(57)【要約】【課題】溶融時の流動性及びパッケージの耐反り性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】エポキシ樹脂をエポキシ樹脂組成物全量中２〜１５質量％含有し、可撓剤をエポキシ樹脂組成物全量中０．８〜４．５質量％含有し、上記エポキシ樹脂が式（１）で示されるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中３０〜１００質量％含有するものであり、上記可撓剤が式（２）で示されるアミノ変性シリコーンを全可撓剤中５０〜１００質量％含有するものである半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、溶融時の流動性及びパッケージの耐反り性に優れる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂及び可撓剤を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂をエポキシ樹脂組成物全量中に２〜１５質量％含有し、
可撓剤をエポキシ樹脂組成物全量中に０．８〜４．５質量％含有し、
上記エポキシ樹脂が、下記式（１）で示されるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に３０〜１００質量％含有するものであり、
上記可撓剤が、下記式（２）で示されるアミノ変性シリコーンを全可撓剤中に５０〜１００質量％含有するものであることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2011026501.tif 000007
【化２】
2011026501.tif 000008
【請求項２】
無機充填材をエポキシ樹脂組成物全量中に７０〜９０質量％含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって半導体素子搭載用基板に搭載された半導体素子が封止されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子搭載用基板に搭載された半導体素子の封止に用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該組成物を用いて半導体素子が封止された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子搭載用基板に搭載された半導体素子（チップ）を封止するために用いられる材料として、エポキシ樹脂組成物が広く知られている。このエポキシ樹脂組成物は、一般に、エポキシ樹脂の他、硬化剤、無機充填材及び可撓剤等を含有する（特許文献１参照）。この樹脂組成物を用いて半導体素子が封止され保護された半導体装置はパッケージと称され、プリント配線基板に実装される。パッケージは、通常、金型を用いたトランスファ成形で製造される。
【０００３】
トランスファ成形において、エポキシ樹脂組成物は、溶融した状態でキャビティ内に加圧注入される。キャビティ内には、半導体素子が搭載された基板が仕込まれている。基板と半導体素子とはすでに金線で電気接続（ワイヤボンディング）されている。溶融したエポキシ樹脂組成物は、基板上の半導体素子を包み込みながらキャビティ内を流動し、キャビティ内に充満する。数時間の後硬化（ポストキュア）の後、金型が開いて成形物すなわちパッケージが取り出される。
【０００４】
近年、電子機器の小型化、薄型化に伴い、基板と半導体素子とを電気接続する金線の細線化が顕著となっている。その結果、トランスファ成形時にキャビティ内を流動する溶融したエポキシ樹脂組成物から圧力を受けて金線が変形するワイヤスイープが起こり易くなっている。このワイヤスイープを低減するためには、トランスファ成形時の溶融したエポキシ樹脂組成物の流動性を高めることが提案される。そのため、溶融時の粘度が相対的に低いビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を半導体封止用エポキシ樹脂組成物に用いることが知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１００４８７号公報（段落０００９、００１１）
【特許文献２】特開２００６−１７６５９５号公報（段落００１４、００１５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、電子機器の小型化、薄型化に伴い、パッケージは、プリント配線基板の表面に実装される表面実装型が主流になっている。また、表面実装型パッケージのうちでも、実装密度の高いエリア実装型であるＢＧＡ（Ball Grid Array）が広く用いられている。ＢＧＡは、半導体素子が搭載された基板の片面だけがエポキシ樹脂組成物で封止された片面封止型パッケージなので、基板とエポキシ樹脂組成物との熱膨張率の差（エポキシ樹脂組成物の熱膨張率が基板の熱膨張率よりも大きい）に起因するパッケージの反りの問題（特に成形後の冷却時や高温に曝されるリフロー時に起り易い）がある。
【０００７】
そして、トランスファ成形時のワイヤスイープを低減するために、溶融時の粘度が相対的に低いビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いると、エポキシ樹脂組成物の熱膨張率がより大きくなって、パッケージの反りの問題が増大するという不具合が生じるのである。
【０００８】
本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物における上記のような不具合に対処するもので、ワイヤスイープの低減のために溶融時の粘度が相対的に低いビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いながらも、パッケージの反りを抑制できる半導体封止用エポキシ樹脂組成物の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち、本発明は、エポキシ樹脂及び可撓剤を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂をエポキシ樹脂組成物全量中に２〜１５質量％含有し、可撓剤をエポキシ樹脂組成物全量中に０．８〜４．５質量％含有し、上記エポキシ樹脂が、下記式（１）で示されるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に３０〜１００質量％含有するものであり、上記可撓剤が、下記式（２）で示されるアミノ変性シリコーンを全可撓剤中に５０〜１００質量％含有するものである半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
【００１０】
【化１】
2011026501.tif 000002
【００１１】
【化２】
2011026501.tif 000003
【００１２】
本発明においては、さらに、無機充填材をエポキシ樹脂組成物全量中に７０〜９０質量％含有することが好ましい。
【００１３】
また、本発明は、半導体素子搭載用基板に搭載された半導体素子が上記の半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって封止されている半導体装置である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、溶融時の流動性及びパッケージの耐反り性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物が提供される。その結果、トランスファ成形時のワイヤスイープの低減とパッケージの反りの抑制とが同時に達成されるという効果が奏される。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明は、エポキシ樹脂及び可撓剤を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、次の点を特徴としている。
（ａ）エポキシ樹脂がエポキシ樹脂組成物全量中に２〜１５質量％含有される。
（ｂ）上記エポキシ樹脂が、下記式（１）で示されるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に３０〜１００質量％含有する。
（ｃ）可撓剤がエポキシ樹脂組成物全量中に０．８〜４．５質量％含有される。
（ｄ）上記可撓剤が、下記式（２）で示されるアミノ変性シリコーンを全可撓剤中に５０〜１００質量％含有する。
【００１６】
【化３】
2011026501.tif 000004
【００１７】
【化４】
2011026501.tif 000005
【００１８】
まず、（ａ）及び（ｂ）について説明する。式（１）で示されるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（以下単に「式１のエポキシ樹脂」という）は、溶融時の粘度が相対的に低いという性質を有している。したがって、この式１のエポキシ樹脂を用いることにより、トランスファ成形時の溶融したエポキシ樹脂組成物の流動性が高められ、トランスファ成形時のワイヤスイープが低減される。
【００１９】
式１のエポキシ樹脂としては、例えば次のものが商業的に入手可能であり、本発明に好適に使用可能である。
・ジャパンエポキシレジン社製の「ＹＬ６８１０」（粘度（２５℃）（Ｐ／ガードナーホルト）：４０〜５５、エポキシ当量：１６５〜１８０）
【００２０】
本発明においては、エポキシ樹脂のエポキシ樹脂組成物全量中の含有量は２〜１５質量％、好ましくは３〜１５質量％、より好ましくは６〜１５質量％であり、その場合に、式１のエポキシ樹脂の全エポキシ樹脂中の含有量は３０〜１００質量％、好ましくは５０〜１００質量％、より好ましくは７０〜１００質量％である。これを換算すると、本発明においては、式１のエポキシ樹脂のエポキシ樹脂組成物全量中の含有量は０．６〜１５質量％、好ましくは０．９〜１５質量％、より好ましくは１．８〜１５質量％である。上記の各含有量を上記範囲内とすることにより、エポキシ樹脂組成物の溶融時の流動性が確実に高められ、トランスファ成形時のワイヤスイープ低減の観点からより良好な結果が得られる。
【００２１】
本発明においては、式１のエポキシ樹脂と組み合わせて用いるエポキシ樹脂として、従来公知のエポキシ樹脂が使用可能であり、そのようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等の式１のエポキシ樹脂以外のビスフェノール型エポキシ樹脂、Ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、及びトリフェニルメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、１種単独でも、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。
【００２２】
次に、（ｃ）及び（ｄ）について説明する。式（２）で示されるアミノ変性シリコーン（以下単に「式２の可撓剤」という）は、エポキシ樹脂組成物の可撓性を向上させるという性質を有している。したがって、この式２の可撓剤を用いることにより、硬化後のエポキシ樹脂組成物が基板の伸縮に良好に追従し、パッケージの反りが抑制される。
【００２３】
ここで、式２の可撓剤は、ジメチル（アミノエチルアミノプロピル）メチルシロキサンであって、上記式（２）において、ｍ及びｎは、１以上の整数であり、式２の可撓剤のアミノ当量が２００〜１００００の範囲となる値に調整される。具体的には、例えば、ｍは、１００〜１０００、好ましくは３００〜８００、より好ましくは５００、ｎは、１〜５０、好ましくは５〜２０、より好ましくは１０等である。
【００２４】
式２の可撓剤としては、例えば次のものが商業的に入手可能であり、いずれも本発明に好適に使用可能である。
・信越化学工業社製の「ＫＦ−８６１」（粘度（２５℃）：３５００ｍｍ２／ｓ、比重（２５℃）：０．９８、アミノ当量：２０００）
・東レダウコーニング社製の「ＢＹ１６−８４９」（粘度（２５℃）：１３００ｍｍ２／ｓ、比重（２５℃）：０．９８、アミノ当量：６００）
【００２５】
本発明においては、可撓剤のエポキシ樹脂組成物全量中の含有量は０．８〜４．５質量％、好ましくは１〜４．５質量％、より好ましくは２〜４．５質量％であり、その場合に、式２の可撓剤の全可撓剤中の含有量は５０〜１００質量％、好ましくは６０〜１００質量％、より好ましくは７０〜１００質量％である。これを換算すると、本発明においては、式２の可撓剤のエポキシ樹脂組成物全量中の含有量は０．４〜４．５質量％、好ましくは０．５〜４．５質量％、より好ましくは１〜４．５質量％である。上記の各含有量を上記範囲内とすることにより、硬化後のエポキシ樹脂組成物が確実に基板の伸縮に良好に追従し、パッケージの反り抑制の観点からより良好な結果が得られる。
【００２６】
本発明においては、式２の可撓剤と組み合わせて用いる可撓剤として、従来公知の可撓剤が使用可能であり、そのような可撓剤としては、例えば、エポキシ変性シリコーンやカルボキシル変性シリコーンあるいはカルビノール変性シリコーン等の式２の可撓剤以外のシリコーンオイル、シリコーンエラストマ、シリコーンゲル、シリコーンゴム等が挙げられる。これらは、１種単独でも、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、シリコーンオイルが特に好ましい。
【００２７】
本発明においては、式１のエポキシ樹脂と式２の可撓剤とを組み合わせて用いることにより、溶融時の流動性とパッケージの耐反り性とが共に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物が提供される。これに対し、式１のエポキシ樹脂と、式２の可撓剤以外の可撓剤とを組み合わせて用いたときは、本発明と比べて、パッケージの耐反り性が低下するだけでなく、溶融時の流動性も同時に低下する（後述する表１の実施例３と比較例３参照）。また、式１のエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂と、式２の可撓剤とを組み合わせて用いたときは、本発明と比べて、溶融時の流動性が低下するだけでなく、パッケージの耐反り性も同時に低下する（同じく実施例６と比較例６参照）。つまり、式１のエポキシ樹脂と式２の可撓剤とを組み合わせて用いることにより、式１のエポキシ樹脂と、式２の可撓剤以外の可撓剤とを組み合わせて用いたときや、式１のエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂と、式２の可撓剤とを組み合わせて用いたときよりも、溶融時の流動性とパッケージの耐反り性とが共に向上する相乗効果が得られるのである。
【００２８】
その理由は、必ずしも明らかではないが、式１のエポキシ樹脂が、溶融時の粘度が相対的に低いという性質と共にエポキシ樹脂組成物の可撓性を向上させるという性質も併せ持っているから、及び／又は、式２の可撓剤が、エポキシ樹脂組成物の可撓性を向上させるという性質と共に溶融時の粘度が相対的に低いという性質も併せ持っているから、式１のエポキシ樹脂と式２の可撓剤とを組み合わせて用いたときには、これらが相互作用し合って、それぞれ単独で用いたとき以上に優れた溶融時の流動性とパッケージの耐反り性とが相まって得られるものと考えられる。
【００２９】
また、本発明においては、エポキシ樹脂及び可撓剤の他、無機充填材をエポキシ樹脂組成物に含有させてもよい。無機充填材は熱膨張率が相対的に小さいので、無機充填材をエポキシ樹脂組成物に含有させることにより、エポキシ樹脂組成物の熱膨張率が小さくなり、パッケージの耐反り性の点で有利に働く。ただし、無機充填材をエポキシ樹脂組成物に大量に含有させると、エポキシ樹脂組成物の溶融時の流動性が低下する不利益が出る。そこで、溶融時の流動性とパッケージの耐反り性との均衡の観点から、無機充填材のエポキシ樹脂組成物全量中の含有量は７０〜９０質量％、好ましくは７０〜８５質量％、より好ましくは７０〜８０質量％である。上記含有量を上記範囲内とすることにより、溶融時の流動性とパッケージの耐反り性との均衡の観点からより良好な結果が得られる。
【００３０】
本発明においては、従来公知の無機充填材が使用可能であり、そのような無機充填材としては、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素等が挙げられる。これらは、１種単独でも、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、流動性の観点から溶融シリカが特に好ましい。また、球状のもの、真球状に近いもの、平均粒径が７〜１５μｍかつ最大粒径が７４μｍのものがより好ましい。
【００３１】
また、本発明においては、従来公知の硬化剤が使用可能であり、そのような硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等、各種の多価フェノール化合物又はナフトール化合物等が挙げられる。これらは、１種単独でも、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３２】
本発明においては、エポキシ樹脂組成物への硬化剤の含有量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂との配合割合でいうと、全エポキシ樹脂／全硬化剤（エポキシ当量と水酸基当量との当量比）＝０．８〜１．４が好ましく、０．９〜１．２がより好ましい。この配合割合が過度に小さいと、硬化剤が過多となって経済的に不利となる傾向があり、上記配合割合が過度に大きいと、硬化剤が過少となって硬化不足となる傾向がある。
【００３３】
また、本発明においては、さらに、従来公知の硬化促進剤、離型剤、シランカップリング剤、着色剤、難燃剤、イオントラップ剤等をエポキシ樹脂組成物に含有させてもよい。
【００３４】
硬化促進剤は、エポキシ樹脂のエポキシ基と硬化剤の水酸基との反応（硬化反応）を促進するためのものであり、例えば、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン類や、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン等の三級アミン類や、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類等が使用可能である。これらは、１種単独でも、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３５】
エポキシ樹脂組成物への硬化促進剤の含有量は、全樹脂成分（全エポキシ樹脂と全硬化剤との合計量）に対して０．４〜３質量％が好ましい。硬化促進剤の含有量がこれより少ないと、硬化促進効果が不足する傾向があり、これより多いと、成形性に不具合が生じる傾向がある。
【００３６】
本発明において使用可能な離型剤としては、例えば、カルナバワックスやモンタンワックス等の高融点のワックス類、ステアリン酸等の高級脂肪酸及びその塩やエステル類、カルボキシル基含有ポリオレフィン等が挙げられる。これらは、１種単独でも、２種以上を組み合わせて用いてもよい。エポキシ樹脂組成物への離型剤の含有量は、エポキシ樹脂組成物全量中、例えば０．１〜０．５質量％である。
【００３７】
シランカップリング剤は、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が使用可能である。着色剤は、例えば、カーボンブラックや各種の顔料等が使用可能である。ハロゲンフリー又はアンチモンフリーの難燃剤としては、例えば、水酸化マグネシウムや水酸化アルミニウムあるいは水酸化カルシウム等の金属水酸化物（金属水和物）等が使用可能である。
【００３８】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば次のようにして調製される。すなわち、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、可撓剤及びその他の成分をそれぞれ所定の量づつ配合し、ミキサーやブレンダー等で均一に混合した後、ニーダーやロール等で加熱しながら混練する。そして、混練後に冷却固化し、必要に応じて粉砕して、粉状又は粒状のエポキシ樹脂組成物とする。
【００３９】
本発明の半導体装置は、例えば次のようにして製造される。すなわち、半導体素子搭載用基板に半導体素子を搭載し、金線で基板と半導体素子とを電気接続（ワイヤボンディング）した後、基板上の半導体素子を本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止する。この封止を実行するには金型を用いたトランスファ成形を採用することができる。つまり、半導体素子が搭載されワイヤボンディングされた基板を金型のキャビティ内に配置した後、このキャビティ内に溶融状態のエポキシ樹脂組成物を所定の圧力で注入し、キャビティ内に充満させる。このときの注入圧力は、例えば４〜７ＭＰａ、金型温度は、例えば１６０〜１９０℃、成形時間は、例えば４５〜３００秒等に設定される（エポキシ樹脂組成物や半導体装置の種類に応じて適宜変更可能）。次に、金型を閉じたまま後硬化（ポストキュア）を行った後、型開きして成形物すなわち半導体装置（パッケージ）を取り出す。このときの後硬化条件は、例えば１６０〜１９０℃で２〜８時間等に設定される（エポキシ樹脂組成物や半導体装置の種類に応じて適宜変更可能）。
【００４０】
以下、実施例を通して本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００４１】
表１に示す配合（質量％）で、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、可撓剤等の各成分をブレンダーで３０分間混合し均一化した後、８０℃に加熱した２本ロールで溶融させながら混練し、押し出し、冷却後、粉砕機で所定粒度に粉砕して、粉状の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製した。
【００４２】
実施例１〜７及び比較例１〜７において用いた材料は次の通りである。
（エポキシ樹脂１）
・式１のエポキシ樹脂：ジャパンエポキシレジン社製の「ＹＬ６８１０」（エポキシ当量１７５）
（エポキシ樹脂２）
・ビフェニル型エポキシ樹脂：ジャパンエポキシレジン社製の「ＹＸ４０００Ｈ」（エポキシ当量１９５）
（エポキシ樹脂３）
・ビスフェノール型エポキシ樹脂：東都化成社製の「ＹＳＬＶ−８０ＸＹ」（エポキシ当量１９５）
（硬化剤）
・フェノールノボラック樹脂：明和化成社製の「ＤＬ−９２」（水酸基当量：１０５）
（無機充填材）
・球状溶融シリカ：電気化学工業社製の「ＦＢ８２０」（平均粒径：１５μｍ、最大粒径：７４μｍ）
（可撓剤１）
・式２の可撓剤：東レダウコーニング社製の「ＢＹ１６−８４９」（粘度（２５℃）：１３００ｍｍ２／ｓ、比重（２５℃）：０．９８、アミノ当量：６００）
（可撓剤２）
・エポキシ変性シリコーン：東レダウコーニング社製の「ＢＹ１６−８７６」（粘度（２５℃）：２５００ｍｍ２／ｓ、比重（２５℃）：１．０３、官能基（グリシジル）当量：２８００）
（カップリング剤）
・γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン：信越化学工業社製の「ＫＢＭ４０３」
（離型剤）
・カルナバワックス：大日化学社製の「Ｆ１−１００」
（着色剤）
・カーボンブラック：三菱化学社製の「４０Ｂ」
（硬化促進剤）
・トリフェニルホスフィン：北興化学工業社製の「ＴＰＰ」
【００４３】
上記のように調製した各半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、次の条件でトランスファ成形を行うことによって、３５ｍｍ×３５ｍｍ×基板厚み０．５ｍｍのＰＢＧＡパッケージ（封止サイズ：２９ｍｍ×２９ｍｍ×厚み１．１７ｍｍ、ＢＴ基板、レジストＰＳＲ４０００）を作製した。
・金型温度：１７５℃
・注入圧力：６．９ＭＰａ
・成形時間：９０秒
・後硬化：１７５℃×６時間
【００４４】
比較例１は、全エポキシ樹脂の含有量を過度に多くし、可撓剤１（式２の可撓剤）の含有量及び無機充填材の含有量を過度に少なくしたものである。比較例２は、可撓剤を含有しなかったものである。比較例３は、可撓剤１（式２の可撓剤）を用いず、可撓剤２だけを用いたものであって、実施例３の対照となるものである。比較例４は、可撓剤１（式２の可撓剤）の含有量を過度に多くしたものである。比較例５は、エポキシ樹脂１（式１のエポキシ樹脂）を用いず、エポキシ樹脂２だけを用いたものである。比較例６は、エポキシ樹脂１（式１のエポキシ樹脂）を用いず、エポキシ樹脂３だけを用いたものであって、実施例６の対照となるものである。比較例７は、無機充填材の含有量を過度に多くし、全エポキシ樹脂の含有量を過度に少なくしたものである。
【００４５】
上記のように調製した各半導体封止用エポキシ樹脂組成物について次の評価を行った。
（スパイラルフロー）
ＡＳＴＭ  Ｄ３１２３に準じたスパイラルフロー測定用金型を用いて、エポキシ樹脂組成物の流動距離（ｃｍ）を測定し、以下の基準で評価した。目標値は１４０ｃｍ以上である。
◎：１８０ｃｍ以上
○：１４０ｃｍ以上〜１８０ｃｍ未満
△：１００ｃｍ以上〜１４０ｃｍ未満
×：１００ｃｍ未満
【００４６】
上記のように作製した各ＰＢＧＡパッケージについて次の評価を行った。
（反り量）
アクロメトリックス（AKROMETRIX）社製の「シャドウモアレ（ＰＳ２００）」を用いて、常温２５℃の反り量（コプラナリティ）を測定し、以下の基準で評価した。目標値は０〜１００μｍ未満である。
◎：０〜５０μｍ未満
○：５０μｍ以上〜１００μｍ未満
△：１００μｍ以上〜１５０μｍ未満
×：１５０μｍ以上
【００４７】
結果を表１に示す。
【表１】
2011026501.tif 000006
【００４８】
表１の結果から明らかなように、式１のエポキシ樹脂（エポキシ樹脂１）と式２の可撓剤（可撓剤１）とを組み合わせて用い、式１のエポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に３０〜１００質量％含有し、式２の可撓剤を全可撓剤中に５０〜１００質量％含有し、エポキシ樹脂をエポキシ樹脂組成物全量中に２〜１５質量％含有し、可撓剤をエポキシ樹脂組成物全量中に０．８〜４．５質量％含有する実施例１〜７は、いずれも、エポキシ樹脂組成物の流動性とパッケージの耐反り性との両方に優れ、両方とも評価が目標値をクリアしていた。
【００４９】
一方、（ａ）エポキシ樹脂の含有量、（ｂ）式１のエポキシ樹脂の含有量、（ｃ）可撓剤の含有量、（ｄ）式２の可撓剤の含有量のうちの少なくとも１つが上記の好ましい範囲を外れる比較例１〜７は、エポキシ樹脂組成物の流動性とパッケージの耐反り性とのうちのいずれかの評価が目標値をクリアしていなかった。
【００５０】
そして、興味深いことに、実施例３の対照である比較例３は、可撓剤１（式２の可撓剤）を可撓剤２に代えただけであるが、パッケージの耐反り性が低下するだけでなく（反り量７１μｍが１８５μｍに増大した）、溶融時の流動性も同時に低下した（スパイラルフロー１９０ｃｍが１７６ｃｍに低下した）。また、同じく、興味深いことに、実施例６の対照である比較例６は、エポキシ樹脂１（式１のエポキシ樹脂）及びエポキシ樹脂２をエポキシ樹脂３に代えただけであるが、溶融時の流動性が低下するだけでなく（スパイラルフロー１５４ｃｍが１４８ｃｍに低下した）、パッケージの耐反り性も同時に低下した（反り量３８μｍが１５４μｍに増大した）。これにより、本発明においては、式１のエポキシ樹脂（エポキシ樹脂１）と式２の可撓剤（可撓剤１）とを組み合わせて用いることにより、溶融時の流動性とパッケージの耐反り性とが共に向上する相乗効果が得られることがわかる。
【００５１】
なお、可撓剤１（式２の可撓剤）と可撓剤２とを組み合わせて用い、その全可撓剤のエポキシ樹脂組成物全量中の含有量及び可撓剤１（式２の可撓剤）の全可撓剤中の含有量を上記の好ましい範囲内でいろいろに変えて、上記と同様にエポキシ樹脂組成物を調製し、上記と同様にパッケージを作製して、評価を行ったが、結果は同様であった。