(57)【要約】【課題】多層化した配線間の接続不良や接続抵抗上昇の原因となる、ドライエッチングの反応生成物を抑制する集積回路装置の製造方法を提供すること。【解決手段】金属層上に形成された絶縁膜に異方性エッチングを施して、上記金属層に達する第１の孔を形成する第１の工程と、上記絶縁膜に上記異方性エッチングを施して、上記第１の孔を含む大きさの第２の孔を形成する第２の工程とを有し、上記第２の工程では、上記第１の孔に対応する第１の領域を除く上記第２の孔に対応する第２の領域で、上記第２の孔が上記金属層の上部に達する前又は達した時点で、上記異方性エッチングを終了すること。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層上に形成された絶縁膜に異方性エッチングを施して、前記金属層に達する第１の孔を形成する第１の工程と、
前記絶縁膜に前記異方性エッチングを施して、前記第１の孔を含む大きさの第２の孔を形成する第２の工程とを有し、
前記第２の工程では、前記第１の孔に対応する第１の領域を除く前記第２の孔に対応する第２の領域で、前記第２の孔が前記金属層の上部に達する前又は達した時点で、前記異方性エッチングを終了する、
集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
金属層上に形成された絶縁膜に異方性エッチングを施して、前記金属層に達する第１の孔を形成する第１の工程と、
前記絶縁膜に前記異方性エッチングを施して、前記第１の孔を含む大きさの第２の孔を形成する第２の工程とを有し、
前記第１の工程では、前記第１の孔に対応する第１の領域で前記金属層の上部をエッチングし、
前記第２の工程では、前記第１の領域を除く前記第２の孔に対応する第２の領域で、前記金属層の上部を、前記第１の工程より浅くエッチングする、
集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
金属層上に形成された絶縁膜に異方性エッチングを施して、前記絶縁層内に止まる第１の孔を形成する第１の工程と、
前記絶縁膜に前記異方性エッチングを施して、少なくても前記第１の孔に対応する領域で前記金属層に達する、前記第１の孔を含む大きさの第２の孔を形成する第２の工程とを有する、
集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記第１の孔に対応する領域を除く前記第２の孔に対応する領域で、前記第２の孔が前記金属層に達する前又は達した時点で、前記異方性エッチングを終了することを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記第１の工程では、前記第１の孔に対応する開口部を有するフォトレジス膜を前記絶縁膜上に形成した後に、前記異方性エッチングを施し、
前記第２の工程では、前記第２の孔のサイズに対応して前記開口部を広げた後に、前記絶縁膜に前記異方性エッチングを施すことを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路装置は、複数の半導体素子と、これら複数の半導体素子を立体的に接続する多層配線構造体とを有している。この多層配線構造体は、表面に配線層を担持する複数の絶縁膜と、この配線層の間を接続する複数のプラグとを有している。このプラグは、貫通孔（スルーホール）に充填された金属体である。このような貫通孔は、絶縁膜に、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching; RIE）等のドライエッチングを施して形成する。
【０００３】
貫通孔を形成する工程では、絶縁膜が全てエッチングされる時間を過ぎても、暫くの間、ＲＩＥを継続する。これは、未貫通の孔の形成を予防するためである。このような長時間のエッチングにより、配線層の一部がエッチングされ、プラズマ化したＲＩＥの反応ガスと反応する。その結果、反応生成物が生成され、貫通孔の内壁に付着する。この反応生成物により、配線間の接続不良や接続抵抗の上昇が招来される。
【０００４】
このため、プラグの形成工程では、この反応生成物を除去した後に、貫通孔に金属を充填する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１６３２１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ドライエッチングにより発生した反応生成物は、アッシング処理やフッ化アンモニウム液による洗浄処理により除去することができる。しかし、全ての反応生成物を除去することは困難であり、除去されずに貫通孔の内壁に残留した反応性生成物が、配線間の接続不良や接続抵抗の上昇を招き、集積回路装置を不良品化させる一因になっている。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、多層化した配線間の接続不良や接続抵抗上昇の原因となる、ドライエッチングの反応生成物を抑制する集積回路装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本方法の一観点によれば、金属層上に形成された絶縁膜に異方性エッチングを施して、上記金属層に達する第１の孔を形成する第１の工程と、上記絶縁膜に上記異方性エッチングを施して、上記第１の孔を含む大きさの第２の孔を形成する第２の工程とを有し、上記第２の工程では、上記第１の孔に対応する第１の領域を除く上記第２の孔に対応する第２の領域で、上記第２の孔が上記金属層の上部に達する前又は達した時点で、上記異方性エッチングを終了する集積回路装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本方法によれば、多層化した配線間の接続不良や接続抵抗上昇の原因となる、ドライエッチングの反応生成物を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１の集積回路装置の製造方法を説明する工程断面図である（その１）。
【図２】実施の形態１の集積回路装置の製造方法を説明する工程断面図である（その２）。
【図３】図２（ｂ）の破線で囲われた領域Ａを拡大した図である。
【図４】実施の形態２の集積回路装置の製造法を説明する図である。
【図５】実施の形態３の集積回路装置の製造法を説明する工程断面図である（その１）。
【図６】実施の形態３の集積回路装置の製造法を説明する工程断面図である（その２）。
【図７】実施の形態３の変形例を説明する工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。尚、図面が異なっても対応する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００１２】
(実施の形態１)
図１及び２は、本実施の形態の集積回路装置の製造方法を説明する工程断面図である。本実施の形態の集積回路装置は、ＦＥＲＡＭ（Ferroelectric Random Access Memory）である。
【００１３】
（Ａ）半導体素子等の形成工程
本実施の形態では、まず、Ｓｉ基板（図示せず）の上に、トランジスタ等の半導体素子（図示せず）を形成する。次に、このＳｉ基板上に、第１層目の層間絶縁膜及び強誘電体キャパシタ等を順次形成する。その後、この強誘電体キャパシタを覆う第２層目の層間絶縁膜２を形成する（図１（ａ）参照）。更に、上記半導体素子（又は、強誘電体キャパシタ）を後述する配線１０に接続するプラグを形成する。
【００１４】
次に、図１（ａ）に示すように、第２層目の層間絶縁膜２の上に、厚さ１５０ｎｍのＴｉＮ膜４と、厚さ５００ｎｍのＡｌ膜６と、厚さ１５０ｎｍのＴｉＮ膜８をこの順番で積層した、幅０.２〜０.３μｍの配線１０を形成する。ここで、ＴｉＮ膜４,８は、Ａｌ膜６のマイグレーションを防止するキャップ層である。尚、ＴｉＮ膜４,８の代わりに、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜をこの順番で積層した積層膜を形成してもよい。
【００１５】
本工程では、配線１０の幅を、貫通孔の形成位置で０.４μｍに広げ、後述する貫通孔が配線から食み出さないようにしている。但し、配線１０の幅は、一定であってもよい。
【００１６】
その後、配線１０が形成された第２層目の層間絶縁膜２の上に、ＴＥＯＳ（Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate）と酸素の混合ガスをプラズマ化して、ＳＩＯ膜（酸化シリコン膜）を形成する。次に、このＳＩＯ膜を、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）で平坦化して、厚さ約７５０ｎｍの第３層目の層間絶縁膜１２（絶縁膜）を形成する。
【００１７】
（Ｂ）貫通孔の形成工程
（１）第１の孔の形成工程（図１（ａ）参照）
次に、平坦化した層間絶縁膜１２の上に、フォトレジスト膜１４を塗布する。その後、縮小投影露光法により、このフォトレジスト膜１４に、例えば直径が０.２２μｍの開口部１６を形成する（図１（ａ）参照）。この開口部１６は、貫通孔の形成位置の上に形成する。
【００１８】
次に、このフォトレジスト膜１４で覆われた層間絶縁膜１２に、異方性エッチングである反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を施して、図１（ａ）に示すように、第１の孔１８を形成する。このエッチングの継続時間は、層間絶縁膜１２が全てエッチングされる時間の約１.５倍である。従って、層間絶縁膜１２がエッチングされず残留して、第１の孔１８が塞がれたままになることはない。
【００１９】
このエッチングの際、ＴｉＮ膜８の上部が３０〜７０ｎｍエッチングされ、プラズマ化されたＲＩＥの反応ガスと反応する。その結果、絶縁性の反応生成物２０が生成され、図１（ａ）に示すように、第１の孔１８の側壁に付着する。この反応生成物は、Ｔｉ、Ｎ、Ｏ、及びＣの化合物である。ここで、酸素（Ｏ）及び炭素（Ｃ）は、ＲＩＥの反応ガスまたはフォトレジスト膜１４に由来する。ＲＩＥの反応ガスとは、ＲＩＥにおいてプラズマ化されるガスのことである。
【００２０】
尚、ＴｉＮ膜８をエッチングする時間は、層間絶縁膜１２のエッチング時間の半分程度である。しかし、ＴｉＮ膜のエッチング速度が層間絶縁膜１２より小さいため、ＴｉＮ膜８のエッチング量は層間絶縁膜１２の１／１０以下である。
【００２１】
以上のように、本工程では、まず、第１の孔１８に対応する開口部１６を有するフォトレジス膜１４を、層間絶縁膜１２の上に形成する。次に、このフォトレジスト膜１４で覆われ且つ配線１０の上に形成された層間絶縁膜１２（絶縁膜）に、反応性イオンエッチングを施して、配線１０に達する第１の孔１８を形成する。
【００２２】
ここで、本工程の反応性イオンエッチングの条件は、以下の通りである。
【００２３】
・Ｃ４Ｆ８ガス流量  ・・・  ２０ sccm
・Ａｒガス流量  ・・・  ４００ sccm
・ＣＯガス流量  ・・・  ５０ sccm
・Ｏ２ガス流量  ・・・  １３ sccm
・圧力  ・・・  ３５  mTorr
・第１高周波の周波数  ・・・  ２７．１２ ＭＨｚ
・第１高周波のパワー  ・・・  ２２００Ｗ
・第２高周波の周波数  ・・・  ８００ ｋＨｚ
・第２高周波のパワー  ・・・  １４５０Ｗ
（２）第２の孔の形成工程（図１（ｂ）〜図２（ｂ）参照）
（ｉ）レジスト開口部の拡張工程（図１（ｂ）参照）
次に、第１の孔１８形成後のフォトレジスト膜１４に、酸素プラズマ（あるいは、酸素プラズマから分離した酸素ラジカル）に曝す酸素プラズマ暴露処理を施す。この酸素プラズマ曝露処理により、図１（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜１４ａは表面から除々にエッチングされ、開口部１６ａが広がる。
【００２４】
その後、開口部１６ａの直径が４０〜５０ｎｍほど広がった時点で、この酸素プラズマへ曝露処理を終了する。以上の酸素プラズマ曝露処理により、開口部１６ａの直径は、約０.２６μｍに広がる。
【００２５】
本工程の酸素プラズマ曝露処理は、フォトリソグラフィー工程後に、通常フォトレジスト膜に施されるアッシング処理と略同じ処理である。但し、処理時間が、アッシング処理より短い。以下に、上記酸素プラズマ処理の条件を示す。
【００２６】
・Ｏ２ガス流量  ・・・  ２５００ sccm
・Ｎ２ガス（１〜３％の水素を含む）流量  ・・・  ４５０ sccm
・ＣＦ４ガス流量  ・・・  ２５ sccm
・圧力  ・・・  １.５  Torr
・処理温度  ・・・  １４０℃
・高周波の周波数  ・・・  ２．４５ ＧＨｚ
・高周波のパワー  ・・・  １７００Ｗ
尚、酸素プラズマ曝露処理の代わりに、酸素雰囲気中で紫外線に曝すＵＶ（Ultraviolet）キュアー処理を、フォトレジスト膜１４に施してもよい。ＵＶキャアー処理では、紫外線に曝された酸素がオゾンに変化し、フォトレジスト膜１４をエッチングする。或いは、フォトレジスト膜１４ａを除去し、その後フォトリソグラフィー技術により、開口部１６より大きな開口部を有するフォトレジスト膜を、層間絶縁膜１２の上に形成してもよい。
【００２７】
（ii）層間絶縁膜のエッチング工程（図２（ａ）及び（ｂ）参照）
次に、図２（ａ）に示すように、フォトレジスト膜１４ａで覆われた層間絶縁膜１２に、再度、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を施す。ＲＩＥの条件は、上記「レジスト開口部の拡張工程」の条件と略同じである。このＲＩＥにより、図２（ｂ）に示すように、層間絶縁膜１２に、第１の孔１８を含む大きさの第２の孔２０が形成される。
【００２８】
フォトレジスト膜１４ａで覆われた層間絶縁膜１２にＲＩＥを施すと、図２（ａ）に示すように、開口部１６ａの側面と第１の孔１８の間の領域で層間絶縁膜１２がエッチングされ、第１の孔１８を拡張した第２の孔２０が形成される。この時、第１の孔１８の底に露出した配線１０は、プラズマ化したＲＩＥの反応ガスに曝され、反応生成物を生成し得る状態に置かれている。しかし、プラズマ中の活性種（フッ素ラジカル等）は、大部分が層間絶縁膜１２のエッチングに消費されて、配線１０とは反応しない。更に、ＲＩＥのエッチング速度は、通常、孔の中央部ほど遅くなる。従って、本工程における配線１０のエッチング速度は、上記「第１の孔の形成工程」におけるエッチング速度より遅くなる。このため、配線１０のエッチング量が少なくなり、配線１０のエッチングにより供給される反応性物の原料が減少する。故に、新たな反応生成物の形成が、抑制される。
【００２９】
一方、第１の孔１８の内壁に付着した反応生成物２０は、プラズマ中のＡｒイオンやハロゲンイオン等に曝されてエッチングされる。このため、第１の孔１８を拡張した第２の孔２０の延伸と共に、第１の孔１８の内壁に付着した反応生成物２０が、徐々に除去される（図２（ａ）参照）。
【００３０】
図２（ｂ）には、ＲＩＥの終了時点の状態が示されている。図３は、図２（ｂ）の破線で囲われた領域Ａを拡大した図である。本工程では、図２（ｂ）及び図３に示すように、第１の孔１８に対応する第１の領域１９を除く、第２の孔２０に対応する第２の領域２１（すなわち、環状領域２２）で、第２の孔２０が配線１０の上部に達する前又は達した時点で、層間絶縁膜１２に施すＲＩＥを終了する。ここで、「第１の孔１８に対応する第１の領域１９」とは、第１の孔１８を配線１０に投影した領域のことである。また、「第２の孔２０に対応する第２の領域２１」とは、第２の孔２０を、配線１０に投影した領域である。
【００３１】
本工程では、第２の領域２１から第１の領域１９を除いた環状領域２２に、例えば厚さ０ｎｍ〜１００ｎｍの層間絶縁膜１２を残した状態で、ＲＩＥを終了する。従って、第２の孔２０を形成する２度目のＲＩＥにより配線１０がエッチングされて、新たな反応生成物が発生することはない。
【００３２】
以上のように、第１の孔１８に対応する領域１９では、内壁に付着した反応生成物が、ＲＩＥにより除去される。一方、（第２の孔２０に対応する第２の領域２１から第１の領域１９を除いた）環状領域２２では、新たな反応生成物は形成されない。このため、内壁への反応生成物の付着が抑制された貫通孔（第２の孔２０）が形成される。故に、本実施の形態によれば、反応生成物による配線間の接続不良や接続抵抗の増加を抑制することができる。
【００３３】
最後に、アッシング処理により、フォトレジスト膜１４ａを除去する。アッシング処理の条件は、上記「開口部の拡張工程」で説明した酸素プラズマ曝露処理の条件と同じである。但し、処理時間を長くして、フォトレジスト膜１４ａを全て除去する。その後、層間絶縁膜１２をフッ化アンモニウム液等の剥離液で洗浄して、フォトレジスト膜１４ａの残渣を取り除く。
【００３４】
尚、本工程のＲＩＥの条件は、上記「第１の孔の形成工程」で説明したＲＩＥの条件と略同じである。しかし、この条件とは、異なる条件のＲＩＥを施してもよい。例えば、Ａｒガスの流量を減らすことにより、ＴｉＮ膜８がエッチングされ難くなった条件のＲＩＥを施してもよい。
【００３５】
（３）プラグの形成工程
まず、貫通孔（第２の孔２０）を形成した層間絶縁膜１２の上に、スパッタリングにより、ＴｉＮ膜を１０ｎｍ程度堆積する。次に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、ＴｉＮ膜を堆積した層間絶縁膜１２の上に、Ｗ（タングステン）膜を堆積する。次に、ＣＭＰにより、層間絶縁膜上のＷ膜及びＴｉＮ膜を除去して、プラグを形成する。
【００３６】
（４）プラグ形成後の工程
次に、このプラグの上に、ＴｉＮ膜とＡｌ膜とＴｉＮ膜を順次形成して、第２層目の配線を形成する。その後、上述した「層間絶縁膜の工程」〜「プラグの形成工程」を再度実施して、第４層目の層間絶縁膜とプラグを形成する。このような工程を繰り返すことにより、多層配線構造体を有するＦＥＲＡＭを完成する。
【００３７】
（実施の形態２）
図４は、本実施の形態の集積回路装置の製造法を説明する図である。
本実施の形態の集積回路装置の製造法は、実施の形態１で説明した集積回路装置の製造方法と略同じである。従って、重複する部分については、説明を省略する。
【００３８】
本実施の形態では、まず、配線１０上の層間絶縁膜１２にＲＩＥを施して、配線１０に達する第１の孔１８を形成する。ここで、第１の孔１８に対応する領域１９で、配線１０の上部を、例えば３０〜７０ｎｍ（好ましくは、４０〜６０ｎｍ）エッチングする。
【００３９】
更に、層間絶縁膜１２にＲＩＥを施して、第１の孔１８を含む大きさの第２の孔２０ｂを形成する。ここで、（第２の孔２０ｂに対応する第２の領域２１ａから第１の孔１８に対応する領域１９を除いた）環状領域２４で、配線１０の上部を、第１の孔１８の形成工程より浅く、例えば０〜３０ｎｍ（好ましくは、１０〜２０ｎｍ）エッチングする。
【００４０】
第１の孔１８を形成する際に生じる反応生成物は、実施の形態１で説明したように、第２の孔２０ｂを形成する過程で除去される。一方、上述したように環状領域２４で配線１０がエッチングされると、ＲＩＥの反応性生成物が新たに形成される。しかし、この時にエッチングされる配線１０の深さは、第１の孔１８の形成工程より浅いので、生成される反応生成物は僅かである。
【００４１】
従って、本実施の形態によれば、内壁への反応生成物の付着が抑制された貫通孔（第２の孔２０）を形成することができる。
【００４２】
（実施の形態３）
図５及び６は、本実施の形態の集積回路装置の製造法を説明する工程断面図である。
【００４３】
本実施の形態の集積回路装置の製造法は、実施の形態１の集積回路装置の製造方法と略同じである。従って、重複する部分については、説明を省略する。
【００４４】
（１）第１の孔の形成工程（図５（ａ）参照）
まず、図５（ａ）に示すように、配線１０の上に形成された層間絶縁膜１２にＲＩＥを施し、第１の孔１８ｂが配線１０に達する前又は達した時点でこのＲＩＥを終了することにより、層間絶縁層１２の内部に止まる第１の孔１８ｂを形成する。このＲＩＥでは配線１０がエッチングされることはないので、第１の孔１８ｂの内壁に、ＲＩＥによる反応生成物が付着することはない。
【００４５】
（２）第２の孔形成工程（図５（ｂ）〜図６（ｂ）参照）
（i）レジスト開口部の拡張工程（図５（ｂ）参照）
次に、図５（ｂ）に示すように、実施の形態１と同様の工程により、フォトレジスト膜１４ａの開口部１６ａを拡張する。
【００４６】
（ii）層間絶縁膜のエッチング工程（図６（ａ）及び（ｂ）参照）
次に、層間絶縁膜１２にＲＩＥを施して、少なくても第１の孔１８ｂに対応する領域１９で配線１０に達し、第１の孔１８ｂを含む大きさの第２の孔２０ｃを形成する。
【００４７】
図６（ａ）は、第２の孔２０ｃを形成している途中段階の断面図である。一方、図６（ｂ）は、第２の孔２０ｃの形成終了時点の断面図である。
【００４８】
（３）プラグの形成工程
その後、実施の形態と同様の工程により、第２の孔２０ｃ（貫通孔）を金属で埋め込んで、プラグを形成する。
【００４９】
図６（ａ）に示すように、第２の孔２０ｃを形成する際、第１の孔１８ｂに対応する領域１９に残されていた層間絶縁膜１２はエッチングされ、貫通孔が形成される。この時配線１０が露出して、プラズマ化した反応ガスに曝され、反応生成物が生成され得る状態になる。しかし、実施の形態１で説明したように、（第２の孔２０ｃに対応する領域２１ｂから第１の孔１８ｂに対応する領域１９を除いた）環状領域２４ａで層間絶縁膜１２のエッチングが進行している間は、配線１０は殆どエッチングされない。このため、第１の領域１９で生成される反応生成物は僅かである。
【００５０】
また、本実施の形態では、図６（ｂ）に示すように、（第２の孔２０ｃに対応する領域２１ｂから第１の孔１８ｂに対応する領域１９を除いた）環状領域２４ａで、第２の孔２０ｃが配線１０に達する前又は達した時点でＲＩＥを終了する。従って、環状領域２４ａでは、反応生成は全く形成されない。
【００５１】
以上のように、第１の孔１８ｂを形成するＲＩＥでは、反応生成物は形成されない。また、第２の孔２０ｃを形成するＲＩＥで形成される反応生成物は、極僅かである。従って、本実施の形態によれば、実施の形態１及び２より、反応生成物の形成が抑制された貫通孔を形成することができる。
【００５２】
本実施の形態では、図６（ｂ）に示すように、環状領域２４ａの層間絶縁膜１２をエッチングするＲＩＥを、第２の孔２０ｃが配線１０に到達する前又は到達した時点で終了する。しかし、実施の形態２のように、層間絶縁膜１２を浅くオーバエッチングして、反応性物の形成を抑制してもよい。
【００５３】
図７は、本実施の形態の変形例を説明する工程断面図である。本実施の形態の第１の孔１８ｂは、図５（ａ）に示すように、配線１０の直前まで延びている。すなわち、本実施の形態の第１の孔１８ｂは、所謂ジャストエッチングに近い状態でＲＩＥを終了して形成した細孔である。
【００５４】
一方、本変形例の第１の孔１８ｃは、図７に示すように、層間絶縁膜１２を十分に残した状態でＲＩＥを終了するアンダーエッチングにより形成した細孔である。このような方法でも、反応生成物の形成を抑制した貫通孔を形成することができる。
【００５５】
以上の実施の形態で製造する集積回路装置は、ＦＥＲＡＭである。しかし、上記実施の形態は、種々の集積回路装置に適用できる。例えば、上記実施の形態は、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＩＣ（Integrated Circuit）タグ、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等の集積回路装置に適用することができる。
【００５６】
また、上記実施の形態では、配線層上の絶縁膜に貫通孔を形成している。しかし、上記実施の形態は、他の金属層（強誘電体キャパシタの上部電極、トランジスタの電極等）上の絶縁膜に貫通孔を形成する場合にも、適用することができる。
【００５７】
また、上記実施の形態では、ＴＥＯＳと酸素の混合ガスをプラズマ化してＳＩＯ膜を形成し、このＳＩＯ膜に貫通孔を形成している。しかし、貫通孔を形成する絶縁膜は、このようなＳＩＯ膜には限られない。例えば、シラン（ＳｉＨ４）と笑気（Ｎ２Ｏ）ガスの混合ガスをプラズマしてＳＩＯ膜を形成し、このＳＩＯ膜に貫通孔を形成してもよい。また、シラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）ガスの混合ガスをプラズマしてＳＩＮ膜を形成し、このＳＩＮ膜に貫通孔を形成してもよい。
【００５８】
また、上記実施の形態では、配線上の絶縁膜にＲＩＥを施している。しかし、絶縁膜に施す異方性エッチングは、ＲＩＥに限られない。例えば、ＥＣＲ（Electron-cyclotron resonance）エッチング等の他の異方性エッチングを、絶縁膜に施してもよい。
【００５９】
以上の実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００６０】
（付記１）
金属層上に形成された絶縁膜に異方性エッチングを施して、前記金属層に達する第１の孔を形成する第１の工程と、
前記絶縁膜に前記異方性エッチングを施して、前記第１の孔を含む大きさの第２の孔を形成する第２の工程とを有し、
前記第２の工程では、前記第１の孔に対応する第１の領域を除く前記第２の孔に対応する第２の領域で、前記第２の孔が前記金属層の上部に達する前又は達した時点で、前記異方性エッチングを終了する、
集積回路装置の製造方法。      
【００６１】
（付記２）
金属層上に形成された絶縁膜に異方性エッチングを施して、前記金属層に達する第１の孔を形成する第１の工程と、
前記絶縁膜に前記異方性エッチングを施して、前記第１の孔を含む大きさの第２の孔を形成する第２の工程とを有し、
前記第１の工程では、前記第１の孔に対応する第１の領域で前記金属層の上部をエッチングし、
前記第２の工程では、前記第１の領域を除く前記第２の孔に対応する第２の領域で、前記金属層の上部を、前記第１の工程より浅くエッチングする、
集積回路装置の製造方法。      
【００６２】
（付記３）
金属層上に形成された絶縁膜に異方性エッチングを施して、前記絶縁層内に止まる第１の孔を形成する第１の工程と、
前記絶縁膜に前記異方性エッチングを施して、少なくても前記第１の孔に対応する領域で前記金属層に達する、前記第１の孔を含む大きさの第２の孔を形成する第２の工程とを有する、
集積回路装置の製造方法。      
【００６３】
（付記４）
付記３に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記第１の孔に対応する領域を除く前記第２の孔に対応する領域で、前記第２の孔が前記金属層に達する前又は達した時点で、前記異方性エッチングを終了することを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。      
【００６４】
（付記５）
付記１乃至４のいずれか１項に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記第１の工程では、前記第１の孔に対応する開口部を有するフォトレジス膜を前記絶縁膜上に形成した後に、前記異方性エッチングを施し、
前記第２の工程では、前記第２の孔のサイズに対応して前記開口部を広げた後に、前記絶縁膜に前記異方性エッチングを施すことを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。      
【００６５】
(付記６)
付記５に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記第２の工程において、前記フォトレジスト膜を酸素プラズマ又はオゾンに曝して、前記開口部を広げることを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
【符号の説明】
【００６６】
１０・・・配線
１２・・・層間絶縁膜
１４・・・フォトレジスト膜
１６・・・開口部
１８・・・第１の孔
１９・・・第１の領域
２０・・・第２の孔
２１・・・第２の領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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