(57)【要約】【課題】表示部の光検出において、少ない素子数で出力電圧を安定化させることができるようにする。【解決手段】表示装置２００の表示部１０１には、映像信号に応じて内部の発光素子により発光する画素回路と、光を検出する受光回路とが行列状に配置されている。センサ動作設定部２０１は、行列状に複数配置された受光回路が１行単位で光検出処理を行う第１のモードか、または、複数行単位で光検出を行う第２のモードの切り替えを制御する。センサ走査回路２０２は、センサ動作設定部２０１による制御に応じて受光回路の受光を制御する。本発明は、例えば、映像を表示するとともに、光検出をも行う表示装置に適用できる。【選択図】図２２
2011141369.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像信号に応じて内部の発光素子により発光する画素回路、および、光を検出する受光回路を行列状に複数配置した表示手段と、
行列状に複数配置された前記受光回路が１行単位で光検出処理を行う第１のモードか、または、複数行単位で光検出を行う第２のモードの切り替えを制御する動作設定手段と、
前記動作設定手段による制御に応じて前記受光回路の受光を制御する受光回路制御手段と
を備え、
前記受光回路は、
スイッチ素子として機能するとともに、オフの状態において前記光の検出量に応じた電流を流す光センサとして機能するセンサトランジスタと、
前記センサトランジスタからの前記電流により生じる所定の電位を保持する保持容量と、
前記保持容量に保持された前記所定の電位に応じた光検出信号を出力する出力トランジスタと
を備える
表示装置。
【請求項２】
前記光検出信号による電位の変化量を検出する検出手段をさらに備える
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記検出手段により検出された前記電位の変化量に基づいて、前記画素回路の輝度値の補正量を演算する演算手段をさらに備え、
前記演算手段は、前記第１のモードにおいて、前記画素回路の輝度値を、初期状態時に合わせるための補正量、または、各画素の発光輝度が画面全体で均一となるようにするための補正量の少なくとも一方を演算する
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記演算手段は、前記第２のモードにおいて、前記光検出信号による電位の変化量を所定の閾値と比較することにより、表示手段内における検出対象の位置を検出する
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記受光回路は、前記センサトランジスタと前記出力トランジスタの間に接続され、前記センサトランジスタがオフのとき流れる前記電流を増幅する増幅トランジスタをさらに備える
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
映像信号に応じて内部の発光素子により発光する画素回路、および、光を検出する受光回路を行列状に複数配置した表示手段と、行列状に複数配置された前記受光回路が、１行単位で光検出処理を行う第１のモードか、または、複数行単位で光検出を行う第２のモードの切り替えを制御する動作設定手段と、前記動作設定手段による制御に応じて前記受光回路の受光を制御する受光回路制御手段とを備え、前記受光回路は、スイッチ素子として機能するとともに、オフの状態において前記光の検出量に応じた電流を流す光センサとして機能するセンサトランジスタと、前記センサトランジスタからの前記電流により生じる所定の電位を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記所定の電位に応じた光検出信号を出力する出力トランジスタとを備える表示装置の
前記動作設定手段が、前記第１のモードか、または、前記第２のモードの切り替えを制御し、
前記受光回路制御手段が、前記動作設定手段による制御に応じて前記受光回路の受光を制御し、
前記受光回路制御手段により受光が制御された前記受光回路の前記保持容量が、前記センサトランジスタからの前記電流により生じる所定の電位を保持し、前記出力トランジスタが、前記保持容量に保持された前記所定の電位に応じた光検出信号を出力する
表示装置の光検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置およびその光検出方法に関し、特に、表示部の光検出において、少ない素子数で出力電圧を安定化させることができるようにする表示装置およびその光検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子として有機EL(ELectro Luminescent)素子を画素に用いたアクティブマトリクス方式の表示装置では、各画素回路内部の発光素子に流れる電流が、画素回路内部に設けた能動素子（一般には薄膜トランジスタ：TFT）によって制御される。有機EL素子は電流発光素子のため、有機EL素子に流れる電流量をコントロールすることで発色の階調が得られる。即ち、有機EL素子を有する画素回路では、与えられた信号電位に応じた電流を有機EL素子に流すことで、信号電位に応じた階調の発光が行われる。
【０００３】
図１は、発光素子として有機EL素子を用いたアクティブマトリクス方式の表示装置１の一般的な構成例を示すブロック図である。
【０００４】
表示装置１は、映像処理部１１、映像信号出力回路１２、表示部１３、および書き込み走査回路１４により構成される。映像処理部１１は、入力される映像信号に補正処理等の所定の信号変換処理を行い、処理後の映像信号を映像信号出力回路１２に出力する。映像信号出力回路１２は、映像処理部１１から入力される信号電位Vsigの映像信号を書き込み走査回路１４の走査に同期して表示部１３の各画素回路（図２の画素回路２１）に出力する。表示部１３は、行列状に配置された、映像表示（発光）のための画素回路を有する。各画素回路は、その内部の有機EL素子によって、供給される信号電位Vsigに応じた発光を行う。書き込み走査回路１４は、映像信号出力回路１２が出力した信号電位Vsigの映像信号を行列状に配置された画素回路へ線順次に書き込む制御を行う。
【０００５】
図２は、図１の表示部１３の詳細構成例を示す図である。
【０００６】
表示部１３には、Ｎ×Ｍ個（Ｎ,Ｍは相互に独立した２以上の整数値）の画素回路２１1,1乃至２１N,Mが行列状に配置されて構成されている。図２では、紙面の制約上、画素回路２１1,1乃至２１N,Mの一部のみが示されている。なお、以下において、画素回路２１1,1乃至２１N,Mのそれぞれを特に区別する必要がない場合には、単に画素回路２１と称する。
【０００７】
また、行列状に配置された画素回路２１のうちの縦方向に並ぶ画素回路２１どうしは、１本の映像信号線DTLで映像信号出力回路１２と接続されている。例えば、第１列目の画素回路２１1,1乃至２１1,Mは、映像信号線DTL1で映像信号出力回路１２と接続されている。従って、表示部１３全体と映像信号出力回路１２とは、N本の映像信号線DTL1乃至DTLNで接続されている。
【０００８】
さらに、行列状に配置された画素回路２１のうちの横方向に並ぶ画素回路２１どうしは、１本の書き込み走査線WSLで書き込み走査回路１４と接続されている。例えば、第１行目の画素回路２１1,1乃至２１N,1は、書き込み走査線WSL1で書き込み走査回路１４と接続されている。従って、表示部１３全体と書き込み走査回路１４とは、M本の書き込み走査線WSL1乃至WSLMで接続されている。
【０００９】
図３は、画素回路２１の詳細構成例を示す図である。
【００１０】
画素回路２１は、ｎチャネルTFTによるサンプリングトランジスタＴWS、保持容量Ｃ１、ｐチャネルTFTによる駆動トランジスタＴDRV、および有機EL素子ELPを有する。
【００１１】
映像信号線DTLは、サンプリングトランジスタＴWSのドレインと接続され、書き込み走査線WSLは、サンプリングトランジスタＴWSのゲートと接続されている。
【００１２】
駆動トランジスタＴDRV及び有機EL素子ELPは、電源Ｖｃｃと、接地電位であるカソード電位Ｖｃａｔの間に接続されている。サンプリングトランジスタＴWS及び保持容量Ｃ１は、駆動トランジスタＴDRVのゲートと接続されている。
【００１３】
次に、図４に示す画素回路２１の駆動タイミングチャートも併せて参照しつつ、画素回路２１の動作について簡単に説明する。
【００１４】
画素回路２１では、１フィールド期間（１F）のうちの、自分への信号電位Vsigが映像信号線DTLに供給されている1H期間に、書き込み走査回路１４によって、書き込み走査線WSLの電位が高電位ＶWS_Hとされる。例えば、図４に示す例では、時刻ｔ1から時刻ｔ4までの1H期間のうち、時刻ｔ2から時刻ｔ3までの間、書き込み走査線WSLの電位が高電位ＶWS_Hとされている。これにより、サンプリングトランジスタＴWSが導通して信号電位Vsigが保持容量Ｃ１に書き込まれる。また、保持容量Ｃ１に書き込まれた信号電位Vsigが駆動トランジスタＴDRVのゲート電位Ｖｇとなる。
【００１５】
時刻ｔ3において、書き込み走査回路１４が書き込み走査線WSLの電位を低電位ＶWS_Lとすると、映像信号線DTLと駆動トランジスタＴDRVとは電気的に切り離されるが、駆動トランジスタＴDRVのゲート電位Ｖｇは保持容量Ｃ１によって安定に保持される。このとき、駆動電流Ｉｄｓが、駆動トランジスタＴDRV及び有機EL素子ELPに流れる。この電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタＴDRVのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた値となり、有機EL素子ELPは、その電流値Ｉｄｓに応じた輝度で発光する。つまり、画素回路２１は、保持容量Ｃ１に映像信号線DTLからの信号電位Vsigを書き込むことによって駆動トランジスタＴDRVのゲート印加電圧を変化させ、これにより有機EL素子ELPに流れる電流値Ｉｄｓをコントロールして発色の階調を得る。
【００１６】
ｐチャネルTFTによる駆動トランジスタＴDRVのソースは電源Ｖｃｃに接続されており、常に飽和領域で動作するように設計されているので、駆動トランジスタＴDRVは次式（１）に示した値を持つ定電流源となる。
【数１】
2011141369.tif 000003
式（１）において、Ｉｄｓは飽和領域で動作する駆動トランジスタＴDRVのドレイン・ソース間に流れる電流、μは駆動トランジスタＴDRVの移動度を表す。また、Ｗは駆動トランジスタＴDRVのチャネル幅、Ｌは駆動トランジスタＴDRVのチャネル長、Ｃｏｘは駆動トランジスタＴDRVのゲート容量、Ｖｔｈは駆動トランジスタＴDRVの閾値電圧を表している。
【００１７】
この式（１）から明らかな様に、飽和領域では駆動トランジスタＴDRVのドレイン電流Ｉｄｓはゲート・ソース間電圧Ｖｇｓによって制御される。駆動トランジスタＴDRVは、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一定に保持される為、定電流源として動作し、有機EL素子ELPを一定の輝度で発光させることができる。
【００１８】
しかし、駆動トランジスタＴDRVのトランジスタ特性にばらつきがある場合、すなわち、駆動トランジスタＴDRVの移動度μや閾値電圧Ｖｔｈにばらつきがある場合、有機EL素子ELPに流す電流もばらついてしまい、表示の均一性が悪化してしまう。また、発光時間が長くなると、駆動トランジスタＴDRVや有機EL素子ELPが経時的に劣化し、発光時間の短い画素と発光輝度に差が生じる焼き付きが発生する。
【００１９】
そこで、発光輝度が画面全体で均一となるような補正や経時劣化による輝度変化を補正する技術も提案されている。例えば、特許文献１乃至３で開示されている技術では、図５に示されるように、トランジスタが光を受光するとリーク電流が増加する特性を利用して、表示装置に光センサを組み込み、画素の発光輝度を直接測定し、補正する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】特表２００８−５０５３６６号公報
【特許文献２】特開２００７−１１２３３号公報
【特許文献３】特開２００６−３０３１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
しかしながら、特許文献１で提案されている技術では、センサの検出電圧をそのまま出力線に接続するため、ノイズやカップリングなどの外部要因に弱く、出力電圧が変動しやすいという問題がある。また、特許文献２および３で提案されている技術では、センサ部のトランジスタ数多いため、歩留りが悪化しやすいという問題がある。
【００２２】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、表示部の光検出において、少ない素子数で出力電圧を安定化させることができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の一側面の表示装置は、映像信号に応じて内部の発光素子により発光する画素回路、および、光を検出する受光回路を行列状に複数配置した表示手段と、行列状に複数配置された前記受光回路が１行単位で光検出処理を行う第１のモードか、または、複数行単位で光検出を行う第２のモードの切り替えを制御する動作設定手段と、前記動作設定手段による制御に応じて前記受光回路の受光を制御する受光回路制御手段とを備え、前記受光回路は、スイッチ素子として機能するとともに、オフの状態において前記光の検出量に応じた電流を流す光センサとして機能するセンサトランジスタと、前記センサトランジスタからの前記電流により生じる所定の電位を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記所定の電位に応じた光検出信号を出力する出力トランジスタとを備える。
【００２４】
本発明の一側面の表示装置の光検出方法は、映像信号に応じて内部の発光素子により発光する画素回路、および、光を検出する受光回路を行列状に複数配置した表示手段と、行列状に複数配置された前記受光回路が、１行単位で光検出処理を行う第１のモードか、または、複数行単位で光検出を行う第２のモードの切り替えを制御する動作設定手段と、前記動作設定手段による制御に応じて前記受光回路の受光を制御する受光回路制御手段とを備え、前記受光回路は、スイッチ素子として機能するとともに、オフの状態において前記光の検出量に応じた電流を流す光センサとして機能するセンサトランジスタと、前記センサトランジスタからの前記電流により生じる所定の電位を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記所定の電位に応じた光検出信号を出力する出力トランジスタとを備える表示装置の前記動作設定手段が、前記第１のモードか、または、前記第２のモードの切り替えを制御し、前記受光回路制御手段が、前記動作設定手段による制御に応じて前記受光回路の受光を制御し、前記受光回路制御手段により受光が制御された前記受光回路の前記保持容量が、前記センサトランジスタからの前記電流により生じる所定の電位を保持し、前記出力トランジスタが、前記保持容量に保持された前記所定の電位に応じた光検出信号を出力する。
【００２５】
本発明の一側面においては、第１のモードか、または、第２のモードの切り替えが制御され、動作設定手段による制御に応じて受光回路の受光が制御され、受光回路制御手段により受光が制御された受光回路の保持容量において、センサトランジスタからの電流により生じる所定の電位が保持され、その保持容量に保持された所定の電位に応じた光検出信号が出力される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の一側面によれば、表示部の光検出において、少ない素子数で出力電圧を安定化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】従来の表示装置の一般的な構成例を示すブロック図である。
【図２】図１の表示部の詳細構成例を示す図である。
【図３】図２の画素回路の詳細構成例を示す図である。
【図４】画素回路の動作を説明する駆動タイミングチャートである。
【図５】トランジスタの受光特性を示す図である。
【図６】本発明の基本となる表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図７】図６の表示装置の表示部の詳細構成例を示す図である。
【図８】図７の受光回路とセンサ出力検出回路の詳細構成例を示す図である。
【図９】受光回路およびセンサ出力検出回路の動作を示す駆動タイミングチャートである。
【図１０】光検出処理中の受光回路およびセンサ出力検出回路のある状態を示す図である。
【図１１】光検出処理中の受光回路およびセンサ出力検出回路のある状態を示す図である。
【図１２】光検出処理中の受光回路およびセンサ出力検出回路のある状態を示す図である。
【図１３】本発明を適用した表示装置の第１の実施の形態を示すブロック図である。
【図１４】図１３の表示装置の表示部の詳細構成例を示す図である。
【図１５】図１４の受光回路の詳細構成例を示す図である。
【図１６】受光回路およびセンサ出力検出回路の動作を示す駆動タイミングチャートである。
【図１７】光検出処理中の受光回路およびセンサ出力検出回路のある状態を示す図である。
【図１８】光検出処理中の受光回路およびセンサ出力検出回路のある状態を示す図である。
【図１９】光検出処理中の受光回路およびセンサ出力検出回路のある状態を示す図である。
【図２０】光検出処理中の受光回路およびセンサ出力検出回路のある状態を示す図である。
【図２１】本発明を適用した表示装置の第２の実施の形態を示すブロック図である。
【図２２】光検出モード切替処理を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．本発明の実施の形態の基本となる表示装置の実施の形態
２．本発明の第1の実施の形態（受光量に対する感度をより向上させる実施の形態）
３．本発明の第２の実施の形態（光検出モードを切り替える実施の形態）
【００２９】
＜１．本発明の基本となる実施の形態＞
［本発明の基本となる表示装置の形態］
最初に、本発明の理解を容易にし、且つ、背景を明らかにするため、本発明の基本となる表示装置の構成と動作について図６乃至図１２を参照して説明する。
【００３０】
図６は、本発明の基本となる表示装置の構成例を示すブロック図である。
【００３１】
図６の表示装置５０は、一般に有機ELディスプレイと呼ばれる、発光素子として有機EL素子を各画素回路内部に有するアクティブマトリクス方式の表示装置である。ただし、表示装置５０は、映像の表示のみならず、光検出もすることができる点で図１の表示装置１と異なる。
【００３２】
表示装置５０は、映像処理部５１、映像信号出力回路５２、表示部５３、書き込み走査回路５４、センサ走査回路５５、センサ出力検出回路５６、および比較部５７により構成される。
【００３３】
映像処理部５１は、入力される映像信号に補正処理等の所定の信号変換処理を行い、処理後の映像信号を映像信号出力回路５２に出力する。例えば、映像処理部５１は、比較部５７から供給される各画素の補正量に基づいて、各画素の発光輝度の均一化および経時劣化を補正する補正変換処理を行う。
【００３４】
映像信号出力回路５２は、映像処理部５１から入力される信号電位Vsigの映像信号を、書き込み走査回路５４の走査に同期して表示部５３の各画素回路に出力する。表示部５３は、行列方向に行列状に配置された、映像表示（発光）のための画素回路（図７の画素回路２１）と、光検出のための受光回路（図７の受光回路６１）を有する。書き込み走査回路５４は、映像信号出力回路５２が出力した信号電位Vsigの映像信号を、行列状に配置された画素回路へ線順次に書き込む制御を行う。
【００３５】
センサ走査回路５５は、表示部５３内の各受光回路に受光させ、受光量に応じた光検出信号をセンサ出力検出回路５６に線順次に出力させる制御を行う。
【００３６】
センサ出力検出回路５６は、表示部５３内の各受光回路から供給される光検出信号に基づいて各画素の輝度値を測定し、比較部５７に出力する。比較部５７は、センサ出力検出回路５６から供給される各画素の輝度値を、初期状態時に取得しておいた各画素の輝度値と比較して、輝度値の補正量を演算し、映像処理部５１に供給する。また、比較部５７は、センサ出力検出回路５６から供給される各画素の輝度値から、各画素の発光輝度が画面全体で均一となるように各画素の補正量を演算し、映像処理部５１に供給する。
【００３７】
［表示部５３の詳細構成例］
図７は、図６の表示装置５０の表示部５３の詳細構成例を示している。なお、図７において、図２を参照して説明した表示装置１の表示部１３と対応する部分には同一の符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
【００３８】
表示部５３では、図２の表示部１３と同様、画素回路２１1,1乃至２１N,Mが行列状に配置されている。表示部５３では、さらに、画素回路２１と１対１に対応するように、受光回路６１1,1乃至６１N,Mが行列状に配置されている。なお、以下において、受光回路６１1,1乃至６１N,Mを特に区別する必要がない場合には、単に受光回路６１と称する。
【００３９】
行列状に配置された受光回路６１のうちの横方向に並ぶ受光回路６１どうしは、センサ走査回路５５と、１本の電源走査線DSS、初期化走査線AZ、および読み出し走査線RSLで接続されている。例えば、第１行目の受光回路６１1,1乃至６１N,1は、電源走査線DSS1、初期化走査線AZ1、および読み出し走査線RSL1でセンサ走査回路５５と接続されている。従って、表示部５３全体とセンサ走査回路５５とは、M本の電源走査線DSS1乃至DSSM、初期化走査線AZ1乃至AZM、および読み出し走査線RSL1乃至RSLMで接続されている。
【００４０】
さらに、行列状に配置された受光回路６１のうちの縦方向に並ぶ受光回路６１どうしは、１本のセンサ出力線SOLでセンサ出力検出回路５６と接続されている。例えば、第１列目の受光回路６１1,1乃至６１1,Mは、センサ出力線SOL1でセンサ出力検出回路５６と接続されている。従って、表示部５３全体とセンサ出力検出回路５６とは、N本のセンサ出力線SOL1乃至SOLNで接続されている。受光回路６１は、センサ出力線SOLを介して、受光量に応じた光検出信号を出力する。
【００４１】
［受光回路６１とセンサ出力検出回路５６の詳細構成例］
図８は、受光回路６１とセンサ出力検出回路５６の詳細構成例を示している。なお、センサ出力検出回路５６については、１本のセンサ出力線SOLに対応する部分のみが示されている。
【００４２】
受光回路６１は、センサトランジスタＴSE、保持容量Cse、ｎチャネルTFTによる出力トランジスタＴOUT、および読み出しトランジスタＴRSにより構成されている。
【００４３】
センサトランジスタＴSEは、電源走査線DSSと出力トランジスタＴOUTのゲートの間に接続されている。また、センサトランジスタＴSEのゲートは、初期化走査線AZと接続されている。
【００４４】
センサトランジスタＴSEは、初期化走査線AZを介してセンサ走査回路５５から供給される電位ＶAZ_HまたはＶAZ_Lに応じてオンまたはオフとされるスイッチ素子として機能する。そして、センサトランジスタＴSEがオンのとき、出力トランジスタＴOUTのゲートに電源走査線DSSの電位ＶDSS_HまたはＶDSS_Lが入力される。
【００４５】
また、センサトランジスタＴSEは、オフにおいて光センサとして機能する。即ち、センサトランジスタＴSEがオフのとき、受光量に応じたリーク電流が出力トランジスタＴOUTのゲートに流れる。センサトランジスタＴSEは、図５に示したように、オフにおいては、受光量に応じてリーク電流が増減する特性を有する。すなわち、受光量が多ければリーク電流の増加量は大きく、少なければリーク電流の増加量は小さくなる。
【００４６】
保持容量Cseは、接地電位（カソード電位ＶCAT）と出力トランジスタＴOUTのゲートの間に接続されている。保持容量Cseは、出力トランジスタＴOUTのゲート電圧を保持するために設けられる。
【００４７】
以下では、センサトランジスタＴSEのソース、保持容量Cse、および出力トランジスタＴOUTのゲートの接続点を、適宜、ａ点という。
【００４８】
出力トランジスタＴOUTのドレインは、電源走査線DSSに接続されている。出力トランジスタＴOUTのソースは、読み出しトランジスタＴRSと接続されている。
【００４９】
読み出しトランジスタＴRSは、出力トランジスタＴOUTのソースとセンサ出力線SOLの間に接続されている。また、読み出しトランジスタＴRSのゲートは、読み出し走査線RSLに接続されている。読み出しトランジスタＴRSは、読み出し走査線RSLを介してセンサ走査回路５５から供給される電位ＶRSL_HまたはＶRSL_Lに応じてオンまたはオフとされるスイッチ素子として機能する。読み出しトランジスタＴRSがオンのとき、出力トランジスタＴOUTを流れる電流がセンサ出力線SOLに出力される。
【００５０】
一方、センサ出力検出回路５６は、リセットトランジスタTrst、リセット電位Vrstの固定電源ＶＲＳＴ、保持容量Ｃout、および電圧検出部５６ａより構成される。
【００５１】
リセットトランジスタTrstは、固定電源ＶＲＳＴとセンサ出力線SOLの間に接続されている。センサ出力線SOLと接続されているリセットトランジスタTrstのソースは、保持容量Ｃoutおよび電圧検出部５６ａとも接続されている。リセットトランジスタTrstのゲートは、リセット走査線RSTに接続されている。
【００５２】
リセットトランジスタTrstは、リセット走査線RSTを介して供給される電位ＶRST_HまたはＶRST_Lに応じてオンまたはオフとされるスイッチ素子として機能する。リセット走査線RSTの電位ＶRST_HまたはＶRST_Lは、センサ走査回路５５によって制御される。
【００５３】
電圧検出部５６ａは、リセットトランジスタTrstのソース、センサ出力線SOL、および保持容量Ｃoutの接続点であるｂ点の電位Ｖｂを、出力電圧Ｖoutとして検出する。そして、電圧検出部５６ａは、検出された出力電圧Ｖoutを、輝度値を表す信号として比較部５７に出力する。
【００５４】
保持容量Ｃoutは、接地電位（カソード電位ＶCAT）とセンサ出力線SOLの間に接続されている。保持容量Ｃoutは、出力電圧Ｖoutを保持するために設けられる。
【００５５】
［光検出動作の説明］
次に、図９乃至図１２を参照して、受光回路６１およびセンサ出力検出回路５６による光検出動作について説明する。
【００５６】
図９は、受光回路６１およびセンサ出力検出回路５６の動作を示す駆動タイミングチャートである。
【００５７】
図９は、電源走査線DSS、初期化走査線AZ、読み出し走査線RSL、およびリセット走査線RSTの電位の変化、並びに、ａ点の電位Vａおよびｂ点の電位Ｖｂ（出力電圧Ｖout）の変化を示している。
【００５８】
なお、図９において、時刻ｔ11から時刻ｔ21までの１Cycle時間は、表示部５３のM行の受光回路６１を行単位にそれぞれ１回走査する時間（１F時間）に相当する。光検出動作では、その１Cycle時間に、所定の１行の受光回路６１の受光量が取得される。そして、１Cycle時間ごとに、受光量を取得する受光回路６１の行を、例えば線順次に変更することで、表示部５３全体の受光量を取得する。
【００５９】
図９の時刻ｔ11における状態は、電源走査線DSS、初期化走査線AZ、読み出し走査線RSL、およびリセット走査線RSTのすべての電位が低電位とされている初期状態である。
【００６０】
光検出動作では、最初に、ｂ点の電位Ｖｂを初期化するｂ点初期化処理が実行される。具体的には、時刻ｔ12において、初期化走査線AZ、読み出し走査線RSL、およびリセット走査線RSTの電位が、センサ走査回路５５によって高電位に設定される。これにより、センサトランジスタＴSE、読み出しトランジスタＴRS、およびリセットトランジスタTrstが、いずれもオンとなり、その結果、ｂ点（出力電圧Ｖout）の電位がリセット電位Vrstに初期化される。
【００６１】
図１０は、ｂ点初期化処理中の受光回路６１およびセンサ出力検出回路５６の状態を示している。
【００６２】
電源走査線DSSの電位が低電位ＶDSS_Lとされているので、センサトランジスタＴSEがオンすることで、ａ点の電位ＶａがＶDSS_Lとなる。また、読み出しトランジスタＴRSおよびリセットトランジスタTrstがオンされることで、ｂ点の電位Ｖｂがリセット電位Vrstとなる。このｂ点初期化処理によって、前の状態にかかわらず、ｂ点の電位Ｖｂが一定の電位（リセット電位Vrst）に初期化される。
【００６３】
ｂ点初期化処理の終了後、時刻13において、初期化走査線AZとリセット走査線RSTの電位が低電位に戻され、センサトランジスタＴSEおよびリセットトランジスタTrstがオフされる。
【００６４】
次に、時刻14から時刻15までの間、電源走査線DSSの電位が高電位ＶDSS_Hに設定され、光を検出する光検出処理が実行される。
【００６５】
図１１は、光検出処理中の受光回路６１およびセンサ出力検出回路５６の状態を示している。
【００６６】
センサトランジスタＴSEがオフとなり、受光量に応じたリーク電流がａ点へと流れる。ここで、受光量に応じた電位の上昇量を△Ｖと表すと、ａ点の電位Ｖａは、（ＶDSS_L＋△Ｖ）となる。リセットトランジスタTrstはオフであり、ａ点の電位Ｖａの上昇に従い、出力トランジスタＴOUTからｂ点へ電流が流れると、ｂ点の電位Ｖｂが上昇する。出力トランジスタＴOUTの閾値電圧をＶｔｈOUTと表すと、ｂ点の電位Ｖｂは、（ＶDSS_L＋△Ｖ）−ＶｔｈOUTとなる。この受光量に応じた電位の上昇量△Ｖは、上述したように、受光量が多いほど大きくなる。
【００６７】
電圧検出部５６ａは、電源走査線DSSの電位が高電位ＶDSS_Hに設定されている時刻14から時刻15までの間の所定のタイミングで、出力電圧Ｖoutとしてのｂ点の電位Ｖｂを検出する。
【００６８】
検出期間は、時刻15において、電源走査線DSSの電位が低電位ＶDSS_Lに設定され、かつ、読み出し走査線RSLの電位が低電位ＶRSL_Lに設定されることで終了する。
【００６９】
時刻15以降の時刻16から時刻17の期間では、次の検出までに他の動作に影響を及ぼさないように、ａ点の電位Ｖａおよびｂ点の電位Ｖｂを初期化するａｂ点初期化処理が実行される。具体的には、時刻16から時刻17の間、初期化走査線AZおよびリセット走査線RSTの電位が高電位に設定される。
【００７０】
図１２は、ａｂ点初期化処理中の受光回路６１およびセンサ出力検出回路５６の状態を示している。
【００７１】
初期化走査線AZが高電位ＶAZ_Hに変化し、センサトランジスタＴSEがオンすることで、ａ点の電位Ｖａは、電源走査線DSSの電位と同一の電位ＶDSS_Lとなる。また、リセット走査線RSTの電位が高電位ＶRST_Hに変化し、リセットトランジスタTrstがオンすることで、ｂ点の電位Ｖｂがリセット電位Vrstとなる。このａｂ点初期化処理によって、センサ出力検出回路５６の、次の行の受光回路６１に備えた初期化が完了する。
【００７２】
表示装置５０の受光回路６１およびセンサ出力検出回路５６では、光検出動作が以上のように行われる。比較部５７は、センサ出力検出回路５６から出力電圧Ｖoutとして供給される各画素の輝度値を相互に比較することにより、発光輝度の均一性を向上させることができる。また、比較部５７は、出力電圧Ｖoutとして供給される各画素の輝度値を、初期状態時に取得しておいた輝度値と比較することにより、経時劣化を補正することができる。
【００７３】
なお、補正処理は、通常映像表示終了後、通常映像表示実行中、通常映像表示開始前など、予め決定した所定のタイミングで実行することができる。ここで、「通常映像表示」とは、表示装置５０に供給された映像信号に基づく信号電位Vsigを各画素回路２１に与えて、通常の動画や静止画としての映像表示を行っている状態を言う。
【００７４】
また、表示装置５０では、センサトランジスタＴSEを設けたこと、及びセンサ出力検出回路５６を表示部５３の外部に配置することで、受光回路６１を、３つのトランジスタと保持容量Cseによって構成することができる。従って、表示装置５０では、少ない素子数で出力電圧を安定化させた光検出が可能である。
【００７５】
なお、表示装置５０の光検出機能は、表示装置５０の外部からの光を検出することもできるため、上述したような各画素の発光輝度の補正機能以外の機能にも利用することができる。例えば、スキャナーのように画像を取り込む機能、タッチパネルやポインタセンサなどとしての機能の一部に利用することができる。
【００７６】
ところで、センサトランジスタＴSEにリーク電流が流れたときの電位の上昇量△Ｖは、リーク電流ｉ、保持容量Cseと出力トランジスタＴOUTのゲート容量の２つの容量Ｃ、および時間ｔにより、次式（２）で表すことができる。
【００７７】
【数２】
2011141369.tif 000004
【００７８】
式（２）からも明らかなように、保持容量Cseと出力トランジスタＴOUTのゲート容量を合わせた容量Ｃが大きくなると、リーク電流ｉに対して電位の上昇量△Ｖが小さくなるため、受光量に対する感度は低くなってしまう。
【００７９】
表示装置５０の受光回路６１において、保持容量Cseは、カップリングやノイズの影響を低減させるため、ある程度の容量の大きさが必要である。また、出力トランジスタＴOUTは、保持容量Ｃoutを十分充電させる必要があるため、電流容量を確保する目的でトランジスタサイズが大きくなりやすい。そうすると、上述したように受光量に対する感度が低くなる。従って、受光量に対する感度をより向上させることが望まれる。
【００８０】
＜２．本発明の第１の実施の形態＞
［本発明を適用した表示装置の第１の実施の形態の構成例］
そこで、図１３は、リーク電流ｉに対する電位の上昇量△Ｖをより大きくすること、すなわち、受光量に対する感度を向上させることを目的とする表示装置１００の構成例を示している。即ち、図１３は、本発明を適用した表示装置の第1の実施の形態を示している。
【００８１】
なお、図１３において、図６に示した表示装置５０と対応する部分については同一の符号を付してあり、その説明は適宜省略する。図１４以降の図についても同様である。
【００８２】
図１３の表示装置１００は、表示部１０１が異なる点以外は、図６の表示装置５０と同様に構成されている。
【００８３】
［表示部１０１の詳細構成例］
図１４は、図１３の表示部１０１の詳細構成例を示している。
【００８４】
図１４の表示部１０１は、図７の表示部５３の受光回路６１に代えて、受光回路１１１が設けられている点を除いて、表示装置５３と同様に構成されている。
【００８５】
［受光回路１１１の詳細構成例］
図１５は、図１４の受光回路１１１の詳細構成例を示している。なお、図１５においては、センサ出力検出回路５６の構成も示してあるが、センサ出力検出回路５６の構成は図８と同様である。
【００８６】
受光回路１１１の構成を、図８の受光回路６１の構成と比較すると、受光回路１１１では、増幅トランジスタＴAMPが新たに設けられている。より具体的には、センサトランジスタＴSEが増幅トランジスタＴAMPに接続され、増幅トランジスタＴAMPが保持容量Cseと出力トランジスタＴOUTに接続されている。さらに詳しく言えば、増幅トランジスタＴAMPのベースが、センサトランジスタＴSEのソースに接続され、コレクタが、電源走査線DSSに接続されている。そして、増幅トランジスタＴAMPのエミッタが、保持容量Cseと出力トランジスタＴOUTのゲートに接続されている。以下、増幅トランジスタＴAMPのエミッタと、保持容量Cseおよび出力トランジスタＴOUTのゲートの接続点を、適宜、ｃ点という。
【００８７】
増幅トランジスタＴAMPは、センサトランジスタＴSEがオフのとき流れるリーク電流を増幅する。増幅トランジスタＴAMPのトランジスタサイズは、保持容量Cseと出力トランジスタＴOUTを充電できれば良いので、小さくすることができる。また、保持容量Cseにより、外部からのノイズの影響を抑えることができるため、センサトランジスタＴSEには保持容量を接続する必要がない。
【００８８】
受光回路１１１をこのように構成した場合、センサトランジスタＴSEにリーク電流が流れたときの電位の上昇量△Ｖを左右する式（２）の容量Ｃは、増幅トランジスタＴAMPのゲート容量のみとなる。そして、増幅トランジスタＴAMPのトランジスタサイズは、上述したように小さくすることができるので、そのゲート容量も非常に小さくすることができる。従って、受光回路６１における場合と比較して、同一のリーク電流ｉに対して、そのときの電位の上昇量△Ｖ’は大きくなる。即ち、受光回路１１１の構成を採用することにより、図８の受光回路６１よりも、受光量に対する感度を向上させることができる。
【００８９】
［光検出動作の説明］
次に、図１６乃至図２０を参照して、受光回路１１１およびセンサ出力検出回路５６による光検出動作について説明する。
【００９０】
図１６は、受光回路１１１およびセンサ出力検出回路５６の動作を示す駆動タイミングチャートである。
【００９１】
図１６では、図９に示した各電位の変化に加えて、さらにｃ点の電位の変化も示している。
【００９２】
時刻ｔ41の状態は、図９の時刻ｔ11の状態と同様、電源走査線DSS、初期化走査線AZ、読み出し走査線RSL、およびリセット走査線RSTのすべての電位が低電位とされている初期状態である。
【００９３】
光検出動作では、最初に、ｂ点の電位Ｖｂを初期化するｂ点初期化処理が実行される。具体的には、時刻ｔ42において、初期化走査線AZ、読み出し走査線RSL、およびリセット走査線RSTの電位が高電位に設定される。これにより、センサトランジスタＴSE、読み出しトランジスタＴRS、およびリセットトランジスタTrstが、いずれもオンとなり、その結果、ｂ点の電位Ｖｂ（出力電圧Ｖout）がリセット電位Vrstに初期化される。
【００９４】
図１７は、ｂ点初期化処理中の受光回路１１１およびセンサ出力検出回路５６の状態を示している。
【００９５】
電源走査線DSSの電位が低電位ＶDSS_Lとされているので、センサトランジスタＴSEがオンすることで、ａ点およびｃ点の電位がＶDSS_Lとなる。また、読み出しトランジスタＴRSおよびリセットトランジスタTrstがオンされることで、ｂ点の電位Ｖｂがリセット電位Vrstとなる。このｂ点初期化処理によって、前の状態にかかわらず、ｂ点の電位Ｖｂが一定の電位（リセット電位Vrst）に初期化される。
【００９６】
ｂ点初期化処理の終了後、時刻43において、初期化走査線AZとリセット走査線RSTの電位が低電位に戻され、センサトランジスタＴSEおよびリセットトランジスタTrstがオフされる。
【００９７】
次に、時刻44から時刻45までの間、電源走査線DSSの電位が高電位ＶDSS_Hに設定され、光を検出する光検出処理が実行される。
【００９８】
図１８は、光検出処理中の受光回路１１１およびセンサ出力検出回路５６の状態を示している。
【００９９】
センサトランジスタＴSEがオフとなり、受光量に応じたリーク電流がａ点へと流れる。ａ点の電位Ｖａは、（ＶDSS_L＋△Ｖ’）となる。ここで、△Ｖ’＞△Ｖである。ｃ点の電位Ｖｃは増幅トランジスタＴAMPの閾値電圧をＶｔｈAMPとして、Ｖｃ＝Ｖａ−ＶｔｈAMPで表される。従って、ａ点の電位Ｖａの上昇に追従して、ｃ点の電位Ｖｃも上昇する。
【０１００】
また、リセットトランジスタTrstはオフであるため、ｃ点の電位Ｖｃの上昇に従い、出力トランジスタＴOUTからｂ点へ電流が流れるため、ｂ点の電位Ｖｂも増加する。ｂ点の電位Ｖｂは、（Ｖｃ−ＶｔｈOUT）となる。
【０１０１】
即ち、図１６において、点線で示されるように、受光量に応じてリーク電流が増加すると、ａ点の電位Ｖａが上昇し、ａ点の電位Ｖａが上昇すると、ｃ点の電位Ｖｃも上昇する。さらに、ｃ点の電位Ｖｃが上昇すると、ｂ点の電位Ｖｂ、すなわち、出力電圧Ｖoutも上昇する。
【０１０２】
電圧検出部５６ａは、電源走査線DSSの電位が高電位ＶDSS_Hに設定されている時刻44から時刻45までの間の所定のタイミングで、出力電圧Ｖoutとしてのｂ点の電位Ｖｂを検出する。ｂ点の電位Ｖｂを検出するタイミングは、時刻44から時刻45までの間であれば任意に設定することができる。
【０１０３】
時刻45から時刻46までの間、電源走査線DSSの電位が低電位ＶDSS_Lに設定され、かつ、読み出し走査線RSLの電位が低電位ＶRSL_Lに設定されることで、ｃ点の電位Ｖｃを初期化するｃ点初期化処理が実行される。
【０１０４】
図１９は、ｃ点初期化処理中の受光回路１１１およびセンサ出力検出回路５６の状態を示している。
【０１０５】
電源走査線DSSの電位が低電位ＶDSS_Lに設定されることで、ｃ点の電位Ｖｃが電位ＶDSS_Lとなり、初期化される。読み出し走査線RSLの電位が低電位ＶRSL_Lに設定されることにより、読み出しトランジスタＴRSはオフするので、ｂ点の電位Ｖｂに変化はない。
【０１０６】
次に、時刻46から時刻47の間、次の検出までに他の動作に影響を及ぼさないように、ａ点の電位Ｖａおよびｂ点の電位Ｖｂを初期化するａｂ点処理化処理が実行される。ａｂ点処理化処理では、初期化走査線AZおよびリセット走査線RSTの電位が高電位に設定される。
【０１０７】
図２０は、ａｂ点処理化処理中の受光回路１１１およびセンサ出力検出回路５６の状態を示している。
【０１０８】
初期化走査線AZの電位が高電位ＶAZ_Hに変化し、センサトランジスタＴSEがオンすることで、ａ点の電位Ｖａは、電源走査線DSSの電位と同一のＶDSS_Lとなる。また、リセット走査線RSTの電位が高電位ＶRST_Hに変化し、リセットトランジスタTrstがオンすることで、ｂ点の電位Ｖｂ（出力電圧Ｖout）がリセット電位Vrstとなる。このａｂ点初期化処理によって、センサ出力検出回路５６の、次の行の受光回路６１に備えた初期化が完了する。
【０１０９】
以上のように、受光回路１１１を採用した表示装置１００によれば、センサトランジスタＴSEと出力トランジスタＴOUTの間に増幅トランジスタＴAMPを設けたことにより、受光量に対する感度をより向上させることができる。受光量に対する感度を向上することができれば、検出期間を短くすることも可能となる。また、受光量に対する感度を向上することができれば、センサトランジスタＴSEのトランジスタサイズを小さくすることも可能となるので、歩留りを向上させることができる。
【０１１０】
＜３．本発明の第２の実施の形態＞
［本発明を適用した表示装置の第２の実施の形態の構成例］
上述した表示装置５０および１００の実施の形態において、光検出結果を、補正機能以外の、例えば、スキャナーのように画像を取り込む機能、タッチパネルやポインタセンサなどとしての機能の一部として利用することができることは上述した通りである。
【０１１１】
しかしながら、タッチパネルやポインタセンサなどの機能の一部として利用する場合には、検出対象としての指やペン（スタイラス）を検出できる分解能があればよく、画素単位レベルの検出分解能は必要ない。そして、移動する検出対象を遅延なく検出するため、検出スピードの速さが要求される。
【０１１２】
そこで、表示装置の各画素の光検出処理のモード（光検出モード）を、補正機能を行うための輝度補正モード（第１のモード）と、指やペンの位置検出機能を行うための位置検出モード（第２のモード）とで切り替えることが可能な実施の形態について説明する。
【０１１３】
図２１は、本発明を適用した表示装置の第２の実施の形態として、光検出モードを、輝度補正モードと位置検出モードとで切り替えて制御する表示装置の実施の形態の構成例を示している。
【０１１４】
図２１の表示装置２００は、映像処理部５１、映像信号出力回路５２、書き込み走査回路５４、センサ出力検出回路５６、表示部１０１、センサ動作設定部２０１、センサ走査回路２０２、および比較部２０３により構成される。
【０１１５】
即ち、図２１の表示装置２００では、図１３に示した表示装置１００と比較すると、センサ走査回路５５と比較部５７に代えてセンサ走査回路２０２および比較部２０３が設けられ、さらに、センサ動作設定部２０１が追加されている。
【０１１６】
センサ動作設定部２０１は、表示装置２００の図示せぬ制御部または操作部などから、輝度補正モードまたは位置検出モードのいずれかを設定することを表すモード設定情報が供給される。センサ動作設定部２０１は、供給されたモード設定情報を取得し、モード設定情報に応じて、輝度補正モードまたは位置検出モードのいずれかを表すモード切替信号を、センサ走査回路２０２および比較部２０３に供給する。
【０１１７】
センサ走査回路２０２は、センサ動作設定部２０１からのモード切替信号に応じて、受光回路１１１の制御単位を切り替える。具体的には、輝度補正モードを表すモード切替信号が供給された場合、センサ走査回路２０２は、第１の実施の形態のセンサ走査回路５５と同様に、１行単位で光検出処理を行うように走査制御を行う。一方、位置検出モードを表すモード切替信号が供給された場合、センサ走査回路２０２は、予め決定された複数行単位で光検出処理を行うように走査制御を行う。予め決定された複数行が、例えば、２行である場合には、センサ走査回路２０２は、隣接する２行単位で光検出処理を行うように走査制御を行ってもよいし、検出対象の指やペン（スタイラス）を検出できる範囲の、所定間隔離れた２行単位で光検出処理を行うように走査制御を行ってもよい。この場合、センサ出力検出回路５６には、制御対象とされた２行の受光回路１１１から、光検出信号が同時に供給される。
【０１１８】
比較部２０３は、輝度補正モードにおいては、第１の実施の形態の比較部５７と同様の動作を行う。一方、比較部２０３は、位置検出モードにおいては、センサ出力検出回路５６から出力電圧Ｖoutとして供給される所定の複数行の画素の輝度値を所定の閾値と比較することにより、検出対象である指やペンが検出された位置の位置情報を、図示せぬ制御部に供給する。例えば、センサ出力検出回路５６から供給される各画素の輝度値が所定の閾値より大である画素の位置情報が、図示せぬ制御部に供給される。
【０１１９】
［光検出モード切替処理］
次に、図２２のフローチャートを参照して、表示装置２００による光検出モード切替処理について説明する。なお、この処理は、例えば、表示装置２００の図示せぬ制御部などから、モード設定情報が供給されたとき開始される。
【０１２０】
ステップＳ１において、センサ動作設定部２０１は、制御部などから供給されたモード設定情報を取得する。
【０１２１】
ステップＳ２において、センサ動作設定部２０１は、供給されたモード設定情報が位置検出モードを表しているかを判定する。ステップＳ２で、供給されたモード設定情報が位置検出モードを表していると判定された場合、処理はステップＳ３に進み、センサ動作設定部２０１は、位置検出モードを表すモード切替信号を、センサ走査回路２０２および比較部２０３に供給する。
【０１２２】
そして、ステップＳ４において、位置検出モードを表すモード切替信号が供給されたセンサ走査回路２０２は、予め決定された複数行単位で光検出処理を行うように走査制御を行う。
【０１２３】
比較部２０３は、位置検出モードにおいては、センサ出力検出回路５６から供給される所定の複数行の画素の輝度値を所定の閾値と比較することにより、検出対象の位置の位置情報を、図示せぬ制御部に供給する。
【０１２４】
一方、ステップＳ２で、供給されたモード設定情報が輝度補正モードを表していると判定された場合、処理はステップＳ５に進み、センサ動作設定部２０１は、輝度補正モードを表すモード切替信号を、センサ走査回路２０２および比較部２０３に供給する。
【０１２５】
そして、ステップＳ６において、輝度補正モードを表すモード切替信号が供給されたセンサ走査回路２０２は、１行単位で光検出処理を行うように走査制御を行う。
【０１２６】
比較部２０３は、輝度補正モードにおいては、センサ出力検出回路５６から出力電圧Ｖoutとして供給される各画素の輝度値に基づいて、発光輝度の均一性若しくは経時劣化またはその両方を補正するための補正量を演算し、映像処理部５１に供給する。
【０１２７】
ステップＳ４またはステップＳ６の処理後、光検出モード切替処理は終了する。
【０１２８】
以上のように、光検出モード切替処理を実行することにより、受光回路１１１を補正機能に利用する場合と、位置検出機能に利用する場合とで、光検出の制御単位を切り替えることができる。
【０１２９】
位置検出モードでは、複数行単位で光検出処理を行うので、１画面分の位置情報を取得する時間を短くすることができる。また、検出対象を所定の広がりをもった領域として検出することができるので、検出感度も向上する。
【０１３０】
輝度補正モードでは、画素単位の検出分解能を有し、各画素の発光輝度の均一性または経時劣化を補正することができる。この場合、受光回路１１１は、増幅トランジスタＴAMPを有していることにより、受光回路６１よりも、受光量に対する感度を向上させた補正が可能である。
【０１３１】
なお、増幅トランジスタＴAMPを有さない受光回路６１であっても、光検出モード切替処理を実行することは可能である。即ち、図６に示した、本発明の基本となる表示装置５０の各構成に、センサ動作設定部２０１を設ける構成とすることも可能である。
【０１３２】
また、受光回路１１１による光検出を、スキャナーのように画像を取り込む機能として利用する場合には、１行単位で光検出処理を行う輝度補正モードを利用する方が望ましい。
【０１３３】
また例えば、画素回路２１の構成については全く上記例に限定されず、他にも多様な構成が採用できる。即ち、本発明は画素回路構成にかかわらず、発光動作を行う画素回路を採用する表示装置であって、画素回路とは別に、光量を検出する受光回路を設ける表示装置に広く採用できる。
【０１３４】
本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【０１３５】
２１  画素回路，  ５６ａ  電圧検出部，  ５７  比較部，  １００  表示装置，  １０１  表示部，  １１１  受光回路，  ＴSE  センサトランジスタ，  ＴAMP  増幅トランジスタ，  Ｃｓｅ  保持容量，  ＴOUT  出力トランジスタ，  ２００  表示装置，  ２０１  センサ動作設定部，  ２０２  センサ走査回路，  ２０３  比較部
【図１】
2011141369.tif 000005
【図２】
2011141369.tif 000006
【図３】
2011141369.tif 000007
【図４】
2011141369.tif 000008
【図５】
2011141369.tif 000009
【図６】
2011141369.tif 000010
【図７】
2011141369.tif 000011
【図８】
2011141369.tif 000012
【図９】
2011141369.tif 000013
【図１０】
2011141369.tif 000014
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2011141369.tif 000017
【図１４】
2011141369.tif 000018
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2011141369.tif 000021
【図１８】
2011141369.tif 000022
【図１９】
2011141369.tif 000023
【図２０】
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【図２１】
2011141369.tif 000025
【図２２】
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