(57)【要約】【課題】被振動部材の振動を好適に減衰できる駆動装置、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】第１ミラー２８は、インナリング４８に支持されており、第１ミラー２８とインナリング４８との間には、インナリング４８に対する第１ミラー２８の振動を減衰させる振動減衰装置５５が設けられている。振動減衰装置５５は、充填スペース５８に磁界を発生させる磁界発生部５９と、磁界発生部によって発生される磁界によって充填スペース５８内で保持される磁性流体とを有している。【選択図】図４
2011096930.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被振動部材と、該被振動部材を支持する支持部材と、該支持部材に対する前記被振動部材の振動を減衰させる振動減衰装置と、を備えた駆動装置において、
前記振動減衰装置は、前記支持部材と前記被振動部材との間の所定のスペースに磁界を発生させる磁界発生部と、該磁界発生部によって発生される前記磁界によって前記所定のスペース内で保持される液状の磁性体と、を有することを特徴とする駆動装置。
【請求項２】
前記液状の磁性体は、磁性流体を含むことを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
【請求項３】
前記液状の磁性体は、液体金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
【請求項４】
前記磁界発生部は、前記磁界の強さを調整する調整部を有することを特徴とする請求項２に記載の駆動装置。
【請求項５】
前記被振動部材で発生する振動の周波数及び振動方向を検出する振動検出部と、
該振動検出部による検出結果に基づき前記調整部を制御する制御部と、をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の駆動装置。
【請求項６】
前記振動減衰装置は、前記所定のスペースを包囲するカバー部をさらに有することを特徴とする請求項１〜請求項５のうち何れか一項に記載の駆動装置。
【請求項７】
弾性変形可能な弾性部を有し、前記被振動部材を保持する保持部を備え、
前記支持部材は、前記保持部を介して前記被振動部材を支持することを特徴とする請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の駆動装置。
【請求項８】
光学部材と、
該光学部材を保持する保持部を有する光学部材保持装置と、
該光学部材保持装置を介して前記光学部材を支持する筐体と、を備えた光学系において、
請求項１〜請求項７のうち何れか一項に記載の駆動装置をさらに備え、
前記被振動部材は、前記光学部材であり、
前記振動減衰装置は、前記光学部材保持装置に対する前記光学部材の振動を減衰させることを特徴とする光学系。
【請求項９】
光学部材と、
該光学部材を保持する保持部を有する光学部材保持装置と、
該光学部材保持装置を介して前記光学部材を支持する筐体と、を備えた光学系において、
請求項１〜請求項７のうち何れか一項に記載の駆動装置をさらに備え、
前記被振動部材は、前記光学部材であり、
前記振動減衰装置は、前記筐体に対する前記光学部材の振動を減衰させることを特徴とする光学系。
【請求項１０】
光学部材と、
該光学部材を保持する光学部材保持装置と、
該光学部材保持装置を介して前記光学部材を支持する筐体と、を備えた光学系において、
請求項１〜請求項７のうち何れか一項に記載の駆動装置をさらに備え、
前記被振動部材は、前記光学部材保持装置であり、
前記振動減衰装置は、前記筐体に対する前記光学部材保持装置の振動を減衰させるであることを特徴とする光学系。
【請求項１１】
光学部材と、
該光学部材を保持する保持部を有する光学部材保持装置と、
該光学部材保持装置を介して前記光学部材を支持する筐体と、
前記光学部材保持装置に対する前記光学部材の振動を減衰させる振動減衰装置と、を備えた光学系において、
前記振動減衰装置は、前記光学部材保持装置と前記光学部材との間の所定のスペースに磁界を発生させる磁界発生部と、該磁界発生部によって発生される前記磁界によって前記所定のスペース内で保持される液状の磁性体と、を有することを特徴とする光学系。
【請求項１２】
前記光学部材保持装置は、前記筐体に支持されるベース部材と、該ベース部材と前記保持部との間に配置され且つ前記ベース部材を基準として前記光学部材を変位させる変位部と、をさらに有し、
前記振動減衰装置は、前記ベース部材に対する前記光学部材の振動を減衰させる第１振動減衰装置を備えていることを特徴とする請求項１１に記載の光学系。
【請求項１３】
前記光学部材保持装置は、前記保持部を介して前記光学部材を支持する支持部材を有し、
前記振動減衰装置は、前記支持部材に対する前記光学部材の振動を減衰させる第２振動減衰装置を備えていることを特徴とする請求項１２に記載の光学系。
【請求項１４】
前記筐体内は、真空状態に設定されていることを特徴とする請求項８〜請求項１３のうち何れか一項に記載の光学系。
【請求項１５】
所定のパターンが形成されたマスクに放射ビームを導く照明光学系と、
前記マスクを介した放射ビームを感光性材料が塗布された基板に照射する投影光学系と、を備え、
前記各光学系の少なくとも一方は、請求項８〜請求項１４のうち何れか一項に記載の光学系であることを特徴とする露光装置。
【請求項１６】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項１５に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学部材などの被振動部材を備える駆動装置、該駆動装置を備える光学系、該光学系を備える露光装置及び該露光装置を用いるデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するための露光装置は、所定のパターンが形成されたレチクルなどのマスクを露光光で照明する照明光学系と、マスクを照明した露光光によって該マスクのパターンの像を感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に投影する投影光学系とを備えている。こうした露光装置では、投影光学系を構成する光学部材（例えば、反射ミラーなど）に露光装置内外で発生する振動が伝達されると光学部材自身が振動し、露光時における解像度あるいはパターンの重ね合わせ精度などが低下するおそれがある。特に、半導体集積回路の高集積化及び該高集積化に伴うパターンの像の微細化が進む近年では、露光装置内外で発生する振動に起因した解像度あるいはパターンの重ね合わせ精度の低下が問題になるおそれがある。
【０００３】
そこで、光学部材などの被振動部材の振動を減衰させるための振動減衰装置が種々提案されている。例えば特許文献１に記載の振動減衰装置は、光学素子保持装置のインナリング部に板バネの一端を固定し、該板バネの他端をアウタリング部に固定されるベースリングに対し、コイルバネの付勢力によりベースリング側に付勢させた状態で摺接させる構成である。この摺接により、板バネとベースリングとの間に、レンズを駆動するためのアクチュエータからインナリング部に伝達される駆動力を阻害しない程度の摩擦力を発生させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１０７３１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記振動減衰装置において、ベースリングと板バネとの間に、コイルバネの付勢力によって摩擦力を発生させているが、この摩擦力により、ベースリングと板バネとの間に摩耗又は摩滅が発生する。そして、ベースリングと板バネとが互いに当接する部位における摩耗具合又は摩滅具合が大きくなると、上記振動減衰装置では、被振動部材に対する振動減衰性能が低下し、被振動部材の振動を効果的に減衰できなくなるおそれがあった。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、被振動部材の振動を好適に減衰できる駆動装置、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図１３に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の駆動装置は、被振動部材（１９，２１，２２，２３，２４，２５，２８，２９，３０，３１，３２，３３，３４，４０，４６，４６Ａ，４８）と、該被振動部材（１９，２１，２２，２３，２４，２５，２８，２９，３０，３１，３２，３３，３４，４０，４６，４６Ａ，４８）を支持する支持部材（４０，４６，４６Ａ，４８）と、該支持部材（４０，４６，４６Ａ，４８）に対する前記被振動部材（１９，２１，２２，２３，２４，２５，２８，２９，３０，３１，３２，３３，３４，４０，４６，４６Ａ，４８）の振動を減衰させる振動減衰装置（５５，６５，７５，８５，８６，９０，１０５，１１０）と、を備えた駆動装置において、前記振動減衰装置（５５，６５，７５，８５，８６，９０，１０５，１１０）は、前記支持部材（４０，４６，４６Ａ，４８）と前記被振動部材（１９，２１，２２，２３，２４，２５，２８，２９，３０，３１，３２，３３，３４，４０，４６，４６Ａ，４８）との間の所定のスペース（５８，６８，７８，９４）に磁界を発生させる磁界発生部（５９，６９，７９，１００）と、該磁界発生部（５９，６９，７９，１００）によって発生される前記磁界によって前記所定のスペース（５８，６８，７８，９４）内で保持される液状の磁性体と、を有することを要旨とする。
【０００８】
上記構成によれば、被振動部材（１９，２１，２２，２３，２４，２５，２８，２９，３０，３１，３２，３３，３４，４０，４６，４６Ａ，４８）に伝達される振動は、液状の磁性体を有する振動減衰装置（５５，６５，７５，８５，８６，９０，１０５，１１０）によって減衰される。しかも、振動減衰装置（５５，６５，７５，８５，８６，９０，１０５，１１０）には、摩擦を発生させて振動を減衰させる構成とは異なり、摩耗したり摩滅したりする部分がない。そのため、振動減衰装置（５５，６５，７５，８５，８６，９０，１０５，１１０）の振動減衰性能の経時変化を抑制可能である。
【０００９】
また、本発明の光学系は、光学部材（１９，２１，２２，２３，２４，２８，２９，３０，３１，３２，３３）と、該光学部材（１９，２１，２２，２３，２４，２８，２９，３０，３１，３２，３３）を保持する保持部（４９）を有する光学部材保持装置（４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４３Ｄ，４３Ｅ，４３Ｆ）と、該光学部材保持装置（４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４３Ｄ，４３Ｅ，４３Ｆ）を介して前記光学部材（１９，２１，２２，２３，２４，２８，２９，３０，３１，３２，３３）を支持する筐体（１８，４０）と、前記光学部材保持装置（４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４３Ｄ，４３Ｅ，４３Ｆ）に対する前記光学部材（１９，２１，２２，２３，２４，２８，２９，３０，３１，３２，３３）の振動を減衰させる振動減衰装置（５５，６５，７５，８５，８６，９０，１０５，１１０）と、を備えた光学系において、前記振動減衰装置（５５，６５，７５，８５，８６，９０，１０５，１１０）は、前記光学部材保持装置（４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４３Ｄ，４３Ｅ，４３Ｆ）と前記光学部材（１９，２１，２２，２３，２４，２８，２９，３０，３１，３２，３３）との間の所定のスペース（５８，６８，７８，９４）に磁界を発生させる磁界発生部（５９，６９，７９，１００）と、該磁界発生部（５９，６９，７９，１００）によって発生される前記磁界によって前記所定のスペース（５８，６８，７８，９４）内で保持される液状の磁性体と、を有することを要旨とする。
【００１０】
上記構成によれば、光学部材（１９，２１，２２，２３，２４，２８，２９，３０，３１，３２，３３）に伝達される振動は、液状の磁性体を有する振動減衰装置（５５，６５，７５，８５，８６，９０，１０５，１１０）によって減衰される。しかも、振動減衰装置（５５，６５，７５，８５，８６，９０，１０５，１１０）には、摩擦を発生させて振動を減衰させる構成とは異なり、摩耗したり摩滅したりする部分がない。そのため、振動減衰装置（５５，６５，７５，８５，８６，９０，１０５，１１０）の振動減衰性能の経時変化を抑制可能である。
【００１１】
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、被振動部材の振動を好適に減衰できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態における露光装置を示す概略構成図。
【図２】投影光学系の鏡筒内を示す概略側面図。
【図３】鏡筒内の一部を模式的に示す一部破断斜視図。
【図４】第１の実施形態における振動減衰装置の構成を模式的に示す側断面図。
【図５】第２の実施形態における鏡筒内の一部を模式的に示す平面図。
【図６】図５における６−６線矢視断面図。
【図７】第３の実施形態における各振動減衰装置の構成を模式的に示す側断面図。
【図８】第４の実施形態における各振動減衰装置の構成を模式的に示す側断面図。
【図９】第５の実施形態における各振動減衰装置の構成を模式的に示す側断面図。
【図１０】別の実施形態における各振動減衰装置の構成を模式的に示す側断面図。
【図１１】他の別の実施形態における各振動減衰装置の構成を模式的に示す側断面図。
【図１２】デバイスの製造例のフローチャート。
【図１３】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１の実施形態）
以下に、本発明を具体化した第１の実施形態について図１〜図４に基づき説明する。なお、本実施形態では、投影光学系の光軸に平行な方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向をＹ軸方向とし、その走査方向に直交する非走査方向をＸ軸方向として説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転方向をθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向ともいう。
【００１５】
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、光源装置１２から射出される、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置である。こうした露光装置１１は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定されるチャンバ１３（図１では二点鎖線で囲まれた部分）を備えている。このチャンバ１３内には、光源装置１２からチャンバ１３内に供給された露光光ＥＬで所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲを照明する照明光学系１４と、パターンの形成されたパターン形成面Ｒａが−Ｚ方向側（図１では下側）に位置するようにレチクルＲを保持するレチクルステージ１５とが設けられている。また、チャンバ１３内には、レチクルＲを介した露光光ＥＬでレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷを照射する投影光学系１６と、露光面（感光性材料が塗布されたウエハ表面）Ｗａが＋Ｚ方向側（図１では上側）に位置するようにウエハＷを保持するウエハステージ１７とが設けられている。
【００１６】
光源装置１２は、波長が５〜２０ｎｍのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして出力する装置であって、図示しないレーザ励起プラズマ光源を備えている。このレーザ励起プラズマ光源では、例えば半導体レーザ励起を利用したＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの高出力レーザで高密度のＥＵＶ光発生物質（ターゲット）を照射することによりプラズマが発生され、該プラズマからＥＵＶ光が露光光ＥＬとして放射される。こうした露光光ＥＬは、図示しない集光光学系によって集光されてチャンバ１３内に出力される。
【００１７】
照明光学系１４は、チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体１８（図１では一点鎖線で囲まれた部分）を備えている。この筐体１８内には、光源装置１２から出力された露光光ＥＬを集光するコリメート用ミラー１９が設けられており、該コリメート用ミラー１９は、入射した露光光ＥＬを略平行に変換してオプティカルインテグレータの一種であるフライアイ光学系２０（図１では破線で囲まれた部分）に向けて射出する。このフライアイ光学系２０は、一対のフライアイミラー２１，２２を備えており、該各フライアイミラー２１，２２のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー２１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａと光学的に共役となる位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー２１で反射された露光光ＥＬは、射出側に配置される射出側フライアイミラー２２に入射する。
【００１８】
また、照明光学系１４には、射出側フライアイミラー２２から射出された露光光ＥＬを筐体１８外に射出するコンデンサミラー２３が設けられている。そして、コンデンサミラー２３から射出された露光光ＥＬは、後述する鏡筒４０内に設置された折り返し用の反射ミラー２４により、レチクルステージ１５に保持されるレチクルＲに導かれる。
【００１９】
レチクルステージ１５は、投影光学系１６の物体面側に配置されており、レチクルＲを静電吸着するための第１静電吸着保持装置２５を備えている。この第１静電吸着保持装置２５は、誘電性材料で形成され且つ吸着面２６ａを有する基体２６と、該基体２６内に配置される図示しない複数の電極部とを備えている。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体２６から発生されるクーロン力により、吸着面２６ａにレチクルＲが静電吸着される。
【００２０】
また、レチクルステージ１５は、図示しないレチクルステージ駆動部の駆動によって、Ｙ軸方向（図１における左右方向）に移動可能である。すなわち、レチクルステージ駆動部は、第１静電吸着保持装置２５に保持されるレチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、レチクルステージ駆動部は、レチクルＲをＸ軸方向（図１において紙面と直交する方向）、Ｚ軸方向（図１では上下方向）及びθｚ方向にも移動させることが可能である。なお、レチクルＲのパターン形成面Ｒａを露光光ＥＬで照明する場合、該パターン形成面Ｒａの一部には、Ｘ軸方向に延びる略円弧状の照明領域が形成される。
【００２１】
投影光学系１６は、その開口数が例えば０．１であって、且つ光学部材の一種である反射型のミラー２８，２９，３０，３１，３２，３３を有する反射光学系である。本実施形態では、投影倍率が１／４倍の投影光学系が使用されている。そして、レチクルＲによって反射された露光光ＥＬは、投影光学系１６を介してウエハＷに導かれる。なお、投影光学系１６の具体的構成などについては、後に詳述する。
【００２２】
照明光学系１４及び投影光学系１６が備える各ミラー１９，２１〜２４，２８〜３３の反射面には、露光光ＥＬを反射する反射層がそれぞれ形成されている。これら各反射層は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜を備えた構成である。
【００２３】
ウエハステージ１７は、ウエハＷを静電吸着するための第２静電吸着保持装置３４を備え、該第２静電吸着保持装置３４は、誘電性材料で形成され且つ吸着面３５ａを有する基体３５と、該基体３５内に配置される図示しない複数の電極部とを備えている。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体３５から発生されるクーロン力により、吸着面３５ａにウエハＷが静電吸着される。また、ウエハステージ１７には、第２静電吸着保持装置３４を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向（図１では上下方向）における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整する図示しないＺレベリング機構とが組み込まれている。
【００２４】
こうしたウエハステージ１７は、図示しないウエハステージ駆動部によって、Ｙ軸方向に移動可能である。すなわち、ウエハステージ駆動部は、第２静電吸着保持装置３４に保持されるウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、ウエハステージ駆動部は、第２静電吸着保持装置３４に保持されるウエハＷをＸ軸方向に所定ストロークで移動させることが可能であるとともに、Ｚ軸方向にも移動させることが可能となるように構成されている。
【００２５】
そして、ウエハＷの一つのショット領域にレチクルＲのパターンを形成する場合、照明光学系１４によって照明領域をレチクルＲに形成した状態で、レチクルステージ駆動部の駆動によって、レチクルＲをＹ軸方向（例えば、＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側）に所定ストローク毎に移動させるとともに、ウエハステージ駆動部の駆動によって、ウエハＷをレチクルＲのＹ軸方向に沿った移動に対して投影光学系１６の縮小倍率に応じた速度比でＹ軸方向（例えば、−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側）に同期して移動させる。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハＷの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。
【００２６】
次に、本実施形態の投影光学系１６について図１又は図２に基づき詳述する。
図１及び図２に示すように、投影光学系１６は、チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒４０（図１では一点鎖線で示す。）と、複数枚（本実施形態では６枚）の反射型のミラー２８〜３３とを備えている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、第１ミラー２８、第２ミラー２９、第３ミラー３０、第４ミラー３１、第５ミラー３２、第６ミラー３３の順に反射され、ウエハステージ１７に保持されるウエハＷに導かれる。
【００２７】
各ミラー２８〜３３は、それぞれの反射面が投影光学系１６の光軸ＡＸ（即ち、鏡筒４０の中心軸）に対して所定の位置関係になるようにそれぞれ位置調整されている。また、各ミラー２８〜３３は、露光光ＥＬを遮光しないようにそれぞれ加工されている。なお、第４ミラー３１は、その中心軸３１ａが光軸ＡＸに対して所定間隔離れた位置に配置されると共に、他のミラー２８〜３０，３２，３３は、鏡筒４０の円筒部分内に収容されている。
【００２８】
鏡筒４０は、略円筒状の分割鏡筒４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆと、図示しない支持装置を介してチャンバ１３に支持されるリング状のフランジ４１とを備え、該各分割鏡筒４０Ａ〜４０Ｆ及びフランジ４１は、ステンレスやインバーなどの低熱膨張材料にてそれぞれ形成されている。また、各分割鏡筒４０Ａ〜４０Ｆは、各ミラー２８〜３３に個別対応しており、各分割鏡筒４０Ａ〜４０Ｆ及びフランジ４１は、Ｚ軸方向に沿ってそれぞれ配置されている。すなわち、分割鏡筒４０Ａは、フランジ４１の−Ｚ方向側（図２では下側であって、ウエハＷ側）に配置されると共に、その＋Ｚ方向側（図２では上側であって、レチクルＲ側）がワッシャ４２Ａを介してフランジ４１に固定されている。また、分割鏡筒４０Ａは、第１ミラー保持装置４３Ａを介して第１ミラー２８を支持している。
【００２９】
分割鏡筒４０Ｂは、各分割鏡筒４０Ａ〜４０Ｆのうち最も＋Ｚ方向側に配置されると共に、第２ミラー保持装置４３Ｂを介して第２ミラー２９を支持している。また、分割鏡筒４０Ｂの＋Ｚ方向側の開口は、有底筒状の分割鏡筒４０Ｇによって閉塞されており、該分割鏡筒４０Ｇには、露光光ＥＬの通過を許容する図示しない開口が形成されている。
【００３０】
分割鏡筒４０Ｃは、フランジ４１の＋Ｚ方向側に配置されると共に、その−Ｚ方向側の部位がワッシャ４２Ｂを介してフランジ４１に固定されている。また、分割鏡筒４０Ｃは、第３ミラー保持装置４３Ｃを介して第３ミラー３０を支持している。
【００３１】
分割鏡筒４０Ｄは、Ｚ軸方向において分割鏡筒４０Ｂと分割鏡筒４０Ｃとの間に配置され、その−Ｚ方向側の部位が分割鏡筒４０Ｃに固定されると共に、その＋Ｚ方向側の部位がワッシャ４２Ｃを介して分割鏡筒４０Ｂに固定されている。また、分割鏡筒４０Ｄは、その＋Ｙ方向の側面（図２では左側面）が切り欠かれている。そして、分割鏡筒４０Ｄは、第４ミラー３１の少なくとも一部が分割鏡筒４０Ｄ外に位置するように、第４ミラー保持装置４３Ｄを介して第４ミラー３１を支持している。また、分割鏡筒４０Ｄは、照明光学系１４の一部を構成する反射ミラー２４を図示しない保持装置を介して支持している。
【００３２】
分割鏡筒４０Ｅは、各分割鏡筒４０Ａ〜４０Ｆのうち最も−Ｚ方向側に配置されると共に、第５ミラー保持装置４３Ｅを介して第５ミラー３２を支持している。また、分割鏡筒４０Ｅの−Ｚ方向側の開口は、有底筒状の分割鏡筒４０Ｈによって閉塞されており、該分割鏡筒４０Ｈには、ウエハＷ側に射出される露光光ＥＬの通過を許容する図示しない開口が形成されている。
【００３３】
分割鏡筒４０Ｆは、Ｚ軸方向において分割鏡筒４０Ａと分割鏡筒４０Ｅとの間に配置され、その−Ｚ方向側の部位がワッシャ４２Ｄを介して分割鏡筒４０Ｅに固定されると共に、その＋Ｚ方向側の部位がワッシャ４２Ｅを介して分割鏡筒４０Ａに固定されている。また、分割鏡筒４０Ｆは、第６ミラー保持装置４３Ｆを介して第６ミラー３３を支持している。
【００３４】
次に、各ミラー２８〜３３を保持するミラー保持装置４３Ａ〜４３Ｆのうち、第１ミラー２８用の第１ミラー保持装置４３Ａについて図３に基づき説明する。なお、他のミラー保持装置４３Ｂ〜４３Ｆは、第１ミラー保持装置４３Ａと略同等の構成を有しているため、それらの詳細な説明を省略する。
【００３５】
図３に示すように、分割鏡筒４０Ａの−Ｚ方向側には、分割鏡筒４０Ａの内側に突出した支持部（フランジ部）４４が形成されており、該支持部４４は、光軸ＡＸを中心とした周方向に沿って等間隔に配置される複数（本実施形態では３つ）の位置粗調整機構４５を介して第１ミラー保持装置４３Ａを支持している。この第１ミラー保持装置４３Ａは、各位置粗調整機構４５を介して分割鏡筒４０Ａの支持部４４に支持される円環状のアウタリング４６を備え、該アウタリング４６は、ＸＹ平面と略平行な状態で配置されている。また、第１ミラー保持装置４３Ａには、アウタリング４６上に配置されるパラレルリンク機構４７と、該パラレルリンク機構４７に支持される円環状のインナリング４８とが設けられており、該インナリング４８は、複数（本実施形態では３つ）の保持機構４９を介して第１ミラー２８を支持している。そして、パラレルリンク機構４７の駆動に伴ってインナリング４８の位置が変位することにより、第１ミラー２８のアウタリング４６に対する位置及び姿勢のうち少なくとも一方が調整される。
【００３６】
パラレルリンク機構４７は、インナリング４８をアウタリング４６に対して、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θｘ方向、θｙ方向及びθｚ方向の６自由度方向に移動させるべく駆動する。すなわち、パラレルリンク機構４７は、２本のリンク５０を有するリンク機構５１を複数（本実施形態では３つ）備え、該各リンク機構５１は、周方向において等間隔にそれぞれ配置されている。本実施形態では、各リンク機構５１は、各位置粗調整機構４５と同一周方向位置にそれぞれ配置されている。
【００３７】
こうした各リンク５０は、それぞれの長手方向における両端がアウタリング４６及びインナリング４８に球面対偶をなすようにそれぞれ形成されている。具体的には、各リンク５０は、第１軸部材５２と、該第１軸部材５２に接続又は連結される第２軸部材５３とをそれぞれ有している。各第１軸部材５２の一端（下端）は、アウタリング４６にボールジョイント５４を介してそれぞれ取り付けられ、各第２軸部材５３の他端（上端）は、インナリング４８に図示しないボールジョイントを介してそれぞれ取り付けられている。そして、第１軸部材５２及び第２軸部材５３の少なくとも一方の各々には、リンク５０の長さ、即ち第１軸部材５２の一端と第２軸部材５３の他端との距離を変更可能な図示しないアクチュエータがそれぞれ設けられている。アクチュエータの一例として、リンク５０の長手方向に伸縮駆動する圧電素子が挙げられる。そして、各リンク５０は、後述する制御装置６２に基づき各アクチュエータが駆動する場合にそれぞれ伸縮動作する。
【００３８】
各保持機構４９は、各リンク機構５１と同一周方向位置であって、且つインナリング４８の＋Ｚ方向側の面（図３では上面）にそれぞれ配置されている。こうした各保持機構４９は、＋Ｚ方向側が閉塞すると共に−Ｚ方向側が開口する略逆Ｕ字状をなすようにそれぞれ形成されている。すなわち、各保持機構４９は、Ｚ軸方向に延びる一対の延設部４９ａと、該両延設部４９ａの＋Ｚ方向側の端部を連結し且つ弾性を有するように加工された連結部４９ｂとをそれぞれ有している。すなわち、第１ミラー２８において連結部４９ｂに固定される各部分は、第１ミラー２８の中心軸を中心とした径方向及びＺ軸方向に沿ってそれぞれ弾性変形する。
【００３９】
また、インナリング４８と第１ミラー２８との間には、図３及び図４に示すように、振動減衰装置５５（ダンパともいう。）が設けられている。この振動減衰装置５５は、インナリング４８の内周側の表面（＋Ｚ方向側の面）で支持されると共に、第１ミラー２８において露光光ＥＬを反射する反射面（図３では上面）２８ａとは反対側の非反射面（図３では下面）２８ｂに接触している。こうした振動減衰装置５５は、図４に示すように、外縁側がインナリング４８の内周部に当接する略円盤状の基台５６と、該基台５６上に設置され、且つ可撓性を有するカバー部材５７とを備えている。このカバー部材５７は、その＋Ｚ方向側の端部が第１ミラー２８の被反射面２８ｂに固定されると共に、その−Ｚ方向側の端部が基台５６に固定されている。また、カバー部材５７は、第１ミラー２８が−Ｚ方向側に変位した場合、そのＺ軸方向における中途部位が放射方向に広がったり狭くなったりすることにより、その＋Ｚ方向側の面がＺ軸方向に変位するように構成されている。また、カバー部材５７内の充填スペース５８には、液状の磁性体の一種である磁性流体が充填されている。
【００４０】
なお、磁性流体としては、一例としてアウトガスが極めて少ないフッ素オイルが用いられる。また、カバー部材５７は、その内部に存在する磁性流体から発生するアウトガスの外部への漏出を抑制できる材料で形成されている。
【００４１】
また、基台５６上には、カバー部材５７を包囲するように形成された円環状の磁界発生部５９が設けられている。カバー部材５７の外周面と磁界発生部５９の内周面との間には、カバー部材５７が放射方向に広がることを許容するスペースＳｐが形成されている。こうした磁界発生部５９は、コイル６０を有している。そして、後述する制御装置６２からコイル６０に給電された場合、インナリング４８と第１ミラー２８との間には、磁界が発生する。その結果、充填スペース５８内に充填される磁性流体の粘性は、磁界の強さに対応した粘性に調整される。すなわち、本実施形態では、コイル６０に給電する電流の大きさによって、振動減衰装置５５の減衰比（ダンピングレシオともいう。）が調整される。
【００４２】
また、第１ミラー２８の側壁には、該第１ミラー２８に加わる振動の大きさを検出するための振動検出部６１が設けられている。この振動検出部６１は、第１ミラー２８がＺ軸方向に沿って振動した場合に該振動を検出可能である。なお、振動検出部６１は、一例として、第１ミラー２８のＺ軸方向における加速度を検出するための加速度センサを有している。そして、振動検出部６１からは、第１ミラー２８のＺ軸方向における振動成分に応じた電気信号が制御装置６２に出力される。
【００４３】
制御装置６２の入力側インターフェースには、ミラー２８〜３３毎に設けられた各振動検出部６１などが電気的に接続されており、該各振動検出部６１からの電気信号に基づき各ミラー２８〜３３のＺ軸方向における振動の大きさを個別に算出する。また、制御装置６２の出力側インターフェースには、リンク５０の長さを調整すべく駆動する上記各アクチュエータ及びミラー２８〜３３毎に設けられた各磁界発生部５９などが電気的に接続されている。そして、制御装置６２は、各ミラー２８〜３３のＺ軸方向における振動の大きさに対応した大きさの電流を図示しないドライバ回路から各磁界発生部５９に個別に供給させる。
【００４４】
次に、本実施形態の露光装置１１の作用のうち、第１ミラー２８に加わる振動を減衰させる際の作用を中心に説明する。
さて、第１ミラー２８を保持する各保持機構４９は、それらの各連結部４９ｂがＺ軸方向にそれぞれ振動することがある。こうした振動は、第１ミラー２８に伝わり、該第１ミラー２８自身が振動する。このように微妙に振動する第１ミラー２８を介したパターンの像をウエハＷに投影した場合、ウエハＷに形成されるパターンに微妙な歪みが発生するおそれがある。
【００４５】
この点、本実施形態では、第１ミラー２８に設けられた振動検出部６１からの電気信号に基づき、第１ミラー２８のＺ軸方向における振動の大きさ（即ち、振動周期）が制御装置６２によって算出される。すると、振動減衰装置５５の磁界発生部５９（即ち、コイル６０）には、算出された第１ミラー２８のＺ軸方向における振動の大きさに対応した大きさの電流が供給され、カバー部材５７内の充填スペース５８内には、コイル６０への給電態様に応じた強さの磁界が発生する。すなわち、充填スペース５８内の磁性流体の粘性は、磁界の強さに応じた粘性に調整される。そのため、カバー部材５７に当接する第１ミラー２８は、その振動がカバー部材５７内に充填された磁性流体によって好適に減衰される。こうして第１ミラー２８の振動が減衰される（又は振動がなくなる）と、該第１ミラー２８を介した露光光ＥＬを用い、ウエハＷに形成されたパターンには第１ミラー２８の振動に起因した歪みが解消される。また、複数のパターンを重ね合わせる際においても、パターンの笠名合わせ精度を向上させることが可能となる。
【００４６】
また、ウエハＷへのパターン形成時には、第１ミラー２８の反射面２８ａに露光光ＥＬが入射する。すると、第１ミラー２８は、入射する露光光ＥＬの一部を吸収し、熱エネルギーを蓄積する。そして、熱エネルギーの蓄積量が多くなると、第１ミラー２８が熱変形するおそれがある。しかし、本実施形態の第１ミラー２８は、各保持機構４９を介してインナリング４８に支持されるだけではなく、振動減衰装置５５を介してインナリング４８に支持されている。すなわち、本実施形態では、第１ミラー２８からインナリング４８への排熱経路として、各保持機構４９からインナリング４８という経路だけではなく、振動減衰装置５５のカバー部材５７及び基台５６からインナリング４８という経路が構築される。しかも、内部に磁性流体が充填されたカバー部材５７の＋Ｚ方向側の端部は、第１ミラー２８のうち露光光ＥＬが入射する部分に対応する位置に当接している。そのため、第１ミラー２８で発生した熱エネルギーは、カバー部材５７及び該カバー部材５７内の磁性流体を介して効率的にインナリング４８側に排熱される。また、インナリング４８に排熱された熱エネルギーは、パラレルリンク機構４７及びアウタリング４６を介して鏡筒４０側に排熱される。
【００４７】
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）ミラー２８〜３３のインナリング４８に対する相対的な振動は、該ミラー２８〜３３に接触する振動減衰装置５５によってそれぞれ減衰される。しかも、振動減衰装置５５には、摩擦を発生させて振動を減衰させる構成とは異なり、摩耗したり摩滅したりする部分がない。そのため、振動減衰装置５５の振動減衰性能の経時変化を抑制できる。したがって、ミラー２８〜３３の振動が抑制された状態で露光処理が行なわれるため、ウエハＷに形成されるパターンがミラー２８〜３３の振動に起因して歪むことを抑制できる。
【００４８】
（２）真空雰囲気内では、ミラー２８〜３３で発生した熱エネルギーの排熱経路が限られ、ミラー２８〜３３で発生した熱エネルギーを効率的に排熱できない問題がある。この点、本実施形態では、振動減衰装置５５を介したミラー保持装置４３Ａ〜４３Ｆ側に排熱できる。具体的には、内部に磁性流体が充填されるカバー部材５７の＋Ｚ方向側の端部は、ミラー２８〜３３に接触すると共に、カバー部材５７の−Ｚ方向側の端部は、基台５６を介してミラー２８〜３３を支持するインナリング４８に接触している。そのため、ミラー２８〜３３で発生した熱エネルギーは、カバー部材５７、磁性流体及び基台５６を介してインナリング４８側に排熱される。したがって、真空雰囲気内であっても、ミラー２８〜３３で発生した熱エネルギーを効率的に排熱でき、ミラー２８〜３３の熱変形を好適に抑制できる。
【００４９】
（３）本実施形態の振動減衰装置５５は、磁性流体を有するダンパであるため、コイル６０に供給する電流の大きさを調整することにより、振動減衰装置５５の減衰比を調整できる。
【００５０】
（４）しかも、ミラー２８〜３３には振動検出部６１が設けられており、コイル６０に供給する電流の大きさは、振動検出部６１からの電気信号に基づき算出されたミラー２８〜３３の振動の大きさによって調整される。したがって、コイル６０に供給する電流の大きさを適切に設定することにより、ミラー２８〜３３に伝達される振動の大きさに関係なく、インナリング４８に対するミラー２８〜３３の振動を確実に減衰させることができる。
【００５１】
（５）また、内部に磁性流体が充填されるカバー部材５７の気密性が高いため、磁性流体から発生したアウトガスがカバー部材５７から鏡筒４０内に漏出することを抑制できる。また、磁性流体自体がカバー部材５７から鏡筒４０内に漏出することも抑制できる。したがって、ミラー２８〜３３に磁性流体に関する異物が付着することを抑制でき、ミラー２８〜３３の反射効率の低下を抑制できる。
【００５２】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図５及び図６に従って説明する。なお、第２の実施形態は、ミラーの側方にも振動減衰装置を備える点が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００５３】
図５及び図６に示すように、第１ミラー２８は、周方向に沿って等間隔に配置される複数（本実施形態では３つ）の保持機構４９を介してインナリング４８に支持されている。このインナリング４８上には、周方向において互いに隣り合う保持機構４９同士の中間位置に配置され、且つ第１ミラー２８のＸ軸方向及びＹ軸方向の振動成分を減衰するための複数（本実施形態では３つ）の振動減衰装置（以下、ＸＹ軸用振動減衰装置６５という。）が設けられている。すなわち、各ＸＹ軸用振動減衰装置６５は、周方向において等間隔にそれぞれ配置されている。また、Ｚ軸方向において第１ミラー２８とインナリング４８との間には、振動減衰装置（本実施形態では、Ｚ軸用振動減衰装置５５という。）が設けられている。なお、Ｚ軸用振動減衰装置５５は、上記第１の実施形態の振動減衰装置と同等の構成を有するため、その具体的な構成の記載を省略する。
【００５４】
各ＸＹ軸用振動減衰装置６５は、インナリング４８上に設けられる略直方体状をなす基台６６と、Ｚ軸方向において第１ミラー２８と略同一位置に配置され、且つ可撓性を有するカバー部材６７とをそれぞれ備えている。これら各カバー部材６７は、それらの径方向内側の端部が第１ミラー２８にそれぞれ固定されると共に、それらの径方向外側の端部が基台６６にそれぞれ固定されている。また、各カバー部材６７は、それらの径方向（即ち、第１ミラー２８の中心軸を中心とした径方向）における中途部位が放射方向に広がったり狭くなったりすることにより、それらの径方向内側の端部が径方向に変位するようにそれぞれ構成されている。こうした各カバー部材６７内の充填スペース６８には、磁性流体がそれぞれ充填されている。
【００５５】
また、各基台６６上には、カバー部材６７を包囲するように形成された円環状の磁界発生部６９がそれぞれ設けられている。カバー部材６７の外周面と磁界発生部６９の内周面との間の各々には、カバー部材６７が放射方向に広がることを許容するためのスペースＳｐがそれぞれ形成されている。こうした各磁界発生部６９は、制御装置６２から給電されるコイル７０をそれぞれ有している。そして、各コイル７０に給電された場合には、各基台６６と第１ミラー２８との間に磁界がそれぞれ発生し、その結果、各充填スペース６８内に充填される磁性流体の粘性は、磁界の強さに対応した粘性にそれぞれ調整される。すなわち、各ＸＹ軸用振動減衰装置６５の減衰比がそれぞれ調整される。
【００５６】
また、本実施形態の振動検出部６１は、第１ミラー２８に加わる振動を、Ｘ軸方向における振動成分、Ｙ軸方向における振動成分及びＺ軸方向における振動成分に分解して検出できるように構成されている。例えば、振動検出部６１は、第１ミラー２８のＸ軸方向における第１ミラー２８の加速度を検出するための加速度センサ、Ｙ軸方向における第１ミラー２８の加速度を検出するための加速度センサ及びＺ軸方向における第１ミラー２８の加速度を検出するための加速度センサを有している。こうした各加速度センサからの電気信号は、制御装置６２にそれぞれ出力される。
【００５７】
そして、振動検出部６１からの電気信号（即ち、各加速度センサからの電気信号）に基づき、制御装置６２は、第１ミラー２８のＸ軸方向における振動成分、Ｙ軸方向における振動成分及びＺ軸方向における振動成分を個別に算出する。また、制御装置６２は、算出した各方向における振動成分に応じ、各コイル７０に供給する電流の大きさを個別に設定して供給する。
【００５８】
そのため、Ｚ軸用振動減衰装置５５において磁性流体の粘性が第１ミラー２８のＺ軸方向への振動を好適に吸収できる程度の粘性に調整される結果、第１ミラー２８のインナリング４８に対するＺ軸方向への振動が好適に減衰される。また、各ＸＹ軸用振動減衰装置６５において磁性流体の粘性が第１ミラー２８のＸ軸方向への振動及びＹ軸方向への振動を好適に吸収できる程度の粘性にそれぞれ調整される結果、第１ミラー２８のインナリング４８に対するＸ軸方向及びＹ軸方向への各振動が好適に減衰される。
【００５９】
なお、第１ミラー２８以外の他のミラー２９〜３３に対しても、第１ミラー２８と同様に、ミラー２９〜３３のＸ軸方向における振動成分、Ｙ軸方向における振動成分及びＺ軸方向における振動成分を減衰するための各振動減衰装置が設けられている。ただし、これら各振動減衰装置は、第１ミラー２８用の各振動減衰装置５５，６５と略同等の構成を有しているため、それらの詳細な説明を省略する。
【００６０】
したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態における効果（１）〜（５）に加え、以下に示す効果をさらに得ることができる。
（６）本実施形態では、各ミラー２８〜３３の側方には、周方向に沿って等間隔に配置された複数のＸＹ軸用振動減衰装置６５がそれぞれ設けられている。そのため、ミラー２８〜３３のＸ軸方向における振動成分及びＹ軸方向における振動成分も、好適に減衰させることができる。したがって、ミラー２８〜３３がインナリング４８に対して相対的に振動することを抑制できる。
【００６１】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態を図７に従って説明する。なお、第３の実施形態は、アウタリング４６に対するインナリング４８の相対的な振動を減衰可能な点が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１及び第２の各実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１及び第２の各実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００６２】
図７に示すように、アウタリング４６上には、周方向において互いに隣り合うリンク機構５１同士の間に配置される複数（本実施形態では３つであって、図７では２つのみ図示）の振動減衰装置（以下、インナ用振動減衰装置７５という。）が設けられている。すなわち、各インナ用振動減衰装置７５は、周方向に沿って等間隔にそれぞれ配置されている。また、本実施形態において、Ｚ軸方向においてインナリング４８と第１ミラー２８との間に配置される振動減衰装置を、ミラー用振動減衰装置５５という。
【００６３】
各インナ用振動減衰装置７５は、アウタリング４６上に配置される基台７６と、該基台７６に支持され、且つ可撓性を有するカバー部材７７とをそれぞれ備えている。これら各カバー部材７７は、それらのＺ軸方向における中途部位が放射方向に広がったり狭くなったりすることにより、それらの＋Ｚ方向側の面がＺ軸方向に変位するようにそれぞれ構成されている。また、各カバー部材７７の−Ｚ方向側の端部は、基台７６にそれぞれ固定されると共に、各カバー部材７７の＋Ｚ方向側の端部は、インナリング４８にそれぞれ固定されている。こうした各カバー部材７７内の充填スペース７８内には、磁性流体がそれぞれ充填されている。
【００６４】
また、各基台７６上には、カバー部材７７を包囲するように形成された円環状の磁界発生部７９がそれぞれ設けられている。カバー部材７７の外周面と磁界発生部７９の内周面との間の各々には、カバー部材７７が放射方向に広がることを許容するためのスペースＳｐがそれぞれ形成されている。こうした各磁界発生部７９は、制御装置６２から給電されるコイル８０をそれぞれ有している。そして、各コイル８０に給電された場合には、各基台７６とインナリング４８との間に磁界がそれぞれ発生し、その結果、各充填スペース７８内に充填される磁性流体の粘性は、磁界の強さに対応した粘性にそれぞれ調整される。すなわち、各インナ用振動減衰装置７５の減衰比がそれぞれ調整される。
【００６５】
インナリング４８には、該インナリング４８に加わる振動の大きさを検出するための振動検出部（以下、インナ用振動検出部８１という。）が設けられており、該インナ用振動検出部８１は、インナリング４８の内周壁に取り付けられている。こうしたインナ用振動検出部８１からは、インナリング４８のＸ軸方向における振動成分、Ｙ軸方向における振動成分及びＺ軸方向における振動成分に応じた各種電気信号が制御装置６２に出力される。
【００６６】
制御装置６２は、インナ用振動検出部８１からの各種電気信号に基づき、インナリング４８のＸ軸方向における振動成分、Ｙ軸方向における振動成分及びＺ軸方向における振動成分を個別に算出する。そして、制御装置６２は、算出した各方向における振動成分に応じ、コイル８０に供給する電流の大きさを設定して供給する。そのため、インナ用振動減衰装置７５において磁性流体の粘性がインナリング４８の振動を好適に吸収できる程度の粘性に調整される結果、インナリング４８のアウタリング４６に対する相対的な振動が好適に減衰される。
【００６７】
なお、第１ミラー保持装置４３Ａ以外の他のミラー保持装置４３Ｂ〜４３Ｆに対しても、第１ミラー保持装置４３Ａと同様に、インナリング４８のアウタリング４６に対する振動を減衰するためのインナ用振動減衰装置が設けられている。これら各インナ用振動減衰装置は、第１ミラー保持装置４３Ａに設けられるインナ用振動減衰装置７５と略同等の構成を有しているため、それらの詳細な説明を省略する。
【００６８】
したがって、本実施形態では、上記各実施形態における効果（１）〜（５）と略同等の効果に加え、以下に示す効果をさらに得ることができる。
（７）インナリング４８は、各リンク５０内に設けられる各アクチュエータの駆動によって、位置及び姿勢が調整される。そのため、インナリング４８には、各アクチュエータからの振動が伝達され、ひいては該インナリング４８が各保持機構４９を介して支持するミラー２８〜３３にも伝達されるおそれがある。この点、本実施形態では、インナリング４８のアウタリング４６に対する相対的な振動は、各インナ用振動減衰装置７５によって好適に減衰される。そのため、アウタリング４６に対するミラー２８〜３３の相対的な振動を好適に減衰させることができる。
【００６９】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態を図８に従って説明する。なお、第４の実施形態は、アウタリング４６の代りに円盤状の部材を設ける点と、該円盤状の部材に対するミラー２８〜３３の相対的な振動を減衰可能な点が第１〜第３の各実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１〜第３の各実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１〜第３の各実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００７０】
図８に示すように、第１ミラー保持装置４３Ａは、略円盤状をなすベース部材４６Ａと、該ベース部材４６Ａ上に配置されるパラレルリンク機構４７と、該パラレルリンク機構４７に支持される円環状のインナリング４８とを備えている。ベース部材４６Ａの中央部分には、該ベース部材４６Ａに対する第１ミラー２８の振動を減衰するための第１振動減衰装置８５が設けられている。この第１振動減衰装置８５は、磁性流体を有するダンパである。こうした第１振動減衰装置８５は、第１ミラー２８において露光光ＥＬの入射する領域の反対側に接触している。なお、第１振動減衰装置８５は、上述した各振動減衰装置と略同等の構成を有しているため、その具体的な構成の記載を省略する。
【００７１】
また、インナリング４８は、該インナリング４８に対する第１ミラー２８の振動を減衰するための複数（図８では２つのみ図示）の第２振動減衰装置８６を支持しており、該各第２振動減衰装置８６は、第１振動減衰装置８５を包囲すると共に、周方向に沿って等間隔にそれぞれ配置されている。また、各第２振動減衰装置８６は、それぞれ磁性流体を有するダンパである。なお、各第２振動減衰装置８６は、上述した各振動減衰装置と略同等の構成をそれぞれ有しているため、それらの具体的な構成の記載を省略する。
【００７２】
そして、各振動減衰装置８５，８６の図示しないコイルにそれぞれ給電することにより、各振動減衰装置８５，８６が有する磁性流体の粘性がそれぞれ調整される。その結果、第１ミラー２８のベース部材４６Ａに対する相対的な振動及び第１ミラー２８のインナリング４８に対する相対的な振動が、各振動減衰装置８５，８６によって好適にそれぞれ減衰される。また、第１ミラー２８で発生した熱エネルギーは、各保持機構４９及び各第２振動減衰装置８６を介してインナリング４８に排熱されるだけではなく、第１振動減衰装置８５を介してベース部材４６Ａに排熱される。そのため、第１ミラー２８の熱膨張が好適に抑制される。
【００７３】
なお、第１ミラー保持装置４３Ａ以外の他のミラー保持装置４３Ｂ〜４３Ｆも、第１ミラー保持装置４３Ａと略同等の構成を有している。そのため、他のミラー保持装置４３Ｂ〜４３Ｆの詳細な説明を省略する。
【００７４】
したがって、本実施形態では、上記各実施形態における効果（１）〜（５）と略同等の効果に加え、以下に示す効果をさらに得ることができる。
（８）ミラー２８〜３３には、互いに振動周期の異なる複数種類の振動が伝達される。例えば、各保持機構４９で発生した振動や各リンク５０内に設けられるアクチュエータで発生した振動がミラー２８〜３３に伝達される。この点、本実施形態では、ミラー２８〜３３に伝達され得る複数種類の振動に対応できるように、第１振動減衰装置８５及び第２振動減衰装置８６が設けられる。そのため、ミラー２８〜３３に互いに振動周期の異なる複数種類の振動が伝達されても、各振動を好適に減衰させることができる。
【００７５】
（９）また、本実施形態では、ミラー２８〜３３で発生した熱エネルギーは、各保持機構４９や各第２振動減衰装置８６を介してインナリング４８に排熱されるだけではなく、第１振動減衰装置８５を介してベース部材４６Ａに排熱される。そのため、ミラー２８〜３３から外部への排熱を効率的に行なうことができる。また、インナリング４８に熱エネルギーが蓄熱されることが抑制されるため、インナリング４８の熱変形の発生を抑制することもできる。
【００７６】
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態を図９に従って説明する。なお、第５の実施形態は、ミラー２８〜３３の鏡筒４０に対する相対的な振動を減衰可能な点が第１〜第４の各実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１〜第４の各実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１〜第４の各実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００７７】
図９に示すように、鏡筒４０の側壁と第１ミラー２８との間には、第１ミラー２８の中心軸（図示略）を中心とした周方向に沿って等間隔に配置される複数（本実施形態では３つであって、図９では１つのみ図示）の振動減衰装置（以下、鏡筒側振動減衰装置９０という。）が設けられている。なお、本実施形態では、インナリング４８とミラー２８との間に配置される振動減衰装置を、インナ側振動減衰装置５５という。
【００７８】
各鏡筒側振動減衰装置９０は、鏡筒４０の側壁に支持される基台９１をそれぞれ備えている。これら各基台９１において鏡筒４０の側壁に対向する第１対向面９１ａは、鏡筒４０の側壁に対応する形状にそれぞれ形成されている。また、各基台９１においてミラー２８に対向する第２対向面９１ｂは、鏡筒４０の中心から放射状に延びる直線と略直交する平面状にそれぞれ形成されている。こうした各基台９１の第２対向面９１ｂの中央部分には、凹部９２がそれぞれ形成されている。
【００７９】
また、各鏡筒側振動減衰装置９０は、基台９１の第２対向面９１ｂ側に配置され、且つ略直方体状をなす中空のケース部材９３をそれぞれ備えている。これら各ケース部材９３において基台９１と対向する側には、該各ケース部材９３内の充填スペース９４内と凹部９２と連通させる第１連通孔９５がそれぞれ形成されている。また、各ケース部材９３において第１ミラー２８と対向する側には、充填スペース９４内外を連通させる第２連通孔９６がそれぞれ形成されており、該各第２連通孔９６は、各第１連通孔９５と同一周方向位置にそれぞれ位置している。
【００８０】
また、各ケース部材９３内の充填スペース９４には、鏡筒４０の中心軸を中心とした径方向に沿って往復移動可能なピストン部材９７がそれぞれ設けられている。これら各ピストン部材９７は、それらの断面形状が各連通孔９５，９６の断面形状よりも大きくなるようにそれぞれ形成されている。また、各ピストン部材９７の径方向外側には、基端がピストン部材９７に固着されると共に、先端が凹部９２内に位置する第１ロッド部９８がそれぞれ延設されている。これら各第１ロッド部９８の先端は、凹部９２の底部にそれぞれ接触していない。また、各ピストン部材９７の径方向内側には、基端がピストン部材９７に固着されると共に、先端が第１ミラー２８に固定される第２ロッド部９９がそれぞれ延設されている。また、各充填スペース９４内には、磁性流体がそれぞれ充填されている。すなわち、各ピストン部材９７は、第１ミラー２８のＸＹ平面状での振動に基づきそれぞれ往復移動する。
【００８１】
また、各基台９１の第２対向面９１ｂ側には、ケース部材９３を包囲するように形成された円環状の磁界発生部１００がそれぞれ設けられている。これら各磁界発生部１００は、コイル１０１をそれぞれ有している。そして、制御装置６２から各コイル１０１に給電された場合には、各基台９１と第１ミラー２８との間に磁界がそれぞれ発生し、その結果、各充填スペース９４内に充填される磁性流体の粘性は、磁界の強さに対応した粘性にそれぞれ調整される。すなわち、磁性流体の粘性が高いほど、各ピストン部材９７が往復移動する際の抵抗となる。したがって、こうした構成であっても、コイル１０１に供給する電流の大きさを調整することにより、各鏡筒側振動減衰装置９０の減衰比を調整することが可能である。
【００８２】
なお、第１ミラー２８以外の他のミラー２９〜３３に対しても、第１ミラー２８と同様に、鏡筒４０の側壁との間に鏡筒側振動減衰装置が設けられている。これら各鏡筒側振動減衰装置は、第１ミラー２８用の鏡筒側振動減衰装置９０と略同等の構成を有しているため、それらの詳細な説明を省略する。
【００８３】
したがって、本実施形態では、上記各実施形態における効果（１）〜（５）と略同等の効果に加え、以下に示す効果をさらに得ることができる。
（１０）本実施形態では、各鏡筒側振動減衰装置９０によってミラー２８〜３３のＸ軸方向における振動成分及びＹ軸方向における振動成分を減衰することができる。
【００８４】
（１１）また、本実施形態では、ミラー２８〜３３で発生した熱エネルギーの一部を、ミラー保持装置４３Ａ〜４３Ｆを介することなく、鏡筒４０側に直接排熱することができる。
【００８５】
なお、上記各実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・各実施形態において、インナリング４８と鏡筒４０の側壁との間に、図１０に示すように、鏡筒４０に対するインナリング４８の振動を減衰させるための振動減衰装置１０５を設けてもよい。この場合、複数（例えば３つ）の振動減衰装置１０５を、鏡筒４０の中心軸を中心とした周方向に沿って等間隔にそれぞれ配置してもよい。こうした振動減衰装置１０５の構成は、ＸＹ軸用振動減衰装置６５と略同等の構成でもよいし、鏡筒側振動減衰装置９０と略同等の構成でもよい。
【００８６】
・各実施形態において、アウタリング４６（又はベース部材４６Ａ）と鏡筒４０の側壁との間に、図１１に示すように、鏡筒４０に対するアウタリング４６（又はベース部材４６Ａ）の振動を減衰させるための振動減衰装置１１０を設けてもよい。この場合、複数（例えば３つ）の振動減衰装置１１０を、鏡筒４０の中心軸を中心とした周方向に沿って等間隔にそれぞれ配置してもよい。こうした振動減衰装置１１０の構成は、ＸＹ軸用振動減衰装置６５と略同等の構成でもよいし、鏡筒側振動減衰装置９０と略同等の構成でもよい。
【００８７】
また、アウタリング４６（又はベース部材４６Ａ）に、該アウタリング４６（又はベース部材４６Ａ）に加わる振動の大きさを検出するための振動検出部１１１を設けてもよい。この場合、振動検出部１１１に基づき振動減衰装置１１０の図示しないコイルに供給される電流の大きさを調整することにより、鏡筒４０に対するアウタリング４６（又はベース部材４６Ａ）の振動を好適に減衰させることができる。
【００８８】
・第２〜第５の各実施形態において、ミラー２８〜３３とインナリング４８との間に配置される振動減衰装置５５を省略してもよい。
・各実施形態において、磁界発生部５９，６９，７９，１００は、コイルの代りに、永久磁石を備えた構成でもよい。このように構成すると、磁性流体の粘性を調整することはできないものの、ミラー２８〜３３などの被振動部材の振動を減衰させることができる。この場合、振動検出部６１，８１，１１１を省略してもよい。
【００８９】
・各実施形態において、液状の磁性体として、磁性流体の代りに、液体金属を用いてもよい。この場合、振動検出部６１，８１，１１１を省略してもよい。液体金属としては、一例としてガリウムやインジウムを含む液体金属であってもよい。このように構成すると、振動減衰装置５５，６５，７５，８５，８６，９０，１０５，１１０の減衰比を調整することはできないものの、ミラー２８〜３３などの被振動部材の振動を減衰させることができる。また、ミラー２８〜３３などの被振動部材で発生した熱エネルギーの効率的な排熱にも貢献できる。
【００９０】
・第１〜第４の各実施形態において、カバー部材５７，６７，７７を省略してもよい。ただし、ミラー２８〜３３などの被振動部材と、インナリング４８などの支持部材との間の充填スペース５８，６８，７８内で磁性流体を保持できるように、コイル６０，７０，８０への給電を継続することが望ましい。
【００９１】
・第１〜第４の各実施形態において、充填スペース５８，６８，７８を内包するカバーは、その一部分のみ可撓可能な構成であってもよい。
・本発明の振動減衰装置を、照明光学系１４を構成するミラー１９，２１〜２４に加わる振動を減衰させるための振動減衰装置に具体化してもよい。
【００９２】
・本発明の振動減衰装置を、ウエハＷやレチクルＲなどを保持する静電吸着保持装置２５，３４に加わる振動成分を減衰可能な振動減衰装置に具体化してもよい。また、鏡筒４０のフランジ４１と、該フランジ４１を介して鏡筒４０を支持する支持装置との間に、本発明の振動減衰装置を設けてもよい。
【００９３】
・各実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
【００９４】
・各実施形態において、光源装置１２は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）等を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置１２は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。
【００９５】
・各実施形態において、光源装置１２は、放電型プラズマ光源を有する装置でもよい。
・各実施形態において、露光装置１１を、ステップ・アンド・リピート方式の装置に具体化してもよい。
【００９６】
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１２は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００９７】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【００９８】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００９９】
図１３は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）においては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【０１００】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【符号の説明】
【０１０１】
１１…露光装置、１４…照明光学系、１６…投影光学系、１８…筐体、２５，３４…駆動装置を構成する静電吸着保持装置（被振動部材）、１９，２０〜２４，２８〜３３…駆動装置を構成するミラー（被振動部材、光学部材）、４０…駆動装置を構成する鏡筒（被振動部材、支持部材、筐体）、４１…駆動装置を構成するフランジ（被振動部材）、４３Ａ〜４３Ｆ…光学部材保持装置としてのミラー保持装置、４６…駆動装置を構成するアウタリング（被振動部材、支持部材、ベース部材）、４６Ａ…駆動装置を構成するベース部材（被振動部材、支持部材）、４７…変位部としてのパラレルリンク機構、４８…駆動装置を構成するインナリング（被振動部材、支持部材）、４９…保持部としての保持機構、４９ｂ…弾性部としての連結部、５５，６５，７５，８５，８６，９０，１０５，１１０…駆動装置を構成する振動減衰装置、５７，６７，７７…カバー部としてのカバー部材、５８，６８，７８，９４…所定のスペースとしての充填スペース、５９，６９，７９，１００…磁界発生部、６１，８１，１１１…振動検出部、６２…調整部、制御部としての制御装置、９３…カバー部としてのケース部材、ＥＬ…放射ビームとしての露光光、Ｒ…マスクとしてのレチクル、Ｗ…基板としてのウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011096930.tif 000009
【図８】
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【図９】
2011096930.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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