(57)【要約】【課題】減圧乾燥処理の開始からパージング終了までの全処理工程時間を通してチャンバ内の雰囲気温度の変動を小さくすること。【解決手段】この減圧乾燥ユニット１２は、被処理基板Ｇの平流し搬送を行うコロ搬送路３８Ｂをチャンバ４０内に引き込み、基板リフト機構６０によりチャンバ４０内で基板Ｇをリフトピン６２で上げ下げする。そして、チャンバ４０内の雰囲気温度の変動を低減させるために、コロ搬送路の近くで基板Ｇの下を覆うように遮蔽板１００を配置している。この遮蔽板１００は、リフトピン６２を昇降可能に貫通させるための円形の開口１００ａと、内部コロ搬送路３８Ｂのコロ４２Ｂとの干渉を避けるための矩形の開口１００ｂとを有している。【選択図】  図７
2011096711.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板上に形成された塗布液の膜に減圧乾燥処理を施す減圧乾燥装置であって、
前記基板を水平状態で収容するための空間を有する減圧可能なチャンバと、
前記チャンバの外と中で連続するコロ搬送路を有し、前記コロ搬送路上のコロ搬送で前記基板を前記チャンバに搬入し、または前記チャンバから搬出する搬送機構と、
前記減圧乾燥処理のために前記チャンバ内を密閉状態で真空排気する排気機構と、
前記減圧乾燥処理を終了させるために前記チャンバ内にパージング用のガスを供給するバージング機構と、
前記基板をピン先端で水平に支えて上げ下げするために前記チャンバの中に離散的に配置された多数の支持ピンを有し、前記減圧乾燥処理を行う時は前記支持ピンの先端を前記コロ搬送路よりも高くして前記基板を支持し、前記基板の搬入出を行う時は前記支持ピンのピン先端を前記コロ搬送路よりも低くして前記搬送機構による前記基板のコロ搬送を可能とする基板リフト機構と、
前記チャンバ内の雰囲気温度の変動を低減させるために、前記コロ搬送路の近くで前記基板の下を覆うように設けられる遮蔽板と
を有する減圧乾燥装置。
【請求項２】
前記遮蔽板が一定の高さ位置に固定して設けられる、請求項１に記載の減圧乾燥装置。
【請求項３】
被処理基板上に形成された塗布液の膜に減圧乾燥処理を施す減圧乾燥装置であって、
前記基板を水平状態で収容するための空間を有する減圧可能なチャンバと、
前記チャンバの外と中で連続するコロ搬送路を有し、前記コロ搬送路上のコロ搬送で前記基板を前記チャンバに搬入し、または前記チャンバから搬出する搬送機構と、
前記減圧乾燥処理のために前記チャンバ内を密閉状態で真空排気する排気機構と、
前記減圧乾燥処理を終了させるために前記チャンバ内にパージング用のガスを供給するバージング機構と、
前記減圧乾燥処理および前記パージング中の前記チャンバ内の雰囲気温度を小さくするために、前記基板の下を覆うように設けられる遮蔽板と、
前記減圧乾燥処理中に前記基板をピン先端で水平に支えるために前記遮蔽板の上に離散的に設けられる多数の支持ピンと、
前記遮蔽板に結合され、前記乾燥処理を行う時は前記支持ピンの先端を前記コロ搬送路よりも高くして前記支持ピンによる前記基板の支持を可能とし、前記基板の搬入出を行う時は前記支持ピンのピン先端を前記コロ搬送路よりも低くして前記搬送機構による前記基板のコロ搬送を可能とするように、前記遮蔽板を昇降移動させる遮蔽板昇降機構と
を有する減圧乾燥装置。
【請求項４】
前記遮蔽板が、前記支持ピンを昇降可能に貫通させるための第１の開口と、前記コロ搬送路との干渉を避けるための第２の開口とを有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。
【請求項５】
前記パージング機構は、前記コロ搬送路の搬送面よりも高い位置で前記パージングガスを噴出するパージングガス噴出部を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。
【請求項６】
前記パージングガス噴出部のガス噴出口が、前記コロ搬送路の搬送面よりも２０ｍｍ〜３０ｍｍ高い位置に設けられる、請求項５に記載の減圧乾燥装置。
【請求項７】
被処理基板上に形成された塗布液の膜に減圧乾燥処理を施す減圧乾燥装置であって、
前記基板を水平状態で収容するための空間を有する減圧可能なチャンバと、
前記減圧乾燥処理のために前記チャンバ内を密閉状態で真空排気する排気機構と、
前記チャンバの外と中で連続するコロ搬送路を有し、前記コロ搬送路上のコロ搬送で前記基板を前記チャンバに搬入し、または前記チャンバから搬出する搬送機構と、
前記基板をピン先端で水平に支えて上げ下げするために前記チャンバの中に離散的に配置された多数の支持ピンを有し、前記減圧乾燥処理を行う時は前記支持ピンの先端を前記コロ搬送路よりも高くして前記基板を支持し、前記基板の搬入出を行う時は前記支持ピンのピン先端を前記コロ搬送路よりも低くして前記搬送機構による前記基板のコロ搬送を可能とする基板リフト機構と、
前記減圧乾燥処理を終了させるために前記チャンバ内にパージング用のガスを供給するバージング機構と
を具備し、
前記パージング機構が、前記コロ搬送路よりも高い位置で前記パージングガスを噴出するガス噴出部を有する、減圧乾燥装置。
【請求項８】
前記パージングガス噴出部のガス噴出口が、前記コロ搬送路の搬送面よりも２０ｍｍ〜３０ｍｍ高い位置に設けられる、請求項７に記載の減圧乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板上に形成された塗布液の膜（塗布膜）に減圧状態で乾燥処理を施す減圧乾燥装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえばフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造のフォトリソグラフィー工程においては、ガラス基板等の被処理基板上に塗布したレジスト液の塗布膜をプリベーキングに先立って適度に乾燥させるために減圧乾燥装置が用いられている。
【０００３】
従来の代表的な減圧乾燥装置は、たとえば特許文献１に記載されるように、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバと、この下部チャンバの上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバとを有している。下部チャンバの中にはステージが配設されており、このステージの上に基板を水平に載置してから、チャンバを閉じて（上部チャンバを下部チャンバに密着させて）減圧乾燥処理を行うようにしている。
【０００４】
しかしながら、このようなステージ型の減圧乾燥装置は、基板の搬入出を行うために搬送ロボットや大掛かりな上部チャンバ開閉機構を必要とすることの不利点が基板の大型化に伴って顕在化している。
【０００５】
また、減圧乾燥装置においては、減圧乾燥（真空排気）中はチャンバ内の雰囲気温度が初期温度（通常は常温）から急激に下がり、減圧乾燥（真空排気）を止めてチャンバ内を窒素ガス等でパージングすると今度は雰囲気温度が初期温度よりも優に超える温度まで大幅に上昇し、パージングを止めると雰囲気温度が常温に向かって低下する。このようなチャンバ内の雰囲気温度の変動に応じて、基板を支持するピンの温度も変化し、これによってレジスト膜に支持ピンの転写跡（膜厚変動の一種）が付くことが問題となっている。
【０００６】
上記の問題点に鑑みて、本出願人は、コロ搬送により基板の搬入出を効率よく安全かつスムースに行うとともに、支持ピンを先端部が閉塞し、かつ側壁に通気孔が設けられた中空の筒体で構成し、支持ピンの内部に温調用のガスを流すことで、支持ピンが周囲または雰囲気温度から受ける熱的影響を温度補償し、ひいては基板が支持ピンから受ける熱的影響を少なくするようにした減圧乾燥装置を開発し、これを特許文献２で開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−１８１０７９
【特許文献２】特開２００９−３８２３１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本出願人は、上記特許文献２で開示した減圧乾燥装置とは別に、温調機構付きでない普通の安価な支持ピンを用いても、基板上の塗布膜が支持ピンを通じて受ける熱的影響（特にピン転写跡）を可及的に抑えられる減圧乾燥装置の開発を行った結果、その成果の一つとして本発明が生まれた。
【０００９】
すなわち、本発明は、コロ搬送により基板の搬入出を効率よく安全かつスムースに行うとともに、減圧乾燥処理の開始からパージング終了までの全処理工程時間を通してチャンバ内の雰囲気温度の変動を小さくして、基板が支持ピンを通じて受ける熱的影響を低減し、塗布膜の品質を向上させるようにした減圧乾燥装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の観点における減圧乾燥装置は、被処理基板上に形成された塗布液の膜に減圧乾燥処理を施す減圧乾燥装置であって、前記基板を水平状態で収容するための空間を有する減圧可能なチャンバと、前記減圧乾燥処理のために前記チャンバ内を密閉状態で真空排気する排気機構と、前記チャンバの外と中で連続するコロ搬送路を有し、前記コロ搬送路上のコロ搬送で前記基板を前記チャンバに搬入し、または前記チャンバから搬出する搬送機構と、前記基板をピン先端で水平に支えて上げ下げするために前記チャンバの中に離散的に配置された多数の支持ピンを有し、前記乾燥処理を行う時は前記支持ピンの先端を前記コロ搬送路よりも高くして前記基板を支持し、前記基板の搬入出を行う時は前記支持ピンのピン先端を前記コロ搬送路よりも低くして前記搬送機構による前記基板のコロ搬送を可能とする基板リフト機構と、前記減圧乾燥処理を終了させるために前記チャンバ内にパージングガスを供給するバージング機構と、前記チャンバ内の雰囲気温度の変動を低減させるために、前記コロ搬送路の近くで前記基板の下を覆う位置に設けられる遮蔽板とを有する。
【００１１】
上記の装置構成においては、搬送機構が基板の搬入出をコロ搬送で行い、基板リフト機構がチャンバ内で基板をコロ搬送路の搬送面とそれよりも高い減圧乾燥処理用の高さ位置との間で上げ下げする。減圧乾燥処理中は、排気機構の真空排気によりチャンバ内で気流が発生し、基板上の塗布膜から液体（溶剤）が揮発し、チャンバ内雰囲気温度が初期温度（たとえば常温）よりも低くなる。そして、減圧乾燥処理を終了させるために、パージング機構よりパージングガスがチャンバ内に供給されると、チャンバ内でパージングガスが流れ、チャンバ内雰囲気温度が初期温度を超える高さまで上昇する。本発明では、コロ搬送路の近くで基板の下を覆うように遮蔽板を配置しているので、遮蔽板によりチャンバ内の気流が制御されて、チャンバ内雰囲気温度の変動が減少する。このことにより、基板が支持ピンを通じて受ける熱的影響が低減され、基板上の塗布膜の膜質が向上する。
【００１２】
本発明の第２の観点における減圧乾燥装置は、被処理基板上に形成された塗布液の膜に減圧乾燥処理を施す減圧乾燥装置であって、前記基板を水平状態で収容するための空間を有する減圧可能なチャンバと、前記チャンバの外と中で連続するコロ搬送路を有し、前記コロ搬送路上のコロ搬送で前記基板を前記チャンバに搬入し、または前記チャンバから搬出する搬送機構と、前記減圧乾燥処理のために前記チャンバ内を密閉状態で真空排気する排気機構と、前記減圧乾燥処理を終了させるために前記チャンバ内にパージング用のガスを供給するバージング機構と、前記減圧乾燥処理および前記パージング中の前記チャンバ内の雰囲気温度を小さくするために、前記基板の下を覆うように設けられる遮蔽板と、前記減圧乾燥処理中に前記基板をピン先端で水平に支えるために前記遮蔽板の上に離散的に設けられる多数の支持ピンと、前記遮蔽板に結合され、前記乾燥処理を行う時は前記支持ピンの先端を前記コロ搬送路よりも高くして前記支持ピンによる前記基板の支持を可能とし、前記基板の搬入出を行う時は前記支持ピンのピン先端を前記コロ搬送路よりも低くして前記搬送機構による前記基板のコロ搬送を可能とするように、前記遮蔽板を昇降移動させる遮蔽板昇降機構とを有する。
【００１３】
上記の装置構成においては、搬送機構が基板の搬入出をコロ搬送で行い、遮蔽板昇降機構が気流遮蔽板と支持ピンを通じて基板をコロ搬送路の搬送面とそれよりも高い減圧乾燥処理用の高さ位置との間で上げ下げする。減圧乾燥処理中は、排気機構の真空排気によりチャンバ内で気流が発生し、基板上の塗布膜から液体（溶剤）が揮発し、チャンバ内雰囲気温度が初期温度（たとえば常温）よりも低くなる。そして、減圧乾燥処理を終了させるために、パージング機構よりパージングガスがチャンバ内に供給されると、チャンバ内でパージングガスが流れ、チャンバ内雰囲気温度が初期温度を超える高さまで上昇する。本発明では、コロ搬送路の近くで基板の下を覆うように遮蔽板を配置しているので、遮蔽板によりチャンバ内の気流が制御されて、チャンバ内雰囲気温度の変動が減少する。このことより、基板が支持ピンを通じて受ける熱的影響が低減され、基板上の塗布膜の膜質が向上する。
【００１４】
本発明の第３の観点における減圧乾燥装置は、被処理基板上に形成された塗布液の膜に減圧乾燥処理を施す減圧乾燥装置であって、前記基板を水平状態で収容するための空間を有する減圧可能なチャンバと、前記減圧乾燥処理のために前記チャンバ内を密閉状態で真空排気する排気機構と、前記チャンバの外と中で連続するコロ搬送路を有し、前記コロ搬送路上のコロ搬送で前記基板を前記チャンバに搬入し、または前記チャンバから搬出する搬送機構と、前記基板をピン先端で水平に支えて上げ下げするために前記チャンバの中に離散的に配置された多数のリフトピンを有し、前記乾燥処理を行う時は前記リフトピンの先端を前記コロ搬送路よりも高くして前記基板を支持し、前記基板の搬入出を行う時は前記リフトピンのピン先端を前記コロ搬送路よりも低くして前記搬送機構による前記基板のコロ搬送を可能とする基板リフト機構と、前記減圧乾燥処理を終了させるために前記チャンバ内にパージングガスを供給するバージング機構とを具備し、前記パージング機構が、前記コロ搬送路よりも高い位置で前記パージングガスを噴出するガス噴出部を有する。
【００１５】
上記の装置構成においては、搬送機構が基板の搬入出をコロ搬送で行い、基板リフト機構がチャンバ内で基板をコロ搬送路の搬送面とそれよりも高い減圧乾燥処理用の高さ位置との間で上げ下げする。減圧乾燥処理中は、排気機構の真空排気によりチャンバ内で気流が発生し、基板上の塗布膜から液体（溶剤）が揮発し、チャンバ内雰囲気温度が初期温度（たとえば常温）よりも低くなる。そして、減圧乾燥処理を終了させるために、パージング機構よりパージングガスがチャンバ内に供給されると、チャンバ内でパージングガスが流れ、チャンバ内雰囲気温度が初期温度を超える高さまで上昇する。本発明では、前記パージング機構のガス噴出部が、コロ搬送路よりも高い位置でパージングガスを噴出することにより、チャンバ内雰囲気温度の変動が減少する。このことにより、基板が支持ピンを通じて受ける熱的影響が低減され、基板上の塗布膜の膜質が向上する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の減圧乾燥装置によれば、上記のような構成および作用により、コロ搬送により基板の搬入出を効率よく安全かつスムースに行えるとともに、減圧乾燥処理の開始からパージング終了までの全処理工程時間を通してチャンバ内の雰囲気温度の変動を小さくして、支持ピンないし基板に与える熱的影響を低減し、処理品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態における減圧乾燥ユニット（減圧乾燥装置）を組み込んだレジスト塗布装置の構成を示す平面図である。
【図２】上記減圧乾燥ユニット内の構成を示す平面図である。
【図３】上記減圧乾燥ユニットにおける基板搬入出時の各部の状態を示す正面縦断面図である。
【図４】上記減圧乾燥ユニットにおける基板搬入出時の各部の状態を示す正面縦断面図である。
【図５】実施形態における遮蔽板の構成を示す部分拡大斜視図である。
【図６】上記減圧乾燥ユニットにおける減圧乾燥処理中の各部の状態を示す部分側面縦断面図である。
【図７】上記減圧乾燥ユニットにおけるパージング中の各部の状態を示す部分側面縦断面図である。
【図８】実施形態および比較例においてチャンバ内雰囲気温度の測定のために選ばれた代表測定点の位置を示す略平面図である。
【図９】実施形態の構成において、減圧乾燥処理およびパーシング中にチャンバ内雰囲気温度および圧力が変化する特性を示すプロット図である。
【図１０】第１変形例の構成において、減圧乾燥処理およびパーシング中にチャンバ内雰囲気温度および圧力が変化する特性を示すプロット図である。
【図１１】第２変形例の構成において、減圧乾燥処理およびパーシング中にチャンバ内雰囲気温度および圧力が変化する特性を示すプロット図である。
【図１２】比較例（従来技術）の構成において、減圧乾燥処理およびパーシング中にチャンバ内雰囲気温度および圧力が変化する特性を示す図である。
【図１３】減圧乾燥処理／パーシング工程を多数回繰り返したときの減圧乾燥処理直前のリフトピン温度の変化を示す部である。
【図１４】第２の実施形態の減圧乾燥ユニットにおける基板搬入出時の各部の状態を示す正面縦断面図である。
【図１５】上記減圧乾燥ユニットにおける減圧乾燥処理中の各部の状態を示す部分側面縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１９】
図１に、本発明の減圧乾燥装置の適用可能なＦＰＤ製造用のレジスト塗布装置の一構成例を示す。
【００２０】
このレジスト塗布装置は、平流し方式のレジスト塗布ユニット１０および減圧乾燥ユニット１２を同一の基板搬送方向（Ｘ方向）に並べて併設している。先に、レジスト塗布ユニット１０の構成および作用について説明する。
【００２１】
レジスト塗布ユニット１０は、被処理基板たとえばガラス基板Ｇを空気の圧力で浮上させて水平に支持する浮上式のステージ１４と、この浮上ステージ１４上で水平に浮いている基板Ｇをステージ長手方向（Ｘ方向）に搬送する基板搬送機構１６と、浮上ステージ１４上で搬送される基板Ｇの上面にレジスト液を供給するレジストノズル１８と、塗布処理の合間にレジストノズル１８をリフレッシュするノズルリフレッシュ部２０とを有している。
【００２２】
浮上ステージ１４の上面には所定のガス（たとえばエア）を上方に噴射する多数のガス噴射口２２が設けられており、それらのガス噴射口２２から噴射されるガスの圧力によって基板Ｇがステージ上面から一定の高さに浮上するように構成されている。
【００２３】
基板搬送機構１６は、浮上ステージ１４を挟んでＸ方向に延びる一対のガイドレール２４Ａ，２４Ｂと、これらのガイドレール２４Ａ，２４Ｂに沿って往復移動可能なスライダ２６と、浮上ステージ１４上で基板Ｇの両側端部を着脱可能に保持するようにスライダ２６に設けられた吸着パッド等の基板保持部材（図示せず）とを備えており、直進移動機構（図示せず）によりスライダ２６を搬送方向（Ｘ方向）に移動させることによって、浮上ステージ１４上で基板Ｇの浮上搬送を行うように構成されている。
【００２４】
レジストノズル１８は、浮上ステージ１４の上方を搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に横断して延びる長尺型ノズルであり、所定の塗布位置でその直下を通過する基板Ｇの上面に対してスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出するようになっている。また、レジストノズル１８は、このノズルを支持するノズル支持部材２８と一体にＸ方向に移動可能、かつ鉛直方向（Ｚ方向）で昇降可能に構成されており、上記塗布位置とノズルリフレッシュ部２０との間で移動できるようになっている。
【００２５】
ノズルリフレッシュ部２０は、浮上ステージ１４の上方の所定位置で支柱部材３０に保持されており、塗布処理のための下準備としてレジストノズル１８にレジスト液を吐出させるためのプライミング処理部３２と、レジストノズル１８のレジスト吐出口を乾燥防止の目的から溶剤蒸気の雰囲気中に保つためのノズルバス３４と、レジストノズル１８のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構３６とを備えている。
【００２６】
次に、レジスト塗布ユニット１０における主な動作を説明する。先ず、前段の処理部（図示せず）よりたとえばコロ搬送で送られてきた基板Ｇがステージ１４上の前端側に設定された搬入部に搬入され、そこで待機していたスライダ２６が基板Ｇを保持して受け取る。浮上ステージ１４上で基板Ｇはガス噴射口２２より噴射されるガス（エア）の圧力を受けて略水平な姿勢で浮上状態を保つ。
【００２７】
そして、スライダ２６が基板を保持しながら減圧乾燥ユニット１２側に向かって搬送方向（Ｘ方向）に移動し、基板Ｇがレジストノズル１８の下を通過する際に、レジストノズル１８が基板Ｇの上面に向けてレジスト液を帯状に吐出することにより、基板Ｇ上に基板前端から後端に向って絨毯が敷かれるようにしてレジスト液の液膜が一面に形成される。こうしてレジスト液を塗布された基板Ｇは、その後もスライダ２６によって浮上ステージ１４上を浮上搬送され、浮上ステージ１４の後端を越えて後述するコロ搬送路３８に乗り移り、そこでスライダ２６による保持が解除される。コロ搬送路３８に乗り移った基板Ｇはそこから先は、後述するようにコロ搬送路３８上をコロ搬送で移動して後段の減圧乾燥ユニット１２へ搬入される。
【００２８】
塗布処理の済んだ基板Ｇを上記のようにして減圧乾燥ユニット１２側へ送り出した後、スライダ２６は次の基板Ｇを受け取るために浮上ステージ１４の前端側の搬入部へ戻る。また、レジストノズル１８は、１回または複数回の塗布処理を終えると、塗布位置（レジスト液吐出位置）からノズルリフレッシュ部２０へ移動してそこでノズル洗浄やプライミング処理等のリフレッシュないし下準備をしてから、塗布位置に戻る。
【００２９】
レジスト塗布ユニット１０の浮上ステージ１４の延長上（搬送方向の下流側）には、コロ搬送路３８が敷設されている。このコロ搬送路３８は、減圧乾燥ユニット１２のチャンバ４０の中と外（前後）で連続して敷設されている。
【００３０】
以下に、この実施形態における減圧乾燥ユニット１２の構成および作用を説明する。
【００３１】
図１に示すように、減圧乾燥ユニット１２回りのコロ搬送路３８は、チャンバ４０の搬送上流側つまり搬入側に敷設されている搬入側コロ搬送路３８Ａと、チャンバ４０内に敷設されている内部コロ搬送路３８Ｂと、チャンバ４０の搬送下流側つまり搬出側に敷設されている搬出側コロ搬送路３８Ｃとから構成されている。
【００３２】
各部のコロ搬送路３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃは、搬送方向（Ｘ方向）にそれぞれ適当な間隔で配置した複数本のコロ４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃを各独立または共通の搬送駆動部により回転させて、基板Ｇをコロ搬送で搬送方向（Ｘ方向）に送るようになっている。ここで、搬入側コロ搬送路３８Ａは、レジスト塗布ユニット１０の浮上ステージ１４から浮上搬送の延長で搬出された基板Ｇを受け取り、減圧乾燥ユニット１２のチャンバ４０内へコロ搬送で送り込むように機能する。内部コロ搬送路３８Ｂは、搬入側コロ搬送路３８Ａからコロ搬送で送られてくる基板Ｇを同速度のコロ搬送でチャンバ４０内に引き込むとともに、チャンバ４０内で減圧乾燥処理の済んだ基板Ｇをチャンバ４０の外（後段）へコロ搬送で送り出すように機能する。搬出側コロ搬送路３８Ｃは、チャンバ４０内の内部コロ搬送路３８Ｂから送り出されてくる処理済の基板Ｇを同速度のコロ搬送で引き出して後段の処理部（図示せず）へ送るように機能する。
【００３３】
図１〜図４に示すように、減圧乾燥ユニット１２のチャンバ４０は、比較的扁平な直方体に形成され、その中に基板Ｇを水平に収容できる空間を有している。このチャンバ４０の搬送方向（Ｘ方向）において互いに向き合う一対（上流側および下流側）のチャンバ側壁には、基板Ｇが平流しでようやく通れる大きさに形成されたスリット状の搬入口４４および搬出口４６がそれぞれ設けられている。さらに、これらの搬入口４４および搬出口４６をそれぞれ開閉するためのゲート機構４８，５０がチャンバ４０の外壁に取り付けられている。チャンバ４０の上壁部または上蓋５２は、メンテナンス用に取り外し可能になっている。
【００３４】
この実施形態のコロ搬送路は、図２〜図４に示すように、搬入口４４、搬出口４６の通路下面（またはその近傍）に、内部コロ搬送路３８Ｂと外部（搬入側・搬出側）コロ搬送路３８Ａ，３８Ｃとを密に繋ぐためのローラ式コロ４７，４９をそれぞれ設けている。
【００３５】
各ゲート機構４８，５０は、図示省略するが、スリット状の搬入出口（４４，４６）を気密に閉塞できる蓋体または弁体と、この蓋体を搬入出口（４４，４６）と水平に対向する鉛直往動位置とそれより低い鉛直復動位置との間で昇降移動させる第１のシリンダ（図示せず）と、蓋体を搬入出口（４４，４６）に対して気密に密着する水平往動位置と離間分離する水平復動位置との間で水平移動させる第２のシリンダ（図示せず）とを備えている。
【００３６】
チャンバ４０内において、内部コロ搬送路３８Ｂを構成するコロ４２Ｂは、搬入出口（４４，４６）に対応した高さ位置で搬送方向（Ｘ方向）に適当な間隔を置いて一列に配置されており、一部または全部のコロ４２Ｂがチャンバ４０の外に設けられているモータ等の回転駆動源５４に適当な伝動機構５６を介して接続されている。各コロ４２Ｂは、比較的細いシャフト４３に所定の間隔を置いて複数の太径リングまたはローラ４５を固着しており、シャフト４３の両端部がチャンバ４０の左右両側壁またはその付近に設けられた軸受５８に回転可能に支持されている。
【００３７】
搬入側コロ搬送路３８Ａのコロ４２Ａも、内部コロ搬送路３８Ｂのコロ４２Ｂと同様の構成を有しており、図示省略するが、その両端部がフレーム等に固定された軸受に回転可能に支持され、上記内部コロ搬送路３８Ｂ用の回転駆動源５４と共通または別個の回転駆動源により回転駆動されるようになっている。搬出側コロ搬送路３８Ｃのコロ４２Ｃも同様である。
【００３８】
この減圧乾燥ユニット１２は、図３および図４に示すように、チャンバ４０内で基板Ｇを水平に支えて上げ下げするための基板リフト機構６０を備えている。この基板リフト機構６０は、チャンバ４０内に所定の配置パターンで（たとえばマトリクス状に）離散的に配置された多数本（好ましくは２０本以上）のリフトピン（支持ピン）６２と、これらのリフトピン６２を所定の組またはグループ毎に内部コロ搬送路３８Ｂよりも低い位置にて支持する複数の水平棒または水平板のピンベース６４と、各ピンベース６４を昇降移動させるためにチャンバ４０の外（下）に配置された１台または複数台の昇降駆動源たとえばシリンダ６６とを有している。
【００３９】
より詳細には、相隣接する２本のコロ４２Ｂ，４２Ｂの隙間にコロ４２Ｂと平行に（Ｙ方向に）一定間隔で複数本（好ましくは３本以上）のリフトピン６２を鉛直に立てて一列に配置し、かかるリフトピン列を搬送方向（Ｘ方向）に適当な間隔を置いて複数列（好ましくは６列以上）設け、各ピンベース６４に１組または複数組（図示の例は２組）のリフトピン列を支持させる。そして、シール部材６８を介してチャンバ４０の底壁を気密に貫通する昇降支持軸７０の上端を各ピンベース６４の下面に結合し、チャンバ４０の外（下）で各ピンベース６４の下端を共通の水平支持板７２を介して昇降駆動源６６に接続している。
【００４０】
かかる構成の基板リフト機構６０においては、昇降駆動源６６に一定ストロークの前進（上昇）または後退（下降）駆動を行わせることにより、昇降支持軸７０およびピンベース６４を介して全リフトピン６２をピン先端の高さを揃えて、図３および図７に示すようにピン先端がコロ搬送路３８Ｂよりも低くなる復動（下降）位置と、図４および図６に示すようにピン先端がコロ搬送路３８Ｂよりも高くなる往動（上昇）位置との間で、昇降移動させることができるようになっている。
【００４１】
好適な一実施例として、リフトピン６２は、空冷ガスを通り抜けさせるような温調機構付きタイプもなければ、特殊な極細タイプでもなく、たとえばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる剛体の中空管でピン先部の直径がたとえば２ｍｍ程度の普通の安価なピン構造を有している。このように、リフトピン６２が比較的太くて剛性であるため、基板リフト機構６０が基板Ｇの上げ下げを安定かつスムースに行う上で必要なリフトピン６２の本数は特殊極細タイプのものよりも格段に少なくて済む。もっとも、リフトピン６２に上記温調機構付きタイプあるいは上記特殊極細タイプの支持ピンを使用することも可能である。
【００４２】
チャンバ４０の底壁には１箇所または複数個所に排気口７４が形成されている。これらの排気口７４には排気管７６を介して真空排気装置７８が接続されている。各真空排気装置７８は、チャンバ４０内を大気圧状態から真空引きして所定真空度の減圧状態を維持するための真空ポンプを有している。なお、それら複数の真空排気装置７８の排気能力のばらつきを平均化するために、それぞれの排気管７６同士を接続管（図示せず）で繋いでもよい。
【００４３】
チャンバ４０内で内部コロ搬送路３８Ｂの左右両側には、チャンバ側壁に沿って搬送方向（Ｘ方向）に延びる一対のパージングガス噴出部８０が設けられている。これらのパージングガス噴出部８０は、たとえばスリット状または多孔型のガス噴出口を有する中空管（または金属粉末を焼結してなる多孔質の中空管）からなり、配管８２（図２）を介してパージングガス供給源（図示せず）に接続されている。減圧乾燥処理の終了時にチャンバ４０を密閉したまま減圧状態から大気圧状態に戻す際に、パージング機構が作動して、パージングガス噴出部８０のスリット状（または多孔型）のガス噴出口からパージング用のガス（たとえば窒素ガス、清浄空気等）を噴き出すようになっている。
【００４４】
この実施形態における特徴の１つとして、パージングガス噴出部８０は、内部コロ搬送路３８Ｂよりも高い位置に設けられ（図１）、コロ搬送面よりも高い位置でパージングガスを水平（または上方）に噴き出すようになっている。好ましくは、パージングガス噴出部８０のガス噴出口がコロ搬送路の搬送面よりも１０ｍｍ以上（より好ましくは２０ｍｍ〜３０ｍｍ）高い位置に設けられる。
【００４５】
この減圧乾燥ユニット１２は、上記のように基板Ｇの平流し搬送を行うコロ搬送路３８をチャンバ４０内に引き込み、チャンバ４０内で基板Ｇをリフトピン６２で上げ下げする基板リフト機構６０を備える装置構成において、チャンバ４０内の雰囲気温度の変動を低減させるために、コロ搬送路の近くで基板Ｇの下を覆うように配置される遮蔽板１００を設けている。
【００４６】
この遮蔽板１００は、たとえば樹脂またはアルミ板からなり、基板Ｇよりも一回り大きな面積を有しており（図１、図２）、リフトピン６２を昇降可能に貫通させるための円形の開口１００ａと、内部コロ搬送路３８Ｂのコロ４２Ｂとの干渉を避けるための矩形の開口１００ｂとを有している（図５、図６、図７）。
【００４７】
好適な一実施例として、遮蔽板１００は、たとえばチャンバ４０の底面から垂直上方に延びる多数の支持棒１０２によって一定の高さ位置、つまりコロ４２Ｂのシャフト４３よりは高くてローラ４５の頂面（コロ搬送面）よりは低い位置で、水平に支持される。
【００４８】
次に、この実施形態における減圧乾燥ユニット１２の作用を説明する。
【００４９】
上記したように、上流側隣のレジスト塗布ユニット１０でレジスト液を塗布された基板Ｇは、平流しで浮上ステージ１４上の浮上搬送路から搬入側コロ搬送路３８Ａに乗り移る。その後、図３に示すように、基板Ｇは搬入側コロ搬送路３８Ａ上をコロ搬送で移動し、やがて減圧乾燥ユニット１２のチャンバ４０の中にその搬入口４４から進入する。この時、ゲート機構４８は搬入口４４を開けておく。
【００５０】
内部コロ搬送路３８Ｂも、回転駆動源５４の回転駆動により、搬入側コロ搬送路３８Ａのコロ搬送動作とタイミングの合った同一搬送速度のコロ搬送動作を行い、図３に示すように、搬入口４４から入ってきた基板Ｇをコロ搬送でチャンバ４０の奥に引き込む。この時、基板リフト機構６０は、全てのリフトピン６２を各ピン先端が内部コロ搬送路３８Ｂの搬送面よりも低くなる復動（下降）位置に待機させておく。そして、基板Ｇがチャンバ４０内の略中心の所定位置に着くと、そこで内部コロ搬送路３８Ｂのコロ搬送動作が停止する。これと同時または直前に搬入側コロ搬送路３８Ａのコロ搬送動作も停止してよい。
【００５１】
なお、上記のように前段または上流側隣のレジスト塗布ユニット１０から減圧乾燥処理を受けるべき基板Ｇがチャンバ４０に搬入される時、これと同時（または直前）に、図３に示すように、チャンバ４０内で減圧乾燥処理を受けたばかりの先行基板Ｇが内部コロ搬送３８Ｂおよび搬出側コロ搬送路３８Ｃ上の連続した等速度のコロ搬送で搬出口４６からチャンバ４０の外に出てそのまま後段または下流側隣の処理部へ平流しで送られる。
【００５２】
上記のようにして、レジスト塗布ユニット１０でレジスト液を塗布されてきた基板Ｇが、搬入側コロ搬送路３８Ａおよび内部コロ搬送路３８Ｂ上の連続的なコロ搬送によって減圧乾燥ユニット１２のチャンバ４０に搬入される。この直後に、ゲート機構４８，５０が作動して、それまで開けていた搬入口４４および搬出口４６をそれぞれ閉塞し、チャンバ４０を密閉する。
【００５３】
次いで、基板リフト機構６０が昇降シリンダ６６を往動させて、チャンバ４０内で全てのリフトピン６２のピン先端が内部コロ搬送路３８Ｂの搬送面を越える所定の高さ位置まで全てのピンベース６４を一斉に所定ストロークだけ上昇させる。この基板リフト機構６０の往動（上昇）動作により、図６に示すように、基板Ｇは内部コロ搬送路３８Ｂから水平姿勢のままリフトピン６２のピン先に載り移り、そのまま内部コロ搬送路３８Ｂの上方に持ち上げられる。
【００５４】
こうして、往動位置に上昇したリフトピン６２のピン先に載っている基板Ｇの上面とチャンバ４０の天井５２との間に所望（たとえば４〜１５ｍｍ）のクリアランスＨが形成される（図６）。
【００５５】
一方、チャンバ４０が密閉された直後に真空排気装置７８が作動して、チャンバ４０内の真空排気が開始される。この真空排気により、チャンバ４０内の圧力がそれまでの大気圧（１０１３２５Ｐａ）から真空圧力になり、この減圧状態の雰囲気の下で基板Ｇ上のレジスト液膜から溶剤（シンナー）が蒸発し、この気化熱によってチャンバ４０内の雰囲気温度がそれまでの常温（約２５℃）から急激に下がる。
【００５６】
この真空排気中（特に減圧乾燥開始直後）のチャンバ内雰囲気温度の下降変動幅は、場所によって異なり、相当のばらつきがある。後述するように、真空排気中のチャンバ内雰囲気温度が、従来は約−１５℃まで下がることもあったが（図１２）、この実施形態では最も低くて零℃位までしか下がらないようになっている（図９）。
【００５７】
真空排気中は、チャンバ４０内に残留しているガス（殆どが空気）がチャンバ４０の底部の排気口７４へ向かって流れ、チャンバ４０内の各部で気流が発生する（図６）。この実施形態では、コロ４２Ｂのシャフト４３よりも高い位置に遮蔽板１００が設けられているため、シャフト４３やピンベース６４等の周りで気流が巻き上がっても遮蔽板１００によってその乱気流が遮断され、基板Ｇの下面に当たることはない。
【００５８】
減圧乾燥（真空排気）を開始してから一定時間経過後に、あるいはチャンバ４０内の真空圧力が設定値（たとえば約３０Ｐａ）に到達した時点で、タイマまたは圧力センサ（図示せず）の出力信号に応動して減圧乾燥処理を終了させる。このために、基板リフト機構６０が昇降シリンダ６６を復動させて、全てのリフトピン６２のピン先端が内部コロ搬送路３８Ｂの搬送面よりも低くなる所定の高さ位置まで全てのピンベース６４を一斉に所定ストロークだけ下降させる。この基板リフト機構６０の復動（下降）動作により、基板Ｇは水平姿勢でリフトピン６２のピン先から内部コロ搬送路３８Ｂに載り移る。そして、パージング機構が作動し、パージングガス噴出部８０よりチャンバ４０内にパージングガスを所定の流量で供給する。この実施形態では、パージングガス噴出部８０が、コロ搬送路３８Ｂの搬送面よりも２０〜３０ｍｍ高い位置でパージングガスを略水平に噴き出す。真空排気装置７８の排気動作は、パージングの開始と同時に止めてもよいが、所定時間の経過後に止めてもよい。
【００５９】
パージングガス噴出部８０より略水平に噴出されたパージングガスは、図７に示すように、チャンバ４０の天井５２と基板Ｇとの間の最上部空間ＳＰ1、基板Ｇと遮蔽板１００との間の中間空間ＳＰ2、および遮蔽板１００とチャンバ４０の底面との間の最下部空間ＳＰ3に分かれて送り込まれる。
【００６０】
最上部空間ＳＰ1に送り込まれたパージングガスは、この空間ＳＰ1に速やかに行き渡ってから基板Ｇの前後の隙間を下方に抜けて、チャンバ４０底部の排気口７４に向かって流れる。
【００６１】
中間空間ＳＰ2に送り込まれたパージングガスは、この空間ＳＰ2内に拡散しながら、あちこちの遮蔽板１００の開口１００ａ，１００ｂを通り抜け、あるいは基板Ｇの前後の隙間を下方に抜けて、最下部空間ＳＰ3に流下する。
【００６２】
最下部空間ＳＰ3に送り込まれたパージングガス、および中間空間ＳＰ2から遮蔽板１００の開口１００ａ，１００ｂを通り抜けて最下部空間ＳＰ3に降りてきたパージングガスは、最下部空間ＳＰ3内でコロ４２Ｂのシャフト４３やピンベース６４等の部材に衝突しながらチャンバ４０底部の排気口７４に向かって流れる。
【００６３】
このパージングによって、チャンバ１０６内の圧力は設定値または最低値（約３０Ｐａ）から大気圧に向かって一気に上昇し、それに伴ってチャンバ内雰囲気温度も減圧乾燥処理前の温度（室温）を優に超える温度まで急上昇する。
【００６４】
このパージングによるチャンバ内雰囲気温度の上昇変動幅は、場所によって異なり、相当のばらつきがある。後述するように、パージング中のチャンバ内雰囲気温度が、従来は約５０℃を超えることもあったが（図１２）、この実施形態では最も高くて約３２℃までしか上がらないようになっている（図９）。
【００６５】
こうして、パージングによってチャンバ４０内の圧力が上昇し、やがて大気圧に達すると、圧力センサに応動して、このタイミング（時点Ｔe）でパージングガス噴出部８０がパージングガスの供給を停止する。チャンバ４０内でパージングガスが流れなくなると、チャンバ内雰囲気温度がチャンバ内に充満しているパージングガスの温度（通常室温と略同じ温度）と等しくなるように低下する。
【００６６】
そして、パージングガスの供給を停止してから所定時間の経過後にゲート機構４８，５０が作動して搬入口４４および搬出口４６を開ける。次いで、内部コロ搬送路３８Ｂおよび搬出側コロ搬送路３８Ｃ上でコロ搬送動作が開始され、減圧乾燥処理を受けたばかりの当該基板Ｇは搬出口４６からコロ搬送によって搬出され、そのまま後段の処理部へ平流しで送られる。この処理済基板Ｇの搬出動作と同時に、図３に示すように、レジスト塗布ユニット１０からの後続の基板Ｇが、搬入側コロ搬送路３８Ａおよび内部コロ搬送路３８Ｂ上の連続的なコロ搬送によって搬入口４４からチャンバ４０内に搬入される。
【００６７】
上記したように、この実施形態の減圧乾燥ユニット１２は、コロ搬送路の近くで基板Ｇの下を覆う位置に、好ましくはコロ４２Ｂのシャフト４３よりは高くてローラ４５の頂面（コロ搬送面）よりは低い位置に、遮蔽板１００を水平に設けている。この遮蔽板１００は、チャンバ４０内に基板Ｇが滞在している期間中はもちろん、チャンバ４０内に基板Ｇが存在していない期間中も、コロ搬送路３８Ｂの搬送面より少しだけ低い一定の高さ位置でチャンバ４０内の空間を上下に分離している。ここで、上下に分離された中間空間ＳＰ2と下部空間ＳＰ3は、遮蔽板１００の開口１００ａ，１００ｂおよび遮蔽板１００の周囲の隙間を介して連通している。
【００６８】
さらに、この実施形態の減圧乾燥ユニット１２は、チャンバ４０の側壁付近に配置されるパージングガス噴出部８０のガス噴出口をコロ搬送路３８よりも高い位置（最も好ましくはコロ搬送面よりも２０〜３０ｍｍ高い位置）に設けている。これによって、パージングガス噴出部８０より噴出されたパージングガスは、チャンバ４０の天井５２と基板Ｇとの間の上部空間ＳＰ1、基板Ｇと遮蔽板１００との間の中間空間ＳＰ2、および遮蔽板１００とチャンバ４０の底面との間の下部空間ＳＰ3に分かれて流れるようになっている。
【００６９】
かかる構成によれば、真空排気中およびパージング中にチャンバ４０内を流れる気流が基板Ｇと遮蔽板１００とによって隔離された最上部空間ＳＰ1，中間空間ＳＰ2，最下部空間ＳＰ3の各々で個別に制御され、チャンバ内雰囲気温度の変動が著しく低減される。
【００７０】
本発明者は、この実施形態の減圧乾燥ユニット１２において、図８に示すようにチャンバ４０内の中心部、中間部および周辺部にわたって分布する１３箇所の代表測定点ｃｈ1〜ｃｈ13を選び、同一の条件で下記４通りの構成Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ別に減圧乾燥処理およびパーシングを実験した。この実験の中で、各代表点における減圧乾燥処理およびパーシング中のチャンバ内雰囲気温度と圧力を測定し、１３箇所（ｃｈ1〜ｃｈ13）分の雰囲気温度特性Ｊ1〜Ｊ13の中で最大温度Maxを記録した特性（Ｊi）と最低温度Minを記録した特性（Ｊj）の２つを抽出してプロットしたところ、図９〜図１２に示すような結果が得られた。なお、この実験では、各代表測定点ｃｈ1〜ｃｈ13の測定高さ位置をチャンバ４０の底面から１２０ｍｍの位置に選び、熱電対の温度センサを用いた。
【００７１】
Ａ：［遮蔽板あり、搬送路上パージ］・・・図９
上記実施形態のように、遮蔽板１００を設け、パージングガス噴出部８０のガス噴出口をコロ搬送路３８Ｂよりも高い位置に設ける構成である。
【００７２】
Ｂ：［遮蔽板あり、搬送路下パージ］・・・図１０
上記実施形態と同様に遮蔽板１００を設けるが、パージングガス噴出部８０のガス噴出口をコロ搬送路３８Ｂよりも低い位置（搬送面より約１００ｍｍ低い位置）に設ける構成である。上記実施形態の一変形例（第１変形例）である。
【００７３】
Ｃ：［遮蔽板なし、搬送路上パージ］・・・図１１
上記遮蔽板１００を設けないが、パージングガス噴出部８０のガス噴出口をコロ搬送路３８Ｂよりも高い位置に設ける構成である。これも、上記実施形態の一変形例（第２変形例）である。
【００７４】
Ｄ：［遮蔽板なし、搬送路下パージ］・・・図１２
上記遮蔽板１００を設けず、しかもパージングガス噴出部８０のガス噴出口をコロ搬送路３８Ｂよりも低い位置（搬送面より約１００ｍｍ低い位置）に設ける構成である。これは、従来技術の構成に相当する。
【００７５】
図９に示すように、上記Ａの構成（実施形態）においては、真空排気中のチャンバ内雰囲気温度の最低値は−０．２℃で、パージング中のチャンバ内雰囲気温度の最高値は３２℃であり、最大変動幅は３２．２℃であった。
【００７６】
図１０に示すように、上記Ｂの構成においては、真空排気中のチャンバ内雰囲気温度の最低値は−２．０℃で、パージング中のチャンバ内雰囲気温度の最高値は３９．０℃であり、最大変動幅は４１．０℃であった。
【００７７】
図１１に示すように、上記Ｃの構成においては、真空排気中のチャンバ内雰囲気温度の最低値は−１５．０℃で、パージング中のチャンバ内雰囲気温度の最高値は３６．７℃であり、最大変動幅は５１．７℃であった。
【００７８】
図１２に示すように、上記Ｄの構成においては、真空排気中のチャンバ内雰囲気温度の最低値は−１６．０℃で、パージング中のチャンバ内雰囲気温度の最高値は４９．３℃であり、最大変動幅は６５．３℃であった。
【００７９】
このように、上記Ａ（実施形態）の構成によれば、上記Ｄ（従来技術）の構成に比して、チャンバ内雰囲気温度の最大変動幅を半減することが可能である。上記Ｂ（第１変形例）の構成においても、上記Ｄ（従来技術）の構成に比して、チャンバ内雰囲気温度の最大変動幅を約６０％に低減することができる。また、上記Ｃ（第２変形例）の構成においても、上記Ｄ（従来技術）の構成に比して、チャンバ内雰囲気温度の最大変動幅を約７８％に低減することができる。
【００８０】
本発明者は、上記実験の延長として、上記構成Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ別に、同一条件での減圧乾燥処理／パージングの工程を一定の周期で複数回（９回）繰り返し、各回の減圧乾燥処理を開始する直前のリフトピン６２の温度を測定してプロットしたところ、図１３に示すような特性が得られた。
【００８１】
図示のように、上記Ａ（実施形態）の構成によれば、初回は常温（約２５℃）のリフトピン温度を２回目からは常温よりも僅かだけ高い２６℃〜２７℃の範囲に安定化させることができる。
【００８２】
また、上記Ｂ（第１変形例）の構成においては、リフトピン温度を２回目で２６℃〜２７℃の範囲に止め、３回目以降は２７℃〜２８℃の範囲に安定化させることができる。
【００８３】
また、上記Ｃ（第２変形例）の構成においては、リフトピン温度を２回目から２７℃〜２８℃の範囲に安定化させることができる。
【００８４】
一方、上記Ｄ（従来技術）の構成においては、減圧乾燥処理／パージング工程を繰り返す度毎にリフトピン温度がだんだんと高くなり、安定化するまでしばらく掛かる。もちろん、安定化（飽和）する頃の温度は相当高くなり、３０℃近くになる。
【００８５】
このように、上記実施形態およびその変形例によれば、減圧乾燥処理およびパーシング中のチャンバ内雰囲気温度の変動幅を低減できるので、リフト機構６０の各リフトピン６２が雰囲気温度から受ける熱的影響を少なくし、ひいては基板Ｇがリフトピン６２から受ける熱的影響を少なくし、基板Ｇ上のレジスト塗布膜にピン転写跡が付くのを抑えることができる。これによって、基板Ｇ上のレジスト塗布膜の膜質を向上させることができる。
【００８６】
図１４および図１５に、第２の実施形態における減圧乾燥ユニット１２の構成を示す。この第２の実施形態は、基板リフト機構（６０）を備えてはおらず、代わりに遮蔽板１００の上面に固定の支持ピン１０４を離散的（たとえばマトリクス状に）に多数本取り付けている。遮蔽板昇降機構１０６は、減圧乾燥処理を行う時は支持ピン１０４の先端をコロ搬送路３８Ｂよりも高くして支持ピン１０４による基板Ｇの支持を可能とし（図１５）、基板Ｇの搬入出を行う時は支持ピン１０４のピン先端をコロ搬送路３８Ｂよりも低くしてコロ搬送機構による基板のコロ搬送を可能とするように（図１４）、遮蔽板１００の昇降移動（上げ下げ）を行う。この場合、上記クリアランスＨは、支持ピン１０４の高さ（長さ）によって決まる。遮蔽板１００の復動（下限）高さ位置は、コロ４２Ｂのシャフト４３よりは高くてローラ４５の頂面（コロ搬送面）よりは低い位置に設定される。
【００８７】
遮蔽板昇降機構１０６は、チャンバ４０の外（下）に配置された１台または複数台の昇降駆動源たとえばシリンダ１０８を水平支持板１１０および昇降支持軸１１２を介して遮蔽板１００に接続している。昇降支持軸１１２は、チャンバ４０の底壁をシール部材１１４を介して気密に貫通し、その上端が遮蔽板１００の下面に結合されている。
【００８８】
この第２の実施形態においても、上記実施形態と同様に、減圧乾燥処理およびパーシング中のチャンバ内雰囲気温度の変動幅を低減することが可能であり、遮蔽板１００上の各支持ピン１０４が雰囲気温度から受ける熱的影響を少なくし、ひいては基板Ｇが支持ピン１０４から受ける熱的影響を少なくし、基板Ｇ上のレジスト塗布膜にピン転写跡が付くのを抑えることができる。
【００８９】
上記した実施形態では、遮蔽板１００の固定（または下限）高さ位置をコロ４２Ｂのシャフト４３より高い位置に設定した。しかし、遮蔽板１００の作用効果がある程度減少することになるが、コロ４２Ｂのシャフト４３より少し低い位置に遮蔽板１００の固定（または下限）高さ位置を設定することも可能である。
【００９０】
上記した実施形態における減圧乾燥ユニット１２のチャンバ４０は、搬送方向（Ｘ方向）で向かい合う一対のチャンバ側壁に搬入口４４および搬出口４６をそれぞれ設けて、基板Ｇがチャンバ４０を通り抜けする構成となっていた。しかし、チャンバ４０一側壁に設けた１つの搬入出口で搬入口と搬出口とを兼用させる構成も可能であり、その場合は搬入側コロ搬送路３８Ａと搬出側コロ搬送路３８Ｃとの共用化もはかれる。
【００９１】
本発明における被処理基板はＬＣＤ用のガラス基板に限るものではなく、他のフラットパネルディスプレイ用基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。減圧乾燥処理対象の塗布液もレジスト液に限らず、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の処理液も可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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