(57)【要約】      （修正有）【課題】光信号を送信または受信する発光素子や受光素子を静電放電による破壊から保護する光伝送装置を提供する。【解決手段】光伝送モジュール１０は、光信号を送信する柱状の半導体層を含む素子部２０Ａおよび柱状の導電性の半導体層を含む支持部２０Ｂが形成されたＶＣＳＥＬ２０と、素子部および支持部と対向するように配され、素子部と光学的に結合するスラブ導波路３０と、支持部上に設けられ、スラブ導波路に接触される導電性接着剤４０とを有する。【選択図】図１
2011258741.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を送信または受信する柱状の半導体層を含む素子部および柱状の導電性の半導体層を含む支持部が形成された基板と、
前記素子部および支持部と対向するように配され、前記素子部と光学的に結合するように配された光伝送部材と、
前記支持部上に設けられ、前記光伝送部材に電気的に接触される導電性部材と、
を有する光伝送装置。
【請求項２】
前記素子部は、第１導電型の第１の半導体層と前記第１導電型と異なる導電型である第２導電型の第２の半導体層を含みかつ前記基板の法線方向に発光または受光面を有し、前記支持部は、前記素子部と同一の材料の半導体層を含む、請求項１に記載の光伝送装置。
【請求項３】
前記支持部は、前記導電性の半導体層に電気的に接続される金属電極の前記光伝送部材と対向する面に含み、当該金属電極には、前記導電性部材を収容する窪み部が形成される、請求項１または２に記載の光伝送装置。
【請求項４】
前記導電性部材は、前記光伝送部材と接着性を持って接着される、請求項１ないし３いずれか１つに記載の光伝送装置。
【請求項５】
前記支持部の前記光伝送部材と対向する面に形成される金属電極の膜厚は、前記素子部の頂部に形成される金属電極の膜厚よりも大きい、請求項１ないし４いずれか１つに記載の光伝送装置。
【請求項６】
前記支持部の前記光伝送部材と対向する面の面積は、前記素子部の頂部の面積よりも大きい、請求項１ないし５いずれか１つに記載の光伝送装置。
【請求項７】
前記基板上には複数の支持部が形成され、前記光伝送部材は、複数の支持部の前記光伝送部材と対向する面にそれぞれ設けられた導電性部材を介して支持される、請求項１ないし６いずれか１つに記載の光伝送装置。
【請求項８】
前記光伝送部材は、可撓性を有する樹脂から構成される、請求項１ないし７いずれか１つに記載の光伝送装置。
【請求項９】
光信号を送信する柱状の半導体層を含む第１の素子部および柱状の導電性の半導体層を含む第１の支持部が形成された送信側基板と、
光信号を受信する第２の素子部が形成された受信側基板と、
光信号を入射する第１の端部、第１の端部から入射された光信号を伝送する光伝送路、伝送された光信号を出射する第２の端部を有する光伝送部材と、
前記送信側基板の前記第１の支持部上に設けられた第１の導電性部材とを備え、
前記第１の端部が前記第１の素子部に光学的に結合されるように、前記光伝送部材が第１の導電性部材を介して第１の支持部によって支持され、
前記第２の端部が第２の素子部に光学的に結合される、光伝送装置。
【請求項１０】
前記受信側基板には、柱状の導電性の半導体層を含む第２の支持部が形成され、当該第２の支持部上に第２の導電性部材が設けられ、前記第２の端部が前記第２の素子部に光学的に結合されるように、前記光伝送部材が第２の導電性部材を介して第２の支持部によって支持される、請求項９に記載の光伝送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光伝送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信装置や情報端末などの電子機器間や電子機器内において、光信号を用いた通信が行われている。電子機器内の比較的短い距離の光通信では、光信号を送信する発光素子が搭載された送信側回路基板と、光信号を受信する受光素子が搭載された受信側回路基板と、発光素子からの光を受光素子に伝送するフレキシブルなフィルム光伝送路とを含む光伝送モジュールが実用化されている。フィルム光導波路（例えば、スラブ導波路）を用いることで、光伝送モジュールの実装の自由度が向上し、かつ省スペース化を図ることができる。また、発光素子には、例えば、消費電力が小さい面発光型半導体レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser diode）が用いられる。
【０００３】
発光素子や受光素子とフィルム光導波路との間の光結合を容易にするため、素子を搭載した基板とフィルム光導波路との間の距離を一定に保つ高さ補償部材を設けたり（特許文献１）、接着剤を用いてフィルム光導波路を基板に固定する方法が開示されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１４８１０７号
【特許文献２】特開２００７−２８６２８９号
【特許文献３】特開２００７−２９８５８０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、光信号を送信する発光素子および光信号を受信する受光素子を静電破壊から保護する光伝送装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の光伝送装置は、光信号を送信または受信する柱状の半導体層を含む素子部および柱状の導電性の半導体層を含む支持部が形成された基板と、前記素子部および支持部と対向するように配され、前記素子部と光学的に結合するように配された光伝送部材と、前記支持部上に設けられ、前記光伝送部材に電気的に接触される導電性部材と、
を有する光伝送装置である。
請求項２に記載の光伝送装置は、前記素子部は、第１導電型の第１の半導体層と前記第１導電型と異なる導電型である第２導電型の第２の半導体層を含みかつ前記基板の法線方向に発光または受光面を有し、前記支持部は、前記素子部と同一の材料の半導体層を含む、請求項１に記載の光伝送装置である。
請求項３に記載の光伝送装置は、前記支持部は、前記導電性の半導体層に電気的に接続される金属電極の前記光伝送部材と対向する面に含み、当該金属電極には、前記導電性部材を収容する窪み部が形成される、請求項１または２に記載の光伝送装置である。
請求項４に記載の光伝送装置は、前記導電性部材は、前記光伝送部材と接着性を持って接着される、請求項１ないし３いずれか１つに記載の光伝送装置である。
請求項５に記載の光伝送装置は、前記支持部の前記光伝送部材と対向する面に形成される金属電極の膜厚は、前記素子部の頂部に形成される金属電極の膜厚よりも大きい、請求項１ないし４いずれか１つに記載の光伝送装置である。
請求項６に記載の光伝送装置は、前記支持部の前記光伝送部材と対向する面の面積は、前記素子部の頂部の面積よりも大きい、請求項１ないし５いずれか１つに記載の光伝送装置である。
請求項７に記載の光伝送装置は、前記基板上には複数の支持部が形成され、前記光伝送部材は、複数の支持部の前記光伝送部材と対向する面にそれぞれ設けられた導電性部材を介して支持される、請求項１ないし６いずれか１つに記載の光伝送装置である。
請求項８に記載の光伝送装置は、前記光伝送部材は、可撓性を有する樹脂から構成される、請求項１ないし７いずれか１つに記載の光伝送装置である。
請求項９に記載の光伝送装置は、光信号を送信する柱状の半導体層を含む第１の素子部および柱状の導電性の半導体層を含む第１の支持部が形成された送信側基板と、光信号を受信する第２の素子部が形成された受信側基板と、光信号を入射する第１の端部、第１の端部から入射された光信号を伝送する光伝送路、伝送された光信号を出射する第２の端部を有する光伝送部材と、前記送信側基板の前記第１の支持部上に設けられた第１の導電性部材とを備え、前記第１の端部が前記第１の素子部に光学的に結合されるように、前記光伝送部材が第１の導電性部材を介して第１の支持部によって支持され、前記第２の端部が第２の素子部に光学的に結合される、光伝送装置である。
請求項１０に記載の光伝送装置は、前記受信側基板には、柱状の導電性の半導体層を含む第２の支持部が形成され、当該第２の支持部上に第２の導電性部材が設けられ、前記第２の端部が前記第２の素子部に光学的に結合されるように、前記光伝送部材が第２の導電性部材を介して第２の支持部によって支持される、請求項９に記載の光伝送装置。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１、９、１０によれば、本構成の導電性部材を持たない光伝送装置と比較して、素子部を静電破壊から保護することができる。
請求項２によれば、支持部が素子部と異なる材料の半導体層を有する場合に比べて、支持部を容易に構成することができる。
請求項３によれば、窪み部を有さない金属電極と比較して、金属電極上に導電性部材を容易に位置決めすることができる。
請求項４によれば、接着性を持たない導電性部材と比較して、光伝送部材を強固に支持することができる。
請求項５によれば、膜厚がより小さい金属電極と比較して、素子部と光伝送部材との間隔または距離を補償することができる。
請求項６によれば、支持部が１つのみである場合と比較して、素子部への静電放電を抑制することができる。
請求項７によれば、本構成を持たない支持部と比較して、素子部への静電放電を抑制することができる。
請求項８によれば、樹脂に帯電された静電気を放電させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の第１の実施例に係る光伝送モジュールの概略上面図、図１（Ｂ）は、そのＡ−Ａ線断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、面発光型半導体レーザの素子部の拡大図、図２（Ｂ）は、そのＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】図３（Ａ）は、面発光型半導体レーザの支持部の断面図、図３（Ｂ）は、その上面図である。
【図４】図４（Ａ）は、本発明の第２の実施例に係る光伝送モジュールの上面図、図４（Ｂ）は、そのＣ−Ｃ線断面図である。
【図５】本発明の第３の実施例に係る光伝送モジュールの概略断面図である。
【図６】本発明の第４の実施例に係る光伝送モジュールの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。以下の説明では、光信号を送信する半導体素子として面発光型半導体レーザを例示し、面発光型半導体レーザをＶＣＳＥＬと称する。なお、図面のスケールは、発明の特徴を分かり易くするために強調しており、必ずしも実際のデバイスのスケールと同一ではないことに留意すべきである。
【実施例】
【００１０】
図１（Ａ）は、本発明の第１の実施例に係る光伝送モジュールの上面図、図１（Ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。本実施例の光伝送モジュール１０は、ＶＣＳＥＬ２０と、ＶＣＳＥＬ２０と光学的に結合しＶＣＳＥＬ２０からのレーザ光Ｌを伝送する光伝送部材としてのスラブ導波路３０と、ＶＣＳＥＬ２０とスラブ導波路３０間の電気的な接続および機械的な支持を提供する導電性接着剤４０とを含んで構成される。
【００１１】
ＶＣＳＥＬ２０は、その基板１００上に、円筒状のポストまたはメサを有する素子部２０Ａと、素子部２０Ａから離間した位置に形成された矩形状のポストまたはメサを有する支持部２０Ｂとを有する。素子部２０Ａおよび保持部２０Ｂは、基板１００にモノリシックに一体に形成され、両者は、同一の半導体層を含んで構成される。また、基板１００上には、円形状のｐ側の電極パッド１１８とｎ側の電極パッド１２６が形成され、ｐ側の電極パッド１１８は、素子部２０Ａのｐ型の半導体層に電気的に接続され、ｎ型の電極パッドｐ１２６は、ｎ型の半導体層に電気的に接続される。素子部２０Ａは、基板上にｎ型の半導体層およびｐ型の半導体層を積層した垂直共振器構造を含み、ｐ側の電極パッド１１８およびｎ側の電極パッド１２６に印加された駆動信号に応答して、基板１００の主面とほぼ直交する方向にレーザ光Ｌを出射する。
【００１２】
支持部２０Ｂは、素子部２０Ａと同一の高さを有し、その頂部に金属電極１３０を介して導電性接着剤４０を搭載する。導電性接着剤４０は、支持部２０Ｂに電気的に接続されるとともに、導波路スラブ３０の裏面に接着性を持って接触される。導電性接着剤４０は、スラブ導波路３０を支持部２０Ｂに電気的に接続されるとともに、スラブ導波路３０を機械的に支持することで、スラブ導波路３０の入射部３２と素子部２０Ａとの間隔Ｓを一定に保たせる。
【００１３】
スラブ導波路３０は、例えば、可撓性を有するフィルム状の高分子樹脂から構成される。スラブ導波路３０は、屈折率が高いコア部３０Ａとそれよりも屈折率が低いクラッド部３０Ｂを含み、コア部３０Ａとクラッド部３０Ｂ間の全反射を利用して光を伝送する。素子部２０Ａから出射されたレーザ光は、スラブ導波路３０の入射部３２に入射され、その光は他方の出射側の端部に向けて伝送される。
【００１４】
図２（Ａ）は、図１に示す素子部２０Ａの拡大図であり、図２（Ｂ）は、そのＢ−Ｂ線断面図である。なお、図２（Ａ）では、分かり易くするためにｐ型電極およびｎ側電極をハッチングで表示している。典型的なＶＣＳＥＬ２０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１００上に、ｎ型のＧａＡｓからなるバッファ層１０２、Ａｌ組成の異なるＡｌＧａＡｓ層を交互に重ねたｎ型の分布ブラック型反射鏡（Distributed Bragg Reflector：以下、ＤＢＲという）１０４、下部スペーサ層１０６Ａおよび上部スペーサ層１０６Ｂに挟まれた量子井戸層を含む活性領域１０６、活性領域１０６上に形成されたＡｌ組成の異なるＡｌＧａＡｓ層を交互に重ねたｐ型の上部ＤＢＲ１０８が積層されている。好ましくは、上部ＤＢＲ１０８の最上層には、ｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１０８Ａが形成され、上部ＤＢＲ１０８の最下層もしくはその内部にｐ型ＡｌＡｓから形成された電流狭窄層１１０が形成される。
【００１５】
上部ＤＢＲ１０８から下部ＤＢＲ１０４に至る半導体層をエッチングすることにより、基板１００上に円筒状の素子部２０Ａが形成される。また、素子部２０Ａを形成するとき、矩形状の支持部２０Ｂが同時に形成される。電流狭窄層１１０は、素子部２０Ａの側面で露出され、当該側面から選択的に酸化された酸化領域と酸化領域によって囲まれた円形状の導電領域（酸化アパーチャ）を有する。ＡｌＡｓは、ＡｌＧａＡｓよりも酸化速度が速いため、素子部２０Ａの側面から内部に向けて選択的に酸化される領域を形成することができる。導電領域の径の大きさは、例えば基本横モードを得るには約５ミクロン以下、それ以上では高次横モードを含むマルチモード発振となる。また、導電領域の中心は、ＶＣＳＥＬ１０の光軸となる。
【００１６】
素子部２０Ａを含む基板全体に層間絶縁膜１１２が形成され、素子部２０Ａの頂部において層間絶縁膜１１２にはコンタクトホールが形成される。層間絶縁膜１１２上には、ＡｕまたはＡｕ／Ｔｉ等のｐ側電極１１４が形成され、ｐ側電極１１４は、コンタクトホールを介してコンタクト層１０８Ａにオーミック接続される。また、ｐ側電極１１４の中央には、円形状の開口１１４Ａが形成され、開口１１４Ａの中心は、ほぼ光軸上にある。この開口１１４Ａは、基板１００の主面と垂直方向にレーザ光が出射される出射口となる。
【００１７】
ｐ側電極１１４は、図１に示すように金属配線１１６に接続される。金属配線１１６は、素子部２０Ａの側壁を通り基板１００の表面に形成された円形状の電極パッド１１８に接続される。電極パッド１１８は、ボンディングワイヤ等によって基板１００を搭載する回路基板（図示省略）上の配線パターンなどに電気的に接続される。
【００１８】
素子部２０Ａに近接した位置に、半導体層をエッチングしてバッファ層１０２に到達する楕円状または矩形状のビアホール１２０が形成される。ビアホール１２０を覆う層間絶縁膜１１２には、バッファ層１０２を露出するためのコンタクトホールが形成される。ビアホール１２０を含む領域の層間絶縁膜１１２上にｎ側電極１２２が形成され、ｎ側電極１２２は、コンタクトホールを介してバッファ層１０２に電気的に接続される。ｎ側電極１２２は、図１に示すように素子部２０Ａを半周を取り囲むように半円弧状のパターンを有する。ｎ側電極１２２はさらに基板１００上を延在する金属配線１２４に接続され、金属配線１２４は、円形状の電極パッド１２６に接続される。電極パッド１２６は、ボンディングワイヤ等によって基板１００を搭載する回路基板（図示省略）上の配線などに電気的に接続される。
【００１９】
図３（Ａ）は、ＶＣＳＥＬに形成された支持部２０Ｂの断面図、図３（Ｂ）は、その上面図を示している。支持部２０Ｂは、上部ＤＢＲから下部ＤＢＲに至る半導体層をエッチングすることにより矩形状のポストまたはメサ構造を有する。支持部２０Ｂは、素子部２０Ａと同一の半導体層を含み、最上層であるコンタクト層１０８Ａ上に金属電極１３０が形成される。金属電極１３０の中央部には、導電性接着剤４０を位置決めしかつ収容するための円形状の窪み部１３２が形成される。窪み部１３２の大きさは、搭載される導電性接着剤４０の形状、材質、粘度などによって決定される。金属電極１３０は、好ましくはｐ側電極１１４と同一の材料から構成され、ｐ側電極１１４のパターン形成と同時に形成される。こうして、金属電極１３０からｎ側電極１２２に至る電流経路が形成される。
【００２０】
また、支持部２０Ｂは、図３（ｂ）に示すように、短手方向Ｄｘ、長手方向Ｄｙの幅を有し、好ましくは幅Ｄｙは、素子部２０Ａの頂部の径よりも大きく、またスラブ導波路３０の短手方向の幅Ｄに対して一定の割合（Ｄｙ／Ｄ）となるように設定される。導電性接着剤４０による接触面積を大きくすることで、スラブ導波路３０の支持を安定化させることができる。
【００２１】
導電性接着剤４０は、金属電極１３０の窪み部１３２内に設けられる。導電性接着剤４０は、例えば、導電性カーボン材料を含む導電性樹脂、銀ペースト、ドータイト（商品名）などを用いることができる。また、導電性接着剤４０は、硬化型の樹脂であることができ、ゲル状の状態にて金属電極１３０の窪み部１３２内にポッティングされ、それから一定時間後に導硬化するもの、あるいは、紫外線硬化型、可視光硬化型、熱硬化型の接着性を有する導電材料であることができる。
【００２２】
導電性接着剤４０は、上記したように支持部２０Ｂ上に設けられ、スラブ導波路３０を機械的に支持するとともにスラブ導波路３０に放電経路を提供する。さらに、導電性接着剤４０は、スラブ導波路３０の先端部（入射部）３２が素子部２０Ａから一定の距離Ｓだけ離間されるような高さを補償する。
【００２３】
ＶＣＳＥＬ２０とスラブ導波路３０との間に間隙を備えた光伝送モジュール１０においては、実装工程、あるいは動作中に高分子樹脂製のスラブ導波路３０が静電気を帯電し易く、さらにスラブ導波路３０が撓むなどして導電性の材料に触れた瞬間、放電が生じて光素子が静電破壊されることがあった。これは、ＶＣＳＥＬ２０とスラブ導波路３０との結合効率を上げるため、両者を百ミクロン前後にまで近接させる必要があることに加え、高分子樹脂からなる光導波路は撓み易い性質を有するので接触事故が起き易いという事情もある。使用環境、あるいは季節により静電気が発生し易い時期もあり、光伝送モジュールの静電対策が必要である。
【００２４】
本実施例に光伝送モジュール１０では、スラブ導波路３０の表面に発生した静電気は、導電性接着剤４０を介してＶＣＳＥＬ２０の支持部２０Ｂに逃がされ、この静電気は、金属電極１３０から支持部２０Ｂのｐ型半導体層１０８、ｎ型半導体層１０４を通り、ｎ側電極１２２に放電される。従って、スラブ導波路３０は、事実上、静電気が逃げて帯電しないため、仮に、スラブ導波路３０の先端である入射部３２が撓んでＶＣＳＥＬ２０に接触したとしても、素子部２０Ａには静電気が放電されず、素子部２０Ａを静電破壊から保護することができる。また、支持部２０Ｂは、素子部２０Ａと同じ積層構造を備え、かつこれよりも大きな面積を持つことから、素子部２０Ａに比べ抵抗値が小さく、素子部２０Ａへサージ電流が流れ難くなる。さらに支持部２０Ｂは、スラブ導波路３０を素子部２０Ａへアライメントする際の目印になると共に、金属電極１３０に形成された窪み部１３２によって導電性接着剤４０が流れ出さない構造となっている。
【００２５】
次に、本発明の第２の実施例について説明する。図４（Ａ）は、本発明の第２の実施例に係る光伝送モジュールの上面図、図４（Ｂ）はそのＣ−Ｃ線断面図である。第２の実施例では、ＶＣＳＥＬ２０の素子部２０Ａにおいて、複数のビアホール１２０Ａが形成され、ｎ側電極１２２がこれらの複数のビアホール１２０Ａを介してバッファ層１０２に電気的に接続される。さらに、ＶＣＳＥＬ２０の基板１００上には、３つの円形状のポストまたはメサ構造をもつ支持部２００、２１０、２２０が形成される。３つの支持部２００、２１０、２２０は、第１の実施例のときと同様に素子部２０Ａと同一の半導体層を有し、その頂部には、金属電極１３０を介して導電性接着剤４０を搭載する。３つの導電性接着剤４０は、スラブ導波路３０の裏面に接着され、スラブ導波路３０を機械的に支持する。３つの導電性接着剤を用いることで、幅広のスラブ導波路３０の支持を安定化させることができ、また支持部２００、２１０、２２０による接触面積が大きくなるため抵抗を小さくすることができ、素子部２０Ａにサージ電流が流れ難くなる。
【００２６】
３つの支持部２００、２１０、２２０は、好ましくは支持部２００を通過する線に関し対称となるように配置される。また、３つの支持部２００、２１０、２２０は、それぞれ等しい間隔で配置され、スラブ導波路３０を均等な力で支持するようにすることができる。また、支持部２００、２１０、２２０の径は、素子部２０Ａの径よりも大きいことが望ましい。但し、これ以外にも、基板上に４つ以上の支持部を形成したり、それぞれの支持部の形状や大きさを異ならせるものであってもよい。
【００２７】
次に、本発明の第３の実施例について説明する。図５は、第３の実施例に係る光伝送モジュールのＶＣＳＥＬの概略断面図である。第３の実施例では、支持部２０Ｂの頂部に形成されるの金属電極３００の膜厚が素子部２０Ａのｐ側電極１１４の膜厚よりも大きい。図５に示すように、支持部２０Ｂの金属電極３００の膜厚ｔ１は、ｐ側電極１１４の膜厚ｔ２よりも大きく形成される（ｔ２＞ｔ２）。導電性接着剤４０がスラブ導波路３０と接触されたとき、導電性接着剤４０の高さ方向の厚さが一定以上減少すると、スラブ導波路３０の先端の入射部３２と素子部２０Ａの間隔Ｓを補償することができなくなる。金属電極３００の膜厚をｔ１とすることで、導電性接着剤４０が変形しても、スラブ導波路３０の入射部３２と素子部２０Ａとの間隔Ｓを補償することができる。
【００２８】
第３の実施例において、金属電極３００の表面には、導電性接着剤４０を収容しこれを位置決めするための凹部３１０が形成される。支持部２０Ｂは、光を出射しないので、凹部３１０は、必ずしもコンタクト層１０８Ａを露出させる必要はない。なお、第３の実施例は、第２の実施例のように複数の支持部を備えたＶＣＳＥＬにも適用することができる。
【００２９】
図６は、第４の実施例に係る光伝送モジュール１０Ａを示し、第４の実施例は、半導体発光素子から送信された光信号を受信する半導体受光素子を備えた光伝送モジュール１０Ａの構成を示している。送信側の回路基板４００上には、ＶＣＳＥＬ２０が搭載され、ＶＣＳＥＬ２０によってスラブ導波路３０の一方の端部３４が支持される。図１に示したＶＣＳＥＬ２０のｐ側の電極パッド１１８およびｎ側の電極パッド１２６は、ボンディングワイヤによって回路基板４００上の所定の配線パターンに電気的に接続される。また、受信側の回路基板４１０上には、受光素子４２０が搭載され、受光素子４２０上にスラブ導波路３０の他方の端部３６が支持される。端部３６は、受光素子４２０に光結合され、スラブ導波路３０から送信された光信号が受光素子４２０によって電気信号に変換され、変換された電気信号は、回路基板４１０上の所定の配線パターンに供給される。
【００３０】
フレキシブルなスラブ導波路３０は、導電性接着剤４０を介してＶＣＳＥＬ２０の支持部２０Ｂに接続されているため、スラブ導波路３０の表面で発生した静電気は、支持部２０Ｂによって放電される。これにより、スラブ導波路３０の端部３６が受光素子４２０の受光素子に接触しても受光素子４２０を静電破壊から保護することができる。
【００３１】
さらに、本発明は、受光素子側にも適用することができる。すなわち、図１に示す受光素子４２０上に当該受光素子と同一構成の支持部を形成し、当該支持部上に導電性接着剤を設け、当該導電性接着剤によりスラブ導波路３０の受光素子側の端部３６を支持するようにすることができる。これにより、スラブ導波路に帯電された静電気を受光素子側の受光素子４２０に放電させることができる。受光素子は、例えば、基板上に、ｎ型半導体層とｐ型半導体層を積層した円筒状もしくは矩形状の面型受光素子であることができ、基板の主面とほぼ垂直方向から入射された光を光電変換する。支持部は、そのような受光素子と同一の半導体層からなる電流経路を形成し、スラブ導波路からの静電気を放電する。さらに受光素子は、ｐ型またはｎ型のシリコン基板上にｎ型またはｐ型の半導体層を積層する構成であってもよく、その場合にも、支持部は、シリコン基板上にｎ型またはｐ型の半導体層を積層し、その上に導電性接着剤を塗付することができる。
【００３２】
第１の実施例において、ＶＣＳＥＬのｎ側電極を基板の表面に形成する例を示したが、これに限らず、基板の裏面にｎ側電極を形成するようにしてもよい。この場合、基板は、ｎ型のＧａＡｓが用いられる。さらに上記実施例では、光導波路としてスラブ導波路を例示したが、本発明は、円形状の断面を有する光導波路や光ファイバにも適用することができる。さらに上記実施例では、発光素子として選択酸化型の電流狭窄層をもつＶＣＳＥＬを例示したが、これに限らず、単純（エア）ポスト型のＶＣＳＥＬやプロトン注入型のＶＣＳＥＬ、さらに共振器構造を持たない発光ダイオードであってもよい。
【００３３】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００３４】
１０：光伝送モジュール                  ２０：ＶＣＳＥＬ
２０Ａ：素子部                          ２０Ｂ：支持部
３０：スラブ導波路                      ３２：入射部
３４、３６：端部                        ４０：導電性接着剤
１００：基板                            １０２：バッファ層
１０４：下部ＤＢＲ                      １０６：活性領域
１０８：上部ＤＢＲ                      １０８Ａ：コンタクト層
１１０：電流狭窄層                      １１２：層間絶縁膜
１１４：ｐ側電極                        １１４Ａ：開口
１１６：金属配線                        １１８：電極パッド
１２０：ビアホール                      １２２：ｎ側電極
１２４：金属配線                        １２６：電極パッド
１３０：金属電極                        １３２：窪み部
２００、２１０、２２０：支持部          ３００：金属電極
３００Ａ：窪み部                        ４００：送信側の回路基板
４１０：受信側の回路基板                ４２０：受光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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