(57)【要約】【課題】十分な磁界強度を維持しながらサイドフリンジ磁界を減少させることが可能な垂直磁気記録ヘッドを提供する。【解決手段】ＰＭＲヘッド３０は、基体３１の上に、誘電体層４９によって周囲が取り囲まれた主記録磁極３５の狭幅部分３５１と、誘電体層４９を介して狭幅部分３５１をトラック幅方向（Ｘ軸方向）に挟んで対応する一対のサイドシールド３７と、狭幅部分３５１の上方に配置され、一対のサイドシールド３７の上面同士を繋ぐトレーリングシールド３８とを備える。狭幅部分３５１の上面３５ｂの延長線上における狭幅部分３５１とサイドシールド３７の内壁３７ｓとの第１のサイドギャップ間隔ａは、狭幅部分３５１の下面３５ａの延長線上における狭幅部分３５１とサイドシールド３７の内壁３７ｓとの第２のサイドギャップ間隔ｂよりも狭くなっている。これにより、サイドフリンジ磁界が減少し、オーバーライト性能が向上する。【選択図】図１
2011096357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シングルライト方式に適した再生／記録ヘッド構造であって、
基体上に設けられた再生ヘッドと、記録ヘッドとを備え、
（ａ）前記再生ヘッドは、
（１）前記基体の上に形成された下面と、前記基体に対して垂直な第１および第２の側面と、前記第１の側面と接する第１の端部が前記第２の側面と接する第２の端部よりも前記基体から遠い位置となるように前記下面に対応して傾斜した中央部分を含む上面とを有する第１のシールドと、
（２）前記基体の表面と平行な上面と、前記第１のシールドの第１の側面に沿った第１の側面と、前記第１のシールドの第２の側面に沿った第２の側面と、前記ギャップ層の上面と接すると共に実質的に前記第１のシールドの中央部分と平行をなすように傾斜した中央部分を含む下面とを有する第２のシールドと、
（３）前記第１のシールドと前記第２のシールドとを分離するギャップ層と、
（４）ＡＢＳに露出するようにギャップ層に埋設され、前記第１のシールドの中央部分と前記第２のシールドの中央部分との間に位置し、前記第１のシールドの中央部分および第２のシールドの中央部分に対応して傾斜した平坦な上面および下面を有する再生素子と
を備え、
（ｂ）前記記録ヘッドは、
（１）ＡＢＳに沿って形成され、前記基体に対して平行なリーディングエッジおよびトレーリングエッジと、前記トレーリングエッジと交差する一対の側面とを有するライトポールと、
（２）前記基体と実質的に平行な面に沿って形成されたライトギャップと、
（３）前記ライトポールの一対の側面に沿って形成され、サイドギャップによって前記ライトポールと分離され、前記第１のシールドの第１の側面に沿った第１の側面と、前記第１のシールドの第２の側面に沿った第２の側面とを有するサイドシールドと、
（４）前記サイドシールドと連結されると共に前記ライトギャップによって前記トレーリングエッジと離間するように設けられたトレーリングシールドと
を備えた
再生／記録ヘッド構造。
【請求項２】
前記再生ヘッドは、前記基体に対して０°以上２５°以下の角度をなすように形成されている
請求項１記載の再生／記録ヘッド構造。
【請求項３】
前記第１のシールドの上面の中央部分および前記第２のシールドの下面の中央部分は、ＡＢＳに沿って０．５μｍ以上４．０μｍ以下の幅を有する
請求項１記載の再生／記録ヘッド構造。
【請求項４】
前記第１および第２のシールドにおける第１の側面は、ＡＢＳにおけるダウントラック方向に対して前記再生ヘッドの左側を意味し、
前記Ｓ１およびＳ２シールドにおける第２の側面は、ＡＢＳにおけるダウントラック方向に対して前記再生ヘッドの右側を意味し、
前記サイドシールドの第２の側面に接する前記トレーリングエッジの角部は、シングルライト方式の書込を行う書込部分である
請求項１記載の再生／記録ヘッド構造。
【請求項５】
シングルライト方式に適した再生／記録ヘッド構造の製造方法であって、
（ａ）第１のシールドが上面に設けられた基体を用意することと、
（ｂ）浅い角度のイオンビームエッチング（ＩＢＥ）を行うことで前記上面の一部に傾斜した中央部分を形成することと、
（ｃ）前記第１のシールドの上面にギャップ層を形成すると共に、前記ギャップ層の内部に前記第１のシールドの中央部分の傾斜に沿って再生素子を埋設することと、
（ｄ）前記ギャップ層の上面と接すると共に前記第１のシールドの中央部分と平行をなすように傾斜した中央部分を含む下面を有する第２のシールドを形成し、前記再生素子を前記第１のシールドの中央部分と前記第２のシールドの中央部分との間に挟むことと、
（ｅ）前記第２のシールドの上面に絶縁層を形成することと、
（ｆ）前記絶縁層の上に、トレーリングエッジを有するライトポールと、前記基体と平行に延在するライトギャップと、トレーリングシールドおよびサイドシールドを少なくとも含むシールド構造とを備えた記録ヘッドを形成することと
を含み、
前記サイドシールドを、
前記第１のシールドおよび第２のシールドの第１の側面に沿った第１の側面と、前記第１のシールドおよび第２のシールドの第２の側面に沿った第２の側面とを有するように形成する
再生／記録ヘッド構造の製造方法。
【請求項６】
前記再生素子を、前記基体に対して０°以上２５°以下の角度をなすように形成する
請求項５記載の再生／記録ヘッド構造の製造方法。
【請求項７】
前記第１のシールドの上面の中央部分および前記第２のシールドの下面の中央部分を、ＡＢＳに沿って０．５μｍ以上４．０μｍ以下の幅とする
請求項５記載の再生／記録ヘッド構造の製造方法。
【請求項８】
前記第１および第２のシールドにおける第１の側面と隣り合う前記再生素子の第１の端縁を、前記第１および第２のシールドにおける第２の側面と隣り合う前記再生素子の第２の端縁よりも前記基体から遠くに位置するようにし、
前記ライトポールのトレーリングエッジを、前記サイドシールドの第１の側面よりも前記サイドシールドの第２の側面に近接した記録処理用のコーナーを有するように形成する
請求項５記載の再生／記録ヘッド構造の製造方法。
【請求項９】
（ａ）ＡＢＳに露出し、基体と平行をなすリーディングエッジと、前記基体に垂直な第１の平面に対して角度βをなす２つの側面と、２つのコーナーにおいて前記２つの側面と交差し、ＡＢＳにおいて前記リーディングエッジよりも大きな幅を有するトレーリングエッジとを含むライトポールと、
（ｂ）第１のライトポールサイドと隣接する第１のサイドギャップ、第２のライトポールサイドと隣接する第２のサイドギャップおよび前記トレーリングエッジと隣接するライトギャップと、
（ｃ）前記ライトギャップによって前記トレーリングエッジと分離されたトレーリングシールドと、前記第１のサイドギャップを挟んで前記第１のライトポールサイドと隣接すると共に前記トレーリングシールドと連結された右側サイドシールドと、前記第２のサイドギャップを挟んで前記第２のライトポールサイドと隣接すると共に前記トレーリングシールドと連結された左側サイドシールドとを有するシールド構造と
を備え、
前記トレーリングエッジは、前記リーディングエッジと平行な第２の平面に対して前記２つのコーナーの各々において角度αをなし、前記２つのコーナーと前記２つのコーナーよりも前記リーディングエッジの近くに位置する中央点とを結び、かつ前記リーディングエッジへ近づくように延在している
シングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項１０】
前記２つのコーナーのうちの一方が磁気ディスクの外周側部分から内周側部分へ向かう際に書込処理を行う部分として機能し、他方が磁気ディスクの内周側部分から外周側部分へ向かう際に書込処理を行う部分として機能する
請求項９記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項１１】
前記角度αは、５°以上４５°以下である請求項９記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項１２】
前記角度αは、１０°以上３０°以下である請求項９記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項１３】
前記角度βは、５°以上４５°以下である請求項９記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項１４】
前記角度βは、１０°以上３０°以下である請求項９記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項１５】
前記ライトギャップおよびトレーリングシールドは、前記トレーリングエッジとコンフォーマルな形状を有しており、
前記第１のサイドシールドおよび第１のギャップ層は、前記第１のライトポールサイドとコンフォーマルな形状を有しており、
前記第２のサイドシールドおよび第２のギャップ層は、前記第２のライトポールサイドとコンフォーマルな形状を有している
請求項９記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項１６】
リーディングギャップにより前記リーディングエッジから分離され、前記右側サイドシールドおよび左側サイドシールドと磁気的に結合されたリーディングシールドをさらに備えた
請求項９記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項１７】
前記ライトポールは、ゼロネックハイトを有し、ＡＢＳにおいて前記トレーリングエッジおよびリーディングエッジは傾斜した部分を含み、前記２つの側面は互いに傾斜している
請求項９記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項１８】
（ａ）ＡＢＳに露出し、基体と平行をなすリーディングエッジと、前記基体に対して垂直な第１の平面に対して角度β'をなす第１の側面と、前記第１の側面よりも長さの短い第２の側面と、書込処理用コーナーにおいて前記第１の側面と交差すると共に他のコーナーにおいて前記第２の側面と交差する直線状のトレーリングエッジとを含む非対称ライトポールと、
（ｂ）前記第１のライトポールサイドと隣接する第１のサイドギャップおよび前記トレーリングエッジと隣接するライトギャップと、
（ｃ）前記ライトギャップによって前記トレーリングエッジと分離されたトレーリングシールドと、第１のサイドギャップを挟んで前記第１のライトポールサイドと隣接すると共に前記トレーリングシールドと連結された第１のサイドシールドとを含むシールド構造と
を備え、
前記トレーリングエッジは、ＡＢＳにおいて前記リーディングエッジよりも大きな幅を有し、前記書込処理用コーナーにおいて前記リーディングエッジに対して平行な第２の平面に対して角度α'を形成し、
前記書込処理用コーナーは、前記他のコーナーよりも前記リーディングエッジから遠い位置にある
シングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項１９】
前記第１の側面は、ダウントラック方向に対して前記ライトポールの右側に位置し、前記書込処理用コーナーが右側から左側へ向かうように移動して記録処理を行う部分として機能し、
または前記第１の側面は、ダウントラック方向に対して前記ライトポールの左側に位置し、前記書込処理用コーナーが左側から右側へ向かうように移動して記録処理を行う部分として機能する
請求項１８記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項２０】
前記角度α'は、５°以上４５°以下である請求項１８記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項２１】
前記角度α'は、１０°以上３０°以下である請求項１８記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項２２】
前記角度β'は、５°以上４５°以下である請求項１８記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項２３】
前記角度β'は、１０°以上３０°以下である請求項１８記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項２４】
前記ライトギャップおよびトレーリングシールドは、前記トレーリングエッジとコンフォーマルな形状を有しており、
前記第１のサイドシールドおよび第１のサイドギャップは、前記第１のサイドとコンフォーマルな形状を有している
請求項１８記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項２５】
第２のギャップ層によって前記第２の側面から分離され、かつ前記第２の側面とコンフォーマルな形状を有する第２のサイドシールドをさらに備えた
請求項１８記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項２６】
リーディングギャップにより前記リーディングエッジから分離され、前記第１および第２のサイドシールドと磁気的に結合されたリーディングシールドをさらに備えた
請求項２５記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項２７】
前記ライトポールは、ゼロネックハイトを有し、ＡＢＳにおいて前記トレーリングエッジおよびリーディングエッジは傾斜した部分を含み、前記第１および第２の側面は互いに傾斜している
請求項１８記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド。
【請求項２８】
（ａ）基体上に非磁性層に埋設され、前記基体と接するリーディングエッジと、前記基体と平行をなすと共に前記リーディングエッジよりも大きな幅を有するトレーリングエッジと、前記リーディングエッジと前記トレーリングエッジとを連結する互いに長さの等しい第１および第２の側面とを含み、前記第１の側面が第１のコーナーにおいて前記トレーリングエッジと交差すると共に前記第２の側面が第２のコーナーにおいて前記トレーリングエッジと交差し、前記第１および第２の側面は前記基体と直交する平面に対してそれぞれ角度βをなすライトポールを形成することと、
（ｂ）イオンビームエッチング（ＩＢＥ）プロセスにより、前記リーディングエッジから最も遠くに位置する前記第１および第２のコーナーと、前記第１および第２のコーナーに挟まれると共に前記リーディングエッジから最も近くに位置する中点とを結び、前記第１のコーナーと前記第２のコーナーとを結ぶ平面に対して角度αをなし、かつ前記基体およびリーディングエッジへ近づくように延在するトレーリングエッジを形成することと
を含むシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドの製造方法。
【請求項２９】
前記角度αを、５°以上４５°以下とする請求項２８記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドの製造方法。
【請求項３０】
前記角度βを、５°以上４５°以下とする請求項２８記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドの製造方法。
【請求項３１】
前記ライトポールを非磁性誘電体層に埋設し、前記ＩＢＥ処理をおこなったのち、前記非磁性誘電体層を除去し、
コンフォーマルな形状のサイドギャップを、ライトポールの両側面に沿って形成し、
コンフォーマルな形状のライトギャップを、前記トレーリングエッジの上に形成し、
シールド構造を、前記サイドギャップおよびライトギャップと隣接してそれぞれ設けられたサイドシールドおよびトレーリングシールドとを含むように形成する
請求項２８記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドの製造方法。
【請求項３２】
前記非磁性層を、前記ライトポールの両側面に設けられた一対のサイドギャップとし、
前記一対のサイドギャップをそれぞれ挟んで前記ライトポールの側面と対向するサイドシールドを形成する
請求項２８記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドの製造方法。
【請求項３３】
前記ＩＢＥプロセスは、非磁性層の特定部分を保護するフォトレジストマスクを用いて行われ、静止角度で、またはウェハを回転させることにより弧を描く動きのなかで前記トレーリングエッジに向かうイオンを用いる
請求項２８記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドの製造方法。
【請求項３４】
（ａ）基体上に非磁性層に埋設され、前記基体と接するリーディングエッジと、前記基体と平行をなすと共に前記リーディングエッジよりも大きな幅を有するトレーリングエッジと、前記リーディングエッジと前記トレーリングエッジとを連結する互いに長さの等しい第１および第２の側面とを含み、前記第１の側面が第１のコーナーにおいて前記トレーリングエッジと交差すると共に前記第２の側面が第２のコーナーにおいて前記トレーリングエッジと交差し、前記第１および第２の側面は前記基体と直交する平面に対してそれぞれ角度βをなすライトポールを形成することと、
（ｂ）前記第１の側面と隣接する前記非磁性層の一部分にフォトレジストマスクを形成することと、
（ｃ）イオンビームエッチング（ＩＢＥ）プロセスにより、前記第１の側面との交差点において書込コーナーを形成し、前記基体に平行な平面に対して角度α'をなすと共に前記書込コーナーを起点として前記リーディングエッジに近づくように傾斜した直線状のトレーリングエッジを形成することと
を含むシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドの製造方法。
【請求項３５】
前記角度α'を、５°以上４５°以下とする請求項３４記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドの製造方法。
【請求項３６】
前記角度βを、５°以上４５°以下とする請求項３４記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドの製造方法。
【請求項３７】
前記ライトポールを非磁性誘電体層に埋設し、前記ＩＢＥ処理をおこなったのち、前記非磁性誘電体層を除去し、
前記ライトポールの側面のうちの少なくとも一方に沿ってコンフォーマルな形状のサイドギャップを形成し、
傾斜した前記トレーリングエッジの上にコンフォーマルな形状のライトギャップを形成し、
前記サイドギャップおよびライトギャップとそれぞれ隣接するようにサイドシールドおよびトレーリングシールドをそれぞれ設けることでシールド構造を形成する
請求項３４記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドの製造方法。
【請求項３８】
前記非磁性層を、前記ライトポールの両面に設けられたコンフォーマルな形状の一対のサイドギャップとし、
前記一対のサイドギャップをそれぞれ挟んで前記ライトポールの側面と対向するサイドシールドを形成する
請求項３４記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドの製造方法。
【請求項３９】
前記ＩＢＥプロセスは、前記第１のライトポールの側面と接する誘電体層の特定部分を保護するフォトレジストマスクを用いて行われ、静止角度で前記トレーリングエッジに向かうイオンを用いる
請求項３４記載のシングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主磁極を備えた再生／記録ヘッド構造および垂直磁気記録ヘッド、ならびにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シングルライト記録方式は、垂直磁気記録（ＰＭＲ：Perpendicular Magnetic Recording）のformであり、R. Wood 等によって今後の高密度記録に対応するために提案されたものである（非特許文献１参照）。このスキームでは、内周側の記録トラックから外周側の記録トラックへ向かうように、外周側の記録トラックから内周側の記録トラックへ向かうように、または、内周側もしくは外周側の記録トラックから中心領域の記録トラックへ向かうように、ハードディスクドライブにおけるハードディスクの径方向部分において順に記録される。
すなわち、第１のトラックは、その隣の第２のトラックを記録する際に、その側方部分が部分的に上書きされる。同様に、第３のトラックは、第２のトラックの一部を上書きしてしまい、第４のトラックは第３のトラックの一部を上書きしてしまう。したがって、今日のＨＤＤにおけるトラック幅は、ライトポールの幅ではなく、自らの両端の位置によって、あるいは次の（隣の）トラックの上書き幅によって規定される。
【０００３】
シングルライト記録方式における主な利点のひとつは、ライトポールの幅はもはや記録トラック幅と無関係であることにある。よって、記録性能の向上やデバイスの高い生産効率の機会は、厳格に制御されるライトポールの幅の限界寸法によって制限されるものではない。第２の利点は、隣接トラック消去（ＡＴE；adjacent track erasure ）がそれほど問題とはならないことである。なぜなら、トラックは、クロストラック方向において順に記録され、ただ一度隣のトラックから上書きされるだけであるからである。
【０００４】
シングルライト方式に関する先行技術を調査したところ、いくつかの先行技術が見つかった。例えば特許文献１には、記録素子が傾きを有しない場所であるランダムアップデート領域が記録媒体における内周部分と外周部分との間に挿入されるようにしたシングルライト記録方法が記載されている。また、特許文献２には、２以上の隣接データトラックがバンドを構成し、そのバンドが唯一のファイルからのデータを格納するようにしたシングルライト記録方法が記載されている。さらに、特許文献３には、記録媒体の両面において外周側から内周側へ向かうように論理ブロックアドレスを割り当てることにより、シングルライト方向を規定することについて記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６９６７８１０号明細書
【特許文献２】米国特許第７４９０２１２号明細書
【特許文献３】米国特許第７３７２６５６号明細書
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｒ．ウッド（R. Wood）著、「The Feasibility of Magnetic Recording at 10 Terabits Per Square Inch on Conventional Media", IEEE Trans. Magn., Vol. 45, pp. 917-923 (2009).
【非特許文献２】Ｙ．カナイ（Y.Kanai）著、「Write head modeling for shingled writing」DC-08、インターマグ（Intermag）、２００９年、サクラメント（Sacramento）、カリフォルニア（CA）.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、シングルライト記録方式は、独自の問題を抱えている。その問題のひとつは、主磁極（ライトポール）の１つの角部（コーナー）を用い、各トラックでの片側のみに書き込みを行うので、トラックエッジ書き込みおよび磁化遷移曲線は、従来の記録方式と比較して、より大きな影響を受ける。その影響は図１に描かれている。図１に示したように、シングルライト記録方式では例えば４つのトラックＡ〜Ｄが順に部分的に重なり合うことになっている。すなわち、トラックＢは、部分的にトラックＡを上書きしており、トラックＣは、部分的にトラックＢを上書きしており、トラックＤは、部分的にトラックＣを上書きしている。
【０００８】
記録トラックに対する片側の上書き（squeeze）および主磁極の片側での磁界の分布形状に起因して、たとえ再生デバイスや記録デバイスの傾き角がゼロであっても記録された磁化遷移は歪むことになると考えられる。図１において、その磁化遷移は、明るい帯と暗い帯との交互配列によって示され、それらの帯は、トラックＡ〜Ｃでは片側が上書きされていることから、クロストラック方向に対してすべて傾斜している（歪んでいる）。
【０００９】
図２は、マイクロマグネティックシミュレーションを表わしている。シミュレートされたトラックイメージは、非特許文献２からの抜粋である。図２では、右側のトラックから順に左側のトラックへ、記録ヘッドのスキュー角を０°として記録された様子を表わしている。矩形１２で取り囲んだトラックは、左側の一部が上書きされており、磁化遷移が破線１４で表わしたように一方向に傾斜していることが明らかとなっている。磁化遷移１０と磁化遷移１１とはダウントラック方向に沿って交互に配列されている。矩形１３で取り囲まれた最後に書き込まれたトラックは、破線１５によって示されるように、ＨＤＤにおける記録済みトラックを代表して、左右対称な磁化遷移曲線を有する。仮想の再生ヘッド１２ｒは、矩形１２の内部に示された片側が上書きされたトラックの上方に位置し、シングルライト方式で記録されたトラックの影響を説明するために描かれている。この例では、磁化遷移の傾斜が再生ヘッド１２ｒに対して１０°の角度をなしている。そのような角度は、リードバックパルス幅および分解能低下を引き起こす。よって、ＳＮＲ（信号対雑音比）やビットエラーレート（ＢＥＲ）特性に影響が及ぶ。一方、仮想の再生ヘッド１３ｒは、矩形１３の内部に示されたトラックの幅方向の中央上方に位置し、磁化遷移曲線１５の形状に全く影響を与えない。しかしながら、従来のライトポールのデザインは、シングルライト方式の要求に合致するものではない。よって、磁化遷移の曲率（傾斜）およびスキュー角を低減するために、ライトポール構造の改善が望まれる。
【００１０】
図３は、テーパ形状を有する従来の主磁極１８を表すＡＢＳに平行な断面図である。この主磁極１８は、図３に示したようにリーディングエッジ１８ａと、サイドエッジ１８ｓと、トレーリングエッジ１８ｔとを有している。サイドエッジ１８ｓは、トレーリングエッジ１８ｔとサイドエッジ１８ｓとが交差するコーナーを通過すると共に基体（図示せず）と直交する下層面１９−１９に対して角度βをなしている。したがって、トレーリングエッジ１８ｔは、Ｘ軸方向において、リーディングエッジ１８ａの幅ｄよりも大きな幅ｃを有している。
【００１１】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）は、従来の磁気ヘッド（再生／記録複合ヘッド）におけるＡＢＳに平行な断面図である。この磁気ヘッドにおける再生ヘッドは、例えば、第１のシールド２１と、再生素子２４を埋設したギャップ層２２と、第２のシールド２３と、複数の誘電体膜からなる絶縁層２９の一部とを順に備える。一方、記録ヘッドは、絶縁層２９の一部と、テーパ形状を有する主磁極２６と、主磁極２６の両隣に位置するサイドシールド２５ｓと、トレーリングシールド２５ｔとを備える。第２のシールド２３は、例えば記録ヘッドにおけるリターンヨークとして供される。あるいは、リターンヨークは、絶縁層２９の内部に設けられてもよい。主磁極２６のトレーリングサイドおよび再生素子２４の上面は、互いに平行であり、かつ、この磁気ヘッドにおける他の層と平行である。図４（Ａ）の下方には、再生素子２４が、記録トラックの中心と重ね合わせて描かれている。ここでは、再生素子２４と磁化遷移２８との間には傾き角が存在しないことがわかる。図４（Ｂ）の下方には、記録トラック２７ｂによって一部が上書きされたトラック２７ａと再生素子２４との位置関係を表すように、互いが重なり合うように描かれている。ここでは、トラック２７ａにおける磁化遷移曲線２８ａ，２８ｂに対して再生素子２４が傾き角を有していることに留意する。
【００１２】
シングルライト記録を行う際の、各トラックの上書きによって生じる磁化遷移スキューを補償するためのストロークを横切るヘッドのスキュープロファイルを変えることは、取るに足らないことのように思えるかもしれない。しかし、記録済みトラックと再生ヘッドとのスキューに関する上記の問題は、それらを調整することでは解決されないことを理解するべきである。ＨＧＡレベルのスライダ上で調整がなされるとき、再生ヘッドおよび記録ヘッドの傾きの双方が変化してしまうからである。
【００１３】
したがって、シングルライト方式において、再生ヘッドと記録トラックとの相対スキューを補償するための解法が必要とされる。
【００１４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、従来構造と比較して、記録媒体に形成される磁化遷移曲線の歪みを取り除き、ＳＮ比を低減させることのできるシングルライト方式の再生／記録ヘッド構造およびその製造方法、ならびにそのような再生／記録ヘッド構造を備えた垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の再生／記録ヘッド構造は、シングルライト方式に適したものであって、基体上に設けられた再生ヘッドと記録ヘッドとを備える。（ａ）再生ヘッドは、（１）基体の上に形成された下面と、基体に対して垂直な第１および第２の側面と、第１の側面と接する第１の端部が第２の側面と接する第２の端部よりも基体から遠い位置となるように下面に対応して傾斜した中央部分を含む上面とを有する第１のシールドと、（２）基体の表面と平行な上面と、第１のシールドの第１の側面に沿った第１の側面と、第１のシールドの第２の側面に沿った第２の側面と、ギャップ層の上面と接すると共に実質的に第１のシールドの中央部分と平行をなすように傾斜した中央部分を含む下面とを有する第２のシールドと、（３）第１のシールドと第２のシールドとを分離するギャップ層と、（４）ＡＢＳに露出するようにギャップ層に埋設され、第１のシールドの中央部分と第２のシールドの中央部分との間に位置し、第１のシールドの中央部分および第２のシールドの中央部分に対応して傾斜した平坦な上面および下面を有する再生素子とを備える。（ｂ）記録ヘッドは、（１）ＡＢＳに沿って形成され、基体に対して平行なリーディングエッジおよびトレーリングエッジと、このトレーリングエッジと交差する一対の側面とを有するライトポールと、（２）基体と実質的に平行な面に沿って形成されたライトギャップと、（３）ライトポールの一対の側面に沿って形成され、サイドギャップによってライトポールと分離され、第１のシールドの第１の側面に沿った第１の側面と、第１のシールドの第２の側面に沿った第２の側面とを有するサイドシールドと、（４）サイドシールドと連結されると共にライトギャップによってトレーリングエッジと離間するように設けられたトレーリングシールドとを備える。
【００１６】
本発明の第１のシングルライト方式のＰＭＲヘッドは、（ａ）ＡＢＳに露出し、基体と平行をなすリーディングエッジと、基体に垂直な第１の平面に対して角度βをなす２つの側面と、２つのコーナーにおいて２つの側面と交差し、ＡＢＳにおいてリーディングエッジよりも大きな幅を有するトレーリングエッジとを含むライトポールと、（ｂ）第１のライトポールサイドと隣接する第１のサイドギャップ、第２のライトポールサイドと隣接する第２のサイドギャップおよびトレーリングエッジと隣接するライトギャップと、（ｃ）ライトギャップによってトレーリングエッジと分離されたトレーリングシールドと、第１のサイドギャップを挟んで第１のライトポールサイドと隣接すると共にトレーリングシールドと連結された右側サイドシールドと、第２のサイドギャップを挟んで第２のライトポールサイドと隣接すると共にトレーリングシールドと連結された左側サイドシールドとを有するシールド構造とを備える。トレーリングエッジは、リーディングエッジと平行な第２の平面に対して２つのコーナーの各々において角度αをなし、２つのコーナーと２つのコーナーよりもリーディングエッジの近くに位置する中央点とを結び、かつリーディングエッジへ近づくように延在している。
【００１７】
本発明の第２のシングルライト方式のＰＭＲヘッドは、（ａ）ＡＢＳに露出し、基体と平行をなすリーディングエッジと、基体に対して垂直な第１の平面に対して角度β'をなす第１の側面と、この第１の側面よりも長さの短い第２の側面と、書込処理用コーナーにおいて第１の側面と交差すると共に他のコーナーにおいて第２の側面と交差する直線状のトレーリングエッジとを含む非対称ライトポールと、（ｂ）第１のライトポールサイドと隣接する第１のサイドギャップおよびトレーリングエッジと隣接するライトギャップと、（ｃ）ライトギャップによってトレーリングエッジと分離されたトレーリングシールドと、第１のサイドギャップを挟んで第１のライトポールサイドと隣接すると共にトレーリングシールドと連結された第１のサイドシールドとを含むシールド構造とを備える。トレーリングエッジは、ＡＢＳにおいてリーディングエッジよりも大きな幅を有し、書込処理用コーナーにおいてリーディングエッジに対して平行な第２の平面に対して角度α'を形成し、書込処理用コーナーは、他のコーナーよりもリーディングエッジから遠い位置にある。
【００１８】
このように、本発明では、シングルライト方式による記録（シングル記録）を行う際に、記録トラックにおける磁化遷移曲線の歪みを減少させるようにライトポール（主磁極）の形状が改良されている。
【００１９】
また、本発明では、再生ヘッドについて、記録媒体の記録トラックと再生素子との相対傾斜角度を規定するため、基体に対応して緩やかな傾斜をなすように形成される。これにより、磁気ヘッドのスキュー角が０°であっても、記録トラックの傾き角が低減される。この傾斜した再生素子の構造は、エアベアリング面（ＡＢＳ）に露出した面において、主磁極は書込処理を行う部分として機能するコーナーと書込動作を行わないコーナーとを含むトレーリングエッジと、２つの側面と、リーディングエッジとを有している。再生ヘッドは、好ましくは、ダウントラック方向において主磁極と対応するように並んでいることが望ましい。
【００２０】
一形態において、主磁極は、サイドギャップおよびライトギャップにより、２つのサイドシールドおよびトレーリングシールドのそれぞれと分離されている。主磁極のリーディングエッジは第２のシールドの上面と対向している。第２のシールドは、ＡＢＳおよび基体に対して垂直をなす２つの平行な側面と、再生ヘッドと対向し、上記２つの平行な側面にもっとも近い両端に位置する２つの平坦領域と基体の面に応じて傾斜した中央領域とを含む下面とを有している。また、第１のシールドと第２のシールドとを分離するように、実質的に一定の厚さを有するギャップ層が設けられている。このギャップ層には、第２のシールドの中央部分と平行であり、かつ第１のシールドの中央部分に対して傾斜した上面および下面を有する再生素子が設けられている。第１のシールドは、第２のシールドの平行な両側面に沿った２つの平行な側面と、基体の上に形成された底面と、２つの平坦部分、および傾斜した中央部分を含む上面とを有している。ここで、中央部分は、第２のシールドの傾斜した中央部分と平行である。再生素子は、傾斜した中央部分において第１のシールドと第２のシールドとの間に設けられている。その再生素子は、基体表面に対して０〜２５°（好ましくは５〜１０°）の角度で傾斜した上面および下面を有すると共に、ギャップ層に隣接した２つの端部を有している。よって、書込処理を行うコーナーの下方に位置する再生素子の端部は、書込処理を行うことのない他方のコーナーの下方に位置する再生素子の端部よりも、主磁極のトレーリングエッジから遠い位置となる。
【００２１】
本発明の再生／記録ヘッド構造の製造方法は、シングルライト方式に適した再生／記録ヘッド構造の製造方法であって、（ａ）第１のシールドが上面に設けられた基体を用意することと、（ｂ）浅い角度のＩＢＥを行うことで上面の一部に傾斜した中央部分を形成することと、（ｃ）第１のシールドの上面にギャップ層を形成すると共に、ギャップ層の内部に第１のシールドの中央部分の傾斜に沿って再生素子を埋設することと、（ｄ）ギャップ層の上面と接すると共に第１のシールドの中央部分と平行をなすように傾斜した中央部分を含む下面を有する第２のシールドを形成し、再生素子を第１のシールドの中央部分と第２のシールドの中央部分との間に挟むことと、（ｅ）第２のシールドの上面に絶縁層を形成することと、（ｆ）絶縁層の上に、トレーリングエッジを有するライトポールと、基体と平行に延在するライトギャップと、トレーリングシールドおよびサイドシールドを少なくとも含むシールド構造とを備えた記録ヘッドを形成することとを含むものである。ここで、サイドシールドを、第１のシールドおよび第２のシールドの第１の側面に沿った第１の側面と、第１のシールドおよび第２のシールドの第２の側面に沿った第２の側面とを有するように形成する。
【００２２】
本発明の第１のシングルライト方式のＰＭＲヘッドの製造方法は、（ａ）基体上に非磁性層に埋設され、基体と接するリーディングエッジと、基体と平行をなすと共にリーディングエッジよりも大きな幅を有するトレーリングエッジと、リーディングエッジとトレーリングエッジとを連結する互いに長さの等しい第１および第２の側面とを含み、第１の側面が第１のコーナーにおいてトレーリングエッジと交差すると共に第２の側面が第２のコーナーにおいてトレーリングエッジと交差し、前記第１および第２の側面は前記基体と直交する平面に対してそれぞれ角度βをなすライトポールを形成することと、（ｂ）ＩＢＥプロセスにより、リーディングエッジから最も遠くに位置する第１および第２のコーナーと、第１および第２のコーナーに挟まれると共にリーディングエッジから最も近くに位置する中点とを結び、第１のコーナーと第２のコーナーとを結ぶ平面に対して角度αをなし、かつ基体およびリーディングエッジへ近づくように延在するトレーリングエッジを形成することとを含むものである。
【００２３】
本発明の第２のシングルライト方式のＰＭＲヘッドの製造方法は、（ａ）基体上に非磁性層に埋設され、基体と接するリーディングエッジと、基体と平行をなすと共にリーディングエッジよりも大きな幅を有するトレーリングエッジと、リーディングエッジとトレーリングエッジとを連結する互いに長さの等しい第１および第２の側面とを含み、第１の側面が第１のコーナーにおいてトレーリングエッジと交差すると共に第２の側面が第２のコーナーにおいてトレーリングエッジと交差し、第１および第２の側面は基体と直交する平面に対してそれぞれ角度βをなすライトポールを形成することと、（ｂ）第１の側面と隣接する非磁性層の一部分にフォトレジストマスクを形成することと、（ｃ）ＩＢＥプロセスにより、第１の側面との交差点において書込コーナーを形成し、基体に平行な平面に対して角度α'をなすと共に書込コーナーを起点としてリーディングエッジに近づくように傾斜した直線状のトレーリングエッジを形成することとを含むものである。
【００２４】
本発明における傾斜した再生素子の製造方法は、基体上に第１のシールドを堆積させることから開始される。フォトレジスト層は、第１のシールドの上面を覆うように形成され、第１のサイドに（第２のサイドおよび中央部分を保護することのない）マスクを残すようにパターニングされる。浅い角度の単一指向性のＩＢＥ処理が、第１のシールドの上面の傾斜した中央部分を形成するために実施される。ＩＢＥ処理ののちフォトレジストマスクを除去すると、ＩＢＥ処理を行う間そのフォトレジストマスクによって保護されていた第１のシールドのうちの第１の側方部分は、第２の側方部分に比べて厚さが大きくなる。第１のシールドの上面は、両端領域では実質的に基体の上面に平行であり、中央領域では第１のサイドから第２のサイドへ向けて傾斜している。ギャップ層の下部と、積層体からなる再生素子とが、第１のシールドの上面の上にコンフォーマル方式で順に形成されたのち、ギャップ層の傾斜部分の上に再生素子を規定するために、標準的なパターニングおよびエッチング処理がなされる。ハードバイアス層が再生素子の両端面と隣接するように形成されたのち、ギャップ層の上部が、キャップ層の下部および再生素子の上に形成される。続いて、第２のシールドがギャップ層の上部の上に形成されたのち、その上面が基体の表面と平行となるように平坦化される。そののち、従来の方法により、第２のシールドの上に記録ヘッドが形成される。記録処理を行う「右側コーナー」は、第１および第２のシールドからなる構造の第２のサイドの上方に並ぶ記録素子構造の第２のサイドと隣接する。
【００２５】
主磁極の「左側コーナー」を使用したシングルライト方式に関する他の形態では、上述の製造工程が改良され、フォトレジストマスクが第２の側面に隣接する第２のシールドの端部に設けられることとなる。よって、ＩＢＥは、再生ヘッドの第１の側面と隣接する第２のシールドの上部を除去すると共に、第１の側面へ向かうように傾斜した中央部分を形成するように主磁極の上層の中央領域の一部を除去する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の再生／記録ヘッド構造およびその製造方法によれば、再生素子を基体およびライトポールに対して傾斜させるようにしたので、シングル記録を行う際、記録ヘッドのスキュー角をゼロとした場合の再生素子と磁化遷移との傾き角を低減することができる。よって、より正確な再生動作を行うことができる。
【００２７】
また、本発明のＰＭＲヘッドおよびその製造方法によれば、ライトポールのトレーリングエッジがリーディングエッジに対して傾斜する部分を含むようにしたので、記録トラックにおける磁化遷移曲線を直線状に近づくように矯正し、再生素子と記録トラックの磁化遷移曲線とがなすスキュー角を低減することができる。それによりＳＮ比を向上させ、シングル記録を行うにあたり線記録密度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】一般的なシングル記録を、クロストラック方向に紙面右側のトラックから左側のトラックへ移動するように順に行う様子を表した模式図である。
【図２】従来の方式により、紙面右側のトラックから左側のトラックへ移動するように記録されたトラックの微小磁気モデルを表した模式図である。
【図３】従来のＰＭＲヘッドにおける、ベベル角を有すると共に水平なトレーリングエッジを有する主磁極のＡＢＳに平行な断面図である。
【図４】従来の再生／記録ヘッドの断面図と、記録トラックの磁化遷移曲線と再生ヘッドとの間に傾き角が存在しない場合および傾き角が存在する場合をそれぞれ表す模式図である。
【図５】本発明の第１の形態としての磁気ヘッドであって右側コーナーまたは左側コーナーを用いたシングル記録を行うものの断面図、および記録トラックの磁化遷移曲線と再生ヘッドとの位置関係を表す模式図である。
【図６】図５に示した磁気ヘッドの製造方法における一工程を表すものであり、ＡＢＳに平行な断面図である。
【図７】図６に続く一工程を表すＡＢＳに平行な断面図である。
【図８】図７に続く一工程を表すＡＢＳに平行な断面図である。
【図９】図８に続く一工程を表すＡＢＳに平行な断面図である。
【図１０】図９に続く一工程を表すＡＢＳに平行な断面図である。
【図１１】本発明の第２の形態としての磁気ヘッドであって、対称性を有する形状のライトポールを有するもののＡＢＳに平行な断面図である。
【図１２】図１１に示した磁気ヘッドの平面構成を表す上面図である。
【図１３】図１２に示した磁気ヘッドの面９０−９０に沿った断面図である。
【図１４】図１１に示した磁気ヘッドのライトポールにおける磁界分布を表す特性図である。
【図１５】平坦なトレーリングエッジを有する従来のライトポールを使用した場合の、記録トラックにおける磁化遷移のシミュレーション結果を表す模式図である。
【図１６】図１１に示した磁気ヘッドにおいて角度αを２０°としたときの記録トラックにおける磁化遷移のシミュレーション結果を表す模式図である。
【図１７】図１１に示した磁気ヘッドの変形例を表す断面図である。
【図１８】本発明の第３の形態としての磁気ヘッドであって、非対称な形状のライトポールを有し、右側コーナーにおいて記録処理を行うもののＡＢＳに平行な断面図である。
【図１９】図１８に示した磁気ヘッドの第１の変形例を表す断面図である。
【図２０】図１８に示した磁気ヘッドの第２の変形例を表す断面図である。
【図２１】本発明の第４の形態としての磁気ヘッドであって、非対称な形状のライトポールを有し、左側コーナーにおいて記録処理を行うもののＡＢＳに平行な断面図である。
【図２２】図２１に示した磁気ヘッドの第１の変形例を表す断面図である。
【図２３】図２１に示した磁気ヘッドの第２の変形例を表す断面図である。
【図２４】図１１に示した磁気ヘッドの製造方法の一工程を表す断面図である。
【図２５】図２４に続く一工程を表すＡＢＳに平行な断面図である。
【図２６】図２５に続く一工程を表すＡＢＳに平行な断面図である。
【図２７】図１８に示した磁気ヘッドの製造方法の一工程を表す断面図である。
【図２８】図２７に続く一工程を表すＡＢＳに平行な断面図である。
【図２９】図２８に続く一工程を表すＡＢＳに平行な断面図である。
【図３０】図１１または図１８に示した磁気ヘッドの他の製造方法における、中間生成物を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００３０】
［第１の形態］
図５（Ａ）に、本発明の第１の形態としての磁気ヘッド３０のＡＢＳに平行な断面を示す。この磁気ヘッド３０は、図示しない基体上に設けられた再生ヘッドと、記録ヘッドとを備えた複合型の再生／記録ヘッドである。
【００３１】
再生ヘッドは、第１および第２のシールド３１，３３と、第１のシールド３１と第２のシールド３３とを分離するギャップ層３２と、再生素子３４とを備える。
【００３２】
第１のシールド３１は、基体の上に形成された下面３１ｂと、記録ヘッドにおけるサイドシールド３５ｓの側面３５ｄに沿った側面３１ｓと、サイドシールド３５ｒの側面３５ｃに沿った側面３１ｒとを有する。側面３１ｓ，３１ｒは、基体に対して垂直である。第１のシールド３１における再生素子３４と対向する上面は、側面３１ｓと交差すると共に下面３１ｂと平行な第１の部分と、側面３１ｒと交差すると共に下面３１ｂと平行な第２の部分とを有する。第１の部分と第２の部分との間の中央部分３１ｃは、下面３１ｂおよび基体に対して傾斜している。なお、第１のシールド３１は、ウェハが分割されて複数形成されるスライダの一部をなす基体（図示せず）の上に形成される。磁気ヘッド３０が完成したのち、そのウェハはスライスされ、複数のスライダが連結された状態の複数のバーが形成される。各々のバーは、ラッピングすることによりＡＢＳが形成されたのち、磁気記録装置に用いられる個々のスライダに分割される。
【００３３】
ギャップ層３２は、第１のシールド３１の上層である。ギャップ層３２は、第１のシールド３１と接する下層（図示せず）と、第２のシールド３３と接する上層（図示せず）とを有している。ギャップ層３２には、再生素子３４が埋設されている。
【００３４】
第２のシールド３３は、基体の表面と平行な上面と、側面３３ｓと、側面３３ｒと、ギャップ層３２の上面と接すると共に実質的に第１のシールド３１の中央部分３１ｃと平行をなすように傾斜した中央部分３３ｃを含む下面とを有する。傾斜した中央部分３３ｃは、側面３３ｓと交差すると共に下面３１ｂと平行な第２のシールド３３の下面の第１の部分と、側面３３ｒと交差すると共に下面３１ｂと平行な第２のシールド３３の下面の第２の部分とを繋ぐ部分である。傾斜した中央部分３１ｃ，３３ｃは、ＡＢＳに沿って０．５μｍ以上４．０μｍ以下（好ましくは１μｍ以上２μｍ以下）の幅を有している。Ｚ軸方向（厚さ方向）において、側面３３ｓは側面３１ｓの延長上にあり、側面３３ｒは側面３１ｒの延長上にある。ここでは、側面３１ｓ，３３ｓはダウントラック方向（ｚ方向）に対して再生素子３４の左側に位置し、側面３１ｒ，３３ｒはダウントラック方向に対して再生素子３４の右側に位置する。第２のシールド３３では、側面３３ｓでの厚さは側面３３ｒでの厚さよりも薄くなっている。一方、第１のシールド３１では、側面３１ｓでの厚さは側面３１ｒでの厚さよりも厚くなっている。その結果、絶縁層３９と接する第２のシールド３３の上面は、第１のシールド３１の下面３１ｂと実質的に平行となる。
【００３５】
再生素子３４は、ＡＢＳに露出するようにギャップ層３２に埋設され、第１のシールド３１の中央部分３１ｃと第２のシールド３３の中央部分３３ｃとの間に位置し、中央部分３１ｃおよび中央部分３３ｃに対応して傾斜した平坦な上面および下面を有する。再生素子３４と下面３１ｂおよび基体に平行な面とがなす傾斜角度は、例えば０°〜２５°であり、より好ましくは５°〜１０°である。この傾斜角度は、再生素子３４とシングル記録された記録トラックとがなす傾き角を補償するための相対的なスキューの大きさを表す。このように再生素子３４は、第１のシールド３１の下面３１ｂに対して傾き角を有している。これは、主磁極３６の右側コーナー３６ｃ（後出）を用いてシングル記録を行った際に、再生素子３４と磁気ディスクの記録トラック（図示せず）との傾き角を低減するためである。
【００３６】
この再生ヘッドの変形例として、第１のシールド３１の上面および第２のシールド３３の下面が、いずれも２つの部分のみによって構成されていてもよい。上記形態では、第１のシールド３１が側面３１ｓと交差し、かつ下面３１ｂに平行な第１の部分を含む上面を有し、第２のシールド３３が側面３３ｓと交差し、かつ下面３１ｂに平行な第１の部分を含む下面を有するようにした。これに対し、傾斜した中央部分３１ｃ，３３ｃが側面３１ｒ，３３ｒまでそれぞれ延在しており、側面３１ｒ，３３ｒと交差する第２の平坦な領域が存在しないようにしてもよい。後述するように、傾斜した中央領域３１ｃ，３３ｃの幅は、第１のシールド３１に対するイオンビームエッチングを実施する際のいくつかの要素によって決定される。
【００３７】
記録ヘッドは、主磁極３６と、ライトギャップ４９と、サイドシールド３５ｓ，３５ｒと、トレーリングシールド３５ｔとを備える。主磁極３６は、ＡＢＳに沿って形成され、例えば従来のテーパ形状を有し、基体および第１のシールド３１の下面３１ｂと平行なリーディングエッジ３６ａおよびトレーリングエッジ３６ｔと、トレーリングエッジ３６ｔと交差する一対の側面とを有する。ライトギャップ４９は、基体と実質的に平行な面に沿って形成されている。サイドシールド３５ｓ，３５ｒは、主磁極３６の一対の側面に沿って形成され、サイドギャップによって主磁極３６と分離され、側面３１ｓに沿った側面３５ｄと、側面３１ｒに沿った側面３５ｃとを有する。トレーリングシールド３５ｔは、サイドシールド３５ｓ，３５ｒとそれぞれ連結されると共にライトギャップ４９によってトレーリングエッジ３６ｔと離間するように設けられている。さらに、図示しないリーディングエッジを設けるようにしてもよい。第２のシールド３３と主磁極３６との間に挿入された絶縁層３９は、１または複数の誘電体層を含んでいてもよい。ライトギャップ４９は、トレーリングエッジ３６ｔと実質的にコンフォーマルな形状を有している。
【００３８】
図５（Ａ）の下部には、隣接する記録トラック３７ｂによって部分的に（左側が）上書きされた記録トラック３７ａに、再生素子３４が重ね合わせて描かれている。図５（Ａ）の磁気ヘッド３０では、右側コーナー３６ｃを記録処理に用いる。下面３１ｂに対する再生素子３４の傾斜により、再生素子３４は、従来構造よりも記録トラックとのスキュー角を小さくするように実質的に磁化遷移３８ａと重なり合っている。
【００３９】
同様に、左側コーナー３６ｄを記録処理に用いる磁気ヘッド３０Ａ（図５（Ｂ））では、傾斜した再生素子３４が磁化遷移３８ａと重なり合っており、やはり、再生素子３４と記録トラックとのスキュー角が小さくなっている。図５（Ｂ）に示した全ての層は、傾く方向を除き、図５（Ａ）に示したものと同じ構成である。ここで、第１のシールド３１の厚さは側面３１ｒにおいて側面３１ｓよりも大きく、第２のシールド３３の厚さは側面３３ｒよりも側面３３ｓにおいてより大きくなっている。
【００４０】
次に、図６〜図１０などを参照して、本形態の磁気ヘッド３０の製造方法について説明する。この製造方法は、以下の（ａ）〜（ｆ）の各工程を含むものである。
（ａ）第１のシールド３１が上面に設けられた基体を用意する工程。
（ｂ）浅い角度のＩＢＥを行うことで第１のシールド３１の上面の一部に傾斜した中央部分３１ｃを形成する工程。
（ｃ）第１のシールド３１の上面にギャップ層３２を形成すると共に、ギャップ層３２の内部に中央部分３１ｃの傾斜に沿って再生素子３４を埋設する工程。
（ｄ）ギャップ層３２の上面と接すると共に中央部分３１ｃと平行をなすように傾斜した中央部分３３ｃを含む下面を有する第２のシールド３３を形成し、再生素子３４を中央部分３１ｃと中央部分３３ｃとの間に挟む工程。
（ｅ）第２のシールド３３の上面に絶縁層３９を形成する工程。
（ｆ）絶縁層３９の上に、主磁極３６と、基体と平行に延在するライトギャップ４９と、トレーリングシールド３５ｔおよびサイドシールド３５ｓ，３５ｒを少なくとも含むシールド構造とを備えた記録ヘッドを形成する工程。
ここで、サイドシールド３５ｓ，３５ｒについては、側面３１ｓ，３３ｓに沿った側面３５ｄ、または、側面３１ｒ，３３ｒに沿った側面３５ｃを有するように形成する。
【００４１】
図６は、本形態の磁気ヘッド３０の製造方法の第１の工程を表わしている。第１のシールド３１はスパッタ蒸着法や電解めっき法によって基体（図示せず）上に形成される。基体は、例えば、アルティック（ＡｌＴｉＣ）などからなる下層の上にアルミナなどからなる絶縁性の上層が設けられたものである。第１のシールド３１は、例えばＮｉＦeなどによって形成され、その上面は、下面３１ｂと平行をなすように形成される。側面３１ｒ，３１ｓは、下面３１ｂに対して垂直に形成される。フォトレジスト層は、側面３１ｓと交差する上面３１ａの端部を覆うマスク４０を形成するようにパターニングされる。そののち、浅い角度でＩＢＥ処理を行い、矢印４１で示したように一方向から上面３１ａに向けてイオンを衝突させる。第１のシールド３１の上面の傾斜を形成するステップは、再生素子３４を傾斜面に形成することを必要とするだけである。
【００４２】
あるいは、図示しない他の方法として、傾斜した基体の上に第１のシールド３１をスパッタリングにより形成したのち、傾斜面３１ｃを、浅い角度での第１のイオンミリングによって形成するようにしてもよい。但しこの場合、下面３１ｂは、第１のシールド３１の傾斜した中央部分と平行となる。
【００４３】
図７は、傾斜した中央領域の幅ｍがいくつかの要因、例えばフォトレジストマスク４０の厚さ、ＩＢＥのイオンビームの入射角度、あるいはＩＢＥの持続時間などによって決定されることを表わしている。ＩＢＥ処理ののちフォトレジストマスク４０が除去されると、下面３１ｂと平行をなすと共に当初の厚さを有する上面の端部３１ａと、傾斜した中央領域３１ｃと、下面３１ｂと平行をなすと共に側面３１ｒと交差する第２の端部３１ｄとが現れる。中央部分３１ｃは、０．５〜４μｍ、好ましくは１μｍから２μｍの幅ｍを有し、第２の端部３１ｄに対して０〜２５°、好ましくは５°から１０°の傾斜角を有する。側面３１ｓは、側面３１ｒよりもＺ軸方向において大きな厚さを有する。
【００４４】
次に、図８に示したように、例えばＣＶＤ法やＰＶＤ法により、第１のシールド３１の上に、それとコンフォーマルな形状をなすように誘電体材料からなるギャップ層３２ａが設けられる。そののち、ギャップ層３２ａを覆うように再生素子３４となる積層体が形成される。この積層体は、第１のシールド３１の中央領域３１ｃの傾斜が維持されるように形成される。
【００４５】
次に、図９に示したように、フォトレジストパターニングおよびエッチング処理がなされることにより、中央部分３１ｃに平行な上面３４ｓを備え、下面３１ｂに対して傾斜した再生素子３４を形成する。第１のシールド３１を覆うギャップ層３２ａはそのまま残され、再生素子３４が形成された領域以外は露出した状態となる。
【００４６】
さらに、図１０に示したように、ギャップ層３２ａおよび再生素子３４を覆うようにギャップ層３２ｂを形成すると、２層構造のギャップ層３２が完成する。ギャップ層３２ａおよびギャップ層３２ｂは、例えば互いに同一の材料によって構成される。ギャップ層３２は、第１のシールド３１とコンフォーマルな形状を有することが望ましい。次に、第１のシールド３１と同じ磁性材料からなる第２のシールド３３がスパッタ法またはめっき法などによってギャップ層３２の上に形成される。ＣＭＰ処理により、下面３１ｂと平行な上面３３ａが形成される。その結果、傾斜した再生素子３４は、中央領域３１ｃ，３３ｃと平行に形成されることとなる。
【００４７】
そののち、図５（Ａ）に示したように、絶縁層３９が第２のシールド３３の上に形成され、さらに、公知の手法で主磁極３６、サイドシールド３５ｓ，３５ｒおよびトレーリングシールド３５ｔが形成される。主磁極３６は、ＡＢＳから、ＡＢＳに垂直な方向へ延在している。トレーリングシールド３５ｔの上方には、図示しない追加の層が形成される。以上により、本形態の磁気ヘッド３０が完成する。
【００４８】
このように、本形態では、最小限のプロセスの変更により、再生素子を基体および主磁極に対して傾斜させるようにしたので、シングル記録を行う際、記録ヘッドのスキュー角をゼロとした場合の再生素子と磁化遷移との傾き角を低減することができる。よって、より正確な再生動作を行うことができる。
【００４９】
［第２の形態］
本発明は、磁化遷移曲線を最小化し、シングル記録を行う際の再生素子と記録トラックとのスキュー角を低減するためのデザインを有する主磁極についても開示する。
【００５０】
図１１は、本発明の第２の形態としての磁気ヘッド３０Ｂを表わす断面図である。図１１では、紙面左側に磁気ヘッド３０Ｂの全体構成の断面を表し、紙面右側にその要部（主磁極）を拡大して表す。この磁気ヘッド３０Ｂは、ＡＢＳにおいてダウントラック方向と直交するＸ軸に沿って延在するリーディングエッジ５０ａを含む主磁極５０を備えている。
【００５１】
主磁極５０における２つの傾斜面５０ｓ１，５０ｓ２は、それぞれＺ軸に平行であり、コーナー５０ｃを通過する面７２−７２および面７１−７１に対して所定のべベル角βを形成している。べベル角βは、５°以上４５°以下、好ましくは２０°以上３５°以下であり、従来の主磁極よりも大きくなっている。ｋの主磁極５０では、トレーリングエッジ５０ｔが直線状ではなく、リーディングエッジ５０ａに近付くように中央部分が湾曲もしくは折れ曲がっていることが特徴となっている。また、Ｘ軸方向においてトレーリングエッジ５０ｔの幅がリーディングエッジ５０ａの幅よりも大きくなっている。
【００５２】
例えば、トレーリングエッジ５０ｔにおいては、実質的に互いに等しい長さの２つの領域が面７１−７１と面７２−７２との中心点５０ｂにおいて交差している。それら２つの領域は、２つのコーナー５０ｃにおいて、それら２つのコーナー５０ｃを通過する面７０−７０に対して角度αをなしている。コーナー５０ｃは、側面５０ｓ１，５０ｓ２がトレーリングエッジ５０ｔと交差する位置として規定される。よって、主磁極５０の厚さは、コーナー５０ｃにおいて最大となり、トレーリングエッジ５０ｔの中心点５０ｂでは最小となっている。角度αは、５°以上４５°以下、好ましくは１０°以上３０°以下である。
【００５３】
なお、本形態では、さらに、トレーリングエッジ５０ｔを、２つのコーナーを結ぶ１つの曲線によって構成してもよいし、複数の直線が連結されたものとしてもよい。例えば、傾斜した２つの領域の間に、中心点５０ｂを含む平坦な（リーディングエッジ５０ａに平行な）領域を設け、全体として３つの領域によってトレーリングエッジ５０ｔを構成するようにしてもよい。
【００５４】
図１１の左側には、主磁極５０と、その第１の側面５０ｓ１と接する第１のサイドギャップ５１ａと、その第２の側面５０ｓ２と接する第２のサイドギャップ５１ｂとについての、ＡＢＳに平行な断面を示す。第１のサイドギャップ５１ａと、これに接する第１のサイドシールド５３ａとは、第１の側面５０ｓ１に対してコンフォーマルな形状を有していることが望ましい。同様に、第２のサイドギャップ５１ｂと、これに接する第２のサイドシールド５３ｂとは、第２の側面５０ｓ２に対してコンフォーマルな形状を有していることが望ましい。ライトギャップ５２は、トレーリングエッジ５０ｔとトレーリングシールド５４とを隔てるように配置される。ライトギャップ５２およびトレーリングシールド５４は、実質的に、トレーリングエッジ５０ｔとコンフォーマルな形状を有していることが望ましい。この形態では、サイドシールド５３ａ，５３ｂは、トレーリングシールド５４と磁気的に連結されている。２つのコーナー５０ｃのうちのいずれかがシングルライト記録に用いられる。例えば、右側のコーナー５０ｃは、面７０−７０および面７２−７２が交差する位置にあり、右側のトラックから左側のトラックへ（磁気ディスクの外周側部分から内周側部分へ進むように）シングル記録を行う際に用いられる。左側のコーナー５０ｃは、面７０−７０および面７１−７１が交差する位置にあり、左側のトラックから右側のトラックへ（磁気ディスクの内周側部分から外周側部分へ進むように）シングル記録を行う際に用いられる。
【００５５】
図１２は、磁気ヘッド３０Ｂの上面図である。ここでは、トレーリングシールドを省略し、主に、ＡＢＳ９１−９１におけるトレーリングエッジ５０ｔに対応したサイドシールド５３ａ，５３ｂの位置を示している。この形態では、主磁極５０は、ネックハイトがゼロであり、サイドギャップ５１ａ，５１ｂおよびサイドシールド５３ａ，５３ｂはそれぞれ第１および第２の側面５０ｓ１，５０ｓ２と実質的にコンフォーマルな形状を有している。第１および第２の側面５０ｓ１，５０ｓ２は、テーパ形状を有しており、それらは面９０−９０を中心としてＡＢＳ９１−９１から遠ざかるほど互いの距離が広がるように形成されている。すなわち、ＡＢＳ９１−９１から遠ざかるほどＸ軸方向における主磁極５０の幅が徐々に広がっている。サイドシールド５３ａ，５３ｂの各々は、サイドギャップ５１ａ，５１ｂを挟んで主磁極５０から遠ざかる方向へＡＢＳに沿って距離ｒに亘って延在している。また、サイドシールド５３ａ，５３ｂの各々は、ＡＢＳと直交する方向（Ｙ軸方向）においていずれも距離ｈに亘って延在しており、主磁極５０の後方部分５０ｅと対向するように、ＡＢＳと平行な後方の面（ＡＢＳと反対側の面）を有している。なお、変形例として、主磁極５０は、一定のネックハイトを有していてもよい。その場合、第１および第２の側面５０ｓ１，５０ｓ２は、面９０−９０に対して外側に広がるフレア部分に至るまでＡＢＳに垂直な方向に一定の長さで延在している。トレーリングエッジ５０ｔにおける傾斜部分は、主磁極５０の（第１の側面５０ｓ１と第２の側面５０ｓ２との間の）フレア部分の上面に沿って、面９０−９０上のポイント９０ｄに至る手前、もしくはポイント９０ｄに至るまで延在している。ポイント９０ｄは、フレア部分と後方部分５０ｅとの境界に位置する。
【００５６】
図１３は、図１２に示した主磁極５０の、面９０−９０に沿った断面構成を表している。ここでは、トレーリングシールド５４が、ライトギャップ５２によって主磁極５０から分離された様子を示している。ライトギャップ５２は、主磁極５０の上部の傾斜面５０ｎと対向し、それとコンフォーマルな形状を有している。傾斜面５０ｎは、トレーリングエッジ５０ｔを含み、ＡＢＳ９１−９１から距離ｋに亘って延在している。この形態では、トレーリングシールド５４は、ＡＢＳを起点としてＹ軸方向へ距離ｋに亘って延在すると共に主磁極５０の傾斜面５０ｎと対向する傾斜面５４ｓ１を有する。傾斜面５４ｓ１は、ＡＢＳと反対側において第２の傾斜面５４ｓ２と接続されている。傾斜面５４ｓ２は、主磁極５０の上面５０Ｗと平行に、傾斜面５４ｓ１におけるＡＢＳ９１−９１と反対側の端部から距離ｖに亘って延在している。トレーリングシールド５４は、主磁極５０と反対側の面５４ｔを有しており、面５４ｔは、ＡＢＳを起点として距離ｋと距離ｖとの合計の距離ｋ＋ｖに亘って延在している。傾斜面５０ｎは、ＡＢＳ９１−９１と直交する面９２−９２に対して角度δをなし、ＡＢＳ９１−９１においてトレーリングエッジ５０ｔを含んでいる。さらに、主磁極５０はその下部に傾斜面５０ｐを有している。傾斜面５０ｐはリーディングエッジ５０ａを含み、後方へ向かうようにＡＢＳから一定の距離に亘って延在している。傾斜面５０ｐは、ＡＢＳ９１−９１と直交する面９３−９３に対して角度λをなし、ＡＢＳ９１−９１においてリーディングエッジ５０ａを含んでいる。すなわち、リーディングエッジ５０ａは、ＡＢＳを起点として下面５０ｕに至るまで延在する傾斜面５０ｐの一部をなしている。さらに、トレーリングエッジ５０ｔは、ＡＢＳを起点として上面５０ｗに至るまで延在する傾斜面５０ｎの一部をなしている。ここで、上面５０ｗおよび下面５０ｕは、ＡＢＳ９１−９１に対して実質的に垂直である。
【００５７】
図１４は、平坦なトレーリングエッジを有すると共にテーパ形状を有する従来の主磁極における磁界分布７４を示している。ここでは、Ｙ軸方向の垂直磁界Ｈｙを５０００Ｏｅとしている。図１４において、Ｘ軸はダウントラック方向の位置（μｍ）を表し、Ｙ軸はクロストラック方向の位置（μｍ）を表す。また、図１４には、図１１に示した本形態の主磁極５０における磁界分布７５をも示す。ここでは、垂直磁界Ｈｙを５０００Ｏｅとし、角度αを２０°とした。図１４に示したように、磁界分布７４と磁界分布７５とを比較した場合、ダウントラック方向およびクロストラック方向におけるプロファイルはそれほど大きな違いはない。したがって、本形態の改良された記録ヘッドは、何らの記録能力を犠牲にすることなく実現されうるものであるといえる。
【００５８】
図１５は、従来の主磁極に対応した図１４の磁界分布７４に基づいてシミュレートされた磁化遷移曲線に、再生素子２４を重ね合わせて描いたものである。ここでは、磁化遷移曲線が再生素子２４に沿って配向されていないことが示されている。図１６は、本形態の主磁極５０に対応した図１４の磁界分布７５に基づいてシミュレートされた磁化遷移曲線に、再生素子２４を重ね合わせて描いたものである。ここでは、磁化遷移曲線が再生素子２４に沿って配向されていない部分が減少していることが示されている。これは、微小磁気によるものではなく、磁化遷移曲線の比較においては磁化遷移を得るための磁界分布のシフトによるものと考えるのが妥当である。曲線７６は、図１５における曲線を、図１６の上書きされたトラックの磁化遷移曲線に重ね合わせて描いたものである。磁化遷移曲線は、図１４に示した書込処理を行う（右側）コーナー９６または（左側）コーナー９７での丸さの程度に直接関連しているものと考えられる。したがって、磁界分布７５におけるコーナー９６，９７でのさらなる曲がりは、シングル記録を行う際の記録トラックにおける磁化遷移曲線の直線化（矯正）に寄与する。同様に、以下に述べる非対称な形状の記録ヘッドにおいても、磁界分布のコーナーの曲がりが記録トラックにおける磁化遷移曲線の直線化に寄与することが示されている。
【００５９】
＜変形例１＞
図１７は、図１１に示した磁気ヘッド３０Ｂの変形例としての磁気ヘッド３０Ｃを表している。この記録ヘッド３０Ｃは、ダウントラック方向（Ｚ軸方向）において、非磁性材料からなるリーディングギャップ５９を挟んで主磁極５０のリーディングエッジ５０ａと対向するように設けられたリーディングシールド５５をさらに備えている。さらに、リーディングシールド５５は、一対のサイドシールド５３ａ，５３ｂと磁気的に連結されている。これにより、ＡＢＳにおいて主磁極５０を完全に取り囲むシールド構造が形成される。さらに、リーディングギャップ５９は、サイドギャップ５１ａ，５１ｂの双方と連結されている。
【００６０】
［第３の形態］
本発明は、非対称な形状の主磁極を備え、磁化遷移曲線の矯正、および磁化遷移曲線と再生素子とのスキュー角の減少をもたらす記録ヘッドをも含むものである。
【００６１】
図１８は、本発明の第３の形態としての磁気ヘッド３０Ｄを表わす断面図である。非対称な形状の主磁極６０の、ＡＢＳと平行な断面形状を表している。主磁極６０は、紙面右側のコーナーにおいて記録処理を行うものであり、Ｘ軸方向に平行な（ダウントラック方向に垂直な）リーディングエッジ６０ａを有している。２つの側面６０ｓ，６０ｒは、互いに異なる長さを有している。側面６０ｒは、リーディングエッジ６０ａとトレーリングエッジ６０ｔの記録用のコーナー６０ｃとを繋いでおり、その長さは、リーディングエッジ６０ａとトレーリングエッジ６０ｔのコーナー６０ｄとを繋ぐ側面６０ｓよりも長い。その結果、トレーリングエッジ６０ｔでは、リーディングエッジ６０ａからの距離がコーナー６０ｃにおいて最大となり、コーナー６０ｄにおいて最小となる。トレーリングエッジ６０ｔは直線状であり、リーディングエッジ６０ａと平行な面７７−７７に対して角度α'をなしている。面７７−７７は、面７８−７８と直交しており、それらは互いにコーナー６０ｃにおいて交差している。角度α'は、５°以上４５°以下、好ましくは１０°以上３０°以下である。
【００６２】
図１８の左側には、主磁極６０と共にその周辺部分を表している。サイドギャップ６１を挟んで側面６０ｒと対向するようにサイドシールド６３が設けられている。サイドシールド６３は、トレーリングシールド６４と連結され、ライトギャップ６２によってトレーリングエッジ６０ｔと分離されている。ライトギャップ６２は、実質的に、トレーリングエッジ６０ｔに対してコンフォーマルな形状を有している。なお、この形態では、長さの短い側面６０ｓの隣にはサイドシールドが設けられていない。非磁性層６６は、側面６０ｓと接するように非磁性の誘電体材料などによって形成されている。サイドギャップ６１は、側面６０ｒとコンフォーマルな形状を有しており、コーナー６０ｃと接するライトギャップ６２と接続されている。ここでは、記録ヘッドは右側のトラックから左側のトラックへ向かうように（磁気ディスクの外周側部分から内周側部分へ向かうように）シングル記録を行う。
【００６３】
なお、主磁極はネックハイトがゼロであり、図１３に示した対称性を有する形状の主磁極と同様に、リーディングエッジ６０ａおよびトレーリングエッジ６０ｔは、ＡＢＳから離れる方向ほどＺ軸方向において互いに間隔が広がるように傾斜している。さらに、側面６０ｒ，６０ｓは、図１２に示した対称性を有する形状の主磁極と同様に、ＡＢＳから離れる方向ほどＸ軸方向において互いに間隔が広がるようなフレア形状を有している。
【００６４】
＜変形例２＞
図１９は、図１８に示した磁気ヘッド３０Ｄの変形例としての磁気ヘッド３０Ｅを表している。ここでは、ＡＢＳにおいて、長さの短い側面６０ｓと対向する位置に、第２のサイドシールド６７を設けるようにしている。サイドシールド６３と側面６０ｒとの間にはサイドギャップ６１ｒを設け、サイドシールド６７と側面６０ｓとの間にはサイドギャップ６１ｓを設けている。サイドギャップ６１ｓは、側面６０ｓに対してコンフォーマルな形状を有している。サイドシールド６３，６７は、それぞれ、トレーリングシールド６４と連結され、ＡＢＳにおいて主磁極６０の３方を取り囲むシールド構造を構成している。
【００６５】
＜変形例３＞
図２０は、図１８に示した磁気ヘッド３０Ｅの変形例としての磁気ヘッド３０Ｆを表している。これは、図１９の記録ヘッドに、サイドシールド６３，６７と連結されたリーディングシールド６５をさらに備えるようにしたものである。リーディングシールド６５は、サイドシールド６３，６７およびトレーリングシールド６４と共にＡＢＳにおいて主磁極６０の全方位を取り囲むシールド構造を構成している。リーディングエッジ６０ａはリーディングギャップ６９によってリーディングシールド６５から分離されている。
【００６６】
［第４の形態］
図２１は、本発明の第４の形態としての磁気ヘッド３０Ｇを表わす断面図である。図２１は、左側コーナーでの記録処理を行う非対称な形状の主磁極８０を表している。主磁極８０は、Ｘ軸方向に延在するリーディングエッジ８０ａを有している。２つの側面８０ｓ，８０ｒは、互いに長さが異なっている。側面８０ｓはトレーリングエッジ８０ｔの記録用のコーナー８０ｄとリーディングエッジ８０ａとを繋いでおり、その長さは、トレーリングエッジ８０ｔのコーナー８０ｃとリーディングエッジ８０ａとを繋ぐ側面８０ｒよりも長くなっている。トレーリングエッジ８０ｔは直線状であり、リーディングエッジ８０ａと平行な面７９−７９に対して角度α'をなしている。面７９−７９は、面７６−７６と直交しており、それらは互いにコーナー８０ｄにおいて交差している。角度α'は、５°以上４５°以下、好ましくは１０°以上３０°以下である。
【００６７】
図２１の左側には、主磁極８０と共にその周辺部分を表している。図２１に示したように、サイドギャップ８１を挟んで側面８０ｓと対向するようにサイドシールド８７が設けられている。サイドシールド８７は、トレーリングシールド８４と連結され、ライトギャップ８２によってトレーリングエッジ８０ｔと分離されている。ライトギャップ８２は、実質的に、トレーリングエッジ８０ｔに対してコンフォーマルな形状を有している。なお、この磁気ヘッド３０Ｇでは、長さの短い側面８０ｒの隣にはサイドシールドが設けられていない。非磁性層８６は、側面８０ｒと接するように非磁性の誘電体材料などによって形成されている。  サイドギャップ８１は、コーナー８０ｄと接するライトギャップ８２と接続されている。ここでは、記録ヘッドは左側のトラックから右側のトラックへ向かうように（磁気ディスクの内周側部分から外周側部分へ向かうように）シングル記録を行う。
【００６８】
＜変形例４＞
図２２は、図２１に示した磁気ヘッド３０Ｇの変形例としての磁気ヘッド３０Ｈを表している。ここでは、ＡＢＳにおいて、長さの短い側面８０ｒと対向する位置に、第２のサイドシールド８３を設けるようにしている。サイドシールド８７と側面８０ｓとの間にはサイドギャップ８１ｓを設け、サイドシールド８３と側面８０ｒとの間にはサイドギャップ８１ｒを設けている。サイドギャップ８１ｒは、側面８０ｒに対してコンフォーマルな形状を有している。サイドシールド８３，８７は、それぞれ、トレーリングシールド８４と連結され、ＡＢＳにおいて主磁極８０の３方を取り囲むシールド構造を構成している。
【００６９】
＜変形例５＞
図２３は、図２２に示した磁気ヘッド３０Ｈの変形例としての磁気ヘッド３０Ｊを表している。これは、図２２の磁気ヘッド３０Ｈに、サイドシールド８３，８７と連結されたリーディングシールド８５をさらに備えるようにしたものである。リーディングシールド８５は、サイドシールド８３，８７およびトレーリングシールド８４と共にＡＢＳにおいて主磁極８０の全方位を取り囲むシールド構造を構成している。リーディングエッジ８０ａはリーディングギャップ８９によってリーディングシールド８５から分離されている。
【００７０】
図２４は、図１１および図１７に示したような対称性を有する形状の主磁極を形成する方法における第１の工程を表す断面図である。主磁極５０は、例えばＡｌＴｉＣなどからなる基体４８の上に誘電体層５１を形成したのち、その一部に埋設される。誘電体層５１を形成する前に、基体４８の表面にＲｕやＮｉＣｒなどのＲＩＥ耐性層やエッチングストッパ層を形成する。誘電体層５１の上面５１ｔは、主磁極５０の上面すなわちトレーリングエッジ５０ｔと共通の平面を形成していることが望ましい。
【００７１】
続いて、図２５に示したように、フォトレジストマスク４４を、誘電体層５１の上面５１ｔのうち、トレーリングエッジ５０ｔの端縁から距離ｎの範囲に含まれる領域以外の領域を覆うように形成する。ＩＢＥプロセスでは、図２５に示したように、例えばＸ軸に沿った２方向から矢印４５で示したような浅い角度でトレーリングエッジ５０ｔの中央に向かうようにイオンを衝突させて行う。あるいは、このＩＢＥプロセスでは、ウェハを回転させることにより弧を描く動きのなかでイオンをトレーリングエッジ５０ｔに衝突させてもよい。
【００７２】
ＩＢＥプロセスののち、フォトレジストマスク４４は従来の方法により除去される。これにより、図２６に示したように、基体４８およびリーディングエッジ５０ａの側へ折れ曲がったトレーリングエッジ５０ｔが現れる。さらに、主磁極５０と隣接する誘電体層５１の上面５１ｎが傾斜した状態となる。上面５１ｎは、ＩＢＥプロセスにおいてフォトレジストマスク４４によって保護されていなかった領域であり、フォトレジストマスク４４によって保護されていた領域よりも薄くなっている。ＩＢＥプロセスでは若干のばらつきが生じるので、上面５０ｔのうち、第１の領域５０ｔ１が第２の領域５０ｔ２と必ずしも同一の長さとなるわけではない。なお、トレーリングエッジ５０ｔは、他の形状（例えば２つのコーナー５０ｃの間で連続な曲線または複数の部分を含む形状）であってもよい。
【００７３】
なお、他の形態として、第１のＩＢＥプロセスにより、側面５０ｓ１と接する誘電体層５１の上に設けられた第１のフォトレジストマスクのみを用い、＋Ｘ方向に左から右へ向かうように静止角度（static angle）でイオンをトレーリングエッジ５０ｔに衝突させてもよい。この第１のＩＢＥプロセスののち、第１のフォトレジストマスクは除去され、第２のフォトレジストマスク（図示せず）が側面５０ｓ２と接する誘電体層５１の上面５１ｔのみを覆うように形成される。第２のＩＢＥプロセスでは、−Ｘ方向に右から左へ向かうように静止角度でイオンをトレーリングエッジ５０ｔに衝突させる。そののち、第２のフォトレジストマスクも除去される。
【００７４】
図２７は、図１８に示したような、直線状のトレーリングエッジ６０ｔを含み、かつ非対称な形状を有する主磁極の形成方法における第１の工程を表す断面図である。主磁極８０は、従来の手法により、例えばＡｌＴｉＣなどからなる基体４８の上に誘電体層８１を形成したのち、その一部に埋設される。誘電体層８１を形成する前に、基体４８の表面にＲｕやＮｉＣｒなどのＲＩＥ耐性層やエッチングストッパ層を形成する。誘電体層８１の上面８１ｔは、主磁極８０の上面すなわちトレーリングエッジ８０ｔと共通の平面を形成していることが望ましい。
【００７５】
次に、図２８に示したように、主磁極８０の片側に位置する誘電体層８１の上面８１ｔを選択的に覆うようにフォトレジストマスク４６を形成する。ここでは、トレーリングエッジ８０ｔの端部から距離ｓの範囲に含まれる領域以外の領域を覆うように形成する。ＩＢＥプロセスは、図２５に示したように、例えば−Ｘ軸方向から矢印４７で示したような浅い角度でトレーリングエッジ８０ｔの中央に向かうようにイオンを衝突させて行う。
【００７６】
ＩＢＥプロセスののち、フォトレジストマスク４６は従来の方法により除去される。これにより、図２９に示したように、リーディングエッジ８０ａに対して傾斜したトレーリングエッジ８０ｔが現れる。さらに、記録用のコーナー８０ｃにおいて上面８０ｔと接する誘電体層８１の上面８１ｎは、傾斜した状態となる。上面８１ｎは、ＩＢＥプロセスにおいてフォトレジストマスク４６によって保護されていなかった領域であり、フォトレジストマスク４６によって保護されていた領域（上面８１ｔを有する部分）の誘電体層８１よりも薄くなる。さらに、コーナー８０ｄにおいて上面８０ｔと接する誘電体層８１の上面８１ｍは、上面８１ｗを有する誘電体層８１よりも厚くなる。
【００７７】
また、図２１で示した左側コーナーで記録処理を行うタイプの磁気ヘッドの形成についても、図２７〜図２９において同様の一連のステップにより実現可能である。但し、ＩＢＥプロセスにおいて、主磁極８０の左側の誘電体層８１の上面８１ｔを覆うようにフォトレジストマスクを形成し、＋Ｘ軸方向に沿って浅い角度でイオンビームを照射する点が異なる。また、図２６に示した傾斜した上面５０ｔもしくは図２９に示した傾斜した上面８０ｔを形成したのちに続く工程では、誘電体層５１（もしくは８１）の除去を行い、主磁極５０（もしくは８０）に接するサイドギャップの形成と、サイドシールドおよびトレーリングシールドの形成を行う。
【００７８】
さらに、図３０に示したように、本発明は、傾斜したトレーリングエッジを含む対称性を有する形状の主磁極の形成方法をも含むものである。ここで、トレーリングエッジの傾斜面を規定するためのＩＢＥプロセスはサイドシールドおよびサイドギャップが形成されたのち行われる。この場合、記録ヘッドは、基体と平行であり、かつサイドギャップ５１ａ，５１ｂの上面５１ｔおよびサイドシールド５３ａ，５３ｂの上面５３ｔと共通の平面を形成するトレーリングエッジを含むように形成される。そののち、図２５に示したようなＩＢＥプロセスにより、基体４８およびリーディングエッジ５０ａの側へ折れ曲がったトレーリングエッジ５１ｔが画定される。
【００７９】
非対称な形状の主磁極についても、図３０に示したステップののち、図２８および図２９に示したステップを経ることにより形成可能である。
【００８０】
このように、第２〜第４の形態によれば、主磁極のトレーリングエッジがリーディングエッジに対して傾斜する部分を含むようにしたので、記録トラックにおける磁化遷移曲線を直線状に近づくように矯正し、再生素子と記録トラックの磁化遷移曲線とがなすスキュー角を低減することができる。それによりＳＮ比を向上させ、シングル記録を行うにあたり線記録密度を向上させることができる。
【００８１】
以上、本発明をその好適な実施の形態を参照して具体的に示し説明したが、当業者であれば、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形式的な変更および詳細な変更をなし得ることを理解することができる。
【符号の説明】
【００８２】
３０，３０Ａ，３０Ｂ…磁気ヘッド、３１…第１のシールド、３２…ギャップ層、３３…第２のシールド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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