(57)【要約】【課題】薄型化或いは大画面化の要求に応える中空封止構造の有機ＥＬパネルに対して、封止空間内で有機ＥＬ素子に乾燥剤などが接触する不具合が生じないようにすること。【解決手段】有機ＥＬパネル１０は、基板２と、基板２上に形成され、陽極と有機層と陰極が積層された有機ＥＬ素子１を複数備える発光部Ｐと、発光部Ｐを中空封止するために基板２に接着剤層４を介して貼り合わせられる封止基板３とを備え、封止基板３は、基板２側に突出した支持突起５を備え、基板２上の発光部Ｐが形成された領域（発光領域Ｐａ）内に、支持突起５の先端部５Ａに対面し有機ＥＬ素子１が形成されていない支持隙間Ｆが形成されている。【選択図】図２
2011081944.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成され、陽極と有機層と陰極が積層された有機ＥＬ素子を複数備える発光部と、該発光部を中空封止するために前記基板に接着剤層を介して貼り合わせられる封止基板とを備え、
前記封止基板は、前記基板側に突出した支持突起を備え、
前記基板上の前記発光部が形成された領域内に、前記支持突起の先端部に対面し前記有機ＥＬ素子が形成されていない支持隙間が形成されていることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記支持突起は、前記封止基板の内面からの高さが当該内面に配備される乾燥剤の厚さより高く形成されていることを特徴とする請求項１に記載された有機ＥＬパネル。
【請求項３】
前記支持突起は、前記基板に垂直な少なくとも一つの断面の幅が、前記封止基板側の根元で太く、前記基板側の先端部で細くなっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項４】
前記支持突起は、前記基板に垂直な少なくとも一つの断面での幅が、多段になっていることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項５】
前記支持突起は前記支持基板に形成される凹部の内面から突出して形成され、前記支持突起の周囲の前記内面に乾燥剤が配備されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機ＥＬパネル。
【請求項６】
前記基板と前記封止基板とによって形成される封止空間を大気圧より低い圧力に設定し、前記支持突起の先端部を前記支持隙間に直接又は他の部材を介して当接させることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機ＥＬパネル。
【請求項７】
前記発光部は、複数の前記有機ＥＬ素子を集合させた集合画素部を複数配置して形成され、２つの前記集合画素部の間に前記支持隙間を形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の有機ＥＬパネル。
【請求項８】
複数の有機ＥＬパネルを平面的に敷き詰めて接合し大型のパネルを形成するパネル接合型発光装置であって、
前記有機ＥＬパネルは、
基板と、該基板上に形成され、陽極と有機層と陰極が積層された有機ＥＬ素子を複数備える発光部と、該発光部を中空封止するために前記基板に接着剤層を介して貼り合わせられる封止基板とを備え、
前記封止基板は、前記基板側に突出した支持突起を備え、
前記基板上の前記発光部が形成された領域内に、前記支持突起の先端部に対面し前記有機ＥＬ素子が形成されていない支持隙間が形成されており、
前記発光部は、複数の前記有機ＥＬ素子を集合させた集合画素部を複数配置して形成され、２つの前記集合画素部の間に前記支持隙間を形成し、
隣接した前記有機ＥＬパネル間における前記発光部の間隔に対応して、前記集合画素部間の間隔を設定することを特徴とするパネル接合型発光装置。
【請求項９】
基板上に少なくとも一つの有機ＥＬ素子を備えた発光部を形成する発光部形成工程と、
封止基板に前記発光部を収容する凹部を形成する封止基板加工工程と、
前記基板と前記封止基板とを接着剤層を介して貼り合わせて前記発光部を中空封止する封止工程とを有し、
前記封止基板加工工程では、前記凹部を形成しながら前記基板側に突出した支持突起を形成し、
前記発光部形成工程では、前記基板上の前記発光部が形成される領域内に、前記支持突起の先端部に対面し前記有機ＥＬ素子が形成されていない支持隙間を形成することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記封止基板加工工程は、
前記支持突起の形成範囲にレジストパターンを形成して前記封止基板の内面をエッチング処理する第１エッチング処理工程と、
前記支持突起の先端部に対応する位置にレジストパターンを形成して前記封止基板の内面をエッチング処理する第２エッチング処理工程とを有することを特徴とする請求項９記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬパネル、パネル接合型発光装置、有機ＥＬパネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬパネルは、有機ＥＬ素子を発光素子として備えた自発光パネルであり、例えば携帯電話の表示画面，車載用或いは家庭用電子機器のモニタ画面，パーソナルコンピュータやテレビジョン受像装置の情報表示画面，宣伝用点灯パネル等に用いられる各種表示装置として、スキャナやプリンタ等に用いられる各種光源として、一般照明や液晶表示装置のバックライト等に用いられる照明装置として、また、光電変換機能を利用した光通信用デバイスとして、各種用途及び機種に利用可能なものである。
【０００３】
有機ＥＬ素子は大気に含まれる水分等に触れると発光特性が劣化する性質があるので、有機ＥＬパネルを長時間安定的に作動させるためには、有機ＥＬ素子を大気から遮断するための封止構造が必要不可欠になっている。有機ＥＬパネルの封止構造の一例としては、有機ＥＬ素子が形成された基板と封止基板とを貼り合わせて、有機ＥＬ素子を囲う封止空間を形成し、その封止空間内に乾燥剤を配備する中空封止構造が知られている。
【０００４】
図１は、従来の中空封止構造を有する有機ＥＬパネルの構成例を示した概略図（同図（ａ）が平面図、同図（ｂ）が同図（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）が同図（ａ）のＢ−Ｂ断面図）である。基板Ｊ１上に発光部を形成する有機ＥＬ素子が形成されており（図示省略）、発光部を覆う封止空間ＪＳを形成するように、基板Ｊ１に封止基板Ｊ２が接着剤層Ｊ３を介して貼り合わせられている。封止基板Ｊ２は封止空間ＪＳを形成するための凹部Ｊ４を有しており、その凹部Ｊ４の内面には封止空間ＪＳ内の水分を吸着する乾燥剤Ｊ５が配備されている。また、封止基板Ｊ２の凹部Ｊ４には肉厚状のリブＪ６が形成されて、封止基板Ｊ２の補強を図っている（下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３３５３６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述した中空封止構造を有する有機ＥＬパネルでは、有機ＥＬパネルに封止基板を押圧するような外力或いは基板が湾曲するような外力が作用した場合に、封止基板と基板とを接合している接着剤が剥がれてしまう問題が生じる。より薄型化が要求される有機ＥＬパネルでは封止空間の厚さを大きくすることができず、より大きい発光面積が要求される有機ＥＬパネルでは基板や封止基板の湾曲が大きくならざるを得ないことから、薄型化や大画面化の要求に応えようとすると、接着剤の剥がれによる封止性能低下の問題や乾燥剤と有機ＥＬ素子との接触の問題がより顕在化することになる。
【０００７】
これに対して、前述した従来技術では、封止基板に補強リブを設けて封止基板の変形を抑制しようとしているが、有機ＥＬパネルの薄型化や大画面化の要求に応えようとした場合、従来技術のような補強リブを設けたとしても封止基板の変形を問題のない範囲に抑えることは困難であり、寧ろ補強リブの先端が有機ＥＬ素子に接近することで、補強リブの先端と有機ＥＬ素子とが接触して有機ＥＬ素子を破壊することが懸念される。
【０００８】
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、薄型化或いは大画面化の要求に応える中空封止構造の有機ＥＬパネルに対して、外力による接着剤の剥がれによる封止性能低下や封止空間内で有機ＥＬ素子に補強リブの先端等が接触することによる不具合が生じないようにすること、特には、複数の有機ＥＬパネルを平面的に敷き詰めて接合し大型のパネル（タイリングパネル）を形成する場合に、良好な表示性能を維持しながら、前述した封止性能の低下等の不具合が生じないようにすること、等が本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的を達成するために、本発明は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
【００１０】
［請求項１］基板と、該基板上に形成され、陽極と有機層と陰極が積層された有機ＥＬ素子を複数備える発光部と、該発光部を中空封止するために前記基板に接着剤層を介して貼り合わせられる封止基板とを備え、前記封止基板は、前記基板側に突出した支持突起を備え、前記基板上の前記発光部が形成された領域内に、前記支持突起の先端部に対面し前記有機ＥＬ素子が形成されていない支持隙間が形成されていることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【００１１】
［請求項８］複数の有機ＥＬパネルを平面的に敷き詰めて接合し大型のパネルを形成するパネル接合型発光装置であって、前記有機ＥＬパネルは、基板と、該基板上に形成され、陽極と有機層と陰極が積層された有機ＥＬ素子を複数備える発光部と、該発光部を中空封止するために前記基板に接着剤層を介して貼り合わせられる封止基板とを備え、前記封止基板は、前記基板側に突出した支持突起を備え、前記基板上の前記発光部が形成された領域内に、前記支持突起の先端部に対面し前記有機ＥＬ素子が形成されていない支持隙間が形成されており、前記発光部は、複数の前記有機ＥＬ素子を集合させた集合画素部を複数配置して形成され、２つの前記集合画素部の間に前記支持隙間を形成し、隣接した前記有機ＥＬパネル間における前記発光部の間隔に対応して、前記集合画素部間の間隔を設定することを特徴とするパネル接合型発光装置。
【００１２】
［請求項９］基板上に少なくとも一つの有機ＥＬ素子を備えた発光部を形成する発光部形成工程と、封止基板に前記発光部を収容する凹部を形成する封止基板加工工程と、前記基板と前記封止基板とを接着剤層を介して貼り合わせて前記発光部を中空封止する封止工程とを有し、前記封止基板加工工程では、前記凹部を形成しながら前記基板側に突出した支持突起を形成し、前記発光部形成工程では、前記基板上の前記発光部が形成される領域内に、前記支持突起の先端部に対面し前記有機ＥＬ素子が形成されていない支持隙間を形成することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】従来技術の説明図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬパネルを説明する説明図である（同図（ａ）は有機ＥＬパネルの縦断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ断面図である）。
【図３】本発明の実施形態における有機ＥＬパネルに設けられる支持突起の形態例を示した説明図（断面図及び平面図）である。
【図４】本発明の実施形態における有機ＥＬパネルに設けられる支持突起の形態例を示した説明図（断面図及び平面図）である。
【図５】本発明の実施形態における有機ＥＬパネルに設けられる支持突起の形態例を示した説明図（断面図及び平面図）である。
【図６】本発明の実施形態における有機ＥＬパネルに設けられる支持突起の形態例を示した説明図（断面図及び平面図）である。
【図７】本発明の実施形態における有機ＥＬパネルに設けられる支持突起の形態例を示した説明図（断面図及び平面図）である。
【図８】封止基板における凹部の内面に配備される乾燥剤の配置形態の例を示した説明図である。
【図９】発光部形成工程によって形成される有機ＥＬ素子の形成例を示した説明図である。同図（ａ）が独立した画素電極を備えるアクティブ駆動素子の例を示しており、同図（ｂ）が交差するストライプ状の電極の交差部に素子が形成されるパッシブ駆動素子の例を示している。
【図１０】本発明の実施形態における封止基板加工工程の一例を示した説明図である。
【図１１】複数の有機ＥＬパネル１０を平面的に敷き詰めて接合し大型のパネルを形成するパネル接合型発光装置２０を示した説明図である（同図（ａ）がパネル接合型発光装置２０の平面図、同図（ｂ）が同図（ａ）におけるＡ部の拡大図）。
【図１２】パネル接合型発光装置における各有機ＥＬパネルの配線構造の例を示した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。図２は本発明の一実施形態に係る有機ＥＬパネルを説明する説明図である（同図（ａ）は有機ＥＬパネルの縦断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ断面図である）。有機ＥＬパネル１０は、基板２と、基板２上に形成された有機ＥＬ素子１を複数備える発光部Ｐと、発光部Ｐを中空封止するために基板２に接着剤層４を介して貼り合わせられる封止基板３とを備え、封止基板３は、基板２側に突出した支持突起５を備え、基板２上の発光部Ｐが形成された領域（発光領域）Ｐａ内に、支持突起５の先端部５Ａに対面し有機ＥＬ素子１が形成されていない支持隙間Ｆが形成されている。
【００１５】
有機ＥＬ素子１は、基板２上に陽極と発光層を含む有機層と陰極が積層された積層構造を有しており、陽極と陰極との間に電圧を印加することで陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが発光層等で再結合して光を放射するものである。図示のように透光性の材料で形成される基板２上に形成される有機ＥＬ素子１を備えた有機ＥＬパネル１０は、基板２を介して外部に光を放出することができるものである（ボトムエミッション型）。また、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０は、これとは逆に後述する封止基板３側から外部に光を放出するもの（トップエミッション型）でも良く、基板２と封止基板３の両面から外部に光を放出するもの（デュアルエミッション型）であっても良い。
【００１６】
基板２上に形成される有機ＥＬ素子１は、これが複数個配列されて発光部Ｐを形成している。図２（ｂ）に示した例では、有機ＥＬ素子１が一つの画素Ｐｉを形成して、この画素Ｐｉがドットマトリクス状に配列されている。また、発光部Ｐは、複数の有機ＥＬ素子１（画素Ｐｉ）を集合させた集合画素部Ｐｓを複数配置している。そして、２つの集合画素部Ｐｓの間に支持隙間Ｆが形成されている。
【００１７】
基板２は、ガラスやプラスチック等の透明性を有する基板であり、封止基板３が貼り付けられた側と逆側の表面が光出射面になっている。封止基板３は、基板２と貼り合わせられることで発光部Ｐを収容する封止空間Ｓを形成している。図示の例では封止空間Ｓを形成するために封止基板３に凹部３Ａを形成しているが、これに限らず、基板２と封止基板３との間にスペーサを介在させることで両者間に封止空間Ｓを形成することも可能である。図示のように凹部３Ａを形成することで、その凹部３Ａの内面に乾燥剤６を配備する空間を形成することができる。
【００１８】
このような中空封止構造の有機ＥＬパネル１０は、基板２の全面を発光領域Ｐａとすることができないのが現状であり、基板２と封止基板３とを貼り合わせるための接着剤層４を形成する領域等によって基板２の全面から発光領域Ｐａが狭められている。有機ＥＬパネル１０内で発光部Ｐの外側に形成される額縁の幅（額縁幅）ｗをできる限り狭くして、一つの有機ＥＬパネル１０における発光領域Ｐａをできる限り広くとることが求められている。
【００１９】
そして有機ＥＬパネル１０は、封止基板３における発光領域Ｐａ内に対応する箇所に支持突起５が形成されている。支持突起５の先端部５Ａは常時基板２側に当接しているもの、封止基板３や基板２の変形時のみ基板２側に当接するもののどちらでも良い。基板２側には支持突起５の先端部５Ａが当接するための支持隙間Ｆが形成されおり、この支持隙間Ｆは発光領域Ｐａ内であっても有機ＥＬ素子１が形成されていない領域になっている。支持隙間Ｆは基板２が露出した領域であっても良いし、基板２上に有機ＥＬ素子１の周辺部（絶縁膜等）が形成されている領域であっても良い。また、支持突起５の先端部５Ａは必要に応じて基板２側に接着剤で固定されているものであってもよい。
【００２０】
このような支持突起５を封止基板３の内面から基板２に向けて適宜の高さで突出させることにより、封止基板３や基板２が湾曲変形した場合であっても、支持突起５がストッパーの機能を果たして、封止基板３側の乾燥剤等が有機ＥＬ素子１に接触する不具合を回避することができる。この際、封止基板２の内面に乾燥剤６を配備する場合には、支持突起５は、封止基板２の内面からの高さが乾燥剤６の厚さより高く形成されていることが必要になる。封止基板３に凹部３Ａを形成して凹部３Ａの内面に乾燥剤６を配備する場合には、支持突起５は凹部３Ａの内面から突出して形成され、その高さは凹部３Ａの内面から乾燥剤６の厚さより高く形成されていることが必要になる。
【００２１】
図３〜図７は、本発明の実施形態における有機ＥＬパネルに設けられる支持突起５の形態例を示した説明図（断面図及び平面図）である。支持突起５の形態は、基板２に垂直な少なくとも一つの断面の幅が、封止基板３側の根元で太く、基板２側の先端部５Ａで細くなっている。このような形態にすることで、支持突起５の先端部５Ａが基板２側に当接して支持突起５に圧縮力が作用した場合にも、支持突起５の折れや潰れを回避することができる。また、先端部５Ａを細くすることで、基板２側に形成される支持隙間Ｆの幅を必要最小限に抑え、発光領域Ｐａ内の非発光部分を極力少なくすることができる。
【００２２】
図３に示した形態例は、基板２に垂直な断面での幅が２段構造になっている。同図（ａ）に示す形態例は平面視形状が円形であり、同図（ｂ）に示す形態例は平面視形状が正方形であり、同図（ｃ）に示す形態例は平面視形状が矩形状（長方形状）であり、同図（ｄ）に示す形態例は平面視形状が角部を丸めた矩形状又は長円形状になっている。
【００２３】
図４に示した形態例は、基板２に垂直な断面での幅が多段（３段）構造になっている。同図（ａ）に示す形態例は平面視形状が円形であり、同図（ｂ）に示す形態例は平面視形状が正方形であり、同図（ｃ）に示す形態例は平面視形状が矩形状（長方形状）であり、同図（ｄ）に示す形態例は平面視形状が角部を丸めた矩形状又は長円形状になっている。
【００２４】
図５に示した形態例は、基板２に垂直な断面での形状が台形状になっている。同図（ａ）に示す形態例は平面視形状が円形であり、同図（ｂ）に示す形態例は平面視形状が正方形であり、同図（ｃ）に示す形態例は平面視形状が矩形状（長方形状）であり、同図（ｄ）に示す形態例は平面視形状が角部を丸めた矩形状又は長円形状になっている。
【００２５】
図６に示した形態例は、基板２に垂直な断面での幅が徐々に先細りになる形状になっている。同図（ａ）に示す形態例は平面視形状が円形であり、同図（ｂ）に示す形態例は平面視形状が正方形であり、同図（ｃ）に示す形態例は平面視形状が矩形状（長方形状）であり、同図（ｄ）に示す形態例は平面視形状が角部を丸めた矩形状又は長円形状になっている。
【００２６】
図７に示した形態例は、基板２に垂直な断面での幅が段差構造になっている。同図（ａ）に示す形態例は平面視形状が十字形状であり、同図（ｂ）に示す形態例はＴ字形状であり、同図（ｃ）に示す形態例は平面視形状が角状になっている。
【００２７】
図８は、封止基板３における凹部３Ａの内面に配備される乾燥剤６の配置形態の例を示した説明図である。凹部３Ａの内面に形成される支持突起５の周囲に配置される乾燥剤６は、同図（ａ）に示すように、支持突起５の左右に分けて配置しても良いし、同図（ｂ）に示すように、支持突起５の周囲のみを空けて内面全体に配置しても良いし、同図（ｃ）に示すように、乾燥剤６に支持突起５の幅に応じた欠け部を形成して略内面全体に配置しても良いし、同図（ｄ）に示すように、支持突起５の左右に分けて配置する乾燥剤６を支持突起６の幅に対応する部分を埋めるように配置しても良い。封止基板３における凹部３Ａの内面では、できる限り乾燥剤６の空きスペースを少なくすることによって封止空間Ｓ内での封止性能を向上させることができる。
【００２８】
支持突起５は、これまでに示したようにスポット状に形成することでも有効な有機ＥＬ素子１の防護機能を有する。支持突起５を一箇所のみに設ける場合には、封止基板３の中央部分に設けるのが最も有効である。また、支持突起５は、封止基板３の内面に複数設けてもよく、スポット状に限らず線状に設けてもよい。支持突起５を複数設ける場合や線状に設ける場合は、その先端部５Ａに対応する基板２側に支持隙間Ｆを形成することが必要になる。
【００２９】
以下に、このような特徴を有する有機ＥＬパネルの製造法を説明する。有機ＥＬパネル１０の製造方法としては、基板２上に少なくとも一つの有機ＥＬ素子１を備えた発光部Ｐを形成する発光部形成工程と、封止基板３に発光部Ｐを収容する凹部３Ａを形成する封止基板加工工程と、基板２と封止基板３とを接着剤層４を介して貼り合わせて発光部Ｐを中空封止する封止工程とを有する。
【００３０】
封止基板加工工程では、凹部３Ａを形成しながら基板２側に突出した支持突起５を形成し、発光部形成工程では、基板２上の発光部Ｐが形成される領域内に、支持突起５の先端部５Ａに対面し有機ＥＬ素子１が形成されていない支持隙間Ｆを形成する。
【００３１】
図９は、前述した発光部形成工程によって形成される有機ＥＬ素子１の形成例を示した説明図である。同図（ａ）が独立した画素電極を備えるアクティブ駆動素子の例を示しており、同図（ｂ）が交差するストライプ状の電極の交差部に素子が形成されるパッシブ駆動素子の例を示している。
【００３２】
同図（ａ）の例では、駆動素子（ＴＦＴ等）３０が形成された基板２上に駆動素子３０を覆うように平坦化膜３１を形成し、その平坦化膜３１上に画素電極となる下部電極３２を形成する。下部電極３２は平坦化膜３１上に電極材料を成膜した後、フォトリソ工程でパターニングして形成することができる。下部電極３２を形成する前には、下部電極３２と駆動素子３０を接続する接続線３０Ａを形成し、その周辺部分に絶縁膜３３を形成する。下部電極３２上の絶縁膜３３の開口パターンを覆うように発光層３４Ａを含む有機層３４を形成する。有機層３４は、マスク開口部を絶縁膜３３の開口部と併せたマスク蒸着によって得ることができる。その後有機層３４全体を覆うように上部電極３４が形成される。
【００３３】
同図（ｂ）の例では、基板２上にストライプ状に下部電極４０を形成し、その上に絶縁膜４１を成膜して下部電極４０と交差するようにストライプ状のパターンを形成する。更に、必要に応じて絶縁膜４１上にストライプ状の隔壁４２を形成する。隔壁４２は側壁に下向き傾斜の逆テーパを付けたものがより好ましい。そして、絶縁膜４１及び隔壁４２のストライプ状開口部に沿って発光層４３Ａを含む有機層４３を形成し、その上にストライプ状の上部電極４４を形成する。隔壁４２は上部電極４４形成時のマスクパターンになる。有機層４３と上部電極４４を成膜する際に隔壁４２の上面には有機材料堆積層４３Ｒと上部電極材料堆積層４４Ｒが堆積されることになる。
【００３４】
下部電極３２，４０を陽極として、上部電極３５，４４を陰極とした場合の有機層３４，４３の形成例を以下に示す。下部電極３２，４０はＩＴＯ等の透明電極によって形成することができ、下部電極３２，４０上に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等の正孔注入層を形成し、その上に、例えば、ＮＰＢ（N,N-di(naphtalence)-N,N-dipheneyl-benzidene）を正孔輸送層として成膜する。この正孔輸送層は、下部電極３２，４０から注入される正孔を発光層３４Ａ，４３Ａに輸送する機能を有する。この正孔輸送層は、１層だけ積層したものでも２層以上積層したものであってもよい。また正孔輸送層は、単一の材料による成膜ではなく、複数の材料により一つの層を形成しても良く、電荷輸送能力の高いホスト材料に電荷供与（受容）性の高いゲスト材料をドーピングしてもよい。
【００３５】
次に、正孔輸送層の上に発光層３４Ａ，４３Ａを成膜する。一例としては、抵抗加熱蒸着法により、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光層３４Ａ，４３Ａを、塗分け用マスクを利用してそれぞれの成膜領域に成膜する。赤（Ｒ）としてＤＣＭ１（４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（４’−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン）等のスチリル色素等の赤色を発光する有機材料を用いる。緑（Ｇ）としてアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ3）等の緑色を発光する有機材料を用いる。青（Ｂ）としてジスチリル誘導体、トリアゾール誘導体等の青色を発光する有機材料を用いる。勿論、他の材料でも、ホスト-ゲスト系の層構成でも良く、発光形態も蛍光発光材料を用いてもりん光発光材料を用いたものであってもよい。
【００３６】
発光層３４Ａ，４３Ａの上に成膜される電子輸送層は、抵抗加熱蒸着法等の各種成膜方法により、例えばアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ3 ）等の各種材料を用いて成膜する。電子輸送層は、上部電極３５，４４から注入される電子を発光層３４Ａ，４３Ａに輸送する機能を有する。この電子輸送層は、１層だけ積層したものでも２層以上積層した多層構造を有してもよい。また、電子輸送層は、単一の材料による成膜ではなく、複数の材料により一つの層を形成しても良く、電荷輸送能力の高いホスト材料に電荷供与（受容）性の高いゲスト材料をドーピングして形成してもよい。
【００３７】
絶縁膜３３，４１や隔壁４２はポリイミドやレジスト材料から構成される。上部電極３５，４４は、陰極として機能する場合には、電子注入機能を有するように、陽極より仕事関数の低い材料を用いる。例えば、陽極としてＩＴＯを用いた場合には、アルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム合金（Ｍｇ-Ａｇ）を利用するのが好ましい。但し、Ａｌは電子注入能力が低いためにＡｌと電子輸送層との間にＬｉＦのような電子注入層を設けることが好ましい。
【００３８】
このような発光部形成工程において、前述した支持隙間Ｆを形成するには、図９（ａ）に示したアクティブ駆動方式ではドットマトリクス状に配列される下部電極３２の配列間隔を何列か置きに広くとり、図９（ｂ）に示したパッシブ駆動方式ではストライプ状に形成される下部電極４０の間隔を何列か置きに広くとる。
【００３９】
図１０は、封止基板加工工程の一例を示した説明図である。ここではエッチング処理によって封止基板３に凹部３Ａと支持突起５を形成する例を示している。ここでのエッチング処理は、支持突起５の形成範囲にレジストパターンを形成して封止基板３の内面をエッチング処理する第１エッチング処理工程と、支持突起５の先端部５Ａに対応する位置にレジストパターンを形成して封止基板３の内面をエッチング処理する第２エッチング処理工程とを有する。
【００４０】
同図（ａ），（ｂ）は第１エッチング処理工程を示しており、封止基板３の内面上に形成されるレジスト５０のパターンは、外周部分のレジスト５０Ａが最終的に形成される凹部３Ａより狭い範囲が開口するようにパターン形成されており、また、支持突起５が形成される箇所のレジスト５０Ｂは、支持突起５の先端部５Ａの形成範囲を含んでそれより大きい範囲をマスクするようにパターンが形成されている。そして、同図（ｂ）に示すように、このようなレジスト５０が施された封止基板３の内面に対して最終的な凹部３Ａの深さの中間程度以上の深さの仮凹部３Ａ0になるようにエッチング処理が施される。
【００４１】
同図（ｃ），（ｄ）は第２エッチング処理工程を示しており、ここでのレジスト５１のパターンは、第１エッチング処理工程のレジスト５０よりも狭い範囲をマスクするようにパターン形成されている。支持突起５が形成される箇所に形成されるレジスト５１Ｂは、支持突起５の先端部５Ａの形成範囲をマスクするようにパターンが形成され、封止基板３の外周部に形成されるレジスト５１Ａは、最終的に形成される凹部３Ａの外側をマスクするようにパターンが形成される。
【００４２】
このような２段彫りのエッチング処理を施すことで、第１エッチング処理工程では彫り込み位置の精度をある程度犠牲にして深めの掘りを形成し、第２エッチング処理工程では浅めの彫りによって支持突起５における先端部５Ａの位置や凹部３Ａの外周位置における形成位置の精度を向上させている。
【００４３】
単純に１段のエッチング処理で凹部３Ａと支持突起５とを形成しようとすると、彫り込む深さを追求すると支持突起５の先端部５Ａの位置精度が良くならず、更に凹部３Ａの外周部において掘りのテーパが緩くなることで、乾燥剤６を配備するための平坦面が小さくなる。逆に、１段のエッチング処理で支持突起５の先端部５Ａの位置精度を向上させるようとすると、一度に深く彫ることができず、所望の容積の封止空間を確保できないことになる。
【００４４】
前述した第１エッチング処理工程と第２エッチング処理工程の２段彫りでは、深さを追求する深彫りと位置精度を追求する浅彫りとの組み合わせによって、支持突起５の先端部５Ａの位置を精度良く形成でき、且つ支持突起５の根元を太くして強度を高めることができ、更には、凹部３Ａの外周部のテーパを急峻にして、有機ＥＬパネル１０の狭額縁化を達成できる。
【００４５】
支持突起５の形成は、このようなエッチング処理（ウエットエッチング処理）に限定されるものではなく、ドライエッチング処理やサンドブラスト処理等の削り加工処理によって同様に形成することができる。また、ＣＶＤ等の堆積化処理によって、封止基板３の平面に凸部を形成することで支持突起５を形成することもできる。
【００４６】
図１１は、複数の有機ＥＬパネル１０を平面的に敷き詰めて接合し大型のパネルを形成するパネル接合型発光装置２０を示した説明図である（同図（ａ）がパネル接合型発光装置２０の平面図、同図（ｂ）が同図（ａ）におけるＡ部の拡大図）。個々の有機ＥＬパネル１０の構成は前述したとおりであり、隣接する有機ＥＬパネル１０の上下左右端面を互いに対面させて有機ＥＬパネル１０を接合している。
【００４７】
パネル接合型発光装置２０は、同図（ａ）に示すように、平面的に複数の有機パネル１０を敷き詰めており、各有機ＥＬパネル１０で表示する表示画面を結合して一つ又は複数の表示画面を形成している。各有機ＥＬパネル１０の表示画面（発光部Ｐ）は、同図（ｂ）に示すように複数の画素Ｐｉの集合によって形成されており、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂの異なる発光色を出射する有機ＥＬ素子１を分散配置することでカラー表示を行うことができるようにしている。また、一つの有機ＥＬパネル１０における表示画面（発光部Ｐ）は複数の集合画素部Ｐｓとなっており、隣接する集合画素部Ｐｓ間には前述した支持隙間Ｆが形成されている。この支持隙間Ｆは一つの有機ＥＬパネル１０における額縁幅ｗの約２倍程度に形成されている。隣接する有機ＥＬパネル１０の継ぎ目には、隣接した有機ＥＬパネル間における発光部Ｐの間隔に対応して、額縁幅ｗの２倍の非表示部分が形成されてしまうが、集合画素部Ｐｓ間に約２ｗの間隔を設けることで有機ＥＬパネル１０同士の継ぎ目を目立たなくすることができる。
【００４８】
図１２は、パネル接合型発光装置２０における各有機ＥＬパネル１０の配線構造の例を示した説明図である。同図（ａ），（ｂ）に示した例は、共に封止基板３の上面３ａに駆動ＩＣ１１を形成し、封止基板３の上面３ａ及び側面３ｂ上に引き出し配線１２を形成している。引き出し配線１２が形成される側面３ｂはテーパ状に形成されている。そして、有機ＥＬ素子が形成されている基板２の表面に形成されている引き出し配線（有機ＥＬ素子の陽極又は陰極から引き出されている引き出し配線）１３と封止基板３上に形成されている引き出し配線１２とを基板２と封止基板３の貼り合わせ時に結合させる。駆動ＩＣ１１を封止基板３上の引き出し配線１２に接続することで、駆動ＩＣ１１は引き出し配線１２，１３を経由して有機ＥＬ素子に接続される。同図（ａ）に示した例は、１つの基板２上に２つの封止基板３，３を貼り付けて、封止基板３，３の間の露出部８に封止基板３，３で封止される有機ＥＬ素子からの引き出し配線１３を形成している。同図（ｂ）に示した例は、１つの基板２上に１つの封止基板３を貼り付けて、基板２の端部２Ｅに封止基板３で封止される有機ＥＬ素子からの引き出し配線１３を形成している。
【００４９】
このようなパネル接合型発光装置２０によると、隣接した有機ＥＬパネル１０間における発光部Ｐの間隔（２ｗ）に対応して、集合画素部Ｐｓ間の間隔を設定することで、有機ＥＬパネル１０の継ぎ目を目立たなくすることができ、また、この集合画素部Ｐｓ間の間隔を利用して前述した支持隙間Ｆを形成することで、パネル接合型発光装置２０における全体の表示品質を向上させることができると同時に、支持隙間Ｆに当接する支持突起５を効果的に封止基板３に形成することができる。これによって、パネル接合型発光装置２０において好な表示性能を維持しながら、有機ＥＬ素子１に乾燥剤などが接触する不具合を排除でき、薄型化或いは大面積化を追求した場合にも高い耐久性を得ることができる。
【００５０】
以上、本発明の実施の形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。また、上述の各実施の形態は、その目的及び構成等に特に矛盾や問題がない限り、互いの技術を流用して組み合わせることが可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１：有機ＥＬ素子，２：基板，３：封止基板，３Ａ：凹部，
４：接着剤層，５：支持突起，５Ａ：先端部，６：乾燥剤，
Ｆ：支持隙間，Ｐ：発光部，Ｐｓ：集合画素部，Ｐｉ：画素，
５０（５０Ａ，５０Ｂ），５１（５１Ａ，５１Ｂ）：レジスト
【図１】
2011081944.tif 000003
【図２】
2011081944.tif 000004
【図３】
2011081944.tif 000005
【図４】
2011081944.tif 000006
【図５】
2011081944.tif 000007
【図６】
2011081944.tif 000008
【図７】
2011081944.tif 000009
【図８】
2011081944.tif 000010
【図９】
2011081944.tif 000011
【図１０】
2011081944.tif 000012
【図１１】
2011081944.tif 000013
【図１２】
2011081944.tif 000014