(57)【要約】【課題】本発明は、パワーチップで発生した熱およびスイッチングノイズによるＩＣへの影響を低減することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明による半導体装置は、スイッチング動作を行うパワーチップ１と、パワーチップ１を制御するＩＣ２と、パワーチップ１とＩＣ２とをモールド樹脂で封止したパッケージ３と、パッケージ３のパワーチップ１とＩＣ２との間に形成された貫通穴４とを備えることを特徴とする。【選択図】図１
2011096696.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング動作を行うパワーチップ部と、
前記パワーチップ部を制御するＩＣ部と、
前記パワーチップ部と前記ＩＣ部とをモールド樹脂で封止したパッケージと、
前記パッケージの前記パワーチップ部と前記ＩＣ部との間に形成された第１の貫通穴と、
を備える、半導体装置。
【請求項２】
前記第１の貫通穴は、前記パワーチップ部と前記ＩＣ部との間隔方向を短手方向とし、前記短手方向に対して垂直方向を長手方向とした長穴であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記長穴は、前記長手方向に沿って複数個設けられることを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記パワーチップ部は、複数個離間して並設され、各々の前記パワーチップ部の間には第２の貫通穴が形成される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の貫通穴は、前記離間方向を短手方向とし、前記短手方向に対して垂直方向を長手方向とした長穴であることを特徴とする、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の貫通穴および前記第２の貫通穴の開口端の形状は、テーパ形状またはＲ形状であることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記パワーチップ部は、ＳｉＣを材料として構成されることを特徴とする、請求項１または４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電力用の半導体装置に関し、特に、パワーチップで発生した熱およびスイッチングノイズによるＩＣへの影響を低減する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
家電製品や産業用モーターなどのインバータ駆動に用いられている電力用半導体装置において、大電流のスイッチング動作を行うパワーチップと、当該パワーチップを制御するＩＣとを備えたトランスファーモールド構造の半導体装置がある。このような半導体装置では、定格電流を大きくすると発熱量が増大するため、放熱特性の改善が課題となる。
【０００３】
従来では、パワーチップが搭載されたフレーム部の面と反対側の面をモールド樹脂の外面に接近するように配置することによって、パワーチップで発生した熱がモールド樹脂の外方へ効率よく放出される半導体装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１９６５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１では、パワーチップで高温の熱（例えば１００℃以上）が発生すると、発生した熱がＩＣに伝達し、ＩＣの温度が所定値以上になると熱暴走を起こすおそれがある。また、パワーチップでスイッチング動作を行う際に発生する高周波のノイズ（スイッチングノイズ）がＩＣに影響を及ぼすおそれがある。
【０００６】
本発明は、これらの問題を解決するためになされたものであり、パワーチップで発生した熱およびスイッチングノイズによるＩＣへの影響を低減することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明による半導体装置は、スイッチング動作を行うパワーチップ部と、パワーチップ部を制御するＩＣ部と、パワーチップ部とＩＣ部とをモールド樹脂で封止したパッケージと、パッケージのパワーチップ部とＩＣ部との間に形成された第１の貫通穴とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、スイッチング動作を行うパワーチップ部と、パワーチップ部を制御するＩＣ部と、パワーチップ部とＩＣ部とをモールド樹脂で封止したパッケージと、パッケージのパワーチップ部とＩＣ部との間に形成された第１の貫通穴とを備えるため、パワーチップにて発生した熱およびスイッチングノイズによるＩＣへの影響を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態による半導体装置の平面図である。
【図２】本発明の実施形態による半導体装置の側面透視図である。
【図３】本発明の実施形態２による貫通穴の開口端の平面図である。
【図４】本発明の実施形態２による貫通穴の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の実施形態について、図面を用いて以下に説明する。
【００１１】
〈実施形態１〉
図１は、本発明の実施形態による半導体装置の平面図であり、図２は、図１に示す半導体装置の側面透視図である。図１，２に示すように、本実施形態による半導体装置は、スイッチング動作を行うパワーチップ１（パワーチップ部）と、パワーチップ１を制御するＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）２（ＩＣ部）と、パワーチップ１とＩＣ２とをモールド樹脂で封止したパッケージ３とを備えており、パッケージ３のパワーチップ１とＩＣ２との間には貫通穴４（第１の貫通穴）が形成されている。パワーチップ１およびＩＣ２の各々には、パッケージ３の外部に延設された端子が接続されており、パワーチップ１とＩＣ２とはワイヤによって電気的に接続されている。
【００１２】
なお、パワーチップ１は、例えばＳｉ（シリコン）またはＳｉＣ（炭化珪素）を材料として構成してもよい。また、本実施形態による半導体装置は、例えば、トランスファーモールド構造のＤＩＰＩＰＭ（Ｄｕａｌ−Ｉｎ−Ｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ  Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ  Ｐｏｗｅｒ  Ｍｏｄｕｌｅ）（登録商標）として実現可能である。
【００１３】
貫通穴４は、パワーチップ１とＩＣ２との間隔方向（図１の上下方向）を短手方向とし、当該短手方向に対して垂直方向（図１の左右方向）を長手方向とした長穴となっており、前記長手方向に沿って複数個設けられている。また、貫通穴４は、パワーチップ１とＩＣ２とを接続するワイヤの配置の妨げとならないように形成される。
【００１４】
以上のことから、パワーチップ１とＩＣ２との間に貫通穴４を形成することによって、パワーチップ１で発生した熱およびスイッチングノイズによるＩＣ２への影響を低減することが可能となる。また、貫通穴４を、パワーチップ１とＩＣ２とを接続するワイヤの配置の妨げとならないよう最大限形成することによって、上記効果はより高まる。
【００１５】
〈実施形態２〉
本発明の実施形態２では、貫通穴４の開口端の形状が、テーパ形状またはＲ形状であることを特徴としている。その他の構成は実施形態１と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００１６】
図３は、本発明の実施形態２による貫通穴４の開口端の平面図であり、図４は、図３に示す貫通穴４のＡ−Ａ断面図である。図３，４に示すように、貫通穴４の開口端の形状はテーパ形状となっている。また、貫通穴４の開口端の形状はＲ形状（図示せず）であってもよい。
【００１７】
以上のことから、貫通穴４の開口端をテーパ形状またはＲ形状とすることによって、貫通穴４に応力を集中させないという効果を奏する。従って、パッケージ３に過度の応力が加わった場合であっても、パッケージ３を形成するモールド樹脂におけるクラックの発生を抑制することが可能となる。
【００１８】
〈実施形態３〉
本発明の実施形態３では、各々のパワーチップ１の間に貫通穴５（第２の貫通穴）が形成されることを特徴としている。その他の構成は実施形態１と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００１９】
図１に示すように、パワーチップ１は、複数個離間して並設されており、各々のパワーチップ１の間には貫通穴５が形成されている。
【００２０】
貫通穴５は、各々のパワーチップ１の離間方向を短手方向とし、当該短手方向に対して垂直方向を長手方向とした長穴となっている。
【００２１】
以上のことから、各々のパワーチップ１の間に貫通穴５を形成することによって、離間して並設されたパワーチップ１同士の熱干渉を防ぎ、半導体装置全体の温度上昇を抑制することが可能となる。また、貫通穴５の開口端の形状を、図３，４に示すようなテーパ形状またはＲ形状とすることによって、実施形態２と同様の効果をさらに得ることができる。
【００２２】
〈実施形態４〉
本発明の実施形態４では、パワーチップ１がＳｉＣを材料として構成されることを特徴としている。その他の構成は実施形態１〜３と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００２３】
パワーチップ１を構成する材料にＳｉＣを用いると、従来のＳｉを材料として構成していたパワーチップよりもスイッチング応答特性が向上するが、ＳｉＣは高温・高周波で動作するため、パワーチップ１で発生する熱およびスイッチングノイズのＩＣ２への影響が問題となる。
【００２４】
図１に示すように、本発明による半導体装置では、パワーチップ１とＩＣ２との間に貫通穴４を形成することによって、パワーチップ１で発生した熱およびスイッチングノイズによるＩＣ２への影響を低減することが可能となる。また、各々のパワーチップ１の間に貫通穴５を形成することによって、離間して並設されたパワーチップ１同士の熱干渉を防ぎ、半導体装置全体の温度上昇を抑制することが可能となる。
【００２５】
以上のことから、貫通穴４を形成してパワーチップ１で発生した熱およびスイッチングノイズによるＩＣ２への影響を低減し、貫通穴５を形成してパワーチップ１同士の熱干渉を防いで半導体装置全体の温度上昇を抑制しているため、従来よりも高温・高周波で動作するＳｉＣを材料としてパワーチップ１を構成することが可能となる。
【００２６】
〈実施形態５〉
本発明の実施形態５では、実施形態４と同様に、パワーチップ１がＳｉＣを材料として構成されることを特徴としている。その他の構成は実施形態１〜３と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００２７】
本発明の実施形態による半導体装置は、実施形態４にて記載したように、従来よりも高温・高周波で動作するＳｉＣを材料としてパワーチップ１を構成することが可能となる。
【００２８】
一方、ＳｉＣを用いたパワーチップ１の動作温度の条件を、従来（Ｓｉ）のパワーチップの動作温度の条件と同じにすれば、パワーチップ１のサイズを小型化することができ、半導体装置全体のサイズを小型化することが可能となる。
【００２９】
以上のことから、ＳｉＣを用いたパワーチップ１の動作温度の条件を、従来（Ｓｉ）のパワーチップの動作温度の条件と同じにすれば、パワーチップ１のサイズを小型化することができ、半導体装置全体のサイズを小型化することが可能となる。
【符号の説明】
【００３０】
１  パワーチップ、２  ＩＣ、３  パッケージ、４，５  貫通穴。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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