(57)【要約】【課題】バンプや配線などの導電部を容易に形成する。【解決手段】基材１０上にフォトレジスト２０，２２を形成する工程と、フォトレジスト２０，２２の一部に、開口の下部における開口幅が前記開口の上部における開口幅よりも広い開口部２４を形成する工程と、基材１０のフォトレジスト２２から見た露出面上に導電部２６を成膜する工程と、フォトレジスト２０，２２、及びフォトレジスト２２上の導電部２６をそれぞれ除去し、開口部２４内の導電部２６を残す工程と、を有する。【選択図】図１
2011171660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上にレジストを形成する工程と、
前記レジストの一部に、開口の下部における開口幅が前記開口の上部における開口幅よりも広い開口部を形成する工程と、
前記基材の前記レジストから見た露出面上に導電部を成膜する工程と、
前記レジスト、及び前記レジスト上の前記導電部をそれぞれ除去し、前記開口部内の前記導電部を残す工程と、
を有する電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記レジストを形成する工程の前に、前記基材上に複数の電極を形成する工程と、前記基材上及び各電極上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に、前記各電極が露出する開口部を形成する工程と、を有し、
前記レジストを形成する工程では、前記絶縁膜の開口部から露出する各電極上及び前記絶縁膜上に前記レジストを形成し、
前記レジストの開口部を形成する工程では、前記各電極上の前記レジストを開口し、前記各電極を露出させ、かつ、前記レジストの開口部の上部開口の開口幅が、前記絶縁膜の開口部の開口幅以下となるように、前記レジストの開口部を形成する、
請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記導電部を成膜する工程では、前記絶縁膜の開口部の開口幅よりも幅が狭い前記導電部としてのバンプ部材を、前記レジストの開口部及び前記絶縁膜の開口部から露出する各電極上に形成する、請求項２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記導電部を成膜する工程では、前記バンプ部材を、上部に向かって幅が狭いテーパー状に形成する、請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記導電部を成膜する工程では、一方向に向かって成膜する成膜手法を用いて前記バンプ部材を形成する、請求項３又は請求項４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記レジストを形成する工程では、第１レジストと、第１レジストよりも現像速度が遅い第２レジストを、基板上に順次形成し、
前記レジストの開口部を形成する工程では、前記第１レジスト及び前記第２レジストの一部を開口し、前記第１レジストの開口の開口幅が前記第２レジストの開口の開口幅よりも広い前記レジストの開口部を形成する、請求項１〜請求項５の何れか１項に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品の製造方法では、基材上に導電部を成膜し、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により所望のパターンのみ導電部を残すことにより、バンプや配線などを形成していた。
【０００３】
他にも、上記バンプの形成方法としては、例えばプリント配線板に形成された導電性回路の電極表面に粘着性を付与し、当該電極表面にハンダ粉末を付着・溶融して形成する方法がある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０４１８０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のエッチング工程を用いる電子部品の製造方法では、エッチングが困難な導電部を用いる場合には、バンプや配線などを容易に形成できない。
【０００６】
また、特許文献１に記載のバンプの形成方法では、使用するハンダ粉末の径が７０μｍ程度とされており、例えばＬＳＩチップ等で要求される微細なバンプ（１０μｍ程度）には、寸法上適用できない。ここで、微細なハンダ粉末を用いれば微細なバンプを形成できる、とも考えられる。しかし、微細なハンダ粉末は、静電気力の影響を大きく受けるため選択性が阻害され、目的とする電極表面以外の部分にも容易に付着する一方で、目的とする電極表面に付着させづらいという問題があり、バンプを容易に形成できない。
【０００７】
本発明は上記事実を考慮し、バンプや配線などの導電部を容易に形成することが可能な電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１態様に係る電子部品の製造方法は、基材上にレジストを形成する工程と、前記レジストの一部に、開口の下部における開口幅が前記開口の上部における開口幅よりも広い開口部を形成する工程と、前記基材の前記レジストから見た露出面上に導電部を成膜する工程と、前記レジスト、及び前記レジスト上の前記導電部をそれぞれ除去し、前記開口部内の前記導電部を残す工程と、を有する。
この製造方法によれば、レジストの開口部において、その開口の下部における開口幅が、その開口の上部における開口幅よりも広くされるため、導電部を成膜する工程の際、レジストとレジストの開口部内の導電部が連結しない。このため、レジスト等を除去する工程が容易となり、もってバンプや配線などの導電部を容易に形成することができる。
【０００９】
本発明の第２態様に係る電子部品の製造方法は、前記レジストを形成する工程の前に、前記基材上に複数の電極を形成する工程と、前記基材上及び各電極上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に、前記各電極が露出する開口部を形成する工程と、を有し、前記レジストを形成する工程では、前記絶縁膜の開口部から露出する各電極上及び前記絶縁膜上に前記レジストを形成し、前記レジストの開口部を形成する工程では、前記各電極上の前記レジストを開口し、前記各電極を露出させ、かつ、前記レジストの開口部の上部開口の開口幅が、前記絶縁膜の開口部の開口幅以下となるように、前記レジストの開口部を形成する。
この製造方法によれば、レジストの開口部の上部開口の開口幅が、絶縁膜の開口部の開口幅以下とされるため、レジストの開口部及び絶縁膜の開口部から露出する各電極上には、絶縁膜の開口部の開口幅よりも全体にわたって幅が狭い導電部が形成される。
【００１０】
本発明の第３態様に係る電子部品の製造方法は、前記導電部を成膜する工程では、前記絶縁膜の開口部の開口幅よりも幅が狭い前記導電部としてのバンプ部材を、前記レジストの開口部及び前記絶縁膜の開口部から露出する各電極上に形成する。
このように、バンプ部材は、絶縁膜の開口部の開口幅よりも幅が狭く形成される。このため、バンプ部材間が狭いピッチでも、電子部品の貼り合わせの際に、バンプ部材同士の接触を抑制し、信頼性の高い電子部品の貼り合わせが実現できる。
【００１１】
本発明の第４態様に係る電子部品の製造方法は、前記導電部を成膜する工程では、前記バンプ部材を、上部に向かって幅が狭いテーパー状に形成する。
このように、バンプ部材は、上部に向かって幅が狭いテーパー状に形成される。このため、バンプ部材間が狭いピッチでも、電子部品の貼り合わせの際に、バンプ部材同士の接触を抑制し、信頼性の高い電子部品の貼り合わせが実現できる。
【００１２】
本発明の第５態様に係る電子部品の製造方法は、前記導電部を成膜する工程では、一方向に向かって成膜する成膜手法を用いて前記バンプ部材を形成する。
このように、導電部を成膜する工程では、一方向に向かって成膜する成膜手法を用いれば、絶縁膜の開口部の隅に導電部が成膜されることを防止でき、絶縁膜の開口部の開口幅よりも幅が狭いバンプ部材を容易に形成することができる。また各電極上の中心部に導電部を多く堆積することができ、上部に向かって幅が狭いテーパー状にバンプ部材を形成することができる。
【００１３】
本発明の第６態様に係る電子部品の製造方法は、前記レジストを形成する工程では、第１レジストと、第１レジストよりも現像速度が遅い第２レジストを、基板上に順次形成し、
前記レジストの開口部を形成する工程では、前記第１レジスト及び前記第２レジストの一部を開口し、前記第１レジストの開口の開口幅が前記第２レジストの開口の開口幅よりも広い前記レジストの開口部を形成する。
このように、レジストを形成する工程では、第１レジストと、第１レジストよりも現像速度が遅い第２レジストを、基板上に順次形成し、レジストの開口部を形成する工程では、第１レジスト及び第２レジストの一部を開口し、第１レジストの開口の開口幅が第２レジストの開口の開口幅よりも広いレジストの開口部を形成することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、上記構成としたので、バンプや配線を容易に形成することが可能な電子部品又は電子部品の製造方法を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子部品の製造方法の製造手順を示す図である。
【図２】図１に示す製造手順の続きの製造手順を示す図であって、（Ａ）は電子部品の一部同士を貼り合せる前の電子部品の断面図であり、（Ｂ）は電子部品の一部同士を貼り合せた後の電子部品の断面図である。
【図３】従来の電子部品の製造方法の製造手順を示す図であり、（Ａ）は電子部品の一部同士を貼り合せる前の電子部品の断面図であり、（Ｂ）は電子部品の一部同士を貼り合せた後の電子部品の断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る電子部品の製造方法の製造手順を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態に係る電子部品の製造方法について図面に基づき説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品の製造方法の製造手順を示す図である。
【００１７】
−製造方法−
本発明の第１実施形態に係る電子部品の製造方法においては、まず、図１（Ａ）に示すように、基材１０を用意する。この基材１０の種類は、特に限定されないが、例えばシリコンなどの半導体からなる支持基板１２と、支持基板１２上に形成されたトランジスタや回路を含む下地層１３と、を有する半導体基板１０である。
【００１８】
１．電極形成工程
続いて、半導体基板１０の下地層１３上に、真空蒸着法を用いて導電部を成膜し、当該導電部をフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で加工して、複数の電極１４を形成する。
導電部の成膜方法としては、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から使用する材料との適性を考慮して適宜選択し得る。
また、電極１４の材料としては、導電体であれば、特に限定はされないが、例えば、Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ａｕ，Ａｇなどの金属、Ａｌ−Ｎｄ、ＡＰＣなどの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の金属酸化物導電膜等が挙げられる。
【００１９】
２．絶縁膜形成工程
そして、下地層１３及び各電極１４の上に、絶縁膜１６を形成する。
絶縁膜１６は、絶縁性を有するものとし、例えば、ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２等の絶縁膜、又はこれらの化合物を二つ以上含む絶縁膜としてもよい。絶縁膜１６も、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などの中から使用する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って成膜し、必要に応じてフォトリソグラフィ法によって所定の形状にパターニングを行う。
３．絶縁膜の開口部形成工程
この絶縁膜１６を形成した後は、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を用いて各電極１４上の絶縁膜１６を開口し、各電極１４が露出する開口幅Ｌ１の開口部１８を形成する。この開口部１８の形状は、例えば略円形状の穴である。
【００２０】
４．レジスト形成工程
次に、図１（Ｂ）に示すように、絶縁膜１６上及び各電極１４の露出面上に、現像速度の異なる２種のフォトレジスト２０，２２を順次塗布又は吹き付ける。具体的には、フォトレジスト２２よりも現像速度が速いフォトレジスト２０と、フォトレジスト２０よりも現像速度が遅いフォトレジスト２２を順次塗布又は吹き付ける。
現像速度が速いフォトレジスト２０の材料としては、ＰｒｏＬＩＦＴシリーズ（日産化学工業製）などが挙げられる。現像速度が遅いフォトレジスト２２の材料としては、例えばＴＤＭＲ−ＡＲシリーズやＴＨＭＲ−ｉＰ／ｉＮシリーズ（東京応化工業製）などが挙げられる。
【００２１】
以上のフォトレジスト２０，２２を塗布することにより、絶縁膜１６上及び各電極１４の露出面上には、フォトレジスト２０の一様な層とフォトレジスト２２の一様な層の２層構造からなるレジストが形成される。なお、塗布されるフォトレジスト２０、２２の厚さは、要求される後述のバンプの高さに応じて決定される。
【００２２】
５．レジストの開口部形成工程
次に、図１（Ｃ）に示すように、所定の露光・現像装置により、各電極１４上のフォトレジスト２０，２２を開口し、各電極１４が露出する開口部２４を形成する。具体的には、開口部２４のうちフォトレジスト２２の開口の開口幅Ｌ３が、開口部１８の開口幅Ｌ１以下となるように、開口部２４を形成する。より具体的には、後述の微細なバンプ部材２８を形成するために、フォトレジスト２２の開口の開口幅Ｌ３が、１０μｍ以下とされ、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは４μｍ程度となるように、開口部２４を形成する。
この露光・現像工程の結果、形成された開口部２４のうち、フォトレジスト２０の開口の開口幅Ｌ２は、フォトレジスト２０の材料がフォトレジスト２２のものよりも現像速度が速いため、フォトレジスト２２の開口の開口幅Ｌ３よりも広くなるとともに、開口部１８の開口幅Ｌ１よりも広くなる。
【００２３】
６．導電部成膜工程
次に、図１（Ｄ）に示すように、半導体基板１０上のフォトレジスト２２から見た露出面上に導電部２６を成膜する。具体的には、一方向に向かって成膜する成膜手法を用いて、フォトレジスト２２上及び各電極１４上に、導電部２６を成膜する。
【００２４】
成膜する導電部２６の材料としては、融点の低い材料、特に金属が挙げられ、例えばインジウムやアルミニウムなどが挙げられる。
【００２５】
ここで、上述の「一方向に向かって成膜する成膜手法」とは、例えばステップカバレージの低い蒸着法やスパッタ法などが挙げられる。
【００２６】
このような一方向に向かって成膜する成膜手法によって成膜した結果、開口部２４，１８から露出する各電極１４上には、開口部２４の上部の開口、すなわちフォトレジスト２２側の開口の開口幅Ｌ３が、開口部１８の開口幅Ｌ１以下であるため、導電部２６からなり、開口部１８の開口幅Ｌ１よりも幅が狭いバンプ部材２８が形成される。
また、このバンプ部材２８は、導電部２６の成膜方向が一方向であるために、電極１４上の中心部に導電部が多く堆積されて、上部に向かって幅が狭くされたテーパー状となる。
また、開口部２４のうち、下部にあるフォトレジスト２０の開口の開口幅Ｌ２が、上部にあるフォトレジスト２２の開口の開口幅Ｌ３よりも広いため、成膜の際、フォトレジスト２０と導電部２６が連結することなく、バンプ部材２８が形成される。
また、フォトレジスト２２の開口の開口幅Ｌ３が、１０μｍ以下とされ、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは４μｍ程度であるため、開口幅Ｌ３と同程度の幅を有した微細なバンプ部材２８が形成される。
【００２７】
なお、バンプ部材２８の高さ調整は、例えば蒸着やスパッタの膜厚の変更で任意に調整することができる。
【００２８】
７．リフトオフ工程
次に、図１（Ｅ）に示すように、リフトオフ工程を行う。すなわち、リフトオフ装置を用いて、フォトレジスト２０，２２及びフォトレジスト２２上の導電部２６をそれぞれ除去し（リフトオフ）、開口部１８内にある導電部２６（バンプ部材２８）を残すようにする。この結果、基材１０上にバンプ部材２８を有する電子部品の一部３０を得ることができる。
【００２９】
最後に、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、本発明の第１実施形態に係る電子部品の製造方法により得られた電子部品の一部３０と、電子部品の一部３０と同じ製造方法で製造した電子部品の他の一部４０とを、互いのバンプ部材２８が対向するように接触させて、バンプ部材２８を溶融（リフロー）する。これにより、電子部品の一部３０と電子部品の他の一部４０が貼り合わせられて、電子部品５０が完成する。
【００３０】
−作用−
以上、本発明の第１実施形態の電子部品５０の製造方法によれば、開口部２４のうち、下部にあるフォトレジスト２０の開口の開口幅Ｌ２が、上部にあるフォトレジスト２２の開口の開口幅Ｌ３よりも広いため、成膜の際、フォトレジスト２０と導電部２６が連結することなく、バンプ部材２８が形成される。
ここで、フォトレジスト２０と導電部２６が連結しており、特に微細なバンプ部材２８を形成する比較例では、形成されるべきバンプ部材２８の一部又は全部が後工程である導電部２６のリフトオフ工程においてフォトレジスト２０，２２と一緒に除去されるなどの虞がある。
しかし、本第１実施形態では、フォトレジスト２０と導電部２６が連結していないため、上記リフトオフ工程が容易となり、もって各電極１４上にバンプ部材２８を容易に形成することができる。
【００３１】
また、図３（Ａ）に示す比較例に係る電子部品の製造方法では、バンプ部材６０の材料（導電部）が、絶縁膜１６の開口部１８を塞ぎ、又は／及び、バンプ部材６０の形状が、上部に向かって鉛直に延びる形状となる。このようなバンプ部材６０を半導体基板１０上に備えた電子部品の一部７０と、電子部品の他の一部８０を貼り合せると、図３（Ｂ）に示すように、バンプ部材６０間で互いに接触することのないように、バンプ部材６０間のピッチを広げていた。
【００３２】
しかし、本第１実施形態では、図２（Ａ）に示すように、バンプ部材２８は、絶縁膜１６の開口部１８の開口幅Ｌ１よりも全体にわたって幅が狭く、かつ、上部に向かって幅が狭くされたテーパー状である。このため、図２（Ｂ）に示すように、バンプ部材２８間が狭いピッチでも、電子部品の一部３０と他の一部４０との貼り合わせの際、バンプ部材２８同士の接触がなく、信頼性の高い貼り合わせが実現できる。
【００３３】
以上の作用の結果、本第１実施形態では、例えば既存の半導体製造装置を用いて、微細のバンプ形成や寸法の異なるバンプ形成、挟ピッチのバンプ間ショートの無い信頼性の高いバンプ形成が可能となる。
【００３４】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る電子部品の製造方法について図面に基づき説明する。図４は、本発明の第２実施形態に係る電子部品の製造方法の製造手順を示す図である。
【００３５】
−製造方法−
１．電極、絶縁膜及び絶縁膜の開口部形成工程
本発明の第２実施形態に係る電子部品の製造方法においては、まず、図３（Ａ）と同様の工程である図４（Ａ）に示すように、基材１０上に、複数の電極１４と絶縁膜１６を形成し、絶縁膜１６に各電極１４が露出する開口幅Ｌ１の開口部１８を形成する。
【００３６】
２．フォトレジスト形成工程
次に、図４（Ｂ）に示すように、絶縁膜１６上及び各電極１４の露出面上に、フォトレジスト１００を塗布又は吹き付ける。この時、後述の露光・現像時にフォトレジスト１００の下部（電極１４付近）が大きく開口されるように、フォトレジスト１００の材料又は露光条件を用いる。
【００３７】
後述の露光・現像時にフォトレジスト１００の下部（電極１４付近）が大きく開口されるフォトレジスト１００の材料としては、ＴＬＯＲ−Ｐ００３ＨＰ（東京応化工業製）などが挙げられる。また、後述の露光・現像時にフォトレジスト１００の下部（電極１４付近）が大きく開口される露光条件としては、露光時間を十分長く設定するなど（ただし、レジスト膜厚で露光時間も異なる）が挙げられる。ただし、露光時間により開口寸法も異なり、露光時間が短いと開口寸法は小さくなり、長いと大きくなるので、それに合せてマスク寸法を決定する必要がある。
具体例としては、以下のような条件が挙げられる。
レジスト材料    ：ＴＬＯＲ−Ｐ００３ＨＰ（東京応化工業製）
レジスト厚  ：１．０μｍ
露光時間    ：３２０ｍｓ
【００３８】
３．レジストの開口部形成工程
次に、図４（Ｃ）に示すように、露光・現像装置により、各電極１４上のフォトレジスト１００を開口し、各電極１４が露出する開口部１０２を形成する。具体的には、開口部１０２のうち上端部の開口幅Ｌ４が、開口部１８の開口幅Ｌ１以下となるように、開口部１０２を形成する。より具体的には、後述の微細なバンプ部材２８を形成するために、開口部１０２のうち上端部の開口幅Ｌ４が、１０μｍ以下とされ、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは４μｍ程度となるように、開口部１０２を形成する。
この露光・現像工程の結果、上述のフォトレジスト１００の材料又は露光条件の選択により、形成された開口部１０２は、逆テーパー状となり、開口部１０２のうち下端部の開口幅Ｌ５は、開口部１０２の上端部の開口幅Ｌ４よりも広くなる。
【００３９】
４．導電部の成膜工程
次に、図４（Ｄ）に示すように、半導体基板１０上のフォトレジスト１００から見た露出面上に導電部１０４を成膜する。具体的には、第１実施形態と同様に、一方向に向かって成膜する成膜手法を用いて、フォトレジスト１００上及び各電極１４上に、導電部１０４を成膜する。
【００４０】
成膜する導電部１０４の材料としては、融点の低い材料、特に金属が挙げられ、例えばインジウムやアルミニウムなどが挙げられる。
【００４１】
このような一方向に向かって成膜する成膜手法によって成膜した結果、開口部１０２，１８から露出する各電極１４上には、開口部１０２の上端部の開口幅Ｌ４が、開口部１８の開口幅Ｌ１以下であるため、導電部１０４からなり、開口部１８の開口幅Ｌ１よりも全体にわたって幅が狭いバンプ部材１０６が形成される。
また、このバンプ部材１０６は、導電部１０４の成膜方向が一方向であるために、電極１４上の中心部に導電部が多く堆積されて、上部に向かって幅が狭くされたテーパー状となる。
また、開口部１０２の下端部の開口幅Ｌ５が、開口部１０２の上端部の開口幅Ｌ４よりも広いため、成膜の際、フォトレジスト１００と導電部１０４が連結することなく、バンプ部材１０６が形成される。
また、開口部１０２の上端部の開口幅Ｌ４が、１０μｍ以下とされ、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは４μｍ程度であるため、開口幅Ｌ４と同程度の幅を有した微細なバンプ部材１０６が形成される。
【００４２】
５．リフトオフ工程
次に、図４（Ｅ）に示すように、リフトオフ工程を行う。すなわち、フォトレジスト１００及びフォトレジスト１００上の導電部１０４をそれぞれ除去し（リフトオフ）、開口部１８内にある導電部１０４（バンプ部材１０６）を残すようにする。この結果、基材１０上にバンプ部材１０６を有する電子部品の一部１１０を得ることができる。
【００４３】
最後に、前述した図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示す工程と同様の工程を行い、基材１０上にバンプ部材１０６を有する電子部品の一部１１０と、電子部品の一部１１０と同じ製造方法で製造した電子部品の他の一部（不図示）が貼り合わせられて、電子部品が完成する。
【００４４】
−作用−
本発明の第２実施形態に係る電子部品の製造方法によれば、第１実施形態で説明した効果を奏する他、第１実施形態に比べ、絶縁膜１６及び各電極１４上にフォトレジストを一層形成するだけでよいので、手間とコストを低減できる。
また、フォトレジスト１００の底部開口幅Ｌ５を、露光量を調整することで第１実施形態におけるレジスト２０の開口幅Ｌ２より小さくできる為、よりバンプ間の幅が狭い複数のバンプ部材１０６形成において有利になる。
【００４５】
（変形例）
本発明は、上記の実施形態に限るものではなく、種々の変形、変更、改良が可能である。
例えば、第１及び第２実施形態では、フォトレジスト２０，２２，１００を用いたが、これらのフォトレジスト２０，２２，１００に限らず、水溶性の材料や溶剤で除去可能な材料、又はバンプ部材２８，１０６とする導電部２６，１０４とのエッチングにおける選択性が得られる材料、所謂「レジスト」であってもよい。
【００４６】
また、第１及び第２実施形態の電子部品の製造方法は、バンプ部材２８，１０６の形成に限らず、基材１０上の配線や電極形成にも適用可能である。
【実施例】
【００４７】
以下に、本発明に係る電子部品の製造方法について、実施例により説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。
【００４８】
本発明の実施例では、図１に示す製造工程を用いて、電子部品の一部３０を製造した。なお、電極１４の材料として、アルミニウムを用い、絶縁膜１６の材料として、窒化膜を用いた。また、下層のフォトレジスト２０の材料として、ＰｒｏＬＩＦＴシリーズ（日産化学工業製）を用い、上層のフォトレジスト２２として、ＴＤＭＲ−ＡＲシリーズ（東京応化工業製）を用いた。
【００４９】
この結果、導電部からなり、絶縁膜１６の開口部１８の開口幅Ｌ１よりも全体にわたって幅が狭いバンプ部材２８が形成されることが確認できた。
また、このバンプ部材２８は、上部に向かって幅が狭くされたテーパー状となることが確認できた。また、成膜の際、フォトレジスト２０と導電部２６が連結することなく、バンプ部材２８が形成されることが確認できた。また、上層のフォトレジスト２２の開口の開口幅Ｌ３と同程度の幅を有した微細なバンプ部材２８が形成されることが確認できた。
【００５０】
また、絶縁膜１６の開口部１８の開口幅Ｌ１は、４．０μｍであり、下層にあるフォトレジスト２０の開口の開口幅Ｌ２は、９．５μｍであり、上層にあるフォトレジスト２２の開口の開口幅Ｌ３は、３．８μｍであった。
【符号の説明】
【００５１】
１０  基材、半導体基板
１４  電極
１６  絶縁膜
１８  開口部（絶縁膜の開口部）
２０  フォトレジスト（レジスト）
２２  フォトレジスト（レジスト）
２４  開口部（レジストの開口部）
２６  導電部
２８  バンプ部材
５０  電子部品
６０  バンプ部材
１００  フォトレジスト（レジスト）
１０２  開口部（レジストの開口部）
１０４  導電部
１０６  バンプ部材
Ｌ１  開口幅
Ｌ２  開口幅
Ｌ３  開口幅
Ｌ４  開口幅
Ｌ５  開口幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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