(57)【要約】【課題】ダイアフラム自体の加工を施す代わりに、ベース基板に加工を施すことによってダイアフラムの応力の問題を解決したマイクロフォンを提供する。【解決手段】音の伝搬経路となる貫通孔を縦方向に有するベース基板と、その上部に横方向に配置される電極部材と、ベース基板と電極部材の間に或いは電極部材の上方に横方向に配置され、電極部材等を通じて取り込まれた音の音圧によって振動し得る振動膜と、音圧によって振動膜を振動させ得る状態で、ベース基板、電極部材、振動膜を互いに絶縁する絶縁部材を備える。このマイクロフォンはベース基板を利用して形成された複数の固定部によって固定して使用され、複数の固定部はベース基板が横方向に広がる面において振動膜を取り巻く位置に配置され、ベース基板が横方向に広がる面において複数の固定部を含む部材と振動膜との間に縦方向のスリットを設けて部材と振動膜を互いに仕切っている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
音の伝搬経路となる貫通孔を縦方向に有するベース基板と、
前記ベース基板の上部に横方向に配置される電極部材と、
前記ベース基板と前記電極部材の間に、或いは、前記電極部材の上方に、横方向に配置され、前記電極部材又は前記貫通孔を通じて取り込まれた音の音圧によって振動し得る振動膜と、
前記音圧によって前記振動膜を振動させ得る状態で、前記ベース基板、前記電極部材、前記振動膜を互いに絶縁する絶縁部材と、
を備えるマイクロフォンであって、
前記マイクロフォンは、前記ベース基板を利用して形成された複数の固定部によって固定して使用され、
前記複数の固定部は、前記ベース基板が横方向に広がる面において前記振動膜を取り巻く位置に配置され、
前記ベース基板が横方向に広がる面において前記複数の固定部を含む部材と前記振動膜との間に縦方向のスリットを設けて前記部材と前記振動膜を互いに仕切っていることを特徴とするマイクロフォン。
【請求項２】
前記振動膜と前記電極部材の間の静電容量を変化させることによって音を検知する請求項１に記載のマイクロフォン。
【請求項３】
前記複数の固定部は、前記ベース基板が横方向に広がる面において前記振動膜を取り巻く対角位置に配置されている請求項１又は２に記載のマイクロフォン。
【請求項４】
前記スリットは、前記ベース基板が横方向に広がる面において前記ベース基板の外周の縁を前記マイクロフォンの中心に向かって切り欠くことにより前記部材と前記振動膜との間を仕切る請求項１乃至３のいずれかに記載のマイクロフォン。
【請求項５】
前記振動膜を挟んで対角線上に位置する前記部材同士を仕切るために、前記対角線に到達するような、或いは、前記対角線を越えるようなスリットを設けている請求項１乃至４のいずれかに記載のマイクロフォン。
【請求項６】
前記スリットは、前記ベース基板が横方向に広がる面において前記振動膜の外周に沿って前記ベース基板を環状に切り抜くことにより前記部材と前記振動膜との間を仕切る請求項１乃至４のいずれかに記載のマイクロフォン。
【請求項７】
前記スリットは、前記ベース基板が横方向に広がる面において前記ベース基板の外周の縁を前記マイクロフォンの中心に向かって切り欠くことにより前記部材同士を互いに仕切る請求項１乃至６のいずれかに記載のマイクロフォン。
【請求項８】
音の伝搬経路となる貫通孔を縦方向に有するベース基板と、
前記ベース基板の上部に横方向に配置される電極部材と、
前記ベース基板と前記電極部材の間に横方向に配置され、前記電極部材又は前記貫通孔を通じて取り込まれた音の音圧によって振動し得る振動膜と、を備え、
前記振動膜と前記電極部材の間の静電容量を変化させることによって音を検知するマイクロフォンであって、
前記マイクロフォンは、前記ベース基板を利用して形成された固定部によって固定して使用され、
複数の前記固定部は、前記ベース基板が横方向に広がる面において前記振動膜の一の側面にのみ接近した状態で配置されることを特徴とするマイクロフォン。
【請求項９】
前記ベース基板が横方向に広がる面において前記固定部を含む部材と前記振動膜との間に縦方向のスリットを設けて前記部材と前記振動膜を互いに仕切っている請求項８に記載のマイクロフォン。
【請求項１０】
前記ベース基板と前記振動膜はシリコンから成る請求項１乃至９のいずれかに記載のマイクロフォン。
【請求項１１】
前記ベース基板側、又は、前記電極部材側のいずれか一方の側において、前記ベース基板を利用して形成された固定部において固定される請求項１乃至１０のいずれかに記載のマイクロフォン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロフォン、例えば、ＭＥＭＳ技術を用いたマイクロフォンに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスを利用して製造され機械的および電気的な機能を併せ持つＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）に注目が集まっている。ＭＥＭＳ技術を用いて、例えばマイクロフォンの小型化が進められており、携帯電話やビデオカメラ、ボイスレコーダ等の携帯情報機器に搭載されるようになっている。
【０００３】
例えば、静電容量を利用した小型マイクロフォンは、一の電極に取り付けられて音の振動を感知するダイアフラムと、他の電極に取り付けられてダイアフラムと平行に配置される固定電極を含む。これら固定電極とダイアフラムは、コンデンサの平行板を形成し得る。ダイアフラムの音響圧力は、コンデンサの静電容量を変化させるダイアフラムのたわみを引き起こし、この容量の変化が電子回路によって処理され、変化に応じた電気信号を与える。故に、この静電容量の変化によって、音を電気信号として検知できることになる。
【０００４】
このようなタイプの小型マイクロフォンにあっては、固定電極とダイアフラムの間の容量性ギャップは、常に安定していることが望ましい。特に、ダイアフラムが横方向に広がる面方向における変形は、マイクロフォンの感度に異常を生じさせ、ダイアフラムの性能に深刻な影響を与えることになる。
【０００５】
ところで、マイクロフォンの基板への固定は、一般に、固定電極やダイアフラムを支持するベース基板を利用して行うが、例えば、マイクロフォンを基板に半田付けや接着剤等によって固定した結果、マイクロフォンと基板との線膨張係数の違いによって、或いは、固定後の過酷な使用状況や半田や接着剤の硬化時に、ベース基板の固定部に応力が加わり、この結果、ダイアフラムを変形させてしまうことがある。この結果、ダイアフラムの性能に深刻な影響を及ぼすことも少なくない。
【０００６】
この問題を解決するため、特表２００４−５０６３９４号公報では、ダイアフラム自身に平行な平面内で移動可能な加工を施す等してダイアフラムに加わる外力や応力を軽減している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２００４−５０６３９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、ダイアフラムに加工を施すことは、製造プロセスが複雑になり、歩留低下・コスト高の原因ともなり得る。本発明は上記した従来技術における問題を、ダイアフラム自体の加工を施す代わりに、製造プロセスが容易なベース基板に加工を施すことによって、解決するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、音の伝搬経路となる貫通孔を縦方向に有するベース基板と、前記ベース基板の上部に横方向に配置される電極部材と、前記ベース基板と前記電極部材の間に、或いは、前記電極部材の上方に、横方向に配置され、前記電極部材又は前記貫通孔を通じて取り込まれた音の音圧によって振動し得る振動膜と、前記音圧によって前記振動膜を振動させ得る状態で、前記ベース基板、前記電極部材、前記振動膜を互いに絶縁する絶縁部材と、を備えるマイクロフォンであって、前記マイクロフォンは、前記ベース基板を利用して形成された複数の固定部によって固定して使用され、前記複数の固定部は、前記ベース基板が横方向に広がる面において前記振動膜を取り巻く位置に配置され、前記ベース基板が横方向に広がる面において前記複数の固定部を含む部材と前記振動膜との間に縦方向のスリットを設けて前記部材と前記振動膜を互いに仕切っていることを特徴としている。
【００１０】
上記マイクロフォンにおいて、前記振動膜と前記電極部材の間の静電容量を変化させることによって音を検知してもよい。
【００１１】
また、上記マイクロフォンにおいて、前記複数の固定部は、前記ベース基板が横方向に広がる面において前記振動膜を取り巻く対角位置に配置されていてもよい。
【００１２】
更に、上記マイクロフォンにおいて、前記スリットは、前記ベース基板が横方向に広がる面において前記ベース基板の外周の縁を前記マイクロフォンの中心に向かって切り欠くことにより前記部材と前記振動膜との間を仕切ってもよい。
【００１３】
更に、上記マイクロフォンにおいて、前記スリットは、前記ベース基板が横方向に広がる面において前記振動膜の外周に沿って前記ベース基板を環状に切り抜くことにより前記部材と前記振動膜との間を仕切ってもよい。
【００１４】
更にまた、上記マイクロフォンにおいて、前記振動膜を挟んで対角線上に位置する前記部材同士を仕切るために、前記対角線に到達するような、或いは、前記対角線を越えるようなスリットを設けてもよい。
【００１５】
更に、上記マイクロフォンにおいて、前記スリットは、前記ベース基板が横方向に広がる面において前記ベース基板の外周の縁を前記マイクロフォンの中心に向かって切り欠くことにより前記部材同士を互いに仕切ってもよい。
【００１６】
また、本発明は、音の伝搬経路となる貫通孔を縦方向に有するベース基板と、前記ベース基板の上部に横方向に配置される電極部材と、前記ベース基板と前記電極部材の間に横方向に配置され、前記電極部材又は前記貫通孔を通じて取り込まれた音の音圧によって振動し得る振動膜と、を備え、前記振動膜と前記電極部材の間の静電容量を変化させることによって音を検知するマイクロフォンであって、前記マイクロフォンは、前記ベース基板を利用して形成された固定部によって固定して使用され、複数の前記固定部は、前記ベース基板が横方向に広がる面において前記振動膜の一の側面にのみ接近した状態で配置されるマイクロフォンを特徴としている。
【００１７】
上記マイクロフォンにおいて、前記ベース基板が横方向に広がる面において前記固定部を含む部材と前記振動膜との間に縦方向のスリットを設けて前記部材と前記振動膜を仕切ってもよい。
【００１８】
上記マイクロフォンにおいて、前記ベース基板と前記振動膜はシリコンから成ってもよい。
また、上記マイクロフォンにおいて、前記ベース基板側、又は、前記電極部材側のいずれか一方の側において、前記ベース基板を利用して形成された固定部において固定されてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ダイアフラム自体には実質的に変更を加えることなく、これを支持するベース基板にのみ変更を加えて、ダイアフラムの変形、或いは、それに加わる応力を軽減することができるため、装置構造を単純化し、また、製造コストを安価にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第一の実施形態によるマイクロフォンの斜視図である。
【図２】第一の実施形態によるマイクロフォンの平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線破断斜視図である。
【図４】図２のＡ−Ａ線破断横面図である。
【図５】マイクロフォンの固定部の位置を説明する概念図である。
【図６】第二の実施形態によるマイクロフォンの平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ線破断斜視図である。
【図８】図６のＢ−Ｂ線破断横面図である。
【図９】図６のＣ−Ｃ線破断斜視図である。
【図１０】図６のＣ−Ｃ線破断横面図である。
【図１１】第二の実施形態によるマイクロフォンの固定部の位置を説明する概念図である。
【図１２】第三の実施形態によるマイクロフォンの斜視図である。
【図１３】第三の実施形態によるマイクロフォンの平面図である。
【図１４】第三の実施形態によるマイクロフォンの固定部の位置を説明する概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１乃至図５を参照して、本発明の好適な一つの実施形態である、静電容量によって音を検知するタイプのＭＥＭＳマイクロフォン（以下、単に「マイクロフォン」と呼ぶ）１を説明する。尚、以下の説明からも明らかなように、本発明は、ＭＥＭＳマイクロフォンに限定されるものではなく、例えば、ダイアフラムのような音を検知するデリケートな部材を有するマイクロフォン全般に適用することもでき、通常の方法で製造されるエレクトレット素子を用いたマイクロフォン、更には、他のピエゾ素子や磁気素子を用いたマイクロフォンに適用することもできる。故に、以下に挙げる実施形態は、本発明をＭＥＭＳ技術を利用したマイクロフォンや静電容量型のマイクロフォンに限定することを何ら意図するものではない。
図１は、第一の実施形態によるマイクロフォン１の斜視図、図２は、その平面図、図３は、図２のＡ−Ａ線破断斜視図、図４は、図２のＡ−Ａ線破断横面図、図５は、マイクロフォン１の固定部の位置を説明する概念図である。
【００２２】
本発明のマイクロフォン１は積層構造を有する。最下層はベース基板１０であり、その上部に、例えば、ダイアフラム３０のような振動膜が横方向（図示矢印「ア」又は「イ」方向）に、更にその上部に、例えば、固定電極５０のような電極部材が横方向に、配置される。ベース基板１０とダイアフラム３０の間は、例えば、絶縁膜２０によって絶縁され、同様に、ダイアフラム３０と固定電極５０の間は、例えば、絶縁材から成るスペーサー４０によって絶縁される。ベース基板１０、絶縁膜２０、ダイアフラム３０、スペーサー４０、固定電極５０は、これらの順に互いに平行に配置される。但し、本配置では、ダイアフラム３０と固定電極５０が互いに対向する位置に配置されていれば十分であり、例えば、ベース基板１０、絶縁膜２０、固定電極５０、スペーサー４０、ダイアフラム３０の順に配置してもよい。
【００２３】
ベース基板１０はシリコンから成り、全体として略直方形状である。ベース基板１０の中心には、音の伝搬経路となる貫通孔１３が、縦方向（図示矢印「ウ」方向）に設けてられている。検知すべき音は、この貫通孔１３か、或いは、固定電極５０に設けた開口部５２を通じて、マイクロフォン１の内部に取り込まれる。なお、ここで言うシリコンとは、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、二酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイトなどを含む。
【００２４】
ダイアフラム３０はシリコンから成り、主として、円部分３２と、この円部分３２から延びる２つの略正方形の継ぎ手６３、６３’と、更に、継ぎ手６３、６３’と連続した略正方形の電極パッド６４、６４’を含む。円部分３２は、貫通孔１３の全体を実質的に塞ぐ状態とされており、貫通孔１３を通じて取り込まれた音の音圧によって振動し得る振動膜として使用され得る。継ぎ手６３、６３’及び電極パッド６４、６４’は、ベース基板１０が横方向に広がる面（図示矢印「ア」及び「イ」によって形成される面」）において、円部分３２を中心に、左右対称に１つずつ、計２つ配置される。一方の継ぎ手６３、６４は外部に露出され、もう一方の継ぎ手６３’、６４’は、他の層と積層される。尚、ダイアフラム３０の形状は特に限定されるものではなく、例えば、従来技術で行われているように、円部分３２に様々な形状のスリットを設けることもできる。円部分３２は、外部に露出された継ぎ手６３を介して電極パッド６４に接続され、更に、外部に露出された電極パッド６４にはリード（図示されていない）がワイヤボンディングや直接基板に実装される。この結果、円部分３２は、一の電極板として形成され得る。
【００２５】
固定電極５０は、シリコンや、金、銅、クロム、タングステン、アルミニウム等の金属から成り、ダイアフラム３０と略同様の大きさ及び形状を有する。固定電極５０は、円部分５４と、この円部分５４から延びる略正方形の継ぎ手６１、更に、継ぎ手６１と連続した略正方形の電極パッド６２を含む。但し、継ぎ手６１と電極パッド６２は、ベース基板１０が横方向に広がる面（図示矢印「ア」及び「イ」によって形成される面」）において、円部分５４を中心に、片側にのみ配置される。従って、固定電極５０は、ダイアフラム３０の、円部分３２と、一方の継ぎ手６３’及び電極パッド６４’とのみ、縦方向において重なり合う。別言すれば、ダイアフラム３０の他方の継ぎ手６３及び電極パッド６４と重なり合う部分は有しない。固定電極の円部分５４は、ダイアフラムの円部分３２と同様に、継ぎ手６１を介して電極パッド６２に接続されている。このため、電極パッド６２にワイヤボンディングされたリード（図示されていない）を利用して、固定電極の円部分５４は、一の電極板を形成し得る。結果として、固定電極５０とダイアフラム３０は互いに静電容量結合される。貫通孔１３や固定電極５０の開口部５２を通じて取り込まれた音の音圧によって、ダイアフラム３０が振動すると、この振動によってダイアフラム３０と固定電極５０の間の静電容量が変化し得る。この変化は固定電極５０に接続させた回路（図示されていない）によって電気信号に変換され、これにより、音を電気信号として検知することができる。
【００２６】
絶縁膜２０は、音圧によってダイアフラム３０を振動させ得る状態、例えば、貫通孔１３を開放した状態で、ベース基板１０とダイアフラム３０の間に横方向に配置される。絶縁膜２０の中央部には貫通孔１３を開放する穴が設けられているため、絶縁膜２０は全体としてドーナツ形状であり、その径の大きさは、ダイアフラム３０と略同様である。また、スペーサー４０は、音圧によってダイアフラム３０を振動させ得る状態、例えば、ダイアフラム３０と固定電極５０の間にギャップを設けた状態で、ダイアフラム３０と固定電極５０の間に横方向に配置される。その大きさ及び形状は、絶縁膜２０と同様である。以上より明らかなように、絶縁膜２０、ダイアフラム３０、スペーサー４０、固定電極５０は、少なくともそれらの円部分３２等においては、縦方向に積層される。これに対し、ベース基板１０は、基板（図示されていない）に固定等するため、ベース基板１０が横方向に広がる面（図示矢印「ア」及び「イ」によって形成される面」）において、他の層（絶縁膜２０、ダイアフラム３０等）よりも広い面積を有し、これら全ての層を支持する大きさ及び形状とされている。
【００２７】
基板（図示されていない）に対するマイクロフォン１の固定は、固定電極５０側の固定部７０を使用することもできるし、或いは、ベース基板１０側の固定部７０’を使用することもできる。いずれを使用するかは、ユーザが自由に選択できる。例えば、ベース基板１０側で固定する場合、ベース基板１０は、ベース基板１０の高さ位置において基板に半田付け等される。この場合、検知すべき音は、主に、固定電極５０の開口部５２を通じて取り込まれる。一方、固定電極５０側で固定する場合、ベース基板１０は、固定電極５０の高さ位置において基板に半田付け等される。この場合、検知すべき音は、主に、ベース基板１０の貫通孔１３を通じて取り込まれる。
【００２８】
図１乃至図５に示した第一の実施形態は、固定部７０（７０’）を周囲４点止めタイプとした一例である。図５の概念図によく示されているように、マイクロフォン１の固定部７０（７０’）は、ベース基板１０が横方向に広がる面においてダイアフラム３０を取り巻く位置、例えば、図示のように、ダイアフラム３０を中心とする対角位置に、複数配置されている。これらの固定部７０（７０’）は、少なくとも、ベース基板１０を利用して形成される。
【００２９】
ベース基板１０が横方向に広がる面において、固定部７０（７０’）を含む部材１４Ａ乃至Ｄのそれぞれとダイアフラム３０との間に、縦方向（図示矢印「ウ」方向）のスリット１１、１２が設けられている点に注意していただきたい。
スリット１１は、ベース基板１０が横方向に広がる面において、ベース基板１０の外周の縁をマイクロフォン１の中心に向かって切り欠いている。これにより、例えば、部材１４Ｂと部材１４Ｃの間に延びる周縁６６や、部材１４Ａと部材１４Ｄの間に延びる周縁６７付近に達するような位置にダイアフラム３０が存在していたとしても、周縁６６、６７からダイアフラム３０にまで到達するようなスリット１１を設けるようにして、固定部７０（７０’）を含む部材１４Ａ乃至Ｄのそれぞれとダイアフラム３０との間をより完全に仕切ることができる。更に、ダイアフラム３０を挟んで対角線８０（図１、図２参照）上に位置する部材１４Ａと部材１４Ｃの間、或いは、ダイアフラム３０を挟んで対角線８１（図１、図２参照）上に位置する部材１４Ｂと部材１４Ｄの間をより完全に仕切るため、対角線８０、８１に達するような、或いは、対角線８０、８１を越えるような、スリット１１を設けるとなおよい。一方、スリット１２は、同様の方法で、固定部７０（７０’）を含む部材１４Ａ乃至Ｄ同士、例えば、部材１４Ａと部材１４Ｂの間、或いは、部材１４Ｃと部材１４Ｄの間を互いに仕切るものである。
【００３０】
スリット１１、１２を設けたことにより、固定部７０（７０’）を含む部材１４Ａ乃至Ｄとダイアフラム３０、特にその円部分３２（円部分３２は、固定電極５０の円部分５４と同様の大きさ及び形状である）との間、或いは、固定部７０（７０’）を含む部材１４Ａ乃至Ｄ同士を互いに仕切って、ダイアフラム３０に直接加わる力を防止することができる。言い換えれば、基板（図示されていない）に固定されるベース基板１０を、ダイアフラム３０から分離することにより、基板側からベース基板１０に加わる応力（振動）を、ダイアフラム３０には伝達させない構造として、ダイアフラム３０の変形、或いは、それに加わる応力を軽減することとしたものである。この場合、ダイアフラム３０自体の構造に実質的な変更を加える必要はない。このように、ダイアフラム３０ではなく、ベース基板１０側に、応力の回避構造を設けることにより、より単純な構造で、ダイアフラム３０に加わる応力を効果的に取り除くことができ、接続信頼性を向上させることができる。
【００３１】
図６乃至図１１を参照して、本発明の第二の実施形態によるマイクロフォン１Ａの構造を説明する。図６は、この第二の実施形態によるマイクロフォン１Ａの平面図、図７は、図６のＢ−Ｂ線破断斜視図、図８は、図６のＢ−Ｂ線破断横面図、図９は、図６のＣ−Ｃ線破断斜視図、図１０は、図６のＣ−Ｃ線破断横面図、図１１は、マイクロフォン１Ａの固定部の位置を説明する概念図である。尚、第一の実施形態と同様の部材には、同様の参照番号を付している。
【００３２】
第二の実施形態は、スリットを円周くり抜きタイプとした一例である。ダイアフラム３０の外周は、スリット７２を設けたことによってベース基板１０に対して一点止めされている。スリット７２は、ベース基板１０が横方向に広がる面において、ダイアフラム３０の外周に沿ってベース基板１０を環状に切り抜くことによって形成される。このようなスリット７２を設けることにより、固定部７０（７０’）を含む部材１４Ａ乃至１４Ｄとダイアフラム３０との間を仕切ることができるようになっている。ベース基板１０とダイアフラム３０を一点支持構造とすることで、第二の実形形態では、例えば、固定部７０（７０’）に横方向の応力が加わっても、この応力はダイアフラム３０には伝達されない。尚、図１１では、図６乃至図１０と異なり、環状スリット７２に加えて、第一の実施形態のスリット１１に対応するスリット（「１１」で示している）も示されている。このように、第一の実施形態のスリット１１に対応するスリット、更には、特に図示していいないが第一の実施形態のスリット１２に対応するスリットをも追加することができる。但し、これらの対応スリットは、必ずしも必要なものではない。
【００３３】
図１２乃至図１４を参照して、本発明の第三の実施形態によるマイクロフォン１Ｂの構造を説明する。図１２は、この第三の実施形態によるマイクロフォン１Ｂの斜視図、図１３は、その平面図、図１４は、マイクロフォン１Ｂの固定部の位置を説明する概念図である。尚、第一及び第二の実施形態と同様の部材には、同様の参照番号を付している。
【００３４】
第三の実施形態は、固定部７０（７０’）、７４（７４’）を片側止めタイプとした一例である。ここでは、ベース基板１０の片側のみが固定され、反対側はフリーとされている。また、固定を確実にするため、固定部７０（７０’）に加えて、更にその外側に固定部７４（７４’）を補助的に設けている。マイクロフォン１Ｂは、ベース基板１０が横方向に広がる面において、ダイアフラム３０の一の側面にのみ接近した状態で配置されており、このような配置とすることにより、片側に固定部を集中させ、基板からの応力を逃すことができるようになっている。尚、図１２、図１３と異なり、図１４に、スリット１２に対応するスリットは示されていない。第二の実施形態等と同様に、スリット１１、１２を設けるか否かは自由である。第三の実施形態では、スリット１１、１２を必ずしも必要なものではなく、片側に固定部を集中させることで、基板からの応力を逃すことができるようになっている。
【００３５】
最後に、本発明によるマイクロフォン１、１Ａ、１Ｂの製造方法について簡単に説明する。これらのマイクロフォン１、１Ａ、１Ｂの製造には、従来よりよく知られているシリコン・絶縁板・シリコンから成る三層構造のＳＯＩ基板を用いることができる。ＳＯＩ基板を用いることにより、例えば、ＳＯＩ基板の最下層のシリコンはベース基板１０として、中間層の絶縁板は絶縁膜２０として、最上層のシリコンはダイアフラム３０として、そのまま利用することができる。先ず、ＳＯＩ基板をダイアフラムの形状にパターンニングした後、その上に、スペーサー４０として使用する絶縁層と固定電極５０として使用する電極層をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって積層する。積層後、ベース基板１０側から、ベース基板１０と絶縁膜２０をエッチングして貫通孔１３を形成する。また、固定電極５０側から、固定電極５０に設けた開口部５２を通じてスペーサー４０をエッチングして、ダイアフラム３０と固定電極５０の間に容量性のギャップを形成する。これらのエッチング処理の際、縦方向のスリット１１、１２、７２を同時に形成することにより、本発明のマイクロフォンを製造できる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、ダイアフラムのような音を検知するデリケートな部材を有するマイクロフォン全般に幅広く利用することができる。
【符号の説明】
【００３７】
１  マイクロフォン
１０  ベース基板
１１、１２  スリット
１３  貫通孔
１４  部材
２０  絶縁膜
３０  ダイアフラム
３２  円部分
４０  スペーサー
５０  固定電極
６１  継ぎ手
６２  パッド
６３  継ぎ手
６４  パッド
７０  固定部
７２  スリット
７４  固定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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