(57)【要約】【課題】簡素な製造工程により、光検出精度を高めることの可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】活性層２２および半導体光検出素子１の間に、電流狭窄のための第１酸化層４１とは別に、一層以上の第２酸化層４２を設ける。自然放出光は発散成分が多いので、第２酸化層４２によって反射散乱されて、半導体光検出素子１側への伝播が抑えられる。半導体光検出素子１による自然放出光の検出レベルが低減され、光検出精度が高まる。第１酸化層４１と第２酸化層４２とを一回の酸化工程で形成することが可能となり、製造工程の簡素化が可能となる。【選択図】図１
2011096787.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に半導体光検出素子および前記半導体光検出素子上の面発光型半導体レーザ素子を有し、
前記面発光型半導体レーザ素子は、
前記半導体光検出素子上の第１多層反射膜と、
前記第１多層反射膜上に設けられ、発光領域を含む活性層と、
前記活性層上の第２多層反射膜と、
前記第１多層反射膜または前記第２多層反射膜内に設けられ、前記活性層の発光領域に対向して電流通過のための開口を有すると共に前記開口の外縁に酸化領域を有する第１酸化層と、
前記活性層および前記半導体光検出素子の間に設けられ、前記第１酸化層の開口に対向して開口を有すると共に前記開口の外縁に酸化領域を有する一層以上の第２酸化層と
を備えた半導体発光装置。
【請求項２】
前記第２酸化層は、前記面発光型半導体レーザ素子で発生した自然放出光を反射散乱させることにより、自然放出光の前記半導体光検出素子側への伝播を抑制する
請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記開口はＡｌＡｓまたはＡｌＧａＡｓにより構成され、前記酸化領域はアルミニウム酸化物により構成されている
請求項２記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１多層反射膜の積層方向における少なくとも一部、前記活性層、および前記第２多層反射膜は、円柱状または角柱状の柱状部とされており、
前記第１酸化層および前記第２酸化層の両方が前記柱状部に設けられている
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光光を検出するための光検出素子を有する半導体発光装置に係り、特に、光検出精度が高度に要求される用途で好適な半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光ファイバや、光ディスクなどの用途の半導体発光装置には、これに組み込まれた半導体発光素子の光出力レベルを一定にする目的の一環として、光検出機構により半導体発光素子の発光光を検出することが行われている。この光検出機構は、例えば、発光光の一部を分岐させる反射板と、この分岐した発光光を検出する半導体光検出素子とにより構成することが可能である。ところが、このようにすると、部品点数が多くなるだけでなく、反射板や、半導体光検出素子を半導体発光素子に対して高精度に配置しなければならないという問題がある。そこで、そのような問題を解決する方策の１つとして、半導体発光素子と半導体光検出素子とを一体に形成することが考えられる。
【０００３】
しかし、これらを一体に形成すると、半導体光検出素子が、本来検出すべき誘導放出光だけでなく、自然放出光までも検出する可能性がある。そのような場合には、半導体光検出素子によって検出された光に基づいて計測される半導体発光素子の光出力レベルには、自然放出光の分だけ誤差が含まれていることとなる。よって、この方法も光出力レベルを高精度に制御することが要求される用途には適さない。
【０００４】
そこで、特許文献１では、半導体光検出素子内に制御層を設け、面発光型半導体レーザ素子から入力される自然放出光の一部を半導体光検出素子が検出する前に遮断する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許２８７７７８５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記の制御層は、半導体光検出素子を構成する半導体物質の一部を酸化することにより形成されるものである。しかしながら、このような半導体光検出素子の制御層と、面発光型半導体レーザ素子における電流狭窄層とでは、メサ径がそもそも違うことから一回の酸化工程で所望の酸化量を制御することが極めて困難であった。また、複数の酸化工程を実施する場合には、工程も複雑となり、生産性が極めて悪化してしまっていた。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡素な製造工程により、光検出精度を高めることの可能な半導体発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による半導体発光装置は、基板に半導体光検出素子および半導体光検出素子上の面発光型半導体レーザ素子を有し、面発光型半導体レーザ素子は、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の構成要素を備えたものである。
（Ａ）半導体光検出素子上の第１多層反射膜
（Ｂ）第１多層反射膜上に設けられ、発光領域を含む活性層
（Ｃ）活性層上の第２多層反射膜
（Ｄ）第１多層反射膜または第２多層反射膜内に設けられ、活性層の発光領域に対向して電流通過のための開口を有すると共に開口の外縁に酸化領域を有する第１酸化層
（Ｅ）活性層および半導体光検出素子の間に設けられ、第１酸化層の開口に対向して開口を有すると共に開口の外縁に酸化領域を有する一層以上の第２酸化層
【０００９】
本発明の半導体発光装置では、面発光型半導体レーザ素子内で誘導放出が繰り返された結果、所定の波長を含む光が出力される。この光には、誘導放出による光だけでなく、自然放出による光も含まれている。ここでは、活性層および半導体光検出素子の間に一層以上の第２酸化層が設けられているので、自然放出光の半導体光検出素子への伝播が抑えられ、半導体光検出素子による自然放出光の検出レベルが低減される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体発光装置によれば、活性層および半導体光検出素子の間に、第１酸化層の開口に対向して開口を有する一層以上の第２酸化層を設けるようにしたので、第２酸化層により自然放出光の半導体検出素子への伝播を抑え、光検出精度を高めることが可能となる。また、第１酸化層と第２酸化層とを一回の酸化工程で形成することが可能となり、製造工程の簡素化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体発光装置の一構成例を表す断面図である。
【図２】図１に示したｐ型ＤＢＲ層の一部を拡大して表す断面図である。
【図３】図１に示した半導体発光装置の他の構成例を表す断面図である。
【図４】実施例の結果を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１は、本発明の一実施の形態に係る半導体発光装置の断面構成を表したものである。なお、図１は、模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。この半導体発光装置は、半導体光検出素子１上に面発光型半導体レーザ素子２を一体に備えたものである。
【００１４】
半導体光検出素子１は、基板１０上に、ｎ型コンタクト層１１，光吸収層１２およびｐ型コンタクト層１３を基板１０側からこの順に有している。ｐ型コンタクト層１３の表面にはｐ側電極１４、基板１０の裏面にはｎ側電極１５がそれぞれ設けられている。ｐ側電極１４は、面発光型半導体レーザ素子２のｐ側電極も兼ねている。
【００１５】
基板１０は、例えばｎ型ＧａＡｓにより構成されている。ｎ型コンタクト層１１は、例えば、ｎ型Ａｌｘ１１Ｇａ１−ｘ１１Ａｓ（０≦ｘ１１≦１）により構成されている。なお、ｎ型不純物としては、例えばケイ素（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）などが挙げられる。光吸収層１２は、面発光型半導体レーザ素子２から出力される光の一部を吸収すると共に、吸収した光を電気信号に変換するためのものであり、例えばアンドープのＡｌｘ１２Ｇａ１−ｘ１２Ａｓ（０≦ｘ１２≦１）により構成されている。ｐ型コンタクト層１３は、例えばｐ型Ａｌｘ１３Ｇａ１−ｘ１３Ａｓ（０≦ｘ１３≦１）により構成されている。なお、ｐ型不純物としては、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）またはカーボン（Ｃ）などが挙げられる。
【００１６】
ｐ側電極１４は、例えばＴｉ，ＰｔおよびＡｕをｐ型コンタクト層１３側からこの順に積層した構造を有しており、ｐ型コンタクト層１３と電気的に接続されている。ｎ側電極１５は、例えばＡｕＧｅ合金，ＮｉおよびＡｕを基板１０側からこの順に積層した構造を有しており、基板１０と電気的に接続されている。
【００１７】
面発光型半導体レーザ素子２は、半導体光検出素子１のｐ型コンタクト層１３上に、例えば、ｐ型ＤＢＲ層２１、活性層２２およびｎ型ＤＢＲ層２３を半導体光検出素子１側からこの順に積層した積層構造を備えている。ｐ型ＤＢＲ層２１は、ｐ型第１ＤＢＲ層３１，ｐ型第２ＤＢＲ層３２およびｐ型第３ＤＢＲ層３３を基板１０側からこの順に積層した構造を有している。ｐ型第２ＤＢＲ層３２と、ｐ型第３ＤＢＲ層３３と、活性層２２と、ｎ型ＤＢＲ層２３とは、円柱状の第１柱状部２４とされている。ｐ型第１ＤＢＲ層３１は、
第１柱状部２４よりも径の大きな円柱状の第２柱状部２５とされている。
【００１８】
ｐ型第３ＤＢＲ層３３内の活性層２２付近には、第１酸化層４１が設けられている。第１酸化層４１は、活性層２２の発光領域２２Ａを規定する電流狭窄層としての機能を有するものであり、活性層２２の発光領域２２Ａに対向して電流通過のための開口４１Ａを有すると共に、この開口４１Ａの外縁に酸化領域４１Ｂを有している。
【００１９】
ｐ型第２ＤＢＲ層３２内には、第２酸化層４２が設けられている。第２酸化層４２は、電流狭窄のための第１酸化層４１とは別に、自然放出光の半導体光検出素子１への伝播を抑えるために活性層２２と半導体光検出素子１との間に設けられるものである。第２酸化層４２は、第１酸化層４１の開口４１Ａに対向して開口４２Ａを有し、この開口４２Ａの外縁に酸化領域４２Ｂを有している。これにより、この半導体発光装置では、簡素な製造工程により、光検出精度を高めることが可能となっている。
【００２０】
開口４１Ａ，４２Ａは、例えばｐ型ＡｌＡｓまたはｐ型Ａｌｘ４２Ｇａ１−ｘ４２Ａｓ（０＜ｘ４２≦１）により構成されている。酸化領域４１Ｂ，４２Ｂは、例えばＡｌ2 Ｏ3（酸化アルミニウム）を含んで構成されている。開口４２Ａの径は、開口４１Ａの径と同等、またはそれ以下であることが好ましい。開口４２Ａの径のほうが広い場合には、開口４２Ａを通過して半導体光検出素子１に到達してしまう自然放出光が増えてしまうからである。
【００２１】
第１酸化層４１および第２酸化層４２は、両方とも第１柱状部２４に設けられている。これにより、後述するように第１柱状部２４の側面から第１酸化層４１および第２酸化層４２に含まれる高濃度のアルミニウム（Ａｌ）を酸化することにより、第１酸化層４１および第４酸化層３２を一回の酸化工程で形成することが可能となり、製造工程の簡素化が可能となる。
【００２２】
活性層２２は、例えばアンドープのＡｌｘ２２Ｇａ１−ｘ２２Ａｓ（０≦ｘ２２≦１）により構成されている。
【００２３】
ｎ型ＤＢＲ層２３は、低屈折率層（図示せず）および高屈折率層（図示せず）を交互に積層して形成されている。低屈折率層は、例えば厚さがλ０／４ｎ３（ｎ３は屈折率）のｎ型Ａｌｘ２３Ｇａ１−ｘ２３Ａｓ（０＜ｘ２３≦１）、高屈折率層は、例えば厚さがλ０／４ｎ４（ｎ４は屈折率）のｎ型Ａｌｘ２４Ｇａ１−ｘ２４Ａｓ（０≦ｘ２４＜ｘ２３）によりそれぞれ構成されている。
【００２４】
この面発光型半導体レーザ素子２はまた、ｎ型ＤＢＲ層２３上にｎ側電極２６を有している。面発光型半導体レーザ素子２のｐ側電極は、半導体光検出素子１のｐ側電極１４との共通電極とされているが、半導体光検出素子１とは別にｐ側電極を設けてもよいことは言うまでもない。ｎ側電極２６は、例えば、金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）との合金，ニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）をｎ型ＤＢＲ層２３側からこの順に積層した構造を有しており、ｎ型ＤＢＲ層２３と電気的に接続されている。このｎ側電極２６は、例えば、発光領域２２Ａに対応して開口２３Ａを有するドーナツ形状とされている。
【００２５】
図２は、ｐ型第２ＤＢＲ層３２およびｐ型第３ＤＢＲ層３３の断面構成を拡大して表したものである。ｐ型第３ＤＢＲ層３３は、低屈折率層３１Ａおよび高屈折率層３１Ｂを１組として、それを複数組分積層して構成されたものである。低屈折率層３１Ａは例えば光学厚さがλ／４（λは発振波長）のｎ型Ａｌｘ３１Ｇａ１−ｘ３１Ａｓからなり、高屈折率層３１Ｂは例えば光学厚さがλ／４のｎ型Ａｌｘ３２Ｇａ１−ｘ３２Ａｓからなる。なお、ｐ型第１ＤＢＲ層３１も、ｐ型第３ＤＢＲ層３３と同様に構成されている。
【００２６】
ｐ型第２ＤＢＲ層３２は、低屈折率層３２Ａおよび高屈折率層３２Ｂを１組として、それを複数組分積層して構成されたものである。低屈折率層３２Ａは例えば光学厚さがλ／４のｎ型Ａｌｘ３３Ｇａ１−ｘ３３Ａｓからなり、高屈折率層３２Ｂは例えば光学厚さがλ／４のｎ型Ａｌｘ３４Ｇａ１−ｘ３４Ａｓからなる。第２酸化層４２は、この低屈折率層３２Ａを部分的に酸化することにより形成されたものである。
【００２７】
ここで、ｐ型ＤＢＲ層２１内のＡｌ組成の値ｘ３１〜ｘ３４は下記の数１を満たす。これにより、ｐ型第２ＤＢＲ層３２の低屈折率層３２Ａはｐ型第１ＤＢＲ層３１およびｐ型第３ＤＢＲ層３３の低屈折率層３１Ａよりも酸化され易く、第１酸化層４１と同等かそれよりも酸化されにくい性質を有している。
【００２８】
（数１）
１≧ｘ４１≧ｘ３３＞（ｘ３１，ｘ２３）＞０．８＞（ｘ３２，ｘ３４）≧０
【００２９】
数１において、ｘ４１は第１酸化層４１を構成する材料に含まれるＡｌ組成の値であり、ｘ２３はｎ型ＤＢＲ層２３の低屈折率層を構成する材料に含まれるＡｌ組成の値である。（ｘ３１，ｘ２３）はｘ３１またはｘ２３を意味し、（ｘ３２，ｘ３４）はｘ３２またはｘ３４を意味する。０．８は低屈折率層の屈折率と高屈折率層の屈折率との境界に対応するものである。
【００３０】
この半導体発光装置は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００３１】
半導体発光装置を製造するためには、ｎ型ＧａＡｓからなる基板１０上に、ＧａＡｓ系化合物半導体を、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属気相成長）法などのエピタキシャル結晶成長法により一括に形成する。この際、ＧａＡｓ系化合物半導体の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アルシン (ＡｓＨ3)を用い、ドナー不純物の原料としては、例えばセレン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）を用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えばジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）を用いる。
【００３２】
具体的には、まず、基板１０上に、ｎ型コンタクト層１１，光吸収層１２，ｐ型コンタクト層１３，ｐ型第１ＤＢＲ層３１，ｐ型第２ＤＢＲ層３２，ｐ型第３ＤＢＲ層３３，活性層２２およびｎ型ＤＢＲ層２３を基板１０側からこの順に積層する。ｐ型第３ＤＢＲ層３３内の活性層２２付近には、第１酸化層４１となる高アルミニウム含有層（図示せず）を設ける。
【００３３】
次いで、ｎ型ＤＢＲ層２３の表面にマスク（図示せず）を形成し、例えばドライエッチング法により、ｎ型ＤＢＲ層２３，活性層２２，ｐ型第３ＤＢＲ層３３，ｐ型第２ＤＢＲ層３２を選択的に除去して第１柱状部２４を形成する。これにより、第１柱状部２４の側面に、第１酸化層４１となる高アルミニウム含有層（図示せず）と、第２酸化層４２となる低屈折率層３２Ａを露出させるようにする。そののち、マスクを除去する。
【００３４】
続いて、水蒸気雰囲気中において、高温で酸化処理を行い、第１柱状部２４の側面から高アルミニウム含有層（図示せず）および低屈折率層３２Ａの一部を酸化して酸化アルミニウムよりなる絶縁層とする。これにより、開口４１Ａの外縁に酸化領域４１Ｂを有する第１酸化層４１と、開口４２Ａの外縁に酸化領域４２Ｂを有する第２酸化層４２とが形成される。
【００３５】
第１酸化層４１および第２酸化層４２を形成したのち、上記と同様にして、ｐ型第１ＤＢＲ層３１を選択的に除去することにより、ｐ型第１ＤＢＲ層３を円柱状の第２柱状部２５とする。
【００３６】
続いて、例えば蒸着法により、ｐ型コンタクト層１３の露出部分にｐ側電極１４を形成する。また、ｎ型ＤＢＲ層２３の表面に、開口部２６Ａを有するｎ側電極２６を形成し、基板１０の裏面にｎ側電極１５を形成する。以上により、図１に示した半導体発光装置が完成する。
【００３７】
この半導体発光装置では、ｐ側電極１４とｎ側電極２６との間に所定の電圧が印加されると、第１酸化層４１により電流狭窄された電流が活性層２２の利得領域である発光領域２２Ａに注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光には誘導放出によって生じた光だけでなく、自然放出によって生じた光も含まれているが、素子内で誘導放出が繰り返される結果、所定の波長λ０でレーザ発振が生じ、波長λ０を含む光が外部に射出されると共に、半導体光検出素子１にわずかに出力される。
【００３８】
半導体光検出素子１に出力された光は、光吸収層１２に入射する。光吸収層１２に入射した光の一部は、光吸収層１２に吸収され、吸収された光の出力レベルに応じた電気信号（フォトカレント）に変換される。この電気信号は光吸収層１２に入射した光の出力レベルに応じた大きさを有する。この電流信号はｐ側電極１４およびｎ側電極１５に電気的に接続されたワイヤ（図示せず）を介して光出力演算回路（図示せず）に出力されたのち、光出力演算回路において光出力モニタ信号として受信される。光出力演算回路においては、この光出力モニタ信号に基づいて、半導体光検出素子１の光吸収層１２に入射した光の出力レベルが計測される。
【００３９】
ここでは、活性層２２および半導体光検出素子１の間に一層以上の第２酸化層４２が設けられているので、この第２酸化層４２と高屈折率層３２Ｂとにより構成された多層膜フィルタにより、面発光型レーザ素子２から半導体光検出素子１側に出力される光に含まれている誘導放出光が透過される。一方、自然放出光は発散成分が多いので、第２酸化層４２によって反射散乱されて、半導体光検出素子１側への伝播が抑えられる。よって、半導体光検出素子１による自然放出光の検出レベルが低減される。
【００４０】
一方、従来では半導体光検出素子に酸化による制御層を設けていたので、半導体発光装置全体に大きな応力がかかり、素子劣化や信頼性低下の原因となってしまっていた。本実施の形態では、第２酸化層４２が活性層２２および半導体光検出素子１の間に設けられているので、酸化領域４２Ｂの幅が従来よりも小さくなり、半導体発光装置全体にかかる応力が小さくなる。よって、劣化による信頼性低下のおそれが小さくなる。
【００４１】
このように本実施の形態では、活性層２２および半導体光検出素子１の間に一層以上の第２酸化層４２を設けるようにしたので、この第２酸化層４２により自然放出光の半導体検出素子１への伝播を抑え、光検出精度を高めることが可能となる。また、第１酸化層４１と第２酸化層４２とを一回の酸化工程で形成することが可能となり、製造工程の簡素化が可能となる。
【００４２】
なお、上記実施の形態では、ｎ型の基板１０上に、ｎ型コンタクト層１１，光吸収層１２，ｐ型コンタクト層１３，第１酸化層４１および第２酸化層４２を含むｐ型ＤＢＲ層２１，活性層２２，並びにｎ型ＤＢＲ層２３を基板１０側からこの順に積層した場合について説明した。しかしながら、図３に示したように、ｐ型の基板１０上に、ｐ型コンタクト層１３，光吸収層１２，ｎ型コンタクト層１１，第２酸化層４２を含むｎ型ＤＢＲ層２３，活性層２２，並びに第１酸化層４１を含むｐ型ＤＢＲ層２１を基板１０側からこの順に積層するようにしてもよい。この場合、第１酸化層４１は電流狭窄効果を高めるためにｐ型ＤＢＲ層２１に設けることが望ましいが、第２酸化層４２は、活性層２２および半導体光検出素子１の間であれば、ｐ型ＤＢＲ層２１およびｎ型ＤＢＲ層２３のいずれに設けることも可能である。図３に示した半導体発光装置では、半導体光検出素子１のｐ側電極１４は基板１０の裏側に設けられ、ｎ側電極１５はｎ型コンタクト層１１上に設けられている。面発光型半導体レーザ素子２のｎ側電極は、半導体光検出素子１のｎ側電極１５との共通電極とされ、ｐ型ＤＢＲ層２１の上に、開口２７Ａを有するｐ側電極２７が設けられている。
【実施例】
【００４３】
更に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００４４】
（実施例１）
上記実施の形態と同様にして、半導体光検出素子１上に面発光型半導体レーザ素子２を有する半導体発光装置を作製した。得られた半導体発光装置について、面発光型半導体レーザ素子２の光出力と、半導体光検出素子１におけるモニター電流値とを調べたところ、図４（Ａ）に示したように、レーザ光に対応したモニター電流値が精度よく検出されていた。
【００４５】
（比較例１）
実施例１に対する比較例１として、第２酸化層を設けないことを除いては、実施例１と同様にして半導体発光装置を作製した。比較例１の半導体発光装置についても、実施例１と同様にして光出力およびモニター電流値を調べたところ、図４（Ｂ）に示したように、レーザ発振前から自然放出光に対するモニター電流値が検出され、実際のレーザ光に対するモニター電流値の精度が低かった。
【００４６】
すなわち、活性層２２および半導体光検出素子１の間に一層以上の第２酸化層４２を設けるようにすれば、レーザ光に対するモニター電流値を精度よく検出することができ、光検出精度を高めることが可能となることが分かった。
【００４７】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、半導体光検出素子１および面発光型半導体レーザ素子２の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【００４８】
また、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料または成膜方法などは限定されるものではなく、他の材料としてもよくまたは他の成膜方法としてもよい。
【００４９】
更に、上記実施の形態では、半導体材料をＧａＡｓ系化合物半導体により構成した場合について説明したが、他の材料系、例えば、ＧａＩｎＰ系（赤系）材料またはＡｌＧａＡｓ系（赤外系）や、ＧａＮ系（青緑色系）などにより構成することも可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１…半導体光検出素子、２…面発光型半導体レーザ素子、１０…基板、１１…ｎ型コンタクト層、１２…光吸収層、１３…ｐ型コンタクト層、１４…ｐ側電極、１５，２６…ｎ側電極、２１…ｐ型ＤＢＲ層、２２…活性層、２２Ａ…発光領域、２３…ｎ型ＤＢＲ層、２４…第１柱状部、２５…第２柱状部、３１…ｐ型第１ＤＢＲ層、３２…ｐ型第２ＤＢＲ層、３３…ｐ型第３ＤＢＲ層、３１Ａ，３２Ａ…低屈折率層、３１Ｂ，３２Ｂ…高屈折率層、４１…第１酸化層、４２…第２酸化層、４１Ａ，４２Ａ…開口、４１Ｂ，４２Ｂ…酸化領域。
【図１】
2011096787.tif 000003
【図２】
2011096787.tif 000004
【図３】
2011096787.tif 000005
【図４】
2011096787.tif 000006