(57)【要約】      （修正有）【課題】高い温度において、抵抗値の増加または光透過率の減少などの性能低下が起こらずに十分に耐えることができる、耐熱性に優れた太陽電池基板及びそれを含む太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池基板は、透明基板４１１と、透明基板に形成され、Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンのデータを基準に、（０００２）成長面と2011171746.tif 000016成長面がともに存在する、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層４１２ａを含む透明導電膜４１２とを含む。【選択図】図４
2011171746.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板に形成され、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層を含む透明導電膜とを含む太陽電池基板であって、
前記酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層は、
Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンのデータを基準に、（０００２）成長面と
【数１】
2011171746.tif 000014
成長面がともに存在することを特徴とする、太陽電池基板。
【請求項２】
前記酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層は、
前記透明導電膜の耐熱試験のための熱処理後に、
Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンのデータを基準に、
【数２】
2011171746.tif 000015
成長面のピーク強度（ｐｅａｋ  ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が（０００２）成長面のピーク強度（ｐｅａｋ  ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）より大きい又は等しいことを特徴とする、請求項１記載の太陽電池基板。
【請求項３】
前記酸化亜鉛（ＺｎＯ）にドーピングされるドーパントは、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、ホウ素（Ｂ）のいずれか一種、又は二種以上であることを特徴とする、請求項１記載の太陽電池基板。
【請求項４】
前記透明導電膜が、
前記透明基板と酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層との間に形成され、前記透明基板の内部から異物が溶出されることを防ぐ異物溶出防止膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の太陽電池基板。
【請求項５】
前記異物溶出防止膜が、
酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又は酸化チタン（ＴｉＯ２）のいずれか一種により具現されることを特徴とする、請求項１記載の太陽電池基板。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の太陽電池基板を含むことを特徴とする、太陽電池。
【請求項７】
前記太陽電池が、タンデム（Ｔａｎｄｅｍ）型太陽電池、化合物太陽電池、色素増感型太陽電池のいずれかであることを特徴とする、請求項６記載の太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池基板及びそれを含む太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、太陽エネルギーを直接電気に変換させる太陽光発電の核心素子である。現在、太陽電池は、電気・電子製品、住宅や建物の電気供給、そして産業発電に至るまで、多様な分野に適用されている。太陽電池の最も基本的な構造は、ｐｎ接合により構成されたダイオード形態であり、光吸収層の材料に応じて区分されるが、例えば、光吸収層にシリコンを使用するシリコン太陽電池、光吸収層に銅−インジウム−ガリウム−セレン化物（ｃｏｐｐｅｒ−ｉｎｄｉｕｍ−ｇａｌｌｉｕｍ  ｓｅｌｅｎｉｄｅ、ＣＩＧＳ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）などを使用する化合物太陽電池、多孔質膜のナノ粒子表面に可視光吸収により電子が励起される光感応染料分子が吸着された色素増感型太陽電池、積層型太陽電池に区分される。また、太陽電池は、バルク型と薄膜型の太陽電池に区分される。
【０００３】
現在は、多結晶シリコンを利用するバルク型結晶質シリコン太陽電池が市場全体の９０％以上を占めており、バルク型結晶質シリコン太陽電池の太陽光発電単価は、既存の火力、原子力、水力発電などに比べ、最少で３倍から最大で１０倍以上高い。これは、高価なシリコン原料を多量に使用し、製造工程が複雑な結晶質シリコン太陽電池の高い製造原価が主な原因である。そこで、最近になり、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ：Ｈ）薄膜太陽電池の研究と商業化が進んでいる。
【０００４】
図１は、従来の非晶質シリコンを光吸収層として使用する太陽電池の構造を図示したものである。
図示したところのように、従来の非晶質シリコン（例えば、ａ−Ｓｉ：Ｈ）太陽電池１１０は、透明基板１１１／透明導電膜１１２／不純物がドーピングされたｐ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）１１３／不純物がドーピングされていないｉ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）１１４／不純物がドーピングされたｎ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）１１５／背面反射膜（Ｂａｃｋ  ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）１１６を含む。こうしたｐ−ｉ−ｎ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）において、不純物がドーピングされていないｉ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）１１４は、不純物がドーピングされたｐ型とｎ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）１１３，１１５により空乏（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ）となり、内部で電気場が発生するようになる。入射光（ｈｖ）によりｉ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）１１４により生成された正孔−電子対は、内部電磁場によるドリフトによって、それぞれｐ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）１１３とｎ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）１１５へ収集され、電流を発生するようになる。
【０００５】
微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ：Ｈ）は、単結晶と非晶質シリコンの境界物質で、数十ｎｍから数百ｎｍの結晶粒サイズを有し、結晶粒（ｇｒａｉｎ）間の結晶粒粒界（ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｙ）においてはよく非晶質相が存在し、高い欠陥密度により大部分キャリア再結合が発生する。微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ：Ｈ）のエネルギーバンドギャップは約１．６ｅＶで、単結晶シリコン（１．１２ｅＶ）と大きな差がなく、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）太陽電池において表われる劣化現象がない。微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ：Ｈ）太陽電池の構造は、光吸収層を除けば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）の太陽電池と非常に類似した構造を有している。
【０００６】
非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ：Ｈ）などを光吸収層として使用する単一のｐ−ｉ−ｎ接合薄膜太陽電池は、光変換効率が低く、実際に使用するには多くの制約がある。したがって、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ：Ｈ）薄膜太陽電池などを二重又は三重に積層して製造するタンデム（Ｔａｎｄｅｍ）（多重接合）型太陽電池が使用されるのであるが、これは、太陽電池を直列に繋げることにより開放電圧を高めることができ、入射光に対する変換効率を向上させることができる。
【０００７】
図２は、従来のタンデム（Ｔａｎｄｅｍ）型薄膜太陽電池の構造を図示したものである。
図示したところのように、従来のタンデム（Ｔａｎｄｅｍ）型薄膜太陽電池２１０は、大きく分けて、透明基板２１１／透明導電膜２１２／第１ｐｎ接合層２１３／トンネルｐｎ接合層２１４／第２ｐｎ接合層２１５／背面反射膜（Ｂａｃｋ  ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）２１６を含む。
【０００８】
従来のタンデム（Ｔａｎｄｅｍ）型薄膜太陽電池２１０は、バンドギャップ（例えば、Ｅｇ＝１．６ｅＶ）を有する第１ｐｎ接合層２１３が、これよりも小さいバンドギャップ（例えば、Ｅｇ＝１．１ｅＶ）を有する第２ｐｎ接合層２１５の上に配置され、１．６ｅＶよりもさらに大きなエネルギーを有する光子（ｐｈｏｔｏｎ）は、第１ｐｎ接合層２１３で吸収され、１．１ｅＶ＜ｈｖ＜１．６ｅＶの範囲のエネルギーの光子（ｐｈｏｔｏｎ）は、第１ｐｎ接合層２１３を通過するが、第２ｐｎ接合層２１５で吸収される。太陽電池の積層数を増やしていくにつれて、高い光電変換効率を得ることができる。
【０００９】
一方、太陽電池に使用される透明導電膜は、光透過率（ｌｉｇｈｔ  ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ）と電気伝導度（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）と光閉じ込め（ｌｉｇｈｔ  ｔｒａｐｐｉｎｇ）効果が高いことが要求される。特に、タンデム（Ｔａｎｄｅｍ）型薄膜太陽電池の場合、透明導電膜は、４００〜１１００ｎｍの広い波長帯において光透過率とヘイズ値が高いことが要求される。また、透明導電膜コーティングの際、水素プラズマに対する耐久性までをも備えていなければならない。
【００１０】
ところが、太陽電池用に現在広く使用されている酸化錫（ＳｎＯ２）を主成分とする透明導電膜は、プラズマ化学気相蒸着（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）工程を通じて透明導電膜コーティングする際、水素プラズマ工程において劣化現象が発生する。一方、従来の透明導電膜として主に使用されている錫ドーピング酸化インジウム（ＩＴＯ）は、主原料であるインジウム（Ｉｎ）が希少元素で、持続的な価格の上昇や、水素プラズマ工程におけるインジウム（Ｉｎ）の高い還元性とそれに伴う化学的不安定などの問題点を有している。
【００１１】
そこで、酸化錫（ＳｎＯ２）や錫ドーピング酸化インジウム（ＩＴＯ）を主成分とする透明導電膜を代替し得る透明導電膜の開発についての研究が進められている。最近、もっとも理想的な物質として注目されているものは酸化亜鉛（ＺｎＯ）である。酸化亜鉛（ＺｎＯ）は、ドーピングが容易であり、狭い伝導帯域をもっているのでドーパントによる電気伝導度及び光学的性質の調整が容易である。また、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とする透明導電膜は、水素プラズマ工程において安定的であり、低費用での製作が可能である。
【００１２】
ところが、酸化亜鉛（ＺｎＯ）は、ドーピングされたドーパントによる電気伝導度及び光学的性質の調整は容易であるが、熱に弱いという短所がある。酸化亜鉛（ＺｎＯ）の熱的安定性が必要な理由は、透明導電膜にＳｉ、ＣＩＧＳ（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｉｎｄｉｕｍ  Ｇａｌｉｕｍ  Ｓｅｌｅｎｉｄｅ）又はテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）等を主成分とする光吸収層を成膜させるためである。一般的に、透明導電膜の光吸収層を成膜させるためには、高い温度が必要である。したがって、透明導電膜の主成分である酸化亜鉛（ＺｎＯ）は、このような高い温度において、抵抗増加又は光透過率減少などの性能低下が起こらずに、十分に耐えることができなければならない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上記のような背景から提案されたもので、本発明の目的は、耐熱性に優れた太陽電池基板及びそれを含む太陽電池を提供することである。
【００１４】
また、本発明の付加的な目的は、光電変換効率の高い太陽電池基板及びそれを含む太陽電池を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記のような目的を達成するために、本発明の一態様に係る太陽電池基板は、透明基板と、透明基板上に形成され、Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンのデータを基準に、（０００２）成長面と
【数１】
2011171746.tif 000003
成長面がともに存在するドーパントがドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層を含む透明導電膜とを含む。
【発明の効果】
【００１６】
前記構成によれば、本発明に係る太陽電池基板は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンのデータを基準に、（０００２）成長面と
【数２】
2011171746.tif 000004
成長面がともに存在するドーパントがドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層を含んで具現されることにより、太陽電池基板上への光吸収層の成膜の際、高い温度において抵抗増加又は光透過率減少などの性能低下が起こらない、耐熱性に優れた有用な効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】従来における、非晶質シリコンを光吸収層として使用する太陽電池の構造を図示したものである。
【図２】従来における、タンデム（Ｔａｎｄｅｍ）型薄膜太陽電池の構造を図示したものである。
【図３】本発明の一実施例に係る太陽電池基板の製造方法を図示したものである。
【図４】本発明の太陽電池基板の製造方法により製造された太陽電池基板の構造を図示したものである。
【図５】太陽電池基板の熱処理前後のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンに関するグラフである。
【図６】太陽電池基板の熱処理前後の波長による光透過率に関するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、前述した態様、そして追加的な態様を記述した好ましい実施例を通じ、本発明を当業者が容易に理解して再現することができるよう、詳細に説明することとする。
【００１９】
図３は、本発明の一実施例に係る太陽電池基板の製造方法を図示したものである。
図示したところのように、本発明に係る太陽電池基板の製造方法は、まず、透明基板をスパッタリングチャンバに設置する（Ｓ３１１）。スパッタリングチャンバには、透明基板に蒸着される物質により具現されているスパッタリングターゲットが設置される。
【００２０】
その後、透明基板に異物溶出防止膜を形成する（Ｓ３１２）。異物溶出防止膜は、透明基板の内部から異物が溶出されることを防ぐ役割をする。一例として、異物溶出防止膜は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又は酸化チタン（ＴｉＯ２）のいずれか一種により具現することができる。
【００２１】
その後、スパッタリングチャンバに設置された透明基板に、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層を形成する（Ｓ３１３）。一般的に、（０００２）成長面、又は
【数３】
2011171746.tif 000005
成長面を有する酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層を成長させるためには、スパッタリングターゲットから透明基板へ移動する粒子がチャンバ内の他の粒子と衝突することなく自由に移動する平均自由行程（Ｍｅａｎ  ｆｒｅｅ  ｐａｔｈ）が大きくなければならない。一方、透明基板上に移動した粒子が透明基板の温度によって移動する表面移動（Ｓｕｒｆａｃｅ  ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）が大きいほど、（０００２）成長面が形成される確率が高くなる。
【００２２】
そこで、平均自由行程（Ｍｅａｎ  ｆｒｅｅ  ｐａｔｈ）を増大させつつ、表面移動（Ｓｕｒｆａｃｅ  ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）を下げるために、スパッタリングチャンバに設置された透明基板にドーパントがドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層を形成するステップＳ３１３は、スパッタリングチャンバの圧力を１ｍＴｏｒｒ以上、５０ｍＴｏｒｒ以下に、透明基板の温度を２００℃以上、３００℃以下に維持させることが好ましい。一例として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）にドーピングされるドーパントは、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、ホウ素（Ｂ）のいずれか一種、又は二種以上をドーピングすることができる。
【００２３】
図４は、本発明の一実施例に係る太陽電池基板の構造を図示したもの、図５は、太陽電池基板の熱処理前後のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンに関するグラフである。ここで、熱処理とは、透明電池基板が後述する太陽電池の製造工程における温度条件に耐えられるか否かをテストするための耐熱テストのための熱処理のことを意味する。
【００２４】
まず、図４に図示したところのように、本発明に係る太陽電池基板は、透明基板４１１と、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層４１２ａを含む透明導電膜４１２を含んで具現することができる。
【００２５】
透明基板４１１は、厚さ５ｍｍ以下、光透過率９０％以上のガラスにより具現することができる。他の例として、透明基板３１１は、熱硬化又はＵＶ硬化が可能な有機フィルムであって、主にポリマー系の物質、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰｏｌｙＥｔｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ，ＰＥＴ）、アクリル（Ａｃｒｙｌ）、ポリカーボネート（Ｐｏｌｙｃａｂｏｎａｔｅ，ＰＣ）、ウレタンアクリレート（Ｕｒｅｔｈａｎｅ  Ａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリエステル（Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）、エポキシアクリル酸塩（Ｅｐｏｘｙ  Ａｃｒｙｌａｔｅ）、臭化アクリレート（Ｂｒｏｍｉｎａｔｅ  Ａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリ塩化ビニル（ＰｏｌｙＶｉｎｙｌ  Ｃｈｌｏｒｉｄｅ，ＰＶＣ）により具現することができる。
【００２６】
透明導電膜４１２は、光電変換によって発生する電流を流すもので、透明基板３１１に形成され、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層４１２ａを含む。酸化亜鉛（ＺｎＯ）の電気的性質は、ほぼ不導体に近いため、電気伝導性を付与するために、ドーパント（ｄｏｐａｎｔ）がドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）が使用される。ここで、酸化亜鉛（ＺｎＯ）にドーピングされるドーパントとしては、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、ホウ素（Ｂ）のうち少なくともいずれか一種を含んで具現することができる。一例として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）にドーピングされたドーパントが二以上のコドーピング（Ｃｏ−ｄｏｐｉｎｇ）でも可能である。好ましくは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）にドーピングされたドーパントは、耐湿性が相対的に優れたガリウム（Ｇａ）又はアルミニウム（Ａｌ）により具現される。
【００２７】
一般的に、透明導電膜４１２に、Ｓｉ、銅−インジウム−ガリウム−セレン化物（ｃｏｐｐｅｒ−ｉｎｄｉｕｍ−ｇａｌｌｉｕｍ  ｓｅｌｅｎｉｄｅ、ＣＩＧＳ）又はテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）化合物等を主成分とする光吸収層を成膜させるためには、高い温度、例えば、２５０℃以上、６００℃以下の加熱温度が必要である。したがって、透明導電膜４１２の酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層４１２ａは、このような高い温度での抵抗増加又は光透過率減少などの性能低下が起こらずに、十分に耐えることのできる耐熱性がなければならない。
【００２８】
酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層３１２ａは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンのデータを基準に、（０００２）成長面と
【数４】
2011171746.tif 000006
成長面がともに存在するよう具現されることが好ましい。酸化亜鉛（ＺｎＯ）の構造上、
【数５】
2011171746.tif 000007
結晶面が（０００２）結晶面よりも原子面密度が低い。このため、ドーパントがドーピングされて亜鉛（Ｚｎ）原子と置換された場合、ドーパントは、原子面密度の低い
【数６】
2011171746.tif 000008
結晶面に位置することとなる。これにより、（０００２）成長面のみが存在する酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層よりも発生する応力（ｔｅｎｓｉｏｎ）の大きさが相対的に小さい。また、応力（ｔｅｎｓｉｏｎ）を相殺しようと酸化亜鉛（ＺｎＯ）の構造において発生する固有の欠陥（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  ｄｅｆｅｃｔ）が小さい。すなわち、（０００２）成長面と
【数７】
2011171746.tif 000009
成長面がともに存在する酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層４１２ａは、熱変形が生じにくい。
【００２９】
一例として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層４１２ａは、透明基板４１１の温度が２００℃以上、３００℃以下であり、スパッタリングチャンバ内の圧力が１ｍＴｏｒｒ以上、５０ｍＴｏｒｒ以下のスパッタリング工程を通じて形成することができる。
【００３０】
また、酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層４１２ａは、透明導電膜の耐熱試験のための熱処理後に、Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンのデータを基準に、
【数８】
2011171746.tif 000010
成長面のピーク強度（ｐｅａｋ  ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が（０００２）成長面のピーク強度（ｐｅａｋ  ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）よりも大きい、又は等しいことが好ましい。
【００３１】
以下の表１は、図４による太陽電池基板の耐熱試験前後のＸＲＤ  Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ  Ｐｅａｋの変化を示したものである。
【００３２】
【表１】
2011171746.tif 000011
【００３３】
ここで、
【数９】
2011171746.tif 000012
成長面のピーク強度（ｐｅａｋ  ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）は、耐熱試験の前後において７５．４と同一にした。酸化亜鉛（ＺｎＯ）にドーピングされたドーパントは、アルミニウム（Ａｌ）であり、熱処理反応器において５００℃の温度で５分間熱処理して耐熱性をテストした。熱処理工程は、ＲＴＡ（ｒａｐｉｄ  ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）により処理した。耐熱性は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンの測定を通じ、熱処理前後の結晶面の発生又は消滅、結晶面のピーク強度（ｐｅａｋ  ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）の変化の有無により判断した。
【００３４】
表１に示したところのように、実施例は、製作温度が２００℃、スパッタリングチャンバ内の圧力が３０ｍＴｏｒｒのスパッタリング工程により透明導電膜を製作した。
【００３５】
耐熱性は優れているものと示された。図５を参照すると、図５（Ａ）は、実施例に係る太陽電池基板の熱処理前のＸＲＤパターンを示し、図５（Ｂ）は、実施例に係る太陽電池基板の熱処理後のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを示すものである。図５（Ａ）と図５（Ｂ）に図示されたところのように、アルミニウム（Ａｌ）がドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）の（０００２）結晶面と
【数１０】
2011171746.tif 000013
結晶面のピーク強度（ｐｅａｋ  ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）は変化がなく、また、新たな結晶面も発生しなかった。
【００３６】
図５（Ｃ）と図５（Ｄ）は、比較例に係る太陽電池基板の熱処理前後のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンのデータである。比較例は、製作温度が３５０℃、常圧化学気相蒸着（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ＣＶＤ、ＡＰＣＶＤ）により透明導電膜を製作した。
【００３７】
図５（Ｄ）に図示されたところのように、比較例に係る太陽電池基板の耐熱性はよくないものと示された。比較例は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンの測定の結果、熱処理前に（０００２）結晶面のみが存在し、熱処理後の（０００２）結晶面のピーク強度（ｐｅａｋ  ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）は減少した。
【００３８】
図４に図示したところのように、透明導電膜４１２は、異物溶出防止膜４１２ｂをさらに含んで具現することができる。異物溶出防止膜４１２ｂは、透明基板４１１と酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層４１２ａの間に形成され、透明基板４１１、例えば、ソーダ石灰ガラス（ＳｉＯ２−ＣａＯ−Ｎａ２Ｏ）又はアルミノシリケートガラス（ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｎａ２Ｏ）の内部から異物、例えば、ナトリウム（Ｎａ＋）イオンのようなアルカリイオンが溶出することを防ぐ。好ましくは、異物溶出防止膜４１２ｂは、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又は酸化チタン（ＴｉＯ２）のいずれか一種により具現することができる。異物溶出防止膜４１２ｂは、膜厚の調節を通じて、透明基板４１１との屈折率のマッチングが可能である。これにより、異物溶出防止膜４１２ｂは、透明基板４１１表面から入射光が反射されることを防ぐことができる。
【００３９】
図６は、本発明に係る太陽電池基板の熱処理前後の波長による光透過率に関するグラフである。ここで、光透過率は、Ｌａｍｂｄａ−９５０  ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒを使用し、３８０ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲の分光透過率を測定して平均透過率を計算した。
【００４０】
図６において、参照符号６１は、熱処理前の光透過率曲線、参照符号６２は、熱処理後の光透過率曲線である。参照番号６２の光透過率曲線を見ると、５００（ｎｍ）以上、１１００（ｎｍ）以下の波長領域における光透過率が８０％以上であることが分かる。
【００４１】
ここまで、本明細書においては、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を容易に理解して再現できるよう、図面に図示した実施例を参考に説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、かつ、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の実施例から多様な変形および均等な他の実施例が可能であるという点が理解できよう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ定められるべきである。
【符号の説明】
【００４２】
４１１：透明基板
４１２：透明導電膜
４１２ａ：酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層
４１２ｂ：異物溶出防止膜
【図１】
2011171746.tif 000017
【図２】
2011171746.tif 000018
【図３】
2011171746.tif 000019
【図４】
2011171746.tif 000020
【図５】
2011171746.tif 000021
【図６】
2011171746.tif 000022