(57)【要約】【課題】基板の全面に各種の塗布液を塗布する際に、基板の全面を塗布液で被覆するのに必要な塗布液の液量を、削減することができる塗布処理方法を提供する。【解決手段】回転する基板の表面に塗布液を供給し、供給された塗布液を基板の外周側に拡散させることによって、基板の表面に塗布液を塗布する塗布処理方法において、回転する基板の表面に塗布液を供給する供給位置を、外周側に拡散する塗布液の移動に伴って外周側に移動させながら、塗布液を基板の表面に供給する供給工程Ｓ１７を有する。【選択図】図６
2011171443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転する基板の表面に塗布液を供給し、供給された塗布液を前記基板の外周側に拡散させることによって、前記基板の表面に塗布液を塗布する塗布処理方法において、
回転する前記基板の表面に前記塗布液を供給する供給位置を、前記外周側に拡散する前記塗布液の移動に伴って前記外周側に移動させながら、前記塗布液を前記基板の表面に供給する供給工程を有する塗布処理方法。
【請求項２】
前記供給工程において、前記供給位置を、前記供給位置が前記基板の表面であって前記塗布液が塗布された領域に含まれるように、移動させながら、前記塗布液を供給する、請求項１に記載の塗布処理方法。
【請求項３】
前記供給工程において、
回転する前記基板の表面の略中心に前記塗布液を供給し、供給された前記塗布液を前記外周側に拡散させ、
拡散する前記塗布液が前記基板の外周に到達する前に、前記供給位置を、前記基板の表面の略中心から前記外周側に向けて移動させ始め、
移動し始めた前記供給位置を、前記塗布液の移動に伴って前記外周側に移動させながら、前記塗布液を供給する、請求項１又は請求項２に記載の塗布処理方法。
【請求項４】
前記供給工程において、前記基板が回転する回転数を、前記供給位置の移動に伴って低下させながら、前記塗布液を供給する、請求項１から請求項３のいずれかに記載の塗布処理方法。
【請求項５】
前記供給工程の後、前記基板を、前記供給工程が終了する際の前記基板の前記回転数よりも低い第１の回転数で回転させる第１の回転工程と、
前記第１の回転工程の後、前記基板を、前記第１の回転数よりも高い第２の回転数で回転させる第２の回転工程と
を有する、請求項１から請求項４のいずれかに記載の塗布処理方法。
【請求項６】
コンピュータに請求項１から請求項５のいずれかに記載の塗布処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項７】
回転する基板の表面に塗布液を供給し、供給された塗布液を前記基板の外周側に拡散させることによって、前記基板の表面に塗布液を塗布する塗布処理装置において、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板を保持した前記基板保持部を回転させる回転部と、
前記回転部により回転する前記基板保持部に保持された前記基板の表面に前記塗布液を供給する供給部と、
前記供給部を移動させる移動部と、
前記移動部により、前記供給部を、前記外周側に拡散する前記塗布液の移動に伴って前記外周側に移動させながら、前記供給部により前記塗布液を供給する制御部と
を有する塗布処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記供給部を、前記供給部により前記基板の表面に前記塗布液が供給される供給位置が前記基板の表面であって前記塗布液が塗布された領域に含まれるように、移動させながら、前記塗布液を供給する、請求項７に記載の塗布処理装置。
【請求項９】
前記制御部は、
前記基板の略中心上に移動した前記供給部により、回転する前記基板の表面の略中心に前記塗布液を供給し、供給された前記塗布液を前記外周側に拡散させ、
拡散する前記塗布液が前記基板の外周に到達する前に、前記供給部を、前記基板の略中心上から前記外周側に向けて前記移動部により移動させ始め、
移動し始めた前記供給部を、前記塗布液の移動に伴って前記外周側に移動させながら、前記塗布液を供給する、請求項７又は請求項８に記載の塗布処理装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記回転部が前記基板を回転させる回転数を、前記供給部の移動に伴って低下させながら、前記塗布液を供給する、請求項７から請求項９のいずれかに記載の塗布処理装置。
【請求項１１】
前記制御部は、
前記塗布液を前記供給部により供給した後、前記基板を、前記供給部による供給が終了する際の前記基板の前記回転数よりも低い第１の回転数で前記回転部により回転させ、
前記第１の回転数で前記基板を回転させた後、前記基板を、前記第１の回転数よりも高い第２の回転数で前記回転部により回転させる、請求項７から請求項１０のいずれかに記載の塗布処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に塗布液を塗布処理する塗布処理方法、その塗布処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び塗布処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ等の基板（以下、単に「ウェハ」という。）上に、塗布処理、露光処理、及び現像処理などを順次行うことによって、所定のレジストパターンが形成される。塗布処理では、レジスト液を塗布し、塗布したレジスト液を熱処理することによってレジスト膜を形成する。露光処理では、形成されたレジスト膜を所定のパターンに露光する。現像処理では、露光されたレジスト膜を現像する。
【０００３】
上述の塗布処理では、高速回転されているウェハの表面の中心にノズルからレジスト液を供給し、遠心力によりウェハの外周側へレジスト液を拡散することによってウェハの表面にレジスト液を塗布する、いわゆるスピン塗布法が多く用いられている。スピン塗布法において、レジスト液を均一に塗布する方法として、例えばウェハを高回転数で回転させる工程と、その後ウェハの回転数を一旦低下させる工程と、その後ウェハの回転数を再び上昇させる工程とを有する方法が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１に開示される方法では、ウェハを高回転数で回転させ、高回転数で回転するウェハの表面にレジスト液を供給する。その後、ウェハの回転数を一旦低下させることによって、ウェハの表面に供給されたレジスト液を平坦化する。その後、ウェハの回転数を再び上昇させることによって、ウェハの表面上で平坦化されたレジスト液を乾燥させる。
【０００４】
また、上述した方法を変更した方法も提案されている（特許文献２参照）。特許文献２に開示される方法では、ウェハの表面へのレジスト液の供給が、回転数を一旦低下させる工程の途中まで継続して行われ、そのレジスト液の供給を終了する際に、ノズルの移動によりレジスト液の供給位置がウェハの表面の中央からずらされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１１５９３６号公報
【特許文献２】特開２００９−７８２５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上述したような塗布処理によりウェハの表面にレジスト液等の塗布液を塗布する場合、次のような問題がある。
【０００７】
回転するウェハの表面の中心にレジスト液を供給すると、供給されたレジスト液は、遠心力によりウェハの外周側に拡散する。しかし、従来の方法によれば、レジスト液がウェハの外周側に拡散するのに伴って、レジスト液の外周における単位面積当たりのレジスト液の液量が減少し、十分な遠心力が得られなくなる。十分な遠心力が得られなければ、レジスト液はウェハの表面の外周まで拡散することができない。従って、ウェハの全面をレジスト液で被覆することができない。
【０００８】
このような塗布処理においてウェハの全面をレジスト液で被覆するには、ウェハの表面に供給する液量をより多くしなくてはならない。従って、ウェハの全面をレジスト液で被覆するのに必要なレジスト液の液量を、削減することができない。
【０００９】
また、レジスト液のみならず、例えばレジスト液を塗布する前に塗布する溶剤、あるいは反射防止膜を形成するための塗布液等、ウェハの表面に塗布する各種の塗布液を塗布処理する場合にも、上述したのと同様の問題がある。すなわち、従来の塗布処理では、ウェハの全面を各種の塗布液で被覆するのに必要な塗布液の液量を、削減することができない。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、ウェハの全面に各種の塗布液を塗布処理する際に、ウェハの全面を塗布液で被覆するのに必要な塗布液の液量を、削減することができる塗布処理方法及び塗布処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の一実施例によれば、回転する基板の表面に塗布液を供給し、供給された塗布液を前記基板の外周側に拡散させることによって、前記基板の表面に塗布液を塗布する塗布処理方法において、回転する前記基板の表面に前記塗布液を供給する供給位置を、前記外周側に拡散する前記塗布液の移動に伴って前記外周側に移動させながら、前記塗布液を前記基板の表面に供給する供給工程を有する塗布処理方法が提供される。
【００１３】
また、本発明の一実施例によれば、回転する基板の表面に塗布液を供給し、供給された塗布液を前記基板の外周側に拡散させることによって、前記基板の表面に塗布液を塗布する塗布処理装置において、基板を保持する基板保持部と、前記基板を保持した前記基板保持部を回転させる回転部と、前記回転部により回転する前記基板保持部に保持された前記基板の表面に前記塗布液を供給する供給部と、前記供給部を移動させる移動部と、前記移動部により、前記供給部を、前記外周側に拡散する前記塗布液の移動に伴って前記外周側に移動させながら、前記供給部により前記塗布液を供給する制御部とを有する塗布処理装置が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ウェハの全面に各種の塗布液を塗布する際に、ウェハの全面を塗布液で被覆するのに必要な塗布液の液量を、削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態に係る塗布処理装置が搭載された塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】塗布現像処理システムの構成の概略を示す正面図である。
【図３】塗布現像処理システムの構成の概略を示す背面図である。
【図４】実施の形態に係るレジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図５】レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。
【図６】実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。
【図７】実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの回転数を示すグラフである。
【図８】実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの表面の状態を示す図である。
【図９】実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの表面の状態を示す図である。
【図１０】比較例に係るレジスト塗布処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。
【図１１】比較例に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの表面の状態を示す図である。
【図１２】実施の形態及び比較例に係る供給工程におけるウェハの表面を拡散するレジスト液の分布を模式的に示す断面図である。
【図１３】実施の形態の変形例に係るレジスト塗布処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。
【図１４】実施の形態の変形例に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの回転数を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
（実施の形態）
始めに、図１から図１２を参照し、実施の形態に係る塗布処理方法及び塗布処理装置について説明する。
【００１７】
最初に、図１から図３を参照し、本実施の形態に係る塗布処理装置が搭載された塗布現像処理システムについて説明する。図１は、本実施の形態に係る塗布処理装置が搭載された塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。図２は、塗布現像処理システムの概略を示す正面図である。図３は、塗布現像処理システムの概略を示す背面図である。
【００１８】
塗布現像処理システム１は、図１に示すように、例えばカセットステーション２、処理ステーション３及びインターフェイスステーション４を一体に接続した構成を有している。カセットステーション２は、外部から塗布現像処理システム１に対して複数枚のウェハＷをカセット単位で搬入出するためのものである。処理ステーション３は、フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えている。インターフェイスステーション４は、処理ステーション３に隣接しており、露光装置５との間でウェハＷの受け渡しを行うものである。
【００１９】
カセットステーション２には、カセット載置台１０が設けられ、当該カセット載置台１０には、複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置できる。カセットステーション２には、搬送路１１上をＸ方向に沿って移動可能なウェハ搬送装置１２が設けられている。ウェハ搬送装置１２は、カセットＣに収容されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、カセットＣ内の複数枚のウェハＷに対して選択的にアクセスできる。またウェハ搬送装置１２は、鉛直方向の軸周り（θ方向）に回転可能であり、後述する処理ステーション３の第３の処理装置群Ｇ３の各処理装置に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００２０】
処理ステーション３は、複数の処理装置が多段に配置された、例えば５つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション３のＸ方向負方向（図１中の下方向）側には、カセットステーション２側からインターフェイスステーション４側に向けて第１の処理装置群Ｇ１及び第２の処理装置群Ｇ２が順に配置されている。処理ステーション３のＸ方向正方向（図１中の上方向）側には、カセットステーション２側からインターフェイスステーション４側に向けて第３の処理装置群Ｇ３、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理装置群Ｇ３と第４の処理装置群Ｇ４との間には、第１の搬送装置２０が設けられている。第１の搬送装置２０は、第１の処理装置群Ｇ１、第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４内の各装置に対し選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。第４の処理装置群Ｇ４と第５の処理装置群Ｇ５との間には、第２の搬送装置２１が設けられている。第２の搬送装置２１は、第２の処理装置群Ｇ２、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５内の各装置に対して選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００２１】
図２に示すように、第１の処理装置群Ｇ１には、ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置、例えばレジスト塗布装置（ＣＯＴ）３０、３１、３２及びボトムコーティング装置（ＢＡＲＣ）３３、３４が下から順に５段に重ねられている。ボトムコーティング装置３３、３４は、露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するものである。
【００２２】
なお、レジスト塗布装置３０、３１、３２は、本発明における塗布処理装置に相当する。
【００２３】
第２の処理装置群Ｇ２には、液処理装置、例えば現像処理装置（ＤＥＶ）４０〜４４が下から順に５段に重ねられている。現像処理装置４０〜４４は、ウェハＷに現像液を供給して現像処理するものである。
【００２４】
第１の処理装置群Ｇ１及び第２の処理装置群Ｇ２の最下段には、ケミカル室（ＣＨＭ）５０、５１がそれぞれ設けられている。ケミカル室５０、５１は、各処理装置群Ｇ１、Ｇ２内の液処理装置に各種処理液を供給するものである。
【００２５】
図３に示すように、第３の処理装置群Ｇ３には、温調装置（ＣＰＬ）６０、トランジション装置（ＴＲＳ）６１、温調装置（ＣＰＬ）６２〜６４及び加熱処理装置（ＢＡＫＥ）６５〜６８が下から順に９段に重ねられている。温調装置６０、６２〜６４は、ウェハＷを温調板上に載置してウェハＷの温度調節を行うものである。トランジション装置６１は、ウェハＷの受け渡しを行うものである。加熱処理装置６５〜６８は、ウェハＷを加熱処理するものである。
【００２６】
第４の処理装置群Ｇ４には、例えば温調装置（ＣＰＬ）７０、プリベーク装置（ＰＡＢ）７１〜７４及びポストベーク装置（ＰＯＳＴ）７５〜７９が下から順に１０段に重ねられている。プリベーク装置７１〜７４は、レジスト塗布処理後にウェハＷを加熱処理するものである。ポストベーク装置７５〜７９は、現像処理後にウェハＷを加熱処理するものである。
【００２７】
第５の処理装置群Ｇ５には、ウェハＷを熱処理する複数の熱処理装置、例えば温調装置（ＣＰＬ）８０〜８３及び露光後ベーク装置（ＰＥＢ）８４〜８９が下から順に１０段に重ねられている。露光後ベーク装置８４〜８９は、露光後にウェハＷを加熱処理するものである。
【００２８】
図１及び図３に示すように、第１の搬送装置２０のＸ方向正方向側には、複数の処理装置、例えばアドヒージョン装置（ＡＤ）９０、９１が下から順に２段に重ねられている。アドヒージョン装置９０、９１は、ウェハＷを疎水化処理するものである。また、第２の搬送装置２１のＸ方向正方向側には、例えば周辺露光装置（ＷＥＥ）９２が配置されている。周辺露光装置９２は、ウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光するものである。
【００２９】
図１に示すように、インターフェイスステーション４には、例えばウェハ搬送装置１０１と、バッファカセット１０２が設けられている。ウェハ搬送装置１０１は、Ｘ方向に延伸する搬送路１００上を移動する。また、ウェハ搬送装置１０１は、Ｚ方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり、インターフェイスステーション４に隣接した露光装置５と、バッファカセット１０２及び第５の処理装置群Ｇ５の各装置に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００３０】
なお、本実施の形態における露光装置５は、例えば液浸露光処理を行うものであり、ウェハＷの表面に液体、例えば純水の液膜を滞留させた状態で、当該純水の液膜を介在してウェハＷの表面のレジスト膜を露光できる。
【００３１】
次に、図４及び図５を参照し、本実施の形態に係るレジスト塗布装置３０〜３２の構成について説明する。図４は、レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図であり、図５は、レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。
【００３２】
レジスト塗布装置３０は、例えば図４に示すようにケーシング１２０を有し、そのケーシング１２０内の中央部には、ウェハＷを保持するスピンチャック１３０が設けられている。スピンチャック１３０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック１３０上に吸着保持できる。
【００３３】
スピンチャック１３０は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構１３１を有し、そのチャック駆動機構１３１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動機構１３１には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１３０は上下動可能である。
【００３４】
なお、スピンチャック１３０は、本発明における基板保持部に相当し、チャック駆動機構１３１は、本発明における回転部に相当する。
【００３５】
また、チャック駆動機構１３１が駆動するスピンチャック１３０の回転数は、後述する制御部１６０により制御されている。
【００３６】
スピンチャック１３０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１３２が設けられている。カップ１３２の下面には、回収した液体を排出する排出管１３３と、カップ１３２内の雰囲気を排気する排気管１３４が接続されている。
【００３７】
図５に示すようにカップ１３２のＸ方向負方向（図５の下方向）側には、Ｙ方向（図５の左右方向）に沿って延伸するレール１４０が形成されている。レール１４０は、例えばカップ１３２のＹ方向負方向（図５の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５の右方向）側の外方まで形成されている。レール１４０には、例えば二本のアーム１４１、１４２が取り付けられている。
【００３８】
第１のアーム１４１には、図４及び図５に示すように塗布液としてのレジスト液を吐出するレジスト液ノズル１４３が支持されている。第１のアーム１４１は、図５に示すノズル駆動部１４４により、レール１４０上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル１４３は、カップ１３２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１４５からカップ１３２内のウェハＷの略中心上まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、第１のアーム１４１は、ノズル駆動部１４４によって昇降自在であり、レジスト液ノズル１４３の高さを調整できる。
【００３９】
なお、レジスト液ノズル１４３は、本発明における供給部に相当し、第１のアーム１４１とノズル駆動部１４４は、本発明における移動部に相当する。
【００４０】
レジスト液ノズル１４３には、図４に示すように、レジスト液供給源１４６に連通する供給管１４７が接続されている。本実施の形態におけるレジスト液供給源１４６には、例えば薄いレジスト膜例えば１５０ｎｍ以下のレジスト膜を形成するための低粘度のレジスト液が貯留されている。また、供給管１４７には、バルブ１４８が設けられており、このバルブ１４８の開閉により、レジスト液の吐出をＯＮ・ＯＦＦできる。
【００４１】
第２のアーム１４２には、レジスト液の溶剤を吐出する溶剤ノズル１５０が支持されている。第２のアーム１４２は、例えば図５に示すノズル駆動部１５１によってレール１４０上を移動自在であり、溶剤ノズル１５０を、カップ１３２のＹ方向負方向側の外方に設けられた待機部１５２からカップ１３２内のウェハＷの略中心上まで移動させることができる。また、ノズル駆動部１５１によって、第２のアーム１４２は昇降自在であり、溶剤ノズル１５０の高さを調節できる。
【００４２】
溶剤ノズル１５０には、図４に示すように溶剤供給源１５３に連通する供給管１５４が接続されている。なお、以上の構成では、レジスト液を吐出するレジスト液ノズル１４３と溶剤を吐出する溶剤ノズル１５０が別々のアームに支持されている。しかし、レジスト液ノズル１４３と溶剤ノズル１５０とを同じアームに支持されるように設けてもよく、そのアームの移動の制御により、レジスト液ノズル１４３と溶剤ノズル１５０の移動と吐出タイミングを制御してもよい。
【００４３】
チャック駆動機構１３１によるスピンチャック１３０の回転動作は、制御部１６０により制御されている。また、ノズル駆動部１４４によるレジスト液ノズル１４３の移動動作、バルブ１４８によるレジスト液ノズル１４３のレジスト液の吐出のＯＮ・ＯＦＦ動作も、制御部１６０により制御されている。その他、ノズル駆動部１５１による溶剤ノズル１５０の移動動作などの駆動系の動作も、制御部１６０により制御されている。制御部１６０は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、レジスト塗布装置３０におけるレジスト塗布処理を実現できる。
【００４４】
後述するように、制御部１６０は、ノズル駆動部１４４により、レジスト液ノズル１４３を、ウェハＷの外周側へ拡散するレジスト液の移動に伴って、ウェハＷの外周側に移動させながら、レジスト液ノズル１４３によりレジスト液をウェハＷの表面に供給するものである。
【００４５】
なお、レジスト塗布装置３０におけるレジスト塗布処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なＣＤなどの記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御部１６０にインストールされたものが用いられている。
【００４６】
なお、レジスト塗布装置３１、３２の構成は、上述のレジスト塗布装置３０と同じであるので、説明を省略する。
【００４７】
次に、図６から図９を参照し、以上のように構成されたレジスト塗布装置３０で行われるレジスト塗布処理プロセスを、塗布現像処理システム１全体で行われるウェハ処理のプロセスと共に説明する。図６は、本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。図７は、本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの回転数を示すグラフである。図８及び図９は、本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの表面の状態を示す図である。
【００４８】
なお、レジスト塗布処理プロセスは、本発明における塗布処理方法に相当する。
【００４９】
図６及び図７に示すように、本実施の形態におけるレジスト塗布処理プロセスは、溶剤ノズル移動工程（ステップＳ１１）、溶剤供給工程（ステップＳ１２）、レジスト液ノズル移動工程（ステップＳ１３）、溶剤拡散工程（ステップＳ１４）、供給工程（ステップＳ１５〜ステップＳ１７）、第１の回転工程（ステップＳ１８）、第２の回転工程（ステップＳ１９）及び回転停止工程（ステップＳ２０）を有する。また、供給工程は、中心供給工程（ステップＳ１５）、移動開始工程（ステップＳ１６）及び移動供給工程（ステップＳ１７）を有する。
【００５０】
また、本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスを行う際の、レジスト塗布装置３０におけるレジスト塗布処理を実行するためのプログラムであって、制御部１６０が制御するレシピの例を表１に示す。
【００５１】
【表１】
2011171443.tif 000003
表１において、左側から右側にかけての各列は、ステップ、時間、回転数、ウェハの中心を基準としたときのノズル位置、供給される塗布液を示している。
【００５２】
先ず、図１に示すウェハ搬送装置１２によって、カセット載置台１０上のカセットＣ内から未処理のウェハＷが一枚ずつ取り出され、処理ステーション３に順次搬送される。ウェハＷは、処理ステーション３の第３の処理装置群Ｇ３に属する温調装置６０に搬送され、所定温度に温度調節される。その後ウェハＷは、第１の搬送装置２０によって例えばボトムコーティング装置３４に搬送されて、反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハＷは、第１の搬送装置２０によって例えば加熱処理装置６５、温調装置７０に順次搬送され、各処理装置において所定の処理が施される。所定の処理が施されたウェハＷは、第１の搬送装置２０によって例えばレジスト塗布装置３０に搬送される。レジスト塗布装置３０に搬送されたウェハＷは、図４に示すように、スピンチャック１３０に吸着保持され、本実施の形態におけるレジスト塗布処理プロセスが行われる。
【００５３】
始めに、溶剤ノズル移動工程（ステップＳ１１）を行う。溶剤ノズル移動工程（ステップＳ１１）では、ノズル駆動部１５１により溶剤ノズル１５０を待機部１５２から移動させる。そして、図８（ａ）に示すように、溶剤ノズル１５０をウェハＷの中心ＰＣ上に移動させる。
【００５４】
次に、溶剤供給工程（ステップＳ１２）を行う。溶剤供給工程（ステップＳ１２）では、ウェハＷの表面の中心ＰＣに、例えばシンナー等よりなる溶剤ＰＷを供給する。図８（ｂ）に示すように、例えばウェハＷが停止している状態で、溶剤ノズル１５０から所定量の溶剤ＰＷが吐出され、ウェハＷの表面の中心ＰＣに溶剤ＰＷが供給される。
【００５５】
なお、「中心ＰＣ」とは、スピンチャック１３０に保持され、チャック駆動機構１３１により回転駆動されるウェハＷの回転中心を意味する。また、「中心ＰＣに供給する」とは、厳密に中心ＰＣに供給しない場合、例えば微小距離だけ中心ＰＣより離れた点に供給する場合も含む。従って、略中心に供給すればよい。また、溶剤ＰＷを供給する場合だけでなく、レジスト液Ｒを供給する場合も同様である。
【００５６】
次に、レジスト液ノズル移動工程（ステップＳ１３）を行う。レジスト液ノズル移動工程（ステップＳ１３）では、ノズル駆動部１５１により溶剤ノズル１５０を待機部１５２に移動させるとともに、ノズル駆動部１４４によりレジスト液ノズル１４３を待機部１４５から移動させる。そして、図８（ｃ）に示すように、レジスト液ノズル１４３をウェハＷの中心ＰＣ上に移動させる。
【００５７】
次に、溶剤拡散工程（ステップＳ１４）を行う。溶剤拡散工程（ステップＳ１４）では、ウェハＷを回転させることにより、溶剤ＰＷをウェハＷの外周側へ拡散させる。図８（ｄ）に示すように、スピンチャック１３０に保持されたウェハＷを、チャック駆動機構１３１により、所定の時間ＴＰの間、所定の回転数ＶＰで回転させる。ここでは、一例として、図７及び表１に示すように、所定の時間ＴＰを例えば０．３秒とし、所定の回転数ＶＰを例えば２０００ｒｐｍとすることができる。これにより、供給された溶剤ＰＷは、遠心力により、ウェハＷの全面に拡散する。そして、ウェハＷの表面に溶剤ＰＷが塗布される。
【００５８】
次に、供給工程（ステップＳ１５〜ステップＳ１７）を行う。
【００５９】
まず、中心供給工程（ステップＳ１５）を行う。中心供給工程（ステップＳ１５）では、回転するウェハＷの表面の中心ＰＣにレジスト液Ｒを供給し、供給されたレジスト液ＲをウェハＷの外周側に拡散させる。
【００６０】
スピンチャック１３０に保持されたウェハＷを、チャック駆動機構１３１により、所定の回転数ＶＳ１で回転させる。ここでは、所定の回転数ＶＳ１を、例えば１５００〜４０００ｒｐｍとすることができ、より好ましくは、表１に示すように、例えば２０００ｒｐｍとすることができる。例えば所定の回転数ＶＰ、ＶＳ１のいずれも２０００ｒｐｍであるときは、溶剤拡散工程（ステップＳ１４）と中心供給工程（ステップＳ１５）との間で、回転数は変化しない。
【００６１】
そして、ウェハＷの中心ＰＣ上に移動したレジスト液ノズル１４３を静止させた状態で、バルブ１４８を開放することによって、レジスト液ノズル１４３からのレジスト液Ｒの吐出を開始する。これにより、図９（ａ）に示すように、ウェハＷの中心ＰＣ上に移動したレジスト液ノズル１４３により、ウェハＷの表面の中心ＰＣにレジスト液Ｒを供給し始める。そして、供給されたレジスト液Ｒは、遠心力により、ウェハＷの表面の中心ＰＣから外周側へ拡散し始める。
【００６２】
なお、本実施の形態では、レジスト液Ｒとして、例えば薄膜塗布用の例えば粘度が２ｃｐ以下のものを用いる。
【００６３】
中心供給工程（ステップＳ１５）を、所定の時間ＴＳ１の間行うことにより、供給されたレジスト液Ｒは、ウェハＷの表面上で、ウェハＷの外周に向かって途中まで拡散する。従って、拡散するレジスト液Ｒは、ウェハＷの外周まで到達していない。ここでは、一例として、表１に示すように、所定の時間ＴＳ１を例えば１．０秒とすることができる。
【００６４】
なお、レジスト液ノズル１４３は、ウェハＷの中心ＰＣ上に移動していればよく、静止していなくてもよい。例えば、ウェハＷの中心ＰＣ上で、微小に移動あるいは往復動等していてもよい。
【００６５】
次に、移動開始工程（ステップＳ１６）を行う。移動開始工程（ステップＳ１６）では、拡散するレジスト液ＲがウェハＷの外周まで到達する前に、レジスト液ノズル１４３を、ウェハＷの中心ＰＣ上からウェハＷの外周側に向けて移動させ始める。すなわち、拡散するレジスト液ＲがウェハＷの外周まで到達する前に、ウェハＷの表面にレジスト液Ｒを供給する供給位置を、ウェハＷの外周側に向けて移動させ始める。
【００６６】
図９（ｂ）に示すように、スピンチャック１３０に保持されたウェハＷを、チャック駆動機構１３１により所定の回転数ＶＳ１で回転させた状態で、ノズル駆動部１４４によりレジスト液ノズル１４３をウェハＷの中心ＰＣ上から外周側に向けて移動させ始める。直前の工程である中心供給工程（ステップＳ１５）において、拡散するレジスト液Ｒは、ウェハＷの表面の外周までの途中まで到達しており、その状態で、移動開始工程（ステップＳ１６）に進む。従って、移動開始工程（ステップＳ１６）では、拡散するレジスト液ＲがウェハＷの外周まで到達する前に、レジスト液ノズル１４３を移動させ始めることになる。
【００６７】
移動開始工程（ステップＳ１６）に引続いて、移動供給工程（ステップＳ１７）を行う。移動供給工程（ステップＳ１７）では、レジスト液ノズル１４３を、ウェハＷの外周側へ拡散するレジスト液Ｒの移動に伴って、ウェハＷの中心ＰＣ上から外周側に移動させながら、レジスト液ＲをウェハＷの表面に供給する。
【００６８】
図９（ｃ）に示すように、スピンチャック１３０に保持されたウェハＷを、チャック駆動機構１３１により所定の回転数ＶＳ２で回転させた状態で、ノズル駆動部１４４によりレジスト液ノズル１４３をウェハＷの中心ＰＣ上から外周側の所定の位置Ｐに所定の時間ＴＳ２で移動させる。そして、レジスト液ノズル１４３を移動させながら、レジスト液Ｒを吐出することにより、ウェハＷの表面にレジスト液Ｒを供給する。
【００６９】
ここでは、所定の回転数ＶＳ２を、例えば１５００〜４０００ｒｐｍとすることができ、より好ましくは、表１に示すように、例えば２０００ｒｐｍとすることができる。例えば所定の回転数ＶＳ１、ＶＳ２のいずれも２０００ｒｐｍであるときは、中心供給工程（ステップＳ１５）と移動供給工程（ステップＳ１７）との間で、回転数は変化しない。
【００７０】
また、移動供給工程（ステップＳ１７）では、レジスト液ノズル１４３からウェハＷの表面にレジスト液Ｒが供給される供給位置ＰＳが、ウェハＷの表面であってレジスト液Ｒが塗布された領域ＡＲに含まれるように、供給位置ＰＳを所定の位置Ｐに所定の時間ＴＳ２で移動させる。すなわち、上記した供給位置ＰＳがウェハＷの表面であってレジスト液Ｒが塗布された領域ＡＲに含まれるように、ノズル駆動部１４４によりレジスト液ノズル１４３をウェハＷの中心ＰＣ上から外周側に向けて移動する。
【００７１】
なお、レジスト液ノズル１４３がレジスト液Ｒを略垂直かつ下方に吐出するものであり、レジスト液ノズル１４３の移動速度がそれほど大きくないときは、平面視におけるレジスト液ノズル１４３の位置と、供給位置ＰＳとは略一致する。
【００７２】
所定の回転数ＶＳ２を例えば２０００ｒｐｍとしたときの一例として、図７及び表１に示すように、所定の時間ＴＳ２を例えば０．４秒とし、ウェハＷの中心ＰＣを基準、すなわち０としたときの所定の位置Ｐを例えば５０ｍｍとすることができる。
【００７３】
なお、レジスト液Ｒが塗布された領域ＡＲに供給位置ＰＳが含まれるとは、供給位置ＰＳがウェハＷの表面に拡散するレジスト液Ｒの先端（外周）ＦＬ、すなわち最外周よりも後方、すなわち内周側にあることを意味する。換言すれば、レジスト液ノズル１４３が、拡散するレジスト液Ｒの先端（外周）ＦＬを追い越さないことを意味する。
【００７４】
このようにしてレジスト液ノズル１４３（供給位置ＰＳ）をウェハＷの中心ＰＣ上から外周側の所定の位置Ｐに向けて移動させることにより、拡散するレジスト液ＲがウェハＷの外周まで到達する。また、後述するように、ウェハＷの全面にレジスト液Ｒを塗布する際に、ウェハＷの全面をレジスト液Ｒで被覆するのに必要なレジスト液Ｒの液量を、削減することができる。
【００７５】
また、図７及び表１では、供給工程（ステップＳ１５〜ステップＳ１７）における所定の回転数ＶＳ１、ＶＳ２は一定であって互いに等しく、かつ、溶剤拡散工程（ステップＳ１４）における回転数ＶＰとも等しい例について示している。しかし、供給工程（ステップＳ１５〜ステップＳ１７）における所定の回転数ＶＳ１、ＶＳ２は一定でなくてもよく、互いに等しくなくてもよい。また、供給工程（ステップＳ１５〜ステップＳ１７）における所定の回転数ＶＳ１、ＶＳ２は、溶剤拡散工程（ステップＳ１４）における回転数ＶＰとも等しくなくてもよい。
【００７６】
次に、第１の回転工程（ステップＳ１８）を行う。第１の回転工程（ステップＳ１８）では、レジスト液ノズル１４３からのレジスト液Ｒの供給を停止した状態で、供給工程が終了する際のウェハＷが回転する回転数よりも低い第１の回転数Ｖ１で所定の時間Ｔ１の間ウェハＷを回転させる。第１の回転工程（ステップＳ１８）及び第２の回転工程（ステップＳ１９）におけるウェハＷの状態を、図９（ｄ）に示す。
【００７７】
第１の回転工程（ステップＳ１８）を行うことによって、ウェハＷ上のレジスト液Ｒが均される。すなわち、レジスト液Ｒが平坦化される。第１の回転数Ｖ１を、例えば１００〜１０００ｒｐｍとすることができ、より好ましくは、表１に示すように、例えば１００ｒｐｍとすることができる。
【００７８】
上述したように、一例として、供給工程（ステップＳ１５〜ステップＳ１７）における所定の回転数ＶＳ１、ＶＳ２が一定であって互いに等しい場合について説明しているため、供給工程が終了する際のウェハＷの回転数はＶＳ２である。従って、第１の回転数Ｖ１を１００ｒｐｍとすることによって、第１の回転数Ｖ１を、供給工程が終了する際のウェハＷの回転数ＶＳ２より低くすることができる。また、所定の時間Ｔ１を例えば１．０秒とすることができる。
【００７９】
次に、第２の回転工程（ステップＳ１９）を行う。第２の回転工程（ステップＳ１９）では、第１の回転数Ｖ１よりも高い第２の回転数Ｖ２で所定の時間Ｔ２の間ウェハＷを回転させる。これにより、ウェハＷ上に塗布されたレジスト液Ｒが乾燥される。これにより、ウェハＷ上に薄いレジスト膜が形成される。
【００８０】
ここでは、第２の回転数Ｖ２を、例えば１０００〜２０００ｒｐｍとすることができ、より好ましくは、表１に示すように、例えば１７００ｒｐｍとすることができる。また、所定の時間Ｔ２を例えば１７秒とすることができる。
【００８１】
最後に回転停止工程（ステップＳ２０）を行う。回転停止工程（ステップＳ２０）では、ウェハＷの回転を停止する。ウェハＷの乾燥終了後、ウェハＷの回転が停止される。
【００８２】
また、回転停止工程（ステップＳ２０）の後、スピンチャック１３０上からウェハＷが搬出される。このようにして、一連のレジスト塗布処理プロセスが終了する。
【００８３】
レジスト塗布処理プロセスの後、ウェハＷは、第１の搬送装置２０によって例えばプリベーク装置７１に搬送され、プリベークされる。続いてウェハＷは、第２の搬送装置２１によって周辺露光装置９２、温調装置８３に順次搬送され、各装置において所定の処理が施される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション４のウェハ搬送装置１０１によって露光装置５に搬送され、液浸露光される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置１０１によって例えば露光後ベーク装置８４に搬送され、露光後ベークされ、その後第２の搬送装置２１によって温調装置８１に搬送され、温度調節される。その後、ウェハＷは、現像処理装置４０に搬送され、ウェハＷ上のレジスト膜が現像される。現像後、ウェハＷは、第２の搬送装置２１によってポストベーキング装置７５に搬送され、ポストベークされる。その後ウェハＷは、温調装置６３に搬送され、温度調節される。そしてウェハＷは、第１の搬送装置２０によってトランジション装置６１に搬送され、ウェハ搬送装置１２によってカセットＣに戻される。このようにして、一連のウェハ処理が終了する。
【００８４】
次に、図１０から図１２を参照し、本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスにより、ウェハＷの全面をレジスト液Ｒで被覆するのに必要なレジスト液Ｒの液量を、削減できることについて、比較例と比較することによって説明する。図１０は、比較例に係るレジスト塗布処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。図１１は、比較例に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの表面の状態を示す図である。図１２は、本実施の形態及び比較例に係る供給工程におけるウェハの表面を拡散するレジスト液の分布を模式的に示す断面図である。図１２（ａ）は本実施の形態におけるレジスト液の分布を示し、図１２（ｂ）は比較例におけるレジスト液の分布を示す。また、図１２においては、溶剤ＰＷの図示を省略している。
【００８５】
図１０に示すように、比較例におけるレジスト塗布処理プロセスは、図６に示す本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程のうち、溶剤ノズル移動工程（ステップＳ１１）から中心供給工程（ステップＳ１５）を行った後、移動開始工程（ステップＳ１６）及び移動供給工程（ステップＳ１７）を省略し、第１の回転工程（ステップＳ１８）以下を行うものである。従って、比較例では、供給工程は、中心供給工程（ステップＳ１５）のみを有する。
【００８６】
また、比較例に係るレジスト塗布処理プロセスを行う際のレシピの例を表２に示す。
【００８７】
【表２】
2011171443.tif 000004
表２においても、表１と同様に、左側から右側にかけての各列は、ステップ、時間、回転数、ウェハの中心を基準としたときのノズル位置、供給される塗布液を示している。
【００８８】
表２に示すレシピでは、図７及び表１に示す移動供給工程（ステップＳ１７）が省略されている。
【００８９】
比較例に係るレジスト塗布処理プロセスでは、溶剤ノズル移動工程（ステップＳ１１）から溶剤拡散工程（ステップＳ１４）までの各工程におけるウェハＷの表面の状態は、本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスと同様に、図８（ａ）から図８（ｄ）に示される。
【００９０】
一方、中心供給工程（ステップＳ１５）以降の各工程におけるウェハＷの表面の状態は、図１１（ａ）から図１１（ｄ）に示される。
【００９１】
中心供給工程（ステップＳ１５）では、本実施の形態と同様に、回転するウェハＷの表面の中心ＰＣにレジスト液Ｒを供給する。また、このときの状態は、順次図１１（ａ）から図１１（ｃ）で示される。
【００９２】
ウェハＷの表面の中心ＰＣに供給されたレジスト液Ｒは、遠心力により、ウェハＷの外周側へ拡散する。そして、レジスト液ＲがウェハＷの外周側に拡散するのに伴って、拡散するレジスト液Ｒの先端（外周）ＦＬにおける単位面積当たりのレジスト液Ｒの液量が減少し、先端（外周）ＦＬにおいてレジスト液Ｒが乾燥しやすくなる。また、先端（外周）ＦＬにおいてレジスト液Ｒが乾燥すると、図１２（ｂ）において破線で囲まれた領域IIに示すように、拡散するレジスト液Ｒの先端（外周）ＦＬにおける単位面積当たりのレジスト液Ｒの液量が更に減少する。先端（外周）ＦＬにおける単位面積当たりのレジスト液Ｒの液量が減少すると、十分な遠心力が得られなくなるため、レジスト液ＲがウェハＷの外周に到達できなくなる。その結果、図１１（ｄ）に示すように、ウェハＷの全面をレジスト液Ｒで被覆することができない。
【００９３】
一方、本実施の形態によれば、供給工程が、移動供給工程（ステップＳ１７）を有する。そして、移動供給工程（ステップＳ１７）において、レジスト液ノズル１４３を、供給位置ＰＳがウェハＷの表面であってレジスト液Ｒが塗布された領域ＡＲに含まれるように、かつ、拡散するレジスト液Ｒの移動に伴って、ウェハＷの中心ＰＣ上から外周側に移動させる。これにより、拡散するレジスト液Ｒの先端（外周）ＦＬよりも内周側であって、かつ、先端（外周）ＦＬ付近の位置に、レジスト液Ｒを供給することができる。先端（外周）ＦＬ付近の位置にレジスト液Ｒを供給すると、合計として比較例と等しい液量を供給する場合であっても、図１２（ａ）において破線で囲まれた領域Iに示すように、先端（外周）ＦＬにおける単位面積当たりのレジスト液Ｒの液量が、比較例よりも増加する。また、先端（外周）ＦＬにおける単位面積当たりのレジスト液Ｒの液量が増加すると、先端（外周）ＦＬにおいてレジスト液Ｒが乾燥することによって液量が減少することも防止できる。従って、レジスト液Ｒの先端（外周）ＦＬにおいても十分な遠心力を得ることができ、拡散するレジスト液ＲをウェハＷの表面のより外周まで到達させることができる。その結果、合計として比較例と等しい液量を供給する場合であっても、図９（ｄ）に示すように、ウェハＷの全面をレジスト液Ｒで被覆することができる。すなわち、ウェハＷの全面をレジスト液Ｒで被覆することができる液量を、比較例に比べて削減することができる。
【００９４】
本実施の形態では、移動開始工程（ステップＳ１６）において、拡散するレジスト液ＲがウェハＷの外周に到達する前に、レジスト液ノズル１４３を外周側に向けて移動させ始める。これにより、中心供給工程（ステップＳ１５）のみではウェハＷの外周まで到達できない少量のレジスト液Ｒであっても、ウェハＷの外周まで到達させることができる。従って、ウェハＷの全面をレジスト液Ｒで被覆するのに必要なレジスト液Ｒの液量を、削減することができる。
【００９５】
また、本実施の形態では、供給位置ＰＳがウェハＷの表面であってレジスト液Ｒが塗布された領域ＡＲに含まれるように、レジスト液Ｒを供給するため、供給位置ＰＳが、拡散するレジスト液Ｒの先端（外周）ＦＬを追い越すことがない。従って、レジスト液Ｒが塗布された領域ＡＲを、略円形形状に保ったまま外周側へ拡げることができ、回転方向に沿ってレジスト液Ｒを均一に塗布することができる。
【００９６】
実際に、直径が３００ｍｍφのウェハを用い、レジスト液Ｒの液量を変えて、表１（本実施の形態）及び表２（比較例）の各レシピに基づいて、本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの効果を実証する実験を行った。その結果、比較例では、ウェハＷの全面を被覆するのに必要なレジスト液Ｒの液量が０．３ｍｌであったのに対し、本実施の形態では、ウェハＷの全面を被覆するのに必要なレジスト液Ｒの液量が０．２ｍｌであった。従って、本実施の形態の塗布処理方法によれば、従来の方法に比べ、少ない液量でレジスト液ＲをウェハＷの全面に均一に塗布できることが確認できた。
【００９７】
以上、本実施の形態によれば、供給工程において、拡散するレジスト液が外周に到達する前に、レジスト液を供給する供給位置を、ウェハＷの表面の略中心から外周側へ移動させ始め、その後、拡散するレジスト液の移動に伴って供給位置を外周側へ移動させる。これによって、拡散するレジスト液の先端における単位面積当たりのレジスト液の液量を増加させることができるため、より少量のレジスト液を塗布した場合であっても、ウェハの外周までレジスト液を拡散させることができる。したがって、ウェハの全面にレジスト液を塗布する際に、ウェハの全面をレジスト液で被覆するのに必要なレジスト液の液量を、削減することができる。
【００９８】
なお、本実施の形態では、供給工程において、供給位置がウェハの表面であってレジスト液が塗布された領域に含まれるように、レジスト液ノズルを移動させながら、レジスト液をウェハの表面に供給する例について説明した。しかし、供給位置が拡散するレジスト液の先端を少し追い越す程度であっても、本実施の形態と同様の効果が得られる。従って、拡散するレジスト液の移動に伴って供給位置を外周側へ移動させるのであれば、供給工程において、供給位置がウェハの表面であってレジスト液が塗布された領域に含まれないように、レジスト液ノズルを移動させる例も含まれる。
（実施の形態の変形例）
次に、図１３及び図１４を参照し、実施の形態の変形例に係る塗布処理方法について説明する。
【００９９】
図１３は、本変形例に係るレジスト塗布処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。図１４は、本変形例に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの回転数を示すグラフである。
【０１００】
本変形例に係るレジスト塗布処理プロセスでは、供給工程において、レジスト液ノズルの移動に伴って、ウェハの回転数を低下させながら、レジスト液をウェハの表面に供給する点で、実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスと相違する。
【０１０１】
なお、本変形例でも、レジスト塗布処理プロセスは、本発明における塗布処理方法に相当する。また、本変形例でも、実施の形態で説明した塗布現像処理システム１及びレジスト塗布装置３０を用いることができる。
【０１０２】
図１３及び図１４に示すように、本変形例におけるレジスト塗布処理プロセスは、溶剤ノズル移動工程（ステップＳ３１）、溶剤供給工程（ステップＳ３２）、レジスト液ノズル移動工程（ステップＳ３３）、溶剤拡散工程（ステップＳ３４）、供給工程（ステップＳ３５〜ステップＳ３７）、第１の回転工程（ステップＳ３８）、第２の回転工程（ステップＳ３９）及び回転停止工程（ステップＳ４０）を有する。また、供給工程は、中心供給工程（ステップＳ３５）、移動開始工程（ステップＳ３６）、移動供給工程（ステップＳ３７）を有する。
【０１０３】
また、図１３に示す溶剤ノズル移動工程（ステップＳ３１）から移動開始工程（ステップＳ３６）の各工程は、実施の形態において図６を用いて説明した、溶剤ノズル移動工程（ステップＳ１１）から移動開始工程（ステップＳ１６）の各工程と同様である。また、図１３に示す第１の回転工程（ステップＳ３８）から回転停止工程（ステップＳ４０）の各工程は、実施の形態において図６を用いて説明した、第１の回転工程（ステップＳ１８）から回転停止工程（ステップＳ２０）の各工程と同様である。従って、これらの工程については、説明を省略する。
【０１０４】
一方、図１３に示す移動供給工程（ステップＳ３７）は、実施の形態において図６を用いて説明した、移動供給工程（ステップＳ１７）と相違する。
【０１０５】
移動供給工程（ステップＳ３７）では、外周側へ拡散するレジスト液Ｒの移動に伴って、ウェハＷの中心ＰＣ上から外周側にレジスト液ノズル１４３を移動させ、ウェハＷが回転する回転数を、レジスト液ノズル１４３の移動に伴って低下させながら、レジスト液ＲをウェハＷの表面に供給する。
【０１０６】
スピンチャック１３０に保持されたウェハＷを、チャック駆動機構１３１により所定の回転数ＶＳ２−１で回転させた状態で、ノズル駆動部１４４によりレジスト液ノズル１４３をウェハＷの中心ＰＣ上から外周側の所定の位置Ｐに所定の時間ＴＳ２で移動させる。そして、レジスト液ノズル１４３の移動に伴って、図１４に示すように、所定の回転数をＶＳ２−１からＶＳ２−２まで低下させながら、レジスト液ノズル１４３からウェハＷの表面にレジスト液Ｒを供給する。
【０１０７】
ここでは、一例として、図１４に示すように、所定の回転数ＶＳ２−１を例えば２０００ｒｐｍとし、所定の回転数ＶＳ２−２を例えば１８００ｒｐｍとすることができる。また、所定の時間ＴＳ２を例えば０．４秒とし、所定の位置Ｐを５０ｍｍとすることができる。すなわち、レジスト液ノズル１４３を０．４秒で中心ＰＣ上から５０ｍｍ移動させるとともに、ウェハＷの回転数を０．４秒で２０００ｒｐｍから１８００ｒｐｍに低下させる。
【０１０８】
なお、所定の回転数ＶＳ２−１を、中心供給工程（ステップＳ３５）における所定の回転数ＶＳ１よりも高い回転数としてもよく、所定の回転数ＶＳ１よりも低い回転数としてもよい。
【０１０９】
また、レジスト液ノズル１４３を、レジスト液ノズル１４３からウェハＷの表面にレジスト液Ｒが供給される供給位置ＰＳが、ウェハＷの表面であってレジスト液Ｒが塗布された領域ＡＲに含まれるように、移動させることは、実施の形態と同様である。また、供給位置ＰＳが拡散するレジスト液Ｒの先端（外周）ＦＬを少し追い越す程度であれば、レジスト液ノズル１４３を、供給位置ＰＳが、領域ＡＲに含まれないように、移動させる場合も含むことも、実施の形態と同様である。
【０１１０】
実施の形態において図１２（ｂ）を用いて説明したのと同様に、ウェハＷの表面の中心ＰＣに供給されたレジスト液Ｒが、遠心力により、ウェハＷの外周側に拡散する。そして、拡散するレジスト液Ｒの移動に伴って、拡散するレジスト液Ｒの先端（外周）ＦＬにおける単位面積当たりのレジスト液Ｒの液量が減少する。
【０１１１】
また、回転するウェハＷがレジスト液ノズル１４３の下方を通過する通過速度が、ウェハＷの外周側ほど増加する。通過速度が増加すると、レジスト液ノズル１４３から吐出されたレジスト液Ｒが、ウェハＷの表面に弾かれ、先端（外周）ＦＬにおける単位面積当たりのレジスト液Ｒの液量が更に減少するおそれがある。
【０１１２】
本変形例でも、レジスト液Ｒの移動に伴ってレジスト液ノズル１４３を移動させるため、実施の形態において図１２（ａ）を用いて説明したのと同様に、先端（外周）ＦＬにおける単位面積当たりのレジスト液Ｒの液量を増加させることができる。これによって、より少量のレジスト液Ｒを塗布した場合であっても、ウェハＷの外周までレジスト液Ｒを拡散させることができる。
【０１１３】
更に、本変形例では、移動するレジスト液ノズル１４３の移動に伴って、ウェハＷの回転数を低下させる。これによって、ウェハＷの外周側における、回転するウェハＷがレジスト液ノズル１４３の下方を通過する通過速度を、減少させることができる。したがって、レジスト液ノズル１４３から吐出されたレジスト液Ｒが、ウェハＷの表面に弾かれることを防止でき、先端（外周）ＦＬにおける単位面積当たりのレジスト液Ｒの液量を増加させることができる。よって、ウェハＷの全面をレジスト液Ｒで被覆することができる液量を、更に削減することができる。
【０１１４】
また、本変形例では、所定の回転数ＶＳ２をＶＳ２−１からＶＳ２−２まで一様の変化率で低下させなくてもよい。例えば、図１４に示すように、変化率の絶対値が徐々に小さくなるように、所定の回転数ＶＳ２をＶＳ２−１からＶＳ２−２まで低下させてもよい。これにより、レジスト液Ｒの広がりの乱れをおさえることができる。あるいは、変化率の絶対値が徐々に大きくなるように、所定の回転数ＶＳ２をＶＳ２−１からＶＳ２−２まで低下させてもよい。
【０１１５】
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０１１６】
なお、実施の形態及び実施の形態の変形例では、レジスト液を塗布処理する塗布処理方法及び塗布処理装置の例について説明した。しかし、本発明に係る塗布処理方法及び塗布処理装置において、塗布液はレジスト液に限定されるものではない。従って、本発明は、溶剤、反射防止膜を形成するための薬液等各種の塗布液を塗布処理する塗布処理方法及び塗布処理装置にも適用することが可能である。
【０１１７】
また、本発明は、半導体基板、ガラス基板その他の各種基板に塗布液を塗布処理する工程を含む方法及びそれらの工程を行うための装置に適用することが可能である。
【符号の説明】
【０１１８】
１３０  スピンチャック
１３１  チャック駆動機構
１４３  レジスト液ノズル
１４４  ノズル駆動部
１６０  制御部
【図１】
2011171443.tif 000005
【図２】
2011171443.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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