(57)【要約】【課題】水素ラジカルジェネレータによって生成され、リソグラフィ装置の光エレメント上に堆積した汚染物質を低減させる方法を提供する。【解決手段】本実施形態に係る方法は、水素ラジカルジェネレータの金属フィラメントの金属酸化物を含む第１部分の温度が金属酸化物の蒸発温度以下である還元温度である場合に、水素分子を金属フィラメントの第１部分に通過させることを含む。【選択図】図４
2011258950.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素ラジカルジェネレータによって生成され、リソグラフィ装置の光エレメント上に堆積した汚染物質を低減させる方法であって、
前記水素ラジカルジェネレータの金属フィラメントの金属酸化物を含む第１部分が前記金属酸化物の蒸発温度以下である還元温度である場合に、水素分子を前記第１部分に供給することを含む、方法。
【請求項２】
前記方法を反復して前記金属フィラメントの別の第２部分上の酸化物量を低減させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属フィラメントの駆動電流を増加させて前記方法を反復する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記水素分子の圧力を低減させて前記方法を反復する、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記金属フィラメントの温度を、前記金属フィラメントを通過する水素分子を原子化し、かつ前記光エレメントの洗浄に使用される水素ラジカルを生成するのに十分な原子化温度まで上昇させることをさらに含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記方法は、前記金属フィラメントが酸化剤にさらされた後に、かつ前記金属フィラメントの温度を、前記金属フィラメントを通過する水素分子を原子化し、かつ水素ラジカルを生成するのに十分な原子化温度まで上昇させる前に行われる、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記方法は、前記金属フィラメントが酸化剤にさらされた後に行われる、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
リソグラフィ装置の光エレメントの洗浄に使用される水素ラジカルジェネレータであって、
金属フィラメントと、
前記水素ラジカルジェネレータの前記金属フィラメントの金属酸化物を含む第１部分の温度を制御するコントローラと、を含み、
前記コントローラは、前記金属フィラメントの前記第１部分の温度が前記金属酸化物の蒸発温度以下である還元温度である場合に、水素分子を前記金属フィラメントの前記第１部分に供給する、水素ラジカルジェネレータ。
【請求項９】
水素ラジカルジェネレータによって生成され、リソグラフィ装置の光エレメント上に堆積した汚染物質を低減させる方法であって、
前記水素ラジカルジェネレータの金属フィラメント上に存在する金属酸化物の一部を蒸発させることを含む、方法。
【請求項１０】
前記方法は、前記金属フィラメントが酸化剤にさらされた後に、かつ前記水素ラジカルジェネレータによって生成された水素ラジカルを用いて前記光エレメントの洗浄が行われる前に行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
蒸発前、蒸発中、または蒸発後、前記金属フィラメントの温度が、前記金属フィラメントを通過する水素分子を原子化し、かつ水素ラジカルを生成するのに十分な原子化温度である場合に、水素分子を前記金属フィラメントに通過させる、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記バリアは、蒸発した金属酸化物および／または水素ラジカルが前記水素ラジカルジェネレータから前記光エレメントに進むのを防止する第１構成から、前記水素ラジカルジェネレータによって生成された水素ラジカルが前記光エレメントに進むことができる第２構成に移動可能である、請求項９〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
水素流が前記フィラメントおよび前記光エレメントに対して設けられるのを防止するバリアが設けられる場合、前記水素ラジカルジェネレータの前記金属フィラメント上に存在する前記金属酸化物の一部を蒸発させる、または
バリアが前記水素ラジカルジェネレータと前記光エレメントとの間に配置される場合、前記水素ラジカルジェネレータの前記金属フィラメント上に存在する前記金属酸化物の一部を蒸発させる、および
前記バリアは、前記金属フィラメントを取り囲むコンパートメントまたは前記水素ラジカルジェネレータの一部を形成する、請求項９〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
水素流が前記フィラメントおよび前記光エレメントに対して設けられるのを防止するバリアが提供される場合、前記水素ラジカルジェネレータの前記金属フィラメント上に存在する前記金属酸化物の一部を蒸発させる、または
バリアが前記水素ラジカルジェネレータと前記光エレメントとの間に配置される場合、前記水素ラジカルジェネレータの前記金属フィラメント上に存在する前記金属酸化物の一部を蒸発させる、および
前記バリアは、前記光エレメントを取り囲むコンパートメントの一部を形成する、請求項９〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
リソグラフィ装置であって、
光エレメントと、
前記光エレメントの洗浄に使用される水素ラジカルを生成する水素ラジカルジェネレータと、
前記水素ラジカルジェネレータの金属フィラメント上の金属酸化物の蒸発が起きるときに、前記水素ラジカルジェネレータと前記光エレメントとの間で移動可能であるように配置されるバリアと、を含む、リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、水素ラジカルジェネレータ、および／またはリソグラフィ装置の光エレメントに関連する水素ラジカルジェネレータの使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００３】
[0003]  リソグラフィは、ＩＣや他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型ＩＣや他のデバイスおよび／または構造を製造できるようにするための最も重要な要因になりつつある。
【０００４】
[0004]  パターンプリンティング（すなわち、パターン付与）の限界の理論的な推定値は、式（１）に示す分解能のレイリー規準によって与えられ得る：
【数１】
2011258950.tif 000003
ここで、λは、使用される放射の波長であり、ＮＡは、パターンを印刷する（すなわち、付与する）ために使用される投影システムの開口数である。ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは、印刷された（すなわち、付与された）フィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンジョン）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能（すなわち、付与可能）サイズの縮小は、３つの方法：露光波長λを短くすること、開口数ＮＡを大きくすること、またはｋ１の値を小さくすること、によって達成することができると言える。
【０００５】
[0005]  露光波長を短くするため、従って、最小印刷可能な（すなわち、付与可能な）フィーチャサイズを縮小させるために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内、例えば、１３ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内、または、例えば６．７ｎｍや６．８ｎｍなどの５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源、放電プラズマ（ＤＰＰ）源、または電子蓄積リングによって与えられるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。
【０００６】
[0006]  ＥＵＶ放射は、プラズマを使用して生成することができる。ＥＵＶ放射を生成する放射システムは、燃料を励起してプラズマを提供するレーザと、プラズマを収容するソースコレクタモジュールとを備え得る。プラズマは、例えば、レーザビームを適切な材料（例えば、スズ）の粒子、適切なガス流または蒸気流（Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気など）などの燃料に誘導することによって生成することができる。結果として得られるプラズマは、放射コレクタを使用して集光される出力放射、例えば、ＥＵＶ放射を放出する。放射コレクタは、ミラー垂直入射放射コレクタとすることができ、ミラー垂直入射放射コレクタは、放射を受け、その放射をビームに集束させる。ソースコレクタモジュールは、真空環境を提供してプラズマを支持するように配置された囲い構造またはチャンバを含み得る。そのような放射システムは、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。
【０００７】
[0007]  リソグラフィ装置において、光エレメント（例えば、ミラー、レンズ、またはセンサ）は、放射ビームを誘導し、調整し、放射ビームにパターン形成し、そして、放射ビームを一般に操作し、または何かを検出するために使用される。そのようなリソグラフィ装置、特にＥＵＶ装置において、光エレメントは汚染される場合がある。汚染物質は、放射源から光エレメント上に進む汚染物質に起因し得る。放射ビームによる光エレメントの照射は汚染物質に影響を及ぼすおそれがある。例えば、カーボンの領域または層の形をとる汚染物質が光エレメント（例えば、放射線が入射する光エレメントの表面）上に生じる場合がある。汚染物質は光エレメントの光学性能、ひいてはリソグラフィ装置全体の光学性能の低下につながる可能性がある。従って、光エレメントの汚染物質を低減させることが望ましい。
【０００８】
[0008]  ２つの手法のうちの１つまたは両方を用いて、光エレメントの汚染物質の低減を達成することができる。第１の手法は、ＥＵＶ放射源などの汚染物質の源から光エレメントに到達する汚染物質を防止することに基づく。第２の手法は、汚染物質を光エレメントから除去すること、すなわち、汚染物質を有する光エレメントを洗浄することに基づく。関連技術において公知である１つ以上の汚染物質トラップなどを用いることによって、汚染物質が光エレメントに到達するのを防止することができる。汚染物質は、洗浄方法を用いて光エレメントから除去することができる。そのような洗浄方法としては、水素ラジカルの使用が含まれ得る。水素ラジカルは、光エレメント上のカーボンの形態をとる汚染物質と反応できる。水素ラジカルがカーボンと反応すると、揮発性炭化水素が生成され、（例えば、適切なポンピングによって）リソグラフィ装置から抽出することができる。
【０００９】
[0009]  水素ラジカルを生成するために使用される水素ラジカルジェネレータは、金属フィラメント（純金属または合金であり得る）を有することが可能であり、使用中、水素分子が金属フィラメントを通過し得る。金属フィラメントは水素分子（例えば、ガス状）を原子化し、かつ原子状水素、ひいては水素ラジカルを生成するのに十分な温度まで加熱される。水素分子を原子化するのに必要とされる温度で、金属フィラメント上に存在する金属酸化物が蒸発する可能性がある。蒸発した金属酸化物は、洗浄に水素ラジカルが使用される光エレメントを汚染することがある。
【００１０】
[0010]  リソグラフィ装置または水素ラジカルジェネレータが製造され、搬送され、整備のために開放されるなどの場合に、金属フィラメントは酸化剤（例えば、空気、酸素、または水）にさらされることがある。従って、水素ラジカルジェネレータの寿命中に、金属フィラメントが何度も酸化物にさらされるものと考えられる。その後の水素ラジカルジェネレータの使用の結果、汚染物質、特に金属酸化物などの金属ベースの汚染物質がリソグラフィ装置の光エレメント上に蓄積する可能性がある。水素ラジカルジェネレータによって生成された水素ラジカルは、光学表面上の金属酸化物と反応して（部分的に）純金属を生成することがあるが、これは気相になることはなく、それゆえに効率的に排出されないことがある。このように、水素ラジカルは、金属ベースの汚染物質を光学表面から効率的に除去しないことがある。従って、既存の装置および方法を用いると、金属ベースの汚染物質がリソグラフィ装置の光エレメント上に蓄積し、光エレメント、ひいてはリソグラフィ装置全体の光学性能の劣化を招くことになる。
【発明の概要】
【００１１】
[0011]  本明細書内またはそれ以外で特定されるか否かに拘わらず、従来技術の少なくとも１つの課題を回避または軽減する、または既存の装置および／または方法の代替物を提供する、装置および／または方法を提供することが望ましい。
【００１２】
[0012]  本発明の一態様において、水素ラジカルジェネレータによって生成され、リソグラフィ装置の光エレメント（例えば、ミラー、レンズ、反射エレメント、屈折エレメント、またはセンサ）上に堆積した汚染物質を低減させる方法であって、水素ラジカルジェネレータの金属フィラメントの金属酸化物を含む第１部分が金属酸化物（少なくとも汚染物質の一部を形成し得る、または形成し得ない）の蒸発温度以下である還元温度である場合に、水素分子を金属フィラメントの第１部分に供給することを含む、方法が提供される。
【００１３】
[0013]  フィラメント全体の温度を上昇させることによって、当該方法を反復して金属フィラメントの別の第２部分、例えば、金属フィラメントのより冷たい部分上の酸化物量を低減させることができる。金属フィラメントの駆動電流を増加させて当該方法を反復することができる。
【００１４】
[0014]  当該方法は、金属フィラメントの温度を、金属フィラメントに供給される水素分子を原子化し、かつ光エレメントの洗浄に使用される水素ラジカルを生成するのに十分な原子化温度まで上昇させることをさらに含むことができる。
【００１５】
[0015]  当該方法は、金属フィラメントの温度を、金属フィラメントを通過する水素分子を原子化し、かつ光エレメントの洗浄に使用される水素ラジカルを生成するのに十分な原子化温度まで上昇させることをさらに含むことができる。
【００１６】
[0016]  当該方法は、金属フィラメントが酸化剤にさらされた後に、かつ金属フィラメントの温度を、金属フィラメントを通過する水素分子を原子化し、かつ水素ラジカルを生成するのに十分な原子化温度まで上昇させる前に行われることが可能である。
【００１７】
[0017]  原子化温度は、実質的に約１３００℃〜２５００℃の範囲内とすることができる。還元温度は、実質的に約４００℃〜１２００℃の範囲内とすることができる。
【００１８】
[0018]  金属は、その金属酸化物がその純粋形態の金属と比較して容易に蒸発する金属とすることができる。
【００１９】
[0019]  還元温度は、金属フィラメントを通過する水素分子を原子化し、かつ水素ラジカルを生成するのに十分な原子化温度以下とすることができる。
【００２０】
[0020]  当該方法は、水素ラジカルジェネレータがリソグラフィ装置と流体連通しているときに行われることが可能である。
【００２１】
[0021]  本発明のこの態様は、本発明の他の態様の１つ以上の特徴をさらに含むことができる。
【００２２】
[0022]  本発明の別の態様において、リソグラフィ装置の光エレメントの洗浄に使用される水素ラジカルジェネレータであって、金属フィラメントと、金属フィラメントの温度を制御するように構成されたコントローラと、を含み、コントローラは、金属フィラメントの第１部分の温度が金属酸化物の蒸発温度以下である還元温度である場合に、水素分子を金属フィラメントに供給するように配置される、水素ラジカルジェネレータが提供される。
【００２３】
[0023]  本発明のこの態様は、本発明の他の態様の１つ以上の特徴をさらに含むことができる。
【００２４】
[0024]  水素ラジカルジェネレータによって生成され、リソグラフィ装置の光エレメント上に堆積した汚染物質を低減させる方法であって、水素ラジカルジェネレータの金属フィラメント上に存在する金属酸化物の一部を蒸発させることを含む、方法が提供される。水素流がフィラメントおよび光エレメントに対して設けられるのを防止するように構成および配置されたバリアが設けられる場合、水素ラジカルジェネレータの金属フィラメント上に存在する金属酸化物の一部を蒸発させることができる。その代わりに、または、それに加えて、バリアが水素ラジカルジェネレータと光エレメントとの間に配置される場合、水素ラジカルジェネレータの金属フィラメント上に存在する金属酸化物の一部を蒸発させる。
【００２５】
[0025]  本発明の一態様において、水素ラジカルジェネレータによって生成され、リソグラフィ装置の光エレメント上に堆積した汚染物質を低減させる方法であって、バリアが水素ラジカルジェネレータと光エレメントとの間に配置される場合に水素ラジカルジェネレータの金属フィラメント上に存在する金属酸化物（少なくとも汚染物質の一部を形成し得る、または形成し得ない）を蒸発させることを含む、方法が提供される。
【００２６】
[0026]  当該方法は、金属フィラメントが酸化剤にさらされた後に、かつ水素ラジカルジェネレータによって生成された水素ラジカルを用いて光エレメントの洗浄が行われる前に行われることが可能である。
【００２７】
[0027]  蒸発前、蒸発中、または蒸発後、金属フィラメントの温度が、金属フィラメントを通過する水素分子を原子化し、かつ水素ラジカルを生成するのに十分な原子化温度以下である場合に、水素分子を金属フィラメントに通過させることができる。
【００２８】
[0028]  バリアは、蒸発した金属酸化物および／または水素ラジカルが水素ラジカルジェネレータから光エレメントに進むことが部分的に防止される第１構成から、水素ラジカルジェネレータによって生成された水素ラジカルが光エレメントに進むことができる第２構成に移動可能とすることができる。
【００２９】
[0029]  バリアは、金属フィラメントを取り囲むコンパートメントまたは水素ラジカルジェネレータの一部を形成することができる。
【００３０】
[0030]  バリアは、光エレメントを取り囲むコンパートメントの一部を形成することができる。
【００３１】
[0031]  バリアは、シャッターなどとすることができ、またはシャッターなどを含むことができる。
【００３２】
[0032]  当該方法は、水素ラジカルジェネレータがリソグラフィ装置と流体連通しているときに行われることが可能である。
【００３３】
[0033]  再び、金属は、その金属酸化物がその純粋形態の金属と比較して容易に蒸発する金属とすることができる。
【００３４】
[0034]  本発明のこの態様は、本発明の他の態様の１つ以上の特徴をさらに含むことができる。
【００３５】
[0035]  本発明の一態様において、リソグラフィ装置であって、光エレメントと、光エレメントの洗浄に使用される水素ラジカルを生成するように構成された水素ラジカルジェネレータと、水素ラジカルジェネレータの金属フィラメント上の金属酸化物の蒸発が起きるときに、水素ラジカルジェネレータと光エレメントとの間で移動可能であるように配置されるバリアと、を含む、リソグラフィ装置が提供される。
【００３６】
[0036]  本発明のこの態様は、本発明の他の態様の１つ以上の特徴をさらに含むことができる。
【００３７】
[0037]  当該リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームにパターン形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、パターン形成された放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムとをさらに含むことができ、光エレメントは照明システムの一部である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
[0038]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００３９】
【図１】[0039]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0040]  図２は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源コレクタモジュールＳＯを含む、図１に示すリソグラフィ装置のより詳細な図である。
【図３】[0041]  図３は、図１の装置の別の放射源コレクタモジュールＳＯ（レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源コレクタモジュール）の図である。
【図４】[0042]  図４は、リソグラフィ装置の光エレメントとの関連で水素ラジカルジェネレータを概略的に示す。
【図５】[0043]  図５は、本発明の一実施形態において図４の水素ラジカルジェネレータの動作を概略的に示す。
【図６】[0044]  図６は、図５に示されかつ図５を参照して説明される動作の効果を概略的に示す。
【図７】[0045]  図７は、本発明の一実施形態において、バリアと共に、リソグラフィ装置の光エレメントとの関連で水素ラジカルジェネレータを概略的に示す。
【図８】[0046]  図８は、図７の水素ラジカルジェネレータ、光エレメント、およびバリア（バリアは別の構成である）を概略的に示す。
【図９】[0047]  図９は、本発明のさらなる実施形態において、バリアと共に、リソグラフィ装置の光エレメントとの関連で水素ラジカルジェネレータを概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
[0048]  図１は、本発明の一実施形態に係る、ソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータと呼ばれることもある）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影システム）ＰＳと、を含む。
【００４１】
[0049]  照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００４２】
[0050]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００の設計、および、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００４３】
[0051]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応し得る。
【００４４】
[0052]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００４５】
[0053]  照明システムなどの投影システムは、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。ＥＵＶに対して真空を用いることが望ましいことがある。というのは、他のガスは放射を吸収し過ぎる場合があるからである。従って、真空壁および真空ポンプを用いて、真空環境をビーム経路全体に提供することができる。
【００４６】
[0054]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。
【００４７】
[0055]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００４８】
[0056]  図１を参照すると、照明システムＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法としては、ＥＵＶ範囲の１つ以上の発光線を用いて材料を少なくとも１つの元素、例えばキセノン、リチウム、またはスズを有するプラズマ状態に変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれることが多いそのような方法において、必要な線発光素子を有する材料の小滴、流れ、またはクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって、必要なプラズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを供給するための図１に示されないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として得られるプラズマは、出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、この出力放射は、ソースコレクタモジュール内に配置される放射コレクタを使用して集光される。例えば、ＣＯ２レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを供給する場合、レーザおよびソースコレクタモジュールは、別個の構成要素であってもよい。
【００４９】
[0057]  そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源がＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は、ソースコレクタモジュールの一体部分とすることもできる。
【００５０】
[0058]  照明システムＩＬは、放射ビームＢの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、照明システムＩＬの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイスおよびファセット瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。照明システムを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００５１】
[0059]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００５２】
[0060]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的に（例えば、ＸまたはＹ方向に）スキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００５３】
[0061]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００５４】
[0062]  図２は、ソースコレクタモジュールＳＯと、照明システムＩＬと、投影システムＰＳとを含む装置１００をより詳細に示している。ソースコレクタモジュールＳＯは、真空環境をソースコレクタモジュールＳＯの囲い構造２２０内に維持することができるように構成および配置される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０が、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源によって形成され得る。ＥＵＶ放射は、ガスまたは蒸気、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気によって生成することができ、（非常に高温の）プラズマ２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射を放出する。（非常に高温の）プラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマをもたらす放電によって生成される。Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または他の適切なガスまたは蒸気の、例えば１０Ｐａの分圧が、放射を効率よく生成するために必要とされ得る。一実施形態において、励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマを設けてＥＵＶ放射を生成する。
【００５５】
[0063]  プラズマ２１０が放出する放射は、放射源チャンバ２１１の開口内または開口の後ろに位置決めされる、任意のガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（場合によっては汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれる）を介して放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内に送られる。汚染物質トラップ２３０は、チャネル構造を含み得る。また、汚染物質トラップ２３０は、ガスバリアまたはガスバリアとチャネル構造の組合せを含み得る。本明細書で示される汚染物質トラップまたは汚染物質バリア２３０は、当該技術分野で公知のように、チャネル構造を少なくとも含む。
【００５６】
[0064]  コレクタチャンバ２１２は、いわゆるかすめ入射コレクタとすることができる放射コレクタＣＯを含み得る。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１と下流放射コレクタ側２５２とを有する。コレクタＣＯを横切る放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射されて仮想放射源点ＩＦに集束させることが可能である。仮想放射源点ＩＦは、一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタモジュールＳＯは、中間焦点ＩＦが囲い構造２２０の開口２２１に、または開口２２１の付近に位置するように配置される。仮想放射源点ＩＦは放射放出プラズマ２１０の像である。開口２２１を通り抜ける前に、放射は任意のスペクトル純度フィルタＳＰＦを通り抜けてよい。他の実施形態において、スペクトル純度フィルタＳＰＦは、リソグラフィ装置の別の部分（例えば、ソースコレクタモジュールＳＯの外側）に位置してよい。
【００５７】
[0065]  その後、放射は照明システムＩＬを横切る。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおける放射ビーム２１の所望の角度分布ならびにパターニングデバイスＭＡにおける放射強度の所望の均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２およびファセット瞳ミラーデバイス２４を含み得る。サポート構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２１が反射されると、パターン形成されたビーム２６が形成され、パターン形成されたビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射エレメント２８および３０を介して、ウェーハステージまたは基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。
【００５８】
[0066]  また、リソグラフィ装置は、例えば、リソグラフィ装置の１つ以上の光エレメントの面を洗浄するために使用され得る水素ラジカルを生成するための少なくとも１つの水素ラジカルジェネレータＨＲＧを備える。光エレメントは、上述のミラーまたは反射面もしくは反射デバイス、リソグラフィ装置内で放射ビームを操作する（例えば、反射する、または屈折させる）ために使用され得る他のエレメント、あるいはセンサのうちの１つ以上とすることができる。水素ラジカルジェネレータＨＲＧの実施形態を以下により詳細に説明する。いくつかの実施形態において、１つの水素ラジカルジェネレータＨＲＧしか設けなくてよく、水素ラジカルジェネレータを用いて生成された水素ラジカルを、例えば適切なガス流、拡散などによって１つ以上の光エレメントに向けて誘導してよい。別の実施形態において、２つ以上の水素ラジカルジェネレータＨＲＧ、例えば、各光エレメントまたはリソグラフィ装置内の各コンパートメントに対して１つ以上の水素ラジカルジェネレータＨＲＧを設けてよい。
【００５９】
[0067]  一般に、図示されたエレメントより数の多いエレメントが照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳに存在してよい。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプによって任意で存在してよい。さらに、図示された反射エレメントより数の多い反射エレメント（例えば、ミラー）が存在してよい。例えば、図２に示すものと比較して、投影システムＰＳ内に追加の１〜６つの反射エレメントが存在してよい。
【００６０】
[0068]  図２に示すコレクタＣＯは、コレクタ（またはコレクタミラー）の単なる一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４および２５５を有する入れ子式コレクタとして描かれている。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４および２５５は、光軸Ｏの周りで軸方向に対称的に配置され、このタイプのコレクタＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて使用されることが好ましい。
【００６１】
[0069]  あるいは、ソースコレクタモジュールＳＯは、図３に示すように、ＬＰＰ放射システムの一部であってもよく、ＬＰＰ放射システムを含んでもよく、またはＬＰＰ放射システムを形成してもよい。図３を参照すると、レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、またはリチウム（Ｌｉ）の小滴、領域、または蒸気などの燃料内にレーザエネルギーを堆積させるように配置され、それによって電子温度が数１０ｅＶの高電離プラズマ２１０が生成される。イオンの脱励起および再結合中に生成されたエネルギー放射は、プラズマ２１０から放出され、囲い構造２２０において近垂直入射コレクタＣＯによって集光され、開口２２１上に集束される。開口２２１を通り抜ける前に、放射は任意のスペクトル純度フィルタＳＰＦを通り抜けてよい。他の実施形態において、スペクトル純度フィルタＳＰＦは、リソグラフィ装置の別の部分（例えば、ソースコレクタモジュールＳＯの外側）に位置してよい。
【００６２】
[0070]  上述の通り、水素ラジカルジェネレータは、リソグラフィ装置の１つ以上の光エレメントから汚染物質を除去するために使用され得る。図４は、リソグラフィ装置の光エレメント５０との関連で水素ラジカルジェネレータＨＲＧを概略的に示している（特定の縮尺に従わない）。この図において、また実際に本明細書記載の発明のいずれの実施形態において、水素ラジカルジェネレータＨＲＧは、洗浄されるべき光エレメントに近接または隣接してよく、または（例えば、適切な流れ、拡散によって、および／または導管などを介して）水素ラジカルジェネレータから洗浄されるべき光エレメントに供給された水素ラジカルを有する光エレメントから離れていてもよい。従って、いずれの実施形態において、水素ラジカルが水素ラジカルジェネレータからリソグラフィ装置、および／またはそれに含まれる光エレメントに供給されることを可能にするために、水素ラジカルジェネレータはリソグラフィ装置と流体連通する。
【００６３】
[0071]  水素ラジカルジェネレータＨＲＧは、コンパートメント５２を含み得る。コンパートメント５２内に配置されるのは金属フィラメント５４である。金属フィラメント５４は、例えば、タングステン、または実際には水素分子を原子化するのに必要な温度に耐えられる他の金属とすることができる。図中、フィラメントはコイル状の形を有すると示されているが、他の実施形態では別の形態をとってよい。
【００６４】
[0072]  金属フィラメント５４は、コントローラ５６と接続し、コントローラ５６によって制御され駆動される。コントローラ５６は、金属フィラメント５４に供給され、かつ金属フィラメント５４を通過する駆動電流を適切に制御することにより、金属フィラメント５４の温度を制御することができる。コントローラ５６は、コンパートメント５２の外側に位置すると示されているが、他の実施形態では、コンパートメント５２内に配置されてよく、またはコンパートメント５２の一部を形成してよい。
【００６５】
[0073]  コンパートメント５２は、コンパートメント５２内に入る、およびコンパートメント５２から出るガスなど（例えば、粒子、原子、分子）の通過を可能にする入口５８および出口６０を備える。図示していないが、水素ラジカルジェネレータＨＲＧは、ガスなどを水素ラジカルジェネレータに引き込み、または吹き込み、および／または水素ラジカルジェネレータの外に、かつ水素ラジカルジェネレータから離れて排出する１つ以上のポンプを備えてよく、またはこうした１つ以上のポンプと併用されてよい。図中、出口６０は、光エレメント５０に向かって方向付けられるとして示されている。しかし、他の実施形態において、他の配置が可能であり、または好ましいことがあり得る。例えば、１つ以上の管または導管などが、水素ラジカルジェネレータから１つ以上の光エレメントまたはそれらの一部にガスなどを誘導してよい。
【００６６】
[0074]  図４に戻ると、使用中、水素分子６２がコンパートメント５２に送り込まれ、または引き込まれ、金属フィラメント５４を（例えば、金属フィラメント５４を貫いて、および／またはその周囲を）通過する。これは、金属フィラメント５４の温度が、水素分子６２を原子化し、かつ光エレメント５０の洗浄に使用される水素ラジカル６４を生成するのに十分な原子化温度（例えば、１３００℃〜２５００℃）である場合に行われる。上述の通り、金属フィラメント５４、または少なくともその一部は、金属フィラメント５４の酸化剤（例えば、空気、水、または酸素）への曝露により酸化することがある（例えば、金属酸化物表面層または領域を含んだり有したりすることがある）。そのような曝露は、金属フィラメント５４もしくは水素ラジカルジェネレータＨＲＧ全体（またはリソグラフィ装置全体さえも）が製造され、搬送され、整備のために開放されるなどの場合に起こる。高温（例えば、１３００℃〜２５００℃）と相まって、金属酸化物の存在は、一部またはすべての金属酸化物の蒸発の原因となり得る。従って、水素ラジカル６４が水素ラジカルジェネレータＨＲＧから排出されるだけでなく、蒸発した金属酸化物６６も水素ラジカルジェネレータＨＲＧから排出されることになる。
【００６７】
[0075]  水素ラジカル６４は（例えば、光エレメント５０の表面上のカーボンと反応し、その結果カーボンを除去するラジカル６４によって）光エレメント５０を洗浄するために使用され得るが、水素ラジカル６４は金属酸化物６６を純金属に還元する場合があるものの、通常、光エレメント５０上に堆積している金属酸化物６６と接触してガス上の金属をもたらすことはない。従って、金属酸化物６６そのもの、またはその金属形態は、光エレメント５０上に堆積し、光エレメント５０の汚染物質となる。そのような汚染物質は、光エレメント５０の光学性能の低下、ひいてはリソグラフィ装置全体の光学性能の低下を招く場合がある。
【００６８】
[0076]  さらに、上述の装置に対して、抽出点６８が設けられて（この例では、光エレメント５０に隣接しているが、他の位置を用いてよい）水素、水素ラジカル６４、および／または水素ラジカル６４によって光エレメント５０の付近から、またおそらくリソグラフィ装置の外に、かつリソグラフィ装置から離れて除去された汚染物質を抽出する。しかし、抽出点６８および与えられ得る引張力は、蒸発した金属酸化物６６の堆積によって生じる光エレメント５０の汚染物質を除去しない場合がある。
【００６９】
[0077]  実際に、水素ラジカル６４を用いる光エレメント５０の洗浄は、水素ラジカルジェネレータＨＲＧによって生成された金属酸化物６６の堆積による光エレメント５０の汚染物質の原因となり得る。金属酸化物６６の光エレメント５０上への堆積の結果としての光エレメント５０の汚染物質を低減可能であることが望ましいことがある。
【００７０】
[0078]  一実施形態に従って、水素ラジカルジェネレータによって生成された汚染物質およびその後のリソグラフィ装置の光エレメント上への汚染物質の堆積を低減させる方法が提供される。この方法には、水素分子の原子化および光エレメントの洗浄に使用される水素ラジカルの生成に先立って、またはこうした原子化および生成の間に水素ラジカルジェネレータの金属フィラメント上の金属酸化物を還元すること、もしくは金属酸化物の蒸発が起きている場合に金属フィラメント（または、通常、水素ラジカルジェネレータ）と洗浄される光エレメントの中間に選択的に配置可能に設けられたバリアの使用が含まれる。
【００７１】
[0079]  別の態様において、水素ラジカルジェネレータによって生成された汚染物質およびその後のリソグラフィ装置の光エレメント上への汚染物質の堆積を低減させる方法が提供される。この方法は、水素ラジカルジェネレータの金属フィラメントの金属酸化物を含む第１部分が金属酸化物の蒸発温度未満である還元温度である場合に、金属フィラメントの第１部分に水素分子を与えることを含む。
【００７２】
[0080]  本発明の別のまたはさらなる態様において、水素ラジカルジェネレータによって生成された汚染物質およびその後のリソグラフィ装置の光エレメント上への汚染物質の堆積を低減させる方法が提供される。この方法は、バリア（バリアの一部を含む）が水素ラジカルジェネレータと光エレメントの中間に配置されている場合に、水素ラジカルジェネレータの金属フィラメント上に存在する金属酸化物を蒸発させることを含む。「中間」は、水素ラジカルジェネレータ（またはその金属フィラメント）と光エレメントとの間で蒸発した金属酸化物が取り得る経路内のあらゆる位置とすることができる。例えば、「中間」は、金属フィラメントと光エレメントの見通し線と等しくなくてよい。例として、バリアは、金属フィラメントと光エレメントの見通し線と位置合わせされない経路、または一致する経路を有する導管内に配置されたり、この導管の一部を構成してよい。
【００７３】
[0081]  本発明の実施形態を、単なる例として、図５〜図８を参照して以下に説明する。別々の図（例えば、図４などの前出の図を含む）に記載されている同じ特徴には、明確さと一貫性のために同じ参照符号が与えられる。なお、留意すべき点として、これらの図は、明示的に別段の定めをした場合を除き、特定の縮尺に従わずに描かれている。
【００７４】
[0082]  図５は、図４に示されかつ図４を参照して説明されるものと実質的に同一の水素ラジカルジェネレータＨＲＧおよび光エレメント５０を概略的に示している。しかし、図４に示す水素ラジカルジェネレータＨＲＧと図５に示す水素ラジカルジェネレータＨＲＧの微妙かつ重要な違いは、コントローラ５６に関する。図５において、コントローラ５６は、別のコントローラ、または異なるように構成されたコントローラである。コントローラ５６は、図５のコントローラ５６が、水素分子６２を金属フィラメント５４に通過させる際に金属フィラメント５４（または少なくともその一部）の温度が（少なくともある時間に）還元温度に制御され得るように配置されるという点で異なる。この還元温度は、金属フィラメント５４上に存在する、または金属フィラメント５４に含まれる金属酸化物の蒸発温度以下である。例えば、この還元温度は、約１３００℃〜２５００℃の範囲であり得る水素分子を原子化するために用いられる原子化温度との比較において、約４００℃〜１２００℃の範囲であり得る。
【００７５】
[0083]  金属フィラメント５４が還元温度である場合に水素分子６２を金属フィラメント５４に通過させると、金属酸化物と水素分子６２との間に化学反応が起きて、結果的に純粋形態の金属（フィラメント５４上に残留する）およびＨ２Ｏが生成される。Ｈ２Ｏ７０は抽出点６８によって抽出され得る。金属フィラメントがタングステンから形成される、またはタングステンを含む場合、金属酸化物は酸化タングステンまたはその変種となる可能性があり、化学反応後に残留している純金属はタングステンとなる。
【００７６】
[0084]  金属フィラメント５４またはその特定の一部から金属酸化物が完全に除去されるまで、または少なくとも十分に除去されるまで（例えば、ある重量パーセントもしくは領域分、またはある重量パーセントもしくは領域まで）、上述の方法を継続または反復することができる。
【００７７】
[0085]  還元速度を上げるために、Ｈ２の流れをオフにしてよい。
【００７８】
[0086]  コントローラ５６によって供給される所与の駆動電流に対して、金属フィラメント５４の別々の部分が別々の温度に到達することがある。従って、金属フィラメント５４の一般により冷たい部分もまた上述の化学反応が起きるのに十分な還元温度に到達することを確実にするように、その後の方法の反復にについて金属フィラメント５４の駆動電流を増加させてよい。その代わりに、または、それに加えて、水素流または水素圧力を低減させて、水素分子６２の熱輸送を低減させてよく、結果的により高温の堆積になる。
【００７９】
[0087]  上述の化学反応は、広範囲の温度で起こり得る。しかし、温度が低すぎると、化学反応は時間がかかりすぎる場合があり、水素ラジカルジェネレータＨＲＧ、そしておそらく、ひいてはリソグラフィ装置全体が洗浄のために使用可能となる前の休止時間（down-time）の増加を招く。しかし、温度が高すぎると、金属酸化物は蒸発する場合があり、これは光エレメント５０の汚染につながり得るため望ましくない。
【００８０】
[0088]  本実施形態において、そして実際に他の任意の実施形態において、光学的に、金属フィラメント５４の駆動電流または抵抗の変化を監視することによって、あるいは他の適切な方法で、金属フィラメント５４上の金属酸化物の存在を検出することができる。
【００８１】
[0089]  金属フィラメント５４から十分に金属酸化物が除去されていると、当該方法は、金属フィラメントの温度を、金属フィラメントを通過する水素分子６２を原子化し、かつ光エレメント５０の洗浄に使用される水素ラジカル６４を生成するのに十分な原子化温度まで上昇させる（例えば、コントローラ５６を使用して）ことをさらに含み得る。この状況を図６に示す。
【００８２】
[0090]  上述の方法は、金属フィラメント５４が当該酸化剤（例えば、空気、酸素、または水）にさらされた後に、かつ金属フィラメント５４の温度がフィラメントを通過する水素分子を原子化し、かつ光エレメント５０の洗浄に使用される水素ラジカルを生成するのに十分な原子化温度まで上昇する前に行うことができる。このように、蒸発した金属酸化物による光エレメント５０の汚染物質は低減または除去されるべきである。当該方法（および本明細書に記載のいずれの方法）は、金属フィラメント５４が酸化剤に例えば特定の時間さらされるたびに行われてよい。還元は、フィラメント５４が原子化温度に到達する前ごとに行われてよい。その代わりに、または、それに加えて、当該方法は、フィラメント５４上に存在する金属酸化物のレベルが特定の閾値（ゼロ、またはゼロ以外の値、および／または適切な光学または電気検出によって決定され得るレベルまたは値）に到達するたびに行われてよい。金属フィラメント５４は、水素分子をフィラメントに通過させる前に、または水素分子をフィラメントに通過させる際に金属フィラメント５４の温度が還元温度であるように制御され得る。
【００８３】
[0091]  上述の（またはさらに以下の）還元温度は、水素分子を原子化するのに必要な原子化温度未満になると考えられる。さらに、金属フィラメントを形成する金属は、その金属酸化物がその純粋形態の金属と比較して容易に蒸発する金属となると考えられる。このことは、本明細書に記載のすべての実施形態について当てはまり得る。
【００８４】
[0092]  本実施形態、そして本明細書に記載のいずれの実施形態について、当該方法は、水素ラジカルジェネレータがリソグラフィ装置と流体連通しているときに行われ得る。このことは、当該方法が、水素ラジカルジェネレータがリソグラフィ装置内に配置される場合、または流体（例えば、水素ラジカルなどのガス）が水素ラジカルジェネレータからリソグラフィ装置および／またはその光エレメントへ送られ得るように水素ラジカルジェネレータがリソグラフィ装置に接続される場合に行われ得ることを意味する。その代わりに、または、それに加えて、このことは、水素ラジカルジェネレータがリソグラフィ装置および／またはその光エレメント内で、あるいはリソグラフィ装置および／またはその光エレメントに対して正常位置に関してインサイチュ（in-situ）であるときに当該方法を行うとして記載され得る。使用中、水素ラジカルジェネレータがリソグラフィ装置に接続されている場合、リソグラフィ装置は水素ラジカルジェネレータを含むとして記載され得る。
【００８５】
[0093]  図７は、本発明のさらなるまたは別の実施形態を概略的に示している。図７は、前出の図に示されかつそれらの図を参照して説明されるものと同一の水素ラジカルジェネレータＨＲＧおよび光エレメント５０を概略的に示している。しかし、この実施形態においては、さらにバリア８０が設けられる。バリア８０（バリアの一部を含む）は、金属フィラメント５４上に存在する金属酸化物６６の蒸発が起きているときに水素ラジカルジェネレータＨＲＧと光エレメント５０の中間を移動可能であるように配置される。従って、バリア８０は、蒸発した金属酸化物６６が光エレメント５０に到達するのを阻止することができる。蒸発した金属酸化物はバリア８０上に堆積し得る。
【００８６】
[0094]  「中間」は、水素ラジカルジェネレータＨＲＧ（またはその金属フィラメント５４）と光エレメント５０との間で蒸発した金属酸化物６６が取り得る経路内のあらゆる位置とすることができる。例えば、「中間」は、金属フィラメント５４と光エレメント５０の見通し線と等しくなくてよい。例として、バリア８０は、金属フィラメント５４と光エレメント５０の見通し線と位置合わせされない経路、または一致する経路を有する導管（図示せず）内に配置されたり、この導管（図示せず）の一部を構成してよい。
【００８７】
[0095]  図７は、フィラメント（またはその一部）がその上に位置する金属酸化物を蒸発させるのに十分な温度である場合に、水素分子６２がフィラメント５４を通過し得ることを示している。この蒸発温度で、水素ラジカル６４も生成され得る。水素ラジカル６４および蒸発した金属酸化物６６は、水素ラジカルジェネレータＨＲＧを出る。バリア８０は、蒸発した金属酸化物６６が光エレメント５０に少なくとも到達するのを防止する。
【００８８】
[0096]  図８は、金属酸化物が除去されると、または金属酸化物の蒸発が停止すると、バリア８０が第１構成から第２構成に移り得ることを示している。第１構成において、蒸発した金属酸化物および／または水素ラジカルが水素ラジカルジェネレータから光エレメントに進むことが防止される。図８に示す第２構成において、水素ラジカルジェネレータＨＲＧによって生成された水素ラジカル６４は、光エレメント５０を洗浄するために光エレメント５０に進むことができる。
【００８９】
[0097]  バリア８０は、水素ラジカルジェネレータＨＲＧと光エレメント５０の中間にある程度任意に配置されるとして示されている。より詳細な実施形態において、バリア８０は、金属フィラメント５４を取り囲むコンパートメントまたは水素ラジカルジェネレータＨＲＧの一部を形成してよい。その代わりに、または、それに加えて、当該バリアまたは別のバリアが光エレメントまたは１つ以上の光エレメントを取り囲むコンパートメントの一部を形成してよい。
【００９０】
[0098]  上述の通り、一実施形態において、金属フィラメントは還元温度まで加熱されて、金属酸化物が純粋形態の金属およびＨ２Ｏに変換される化学反応が起きる（すなわち、金属酸化物の還元が存在する）ことが確実になる。また、別の実施形態において、金属酸化物が蒸発し始めるまでフィラメントの温度を上昇させ、これは水素分子の原子化が起き始める温度に一致し得る。フィラメントの温度上昇は、フィラメントに供給される駆動電流の対応する増加（または増加の変化）の分、任意の適切な方法、例えば、特定の率もしくは変化度で、または段階的に行われてよい。
【００９１】
[0099]  図９は、本発明のさらなる実施形態において、バリア８０と共に、リソグラフィ装置の光エレメントに対する水素ラジカルジェネレータを概略的に示している。図９の実施形態において、バリア８０は、水素ラジカルジェネレータＨＲＧに向かう水素分子の流れの経路の上流に配置され、水素分子が金属フィラメント５４に到達するのを防止する。
【００９２】
[0100]  使用中、金属酸化物、例として酸化タングステンが蒸発し始めるまでフィラメント５４の温度を上昇させてよい。再び、これは水素分子の原子化が起き始める温度に一致し得る。フィラメントは、１３００℃から２５００℃の範囲の温度、例えば、１８６０℃に加熱され得る。水素ラジカルジェネレータＨＲＧの圧力は、約５・１０−７ｍｂａｒとすることができる。バリア８０は、水素分子をフィラメント５４に確実に到達させないので、水素流は金属酸化物を光エレメントに搬送しない。金属酸化物は、酸化タングステンが堆積したタングステンフィラメントであり得る。酸化タングステンは、Ｗ２Ｏ３、ＷＯ２、ＷＯ３、または他の形態の酸化タングステンであり得る。
【００９３】
[0101]  図９の実施形態のバリア８０を使用する代わりに、水素分子の流れを単純にオフにしてもよい。
【００９４】
[0102]  いくつかの実施形態において、コントローラと併せて水素ラジカルジェネレータが製造され、販売され、単独で使用される。しかし、水素ラジカルジェネレータは、その使用に関して上述のリソグラフィ装置と共に特定の用途を見出し得ると考えられる。例えば、水素ラジカルジェネレータは、放射ビームを調整するように構成された照明システムを含むリソグラフィ装置と共に用途を見出し得る。その代わりに、または、それに加えて、当該リソグラフィ装置は、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン形成された放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートを含んでよい。その代わりに、または、それに加えて、すべての基板に対して構成された基板テーブルが設けられてよい。その代わりに、または、それに加えて、当該リソグラフィ装置は、パターン形成された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムを備えてよい。
【００９５】
[0103]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００９６】
[0104]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００９７】
[0105]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
2011258950000001.pdf