(57)【要約】【課題】放熱効果を確保しつつ、電流リークの発生を抑制できる半導体レーザを提供する。【解決手段】パッド電極２０Ａを共振器端面２３Ｆ，２３Ｒから後退した位置に設け、このパッド電極２０Ａと共振器端面２３Ｆ，２３Ｒとの間の領域（後退領域）に放熱層２０Ｂを設ける。放熱層２０Ｂはパッド電極２０Ａと同一の材料により構成され、同一工程で作製される。放熱層２０Ｂはパッド電極２０Ａと分離され、電気的に開放されている。へき開時に垂れても放熱層２０Ｂを通じて半導体層１１に電流が流れる虞がなく、また、共振器端面付近で発生した熱はこの放熱層２０Ｂを介して放熱される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状の突条部を有すると共に、前記突条部の延在方向の両端面に一対の共振器端面を有し、一方の端面（主出射端面）からレーザ光を発光する半導体層と、
前記突条部上に設けられた、前記半導体層に電流を注入するための電極と、
前記電極を覆うと共にコンタクト用開口を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上の前記共振器端面の少なくとも一方から後退した位置に設けられ、前記コンタクト用開口を介して前記電極と電気的に接続されたパッド電極と、
前記絶縁膜上の前記パッド電極の前記共振器端面からの後退領域に、前記パッド電極とは離間して設けられた放熱層と
を備えた半導体レーザ。
【請求項２】
前記放熱層および前記パッド電極を前記突条部上に有する
請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記放熱層は、前記パッド電極と同一の材料により構成された金属層である
請求項２記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記放熱層は前記パッド電極と同じ膜厚を有する
請求項３記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記電極パッド電極および前記放熱層は金または白金により構成されている
請求項３記載の半導体レーザ。
【請求項６】
前記電極パッド電極および前記放熱層の膜厚は６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲である
請求項５記載の半導体レーザ。
【請求項７】
前記放熱層は、前記パッド電極よりも前記突条部の延在方向に直交する方向の幅が狭い狭領域と、前記狭領域よりも前記方向の幅が広い広領域とを有する
請求項１乃至４のうちのいずれか１項に記載の半導体レーザ。
【請求項８】
前記放熱層の狭領域は前記共振器端面側、前記広領域は前記パッド電極側にある
請求項７記載の半導体レーザ。
【請求項９】
前記放熱層は前記パッド電極よりも前記突条部の延在方向に直交する方向の幅が狭い
請求項１乃至４のうちのいずれか１項に記載の半導体レーザ。
【請求項１０】
前記電極は前記主出射端面近傍に電流非注入領域を有する
請求項１乃至４のうちのいずれか１項に記載の半導体レーザ。
【請求項１１】
前記電極の前記主出射端面近傍と中央部分とは電気的に分離されている
請求項１乃至４のうちのいずれか１項に記載の半導体レーザ。
【請求項１２】
前記パッド電極、放熱層および絶縁膜を覆う保護絶縁膜を有する
請求項１乃至４のうちのいずれか１項に記載の半導体レーザ。
【請求項１３】
前記半導体層は、基板上に少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性層および第２導電型の第２クラッド層を有し、前記突条部は前記第２クラッド層の上部分に形成されている
請求項１乃至１１のうちのいずれか１項に記載の半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、端面発光型の半導体レーザに係り、特に高出力半導体レーザに好適な半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
端面発光型の高出力半導体レーザでは、信頼性向上のために、共振器端面での突然破壊（Catastrophic Optical Damage ；以下、「ＣＯＤ」という。）の発生を防止することが重要である。ＣＯＤは、端面付近の界面準位による非発光再結合が原因で、発熱とバンドギャップ縮小との正のフィードバックが生じ、端面の溶融に至るという現象である。また、ＧａＮ系の青色半導体レーザでは、ＩｎＧａＮ活性層の歪に起因したピエゾ電界によるバンドギャップシフトが生じているが、その状態が端面付近で変化するため、端面部分での光吸収がより顕著になるという傾向がある。そのため半導体レーザでは、共振器端面、特に出射側端面付近の放熱効果を高める必要がある。
【０００３】
一方、この種の半導体レーザでは上下に一対の電極を有し、一方の電極（上部電極）の上には、ワイヤーボンドによる配線領域を確保するためにパッド電極を設けることが一般的に行われている。このパッド電極は放熱性を高める効果も有しており、共振器端面の近傍まで形成することが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２００４７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、パッド電極が共振器端面まで形成された半導体レーザでは、へき開時にパッド電極が端面に覆い被さり、活性層およびクラッド層を含む半導体層と接触する虞がある。このようにパッド電極と半導体層とが接触すると電流リークが発生する。これを防ぐ方法として、パッド電極を共振器端面から数十μｍ離して形成する方法が提案されている（特許文献１）。しかし、上記のようにパッド電極は放熱性を高め、共振器端面のＣＯＤを抑止する効果もあるため、パッド電極を共振器端面から離すと、十分な放熱効果が得られず、ＣＯＤレベルが低下するという問題があった。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、放熱効果を確保しつつ電流リークの発生を抑制できる半導体レーザを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体レーザは、以下の構成要素（Ａ）〜（Ｅ）を備えたものである。
（Ａ）帯状の突条部を有すると共に、前記突条部の延在方向の両端面に一対の共振器端面を有し、一方の端面（主出射端面）からレーザ光を発光する半導体層
（Ｂ）突条部上に設けられた、半導体層に電流を注入するための電極
（Ｃ）電極を覆うと共にコンタクト用開口を有する絶縁膜
（Ｄ）絶縁膜上の共振器端面の少なくとも一方から後退した位置に設けられ、コンタクト用開口を介して電極と電気的に接続されたパッド電極
（Ｅ）絶縁膜上の前記パッド電極の共振器端面からの後退領域に、パッド電極とは離間して設けられた放熱層
【０００８】
この半導体レーザでは、パッド電極から電極を通して半導体層に電流が流れるが、パッド電極とは離間し電気的に分離された放熱層には電流が流れることはない。従って、放熱層をパッド電極と同一材料により形成し、かつ、へき開時にこの放熱層の構成材料が半導体層まで垂れたとしても、放熱層を通じて半導体層に電流がリークする虞はない。また、共振器端面付近で発生した熱はこの放熱層を介して放熱される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体レーザによれば、パッド電極を共振器端面から後退した位置に設ける一方、このパッド電極と共振器端面との間の絶縁膜上に放熱層を設けるようにしたので、放熱層を通じての電流リークの発生を防止することができると共に、共振器端面付近で発生した熱をこの放熱層を介して放熱させることができる。よって、発光効率が向上し、かつ十分な放熱効果を確保することができ、端面破壊を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザの構成を表す斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面構成を表す図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面構成を表す図である。
【図４】図１の半導体レーザの平面図である。
【図５】図２でへき開時に放熱層が垂れた状態を表す図である。
【図６】変形例１に係る平面図である。
【図７】変形例２に係る平面図である。
【図８】変形例３に係る平面図である。
【図９】変形例４に係る平面図である。
【図１０】変形例５に係る平面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザの断面構成を表す図である。
【図１２】パッド電極の共振器端面からの後退距離とＣＯＤレベルとの関係を表す特  性図である。
【図１３】従来のパッド電極の問題点を説明するための図である。
【図１４】従来のパッド電極の他の問題点を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態
放熱層を有する半導体レーザの例
２．変形例１〜５
放熱層の配置パターンの変形例
３．第２の実施の形態
電流非注入型半導体レーザに適用した例
【００１２】
〔第１の実施の形態〕
図１は本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザの構成を表したものである。図２は図１のＩＩ−ＩＩ線、図３はＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った縦断面構造で、主出射端面側からの一部をそれぞれ表している。この半導体レーザは、例えば、パーソナルコンピュータや家庭用ゲーム機などのＢＤ（Blu-ray Disc）記録・再生用レーザとして用いられるものであり、例えばＧａＮよりなる基板１０の一面側に積層構造の半導体層１１を有する。半導体層１１は、具体的には、基板１０側から、ｎ型クラッド層１２、活性層１３、ｐ型クラッド層１４およびｐ型コンタクト層１５がこの順に積層された構成を有している。この半導体レーザは、活性層１３の材料として、例えば短周期型周期律表における３Ｂ族元素のうちの少なくともガリウム（Ｇａ）と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた青色レーザであり、３Ｂ族元素としてはア
ルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）およびインジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種が挙げられる。
【００１３】
ｐ型コンタクト層１５およびｐ型クラッド層１４の一部は、細い帯状の突条部（リッジ）１６となっている。突条部１６は活性層１３の電流注入領域１３Ａを規定するためのものであり、活性層１３の突条部１６に対応する部分が電流注入領域１３Ａとなっている。
【００１４】
ｎ型クラッド層１２は、例えばｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）を添加したｎ型ＡｌＧａＮ混晶により構成されている。活性層１３は、例えば組成の異なるＧａx Ｉｎ1-x Ｎ（但し、x ≧０）混晶によりそれぞれ形成された井戸層と障壁層との多重量子井戸構造を有している。ｐ型クラッド層１４は、例えばｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したｐ型ＡｌＧａＮ混晶層およびｐ型ＧａＮ層の超格子構造を有している。ｐ型コンタクト層１５は、例えばｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したｐ型ＧａＮにより構成されている。
【００１５】
ｐ型コンタクト層１５の上には、例えばＳｉＯ2 などの絶縁膜１７を間にしてｐ側電極１８が形成されている。ｐ側電極１８は、絶縁膜１７の開口を介してｐ型コンタクト層１５と電気的に接続されている。ｐ側電極１８は例えば、ｐ型コンタクト層１５の側から順に、チタン（Ｔｉ）および金（Ａｕ）、またはチタン，白金（Ｐｔ）および金、またはチタン，白金，金，白金および金が順次積層された構造を有し、合計厚みは例えば１００〜５００ｎｍである。
【００１６】
突条部１６の上には絶縁膜１９を間にしてパッド電極２０Ａが形成されている。このパッド電極２０Ａは、絶縁膜１９のコンタクト用開口１９ａを通じてｐ側電極１８と電気的に接続されている。絶縁膜１９は、例えば厚みが１００〜５００ｎｍであり、ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 またはＳｉＮにより構成されている。パッド電極２０Ａは、例えば金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などの導電材料により形成されている。
【００１７】
基板１０の裏面にはｎ側電極２２が形成されている。ｎ側電極２２は、例えばチタン，白金および金が順次積層された構造を有しており、基板１０を介してｎ型クラッド層１２と電気的に接続されている。
【００１８】
この半導体レーザでは、突条部１６の延在方向に沿って対向する半導体層１１の一対の側面が共振器端面２３Ｆ，２３Ｒとなっており、共振器端面２３Ｆ（主出射端面ともいう）には例えばＡｌ2Ｏ3からなる反射鏡膜２４が、共振器端面２３Ｒ（後端面ともいう）には例えばＡｌ2Ｏ3とＴｉＯ2とを交互に積層してなる反射鏡膜２５がそれぞれ形成されている。これら反射鏡膜のうち共振器端面２３Ｆ側の反射鏡膜２４の反射率は低く、共振器端面２３Ｒ側の反射鏡膜２５の反射率は高くなるようにそれぞれ調整されている。これにより活性層１３において発生した光は一対の反射鏡膜の間を往復して増幅され、主出射端面側の反射鏡膜からレーザービームＬＢとして出射するようになっている。
【００１９】
本実施の形態では、パッド電極２０Ａの先端側は主出射端面２３Ｆから後退した位置に設けられており、突条部１６上の、このパッド電極２０Ａと主出射端面２３Ｆとの間の領域（後退領域）には絶縁膜１９上を介して放熱層２０Ｂが設けられている。パッド電極２０Ａの後端側も同様に、後端面２３Ｒから後退した位置に設けられており、このパッド電極２０Ａと後端面２３Ｒとの間（後退領域）の絶縁膜１９上にも放熱層２０Ｂが設けられている。これら放熱層２０Ｂは、絶縁膜１９下の主出射端面２３Ｆの近傍で発生した熱を周辺に放散させる機能を有し、これによりＣＯＤの発生を抑制するものである。放熱層２０Ｂとパッド電極２０Ａとの間には間隙２１が設けられている。即ち、放熱層２０Ｂはパッド電極２０Ａとは電気的に分離されており、開放状態となっている。なお、放熱層２０Ｂはパッド電極２０Ａとの間で電気的に分離していればよく、例えば間隙２１に絶縁材料が埋設されていてもよい。
【００２０】
放熱層２０Ｂは、熱伝導率の良好な金属材料、例えば金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）により構成されている。放熱層２０Ｂの厚みは、十分な放熱性を確保するために、好ましくは３００〜２０００ｎｍ、より好ましくは６００〜７００ｎｍである。放熱層２０Ｂとパッド電極２０Ａとは、異なる材料により構成し、パッド電極２０Ａとは別プロセスで作製してもよいが、製造工程の簡略化の点からは、後述のように同一の材料で構成し、同一プロセスで作製することが好ましい。
【００２１】
放熱層２０Ｂは、共振器端面２３Ｆ，２３Ｒの両方の近傍に配置するのが望ましいが、共振器端面２３Ｆ，２３Ｒのうちのいずれか一方でもよい。好ましくは、活性層１３で発生した光が出射される側の主出射端面２３Ｆ近傍である。
【００２２】
図４は、電極パッド２０Ａおよび放熱層２０Ｂの平面パターンを表したものである。電極パッド２０Ａの前後に配置された放熱層２０Ｂはそれぞれ、共振器端面２３Ｆ，２３Ｒ側ら見てＴ字状のパターンを有している。即ち、放熱層２０Ｂは、共振器端面２３Ｆ，２３Ｒの近傍の狭領域２０Ｂ−１と電極パッド２０Ａ側の広領域２０Ｂ−２とにより構成されている。広領域２０Ｂ−２により主として共振器端面２３Ｆ，２３Ｒ付近の放熱性を確保しつつ、狭領域２０Ｂ−１によりへき開性を向上させるためである。放熱層２０Ｂは、共振器端面２３Ｆ，２３Ｒに接していることが望ましいが、完全に接していなくてもよい。
【００２３】
なお、この半導体レーザでは、パッド電極２０Ａおよび放熱層２０Ｂの上方に窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜、あるいはこれらの積層構造から構成された保護絶縁膜（図示せず）を形成することが好ましい。窒化物半導体レーザでは、大気雰囲気下で動作させた場合に短い動作時間で電圧が大きく上昇するという現象がみられる。そこで、この種の保護絶縁膜をパッド電極２０Ａおよび放熱層２０Ｂの上方に形成しておくことで、窒化物半導体レーザを大気雰囲気下で動作させたとしても、大気中の水分に含まれる水素が電流注入領域に到達することを抑制することができ、電圧上昇を抑制して長時間安定に動作することができる。
【００２４】
この半導体レーザは、例えば次のようにして製造することができる。
【００２５】
まず、例えばＧａＮよりなる基板１０を用意し、この基板１０の表面に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属化学気相成長）法により、上述した材料によりなるｎ型クラッド層１２，活性層１３，ｐ型クラッド層１４およびｐ型コンタクト層１５を成長させて、半導体層１１を形成する。
【００２６】
次に、ｐ型層の活性化処理（アニール）を行った後、上述した材料よりなる絶縁膜１７を例えば蒸着法により形成する。続いて、この絶縁膜１７にフォトリソグラフィ技術により開口を設けたのち、帯状（ストライプ形状）のｐ側電極１８を形成し、ｐ型コンタクト層１５と電気的に接続させる。続いて、ＲＩＥ（Reacive Ion Etching ；反応性イオンエッチング）法によりｐ型コンタクト層１５、およびｐ型クラッド層１４の一部を選択的に除去することにより、細い帯状の突条部１６を形成する。
【００２７】
次に、ｐ側電極１８の上に例えば蒸着法によりＳｉＯ2 からなる絶縁膜１９を形成し、この絶縁膜１９にコンタクト用開口１９ａを設ける。この際、後に形成する放熱層２０Ｂに対応する部分の絶縁膜１９には開口は設けない。次いで、絶縁膜１９上に例えば蒸着法により金属層、例えば金（Ａｕ）層を形成すると共に、例えばＲＩＥ法によりこのＡｕ層を選択的に除去して図４に示したようなパターンを形成する。即ち、隙間２１を間にして離間したパッド電極２０Ａおよび放熱層２０Ｂを形成する。なお、絶縁膜１９上に金属層を形成する際に、パッド電極２０Ａおよび放熱層２０Ｂのパターンを有するマスクを用いることにより、パッド電極２０Ａと放熱層２０Ｂとを直接に形成するようにしてもよい。これによりエッチング工程を省略することができ、製造工程を簡略化することができる。
【００２８】
一方、基板１０の裏面側を例えばラッピングおよびポリッシングして基板１０の厚さを例えば１００μｍ程度としたのち、基板１０の裏面に上述の材料からなるｎ側電極２２を形成する。次いで、へき開して基板１０を所定の大きさに整えて個々の素子に分離したのち、対向する一対の共振器端面に反射鏡膜２４，２５を形成する。以上により図１に示した半導体レーザが完成する。
【００２９】
この半導体レーザでは、パッド電極２０Ａを通じてｐ側電極１８とｎ側電極２２との間に所定の電圧が印加されると、活性層１３に電流が注入されて、電子―正孔再結合により発光が起こる。この光は、一対の反射鏡膜２４，２５により反射され、その間を往復してレーザ発振を生じ、レーザビームＬＢとして外部に射出される。このレーザ発振により発生した熱はパッド電極２０Ａおよび放熱層２０Ｂを介して放熱される。特に、共振器端面２３Ｆ，２３Ｒ付近で発生した熱は放熱層２０Ｂを介して効果的に放熱される。そして、この共振器端面２３Ｆ，２３Ｒ近傍の放熱層２０Ｂは、図５に示したようにへき開時に垂れてｎ型クラッド層１２やｐ型クラッド層１４に接触したとしても、パッド電極２０Ａとは離間し電気的に開放されているために、放熱層２０Ｂを通じて半導体層１１にリーク電流が流れる虞はない。
【００３０】
図１３および図１４はそれぞれ比較例として、従来構造の半導体レーザの断面構造を表したものである。図１３（比較例１）に示したように、パッド電極１２０Ａが共振器端面１２３Ｆの近傍まで存在すると、へき開時に垂れて半導体層１１１と接触し、電流リークが発生する虞がある。図１４（比較例２）は、この電流リークを抑制するためにパッド電極１２０Ａを共振器端面１２３Ｆから数十μｍ離して形成したものである。なお、図１３，１４では図２と同一の構成要素には図２の符号に１００を加えた符号を付して表している。このようにパッド電極１２０Ａを共振器端面１２３Ｆから後退させるとリーク電流の発生は抑制することができる。しかし、前述のようにパッド電極１２０Ａは放熱性を高め、特に出射側端面１２３Ｆの突然破壊を抑止する効果もあるため、パッド電極１２０Ａを共振器端面１２３Ｆから後退させると十分な放熱効果が得られず、ＣＯＤレベルが低下する。
【００３１】
図１２はパッド電極の共振器端面からの後退量とＣＯＤレベルの低下量との関係を調べた結果を表したものである。パッド電極を共振器端面から離して配置すると、離した距離が長いほどＣＯＤレベルが低下する。このことから本実施の形態のように共振器端面の近傍に放熱層２０Ｂを配置することがＣＯＤ抑制に有効であることがわかる。
【００３２】
以上、本実施の形態では、共振器端面２３Ｆ，２３Ｒそれぞれの近傍に、パッド電極２０Ａとは離間した位置に放熱層２０Ｂを設けるようにしたので、へき開時に放熱層２０Ｂが垂れても放熱層２０Ｂを通じて半導体層１１に電流は流れず、電流リークを防止することが可能となる。また、共振器端面２３Ｆ，２３Ｒ付近で発生した熱はこの放熱層２０Ｂを介して放熱されるため、十分な放熱効果を確保することができ、端面破壊を防止することができる。
【００３３】
更に、上記の製造方法で説明したようにパッド電極２０Ａおよび放熱層２０Ｂを同一材料により構成するものとすれば、従来工程に新たな工程を追加しなくても、マスクパターンを変更するのみでパッド電極２０Ａおよび放熱層２０Ｂを同時に形成することができる。
【００３４】
また、本実施の形態では、放熱層２０Ｂを設けたことにより突条部１６上のパッド電極２０Ａの後退領域が補強され、へき開時の衝撃によるパッド電極２０Ａの剥がれを防止することができるという効果もある。また、同時に、放熱層２０Ｂにより突条部１６への外的ダメージの低減を図ることもできる。更には、放熱層２０Ｂの膜厚を適宜調整することによって、端面近傍の応力をコントロールすることも可能である。
【００３５】
（変形例１〜４）
放熱層のパターンの位置や大きさ、形状などは上記実施の形態（図４）のものに限定されるものではなく、パッド電極と離間しており、放熱層による放熱機能が確保できる限り、その形状は任意である。図６〜図１０はその一例を表したものである。
【００３６】
変形例１（図６）の放熱層３０Ｂは、図４の放熱層２０Ｂのうち広領域２０Ｂ−２を除き狭領域２０Ｂ−１のみとしたパターンに相当する。変形例２（図７）の放熱層４０Ｂは、図４の放熱層２０Ｂのうち狭領域２０Ｂ−１を除き広領域２０Ｂ−２のみとしたパターンに相当し、変形例１より高い放熱効果を得ることができる。
【００３７】
変形例３（図８）の放熱層５０Ｂは、変形例１の放熱層３０Ｂを発熱量が多い主出射端面２３Ｆ側のみとしたものである。変形例４（図９）の放熱層６０Ｂは、パッド電極６０Ａの周りを囲むようなパターンとしている。変形例５（図１０）の放熱層７０Ｂは、変形例１の放熱層３０Ｂのパターンを共振器端面側から見て逆台形状としたものである。
【００３８】
上記いずれの変形例１〜５においてもリーク電流の発生を抑制できると共に、放熱機能を確保することが可能になる。勿論、放熱層のパターンは少なくとも一方の共振器端面とパッド電極との間にある限り、上記以外の任意の形状とすることも可能である。
【００３９】
以下、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、第１の実施の形態と共通の構成要素については同一符号を付してその説明は省略する。
〔第２の実施の形態〕
【００４０】
本実施の形態は、共振器端面の近傍部分のｐ側電極を選択的に除去し共振器端部を電流非注入領域とすることによりＣＯＤの発生を防止する、所謂電流非注入型の半導体レーザに適用したものである。絶縁膜１９ 上のパッド電極２０Ａおよび放熱層２０Ｂの構成については第１の実施の形態と同様である。
【００４１】
図１１はこの種の半導体レーザの断面構成を表したものである。ｐ側電極１８の一部（主出射側端面の近傍）がエッチングにより除去され、このエッチング領域に例えばＳｉＯ2 などの絶縁膜が埋設されることにより電流非注入領域８０が形成されている。この電流非注入領域８０により、共振器端面２３Ｆ付近の非発光再結合を引き起こす活性層１３への電流注入が抑制され、それ自体が共振器端面２３Ｆの発熱による突然劣化を抑制する。それに加えて、電流非注入領域８０の境界部分では、共振器端面２３Ｆ方向に向かって電流注入が穏やかに減少するような電流注入プロファイルとなるので、共振器端面２３Ｆ付近の発熱が平均化される。
【００４２】
本実施の形態では、このような電流非注入領域８０の機能に加えて、前述の放熱層２０Ｂによる放熱機能が発揮される。よって、活性層１３の突条部の延在方向に平均化された発熱が更に広い範囲に熱放散され、共振器端面２３Ｆの突然劣化を抑制する効果を更に高めることが可能になる。
【００４３】
以上、第１，第２の実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、パッド電極２０Ａの一部（放熱層２０Ｂ）を電気的に分離する構成としたが、ｐ側電極１８についても同様の構成とすることもできる。即ち、ｐ側電極１８の突条部の延在方向の端面部分と中央部とが離間していてもよい。
【００４４】
また、上記実施の形態では、ｎ型層の上にｐ型層を配置した、所謂ｐアップタイプの構造を有する半導体レーザについて説明したが、ｐ型層の上にｎ型層を配置した、所謂ｎアップタイプの半導体レーザに適用することも可能である。但し、実装の難易度の点からは、ｐアップタイプに適用することが望ましい。
【００４５】
更に、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態では、ｎ型クラッド層１２ないしｐ型コンタクト層１５をＭＯＣＶＤ法により形成する場合について説明したが、ＭＯＶＰＥ（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy ；有機金属気相成長）法等の他の有機金属気相成長法により形成してもよく、あるいは、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy；分子線エピタキシー）法等を用いてもよい。
【００４６】
加えて、例えば、上記実施の形態では、半導体レーザの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えてもよい。
【００４７】
更にまた、本発明は、ＧａＮ系以外の半導体レーザにも適用可能であるが、ＧａＮ系半導体レーザでは、上述したピエゾ界の存在によって共振器端面２３Ｆ，２３Ｒ付近の発熱の範囲が広くなるので、より効果が大きくなる。
【符号の説明】
【００４８】
１０・・・ 基板、１１・・・ 半導体層、１２・・・ ｎ型クラッド層、１３・・・ 活性層、１４・・・ ｐ型クラッド層、１５・・・ ｐ型コンタクト層、１６・・・ 突条部、１７・・・ 絶縁膜、１８・・・ ｐ側電極、１９・・・ 絶縁膜、２０Ａ ・・・パッド電極、２０Ｂ・・・ 放熱層、２０Ｂ−１ ・・・狭領域、２０Ｂ−２・・・ 広領域、２１・・・ 間隙、２２・・・ ｎ側電極、２３Ｆ・・・ 主出射端面、２３Ｒ・・・ 後端面、２４，２５・・・ 反射鏡膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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