(57)【要約】【課題】圧電単結晶の伝搬基板を用いた弾性表面波素子の周波数の温度係数を低減することである。【解決手段】弾性表面波素子は、支持基板１、圧電単結晶基板３Ａ、支持基板１と圧電単結晶からなる伝搬基板３とを接着する厚さ０．１μｍ〜１．０μｍの有機接着剤層２、および伝搬基板３Ａ上に設けられた弾性表面波フィルタを備える。【選択図】            図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板、
圧電単結晶からなる伝搬基板、
前記支持基板と前記伝搬基板とを接着する厚さ０．１μｍ〜１．０μｍの有機接着剤層、および
前記伝搬基板上に設けられた弾性表面波フィルタまたはレゾネ―ターを備えることを特徴とする、弾性表面波素子。
【請求項２】
前記圧電単結晶が、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶からなる群より選ばれることを特徴とする、請求項１記載の素子。
【請求項３】
前記圧電単結晶がタンタル酸リチウムからなることを特徴とする、請求項２記載の素子。
【請求項４】
前記伝搬基板における弾性表面波伝播方向がＸ方向であり、前記伝搬基板が３６〜４７°Ｙカット板であることを特徴とする、請求項２または３記載の素子。
【請求項５】
前記弾性表面波フィルタまたはレゾネ―ターがアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする、請求項４記載の素子。
【請求項６】
前記弾性表面波フィルタまたはレゾネ―ターの厚さｔの弾性表面波波長λに対する比率（ｔ／λ）が３〜１５％であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一つの請求項に記載の素子。
【請求項７】
前記伝搬基板の厚さが１０〜４０μｍであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一つの請求項に記載の素子。
【請求項８】
前記支持基板の厚さが１５０〜５００μｍであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一つの請求項に記載の素子。
【請求項９】
前記支持基板が、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、アルミナ、ホウ珪酸ガラスおよび石英ガラスからなる群より選ばれた材料からなることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一つの請求項に記載の素子。
【請求項１０】
前記支持基板が、シリコンまたはホウ珪酸ガラスからなることを特徴とする、請求項９記載の素子。
【請求項１１】
前記支持基板がシリコンからなることを特徴とする、請求項１０記載の素子。
【請求項１２】
前記支持基板の表面に酸化膜が形成されていないことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一つの請求項に記載の素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、周波数の温度特性が良い弾性表面波素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）素子は、携帯電話機等のような通信機器におけるバンドパスフィルタとして幅広く使用されている。携帯電話機等の高性能化に伴い、弾性表面波素子を利用したフィルタにも、高性能化が求められている。
【０００３】
しかし、弾性表面波素子は、温度変化によって通過帯域が移動してしまうという問題がある。特に、現在多用されているニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムは、電気機械結合係数が大きく、広帯域のフィルタ特性を実現するのに有利である。しかし、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムは温度安定性に劣る。
【０００４】
例えば、タンタル酸リチウムの周波数変化の温度係数は−３５ｐｐｍ／℃であり、−３０〜＋８５℃の温度範囲で周波数変動が大きい。このため、周波数変化の温度係数を低減することが必要である。
【０００５】
特許文献１（特開2001-53579）には、SAW伝搬基板と支持基板とを有機薄膜層によって接着したデバイスが記載されている。伝搬基板は例えば厚さ３０μｍのタンタル酸リチウム基板であり、これを厚さ３００μｍのガラス基板と厚さ１５μｍの有機接着剤によって貼り合わせている。
【０００６】
特許文献２（特開2006-42008）には、タンタル酸リチウム基板（厚さ：125μm)と石英ガラス基板（厚さ：125μm)とを接着剤で貼り合せたＳＡＷデバイスが記載されている。特に、（００３０）によると、支持基板と伝搬基板とを直接接合すると剥離やクラックが発生するので接着層が必要であると記載されている。
【０００７】
特許文献３（特開平6-326553）、特許文献４（特許第３７７４７８２）、特許文献５（米国特許第７１０５９８０）にも、ＳＡＷ伝搬基板と支持基板とを接着したＳＡＷデバイスが記載されている。
【０００８】
更に、特許文献６（特開２００５−２２９４５５）では、シリコン支持基板の両表面に厚さ０．１〜４０μｍの酸化層を形成した後、この支持基板上に圧電基板を接着し、ＳＡＷデバイスを製造することが記載されている。Ｓｉ酸化膜は、複合圧電基板１の反りを低減するために必要である。
【０００９】
特許文献７（特開2002-135076）の（０００７）（００１３）によれば、基板の表面粗さが１０μｍであり、また接着層の厚さを均一にすることは難しいと記載されている。
【００１０】
特許文献８（特開平9-167936）の（００１８）によれば、伝搬基板の回転角θ、すなわちカット角θが変化しても、例えば36°Y、40°Y、42°Y、及び44°Ｙのいずれの場合にも、略同一の温度特性を示す。
【００１１】
特許文献９（特開平2-37815）の第６図に電極の厚みを変えた時の温度特性が記載されている。これによれば、電極厚さによる周波数温度特性への影響はない。
【００１２】
特許文献１０（特開２００５−６５１６０）の図４は、オイラー角（0°、１２７°、９０°）の水晶基板を用い、規格化電極膜厚Ｈ/λと基準温度25℃における周波数温度係数TCFの関係を示している。
【００１３】
タンタル酸リチウムの熱膨張係数、ヤング率は、特許文献１１（特開２００８−３０１０６６）の（００２１）に記載されている。
【００１４】
非特許文献１（「絵解き  材料力学  基礎のきそ」  井山  裕文  日刊工業新聞社刊  ４３、４４、３６、３７頁）には、貼り合わせ材料の熱膨張係数、ヤング率などの関係が記載されている。
【００１５】
非特許文献２（「シリコンの科学」  ＵＳＣ半導体基盤技術研究会編  １９９６年６月２８日発行）の９８９頁、９９１頁には、シリコンの熱膨張係数、ヤング率が記載されている。
非特許文献３（「ガラス光学ハンドブック」  朝倉書店発行  昭和３８年２月２８日発行  ７９２頁）には、ホウ珪酸ガラスのデータが掲載されている。
【００１６】
特許文献１２（特願２００９−４０９４７）は、本特許出願の関連出願である。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１７】
【非特許文献１】「絵解き  材料力学  基礎のきそ」  井山  裕文  日刊工業新聞社刊  ４３、４４、３６、３７頁
【非特許文献２】「シリコンの科学」  ＵＳＣ半導体基盤技術研究会編  １９９６年６月２８日発行の９８９頁、９９１頁
【非特許文献３】「ガラス光学ハンドブック」  朝倉書店発行  昭和３８年２月２８日発行  ７９２頁
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開2001-53579
【特許文献２】特開2006-42008
【特許文献３】特開平6-326553
【特許文献４】特許第３７７４７８２
【特許文献５】米国特許第７１０５９８０
【特許文献６】特開２００５−２２９４５５
【特許文献７】特開2002-135076
【特許文献８】特開平9-167936
【特許文献９】特開平2-37815
【特許文献１０】特開２００５−６５１６０
【特許文献１１】特開２００８−３０１０６６
【特許文献１２】特願２００９−４０９４７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかし、いずれの文献も、温度変化に伴う通過帯域の移動という問題点を解決するものではなく、むしろその解決から遠ざかっているものである。
【００２０】
特許文献１の（００２５）、（００３７）には、タンタル酸リチウム基板を支持基板に接着したＳＡＷデバイスの周波数の温度係数が記載されているが、タンタル酸リチウム単体のＳＡＷデバイスと比べて、温度特性の改善はほとんどない。例えば、２GHzのＳＡＷフィルターの場合、−３０から＋８５℃の温度範囲において±４MHzのシフトが見られる。これは必要帯域幅の±7％に相当する。従って、タンタル酸リチウム伝搬基板とガラス支持基板との間に接着層を設けると、周波数の温度特性はほとんど改善しないことがわかる。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
特許文献２の（００３７）には「弾性表面波素子の周波数温度特性を改善することも可能となる」と記載されているが、改善されたデータは記載されていない。
【００２３】
特許文献３の（００６２）の記載においても、表面弾性波伝搬基板を支持基板に対して接着することは実用には耐えないことが明記されている。
【００２４】
以上から判断して、例えばタンタル酸リチウム伝搬基板を支持基板に対して接着する構造の弾性表面波基板は実用には絶えず、特に周波数の温度係数を低減することは無理であるというのが常識である。
【００２５】
また、特許文献６では、例えば１０００℃程度の高温下に酸素ガスを流し、Ｓｉ基板を数十時間放置して表面酸化膜を形成する必要がある。しかし、この方法では、Ｓｉ基板の表面が単に酸化されるだけでなく、Si自体もSiO2中へと溶け出してしまう。このため、SiとSiO2の境界面では、Siの欠陥層が発生し、この部分の接着強度が低下する。その上、Ｓｉ支持基板と圧電基板との間の接着層の厚さは、実施例ではすべて３μｍであり、また1.5μｍより薄いと、接着力不足となり、２５０℃で剥離する（００２８）。
【００２６】
本発明の課題は，圧電単結晶の伝搬基板を用いた弾性表面波素子の周波数の温度係数を低減することである。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明は、
支持基板、
圧電単結晶からなる伝搬基板、
支持基板と伝搬基板とを接着する厚さ０．１μｍ〜１．０μｍの有機接着剤層、および
伝搬基板上に設けられた弾性表面波フィルタまたはレゾネ―ターを備えることを特徴とする、弾性表面波素子に係るものである。
【発明の効果】
【００２８】
本発明者は、当業者の常識に反して、圧電単結晶、例えばタンタル酸リチウム単結晶の伝搬基板を支持基板に対して接着する構造について研究を続けた。ここで、従来見逃されていた有機接着層の薄層化を試行してみた。このような試行は、例えば特許文献３の（００６２）の記述から否定されていたものである。
【００２９】
ところが、予想に反して、伝搬基板は支持基板に対して良好に接着し、かつ周波数の温度係数が著しく低下することを発見した。即ち、有機接着剤の厚みが０．１〜１．０μｍでは、伝搬基板と支持基板との熱膨張係数の差による温度特性が、かなり改善された。これに対して、接着剤の厚さが１μｍより大きくなると、伝搬基板と支持基板との熱膨張係数の差による応力が、有機接着剤に吸収され、かえって温度特性の改善効果が得られなくなった。また、接着層の厚さが０．１μｍ未満になると、今度はボイドの影響で周波数の温度特性が再び劣化するようであり、接着層を薄くすればするほど温度特性が改善されるわけではないことを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、弾性表面波素子用の接着体の製造プロセスを示す模式的断面図である。
【図２】（ａ）は、弾性表面波素子６を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、弾性表面波素子６を模式的に示す平面図である。
【図３】（ａ）は、共振型の弾性表面波素子を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【図４】接着剤層の厚さと熱膨張係数および周波数の温度特性との関係を示すグラフである。
【図５】接着剤層の厚さと周波数の温度特性との関係を示すグラフである。
【図６】接着剤層の厚さと周波数の温度特性との関係を示すグラフである。
【図７】接着剤層の厚さと周波数の温度特性との関係を示すグラフである。
【図８】接着剤層の厚さと周波数の温度特性との関係を示すグラフである。
【図９】接着剤層の厚さと周波数の温度特性との関係を示すグラフである。
【図１０】接着剤層の厚さと周波数の温度特性との関係を示すグラフである。
【図１１】接着剤層の厚さと周波数の温度特性との関係を示すグラフである。
【図１２】接着剤層の厚さと周波数の温度特性との関係を示すグラフである。
【図１３】支持基板をシリコン、ホウ珪酸ガラスで作製し、支持基板の厚さと圧電基板の厚さの比を変化させたときの周波数の温度特性の変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明の弾性表面波素子は、弾性表面波フィルタまたはレゾネ―ターを備える。弾性表面波フィルタは後述するような帯域通過フィルターである。レゾネーターは、弾性表面波発振素子であり、１ポートタイプと２ポートタイプのいずれも含む。
【００３２】
本発明においては、支持基板の材質は、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、アルミナ、ホウ珪酸ガラスおよび石英ガラスからなる群より選ばれた材料が好ましい。好ましくは、支持基板が、シリコンまたはホウ珪酸ガラスからなり、特に好ましくはシリコンからなる。これらを採用することで、伝搬基板との熱膨張差を少なくし、周波数の温度特性を一層改善することが可能である。
【００３３】
好ましくは、支持基板の表面に酸化膜が形成されておらず、これによって、支持基板と伝搬基板との接着力が高くなり、かつ高温でも支持基板と伝搬基板との剥離や割れを防止できる。この観点からは、支持基板がシリコンからなり、表面に酸化シリコン膜がないことが好ましい。なお、支持基板の表面酸化膜の有無は、透過型電子顕微鏡（TEM：Transmission
Electron Microscope）によって断面観測する。
【００３４】
また、本発明においては、伝搬基板の材質は、電気機械結合定数の大きいニオブ酸リチウム、タンタル産リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶からなる群より選ばれることが好ましい。好ましくは、圧電単結晶がタンタル酸リチウムからなる。
【００３５】
また、好ましくは、伝搬基板における弾性表面波伝播方向がＸ方向であり、切り出し角を回転Ｙカット板とする。特に好ましくは、伝搬基板が３６〜４７°Ｙカット板である。
【００３６】
支持基板と伝搬基板とを接着する有機接着剤層の材質は限定されないが、アクリル系樹脂、あるいはエポキシ系樹脂が好ましい。
【００３７】
本発明においては、有機接着剤層の厚さｔを０．１μｍ以上、１．０μｍ以下とする。弾性表面波デバイスの周波数の温度特性を更に向上させるという観点からは、有機接着剤層の厚さは、０．１μｍ以上が好ましく、また、０．８μｍ以下が好ましい。
【００３８】
図１は、弾性表面波デバイス用接着体の製造プロセスを模式的に示す断面図である。
図１（ａ）に示すように、支持基板１を準備する。図１（ｂ）に示すように、支持基板１の表面に有機接着剤２を塗布し、図１（ｃ）に示すように、圧電単結晶からなる基板３を接着する。次いで、図１（ｄ）に示すように、基板３を加工して薄板化し、厚さＴ２の伝搬基板３Ａを得る。
【００３９】
次いで、図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、伝搬基板３Ａ上に、入力電極４および出力電極５を形成し、トランスバーサル型の弾性表面波素子６を得る。入力電極４から出力電極５へと向かって弾性表面波は矢印７のように伝搬される。この部分が弾性表面波フィルタとなる。
【００４０】
また、携帯電話用の弾性表面波フィルタでは、主として共振型の弾性表面波素子を使用する。図３（ａ）、図３（ｂ）は、この例に係るものである。図３（ａ）は、共振型の弾性表面波素子の電極パターンを示す平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【００４１】
伝搬基板１０上に電極１６、１７、１８を形成し、共振型の弾性表面波素子を得る。本例では、支持基板１２上に有機接着剤層１４を介して伝搬基板１０が接着されている。支持基板１２、接着層１４および伝搬基板１０は、前述したように、本発明によって構成されている。
【００４２】
有機接着剤層の形成方法は限定されないが、印刷、スピンコーティングを例示できる。
【００４３】
弾性表面波フィルタまたはレゾネ―ターを構成する材質は、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、金が好ましく、アルミニウムまたはアルミニウム合金がさらに好ましい。アルミニウム合金は、Ａｌに0.3から5重量％のＣｕを混ぜたものを使用するのが好ましい。
この場合、ＣｕのかわりにＴｉ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａを使用しても良い。
【００４４】
弾性表面波フィルタまたはレゾネ―ターの厚さｔの弾性表面波波長λに対する比率（ｔ／λ）は、３〜１５％であることが好ましく、５％以上であることが更に好ましく、また１５％以下であることが更に好ましい。
【００４５】
支持基板１の厚さＴ１は  温度特性改善という観点からは、１００μｍ以上が好ましく、１５０μｍ以上がさらに好ましく、２００μｍ以上が一層好ましい。また、Ｔ１は、製品の小型化という観点からは、５００μｍ以下が好ましい。
【００４６】
伝搬基板３Ａの厚さＴ２は、周波数の温度特性の改善という観点からは、１０〜５０μｍが好ましく、１０〜４０μｍがさらに好ましく、１０〜３０μｍが特に好ましい。
【実施例】
【００４７】
（実施例１）
図１に示す製法に従い、図２に示すような弾性表面波素子６を作製した。
ただし、基板３には、ＳＡＷの伝播方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である３６°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を使用した。ＳＡＷの伝搬方向Ｘの線膨張係数が16ｐｐｍ／℃である。支持基板１には単結晶シリコン基板を使用した。支持基板１のＳＡＷの伝搬方向Ｘの線膨張係数が3ｐｐｍ／℃である。支持基板１の厚さＴ１を３５０μｍとし、圧電単結晶基板３の厚さを３５０μｍとし、有機接着剤（アクリル系）を用いて180°Ｃで基板同士を接着した。次いで研削加工によって圧電単結晶基板３の厚さを３０μｍにまで小さくした。得られた伝搬基板３Ａ上に、厚さ０．１４μｍの金属アルミニウム製の入力電極４および出力電極５を形成した。電極厚さｔ／弾性表面波波長λ＝７％である。
【００４８】
ただし、有機接着剤層２の厚さｔを、０．０５μｍ〜１５μｍで種々変更した。そして，各素子について、弾性表面波素子の熱膨張係数および共振点における周波数温度特性（Temperature Coefficient of Frequency）を測定し、表２および図４に示す。
【００４９】
【表２】
2011087079.tif 000004
【００５０】
この結果から分かるように、有機接着剤層の厚さを０．１〜１．０μｍとすることで、周波数温度特性（Temperature Coefficient of Frequency）が臨界的に著しく向上することがわかった。
【００５１】
（実施例２）
次に、図３に示す弾性表面波素子を実施例１と同様の方法で作製した。得られた素子について、実施例１と同様の実験を行ったところ、やはり有機接着剤層の厚さを０．１〜１．０μｍとすることで、周波数温度特性（Temperature Coefficient of Frequency）が臨界的に著しく向上することを確認した。
【００５２】
（実施例３）
実施例１と同様にして、図１に示す製法に従い、図３に示すような弾性表面波素子を作製した。
ただし、伝搬基板１０には、ＳＡＷの伝播方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である３６°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を使用した。支持基板１２には単結晶シリコン基板を使用した。支持基板１２の厚さＴ１を２００μｍとした。伝搬基板１０の厚さを３０μｍとした。伝搬基板１０上に、厚さ０．１４μｍの金属アルミニウム製の電極１６、１７、１８を形成した。電極厚さｔ／弾性表面波波長λ＝７％である。
【００５３】
ただし、有機接着剤層２の厚さｔを、０．０５μｍ〜１５μｍで種々変更した。そして，各素子について、弾性表面波素子の共振点における周波数温度特性（Temperature Coefficient of Frequency）を測定し、図５、表３に示す。
【００５４】
【表３】
2011087079.tif 000005
【００５５】
（実施例４）
実施例１と同様にして、図１に示す製法に従い、図３に示すような弾性表面波素子を作製した。
ただし、伝搬基板１０には、ＳＡＷの伝播方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である４７°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を使用した。支持基板１２には単結晶シリコン基板を使用した。支持基板１２の厚さＴ１を３５０μｍとし、伝搬基板１０の厚さを３０μｍとした。得られた伝搬基板１０上に、厚さ０．１４μｍの金属アルミニウム製の電極１６，１７，１８を形成した。電極厚さｔ／弾性表面波波長λ＝７％である。
【００５６】
ただし、有機接着剤層２の厚さｔを、０．０５μｍ〜１５μｍで種々変更した。そして，各素子について、弾性表面波素子の共振点における周波数温度特性（Temperature Coefficient of Frequency）を測定し、図６、表４に示す。
【００５７】
【表４】
2011087079.tif 000006
【００５８】
（実施例５）
実施例１と同様にして、図１に示す製法に従い、図３に示すような弾性表面波素子を作製した。
ただし、伝搬基板１０には、ＳＡＷの伝播方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である４７°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を使用した。支持基板１２には単結晶シリコン基板を使用した。支持基板１２の厚さＴ１を３５０μｍとし、伝搬基板の厚さを３０μｍとした。得られた伝搬基板１０上に、厚さ０．１４μｍのアルミニウム合金（Ａｌ−１％Ｃｕ）製の電極１６，１７，１８を形成した。電極厚さｔ／弾性表面波波長λ＝７％である。
【００５９】
ただし、有機接着剤層２の厚さｔを、０．０５μｍ〜１５μｍで種々変更した。そして，各素子について、弾性表面波素子の共振点における周波数温度特性（Temperature Coefficient of Frequency）を測定し、図７、表５に示す。
【００６０】
【表５】
2011087079.tif 000007
【００６１】
（実施例６）
実施例１と同様にして、図１に示す製法に従い、図３に示すような弾性表面波素子を作製した。
ただし、伝搬基板１０には、ＳＡＷの伝播方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である４７°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を使用した。支持基板１２には単結晶シリコン基板を使用した。支持基板１２の厚さＴ１を３５０μｍとし、伝搬基板の厚さを３０μｍとした。得られた伝搬基板１０上に、厚さ０．０６μｍの金属アルミニウム製の電極１６，１７，１８を形成した。電極厚さｔ／弾性表面波波長λ＝３％である。
【００６２】
ただし、有機接着剤層２の厚さｔを、０．０５μｍ〜１５μｍで種々変更した。そして，各素子について、弾性表面波素子の共振点における周波数温度特性（Temperature Coefficient of Frequency）を測定し、図８、表６に示す。
【００６３】
【表６】
2011087079.tif 000008
【００６４】
（実施例７）
実施例１と同様にして、図１に示す製法に従い、図３に示すような弾性表面波素子を作製した。
ただし、伝搬基板１０には、ＳＡＷの伝播方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である４７°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を使用した。支持基板１２には単結晶シリコン基板を使用した。支持基板１２の厚さＴ１を３５０μｍとし、伝搬基板の厚さを３０μｍとした。得られた伝搬基板１０上に、厚さ０．３μｍの金属アルミニウム製の電極１６，１７，１８を形成した。電極厚さｔ／弾性表面波波長λ＝１５％である。
【００６５】
ただし、有機接着剤層２の厚さｔを、０．０５μｍ〜１５μｍで種々変更した。そして，各素子について、弾性表面波素子の共振点における周波数温度特性（Temperature Coefficient of Frequency）を測定し、図９、表７に示す。
【００６６】
【表７】
2011087079.tif 000009
【００６７】
（実施例８）
実施例１と同様にして、図１に示す製法に従い、図３に示すような弾性表面波素子を作製した。
ただし、伝搬基板１０には、ＳＡＷの伝播方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である３６°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を使用した。支持基板１２には単結晶シリコン基板を使用した。支持基板１２の厚さＴ１を５００μｍとし、伝搬基板の厚さを１０μｍとした。得られた伝搬基板１０上に、厚さ０．１４μｍの金属アルミニウム製の電極１６，１７，１８を形成した。電極厚さｔ／弾性表面波波長λ＝７％である。
【００６８】
ただし、有機接着剤層２の厚さｔを、０．０５μｍ〜１５μｍで種々変更した。そして，各素子について、弾性表面波素子の共振点における周波数温度特性（Temperature Coefficient of Frequency）を測定し、図１０、表８に示す。
【００６９】
【表８】
2011087079.tif 000010
【００７０】
（実施例９）
実施例１と同様にして、図１に示す製法に従い、図３に示すような弾性表面波素子を作製した。
ただし、伝搬基板１０には、ＳＡＷの伝播方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である３６°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を使用した。支持基板１には単結晶シリコン基板を使用した。支持基板１２の厚さＴ１を１５０μｍとし、伝搬基板の厚さを２５μｍとした。得られた伝搬基板１０上に、厚さ０．１４μｍの金属アルミニウム製の電極１６，１７，１８を形成した。電極厚さｔ／弾性表面波波長λ＝７％である。
【００７１】
ただし、有機接着剤層２の厚さｔを、０．０５μｍ〜１５μｍで種々変更した。そして，各素子について、弾性表面波素子の共振点における周波数温度特性（Temperature Coefficient of Frequency）を測定し、図１１、表９に示す。
【００７２】
【表９】
2011087079.tif 000011
【００７３】
（実施例１０）
実施例１と同様にして、図１に示す製法に従い、図３に示すような弾性表面波素子を作製した。
ただし、伝搬基板１０には、ＳＡＷの伝播方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である３６°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を使用した。支持基板１２には単結晶シリコン基板を使用した。支持基板１２の厚さＴ１を３００μｍとし、伝搬基板の厚さを４０μｍとした。得られた伝搬基板１０上に、厚さ０．１４μｍの金属アルミニウム製の電極１６，１７，１８を形成した。電極厚さｔ／弾性表面波波長λ＝７％である。
【００７４】
ただし、有機接着剤層２の厚さｔを、０．０５μｍ〜１５μｍで種々変更した。そして，各素子について、弾性表面波素子の共振点における周波数温度特性（Temperature Coefficient of Frequency）を測定し、図１２、表１０に示す。
【００７５】
【表１０】
2011087079.tif 000012
【００７６】
（実施例１１）
実施例１と同様にして、図１に示す製法に従い、図３に示すような弾性表面波素子を作製した。
ただし、伝搬基板１０には、ＳＡＷの伝播方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である３６°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を使用した。支持基板１２には、単結晶シリコン基板またはホウ珪酸ガラス基板を使用した。伝搬基板の厚さを３０μｍとし、接着剤層の厚さを０．３μｍとした。得られた伝搬基板１０上に、厚さ０．１４μｍの金属アルミニウム製の電極１６，１７，１８を形成した。電極厚さｔ／弾性表面波波長λ＝７％である。
【００７７】
ただし、支持基板１の厚さＴ１を１００〜５００μｍで変化させた。そして，各素子について、弾性表面波素子の共振点における周波数温度特性（Temperature Coefficient of Frequency）を測定し、図１３、表１１に示す。
【００７８】
【表１１】
2011087079.tif 000013
【００７９】
この結果からわかるように、シリコン基板を用いた場合も、ホウ珪酸ガラスを用いた場合も、支持基板の厚さ１００〜５００μｍにわたって周波数の温度特性は支持基板と圧電基板の比にほぼ比例して、非常に低い値になっていた。
【００８０】
（実施例１２）
実施例１と同様にして、図２に示すような弾性表面波素子６を作製した。
ただし、有機接着剤層をエポキシ系接着剤とした。それ以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。有機接着剤層２の厚さｔを、０．０５μｍ〜１５μｍで種々変更し、各素子について、弾性表面波素子の熱膨張係数および共振点における周波数温度特性Temperature Coefficient of Frequency）を測定したところ、実施例と同様の結果を得た。
【００８１】
（実施例１３）
３６°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板とシリコン基板の接着強度(圧縮せん断)を有機接着剤層の厚みをかえて関係を調べた。タンタル酸リチウム基板とシリコン基板の形状は、５×５×１ｍｍである。
有機接着剤層厚み：0.02μｍ―――――接着強度（kgf/cm2）:25
有機接着剤層厚み：0.05μｍ―――――接着強度（kgf/cm2）:40
有機接着剤層厚み：0.1μｍ―――――接着強度（kgf/cm2） :100
有機接着剤層厚み：0.2μｍ―――――接着強度（kgf/cm2） :200
【００８２】
この結果から有機接着剤層の厚みが、0，1μm以上であれば、目標とする60kgf/cm2以上の接着強度を達成できるため好ましいことがわかる。またタンタル酸リチウム基板とシリコン基板の接着面の表面粗さは、０．１μm以下であることが好ましい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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