(57)【要約】【課題】基板の裏面を荒らすことなく微小な傷を除去することができる基板裏面平坦化方法を提供する。【解決手段】ウエハＷの裏面における傷Ｓの位置や大きさが検出され、位置や大きさが検出された傷Ｓへ選択的に多数のガス分子２８が集合して形成されたガス分子２８のクラスター２９が吹き付けられ、ウエハＷの表面に塗布されたフォトレジスト３０が露光される。【選択図】図３
2011171487.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の裏面へ少なくともガスを含む平坦化物質を吹き付ける平坦化ステップと、
前記基板の表面に塗布された感光性樹脂を露光する露光ステップとを有することを特徴とする基板裏面平坦化方法。
【請求項２】
前記平坦化ステップに先立って前記基板の裏面における傷又は異物の位置を検出する検出ステップをさらに有し、
前記平坦化ステップでは、前記検出ステップにおいて位置が検出された傷又は異物へ選択的に前記平坦化物質を吹き付けることを特徴とする請求項１記載の基板裏面平坦化方法。
【請求項３】
前記平坦化物質は前記ガスに含まれる多数のガス分子が集合して形成されたガス分子のクラスターを含むことを特徴とする請求項1又は２記載の基板裏面平坦化方法。
【請求項４】
前記平坦化ステップにおいて、前記ガス分子のクラスターをイオン化し、該イオン化されたガス分子のクラスターをバイアス電圧で加速し、該加速されたガス分子のクラスターを中性化することを特徴とする請求項３記載の基板裏面平坦化方法。
【請求項５】
前記平坦化物質は固体からなる多数の微粒子を含むエアロゾルであることを特徴とする請求項１又は２記載の基板裏面平坦化方法。
【請求項６】
前記固体はドライアイスであることを特徴とする請求項５記載の基板裏面平坦化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板裏面平坦化方法に関し、特に、露光・現像によって表面に所望のマスクパターンのフォトレジスト膜が形成される基板の基板裏面平坦化方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板としてのウエハの表面にプラズマを利用して所望のパターンの配線溝やビアホールを形成する基板処理システムは、ポジ型のフォトレジストをウエハの表面に塗布するコータと、加熱等によって硬化したフォトレジストの一部を露光する露光機と、ウエハの表面から露光されたフォトレジストを現像液によって除去してフォトレジスト膜を形成するデベロッパと、ウエハの表面にエッチング処理、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）処理を施すエッチング装置と、フォトレジスト膜を除去する洗浄装置とを備える。
【０００３】
露光機では所望のマスクパターンに対して反転したパターンの紫外線光をウエハの表面におけるフォトレジストに照射するが、近年、所望のマスクパターンの微細化に伴い短波長、例えば、波長が数１０ｎｍの紫外線光が露光機で用いられる。波長が短いと許容焦点深度も小さくなり、露光時に許容されるウエハの平面度、傾きも小さくなる。
【０００４】
ところで、ウエハが基板処理システムにおいて搬送される際、浮遊しているパーティクルがウエハの裏面に付着したり、ウエハが他の部材と接触することによってウエハの裏面に傷が生じることがある。例えば、図４（Ａ）や図４（Ｂ）に示すように、ウエハＷの裏面にパーティクルＰが付着し、若しくは傷Ｓが生じていると、露光機において露光のためにウエハを載置台（ステージ）４０に載置した際、パーティクルＰや傷Ｓの位置に対応するウエハＷの表面の一部が盛り上がる（図４（Ｃ）、図４（Ｄ））。盛り上がったウエハＷの表面の一部におけるフォトレジスト膜の一部４１は、紫外線光ＵＬの焦点Ｆからずれてしまうため（図４（Ｅ）、図４（Ｆ））、結果として、所望のマスクパターンのフォトレジスト膜を形成するのが困難になる。
【０００５】
そこで、ウエハの裏面に保護膜を形成することによって裏面において傷が生じるのを防止する技術が本出願人によって開発されている（例えば、特許文献１参照。）。この技術では、ウエハの裏面に傷が生じる可能性のある工程に先立ってウエハの裏面に樹脂等からなる保護膜を形成し、所望のマスクパターンのフォトレジスト膜を形成した後に保護膜を除去する。しかしながら、上記技術では保護膜の除去に時間を要し、また、保護膜が他の部材と接触する際、保護膜の一部が剥がれてパーティクルとなるおそれがある。
【０００６】
これに対応して、近年、ウエハの裏面を保護膜で覆うことなく、ウエハの裏面に傷が生じた場合、フォトレジストの露光前に当該傷を除去する技術が開発されている。このような技術としては、例えば、ウエハの裏面を機械的に研磨する方法やウエハの裏面をプラズマ中の陽イオンによってスパッタする方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２５８３８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、近年の所望のマスクパターンの微細化に伴う許容焦点深度の縮小化により、除去すべき傷の大きさは小さくなり、微小な傷、例えば、大きさが数μｍの傷を除去する必要があるが、上述した機械的研磨では砥石の目の大きさが数１００μｍであるため、大きさが数μｍの傷のみを適切に除去することができない。また、陽イオンによるスパッタではスパッタ力が大きいため、傷だけでなくウエハの裏面も削り、裏面が荒れるという問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、基板の裏面を荒らすことなく微小な傷を除去することができる基板裏面平坦化方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板裏面平坦化方法は、基板の裏面へ少なくともガスを含む平坦化物質を吹き付ける平坦化ステップと、前記基板の表面に塗布された感光性樹脂を露光する露光ステップとを有することを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載の基板裏面平坦化方法は、請求項１記載の基板裏面平坦化方法において、前記平坦化ステップに先立って前記基板の裏面における傷又は異物の位置を検出する検出ステップをさらに有し、前記平坦化ステップでは、前記検出ステップにおいて位置が検出された傷又は異物へ選択的に前記平坦化物質を吹き付けることを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載の基板裏面平坦化方法は、請求項1又は２記載の基板裏面平坦化方法において、前記平坦化物質は前記ガスに含まれる多数のガス分子が集合して形成されたガス分子のクラスターを含むことを特徴とする。
【００１３】
請求項４記載の基板裏面平坦化方法は、請求項３記載の基板裏面平坦化方法において、前記平坦化ステップにおいて、前記ガス分子のクラスターをイオン化し、該イオン化されたガス分子のクラスターをバイアス電圧で加速し、該加速されたガス分子のクラスターを中性化することを特徴とする。
【００１４】
請求項５記載の基板裏面平坦化方法は、請求項１又は２記載の基板裏面平坦化方法において、前記平坦化物質は固体からなる多数の微粒子を含むエアロゾルであることを特徴とする。
【００１５】
請求項６記載の基板裏面平坦化方法は、請求項５記載の基板裏面平坦化方法において、前記固体はドライアイスであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１記載の基板裏面平坦化方法によれば、基板の表面に塗布された感光性樹脂が露光される前に、基板の裏面へ少なくともガスを含む平坦化物質が吹き付けられる。平坦化物質はガスを含むので、当該平坦化物質が有する運動エネルギーはさほど大きくなく、平坦化物質が基板の裏面に衝突した際に該基板の裏面へ付与する物理的衝撃力はさほど大きくない。したがって、基板の裏面を荒らすことなく微小な傷を除去することができる。
【００１７】
請求項２記載の基板裏面平坦化方法によれば、基板の裏面の平坦化に先立って基板の裏面における傷又は異物の位置が検出され、該位置が検出された傷又は異物へ選択的に平坦化物質が吹き付けられる。したがって、基板の裏面の全面に平坦化物質を吹き付ける必要がなく、基板の裏面の平坦化を効率良く行うことができる。
【００１８】
請求項３記載の基板裏面平坦化方法によれば、平坦化物質はガスに含まれる多数のガス分子が集合して形成されたガス分子のクラスターであるので、衝突時に微小な傷へ付与する物理的衝撃力は、１つのガス分子が衝突時に微小な傷へ付与する物理的衝撃力よりも大きい。これにより、微小な傷を効率良く破壊して除去することができる。また、ガス分子のクラスターは基板の裏面へ衝突した際、多数のガス分子へ分解し、各ガス分子は基板の裏面に沿って飛散するので、各ガス分子が基板の裏面へ打ち込まれることが無く、もって、基板の裏面が荒れるのを確実に防止することができる。
【００１９】
請求項４記載の基板裏面平坦化方法によれば、ガス分子のクラスターがイオン化され、該イオン化されたガス分子のクラスターがバイアス電圧で加速されるので、基板の裏面への衝突時に微小な傷へ付与する物理的衝撃力をより大きくすることができ、もって、基板の裏面の平坦化をより効率良く行うことができる。また、加速されたガス分子のクラスターが中性化されるので、基板の裏面への衝突時に基板が帯電するのを防止することができる。
【００２０】
請求項５記載の基板裏面平坦化方法によれば、平坦化物質は固体からなる多数の微粒子を含むエアロゾルであるので、多数の微粒子を微小な傷にも衝突させることができ、もって、微小な傷を効率良く除去することができる。
【００２１】
請求項６記載の基板裏面平坦化方法によれば、固体はドライアイスである。ドライアイスは昇華しやすいので、微小な傷の除去後、固体としてのドライアイスが基板の裏面に異物として残留するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板裏面平坦化方法を含むフォトレジスト膜形成処理を実行する基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１における裏面平坦化装置が備えるガス分子のクラスター吹き付け部の構成を概略的に示す断面図である。
【図３】図１の基板処理システムが実行する、本実施の形態に係る基板裏面平坦化方法を含むフォトレジスト膜形成処理を示す工程図である。
【図４】ウエハの裏面に付着したパーティクルや生じた傷の露光処理への影響を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本実施の形態に係る基板裏面平坦化方法を含むフォトレジスト膜形成処理を実行する基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。
【００２５】
図１において、基板処理システム１０は、コータ／デベロッパ１１と、裏面検査装置１２と、裏面平坦化装置１３と、露光機１４とを備え、コータ／デベロッパ１１、裏面検査装置１２、裏面平坦化装置１３及び露光機１４はこの順で直列配置され、被処理基板としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）が各装置間で搬送される。
【００２６】
コータ／デベロッパ１１は、ウエハの表面にポジ型の感光性樹脂であるフォトレジストを塗布するコータの機能と、塗布後に加熱等によって硬化されたフォトレジストのうち、露光処理が施されたフォトレジストをアルカリ性の洗浄液を用いて除去することによって所望のマスクパターンのフォトレジスト膜を形成するデベロッパの機能とを有する。
【００２７】
裏面検査装置１２は、ウエハの裏面にレーザ光を照射した際、裏面に生じた傷や付着した異物としてのパーティクルから生じる散乱光を受光することにより、ウエハの裏面に生じた傷や付着したパーティクルの位置及び大きさを検出する。
【００２８】
露光機１４は、ウエハが載置される載置台と、該載置台に対向して配置される紫外線照射ランプとを備え、ウエハの表面に塗布されたフォトレジストに紫外線を照射して露光することにより、フォトレジストに露光処理を施す。ここで、フォトレジストには所望のマスクパターンに対して反転したパターンに対応する部分にのみ紫外線が照射されるので、反転したパターンのフォトレジストが変質してアルカリ可溶性になる。
【００２９】
裏面平坦化装置１３は、ＧＣＩＢ（Gas Cluster Ion Beam）を用いて裏面検査装置１２によって位置及び大きさが検出されたウエハの裏面に生じた傷や付着したパーティクルを除去する。ＧＣＩＢとは、真空雰囲気に向けてガスを吹き付けてガス分子のクラスターを形成し、さらに該クラスターをイオン化し、バイアス電圧によってイオン化されたクラスターを加速してウエハに衝突させる方法である。
【００３０】
図２は、図１における裏面平坦化装置が備えるガス分子のクラスター吹き付け部の構成を概略的に示す断面図である。
【００３１】
図２において、ガス分子のクラスター吹き付け部２０は、裏面平坦化装置１３における真空雰囲気中に配され、筒状のガス噴霧ノズル２１と、アパーチャー板２２と、イオナイザー２３と、中性化部２４とを備える。クラスター吹き付け部２０は裏面平坦化装置１３に収容されたウエハＷの裏面に対向するように配され、該クラスター吹き付け部２０では、ウエハＷ側から中性化部２４、イオナイザー２３、アパーチャー板２２及びガス噴霧ノズル２１が順に配され、少なくともイオナイザー２３及び中性化部２４の間の空間にバイアス電圧が印加される。
【００３２】
ガス噴霧ノズル２１は、該ガス噴霧ノズル２１を中心軸方向に沿って貫通する、例えば、直径が０．１ｍｍ〜３．０ｍｍであるガス噴霧穴２５と、ガス噴霧ノズル２１におけるウエハＷ側端部に穿孔されて該端部に向けて漏斗状に直径が大きくなるガス膨張穴２６とを有する。アパーチャー板２２は、ガス噴霧穴２５に正対して開口し、且つ該アパーチャー板２２を厚さ方向に貫通するアパーチャー２７を有する。
【００３３】
ガス噴霧ノズル２１はウエハＷに向けてガス噴霧穴２５から真空雰囲気よりも高圧で、例えば、圧力が０．４ＭＰａ乃至０．９ＭＰａのいずれかでアルゴン（Ａｒ）ガスを主成分とする平坦化ガス（平坦化物質）を噴霧する。
【００３４】
真空雰囲気中に配されたクラスター吹き付け部２０ではガス膨張穴２６内の雰囲気もほぼ真空となるため、ガス噴霧穴２５から噴霧された平坦化ガスの圧力が急激に低下するとともに、該ガス膨張穴２６の直径もガス分子２８の進路に沿って急激に大きくなり、平坦化ガスの体積が急激に大きくなる。すなわち、ガス噴霧穴２５から噴霧された平坦化ガスは急激な断熱膨張を起こして各ガス分子２８が急冷される。当初１つ１つ独立して移動していた各ガス分子２８は急冷されると、運動エネルギーが低下して各ガス分子２８間に作用する分子間力（ファンデルワールス力）によって互いに密着し、これにより、多数のガス分子２８からなるクラスター２９が形成される。
【００３５】
アパーチャー板２２ではアパーチャー２７がガス噴霧穴２５に正対するので、形成された多数のクラスター２９のうち、ガス噴霧穴２５からアパーチャー２７に向けて進行するクラスター２９のみがアパーチャー２７を通過する。その結果、クラスター２９の進行方向が一様に定められる。
【００３６】
アパーチャー２７を通過したクラスター２９はイオナイザー２３へ進入し、該イオナイザー２３はクラスター２９をイオン化する。イオン化されたクラスター２９は、イオナイザー２３及び中性化部２４の間の空間に印加されたバイアス電圧によってウエハＷに向けて一定の速度まで加速される。その後、加速されたクラスター２９は中性化部２４を通過する際に電荷が除去されて中性化される。中性化されたクラスター２９は一定の速度を維持したまま、ウエハＷの裏面に衝突して傷Ｓに物理的衝撃力を与えて物理的に破壊する。特に、クラスター２９は多数のガス分子２８の集合体であるため、クラスター２９の運動エネルギーは１つのガス分子２８の運動エネルギーよりも大きく、クラスター２９が衝突時に傷Ｓへ付与する物理的衝撃力は、１つのガス分子２８が衝突時に傷Ｓへ付与する物理的衝撃力よりも大きい。
【００３７】
これにより、クラスター２９は傷Ｓを効率良く物理的に破壊して除去し、ウエハＷの裏面の平坦化を効率良く行うことができる。
【００３８】
また、クラスター２９はバイアス電圧によって一定の速度まで加速されるので、クラスター２９が衝突時に傷Ｓへ付与する物理的衝撃力をより大きくすることができ、ウエハＷの裏面の平坦化をより効率良く行うことができる。また、イオン化されたクラスター２９が中性化されるので、ウエハＷの裏面への衝突時にウエハＷが帯電するのを防止することができる。
【００３９】
一方、クラスター２９は一般にウエハＷの裏面等に衝突した際、多数のガス分子２８へ分解し、各ガス分子２８は裏面に沿って飛散する。したがって、各ガス分子２８は裏面に打ち込まれることが無いため、ガス分子２８の打ち込みによって裏面が荒れることがない。さらに、裏面に沿って飛散する各ガス分子２８は裏面から突出する傷Ｓにのみ選択的に衝突する。これにより、選択的に傷Ｓのみを除去することができる（ラテラルスパッタ効果）。
【００４０】
裏面平坦化装置１３では、クラスター吹き付け部２０がウエハＷの裏面に対して平行に移動することでき、その移動量はウエハＷの直径よりも大きい。したがって、クラスター吹き付け部２０はウエハＷの裏面全体に向けてクラスター２９を吹き付けることができる。なお、裏面平坦化装置１３においてウエハＷは、その周縁部をクランパー（図示しない）によって保持されることにより、クラスター２９の吹きつけの間、位置が固定される。
【００４１】
図３は、図１の基板処理システムが実行する、本実施の形態に係る基板裏面平坦化方法を含むフォトレジスト膜形成処理を示す工程図である。
【００４２】
まず、コータ／デベロッパ１１においてウエハＷの表面や裏面をウェット洗浄し（図３（Ａ））、ウエハＷの表面にフォトレジスト３０を塗布する（図３（Ｂ））。
【００４３】
次いで、ウエハＷを裏面検査装置１２へ搬入し、ウエハＷの上下を反転させてウエハＷの裏面を上向きにし、該裏面に向けてレーザ光Ｌを照射する。レーザ光Ｌが裏面において生じた傷Ｓに照射された場合、傷Ｓによってレーザ光Ｌは散乱しながら反射して散乱光ＳＬを生じさせる（図３（Ｃ））。裏面検査装置１２は散乱光ＳＬの発生位置や発生時間、強度を計測することによって傷Ｓの位置や大きさを検出する。
【００４４】
次いで、ウエハＷを裏面平坦化装置１３へ搬入し、クラスター吹き付け部２０によって位置や大きさが検出された傷Ｓに向けて選択的にクラスター２９を吹き付け、傷Ｓを除去する（図３（Ｄ））。これにより、ウエハＷの裏面は平坦化される（図３（Ｅ））。
【００４５】
次いで、ウエハＷの上下を反転させて露光機１４へ搬入し、露光機１４の載置台３１に載置する。ここで、ウエハＷの裏面は平坦化されているので、ウエハＷの表面の一部が盛り上がることがない。その後、ウエハＷの表面に塗布されたフォトレジスト３０に向けて所望のマスクパターンに対して反転したパターンに対応する部分にのみ紫外線光ＵＬを照射する（露光処理）。このとき、ウエハＷの表面の一部が盛り上がることがないため、フォトレジスト３０が紫外線光ＵＬの焦点Ｆからずれることがなく（図３（Ｆ））、フォトレジスト３０では、反転したパターンに対応する部分のみが変質してアルカリ可溶性になる。
【００４６】
次いで、露光機１４にて露光処理が施されたウエハＷをコータ／デベロッパ１１へ搬入し、コータ／デベロッパ１１はアルカリ性の洗浄液を用いて、アルカリ可溶性に変質したフォトレジスト３０における反転したパターンに対応する部分を除去する。その結果、ウエハＷの表面において所望のマスクパターンのフォトレジスト膜が形成される。
【００４７】
図３のフォトレジスト膜形成処理によれば、ウエハＷの表面に塗布されたフォトレジスト３０が露光される前に、ウエハＷの裏面へ多数のガス分子２８の集合体であるクラスター２９が吹き付けられる。クラスター２９が有する運動エネルギーはバイアス電圧によって引き込まれるプラズマ中の陽イオンが有する運動エネルギーほど大きくなく、クラスター２９がウエハＷの裏面に衝突した際に該ウエハＷの裏面へ付与する物理的衝撃力はさほど大きくない。したがって、ウエハＷの裏面を荒らすことなく微小な傷Ｓを除去することができる。
【００４８】
また、クラスター２９が衝突時に傷Ｓへ付与する物理的衝撃力は、１つのガス分子２８が衝突時に傷Ｓへ付与する物理的衝撃力よりも大きいので、クラスター２９は傷Ｓを効率良く物理的に破壊して除去し、ウエハＷの裏面の平坦化を効率良く行うことができる。
【００４９】
上述した図３のフォトレジスト膜形成処理では、裏面平坦化装置１３によるウエハＷの裏面の平坦化に先立ってウエハＷの裏面における傷Ｓの位置や大きさが検出され、該位置や大きさが検出された傷Ｓに向けて選択的にクラスター２９が吹き付けられる。したがって、ウエハＷの裏面の全面にクラスター２９を吹き付ける必要がなく、ウエハＷの裏面の平坦化をより効率良く行うことができる。
【００５０】
上述した図３のフォトレジスト膜形成処理では、クラスター２９を用いてウエハＷの裏面における傷Ｓを除去したが、クラスター２９の代わりに多数の微粒子としての微小ドライアイス粒を含むエアロゾルをウエハＷの裏面へ吹き付けてもよい。微小ドライアイス粒の大きさも非常に小さいため、ウエハＷの裏面に生じた大きさが数μｍ程度の微小な傷Ｓにも衝突可能である。したがって、傷Ｓに物理的衝撃力を与えて物理的に破壊することによって傷Ｓを効率良く除去することができる。また、微小ドライアイス粒が有する運動エネルギーはバイアス電圧によって引き込まれるプラズマ中の陽イオンが有する運動エネルギーほど大きくないため、微小ドライアイス粒が衝突してもウエハＷの裏面が削れられて荒れることはない。さらに、ドライアイスは昇華しやすいので、微小な傷の除去後、微小ドライアイス粒がウエハＷの裏面に異物として残留するのを防止することができる。
【００５１】
ところで、クラスター２９はラテラルスパッタ効果を奏するので、長時間に亘ってクラスター２９をウエハＷの裏面に吹き付けても、ガス分子２８がウエハＷの裏面に打ち込まれることはないが、エアロゾルはラテラルスパッタ効果を奏することができないので、長時間に亘ってエアロゾルをウエハＷの裏面に吹き付けると、微小ドライアイス粒がウエハＷの裏面に打ち込まれる可能性がある。したがって、検出された傷Ｓの大きさに基づいて、エアロゾルの吹き付け時間を調整するのが好ましい。
【００５２】
上述した図３のフォトレジスト膜形成処理では、ウエハＷの裏面に生じた微小な傷Ｓが除去されたが、ウエハＷの裏面に付着した異物としてのパーティクルもクラスター２９やエアロゾルを吹き付けることによって除去することができる。
【００５３】
上述した基板処理システム１０では、コータ／デベロッパ１１や露光機１４とは別に裏面平坦化装置１３が設けられたが、コータ／デベロッパ１１や露光機１４がクラスター吹き付け部２０を備え、フォトレジスト３０の露光処理に先立ってウエハＷの基板裏面平坦化を行ってもよい。
【００５４】
また、上述した基板処理システム１０は裏面検査装置１２を備えるが、基板処理システム１０において処理される前に他の装置によってウエハＷの裏面における傷Ｓの位置や大きさを検出してもよい。この場合、検出された傷Ｓの位置や大きさは外部サーバのメモリや基板処理システム１０のコントローラのメモリ等に格納され、裏面平坦化装置１３は該格納された傷Ｓの位置に基づいてウエハＷの裏面にクラスター２９を吹き付けるのが好ましい。
【００５５】
さらに、基板処理システム１０ではアルゴンガスを主成分とする平坦化ガスが用いられたが、平坦化ガスはこれに限られない。例えば、ウエハＷの裏面に二酸化硅素（ＳｉＯ２）膜、窒化硅素（ＳｉＮ）膜又は金属膜が形成されている場合、膜の種類に応じて該膜と化学反応を起こさない平坦化ガスを用いるのが好ましい。
【００５６】
また、上述した実施の形態に係る基板裏面平坦化方法が適用される基板は半導体ウエハに限られず、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等を含むＦＰＤ（Flat Panel Display）等に用いる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であってもよい。
【符号の説明】
【００５７】
Ｆ  焦点
Ｓ  傷
ＵＬ  紫外線光
Ｗ  ウエハ
１０  基板処理システム
１２  裏面検査装置
１３  裏面平坦化装置
２０  クラスター吹き付け部
３０  フォトレジスト  
【図１】
2011171487.tif 000003
【図２】
2011171487.tif 000004
【図３】
2011171487.tif 000005
【図４】
2011171487.tif 000006