(57)【要約】【課題】磁気記録媒体の走行方向に対するトレーリング側の磁界を増強して磁界勾配を高くし、高い磁界強度を得る。【解決手段】垂直磁気記録ヘッドの主磁極は、浮上側に位置する浮上面の形状がトレーリング側の幅W1とリーディング側の幅W４の関係がW1＞W４＞0の逆台形形状のスロートハイト部と、スロートハイト部に接続され素子高さ方向上部に向かって幅の広がるフレア部を有し、かつ主磁極の書き込み磁極のリーディング側の浮上面から素子高さ方向に傾斜角度θ１でステップ的あるいはテーパ状に膜厚が増加する第１の部位と、フレア部から素子高さ方向に傾斜角度θ２でステップ的あるいはテーパ状に膜厚が増加する第２の部位を有しながら一定膜厚となる磁性部分を有する。【選択図】図５
2011258296.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁気記録ヘッドにおいて、
主磁極と、
リターンポールと、
前記主磁極のトレーリング側及びトラック幅方向両側に配置された磁気シールドと、
前記主磁極から記録磁界を発生させるためのコイルを備え、
前記主磁極は、浮上面側からみた形状がトレーリング側の幅W1とリーディング側の幅W４の関係がW1＞W４＞0の逆台形形状のスロートハイト部と、該スロートハイト部に接続され素子高さ方向上部に向かって幅の広がるフレア部を有し、かつ
前記主磁極のリーディング側の浮上面から素子高さ方向に傾斜角度θ１で膜厚が増加する第１の部位と、該フレア部から素子高さ方向に傾斜角度θ２で膜厚が増加する第２の部位を有しながら一定膜厚となる磁性部分を備えることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記傾斜角度θ１とθ２は、浮上面から素子高さ方向の垂直線に対して前記主磁極のリーディング側にθ１＜θ２の２ステップで傾斜角が形成されていることを特徴とする主磁極を有する磁気シールド一体型の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項３】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記傾斜角度θ1は、浮上面から素子高さ方向の垂直線に対して前記主磁極のリーディング側に１０°から４５°の範囲で傾斜角が形成され、θ１＜θ２を満たすことを特徴とした主磁極を有する磁気シールド一体型の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項４】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、
主磁極から分離して前記主磁極の飽和磁束密度より傾斜角度θ１とθ２の傾斜角度を有する２ステップ形状の磁性部分の飽和磁束密度を低くしたことを特徴とする磁気シールド一体型の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項５】
基板上に非磁性絶縁層を積層する工程と、
イオンビーム照射して前記非磁性絶縁層に傾斜角度θ2を有するパターンを励磁部の面が露出するまで掘り込む工程と、
イオンビームを照射して傾斜角度θ2を有するパターンの浮上面側のエッジ部を傾斜角度θ1に加工する工程と、
主磁極となる磁性膜を積層する工程と、
前記磁性膜をスロープ状に加工してトレーリング側に補助磁極層部を設け、前記補助磁極層とスロートハイト部に分離する工程と、
スロートハイト部とフレア部から成る主磁極形状にパターンニング形成する工程と、
前記主磁極を包むように非磁性層を形成する工程と、
前記非磁性層を介してシールドとなる磁性層を形成する工程と、
を有することを特徴とする磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項６】
磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を回転駆動するモータと、
記録ヘッドと再生ヘッドを搭載した磁気ヘッドと、
前記磁気記録媒体の所望のトラック位置に前記磁気ヘッドを駆動するヘッド駆動部を備え、
前記記録ヘッドは、スロートハイト部及び前記スロートハイト部に接続され素子高さ方向上部に向かって次第に幅の広がるフレア部を有する記録用の書き込み磁極層と補助磁極層からなる主磁極と、励磁部と、前記主磁極のトレーリング側及びトラック幅方向の両脇に非磁性層を介して配置された磁気シールドと、前記主磁極から記録磁界を発生させるためのコイルとを備え、
前記主磁極は、前記主磁極のリーディング側の浮上面から素子高さ方向に傾斜角度θ１でステップ的あるいはテーパ状に膜厚が増加する第１の部位と、該フレア部から素子高さ方向に傾斜角度θ２でステップ的あるいはテーパ状に膜厚が増加する第２の部位を有することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録ヘッド、その製造方法及びその垂直磁気記録ヘッドを用いた磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高記録密度化のニーズに対して垂直磁気記録方式を採用した磁気ディスク装置が実用化されている。一方で、垂直磁気記録方式の面記録密度を上げるために、記録媒体に対して垂直な記録磁界を発生させる書き込み用の単磁極部が狭小化され、記録媒体を磁化反転させるに充分な垂直磁界を記録媒体と対向する浮上面（ＡＢＳ：Air Bearing Surface）から磁束を放出させることが困難になりつつある。
【０００３】
このような書き込み磁界強度の不足を補うために、スロートハイト（即ち書き込み磁極のトラック幅方向を規定している範囲）を短くし、磁場の飽和位置を浮上面に近づけて磁界強度を確保する手法、浮上面の狭小化された磁極の素子高さ方向にステップ的あるいはテーパ状に膜厚を増加させた磁性体を積層した補助磁極を設けて書き込み磁極に多くの磁束を供給する等の方法が知られている。例えば、特許文献１及び特許文献２には、書き込み用主磁極のトレーリング側又はリーディング側に補助磁極を設けて磁界増強する技術が開示されている。とりわけ、リーディング側に配置される補助磁極は浮上面から素子高さ方向の後退した位置に設けられている。
【０００４】
補助磁極としては、記録媒体の走行方向から浮上面の書き込み磁極のトレーリング側に積層された磁性層による補助磁極をＴＥＴ（Trailing Edge Taper）補助磁極、リーディング側に積層された磁性層による補助磁極をＬＥＴ（Leading Edge Taper）補助磁極として区別しているが、書き込み磁極と一体化されている場合もある。
【０００５】
ＴＥＴ補助磁極およびＬＥＴ補助磁極は、磁界増強効果が高く特にＴＥＴ補助磁極は書き込み磁極のトレーリング側に非磁性層を介して配置されたシールドにより磁束の拡散が規制され磁界増強効果のみを抽出できるために、浮上面から素子高さ方向に設置されている。しかし、磁界増強効果の高い傾斜角度４５°前後のＴＥＴ補助磁極を浮上面に設けると、スライダ基板から磁気ヘッドスライダを切り出した後の浮上面加工で幾何トラック幅の寸法変動が大きくなり、記録性能に影響することが懸念される。そのためＴＥＴ補助磁極の傾斜角度が制限され、十分な磁界強度が得られず、ＬＥＴ補助磁極の併用による磁界増強が重要な課題になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３０２２８１号公報
【特許文献２】特開２００６−２４４６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＬＥＴ補助磁極は、ＴＥＴ補助磁極と異なり書き込み磁極のリーディング側に設置するためスライダ加工による浮上面加工を伴う磁気ヘッドの製造方法において、書き込み磁極の幾何トラック幅の変動に対する影響が小さいこと、ＴＥＴ補助磁極と同様の磁界増強効果の他に書き込み磁極のリーディング側から磁束を書き込み磁極側に供給するため書き込み磁極側の磁束をトレーリング側に押し上げることから磁界の立ち上がり傾度を示す磁界勾配の増強効果を兼ね備えている。したがって、高記録密度化に伴う記録ヘッドの狭小化に伴って減少する磁界強度と磁界勾配を向上する上でＬＥＴ補助磁極を適正にすることが重要である。
【０００８】
そのため、ＴＥＴ補助磁極と併用してＬＥＴ補助磁極を用いて磁界強度不足を補いながら、記録性能が劣化しない記録ヘッドを提供するには、以下の課題を解決することが重要である。すなわち、ＴＥＴ補助磁極と異なり書き込み磁極のリーディング側に配置されるＬＥＴ補助磁極は、放出する磁束をシールドで規制されないため、磁束が拡散してトラック中心から離れた位置において高い磁界強度の残留に起因した隣接するトラック情報の減衰および消去する問題がある。
また、磁界増強効果を上げるためにＬＥＴ補助磁極を浮上面側へ近づけると、ＬＥＴ補助磁極面からの磁束の放出により磁束の広がりが増すために、記録ヘッドとしては書き込み磁極の幾何幅と記録媒体の磁化反転幅の差が大きくなり、高い面記録密度を得るためにトラック密度を上げることが困難となる。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、磁気記録媒体の走行方向に対するトレーリング側の磁界を増強して磁界勾配を高くし、高い磁界強度を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドは、好ましくは、垂直磁気記録ヘッドにおいて、主磁極と、リターンポールと、前記主磁極のトレーリング側及びトラック幅方向両側に配置された磁気シールドと、前記主磁極から記録磁界を発生させるためのコイルを備え、
前記主磁極は、浮上面側からみた形状がトレーリング側の幅W1とリーディング側の幅W４の関係がW1＞W４＞0の逆台形形状のスロートハイト部と、該スロートハイト部に接続され素子高さ方向上部に向かって幅の広がるフレア部を有し、かつ前記主磁極のリーディング側の浮上面から素子高さ方向に傾斜角度θ１で膜厚が増加する第１の部位と、該フレア部から素子高さ方向に傾斜角度θ２で膜厚が増加する第２の部位を有しながら一定膜厚となる磁性部分を備えることを特徴とする垂直磁気記録ヘッドとして構成される。
【００１１】
好ましい例による、前記垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記傾斜角度θ１とθ２は、浮上面から素子高さ方向の垂直線に対して前記主磁極のリーディング側にθ１＜θ２の２ステップで傾斜角が形成されている。
また、好ましくは、前記垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記傾斜角度θ1は、浮上面から素子高さ方向の垂直線に対して前記主磁極のリーディング側に１０°から４５°の範囲で傾斜角が形成され、θ１＜θ２を満たす。
また、好ましくは、前記垂直磁気記録ヘッドにおいて、主磁極から分離して前記主磁極の飽和磁束密度より傾斜角度θ１とθ２の傾斜角度を有する２ステップ形状の磁性部分の飽和磁束密度を低くした。
【００１２】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法は、好ましくは、基板上に非磁性絶縁層を積層する工程と、イオンビーム照射して前記非磁性絶縁層に傾斜角度θ2を有するパターンを励磁部の面が露出するまで掘り込む工程と、イオンビームを照射して傾斜角度θ2を有するパターンの浮上面側のエッジ部を傾斜角度θ1に加工する工程と、主磁極となる磁性膜を積層する工程と、前記磁性膜をスロープ状に加工してトレーリング側に補助磁極層部を設け、前記補助磁極層とスロートハイト部に分離する工程と、スロートハイト部とフレア部から成る主磁極形状にパターンニング形成する工程と、前記主磁極を包むように非磁性層を形成する工程と、前記非磁性層を介してシールドとなる磁性層を形成する工程と、を有することを特徴とする磁気記録ヘッドの製造方法として構成される。
【００１３】
本発明に係る磁気記録再生装置は、好ましくは、磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を回転駆動するモータと、記録ヘッドと再生ヘッドを搭載した磁気ヘッドと、前記磁気記録媒体の所望のトラック位置に前記磁気ヘッドを駆動するヘッド駆動部を備え、
前記記録ヘッドは、スロートハイト部及び前記スロートハイト部に接続され素子高さ方向上部に向かって次第に幅の広がるフレア部を有する記録用の書き込み磁極層と補助磁極層からなる主磁極と、励磁部と、前記主磁極のトレーリング側及びトラック幅方向の両脇に非磁性層を介して配置された磁気シールドと、前記主磁極から記録磁界を発生させるためのコイルとを備え、
前記主磁極は、前記主磁極のリーディング側の浮上面から素子高さ方向に傾斜角度θ１でステップ的あるいはテーパ状に膜厚が増加する第１の部位と、該フレア部から素子高さ方向に傾斜角度θ２でステップ的あるいはテーパ状に膜厚が増加する第２の部位を有することを特徴とする磁気記録再生装置として構成される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、θ１とθ２の傾斜角を有するステップ状のＬＥＴ補助磁極を浮上面側に配置して磁束の集中し易いエッジを設けることにより磁界を増強させることが可能である。具体的に言えば、磁束は、フレア部側に設けられたθ２を有する膜厚の厚いＬＥＴ補助磁極からθ１を有するＬＥＴ補助磁極に流れ、主磁極中央を流れる磁束を主磁極のトレーリング側に押し上げて浮上面から磁束を放出するため、磁気記録媒体の走行方向に対するトレーリング側の磁界が増強され、磁界勾配を高くすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】磁気ディスク装置の概略構成を示す図。
【図２】一実施例による垂直磁気記録再生ヘッドと磁気記録媒体の関係を示す断面図。
【図３】一実施例による垂直磁気記録ヘッドの主磁極の構成を示す図。
【図４】一実施例による２ステップＬＥＴ補助磁極の記録特性１を示す図。
【図５】一実施例による２ステップＬＥＴ補助磁極の記録特性２を示す図。
【図６】一実施例による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の工程を示す図。
【図７】一実施例による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の工程を示す図。
【図８】一実施例による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の工程を示す図。
【図９】一実施例による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の工程を示す図。
【図１０】一実施例による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の工程を示す図。
【図１１】他の実施例による垂直磁気記録ヘッドの主磁極の構成を示す断面図。
【図１２】他の実施例による垂直磁気記録ヘッドの主磁極の構成を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は、磁気ディスク装置の概略構成を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
多数のトラックが形成された磁気ディスク９はモータ８１により回転駆動される。先端に垂直磁気記録再生ヘッド（以下単に磁気ヘッドという）を有する磁気ヘッドスライダ８２を固定したサスペンションアーム８３はロータリアクチュエータ８４により駆動され、磁気ヘッドを目的のトラックに位置決めする。磁気ディスク９への情報の記録再生時に、磁気ヘッドに与える記録信号及び磁気ヘッドからの読み出し信号は信号処理回路８５a、８５ｂで処理される。
【００１７】
図２は、垂直磁気記録再生ヘッドと磁気記録媒体の動作時の関係を示す断面図である。
磁気ヘッドは、主磁極１及びリターンポール３等を備えた記録ヘッド２５と、再生素子４と下部シールド２４１及び上部シールド２４２を備えた再生ヘッド２４により構成される。この磁気ヘッドによって、矢印Ｘ方向へ回転する磁気ディスク９（裏打ち層９０上に記録層９１を有する磁気記録媒体）の記録層９１に磁気信号を記録再生する。
【００１８】
記録ヘッド２５は、主磁極１と、励磁部６と、主磁極ヨーク部１７が浮上面から離れた位置でリターンポール３と磁気的に接続され、磁気記録媒体９を介して磁気回路を構成し、この磁気回路にコイル２が周回される。また、非磁性層を介してシールド３２が接続される。コイル２が発生する磁束Ｆにより書き込み磁極１ｂが放出する磁束で磁気記録媒体９の記録層９１を磁化反転させて、記録すべき情報に応じた磁化反転パターンを記録する。
【００１９】
磁気ヘッドを搭載した磁気スライダは、磁気記録媒体９上に浮上し浮上面との角度θを保ちながら、記録ヘッド２５の書き込み磁極から磁束を放出して記録層９１の磁性層を磁化反転させて情報を書き込む。従来の面内記録のように、磁気記録媒体と平行に書き込み磁極を形成した場合は、磁気記録媒体９の走行方向(Ｘ方向)に対して下流に磁束を放出することになるが、本発明のように（図３にて後述する）、傾斜角θ１を有するＬＥＴ補助磁極部を設けることにより主磁極１からの磁束は上流側に放出し、磁界の立ち上がりを示す磁界勾配を向上させることができる。
【００２０】
[実施例１]
図３は、一実施例による垂直磁気記録ヘッドの構成を示す。
（ａ）は浮上面から見た主磁極１の横断面形状を示し、（ｂ）はトラック中心における基板上に形成された主磁極の構造を示す側断面図、（ｃ）は（ｂ）の主磁極のリーディング側から見た図である。図３（ｂ）（ｃ）の点線より左側は、磁気ヘッドの製造過程で切断される部分である。
（ａ）は、主磁極の断面形状の３つの比較例を示す。（１）の例は、主磁極が逆台形形状を成している。（２）の例は、Ａ磁極が狭小化されて、幅Ｗ１＞Ｗ３から幅Ｗ３がゼロに近づいた逆三角形状を成している。（３）の例は、本発明の例による主磁極であり、Ｂ磁極の幅Ｗ１と同じＷ１寸法であり、膜厚はＴ１＞Ｔ２として、浮上面に設置したＬＥＴ補助磁極部からも磁束を主磁極に供給する面積を広げ、ＬＥＴ補助磁極を素子高さ方向上部に傾斜角度θ１で対向する磁気記録媒体から遠ざけることでリーディング側の磁界の広がりを小さくした逆台形形状を成している。
【００２１】
（ｂ）は（３）の例による主磁極の構成を示す。主磁極１は、書き込み磁極部１１と、２つの傾斜角θ１、θ２を有するリーディング（ＬＥＴ）側補助磁極部１２と、トレーディング（ＴＥＴ）補助磁極部１３とが一体化され、非磁性層を介してシールド３２が形成される。特徴的なことは、主磁極１のＬＥＴ補助磁極部１２は、浮上面から後退する方向（素子高さ方向）に向かって次第に膜厚が増す傾斜した構造であって、その傾斜角（ＡＢＳに垂直な面に対して）がθ１の部分１２１と、θ２の部分１２２を有する。すなわち、ＬＥＴ補助磁極部１２は傾斜角θ１とθ2を有するステップ状の掘り込みが形成され、高い飽和磁束密度を有する磁性体が積層される。積層された磁性体は、スライダ加工で切断され、ＡＢＳ加工される面に露出する磁極面を有する主磁極からスロープ状に膜厚が増加するＴＥＴ補助磁極に加工される。
【００２２】
（ｃ）は同じく、（３）の例による主磁極の構成を示す。主磁極１は、浮上面に露出してトラック幅を規定する先端部分であるスロートハイト部１４１と、スロートハイト部１４１から後退した部分であるテーパ形状のフレア部１４２を有する。すなわち、傾斜角θ１の部分１２１と傾斜各θ２の部分１２２から成るＬＥＴ補助磁極１２は、スロートハイト部１４１とフレア部１４２を含む部分により構成される。
【００２３】
図４は、２つの傾斜角θ１とθ2を有するＬＥＴ補助磁極を備えた磁気ヘッドの磁界強度と半値幅の変化を示す。
ここで、2つの傾斜角を有するＬＥＴ補助磁極の効果を示すために、ＴＥＴ補助磁極の無い書き込み磁極を用いて浮上側の浮上面に配置した傾斜角θ１のみを変化させ、傾斜角θ２は５３°に固定とした。
【００２４】
図中のθ１＝９０°は、ＬＥＴ補助磁極が磁気記録媒体と平行状態でＬＥＴ補助磁極面から磁束が放出されリーディング側の磁界強度が強くなり半値幅が拡がる。傾斜角θ１が低角側に変化するに従いＬＥＴ補助磁極面から磁束の放出が低減され、磁束の集中しやすいエッジからの磁束の放出による磁界強度が増加しながら半値幅の拡がりが抑制され始め、エッジからの磁束の放出も傾斜角θ１が４５°前後で最大磁界強度となる。
以後、低角に移行すると磁界強度は低下しながら半値幅の拡がりが止まる。浮上側の浮上面に設置するＬＥＴ補助磁極の傾斜角θ１を適正化することにより磁界増強させながら半値幅の拡がりを抑制することができる。
【００２５】
図５（a）は、本実施例による傾斜角θ１とθ2を有するＬＥＴ補助磁極を備えた磁気ヘッドを示す。この磁気ヘッドを用いて、（ｂ）及び（ｃ）のデータを得た。
（ｂ）は、図４に示したＬＥＴ補助磁極による磁界増強の効果から、磁界強度の高い傾斜角θ１の４５°周辺から０°までの範囲を有する主磁極を用いた磁気ヘッドの磁界強度，磁界勾配，湾曲率の計算結果を示す。計算には、ＴＥＴ補助磁極も付与したヘッド構造になっており、θ２の傾斜角度は５３°と一定とした。ここで、湾曲率とは、一定磁界強度のトラック幅方向における等磁界線の曲がり度合いを示し、湾曲率が大きくなると分解能に影響を与える。
図中、横軸のＴＥＴとは、本発明の磁気ヘッドと比較するために、ＬＥＴ補助磁極の無い磁気ヘッドを示し、傾斜角度θ１の０°はθ２の傾斜角度５３°のみのＬＥＴ補助磁極を素子高さ方向上部のフレアとスロートハイトの境界に設けた磁気ヘッドを示す。
ＴＥＴ補助磁極のみの磁気ヘッドより浮上面にＬＥＴ補助磁極を設けて、ＴＥＴ補助磁極とＬＥＴ補助磁極を併用することにより磁界強度，磁界勾配を増加させることができる。
【００２６】
傾斜角度５３°＝θ１＝θ２の場合は、ＬＥＴ補助磁極面からの磁束の放出によりリーディング側の磁界強度が強くなり全体の磁界分布をリーディング側へ押し下げるためにトレーリング側のトラック幅方向の磁界強度が低下して湾曲率が上昇してしまう。
傾斜角度θ１＝０°の場合は、素子高さ方向上部のフレアとスロートハイトの境界に設けたＬＥＴ補助磁極から傾斜角度５３°に沿って磁束が急激に流れ込むために局部的な磁束の飽和が生じてトレーリング側に押し上げて磁界勾配に寄与する磁束の流れが阻害され、ＬＥＴ補助磁極からの磁束の一部が周辺から磁極の外に磁束が放出されＬトレーリング側への押し上げ効果が低下するために磁界勾配に影響が出る。
【００２７】
傾斜角度θ１＜θ２とした２ステップＬＥＴ補助磁極とすることにより、θ２の傾斜角５３°に沿って磁束をトレーリング側に押し上げながら傾斜角度θ１に沿って磁束の流れが分散される。これにより局所的な磁束の集中を緩和して磁束の飽和を抑制しトレーリング側へ磁束の流れを導くことなり磁界勾配が向上してθ１の傾斜角度３３°近傍で最も高い磁界勾配を示した。
【００２８】
図５（ｃ）は、θ２を５３°と一定にして、θ１を１５°，３３°，５３°とした場合のトラック中心からトラック幅方向の磁界分布による広がりを規格化して示す。したがって５３°は、傾斜角度５３°=θ１=θ２の場合を示しており、θ１を３３°以下にすれば磁化反転幅が拡がらないことを示している。
【００２９】
以上のことから、本発明に係る２ステップＬＥＴ補助磁極によれば、浮上面側の浮上面の傾斜角度θ１を適正化することにより、磁界強度と磁界勾配を高め湾曲率を抑えながら、ＬＥＴ補助磁極面からの磁束の放出，局所的な磁界飽和に伴う磁束の放出および磁化反転幅の広がり起因する隣接するトラック情報の消去および減衰を防止した磁気記録ヘッドを実現することができる。
【００３０】
[磁気ヘッドの製造方法]
次に、図６〜図１０を参照して、実施例１（図３（ｂ）（ｃ））による磁気ヘッドの記録ヘッド部の製造方法について説明する。
なお、本発明に直接関係のない、記録再生ヘッドの前工程である読み取り用のリード素子４をシールド層８，９に挟み込んで形成する工程、及びコイルに励起されて誘導磁界を発生する励磁部６を形成する工程の説明は省いてある。
【００３１】
ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）工程により平坦化された状態から、記録ヘッドは、主に以下の８工程により製造される。
（１）基板上に非磁性絶縁層を積層する工程、
（２）イオンビーム照射して前記非磁性絶縁層に傾斜角度θ2を有するパターンを励磁部６の面が露出するまで掘り込む工程、
（３）イオンビームを照射して傾斜角度θ2を有するパターンの浮上面側のエッジ部を傾斜角度θ1に加工する工程、
（４）主磁極となる磁性膜を積層する工程、
（５）前記磁性膜をスロープ状に加工してＴＥＴ補助磁極層部とスロートハイト部に分離する工程、
（６）スロートハイト部とフレア部から成る主磁極形状にパターンニング形成する工程、
（７）前記主磁極を包むように非磁性層を形成する工程、
（８）前記非磁性層を介してシールド３２となる磁性層を形成する工程。
【００３２】
図６〜図１０を参照する。まず、（ａ）に示すように、コイルに励起されて誘導磁界を発生する励磁部６を製造した後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）工程により平坦化された状態の基板上に、ＬＥＴ補助磁極の掘り込み量に相当する膜厚の非磁性性絶縁膜１０１が積層される。非磁性性絶縁膜１０１には、例えばＡｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ等の酸化物、窒化物の単層膜や積層膜を用いることができる。この積層は、カルーセル型スパッタ装置，イオンビームデポジション装置，ＣＶＤ装置（Chemical Deposition）あるいはＡＬＤ装置（Atomic Layer Deposition）等の装置を用いて行われる。
【００３３】
次に、（ｂ）に示すように、主磁極のフレア部とスロートハイト部の境界から浮上面の浮上面を覆うように加工マスク１０２を形成する。例えば、加工マスクは感光性フォトレジストを塗布してフォトグラフィー手法を用いてパターニングして形成される。
【００３４】
次に、（ｃ）に示すように、非磁性絶縁膜１０１が傾斜角度θ２を有するステップ状又はテーパ状の面を残して励磁部６の面が露出するまで除去する。例えば、イオンミリング手法により非磁性絶縁膜１０１にステップ状又はテーパ状に磁気記録媒体と対向する面に形成するには、加工マスク１０２の高さによる影の部分を利用してイオンビームが照射されない面とイオンビームが１００％照射される面ができるように、イオンビームの照射に対して基板を左右に回転させることにより加工膜厚差を施しながら傾斜角度θ２が得られるイオンビームの入射角度にするために、基板を傾斜させる。
【００３５】
図７は、２つのステップ傾斜角を製造する工程の素子高さ方向の断面図を示す。
（ｄ）は、図６（ｃ）に示した工程の断面図を示す。（ｅ）は、加工マスク１０２を除去した状態の断面図を示す。（ｆ）は、イオンビームを照射して傾斜角度θ2を有するパターンの浮上面側を傾斜角度θ1に加工した状態の断面図を示す。
【００３６】
（ｅ）に示すように、傾斜角度θ２を有するステップ状およびテーパ状の面に対してイオンミリング手法により加工マスク１０２で保護されていた面と傾斜角度θ２の交点を加工する。
（ｆ）に示すように、例えば、低い加工速度の加速電流を用いてイオンビームを照射すると上面と側面を有するエッジ部は両面からのイオンビームの照射で周辺よりも早く加工されて傾斜面が形成される。傾斜角度θ１に形成するには、イオンビームの照射角度による上面と側面の加工量を調整することで容易に形成できる。
【００３７】
図８は、磁性層を積層してＴＥＴ補助磁極層部とスロートハイト部に分離する工程の断面図を示す。（ｇ）は、図７（ｆ）のＬＥＴ補助磁極が積層される２ステップ形状を形成した後、主磁極となる磁性膜１ａを積層して加工マスク１０２を形成した状態を示す。例えば、主磁極となる磁性層１ａはＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅのうち少なくとも２種の元素を含む高い飽和磁束密度を有する磁性材料の単層膜や積層膜を用いることができる。
【００３８】
次に、（ｈ）に示すように、加工マスク１０２を用いて浮上面側に向かって加工マスク１０２から膜厚が減少するように、膜厚の厚いＴＥＴ補助磁極層からスロープ状に加工してスロートハイトとなる磁極の膜厚まで加工して平坦化する。例えば、イオンミリング手法により前記磁性層１ａにスロープ状の加工を施すには、加工マスク１０２の高さによる影の部分を利用してイオンビームが照射されない面とイオンビームが１００％照射される面ができるように、加工マスク１０２の加工する面の裏側の素子高さ方向から基板を左右に回転させながらイオンビームを照射することにより加工マスク１０２直下の磁性層の加工を最小限にしてスロートハイト部と加工膜厚差を施こすことにより得られ、ＴＥＴ補助磁極部の傾斜角度を設定するためにはイオンビームの入射角度を制限するために基板を傾斜させれば良い。
【００３９】
（ｉ）は、加工マスクを除去した実施例１の膜厚方向の加工状態の断面図を示す。本実施例において、膜厚方向は、２つのステップにより形成される傾斜角度θ１とθ２を有するＬＥＴ補助磁極層とＴＥＴ補助磁極層から膜厚が減少して書き込み磁極層までスロープ状に加工されてスロートハイト部が平坦化された形状の磁性層１ａが形成される。次に、主磁極としての機能を持たせるためにフレア部とスロートハイト部にパターン化する工程について次に述べる。
【００４０】
図９（ｊ）〜（ｌ）に示すように、膜厚方向が形成された磁性層１ａ上に感光性フォトレジストが塗布される。感光性フォトレジストは、フォトリソグラフィー手法を用いて書き込み幅を規定するスロートハイト部とコイルの励起により発生した誘導磁界を浮上面の浮上面に導くフレア部を有する主磁極形状にパターニングされてイオンミリング手法の加工用マスク１０３に用いられる。イオンミリング手法により膜厚方向が製造された磁性層１ａはスロートハイト部とフレア部からなる主磁極形状に加工される。主磁極の浮上面は、磁気記録ヘッドが搭載されたスライダが磁気記録媒体上を移動する際に書き込みトラックに隣接するトラックの情報を消去させないために逆台形形状に加工して隣接するトラックに対して磁気的逃げ角が付与されている。
【００４１】
次に、シールド３２のサイドギャップ層と磁気シールドを形成する。
図１０（ｍ）は、主磁極を包むように全面に非磁性層を積層した状態を示す。積層装置としては、カルーセル型スパッタ装置，イオンビームデポジション装置，ＣＶＤ装置あるいはＡＬＤ装置等のパターン側壁への付き回りが良い装置を用いることが好ましい。積層する非磁性層１０４の膜厚は、主磁極とシールド３２のサイドギャップ間隔とする。
【００４２】
（ｎ）に示すように、主磁極のトレーリング側に積層された非磁性層１０４はイオンミリング手法を用いて、イオン入射角を４５°から６０°のパターン側面より上面への加工量の多い条件により、主磁極のトレーリング側の磁性層の面が露出するまで非磁性層を除去し、主磁極の側面にのみ非磁性層１０４を残してシールド３２のサイドギャップ層を形成する。
次に、（ｏ）に示すように、主磁極の性能を左右する磁気シールド３２は主磁極を包み込むように非磁性層を介して電解めっき法を用いてパターン形状とする。
【００４３】
電解めっき用電極層の密着層として主磁極のトレーリング側シールドギャップを兼ねた非磁性密着層として、例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ等の酸化物、窒化物の単層膜や積層膜、また、Ｃｒ，ＮｉＣｒ，Ｒｈ，Ｍｏ，Ｎｂ，等の非磁性金属の単層膜や積層膜を用いることができる。電極層としては、例えば、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅのうち少なくとも２種の元素を含む磁性材料の単層膜や積層膜を用いることができる。電極層にフォトリソグラフィー手法を用いて、感光性レジストによりシールド３２のパターンを形成して、シールド３２を電解めっき法により形成する。シールド３２をめっき後、レジストを除去し、電極層をイオンミリング手法により除去する。
以後、ＣＭＰ手法により平坦化してコイル２を形成し、コイル２を包むように保護膜を形成し、リターンポール３が形成される。
【００４４】
次に、図１１、図１２を参照して、他の実施例による磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。
[実施例２]
図１１（ａ）は、２ステップＬＥＴ補助磁極用の掘り込み部を形成した後に磁性膜を積層してＣＭＰ手法により平坦化した磁性層上に書き込み磁極分の磁性膜を積層した磁気ヘッドの構造体である。
図１１（ｂ）は、２ステップＬＥＴ補助磁極用の掘り込み部を形成した後に磁性膜を積層して加工マスクを用いてスロープ状に素子高さ方向から浮上面側に向かって浮上面想定位置で膜厚がゼロに成るまで加工を施した。磁性層の飽和磁束密度よりも磁性層の上に積層する書き込み磁極用の磁性層の飽和磁束密度を高くした磁気ヘッドの構造体である。
【００４５】
[実施例２]
図１２(ａ)は、２ステップＬＥＴ補助磁極用の掘り込み部を形成した後に磁性膜を積層して加工マスクを用いてスロープ状に素子高さ方向から浮上面側に向かって平坦部を持たせながら浮上面側の磁性膜を除去したＬＥＴ補助磁極層５に書き込み磁極層１の膜厚の磁性層を積層した磁気ヘッドの構造体である。
図１２（ｂ）は、２ステップＬＥＴ補助磁極用の掘り込み部を形成した後に磁性膜を積層して加工マスクを用いて傾斜角度θ２の面に磁性膜が残るように磁性膜を除去する。次に磁性膜を積層して加工マスクを用いてスロープ状に素子高さ方向から浮上面側に向かって平坦部を持たせるように磁性膜を加工する。
以上のように、上記の実施例２，３は、いずれの構造体も２つの傾斜角度θ１とθ２のステップ状の加工が施されたＬＥＴ補助磁極が書き込み磁極のリーディング側に設置されているために、実施例１と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００４６】
１：主磁極、  １ａ：磁性層、  １ｂ：書き込み磁極、  ２：コイル、  ３：リターンポール、  ５：ＬＥＴ補助磁極部、  ６：励磁部、  
９：磁気ディスク（磁気記録媒体）、  ８２：磁気ヘッドスライダ、  ８３：サスペンションアーム、  ８４：ロータリアクチュエータ、
３２：磁気シールド、  １０１：非磁性絶縁膜、  １０２，１０３：加工マスク、  １０４：非磁性層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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