(57)【要約】【課題】少ない測定回数により、輝度ムラの特徴が抽出され補正時間が短縮化された表示装置、その製造方法及び補正方法、ならびに表示評価装置を提供する。【解決手段】発光素子と駆動素子とを含む複数の画素が二次元状に配置された表示部１０５と、表示部１０５の輝度ムラ傾向を検出するムラ傾向検出部３０１と、輝度ムラ傾向を補正する補正パラメータを算出する補正パラメータ算出部３０２とを備え、ムラ傾向検出部３０１は、複数の表示パターンのそれぞれが表示部１０５に表示されたときの総電流から、複数の表示パターンにおける点灯領域ごとの平均画素電流値を算出することにより、最大の平均画素電流値を有する第１の表示パターンと、最小の平均画素電流値を有する第２の表示パターンと特定する。【選択図】図１
2011053634.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と前記発光素子への電流の供給を制御する駆動素子とを含む複数の画素が二次元状に配置された表示部と、
前記発光素子の発光を決定する映像信号データを、データ線を介して前記駆動素子に供給するデータ線の駆動回路と、
前記表示部の輝度ムラ傾向を検出するムラ傾向検出部と、
前記ムラ傾向検出部で検出された前記表示部の輝度ムラ傾向を補正するための補正パラメータを算出する補正パラメータ算出部と、
前記補正パラメータ算出部で算出された補正パラメータをもとに映像信号データを補正し、当該補正された映像信号データを前記データ線の駆動回路に出力する補正部とを備え、
前記ムラ傾向検出部は、
所定の範囲を占める点灯領域を有する複数の表示パターンのそれぞれが前記表示部に表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流から、前記複数の表示パターンにおける前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出し、
前記平均画素電流値のうち、最大の平均画素電流値を有する第１の表示パターンの点灯領域を、最大画素電流領域と特定し、
前記第１の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第２の表示パターンの点灯領域を、最小画素電流領域と特定し、
前記最大画素電流領域、及び前記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ最大の平均画素電流値、及び最小の平均画素電流値に設定して、前記表示部の輝度ムラ傾向を検出する
表示装置。
【請求項２】
さらに、
前記複数の表示パターンを発生する表示パターン発生部と、
前記複数の表示パターンのそれぞれが前記表示部に表示されたときの前記総電流を検出する電流検出部とを備え、
前記ムラ傾向検出部は、前記電流検出部で検出された前記総電流を取得し、当該総電流から空間周波数が同じで位相が異なる複数の表示パターンの前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出することにより、前記最大画素電流領域及び前記最小画素電流領域を特定する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記表示パターン発生部は、前記最大画素電流領域である第１領域において空間周波数が同じで位相が異なる１以上の第１領域表示パターンを表示し、
前記電流検出部は、前記１以上の第１領域表示パターンのそれぞれが表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流を検出し、
前記ムラ傾向検出部は、前記電流検出部で検出された前記総電流を取得し、当該総電流から前記１以上の第１領域表示パターンにおける点灯領域ごとの平均画素電流値を算出することにより、前記第１領域における最大の平均画素電流値を有する第３の表示パターンの点灯領域を第１領域の最大画素電流領域として特定し、
前記第３の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第４の表示パターンの点灯領域を第１領域の最小画素電流領域として特定し、
前記第１領域の最大画素電流領域、及び前記第１領域の最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ第１領域の最大の平均画素電流値、及び第１領域の最小の平均画素電流値に設定して、前記第１領域における輝度ムラ傾向を検出し、
前記表示パターン発生部は、前記最小画素電流領域である第２領域において空間周波数が同じで位相が異なる１以上の第２領域表示パターンを表示し、
前記電流検出部は、前記１以上の第２領域表示パターンのそれぞれが表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流を検出し、
前記ムラ傾向検出部は、前記電流検出部で検出された前記総電流を取得し、当該総電流から前記１以上の第２領域表示パターンにおける各点灯領域の平均画素電流値を算出することにより、前記第２領域における最大の平均画素電流値を有する第５の表示パターンの点灯領域を第２領域の最大画素電流領域として特定し、
前記第５の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第６の表示パターンの点灯領域を前記第２領域の最小画素電流領域として特定し、
前記第２領域の最大画素電流領域、及び前記第２領域の最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ第２領域の最大の平均画素電流値、及び第２領域の最小の平均画素電流値に設定して、前記第２領域における輝度ムラ傾向を検出し、
前記ムラ傾向検出部は、前記第１領域における輝度ムラ傾向及び前記第２領域における輝度ムラ傾向より、前記表示部の輝度ムラ傾向を検出する
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
さらに、前記表示部の輝度ムラを検出するための複数の表示パターンを記憶する記憶手段を備え、
前記ムラ傾向検出部は、前記記憶手段に予め格納された複数の表示パターンのそれぞれを前記表示パターン発生部に読み出して前記表示部に表示させる
請求項２または３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記駆動素子のソース及びドレインの一方と前記発光素子のアノード及びカソードの一方が接続されており、
前記表示部の有する全ての前記駆動素子のソース及びドレインの他方は、共通の第１電極を介して第１電源に接続されており、
前記表示部の有する全ての前記発光素子のアノード及びカソードの他方は、共通の第２電極を介して第２電源に接続されており、
前記電流検出部は、前記第１電極と前記第１電源との間、または、前記第２電極と前記第２電源との間に接続されている
請求項２〜４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記駆動素子は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である
請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記発光素子は、有機ＥＬ素子である
請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
発光素子と前記発光素子への電流の供給を制御する駆動素子とを含む複数の画素が二次元状に配置された表示部と、前記発光素子の発光を決定する映像信号データを、データ線を介して前記駆動素子に供給するデータ線の駆動回路とを備える表示装置の製造方法であって、
所定の範囲を占める点灯領域を有する複数の表示パターンのそれぞれが前記表示部に表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流から、前記複数の表示パターンにおける前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出し、前記平均画素電流値のうち、最大の平均画素電流値を有する第１の表示パターンの点灯領域を最大画素電流領域として特定し、前記第１の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第２の表示パターンの点灯領域を、最小画素電流領域として特定し、前記最大画素電流領域、及び前記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ最大の平均画素電流値、及び最小の平均画素電流値に設定して前記表示部の輝度ムラ傾向を検出する第１ステップと、
前記第１ステップで検出された前記表示部の輝度ムラ傾向を補正するための補正パラメータを算出する第２ステップと、
前記補正パラメータを、前記表示装置内の記憶手段に格納する第３ステップとを含む
表示装置の製造方法。
【請求項９】
さらに、
前記表示部に前記複数の表示パターンを表示させ、当該表示により前記複数の画素に流れる総電流を検出する電流検出ステップを含み、
前記第１ステップは、前記総電流から、空間周波数が同じで位相が異なる前記複数の表示パターンにおける前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出することにより、前記最大画素電流領域及び前記最小画素電流領域を特定する
請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２ステップの前に、前記画素電流値の等しい領域について、さらに、前記第１ステップを実行する
請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
発光素子と前記発光素子への電流の供給を制御する駆動素子とを含む複数の画素が二次元状に配置された表示部と、前記発光素子の発光を決定する映像信号データを、データ線を介して前記駆動素子に供給するデータ線の駆動回路とを備える表示装置の補正方法であって、
所定の範囲を占める点灯領域を有する複数の表示パターンのそれぞれが前記表示部に表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流から、前記複数の表示パターンにおける前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出し、前記平均画素電流値のうち、最大の平均画素電流値を有する第１の表示パターンの点灯領域を最大画素電流領域として特定し、前記第１の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第２の表示パターンの点灯領域を、最小画素電流領域として特定し、前記最大画素電流領域、及び前記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ最大の平均画素電流値、及び最小の平均画素電流値に設定して、前記表示部の輝度ムラ傾向を検出する第１ステップと、
前記第１ステップで検出された前記表示部の輝度ムラ傾向を補正するための補正パラメータを算出する第２ステップと、
前記補正パラメータを、前記表示装置内の記憶手段に格納する第３ステップと、
外部から入力された映像信号に対し、前記記憶手段から前記補正パラメータを読み出して演算することにより前記映像信号を補正された映像信号データに変換して前記データ線の駆動回路に出力する第４ステップとを含む
表示装置の補正方法。
【請求項１２】
さらに、
前記表示部に前記複数の表示パターンを表示させ、当該表示により前記複数の画素に流れる総電流を検出する電流検出ステップを含み、
前記第１ステップは、前記総電流から、空間周波数が同じで位相が異なる前記複数の表示パターンにおける前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出することにより、前記最大画素電流領域及び前記最小画素電流領域を特定する
請求項１１に記載の表示装置の補正方法。
【請求項１３】
前記第２ステップの前に、前記画素電流値の等しい領域について、さらに、前記第１ステップを実行する
請求項１２に記載の表示装置の補正方法。
【請求項１４】
二次元状に配置された複数の画素を有する表示部を備える表示装置を評価する表示評価装置であって、
前記表示部の輝度ムラ傾向を検出するムラ傾向検出部と、
前記ムラ傾向検出部で検出された前記表示部の輝度ムラ傾向を補正するための補正パラメータを算出する補正パラメータ算出部とを備え、
前記ムラ傾向検出部は、
所定の範囲を占める点灯領域を有する複数の表示パターンのそれぞれが前記表示部に表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流から、前記複数の表示パターンにおける前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出し、前記平均画素電流値のうち、最大の平均画素電流値を有する第１の表示パターンの点灯領域を最大画素電流領域として特定し、
前記第１の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第２の表示パターンの点灯領域を、最小画素電流領域として特定し、
前記最大画素電流領域、及び前記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ最大の平均画素電流値、及び最小の平均画素電流値に設定して、前記表示部の輝度ムラ傾向を検出する
表示評価装置。
【請求項１５】
さらに、
前記複数の表示パターンを発生する表示パターン発生部と、
前記複数の表示パターンのそれぞれが前記表示部に表示されたときの前記総電流を検出する電流検出部とを備え、
前記ムラ傾向検出部は、前記電流検出部で検出された前記総電流を取得し、当該総電流から空間周波数が同じで位相が異なる複数の表示パターンの前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出することにより、前記最大画素電流領域及び前記最小画素電流領域を特定する
請求項１４に記載の表示評価装置。
【請求項１６】
前記表示パターン発生部は、前記最大画素電流領域である第１領域において空間周波数が同じで位相が異なる１以上の第１領域表示パターンを表示し、
前記電流検出部は、前記１以上の第１領域表示パターンのそれぞれが表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流を検出し、
前記ムラ傾向検出部は、前記電流検出部で検出された前記総電流を取得し、当該総電流から前記１以上の第１領域表示パターンにおける点灯領域ごとの平均画素電流値を算出することにより、前記第１領域における最大の平均画素電流値を有する第３の表示パターンの点灯領域を第１領域の最大画素電流領域として特定し、
前記第３の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第４の表示パターンの点灯領域を第１領域の最小画素電流領域として特定し、
前記第１領域の最大画素電流領域、及び前記第１領域の前記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ第１領域の最大の平均画素電流値、及び第１領域の最小の平均画素電流値に設定して、前記第１領域における輝度ムラ傾向を検出し、
前記表示パターン発生部は、前記最小画素電流領域である第２領域において空間周波数が同じで位相が異なる１以上の第２領域表示パターンを表示し、
前記電流検出部は、前記１以上の第２領域表示パターンのそれぞれが表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流を検出し、
前記ムラ傾向検出部は、前記電流検出部で検出された前記総電流を取得し、当該総電流から前記１以上の第２領域表示パターンにおける各点灯領域の平均画素電流値を算出することにより、前記第２領域における最大の平均画素電流値を有する第５の表示パターンの点灯領域を第２領域の最大画素電流領域として特定し、
前記第５の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第６の表示パターンの点灯領域を前記第２領域の最小画素電流領域として特定し、
前記第２領域の最大画素電流領域、及び前記第２領域の前記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ第２領域の最大の平均画素電流値、及び第２領域の最小の平均画素電流値に設定して、前記第２領域における輝度ムラ傾向を検出し、
前記ムラ傾向検出部は、前記第１領域における輝度ムラ傾向及び前記第２領域における輝度ムラ傾向より、前記表示部の輝度ムラ傾向を検出する
請求項１５に記載の表示評価装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置、その製造方法及び補正方法、ならびに表示評価装置に関し、特に電流駆動型の発光素子を用いた表示装置、その製造方法及び補正方法、ならびに表示評価装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電流駆動型の発光素子を用いた画像表示装置として、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を用いた画像表示装置（有機ＥＬディスプレイ）が知られている。この有機ＥＬディスプレイは、視野角特性が良好で、消費電力が少ないという利点を有するため、次世代のＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）候補として注目されている。
【０００３】
有機ＥＬディスプレイでは、通常、画素を構成する有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置される。複数の行電極（走査線）と複数の列電極（データ線）との交点に有機ＥＬ素子を設け、選択した行電極と複数の列電極との間にデータ信号に相当する電圧を印加するようにして有機ＥＬ素子を駆動するものをパッシブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイと呼ぶ。
【０００４】
一方、複数の走査線と複数のデータ線との交点に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を設け、このＴＦＴにドライビングトランジスタのゲートを接続し、選択した走査線を通じてこのＴＦＴをオンさせてデータ線からデータ信号をドライビングトランジスタに入力し、そのドライビングトランジスタによって有機ＥＬ素子を駆動するものをアクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイと呼ぶ。
【０００５】
各行電極（走査線）を選択している期間のみ、それに接続された有機ＥＬ素子が発光するパッシブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイとは異なり、アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイでは、次の走査（選択）まで有機ＥＬ素子を発光させることが可能である。このため、走査線数が増加してもディスプレイの輝度減少を招くようなことはない。従って、低電圧で駆動できるので、低消費電力化が可能となる。しかしながら、アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイでは、ドライビングトランジスタや有機ＥＬ素子の特性のばらつきに起因し、またディスプレイ上の温度分布により、同じデータ信号を与えても、各画素において有機ＥＬ素子の輝度が異なり、輝度ムラが発生するという欠点がある。
【０００６】
従来の有機ＥＬディスプレイにおける、製造工程で生じるドライビングトランジスタや有機ＥＬ素子の特性のばらつき（以下、特性の不均一と総称する）による輝度ムラの補償方法としては、複雑な画素回路による補償、外部メモリでの補償などが代表的である。
【０００７】
しかし、複雑な画素回路は歩留まりを下げてしまう。
【０００８】
上記理由により、外部メモリを用いて画素ごとに特性の不均一を補償する方法が提案されている。
【０００９】
例えば、特許文献１に開示された電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器では、電流プログラム画素回路において、最低１種類の入力電流で各画素の輝度が測定される。そして、測定された各画素の輝度比が記憶容量に記憶され、その輝度比に基づいて画像データが補正され、その補正後の画像データにより、電流プログラム画素回路の駆動がなされている。これにより、輝度ムラが抑制され、均一な表示を可能にすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−２８３８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、かかる解決手段では、外部メモリを用いた輝度ムラの補償において、各画素の輝度もしくは電流の初期測定が必要となる。特に電流の初期測定の場合、回路全体の寄生容量や配線抵抗を考慮して精度よく所望の電流を測定するには、初期測定の時間を長くとらなければならない。よって、補正精度を保ちながら輝度ムラの補償を実行すると、製造コストの増加につながるという問題がある。さらに、パネルが大画面になるほど、また、入力階調が増えるほど、パネル全面を測定する時間がかかり、製造コストに大きな負担がかかる。
【００１２】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、少ない測定回数により、輝度ムラの特徴が抽出され補正時間が短縮化された表示装置、その製造方法及び補正方法、ならびに表示評価装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示装置は、発光素子と前記発光素子への電流の供給を制御する駆動素子とを含む複数の画素が二次元状に配置された表示部と、前記発光素子の発光を決定する映像信号データを、データ線を介して前記駆動素子に供給するデータ線の駆動回路と、前記表示部の輝度ムラ傾向を検出するムラ傾向検出部と、前記ムラ傾向検出部で検出された前記表示部の輝度ムラ傾向を補正するための補正パラメータを算出する補正パラメータ算出部と、前記補正パラメータ算出部で算出された補正パラメータをもとに映像信号データを補正し、当該補正された映像信号データを前記データ線の駆動回路に出力する補正部とを備え、前記ムラ傾向検出部は、所定の範囲を占める点灯領域を有する複数の表示パターンのそれぞれが前記表示部に表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流から、前記複数の表示パターンにおける前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出し、前記平均画素電流値のうち、最大の平均画素電流値を有する第１の表示パターンの点灯領域を、最大画素電流領域と特定し、前記第１の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第２の表示パターンの点灯領域を、最小画素電流領域と特定し、前記最大画素電流領域、及び前記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ最大の平均画素電流値、及び最小の平均画素電流値に設定して、前記表示部の輝度ムラ傾向を検出することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の表示装置、その製造方法および補正方法、ならびに表示評価装置によれば、予め輝度ムラの発生要因等から導出した複数の表示パターンを評価することにより輝度ムラのパターンを決定し、補正パラメータを作成するので、電流測定回数を劇的に減らすことが可能となる。また、画素ごとの電流ではなく、各表示パターンで流れる全画素の総電流を測定するので、補正精度を確保しながら測定時間の短縮化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態１に係る表示装置の機能ブロック図である。
【図２】（ａ）は、表示部１０５の有する画素の回路構成図である。（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る表示装置の有する電流計の接続関係を表す図である。
【図３】（ａ）は、本発明の実施の形態１に係る表示部の輝度ムラの一例である。（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る表示部領域によるＴＦＴ特性のばらつきを説明するグラフの一例である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る表示装置の有するムラ傾向検出部の輝度ムラ検出方法を説明する図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る表示装置の有するムラ傾向検出部の輝度ムラ検出方法を説明する図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る表示装置の有するムラ傾向検出部の輝度ムラ検出方法を説明する動作フローチャートである。
【図７】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図８】本発明の表示評価装置及びそれが接続された表示装置の機能ブロック図である。
【図９】（ａ）は、本発明の実施の形態２に係る表示部の輝度ムラの一例である。（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る表示部領域によるＴＦＴ特性のばらつきを説明するグラフの一例である。
【図１０】本発明の実施の形態２に係る表示装置の有するムラ傾向検出部の輝度ムラ検出方法を説明する図である。
【図１１】本発明の実施の形態２に係る表示装置の有するムラ傾向検出部の輝度ムラ検出方法を説明する動作フローチャートである。
【図１２】本発明の実施の形態２に係る表示装置の補正方法を説明する動作フローチャートである。
【図１３】本発明の実施の形態２に係るムラ補正部の補正方法を説明する動作フローチャートである。
【図１４】本発明の実施の形態２に係るムラ補正部の輝度信号補正ステップを説明する構成ブロック図である。
【図１５】本発明の表示装置を内蔵した薄型フラットＴＶの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の一態様に係る表示装置は、発光素子と前記発光素子への電流の供給を制御する駆動素子とを含む複数の画素が二次元状に配置された表示部と、前記発光素子の発光を決定する映像信号データを、データ線を介して前記駆動素子に供給するデータ線の駆動回路と、前記表示部の輝度ムラ傾向を検出するムラ傾向検出部と、前記ムラ傾向検出部で検出された前記表示部の輝度ムラ傾向を補正するための補正パラメータを算出する補正パラメータ算出部と、前記補正パラメータ算出部で算出された補正パラメータをもとに映像信号データを補正し、当該補正された映像信号データを前記データ線の駆動回路に出力する補正部とを備え、前記ムラ傾向検出部は、所定の範囲を占める点灯領域を有する複数の表示パターンのそれぞれが前記表示部に表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流から、前記複数の表示パターンにおける前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出し、前記平均画素電流値のうち、最大の平均画素電流値を有する第１の表示パターンの点灯領域を、最大画素電流領域と特定し、前記第１の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第２の表示パターンの点灯領域を、最小画素電流領域と特定し、前記最大画素電流領域、及び前記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ最大の平均画素電流値、及び最小の平均画素電流値に設定して、前記表示部の輝度ムラ傾向を検出する。
【００１７】
アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイは、駆動トランジスタや有機ＥＬ素子の特性のばらつきに起因し、またディスプレイ上の温度分布により、同じデータ信号を与えても、各画素において有機ＥＬ素子の輝度が異なり、輝度ムラが発生するという欠点がある。この輝度ムラを補償するため、従来では、輝度もしくは電流の初期測定を画素ごとに実行し、この測定結果をもとに補正パラメータを作成する。よって、パネルが大画面になるほど、また、入力階調が増えるほど、パネル全面を測定する時間がかかり、製造コストに大きな負担がかかる。
【００１８】
本態様によれば、複数の画素を所定の点灯領域に区分する複数の表示パターンを表示させ、表示パターンのそれぞれが表示されたときの前記表示部を流れる総電流を評価することによりムラ傾向を決定する。そのため、画素毎に電流を測定する場合と比較して、電流測定回数を劇的に減らすことが可能となる。また、画素ごとの電流ではなく、各表示パターンで流れる全画素の総電流を測定するので、補正精度を確保しながら測定時間の短縮化を図ることが可能となる。
【００１９】
また、表示装置に、輝度ムラを補正するための構成が内蔵されているので、製造時における輝度ムラ補正だけでなく、表示装置を製品として使用する時でも、例えば、使用劣化による輝度ムラを補償することが可能となる。
【００２０】
また、本発明の一態様である表示装置は、請求項１記載の表示装置において、さらに、前記複数の表示パターンを発生する表示パターン発生部と、前記複数の表示パターンのそれぞれが前記表示部に表示されたときの前記総電流を検出する電流検出部とを備え、前記ムラ傾向検出部は、前記電流検出部で検出された前記総電流を取得し、当該総電流から空間周波数が同じで位相が異なる複数の表示パターンの前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出することにより、前記最大画素電流領域及び前記最小画素電流領域を特定するものである。
【００２１】
本態様によれば、輝度ムラ傾向を検出するための複数の表示パターンは、空間周波数が同じで位相が異なる表示パターンの間で特定されるので、高効率かつ高精度なパターン特定を行うことが可能となる。
【００２２】
また、本発明の一態様である表示装置は、請求項２記載の表示装置において、前記表示パターン発生部は、前記最大画素電流領域である第１領域において空間周波数が同じで位相が異なる１以上の第１領域表示パターンを表示し、前記電流検出部は、前記１以上の第１領域表示パターンのそれぞれが表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流を検出し、前記ムラ傾向検出部は、前記電流検出部で検出された前記総電流を取得し、当該総電流から前記１以上の第１領域表示パターンにおける点灯領域ごとの平均画素電流値を算出することにより、前記第１領域における最大の平均画素電流値を有する第３の表示パターンの点灯領域を第１領域の最大画素電流領域として特定し、前記第３の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第４の表示パターンの点灯領域を第１領域の最小画素電流領域として特定し、前記第１領域の最大画素電流領域、及び前記第１領域の最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ第１領域の最大の平均画素電流値、及び第１領域の最小の平均画素電流値に設定して、前記第１領域における輝度ムラ傾向を検出し、前記表示パターン発生部は、前記最小画素電流領域である第２領域において空間周波数が同じで位相が異なる１以上の第２領域表示パターンを表示し、前記電流検出部は、前記１以上の第２領域表示パターンのそれぞれが表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流を検出し、前記ムラ傾向検出部は、前記電流検出部で検出された前記総電流を取得し、当該総電流から前記１以上の第２領域表示パターンにおける各点灯領域の平均画素電流値を算出することにより、前記第２領域における最大の平均画素電流値を有する第５の表示パターンの点灯領域を第２領域の最大画素電流領域として特定し、前記第５の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第６の表示パターンの点灯領域を前記第２領域の最小画素電流領域として特定し、前記第２領域の最大画素電流領域、及び前記第２領域の最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ第２領域の最大の平均画素電流値、及び第２領域の最小の平均画素電流値に設定して、前記第２領域における輝度ムラ傾向を検出し、前記ムラ傾向検出部は、前記第１領域における輝度ムラ傾向及び前記第２領域における輝度ムラ傾向より、前記表示部の輝度ムラ傾向を検出するものである。
【００２３】
本態様によれば、ムラ傾向検出部により検出された表示パターンを、さらに、その表示パターンの領域ごとに細分化して当該領域ごとのムラ傾向を検出することが可能となる。よって、補正精度の向上を図ることが可能となる。
【００２４】
また、本発明の一態様である表示装置は、請求項２または３に記載の表示装置において、さらに、前記表示部の輝度ムラを検出するための複数の表示パターンを記憶する記憶手段を備え、前記ムラ傾向検出部は、前記記憶手段に予め格納された複数の表示パターンのそれぞれを前記表示パターン発生部に読み出して前記表示部に表示させるものである。
【００２５】
本態様によれば、製造時または使用時に発生が予想される輝度ムラを反映した表示パターンを予めメモリに格納しておき、補正パラメータ算出時に当該メモリから当該表示パターンを読み出して補正パラメータの作成に適用することができる。よって、輝度ムラ補正を効率よく実行することが可能となる。
【００２６】
また、本発明の一態様である表示装置は、請求項２〜４のうちいずれか１項に記載の表示装置において、前記駆動素子のソース及びドレインの一方と前記発光素子のアノード及びカソードの一方が接続されており、前記表示部の有する全ての前記駆動素子のソース及びドレインの他方は、共通の第１電極を介して第１電源に接続されており、前記表示部の有する全ての前記発光素子のアノード及びカソードの他方は、共通の第２電極を介して第２電源に接続されており、前記電流検出部は、前記第１電極と前記第１電源との間、または、前記第２電極と前記第２電源との間に接続されているものである。
【００２７】
本態様によれば、表示パターンを表示したときに表示部の総電流を測定する電流検出部を、画素回路内に別途配線を設けることなく配置することができる。よって、輝度ムラのパターンを検出するための回路構成を簡略化することが可能となる。
【００２８】
また、本発明の一態様である表示装置は、請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の表示装置において、前記駆動素子は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。
【００２９】
本態様によれば、各画素回路が積層膜および作製プロセスを共用して作製されるので、駆動トランジスタに関する画素間の特性ばらつきが抑制され、製造時に輝度ムラの小さい画素回路を実現できる。
【００３０】
また、本発明の一態様である表示装置は、請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の表示装置において、前記発光素子は、有機ＥＬ素子である。
【００３１】
本態様によれば、視野角特性が良好で、低消費電力の表示装置を実現することが可能となる。
【００３２】
なお、本発明は、このような特徴的な手段を備える表示装置として実現することができるだけでなく、表示装置に含まれる特徴的な手段をステップとする表示装置の製造方法及び補正方法として実現することができる。
【００３３】
本発明の一態様に係る表示装置の製造方法は、発光素子と前記発光素子への電流の供給を制御する駆動素子とを含む複数の画素が二次元状に配置された表示部と、前記発光素子の発光を決定する映像信号データを、データ線を介して前記駆動素子に供給するデータ線の駆動回路とを備える表示装置の製造方法であって、所定の範囲を占める点灯領域を有する複数の表示パターンのそれぞれが前記表示部に表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流から、前記複数の表示パターンにおける前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出し、前記平均画素電流値のうち、最大の平均画素電流値を有する第１の表示パターンの点灯領域を最大画素電流領域として特定し、前記第１の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第２の表示パターンの点灯領域を、最小画素電流領域として特定し、前記最大画素電流領域、及び前記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ最大の平均画素電流値、及び最小の平均画素電流値に設定して前記表示部の輝度ムラ傾向を検出する第１ステップと、前記第１ステップで検出された前記表示部の輝度ムラ傾向を補正するための補正パラメータを算出する第２ステップと、前記補正パラメータを、前記表示装置内の記憶手段に格納する第３ステップとを含むものである。
【００３４】
また、さらに、前記表示部に前記複数の表示パターンを表示させ、当該表示により前記複数の画素に流れる総電流を検出する電流検出ステップを含み、前記第１ステップは、前記総電流から、空間周波数が同じで位相が異なる前記複数の表示パターンにおける前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出することにより、前記最大画素電流領域及び前記最小画素電流領域を特定してもよい。
【００３５】
また、前記第２ステップの前に、前記画素電流値の等しい領域について、さらに、前記第１ステップを実行してもよい。
【００３６】
本発明の一態様に係る表示装置の補正方法は、発光素子と前記発光素子への電流の供給を制御する駆動素子とを含む複数の画素が二次元状に配置された表示部と、前記発光素子の発光を決定する映像信号データを、データ線を介して前記駆動素子に供給するデータ線の駆動回路とを備える表示装置の補正方法であって、所定の範囲を占める点灯領域を有する複数の表示パターンのそれぞれが前記表示部に表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流から、前記複数の表示パターンにおける前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出し、前記平均画素電流値のうち、最大の平均画素電流値を有する第１の表示パターンの点灯領域を最大画素電流領域として特定し、前記第１の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第２の表示パターンの点灯領域を、最小画素電流領域として特定し、前記最大画素電流領域、及び前記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ最大の平均画素電流値、及び最小の平均画素電流値に設定して、前記表示部の輝度ムラ傾向を検出する第１ステップと、前記第１ステップで検出された前記表示部の輝度ムラ傾向を補正するための補正パラメータを算出する第２ステップと、前記補正パラメータを、前記表示装置内の記憶手段に格納する第３ステップと、外部から入力された映像信号に対し、前記記憶手段から前記補正パラメータを読み出して演算することにより前記映像信号を補正された映像信号データに変換して前記データ線の駆動回路に出力する第４ステップとを含むものである。
【００３７】
また、さらに、前記表示部に前記複数の表示パターンを表示させ、当該表示により前記複数の画素に流れる総電流を検出する電流検出ステップを含み、前記第１ステップは、前記総電流から、空間周波数が同じで位相が異なる前記複数の表示パターンにおける前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出することにより、前記最大画素電流領域及び前記最小画素電流領域を特定してもよい。
【００３８】
また、前記第２ステップの前に、前記画素電流値の等しい領域について、さらに、前記第１ステップを実行してもよい。
【００３９】
なお、本発明は、このような特徴的な手段を備える表示装置として実現することができるだけでなく、表示装置の輝度ムラ傾向を検出する表示評価装置としても実現することができる。
【００４０】
本発明の一態様に係る表示評価装置は、二次元状に配置された複数の画素を有する表示部を備える表示装置を評価する表示評価装置であって、前記表示部の輝度ムラ傾向を検出するムラ傾向検出部と、前記ムラ傾向検出部で検出された前記表示部の輝度ムラ傾向を補正するための補正パラメータを算出する補正パラメータ算出部とを備え、前記ムラ傾向検出部は、所定の範囲を占める点灯領域を有する複数の表示パターンのそれぞれが前記表示部に表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流から、前記複数の表示パターンにおける前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出し、前記平均画素電流値のうち、最大の平均画素電流値を有する第１の表示パターンの点灯領域を最大画素電流領域として特定し、前記第１の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第２の表示パターンの点灯領域を、最小画素電流領域として特定し、前記最大画素電流領域、及び前記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ最大の平均画素電流値、及び最小の平均画素電流値に設定して、前記表示部の輝度ムラ傾向を検出するものである。
【００４１】
本態様によれば、複数の画素を単位領域とした複数の表示パターンを表示装置に表示させ、表示部を流れる総電流を評価することにより、当該表示装置のムラ傾向を決定し、補正パラメータを作成するので、電流測定回数を劇的に減らすことが可能となる。また、画素ごとの電流ではなく、各表示パターンで流れる全画素の総電流を測定するので、補正精度を確保しながら測定時間の短縮化を図ることが可能となる。
【００４２】
また、本態様によれば、表示装置本体に輝度ムラ傾向を検出する構成を備える必要がなく、本表示評価装置により作成した補正パラメータを、当該表示装置内のメモリに書き込むことにより、当該表示装置の使用時にメモリから上記補正パラメータを読み出してデータ電圧を補正することが可能となる。よって、表示装置本体に輝度ムラ傾向を検出するための構成を内蔵する必要がないので、表示装置本体の部品点数削減及び低コスト化を図ることが可能となる。
【００４３】
また、さらに、前記複数の表示パターンを発生する表示パターン発生部と、前記複数の表示パターンのそれぞれが前記表示部に表示されたときの前記総電流を検出する電流検出部とを備え、前記ムラ傾向検出部は、前記電流検出部で検出された前記総電流を取得し、当該総電流から空間周波数が同じで位相が異なる複数の表示パターンの前記点灯領域ごとの平均画素電流値を算出することにより、前記最大画素電流領域及び前記最小画素電流領域を特定してもよい。
【００４４】
また、前記表示パターン発生部は、前記最大画素電流領域である第１領域において空間周波数が同じで位相が異なる１以上の第１領域表示パターンを表示し、前記電流検出部は、前記１以上の第１領域表示パターンのそれぞれが表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流を検出し、前記ムラ傾向検出部は、前記電流検出部で検出された前記総電流を取得し、当該総電流から前記１以上の第１領域表示パターンにおける点灯領域ごとの平均画素電流値を算出することにより、前記第１領域における最大の平均画素電流値を有する第３の表示パターンの点灯領域を第１領域の最大画素電流領域として特定し、前記第３の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第４の表示パターンの点灯領域を第１領域の最小画素電流領域として特定し、前記第１領域の最大画素電流領域、及び前記第１領域の前記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ第１領域の最大の平均画素電流値、及び第１領域の最小の平均画素電流値に設定して、前記第１領域における輝度ムラ傾向を検出し、前記表示パターン発生部は、前記最小画素電流領域である第２領域において空間周波数が同じで位相が異なる１以上の第２領域表示パターンを表示し、前記電流検出部は、前記１以上の第２領域表示パターンのそれぞれが表示されたときの前記複数の画素に流れる総電流を検出し、前記ムラ傾向検出部は、前記電流検出部で検出された前記総電流を取得し、当該総電流から前記１以上の第２領域表示パターンにおける各点灯領域の平均画素電流値を算出することにより、前記第２領域における最大の平均画素電流値を有する第５の表示パターンの点灯領域を第２領域の最大画素電流領域として特定し、前記第５の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第６の表示パターンの点灯領域を前記第２領域の最小画素電流領域として特定し、前記第２領域の最大画素電流領域、及び前記第２領域の前記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、それぞれ第２領域の最大の平均画素電流値、及び第２領域の最小の平均画素電流値に設定して、前記第２領域における輝度ムラ傾向を検出し、前記ムラ傾向検出部は、前記第１領域における輝度ムラ傾向及び前記第２領域における輝度ムラ傾向より、前記表示部の輝度ムラ傾向を検出してもよい。
【００４５】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明における映像信号は、アナログ信号であっても、デジタル信号であってもよい。
【００４６】
図１は、本発明の表示装置の機能ブロック図である。同図に記載された表示装置１００は、制御部１０１と、メモリ１０２及び１０６と、走査線駆動回路１０３と、データ線駆動回路１０４と、表示部１０５と、電流計１０７と、Ａ／Ｄコンバータ１０８と、パネル電源１０９とを備える。
【００４７】
制御部１０１は、メモリ１０２及び１０６、走査線駆動回路１０３、データ線駆動回路１０４、電流計１０７及びＡ／Ｄコンバータ１０８の制御を行う機能を有する。なお、制御部１０１の構成及び機能の詳細については後述する。
【００４８】
メモリ１０２には、外部から入力された映像信号を補正するための補正パラメータが記憶されている。
【００４９】
制御部１０１は、メモリ１０２に書き込まれた補正パラメータを読み出し、外部から入力された映像信号データを、当該補正パラメータに基づいて補正して、データ線駆動回路１０４へと出力する。
【００５０】
図２（ａ）は、表示部１０５の有する画素の回路構成図である。同図における画素は、走査線２００と、データ線２０１と、電源線２０２と、スイッチングトランジスタ２０３と、駆動トランジスタ２０４と、有機ＥＬ素子２０５と、保持容量２０６と、共通電極２０７とを備える。以下、図１及び図２（ａ）を用いて表示装置１００の各構成要素の説明をする。
【００５１】
走査線駆動回路１０３は、走査線２００に接続されており、画素のスイッチングトランジスタ２０３の導通・非導通を制御する機能を有する。
【００５２】
データ線駆動回路１０４は、データ線２０１に接続されており、データ電圧を出力して、駆動トランジスタ２０４に流れる信号電流を決定する機能を有する。
【００５３】
表示部１０５は、複数の画素を備え、外部から表示装置１００へ入力された映像信号に基づいて画像を表示する。また、表示部１０５は、表示パターン発生部３０３から出力された表示パターンを表示する。
【００５４】
スイッチングトランジスタ２０３は、ゲートが、走査線２００に接続されており、データ線２０１のデータ電圧を駆動トランジスタ２０４のゲートに供給するタイミングを制御する機能を有する。
【００５５】
駆動トランジスタ２０４は、駆動素子として機能し、駆動トランジスタ２０４のゲートは、スイッチングトランジスタ２０３を介してデータ線２０１に接続され、ソースが有機ＥＬ素子２０５のアノードに接続され、ドレインが、電源線２０２に接続されている。これにより、駆動トランジスタ２０４は、ゲートに供給されたデータ電圧を、そのデータ電圧に対応した信号電流に変換し、変換された信号電流を有機ＥＬ素子２０５に供給する。
【００５６】
有機ＥＬ素子２０５は、発光素子として機能し、有機ＥＬ素子２０５のカソードは、共通電極２０７に接続されている。
【００５７】
保持容量２０６は、電源線２０２と駆動トランジスタ２０４のゲート端子との間に接続されている。保持容量２０６は、例えば、スイッチングトランジスタ２０３がオフ状態となった後も、直前のゲート電圧を維持し、継続して駆動トランジスタ２０４から有機ＥＬ素子２０５へ駆動電流を供給させる機能を有する。
【００５８】
また、電源線２０２はパネル電源１０９に接続されている。また、共通電極２０７も別の電源に接続されている。
【００５９】
データ線駆動回路１０４から供給されたデータ電圧は、スイッチングトランジスタ２０３を介して駆動トランジスタ２０４のゲート端子へと印加される。駆動トランジスタ２０４は、そのデータ電圧に応じた電流を、ソース−ドレイン端子間に流す。この電流が、有機ＥＬ素子２０５へと流れることにより、その電流に応じた発光輝度で、有機ＥＬ素子２０５が発光する。
【００６０】
ここで、本発明の主要部である制御部１０１及びメモリ１０６について、その一態様を詳細に説明する。図１に記載されたように、制御部１０１は、ムラ傾向検出部３０１と、補正パラメータ算出部３０２と、表示パターン発生部３０３と、ムラ補正部３０４と駆動用タイミングコントローラ３０５とを備える。
【００６１】
表示パターン発生部３０３は、表示部１０５の輝度ムラを検出するための複数の表示パターンを発生する。発生した複数の表示パターンは、駆動用タイミングコントローラ３０５及びデータ線駆動回路１０４を介して表示部１０５に表示される。
【００６２】
なお、上記複数の表示パターンは、メモリ１０６に予め格納されており、当該表示パターンを表示パターン発生部３０３に読み出して表示部１０５に表示させてもよい。メモリ１０６に予め格納されている表示パターンとは、例えば、ムラの発生要因等から導出した、ムラの空間周波数特性などを反映させた表示パターンであり、縞模様状のパターンや、同心円状ないし同心矩形状のパターンなどが例示される。
【００６３】
これにより、製造時または使用時に発生が予想される輝度ムラを反映した表示パターンを予めメモリに格納しておき、補正パラメータ算出時に当該メモリから当該表示パターンを読み出して補正パラメータの作成に適用することができる。よって、輝度ムラ補正を効率よく実行することが可能となる。
【００６４】
電流計１０７は、表示部１０５とパネル電源１０９との間に挿入され、表示パターン発生部３０３から出力された表示パターンが表示部１０５に表示されたときの全画素に流れる総電流を測定する電流検出部である。
【００６５】
図２（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る表示装置の有する電流計の接続関係を表す図である。表示部１０５の有する全ての駆動トランジスタ２０４のドレインは、共通の第１電極である電極ＶＡを介して第１電源であるＶＤＤ電源に接続されている。また、表示部１０５の有する全ての有機ＥＬ素子２０５のカソードは、共通の第２電極であるＶＢを介して第２電源であるＶＳＳ電源に接続されている。電流計１０７は、電極ＶＡとＶＤＤ電源との間、または、電極ＶＢとＶＳＳ電源との間に接続されている。上記電流計１０７の接続構成により、表示パターンを表示したときに表示部の総電流を測定する電流検出部を、画素回路内に別途配線を設けることなく、配置することができる。よって、輝度ムラのパターンを検出するための回路構成を簡略化することが可能となる。
【００６６】
ムラ傾向検出部３０１は、表示パターン発生部３０３から出力され表示部１０５で表示された複数の表示パターンと、電流計１０７で測定された当該複数の表示パターンの各総電流のデジタル量とから、当該複数の表示パターンにおける点灯領域ごとの平均画素電流値を算出する。これにより、最大の平均画素電流値を有する第１の表示パターンの点灯領域を最大画素電流領域として特定する。また、ムラ傾向検出部３０１は、上記最大画素電流領域にある各画素の画素電流値を、上記最大の平均画素電流値に設定する。また、ムラ傾向検出部３０１は、上記第１の表示パターンの逆位相の表示パターンである、第２の表示パターンの点灯領域を、最小の平均画素電流値が得られる最小画素電流領域として特定する。また、ムラ傾向検出部３０１は、上記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、上記最小の平均画素電流値に設定する。
【００６７】
ムラ傾向検出部３０１は、特定された上記最大画素電流領域及び上記最小画素電流領域、ならびに、設定された上記最大画素電流領域にある各画素の画素電流値及び上記最小画素電流領域にある各画素の画素電流値により表示部１０５の輝度ムラ傾向を検出する。
【００６８】
なお、ムラ傾向検出部３０１の輝度ムラ検出動作の詳細については後述する。
補正パラメータ算出部３０２は、検出した上記ムラ傾向から、表示部１０５の輝度ムラを補正する補正パラメータを算出し、メモリ１０２へ格納する。
【００６９】
ムラ補正部３０４は、メモリ１０２から補正パラメータを読み出して外部から入力された映像信号データを補正し、当該補正された映像信号データを、駆動用タイミングコントローラ３０５を介してデータ線駆動回路１０４に出力する補正部である。データ線駆動回路１０４に出力された、補正された映像信号データは、各画素へ供給される。
【００７０】
次に、ムラ傾向検出部３０１が表示部１０５のムラ傾向を検出する方法について説明する。
【００７１】
図３（ａ）は、本発明の実施の形態１に係る表示部の輝度ムラの一例である。同図に記載された表示部１０５は、製造プロセスなどの要因により、例えば、初期特性として水平ピッチの縞模様の輝度ムラ傾向を有する例を示している。
【００７２】
本実施の形態では、表示部１０５は、画素行方向にｍピクセル、画素列方向にｎピクセルの画素を有するものとし、表示部１０５は、水平（ｍ／４）ピッチの縞模様の輝度ムラ傾向を有していると仮定する。なお、表示部１０５の製造段階では、製造プロセスなどの要因により、水平ピッチの縞模様の輝度ムラ傾向があることが把握されているが、水平ピッチの間隔や分割される領域の数などは表示パネルにより異なるものと想定する。
【００７３】
図３（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る表示部領域によるＴＦＴ特性のばらつきを説明するグラフの一例である。有機ＥＬ素子の発光輝度は、流れるドレイン電流Ｉｄにほぼ比例するという関係があり、また、ＴＦＴのドレイン電流Ｉｄは、その移動度に比例する。例えば、各画素部のＴＦＴの移動度がばらつきを有し、β１〜βｎであり、各画素部の閾値電圧は共通のＶｔｈであると仮定し、ｎ番目の画素部の駆動トランジスタ２０４のゲートに印加するデータ電圧を変数Ｖｇｓとすると、ドレイン電流Ｉｄｎは、
Ｉｄｎ＝（１／２）・βｎ・（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2        （式１）
と表される。また、ｎ番目の画素部の有機ＥＬ素子２０５の発光輝度をＬｎとすると、Ｌｎは、ドレイン電流Ｉｄｎと発光効率に比例するという関係から、
Ｌｎ＝ｋｎ・Ｉｄｎ        （式２）
で表される。ここでｋｎはｎ番目の画素部における発光輝度Ｌｎとドレイン電流Ｉｄｎとの比例定数である。
【００７４】
式１および式２より、有機ＥＬ素子２０５の発光輝度Ｌｎは、
Ｌｎ＝（１／２）・ｋｎ・βｎ・（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2        （式３）
となる。式３より、有機ＥＬ素子２０５の発光輝度Ｌｎは、ｋｎβｎ／２を係数とした、データ電圧Ｖの２次曲線となる。
【００７５】
図３（ｂ）では、製造プロセス等の要因により、２次曲線で表されるドレイン電流Ｉｄｎ−データ電圧Ｖｇｓ特性は、水平（ｍ／４）ピッチを１単位とした領域ごとに異なっている。
【００７６】
本実施の形態では、画素Ｂ、画素Ａ、画素Ｄ、画素Ｃの順にドレイン電流Ｉｄｎが流れやすく、輝度が高いと仮定する。
【００７７】
図４及び図５は、本発明の実施の形態１に係る表示装置の有するムラ傾向検出部の輝度ムラ検出方法を説明する図である。実施の形態１では、表示パターンとして、縞模様状のパターンを用いている。
【００７８】
また、図６は、本発明の実施の形態１に係る表示装置の有するムラ傾向検出部の輝度ムラ検出方法を説明する動作フローチャートである。
【００７９】
まず、図４（ａ）に示すように、表示パターン発生部３０３は、表示部１０５の全画素点灯パターン（例えば階調１２８）の表示パターンを出力し、表示部１０５に当該表示パターンを表示させる（図６のステップＳ２０１）。そして、電流計１０７は、そのときの表示部１０５に流れる総電流Ｉallを測定する（図６のステップＳ２０２）。また、ムラ傾向検出部３０１は、このときの平均画素電流Ｉaveを算出する（図６のステップＳ２０３）。なお、平均画素電流Ｉaveは、総電流Ｉallを全画素数（ｍ×ｎ）で割った値Ｉall／（ｍ×ｎ）となる。この段階で、全画素の平均画素電流Ｉaveを全画素の画素電流値とする（図６のステップＳ２０４）。
【００８０】
次に、表示部１０５の画素電流分布を測定する対象として、画素電流値の等しい領域を特定する（図６のステップＳ２０５）。この段階において、表示部１０５の全画素において、画素電流値はＩaveであると設定しているので、上記画素電流値の等しい領域とは、表示部全面となっている。
【００８１】
次に、図４（ｂ）に示すように、表示パターン発生部３０３は、表示部１０５の水平（ｍ／２）ピッチの点灯パターン（階調１２８）である表示パターン（ｍ／２，１）を出力し、表示部１０５に当該表示パターンを表示させる（図６のステップＳ２０６）。そして、電流計１０７は、そのときの表示部１０５に流れる総電流Ｉ（ｍ／２，１）を測定する（図６のステップＳ２０７）。また、ムラ傾向検出部３０１は、このときの平均画素電流Ｉ（ｍ／２，１）aveを算出する（図６のステップＳ２０８）。なお、Ｉ（ｍ／２，１）aveは、総電流Ｉ（ｍ／２，１）を点灯画素数（ｍ×ｎ／２）で割った値Ｉ（ｍ／２，１）／（ｍ×ｎ／２）となる。
【００８２】
次に、制御部１０１は、画素電流値の等しい領域、つまり、この段階では、表示部１０５全面において画素電流分布の測定が完了したか否かを判定する（図６のステップＳ２０９）。つまり、制御部１０１は、空間周波数が同じで位相の異なる表示パターンについて、さらに画素電流分布を測定するか否かを判定する。
【００８３】
ステップＳ２０９において、画素電流値の等しい領域において表示パターンを変えて画素電流分布の測定を行う場合（図６のステップＳ２０９でＮｏ）、制御部１０１は、次に表示すべき表示パターンを決定する（図６のステップＳ２１０）。
【００８４】
以下、図４（ｃ）に記載された表示パターン（ｍ／２，２）を用いて、上述したステップＳ２０６〜ステップＳ２０８を実行する。このとき、平均画素電流Ｉ（ｍ／２，２）aveは、総電流Ｉ（ｍ／２，２）を点灯画素数（ｍ×ｎ／２）で割った値Ｉ（ｍ／２，２）／（ｍ×ｎ／２）となる。
【００８５】
次に、制御部１０１は、画素電流値の等しい領域、つまり、この段階では、表示部１０５全面において画素電流分布の測定が完了したか否かを判定する（図６のステップＳ２０９）。
【００８６】
ステップＳ２０９において、画素電流値の等しい領域において表示パターンを変えて画素電流分布の測定を行う場合（図６のステップＳ２０９でＮｏ）、制御部１０１は、次に表示すべき表示パターンを決定する（図６のステップＳ２１０）。
【００８７】
以下、図４（ｄ）に記載された表示パターン（ｍ／２，３）を用いて、上述したステップＳ２０６〜ステップＳ２０８を実行する。このとき、平均画素電流Ｉ（ｍ／２，３）aveは、総電流Ｉ（ｍ／２，３）を点灯画素数（ｍ×ｎ／２）で割った値Ｉ（ｍ／２，３）／（ｍ×ｎ／２）となる。
【００８８】
次に、制御部１０１は、画素電流値の等しい領域、つまり、この段階では、表示部１０５全面において画素電流分布の測定が完了したか否かを判定する（図６のステップＳ２０９）。
【００８９】
ステップＳ２０９において、画素電流値の等しい領域において表示パターンを変えて画素電流分布の測定を行わない場合（図６のステップＳ２０９でＹｅｓ）、ムラ傾向検出部３０１は、空間周波数が同じで位相が異なる複数の表示パターンのうちから、点灯領域の平均画素電流値が最大である表示パターンを検出する（図６のステップＳ２１１）。ここで、最大の平均画素電流値を有する表示パターンを、第１の表示パターン、また、第１の表示パターンにおける点灯領域を最大画素電流領域と定義する。本実施の形態では、ムラ傾向検出部３０１は、表示パターン（ｍ／２，１）、（ｍ／２，２）及び（ｍ／２，３）のうち、第１の表示パターンとして表示パターン（ｍ／２，１）を選択する。また、最大の平均画素電流値は、Ｉ（ｍ／２，１）aveである。
【００９０】
ここで、表示パターン（ｍ／２，１）、（ｍ／２，２）及び（ｍ／２，３）は、空間周波数が同じで位相が異なる表示パターンである。これらの表示パターンを順次切り替えて（所定量順次シフトさせて）輝度ムラ傾向の評価対象とすることで、高効率かつ高精度な輝度ムラのパターン特定を行うことが可能となる。
【００９１】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、最大画素電流領域にある各画素の画素電流値を、上記最大の平均画素電流値に設定する（図６のステップＳ２１２−１）。
【００９２】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、第１の表示パターンの逆位相である第２の表示パターンを表示させたときの合計電流を測定する（図６のステップＳ２１２−２）。
【００９３】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、上記第２の表示パターンにおける点灯領域の平均画素電流値を求める。このとき、求められた平均画素電流値は最小の平均画素電流値となる。ここで、第２の表示パターンにおける点灯領域を最小画素電流領域と定義する（図６のステップＳ２１２−３）。
【００９４】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、上記最小の平均画素電流値に設定する（図６のステップＳ２１２−４）。
【００９５】
なお、ステップＳ２０６〜ステップＳ２０８において、上記第２の表示パターンを表示させ、最小画素電流領域及び最小の平均画素電流値を測定及び算出済みであれば、ステップＳ２１２−２及びステップＳ２１２−３は不要である。
【００９６】
本例の場合、第２の表示パターンは、表示パターン（ｍ／２，３）に該当し、ステップＳ２０６〜ステップＳ２０８において既に最小画素電流領域及び最小の平均画素電流値を測定及び算出済みである。ここで、最小の平均画素電流値は、Ｉ（ｍ／２，３）aveである。
【００９７】
以上のステップにより、ムラ傾向検出部３０１は、表示部１０５の輝度ムラ傾向を検出する。本実施の形態では、表示部１０５の左半分の領域を領域１として、その平均画素電流値がＩ（ｍ／２，１）／（ｍ×ｎ／２）であり、右半分の領域を領域２として、その平均画素電流値がＩ（ｍ／２，３）／（ｍ×ｎ／２）（または、（Ｉall−Ｉ（ｍ／２，１））／（ｍ×ｎ／２）とも表現できる）であるという輝度ムラ傾向を算出する。
【００９８】
さらに、表示部１０５の細分化された輝度ムラ傾向を検出したい場合（図６のステップＳ２１３でＮｏ）、制御部１０１は、測定対象の領域を全画素から変更する（図６のステップＳ２１４）。
【００９９】
この場合、制御部１０１は、表示部１０５の画素電流分布を測定する対象として、画素電流値の等しい領域を特定する（図６のステップＳ２０５）。本実施の形態の場合、画素電流値の等しい領域として、表示部１０５の左半分の領域である領域１を特定する。
【０１００】
以降の検出動作により、ムラ傾向検出部３０１により検出されたムラ傾向パターンを、さらに、そのムラ傾向パターンの領域ごとに細分化して当該領域ごとのムラ傾向パターンを検出することが可能となる。よって、補正精度の向上を図ることが可能となる。
【０１０１】
次に、図５（ａ）に示すように、表示パターン発生部３０３は、表示部１０５の水平（ｍ／４）ピッチの点灯パターン（階調１２８）の表示パターン（ｍ／４，１，１）を出力し、表示部１０５に当該表示パターンを表示させる（図６のステップＳ２０６）。そして、電流計１０７は、そのときの表示部１０５に流れる総電流Ｉ（ｍ／４，１，１）を測定する（図６のステップＳ２０７）。また、ムラ傾向検出部３０１は、このときの平均画素電流Ｉ（ｍ／４，１，１）aveを算出する（図６のステップＳ２０８）。なお、平均画素電流Ｉ（ｍ／４，１，１）aveは、総電流Ｉ（ｍ／４，１，１）を点灯画素数（ｍ×ｎ／４）で割った値Ｉ（ｍ／４，１，１）／（ｍ×ｎ／４）となる。
【０１０２】
次に、ステップＳ２０９において、画素電流値の等しい領域において表示パターンを変えて画素電流分布の測定を行う場合（図６のステップＳ２０９でＮｏ）、制御部１０１は、次に表示すべき表示パターンを決定する（図６のステップＳ２１０）。
【０１０３】
以下、図５（ｂ）に記載された表示パターン（ｍ／４，１，２）を用いて、上述したステップＳ２０６〜ステップＳ２０８を実行する。このとき、平均画素電流Ｉ（ｍ／４，１，２）aveは、総電流Ｉ（ｍ／４，１，２）を点灯画素数（ｍ×ｎ／４）で割った値Ｉ（ｍ／４，１，２）／（ｍ×ｎ／４）となる。
【０１０４】
ステップＳ２０９において、画素電流値の等しい領域において表示パターンを変えて画素電流分布の測定を行う場合（図６のステップＳ２０９でＮｏ）、制御部１０１は、次に表示すべき表示パターンを決定する（図６のステップＳ２１０）。
【０１０５】
以下、図５（ｃ）に記載された表示パターン（ｍ／４，１，３）を用いて、上述したステップＳ２０６〜ステップＳ２０８を実行する。このとき、平均画素電流Ｉ（ｍ／４，１，３）aveは、総電流Ｉ（ｍ／４，１，３）を点灯画素数（ｍ×ｎ／４）で割った値Ｉ（ｍ／４，１，３）／（ｍ×ｎ／４）となる。
【０１０６】
次に、制御部１０１は、画素電流値の等しい領域において画素電流分布の測定が完了したか否かを判定する（図６のステップＳ２０９）。
【０１０７】
ステップＳ２０９において、画素電流値の等しい領域において表示パターンを変えて画素電流分布の測定を行わない場合（図６のステップＳ２０９でＹｅｓ）、ムラ傾向検出部３０１は、空間周波数が同じで位相が異なる複数の表示パターンのうちから、点灯領域の平均画素電流値が最大である第３の表示パターンを検出する（図６のステップＳ２１１）。ここで、第３の表示パターンにおける点灯領域を最大画素電流領域と定義する。本実施の形態では、ムラ傾向検出部３０１は、表示パターン（ｍ／４，１，１）、（ｍ／４，１，２）及び（ｍ／４，１，３）のうち、第３の表示パターンとして表示パターン（ｍ／４，１，３）を選択する。このとき、最大の平均画素電流値は、Ｉ（ｍ／４，１，３）ave＝Ｉ（ｍ／４，１，３）／（ｍ×ｎ／４）である。
【０１０８】
ここで、表示パターン（ｍ／４，１，１）、（ｍ／４，１，２）及び（ｍ／４，１，３）は、空間周波数が同じで位相が異なる表示パターンである。これらの表示パターンを輝度ムラ傾向の評価対象とすることで、高効率かつ高精度な輝度ムラのパターン特定を行うことが可能となる。
【０１０９】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、最大画素電流領域にある各画素の画素電流値を、上記最大の平均画素電流値に設定する（図６のステップＳ２１２−１）。
【０１１０】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、第３の表示パターンの逆位相である第４の表示パターンを表示させたときの合計電流を測定する（図６のステップＳ２１２−２）。
【０１１１】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、上記第４の表示パターンにおける点灯領域の平均画素電流値を求める。このとき、求められた平均画素電流値は最小の平均画素電流値となる。ここで、第４の表示パターンにおける点灯領域を最小画素電流領域と定義する（図６のステップＳ２１２−３）。
【０１１２】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、上記最小の平均画素電流値に設定する（図６のステップＳ２１２−４）。
【０１１３】
なお、ステップＳ２０６〜ステップＳ２０８において、上記第４の表示パターンを表示させ、最小画素電流領域及び最小の平均画素電流値を測定及び算出済みであれば、ステップＳ２１２−２及びステップＳ２１２−３は不要である。
【０１１４】
本例の場合、第４の表示パターンは、表示パターン（ｍ／４，１，１）に該当し、ステップＳ２０６〜ステップＳ２０８において既に最小画素電流領域及び最小の平均画素電流値を測定及び算出済みである。ここで、最小の平均画素電流値は、Ｉ（ｍ／４，１，１）ave＝Ｉ（ｍ／４，１，１）／（ｍ×ｎ／４）である。
【０１１５】
上述したステップにより、ムラ傾向検出部３０１は、表示部１０５の細分化された輝度ムラ傾向を検出する。本実施の形態では、表示部１０５の領域１の右半分を領域１−１として、その平均画素電流値がＩ（ｍ／４，１，３）／（ｍ×ｎ／４）であり、左半分の領域を領域１−２として、その平均画素電流値がＩ（ｍ／４，１，１）／（ｍ×ｎ／４）（または、（Ｉ（ｍ／２，１）−Ｉ（ｍ／４，１，３））／（ｍ×ｎ／４）とも表現できる）であるという輝度ムラ傾向を算出する。
【０１１６】
さらに、表示部１０５の細分化された輝度ムラ傾向を検出したい場合（図６のステップＳ２１３でＮｏ）、制御部１０１は、測定対象の領域を変更する（図６のステップＳ２１４）。
【０１１７】
この場合、制御部１０１は、表示部１０５の画素電流分布を測定する対象として、画素電流値の等しい領域を特定する（図６のステップＳ２０５）。本実施の形態の場合、画素電流値の等しい領域として、表示部１０５の右半分の領域である領域２を特定する。
【０１１８】
次に、図５（ｄ）に示すように、表示パターン発生部３０３は、表示部１０５の水平（ｍ／４）ピッチの点灯パターン（階調１２８）の表示パターン（ｍ／４，２，１）を出力し、表示部１０５に当該表示パターンを表示させる（図６のステップＳ２０６）。そして、電流計１０７は、そのときの表示部１０５に流れる総電流Ｉ（ｍ／４，２，１）を測定する（図６のステップＳ２０７）。また、ムラ傾向検出部３０１は、このときの平均画素電流Ｉ（ｍ／４，２，１）aveを算出する（図６のステップＳ２０８）。なお、平均画素電流Ｉ（ｍ／４，２，１）aveは、総電流Ｉ（ｍ／４，２，１）を点灯画素数（ｍ×ｎ／４）で割った値Ｉ（ｍ／４，２，１）／（ｍ×ｎ／４）となる。
【０１１９】
次に、ステップＳ２０９において、画素電流値の等しい領域において表示パターンを変えて画素電流分布の測定を行う場合（図６のステップＳ２０９でＮｏ）、制御部１０１は、次に表示すべき表示パターンを決定する（図６のステップＳ２１０）。
【０１２０】
以下、図５（ｅ）に記載された表示パターン（ｍ／４，２，２）を用いて、上述したステップＳ２０６〜ステップＳ２０８を実行する。このとき、平均画素電流Ｉ（ｍ／４，２，２）aveは、総電流Ｉ（ｍ／４，２，２）を点灯画素数（ｍ×ｎ／４）で割った値Ｉ（ｍ／４，２，２）／（ｍ×ｎ／４）となる。
【０１２１】
ステップＳ２０９において、画素電流値の等しい領域において表示パターンを変えて画素電流分布の測定を行う場合（図６のステップＳ２０９でＮｏ）、制御部１０１は、次に表示すべき表示パターンを決定する（図６のステップＳ２１０）。
【０１２２】
以下、図５（ｆ）に記載された表示パターン（ｍ／４，２，３）を用いて、上述したステップＳ２０６〜ステップＳ２０８を実行する。このとき、平均画素電流Ｉ（ｍ／４，２，３）aveは、総電流Ｉ（ｍ／４，２，３）を点灯画素数（ｍ×ｎ／４）で割った値Ｉ（ｍ／４，２，３）／（ｍ×ｎ／４）となる。
【０１２３】
次に、制御部１０１は、画素電流値の等しい領域において画素電流分布の測定が完了したか否かを判定する（図６のステップＳ２０９）。
【０１２４】
ステップＳ２０９において、画素電流値の等しい領域において表示パターンを変えて画素電流分布の測定を行わない場合（図６のステップＳ２０９でＹｅｓ）、ムラ傾向検出部３０１は、空間周波数が同じで位相が異なる複数の表示パターンのうちから、点灯領域の平均画素電流値が最大である第５の表示パターンを検出する（図６のステップＳ２１１）。ここで、第５の表示パターンにおける点灯領域を最大画素電流領域と定義する。本実施の形態では、ムラ傾向検出部３０１は、表示パターン（ｍ／４，２，１）、（ｍ／４，２，２）及び（ｍ／４，２，３）のうち、第５の表示パターンとして表示パターン（ｍ／４，２，３）を選択する。このとき、最大の平均画素電流値は、Ｉ（ｍ／４，２，３）ave＝Ｉ（ｍ／４，２，３）／（ｍ×ｎ／４）である。
【０１２５】
ここで、表示パターン（ｍ／４，２，１）、（ｍ／４，２，２）及び（ｍ／４，２，３）は、空間周波数が同じで位相が異なる表示パターンである。これらの表示パターンを輝度ムラ傾向の評価対象とすることで、高効率かつ高精度な輝度ムラのパターン特定を行うことが可能となる。
【０１２６】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、最大画素電流領域にある各画素の画素電流値を、上記最大の平均画素電流値に設定する（図６のステップＳ２１２−１）。
【０１２７】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、第５の表示パターンの逆位相である第６の表示パターンを表示させたときの合計電流を測定する（図６のステップＳ２１２−２）。
【０１２８】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、上記第６の表示パターンにおける点灯領域の平均画素電流値を求める。このとき、求められた平均画素電流値は最小の平均画素電流値となる。ここで、第６の表示パターンにおける点灯領域を最小画素電流領域と定義する（図６のステップＳ２１２−３）。
【０１２９】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、最小画素電流領域にある各画素の画素電流値を、上記最小の平均画素電流値に設定する（図６のステップＳ２１２−４）。
【０１３０】
なお、ステップＳ２０６〜ステップＳ２０８において、上記第６の表示パターンを表示させ、最小画素電流領域及び最小の平均画素電流値を測定及び算出済みであれば、ステップＳ２１２−２及びステップＳ２１２−３は不要である。
【０１３１】
本例の場合、第４の表示パターンは、表示パターン（ｍ／４，１，１）に該当し、ステップＳ２０６〜ステップＳ２０８において既に最小画素電流領域及び最小の平均画素電流値を測定及び算出済みである。ここで、最小の平均画素電流値は、Ｉ（ｍ／４，２，１）ave＝Ｉ（ｍ／４，２，１）／（ｍ×ｎ／４）である。
【０１３２】
上述したステップにより、ムラ傾向検出部３０１は、表示部１０５の細分化された輝度ムラ傾向を検出する。本実施の形態では、表示部１０５の領域２の右半分を領域２−１として、その平均画素電流値がＩ（ｍ／４，２，３）／（ｍ×ｎ／４）であり、左半分の領域を領域２−２として、その平均画素電流値がＩ（ｍ／４，２，１）／（ｍ×ｎ／４）（または、（Ｉ（ｍ／２，３）−Ｉ（ｍ／４，２，３））／（ｍ×ｎ／４）とも表現できる）であるという輝度ムラ傾向を算出する。
【０１３３】
このとき、ムラ傾向検出部３０１は、領域１のムラ傾向及び領域２のムラ傾向より、表示部１０５のより細分化された輝度ムラ傾向を検出する。
【０１３４】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、表示部１０５の細分化された輝度ムラ傾向を、これ以上検出しない場合（図６のステップＳ２１３でＹｅｓ）、制御部１０１は、上記階調レベルにおける画素電流分布の抽出を完了する（図６のステップＳ３０１）。
【０１３５】
次に、制御部１０１は、別の階調レベルでの画素電流分布を検出する場合（図６のステップＳ３０２でＹｅｓ）、階調レベルを変更して（図６のステップＳ３０３）上記ステップＳ２０１〜ステップＳ３０１を繰り返す。
【０１３６】
最後に、制御部１０１は、別の階調レベルでの画素電流分布を検出しない場合（図６のステップＳ３０２でＮｏ）、ムラ傾向検出部３０１による輝度ムラ検出を終了する。
【０１３７】
なお、上述したムラ傾向検出部３０１による輝度ムラの検出方法において、図５（ａ）〜図５（ｆ）のステップを実行しなくてもよい。この場合、表示部１０５の輝度ムラ傾向としては、表示部１０５を左右に２等分した輝度ムラ傾向が検出される。
【０１３８】
次に、本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法について説明する。
図７は、本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【０１３９】
まず、制御部１０１、メモリ１０２及び１０６、走査線駆動回路１０３、データ線駆動回路１０４、表示部１０５、電流計１０７、Ａ／Ｄコンバータ１０８及びパネル電源１０９を図１に記載された機能ブロック図のように接続する（ステップＳ１０）。
【０１４０】
次に、制御部１０１は、上述した表示部１０５の輝度ムラ傾向検出を実行する。つまり、各表示パターンの表示及び総電流の測定を行い（ステップＳ２０）、画素電流分布を抽出する（ステップＳ３０）。
【０１４１】
なお、上記表示パターンは、メモリ１０６に予め格納されており、当該表示パターンを表示パターン発生部３０３に読み出して表示部１０５に表示させてもよい。
【０１４２】
次に、補正パラメータ算出部３０２は、ムラ傾向検出部３０１で検出したムラ傾向を取得して、表示部１０５の輝度ムラを補正する補正パラメータを算出して作成する（ステップＳ４０）。このとき、当該補正パラメータにより、画素ごとの補正値が決定される。
【０１４３】
最後に、補正パラメータ算出部３０２で作成された補正パラメータをメモリ１０２に書き込む（ステップＳ５０）。
【０１４４】
以上、本発明の実施の形態１に係る表示装置及びその製造方法によれば、複数の表示パターンを評価することにより輝度ムラの傾向（画素電流分布）を特定し、補正パラメータを作成するので、電流測定回数を劇的に減らすことが可能となる。
【０１４５】
アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイは、駆動トランジスタや有機ＥＬ素子の特性のばらつきに起因し、またディスプレイ上の温度分布により、同じデータ信号を与えても、各画素において有機ＥＬ素子の輝度が異なり、輝度ムラが発生するという欠点がある。この輝度ムラを補償するため、従来では、輝度もしくは電流の初期測定を画素ごとに実行し、この測定結果をもとに補正パラメータを作成していた。よって、パネルが大画面になるほど、また、入力階調が増えるほど、パネル全面を測定する時間がかかり、製造コストに大きな負担がかかっていた。
【０１４６】
これに対し、本発明の実施の形態１に係る表示装置及びその製造方法によれば、画素ごとの電流ではなく、各表示パターンで流れる全画素の総電流を測定するので、補正精度を確保しながら測定時間の短縮化を図ることが可能となる。
【０１４７】
また、表示装置に輝度ムラを補正するための構成が内蔵されているので、製造時における輝度ムラ補正だけでなく、表示装置を製品として使用する時でも、例えば、使用劣化による輝度ムラを補償することが可能となる。
【０１４８】
また、ムラ傾向検出部により検出された輝度ムラのパターンを、さらに、そのパターンの領域ごとに細分化された輝度ムラのパターンを検出することが可能となる。よって、補正精度の向上を図ることが可能となる。
【０１４９】
なお、本発明の実施の形態１に係る表示装置１００の輝度ムラ傾向検出機能は、表示装置自体に内蔵されている必要はなく、上記輝度ムラ傾向検出機能を備えた、表示装置とは別の表示評価装置とすることが可能である。
【０１５０】
図８は、本発明の表示評価装置及びそれが接続された表示装置の機能ブロック図である。
【０１５１】
同図に記載された表示評価装置３１０は、ムラ傾向検出部３０１と、メモリ１０６と、表示パターン発生部３０３と、補正パラメータ算出部３０２と、電流計１０７と、Ａ／Ｄコンバータ１０８とを備える。
【０１５２】
また、表示装置の有する制御部４０１は、ムラ補正部３０４と、駆動用タイミングコントローラ３０５とを備える。当該表示装置は、輝度ムラ傾向検出機能を有していない。
【０１５３】
本発明の表示評価装置３１０は、本発明の実施の形態１に係る表示装置１００と比較して、輝度ムラ傾向を検出し補正パラメータを作成するのに必要な構成のみを有し、当該補正パラメータを格納するメモリ及び当該補正パラメータにより映像信号補正するムラ補正部を有していない。
【０１５４】
また、表示評価装置３１０の有する各構成要素の輝度ムラ傾向検出機能及び補正パラメータ作成機能は、表示装置１００のそれと同様である。
【０１５５】
本発明の表示評価装置によれば、複数の表示パターンを評価することにより輝度ムラ傾向を決定し、補正パラメータを作成するので、電流測定回数を劇的に減らすことが可能となる。また、画素ごとの電流ではなく、各表示パターンで流れる全画素の総電流を測定するので、補正精度を確保しながら測定時間の短縮化を図ることが可能となる。
【０１５６】
また、表示装置本体に輝度ムラを補正するための構成を内蔵する必要がないので、表示装置本体の部品点数削減及び低コスト化を図ることが可能となる。
【０１５７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の表示装置が製品として出荷された後、その使用時に起因して発生する輝度ムラの傾向を検出する方法、及び、これにより輝度ムラを補正する方法について説明する。実施の形態２では、表示パターンとして、同心矩形状のパターンを用いている。
【０１５８】
図９（ａ）は、本発明の実施の形態２に係る表示部の輝度ムラの一例である。同図に記載された表示部１０５は、使用時における表示パネルの放熱及びＴＦＴの温度特性などの要因により、例えば、長時間表示させていると、表示パネル中央で電流が流れやすくなる傾向を表している。
【０１５９】
図９（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る表示部領域によるＴＦＴ特性のばらつきを説明するグラフの一例である。図９（ｂ）に示すように、上記要因により、２次曲線で表されるドレイン電流Ｉｄｎ−データ電圧Ｖｇｓ特性は、表示パネル中央部と周辺部とで異なっている。
【０１６０】
本実施の形態では、画素Ａ、画素Ｂ、画素Ｃ、画素Ｄの順にドレイン電流Ｉｄｎが流れやすく、輝度が高いと仮定する。
【０１６１】
図１０は、本発明の実施の形態２に係る表示装置の有するムラ傾向検出部の輝度ムラ検出方法を説明する図である。なお、実施の形態２に係る表示装置は、実施の形態１に係る表示装置１００と構成及び機能は同様である。
【０１６２】
また、図１１は、本発明の実施の形態２に係る表示装置の有するムラ傾向検出部の輝度ムラ検出方法を説明する動作フローチャートである。
【０１６３】
まず、図１０（ａ）に示すように、表示パターン発生部３０３は、表示部１０５の全画素点灯パターン（例えば階調１２８）である表示パターンを出力し、表示部１０５に当該表示パターンを表示させる（図１１のステップＳ１２０１）。そして、電流計１０７は、そのときの表示部１０５に流れる総電流Ｉallを測定する（図１１のステップＳ１２０２）。また、ムラ傾向検出部３０１は、このときの平均画素電流Ｉaveを算出する（図１１のステップＳ１２０３）。なお、平均画素電流Ｉaveは、総電流Ｉallを全画素数（ｍ×ｎ）で割った値Ｉall／（ｍ×ｎ）となる。この段階で、全画素の平均画素電流Ｉaveを全画素の画素電流値とする（図１１のステップＳ１２０４）。
【０１６４】
次に、表示部１０５の画素電流分布を測定する対象として、画素電流値の等しい領域を特定する（図１１のステップＳ１２０５）。この段階において、表示部１０５の全画素において、画素電流値はＩaveであると設定しているので、上記画素電流値の等しい領域とは、表示部全面となっている。
【０１６５】
次に、図１０（ｂ）に示すように、表示パターン発生部３０３は、表示部１０５の中央から水平（ｍ／４）ピッチかつ垂直（ｎ／４）ピッチの点灯パターン（階調１２８）の表示パターン（ｍｎ／４）を出力し、表示部１０５に当該表示パターンを表示させる（図１１のステップＳ１２０６）。そして、電流計１０７は、そのときの表示部１０５に流れる総電流Ｉ（ｍｎ／４）を測定する（図１１のステップＳ１２０７）。また、ムラ傾向検出部３０１は、このときの平均画素電流Ｉ（ｍｎ／４）aveを算出する（図１１のステップＳ１２０８）。なお、Ｉ（ｍｎ／４）aveは、総電流Ｉ（ｍｎ／４）を点灯画素数（ｍ×ｎ／４）で割った値Ｉ（ｍｎ／４）／（ｍ×ｎ／４）となる。
【０１６６】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、空間周波数が同じで位相が異なる複数の表示パターンのうちから、点灯領域の平均画素電流値が最大である第１の表示パターンを検出する。本実施の形態においては、表示パネル中央から周辺部につれて、輝度が減少する輝度ムラが発生していることが前提であるため、空間周波数が同じで位相が異なる複数の表示パターンのうちでは、図１０（ｂ）に記載された表示パターン（ｍｎ／４）が第１の表示パターンとなる。よって、ムラ傾向検出部３０１は、表示パターン（ｍｎ／４）における点灯領域の平均画素電流値と消灯領域の平均画素電流値とをそれぞれ、各領域の画素電流値とする（図１１のステップＳ１２０９）。
【０１６７】
以上のステップにより、ムラ傾向検出部３０１は、表示部１０５の輝度ムラ傾向を検出する。本実施の形態では、表示部１０５の中央から水平（ｍ／４）ピッチかつ垂直（ｎ／４）ピッチ以内の領域を領域１として、その平均画素電流値がＩ（ｍｎ／４）／（ｍ×ｎ／４）であり、中央から水平（ｍ／４）ピッチかつ垂直（ｎ／４）ピッチ以外の領域を領域２として、その平均画素電流値が（Ｉall−Ｉ（ｍｎ／４））／（３ｍ×ｎ／４））であるという輝度ムラ傾向を算出する。
【０１６８】
さらに、表示部１０５の細分化された輝度ムラ傾向を検出したい場合（図１１のステップＳ１２１０でＮｏ）、制御部１０１は、測定対象の領域を全画素から変更する（図１１のステップＳ１２１１）。
【０１６９】
この場合、制御部１０１は、表示部１０５の画素電流分布を測定する対象として、画素電流値の等しい領域を特定する（図１１のステップＳ１２０５）。本実施の形態の場合、画素電流値の等しい領域として、表示部１０５の中央から水平（ｍ／４）ピッチかつ垂直（ｎ／４）ピッチ以内の領域である領域１を特定する。
【０１７０】
以降の検出動作により、ムラ傾向検出部３０１により検出されたムラ傾向パターンを、さらに、そのムラ傾向パターンの領域ごとに細分化して当該領域ごとのムラ傾向パターンを検出することが可能となる。よって、補正精度の向上を図ることが可能となる。
【０１７１】
次に、図１０（ｃ）に示すように、表示パターン発生部３０３は、表示部１０５の中央から水平（ｍ／８）ピッチかつ垂直（ｎ／８）ピッチの点灯パターン（階調１２８）の表示パターン（ｍｎ／８，１）を出力し、表示部１０５に当該表示パターンを表示させる（図１１のステップＳ１２０６）。そして、電流計１０７は、そのときの表示部１０５に流れる総電流Ｉ（ｍｎ／８，１）を測定する（図１１のステップＳ１２０７）。また、ムラ傾向検出部３０１は、このときの平均画素電流Ｉ（ｍｎ／８，１）aveを算出する（図１１のステップＳ１２０８）。なお、平均画素電流Ｉ（ｍｎ／８，１）aveは、総電流Ｉ（ｍｎ／８，１）を点灯画素数（ｍ×ｎ／１６）で割った値Ｉ（ｍｎ／８，１）／（ｍ×ｎ／１６）となる。
【０１７２】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、空間周波数が同じで位相が異なる複数の表示パターンのうちから、点灯領域の平均画素電流値が最大である第３の表示パターンを検出する。本実施の形態においては、表示パネル中央から周辺部につれて、輝度が減少する輝度ムラが発生していることが前提である。このため、表示部１０５の中央から水平（ｍ／４）ピッチかつ垂直（ｎ／４）ピッチ以内の領域において空間周波数が同じで位相が異なる複数の表示パターンのうちでは、図１０（ｃ）に記載された表示パターン（ｍｎ／８，１）が第３の表示パターンとなる。よって、ムラ傾向検出部３０１は、表示パターン（ｍｎ／８，１）における点灯領域の平均画素電流値と消灯領域の平均画素電流値とをそれぞれ、各領域の画素電流値とする（図１１のステップＳ１２０９）。
【０１７３】
以上のステップにより、ムラ傾向検出部３０１は、表示部１０５の輝度ムラ傾向を検出する。本実施の形態では、表示部１０５の中央から水平（ｍ／８）ピッチかつ垂直（ｎ／８）ピッチ以内の領域を領域１−１として、その平均画素電流値がＩ（ｍｎ／８，１）／（ｍ×ｎ／１６）であるとする。また、中央から水平（ｍ／８）ピッチかつ垂直（ｎ／８）ピッチ以外であって、中央から水平（ｍ／４）ピッチかつ垂直（ｎ／４）ピッチ以内の領域を領域１−２として、その平均画素電流値が（Ｉ（ｍｎ／４）−Ｉ（ｍｎ／８，１））／（３ｍ×ｎ／１６））であるとする。つまり、領域１−１と領域１−２との輝度ムラ傾向が検出される。
【０１７４】
さらに、表示部１０５の細分化された輝度ムラ傾向を検出したい場合（図１１のステップＳ１２１０でＮｏ）、制御部１０１は、測定対象を変更する（図１１のステップＳ１２１１）。
【０１７５】
この場合、制御部１０１は、表示部１０５の画素電流分布を測定する対象として、画素電流値の等しい領域を特定する（図１１のステップＳ１２０５）。本実施の形態の場合、画素電流値の等しい領域として、表示部１０５の中央から水平（ｍ／４）ピッチかつ垂直（ｎ／４）ピッチ以外の領域である領域２を特定する。
【０１７６】
次に、図１０（ｄ）に示すように、表示パターン発生部３０３は、表示部１０５の中央から水平（ｍ／４）ピッチかつ垂直（ｎ／４）ピッチを内径とし、外周から水平（ｍ／８）ピッチかつ垂直（ｎ／８）ピッチを外径とした点灯パターン（階調１２８）の表示パターン（ｍｎ／８，２）を出力し、表示部１０５に当該表示パターンを表示させる（図１１のステップＳ１２０６）。そして、電流計１０７は、そのときの表示部１０５に流れる総電流Ｉ（ｍｎ／８，２）を測定する（図１１のステップＳ１２０７）。また、ムラ傾向検出部３０１は、このときの平均画素電流Ｉ（ｍｎ／８，２）aveを算出する（図１１のステップＳ１２０８）。なお、平均画素電流Ｉ（ｍｎ／８，２）aveは、総電流Ｉ（ｍｎ／８，２）を点灯画素数（５ｍ×ｎ／１６）で割った値Ｉ（ｍｎ／８，２）／（５ｍ×ｎ／１６）となる。
【０１７７】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、空間周波数が同じで位相が異なる複数の表示パターンのうちから、点灯領域の平均画素電流値が最大である第５の表示パターンを検出する。本実施の形態においては、表示パネル中央から周辺部につれて、輝度が減少する輝度ムラが発生していることが前提であるため、表示部１０５の中央から水平（ｍ／４）ピッチかつ垂直（ｎ／４）ピッチ以外の領域において空間周波数が同じで位相が異なる複数の表示パターンのうちでは、図１０（ｄ）に記載された表示パターン（ｍｎ／８，２）が第５の表示パターンとなる。よって、ムラ傾向検出部３０１は、表示パターン（ｍｎ／８，２）における点灯領域の平均画素電流値と消灯領域の平均画素電流値とをそれぞれ、各領域の画素電流値とする（図１１のステップＳ１２０９）。
【０１７８】
以上のステップにより、ムラ傾向検出部３０１は、表示部１０５の輝度ムラ傾向を検出する。本実施の形態では、表示部１０５の中央から水平（ｍ／４）ピッチかつ垂直（ｎ／４）ピッチ以外であって、中央から水平（３ｍ／８）ピッチかつ垂直（３ｎ／８）ピッチ以内である領域を領域２−１として、その平均画素電流値がＩ（ｍｎ／８，２）／（５ｍ×ｎ／１６）であるとする。また、外周から水平（ｍ／８）ピッチかつ垂直（ｎ／８）ピッチ以内の領域を領域２−２として、その平均画素電流値が（Ｉall−Ｉ（ｍｎ／４）−Ｉ（ｍｎ／８，２））／（７ｍ×ｎ／１６））であるとする。
【０１７９】
このとき、ムラ傾向検出部３０１は、領域１のムラ傾向及び領域２のムラ傾向より、表示部１０５のより細分化された輝度ムラ傾向を検出する。
【０１８０】
次に、ムラ傾向検出部３０１は、表示部１０５の細分化された輝度ムラ傾向を、これ以上検出しない場合（図１１のステップＳ１２１０でＹｅｓ）、制御部１０１は、上記階調レベルにおける画素電流分布の抽出を完了する（図１１のステップＳ１２１２）。
【０１８１】
次に、制御部１０１は、別の階調レベルでの画素電流分布を検出する場合（図１１のステップＳ１２１３でＹｅｓ）、階調レベルを変更して（図１１のステップＳ１２１４）上記ステップＳ１２０１〜ステップＳ１２１２を繰り返す。
【０１８２】
最後に、制御部１０１は、別の階調レベルでの画素電流分布を検出しない場合（図１１のステップＳ１２１３でＮｏ）、ムラ傾向検出部３０１による輝度ムラ検出を終了する。
【０１８３】
次に、本発明の実施の形態に係る表示装置の補正方法について説明する。
図１２は、本発明の実施の形態２に係る表示装置の補正方法を説明する動作フローチャートである。
【０１８４】
まず、制御部１０１は、上述した表示部１０５の輝度ムラ傾向検出を実行する。つまり、各表示パターンの表示及び総電流の測定を行い（ステップＳ１１０）、画素電流分布を抽出する（ステップＳ１２０）。
【０１８５】
なお、上記表示パターンは、メモリ１０６に予め格納されており、当該表示パターンを表示パターン発生部３０３に読み出して表示部１０５に表示させてもよい。
【０１８６】
次に、補正パラメータ算出部３０２は、ムラ傾向検出部３０１で検出したムラ傾向を取得して、表示部１０５の輝度ムラを補正する補正パラメータを算出して作成する（ステップＳ１３０）。このとき、当該補正パラメータにより、画素ごとの補正値が決定される。
【０１８７】
次に、補正パラメータ算出部３０２で作成された補正パラメータをメモリ１０２に書き込む（ステップＳ１４０）。
【０１８８】
上述したステップＳ１３０及びステップＳ１４０では、例えば、以下のように補正パラメータが算出され、記憶される。
【０１８９】
前述した式２より、各発光画素の輝度は、画素電流に比例する。従って、画素電流値の比は、各発光画素の輝度比となる。補正パラメータ算出部３０２は、ステップＳ１２０で抽出された画素電流分布により、代表画素の画素電流値と各画素の画素電流値との比である輝度ゲインを画素ごとに算出する。ここで、輝度ゲインとは、上述したように、所定の基準輝度と各画素部の輝度との比に対応する値である。また、上記所定の基準輝度とは、複数の画素部の中の任意の画素部の輝度、または、複数の画素部の２以上の画素部の輝度を平均した輝度である。次に、算出された画素ごとの輝度ゲインをメモリ１０２に書き込む。以上が、ステップＳ１３０及びステップＳ１４０で実行される補正パラメータの算出及び記憶動作の一例である。
【０１９０】
最後に、ムラ補正部３０４は、メモリ１０２から補正パラメータを読み出して映像信号データを補正し、当該補正された映像信号データを、駆動用タイミングコントローラ３０５を介してデータ線駆動回路１０４に出力する（ステップＳ１５０）。
【０１９１】
ステップＳ１５０におけるムラ補正部３０４の動作については、例えば、以下のような動作が実行される。
【０１９２】
図１３は、本発明の実施の形態２に係るムラ補正部の補正方法を説明する動作フローチャートである。
【０１９３】
まず、ムラ補正部３０４は、外部から入力された映像信号と同時に入力された同期信号により、画素毎に当該映像信号の位置情報を検出する（Ｓ１５０１）。
【０１９４】
次に、ムラ補正部３０４は、メモリ１０２を参照し、画素毎の補正パラメータを読み出す（Ｓ１５０２）。
【０１９５】
次に、ムラ補正部３０４は、映像信号に対応した輝度信号を、補正パラメータにより補正された電圧信号に変換する（Ｓ１５０３）。
【０１９６】
ここで、ステップＳ１５０３における電圧信号への変換処理について、具体的に例示して説明する。
【０１９７】
図１４は、本発明の実施の形態２に係るムラ補正部の輝度信号補正ステップを説明する構成ブロック図である。同図におけるムラ補正部３０４は、補正ブロック６０１と変換ブロック６０２とを備える。
【０１９８】
補正ブロック６０１は、メモリ１０２に格納されている各画素部の輝度ゲインと、外部から入力された各画素部に対する映像信号とを乗算して補正する補正部である。
【０１９９】
変換ブロック６０２は、補正ブロック６０１により補正された映像信号を、メモリ１０２に格納されている代表変換カーブに基づき導出された代表Lｏｏｋ  Ｕｐ  Ｔａｂｌｅ（以下、「代表ＬＵＴ」とする）により、補正された電圧信号に変換して駆動用タイミングコントローラ３０５へ出力する変換部である。
【０２００】
ここで、メモリ１０２には、例えば、複数の画素部に共通する電圧−輝度特性を表す代表ＬＵＴが記憶されている。
【０２０１】
まず、補正ブロック６０１に入ってきた各画素の映像信号と、メモリ１０２から読み出された各画素の輝度ゲインとを乗算することにより、映像信号を補正する。
【０２０２】
次に、変換ブロック６０２において、補正された映像信号を、上記代表ＬＵＴを用いて、補正された電圧信号に変換する。
【０２０３】
以上が、ステップＳ１５０３における電圧信号への変換処理の一例である。
最後に、駆動用タイミングコントローラ３０５は、補正された電圧信号をデータ線駆動回路１０４へ出力し、特定の画素へ補正されたデータ電圧として供給させる（Ｓ１５０４）。
【０２０４】
以上、本発明の実施の形態２に係る表示装置及びその補正方法によれば、当該表示装置を製品として出荷した後においても、使用時に発生する輝度ムラを、複数の表示パターンを評価することにより輝度ムラのパターンを特定し補正パラメータを作成するので、電流測定回数を劇的に減らすことが可能となる。
【０２０５】
また、画素ごとの電流ではなく、各表示パターンで流れる全画素の総電流を測定するので、補正精度を確保しながら測定時間の短縮化を図ることが可能となる。
【０２０６】
また、ムラ傾向検出部により検出された輝度ムラのパターンを、さらに、そのパターンの領域ごとに細分化された輝度ムラのパターンを検出することが可能となる。よって、補正精度の向上を図ることが可能となる。
【０２０７】
なお、本発明に係る表示装置、その製造方法及び補正方法、ならびに表示評価装置は、上記実施の形態に限定されるものではない。上述した実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る表示装置及び表示評価装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【０２０８】
例えば、本発明に係る表示装置は、図１４に記載されたような薄型フラットＴＶに内蔵される。本発明に係る表示装置により、輝度ムラ補償時間が短縮化されたディスプレイを備えた低コストの薄型フラットＴＶが実現される。
【０２０９】
なお、実施の形態１及び２に係る表示装置１００は、メモリ１０２及び１０６を備えているが、これらは独立したメモリである必要はなく、１つのメモリであってもよい。
【０２１０】
また、表示装置の画素回路構成は、図２（ａ）に記載された回路構成に限定されない。図２（ａ）に記載された回路構成に、別の回路構成要素が付加される場合も、本発明に係る画素回路構成に含まれる。例えば、駆動トランジスタ２０４のゲート配線に接続された保持容量２０６は付加回路として機能するが、付加回路は、駆動トランジスタ２０４の閾値電圧を補正することを目的とした選択トランジスタ及びそれを制御する制御線などを備えていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０２１１】
本発明は、特に表示装置を内蔵する有機ＥＬフラットパネルディスプレイ及び有機ＥＬフラットパネルディスプレイを補正する評価装置に有用であり、画質の均一性が要求されるディスプレイの表示装置、その製造方法及び補正方法、ならびに表示評価装置として用いるのに最適である。
【符号の説明】
【０２１２】
１００    表示装置
１０１、４０１    制御部
１０２、１０６    メモリ
１０３    走査線駆動回路
１０４    データ線駆動回路
１０５    表示部
１０７    電流計
１０８    Ａ／Ｄコンバータ
１０９    パネル電源
２００    走査線
２０１    データ線
２０２    電源線
２０３    スイッチングトランジスタ
２０４    駆動トランジスタ
２０５    有機ＥＬ素子
２０６    保持容量
２０７    共通電極
３０１    ムラ傾向検出部
３０２    補正パラメータ算出部
３０３    表示パターン発生部
３０４    ムラ補正部
３０５    駆動用タイミングコントローラ
３１０    表示評価装置
６０１    補正ブロック
６０２    変換ブロック
【図１】
2011053634.tif 000003
【図２】
2011053634.tif 000004
【図３】
2011053634.tif 000005
【図４】
2011053634.tif 000006
【図５】
2011053634.tif 000007
【図６】
2011053634.tif 000008
【図７】
2011053634.tif 000009
【図８】
2011053634.tif 000010
【図９】
2011053634.tif 000011
【図１０】
2011053634.tif 000012
【図１１】
2011053634.tif 000013
【図１２】
2011053634.tif 000014
【図１３】
2011053634.tif 000015
【図１４】
2011053634.tif 000016
【図１５】
2011053634.tif 000017