(57)【要約】      （修正有）【課題】フラッシュメモリのアクセス装置を提供する。【解決手段】フラッシュメモリのアクセス装置は、メモリコントローラ110と、第１のオープンＮＡＮＤフラッシュインターフェース（ＯＮＦＩ）120と、拡張用フラッシュメモリモジュール131とを有する。第１のＯＮＦＩはメインフラッシュメモリモジュール121を接続するのに用いる。メモリコントローラ110は、メインフラッシュメモリモジュール121及び拡張用フラッシュメモリモジュール131が片面であるか両面であるかを検出することにより、検出結果を得る。メモリコントローラ110は更に、この検出結果に応じて、メインフラッシュメモリモジュール121及び拡張用フラッシュメモリモジュール131のアクセス方法を設定する。【選択図】図１Ａ
2011081680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリコントローラと、
このメモリコントローラに結合された第１のオープンＮＡＮＤフラッシュインターフェースであつて、メインフラッシュメモリモジュールを接続するための当該第１のオープンＮＡＮＤフラッシュインターフェースと、
前記メモリコントローラと前記第１のオープンＮＡＮＤフラッシュインターフェースとに結合された拡張用フラッシュメモリモジュールと
を具えるフラッシュメモリのアクセス装置において、
前記メモリコントローラは、前記第１のオープンＮＡＮＤフラッシュインターフェースに接続された前記メインフラッシュメモリモジュールと前記拡張用フラッシュメモリモジュールとが片面であるか両面であるかを検出することにより検出結果を得るとともに、この検出結果に応じて前記メインフラッシュメモリモジュール及び前記拡張用フラッシュメモリモジュールのアクセス方法を設定するようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項２】
請求項１に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記メモリコントローラが、前記メインフラッシュメモリモジュールと前記拡張用フラッシュメモリモジュールとが全て片面であるということを検出すると、このメモリコントローラは、前記メインフラッシュメモリモジュール及び前記拡張用フラッシュメモリモジュールを、デュアルチャネルフラッシュメモリモジュールを形成するように接続するようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項３】
請求項１に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記メモリコントローラが、前記メインフラッシュメモリモジュール及び前記拡張用フラッシュメモリモジュールが全て両面であることを検出すると、このメモリコントローラは、前記メインフラッシュメモリモジュールと前記拡張用フラッシュメモリモジュールとのうちの一方をワーキングメモリとして設定するとともに、他方のモジュールをスペアメモリとして設定するようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項４】
請求項３に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記メモリコントローラは更に、前記スペアメモリを無効とするようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項５】
請求項３に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記メモリコントローラは更に、前記ワーキングメモリの読み取り動作又は書き込み動作が正常であるかどうかを検出するようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項６】
請求項３に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記メモリコントローラが、前記ワーキングメモリの読み取り動作又は書き込み動作が異常であることを検出すると、このメモリコントローラは、前記ワーキングメモリを無効とし、前記スペアメモリをワーキングメモリとして作用するように切り換えるようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項７】
請求項１に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、このフラッシュメモリのアクセス装置が更に、
前記メモリコントローラ及び前記第１のオープンＮＡＮＤフラッシュインターフェースに結合された拡張用フラッシュメモリインターフェースであって、前記拡張用フラッシュメモリモジュールを接続するための当該拡張用フラッシュメモリインターフェース
を具えているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項８】
請求項７に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記メモリコントローラと、前記第１のオープンＮＡＮＤフラッシュインターフェースと、前記拡張用フラッシュメモリインターフェースとがマザーボード上に実装されており、前記拡張用フラッシュメモリインターフェースが第２のオープンＮＡＮＤフラッシュインターフェースであるフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項９】
請求項１に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記拡張用フラッシュメモリモジュールがマザーボード上に直接実装されており、前記メモリコントローラ及び前記第１のオープンＮＡＮＤフラッシュインターフェースがこのマザーボード上に実装されているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項１０】
メインフラッシュメモリモジュールを接続するための第１のオープンＮＡＮＤフラッシュインターフェースを設けるステップと、
拡張用フラッシュメモリモジュールを設けるステップと、
前記第１のオープンＮＡＮＤフラッシュインターフェースに接続された前記メインフラッシュメモリモジュールと、前記拡張用フラッシュメモリモジュールとが片面であるか両面であるかを検出して、検出結果を得るステップと、
前記検出結果に応じて、前記メインフラッシュメモリモジュール及び前記拡張用フラッシュメモリモジュールのアクセス方法を設定するためのメモリコントローラを設けるステップと
を具えるフラッシュメモリのアクセス方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、前記検出結果が、
前記メインフラッシュメモリモジュール及び前記拡張用フラッシュメモリモジュールが全て片面であるか、又は前記メインフラッシュメモリモジュール及び前記拡張用フラッシュメモリモジュールが全て両面であるかの情報
を有するようにするフラッシュメモリのアクセス方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、前記検出結果に応じて、前記メインフラッシュメモリモジュール及び前記拡張用フラッシュメモリモジュールのアクセス方法を設定するためのメモリコントローラを設ける前記ステップが、
前記検出結果が、前記メインフラッシュメモリモジュール及び前記拡張用フラッシュメモリモジュールが全て片面であるということを表わす場合に、前記メモリコントローラが、前記メインフラッシュメモリモジュール及び前記拡張用フラッシュメモリモジュールを、デュアルチャネルフラッシュメモリモジュールを形成するように接続するステップ
を有するフラッシュメモリのアクセス方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、前記検出結果に応じて、前記メインフラッシュメモリモジュール及び前記拡張用フラッシュメモリモジュールのアクセス方法を設定するためのメモリコントローラを設ける前記ステップが、
前記検出結果が、前記メインフラッシュメモリモジュール及び前記拡張用フラッシュメモリモジュールが全て両面であるということを表わす場合に、前記メモリコントローラが、前記メインフラッシュメモリモジュール及び前記拡張用フラッシュメモリモジュールのうちの一方をワーキングメモリとして設定するとともに、前記メモリコントローラが、前記メインフラッシュメモリモジュール及び前記拡張用フラッシュメモリモジュールのうちのうちの他方をスペアメモリとして設定するステップ
を有するフラッシュメモリのアクセス方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、このフラッシュメモリのアクセス方法が更に、
ワーキングメモリの読み出し動作又は書き込み動作が正常であるかどうかを検出するためのメモリコントローラを設けるステップ
を有するフラッシュメモリのアクセス方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、このフラッシュメモリのアクセス方法が更に、
メモリコントローラを設け、このメモリコントローラが、前記ワーキングメモリの読み出し動作又は書き込み動作が異常であるということを検出した場合に、このメモリコントローラにより、このワーキングメモリを無効にするとともに、前記スペアメモリをワーキングメモリとして作用するように切り換えるようにするステップ
を有するフラッシュメモリのアクセス方法。
【請求項１６】
請求項１０に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、このフラッシュメモリのアクセス方法が更に、
前記拡張用フラッシュメモリモジュールを接続するための拡張用フラッシュメモリインターフェースを設けるステップ
を有するフラッシュメモリのアクセス方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュメモリのアクセス装置及びアクセス方法に関するものである。本発明は特に、オープンＮＡＮＤフラッシュインターフェースを拡張するためのアクセス装置及びそのアクセス方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
これまで、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、多くの業者により製造されている。種々の業者により製造されるＮＡＮＤフラッシュメモリは、同様なパッケージや、同様な入力／出力ピンや、同様な制御コマンドセットを有しうるが、異なる業者により製造されたＮＡＮＤフラッシュメモリに交換する度に、ファームウェアの調整が必要となる。
【０００３】
従って、幾つかの主たる業者は、ＮＡＮＤフラッシュメモリに対する標準の仕様及びインターフェースを提供するための、いわゆるオープンＮＡＮＤフラッシュインターフェース（以後、ＯＮＦＩと称する）の標準規格を共同で提案している。しかし、ＯＮＦＩの標準規格によれば、フラッシュメモリのコントローラは一組のＯＮＦＩ信号ラインを提供するだけである。従って、二組のフラッシュメモリを用いる場合には、フラッシュメモリのコントローラのＯＮＦＩ信号ラインは利用のためにこれら二組のフラッシュラインに対応する必要があり、これにより利用を著しく制限するおそれがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、オープンＮＡＮＤフラッシュインターフェース（ＯＮＦＩ）におけるフラッシュメモリを拡張するのに用いるフラッシュメモリのアクセス装置及びアクセス方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、メモリコントローラと、第１のＯＮＦＩと、拡張用フラッシュメモリモジュールとを有するフラッシュメモリのアクセス装置を提供する。第１のＯＮＦＩはメモリコントローラに接続されており、メインフラッシュメモリモジュールを接続するために用いられる。拡張用フラッシュメモリモジュールは、メモリコントローラと第１のＯＮＦＩとに結合されている。この場合、メモリコントローラは、第１のＯＮＦＩに接続されたメインフラッシュメモリモジュールと拡張用フラッシュメモリモジュールとが片面であるか両面であるかを検出することにより、検出結果を得るものである。メモリコントローラは更に、この検出結果に応じてメインフラッシュメモリモジュールと拡張用フラッシュメモリモジュールとのアクセス方法を設定する。
【０００６】
本発明の例では、メインフラッシュメモリモジュール及び拡張用フラッシュメモリモジュールが全て片面であることをメモリコントローラが検出した場合、このメモリコントローラは、メインフラッシュメモリモジュール及び拡張用フラッシュメモリモジュールを、デュアルチャネルフラッシュメモリモジュールを形成するように接続する。
【０００７】
本発明の例では、メインフラッシュメモリモジュール及び拡張用フラッシュメモリモジュールが全て両面であることをメモリコントローラが検出した場合、このメモリコントローラは、メインフラッシュメモリモジュールと拡張用フラッシュメモリモジュールとのうちの一方をワーキングメモリとして設定するとともに、他方のモジュールをスペアメモリとして設定するようにする。
【０００８】
本発明の例では、メモリコントローラが更に、スペアメモリを無効にするようにする。
【０００９】
本発明の例では、メモリコントローラが更に、ワーキングメモリの読取動作又は書込動作が正常であるかどうかを検出するようにする。
【００１０】
本発明の例では、ワーキングメモリの読取動作又は書込動作が異常であることをメモリコントローラが検出した場合、このメモリコントローラがワーキングメモリを無効とし、スペアメモリをワーキングメモリとして作用するように切り換えるようにする。
【００１１】
本発明の例では、メモリコントローラと、第１のＯＮＦＩと、拡張用フラッシュメモリインターフェースとを全て、マザーボード上に実装する。
【００１２】
本発明の例では、フラッシュメモリのアクセス装置が更に、拡張用フラッシュメモリインターフェースを有するようにする。この拡張用フラッシュメモリインターフェースをメモリコントローラ及び第１のＯＮＦＩに結合するとともに、拡張用フラッシュメモリモジュールを接続するために用いる。
【００１３】
本発明の例では、メモリコントローラと、第１のＯＮＦＩと、拡張用フラッシュメモリインターフェースとを、マザーボード上に実装し、拡張用フラッシュメモリインターフェースを第２のＯＮＦＩとする。
【００１４】
本発明の例では、拡張用フラッシュメモリモジュールをマザーボード上に直接実装し、メモリコントローラと第１のＯＮＦＩとをこのマザーボード上に実装する。
【００１５】
本発明はフラッシュメモリのアクセス方法を提供する。最初に、第１のＯＮＦＩを設けてこれにメインフラッシュメモリモジュールを接続し、拡張用フラッシュメモリモジュールを設ける。次に、第１のＯＮＦＩに接続されたメインフラッシュメモリモジュールと、拡張用フラッシュメモリモジュールとが片面であるか両面であるかを検出して検出結果を得る。次に、この検出結果に基づいて、メインフラッシュメモリモジュール及び拡張用フラッシュメモリモジュールのアクセス方法を設定する。
【００１６】
本発明では、ＯＮＦＩ以外に拡張用フラッシュメモリインターフェースをも設けてフラッシュメモリの容量を拡張させ、ＯＮＦＩにおけるメインフラッシュメモリと、拡張用フラッシュメモリインターフェースにおける拡張用フラッシュメモリモジュールとの片面／両面状態を検出することにより、メインフラッシュメモリモジュール及び拡張用フラッシュメモリモジュールのアクセス方法を設定する。従って、拡張用フラッシュメモリモジュール及びメインフラッシュメモリモジュールを有効且つ最適に適用しうる。
【００１７】
本発明の前述した及び他の特徴及び利点を理解しやすくするために、以下に幾つかの実施例を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
添付図面は、本発明を更に理解させるためのものであり、この明細書の一部を成すものである。本発明の実施例を示す図面は、明細書の説明と相俟って本発明の原理を説明する役割を成すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の実施例によるフラッシュメモリのアクセス装置１００を示すブロック線図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、フラッシュメモリのアクセス装置１００をマザーボード上に設定する本発明による手法を示すブロック線図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、フラッシュメモリのアクセス装置１００をマザーボード上に設定する本発明による他の手法を示すブロック線図である。
【図２】図２は、本発明の実施例によるフラッシュメモリのアクセス方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１Ａを参照するに、この図１Ａは、本発明の実施例によるフラッシュメモリのアクセス装置１００を示すブロック線図である。このフラッシュメモリのアクセス装置１００は、メモリコントローラ１１０と、オープンＮＡＮＤフラッシュインターフェース（ＯＮＦＩ）１２０と、拡張用フラッシュメモリインターフェース１３０とを有している。ＯＮＦＩ１２０はメモリコントローラ１１０に結合されており、メインフラッシュメモリモジュール１２１を接続するために用いられる。拡張用フラッシュメモリインターフェース１３０もメモリコントローラ１１０に結合されており、拡張用フラッシュメモリモジュール１３１を接続するために用いられる。
【００２１】
メインフラッシュメモリモジュール１２１をＯＮＦＩ１２０に接続するとともに、拡張用フラッシュメモリモジュール１３１を拡張用フラッシュメモリインターフェース１３０に接続した後、メモリコントローラ１１０により、ＯＮＦＩ１２０に接続されたメインフラッシュメモリモジュール１２１と、拡張用フラッシュメモリインターフェース１３０に接続された拡張用フラッシュメモリモジュール１３１とが片面のメモリモジュールであるか、両面のメモリモジュールであるかを検出してその検出結果を得るようにする。
【００２２】
メモリコントローラ１１０により得られたこの検出結果が、メインフラッシュメモリモジュール１２１及び拡張用フラッシュメモリモジュール１３１が全て片面のメモリモジュールであるということを示した場合、このことは、メモリコントローラ１１０により得られる制御信号ラインはメインフラッシュメモリモジュール１２１と拡張用フラッシュメモリモジュール１３１とを同時にアクセスするのに充分であることを表わしている。従って、メモリコントローラ１１０は、メインフラッシュメモリモジュール１２１及び拡張用フラッシュメモリモジュール１３１を、いわゆるデュアルチャネルフラッシュメモリモジュールを形成するように接続する。デュアルチャネルフラッシュメモリモジュールの場合には、メモリコントローラ１１０がデータを分割して２部分に記憶させ、これらの分割された２部分をメインフラッシュメモリモジュール１２１及び拡張用フラッシュメモリモジュール１３１内にそれぞれ同時に記憶させ、これにより、データ記憶速度を有効に速めうるようにする。これに対し、データを読み出す場合、データのこれらの２部分をメインフラッシュメモリモジュール１２１及び拡張用フラッシュメモリモジュール１３１から同時に読み出すことができ、メモリコントローラ１１０がデータのこれらの２部分を合成して元の記憶されたデータを得る。データ読み出し速度も同様に速まる。
【００２３】
更に、メモリコントローラ１１０により得られた検出結果が、メインフラッシュメモリモジュール１２１及び拡張用フラッシュメモリモジュール１３１が全て両面のメモリモジュールであるということを示した場合、メモリコントローラ１１０は、メインフラッシュメモリモジュール１２１及び拡張用フラッシュメモリモジュール１３１のうちの一方をワーキングメモリとして設定するとともに、メインフラッシュメモリモジュール１２１及び拡張用フラッシュメモリモジュール１３１のうちの他方をスペアメモリとして設定する。すなわち、メインフラッシュメモリモジュール１２１及び拡張用フラッシュメモリモジュール１３１が全て両面のメモリモジュールである場合、（ワーキングメモリとして設定された）一方のメモリのみをアクセスでき、他方のメモリはスペアメモリとして設定されてアクセスされ得ない。
【００２４】
例えば、メモリコントローラ１１０により得られた検出結果が、メインフラッシュメモリモジュール１２１及び拡張用フラッシュメモリモジュール１３１が全て両面のメモリモジュールであるということを示した場合、メモリコントローラ１１０は、メインフラッシュメモリモジュール１２１をアクセスするためのワーキングメモリとして設定するとともに、拡張用フラッシュメモリモジュール１３１をスペアメモリとして設定し、このスペアメモリ（拡張用フラッシュメモリモジュール１３１）を無効とする。
【００２５】
更に、メモリコントローラ１１０はワーキングメモリとして用いられるフラッシュメモリモジュールに関して読み取り／書き込み検査をも実行し、ワーキングメモリとして用いられるフラッシュメモリモジュールが損傷されているかどうかを検出する。ワーキングメモリとして用いられるフラッシュメモリモジュール（例えば、メインフラッシュメモリモジュール１２１）に関して実行される読み取り／書き込み検査が通常のように遂行しえない場合、このことは、メインフラッシュメモリモジュール１２１が損傷されているということを表わす。この場合、メモリコントローラ１１０は、元来スペアメモリとして用いられている拡張用フラッシュメモリモジュール１３１をワーキングメモリに切り換え、元来ワーキングメモリとして用いられているメインフラッシュメモリモジュール１２１を無効とする。
【００２６】
メモリコントローラ１１０は、固定の期間に応じて、読み取り／書き込み検査をワーキングメモリに実行しうる。すなわち、メモリコントローラ１１０は、ワーキングメモリに関して読み取り／書き込み検査を実行して、ワーキングメモリとして用いられるフラッシュメモリモジュールが固定の期間毎に損傷されているかどうかを検査する。
【００２７】
一方、メモリコントローラ１１０は更に、拡張用フラッシュメモリモジュール１３１を、メインフラッシュメモリモジュール１２１のスペアメモリとして作用するように設定しうる。すなわち、データをメインフラッシュメモリモジュール１２１に記憶させる以外に、このデータを拡張用フラッシュメモリモジュール１３１内にバックアップとして記憶させることもできる。メインフラッシュメモリモジュール１２１内のデータをバックアップする方法は、メモリコントローラ１１０がメインフラッシュメモリモジュール１２１内のデータを固定の期間毎に拡張用フラッシュメモリモジュール１３１にコピーすることである。固定の期間の計算はハードウェア又はソフトウェアにより実行しうる。更に、フラッシュメモリのアクセス装置１００は、固定の期間を設定又は変更するための、ユーザ用ソフトウェアインターフェースを提供しうる。
【００２８】
メモリコントローラ１１０と、ＯＮＦＩ１２０と、拡張用フラッシュメモリインターフェース１３０とは、同じ回路基板（例えば、マザーボード）上に同時に実装しうることを銘記すべきである。或いはまた、拡張用フラッシュメモリインターフェース１３０を用いずに、拡張用フラッシュメモリモジュール１３１を直接マザーボード上に実装する。
【００２９】
フラッシュメモリのアクセス装置１００をマザーボード上に実装する方法を示す図１Ｂ及び図１Ｃを参照する。図１Ｂでは、メモリコントローラ１１０と、ＯＮＦＩ１２０と、拡張用フラッシュメモリインターフェース１３０とが全てマザーボード１５０上に実装されている。メインフラッシュメモリモジュール１２１は、ＯＮＦＩ１２０を介してマザーボード１５０に接続され、拡張用フラッシュメモリモジュール１３１は、拡張用フラッシュメモリインターフェース１３０を介してマザーボード１５０に接続されている。
【００３０】
更に、図１Ｃでは、メモリコントローラ１１０と、ＯＮＦＩ１２０とがマザーボード１５０上に実装されており、図１Ｂに示す拡張用フラッシュメモリインターフェース１３０はマザーボード１５０上に実装されていない。これに対し、拡張用フラッシュメモリモジュール１３１がマザーボード１５０上に直接実装され、いわゆるオンボードフラッシュメモリモジュールを構成している。
【００３１】
図２を参照するに、この図２は、本発明の実施例によるフラッシュメモリのアクセス方法を示すフローチャートである。この方法は、以下のステップを有する。最初に、メインフラッシュメモリモジュールを接続するための第１のＯＮＦＩを設け（ステップＳ２１０）、拡張用フラッシュメモリモジュールを設ける（ステップＳ２２０）。次に、メインフラッシュメモリモジュール及び拡張用フラッシュメモリモジュールを接続した後に、第１のＯＮＦＩに接続されたメインフラッシュメモリモジュールと、拡張用フラッシュメモリモジュールとが片面であるか両面であるかを検出して、検出結果を得る（ステップＳ２３０）。次に、この検出結果に応じて、メインフラッシュメモリモジュール及び拡張用フラッシュメモリモジュールのアクセス方法を設定する（ステップＳ２４０）。
【００３２】
検出結果を得ることと、メインフラッシュメモリモジュール及び拡張用フラッシュメモリモジュールのアクセス方法を設定することとは、全てメモリコントローラにより実行しうることを銘記すべきである。メモリコントローラのこの実行は、フラッシュメモリのアクセス装置１００における上述したメモリコントローラ１１０に対するのと同じであり、従って、その詳細な説明を繰返さない。
【００３３】
本発明では、要するに、メインフラッシュメモリモジュール及び拡張用フラッシュメモリモジュールのアクセス方法を、メインフラッシュメモリモジュール及び拡張用フラッシュメモリモジュールが片面であるか両面であるかを検出することにより設定しうるものである。従って、ＯＮＦＩのメモリ容量が有効に拡張され、メインフラッシュメモリモジュール及び拡張用フラッシュメモリモジュールを有効に用いて、アクセス帯域幅を増大させることができるとともに、記憶データのバックアップが達成される。
【００３４】
本発明の範囲及び精神を逸脱することなく、本発明の構造に変更を施しうることは、当業者にとって明らかである。このことは、以下の特許請求の範囲及びその等価の範囲に入る限り、本発明は本発明の変形例を含むことを意図するものである。
【符号の説明】
【００３５】
１００    フラッシュメモリのアクセス装置
１１０    メモリコントローラ
１２０    オープンＮＡＮＤフラッシュインターフェース
１２１    メインフラッシュメモリモジュール
１３０    拡張用フラッシュメモリインターフェース
１３１    拡張用フラッシュメモリモジュール
１５０    マザーボード
【図１Ａ】
2011081680.tif 000003
【図１Ｂ】
2011081680.tif 000004
【図１Ｃ】
2011081680.tif 000005
【図２】
2011081680.tif 000006
【外国語明細書】
2011081680000001.pdf