(57)【要約】【課題】小型化されても、必要十分な端子間のアイソレーションが得られる高周波モジュールを実現する。【解決手段】積層基板の表層である第１層には、スイッチＩＣのＲＦ用端子電極が実装されるＲＦ端子用ランド１０１〜１０７が一直線上に配列形成されている。これらＲＦ端子用ランド１０１〜１０７はそれぞれビアホールＶＨを介して、第２層の引き回し電極２０１〜２０７の一方端に導通している。引き回し電極２０１，２０３，２０５，２０７は、各ランドを始点としてスイッチＩＣの側壁から外方へ延びるように形成される。一方、引き回し電極２０２，２０４，２０６は、各ランドを始点としてスイッチＩＣの内側へ延びるように、すなわち、引き回し電極２０１，２０３，２０５，２０７と正反対の方向へ延びるように形成される。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装部品からなるスイッチＩＣと、該スイッチＩＣが実装される積層基板とを備える高周波モジュールであって、
前記スイッチＩＣは、所定方向に沿って配列形成された特定の複数の接続端子を備え、
前記積層基板は、前記スイッチＩＣの実装面に前記特定の複数の接続端子に接続するように配列形成された複数のランドと、該複数のランドをそれぞれの始点とする複数の引き回し電極と、を備え、
該複数の引き回し電極における前記配列方向に隣り合うランドを始点とする引き回し電極同士は、ランドから所定距離の範囲が当該ランドを始点として異なる方向へ延びるように形成されている、高周波モジュール。
【請求項２】
前記配列方向に隣り合うランドを始点とする引き回し電極同士は、ランドの配列方向を基準として、それぞれが逆方向へ延びるように形成されている、請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記配列形成された複数のランドにおける配列方向の両端のランドを始点とする各引き回し電極は、ランドから所定距離の範囲が、配列方向に略平行で且つランド群から遠ざかる方向へ延びるように形成されている、請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記複数のランドは、配列方向に沿う第１軸及び第２軸に、配列方向に沿って交互にランドが配置される千鳥パターンで配設されており、
前記第１軸の各ランドを始点とする引き回し電極は、各ランドに対して前記第２軸と反対方向へ延びるように形成され、
前記第２軸の各ランドを始点とする引き回し電極は、各ランドに対して前記第１軸と反対方向へ延びるように形成されている、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記隣り合うランドを始点とする引き回し電極同士は、前記積層基板の異なる層に形成されている、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記隣り合うランドおよび引き回し電極に伝送される信号の周波数帯域が部分的に重複する、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記スイッチＩＣにおける特定の複数の端子電極は、高周波信号送受信用のＲＦ端子であり、前記スイッチＩＣには、さらに複数の駆動信号入力端子を備え、
前記積層基板は、前記複数の駆動信号入力端子が接続する複数の駆動信号用ランドと、該複数の駆動信号用ランドを始点として、前記ＲＦ端子となる複数の端子電極から遠ざかる方向へ延びる駆動信号用引き回し電極とを備える、請求項１〜請求項６のいずれかに記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、スイッチＩＣ等の複数の端子電極を有する回路素子を積層基板に実装する構成を備えた高周波モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機等の通信モジュールの高機能化や多機能化に伴い、１個のアンテナでそれぞれ異なる複数の周波数帯域の通信信号を送受信することが要求されている。このような要求に対して、従来、スイッチＩＣを備えた高周波モジュールが各種考案されている。
【０００３】
このような高周波モジュールは、例えば特許文献１に示すように、スイッチＩＣが実装部品であり、当該スイッチＩＣが積層基板上に実装される構造からなる。そして、高周波モジュールを構成する積層基板には、スイッチＩＣ以外に、スイッチＩＣの各端子に接続する各種の回路が備えられている。これらの回路は、積層基板の表層や内層に形成された電極パターンや実装部品によって実現されている。
【０００４】
ここで、スイッチＩＣは、１個のアンテナ用共通端子と複数のＲＦ用個別端子とを備え、アンテナ用共通端子を各ＲＦ用個別端子に切り替えて接続する素子である。そして、チップ形状からなるスイッチＩＣは、チップ本体の側辺に沿って、上述の各端子を構成する端子電極が形成されている。
【０００５】
このため、特許文献１に示すように、積層基板上には、当該スイッチＩＣの各端子電極の位置に対応するように各ランドが形成され、当該各ランドを始点に積層基板上に配線パターンが形成されている。
【０００６】
この際、各ランドに接続する配線パターンは、それぞれのランドを始点として、スイッチＩＣから遠ざかる方向に延びる形状で形成されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２８２７２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述の特許文献１に示すような構造では、次に示すような問題が発生する。図８は、従来の構成における問題点を説明するための概略的な引き回し配線パターンを構成を示す図である。
【０００９】
図８に示すように従来の構造では、積層基板の表面に、スイッチＩＣ（ＳＷＩＣ）の側辺に沿って、スイッチＩＣのＲＦ端子用ランド１０１〜１０５が等間隔で形成されている。そして、これらＲＦ端子用ランド１０１〜１０５を始点として、引き回し電極２０１Ｐ〜２０５Ｐが配設されている。この際、各引き回し電極２０１Ｐ〜２０５Ｐは、ＲＦ端子用ランド１０１〜１０５を始点として、スイッチＩＣの側辺から外方へ遠ざかるように形成されている範囲を有する（図８における楕円破線の示す領域に相当）。そして、このような範囲では、各引き回し電極２０１Ｐ〜２０５Ｐは平行に形成され、各引き回し電極２０１Ｐ〜２０５Ｐの形成間隔は、ＲＦ端子用ランド１０１〜１０５の形成間隔、すなわちスイッチＩＣの端子電極間隔に相当する。
【００１０】
このような構成では、いずれかの引き回し電極に信号が流れると、当該引き回し電極周囲に磁界が発生し、隣接する引き回し電極に結合してしまう。すなわち、引き回し電極間のアイソレーションが悪くなる。特に、小型化が要求される昨今の高周波モジュールでは、スイッチＩＣも小型化され、当該スイッチＩＣのためのランド間隔すなわち引き回し電極の形成ピッチも短くなり、より一層アイソレーションが悪くなる。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、小型化されても、必要十分な端子間のアイソレーションが得られる高周波モジュールを実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明は、実装部品からなるスイッチＩＣと、該スイッチＩＣが実装される積層基板とを備える高周波モジュールに関するものである。この高周波モジュールのスイッチＩＣは、所定方向に沿って配列形成された複数の接続端子を備える。積層基板は、スイッチＩＣの実装面に複数の接続端子に接続するように配列形成された特定の複数のランドと、該特定の複数のランドをそれぞれの始点とする複数の引き回し電極と、を備える。さらに、積層基板の当該複数の引き回し電極における配列方向に隣り合うランドを始点とする引き回し電極同士は、ランドから所定距離の範囲が当該ランドを始点として異なる方向へ延びるように形成されている。
【００１３】
この構成では、隣り合うランドに接続する引き回し電極がスイッチＩＣ用のランドの間隔と同じ間隔で平行に配設されることはない。これにより、これらの引き回し電極間でのアイソレーションが高くなるように調整可能となる。
【００１４】
また、この発明の高周波モジュールでは、配列方向に隣り合うランドを始点とする引き回し電極同士は、ランドの配列方向を基準として、それぞれが逆方向へ延びるように形成されている。
【００１５】
この構成では、上述の引き回し電極の形成パターンの具体的構成を示すものである。そして、隣り合うランドに接続する引き回し電極を逆方向へ延びるように形成すれば、後述の図１の第２層や図２の引き回し電極２０１，２０３に示すように、ランドを始点として所定距離の部分において、ランド間隔で２個分の距離をもって、引き回し電極を離間して配設することができる。これにより、従来よりもアイソレーションを向上することができる。
【００１６】
また、この発明の高周波モジュールでは、配列形成された複数のランドにおける配列方向の両端のランドを始点とする各引き回し電極は、ランドから所定距離の範囲が、配列方向に略平行で且つランド群から遠ざかる方向へ延びるように形成されている。
【００１７】
この構成では、上述の引き回し電極の形成パターンの具体的構成を示すものである。そして、配列の両端の引き回し電極を、ランド群から遠ざかる方向へ延びるように形成することで、これらの引き回し電極は、平行して隣り合う引き回し電極が存在せず、アイソレーションを向上できる。また、このような引き回し電極を設けることで、配列方向の途中のランドを始点とし、配列方向に垂直な方向へ延びる引き回し電極数は少なくなり、平行に配置しなけれならない引き回し電極数を減らすことができる。
【００１８】
また、この発明の高周波モジュールの複数のランドは、配列方向に沿う第１軸及び第２軸に、配列方向に沿って交互にランドが配置される千鳥パターンで配設されている。第１軸の各ランドを始点とする引き回し電極は、各ランドに対して前記第２軸と反対方向へ延びるように形成されている。一方、第２軸の各ランドを始点とする引き回し電極は、各ランドに対して第１軸と反対方向へ延びるように形成されている。
【００１９】
この構成では、複数のランドが一軸上に配列されるのではなく、平行な二軸上に配列方向に沿って交互に配置される場合の引き回し電極の形成パターンについて示している。そして、図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１軸Ａｒ１上のランドを始点とする引き回し電極が第２軸Ａｒ２から遠ざかるように、第２軸Ａｒ２上のランドを始点とする引き回し電極が第１軸Ａｒ１から遠ざかるように形成すれば、上述のように、一軸上で隣り合うランドを始点とする引き回し電極が反対方向を向いて延びるように形成した構成と同じ作用が得られる。
【００２０】
また、この発明の高周波モジュールでは、隣り合うランドを始点とする引き回し電極同士は、積層基板の異なる層に形成されている。
【００２１】
この構成では、複数層に引き回し電極を形成すれば、異なる層に形成された引き回し電極間でのアイソレーションを向上させることができる。
【００２２】
また、この発明の高周波モジュールでは、隣り合うランドおよび引き回し電極に伝送される信号の周波数帯域が部分的に重複する。
【００２３】
この構成では、周波数帯域が部分的に重複する場合に引き回し電極間での結合が特に問題になるので、当該場合に上述の構成を用いることで、本発明の構成がより有効に作用する。
【００２４】
また、この発明の高周波モジュールでは、スイッチＩＣの特定の複数の端子電極は、高周波信号送受信用のＲＦ端子であり、さらに複数の駆動信号入力端子を備える。そして、積層基板は、複数の駆動信号入力端子が接続する複数の駆動信号用ランドと、該複数の駆動信号用ランドを始点として、ＲＦ端子となる複数の端子電極から遠ざかる方向へ延びる駆動信号用引き回し電極とを備える。
【００２５】
スイッチＩＣには切替制御を駆動する駆動信号が必要であり、当該駆動信号を入力する駆動信号入力端子を有する。このため、積層基板には、当該駆動信号入力端子へ駆動信号を伝達する駆動信号用ランドや駆動信号用引き回し電極も備えられる。そこで、この構成では、駆動信号用引き回し電極を、ＲＦ端子群から遠ざかるように形成することで、ＲＦ端子や当該ＲＦ端子に接続する引き回し電極と、駆動信号用引き回し電極とのアイソレーションを向上させることができる。
【発明の効果】
【００２６】
この発明によれば、スイッチＩＣが小型化されても、平行に並ぶように形成された引き回し電極間の間隔を、広く取ることができる。これにより、引き回し電極間のアイソレーションを高くすることができる。したがって、引き回し電極を介して、スイッチＩＣにおける目的とする端子電極以外への信号の不要な流入を防止でき、スイッチング動作の不具合やノイズの流入等のスイッチＩＣに対するスイッチ特性上および伝送特性上の不具合の発生を抑圧することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１の実施形態に係る高周波モジュールの積層図である。
【図２】第１の実施形態の高周波モジュールにおけるスイッチＩＣ（ＳＷＩＣ）に対する引き回し電極の構成を説明するための第２層の拡大平面図である。
【図３】第２の実施形態に係る高周波モジュールの積層図である。
【図４】第３の実施形態に係る高周波モジュールの積層図である。
【図５】第４の実施形態に係る高周波モジュールの積層図である。
【図６】第５の実施形態に係る高周波モジュールの積層図である。
【図７】千鳥配置のスイッチＩＣを用いた場合の引き回し電極の構成を説明するための拡大平面図である。
【図８】従来の引き回し電極の構成を説明するための拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１は本実施形態の高周波モジュールの積層図である。なお、図１において第１層〜第８層は、各層を積層基板の表面側から見た図であり、第９層は当該層を積層基板の裏面側から見た図である。また、図２は本実施形態の高周波モジュールにおけるスイッチＩＣ（ＳＷＩＣ）に対する引き回し電極の構成を説明するための第２層の拡大平面図である。
【００２９】
本実施形態の高周波モジュールは、スイッチＩＣ（ＳＷＩＣ）と、当該スイッチＩＣ（ＳＷＩＣ）が実装される略方形状の積層基板とを備える。積層基板は、図１に示すように、誘電体層を９層積層した構成からなり、各層の表面もしくは裏面には所定の電極パターンが形成されている。また、各層には、図における小丸で示すビアホールＶＨが形成されており、層間の導通パターンとして機能している。なお、図１や図２では、本発明の特徴を説明するために必要な電極パターンおよびビアホールＶＨのみを示しており、特徴部を除く高周波モジュールを構成するスイッチＩＣ以外の回路パターンや実装部品等は、図示を省略している。
【００３０】
まず、以下のランド配列や配線パターンの説明のために、実装されるスイッチＩＣ（ＳＷＩＣ）の端子電極（バンプ）の形成パターンについて説明する。スイッチＩＣ（ＳＷＩＣ）は、平面視して長方形状からなり所定の厚みを有する素子である。スイッチＩＣ（ＳＷＩＣ）の実装面側には、次に説明する複数の端子電極が配列形成されている。なお、ここでは、スイッチＩＣ（ＳＷＩＣ）における本実施形態の特徴を説明するのに必要な端子電極のみを説明する。
【００３１】
具体的には、スイッチＩＣの側辺Ｗ１の近傍に当該側辺Ｗ１に沿って、７個のＲＦ用端子電極（本発明の「特定の複数の端子電極」に相当する。）が一軸上に配列形成されている。また、側辺Ｗ１に対向する側辺Ｗ２の近傍に当該側辺Ｗ２に沿って、４個の駆動信号用端子電極が一軸上に配列形成されている。また、側辺Ｗ１，Ｗ２に直交する側辺Ｗ３の近傍にアンテナ用端子電極が形成されている。なお、本実施形態で示すＲＦ用端子電極数や駆動信号用端子電極数は一例であり、仕様に応じて適宜設定されている。
【００３２】
積層基板の第１層（図１の１）は、積層基板の表面層であり、表面には、スイッチＩＣ（ＳＷＩＣ）を含む各種の実装部品が実装される。このため、第１層には、ＲＦ端子用ランド１０１〜１０７、駆動信号入力用ランド１２１〜１２４、アンテナ接続用ランド１１１を含む各ランドが形成されている。
【００３３】
より具体的には、ＲＦ端子用ランド１０１〜１０７は、スイッチＩＣ（ＳＷＩＣ）のＲＦ用端子電極と同じ間隔で、一軸上に列ぶように、各ＲＦ用端子電極が実装される位置に配列形成されている。また、駆動信号入力用ランド１２１〜１２４は、スイッチＩＣ（ＳＷＩＣ）の駆動信号用端子電極と同じ間隔で、一軸上に並ぶように、各駆動信号用端子電極が実装される位置に配列形成されている。また、アンテナ接続用ランド１１１は、スイッチＩＣ（ＳＷＩＣ）のアンテナ用端子電極が実装される位置に形成されている。
【００３４】
各ＲＦ端子用ランド１０１〜１０７、駆動信号入力用ランド１２１〜１２４、アンテナ接続用ランド１１１の形成位置には、ビアホールＶＨが形成されており、各ＲＦ端子用ランド１０１〜１０７、駆動信号入力用ランド１２１〜１２４、アンテナ接続用ランド１１１は、第２層の所定の電極パターンへ導通している。
【００３５】
積層基板の第２層（図１の２）には、ＲＦ用引き回し電極２０１〜２０７、駆動信号用引き回し電極２２１〜２２４、アンテナ接続用引き回し電極２１１が形成されている。
【００３６】
ＲＦ用引き回し電極２０１は、一方端がビアホールＶＨを介してＲＦ端子用ランド１０１に導通している。さらに、ＲＦ用引き回し電極２０１は、当該一方端を始点として、当該一方端から所定距離の部分が、スイッチＩＣの実装領域から遠ざかるように延びる形状で形成されている。この際、ＲＦ用引き回し電極２０１の一方端から所定距離の部分は、スイッチＩＣの側辺Ｗ１、すなわちＲＦ端子用ランド１０１〜１０７の配列軸に略直交する方向で延びる形状で形成されている。なお、図１の例では、ＲＦ用引き回し電極２０１は、所定距離の部分から先で、二度直角に屈曲して、さらに遠ざかる方向へ延びる形状で形成されているが、これは積層基板の最下層の実装用ランドとの積層方向の位置関係によるものであり、仕様に応じては、屈曲させることなくまっすぐに形成してもよい。
【００３７】
ＲＦ用引き回し電極２０２は、一方端がビアホールＶＨを介してＲＦ端子用ランド１０２に導通している。さらに、ＲＦ用引き回し電極２０２は、当該一方端を始点として、前記ＲＦ用引き回し電極２０１とは逆方向へ延びる形状で形成されている。すなわち、ＲＦ用引き回し電極２０２は、ＲＦ端子用ランド１０１〜１０７の配列軸を基準に、ＲＦ引き回し電極２０１とは正反対の方向へ延びるように形成されている。
【００３８】
このような構成とすることで、隣り合うランド１０１，１０２にそれぞれ接続するＲＦ用引き回し電極２０１，２０２がＲＦ端子用ランドと同じ間隔で形成されていても、近接することなく、ＲＦ用引き回し電極２０１，２０２間のアイソレーションを高くすることができる。
【００３９】
また、ＲＦ用引き回し電極２０２は、ＲＦ用引き回し電極２０１に対して大幅に短く形成している。このような構成とすれば、当該ＲＦ用引き回し電極２０２が、一方端を始点として延びる方向に存在する駆動信号系のランドや引き回し電極に近接することを防止できる。これにより、ＲＦ用引き回し電極２０２と、駆動信号系のランドや引き回し電極との間のアイソレーションが低くなることも抑制できる。
【００４０】
ＲＦ用引き回し電極２０３は、一方端がビアホールＶＨを介してＲＦ端子用ランド１０３に導通している。さらに、ＲＦ用引き回し電極２０３は、ＲＦ引き回し電極２０１と同様に、当該一方端を始点として、スイッチＩＣの実装領域から遠ざかるように延びる形状で形成されている。この際、ＲＦ用引き回し電極２０３は、スイッチＩＣの側辺Ｗ１、すなわちＲＦ端子用ランド１０１〜１０７の配列軸に略直交する方向で延びる形状で形成されている。
【００４１】
このような構成とすることで、隣り合うランドにそれぞれ接続するＲＦ用引き回し電極２０２，２０３は近接することなく、ＲＦ用引き回し電極２０２，２０３間のアイソレーションを高くすることができる。
【００４２】
また、このような構成では、ＲＦ用引き回し電極２０３はＲＦ用引き回し電極２０１と同じ方向に延びる形状となり、平行に形成されることになるが、図２に示すように、ランド間隔ＰＢｐの二個分に相当する間隔ＰＢで離間される。したがって、図８に示す従来の構成と比較して、平行に配置される引き回し電極の間隔を２倍に離間でき、従来よりも高いアイソレーションを確保することができる。
【００４３】
ＲＦ用引き回し電極２０４は、一方端がビアホールＶＨを介してＲＦ端子用ランド１０４に導通している。さらに、ＲＦ用引き回し電極２０４は、当該一方端を始点として、前記ＲＦ用引き回し電極２０１，２０３とは逆方向へ延びる形状で形成されている。すなわち、ＲＦ用引き回し電極２０４は、ＲＦ端子用ランド１０１〜１０７の配列軸を基準に、ＲＦ引き回し電極２０１，２０３とは正反対の方向へ延びるように形成されている。
【００４４】
このような構成とすることで、隣り合うランドにそれぞれ接続するＲＦ用引き回し電極２０３，２０４は近接することなく、ＲＦ用引き回し電極２０３，２０４間のアイソレーションを高くすることができる。
【００４５】
また、このような構成では、ＲＦ用引き回し電極２０４はＲＦ用引き回し電極２０２と同じ方向に延びる形状となり、平行に形成されることになるが、図２に示すように、ランド間隔ＰＢｐの二個分に相当する間隔ＰＢで離間される。したがって、上述のＲＦ用引き回し電極２０１，２０３間と同様に、従来よりも高いアイソレーションを確保することができる。
【００４６】
ＲＦ用引き回し電極２０５は、一方端がビアホールＶＨを介してＲＦ端子用ランド１０５に導通している。さらに、ＲＦ用引き回し電極２０５は、ＲＦ引き回し電極２０１，２０３と同様に、当該一方端を始点として、スイッチＩＣの実装領域から遠ざかるように延びる形状で形成されている。この際、ＲＦ用引き回し電極２０５は、スイッチＩＣの側辺Ｗ１、すなわちＲＦ端子用ランド１０１〜１０７の配列軸に略直交する方向で延びる形状で形成されている。
【００４７】
このような構成とすることで、隣り合うランドにそれぞれ接続するＲＦ用引き回し電極２０４，２０５は近接することなく、ＲＦ用引き回し電極２０４，２０５間のアイソレーションを高くすることができる。
【００４８】
また、このような構成では、ＲＦ用引き回し電極２０５はＲＦ用引き回し電極２０３と同じ方向に延びる形状となり、平行に形成されることになるが、図２に示すように、ランド間隔ＰＢｐの二個分に相当する間隔ＰＢで離間される。したがって、上述のＲＦ用引き回し電極２０１，２０３間等と同様に、従来よりもアイソレーションを高いすることができる。
【００４９】
ＲＦ用引き回し電極２０６は、一方端がビアホールＶＨを介してＲＦ端子用ランド１０６に導通している。さらに、ＲＦ用引き回し電極２０６は、当該一方端を始点として、前記ＲＦ用引き回し電極２０１，２０３，２０５とは逆方向へ延びる形状で形成されている。すなわち、ＲＦ用引き回し電極２０６は、ＲＦ端子用ランド１０１〜１０７の配列軸を基準に、ＲＦ引き回し電極２０１，２０３，２０５とは正反対の方向へ延びるように形成されている。
【００５０】
このような構成とすることで、隣り合うランドにそれぞれ接続するＲＦ用引き回し電極２０５，２０６は近接することなく、ＲＦ用引き回し電極２０５，２０６間のアイソレーションを高くすることができる。
【００５１】
また、このような構成では、ＲＦ用引き回し電極２０６はＲＦ用引き回し電極２０４と同じ方向に延びる形状となり、平行に形成されることになるが、図２に示すように、ランド間隔ＰＢｐの二個分に相当する間隔ＰＢで離間される。したがって、上述のＲＦ用引き回し電極２０２，２０４間と同様に、従来よりもアイソレーションを高くすることができる。
【００５２】
ＲＦ用引き回し電極２０７は、一方端がビアホールＶＨを介してＲＦ端子用ランド１０７に導通している。さらに、ＲＦ用引き回し電極２０７は、ＲＦ引き回し電極２０１，２０３，２０５と同様に、当該一方端を始点として、当該始点から所定距離の範囲がスイッチＩＣの実装領域から遠ざかるように延びる形状で形成されている。この際、ＲＦ用引き回し電極２０７は、当該始点から所定距離の範囲がスイッチＩＣの側辺Ｗ１、すなわちＲＦ端子用ランド１０１〜１０７の配列軸に略直交する方向で延びる形状で形成されている。
【００５３】
このような構成とすることで、隣り合うランドにそれぞれ接続するＲＦ用引き回し電極２０６，２０７は近接することなく、ＲＦ用引き回し電極２０６，２０７間のアイソレーションを高くすることができる。
【００５４】
また、このような構成では、ＲＦ用引き回し電極２０７はＲＦ用引き回し電極２０５と同じ方向に延びる形状となり、平行に形成されることになるが、図２に示すように、ランド間隔ＰＢｐの二個分に相当する間隔ＰＢで離間される。したがって、上述のＲＦ用引き回し電極２０１，２０３間等と同様に、従来よりもアイソレーションを高くすることができる。
【００５５】
これらＲＦ用引き回し電極２０１〜２０７のそれぞれの他方端は、ビアホールＶＨを介して第３層以下の下層に形成された電極パターンに導通されている。
【００５６】
また、第２層に形成された駆動信号用引き回し電極２２１〜２２４は、それぞれの一方端がビアホールを介して第１層の駆動信号用ランド１２１〜１２４へ導通されており、当該一方端を始点として、上述のＲＦ系のランドや引き回し電極群とは逆の方向へ延びる形状で形成されている。
【００５７】
このような構成とすることで、駆動信号用引き回し電極２２１〜２２４が、上述のＲＦ系のランドや引き回し電極群に近接しない。これにより、ＲＦ系の伝送路と駆動系の伝送路とのアイソレーションを、さらに高くすることができる。
【００５８】
また、第２層に形成されたアンテナ用引き回し電極２１１は、一方端がビアホールＶＨを介して第１層のアンテナ接続用ランド１１１へ導通されており、当該一方端を始点として、上述のＲＦ系のランドや引き回し電極群から遠ざかる方向へ延びる形状で形成されている。
【００５９】
このような構成とすることで、アンテナ用引き回し電極２１１がＲＦ系のランドや引き回し電極群に近接しない。これにより、ＲＦ系の伝送路とアンテナ接続系の伝送路とのアイソレーションを、高くすることができる。
【００６０】
これらアンテナ用引き回し電極２１１や駆動信号用引き回し電極２２１〜２２４のそれぞれの他方端は、ビアホールＶＨを介して第３層以降に電極パターンに導通されている。
【００６１】
積層基板の第３層、第４層、第５層（図１の３，４，５）には、上述のＲＦ用引き回し電極２０１〜２０７、アンテナ用引き回し電極２１１および駆動信号用引き回し電極２２１〜２２４のそれぞれを第６層以下の下層に接続するビアホール群が形成されている。
【００６２】
また、積層基板の第４層（図１の４）には、平面視した略全面で、且つ、各ビアホールの形成位置から所定距離範囲内は開口するようにグランド電極４０１Ｇが形成されている。
【００６３】
積層基板の第６層（図１の６）には、第２層から第５層のビアホールを介してＲＦ用引き回し電極２０２に一方端が接続する中間引き回し電極６０２が形成されている。また、第６層には、ＲＦ用引き回し電極２０４に一方端が接続する中間引き回し電極６０４、および、ＲＦ用引き回し電極２０６に一方端が接続する中間引き回し電極６０６が形成されている。ここで、中間引き回し電極６０２，６０４，６０６は、それぞれの一方端を始点として、当該始点から所定距離の範囲が、それぞれに異なる方向へ延びる形状で形成されている。このような構成とすることで、中間引き回し電極間でのアイソレーションを高くすることができる。なお、中間引き回し電極６０４，６０６が部分的に平行して形成されているが、これは積層基板の最下層の実装用ランドとの積層方向の位置関係によるものであり、仕様に応じては、これらの中間引き回し電極６０４，６０６の間隔を広くしたり、平行ではないパターンに形成することもでき、これらのパターンに形成すれば、さらにアイソレーションを向上することができる。
【００６４】
さらに、中間引き回し電極６０２，６０４，６０６を形成した第６層と、ＲＦ引き回し電極２０１，２０３，２０５，２０７を形成した第２層との間には、グランド電極４０１Ｇを形成した第４層を形成しているため、これら中間引き回し電極とＲＦ引き回し電極との間の積層方向での結合を、さらに抑制することができる。
【００６５】
積層基板の第７層（図１の７）および第８層（図１の８）には、上述のＲＦ用引き回し電極２０１、２０３，２０５，２０７、中間引き回し電極６０２，６０４，６０６、アンテナ用引き回し電極２１１および駆動信号用引き回し電極２２１〜２２４のそれぞれを第９層のＲＦ用の実装用ランド９０１〜９０７、アンテナ用の実装用ランド９１１、駆動信号用の実装用ランド９２１〜９２４に接続するビアホール群が形成されている。
【００６６】
また、積層基板の第８層（図１の８）には、平面視した略全面で、且つ、第９層のグランド接続用ランド９００Ｇと接続するビアホールを除く各ビアホールの形成位置から所定距離範囲内は開口するようにグランド電極８０１Ｇが形成されている。
【００６７】
積層基板の第９層（図１の９）には、各実装用ランドが形成されている。具体的には、スイッチＩＣの各ＲＦ用端子電極側の第１側辺ＰＷ１の近傍に当該第１側辺ＰＷ１に沿って、ＲＦ用の実装用ランド９０３〜９０６が配列形成されている。また、当該第１側辺ＰＷ１と対向する第２側辺ＰＷ２の近傍には、当該第２側辺ＰＷ２に沿って駆動信号用の実装用ランド９２１〜９２４が配列形成されている。また、第１側辺ＰＷ１と直交する第３側辺ＰＷ３の前記第１側辺ＰＷ１側には、ＲＦ用の実装用ランド９０７が形成されている。さらに、第３側辺ＰＷ３に対向する第４側辺ＰＷ４の第１側辺ＰＷ１側には、ＲＦ用の実装用ランド９０１，９０２が形成され、第２側辺ＰＷ２側には、アンテナ用の実装用ランド９１１が形成されている。
【００６８】
ＲＦ用の実装用ランド９０１〜９０７は、上述に示した引き回し電極２０１〜２０７、中間引き回し電極６０２，６０４，６０６やビアホールを介して、スイッチＩＣのＲＦ用端子電極が実装されるＲＦ端子用ランド１０１〜１０７のいずれかにそれぞれ接続している。また、駆動信号用の実装用ランド９２１〜９２４は、駆動信号用引き回し電極２２１〜２２４および各層のビアホールを介して、スイッチＩＣの駆動信号用端子電極が実装される駆動信号入力用ランド１２１〜１２４にそれぞれ接続している。また、アンテナ用の実装用ランド９１１は、アンテナ接続用引き回し電極２１１および各層のビアホールを介して、スイッチＩＣのアンテナ用端子電極が実装されるアンテナ接続用ランド１１１に接続している。
【００６９】
このような構造により、スイッチＩＣを実装した高周波モジュールが実現される。そして、上述のような構成とすることで、積層基板に形成されるＲＦ用の引き回し電極間のアイソレーションを高くすることができる。これにより、引き回し電極を介して、スイッチＩＣにおける目的とする端子電極以外への信号の不要な流入を防止できる。この結果、スイッチング動作の不具合やノイズの流入等のスイッチＩＣに対するスイッチ特性上および伝送特性上の不具合の発生を抑制することができる。
【００７０】
次に、第２の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図３は本実施形態の高周波モジュールの積層図である。
【００７１】
本実施形態の高周波モジュールは、第１の実施形態に示した図１の高周波モジュールに対して、ＲＦ端子用ランド１０２，１０４，１０６に接続する配線パターンに関する箇所が異なるのみで、他の構成は第１の実施形態に示した高周波モジュールと同じである。したがって、ＲＦ端子用ランド１０２，１０４，１０６に接続する配線パターンに関する箇所のみを説明し、他の箇所の説明は省略する。
【００７２】
本実施形態の高周波モジュールの積層基板の第２層（図３の２）には、ＲＦ用引き回し電極２０２，２０４，２０６が形成されていない。そして、第１層のＲＦ端子用ランド１０２，１０４，１０６は、第２層のビアホール２０２ＶＨ，２０４ＶＨ，２０６ＶＨを介し、さらにこれらに連続する第３層から第５層のビアホールを介して、第６層の中間引き回し電極６０２，６０４，６０６のそれぞれに接続している。
【００７３】
このような構成であっても、上述のようにスイッチＩＣのＲＦ用端子電極間のアイソレーションを、従来構成よりも高くすることができる。
【００７４】
次に、第３の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図４は本実施形態の高周波モジュールの積層図である。
【００７５】
本実施形態の高周波モジュールは、第１の実施形態に示した図１の高周波モジュールに対して、ＲＦ端子用ランド１０１，１０７に接続する配線パターンに関する箇所が異なるのみで、他の構成は第１の実施形態に示した高周波モジュールと同じである。したがって、ＲＦ端子用ランド１０１，１０７に接続する配線パターンに関する箇所のみを説明し、他の箇所の説明は省略する。
【００７６】
本実施形態の高周波モジュールでは、積層基板の第２層（図４の２）のＲＦ用引き回し電極２０１，２０７が、ランド群の配列方向に平行に延びるように形成されている。この際、スイッチＩＣの側辺Ｗ３に近い側の端部となるＲＦ端子用ランド１０１に接続するＲＦ用引き回し電極２０１は、ＲＦ端子用ランド１０１に接続する一方端を始点として、ランド群から遠ざかり、側辺Ｗ３方向へ向かって延びる形状で形成されている。一方、スイッチＩＣの側辺Ｗ４に近い側の端部となるＲＦ端子用ランド１０７に接続するＲＦ用引き回し電極２０７は、ＲＦ端子用ランド１０７に接続する一方端を始点として、ランド群から遠ざかり、側辺Ｗ４方向へ向かって延びる形状で形成されている。すなわち、ＲＦ用引き回し電極２０１，２０７は、他のＲＦ用引き回し電極２０２〜２０６の延びる方向とは直交する方向で、且つ互いの延びる方向が逆方向となるように形成されている。
【００７７】
このような構成とすることで、両端のＲＦ用引き回し電極２０１，２０７は、自身に平行となる電極パターンが無く、アイソレーションを高くすることができる。
【００７８】
さらに、これらＲＦ用引き回し電極２０１，２０７の形成方向をランドの配列方向としたことで、ＲＦ用引き回し電極２０３，２０５の引き回しスペースが広くなり、図４の第２層に示すように、ＲＦ用引き回し電極２０５を途中で屈曲させて、ＲＦ用引き回し電極２０３，２０５の間隔を広くすることができる。これにより、これらＲＦ用引き回し電極２０３，２０５のアイソレーションを、より高くすることができる。
【００７９】
以上のように、本実施形態を用いれば、上述の第１実施形態の構成よりも、さらに、スイッチＩＣのＲＦ用端子電極間のアイソレーションを高くすることができる。
【００８０】
次に、第４の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図５は本実施形態の高周波モジュールの積層図である。
【００８１】
本実施形態の高周波モジュールは、第１の実施形態に示した図１の高周波モジュールに対して、中間引き回し電極の形成パターンが異なるものであり、他の構成は第１の実施形態に示した高周波モジュールと同じである。したがって、中間引き回し電極に関する箇所のみを説明し、他の箇所の説明は省略する。
【００８２】
本実施形態の積層基板の第１層から第５層は、第１の実施形態の積層基板の第１層から第５層と同じ構造である。
【００８３】
本実施形態の積層基板の第６層（図５の６）には、中間引き回し電極６０２，６０６が形成されている。これらは、第１の実施形態に示した第６層の中間引き回し電極６０２，６０４と同じ形状で形成されている。
【００８４】
積層基板の第７層（図５の７）には、中間引き回し電極７０４が形成されている。中間引き回し電極７０４は、第１の実施形態に示した第６層の中間引き回し電極６０４と同じ形状からなる。
【００８５】
本実施形態の積層基板の第８層から第１０層は、第１の実施形態の積層基板の第７層から第９層と同じ構造からなる。
【００８６】
このような構成とすると、平面視して平行な箇所が存在する中間引き回し電極７０４と中間引き回し電極６０６とが、異なる層に形成されるので、平面視して平行な部分が存在していても、これらの中間引き回し電極７０４，６０６間のアイソレーションを高くすることができる。これにより、上述の第１実施形態の構成よりも、さらに、スイッチＩＣのＲＦ用端子電極間のアイソレーションを高くすることができる。
【００８７】
次に、第５の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図６は本実施形態の高周波モジュールの積層図である。
【００８８】
本実施形態の高周波モジュールは、第１の実施形態に示した図１の高周波モジュールに対して、ＲＦ端子用ランド１０３に接続する配線パターンに関する箇所のみが異なるのみで、他の構成は第１の実施形態に示した高周波モジュールと同じである。したがって、ＲＦ端子用ランド１０３に接続する配線パターンに関する箇所のみを説明し、他の箇所の説明は省略する。
【００８９】
本実施形態の高周波モジュールの積層基板の第２層（図３の２）には、ＲＦ用引き回し電極２０３が形成されていない。そして、第１層のＲＦ端子用ランド１０３は、第２層のビアホール２０３ＶＨを介し、さらにこれに連続する第３層から第６層のビアホールを介して、第７層の中間引き回し電極７０３に接続している。
【００９０】
このような構成とすることで、ＲＦ端子用ランド１０１に接続するＲＦ用引き回し電極２０１と、ＲＦ端子用ランド１０３に接続する中間引き回し電極７０３とが平行に配置されていても、異なる層、特にこの場合は５層を挟み、且つグランド電極４０４Ｇが中間に介在しているので、これらＲＦ用引き回し電極２０１と中間引き回し電極７０３との間のアイソレーションを高く確保することができる。これにより、上述の第１実施形態の構成よりも、さらに、スイッチＩＣのＲＦ用端子電極間のアイソレーションを高くすることができる。
【００９１】
なお、上述の各実施形態では、複数のＲＦ用端子電極が一軸上に配列形成されたスイッチＩＣを例に説明したが、図７に示すように、複数のＲＦ用端子電極が平行な二軸上に順次配列形成された千鳥パターンのスイッチＩＣにも、上述のような引き回し電極の形成パターンを適用することができる。図７は千鳥パターンのスイッチＩＣを用いた場合の引き回し電極の構成を説明するための拡大平面図であり、図７（Ａ）がランドの配列方向に直交する方向へ全ての引き回し電極を形成する場合を示し、図７（Ｂ）が配列の両端の引き回し電極を配列方向に沿って延びる形状に形成した場合を示す。
【００９２】
スイッチＩＣのＲＦ用端子電極が千鳥パターンの場合、各ＲＦ端子用ランドは、図７に示すように、第１軸Ａｒ１上にＲＦ端子用ランド１０１Ｃ，１０３Ｃ，１０５Ｃが配設され、第１軸Ａｒ１に平行な第２軸Ａｒ２上にＲＦ端子用ランド１０２Ｃ，１０４Ｃが配設される。この際、第２軸Ａｒ２上のＲＦ端子用ランド１０２Ｃは、配列方向に沿って、ＲＦ端子用ランド１０１Ｃ，１０３Ｃの中間位置に配置される。同様に、第２軸Ａｒ２上のＲＦ端子用ランド１０４Ｃは、配列方向に沿って、ＲＦ端子用ランド１０３Ｃ，１０５Ｃの中間位置に配置される。
【００９３】
このようなランド構成では、ＲＦ端子用ランド１０１Ｃ，１０３Ｃ，１０５Ｃに接続する各ＲＦ用引き回し電極２０１Ｃ，２０３Ｃ，２０５Ｃは、それぞれＲＦ端子用ランド１０１Ｃ，１０３Ｃ，１０５Ｃが接続する一方端を始点として、第２軸Ａｒ２側と反対側に延びるように形成される。また、ＲＦ端子用ランド１０２Ｃ，１０４Ｃに接続する各ＲＦ用引き回し電極２０２Ｃ，２０４Ｃは、それぞれＲＦ端子用ランド１０２Ｃ，１０４Ｃが接続する一方端を始点として、第１軸Ａｒ１側と反対側に延びるように形成される。
【００９４】
このような構成とすることで、上述の第１の実施形態のＲＦ用引き回し電極群と同様に、各ＲＦ用引き回し電極間でのアイソレーションを高くすることができる。また、千鳥配置であることにより、第１軸Ａｒ１と第２軸Ａｒ２との間隔に準じて、ＲＦ用引き回し電極２０１Ｃ，２０３Ｃ，２０５Ｃと各ＲＦ用引き回し電極２０２Ｃ，２０４Ｃとの始点位置が離間するので、さらにアイソレーションを高くすることができる。
【００９５】
また、図７（Ｂ）に示すように、配列の両端のＲＦ用引き回し電極２０１Ｄ，２０５Ｄを、第１軸Ａｒ１に沿って、すなわちＲＦ端子用ランドの配列される軸に沿った方向で且つ、各ランドに接続する一方端を始点としてランド群から遠ざかるように、形成することで、上述の第３の実施形態と同様に、さらにアイソレーションを高くすることができる。
【００９６】
なお、上述の説明では、特に詳細に説明していないが、ＲＦ用の各回路の伝送する信号の周波数帯域が部分的に重なるような場合であれば、上述の作用および効果がより有効になる。特に、隣り合うＲＦ用端子電極およびＲＦ用引き回し電極で、周波数帯域が部分的に重なり合う信号を伝送する場合には、さらに有効になる。
【００９７】
また、上述の説明では、スイッチＩＣを用いた高周波モジュールを例に示したが、スイッチＩＣ以外の同種のＲＦ信号が入出力される構造を有する回路素子を用いた高周波モジュールに対しても、上述の構成を適用することができる。
【符号の説明】
【００９８】
１０１〜１０７−ＲＦ端子用ランド、１１１−アンテナ接続用ランド、１２１〜１２４−駆動信号入力用ランド、２０１〜２０７−ＲＦ用引き回し電極、２１１−アンテナ用引き回し電極、２２１〜２２４−駆動信号用引き回し電極、４００Ｇ，８０１Ｇ−グランド電極６０２，６０４，６０６，７０３，７０４−中間引き回し電極、９００Ｇ−グランド接続用ランド、９０１〜９０７−ＲＦ用の実装用ランド、９１１−アンテナ用の実装用ランド、９２１〜９２４−駆動信号用の実装用ランド、ＶＨ−ビアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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