(57)【要約】【課題】高温プロセスおよび高真空プロセスなどの工程を経た後に生じる接着剤層に起因する不具合を低減させた、基板の加工方法を提供する。【解決手段】シリコンウエハ１の加工方法は、ガラス板２に接着剤層３を介して基板を貼り付ける貼付工程と、ガラス板２に貼り付けられたシリコンウエハ１に対して加熱処理および真空処理のうちの少なくとも一方を施す加工工程とを含み、上記貼付工程の後であって上記加工工程の前に、シリコンウエハ１の周縁部から突出している部分の接着剤層３を除去する除去工程を、さらに含む。【選択図】図１
2011258841.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持板に接着剤層を介して基板を貼り付ける貼付工程と、該支持板に貼り付けられた該基板に対して加熱処理および真空処理のうちの少なくとも一方を施す加工工程とを含む基板の加工方法において、
上記貼付工程の後であって上記加工工程の前に、上記基板の周縁部から突出している部分の上記接着剤層を除去する除去工程を、さらに含むことを特徴とする基板の加工方法。
【請求項２】
上記貼付工程では、上記基板を上記支持板に貼り付けることによって、上記基板の全周縁部が上記接着剤層の周縁部よりも内側になるようにすることを特徴とする請求項１に記載の基板の加工方法。
【請求項３】
上記貼付工程の後であって上記加工工程の前に、研削によって上記基板を薄板化する薄化工程をさらに含み、
上記薄化工程は、上記除去工程の前または後に行なわれることを特徴とする請求項１に記載の基板の加工方法。
【請求項４】
上記薄化工程は、上記除去工程の前に行なわれることを特徴とする請求項３に記載の基板の加工方法。
【請求項５】
上記除去工程では、溶剤による上記接着剤層の溶解によって、上記突出している部分の上記接着剤層を除去することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の基板の加工方法。
【請求項６】
上記除去工程では、上記基板を回転させながら、上記突出している部分の上記接着剤層に、上記溶剤を供給することを特徴とする請求項５に記載の基板の加工方法。
【請求項７】
上記除去工程では、上記突出している部分の上記接着剤層を除去した後に、乾燥することを特徴とする請求項５または６に記載の基板の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板の加工方法に関し、より詳細には、半導体ウエハ等の基板に支持体が貼り付けられた基板の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型半導体シリコンチップは、例えば、高純度シリコン単結晶等を薄くスライスしてシリコンウエハとした後、フォトレジストを利用してシリコンウエハ表面に所定の回路パターンを形成し、次いで、得られた半導体ウエハの裏面に研削加工を施した後、所定の厚さに研削した半導体ウエハにダイシング加工を施してチップ化することにより、製造される。このような製造工程においては、薄板化したシリコンウエハ自体が脆く破損しやすいため、これを補強する必要がある。さらに、例えば研削加工で生じた研磨屑などによってシリコンウエハ表面に形成した回路パターンが汚染されるのを防ぐ必要もある。そこで、シリコンウエハの破損を防止し、シリコンウエハ表面の回路パターンを保護する方法として、シリコンウエハに支持体を接着剤層で仮止めした状態で研削加工し、その後、支持体を剥離する手法（例えば、特許文献１、および特許文献２参照）、および、シリコンウエハ表面の回路パターン面に接着剤層を備えた粘着フィルムを貼り付けた状態で研削加工し、その後、粘着フィルムを剥離する手法（例えば、特許文献３、および特許文献４参照）などが知られている。
【０００３】
また、研削加工終了後のシリコンウエハの平坦度を良好に保つため、シリコンウエハに接着剤を塗布した後、保持プレートに貼着する前に、シリコンウエハ外周部付近全周に亘ってシリコンウエハ内部の塗布厚さより薄くなるように接着剤を部分的に除去する手法（例えば、特許文献５）が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−２２４２７０号公報（１９９５年８月２２日公開）
【特許文献２】特開平９−１５７６２８号公報（１９９７年６月１７日公開）
【特許文献３】特開２００３−１７３９９３号公報（２００３年６月２０日公開）
【特許文献４】特開２００１−２７９２０８号公報（２００１年１０月１０日公開）
【特許文献５】特開２００１−１８９２９２号公報（２００１年７月１０日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、電子機器の小型化、薄型化、および高機能化への要望が高まっている。そのなかで、例えばシステム・イン・パッケージ（ＳｉＰ）における電極（バンプ）と回路基板との配線方法として、従来主流であったワイヤ・ボンディング技術に代え、貫通電極形成技術が注目されている。貫通電極形成技術は、貫通電極を形成したチップを積層し、チップの裏面にバンプを形成する手法を用いた技術である。この貫通電極形成技術を適用するには、所定の厚さに研削した半導体ウエハに貫通電極を形成して、貫通電極を備えたチップを製造する必要がある。そのためには、高温プロセスおよび高真空プロセスを含む多数の工程を経る必要がある。
【０００６】
接着剤によってシリコンウエハと支持板とを貼り合わせた状態でシリコンウエハを研削して薄板化し、その後、高温プロセスおよび高真空プロセスなどの工程を経る従来の加工方法では、高温プロセスおよび高真空プロセスなどの工程を経た後に接着剤層に発泡が起こり、これにより真空チャンバー等を汚染してしまったり、高温プロセスおよび高真空プロセスなどの工程を経た後シリコンウエハから支持板を剥離する際に、接着剤層の溶解が困難になったりする場合がある。
【０００７】
そこで、本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、高温プロセスおよび高真空プロセスなどの工程を経た後に生じる接着剤層に起因する不具合を低減させた、基板の加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る基板の加工方法は、上記課題を解決するために、支持板に接着剤層を介して基板を貼り付ける貼付工程と、該支持板に貼り付けられた該基板に対して加熱処理および真空処理のうちの少なくとも一方を施す加工工程とを含み、上記貼付工程の後であって上記加工工程の前に、上記基板の周縁部から突出している部分の上記接着剤層を除去する除去工程を、さらに含む構成である。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように、本発明に係る基板の加工方法では、支持板に接着剤層を介して基板を貼り付ける貼付工程と、加熱処理および真空処理のうちの少なくとも一方を施す加工工程との間で、基板の周縁部から突出している部分の接着剤層を除去するため、接着剤層からの発泡や、接着剤層の硬化といった、接着剤層に起因する不具合の発生を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態における各工程での各構成の主要部の状態を示す断面図である。
【図２】従来の加工方法における各工程での各構成の主要部の状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜１．本発明の背景＞
まず、本発明を完成させるに至るまでの背景について説明する。
【００１２】
本発明者らは、接着剤層に発泡が発生したり、接着剤層の溶解が困難になったりする不具合の原因を検討したところ、これらの不具合は基板の周縁部から突出している部分の接着剤層に起因するものであるとの考えに至った。そこで、高温プロセスおよび高真空プロセスなどの工程を経る前に、基板の周縁部から突出している部分の接着剤層を除去したところ、接着剤層における発泡や接着剤層の溶解の阻害を低減できることを見出した。
【００１３】
接着剤層に発泡が起こったり、接着剤層の溶解が困難になったりする不具合が発生する機構について図２を参照して説明する。
【００１４】
図２は、従来のシリコンウエハの加工における各工程の状態を示す、シリコンウエハの端部付近の断面図である。図２では、シリコンウエハを支持板に貼り付けてから真空プラズマ処理を施した後の状態までを示している。図２（ａ）は、支持板であるガラス板１２に、接着剤層１３を介してシリコンウエハ１１を貼り付けた状態を示している。図２（ａ）に示すように、接着剤層１３を介してシリコンウエハ１１をガラス板１２に貼り付けた後では、接着剤層１３の周縁部がシリコンウエハ１１の周縁部から突出したものとなっている。そのため、シリコンウエハ１１の端部は、接着剤層１３上に保護されている。これは、シリコンウエハ１１の研削の際に、シリコンウエハ１１の端部が接着剤層１３に保護されていないと、シリコンウエハ１１の端部に割れや欠けなどの破損が生じやすいためである。そのため、シリコンウエハ１１の端部を接着剤層１３にしっかりと固定させている。図２（ｂ）は、図２（ａ）のシリコンウエハ１１に研削処理を施した後の状態を示している。その後、図２（ｃ）に示すように、研削加工されたシリコンウエハ１１は、貫通電極を形成するために、加熱処理を伴う高温プロセスや、プラズマ処理が施される高真空プロセスを経る。このとき接着剤層１３におけるシリコンウエハ１１の周縁部から突出している部分（以下、突出部分という）１５にも各処理が施されることになる。その結果、例えば図２（ｄ）に示すように、加熱処理や真空プラズマ処理が施された突出部分１５から発泡や変質が起こり得る。あるいは、上記各処理によって突出部分１５の接着剤層１３が変質する場合もある。例えば、変質により突出部分１５の接着剤層１３が硬化する。シリコンウエハ１１のダイシングを行う前に接着剤層１３を溶解してガラス板１２をシリコンウエハ１１から剥離する必要があるが、接着剤層１３が硬化することによって、接着剤層１３が溶解されにくくなり、その結果、ガラス板１２を剥離しにくくなる。
【００１５】
このような状況下において、本発明者らは、基板の周縁部から突出している部分の接着剤層を除去することによって、接着剤層の発泡、および変質による接着剤層の溶解の阻害を低減することに成功し、本発明を完成させるに至った。
【００１６】
本発明に係る基板の加工方法の一実施形態について、以下、詳細に説明する。
【００１７】
＜２．本発明に係る基板の加工方法＞
本発明の基板の加工方法は、支持板に接着剤層を介して基板を貼り付ける貼付工程と、支持板に貼り付けられた基板に対して加熱処理および真空処理のうちの少なくとも一方を施す加工工程とを含み、貼付工程の後であって加工工程の前に、基板の周縁部から突出している部分の接着剤層を除去する除去工程をさらに含む構成である。より詳細には、貼付工程の後であって加工工程の前に、研削によって基板を薄板化する薄化工程をさらに含み、薄化工程は、除去工程の前または後に行なわれる構成である。
【００１８】
本実施の形態では、ウエハサポートシステムのために接着剤によってサポートプレートであるガラス板（支持板）に一時的に貼着した、シリコンウエハ（基板）に対する加工を例に挙げて図１を参照して説明するが、これに限定されるものではない。
【００１９】
なお、本明細書における「サポートプレート」とは、シリコンウエハを研削するときに、シリコンウエハに貼り合せることによって、研削により薄板化したシリコンウエハにクラックおよび反りが生じないように保護するために一時的に用いられる支持板のことである。
【００２０】
また、本明細書において「基板の周縁部から突出している部分」とは、基板の周縁部からはみ出ている部分のことをいい、基板の周縁部全てに亘ってはみ出ている場合には、そのはみ出ている部分全てが、「突出している部分」である。なお、「基板の周縁部から突出している部分」は、「支持板に貼り付けられた基板の露出面の法線方向における投影において、一部が基板の周縁部に接している、基板と重複しない部分」とも表現できる。
【００２１】
図１は、各工程でのガラス板、シリコンウエハおよび接着剤層の状態を示す、シリコンウエハ端部付近の断面図である。工程順に（ａ）〜（ｅ）で示している。
【００２２】
〔貼付工程〕
貼付工程は、接着剤層を介してシリコンウエハをガラス板に貼り付ける工程である。
【００２３】
貼付工程では先ず、シリコンウエハの回路形成面に接着剤を塗布する。塗布には例えばスピンナーを用いる方法が挙げられる。接着剤としては、非極性溶剤に対して溶解性を示す接着化合物、又は高極性溶剤に対して溶解性を示す接着化合物を用いることができる。これらの接着化合物を用いることにより、接着剤層は、非極性溶剤又は高極性溶剤によって溶解し、シリコンウエハからガラス板を剥離することが可能となる。
【００２４】
非極性溶剤溶解性を示す接着化合物としては、例えば炭化水素樹脂が挙げられる。炭化水素樹脂としては、シクロオレフィンから誘導される構成単位を有する樹脂、テルペン系樹脂等が挙げられるが、これに限定されない。また、シクロオレフィンから誘導される構成単位を有する樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」ということがある）が挙げられるが、これに限定されない。
【００２５】
樹脂（Ａ）としては、シクロオレフィン系モノマー（ａ１）を含む単量体成分を重合してなる樹脂である。具体的には、シクロオレフィン系モノマー（ａ１）を含む単量体成分の開環（共）重合体、シクロオレフィン系モノマー（ａ１）を含む単量体成分を付加（共）重合させた樹脂などが挙げられる。
【００２６】
樹脂（Ａ）を構成する単量体成分に含まれるシクロオレフィン系モノマー（ａ１）としては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエンなどの二環体、ジシクロペンタジエン、ジヒドロキシペンタジエンなどの三環体、テトラシクロドデセンなどの四環体、シクロペンタジエン三量体などの五環体、テトラシクロペンタジエンなどの七環体、またはこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチルなど）置換体、アルケニル（ビニルなど）置換体、アルキリデン（エチリデンなど）置換体、アリール（フェニル、トリル、ナフチルなど）置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、下記一般式（Ｉ）で示されるような、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、またはこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。
【００２７】
【化１】
2011258841.tif 000003
【００２８】
（式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ２はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｎは０または１である。）
樹脂（Ａ）を構成する単量体成分は、シクロオレフィン系モノマー（ａ１）と共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、下記一般式（ＩＩ）で示されるようなアルケンモノマー（ａ２）をも含有することが好ましい。アルケンモノマー（ａ２）としては、例えば、エチレン、α−オレフィンなどが挙げられる。アルケンモノマー（ａ２）は、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよい。
【００２９】
【化２】
2011258841.tif 000004
【００３０】
（式（ＩＩ）中、Ｒ３〜Ｒ６はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜５のアルキル基である。）
樹脂（Ａ）を構成する単量体成分は、その５０質量％以上がシクロオレフィン系モノマー（ａ１）であることが好ましく、より好ましくは６０質量％以上がシクロオレフィン系モノマー（ａ１）であるのがよい。シクロオレフィン系モノマー（ａ１）が単量体成分全体の５０質量％以上であると、高温環境下における接着強度が良好なものとなる。
【００３１】
なお、樹脂（Ａ）は、例えば、上述した式（Ｉ）で示されるシクロオレフィン系モノマー（ａ１）と上述した式（ＩＩ）で示されるアルケンモノマー（ａ２）とからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制するうえで好ましい。
【００３２】
単量体成分を重合する際の重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。
【００３３】
樹脂（Ａ）として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス社製の「ＴＯＰＡＳ」、三井化学社製の「ＡＰＥＬ」、日本ゼオン社製の「ＺＥＯＮＯＲ」や「ＺＥＯＮＥＸ」、ＪＳＲ社製の「ＡＲＴＯＮ」などが挙げられる。
【００３４】
樹脂（Ａ）のガラス転移点（Ｔｇ）は、６０℃以上であることが好ましい。特に好ましくは、樹脂（Ａ）のガラス転移点は７０℃以上であるのがよい。樹脂（Ａ）のガラス転移点が６０℃以上であると、接着剤組成物が高温環境に曝されたときに接着層の軟化を抑制することができる。
【００３５】
テルペン系樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）ということがある」）としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂が好ましい。
【００３６】
樹脂（Ｂ）の軟化点は、８０〜１６０℃であることが重要である。樹脂（Ｂ）の軟化点が８０℃未満であると、接着剤組成物が高温環境に曝されたときに軟化してしまい、接着不良を生じる。一方、樹脂（Ｂ）の軟化点が１６０℃を超えると、接着剤組成物を剥離する際の剥離速度が遅くなる。
【００３７】
樹脂（Ｂ）の分子量が３００〜３，０００であることが重要である。前記樹脂（Ｂ）の分子量が３００未満であると、耐熱性が不充分となり、高温環境下において脱ガス量が多くなる。一方、樹脂（Ｂ）の分子量が３，０００を超えると、接着剤組成物を剥離する際の剥離速度が遅くなる。なお、本発明における樹脂（Ｂ）の分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。
【００３８】
樹脂（Ａ）および樹脂（Ｂ）はそれぞれ単独で用いてもよく、混合して用いてもよい。混合して用いる場合、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との配合比は、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）である。樹脂（Ａ）がこの範囲よりも多すぎると（換言すれば、樹脂（Ｂ）がこの範囲よりも少なすぎると）、接着剤組成物を剥離する際の剥離速度が遅くなり、一方、樹脂（Ａ）がこの範囲よりも少なすぎると（換言すれば、樹脂（Ｂ）がこの範囲よりも多すぎると）、接着剤組成物が高温環境に曝されたときに軟化してしまい、接着不良を生じる。
【００３９】
また、高極性溶剤に対して溶解性を示す接着化合物として、例えば、コラーゲンペプチド、セルロース、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、でんぷん等が挙げられるが、これに限定されない。
【００４０】
コラーゲンペプチドは、ポリペプチド鎖がらせん状に会合したコラーゲン分子を、加熱により変性させることによって、らせんの一部がほぐれてゼラチン化したものを加水分解することによって生成することができる。コラーゲン分子としては、哺乳類由来のコラーゲン分子及び魚類由来のコラーゲン分子を好適に使用可能である。また、コラーゲン分子としては、一般に市販されているものを用いることができるが、生成されるコラーゲンペプチドの極性溶媒に対する溶解速度が、１００〜３００ｎｍ／ｓｅｃであるようなコラーゲン分子が好ましく、２００ｎｍ／ｓｅｃであるコラーゲン分子が特に好ましい。
【００４１】
接着剤層の厚さはシリコンウエハの表面に形成した回路の凹凸に応じて決定すればよい。なお、接着剤の塗布量は、研削加工を施す後述の薄化工程においてシリコンウエハの端部が接着剤層上に固定された状態となるように調節されることが望ましい。
【００４２】
次いで貼付け機を用いて、接着剤層が形成されたシリコンウエハにガラス板を貼り付ける。図１（ａ）に示されるように、ガラス板２に接着剤層３を介してシリコンウエハ１を貼り付けた後では、シリコンウエハ１の周縁部から接着剤層３の周縁部が突出した状態となる。一般的には、接着剤層３の全周縁部がシリコンウエハ１の周縁部から突出した状態となる。すなわち、シリコンウエハ１の全周縁部が接着剤層３の周縁部よりも内側にある状態となる。これにより、後述の薄化工程での研削においても、シリコンウエハ１の端部が接着剤層３にしっかりと固定された状態を維持できる。
【００４３】
なお、貼付工程では、ガラス板２に接着剤層３を介してシリコンウエハ１が貼り付けられるものであれば上記方法に限定されず、例えば、ガラス板２に接着剤を塗布して、これにシリコンウエハ１の表面を貼り付ける方法であってもよい。
【００４４】
〔薄化工程〕
薄化工程は、接着剤層３を介してガラス板２に貼り付けられたシリコンウエハ１の裏面（露出面）をグラインダーで研削して、シリコンウエハ１を所定の厚さに加工する工程である。
【００４５】
図１（ｂ）はシリコンウエハ１を研削して薄板化した後の状態を示している。図１（ｂ）に示されるように、研削加工を施した後であっても、シリコンウエハ１の端部は、接着剤層３に保護されており、より詳細には、接着剤層３に埋め込まれた状態となっている。すなわち、シリコンウエハ１に研削加工を施している間も、シリコンウエハ１の端部は接着剤層３によって固定されており、端部がぐらついたりせずに安定な状態を保っている。これにより、研削加工の際に、シリコンウエハ１の端部に割れや欠けが発生することを防ぐことができている。
【００４６】
〔除去工程〕
除去工程は、シリコンウエハ１の周縁部から突出している部分の接着剤層３を除去する工程である。ここでは、研削加工によりシリコンウエハ１を薄板化した後に除去工程を行う場合について説明する。
【００４７】
突出している部分の接着剤層３を除去する方法としては、例えば、突出している部分の接着剤層３を溶剤によって溶解して除去する方法、カッターおよびブレードなどを用いて突出している部分を物理的に切断して除去する方法、大気圧下でのアッシングにより突出している部分の接着剤層３を除去する方法などが挙げられる。この中でも、強度の観点から、突出している部分の接着剤層３を溶剤によって溶解して除去する方法が好ましい。
【００４８】
溶剤による接着剤層３の溶解によって、突出している部分の接着剤層３を溶解して除去する方法において、用いられる溶剤としては接着剤層３を溶解し得るものであれば特に限定されず、当業者は、接着剤層３の組成に応じて、適宜選択できる。例えば、接着剤層３が炭化水素系の接着剤を用いて形成されたものであれば、溶剤としてｐ−メンタン、およびｄ−リモネン等のテルペン系溶剤を用いることができ、接着剤層３がアクリル系またはマレイミド系の接着剤を用いて形成されたものであれば、溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、酢酸エチル、およびメチルエチルケトン等を用いることができる。
【００４９】
突出している部分の接着剤層３に溶剤を接触させる方法としては、例えば、溶剤の噴出によって、突出している部分の接着剤層３に溶剤を供給する方法、接着剤層３を介してガラス板２に貼り付けられたシリコンウエハ１を溶剤中に浸漬させる方法が挙げられる。
【００５０】
溶剤の噴出によって、突出している部分の接着剤層３に溶剤を供給する方法としては、突出している部分の接着剤層３に均一に溶剤を供給するために、シリコンウエハ１を回転させながら、突出している部分の接着剤層３に溶剤を供給する方法が好ましい。シリコンウエハ１を回転させながら、溶剤を供給する方法としては、例えば、溶剤を噴出するノズルをシリコンウエハ１の中心部の直上に配置し、溶剤をシリコンウエハ１の中心位置に滴下した後または滴下しながら、ガラス板２に貼り付けられたシリコンウエハ１を、スピンナーを用いて高速回転させて遠心力によって溶剤をシリコンウエハ１の周縁部全体に行き渡らせる方法がある。この方法により、シリコンウエハ１の周縁部から突出しているいずれの部分の接着剤層３にも均一に溶剤を供給できる。また別の方法としては、溶剤を噴出するノズルをシリコンウエハ１の周縁部の直ぐ外側の直上に配置し、溶剤をシリコンウエハ１の周縁部の直ぐ外側に滴下しながら、ガラス板２に貼り付けられたシリコンウエハ１を、スピンナーを用いて回転させることによって、溶剤をシリコンウエハ１の全周縁部の直ぐ外側に供給する方法がある。この方法によっても、シリコンウエハ１の周縁部から突出しているいずれの部分の接着剤層３にも均一に溶剤を供給できる。なお、溶剤を噴出するノズルをシリコンウエハ１の周縁部の直ぐ外側の直上に配置する場合、配置するノズルの数に制限はなく、１つ以上であればよい。
【００５１】
シリコンウエハの回転および溶剤の噴出を伴う上記の方法において、シリコンウエハ１の回転速度、溶剤をノズルから供給する際の溶剤の流量、および溶剤の供給時間は、接着剤層３を形成している接着剤の組成、接着剤層３の厚さ、突出部分の接着剤層３の大きさ（突出部分におけるシリコンウエハ１の周縁部からの距離）、使用する溶剤の種類、および除去の程度に応じて異なり得るものであるが、当業者であれば、その最適条件を困難なく検討および決定することができる。
【００５２】
溶剤による接着剤層３の溶解によって、突出している部分の接着剤層３を溶解して除去する方法の場合には、突出している部分の接着剤層３を除去した後に、ガラス板２に貼り付けられたシリコンウエハ１を乾燥することが好ましい。乾燥工程を経ることによって、不要な溶剤、除去対象部分ではない接着剤層３に侵入した溶剤を除去することができる。
【００５３】
乾燥方法としては、スピンナー等を用いてシリコンウエハ１を回転させることによる振り切り乾燥、Ｎ２ ガスなどの噴霧によるエアブローでの乾燥、ベークによる乾燥、および減圧による乾燥等が挙げられる。なお、これらの乾燥方法としては、いずれかの方法を単独で用いる方法、あるいは任意の２つ以上の方法を組み合わせて用いて乾燥させる方法のいずれも可能である。
【００５４】
乾燥工程を含む除去工程の一実施例を以下に説明する。本実施例では、ノルボルネンとエチレンとをメタロセン触媒にて共重合したシクロオレフィンコポリマー（ポリプラスチックス社製「ＴＯＰＡＳ（商品名）８００７」、ノルボルネン：エチレン＝６５：３５（重量比）、ガラス転移点：７０℃、Ｍｗ：９８，２００、Ｍｗ／Ｍｎ：１．６９、熱分解温度：４５９℃）をｐ−メンタンに溶解させた固形分濃度２５重量％の接着剤組成物を接着剤として用いている。この接着剤によって形成されている厚さ１４０μｍの接着剤層３を介してガラス板２に貼り付けられたシリコンウエハ１であって、接着剤層３がシリコンウエハ１の全周縁部にわたって突出しているシリコンウエハ１について、この突出した部分の接着剤層３をｐ−メンタンを用いて除去した。まず、シリコンウエハ１の周縁部の直ぐ外側の直上に配置した溶剤噴出用のノズルから４０ｍｌ／ｍｉｎの流量でもって溶剤を供給しながら、シリコンウエハ１を１５００ｒｐｍで１０分間回転させた。次いで、溶剤の供給を停止し、シリコンウエハ１を乾燥させた。乾燥は、１００℃、１６０℃および２２０℃でのベークをこの順序で各６分間行うとともに、その間、シリコンウエハ１を回転させることで実施した。その後、シリコンウエハ１をクーリングプレートに移し、ピンアップして３分間徐冷した。これによって、シリコンウエハ１から突出している部分の接着剤層３のみを除去することができた。
【００５５】
なお除去工程は薄化工程の後に行なわれることが好ましいが、薄化工程の前に行なわれてもよい。この場合、薄化工程の最中にシリコンウエハ１の端部が接着剤層３にしっかりと固定されている状態を確保するため、接着剤層３の突出している部分以外が除去されないように接着剤層３の除去を行う必要がある。そのために、例えば接着剤層３を溶解する溶剤の供給を厳密に調節する必要がある。
【００５６】
〔加工工程〕
加工工程は、シリコンウエハ１を薄板化した後、シリコンウエハ１に貫通電極を形成するための裏面加工をするため、接着剤層３を介してガラス板２に貼り付けられたシリコンウエハ１に対して、加熱処理および真空処理のうちの少なくとも一方を伴った加工を施す工程である。ここで加熱処理とは、１００℃以上に加熱することを意図している。また、真空処理とは、減圧乾燥することを意図している。何れの処理も、接着剤層３における発泡および変質を促すものである。
【００５７】
加熱処理を伴う加工としては、リソグラフィー工程、洗浄工程、およびリフロー工程等が挙げられる。
【００５８】
真空処理を伴う加工としては、プラズマ化学的気相成長（プラズマＣＶＤ）およびエッチング・アッシングなどの真空プラズマ処理が挙げられる。
【００５９】
図１（ｃ）は、シリコンウエハ１を研削した後にシリコンウエハ１の周縁部から突出している部分の接着剤層３を除去した後の状態を示している。図１（ｃ）に示されるように、除去工程の後では、接着剤層３はシリコンウエハ１の周縁部から突出していない。そのため、図１（ｄ）に示されるように例えばシリコンウエハ１に対して真空プラズマ処理を施す際に、直接プラズマに触れる接着剤層３の部分が少なくなる。接着剤層３における発泡および変質は、直接プラズマに触れる部分に生じやすい。したがって、除去工程によってシリコンウエハ１から突出している接着剤層３の部分をなくすことによって、接着剤層３における発泡および変質を抑制することができる。また、シリコンウエハ１に対して加熱処理を施す場合であっても、加熱によって発泡および変質が起こりやすい接着剤層３の突出している部分がないため、接着剤層３における発泡および変質を抑制することができる。
【００６０】
したがって、本発明に係る加工方法では、除去工程を経ることによって、加熱処理や真空処理により引き起こされる接着剤層の不具合を低減させることを実現している。
【００６１】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、高温プロセスまたは高真空プロセスを経る半導体ウエハまたはチップの加工工程に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００６３】
１    シリコンウエハ（基板）
２    ガラス板（支持板）
３    接着剤層
１１    シリコンウエハ
１２    ガラス板
１３    接着剤層
１４    発泡
１５    突出部分
【図１】
2011258841.tif 000005
【図２】
2011258841.tif 000006