(57)【要約】【目的】複数の補正マップで描画位置を補正する場合に効率的に処理を行なうことが可能な描画装置を提供することを目的とする。【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、描画位置を補正するための複数の補正量マップデータを記憶する記憶装置１４２と、複数の補正量マップデータを入力し、複数の補正量マップデータから描画する際の各ショット位置を取り囲む位置に定義される部分データを抽出する抽出部１２と、抽出された部分データを用いて各補正量マップデータの部分マップを作成する部分マップ作成部１４と、作成された複数の部分マップを合成する合成部１６と、合成された合成マップに定義された補正量を用いて補正された各ショット位置に荷電粒子ビームを照射することによって試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
2011171510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画位置を補正するための複数の補正量マップデータを記憶する記憶装置と、
前記複数の補正量マップデータを入力し、前記複数の補正量マップデータから描画する際の各ショット位置を取り囲む位置に定義される部分データを抽出する抽出部と、
抽出された部分データを用いて各補正量マップデータの部分マップを作成する部分マップ作成部と、
作成された複数の部分マップを合成する合成部と、
合成された合成マップに定義された補正量を用いて補正された各ショット位置に荷電粒子ビームを照射することによって試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記複数の部分マップは、それぞれ独立したグリットピッチが設定され、
前記合成部は、大きいグリットピッチの部分マップを小さいグリットピッチの部分マップのサイズに合わせてから合成することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記合成マップは、前記複数の部分マップが示す領域以外の領域はデータ無し領域として作成されることを特徴とする請求項１又は２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記複数の補正量マップデータは、それぞれ独立したグリットピッチのグリットによるメッシュ領域が設定され、
前記部分マップ作成部は、外周端がそれぞれのグリット位置に合うように各補正量マップデータの部分マップを作成することを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
描画位置を補正するための複数の補正量マップデータを記憶する記憶装置と、
前記複数の補正量マップデータを入力し、前記複数の補正量マップデータを合成する合成部と、
合成された合成マップから描画する際の各ショット位置を取り囲む位置に定義される部分データを抽出する抽出部と、
抽出された部分データを用いて部分マップを作成する部分マップ作成部と、
作成された部分マップに定義された補正量を用いて補正された各ショット位置に荷電粒子ビームを照射することによって試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置に係り、例えば、電子ビームを用いて試料に所定のパターンを描画する描画装置における描画位置の補正を行なう手法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図９は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置（ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置）における第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
【０００４】
ここで、電子ビーム描画装置においては、寸法精度と共に位置精度は重要な要素となる。そこで、電子ビーム描画装置では、描画装置の座標系を理想的な座標系に補正するため、描画される試料の全面を所定のグリッド寸法でメッシュ状に分割し、各メッシュの頂点の位置を測定する。そして、測定された位置と設計上の位置との誤差から描画装置の座標系を補正している（かかる機能を「グリッドマッチングコレクション：ＧＭＣ」機能と呼ぶ。以下、かかる機能による補正をＧＭＣという。）。具体的には、レジストが塗布されたマスクブランクスの上述した各メッシュの頂点の位置に相当する位置にＧＭＣ測定用のパターンを描画する。そして、かかるマスクを現象及びエッチング等のプロセス処理を行なって、描画されたパターンから位置精度の測定を行なっていた。そして、得られた結果から描画装置の座標系を補正している。
【０００５】
ＧＭＣでは、例えばマップ補正が用いられる。描画装置では、ＧＭＣ用の補正マップ以外にも複数の補正マップを用いて、描画位置を補正する場合がある。
【０００６】
ここで、経年変化する装置の座標系のずれを補正する技術に関連して、マルチビーム型電子ビーム装置において露光毎に行う各ビームのキャリブレーションについての記載が文献に開示されている（例えば、特許文献１参照）。かかる技術では、ステージ上の一箇所に配置されたファラデーカップやマーク群にビームを照射して、測定された位置と設計位置との関係からビーム座標系と偏向座標系とを一致させている。しかしながら、位置精度は、描画されるマスク面内の位置に依存して変化するため、一点の位置を測定しただけでは、十分な座標系の補正を行なうことは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平９−３３０８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、描画位置を補正する複数の補正マップを適用する場合、これらの複数の補正マップを合成する必要がある。
【０００９】
図１０は、従来のマップ合成の仕方を説明するための概念図である。
図１１は、図１０のＧＭＣマップと局所マップとを重ねた様子を示す概念図である。
図１２は、ＧＭＣマップと局所マップとを合成した結果を示す概念図である。
例えば、上述したＧＭＣ用の補正マップの他に、ＧＭＣ用の補正マップ（マップ１）では補正しきれない局所的な位置ずれを補正する局所補正用の外部マップ（マップ２）を用いる場合、これらのマップを合成する必要がある。かかるマップの合成は、１回の描画処理（ジョブ）毎に行う必要があり、かかるジョブの描画領域に適用される補正値を算出する必要がある。描画対象となるマスクのマスク面全体に対して、今回描画するジョブの描画領域が、例えば、図１１に示すように一部の狭い領域だけであった場合でも、従来、マスク面全体についてマップを合成していた。これにより、図１２に示すように、各ジョブの描画領域毎にマスク全面を覆うことができる合成マップを作成していた。そのため、実際に描画に使用しない領域まで合成処理を行うため無駄な計算時間が増えてしまうといった問題があった。また、無駄な計算が多い分、実際には使用しない計算中のデータを保存するため、無駄なメモリ使用が増えてしまうといった問題があった。同様に、計算後のマップデータを保存するため、記憶装置の無駄な記憶容量使用が増えてしまうといった問題があった。その結果、描画処理にかかる時間が増え、描画時間が長くかかってしまうといった問題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、複数の補正マップで描画位置を補正する場合に効率的に処理を行なうことが可能な描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
描画位置を補正するための複数の補正量マップデータを記憶する記憶装置と、
複数の補正量マップデータを入力し、複数の補正量マップデータから描画する際の各ショット位置を取り囲む位置に定義される部分データを抽出する抽出部と、
抽出された部分データを用いて各補正量マップデータの部分マップを作成する部分マップ作成部と、
作成された複数の部分マップを合成する合成部と、
合成された合成マップに定義された補正量を用いて補正された各ショット位置に荷電粒子ビームを照射することによって試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
かかる構成により、必要な領域の各ショット位置における部分データでマップを作成できる。よって、無駄な領域のマップ作成が不要となる。
【００１３】
また、複数の部分マップは、それぞれ独立したグリットピッチが設定され、
合成部は、大きいグリットピッチの部分マップを小さいグリットピッチの部分マップのサイズに合わせてから合成すると好適である。
【００１４】
また、合成マップは、複数の部分マップが示す領域以外の領域はデータ無し領域として作成されると好適である。
【００１５】
また、複数の補正量マップデータは、それぞれ独立したグリットピッチのグリットによるメッシュ領域が設定され、
部分マップ作成部は、外周端がそれぞれのグリット位置に合うように各補正量マップデータの部分マップを作成すると好適である。
【００１６】
本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
描画位置を補正するための複数の補正量マップデータを記憶する記憶装置と、
複数の補正量マップデータを入力し、複数の補正量マップデータを合成する合成部と、
合成された合成マップから描画する際の各ショット位置を取り囲む位置に定義される部分データを抽出する抽出部と、
抽出された部分データを用いて部分マップを作成する部分マップ作成部と、
作成された部分マップに定義された補正量を用いて補正された各ショット位置に荷電粒子ビームを照射することによって試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１７】
かかる構成により、最終的に作成されるマップのデータ量を削減できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、複数の補正マップで描画位置を補正する場合に効率的に処理を行なうことができる。よって、無駄な計算時間を抑制できる。また、無駄なメモリ使用を抑制できる。また、計算後のマップデータを保存するための記憶装置の無駄な記憶容量使用を抑制できる。その結果、描画処理にかかる時間を短縮でき、全体の描画時間を短縮することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図３】実施の形態１における補正量マップを説明するための概念図である。
【図４】実施の形態１における各描画領域と各部分マップの領域との一例を示す概念図である。
【図５】実施の形態１における合成マップの一例を示す概念図である。
【図６】実施の形態１における合成マップの作成の仕方の一例を示す概念図である。
【図７】実施の形態１における合成マップの一例を示す概念図である。
【図８】実施の形態２における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図９】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【図１０】従来のマップ合成の仕方を説明するための概念図である。
【図１１】図１０のＧＭＣマップと局所マップとを重ねた様子を示す概念図である。
【図１２】ＧＭＣマップと局所マップとを合成した結果を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。
【００２１】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、および偏向器２０８が配置されている。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料１０１には、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
【００２２】
制御部１６０は、制御計算機ユニット１１０、偏向制御回路１２０、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２，１４３を有する。偏向制御回路１２０、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２，１４３は、図示しないバスを介して互いに接続されている。
【００２３】
制御計算機ユニット１１０内には、入力部１０、抽出部１２、部分マップ作成部１４、合成部１６、判定部１８、ショットデータ生成部２０、及びメモリ３０が配置される。ショットデータ生成部２０内には、描画データ処理部２２と補正部２４とが配置される。入力部１０、抽出部１２、部分マップ作成部１４、合成部１６、判定部１８、及びショットデータ生成部２０は、それぞれ電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。また、入力部１０、抽出部１２、部分マップ作成部１４、合成部１６、判定部１８、及びショットデータ生成部２０に入出力される情報および演算中の情報はメモリ３０にその都度格納される。
【００２４】
記憶装置１４０には、レイアウトデータとなる描画データが装置外部から入力され、格納される。例えば、描画処理の対象となる各ジョブの描画データが格納される。また、記憶装置１４２には、描画位置を補正するための複数の補正量マップのマップデータが装置外部から入力され、格納される。
【００２５】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、偏向器２０８を用いているが、主副２段の多段偏向器を用いても好適である。
【００２６】
図２は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図２において、実施の形態１における描画方法は、ショットデータ生成工程（Ｓ１００）と、読み込み工程（Ｓ１０２）と、抽出工程（Ｓ１０４）と、部分マップ作成工程（Ｓ１０６）と、合成工程（Ｓ１０８）と、ショットデータ補正工程（Ｓ１１０）と、判定工程（Ｓ１１２）と、描画工程（Ｓ１２０）という一連の工程を実施する。
【００２７】
図３は、実施の形態１における補正量マップを説明するための概念図である。図３において、補正量マップは、描画される試料１０１の試料面５０内の所定の領域６０を所定の寸法のピッチＰでメッシュ状にｘ，ｙ方向のグリット６２を定義することで分割し、直交するｘ，ｙ方向のそれぞれのグリット線が交差する各頂点の位置に補正量を定義する。図３では、補正量を例えばベクトルで表した例を示している。かかる補正量は、描画処理を行なう前に予め求めておく。例えば、レジストが塗布されたマスクブランクスの上述した各メッシュの頂点の位置に相当する位置に補正量の測定用のパターンを描画する。そして、かかるマスクを現象及びエッチング等のプロセス処理を行なって、描画されたパターンから位置精度の測定を行なう。そして、得られた結果から設計上の位置との差を求めて補正量を算出すればよい。或いは、得られた補正量を多項式で近似して得られた近似式から得られる各メッシュの頂点の位置に相当する補正量を定義してもよい。また、例えば、局所的に大きく描画位置にずれが生じる位置がある場合には、その位置を含む所定の領域６０について、所定の寸法のピッチＰでメッシュ状にｘ，ｙ方向のグリット６２を定義することで分割し、ｘ，ｙ方向のグリット線が交差する各頂点の位置に補正量を定義する。このようにして、予め複数の補正量マップを作成し、各マップのマップデータを記憶装置１４２に格納しておく。よって、複数の補正量マップは、グリット６２間のピッチがそれぞれ独立に定義される。
【００２８】
ショットデータ生成工程（Ｓ１００）として、描画データ処理部２２は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行なって、描画装置１００用のフォーマットのショットデータを生成する。かかるショットデータは描画位置補正を行なう前のデータとなる。
【００２９】
読み込み工程（Ｓ１０２）として、入力部１０は、記憶装置１４２から複数の補正量マップのマップデータを入力する。また、入力部１０は、今回の描画処理（ジョブ）で描画対象となる描画領域の描画開始位置と描画終了位置の情報を入力する。
【００３０】
抽出工程（Ｓ１０４）として、抽出部１２は、複数の補正量マップのマップデータを入力し、かかる複数の補正量マップデータから描画する際の各ショット位置を取り囲む位置における部分データを抽出する。これにより全体のデータを抽出する場合よりも計算量を低減できる。よって、計算中のメモリ使用も少なくできる。
【００３１】
図４は、実施の形態１における各描画領域と各部分マップの領域との一例を示す概念図である。図４において、今回のジョブの描画領域８０ａが、試料面５０のある一部分である場合、抽出部１２は、実線で示す補正量マップ７０ａのマップデータから今回のジョブの描画領域８０ａと一部でも重なるメッシュ領域（太線のメッシュ領域）の各頂点に定義された補正量を部分データとして抽出する。抽出部１２は、今回のジョブの描画領域８０ａの描画開始位置と描画終了位置の情報を入力することで、描画開始位置と描画終了位置からかかる２点を対角するｘ，ｙ方向に延びる辺で構成される長方形を描画領域８０ａとして求めることができる。そして、描画領域８０ａがわかれば、描画領域８０ａと一部でも重なるメッシュ領域（太線のメッシュ領域）を求めることができる。そして、メッシュ領域（太線のメッシュ領域）がわかれば、各頂点に定義された補正量を抽出できる。他の補正量マップのマップデータからも、同様に、今回のジョブの描画領域８０ａと一部でも重なるメッシュ領域（太線のメッシュ領域）の各頂点に定義された補正量を部分データとしてそれぞれ抽出する。
【００３２】
部分マップ作成工程（Ｓ１０６）として、部分マップ作成部１４は、抽出された部分データを用いて補正量マップデータの部分マップを作成する。部分マップ作成部１４は、外周端がそれぞれのグリット位置に合うように各補正量マップデータの部分マップを作成する。図４の例では、描画領域８０ａと一部でも重なるメッシュ領域（太線のメッシュ領域）を領域とする部分マップ７２ａが作成される。他の補正量マップにおいて抽出された部分データについても、抽出された部分データを用いて、同様に、補正量マップデータの部分マップをそれぞれ作成する。
【００３３】
合成工程（Ｓ１０８）として、合成部１６は、作成された複数の部分マップを合成する。これにより試料面全体のデータを合成する場合よりも計算量を低減できる。よって、計算中のメモリ使用も少なくできる。
【００３４】
図５は、実施の形態１における合成マップの一例を示す概念図である。試料面５０内のある補正量マップから作成された部分マップは、描画範囲で示す今回のジョブの描画領域と重なるメッシュ領域で作成される。補正量マップのマップデータは、マップの開始位置（ｍｐ  ｓｔａｒｔ）とグリットピッチ（ｍｐ  ｐｉｔｃｈ：ピッチ幅）が定義される。かかる情報から各グリット線の位置を求めることができる。そして、上述したように今回のジョブの描画領域の描画開始位置（ｃｌ  ｓｔａｒｔ）と描画終了位置（ｃｌ  ｅｎｄ）の情報がわかっているので、上述したように部分マップの領域を求めることができる。そして、各補正量マップから作成された部分マップを合成することで合成マップを作成できる。ここで、複数の部分マップは、それぞれ独立したグリットピッチが設定されているので、合成部１６は、大きいグリットピッチの部分マップを小さいグリットピッチの部分マップのサイズに合わせてから合成する。そして、作成された合成マップはグリットピッチ（Ｃ  ｍｐ  ｐｉｔｃｈ：ピッチ幅）のグリット線で定義されたマップとなる。
【００３５】
図６は、実施の形態１における合成マップの作成の仕方の一例を示す概念図である。例えば、図６に示すようにグリットピッチＰ１の部分マップ７４とグリットピッチＰ２の部分マップ７６を合成する場合、合成部１６は、大きいグリットピッチＰ１の部分マップ７４を小さいグリットピッチＰ２の部分マップ７６のピッチサイズに合わせてから合成する。グリットピッチ幅が小さい方が、解像度が高いので、小さい方に合わせることで合成された合成マップ９０の解像度を高めることができる。ピッチサイズの変更は、新たな頂点位置の補正量は、新たな頂点位置を取り囲む元のサイズの補正量を外挿により補間して求めればよい。例えば、線形補間によって求めることができる。
【００３６】
図７は、実施の形態１における合成マップの一例を示す概念図である。図７において、合成マップ９０は、描画される試料１０１の試料面５０内の領域を合成した部分マップのうちの小さい寸法のピッチでメッシュ状にｘ，ｙ方向のグリットで定義され、グリット線が交差する各頂点の位置に補正量が定義される。図７では、今回のジョブの描画領域８２と重なるメッシュ領域９２の頂点だけに補正量が定義される。図７では、補正量を例えばベクトルで表した例を示している。その際、合成マップ９０は、合成に用いた複数の部分マップが示すメッシュ領域９２以外の領域はデータ無し領域として作成される。これによりデータ量を小さくできる。合成後の合成マップのマップデータは例えば記憶装置１４３に格納される。実施の形態１の合成マップのデータ量は、試料面全体を合成した場合のデータ量より小さいのでその分記憶装置１４３の容量を小さくできる。
【００３７】
ショットデータ補正工程（Ｓ１１０）として、補正部２４は、作成された合成マップに定義された補正量を用いて、描画データ処理部２２で生成されたショットデータの各ショット位置を補正する。補正の仕方は、各ショット位置を取り囲む合成マップの頂点に定義された補正量を外挿して補間することで各ショット位置の補正量を算出する。そして、算出された各ショット位置の補正量を対応するショット位置に加算することで位置を補正する。今回のジョブの描画領域の補正されたショットデータは、記憶装置１４３に格納される。
【００３８】
判定工程（Ｓ１１２）として、判定部１８は、今回のジョブの描画領域の他に、他のジョブの描画領域があるかどうかを判定する。有る場合は、読み込み工程（Ｓ１０２）に戻り、読み込み工程（Ｓ１０２）から判定工程（Ｓ１１２）までを繰り返す。無い場合は終了する。
【００３９】
例えば、図４で示した描画領域８０ａの他に、描画領域８０ｂ，８０ｃが有る場合、描画領域８０ｂ，８０ｃ毎に、読み込み工程（Ｓ１０２）から判定工程（Ｓ１１２）までを繰り返して複数の補正量マップからそれぞれ部分マップ７２ｂ，７２ｃを作成する。そして、描画領域８０ｂ，８０ｃ毎に合成マップを作成する。
【００４０】
ここで、例えば、補正量マップ７０ａが、描画領域８０ｂでは定義されていない場合もあり得る。かかる場合、必要に応じて、必要な領域の頂点箇所の補正量を拡張により算出すればよい。例えば、ＧＭＣ補正のように試料面５０全体について補正することが望ましい場合には、グリット線を仮想的に拡張して必要な頂点箇所の補正量を求める。例えば、拡張された領域の補正量は、拡張前の外周端の補正量をそのまま使用しても好適である。また、描画領域８０ｃのように、一部の領域が補正量マップ７０ａで定義され、残りは定義されていない場合もあり得る。かかる場合も、定義されていない補正量を必要に応じて拡張により求めればよい。例えば、局所的な補正量を定義した補正量マップでは、拡張せずに定義されていない補正量を０としてもよい。
【００４１】
描画工程（Ｓ１２０）として、描画部１５０は、補正された各ショット位置に電子ビーム２００を照射することによって試料１０１にパターンを描画する。偏向制御回路１２０がショットデータを読み出し、かかるショットデータを用いて描画が行なわれる。具体的には、以下のように動作する。
【００４２】
電子銃２０１から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせる。また、偏向制御回路１２０は偏向器２０８の偏向量を示す信号を出力する。そして、図示しないアンプユニットでデジタル信号をアナログ信号に変換の上、増幅して各ショットのタイミングに合わせて偏向器２０８に偏向電圧として印加する。これにより、第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、偏向制御回路１２０により制御された偏向器２０８により偏向されて、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。
【００４３】
以上のように実施の形態１によれば、従来、マップデータの大半が使用されないにもかかわらず、描画に使用しない部分まで合成処理を行うことにより生じた無駄な計算時間や使用しないデータを保持することで生じた記憶領域の無駄を低減できる。特に、試料面全面に補正量が定義されていない補正量マップでは、従来、試料面全面に補正量を定義するように拡張してから合成したため、より計算時間が必要であったが、実施の形態１によれば、かかる計算時間を大幅に削減できる。
【００４４】
実施の形態２．
実施の形態１では、部分マップを作成後に合成したが、実施の形態２では、複数の補正量マップを合成後に部分マップを作成する構成について説明する。描画装置１００の構成は図１と同様である。以下、特に説明しない内容は実施の形態１と同様である。
【００４５】
図８は、実施の形態２における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図８において、実施の形態１における描画方法は、ショットデータ生成工程（Ｓ２００）と、読み込み工程（Ｓ２０２）と、合成工程（Ｓ２０４）と、抽出工程（Ｓ２０６）と、部分マップ作成工程（Ｓ２０８）と、ショットデータ補正工程（Ｓ２１０）と、判定工程（Ｓ２１２）と、描画工程（Ｓ２２０）という一連の工程を実施する。
【００４６】
ショットデータ生成工程（Ｓ２００）と読み込み工程（Ｓ２０２）は、実施の形態１におけるショットデータ生成工程（Ｓ１００）と読み込み工程（Ｓ１０２）と同様である。
【００４７】
合成工程（Ｓ２０４）として、合成部１６は、複数の補正量マップデータを入力し、複数の補正量マップデータを合成する。よって、実施の形態２では、今回のジョブの描画領域とは無関係に試料面全体について複数の補正量マップデータを合成する。複数の補正量マップは、それぞれ独立したグリットピッチが設定されているので、合成部１６は、大きいグリットピッチの補正量マップを小さいグリットピッチの補正量マップのサイズに合わせてから合成する。これにより解像度を向上できる点は実施の形態１と同様である。
【００４８】
抽出工程（Ｓ２０６）として、抽出部１２は、合成された合成マップから描画する際の各ショット位置を取り囲む位置に定義される部分データを抽出する。抽出部１２は、合成マップのマップデータから今回のジョブの描画領域と一部でも重なるメッシュ領域の各頂点に定義された補正量を部分データとして抽出する。抽出部１２は、今回のジョブの描画領域の描画開始位置と描画終了位置の情報を入力することで、描画開始位置と描画終了位置からかかる２点を対角するｘ，ｙ方向に延びる辺で構成される長方形を描画領域として求めることができる。そして、描画領域がわかれば、描画領域と一部でも重なるメッシュ領域を求めることができる。そして、メッシュ領域がわかれば、各頂点に定義された補正量を抽出できる。
【００４９】
部分マップ作成工程（Ｓ２０８）として、部分マップ作成部１４は、抽出された部分データを用いて合成マップのマップデータの部分マップを作成する。部分マップ作成部１４は、外周端がそれぞれのグリット位置に合うように合成マップのマップデータの部分マップを作成する。そして、部分マップは、抽出した領域以外の領域はデータ無し領域として作成される。これによりデータ量を小さくできる。部分マップのマップデータは例えば記憶装置１４３に格納される。実施の形態１の部分マップのデータ量は、試料面全体にデータを定義した場合のデータ量より小さいのでその分記憶装置１４３の容量を小さくできる。
【００５０】
ショットデータ補正工程（Ｓ２１０）として、補正部２４は、作成された部分マップに定義された補正量を用いて、描画データ処理部２２で生成されたショットデータの各ショット位置を補正する。補正の仕方は、各ショット位置を取り囲む部分マップの頂点に定義された補正量を外挿して補間することで各ショット位置の補正量を算出する。そして、算出された各ショット位置の補正量を対応するショット位置に加算することで位置を補正する。今回のジョブの描画領域の補正されたショットデータは、記憶装置１４３に格納される。
【００５１】
以下、判定工程（Ｓ２１２）と描画工程（Ｓ２２０）は、判定工程（Ｓ１１２）と、描画工程（Ｓ１２０）と同様である。以上のようにして、描画部１５０は、作成された部分マップに定義された補正量を用いて補正された各ショット位置に電子ビーム２００を照射することによって試料１０１にパターンを描画する。
【００５２】
以上のように実施の形態２によれば、最終的な部分マップのデータ量が、従来の合成マップに比べてデータ量を小さくできる。よって、使用しないデータを保持することで生じた記憶領域の無駄を低減できる。
【００５３】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００５４】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００５５】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５６】
１０  入力部
１２  抽出部
１４  部分マップ作成部
１６  合成部
１８  判定部
２０  ショットデータ生成部
２２  描画データ処理部
２４  補正部
３０  メモリ
５０  試料面
６０  領域
６２  グリット
７０  補正量マップ
７２，７４，７６  部分マップ
８０，８２  描画領域
９０  合成マップ
９２  メッシュ領域
１００  描画装置
１０１，３４０  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０４  ミラー
１０５  ＸＹステージ
１１０  制御計算機ユニット
１２０  偏向制御回路
１４０，１４２，１４３  記憶装置
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，４１０  第１のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５，２０８  偏向器
２０６，４２０  第２のアパーチャ
２０７  対物レンズ
２０９  検出器
３００  レーザ測長装置
３３０  電子線
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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