(57)【要約】【課題】メタルコア基板の絶縁層としてプラズマ電解酸化法を用いて酸化膜を形成させ、高放熱性、高絶縁性及び高電磁シールド性を発揮可能なメタルコア基板とその製造方法及び半導体パッケージを提供する。【解決手段】コア材としての金属板１に，この金属板１を貫通する貫通孔２を穿設する工程と、貫通孔２が穿設された金属板１の表面に対してプラズマ電解酸化法によって酸化膜３を形成する工程と、前記酸化膜３の表面に導体層によって配線パターン４を形成する工程と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア材としての金属板に，この金属板を貫通する貫通孔を穿設する工程と、貫通孔が穿設された金属板の表面に対してプラズマ電解酸化法によって酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜の表面に導体層によって配線パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするメタルコア基板の製造方法。
【請求項２】
貫通孔が形成されるコア材としての金属板と、この金属板の表面に形成されるプラズマ電解酸化膜と、このプラズマ電解酸化膜の表面に導体層によって形成される配線パターンと、を有することを特徴とするメタルコア基板。
【請求項３】
複数の請求項２に記載のメタルコア基板が積層され、複数のメタルコア基板のうち少なくとも１つのメタルコア基板に半導体チップが搭載され、前記積層された複数のメタルコア基板のうち少なくとも１つのメタルコア基板の前記配線パターンが前記貫通孔を介して他のメタルコア基板の前記配線パターンに接続されることを特徴とする半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メタルコア基板の絶縁層としてプラズマ電解酸化法を用いて酸化膜を形成させ、高放熱性、高絶縁性及び高電磁シールド性を発揮可能なメタルコア基板とその製造方法及び半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージの基板材料としては、主としてセラミックスやプラスチック等が用いられてきたが、これらの材料では十分な放熱性や電磁シールド性に欠け、近年半導体に対して要求される処理スピードの上昇に伴う発熱量の増加に対しては特に効率的な排熱が必要となり、高い放熱性と絶縁性の維持が半導体チップの破壊防護につながる重要な課題となっている。
このような課題に対して、放熱性を高めるために、冷却機構としてヒートシンクを設けるなどの工夫がなされるもののスペースファクターが悪く、コストアップにもなり、新たな課題への対応が必要となっている。
さらに、半導体チップを含む高度な制御回路は電磁的に保護されていることも重要で、例えば自動車に搭載される制御回路は全体をアルミニウムなどの金属製のボックスに厳重に収納されており、これもスペースファクターが悪くなっている。以上のことから、放熱性あるいはヒートシンク性と電磁シールド性の高い半導体パッケージに対する要求が高まっている。
このような状況下、近年では半導体パッケージのコア材として金属板を用いるメタルコア基板が開発されている。
【０００３】
具体的には、特許文献１には「メタルコア基板」という名称で、実装部品への熱的影響が小さく、高寿命、高信頼性、高精度のメタルコア基板に関する技術が開示されている。
このメタルコア基板は、絶縁層と導体層の間に、高熱伝導率の物質で生成される高熱伝導率層と低熱伝導率の物質で生成される低熱伝導率層を交互に積層し、その積層方法を絶縁層の板厚方向と直角となるように設けたものである。このように構成されるメタルコア基板においては、低熱伝導率層により基板面上の熱伝導を抑え、高熱伝導率層で部品実装面の熱を効率よく放熱する。熱伝導に方向性を与えることができるため、基板の実装部品への配置を考慮することにより、効率的に発熱部品の放熱をすることができ、熱に弱い部品への熱的影響を最小限にすることができるため、高寿命化、高信頼性化、高精度化を図ることができる。
【０００４】
また、特許文献２においては「メタルコア基板およびその製造方法」という名称で、スルーホールを有するメタルコア基板に設けられるプレスフィット端子の信頼性を向上させる発明が開示されている。
【０００５】
さらに、特許文献３においては、「メタルコア基板の製造方法及びメタルコア基板」として、金属板に陽極酸化皮膜を形成させ、その陽極酸化皮膜上に金属アルコキシド重合層を形成させ、その上に金属層を形成させる技術が開示されている。
この特許文献３に開示される発明では、樹脂による絶縁層に代えて陽極酸化皮膜と金属アルコキシド重合層による絶縁層を採用しているため、耐熱性に優れ樹脂の熱分解がなく、変色や剥離もない。さらに、樹脂に比較して放熱性も向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２００２１７号公報
【特許文献２】特開２００９−１６６６３号公報
【特許文献３】特開２００８−４１８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１においては、明示はないもののメタルコア基板下に放熱器を備えていることから絶縁層に樹脂を用いていると考えられ、十分な放熱性能がメタルコア基板のみでは発揮できていないという課題があった。また、特許文献２においても絶縁樹脂を用いており、熱変形温度が１５０℃という限定がなされているものの、更なる高温環境下での使用による信頼性や耐久性などが十分でない可能性があった。
【０００８】
さらに、特許文献３においては、陽極酸化皮膜及び金属アルコキシド重合層による絶縁層を用いているため、熱伝導性や放熱性については特許文献１や２に開示されている技術に比較して向上するものと考えられるが、陽極酸化法を用いた酸化皮膜形成であれば印加電圧が低く、酸化皮膜の膜厚が薄く絶縁性能に対する耐電圧の観点から信頼性が低いという課題があった。
【０００９】
本発明はかかる従来の課題を解決すべく、メタルコア基板の絶縁層としてプラズマ電解酸化法を用いて酸化膜を形成させ、高放熱性、高絶縁性及び高電磁シールド性を発揮可能なメタルコア基板とその製造方法及び半導体パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明であるメタルコア基板の製造方法は、コア材としての金属板に，この金属板を貫通する貫通孔を穿設する工程と、貫通孔が穿設された金属板の表面に対してプラズマ電解酸化法によって酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜の表面に導体層によって配線パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
このように構成されるメタルコア基板の製造方法においては、プラズマ電解酸化法によって酸化膜を形成させ、この酸化膜が絶縁層として作用する。陽極酸化法による反応電圧は４０Ｖ前後で低い一方、プラズマ電解酸化法では反応電圧が５００Ｖから７００Ｖという高電圧で酸化させるため、強固で緻密な酸化膜が形成されるという作用を有する。さらに、緻密な酸化膜であることから、陽極酸化法で必要な封孔処理を施す必要もない。
さらに、樹脂による絶縁層の形成においては、コア材としての金属板に穿設される貫通孔を埋めてしまい、絶縁層を形成した後に再度ドリリングなどによってスルーホールを穿設したり、その後デスミア処理を行って樹脂残渣を除去する必要があるが、プラズマ電解酸化法による酸化膜の絶縁層の形成においては、貫通孔を埋めることなく適切な膜厚の酸化膜となるように制御することが可能であり、貫通孔が埋まったり、絶縁層を形成した後にデスミア処理等を施す必要はない。
また、プラズマ電解酸化法を採用することで、均一に肉厚の酸化膜が形成されるという作用を有する。
コア材に金属板を採用したメタルコア基板であることによって高い熱伝導作用と高い放熱作用を有する。
【００１１】
請求項２に記載の発明であるメタルコア基板は、貫通孔が形成されるコア材としての金属板と、この金属板の表面に形成されるプラズマ電解酸化膜と、このプラズマ電解酸化膜の表面に導体層によって形成される配線パターンと、を有することを特徴とするものである。
上記構成に係る請求項２に記載のメタルコア基板においても、請求項１に記載のメタルコア基板の製造方法において説明した作用と同様の作用を有する。
【００１２】
請求項３に記載の発明である半導体パッケージは、複数の請求項２に記載のメタルコア基板が積層され、複数のメタルコア基板のうち少なくとも１つのメタルコア基板に半導体チップが搭載され、前記積層された複数のメタルコア基板のうち少なくとも１つのメタルコア基板の前記配線パターンが前記貫通孔を介して他のメタルコア基板の前記配線パターンに接続されることを特徴とするものである。
上記構成に係る請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のメタルコア基板を複数多層に構成し、半導体チップを搭載して半導体パッケージとしたものである。従って、この半導体パッケージにおいても請求項２に記載のメタルコア基板の作用と同様の作用を有する。
また、このように構成される半導体パッケージにおいては、コア材としての金属板の表面にプラズマ電解酸化膜を形成させたメタルコア基板を多層に構成して、複数のメタルコア基板のうち少なくとも１つのメタルコア基板の配線パターンが貫通孔を介して他のメタルコア基板の配線パターンに接続され、層間で導通させるように作用することで、単位面積当たりの集積度を高めるように作用する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るメタルコア基板とその製造方法においては、プラズマ電解酸化法によって酸化膜を形成させ、この酸化膜が絶縁層として作用するので、強固で緻密かつ均一の酸化膜を形成可能であり、また、その肉厚は酸化時間によって制御可能である。このようなプラズマ電解酸化法によって形成された酸化膜によれば、複雑な形状の金属板のコア材においても自由に形成させることが可能で、その酸化膜の性質は、耐摩耗性、耐薬品性、耐熱性、絶縁性に優れている。
さらに、コア材に金属板を採用することで、通常のエポキシ樹脂基板に比較すると概略で数百倍の放熱特性を得ることができる。もちろん、高い熱伝導性も発揮することができる。
【００１４】
また、本発明に係る半導体パッケージにおいても、上記のメタルコア基板の効果と同様の効果を発揮することが可能であると同時に、複数のメタルコア基板によって多層に構成されるため、単位面積当たりの集積度を高くすることが可能であり、スペースファクターを高くすることができる。
加えて、高い放熱性と高い熱伝導性を備えたコア材と高い絶縁性を備えた絶縁層を有していることから、実装される半導体チップやディスクリート部品の性能にもよるが一般的には層間の隙間を狭くして形成することが可能であり、より高いスペースファクターによる小型化と信頼性の高い半導体パッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例１に係るメタルコア基板とその製造方法の工程を示す概念図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施例２に係る半導体パッケージにおいて配線パターンを多層間で接続する方法を説明するための概念図である。
【図３】本発明の実施例３に係る半導体パッケージを示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明に係るメタルコア基板とその製造方法及び半導体パッケージの実施の形態を、図１乃至図３を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例１に係るメタルコア基板とその製造方法の工程を示す概念図である。
図１（ａ）は、実施例１に係るメタルコア基板のコア材である金属板１を示す図である。金属板１としては、安価なアルミニウム金属が適しているが、後述するプラズマ電解酸化法によって酸化膜が形成可能な金属であることも重要であり、その他にはチタン、マグネシウム、亜鉛あるいはジルコニウムなどの金属を用いることが可能である。
【００１８】
また、図１（ｂ）は、実施例１に係るメタルコア基板の金属板１を貫通するスルーホール２を穿設した状態を示しており、メタルコア基板の製造方法においては、コア材としての金属板１に貫通孔（スルーホール）を穿設する工程を示す図となっている。
スルーホール２は、金属板１を貫通するようにパンチング、ドリリング、サンドブラスティング、ホーニングあるいはエッチングによって穿設される。
【００１９】
図１（ｃ）は、メタルコア基板の金属板１に対してプラズマ電解酸化膜３を形成させた状態を示しており、メタルコア基板の製造方法においては、スルーホール２を穿設する工程の後に、プラズマ電解酸化法を用いて、絶縁層としてのプラズマ電解酸化膜３を形成させる工程を示す図となっている。
このプラズマ電解酸化膜３は、金属板１を電解液中でプラズマ酸化させることで形成されるものであり、陽極酸化法に比較して強固な絶縁膜を形成することが可能である。プラズマ電解酸化法における電解液は、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、あるいはポリリン酸塩を溶解したものを用いる。陽極としてメタルコア基板の金属板１を配置し、陰極にはカーボンなどを用いて配置し、５００Ｖから７００Ｖの高電圧をかけて電極間でアーク放電させて酸化膜を形成させるものである。電極間は３０ｍｍから１００ｍｍ程度離し、通電時間は１時間以内で終了するのが通常である。
【００２０】
このようなプラズマ電解酸化法によって、スルーホール２の表面を含めて金属板１の表面にプラズマ電解酸化膜３が形成される。プラズマ電解酸化膜３の膜厚は、通電時間によって制御可能であるが、通常２０μｍから５０μｍとなっている。なお、プラズマ電解酸化法によって形成されるプラズマ電解酸化膜３は、屈曲部やスルーホール２の内側面までも金属板１の表面と同様に均一な厚さの酸化膜となって形成させることができる。
本実施例１では、金属板１としてアルミニウムを採用し、２０μｍの膜厚のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）という酸化膜を形成させた。
このようなメタルコア基板の場合には、２０μｍの酸化膜表面の放熱性としては０．２７６Ｗ／ｃｍ・℃となった。一般的なエポキシ樹脂基板の場合には０．００８Ｗ／ｃｍ・℃であり、またセラミック基板の場合には０．２２Ｗ／ｃｍ・℃であることから、メタルコア基板の場合には、エポキシ樹脂に比較すると２５倍、セラミック基板と比較しても１．５倍の高い放熱特性を発揮させることが可能である。このような高い放熱特性は、コア材としての金属板１の特性が大きく影響し、アルミニウムの放熱特性が、３．１６５Ｗ／ｃｍ・℃という非常に高い放熱特性を備えていることに起因するものである。また、熱伝導性を表す単位であるW/ｃｍ・℃の単位から明白であるが、熱抵抗は酸化膜の厚みに比例する。本発明においてはおよそ２０乃至５０μｍの厚みの部分だけが０．２２Ｗ／ｃｍ・℃の値を持つ。これは１ｃｍの１／５００から１／２００の厚みであり、その下は高い熱伝導率を示すアルミ金属であるので、全体としてみればきわめて高い放熱性を示すのである。
プラズマ電解酸化法によって形成されるプラズマ電解酸化膜３は、強固で緻密な酸化膜であり、絶縁性能も高く、３０μｍのアルミナによる酸化膜において１０００Ｖ程度の印加電圧に対しても耐性を発揮することができることを確認した。また、陽極酸化法によって形成される酸化膜では、いわゆる封孔処理が必要であるが、本実施例におけるメタルコア基板のプラズマ電解酸化膜３においては、封孔処理はしてもよいが、その緻密さゆえ封孔処理は一般的には不要である。
【００２１】
図１（ｄ）は、メタルコア基板５の金属板１にプラズマ電解酸化膜３を形成させた後に、銅等の導電性の高い金属あるいは合金などを導体層として、この導体層によって配線４をプリントした状態を示すものである。また、メタルコア基板の製造方法においては、絶縁層としてのプラズマ電解酸化膜３を形成させる工程の後に、プラズマ電解酸化膜３の表面に導体層としての配線４のパターンを形成する工程を示している。本実施例ではプリントを例示したが、他に無電解ニッケルメッキや金属膜のスパッタなどを全面に施してこれをエッチング形成する手法もある。以下の他の実施例においても同様である。
配線４は、メタルコア基板５に実装される半導体チップ（図示せず）とディスクリー部品間を接続したり、他の基板に搭載される半導体チップやディスクリート部品を接続したりする際に用いられるものである。なお、半導体チップのワイヤボンディングも配線４に含まれるものとする。また、ワイヤボンディングに際しては下地金属が重要である。予め部分的に金メッキやアルミのスパッタなどでワイヤーとの最適化を図ることは言うまでもない。
スルーホール２内にも配線４を施すことで、金属板１の表裏２面に配線パターンを形成することが可能となり、メタルコア基板５による集積度を高めることが可能である。図１（ｄ）においては、スルーホール２内において配線４はスルーホール２の内側面で隙間を形成して配置されているが、スルーホール２内をすべて埋めるように配線４を形成させてもよいことは言うまでもない。
このようにして製造されるメタルコア基板５においては、信頼性の高い絶縁層たるプラズマ電解酸化膜３が形成されつつ、高い熱伝導性と放熱性を備えているので、小型化することが可能であり、高い周波数によって作動して発熱性の高い高速半導体の基板に対して採用することが可能である。
また、プラズマ電解酸化法によるプラズマ電解酸化膜３の形成は、複雑な金属板１の形状においても対応可能であることから、ベアＬＥＤ（発光ダイオード）を直接搭載し、そのＬＥＤに必要なボンディングパッドを備えた基板に対しても採用することが可能である。さらには、電気自動車のように大電流を制御して発熱する制御回路の基板にも採用することができる。
【実施例２】
【００２２】
次に、図２を参照しながら、本発明の実施例２に係る半導体パッケージについて説明する。図２（ａ）及び（ｂ）は、実施例２に係る半導体パッケージにおいて配線パターンを多層間で接続する方法を説明するための概念図である。
図２（ａ）及び（ｂ）において、半導体パッケージを構成するそれぞれ２層のメタルコア基板６ａ，６ｂが表示されているが、（ａ）が層間の接続前の状態を示しており、（ｂ）が層間の接続後の状態を示している。なお、これらの図においては、半導体チップは図示を省略している。
図２（ａ）において、メタルコア基板６ａには、金属板１にプラズマ電解酸化膜３が形成され、さらにその上面には配線１１ａがプリントされている。また、メタルコア基板６ａの上層に配置されるメタルコア基板６ｂにも金属板１にプラズマ電解酸化膜３が形成されており、さらにメタルコア基板６ｂには、スルーホール２が形成されている。メタルコア基板６ａ，６ｂを層間で配線１１ａ，１１ｂ接続するが、その際に、予めメタルコア基板６ａに半田ボール８をメタルコア基板６ｂのスルーホール２に符合する位置に配置しておく。あるいは、低融点金属ボール、たとえば金すず合金や金ボールを用いることも出来る。この半田ボール８は配線１１ａと接続されているものである。
この半田ボール８を熱溶融させてスルーホール２内を埋めつつ上層のメタルコア基板６ｂのスルーホールパッド７に接続させて、このスルーホールパッド７に接続される配線１１ｂに導通させるものである。スルーホールパッド７は、スルーホール２の周囲に導電性の金属で凸状に形成されるものであり、半田ボール８との接合を容易にしている。
このようにして下層側のメタルコア基板６ａの配線１１ａと上層側のメタルコア基板６ｂの配線１１ｂを接続するものである。
実施例１に示されるメタルコア基板５を複数重ねて多層構造とする場合には、それぞれのメタルコア基板５に配設される配線４を接続する必要があり、その際にスルーホール２を介して層間の配線４を接続するようにするのである。
【００２３】
本実施例２に係るメタルコア基板６ａ，６ｂにおいては、多層構造とすることで単位面積当たりの集積度を向上させることが可能である。また、それぞれの層を形成するのが本実施例１に係るメタルコア基板であることから、放熱性と絶縁性に優れており、層間も狭くすることが可能であり、より小型化、集積化させることができる。もちろん、実施例１において説明した作用、効果はそれぞれのメタルコア基板６ａ，６ｂで発揮させることができる。
【実施例３】
【００２４】
最後に、図３を参照しながら実施例３に係る半導体パッケージを説明する。図３は、実施例３に係る半導体パッケージを示す概念図である。
図３において、実施例３に係る半導体パッケージ１３は、５層のメタルコア基板６a〜６eから構成されている。
それぞれのメタルコア基板６ａ〜６ｅは、コア材としての金属板１の表面に絶縁層としてプラズマ電解酸化膜３が形成されている。そのプラズマ電解酸化膜３の表面に銅等の導電性の高い金属あるいは合金などを導体層として、これを用いて配線１１ａ，１１ｂを印刷している。
最下層のメタルコア基板６aの表面の中央には半導体チップ１０が実装されており、ワイヤボンディング１２を介して配線１１aに接続されている。もちろん、このワイヤボンディング１２も導体層に含まれるものであり、その材料にはアルミあるいは金等の導電性の高い金属あるいは合金等を用いるものである。
配線１１ａはメタルコア基板６ａの表面を被覆するプラズマ電解酸化膜３の表面上にプリントされており、次の層を構成するメタルコア基板６ｂに形成されるスルーホール２に符合する位置には半田ボール８が配置されている。また、そのスルーホール２の周囲には円環状にスルーホールパッド７が形成されてメタルコア基板６ａに配置される半田ボール８と相まって配線１１ａ，１１ｂの接続を確実なものとしている。このスルーホール２、スルーホールパッド７及び半田ボール８による配線１１ａ，１１ｂの接続方法は、実施例２を用いて説明したとおりである。
メタルコア基板６ａ，６ｂには、その他ディスクリート部品９ａ〜９ｅが実装されており、それぞれ電力や信号を伝送するための配線１１ａ，１１ｂに接続されている。
メタルコア基板６ｂ〜６ｅにおいてもプラズマ電解酸化膜３が形成されており、それぞれその表面上に配線がプリントされ、スルーホール２やスルーホールパッド７、あるいは半田ボール８も設けられるが、メタルコア基板６ｃ〜６ｅにおいてはスルーホール２を除いてその記載を省略している。また、メタルコア基板６ａ〜６ｅ上に実装される半導体チップやディスクリート部品が背高の場合には、層間距離を短くできるように開口部１４ａ〜１４ｍを構成して層間の干渉を排除している。各層間の接続は半田ボール８の溶融に適した温度のもとで加圧しながら行う。
また、メタルコア基板６ａのプラズマ電解酸化膜３の周囲に示されるコアメタル露出部１５のような各層メタルコア基板６ａ〜６ｅの金属板１の露出部分は、接地されている。
さらに、各メタルコア基板６ａ〜６ｅにはネジ留め用孔１６が穿設されており、メタルコア基板６ａ〜６ｄを重ねた後に蓋となるメタルコア基板６ｅを重ねてすべてのメタルコア基板６ａ〜６ｅを留めネジ（図示せず）で強固に締め込む。
【００２５】
このように構成される半導体パッケージ１３においては、５層のメタルコア基板６ａ〜６ｅを積層しており、それぞれのメタルコア基板６ａ〜６ｅにおいては、実施例１において説明したとおりの作用及び効果を発揮させることが可能である。
また、実施例３の半導体パッケージ１３では５層構造であるが、それぞれの層間においては、実施例２において説明したような配線１１ａ，１１ｂ間の接続がなされることで半導体パッケージ１３の集積度を高めることが可能である。
本実施例においては半導体チップ１０としてワイヤボンディングによってメタルコア基板６ａの配線１１ａに接続されるタイプの例を示したが、もちろんボールグリッドアレイによって配線１１ａに接続されるタイプを採用してもよい。
半導体チップ１０やディスクリート部品９ａ〜９ｅとの干渉を避けて層間距離を短くするために開口部１４ａ〜１４ｍが設けられているが、本実施例におけるメタルコア基板６ａ〜６ｅの熱伝導性と放熱性が高いため、層間距離を短くすることができることから、より一層開口部１４ａ〜１４ｍの機能が重要となっている。
さらに、それぞれのメタルコア基板６ａ〜６ｅの熱伝導性と放熱性が高いことから、半導体パッケージ１３は小型化することが可能であり、高い周波数によって作動して発熱性の高い高速半導体の基板へも採用することが可能である。
また、実施例１においても述べたとおり、ＬＥＤ照明光源の基板や電気自動車のパワーモジュールの制御回路基板にも用いることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
以上説明したように、本発明の請求項１乃至請求項３に記載された発明は、発熱が大きいものの、小型化が要求される高速半導体を搭載する基板や、高電流を制御しながら外来ノイズを遮断しなければならない電気自動車のパワーモジュール等のパッケージとして適用される可能性が高い。
【符号の説明】
【００２７】
１…金属板  ２…スルーホール  ３…プラズマ電解酸化膜  ４…配線  ５…メタルコア基板  ６ａ〜６ｅ…メタルコア基板  ７…スルーホールパッド  ８…半田ボール  ９ａ〜９ｅ…ディスクリート部品  １０…半導体チップ  １１ａ，１１ｂ…配線  １２…ワイヤボンディング  １３…半導体パッケージ  １４ａ〜１４ｍ…開口部  １５…コアメタル露出部  １６…ネジ留め用孔 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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