(57)【要約】【課題】セラミック多層基板部分の割れを防止し、その複合多層基板を用いた電気回路モジュールの製造歩留まりを向上することができる複合多層基板を提供する。【解決手段】セラミック多層基板２と、セラミック多層基板の表面に設けた樹脂基板３と、樹脂基板３の表面に銅箔層５と、を備える、複合多層基板１において、樹脂基板３は、セラミック多層基板２表面に接するように配置された第１の樹脂層６と、銅箔５に接するように配置された第２の樹脂層６を有し、第１の樹脂層６のヤング率は、第２の樹脂層７のヤング率より小さいことを特徴とした複合多層基板１とした。【選択図】図１
2011258735.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック多層基板と、
前記セラミック多層基板の表面に設けた樹脂基板と、
前記樹脂基板の表面に銅箔層と、
を備える、複合多層基板において、
前期樹脂基板は、前記セラミック多層基板表面に接するように配置された第１の樹脂層と、前記銅箔に接するように配置された第２の樹脂層を有し、
前記第１の樹脂層のヤング率は、前記第２の樹脂層のヤング率より小さいこと、
を特徴とする複合多層基板。 
【請求項２】
前記第１の樹脂層のヤング率が４．０［Ｇｐａ］以下で、かつ、第２の樹脂層のヤング率が２０．０［Ｇｐａ］以上である請求項１に記載の複合多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合多層基板と、その製造方法に関するものである。
従来のこの種複合多層基板の構造は、以下のようになっていた。
【０００２】
すなわち、セラミック多層基板と、このセラミック多層基板の表面に設けた樹脂基板とを備え、前記セラミック多層基板の表面には、内層ビアに接続された接続電極を設け、前記樹脂基板には、その一端側が前記セラミック多層基板の接続電極の表面上に接続される外部接続ビアと、この外部接続ビアの他端側に接続される外部接続端子とを設けた構成となっていた（たとえば下記特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２２３２２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記従来例における課題は、このセラミック多層基板と、樹脂基板と、銅箔の熱膨張係数が異なるため、例えば、電子部品実装直前に行われる複合多層基板への半田のリフロー時の熱印加時に、複合多層基板の４つ角に大きな応力がかかってしまうため、その複合多層基板のセラミック多層基板の角から割れてしまうということがあり、そのことによって、複合多層基板を用いた電気回路モジュールの製造歩留まりが低下するという事であった。
【０００５】
そこで、本発明は、複合多層基板のセラミック多層基板部分の割れを防止し、その複合多層基板を用いた電気回路モジュールの製造歩留まりを向上することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そして、セラミック多層基板と、前記セラミック多層基板の表面に設けた樹脂基板と、前記樹脂基板の表面に銅箔層と、を備える、複合多層基板において、前期樹脂基板は、前記セラミック多層基板表面に接するように配置された第１の樹脂層と、前記銅箔に接するように配置された第２の樹脂層を有し、前記第１の樹脂層のヤング率は、前記第２の樹脂層のヤング率より小さいこと、を特徴とする複合多層基板、とした。
【０００７】
これにより所期の目的を達成するものである。
【発明の効果】
【０００８】
以上のように本発明は、セラミック多層基板と、前記セラミック多層基板の表面に設けた樹脂基板と、前記樹脂基板の表面に銅箔層と、を備える、複合多層基板において、前期樹脂基板は、前記セラミック多層基板表面に接するように配置された第１の樹脂層と、前記銅箔に接するように配置された第２の樹脂層を有し、前記第１の樹脂層のヤング率は、前記第２の樹脂層のヤング率より小さいこと、を特徴とした複合多層基板であるので、複合多層基板のセラミック多層基板部分の割れを防止し、その複合多層基板を用いた電気回路モジュールの製造歩留まりを向上することができる。
【０００９】
すなわち、本発明においては、前期樹脂基板は、前記セラミック多層基板表面に配置された第１の樹脂層と、前記銅箔に接するように配置された第２の樹脂層という２層構造にし、更に、前記第１の樹脂層のヤング率は、前記第２の樹脂層のヤング率より小さくなるように配置したことによって、複合多層基板へ熱が印加されたとしても、複合多層基板内部の応力を緩和することができるので、その応力に起因する、複合多層基板のセラミック多層基板の一部が割れを防止することができ、その結果として、その複合多層基板を用いた電気回路モジュールの製造歩留まりを向上することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態１における複合多層基板の断面図
【図２】本発明の実施の形態１における複合多層基板のプロセスフローを示す図
【図３】本発明の実施の形態１におけるセラミック多層基板・樹脂層準備工程で準備するセラミック多層基板、樹脂層の断面図を示すものであり、（ａ）はセラミック多層基板を示す図、（ｂ）は第１の樹脂基板を示す図、（ｃ）は第２の樹脂基板を示す図
【図４】本発明の実施の形態１における積層配置工程を説明するための図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の一実施形態を図面とともに詳細に説明する。
（実施の形態１）
まず、はじめに、本発明の実施１における複合多層基板の構成に関して説明する。
図１は、実施の形態１における複合多層基板の断面図を示すものである。
複合多層基板１は、セラミック多層基板２の表面に設けた樹脂基板３と、その樹脂基板３の表面に銅箔層５とを備えている。また、樹脂基板３は、前記セラミック多層基板に接するように配置された第１の樹脂層６と、銅箔５に接するように配置された第２の樹脂層７の２層構造となっている。
【００１２】
ここで、第１の樹脂層６は、ヤング率が４．０［Ｇｐａ］以下の熱硬化絶縁樹脂を用い、第２の樹脂層７は、ヤング率が２０．０「Ｇｐａ」以上の熱硬化絶縁樹脂を用いている。
【００１３】
また、これら、第１の樹脂層６、第２の樹脂層７のビア８は、予め、例えば、ＮＣパンチプレス（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ｃｏｎｔｒｏｌパンチプレス）によって孔を形成し、その後、その孔に導体ペーストを充填することによって形成する。このビア８は、セラミック多層基板２と銅箔層６とを電気的な接続をもたせるために設けるものである。なお、本実施形態において、銀（Ａｇ）粒子とガラス成分を含有する導体ペーストを用いた。
【００１４】
また、本実施形態においては、セラミック多層基板２は、何れも、アルミナ粉末を５５［ｗｔ％］、ガラス粉末を４５［ｗｔ％］の割合で配合したガラス・セラミックの組成物で、シート状の形状のグリーンシートと呼ばれるものを、複数枚（少なくとも２枚以上）積層し、加圧し、その後、９００［℃］にて焼成することによって形成する。      
なお、本実施形態のセラミック多層基板２においては、４枚のグリーンシートを積層、焼成したものを用いた。
【００１５】
また、本実施形態において、セラミック多層基板２の内部にあるビア９は、前述の焼成前のグリーンシートに、予め、例えば、ＮＣパンチプレス（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ｃｏｎｔｒｏｌパンチプレス）によって孔を形成し、その後、その孔に導体ペーストを充填し、更に前述のセラミックシートを焼成する際に同時に焼成される事によって形成する。なお、本実施形態において、銀（Ａｇ）粒子とガラス成分を含有する導体ペーストを用いた。
【００１６】
また、本実施形態において、セラミック多層基板２の内部にある内部配線部１０は、前述の焼成前のグリーンシートに、予め、スクリーン印刷法を用いて所望のパターンに印刷して形成後、前述のセラミックシートを焼成する際に同時に焼成される事によって形成している。なお、本実施形態においては、銀（Ａｇ）粒子とガラス成分を含有する導体ペーストを用いた。
【００１７】
また、本実施形態において、セラミック多層基板２の表裏面の外部電極１１は、前述のグリーンシートを焼成後、導体ペーストをスクリーン印刷法を用いて所望のパターンに印刷して形成後、焼成することによって形成する。なお、本実施形態においては、ビア９、内部配線部１０と同じく、銀（Ａｇ）粒子とガラス成分を含有する導体ペーストを用いた。
【００１８】
それでは、以下に、本発明の実施の形態１における複合多層基板１の製造方法について説明する。
【００１９】
図２は、本実施形態の複合多層基板のプロセスフローを示す図であり、セラミック多層基板・樹脂基板準備工程であるステップ１と、積層配置工程であるステップ２と、熱プレス工程であるステップ３と、からなる。
【００２０】
先ずは、図３（ａ）〜（ｃ）を用いてステップ１について説明する。
【００２１】
［ステップ１：セラミック多層基板・樹脂基板準備工程］
図３は、本実施形態におけるセラミック多層基板・樹脂層準備工程で準備するセラミック多層基板、樹脂層の断面図を示すものであり、図３（ａ）はセラミック多層基板、図３（ｂ）は第１の樹脂基板、図３（ｃ）は第２の樹脂基板を示すものである。
図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、セラミック多層基板２、第１の樹脂層６、第２の樹脂層７を形成する。
【００２２】
なお、セラミック多層基板２が有するビア９、内部配線部１０、外部電極１１、第１の樹脂層６が有するビア８、第２の樹脂層７が有するビア９の形成方法は、前述したので、ここでの説明は省略する。
【００２３】
［ステップ２：積層配置工程］
図４は、本実施形態にける積層配置工程を説明するための図である。
【００２４】
まず、始めに、銅箔５上の所望の位置に、第２の樹脂層７、第１の樹脂層６、セラミック多層基板２、第１の樹脂層６、第２の樹脂層７、銅箔５の順に、それぞれのビア８、９が所望の位置になるように位置合わせをしながら積層配置する。
【００２５】
［ステップ３：熱プレス工程］
次に、ステップ２で積層された「銅箔５、第２の樹脂層７、第１の樹脂層６、セラミック多層基板２、第１の樹脂層６、第２の樹脂層７、銅箔５」という積層体を、この熱プレス工程にて、熱圧着を行なう。
【００２６】
「銅箔５、第２の樹脂層７、第１の樹脂層６、セラミック多層基板２、第１の樹脂層６、第２の樹脂層７、銅箔５」の積層体の上下方向にて、金属板を用いて熱及び圧力をかけることによって、セラミック基板２と銅箔５を、第２の樹脂層７、第２の樹脂層６によって接着する。
【００２７】
本実施形態においては、上下方向の圧力は０．５ＭＰａ、印加した熱の温度は２００℃、印加時間１時間で行なった。
【００２８】
以上のように、図２に示す本実施形態の複合多層基板のプロセスフローによって、図１に示すような複合多層基板１を製造することができる。
【００２９】
以上のように本実施形態においては、セラミック多層基板２と、セラミック多層基板の表面に設けた樹脂基板３と、前記樹脂基板の表面に銅箔層５と、を備える、複合多層基板１において、樹脂基板３は、セラミック多層基板２表面に接するように配置された第１の樹脂層６と、銅箔５に接するように配置された第２の樹脂層６を有し、第１の樹脂層６のヤング率は、第２の樹脂層７のヤング率より小さいこと、を特徴とした複合多層基板１であるので、複合多層基板１のセラミック多層基板２部分の割れを防止し、その複合多層基板１を用いた電気回路モジュールの製造歩留まりを向上することができる。
【００３０】
すなわち、本発明においては、樹脂基板３は、セラミック多層基板２表面に配置された第１の樹脂層６と、銅箔５に接するように配置された第２の樹脂層７という２層構造にし、更に、第１の樹脂層６のヤング率は、第２の樹脂層７のヤング率より小さくなるように配置したことによって、複合多層基板１へ熱が印加されたとしても、複合多層基板１内部の応力を緩和することができるので、その応力に起因する、複合多層基板１のセラミック多層基板２の角の割れを防止することができ、その結果として、その複合多層基板１を用いた電気回路モジュールの製造歩留まりを向上することができるのである。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明にかかるハイブリッド基板は、電子回路モジュールの生産性を更に向上する事ができるので、特に、最近普及の進んでいる液晶テレビや携帯電話の液晶画面用のバックライト向けＬＥＤ用の基板として有用である。
【符号の説明】
【００３２】
１  複合多層基板
２  セラミック多層基板２
３  樹脂基板
５  銅箔層
６  第１の樹脂層
７  第２の樹脂層
８  ビア
９  ビア
１０  内部配線部
１１  外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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