(57)【要約】【目的】１回目のパターニングにネガ型レジストを使用した場合でも２回目の描画の際にレジストに帯電する電荷を除去することが可能なマスクの製造方法を提供する。【構成】基板上に導電性の遮光膜とネガ型の第１のレジスト膜とを順に形成する工程と、遮光膜の層まで貫通するようにアース部材を切り込ませ、電子ビームを用いて基板上に第１のパターンを描画する工程と、描画後に、基板を現像し、第１のレジストパターンを形成する工程と、第１のレジストパターンをマスクとして、遮光膜をエッチングする工程と、エッチング後の遮光膜上に第２のレジスト膜と帯電防止膜とを順に形成する工程と、第１のパターンを描画する際とは異なる位置に基板の上方側から遮光膜の層まで貫通するようにアース部材を切り込ませ、電子ビームを用いて基板上に第２のパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
2011171465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電性の遮光膜とネガ型の第１のレジスト膜とを順に形成する工程と、
前記基板の上方側から前記遮光膜の層まで貫通するようにアース部材を切り込ませ、前記アース部材を切り込ませた状態で、荷電粒子ビームを用いて前記基板上に第１のパターンを描画する工程と、
前記第１のパターンを描画後に、前記基板を現像し、前記第１のレジストによる第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして、前記遮光膜をエッチングする工程と、
エッチング後の前記遮光膜上に第２のレジスト膜と前記第２のレジストの帯電を防止する帯電防止膜とを順に形成する工程と、
前記第１のパターンを描画する際に切り込ませた位置とは異なる位置に前記基板の上方側から前記遮光膜の層まで貫通するように前記アース部材を切り込ませ、前記アース部材を切り込ませた状態で、荷電粒子ビームを用いて前記基板上に第２のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする露光用マスクの製造方法。
【請求項２】
前記第１のパターンを描画する際に、前記第２のパターンを描画する際に前記アース部材を切り込ませる位置を露光することを特徴とする請求項１記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項３】
前記第２のパターンを描画する際に、前記第１のパターンを描画する際とは前記基板を配置する位相を変更することを特徴とする請求項１又は２記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項４】
前記位相は、前記基板を回転させることにより変更されることを特徴とする請求項３記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項５】
基板上に導電性の遮光膜とネガ型の第１のレジスト膜とを順に形成する工程と、
前記基板の上方側から前記遮光膜の層まで貫通するようにアース部材を切り込ませ、前記アース部材を切り込ませた状態で、荷電粒子ビームを用いて前記基板上に第１のパターンを描画する工程と、
前記第１のパターンを描画後に、前記基板を現像し、前記第１のレジストによる第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして、前記遮光膜をエッチングする工程と、
エッチング後の前記遮光膜上に第２のレジスト膜を形成する工程と、
前記基板の上方側から前記遮光膜の層まで貫通するように前記アース部材を切り込ませたときに前記アース部材の切り込み位置に前記遮光膜が存在するように前記基板の配置位置を制御し、前記アース部材を前記遮光膜まで切り込ませた状態で、荷電粒子ビームを用いて前記基板上に第２のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする露光用マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光用マスクの製造方法に係り、例えば、電子ビームを用いた描画と現像とを２回以上繰り返す露光用マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図７は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
【０００４】
ここで、上述した露光用のマスクの製造を行う際、マスク基板には、遮光膜、レジスト膜、及び帯電防止膜といった膜が順に形成され、描画工程、現像工程、及びエッチング工程といった一連の遮光膜のパターニングの工程が行われる。そして、パターンを描画する際に、電子ビームによるレジスト膜に帯電する電荷を地絡（アース）させるために、基板の上方から遮光膜まで届くようにピン等の部材を突き刺し、一般に帯電防止膜よりも導電性が良好な遮光膜を通じて電荷を地絡させる。ここで、１回の一連の遮光膜のパターニングの工程しか行わない場合には、通常マスク基板全面に遮光膜が形成されているので、かかる描画の際にアース用のピンを遮光膜に接触させることができる。
【０００５】
しかしながら、露光用のマスクの製造を行う際、かかる描画工程、現像工程、及びエッチング工程といった一連の遮光膜のパターニングの工程は、２回以上繰り返される場合がある。例えば、１回目の遮光膜のパターニングの際、遮光膜上にポジ型レジストを塗布した場合、アース用のピンに接触する領域は、通常、電子ビームがショットされない。仮に、ショットされたとしても、ピンが基板の上方から覆っているので、電子ビームがレジスト膜には照射されず、露光されない。そのため、かかる領域には現像後もレジストが残るので、遮光膜はエッチングされずに残ることになる。よって、２回目の遮光膜のパターニングの際、アース用のピンに接触する領域には、遮光膜が残っている。そのため、アース用のピンを遮光膜に接触させることができるので、かかる遮光膜を通してレジスト膜に帯電する電荷を地絡させることができる。
【０００６】
図８は、描画の際のステージ上に配置されたマスクの上面概念図である。
図９は、図８の２回目の描画の際のマスク基板の断面概念図である。
図８では、３つのアース用のピン３０１がレジスト膜等の塗布されたマスク基板３００上方に配置された様子を示している。図９では、マスク基板３００上に遮光膜３１０、レジスト膜３２０、及び帯電防止膜３３１が形成された様子を示している。ここでは、１回目の遮光膜のパターニングの際、ポジ型レジストを使用した例を示している。そのため、図８に示す２回目の描画の際にピン３０１に接触する領域には、遮光膜３１０が残っている。そして、遮光膜３１０を通じて電荷を地絡させる。ここで、従来、図９に示したようなレジスト膜３２０を遮光膜３１０及び帯電防止膜３３１よりも内側に形成することで帯電防止膜３３１が遮光膜３１０に接触するように膜を形成する例が文献に開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２３０１９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、１回目の遮光膜のパターニングの際、ポジ型レジストを使用する場合には、２回目の遮光膜のパターニングの際、アース用のピンに接触する領域に遮光膜が残っている。そのため、アース用のピンを遮光膜に接触させることができるので、かかる遮光膜を通してレジスト膜に帯電する電荷を地絡させることができる。しかしながら、１回目の遮光膜のパターニングの際、ネガ型レジストを使用する場合には、アース用のピンに接触する領域は、ピンが上方から基板のかかる領域を覆っているので電子ビームが照射されず、露光されない。そのため、かかる領域では現像後にレジストが除去されてしまうので、遮光膜はエッチングされて無くなってしまう。
【０００９】
図１０は、１回目のパターニングにポジ型レジストを使用した場合における２回目の描画の際のマスク基板の断面概念図である。図１０では、レジスト膜３２２が帯電防止膜３３１よりも外側まで形成された例を示している。図１０に示すように、１回目の遮光膜３１２のパターニングの際、ネガ型のレジスト膜３２２を使用した結果、アース用のピン３０１に接触する領域には、遮光膜３１２が残らない。そのため、ピン３０１を基板上方から切り込ませてもピン３０１と遮光膜３１２は接触せず、十分な電荷の地絡は困難であった。図９に示したようなレジスト膜３２０を遮光膜３１０及び帯電防止膜３３１よりも内側に形成した場合でも１回目のパターニングにネガ型レジストを使用した場合には同様の問題が生じる。以上のように、１回目のパターニングにネガ型レジストを使用した場合、２回目の描画の際にレジストに帯電する電荷を除去することが困難であるといった問題があった。しかしながら、かかる問題を十分に解決する手法は従来確立されていなかった。
【００１０】
そこで、本発明は、かかる問題を克服し、１回目のパターニングにネガ型レジストを使用した場合でも２回目の描画の際にレジストに帯電する電荷を除去することが可能なマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様の露光用マスクの製造方法は、
基板上に導電性の遮光膜とネガ型の第１のレジスト膜とを順に形成する工程と、
基板の上方側から遮光膜の層まで貫通するようにアース部材を切り込ませ、アース部材を切り込ませた状態で、荷電粒子ビームを用いて基板上に第１のパターンを描画する工程と、
第１のパターンを描画後に、基板を現像し、第１のレジストによる第１のレジストパターンを形成する工程と、
第１のレジストパターンをマスクとして、遮光膜をエッチングする工程と、
エッチング後の遮光膜上に第２のレジスト膜と第２のレジストの帯電を防止する帯電防止膜とを順に形成する工程と、
第１のパターンを描画する際に切り込ませた位置とは異なる位置に基板の上方側から遮光膜の層まで貫通するようにアース部材を切り込ませ、アース部材を切り込ませた状態で、荷電粒子ビームを用いて基板上に第２のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
かかる構成により、第１のパターンを描画する際に切り込ませた位置とは異なる位置にアース部材を切り込ませることができる。よって、アース部材を遮光膜に接触することが出来得る。
【００１３】
また、第１のパターンを描画する際に、第２のパターンを描画する際にアース部材を切り込ませる位置を露光すると好適である。
【００１４】
また、第２のパターンを描画する際に、第１のパターンを描画する際とは基板を配置する位相を変更するように構成すると好適である。
【００１５】
また、かかる位相は、基板を回転させることにより変更されるように構成すると好適である。
【００１６】
本発明の一態様の露光用マスクの製造方法は、
基板上に導電性の遮光膜とネガ型の第１のレジスト膜とを順に形成する工程と、
基板の上方側から遮光膜の層まで貫通するようにアース部材を切り込ませ、アース部材を切り込ませた状態で、荷電粒子ビームを用いて基板上に第１のパターンを描画する工程と、
第１のパターンを描画後に、基板を現像し、第１のレジストによる第１のレジストパターンを形成する工程と、
第１のレジストパターンをマスクとして、遮光膜をエッチングする工程と、
エッチング後の遮光膜上に第２のレジスト膜を形成する工程と、
基板の上方側から遮光膜の層まで貫通するようにアース部材を切り込ませたときにアース部材の切り込み位置に遮光膜が存在するように基板の配置位置を制御し、アース部材を遮光膜まで切り込ませた状態で、荷電粒子ビームを用いて基板上に第２のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、１回目の描画にネガ型レジストを使用した場合でも２回目の描画の際にレジストに帯電する電荷を除去できる。その結果、高精度な位置にパターンを描画できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における露光用マスクの製造工程の要部工程の一部を示す工程断面図である。
【図３】実施の形態１における露光用マスクの製造工程の要部工程の残部を示す工程断面図である。
【図４】実施の形態１におけるマスク基板の配置位置を示す概念図である。
【図５】実施の形態１における描画時にマスク配置位置を示す上面概念図である。
【図６】実施の形態１における２回目の描画時における基板断面の一例を示す概念図である。
【図７】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【図８】描画の際のステージ上に配置されたマスクの上面概念図である。
【図９】図８の２回目の描画の際のマスク基板の断面概念図である。
【図１０】１回目のパターニングにポジ型レジストを使用した場合における２回目の描画の際のマスク基板の断面概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
実施の形態１
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子を用いたビームでも構わない。
【００２０】
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図１において、描画装置１００は、描画部１５０と図示しない制御部を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例であり、図１では、特に可変成形型電子線描画装置の一例を示している。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を有している。
【００２１】
そして、電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８が配置されている。描画室１０３には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５には、基板１０１を昇降可能に支持する支持ピン１０６が配置され、支持ピン１０６上に試料となる基板１０１が配置される。基板１０１は、ベースとなる石英基板上に遮光膜と少なくともレジスト膜が形成されている。レジスト膜上にさらに帯電防止膜を形成されるとより好適である。そして、ＸＹステージ１０５上には、基板１０１に帯電する電荷、特に、描画の際、レジスト膜に帯電する電荷を地絡（アース）させるためのアース部材１０が配置される。アース部材１０は、ピン１２と支持部材１４とを有している。アース部材１０はアース接続されている。そして、基板１０１が配置された状態で支持ピン１０６が上昇することでピン１２が基板１０１の上方から基板１０１上に形成された膜を切り込み、導電性の膜に接続する。図１では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
【００２２】
電子銃２０１から照射された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により集光され、矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向されて、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上の試料となる基板１０１の所望する位置に照射される。
【００２３】
また、電子鏡筒１０２内およびＸＹステージ１０５が配置された描画室１０３内は、図示していない真空ポンプにより真空引きされ、大気圧よりも低い圧力となる真空雰囲気となっている。
【００２４】
図２は、実施の形態１における露光用マスクの製造工程の要部工程の一部を示す工程断面図である。図２では、第１回目の遮光膜のパターニングの各工程を示している。図２において、「Ａ」と「Ｂ」は、基板外周部の異なる位置を示している。
【００２５】
図２（ａ）において、遮光膜形成工程として、石英基板２０上に導電性の遮光膜３０が形成される。遮光膜３０は、例えば、クロム（Ｃｒ）膜が好適である。また、石英基板２０と遮光膜３０の間に、他の膜が形成されていても構わない。遮光膜３０は、石英基板２０全面に形成されるとよい。少なくともピン１２が突き刺さる領域までは形成される。
【００２６】
図２（ｂ）において、１回目のレジスト膜形成工程として、遮光膜３０上にネガ型のレジスト材が塗布され、ネガ型のレジスト膜４０（第１のレジスト膜）が形成される。
【００２７】
図２（ｃ）において、１回目の帯電防止膜形成工程として、レジスト膜４０上に電子ビーム２００によるレジスト膜の帯電を防止する帯電防止膜５０が形成される。帯電防止膜５０は、例えば、樹脂材料やＩＴＯ等の導電性膜が用いられる。帯電防止膜５０は、一般に遮光膜３０に比べて導電性が低い材料が用いられる。ここでは、帯電防止膜５０を形成しているがこれに限るものではなく、無くても構わない。
【００２８】
図２（ｄ）において、１回目の描画工程として、基板１０１の上方側から遮光膜３０の層まで貫通するようにアース部材１０、特に、ピン１２を切り込ませ、アース部材１０を切り込ませた状態で、電子ビーム２００を用いて基板１０１上にパターン（第１のパターン）を描画する。具体的には、上述した遮光膜３０やレジスト膜４０等が形成された基板１０１を支持ピン１０６上に配置する。そして、基板１０１が配置された状態で支持ピン１０６が上昇することでピン１２が基板１０１の上方から基板１０１上に形成された膜を切り込み、導電性の遮光膜３０に接続する。かかる状態で、電子ビーム２００のショット６０を所定の位置に照射して、レジスト膜４０を露光する。その際、アース部材１０が配置される領域では、ビームを照射しないのが通常である。照射してもレジスト膜４０まで届かないのでいずれにしてもアース部材１０が配置される領域ではレジスト膜４０は露光されない。電子ビーム２００によってレジスト膜４０に帯電した電荷は遮光膜３０を通じてピン１２に流れ、アースされる。帯電防止膜５０とピン１２との間は、ピン１２を食い込まれる際に、隙間が生じやすく、接触面積が小さい。そのため、帯電防止膜５０に導電性があっても遮光膜３０に比べて抵抗が大きく遮光膜３０に比べてアースされにくい。
【００２９】
図２（ｅ）において、１回目の現像工程として、１回目の描画工程によってパターンを描画後に、基板１０１を現像し、レジスト膜４０によるレジストパターン４２（第１のレジストパターン）を形成する。ここで、ピンが切り込まれた領域Ａの基板外周部では、電子ビーム２００が照射されないのでレジスト膜４０が露光されず、現像によって除去される。また、ピンが切り込まれていない領域Ｂの基板外周部では、１回目の描画工程で電子ビーム２００が照射されるようにすることでレジスト膜４０が露光される。その結果、現像によって除去されずに残る。
【００３０】
図２（ｆ）において、１回目のエッチング工程として、レジストパターン４２をマスクとして、遮光膜３０をエッチングする。ピンが切り込まれた領域Ａの基板外周部では、レジストパターン４２の開口部となっているので遮光膜３０がエッチングされ除去される。一方、ピンが切り込まれていない領域Ｂの基板外周部では、レジスト膜４０が残っているので遮光膜３０がエッチングされずに残る。
【００３１】
図２（ｇ）において、１回目のアッシング工程として、レジストパターン４２を除去することで１回目の遮光膜３０のパターニングが完成する。
【００３２】
図３は、実施の形態１における露光用マスクの製造工程の要部工程の残部を示す工程断面図である。図３では、第２回目の遮光膜のパターニングの各工程を示している。図３において、図２の領域Ａ，Ｂとは位置を逆に示している。
【００３３】
図３（ａ）において、２回目のレジスト膜形成工程として、１回目のエッチング後の１回目のパターニングが行なわれた遮光膜３０上にレジスト材が塗布され、レジスト膜４４（第２のレジスト膜）が形成される。レジスト膜４４は、ネガ型でもポジ型でもどちらでも構わない。ここでは、一例として、ネガ型を用いた場合を示している。
【００３４】
図３（ｂ）において、２回目の帯電防止膜形成工程として、レジスト膜４４上に電子ビーム２００によるレジスト膜４４の帯電を防止する帯電防止膜５２が形成される。帯電防止膜５２は、帯電防止膜５０と同様、例えば、樹脂材料やＩＴＯ等の導電性膜が用いられる。帯電防止膜５２は、帯電防止膜５０と同様、一般に遮光膜３０に比べて導電性が低い材料が用いられる。ここでは、帯電防止膜５２を形成しているがこれに限るものではなく、無くても構わない。
【００３５】
図２（ｃ）において、２回目の描画工程として、まず、１回目の描画工程においてパターンを描画する際に切り込ませた位置とは異なる位置に基板１０１の上方側から遮光膜３０の層まで貫通するようにアース部材１０、特に、ピン１２を切り込ませる。そして、アース部材１０を切り込ませた状態で、電子ビーム２００を用いて基板１０１上にパターン（第２のパターン）を描画する。
【００３６】
図４は、実施の形態１におけるマスク基板の配置位置を示す概念図である。図４において、１回目の描画工程で基板１０１には、例えば３箇所でアース部材１０によって、その領域が覆われる。そして、２回目の描画工程では、基板１０１を回転させることにより基板１０１を配置する位相を変更する。図４では、例えば、１８０度回転させることで、１回目の描画工程でパターンを描画する際とは基板１０１を配置する位相を変更する。ここで、１回目の描画工程でパターンを描画する際に、２回目の描画工程でパターンを描画する際にアース部材１０を切り込ませる位置を露光する。これにより、２回目の描画工程でアース部材１０を切り込ませる領域（位置）では、１回目の現像工程後でもレジスト膜４０が残り、その結果、１回目のエッチング工程後でも遮光膜３０を残すことができる。回転角度は、１８０度に限るものではない。その他の角度でも良い。１回目の描画工程で露光された領域が２回目の描画工程でアース部材１０を切り込ませる領域になればよい。言い換えれば、基板１０１の上方側から遮光膜３０の層まで貫通するようにアース部材１０を切り込ませたときにアース部材１０の切り込み位置に遮光膜３０が存在するように基板１０１の配置位置を制御すればよい。
【００３７】
図５は、実施の形態１における描画時にマスク配置位置を示す上面概念図である。１回目の描画工程でも２回目の描画工程でも描画装置１００におけるアース部材１０の位置は同じなので、基板１０１を回転させることで１回目の描画工程と２回目の描画工程とで基板１０１の位相をずらす。
【００３８】
図６は、実施の形態１における２回目の描画時における基板断面の一例を示す概念図である。遮光膜３０やレジスト膜４４等が形成された基板１０１が支持ピン１０６上に配置された状態で基板１０１が配置された状態で支持ピン１０６が上昇することでピン１２が基板１０１の上方から基板１０１上に形成された膜を切り込み、導電性の遮光膜３０に接続する。実施の形態１では、１回目のパターニング時にネガ型のレジスト膜４０を用いても基板１０１の配置位置をずらすことでアース部材１０が配置される領域下に遮光膜３０を残すことができる。かかる状態で、電子ビーム２００のショット６２を所定の位置に照射して、レジスト膜４４を露光する。電子ビーム２００によってレジスト膜４４に帯電した電荷は遮光膜３０を通じてピン１２に流れ、アースされる。帯電防止膜５２とピン１２との間は、ピン１２を食い込まれる際に、隙間が生じやすく、接触面積が小さい。そのため、帯電防止膜５２に導電性があっても遮光膜３０に比べて抵抗が大きく遮光膜３０に比べてアースされにくい。よって、遮光膜３０にピン１２を接触させることで十分にレジスト膜４４に帯電した電荷を逃がすことができる。
【００３９】
図３（ｄ）において、２回目の現像工程として、２回目の描画工程によってパターンを描画後に、基板１０１を現像し、レジスト膜４４によるレジストパターン４６（第２のレジストパターン）を形成する。ここで、ピン１２が切り込まれた領域Ｂの基板外周部では、電子ビーム２００が照射されないのでレジスト膜４４が露光されず、現像によって除去される。また、ピンが切り込まれていない領域Ａの基板外周部では、２回目の描画工程で例えば電子ビーム２００が照射されることでレジスト膜４４が露光される。その結果、現像によって除去されずに残る。
【００４０】
図３（ｅ）において、２回目のエッチング工程として、レジストパターン４６をマスクとして、基板１０１をエッチングする。ここでは、一例として、レベンソン型の位相シフトマスクを製造する場合を示している。そのため、石英基板２０をドライエッチングして所定の深さになるまで掘り込んで開口部７０を形成する。
【００４１】
図３（ｆ）において、ウェットエッチング工程として、石英基板２０をウェットエッチングして、開口部７０を等方に広げて水平方向（基板面と平行な方向）にも広がった開口部７２を形成する。そして、２回目のアッシング工程として、レジストパターン４６を除去することで２回目の遮光膜３０のパターニングが完成する。
【００４２】
以上により、例えば、レベンソン型の位相シフトマスクを製造できる。但し、レベンソン型の位相シフトマスクに限るものではなく、遮光膜３０をさらにエッチングするようなパターニングを行っても構わない。
【００４３】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、アース部材１０として、ピン１２を用いる場合を示したが、先細りしたピン状の部材ではなく、ブレード状の部材で基板上方から遮光膜まで切り込むようにしてもよい。
【００４４】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００４５】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての露光用マスクの製造方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４６】
１０  アース部材
１２  ピン
１４  支持部材
２０  石英基板
３０  遮光膜
４０，４４  レジスト膜
４２，４６  レジストパターン
５０，５２  帯電防止膜
６０，６２  ショット
７０，７２  開口部
１００  描画装置
１０１  基板
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１０６  支持ピン
１５０  描画部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３  第１のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５，２０８  偏向器
２０６  第２のアパーチャ
２０７  対物レンズ
３００  マスク基板
３０１  ピン
３１０，３１２  遮光膜
３２０，３２２  レジスト膜
３３０  電子線
３３１  帯電防止膜
３４０  試料
４１０  第１のアパーチャ
４１１  開口
４２０  第２のアパーチャ
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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