(57)【要約】【課題】発光素子を搭載する基板の製造において、光を有効活用でき安価にできる基板の製造方法とする。【解決手段】少なくとも、アルミニウム基板表面を陽極酸化して酸化アルミニウム絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＣｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、前記Ｃｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ａｇ電極膜またはＮｉ／Ａｕ／Ａｇで電極膜を形成する工程と、Ａｇ電極膜上に保護膜を形成する工程と、前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、前記回路パターン以外のシードメタルを、前記保護膜をマスクとしてエッチングで除去する工程を具備する回路基板の製造方法とする。【選択図】図１
2011096743.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、
アルミニウム基板表面を陽極酸化して酸化アルミニウム絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＣｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、
前記Ｃｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、
前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、
該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ａｇ（またはＡｇ合金）電極膜またはＮｉ／Ａｕ／Ａｇ（またはＡｇ合金）で電極膜を形成する工程と、
Ａｇ（またはＡｇ合金）電極膜上に保護膜を形成する工程と、
前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、
前記回路パターン以外のシードメタルを、前記保護膜をマスクとしてエッチングで除去する工程を具備することを特徴とする
回路基板の製造方法。
【請求項２】
少なくとも、
絶縁性セラミックス基板上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＣｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、
前記Ｃｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、
前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、
該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ａｇ（またはＡｇ合金）電極膜またはＮｉ／Ａｕ／Ａｇ（またはＡｇ合金）で電極膜を形成する工程と、
Ａｇ（またはＡｇ合金）電極膜上に保護膜を形成する工程と、
前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、
前記回路パターン以外のシードメタルを、前記保護膜をマスクとしてエッチングで除去する工程を具備することを特徴とする
回路基板の製造方法。
【請求項３】
少なくとも、
絶縁性セラミックス基板上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＣｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、
前記Ｃｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、
前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、
該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ａｕ電極膜を形成する工程と、
前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、
前記回路パターン以外のシードメタルを前記Ａｕ膜をマスクとしてエッチングで除去する工程を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３記載のいずれかに記載の製造方法により製造されたことを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板の製造方法及び回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器を構成する電子部品の高密度実装化や、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザーダイオード（ＬＤ）の普及に伴い、サブマウントとして放熱性の良い回路基板の要求が高まっている。放熱性の良い回路基板にはセラミックス基板やアルミニウム基板を用いたものがある。次世代の高出力ＬＥＤ素子実装用基板には酸化アルミニウムや窒化アルミニウム等のセラミックス基板、表面に絶縁層を形成したアルミニウム基板等に電極や実装用半田パターンをスパッタリング、蒸着、メッキ、印刷等の手法でメタライズされた基板が使用されるのが予想される。
【０００３】
前記セラミックス基板は絶縁材料であるため、基板ダイレクトに回路パターンが形成できる利点がある。
【０００４】
表面に絶縁層を形成したアルミニウム基板は放熱性の良い基板として古くから開発されている。アルミニウム基板の少なくとも一つの表面を全面に渡って陽極酸化処理を行い、酸化アルミニウム薄層を形成し、その上に回路パターンを形成するものである。（特許文献１）
セラミックス基板は高温で熱伝導率が低下する性質を有するが、酸化アルミニウム基板は安価である。窒化アルミニウム基板は酸化アルミニウムの５〜８倍程度と高価であるが高熱伝導率を有するので、次世代の高出力ＬＥＤ素子実装用基板に適している。しかし、窒化アルミニウム基板は、製法上基板サイズが大きくできず（４〜５インチ）量産性が乏しい。
【０００５】
金属基板は高熱伝導率を有するが、セラミックス基板と異なり表面に絶縁膜を形成しなければならない。セラミックス基板と金属基板はそれぞれ一長一短を有するが、それぞれの基板上に形成するパターン電極は同じような工程で形成されている。
【０００６】
図５は、従来技術によるアルミニウム基板での回路基板の製造方法の主要な工程（Ａ）〜（Ｇ）を示す断面図である。図５において（Ａ）から（Ｇ）に進むに従い、回路基板１０の製造が進行する。
【０００７】
図５（Ａ）は、アルミニウム基板１１を示している。図５（Ｂ）は、アルミニウム基板１１の一方の面に、厚み２０μｍのアルマイト層１２を形成した状態を示している。
【０００８】
図５（Ｃ）は、アルマイト層１２の表面に、金属層２２となるＣｒ層１３とＣｕ層１４とを、この順に形成した状態を示している。Ｃｒ層１３とＣｕ層１４は、それぞれ厚み０．１から１μｍの範囲でスパッタリング法等により形成する。Ｃｒ層１３は、アルマイト層１２と強固に密着し、後に形成される、導電層２３としてのメッキ銅層１６との固着を強固にする。すなわちＣｒ層１３は、アルマイト層１２とメッキ銅層１６との接着を担う役割をする。またＣｒ層１３は、常温大気中で表面が酸化し、メッキ銅層１６との接着に支障を来たすおそれがある。よって、Ｃｕ層１４は、Ｃｒ層１３の酸化を防止する役割を担っている。
【０００９】
図５（Ｄ）は、ドライフィルム１５をＣｕ層１４の上に貼り付け、配線部２１位置に相当する部分以外に対して露光し、露光部分以外、すなわち配線部２１位置に相当する部分のドライフィルム１５を除去し、ドライフィルム１５に孔部１５ａが形成された状態を示している。ドライフィルム１５は、市販のものを用いることができる。
【００１０】
図５（Ｅ）は、配線部２１位置に相当するドライフィルム１５の孔部１５ａに、メッキ銅層１６、メッキＮｉ層１７、メッキＡｕ層１８からなる導電層２３をこの順に形成した状態を示している。
【００１１】
メッキ銅層１６を形成する際のメッキ浴は、硫酸銅からなる酸性浴である。電解銅メッキで形成されるメッキ銅層１６は、Ｃｒ層１３との密着性が良好な状態で形成される。メッキ銅層１６の厚みは約１０μｍとした。
【００１２】
メッキＮｉ層１７は、メッキ銅層１６が、電子部品実装時に使用する、ハンダと過剰に合金化するのを防ぐための障壁として電解ニッケルメッキにより形成されている。また、メッキＮｉ層１７は、メッキ銅層１６とメッキＡｕ層１８とが、過剰に合金化するのを防止する障壁としての役割もある。メッキＮｉ層１７は、たとえば弱酸の硫酸ニッケル溶液をメッキ浴として用い、形成される。メッキＡｕ層１８は、配線部２１と、ハンダとの濡れ性を良好にするものとして電解金メッキにより形成されている。メッキＡｕ層１８は、たとえば亜硫酸金塩を含む弱酸性溶液メッキ浴として用い、形成される。
【００１３】
図５（Ｆ）は、ドライフィルム１５を除去した状態を示している。ドライフィルム１５の除去には、アミン系の剥離液を用いる。通常の、ガラス繊維混入エポキシ系樹脂基板を用いた場合は、ＮａＯＨやＫＯＨの強アルカリ溶液を用いてドライフィルムを剥離する。しかし、これら強アルカリ溶液は、アルミニウム基板１１を溶解して、ダメージを与えるため、本例ではその使用を避けている。
【００１４】
図５（Ｇ）は、Ｃｕ層１４とＣｒ層１３とを、この順に、各々の層の除去に適したエッチング液を用いて除去した状態を示している。この除去の結果、Ｃｒ層１３とＣｕ層１４とが、アルマイト層１２表面の配線部２１位置にのみ残され、Ｃｒ層１３、Ｃｕ層１４、メッキ銅層１６、メッキＮｉ層１７およびメッキＡｕ層１８からなる配線部２１が形成される。この配線部２１は通常、回路基板１０面に複数離隔して存在する。各々の配線部２１は、他の配線部２１とは互いに電気的に独立した配線部２１となる。なお、これらの層の境界は、便宜的に図示したように、明確に表れず、たとえばＣｕ層１４とメッキ銅層１６が一つの層として表れる場合もある。Ｃｒ層１３とＣｕ層１４との除去は、銅アンモニアクロライドとアンモニアからなる、弱アルカリ性のエッチング剤に約３秒浸漬することで行う。この除去処理により、エッチング剤と、アルミニウム基板１１やアルマイト層１２とが接触することとなる。しかし、エッチング剤が弱アルカリ性であること、浸漬時間が約３秒と非常に短いことから、アルミニウム基板１１やアルマイト層１２が侵されることは殆ど無く、回路基板１０の諸特性には悪影響は無い。（特許文献２）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特公昭４６−１３２３４号公報
【特許文献２】特開２００７−１２３３８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
最上層にＡｕ膜を配するのは電子部品を実装するには有益であるが、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザーダイオード（ＬＤ）のサブマウント基板としては、表面がＡｕ膜の場合反射率が低いため、基板側に出射された光の反射が少なくなり光の利用効率が低下する。
【００１７】
シードメタルをエッチングで除去する際、２種類のエッチャントを使用しなければならず、工数がかかる。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
少なくとも、
アルミニウム基板表面を陽極酸化して酸化アルミニウム絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＣｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、
前記Ｃｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、
前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、
該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ａｇ電極膜またはＮｉ／Ａｕ／Ａｇで電極膜を形成する工程と、
Ａｇ電極膜上に保護膜を形成する工程と、
前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、
前記回路パターン以外のシードメタルを、前記保護膜をマスクとしてエッチングで除去する工程を具備する回路基板の製造方法とする。
【００１９】
少なくとも、
絶縁性セラミックス基板上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＣｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、
前記Ｃｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、
前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、
該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ａｇ電極膜またはＮｉ／Ａｕ／Ａｇで電極膜を形成する工程と、
Ａｇ電極膜上に保護膜を形成する工程と、
前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、
前記回路パターン以外のシードメタルを、前記保護膜をマスクとしてエッチングで除去する工程を具備する回路基板の製造方法とする。
【００２０】
少なくとも、
絶縁性セラミックス基板上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＣｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、
前記Ｃｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、
前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、
該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ａｕ電極膜を形成する工程と、
前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、
前記回路パターン以外のシードメタルを前記Ａｕ膜をマスクとしてエッチングで除去する工程を具備する回路基板の製造方法とする。
【００２１】
前記製造方法により製造された回路基板とする。
【発明の効果】
【００２２】
請求項１の発明によると、回路パターンとなる電極膜をＮｉ／ＡｇまたはＮｉ／Ａｕ／Ａｇとし、その上に保護膜を形成し、シードメタルの不要部を最上層の保護膜をマスクとしてエッチングで除去する。保護膜をエッチング時のマスクとして使用するので、エッチング用マスク形成工程を省略できる。また、金属基板を使用するので切断が容易となり、安価な回路基板が製造できる。セラミックス基板と比べて放熱性の良い回路基板となる。
【００２３】
請求項２の発明によると、絶縁性セラミックス基板上に直接Ｔｉ系合金薄膜とＣｕ薄膜をスパッタリングで形成するので、シードメタルの形成が容易になる。
シードメタルの不要部を最上層の保護膜をマスクとしてエッチングで除去する。保護膜をエッチング時のマスクとして使用するので、エッチング用マスク形成工程を省略できる。
【００２４】
請求項３の発明によると、回路パターン以外のシードメタルを前記Ａｕ膜をマスクとしてエッチングで除去できるので、エッチング用マスク形成工程を省略できる。
【００２５】
請求項４の発明によると、安価な回路基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施例による回路基板の製造方法の主要な工程（Ａ）〜（Ｉ）を示す断面図
【図２】本発明の第２実施例による回路基板の製造方法の主要な工程（Ａ）〜（Ｈ）を示す断面図
【図３】実施例２により形成された回路基板にＬＥＤ素子を実装した上面図（Ａ）とそのＸ−Ｘ断面図（Ｂ）本発明の第３実施例による回路基板の製造方法の主要な工程（Ａ）〜（Ｇ）を示す断面図
【図４】第２実施例により形成された回路基板にＬＥＤ素子を実装した上面図（Ａ）とそのＸ−Ｘ断面図（Ｂ）
【図５】従来技術によるアルミニウム基板の回路基板の製造方法の主要な工程（Ａ）〜（Ｇ）を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００２７】
図１は本発明の第１実施例による回路基板の製造方法の主要な工程（Ａ）〜（Ｉ）を示す断面図（ハッチングは省略する。以下同じ）である。本実施例では回路基板にアルミニウム基板を用いる例である。
【００２８】
工程（Ａ）は、アルミニウム基板１を準備する工程である。
【００２９】
工程（Ｂ）は、アルミニウム基板１を陽極酸化してアルミニウム基板表面にアルマイト層（酸化アルミニウム膜）２を形成する工程であり、アルマイトの厚さは５〜６０μｍとなるように形成する。
【００３０】
工程（Ｃ）は、アルマイト層２の上にシードメタル層を形成する工程である。シードメタル層は下地にＴｉ合金（Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、ＴｉＯ２）層３を０．１μｍ、その上にＣｕ層４を０．３μｍ程スパッタリング等の蒸着で形成する。
【００３１】
工程（Ｄ）は、Ｃｕ層４の上にネガタイプフィルム型のレジスト５を貼付する工程である。フィルム型は一定の厚さが確保でき、厚メッキに耐えるので好ましい。ネガタイプフィルム型のレジストは例えば東京応化工業製のＨＲ１３０を使用する。
【００３２】
工程（Ｅ）は、ネガタイプフィルム型のレジスト５にフォトリソグラフィーにより回路パターン形成用の孔部５ａを作成する工程である。
【００３３】
工程（Ｆ）は、レジスト５が除去され露出したＣｕ層４の上にＮｉ層６、Ａｇ（またはＡｇ合金、以下同じ）層７を電解メッキで形成する工程で、Ｎｉ層６は１〜２μｍ、Ａｇ層７は０．５〜２．０μｍとする。このＮｉ／Ａｇ層が電極膜となる。
【００３４】
工程（Ｇ）は、全面に保護膜８を形成する工程である。保護膜不要部にはマスクを形成する必要がある。保護膜はＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の増反射膜が好ましい。
【００３５】
工程（Ｈ）は、レジスト５を除去する工程である。レジスト剥離液としては、例えば、アセトン又はＮＭＰ使用する。レジスト５を除去することでレジスト５の上に形成された保護膜８は一緒に除去（リフトオフ）される。
【００３６】
工程（Ｉ）は、保護膜８をマスクとしてシードメタルであるＣｕ層４とＴｉ合金層３をエッチングで除去する。エッチャントは塩化第２鉄と酸（例えばフッ酸や過酸化水素水）を使用する。
以上により、アルミニウム基板１の表面にアルマイト層２が形成されたアルマイト層付アルミニウム基板上にＴｉ合金層３／Ｃｕ層４／Ｎｉ層６／Ａｇ層７／保護層８が積層された回路パターンが形成された回路基板が完成する。
【実施例２】
【００３７】
図２は本発明の第２実施例による回路基板の製造方法の主要な工程（Ａ）〜（Ｈ）を示す断面図である。本実施例では回路基板に絶縁性セラミックス基板を用いる。第１実施例と異なるのは、使用する基板に形成される回路パターンの積層を、Ｔｉ合金層／Ｃｕ層／Ｎｉ層／Ａｕ層／Ａｇ層／保護層とする点である。
【００３８】
工程（Ａ）は、絶縁性セラミックス基板１’を準備する工程である。
【００３９】
工程（Ｂ）は、絶縁性セラミックス基板１’の上にシードメタル層を形成する工程である。シードメタル層は下地にＴｉ合金（Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、ＴｉＯ２）層３を０．１μｍ、その上にＣｕ層４を０．３μｍ程スパッタリング等の蒸着で形成する。
【００４０】
工程（Ｃ）は、Ｃｕ層４の上にネガタイプフィルム型のレジスト５を貼付する工程である。フィルム型は一定の厚さが確保でき、厚メッキに耐えるので好ましい。ネガタイプフィルム型のレジストは例えば東京応化工業製のＨＲ１３０を使用する。
【００４１】
工程（Ｄ）は、ネガタイプフィルム型のレジスト５にフォトリソグラフィーにより回路パターンに孔部５ａを作成する工程である。
【００４２】
工程（Ｅ）は、レジスト５が除去され露出したＣｕ層４の上にＮｉ層６、Ａｕ層９、Ａｇ（またはＡｇ合金、以下同じ）層７を電解メッキで形成する工程で、Ｎｉ層６は１〜２μｍ、Ａｕ層９は０．５〜２．０μｍ、Ａｇ層７は０．５〜２．０μｍとする。Ｎｉ／Ａｕ／Ａｇ層が電極膜となる。
【００４３】
工程（Ｆ）は、全面に保護膜８を形成する工程である。保護膜不要部にはマスクを形成する必要がある。保護膜はＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の増反射膜が好ましい。
【００４４】
工程（Ｇ）は、レジスト５を除去する工程である。レジスト剥離液としては、例えば、アセトン又はＮＭＰを使用する。レジスト５を除去することでレジスト５の上に形成された保護膜８は一緒に除去される。
【００４５】
工程（Ｈ）は、保護膜８をマスクとしてシードメタルであるＣｕ層４とＴｉ合金層３をエッチングで除去する。エッチャントは塩化第２鉄と酸（フッ酸や過酸化水素水）を使用する。
以上により、絶縁性セラミックス基板１’上にＴｉ合金層３／Ｃｕ層４／Ｎｉ層６／Ａｕ層９／Ａｇ層７／保護層８が積層された回路パターンが形成された回路基板が完成する。
【実施例３】
【００４６】
図３は本発明の第３実施例による回路基板の製造方法の主要な工程（Ａ）〜（Ｇ）を示す断面図である。本実施例では回路基板に絶縁性セラミックス基板を用いる。第２実施例と異なるのは、回路パターンの積層を、Ｔｉ合金層／Ｃｕ層／Ｎｉ層／Ａｕ層とする点である。
【００４７】
工程（Ａ）は、絶縁性セラミックス基板１’を準備する工程である。
【００４８】
工程（Ｂ）は、絶縁性セラミックス基板１’の上にシードメタル層を形成する工程である。シードメタル層は下地にＴｉ合金（Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、ＴｉＯ２）層３を０．１μｍ、その上にＣｕ層４を０．３μｍ程スパッタリング等の蒸着で形成する。
【００４９】
工程（Ｃ）は、Ｃｕ層４の上にネガタイプフィルム型のレジスト５を貼付する工程である。フィルム型は一定の厚さが確保でき、厚メッキに耐えるので好ましい。ネガタイプフィルム型のレジストは例えば東京応化工業製のＨＲ１３０を使用する。
【００５０】
工程（Ｄ）は、ネガタイプフィルム型のレジスト５にフォトリソグラフィーにより回路パターン形成用の孔部５ａを作成する工程である。
【００５１】
工程（Ｅ）は、レジスト５が除去され露出したＣｕ層４の上にＮｉ層６、Ａｕ層９を電解メッキで形成する工程で、Ｎｉ層６は１〜２μｍ、Ａｕ層９は０．５〜２．０μｍとする。
【００５２】
工程（Ｆ）は、レジスト５を除去する工程である。レジスト剥離液としては、例えば、アセトン又はＮＭＰを使用する。
【００５３】
工程（Ｇ）は、Ａｕ層９をマスクとしてシードメタルであるＣｕ層４とＴｉ合金層３をエッチングで除去する。エッチャントは塩化第２鉄と酸（フッ酸又は過酸化水素水）を使用する。
以上により、絶縁性セラミックス基板１’上にＴｉ合金層３／Ｃｕ層４／Ｎｉ層６／Ａｕ層９が積層された回路パターンが形成された回路基板が完成する。
【００５４】
図４は第２実施例により形成された回路基板にＬＥＤ素子を実装した上面図（Ａ）とそのＸ−Ｘ断面図（Ｂ）である。１’はセラミックス基板であり、Ｐはその上に形成されたパターンであり、Ｔｉ合金層／Ｃｕ層／Ｎｉ層／Ａｕ層の積層膜である。７はＡｇ層、８は保護膜であり、３０は積層膜Ｐ上にＡｕ−Ｓｎ半田を介して実装されたＬＥＤ素子である。ＬＥＤ素子３０からセラミックス基板１’側に出射した光は、反射率の高いＡｇ層７と保護膜である増反射膜により上方に反射され有効に活用される。上面図（Ａ）中の○印はセラミックス基板１’の下面に形成された端子電極（不図示）とセラミックス基板１’の上面に形成された回路パターンを接続するためのスルーホールである。回路基板の大きさは、例えば１．６ｍｍ×０．８ｍｍであり、マザー基板に複数個のパターンを形成してから分割される。
【符号の説明】
【００５５】
１    アルミニウム基板
１’  絶縁性セラミックス基板
２    アルマイト層
３    Ｔｉ合金層
４    Ｃｕ層
５    レジスト
５ａ  孔部
６    Ｎｉ層
７    Ａｇ層
８    保護膜
９    Ａｕ層
１０    回路基板
１１    アルミニウム基板
１２    アルマイト層
１３    Ｃｒ層
１４    Ｃｕ層
１５    ドライフィルム
１５ａ  孔部
１６    メッキ銅層
１７    メッキＮｉ層
１８    メッキＡｕ層
２１    配線部
２２    金属層
２３    導電層
３０    ＬＥＤ素子
【図１】
2011096743.tif 000003
【図２】
2011096743.tif 000004
【図３】
2011096743.tif 000005
【図４】
2011096743.tif 000006
【図５】
2011096743.tif 000007