(57)【要約】      （修正有）【課題】エピタキシャルウエーハの膜厚のばらつきを従来より更に小さくするために、サセプタの公転の有無に拘らずウエーハを自由に自転させることができ、また気相成長条件が変動してもウエーハの自転に影響を出さずに気相成長を行うことができる気相成長装置を提供する。【解決手段】リアクタ１１と、該リアクタの内部に配置されたバレル型サセプタ１２と、ウエーハＷを装着するために該サセプタの表面に配置されたトレイ１３とを備えた気相成長装置１０において、前記トレイ１３は前記バレル型サセプタ１２とは異なる回転軸で回転するものであり、かつ前記バレル型サセプタ１２は公転用電動モータ１４によって回転し、前記トレイ１３は自転用電動モータ１５によって回転する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、リアクタと、該リアクタの内部に配置されたバレル型サセプタと、ウエーハを装着するために該サセプタの表面に配置されたトレイとを備えた気相成長装置において、
前記トレイは前記サセプタとは異なる回転軸で回転するものであり、かつ前記サセプタは公転用電動モータによって回転し、前記トレイは自転用電動モータによって回転するものであることを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
前記公転用電動モータと前記自転用電動モータは、互いの回転軸が一致せず、２軸に分かれているものであることを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
化合物半導体基板の製造方法であって、請求項１または請求項２に記載の気相成長装置を用いて前記サセプタに配置された前記トレイ上にウエーハを装着し、該ウエーハを自転及び公転させつつ、該ウエーハの主表面上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体を気相成長させることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記自転用電動モータによって回転させる前記トレイの回転数（自転数）と、前記公転用電動モータによって回転させる前記サセプタの回転数（公転数）との比率（自転数／公転数）を、４〜２０とすることを特徴とする請求項３に記載の化合物半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記比率を、整数ではなく小数とすることを特徴とする請求項４に記載の化合物半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リアクタ内のサセプタの表面にウエーハを配置し、リアクタ内に原料ガスを供給して該ウエーハの表面に気相成長を行うための気相成長装置と、それを利用した化合物半導体基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の気相成長装置は、石英ガラス製のリアクタ内にサセプタを配置し、該サセプタの表面にウエーハを配置し、該サセプタを例えば６００〜８００℃に加熱した状態で、リアクタ内に原料ガスを供給してウエーハの表面にエピタキシャル成長を行わせる構造となっている。
【０００３】
このような気相成長装置を用いて気相成長を行う方法は、ハイドライドＶＰＥ法（単にＶＰＥ法とも言う）と呼ばれ、得られるエピタキシャルウエーハは、照明や表示機の光源となる有色の発光素子等の素材として使われている。
この場合、原料ガスとしては、ＡｓＨ３（アルシン）、ＰＨ３（ホスフィン）等が用いられている。このような原料ガスの搬送用キャリアガスとしてはＨ２が使われる。
【０００４】
ここで、このような気相成長によって得られるエピタキシャルウエーハは、その膜厚のばらつきは低ければ低い程良いが、そのための工夫が施されていない気相成長装置では±２５％位が限界であった。
【０００５】
しかし最近になって、後工程での歩留り向上及び高品質化の要求から、エピタキシャルウエーハの膜厚のばらつきは±１５％或いはそれ以下が要求されている。このため、様々な工夫がなされている。
【０００６】
例えば、特許文献１では、膜厚のばらつきを低下させるために、サセプタを回転させるためのモータによって、ウエーハを装着するトレイも連動して回転させることによって、ウエーハを公転させるとともに自転させることができる気相成長装置が提案されている。
【０００７】
また、特許文献２では、図８に示すような気相成長装置が提案されている。
この気相成長装置３０では、リアクタ３１内に配置されたサセプタ３２を公転用モータ３４によって回転させると供に、サセプタ３２の上方から下方に向けて流している原料ガスの流れを自転用気体駆動回転子３５で受けることによって、ウエーハＷを装着するためにサセプタ３２の表面に配置されたトレイ３３を自転させることができるようになっているものである。
【０００８】
このような気相成長装置を用いてウエーハをサセプタの表面で自公転させてエピタキシャルウエーハを製造することによって、原料ガスの流れの中でウエーハが自公転することによって該ウエーハの表面での上流，下流をなくすことができるため、ウエーハを公転させるのみの気相成長装置に比べてエピタキシャルウエーハの膜厚のばらつきを低下させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１−２１６５２１号公報
【特許文献２】特開平６−２９５９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載されたような気相成長装置では、ウエーハの自転数がサセプタの回転数に依存するので、サセプタの回転数が決まると、ウエーハの自転数も自動的に決まってしまい、サセプタの回転数を最適な値に設定できないという問題点があった。
また、このような構造では、サセプタの回転なしではウエーハを自転させることができないという問題点もあった。
【００１１】
また、特許文献２に記載されたような気相成長装置は、原料ガス流によってウエーハを自転させるものであるため、自転用気体駆動回転子の駆動トルクが小さいという問題があった。そして駆動させるために大量の原料ガスを使用する必要があるため、製造コストが上昇するという問題もある。
更に、ウエーハの自転数は飽和傾向にあり、そもそも気相成長中の原料ガスの流量の変動や炉内温度の変動によって自転数が変動するため、制御が非常に困難であった。
【００１２】
その上、ウエーハの正転、逆転が不可能で、停止までの応答性が遅いとの欠点もある。
しかも、ガスにより、意図しないリアクタ内下部の温度低下が発生することがあり、その結果、排ガスの冷却によって、ウエーハ上に反応生成物（パーティクル）が発生することもあった。
また、ウエーハ自転用の回転軸と公転用の回転軸の軸中心を同じにする必要があるため、ウエーハ公転用か自転用のいずれかの回転軸をもう一方の回転軸より直径の太い円筒状の形状としなければならず、装置の製造コストが上昇する。そして、自転軸と公転軸の回転軸間の空間はガス置換が困難なデッドスペースとなり、装置の運転効率やメンテナンス性を下げるという問題があった。
【００１３】
本発明は、上記問題に鑑みなされたものであって、エピタキシャルウエーハの膜厚のばらつきを従来より更に小さくするために、サセプタの回転の有無に拘らずウエーハを自由に回転させることができ、また気相成長条件が変動してもウエーハの自転に影響を出さずに気相成長を行うことができる気相成長装置と、それを利用した化合物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明では、少なくとも、リアクタと、該リアクタの内部に配置されたバレル型サセプタと、ウエーハを装着するために該サセプタの表面に配置されたトレイとを備えた気相成長装置において、前記トレイは前記サセプタとは異なる回転軸で回転するものであり、かつ前記サセプタは公転用電動モータによって回転し、前記トレイは自転用電動モータによって回転するものであることを特徴とする気相成長装置を提供する。
【００１５】
このように、ウエーハを装着するためのトレイを、サセプタを回転させるための公転用電動モータとは別のモータ（自転用電動モータ）によって回転させることによって、サセプタの回転に影響されずにウエーハを回転させることができる。また電動で駆動させるため、気相成長条件の変動にも影響を受けずにウエーハを自転させることができ、気相成長中にウエーハを自由に自公転させることができる。
すなわち、気相成長条件に応じてウエーハの自公転を自由に制御することができるため、状況に応じたウエーハの回転制御が可能となり、気相成長膜の膜厚を従来より均一なものとするのに好適な気相成長装置とすることができる。
また、サセプタがバレル型であるため、気相成長膜にスリップが発生しづらく、金属汚染や表面欠陥が少ない気相成長膜を得られ、高品質な気相成長膜の製造に適した装置となっている。
【００１６】
ここで、前記公転用電動モータと前記自転用電動モータは、互いの回転軸が一致せず、２軸に分かれているものとすることが好ましい。
このように、公転用電動モータの回転軸（公転用回転軸軸中心とする）と自転用電動モータの回転軸（自転用回転軸軸中心とする）が互いに一致せずに分かれたものであれば、ウエーハ公転用か自転用のいずれかの回転軸を、もう一方の回転軸より直径の太い円筒状の形状とする必要もなく、一般的なロッド等を用いることができ、安上がりで済む。その上、デッドスペース等が発生せず、運転効率やメンテナンス性が低下することが防止されたものとすることができる。
【００１７】
また、本発明では、化合物半導体基板の製造方法であって、本発明に記載の気相成長装置を用いて前記サセプタに配置された前記トレイ上にウエーハを装着し、該ウエーハを自転及び公転させつつ、該ウエーハの主表面上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体を気相成長させることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【００１８】
上述のように、本発明の気相成長装置によれば、ウエーハを電動モータで自公転することができ、気相成長膜の膜厚を従来より均一なものとすることができるため、このような気相成長装置を用いてウエーハの主表面上に気相成長させたＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体は、膜厚が従来に比べて均一なものとなっており、発光素子等の製造の際の歩留りを向上させることができ、製造コストの低減を図ることができる。
【００１９】
ここで、前記自転用電動モータによって回転させる前記トレイの回転数（自転数）と、前記公転用電動モータによって回転させる前記サセプタの回転数（公転数）との比率（自転数／公転数）を、４〜２０とすることが好ましい。
このようにウエーハの公転数と自転数の比率を４以上とすることによって、ウエーハの自転数がウエーハの公転数に比べて小さくなり過ぎずに済み、化合物半導体の膜厚が不均一になることを防止できる。また２０以下であれば、部品の摩擦による発塵が大きくなることを防止することができ、高品質な化合物半導体基板を製造することができる。
【００２０】
また、前記比率を、整数ではなく小数とすることが好ましい。
このようにトレイの回転数（ウエーハの自転数）とサセプタの回転数（ウエーハの公転数）の比率を整数ではなく小数とすることによって、ウエーハの自転数と公転数が同期する（規則的に回転する）ことによって化合物半導体基板の膜厚に特異的な高低が発生することを防止でき、より膜厚が均一（高品質）な化合物半導体基板の製造方法とすることができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、本発明によれば、エピタキシャルウエーハの膜厚のばらつきを従来より更に小さくするために、サセプタの回転の有無に拘らずウエーハを自由に回転させることができ、また気相成長条件が変動してもウエーハの自転に影響を出さずに気相成長を行うことができる気相成長装置と、それを利用した化合物半導体基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の気相成長装置の概略の一例を示した図である。
【図２】実施例１，２、比較例１におけるエピタキシャルウエーハのエピタキシャル膜の厚さを測定したウエーハ面内の位置関係を説明した図である。
【図３】実施例１，２、比較例１におけるエピタキシャル膜のＡ方向の厚さの測定結果を示す図である。
【図４】実施例１，２、比較例１におけるエピタキシャル膜のＡ方向の厚さをウエーハ中心を１とした時の他の箇所の膜厚の比の評価結果を示す図である。
【図５】実施例１，２、比較例１におけるエピタキシャル膜のＢ方向の厚さの測定結果を示す図である。
【図６】実施例１，２、比較例１におけるエピタキシャル膜のＢ方向の厚さをウエーハ中心を１とした時の他の箇所の膜厚の比の評価結果を示す図である。
【図７】各実施例・比較例におけるウエーハの自転数／公転数とエピタキシャル膜の膜厚比の最大値から最小値を減算した値との関係を示す図である。
【図８】従来の気相成長装置の概略の一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明について図を参照して詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。図１は本発明の気相成長装置の概略の一例を示した図である。
本発明の気相成長装置１０は、少なくとも、リアクタ１１と、リアクタ１１の内部に配置されたバレル型のサセプタ（以下カルーセルとも記載）１２と、ウエーハＷを装着するためにサセプタ（カルーセル）１２の表面に配置されたトレイ（以下プラネタリーとも記載）１３とを備えたものである。
そして、トレイ（プラネタリー）１３はサセプタ１２とは異なる回転軸で回転するものであり、かつサセプタ１２は公転用電動モータ１４によって回転し、トレイ１３はプラネタリーギア１６を介して自転用電動モータ１５によって回転するものである。
【００２４】
なお、公転用電動モータ１４は、ウエーハＷを公転させるためにサセプタ１２を自転させるものであり、サセプタ１２自体は公転せずに自転するものである。
【００２５】
このように、ウエーハを装着するためのトレイを回転させるためのモータと、サセプタを回転させるためのモータを別にすることによって、ウエーハをサセプタとは独立して回転させることができる。また、ウエーハを装着させるトレイを電動モータによって回転させるため、リアクタ内の気相成長条件が変化してもその影響を受けずにウエーハを自転させることができ、そしてウエーハの自転の方向も任意に制御できるため、ウエーハの自公転の制御性が高く、気相成長の際の自由度を高くできるため、柔軟な成長条件の変更が可能となる。従って、成長させた気相成長膜の膜厚の均一性を従来より高いものとすることができる気相成長装置となる。
また、バレル型のサセプタとなっているため、スリップや金属汚染、表面欠陥等の少ない気相成長膜が得られ、製造歩留りの向上にも適した気相成長装置となっている。
【００２６】
ここで、図１に示すように、公転用電動モータ１４と自転用電動モータ１５は、互いの回転軸（１４ａ、１５ａ）の中心が一致せず、２軸に分かれているものとすることができる。
このように、公転用電動モータによる回転軸の軸中心（公転用回転軸軸中心１４ａ）と自転用電動モータによる回転軸の軸中心（自転用回転軸軸中心１５ａ）が互いに一致せず、２軸に分かれたものであれば、ウエーハ公転用か自転用のいずれかの回転軸の直径を、もう一方の回転軸より太い形状とすることをせずに済むため、デッドスペースが発生することがなく、リアクタ内に排気が困難な箇所が発生しないため、運転効率が高いものとすることができる。そして回転軸は一般的なロッド等で十分であり、安価なものとすることができる。
【００２７】
上記のような本発明の気相成長装置を用いた本発明の化合物半導体基板の製造方法の一例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２８】
まず、図１に記載されているような、ウエーハを装着するためのトレイをサセプタを回転させるための公転用電動モータとは別のモータ（自転用電動モータ）によって回転させることができる気相成長装置のサセプタに配置されたトレイ上に、ウエーハを装着する。
この時使用するウエーハは、作製する化合物半導体基板に適した規格の材料からなるものを適宜選択すればよく、特に限定されない。例えば化合物半導体基板としてＧａＡｓＰエピタキシャルウエーハを製造する場合は、ウエーハとしてはｎ型ＧａＰ基板を用いることができる。
【００２９】
そしてリアクタ内を窒素ガスで置換した後に原料ガスを流して、不図示の加熱機構によってウエーハを加熱しながら、ウエーハを自転及び公転させつつ、ウエーハの主表面上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体を気相成長させる。
この際使用する原料ガスや気相成長条件は特に限定されず、製造する化合物半導体基板の用途に応じて適宜変更することができる。
【００３０】
例えばＧａＡｓＰエピタキシャルウエーハを製造する場合は、まず、窒素（Ｎ２）ガスをリアクタ内に導入し、空気を十分置換除去した後、キャリアガスとして高純度水素（Ｈ２）を導入し、Ｎ２の流れを止め昇温工程に入る。
そしてＧａ入り石英ボート設置部分やＧａＰ基板の設置部分の温度が、所定の温度に一定に保持されていることを確認した後に、ＧａＰ基板と同組成のＧａＰエピタキシャル膜の気相成長を開始する。
【００３１】
最初、ｎ型キャリアドープ用ガスをリアクタ内に導入し、高純度塩化水素ガス（ＨＣｌ）を上記石英ボート中のＧａ溜に吹き込み、Ｇａ溜上表面よりＧａＣｌｘを吹き出させながら、高純度りん化水素ガス（ＰＨ３）を導入しつつ、第１層である基板バッファー層をＧａＰ基板上に成長させる。
【００３２】
次に、ＨＣｌの導入量を変えることなく、高純度ひ化水素ガス（ＡｓＨ３）の導入を開始した後導入量を徐々に増加し、また同時にｎ型キャリアドープ用ガスおよびＰＨ３の導入量を減少させて、第２層となるｎ型のＧａＡｓ１−ｘＰｘ組成変化層を基板バッファー層上に成長させる。
【００３３】
次に、ＨＣｌ、ＰＨ３、ＡｓＨ３の導入量を変えることなく、ｎ型キャリアドープ用ガスの導入量を徐々に減少させて、第３層となるｎ型のＧａＡｓ１−ｘＰｘ組成一定層をＧａＡｓ１−ｘＰｘ組成変化層上に成長させる。
【００３４】
次は、ＨＣｌ、ＰＨ３、ＡｓＨ３の導入量を変えることなく、これに窒素ドープ用ガスを導入して、また同時にｎ型キャリアドープ用ガスの導入をやめてから、第４層となるｎ型の窒素濃度増加層をＧａＡｓ１−ｘＰｘ組成一定層上に成長させる。
【００３５】
次はＨＣｌ、ＰＨ３、ＡｓＨ３、窒素ドープ用ガスの導入量を変えることなく、第５層となるｎ型の窒素濃度一定層を窒素濃度増加層上に成長させる。
【００３６】
そして、次にＨＣｌ、ＰＨ３、ＡｓＨ３、窒素ドープ用ガスの導入量を変えることなく、ｐ型キャリアドープ用ガスの導入量を増加させながら、第６層となるＧａＡｓ１−ｘＰｘｐ型キャリア濃度増加層を窒素濃度一定層上に成長させる。
【００３７】
その後、ＨＣｌ、ＰＨ３、ＡｓＨ３、ｐ型キャリアドープ用ガスの導入量を変えることなく、また、窒素ドープ用ガスの導入量を徐々に減少させながら、第７層となるｐ型のＧａＡｓ１−ｘＰｘエピタキシャル層をｐ型キャリア濃度増加層上に成長させ、気相成長を終了することによってＧａＡｓＰエピタキシャルウエーハを得ることができる。
【００３８】
ここで、上記気相成長の際に、自転用電動モータによって回転させるトレイの回転数（自転数）と、公転用電動モータによって回転させるサセプタの回転数（公転数）との比率（自転数／公転数）を、４〜２０とすることができる。
ウエーハの公転数と自転数の比率が４以上であれば、ウエーハの自転数が小さくなって自転させる効果が薄れることが防止できるため、化合物半導体の膜厚をより均一なものとすることができる。そして比率が２０以下であれば、ウエーハを自転させるための機構（自転用電動モータやプラネタリーギア等）が摩耗して発塵することを抑制でき、欠陥の少ない化合物半導体基板を気相成長させることができる。
【００３９】
また、トレイの回転数（ウエーハの自転数）とサセプタの回転数（ウエーハの公転数）の比率を、整数ではなく小数とすることができる。
このように上記比率を整数ではなく小数とすれば、ウエーハの自転数と公転数が同期することを防止でき、特異的な膜厚の高低が気相成長させた化合物半導体に発生することを予め防ぐことができる。従って、より膜厚均一性の高い高品質な化合物半導体基板を製造することができる。
【００４０】
このように、本発明の化合物半導体基板の製造方法によれば、基板上のエピタキシャル膜の厚さが従来に比べて均一な化合物半導体基板を製造することができ、発光素子等の製造の際の歩留りを高くすることに寄与できる気相成長膜を有する基板を得ることができる。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
図１に示すような気相成長装置を用いて、ＧａＰ単結晶基板の主表面上にＧａＰエピタキシャル膜の気相成長を行った。
具体的には、まず、プラネタリー（トレイ）に、ウエーハとして準備したＧａＰ単結晶基板をセットした。
【００４２】
そして、窒素（Ｎ２）ガスをリアクタ内に２０分間導入し、空気を十分に置換除去した後、キャリアガスとして高純度水素（Ｈ２）を導入し、Ｎ２ガスの導入を停止して昇温工程に入った。
その後、周期律表第Ｖ族元素成分として高純度りん化水素ガス（ＰＨ３）を導入した。
更に、所定の温度に到達した後、周期律表ＩＩＩ属元素成分原料としてＧａＣｌｘを生成させるため高純度塩化水素ガス（ＨＣｌ）を石英ボート中のＧａ溜に吹き込み、単結晶基板と同組成のＧａＰエピタキシャル膜の気相成長を行った。この際、カルーセル（サセプタ）の回転数を３ｒｐｍ、プラネタリーの回転数を３ｒｐｍにセットして、ＧａＰ単結晶基板を自公転させながら気相成長を行った。
そして、所定の膜厚に達した時点でＨＣｌガス、ＰＨ３ガス、Ｈ２ガスの導入を止めて、気相成長を終了させた。
【００４３】
気相成長終了後、リアクタ内から製造したエピタキシャルウエーハを取り出し、図２に示すようなＡ方向、Ｂ方向のエピタキシャル膜の厚さを測定した。その測定結果をＡ方向については図３に、Ｂ方向については図５に示す。
またＡ方向、Ｂ方向それぞれにおいて、ウエーハ中心のエピタキシャル膜の厚さを１とした時の他の箇所の膜厚の比を評価した。その評価結果をＡ方向については図４に、Ｂ方向については図６に示す。
【００４４】
（実施例２）
実施例１において、プラネタリーの回転数を３０ｒｐｍとした以外は同様の条件でエピタキシャル膜の気相成長を行い、実施例１と同様の評価を行った。その結果を図３−６に示す。
【００４５】
（比較例１）
実施例１において、公転用電動モータとプラネタリーギアの間にダミーロッドをセットして、プラネタリーの回転数が０ｒｐｍとなるようにした以外は同様の条件でエピタキシャル膜の気相成長を行い、実施例１と同様の評価を行った。その結果を図３−６に示す。
なお、ＧａＰ単結晶基板の自転のない比較例１の場合、Ａ方向が公転軸の軸中心に平行な方向、Ｂ方向が公転の円周の接線方向となった。
【００４６】
図３に示すように、実施例１はウエーハ面内の膜厚が５２〜６４μｍ（最大差１２μｍ）、実施例２は５６〜６１μｍ（最大差５μｍ）と、５５〜７４μｍ（最大差１９μｍ）であった比較例１に比べて膜厚のバラツキが小さいことが判った。
また、図４に示すように、実施例１，２は、ＧａＰ単結晶基板を自転させなかった比較例１に比べて、ウエーハ面内、特にウエーハ外周部の膜厚が中心に比べて厚くなることを抑制でき、膜厚が均一なエピタキシャルウエーハを得られることが判った。特に、自転数／公転数の比率が１０と大きい実施例２では、ウエーハ中心のエピタキシャル膜の厚さに対する比率が１〜１．１と、自転数／公転数の比率が１の実施例１の１〜１．２に比べて面内の膜厚均一性に優れていることが判った。
【００４７】
そして、図５に示すように、Ｂ方向についても、実施例１はウエーハ面内の膜厚が５２〜７０μｍ（最大差１８μｍ）、実施例２は５６〜６４μｍ（最大差８μｍ）と、ＧａＰ単結晶基板を自転させずにエピタキシャル成長を行った比較例１（５６〜８５μｍ（最大差２９μｍ））に比べて膜厚のバラツキが小さいことが判った。
また、図６に示すように、Ｂ方向についてもＡ方向と同様に、実施例１，２ともに、比較例１に比べてウエーハ面内が均一であり、特にウエーハ外周部の膜厚を改善できることが判った。そして、自転数／公転数の比率が大きい実施例２のほうが実施例１に比べて膜厚が均一となっており、自転数／公転数の比率は大きいほうが良いことが判った。
【００４８】
（実施例３）
実施例１において、プラネタリーの回転数を１２ｒｐｍ（自転数／公転数＝４）とした以外は同様の条件でエピタキシャル膜の気相成長を行い、実施例１と同様の評価を行った。
【００４９】
そして、各実施例・比較例において、ウエーハ中心部のエピタキシャル膜の厚さを１とした時の、エピタキシャル膜の膜厚比の最大値から最小値を減算して、膜厚の誤差の評価を行った。そしてその結果とウエーハの自転数／公転数との関係を評価した。その結果を図７に示す。
図７に示すように、自転数／公転数の比率を大きくする程、膜厚が均一になることが判った。
【００５０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５１】
１０…気相成長装置、  １１…リアクタ、  １２…サセプタ（カルーセル）、  １３…トレイ（プラネタリー）、  １４…公転用電動モータ、  １４ａ…公転用回転軸軸中心、  １５…自転用電動モータ、  １５ａ…自転用回転軸軸中心、  １６…プラネタリーギア、
３０…気相成長装置、  ３１…リアクタ、  ３２…サセプタ、  ３３…トレイ、  ３４…公転用モータ、  ３５…自転用気体駆動回転子、
Ｗ…ウエーハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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