(57)【要約】【課題】マスクを取り外す際に、マスクの貫通窓部に充填されたハンダペーストのうち、貫通窓部に接するハンダペーストが、貫通窓部に密着し貫通窓部に残ってしまい、基板上に形成される転写部が、貫通窓部に充填されたハンダペーストの量よりも少なくなることを防ぎ、貫通窓部の形状に形成できる。【解決手段】超音波伝達工程（Ｓ１０５）において、マスク５と、貫通窓部６に充填されたペースト４とに超音波振動を伝えて、貫通窓部６に充填されたペースト４と、貫通窓部６との間の密着性を弱くさせるので、マスク取外し工程（Ｓ１０６）において、貫通窓部６からペースト４が離れ易くなり、貫通窓部６にペースト４が残ることを抑制し、基板３上にペースト４からなる転写部２を形成することができる。特に、転写部２を微細に厚く、つまり転写部２の厚さＨと幅Ｗとのアスペクト比（Ｈ／Ｗ）を大きくして、基板３上に形成するためにはより効果的に作用する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にマスクを取り付けるマスク取付工程と、
前記マスクの貫通窓部にペーストを充填させるペースト充填工程と、
前記基板上に、前記ペーストからなる転写部を形成する転写工程とを備え、
前記転写工程は、前記マスクに超音波振動を伝える超音波伝達工程と、
前記マスクを前記基板から取り外すマスク取外し工程とを備えること特徴とする印刷方法。
【請求項２】
請求項１に記載の印刷方法において、前記マスク取外し工程と前記超音波伝達工程とを同時に実施することを特徴とする印刷方法。
【請求項３】
請求項２に記載の印刷方法において、前記マスク取外し工程と前記超音波伝達工程とを同時に開始することを特徴とする印刷方法。
【請求項４】
請求項１に記載の印刷方法において、前記超音波伝達工程を実施した後に、前記マスク取外し工程を実施することを特徴とする印刷方法。
【請求項５】
基板上にマスクを取り付けるマスク取付工程と、
前記マスクの貫通窓部にペーストを充填させるペースト充填工程と、
前記基板上に、前記ペーストからなる転写部を形成する転写工程とを備え、
前記転写工程は、前記マスクに超音波振動を伝える超音波伝達工程と、
前記マスクを前記基板から取り外すマスク取外し工程とを備えること特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の電子デバイスの製造方法において、前記マスク取外し工程と前記超音波伝達工程とを同時に実施することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電子デバイスの製造方法において、前記マスク取外し工程と前記超音波伝達工程とを同時に開始することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項５に記載の電子デバイスの製造方法において、前記超音波伝達工程を実施した後に、前記マスク取外し工程を実施することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、印刷方法、および電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から貫通窓部（開口部）を備えたマスクを、基板上に取り付け、スキージによりマスク上に供給されたハンダペーストを掃くことにより、貫通窓部にハンダペーストを充填し、その後マスクを取り外して、基板上にハンダペーストからなる転写部を形成する印刷方法が、様々な電子デバイスの製造方法として用いられている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−６８８４３号公報（４頁、図５〜図６）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、マスクを取り外す際に、マスクの貫通窓部に充填されたハンダペーストのうち、貫通窓部に接するハンダペーストが、貫通窓部に密着し貫通窓部に残ってしまうことで、基板上に形成される転写部が、貫通窓部に充填されたハンダペーストの量よりも少なくなり、貫通窓部の形状に形成することができないという課題がある。特に、転写部を微細に厚く基板上に形成するためには、ハンダペーストとマスクの貫通窓部との密着性が、ハンダペーストと基板との密着性に比べて大きくなるため困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものである。以下の形態または適用例により実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる印刷方法は、基板上にマスクを取り付けるマスク取付工程と、前記マスクの貫通窓部にペーストを充填させるペースト充填工程と、前記基板上に、前記ペーストからなる転写部を形成する転写工程とを備え、前記転写工程は、前記マスクに超音波振動を伝える超音波伝達工程と、前記マスクを前記基板から取り外すマスク取外し工程とを備えることを要旨とする。
【０００７】
これによれば、超音波伝達工程において、マスクとマスクの貫通窓部に充填されたペーストとに超音波振動を伝えて、マスクの貫通窓部に充填されたペーストと、貫通窓部との間の密着性を弱くさせるので、マスク取外し工程において、貫通窓部からペーストが離れ易くなり、貫通窓部にペーストが残ることを抑制し、基板上にペーストからなる転写部を形成することができる。特に、転写部を微細に厚く基板上に形成するためには、ハンダペーストとマスクの貫通窓部との密着性が、ハンダペーストと基板との密着性に比べて小さくできるため、より効果的に作用する。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかる印刷方法において、前記マスク取外し工程と前記超音波伝達工程とを同時に実施することが好ましい。
これによれば、より効率的に上述の効果を奏することができる。
【０００９】
［適用例３］上記適用例にかかる印刷方法において、前記マスク取外し工程と前記超音波伝達工程とを同時に開始することが好ましい。
これによれば、より効率的に上述の効果を奏することができる。
【００１０】
［適用例４］上記適用例にかかる印刷方法において、前記超音波伝達工程を実施した後に、前記マスク取外し工程を実施することが好ましい。
これによれば、より効率的に上述の効果を奏することができる。
【００１１】
［適用例５］本適用例にかかる電子デバイスの製造方法は、基板上にマスクを取り付けるマスク取付工程と、前記マスクの貫通窓部にペーストを充填させるペースト充填工程と、前記基板上に、前記ペーストからなる転写部を形成する転写工程とを備え、前記転写工程は、前記マスクに超音波振動を伝える超音波伝達工程と、前記マスクを前記基板から取り外すマスク取外し工程とを備えることを要旨とする。
【００１２】
これによれば、超音波伝達工程において、マスクとマスクの貫通窓部に充填されたペーストとに超音波振動を伝えて、マスクの貫通窓部に充填されたペーストと、貫通窓部との間の密着性を弱くさせるので、マスク取外し工程において、貫通窓部からペーストが離れ易くなり、貫通窓部にペーストが残ることを抑制し、基板上にペーストからなる転写部を形成した電子デバイスを得ることができる。特に、転写部を微細に厚く基板上に形成するためには、ハンダペーストとマスクの貫通窓部との密着性が、ハンダペーストと基板との密着性に比べて小さくできるため、より効果的に作用する。
【００１３】
［適用例６］上記適用例にかかる電子デバイスの製造方法において、前記マスク取外し工程と前記超音波伝達工程とを同時に実施することが好ましい。
これによれば、より効率的に上述の効果を奏することができる。
【００１４】
［適用例７］上記適用例にかかる電子デバイスの製造方法において、前記マスク取外し工程と前記超音波伝達工程とを同時に開始することが好ましい。
これによれば、より効率的に上述の効果を奏することができる。
【００１５】
［適用例８］上記適用例にかかる電子デバイスの製造方法において、前記超音波伝達工程を実施した後に、前記マスク取外し工程を実施することが好ましい。
これによれば、より効率的に上述の効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態の半導体装置を示す概略構成図。
【図２】本実施形態の印刷方法および半導体装置の製造方法のフローチャート。
【図３】本実施形態の印刷方法および半導体装置の製造方法を示す概略工程図。
【図４】本実施形態の印刷方法および半導体装置の製造方法を示す概略工程図。
【図５】本実施形態の印刷方法および半導体装置の製造方法を示す概略工程図。
【図６】本実施形態の転写工程を示すタイミングチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下の実施形態では、印刷方法、および電子デバイスとして半導体装置の製造方法を一例に挙げて説明する。
【００１８】
（本実施形態）
以下、本実施形態について、図１から図６を参照して説明する。
【００１９】
図１に示すように、電子デバイスとしての半導体装置１は、基板３と、配線として転写部２とを備えている。基板３上に、転写部２が、厚さＨ、幅Ｗで形成されている。基板３は、たとえばガラスエポキシ基板、アルミナ基板、またはガラス基板などである。転写部２は、ペースト４に硬化処理または自然乾燥処理などを施すことにより形成される（図４および図５参照）。ペースト４は、たとえばハンダペースト、導電性ペースト、絶縁性材料、封止材、接着剤、レジスト材などである。転写部２の厚さＨと幅Ｗとの比（Ｈ／Ｗ）をアスペクト比と称す。
【００２０】
図２に示すように、本実施形態の印刷方法、および半導体装置の製造方法は、基板配置工程（Ｓ１０１）、マスク取付工程（Ｓ１０２）、ペースト充填工程（Ｓ１０３）、および転写工程（Ｓ１０４）を備えている。そして、転写工程（Ｓ１０４）は、超音波伝達工程（Ｓ１０５）およびマスク取外し工程（Ｓ１０６）を備えている。
【００２１】
図３（ａ）に示すように、本実施形態の印刷方法、および半導体装置の製造方法を用いる印刷装置１０は、基板配置部１１、マスクセット部１２、保持部１３、超音波部１４、およびスキージ１５（図４参照）を備え、以下に示す機能を有している。そして、マスク５は貫通窓部６を備えている。
【００２２】
基板配置部１１上には、被印刷物である基板３が配置される。マスクセット部１２に配置されたマスク５を、保持部１３によりマスクセット部１２に固定させる。たとえば、保持部１３により、マスク５の外縁部の２箇所以上を点または面で固定させる。超音波部１４は、保持部１３に配置され、超音波を発生するとともに、保持部１３とマスク５とに超音波を伝達させる構成となっている。
【００２３】
基板配置部１１とマスクセット部１２とは、それぞれの相対的位置を近づけたり遠ざけたりする構成となっている。本実施形態では、基板配置部１１をマスクセット部１２に近づけたり遠ざけたりする構成を用いて説明する（図３および図５参照）。
【００２４】
図３（ａ）に示すように、基板配置工程（Ｓ１０１）を実施する。基板３を基板配置部１１上に配置する。
【００２５】
次に、マスク取付工程（Ｓ１０２）を実施する。基板配置部１１を、図３（ａ）において矢印で示した方向に移動させて、マスクセット部１２およびマスク５に近づける。これにより、図３（ｂ）に示すように、マスク５を基板３上に取り付ける。
【００２６】
図４に示すように、ペースト充填工程（Ｓ１０３）を実施する。
図４（ｃ）に示すように、充填剤であるペースト４を、マスク５上に供給する。そして、図４（ｃ）に実線で示したスキージ１５を、矢印で示した方向に移動させて、破線で示したスキージ１５まで移動させる。これにより、図４（ｄ）に示すように、マスク５の貫通窓部６に、ペースト４を充填させる。
【００２７】
図５に示すように、転写工程（Ｓ１０４）を実施する。
図５（ｅ）に示すように、超音波部１４を駆動させて、超音波振動をマスク５に伝える超音波伝達工程（Ｓ１０５）と、矢印で示した方向に基板配置部１１を移動させて、遠ざけるマスク取外し工程（Ｓ１０６）とを実施し、図５（ｆ）に示すように、マスクセット部１２およびマスク５から、基板３および基板３上のペースト４を遠ざける。
これにより、図５（ｆ）に示すように、マスク５を基板３から取り外し、基板３上のペースト４に硬化処理または自然乾燥処理などを施すことにより、基板３上にペースト４からなる転写部２を形成する。
【００２８】
ここで、ペースト充填工程（Ｓ１０３）を実施した後の転写工程（Ｓ１０４）、詳しくはマスク取外し工程（Ｓ１０６）および超音波伝達工程（Ｓ１０５）の実施タイミングについて図６を参照して説明する。図６で示す矢印の方向は時間ｔである。
この実施タイミングは、３パターンあり、それぞれ図６（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）にタイミングチャートを示す。そして、３パターンのいずれかの実施タイミングで、マスク取外し工程（Ｓ１０６）および超音波伝達工程（Ｓ１０５）を実施する。
【００２９】
１パターン目は、図６（ａ）に示すように、ペースト充填工程（Ｓ１０３）を実施した後、マスク取外し工程（Ｓ１０６）および超音波伝達工程（Ｓ１０５）を同時に開始して実施する。そして、先に超音波伝達工程（Ｓ１０５）を終了し、その後マスク取外し工程（Ｓ１０６）を終了する。ここで、マスク取外し工程（Ｓ１０６）および超音波伝達工程（Ｓ１０５）を同時に開始して実施するとしたが、同時に限定するものではなく、マスク取外し工程（Ｓ１０６）を開始後、超音波伝達工程（Ｓ１０５）を開始するとしてもよい。この場合も、超音波伝達工程（Ｓ１０５）およびマスク取外し工程（Ｓ１０６）の順に終了する。
【００３０】
２パターン目は、図６（ｂ）に示すように、ペースト充填工程（Ｓ１０３）を実施した後、まず超音波伝達工程（Ｓ１０５）を開始することで、マスク取外し工程（Ｓ１０６）および超音波伝達工程（Ｓ１０５）を同時に実施する。その後マスク取外し工程（Ｓ１０６）を開始する。そして、超音波伝達工程（Ｓ１０５）を終了した後、マスク取外し工程（Ｓ１０６）を終了する。
【００３１】
３パターン目は、ペースト充填工程（Ｓ１０３）を実施した後、超音波伝達工程（Ｓ１０５）を開始し、終了した後に、マスク取外し工程（Ｓ１０６）を開始し、終了する。
【００３２】
その後、基板３上のペースト４に硬化処理または自然乾燥処理などを施す。このようにして、基板３上に転写部２が形成された半導体装置１を得る（図１参照）。
【００３３】
したがって、本実施形態によれば、超音波伝達工程（Ｓ１０５）において、マスク５と、マスク５の貫通窓部６に充填されたペースト４とに超音波振動を伝えて、マスク５の貫通窓部６に充填されたペースト４と、貫通窓部６との間の密着性を弱くさせる。これにより、マスク取外し工程（Ｓ１０６）において、貫通窓部６からペースト４が離れ易くなり、貫通窓部６にペースト４が残ることを抑制し、基板３上にペースト４からなる転写部２を形成した半導体装置１を得ることができる。特に、転写部２を微細に厚く、つまり転写部２の厚さＨと幅Ｗとの比であるアスペクト比（Ｈ／Ｗ）を大きくして、基板３上に、形成するためには、ハンダペーストとマスクの貫通窓部との密着性が、ハンダペーストと基板との密着性に比べて小さくできるため、より効果的に作用する。
【００３４】
なお、上記課題の少なくとも一部を解決できる範囲での変形、改良などは前述の実施形態に含まれるものである。
【００３５】
たとえば、基板配置部１１を移動させるとして説明したが、これに限るものではなく、マスクセット部１２が移動可能な構成であってもよい。
【００３６】
そして、電子デバイスとして半導体装置の製造方法を例に挙げて説明したが、これに限るものではなく、たとえば液晶表示装置など電気泳動表示装置の封止材を形成する製造方法として用いることができる。
【符号の説明】
【００３７】
１…半導体装置、２…転写部、３…基板、４…ペースト、５…マスク、６…貫通窓部、１０…印刷装置、１１…基板配置部、１２…マスクセット部、１３…保持部、１４…超音波部、１５…スキージ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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