(57)【要約】【課題】改善された、または代替的なスペクトル純度フィルタを提供する。【解決手段】スペクトル純度フィルタは、部材を貫通する複数のアパーチャを備える。アパーチャは、第１波長を有する放射を抑制し、かつ第２波長を有する放射の少なくとも一部を透過させるように構成される。放射の前記第２波長は、放射の前記第１波長よりも短い。前記スペクトル純度フィルタの第１領域は、前記第１波長を有する前記放射および前記第２波長を有する前記放射に対する第１放射透過プロファイルをもたらす第１の構成を有し、前記スペクトル純度フィルタの第２領域は、前記第１波長を有する前記放射および前記第２波長を有する前記放射に対する第２の異なる放射透過プロファイルをもたらす第２の異なる構成を有する。【選択図】図３
2011044707.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スペクトル純度フィルタであって、
部材を貫通する複数のアパーチャを備え、
前記アパーチャは第１波長を有する放射を抑制し、かつ第２波長を有する放射の少なくとも一部を透過させ、放射の前記第２波長は、放射の前記第１波長よりも短く、
前記スペクトル純度フィルタの第１領域は、前記第１波長を有する前記放射および前記第２波長を有する前記放射に対する第１放射透過プロファイルをもたらす第１の構成を有し、前記スペクトル純度フィルタの第２領域は、前記第１波長を有する前記放射および前記第２波長を有する前記放射に対する第２の異なる放射透過プロファイルをもたらす第２の異なる構成を有する、
スペクトル純度フィルタ。
【請求項２】
前記スペクトル純度フィルタの前記第１領域の場所または寸法、および／または、前記スペクトル純度フィルタの前記第２領域の場所または寸法は、
使用において、スペクトル純度フィルタに入射する前記第１波長を有する前記放射および／または前記第２波長を有する前記放射を含む放射ビームの少なくとも一部の入射角、ならびに／あるいは、
使用において、前記スペクトル純度フィルタに入射する前記第１波長を有する前記放射および／または前記第２波長を有する前記放射を含む放射ビームの少なくとも一部の強度分布、
に関連する、請求項１に記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項３】
前記スペクトル純度フィルタにおける前記第１の構成を有する前記第１領域は、前記スペクトル純度フィルタの内側領域であって、前記スペクトル純度フィルタにおける前記第２の構成を有する前記第２領域は、前記スペクトル純度フィルタの外側領域である、請求項１または請求項２に記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項４】
前記スペクトル純度フィルタにおける前記第１の構成を有する前記第１領域は、使用において、前記スペクトル純度フィルタにおける放射ビームが心合わせされる領域であり、前記スペクトル純度フィルタにおける前記第２の構成を有する前記第２領域は、前記スペクトル純度フィルタにおける前記第１領域を囲む領域である、先行する請求項のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項５】
前記第１の構成および／または前記第２の構成は、
使用において、スペクトル純度フィルタに入射する前記第１波長を有する前記放射および／または前記第２波長を有する前記放射を含む放射ビームの少なくとも一部の入射角、ならびに／あるいは、
使用において、前記スペクトル純度フィルタに入射する前記第１波長を有する前記放射および／または前記第２波長を有する前記放射を含む放射ビームの少なくとも一部の強度分布、
のうち少なくとも１つに関連する、先行する請求項のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項６】
前記第１の構成および／または前記第２の構成は、
１つ以上のアパーチャの形状、
１つ以上のアパーチャの直径、
１つ以上のアパーチャ間のスペース、
１つ以上のアパーチャの深さ、
１つ以上のアパーチャのテーパリング程度、
１つ以上のアパーチャの傾斜角、
１つ以上のアパーチャの位置、
前記スペクトル純度フィルタの厚さまたは深さ、および／または、
前記スペクトル純度フィルタの材料、
のうち１つ以上である、先行する請求項のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項７】
前記第１の構成と前記第２の構成との間の相違は、
１つ以上のアパーチャの形状における相違、
１つ以上のアパーチャの直径における相違、
１つ以上のアパーチャ間の間隔における相違、
１つ以上のアパーチャの深さにおける相違、
１つ以上のアパーチャのテーパリング程度における相違、
１つ以上のアパーチャの傾斜角における相違、
１つ以上のアパーチャの位置における相違、
前記スペクトル純度フィルタの厚さまたは深さにおける相違、および／または、
前記スペクトル純度フィルタの材料における相違、
のうち１つ以上である、先行する請求項のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項８】
前記スペクトル純度フィルタの前記第１領域は、前記スペクトル純度フィルタの前記第２領域よりも大きい深さまたは厚さを有する、先行する請求項のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項９】
前記スペクトル純度フィルタの前記第２領域は、前記スペクトル純度フィルタの前記第１領域内のアパーチャよりも大きい直径のアパーチャを有する、先行する請求項のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項１０】
前記第１放射透過プロファイルと前記第２透過プロファイルとの間の相違は、前記スペクトル純度フィルタの前記第１領域および／または前記第２領域を透過する前記第１波長および／または前記第２波長の放射の量に関連する、先行する請求項のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項１１】
前記スペクトル純度フィルタの前記第１領域は、前記スペクトル純度フィルタの前記第２領域とは分離して形成される、請求項１〜１０のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項１２】
放射の前記第１波長は、電磁スペクトルの赤外線領域にある波長を有する、先行する請求項のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項１３】
放射の前記第２波長は、前記電磁スペクトルのＥＵＶ部分にある波長を有する放射と実質的に同等か、またはより短い波長を有する、先行する請求項のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項１４】
前記部材は、プレート、フォイル、または膜である、先行する請求項のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項１５】
先行する請求項のいずれかに記載の前記スペクトル純度フィルタを有する、リソグラフィ装置または放射源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はスペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）に関連し、特に、リソグラフィ装置で使用されるスペクトル純度フィルタに関連するが、これに制限されない。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、スキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  小型化が進む構造の基板上への投影を可能とするために、５〜２０ｎｍの範囲
内の波長、例えば、１３〜１４ｎｍまたは６〜７ｎｍの範囲内の波長を有する極端紫外線放射（ＥＵＶ）の使用が提案されている。
【０００４】
[0004]  （例えば他の波長の放射の中でもとりわけ）極端紫外線は、例えばプラズマを用いて生成され得る。プラズマは、例えば、好適な材料（例えばスズ）の粒子にレーザを向けることによって、ＸｅガスまたはＬｉ蒸気といった好適なガスまたは蒸気のストリームにレーザを向けることによって、あるいは、放電を生成することによって、生成され得る。結果として生じるプラズマは、極端紫外線放射（または超ＥＵＶ（beyond EUV）放射）を放出し、これはミラー付き（mirrored）法線入射コレクタまたはミラー付きかすめ入射コレクタといったコレクタを用いて集光される。コレクタは、極端紫外線放射を受光し、この放射をビームに収束する。
【０００５】
[0005]  プラズマを使用してＥＵＶを生成するような実用的なＥＵＶ源は、望まれる「帯域内」ＥＵＶ放射を放出するだけでなく、望ましくない「帯域外」放射も放出する。この帯域外放射は、深紫外線（ＤＵＶ）放射領域（１００〜４００ｎｍ）において最も顕著である。さらに、例えばレーザ生成プラズマＥＵＶ源など一部のＥＵＶ源では、通常１０．６μｍにあるレーザからの放射は、相当量の帯域外放射をもたらす。
【０００６】
[0006]  リソグラフィ装置では、いくつかの理由からスペクトル純度が要求される。理由の一つとして、レジストが帯域外放射に感光性を有するため、このような帯域外放射にレジストが露光された場合、レジストに付与されるパターンの像品質が低下することが挙げられる。さらに、一部のレーザ生成プラズマ放射源における例えば１０．６μｍの放射などの帯域外放射の赤外線放射は、リソグラフィ装置内のパターニングデバイス、基板、光学部品の望ましくない不要な加熱をもたらす。このような加熱は、これら構成要素の損傷、寿命の短縮、および／またはレジストコート基板上へ投影かつ付与されるパターンの欠陥またはディストーションを引き起こすことがある。
【０００７】
[0007]  これらの潜在的な問題を克服するために、赤外線放射の透過を実質的に防止する一方、同時にＥＵＶ放射の透過を可能にするいくつかの異なる透過型スペクトル純度フィルタが提案されている。これらの提案されたスペクトル純度フィルタには、例えば赤外線放射に対しては実質的に不透明であると同時に、ＥＵＶ放射に対しては実質的に透明である薄い金属層またはフォイルを含むものもある。これらおよび他のスペクトル純度フィルタは、１つ以上のアパーチャも備えてもよい。アパーチャのサイズおよび間隔は、赤外線放射がこのアパーチャにより回折される（それにより抑制される）一方、ＥＵＶ放射がこのアパーチャに透過されるように選択することができる。アパーチャが設けられたスペクトル純度フィルタは、アパーチャが設けられていないスペクトル純度フィルタよりも高いＥＵＶ透過率を有し得る。これは、ＥＵＶ放射が、所与の厚さを有する金属フォイル等を通過するよりも容易にアパーチャを通過することができるためである。
【０００８】
[0008]  リソグラフィ装置では、レジストコート基板へパターンを付与するのに使用される放射強度の損失を最小限に抑えることが望ましい。この理由の一つとして、理想的には、例えば露光時間を短縮し、かつスループットを増加させるためには、基板にパターンを付与するために可能な限り多くの放射が利用可能であるべきということが挙げられる。それと同時に、リソグラフィ装置を通過し、基板上に入射する望ましくない（例えば、帯域外の）放射の量を最小限に抑えることが望ましい。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  本発明の一態様では、改善された、または代替的なスペクトル純度フィルタを提供する。スペクトル純度フィルタは、第１波長を有する放射（例えば、赤外線などの望ましくない放射）を抑制する一方、同時に第２波長を有する放射（例えば、レジストコート基板にパターンを付与するのに使用されるＥＵＶ放射のような望ましい放射）の透過を可能にするように構成される。望ましくは、このスペクトル純度フィルタは、従来技術のスペクトル純度フィルタと比較して第２波長を有する放射をより多く透過させるように構成される。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様では、スペクトル純度フィルタであって、部材を貫通する複数のアパーチャを備え、前記アパーチャは第１波長を有する放射を抑制し、かつ第２波長を有する放射の少なくとも一部を透過させるように構成され、放射の前記第２波長は、放射の前記第１波長よりも短く、前記スペクトル純度フィルタの第１領域は、前記第１波長を有する前記放射および前記第２波長を有する前記放射に対する第１放射透過プロファイルをもたらす第１の構成を有し、前記スペクトル純度フィルタの第２領域は、前記第１波長を有する前記放射および前記第２波長を有する前記放射に対する第２の異なる放射透過プロファイルをもたらす第２の異なる構成を有する、スペクトル純度フィルタが提供される。前記スペクトル純度フィルタの前記第１領域は、前記スペクトル純度フィルタの前記第２領域と一体的に形成され得る。
【００１１】
[0011]  前記スペクトル純度フィルタの前記第１領域の場所または寸法、および／または、前記スペクトル純度フィルタの前記第２領域の場所または寸法は、使用において、スペクトル純度フィルタに入射する前記第１波長を有する放射および／または前記第２波長を有する前記放射を含む放射ビームの少なくとも一部の入射角、ならびに／あるいは、使用において、前記スペクトル純度フィルタに入射する前記第１波長を有する前記放射および／または前記第２波長を有する前記放射を含む放射ビームの少なくとも一部の強度分布、のうち少なくとも１つに関連し得る。
【００１２】
[0012]  前記スペクトル純度フィルタにおける前記第１の構成を有する前記第１領域は、前記スペクトル純度フィルタの内側領域であってよく、前記スペクトル純度フィルタにおける前記第２の構成を有する前記第２領域は、前記スペクトル純度フィルタの外側領域である、請求項１または請求項２に記載のスペクトル純度フィルタであってよい。
【００１３】
[0013]  前記スペクトル純度フィルタにおける前記第１の構成を有する前記第１領域は、使用において、前記スペクトル純度フィルタにおける放射ビームが心合わせされる領域であってよく、前記スペクトル純度フィルタにおける前記第２の構成を有する前記第２領域は、前記スペクトル純度フィルタにおける前記第１領域を囲む領域であってよい。
【００１４】
[0014]  前記第１の構成および／または前記第２の構成は、使用において、スペクトル純度フィルタに入射する前記第１波長を有する放射および／または前記第２波長を有する前記放射を含む放射ビームの少なくとも一部の入射角、ならびに／あるいは、使用において、前記スペクトル純度フィルタに入射する前記第１波長を有する前記放射および／または前記第２波長を有する前記放射を含む放射ビームの少なくとも一部の強度分布、のうち少なくとも１つに関連し得る。
【００１５】
[0015]  前記第１の構成および／または前記第２の構成は、１つ以上のアパーチャの形状、１つ以上のアパーチャの直径、１つ以上のアパーチャ間のスペース、１つ以上のアパーチャの深さ、１つ以上のアパーチャのテーパリング程度、１つ以上のアパーチャの傾斜角、１つ以上のアパーチャの位置、前記スペクトル純度フィルタの厚さまたは深さ、および／または、前記スペクトル純度フィルタの材料、のうち１つ以上であってよい。
【００１６】
[0016]  前記第１の構成と前記第２の構成との間の相違は、１つ以上のアパーチャの形状における相違、１つ以上のアパーチャの直径における相違、１つ以上のアパーチャの深さにおける相違、１つ以上のアパーチャ間の間隔における相違、１つ以上のアパーチャのテーパリング程度における相違、１つ以上のアパーチャの傾斜角における相違、１つ以上のアパーチャの位置における相違、前記スペクトル純度フィルタの厚さまたは深さにおける相違、および／または、前記スペクトル純度フィルタの材料における相違、のうち１つ以上である。
【００１７】
[0017]  前記スペクトル純度フィルタの前記第１領域は、前記スペクトル純度フィルタの前記第２領域よりも大きい深さまたは厚さを有し得る。
【００１８】
[0018]  前記スペクトル純度フィルタの前記第２領域は、前記スペクトル純度フィルタの前記第１領域内のアパーチャよりも大きい直径のアパーチャを有し得る。
【００１９】
[0019]  前記第１放射透過プロファイルと前記第２透過プロファイルとの間の相違は、前記スペクトル純度フィルタの前記第１領域および／または前記第２領域を透過する前記第１波長および／または前記第２波長の放射の量に関連し得る。
【００２０】
[0020]  前記スペクトル純度フィルタの前記第１領域は、前記スペクトル純度フィルタの前記第２領域と一体形成され得る。
【００２１】
[0021]  前記スペクトル純度フィルタの前記第１領域は、前記スペクトル純度フィルタの前記第２領域とは分離して形成されてもよい。
【００２２】
[0022]  放射の前記第１波長は、電磁スペクトルの赤外線領域にある波長を有し得る。放射の前記第２波長は、前記電磁スペクトルのＥＵＶ部分にある波長を有する放射と実質的に同等か、またはより短い波長を有し得る。
【００２３】
[0023]  本発明の一態様では、本発明の実施形態に係るスペクトル純度フィルタを有するリソグラフィ装置または放射源が提供される。
【００２４】
[0024]  本発明の別の態様では、放射を生成するように構成された放射源と、前記放射源内に位置決めされ、かつ前記放射源により生成された前記放射をフィルタリングするように構成されたスペクトル純度フィルタであって、前記スペクトル純度フィルタは部材を貫通する複数のアパーチャを備え、前記アパーチャは第１波長を有する放射を抑制し、かつ第２波長を有する放射の少なくとも一部を透過させるように構成され、放射の前記第２波長は、放射の前記第１波長よりも短く、前記スペクトル純度フィルタの第１領域は、前記第１波長を有する前記放射および前記第２波長を有する前記放射に対する第１放射透過プロファイルをもたらす第１の構成を有し、前記スペクトル純度フィルタの第２領域は、前記第１波長を有する前記放射および前記第２波長を有する前記放射に対する第２の異なる放射透過プロファイルをもたらす第２の異なる構成を有する、スペクトル純度フィルタと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、前記パターニングデバイスは前記スペクトル純度フィルタによりフィルタリングされた前記放射にパターン形成し、パターン付き放射ビームにする、サポートと、基板上に前記パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、を備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００２５】
[0025]  本発明のさらに別の態様では、放射を生成するように構成された放射源であって、前記放射源は、当該放射源により生成された放射をフィルタリングするように構成されたスペクトル純度フィルタを備え、前記スペクトル純度フィルタは、部材を貫通する複数のアパーチャを備え、前記アパーチャは第１波長を有する放射を抑制し、かつ第２波長を有する放射の少なくとも一部を透させるように構成され、放射の前記第２波長は、放射の前記第１波長よりも短く、前記スペクトル純度フィルタの第１領域は、前記第１波長を有する前記放射および前記第２波長を有する前記放射に対する第１放射透過プロファイルをもたらす第１の構成を有し、前記スペクトル純度フィルタの第２領域は、前記第１波長を有する前記放射および前記第２波長を有する前記放射に対する第２の異なる放射透過プロファイルをもたらす第２の異なる構成を有する、放射源が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
[0026]
本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0027]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0028]  図２は、図１に示すリソグラフィ装置をより詳細に示す概略図である。
【図３】[0029]  図３は、透過型スペクトル純度フィルタを概略的に示す。
【図４】[0030]  図４は、図３のスペクトル純度フィルタを側面から見た部分断面図を、スペクトル純度フィルタにより規定される平面に垂直な方向にこのフィルタに入射する放射と共に、概略的に示す。
【図５】[0031]  図５は、図３のスペクトル純度フィルタを側面から見た部分断面図を、スペクトル純度フィルタにより規定される平面に垂直ではない方向にこのフィルタに入射する放射と共に、概略的に示す。
【図６】[0032]  図６は、本発明の一実施形態に係るスペクトル純度フィルタの半分を側面から見た部分断面図を概略的に示し、このスペクトル純度フィルタは、第１の構成を有する第１領域と第２の異なる構成を有する第２領域とを備える。
【図７】[0033]  図７は、本発明の一実施形態に係るスペクトル純度フィルタを概略的に示し、このスペクトル純度フィルタは、第１の構成を有する第１領域と第２の異なる構成を有する第２領域とを備える。
【図８】[0034]  図８は、本発明の一実施形態に係るスペクトル純度フィルタを概略的に示し、このスペクトル純度フィルタは、第１の構成を有する第１領域と第２の異なる構成を有する第２領域とを備える。
【図９】図９は、スペクトル純度フィルタの内側領域のアパーチャのような、六角形のアパーチャのより詳細な図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
[0035]図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置２を概略的に示している。このリソグラフィ装置２は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
【００２８】
[0036]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２９】
[0037]  サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、つまりパターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置２の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００３０】
[0038]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００３１】
[0039]  パターニングデバイスの例としては、マスクおよびプログラマブルミラーアレイが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、通常、ＥＵＶ放射（または超ＥＵＶ）リソグラフィ装置では、反射型である。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００３２】
[0040]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、あらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。通常、ＥＵＶ（または、超ＥＵＶ）放射リソグラフィ装置では、光エレメントは反射型である。しかし、他の型の光エレメントを使用してもよい。光エレメントは真空内に存在し得る。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００３３】
[0041]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置２は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。
【００３４】
[0042]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００３５】
[0043]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００３６】
[0044]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを放射ビームＢを調整し、放射ビームＢの断面に所望の均一性および強度分布をもたせるために使用することができる。
【００３７】
[0045]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡにより反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３８】
[0046]  例示の装置２は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００３９】
[0047]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００４０】
[0048]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００４１】
[0049]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００４２】
[0050]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００４３】
[0051]  図２は、放射源ＳＯ、イルミネータＩＬ（照明システムと呼ばれることもある）、および投影システムＰＳを備えるリソグラフィ装置２をより詳細に示す。放射源ＳＯは、放電プラズマを含み得るエミッタ４を備える。ＥＵＶ放射は、非常に高温のプラズマが生成され、電磁スペクトルのＥＵＶ放射範囲内の放射を放出するようなＸｅガスまたはＬｉ蒸気などのガスまたは蒸気により生成され得る。非常に高温なプラズマは、放電の部分的にイオン化されたプラズマを光軸６上で崩壊させることにより生成される。この放射の効率的な生成には、例えば分圧１０ＰａのＸｅもしくはＬｉ蒸気または他の任意の好適なガスもしくは蒸気を要し得る。いくつかの実施形態では、スズが使用され得る。図２は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）放射源ＳＯを例示する。なお、例えばレーザ生成プラズマ（ＬＬＲ）放射源など他の放射源を使用してもよいことが理解されるであろう。
【００４４】
[0052]  放射エミッタ４から放出された放射は、放射源８からコレクタチャンバ１０内へと通過する。コレクタチャンバ１０は、汚染トラップ１２および（概略的に長方形で示される）かすめ入射コレクタ１４を備える。コレクタ１４を通過した放射は、格子スペクトルフィルタ１６で反射されコレクタチャンバ１０内のアパーチャ２０で仮想放射源点１８内にフォーカスされる。アパーチャ２０を通過する前に、放射はスペクトル純度フィルタ２１を通過する。スペクトル純度フィルタ２１の異なる実施形態を、以下に詳細に説明する。コレクタチャンバ１０から、放射ビーム２１は、イルミネータＩＬ内で第１および第２リフレクタ２２、２４を介して、レチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスクＭＡ上へと反射される。パターン付き放射ビーム２６が形成され、このビームは、投影システムＰＳ内で第１および第２反射要素２８、３０を介して基板テーブルＷＴ上に保持された基板Ｗ上に結像される。
【００４５】
[0053]  通常、図２に示すよりも多いまたは少ない要素が放射源ＳＯ、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳ内に存在し得ることが理解されるであろう。例えば、いくつかの実施形態では、照明システムＩＬおよび／または投影システムＰＳは、より多い数またはより少ない数の反射要素またはリフレクタを含んでもよい。
【００４６】
[0054]  リソグラフィ装置において、放射ビームの望ましくない（例えば、帯域外の）波長成分を除去するために、スペクトル純度フィルタを使用することは公知である。例えば、１つ以上のアパーチャを備えるスペクトル純度フィルタを設けることが知られている。各アパーチャの直径は、このアパーチャが、放射の１つ以上の望ましくない波長（つまり、第１波長を有する放射）を回折または散乱などにより抑制する一方、放射の１つ以上の望ましい波長（つまり、第２波長を有する放射）を通過させるように選択される。例えば、望ましくない放射は、赤外線放射を含み得る一方、望ましい放射はＥＵＶまたは超ＥＵＶ放射を含み得る。
【００４７】
[0055]  図３は、公知の（つまり、従来技術の）スペクトル純度フィルタ４０を概略的に示す。スペクトル純度フィルタ４０は、周期的なアレイの円形アパーチャ４４が設けられたプレート４２を備える。アパーチャ４４の直径４６は、抑制すべき放射の第１波長が各アパーチャ４４の入り口で実質的に回折される一方、放射のより短い第２波長がアパーチャ４４を透過するように選択される。アパーチャ４４の直径４６は、同等の波長を有する放射を回折により抑制するために、例えば、１〜１００μｍの範囲とすることができる。
【００４８】
[0056]  プレート４２は、任意の好適な材料から形成することができる。プレート４２に代えて、あるいはプレート４２に加えて、フォイルまたは膜を使用してもよい。プレート４２は（または、使用される構造のいずれも）、放射の第１波長またはスペクトル純度フィルタ４０が抑制するように設計された範囲の波長に対して実質的に不透明であってよい。例えば、プレート４２は、第１波長、例えば電磁スペクトルの赤外線領域における波長を反射または吸収し得る。プレート４２は、スペクトル純度フィルタ４０が透過するように設計される、放射の１つ以上の第２波長、例えば電磁スペクトルのＥＵＶ領域の波長に対しても実質的に不透明であってもよい。しかし、スペクトル純度フィルタ４０は、このスペクトル純度フィルタ４０が透過するように設計された１つ以上の第２波長に対して実質的に透明なプレート４２から形成することもできる。これにより、スペクトル純度フィルタ４０が透過するように設計された１つ以上の波長に対して、スペクトル純度フィルタ４０の透過率を増加させることができる。スペクトル純度フィルタ４０のプレート４２を形成し得る材料の例は、金属である。他の例としては、ＥＵＶ放射に対して実質的に透明な薄いフォイルが挙げられる。
【００４９】
[0057]  スペクトル純度フィルタ４０のアパーチャ４４は、六方状のパターン（hexagonal pattern）に配置される。この配置は、円形アパーチャの最密充填を可能とし、それによりスペクトル純度フィルタ４０に最も高い透過率を付与するため、好ましいであろう。しかし、アパーチャの他の配置もまた可能であり、例えば、正方形、長方形、または他の周期的あるいは非周期的配置を使用してもよい。例えば、非周期的なアレイの場合には、ランダムなパターンを使用することができる。アパーチャは（どのような配置であれ）円形の形状であってもよく、または、例えば、楕円形、六角形、正方形、長方形、あるいは他の好適な形状であってもよい。
【００５０】
[0058]  図４は、図３のスペクトル純度フィルタ４０を側面から見た部分断面図を概略的に示す。アパーチャ４４が設けられたプレート４２は、実質的に平面的な形状であり、したがって平面を規定する。アパーチャ４４は、プレート４２により規定された平面に実質的に垂直な方向にスペクトル純度フィルタ４０を貫通する（つまり、アパーチャ４４のそれぞれは、スペクトル純度フィルタ４０により規定される平面に垂直な中心軸を有する）。
【００５１】
[0059]  図４は、さらに、第１波長を有する放射５０および第２波長を有する放射５２を示す。放射５０、５２は、放射ビームからの放射を構成する。第１波長を有する放射５０および第２波長を有する放射５２がスペクトル純度フィルタ４０により規定される平面に実質的に垂直な方向にこのスペクトル純度フィルタ４０に入射すると、第１波長を有する放射５０はアパーチャ４４により回折され、スペクトル純度フィルタ４０による透過が実質的に抑制される。わずかな割合の第１波長を有する放射５０のみがアパーチャ４４を透過する。第２波長を有する放射５２は、スペクトル純度フィルタ４０のアパーチャ４４を容易に通過する。これは、第２波長を有する放射５２がアパーチャ４４により実質的に回折および抑制されないためである。しかし、これは第２波長を有する放射５２（および、例えば、第２波長を有する放射を含む放射ビーム）がスペクトル純度フィルタ４０により規定される平面に垂直でない角度でスペクトル純度フィルタに入射する場合には当てはまらないこともある
【００５２】
[0060]  図５は、図４に示し、かつ図４を参照して説明したスペクトル純度フィルタ４０の同様の側面から見た部分断面図を概略的に示す。ただし、図４とは異なり、図５では、スペクトル純度フィルタ４０に向けて誘導される放射５０、５２は、スペクトル純度フィルタ４０により規定される平面に実質的に垂直な方向（つまり、法線方向）に誘導されていない。代わりに、図５に示す放射５０、５２は、スペクトル純度フィルタ４０により規定される平面に対して垂直ではない角度でスペクトル純度フィルタに入射する。放射５０、５２がスペクトル純度フィルタ４０に入射すると、第１波長を有する放射５０は、アパーチャ４４により回折され、スペクトル純度フィルタ４０による透過が実質的に抑制される。わずかな割合の第１波長を有する放射５０のみがアパーチャ４４を透過し、この割合は、第１波長を有する放射の入射角とは実質的に無関係である。一方、より短い第２波長を有する放射５０は、スペクトル純度フィルタ４０のアパーチャ４４を通過しない。これは、第２波長を有する放射５２が、入射した後、アパーチャ４４の側壁５４により吸収または散乱させられるためである。
【００５３】
[0061]  図４および５、ならびにこれら図の説明を再考すると、スペクトル純度フィルタ４０の透過プロファイルは、例えば、スペクトル純度フィルタ４０の構成に依存することが理解されるであろう。例えば、この構成としては、スペクトル純度フィルタにおける１つ以上のアパーチャの形状、１つ以上のアパーチャの直径、１つ以上のアパーチャの深さ、１つ以上のアパーチャ間のスペース、１つ以上のアパーチャのテーパリング程度、１つ以上のアパーチャの傾斜角度（つまり、スペクトル純度フィルタにより規定される平面の法線に対する、スペクトル純度フィルタを貫通するアパーチャの角度）、１つ以上のアパーチャの位置（例えば、アパーチャの場所、分布、間隔、または密度）、スペクトル純度フィルタの厚さまたは深さ、および／または、スペクトル純度フィルタの材料（一例として、例えば第１または第２波長を有する放射に対して、透過性を有するまたは不透明である材料）が挙げられる。
【００５４】
[0062]  一例では、スペクトル純度フィルタ内の全てのアパーチャの直径を大きくした場合、より多くの第２波長を有する放射がスペクトル純度フィルタを透過し得る。しかし、第１波長を有する放射の回折および抑制は減少し得る。第２波長を有する放射（例えば、ＥＵＶ放射などの望ましい放射）の量を増加させることが望ましい一方、同時に、第１波長を有する放射（例えば、赤外線放射などの望ましくない放射）の透過の抑制を一定レベル以下に維持することが望ましい。例えば、第１波長を有し、かつスペクトル純度フィルタに入射する放射のうち１％、２％、３％、４％、５％、または５％未満のみがスペクトル純度フィルタを透過することを確実にする一方、同時に第２波長を有する放射の透過を最大化するように試みるのが望ましい場合がある。この第１波長または第２波長を有する放射の透過間のバランスは、例えば、放射の第１および第２波長を有する放射を含む放射ビームが第１波長を有する放射と第２波長を有する放射とで異なる強度分布を有する場合に、さらに複雑になる。別の複雑性として、スペクトル純度フィルタを通る第１波長または第２波長を有する放射の透過の入射角度に対する依存性が挙げられる。追加的な複雑性を考慮した上で、アパーチャがスペクトル純度フィルタ全体に均一に分布したスペクトル純度フィルタ、またはより一般的には、スペクトル純度フィルタにおける放射が入射する複数の部分に対して単一の構成を有するスペクトル純度フィルタに対して、上述したようなバランスを実現するのは困難である。
【００５５】
[0063]  従来技術のスペクトル純度フィルタにおける１つ以上の問題は、本発明の一実施形態に係るスペクトル純度フィルタを使用して排除または軽減することができる。本発明の一実施形態では、スペクトル純度フィルタを貫通するアパーチャを備えるスペクトル純度フィルタが提供される。各アパーチャは、第１波長を有する放射を（例えば回折により）抑制し、かつ第１波長の放射よりも短い第２波長を有する放射の少なくとも一部を通らせるように構成される。例えば、放射の第１波長は、赤外線のような望ましくない放射であってよく、この放射はアパーチャの開口部で、またはアパーチャ内で、回折、散乱または吸収により抑制される。放射の第２波長は、例えば、ＥＵＶ放射のような望ましい放射であってよく、この放射は、レジストコート基板にパターンを付与するために使用され得る。既存のスペクトル純度フィルタとは対照的に、本発明の一実施形態のスペクトル純度フィルタは、複数の領域（例えば、少なくとも第１領域および第２領域）からなる。スペクトル純度フィルタの領域は、互いに一体形成されてもよく、または別個に形成され、その後スペクトル純度フィルタの製造プロセスにおける後の段階で接合されてもよい。
【００５６】
[0064]  スペクトル純度フィルタの第１領域は、第１波長を有する放射および第２波長を有する放射に対する第１放射透過プロファイルをもたらす第１の構成を有する。スペクトル純度フィルタの第２領域は、第１波長を有する放射および第２波長を有する放射に対する第２の異なる放射透過プロファイルをもたらす第２の異なる構成を有する。これら領域のサイズおよび／または場所、ならびにこれら領域の構成を適切に選択することにより、スペクトル純度フィルタ全体の透過プロファイルのより優れた制御が可能となる。
【００５７】
[0065]  スペクトル純度フィルタは異なる構成を有する複数の領域を備えているため、結果的に得られるスペクトル純度フィルタはより汎用性が高くなる。例えば、スペクトル純度フィルタの第１領域の場所または寸法（例えば、範囲、形状または面積）、および／または、スペクトル純度フィルタの第２領域の場所または寸法（例えば、範囲、形状または面積）、および／または、それら第１領域および第２領域の第１および第２の構成は、使用においてスペクトル純度フィルタに入射する第１波長を有する放射および／または第２波長を有する放射を含む放射ビームの少なくとも一部の入射角、ならびに／あるいは、使用においてスペクトル純度フィルタに入射する第１波長を有する放射および／または第２波長を有する放射を含む放射ビームの少なくとも一部の強度分布、の１つ以上に関連し得る。
【００５８】
[0066]  構成（または、それらの構成における相違）は、スペクトル純度フィルタの１つ以上のアパーチャの形状、１つ以上のアパーチャの直径、１つ以上のアパーチャの深さ、１つ以上のアパーチャ間のスペース、１つ以上のアパーチャのテーパリング程度、１つ以上のアパーチャの傾斜角（つまり、スペクトル純度フィルタにより規定される平面の法線に対する、スペクトル純度フィルタを貫通するアパーチャの角度）、１つ以上のアパーチャの位置（例えば、アパーチャの場所、分布、間隔、または密度）、スペクトル純度フィルタの厚さまたは深さ、および／またはスペクトル純度フィルタの材料（一例として、例えば第１または第２波長を有する放射に対して、透過性を有するまたは不透明である材料）、のうち１つ以上であってよい。
【００５９】
[0067]  異なる領域、およびそれに関連した異なる構成は、従来技術のスペクトル純度と比較して、第２波長を有する放射（例えば、ＥＵＶ放射などの望ましい放射）の透過を増加させる一方で、なお第１波長を有する放射（例えば、赤外線放射などの望ましくない放射）を要求される限度以下に抑制するように構成され得る。
【００６０】
[0068]  本発明の特定の実施形態を、単なる例として、図６〜８を参照して以下に説明する。
【００６１】
[0069]  図６は、本発明の一実施形態に係るスペクトル純度フィルタ６０の一部を概略的に示す。より具体的には、図６は、スペクトル純度フィルタ６０の上側半分（つまり、スペクトル純度フィルタ６０の中央線６２より上側のスペクトル純度フィルタ６０の半分）を横から見た部分断面図を概略的に示す。
【００６２】
[0070]  スペクトル純度フィルタ６０は、第１領域６４および第２領域６６を備える。第１領域６４および第２領域６６は、一体形成されてもよく、または別個に形成された後、例えばスペクトル純度フィルタ６０の製造プロセス中に、互いに貼り合わされてもよい。領域６４、６６は、１つ以上の平面的な部材６５から形成することができ、この平面的な部材６５は、プレート、膜、またはフォイルなどであってよい。平面的な部材６５は、例えば、第１波長を有する放射（例えば、赤外線放射）に対し不透明であってよい。その代わりに、あるいはそれに加えて、平面的な部材６５は、例えば、第２波長を有する放射（例えば、赤外線放射）に対して実質的に透過性を有してもよい。
【００６３】
[0071]  第１領域６４は、スペクトル純度フィルタ６０の内側領域であり、第２領域６６はスペクトル純度フィルタ６０の外側領域である。内側領域６４は、スペクトル純度フィルタ６０の中央線６２に対して心合わせされ、かつ中央線６２を囲む。第２領域６６は、第１領域６４を囲む。それに代えて、あるいはそれに加えて、第１領域６４は、使用において放射ビーム（および／または、第１および／または第２波長を有する放射の強度分布）が心合わせされるべき、スペクトル純度フィルタ６０の領域であってもよい。この場合もやはり、第２領域６６は、第１領域６４を囲むスペクトル純度フィルタ６０の領域であってよい。
【００６４】
[0072]  アパーチャ６８は、スペクトル純度フィルタ内に設けられ、これらのアパーチャ６８は、スペクトル純度フィルタ６０の部材６５を貫通する。各アパーチャ６８は、第１波長を有する放射（例えば、赤外線放射のような望ましくない放射）を（例えば回折により）抑制し、かつ第２波長を有する放射（例えば、ＥＵＶ放射など）の一部を透過させるように構成される。これは、放射の第１波長と同様（例えば、同一の規模（order of magnitude））であり、かつ放射の第２波長よりも大きい（例えば、２倍の規模、またはより大きい規模）アパーチャ直径を選択することにより実現することができる。放射の第２波長は、放射の第１波長よりも短い。
【００６５】
[0073]  スペクトル純度フィルタの第１領域６４は、第１領域６４に入射する第１波長を有する放射および第２波長を有する放射に対する第１放射透過プロファイルをもたらす第１の構成を有する。スペクトル純度フィルタ６０の第２領域６６は、第２領域６６に入射する第１波長を有する放射および第２波長を有する放射に対する第２の異なる放射透過プロファイルをもたらす第２の異なる構成を有する。第１領域６４および／または第２領域６６の場所または寸法（例えば、範囲、形状または領域）、ならびに／あるいは、第１の構成および／または第２の構成は、使用においてスペクトル純度フィルタに入射する（つまり、スペクトル純度フィルタに向けて誘導される）第１波長を有する放射および／または第２波長を有する放射を含む放射ビームの少なくとも一部の入射角、ならびに／あるいは、使用においてスペクトル純度フィルタに入射する（つまり、スペクトル純度フィルタに向けて誘導される）第１波長を有する放射および／または第２波長を有する放射を含む放射ビームの少なくとも一部の強度分布、のうち少なくとも１つに関連する。強度分布は、具体的には、共に放射ビームを構成する第１波長を有する放射および第２波長を有する放射のうち一方または両方に対するものであってよい。
【００６６】
[0074]  構成（または、それらの構成における相違）は、スペクトル純度フィルタの１つ以上のアパーチャの形状、１つ以上のアパーチャの直径、１つ以上のアパーチャの深さ、１つ以上のアパーチャ間のスペース、１つ以上のアパーチャのテーパリング程度、１つ以上のアパーチャの傾斜角（つまり、スペクトル純度フィルタにより規定される平面の法線に対する、スペクトル純度フィルタを貫通するアパーチャの角度）、１つ以上のアパーチャの位置（例えば、アパーチャの場所、分布、間隔、または密度）、スペクトル純度フィルタの厚さまたは深さ、および／またはスペクトル純度フィルタの材料（一例として、例えば第１または第２波長を有する放射に対して、透過性を有するまたは不透明である材料）のうち、１つ以上であってよい。これらのうちいずれか１つ以上は、スペクトル純度フィルタの特定の領域に対する透過プロファイルを変更し、例えば、確実に（単一の構成を有する単一の離散的な領域のみを有するスペクトル純度フィルタと比較して）より多くの第２波長を有する放射がスペクトル純度フィルタの当該領域を透過する一方で、なお第１波長を有する放射が所定の限度以下まで抑制されるように構成することができる。
【００６７】
[0075]  図６の実施形態に戻り、スペクトル純度フィルタ６０の第１領域６４の構成は、スペクトル純度フィルタ６０の第２領域６６の構成とは異なる。この構成は、スペクトル純度フィルタ６０の第１領域６４が有する第１深さ７０が、第２領域６６の第２深さ７２よりも大きい点で異なる。第２領域６６の減少された深さ７２により、スペクトル純度フィルタ６０により規定された平面の法線に対して斜めにスペクトル純度フィルタの第２領域６６に入射する第２波長を有する放射が、より多く第２領域６６を透過することが可能となる。これは、アパーチャ６８の側壁７３がより短いため（つまり、アパーチャ６８がそれほど深くないため）、側壁７３により吸収または散乱され得る、あるいは吸収または散乱されることになる放射がより少ないためである。
【００６８】
[0076]  第１波長を有する放射７４（例えば、赤外線放射）および第２波長を有する放射７６（例えば、ＥＵＶ放射）は、スペクトル純度フィルタ６０に向けて誘導される。放射７４、７６は、例えば、非平行の（つまり、収束または発散）放射ビームを構成し得る。放射ビームがスペクトル純度フィルタ６０の中心線６２に沿って心合わせされると、スペクトル純度フィルタ６０の第２領域６６（つまり、外側領域）に入射する放射７４、７６の入射角は、スペクトル純度フィルタ６０の第１領域６４（つまり、中央領域）に入射する放射７４、７６よりも（スペクトル純度フィルタ６０により規定される平面の法線に対して）大きくなる。
【００６９】
[0077]  スペクトル純度フィルタ６０の第１領域６４に対し、第１波長を有する放射７４および第２波長を有する放射７６は、スペクトル純度フィルタ６０により規定される平面に実質的に垂直な方向でスペクトル純度フィルタ６０に入射する。第１波長を有する放射７４は、アパーチャ６８により回折されて、スペクトル純度フィルタ６０を透過するのが抑制される。わずかな割合の第１波長を有する放射７４のみがスペクトル純度フィルタのアパーチャ６８を透過する。第２波長を有する放射７６は、スペクトル純度フィルタ６０のアパーチャ６８を容易に通過する。これは、第２波長を有する放射７６がアパーチャ６８により実質的に回折および抑制されないためである。アパーチャ６８の側壁７３がより短いため（つまり、アパーチャ６８がそれほど深くないため）、より少ない第２波長を有する放射７６が側壁７３により吸収または散乱され得る、あるいは吸収または散乱されることになる。
【００７０】
[0078]  図５に戻り、スペクトル純度フィルタ４０により規定される平面により規定される法線に対して斜めに放射がスペクトル純度フィルタ４０に入射する場合、第２波長を有する（かつ、スペクトル純度フィルタ４０のアパーチャ４４により回折されない）放射５２がアパーチャ４４の側壁５４に入射し、かつ吸収または散乱され得るといったリスクがある。このような吸収または散乱は、第２波長を有する放射５２がスペクトル純度フィルタ４０を透過するのを妨げる。本発明の一実施形態では、この潜在的な問題をスペクトル純度フィルタ４０の深さ、ひいてはアパーチャ４４の深さを減少させることにより、克服することができる。この減少は、図６に示される。
【００７１】
[0079]  図６に戻り、スペクトル純度フィルタ６０の第２領域６６は、スペクトル純度フィルタの第１領域６４の深さ７０と比較して減少された深さ７２を有する。したがって、第２波長を有し、かつスペクトル純度フィルタの第２波長６６に対して斜めに入射する放射７６は、深さ７２の減少によりスペクトル純度フィルタを透過することができる。同時に、深さを減少しても、第１波長を有する放射７４の回折による抑制には顕著な影響は及ぼさないであろう。したがって、スペクトル純度フィルタ６０の第２領域６６では、例えばスペクトル純度フィルタの内側領域と同じ深さを有するスペクトル純度フィルタの外側領域と比較して、第２波長を有する放射７６の透過が増加されると同時に、なお第１波長を有する放射７４はうまく抑制される。第１波長を有する放射７４の抑制が減少したとしても、この減少を所定限度の範囲内に収めつつ、なお第２波長を有する放射７６の透過が増加することが可能となる。
【００７２】
[0080]  図６は、第２領域６６の深さを減少させることを概略的に示しているが、同様のまたは実質的に同一の効果を達成するために、他の構成または構成の変更が可能である。例えば、スペクトル純度フィルタ６０の第２領域６６の深さを減少する代わりに、あるいはそれに加えて、第２領域６６内のアパーチャ６８はスペクトル純度フィルタ６０の第１領域６４内のアパーチャ６８よりも大きな直径を有してもよい。
【００７３】
[0081]  上述したように、スペクトル純度フィルタの第１領域または第２領域の場所または寸法（例えば、範囲または面積）は、スペクトル純度フィルタの第１または第２部分への放射の入射角、および／または、その放射の強度分布に関連し得る。これは、図７を使用して例示することができる。
【００７４】
[0082]  図７は、スペクトル純度フィルタ８０を概略的に示す。このスペクトル純度フィルタは、第１内側領域８２と、第１内側領域８２を囲む第２外側領域８４から成る。内側領域８２は、実質的に円形形状であり、第２外側領域８４は、実質的に環状形状である
【００７５】
[0083]  第１波長を有する放射および第２波長を有する放射は、使用において、スペクトル純度フィルタ８０に向けて誘導され、かつ入射し得る。第１波長を有する放射および第２波長を有する放射の強度分布は、実質的に同一であってよい。この場合、第１波長を有する放射および第２波長を有する放射のスペクトル純度フィルタを通る透過の角度依存を利用することにより差別化を実現することができる。例えば、上述したように、第１波長を有する放射の回折による抑制は、（小さい入射角について）その放射の入射角には依存しない。逆に、アパーチャにより回折されない第２波長を有する放射の透過は、スペクトル純度フィルタへの放射の入射角に依存する。
【００７６】
[0084]  例えば、第１領域８２内の間隔またはアパーチャが第２領域８４内のアパーチャの間隔とは異なる（つまり、第１および第２領域８２、８４の相違は、アパーチャの間隔または場所における相違である）場合、これらアパーチャを通る放射の透過は、両領域８２、８４で異なることがある。例えば、第１領域８２は、第１波長を有する放射のおおむね０％を透過し得る。第２領域８４は、第１波長を有する放射のおおむね４％を透過し得る。これらの透過率は、上述したように、これらの領域８２、８４に入射する放射の入射角に実質的に依存しない。逆に、第２波長を有する放射は、第２領域８４の構成が第１領域８２の構成と同じ場合と比べて、より容易に第２領域８４を透過することになる。これは、第２領域８４内のアパーチャがより密に充填されているためである。したがって、スペクトル純度フィルタの全体的な透過率は、第１領域８２と第２領域８４との相対的な範囲（例えば、サイズ）に依存することになる。例えば、放射の第１波長の全体的な透過率として１％得るためには、２つの領域８２と８４との間の移行部（transition）は、０．８Ｒｍａｘの半径Ｒに配置されるべきであり、ここでＲｍａｘは、スペクトル純度フィルタ８０（ひいては、スペクトル純度フィルタの第２領域）の最大半径である。このような構成は、第１波長を有する放射の抑制を所定限度以下（この場合は１％）に維持する一方、スペクトル純度フィルタを透過する第２波長を有する放射（例えば、ＥＵＶ放射）の量を（例えば、数パーセント）増加させることになる。
【００７７】
[0085]  別の例（図示なし）では、第１波長を有する放射および第２波長を有する放射の強度分布は、互いに同等ではないこともある。この場合も、第１領域８２と第２領域８４との間の移行部（および／またはこれら領域の場所）は、例えば第１波長を有する放射の最大透過といった所定の要件が確実に満たされるように選択することができる。
【００７８】
[0086]  一般的に、第１波長を有する放射および第２波長を有する放射のあらゆる放射分布について、第１領域および第２領域の構成は、第２波長を有する放射の最大有効透過を実現しつつ、第１波長を有する放射の抑制を所定の限度または仕様以下に維持されるように、これらの分布に対して最適化される。例えば、放射ビームには、例えばスペクトル純度フィルタの中心付近でピークに達し得る第２波長を有する放射よりも、第１波長を有する放射の方がスペクトル純度フィルタ全体に均一に分布するものもある。この場合、放射の第１波長に対する第２波長の比率は、スペクトル純度フィルタの中心付近でより高くなるため、第１波長を有する放射の抑制を、スペクトル純度フィルタの中心付近で緩和し、それによりスペクトル純度フィルタを通る放射の第２波長を有する放射の透過を最大化することが望ましいことがある。
【００７９】
[0087]  第１波長を有する放射および第２波長を有する放射の分布に応じて、第１および第２領域の寸法（例えば、面積）は円対称である必要はなく、他の形状を有することもできる。
【００８０】
[0088]  スペクトル純度フィルタのアパーチャは、任意の好適な形状を有することができる。例えば、アパーチャは、（図６および７の実施形態の場合のように）円形であってもよく、またはアパーチャは、あらゆる形状の中でもとりわけ細長い形状（例えばスリット状またはスロット状）、六角形、正方形、楕円形であってもよい。例えば、図８は本発明の一実施形態に係るスペクトル純度フィルタ９０を概略的に示す。スペクトル純度フィルタ９０の第１の内側領域９２には、（六角形の形状を有し得る）アパーチャ９４が設けられる。第１領域９２を囲むのは、複数のスリット状アパーチャ９８を備える第２の外側領域９６である。スリット状アパーチャ９８は、放射の第１波長（例えば、赤外線）を有する放射のような望ましくない放射の偏光方向に対して最適に位置合わせされ得る。
【００８１】
[0089]  上記実施形態では、スペクトル純度フィルタの第１および第２領域が説明されている。他の実施形態では、例えば第３、第４、第５領域などさらなる領域を設けることができる。これら領域の各々は、放射の第２波長を有する放射のスペクトル純度フィルタを通る透過を最適化し、および／または、同時に第１波長を有する放射の抑制を維持するために、異なる構成を有してもよい。
【００８２】
[0090]  図９は、スペクトル純度フィルタ９０の内側領域９２のアパーチャのような、六角形のアパーチャのより詳細な図である。典型的には、これらのアパーチャのピッチは、５μｍであってよく、２つのアパーチャ間の距離ｔは０．５μｍであってよい。しかし、さらなる領域では、ピッチｐは、赤外線の吸収を減少させるために、例えば３μｍなど、より小さくてもよい。２つのアパーチャ間の距離ｔもまた０．３μｍに小さくしてもよい。このようなさらなる領域は、空間的赤外線分布のピークが発生する位置で使用することができる。
【００８３】
[0091]  上述した実施形態では、スペクトル純度フィルタ第１領域および第２領域、ならびに第１領域と第２領域との間の構成における変化は、離散（つまり、非連続）しており、これは構成における変化もまた離散的であったためである。他の実施形態では、これら領域の構成は、連続的に、またはスペクトル純度フィルタの１つ以上の領域にわたって徐々に変化してもよい。これにより、スペクトル純度フィルタ上のあらゆる位置において（例えば、第１および／または第２放射半径を含む入射する放射ビームに対して）１つ以上の領域の構成の完全な最適化が可能となり得る。本実施形態のさらなる潜在的な利点としては、スペクトル純度フィルタの透過プロファイルに離散的なステップがないことが挙げられ、これによりスペクトル純度フィルタの下流側の照明光学系に対する要件を緩和することができる。
【００８４】
[0092]  上述したスペクトル純度フィルタは、あらゆる好適な用途において使用することができる。例えば、リソグラフィ装置（例えば、図１および／または２に関連して上述した装置）または放射源は、上述した１つ以上のスペクトル純度フィルタを組み込んで提供され得る。
【００８５】
[0093]  上述したように、スペクトル純度フィルタは、放射の第１波長を有する放射を抑制し、かつ放射の第２波長を有する放射の透過を可能にするために使用され得る。放射の第１波長は、電磁スペクトルの赤外線部分内にある波長を有し得る。例えば、放射の第１波長は、１０．６μｍの波長を有し得る。放射の第２波長は、電磁スペクトルのＥＵＶ部分内にある波長を有する放射と実質的に同等か、またはさらに短い波長を有し得る。しかし、スペクトル純度フィルタは、異なる放射の波長を有する放射が回折および抑制され、異なる波長を有する放射がスペクトル純度フィルタを透過するのが可能となるように構成されてもよい（つまり、アパーチャがそのような寸法を有してもよい）。上述した実施形態では、放射の「望ましい」（または「第２」）波長は、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲以下にある放射の波長として説明した。さらに、放射の「望ましくない」（または「第１」）波長は、電磁スペクトルの赤外線部分にある放射の波長として説明した。本発明は、望ましいまたは望ましくないとされ得る他の放射の波長にも適用可能であることが理解されるであろう。
【００８６】
[0094]  上述した実施形態では、回折による抑制を説明した。抑制は、アパーチャの開口部での、またはアパーチャ内での放射の散乱、あるいはアパーチャの側壁による放射の吸収によるものであってもよい。一般的には、アパーチャは放射を抑制するように構成された寸法を有し、この抑制は、回折、散乱、反射、吸収、または他の好適な手段によりなされてよい。
【００８７】
[0095]  本発明の実施形態の上記説明は、ＥＵＶ放射（例えば、５〜２０ｎｍ）を生成する放射源に関連するが、本発明は、１０ｎｍ未満の波長を有する放射である「超ＥＵＶ」放射を生成する放射源において具体化されてもよい。超ＥＵＶ放射は、例えば、６．７ｎｍまたは６．８ｎｍの波長を有し得る。超ＥＵＶ放射を生成する放射源は、上述した放射源と同様の態様で動作し得る。本発明は、１つ以上の放射の波長を別の１つ以上の放射の波長から分離、抽出、またはフィルタリング等することが望まれる任意の放射の波長を使用するリソグラフィ装置にも適用可能である。上述したスペクトル純度フィルタは、例えば、リソグラフィ装置または（リソグラフィ装置に使用し得る）放射源に使用することができる。本発明は、リソグラフィ以外の分野またはそれら分野において使用される装置にも適用することができる。
【００８８】
[0096]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、下記の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
2011044707000001.pdf