(57)【要約】【課題】伝達特性の対称性を向上し、低電圧動作が可能な電力増幅回路を提供する。【解決手段】電力増幅回路は、Ｇｍアンプと、ミラー回路を構成する第１、第２のトランジスタと、ミラー回路を構成する第３、第４のトランジスタと、ミラー回路を構成する第５、第６のトランジスタと、ミラー回路を構成する第７、第８のトランジスタと、第１の電源レールに一端が接続され、増幅した信号を出力するための信号出力端子に他端が接続され、反転出力端子に制御端子が接続された第９のトランジスタと、信号出力端子に一端が接続され、第２の電源レールに他端が接続され、非反転出力端子に制御端子が接続された第１０のトランジスタと、を備える。【選択図】図１
2011244324.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号が非反転入力端子に入力され、基準電圧が反転入力端子に入力されるＧｍアンプと、
第１の電圧が印加される第１の電源レールに一端が接続され、第１の電流を出力する第１の電流源と、
前記第１の電源レールに一端が接続された、第１導電型の第１のトランジスタと、
前記第１の電源レールに一端が接続され、前記Ｇｍアンプの反転出力端子に他端が接続され、前記第１のトランジスタに流れる電流をカレントミラーした電流が流れる前記第１導電型の第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの他端に一端が接続された前記第１導電型の第３のトランジスタと、
前記第２のトランジスタの他端に一端が接続され、前記Ｇｍアンプの非反転出力端子に他端が接続され、前記第３のトランジスタに流れる電流をカレントミラーした電流が流れる前記第１導電型の第４のトランジスタと、
前記第３のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第１の電圧よりも低い第２の電圧が印加される第２の電源レールに他端が接続され、前記第１の電流と等しい第２の電流を出力する第２の電流源と、
前記第１の電流源の他端に一端が接続された、前記第１導電型と異なる第２導電型の第５のトランジスタと、
前記第２のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第４のトランジスタの他端に他端が接続され、前記第５のトランジスタに流れる電流をカレントミラーした電流が流れる前記第２導電型の第６のトランジスタと、
前記第５のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続された前記第２導電型の第７のトランジスタと、
前記第６のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続され、前記第７のトランジスタに流れる電流をカレントミラーした電流が流れる前記第２導電型の第８のトランジスタと、
前記第１の電源レールに一端が接続され、増幅した信号を出力するための信号出力端子に他端が接続され、前記反転出力端子に制御端子が接続された前記第１導電型の第９のトランジスタと、
前記信号出力端子に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続され、前記非反転出力端子に制御端子が接続された前記第２導電型の第１０のトランジスタと、を備える
ことを特徴とする電力増幅回路。
【請求項２】
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタに流れる電流を、第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れ、
前記第４のトランジスタは、前記第３のトランジスタに流れる電流を、第２のミラー比でカレントミラーした電流が流れ、
前記第６のトランジスタは、前記第５のトランジスタに流れる電流を、前記第２のミラー比でカレントミラーした電流が流れ、
前記第８のトランジスタは、前記第７のトランジスタに流れる電流を、前記第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れる
ことを特徴とする請求項１に記載の電力増幅回路。
【請求項３】
前記反転出力端子に流れる電流よりも前記第２のトランジスタに流れる電流の方が大きく、
前記非反転出力端子に流れる電流よりも前記第８のトランジスタに流れる電流の方が大きい
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電力増幅回路。
【請求項４】
前記Ｇｍアンプは、
前記第１の電源レールに一端が接続され、電流を出力する第３の電流源と、
前記第１の電源レールに一端が接続され、電流を出力する第４の電流源と、
前記第３の電流源の他端と前記第４の電流源の他端との間に接続された第１の抵抗と、
前記第３の電流源の他端に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続され、前記非反転入力端子に制御端子が接続された前記第１導電型の第１１のトランジスタと、
前記第４の電流源の他端に一端が接続され、前記非反転出力端子に他端が接続され、前記反転入力端子に制御端子が接続された前記第１導電型の第１２のトランジスタと、
前記第１の電源レールに一端が接続され、前記非反転入力端子に制御端子が接続された前記第２導電型の第１３のトランジスタと、
前記反転出力端子に一端が接続され、前記反転入力端子に制御端子が接続された、前記第２導電型の第１４のトランジスタと、
前記第１３のトランジスタの他端と前記第１４のトランジスタの他端との間に接続された第２の抵抗と、
前記第１３のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続され、電流を出力する第５の電流源と、
前記第１４のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続され、電流を出力する第６の電流源と、を有する
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電力増幅回路。
【請求項５】
入力信号が非反転入力端子に入力され、基準電圧が反転入力端子に入力されるＧｍアンプと、
第１の電圧が印加される第１の電源レールに一端が接続され、第１の電流を出力する、第１の電流源と、
前記第１の電源レールに一端が接続され、前記Ｇｍアンプの非反転出力端子に他端が接続された、第１導電型の第１のトランジスタと、
前記第１の電源レールに一端が接続され、前記第１のトランジスタに流れる電流を第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れる、前記第１導電型の第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの他端に一端が接続された、前記第１導電型の第３のトランジスタと、
前記第２のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第３のトランジスタに流れる電流を、前記第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れる、前記第１導電型の第４のトランジスタと、
前記第３のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第１の電圧よりも低い第２の電圧が印加される第２の電源レールに他端が接続され、前記第１の電流と等しい第２の電流を出力する第２の電流源と、
前記第１の電流源の他端に一端が接続され、前記Ｇｍアンプの反転出力端子に他端が接続され、前記第１導電型と異なる第２導電型の第５のトランジスタと、
前記第２のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第４のトランジスタの他端に他端が接続され、前記第５のトランジスタに流れる電流を、前記第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れる、前記第２導電型の第６のトランジスタと、
前記第５のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続された、前記第２導電型の第７のトランジスタと、
前記第６のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続され、前記第７のトランジスタに流れる電流を、前記第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れる、前記第２導電型の第８のトランジスタと、
前記第１の電源レールに一端が接続され、増幅した信号を出力するための信号出力端子に他端が接続され、前記第２のトランジスタの他端に制御端子が接続された、前記第１導電型の第９のトランジスタと、
前記信号出力端子に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続され、前記第８のトランジスタの一端に制御端子が接続された、前記第２導電型の第１０のトランジスタと、を備える
ことを特徴とする電力増幅回路。
【請求項６】
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタに流れる電流を第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れ、
前記第４のトランジスタは、前記第３のトランジスタに流れる電流を前記第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れ、
前記第６のトランジスタは、前記第５のトランジスタに流れる電流を前記第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れ、
前記第８のトランジスタは、前記第７のトランジスタに流れる電流を前記第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れる、
ことを特徴とする請求項５に記載の電力増幅回路。
【請求項７】
前記Ｇｍアンプは、
前記第１の電源レールに一端が接続され、電流を出力する、第３の電流源と、
前記第３の電流源の他端に一端が接続され、前記非反転入力端子に他端が接続された、前記第２導電型の第１１のトランジスタと、
前記非反転出力端子に一端が接続され、前記反転入力端子に他端が接続され、前記第１１のトランジスタの制御端子に制御端子が接続された、前記第２導電型の第１２のトランジスタと、
前記非反転入力端子に一端が接続された、前記第１導電型の第１３のトランジスタと、
前記反転入力端子に一端が接続され、前記反転出力端子に他端が接続され、前記第１３のトランジスタの制御端子に制御端子が接続された、前記第１導電型の第１４のトランジスタと、
前記第１３のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続され、電流を出力する、第４の電流源と、を有する
ことを特徴とする請求項５または６に記載の電力増幅回路。
【請求項８】
前記反転出力端子に流れる電流よりも前記第１のトランジスタに流れる電流の方が大きく、
前記非反転出力端子に流れる電流よりも前記第７のトランジスタに流れる電流の方が大きい
ことを特徴とする請求項５ないし７のいずれか一項に記載の電力増幅回路。
【請求項９】
前記基準電圧は、前記第１の電圧と前記第２の電圧の中間の電圧であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一項に記載の電力増幅回路。
【請求項１０】
前記第１ないし第４、第９のトランジスタは、ｐＭＯＳトランジスタ又はＮＰＮトランジスタであり、
前記第５ないし第８、第１０のトランジスタは、ｎＭＯＳトランジスタ又はＰＮＰトランジスタであり、
前記第１の電圧は、電源電圧であり、
前記第２の電圧は、接地電圧であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の電力増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電力を増幅して出力する電力増幅回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電力増幅回路（ＭＯＳ型出力回路）の一例によれば、簡易な構成にて、無信号状態及び信号入力時における出力トランジスタのゲートインピーダンスの変化を、小さく抑えることが可能となり、低歪みのアナログＭＯＳ増幅回路をチップサイズの増大を伴わずに実現できる。
【０００３】
しかし、入力信号が無信号時のアイドル電流を決定するためのＭＯＳトランジスタ及び抵抗等からなる回路の作用により、ｐチャネル側出力トランジスタのゲートインピーダンスと、ｎチャネル側出力トランジスタのゲートインピーダンスは等しいとは言えない。このため、前段の駆動回路が、これら出力トランジスタを各々等しい電流で駆動しても、この出力回路の伝達特性は、正の入力信号が与えられた場合と負の入力信号が与えられた場合とで大きく異なる。
【０００４】
すなわち、従来の回路は、プッシュ側（ｐチャネル側）出力トランジスタの駆動回路とプル側（ｎチャネル側）出力トランジスタの駆動回路との対称性が悪く、これら出力トランジスタの駆動時における伝達特性の対称性が悪いという問題を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４０３０２７７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、伝達特性の対称性を向上し、低電圧動作が可能な電力増幅回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る実施例に従った電力増幅回路は、
入力信号が非反転入力端子に入力され、基準電圧が反転入力端子に入力されるＧｍアンプと、
第１の電圧が印加される第１の電源レールに一端が接続され、第１の電流を出力する第１の電流源と、
前記第１の電源レールに一端が接続された、第１導電型の第１のトランジスタと、
前記第１の電源レールに一端が接続され、前記Ｇｍアンプの反転出力端子に他端が接続され、前記第１のトランジスタに流れる電流をカレントミラーした電流が流れる前記第１導電型の第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの他端に一端が接続された前記第１導電型の第３のトランジスタと、
前記第２のトランジスタの他端に一端が接続され、前記Ｇｍアンプの非反転出力端子に他端が接続され、前記第３のトランジスタに流れる電流をカレントミラーした電流が流れる前記第１導電型の第４のトランジスタと、
前記第３のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第１の電圧よりも低い第２の電圧が印加される第２の電源レールに他端が接続され、前記第１の電流と等しい第２の電流を出力する第２の電流源と、
前記第１の電流源の他端に一端が接続された、前記第１導電型と異なる第２導電型の第５のトランジスタと、
前記第２のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第４のトランジスタの他端に他端が接続され、前記第５のトランジスタに流れる電流をカレントミラーした電流が流れる前記第２導電型の第６のトランジスタと、
前記第５のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続された前記第２導電型の第７のトランジスタと、
前記第６のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続され、前記第７のトランジスタに流れる電流をカレントミラーした電流が流れる前記第２導電型の第８のトランジスタと、
前記第１の電源レールに一端が接続され、増幅した信号を出力するための信号出力端子に他端が接続され、前記反転出力端子に制御端子が接続された前記第１導電型の第９のトランジスタと、
前記信号出力端子に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続され、前記非反転出力端子に制御端子が接続された前記第２導電型の第１０のトランジスタと、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明の他の態様に係る実施例に従った電力増幅回路は、
入力信号が非反転入力端子に入力され、基準電圧が反転入力端子に入力されるＧｍアンプと、
第１の電圧が印加される第１の電源レールに一端が接続され、第１の電流を出力する、第１の電流源と、
前記第１の電源レールに一端が接続され、前記Ｇｍアンプの非反転出力端子に他端が接続された、第１導電型の第１のトランジスタと、
前記第１の電源レールに一端が接続され、前記第１のトランジスタに流れる電流を第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れる、前記第１導電型の第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの他端に一端が接続された、前記第１導電型の第３のトランジスタと、
前記第２のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第３のトランジスタに流れる電流を、前記第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れる、前記第１導電型の第４のトランジスタと、
前記第３のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第１の電圧よりも低い第２の電圧が印加される第２の電源レールに他端が接続され、前記第１の電流と等しい第２の電流を出力する第２の電流源と、
前記第１の電流源の他端に一端が接続され、前記Ｇｍアンプの反転出力端子に他端が接続され、前記第１導電型と異なる第２導電型の第５のトランジスタと、
前記第２のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第４のトランジスタの他端に他端が接続され、前記第５のトランジスタに流れる電流を、前記第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れる、前記第２導電型の第６のトランジスタと、
前記第５のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続された、前記第２導電型の第７のトランジスタと、
前記第６のトランジスタの他端に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続され、前記第７のトランジスタに流れる電流を、前記第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れる、前記第２導電型の第８のトランジスタと、
前記第１の電源レールに一端が接続され、増幅した信号を出力するための信号出力端子に他端が接続され、前記第２のトランジスタの他端に制御端子が接続された、前記第１導電型の第９のトランジスタと、
前記信号出力端子に一端が接続され、前記第２の電源レールに他端が接続され、前記第８のトランジスタの一端に制御端子が接続された、前記第２導電型の第１０のトランジスタと、を備えることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一態様である実施例１に係る電力増幅回路１００の構成の一例を示す回路図である。
【図２】本発明の一態様である実施例２に係る電力増幅回路２００の構成の一例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明に係る各実施例について図面に基づいて説明する。なお、以下では、第１導電型のトランジスタをｐＭＯＳトランジスタとし、第２導電型のトランジスタをｎＭＯＳトランジスタとして説明する。しかし、バイポーラトランジスタを用いた場合は、第１導電型のトランジスタがＮＰＮトランジスタに相当し、第２導電型のトランジスタがＰＮＰトランジスタに相当する。
【実施例１】
【００１１】
図１は、本発明の一態様である実施例１に係る電力増幅回路１００の構成の一例を示す回路図である。
【００１２】
図１に示すように、電力増幅回路１００は、Ｇｍアンプｇ１と、第１導電型の第１のトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ１０１と、第１導電型の第２のトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ１０２と、第１導電型の第３のトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ１０３と、第１導電型の第４のトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ１０４と、第２導電型の第５のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ１０５と、第２導電型の第６のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ１０６と、第２導電型の第７のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ１０７と、第２導電型の第８のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ１０８と、第１導電型の第９のトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ１０９と、第２導電型の第１０のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ１１０と、第１の電流源ｉ１０１と、第２の電流源ｉ１０２と、を備える。
【００１３】
Ｇｍアンプｇ１は、入力信号が非反転入力端子Ｔｉｎ＋に入力され、基準電圧が反転入力端子Ｔｉｎ−に入力されている。なお、該基準電圧は、第１の電圧（例えば、電源電圧）ＶＤＤと第１の電圧ＶＤＤよりも低い第２の電圧（例えば、接地電圧）の中間の電圧である。
【００１４】
第１の電流源ｉ１０１は、第１の電圧ＶＤＤが印加される第１の電源レールＲＶＤＤに一端が接続され、第１の電流Ｉ１を出力するようになっている。
【００１５】
第１のトランジスタＭ１０１は、ダイオード接続され、第１の電源レールＲＶＤＤに一端（ソース）が接続されている。
【００１６】
第２のトランジスタＭ１０２は、第１の電源レールＲＶＤＤに一端（ソース）が接続され、Ｇｍアンプｇ１の反転出力端子Ｔｏｕｔ−に他端（ドレイン）が接続されている。
【００１７】
第１のトランジスタＭ１０１と第２のトランジスタＭ１０２は、ミラー回路ｃ１０１を構成する。すなわち、第２のトランジスタＭ１０２は、第１のトランジスタＭ１０１に流れる電流を、第１のミラー比（１：ｍ、ｍ＞１）でカレントミラーした電流が流れる。
【００１８】
第３のトランジスタＭ１０３は、ダイオード接続され、第１のトランジスタＭ１０１の他端（ドレイン）に一端（ソース）が接続されている。
【００１９】
第４のトランジスタＭ１０４は、第２のトランジスタＭ１０２の他端（ドレイン）に一端（ソース）が接続され、Ｇｍアンプｇ１の非反転出力端子Ｔｏｕｔ＋に他端（ドレイン）が接続されている。
【００２０】
第３のトランジスタＭ１０３と第４のトランジスタＭ１０４は、ミラー回路ｃ１０２を構成する。すなわち、この第４のトランジスタＭ１０４は、第３のトランジスタＭ１０３に流れる電流を、第２のミラー比（ｍ：１）でカレントミラーした電流が流れる。
【００２１】
第２の電流源ｉ１０２は、第３のトランジスタＭ１０３の他端（ドレイン）に一端が接続され、第２の電圧ＶＳＳが印加される第２の電源レールＲＶＳＳに他端が接続されている。
【００２２】
この第２の電流源ｉ１０２は、第１の電流と等しい第２の電流を出力するようになっている。
【００２３】
第５のトランジスタＭ１０５は、ダイオード接続され、第１の電流源ｉ１０１の他端に一端（ドレイン）が接続されている。
【００２４】
第６のトランジスタＭ１０６は、第２のトランジスタＭ１０２の他端（ドレイン）に一端（ドレイン）が接続され、第４のトランジスタＭ１０４の他端（ドレイン）に他端（ソース）が接続されている。
【００２５】
第５のトランジスタＭ１０５と第６のトランジスタＭ１０６は、ミラー回路ｃ１０３を構成する。すなわち、この第６のトランジスタＭ１０６は、第５のトランジスタＭ１０５に流れる電流を、該第２のミラー比でカレントミラーした電流が流れる。
【００２６】
第７のトランジスタＭ１０７は、ダイオード接続され、第５のトランジスタＭ１０５の他端（ソース）に一端（ドレイン）が接続され、第２の電源レールＲＶＳＳに他端（ソース）が接続されている。
【００２７】
第８のトランジスタＭ１０８は、第６のトランジスタＭ１０６の他端（ソース）に一端（ドレイン）が接続され、第２の電源レールＲＶＳＳに他端（ソース）が接続されている。
【００２８】
第７のトランジスタＭ１０７と第８のトランジスタＭ１０８は、ミラー回路ｃ１０４を構成する。すなわち、この第８のトランジスタＭ１０８は、第７のトランジスタＭ１０７に流れる電流を、該第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れる。
【００２９】
出力トランジスタとして機能する第９のトランジスタＭ１０９は、第１の電源レールＲＶＤＤに一端（ソース）が接続され、増幅した信号を出力するための信号出力端子Ｔｏｕｔに他端（ドレイン）が接続され、反転出力端子Ｔｏｕｔ−に制御端子（ゲート）が接続されている。
【００３０】
第１のトランジスタＭ１０１の電流が増加した場合には他端（ドレイン）の電圧が下降することから、第１のトランジスタＭ１０１とカレントミラーの関係にある第２のトランジスタＭ１０２の他端（ドレイン）電圧も下降し、第９のトランジスタＭ１０９は制御端子（ゲート）の電圧が下降して電流が増加することから、第１のトランジスタＭ１０１に流れる電流を増幅した電流が流れる。
【００３１】
一方、第１のトランジスタＭ１０１の電流が減少した場合には、第９のトランジスタＭ１０９は制御端子（ゲート）の電圧が上昇して電流を絞り、第１のトランジスタＭ１０１に流れる電流を増幅した電流が流れる。
【００３２】
また、出力トランジスタとして機能する第１０のトランジスタＭ１１０は、信号出力端子Ｔｏｕｔに一端（ドレイン）が接続され、第２の電源レールＲＶＳＳに他端（ソース）が接続され、非反転出力端子Ｔｏｕｔ＋に制御端子（ゲート）が接続されている。
【００３３】
第７のトランジスタＭ１０７の電流が増加した場合には他端（ドレイン）の電圧が上昇することから、第７のトランジスタＭ１０７とカレントミラーの関係にある第８のトランジスタＭ１０８の他端（ドレイン）も電圧も上昇し、第１０のトランジスタＭ１１０は制御端子（ゲート）の電圧が上昇して電流が増加することから、第７のトランジスタＭ２０１に流れる電流を増幅した電流が流れる。
【００３４】
一方、第７のトランジスタＭ１０７の電流が減少した場合には、第１０のトランジスタＭ１１０は制御端子（ゲート）の電圧が下降して電流を絞り、第７のトランジスタＭ１０７に流れる電流を増幅した電流が流れる。
【００３５】
このように、電力増幅回路１００は、回路構成の対称性が従来技術と比較して高く、伝達特性の対称性が高いと考えられる。
【００３６】
ここで、Ｇｍアンプｇ１は、図１に示すように、例えば、第１導電型の第１１のトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ１１１と、第１導電型の第１２のトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ１１２と、第２導電型の第１３のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ１１３と、第２導電型の第１４のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ１１４と、第３の電流源ｉ１０３と、第４の電流源ｉ１０４と、第５の電流源ｉ１０５と、第６の電流源ｉ１０６と、第１の抵抗Ｒ１と、第２の抵抗Ｒ２と、を有する。
【００３７】
第３の電流源ｉ１０３は、第１の電源レールＲＶＤＤに一端が接続され、電流を出力するようになっている。
【００３８】
第４の電流源ｉ１０４は、第１の電源レールＲＶＤＤに一端が接続され、電流を出力するようになっている。
【００３９】
第１の抵抗Ｒ１は、第３の電流源ｉ１０３の他端と第４の電流源ｉ１０４の他端との間に接続されている。
【００４０】
第１１のトランジスタＭ１１１は、第３の電流源ｉ１０３の他端に一端（ソース）が接続され、第２の電源レールＲＶＳＳに他端（ドレイン）が接続され、非反転入力端子Ｔｉｎ＋に制御端子（ゲート）が接続されている。
【００４１】
第１２のトランジスタＭ１１２は、第４の電流源ｉ１０４の他端に一端（ソース）が接続され、非反転出力端子Ｔｏｕｔ＋に他端（ドレイン）が接続され、反転入力端子Ｔｉｎ−に制御端子（ゲート）が接続されている。
【００４２】
第１３のトランジスタＭ１１３は、第１の電源レールＲＶＤＤに一端（ドレイン）が接続され、非反転入力端子Ｔｉｎ＋に制御端子（ゲート）が接続されている。
【００４３】
第１４のトランジスタＭ１１４は、反転出力端子Ｔｏｕｔ−に一端（ドレイン）が接続され、反転入力端子Ｔｉｎ−に制御端子（ゲート）が接続されている。
【００４４】
第２の抵抗Ｒ２は、第１３のトランジスタＭ１１３の他端（ソース）と第１４のトランジスタＭ１１４の他端（ソース）との間に接続されている。
【００４５】
第５の電流源ｉ１０５は、第１３のトランジスタＭ１１３の他端（ソース）に一端が接続され、第２の電源レールＲＶＳＳに他端が接続され、電流を出力するようになっている。
【００４６】
第６の電流源ｉ１０６は、第１４のトランジスタＭ１１４の他端（ソース）に一端が接続され、第２の電源レールＲＶＳＳに他端が接続され、電流を出力するようになっている。
【００４７】
ここで、以上のような構成を有する電力増幅回路１００の動作の一例について説明する。
【００４８】
例えば、非反転入力端子Ｔｉｎ＋に基準電圧よりも高い電圧の入力信号が入力されると、非反転出力端子Ｔｏｕｔ＋の電圧および反転出力端子Ｔｏｕｔ−の電圧が下降する。
【００４９】
これにより、第９のトランジスタＭ１０９、および、第１０のトランジスタＭ１１０の制御端子（ゲート）の電圧が下降するので、出力端子Ｔｏｕｔの電圧が上昇する。
【００５０】
一方、非反転入力端子Ｔｉｎ＋に基準電圧よりも低い電圧の入力信号が入力されると、非反転出力端子Ｔｏｕｔ＋の電圧および反転出力端子Ｔｏｕｔ−の電圧が上昇する。
【００５１】
これにより、第９のトランジスタＭ１０９、および、第１０のトランジスタＭ１１０の制御端子（ゲート）の電圧が上昇するので、出力端子Ｔｏｕｔの電圧が下降する。
【００５２】
このように、電力増幅回路１００は、従来技術と比較して伝達特性の対称性が高い。
【００５３】
ここで、該第１のミラー比（１：ｍ）、第２のミラー比（ｍ：１）において、例えば、ｍ＝２とする。
【００５４】
この場合、第１の電流源ｉ１０１、第５、第７のトランジスタＭ１０５、Ｍ１０７に第１の電流（電流値Ｉ×２）が流れ、第２の電流源ｉ１０２、第１、第３のトランジスタＭ１０１、Ｍ１０３に第２の電流（電流値Ｉ×２）が流れ、第２、第８のトランジスタＭ１０２、Ｍ１０８に電流（電流値Ｉ×４）が流れ、第４、第６のトランジスタＭ１０２、Ｍ１０８に電流（電流値Ｉ）が流れることになる。
【００５５】
さらに、第２のトランジスタＭ１０２に流れる電流（電流値Ｉ×４）が、第６の電流源ｉ１０６に流れる電流（電流値Ｉ×２）と、第４のトランジスタＭ１０４に流れる電流（電流値Ｉ）と、第６のトランジスタＭ１０６に流れる電流（電流値Ｉ）との和になり、第８のトランジスタＭ１０８に流れる電流（電流値Ｉ×４）が、第４の電流源ｉ１０４に流れる電流（電流値Ｉ×２）と、第４のトランジスタＭ１０４に流れる電流（電流値Ｉ）と、第６のトランジスタＭ１０６に流れる電流（電流値Ｉ）との和になる。
【００５６】
このように、非反転出力端子Ｔｏｕｔ＋（第４の電流源ｉ１０４）に流れる電流（電流値Ｉ×２）よりも第８のトランジスタＭ１０８に流れる電流（電流値Ｉ×４）の方が大きい。同様に、反転出力端子Ｔｏｕｔ−（第６の電流源ｉ１０６）に流れる電流（電流値Ｉ×２）よりも第２のトランジスタＭ１０２に流れる電流（電流値Ｉ×４）の方が大きい。
【００５７】
そして、既述のように、例えば、第９のトランジスタＭ１０９は、第１のトランジスタＭ１０１に流れる電流を、第３のミラー比（１：１００）でカレントミラーした電流（電流値Ｉ×２００）が流れ、第１０のトランジスタＭ１１０は、第７のトランジスタＭ１０７に流れる電流を、該第３のミラー比（１：１００）でカレントミラーした電流（電流値Ｉ×２００）が流れる。
【００５８】
以上により、電力増幅回路１００は、伝達特性の対称性を向上しつつ、入力信号の電力を増幅した信号を出力することができる。
【００５９】
特に、実施例1に係る電力増幅回路１００は、Ｇｍアンプｇ１の出力が第９、第１０のトランジスタＭ１０９、Ｍ１１０のゲートに直接接続されているので、応答性に優れた特徴を有する。
【００６０】
次に、このような動作をするときの電力増幅回路１００の動作電圧について検討する。
【００６１】
例えば、電力増幅回路１００が所望の動作をするためには、第９のトランジスタＭ１０９の閾値電圧Ｖｔｈ１＋第４のトランジスタＭ１０４の閾値電圧Ｖｔｈ２＋第２の電流源ｉ１０２の電圧降下分が、第１の電源レールＲＶＤＤと第２の電源レールＲＶＳＳとの間の必要な電位差となる。なお、第２の電流源ｉ１０２は、一般的にカレントミラー回路で構成されることから、第２の電流源ｉ１０２の電圧降下は、ドレイン・ソース電圧Ｖｄｓ程度になる。
【００６２】
したがって、電源電圧ＶＤＤが、閾値電圧Ｖｔｈ１+閾値電圧Ｖｔｈ２＋ドレイン・ソース電圧Ｖｄｓ以上の電圧であれば、電力増幅回路１００は、安定的な動作が可能である。例えば、閾値電圧Ｖｔｈ１、Ｖｔｈ２を１Ｖ、ドレイン・ソース電圧Ｖｄｓを０．５Ｖと仮定した場合には、電源電圧ＶＤＤが２．５Ｖ以上で、電力増幅回路１００は安定動作可能である。すなわち、電力増幅回路１００は低電圧動作が可能である。
【００６３】
以上のように、本実施例１に係る電力増幅回路によれば、伝達特性の対称性を向上することができる。
【００６４】
さらに、本実施例１に係る電力増幅回路によれば、電源レール間に接続されるトランジスタの段数を少なくでき、低電圧で動作することができる。
【実施例２】
【００６５】
本実施例２においては、伝達特性の対称性を向上することが可能な電力増幅回路の他の構成例について説明する。
【００６６】
図２は、本発明の一態様である実施例２に係る電力増幅回路２００の構成の一例を示す回路図である。なお、図２において、図１の符号と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示す。
【００６７】
図２に示すように、電力増幅回路２００は、Ｇｍアンプｇ２と、第１の電流源ｉ２０１と、第１導電型の第１のトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ２０１と、第１導電型の第２のトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ２０２と、第１導電型の第３のトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ２０３と、第１導電型の第４のトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ２０４と、第２導電型の第５のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ２０５と、第２導電型の第６のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ２０６と、第２導電型の第７のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ２０７と、第２導電型の第８のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ２０８と、第１導電型の第９のトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ２０９と、第２導電型の第１０のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ２１０と、を備える。
【００６８】
Ｇｍアンプｇ２は、入力信号が非反転入力端子Ｔｉｎ＋に入力され、基準電圧が反転入力端子Ｔｉｎ−に入力される。なお、実施例１と同様に、該基準電圧は、第１の電圧（例えば、電源電圧）ＶＤＤと第１の電圧ＶＤＤよりも低い第２の電圧（例えば、接地電圧）の中間の電圧である。
【００６９】
第１の電流源ｉ２０１は、第１の電圧ＶＤＤが印加される第１の電源レールＲＶＤＤに一端が接続され、第１の電流Ｉ１を出力するようになっている。
【００７０】
第１のトランジスタＭ２０１は、ダイオード接続され、第１の電源レールＲＶＤＤに一端（ソース）が接続され、Ｇｍアンプｇ２の非反転出力端子Ｔｏｕｔ＋に他端（ドレイン）が接続されている。
【００７１】
第２のトランジスタＭ２０２は、第１の電源レールＲＶＤＤに一端（ソース）が接続されている。
【００７２】
第１のトランジスタＭ２０１と第２のトランジスタＭ２０２は、ミラー回路ｃ２０１を構成する。すなわち、第２のトランジスタＭ２０２は、第１のトランジスタＭ２０１に流れる電流を、第１のミラー比（１：ｔ、ｔ＞０）でカレントミラーした電流が流れる。
【００７３】
第３のトランジスタＭ２０３は、ダイオード接続され、第１のトランジスタＭ２０１の他端（ドレイン）に一端（ソース）が接続されている。
【００７４】
第４のトランジスタＭ２０４は、第２のトランジスタＭ２０２の他端（ドレイン）に一端（ソース）が接続されている。
【００７５】
第３のトランジスタＭ２０３と第４のトランジスタＭ２０４は、ミラー回路ｃ２０２を構成する。すなわち、この第４のトランジスタＭ２０４は、第３のトランジスタＭ２０３に流れる電流を、該第のミラー比でカレントミラーした電流が流れる。
【００７６】
第２の電流源ｉ２０２は、第３のトランジスタＭ２０３の他端（ドレイン）に一端が接続され、第２の電圧ＶＳＳが印加される第２の電源レールＲＶＳＳに他端が接続されている。この第２の電流源ｉ２０２は、第１の電流Ｉ１と等しい第２の電流Ｉ２を出力するようになっている。
【００７７】
第５のトランジスタＭ２０５は、ダイオード接続され、第１の電流源ｉ２０１の他端に一端（ドレイン）が接続され、Ｇｍアンプｇ２の反転出力端子Ｔｏｕｔ−に他端（ソース）が接続されている。
【００７８】
第６のトランジスタＭ２０６は、第２のトランジスタＭ２０２の他端（ドレイン）に一端（ソース）が接続され、第４のトランジスタＭ２０４の他端（ドレイン）に他端（ドレイン）が接続されている。
【００７９】
第５のトランジスタＭ２０５と第６のトランジスタＭ２０６は、ミラー回路ｃ２０３を構成する。すなわち、この第６のトランジスタＭ２０６は、第５のトランジスタＭ２０５に流れる電流を、該第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れる。
【００８０】
第７のトランジスタＭ２０７は、ダイオード接続され、第５のトランジスタＭ２０５の他端（ソース）に一端（ドレイン）が接続され、第２の電源レールＲＶＳＳに他端（ソース）が接続されている。
【００８１】
第８のトランジスタＭ２０８は、第６のトランジスタＭ２０６の他端（ソース）に一端（ドレイン）が接続され、第２の電源レールＲＶＳＳに他端（ソース）が接続されている。
【００８２】
第７のトランジスタＭ２０７と第８のトランジスタＭ２０８は、ミラー回路ｃ２０４を構成する。すなわち、この第８のトランジスタＭ２０８は、第７のトランジスタＭ２０７に流れる電流を、該第１のミラー比でカレントミラーした電流が流れる。
【００８３】
出力トランジスタとして機能する第９のトランジスタＭ２０９は、第１の電源レールＲＶＤＤに一端（ソース）が接続され、増幅した信号を出力するための信号出力端子Ｔｏｕｔに他端（ドレイン）が接続され、第２のトランジスタＭ２０２の他端（ドレイン）に制御端子（ゲート）が接続されている。
【００８４】
第１のトランジスタＭ２０１の電流が増加した場合には他端（ドレイン）の電圧が下降することから、第１のトランジスタＭ２０１とカレントミラーの関係にある第２のトランジスタＭ２０２の他端（ドレイン）電圧も下降し、第９のトランジスタＭ２０９は制御端子（ゲート）の電圧が下降して電流が増加することから、第１のトランジスタＭ２０１に流れる電流を増幅した電流が流れる。
【００８５】
一方、第１のトランジスタＭ２０１の電流が減少した場合には、第９のトランジスタＭ２０９は制御端子（ゲート）の電圧が上昇して電流を絞り、第１のトランジスタＭ２０１に流れる電流を増幅した電流が流れる。
【００８６】
また、出力トランジスタとして機能する第１０のトランジスタＭ２１０は、信号出力端子Ｔｏｕｔに一端（ドレイン）が接続され、第２の電源レールＲＶＳＳに他端（ソース）が接続され、第８のトランジスタＭ２０８の一端（ドレイン）に制御端子（ゲート）が接続されている。
【００８７】
第７のトランジスタＭ２０７の電流が増加した場合には他端（ドレイン）の電圧が上昇することから、第７のトランジスタＭ２０７とカレントミラーの関係にある第８のトランジスタＭ２０８の他端（ドレイン）も電圧も上昇し、第１０のトランジスタＭ２１０は制御端子（ゲート）の電圧が上昇して電流が増加することから、第７のトランジスタＭ２０７に流れる電流を増幅した電流が流れる。
【００８８】
一方、第７のトランジスタＭ２０７の電流が減少した場合には、第１０のトランジスタＭ２１０は制御端子（ゲート）の電圧が下降して電流を絞り、第７のトランジスタＭ２０７に流れる電流を増幅した電流が流れる。
【００８９】
このように、電力増幅回路２００は、回路構成の対称性が従来技術と比較して高く、伝達特性の対称性が高いと考えられる。
【００９０】
ここで、Ｇｍアンプｇ２は、図２に示すように、例えば、第３の電流源ｉ２０３と、第４の電流源ｉ２０４と、第２導電型の第１１のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ２１１と、第２導電型の第１２のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ２１２と、第１導電型の第１３のトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ２１３と、第１導電型の第１４のトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ２１４と、を有する。
【００９１】
第３の電流源ｉ２０３は、第１の電源レールＲＶＤＤに一端が接続され、電流を出力するようになっている。
【００９２】
第１１のトランジスタＭ２１１は、ダイオード接続され、第３の電流源ｉ２０３の他端に一端（ドレイン）が接続され、非反転入力端子Ｔｉｎ＋に他端（ソース）が接続されている。
【００９３】
第１２のトランジスタＭ２１２は、非反転出力端子Ｔｏｕｔ＋に一端（ドレイン）が接続され、反転入力端子Ｔｉｎ−に他端（ソース）が接続され、第１１のトランジスタＭ２１１の制御端子（ゲート）に制御端子（ゲート）が接続されている。
【００９４】
第１１のトランジスタＭ２１１と第１２のトランジスタＭ２１２は、ミラー回路を構成する。すなわち、第１２のトランジスタＭ２１２は、第１１のトランジスタＭ２１１に流れる電流を、ミラー比（１：ｎ、ｎ＞０）でカレントミラーした電流が流れる。
【００９５】
第１３のトランジスタＭ２１３は、ダイオード接続され、非反転入力端子Ｔｉｎ＋に一端（ソース）が接続されている。
【００９６】
第１４のトランジスタＭ２１４は、反転入力端子Ｔｉｎ−に一端（ソース）が接続され、反転出力端子Ｔｏｕｔ−に他端（ドレイン）が接続され、第１３のトランジスタＭ２１３の制御端子（ゲート）に制御端子（ゲート）が接続されている。
【００９７】
第１３のトランジスタＭ２１３と第１４のトランジスタＭ２１４は、ミラー回路を構成する。すなわち、第１４のトランジスタＭ２１４は、第１３のトランジスタＭ２１３に流れる電流を、該ミラー比（１：ｎ、ｎ＞０）でカレントミラーした電流が流れる。
【００９８】
第４の電流源ｉ２０４は、第１３のトランジスタＭ２１３の他端（ドレイン）に一端が接続され、第２の電源レールＲＶＳＳに他端が接続され、電流を出力するようになっている。
【００９９】
ここで、以上のような構成を有する電力増幅回路２００の動作の一例について説明する。
【０１００】
例えば、非反転入力端子Ｔｉｎ＋に基準電圧よりも高い電圧の入力信号が入力されると、非反転出力端子Ｔｏｕｔ＋の電圧および反転出力端子Ｔｏｕｔ−の電圧が下降する。
【０１０１】
これにより、第１のミラー回路ｃ２０１を構成する第１、第２のトランジスタＭ２０１、２０２の他端（ドレイン）の電圧が下降するとともに、第４のミラー回路ｃ２０４を構成する第７、第８のトランジスタＭ２０７、２０８の一端（ドレイン）の電圧が下降する。
【０１０２】
したがって、第９のトランジスタＭ２０９、および、第１０のトランジスタＭ２１０の制御端子（ゲート）電圧が下降するので、出力端子Ｔｏｕｔの電圧が上昇する（電源電圧ＶＤＤに近づく）。
【０１０３】
一方、非反転入力端子Ｔｉｎ＋に基準電圧よりも低い電圧の入力信号が入力されると、非反転出力端子Ｔｏｕｔ＋の電圧および反転出力端子Ｔｏｕｔ−の電圧が上昇する。
【０１０４】
これにより、第１のミラー回路ｃ２０１を構成する第１、第２のトランジスタＭ２０１、２０２の他端（ドレイン）の電圧が上昇するとともに、第４のミラー回路ｃ２０４を構成する第７、第８のトランジスタＭ２０７、２０８の一端（ドレイン）の電圧が上昇する。
【０１０５】
したがって、第９のトランジスタＭ２０９、および、第１０のトランジスタＭ２１０の制御端子（ゲート）の電圧が上昇するので、出力端子Ｔｏｕｔの電圧が下降する。
【０１０６】
このように、電力増幅回路２００は、従来技術と比較して伝達特性の対称性が高い。
【０１０７】
ここで、該第１のミラー比（１：ｔ）において、例えば、ｔ＝１とする。
【０１０８】
この場合、第１の電流源ｉ２０１、第５のトランジスタＭ２０５に第１の電流（電流値Ｉ）が流れ、第２の電流源ｉ２０２、第３のトランジスタＭ２０１、Ｍ２０３に第２の電流（電流値Ｉ）が流れ、第２、第８のトランジスタＭ２０２、Ｍ２０８に電流（電流値Ｉ×２）が流れ、第４、第６のトランジスタＭ２０４、Ｍ２０６に電流（電流値Ｉ）が流れることになる。
【０１０９】
さらに、第１のトランジスタＭ２０１に流れる電流（電流値Ｉ×２）が、第３のトランジスタＭ２０３に流れる電流（電流値Ｉ）と、第１２のトランジスタＭ２１２に流れる電流（電流値Ｉ）との和になり、第７のトランジスタＭ２０７に流れる電流（電流値Ｉ×２）が、第５のトランジスタＭ２０５に流れる電流（電流値Ｉ）と、第１４のトランジスタＭ２１４に流れる電流（電流値Ｉ）との和になる。
【０１１０】
さらに、第２のトランジスタＭ２０２に流れる電流（電流値Ｉ×２）が、第４のトランジスタＭ２０４に流れる電流（電流値Ｉ）と、第６のトランジスタＭ２０６に流れる電流（電流値Ｉ）との和になり、第８のトランジスタＭ２０８に流れる電流（電流値Ｉ×２）が、第４のトランジスタＭ２０４に流れる電流（電流値Ｉ）と、第６のトランジスタＭ２０６に流れる電流（電流値Ｉ）との和になる。
【０１１１】
このように、非反転出力端子Ｔｏｕｔ＋（第１２のトランジスタＭ２１２）に流れる電流（電流値Ｉ）よりも第１のトランジスタＭ２０１に流れる電流（電流値Ｉ×２）の方が大きい。同様に、反転出力端子Ｔｏｕｔ−（第１４のトランジスタＭ２１４）に流れる電流（電流値Ｉ）よりも第７のトランジスタＭ２０７に流れる電流（電流値Ｉ×２）の方が大きい。
【０１１２】
そして、既述のように、第９のトランジスタＭ２０９は、第１のトランジスタＭ２０１に流れる電流を増幅した電流が流れ、第１０のトランジスタＭ２１０は、第７のトランジスタＭ２０７に流れる電流を増幅した電流が流れる。
【０１１３】
以上により、電力増幅回路２００は、伝達特性の対称性を向上しつつ、入力信号の電力を増幅した信号を出力することができる。
【０１１４】
次に、このような動作をするときの電力増幅回路２００の動作電圧について検討する。
【０１１５】
例えば、電力増幅回路２００が所望の動作をするためには、第１のトランジスタＭ２０１の閾値電圧Ｖｔｈ１＋第１２のトランジスタＭ２１２のドレイン・ソース電圧Ｖｄｓ１＋第１４のトランジスタＭ２１４のドレイン・ソース電圧Ｖｄｓ２＋第７のトランジスタＭ２０７の閾値電圧Ｖｔｈ２が、第１の電源レールＲＶＤＤと第２の電源レールＲＶＳＳとの間の必要な電位差となる。
【０１１６】
したがって、電源電圧ＶＤＤが、閾値電圧Ｖｔｈ１+閾値電圧Ｖｔｈ２＋ドレイン・ソース電圧Ｖｄｓ１＋ドレイン・ソース電圧Ｖｄｓ２以上の電圧であれば、電力増幅回路２００は、安定的な動作が可能である。例えば、閾値電圧Ｖｔｈ１、Ｖｔｈ２を１Ｖ、ドレイン・ソース電圧Ｖｄｓ１、Ｖｄｓ２を０．５Ｖと仮定した場合には、電源電圧ＶＤＤが３．０Ｖ以上で、電力増幅回路２００は安定動作可能である。すなわち、電力増幅回路２００は、低電圧動作が可能である。
【０１１７】
以上のように、本実施例２に係る電力増幅回路によれば、伝達特性の対称性を向上することができる。
【０１１８】
さらに、本実施例２に係る電力増幅回路によれば、電源レール間に接続されるトランジスタの段数を少なくでき、低電圧で動作することができる。
【０１１９】
なお、以上の各実施例では、トランジスタとしてＭＯＳトランジスタを採用した場合について説明した。この場合、該制御端子がゲートに相当し、一端と他端がソース、ドレインの何れかに相当する。
【０１２０】
しかし、トランジスタとしてバイポーラトランジスタを採用しても同様の作用効果を奏することができる。この場合、制御端子がベースに相当し、一端と他端がエミッタ、コレクタの何れかに相当する。
【符号の説明】
【０１２１】
１００、２００  電力増幅回路
ｇ１、ｇ２  Ｇｍアンプ
ｉ１０１、ｉ２０１  第１の電流源
ｉ１０２、ｉ２０２  第２の電流源
Ｍ１０１、Ｍ２０１  第１のトランジスタ
Ｍ１０２、Ｍ２０２  第２のトランジスタ
Ｍ１０３、Ｍ２０３  第３のトランジスタ
Ｍ１０４、Ｍ２０４  第４のトランジスタ
Ｍ１０５、Ｍ２０５  第５のトランジスタ
Ｍ１０６、Ｍ２０６  第６のトランジスタ
Ｍ１０７、Ｍ２０７  第７のトランジスタ
Ｍ１０８、Ｍ２０８  第８のトランジスタ
Ｍ１０９、Ｍ２０９  第９のトランジスタ
Ｍ１１０、Ｍ２１０  第１０のトランジスタ
【図１】
2011244324.tif 000003
【図２】
2011244324.tif 000004