(57)【要約】  【課題】搬送室内の搬送ロボットの動作回数を記録したり、明示したりすることのできる基板処理装置を提供することを目的とする。  【解決手段】真空中で基板を搬送する第一の搬送手段を制御するロボットコントローラ１３ａ，１３ｂと、前記ロボットコントローラ１３ａ，１３ｂに指示を与える統括制御コントローラ１３とを有し、前記ロボットコントローラ１３ａ，１３ｂと前記統括制御コントローラ１３間で定期的に通信状態を確認するためのポーリング電文にロボット動作回数情報を格納することにある。また、前記動作回数情報は、操作部に送信されて、操作画面に表示されるよう構成される。【選択図】  図１
2011096719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空中で基板を搬送する第一の搬送手段を制御するロボットコントローラと、前記ロボットコントローラに指示を与える統括制御コントローラとを有し、
前記ロボットコントローラと前記統括制御コントローラ間で定期的に通信状態を確認するためのポーリング電文にロボット動作回数情報を格納することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を搬送する搬送機構を備えた搬送室と、基板を処理する処理室とを備えた基板処理装置に関し、特に搬送機構の保守技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、処理室内における様々な構成部品については、従来から処理回数は処理時間などを管理して保守管理がされていた。例えば、特許文献１では、操作画面上で設定値とモニタ値を同時に表示させて、保守員に保守情報を知らせる技術が開示されている。
【０００３】
一方、クラスタ型の基板処理装置において、基板を搬送する搬送機構としての搬送ロボットは周期的にメンテナンスされるようになっている。従い、搬送室における搬送ロボットの動作回数を記録する手段や明示する手段は特に備えられていなかった。ところが、近年、スループット向上の要求に対して、搬送ロボットを仕様限界で動作させなければならなくなってきた。そのため従来に比べて搬送ロボットへの負荷が増大し、定期的なメンテナンスでは対応できなくなってきており、最適なメンテナンス時期を予測することが求められている。
【０００４】
しかしながら、メンテナンス時期を予測するための元となる情報収集手段がなく、また、装置毎の統計データがないため、メンテナンスの最適な時期の予測ができないというような問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０５-２４３１１１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上述のような問題を解決するために、搬送室内の搬送ロボットを含む搬送機構の動作回数を記録したり、また、記録した動作回数を操作画面上に明示することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の特徴とするところは、基板を搬送する搬送手段を制御するロボットコントローラと、前記ロボットコントローラに指示を与える統括制御コントローラとを有し、前記ロボットコントローラと前記統括制御コントローラ間で定期的に通信状態を確認するためのポーリング電文にロボット動作回数情報を格納することにある。
【発明の効果】
【０００８】
搬送室内の搬送ロボットの動作回数を管理することができるので、真空ロボット動作回数が起因となる可能性がある故障発生を事前に推測することができる。その結果、装置稼働率を向上させることができ、歩留まりを良くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係るクラスタ型の基板処理装置の概略的な構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係るクラスタ型の基板処理装置の概略的な断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板処理装置を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板処理装置のプロセスモジュールとして用いるプラズマ処理装置の概略図である。
【図５】本発明の実施形態に用いられる基板処理装置の構成内のウェハWのロケーションを示す図である。
【図６】を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（IC）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、図１に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一例であるクラスタ型の半導体製造装置の概略的な構成例を示す。図２に、図１のクラスタ型の半導体製造装置の概略的な断面構成例を示す。図１及び図２の構成では、ウェハ搬送用ロボットや処理室としてのプロセスチャンバが複数台、及びキャリア受渡し用のロードロック室が２式接続された構成となっている。
【００１１】
まず、図１及び図２を用いて、基板処理装置の概要を説明する。
【００１２】
尚、本発明が適用される基板処理装置１においては基板としてのウェハＷを搬送するキャリアとして、ＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎｉｎｇ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ。以下、ポッドという。）が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は、図１を基準とする。すなわち、図１が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。
【００１３】
図１及び図２に示されているように、基板処理装置１は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された真空搬送室としての第一の搬送室１１０を備えており、第一の搬送室１１０の筐体１１１は平面視が五角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室１１０には負圧下で二枚のウェハＷを同時に移載可能な第一の搬送手段としての第一のウェハ移載機１１２が設置されている。前記第一のウェハ移載機１１２は、エレベータ１１３によって、第一の搬送室１１０の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
【００１４】
第一の搬送室１１０の筐体１１１の５枚の側壁のうち前側に位置する１枚の側壁には、搬入/搬出用の予備室兼冷却室１３１，１４１がそれぞれ室開閉手段としてのゲートバルブ１３４，１４４を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、基板予備室としての予備室兼冷却室１３１，１４１にはそれぞれ基板載置台１３２，１３３，１４２，１４３が設置されている。
【００１５】
予備室兼冷却室１３１，１４１の前側には、大気圧下で用いられる大気搬送室としての第二の搬送室１２０がゲートバルブ１３０，１４０を介して連結されている。第二の搬送室１２０には二枚のウェハＷを同時に移載可能な第二のウェハ移載機１２２が設置されている。第二の搬送手段としての第二のウェハ移載機１２２は第二の搬送室１２０に設置されたエレベータ１２３によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１２４によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１６】
図１に示されているように、第二の搬送室１２０の左側には、基板位置調整機構としてのノッチ合せ装置１０７が設置されている。また、図２に示されているように、第二の搬送室１２０の上部にはクリーンエアを供給するエア供給機構としてのクリーンユニット１０６が設置されている。
【００１７】
図１及び図２に示されているように、第二の搬送室１２０の筐体１２１には、ウェハＷを第二の搬送室１２０に対して搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口１０４と、前記ウェハ搬入搬出口１０４を閉塞する蓋１０５と、ポッドオープナ１０３がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１０３は、ロードポートとしてのＩＯステージ１００に載置されたポッド１０１のキャップ及び搬入搬出口１０４を閉塞する蓋１０５を開閉するキャップ開閉機構１０２を備えており、ＩＯステージ１００に載置されたポッド１０１のキャップ及びウェハ搬入搬出口１０４を閉塞する蓋１０５をキャップ開閉機構１０２によって開閉することにより、ポッド１０１のウェハ出し入れを可能にする。また、ポッド１０１は図示しない工程内搬送装置（ＡＧＶ/ＯＨＴ）によって、前記ＩＯステージ１００に供給及び排出されるようになっている。
【００１８】
図１に示されているように、第一の搬送室１１０の筐体１１１の５枚の側壁のうち背面側に位置する４枚の側壁には、ウェハＷに所望の処理を行う処理室１５０，１５１，１５２，１５３がそれぞれゲートバルブ１６０，１６１，１６２，１６３を介して隣接して連結されている。処理室１５０，１５１，１５２，１５３は全て同一種の処理室を連結することができる。一方、目的に応じてそれぞれ異なる処理室を連結することもできる。
【００１９】
以下、本実施形態における基板処理装置１を使用した処理工程を説明する。
【００２０】
未処理のウェハＷは２５枚がポッド１０１に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置１へ工程内搬送装置によって搬送されてくる。図１及び図２に示されているように、搬送されてきたポッド１０１はＩＯステージ１００の上に工程内搬送から受け渡されて載置される。ポッド１０１のキャップ及びウェハ搬入搬出口１０４を開閉する蓋１０５がキャップ開閉機構１０２によって取り外され、ポッド１０１のウェハ出し入れ口が開放される。
【００２１】
ポッド１０１がポッドオープナ１０３により開放されると、第二の搬送室１２０に設置された第二のウェハ移載機１２２はポッド１０１からウェハＷを１枚ピックアップする。そして、基板位置調整機構としてのノッチ合せ装置１０７へ移載し、ウェハＷの位置を調整する。ここでノッチ合せ装置１０７とは載置されたウェハＷをＸ方向、Ｙ方向及び円周方向に位置を調整する装置である。
【００２２】
前記ノッチ合せ装置１０７にてウェハＷの位置を調整していると同時に、前記第二のウェハ移載機１２２はポッド１０１から次のウェハＷをピックアップして第二の搬送室１２０に搬出する。
【００２３】
前記ノッチ合せ装置１０７にてウェハＷの位置調整が終了したら、前記第二のウェハ移載機１２２でノッチ合せ装置１０７上のウェハＷを第二の搬送室１２０に搬出すると共に、このとき第二のウェハ移載機１２２が保持しているウェハＷをノッチ合せ装置１０７へ移載する。そして、ウェハＷに対して位置調整を行う。
【００２４】
次にゲートバルブ１３０を開け、第一の予備室兼冷却室１３１に搬入し、ウェハＷを基板載置台１３３に移載する。この移載作業中には、第一の搬送室１１０側のゲートバルブ１３４は閉じられており、第一の搬送室１１０の負圧は維持されている。ここで、大気搬送モジュールがポッド１０１を載置するロードポートと、大気圧下で基板Ｗを搬送する大気搬送室としての第二の搬送室１２０と、基板予備室としての予備室兼冷却室１３１，１４１とで構成され、基板Ｗは大気搬送モジュール内で大気圧にて搬送される。
【００２５】
ウェハＷの基板載置台１３３への移載が完了すると、ゲートバルブ１３０が閉じられ、第一の予備室兼冷却室１３１が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００２６】
第一の予備室兼冷却室１３１が負圧に排気されると同時に、第二のウェハ移載機１２２はノッチ合せ装置１０７からウェハＷをピックアップし、ゲートバルブ１４０を開けて第二の予備室兼冷却室１４１に搬入し、ウェハＷを基板載置台１４３に移載する。そしてゲートバルブ１４０を閉じ、第二の予備室兼冷却室１４１を排気装置（図示せず）によって負圧に排気する。
【００２７】
第二のウェハ移載機１２２により、上述のようにポッド１０１から前記第二の搬送室１２０を介して基板予備室である予備室兼冷却室１３１，１４１までの基板搬送が繰り返し実行される。しかしながら、第一の予備室兼冷却室１３１及び第二の予備室兼冷却室１４１が負圧の場合は、第一の予備室兼冷却室１３１及び第二の予備室兼冷却室１４１へのウェハＷの搬入を実行せずに第一の予備室兼冷却室１３１及び第二の予備室兼冷却室１４１の直前の所定の位置で停止する。
【００２８】
第一の予備室兼冷却室１３１が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ１３４が開かれる。続いて第一の搬送室１１０の第一のウェハ移載機１１２は基板載置台１３３からウェハＷをピックアップする。ピックアップ後、ゲートバルブ１３４を閉じて第一の基板予備室兼冷却室１３１を大気圧に戻し、次のウェハＷを搬入するための準備をする。
【００２９】
ゲートバルブ１３４を閉じて第一の基板予備室兼冷却室１３１を大気圧に復帰させるのと同時に、第一の処理室１５０のゲートバルブ１６０を開き、ウェハ移載機１１２がウェハＷを第一の処理室１５０に搬入する。そして第一の処理室１５０内にガス供給装置（図示せず）から処理ガスが供給され、所望の処理がウェハＷに施される。
【００３０】
続いて、第二の予備室兼冷却室１４１が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ１４４が開かれる。続いて第一の搬送室１１０の第一のウェハ移載機１１２は基板載置台１４３からウェハＷをピックアップする。
【００３１】
ピックアップ後、ゲートバルブ１４４を閉じて第二の予備室兼冷却室１４１を大気圧に戻し、次のウェハＷを搬入するための準備をする。
【００３２】
ゲートバルブ１４４を閉じて第二の予備室兼冷却室１４１を大気圧に復帰させるのと同時に、第二の処理室１５１のゲートバルブ１６１を開き、ウェハ移載機１１２がウェハＷを第二の処理室１５１に搬入する。そして、第二の処理室１５１内にガス供給装置（図示せず）から処理ガスが供給され、所望の処理がウェハＷに施される。
【００３３】
以下、同様にして第三の処理室１５２、第四の処理室１５３にウェハＷを搬入し、所望の処理を施す。
【００３４】
第一の処理室１５０において所望の処理が終了したら、第一のウェハ移載機１１２は第一の処理室１５０から搬出したウェハＷを第一の予備室兼冷却室１３１へ搬出する。このとき、第一の予備室兼冷却室１３１に未処理のウェハＷが存在する場合、第一のウェハ移載機は前記未処理ウェハＷを第一の予備室兼冷却室１３１から第一の搬送室１１０へ搬出する。
【００３５】
そしてゲートバルブ１３４を閉じ、処理済ウェハＷの冷却を開始すると同時に第一の予備室兼冷却室１３１に接続された不活性ガス供給装置（図示せず）から不活性ガスを導入し、第一の予備室兼冷却室１３１内の圧力を大気圧に戻す。
【００３６】
第一の予備室兼冷却室１３１において予め設定された冷却時間が経過し、且つ第一の基板予備室兼冷却室１３１内の圧力が大気圧に戻されると、ゲートバルブ１３０が開かれる。続いて、第二の搬送室１２０の第二のウェハ移載機１２２は基板載置台１３２から処理済のウェハＷをピックアップして第二の搬送室１２０に搬出し、ゲートバルブ１３０を閉じる。そして、第二の搬送室１２０のウェハ搬入搬出口１０４を通してポッド１０１に収納する。以上の動作が繰り返されることにより、ウェハＷが２５枚ずつ順次、処理されていく。
【００３７】
ポッド１０１内の全てのウェハＷに所望の処理が行われ、処理済の２５枚のポッド１０１への収納が完了すると、ポッド１０１のキャップとウェハ搬入搬出口１０４を閉塞する蓋１０５がポッドオープナ１０３によって閉じられる。閉じられたポッド１０１はロードポートとしてのＩＯステージ１００上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されていく。
【００３８】
ここで、制御用コントローラが基板処理装置１に接続されており、制御用コントローラは搬送制御、プロセス制御を行う手段を持つように構成される。図３は図１及び図２に示す基板処理装置を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。
【００３９】
図３において、制御用コントローラ１１は、操作部コントローラを有する操作部１２と上位コントローラとしての統括制御コントローラ１３と第一の処理室１５０を制御するためのプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（１）１４、第二の処理室１５１を制御するためのプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（２）１５が、ＬＡＮ回路１６で接続されている。また、統括制御コントローラ１３には第一の移載機１１２を制御する真空ロボットコントローラ１３ａ、第二の移載機１２２を制御する大気ロボットコントローラ１３ｂ、マスフローコントローラＭＦＣ１３ｃなどが接続されている。さらに、プロセスチャンバコントローラＰＭＣ（１）１４には、マスフローコントローラＭＦＣ１４ａ、ＡＰＣ１４ｂ、温度調節器１４ｃ、バルブＩ／Ｏ１４ｄなどが接続されている。尚、ＭＦＣ１４ａはガスの流量を制御するためのマスフローコントローラであり、ＡＰＣ１４ｂはプロセスチャンバＰＭ内の圧力を制御するためのオートプレッシャーコントローラである。また、温度調節器１４ｃは処理室としてのプロセスチャンバＰＭ内の温度の制御を行うものであり、バルブＩ／Ｏ１４ｄはガスや排気用のバルブのＯＮ／ＯＦＦを制御するための入出力ポートである。また、ＰＭＣ（２）１５もＰＭＣ（１）１４と同様な構成である。尚、図示されていないが、第三の処理室１５２を制御するためのプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（３）と第四の処理室１５３を制御するためのプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（４）も同様な構成で、同じようにＬＡＮ回路１６に接続してもよい。
【００４０】
記憶部１８は、ＬＡＮ回線１６に接続されており、操作部１２に表示される画面を介して入力された指示データや各種レシピ（プロセスレシピ、ダミー基板用レシピ等）を格納する。
【００４１】
操作部１２はシステム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、及びパラメータ編集などの画面を表示する機能である操作部コントローラを有している。また、上位コントローラとしての統括制御コントローラ１３は、システム全体の運用制御、真空ロボットコントローラ１３ａの制御、大気ロボットコントローラ１３ｂの制御、ＭＦＣ１３ｃやバルブやポンプなどを制御する排気系制御を行う。
【００４２】
次に、図３に示す制御用コントローラ１１の基本的な運用例について説明する。操作部１２からのコマンド指示を受けた統括制御コントローラ１３は、ウェハ搬送指示を大気ロボットコントローラ１３ｂに指示すると、該大気ロボットコントローラは、第二の移載機１２２を制御して、ウェハＷをポッド１０１からノッチ合せ装置１０７を介して予備室兼冷却室１３１，１４１に搬送させる。そして、統括制御コントローラ１３は、ウェハＷを搬送されると予備室兼冷却室１３１，１４１の排気制御（つまり、ポンプやバルブの制御）を実施する。そして、予備室兼冷却室１３１，１４１が所定の負圧力に達したところで、真空ロボットコントローラ１３ａに指示してウェハＷを該当する第一の処理室１５０へ搬送させる。続いて、ＰＭＣ（１）１４又はＰＭＣ（２）１５等に対して、ウェハＷに付加価値を与えるためのプロセスレシピの実行指示を行い、ウェハＷに所定の処理が施される。処理済のウェハＷは、第一の処理室１５０から予備室兼冷却室１３１，１４１へ搬送され、更に大気圧に戻された後、元のポッド１０１に搬送される。尚、予め搬送先に異なるポッド指定されている場合、元のポッド１１０ではなく、指定されたポッドに搬送してもよい。
【００４３】
図４には、複数の処理室１５０，１５１，１５２，１５３のうち少なくとも一つに用いられるプラズマ処理装置２００が示されている。図４に示されているように、プラズマ処理装置２００は処理室２０２を形成する真空容器２０４を備えている。真空容器２０４の側壁には、被処理基板としてのウェハＷを処理室内に搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口２０６が開設されており、ウェハ搬入搬出口２０６はゲートバルブ２０８によって開閉されるように構成されている。
【００４４】
真空容器２０４の底壁には排気ライン２１０の一端が接続されており、排気ライン２１０の他端は真空排気手段としての真空排気装置２１１に接続されている。排気ライン２１０の途中には排気コンダクタンス調整手段としての排気コンダクタンス調整弁２１２が介設されている。排気コンダクタンス調整弁２１２には排気コンダクタンス調整弁制御装置２１４が電気的に接続されており、排気コンダクタンス調整弁２１２には排気コンダクタンス調整弁制御装置２１４には、処理室２０２内の圧力を検出する圧力センサ２１６が電気的に接続されている。排気コンダクタンス調整弁制御装置２１４は圧力センサ２１６からの検出結果及びコントローラ２１８からの指令に基づいて、排気コンダクタンス調整弁２１２を制御することにより、処理室２０２内の圧力を調整するように構成されている。
【００４５】
真空容器２０４の処理室２０２内にはアノード電極（陽極）２２０が設置されている。アノード電極２２０の内部にはガス通路２２４が形成されており、アノード電極２２０の下面にはシャワー板２２２がガス通路２２４を仕切るように嵌め込まれている。シャワー板２２２には多数個の吹出口２２６がガスをシャワー状に吹き出すように開設されている。アノード電極２２０のガス通路２２４にはガス導入手段としてのガス導入ライン２２８が接続されており、ガス通路２２４にはガス導入ライン２２８から多種類のガスが導入されるようになっている。
【００４６】
一方、真空容器２０４の処理室２０２の下部にはカソード電極（陰極）２３０が設置されている。カソード電極２３０はウェハＷを載置した状態で保持する基板載置台（サセプタ）を兼用するように構成されており、サセプタ兼用のカソード電極２３０には保持したウェハＷを加熱するヒータ（図示せず）が内蔵されている。
【００４７】
アノード電極２２０とカソード電極２３０との間には、高周波電力供給手段としての高周波発振器２３２がインピーダンス整合器２３４を介して接続されており、高周波発振器２３２は前述のＰＭＣ（１）１４（若しくはＰＭＣ（２）１５）に相当するコントローラ２１８に通信線２３６によって接続されている。高周波発振器２３２はコントローラ２１８からの指令に応答してインピーダンス整合器２３４を介してアノード電極２２０とカソード電極２３０との間に高周波電圧を印加するようになっている。
【００４８】
カソード電極２３０には自己バイアス電圧検出手段としての電圧計２３８が接続されており、電圧計２３８は検出結果を通信線２４０によってコントローラ２１８に送信するように構成されている。コントローラ２１８には記憶装置２４２、表示装置２４４及び入力装置２４６が接続されている。ここで、記憶装置２４２、表示装置２４４の代わりにそれぞれ記憶部１８、操作部１２を使用してもよいのはいうまでもない。また、記憶部１８が別体となっている例を示しているが、例えば、コントローラ２１８内に組み込まれていているメモリ等を用いても良い。
【００４９】
コントローラ２１８にはソフトウェアの機能として、進行波電力量及び累積自己バイアス電圧の管理機能が組み込まれている。このため、コントローラ２１８はプラズマ処理に関するデータとして、進行波電力値を高周波発振器２３２から通信線２３６を介して取得して、記憶装置２４２に格納するように構成されている。また、コントローラ２１８はプラズマ処理に関するデータとして、自己バイアス電圧値を電圧計２３８から通信線２４０を介して取得して、記憶装置２４２に格納するように構成されている。
【００５０】
次に、前記構成に係るプラズマ処理装置２００によるウェハＷへの膜の形成方法を説明する。
【００５１】
膜を形成すべきウェハＷがウェハ搬入搬出口２０６に搬送されてくると、ゲートバルブ２０８が開けられ、ウェハＷがウェハ搬入搬出口２０６から処理室２０２内に搬入され、サセプタを兼用するカソード電極２３０の上に載置される。ウェハＷがカソード電極２３０に設置されて保持されると、ウェハ搬入搬出口２０６がゲートバルブ２０８によって閉じられる。処理室２０２内が真空排気装置２１１によって排気ライン２１０及び排気コンダクタンス調整弁２１２を通じて排気される。
【００５２】
処理室２０２内が所定の圧力に維持されながら、原料ガスがガス導入ライン２２８からガス通路１２４に導入され、処理室２０２内にシャワー板２２２の吹出口２２６からシャワー状に吹き出される。処理室２０２内の圧力を一定に維持する方法としては、圧力センサ２１６から出力されて排気コンダクタンス調整弁制御装置２１４に入力される信号に基づいて、排気コンダクタンス調整弁２１２が制御されるフィードバック制御方法が使用される。
【００５３】
処理室２０２内が所定の圧力に維持された状態で、コントローラ２１８に入力装置２４６から設定された電力値が高周波発振器２３２に通信線２３６を通じて設定され、高周波電力が高周波発振器２３２によって発生される。高周波発振器２３２によって発生された高周波電力は、アノード電極２２０にインピーダンス整合器２３４を通して印加される。高周波電力が印加されると、アノード電極２２０とカソード電極２３０との間にプラズマが生成される。このようにして生成されたプラズマにより、処理室２０２内にシャワー状に吹き出された原料ガスが分解又は活性化し、サセプタを兼ねるカソード電極２３０に保持されたウェハＷの上に堆積し、膜が形成される。
【００５４】
次に、図５より、本実施の形態におけるポーリングについて説明する。ロボットコントローラ１３ａ，１３ｂと上位コントローラとしての統括制御コントローラ１３間で定期的に通信状態を確認するポーリングを行っている。本システムでは相手システムがハングアップしているか否かを判断する目的でポーリングを利用している。正常な場合は、上位コントローラ１３から定期的に送信されるポーリング要求に対しロボットコントローラ１３ａ，１３ｂから応答が返されますが、ロボットコントローラ１３ａ，１３ｂで異常発生しプログラムが停止した場合、ポーリング応答がなく、上位コントローラ１３側でロボットコントローラ１３ａ，１３ｂに異常が発生したと判断できる。
【００５５】
本実施の形態では、上述のポーリング電文に動作回数情報を格納する。このポーリングは、例えば、約１０秒間隔で実施されているため、ロボットの動作を監視するのに適している。なぜなら、オペレータ、又は保守担当者がロボット動作回数を確認するタイミングにリアルタイム性は必要ない為に、リアルタイム性を要するモニタ電文等の専用電文を設ける必要がなく、約１０秒間隔でやり取りを行うポーリング電文送受信で十分目的を達成することができるであるからである。
【００５６】
図５を用いて、ロボットコントローラ１３ａ，１３ｂと上位コントローラ１３と操作部１２に備えられた操作部コントローラ間で動作回数情報がどのようにして伝達されているかを説明する。
【００５７】
上位コントローラ１３においてポーリング送信間隔タイマ(例えば、10秒)がタイムアップすると、該上位コントローラ１３からロボットコントローラ１３ａ，１３ｂに対しポーリング要求電文を送信する。ロボットコントローラ１３ａ，１３ｂで上位コントローラ１３からのポーリング要求電文を受信すると、ロボットコントローラ１３ａ，１３ｂでコマンド実行回数を確認してポーリング応答電文のデータ部に格納する。ここで、ロボットコントローラ１３ａ，１３ｂでは、実際にウェハWのPick/Place動作（ロボットの上下動作）やローテートコマント゛（ロボットの回転動作）等を実行するたびにカウンタを更新している。そして、ロボットコントローラ１３ａ，１３ｂからポーリング応答を上位コントローラ１３に送信し、上位コントローラ１３がポーリング応答電文受信すると、送信間隔タイマをリセット（カウンタをゼロにする）すると共にロボット動作回数を操作部に送信する。操作部１２では、上位コントローラ１３から受信した各ロボットの動作回数情報を画面に表示する。
【００５８】
上記のように、ロボットコントローラ１３ａ，１３ｂと統括制御コントローラ１３間で定期的に通信状態を確認するためのポーリング電文に各ロボットの動作回数情報を格納することで、ロボット動作回数を上位コントローラとしての統括制御コントローラ１３に通知し、更に、その情報を操作画面に表示している。図６は、ロボットの動作回数を表示する表示例を示す。よって、各ロボットの動作回数を把握することができる。また、図示されていないが、ポーリング電文に格納され上位コントローラに通知された各ロボットの動作回数情報は、記憶部１８に逐次記録されるように構成しても良い。そうすることで、各ロボットの動作履歴を知ることができる。よって、各ロボットの動作回数を把握することによりメンテナンスタイミングを予測することができる。また、ロボット動作履歴が起因となる装置故障を事前に把握することができるので、装置稼働率や歩留まりを向上させることが可能となる。
【００５９】
従って、本実施形態によれば、ロボット故障発生時の動作履歴回数を把握することができる。また、収集されたデータを統計化することで次回メンテナンス実施タイミングを予測するための判断材料とすることができる。また、故障による装置停止時間が減少することにより総稼働率向上に繋がる。
【００６０】
上記では基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、クラスタ型の基板処理装置について示したがインライン型の基板処理装置にも適用できることは言うまでもない。
【００６１】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に本発明の好ましい態様について付記する。
【００６２】
本発明の第１の態様は、
真空中で基板を搬送するための第一の搬送手段と真空容器内を真空排気するための排気手段を有する真空搬送室と、前記真空搬送室にゲートバルブを介して隣接された基板に処理を施す複数の処理室と、大気圧から真空へ、又は真空から大気圧へ圧力を制御することにより前記真空搬送室へ基板を搬入または真空搬送室から基板を搬出するための基板予備室と、ゲートバルブを介して前記基板予備室に隣接された大気圧下で基板を搬送するための第二の搬送手段と、前記基板が収納される基板収容容器（FOUP）を載置するためのロードポートを有する大気搬送モジュールとで構成される基板処理装置であって、
前記第一の搬送手段や前記第二の搬送手段を制御するロボットコントローラと、前記ロボットコントローラに指示を与える統括制御コントローラとを有し、
前記ロボットコントローラと前記統括制御コントローラ間で定期的に通信状態を確認するためのポーリング電文にロボット動作回数情報を格納することにある。
【００６３】
本発明の第２の態様は、
更に、操作部を有し、前記統括制御コントローラ間は、前記ロボットコントローラから応答があったポーリング電文に格納された動作回数情報を前記操作部に送信し、前記操作部は、前記動作回数情報を更新して操作画面に表示することにある。
【符号の説明】
【００６４】
１  基板処理装置
１００  ＩＯステージ（ロードポート）
１０１  ポッド（ＦＯＵＰ）
１０２  キャップ開閉機構
１０３  ポッドオープナ
１０４  ウェハ搬入搬出口
１０５  蓋
１０６  クリーンユニット
１０７  ノッチ合せ装置
１１０  第一の搬送室（真空搬送室）
１１１  第一の搬送室の筐体
１１２  第一のウェハ移載機
１１３  第一のウェハ移載機のエレベータ
１２０  第二の搬送室（大気搬送室）
１２１  第二の搬送室の筐体
１２２  第二のウェハ移載機
１２３  第二のウェハ移載機のエレベータ
１２４  リニアアクチュエータ
１３０  ゲートバルブ
１３１  第一の予備室兼冷却室（基板予備室）
１３２  基板載置台（上）
１３３  基板載置台（下）
１３４  基板冷却装置
１４０  ゲートバルブ
１４１  第二の予備室兼冷却室（基板予備室）
１４２  基板載置台（上）
１４３  基板載置台（下）
１４４  基板冷却装置
１５０  第一の処理室
１５１  第二の処理室
１５２  第三の処理室
１５３  第四の処理室
１６０  ゲートバルブ
１６１  ゲートバルブ
１６２  ゲートバルブ
１６３  ゲートバルブ
２００  プラズマ処理装置
２０２  処理室
Ｗ      ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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