(57)【要約】【課題】画像の劣化を抑制することが可能な固体撮像装置を提供すること。【解決手段】シリコン基板１１およびこのシリコン基板１１の表面に第１の接着剤１２を介して固定された支持基板１３からなる固体撮像装置１４と、この装置１４上に固定された内部にレンズ１５を含む有底筒状のレンズホルダ１６と、このレンズホルダ１６の一部および固体撮像装置１４を覆う有底筒状のシールド１７と、を備えるカメラモジュールであって、シリコン基板１１の裏面側には、イオン注入によって形成されたアモルファス層２４が形成される。【選択図】図３
2011205222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像素子を有する基板と、
この基板の裏面側に形成されたアモルファス層と、
前記基板の裏面に形成され、前記固体撮像素子に電気的に接続された複数の外部電極と、
この基板上に形成された、内部にレンズを有する有底筒状のレンズホルダと、
このレンズホルダの一部、および前記基板を覆うように前記レンズホルダに固定され、底部に開口を有する有底筒状のシールドと、
を具備することを特徴とするカメラモジュール。
【請求項２】
前記基板内の前記アモルファス層とは離間した位置に、ダイオード層をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載のカメラモジュール。
【請求項３】
前記基板を貫通する複数の貫通孔内に形成された絶縁膜の表面に形成され、前記固体撮像素子に電気的に接続された複数の配線と、
これらの配線を含む前記絶縁膜の表面に、それぞれの前記配線の一部が露出されるように形成された配線保護膜と、
をさらに具備し、
前記複数の外部電極は、この配線保護膜から露出された前記それぞれの配線の表面に形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載のカメラモジュール。
【請求項４】
前記複数の配線は、前記固体撮像素子に電源を供給する、若しくは信号が入出力される信号配線と、
前記固体撮像素子を接地させる接地用配線と、
からなることを特徴とする請求項３に記載のカメラモジュール。
【請求項５】
前記接地用配線が形成される前記貫通孔の内部の前記絶縁膜は、除去されたことを特徴とする請求項４に記載のカメラモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カメラモジュールに関し、特にカメラモジュールに用いられる固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等に用いられる小型のカメラモジュールとして、チップスケールカメラモジュール（ＣＳＣＭ：Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｃａｍｅｒａ  Ｍｏｄｕｌｅ）が知られている。ＣＳＣＭは、内部にレンズが直接組み込まれたレンズホルダが、固体撮像装置上に塗布された接着剤により、フォーカスが合った状態でセンサ基板を覆うようにセンサ基板上に固定されたものである。
【０００３】
この種のＣＳＣＭに用いられる固体撮像装置は、表面中央部にセンサチップを有する薄膜化されたシリコン基板および、このシリコン基板上に固定されたガラス基板からなる。このうち、シリコン基板の裏面には、複数の開口部が設けられたソルダーレジスト膜（絶縁膜）が形成されており、これらの開口部には、それぞれ外部電極が形成されている。これらの外部電極は、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）技術を用いてシリコン基板に形成された貫通電極を介して、センサチップに電気的に接続されており、これらの外部電極を介して固体撮像装置が実装基板上に実装されることにより、実装基板上にＣＳＣＭが実装される（特許文献１参照）。
【０００４】
このようにＣＳＣＭは、固体撮像装置の外部電極を介して実装基板上に実装されるが、実装された際に、実装基板と固体撮像装置のシリコン基板との間には隙間が形成される。ここで、シリコン基板は、赤外線を透過させる性質を有する材料である。従って、実装基板と固体撮像装置との隙間に入射された赤外線は、シリコン基板を透過して表面中央部のセンサチップに到達する。この赤外線は雑音成分としてセンサチップで受光される。従って、ＣＳＣＭから出力される画像が劣化する原因となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１３０６０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、この問題に鑑みてなされたものであり、画像の劣化を抑制することが可能なカメラモジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によるカメラモジュールは、固体撮像素子を有する基板と、この基板の裏面側に形成されたアモルファス層と、前記基板の裏面に形成され、前記固体撮像素子に電気的に接続された複数の外部電極と、この基板上に形成された、内部にレンズを有する有底筒状のレンズホルダと、このレンズホルダの一部、および前記基板を覆うように前記レンズホルダに固定され、底部に開口を有する有底筒状のシールドと、を具備することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、画像の劣化を抑制することが可能なカメラモジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るカメラモジュールを示す一断面図である。
【図２】図１のカメラモジュールに適用される固体撮像装置を示す一断面図である。
【図３】図２の固体撮像装置の貫通孔の構造を拡大して示す部分断面図である。
【図４】図２の固体撮像装置のシリコン基板を薄膜化する工程を示す図２に相当する断面図である。
【図５】図２の固体撮像装置のアモルファス層およびダイオード層の製造工程を示す図２に相当する断面図である。
【図６】図２の固体撮像装置のシリコン基板に貫通孔を形成する工程を示す図２に相当する断面図である。
【図７】図２の固体撮像装置の貫通孔を含むシリコン基板の裏面に絶縁膜を形成する工程を示す図２に相当する断面図である。
【図８】図２の固体撮像装置の貫通孔内に開口を形成する工程を示す図２に相当する断面図である。
【図９】図２の固体撮像装置の貫通孔内に配線を形成するための工程を示す図２に相当する断面図である。
【図１０】同じく、貫通孔内に配線を形成するための工程を示す図２に相当する断面図である。
【図１１】図２の固体撮像装置のシリコン基板の裏面に、配線保護膜を形成するための工程を示す図２に相当する断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係るカメラモジュールに用いられる固体撮像装置の貫通孔の構造を拡大して示す部分断面図である。
【図１３】図１２の固体撮像装置の貫通孔内から絶縁膜を除去する工程を示す図１２に相当する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の実施形態に係るカメラモジュールについて、図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るカメラモジュールの垂直断面図である。図１に示すように、カメラモジュールは、シリコン基板１１と、このシリコン基板１１上に形成された第１の接着剤１２を介してシリコン基板１１上に固定された支持基板１３とによって構成される固体撮像装置１４、および内部にレンズ１５を有するレンズホルダ１６が、シールド１７によって覆われたものである。
【００１２】
なお、本願において、シリコン基板１１、第１の接着剤１２、および支持基板１３によって構成されるものを、単に基板と称する。
【００１３】
レンズホルダ１６は、有底筒状の樹脂により構成されたものであり、内部にレンズ１５が配置されている。レンズホルダ１６の底部には開口が形成されており、この開口から入射された光はホルダ１６内のレンズ１５で集光され、この集光された光が固体撮像装置１４で受光される。このようなレンズホルダ１６は、固体撮像装置１４の表面に環状に形成された第２の接着剤１８の厚さによってレンズ１５のフォーカスを合わせた状態で、固体撮像装置１４上に固定されている。
【００１４】
なお、図示はしないが、レンズホルダ１６内には、さらに赤外線カットフィルタが設けられていてもよい。
【００１５】
また、固体撮像装置１４およびレンズホルダ１６を覆うシールド１７は、有底筒状の金属により構成されている。このシールド１７は、底部が固体撮像装置１４の裏面に配置されるようにして、レンズホルダ１６の側面に形成された第３の接着剤１９によって固定されている。この際、底部には開口が形成されており、上述の固体撮像装置１４の裏面に設けられる複数の外部電極２０がこの開口から露出されるようにシールド１７は配置される。
【００１６】
図２は、図１の固体撮像装置１４を拡大して示す断面図である。図２に示すように、固体撮像装置１４は、シリコン基板１１上に環状に形成された第１の接着剤１２を介して、支持基板１３が貼り付けられて構成されている。なお、支持基板１３は、例えばガラス基板である。
【００１７】
シリコン基板１１は、例えば７０μｍ〜１００μｍ程度まで薄膜化されたものである。また、第１の接着剤１２は、例えば１０μｍ〜５０μｍ程度の厚さで形成されており、支持基板１３は、例えば３５０μｍ〜５００μｍ程度の厚さで形成されている。
【００１８】
シリコン基板１１は、例えばＰ型の導電性を有しており、このシリコン基板１１の表面には、Ｐ型のウェル層２１が形成されている。このシリコン基板１１上には、例えばＳｉＯ２からなる第１の絶縁膜２２が形成されている。上述の第１の接着剤１２は、この第１の絶縁膜２２の表面に環状に形成されており、この環状の第１の接着剤１２の内側には、固体撮像素子２３が形成されている。なお、固体撮像素子２３は、複数の各撮像素子（図示せず）が格子状に配列されて設けられたものであり、各撮像素子は、シリコン基板表面に光電変換を行うフォトダイオード、第1の絶縁膜２２の上にカラーフィルタ、およびマイクロレンズ等を含むように構成されている。
【００１９】
また、シリコン基板１１の裏面には、この固体撮像素子２３に電気的に接続された複数の外部電極２０が形成されている。なお、これらの外部電極２０は、例えば半田ボールである。図１においてはこれらが２箇所に形成されているが、この数は限定されない。
【００２０】
さらに、シリコン基板１１の裏面には、アモルファス層２４が、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）をイオン注入することにより形成されている。このアモルファス層２４は、一般に知られるフォトダイオード層と同様の機能を有する層である。すなわち、シリコン基板１１の裏面から照射される赤外線を吸収し、この吸収した赤外線を光電変換によって電流に変換する機能を有する層である。
【００２１】
このアモルファス層２４に加えて、シリコン基板１１の内部には、アモルファス層２４よりも深い位置に、ダイオード層２５が、例えばホウ素（Ｂ）をイオン注入することにより形成されている。このダイオード層２５も、一般に知られるフォトダイオード層と同様の機能を有する層である。
【００２２】
なお、このダイオード層２５は、本実施形態においては必ずしも形成される必要はなく、画像劣化抑制を更に効率良く行いたい場合に設ければよい。また、アモルファス層２４およびダイオード層２５は、それぞれ図２においては互いに接触、後述する図３においては互いに離間して形成を表現しているが、これらの深さ、厚さは任意で良く、接触もしくは離間していてもよい。
【００２３】
このようなアモルファス層２４およびダイオード層２５を有するシリコン基板１１には、このシリコン基板１１を貫通する複数の貫通孔２６が設けられている。そして、シリコン基板１１の裏面および貫通孔２６の内側面には、例えばＳｉＯ２等からなる第２の絶縁膜２７が形成されている。
【００２４】
さらに、この貫通孔２６の内側面に設けられた第２の絶縁膜２７上には、例えばＣｕからなる第１の配線２８が形成されている。この第１の配線２８は、シリコン基板１１の裏面に至る領域にまで延長形成されている。そして、この第１の配線２８は、後述する図３に示すように、第１の絶縁膜２２内に設けられた第２の配線３３−１に接続されている。
【００２５】
第２の配線３３−１は、例えばＡｌ等のメタルで形成されており、シリコン基板１１上の固体撮像素子２３に電気的に接続されている。すなわち、固体撮像素子２３は、第１の配線２８と電気的に接続されている。なお、固体撮像装置の例であるＣＭＯＳセンサなどはそのロジック回路とのプロセス製造上の親和性の高さから、メタル配線を多層で構成するロジック回路と同一チップ内で形成している。その為、一般的にはメタル配線は３層構造以上を形成する事が珍しくない。後述の図３以降ではメタル３層構造で表現、第1の配線２８を最下層のメタルに接続で表現しているが、メタル層は３層以上でもよく、また配線２８は最下層のメタル以外に接続しても構わない。なお、上述の第１の配線２８のうち、例えば図面左側の第１の配線２８は、固体撮像素子２３に電源を供給若しくは固体撮像装置から信号を取り出す等する電源若しくは信号取り出し用配線２８−１であり、図面右側の配線２８は、固体撮像素子２３を接地（以降ＧＮＤと表現する）させるための接地用配線（以降ＧＮＤ用配線）２８−２である。
【００２６】
第１の配線２８を含む第２の絶縁膜２７の表面には、配線保護層であるソルダーレジスト膜３０が形成されている。なお、このソルダーレジスト膜３０は、貫通孔２６の内部にも形成されている。
【００２７】
ソルダーレジスト膜３０は、電源若しくは信号取り出し用配線２８−１およびＧＮＤ用配線２８−２の一部がそれぞれ露出するように形成されている。そして、ソルダーレジスト膜３０から露出された第１の配線２８上には、それぞれ外部電極２０が形成されている。
【００２８】
このようなシリコン基板１１上には、上述のように固体撮像素子２３を囲むように第１の接着剤１２が形成されており、この接着剤１２を介して支持基板１３が固定されている。
【００２９】
図３は、図２に示す貫通孔２６のうち、ＧＮＤ用配線２８−２が設けられた貫通孔２６の内部構造を拡大して示す断面図である。図３に示すように、貫通孔２６の底には、さらに開口３１が形成されている。この開口３１は、第１の絶縁膜２２の裏面から例えば第２の配線３３−１に接地するように形成されている。また、なお、この開口３１は第３のメタル配線３３−２もしくは第４のメタル配線３３−３に接地されていてもよい。記述はしないが、さらに上層のメタル配線に接地しても構わない。貫通孔２６の内部には上述のように第２の絶縁膜２７が形成されているが、第２の絶縁膜２７上に形成されるＧＮＤ用配線２８−２は、貫通孔２６および開口３１内に形成されている。さらに、このＧＮＤ用配線２８−２は、第２の絶縁膜２７の表面および、開口３１の内面に形成されためっき用電極３２を介して、これらの表面に形成されている。
【００３０】
めっき用電極３２およびＧＮＤ用配線２８−２は、第１の絶縁膜２２内に形成された例えば第１の絶縁膜２２内に形成された第２の配線３３−１に接続されている。なお、この第２の配線３３−１は、例えば固体撮像装置１４内の固体撮像素子２３を接地させるための配線である。
【００３１】
また、シリコン基板１１の表面のうち、シリコン基板１１をＧＮＤ化するためＰ型の高濃度不純物層３４が形成されている。この不純物層３４は、第２の配線３３−１とシリコン基板１１とを電気的に導通させるコンタクト層である。すなわち、シリコン基板１１は、この不純物層３４を介して第２の配線３３−１に接続されている。
【００３２】
なお、シリコン基板１１の表面のうち、上述の不純物層３４の周囲および貫通孔２６の周囲には、それぞれ素子分離層３５が形成されている。この素子分離層３５は、それぞれシリコン基板１１を凹状に削り、この削られた領域にＳｉＯ２などの絶縁膜が埋め込まれたＳＴＩ構造が挙げられる。
【００３３】
以上に説明したカメラモジュールに、シリコン基板１１の裏面から赤外線が照射されると、赤外線は、アモルファス層２４更にはダイオード層２５で吸収され、光電変換により電流に変換される。この電流は、Ｐ型の不純物層３４を介して第２の配線３３−１に流れ、さらにＧＮＤ用配線２８−２を介してモジュールの外部に流れ出る。
【００３４】
次に、このカメラモジュールの製造方法、特にカメラモジュールに用いられる固体撮像装置１４の製造方法を、図４乃至図１１を参照して説明する。図４乃至図１１は、それぞれ固体撮像装置１４の製造工程を示す図２に相当する断面図である。
【００３５】
この固体撮像装置１４の製造方法は、シリコンウエハ上に、格子状に複数の固体撮像装置１４を一括形成し、最後にダイシングにより個片化する方法である。しかし、以下の説明においては、シリコンウエハ上の一つの固体撮像装置１４の製造方法を説明する。従って、図２、図３に示されるシリコン基板１１を、以下の製造方法の説明においては、シリコンウエハ１１と称す。
【００３６】
まず、シリコンウエハ１１内にフォトダイオード等の固体撮像素子を形成、シリコンウエハ１１上に第１の絶縁膜２２を介してカラーフィルタ、マイクロレンズ等で形成された固体撮像素子２３を配置し、この素子２３を囲うように環状の第１の接着剤１２を形成する。環状の第１の接着剤１２は、シリコンウエハ１１上に一様に接着剤１２を塗布した後、露光、現像工程を経て、固体撮像素子２３上およびその周辺の接着剤１２を除去することにより形成される。
【００３７】
さらに、シリコンウエハ１１上に、第１の接着剤１２を介して支持基板１３を貼り付ける。この支持基板１３は、次の図４に示す工程においてシリコンウエハ１１を裏面から薄膜化する際の支持基板として機能する。
【００３８】
次に、図４に示すように、シリコンウエハ１１を、例えば７０μｍ〜１００μｍ程度まで裏面から薄膜化する。この薄膜化は、例えばＢａｃｋ  Ｓｉｄｅ  Ｇｒｉｎｄｉｎｇ（ＢＳＧ法）により薄膜化した後、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ（ＣＭＰ法）により裏面を研磨するとによって行われる。
【００３９】
次に、図５に示すように、シリコンウエハ１１の裏面にアモルファス層２４およびダイオード層２５をこの順で形成する。
【００４０】
アモルファス層２４は、シリコンウエハ１１の裏面に、例えばイオンの加速エネルギーが２ＭＶ、イオン注入量が５Ｅ１３／ｃｍ２の条件でゲルマニウム（Ｇｅ）をイオン注入することによって形成される。
【００４１】
また、ダイオード層２５は、シリコンウエハ１１の裏面に、例えばイオンの加速エネルギーが２ＭＶ、イオン注入量が１Ｅ１３／ｃｍ２の条件でホウ素（Ｂ）をイオン注入することによって形成される。
【００４２】
なお、アモルファス層の形成条件は遮光性の機能を有していれば任意の値で良く、ポイントはシリコンをアモルファス化させる程の加速エネルギーとイオン注入量があれば良い。
【００４３】
次に、図６に示すように、シリコンウエハ１１を貫通する貫通孔２６を形成する。この貫通孔２６は、シリコンウエハ１１の裏面に、貫通孔２６が形成される箇所に開口を有するレジスト層４１を形成し、このレジスト層４１をマスクとして用いて、シリコンウエハ１１を例えばＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）によりエッチングすることにより形成される。
【００４４】
次に、図７に示すように、図６の工程において用いられたレジスト層４１を除去した後、貫通孔２６の内面を含むシリコンウエハ１１の裏面に、ＳｉＯ２からなる第２の絶縁膜２７を形成する。この絶縁膜２７は、例えばＣＶＤ法により形成される。
【００４５】
次に、図８に示すように、貫通孔２６の底に、第２の絶縁膜２７、第１の絶縁膜２２、および第２の配線３３−１を貫通する開口３１を形成する。この開口３１も、貫通孔２６と同様に、開口３１が形成される箇所に開口を有するレジスト層４２を形成し、このレジスト層４２をマスクとして用いて、第２の絶縁膜２７、第１の絶縁膜２２を例えばＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）によりエッチングすることにより形成される。
【００４６】
図８に示される開口内には、後にＧＮＤ用配線２８−２が設けられるが、図示されない他方の貫通孔２６にも、この工程によって、後に電源若しくは信号取り出し用配線２８−１が設けられる開口を形成する。この開口は、例えば第４の配線３３−３に接するように形成される。なお、後の工程においても、図示されるＧＮＤ用配線２８−２と同時に、電源若しくは信号取り出し用配線２８−１も形成されるが、説明は省略する。
【００４７】
次に、図９に示すように、図８の工程において用いられたレジスト層４２を除去した後、貫通孔２６内およびシリコンウエハ１１の裏面に設けられた第２の絶縁膜２７の表面、および開口３１の内面に、電解めっきの際に必要なめっき用電極３２を形成する。この電極３２は、スパッタ法により形成される。
【００４８】
さらに、めっき用電極３２の表面に、第１の配線２８（ＧＮＤ用配線２８−２）が形成される箇所に開口が形成されたレジスト層４３を形成する。
【００４９】
次に、図１０に示すように、めっき用電極３２を用いた電解めっき法により、例えばＣｕからなる第１の配線２８（ＧＮＤ用配線２８−２）を形成する。この後、レジスト層４３を除去するとともに、レジスト層４３とシリコンウエハ１１との間に形成されためっき用電極３２を、例えばウエットエッチングにより除去する。
【００５０】
次に、図１１に示すように、第１の配線２８（ＧＮＤ用配線２８−２）を含むシリコンウエハ１１の裏面に、第１の配線２８（ＧＮＤ用配線２８−２）の一部が露出するようにソルダーレジスト膜３０を形成する。これは、第１の配線２８（ＧＮＤ用配線２８−２）を含むシリコンウエハ１１の裏面全面にソルダーレジスト膜３０を形成し、この後、リソグラフィー技術を用いてソルダーレジスト膜３０の一部を除去する。この後、ソルダーレジスト膜３０を硬化させることにより行われる。
【００５１】
最後に、ソルダーレジスト膜３０から露出された第１の配線２８（ＧＮＤ用配線２８−２）上に外部電極２０を搭載する。これにより、複数の固体撮像装置１４が一括して製造される。最後に、ダイシング工程を経ることにより、各固体撮像装置１４毎に個片化する。これにより、固体撮像装置１４が製造される。
【００５２】
さらに、以上のように製造された固体撮像装置１４の表面に第２の接着剤１８を形成し、この第２の接着剤１８を介してレンズホルダ１６を固定する。この際、第２の接着剤１８の硬化は、レンズホルダ１６内のレンズ１５のフォーカス位置が固体撮像素子２３に合うようにレンズホルダ１６の位置を調節した後に、行われる。この後、レンズホルダ１６にシールド１７を固定することにより、図１に示すカメラモジュールが製造される。
【００５３】
このようなカメラモジュールによれば、シリコン基板１１の裏面にアモルファス層２４が形成されている。従って、シリコン基板２４の裏面から入射される赤外線は、アモルファス層２４で吸収される。従って、シリコン基板１１の裏面から入射される赤外線は、シリコン基板１１表面の固体撮像素子２３に到達することを抑制することができる。この結果、画像の劣化を抑制することができる。
【００５４】
さらに、シリコン基板１１の裏面にはダイオード層２５が形成されているため、同様に、赤外線がシリコン基板１１表面の固体撮像素子２３に到達することを抑制することができる。これによって、更に画像の劣化を抑制することができる。
【００５５】
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係るカメラモジュールは、第１の実施形態に係るカメラモジュールと比較して、ＧＮＤ用配線２８−２が形成される貫通孔２６の内部構造が異なる。以下、図１２を参照して、第１の実施形態に係るカメラモジュールと異なる箇所について説明する。
【００５６】
図１２は、第２の実施形態に係るカメラモジュールに用いられる固体撮像装置１４の貫通孔２６の構造を拡大して示す部分断面図である。図１２に示すように、第２の実施形態に係るカメラモジュールに用いられる固体撮像装置においては、第１の配線２８のうち、ＧＮＤ用配線２８−２が形成される貫通孔２６内部の第２の絶縁膜２７が除去されている点が異なっている。すなわち、アモルファス層２４およびダイオード層２５は、貫通孔２６の内部に形成されるＧＮＤ用配線２８−２に接続されている。なお、電源若しくは信号取り出し用配線２８−１が形成される貫通孔２６内部の第２の絶縁膜２７は、除去されない。
【００５７】
このような構造により、アモルファス層２４若しくはダイオード層２５での光電効果によって発生した電流は、直接的にＧＮＤ用配線２８−２に流れる。
【００５８】
以上に説明したカメラモジュールは、例えば以下のように製造される。すなわち、図８に示したように貫通孔２６の底部に開口３１を形成した後、レジスト層４２を除去し、図１３に示すように、貫通孔２６の内部の第２の絶縁膜２７が露出する程度の大きさの開口を有するレジスト層５１を、シリコンウエハ１１の裏面に、開口が貫通孔２６の位置に一致するように形成する。
【００５９】
この後、レジスト層５１をマスクとして用いてウエットエッチングすることにより、貫通孔２６内の第２の絶縁膜２７を除去する。この後は、レジスト層５１を除去し、図９乃至図１１に示される工程に従うことにより、第２の実施形態に係るカメラモジュールに用いられる固体撮像装置１４が製造される。そして、このように製造された固体撮像装置１４の表面に第２の接着剤１８を形成し、この第２の接着剤１８を介してレンズホルダ１６を固定する。この際、第２の接着剤１８の硬化は、レンズホルダ１６内のレンズ１５のフォーカス位置が固体撮像素子２３に合うようにレンズホルダ１６の位置を調節した後に、行われる。この後、レンズホルダ１６にシールド１７を固定することにより、第２の実施形態に係るカメラモジュールが製造される。
【００６０】
このようなカメラモジュールであっても、シリコン基板１１の裏面にアモルファス層２４が形成されているため、画像の劣化を抑制することができる。また、ダイオード層２５が形成されているため、更に画像の劣化を抑制することができる。
【００６１】
さらに、このカメラモジュールによれば、アモルファス層２４およびダイオード層２５にＧＮＤ用配線２８−２が接続されているため、アモルファス層２４若しくはダイオード層２５で発生した電流を、直接的にＧＮＤ用配線２８−２を介してモジュールの外部に流すことができる。通常センサチップのラッチアップ等の対策を目的としてシリコン基板をＧＮＤにするため前述のＰ型高濃度層を多数配置する必要があるが、本形態では第１の実施形態よりも効率よくシリコン基板をＧＮＤ化することが出来るため、Ｐ型高濃度層を減らす事ができ、その結果センサチップの面積を小さくする事も期待出来る。
【００６２】
以上に、本実施形態に係るカメラモジュールについて説明した。しかし、本発明は、上述の各実施形態に限定されるものではなく、あらゆるカメラモジュールに対して適用可能である。
【００６３】
また、上述の各実施形態におけるシリコン基板１１はＰ型の導電型であった。しかし、この導電型は限定されず、Ｎ型のシリコン基板を用いてもよい。この場合、ウェル層もＮ型となり、また、コンタクト層となる不純物層もＮ型高濃度層となる。さらに、アモルファス層は、例えば砒素（Ａｓ）をイオン注入することによって形成すればよく、ダイオード層は、リン（Ｐ）をイオン注入することによって形成すればよい。
【００６４】
なお、アモルファス層は、例えばイオンの加速エネルギーが２ＭＶ、イオン注入量が５Ｅ１３／ｃｍ２の条件で砒素（Ａｓ）をイオン注入することによって形成すればよい。
【００６５】
また、ダイオード層は、例えばイオンの加速エネルギーが２ＭＶ、イオン注入量が１Ｅ１３／ｃｍ２の条件でリン（Ｐ）をイオン注入することによって形成すればよい。
【００６６】
このように、シリコン基板、ウェル層、コンタクト層となる不純物層、およびアモルファス層、ダイオード層の導電型は限定されない他、例えばアモルファス層、ダイオード層を形成するためのイオン注入条件、および形成された各層のサイズは限定されない。
【符号の説明】
【００６７】
１１・・・シリコン基板
１２・・・第１の接着剤
１３・・・支持基板
１４・・・固体撮像装置
１５・・・レンズ
１６・・・レンズホルダ
１７・・・シールド
１８・・・第２の接着剤
１９・・・第３の接着剤
２０・・・外部電極
２１・・・ウェル層
２２・・・第１の絶縁膜
２３・・・固体撮像素子
２４・・・アモルファス層
２５・・・ダイオード層
２６・・・貫通孔
２７・・・第２の絶縁膜
２８・・・第１の配線
２８−１・・・電源若しくは信号取り出し用配線
２８−２・・・接地用配線（ＧＮＤ用配線）
３０・・・ソルダーレジスト膜
３１・・・開口
３２・・・めっき用電極
３３−１・・・第２の配線
３３−２・・・第３の配線
３３−３・・・第４の配線
３４・・・不純物層
３５・・・素子分離層
４１、４２、４３、５１・・・レジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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