(57)【要約】【課題】実装後の熱ストレスによって発生するプリント配線基板の反りを緩和しつつ、半導体素子とプリント配線基板との電気的接続の高信頼性を確保すること。【解決手段】本発明の半導体素子の実装構造を適用した半導体機器１は、半導体素子１１と、半導体素子１１を実装するプリント配線基板１２と、半導体素子１１とプリント配線基板１２とを電気的に接続する突起電極１３とを備え、突起電極１３を介した半導体素子１１とプリント配線基板１２との接続を固定する接着剤層１４が半導体素子１１とプリント配線基板１２との間に配置されて構成される。接着剤層１４は、弾性率の異なる２層の接着剤層１４１，１４３で構成される。【選択図】図１
2011044535.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント配線基板上に突起電極を介して半導体素子を電気的に接続して実装する半導体素子の実装構造であって、
前記半導体素子と前記プリント配線基板との間に配置された接着剤層を備え、該接着剤層は、弾性率の異なる少なくとも２層の接着剤層で構成されたことを特徴とする半導体素子の実装構造。
【請求項２】
前記突起電極は、前記半導体素子または前記プリント配線基板に溶接接合されており、
前記接着剤層は、前記突起電極の溶接接合側に低弾性率の接着剤層を配して前記半導体素子と前記プリント配線基板との間に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の実装構造。
【請求項３】
前記半導体素子は撮像素子であり、
前記プリント配線基板は、被写体からの光を前記撮像素子に導くための開口部を有し、
前記接着剤層は、前記撮像素子と前記プリント配線基板との間に前記開口部を避けて配置されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板に対する半導体素子の実装構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子（ＩＣチップ）をプリント配線基板上に実装する方法として、半導体素子に形成された突起電極をプリント配線基板上の端子に当接させ、これらを接着剤により固定して電気的に接続する方法（フリップチップ実装）が知られている。このフリップチップ実装では、半導体素子の突起電極とプリント配線基板の端子との間に隙間が生じたり、実装後の熱ストレス等によってプリント配線基板の反りが発生し、突起電極と端子との接続部分にウキが生じたりすると、電気的接続が得られなく場合がある。
【０００３】
この種の問題を解決するための技術として、例えば特許文献１には、半導体素子のバンプ状端子形成部と配線基板との間を第１の接着剤によって接着するとともに、半導体素子のバンプ状端子非形成部と配線基板との間を第１の接着剤よりも弾性率が低い第２の接着剤によって接着する技術が開示されている。また、特許文献２には、ベアチップの電極と基板の電極とをゴム状弾性樹脂に針形状導電性フィラーを含有する弾性導電接着剤で接着接続する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−２６０５３３号公報
【特許文献２】特開２００４−１６５４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、例えば撮像素子を実装するプリント配線基板は、一般的に、撮像素子の受光部に光を導くための開口部を有し、この開口部を避けた位置で突起電極によって撮像素子を実装している。このような構成のプリント配線基板では、開口部に接着剤を配置することができないため、特許文献１を適用し、突起電極の非形成部を第２の接着剤で接着するのは難しい。また、開口部を設けたプリント配線基板にかえて透光性基板を用いた構成も知られているが、この場合も、撮像素子の受光部が位置する基板内の領域は透過性を高くする必要があるためこの領域には接着剤を配置できず、特許文献１の適用は困難であった。一方、特許文献２の技術のように低弾性率の接着剤を用いてプリント配線基板と半導体素子とを接着する場合、プリント配線基板の反りは緩和できるものの、接続信頼性が低下するという問題があった。加えて、半導体素子の高機能化が進んで突起電極の数が増大し、突起電極間が狭くなる場合が想定されるが、特許文献２の技術では、突起電極間で電気的なショートが発生する可能性があった。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みなされたものであって、実装後の熱ストレスによって発生するプリント配線基板の反りを緩和しつつ、半導体素子とプリント配線基板との電気的接続の高信頼性を確保することができる半導体素子の実装構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかる半導体素子の実装構造は、プリント配線基板上に突起電極を介して半導体素子を電気的に接続して実装する半導体素子の実装構造であって、前記半導体素子と前記プリント配線基板との間に配置された接着剤層を備え、該接着剤層は、弾性率の異なる少なくとも２層の接着剤層で構成されたことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明にかかる半導体素子の実装構造は、上記の発明において、前記突起電極は、前記半導体素子または前記プリント配線基板に溶接接合されており、前記接着剤層は、前記突起電極の溶接接合側に低弾性率の接着剤層を配して前記半導体素子と前記プリント配線基板との間に配置されたことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明にかかる半導体素子の実装構造は、上記の発明において、前記半導体素子は撮像素子であり、前記プリント配線基板は、被写体からの光を前記撮像素子に導くための開口部を有し、前記接着剤層は、前記撮像素子と前記プリント配線基板との間に前記開口部を避けて配置されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体素子とプリント配線基板との間に配置された弾性率の異なる少なくとも２層の接着剤層で構成される接着剤層によって半導体素子とプリント配線基板とを接続することができるので、低弾性率の接着剤層によって熱が生じた場合であってもプリント配線基板の反りを緩和することができるとともに、高弾性率の接着剤層によって半導体素子とプリント配線基板との接続を強固に固定できる。したがって、実装後の熱ストレスによって発生するプリント配線基板の反りを緩和しつつ、半導体素子とプリント配線基板との電気的接続の高信頼性を確保することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施の形態１における半導体機器の構成を示す一部断面図である。
【図２】図２は、半導体機器の製造方法の原理を説明する一部断面図である。
【図３】図３は、実施の形態２における半導体機器の構成を示す一部断面図である。
【図４】図４は、半導体機器の製造方法の原理を説明する一部断面図である。
【図５】図５は、実施の形態３における撮像装置の構成を示す一部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照し、本発明を実施するための最良の形態について説明する。なお、この実施の形態によって本発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付して示している。
【００１３】
（実施の形態１）
先ず、本発明の半導体素子の実装構造を適用した半導体機器を実施の形態１として説明する。図１は、実施の形態１における半導体機器１の構成を示す一部断面図である。また、図２は、半導体機器１の製造方法の原理を説明する一部断面図である。図１に示すように、半導体機器１は、半導体素子１１と、半導体素子１１を実装するプリント配線基板１２と、半導体素子１１とプリント配線基板１２とを電気的に接続する突起電極１３とを備え、突起電極１３を介した半導体素子１１とプリント配線基板１２との接続を固定する接着剤層１４が半導体素子１１とプリント配線基板１２との間に配置されて構成される。
【００１４】
半導体素子１１は、例えばＣＣＤ等の撮像素子や記憶素子、ドライバＩＣといった各種半導体素子で構成される。この半導体素子１１は、プリント配線基板１２との間を電気的に接続するための複数の電極パッド１１１を備える。
【００１５】
プリント配線基板１２は、一方の面（図１に示す上面）に配線パターン１２１が形成された回路基板である。このプリント配線基板１２は、例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂や金属、セラミックス等の各種材料で形成された硬質性基板、あるいは可撓性基板で構成される。
【００１６】
突起電極１３は、例えばワイヤボンディング方式で形成された金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）等のスタッドバンプ、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、半田等の金属材料を用いてめっき方式で形成された金属バンプ、前述の金属材料で形成された金属ボール、表面が金属めっき処理された樹脂ボール、印刷技術等でパターン形成された導電性接着剤等で実現される。実施の形態１では、突起電極１３は、図２に示すように、半導体素子１１の電極パッド１１１の各々に溶接されて接合される。これらの各突起電極１３は、半導体素子１１とプリント配線基板１２とのフリップチップ実装によってプリント配線基板１２の配線パターン１２１と当接され、これによって、半導体素子１１とプリント配線基板１２との電気的な接続が実現される。
【００１７】
接着剤層１４は、第１の接着剤で形成された第１の接着剤層１４１と、第１の接着剤よりも弾性率の高い第２の接着剤で形成された第２の接着剤層１４３との２層構造を有し、半導体素子１１とプリント配線基板１２との間隙を閉塞する。ここで、接着剤層１４は、第１の接着剤層１４１および第２の接着剤層１４３のうち、低弾性率の第１の接着剤層１４１を突起電極１３の溶接接合側に配して配置される。実施の形態１では、突起電極１３は、半導体素子１１の電極パッド１１１に溶接接合される。このため、接着剤層１４は、第１の接着剤層１４１を半導体素子１１側（図１中の上側）に配し、第２の接着剤層１４３をプリント配線基板１２側（図１中の下側）に配して半導体素子１１とプリント配線基板１２との間に配置される。
【００１８】
第１の接着剤および第２の接着剤としては、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤、あるいは絶縁性接着剤等の各種接着剤を適宜採用でき、例えば、エポキシ系、フェノール系、シリコン系、ウレタン系、アクリル系等の合成樹脂接着剤を用いることができる。ここで、接着剤層１４は、第１の接着剤層１４１および第２の接着剤層１４３が互いに混ざらずに別個の領域を形成する構成が好ましく、例えば第１の接着剤および第２の接着剤としてフィルム状接着剤を用いることで実現できる。
【００１９】
以上のように構成される実施の形態１の半導体機器１を作製する際には、先ず、第２の接着剤層１４３をプリント配線基板１２側にしてプリント配線基板１２の一方の面の半導体素子１１の実装領域に接着剤層１４を配置する。そして、配線パターン１２１の端子部分と電極パッド１１１に接合された突起電極１３とが対向するように、プリント配線基板１２上に接着剤層１４を介して半導体素子１１を配置する。その後、接着剤層１４によって突起電極１３と配線パターン１２１との接続を固定する。例えば、第１の接着剤および第２の接着剤として熱硬化型接着剤を採用している場合であれば、接着剤層１４を加熱処理（熱硬化処理）する。これによって、第１の接着剤層１４１が半導体素子１１の電極パッド１１１の形成面（図１中の下面）に密着し、第２の接着剤層１４３がプリント配線基板１２上の半導体素子１１の実装領域に密着するとともに、突起電極１３と配線パターン１２１との接続が固定される。このとき、各突起電極１３は各々配線パターン１２１と当接された状態で固定される。
【００２０】
例えば半導体素子１１およびプリント配線基板１２のそれぞれの熱膨張係数が異なると、例えば実装後に半導体素子１１が発熱する等して熱が生じた場合に、これらの熱膨張係数差による応力（熱応力）が発生する。このため、熱ストレスが発生すると、この熱応力によってプリント配線基板１２の反りが発生し、突起電極１３と配線パターン１２１との間にウキが生じる場合がある。実施の形態１によれば、低弾性率の第１の接着剤層１４１を突起電極１３の溶接接合側である半導体素子１１側に配して接着剤層１４を半導体素子１１とプリント配線基板１２との間に配置することができる。そして、低弾性率の第１の接着剤層１４１によって、実装後の熱ストレスによって発生するプリント配線基板１２の反りを緩和することができる。一方で、高弾性率の第２の接着剤層１４３によって、突起電極１３と配線パターン１２１との接続を強固に固定できる。これによれば、突起電極１３と配線パターン１２１とが当接して固定された状態を維持することができ、熱ストレスによって配線パターン１２１から突起電極１３が剥離し、半導体素子１１とプリント配線基板１２との間で電気的接続が得られなくなるといった事態を抑制できる。したがって、実装後の熱ストレスによって発生するプリント配線基板１２の反りを緩和しつつ、半導体素子１１とプリント配線基板１２との電気的接続の高信頼性を確保することができ、精度の高いフリップチップ実装が可能になる。
【００２１】
（実施の形態２）
次に、本発明の半導体素子の実装構造を適用した半導体機器を実施の形態２として説明する。図３は、実施の形態２における半導体機器１ａの構成を示す一部断面図である。また、図４は、半導体機器１ａの製造方法の原理を説明する一部断面図である。図３に示すように、半導体機器１ａは、実施の形態１と同様に、半導体素子１１と、半導体素子１１を実装するプリント配線基板１２と、半導体素子１１とプリント配線基板１２とを電気的に接続する突起電極１３ａとを備え、突起電極１３ａを介した半導体素子１１とプリント配線基板１２との接続を固定する接着剤層１４ａが半導体素子１１とプリント配線基板１２との間に配置されて構成される。
【００２２】
実施の形態２では、突起電極１３ａは、図４に示すように、配線パターン１２１（詳細には、配線パターン１２１に形成された半導体素子１１との接続用の端子部分の各々）に溶接されて接合される。これらの各突起電極１３ａは、半導体素子１１とプリント配線基板１２とのフリップチップ実装によって半導体素子１１の電極パッド１１１と当接され、これによって、半導体素子１１とプリント配線基板１２との電気的な接続が実現される。
【００２３】
また、接着剤層１４ａは、実施の形態１と同様に、第１の接着剤で形成された第１の接着剤層１４１ａと、第１の接着剤よりも弾性率の高い第２の接着剤で形成された第２の接着剤層１４３ａとの２層構造を有する。ここで、接着剤層１４ａは、実施の形態１で説明したように、第１の接着剤層１４１ａおよび第２の接着剤層１４３ａのうち、低弾性率の第１の接着剤層１４１ａを突起電極１３ａの溶接接合側に配して配置される。実施の形態２では、突起電極１３ａは、プリント配線基板１２の配線パターン１２１に溶接接合されるため、接着剤層１４ａは、第１の接着剤層１４１ａをプリント配線基板１２側（図３中の下側）に配し、第２の接着剤層１４３ａを半導体素子１１側（図３中の下側）に配して半導体素子１１とプリント配線基板１２との間に配置される。
【００２４】
以上のように構成される実施の形態２の半導体機器１ａを作製する際には、先ず、第２の接着剤層１４３ａを半導体素子１１側にして半導体素子１１の電極パッド１１１の形成面（図３中の下面）に接着剤層１４ａを配置する。そして、配線パターン１２１の端子部分に接合された突起電極１３ａと電極パッド１１１とが対向するように、プリント配線基板１２上に接着剤層１４ａを介して半導体素子１１を配置する。その後、接着剤層１４ａによって突起電極１３ａと配線パターン１２１との接続を固定する。これによって、第１の接着剤層１４１ａがプリント配線基板１２上の半導体素子の実装領域に密着し、第２の接着剤層１４３ａが半導体素子１１の電極パッド１１１の形成面に密着するとともに、突起電極１３ａは各々電極パッド１１１と当接された状態で固定される。
【００２５】
実施の形態２によれば、低弾性率の第１の接着剤層１４１ａを突起電極１３ａの溶接接合側であるプリント配線基板１２側に配して接着剤層１４ａを半導体素子１１とプリント配線基板１２との間に配置することができる。そして、低弾性率の第１の接着剤層１４１ａによって、実装後の熱ストレスによって発生するプリント配線基板１２の反りを緩和することができる。一方、高弾性率の第２の接着剤層１４３ａによって、突起電極１３ａと電極パッド１１１との接続を強固に固定できる。これによれば、突起電極１３ａと電極パッド１１１とが当接して固定された状態を維持することができ、熱ストレスによって電極パッド１１１から突起電極１３ａが剥離し、半導体素子１１とプリント配線基板１２との間で電気的接続が得られなくなるといった事態を抑制できる。したがって、実施の形態１と同様に、実装後の熱ストレスによって発生するプリント配線基板１２の反りを緩和しつつ、半導体素子１１とプリント配線基板１２との電気的接続の高信頼性を確保することができ、精度の高いフリップチップ実装が可能になる。
【００２６】
（実施の形態３）
つぎに、本発明の半導体素子の実装構造を適用した撮像装置を実施の形態３として説明する。図５は、実施の形態３における撮像装置２の構成を示す一部断面図である。図５に示すように、撮像装置２は、被写体を撮像する半導体素子の一例である撮像素子２１と、撮像素子２１を実装するプリント配線基板２２と、撮像素子２１とプリント配線基板２２とを電気的に接続する突起電極２３と、撮像素子２１を保護する透光性部材２５とを備え、突起電極２３を介した撮像素子２１とプリント配線基板２２との接続を固定する接着剤層２４が撮像素子２１とプリント配線基板２２との間に配置されて構成される。
【００２７】
撮像素子２１は、ＣＣＤやＣＭＯＳ等で構成される。この撮像素子２１は、被写体からの光を受光する受光部２１３を備え、この受光部２１３を備えた面内（図５中の上面内）において、プリント配線基板２２と電気的に接続するための複数の電極パッド２１１が適所に形成されて構成される。
【００２８】
受光部２１３は、マイクロレンズや２次元的に配置される複数の画素等で構成される。この受光部２１３は、透光性部材２５を介して被写体からの光を受光し、この受光した光を光電変換処理する。撮像素子２１は、このように受光部２１３が光電変換処理した信号をもとに被写体の画像信号を生成する。
【００２９】
プリント配線基板２２は、一方の面（図５中の下面）に撮像素子２１を配線接続する配線パターン２２１が形成された回路基板である。このプリント配線基板２２には、撮像素子２１の受光部２１３に対応して設計された開口寸法を有する開口部２２３が形成されている。ここで、プリント配線基板２２には、開口部２２３と撮像素子２１の受光部２１３とを対向させた態様で撮像素子２１がフリップチップ実装される。このように撮像素子２１を実装した状態のプリント配線基板２２の開口部２２３は、撮像素子２１の受光部２１３に対する被写体からの光の入射を可能にする。
【００３０】
突起電極２３は、実施の形態１と同様に、撮像素子２１の電極パッド２１１の各々に溶接されて接合される。これらの各突起電極２３は、撮像素子２１とプリント配線基板２２とのフリップチップ実装によってプリント配線基板２２の配線パターン２２１と当接され、これによって、撮像素子２１とプリント配線基板２２との電気的な接続が実現される。
【００３１】
接着剤層２４は、第１の接着剤で形成された第１の接着剤層２４１と、第１の接着剤よりも弾性率の高い第２の接着剤で形成された第２の接着剤層２４３との２層構造を有し、配置されて撮像素子２１とプリント配線基板２２との間隙を閉塞する。ここで、接着剤層２４は、実施の形態１と同様に、第１の接着剤層２４１および第２の接着剤層２４３のうち、低弾性率の第１の接着剤層２４１を突起電極２３の溶接接合側に配して配置される。実施の形態３では、突起電極２３は、撮像素子２１の電極パッド２１１に溶接接合されるため、接着剤層２４は、第１の接着剤層２４１を撮像素子２１側（図５中の下側）に配し、第２の接着剤層２４３をプリント配線基板２２側（図５中の上側）に配して撮像素子２１とプリント配線基板２２との間に開口部２２３を避けて配置される。
【００３２】
なお、ここでは、突起電極２３が撮像素子２１の電極パッド２１１に溶接接合されることとしたが、実施の形態２と同様に、突起電極２３をプリント配線基板２２の配線パターン２２１に溶接接合する構成としてもよい。この場合には、接着剤層２４は、第１の接着剤層２４１をプリント配線基板２２側（図５中の上側）に配し、第２の接着剤層２４３を撮像素子２１側（図５中の下側）に配して撮像素子２１とプリント配線基板２２との間にプリント配線基板２２の開口部２２３を避けて配置すればよい。
【００３３】
透光性部材２５は、透明な光学部材で構成され、被写体からの光を開口部２２３に導入し、撮像素子２１の受光部２１３へと導く。具体的には、透光性部材２５は、撮像素子２１の受光部２１３と対向するプリント配線基板２２の開口部２２３を閉塞するようにプリント配線基板２２の他方の面（図５中の上面）に接着剤２６によって接着されて固定される。これによって、透光性部材２５は、撮像素子２１の受光部２１３側に被写体からの光を透過する。また、透光性部材２５は、受光部２１３への異物の混入を防止し、外力等による破損から受光部２１３を保護する役割も果たしている。
【００３４】
以上のように構成される実施の形態３の撮像装置２を作製する際には、先ず、第２の接着剤層２４３がプリント配線基板２２側となるように、プリント配線基板２２の一方の面の撮像素子２１の実装領域において開口部２２３を避けて接着剤層２４を配置する。そして、開口部２２３と撮像素子２１の受光部２１３とを対向させた態様で、配線パターン２２１の端子部分と電極パッド２１１に接合された突起電極２３とが対向するように、プリント配線基板２２の一方の面内の実装領域に接着剤層２４を介して撮像素子２１を配置する。その後、接着剤層２４によって突起電極２３と配線パターン２２１との接続を固定する。これによって、第１の接着剤層２４１が撮像素子２１の電極パッド２１１の形成面（図５中の上面）の受光部２１３を避けた領域に密着し、第２の接着剤層２４３がプリント配線基板２２の一方の面内の実装領域に開口部２２３を避けて密着して、突起電極２３が各々電極パッド２１１と当接された状態で固定される。また、プリント配線基板２２の他方の面に開口部２２３を閉塞するように透光性部材２５を配置し、接着剤２６で接着し、固定する。
【００３５】
実施の形態３によれば、低弾性率の第１の接着剤層２４１を突起電極２３の溶接接合側である撮像素子２１側に配して接着剤層２４を撮像素子２１とプリント配線基板２２との間に配置することができる。そして、低弾性率の第１の接着剤層２４１によって、実装後の熱ストレスによって発生するプリント配線基板２２の反りを緩和することができる。一方で、高弾性率の第２の接着剤層２４３によって突起電極２３と配線パターン２２１との接続を強固に固定できる。これによれば、突起電極２３と配線パターン２２１とが当接して固定された状態を維持することができ、熱ストレスによって配線パターン２２１から突起電極２３が剥離して撮像素子２１とプリント配線基板２２との間で電気的接続が得られなくなるといった事態を抑制できる。したがって、実施の形態１と同様に、実装後の熱ストレスによって発生するプリント配線基板２２の反りを緩和しつつ、撮像素子２１とプリント配線基板２２との電気的接続の高信頼性を確保することができ、精度の高いフリップチップ実装が可能になる。
【００３６】
また、実施の形態３のように、本発明の半導体素子の実装構造を撮像装置２に適用することによれば、一方の面に撮像素子２１を実装し、他方の面に透光性部材２５を接着するプリント配線基板２２の反りを緩和することができることから、撮像装置２の光学特性の低下を抑制できるという効果がある。
【００３７】
なお、実施の形態３の撮像装置２は、デジタルカメラやデジタルビデオカメラの他、被検体の臓器内部を観察するための内視鏡、撮像機能を備えた携帯電話機等、各種の電子撮像装置に適用できる。
【００３８】
また、上記した実施の形態１〜３では、半導体素子とプリント配線基板との間に配置する接着剤層として、第１の接着剤層および第２の接着剤層で構成される２層構造の接着剤層について説明した。これに対し、接着剤層を、弾性率の異なる３層以上の接着剤層で構成することとしてもよい。この場合も、低弾性率の接着剤層を突起電極の溶接接合側に配置すればよい。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
以上のように、本発明の半導体素子の実装構造は、実装後の熱ストレスによって発生するプリント配線基板の反りを緩和しつつ、半導体素子とプリント配線基板との電気的接続の高信頼性を確保するのに適している。
【符号の説明】
【００４０】
１，１ａ      半導体機器
１１      半導体素子
１１１，２１１      電極パッド
１２，２２      プリント配線基板
１２１，２２１      配線パターン
１３，１３ａ，２３      突起電極
１４，１４ａ，２４      接着剤層
１４１，１４１ａ，２４１      第１の接着剤層
１４３，１４３ａ，２４３      第２の接着剤層
２      撮像装置
２１      撮像素子
２１３      受光部
２２３      開口部
２５      透光性部材
２６      接着剤
【図１】
2011044535.tif 000003
【図２】
2011044535.tif 000004
【図３】
2011044535.tif 000005
【図４】
2011044535.tif 000006
【図５】
2011044535.tif 000007