(57)【要約】【課題】リードが所望の配置からずれてしまうことを抑制しつつ、リードの裏面における樹脂バリの発生を抑制する。【解決手段】リードフレーム１００は、ダイパッド１と、ダイパッド１の周囲に配列されている複数のリード２と、複数のリード２の外方に隣接し、複数のリード２を相互に連結しているタイバー３１と、タイバー３１の外方に隣接している周縁部４と、を有している。そして、周縁部４の裏面には第１凹部２１が形成され、タイバー３１の裏面には第１凹部２１と連続的に第２凹部２２が形成され、第２凹部２２がタイバー３１とダイパッド１との間の空間７に連通している。【選択図】図１
2011171678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配列されている複数のリードと、
前記複数のリードの外方に隣接し、前記複数のリードを相互に連結しているタイバーと、
前記タイバーの外方に隣接している周縁部と、
を有し、
前記周縁部の裏面には第１凹部が形成され、前記タイバーの裏面には前記第１凹部と連続的に第２凹部が形成され、前記第２凹部が前記タイバーと前記ダイパッドとの間の空間に連通していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記第１凹部と前記第２凹部とは、互いに段差無く形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記第２凹部は、前記ダイパッドの一辺に沿って直線状に配列されている複数の前記リードのうち、一端側に位置する前記リードに隣接する位置から、他端側に位置する前記リードに隣接する位置に亘って連続的に、前記タイバーに形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
当該リードフレームは、
一のダイパッドと、
前記一のダイパッドの周囲に配列されている複数のリードと、
を含む単位フレームをマトリクス状の配置で複数有する単位フレーム群を有し、
前記単位フレーム群に含まれる前記単位フレームのうち、隣り合う前記単位フレームでは、前記タイバーを共用しており、
前記周縁部、前記第１凹部及び前記第２凹部は、前記単位フレーム群の外周に沿った部分にのみ形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のリードフレーム。
【請求項５】
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配列されている複数のリードと、
前記複数のリードの外方に隣接し、前記複数のリードを相互に連結しているタイバーと、
前記タイバーの外方に隣接している周縁部と、
を有し、
前記周縁部の裏面には第１凹部が形成され、前記タイバーの裏面には前記第１凹部と連続的に第２凹部が形成され、前記第２凹部が前記タイバーと前記ダイパッドとの間の空間に連通しているリードフレームを準備する工程と、
前記ダイパッド上に半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップと前記リードとをワイヤボンディングする工程と、
前記半導体チップを封止樹脂により片面封止する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
片面封止型の半導体装置の製造は、例えば、以下の手順で行う。
先ず、リードフレームを準備する。リードフレームは、ダイパッドと、ダイパッドの周囲に配置された複数のリードと、複数のリードを相互に連結するタイバーと、タイバーとダイパッドとを相互に連結する吊りリードと、を有している。
次に、リードフレームのダイパッド上に半導体チップを搭載し、半導体チップの電極とリードとをワイヤボンディングする。次に、金型を用いて半導体チップを封止樹脂により片面封止する。
【０００３】
その後、個々のリードが分離するように、ダイシングによって封止樹脂及びリードフレームを切断することにより、半導体装置を得ることができる。
【０００４】
ところで、樹脂封止の際には、リードの裏面側に樹脂が回り込んでしまうことがある。リードの裏面側に樹脂が回り込むと、リードの裏面に樹脂バリが形成されて半導体装置の電気的接続性が悪化するため、例えば、樹脂バリの除去作業が必要となる。
【０００５】
このような問題に鑑みなされた技術としては、例えば、特許文献１に記載のものがある。特許文献１のリードフレームには、リードの配置領域の外方域、且つ、タイバーの外方域に、リードフレームの表裏を貫通する貫通穴（切り欠き部）が形成されている。特許文献１には、この貫通穴を形成したことにより、リードの裏面における樹脂バリの形成が防止される旨の記載がある。
【０００６】
なお、特許文献２には、リードにおける外方端部の裏面にハーフエッチングを行うことによりリードの外方端部を薄肉部とし、リードの外方端部の全周を封止樹脂で覆った状態で、その部分をダイシングすることが記載されている。
また、特許文献３には、タイバーと、タイバーの周囲を囲む枠と、を短冊状の連結部によって相互に連結した構造のリードフレームが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２７４３０８号公報
【特許文献２】特開２００７−２８１２０７号公報
【特許文献３】特開平０８−０３７２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の技術では、樹脂封入時の圧力によってタイバーが変形してしまう。そして、この変形に伴い、タイバーと繋がっているリードが所望の配置からずれてしまう。このため、リードが所望の位置に配置されている半導体装置を製造することが困難である。
【０００９】
このように、リードが所望の配置からずれてしまうことを抑制しつつ、リードの裏面における樹脂バリの発生を抑制することは困難だった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配列されている複数のリードと、
前記複数のリードの外方に隣接し、前記複数のリードを相互に連結しているタイバーと、
前記タイバーの外方に隣接している周縁部と、
を有し、
前記周縁部の裏面には第１凹部が形成され、前記タイバーの裏面には前記第１凹部と連続的に第２凹部が形成され、前記第２凹部が前記タイバーと前記ダイパッドとの間の空間に連通していることを特徴とするリードフレームを提供する。
【００１１】
このリードフレームによれば、周縁部の裏面には第１凹部が形成され、タイバーの裏面には第１凹部と連続的に第２凹部が形成され、第２凹部がタイバーとダイパッドとの間の空間に連通している。
よって、樹脂封入時には、ダイパッドとタイバーとの間の空間から第２凹部へ樹脂が流入し、更に、この樹脂が第２凹部から第１凹部へと流入するようにできる。このため、樹脂封入時における樹脂の圧力を、リードよりも外方へ逃がすことができる。なぜなら、第１及び第２凹部はリードよりも外方に位置しているからである。これにより、リードの裏面側への樹脂の回り込みを抑制し、リードの裏面における樹脂バリの形成を抑制することができる。
また、樹脂封入時に第１及び第２凹部に樹脂が充填されるタイミングを、リードの周囲に樹脂が充填されるタイミングよりも遅らせることができる。なぜなら、第１及び第２凹部はリードよりも外方に位置しているからである。このため、樹脂封入の進行に伴いキャビティ内の空気が徐々に逃げ場を失う際に、該空気が樹脂によって第１凹部の外方端部へ押しやられるようにすることができる。よって、逃げ場を失った空気がリードの裏面側に回り込んで空気溜まりを形成してしまう可能性を低減できる。従って、空気の進入によってリードの裏面に形成される隙間に樹脂が回り込んでしまう可能性を低減することができるので、リードの裏面における樹脂バリの形成を抑制することができる。
また、リードフレームの周縁部において、タイバーの外方に隣接する部分の全体に貫通穴が形成されているのではなく、該周縁部の少なくとも一部分に第１凹部が形成され、この部分がタイバーと連結されている。よって、リードフレームの周縁部においてタイバーの外方に隣接する部分の全体に貫通穴が形成されている場合と比べて、リードフレームにおけるタイバー近辺の剛性が向上するので、タイバーの形状を維持しやすくなる。これにより、樹脂封入時の圧力によるタイバーの変形を抑制することができる。よって、タイバーの変形に伴うリードの配置のずれを抑制することができる。
要するに、リードが所望の配置からずれてしまうことを抑制しつつ、リードの裏面における樹脂バリの発生を抑制することができる。
【００１２】
また、本発明は、ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配列されている複数のリードと、
前記複数のリードの外方に隣接し、前記複数のリードを相互に連結しているタイバーと、
前記タイバーの外方に隣接している周縁部と、
を有し、
前記周縁部の裏面には第１凹部が形成され、前記タイバーの裏面には前記第１凹部と連続的に第２凹部が形成され、前記第２凹部が前記タイバーと前記ダイパッドとの間の空間に連通しているリードフレームを準備する工程と、
前記ダイパッド上に半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップと前記リードとをワイヤボンディングする工程と、
前記半導体チップを封止樹脂により片面封止する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、リードが所望の配置からずれてしまうことを抑制しつつ、リードの裏面における樹脂バリの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態に係るリードフレームを示す平面図である。
【図２】図１の要部拡大図である。
【図３】実施形態に係るリードフレームの要部の断面図である。
【図４】図１よりも広範囲を示すリードフレームの平面図である。
【図５】実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図６】実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図７】比較例のリードフレームを示す平面図である。
【図８】比較例のリードフレームを用いて半導体装置を製造する場合の樹脂封入時の一連の動作を示す模式的な断面図である。
【図９】実施形態に係るリードフレームを用いて半導体装置を製造する場合の樹脂封入時の一連の動作を示す模式的な断面図である。
【図１０】変形例に係るリードフレームを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
【００１６】
図１は実施形態に係るリードフレーム１００を示す平面図、図２は図１の要部拡大図である。図３（ａ）は図２のＡ−Ａ線に沿った断面図、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ線に沿った断面図、図３（ｃ）は図２のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。図４は図１よりも広範囲を示すリードフレーム１００の平面図である。
【００１７】
本実施形態に係るリードフレーム１００は、ダイパッド１と、ダイパッド１の周囲に配列されている複数のリード２と、複数のリード２の外方に隣接し、複数のリード２を相互に連結しているタイバー３（特にタイバー３１）と、タイバー３（タイバー３１）の外方に隣接している周縁部４と、を有している。そして、周縁部４の裏面には第１凹部２１が形成され、タイバー３（タイバー３１）の裏面には第１凹部２１と連続的に第２凹部が形成され、第２凹部がタイバー３（タイバー３１）とダイパッド１との間の空間７に連通している。以下、詳細に説明する。
【００１８】
本実施形態では、一括封止組立方法と呼ばれる半導体装置の組立方法に本発明を適用する例を説明する。一括封止組立方法とは、リードフレーム１００を所望の形状にパターンニングした後、該リードフレーム１００上に複数の半導体チップ（以下、チップ）６０（図５）を搭載し、ワイヤボンディングした後、複数のチップ６０を封止樹脂６１（図６）によって一括封止し、その後、ダイシングによって個々の半導体装置７０（図６）に個片化する方法である。このような一括封止組立方法では、１枚のリードフレーム１００を用いて製造できる半導体装置７０の個数を多くすることができるので、半導体装置７０の単価を抑えることができる。また、ダイシングにより個片化するため、半導体装置７０のサイズを変えるには、ダイシングの切断ピッチを変更するだけでよく、様々なサイズの半導体装置７０を作ることができるというメリットがある。
【００１９】
図４に示すように、リードフレーム１００は、互いに隣接する複数の単位フレーム５（後述）をマトリクス状の配置で有する単位フレーム群６を有している。図４の例では、１つの単位フレーム群６は、縦横３列ずつで合計９つの単位フレーム５（単位フレーム５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９）を有している。
【００２０】
単位フレーム群６に含まれる複数の単位フレーム５は、後工程の樹脂封入工程にて、一括して封止樹脂６１により封入される。この封入の際に、リードフレーム１００は、図４に示す樹脂封止エリア６５の端部まで封止される。なお、封止樹脂６１により一括して樹脂封入されるエリア（ブロック）を一括封入ブロックと称し、一括封入ブロックの周縁部をブロック周縁部と称する。本実施形態の場合、周縁部４は、リードフレーム１００において、ブロック周縁部に位置する部分である。
【００２１】
図１に示すように、単位フレーム５は、例えば、ダイパッド１と、このダイパッド１の周囲に配列されている複数のリード２と、を含んで構成されている。具体的には、例えば、ダイパッド１は平面視矩形状に形成され、その四辺の各々に沿って、複数ずつ（図示の例では５つずつ）のリード２が配列されている。そして、ダイパッド１の１つの辺に沿って配列されている複数のリード２の各々は、例えば、それらの配列方向に対して直交する方向に長尺に形成されている。
【００２２】
また、タイバー３は、例えば、ダイパッド１の四辺のそれぞれと平行に、各単位フレーム５の外周に沿って配置されている。
【００２３】
タイバー３には、単位フレーム群６の外周に沿って配置されている（つまり、ブロック周縁部に沿って配置されている）タイバー３１と、隣り合う単位フレーム５の境界に位置するタイバー３２と、が含まれる。
【００２４】
タイバー３２は、隣り合う単位フレーム５で共用となっている。すなわち、例えば、図１で右上に位置する単位フレーム５１と、この単位フレーム５１の左側に隣接する単位フレーム５２とで、これらの境界に位置するタイバー３２を共用している。このタイバー３２は、単位フレーム５１のリード２のうち、該単位フレーム５１のダイパッド１の単位フレーム５２側に配列されている複数のリード２を相互に連結しているとともに、単位フレーム５２のリード２のうち、該単位フレーム５２のダイパッド１の単位フレーム５１側に配列されている複数のリード２をも相互に連結している。
【００２５】
また、リードフレーム１００において、タイバー３１の周囲に隣接する部分は、周縁部４である。
【００２６】
図１乃至図３に示すように、リードフレーム１００には、タイバー３１の裏面から周縁部４の裏面に亘って連続的に、ハーフエッチングにより凹部２０が形成されている。なお、図１、図２、図４及び図９においては、凹部２０の形成範囲を分かりやすくするため、該形成範囲に斜線を付している。凹部２０において、周縁部４の裏面の部分が第１凹部２１、タイバー３１の裏面の部分が第２凹部２２である。第２凹部２２は、タイバー３１とダイパッド１との間の空間７に連通している。
【００２７】
第２凹部２２は、図２に示す範囲Ｄの両端間に亘って連続的に形成されている。すなわち、第２凹部２２は、ダイパッド１の一辺に沿って直線状に配列されている複数のリード２のうち、一端側に位置するリード２に隣接する位置から、他端側に位置するリード２に隣接する位置に亘って連続的に、タイバー３１に形成されている。
【００２８】
また、第２凹部２２の深さは一定となっている。また、第１凹部２１も深さが一定となっている。更に、第１凹部２１と第２凹部２２の深さは互いに等しくなっている。従って、第１凹部２１と第２凹部２２とは、互いに段差無く形成されている。
【００２９】
なお、隣り合う単位フレーム５の境界部には、周縁部４、第１凹部２１及び第２凹部２２は形成されていない。すなわち、周縁部４、第１凹部２１及び第２凹部２２は、単位フレーム群６の外周に沿った部分にのみ形成されている。
【００３０】
周縁部４には、周縁部の表裏を貫通している複数の貫通穴２５、２６、２７（図１）が、リード２の配列方向と並列に間欠的に形成されている。このうち、凹部２０の形成範囲の内側に位置する貫通穴２５は、凹部２０の形成範囲の外側に位置する貫通穴２６、２７よりも寸法が小さくなっている。
【００３１】
なお、凹部２０の形成範囲の内側に複数の貫通穴２５が間欠的に形成されていることにより、タイバー３１と、周縁部４の一部分であって貫通穴２５よりも外方に位置する部分４１とは、周縁部４の一部分であって第１凹部２１が形成されている短冊状の部分４２を介して相互に連結されている（図２）。
【００３２】
リードフレーム１００は、更に、ダイパッド１とタイバー３とを相互に連結し、ダイパッド１をタイバー３によって吊るようにして保持させる吊りリード９を有している。具体的には、各吊りリード９は、ダイパッド１の４隅の各々と、タイバー３どうしの交点と、を連結している。
【００３３】
次に、実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
【００３４】
図５及び図６は実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す図であり、それぞれ図４のＥ−Ｅ線に沿った断面を示す。
【００３５】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、先ず、上述のリードフレーム１００を準備する。次に、各ダイパッド１上にそれぞれチップ６０を搭載する。次に、チップ６０とリード２とをワイヤボンディングする。次に、チップ６０を封止樹脂６１により片面封止する。以下、詳細に説明する。
【００３６】
先ず、図５（ａ）に示すように、リードフレーム１００を準備する。リードフレーム１００は、例えばＣｕなどの金属膜をエッチングにより所望の平面形状にパターニングした後で、その裏面にハーフエッチングにより凹部２０を形成することによって作成することができる。
【００３７】
次に、図５（ｂ）に示すように、各ダイパッド１上にそれぞれソルダー（はんだ）６２を介してチップ６０を搭載する。更に、チップ６０の上面の電極（図示略）とリード２とをボンディングワイヤ６３を介してワイヤボンディングする。
【００３８】
次に、図６（ａ）に示すように、封止樹脂６１により複数のチップ６０を一括して封入する。すなわち、単位フレーム群６に含まれる複数の単位フレーム５を、図４に示す樹脂封止エリア６５の端部まで一括して封入する。その際、リードフレーム１００の裏面の凹部２０の第２凹部２２内及び第１凹部２１内にも封止樹脂６１を充填する（詳細後述）。
【００３９】
次に、図６（ａ）に示す切断位置６４の各々にて封止樹脂６１及びリードフレーム１００をダイシングにより切断し、半導体装置７０を個片化する（図６（ｂ））。これにより、１つのリードフレーム１００から複数の半導体装置７０を製造することができる。本実施形態の場合、例えば、リードフレーム１００における１つの単位フレーム群６から９つの半導体装置７０を製造することができる。ここで、リードフレーム１００に貫通穴２５、２６、２７が形成されていることにより、ダイシングソーの摩耗を低減することができる。
【００４０】
なお、切断位置６４は、個々のリード２が分離されるように、各リード２の外方端部を切断できる位置にする。リード２の裏面には凹部（ハーフエッチング）が形成されていないため、各リード２が分離されるようにダイシングを行って半導体装置７０を個片化した後では、半導体装置７０の裏面には、半導体装置７０の外周端７０ａ（図６（ｂ））までリード２が露出した状態となる。
【００４１】
ここで、比較例として、凹部２０と貫通穴２５〜２７とが形成されていない他は実施形態に係るリードフレーム１００と同様に構成されているリードフレーム１５０を図７に示す。
【００４２】
図８は比較例のリードフレーム１５０を用いて半導体装置を製造する場合の樹脂封入時の一連の動作を示す模式的な断面図である。このうち図８（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）は要部の平面図である。ただし、図８（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）ではチップ６０、ボンディングワイヤ６３及び封止樹脂６１の図示を省略している。また、図８（ａ）は図８（ｂ）の、図８（ｃ）は図８（ｄ）の、図８（ｅ）は図８（ｆ）の、それぞれＦ−Ｆ線に沿った断面を示す。
【００４３】
図８（ａ）に示すように、封止樹脂６１の封入は、下金型８１上にバックテープ８３を介してリードフレーム１５０を配置し、下金型８１に上金型８２を位置決めした状態で、上下の金型８１、８２の間のキャビティ内に封止樹脂６１を注入することにより行う。例えば、図８（ａ）、（ｂ）に矢印Ｇ方向で示されるように、ブロック周縁部に向けて封止樹脂６１が注入されていく。
【００４４】
このため、図８（ｃ）及び（ｄ）に示すように、ブロック周縁部に近いリード２の付近では封止樹脂６１の充填が最も遅くなり、封止樹脂６１が未だ充填されていない部分には空気が残る。この空気が逃げ場を失うと、この空気は、図８（ｃ）に示すように、封止樹脂６１の圧力によってバックテープ８３をリード２から引き剥がす方向に押しやって、リード２の裏面とバックテープ８３との隙間に入り込み、空気溜まり６６を形成することがある。すると、空気溜まり６６の進入によってリード２の裏面に形成される隙間に封止樹脂６１までもが回り込んでしまう可能性がある。このように、リード２の裏面に封止樹脂６１が回り込んでしまうと、リード２の裏面に樹脂バリ（図示略）が形成されてしまう（図８（ｅ）、（ｆ））。
【００４５】
より詳細なメカニズムとしては、例えば、以下の説明を行うことができる。リード２の間隔は狭いため、リード２の間隔への封止樹脂６１の充填（図８（ｄ）の矢印Ｉ参照）は、リード２の周囲の部分への封止樹脂６１の充填（図８（ｄ）の矢印Ｈ参照）よりも遅くなる。このため、例えば、リード２の長手方向における中央部の間隔６８に封止樹脂６１が充填されるよりも先に、リード２の最外周部（タイバー３１に対する基端部）の周囲から先回りした封止樹脂６１がリード２の最外周部の間隔６９に充填されることがある（図８（ｅ）、（ｆ）参照）。すると、リード２の中央部の間隔６８の空気は逃げ場を失い、上述したメカニズムにより空気溜まり６７を形成する。
【００４６】
一方、図９は本実施形態に係るリードフレーム１００を用いて半導体装置を製造する場合の樹脂封入時の一連の動作を示す模式的な断面図である。このうち図９（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）は、図２とほぼ同じ位置の平面図である。ただし、図９（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）ではチップ６０、ボンディングワイヤ６３及び封止樹脂６１の図示を省略している。また、図９（ａ）は図９（ｂ）の、図９（ｃ）は図９（ｄ）の、図９（ｅ）は図９（ｆ）の、それぞれＦ−Ｆ線に沿った断面を示す。
【００４７】
図９（ａ）に示すように、下金型８１上にバックテープ８３を介してリードフレーム１００を配置することにより、下金型８１への封止樹脂６１の漏洩を抑制する。そして、下金型８１に上金型８２を位置決めした状態で、上下の金型８１、８２の間のキャビティ内に封止樹脂６１を注入する。例えば、図９（ａ）、（ｂ）に矢印Ｇ方向で示されるように、ブロック周縁部に向けて封止樹脂６１が注入されていく。
【００４８】
このため、図９（ｃ）及び（ｄ）に示すように、ブロック周縁部に近いリード２の付近では封止樹脂６１の充填が最も遅くなり、封止樹脂６１が未だ充填されていない部分には空気が残る。
【００４９】
本実施形態では、リードフレーム１００の裏面には、タイバー３１の裏面から周縁部４の裏面に亘って連続的に凹部２０が形成されている。そして、この凹部２０における第２凹部２２がタイバー３１とダイパッド１との間の空間７に連通している。このため、封止樹脂６１は、例えば、空間７に充填された後に、図３（ｂ）に矢印Ｊで示すように空間７から第２凹部２２内に流入し、更に、図３（ａ）に矢印Ｋで示すように第２凹部２２から第１凹部２１へ流入する（図９（ｃ）、（ｄ）参照）。
【００５０】
このため、樹脂封入時における封止樹脂６１の圧力を、リード２よりも外方へ逃がすことができる。なぜなら、第１及び第２凹部２１、２２はリード２よりも外方に位置しているからである。これにより、リード２の裏面側への封止樹脂６１の回り込みを抑制し、リード２の裏面における樹脂バリの形成を抑制することができる。
【００５１】
また、リードフレーム１００の裏面に空気溜まり６６が形成されるとしても、該空気溜まり６６は、図９（ｅ）に示すように、例えば、第１凹部２１に形成される。このため、空気溜まり６６がリード２の裏面側に形成されてしまう可能性を低減することができ、リード２の裏面における樹脂バリの形成を抑制することができる。なぜなら、第１及び第２凹部２１、２２はリード２よりも外方に位置しているので、樹脂封入の進行に伴いキャビティ内の空気が徐々に逃げ場を失う際に、該空気が封止樹脂６１によって第１凹部２１の外方端部へ押しやられるようにすることができるからである（図９（ｅ）、（ｆ））。換言すれば、リードフレーム１００の裏面に空気溜まり６６を形成しようとする圧力がキャビティ内の空気に対して作用しうるタイミングよりも前に、リード２の周囲およびタイバー３１の裏面側に封止樹脂６１を充填しておくことができるので、リード２の裏面側への空気溜まり６６の形成を抑制することができる。
【００５２】
また、リードフレーム１００の周縁部４において、タイバー３１の外方に隣接する部分の全体に貫通穴が形成されているのではなく、周縁部４の少なくとも一部分には第１凹部２１が形成され、この部分がタイバー３１と連結されている。よって、リードフレーム１００の周縁部４においてタイバー３１の外方に隣接する部分の全体に貫通穴が形成されている場合と比べて、リードフレーム１００におけるタイバー３１近辺の剛性が向上するので、タイバー３１の形状を維持しやすくなる。これにより、樹脂封入時の圧力によるタイバー３１の変形を抑制することができる。よって、タイバー３１の変形に伴うリード２の配置のずれを抑制することができる。
【００５３】
以上のような実施形態によれば、周縁部４の裏面には第１凹部２１が形成され、タイバー３１の裏面には第１凹部２１と連続的に第２凹部２２が形成され、第２凹部２２がタイバー３１とダイパッド１との間の空間７に連通している。この構成により、リード２が所望の配置からずれてしまうことを抑制しつつ、リード２の裏面における樹脂バリの発生を抑制することができる。
【００５４】
また、第１凹部２１と第２凹部２２とは、互いに段差無く形成されている。これにより、第２凹部２２から第１凹部２１へとスムーズに封止樹脂６１を流入させることができる。
【００５５】
また、第２凹部２２は、図２に示す範囲Ｄの両端間に亘って連続的に形成されている。すなわち、第２凹部２２は、ダイパッド１の一辺に沿って直線状に配列されている複数のリード２のうち、一端側に位置するリード２に隣接する位置から、他端側に位置するリード２に隣接する位置に亘って連続的に、タイバー３１に形成されている。このため、空間７において、複数のリード２の間隔の部分から第２凹部２２内に流入した樹脂を、該第２凹部２２を介して第１凹部２１内へスムーズに導くことができる。
【００５６】
上記の実施形態では、一括封止組立方法に本発明を適用する例を説明したが、本発明は、個片封止組立方法に適用することもできる。図１０は変形例に係るリードフレーム２００を示す平面図である。このリードフレーム２００は、個片封止組立方法に適用される。
【００５７】
図１０に示すように、リードフレーム２００においては、単位フレーム５が分散して配置されており、単位フレーム群６（図４）は形成されていない。個々の単位フレーム５のダイパッド１の四辺の各々に沿って、タイバー３１が配置されている。各タイバー３１の裏面から周縁部４の裏面に亘って連続的に凹部２０が形成されている。図１０においても、凹部２０の形成範囲には斜線を付している。また、各タイバー３１に沿って貫通穴２５、２６、２７が形成されている。
【００５８】
このリードフレーム２００を用いて半導体装置を製造する場合も、上記と同様にダイパッド１上にチップ６０を搭載し、チップ６０とリード２とをワイヤボンディングした後で、所定の金型（図示略）を用いて樹脂封止エリア６５の端部まで封止樹脂６１を封入する。
【００５９】
このような変形例によっても、上記の実施形態と同様の効果が得られる。
【００６０】
また、上記の実施形態及び変形例では、リードフレーム１００、２００に貫通穴２５、２６、２７が形成されている例を説明したが、貫通穴２５、２６、２７のすべて、或いは、貫通穴２５と、貫通穴２６と、貫通穴２７と、のうちの少なくとも何れか１つは形成されていなくても良い。
【符号の説明】
【００６１】
１ ダイパッド
２ リード
３ タイバー
４ 周縁部
５ 単位フレーム
６ 単位フレーム群
７ 空間
９ 吊りリード
２０ 凹部
２１ 第１凹部
２２ 第２凹部
２５、２６、２７ 貫通穴
３１、３２ タイバー
４１、４２ 部分
５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９ 単位フレーム
６０ 半導体チップ
６１ 封止樹脂
６２ ソルダー
６３ ボンディングワイヤ
６４ 切断位置
６５ 樹脂封止エリア
６６、６７ 空気溜まり
６８、６９ 間隔
７０ 半導体装置
７０ａ 外周端
８１ 下金型
８２ 上金型
８３ バックテープ
１００、１５０、２００ リードフレーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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