(57)【要約】【課題】電気光学装置において、比較的簡単な構成で境界領域付近における光抜けを防止し、表示画像のコントラスト比を向上させることにより、画像表示の高品位化を図る。【解決手段】電気光学装置は、一対の基板（１０、２０）間に電気光学物質（５０）が挟持されてなり、一対の基板のうち一方の基板上に、各画素に対応して設けられた画素電極（９）と、一方の基板上に設けられており、一対の基板上で平面的に見て、各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する遮光膜（４０１）と、一方の基板上における画素電極及び遮光膜の層間に設けられており、少なくとも遮光膜に対向する部分において電気光学物質に比べて屈折率が高い層間絶縁膜（５０１）とを備える。【選択図】図４
2011186283.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
前記一対の基板のうち一方上に、各画素に対応して設けられた画素電極と、
前記一方上に設けられており、前記一対の基板上で平面的に見て、前記各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する遮光膜と、
前記一方上における前記画素電極及び前記遮光膜の層間に設けられており、少なくとも前記遮光膜に対向する部分において前記電気光学物質に比べて屈折率が高い層間絶縁膜と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
前記一対の基板のうち一方上に、各画素に対応して設けられた画素電極と、
前記一対の基板のうち他方上に、前記画素電極に対向するように設けられた対向電極と、
前記他方上に設けられており、前記一対の基板上で平面的に見て、前記各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する遮光膜と、
前記他方上における前記対向電極及び前記遮光膜の層間に設けられており、少なくとも前記遮光膜に対向する部分において前記電気光学物質に比べて屈折率が高い層間絶縁膜と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記層間絶縁膜は、前記遮光膜に対向しない部分において、前記対向する部分に比べて屈折率が更に高いことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、各画素の開口領域は、ＴＦＴアレイ基板や対向基板に配置された遮光膜で遮光される格子状の非開口領域により隔てられている（例えば、特許文献１参照）。非開口領域を設けることにより、相隣接する画素間における混色を防止したり、相隣接する画素間で電界の乱れに起因して配向不良となる液晶部分を表示光が通過して画質を劣化させる事態を未然防止している。或いは、非開口領域内に、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（以下適宜「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）」という）、蓄積容量、配線などの透明でない電子素子等が設けられ、それらの存在が表示に悪影響を及ぼす事態を未然防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２５８００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献に開示された技術では、例えば横電界などの、想定されている駆動電界以外の乱れた電界が印加される、開口領域及び非開口領域間の境界領域（以下適宜単に「境界領域」という）、言い換えれば、各画素の開口領域の外縁寄りの領域では、例えばノーマリーホワイト型の液晶装置において電界を最大に印加しても、完全に黒くならない（即ち、白抜けしてしまう）。或いは、ノーマリーブラック型の液晶装置において電界を最大に印加しても、完全に白くならない（即ち、黒抜けしてしまう）。この境界領域付近における光抜けは、コントラスト比を低下させてしまう。このような問題を解決すべく、仮に非開口領域を規定する遮光膜を幅広にすると、今度は、肝心の画像の明るさが犠牲にされ、暗い表示となってしまうという技術的問題点が生じる。
【０００５】
特に、光源光等の表示光には、理想とされる基板面に垂直に進行する光の他に、表示光の広がり、光学系の構造や基板上の積層構造に起因して基板面に対して斜めの光（以下適宜単に「斜め光」という）が存在する。このため、不必要に大きくない範囲に非開口領域を止めつつ、境界領域付近で光抜けを防ぐことは、実践上極めて困難である。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、比較的簡単な構成により境界領域付近における光抜けを効果的に防止可能であり、表示画像のコントラスト比の向上により、高品位な画像表示が可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を用いた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る第１の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記一対の基板のうち一方上に、各画素に対応して設けられた画素電極と、前記一方上に設けられており、前記一対の基板上で平面的に見て、前記各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する遮光膜と、前記一方上における前記画素電極及び前記遮光膜の層間に設けられており、少なくとも前記遮光膜に対向する部分において前記電気光学物質に比べて屈折率が高い層間絶縁膜とを備える。
【０００８】
本発明に係る第１の電気光学装置によれば、その動作時には、例えばＴＦＴアレイ基板或いは素子基板である、一方の基板上に形成されたデータ線から画素電極への画像信号の供給が制御され、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。尚、画像信号は、例えば、データ線及び画素電極間に電気的に接続されたスイッチング素子であるトランジスタが走査線から供給される走査信号に応じてオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線からトランジスタを介して画素電極に供給される。画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる透明電極であり、データ線及び走査線の交差に対応して、一対の基板上において表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられる。
【０００９】
本発明では、画素電極と一対の基板のうち他方に設けられた対向電極との間に、「縦電界」を印加することで、液晶等の電気光学物質に電気光学動作を行わせてよい。或いは、一方の基板側にて相互に隣接する画素電極間等に「横電界」を印加することで、液晶等の電気光学物質に電気光学動作を行わせてよい。  走査線、データ線及びトランジスタは、典型的には、表示の妨げとならないように、画素領域内における、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に設けられる。ここで、「画素領域」とは、個々の画素の領域ではなく、複数の画素がマトリクス状に配列されてなる領域全体を意味し、「画像表示領域」或いは「表示領域」とも呼ばれる。
【００１０】
本発明に係る各画素の「開口領域」とは、画素毎に表示に実際に寄与する光が出射する領域など、各画素において電気光学素子或いは電気光学物質による電気光学動作が実際に行なわれる領域をいう。
【００１１】
また、本発明に係る「非開口領域」とは、各画素の開口領域を互いに隔てる領域であり、画素毎に表示に寄与する光が出射しない領域など、各画素において電気光学素子或いは電気光学物質による電気光学動作が実際に行なわれない領域をいう。非開口領域は、例えば、データ線や走査線の少なくとも一部が遮光性を有する遮光膜から形成され、このような遮光膜により各画素に入射される光を遮光可能な領域として、一方の基板上に開口領域を囲むように規定される。これに加えて又は代えて、非開口領域は、容量電極等の他の機能を有する遮光膜や遮光専用の基板に内蔵された遮光膜、或いは一方の基板上又は他方の基板（例えば、対向基板）上に形成されたブラックマトリクスやブラックマスクなどにより、少なくとも部分的に若しくは冗長的に規定されてもよい。いずれにしても、一方の基板上に設けられた遮光膜により、非開口領域の少なくとも一部が規定される。
【００１２】
なお、遮光膜は、一対の基板、層間絶縁膜、画素電極などの部材と比べて、光透過率の低い材料から形成される。例えば、Ａｌ（アルミニウム）等の光反射性の各種材料や、ＴｉＮ（チタニウム・ナイトライド）やＷ（タングステン）などのアルミニウムに比べて光反射率の低い或いは光吸収率に優れた各種材料から形成される。
【００１３】
本発明では特に、一方の基板上における画素電極及び遮光膜の層間には、層間絶縁膜が設けられている。しかも、層間絶縁膜は、少なくとも遮光膜に対向する部分において、電気光学物質に比べて屈折率が高い。層間絶縁膜は、例えば液晶である電気光学物質より高屈折率の酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、透明樹脂膜等から構成される。
【００１４】
従って、斜め光が、光源光等の表示光に混ざって画素電極間の間隙を斜めに進行すると、電気光学物質と層間絶縁膜における遮光膜に対向する部分との屈折率の差により、両者の境界若しくは界面又は他の膜が介在する両者間を通過した際に、斜め光は、屈折現象により、遮光膜が存在する側へと曲げられる。すると、このような屈折現象がなかったと仮定した場合に比較して、斜め光のうち屈折により曲げられて遮光膜に到達する光量が増加することになる。言い換えれば、境界領域付近にて、遮光膜の脇を抜けて進行しようとする斜め光を、大なり小なり遮光膜の表面へと導くことで、境界領域付近における光抜けを低減することになる。
【００１５】
例えば横電界などの、想定されている駆動電界以外の乱れた電界が印加される境界領域では、例えばノーマリーホワイト型の液晶装置において電界を最大に印加した際に、白抜けを低減できる。或いは、ノーマリーブラック型の液晶装置において電界を最大に印加した際に、黒抜けを低減できる。よって、境界領域付近における光抜けにより、コントラスト比を低下させる事態を極めて効果的に回避できる。非開口領域を規定する遮光膜を不必要に幅広にすることも要さない。即ち、肝心の画像の明るさを維持できる。
【００１６】
以上の結果、本発明に係る第１の電気光学装置によれば、不必要に大きくない範囲に非開口領域を止めることで明るい表示を可能としつつ、境界領域付近で光抜けを防ぐことで高コントラストの表示が可能となる。しかも、このために必要とされる構成については、一方の基板上における、少なくとも遮光膜に対向する部分において高い屈折率を有する層間絶縁膜の採用という、比較的簡単なもので済む。
【００１７】
本発明に係る第２の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記一対の基板のうち一方上に、各画素に対応して設けられた画素電極と、前記一対の基板のうち他方上に、前記画素電極に対向するように設けられた対向電極と、前記他方上に設けられており、前記一対の基板上で平面的に見て、前記各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する遮光膜と、前記他方上における前記対向電極及び前記遮光膜の層間に設けられており、少なくとも前記遮光膜に対向する部分において前記電気光学物質に比べて屈折率が高い層間絶縁膜とを備える。
【００１８】
本発明に係る第２の電気光学装置によれば、上述した第１の電気光学装置と概ね同様に動作する。但し本発明では、画素電極と対向電極との間に、「縦電界」を印加することで、液晶等の電気光学物質に電気光学動作を行わせる。対向電極は、例えば、対向基板における画素電極と対向する側のベタ一面に、画素電極と同じ又は異なる透明な導電材料から形成される。遮光膜は、例えば対向基板である他方の基板上に格子状やストライプ状に設けられた、例えばブラックマトリクスやブラックマスクなどである。遮光膜は、非開口領域を少なくとも部分的に若しくは冗長的に規定している。
【００１９】
本発明では特に、他方の基板上における対向電極及び遮光膜の層間には、層間絶縁膜が設けられている。しかも、層間絶縁膜は、少なくとも遮光膜に対向する部分において、電気光学物質に比べて屈折率が高い。層間絶縁膜は、例えば液晶である電気光学物質より高屈折率の酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等から構成される。
【００２０】
従って、斜め光が、光源光等の表示光に混ざって画素電極間の間隙を斜めに進行しようとすると、電気光学物質と層間絶縁膜における遮光膜に対向する部分との屈折率の差により、両者の境界若しくは界面又は他の薄膜が介在する両者間を通過した際に、斜め光は、屈折現象により、遮光膜が存在する側へと曲げられる。すると、このような屈折現象がなかったと仮定した場合に比較して、斜め光のうち屈折により曲げられて遮光膜に到達する光量が増加することになる。言い換えれば、境界領域付近にて、遮光膜の脇を抜けて進行しようとする斜め光を、大なり小なり遮光膜の表面へと導くことで、境界領域付近における光抜けを低減することになる。
【００２１】
以上の結果、本発明に係る第２の電気光学装置によれば、上述した第１の電気光学装置の場合と同様に、不必要に大きくない範囲に非開口領域を止めることで明るい表示を可能としつつ、境界領域付近で光抜けを防ぐことで高コントラストの表示が可能となる。しかも、このために必要とされる構成については、他方の基板上における、少なくとも遮光膜に対向する部分において高い屈折率を有する層間絶縁膜の採用という、比較的簡単なもので済む。
【００２２】
上述した本発明に係る第１又は第２の電気光学装置の一の態様では、前記層間絶縁膜は、前記遮光膜に対向しない部分において、前記対向する部分に比べて屈折率が更に高い。
【００２３】
この態様によれば、層間絶縁膜は、遮光膜に対向する部分及び遮光膜に対向しない部分を含む、屈折率の相互に異なる二つの部分或いは二つ以上の部分に分けられてなる。しかも、層間絶縁膜は、遮光膜に対向しない部分において、対向する部分に比べて屈折率が更に高い。このため、層間絶縁膜におけるこれらの二つの部分の境界或いは界面を通過した際に、斜め光は、屈折現象により、表示領域から外れる側へと曲げられる。即ち、このような屈折現象がなかったと仮定した場合に比較して、斜め光のうち屈折により曲げられて表示領域から外れる光量が増加することになる。言い換えれば、境界領域付近にて、遮光膜の脇を抜けて進行しようとする斜め光を、大なり小なり表示領域から外すことで、境界領域付近における光抜けを、より一層低減することになる。この結果、コントラストの低下を、より効果的に防止できる。
【００２４】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の第１又は第２の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。
【００２５】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００２６】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。
【図４】本実施形態における高屈折率の層間絶縁膜を、斜め光の光路と共に抜粋して示す模式的な断面図である。
【図５】一の変形例における、図４と同趣旨の模式的な断面図である。
【図６】他の変形例における、図４と同趣旨の模式的な断面図である。
【図７】他の変形例における、図４と同趣旨の模式的な断面図である。
【図８】本実施形態に係る液晶装置を適用した電子機器の例である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００２９】
＜液晶装置＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００３０】
図１は、ＴＦＴアレイ基板１０を、その上に形成された各構成要素と共に、対向基板２０の側から見た液晶装置の構成を示す概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【００３１】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板又はシリコン基板である。対向基板２０も例えばＴＦＴアレイ基板１０と同様の材料からなる基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、電気光学動作の行われる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３２】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。
【００３３】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００３４】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、走査線駆動回路１０４及び外部回路接続端子１０２が夫々形成されている。
【００３５】
ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に夫々沿って設けられている。
【００３６】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置されている。
【００３７】
また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００３８】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられている。
【００３９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９は、ＩＴＯ膜からなる透明電極として形成されている。画素電極９上には、配向膜１６が形成されている。
【００４０】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中、遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。
【００４１】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９と対向電極２１との間には液晶保持容量が形成されている。
【００４２】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００４３】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００４４】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９及び画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９に電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置の動作時に画素電極９をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６は、ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４５】
ＴＦＴ３０のゲートには走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。
【００４６】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００４７】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９と対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に、蓄積容量７０が付加されている。
【００４８】
次に、図４を参照して、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける、遮光膜及び層間絶縁膜に係る具体的な積層構造について詳しく説明する。ここに、図４は、本実施形態における高屈折率の層間絶縁膜を、斜め光の光路と共に抜粋して示す模式的な断面図である。図４の断面では、ＴＦＴ３０等の電子素子や配線、配向膜等については、説明の便宜上表示を省略してあるか又は断面上に表れない。
【００４９】
図４に示すように、液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する遮光膜４０１を備える。遮光膜４０１は、図３に示したデータ線６、走査線１１、容量線３００或いは、容量電極、中継電極、シールド線等の他の機能を有するパターニングされた導電膜と兼用でもよいし、金属性若しくは非金属性又は導電性若しくは非導電性の専用の遮光膜であってもよい。遮光膜４０１は、光透過率の低い材料から形成され、例えば、Ａｌ等の光反射性の各種材料や、ＴｉＮやＷ或いはそのシリサイドなどの光反射率や光吸収率に優れた各種材料から形成される。不透明な半導体層、ポリシリコン膜等から構成することも可能である。
【００５０】
ＴＦＴアレイ基板１０に内蔵される遮光膜４０１と、対向基板２０に内蔵される遮光膜２３とにより、格子状の非開口領域が規定される。従って例えば、遮光膜４０１については、第１の方向にストライプ状に延びる遮光膜であってよく、遮光膜２３については、第１方向に交わる第２方向にストライプ状に延びる遮光膜であってよい。  ＴＦＴアレイ基板１０上で、層間絶縁膜５０１は、画素電極９及び遮光膜４０１の層間に設けられている。層間絶縁膜４０１は、液晶層５０より高屈折率の酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、透明樹脂膜等から構成される。層間絶縁膜５０１の屈折率は、例えば、１．５〜２．０或いはそれ以上の高い値をとる。層間絶縁膜５０１の層厚は、例えば０．２μｍ〜１．０μｍである。
【００５１】
他方、対向基板２０上で、層間絶縁膜５０２は、遮光膜２３及び対向電極２１の層間に設けられている。
【００５２】
なお、図４中、層部分４０２又はここに対応する層間位置には、各種の導電層、半導体層、層間絶縁膜から、図３に示した配線、電極、素子等が構築されている。
【００５３】
図４において、液晶装置の動作中には、液晶層５０中に、ノーマリーホワイトモードにおける電圧印加時の白抜け又はノーマリーブラックモードにおける電圧印加時の黒抜けである「光抜け」を引き起こす配向不良部分５０ｄが発生する。配向不良部分５０ｄは、例えば、画素電極９及び対向電極２１間で液晶駆動用に縦電界の発生が想定されている場合に、相隣接する画素電極間で反転駆動における電圧反転に対応して発生する横電界に起因したり、相隣接する画素電極間で画像信号の電位差に対応して発生する横電界に起因する。よって、配向不良部分５０ｄは、画素電極９の間隙に相当する、境界領域付近にて顕著に発生する。
【００５４】
ここで仮に何らの対策も行わないとすれば、配向不良部分５０ｄが発生した場合、表示光に含まれる斜め光Ｌ０が、配向不良部分５０ｄを通過して、通過光Ｌｘとして液晶装置を出射する、画像信号に応じて変調された表示光中に混ざる。即ち、光抜けが引き起こされて、コントラスト比が低下する原因になる。
【００５５】
しかるに本実施形態では、斜め光Ｌ０が、表示光に混ざって画素電極９間の間隙を斜めに進行すると、液晶層５０と層間絶縁膜５０１との屈折率の差により、両者の境界若しくは界面又は他の膜が介在する両者間を通過した際に、斜め光Ｌ０は、屈折現象により、遮光膜４０１が存在する側へと曲げられる。即ち、屈折により、斜め光Ｌ１となる。更に、斜め光Ｌ１は、遮光膜４０１により吸収されたり、遮光膜４０１の表面で反射されることで反射光Ｌ２とされたり、散乱されたりする。いずれにせよ、斜め光Ｌ０から、斜め光Ｌｘとなることで、表示光に混ざって液晶装置外へ出射される事態が効果的に阻止される。
【００５６】
なお、図４では不図示の配向膜１６（図２参照）が、厳密には、液晶層５０及び層間絶縁膜５０１間に介在するが、配向膜１６は、液晶層５０と殆ど又は実践上完全に同一視できる屈折率を有するので、図４では、配向膜１６は、光学的に液晶層５０に含まれるものとして扱ってよい。
【００５７】
このように、高屈折率の層間絶縁膜５０１を設けなかった場合に比較して、斜め光Ｌ０のうち屈折により曲げられて遮光膜４０１に到達する斜め光Ｌ１が増加する。言い換えれば、境界領域付近にて、遮光膜４０１の脇を抜けて進行しようとする斜め光Ｌ０を、遮光膜４０１の表面へと導くことで、境界領域付近における光抜けを構成する斜め光Ｌｘを有効に低減できる。
【００５８】
更に、図４から明らかなように、非開口領域を規定する遮光膜４０１を、不必要に幅広に形成することも要さない。即ち、直進する表示光を遮光膜４０１で遮光してしまう比率を抑えることで、肝心の画像の明るさを維持できる。ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造についても、画素電極９と、配線等の機能を兼ね備える遮光膜４０１とを層間絶縁するために必要な層間絶縁膜として、層間絶縁膜５０１を構築すればよいので、比較的簡単なもので済む。
【００５９】
＜変形例＞
次に、図４及び図５から図７を参照して、本実施形態の各種変形例について説明を加える。ここに、図５から図７は夫々、各種変形例における、図４と同趣旨の模式的な断面図である。
【００６０】
図５に示すように、一の変形例に係る液晶装置では、層間絶縁膜５０１が、図４に示した実施形態における層間絶縁膜５０１と同様の高屈折率を有する第１部分５０１ａと、この第１部分５０１ａと比べて更に高い屈折率を有する第２部分５０１ｂとに分かれて構成されている点において、上述の実施形態と異なっている。尚、この点以外については、上述の実施形態の場合と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００６１】
この変形例によれば、第１部分５０１ａと第２部分５０１ｂとの境界或いは界面を通過した際に、斜め光Ｌ０は、屈折現象により、表示領域から外れる側へと曲げられて斜め光Ｌｙとされる（図中、反時計回りの側に曲げられる）。即ち、第１部分５０１ａと第２部分５０１ｂとの境界或いは界面における屈折現象がなかったと場合に比較して、斜め光Ｌ０のうち屈折により曲げられて表示領域から外れる斜め光Ｌｙが増加する。表示領域から外されれば、斜め光Ｌｙが断定的な光抜けとして存在しても、実際には表示光中に混在する光抜けを構成する光成分とはならない。即ち、光の利用効率は下がるものの、コントラスト比を下げるような光抜けとはならない。
【００６２】
このように図５に示した変形例によれば、境界領域付近における光抜けを、上述した実施形態の場合よりも更に低減できる。
【００６３】
次に、図４を再び参照して他の変形例について説明する。
【００６４】
この変形例に係る液晶装置では、層間絶縁膜５０２が、図４に示した実施形態における層間絶縁膜５０１と同様の高屈折率を有する点において、上述の実施形態と異なっている。層間絶縁膜５０１の屈折率については、液晶層５０より低くてもよいし、高くてもよい。尚、この点以外については、上述の実施形態の場合と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００６５】
この変形例によれば、斜め光は、画素電極９間の間隙を斜めに進行しようとすると、層間絶縁膜５０２と液晶層５０との屈折率の差により、両者の境界若しくは界面又は他の膜が介在する両者間を通過した際に屈折現象により曲げられて、遮光膜２３或いは遮光膜４０１に到達する割合が高くなる。この結果、表示光に混ざって液晶装置外へ出射される事態が効果的に阻止される。
【００６６】
なお、この場合、層間絶縁膜５０１についても、液晶層５０よりも高い屈折率であってよい。或いは、層間絶縁膜５０１については、液晶層５０よりも低い屈折率であってもよい。両方の層間絶縁膜５０１及び５０２共に高屈折率を有するように構成すれば、図４中、液晶層５０の上下両方側の境界面における屈折により、光抜けを低減できるので有利である。
【００６７】
次に、図６に示すように、他の変形例に係る液晶装置では、層間絶縁膜５０２が、図５に示した変形例における層間絶縁膜５０１と同様に分かれた二つの第１部分５０２ａ及び５０２ｂからなると共に、高屈折率を有する点において、上述の実施形態と異なっている。第２部分５０２ｂは、第１部分５０２ａよりも屈折率が高い。尚、これらの点以外については、上述の実施形態の場合と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００６８】
この変形例によれば、斜め光は、画素電極９間の間隙を斜めに進行しようとすると、層間絶縁膜５０２と液晶層５０との屈折率の差により、両者の境界若しくは界面又は他の膜が介在する両者間を通過した際に屈折現象により曲げられて、遮光膜２３或いは遮光膜４０１に到達する割合が高くなる。更に、第１部分５０２ａとこれより高い屈折率の第２部分５０２ｂとの境界又は界面における屈折によっても、斜め光のうち表示領域外へと曲げられる光量が増加される。これらの結果、表示光に混ざって液晶装置外へ出射される事態が非常に効果的に阻止される。
【００６９】
次に、図７に示すように、他の変形例に係る液晶装置では、層間絶縁膜５０２が、図５に示した変形例における層間絶縁膜５０１と同様に分かれた二つの部分第１部分５０２ａ及び５０２ｂからなると共に、高屈折率を有する点において、図５の変形例と異なっている。尚、これらの点以外については、図５に示した変形例の場合と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００７０】
この変形例によれば、斜め光は、ＴＦＴアレイ基板１０側及び対向基板２０側で夫々、液晶層５０及び層間絶縁膜間の界面における屈折、並びに二つに分かれた層間絶縁膜間の界面における屈折により、遮光膜２３或いは遮光膜４０１に到達する割合が高くなると共に、斜め光のうち表示領域外へと曲げられる光量も増加される。これらの結果、表示光に混ざって液晶装置外へ出射される事態が非常に効果的に阻止される。
【００７１】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００７２】
図８は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【００７３】
図８に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００７４】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００７５】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００７６】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００７７】
尚、図８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００７８】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００７９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００８０】
９  画素電極、  １０  ＴＦＴアレイ基板、  １０ａ  画像表示領域、  ２０  対向基板、  ２１  対向電極、３０  ＴＦＴ、  ５０  液晶層、  ５０ｄ  配向不良部分、  ７０  蓄積容量、  ４０１  遮光膜、５０１  高屈折率の層間絶縁膜、５０１ａ  層間絶縁膜の第１部分、５０１ｂ  層間絶縁膜の第２部分、５０２  層間絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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