(57)【要約】      （修正有）【課題】磁性体層を磁気的に劣化させることなくアッシングする技術を用いて磁気記録メディアを製造する技術を提供する。【解決手段】主処理ガスのプラズマを磁性体層７の上に配置された非接触用層とパターニングされたフォトレジスト層に接触させて、非接触用層とフォトレジスト層をエッチング（アッシング）除去し、エッチング除去後に磁性体層７の上に保護層１８を配置する磁気記録メディアの製造方法であって、主処理ガスは水素を含有し、主処理ガスのプラズマをフォトレジスト層と非接触用層に接触させる前に酸素を含むガスから成る副処理ガスのプラズマをフォトレジスト層と非接触用層に接触させてフォトレジスト層の表面から一部を除去する磁気記録メディアの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体層の上に非接触用層を配置し、前記非接触用層の上にフォトレジスト層を配置し、注入領域となる部分の前記磁性体層の真上に位置する前記フォトレジスト層を凹形状にパターニングして開口を形成し、前記注入領域となる部分の前記磁性体層にイオンを注入し、前記イオンを注入した前記磁性体層を非磁性化し、処理ガスから成るプラズマを前記フォトレジスト層と前記非接触用層に接触させて、前記フォトレジスト層と前記非接触用層を除去し、前記磁性体層の上に保護層を配置する磁気記録メディアの製造方法であって、
前記主処理ガスは水素である磁気記録メディアの製造方法。
【請求項２】
主処理ガスのプラズマを前記フォトレジスト層に接触させる前に化学構造中に酸素原子を含むガスから成る副処理ガスのプラズマを前記フォトレジスト層に接触させて前記フォトレジスト層の表面から一部を除去する請求項１記載の磁気記録メディアの製造方法。
【請求項３】
前記主処理ガスは、窒素、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、又はＸｅのいずれか一種以上のガスを含有する請求項１記載の磁気記録メディアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録メディアの製造方法に係り、特に、アッシングの技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ビットパターンドメディアやディスクリートメディアの作製において、イオンミリングにより磁気記録層をスパッタエッチングによって掘ることにより物理的に切り分ける方法や、イオン注入により磁性膜を非磁性化する方法が提案されている。
磁気記録層の上に形成された保護層の表面にナノインプリントレジストをはじめとする有機系のフォトレジストを配置した後に、磁気記録層にイオンリミングやイオン注入を行う。イオンリミングやイオン注入後には、フォトレジストや保護層をエッチング（アッシング）により除去する。
【０００３】
アッシングに用いられるガスは酸素が一般的であるが、酸素を用いたアッシングでは、垂直磁気記録層の磁性体が酸化され、酸化された磁性体が非磁性体になるという磁気的なダメージが発生する。
下記文献には、磁気記録メディアの製造方法が記載されており、フォトレジストを、酸素プラズマによりアッシング除去している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−９９１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、磁気記録層に磁気的なダメージを与えないアッシングの技術を用いた磁気記録メディアの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、磁性体層の上に非接触用層を配置し、前記非接触用層の上にフォトレジスト層を配置し、注入領域となる部分の前記磁性体層の真上に位置する前記フォトレジスト層を凹形状にパターニングして開口を形成し、前記注入領域となる部分の前記磁性体層にイオンを注入し、前記イオンを注入した前記磁性体層を非磁性化し、処理ガスから成るプラズマを前記フォトレジスト層と前記非接触用層に接触させて、前記フォトレジスト層と前記非接触用層を除去し、前記磁性体層の上に保護層を配置する磁気記録メディアの製造方法であって、前記主処理ガスは水素である磁気記録メディアの製造方法である。
また、本発明は、主処理ガスのプラズマを前記フォトレジスト層に接触させる前に化学構造中に酸素原子を含むガスから成る副処理ガスのプラズマを前記フォトレジスト層に接触させて前記フォトレジスト層の表面から一部を除去する磁気記録メディアの製造方法である。
また、前記主処理ガスは、窒素、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、又はＸｅのいずれか一種以上のガスを含有する磁気記録メディアの製造方法である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明により、磁性体層の飽和磁力や保磁力を減少させることなくフォトレジストと保護層をアッシングする技術を用いて磁気記録メディアを製造できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】磁気記録メディアの断面図
【図２】処理対象物の断面図
【図３】（ａ）：磁性体層表面の平面図（ｂ）：磁性体層のＡ−Ａ’線で截断したときの断面図
【図４】開口が形成されたフォトレジストが配置された処理対象物の断面図
【図５】開口の底面が除去されたフォトレジストが配置された処理対象物の断面図
【図６】本発明に用いることができる真空処理装置
【図７】本発明に用いることができる成膜処理装置
【図８】フォトレジストと非接触用層が除去された処理対象物
【図９】磁性体層の表面粗さの測定結果
【図１０】磁性体層の飽和磁化と保磁力の測定結果
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１の符号９０は本発明の製造方法によって製作される磁気記録メディアである。磁気記録メディア９０は、基板５と、軟磁性体層６と、磁性体層７と、保護層１８とを有している。軟磁性体層６と、磁性体層７と、保護層１８は、基板５の上から軟磁性体層６と、磁性体層７と、保護層１８の順序で積層されている。
基板５はここではガラス基板であり、軟磁性体層６は、ここではアモルファスやフェライトなどの軟磁性体（Ｓｏｆｔ  Ｕｎｄｅｒ  Ｌａｙｅｒ）であり、保護層１８は、ここではＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）である。
磁性体層７は、絶縁体３１と、複数の磁性体３２と、複数の孔３４と、複数の注入領域３５を有している。各孔３４は、絶縁体３１の内部に配置されており、各磁性体３２は、それぞれ各孔３４の内部に位置している。
【００１０】
材料を例示すると、ここでは、絶縁体３１はＳｉＯ2であり、磁性体３２はＣｏＣｒＰｔであり、グラニュラー型の垂直磁気記録材料、例えばＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2が用いられている。磁気記録メディア９０は、ここでは円板であり円板の中心を中心軸として回転することにより磁気ヘッドとの相対的な位置関係を変えることができる。注入領域３５は、磁性体層７にイオンが注入された領域で、磁性体層７の一部であり、その形状を例示すると、ここでは、磁気記録メディア９０が回転する中心軸を中心とし、同心状に配置された複数のリングである。一つのリングの内周と外周の間の距離をリングの幅とすると、リングの幅は孔３４を複数個含む長さにされている。注入領域３５内は、イオン照射により垂直磁気記録媒体が非磁性化されるなどして、記録ビット部分やサーボ情報部分など垂直磁化を保持する必要な部分を切り分ける。ここでは、ＣｏＣｒＰｔが含有すると磁性のＣｏＣｒＰｔを非磁性化する原子のイオンが注入されており、磁性体３２はイオンを含有して非磁性化され非磁性体層１５となり、絶縁体３１はイオンを含有してもかわらず非磁性である。
【００１１】
隣接する注入領域３５と注入領域３５の間は、イオンが注入されない非注入領域３６である。磁性を有す非注入領域３６を磁気記録部９２と呼ぶと、磁気記録部９２は非注入領域３６によってリング状に区分けされ、互いに隣接する磁気記録部９２の磁化の向きが逆向きの場合でも磁気記録部９２同士が磁気的に干渉しないようにしている。
【００１２】
保護層１８の上に磁気ヘッド９５を配置し、磁気ヘッド９５のコイル（不図示）に電流を流してコイルが発生する垂直方向の磁束が磁気記録部９２が有する複数の磁性体３２の磁化の向きを鉛直上向き、又は下向きのいずれか一方向に形成すると磁気記録部９２は情報の記録と再生をすることができる。
ここでは注入領域３５をリング状に配置して注入領域３５と注入領域３５の間に磁気記録部９２を配置したが、注入領域３５を格子状に配置して注入領域３５が磁気記録部９２を取り囲んで配置してもよい。
【００１３】
軟磁性体層６は、磁気ヘッド９５が発生し磁気記録部９２を通った磁束を再び磁気ヘッドに戻すための磁束の通る磁路を形成している。
保護層１８は磁気ヘッド９５が磁性体層７を傷つけることを防いでいる。
【００１４】
図２の符号５０は、処理対象物である。処理対象物５０は、基板５と、軟磁性体層６と、磁性体層７と、非接触用層８を有している。軟磁性体層６と、磁性体層７と、非接触用層８は、基板５の上に軟磁性体層６と、磁性体層７と、非接触用層８の順序で積層され、処理対象物５０の表面は非接触用層８が露出している。
【００１５】
非接触用層８は、後述するフォトレジスト層９を磁性体層７と接触させずフォトレジスト層９が磁性体層７を酸化するのを防いでいる。非接触用層８は、ここではＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）層である。非接触用層８は、炭素層、Ｓｉ層、又はＳｉＮ層のいずれか一層でもよい。
【００１６】
磁性体層７は、絶縁体３１と、複数の磁性体３２と、複数の孔３４とを有している。各孔３４は、絶縁体３１の内部に配置されており、各磁性体３２は、それぞれ各孔３４の内部に位置している。
ここでは、絶縁体３１はＳｉＯ2であり、磁性体３２は、ＣｏＣｒＰｔである。
【００１７】
以下で処理対象物５０を用いて磁性体層７に注入領域３５と非注入領域３６を形成する工程を説明する。
図３（ａ）は、処理対象物５０が有する磁性体層７の表面の一部の平面図を示している。図３（ｂ）は、分散して配置された磁性体３２を横断するＡ−Ａ’線の截断線で截断したときの断面図である。
【００１８】
図４に示すように、処理対象物５０の表面が露出された非接触用層８の上に、フォトレジスト層を配置する。ナノインプリント装置のナノスタンパをフォトレジスト層に押し付けて、非注入領域３６となる部分の磁性体層７の真上に位置するフォトレジスト層の厚みを薄くして、フォトレジストを凹形状にパターニングし、開口２０を形成する。
【００１９】
搬出入室を介してイオン注入装置を真空排気装置によって真空雰囲気を維持して、表面のフォトレジスト層９がパターニングされた処理対象物５０を搬入し、ＣｏＣｒＰｔが含有すると磁性のＣｏＣｒＰｔを非磁性化する注入原子のイオンをフォトレジスト層９に向けて照射する。ここでは注入原子は、フッ素原子である。イオン注入装置は一定のエネルギーを持った単一種のイオンを基板に照射することを示すが、今発明の装置の場合は何らかのプラズマを作り、イオンだけでなくラジカルなども照射される所謂プラズマドーピング技術を用いても良い。
【００２０】
フォトレジスト層９に照射されたイオンのうち、開口２０に照射されたイオンは、開口２０の下にあるフォトレジスト層９を透過して注入され注入領域３５となる部分の磁性体層７内で停止する。
フォトレジスト層９の開口２０が形成された部分以外を遮蔽部２２と呼ぶと、遮蔽部２２に位置するフォトレジスト層９の厚みは、開口２０の下にあるフォトレジスト層９の厚みより厚くなっており、フォトレジスト層９に照射されたイオンのうち、遮蔽部２２に照射されたイオンは、遮蔽部２２に位置するフォトレジスト層９内で停止し、磁性体層７内に注入されない。
【００２１】
イオンが注入された磁性体３２は注入原子を含有して非磁性化され、図５に示すように非磁性体層１５となり、絶縁体３１は注入原子を含有してもかわらず非磁性である。イオンが注入された磁性体層７の注入領域３５全体が非磁性となっている。隣接する注入領域３５と注入領域３５の間はイオンが注入されない非注入領域３６であり非注入領域の磁性体３２は、かわらず磁性である。
【００２２】
次にフォトレジスト層９と非接触用層８を除去する工程を説明する。
図６の符号７５は、真空処理装置であり、真空処理装置７５は、第一のエッチング装置７１と、バッファー装置７３と、第二のエッチング装置７２を有している。ここでは第一のエッチング装置７１は、バッファー装置７３に接続され、バッファー装置７３は、第二のエッチング装置７２に接続されている。
【００２３】
例えば５秒タクトで搬送などに２秒かかるとすると、第一のエッチング装置７１で処理時間が９秒、第二のエッチング装置７２での処理時間が６秒必要ならば、第一のエッチング装置７１を３槽、第二のエッチング装置７２を２槽並べることになる。一般的には３秒タクト程度である。第一、第二のエッチング装置７１、７２中で同一のガスを用いて処理する場合には、バッファー装置７３は必要ではない。
【００２４】
第一、第二のエッチング装置７１、７２は、第一、第二の真空槽８１、８２を有している。
第一、第二の真空槽８１、８２とバッファー真空槽８３には、真空排気装置８４〜８６がそれぞれ接続され、真空排気装置８４〜８６を動作させて真空排気すると、第一、第二の真空槽８１、８２とバッファー真空槽８３内を真空排気雰囲気にすることができる。
また、第一、第二の真空槽８１、８２には、第一、第二のガス導入装置８７、８８がそれぞれ接続されている。
【００２５】
第一のガス導入装置８７は、酸素ガスから成る副処理ガスが貯蔵されたボンベを有し、真空雰囲気にされた第一の真空槽８１内に副処理ガスを導入する。第二のガス導入装置８８は、ここでは窒素を含む水素から成る主処理ガスが貯蔵されたボンベを有し、真空雰囲気にされた第二の真空槽８２内に主処理ガスを導入する。副処理ガスは化学構造中に酸素原子を含んでいるガスであればよい。
【００２６】
第一、第二の真空槽８１、８２の天井の外には、第一、第二のアンテナ７６、７７がそれぞれ配置されており、それぞれ第一、第二のアンテナ７６、７７に接続された電源を起動すると第一、第二のアンテナ７６、７７が発生する交番磁界がそれぞれ第一、第二の真空槽８１、８２内の主処理ガスをプラズマ化することができる。
第一のエッチング装置７１と第二のエッチング装置７２のそれぞれは、ここでは誘導結合型のプラズマ生成装置である。
【００２７】
注入領域３５にイオンが注入された図５の処理対象物７０をイオン注入装置（不図示）から直接又はバッファ室を介して大気にさらすことなく第一の真空槽８１内へ搬入する。第一、第二の真空槽８１、８２内は既に真空排気されており、副処理ガスを導入し、第一のアンテナ７６によって副処理ガスのプラズマを形成する。
【００２８】
フォトレジスト層９にイオンを照射した際に、フォトレジスト層９の表面は、イオンとフォトレジスト層９との衝突のエネルギーなどにより変質している場合がある。
副処理ガスのプラズマが、遮蔽部２２に位置するフォトレジスト層９の変質した表面と開口２０の底面に位置するフォトレジスト層９の変質した表面の両方に接触すると、フォトレジスト層９の変質した表面はエッチング（アッシング）除去され、フォトレジスト層９の変質していない表面が露出する。更にエッチングを進行させ、開口２０底面のフォトレジスト層９が除去され開口２０下に保護層１８が露出したところで副処理ガスの導入を停止し電源の出力を停止しエッチングを止める。第一の真空槽８１内の副処理ガスは真空排気される。  
【００２９】
バッファー真空槽８３内は真空排気されており、第一の真空槽８１の内部雰囲気とバッファー真空槽８３と内部雰囲気とを接続し、処理対象物のバッファー真空槽８３内への搬送後に、第一の真空槽８１内部雰囲気とバッファー真空槽８３の内部雰囲気とを遮断する。処理対象物を第一の真空槽８１内からバッファー真空槽８３内へ搬送する際に、第一の真空槽８１内の副処理ガスがバッファー真空槽８３内に侵入した場合でも真空排気装置８６で真空排気され、副処理ガスは第二の真空槽８２内へは侵入しない。
【００３０】
第二の真空槽８２の内部雰囲気とバッファー真空槽８３の内部雰囲気とを接続し、処理対象物をバッファー真空槽８３内から第二の真空槽８２内へ搬送し、第二の真空槽８２の内部雰囲気とバッファー真空槽８３の内部雰囲気とを遮断して、第二の真空槽８２内を真空排気しながら、主処理ガスを導入する。
【００３１】
第二のアンテナ７７によって主処理ガスのプラズマを形成する。遮蔽部２２に位置するフォトレジスト層９は変質していない表面が露出された状態であり、主処理ガスのプラズマが露出しているフォトレジスト層９と開口２０下の保護層１８に接触すると、非接触用層８とフォトレジスト層９がエッチングされ、両方ともエッチング除去されると、隣接する磁気記録部９２を分離する注入領域３５に位置する磁性体層７と磁気記録部９２に位置する磁性体層７は、どちらも主処理ガスのプラズマに曝される。
主処理ガスのプラズマは孔３４内の磁性体３２を酸化させないので、記録部９２の孔３４内の磁性体３２の磁性は劣化しない。
【００３２】
非接触用層８とフォトレジスト層９がエッチング除去された後、主処理ガスの導入と第二のアンテナへの電圧印加を停止し、主処理ガスのプラズマを消滅させた後、図８の処理対象物８０を第二のエッチング装置から取り出して直接又はバッファ室を介して大気にさらすことなく成膜装置７８内に搬入する。図７の成膜装置７８は、ここではスパッタリング装置である。成膜装置７８は成膜用真空槽４２を有している。
【００３３】
成膜用真空槽４２には、真空排気装置４１が接続されており、真空排気装置４１により成膜用真空槽内４２は真空排気されている。成膜用真空槽４２内に配置されたターゲット７９をスパッタガスのプラズマがスパッタして処理対象物の磁性体層の露出した表面に保護層１８（図１）を成膜する。ターゲット７９は、ここでは炭素であり、保護層１８はＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）であるが、保護層１８は、炭素、Ｓｉ、又はＳｉＮのいずれか一層でもよい。
【００３４】
所定膜厚の保護層１８が成膜されたら、スパッタガスの導入を停止し電源の出力を停止する。図１で示した磁気記録メディア９０の断面図と同じ構造が得られる。
ここでは主処理ガスは、水素に窒素が添加されたガスである。窒素の添加はラジカルの寿命を延ばすと言われているが、窒素は添加しなくてもよい。
【００３５】
上記例では、開口２０の下の非接触用層８は露出した状態で主処理ガスのプラズマによるエッチングを開始したが、開口２０の下のフォトレジスト層９の変質した表面を副処理ガスのプラズマによりエッチング除去してフォトレジスト層９の変質していない表面が露出された状態から主処理ガスのプラズマによるエッチングを開始してもよく、また、開口２０下の磁性体層７の表面が露出した状態から主処理ガスのプラズマによるエッチングを開始してもよい。開口２０下の磁性体層７の表面が露出し、副処理ガスのプラズマと接触しても、開口２０の下に位置する磁性体層７の孔３４に配置された磁性体３２はイオンが注入されて非磁性であり、記録部９２の孔３４内の磁性体３２は副処理ガスのプラズマと接触しないので磁気記録部９２の孔３４内の磁性体３２の磁性は劣化しない。
【００３６】
上記例では主処理ガスによるエッチング工程の前に副処理ガスによるエッチング工程を行ったが、副処理ガスによるエッチング工程を行わずに、開口２０の下のフォトレジスト層９の変質した表面が露出された状態から主処理ガスによるエッチングを開始し、フォトレジスト層９と非接触用層８をエッチング除去してもよい。
副処理ガスのプラズマが磁気記録部９２の孔３４内の磁性体３２と接触していないから磁気記録部９２の孔３４内の磁性体３２は酸化されず、孔３４内の磁性体３２の磁性は劣化しない。
【００３７】
上記例では、主処理ガスは、水素に窒素が添加されたガスであったが、水素にＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、又はＲｎのうち、いずれか一種類以上の気体を添加したガスでもよい。
上記では第一、第二のエッチング装置７１、７２はＩＣＰプラズマ装置であったが、マイクロ波プラズマ生成装置、平行平板型プラズマ源やマイクロ波を用いたラジカル源を備えたアッシング装置などでもよく、第一、第二のエッチング装置７１、７２は、ＩＣＰプラズマ装置に限定されない。
【００３８】
水素を含む処理ガスの圧力は０．１Ｐａ〜１０００Ｐａの範囲で使用するのが好ましい。
処理対象物へのバイアスは入射するイオンを減らすため極力下げることが好ましい。バイアス電圧は０Ｖ（フローティング電位）や真空処理装置が有する基板と基板ホルダを含むバイアス印加部分の直径が６インチ当たり１００Ｗまでが好ましい。
【００３９】
＜測定１＞
ナノインプリントによってパターニングされたフォトレジスト層をマスクとし、フッ素イオンが照射されて注入層内の磁性体が非磁性化された処理対象物７０(図５)を、第二のエッチング装置７２内に搬入し、水素ガス圧を５Ｐａ、第二のアンテナ７７への投入電力を５００Ｗ、基板ステージ９３中の電極９４へ印加したバイアス電力を５０Ｗ、エッチング処理時間を１２０秒とし、水素ガスプラズマによってフォトレジスト層９と非接触用層８(ここではＤＬＣ薄膜)とをエッチング除去し、磁性体層７の表面を露出させ、表面粗さ測定用基板を得た。酸素プラズマには接触させておらず、フォトレジスト層９と非接触用層８層は、水素ガスプラズマだけでエッチング除去した。
【００４０】
また、磁性体層７上に非接触用層８が形成され、イオンが未照射である処理対象物５０(図２)を、イオン照射せずに非接触用層８が露出した状態で表面粗さ基準用基板とし、表面粗さ測定用基板と表面粗さ基準用基板の表面を粗さをＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）測定器により測定した。
【００４１】
図９の縦軸は測定する表面の算術平均粗さＲA(ｎｍ)を示しており、表面粗さ測定用基板の測定値を示す点ＲA1と、表面粗さ基準用基板の測定値を示す点ＲA2は、同図中で横軸上の異なる位置にプロットされている。
【００４２】
点ＲA1、ＲA2の値は両方とも０．３ｎｍであり、点ＲA1と点ＲA2とを結ぶ線分は横軸に対して略平行になる。
従って、部分的に開口２０を有するフォトレジスト層９を水素プラズマによってエッチングしても、フォトレジスト層９の下層の磁性体層７には段差が形成されない。
【００４３】
＜測定２＞
磁性体層７上に非接触用層８が形成された処理対象物５０(図２)の非接触用層８表面にフォトレジスト層を形成し、パターニングをしないフォトレジスト層に向けてフッ素イオンを照射してサンプル用基板を作成した。
【００４４】
サンプル用基板のフォトレジスト層と非接触用層８とを、水素ガスプラズマによって除去して磁性体層７を露出させた基板と、酸素ガスプラズマによって除去して磁性体層７を露出させた基板を用意した。水素ガスプラズマによるエッチングは、測定１と同じ条件。酸素ガスプラズマによるエッチングは、酸素ガス圧力を１Ｐａ、アンテナ７７への印加電力を５００Ｗ、基板ステージ９３中の電極９４へ印加した基板バイアス電力を５０Ｗ、処理時間を６０秒とした。
【００４５】
また、上記測定１と同様に、磁性体層７上に形成された非接触用層８が露出され、イオンが未照射の処理対象物５０(図２)を用意し、各基板と処理対象物５０の磁性体層７の飽和磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃを、ＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ Ｓａｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）測定器によって測定した。
【００４６】
図１０の左縦軸は飽和磁化Ｍｓ(emu／cc)、右横軸は保磁力Ｈｃ(kOe)であり、この図１０中に、水素ガスプラズマによって磁性体層７を露出させた基板と、酸素ガスプラズマによって磁性体層７を露出させた基板と、プラズマでエッチングしていない処理対象物５０の飽和磁化Ｍｓの測定値を、横軸上の位置を異ならせて点Ｍｓ1、Ｍｓ2、Ｍｓ3で示し、保磁力Ｈｃの測定値は、飽和磁化Ｍｓと同じ横軸上の位置に、点Ｈｃ1、Ｈｃ2、Ｈｃ3とで示す。
【００４７】
水素ガスプラズマに曝された磁性体層７の測定値は、プラズマに曝されていない磁性体層７の測定値と同じであり、磁性体層７は水素ガスプラズマに接触しても磁性は劣化しない。
酸素ガスプラズマに曝された磁性体層７の測定値はそれよりも低くなっており、磁性が劣化している。
【符号の説明】
【００４８】
５……基板
６……軟磁性体層
７……磁性体層
８……非接触用層
９……フォトレジスト層
１５……非磁性体層
１８……保護層
２０……開口
３１……絶縁体
３２……磁性体
３５……注入領域
３６……非注入領域
５０……処理対象物
７５……真空処理装置
９０……磁気記録メディア
【図１】
2011096300.tif 000003
【図２】
2011096300.tif 000004
【図３】
2011096300.tif 000005
【図４】
2011096300.tif 000006
【図５】
2011096300.tif 000007
【図６】
2011096300.tif 000008
【図７】
2011096300.tif 000009
【図８】
2011096300.tif 000010
【図９】
2011096300.tif 000011
【図１０】
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