(57)【要約】【課題】積層された回路モジュール間に絶縁樹脂部材が充填された構造の回路装置において、絶縁樹脂部材による接合強度の向上を図る。【解決手段】回路装置１０は、第１の回路モジュール１００の上にはんだボール２７０を介して第２の回路モジュール２００が搭載され、第１の回路モジュール１００と第２の回路モジュール２００の間にアンダーフィル３００が充填された構造を有する。このような構造の回路装置１０は、第１の回路モジュール１００の端面、アンダーフィル３００の露出面および第２の回路モジュール２００の端面が同一平面上となるような側面を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路モジュールと、
前記第１の回路モジュールの上に積層された第２の回路モジュールと、
前記第１の回路モジュールと前記第２の回路モジュールとの間に充填されている絶縁樹脂部材と、
を備え、
前記第１の回路モジュールの端面、前記絶縁樹脂部材の露出面および前記第２の回路モジュールの端面が同一平面上となる側面を有することを特徴とする回路装置。
【請求項２】
各側面において、それぞれ、前記第１の回路モジュールの端面、前記絶縁樹脂部材の露出面および前記第２の回路モジュールの端面が同一平面上である請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記第１の回路モジュールは、前記第１の回路モジュールと前記第２の回路モジュールとを電気的に接続する接合部材が接合される電極部と、
前記電極部が露出するような開口部を有する絶縁樹脂層と、
を有し、
前記絶縁樹脂部材の露出面および前記第２の回路モジュールの端面と同一平面上となる前記第１の回路モジュールの端面の一部が前記絶縁樹脂層の端面である請求項１または２に記載の回路装置。
【請求項４】
前記第２の回路モジュールは、前記第２の回路モジュールと前記第１の回路モジュールとを電気的に接続する接合部材が接合される電極部と、
前記電極部が露出するような開口部を有する絶縁樹脂層と、
を有し、
前記絶縁樹脂部材の露出面および前記第１の回路モジュールの端面と同一平面上となる前記第２の回路モジュールの端面の一部が前記絶縁樹脂層の端面である請求項１または２に記載の回路装置。
【請求項５】
前記第１の回路モジュールは、前記第１の回路モジュールと前記第２の回路モジュールとを電気的に接続する接合部材が接合される第１の電極部と、
前記第１の電極部が露出するような開口部を有する第１の絶縁樹脂層と、
を有し、
かつ、前記第２の回路モジュールは、前記第１の回路モジュールと前記第２の回路モジュールとを電気的に接続する接合部材が接合される第２の電極部と、
前記第２の電極部が露出するような開口部を有する第２の絶縁樹脂層と、
を有し、
前記絶縁樹脂部材の露出面と同一平面上となる前記第１の回路モジュールおよび前記第２の回路モジュールの端面の一部が前記第１の絶縁樹脂層および前記第２の絶縁樹脂層の端面である請求項１または２に記載の回路装置。
【請求項６】
第１の回路モジュールの上に第２の回路モジュールを搭載する工程（１）と、
第１の回路モジュールと第２の回路モジュールとの間に絶縁樹脂部材を注入する工程（２）と、
所定の切断線に沿って前記第１の回路モジュール、前記絶縁樹脂部材および前記第２の回路モジュールを切断することにより、前記第１の回路モジュールの端面、前記絶縁樹脂部材の露出面および前記第２の回路モジュールの端面が同一平面上となる側面を形成する工程（３）と、
を備えることを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項７】
複数の第１の回路モジュールが平面状に連結した状態で、前記工程（１）および前記工程（２）を行い、
前記工程（３）において、各第１の回路モジュールが個片化される請求項６に記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高機能化に伴い、電子機器に使用される回路装置のさらなる小型化、高密度化が求められている。このような要求に応えるべく、回路モジュールの上に回路モジュールを搭載した三次元搭載技術が広く知られている。
【０００３】
このような三次元搭載技術の一例として、特許文献１には、回路モジュールとしての半導体パッケージの上に他の半導体パッケージを積層したパッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造が開示されている（特許文献１、図７参照）。特許文献１では、個片化された２つの半導体パッケージを積層した後、上下の半導体パッケージの間にアンダーフィル樹脂を充填することにより、半導体パッケージ間の接合強度の向上が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−０１６７１４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の三次元搭載技術により回路モジュールを積層する場合には、上下の回路モジュールの間に注入されたアンダーフィル樹脂は、表面張力により露出部分が膨らんだ状態となる。この状態でアンダーフィル樹脂が硬化することにより、上下の回路モジュール間においてアンダーフィル樹脂の露出部分が曲面状となる。このため、上下の回路モジュールの端面とアンダーフィル樹脂の露出部分とで段差が生じ、上下の回路モジュールの端面近傍において上下の回路モジュールの間の隙間がアンダーフィル樹脂により充填されずに残ったままとなる。すなわち、アンダーフィル樹脂による回路モジュール間の充填が十分ではないため、回路モジュール間の接合強度の向上については改良の余地があった。
【０００６】
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、積層された回路モジュール間に絶縁樹脂部材が充填された構造の回路装置において、絶縁樹脂部材による接合強度の向上を図ることのできる技術の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のある態様は、回路装置である。当該回路装置は、第１の回路モジュールと、第１の回路モジュールの上に積層された第２の回路モジュールと、第１の回路モジュールと第２の回路モジュールとの間に充填されている絶縁樹脂部材と、を備え、第１の回路モジュールの端面、絶縁樹脂部材の露出面および第２の回路モジュールの端面が同一平面上となる側面を有することを特徴とする。
【０００８】
上記態様の回路装置によれば、第１の回路モジュールおよび第２の回路モジュールの端面近傍において、第１の回路モジュールと第２の回路モジュールとの間に隙間が生じることなく絶縁樹脂部材が介在する。これにより、絶縁樹脂部材と第１の回路モジュールとの接触面積および、絶縁樹脂部材と第２の回路モジュールとの接触面積が増大するとともに、第１の回路モジュールと第２の回路モジュールとの間に介在する絶縁樹脂部材の体積の増大が図られる。この結果、絶縁樹脂部材と第１の回路モジュールとの接合強度、および絶縁樹脂部材と第２の回路モジュールとの接合強度をより高くすることができる。
【０００９】
上記態様の回路装置において、各側面において、それぞれ、第１の回路モジュールの端面、絶縁樹脂部材の露出面および第２の回路モジュールの端面が同一平面上であってもよい。また、第１の回路モジュールは、第１の回路モジュールと第２の回路モジュールとを電気的に接続する接合部材が接合される電極部と、電極部が露出するような開口部を有する絶縁樹脂層と、を有し、絶縁樹脂部材の露出面および第２の回路モジュールの端面と同一平面上となる第１の回路モジュールの端面の一部が絶縁樹脂層の端面であってもよい。
【００１０】
また、上記態様の回路装置において、第２の回路モジュールは、第２の回路モジュールと第１の回路モジュールとを電気的に接続する接合部材が接合される電極部と、電極部が露出するような開口部を有する絶縁樹脂層と、を有し、絶縁樹脂部材の露出面および第１の回路モジュールの端面と同一平面上となる第２の回路モジュールの端面の一部が絶縁樹脂層の端面であってもよい。また、第１の回路モジュールは、第１の回路モジュールと第２の回路モジュールとを電気的に接続する接合部材が接合される第１の電極部と、第１の電極部が露出するような開口部を有する第１の絶縁樹脂層と、を有し、かつ、第２の回路モジュールは、第１の回路モジュールと第２の回路モジュールとを電気的に接続する接合部材が接合される第２の電極部と、第２の電極部が露出するような開口部を有する第２の絶縁樹脂層と、を有し、絶縁樹脂部材の露出面と同一平面上となる第１の回路モジュールおよび第２の回路モジュールの端面の一部が第１の絶縁樹脂層および第２の絶縁樹脂層の端面であってもよい。
【００１１】
本発明の他の態様は、回路装置の製造方法である。当該回路装置の製造方法は、第１の回路モジュールの上に第２の回路モジュールを搭載する工程（１）と、第１の回路モジュールと第２の回路モジュールとの間に絶縁樹脂部材を注入する工程（２）と、所定の切断線に沿って第１の回路モジュール、絶縁樹脂部材および第２の回路モジュールを切断することにより、第１の回路モジュールの端面、絶縁樹脂部材の露出面および第２の回路モジュールの端面が同一平面上となる側面を形成する工程（３）と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
上記態様の回路装置の製造方法において、複数の第１の回路モジュールが平面状に連結した状態で、工程（１）および工程（２）を行い、工程（３）において、各第１の回路モジュールが個片化されてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、積層された回路モジュール間に絶縁樹脂部材が充填された構造の回路装置において、絶縁樹脂部材による接合強度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態に係る回路装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】実施の形態に係る回路装置が有する第１の電極部とその周囲の構造を示す部分拡大図である。
【図３】実施の形態に係る回路装置をソケットに嵌めた状態を示す概略断面図である。
【図４】実施の形態に係る回路装置の構成を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１６】
（実施の形態）
図１は、実施の形態に係る回路装置１０の構成を示す概略断面図である。図２は、回路装置１０が有する第１の電極部１６０とその周囲の構造を示す部分拡大図である。本実施の形態に係る回路装置１０は、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話搭載のカメラなどの撮像装置に用いられるカメラモジュールである。
【００１７】
実施の形態に係る回路装置１０は、第１の回路モジュール１００と、第１の回路モジュール１００の上に搭載された第２の回路モジュール２００と、第１の回路モジュール１００と第２の回路モジュール２００との隙間を充填するアンダーフィル３００とを備える。
【００１８】
第１の回路モジュール１００は、主な構成として第１の素子搭載用基板１１０と第１の素子搭載用基板１１０に実装された第１の半導体素子１２０を備える。
【００１９】
第１の素子搭載用基板１１０は、第１の絶縁樹脂層１３０と金属層１３２とを含む。
【００２０】
第１の絶縁樹脂層１３０は、たとえば、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の熱硬化性樹脂で形成することができる。
【００２１】
第１の絶縁樹脂層１３０には熱伝導性が高い金属層１３２が埋め込まれている。金属層１３２は、たとえば銅板により形成することができる。第１の絶縁樹脂層１３０に埋め込まれた金属層１３２により、第１の素子搭載用基板１１０の放熱性の向上が図られている。
【００２２】
第１の絶縁樹脂層１３０の一方の主表面（本実施の形態では、回路素子搭載面）に所定パターンの第１の配線層１４０が設けられている。また、第１の絶縁樹脂層１３０の一方の主表面には、回路モジュール搭載用のはんだを接合するための第１の電極部１６０が設けられている。第１の電極部１６０の詳細については後述する。第１の配線層１４０を構成する材料としては銅が挙げられる。第１の配線層１４０の厚さは、たとえば２０μｍである。
【００２３】
第１の絶縁樹脂層１３０の一方の主表面に第２の絶縁樹脂層１５０が設けられている。第２の絶縁樹脂層１５０は、第１の電極部１６０の周囲および第１の電極部１６０を構成する第１の導体部１６２の上面周縁部を被覆している。言い換えると、第２の絶縁樹脂層１５０には、第１の導体部１６２の中央領域が露出するような開口が設けられている。なお、第２の絶縁樹脂層１５０は、たとえば、フォトソルダーレジストにより形成される。第２の絶縁樹脂層１５０の厚さは、たとえば２０〜３０μｍである。第２の絶縁樹脂層１５０は、第１の電極部１６０の周囲のみならず、第１の絶縁樹脂層１３０の周縁に沿って堤防状に設けられている。すなわち、第２の絶縁樹脂層１５０で囲まれた領域が凹部（キャビティ）となっている。
【００２４】
第１の電極部１６０は、第１の導体部１６２、第２の導体部１６４および金めっき層１６６を含む。
【００２５】
第１の導体部１６２は、第１の配線層１４０と同層であり、第１の絶縁樹脂層１３０の一方の主表面に形成されている。さらに、第１の導体部１６２は、第１の配線層１４０と同等の厚さ（たとえば２０μｍ）を有する。第１の導体部１６２の径は、たとえば３５０μｍである。
【００２６】
第２の導体部１６４は、第１の導体部１６２の上面、第２の絶縁樹脂層１５０の側壁により形成された空間内に充填されている。すなわち、第２の導体部１６４の上面は、第２の絶縁樹脂層１５０に設けられた開口内に位置している。第２の導体部１６４の厚さは、たとえば４０μｍである。
【００２７】
また、第２の導体部１６４の上面にＮｉ／Ａｕ層などの金めっき層１６６が形成されている。金めっき層１６６により第２の導体部１６４の酸化が抑制される。金めっき層１６６としてＮｉ／Ａｕ層を形成する場合には、第２の導体部１６４側に設けられるＮｉ層の厚さは、たとえば１〜１５μｍであり、Ｎｉ層の上に設けられるＡｕ層の厚さは、たとえば０．０３〜１μｍである。
【００２８】
以上説明した第１の素子搭載用基板１１０に第１の半導体素子１２０が搭載されている。具体的には、第２の絶縁樹脂層１５０で囲まれたキャビティに第１の半導体素子１２０が実装されている。第１の半導体素子１２０に設けられた素子電極（図示せず）と所定領域の第１の配線層１４０とが金線１２１によりワイヤボンディング接続されている。また、ワイヤボンディングが接続される第１の配線層１４０の上面にＮｉ／Ａｕ層などの金めっき層１６６が形成されていてもよい（図示せず）。
【００２９】
本実施の形態の回路装置１０では、第１の半導体素子１２０はＣＭＯＳ型イメージセンサ等の受光素子である。第１の半導体素子１２０には、フォトダイオードがマトリクス状に形成されており、各フォトダイオードは、受光量に応じて光を電荷量に光電変換し、画素信号として出力する。
【００３０】
第２の回路モジュール２００は、第２の素子搭載用基板２１０に第２の半導体素子２２０が搭載された構成を有する。
【００３１】
第２の素子搭載用基板２１０は、基材となる第３の絶縁樹脂層２３０と、第３の絶縁樹脂層２３０の一方の主表面（本実施の形態では、半導体素子搭載面）に形成された第２の配線層２４０と、第３の絶縁樹脂層２３０の他方の主表面に形成された第２の電極部２４２と、第３の絶縁樹脂層２３０の一方の主表面に形成された第４の絶縁樹脂層２５０と、第３の絶縁樹脂層２３０の他方の主表面に形成された第５の絶縁樹脂層２５２とを含む。
【００３２】
第３の絶縁樹脂層２３０は、たとえば、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の熱硬化性樹脂で形成することができる。
【００３３】
第３の絶縁樹脂層２３０の一方の主表面に所定パターンの第２の配線層２４０が設けられている。図示しないが、第２の配線層２４０の上にＮｉ／Ａｕ層などの金めっき層が形成されていてもよい。また、第３の絶縁樹脂層２３０の他方の主表面に第２の電極部２４２が設けられている。図示しないが、第２の電極部２４２の上にＮｉ／Ａｕ層などの金めっき層が形成されていてもよい。第２の配線層２４０および第２の電極部２４２を構成する材料としては銅が挙げられる。第２の配線層２４０および第２の電極部２４２とは、第３の絶縁樹脂層２３０の所定位置において第３の絶縁樹脂層２３０を貫通するビア導体（図示せず）により電気的に接続されている。なお、特に図示していないが、第３の絶縁樹脂層２３０の他方の主表面には、第２の電極部２４２と同層で、かつ、同じ高さの配線層が設けられている。
【００３４】
第３の絶縁樹脂層２３０の一方の主表面にフォトソルダーレジストなどからなる第４の絶縁樹脂層２５０が設けられている。また、第３の絶縁樹脂層２３０の他方の主表面にフォトソルダーレジストなどからなる第５の絶縁樹脂層２５２が設けられている。第５の絶縁樹脂層２５２には、第２の電極部２４２にはんだボール２７０を搭載するための開口が設けられている。はんだボール２７０は、第５の絶縁樹脂層２５２に設けられた開口内において第２の電極部２４２に接続されている。
【００３５】
以上説明した第２の素子搭載用基板２１０に第２の半導体素子２２０が搭載されている。具体的には、第４の絶縁樹脂層２５０の半導体素子搭載領域の上に第２の半導体素子２２０が搭載されている。第２の半導体素子２２０に設けられた素子電極（図示せず）と所定領域の第２の配線層２４０とが金線２２１によりワイヤボンディング接続されている。
【００３６】
本実施の形態では、第２の素子搭載用基板２１０に搭載された第２の半導体素子２２０はドライバＩＣであり、第１の半導体素子１２０の各撮像素子の露光タイミング、画素信号の出力タイミング等を制御する機能を有する。また、第２の素子搭載用基板２１０には、コンデンサ、抵抗などのチップ部品２９２が搭載されている。
【００３７】
第２の素子搭載用基板２１０には、第１の半導体素子１２０の受光領域に合わせて開口部２９４が設けられている。第１の半導体素子１２０の各撮像素子は、開口部２９４から入射した光を受光し、画素信号を出力する。また、第２の素子搭載用基板２１０には、開口部２９４を塞ぐように光学フィルタ２９０が搭載されている。光学フィルタ２９０により、赤外線などの特定の波長の光が遮断される。
【００３８】
第１の回路モジュール１００の第１の電極部１６０と、第２の回路モジュール２００の第２の電極部２４２とが、はんだボール２７０に接合されることにより、第２の回路モジュール２００が第１の回路モジュール１００の上方に搭載されたモジュール積層構造が実現されている。
【００３９】
はんだボール２７０の周囲において、第２の絶縁樹脂層１５０ａの上面と第５の絶縁樹脂層２５２の下面とが離間しており、この間隙部分に絶縁樹脂部材としてのアンダーフィル３００が充填されている。アンダーフィル３００は、たとえば熱硬化性のエポキシ樹脂である。アンダーフィル３００により第１の回路モジュール１００と第２の回路モジュール２００とを接続するはんだボール２７０に加わる応力が緩和される。
【００４０】
より詳しくは、第１の回路モジュール１００の端面、アンダーフィル３００の露出面および第２の回路モジュール２００の端面が同一平面上となる側面が形成されている。本実施の形態では、回路装置１０は矩形状であり、回路装置１０の各側面において、第１の回路モジュール１００の端面、アンダーフィル３００の露出面および第２の回路モジュール２００の端面が同一平面上に位置している。
【００４１】
本実施の形態に係る回路装置１０によれば以下のような効果が得られる。第１の回路モジュール１００および第２の回路モジュール２００の端面近傍において、第１の回路モジュール１００と第２の回路モジュール２００との間に隙間が生じることなくアンダーフィル３００が介在している。これにより、アンダーフィル３００と第１の回路モジュール１００との接触面積および、アンダーフィル３００と第２の回路モジュール２００との接触面積が増大するとともに、第１の回路モジュール１００と第２の回路モジュール２００との間に介在するアンダーフィル３００の体積の増大が図られている。この結果、アンダーフィル３００と第１の回路モジュール１００との接合強度、およびアンダーフィル３００と第２の回路モジュール２００との接合強度がより高くなる。
【００４２】
また、図３に示すように、回路装置１０をソケット４００に嵌め込んだ場合に、以下に述べる効果が得られる。ソケット４００の形状は、回路装置１０の周側面形状に合わせた被嵌め込み部を有していればよく、特に限定されない。また、図３に示すソケット４００の例では、ソケット４００の内側壁上部に板バネ４１０が設けられている。回路装置１０をソケット４００に嵌め込んだ状態で、板バネ４１０が回路装置１０をソケット４００の内側に向けて弾性的に付勢することにより、ソケット４００内で回路装置１０が固定されているが、回路装置１０の固定方法はこれに限定されない。また、本実施の形態では、回路装置１０は、回路装置１０における第１の素子搭載用基板１１０に形成された外部接続端子（図示せず）とソケット４００に形成されたばね状の金属電極４２０が接触することによってソケット４００との電気的接続が行われるが、回路装置１０とソケット４００との電気的接続方法はこれに限定されない。
【００４３】
回路装置１０の側面において、第１の回路モジュール１００の端面、アンダーフィル３００の露出面および第２の回路モジュール２００の端面が同一平面上にあるため、  回路装置１０をソケット４００に嵌め込んだ場合に、アンダーフィル３００の露出面全体をソケット４００の内側壁に密着させることができる。これにより、ソケット４００の内側壁とアンダーフィル３００との接触面積が増大するため、アンダーフィル３００からソケット４００への伝熱性を高め、ひいては回路装置１０の放熱性を向上させることができる。
【００４４】
また、アンダーフィル３００の露出面全体がソケット４００の内側壁によって固定されることにより、熱応力によってアンダーフィル３００が変形することが抑制される。この結果、第１の回路モジュール１００と第２の回路モジュール２００との接続信頼性を向上させ、ひいては回路装置１０の動作信頼性を向上させることができる。
【００４５】
（回路装置の製造方法）
実施の形態に係る回路装置１０の製造方法について図４を参照して説明する。まず、図４（Ａ）に示すように、複数の第１の回路モジュール１００が連結された状態の回路モジュール集合体を用意する。また、第２の回路モジュール２００の第２の電極部２４２にはんだボール２７０を予め搭載する。
【００４６】
複数の第１の回路モジュール１００が連結された状態の回路モジュール集合体では、隣接する第１の回路モジュール１００間が第１の素子搭載用基板１１０により連結されている。第１の素子搭載用基板１１０による連結部分は、スクライブライン５００に対応している。また、各第１の回路モジュール１００の周縁に設けられた第２の絶縁樹脂層１５０は、スクライブライン５００内に延在している。
【００４７】
次に、図４（Ｂ）に示すように、はんだボール２７０と第１の電極部１６０とを位置合わせしながら、各第１の回路モジュール１００の上にそれぞれ第２の回路モジュール２００を搭載する。続いて、リフロー処理によりはんだボール２７０を溶融させ、第１の回路モジュール１００の第１の電極部１６０と、第２の回路モジュール２００の第２の電極部２４２とをはんだボール２７０により接合する。これにより、第１の回路モジュール１００の第１の電極部１６０と、第２の回路モジュール２００の第２の電極部２４２とが電気的に接続される。なお、本実施の形態では、はんだボール２７０を予め第２の回路モジュール２００の第２の電極部２４２に搭載し、第１の回路モジュール１００の第１の電極部１６０と接合を行っているが第１の回路モジュール１００の第１の電極部１６０と、第２の回路モジュール２００の第２の電極部２４２を接続する方法はこれに限定されない。たとえば、第１の回路モジュール１００の第１の電極部１６０に予めはんだボール２７０を搭載し、はんだボール２７０と第２の回路モジュール２００の第２の電極部２４２とを接続してもよい。
【００４８】
次に、図４（Ｃ）に示すように、アンダーフィル３００を第１の回路モジュール１００と第２の回路モジュール２００との間に注入する。アンダーフィル３００を注入する領域は、はんだボール２７０の周囲の第１の回路モジュール１００と第２の回路モジュール２００との空隙部分のみならず、スクライブライン５００内の第１の回路モジュール１００の上の領域を含む。アンダーフィル３００の注入完了後、アンダーフィル３００を熱硬化させる。
【００４９】
次に、図４（Ｄ）に示すように、ダイシング装置を用いて、スクライブライン５００に沿って、第１の回路モジュール１００、アンダーフィル３００および第２の回路モジュール２００を切断することにより、第１の回路モジュール１００の端面、アンダーフィル３００の露出面および第２の回路モジュール２００の端面が同一平面上になるような側面を形成する。
【００５０】
本発明は、上述の各実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうるものである。
【００５１】
たとえば、上述の実施の形態では、上述の実施の形態では、第１の素子搭載用基板１１０は、第１の絶縁樹脂層１３０と金属層１３２とを含むが、金属層１３２を含まない、たとえばガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた絶縁樹脂をコアとする樹脂基板であってもよい。また、配線層数が１層、もしくはそれ以上であってもよい。同様に、上述の実施の形態では、第２の素子搭載用基板２１０の配線層数が２層であるが、１層、もしくはそれ以上であっても良い。
【００５２】
また、上述の実施の形態では、第１の素子搭載用基板１１０の一方の主表面にのみ第１の電極部１６０と第２の絶縁樹脂層１５０で囲まれた領域からなる凹部（キャビティ）が形成されるが、第２の素子搭載用基板２１０の第１の素子搭載用基板１１０と向かい合う側の主表面にのみ、もしくは、第１の素子搭載用基板１１０の一方の主表面と、それに向かい合う第２の素子搭載用基板２１０の両面に第１の電極部１６０と第２の絶縁樹脂層１５０で囲まれた領域からなる凹部と同様の凹部を形成してもよい。
【００５３】
さらに、第１の半導体素子１２０および第２の半導体素子２２０がベアチップ実装されたカメラモジュールとして回路装置１０が例示されているが、回路装置１０は、第１の半導体素子１２０および第２の半導体素子２２０をそれぞれ封止樹脂によりパッケージングしたＰＯＰ構造であってもよい。
【００５４】
また、上述の実施の形態では、第１の回路モジュール１００において、第１の素子搭載用基板１１０に第１の半導体素子１２０が搭載された構成が示されているが、第１の素子搭載用基板１１０に抵抗、キャパシタ等の受動部品が搭載されていてもよい。第２の回路モジュール２００において、第２の素子搭載用基板２１０に第２の半導体素子２２０が搭載されず、コンデンサ、抵抗などのチップ部品（受動部品）２９２のみが搭載されていてもよい。
【符号の説明】
【００５５】
１０  回路装置、１００  第１の回路モジュール、１１０  第１の素子搭載用基板、１２０  第１の半導体素子、１３０  第１の絶縁樹脂層、１３２  金属層、１５０  第２の絶縁樹脂層、１６０  第１の電極部、２００  第２の回路モジュール、２１０  第２の素子搭載用基板、２２０  第２の半導体素子、２３０  第３の絶縁樹脂層、２５０  第４の絶縁樹脂層、２５２  第５の絶縁樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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