(57)【要約】【課題】高誘電率で優れた耐熱剥離性（密着力）有するフィルムコンデンサを提供する。【解決手段】ポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムを基体とし、前記基体のフッ素化またはスルホン化された表面に金属蒸着膜が形成されていることを特徴とし、好ましくは、（イ）ポリプロピレンフィルム基体の表面のフッ素原子濃度が５at％〜４８at％、または硫黄原子濃度が１at％〜２３at％であり、（ロ）ポリエチレンテレフタレートフィルム基体の表面のフッ素原子濃度が２at％〜５０at％、または硫黄原子濃度が１at％〜３０at％以下であるフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム、および、該金属蒸着フィルムによって製造されたフィルムコンデンサ。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムを基体とし、前記基体のフッ素化またはスルホン化された表面に金属蒸着膜が形成されていることを特徴とするフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム。
【請求項２】
前記ポリプロピレンフィルム基体の表面のフッ素原子濃度が５at％〜４８at％、または、硫黄原子濃度が１at％〜２３at％であることを特徴とする請求項１に記載するフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム。
【請求項３】
前記ポリエチレンテレフタレートフィルム基体の表面のフッ素原子濃度が２at％〜５０at％、または、硫黄原子濃度が１at％〜３０at％以下であることを特徴とする請求項１に記載するフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム。
【請求項４】
前記蒸着金属が銅、アルミニウム、亜鉛、スズ、あるいはこれらの金属からなる合金であり、前記金属蒸着膜の膜厚が１０nm〜１００nmであることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載するフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム。
【請求項５】
請求項１から請求項４の何れかに記載するフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルムを使用して製造されたフィルムコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムを基体とし、該基体表面に金属が蒸着されたフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム、および、それを使用して製造された高誘電率で優れた耐熱性剥離性（密着性）有するフィルムコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
高分子フィルム、特に、ポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムを誘電体基体とし、その表面に電極として金属蒸着層を有するフィルムを用いた金属化フィルムコンデンサは、セルフヒーリング性（自己回復性）、温度および周波数に依存する容量変化が小さいことから広く利用されている。
【０００３】
これらの金属化フィルムコンデンサは、体積あたりの静電容量が他の種類のコンデンサと比較して小さく、体積あたりの静電容量増加が望まれている。静電容量を増加するためには電極間距離を短くする必要があり、誘電体となる高分子フィルムの厚みを薄くして静電容量を増加することが行われている。しかし、プラスチックフィルム厚みを薄くしすぎると誘電体の絶縁抵抗が低下し耐電圧特性が低下する問題が生じてしまい、また、金属蒸着製造工程、コンデンサ製造工程の作業性が著しく低下することも懸念される。
【０００４】
そこで、体積あたりの静電容量を増加させるために、（イ）誘電率が高いポリフッ化ビニリデンとポリプロピレンのコポリマーフィルムを用いて静電容量を増加させる技術（特許文献１）、（ロ）ポリフッ化ビニリデンよりも誘電率が高いＶｄＦ系ポリマー、チタン酸バリウム系酸化物粒子などを含むフィルムを用いて静電容量を増加させる技術（特許文献２）などが知られている。
【０００５】
しかし、ポリフッ化ビニリデンなどのフッ素系樹脂のフィルムは特殊であり、フィルムコンデンサとして一般的に利用されているＰＰフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルムに比較してコストが高くなる欠点がある。また、フッ素系樹脂のフィルムはポリプロピレンフィルムおよびポリエチレンテレフタレートフィルムに比較して耐張力、耐引裂性に劣り、生産性を低下させることがあり、適用範囲が制限されている。
【０００６】
一方、一般的な素材であるポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどは耐熱性がやや低いので、耐熱性を高めるために、ポリフェニレンサルファイドフィルムを使用したコンデンサも実用化されているが、フィルムのコストが高く、またフィルム種に依存した温度依存性が大きいため広い温度範囲での使用が制限される。
【０００７】
最近では、金属化フィルムコンデンサの耐電圧特性などの信頼性を高めるために、金属蒸着フィルムの金属蒸着層をより薄くすることも望まれている。金属蒸着層を薄くすれば、重ね合わされた２枚のフィルムの金属蒸着層間に短絡が生じた場合にも、その短絡箇所の金属蒸着層がより少ないジュール熱で局部的に蒸発するようになり、金属蒸着フィルムにダメージを与えずに短絡が解消され易く、いわゆる自己回復性が向上するのでコンデンサの耐電圧特性が向上し、また、蒸着金属量が少なくて済むため、製造コストが削減でき、製造効率も高めることができるからである。
【０００８】
しかし、金属蒸着層を薄くすると、フィルムコンデンサ製造工程での酸化やプラスチックフィルムからの水分による酸化により、蒸着金属層の密着性が低下して、プラスチックフィルム表面に対する蒸着金属層の密着性が低下して蒸着金属層が剥離し易くなり、また蒸着金属の酸化が進み静電容量が低下するなどの問題が生じる。
【０００９】
このような静電容量の低下を避けるために、（イ）プラスチックフィルムの金属蒸着層の表面に金属アルコキシドの加水分解物からなる誘電体層を設けて単位面積あたりの静電容量を高める技術（特許文献３）、（ロ）アルミニウム蒸着層を有するフィルムと亜鉛蒸着層を有するフィルムを交互に積層することによって静電容量の低下を防止する技術（特許文献４）などが知られている。
【００１０】
しかし、従来の前記技術においても、プラスチックフィルムからの水分による酸化によりプラスチックフィルム表面に対する金属蒸着層の密着性が低く、あるいはフィルム表面と金属蒸着層との境界層が不安定であると、静電容量や耐熱性について十分な効果を得ることができない。
【００１１】
一方、金属蒸着膜の亀裂や欠落を防止するため、金属蒸着膜が設けられるポリプロピレンフィルム表面の原子構成比を限定し、亜鉛を蒸着金属として用いる技術が知られているが（特許文献５）、特定の組成を有するプラスチックフィルムに限定されるので適用が限られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特表２００３−５０２８５６号公報
【特許文献２】特開２００９−２７７８６６号公報
【特許文献３】特開平６−１９６３５８号公報
【特許文献４】特開２００９−２７７８２９号公報
【特許文献５】特開平６−２５６９３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、フィルムコンデンサ用金属蒸着フィルムおよびそのフィルムコンデンサにおける前記問題を解決したものであり、表面がフッ素化またはスルホン化されたポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムを基体とし、その基体表面に金属が蒸着されたフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム、および、その金属蒸着フィルムを使用して製造された高誘電率で優れた耐熱剥離性（密着力）有するフィルムコンデンサを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、鋭意検討の結果、表面が適切な原子濃度にフッ素化またはスルホン化されたポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムを基体とし、該基体表面に金属が蒸着されたフィルムコンデンサ用の金属蒸着フィルムは、特に、高誘電率で優れた耐熱剥離性を有することを見出した。
【００１５】
本発明は、前記知見に基づいて従来の課題を解決したものであり、以下の構成からなる高誘電率で優れた耐熱剥離性を有するフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム、および該金属蒸着フィルムからなるフィルムコンデンサに関する。
〔１〕ポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムを基体とし、前記基体のフッ素化またはスルホン化された表面に金属蒸着膜が形成されていることを特徴とするフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム。
〔２〕前記ポリプロピレンフィルム基体の表面のフッ素原子濃度が５at％〜４８at％、または、硫黄原子濃度が１at％〜２３at％であることを特徴とする前記[１]に記載するフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム。
〔３〕前記ポリエチレンテレフタレートフィルム基体の表面のフッ素原子濃度が２at％〜５０at％、または、硫黄原子濃度が１at％〜３０at％以下であることを特徴とする前記[１]に記載するフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム。
〔４〕前記蒸着金属が銅、アルミニウム、亜鉛、スズ、あるいはこれらの金属からなる合金であり、前記金属蒸着膜の膜厚が１０nm〜１００nmであることを特徴とする前記[１]から前記[３]の何れかに記載するフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム。
〔５〕前記[１]から前記[４]の何れかに記載するフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルムを使用して製造されたフィルムコンデンサ。
【００１６】
本発明のフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルムは、ポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムを基体とし、前記基体のフッ素化またはスルホン化された表面に金属蒸着膜が形成されており、ポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムの表面を適切な原子濃度にフッ素化またはスルホン化することによって、この表面上に形成される金属蒸着膜との密着性が良くなり、また、これらのフィルム自体に含まれる水分の酸化を抑えるので、特に高温での使用時に、フィルム表面の金属蒸着膜の剥離や欠落が殆ど生じないので、高誘電率で優れた耐熱剥離性を有することができる。
【００１７】
本発明のフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルムは、前記ポリプロピレンフィルムを基体として用いるものは、該基体表面のフッ素原子濃度が５at％〜４８at％、または硫黄原子濃度が１at％〜２３at％であるものが好ましい。フッ素原子濃度が５at％未満では、金属蒸着膜との充分な密着性が得られず、４８at％を超えると、耐熱剥離性の低下をきたす。また、硫黄原子濃度が１at％未満では、金属蒸着膜との充分な密着性が得られず、２３at％を超えると、耐熱剥離性の低下をきたす。
【００１８】
本発明のフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルムは、前記ポリエチレンテレフタレートフィルムを基体として用いるものは、該基体表面のフッ素原子濃度が２at％〜５０at％、または硫黄原子濃度が１ａｔ％〜３０ａｔ％以下であるものが好ましい。フッ素原子濃度が２at％未満では金属蒸着膜との充分な密着性が得られず、５０at％を超えると耐熱剥離性の低下をきたす。また、硫黄原子濃度が１at％未満では金属蒸着膜との充分な密着性が得られず、３０at％を超えると耐熱剥離性の低下をきたす。
【００１９】
本発明のフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルムは、前記蒸着金属が銅、アルミニウム、亜鉛、スズ、あるいはこれらの金属からなる合金であり、前記金属蒸着膜の膜厚が１０nm〜１００nmであることが好ましい。膜厚が１０nm未満であると十分な静電容量を得ることが難しくなる。膜厚が１００nmを超えると重量が増し、経済性も低下する。
【００２０】
本発明のフィルムコンデンサは、本発明のフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルムを使用して製造されたことを特徴とする。本発明のフィルムコンデンサは、高誘電率で優れた耐熱剥離性（密着性力）を示す。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルムは、表面がフッ素化またはスルホン化されたポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムからなる基体面に金属が蒸着されおり、高誘電率で優れた耐熱剥離性を有する。本発明のフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルムを使用して製造されたフィルムコンデンサは、高誘電率で温度依存性が小さく優れた耐熱性有する。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を実施形態に基づいて具体的に説明する。
本発明のフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルムは、ポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムを基体とし、前記基体のフッ素化またはスルホン化された表面に金属蒸着膜が形成されていることを特徴とする。
【００２３】
ポリエステルフィルムは安価で使用しやすい利点がある。一方、ポリプロピレンフィルムはポリエステルフィルムよりも高精度、高性能なフィルムコンデンサを形成できる利点がある。ポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムの厚さは用途に応じて適宜設定されるが、一般的には０.５〜２５μｍが適当であり、１.５〜１６μｍが好ましい。
【００２４】
基体のポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムの表面（片面または両面）は、フッ素化あるいはスルホン化されている。
【００２５】
フッ素化処理は、例えば、フィルムをフッ素ガスまたはフッ素含有ガスに接触させて、フィルム表面をフッ素と反応させても良く、フッ素化剤を含む処理液にフィルムを浸漬しても良く、ＨＦ系イオン液体中で電解フッ素化を行う方法でも良い。何れの場合でも、フッ素化の程度は、フッ素濃度、反応時間、反応温度などを調整することにより制御される。
【００２６】
フッ素化ガスとしては、フッ素ガスに窒素ガスを混合した希釈ガス（フッ素ガス濃度０．１〜１０vol％程度）を用い、反応温度２０℃〜２００℃、反応時間数分〜２時間程度で反応させれば良い。
【００２７】
フッ素化剤としては、例えば、Ｎ-フルオロー’Ｎ−クロロメチルトリエチレンジアミン ビス（テトラフルオロほう酸）、トリフルオロメタンスルホン酸−Ｎ−フルオロピリジウム、テトラフルオロボレート−Ｎ−フルオロピリジウム、テトラフルオロボレート−Ｎ−フルオロ−２，４，６−トリメチルピリジウム、トリフルオロメタンスルホン酸−フルオロ−２，４，６−トリメチルピリジウムなどを用いることができる。
【００２８】
また、フッ素化処理に先立ち、フィルム表面を酸化処理することによって、より温和な条件でフッ素化することができる。この事前の酸化処理は、例えば、飽和水蒸気を含んだ窒素ガスを雰囲気下の反応室にフィルムを導入し、１００℃〜２００℃に数分加熱すれば良い。
【００２９】
スルホン化は、例えば、スルホン化剤を溶解した処理液にフィルムを浸漬処理することによりなされる。スルホン化処理液としては、例えば、硫酸、クロロスルホン酸などをジクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素などの塩素系溶媒で希釈した溶液を用いることができる。また、発煙硫酸液中に浸漬する、或いは、フッ素ガスと亜硫酸ガスの雰囲気中に数分〜２時間程度放置することでも処理できる。
【００３０】
何れの場合でも、スルホン化の程度は、処理時間、処理液の硫酸濃度ないしスルホン酸濃度、液温、発煙硫酸濃度、亜硫酸ガス濃度などによって制御することができる。例えば、一般的には、処理温度３０℃〜２００℃、処理時間は２分〜２時間であれば良い。
【００３１】
フッ素化の程度、あるいはスルホン化の程度は、例えば、フィルム表面のフッ素原子濃度あるいは硫黄原子濃度をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）などによって、フィルム表面の任意の箇所について測定し、その測定データから判断することができる。
【００３２】
ポリプロピレンフィルムを用いた基体については、該基体表面のフッ素原子濃度が５at％〜４８at％、または硫黄原子濃度が１at％〜２３at％であれば良い。フッ素原子濃度が５at％未満では金属蒸着膜との充分な密着性が得られず、４８at％を超えると耐熱剥離性の低下をきたす。また、硫黄原子濃度が１at％未満では金属蒸着膜との充分な密着性が得られず、２３at％を超えると耐熱剥離性の低下をきたす。
【００３３】
ポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた基体については、該基体表面のフッ素原子濃度が２at％〜５０at％、または硫黄原子濃度が１at％〜３０at％であれば良い。フッ素原子濃度が２at％未満では金属蒸着膜との充分な密着性が得られず、５０at]％を超えると耐熱剥離性の低下をきたす。また、硫黄原子濃度が１at％未満では金属蒸着膜との充分な密着性が得られず、３０at％を超えると耐熱剥離性の低下をきたす。
【００３４】
本発明の金属蒸着フィルムは、基体フィルムのフッ素化またはスルホン化された表面に金属蒸着膜が設けられている。金属蒸着膜の形成方法は、例えば、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングあるいはメッキなどの方法を用いることができる。
【００３５】
蒸着金属の種類は、例えば、アルミニウム、亜鉛、スズ、ニッケル、クロム、鉄、銅、チタン、あるいはこれらの金属を含有する合金等が挙げられる。コンデンサの電気特性や生産性の面からは、亜鉛、アルミニウム、スズ、またはそれらを含む合金が好ましく用いられる。
【００３６】
金属蒸着膜の厚さは１０nm〜１００nmが適当であり、３０nm〜８０nmが好ましい。この膜厚が１０nm未満であると十分な静電容量を得ることが難しくなる。また、この膜厚が１００nmより厚いと重量が増し、経済性も低下する。
【００３７】
本発明のフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルムは、ポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムを基体とし、フッ素化またはスルホン化された基体面上に金属が蒸着されおり、高誘電率で優れた耐熱剥離性を有する。本発明のフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルムを使用して製造されたフィルムコンデンサは、高誘電率で温度依存性が小さく優れた耐熱性有する。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明の実施例を示す。なお、以下の実施例において、誘電率は日本工業規格〔JIS C2151〕に準拠し、２０℃、１ｋＨで測定した。密着力は日本工業規格〔JIS C6471〕に準拠して測定した。また、フッ素及び硫黄の原子濃度はＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）にて測定した。
【００３９】
〔実施例１〕
厚さ４μmのポリプロピレンフィルムを、フッ素化ガス（フッ素ガスに窒素ガスを混合、フッ素ガス量１vol％）雰囲気の反応室に入れ、１０分間、５０℃に保持してフィルムの両表面をフッ素化処理した。これを純水で洗浄し、乾燥した後に、フッ素化処理したフィルム両表面にアルミニウムを膜厚５０nmに蒸着して金属蒸着フィルムを形成し、フッ素原子濃度、誘電率を測定し、結果を表１に示した。
また、乾燥後のフッ素化処理されたフィルムの片面に銅を膜厚５０ｎｍに蒸着して、さらに銅を電解めっき法にて８μｍの厚みに形成した。この金属めっきフィルムについて、フィルムと金属の常温および耐熱試験後（１００℃にて１時間）の密着力を測定し、結果を表１に示した。
比較基準として、フッ素化処理を行わない以外は実施例１と同様にして比較試料を形成し、この誘電率、フィルムと金属の常温および耐熱試験後（１００℃にて１時間）の密着力を表１に示した。
【００４０】
〔実施例２〜実施例４〕
フッ素化ガスのフッ素ガス量、処理温度、処理時間を表１に示す条件にした他は、実施例１と同様にしてフッ素化処理を行った。次いで、フッ素化処理したフィルムに実施例１と同様に金属膜を形成し、金属蒸着フィルムおよび金属めっきフィルムを作製した。この金属蒸着フィルムおよび金属めっきフィルムについてフッ素原子濃度、誘電率、フィルムと金属の常温および耐熱試験後（１００℃にて１時間）の密着力を測定した。この結果を表１に示した。実施例１〜４は何れも比較試料に比べて、誘電率が約２割〜約３割向上し、蒸着金属の密着力が常温で約１.５倍〜約１.８倍に向上しており、加熱後も密着力が殆ど変わらない。
【００４１】
【表１】
2011171362.tif 000002
【００４２】
〔実施例５〕
厚さ４μmのポリプロピレンフィルムを、温度６０℃の発煙硫酸溶液中（SO3濃度30vol％）に２分間浸漬してスルホン化処理を行った。これを純水で洗浄した後にスルホン化処理したフィルム両表面にアルミニウムを膜厚５０nmに蒸着して金属蒸着フィルムを形成した。この金属について、硫黄原子濃度、誘電率を測定した。この結果を表２に示した。また、乾燥後のスルホン化処理されたフィルムの片面に銅を膜厚５０ｎｍに蒸着して、さらに銅を電解めっき法にて８μｍの厚みに形成した。この金属めっきフィルムについて、フィルムと金属の常温および耐熱試験後（１００℃にて１時間）の密着力を測定した。この結果を表２に示した。
比較基準として、スルホン化処理を行わない以外は実施例５と同様にして比較試料を形成し、この誘電率、フィルムと金属の常温および耐熱試験後（１００℃にて１時間）の密着力を表１に示した。
【００４３】
〔実施例６〜実施例８〕
発煙硫酸の濃度、処理温度、処理時間を表２に示す条件にした他は実施例５と同様にしてスルホン化処理を行った。次いで、スルホン化処理したフィルムに実施例５と同様に金属膜を形成し、金属蒸着フィルムおよび金属めっきフィルムを作製した。この金属蒸着フィルムについて硫黄原子濃度、誘電率、フィルムと金属の常温および耐熱試験後（１００℃にて１時間）の密着力を測定した。この結果を表２に示した。実施例５〜８は何れも比較試料に比べて、誘電率が約３割〜約４割向上し、蒸着金属の密着力が常温で約１.５倍〜約１.７倍に向上しており、加熱後も密着力が殆ど変わらない。
【００４４】
【表２】
2011171362.tif 000003
【００４５】
〔実施例９〕
厚さ４μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを、フッ素化ガス（フッ素ガスに窒素ガスを混合、フッ素ガス量１vol％）雰囲気の反応室に入れ、１０分間、５０℃に保持してフィルムの両表面をフッ素化処理した。これを純水で洗浄し、乾燥した後にフッ素化処理したフィルム両表面にアルミニウムを膜厚５０nmに蒸着して金属蒸着フィルムを形成した。この金属蒸着フィルムについて、フッ素原子濃度、誘電率を測定した。この結果を表３に示した。また、乾燥後のフッ素化処理されたフィルムの片面に銅を膜厚５０ｎｍに蒸着して、さらに銅を電解めっき法にて８μｍの厚みに形成した。この金属めっきフィルムについて、フィルムと金属の常温および耐熱試験後（１５０℃にて１時間）の密着力を測定した。この結果を表３に示した。
比較基準として、フッ素化処理を行わない以外は実施例９と同様にして比較試料を形成し、この誘電率、フィルムと金属の常温および耐熱試験後（１５０℃１時間）の密着力を表３に示した。
【００４６】
〔実施例１０〜実施例１２〕
フッ素化ガスのフッ素ガス量、処理温度、処理時間を表３に示す条件にした他は実施例９と同様にしてフッ素化処理を行った。次いで、フッ素化処理したフィルムに実施例９と同様に金属膜を形成し、金属蒸着フィルムおよび金属めっきフィルムを作製した。この金属蒸着フィルムおよび金属めっきフィルムについてフッ素原子濃度、誘電率、フィルムと金属の常温および耐熱試験後（１５０℃にて１時間）の密着力を測定した。この結果を表３に示した。実施例９〜１２は何れも比較試料に比べて、誘電率が約１割〜約２割向上し、蒸着金属の密着力が常温で約１.５倍〜約１.６倍に向上しており、加熱後も密着力が変わらない。
【００４７】
【表３】
2011171362.tif 000004
【００４８】
〔実施例１３〕
厚さ４μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを、温度６０℃の発煙硫酸溶液中（SO3濃度30vol％）に２分間浸漬してスルホン化処理を行った。これを純水で洗浄した後に、スルホン化処理したフィルム両表面にアルミニウムを膜厚５０nmに蒸着して金属蒸着フィルムを形成した。この金属蒸着フィルムについて、硫黄原子濃度、誘電率を測定した。この結果を表４に示した。また、乾燥後のスルホン化処理されたフィルムの片面に銅を膜厚５０ｎｍに蒸着して、さらに銅を電解めっき法にて８μｍの厚みに形成した。この金属めっきフィルムについて、フィルムと金属の常温および耐熱試験後（１５０℃１時間）の密着力を測定した。この結果を表４に示した。
比較基準として、スルホン化処理を行わない以外は実施例１４と同様にして比較試料を形成し、この誘電率、フィルムと金属の常温および耐熱試験後（１００℃にて１時間）の密着力を表４に示した。
【００４９】
〔実施例１４〜実施例１６〕
発煙硫酸の濃度、処理温度、処理時間を表４に示す条件にした他は実施例１４と同様にしてスルホン化処理を行った。次いで、スルホン化処理したフィルムに実施例１４と同様に金属膜を形成し、金属蒸着フィルムおよび金属めっきフィルムを作製した。この金属蒸着フィルムおよび金属めっきフィルムについてフッ素原子濃度、誘電率、フィルムと金属の常温および耐熱試験後（１５０℃にて１時間）の密着力を測定した。この結果を表４に示した。実施例１３〜１６は何れも比較試料に比べて、誘電率が約１割〜約２割向上し、蒸着金属の密着力が常温で約１.５倍〜約１.６倍に向上しており、加熱後も密着力が殆ど変わらない。
【００５０】
【表４】
2011171362.tif 000005