(57)【要約】【課題】抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したものとし、また、抵抗値調整できる抵抗値の範囲を広く得ることができるチップ抵抗器を提供する。【解決手段】チップ抵抗器Ｐ１における抵抗体２０は、第１抵抗膜２２の上面に、第１抵抗膜２２よりも抵抗値の低い材料により形成された第２抵抗膜２４を形成することにより、高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１と低抵抗部としての第２抵抗部Ｒ２を有し、抵抗体２０には略Ｌ字状のトリミング溝３０、３２が形成されている。各トリミング溝３０、３２は、第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部ｈ１、ｈ２から該電極部と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて第１抵抗部Ｒ１に形成され、さらに、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（Ｙ１−Ｙ２方向）と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。【選択図】図１
2011044551.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ抵抗器であって、
絶縁基板上の相対する辺部に沿って形成された一対の電極部間に接続された抵抗体が、一対の電極部間に接続して形成された第１抵抗部と、第１抵抗部と接続して形成され、第１抵抗部よりも抵抗値が小さい第２抵抗部とを有し、第２抵抗部の電極部側の端部が該電極部に非接続に形成されているか、あるいは、接続して形成されているとともに、該抵抗体には一対のトリミング溝が形成され、
第２抵抗部の電極部側の端部が該電極部に非接続に形成されている場合には、トリミング溝が、第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部又は第１抵抗部における第２抵抗部に近接する辺部と電極部間の辺部から電極部と第２抵抗部間の領域に向けて第１抵抗部に形成されるとともに、トリミング溝の少なくとも一部が、抵抗体の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向と略平行に第２抵抗部の辺部に沿って第１抵抗部に形成され、
第２抵抗部の電極部側の端部が該電極部に接続して形成されている場合には、トリミング溝が、第２抵抗部の該電極部側の領域を横切って第１抵抗部の領域まで形成されるとともに、トリミング溝の少なくとも一部が、抵抗体の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向と略平行に第２抵抗部の辺部に沿って第１抵抗部に形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
第２抵抗部が抵抗体の電極間方向の辺部の一部に沿って略長方形状に形成されるとともに、一対の電極部のいずれにも非接続に形成され、
一対のトリミング溝における一方が、第１抵抗部における一方の電極部と第２抵抗部の該一方の電極部側の端部間の位置の辺部から電極間方向と略直角方向に第１抵抗部に形成された第１トリミング溝と、第１トリミング溝の端部から連設され、第２抵抗部の長辺部に沿って他方の電極部側に向けて第１抵抗部に形成された第２トリミング溝とを有することを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
第２抵抗部が抵抗体の辺部の一部に沿って略長方形状に形成されるとともに、一対の電極部における少なくとも一方の電極部に接続して形成され、
第２抵抗部が電極部に接続されている側に形成されたトリミング溝が、第２抵抗部の短手方向に横切って形成された第１トリミング溝と、第１トリミング溝の端部から連設され、第２抵抗部の長辺部に沿って他方の電極部側に向けて第１抵抗部に形成された第２トリミング溝とを有していることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項４】
該抵抗体に、抵抗値を微調整する他のトリミング溝が形成されていることを特徴とする請求項１又は２又は３に記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ抵抗器に関するものであり、特に、高電力化に適したチップ抵抗器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、チップ抵抗器の製造に際しては、図１６に示すように、抵抗体２０に対してトリミング溝３０を形成することにより、抵抗体２０の抵抗値を調整している。トリミング溝３０は、電極間方向とは直角の方向の部分３０ａと、電極間方向の部分３０ｂとから構成されるが、電極間方向とは直角の方向の部分３０ａは、抵抗体２０の電極間方向と直角方向（幅方向）の幅の４０％以下に形成されるのが通常である。すなわち、抵抗体２０の残り幅を狭くしてしまうと、抵抗体２０の該幅狭の領域に電流が集中して熱分散が悪くなり、高電力化を図ることができないという問題があるため、幅方向に６０％以上の残り幅を残すのが通常である。
【０００３】
また、従来の抵抗器において、抵抗体の電極間の領域の内トリミング溝により抵抗値が修正される領域において、少なくともトリミング溝により除去されない部分に他の部分よりも抵抗値が低い低抵抗部を設けるものが存在する（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−９７５０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、図１６に示す従来のチップ抵抗器においては、トリミング溝を形成後の残り幅を６０％としているが、高電力化に際しては、残り幅はより大きい方が好ましく、高電力化に対応するために、トリミング後においても抵抗体のトリミング溝形成領域の残り幅を大きくすることが要望されていた。
【０００６】
また、特許文献１に記載のチップ抵抗器においては、トリミング溝を低抵抗部が形成された側とは反対側から低抵抗部に向かって電極間方向とは直角の方向に形成し、低抵抗部に到達したら電極間方向に形成するので、抵抗値調整できる抵抗値の範囲が狭いという問題があった。つまり、もともと特許文献１に記載のチップ抵抗器においては、抵抗体に低抵抗部が設けられているので、電流は低抵抗部に集中して流れることになり、高抵抗部の領域にトリミング溝を形成しても大きな抵抗値変化を得ることはできず、抵抗値調整できる抵抗値の範囲が狭いという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したものとし、また、抵抗値調整できる抵抗値の範囲を広く得ることができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器であって、絶縁基板上の相対する辺部に沿って形成された一対の電極部間に接続された抵抗体が、一対の電極部間に接続して形成された第１抵抗部と、第１抵抗部と接続して形成され、第１抵抗部よりも抵抗値が小さい第２抵抗部とを有し、第２抵抗部の電極部側の端部が該電極部に非接続に形成されているか、あるいは、接続して形成されているとともに、該抵抗体には一対のトリミング溝が形成され、第２抵抗部の電極部側の端部が該電極部に非接続に形成されている場合には、トリミング溝が、第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部又は第１抵抗部における第２抵抗部に近接する辺部と電極部間の辺部から電極部と第２抵抗部間の領域に向けて第１抵抗部に形成されるとともに、トリミング溝の少なくとも一部が、抵抗体の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向と略平行に第２抵抗部の辺部に沿って第１抵抗部に形成され、第２抵抗部の電極部側の端部が該電極部に接続して形成されている場合には、トリミング溝が、第２抵抗部の該電極部側の領域を横切って第１抵抗部の領域まで形成されるとともに、トリミング溝の少なくとも一部が、抵抗体の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向と略平行に第２抵抗部の辺部に沿って第１抵抗部に形成されていることを特徴とする。
【０００９】
第１の構成のチップ抵抗器においては、トリミング溝が上記のように構成され、特に、トリミング溝の少なくとも一部が、第２抵抗部における抵抗体の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向と略平行に形成されているので、抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したチップ抵抗器とすることができる。特に、第２抵抗部を細長形状に形成して、トリミング溝における「第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部又は第１抵抗部における第２抵抗部に近接する辺部と電極部間の辺部から該電極部と第２抵抗部間の領域に向けて第１抵抗部に形成された」部分や、トリミング溝における「第２抵抗部の該電極部側の領域を横切って第１抵抗部の領域まで形成された」部分を短くすることにより、抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくすることができる。
【００１０】
また、一対のトリミング溝が第２抵抗部に近接して形成されているので、電流が過度に集中する領域を形成することがなく、その点によっても高電力化に適したものすることができる。つまり、一方のトリミング溝のみ形成した場合には、抵抗体２０の第１抵抗部におけるトリミング溝を形成していない側の第２抵抗部に近い領域に電流が過度に集中してしまい、該領域が高熱となって破損するおそれがあるが、本発明の場合にはそのようなおそれがない。
【００１１】
また、一対のトリミング溝を形成するので、抵抗値変化を大きく確保することができ、１つの初抵抗値のトリミング前のチップ抵抗器により多くの抵抗値のチップ抵抗器を得ることができ、製造コストを低減させることができる。特に、各トリミング溝を、第２抵抗部における抵抗体の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向と略平行に形成するので、抵抗値を大きく変化させることができる。
【００１２】
なお、第１の構成を以下のようにしてもよい。すなわち、「チップ抵抗器であって、絶縁基板上の相対する辺部に沿って形成された一対の電極部間に接続された抵抗体が、一対の電極部間に接続して形成された第１抵抗部と、第１抵抗部における電極部に接続されていない領域の辺部に沿って第１抵抗部と接続して細長形状に形成され、第１抵抗部よりも抵抗値が小さい第２抵抗部とを有し、第２抵抗部の電極部側の端部が該電極部に非接続に形成されているか、あるいは、接続して形成されているとともに、該抵抗体には一対のトリミング溝が形成され、第２抵抗部の電極部側の端部が該電極部に非接続に形成されている場合には、トリミング溝が、第１抵抗部における該電極部と第２抵抗部間の位置の辺部から第１抵抗部に形成されるとともに、トリミング溝の少なくとも一部が第２抵抗部の長辺部に沿って第１抵抗部に形成され、第２抵抗部の電極部側の端部が該電極部に接続して形成されている場合には、トリミング溝が、第２抵抗部の該電極部側の領域を第２抵抗部の短手方向に横切って形成されるとともに、トリミング溝の少なくとも一部が第２抵抗部の長辺部に沿って形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。」としてもよい。
【００１３】
また、第２には、上記第１の構成において、第２抵抗部が抵抗体の電極間方向の辺部の一部に沿って略方形状に形成されるとともに、一対の電極部のいずれにも非接続に形成され、一対のトリミング溝における一方が、第１抵抗部における一方の電極部と第２抵抗部の該一方の電極部側の端部間の位置の辺部から電極間方向と略直角方向に第１抵抗部に形成された第１トリミング溝と、第１トリミング溝の端部から連設され、第２抵抗部の長辺部に沿って他方の電極部側に向けて第１抵抗部に形成された第２トリミング溝とを有することを特徴とする。
【００１４】
なお、この第２の構成を以下のようにしてもよい。すなわち、「第２抵抗部が抵抗体の電極間方向の辺部の一部に沿って略方形状に形成されるとともに、一対の電極部のいずれにも非接続に形成され、一対のトリミング溝における一方が、第１抵抗部における一方の電極部と第２抵抗部の該一方の電極部側の端部間の位置の辺部から電極間方向と略直角方向に第１抵抗部に形成された第１トリミング溝と、第１トリミング溝の端部から連設され、第２抵抗部の長辺部に沿って他方の電極部側に向けて第１抵抗部に形成された第２トリミング溝とを有し、第１トリミング溝と第２トリミング溝により略Ｌ字状に形成され、一対のトリミング溝における他方が、第１抵抗部における他方の電極部と第２抵抗部の該他方の電極部側の端部間の位置の辺部から電極間方向と略直角方向に第１抵抗部に形成された第３トリミング溝と、第３トリミング溝の端部から連設され、第２抵抗部の長辺部に沿って該一方の電極部側に向けて第１抵抗部に形成された第４トリミング溝とを有し、第３トリミング溝と第４トリミング溝により略Ｌ字状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。」としてもよい。
【００１５】
また、第３には、上記第１の構成において、第２抵抗部が抵抗体の辺部の一部に沿って略長方形状に形成されるとともに、一対の電極部における少なくとも一方の電極部に接続して形成され、第２抵抗部が電極部に接続されている側に形成されたトリミング溝が、第２抵抗部の短手方向に横切って形成された第１トリミング溝と、第１トリミング溝の端部から連設され、第２抵抗部の長辺部に沿って他方の電極部側に向けて第１抵抗部に形成された第２トリミング溝とを有していることを特徴とする。
【００１６】
また、第４には、前記第１から第３までのいずれかの構成において、該抵抗体に、抵抗値を微調整する他のトリミング溝が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
また、第５の構成として、以下の構成としてもよい。すなわち、実施例３に対応する構成として、「第２抵抗部が抵抗体の電極間方向とは直角方向の辺部の一部に沿って略方形状に形成されるとともに、一対の電極部のいずれにも非接続に形成され、一対のトリミング溝における一方が、第１抵抗部における一方の電極部と第２抵抗部の該一方の電極部側の端部間の位置の辺部から電極間方向に第１抵抗部に形成された第１トリミング溝と、第１トリミング溝の端部から連設され、第２抵抗部の長辺部に沿って電極間方向とは略直角方向に第１抵抗部に形成された第２トリミング溝とを有し、第１トリミング溝と第２トリミング溝により略Ｌ字状に形成され、一対のトリミング溝における他方が、第１抵抗部における他方の電極部と第２抵抗部の該他方の電極部側の端部間の位置の辺部から電極間方向に第１抵抗部に形成された第３トリミング溝と、第３トリミング溝の端部から連設され、第２抵抗部の長辺部に沿って電極間方向とは略直角方向に第１抵抗部に形成された第４トリミング溝とを有し、第３トリミング溝と第４トリミング溝により略Ｌ字状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。」としてもよい。
【００１８】
また、第６の構成として、以下の構成としてもよい。すなわち、実施例４に対応する構成として、「第１抵抗部の電極間方向の端部領域の一部が、電極部から電極間方向と略直角方向である第１方向に突出して形成されることにより、第１抵抗部の電極間方向の端部領域の一部が電極部とは非接続に形成され、第２抵抗部が、第１抵抗部の該第１方向側の辺部の全部又は一部に沿って一対の電極部のいずれにも非接続に形成され、一対のトリミング溝における一方が、第１抵抗部における一方の電極部と第２抵抗部間の位置の辺部から電極間方向に第１抵抗部内に直線状に形成され、一対のトリミング溝における他方が、第１抵抗部における他方の電極部と第２抵抗部間の位置の辺部から電極間方向に第１抵抗部内に直線状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。」としてもよい。
【００１９】
また、第７の構成として、以下の構成としてもよい。すなわち、実施例５に対応する構成として、「第２抵抗部が抵抗体の電極間方向の辺部に沿って略方形状に形成されるとともに、一対の電極部に接続して形成され、一対のトリミング溝における一方が、第２抵抗部の一方の電極部側の領域を第２抵抗部の短手方向に横切って形成された第１トリミング溝と、第１トリミング溝の端部から連設され、第２抵抗部の長辺部に沿って他方の電極部側に向けて第１抵抗部に形成された第２トリミング溝とを有し、第１トリミング溝と第２トリミング溝により略Ｌ字状に形成され、一対のトリミング溝における他方が、第２抵抗部の他方の電極部側の領域を第２抵抗部の短手方向に横切って形成された第３トリミング溝と、第３トリミング溝の端部から連設され、第２抵抗部の長辺部に沿って該一方の電極部側に向けて第１抵抗部に形成された第４トリミング溝とを有し、第３トリミング溝と第４トリミング溝により略Ｌ字状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。」としてもよい。
【００２０】
また、第８の構成として、以下の構成としてもよい。すなわち、実施例６に対応する構成として、「第２抵抗部が抵抗体の電極間方向の辺部の一部に沿って略方形状に形成されるとともに、一対の電極部における一方の電極部には非接続で他方の電極部のみに接続して形成され、一対のトリミング溝における一方が、第１抵抗部における一方の電極部と第２抵抗部の該一方の電極部側の端部間の位置の辺部から電極間方向と略直角方向に第１抵抗部に形成された第１トリミング溝と、第１トリミング溝の端部から連設され、第２抵抗部の長辺部に沿って他方の電極部側に向けて第１抵抗部に形成された第２トリミング溝とを有し、第１トリミング溝と第２トリミング溝により略Ｌ字状に形成され、一対のトリミング溝における他方が、第２抵抗部の他方の電極部側の領域を第２抵抗部の短手方向に横切って形成された第３トリミング溝と、第３トリミング溝の端部から連設され、第２抵抗部の長辺部に沿って該一方の電極部側に向けて第１抵抗部に形成された第４トリミング溝とを有し、第３トリミング溝と第４トリミング溝により略Ｌ字状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。」としてもよい。
【００２１】
また、第９の構成として、以下の構成としてもよい。すなわち、「抵抗体が、該抵抗体の平面形状を有する第１抵抗膜と、第１抵抗膜に接続して形成され第１抵抗膜の材料よりも抵抗値の低い材料により形成された第２抵抗膜で、その全体が第１抵抗膜の上面又は下面に積層して形成された第２抵抗膜とを有し、抵抗体における第２抵抗膜と第２抵抗膜と接した第１抵抗膜の領域とで第２抵抗部を構成し、第１抵抗膜における第２抵抗膜と接していない領域が第１抵抗部を構成することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８に記載のチップ抵抗器。
【００２２】
また、第１０の構成として、以下の構成としてもよい。すなわち、「抵抗体が、該抵抗体の平面形状の１つの辺部に切欠部を形成した形状の第１抵抗膜と、第１抵抗膜に接続して少なくとも該切欠部の領域に形成され第１抵抗膜の材料よりも抵抗値の低い材料により形成された第２抵抗膜で、その下面又は上面の一部が第１抵抗膜に積層して形成された第２抵抗膜とを有し、抵抗体における第２抵抗膜と第２抵抗膜と接した第１抵抗膜の領域とで第２抵抗部を構成し、第１抵抗膜における第２抵抗膜と接していない領域が第１抵抗部を構成することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８又は９に記載のチップ抵抗器。
【００２３】
また、第１１の構成として、以下の構成としてもよい。すなわち、「請求項９又は１０に記載のチップ抵抗器で第２抵抗膜の全体又は一部が第１抵抗膜の上面に積層したチップ抵抗器の製造方法であって、絶縁基板の上面に第１抵抗膜を形成する第１抵抗膜形成工程と、第１抵抗膜形成工程の後に、第２抵抗膜を形成する第２抵抗膜形成工程と、第２抵抗膜形成工程の後に、一対のトリミング溝における一方のトリミング溝を形成する第１トリミング溝形成工程と、第１トリミング溝形成工程の後に、一対のトリミング溝における他方のトリミング溝を形成する第２トリミング溝形成工程と、を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。」としてもよい。
【００２４】
また、第１２の構成として、以下の構成としてもよい。すなわち、「第２トリミング溝形成工程の後に、抵抗体における第１抵抗部における一対のトリミング溝が形成された辺部とは反対側の辺部に、他のトリミング溝を形成する第３トリミング溝形成工程を有することを特徴とする請求項１１に記載のチップ抵抗器の製造方法。」としてもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に基づくチップ抵抗器によれば、トリミング溝が上記のように構成され、特に、トリミング溝の少なくとも一部が、第２抵抗部における抵抗体の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向と略平行に形成されているので、抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したチップ抵抗器とすることができる。特に、第２抵抗部を細長形状に形成して、トリミング溝における「第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部又は第１抵抗部における第２抵抗部に近接する辺部と電極部間の辺部から該電極部と第２抵抗部間の領域に向けて第１抵抗部に形成された」部分や、トリミング溝における「第２抵抗部の該電極部側の領域を横切って第１抵抗部の領域まで形成された」部分を短くすることにより、抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくすることができる。
【００２６】
また、一対のトリミング溝が第２抵抗部に近接して形成されているので、電流が過度に集中する領域を形成することがなく、その点によっても高電力化に適したものすることができる。つまり、一方のトリミング溝のみ形成した場合には、抵抗体２０の第１抵抗部におけるトリミング溝を形成していない側の第２抵抗部に近い領域に電流が過度に集中してしまい、該領域が高熱となって破損するおそれがあるが、本発明の場合にはそのようなおそれがない。
【００２７】
また、一対のトリミング溝を形成するので、抵抗値変化を大きく確保することができ、１つの初抵抗値のトリミング前のチップ抵抗器により多くの抵抗値のチップ抵抗器を得ることができ、製造コストを低減させることができる。特に、各トリミング溝を、第２抵抗部における抵抗体の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向と略平行に形成するので、抵抗値を大きく変化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施例１及び実施例２のチップ抵抗器の要部平面図である。
【図２】実施例１のチップ抵抗器の構成を示す図であり、平面図とそのＡ−Ａ断面図とそのＢ−Ｂ断面図を示す図である。
【図３】実施例１の変形例のチップ抵抗器の構成を示す図であり、平面図とそのＡ−Ａ断面図とそのＢ−Ｂ断面図を示す図である。
【図４】実施例２のチップ抵抗器の要部平面図である。
【図５】実施例２のチップ抵抗器の構成を示す図であり、平面図とそのＡ−Ａ断面図とそのＢ−Ｂ断面図を示す図である。
【図６】実施例３のチップ抵抗器の要部平面図である。
【図７】実施例３のチップ抵抗器の構成を示す図であり、平面図とそのＡ−Ａ断面図とそのＢ−Ｂ断面図を示す図である。
【図８】実施例４のチップ抵抗器の要部平面図である。
【図９】実施例４のチップ抵抗器の構成を示す図であり、平面図とそのＡ１−Ａ１断面図とそのＡ２−Ａ２断面図とそのＢ−Ｂ断面図を示す図である。
【図１０】実施例５のチップ抵抗器の要部平面図である。
【図１１】実施例５のチップ抵抗器の構成を示す図であり、平面図とそのＡ−Ａ断面図とそのＢ−Ｂ断面図を示す図である。
【図１２】実施例６のチップ抵抗器の要部平面図である。
【図１３】実施例６のチップ抵抗器の構成を示す図であり、平面図とそのＡ−Ａ断面図とそのＢ−Ｂ断面図を示す図である。
【図１４】実施例１とその変形例において、微調整用のトリミング溝を形成する場合の構成を示す要部平面図である。
【図１５】実施例１の変形例のチップ抵抗器の要部平面図である。
【図１６】従来におけるチップ抵抗器の要部平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明においては、高電力化により適していて、また、抵抗値調整できる抵抗値の範囲を広く得ることができるチップ抵抗器を提供するという目的を以下のようにして実現した。
【００３０】
なお、図面において、Ｙ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向に直角な方向であり、Ｚ１−Ｚ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に直角な方向である。
【実施例１】
【００３１】
本発明に基づくチップ抵抗器Ｐ１は、図１、図２に示すように構成され、絶縁基板（基板）１０と、抵抗体２０と、上面電極４０、４２と、保護膜５０と、下面電極６０と、側面電極７０と、メッキ９０と、を有している。
【００３２】
なお、図１は、チップ抵抗器Ｐ１の平面図であるが、厳密には、保護膜５０と側面電極７０とメッキ９０とを除いた状態の図であるといえる。
【００３３】
ここで、絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ抵抗器Ｐ１の基礎部材、すなわち、基体として用いられている。なお、絶縁基板１０の大きさは、平面視において、長辺が１．０ｍｍ〜７．０ｍｍ、短辺が０．５ｍｍ〜３．５ｍｍとなっていて、具体的には、長辺が１．６ｍｍで短辺が０．８ｍｍ、長辺が３．２ｍｍで短辺が１．６ｍｍ、長辺が５．０ｍｍで短辺が２．５ｍｍ、長辺が２．０ｍｍで短辺が１．２５ｍｍの場合が挙げられる。
【００３４】
また、抵抗体２０は、図１に示すように、絶縁基板１０の上面に設けられ、長手方向（Ｙ１−Ｙ２方向）（電極間方向（抵抗体２０の上面電極４０、４２との接続位置を結ぶ方向、他においても同じ）、通電方向としてもよい））に帯状に形成されていて、平面視において略長方形状に形成されている。この抵抗体２０の電極間方向の端部は絶縁基板１０の端部までは形成されておらず、抵抗体２０の電極間方向の端部と絶縁基板１０の電極間方向の端部との間には所定の間隔が形成されている。また、抵抗体２０の幅方向の端部は絶縁基板１０の端部までは形成されておらず、抵抗体２０の幅方向の端部と絶縁基板１０の幅方向の端部との間には所定の間隔が形成されている。
【００３５】
この抵抗体２０は、図１、図２に示すように、全体に方形状（具体的には、長方形状）を呈し、第１抵抗膜２２と、第１抵抗膜２２の上面に積層して形成された第２抵抗膜２４とを有している。
【００３６】
すなわち、第１抵抗膜２２は、方形状（具体的には、長方形状）を呈し、抵抗体２０の平面形状と同一の平面形状を有し、一対の上面電極４０、４２に接続されている。
【００３７】
また、第２抵抗膜２４は、第１抵抗膜２２の一対の長手辺における一方の（Ｘ２側の）辺部（つまり、第１抵抗膜２２の上面電極４０、４２とは接続していない領域の辺部における一方の辺部）に沿って形成され、電極間方向に細長の長方形状を呈している。第２抵抗膜２４のＸ２側の辺部と第１抵抗膜２２のＸ２側の辺部とは平面視において略一致している。第２抵抗膜２４の長手方向の長さは第１抵抗膜２２の長手方向の長さよりも短く形成され、第２抵抗膜２４のＹ１側の端部と第１抵抗膜２２のＹ１側の端部とは間隔が設けられ、第２抵抗膜２４のＹ２側の端部と第１抵抗膜２２のＹ２側の端部とは間隔が設けられている。この第２抵抗膜２４は、上面電極４０及び上面電極４２とは接続していない。この第２抵抗膜２４は、第１抵抗膜２２の材料の抵抗値よりも低い抵抗値の材料により形成されていて（つまり、第２抵抗膜２４の単位体積当たりの抵抗値は第１抵抗値２２の単位体積当たりの抵抗値よりも低い）。例えば、第１抵抗膜２２は、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜により形成され、第２抵抗膜２４は、上面電極４０、４２と同一材料、例えば、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。
【００３８】
ここで、抵抗体２０において第２抵抗膜２４を形成した領域が低抵抗部としての第２抵抗部Ｒ２となり、抵抗体２０における第２抵抗膜２４を形成した領域以外の領域が高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１となる。つまり、第２抵抗膜２４と第１抵抗膜２２において第２抵抗膜２４が積層した領域とで低抵抗部としての第２抵抗部Ｒ２が構成され、第１抵抗膜２２において第２抵抗膜２４と接していない領域が高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１を構成する。第２抵抗部Ｒ２は、上面電極４０、４２には接触していない。
【００３９】
また、抵抗体２０には、トリミング溝３０とトリミング溝３２とが形成されている。つまり、トリミング溝３０は、第１トリミング溝３０ａと第２トリミング溝３０ｂとからなり、第１トリミング溝３０ａは、第１抵抗部Ｒ１における上面電極４０と第２抵抗部Ｒ２間の位置の辺部ｈ１から電極間方向とは略直角方向に形成され、第２抵抗部Ｒ２の短手辺に沿って直線状に形成されている。この辺部ｈ１が、特許請求の範囲における「第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部」となる。つまり、第１トリミング溝３０ａが、第１抵抗部Ｒ１における第２抵抗部Ｒ２と電極部間の辺部ｈ１から電極部（上面電極４０側の電極部）と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて（上面電極４０と第２抵抗部Ｒ２との間に位置する領域の方向に向けて）第１抵抗部Ｒ１に形成されている。なお、図１の例では、第１トリミング溝３０ａは、電極部と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて形成され、結果として、該領域を横切って形成されている。
【００４０】
また、第２トリミング溝３０ｂは、第１トリミング溝３０ａの奥側の端部から電極間方向と略同一方向に連設され、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿って直線状に形成されている。つまり、第２トリミング溝３０ｂは、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（Ｙ１−Ｙ２方向）と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。なお、この第２トリミング溝３０ｂは、一対の上面電極４０、４２のうち遠い側の上面電極４２に向けて形成されている。以上のようにして、トリミング溝３０は、第１トリミング溝３０ａと第２トリミング溝３０ｂとで全体に略Ｌ字状を呈し、第２抵抗部Ｒ２を囲むように形成されている。
【００４１】
また、トリミング溝３２は、第１トリミング溝３２ａと第２トリミング溝３２ｂとからなり、第１トリミング溝３２ａは、第１抵抗部Ｒ１における上面電極４２と第２抵抗部Ｒ２間の位置の辺部ｈ２から電極間方向とは略直角方向に形成され、第２抵抗部Ｒ２の短手辺に沿って直線状に形成されている。この辺部ｈ２が、特許請求の範囲における「第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部」となる。つまり、第１トリミング溝３２ａが、第１抵抗部Ｒ１における第２抵抗部Ｒ２と電極部間の辺部ｈ２から電極部（上面電極４２側の電極部）と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて（上面電極４２と第２抵抗部Ｒ２との間に位置する領域の方向に向けて）第１抵抗部Ｒ１に形成されている。なお、図１の例では、第１トリミング溝３２ａは、電極部と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて形成され、結果として、該領域を横切って形成されている。
【００４２】
また、第２トリミング溝３２ｂは、第１トリミング溝３２ａの奥側の端部から電極間方向と略同一方向に連設され、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿って直線状に形成されている。つまり、第２トリミング溝３２ｂは、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（Ｙ１−Ｙ２方向）と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。なお、この第２トリミング溝３２ｂは、一対の上面電極４０、４２のうち遠い側の上面電極４０に向けて形成されている。以上のようにして、トリミング溝３２は、第１トリミング溝３２ａと第２トリミング溝３２ｂとで全体に略Ｌ字状を呈し、第２抵抗部Ｒ２を囲むように形成されている。
【００４３】
また、上面電極４０、４２は、絶縁基板１０の上面の長手方向（Ｙ１−Ｙ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されていて、平面視において略方形状を呈している。つまり、一方の上面電極４０は、絶縁基板１０の上面のＹ２側の端部から所定の長さに形成されているとともに、他方の上面電極４２は、絶縁基板１０の上面のＹ１側の端部から所定長さに形成されている。また、上面電極４０、４２の幅方向の幅は、絶縁基板１０の幅と略同一に形成されている。なお、上面電極４０、４２を抵抗体２０の幅方向の幅と略同一に形成し、幅方向には、上面電極４０、４２と絶縁基板１０の端部には隙間が形成されるようにしてもよい。この上面電極４０、４２は、具体的には、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。
【００４４】
また、上面電極４０、４２は、抵抗体２０（具体的には、第１抵抗膜２２）の端部領域に積層して形成されている。つまり、上面電極４０、４２における外側の領域（絶縁基板１０の端部（電極間方向の端部）側の領域）は、絶縁基板１０の上面に形成されているが、内側の領域は、抵抗体２０の上面に積層して形成されている。
【００４５】
また、抵抗体２０の上面には、カバーコート（図示せず）が設けられる（他の実施例においても同じ）。すなわち、カバーコートは、抵抗体２０の上面に形成され、抵抗体２０へのトリミング時の熱衝撃を緩和するために形成される。このカバーコートは、電極間方向には、抵抗体２０の長さよりも短く形成し、トリミング溝形成位置の領域は被覆するとともに、上面電極４０、４２に接しないように形成し、これにより、抵抗体２０の電極間方向の端部領域がカバーコートから露出する。また、カバーコートの幅方向の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成する。このカバーコートは、ガラス系材料により形成され、具体的には、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成される。
【００４６】
また、保護膜５０は、図２に示すように、カバーコートと、抵抗体２０の一部（抵抗体２０におけるカバーコート及び上面電極４０、４２に被覆されていない領域）と、上面電極４０、４２の一部を被覆するように設けられている。つまり、保護膜５０は、抵抗体におけるカバーコートや上面電極に被覆されていない領域と上面電極の内側の領域とを被覆し、少なくとも抵抗体２０の露出領域を被覆するように形成されている。すなわち、この保護膜５０の形成位置をさらに詳しく説明すると、幅方向には、絶縁基板１０の幅と略同一に形成され、さらに、電極間方向には、抵抗体２０の長さと略同一に形成され、保護膜５０の電極間方向の端部位置は、抵抗体２０の電極間方向の端部位置と水平方向において略同一の位置となっている。この保護膜５０は、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜又はエポキシ樹脂系厚膜により形成されている。以上のように、保護膜５０は、抵抗体２０における露出した領域を被覆していて、抵抗体２０が外部に露出しないように抵抗体２０を保護するものである。
【００４７】
また、下面電極６０は、図２に示すように、上記絶縁基板１０の下面の長手方向の両端部領域に一対形成されていて、底面視において略方形状を呈している。この下面電極６０の長さ（電極間方向の長さ）は、上面電極４０、４２と略同一の長さに形成されているが、下面電極６０の長さは任意としてもよい。また、下面電極６０の幅方向（Ｘ１−Ｘ２方向）の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成されている。この下面電極６０は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。なお、この下面電極６０の構成を省略して、側面電極７０の下側部分により下面電極の代わりとしてもよい。
【００４８】
また、側面電極７０は、上面電極４０、４２の一部と、保護膜５０の一部と、下面電極６０の全てと、絶縁基板１０の側面（つまり、Ｙ１側の側面と、Ｙ２側の側面）を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極７０は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極７０は、銀系メタルグレース厚膜又は樹脂・銀系厚膜により形成されている。
【００４９】
また、メッキ９０は、ニッケルメッキ（Ｎｉメッキ）と、ニッケルメッキの外側に形成された錫メッキとから構成されていて、Ｙ１側の端部領域とＹ２側の端部領域にそれぞれ設けられている。つまり、チップ抵抗器の電極部の表面にメッキ９０が設けられていて、内側層がニッケルメッキで、外側層が錫メッキとなっている。
【００５０】
ここで、ニッケルメッキは、側面電極７０の全体を被覆するように側面電極７０の表面に形成されている。このニッケルメッキは、電気メッキにより略均一の膜厚で形成されている。このニッケルメッキは、ニッケルにて形成されており、上面電極４０、４２等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。このニッケルメッキは、ニッケル以外にも銅メッキが用いられる場合もある。
【００５１】
また、錫メッキは、ニッケルメッキの表面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。なお、錫メッキ以外にはんだメッキが用いられる場合もある。
【００５２】
なお、上記上面電極４０、４２と下面電極６０と側面電極７０とメッキ９０とで、電極部が形成されている。つまり、チップ抵抗器Ｐ１においては、電極間方向の端部にそれぞれ電極部が形成されている。
【００５３】
上記構成のチップ抵抗器Ｐ１の製造方法について説明すると、まず、上面に一次スリットと二次スリットとが形成されたアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものであり、平板状のグリーンシート（含有率９６％程度のアルミナを含有するグリーンシート）を予め焼成したものである）（基板素体）を用意し、このアルミナ基板の裏面（すなわち、底面）に下面電極を形成する（下面電極形成工程）。つまり、下面電極用のペースト（例えば、銀系メタルグレーズ等の銀系ペースト）を印刷し、乾燥・焼成する。なお、この下面電極の形成に際しては、一枚のスクリーンで縦横に複数個印刷する。
【００５４】
次に、上記アルミナ基板の上面に抵抗体２０を形成する（抵抗体形成工程）。つまり、第１抵抗膜２２の抵抗体ペースト（例えば、酸化ルテニウム系ペースト（具体的には、酸化ルテニウム系メタルグレーズペースト））を印刷した後に乾燥・焼成して第１抵抗膜２２を形成し、その後、第１抵抗膜２２の所定の領域に第２抵抗膜２４の抵抗体ペースト（銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズペースト））を印刷した後に乾燥・焼成して第２抵抗膜２４を形成することにより、抵抗体２０を形成する。
【００５５】
次に、アルミナ基板の上面に上面電極を形成する（上面電極形成工程）。すなわち、上面電極ペーストをその一部が抵抗体に積層するように印刷し、乾燥・焼成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズペースト）である。なお、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。
【００５６】
次に、トリミングによる抵抗値調整の前にカバーコートを形成する。つまり、ホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷して焼成し、カバーコートを形成する。この場合、カバーコートは、電極間方向とは直角の方向であるカバーコート形成方向に帯状に形成し、該カバーコート形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度にカバーコートを形成して、チップ抵抗器複数個分のカバーコートを帯状に連続して形成してもよい。
【００５７】
次に、抵抗体２０にトリミング溝を形成してトリミングを行なうことにより抵抗値を調整する（抵抗体調整工程）。つまり、レーザートリミングにより抵抗体２０にトリミング溝を形成する。すなわち、トリミング溝３０とトリミング溝３２のいずれか一方からトリミング溝を形成した後に、他方のトリミング溝を形成する。トリミング溝３０を形成した後にトリミング溝３２を形成する場合には、まず、第１トリミング溝３０ａを電極間方向と略直角方向に形成し、その後、第１トリミング溝３０ａの端部から電極間方向に第２トリミング溝３０ｂを形成して、全体に略Ｌ字状に形成する。なお、第１トリミング溝３０ａを形成する段階では、抵抗値の上昇の度合いは小さいが、第２トリミング溝３０ｂを形成する段階では、第１トリミング溝３０ａの場合よりも抵抗値の上昇の度合いが大きい。
【００５８】
トリミング溝３０を形成したら、次に、トリミング溝３２を形成する。すなわち、第１トリミング溝３２ａを電極間方向と略直角方向に形成し、その後、第１トリミング溝３２ａの端部から電極間方向に第２トリミング溝３２ｂを形成して、全体に略Ｌ字状に形成する。なお、トリミング溝３０の場合と同様に、第１トリミング溝３２ａを形成する段階では、抵抗値の上昇の度合いは小さいが、第２トリミング溝３２ｂを形成する段階では、第１トリミング溝３２ａの場合よりも抵抗値の上昇の度合いが大きい。
【００５９】
なお、上記の説明では、トリミング溝３０の次にトリミング溝３２を形成するものとして説明したが、トリミング溝３２を形成した後にトリミング溝３０を形成してもよい。
【００６０】
なお、抵抗体と上面電極の接続領域においては、上面電極が抵抗体の上面に積層しているので、抵抗体が上面電極の上面に積層している場合に比べて、トリミングに際して抵抗値計測用のプローブ（端子）を接触させる面積を十分確保することができ、正確にトリミングを行なうことができる。
【００６１】
次に、保護膜を形成する（保護膜形成工程）。つまり、抵抗体２０の上面電極等により被覆されていない領域と、上面電極の内側の領域とを覆うように保護膜を形成する。つまり、保護膜用ペーストを印刷し、乾燥・焼成（又は硬化）させる。この場合、保護膜は、電極間方向とは直角の方向である保護膜形成方向に帯状に形成し、該保護膜形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度に保護膜を形成する。その後は、一次スリットに沿って一次分割して短冊状基板とする（一次分割工程）。
【００６２】
次に、上記短冊状基板に対して、側面電極７０を形成する（側面電極形成工程）。つまり、側面電極用ペーストを短冊状基板に印刷し、乾燥・焼成（又は硬化）する。
【００６３】
その後、二次スリットに沿って二次分割する（二次分割工程）。次に、メッキを形成する（メッキ工程）。つまり、ニッケルメッキを形成し、その後、錫メッキを形成する。以上のようにして、チップ抵抗器Ｐ１を形成する。
【００６４】
本実施例のチップ抵抗器Ｐ１の使用状態について説明すると、通常のチップ抵抗器と同様に、配線基板（プリント基板としてもよい）に実装して使用する。配線基板への実装においては、チップ抵抗器Ｐ１は、配線基板上に形成されたランドにハンダフィレットを介して実装される。
【００６５】
本実施例のチップ抵抗器Ｐ１によれば、電極部（上面電極）と第２抵抗部Ｒ２の間の領域からトリミング溝を形成し、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿ってトリミング溝を形成して、全体に略Ｌ字状とするので、抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したチップ抵抗器とすることができる。特に、第２抵抗部Ｒ２を細長に形成して、第２抵抗部Ｒ２の幅方向（Ｘ１−Ｘ方向）の長さを短くすることにより、トリミングによる残り幅を大きくすることができる。
【００６６】
また、本実施例のチップ抵抗器Ｐ１においては、トリミング溝３０とトリミング溝３２とを形成することにより、電流が過度に集中する領域を形成することがなく、その点によっても高電力化に適したものすることができる。つまり、例えば、トリミング溝３０のみを形成し、トリミング溝３２を形成しない場合には、抵抗体２０における第２抵抗部Ｒ２と上面電極４２との間の領域に電流が過度に集中してしまい、該領域が高熱となって破損するおそれがあるが、本実施例では、トリミング溝３０とトリミング溝３２とを設けるので、電流が過度に集中する領域が形成されるのを防止することができる。
【００６７】
また、本実施例のチップ抵抗器Ｐ１においては、トリミング溝３０とトリミング溝３２とを形成するので、抵抗値変化を大きく確保することができ、１つの初抵抗値のトリミング前のチップ抵抗器により多くの抵抗値のチップ抵抗器を得ることができ、大量の初抵抗在庫を持たなくてもよいので、製造コストを低減させることができる。つまり、上記のように、電極間方向と略直角な第１トリミング溝３０ａ、３２ａを形成した場合には、大きな抵抗値変化はないが、電極間方向に形成する第２トリミング溝３０ｂ、３２ｂを形成した場合には、抵抗値が大きく変化する（大きく高くなる）ので、第２トリミング溝３０ｂ、３２ｂの長さの合計を調整することにより、多くの抵抗値に対応することができる。特に、第２トリミング溝３０ｂ、３２ｂは、電極間方向と略同一方向に形成されるので、絶縁基板１０における長手辺の方向を電極間方向とすることにより、第２トリミング溝３０ｂ、３２ｂの長さを長くすることができ、これにより、大きな抵抗値変化を得ることができて、多くの抵抗値に対応することができる。特に、第２抵抗部Ｒ２の長手方向の長さを長くすることにより、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿った第２トリミング溝３０ｂ、３２ｂも長く形成することができるので、抵抗値変化を大きく確保することができる。
【００６８】
なお、上記の実施例１の説明では、第２抵抗膜２４の領域の全てについて第１抵抗膜２２と積層することにより、第２抵抗部Ｒ２を形成するものとして説明したが、第２抵抗膜２４の領域の一部のみが第１抵抗膜２２と積層することにより、第２抵抗部Ｒ２を形成してもよい。
【００６９】
すなわち、図３に示す実施例１の変形例としてのチップ抵抗器Ｐ２では、抵抗体２０は、第１抵抗膜２２と、第２抵抗膜２４とから形成されているが、第１抵抗膜２２は、第２抵抗膜２４の形成位置においては矩形状の切欠部が形成されていて、第２抵抗膜２４における３つの辺に沿った端部が第１抵抗膜２２に積層しているのみである。つまり、第２抵抗膜２４のＸ１側の辺部の側においては、図３のＢ−Ｂ断面図に示すように、該辺部に沿った端部が第１抵抗膜２２に積層しているのみであり、Ｙ１側の辺部とＹ２側の辺部においても同様に辺部に沿った端部のみが第１抵抗膜２２に積層している。よって、第２抵抗膜２４における第１抵抗膜２２と積層していない領域は、上面電極１０の上面に形成されている。つまり、第２抵抗部Ｒ２は、図２の例と異なり、ほぼ第２抵抗膜２４のみにより形成されているのである。なお、抵抗体２０における第２抵抗膜２４を形成した領域以外の領域が高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１となる。
【００７０】
抵抗体２０を図３に示すように構成することによっても、高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１と、低抵抗部としての第２抵抗部Ｒ２を形成することができる。
【００７１】
図３に示す実施例１の変形例における上記以外の内容は、実施例１と同様であるので、詳しい説明を省略する。
【実施例２】
【００７２】
次に、実施例２のチップ抵抗器について説明する。実施例２のチップ抵抗器Ｐ３は、実施例１のチップ抵抗器Ｐ１と略同様の構成であるが、抵抗体２０の構成が異なる。
【００７３】
すなわち、実施例２のチップ抵抗器Ｐ３は、図４、図５に示すように構成され、抵抗体２０は、第１抵抗膜２２と、第２抵抗膜２４とを有しているが、第１抵抗膜２２と第２抵抗膜２４とは、ともに方形状（具体的には、長方形状）を呈し、第２抵抗膜２４は、第１抵抗膜２２の長手方向の辺部よりも平面視においてはみ出るようにして第１抵抗膜２２に接続されている。
【００７４】
すなわち、第１抵抗膜２２は、方形状（具体的には、長方形状）を呈し、一対の上面電極４０、４２に接続されている。
【００７５】
また、第２抵抗膜２４は、細長の長方形状を呈し、第１抵抗膜２２の幅方向（Ｘ１−Ｘ２方向）の一方の側に第１抵抗膜２２の領域からはみ出るようにして第１抵抗膜２２に接続されている。つまり、第２抵抗膜２４の長手辺に沿ったＸ１側の領域が第１抵抗膜２２のＸ２側の端部に積層し、第２抵抗膜２４におけるその他の領域は、絶縁基板１０の上面に形成されている。第２抵抗膜２４の第１抵抗膜２２と積層している側とは反対側の辺部は、絶縁基板１０の辺部よりやや内側となっている。第２抵抗膜２４は、第１抵抗膜２２の材料の抵抗値よりも低い抵抗値の材料により形成されている。
【００７６】
本実施例における抵抗体２０において、抵抗体２０において第２抵抗膜２４を形成した領域が低抵抗部としての第２抵抗部Ｒ２となり、抵抗体２０における第２抵抗膜２４を形成した領域以外の領域（つまり、第１抵抗膜２２において第２抵抗膜２４が積層していない領域）が高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１となる。つまり、第２抵抗膜２４と第１抵抗膜２２において第２抵抗膜２４が積層した領域とで低抵抗部としての第２抵抗部Ｒ２が構成され、第１抵抗膜２２において第２抵抗膜２４と接していない領域が高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１を構成する。なお、第１抵抗膜２２と第２抵抗膜２４が上記のように形成されているので、抵抗体２０全体としては凸状の平面形状に形成されているといえる。
【００７７】
また、トリミング溝３０、３２は、実施例１のトリミング溝３０、３２と同様の構成であり、トリミング溝３０は、第１トリミング溝３０ａと第２トリミング溝３０ｂとからなり、第１トリミング溝３０ａは、第１抵抗部Ｒ１における上面電極４０と第２抵抗部Ｒ２間の位置の辺部ｈ１から電極間方向とは略直角方向に形成されている。つまり、辺部ｈ１が、特許請求の範囲における「第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部」となり、第１トリミング溝３０ａが、第１抵抗部Ｒ１における第２抵抗部Ｒ２と電極部間の辺部ｈ１から電極部（上面電極４０側の電極部）と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて第１抵抗部Ｒ１に形成されている。
【００７８】
また、第２トリミング溝３０ｂは、第１トリミング溝３０ａの奥側の端部から電極間方向と略同一方向に連設され、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿って形成されている。つまり、第２トリミング溝３０ｂは、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（Ｙ１−Ｙ２方向）と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。
【００７９】
また、トリミング溝３２は、第１トリミング溝３２ａと第２トリミング溝３２ｂとからなり、第１トリミング溝３２ａは、第１抵抗部Ｒ１における上面電極４２と第２抵抗部Ｒ２間の位置の辺部ｈ２から電極間方向とは略直角方向に形成されている。つまり、辺部ｈ２が、特許請求の範囲における「第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部」となり、第１トリミング溝３２ａが、第１抵抗部Ｒ１における第２抵抗部Ｒ２と電極部間の辺部ｈ２から電極部（上面電極４２側の電極部）と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて第１抵抗部Ｒ１に形成されている。
【００８０】
また、第２トリミング溝３２ｂは、第１トリミング溝３２ａの奥側の端部から電極間方向と略同一方向に連設され、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿って形成されている。つまり、第２トリミング溝３２ｂは、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（Ｙ１−Ｙ２方向）と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。
【００８１】
本実施例のチップ抵抗器Ｐ３における他の構成は、上記実施例１と同様であるので、詳しい説明を省略する。
【００８２】
上記構成のチップ抵抗器Ｐ３の製造方法も、第２抵抗膜２４を第１抵抗膜２２から平面視においてはみ出るように形成する以外は同様であるので、詳しい説明を省略する。また、チップ抵抗器Ｐ３の使用状態も上記実施例１のチップ抵抗器Ｐ１と同様である。
【００８３】
本実施例のチップ抵抗器Ｐ３によれば、電極部（上面電極）と第２抵抗部Ｒ２の間の領域からトリミング溝を形成し、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿ってトリミング溝を形成して、全体に略Ｌ字状とするので、抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したチップ抵抗器とすることができる。
【００８４】
また、本実施例のチップ抵抗器Ｐ３においては、トリミング溝３０とトリミング溝３２とを形成することにより、電流が過度に集中する領域を形成することがなく、その点によっても高電力化に適したものすることができる。
【００８５】
また、本実施例のチップ抵抗器Ｐ３においては、トリミング溝３０とトリミング溝３２とを形成するので、抵抗値変化を大きく確保することができ、１つの初抵抗値のトリミング前のチップ抵抗器により多くの抵抗値のチップ抵抗器を得ることができ、大量の初抵抗在庫を持たなくてもよいので、製造コストを低減させることができる。
【実施例３】
【００８６】
次に、実施例３のチップ抵抗器について説明する。実施例１及び実施例２のチップ抵抗器においては電極部が絶縁基板の短手辺に沿って形成されているのに対して、実施例３のチップ抵抗器Ｐ４においては、電極部が絶縁基板の長手辺に沿って形成され、抵抗体２０が絶縁基板の長手辺に沿って形成されて上面電極と接続して形成されている。
【００８７】
すなわち、図６、図７に示すように、チップ抵抗器Ｐ４において、上面電極４０は、絶縁基板１０の長手辺の一方（Ｙ２側の辺部）に沿って形成され、長手方向の一方（Ｘ１側）の端部が内側に突出して突出部４０ａを有し、上面電極４０は全体に略Ｌ字状の平面形状を呈している。つまり、絶縁基板１０の長手方向の全体に形成された本体部４０ｂと突出部４０ａとを有している。同様に、上面電極４２は、絶縁基板１０の長手辺の他方（Ｙ１側の辺部）に沿って形成され、長手方向の他方（Ｘ２側）の端部が内側に突出して突出部４２ａを有し、上面電極４２は全体に略Ｌ字状の平面形状を呈している。つまり、絶縁基板１０の長手方向の全体に形成された本体部４２ｂと突出部４２ａとを有している。以上のようにして、上面電極４０の突出部４０ａと上面電極４２の突出部４２ａとは、対角状に配置されている。
【００８８】
また、抵抗体２０は、実施例１の抵抗体２０と同様の構成であり、全体に方形状（具体的には、長方形状）を呈し、方形状（具体的には、長方形状）の第１抵抗膜２２と、第１抵抗膜２２の上面に積層して形成され、細長長方形状の第２抵抗膜２４とを有している。
【００８９】
第２抵抗膜２４は、第１抵抗膜２２のＹ２側の長手辺に沿って設けられ、その長手方向の長さは第１抵抗膜２２の長手方向の長さよりも短く形成され、第２抵抗膜２４のＸ１側の端部と第１抵抗膜２２のＸ１側の端部とは間隔が設けられ、第２抵抗膜２４のＸ２側の端部と第１抵抗膜２２のＸ２側の端部とは間隔が設けられている。第２抵抗膜２４は、第１抵抗膜２２の材料の抵抗値よりも低い抵抗値の材料により形成されている。
【００９０】
抵抗体２０において第２抵抗膜２４を形成した領域が低抵抗部としての第２抵抗部Ｒ２となり、抵抗体２０における第２抵抗膜２４を形成した領域以外の領域（つまり、第１抵抗膜２２において第２抵抗膜２４が積層していない領域）が高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１となる。抵抗体２０は、その長手方向の端部（具体的には、角部）において上面電極４０、４２と接続され、抵抗体２０の１つの角部が、上面電極４０の突出部４０ａが接続され、該角部と対角状の角部が、上面電極４２の突出部４２ａと接続されている。なお、実施例１の変形例のように、第２抵抗膜２４の領域の一部のみが第１抵抗膜２２と積層することにより、第２抵抗部Ｒ２を形成してもよい。
【００９１】
また、トリミング溝３０、３２は、実施例１のトリミング溝３０、３２と同様の構成であり、トリミング溝３０は、第１トリミング溝３０ａと第２トリミング溝３０ｂとからなり、第１トリミング溝３０ａは、第１抵抗部Ｒ１における上面電極４０と第２抵抗部Ｒ２間の位置の辺部ｈ１から電極間方向（つまり、抵抗体２０と上面電極４０との接続領域と抵抗体２０と上面電極４２との接続領域とを結ぶ方向（抵抗体２０の平面視において左上の角部と右下の角部を結ぶ方向））とは略直角方向に形成されている。つまり、本実施例において、電極間方向は、Ｘ１−Ｘ２方向に対して若干傾斜している。この辺部ｈ１が、特許請求の範囲における「第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部」となる。つまり、第１トリミング溝３０ａが、第１抵抗部Ｒ１における第２抵抗部Ｒ２と電極部間の辺部ｈ１から電極部（上面電極４０側の電極部）と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて第１抵抗部Ｒ１に形成されている。
【００９２】
また、第２トリミング溝３０ｂは、第１トリミング溝３０ａの奥側の端部から電極間方向と略同一方向に連設され、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿って形成されている。つまり、第２トリミング溝３０ｂは、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（抵抗体２０と上面電極４０の接続領域と抵抗体２０と上面電極４２の接続領域を結ぶ方向（図６において、左上から右下への方向））と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。
【００９３】
また、トリミング溝３２は、第１トリミング溝３２ａと第２トリミング溝３２ｂとからなり、第１トリミング溝３２ａは、第１抵抗部Ｒ１における上面電極４２と第２抵抗部Ｒ２間の位置の辺部ｈ２から電極間方向（つまり、抵抗体２０と上面電極４０との接続領域と抵抗体２０と上面電極４２との接続領域を結ぶ方向（抵抗体２０の平面視において左上の角部と右下の角部を結ぶ方向））とは略直角方向に形成されている。この辺部ｈ２と辺部ｈ３から構成される辺部が、特許請求の範囲における「第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部」となる。辺部ｈ３は、辺部ｈ２から連設された辺部で、抵抗体２０のＸ２側の辺部である。つまり、第１トリミング溝３２ａが、第１抵抗部Ｒ１における第２抵抗部Ｒ２と電極部間の辺部ｈ２及びｈ３から電極部（上面電極４２側の電極部）と第２抵抗部Ｒ２間の領域（上面電極４２と第２抵抗部Ｒ２との間に位置する領域）に向けて第１抵抗部Ｒ１に形成されている。
【００９４】
また、第２トリミング溝３２ｂは、第１トリミング溝３２ａの奥側の端部から電極間方向と略同一方向に連設され、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿って形成されている。つまり、第２トリミング溝３２ｂは、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（抵抗体２０と上面電極４０の接続領域と抵抗体２０と上面電極４２の接続領域を結ぶ方向（図６において、左上から右下への方向））と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。
【００９５】
また、保護膜５０は、実施例１と同様に、図７に示すように、抵抗体２０の一部（抵抗体２０における上面電極４０、４２に被覆されていない領域）と、上面電極４０、４２０の一部を被覆するように設けられている。また、下面電極６０は、図７に示すように、上記絶縁基板１０の下面の短手方向の両端部領域に一対形成されていて（つまり、Ｙ１側の辺部とＹ２側の辺部に沿って形成されている）、底面視において略方形状を呈している。また、側面電極７０とメッキ９０とは、チップ抵抗器Ｐ４の長手辺に沿って形成されている点以外は、実施例１と同様の構成である。
【００９６】
上記構成のチップ抵抗器Ｐ４の製造方法も、特に、電極部を絶縁基板１０の長手辺に沿って形成し、上面電極４０、４２を略Ｌ字状に形成する以外は同様であるので、詳しい説明を省略する。また、チップ抵抗器Ｐ４の使用状態も、上記実施例１のチップ抵抗器Ｐ１と同様である。
【００９７】
本実施例のチップ抵抗器Ｐ４によれば、電極部（上面電極）と第２抵抗部Ｒ２の間の領域からトリミング溝を形成し、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿ってトリミング溝を形成して、全体に略Ｌ字状とするので、抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したチップ抵抗器とすることができる。
【００９８】
また、本実施例のチップ抵抗器Ｐ４においては、トリミング溝３０とトリミング溝３２とを形成することにより、電流が過度に集中する領域を形成することがなく、その点によっても高電力化に適したものすることができる。
【００９９】
また、本実施例のチップ抵抗器Ｐ４においては、トリミング溝３０とトリミング溝３２とを形成するので、抵抗値変化を大きく確保することができ、１つの初抵抗値のトリミング前のチップ抵抗器により多くの抵抗値のチップ抵抗器を得ることができ、大量の初抵抗在庫を持たなくてもよいので、製造コストを低減させることができる。
【０１００】
なお、この実施例３において、上面電極４０、４２は絶縁基板１０の長手方向の全体に形成され一部に突状部４０ａ、４２ａを有する略Ｌ字状であるとしたが、本体部４０ｂ、４２ｂの長さ（絶縁基板１０の長手方向の長さ）も突出部４０ａ、４２ａの長さと同じして、上面電極４０、４２を方形状の部分電極としてもよい。
【０１０１】
また、上記の説明において、トリミング溝３２は、略Ｌ字状であるとして説明したが、第１抵抗部Ｒ１のＸ２側から直線状に形成してもよい。すなわち、トリミング溝３２’に示すように形成する。このトリミング溝３２’は、第１抵抗部Ｒ１のＸ２側から直線状に形成され、第２トリミング溝３２ｂの先端にまで形成したものである。
【実施例４】
【０１０２】
次に、実施例４のチップ抵抗器について説明する。実施例１及び実施例２のチップ抵抗器においては第２抵抗部Ｒ２が第１抵抗部Ｒ１の長手辺の一部にのみ形成されているのに対して、実施例４のチップ抵抗器Ｐ５においては、第２抵抗部Ｒ２が第１抵抗部Ｒ１の長手辺の全体に形成され、上面電極４０、４２は第２抵抗部Ｒ２に接触せず、トリミング溝３０、３２が電極間方向に直線状に形成されている点が異なる。また、実施例１及び実施例２では、抵抗体２０の短手辺の全体が、電極部（具体的には、上面電極）に接続しているが、実施例４のチップ抵抗器Ｐ５においては、抵抗体２０の短手辺の一部が電極部（具体的には、上面電極）に接続している。
【０１０３】
すなわち、図８、図９に示すように、チップ抵抗器Ｐ５において、抵抗体２０は、第１抵抗膜２２と、第２抵抗膜２４とを有し、全体に方形状（具体的には、長方形状）の平面形状を呈している。第１抵抗膜２２は、抵抗体２０の平面形状と同一の平面形状を有している。
【０１０４】
また、第２抵抗膜２４は、第１抵抗膜２２の一対の長手辺における一方の（Ｘ２側の）辺部（つまり、第１抵抗膜２２の上面電極４０、４２とは接続していない領域の辺部における一方の辺部）に沿って形成され、電極間方向に細長の長方形状を呈している。第２抵抗膜２４のＸ２側の辺部と第１抵抗膜２２のＸ２側の辺部とは平面視において略一致している。第２抵抗膜２４の長手方向の長さは第１抵抗膜２２の長手方向の長さと略同一であり、第２抵抗膜２４のＹ１側の端部と第１抵抗膜２２のＹ１側の端部とは略一致しており、第２抵抗膜２４のＹ２側の端部と第１抵抗膜２２のＹ２側の端部とは略一致している。第２抵抗膜２４は、第１抵抗膜２２の材料の抵抗値よりも低い抵抗値の材料により形成されている。
【０１０５】
抵抗体２０において第２抵抗膜２４を形成した領域が低抵抗部としての第２抵抗部Ｒ２となり、抵抗体２０における第２抵抗膜２４を形成した領域以外の領域（つまり、第１抵抗膜２２において第２抵抗膜２４が積層していない領域）が高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１となる。
【０１０６】
なお、第２抵抗膜２４の領域の一部のみが第１抵抗膜２２と積層することにより、第２抵抗部Ｒ２を形成してもよい。つまり、第２抵抗膜２４のＸ１側の辺部に沿った領域のみが第１抵抗膜２２に積層して、他の領域は絶縁基板１０の上面に形成される構成としてもよい。つまり、この場合には、第１抵抗膜２２は、図９の場合よりもＸ１−Ｘ２方向に短く形成されることになる。
【０１０７】
また、トリミング溝３０は、第１抵抗部Ｒ１における上面電極４０と第２抵抗部Ｒ２間の位置の辺部ｈ１から電極間方向と略同一方向に形成され、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿って直線状に形成されている。この辺部ｈ１が、特許請求の範囲における「第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部」となる。つまり、トリミング溝３０が、第１抵抗部Ｒ１における第２抵抗部Ｒ２と電極部間の辺部ｈ１から電極部（上面電極４０側の電極部）と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて第１抵抗部Ｒ１に形成されている。また、トリミング溝３０は、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（Ｙ１−Ｙ２方向）と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。
【０１０８】
また、トリミング溝３２は、第１抵抗部Ｒ１における上面電極４２と第２抵抗部Ｒ２間の位置の辺部ｈ２から電極間方向と略同一方向に形成され、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿って直線状に形成されている。この辺部ｈ２が、特許請求の範囲における「第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部」となる。つまり、トリミング溝３２が、第１抵抗部Ｒ１における第２抵抗部Ｒ２と電極部間の辺部ｈ２から電極部（上面電極４２側の電極部）と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて第１抵抗部Ｒ１に形成されている。また、トリミング溝３２は、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（Ｙ１−Ｙ２方向）と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。つまり、上記各実施例とは異なり、トリミング溝３０、３２は、直線状に形成されている。
【０１０９】
また、上面電極４０、４２は、絶縁基板１０の上面に短手辺に沿って形成されているが、短手辺の全体ではなく、短手辺の一部にのみ形成されている。つまり、上面電極４０、４２が第２抵抗部Ｒ２に接しないように、絶縁基板１０の短手辺の方向（Ｘ１−Ｘ２方向）における第２抵抗膜２４が形成された側と反対側（Ｘ１側）の端部から所定の長さ（上面電極４０、４２と第２抵抗膜２４との間にトリミング溝を形成できる程度の幅Ｎ（図８参照）を残すことができる長さ）に形成されている。
【０１１０】
また、上記以外の構成（すなわち、保護膜５０と、下面電極６０と、側面電極７０と、メッキ９０）は、実施例１における各構成と同様の構成であるので詳しい説明を省略する。特に、側面電極７０やメッキ９０は、絶縁基板１０の短手辺の全体にわたって形成され、抵抗体２０には直接接触しないように形成されている。
【０１１１】
上記構成のチップ抵抗器Ｐ５の製造方法は、特に、抵抗体２０や上面電極４０、４２を上記のように形成し、トリミング溝３０、３２を直線状に形成する点以外は、上記実施例１のチップ抵抗器Ｐ１と同様である。チップ抵抗器Ｐ５の使用状態も、上記実施例１のチップ抵抗器Ｐ１と同様である。
【０１１２】
本実施例のチップ抵抗器Ｐ５によれば、電極部（上面電極）と第２抵抗部Ｒ２の間の領域からトリミング溝を形成し、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿ってトリミング溝を直線状に形成するので、抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したチップ抵抗器とすることができる。
【０１１３】
また、本実施例のチップ抵抗器Ｐ５においては、トリミング溝３０とトリミング溝３２とを形成することにより、電流が過度に集中する領域を形成することがなく、その点によっても高電力化に適したものすることができる。
【０１１４】
また、本実施例のチップ抵抗器Ｐ５においては、トリミング溝３０とトリミング溝３２とを形成するので、抵抗値変化を大きく確保することができ、１つの初抵抗値のトリミング前のチップ抵抗器により多くの抵抗値のチップ抵抗器を得ることができ、大量の初抵抗在庫を持たなくてもよいので、製造コストを低減させることができる。
【実施例５】
【０１１５】
次に、実施例５のチップ抵抗器について説明する。実施例１のチップ抵抗器においては第２抵抗部Ｒ２が第１抵抗部Ｒ１の長手辺の一部にのみ形成されているのに対して、実施例５のチップ抵抗器Ｐ６においては、第２抵抗部Ｒ２が第１抵抗部Ｒ１の長手辺の全体に形成され、上面電極４０、４２は第１抵抗部Ｒ１のみならず第２抵抗部Ｒ２にも接触し、トリミング溝３０、３２が実施例１のトリミング溝３０、３２と同様に略Ｌ字状に形成され、トリミング溝３０、３２における電極間方向と略直角の第１トリミング溝３０ａ、３２ａが第２抵抗部Ｒ２を横切って形成されている点が異なる。なお、図１０、図１１の例では、第２抵抗膜２４の領域の一部のみが第１抵抗膜２２と積層している。
【０１１６】
すなわち、図１０、図１１に示すように、チップ抵抗器Ｐ６において、抵抗体２０は、第１抵抗膜２２と、第２抵抗膜２４とを有し、全体に方形状（具体的には、長方形状）を呈している。第１抵抗膜２２は、方形状を呈し、抵抗体２０の平面形状よりも短手方向に若干短い形状を有している。
【０１１７】
また、第２抵抗膜２４は、第１抵抗膜２２の一対の長手辺における一方の（Ｘ２側の）辺部（つまり、第１抵抗膜２２の上面電極４０、４２とは接続していない領域の辺部における一方の辺部）に沿って形成され、電極間方向に細長の長方形状を呈している。第２抵抗膜２４の長手方向の長さは第１抵抗膜２２の長手方向の長さと略同一であり、第２抵抗膜２４のＹ１側の端部と第１抵抗膜２２のＹ１側の端部とは略一致しており、第２抵抗膜２４のＹ２側の端部と第１抵抗膜２２のＹ２側の端部とは略一致している。第２抵抗膜２４のＸ１側の辺部に沿った領域のみが第１抵抗膜２２に積層して、他の領域は絶縁基板１０の上面に形成されている。つまり、第１抵抗膜２２の短手方向の長さは、抵抗体２０の短手方向の長さよりも短く形成されている。第２抵抗膜２４は、第１抵抗膜２２の材料の抵抗値よりも低い抵抗値の材料により形成されている。
【０１１８】
抵抗体２０において第２抵抗膜２４を形成した領域が低抵抗部としての第２抵抗部Ｒ２となり、抵抗体２０における第２抵抗膜２４を形成した領域以外の領域（つまり、第１抵抗膜２２において第２抵抗膜２４が積層していない領域）が高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１となる。つまり、抵抗体２０における電極間方向と略平行な一対の辺部（長手方向の辺部）における一方の辺部の全体に沿って第２抵抗部Ｒ２が形成されている。
【０１１９】
なお、第１抵抗膜２２のＸ２側の端部を第２抵抗膜２４のＸ２側の端部と一致させて、第２抵抗膜２４の領域の全てについて第１抵抗膜２２と積層するようにしてもよい。ただし、この実施例６の場合には、第２抵抗部Ｒ２を横切ってトリミング溝を形成するので、第２抵抗膜２４の領域の全てについて第１抵抗膜２２と積層するよりも第２抵抗膜２４の一部のみが積層する構成（つまり、図１１の構成）の方が好ましいといえる。
【０１２０】
また、トリミング溝３０は、第１トリミング溝３０ａと第２トリミング溝３０ｂとからなり全体に略Ｌ字状を呈することは実施例１と同様であるが、第１トリミング溝３０ａは、電極間方向とは略直角方向に第２抵抗部Ｒ２を横切って第１抵抗部Ｒ１の領域にまで形成されている。つまり、第１トリミング溝３０ａが、第２抵抗部Ｒ２の該電極部（上面電極４０側の電極部）側の領域を横切って第１抵抗部Ｒ１の領域まで形成されている。
【０１２１】
また、第２トリミング溝３０ｂは、第１トリミング溝３０ａの奥側の端部から電極間方向と略同一方向に連設され、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿って形成されている。つまり、第２トリミング溝３０ｂが、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（Ｙ１−Ｙ２方向）と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。
【０１２２】
また、トリミング溝３２は、第１トリミング溝３２ａと第２トリミング溝３２ｂとからなり全体に略Ｌ字状を呈することは実施例１と同様であるが、第１トリミング溝３２ａは、電極間方向とは略直角方向に第２抵抗部Ｒ２を横切って第１抵抗部Ｒ１の領域にまで形成されている。つまり、第１トリミング溝３２ａが、第２抵抗部Ｒ２の該電極部（上面電極４２側の電極部）側の領域を横切って第１抵抗部Ｒ１の領域まで形成されている。
【０１２３】
また、第２トリミング溝３２ｂは、第１トリミング溝３２ａの奥側の端部から電極間方向と略同一方向に連設され、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿って形成されている。つまり、第２トリミング溝３２ｂが、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（Ｙ１−Ｙ２方向）と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。
【０１２４】
また、上記以外の構成（すなわち、保護膜５０と、下面電極６０と、側面電極７０と、メッキ９０）は、実施例１における各構成と同様の構成であるので詳しい説明を省略する。
【０１２５】
上記構成のチップ抵抗器Ｐ６の製造方法は、特に、抵抗体２０を上記のように形成し、トリミング溝３０における第１トリミング溝３０ａとトリミング溝３２における第１トリミング溝３２ａを第２抵抗部Ｒ２を横切って形成する点以外は、上記実施例１のチップ抵抗器Ｐ１と同様である。チップ抵抗器Ｐ６の使用状態も、上記実施例１のチップ抵抗器Ｐ１と同様である。
【０１２６】
本実施例のチップ抵抗器Ｐ６によれば、第２抵抗部Ｒ２を横切ってトリミング溝を形成し、さらに、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿ってトリミング溝を直線状に形成するので、抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したチップ抵抗器とすることができる。特に、第２抵抗部Ｒ２を細長に形成して、第２抵抗部Ｒ２の幅方向（Ｘ１−Ｘ方向）の長さを短くすることにより、トリミングによる残り幅を大きくすることができる。
【０１２７】
また、本実施例のチップ抵抗器Ｐ６においては、トリミング溝３０とトリミング溝３２とを形成することにより、電流が過度に集中する領域を形成することがなく、その点によっても高電力化に適したものすることができる。
【０１２８】
また、本実施例のチップ抵抗器Ｐ６においては、トリミング溝３０とトリミング溝３２とを形成するので、抵抗値変化を大きく確保することができ、１つの初抵抗値のトリミング前のチップ抵抗器により多くの抵抗値のチップ抵抗器を得ることができ、大量の初抵抗在庫を持たなくてもよいので、製造コストを低減させることができる。特に、トリミング溝３０における第１トリミング溝３０ａの形成位置をなるべく上面電極４０側とすることにより、第２トリミング溝３０ｂの長さを長く確保することができ、また、トリミング溝３２における第１トリミング溝３２ａの形成位置をなるべく上面電極４２側とすることにより、第２トリミング溝３２ｂの長さを長く確保することができるので、抵抗値変化を大きく確保することができる。
【実施例６】
【０１２９】
次に、実施例６のチップ抵抗器について説明する。実施例１のチップ抵抗器においては、第２抵抗部Ｒ２が上面電極４０、４２に接続しておらず、実施例５のチップ抵抗器においては、第２抵抗部Ｒ２が上面電極４０、４２に接続しているのに対して、実施例６のチップ抵抗器Ｐ７においては、第２抵抗部Ｒ２の一方の端部が第１抵抗部Ｒ１の端部にまで形成されて上面電極に接続し、他方の端部は第１抵抗部Ｒ１の端部にまで形成されずに上面電極に接続せず、第２抵抗部Ｒ２が上面電極に接続している側では、トリミング溝は第２抵抗部Ｒ２を横切って形成され、第２抵抗部Ｒ２が上面電極に接続していない側では、トリミング溝は、第１抵抗部Ｒ１に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って略Ｌ字状に形成されている。
【０１３０】
すなわち、図１２、図１３に示すように、チップ抵抗器Ｐ７において、抵抗体２０は、第１抵抗膜２２と、第２抵抗膜２４とを有し、全体に方形状（具体的には、長方形状）を呈している。
【０１３１】
第１抵抗膜２２は、方形状に切欠部（第２抵抗膜２４よりもやや小さい形状・大きさの切欠部）を形成した形状を呈している。つまり、上面電極４０の側においては、第１抵抗膜２２の切欠部は上面電極４０にまで到達しないように形成されている。
【０１３２】
第２抵抗膜２４は、細長の長方形状を呈し、第１抵抗膜２２の切欠部の辺部に沿って第１抵抗膜２２に積層して形成されている。つまり、第２抵抗膜２４は、上面電極４２側（Ｙ１側）においては、第１抵抗膜２２と端部にまで形成され、第１抵抗膜２２のＹ１側の辺部と第２抵抗膜２４のＹ１側の辺部とは一致している。また、第２抵抗膜２４は、上面電極４０側（Ｙ２側）においては、第１抵抗膜２２の端部にまでは形成されておらず、上面電極４０との間には間隔を有している。第２抵抗膜２４は、第１抵抗膜２２の材料の抵抗値よりも低い抵抗値の材料により形成されている。
【０１３３】
抵抗体２０において第２抵抗膜２４を形成した領域が低抵抗部としての第２抵抗部Ｒ２となり、抵抗体２０における第２抵抗膜２４を形成した領域以外の領域（つまり、第１抵抗膜２２において第２抵抗膜２４が積層していない領域）が高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１となる。つまり、第２抵抗部Ｒ２は、上面電極４２側では抵抗体２０の端部にまで形成され、上面電極４０側では、抵抗体２０の端部にまでは形成されず、よって、第２抵抗部Ｒ２は、上面電極４２には接するが、上面電極４０には接していない。
【０１３４】
なお、第１抵抗膜２２の辺部を第２抵抗膜２４の辺部に合わせて全体に方形状に形成し、第１抵抗膜２２のＸ２側の端部を第２抵抗膜２４のＸ２側の端部と一致させて、第２抵抗膜２４の領域の全てについて第１抵抗膜２２と積層するようにしてもよい。ただし、この実施例６の場合には、第２抵抗部Ｒ２を横切ってトリミング溝を形成するので、第２抵抗膜２４の領域の全てについて第１抵抗膜２２と積層するよりも第２抵抗膜２４の一部のみが積層する構成（つまり、図１３の構成）の方が好ましいといえる。
【０１３５】
また、トリミング溝３０は、実施例１のトリミング溝３０と同様の構成であり、第１トリミング溝３０ａと第２トリミング溝３０ｂとからなり全体に略Ｌ字状を呈し、第１トリミング溝３０ａは、第１抵抗部Ｒ１における上面電極４０と第２抵抗部Ｒ２間の位置の辺部ｈ１から電極間方向とは略直角方向に形成され、第２抵抗部Ｒ２の短手辺に沿って直線状に形成されている。また、第２トリミング溝３０ｂは、第１トリミング溝３０ａの奥側の端部から電極間方向と略同一方向に連設され、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿って直線状に形成されている。
【０１３６】
また、トリミング溝３２は、実施例５のトリミング溝３２と同様の構成であり、第１トリミング溝３２ａと第２トリミング溝３２ｂとからなり全体に略Ｌ字状を呈し、第１トリミング溝３２ａは、電極間方向とは略直角方向に第２抵抗部Ｒ２を横切って第１抵抗部Ｒ１の領域にまで形成されている。また、第２トリミング溝３２ｂは、第１トリミング溝３２ａの奥側の端部から電極間方向と略同一方向に連設され、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿って形成されている。
【０１３７】
また、上記以外の構成（すなわち、保護膜５０と、下面電極６０と、側面電極７０と、メッキ９０）は、実施例１における各構成と同様の構成であるので詳しい説明を省略する。
【０１３８】
上記構成のチップ抵抗器Ｐ７の製造方法は、特に、抵抗体２０を上記のように形成し、トリミング溝３２における第１トリミング溝３２ａを第２抵抗部Ｒ２を横切って形成する点以外は、上記実施例１のチップ抵抗器Ｐ１と同様である。チップ抵抗器Ｐ７の使用状態も、上記実施例１のチップ抵抗器Ｐ１と同様である。
【０１３９】
本実施例のチップ抵抗器Ｐ７によれば、抵抗体２０の一方の側では、電極部（上面電極）と第２抵抗部Ｒ２の間の領域からトリミング溝を形成し、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿ってトリミング溝を形成して、全体に略Ｌ字状とし、抵抗体２０の他方の側では、第２抵抗部Ｒ２を横切ってトリミング溝を形成し、さらに、第２抵抗部Ｒ２の長手辺に沿ってトリミング溝を直線状に形成するので、抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したチップ抵抗器とすることができる。特に、第２抵抗部Ｒ２を細長に形成して、第２抵抗部Ｒ２の幅方向（Ｘ１−Ｘ方向）の長さを短くすることにより、トリミングによる残り幅を大きくすることができる。
【０１４０】
また、本実施例のチップ抵抗器Ｐ７においては、トリミング溝３０とトリミング溝３２とを形成することにより、電流が過度に集中する領域を形成することがなく、その点によっても高電力化に適したものすることができる。
【０１４１】
また、本実施例のチップ抵抗器Ｐ７においては、トリミング溝３０とトリミング溝３２とを形成するので、抵抗値変化を大きく確保することができ、１つの初抵抗値のトリミング前のチップ抵抗器により多くの抵抗値のチップ抵抗器を得ることができ、大量の初抵抗在庫を持たなくてもよいので、製造コストを低減させることができる。特に、第２抵抗部Ｒ２の長手方向の長さを長くすることにより、トリミング溝３０における第１トリミング溝３０ａの形成位置をなるべく上面電極４０側とすることができて、第２トリミング溝３０ｂの長さを長く確保することができ、また、トリミング溝３２における第１トリミング溝３２ａの形成位置をなるべく上面電極４２側とすることにより、第２トリミング溝３２ｂの長さを長く確保することができるので、抵抗値変化を大きく確保することができる。
【０１４２】
なお、上記の各実施例において、抵抗体２０において、２つのトリミング溝を形成した側とは反対に抵抗値微調整用のトリミング溝を形成するようにしてもよい。
【０１４３】
例えば、実施例１のチップ抵抗器Ｐ１、Ｐ２の変形例であるチップ抵抗器Ｐ１’、Ｐ２’においては、図１４に示すように、抵抗体２０において、２つのトリミング溝３０、３２を形成した側とは反対側（Ｘ１側）の辺部から、トリミング溝３４が形成されている。
【０１４４】
すなわち、上記抵抗値調整工程において、トリミング溝３０とトリミング溝３２を形成し（トリミング溝３０を形成後にトリミング溝３２を形成してもよいし、トリミング溝３２を形成後にトリミング溝３０を形成してもよい。）、その後に、トリミング溝３４を形成する。すなわち、トリミング溝構成部３４ａを電極間方向と略直角方向に形成し、その後、トリミング溝構成部３４ａの端部から電極間方向にトリミング溝構成部３４ｂを形成して、全体に略Ｌ字状に形成する。なお、抵抗体２０のＸ１側にはＸ２側と比べて第２抵抗部Ｒ２は形成されていないので、トリミング溝３０やトリミング溝３２を形成する場合に比べて、トリミング溝の長さ当たりの抵抗値の上昇の度合いは小さく、抵抗値を微調整することができる。
【０１４５】
なお、上記の説明では、実施例１のチップ抵抗器Ｐ１（Ｐ２）に微調整用のトリミング溝３４を形成するものとして説明したが、そのような微調整用のトリミング溝を実施例２〜６のチップ抵抗器に適用してもよい。
【０１４６】
なお、上記実施例４を除く各実施例においては、第２抵抗膜２４を細長長方形状として、トリミング溝３０、３２を第２抵抗膜２４の各辺部に沿って略Ｌ字状に形成するとして説明したが、第２抵抗膜２４が、その内側の角部にアールが形成された形状で、トリミング溝３０、３２を電極間方向とは略直角に形成した後に該アールに沿って略円弧状にトリミング溝を形成し、その後、電極間方向と略同一方向にトリミング溝を形成するようにしてもよい。また、第２抵抗膜２４の長手方向の端部領域が１／４円状に形成され、第２抵抗膜２４の長手方向の端部の輪郭が１／４円弧状に形成されている場合には、該１／４円弧状の輪郭に従いトリミング溝を形成し、その後、電極間方向の辺部に沿って直線状にトリミング溝を形成するようにしてもよい。
【０１４７】
また、第２抵抗膜２４が、その内側の角部にアールが形成された形状である場合や、長手方向の端部領域が１／４円状に形成されている場合でも、トリミング溝を略Ｌ字状に形成してもよい。
【０１４８】
また、上記各実施例の説明において、第２抵抗膜２４は方形状であるとして説明したが、小さな円形や多角形等の任意の形状の抵抗膜を複数を集合させたドット状の抵抗膜としてもよい。
【０１４９】
また、上記各実施例の説明においては、第２抵抗膜２４の全体又は一部が第１抵抗膜２２の上面に積層するものとして説明したが、第２抵抗膜２４の全体又は一部が第１抵抗膜２２の下面に積層するものとしてもよい。
【０１５０】
また、上記実施例１、実施例３、実施例４において、第２抵抗膜２４の領域の全てについて第１抵抗膜２２と積層する場合に、上記の説明では、第２抵抗膜２４の辺部と第１抵抗膜２２の辺部が略一致して形成されるとしたが、第２抵抗膜２４が第１抵抗膜２２の内側にずれて形成され、第２抵抗膜２４の辺部と第１抵抗膜２２の辺部が一致しない構成としてもよい。
【０１５１】
例えば、実施例１において、第２抵抗膜２４が内側にずれて形成された例としては、図１５に示すようになり、第２抵抗膜２４のＸ２側の辺部ｈ２０は第１抵抗膜２２のＸ２側の辺部ｈ１０よりもＸ１側にずれて形成されている。ここで、第１抵抗膜２２のＸ２側の辺部ｈ１０において、第２抵抗膜２４に対向した部分Ｊが、特許請求の範囲における「第１抵抗部における第２抵抗部に近接する辺部」に当たり、第１トリミング溝３０ａは、「第１抵抗部Ｒ１における第２抵抗部Ｒ２に近接する辺部Ｊと電極部間の辺部ｈ１から電極部と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて第１抵抗部に形成されている」といえる。同様に、第１トリミング溝３２ａは、「第１抵抗部Ｒ１における第２抵抗部Ｒ２に近接する辺部Ｊと電極部間の辺部ｈ２から電極部と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて第１抵抗部に形成されている」といえる。
【０１５２】
また、実施例５や実施例６において、第２抵抗膜２４の領域の全てについて第１抵抗膜２２と積層する場合に、第２抵抗膜２４の辺部と第１抵抗膜２２の辺部が略一致して形成されるとしたが、第２抵抗膜２４が第１抵抗膜２２の内側にずれて形成され、第２抵抗膜２４の辺部と第１抵抗膜２２の辺部が一致しない構成としてもよい。
【０１５３】
なお、上記実施例４を除く各実施例において、トリミング溝３２は第１トリミング溝３２ａと第２トリミング溝３２ｂにより構成されているとしたが、第３トリミング溝３２ａ、第４トリミング溝３２ｂとしてもよい。
【符号の説明】
【０１５４】
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６、Ｐ７、Ｐ１’、Ｐ２’  チップ抵抗器
１０  絶縁基板
２０  抵抗体
２２  第１抵抗膜
２４  第２抵抗膜
Ｒ１  第１抵抗部
Ｒ２  第２抵抗部
３０、３２、３４  トリミング溝
３０ａ、３２ａ、３４ａ  第１トリミング溝
３０ｂ、３２ｂ、３４ｂ  第２トリミング溝
４０、４２  上面電極
５０  保護膜
６０  下面電極
７０  側面電極
９０  メッキ
【図１】
2011044551.tif 000003
【図２】
2011044551.tif 000004
【図３】
2011044551.tif 000005
【図４】
2011044551.tif 000006
【図５】
2011044551.tif 000007
【図６】
2011044551.tif 000008
【図７】
2011044551.tif 000009
【図８】
2011044551.tif 000010
【図９】
2011044551.tif 000011
【図１０】
2011044551.tif 000012
【図１１】
2011044551.tif 000013
【図１２】
2011044551.tif 000014
【図１３】
2011044551.tif 000015
【図１４】
2011044551.tif 000016
【図１５】
2011044551.tif 000017
【図１６】
2011044551.tif 000018