(57)【要約】【課題】印刷塗布して形成された絶縁膜の絶縁特性を良好に保持した状態で、生産性を向上することが可能なアクティブマトリックスアレイ及びその製造方法を提供する。【解決手段】下地層３４上に絶縁膜インクを印刷塗布する。印刷塗布された絶縁膜インクに含まれる溶媒が所定の絶縁特性が得られるまで十分に揮発させる前に終了するように絶縁膜インクを焼成して絶縁膜３２を形成する。下地層３４上に形成された絶縁膜３２上に１つ以上の開口部３３を有する導電層３１を形成する。それにより、導電層３１に設けられた開口部３３から絶縁膜３２内に残っている溶媒を揮発させることができるので、導電層３１におおわれた絶縁膜３２の絶縁特性を良好にすることができる。また、絶縁膜３２が十分に揮発する前に、絶縁膜３２上に導電層３１を形成することができるので、生産性を良くすることができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層上に印刷塗布して形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜内の溶媒揮発を補助するための１つ以上の開口部を有するグランド層と、を備えていることを特徴とするアクティブマトリックスアレイ。
【請求項２】
下地層上に印刷塗布して形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜内の溶媒揮発を補助するための１つ以上の開口部を有する電源層と、を備えていることを特徴とするアクティブマトリックスアレイ。
【請求項３】
請求項１または２に記載のアクティブマトリックスアレイにおいて、
前記開口部は、複数のスリット状の開口部が並設していることを特徴とするアクティブマトリックスアレイ。
【請求項４】
下地層上に絶縁膜インクを印刷塗布する絶縁膜インク印刷塗布工程と、
印刷塗布された前記絶縁膜インクに含まれる溶媒が所定の絶縁特性が得られるまで十分に揮発させる前に終了するように前記絶縁膜インクを焼成する絶縁膜インク焼成工程と、
前記絶縁膜インク印刷塗布工程および前記絶縁膜インク焼成工程により下地層上に形成された絶縁膜上に１つ以上の開口部を有する導電層を形成する導電層形成工程と、を備えることを特徴とするアクティブマトリックスアレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テレビやパーソナルコンピュータのモニターとして用いられる薄型画像表示装置、あるいは医療分野や、非破壊検査、ＲＩ（Radio Isotope）検査を含む産業分野などに用いられる放射線撮像装置の放射線検出器など、特に、薄型画像表示装置および放射線撮像装置の放射線検出器に備えられるアクティブマトリックスアレイとその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリックスアレイ（アクティブマトリックス基板）は、２次元マトリックス状にアクティブ素子（例えば、薄膜トランジスタ）を配列したものである。アクティブマトリックスアレイは、アクティブマトリックスアレイ上に、例えば、発光素子を備えることで有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、透過光の強度を調節する表示素子を備えることで液晶表示ディスプレイ等の薄型画像表示装置として用いたり、また、Ｘ線、γ線等を検出する受光素子を備えて放射線撮像装置の放射線検出器として用いたり、と広く使用されている。近年、これらの製造方法として、インクジェット法（例えば、特許文献１参照）、接触印刷法（例えば、特許文献２参照）等の印刷技術を用いた方法の研究が盛んに行われている。これらによる製造方法は、フォトリソグラフィ法に比べて簡便であり、製造コストを抑えられる点で有利である。なお、ここで受光素子の光とは、赤外線、可視光線、紫外線、放射線（Ｘ線、γ線等）等をいう。
【０００３】
インクジェット法や接触印刷法は、導電層、半導体膜、絶縁膜等の材料物質を溶媒に溶解させたインクを用いることにより、インクジェット法では、インクジェットノズルから射出させ、また、接触印刷法では、転写型の転写面に一旦付着した後、被転写物（例えば、基板）に転写させることで、各種形状パターン層を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３４９５８３号公報
【特許文献２】特開２００７−１４２３６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、これらの方法によるアクティブマトリックスアレイには、次のような問題点がある。すなわち、下地層（基板、あるいは絶縁膜、半導体膜、導電層等を基板上に積層したもの）上に絶縁膜を形成し、形成された絶縁膜上に配線等の導電層を形成する場合において、先ず、下地層上に絶縁膜インクを印刷塗布して成膜した後、加熱して、または、紫外線（ＵＶ）を照射して印刷塗布された絶縁膜インクを焼成することで絶縁膜を形成している。絶縁膜インクの焼成は、加熱する場合、例えば、２００℃、１時間程で行われ、紫外線を照射する場合、例えば、５００ｍＪ／ｃｍ２程度の光量で行われ、所定の絶縁特性が得られるまで絶縁膜インクに含まれる溶媒を十分に揮発させて乾燥させる。そして、形成された絶縁膜上に導電層を形成する。しかしながら、導電層の形成は、上述の絶縁膜インクの焼成を待たなくてはならない。生産性向上の目的から焼成時間を短く抑えたいが、それでは、絶縁膜内に絶縁膜インクに含まれる溶媒が残ってしまい、良好な絶縁特性を得ることができなくなってしまう。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、印刷塗布して形成された絶縁膜の絶縁特性を良好に保持した状態で、生産性を向上することが可能なアクティブマトリックスアレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明者は鋭意研究の結果、次の知見を得ることができた。先ず、上述した通常に行われている条件で焼成した後も、絶縁膜の表面から絶縁膜内の溶剤が微弱ながら揮発し続けていること、また、絶縁膜インクの焼成は、焼成時間内の比較的早い段階である程度の硬さに固化し、その後は、絶縁膜インクに含まれる溶媒が揮発させて乾燥させるのを待つ時間であること、に着目した。そこで、所定の絶縁特性が得られるまで絶縁膜インクに含まれる溶媒を十分に揮発させる前に、すなわち、通常に行われる時間を短縮して終了するように絶縁膜インクを焼成して絶縁膜を形成し、その絶縁膜上に導電層を形成した。すると、絶縁膜が導電層でおおわれていても、幅が狭いところでは導電層に隣接し外気と接した絶縁膜の表面から絶縁膜内に残っている溶媒を揮発することができた。しかしながら、導電層の幅が広く面積が大きくなるにつれて、導電層におおわれた絶縁膜の絶縁膜インク内に含まれる溶媒が揮発されにくくなり、絶縁膜内に溶媒が残ってしまうことが判明した。
【０００８】
本発明は、上記の知見に基づきなされたものであって、その目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係るアクティブマトリックスアレイは、下地層上に印刷塗布して形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜内の溶媒揮発を補助するための１つ以上の開口部を有するグランド層と、を備えていることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係るアクティブマトリックスアレイによれば、印刷塗布された絶縁膜上に１つ以上の開口部を備えたグランド層を備えている。グランド層に開口部を有することで、グランド層におおわれた絶縁膜内に残っている溶媒を揮発させることができる。そのため、絶縁膜内の溶媒を十分に揮発させることができるので、絶縁膜の絶縁特性を良好にすることができる。
【００１０】
また、本発明に係るアクティブマトリックスアレイは、下地層上に印刷塗布して形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜内の溶媒揮発を補助するための１つ以上の開口部を有する電源層と、を備えていることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係るアクティブマトリックスアレイによれば、印刷塗布された絶縁膜上に１つ以上の開口部を備えた電源層を備えている。電源層に開口部を有することで、電源層におおわれた絶縁膜内に残っている溶媒を揮発させることができる。そのため、絶縁膜内の溶媒を十分に揮発させることができるので、絶縁膜の絶縁特性を良好にすることができる。
【００１２】
また、本発明に係るアクティブマトリックスアレイの一例は、前記開口部は、複数のスリット状の開口部が並設していることである。並設しているスリット状の開口部から絶縁膜内の溶媒をムラなく十分に揮発させることができるので、絶縁膜の絶縁特性を良好にすることができる。
【００１３】
また、本発明に係るアクティブマトリックスアレイの製造方法は、下地層上に絶縁膜インクを印刷塗布する絶縁膜インク印刷塗布工程と、印刷塗布された前記絶縁膜インクに含まれる溶媒が所定の絶縁特性が得られるまで十分に揮発させる前に終了するように前記絶縁膜インクを焼成する絶縁膜インク焼成工程と、前記絶縁膜インク印刷塗布工程および前記絶縁膜インク焼成工程により下地層上に形成された絶縁膜上に１つ以上の開口部を有する導電層を形成する導電層形成工程と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係るアクティブマトリックスアレイの製造方法によれば、印刷塗布された絶縁膜インクに含まれる溶媒が、所定の絶縁特性が得られるまで十分に揮発させる前に終了するように絶縁膜インクを焼成し、下地層上に絶縁膜を形成する。そして、下地層上に形成された絶縁膜上に１つ以上の開口部を有する導電層を形成する。これにより、絶縁膜内に残っている溶媒を導電層の開口部から揮発させることが出来る。そのため、絶縁膜インクに含まれる溶媒を十分に揮発させなくても導電層を形成できるので、焼成する時間を短縮して生産性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係るアクティブマトリックスアレイとその製造方法によれば、印刷塗布して形成された絶縁膜上に開口部を有する導電層を備えているので、絶縁膜内に残っている溶媒を導電層の開口部から揮発させることが出来る。そのため、絶縁膜内の溶媒を十分に揮発させることができるので、絶縁膜の絶縁特性を良好にすることができる。また、印刷塗布された絶縁膜インクを焼成して、絶縁膜インクに含まれる溶媒を十分に揮発させなくても絶縁膜上に導電層を形成できるので、焼成する時間を短縮することができる。すなわち、生印刷塗布して形成された絶縁膜の絶縁特性を良好に保持した状態で、生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）に備わるアクティブマトリックスアレイの模式平面図である。
【図２】実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）に備わるアクティブマトリックスアレイの模式縦断面図である。
【図３】実施例に係る開口部を有する導電層の模式部分平面図である。
【図４】実施例に係る開口部を有する導電層の模式部分縦断面図である。
【図５】実施例に係るアクティブマトリックスアレイの製造工程を示すフローチャートである。
【実施例】
【００１７】
＜フラットパネル型Ｘ線検出器＞
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。実施例の説明は、Ｘ線撮像装置に用いられる直接変換方式のフラットパネル型Ｘ線検出器（以下、ＦＰＤと称する）に備わるアクティブマトリックスアレイを例に行う。なお、図１は、実施例に係るＦＰＤに備わるアクティブマトリックスアレイの模式平面図であり、図２は、実施例に係るＦＰＤに備わるアクティブマトリックスアレイの模式縦断面図である。
【００１８】
図１を参照する。ＦＰＤ１は、アクティブマトリックスアレイ２と、Ｘ線変換層３と、ゲート駆動回路４、電荷‐電圧変換群５、マルチプレクサ６等の周辺回路と、を備えている。
【００１９】
アクティブマトリックスアレイ２は、Ｘ線像を検出する領域であるＸ線検出部ＳＣを２次元マトリックス状に区画した画素ごとに、スイッチング素子である薄膜トランジスタ１１（以下、ＴＦＴと称する）とコンデンサ１２を備えている。Ｘ線検出部ＳＣは、説明の都合上、図１に示すように、縦・横３×３画素の２次元マトリックス状に配列して構成されているが、実際のＸ線検出部ＳＣは、例えば、縦・横４０９６×４０９６画素で構成されている。
【００２０】
図１および図２を参照する。アクティブマトリックスアレイ２上には、２次元マトリックス状に配列した画素ごとに画素電極１３が形成されている。この画素電極１３を介し、アクティブマトリックスアレイ２上にはＸ線変換層３が形成されている。このＸ線変換層３上には電圧印加電極１４が形成されている。Ｘ線入射側の電圧印加電極１４には、高電圧（例えば数１００Ｖ〜数１０ｋＶ程度）のバイアス電圧ＶＡが加えられるようになっている。Ｘ線変換層３は、Ｘ線が入射されるとキャリアが生成される機能を有している。そして、画素電極１３は、区画された画素ごとに生成されたキャリアを収集するためのものである。なお、Ｘ線変換層３には、アモルファスセレン（ａ‐Ｓｅ）やテルル化カドミウム（CdTe）等が採用されている。
【００２１】
アクティブマトリックスアレイ２上に２次元マトリックス状に配列したＴＦＴ１１とコンデンサ１２において、コンデンサ１２は、画素電極１３と電気的に接続して画素電極１３に収集されたキャリアを電荷として一時的に蓄積する。また、ＴＦＴ１１は、画素電極１３およびコンデンサ１２と電気的に接続してコンデンサ１２に蓄積された電荷を取り出すためのスイッチング素子として機能する。
【００２２】
アクティブマトリックスアレイ２は、ＴＦＴ１１とコンデンサ１２の他に、格子状に構成されたゲート線１５およびデータ線１６と、グランド線１７と、それらを形成する土台となる基板１８と、を備えている。
【００２３】
アクティブマトリックスアレイ２上に、横（行）方向に並列に配置しているゲート線１５の一端は、横方向に配列している各画素のＴＦＴ１１のゲートＧと、それぞれ電気的に接続されている。また、縦（列）方向に並列に配置しているデータ線１７の一端は、縦方向に配列している各画素のＴＦＴ１１のドレインＤと、それぞれ電気的に接続されている。なお、ＴＦＴ１１のソースＳは、画素電極１３とコンデンサ１２と電気的に接続されている。また、ゲート線１５の他端は、ゲート駆動回路３と電気的に接続している。また、データ線１７の他端は、電荷‐電圧変換群４と電気的に接続している。
【００２４】
コンデンサ１２は、上下２つの電極を備えているが、上側の容量電極１９は、上述したようにＴＦＴ１５のソースおよび画素電極１３と電気的に接続しており、また、下側のグランド電極２０は電気的に接続したグランド線１７により、Ｘ線検出部ＳＣの外側に設けられたグランド層３１に電気的に接続している。例えば、図１に示すように、横方向に並列に配置されているグランド線１７の一端は、横方向に配列している各画素のコンデンサ１２のグランド電極２０と直線的に接続され、グランド線１７の他端は、Ｘ線検出部ＳＣの外側に設けられたグランド層３１に電気的に接続している。
【００２５】
グランド層３１は、アクティブマトリックスアレイ２の外部に接地しており、また、インピーダンス（抵抗値）を小さくするために大面積の形状のパターンが形成されている。グランド層３１の大きさは、例えば、４００ｍｍ×０．１ｍｍ〜１０ｍｍで形成される（ちなみに、グランド線の幅は２０μｍ程）。また、グランド層について、図３および図４を参照して説明する。なお、図３は実施例に係る開口部を有するグランド層の模式部分平面図であり、図４は実施例に係る開口部を有する導電層の模式部分縦断面図である。である（図３のＡ‐Ａ視断面図）。
【００２６】
図３および図４を参照する。グランド層３１は、下地層３４上に印刷塗布して形成された絶縁膜３２上に形成される。グランド層３１におおわれた絶縁膜、すなわち、グランド層３１に接している領域の絶縁膜３２の、絶縁膜３２内の溶媒揮発を補助するための開口部３３を備えている。開口部３３の形状は、絶縁膜３２の溶媒揮発を効果的に補助するためであれば、どのような形状でもよい。例えば、図３で示すように、複数のスリット状の開口部３３を並設するものが好ましい。ただし、開口部３３によりグランド層３１の導電特性を損なわないようにすることが好ましい。
【００２７】
グランド層３１に設けられた開口部３３によれば、グランド層３１でおおわれた絶縁膜３２内の溶媒を、開口部３３から揮発させることができる。そのため、グランド層３１でおおわれている絶縁膜３２内に残っている溶媒を、所定の絶縁特性が得られるまで十分に揮発させることができるので、その絶縁膜３２の絶縁特性を良好にすることができる。
【００２８】
なお、本実施例のＦＰＤ１によるＸ線検出動作は以下の通りである。すなわち、被検体にＸ線を照射してＸ線撮像を行う場合には、先ず、電圧印加電極１４に高電圧のバイアス電圧ＶＡを印加した状態で、被検体にＸ線を照射する。被検体を透過した放射線像は、電圧印加電極１４を介してＸ線変換層（ａ‐Ｓｅ膜）３上に投影されて、像の濃淡に比例したキャリアがＸ線変換層３内に発生する。発生したキャリアは、バイアス電圧ＶＡが生じる電界により画素電極１３に収集され、キャリアの生成した数に相応して電荷がコンデンサ１２に誘起されて所定時間蓄積される。その後、ゲート駆動回路４からゲート線１５を介して送られるゲート電圧により、ＴＦＴ１１はスイッチとして作用をし、コンデンサ１２に蓄積された電荷が、ＴＦＴ１２を経由しデータ線１０を介して、電荷‐電圧変換器群５で電圧信号に変換され、マルチプレクサ６によりＸ線検出信号として順に外部に読み出される。
【００２９】
次に、実施例に係るアクティブマトリックスアレイ２の製造方法について説明する。なお、図５は、実施例に係るアクティブマトリックスアレイの製造工程を示すフローチャートである。製造方法の説明は、図３〜図５を参照して行う。
【００３０】
（ステップＳ０１）下地層の形成
下地層３４を形成する。図３に示すように、下地層３４は、基板１８を含み、基板１８上に、例えば、ＴＦＴ１１、コンデンサ１２等の素子を形成したものである。すなわち、次に成膜する絶縁膜３２の下地になる層のことである。下地層３４のＴＦＴ１１やコンデンサ１２等は、導電層、半導体膜、ゲート絶縁膜、絶縁膜（層間膜）または、それらの組合せにより構成される。
【００３１】
導電層の材料としては、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等が挙げられる。また、ＴＦＴに用いられゲートチャネルが形成される半導体膜の材料としては、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の少なくとも１つを有する酸化物半導体、例えば、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＩｎＧａＺｎＯ４（ガリウム・インジウム酸化亜鉛）が挙げられる。また、ＴＦＴで用いられるゲート絶縁膜の材料としては、ＰＩ（ポリイミド）、アクリル系樹脂等の有機物、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）、ＴｉＯ（酸化チタン）、ＳｉＯ２（酸化シリコン）、ＳｉＮＸ（窒化シリコン）等の無機物、または、Ｙ（イットリウム）やＨｆ（ハフニウム）を有する強誘電体材料、が挙げられる。また、絶縁膜の材料としては、ＰＩ、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂等の有機物、または、ＳＯＧ（Spin on glass coating）に用いられるシリコンガラス等の無機物が挙げられる。また、基板１８の材料としては、ＰＩ、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の合成樹脂が挙げられる。
【００３２】
導電層、半導体膜、ゲート絶縁膜および絶縁膜の形成は、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法、ロール・ツー・ロール法等の印刷技術で行ってもよい。また、スピンコート法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＰＥＣＶＤ法等により適宜行って、フォトリソグラフィ法で所定の形状にパターンを形成して行ってもよい。
【００３３】
（ステップＳ０２）絶縁膜インクの印刷塗布
下地層３４上に絶縁膜インクを塗布する。絶縁膜インクは、絶縁膜インクの材料を溶媒に溶かしたもので、例えば、ポリイミドインクが挙げられる。絶縁膜インクの材料としては、ＰＩ、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂等の有機物、または、ＳＯＧに用いられるシリコンガラス等の無機物が挙げられる。絶縁膜インクの塗布は、インクジェット法、インプリント法、凸版印刷法、グラビア印刷法等の印刷技術で行われる。また、印刷技術に限らず、絶縁膜インクを塗布・焼成して絶縁膜３２を形成するものであればよく、例えば、スピンコート法で行ってもよい。
【００３４】
（ステップＳ０３）絶縁膜インクの焼成
下地層３４上に印刷塗布された前記絶縁膜インクを焼成する。このとき、通常の絶縁膜インクの焼成方法は、絶縁膜３２の所定の絶縁特性が得られるまで絶縁膜インクに含まれる溶媒を十分に揮発させて行われる。しかし本実施例では、通常の焼成方法の途中、すなわち、印刷塗布された絶縁膜インクに含まれる溶媒が所定の絶縁特性が得られるまで十分に揮発させる前に終了するように絶縁膜インクを焼成する（例えば、通常は焼成時間が１時間程のところ、焼成時間を３０分程にする）。絶縁膜インクを印刷塗布して焼成することにより、下地層３４上に絶縁膜３２が形成される。印刷塗布された絶縁膜インクの焼成は、加熱または紫外線を照射して行われる。加熱は、オーブン、ホットプレート等で行われる。また、紫外線の照射は、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ等で行われる。なお、絶縁膜インクの焼成の終了時期は、焼成時間内の比較的早い段階である程度の硬さに固化するため、所定の硬さが得られた以降に終了することが好ましい。このとき、絶縁膜インキの溶媒は十分に揮発していない状態である。
【００３５】
（ステップＳ０４）開口部を有する導電層の形成
下地層３４上に形成された絶縁膜３２上に、１つ以上の開口部３３を有する導電層３５（例えば、大面積の形状パターンであるグランド層３１）を形成する。導電層３５の材料としては、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等が挙げられる。開口部３３を有する導電層３５の形成は、インクジェット法、凸版印刷法、グラビア印刷法、ロール・ツー・ロール法等の印刷技術で行われる。また、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＰＥＣＶＤ法等で、一旦、導電層３５を形成した後に、フォトリソグラフィ法により所定の形状にパターニングして行われる。
【００３６】
以上のようにして、アクティブマトリックスアレイ２を製造する。なお、開口部３３を有する導電層３５を形成した後、アクティブマトリックスアレイ２には、画素電極１３をＸ線検出部ＳＣの画素ごとに形成し、画素電極１３を介して、アクティブマトリックスアレイ２のＸ線検出部ＳＣ上にはＸ線変換層３を形成する。なお、Ｘ線変換層３はアモルファスセレン（ａ‐Ｓｅ）で形成する。そして、Ｘ線変換層３上に電圧印加電極１４を形成する。この後、図１に示すように、ゲート駆動回路４、電荷‐電圧変換群５、マルチプレクサ６等を形成してＦＰＤ１が製造される。
【００３７】
このようなアクティブマトリックスアレイ２の製造方法によれば、印刷塗布して焼成することで形成された絶縁膜３２上に、開口部３３を有する導電層３５を形成することにより、導電層３５でおおわれている絶縁膜３２内の溶媒を導電層３５の開口部３３から揮発させることができる。そのため、絶縁膜の所定の絶縁特性が得られるまで十分に揮発する前に焼成を終了することができるので、焼成時間を短縮して生産性を向上させることができる。
【００３８】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００３９】
（１）上述した各実施例では、絶縁膜３２の溶媒を揮発させるための開口部３３を有するのは、グランド層３１（導電層３５）であったが、外部電源と電気的に接続される電源層であってもよい。例えば、図１に示すように、グランド層３１は外部に接地されていたが、外部電源と接続してもよく、例えば、０Ｖであったところを１Ｖにしてもよい。また、アクティブマトリックスアレイ２上に流量の大きな電流を流すための大面積の電源層を設ける場合に適用してもよい。
【００４０】
（２）上述した各実施例では、アクティブマトリックスアレイ２のグランド層３１（導電層３５）の開口部３３は、スリット状の開口部３３が並設したものであったが、これに限られない。例えば、開口部３３の形状を、円形、楕円形、矩形、矩形の角を丸めた形状等としてもよい。また、開口部３３の配列を、２次元マトリックス状、あるいは、２次元でも千鳥状のように互い違いになった形状等で配列させてもよい。また、中央の開口部３３から放射状に配列させてもよい。また、Ｓ字状、Ｈ字状、Ｏ字状、Ｅ字状等に開口した１つの開口部３３であってもよい。
【００４１】
（３）上述した各実施例では、グランド層３１（導電層３５）は、アクティブマトリックスアレイ２の最上層に形成したが、これに限られない。例えば、積層して構成されるアクティブマトリックスアレイ２の層間の絶縁層上に形成してもよい。
【００４２】
（４）上述した各実施例では、アクティブマトリックスアレイ２は、その上にＸ線に感応するＸ線変換層３を備えてＦＰＤ１を構成したが、これに限られない。例えば、γ線等の放射線に感応する放射線変換層を備えて放射線検出器としてもよい。また、光に感応する光変換層や、光変換層の代わりにフォトダイオードを備えイメージセンサーとしてもよい。また、フォトダイオードと、放射線を光に変換するシンチレータ層とを備えて間接変換型の放射線検出器としてもよい。
【００４３】
（５）上述した各実施例では、アクティブマトリックスアレイ２は、その上にＸ線に感応するＸ線変換層３を備えて、Ｘ線像を検出するＦＰＤ１を構成したが、これに限られない。例えば、アクティブマトリックスアレイ２上に有機ＥＬ層を備えて有機ＥＬディスプレイ、液晶層を備えて液晶ディスプレイ等の画像表示装置として構成してもよい。この場合、カラーフィルターを備えることで、カラー表示の画像表示装置としてもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１   …フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）
２   …アクティブマトリックス基板
３   …Ｘ線変換層
１１ …薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１２ …コンデンサ
１３ …画素電極
１４ …電圧印加電極
１５ …ゲート線
１６ …データ線
１７ …グランド線
１８ …基板
３１ …グランド層
３２ …絶縁膜
３３ …開口部
３４ …下地層
３５ …導電層
ＳＣ …Ｘ線検出部
【図１】
2011044650.tif 000003
【図２】
2011044650.tif 000004
【図３】
2011044650.tif 000005
【図４】
2011044650.tif 000006
【図５】
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