(57)【要約】      （修正有）【課題】接続信頼性の高い基板接続用コネクタを提供する。【解決手段】本願に係る基板接続用コネクタは、差込孔と、該差込孔の内周面に内向して設けられた突出部と、を有する把持部を備える基板接続用雌側コネクタにおいて、上記把持部の少なくとも一部に、ニッケル−タングステン、ニッケル−リン、ニッケル−錫、ニッケル−コバルト、ニッケル−ホウ素からなる群から選択される少なくとも１種のメッキ材を被覆する。【選択図】図１
2011044382.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
差込孔と、該差込孔の内周面に内向して設けられた突出部と、を有する把持部を備える基板接続用雌側コネクタであって、
上記把持部の少なくとも一部に、ニッケル−タングステン、ニッケル−リン、ニッケル−錫、ニッケル−コバルト、ニッケル−ホウ素からなる群から選択される少なくとも１種のメッキ材が被覆されていることを特徴とする基板接続用雌側コネクタ。
【請求項２】
上記メッキ材が、ニッケル−タングステンであり、そのタングステン成分の濃度が、当該メッキ材に対して３〜４５質量％であることを特徴とする請求項１記載の基板接続用雌側コネクタ。
【請求項３】
上記メッキ材が、ニッケル−リンであり、そのリン成分の濃度が、当該メッキ材に対して１〜１５質量％であることを特徴とする請求項１記載の基板接続用雌側コネクタ。
【請求項４】
上記メッキ材が、ニッケル−錫であり、その錫成分の濃度が、当該メッキ材に対して２０〜８０質量％であることを特徴とする請求項１記載の基板接続用雌側コネクタ。
【請求項５】
上記メッキ材が、ニッケル−コバルトであり、そのコバルト成分の濃度が、当該メッキ材に対して２０〜８０質量％であることを特徴とする請求項１記載の基板接続用雌側コネクタ。
【請求項６】
上記メッキ材が、ニッケル−ホウ素であり、そのホウ素成分の濃度が、当該メッキ材に対して１〜５質量％であることを特徴とする請求項１記載の基板接続用雌側コネクタ。
【請求項７】
上記把持部は、上記差込孔の周辺から中心へ向かうに従って幅が小さくなる略三角形状である突出部を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板接続用雌側コネクタ。
【請求項８】
上記突出部の少なくとも一辺が非直線であることを特徴とする請求項７記載の基板接続用雌側コネクタ。
【請求項９】
上記突出部の先端が切り欠いてなることを特徴とする請求項７に記載の基板接続用雌側コネクタ。
【請求項１０】
上記突出部の先端が鋭角に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の基板接続用雌側コネクタ。
【請求項１１】
上記突出部の根元が切り欠いてなることを特徴とする請求項７に記載の基板接続用雌側コネクタ。
【請求項１２】
２つのコネクタを有してなり、２つの回路基板を接続する基板接続用コネクタアッセンブリーであって、
一方のコネクタは、一方の回路基板の回路と導通される導電性のバンプを有する雄側コネクタであり、
他方のコネクタは、上記バンプを挿入可能な差込孔を有し他方の回路基板の回路と導通された把持部を含んでなる雌側コネクタであり、
上記把持部の少なくとも上記バンプとの接触部分に、ニッケル−タングステン、ニッケル−リン、ニッケル−錫、ニッケル−コバルト、ニッケル−ホウ素からなる群から選択される少なくとも１種のメッキ材が被覆されていることを特徴とする基板接続用コネクタアッセンブリー。
【請求項１３】
上記バンプは、先端に設けられた大径の頭部と、これに続く小径の首部とからなり、上記把持部が当該首部を把持することを特徴とする請求項１２記載の基板接続用コネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型の電子機器に使用できる基板接続用雌側コネクタ及びそれを含むコネクタアッセンブリーに関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、携帯電話、デジタルカメラのような電子機器において、２枚の印刷配線基板を互いに接続するために、基板接続用コネクタアッセンブリーが用いられている。この基板接続用コネクタアッセンブリーは、接続される一方の印刷配線基板にソケットを備え、接続される他方の基板にはヘッダが設けられ、ソケットとヘッダとを接続することにより、当該ソケットとヘッダの両印刷配線基板に形成された電気回路同士を接続している。
【０００３】
従来の基板接続用コネクタアッセンブリーでは、例えば、特許文献１に示されるように、接続される一方のソケットに、帯状導体を袋小路状に折り曲げ成形したコンタクトを設け、このコンタクトの袋小路状部分に、他方のコネクタとしてヘッダから突出させた導体部分を有するポストを挿入して嵌め込み、コンタクトの袋小路状部分の内側面とポストの外側面とをばね接触させて導通させる構造となっている。
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１のコネクタでは、コンタクトの袋小路状部分の内側面とポストの外側面とを接触させて導通させる構造となっているため、かかる構造をさらに薄型化しようとすると、コンタクトの折り曲げ成形が難しくなる上に、接触部分の長さを短くすると、十分な接触面積の確保が困難となり、また、コンタクトとポストとの嵌合による結合力が弱くなって、外れやすくなってしまうという問題があった。
【０００５】
また、このようなコンタクトにおける狭ピッチ化、高密度化により、コネクタのハウジングに固定されるコンタクト及びポストとともに、これらの圧入溝も狭ピッチ化する必要がある。しかしながら、コンタクトやポストが圧入されるハウジングは、合成樹脂性部材を使用するので加工性や強度などから微細化に限度があるため狭ピッチ化が難しく、さらにコンタクトやポストの圧入に耐えるには、ハウジングに最低限の肉厚が必要とされるためこの点からも低背化が困難であった。
【０００６】
これに対して、特許文献２では、一方の印刷配線基板にバンプを、他方の印刷配線基板に上記バンプが挿入される差込孔を形成し、当該差込孔にバンプを保持する部材を設け、当該差込孔にバンプを挿入し当該部材で保持することにより、両印刷配線基板を接続する基板接続用コネクタアッセンブリーが開示されている。
【０００７】
しかしながら、特許文献２では、通常バンプを保持する部材が銅などの弾性力の極めて小さい材料から形成されるため、当該部材によりバンプを良好に保持することが困難であり、そのため良好な機械的・電気的接続を維持できないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−０５５４６４号公報
【特許文献２】特開２００７−１３４１６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、機械的及び電気的接続の信頼性が高い基板接続用雌側コネクタ及びコネクタアッセンブリーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明に係る基板接続用雌側コネクタは、差込孔と、該差込孔の内周面に内向して設けられた突出部と、を有する把持部を備える基板接続用雌側コネクタであって、
上記把持部の少なくとも一部に、ニッケル−タングステン、ニッケル−リン、ニッケル−錫、ニッケル−コバルト、ニッケル−ホウ素からなる群から選択される少なくとも１種のメッキ材が被覆されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る基板接続用コネクタアッセンブリーは、２つのコネクタを有してなり、２つの回路基板を接続する基板接続用コネクタアッセンブリーであって、一方のコネクタは、一方の回路基板の回路と導通される導電性のバンプを有する雄側コネクタであり、他方のコネクタは、上記バンプを挿入可能な差込孔を有し他方の回路基板の回路と導通された把持部を含んでなる雌側コネクタであり、上記把持部の少なくとも上記バンプとの接触部分に、ニッケル−タングステン、ニッケル−リン、ニッケル−錫、ニッケル−コバルト、ニッケル−ホウ素からなる群から選択される少なくとも１種のメッキ材が被覆されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、上記把持部の少なくとも上記バンプとの接触部分に、ニッケル−タングステン、ニッケル−リン、ニッケル−錫、ニッケル−コバルト、ニッケル−ホウ素からなる群から選択される少なくとも１種のメッキ材が被覆されているため、上記把持部のへたりを抑制することができ把持部によりバンプを良好に保持することができるとともに、これにより良好な機械的・電気的接続を維持することができる。
【００１３】
したがって、本発明によれば、機械的かつ電気的接続の信頼性が高い基板接続用雌側コネクタ及びコネクタアッセンブリーを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る組立状態の基板接続用コネクタアッセンブリーの一部を拡大して示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る基板接続用コネクタアッセンブリーの雌側コネクタの一部を拡大して示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る基板接続用コネクタアッセンブリーを回路基板と共に示す分解斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る回路基板に実装された状態の雄側コネクタと雌側コネクタとを示す斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る基板接続用コネクタアッセンブリーを組立状態で示す斜視図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る雄側コネクタを表面側から見て示す斜視図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る雄側コネクタを裏面側から見て示す斜視図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る雄側コネクタを示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその正面図、（ｃ）はその側面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る雌側コネクタを表面側から見て示す斜視図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る雌側コネクタを裏面側から見て示す斜視図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る雌側コネクタを示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその正面図、（ｃ）はその側面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る組立状態の基板接続用コネクタアッセンブリーの一部を拡大して示す断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る基板接続用コネクタアッセンブリーの雌側コネクタ３の一部を拡大して示す平面図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態のある態様に係る基板接続用コネクタアッセンブリーの雌側コネクタの一部を拡大して示す平面図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態の別の態様に係る基板接続用コネクタアッセンブリーの雌側コネクタの一部を拡大して示す平面図である。
【図１６】本発明の第３の実施形態のさらに別の態様に係る基板接続用コネクタアッセンブリーの雌側コネクタの一部を拡大して示す平面図である。
【図１７】本発明の第３の実施形態のさらに別の態様に係る基板接続用コネクタアッセンブリーの雌側コネクタの一部を拡大して示す平面図である。
【図１８】本発明の第３の実施形態のさらに別の態様に係る基板接続用コネクタアッセンブリーの雌側コネクタの一部を拡大して示す平面図である。
【図１９】本発明の第３の実施形態のさらに別の態様に係る基板接続用コネクタアッセンブリーの雌側コネクタの一部を拡大して示す平面図である。
【図２０】本発明の第３の実施形態のさらに別の態様に係る基板接続用コネクタアッセンブリーの雌側コネクタの一部を拡大して示す平面図である。
【図２１】繰り返し曲げ試験の概略を示した図である。
【図２２】繰り返し曲げ試験の結果を示すグラフである。
【図２３】１８０°曲げ試験の概略を示した図である。
【図２４】１８０°曲げ試験の結果を示すグラフであり、横軸を２６０℃リフロー回数、縦軸を破壊距離（ｍｍ）としている。
【図２５】１８０°曲げ試験の結果を示すグラフであり、横軸を２６０℃リフロー回数、縦軸をＲ／ｔとしている。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
[第１の実施形態]
本発明の第１の実施形態に係る基板接続用コネクタアッセンブリー１を図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
本発明に係る基板接続用コネクタアッセンブリー１は、図３に示すように、一方の回路基板（第１の回路基板）４に接続される一方のコネクタ（雄側コネクタ）２と、他方の回路基板（第２の回路基板）５に接続される他方のコネクタ（雌側コネクタ）３と、を有してなり、一方のコネクタ（雄側コネクタ）２を他方のコネクタ（雌側コネクタ）３に接続して回路基板４、５同士を接続する。一方のコネクタ（雄側コネクタ）２は、一方の回路基板（第１の回路基板）４の回路と導通される導電性のバンプ１１を有する。一方、他方のコネクタ（雌側コネクタ）３は、バンプ１１を挿入可能な差込孔３１を有し、差込孔３１には、他方の回路基板（第２の回路基板）５の回路と導通され、かつバンプ１１を保持する弾性変形可能な少なくとも１つの突出部３１ａが形成されている。本発明において、差込孔３１及び当該差込孔３１の内周面３１ｂにその中心方向に向かって形成された突出部３１ａを併せて把持部３１ｃと称する。把持部３１ｃの、少なくともバンプ１１との接触部分には、銅などの雌側端子３５が被覆され、その上にニッケル−タングステン、ニッケル−リン、ニッケル−錫、ニッケル−コバルト、ニッケル−ホウ素からなる群から選択される少なくとも１種のメッキ材６が被覆されている。
【００１７】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板接続用コネクタアッセンブリー１の差込孔３１付近を拡大して示す断面図であり、基板接続用コネクタアッセンブリー１が組立状態にある場合を図示している。また、図２は、本発明の第１の実施形態に係る基板接続用コネクタアッセンブリー１における雌側コネクタ３の差込孔３１付近を拡大して示す平面図である。図１に示すように、雌側コネクタ３は、雌側基体３２から構成され、雌側基体３２はＦＰＣ基板（Flexible Printed Circuit）３３とカバー部材３４とからなる。ＦＰＣ基板３３はバンプが挿入される差込孔３１を有し、カバー部材３４は差込孔３１に続く収納孔３８を有する。差込孔３１の内周面３１ｂにはバンプ１１を保持する把持部３１ｃが形成されている。さらに、把持部３１ｃの表面には、第２の回路基板５に電気的に接続される雌側端子３５が形成されている。さらに、雌側端子３５若しくは把持部３１ｃの表面には所望のメッキ材６がコーティングされ、これにより、把持部３１ｃの強度を向上させることができるとともにバンプ１１との機械的・電気的接続を良好なものとすることができる。上記メッキ材６としては、ニッケル−タングステン、ニッケル−リン、ニッケル−錫、ニッケル−コバルト、ニッケル−ホウ素が好適に用いられる。最も好ましくは、ニッケル−タングステンである。
【００１８】
把持部３１ｃは、上記のメッキ材６により被覆されているため、バンプ１１の頭部１４が差込孔３１を通過することを許容する弾性を有しており、差込孔３１が円形状に形成されると共に、ＦＰＣ３３には、差込孔３１に連通する切欠４１が差込孔３１の周囲に略等間隔で放射状に形成されている。このため、把持部３１ｃの突出部３１ａは、差込孔３１の軸方向に弾性変形可能となっており、突出部３１ａがバンプ１１を保持することができる。また、本発明の第１の実施形態では、カバー部材３４の収納孔３８は、円状に形成されているが、バンプ１１の頭部１４を収納可能であれば如何なる形状であっても良い。
【００１９】
メッキ材６として、ニッケル−タングステンを用いる場合、そのタングステン成分の濃度は、メッキ材６に対して３〜４５質量％であることが好ましい。タングステン成分の濃度が上記範囲にあれば、皮膜強度が大きくなるからである。すなわち、タングステン成分の濃度が３質量％未満であると、結晶粒が大きくなり強度が下がるからであり、これが４５質量％より多いと非晶質化が大きくなり強度が下がるからである。
【００２０】
また、メッキ材６として、ニッケル−リンを用いる場合、そのリン成分の濃度は、メッキ材６に対して１〜１５質量％であることが好ましい。リン成分の濃度が上記範囲にあれば、上記同様、皮膜強度が大きくなるからである。すなわち、リン成分の濃度が１質量％未満であると、結晶粒が大きくなり強度が下がるからであり、これが１５質量％より多いと非晶質化が大きくなり強度が下がるからである。
【００２１】
さらに、メッキ材６として、ニッケル−錫を用いる場合、その錫成分の濃度は、メッキ材６に対して２０〜８０質量％であることが好ましい。錫成分の濃度が上記範囲にあれば、耐摩耗性が大きくなるからである。すなわち、錫成分の濃度が２０質量％未満であると、片方の金属の性質が大きくなり、耐摩耗性が下がるからである。
【００２２】
メッキ材６として、ニッケル−コバルトを用いる場合、そのコバルト成分の濃度は、メッキ材６に対して２０〜８０質量％であることが好ましい。コバルト成分の濃度が上記範囲にあれば、耐摩耗性が大きくなるからである。すなわち、コバルト成分の濃度が２０質量％未満であると、片方の金属の性質が大きくなり、耐摩耗性が下がるからである。
【００２３】
また、メッキ材６として、ニッケル−ホウ素を用いる場合、そのホウ素成分の濃度は、メッキ材６に対して１〜５質量％であることが好ましい。ホウ素成分の濃度が上記範囲にあれば皮膜強度が大きくなるからである。すなわち、ホウ素成分の濃度が１質量％未満であると、結晶粒が大きくなり強度が下がるからであり、これが５質量％より多いと非晶質化が大きくなり強度が下がるからである。
【００２４】
図３は、第１の実施形態に係る基板接続用コネクタアッセンブリー１を回路基板４、５と共に示す分解斜視図である。基板接続用コネクタアッセンブリー１は、一方のコネクタ（雄側コネクタ）２と他方のコネクタ（雌側コネクタ）３とからなり、当該回路基板は、一方のコネクタ（雄側コネクタ）２に接続される一方の回路基板（第１の回路基板）４と、他方のコネクタ（雌側コネクタ）３に接続される他方の回路基板（第２の回路基板）５とから構成される。また、図４は、一方の回路基板（第１の回路基板）４に実装された一方のコネクタ（雄側コネクタ）２と、他方の回路基板（第２の回路基板）５に実装された他方のコネクタ（雌側コネクタ）３と、をそれぞれ示す斜視図であり、図５は、一方のコネクタ（雄側コネクタ）２を他方のコネクタ（雌側コネクタ）３に接続して組み立てた基板接続用コネクタアッセンブリー１を示す斜視図である。
【００２５】
図３ないし図５に示すように、基板接続用コネクタアッセンブリー１は、概略的には、雄側コネクタ２に設けられた係止片であるバンプ１１が、雌側コネクタ３に設けられた差込孔３１を貫通した状態で、雄側コネクタ２と雌側コネクタ３とが相互に係止されたものである。そして、この係止状態では、雄側コネクタ２に接続された第１の回路基板４と、雌側コネクタ３に接続された第２の回路基板５とが電気的に接続されるようになっている。
【００２６】
図６は、雄側コネクタ２を表面側から見て示す斜視図、図７は、雄側コネクタ２を裏面側から見て示す斜視図、図８（ａ）は雄側コネクタ２の平面図、（ｂ）はその正面図、（ｃ）はその側面図である。
【００２７】
図６ないし図８に示すように、雄側コネクタ２は、帯板状に形成された雄側基体１２を有している。この雄側基体１２の表面には、複数のバンプ１１が突設されている。これらのバンプ１１は、所定の間隔をあけて雄側基体１２の長手方向に沿って一列に配置されている。バンプ１１は、金属材料によって構成され導電性を有している。バンプ１１は、雄側基体１２の表面に突設された断面円状の首部１３と、この首部１３の突端部に連設された頭部１４とを有して、縦断面がマッシュルーム形状に形成されている。首部１３は、その基部から突端部へ向うに従い径が大きくなるように形成されており、雌側コネクタ３の差込孔３１に挿通される。頭部１４は、断面ドーム状に形成されると共に、その径は、首部１３の径よりも大きく形成されている。この頭部１４は、首部１３が雌側コネクタ３の差込孔３１に挿通された状態では、差込孔３１の突出部３１ａに対向する。
【００２８】
また、各バンプ１１の首部１３は、雄側基体１２の表面に突設された円環状の端子部１５によって囲繞されると共に、その端子部１５に接続されている。そして、バンプ１１は、端子部１５と共に雄側端子１６を構成している。
【００２９】
端子部１５は、雄側基体１２の表面に設けられた接続部１７と雄側基体１２の表裏面を貫通して形成されたスルーホールメッキ部１８とを介して、雄側基体１２の裏面に設けられた実装パッド部１９に接続されている。これら接続部１７、スルーホールメッキ部１８及び実装パッド部１９は導電性を有している。そして、実装パッド部１９が第２の回路基板５上の電気回路５ａに接続された状態で、雄側コネクタ２が第２の回路基板５に実装され、これにより、第２の回路基板５と雄側端子１６とが電気的に接続される。
【００３０】
図９は、雌側コネクタ３を表面側から見て示す斜視図、図１０は、雌側コネクタ３を裏面側から見て示す斜視図、図１１（ａ）は、雌側コネクタ３の平面図、（ｂ）は、その正面図、（ｃ）は、その側面図である。
【００３１】
図９ないし図１１に示すように、雌側コネクタ３は、帯板状に形成された雌側基体３２を有している。この雌側基体３２は、２つの板部材としてＦＰＣ３３とカバー部材３４とが積層された二層構造を有している。
【００３２】
ＦＰＣ３３には、雄側コネクタ２の各バンプ１１に対応した複数の差込孔３１が貫通して形成されている。この差込孔３１の内周面３１ｂ及び突出部３１ａ（すなわち、把持部３１ｃ）には、第２の回路基板５に電気的に接続される雌側端子３５が形成されている。
【００３３】
雌側端子３５は、ＦＰＣ３３の裏面に設けられた接続部３６を介して、ＦＰＣ３３の裏面に設けられた実装パッド部３７に接続されている。これら接続部３６と実装パッド部３７とは導電性を有している。そして、実装パッド部３７が第２の回路基板５上の電気回路５ａに接続された状態で、雌側コネクタ３が第２の回路基板５に実装され、これにより、第２の回路基板５と雌側端子３５とが電気的に接続される。
【００３４】
雌側基体３２のＦＰＣ３３における把持部３１ｃの突出部３１ａは、雌側端子３５により被覆され、その上に上記のメッキ材６が被覆されているため、バンプ１１の頭部１４が差込孔３１を通過することを許容する弾性を有している。詳しくは、差込孔３１が円形状に形成されると共に、雌側基体３２のＦＰＣ３３には、差込孔３１に連通する切欠４１が差込孔３１の周囲に略等間隔で形成されている。これにより、ＦＰＣ３３における差込孔３１の周囲部分が、差込孔３１の軸方向に弾性変形可能となっている。また、本実施形態では、カバー部材３４の収納孔３８は、円状に形成されている。
【００３５】
カバー部材３４は、ＦＰＣ３３の表面に積層されている。カバー部材３４には、ＦＰＣ３３の各差込孔３１に対応して収納孔３８が貫通して形成されており、これらの収納孔３８は、対応する差込孔３１に連通している。収納孔３８の径は、差込孔３１の径よりも大きく形成されており、差込孔３１に首部１３が挿通されたバンプ１１において差込孔３１（ＦＰＣ３３）から突出する部分である頭部１４を収納するようになっている。
【００３６】
本実施形態によれば、バンプ１１の頭部１４が差込孔３１を通過することを許容する弾性を、雌側基体３２における差込孔３１の周囲部分が有することにより、差込孔３１にバンプ１１を押し込むことで、雌側基体３２における差込孔３１の周囲部分が弾性変形し、これにより、バンプ１１の頭部１４が差込孔３１を通過し、雌側コネクタ３と雄側コネクタ２とが係止されると共に雌側端子３５と雄側端子１６とが接触するので、雌側コネクタ３と雄側コネクタ２との結合作業を比較的容易に行なうことができる。また、このように、バンプ１１の頭部１４が差込孔３１を通過することを許容する弾性を、雌側基体３２における差込孔３１の周囲部分が有していることにより、差込孔３１を達磨形状にする必要がないので、基板接続用コネクタアッセンブリー１を低背化することができる。
【００３７】
以上説明した本実施形態によれば、差込孔３１を貫通したバンプ１１が雌側基体３２に引っ掛かることで雌側コネクタ３と雄側コネクタ２とを係止するので、バンプ１１の高さを低くしても雌側コネクタ３と雄側コネクタ２とを確実に係止することができ、基板接続用コネクタアッセンブリー１をより薄く構成することができる。
【００３８】
また、本実施形態では、雄側コネクタ２と雌側コネクタ３とが結合された状態では、バンプ１１の頭部１４が雌側コネクタ３の差込孔３１の突出部３１ａに対向するので、バンプ１１の頭部１４と把持部３１ｃの突出部３１ａとによっても雌側コネクタ３と雄側コネクタ２とを係止することができ、より確実に雄側コネクタ２と雌側コネクタ３とを結合することができる。
【００３９】
また、本実施形態では、雌側基体３２が二層構造であることにより、雌側端子３５が形成された一方の板部材であるＦＰＣ３３が他方の板部材であるカバー部材３４によって補強、保護され、雌側端子３５と雄側端子１６との接触信頼性を向上させることができる。また、差込孔３１から突出するバンプ１１の頭部１４がカバー部材３４の収納孔３８に収納されることにより、基板接続用コネクタアッセンブリー１の見栄えを良くすることができると共に、その突出部分が周辺部品の実装の妨げになることを抑制することができる。
【００４０】
[第２の実施形態]
次に、本発明の第２の実施形態を図１２及び図１３に基づいて説明する。図１２は、組立状態の基板接続用コネクタアッセンブリーの一部を拡大して示す断面図、図１３は、本実施形態に係る基板接続用コネクタアッセンブリーの雌側コネクタの一部を拡大して示す平面図である。なお、前述した実施形態と同じ部分は、同一符号で示し説明は省略する（以降の実施形態でも同様）。
【００４１】
本実施形態では、雌側基体３２が二層構造ではなく、単一の板部材による一層構造である点が第１の実施形態に対して異なる。これに伴い、本実施形態の雌側基体３２には、段差孔５１が貫通して形成されており、この段差孔５１に、雌側基体３２の一面側に開口する差込孔３１と、差込孔３１よりも大径に形成されて差込孔３１に連通すると共に雌側基体３２の他面側に開口する収納孔３８とが形成されている。
【００４２】
また、雌側端子３５は、差込孔３１の内周面３１ｂを含む段差孔５１の周面に形成され、その上にメッキ材６が形成されている。
【００４３】
本実施形態によれば、雌側基体３２が一層構造であることにより、二層構造の雌側基体３２に比べて、雌側基体３２を簡素化することができる。
【００４４】
また、差込孔３１に連通した切欠４１は、雌側基体３２の一面側に開口すると共に差込孔３１と同じ高さに形成されており、雌側基体３２における差込孔３１の周囲部分が、差込孔３１の軸方向に弾性変形可能となっている。これにより、雌側基体３２における差込孔３１の周囲部分は、第１の実施形態と同様に、バンプ１１の頭部１４が差込孔３１を通過することを許容する弾性を有している。
【００４５】
[第３の実施形態]
次に、本発明の第３の実施形態を図１４〜図２０に基づいて説明する。図１４は、本実施形態に係る基板接続用コネクタアッセンブリーの雌側コネクタの差込孔３１付近を拡大して示す平面図である。本発明の第３の実施形態は、突出部の形状の点で第１の実施形態と異なる。第３の実施形態では、図１４に示すように、把持部３１ｃの突出部３１ａが差込孔３１の内周面から中心に向かって幅の小さくなる略三角形状を有し、差込孔３１の内周面に当該内周面から中心へ向かって放射状に略均等に４つ形成されている。突出部３１ａによるバンプの保持力の観点から突出部３１ａが４つ以上形成されることが好ましい。突出部３１ａを４つ形成する場合は、図１４に示すように、溝部が中心付近でクロスするように溝部を形成することで突出部３１ａを略均等に４つ形成することができる。
【００４６】
別の態様としては、図１５に示すように、上記突出部３１ａが差込孔３１の内周面から中心に向かって幅の小さくなる形状を有し、差込孔３１の内周面に当該内周面から中心へ向かって放射状に略均等に４つ形成される構成に加重して、突出部３１ａが差込孔３１の中心付近において、突出部３１ａの先端が丸く切り欠かれて形成された構成とすることもできる。このように差込孔３１の中心付近において、突出部３１ａの先端を丸く切り欠いて形成することにより、バンプの挿抜を容易に行うことができる。
【００４７】
さらに別の態様として、図１６に示すように、突出部３１ａが差込孔３１の内周面から中心に向かって幅の小さくなる形状を有し、差込孔３１の内周面に当該内周面から中心へ向かって放射状に略均等に４つ形成されている構成に加重して、突出部３１ａが差込孔３１の中心付近において四角に切り欠いて形成された構成とすることもできる。このように差込孔３１の中心付近において四角に切り欠いて突出部３１ａを形成することにより、上記同様バンプの挿抜を容易に行うことができる。
【００４８】
さらに別の態様として、図１７に示すように、突出部３１ａが差込孔３１の内周面から中心に向かって幅の小さくなる形状を有し、差込孔３１の内周面に当該内周面から中心へ向かって放射状に略均等に４つ形成されている構成に加重して、差込孔３１の内周面において突出部３１ａ間に丸く切欠が形成されている。また、図１８に示すように、Ｖ字状の切欠５０を形成しても良い。このように差込孔３１の内周面において突出部３１ａ間に切欠５０を形成することにより、バンプの挿抜を容易に行うことができる。さらに、図１９に示すように、突出部３１ａを４つではなく６つ形成しても良い。突出部３１ａの数を増やすことにより突出部３１ａの基部における幅長が短くなるため、破損しにくくするとともに、接触信頼性を向上させることができる。また、図２０に示すように、突出部３１ａの辺５２の少なくとも一つを直線ではなく曲線とすることもできる。これにより、上記と同様、スパンの長さを長くとることができるため、破損しにくくするとともに、接触信頼性を向上させることができる。
【００４９】
なお、本発明は、上記実施形態に限ることなく本発明の要旨を逸脱しない範囲で他の実施形態を各種採用することができる。
【実施例１】
【００５０】
以下、本発明に関する実施例を詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定される訳ではない。
【００５１】
１．ニッケルタングステン
特開２００１−２７１１３２号公報に開示の合金被覆方法を用いて、本発明に係る突出部にニッケルタングステン合金を被覆（メッキ）した。具体的には、メッキ溶液として、０．０６モル／Ｌの硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４）、濃度０．１４モル／Ｌのタングステン酸ナトリウム（Ｎａ２ＷＯ４−Ｈ２Ｏ）、０．１４モル／Ｌのクエン酸ナトリウム（Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７−２Ｈ２Ｏ）、０．５モル／Ｌの塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ）からなる電解水溶液、及び、厚さ０．５ｍｍの白金製陽極板と厚さ０．２ｍｍの銅製陰極板とを用いて電解析出により突出部をメッキした。電解電流密度として５〜２０Ａ／ｄｍ２、浴温としては４０〜５０℃を用いた。
【００５２】
上述のようにしてメッキされた突出部について特性試験を行った。まず、最初にメッキされた突出部について繰り返し曲げ試験を行った。繰り返し曲げ試験としては、図２１に示すように、平板矩形状の突出部の自由端をθ１だけ曲げた後戻った突出部の自由端の方向と最初の突出部の自由端の方向とのなす角をθ２とすると、２６０℃リフロー無しの場合、１回の場合、２回の場合ともに変形角度θ２は略０°であった。一方、ワット浴によるニッケルメッキの場合、変形角度θ２は、θ１＝１３５°、曲げ回数１００回の場合約１１０°となり、θ１＝１７０°、曲げ回数１００回の場合約８２°となった。図２２にその結果を示す。横軸を２６０℃リフロー回数、縦軸を変形角度θ２とする。図２２に示すように、ニッケルタングステンを突出部にメッキした場合、ワット浴によるニッケルメッキより突出部の靭性が向上した。また、リフロー回数によっては靭性の低下は見られなかったことから、熱による靭性の低下は見られなかった。
【００５３】
つづいて、上記突出部について１８０°曲げ試験を行った。曲げ試験は、図２３に示すように、平板間に厚さｄの試験片（Ｎｉ−Ｗ合金を電解析出させた銅製板状体）４０を折り曲げるようにして挟み、平板間を密着させるように平板を互いに接近させるようにして行い、試験片４０に発生する破壊距離を測定することにより行った。図２４は、横軸を２６０℃リフロー回数、縦軸を破壊距離（ｍｍ）としている。また、図２５は、横軸を２６０℃リフロー回数、縦軸をＲ／ｔ（ここで、Ｒは曲げ半径を、ｔは靭性の程度を示す。）としている。これらから、Ｎｉ−Ｗ合金電析膜は、靭性が非常に強く、リフロー加熱によっても低下しにくいことが分かった。
【００５４】
したがって、突出部に上述の方法によりニッケルタングステンをメッキすれば靭性の向上が図れるとともに、熱による靭性の低下のない基板接続用コネクタアッセンブリーとすることができる。
【００５５】
２．ニッケルリン
つづいて、本発明に係る突出部にニッケルリン合金を被覆（メッキ）した。具体的には、メッキ溶液として、１６０ｇ／Ｌの硫酸ニッケル、４０ｇ／Ｌの塩化ニッケル、４０ｇ／Ｌの塩基性炭酸ニッケル、４４ｇ／Ｌの亜リン酸、３０ｇ／Ｌの正リン酸からなる電解水溶液を用いた。電解水溶液のｐＨとして０．５〜１．０、浴温としては８５℃、電流密度としては４Ａ／ｃｍ２、電流効率としては５０％に設定した。当該方法により、突出部の靭性の向上を図ることができた。
【００５６】
３．ニッケル−錫
つづいて、本発明に係る突出部にニッケル錫合金を被覆（メッキ）した。具体的には、メッキ溶液として、５０ｇ／Ｌの塩化第一錫（ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ）、３００ｇ／Ｌの塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）、３０ｇ／Ｌのフッ化ナトリウム（ＮａＦ）及び３５ｇ／Ｌの酸性フッ化アンモニウム（ＮＨ４ＨＦ２）からなる電解水溶液を用いた。電解水溶液のｐＨについては２．５、浴温については６５℃、電流密度については２．５Ａ／ｄｍ２に設定した。アノードとして錫を２８％含有したニッケル錫合金アノードを用いた。当該方法により、上記同様、突出部の靭性の向上を図ることができた。
【００５７】
４．ニッケル−コバルト
つづいて、本発明に係る突出部にニッケルコバルト合金を被覆（メッキ）した。具体的には、メッキ溶液として、２００ｇ／ＬのＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ、１９ｇ／ＬのＣｏＳＯ４・７Ｈ２Ｏ、１５ｇ／ＬのＮａＣｌ、３０ｇ／ＬのＨ２ＢＯ３、からなる電解水溶液を用いた。電解水溶液のｐＨについては５．６、浴温については２０℃、電流密度については１．０Ａ／ｄｍ２に設定した。当該方法により、上記同様、突出部の靭性の向上を図ることができた。
【００５８】
５．ニッケル−ホウ素
さらに、本発明に係る突出部にニッケルホウ素合金を被覆（メッキ）した。具体的には、メッキ溶液として、２４０ｇ／ＬのＮｉＳＯ４、４５ｇ／ＬのＮｉＣｌ２、３０ｇ／ＬのＨ３ＢＯ４、３ｇ／Ｌのトリメチルアミンボランからなる電解水溶液を用いた。電解水溶液の浴温については５５℃、電流密度については１Ａ／ｄｍ２、通電時間については３分（メッキ厚さ０．５μｍのとき）に設定した。当該方法により、上記同様、突出部の靭性向上を図ることができた。
【符号の説明】
【００５９】
１  基板接続用コネクタアッセンブリー
２  雄側コネクタ
３  雌側コネクタ
４  第１の回路基板
５  第２の回路基板
６  メッキ材
１１  バンプ（係止片）
１２  雄側基体
１３  首部
１４  頭部
１６  雄側端子
３１  差込孔
３１ａ  差込孔の突出部
３１ｂ  差込孔の内周面
３１ｃ  把持部
３２  雌側基体
３３  ＦＰＣ（板部材）
３４  カバー部材（板部材）
３５  雌側端子
３８  収納孔
４１  切り欠き
５１  段差孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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