(57)【要約】【課題】電解めっき法を用いて形成される外部端子を有する半導体装置の製造において、半導体チップの裏面から絶縁性樹脂層が剥がれ難くすることのできる技術を提供する。【解決手段】母基板８の上面のチップ搭載領域ＤＩＡにスプレー法または塗布法により０．１〜１μｍの厚さの剥離層１１を形成し、この剥離層１１を介して、裏面に硬化した第１樹脂シート３および完全に硬化していない第２樹脂シート６が貼り付けられた半導体チップ７を、半導体チップ７の裏面と母基板８の上面とが対向するように、母基板８の上面のチップ搭載領域ＤＩＡに半導体チップ７を接着する。【選択図】図１１
2011171433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）第１主面、前記第１主面に形成された複数のチップ領域、前記複数のチップ領域の間に形成されたスクライブ領域、および前記第１主面とは反対側の第２主面を有する半導体ウエハを準備する工程； 
（ｂ）前記半導体ウエハの前記第２主面に第１樹脂シートを貼り付ける工程；
（ｃ）上面、前記上面に設けられたチップ搭載領域、前記チップ搭載領域の周囲に電解めっき法を用いて形成された複数の外部端子、および前記上面とは反対側の下面を有し、かつ導電性部材から成る母基板を準備する工程；
（ｄ）前記母基板の前記チップ搭載領域に、剥離層を形成する工程；
（ｅ）前記半導体ウエハを分割することにより取得した半導体チップを、前記第１樹脂シートおよび前記剥離層を介して前記母基板の前記チップ搭載領域に搭載する工程；
（ｆ）前記半導体チップの表面に形成された複数の電極パッドと前記複数の外部端子とを、複数の導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｇ）前記複数の外部端子のそれぞれの一部、前記母基板の前記上面、前記半導体チップ、および前記複数の導電性部材を樹脂で封止して、封止体を形成する工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記母基板を除去し、前記封止体から前記剥離層および前記複数の外部端子のそれぞれの他部を露出させる工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の外部端子の上面は、前記母基板の上面の前記チップ搭載領域よりも高い位置にあることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程の後、さらに以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ｉ）上面、前記上面に貼り付けられた第２樹脂シート、および前記上面とは反対側の下面を有するダイシングテープを準備する工程；
（ｊ）前記ダイシングテープの前記上面に、前記第１樹脂シートおよび前記第２樹脂シートを介して前記半導体ウエハを貼り付ける工程。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程の後、さらに以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ｉ）前記第１樹脂シートに第２樹脂シートを貼り付ける工程；
（ｊ）上面、および前記上面とは反対側の下面を有するダイシングテープを準備する工程；
（ｋ）前記ダイシングテープの前記上面に、前記第１樹脂シートおよび前記第２樹脂シートを介して前記半導体ウエハを貼り付ける工程。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記剥離層は、フッ素分子から構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記剥離層の厚さは、０．１〜１μｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｈ）工程では、前記半導体チップが位置する領域が、前記封止体の下面から窪んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）第１主面、前記第１主面に形成された複数のチップ領域、前記複数のチップ領域の間に形成されたスクライブ領域、および前記第１主面とは反対側の第２主面を有する半導体ウエハを準備する工程；
（ｂ）前記半導体ウエハの前記第２主面に、上面、および前記上面とは反対側の下面を有し、かつ複数のフィラーを含有する第１樹脂シートを貼り付ける工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第１樹脂シートに熱を加え、前記第１樹脂シートを硬化させる工程；
（ｄ）前記半導体ウエハの前記第２主面がダイシングテープと対向するように、前記第１樹脂シート、複数のフィラーを含有する第２樹脂シート、および前記ダイシングテープの前記上面に形成された接着層を介して、前記半導体ウエハを前記ダイシングテープに固定する工程； 
（ｅ）前記半導体ウエハを分割することにより、前記第１樹脂シート、および前記第１樹脂シートの前記下面に形成された前記第２樹脂シートを有する半導体チップを取得する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記ダイシングテープの前記接着層を硬化させて、前記第１樹脂シート、および前記第１樹脂シートの前記下面に形成された前記第２樹脂シートを有する前記半導体チップを前記ダイシングテープから剥離する工程；
（ｇ）上面、および前記上面に設けられたチップ搭載領域を有する母基板を準備する工程；
（ｈ）前記母基板の前記チップ搭載領域に、前記第１樹脂シートおよび前記第２樹脂シートを介して前記半導体チップを搭載する工程；
（ｉ）前記（ｈ）工程の後、前記第２樹脂シートに熱を加え、前記第２樹脂シートを硬化させる工程。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｈ）工程における前記第２樹脂シートは、前記（ｈ）工程における前記第１樹脂シートよりも柔らかいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｈ）工程における前記第２樹脂シートの硬度は、前記（ｈ）工程における前記第１樹脂シートの硬度よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２樹脂シートのフィラーの含有量は、前記第１樹脂シートのフィラーの含有量よりも少ないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程における前記第２樹脂シートは、予め前記ダイシングテープの上面に前記接着層を介して貼り付けてあることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
表面、前記表面に形成された複数の電極パッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップと、
前記半導体チップの周囲に設けられた複数の外部端子と、
第１上面、および前記第１上面とは反対側の第１下面を有し、かつ複数のフィラーを含有し、前記第１上面が前記半導体チップの前記裏面と対向するように、前記半導体チップの前記裏面に形成された第１樹脂シートと、
第２上面、および前記第２上面とは反対側の第２下面を有し、かつ複数のフィラーを含有し、前記第２上面が前記第１樹脂シートの前記第１下面と対向するように、前記第１樹脂シートの前記第１下面に形成された第２樹脂シートと、
前記第２樹脂シートの前記第２下面に形成された剥離層と、
前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数の外部端子とをそれぞれ電気的に接続する複数の導電性部材と、
前記半導体チップ、前記複数の外部端子、前記複数の導電性部材、前記第１樹脂シート、および前記第２樹脂シートを封止する封止体と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置において、前記第２樹脂シートの前記第２下面の一部は、前記封止体および前記剥離層から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３記載の半導体装置において、
前記第２樹脂シートのフィラーの含有量は、前記第１樹脂シートのフィラーの含有量よりも少ないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）第１主面、前記第１主面に形成された複数のチップ領域、前記複数のチップ領域の間に形成されたスクライブ領域、および前記第１主面とは反対側の第２主面を有する半導体ウエハを準備する工程；
（ｂ）前記半導体ウエハの前記第２主面に第１樹脂シートを貼り付ける工程；
（ｃ）上面、前記上面に設けられ、かつ凹部または貫通孔を有するチップ搭載領域、前記チップ搭載領域の周囲に電解めっき法を用いて形成された複数の外部端子、および前記上面とは反対側の下面を有し、かつ導電性部材から成る母基板を準備する工程；
（ｄ）前記半導体ウエハを分割することにより取得した半導体チップを、前記第１樹脂シートを介して前記母基板の前記チップ搭載領域に搭載する工程；
（ｅ）前記半導体チップの表面に形成された複数の電極パッドと前記複数の外部端子とを、複数の導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｆ）前記複数の外部端子のそれぞれの一部、前記母基板の前記上面、前記半導体チップ、および前記複数の導電性部材を樹脂で封止して、封止体を形成する工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記母基板を除去する工程。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、
前記凹部または前記貫通孔の平面形状は、十字形状または円形状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程では、平面視において、前記半導体チップの前記複数の電極パッドが前記凹部と重ならないように、前記半導体チップを前記母基板の前記チップ搭載領域に搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術および半導体装置に関し、特に、半導体チップが樹脂封止体によって封止され、半導体チップの表面に形成された電極パッドと電気的に接続された外部端子（ボンディングリード、リード、電極部材）が樹脂封止体の下面から露出するパッケージ構造の半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば特開２００２−７６０４０号公報（特許文献１）には、半導体チップと、複数の電極部材と、半導体チップの表面の複数の電極と複数の電極部材とを電気的に接続する複数の接続手段と、半導体チップ、複数の電極部材および複数の接続手段を封止する樹脂封止体とを有する半導体装置であって、半導体チップの裏面および複数の電極部材が樹脂封止体の下面から露出した半導体装置が開示されている。
【０００３】
また、特開２００５−２９４４４３号公報（特許文献２）には、リードフレームから作製された外部端子と半導体チップとがワイヤで電気的に接続され、封止樹脂で封止され、半導体チップの裏面に接して絶縁性樹脂層が予めコーティング等で形成され、この絶縁性樹脂層が封止樹脂の下面側に露出しており、外部端子の下面と同一平面上に存在している半導体装置が開示されている。
【０００４】
また、特開２００９−７６７１７号公報（特許文献３）には、電気メッキによって、ステンレス・スチール板の上面にニッケル層を主成分とするリード電極およびタブ電極を有する構造体を形成し、その後、ステンレス・スチール板から上記構造体を剥離する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−７６０４０号公報
【特許文献２】特開２００５−２９４４４３号公報
【特許文献３】特開２００９−７６７１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子機器の小型化および薄型化に伴い、電子機器に搭載される半導体装置（半導体パッケージ）においても小型化および薄型化が要求されている。
【０００７】
半導体装置の小型化および薄型化を実現するためには、例えば前記特許文献１の図３に示すように、半導体チップを支持するためのダイパッド（タブ、チップ搭載部）を排除した構造が有効とされている。
【０００８】
しかしながら、このような構造の場合、半導体装置内に搭載された半導体チップの裏面が封止体から露出するため、半導体チップに負荷（応力）が加わり、半導体チップにクラックが発生し易くなる。半導体チップの厚さが厚ければ、半導体チップにわずかな負荷が加わったとしても深刻な問題とはならないが、半導体装置の小型化および薄膜化の要求に伴い、半導体チップの厚さも薄くなる傾向にある。そのため、小型化および薄膜化が進む半導体装置においては、半導体チップにわずかな負荷が加わることによる半導体装置の信頼性の低下の恐れがある。また、半導体チップの裏面が封止体から露出すると、封止体と半導体チップとの界面から水分が浸入し、その水分による半導体装置の信頼性の低下の恐れもある。
【０００９】
そこで、本願発明者らは、前記特許文献２の図２に示すように、絶縁性樹脂層を介して母基板上に半導体チップを搭載する製造方法について検討した。このような製造方法によれば、半導体チップの裏面に絶縁性樹脂層が配置されるため、半導体チップの裏面を保護することができる。また、このような製造方法によれば、ダイパッドが排除できるため、ダイパッドの排除と半導体チップの裏面の保護との両立が可能となる。従って、半導体装置の小型化および薄型化を実現できることだけでなく、半導体装置の信頼性の低下も抑制することができるので、このような製造方法は有効であると考えられた。
【００１０】
しかしながら、本願発明者らは、半導体装置の更なる小型化を実現するために、外部端子となるリードの厚さも薄くする必要があると考え、前記特許文献３のように、電解めっき法を用いて形成される外部端子について検討した。その結果、電解めっき法を用いることにより、外部端子は、前記特許文献２のような導電性基板をパターニングすることで形成されたリードフレームの一部から成るリードの厚さの約半分以下の厚さで形成できることが分かった。
【００１１】
しかしながら、電解めっき法を用いて外部端子を形成する場合は、金属から成る基材を母基板として使用しなければならない。これに起因して、封止体から母基板を剥離するときに、半導体チップの裏面と母基板との間に配置された絶縁性樹脂層が半導体チップの裏面から剥がれるという新たな問題が発生した。これは、シリコンから成る半導体チップと絶縁性樹脂層との密着力よりも、金属から成る母基板と絶縁性樹脂層との密着力が勝るためである。
【００１２】
そこで、本願発明では、半導体装置の小型化および薄型化を図るために、金属から成る基材を母基板とする電解めっき法を用いて外部端子を形成するが、絶縁性樹脂層を母基板から剥がれやすくすることによって、半導体チップの裏面から絶縁性樹脂層が剥がれ難くすることのできる技術を開示する。
【００１３】
本発明の目的は、電解めっき法を用いて形成される外部端子を有する半導体装置の製造において、半導体チップの裏面から絶縁性樹脂層が剥がれ難くすることのできる技術を提供することにある。
【００１４】
また、本発明の他の目的は、半導体装置の信頼性の低下を抑制して、半導体装置の小型化および薄型化を図ることのできる技術を提供することにある。
【００１５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１７】
この実施の形態は、以下の工程を含む半導体装置の製造方法である。（ａ）第１主面、第１主面に形成された複数のチップ領域、複数のチップ領域の間に形成されたスクライブ領域、および第１主面とは反対側の第２主面を有する半導体ウエハを準備する工程、（ｂ）半導体ウエハの第２主面に第１樹脂シートを貼り付ける工程、（ｃ）上面、上面に設けられたチップ搭載領域、チップ搭載領域の周囲に電解めっき法を用いて形成された複数の外部端子、および上面とは反対側の下面を有し、かつ導電性部材から成る母基板を準備する工程、（ｄ）母基板のチップ搭載領域に、剥離層を形成する工程、（ｅ）半導体ウエハを分割することにより取得した半導体チップを、第１樹脂シートおよび剥離層を介して母基板のチップ搭載領域に搭載する工程、（ｆ）半導体チップの表面に形成された複数の電極パッドと複数の外部端子とを、複数の導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程、（ｇ）複数の外部端子のそれぞれの一部、母基板の上面、半導体チップ、および複数の導電性部材を樹脂で封止して、封止体を形成する工程、（ｈ）母基板を除去し、封止体から剥離層および複数の外部端子のそれぞれの他部を露出させる工程。
【発明の効果】
【００１８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１９】
電解めっき法を用いて形成される外部端子を有する半導体装置の製造において、半導体チップの裏面から絶縁性樹脂層が剥がれ難くすることができる。また、半導体装置の信頼性の低下を抑制して、半導体装置の小型化および薄型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を説明する製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図２】図１に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図３】図２に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図４】図３に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図５】図４に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図６】図５に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図７】図６に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部平面図である。
【図８】図７に示すＡ−Ａ′線に沿った半導体装置の要部断面図である。
【図９】図７および図８に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部平面図である。
【図１０】図９に示すＢ−Ｂ′線に沿った半導体装置の要部断面図である。
【図１１】図９および図１０に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図１２】図１１に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図１３】図１２に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図１４】図１３に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図１５】図１４に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図１６】図１５に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図１７】図１６に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図１８】図１７に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図１９】図１８に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図２０】図１９に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図２１】図２０に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図２２】図２１に続く、半導体装置の製造工程中における半導体装置の要部断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を説明する工程図である。
【図２４】本発明の実施の形態２による半導体チップを母基板のチップ搭載領域に搭載した状態を説明する要部断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態２による半導体チップを搭載する母基板の第１例を示す要部平面図である。
【図２６】本発明の実施の形態２による半導体チップを搭載する母基板の第２例を示す要部平面図である。
【図２７】本発明の実施の形態１による半導体装置の封止体を透かした要部平面図である。
【図２８】本発明の実施の形態１による半導体装置の裏面（実装面）側の要部平面図である。
【図２９】図２７に示すＣ−Ｃ′線に沿った半導体装置の要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下の実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００２２】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２３】
また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。また、以下の実施の形態において、ウエハと言うときは、Ｓｉ（Silicon）単結晶ウエハを主とするが、それのみではなく、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）ウエハ、集積回路をその上に形成するための絶縁膜基板等を指すものとする。その形も円形またはほぼ円形のみでなく、正方形、長方形等も含むものとする。
【００２４】
また、以下の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２５】
（実施の形態１）
≪半導体装置について≫
本実施の形態１による半導体装置について、図２７〜図２９を用いて説明する。図２７は半導体装置の封止体を透かした要部平面図、図２８は半導体装置の裏面（実装面）側の要部平面図、図２９は図２７に示すＣ−Ｃ′線に沿った半導体装置の要部断面図である。
【００２６】
半導体装置１７は、半導体チップ７、半導体チップ７の裏面に形成された樹脂シート（第１樹脂シート３および第２樹脂シート６）、半導体チップ７が周囲に設けられた複数の外部端子９、および半導体チップ７の表面に配置された複数の電極パッド２と複数の外部端子９とを電気的に接続する複数の導電性部材１３から構成されている。また、半導体チップ７、樹脂シート（第１樹脂シート３および第２樹脂シート６）、複数の外部端子９のそれぞれの一部（上面および側面）、および複数の導電性部材１３は樹脂封止体１４によって封止されている。しかし、樹脂封止体１４の下面からは半導体チップ７の裏面は露出しておらず、半導体チップ７の裏面に樹脂シート（第１樹脂シート３および第２樹脂シート６）を介して形成された剥離層１１および複数の外部端子９のそれぞれの他部（下面、実装面）が露出した構造となっている。
【００２７】
このように、半導体チップ７の裏面に、ダイパッドを配置せず、樹脂シートを配置し、さらに、電解めっき法により形成される複数の外部端子９を用いることにより、半導体装置の小型化および薄型化を実現することができる。また、半導体チップ７の裏面は、樹脂シートにより保護されており、半導体チップ７への水分の浸入も抑制することができるので、半導体装置の信頼性の低下も抑制することができる。なお、本実施の形態１では複数（２枚）の樹脂シートを用いることについて説明したが、水分の浸入を十分抑制できる厚さであり、さらには、後の製造方法において説明する母基板８との接着力が問題なければ、樹脂シートは１枚であってもよい。
≪半導体装置の製造方法について≫
次に、本実施の形態１による半導体装置の製造方法を図１〜図２３を用いて工程順に説明する。図１〜図６、図８、および図１０〜図２２は半導体装置の製造方法を説明する製造工程中における半導体装置の要部断面図、図７および図９は半導体装置の製造方法を説明する製造工程中における半導体装置の要部平面図、図２３は半導体装置の製造方法を説明する工程図である。
【００２８】
まず、図１に示すように（ウエハ準備工程Ｐ１）、半導体ウエハ１を準備する。半導体ウエハ１は単結晶シリコンからなり、その直径は、例えば２００ｍｍまたは３００ｍｍ、その厚さ（第１の厚さ）は、例えば０．７ｍｍ以上（製造工程への投入時の値）である。半導体ウエハ１は、第１主面（表面）１ｘ、第１主面１ｘにマトリックス状に区画形成された複数のチップ領域１ＣＡ、複数のチップ領域１ＣＡの間に形成されたスクライブ領域（ダイシングライン）１ＳＡ、および第１主面１ｘとは反対側の第２主面（裏面）１ｙを有している。
【００２９】
半導体ウエハ１の第１主面１ｘの各チップ領域１ＣＡには、これに限定されないが、複数の半導体素子と、絶縁層と配線層とをそれぞれ複数段積み重ねた多層配線層と、この多層配線層を覆うようにして形成された表面保護膜とから構成される集積回路が形成されている。上記絶縁層は、例えば酸化シリコン膜で形成されている。上記配線層は、例えばアルミニウム、タングステン、または銅などの金属膜で形成されている。上記表面保護膜は、例えば酸化シリコン膜または窒化シリコン膜等の無機絶縁膜および有機絶縁膜を積み重ねた多層膜で形成されている。また、半導体ウエハ１の第１主面１ｘの各チップ領域１ＣＡには、上記複数の半導体素子と電気的に接続された複数の電極パッド（ボンディングパッド）２が各チップ領域１ＣＡの各辺に沿って配置されている（図１には、複数の電極パッド２のうちの一部を記載）。これら複数の電極パッド２は、上記多層配線層のうちの最上層の配線からなり、上記表面保護膜にそれぞれの電極パッド２に対応して形成された開口部により露出している。
【００３０】
次に、半導体ウエハ１の第２主面１ｙを、研削材（例えば粗さ♯３６０）を用いて粗研削することにより、半導体ウエハ１の厚さを所定の厚さまで薄くする。続いて半導体ウエハ１の第２主面１ｙを、先に使用した研削材よりも目の粗さが細かい研削材（例えば粗さ♯１５００または♯２０００）を用いて仕上げ研削することにより、粗研削時に生じた半導体ウエハ１の第２主面１ｙの歪みを除去する（バックグラインド）。さらに、仕上げ研削時に生じた半導体ウエハ１の第２主面１ｙの研磨スジを、例えばスピンエッチ法、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法などにより除去する（ストレスリリーフ）。上記バックグラインドおよび上記ストレスリリーフを終えた時点での半導体ウエハ１の厚さ（第２の厚さ）は、例えば０．１３ｍｍである。なお、上記ストレスリリーフは全ての半導体ウエハ１に対して行う必要はなく、半導体チップに要求される強度に応じて行う。
【００３１】
次に、図２に示すように（第１樹脂シート接着工程Ｐ２）、半導体ウエハ１の第２主面１ｙと第１樹脂シート（封止シート）３の上面とを対向させて、熱（例えば８０〜１２０℃）および圧力を加えることで、半導体ウエハ１の第２主面１ｙに、第１樹脂シート３を貼り付ける。第１樹脂シート３は、例えば熱硬化型であり、フィラー（ＳｉＯ２の粒）を含有するエポキシ系樹脂から成る。その厚さは、例えば２０μｍである。第１樹脂シート３には、硬度および耐熱性を高めるために、相対的に多量（第１の量）のフィラーが含まれている。これは、完成した半導体装置において、半導体チップの裏面を第１樹脂シート３によって確実に保護するためである。
【００３２】
次に、図３に示すように（第１樹脂シート硬化工程Ｐ３）、第１樹脂シート３が貼り付けられた半導体ウエハ１に対して、例えば１５０〜１７０℃の温度で１時間程度の熱処理を施すことにより、第１樹脂シート３を硬化させる。これにより、半導体ウエハ１の第２主面（裏面）１ｙから第１樹脂シート３を剥がれ難くし、また第１樹脂シート３の硬度および耐熱性を高くする。
【００３３】
次に、図４に示すように（第２樹脂シートおよびダイシングテープ接着工程Ｐ４）、ダイシングテープ４を準備する。なお、図示はしないが、ダイシングテープ４の周縁部には、平面視において環状のフレームが貼り付けられている。ダイシングテープ４は、例えばポリオリフィンを基材とし、その厚さは、例えば９０μｍである。ダイシングテープ４の上面には、接着層５を介して第１樹脂シート３とは異なる材料からなる第２樹脂シート６が貼り付けられている。接着層５は、例えばアクリル系ＵＶ硬化型の粘着剤であり、例えばＵＶ照射前は２００ｇ／２５ｍｍ、ＵＶ照射後は１０〜２０ｇ／２５ｍｍの粘着力を有している。第２樹脂シート６は、例えば熱硬化型であり、フィラー（ＳｉＯ２の粒）を含有するエポキシ系樹脂から成る。その厚さは、例えば２０μｍである。第２樹脂シート６には、相対的に少量（第２の量）のフィラーが含まれており、第２樹脂シート６に含まれるフィラーの量は第１樹脂シート３に含まれるフィラーの量よりも少ない。
【００３４】
以下に、半導体ウエハ１とダイシングテープ４との間に、第２樹脂シート６を形成する理由および第２樹脂シート６に含まれるフィラーの量を第１樹脂シート３に含まれるフィラーの量よりも少なくする理由について説明する。
【００３５】
ダイシングテープ４からピックアップした半導体チップを母基板の上面に搭載する後の製造工程では、半導体チップをピックアップする前に、半導体チップをダイシングテープ４から剥がれ易くするために、紫外線（Ultra Violet：ＵＶ）を照射して接着層５の粘着力を低下させる（ＵＶ照射工程Ｐ６）。このとき、本実施の形態１において使用するダイシングテープ４は、紫外線を透過することが可能な材料から成るため、紫外線を透過させることが可能である。その後、半導体チップをピックアップし、母基板の上面に半導体チップを搭載する（ダイボンディング工程Ｐ９）。
【００３６】
第２樹脂シート６を形成しない場合は、第１樹脂シート３のみ（一部には粘着力の低下した接着層５が付着している）を介して母基板の上面に半導体チップが搭載される。しかし、半導体チップを母基板の上面に接着させるための熱処理を施しても、すでに第１樹脂シート３は硬化しているので、半導体チップと母基板との接着が弱く、固定することが難しい。
【００３７】
これに対して、第２樹脂シート６を形成した場合は、第１樹脂シート３および第２樹脂シート６（一部には粘着力の低下した接着層５が付着している）を介して母基板の上面に半導体チップが搭載される。この段階では、未だ第２樹脂シート６は完全には硬化していないので、その後、半導体チップを母基板の上面に接着させるための熱処理を施すと、第２樹脂シート６が硬化して、半導体チップと母基板との接着が強くなる。これにより、半導体チップを母基板の上面に確実に固定することができる。
【００３８】
半導体チップをピックアップする前に、接着層５の粘着力を低下させるために紫外線が照射されるが、第２樹脂シート６に含まれるフィラーの量が相対的に少ないので、このＵＶ照射による第２樹脂シート６の硬化は僅かである。従って、上記ＵＶ照射が行われても、第２樹脂シート６は柔らかく、第２樹脂シート６の硬度は第１樹脂シート３の硬度よりも低い状態に維持される。
【００３９】
次に、ダイシングテープ４の上面と半導体ウエハ１の第２主面１ｙとを対向させて、両者を第１樹脂シート３、第２樹脂シート６、および接着層５を介して貼り付ける。これにより、ダイシングテープ４の上面に、第１樹脂シート３、第２樹脂シート６、および接着層５を介して半導体ウエハ１が固定される。
【００４０】
ここでは、ダイシングテープ４の上面に接着層５を介して予め第２樹脂シート６を貼り付けておき、第１樹脂シート３と第２樹脂シート６とを対向させて、第１樹脂シート３が貼り付けられた半導体ウエハ１と第２樹脂シート６が接着層５を介して貼り付けられたダイシングテープ４とを接着する方法について説明したが、これに限定されるものではない。例えば半導体ウエハ１の第２面１ｙに貼り付けた第１樹脂シート３に予め第２樹脂シート６を貼り付けておき、第２樹脂シート６と接着層５とを対向させて、第１樹脂シート３および第２樹脂シート６が貼り付けられた半導体ウエハ１と接着層５が形成されたダイシングテープ４とを接着してもよい。
【００４１】
次に、図５に示すように（ダイシング工程Ｐ５）、例えばダイヤモンド微粒を貼り付けた極薄の円形刃を用いて、半導体ウエハ１をスクライブ領域１ＳＡに沿って縦、横に切断する。同時に、第１樹脂シート３、第２樹脂シート６、および接着層５も半導体ウエハ１の上記スクライブ領域１ＳＡに沿って縦、横に切断する。半導体ウエハ１は半導体チップ７に個片化されるが、個片化された後も半導体チップ７はダイシングテープ４を介してフレームに固定されているため、整列した状態を維持している。
【００４２】
次に、図６に示すように（ＵＶ照射工程Ｐ６）、ダイシングテープ４の下面側から紫外線を照射して、接着層５の接着力を、例えば１０〜２０ｇ／２５ｍｍ程度に低下させることにより、接着層５を硬化させる。これにより、各半導体チップ７がダイシングテープ４から剥がれやすくなる。
【００４３】
次に、図７および図８に示すように（母基板準備工程Ｐ７）、母基板（基材、フレーム）８を準備する。母基板８は、例えばステンレス（ＳＵＳ４０３）または銅などの導電性部材から成り、１つの半導体チップ７が搭載される領域（チップ搭載領域ＤＩＡ）がマトリックス状に区画形成された多数個取り基板である。図７では、複数のチップ搭載領域ＤＩＡからなる１つのブロックが、３つ形成された母基板８を例示している。母基板８の厚さは、例えば１５０μｍである。
【００４４】
母基板８の上面のチップ搭載領域ＤＩＡの周囲には、複数の外部端子（電極）９が形成されている。外部端子９は、例えば電解めっき法により金膜、ニッケル膜、および金膜または銀膜を下から順次形成した積層膜により構成され、ニッケル膜がひさし状に張り出したマッシュルーム形状を有している。外部端子９の上面は、母基板８の上面のチップ搭載領域ＤＩＡよりも高い位置にあるが、電解めっき法により形成する外部端子９は、導電性基板（金属板）をパターニングすることで形成されたリードフレームの一部から成るリードの厚さの約半分以下の厚さで形成することができる。また、外部端子９の形状をマッシュルーム形状とすることにより、後の製造工程であるモールド工程Ｐ１２において、外部端子９のアンカー効果が期待できる。外部端子９を構成する金膜の厚さは、例えば１μｍ、ニッケル膜の厚さは、例えば３０〜６０μｍ、金膜または銀膜の厚さは、例えば３μｍ以下である。
【００４５】
次に、図９および図１０に示すように（剥離層形成工程Ｐ８）、半導体チップ７が搭載されるチップ搭載領域ＤＩＡのみが露出する開口部１０ａが形成されたマスク１０を母基板８の上面側に配置する。全ての外部端子９はマスク１０により覆われている。続いて、このマスク１０を介して、母基板８の上面のチップ搭載領域ＤＩＡのみに剥離層１１を形成する。剥離層１１は、例えば配列したフッ素分子からなり、例えばフッ素を揮発性フロンで薄めた剥離剤１１ａをチップ搭載領域ＤＩＡに配置（塗布）することにより形成される。また、剥離層１１の厚さは、例えば０．１〜１μｍであり、第１樹脂シート３または第２樹脂シート６の厚さよりは薄い。これは、完成した半導体装置において、顕著な段差が生じないようにするためである。
【００４６】
ここで、濃度を薄めた剥離剤１１ａを使用しているので、チップ搭載領域ＤＩＡに剥離剤１１ａを単に塗布したとしても、後の母基板８を剥離する工程において、半導体チップ７の裏面から樹脂シートが剥がれることなく、母基板８を剥離することができる。しかし、図１０に示すように、例えばスプレー法により、この薄めた剥離剤１１ａをチップ搭載領域ＤＩＡに吹き付けて剥離層１１を形成することで、母基板８の剥離性をより向上させることができる。
【００４７】
次に、図１１に示すように（ダイボンディング工程Ｐ９）、半導体チップ７をダイシングテープ４から引き剥がしてピックアップする。先の製造工程であるＵＶ照射工程Ｐ６において接着層５の接着力が弱められているので、薄く強度が低下している半導体チップ７であっても確実にピックアップすることができる。半導体チップ７の裏面（第２面）には、第１樹脂シート３および第２樹脂シート６が接着している。
【００４８】
ピックアップされた半導体チップ７は、母基板８の上面の所定のチップ搭載領域ＤＩＡに搬送される。続いて、半導体チップ７の裏面に接着している第２樹脂シート６と母基板８の上面のチップ搭載領域ＤＩＡとを剥離層１１を介して対向させて、熱（例えば８０〜１２０℃）および圧力を加えることで、母基板８の上面のチップ搭載領域ＤＩＡに、半導体チップ７を貼り付ける。半導体チップ７と母基板８との間には、第１樹脂シート３、第２樹脂シート６、および剥離層１１が介在している。
【００４９】
次に、図１２に示すように（ベーク処理工程Ｐ１０）、複数の半導体チップ７が貼り付けられた母基板８に対して、例えば１５０〜１７０℃の温度で１時間程度の熱処理を施すことにより、第２樹脂シート６を硬化させる。第２樹脂シート６を硬化させる上記温度は、剥離層１１の耐熱温度よりも低い温度である。これにより、第２樹脂シート６の硬度および耐熱性を高くする。
【００５０】
先に説明したように、第２樹脂シート６を形成しない場合は、硬化した第１樹脂シート３のみを介して母基板８の上面に半導体チップ７が搭載されることになるので、半導体チップ７と母基板８との接着が弱く、固定することが難しい。
【００５１】
しかし、半導体チップ７と母基板８との間に、完全に硬化していない第２樹脂シート６を設け、上記熱処理により硬化させることにより、第２樹脂シート６を介した半導体チップ７と母基板８との接着が強くなる。これにより、半導体チップ７を母基板８の上面に確実に固定することができる。
【００５２】
次に、図１３に示すように（ワイヤボンディング工程Ｐ１１）、半導体チップ７の表面（第１主面）の縁辺に配置された複数の電極パッド２と、母基板８の上面のチップ搭載領域ＤＩＡの周囲に形成された複数の外部端子９とを、例えば熱圧着に超音波振動を併用したネイルヘッドボンディング法（ボールボンディング法）により、複数の導電性部材１３を用いてそれぞれ電気的に接続する。導電性部材１３には、例えば金ワイヤを用いる。また、主として、正ボンディング方式（半導体チップ７の電極パッド２とワイヤの一部を接続した後に、外部端子９とワイヤの他部を接続する方式）を用いるが、逆ボンディング方式（外部端子９とワイヤの一部を接続した後に、半導体チップ７の電極パッド２とワイヤの他部を接続する方式）を用いても良い。ボンディング時には１７０℃程度の熱が剥離層１１にも加わるが、剥離層１１の耐熱温度は１８０℃程度であるので、剥離層１１が劣化することはない。なお、図１３には、複数の導電性部材１３のうちの一部を記載している。
【００５３】
次に、図１４に示すように（モールド工程Ｐ１２）、複数の半導体チップ７が搭載された母基板８を金型成型機にセットし、温度を上げて液状化した封止樹脂を金型成型機に圧送して流し込み、母基板８の上面側を封止樹脂で封入して、１つの樹脂封止体（封止体）１４を形成する。続いて、例えば１７０℃の温度で熱処理を施す。これにより、母基板８の上面、複数の半導体チップ７、複数の外部端子９のそれぞれの一部（上面および側面）、および複数の導電性部材１３などが母基板８の上面側を被覆する樹脂封止体１４によって封止される。樹脂封止体１４の厚さは、例えば３００μｍである。樹脂封止体１４は、低応力化を図ることを目的として、例えばフェノール系硬化剤、シリコーンゴム、および多数のフィラー（例えばシリカ）などが添加されたエポキシ系の熱硬化性絶縁樹脂からなる。
【００５４】
次に、図１５に示すように（母基板除去工程Ｐ１３）、樹脂封止体１４から母基板８を引き剥がす。これにより、樹脂封止体１４の下面から剥離層１１の一部および複数の外部端子９のそれぞれの他部（下面、実装面）を露出させる。
【００５５】
半導体チップ７と母基板８との間には、第１樹脂シート３、第２樹脂シート６および剥離層１１が形成されていたが、母基板８を引き剥がすことにより、図１６に示すように、剥離層１１が物理的に２つに分離する。すなわち、剥離層１１の一方は、半導体チップ７の裏面に貼り付いている第２樹脂シート６の下面に残り、剥離層１１の他の一方は、母基板８の上面に残る。従って、母基板８を引き剥がした後も、半導体チップ７の裏面には第１樹脂シート３および第２樹脂シート６が接着している。剥離層１１が２つに分離することから、半導体チップ７の裏面の剥離層１１が残った領域は、樹脂封止体１４の下面から窪むことになる。しかし、剥離層１１の厚さは、前述したように例えば０．１〜１μｍである。さらに、その約半分が除去されるだけなので、上記窪みは０．５μｍ以下程度であり、完成した半導体装置において、顕著な段差は生じない。
【００５６】
また、第２樹脂シート６に残る剥離層１１は、第２樹脂シート２の下面の全面に残らないこともある。この場合は、第２樹脂シート６の下面の一部が樹脂封止体１４および剥離層１１から露出する。
【００５７】
次に、図１７に示すように（マーク工程Ｐ１４）、樹脂封止体１４の上面に品名などを捺印する。
【００５８】
次に、図１８に示すように（パッケージダイシングシート接着工程Ｐ１５）、ダイシングシート１５を準備する。ダイシングシート１５の上面には、接着層１６が貼り付けられている。接着層１６は、例えばアクリル系ＵＶ硬化タイプの粘着剤である。続いて、ダイシングシート１５の上面に接着層１６を介して、複数の半導体チップ７、複数の外部端子９のそれぞれの一部（上面および側面）、および複数の導電性部材１３を被覆した樹脂封止体１４を固定する。
【００５９】
次に、図１９に示すように（パッケージダイシング工程Ｐ１６）、例えばダイヤモンド微粒を貼り付けた極薄の円形刃を用いて、樹脂封止体１４の上面側から樹脂封止体１４をスクライブ領域に沿って縦、横に切断する。同時に、接着層１６も樹脂封止体１４の上記スクライブ領域に沿って縦、横に切断する。樹脂封止体１４は半導体装置（半導体パッケージ）１７に個片化されるが、個片化された後も半導体装置１７はダイシングシート１５を介して固定されているため、整列した状態を維持している。
【００６０】
次に、図２０に示すように（パッケージ洗浄工程Ｐ１７）、樹脂封止体１４および接着層１６を切断する際に発生した屑などを除去するために、半導体装置１７を洗浄する。
【００６１】
次に、図２１に示すように（ＵＶ照射工程Ｐ１８）、ダイシングシート１５の下面側から紫外線を照射して、接着層１６の接着力を低下させる。これにより、各半導体装置１７がダイシングシート１５から剥がれやすくなる。ここで、本実施の形態１において使用するダイシングシート１５は、紫外線を透過することが可能な材料から成るため、紫外線を透過させることが可能である。
【００６２】
次に、図２２に示すように（パッケージダイシングシート除去工程Ｐ１９）、ダイシングシート１５を除去することにより、個々の半導体装置１７に分ける。半導体装置１７の樹脂封止体１４の下面には、複数の外部端子９のそれぞれの下面（実装面）、および複数の半導体チップ７のそれぞれの裏面に第１樹脂シート３および第２樹脂シート６を介して形成された剥離層１１の一部が露出している。従って、複数の半導体チップ７のそれぞれの裏面は、第１樹脂シート３および第２樹脂シート６に保護されている。その後、製品規格に沿って選別し、さらに最終外観検査を経て製品が完成する。
【００６３】
このように、本実施の形態１によれば、半導体装置１７の小型化および薄型化を図るために、ステンレスまたは銅などの導電性部材を母基板８とする電解めっき法により外部端子９を形成するが、樹脂封止体１４から母基板８を剥離するときには、母基板８の上面のチップ搭載領域ＤＩＡに形成した剥離層１１を分離して、母基板８を剥離する。剥離層１１は、半導体チップ７の裏面に形成された絶縁性樹脂層（第１樹脂シート３および第２樹脂シート６）と母基板８の上面のチップ搭載領域ＤＩＡとの間に形成されているので、樹脂封止体１４から母基板８を剥離しても、絶縁性樹脂層（第１樹脂シート３および第２樹脂シート６）は半導体チップ７の裏面から剥がれずに、半導体チップ７の裏面を保護することができる。
【００６４】
また、絶縁性樹脂層（第１樹脂シート３および第２樹脂シート６）により半導体チップ７の裏面を保護しているので、半導体装置１７の吸湿不良耐性も向上する。
【００６５】
また、ダイシングテープ４から引き剥がしたときの半導体チップ７の裏面には、硬化した第１樹脂シート３に重ねて完全に硬化していない第２樹脂シート６が貼り付けてある。従って、半導体チップ７を母基板８の上面のチップ搭載領域ＤＩＡに固定する際、半導体チップ７の裏面に貼り付けた第２樹脂シート６を熱処理により硬化させることにより、第２樹脂シート６を介した半導体チップ７と母基板８との接着を強くすることができる。これにより、半導体チップ７を母基板８の上面に確実に固定することができる。
【００６６】
（実施の形態２）
前述した実施の形態１では、樹脂封止体１４から母基板８を剥離するときに、母基板８の上面のチップ搭載領域ＤＩＡに形成した剥離層１１を分離して、母基板８を剥離することにより、半導体チップ７の裏面に形成された絶縁性樹脂層（第１樹脂シート３および第２樹脂シート６）の剥がれを防いだ。しかしながら、本実施の形態２では、剥離層１１を用いずに、図２４に示すように、母基板８のチップ搭載領域ＤＩＡの一部に凹部（母基板８を貫通しない溝）８ａを形成し、半導体チップ７の裏面に形成された絶縁性樹脂層（第１樹脂シート３および第２樹脂シート６）と母基板８の上面との接触面積を減らすことにより、絶縁性樹脂層（第１樹脂シート３および第２樹脂シート６）を剥がすことなく、樹脂封止体１４から母基板８を剥離する。なお、前述の図２４では、母基板８のチップ搭載領域ＤＩＡに母基板８を貫通しない溝である凹部８ａを形成したが、母基板８を貫通する穴（貫通孔）を形成しても良い。
【００６７】
本実施の形態２による半導体装置の製造方法を図２５および図２６を用いて説明する。図２５は半導体装置の製造方法を説明する製造工程中における第１例の母基板と半導体チップとを重ねた要部平面図、図２６は半導体装置の製造方法を説明する製造工程中における第２例の母基板と半導体チップとを重ねた要部平面図である。
【００６８】
図２５には、第１例の母基板２０の１つのチップ搭載領域を示している。ここでは、４ピン仕様の半導体装置を例示しており、その半導体装置に搭載される半導体チップ２１の表面（第１主面）の四隅には、電極パッド（ボンディングパッド）２２が配置されている。半導体チップ２１の寸法は、例えば０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、電極パッド２２の寸法は、例えば０．０６ｍｍ×０．０６ｍｍとした。
【００６９】
母基板２０のチップ搭載領域には、円形の穴（貫通孔）２３が形成されている。母基板２０のチップ搭載領域に穴２３を形成することにより、前述した実施の形態１で説明した剥離層１１を形成しなくても、絶縁性樹脂層（第１樹脂シート３および第２樹脂シート６）を剥がすことなく、樹脂封止体１４から母基板２０を剥離することができる。
【００７０】
母基板２０の剥離し易さを考慮すると、母基板２０と半導体チップ２１とが接触しない面積は、接合面の５０％は必要と考えられる。しかし、半導体チップ２１の電極パッド２２の真下の母基板２０に穴２３が形成されると、ボンディングワイヤ工程において、例えば熱圧着に超音波振動を併用したボンディング法を用いた場合、超音波が伝わりにくくなり、良好な導電性部材の接続ができなることがある。そこで、穴２３は、平面視したときに、半導体チップ２１の電極パッド２２と重ならない領域に形成する。言い換えると、平面視において、半導体チップ２１の複数の電極パッド２２が凹部８ａと重ならないように、半導体チップ２１を母基板８のチップ搭載領域ＤＩＡに搭載している。これらから、母基板２０に形成される穴２３の直径は０．４ｍｍ（接合面の割合は約５０％）とすることが好ましい。
【００７１】
しかしながら、母基板２０に形成される穴２３の直径を０．４ｍｍとすると、この穴２３と半導体チップ２１の表面に形成された電極パッド２２との余裕が０．０２７ｍｍとなる。電極パッド２２に接続される導電性部材のダイボンド精度が±０．０５ｍｍの場合は、穴２３と電極パッド２２とが干渉する可能性が大きくなる。
【００７２】
そこで、次に説明するように、穴２３と電極パッド２２との干渉を回避するために、穴２３の形状をクロス形状とする。
【００７３】
図２６には、第２例の母基板２４の１つのチップ搭載領域を示している。ここでも、前述した第１例の母基板２０と同様に、４ピン仕様の半導体装置を例示しており、その半導体装置に搭載される半導体チップ２５の表面（第１主面）の四隅には、電極パッド（ボンディングパッド）２６が配置されている。半導体チップ２５の寸法は、例えば０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、電極パッド２６の寸法は、例えば０．０６ｍｍ×０．０６ｍｍとした。
【００７４】
接合面の割合が約５０％となるように、クロス形状の穴（貫通孔）２７の幅を、例えば０．２１ｍｍとしても、この穴２７と半導体チップ２５の表面に形成された電極パッド２６との余裕は０．０５５ｍｍとなる。従って、電極パッド２６に接続される導電性部材のダイボンド精度が±０．０５ｍｍの場合であっても、穴２７と電極パッド２６との干渉を回避することができる。
【００７５】
上記第１例の母基板２０および上記第２例の母基板２４では、チップ搭載領域に母基板２０，２４を貫通する穴２３，２７を形成したが、母基板２０，２４を貫通しない溝（前述の図２４に示す凹部８ａ）を形成してもよい。母基板２０，２４を貫通する穴２３，２７を形成すると、樹脂封止体により半導体チップ２１，２５等を封止する際に、母基板２０，２４の下面側に封止樹脂が洩れる危険性がある。しかし、母基板２０，２４を貫通しない溝であれば、このような封止樹脂洩れが発生しない。
【００７６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００７７】
例えば、前述の実施の形態１および２では、２枚の樹脂シート（第１樹脂シート３および第２樹脂シート６）を使用することについて説明したが、半導体チップ７の裏面に接着する樹脂シートは１枚だけもよい。しかしながら、前述したように、半導体チップ７を母基板８に搭載したときの接着力の問題や、半導体装置の信頼性を考慮すると、前述の実施の形態１および２のように、複数枚の樹脂シートを使用することが好ましい。また、単に多くの枚数を使用すると、半導体装置の厚さが増加する原因ともなるため、前述したように、使用する樹脂シートの枚数は２枚が好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明は、半導体チップが封止樹脂により封止された半導体装置の製造に適用することができる。
【符号の説明】
【００７９】
１  半導体ウエハ
１ｘ  第１主面（表面）
１ｙ  第２主面（裏面）
１ＣＡ  チップ領域
１ＳＡ  スクライブ領域（ダイシングライン）
２  電極パッド（ボンディングパッド）
３  第１樹脂シート（封止シート）
４  ダイシングテープ
５  接着層
６  第２樹脂シート
７  半導体チップ
８  母基板（基材、フレーム）
８ａ  凹部
９  外部端子（電極）
１０  マスク
１０ａ  開口部
１１  剥離層
１１ａ  剥離剤
１３  導電性部材
１４  樹脂封止体（封止体）
１５  ダイシングシート
１６  接着層
１７  半導体装置（半導体パッケージ）
２０  母基板
２１  半導体チップ
２２  電極パッド（ボンディングパッド）
２３  穴（貫通孔）
２４  母基板
２５  半導体チップ
２６  電極パッド（ボンディングパッド）
２７  穴（貫通孔）
ＤＩＡ  チップ搭載領域
【図１】
2011171433.tif 000003
【図２】
2011171433.tif 000004
【図３】
2011171433.tif 000005
【図４】
2011171433.tif 000006
【図５】
2011171433.tif 000007
【図６】
2011171433.tif 000008
【図７】
2011171433.tif 000009
【図８】
2011171433.tif 000010
【図９】
2011171433.tif 000011
【図１０】
2011171433.tif 000012
【図１１】
2011171433.tif 000013
【図１２】
2011171433.tif 000014
【図１３】
2011171433.tif 000015
【図１４】
2011171433.tif 000016
【図１５】
2011171433.tif 000017
【図１６】
2011171433.tif 000018
【図１７】
2011171433.tif 000019
【図１８】
2011171433.tif 000020
【図１９】
2011171433.tif 000021
【図２０】
2011171433.tif 000022
【図２１】
2011171433.tif 000023
【図２２】
2011171433.tif 000024
【図２３】
2011171433.tif 000025
【図２４】
2011171433.tif 000026
【図２５】
2011171433.tif 000027
【図２６】
2011171433.tif 000028
【図２７】
2011171433.tif 000029
【図２８】
2011171433.tif 000030
【図２９】
2011171433.tif 000031