(57)【要約】【課題】優れた放熱性を維持しつつ良好な絶縁性が得られる絶縁基板を提供する。【解決手段】アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜と、を備え、前記陽極酸化皮膜中において、円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ3以下である絶縁基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム基板と、
前記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜と、を備え、
前記陽極酸化皮膜中において、円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ3以下である絶縁基板。
【請求項２】
さらに、前記アルミニウム基板の厚さ方向に貫通形成されたスルーホールを備え、
前記スルーホールの内壁面が前記陽極酸化皮膜で被覆されている、請求項１に記載の絶縁基板。
【請求項３】
前記アルミニウム基板のアルミニウム純度が９９．９５質量％以上である、請求項１または２に記載の絶縁基板。
【請求項４】
ＬＥＤ用絶縁基板である、請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁基板。
【請求項５】
請求項１に記載の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、
アルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程を備え、前記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜中において円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ3以下である絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法。
【請求項６】
請求項２に記載の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、
前記陽極酸化処理工程の前に、前記アルミニウム基板の厚さ方向にスルーホールを貫通形成するスルーホール形成工程を備える、請求項５に記載の絶縁基板の製造方法。
【請求項７】
前記陽極酸化処理工程の前に、前記アルミニウム基板に対して３５０〜６００℃での焼鈍処理を施す焼鈍処理工程を備える、請求項５または６に記載の絶縁基板の製造方法。
【請求項８】
前記陽極酸化処理工程では、硫酸電解液を用いる、請求項５〜７のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。
【請求項９】
前記硫酸電解液の硫酸濃度が、１０〜６０ｇ／ｌである、請求項８に記載の絶縁基板の製造方法。
【請求項１０】
前記アルミニウム基板のアルミニウム純度が９９．９５質量％以上である、請求項５〜９のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁基板が備える前記陽極酸化皮膜上の所望部位に配線を形成する配線の形成方法であって、前記所望部位にのみ前記配線となる導体金属を選択的に供給する供給工程を備える、配線の形成方法。
【請求項１２】
前記供給工程が、前記所望部位に前記導体金属を含む金属インクをインクジェット印刷法により供給する工程である、請求項１１に記載の配線の形成方法。
【請求項１３】
前記供給工程が、前記所望部位に前記導体金属を含む金属インクをスクリーン印刷法により供給する工程である、請求項１１に記載の配線の形成方法。
【請求項１４】
前記供給工程が、前記陽極酸化皮膜上の前記所望部位以外の部位にレジストを形成させた前記絶縁基板に対して、前記導体金属のイオンを含有する処理液を用いて無電解めっき処理および／または電解めっき処理を施す工程である、請求項１１に記載の配線の形成方法。
【請求項１５】
前記供給工程が、前記所望部位に金属還元能を有する金属還元層を形成し、形成された前記金属還元層に対して前記導体金属のイオンを含有する処理液を接触させる工程である、請求項１１に記載の配線の形成方法。
【請求項１６】
前記所望部位が前記絶縁基板の表裏両側に位置している、請求項１１〜１５のいずれかに記載の配線の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に用いられる絶縁基板に関し、詳しくは発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という。）に用いられる絶縁基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ＬＥＤは、蛍光灯と比較して、電力使用量が１／１００、寿命が４０倍（４００００時間）と言われている。このような省電力かつ長寿命という特徴が、環境重視の流れの中でＬＥＤが採用される重要な要素となっている。
特に白色ＬＥＤは、演色性に優れ、蛍光灯に比べて電源回路が簡便であるというメリットもあることから、照明用光源としての期待が高まっている。
近年、照明用光源として要求される発光効率の高い白色ＬＥＤ（３０〜１５０ｌｍ／Ｗ）も続々と登場し、実用時における光の利用効率の点では、蛍光灯（２０〜１１０ｌｍ／Ｗ）を逆転している。
これにより、蛍光灯にかわり白色ＬＥＤの実用化の流れが一気に高まり、液晶表示装置のバックライトや照明用光源として白色ＬＥＤが採用されるケースも増えつつある。
【０００３】
ところで、高輝度化を達成するためにＬＥＤチップに電流を大量に流すと、発熱量が増大して波長変換用蛍光体担持樹脂材料の経時劣化を促進し、その結果、長寿命という特徴が犠牲になるという問題点が指摘されている。
実際、従来のＬＥＤにおいては、長時間駆動させたり発光輝度を高めるために高電流駆動させたりすると、ＬＥＤチップが著しく発熱して高温状態となり、熱劣化が生じている。
【０００４】
このような問題を解消するため、アルミニウム基板の表面を陽極酸化皮膜で被覆した絶縁基板が提案されている（例えば、特許文献１〜７を参照）。この場合、陽極酸化皮膜が絶縁性を有するとともに、アルミニウム基板が高い熱伝導性を有するため、良好な放熱性が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２５０３１５号公報
【特許文献２】実開昭５５−１５４５６４号公報
【特許文献３】特開２００６−３４４９７８号公報
【特許文献４】特開平７−１４９３８号公報
【特許文献５】特開２００６−２４４８２８号公報
【特許文献６】特開２００９−１６４５８３号公報
【特許文献７】特表平１１−５０４３８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者は、特許文献１〜７に記載の絶縁基板についてさらに検討を行った。その結果、陽極酸化皮膜を得るための陽極酸化処理の条件や使用するアルミニウム基板によっては良好な絶縁性が得られないことが明らかとなった。
そこで、本発明の目的は、優れた放熱性を維持しつつ良好な絶縁性が得られる絶縁基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、陽極酸化皮膜中の円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ3以下である場合に、良好な絶縁性が得られることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（１６）を提供する。
【０００８】
（１）アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜と、を備え、上記陽極酸化皮膜中において、円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ3以下である絶縁基板。
【０００９】
（２）さらに、上記アルミニウム基板の厚さ方向に貫通形成されたスルーホールを備え、上記スルーホールの内壁面が上記陽極酸化皮膜で被覆されている、上記（１）に記載の絶縁基板。
【００１０】
（３）上記アルミニウム基板のアルミニウム純度が９９．９５質量％以上である、上記（１）または（２）に記載の絶縁基板。
【００１１】
（４）ＬＥＤ用絶縁基板である、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の絶縁基板。
【００１２】
（５）上記（１）に記載の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、アルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程を備え、上記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜中において円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ3以下である絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法。
【００１３】
（６）上記（２）に記載の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、上記陽極酸化処理工程の前に、上記アルミニウム基板の厚さ方向にスルーホールを貫通形成するスルーホール形成工程を備える、上記（５）に記載の絶縁基板の製造方法。
【００１４】
（７）上記陽極酸化処理工程の前に、上記アルミニウム基板に対して３５０〜６００℃での焼鈍処理を施す焼鈍処理工程を備える、上記（５）または（６）に記載の絶縁基板の製造方法。
【００１５】
（８）上記陽極酸化処理工程では、硫酸電解液を用いる、上記（５）〜（７）のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。
【００１６】
（９）上記硫酸電解液の硫酸濃度が、１０〜６０ｇ／ｌである、上記（８）に記載の絶縁基板の製造方法。
【００１７】
（１０）上記アルミニウム基板のアルミニウム純度が９９．９５質量％以上である、上記（５）〜（９）のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。
【００１８】
（１１）上記（１）〜（３）のいずれかに記載の絶縁基板が備える上記陽極酸化皮膜上の所望部位に配線を形成する配線の形成方法であって、上記所望部位にのみ上記配線となる導体金属を選択的に供給する供給工程を備える、配線の形成方法。
【００１９】
（１２）上記供給工程が、上記所望部位に上記導体金属を含む金属インクをインクジェット印刷法により供給する工程である、上記（１１）に記載の配線の形成方法。
【００２０】
（１３）上記供給工程が、上記所望部位に上記導体金属を含む金属インクをスクリーン印刷法により供給する工程である、上記（１１）に記載の配線の形成方法。
【００２１】
（１４）上記供給工程が、上記陽極酸化皮膜上の上記所望部位以外の部位にレジストを形成させた上記絶縁基板に対して、上記導体金属のイオンを含有する処理液を用いて無電解めっき処理および／または電解めっき処理を施す工程である、上記（１１）に記載の配線の形成方法。
【００２２】
（１５）上記供給工程が、上記所望部位に金属還元能を有する金属還元層を形成し、形成された上記金属還元層に対して上記導体金属のイオンを含有する処理液を接触させる工程である、上記（１１）に記載の配線の形成方法。
【００２３】
（１６）上記所望部位が上記絶縁基板の表裏両側に位置している、上記（１１）〜（１５）のいずれかに記載の配線の形成方法。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、優れた放熱性を維持しつつ良好な絶縁性が得られる絶縁基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の絶縁基板の好適な実施形態の一例を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。
【図２】本発明の絶縁基板の好適な実施形態の一例を示すフローチャートである。
【図３】比較例１の絶縁基板を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。
【図４】導通試験の状態を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。
【図５】ルーティング加工を説明するための模式図である。
【図６】本発明におけるルーティング加工の好適例を示す断面模式図である。
【図７】ルーティング加工の一例を示す断面模式図である。
【図８】絶縁基板への配線を説明するための断面模式図である。
【図９】導体金属の供給を説明するための模式図である。
【図１０】配線パターンを示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は底面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
＜絶縁基板＞
以下に、本発明の絶縁基板について詳細に説明する。
本発明の絶縁基板は、アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜と、を備え、上記陽極酸化皮膜中において、円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ3以下である絶縁基板である。
次に、本発明の絶縁基板の構成について、図１を用いて説明する。
【００２７】
図１は、本発明の絶縁基板の好適な実施形態の一例を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。
図１に示すように、本発明の絶縁基板１は、アルミニウム基板２を主体に構成されている。アルミニウム基板２の全面は、陽極酸化皮膜３によって被覆されている。
【００２８】
ここで、アルミニウム基板２の「全面」とは、アルミニウム基板２において外部雰囲気と接する全ての露出面をいい、図１に示すように、アルミニウム基板２が平板状である場合には、アルミニウム基板２の表裏面はもとより、アルミニウム基板の厚さを規定する面をも含む概念である。
【００２９】
また、図１に示すように、アルミニウム基板２には、その厚さ方向に貫通させて、スルーホール４が形成されていてもよい。アルミニウム基板２の全面が陽極酸化皮膜３によって被覆されているため、スルーホール４の内壁面も同様に、陽極酸化皮膜３によって被覆されている。
【００３０】
本発明の絶縁基板１では、陽極酸化皮膜３が絶縁層となる。そのため、絶縁基板１の表面に配置されるＬＥＤチップ（図示せず）に対して、絶縁基板１の裏面側から絶縁基板１の外周の陽極酸化皮膜３を沿わせて、電力供給のための配線（図示せず）を形成することができる。
また、スルーホール４の内壁面も陽極酸化皮膜３によって被覆されているため、スルーホール４を通過させて、絶縁基板１の裏面側から表面側に向けて配線を形成することもできる。
ＬＥＤチップを絶縁基板に表面実装する場合、電力供給のための配線を絶縁基板の裏面側から表面側に向けて形成する必要があるが、本発明の絶縁基板１によれば、これが可能となる。
なお、配線は、例えば、後述するように、金属インクをインクジェット印刷法、スクリーン印刷法等により印刷し焼成する方法等によって形成することができる。
このとき、アルミニウム基板２が高い熱伝導性を有するため、ＬＥＤチップが熱を帯びたとしても、優れた放熱性が得られる。
【００３１】
以下に、本発明の絶縁基板を構成するアルミニウム基板、陽極酸化皮膜、スルーホール等について詳述する。
【００３２】
（アルミニウム基板）
上記アルミニウム基板としては、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等を用いることもできる。
【００３３】
上記アルミニウム基板の厚さは、特に限定されないが、実装部品の低背化の観点から、０．２〜０．５ｍｍであるのが好ましい。なお、アルミニウム基板２を、所望の形状に加工することで、設計変更等にも柔軟に対応できる。
【００３４】
上記アルミニウム基板のアルミニウム純度は、高い方が好ましい。具体的には、アルミニウム純度が、９９．９５質量％以上であるのが好ましく、９９．９９質量％以上であるのがより好ましい。
アルミニウム純度が上記範囲であると、上記アルミニウム基板中のＳｉ、Ｆｅ等の不純物が極めて微量となり、後述する陽極酸化処理を施して形成される陽極酸化皮膜中に残存する金属間化合物の個数が低減する。
【００３５】
また、上記アルミニウム基板に対して後述する陽極酸化処理を施す場合、陽極酸化処理を施す面は、あらかじめ脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましい。
脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去することを目的として行われる。脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。
鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の面の凹凸、例えば、アルミニウム基板の圧延時に発生した圧延筋等をなくすために行われる。鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。
【００３６】
（陽極酸化皮膜）
上記陽極酸化皮膜は、存在する円相当直径１μｍ以上の金属間化合物の個数が２０００個／ｍｍ3以下である酸化アルミニウム皮膜である。
上記陽極酸化皮膜は、例えば、上記アルミニウム基板に対して後述する陽極酸化処理を施すことにより、上記アルミニウム基板の全面に形成される。
上記陽極酸化皮膜の厚さは、絶縁性の観点から、５〜７５μｍであるのが好ましく、１０〜５０μｍであるのがより好ましい。
【００３７】
ここで、金属間化合物について説明する。
本発明において、金属間化合物とは、上記アルミニウム基板中のアルミニウムとＳｉ、Ｆｅ等の不純物とによって構成される化合物である。後述する陽極酸化処理によって、一部の金属間化合物はアルミニウムとともに酸化され、別の一部の金属間化合物は残存すると言われている。
本発明においては、上記陽極酸化皮膜中において、円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ3以下であり、１０００個／ｍｍ3以下が好ましく、８００個／ｍｍ3以下がより好ましく、２００個／ｍｍ3以下がさらに好ましい。
また、金属間化合物の個数は次のように測定した。まず、陽極酸化皮膜の外面と断面とを、加速電圧２ｋＶ、観察倍率１００００倍で、測定面積が０．０１ｍｍ２となるように、複数視野をＦＥ−ＳＥＭ（日立製作所社製、Ｓ−４０００）で観察した。この観察結果から、陽極酸化皮膜外面の金属間化合物の存在確率Ｐｓ（個／ｍｍ２）と、陽極酸化皮膜断面の金属間化合物の存在確率Ｐｃ（個／ｍｍ２）とを求め、計算式｛（Ｐｓ×Ｐｃ）＾（３／４）｝から、有効数字を２桁として、陽極酸化皮膜中の金属間化合物の個数を、算術的に求めた。
円相当直径とは、ＳＥＭ写真における金属間化合物の面積と同じ面積を有する円の直径として換算した値である。
【００３８】
上記陽極酸化皮膜中の金属間化合物の個数が上記範囲であると、本発明の絶縁基板は、絶縁性に優れる。
これは、上記陽極酸化皮膜中に残存している金属間化合物は絶縁破壊等の起点になると考えられるところ、本発明によれば、上記陽極酸化皮膜中の金属間化合物の絶対数が低く抑えられるため、絶縁破壊等が起こりにくくなるからであると考えられる。
【００３９】
なお、本発明者は、金属間化合物がアルミニウム基板の芯部分で増えることを明らかにした。これは、アルミニウムの鋳造工程に起因すると推定される。
したがって、アルミニウム基板の芯部分の面についても陽極酸化皮膜を形成する場合、この陽極酸化皮膜と他の位置の陽極酸化皮膜とでは、金属間化合物の個数に差異が生じ、絶縁性等の特性にも差異が生じやすいと考えられる。
しかし、本発明においては、金属間化合物の個数が全体的に低減されているため、陽極酸化皮膜の位置の違いによる絶縁性等の特性の差異も生じにくくなると考えられる。
【００４０】
（スルーホール）
所望により形成する上記スルーホールは、後述する陽極酸化処理によって上記陽極酸化皮膜が形成される前に、上記アルミニウム基板の厚さ方向に貫通形成される。これにより、上記スルーホールの内壁面も上記陽極酸化皮膜で被覆される。
上記スルーホールの形状は、特に限定されないが、後述する陽極酸化処理が施される際の上記アルミニウム基板の体積膨張を考慮して、目的のホール径よりもわずかに大径に形成されることが好ましい。
また、上記スルーホールが形成される個数は、実施態様に応じて変更されるため、特に限定されないが、例えば、個片化された上記アルミニウム基板に対して２個である。
【００４１】
＜絶縁基板の製造方法＞
以下に、本発明の絶縁基板の製造方法について詳細に説明する。
本発明の絶縁基板の製造方法は、上述した本発明の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、アルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程を備え、上述した本発明の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法である。
【００４２】
次に、本発明の絶縁基板の製造方法が備える各工程について、図２に基づいて説明する。図２は、本発明の絶縁基板の好適な実施形態の一例を示すフローチャートである。
【００４３】
（陽極酸化処理工程）
陽極酸化処理工程は、上記アルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施して、上記アルミニウム基板の全面を被覆する上記陽極酸化皮膜を形成する工程である。
【００４４】
陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、平版印刷版用支持体の製造等で行われている従来の方法で陽極酸化処理を施すことができる。
具体的には、陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができ、中でも硫酸、ホウ酸を用いることが好ましい。
【００４５】
硫酸電解液を用いる場合、その硫酸濃度は、１０〜６０ｇ／ｌであることが好ましく、２０〜４０ｇ／ｌであることがより好ましい。硫酸濃度がこの範囲であると、陽極酸化皮膜に残存する金属間化合物の個数が低減するため、本発明の絶縁基板は、絶縁性により優れる。
【００４６】
この際、少なくともアルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていても構わない。更には、第２、第３の成分が添加されていても構わない。ここでいう第２、第３の成分としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属のイオン；アンモニウムイオン等の陽イオン；硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、０〜１００００ｐｐｍ程度の濃度で含まれていてもよい。
【００４７】
また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度１〜８０質量％、液温５〜７０℃、電流密度０．５〜６０Ａ／ｄｍ2、電圧１〜１００Ｖ、電解時間１５秒〜５０分であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。
【００４８】
陽極酸化処理工程においては、硫酸を含有する電解液中で陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板と対極との間に直流を印加してもよく、交流を印加してもよい。
アルミニウム基板に直流を印加する場合、電流密度は１〜６０Ａ／ｄｍ2であるのが好ましく、５〜４０Ａ／ｄｍ2であるのがより好ましい。
【００４９】
また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理を連続的に施す場合には、アルミニウム基板の一部に電流が集中していわゆる「焼け」が生じないように、陽極酸化処理の開始当初は、５〜１０Ａ／ｄｍ2の低電流密度で電流を流し、陽極酸化処理が進行するにつれ、３０〜５０Ａ／ｄｍ2またはそれ以上に電流密度を増加させるのが好ましい。連続的に陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板に、電解液を介して給電する液給電方式により行うのが好ましい。
【００５０】
また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、ある１つの処理条件で単独処理されてもよいが、２つ以上の条件の異なる陽極酸化処理を順次組み合わせて処理してもよい。
【００５１】
例えば、硫酸電解液を用いた陽極酸処理の後に、ホウ酸およびホウ酸ナトリウムを含有する電解液を用いて陽極酸化処理（追加ホウ酸処理）を施してもよい。これにより、得られる絶縁基板について、陽極酸化皮膜中の金属間化合物の個数がより低減される。
追加ホウ酸処理の条件は、特に限定されないが、ホウ酸濃度は、０．１〜１Ｍが好ましく、０．３〜０．６Ｍがより好ましい。また、ホウ酸ナトリウム濃度は、０．０１〜０．１Ｍが好ましく、０．０３〜０．０６Ｍがより好ましい。さらに、電圧は、２００〜６００Ｖが好ましく、液温は、２０〜６０℃が好ましい。
【００５２】
（スルーホール形成工程）
本発明の絶縁基板の製造方法は、スルーホール形成工程を備えていてもよい。スルーホール形成工程は、上記陽極酸化処理工程の前に、上記アルミニウム基板の厚さ方向に上記スルーホールを貫通形成する工程である。
上記スルーホールの形成に際しては、従来公知の方法を採用することができ、例えば、ドリル加工、レーザー加工、金型よる打ち抜き加工等を用いることができる。
また、上述したように、上記スルーホールの形成に際しては、陽極酸化処理による上記アルミニウム基板の体積膨張を考慮して、目的のホール径よりもわずかに大径に形成することが好ましい。
【００５３】
（個片化工程）
本発明の絶縁基板の製造方法は、個片化工程を備えていてもよい。個片化工程は、上記陽極酸化処理工程の前（上記スルーホール形成工程を備える場合には、上記スルーホール形成工程の後、または、上記スルーホール形成工程と同時）に、上記アルミニウム基板を所望の形状で個片化可能にする工程である。この際、従来公知の方法を採用することができ、例えば、金型による内抜き加工、ドリルやレーザを用いたルーティング加工等を採用することができる。
【００５４】
［ルーティング加工］
ここで、図５に基いて、ルーティング加工について説明する。ルーティング加工は、板状のアルミニウム基板２（図５（Ａ１）参照）から、複数個のアルミニウム基板であるチップ４１（図５（Ａ２）参照）を得るために行われる。
ルーティング加工では、各々のチップ４１の周囲に、アルミニウム基板２を貫通する切欠部４３が形成される（図５（Ａ２）参照）。このとき、異なるチップ４１同士またはチップ４１とアルミニウム基板２とを連結する連結部４２を残しておくことは、チップ４１がアルミニウム基板２から切り離されてバラバラとならず、チップ４１をアルミニウム基板２と一体に扱うことができるため、好ましい。
そして、ルーティング加工の後、上述した陽極酸化処理を施し（図５（Ａ３）参照）、連結部４２を切り離すことで、絶縁基板としてのチップ４１が得られる（図５（Ａ４）参照）。
ところで、連結部４２を切り離した後のチップ４１の側面には、陽極酸化されていないアルミニウム部分である切離跡４５が出現することになる（図５（Ａ４）参照）。このような切離跡４５は、陽極酸化されていないため、切離跡４５を有する絶縁基板としてのチップ４１の絶縁性は、不十分となるおそれがある。
【００５５】
そこで、本発明においては、図６に示すように、ルーティング加工の際に、連結部４２を、チップ４１よりも薄く形成する（図６（Ｂ１）参照）。具体的には、連結部４２の厚さを、陽極酸化処理によって形成される陽極酸化皮膜３の厚さの２倍以下にすることで、連結部４２における全ての部分を陽極酸化皮膜３が占めるようにする（図６（Ｂ２）参照）。
そうすると、連結部４２におけるアルミニウム部分は全く無くなるため、連結部４２を切り離しても、絶縁基板であるチップ４１の切離跡４５は出現しない（図６（Ｂ３）参照）。このようにして得られた絶縁基板としてのチップ４１の絶縁性は、十分なものとなる。
【００５６】
なお、連結部４２をチップ４１よりも薄く形成するといっても、図７に示すように、連結部４２の厚さを、陽極酸化処理によって形成される陽極酸化皮膜３の厚さの２倍超にしてしまうと、連結部４２にアルミニウム部分が残ってしまう（図７（Ｃ２）参照）。この場合、連結部４２の切り離しにより、チップ４１の側面には切離跡４５が僅かに出現してしまい（図７（Ｃ３）参照）、絶縁性は不十分となる。
【００５７】
（焼鈍処理工程）
本発明の絶縁基板の製造方法は、焼鈍処理工程を備えていてもよい。焼鈍処理工程は、上記陽極酸化処理工程の前（上記スルーホール形成工程を備える場合は、上記スルーホール形成工程の前）に、上記アルミニウム基板に対して、焼鈍処理を施す工程である。
焼鈍処理を施す場合は、３５０〜６００℃で施すのが好ましく、４００〜５００℃で施すのがより好ましい。また、１０〜１００時間施すのが好ましい。具体的には、例えば、アルミニウム基板を焼鈍炉に入れる方法等が挙げられる。
このような焼鈍処理を施すことにより、アルミニウム基板中の不純物を、その元素種にもよるが、基板中に固溶させることができるので、陽極酸化処理を施して形成される上記陽極酸化皮膜中の金属間化合物の個数が低減して、本発明の絶縁基板における絶縁性が、より良好になる。
また、焼鈍処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水等に直接投入する方法等が挙げられる。
【００５８】
（その他の工程）
本発明の絶縁基板の製造方法は、上記陽極酸化処理工程の前（上記スルーホール形成工程または上記個片化工程を備える場合には、これらの工程の後）に、上記アルミニウム基板に対して、バリ、加工油分等の除去を目的としたエッチング処理を施すエッチング処理工程を備えることが好ましい。
エッチング処理は、酸性の処理液でもアルカリ性の処理液でも用いることができ、例えば、リン酸、水酸化ナトリウム溶液等を用いることができる。この際、有機溶剤系の洗浄剤を併用してもよい。
さらに、本発明の絶縁基板の製造方法は、上記エッチング処理工程の後であって上記陽極酸化処理工程の前に、陽極酸化処理時の均一性を確保する目的で、上記アルミニウム基板の全面を十分水洗する水洗工程を備えることが好ましい。そして、水洗後、陽極酸化処理までは、自然酸化皮膜の形成および空気中の不純物の付着を抑制するため、上記アルミニウム基板の全面を、空気中に暴露しないことが好ましい。
【００５９】
＜配線の形成方法＞
以下に、本発明の配線の形成方法について詳細に説明する。
本発明の配線の形成方法は、上述した本発明の絶縁基板が備える上記陽極酸化皮膜上の所望部位に配線を形成する配線の形成方法であって、上記所望部位にのみ上記配線となる導体金属を選択的に供給する供給工程を備える配線の形成方法である。
【００６０】
図８は、絶縁基板への配線を説明するための断面模式図である。絶縁基板１が備える陽極酸化皮膜３上の所望部位に配線を形成する方法としては、図８（Ａ）に示すように、まず、陽極酸化皮膜３の全面に、接着剤を用いて導体金属１１の貼付（銅貼り）を行い、その後、所望部位以外の不要部１１ｂをエッチング処理等で除去し、残った残部１１ａを配線とする方法が考えられる。
しかしながら、この方法を採用する場合、不要部１１ｂをエッチング処理等で除去する工程が必須となる；使用される接着剤が絶縁基板の放熱性を悪化させる；等の問題が生じてしまう。
【００６１】
これに対し、本発明の配線の形成方法によれば、図８（Ｂ）に示すように、当初から所望部位にのみ導体金属１１が選択的に供給されるため、不要部１１ｂをエッチング処理等で除去すること等を必要とせずに所望部位に配線を形成することが可能となる。
そして、本発明の配線の形成方法によって得られた配線については、陽極酸化皮膜３の全面に導体金属１１を供給して得られた配線と同様な導通性を有し、特に、後述する第１〜第４態様の配線の形成方法を採用することによって、接着剤が不要となり、絶縁基板の放熱性が維持される。
【００６２】
図９は、導体金属の供給を説明するための模式図である。図９に基いて、導体金属を供給する場合について説明する。
図９（Ａ）に示すように、絶縁基板１の形状が、段差のない平板状である場合には、本発明の配線の形成方法を用いることなく、絶縁基板１の陽極酸化皮膜（図９では図示せず）上に導体金属である金属箔層１２を配置することができる。
しかしながら、図９（Ｂ）〜（Ｄ）に示すように、絶縁基板１の形状が、一面側に凹凸を有する形状（キャビティ形状）；チップ４１同士を連結部４２が連結している形状（プラモデル形状）；チップ４１にスルーホール４が形成されている形状（スルーホール形状）；等の段差を有する形状である場合には、金属箔層１２をその形状に沿って配置することは困難である。
そこで、絶縁基板１が段差を有する形状である場合には、所望部位にのみ導体金属１１が選択的に供給される本発明の配線の形成方法を採用することにより、段差形状を有する絶縁基板１に対しても部分的に導体金属１１を供給し配線とすることができる。このとき、図９（Ｄ）に示すように、配線が形成されることを所望する部位が絶縁基板１の表裏両側に位置していてもよい。
なお、スルーホール形状の絶縁基板１に対しては、スルーホール４の内壁面にも導体金属１１を供給する観点から、後述する第３態様または第４態様の配線の形成方法を採用することが好ましい。
【００６３】
次に、本発明の配線の形成方法として、第１〜第４態様の配線の形成方法について説明する。
（第１態様）
第１態様の配線の形成方法における上記供給工程は、上記陽極酸化皮膜上の所望部位に導体金属を含む金属インクをインクジェット印刷法により供給する工程である。第１態様によれば、金属インクが配線パターンを形成し、この配線パターンがその後焼成されて配線となる。
そして、本発明の絶縁基板のように、端面（側面）まで陽極酸化皮膜が形成されている絶縁基板に対しては、第１態様の配線の形成方法を採用することで、金属インクを供給しやすいという効果が期待できる。
【００６４】
インクジェット印刷法に用いる機構としては、特に限定されず、従来公知の機構を用いることができる。
金属インクとしては、例えば、バインダー、界面活性剤などを含む溶媒に導体金属の微粒子を均一分散させたもの等が挙げられる。この場合、溶媒は、導体金属に対する親和性と揮発性とを兼ね備えたものであることが必要である。
【００６５】
金属インクに含まれる導体金属としては、銀、銅、金、白金、ニッケル、アルミニウム、鉄、パラジウム、クロム、モリブデン、タングステンなどの金属の微粒子；酸化銀、酸化コバルト、酸化鉄、酸化ルテニウムなどの金属酸化物の微粒子；Ｃｒ−Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｒ−Ｃｕ、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｍｎ、Ｍｎ−Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｒ−Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅなどの複合合金の微粒子；銀メッキ銅などのメッキ複合体の微粒子；等が挙げられ、これらを１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
これらのうち、金属の微粒子が好ましく、銀、銅、金がより好ましく、耐酸化性に優れて高絶縁性酸化物を生成しにくく、低コストであり、配線パターンの焼成後における導電性が向上するという理由から、特に銀が好ましい。
【００６６】
微粒子である導体金属の形状としては、特に限定されず、例えば、球状、粒状、鱗片状等が挙げられるが、微粒子同士の接触面積を大きくして導電性を向上させるという観点から、鱗片状が好ましい。
【００６７】
金属インクに含まれる導体金属の平均サイズは、金属インクにより形成される配線パターン中の充填率を高めて導電性を向上させるという観点、本発明の絶縁基板が備える上記陽極酸化皮膜への供給という観点から、１〜２０ｎｍが好ましく、５〜１０ｎｍがより好ましい。
【００６８】
（第２態様）
第２態様の配線の形成方法における上記供給工程は、上記陽極酸化皮膜上の所望部位に導体金属を含む金属インクをスクリーン印刷法により供給する工程である。第１態様と同様に、第２態様によれば、金属インクが配線パターンを形成し、この配線パターンがその後焼成されて配線となる。
スクリーン印刷法による金属インクの供給は、配線パターンに従った透過部分をスクリーンに設け、金属インクをこの透過部分からスキージングすることにより行うことができる。
導体金属を含む金属インクとしては、上述したインクジェット印刷法で用いたものを用いることができる。
【００６９】
（第３態様）
第３態様の配線の形成方法における上記供給工程は、上記陽極酸化皮膜上の所望部位以外の部位にレジストを形成させた本発明の絶縁基板に対して、導体金属のイオンを含有する処理液を用いて無電解めっき処理および／または電解めっき処理を施す工程である。第３態様によれば、レジストが形成されていない上記陽極酸化皮膜上の所望部位にのみ導体金属を析出させて配線とすることができる。
【００７０】
上記陽極酸化皮膜上にレジストを形成する方法としては、特に限定されず、例えば、レジスト液に浸漬させた本発明の絶縁基板を乾燥させて上記陽極酸化皮膜の全面にレジストを形成させ、配線パターンに従ってレジストを露光し、現像処理を行って不要なレジストを除去する方法等の従来公知の方法を用いることができる。
【００７１】
レジストとしては、上記陽極酸化皮膜を被覆することができるものであれば特に限定されず、従来公知のレジストを用いることができる。なお、フィルムタイプのレジストを用いることは、本発明の絶縁基板が上記スルーホールを備える等により段差を有する場合には、好ましくない。
また、レジストは、本発明の絶縁基板を使用する際には、除去されていても残存していてもよい。レジストを残存させる場合には、本発明の絶縁基板の放熱性を損なわせないために、アルミナ、シリカ、チタニアなどの酸化物フィラーをレジストに含有させることが好ましい。
【００７２】
無電解めっき処理で用いる処理液としては、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ等の導体金属のイオンを含有する処理液が挙げられ、中でも、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕイオンを含有する処理液が好ましい。
電解めっき処理で用いる処理液としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ等の導体金属のイオンを含有する処理液が挙げられ、中でも、Ｃｕイオンを含有する処理液が好ましい。
無電解めっき処理および／または電解めっき処理の条件としては、析出する導体金属が電気伝導可能な膜厚となるまで成長すれば特に限定されず、本発明の絶縁基板を無電解めっき処理液に長時間浸漬させて導体金属が所望膜厚となるまで無電解めっき処理のみを施してもよいし、無電解めっき処理を施して導体金属を一定膜厚まで成長させた後に電解めっき処理を施してこの導体金属をさらに成長させてもよい。
【００７３】
（第４態様）
第４態様の配線の形成方法における上記供給工程は、上記陽極酸化皮膜上の所望部位に金属還元能を有する金属還元層を形成し、形成された上記金属還元層に対して導体金属のイオンを含有する処理液を接触させる工程である。第４態様によれば、金属還元層が形成された所望部位にだけ導体金属を析出させて配線とすることができる。
【００７４】
上記金属還元層は、例えば、金属捕捉能を有する官能基を含有するカップリング剤に金属還元能を有する金属をあらかじめ補足させて得られる処理液を、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法などの印刷法を用いて、上記陽極酸化皮膜上の所望部位に印刷し、乾燥させることで形成される。
上記カップリング剤としては、上記陽極酸化皮膜上の水酸基と反応する官能基を有していればよく、反応性の高いシラノール基を生成し得るシランカップリング剤が好ましい。
上記カップリング剤が含有する金属捕捉能を有する官能基としては、メルカプト基、カルボキシ基、２−ヒドロキシフェニル基、３−ヒドロキシフェニル基、４−ヒドロキシフェニル基、エステル基、アミド基、イミダゾール基、エーテル基等が挙げられ、中でも、金属捕捉能により優れるという理由から、メルカプト基が好ましい。
このような上記カップリング剤としては、例えば、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン［（ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣ3Ｈ6ＳＨ］等が挙げられる。
上記カップリング剤に捕捉される金属還元能を有する金属としては、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ等が挙げられ、中でも、金属還元能により優れるという理由から、Ｐｄ（パラジウム）が好ましい。
【００７５】
上記金属還元層に対して接触させる処理液に含有される導体金属のイオンとしては、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属イオンが挙げられ、中でも、Ｃｕが好ましい。
このような処理液としては、上述した無電解めっき処理で用いる処理液を好ましく用いることができる。
【実施例】
【００７６】
以下に、実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
【００７７】
＜実施例１＞
アルミニウム純度９９．９５質量％のアルミニウム基板（日本軽金属社製、厚さ０．４ｍｍ）について、ドリル加工によりスルーホール（ホール径０．２ｍｍφ）を形成し、ルーティング加工によって個片化可能とした。
次に、このアルミニウム基板について、硫酸電解液（硫酸濃度５０ｇ／ｌ）を用いて、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で１時間陽極酸化処理を施して、厚さ１０μｍの均一な陽極酸化皮膜で全面が被覆された絶縁基板を得た。
【００７８】
＜実施例２＞
アルミニウム純度９９．９９質量％のアルミニウム基板（日本軽金属社製、厚さ０．４ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、絶縁基板を得た。
【００７９】
＜実施例３＞
実施例１と同じアルミニウム基板について、まず、焼鈍処理を施した。具体的には、焼鈍炉において４００℃で１２時間施し、その後、水に直接投入して急冷させた。
そして、焼鈍処理後のアルミニウム基板について、実施例１と同様にして、スルーホールを形成し、ルーティング加工によって個片化可能とした。
その後の陽極酸化処理についても実施例１と同様にして、絶縁基板を得た。
【００８０】
＜実施例４＞
陽極酸化処理に用いる硫酸電解液の硫酸濃度を３０ｇ／ｌとした以外は、実施例２と同様にして、絶縁基板を得た。
【００８１】
＜実施例５＞
得られた実施例４の絶縁基板に対して、０．５Ｍホウ酸および０．０５Ｍホウ酸ナトリウムを含む電解液を用いて、陽極酸化皮膜のポア内部のみを１μｍ深さだけ充填し、電圧４００Ｖ、液温４０℃にて、陽極酸化処理を１０分間さらに施して、実施例５とした。
【００８２】
＜比較例１＞
実施例１と同じアルミニウム基板について、まず、実施例１と同様にして、陽極酸化処理を施した。その後、実施例１と同様にして、スルーホール（ホール径０．２ｍｍφ）を形成し、ルーティング加工によって個片化可能とした。
図３は、比較例１の絶縁基板を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。比較例１の絶縁基板１については、陽極酸化処理を施した後にスルーホール４が形成されるため、図３に示すように、スルーホール４の内壁面は陽極酸化皮膜３で被覆されていない。
【００８３】
＜比較例２＞
陽極酸化処理に用いる硫酸電解液の硫酸濃度を３００ｇ／ｌとした以外は、実施例１と同様にして、絶縁基板を得た。
【００８４】
（金属間化合物の個数測定）
各例の絶縁基板について、上述したＦＥ−ＳＥＭの観察による方法によって、陽極酸化皮膜中に存在する円相当直径１μｍ以上の金属間化合物の個数（個／ｍｍ3）を測定した。結果を第１表に示す。
【００８５】
（耐電圧）
各例の絶縁基板について、ＪＩＳ  Ｃ２１１０−１９９４の手法に従い、耐電圧を計測した。結果を第１表に示す。
【００８６】
（導通試験）
図４は、導通試験の状態を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。各例の絶縁基板１について、図４に示すようにして、一対のスルーホール４に銅配線５を充填し、これに絶縁抵抗計（メガー）の電極６を接触させ、電圧を負荷した状態で導通を確認した。結果を第１表に示す。
最大２５０Ｖの電圧を負荷しても絶縁破壊がなく、他電極へのリークも観察されなかった場合には「○」を記載し、電圧負荷により絶縁が保てずに導通してしまった場合には「×」を記載した。
【００８７】
【表１】
2011171687.tif 000003
【００８８】
第１表に示す結果から、陽極酸化皮膜中に存在する円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ3以下である実施例１〜５の絶縁基板は、耐電圧が高く、良好な絶縁性を有することが分かった。
また、アルミニウム基板のアルミニウム純度を９９．９９質量％とした実施例２は、アルミニウム純度が９９．９５質量％である実施例１と比較して、金属間化合物の個数が減少して、耐電圧が上昇し、より良好な絶縁性を得られることが分かった。
また、アルミニウム基板に対して焼鈍処理を施した実施例３は、焼鈍処理を施さない実施例１と比較して、金属間化合物の個数が減少して、耐電圧が上昇し、より良好な絶縁性を得られることが分かった。
また、陽極酸化処理で用いる電解液の硫酸濃度を３０ｇ／ｌとした実施例４は、硫酸濃度が５０ｇ／ｌである実施例２と比較して、金属間化合物の個数が減少して、耐電圧が上昇し、より良好な絶縁性を得られることが分かった。
また、追加ホウ酸処理を施した実施例５は、当該処理を施さない実施例４と比較して金属間化合物の個数が低減して、耐電圧が上昇し、より良好な絶縁性が得られることが分かった。
【００８９】
これに対して、スルーホールの内壁面が陽極酸化皮膜で被覆されていない比較例１は、導通試験により絶縁破壊が生じてしまい、絶縁性が担保されていないことが分かった。
また、陽極酸化皮膜中に存在する円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が３２００個／ｍｍ3である比較例２は、耐電圧が低く、絶縁性に劣ることが分かった。
【００９０】
次に、実施例２の絶縁基板に、上述した第１〜第４態様の配線の形成方法によって、図１０に示す配線パターンに従った配線を形成した。図１０は、配線パターンを示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は底面図を示す。図１０中、５１が配線パターンである。
【００９１】
＜実施例６＞
Ａｕナノ粒子（ナノテック、シーアイ化成社製）５０ｇをキシレン５０ｇに加えた後に８時間常温で撹拌を行うことにより、安定したＡｕインク分散液を得た。当該インク分散液を固形粉分析したところ、金の含有量は２６．８質量％であった。そして、上記インク分散液の２質量％のシランカップリング剤（ＫＢＭ６０３、信越ポリマー社製）を、当該インク分散液に追加混合することにより、金属インクを調製した。調製された金属インクの粘度は、１０ｃｐｓであった。
次に、調製された金属インクを、ダイマティックス・マテリアルプリンター  ＤＭＰ−２８３１（富士フイルムダイマティックス社製）を用いて、図１０に示す配線パターンに従って、実施例２の絶縁基板にインクジェット印刷法により供給し、１６０℃に設定された熱風乾燥機により約５分間熱風乾燥し、Ａｕ金属配線を得た。
【００９２】
＜実施例７＞
実施例６と同様にして調製された金属インクを、スクリーン印刷機（ＴＵ２０３０−Ｂ、セリテック社製）を用いて、図１０に示す配線パターンに従って、実施例２の絶縁基板にスクリーン印刷法により供給し、１６０℃に設定された熱風乾燥機により約５分間熱風乾燥し、Ａｕ金属配線を得た。
【００９３】
＜実施例８＞
実施例２の絶縁基板を、レジスト液（ＤＳＲ３３０Ｐ、タムラ化研社製）に２５℃で５分間浸漬し、８０℃で１０分間乾燥し、露光装置（ＦＬ−３Ｓ、ウシオライティング社製）と図１０に示す配線パターンを形成したマスクとを用いて露光を行い、１質量％炭酸ナトリウム水溶液を用いて３０℃で９０秒間現像処理を行って不要なレジストを除去した。
次に、不要なレジストが除去された絶縁基板を、銅の無電解めっき処理液（ＭＫ−４６０ノーシアン厚付け無電解銅めっき液、室町化学社製）に２０分間浸漬し、配線を得た。
【００９４】
＜実施例９＞
シランカップリング剤としてのγ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ８０３、信越化学工業社製）１０ｇをメタノール８０ｇで希釈させたものに、塩化パラジウム（８０７１１００００１、メルク社製）１ｇを滴下して、シランカップリング剤のメルカプト基にＰｄを捕捉させ、８時間放置したものをインク（処理液）として得た。
得られたインクを、ダイマティックス・マテリアルプリンター  ＤＭＰ−２８３１（富士フイルムダイマティックス社製）を用いて、図１０に示す配線パターンに従って、実施例２の絶縁基板にインクジェット印刷法により供給し、１６０℃に設定された熱風乾燥機により約５分間熱風乾燥し、金属還元層を形成させた。
次に、金属還元層が形成された絶縁基板を、銅の無電解めっき処理液（ＭＫ−４６０ノーシアン厚付け無電解銅めっき液、室町化学社製）に２０分間浸漬し、配線を得た。
【００９５】
実施例６〜９について、得られた配線に絶縁抵抗計の電極を接触させて、３Ｖの電圧を負荷したところ、導通が確認され、十分な実用性を有することが分かった。
【符号の説明】
【００９６】
１  ：絶縁基板
２  ：アルミニウム基板
３  ：陽極酸化皮膜
４  ：スルーホール
５  ：銅配線
６  ：電極
１１  ：導体金属
１１ａ：残部
１１ｂ：不要部
１２  ：金属箔層
４１  ：チップ
４２  ：連結部
４３  ：切欠部
４５  ：切離跡
５１  ：配線パターン
【図１】
2011171687.tif 000004
【図２】
2011171687.tif 000005
【図３】
2011171687.tif 000006
【図４】
2011171687.tif 000007
【図６】
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【図７】
2011171687.tif 000009
【図８】
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【図９】
2011171687.tif 000011
【図５】
2011171687.tif 000012
【図１０】
2011171687.tif 000013