(57)【要約】【課題】スペーサーの剥離に起因する配向不良が発生するのを抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】この液晶表示装置１００は、液晶層３０を挟んで互いに対向するように配置されるＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０と、互いに異なる機能を有するメイン柱状スペーサー１４およびサブ柱状スペーサー２５とを備える。また、メイン柱状スペーサー１４は、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側の表面に形成され、サブ柱状スペーサー２５は、ＣＦ基板２０のＺ１方向側の表面に形成されている。【選択図】図２
2011081226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟んで互いに対向するように配置される第１基板および第２基板と、
互いに異なる機能を有する第１スペーサーおよび第２スペーサーとを備え、
前記第１スペーサーは、前記第１基板および前記第２基板のうちのいずれか一方側に形成され、
前記第２スペーサーは、前記第１基板および前記第２基板のうちのいずれか他方側に形成されている、液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１スペーサーは、前記第１基板と前記第２基板との基板間距離を一定に保つように構成されるとともに、低温環境下において前記液晶層が収縮した際に、前記液晶層の収縮に伴って変形するように構成され、
前記第２スペーサーは、前記第１基板および前記第２基板が荷重を受けた際、および、低温環境下において前記液晶層が収縮した際に、前記第１基板と前記第２基板との基板間距離が所定の間隔よりも小さくならないようにするように構成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１基板の前記第２基板側の表面上に形成された薄膜トランジスタをさらに備え、
前記第１スペーサーは、前記第１基板の前記薄膜トランジスタの形成領域の上方に配置されている、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１スペーサーは、前記第１基板の前記第２基板側の表面上に形成されており、
前記第２スペーサーは、前記第２基板の前記第１基板側の表面上に形成されており、
前記第１スペーサーの前記第２基板側の表面は、前記第２基板の前記第１基板側の表面と当接しており、
前記第２スペーサーの前記第１基板側の表面は、前記第１基板の前記第２基板側の表面と間隔を隔てて形成されている、請求項２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１スペーサーは、前記第２スペーサーの高さよりも大きい高さを有するように形成されており、
前記第２スペーサーの前記第１基板側の表面は、前記第１基板の前記第２基板側の表面と間隔を隔てて形成されている、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１スペーサーは、前記第２スペーサーの高さと略等しい高さを有するように形成されており、
前記第１基板の前記第２基板側の前記第２スペーサーに対応する領域には、凹部が形成されており、
前記第２スペーサーの前記第１基板側の表面は、前記第１基板の前記第２基板側の前記第２スペーサーに対応する領域に形成された前記凹部の表面と間隔を隔てて形成されている、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１スペーサーは、前記第１基板の前記第２基板側の表面上に形成されており、
前記第２スペーサーは、前記第２基板の前記第１基板側の表面上に形成されており、
前記第１スペーサーの前記第２基板側の表面は、前記第２基板の前記第１基板側の表面と当接しており、
前記第２スペーサーの前記第１基板側の表面は、前記第１基板の前記第２基板側の表面と当接しており、
前記第２スペーサーは、前記第１スペーサーよりも弾性変形しやすいように構成されている、請求項２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２スペーサーのうち少なくとも前記第１基板の前記第２基板側の表面との当接部分近傍の前記第２スペーサーの延びる方向に直交する方向の断面積は、前記第１スペーサーのうち少なくとも前記第２基板の前記第１基板側の表面との当接部分近傍の前記第１スペーサーの延びる方向に直交する方向の断面積よりも小さくなるように構成されている、請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１スペーサーと、前記第２スペーサーとは、互いに異なる硬度を有する材質からなる、請求項７または８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第２基板の前記第１基板側の表面上に形成された遮光部をさらに備え、
前記第１スペーサーおよび前記第２スペーサーの少なくとも一方は、平面的に見て、前記遮光部と重なるように配置されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備える、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に、互いに異なる機能を有する第１スペーサーおよび第２スペーサーを備える液晶表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、互いに異なる機能を有する第１スペーサーおよび第２スペーサーを備える液晶表示装置および電子機器が知られている（たとえば、特許文献１および２参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、液晶層を挟んで互いに対向するように配置される対向基板（第１基板）および透明基板（第２基板）と、透明基板の対向基板側の表面上に形成された第１柱状スペーサー（第１スペーサー）および第２柱状スペーサー（第２スペーサー）とを備えた液晶表示装置が開示されている。なお、上記特許文献１には、明確に記載されていないが、第１柱状スペーサーおよび第２柱状スペーサーの表面上には配向膜が形成されていると考えられる。また、上記特許文献１に記載の液晶表示装置では、第１柱状スペーサーは、第２柱状スペーサーの高さよりも大きい高さを有するように形成されている。この第１柱状スペーサーの対向基板側の表面は、対向基板の透明基板側の表面に当接するように配置されている。そして、第１柱状スペーサーは、対向基板と透明基板との基板間距離（セルギャップ）を一定に保つように構成されている。また、第２柱状スペーサーの対向基板側の表面は、対向基板の透明基板側の表面と間隔を隔てて配置されている。そして、対向基板および透明基板に荷重が加えられた際、および、低温環境下において液晶層が収縮し、対向基板および透明基板が液晶層側に撓んだ際には、第２柱状スペーサーの対向基板側の表面が、対向基板の透明基板側の表面に当接するように構成されている。これにより、第２柱状スペーサーによって、対向基板と透明基板との基板間距離が一定に保たれるように構成されている。
【０００４】
また、上記特許文献２には、ガラス基板（第２基板）と、ガラス基板の表面上に形成されたメインフォトスペーサー（第１スペーサー）およびサブフォトスペーサー（第２スペーサー）とを備えた液晶表示装置が開示されている。なお、上記特許文献２には、明確に記載されていないが、メインフォトスペーサーおよびサブフォトスペーサーの表面上には配向膜が形成されていると考えられる。また、ガラス基板に対向するように液晶層を挟んで対向基板（第１基板）が設けられていると考えられる。また、上記特許文献２に記載の液晶表示装置では、メインフォトスペーサーは、サブフォトスペーサーの高さよりも大きい高さを有するように形成されている。このメインフォトスペーサーは、ガラス基板と対向基板との基板間距離（セルギャップ）を一定に保つように構成されている。また、サブフォトスペーサーは、ガラス基板および対向基板に荷重が加えられ、ガラス基板および対向基板が互いに液晶層側に撓んだ際に、サブフォトスペーサーの対向基板側の表面が対向基板のガラス基板側の表面に当接するように構成されている。これにより、サブフォトスペーサーによって、ガラス基板と対向基板との基板間距離が一定に保たれるように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１２１８５７号公報
【特許文献２】特開２００７−２７２２２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１および２に記載の液晶表示装置では、第２基板に第１スペーサーおよび第２スペーサーの両方が形成されているため、第２基板に形成されるスペーサーの数が多くなる。このため、ラビング処理を行う際に、ラビング布が配向膜に接触する場合に、配向膜とともに第１スペーサーおよび第２スペーサーが第２基板の表面から剥離しやすくなると考えられる。このように、第１スペーサーおよび第２スペーサーが剥離すると、剥離した第１スペーサーおよび第２スペーサーがラビング布に付着するので、剥離した第１スペーサーおよび第２スペーサーが付着した状態のラビング布を用いてラビング処理を行うと、配向膜を傷つけてしまい、その結果、配向不良が発生するという問題点がある。
【０００７】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、スペーサーの剥離に起因する配向不良が発生するのを抑制することが可能な液晶表示装置および電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００８】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面における液晶表示装置は、液晶層を挟んで互いに対向するように配置される第１基板および第２基板と、互いに異なる機能を有する第１スペーサーおよび第２スペーサーとを備え、第１スペーサーは、第１基板および第２基板のうちのいずれか一方側に形成され、第２スペーサーは、第１基板および第２基板のうちのいずれか他方側に形成されている。
【０００９】
この第１の局面による液晶表示装置では、第１スペーサーを第１基板および第２基板のうちのいずれか一方側に形成し、第２スペーサーを第１基板および第２基板のうちのいずれか他方側に形成することによって、第１基板および第２基板のいずれか一方側に第１スペーサーおよび第２スペーサーの両方を形成する場合と比べて、第１基板および第２基板のそれぞれに形成されるスペーサーの数が減少するので、第１基板および第２基板のそれぞれに形成されるスペーサーの密度を小さくすることができる。これにより、ラビング処理を行う際に、ラビング布が配向膜に接触する場合に、配向膜とともに第１スペーサーまたは第２スペーサーが第１基板または第２基板の表面から剥離するのを抑制することができる。その結果、ラビング布にスペーサーが付着しにくくなるので、配向膜が傷つくのを抑制することができる。これにより、スペーサーの剥離に起因する配向不良が発生するのを抑制することができる。
【００１０】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第１スペーサーは、第１基板と第２基板との基板間距離を一定に保つように構成されるとともに、低温環境下において液晶層が収縮した際に、液晶層の収縮に伴って変形するように構成され、第２スペーサーは、第１基板および第２基板が荷重を受けた際、および、低温環境下において液晶層が収縮した際に、第１基板と第２基板との基板間距離が所定の間隔よりも小さくならないようにするように構成されている。このように構成すれば、第１基板および第２基板が荷重を受けていない際には、第１スペーサーにより、第１基板と第２基板との基板間距離を一定に保つことができる。また、低温環境下において液晶層が収縮した際には、液晶層の収縮に伴って第１スペーサーが変形することによって、第１基板と第２基板とを液晶層側に撓ませ易くすることができるので、第１基板および第２基板と液晶層との間に低温気泡が発生するのを抑制することができる。また、液晶層の収縮に伴って、第２スペーサーの液晶層側の表面が第２スペーサーに対向する基板の液晶層側の表面に当接するので、第２スペーサーによって、第１基板と第２基板との基板間距離が所定の間隔よりも小さくなるのを抑制することができる。
【００１１】
この場合、好ましくは、第１基板の第２基板側の表面上に形成された薄膜トランジスタをさらに備え、第１スペーサーは、第１基板の薄膜トランジスタの形成領域の上方に配置されている。このように構成すれば、金属配線などにより構成された薄膜トランジスタの形成領域の上方は、たとえば、樹脂層のみにより形成された領域の上方と比べて、第１スペーサーを形成するための土台としての保持力が大きい（土台がくずれにくい）ので、第１基板および第２基板に荷重が加えられた際の荷重に対する液晶表示装置の強度を向上させることができる。
【００１２】
上記液晶層の収縮に伴って変形する第１スペーサーと、第１基板と第２基板との基板間距離が所定の間隔よりも小さくならないようにする第２スペーサーとを備える液晶表示装置において、好ましくは、第１スペーサーは、第１基板の第２基板側の表面上に形成されており、第２スペーサーは、第２基板の第１基板側の表面上に形成されており、第１スペーサーの第２基板側の表面は、第２基板の第１基板側の表面と当接しており、第２スペーサーの第１基板側の表面は、第１基板の第２基板側の表面と間隔を隔てて形成されている。このように構成すれば、低温環境下において液晶層が収縮した際には、液晶層の収縮に伴って第１スペーサーが変形することによって、第１基板と第２基板とを液晶層側に撓ませ易くすることができるので、第１基板および第２基板と液晶層との間に低温気泡が発生するのを抑制することができる。また、液晶層の収縮に伴って、第２スペーサーの第１基板側の表面が第１基板の第２基板側の表面に当接することにより、第１基板と第２基板との基板間距離が所定の間隔よりも小さくなるのを抑制することができる。
【００１３】
この場合、好ましくは、第１スペーサーは、第２スペーサーの高さよりも大きい高さを有するように形成されており、第２スペーサーの第１基板側の表面は、第１基板の第２基板側の表面と間隔を隔てて形成されている。このように構成すれば、第１基板および第２基板が荷重を受けた際、および、低温環境下において液晶層が収縮した際には、第２スペーサーの第１基板側の表面と、第１基板の第２基板側の表面との間隔の分、第１基板および第２基板を液晶層側に撓ませることができるとともに、第２スペーサーによって、第１基板と第２基板との基板間距離が所定の間隔よりも小さくなるのを抑制することができる。
【００１４】
上記第１基板の第２基板側の表面上に形成された第１スペーサーと、第２基板の第１基板側の表面上に形成された第２スペーサーとを備える液晶表示装置において、好ましくは、第１スペーサーは、第２スペーサーの高さと略等しい高さを有するように形成されており、第１基板の第２基板側の第２スペーサーに対応する領域には、凹部が形成されており、第２スペーサーの第１基板側の表面は、第１基板の第２基板側の第２スペーサーに対応する領域に形成された凹部の表面と間隔を隔てて形成されている。このように構成すれば、第１基板および第２基板が荷重を受けた際、および、低温環境下において液晶層が収縮した際には、第２スペーサーの第１基板側の表面と、凹部の表面との間隔の分、第１基板および第２基板を液晶層側に撓ませることができるとともに、第２スペーサーによって、第１基板と第２基板との基板間距離が所定の間隔よりも小さくなるのを抑制することができる。
【００１５】
上記液晶層の収縮に伴って変形する第１スペーサーと、第１基板と第２基板との基板間距離が所定の間隔よりも小さくならないようにする第２スペーサーとを備える液晶表示装置において、好ましくは、第１スペーサーは、第１基板の第２基板側の表面上に形成されており、第２スペーサーは、第２基板の第１基板側の表面上に形成されており、第１スペーサーの第２基板側の表面は、第２基板の第１基板側の表面と当接しており、第２スペーサーの第１基板側の表面は、第１基板の第２基板側の表面と当接しており、第２スペーサーは、第１スペーサーよりも弾性変形しやすいように構成されている。このように構成すれば、第１基板および第２基板が荷重を受けた際、および、低温環境下において液晶層が収縮した際に、第２スペーサーを第１基板と第２基板との基板間距離が所定の間隔になるまで撓ませることができる。
【００１６】
この場合、好ましくは、第２スペーサーのうち少なくとも第１基板の第２基板側の表面との当接部分近傍の第２スペーサーの延びる方向に直交する方向の断面積は、第１スペーサーのうち少なくとも第２基板の第１基板側の表面との当接部分近傍の第１スペーサーの延びる方向に直交する方向の断面積よりも小さくなるように構成されている。このように構成すれば、第１基板および第２基板が荷重を受けた際、および、低温環境下において液晶層が収縮した際に、容易に、第２スペーサーを第１スペーサーよりも撓ませ易くすることができる。
【００１７】
上記第１スペーサーの第２基板側の表面が、第２基板の第１基板側の表面と当接し、第２スペーサーの第１基板側の表面が、第１基板の第２基板側の表面と当接する液晶表示装置において、好ましくは、第１スペーサーと、第２スペーサーとは、互いに異なる硬度を有する材質からなる。このように構成すれば、容易に、第２スペーサーを、第１スペーサーよりも弾性変形し易くすることができる。
【００１８】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第２基板の第１基板側の表面上に形成された遮光部をさらに備え、第１スペーサーおよび第２スペーサーの少なくとも一方は、平面的に見て、遮光部と重なるように配置されている。このように構成すれば、第１スペーサーおよび第２スペーサーの両方を光が透過する透過領域に形成する場合と異なり、透過領域の光の透過率が低下するのを抑制することができる。
【００１９】
この発明の第２の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、配向不良を抑制することが可能な液晶表示装置を備えた電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の平面図である。
【図２】図１の３００−３００線に沿った断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置に荷重が加えられた際の様子について説明するための図である。
【図４】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の平面図である。
【図５】図４の４００−４００線に沿った断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態による液晶表示装置に荷重が加えられた際の様子について説明するための図である。
【図７】本発明の第３実施形態による液晶表示装置の平面図である。
【図８】図７の５００−５００線に沿った断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態による液晶表示装置に荷重が加えられた際の様子について説明するための図である。
【図１０】本発明の第１〜第３実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第１の例を説明するための図である。
【図１１】本発明の第１〜第３実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第２の例を説明するための図である。
【図１２】本発明の第１〜第３実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第３の例を説明するための図である。
【図１３】本発明の第２実施形態の変形例を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の第３実施形態の変形例を説明するための液晶表示装置の平面図である。
【図１５】図１４の６００−６００線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２２】
（第１実施形態）
図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００の構成について説明する。なお、第１実施形態では、縦電界モードの液晶表示装置１００に本発明を適用した場合について説明する。
【００２３】
第１実施形態による液晶表示装置１００には、図１に示すように、走査線１と、走査線１と交差するように配置される信号線２とが設けられている。また、走査線１と信号線２とが交差する位置に対応して、副画素３（副画素３ａ、３ｂおよび３ｃ）が複数設けられている。そして、複数の副画素３には、それぞれ、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）４が設けられている。
【００２４】
副画素３の断面構造としては、図２に示すように、ＴＦＴ基板５の表面上には、ゲート電極６が形成されている。なお、ＴＦＴ基板５は、本発明の「第１基板」の一例である。また、ゲート電極６およびＴＦＴ基板５の表面上には、ＳｉＮなどからなるゲート絶縁膜７ａを含む絶縁膜７が形成されている。また、ゲート電極６と絶縁膜７を介して対向するように、半導体層８が形成されている。この半導体層８は、ａ−Ｓｉと、ｎ＋Ｓｉとからなる。また、半導体層８の上部には、ソース電極９およびドレイン電極１０が形成されている。そして、ゲート電極６、絶縁膜７、半導体層８、ソース電極９およびドレイン電極１０により薄膜トランジスタ４が構成されている。
【００２５】
また、ソース電極９およびドレイン電極１０を覆うように、ＳｉＮなどからなるパッシベーション層１１が形成されている。パッシベーション層１１の表面上には、平坦化膜１２が形成されている。この平坦化膜１２には、コンタクトホール１２ａが形成されている。
【００２６】
また、平坦化膜１２を覆うように、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）や、ＩＺＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極からなる画素電極１３が形成されている。また、パッシベーション層１１のコンタクトホール１１ａと平坦化膜１２のコンタクトホール１２ａとを介して、画素電極１３とドレイン電極１０とが接続されている。
【００２７】
ここで、第１実施形態では、メイン柱状スペーサー１４は、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側の表面に形成されている。なお、メイン柱状スペーサー１４は、本発明の「第１スペーサー」の一例である。具体的には、画素電極１３の表面上には、アクリル系の感光性樹脂からなり、弾性変形可能な円柱形状のメイン柱状スペーサー１４が形成されている。このメイン柱状スペーサー１４は、フォトリソグラフィ技術により形成されている。また、第１実施形態では、メイン柱状スペーサー１４は、薄膜トランジスタ４の形成領域の上方（Ｚ２方向側）に配置されている。
【００２８】
また、図１に示すように、メイン柱状スペーサー１４は、複数の副画素３にそれぞれ配置されている。また、図２に示すように、メイン柱状スペーサー１４のＺ方向の高さｈ１は、約５．０μｍの大きさを有している。そして、メイン柱状スペーサー１４は、後述するＴＦＴ基板５のＺ２方向側に形成された配向膜１５と、後述するＣＦ基板２０のＺ１方向側に形成された配向膜２６との間のＺ方向の基板間距離（セルギャップ）を約５．０μｍの距離に保つように構成されている。また、画素電極１３およびメイン柱状スペーサー１４の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜１５が形成されている。また、メイン柱状スペーサー１４の表面上に形成された配向膜１５は、ＣＦ基板２０のＺ１方向側に形成された配向膜２６の表面に当接している。
【００２９】
また、ＴＦＴ基板５と対向するようにＣＦ基板２０が設けられている。なお、ＣＦ基板２０は、本発明の「第２基板」の一例である。ＣＦ基板２０の表面上には、樹脂などからなるブラックマトリクス２１が形成されている。なお、ブラックマトリクス２１は、本発明の「遮光部」の一例である。また、ブラックマトリクス２１の表面上には、カラーフィルター（ＣＦ）２２が形成されている。なお、カラーフィルター２２は、図１に示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色のカラーフィルター２２からなるとともに、副画素３ａ〜３ｃ毎に設けられている。また、図２に示すように、カラーフィルター２２の表面上には、保護膜としてのオーバーコート層（ＯＣ）２３が形成されている。また、オーバーコート層２３の表面上には、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明電極からなる対向電極２４が形成されている。
【００３０】
また、第１実施形態では、サブ柱状スペーサー２５は、ＣＦ基板２０のＺ１方向側の表面に形成されている。なお、サブ柱状スペーサー２５は、本発明の「第２スペーサー」の一例である。具体的には、対向電極２４の表面上には、アクリル系の感光性樹脂からなり、弾性変形可能な円柱形状のサブ柱状スペーサー２５が形成されている。また、サブ柱状スペーサー２５は、フォトリソグラフィ技術により形成されている。このサブ柱状スペーサー２５および対向電極２４の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜２６が形成されている。また、図１に示すように、サブ柱状スペーサー２５は、複数の副画素３にそれぞれ形成されている。また、図２に示すように、サブ柱状スペーサー２５のＺ方向の高さｈ２は、約４．５μｍの大きさを有している。また、サブ柱状スペーサー２５のＺ１方向側の表面は、配向膜１５と約０．５μｍの間隔Ｄ１を隔てて形成されている。
【００３１】
また、第１実施形態では、サブ柱状スペーサー２５は、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０に荷重が加えられた際、および、約−３０℃程度の低温環境下において、後述する液晶層３０の収縮に伴ってＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０が液晶層３０側に撓んだ際に、サブ柱状スペーサー２５のＺ１方向側に形成された配向膜２６の表面がＴＦＴ基板のＺ２方向側に形成された配向膜１５の表面に当接するように構成されている。そして、サブ柱状スペーサー２５は、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側に形成された配向膜１５と、ＣＦ基板２０のＺ１方向側に形成された配向膜２６との間のＺ方向の基板間距離（セルギャップ）を約４．５μｍの距離に保つとともに、基板間距離が約４．５μｍよりも小さくならないようにするように構成されている。
【００３２】
また、第１実施形態では、図１に示すように、メイン柱状スペーサー１４およびサブ柱状スペーサー２５は、平面的に見て、ブラックマトリクス２１と重なるように配置されている。また、図１に示すように、メイン柱状スペーサー１４のＸ（Ｙ）方向（メイン柱状スペーサー１４の延びる方向（Ｚ方向）に直交する方向）の断面積Ａと、サブ柱状スペーサー２５のＸ（Ｙ）方向（サブ柱状スペーサー２５の延びる方向（Ｚ方向）に直交する方向）の断面積Ｂとは、略等しい大きさを有するように形成されている。また、メイン柱状スペーサー１４と、サブ柱状スペーサー２５とは、互いに同じ硬度を有するアクリル系の感光性樹脂からなる。
【００３３】
また、配向膜１５と配向膜２６との間には、液晶層３０が設けられている。また、ＴＦＴ基板５のＺ１方向側には、バックライト４０が設けられている。バックライト４０は、ＴＦＴ基板５からＣＦ基板２０側（Ｚ２方向側）に向かって光が出射されるように構成されている。
【００３４】
次に、図２および図３を参照して、液晶表示装置１００に荷重が加えられた際のメイン柱状スペーサー１４およびサブ柱状スペーサー２５の弾性変形の様子について説明する。
【００３５】
まず、液晶表示装置１００にＺ方向に荷重が加わっていない場合には、図２に示すように、副画素３（３ａ〜３ｃ）に形成されたメイン柱状スペーサー１４は、弾性変形せずに、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側に形成された配向膜１５と、ＣＦ基板２０のＺ１方向側に形成された配向膜２６との間の基板間距離を約５．０μｍの間隔に保っている。また、メイン柱状スペーサー１４の表面に形成された配向膜１５の表面と、ＣＦ基板２０のＺ１方向側に形成された配向膜２６の表面とは、当接（全面接触）している。また、サブ柱状スペーサー２５の表面に形成された配向膜２６の表面は、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側に形成された配向膜１５の表面と約０．５μｍの間隔Ｄ１を隔てている。
【００３６】
次に、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０に荷重が加えられた際、および、約−３０℃程度の低温環境下において、液晶層３０の収縮に伴ってＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０が液晶層３０側に撓んだ際には、図３に示すように、メイン柱状スペーサー１４は、ＣＦ基板２０とＴＦＴ基板５とによりＺ方向に押しつぶされ弾性変形する。具体的には、メイン柱状スペーサー１４は、Ｚ方向に圧縮されるとともに、Ｘ方向に膨張するように弾性変形する。これと同時に、サブ柱状スペーサー２５は、サブ柱状スペーサー２５の表面に形成された配向膜２６の表面がＴＦＴ基板５のＺ２方向側に形成された配向膜１５の表面に当接（全面接触）する。これにより、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側に形成された配向膜１５と、ＣＦ基板２０のＺ１方向側に形成された配向膜２６との間のＺ方向の基板間距離（セルギャップ）が約４．５μｍの距離に保たれる。つまり、サブ柱状スペーサー２５により、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側に形成された配向膜１５と、ＣＦ基板２０のＺ１方向側に形成された配向膜２６との間のＺ方向の基板間距離（セルギャップ）が約４．５μｍよりも小さくならないように規制される。
【００３７】
その後、液晶表示装置１００に荷重が加えられなくなった際には、ＣＦ基板２０は、Ｚ２方向側に戻るとともに、ＴＦＴ基板５は、Ｚ１方向に戻る。これにより、メイン柱状スペーサー１４の形状は、図２に示す状態に戻る。また、サブ柱状スペーサー２５の表面に形成された配向膜２６は、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側に形成された配向膜１５に当接した状態から離間し、図２に示す位置に戻る。
【００３８】
第１実施形態では、上記のように、メイン柱状スペーサー１４をＴＦＴ基板５のＺ２方向側の表面に形成し、サブ柱状スペーサー２５をＣＦ基板２０のＺ１方向側の表面に形成することによって、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０のいずれか一方側にメイン柱状スペーサー１４およびサブ柱状スペーサー２５の両方を形成する場合と比べて、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０のそれぞれに形成されるメイン柱状スペーサー１４およびサブ柱状スペーサー２５の数が減少するので、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０のそれぞれに形成されるメイン柱状スペーサー１４およびサブ柱状スペーサー２５の密度を小さくすることができる。これにより、ラビング処理を行う際に、ラビング布が配向膜１５（２６）に接触する場合に、配向膜１５（２６）とともにメイン柱状スペーサー１４（サブ柱状スペーサー２５）がＴＦＴ基板５（ＣＦ基板２０）の表面から剥離するのを抑制することができる。その結果、ラビング布にメイン柱状スペーサー１４（サブ柱状スペーサー２５）が付着しにくくなるので、配向膜１５（２６）が傷つくのを抑制することができる。これにより、メイン柱状スペーサー１４（サブ柱状スペーサー２５）の剥離に起因する配向不良が発生するのを抑制することができる。
【００３９】
また、第１実施形態では、上記のように、メイン柱状スペーサー１４をＴＦＴ基板５とＣＦ基板２０との基板間距離を一定（約５．０μｍ）に保つように構成するとともに、約−３０℃程度の低温環境下において液晶層３０が収縮した際に、液晶層３０の収縮に伴って変形するように構成し、サブ柱状スペーサー２５をＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０が荷重を受けた際、および、低温環境下において液晶層３０が収縮した際に、ＴＦＴ基板５とＣＦ基板２０との基板間距離が約４．５μｍよりも小さくならないようにするように構成する。これにより、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０が荷重を受けていない際には、メイン柱状スペーサー１４により、ＴＦＴ基板５とＣＦ基板２０との基板間距離を一定（約５．０μｍ）に保つことができる。また、約−３０℃程度の低温環境下において液晶層３０が収縮した際には、液晶層３０の収縮に伴ってメイン柱状スペーサー１４が変形することによって、ＴＦＴ基板５とＣＦ基板２０とを液晶層３０側に撓ませ易くすることができるので、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０と液晶層３０との間に低温気泡が発生するのを抑制することができる。また、液晶層３０の収縮に伴って、サブ柱状スペーサー２５の表面に形成された配向膜２６が配向膜１５に当接するので、サブ柱状スペーサー２５によって、ＴＦＴ基板５とＣＦ基板２０との基板間距離が約４．５μｍよりも小さくなるのを抑制することができる。
【００４０】
また、第１実施形態では、上記のように、メイン柱状スペーサー１４をＴＦＴ基板５の薄膜トランジスタ４の形成領域の上方に配置することによって、金属配線などにより構成された薄膜トランジスタ４の形成領域の上方は、カラーフィルター２２やオーバーコート層２３などの樹脂層のみにより形成された領域の上方と比べて、メイン柱状スペーサー１４を形成するための土台としての保持力が大きい（土台がくずれにくい）ので、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０に荷重が加えられた際の荷重に対する液晶表示装置１００の強度を向上させることができる。
【００４１】
また、第１実施形態では、上記のように、メイン柱状スペーサー１４をサブ柱状スペーサー２５の高さｈ２よりも大きい高さｈ１を有するように形成し、サブ柱状スペーサー２５のＺ１方向側に形成された配向膜２６の表面をＴＦＴ基板５のＺ２方向側に形成された配向膜１５の表面と間隔Ｄ１を隔てて形成することによって、約−３０℃程度の低温環境下において液晶層３０が収縮した際には、サブ柱状スペーサー２５のＺ１方向側の表面と、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側の表面との間隔Ｄ１の分、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０を液晶層３０側に撓ませることができるとともに、サブ柱状スペーサー２５によって、ＴＦＴ基板５とＣＦ基板２０との基板間距離が約４．５μｍよりも小さくなるのを抑制することができる。
【００４２】
また、第１実施形態では、上記のように、メイン柱状スペーサー１４およびサブ柱状スペーサー２５の両方を、平面的に見て、ブラックマトリクス２１と重なるように配置することによって、メイン柱状スペーサー１４およびサブ柱状スペーサー２５の両方を光が透過する透過領域に形成する場合と比べて、透過領域の光の透過率が低下するのを抑制することができる。
【００４３】
（第２実施形態）
次に、図４および図５を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態では、メイン柱状スペーサー１４の高さがサブ柱状スペーサー２５の高さよりも大きい高さを有するように形成された第１実施形態とは異なり、メイン柱状スペーサー１４の高さと、サブ柱状スペーサー２５ａの高さとが略等しい大きさを有するように形成された例について説明する。
【００４４】
本発明の第２実施形態による液晶表示装置１１０では、図５に示すように、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側に形成されたパッシベーション層１１の表面上には、平坦化膜１２１が形成されている。この平坦化膜１２１の表面には、凹部１２ｂが形成されている。また、凹部１２ｂの表面上には、画素電極１３ａおよび配向膜１５ａが形成されている。また、画素電極１３ａおよび配向膜１５ａの表面は、凹部１２ｂの表面形状を反映した凹形状に形成されている。
【００４５】
また、第２実施形態では、メイン柱状スペーサー１４は、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側の表面に形成されており、サブ柱状スペーサー２５ａは、ＣＦ基板２０のＺ１方向側の表面に形成されている。なお、サブ柱状スペーサー２５ａは、本発明の「第２スペーサー」の一例である。また、ＣＦ基板２０のＺ１方向側に形成された対向電極２４の表面上には、サブ柱状スペーサー２５ａが形成されている。また、第２実施形態では、メイン柱状スペーサー１４は、サブ柱状スペーサー２５ａの高さｈ３と略等しい大きさを有するように形成されている。具体的には、メイン柱状スペーサー１４の高さｈ１は、約５．０μｍの大きさを有している。また、サブ柱状スペーサー２５ａの高さｈ３は、約５．０μｍの大きさを有している。また、サブ柱状スペーサー２５ａの表面に形成された配向膜２６ａの表面は、凹部１２ｂの表面上に形成された配向膜１５ａと約０．５μｍの間隔Ｄ２を隔てている。
【００４６】
また、第２実施形態では、図４に示すように、サブ柱状スペーサー２５ａは、平面的に見て、ブラックマトリクス２１と重なるように配置されている。また、メイン柱状スペーサー１４のＸ（Ｙ）方向（メイン柱状スペーサー１４の延びる方向（Ｚ方向）に直交する方向）の断面積Ａと、サブ柱状スペーサー２５ａのＸ（Ｙ）方向（サブ柱状スペーサー２５ａの延びる方向（Ｚ方向）に直交する方向）の断面積Ｃとは、略等しい大きさを有するように形成されている。また、メイン柱状スペーサー１４と、サブ柱状スペーサー２５ａとは、互いに同じ硬度を有するアクリル系の感光性樹脂からなる。
【００４７】
また、第２実施形態では、サブ柱状スペーサー２５ａは、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０に荷重が加えられた際、および、約−３０℃程度の低温環境下において液晶層３０の収縮に伴ってＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０が液晶層３０側に撓んだ際には、サブ柱状スペーサー２５ａのＺ１方向側に形成された配向膜２６ａの表面が凹部１２ｂの表面に形成された配向膜１５ａの表面に当接するように構成されている。そして、サブ柱状スペーサー２５ａは、凹部１２ｂに形成された配向膜１５ａと、配向膜２６ａとの間のＺ方向の基板間距離（セルギャップ）を約４．５μｍの距離に保つとともに、基板間距離が約４．５μｍよりも小さくならないように構成されている。
【００４８】
なお、第２実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００４９】
次に、図５および図６を参照して、液晶表示装置１１０に荷重が加えられた際のメイン柱状スペーサー１４およびサブ柱状スペーサー２５ａの弾性変形の様子について説明する。
【００５０】
まず、液晶表示装置１１０にＺ方向に荷重が加わっていない場合には、図５に示すように、副画素３（３ａ〜３ｃ）に形成されたメイン柱状スペーサー１４は、弾性変形せずに、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側に形成された配向膜１５ａと、ＣＦ基板２０のＺ１方向側に形成された配向膜２６ａとの間のＺ方向の基板間距離を約５．０μｍの間隔に保っている。また、メイン柱状スペーサー１４の表面に形成された配向膜１５ａの表面と、ＣＦ基板２０のＺ１方向側に形成された配向膜２６ａの表面とは、当接（全面接触）している。また、サブ柱状スペーサー２５ａの表面に形成された配向膜２６ａの表面は、凹部１２ｂの表面に形成された配向膜１５ａの表面と約０．５μｍの間隔Ｄ２を隔てている。
【００５１】
次に、図６に示すように、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０に荷重が加えられた際、および、約−３０℃程度の低温環境下において、液晶層３０の収縮に伴ってＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０が液晶層３０側に撓んだ際には、メイン柱状スペーサー１４は、ＣＦ基板２０とＴＦＴ基板５とによりＺ方向に押しつぶされ弾性変形する。具体的には、メイン柱状スペーサー１４は、Ｚ方向に圧縮されるとともに、Ｘ方向に膨張するように弾性変形する。これと同時に、サブ柱状スペーサー２５ａの表面に形成された配向膜２６ａの表面は、凹部１２ｂに形成された配向膜１５ａの表面に当接（全面接触）する。これにより、凹部１２ｂに形成された配向膜１５ａと、ＣＦ基板２０のＺ１方向側の表面に形成された配向膜２６ａとの間のＺ方向の基板間距離（セルギャップ）が約４．５μｍの距離に保たれる。つまり、サブ柱状スペーサー２５ａにより、凹部１２ｂに形成された配向膜１５ａと、ＣＦ基板２０のＺ１方向側の表面に形成された配向膜２６ａとの間のＺ方向の基板間距離（セルギャップ）が約４．５μｍよりも小さくならないように規制される。
【００５２】
第２実施形態では、上記のように、メイン柱状スペーサー１４は、サブ柱状スペーサー２５ａの高さｈ３と略等しい高さｈ１を有するように形成し、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側に形成された平坦化膜１２１の表面に凹部１２ｂを形成し、サブ柱状スペーサー２５ａのＺ１方向側の表面を、凹部１２ｂの表面と間隔Ｄ２を隔てて形成することによって、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０が荷重を受けた際、および、約−３０℃程度の低温環境下において液晶層３０が収縮した際には、サブ柱状スペーサー２５ａのＺ１方向側の表面と、凹部１２ｂの表面との間隔Ｄ２の分、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０を液晶層３０側に撓ませることができるとともに、サブ柱状スペーサー２５ａによって、ＴＦＴ基板５とＣＦ基板２０との基板間距離が約４．５μｍよりも小さくなるのを抑制することができる。
【００５３】
なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００５４】
（第３実施形態）
次に、図７および図８を参照して、本発明の第３実施形態について説明する。この第３実施形態では、サブ柱状スペーサー２５の断面積Ｂと、メイン柱状スペーサー１４の断面積Ａとが略等しい大きさを有するように形成された第１実施形態とは異なり、サブ柱状スペーサー２５ｂの断面積Ｄがメイン柱状スペーサー１４の断面積Ａよりも小さくなるように形成された例について説明する。
【００５５】
本発明の第３実施形態による液晶表示装置１２０では、図８に示すように、メイン柱状スペーサー１４は、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側の表面に形成されており、サブ柱状スペーサー２５ｂは、ＣＦ基板２０のＺ１方向側の表面に形成されている。なお、サブ柱状スペーサー２５ｂは、本発明の「第２スペーサー」の一例である。また、ＣＦ基板２０のＺ１側に形成された対向電極２４の表面上には、サブ柱状スペーサー２５ｂが形成されている。このサブ柱状スペーサー２５ｂおよび対向電極２４の表面上には、配向膜２６ｂが形成されている。
【００５６】
また、第３実施形態では、図７に示すように、サブ柱状スペーサー２５ｂのＸ（Ｙ）方向（サブ柱状スペーサー２５ｂの延びる方向（Ｚ方向）に直交する方向）の断面積Ｄは、メイン柱状スペーサー１４の断面積Ａよりも小さくなるように形成されている。また、図８に示すように、サブ柱状スペーサー２５ｂの高さｈ４は、約５．０μｍの大きさを有している。つまり、第３実施形態では、メイン柱状スペーサー１４は、サブ柱状スペーサー２５ｂの高さｈ４と略等しい高さｈ１を有するように形成されている。また、メイン柱状スペーサー１４と、サブ柱状スペーサー２５ｂとは、互いに同じ硬度を有するアクリル系の感光性樹脂からなる。
【００５７】
また、サブ柱状スペーサー２５ｂの表面に形成された配向膜２６ｂの表面は、ＴＦＴ基板５のＺ２方向側に形成された配向膜１５の表面と当接（全面接触）している。
【００５８】
また、第３実施形態では、サブ柱状スペーサー２５ｂは、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０に荷重が加えられた際、および、約−３０℃程度の低温環境下において液晶層３０の収縮に伴ってＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０が液晶層３０側に撓んだ際には、サブ柱状スペーサー２５ｂが弾性変形するように構成されている。また、サブ柱状スペーサー２５ｂの断面積Ｄは、メイン柱状スペーサー１４の断面積Ａよりも小さく形成されているので、サブ柱状スペーサー２５ｂは、メイン柱状スペーサー１４よりも弾性変形しやすいように構成されている。また、サブ柱状スペーサー２５ｂが約４．５μｍの高さｈ４になるまで弾性変形した時点で、サブ柱状スペーサー２５ｂは、弾性変形しなくなるように構成されている。これにより、配向膜１５と、配向膜２６ｂとの間のＺ方向の基板間距離は、サブ柱状スペーサー２５ｂによって、約４．５μｍよりも小さくならないように構成されている。
【００５９】
なお、第３実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００６０】
次に、図８および図９を参照して、液晶表示装置１２０に荷重が加えられた際のメイン柱状スペーサー１４およびサブ柱状スペーサー２５ｂの弾性変形の様子について説明する。
【００６１】
まず、液晶表示装置１２０にＺ方向に荷重が加わっていない場合には、図８に示すように、副画素３（３ａ〜３ｃ）に形成されたメイン柱状スペーサー１４およびサブ柱状スペーサー２５ｂは、弾性変形していない。また、メイン柱状スペーサー１４の表面に形成された配向膜１５の表面と、配向膜２６ｂの表面とは、当接（全面接触）している。また、サブ柱状スペーサー２５ｂの表面に形成された配向膜２６ｂの表面と、配向膜１５の表面とは、当接（全面接触）している。
【００６２】
次に、サブ柱状スペーサー２５ｂは、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０に荷重が加えられた際、および、低温環境下において液晶層３０の収縮に伴ってＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０が液晶層３０側に撓んだ際には、図９に示すように、メイン柱状スペーサー１４およびサブ柱状スペーサー２５ｂが弾性変形する。なお、サブ柱状スペーサー２５ｂの断面積Ｄは、メイン柱状スペーサー１４の断面積Ａよりも小さいので、メイン柱状スペーサー１４よりも大きく弾性変形する。そして、サブ柱状スペーサー２５ｂの高さｈ４が約４．５μｍになった時点で、サブ柱状スペーサー２５ｂは、弾性変形しなくなる。これにより、サブ柱状スペーサー２５ｂによって、配向膜１５と、配向膜２６ｂとの間のＺ方向の基板間距離（セルギャップ）が約４．５μｍより小さくなるのが抑制される。
【００６３】
第３実施形態では、上記のように、サブ柱状スペーサー２５ｂを、メイン柱状スペーサー１４よりも弾性変形しやすいように構成することによって、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０が荷重を受けた際、および、約−３０℃程度の低温環境下において液晶層３０が収縮した際に、ＴＦＴ基板５とＣＦ基板２０との基板間距離が約４．５μｍ（Ｄ３）になるまでサブ柱状スペーサー２５ｂを撓ませることができる。
【００６４】
また、第３実施形態では、上記のように、サブ柱状スペーサー２５ｂの表面に形成された配向膜２６ｂの配向膜１５の表面との当接部分近傍の断面積Ｄを、メイン柱状スペーサー１４の表面に形成された配向膜１５の配向膜２６ｂの表面との当接部分近傍の断面積Ａよりも小さくなるように構成することによって、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０が荷重を受けた際、および、約−３０℃程度の低温環境下において液晶層３０が収縮した際に、容易に、サブ柱状スペーサー２５ｂをメイン柱状スペーサー１４よりも撓ませ易くすることができる。
【００６５】
なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００６６】
図１０〜図１２は、それぞれ、上記した第１〜第３実施形態による液晶表示装置１００、１１０および１２０を用いた電子機器の第１の例〜第３の例を説明するための図である。図１０〜図１２を参照して、第１〜第３実施形態による液晶表示装置１００、１１０および１２０を用いた電子機器について説明する。
【００６７】
第１〜第３実施形態による液晶表示装置１００、１１０および１２０は、図１０〜図１２に示すように、第１の例としてのＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）２００、第２の例としての携帯電話２１０、および、第３の例としての情報携帯端末２２０（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）などに用いることが可能である。
【００６８】
図１０の第１の例によるＰＣ２００においては、キーボードなどの入力部２００ａおよび表示画面２００ｂなどに第１〜第３実施形態による液晶表示装置１００、１１０および１２０を用いることが可能である。図１１の第２の例による携帯電話２１０においては、表示画面２１０ａに第１〜第３実施形態による液晶表示装置１００、１１０および１２０が用いられる。図１２の第３の例による情報携帯端末２２０においては、表示画面２２０ａに第１〜第３実施形態による液晶表示装置１００、１１０および１２０が用いられる。
【００６９】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００７０】
たとえば、上記第１〜第３実施形態では、縦電界モードの液晶表示装置を用いる例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、縦電界モード以外に横電界モードなどの液晶表示装置を用いてもよい。
【００７１】
また、上記第１〜第３実施形態では、ＴＦＴ基板のＣＦ基板側の表面上にメイン柱状スペーサーを形成するとともに、ＣＦ基板のＴＦＴ基板側の表面上にサブ柱状スペーサーを形成する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、ＴＦＴ基板のＣＦ基板側の表面上にサブ柱状スペーサーを形成するとともに、ＣＦ基板のＴＦＴ基板側の表面上にメイン柱状スペーサーを形成してもよい。
【００７２】
また、上記第１〜第３実施形態では、各副画素にメイン柱状スペーサーおよびサブ柱状スペーサーを形成する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、各副画素にメイン柱状スペーサーおよびサブ柱状スペーサーのうちのいずれか一方を形成してもよい。
【００７３】
また、上記第１〜第３実施形態では、メイン柱状スペーサーをＴＦＴ基板の薄膜トランジスタの形成領域の上方に配置する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、メイン柱状スペーサーをＴＦＴ基板の薄膜トランジスタが形成されていない領域の上方に配置してもよい。
【００７４】
また、上記第１〜第３実施形態では、メイン柱状スペーサーおよびサブ柱状スペーサーの両方を、平面的に見て、ブラックマトリクスと重なるように配置する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、メイン柱状スペーサーのみを平面的に見てブラックマトリクスと重なるように配置してもよいし、サブ柱状スペーサーのみを平面的に見てブラックマトリクスと重なるように配置してもよい。
【００７５】
また、上記第１〜第３実施形態では、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板に荷重が加わっていない場合のＴＦＴ基板とＣＦ基板との基板間距離（セルギャップ）が約５．０μｍよりも小さくなるのを抑制する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との基板間距離（セルギャップ）が約６．０μｍや約４．０μｍよりも小さくなるのを抑制するようにしてもよい。
【００７６】
また、上記第１〜第３実施形態では、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板に荷重が加えられた際、および、約−３０℃程度の低温環境下において液晶層の収縮に伴ってＴＦＴ基板およびＣＦ基板が液晶層側に撓んだ際に、サブ柱状スペーサーがＴＦＴ基板とＣＦ基板との基板間距離が約４．５μｍよりも小さくなるのを抑制する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との基板間距離（セルギャップ）が約４．０μｍや約５．０μｍよりも小さくなるのを抑制するようにしてもよい。
【００７７】
また、上記第２実施形態では、ＴＦＴ基板のＣＦ基板側のサブ柱状スペーサーに対応する領域に凹部を形成し、サブ柱状スペーサーのＴＦＴ基板側の表面と、凹部のＣＦ基板側の表面とを間隔を隔てて形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、図１３に示す変形例では、液晶表示装置１３０の平坦化膜１２２を形成する際に、平坦化膜１２２の薄膜トランジスタが形成されていない領域の上方の表面１２ｃは、平坦化膜１２２の薄膜トランジスタの形成領域の上方の表面よりも小さい高さを有する場合がある。この平坦化膜１２２の薄膜トランジスタが形成されていない領域の上方にサブ柱状スペーサーを形成することによって、サブ柱状スペーサー２５ａの表面に形成された配向膜２６のＺ１方向側の表面と、配向膜１５ｂのＺ２方向側の表面との間に間隔を設けることが可能である。これにより、ＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０に荷重が加えられた際、および、約−３０℃程度の低温環境下において液晶層３０の収縮に伴ってＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０が液晶層３０側に撓んだ際に、配向膜１５ｂと、配向膜２６との間のＺ方向の基板間距離が約４．５μｍよりも小さくならないように規制することが可能である。また、上記した第２実施形態のように、平坦化膜１２１に別途凹部１２ｂを形成する場合と比べて、製造工程を簡素化することが可能である。
【００７８】
また、上記第３実施形態では、サブ柱状スペーサー２５ｂが円柱形状を有する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、図１５に示す変形例のように、液晶表示装置１４０のサブ柱状スペーサー２５ｃがＺ１方向に沿ってテーパー形状を有するように構成してもよい。この場合、図１４に示すように、サブ柱状スペーサー２５ｃのＴＦＴ基板５のＺ２方向側の表面との当接部分近傍のＸ（Ｙ）方向（サブ柱状スペーサー２５ｃの延びる方向（Ｚ方向）に直交する方向）の断面積Ｅがメイン柱状スペーサー１４のＣＦ基板２０のＺ１方向側の表面との当接部分近傍の断面積Ａよりも小さくなるように構成される。上記のように構成しても、上記第３実施形態と同様にＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０に荷重が加えられた際、および、約−３０℃程度の低温環境下において液晶層３０の収縮に伴ってＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０が液晶層３０側に撓んだ際に、配向膜１５と、配向膜２６ｂとの間のＺ方向の基板間距離が約４．５μｍよりも小さくなるのを抑制することが可能である。
【００７９】
また、上記第３実施形態では、メイン柱状スペーサーおよびサブ柱状スペーサーを互いに同じ硬度を有する材質を用いて形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、メイン柱状スペーサーおよびサブ柱状スペーサーを互いに異なる硬度を有する材質を用いて形成してもよい。具体的には、メイン柱状スペーサーおよびサブ柱状スペーサーの材料であるアクリル系の感光性樹脂の組成を変更することやメイン柱状スペーサーおよびサブ柱状スペーサーを形成する際の焼成温度を変更することにより、メイン柱状スペーサーと、サブ柱状スペーサーとを互いに異なる硬度に形成することが可能である。上記のように、メイン柱状スペーサーと、サブ柱状スペーサーとを、互いに異なる硬度を有する材質にすることによって、容易に、サブ柱状スペーサーをメイン柱状スペーサーよりも弾性変形し易くすることができる。
【符号の説明】
【００８０】
４  薄膜トランジスタ      ５  ＴＦＴ基板（第１基板）      １２ｂ  凹部      １４  メイン柱状スペーサー（第１スペーサー）      ２０  ＣＦ基板（第２基板）      ２１  ブラックマトリクス（遮光部）      ２５、２５ａ、２５ｂ、２５ｃ  サブ柱状スペーサー（第２スペーサー）      ３０  液晶層      １００、１１０、１２０、１３０、１４０  液晶表示装置      ２００  ＰＣ（電子機器）      ２１０  携帯電話（電子機器）      ２２０  情報携帯端末（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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