(57)【要約】      （修正有）【課題】簡単に放熱効果の高い半導体パッケージを得ることができるとともに、モールド成型と、ヒートスプレッダ取り付けが同時に行えるので、製造工程を減らし、コストを低減することができる半導体パッケージを提供する。【解決手段】半導体チップ２が搭載された基板と、前記基板の両側面に当接した側面部と、前記基板の上方を囲うとともに一部に開口部を有する上面部と、前記側面部の下端部から実装基板の長手方向に延び実装基板に接続された底面部を有する放熱板３と、前記基板と、前記放熱板に囲まれた空間に充填されたモールド樹脂とを備える。【選択図】図４
2011171656.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが搭載された基板と、
前記基板の両側面に当接した側面部と、前記基板の上方を囲うとともに一部に開口部を有する上面部と、前記側面部の下端部から実装基板の長手方向に延び実装基板に接続された底面部を有する放熱板と、
前記基板と、前記放熱板に囲まれた空間に充填されたモールド樹脂とを備える半導体パッケージ。
【請求項２】
前記側面部と、前記上面部と、前記底面部が一体成形されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記基板と前記放熱板とを固定する固定部材を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
半導体チップを基板に搭載し、前記基板の両側面に当接して、前記基板を囲うとともに、前記基板の両側面に当接した側面部の下端部から実装基板の長手方向に延び実装基板に接続される底面を有する放熱板を装着し、前記放熱板の一部を開口した開口部から、モールド樹脂を注入する半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記放熱板を装着すると同時に、前記放熱板の前記開口部からモールド樹脂を注入することを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド樹脂成型とヒートシーリングの成型を簡単に行うことのできる半導体パッケージに関し、特に、放熱性に優れる半導体のパッケージおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップは、その半導体チップが動作することで生じる熱エネルギーを、半導体チップが搭載された半導体パッケージの表面から装置内の雰囲気中に自然放熱する方法が広く用いられてきた。 
【０００３】
しかし、半導体チップに求められる性能が向上するに従い、半導体チップに搭載する回路規模や回路の動作周波数が向上してきており、半導体チップでの消費電力が増加する傾向にある。 
【０００４】
このため、半導体パッケージ表面から装置の筐体内へ自然放熱で熱エネルギーを逃がすことには限界が生じてきており、半導体パッケージでの放熱性向上のために、半導体パッケージ表面に放熱フィンを装着する方法、装置内への送風により放熱効果を高める方法等が広く用いられるようになってきた。 
【０００５】
近年、半導体装置の小型化の進展により、半導体パッケージが搭載された実装基板が、半導体装置に実装される場合、半導体パッケージ上に放熱フィンを装着することのできる空間の確保や、送風ファンで生成される風を装置筐体内へ送風し、半導体パッケージを効果的に冷却するための空間の確保が困難になってきた。
【０００６】
また、最近では、半導体パッケージが小型化してきたことに伴い、半導体チップで発生する熱エネルギーを半導体パッケージ表面から装置内への自然放熱により逃がす方法よりも、半導体パッケージの端子部から実装基板の配線パターンへ放熱する方法が用いられるようになってきている。
【０００７】
このような背景のもと、半導体パッケージが搭載される実装基板の配線パターン経由で放熱する冷却構造が種々検討されている（特許文献１、２参照）。
【０００８】
例えば、特許文献１には、フリップチップ方式により半導体素子と配線基板とを接合する場合において、半導体素子の発熱を効果的に放散することが可能な半導体実装構造が記載されている。
【０００９】
図１２に、特許文献１に係る半導体実装構造を示す。
図１２には、半導体素子２２の電極部に形成した突起電極２５を介してフリップチップ方式にて半導体素子２２と配線基板とを接続する一方、半導体素子２２の電極部の反対側表面と配線基板表面とを接続する伝熱板２３を配設した半導体実装構造が示されている。
【００１０】
このように、半導体パッケージを配線基板に実装する際に放熱板が半導体パッケージを覆うような構成により、半導体パッケージからの熱エネルギーを放熱板を介して、配線基板に逃がすことが可能となる。 
【００１１】
一方、特許文献２には、半導体チップがモールド樹脂で封止された半導体パッケージにおいて、半導体パッケージと冷却構造が一体となった放熱効果の高い半導体チップ冷却構造が記載されている。
【００１２】
図１３に、特許文献２に係る半導体チップ冷却構造を示す。
図１３には、半導体チップ２８をモールド樹脂３１で封止した半導体パッケージにおいて、熱伝導性のよい材質で形成した２枚の放熱板２９、３０で半導体チップ２８を挟み込むようにモールド樹脂内部に配置し、放熱板２９、３０とプリント配線基板３７を接続する半導体パケージ構造が記載されている。
【００１３】
このように、図１３に係る半導体チップ冷却構造は、図１２に係る半導体実装構造と同様に、半導体パッケージの熱エネルギーを放熱板を介して配線基板に逃がすことが可能である。
【００１４】
図１２に係る半導体実装構造は、放熱板の装着が半導体パッケージを配線基板に実装する際に、半導体パッケージと放熱板を同時に実装する方法であるのに対して、図１３に係る半導体チップ冷却構造は、半導体パッケージを製造する際に、放熱板をモールド樹脂にあらかじめ一体化させ、配線基板への実装をより容易にするという特徴を有する。
【００１５】
上述したように、半導体パッケージで生じる熱エネルギーを逃がす方法としては、自然放熱や放熱フィン、筐体内への送風などの放熱方法があるが、近年、半導体技術の向上により回路の大規模や高速動作により、半導体チップでの消費電力が増加したこと、装置筐体が小型化したことにより半導体パッケージからの熱エネルギーを十分に放熱させることが困難になってきている。ここで、その解決手段として、狭い筐体内で効率的に放熱する方法として、半導体パッケージで生じる熱エネルギーを配線基板に逃がす方法が提案されている。 
【００１６】
配線基板に放熱する方法を用いる場合、半導体パッケージの端子から放熱するため、放熱する熱エネルギーが大きい場合には、多くの端子が必要となるという問題点がある。 
【００１７】
しかしながら、半導体装置は、近年、小型化が進展したことで、半導体パッケージも小型化してきており、放熱に必要な端子数が必ずしも確保できる状況にはない。 
【００１８】
このため、図１２に係る半導体実装構造のように、半導体パッケージ上に放熱板を装着し、配線基板へ放熱する方法があるが、上記方法に用いる放熱板は、半導体パッケージを配線基板へ実装する際に、放熱板を半導体パッケージ上面と接触するように、実装時に半導体パッケージと放熱板とのずれが生じないように実装することが求められる。 
【００１９】
万一、配線基板への実装時に半導体パッケージと放熱板にずれが生じた場合、放熱板から配線基板への放熱性能が低下し、所望の放熱性能が必ずしも得られる状況とはならないからである。 
【００２０】
一方、半導体パッケージに搭載された半導体チップは、通常、半導体パッケージの中央付近に搭載されるため、放熱板が半導体パッケージの中央付近に装着されないので、十分な放熱効果が得られないという問題点がある。 
【００２１】
上記問題点を解決する方法として、図１３に係る半導体チップ冷却構造がある。
図１３に係る半導体チップ冷却構造は、配線基板への実装時に放熱板とパッケージを一体化する方法を採用することにより、半導体パッケージ製造時に放熱板をパッケージに装着することで放熱板とパッケージとのずれが生じることを防止することが可能となる。 
【００２２】
しかしながら、図１３の半導体パッケージは、放熱板側面と半導体パッケージ側面に空隙を設ける構造のため、半導体パッケージの製造方法として、放熱板以外の半導体パッケージを一旦、モールド成型をした後に放熱板を装着するか、または、半導体パッケージの成型時に特殊な金型を用いて放熱板の側面と半導体パッケージ側面に空間が設けられるような製造方法をとることが必要であり、製造工程が複雑になるという問題がある。
【００２３】
他方、半導体パッケージに装着する放熱板において、放熱板にモールド樹脂注入用の穴を設け、このモールド樹脂注入穴からモールド樹脂を注入し、放熱板を搭載した半導体パッケージが種々検討されている（特許文献３、４参照）。
【００２４】
例えば、特許文献３には、基板に搭載された電子部品からの放熱が良好で、小型化が可能なモジュールの放熱構造が記載されている。
【００２５】
図１４に、特許文献３に係るモジュールの放熱構造を示す。
図１４に係るモジュールの放熱構造は、基板上に電子部品が搭載されたモジュールにおいて、電子部品を取り囲む形に基板に設けられた絶縁材による内枠と、内枠内部を覆うように、内枠上部に設けられた放熱板と、放熱板に設けられた樹脂注入孔と、内枠内部に注入された封止用樹脂からなる。
【００２６】
しかしながら、特許文献３に係るモジュールの放熱構造は、そもそも半導体チップと放熱板との側壁とが接しておらず、また半導体パッケージが搭載される実装基板に接続される放熱板の底面がない構造を有している。
【００２７】
また、特許文献４には、半導体素子に接合する放熱部材の放熱性と接続信頼性を向上させる半導体集積回路装置が記載されている。
【００２８】
図１５に、特許文献４に係る半導体集積回路装置の断面図を示す。
図１５に係る半導体集積回路装置は、半導体集積回路が形成された半導体素子を支持する素子搭載基板であるＢＧＡ基板と、半導体素子とＢＧＡ基板との接合部を封止する封止樹脂と、半導体素子の背面に接合する素子接合部が形成された凹部を備えるとともに、一端を凹部の素子接合部の近傍に開口しかつ他端を外部に開口する貫通孔が設けられた放熱体とからなり、半導体素子とＢＧＡ基板との接合部に封止樹脂を供給する際に、貫通孔を介して封止樹脂の供給が行われる。
【００２９】
しかしながら、特許文献４に係る半導体集積回路装置は、ＢＧＡ基板を実装基板と捉えると、半導体チップと放熱板との側壁とが接しておらず、また、ＢＧＡ基板まで半導体パッケージと捉えると、半導体パッケージが搭載される実装基板に接続される放熱板の底面がない構造を有している。
【００３０】
すなわち、上記特許文献３、４に係る装置は、基板に放熱する半導体パッケージであって、モールド成型と、ヒートスプレッダの取り付けを同時に行うことはなく、それぞれ別々に行わなければならず、その結果、製造工程が複雑となり、工数が増加しコスト高となるという問題点を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３１】
【特許文献１】特開平１０−１２７７９号公報
【特許文献２】特開２００８−１７１９６３号公報
【特許文献３】特開平９−２４６４３３号公報
【特許文献４】特開平１０−２０００１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３２】
上述のように、背景技術にかかる半導体パッケージは、基板に放熱する構造を有しており、モールド成型と、ヒートスプレッダの取り付けを同時に行うものではなく、実装時に半導体パッケージと放熱板とのずれが生じ、所望の放熱性能を得ることができず、さらには製造工程が複雑になるという問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
本発明に係る半導体パッケージは、半導体チップが搭載された基板と、前記基板の両側面に当接した側面部と、前記基板の上方を囲うとともに一部に開口部を有する上面部と、前記側面部の下端部から実装基板の長手方向に延び実装基板に接続された底面部を有する放熱板と、前記基板と、前記放熱板に囲まれた空間に充填されたモールド樹脂とを備えている。
【００３４】
このような構成にすることにより、半導体パッケージに装着する放熱板において、放熱板にモールド樹脂注入用の穴を設け、上記注入穴よりモールド樹脂を注入することにより、簡単に熱を実装基板側に逃がす放熱板を搭載した半導体パッケージを製造することができる。さらに、基板に放熱する半導体パッケージのあらたな構造を提供するものであり、モールド成型と、ヒートスプレッダ取り付けが同時に行えるので、簡便に半導体パッケージを構成することができる。
【００３５】
本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、半導体チップを基板に搭載し、前記基板の両側面に当接して、前記基板を囲うとともに、前記基板の両側面に当接した側面部の下端部から実装基板の長手方向に延び実装基板に接続される底面を有する放熱板を装着し、前記放熱板の一部を開口した開口部から、モールド樹脂を注入するものである。
【００３６】
このような構成にすることにより、簡単に熱を実装基板側に逃がす放熱板を搭載した半導体パッケージを製造することができるとともに、モールド成型と、ヒートスプレッダ取り付けが同時に行えるので、簡便に半導体パッケージを構成することができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、簡単に放熱効果の高い半導体パッケージ得ることができるとともに、モールド成型と、ヒートスプレッダ取り付けが同時に行えるので、製造工程を減らし、コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体パッケージの上面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体パッケージの下面図である。
【図３】図１におけるＡ−Ａ´における断面図である。
【図４】図２におけるＢ−Ｂ´における断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る放熱板の内面の外観図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る放熱板にモールド樹脂を充填する前の半導体チップが搭載されている状態を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る放熱板にモールド樹脂を充填する前の半導体チップが搭載されている状態を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る半導体チップの製造工程の概略フローである。
【図９】本発明の実施の形態１に係る半導体チップの製造工程の概略フローである。
【図１０】本発明の実施の形態１に係る半導体チップの製造工程の概略フローである。
【図１１】本発明の実施の形態１に係る半導体チップの製造工程の概略フローである。
【図１２】関連する技術（特許文献１）に係る半導体実装構造を示す図である。
【図１３】関連する技術（特許文献２）に係る半導体チップ冷却構造を示す図である。
【図１４】関連する技術（特許文献３）に係るモジュールの放熱構造を示す図である。
【図１５】関連する技術（特許文献４）に係る半導体集積回路の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。以下の記載及び図面は、明確化のため、適宜、省略及び簡略化がなされている。
【００４０】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体パッケージの上面図を示し、図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体パッケージの下面図を示す。
【００４１】
図３は、図１におけるＡ−Ａ´における断面図であり、図４は、図２におけるＢ−Ｂ´における断面図である。
【００４２】
図３、図４に示されるように、半導体チップ２はパッケージ基板１０に搭載される。こ
のパッケージ基板１０は、一部にスルーホール９を有するとともに、端部に端子ランド１２を備えている。そして、パッケージ基板１０を取り囲むように、放熱板３が設置される。この時、パッケージ基板１０の両側面が、放熱板３の側面部と当接するように装着される。このパッケージ基板１０の両側面が放熱板３と接することにより、放熱板３とパッケージ基板１３に囲まれた閉空間を構成することができる。
ここで、パッケージ基板１０の側面と放熱板３の側面部が当接するとは、密接続な状態をいい、接着剤により、放熱板３とパッケージ基板１０が固定されている場合も含む。
【００４３】
上記放熱板３は、上面部、側面部および底面部より構成され、上面部と側面部がパッケージ基板１０を囲うように設置され、側面部の下方端部において、実装基板１５の長手方向に沿って延びた底面部が、半田等を用いて実装基板１５に実装されている。このように、放熱板３に底面部を設けることにより、放熱板３の面積が大きくなり、熱が逃げやすくなる。
【００４４】
また、放熱板３の上面部、側面部および底面部を一体成形することにより、製造工程を簡易化することができるとともに、放熱効率の優れた半導体パッケージを製造することができる。
【００４５】
パッケージ基板１０の４辺隅に設けられた固定部材としてのパッケージ基板支持棒１１を装着し、放熱板３に設けられたパッケージ基板支持棒穴１８に、上記パッケージ基板支持棒１１を装着する。これにより、パッケージ基板１０と放熱板３とが固定され、位置ずれを防止することができる。
【００４６】
図に示されるように、放熱板３とパッケージ基板１０によって囲まれた空間には、放熱板３の一部を開口した開口部としてのモールド樹脂注入穴３から、モールド樹脂が充填される。また、パッケージ基板１０の下面には、パッケージ基板配線８を介して、端子ランド１２に半田ボール１３が固定されている。
【００４７】
本実施の形態に係る半導体パッケージは、パッケージ基板１０の両側面を放熱板３に接触させ、放熱板３の面積を大きくすることで、熱を端子ランド１２から逃げやすくし、放熱効率を向上させることができる。
【００４８】
ここで、放熱板３の材質は、アルミニウム、銅などの金属材料が用いられる。また、放熱板３に設けた開口部としてのモールド樹脂注入穴３の位置は、特に限定されないが、モールド樹脂が放熱板３とパッケージ基板１０に囲まれた空間に均等に注入される点において放熱板３の４隅のコーナー部のうち少なくても２つのコーナー部近傍となる位置が好ましい。さらに、放熱板３の側面部と底面部は、垂直に形成されるのが好ましいが、特に限定されるものではない。
【００４９】
次に、本実施の形態に係る半導体チップの製造工程について、図面を参照しつつ説明する。
【００５０】
図８〜図１１に、本実施の形態に係る半導体チップの製造工程の概略フローを示す。
【００５１】
図８に示すように、半導体チップ２は、パッケージ基板１０に接着剤により貼り付けられ、半導体チップ２内のボンディングパッド等の外部接続端子（図示せず）に、ボンディングワイヤー６によりボンディングパッド７にワイヤー６接続し、半導体チップ２がパッケージ基板１０に実装される。 
【００５２】
次いで、図９、図１０に示すように、放熱板３は、パッケージ基板１０を囲むように、パッケージ基板１０の両側面に当接して装着されるように設置される。
【００５３】
また、図３および図７に示されるように、パッケージ基板１０の４辺隅に設けられた固定部材としてのパッケージ基板支持棒１１を装着し、この状態で放熱板３にあらかじめ設けられたパッケージ基板支持棒穴１８に、パッケージ基板８に取り付けられたパッケージ基板支持棒１１を装着する。 
【００５４】
その後、放熱板３に空けられたモールド樹脂注入穴５から、モールド樹脂４を流し込み、パッケージ基板８と放熱板３の内側領域がモールド樹脂４で充填される。この時、放熱板３を装着すると同時に、放熱板３のモールド樹脂注入穴５からモールド樹脂を注入することもできる。
【００５５】
次いで、図１１に示すように、半田ボール１３を端子ランド１２に取り付けることで半導体パッケージ１が完成する。
【００５６】
放熱板３により実装基板５へ放熱する方法を用いる放熱効果の高い、本実施の形態に係る半導体パッケージ２においては、放熱板３にモールド樹脂注入穴５を設け、モールド樹脂４をモールド樹脂注入穴５より注入する方法を用いることで、簡単に放熱効果の高い半導体パッケージ１を製造することが可能になる。
【００５７】
さらに、モールド成型と、ヒートスプレッダ取り付けが同時に行われるので、半導体パッケージを簡便且つ安易に製造することができる。
【符号の説明】
【００５８】
１    半導体パッケージ 
２    半導体チップ 
３    放熱板 
４    モールド樹脂 
５    モールド樹脂注入穴 
６    ボンディングワイヤー 
７    ボンディングパッド 
８    パッケージ基板配線 
９    スルーホール 
１０    パッケージ基板 
１１    パッケージ基板支持棒 
１２    端子ランド 
１３    半田ボール 
１４    基板配線 
１５    実装基板 
１６    半導体パッケージ上面部 
１７    基板実装面 
１８    パッケージ基板支持棒穴
２１    半導体パッケージ
２２    半導体素子
２３    銅製伝熱板
２４    半田層
２５    突出電極
２６    入出力ピン
２７    基板
２８    半導体チップ
２９    放熱板
３０    放熱板
３１    モールド樹脂
３２    ダイアタッチ材
３３    リードフレーム
３４    ワイヤーボンディング
３５    パット  
３６    はんだ材
３７  プリント配線基板
３８  絶縁シート
４０  基板
４１  電子部品
４２  リード端子
４３  内枠（絶縁材）
４４  放熱板
４５  樹脂注入孔
４６  封止用樹脂
５０  半導体素子
５１  ＢＧＡ基板（素子搭載基板）
５２  封止樹脂
５３  放熱体（放熱部材）  
５４  素子接合部
５５  貫通孔
５６  接着剤（接合材）
【図１】
2011171656.tif 000003
【図２】
2011171656.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2011171656.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2011171656.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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