最大幅Ｌは２１〜２４μｍ、ＬとＬ２の差は２〜３μｍであった。上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、全体の厚みは５〜６μｍ、ラインピッチ３００μｍであることを確認した。得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。また、ガスケットをパターン面に静置し、５００ｇの荷重をかけながら移動させた場合に、パターン面の異常はなかった。さらに、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。
６５℃９５％ＲＨの加熱加湿試験１０００時間後、上記２つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。
【実施例４】
【０１７７】
実施例１と同様にしてめっき用導電性基材を作製した。
【０１７８】
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面（裏面）
に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。
この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極と
して電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、光沢剤（３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸塩）３ｍｌ／Ｌ、界面活性剤（ポリエチレングリコール類）１０ｍＬ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ６μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
【０１７９】
実施例１と同様にして透明基材を作製した。
【０１８０】
（転写及び埋設）
上記で得た透明基材を、１００℃５分間プレヒートしてから、粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１５０℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材の粘着剤層に転写されていた。
銅が転写された透明基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図６（ｂ）のような形状であり、上部の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度αは４５°、最大幅Ｌは１９〜２２μｍ、ＬとＬ２の差は２〜３μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、全体の厚みは６〜７μｍ、ラインピッチ３００μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、肩の部分の幅Ｌ３は、１〜２μｍ、肩の付け根の部分の導体厚Ｔ１は２〜３μｍ、Ｔ１／Ｌ３は、１．５〜２．０であった。また、同時に図９（ｃ）に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。  得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。また、ガスケットをパターン面に静置し、５００ｇの荷重をかけながら移動させた場合に、パターン面の異常はなかった。さらに、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。また、メッシュパターンの開口率は、８７％であった。
６５℃９５％ＲＨの加熱加湿試験１０００時間後、上記２つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。
【実施例５】
【０１８１】
実施例２と同様にして透明基材を作製した。
【０１８２】
（めっき、転写及び埋設）
実施例４と同様のめっき用導電性基材を用いて、実施例４と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
次いで、上記透明基材のＵＶ硬化性を有する粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材に転写されていた。
銅が転写されている透明基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとり、観察し、導体層パターンが図６（ｂ）の様な断面形状であること確かめ、また、任意に五カ所選択し、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部の厚みＴ２は３〜４μｍであり、下部がその下側の１〜２μｍだけ樹脂層に埋没していることを確認した。
さらに、上記で得た銅が転写されている透明基材の銅の上から厚さ５０μｍのカバーフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の易接着層とは反対面をロールラミネートで貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度８０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。この後、導体層パターンが形成された面とは反対の面から、照射量１Ｊ／ｃｍ２となるように、紫外線を照射して、カバーフィルムを剥離して、導体層パターン付き基材を得た。
この導体層パターン付き基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとり、観察し、図９（ｃ）に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認し、また、任意に五カ所選択して、導体層パターンの上部層の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度は４５°、最大幅Ｌは１９〜２２μｍ、ＬとＬ２の差は２〜３μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、全体の厚みは６〜７μｍ、ラインピッチ３００μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られたことを確認した。また、肩の部分の幅Ｌ３は、１〜２μｍ、肩の付け根の部分の導体厚Ｔ１は２〜３μｍ、Ｔ１／Ｌ３は、１．５〜２．０であった。導体層パターンの開口率は８７．０％であった。
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。また、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。
６５℃９５％ＲＨの加熱加湿試験１０００時間後、上記２つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。得られた基材の透過率は８１％、濁度は１．９であった。
【実施例６】
【０１８３】
実施例４のめっき用導電性基材に、実施例４と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
【０１８４】
＜基材（Ｉ）の作製＞
粘着フィルム〔基材（Ｉ）〕を作製した。
すなわち、まず、主モノマーとして２−エチルヘキシルアクリレート７０重量％とアクリル酸エチル２０重量％を用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルメタクリレート６重量％およびアクリル酸４重量部を溶液重合法で重合させてアクリル共重合体を合成した。この合成したアクリル共重合体の重量平均分子量は３０万、ガラス転移点は−３５℃であった。
【０１８５】
このアクリル共重合体１００重量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン工業（株）製、コロネートＬ）を１０重量部配合し、トルエンで濃度３０重量％になるように希釈して得た粘着剤溶液を、厚さ５０μｍの易接着層付ＰＥＴフィルム（東洋紡績（株）製、コスモシャインＡ４１００）に、乾燥時の粘着剤層厚さが１０μｍになるように前記粘着剤溶液を塗工し、１００℃で３０分間乾燥し、基材（Ｉ）を得た。基材（Ｉ）は、粘着剤層付き基材であるが、図１３の支持基材２１に対応する。
【０１８６】
＜保持用樹脂層付基材兼転写用基材の作製＞
まず、主モノマーとしてアクリル酸ブチル８５重量％とアクリル酸エチル１０重量％を用い、官能基モノマーとしてアクリル酸−２−ヒドロキシエチル５重量部を用い、開始剤として過酸化水素を用い、乳化剤としてノニオン系界面活性剤を用い７５℃で３時間乳化重合した後、水洗、乾燥し重量平均分子量８０万、ガラス転移点−４７℃のアクリル共重合体を得た。次いで、これをトルエンに２０重量％になるように溶解し、この溶液の固形分１００重量部に対し多官能イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン工業（株）製、コロネートＬ）を１０重量部添加して粘着剤溶液を調整した。これをシリコーン系剥離剤が塗布されたポリエステルフィルムセパレータ（東洋紡績（株）製、商品名Ｅ−７００２、厚み２５μｍ）に、乾燥後の膜厚が２５μｍになるように塗布し、１００℃で１０分間乾燥して保持用樹脂層付きセパレータを得た。
次いで、基材（Ｉ）の粘着層と保持用樹脂層付きセパレータの保持用樹脂層が接着するように基材（Ｉ）と保持用樹脂層付きセパレータとを貼り合せ、ポリエステルフィルムセパレータのみを剥離して、保持用樹脂層付基材兼転写用基材（図１３の基材２０に対応）を作製した。なお、保持用樹脂層は、図１３の基材２２に対応する。
【０１８７】
＜めっき用導電性基材からの金属配線層の転写＞
上記で金属配線層を形成しためっき用導電性基材上に保持用樹脂層付基材をその保持用樹脂層を向けて圧着した（図１４（ｇ）に対応）。次いで、保持用樹脂層付基材を剥離したところ、金属配線層は保持用樹脂層に転写されており、この時点で導体層パターン付き基材（図１４（ｈ）の導体層パターン付き基材２３に対応）が得られた。金属配線層は、図１４（ｈ）の導体層１９に対応する。
【０１８８】
＜基材（ＩＩ）の貼合＞
金属配線層を形成した保持用樹脂層付基材の金属配線層および保持用樹脂層に基材（ＩＩ）であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（図１７の２４に対応）を貼り合せ、表面が保護された導体層パターン付き基材（図１７の２５に対応）を得た。
＜基材（Ｉ）の剥離とガラス板〔基材（ＩＩＩ）〕への貼合＞
保持用樹脂層から基材（Ｉ）を剥離し、（図２０（ａ）に対応）、得られた積層物（（図２０（ｂ）に対応））の保持用樹脂層面にガラス板〔基材（ＩＩＩ）〕に貼り合せた（図２０（ｃ）に対応）。貼り合せは、ロールラミネータを用い、ロール温度１５０℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎにて行った。ガラス板は、図２０（ｃ）の３１に対応する。
【０１８９】
＜基材（ＩＩ）の剥離＞
ガラス上の保持用樹脂層から基材（ＩＩ）を剥離した。金属配線層が保持用樹脂層により保持された金属配線層付ガラスを得た（図２０（ｄ）に対応）。
＜金属配線層の埋設状態＞
金属配線層付ガラスの断面を走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にて観察した。任意に五カ所選択し、金属配線層の断面形状が図４（ｂ）のような形状であり、上部の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度αは４５°、最大幅Ｌは１９〜２２μｍ、ＬとＬ２の差は２〜３μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、全体の厚みは６〜７μｍ、ラインピッチ３００μｍの格子状金属パターンからなる金属配線層付き基材が得られていることを確認した。また、同時に図７（ｃ）に示すように、金属配線層は上部の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍだけ露出し、金属配線層の全部が保持用樹脂層に埋設されていることを確認した。
【０１９０】
金属配線層の開口率は、８４．０％であった。また、剥離転写時のめっき折れは発生しなかった。
【０１９１】
得られた金属配線層付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【実施例７】
【０１９２】
実施例４のめっき用導電性基材に、実施例４と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
【０１９３】
＜透明基材（転写用基材）の作製＞
粘着剤層厚みが２５μｍである両面粘着フィルム（ヒタレックスＤＡ３０２５、日立化成工業株式会社製）の片面からセパレータフィルムを剥離し、ガラスに貼り合せた。ラミネート条件はロール温度１００℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。その後、ガラス上に形成された粘着剤層のもう一方の面からセパレータフィルムを剥離し、粘着剤層を露出した。
【０１９４】
＜転写及び埋設＞
上記透明基材の粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、透明基材に貼り合わせためっき用導電性基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅（導体層パターン）が転写されていた。
【０１９５】
銅が転写された透明基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ｂ）のような形状であり、上部の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度αは４５°、最大幅Ｌは１９〜２２μｍ、ＬとＬ２の差は２〜３μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、全体の厚みは６〜７μｍ、ラインピッチ３００μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、同時に図８（ｃ）に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。
【０１９６】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【０１９７】
６５℃９５％ＲＨの加熱加湿試験１０００時間後、上記２つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。
【実施例８】
【０１９８】
実施例４のめっき用導電性基材に、めっき厚がほぼ１２μｍになるまでめっきしたこと以外は実施例４と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
【０１９９】
＜透明基材の作製＞
粘着剤層厚みが２５μｍである両面粘着フィルム（ヒタレックスＤＡ３０２５、日立化成工業株式会社製）の片面からセパレータフィルムを剥離し、ＰＥＴフィルム（１２５μｍ厚、Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）に貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１００℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。その後、ＰＥＴフィルム上に形成された粘着剤層のもう一方の面からセパレータフィルムを剥離し、粘着剤層を露出した。
【０２００】
＜転写及び埋設＞
上記透明基材の粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材の粘着剤層に転写されていた。
【０２０１】
銅が転写された透明基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ｂ）のような形状であり、上部の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度αは４５°、最大幅Ｌは２４〜２８μｍ、ＬとＬ２の差は８〜１０μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は８〜１０μｍ、全体の厚みは１１〜１３μｍ、ラインピッチ３００μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、同時に図８（ｃ）に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。
【０２０２】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０４Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【０２０３】
６５℃９５％ＲＨの加熱加湿試験１０００時間後、上記２つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。
【実施例９】
【０２０４】
＜太陽電池モジュールの作製＞
太陽電池セル（株式会社アドバンテック製、単結晶Ｓｉ太陽電池セル）の裏面の２本のバスバーのそれぞれに細いタブ線をはんだごてを用いてはんだ接続し、２本の細いタブ線を１本の太いタブ線（Ａ）によりはんだごてを用いてはんだ接続した。太陽電池セルの表面（受光面）に、上記実施例８で得られた導体層パターン付き基材を導体層パターンが形成された面と太陽電池セル表面のフィンガー電極及びバスバーを接触させるように貼り合せた。ラミネート条件は、ロール温度１００℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。太陽電池セルに貼り合せた導体層パターン付き基材の導体層パターンに１本の太いタブ線（Ｂ）をセル端部から１０ｍｍ離して貼り合せた。ラミネート条件は、ロール温度１００℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。導体層パターン付き基材の導体層パターンはタブ線（Ｂ）と接続してあるが、タブ線（Ａ）とは接続されていない。
厚み３ｍｍ、サイズ２００ｍｍ□の太陽電池用白板熱処理ガラスの上にガラスの同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、上記のタブ線が接続した太陽電池セルをセル表面がガラス側に向くように置いた。太陽電池セルの中心とガラスの中心は一致させて置き、太いタブ線（Ａ）と太いタブ線（Ｂ）をガラスより外側に出した。太陽電池セルの上にガラスと同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、その上にガラスと同じサイズのＰＥＴフィルム（１２５μｍ厚、Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）を置いた。これらを真空加圧ラミネータにより０．１ＭＰａ、１５０℃３０分間加熱加圧し、太陽電池モジュールを作製した。
【０２０５】
＜高温高湿試験＞
太陽電池モジュールを８５℃８５％ＲＨにて保管した。特性を測定する際は、８５℃８５％ＲＨから取り出したモジュールを２５℃６０％ＲＨにて６時間保管した後、すぐに（０時間）、さらに、８５℃８５％ＲＨにて１６０時間保管後、２８０時間保管後、３６０時間保管後及び４７０時間保管後に直列抵抗の測定を行った。直列抵抗の測定は、の高温高湿試験後の特性として電気抵抗を測定した。測定には、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製デジタルマルチメータＡＤ７４６１Ａを用いて、太陽電池モジュールのタブ線（Ａ）とタブ線（Ｂ）の間の直列抵抗を２端子法で測定した。その結果を表１に示した。
【０２０６】
比較例１
＜太陽電池モジュールの作製＞
太陽電池セル（株式会社アドバンテック製、単結晶Ｓｉ太陽電池セル）の裏面の２本のバスバーのそれぞれに細いタブ線をはんだごてを用いてはんだ接続し、２本の細いタブ線を１本の太いタブ線（Ａ）によりはんだごてを用いてはんだ接続した。太陽電池セルの表面（受光面）の２本のバスバーのそれぞれに細いタブ線をはんだごてを用いてはんだ接続し、２本の細いタブ線を１本の太いタブ線（Ｂ）によりはんだごてを用いてはんだ接続した。
厚み３ｍｍ、サイズ２００ｍｍ□の太陽電池用白板熱処理ガラスの上にガラスの同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、上記のタブ線が接続した太陽電池セルをセル表面がガラス側に向くように置いた。太陽電池セルの中心とガラスの中心は一致させて置き、太いタブ線（Ａ）と太いタブ線（Ｂ）をガラスより外側に出した。太陽電池セルの上にガラスと同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、その上にガラスと同じサイズのＰＥＴフィルム（１２５μｍ厚、Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）を置いた。これらを真空加圧ラミネータにより０．１ＭＰａ、１５０℃３０分間加熱加圧し、太陽電池モジュールを作製した。
＜高温高湿試験＞
実施例９と同様におこなった。その結果を表１に示した。
【０２０７】
実施例９及び比較例１の太陽電池用モジュールの高温高湿試験結果を表１に示す。
【０２０８】
【表１】
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各試験時間における比較例１での抵抗値に対する実施例９での抵抗の比（Ｒｔ）を求め、０ｈｒにおける比較例１での抵抗値に対する実施例９での抵抗の比（Ｒ０）からの変化率（抵抗率の変化率、Ｒｔ／Ｒ０）も示した。８５℃８５％ＲＨにて４７０ｈｒ保管しても、保管開始前の直列抵抗と比べて０．４％増加しただけであった。
実施例９において、８５℃８５％ＲＨにて４７０ｈｒ保管しても、保管開始直後（０時間）の直列抵抗と比べて０．４％増加しただけであった。
【実施例１０】
【０２０９】
＜めっき用導電基材の作製＞
まず、めっき用導電基材を作製した。
（パターン仕様１）
以下の仕様で、パターン形成用のネガフィルムを作製した。光透過部のライン幅が９μｍ、ラインピッチが２５０μｍ、バイアス角度が４５°（正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して４５度の角度になるように配されている）で、格子状にパターンを１２０ｍｍ角のサイズで形成した。
【０２１０】
（凸状パターンの形成）
レジストフィルム（フォテックＲＹ３３１５、日立化成工業株式会社製）を１５０ｍｍ角のステンレス板（ＳＵＳ３１６Ｌ、＃４００研磨仕上げ、厚さ５００μｍ、日新製鋼（株）製）の両面に貼り合わせた（図１１（ａ）に対応するが同一ではない）。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、パターン仕様１のネガフィルムを、ステンレス板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を２５０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅９〜１１μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５度の突起部レジスト膜（突起部；高さ１５μｍ）を得た。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている（図１１（ｂ）に対応するが同一ではない）。
【０２１１】
（絶縁層の形成）
ＰＢＩＩ／Ｄ装置（ＴｙｐｅＩＩＩ、株式会社栗田製作所製）によりＤＬＣ膜を形成する。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚０．１μｍとなるように中間層を成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が２〜３μｍとなるように、中間層の上にＤＬＣ層を形成した（図１１（ｃ）に対応するが同一ではない）
【０２１２】
（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液（１０％、５０℃）に浸漬し、時々揺動を加えながら８時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したＤＬＣ膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た（図１１（ｄ）に対応するが同一ではない）。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは２〜３μｍであった。また、凹部の底部での幅は、９〜１１μｍ、開口部での幅（最大幅）は１３〜１６μｍ、であった。凹部のラインピッチは２５０μｍであった。
【０２１３】
＜導体層のパターンの形成＞
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面（裏面）に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ６μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
【０２１４】
＜転写用基材の作製＞
（配合組成物１）
２−エチルヘキシルメタクリレート  ７０重量部
ブチルアクリレート      １５重量部
２−ヒドロキシエチルメタクリレート  １０重量部
アクリル酸    ５重量部
アゾビスイソブチロニトリル  ０．１重量部
トルエン  ６０重量部
酢酸エチル  ６０重量部
温度計、冷却管、窒素導入管を備えた５００ｃｍ３の三つ口フラスコに、上記した配合組成物１を投入し、穏やかに撹拌しながら、６０℃に加熱して重合を開始させ、窒素でバブリングさせながら、６０℃で８時間、還流中で攪拌を行い、側鎖にヒドロキシル基を有するアクリル樹脂を得た。その後、カレンズ  ＭＯＩ（２−イソシアナトエチルメタクリレート；昭和電工（株）製）５重量部を添加し、穏やかに撹拌しながら５０℃で反応させ、側鎖に光重合性官能基を有する反応性ポリマーの溶液１を得た。
得られた反応性ポリマー１は、側鎖にメタクリロイル基を有しており、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は８００，０００であった。反応性ポリマーの溶液１を１００重量部（固形分）に光重合開始剤として２−メチル−１［４−メチルチオ］フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（商品名イルガキュア９０７、チバガイギー（株））を１重量部、イソシアネート系架橋剤（商品名コロネートＬ−３８ＥＴ、日本ポリウレタン（株）製）を３重量部、トルエンを５０重量部添加し、樹脂組成物１とした。
得られた樹脂組成物１を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面に、１００℃乾燥後の膜厚が  ３μｍになるように塗布して、支持基材上に粘着剤層を形成して、転写用基材を作製した。乾燥条件は、１００℃１０分間であった。
【０２１５】
＜導体層のパターンの転写＞
次いで、上記転写用基材の粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた（図１４（ｇ）に対応）。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた転写用基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が転写用基材の粘着剤層に転写されていた（図１４（ｈ）に対応）。
【０２１６】
＜保持用基材の作製＞
感圧型の粘着剤層厚みが２５μｍである両面粘着フィルム（ヒタレックスＤＡ３０２５、日立化成工業株式会社製）の片面のセパレータフィルムを剥離し、粘着剤層がセパレータフィルム上に形成された保持用基材を得た。
【０２１７】
＜導体層パターン付き基材の作製＞
（保持用基材への転写）
保持用基材の粘着剤層と上記の導体層のパターンを有する転写用基材を粘着剤同士が接触するように貼り合わせの準備をした（図２９（ａ）に対応）。貼り合わせは、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎのラミネート条件でおこない、積層物を得た。次いで、この積層物に、紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ２照射し、転写用基材の粘着剤層の硬化をすすめ、その粘着剤層の粘着性を低下させた（図２９（ｂ）に対応）。
（支持基材の交換）
その後、上記積層物に組み込まれた保持用基材のセパレータフィルムを剥離し、露出した感圧型の粘着剤層が接触するようにガラス板に、ロール温度１００℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎのラミネート条件で貼り合せた（図３５に対応）。
（導体層が露出した導体層パターン付き基材の作製）
次いで、転写用基材（紫外線を照射して硬化させた粘着剤層と支持基材）を剥離したところ、導電性パターンはガラス上に形成された感圧型の粘着剤層に転写されており、導体層パターン付き基材（図３４に相当のもの）を得た。
【０２１８】
得られた導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状は、図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は２〜４μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みＴは４〜６μｍ、最大幅Ｌは１５〜１８μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は９〜１１μｍ、下底の幅Ｌ２は１３〜１６μｍ、上部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチ２５０μｍであった。このような導体層の格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は３〜５μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｄの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．５０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．１１〜０．２７であった。
【０２１９】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【０２２０】
（繰り返し使用）
上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして１００回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び転写性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、１００回使用後にめっき用導電性基材を切り取って絶縁層（ＤＬＣ層）の表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
【実施例１１】
【０２２１】
＜めっき用導電基材の作製＞まで実施例１０と同様に行った。
【０２２２】
＜導体層のパターンの形成＞
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面（裏面）に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、光沢剤（３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸塩）３ｍｌ／Ｌ、界面活性剤（ポリエチレングリコール類）１０ｍＬ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ６μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
【０２２３】
樹脂組成物の１００℃乾燥後の膜厚を１５μｍとしたこと以外は、実施例１と同様に＜転写用基材の作製＞を行った。
＜導体層のパターンの転写＞、＜保持用基材の作製＞及び＜導体層パターン付き基材の作製＞を実施例１と同様に行った。
【０２２４】
導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は２〜４μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みＴは４〜６μｍ、最大幅Ｌは１５〜１８μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は９〜１１μｍ、下底の幅Ｌ２は１３〜１６μｍ、上部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチ２５０μｍであった。このような導体層の格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は２〜４μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．３０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．１１〜０．２７であった。
【０２２５】
＜埋没処理＞
導体層パターン付きの導体層パターン上にセパレータフィルムをロール温度１００℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎのラミネート条件で貼り合せた。次いで、セパレータフィルムを剥離したところ、導体層パターンの上部層の平坦部は露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は３〜６μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．５０〜１．０であった。
【０２２６】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【実施例１２】
【０２２７】
＜めっき用導電基材の作製＞から＜導体層パターンの形成＞（銅めっき）まで、＜転写用基材の作製＞及び＜導体層のパターンの転写＞を実施例１０と同様に行った。
【０２２８】
＜導体層パターン付き基材の作製＞
（保持用基材の作製と保持用基材への転写）
上記で得られた上記の導体層のパターンを有する転写用基材の導体層のパターンが存在する面の上に、液状の無溶剤型ＵＶ硬化型樹脂（商品名：アデカオプトマーＫＲＸ−４００、旭電化（株）製）を、１００ｍｍの幅で１０ｍｌ滴下した。次いで、厚さ１００μｍの支持基材であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）を樹脂上に接触させ、ロールラミネートした。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード２．０ｍ／ｍｉｎとした。これにより、樹脂が一様に広がり、上記の導体層のパターンを有する転写用基材とＰＥＴフィルムの間に、２５μｍの液状の紫外線硬化型樹脂層を形成した。その後、ＰＥＴフィルム側から、照射量１０００ｍＪ／ｃｍ２となるように、紫外線を照射して粘着剤層を硬化した後、転写用基材を剥離したところ、導体層のパターンはＰＥＴフフィルム上に形成された四が視線硬化型樹脂層に転写されており、導体層パターン付き基材を得た。
【０２２９】
導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は２〜４μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みＴは４〜６μｍ、最大幅Ｌは１５〜１８μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は９〜１１μｍ、下底の幅Ｌ２は１３〜１６μｍ、上部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲部の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチ２５０μｍであった。このような格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は３〜５μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．５０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．１１〜０．２７であった。
【０２３０】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【実施例１３】
【０２３１】
実施例１のめっき用導電性基材に、めっき厚がほぼ１４μｍになるまでめっきしたこと以外は実施例１０と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施し、＜めっき用導電基材の作製＞を行った。この後、＜転写用基材の作製＞及び＜導体層のパターンの転写＞を実施例１０と同様に行った。
【０２３２】
＜保持用基材の作製＞
感圧型の粘着層厚みが２５μｍである両面粘着フィルム（ヒタレックスＤＡ３０２５、日立化成工業株式会社製）の片面のセパレータフィルムを剥離し、ＰＥＴフィルム（１２５μｍ厚、Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）に貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１００℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。その後、ＰＥＴフィルム上に形成された粘着層のもう一方の面からセパレータフィルムを剥離し、ＰＥＴフィルム上に露出した粘着剤層を有する保持用基材を得た。
【０２３３】
＜導体層パターン付き基材の作製＞
（保持用基材への転写）
保持用基材の粘着剤層と上記で得られた導体層のパターンを有する転写用基材を粘着剤同士が接触するように貼り合わせの準備をした（図３１（ａ）に対応）。貼り合せは、はロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎラミネート条件で行い、積層物を得た。ついで、この積層物に、紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ２照射し、転写用基材の粘着剤層の硬化をすすめ、その粘着剤の粘着性を低下させた（図２９（ｂ）に対応）。
（導体層が露出した導体層パターン付き基材の作製）
次いで、転写用基材（紫外線を照射して硬化させた粘着剤層と支持基材）を剥離したところ、導体層のパターンはＰＥＴ上に形成された感圧型の粘着剤層に転写されており、導体層パターン付き基材を得た。
【０２３４】
得られた導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は９〜１２μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みは１２〜１４μｍ、最大幅Ｌは２６〜３０μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は９〜１１μｍ、下底の幅Ｌ２は１３〜１６μｍ、上部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲部の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチは、２５０μｍであった。このような導体層の格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は１０〜１３μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．７０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．３０〜０．４６であった。
【０２３５】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０２Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【実施例１４】
【０２３６】
実施例１３と同様に＜めっき用導電基材の作製＞を行った。その後、＜転写用基材の作製＞、＜導体層のパターンの転写＞、＜保持用基材の作製＞、＜導体層パターン付き基材の作製＞を実施例１０と同様に行った。
＜導体層パターン付き基材の作製＞
まず、（保持用基材への転写）を実施例１と同様に行った。
（支持基材の交換）
その後、上記積層物に組み込まれた保持用基材のセパレータフィルムを剥離し、露出した感圧型の粘着剤層をエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）に接触させた。これらを２枚の離型ＰＥＴ（Ｅ−７００２（東洋紡（株）製）で挟み、真空加圧ラミネータにより０．１ＭＰａ、１２０℃４分間加熱加圧した（図３５に対応）。
（導体層が露出した導体層パターン付き基材の作製）
次いで、転写用基材（ＵＶ硬化させた粘着剤層と支持基材）を剥離したところ、導電性パターンはエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート上に形成された感圧型の粘着剤層に転写されており、導体層パターン付き基材（図３４に相当のもの）を得た。
【０２３７】
得られた導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は９〜１２μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みは１２〜１４μｍ、最大幅Ｌは２６〜３０μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は９〜１１μｍ、下底の幅Ｌ２は１３〜１６μｍ、上部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲部の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチは、２５０μｍであった。このような導体層の格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は１０〜１３μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．７０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．３０〜０．４６であった。
【０２３８】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０２Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【実施例１５】
【０２３９】
＜太陽電池の作製＞
図４６に示す太陽電池を作製した。
太陽電池セル（株式会社ショット製、単結晶Ｓｉ太陽電池セル：図４６において、単結晶ｐ型シリコン８０の一方の側にｐ型シリコン８１及びｎ型シリコン８２が積層されており、ｐ型シリコン８１にはアルミニウム電極８３及びｎ型シリコン８２には銀電極８４がそれぞれ積層され、単結晶ｐ型シリコン８０の他方の側には、全面に高濃度不純物含有ｎ型シリコン８７が積層されており、ｎ型シリコン８７の上には、窒化珪素パッシベーション膜８８と銀フィンガー電極８９が積層されているもの）を用いた。裏面の銀電極８４に２本の細いタブ線８５をはんだごてを用いてはんだ接続し、２本の細いタブ線８５に１本の太いタブ線８６をはんだ接続した。太陽電池セルの表面（受光面）に、上記実施例４で得られた導体層パターン付き基材を導体層（銅配線）９０と太陽電池要素の電気取出表面の銀フィンガー電極８９を接触させるように貼り合せた。貼り合わせは、真空加圧ラミネータを用いて、ラミネート温度１５０℃、圧力０．１ＭＰａ、真空引き時間２分、加圧保持時間５分とした。この貼り合わせの際に、導体層パターン付き基材の導体層９０が形成された面に１本の太いタブ線９３を同時に貼り合わせた。太陽電池セルの端部（単結晶ｐ型シリコン８０の端部）と太いタブ線９３とは５ｍｍ離して配置した。導体層パターン付き基材の導体層９０は太いタブ線９３と接続してあるが、太いタブ線８６とは接続されていない。
厚み３ｍｍ、サイズ２００ｍｍ□の太陽電池用白板熱処理ガラスの上にガラスの同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、上記のタブ線が接続した太陽電池セルをセル表面がガラス側に向くように置いた。太陽電池セルの中心とガラスの中心は一致させて置き、太いタブ線８６と太いタブ線９３をガラスより外側に出した。太陽電池セルの上にガラスと同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、その上にガラスと同じサイズのＰＥＴフィルム（１２５μｍ厚、Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）を置いた。これらを真空加圧ラミネータにより０．１ＭＰａ、１５０℃３０分間加熱加圧し、図４６に示す太陽電池を作製した。
【０２４０】
＜高温高湿試験＞
まず、上記で得た太陽電池のタブ線８６とタブ線９３の間のＩ−Ｖ特性をソーラーシミュレータを用いて測定した。フィルファクター（ＦＦ）を導体層パターンの表面電極としての性能の一つとして、太陽電池を８５℃８５％ＲＨにて１０００時間、保管する前と後で測定した。
【０２４１】
太陽電池を８５℃８５％ＲＨにて保管する前に測定したＦＦ（「初期値のＦＦ」という）は、０．６９３であった。太陽電池を８５℃８５％ＲＨにて１０００ｈｒ保管後に太陽電池を取り出し、さらに、２５℃６０％ＲＨにて１２時間保管した後、太陽電池のＩ−Ｖ特性をソーラーシミュレータを用いて測定した。このときのＦＦ（以下、「１０００ｈｒのＦＦ」という）は０．６８４であり、初期値のＦＦに対して９８．７％であった。
【０２４２】
＜温度サイクル試験＞
次に、上記と同様にして得た太陽電池のタブ線８６とタブ線９３の間のＩ−Ｖ特性をソーラーシミュレータを用いて測定した。この太陽電池は、−４０℃で３０分経過後、−４０℃から１００℃まで１０分で昇温させ、１００℃で３０分間経過後、１００℃から−４０℃まで１０分で降温させる工程を１サイクルとする温度サイクル試験（温度サイクル試験機を用いる）に供された。温度サイクル試験後に太陽電池のＩ−Ｖ特性を測定し、保管前と比較した。
【０２４３】
上記の太陽電池の初期値のＦＦは０．６９６であった。この太陽電池を上記の温度サイクル試験機に保管し、１００サイクル後に取り出して、さらに２５℃６０％ＲＨにて１２時間保管した後、Ｉ−Ｖ特性を測定した。このときのＦＦ（以下、「１００サイクルのＦＦ」という）は０．６９３であり、初期値のＦＦの９９．５％であった。さらにもう１００サイクルだけ温度サイクル試験機に保管して同様の測定を行った。このときのＦＦ（以下、「２００サイクルのＦＦ」という）は０．６８２であり、初期値のＦＦの９８．０％であった。
【０２４４】
ＦＦは太陽電池内部の直列抵抗や並列抵抗に強く影響を受ける特性であり、例えば導体層パターンとフィンガー電極との接続抵抗がすれば、直列抵抗が増加するためにＦＦは低下する。そのため、本発明の導体層パターンは太陽電池表面の導体層と良好な接続を維持することがわかった。
【０２４５】
比較例２
＜太陽電池の作製＞
図４７に示す太陽電池を作製した。
太陽電池セル（株式会社ショット製、単結晶Ｓｉ太陽電池セル：実施例１５と同じもの）を用いた。裏面の銀電極８２に２本の細いタブ線８３をはんだごてを用いてはんだ接続し、２本の細いタブ線８３に１本の太いタブ線８４（Ａ）をはんだ接続した。太陽電池セルの表面（受光面）に２本の細いタブ線８３をはんだごてを用いてはんだ接続し、２本の細いタブ線に１本の太いタブ線８４（Ｂ）をはんだごてを用いてはんだ接続した。
厚み３ｍｍ、サイズ２００ｍｍ□の太陽電池用白板熱処理ガラスの上にガラスの同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、上記のタブ線が接続した太陽電池セルをセル表面がガラス側に向くように置いた。太陽電池セルの中心とガラスの中心は一致させて置き、太いタブ線（Ａ）と太いタブ線（Ｂ）をガラスより外側に出した。太陽電池セルの上にガラスと同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、その上にガラスと同じサイズのＰＥＴフィルム（１２５μｍ厚、Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）を置いた。これらを真空加圧ラミネータにより０．１ＭＰａ、１５０℃３０分間加熱加圧し、図４７に示す太陽電池が得られた。
＜高温高湿試験＞
実施例１５と同様におこなった。初期値のＦＦは０．７２５であった。１０００ｈｒのＦＦは０．７１７であり、初期値のＦＦに対して９８．９％であった。
【実施例１６】
【０２４６】
＜めっき用導電基材の作製＞
まず、めっき用導電基材を作製した。
（パターン仕様２）
以下の仕様で、パターン形成用のネガフィルムを作製した。光透過部のライン幅が４００μｍ、ラインピッチが２００μｍで、フィンガー電極パターンと概略Ｔ字形状のインターコネクタ部からなるパターンを２００ｍｍ角のサイズで形成した。
次いで、実施例１０と同様に、（凸状パターンの形成）、（絶縁層の形成）、（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）を行った。
【０２４７】
上記めっき用導電性基材に、めっき厚が２０μｍになるまでめっきしたこと以外は実施例１０と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施し、＜導体層のパターンの形成＞を行った。この後、樹脂組成物の１００℃乾燥後の膜厚が１０μｍになるように塗布したこと以外は実施例１０と同様に＜転写用基材の作製＞を行った。さらに、＜導体層のパターンの転写＞を実施例１０と同様に行った。
【０２４８】
＜導体層パターン付き基材の作製＞
（保持用基材の作製と転写）
無溶剤型の紫外線硬化型樹脂（アデカオプトマーＫＲＸ−４００、株式会社ＡＤＥＫＡ製）を上記電極基材の導電層パターン面側に塗布した後、厚さ５０μｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム（Ｑ−５１、帝人デュポンフィルム（株）製）を紫外線硬化型樹脂面にラミネート（ロール温度３０℃）した。その直後、転写用基材側から照射量１Ｊ／ｃｍ２となるように、紫外線を照射した。
（導体層が露出した導体層パターン付き基材の作製）
次いで、転写用基材を剥離したところ、導電性パターンはＰＥＮフィルム上に形成されたＵＶ硬化型の樹脂層に転写されており、導体層パターン付き基材（図３４に相当のもの）を得た。この導体層パターン付き基材は、太陽電池用電極基板として使用できる。
【０２４９】
導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ａ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は１６〜２１μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みは１８〜２３μｍ、最大幅Ｌは４０３〜４１０μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は３８３〜３８８μｍ、下底の幅Ｌ２は３８７〜３９２μｍ、上部層の断面中央部の彎曲部の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチは１９５〜２００μｍのフィンガー電極パターン及び概略Ｔ字形状のインターコネクタ部からなる電極基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は１６〜２２μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．７０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．０４〜０．０５であった。
【０２５０】
（半導体基材との接続）
裏面に正電極及び負電極が櫛型形状に形成された半導体基板を、電極部分と電極基材（導体層パターン付き基材）の導体層パターン部分が一致するように電極基材と位置あわせた。真空加圧ラミネータを用いて、ラミネート温度１５０℃、圧力０．１ＭＰａ、真空引き時間２分、加圧保持時間５分にて、半導体基板裏面の電極と電極基材の導体層パターンを接触させるように貼り合わせた。電極基材側から接続部を観察した結果、気泡等の巻き込みはほとんどなく、導体層パターン付き電極基材が半導体基材と良好に密着することがわかった。
【０２５１】
（繰り返し使用）
上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして１００回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び転写性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、１００回使用後にめっき用導電性基材を切り取って絶縁層（ＤＬＣ層）の表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
【０２５２】
また、前記で得られた電極基材（導体層パターン付き基材）の導体層の面上に、厚みが２０μｍ、幅が４００μｍとなるように、市販の銀ペーストをスクリーン印刷で形成した。上記の半導体基板を、その電極部分と銀ペースト印刷部分が一致するように電極基材と位置あわせた。正電極及び負電極を部分圧着した後、１６０℃２時間加熱し、銀ペーストを硬化させた。電極基材側から接続部を観察した結果、気泡等の巻き込みはほとんどなく、このようにしても導体層パターン付き電極基材が半導体基材と良好に密着させることができた。
【実施例１７】
【０２５３】
実施例１６と同様に、＜めっき用導電基材の作製＞、＜導体層のパターンの形成＞、＜転写用基材の作製＞、＜導体層のパターンの転写＞を実施例１０と同様に行った。
＜導体層パターン付き基材の作製＞
まず、（保持用基材への転写）を実施例１０と同様に行った。
（支持基材の交換）
その後、上記積層物に組み込まれた保持用基材のセパレータフィルムを剥離し、露出した感圧型の粘着剤層をエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）に接触させた。これらを２枚の離型ＰＥＴ（Ｅ−７００２（東洋紡（株）製）で挟み、真空加圧ラミネータにより０．１ＭＰａ、１２０℃４分間加熱加圧した（図３５に対応）。
（導体層が露出した導体層パターン付き基材の作製）
次いで、転写用基材（ＵＶ硬化させた粘着剤層と支持基材）を剥離したところ、導電性パターンはエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート上に形成された感圧型の粘着剤層に転写されており、導体層パターン付き基材（図３４に相当のもの）を得た。
【０２５４】
導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図８（ｂ）のような形状であり、上部層の厚みＴ２は１６〜２１μｍ、下部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みは１８〜２３μｍ、最大幅Ｌは４０３〜４１０μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は３８３〜３８８μｍ、下底の幅Ｌ２は３８７〜３９２μｍ、上部層の断面中央部の彎曲部の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチは、１９５〜２００μｍであった。このような導体層のフィンガー電極パターン及び概略Ｔ字形状のインターコネクタ部からなる電極基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は１６〜２２μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．７０〜１．０であった。また、上部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．０４〜０．０５であった。
【０２５５】
（半導体基材との接続）
裏面に正電極及び負電極が櫛型形状に形成された半導体基板を、電極部分と電極基材の導体層パターン部分が一致するように電極基材と位置あわせた。電極基材のエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート側にＰＥＮフィルムを配置した。真空加圧ラミネータを用いて、ラミネート温度１５０℃、圧力０．１ＭＰａ、真空引き時間４分、加圧保持時間３０分にて、半導体基板裏面の電極と電極基材の導体層パターンを接触させるように貼り合わせた。電極基材側から接続部を観察した結果、気泡等の巻き込みはほとんどなく、導体層パターン付き電極基材が半導体基材と良好に密着することがわかった。
【０２５６】
また、前記で得られた電極基材（導体層パターン付き基材）の導体層の面上に、厚みが２０μｍ、幅が４００μｍとなるように、市販の銀ペーストをスクリーン印刷で形成した。上記の半導体基板を、その電極部分と銀ペースト印刷部分が一致するように電極基材と位置あわせた。正電極及び負電極を部分圧着した後、１６０℃２時間加熱し、銀ペースト及びエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シートを硬化させた。電極基材側から接続部を観察した結果、気泡等の巻き込みはほとんどなく、このようにしても導体層パターン付き電極基材が半導体基材と良好に密着させることができた。
【符号の説明】
【０２５７】
１：導体層パターン付基材
２：支持基材
３：樹脂層
４：基材
５：導体層
６：上部
７：下部
８：肩部
１１：めっき用導電性基材
１２：導電性基材
１３：絶縁層
１４：凹部
１５：感光性レジスト層（感光性樹脂層）
１６：突起部
１７：ＤＬＣ膜
１８：中間層
１９：導体層
２０：転写用基材
２１：支持基材
２２：樹脂層（粘着剤層）
２３：導体層パターン付き基材
２４：保護層（保護基材）
２５：表面保護された導体層パターン付き基材
２６：導体層パターン付き基材（少なくとも最大幅部分埋設）
２７：導体層パターン付き樹脂層
３０：支持基材２１が剥離された表面保護された導体層パターン付き基材
３１：新しい支持基材
３２：保護基材を有する新しい導体層パターン付き基材
３３：上面は樹脂層から露出している導体層が積層された導体層パターン付き基材
３４：粘着剤層
３５：上面は樹脂層２２から露出している導体層が積層された導体層パターン付き基材
３６：支持基材
３７：樹脂層
３８：保持用基材
３９：積層物
４０：導体層パターン付き保持用基材
４１：保護基材
４２：表面保護された導体層パターン付き基材
４３：露出した導体層パターン付き基材
４４：露出した導体層パターン付き基材（支持基材を含まない）導体層パターン付き樹脂層
４５：積層物
４６：別の支持基材
４７：表面保護された導体層パターン付き基材
４８：新しい導体層パターン付き基材
４９：積層物（導体層パターン付き基材）
５０：太陽電池要素
５１：単結晶ｎ型シリコン
５２：ｉ型アモルファスシリコン
５３：ｐ型アモルファスシリコン
５４：ｎ型アモルファスシリコン
５５：透明導電膜
５７：金属膜
６２：透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体
６３：バックシート
６５：取出電極
６６：ｐ型アモルファスシリコンゲルマニウム
６７：ｉ型アモルファスシリコンゲルマニウム
６８：ｎ型アモルファスシリコンゲルマニウム
６９：ポリイミドフィルム
７０：背面電極
７１、７２：スルホール
７４：バッファ
７５：半導体のＣＩＧＳ光吸収層
７６：パターン化されたモリブデン裏面電極
７７：取出電極
７８：ガラス板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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