(57)【要約】【課題】性能向上を図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】ソース電極４およびドレイン電極５は、互いに離間されていると共にそれぞれ有機半導体層３の上に重なっている。有機半導体層３における有機半導体分子の配向状態は、ソース電極４およびドレイン電極５に重なっている部分Ｐ１，Ｐ２と重なっていない部分Ｐ３との間において異なっている。有機半導体層３の厚さ方向における部分Ｐ１，Ｐ２の電気抵抗Ｒ１Ｙ，Ｒ２Ｙは、同方向における部分Ｐ３の電気抵抗Ｒ３Ｙよりも小さくなっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の有機半導体分子を含む有機半導体層と、互いに離間されたソース電極およびドレイン電極とを備え、
前記有機半導体層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極に重なる部分（重なり部分）と重ならない部分（非重なり部分）とを含み、
前記複数の有機半導体分子の配向状態は、前記重なり部分と前記非重なり部分との間において異なる、
薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記複数の有機半導体分子の配向状態は、前記非重なり部分において規則的であるのに対して前記重なり部分において不規則である、請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記有機半導体層の厚さ方向における電気抵抗は、前記非重なり部分よりも前記重なり部分において小さい、請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記重なり部分および前記非重なり部分は一体化されている、請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
複数の有機半導体分子を含む有機半導体層と、互いに離間されたソース電極およびドレイン電極と、を含む薄膜トランジスタを備え、
前記有機半導体層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極に重なる部分（重なり部分）と重ならない部分（非重なり部分）とを含み、
前記複数の有機半導体分子の配向状態は、前記重なり部分と前記非重なり部分との間において異なる、
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体層を備えた薄膜トランジスタおよびそれを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、チャネル層として有機半導体層を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が注目されており、有機ＴＦＴと呼ばれている。有機ＴＦＴでは、チャネル層を塗布形成できるため、低コスト化を図ることができる。また、蒸着法などよりも低い温度でチャネル層を形成できるため、低耐熱性かつフレキシブルなプラスチックフィルムなどに有機ＴＦＴを実装できる。
【０００３】
有機ＴＦＴは、従来のＴＦＴ（チャネル層として無機半導体層を用いた無機ＴＦＴ）と同様に、スイッチング用の素子として表示装置などの電子機器に広く用いられており、有機半導体層と共に、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極などを備えている。この有機ＴＦＴにおいても、従来のＴＦＴと同様に、トップコンタクト型、ボトムコンタクト型、トップゲート型またはボトムゲート型などの構造が用いられている。中でも、ソース電極およびドレイン電極が有機半導体層の上に重なるように配置されるトップコンタクト型が一般的である。
【０００４】
有機ＴＦＴでは、ソース電極から有機半導体層を経由してドレイン電極へ電流が流れるため、その有機半導体層における電流の流れやすさは、性能に大きな影響を及ぼす。なぜなら、有機ＴＦＴの重要な特性（指標）である移動度およびオンオフ比は、有機半導体層の電気抵抗に応じて変化するからである。そこで、有機ＴＦＴの性能を向上させるために、さまざまな検討がなされている。
【０００５】
具体的には、ボトムコンタクト型の有機ＴＦＴにおいて、ソース電極およびドレイン電極と有機半導体層との間に有機分子薄膜（チオクレゾール）を挿入している（例えば、特許文献１参照。）。これにより、有機半導体層の結晶粒径が大きくなるため、ソース電極およびドレイン電極と有機半導体層との間の電気接触抵抗が低減する。
【０００６】
また、ボトムコンタクト型の有機ＴＦＴにおいて、ソース電極とドレイン電極との間に平坦化層を形成したのち、それらの平坦面の上に有機半導体層を形成している（例えば、特許文献２参照。）。これにより、有機半導体結晶の分子配列の配向性が良好になるため、ソース電極およびドレイン電極と有機半導体層との間のコンタクト抵抗が低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−１５８１４０号公報
【特許文献２】特開２００７−２６６３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）ディスプレイおよび電子ペーパーディプレイなどの表示装置に代表される多様な電子機器が開発されており、その性能改善を図るために有機ＴＦＴの性能向上が強く求められている。しかしながら、有機ＴＦＴの性能、特に移動度およびオンオフ比は未だ十分であるとは言えないため、改善の余地がある。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、性能向上を図ることが可能な薄膜トランジスタおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の薄膜トランジスタは、複数の有機半導体分子を含む有機半導体層と、互いに離間されたソース電極およびドレイン電極とを備えている。この有機半導体層は、ソース電極およびドレイン電極に重なる部分（重なり部分）と重ならない部分（非重なり部分）とを含んでおり、複数の有機半導体分子の配向状態は、重なり部分と非重なり部分との間において異なっている。また、本発明の電子機器は、上記した本発明の薄膜トランジスタを備えている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の薄膜トランジスタおよび電子機器によれば、有機半導体層における複数の有機半導体分子の配向状態が重なり部分と非重なり部分との間において異なっている。この配向状態の違いにより、ソース電極から有機半導体層への電荷注入および有機半導体層からドレイン電極への電荷排出が促進される。よって、移動度およびオンオフ比が向上するため、性能向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態における薄膜トランジスタの構成を表す断面図である。
【図２】有機半導体層における複数の有機半導体分子の配向状態を説明するための断面図である。
【図３】薄膜トランジスタの製造方法（第１製造方法）を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】薄膜トランジスタの製造方法（第２製造方法）を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】薄膜トランジスタの製造方法（第３製造方法）を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図である。
【図１５】薄膜トランジスタの適用例である液晶表示装置の主要部の構成を表す断面図である。
【図１６】図１５に示した液晶表示装置の回路構成を表す図である。
【図１７】薄膜トランジスタの適用例である有機ＥＬ表示装置の主要部の構成を表す断面図である。
【図１８】図１７に示した有機ＥＬ表示装置の回路構成を表す図である。
【図１９】薄膜トランジスタの適用例である電子ペーパー表示装置の主要部の構成を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明する順序は、下記の通りである。
１．薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）およびその製造方法
２．薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）の適用例（電子機器）
２−１．液晶表示装置
２−２．有機ＥＬ表示装置
２−３．電子ペーパー表示装置
【００１４】
＜１．有機ＴＦＴおよびその製造方法＞
［有機ＴＦＴの全体構成］
図１は、本発明の一実施形態における薄膜トランジスタである有機ＴＦＴの断面構成を表している。
【００１５】
有機ＴＦＴは、有機半導体層３がゲート絶縁層２を介してゲート電極１に対向配置され、その有機半導体層３にソース電極４およびドレイン電極５が接続されたものである。ソース電極４およびドレイン電極５は、互いに離間（分離）されていると共に、それぞれ有機半導体層３に重なるように配置されている。
【００１６】
ここで説明する有機ＴＦＴは、ゲート電極１が有機半導体層３よりも下に位置すると共にソース電極４およびドレイン電極５が有機半導体層３の上に重なっているトップコンタクト・ボトムゲート型である。
【００１７】
ゲート電極１は、例えば、金属材料、無機導電性材料、有機導電性材料または炭素材料のいずれか１種類または２種類以上により形成されている。金属材料は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）またはそれらを含む合金などである。無機導電性材料は、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）などである。有機導電性材料は、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）またはポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）などである。炭素材料は、例えば、グラファイトなどである。なお、ゲート電極１は、上記した各種材料の層が２層以上積層されたものでもよく、そのように積層されていてもよいことは、ゲート絶縁層２、有機半導体層３、ソース電極４およびドレイン電極５についても同様である。
【００１８】
ゲート絶縁層２は、例えば、無機絶縁性材料または有機絶縁性材料のいずれか１種類または２種類以上により形成されている。無機絶縁性材料は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯx ）、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯx ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯx ）またはチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）などである。有機絶縁性材料は、例えば、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリイミド、ポリメタクリル酸アクリレート、感光性ポリイミド、感光性ノボラック樹脂またはポリパラキシリレンなどである。
【００１９】
有機半導体層３は、複数の有機半導体分子を含んでおり、例えば、以下で説明する低分子材料、溶解性低分子材料または高分子材料などの半導体材料のいずれか１種類または２種類以上により形成されている。低分子材料は、一般的に溶媒に溶解しにくい材料であり、例えば、ペンタセン、アントラジチオフェン、ジナフト［２，３−ｂ：２’，３’−ｆ］チエノ［３，２−ｂ］チエノフェン、２，９−ジフェニル−ペリ−キサンテノキサンテンまたは２，９−ジナフチル−ペリ−キサンテノキサンテンなどのペリ−キサンテノキサンテン化合物、あるいは銅フタロシアニンなどである。溶解性低分子材料は、低分子材料を化学修飾などして溶解性を改善した材料であり、例えば、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン、２，７−ジドデシル［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンまたは２，９−ビス（ｐ−エチルフェニル）−ペリ−キサンテノキサンテンなどである。高分子材料は、例えば、α−クウォーターチオフェン、ポリ−（β−ヘキシルチオフェン）またはポリ（２，５−ビス（３−ドデシル−５−（３−ドデシルチオフェン−２−イル）チオフェン−２−イル）チアゾロ［５，４−ｄ］チアソールなどである。
【００２０】
この他、半導体材料は、例えば、以下の材料でもよい。テトラセン、アントラセン、２，９−ジメチルペンタセン、ルブレンまたはパーフルオロペンタセンなどのアセン類化合物である。α，ω−ジアルキルアントラジチオフェンなどのアントラジチオフェン類化合物である。２，９−ビス（ｐ−プロピルフェニル）−ペリ−キサンテノキサンテンなどのペリ−キサンテノキサンテン類化合物である。２，６−ジ（２−ナフチル）ナフト［１，８−ｂｃ：５，４−ｂ’ｃ’］ジチオフェンなどのナフト［１，８−ｂｃ：５，４−ｂ’ｃ’］ジチオフェン類化合物である。２，６−ジフェニルベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェンなどのベンゾジチオフェン類化合物である。２，７−ジフェニル［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンなどの［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン類化合物である。α−クウォーターセレノフェンなどのオリゴチオフェンおよびオリゴセレノフェン類化合物である。ポリ−（３，３’”−ジドデシルクオーターチオフェン）などのβ置換チオフェンポリマーおよびオリゴマー類化合物である。α，ω−ジヘキシルクウォーターチオフェンなどのα，ω置換チオフェンオリゴマー類化合物である。ビス（ベンゾジチオフェン）などの縮環チオフェンオリゴマー類化合物である。２，５−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）チオフェンなどのチオフェン−フェニレンオリゴマー類化合物である。５，５’−ビス−（７−ヘキシル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−［２，２’］ビチオフェンなどのチオフェン−フルオレンオリゴマー類化合物である。６，６’−ジヘキシル−［２，２’］ビアントラセニルなどのチオフェン−アセンオリゴマー類化合物である。フタロシアニンまたは亜鉛フタロシアニンなどのフタロシアニン類化合物である。テトラベンゾポルフィリンなどのポルフィリン類化合物である。Ｃ60などのフラーレン類化合物である。
【００２１】
この有機半導体層３は、ソース電極４に重なっている部分Ｐ１と、ドレイン電極５に重なっている部分Ｐ２と、ソース電極４およびドレイン電極５のいずれにも重なっていない（部分Ｐ１，Ｐ２の間に位置する）部分Ｐ３とを含んでいる。部分Ｐ１，Ｐ２（重なり部分）および部分Ｐ３（非重なり部分）は、一体化されていてもよいし、別体化されていてもよい。一体化とは、部分Ｐ１〜Ｐ３が一工程により形成されているため、分離不可になっている（隣り合う２つの部分の間に界面が存在しない）状態である。一方、別体化とは、部分Ｐ１〜Ｐ３が別工程により形成されているため、分離可能になっている（隣り合う２つの部分の間に界面が存在する）状態である。部分Ｐ１〜Ｐ３が一体化されるか否かは、後述する有機ＴＦＴの製造方法（有機半導体層３の形成手順）により決定される。
【００２２】
ソース電極４およびドレイン電極５は、例えば、上記したゲート電極１と同様の材料により形成されており、有機半導体層３にオーミック接触していることが好ましい。
【００２３】
この有機ＴＦＴでは、ソース電極４から有機半導体層３を経由してドレイン電極５へ電流Ｃが流れるため、その流路に沿って電荷が移動する。この電荷の移動経路に関する詳細は、以下の通りである。まず、ソース電極４から有機半導体層３（部分Ｐ１）へ注入された電荷は、その部分Ｐ１の内部を最上部から最下部まで下向きに移動する。この最下部とは、いわゆる有機半導体層３の活性領域である。続いて、部分Ｐ１の最下部に到達した電荷は、その最下部を横方向に移動する。この場合には、部分Ｐ１から部分Ｐ３を経由して部分Ｐ２まで電荷が移動する。最後に、部分Ｐ２の最下部に到達した電荷は、その部分Ｐ２の内部を最下部から最上部まで上向きに移動したのち、有機半導体層３からドレイン電極５へ排出される。
【００２４】
このように有機半導体層３の内部を電荷が移動する場合には、２種類の電気抵抗が生じる。部分Ｐ１，Ｐ２の内部を電荷が縦方向（上方向または下方向）に移動する際に生じる電気抵抗Ｒ１Ｙ，Ｒ２Ｙと、部分Ｐ３の内部を電荷が横方向に移動する際に生じる電気抵抗Ｒ３Ｘとである。電気抵抗Ｒ１Ｙ，Ｒ２Ｙは、有機半導体層３の厚さ方向における電気抵抗（いわゆるバルク抵抗）であり、電気抵抗Ｒ３Ｘは、有機半導体層３の厚さ方向と交差する方向における電気抵抗（いわゆるチャネル抵抗）である。
【００２５】
上記した電荷の移動経路に関する詳細は、T.Minari等によりApplied Physics Letters において報告されている（T.Minari et al.,Applied Physics Letters 91,p.053508,2007）。
【００２６】
なお、有機ＴＦＴは、上記以外の他の構成要素を備えていてもよい。このような他の構成要素としては、例えば、有機ＴＦＴを支持する基体などが挙げられる。この基体は、例えば、ガラス、プラスチック材料または金属材料などの基板でもよいし、プラスチック材料または金属材料などのフィルムでもよいし、紙（一般紙）でもよい。プラスチック材料は、例えば、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）またはポリエチルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などである。金属材料は、例えば、アルミニウム、ニッケルまたはステンレスなどである。なお、基体の表面には、例えば、密着性を確保するためのバッファ層またはガス放出を防止するためのガスバリア層などの各種層が設けられていてもよい。
【００２７】
［有機半導体層の構成］
図２は有機半導体分子Ｍの配向状態を表しており、（Ａ）は図１に示した有機半導体層３、（Ｂ）は比較例である有機半導体層１０３をそれぞれ示している。
【００２８】
有機半導体層３では、部分Ｐ１，Ｐ２と部分Ｐ３との間において有機半導体分子Ｍの配向状態（結晶性）が異なっている。この場合には、例えば、図２（Ａ）に示したように、部分Ｐ３では有機半導体分子Ｍの配向状態が規則的であり、その長軸方向が所定の方向に揃っているのに対して、部分Ｐ１，Ｐ２では有機半導体分子Ｍの配向状態が不規則であり、その長軸方向がばらついていてもよい。図１において有機半導体層３の一部（部分Ｐ１，Ｐ２）に施した網掛けは、その部分Ｐ１，Ｐ２において部分Ｐ３とは有機半導体分子Ｍの配向状態が異なっていることを表している。この他、例えば、部分Ｐ１〜Ｐ３において有機半導体分子Ｍの配向状態は規則的であるが、部分Ｐ１，Ｐ２と部分Ｐ３との間において有機半導体分子Ｍの並び方（配向（傾斜）角度など）が異なっていてもよい。
【００２９】
有機半導体分子Ｍの配向状態を調べるためには、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）または原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）などの各種顕微鏡を用いて有機半導体層３を観察すればよい。また、例えば、Ｘ線回折法またはラマン分光法などを用いて有機半導体層３を分析してもよい。これらの観察または分析により、有機半導体分子Ｍの配向状態が部分Ｐ１，Ｐ２と部分Ｐ３との間において異なっているかどうかを確認できる。また、配向状態が規則的であるかどうかなども確認できる。
【００３０】
ここで、部分Ｐ３の厚さ方向における電気抵抗（バルク抵抗）Ｒ３Ｙを加味すると、上記した有機半導体分子Ｍの配向状態の違いにより、部分Ｐ１，Ｐ２の電気抵抗Ｒ１Ｙ，Ｒ２Ｙは部分Ｐ３の電気抵抗Ｒ３Ｙよりも小さくなっている。部分Ｐ３では厚さ方向において電荷が移動しにくいのに対して、部分Ｐ１，Ｐ２では厚さ方向において部分Ｐ３よりも電荷が移動しやすいからである。
【００３１】
なお、有機半導体層１０３では、部分Ｐ１〜Ｐ３の間において有機半導体分子Ｍの配向状態が一致しており、例えば、図２（Ｂ）に示したように、その配向状態が規則的である。この場合には、図２（Ａ）に示した有機半導体層３とは異なり、部分Ｐ１，Ｐ２の電気抵抗Ｒ１Ｙ，Ｒ２Ｙが部分Ｐ３の電気抵抗Ｒ３Ｙに等しくなっている。
ている。
【００３２】
［有機ＴＦＴの製造方法］
この有機ＴＦＴを製造するためには、いくつかの手順を用いることができる。図３〜図１４は有機ＴＦＴの製造方法を説明するためのものであり、いずれも図１に対応する断面構成を示している。以下では、一連の構成要素の形成材料については既に説明したので、それらの説明を随時省略する。なお、以下で説明する有機ＴＦＴの製造方法はあくまで一例であり、各構成要素の形成材料および形成方法などは適宜変更可能である。
【００３３】
［第１製造方法］
最初に、図３に示したように、ゲート電極１を形成する。この場合には、例えば、金属材料層を形成したのち、その金属材料層の上にレジストパターンなどのマスク（図示せず）を形成する。続いて、マスクを用いて金属材料層をエッチングしたのち、アッシング法またはエッチング法などを用いてマスクを除去する。金属材料層の形成方法は、例えば、真空成膜法、塗布法または鍍金法などである。真空成膜法は、例えば、真空蒸着法、フラッシュ蒸着法、スパッタリング法、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）またはアーク放電法などである。塗布法は、例えば、スピンコート法、スリットコート法、バーコート法またはスプレーコート法などである。鍍金法は、例えば、電解鍍金法または無電解鍍金法などである。レジストパターンを形成する場合には、例えば、フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成したのち、フォトリソグラフィ法、レーザ描画法、電子線描画法またはＸ線描画法などを用いてフォトレジスト膜をパターニングする。ただし、レジスト転写法などを用いてレジストパターンを形成してもよい。金属材料層のエッチング方法は、例えば、ドライエッチング法、またはエッチャント溶液を用いたウェットエチング法であり、そのドライエッチング法は、例えば、イオンミリングまたは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などである。マスクを除去するためのエッチング方法も、同様である。なお、ゲート電極１の形成方法は、例えば、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法またはグラビアオフセット印刷法などの印刷法でもよい。また、レーザアブレーション法、マスク蒸着法またはレーザ転写法などを用いて、マスクとしてレジストパターンの代わりに金属パターンなどを形成してもよい。もちろん、ゲート電極１を形成するために、金属材料層の代わりに無機導電性材料層、有機導電性材料層または炭素材料層などを形成してもよい。
【００３４】
続いて、ゲート電極１を覆うようにゲート絶縁層２を形成する。このゲート絶縁層２の形成手順は、例えば、その形成材料により異なる。無機絶縁性材料を用いる場合の形成手順は、例えば、塗布法がゾル・ゲル法などでもよいことを除き、ゲート電極１を形成した場合と同様である。有機絶縁性材料を用いる場合の形成手順は、例えば、フォトリソグラフィ法などを用いて感光性材料をパターニングしてもよいことを除き、ゲート電極１を形成した場合と同様である。
【００３５】
続いて、ゲート絶縁層２の上に有機半導体層６を形成する。この有機半導体層６は、有機半導体層３を形成するための準備層であり、その形成材料としては、有機半導体層３と同様の材料を用いる。この場合には、ゲート電極１を形成した場合と同様の手順を用いる。具体的には、ゲート絶縁層２を覆うように有機半導体層６を形成したのち、その有機半導体層６をエッチングする。有機半導体層６の形成方法は、例えば、その形成材料により異なる。低分子材料を用いる場合の形成方法は、例えば、ゲート電極１を形成した場合と同様の真空成膜法などである。溶解性低分子材料を用いる場合の形成方法は、例えば、ゲート電極１を形成した場合と同様の真空成膜法、塗布法または印刷法などである。高分子材料を用いる場合の形成方法は、例えば、ゲート電極１を形成した場合と同様の塗布法または印刷法などである。一般的に、溶解性が高い材料を用いる場合には塗布法または印刷法などを用いると共に、溶解性が低い材料または非溶解性の材料を用いる場合には真空成膜法などを用いることが好ましい。この有機半導体層６では、図２（Ｂ）に示した有機半導体層１０３と同様に、全体において有機半導体分子Ｍの配向状態が一致している。
【００３６】
続いて、有機半導体層６の上にマスク（ストッパ層）７を形成する。この場合には、例えば、ゲート電極１を形成した場合と同様の手順を用いる。具体的には、有機半導体層６の上にマスク７を形成するための層を形成したのち、その層をレジストパターンなどをマスクとしてエッチングする。また、有機半導体層６のうち、最終的に部分Ｐ３となる部分の上に配置されるようにマスク７を位置合わせする。このマスク７を形成するための層の形成材料としては、例えば、ポリパラキシリレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）または酸化ケイ素などの絶縁性材料を用いる。
【００３７】
続いて、有機半導体層６を有機溶媒などの溶剤に接触させて、図４に示したように、有機半導体層３（部分Ｐ１〜Ｐ３）を形成する。この場合には、有機半導体層６の一部（マスク７により覆われていない部分）だけが溶剤に暴露されるため、その部分における有機半導体分子の配向状態が変化する。詳細には、有機半導体層６の一部が溶剤により一部溶解または膨潤されるため、その部分において有機半導体分子Ｍの配向状態が乱れる。溶剤の種類は、有機半導体層６の形成材料に応じて任意に選択可能である。例えば、イソプロピルアルコールまたはエタノールなどのアルコールである。この他、アセトンまたはプロピレングリコールモノエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）などでもよい。有機半導体層６を溶剤に接触させるためには、溶剤中に有機半導体層６を浸漬させてもよいし、有機半導体層６に溶剤を滴下などしてもよい。
【００３８】
上記した溶剤による有機半導体分子の配向状態の変化に関する詳細は、D.J.Gundlach等によりApplied Physics Letters において報告されている（D.J.Gundlach et al.,Applied Physics Letters 74,p.3302,1999）。
【００３９】
続いて、図５に示したように、有機半導体層３、マスク７およびその周辺のゲート絶縁層２を覆うように電極層８を形成する。この電極層８は、ソース電極４およびドレイン電極５を形成するための準備層であり、その形成材料としては、ソース電極４およびドレイン電極５と同様の材料を用いる。電極層８の形成方法は、例えば、ゲート電極１を形成した場合と同様であり、特に、有機半導体層３にダメージを与えにくい方法が好ましい。
【００４０】
最後に、電極層８を選択的にエッチングして、図６に示したように、ソース電極４およびドレイン電極５を形成する。この場合には、ゲート電極１を形成した場合と同様の手順を用いる。具体的には、電極層８の上にレジストパターンなどを形成したのち、それをマスクとして電極層８をエッチングする。特に、電極層８のエッチング方法は、例えば、有機半導体層３にダメージを与えにくいウェットエッチング法などが好ましい。これにより、有機ＴＦＴが完成する。
【００４１】
なお、有機半導体層３を形成するために用いたマスク７を以降の工程まで残したが、有機半導体層３の形成後にＲＩＥまたはウェットエッチング法などを用いてマスク７を除去してもよい。この場合には、図１に示した薄膜トランジスタが製造される。このようにマスク７を除去してもよいことは、後述する第２および第３製造方法においても同様である。
【００４２】
また、有機半導体分子の配向状態を変化させるために有機半導体層６を溶剤に接触させたが、他の方法を用いてもよい。このような他の方法としては、例えば、特定の材料を含む溶液またはガスに有機半導体層６を暴露したり、有機半導体層６に特定の光線を照射する方法などが挙げられ、両者を併用してもよい。特定の材料は、例えば、ヨウ素（Ｉ）または臭素（Ｂｒ）などである。特定の光線は、例えば、レーザ、電子線、Ｘ線、紫外線、赤外線または可視光などである。両者を併用する方法は、例えば、紫外線オゾン処理などである。これらの場合には、有機半導体層６の一部が反応または変質するため、その部分において有機半導体分子の配向状態が変化する。
【００４３】
上記した特定の溶液またはガスによる有機半導体分子の配向状態の変化に関する詳細は、T.Minakata等によりJournal of Applied Physics Letters において報告されている（T.Minakata et al.,Journal of Applied Physics Letters 69,p.7354,1991）。
【００４４】
第１製造方法では、溶剤などによる付加的処理が施された有機半導体層６が有機半導体層３になるため、その有機半導体層３では部分Ｐ１〜Ｐ３が一体化される。
【００４５】
［第２製造方法］
最初に、第１製造方法と同様の手順（図３参照）によりゲート電極１からマスク７まで形成したのち、図７に示したように、マスク７を用いて有機半導体層６を選択的に途中までエッチングする。有機半導体層６のエッチング方法は、例えば、ゲート電極１を形成した場合と同様の方法であり、エッチングガス（反応性ガス）を用いるＲＩＥまたはエッチャント溶液を用いるウェットエッチング法などである。この他、有機物を低速でエッチングできる紫外線（ＵＶ）オゾン法などでもよい。この場合には、エッチング時において有機半導体層６の一部（マスク７により覆われていない部分）だけがエッチングガスまたはエッチャント溶液と反応するため、その部分において有機半導体分子の配向状態が変化する。エッチングガスまたはエッチャント溶液の種類は、有機半導体層６の形成材料に応じて任意に選択可能である。エッチングガスは、例えば、酸素（Ｏ2 ）、オゾン（Ｏ3 ）または四フッ化炭素（ＣＦ4 ）などであり、エッチャント溶液は、例えば、トルエンまたはキシレンなどである。
【００４６】
続いて、図８に示したように、有機半導体層６のうちのエッチングされた部分を補うために追加有機半導体層９を形成する。この追加有機半導体層９は、有機半導体層３の一部になるものである。この追加有機半導体層９の形成材料は、有機半導体層６と同様の材料でもよいし、違う材料でもよい。追加有機半導体層９の形成方法は、例えば、有機半導体層６の形成方法と同様である。この場合には、成膜温度または基板温度などの条件を制御して、有機半導体分子の配向状態が追加有機半導体層９において有機半導体層６とは異なるようにする。これにより、追加有機半導体層９を含む有機半導体層３（部分Ｐ１〜Ｐ３）が形成される。
【００４７】
なお、追加有機半導体層９を形成する場合には、その形成材料を他の材料と一緒に共蒸着してもよい。このような他の材料は、例えば、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）などである。この場合には、ＴＣＮＱなどの他の材料がアクセプタとして働くため、追加有機半導体層９では、有機半導体分子の配向状態が有機半導体層６とは異なるだけでなく、電気抵抗が有機半導体層６よりも大幅に低下する。
【００４８】
最後に、第１製造方法と同様の手順（図５および図６参照）により、図９に示したように、ソース電極４およびドレイン電極５を形成する。これにより、有機ＴＦＴが完成する。
【００４９】
なお、有機半導体層６の一部を途中までエッチングしたのち、そのエッチングされた部分を補うために追加有機半導体層９を形成したが、これに限られない。例えば、有機半導体層６の一部を全てエッチングしたのち、そのエッチングされた部分を補うために追加有機半導体層９を形成してもよい。この場合には、図１０に示した有機ＴＦＴが製造される。
【００５０】
また、有機半導体層６の一部を途中までエッチングしたのちに追加有機半導体層９を形成したが、その追加有機半導体層９を形成しなくてもよい。エッチングされずに残った部分Ｐ１，Ｐ２があれば、必ずしも追加有機半導体層９を形成する必要はないからである。この場合には、図１１に示した有機ＴＦＴが形成される。
【００５１】
第２製造方法では、有機半導体層６とは別工程により追加有機半導体層９が形成されるため、有機半導体層３では部分Ｐ１，Ｐ２の一部または全部が部分Ｐ３とは別体化される。
【００５２】
［第３製造方法］
最初に、第２製造方法と同様の手順（図３および図７参照）により、ゲート電極１からマスク７まで形成したのち、図１２に示したように、マスク７を用いて有機半導体層６を選択的にエッチングする。この場合には、有機半導体層６の一部（マスク７により覆われていない部分）を全て除去する。
【００５３】
続いて、マスク７を用いてゲート絶縁層２の一部（マスク７により覆われていない表面）に表面処理ＴＲを施す。この表面処理ＴＲは、シランカップリング剤などの溶液を用いた塗布処理でもよいし、その加熱気化物などを用いた暴露処理でもよい。いずれの場合においても、表面処理ＴＲが施されたゲート絶縁層２の表面物性は改質される。
【００５４】
続いて、図１３に示したように、有機半導体層６のうちのエッチングされた部分を補うために、追加有機半導体層１０を形成する。この追加有機半導体層１０は、有機半導体層３の一部になるものであり、その形成材料としては、有機半導体層３と同様の材料を用いる。この追加有機半導体層１０の形成材料は、有機半導体層６と同様の材料でもよいし、違う材料でもよい。追加有機半導体層１０の形成方法は、例えば、有機半導体層６の形成方法と同様である。この場合には、表面処理ＴＲが施されているゲート絶縁層２の表面に追加有機半導体層１０が成膜されるため、その追加有機半導体層１０では有機半導体分子の配向状態が有機半導体層６とは変化する。これにより、追加有機半導体層１０を部分Ｐ１，Ｐ２として含む有機半導体層３が形成される。
【００５５】
最後に、第１製造方法と同様の手順（図５および図６参照）により、図１４に示したように、ソース電極４およびドレイン電極５を形成する。これにより、有機ＴＦＴが完成する。
【００５６】
第３製造方法では、有機半導体層６とは別工程により追加有機半導体層１０が形成されるため、有機半導体層３では部分Ｐ１，Ｐ２が部分Ｐ３とは別体化される。
【００５７】
［有機ＴＦＴおよびその製造方法に関する作用および効果］
上記した有機ＴＦＴおよびその製造方法によれば、図１および図２（Ａ）に示したように、有機半導体層３における有機半導体分子Ｍの配向状態が部分Ｐ１，Ｐ２と部分Ｐ３との間において異なる。このため、部分Ｐ１，Ｐ２の電気抵抗Ｒ１Ｙ，Ｒ２Ｙは、部分Ｐ３の電気抵抗Ｒ３Ｙよりも小さくなる。この場合には、有機半導体分子Ｍの配向状態が部分Ｐ１，Ｐ２と部分Ｐ３との間において一致しているため、電気抵抗Ｒ１Ｙ，Ｒ２Ｙが電気抵抗Ｒ３Ｙに等しい有機半導体層１０３（図２（Ｂ））と比較して、有機半導体層３を電流Ｃが流れやすくなる。詳細には、電気抵抗Ｒ１Ｙが電気抵抗Ｒ３Ｙよりも低くなるため、ソース電極４から有機半導体層３へ電荷が注入されやすくなる。また、電気抵抗Ｒ２Ｙが電気抵抗Ｒ３Ｙよりも低くなるため、有機半導体層３からドレイン電極５へ電荷が排出されやすくなる。これにより、有機半導体層３における電荷の注入および排出が促進される。よって、移動度およびオンオフ比が向上するため、性能向上を図ることができる。
【００５８】
＜２．有機ＴＦＴの適用例（電子機器）＞
次に、上記した有機ＴＦＴの適用例について説明する。この有機ＴＦＴは、例えば、以下で順に説明するように、いくつかの電子機器に適用可能である。
【００５９】
＜２−１．液晶表示装置＞
有機ＴＦＴは、例えば、液晶表示装置に適用される。図１５および図１６は、それぞれ液晶表示装置の主要部の断面構成および回路構成を表している。なお、以下で説明する装置構成（図１５）および回路構成（図１６）はあくまで一例であり、それらの構成は適宜変更可能である。
【００６０】
ここで説明する液晶表示装置は、例えば、有機ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶ディスプレイであり、その有機ＴＦＴは、スイッチング（画素選択）用の素子として用いられる。この液晶表示装置は、図１５に示したように、駆動基板２０と対向基板３０との間に液晶層４１が封入されたものである。
【００６１】
駆動基板２０は、例えば、支持基板２１の一面に有機ＴＦＴ２２、平坦化絶縁層２３および画素電極２４がこの順に形成されていると共に、複数の有機ＴＦＴ２２および画素電極２４がマトリクス状に配置されたものである。ただし、１画素内に含まれる有機ＴＦＴ２２の数は、１つでもよいし、２つ以上でもよい。図１５および図１６では、例えば、１画素内に１つの有機ＴＦＴ２２が含まれる場合を示している。
【００６２】
支持基板２１は、例えば、ガラスまたはプラスチック材料などの透過性材料により形成されており、有機ＴＦＴ２２は、上記した有機ＴＦＴと同様の構成を有している。プラスチック材料の種類は、例えば、有機ＴＦＴについて説明した場合と同様であり、そのことは、以降で説明する場合においても同様である。平坦化絶縁層２３は、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂材料により形成されており、画素電極２４は、例えば、ＩＴＯなどの透過性導電性材料により形成されている。なお、画素電極２４は、平坦化絶縁層２３に設けられたコンタクトホール（図示せず）を通じて有機ＴＦＴ２２に接続されている。
【００６３】
対向基板３０は、例えば、支持基板３１の一面に対向電極３２が全面形成されたものである。支持基板３１は、例えば、ガラスまたはプラスチック材料などの透過性材料により形成されており、対向電極３２は、例えば、ＩＴＯなどの透過性導電性材料により形成されている。
【００６４】
駆動基板２０および対向基板３０は、液晶層４１を挟んで画素電極２４と対向電極３２とが対向するように配置されていると共に、シール材４０により貼り合わされている。液晶層４１に含まれる液晶分子の種類は、任意に選択可能である。
【００６５】
この他、液晶表示装置は、例えば、位相差板、偏光板、配向膜およびバックライトユニットなどの他の構成要素（いずれも図示せず）を備えていてもよい。
【００６６】
液晶表示装置を駆動させるための回路は、例えば、図１６に示したように、有機ＴＦＴ２２および液晶表示素子４４（画素電極２４、対向電極３２および液晶層４１を含む素子部）と共に、キャパシタ４５を含んでいる。この回路では、行方向に複数の信号線４２が配列されていると共に列方向に複数の走査線４３が配列されており、それらが交差する位置に有機ＴＦＴ２２、液晶表示素子４４およびキャパシタ４５が配置されている。有機ＴＦＴ２２におけるソース電極、ゲート電極およびドレイン電極の接続先は、図１６に示した態様に限らず、任意に変更可能である。信号線４２および走査線４３は、それぞれ図示しない信号線駆動回路（データドライバ）および走査線駆動回路（走査ドライバ）に接続されている。
【００６７】
この液晶表示装置では、有機ＴＦＴ２２により液晶表示素子４４が選択され、その画素電極２４と対向電極３２との間に電界が印加されると、その電界強度に応じて液晶層４１における液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶分子の配向状態に応じて光の透過量（透過率）が制御されるため、階調画像が表示される。
【００６８】
この液晶表示装置によれば、有機ＴＦＴ２２が上記した有機ＴＦＴと同様の構成を有しているので、その移動度およびオンオフ比が向上する。よって、表示性能を向上させることができる。なお、液晶表示装置は、透過型に限らずに反射型でもよい。
【００６９】
＜２−２．有機ＥＬ表示装置＞
有機ＴＦＴは、例えば、有機ＥＬ表示装置に適用される。図１７および図１８は、それぞれ有機ＥＬ表示装置の主要部の断面構成および回路構成を表している。なお、以下で説明する装置構成（図１７）および回路構成（図１８）はあくまで一例であり、それらの構成は適宜変更可能である。
【００７０】
ここで説明する有機ＥＬ表示装置は、例えば、有機ＴＦＴをスイッチング用の素子として用いたアクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬディスプレイである。この有機ＥＬ表示装置は、駆動基板５０と対向基板６０とが接着層７０を介して貼り合わされたものであり、例えば、対向基板６０を経由して光を放出するトップエミッション型である。
【００７１】
駆動基板５０は、例えば、支持基板５１の一面に有機ＴＦＴ５２、保護層５３、平坦化絶縁層５４、画素分離絶縁層５５、画素電極５６、有機層５７、対向電極５８および保護層５９がこの順に形成されたものである。複数の有機ＴＦＴ５２、画素電極５６および有機層５７は、マトリクス状に配置されている。ただし、１画素内に含まれる有機ＴＦＴ５２の数は、１つでもよいし、２つ以上でもよい。図１７および図１８では、例えば、１画素内に２つの有機ＴＦＴ５２（選択用ＴＦＴ５２Ａおよび駆動用ＴＦＴ５２Ｂ）が含まれる場合を示している。
【００７２】
支持基板５１は、例えば、ガラスまたはプラスチック材料などにより形成されている。トップエミッション型では対向基板６０から光が取り出されるため、支持基板５１は、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。有機ＴＦＴ５２は、上記した有機ＴＦＴと同様の構成を有しており、保護層５３は、例えば、ＰＶＡまたはポリパラキシリレンなどの高分子材料により形成されている。平坦化絶縁層５４および画素分離絶縁層５５は、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂材料により形成されている。この画素分離絶縁層５５は、例えば、形成工程を簡略化すると共に所望の形状に形成可能にするために、光パターニングまたはリフローなどにより成形可能な感光性樹脂材料により形成されていることが好ましい。なお、保護層５３により十分な平坦性が得られていれば、平坦化絶縁層５４は省略されてもよい。
【００７３】
画素電極５６は、例えば、アルミニウム、銀、チタンまたはクロムなどの反射性材料により形成されており、対向電極５８は、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透過性導電性材料により形成されている。ただし、カルシウム（Ｃａ）などの透過性の金属材料またはその合金や、ＰＥＤＯＴなどの透過性の有機導電性材料により形成されていてもよい。有機層５７は、赤色、緑色または青色などの光を発生させる発光層を含んでおり、必要に応じて正孔輸送層および電子輸送層などを含む積層構造を有していてもよい。発光層の形成材料は、発生させる光の色に応じて任意に選択可能である。画素電極５６および有機層５７は、画素分離絶縁層５５により分離されながらマトリクス状に配置されているのに対して、対向電極５８は、有機層５７を介して画素電極５６に対向しながら連続的に延在している。保護層５９は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、ポリパラキシリレンまたはウレタンなどの光透過性誘電材料により形成されている。なお、画素電極５６は、保護層５３および平坦化絶縁層５４に設けられたコンタクトホール（図示せず）を通じて有機ＴＦＴ５２に接続されている。
【００７４】
対向基板６０は、例えば、支持基板６１の一面にカラーフィルタ６２が設けられたものである。支持基板６１は、例えば、ガラスまたはブラスチック材料などの透過性材料により形成されており、カラーフィルタ６２は、有機層５７において発生した光の色に対応する複数の色領域を有している。ただし、カラーフィルタ６２はなくてもよい。
【００７５】
接着層７０は、例えば、熱硬化型樹脂などの接着剤である。
【００７６】
有機ＥＬ表示装置を駆動させるための回路は、例えば、図１８に示したように、有機ＴＦＴ５２（選択用ＴＦＴ５２Ａおよび駆動用ＴＦＴ５２Ｂ）および有機ＥＬ表示素子７３（画素電極５６、有機層５７および対向電極５８を含む素子部）と共に、キャパシタ７４を含んでいる。この回路では、複数の信号線７１および走査線７２が交差する位置に、有機ＴＦＴ５２、有機ＥＬ表示素子７３およびキャパシタ７４が配置されている。選択用ＴＦＴ５２Ａおよび駆動用ＴＦＴ５２Ｂにおけるソース電極、ゲート電極およびドレイン電極の接続先は、図１８に示した態様に限らず、任意に変更可能である。
【００７７】
この有機ＥＬ表示装置では、例えば、選択用ＴＦＴ５２Ａにより有機ＥＬ表示素子７３が選択されると、その有機ＥＬ表示素子７３が駆動用ＴＦＴ５２Ｂにより駆動される。これにより、画素電極５６と対向電極５８との間に電界が印加されると、有機層５７において光が発生する。この場合には、例えば、隣り合う３つの有機ＥＬ表示素子７３において、それぞれ赤色、緑色または青色の光が発生する。これらの光の合成光が対向基板６０を経由して外部へ放出されるため、階調画像が表示される。
【００７８】
この有機ＥＬ表示装置によれば、有機ＴＦＴ５２が上記した有機ＴＦＴと同様の構成を有しているので、液晶表示装置と同様に表示性能を向上させることができる。
【００７９】
なお、有機ＥＬ表示装置は、トップエミッション型に限らず、駆動基板５０を経由して光を放出するボトムエミッション型でもよいし、駆動基板５０および対向基板６０の双方を経由して光を放出するデュアルエミッション型でもよい。この場合には、画素電極５６および対向電極５８のうち、光が放出される側の電極が透過性材料により形成され、光が放出されない側の電極が反射性材料により形成されることになる。
【００８０】
＜２−３．電子ペーパー表示装置＞
有機ＴＦＴは、例えば、電子ペーパー表示装置に適用される。図１９は、電子ペーパー表示装置の断面構成を表している。なお、以下で説明する装置構成（図１９）および図１６を参照して説明する回路構成はあくまで一例であり、それらの構成は適宜変更可能である。
【００８１】
ここで説明する電子ペーパー表示装置は、例えば、有機ＴＦＴをスイッチング用の素子として用いたアクティブマトリクス駆動方式の電子ペーパーディスプレイである。この電子ペーパー表示装置は、例えば、駆動基板８０と複数の電気泳動素子９３を含む対向基板９０とが接着層１００を介して貼り合わされたものである。
【００８２】
駆動基板８０は、例えば、支持基板８１の一面に有機ＴＦＴ８２、保護層８３、平坦化絶縁層８４および画素電極８５がこの順に形成されていると共に、複数の有機ＴＦＴ８２および画素電極８５がマトリクス状に配置されたものである。支持基板８１は、例えば、ガラスまたはプラスチック材料などにより形成されており、有機ＴＦＴ８２は、上記した有機ＴＦＴと同様の構成を有している。保護層８３および平坦化絶縁層８４は、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂材料により形成されており、画素電極８５は、例えば、銀（Ａｇ）などの金属材料により形成されている。なお、画素電極８５は、保護層８３および平坦化絶縁層８４に設けられたコンタクトホール（図示せず）を通じて有機ＴＦＴ８２に接続されている。また、保護層８３により十分な平坦性が得られていれば、平坦化絶縁層８４は省略されてもよい。
【００８３】
対向基板９０は、例えば、支持基板９１の一面に対向電極９２、および複数の電気泳動素子９３を含む層がこの順に積層されていると共に、その対向電極９２が全面形成されたものである。支持基板９１は、例えば、ガラスまたはプラスチック材料などの透過性材料により形成されており、対向電極９２は、例えば、ＩＴＯなどの透過性導電性材料により形成されている。電気泳動素子９３は、例えば、絶縁性液体中に荷電粒子が分散され、それらがマイクロカプセル中に封入されたものである。荷電粒子は、例えば、グラファイト微粒子などである黒粒子と、酸化チタン微粒子などである白粒子とを含んでいる。
【００８４】
この他、電子ペーパー表示装置は、例えば、カラーフィルタなどの他の構成要素（図示せず）を備えていてもよい。
【００８５】
電子ペーパー表示装置を駆動させるための回路は、例えば、図１６に示した液晶表示装置の回路と同様の構成を有している。電子ペーパー表示装置の回路は、有機ＴＦＴ２２および液晶表示素子４４の代わりに、それぞれ有機ＴＦＴ８２および電子ペーパー表示素子（画素電極８５、対向電極９２および電気泳動素子９３を含む素子部）を含んでいる。
【００８６】
この電子ペーパー表示装置では、有機ＴＦＴ８２により電子ペーパー表示素子が選択され、その画素電極８５と対向電極９２との間に電界が印加されると、その電界に応じて電気泳動素子９３中の黒粒子または白粒子が対向電極９２に引き寄せられる。これにより、黒粒子および白粒子によりコントラストが表現されるため、階調画像が表示される。
【００８７】
この電子ペーパー表示装置によれば、有機ＴＦＴ８２が上記した有機ＴＦＴと同様の構成を有しているので、液晶表示装置と同様に表示性能を向上させることができる。
【００８８】
以上、実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は実施形態で説明した態様に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、本発明の薄膜トランジスタの構造は、トップコンタクト・ボトムゲート型に限らず、ボトムコンタクト・ボトムゲート型、トップコンタクト・トップゲート型またはボトムコンタクト・トップゲート型でもよい。ボトムコンタクト・トップゲート型を例に挙げると、この場合には、ソース電極４およびドレイン電極５、ならびに有機半導体層３（部分Ｐ１〜Ｐ３）をこの順に形成したのち、ゲート絶縁層２およびゲート電極１をこの順に形成すればよい。これらの場合においても、ソース電極およびドレイン電極が有機半導体層に重なっているため、ソース電極から有機半導体層への電荷注入および有機半導体層からドレイン電極への電荷排出が促進される。よって、トップコンタクト・ボトムゲート型と同様の効果を得ることができる。
【００８９】
また、例えば、本発明の薄膜トランジスタが適用される電子機器は、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置または電子ペーパー表示装置に限らず、他の表示装置でもよい。このような他の表示装置としては、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）表示部（ＭＥＭＳ型ディスプレイ）などが挙げられる。この場合においても、表示性能を向上させることができる。
【００９０】
さらに、例えば、本発明の薄膜トランジスタは、表示装置以外の他の電子機器に適用されてもよい。このような電子機器としては、例えば、センサマトリクス、メモリセンサ、ＲＦＩＤタグ（Radio Frequency Identification）またはセンサアレイなどが挙げられる。この場合においても、よって、薄膜トランジスタの移動度およびオンオフ比が向上するため、性能向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００９１】
１…ゲート電極、２…ゲート絶縁層、３，６…有機半導体層、４…ソース電極、５…ドレイン電極、７…マスク、８…電極層、９，１０…追加有機半導体層、Ｍ…有機半導体分子、Ｐ１〜Ｐ３…部分、Ｒ１Ｙ，Ｒ２Ｙ，Ｒ３Ｘ，Ｒ３Ｙ…電気抵抗。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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