(57)【要約】【課題】本発明は、第１樹脂層と第２樹脂層との密着性を十分に確保し、第２樹脂層の厚みを薄くすることが可能な樹脂多層基板及び該樹脂多層基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る樹脂多層基板１は、電子部品を内蔵してある部品内蔵層（第１樹脂層）２０と、部品内蔵層（第１樹脂層）２０の一面に積層してある薄層樹脂層（第２樹脂層）３０とを備える。部品内蔵層２０に設けてあり、一端が部品内蔵層２０の一面に至るビア導体（第１ビア導体）２３と、部品内蔵層２０の一面に形成してある凹部２７とをさらに備える。薄層樹脂層３０は、凹部２７の形状に沿って部品内蔵層２０の一面に積層してある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を内蔵してある第１樹脂層と、該第１樹脂層の一面に積層してある第２樹脂層とを備える樹脂多層基板において、
前記第１樹脂層に設けてあり、一端が前記第１樹脂層の前記一面に至る第１ビア導体と、
前記第１樹脂層の前記一面に形成してある凹部と
を備え、
前記第２樹脂層は、前記凹部の形状に沿って前記第１樹脂層の前記一面に積層してあることを特徴とする樹脂多層基板。
【請求項２】
前記凹部の形状は、穴形状及び／又はスリット形状であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂多層基板。
【請求項３】
前記凹部は、内蔵してある前記電子部品の直上に位置する前記第１樹脂層の前記一面に形成してあることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂多層基板。
【請求項４】
内蔵してある前記電子部品の直上に位置する前記凹部の深さに比べて、他に位置する前記凹部の深さが深くなるようにしてあることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
【請求項５】
前記凹部を、前記第１ビア導体の周囲に形成してあることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂多層基板。
【請求項６】
少なくとも一面に配線パターンを形成してあるベース層を備え、
前記配線パターンが形成してある前記ベース層の一面に、前記第１樹脂層、前記第２樹脂層を順に積層し、前記配線パターンと前記第１ビア導体とを電気的に接続してあることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
【請求項７】
前記第１樹脂層の、前記第２樹脂層が積層してある面とは反対側の面に形成してある配線パターンと、
前記第１樹脂層に内蔵し、前記配線パターンに実装してある電子部品とを備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
【請求項８】
前記ベース層の少なくとも一面に電子部品を実装し、実装してある前記電子部品を前記第１樹脂層に内蔵してあることを特徴とする請求項６に記載の樹脂多層基板。
【請求項９】
前記第２樹脂層の、前記第１樹脂層に積層されている面とは反対側の面に形成してある表面電極と、
前記第２樹脂層に設けてあり、一端が前記表面電極と、他端が前記第１ビア導体とそれぞれ電気的に接続してある第２ビア導体と
を備え、
前記表面電極は、前記樹脂多層基板を載置するマザー基板に形成してある電極と電気的に接続してあることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
【請求項１０】
電子部品を内蔵してある第１樹脂層と、該第１樹脂層の一面に積層してある第２樹脂層とを備える樹脂多層基板を製造する方法において、
硬化状態の前記第１樹脂層の前記一面に、少なくとも開口部を有する第１ビアホールを形成する第１工程と、
前記第１樹脂層の前記一面に凹部を形成する第２工程と、
未硬化状態の前記第２樹脂層に第２ビアホールを形成し、前記第１ビアホールと前記第２ビアホールとが連接するように、前記凹部の形状に沿って前記第１樹脂層の前記一面に前記第２樹脂層を積層する第３工程と、
前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールに導電性ペーストを充填して第１ビア導体及び第２ビア導体を形成する第４工程と、
前記導電性ペースト及び前記第２樹脂層を硬化状態にする第５工程と
を含むことを特徴とする樹脂多層基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１工程で形成する前記第１ビアホールと、前記第２工程で形成する前記凹部とは、同じ装置で連続して形成してあることを特徴とする請求項１０に記載の樹脂多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも２層以上の樹脂層と、ビア導体とを備える樹脂多層基板及び該樹脂多層基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の高密度実装化に伴い、電子部品の実装に、複数のビアホールの導電性ペーストの密度を高め、それぞれの樹脂層にビア導体を連接して設けてある樹脂多層基板が用いられている。例えば特許文献１には、それぞれの樹脂層に設けたビア導体を連接してある樹脂多層基板及び該樹脂多層基板を製造する方法が開示されている。
【０００３】
特許文献１に開示されている樹脂多層基板及び該樹脂多層基板を製造する方法は、ＩＣを実装したキャリアを樹脂でモールドして硬化状態にした配線基板（第１樹脂層）に、ブラインドビアホールを形成してデスミア処理を行い、貫通ビアホールを形成する。ブラインドビアホール及び貫通ビアホールのそれぞれに導電性ペーストを充填し、ブラインドビアホールと貫通ビアホールとが連接するように、配線基板に薄層樹脂層（第２樹脂層）をラミネートする。薄層樹脂層上に銅箔をラミネートして、薄層樹脂層及び導電性ペーストを硬化状態にし、銅箔をパターニングして表面電極を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１２４３８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に開示されている樹脂多層基板では、貫通ビアホールを形成した後の薄層樹脂層に銅箔をラミネートするため、強い圧力を銅箔に加えると貫通ビアホールを形成した位置で銅箔が変形するおそれがあり、十分な圧力を銅箔に加えることができない。そのため、配線基板と薄層樹脂層との間、薄層樹脂層と銅箔との間で密着性を十分に確保することができない可能性があるという問題があった。
【０００６】
また、特許文献１に開示されている樹脂多層基板では、配線基板と銅箔との間に薄層樹脂層を設ける必要があるため、樹脂多層基板の厚みが薄層樹脂層の厚み分だけ厚くなるという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、第１樹脂層と第２樹脂層との密着性を十分に確保し、第２樹脂層の厚みを薄くすることが可能な樹脂多層基板及び該樹脂多層基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために第１発明に係る樹脂多層基板は、電子部品を内蔵してある第１樹脂層と、該第１樹脂層の一面に積層してある第２樹脂層とを備える樹脂多層基板において、前記第１樹脂層に設けてあり、一端が前記第１樹脂層の前記一面に至る第１ビア導体と、前記第１樹脂層の前記一面に形成してある凹部とを備え、前記第２樹脂層は、前記凹部の形状に沿って前記第１樹脂層の前記一面に積層してある。
【０００９】
また、第２発明に係る樹脂多層基板は、第１発明において、前記凹部の形状は、穴形状及び／又はスリット形状である。
【００１０】
また、第３発明に係る樹脂多層基板は、第１又は第２発明において、前記凹部は、内蔵してある前記電子部品の直上に位置する前記第１樹脂層の前記一面に形成してある。
【００１１】
また、第４発明に係る樹脂多層基板は、第１乃至第３発明のいずれか一つにおいて、内蔵してある前記電子部品の直上に位置する前記凹部の深さに比べて、他に位置する前記凹部の深さが深くなるようにしてある。
【００１２】
また、第５発明に係る樹脂多層基板は、第１又は第２発明において、前記凹部を、前記第１ビア導体の周囲に形成してある。
【００１３】
また、第６発明に係る樹脂多層基板は、第１乃至第５発明のいずれか一つにおいて、少なくとも一面に配線パターンを形成してあるベース層を備え、前記配線パターンが形成してある前記ベース層の一面に、前記第１樹脂層、前記第２樹脂層を順に積層し、前記配線パターンと前記第１ビア導体とを電気的に接続してある。
【００１４】
また、第７発明に係る樹脂多層基板は、第１乃至第５発明のいずれか一つにおいて、前記第１樹脂層の、前記第２樹脂層が積層してある面とは反対側の面に形成してある配線パターンと、前記第１樹脂層に内蔵し、前記配線パターンに実装してある電子部品とを備える。
【００１５】
また、第８発明に係る樹脂多層基板は、第６発明において、前記ベース層の少なくとも一面に電子部品を実装し、実装してある前記電子部品を前記第１樹脂層に内蔵してある。
【００１６】
また、第９発明に係る樹脂多層基板は、第１乃至第８発明のいずれか一つにおいて、前記第２樹脂層の、前記第１樹脂層に積層されている面とは反対側の面に形成してある表面電極と、前記第２樹脂層に設けてあり、一端が前記表面電極と、他端が前記第１ビア導体とそれぞれ電気的に接続してある第２ビア導体とを備え、前記表面電極は、前記樹脂多層基板を載置するマザー基板に形成してある電極と電気的に接続してある。
【００１７】
上記目的を達成するために第１０発明に係る樹脂多層基板の製造方法は、電子部品を内蔵してある第１樹脂層と、該第１樹脂層の一面に積層してある第２樹脂層とを備える樹脂多層基板を製造する方法において、硬化状態の前記第１樹脂層の前記一面に、少なくとも開口部を有する第１ビアホールを形成する第１工程と、前記第１樹脂層の前記一面に凹部を形成する第２工程と、未硬化状態の前記第２樹脂層に第２ビアホールを形成し、前記第１ビアホールと前記第２ビアホールとが連接するように、前記凹部の形状に沿って前記第１樹脂層の前記一面に前記第２樹脂層を積層する第３工程と、前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールに導電性ペーストを充填して第１ビア導体及び第２ビア導体を形成する第４工程と、前記導電性ペースト及び前記第２樹脂層を硬化状態にする第５工程とを含む。
【００１８】
また、第１１発明に係る樹脂多層基板の製造方法は、第１０発明において、前記第１工程で形成する前記第１ビアホールと、前記第２工程で形成する前記凹部とは、同じ装置で連続して形成してある。
【００１９】
第１発明では、第１ビア導体の一端が至る第１樹脂層の一面に凹部を形成し、第２樹脂層は、凹部の形状に沿って第１樹脂層の一面に積層してあるので、第１樹脂層と第２樹脂層との接触面積は形成してある凹部の分だけ広くなり、第１樹脂層と第２樹脂層との密着性を向上することができる。また、第２樹脂層は、凹部に埋め込まれる分だけ、厚みを薄くすることができる。
【００２０】
第２発明では、凹部の形状が、穴形状及び／又はスリット形状であるので、ビアホールを形成するためのレーザ装置等を利用して容易に形成することができ、製造コストを低減することができる。
【００２１】
第３発明では、凹部は、内蔵してある電子部品の直上に位置する第１樹脂層の一面に形成してあるので、内蔵してある電子部品の直上の位置で第１樹脂層と第２樹脂層との密着性を向上することができる。
【００２２】
第４発明では、内蔵してある電子部品の直上に位置する凹部の深さに比べて、他に位置する凹部の深さが深くなるようにしてあるので、凹部を埋める第２樹脂層の部分を多く確保でき、第２樹脂層の厚みをさらに薄くすることができる。
【００２３】
第５発明では、凹部を、第１ビア導体の周囲に形成してあるので、第１樹脂層から第２樹脂層が剥離しやすい第１ビア導体の周囲の第１樹脂層と第２樹脂層との密着性を向上することができる。
【００２４】
第６発明では、配線パターンが形成してあるベース層の一面に、第１樹脂層、第２樹脂層を順に積層し、配線パターンと第１ビア導体とを電気的に接続してあるので、配線パターンに電子部品を実装することができ、電子部品を高密度実装化することが可能になる。
【００２５】
第７発明では、第１樹脂層の、第２樹脂層が積層してある面とは反対側の面に形成してある配線パターンと、第１樹脂層に内蔵し、配線パターンに実装してある電子部品とを備えるので、さらに電子部品を高密度実装化することが可能になる。
【００２６】
第８発明では、ベース層の少なくとも一面に電子部品を実装し、実装してある電子部品を第１樹脂層に内蔵してあるので、電子部品をベース層の両面に実装することができ、さらに電子部品を高密度実装化することが可能になる。
【００２７】
第９発明では、第２樹脂層に形成してある表面電極が、樹脂多層基板を載置するマザー基板に形成してある電極と電気的に接続してあるので、樹脂多層基板、電子部品等を複数、マザー基板に高密度実装化することが可能になる。
【００２８】
第１０発明では、硬化状態の第１樹脂層の一面に、少なくとも開口部を有する第１ビアホールを形成し、第１樹脂層の一面に凹部を形成し、未硬化状態の第２樹脂層に第２ビアホールを形成し、第１ビアホールと第２ビアホールとが連接するように、凹部の形状に沿って第１樹脂層の一面に第２樹脂層を積層するので、第１樹脂層と第２樹脂層との接触面積は形成してある凹部の分だけ広くなり、第１樹脂層と第２樹脂層との密着性を向上することができる。また、第２樹脂層は、凹部に埋め込まれる分だけ、厚みを薄くすることができる。
【００２９】
第１１発明では、第１工程で形成する第１ビアホールと、第２工程で形成する凹部とは、同じ装置で連続して形成してあるので、新たな装置を導入することなく、別々の装置で加工する必要がないので製造コストを低減することができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明に係る樹脂多層基板及び樹脂多層基板の製造方法は、第１ビア導体の一端が至る第１樹脂層の一面に凹部を形成し、第２樹脂層は、凹部の形状に沿って第１樹脂層の一面に積層してあるので、第１樹脂層と第２樹脂層との接触面積は形成してある凹部の分だけ広くなり、第１樹脂層と第２樹脂層との密着性を向上することができる。また、第２樹脂層は、凹部に埋め込まれる分だけ、厚みを薄くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板の別の構成を示す断面図である。
【図１１】マザー基板に実装されている本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板の構成を示す断面図である。
【図１２】ベース層を備えない本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板の構成を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２に係る部品樹脂層の平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２に係る別の部品樹脂層の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態における樹脂多層基板及び樹脂多層基板の製造方法について、図面を用いて具体的に説明する。以下の実施の形態は、特許請求の範囲に記載された発明を限定するものではなく、実施の形態の中で説明されている特徴的事項の組み合わせの全てが解決手段の必須事項であるとは限らないことは言うまでもない。
【００３３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板の構成を示す断面図である。図１に示すように、実施の形態１に係る樹脂多層基板１は、ベース層１０、部品内蔵層（第１樹脂層）２０、薄層樹脂層（第２樹脂層）３０を順に積層してある。ベース層１０は、セラミック、ガラス、エポキシ樹脂等で構成され、両面に配線パターン１１ａ、１１ｂが形成してある。ベース層１０の、配線パターン１１ａが形成してある面には、ＩＣ素子１２が、配線パターン１１ｂが形成してある面には電子部品１３、１３がはんだ等の導電性接合材（図示せず）を用いて実装されている。電子部品１３、１３は、表面実装型の部品であり、例えばチップコンデンサ、抵抗等である。配線パターン１１ａは、ベース層１０に形成してあるビア導体１４、１４、１４を介して配線パターン１１ｂと電気的に接続している。また、配線パターン１１ａ、１１ｂの所定位置には、絶縁性を確保する等の理由からレジスト層１５が形成してある。
【００３４】
部品内蔵層２０は、ベース層１０の配線パターン１１ｂが形成してある面に積層され、実装されている電子部品１３、１３及び配線パターン１１ｂの一部を内蔵している。部品内蔵層２０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成され、少なくとも電子部品１３、１３が外部に露出しない程度の厚みを有している。また、部品内蔵層２０には、薄層樹脂層３０が積層されている面に開口部があるビアホール２１、２１に導電性ペースト２２を充填したビア導体（第１ビア導体）２３、２３が形成してある。ビア導体２３、２３は、一端が薄層樹脂層３０が積層されている部品内蔵層２０の一面に至り、他端が配線パターン１１ｂと電気的に接続されている。さらに、部品内蔵層２０には、内蔵してある電子部品１３、１３の直上に位置する部品内蔵層２０の一面に複数の凹部２７、２７、・・・が形成してある。凹部２７、２７、・・・は、ビアホール２１、２１の深さより浅く、内蔵してある電子部品１３、１３に至らない程度の深さを有している。なお、凹部２７、２７、・・・の断面形状は、くさび形に限定されるものではなく、半円形、四角形等であっても良い。
【００３５】
薄層樹脂層３０は、部品内蔵層２０に比べて十分に薄く、部品内蔵層２０をベース層１０とで挟むように積層してある。薄層樹脂層３０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成されている。薄層樹脂層３０には、ビアホール３１、３１に導電性ペースト２２を充填したビア導体（第２ビア導体）３３、３３が形成してある。ビア導体３３、３３は、一端が薄層樹脂層３０の、部品内蔵層２０に積層されている面とは反対側の面に形成してある表面電極３４と、他端がビア導体２３、２３とそれぞれ電気的に接続してある。また、薄層樹脂層３０は、凹部２７の形状に沿って部品内蔵層２０の一面に積層してあるので、部品内蔵層２０と薄層樹脂層３０との接触面積が凹部２７を形成していない場合に比べて広くなり、部品内蔵層２０と薄層樹脂層３０との密着性を向上することができる。さらに、薄層樹脂層３０は、凹部に埋め込まれる分だけ、厚みを薄くすることができる。なお、表面電極３４の所定位置にも、絶縁性を確保する等の理由からレジスト層３６が形成してある。
【００３６】
図２乃至９は、本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板１の製造方法を説明するための断面図である。図２は、ベース層１０の断面図を、図３は、ベース層１０に電子部品１３、１３が実装された状態を、図４は、ベース層１０に部品内蔵層２０が積層された状態を、図５は、部品内蔵層２０にビアホール２１、２１及び凹部２７、２７、・・・を形成した状態を、それぞれ示している。また、図６は、ビアホール３１、３１を形成した薄層樹脂層３０を部品内蔵層２０に積層する状態を、図７は、ビアホール２１、２１、３１、３１に導電性ペースト２２を充填した状態を、図８は、薄層樹脂層３０に金属箔を貼り付けた状態を、図９は、金属箔をパターニングして表面電極３４を形成した状態を、それぞれ示している。
【００３７】
図２に示すように、ベース層１０の両面には、配線パターン１１ａ、１１ｂが形成してあり、ベース層１０には、配線パターン１１ａと配線パターン１１ｂとを電気的に接続するためのビア導体１４、１４、１４が形成してある。配線パターン１１ａ、１１ｂは、ベース層１０のそれぞれの面の全面に形成した金属層（例えば、Ｃｕ層）に対して、フォトリソグラフィを用いて、所定パターンにパターニングして形成することができる。なお、配線パターン１１ａ、１１ｂ上に形成してあるレジスト層１５も、配線パターン１１ａ、１１ｂと同様、フォトリソグラフィを用いて形成することができる。
【００３８】
次に、図３に示すように、配線パターン１１ｂが形成してあるベース層１０に、電子部品１３、１３をはんだ等の導電性接合材（図示せず）で実装する。その後、図４に示すように、ベース層１０の電子部品１３、１３の実装面に、電子部品１３、１３及び配線パターン１１ｂの一部を内蔵するように部品内蔵層２０を形成する。部品内蔵層２０は、ベース層１０の電子部品１３、１３の実装面に、未硬化状態の樹脂シートを被せて、該樹脂シートを圧着し、硬化状態にして形成する。なお、部品内蔵層２０は、薄層樹脂層３０を積層する前に、硬化状態にしておくことが好ましい。
【００３９】
次に、図５に示すように、部品内蔵層２０の所定位置に、有底のビアホール２１、２１を形成する。ビアホール２１、２１は、部品内蔵層２０側からベース層１０側へ、部品内蔵層２０の所定位置にレーザ光を照射することで形成することができる。ビアホール２１、２１の断面形状は、レーザ光を部品内蔵層２０側から照射するため、ベース層１０に近づくに連れて径が小さくなるテーパー形状である。また、ビアホール２１、２１は、配線パターン１１ｂに達するまで形成されている。
【００４０】
さらに、内蔵してある電子部品１３、１３の直上に位置する部品内蔵層２０の一面には、複数の凹部２７、２７、・・・が形成してある。凹部２７、２７、・・・は、部品内蔵層２０側からベース層１０側へ、所定位置にレーザ光を照射することで形成することができる。凹部２７、２７、・・・の断面形状は、ビアホール２１、２１の深さより浅く、くさび形状である。凹部２７、２７、・・・を形成するレーザ光が、ビアホール２１、２１を形成するレーザ光と同じ装置から照射される場合、ビアホール２１、２１を形成した後にレーザ光の出力を小さくして、凹部２７、２７、・・・を連続で形成することができる。また、凹部２７、２７、・・・を形成するレーザ光が、ビアホール２１、２１を形成するレーザ光と異なる装置から照射される場合、ビアホール２１、２１の形成時に、凹部２７、２７、・・・の形成を並行して行うことができる。
【００４１】
なお、ビアホール２１、２１及び凹部２７、２７、・・・を形成する方法は、レーザ光を用いる方法に限定されるものではなく、機械的に部品内蔵層２０を削る方法等であっても良い。ただし、レーザ光でビアホール２１、２１及び凹部２７、２７、・・・を形成する方法を採用した場合、ビアホール２１、２１及び凹部２７、２７、・・・内の残渣を濃硫酸、クロム酸又はこれらを混合した酸等で溶解除去するデスミア処理を行う必要がある。デスミア処理はウェット処理であるため、デスミア処理後の樹脂多層基板１を乾燥させる必要がある。
【００４２】
次に、図６に示すように、ビアホール３１、３１を形成してある薄層樹脂層３０を、ビアホール２１、２１とビアホール３１、３１とが連接するように部品内蔵層２０に積層する。薄層樹脂層３０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成され、部品内蔵層２０に積層する時点では未硬化状態である。そのため、薄層樹脂層３０は、凹部２７に沿って形状が変形して、凹部２７を埋めることが可能である。なお、ビアホール３１の上端側及び下端側の径は、ビアホール２１の上端側の径よりも小さくなるように形成してある。
【００４３】
次に、図７に示すように、ビアホール２１、２１、３１、３１に導電性ペースト２２を充填する。なお、導電性ペースト２２は、銀、銅、スズ等の金属粉末を溶剤等に混ぜてペースト状にしたものである。
【００４４】
次に、図８に示すように、薄層樹脂層３０に金属箔４０（例えば、銅箔）を貼り付ける。金属箔４０を未硬化状態の薄層樹脂層３０に貼り付け、その後、薄層樹脂層３０を硬化状態にすることで金属箔４０と部品内蔵層２０とを強力に接合させる。つまり、薄層樹脂層３０は、金属箔４０と部品内蔵層２０とを接合する接合層として機能する。
【００４５】
次に、図９に示すように、金属箔４０をフォトリソグラフィを用いて、所定パターンにパターニングして表面電極３４を形成する。その後、図１に示すように、表面電極３４の所定位置に、フォトリソグラフィを用いてレジスト層３６を形成し、配線パターン１１ａ側のベース層１０に、はんだ等の導電性接合材を用いてＩＣ素子１２を実装する。
【００４６】
以上のように、本実施の形態１に係る樹脂多層基板１は、ビア導体２３、２３の一端が至る部品内蔵層２０の一面に凹部２７、２７、・・・を形成し、薄層樹脂層３０は、凹部２７、２７、・・・の形状に沿って部品内蔵層２０の一面に積層してあるので、部品内蔵層２０と薄層樹脂層３０との接触面積は形成してある凹部２７、２７、・・・の分だけ広くなり、部品内蔵層２０と薄層樹脂層３０との密着性を向上することができる。また、薄層樹脂層３０は、予め、ビアホール３１を形成する必要があるため、その際のハンドリング性を確保するだけの厚みは必要であるが、積層後は凹部２７に埋め込まれる分だけ、厚みを薄くすることができる。
【００４７】
また、本実施の形態１に係る樹脂多層基板１は、部品内蔵層２０の一面の、内蔵してある電子部品１３、１３の直上に位置する凹部２７、２７、・・・が形成してある場合に限定されるものではなく、他に位置する凹部２７が形成してあっても良い。内蔵してある電子部品１３、１３の直上に位置する部品内蔵層２０の一面に形成してある凹部２７の深さに比べて、他に位置する凹部２７の深さを深くすることができる。図１０は、本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板の別の構成を示す断面図である。図１０に示すように、内蔵してある電子部品１３、１３の直上以外に位置する部品内蔵層２０の一面以外の部品内蔵層２０の一面に形成してある凹部２７ａの深さは、内蔵してある電子部品１３、１３の直上に位置する部品内蔵層２０の一面に形成してある凹部２７ｂの深さに比べて深い。そのため、凹部２７ａを埋める薄層樹脂層３０の部分を多く確保でき、薄層樹脂層３０の厚みをさらに薄くすることができる。その他の構成については、図１に示した樹脂多層基板１の構成と同じであるため、同じ構成要素に同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４８】
なお、本実施の形態１に係る樹脂多層基板１は、マザー基板に実装することも可能である。図１１は、マザー基板に実装されている本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板１の構成を示す断面図である。図１１に示すように、樹脂多層基板１は、表面電極３４にはんだバンプ４１を形成し、該はんだバンプ４１とマザー基板４２に形成された電極４３とを接続することで、マザー基板４２に実装されている。ここで、マザー基板４１とは、複数の樹脂多層基板１や電子部品を実装して、それぞれを電気的に接続するための基板である。
【００４９】
また、本実施の形態１に係る樹脂多層基板１は、図１に示すようにベース層１０を備えるものに限定されるものではなく、ベース層１０を備えない樹脂多層基板１であっても良い。図１２は、ベース層１０を備えない本発明の実施の形態１に係る樹脂多層基板１の構成を示す断面図である。図１２に示すように、樹脂多層基板１は、部品内蔵層２０、薄層樹脂層３０を順に積層してあり、ベース層１０を備えていない。部品内蔵層２０は、薄層樹脂層３０が積層されている面とは反対側の面に配線パターン２５を設け、該配線パターン２５に実装した電子部品１３、１３を内蔵している。その他の構成については、図１に示した樹脂多層基板１の構成と同じであるため、同じ構成要素に同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
【００５０】
（実施の形態２）
図１３は、本発明の実施の形態２に係る部品内蔵層２０の平面図である。特に、図１３は、薄層樹脂層３０を貼り付ける前の部品内蔵層２０の平面図である。図１３に示すように、樹脂多層基板１は、部品内蔵層２０の一面にビアホール２１、２１が形成してある。部品内蔵層２０と薄層樹脂層３０とを貼り合わせた場合、ビアホール２１、２１が形成してある部分は部品内蔵層２０と薄層樹脂層３０とが貼り付いていない部分であり、該部分近傍の部品内蔵層２０と薄層樹脂層３０との密着性が低下する。特に、部品内蔵層２０から薄層樹脂層３０が剥離しやすい樹脂多層基板１の四隅近傍にビアホール２１、２１を形成した場合、部品内蔵層２０と薄層樹脂層３０との密着性を向上する必要性があった。
【００５１】
そこで、本実施の形態２に係る樹脂多層基板１では、ビアホール２１、２１近傍の部品内蔵層２０の一面に、凹部２７を形成することで部品内蔵層２０と薄層樹脂層３０との密着性を向上する。特に、樹脂多層基板１の四隅近傍に形成したビアホール２１、２１の近くに、凹部２７を形成することで、樹脂多層基板１の四隅において部品内蔵層２０から薄層樹脂層３０が剥離しないように、部品内蔵層２０と薄層樹脂層３０との密着性を向上する。
【００５２】
以上のように、本実施の形態２に係る樹脂多層基板１では、ビアホール２１、２１（ビア導体２３、２３）近傍の部品内蔵層２０の一面に、凹部２７を形成することで、部品内蔵層２０から薄層樹脂層３０が剥離しやすいビア導体２３、２３の周囲の部品内蔵層２０と薄層樹脂層３０との密着性を向上することができる。つまり、本実施の形態２に係る樹脂多層基板１では、部品内蔵層２０と薄層樹脂層３０との密着性を向上する必要のある部分に凹部２７を形成することで、部品内蔵層２０から薄層樹脂層３０が剥離しにくくすることができる。
【００５３】
なお、ビアホール２１、２１近傍の部品内蔵層２０の一面に形成する凹部２７の形状は穴形状に限定されるものではなく、スリット形状であっても良い。図１４は、本発明の実施の形態２に係る別の部品内蔵層２０の平面図である。図１４も、薄層樹脂層３０を貼り付ける前の部品内蔵層２０の平面図である。図１４に示すように、樹脂多層基板１は、部品内蔵層２０の一面に形成してあるビアホール２１、２１の近傍を通る格子状のスリット２８を形成してある。凹部２７の形状を穴形状からスリット形状に変更することで、部品内蔵層２０と薄層樹脂層３０との接触面積を広くすることができ、部品内蔵層２０と薄層樹脂層３０との密着性をさらに向上する。また、スリット２８を埋める薄層樹脂層３０の部分は、穴形状の凹部２７を埋める薄層樹脂層３０の部分に比べて多くなり、薄層樹脂層３０の厚みをさらに薄くすることができる。また、スリット２８は部品内蔵層２０の端縁まで形成してあるので、薄層樹脂層３０を積層する際のエアかみを防止することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１  樹脂多層基板
１０  ベース層
２０  部品内蔵層
３０  薄層樹脂層
１１ａ、１１ｂ  配線パターン
１２  ＩＣ素子
１３  電子部品
１４、２３、３３  ビア導体
１５、３６  レジスト層
２１、３１  ビアホール
２２  導電性ペースト
２７  凹部
２８  スリット
３４  表面電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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