(57)【要約】【課題】高圧に強く、かつ小型で安価なＲＦＩＤインレットを提供する。【解決手段】ＲＦＩＤインレット１０は、ＴＦＴ回路４と、ＴＦＴ回路４を覆う相対的に軟らかい絶縁層７と、絶縁層７内に設けられ、ＴＦＴ回路４と電気的に接続する接続導体５と、絶縁層７を覆う相対的に硬い導電性物質からなり、接続導体５を介してＴＦＴ回路４と電気的に接続するアンテナ導体３とを備えることを特徴とする。これにより、高圧に強く、かつ小型で安価なＲＦＩＤインレットを提供可能となる。【選択図】図１
2011096106.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路と、
前記集積回路を覆う絶縁層と、
前記絶縁層内に設けられ、前記集積回路と電気的に接続する接続導体と、
前記絶縁層を覆う、前記絶縁層よりもヤング率が大きい導電性物質からなり、前記接続導体を介して前記集積回路と電気的に接続するアンテナ導体とを備えることを特徴とするＲＦＩＤインレット。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記集積回路の上下面及び側面を覆い、
前記アンテナ導体は、前記絶縁層の少なくとも上面及び側面を覆うことを特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤインレット。
【請求項３】
前記アンテナ導体は内部に前記絶縁層を有する導電性の管であることを特徴とする請求項２に記載のＲＦＩＤインレット。
【請求項４】
前記アンテナ導体は前記絶縁層の下面も覆い、該下面を覆うアンテナ導体は、前記絶縁層の側面を覆う前記アンテナ導体と容量結合していることを特徴とする請求項２に記載のＲＦＩＤインレット。
【請求項５】
前記集積回路は、複数の部分回路が一方方向に沿って並べられ、フレキシブルケーブルによって接続された構成を有し、
前記絶縁層は、前記部分回路ごとに、その上下面及び側面を覆い、
前記アンテナ導体は、前記部分回路ごとに、前記絶縁層の上下面及び側面を覆い、
前記部分回路ごとの前記アンテナ導体の部分は、フレキシブルケーブルによって互いに接続されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のＲＦＩＤインレット。
【請求項６】
前記絶縁層は、基板と、前記基板の上面に形成される樹脂層とを有し、
前記集積回路は、前記基板の上面に形成され、
前記樹脂層は、前記集積回路の封止層であり、
前記アンテナ導体は、前記樹脂層の上面及び側面を覆う第１の導体と、前記基板の下面を覆う第２の導体とによって構成され、
前記第１の導体と前記第２の導体とは、前記基板を介して容量結合していることを特徴とする請求項１又は２に記載のＲＦＩＤインレット。
【請求項７】
前記絶縁層は、基板と、前記基板の上面に形成される樹脂層とを有し、
前記集積回路は、前記基板の上面に形成され、
前記樹脂層は、前記集積回路の封止層であり、
前記アンテナ導体は、前記樹脂層の上面を覆う導体であり、
前記基板の上面に形成され、前記樹脂層の側面を覆う相対的に硬い導電性物質からなる側壁導体をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤインレット。
【請求項８】
前記アンテナ導体と前記側壁導体とが容量結合していることを特徴とする請求項７に記載のＲＦＩＤインレット。
【請求項９】
前記基板の下面に形成され、相対的に硬い導電性物質からなる下面導体をさらに備え、
前記下面導体と前記側壁導体とが容量結合していることを特徴とする請求項８に記載のＲＦＩＤインレット。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載のＲＦＩＤインレットを挟み込んだＲＦＩＤ。
【請求項１１】
集積回路と、平面コイルであるアンテナ導体と、前記集積回路と前記アンテナ導体とを電気的に接続する接続導体とを備えるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、
前記アンテナ導体の平面形状に沿う形状を有し、上面に前記集積回路及び前記接続導体を有する基板を作製する工程と、
少なくとも前記基板の上面を封止する樹脂層を形成する工程と、
前記基板及び前記樹脂層の表面に前記接続導体と電気的に接触する導電性物質を形成することにより、前記アンテナ導体を形成する工程とを備えることを特徴とするＲＦＩＤインレットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＦＩＤインレット、ＲＦＩＤ、及びＲＦＩＤインレットの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＲＦＩＤインレットを挟み込んだＲＦＩＤの需要が増している。需要の増加に伴い、挿入されるＲＦＩＤインレットの種類も増し、近年ではゴマ粒大のＩＣタグからクレジットカード大のＩＣカードまで多岐にわたるＲＦＩＤインレットがＲＦＩＤの中に挟み込まれている。
【０００３】
ＲＦＩＤインレットを挟み込むための材料としては紙や布、樹脂、フィルムなど種々の材料が用いられるが、例えば紙を用いる場合、ＲＦＩＤインレットは、抄紙工程で２枚の湿紙の間に挿入されることになる。抄紙工程には乾燥処理やカレンダ処理が含まれるが、これらの処理はＲＦＩＤインレットが挟み込まれた状態で行われることになるので、ＲＦＩＤインレットには、熱、湿気、高圧に耐え得ることが求められる。
【０００４】
特許文献１には、高圧に強いＲＦＩＤインレットの例が開示されている。この例では、アンテナと非接触ＩＣチップとを含む非接触ＩＣモジュールの全体を衝撃吸収層とオーバーコート層で覆うことにより、高圧に強いＲＦＩＤインレットを実現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２３７３５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に記載の技術では、アンテナと非接触ＩＣチップとを含む非接触ＩＣモジュールの全体を衝撃吸収層とオーバーコート層で覆うため、ＲＦＩＤインレットのサイズが大きくなってしまうという問題がある。また、非接触ＩＣモジュールを作製した後、別途の工程で衝撃吸収層とオーバーコート層を形成する必要があるため、製造コストが高くなってしまうという問題もある。
【０００７】
したがって、本発明の目的の一つは、高圧に強く、かつ小型で安価なＲＦＩＤインレット、ＲＦＩＤ、及びＲＦＩＤインレットの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明によるＲＦＩＤインレットは、集積回路と、前記集積回路を覆う絶縁層と、前記絶縁層内に設けられ、前記集積回路と電気的に接続する接続導体と、前記絶縁層を覆う、前記絶縁層よりもヤング率が大きい導電性物質からなり、前記接続導体を介して前記集積回路と電気的に接続するアンテナ導体とを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、絶縁層及びアンテナ導体がＲＦＩＤインレットを高圧から保護するための保護材として機能するので、高圧からの保護材としての衝撃吸収層とオーバーコート層とを別途設ける必要がない。したがって、高圧に強く、かつ小型で安価なＲＦＩＤインレットとなっている。
【００１０】
上記ＲＦＩＤインレットにおいて、前記アンテナパターンは、前記絶縁層は、前記集積回路の上下面及び側面を覆い、前記アンテナ導体は、前記絶縁層の少なくとも上面及び側面を覆うこととしてもよい。これによれば、上方向及び横方向からの圧力にも耐えられるようになる。また、アンテナ導体の断面積を大きく取れるので、高感度なＲＦＩＤインレットが実現できる。
【００１１】
また、このＲＦＩＤインレットにおいて、前記アンテナ導体は内部に前記絶縁層を有する導電性の管であることとしてもよい。これによれば、より高圧に強いＲＦＩＤインレットを提供できる。
【００１２】
また、このＲＦＩＤインレットにおいて、前記アンテナ導体は前記絶縁層の下面も覆い、該下面を覆うアンテナ導体は、前記絶縁層の側面を覆う前記アンテナ導体と容量結合していることとしてもよい。これによれば、上面側と下面側のアンテナの指向性のばらつきが小さくなり、アンテナ特性の向上効果が得られるとともに、集積回路の静電気対策にもなる。
【００１３】
また、上記各ＲＦＩＤインレットにおいて、前記集積回路は、複数の部分回路が一方方向に沿って並べられ、フレキシブルケーブルによって接続された構成を有し、前記絶縁層は、前記部分回路ごとに、その上下面及び側面を覆い、前記アンテナ導体は、前記部分回路ごとに、前記絶縁層の上下面及び側面を覆い、前記部分回路ごとの前記アンテナ導体の部分は、フレキシブルケーブルによって互いに接続されることとしてもよい。これによれば、ＲＦＩＤインレットに高い柔軟性を付与できる。
【００１４】
上記ＲＦＩＤインレットにおいて、前記絶縁層は、基板と、前記基板の上面に形成される樹脂層とを有し、前記集積回路は、前記基板の上面に形成され、前記樹脂層は、前記集積回路の封止層であり、前記アンテナ導体は、前記樹脂層の上面及び側面を覆う第１の導体と、前記基板の下面を覆う第２の導体とによって構成され、前記第１の導体と前記第２の導体とは、前記基板を介して容量結合していることとしてもよい。これによれば、高圧に強く、かつ小型で安価なＲＦＩＤインレットを、比較的容易に作製可能となる。
【００１５】
上記ＲＦＩＤインレットにおいて、前記絶縁層は、基板と、前記基板の上面に形成される樹脂層とを有し、前記集積回路は、前記基板の上面に形成され、前記樹脂層は、前記集積回路の封止層であり、前記アンテナ導体は、前記樹脂層の上面を覆う導体であり、前記基板の上面に形成され、前記樹脂層の側面を覆う相対的に硬い導電性物質からなる側壁導体をさらに備えることとしてもよい。また、前記アンテナ導体と前記側壁導体とが容量結合していることとしてもよく、さらに、前記基板の下面に形成され、相対的に硬い導電性物質からなる下面導体をさらに備え、前記下面導体と前記側壁導体とが容量結合していることとしてもよい。
【００１６】
また、本発明によるＲＦＩＤは、上記各ＲＦＩＤインレットのいずれかを挟み込んだＲＦＩＤであることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の一側面によるＲＦＩＤインレットの製造方法は、集積回路と、平面コイルであるアンテナ導体と、前記集積回路と前記アンテナ導体とを電気的に接続する接続導体とを備えるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、前記アンテナ導体の平面形状に沿う形状を有し、上面に前記集積回路及び前記接続導体を有する基板を作製する工程と、少なくとも前記基板の上面を封止する樹脂層を形成する工程と、前記基板及び前記樹脂層の表面に前記接続導体と電気的に接触する導電性物質を形成することにより、前記アンテナ導体を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の他の一側面によるＲＦＩＤインレットの製造方法は、基板の上面に、集積回路と、前記集積回路と電気的に接続する接続導体とを形成する工程と、前記基板の前記上面に、前記集積回路を封止する樹脂層を形成する工程と、前記基板の前記上面に、前記樹脂層を封止し、かつ前記接続導体と電気的に接触する第１の導体を形成するとともに、前記基板の下面のうち、前記集積回路と対応する位置に、前記アンテナ導体と前記基板を介して容量結合する第２の導体を形成することにより、アンテナ導体を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１９】
この製造方法において、前記アンテナ導体を形成する工程は、前記基板の前記上面を、前記接続導体と電気的に接触する導体で覆う工程と、前記導体を切断することにより、アンテナパターン形状を有する第１の導体を形成する工程とを有することとしてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、絶縁層及びアンテナ導体がＲＦＩＤインレットを高圧から保護するための保護材として機能するので、高圧からの保護材としての衝撃吸収層とオーバーコート層とを別途設ける必要がない。したがって、高圧に強く、かつ小型で安価なＲＦＩＤインレットとなっている。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の好ましい第１の実施の形態によるＲＦＩＤインレットの構成を示す図である。（ａ）は本実施の形態によるＲＦＩＤインレットの上面図であり、（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、Ｂ−Ｂ’線断面図である。
【図２】図１（ａ）のＡ−Ａ’線斜視片側断面図である。
【図３】（ａ）は、図１（ｂ）に示した領域Ｃの拡大図である。（ｂ）は、本発明の好ましい第１の実施の形態の第１のバリエーションによるＲＦＩＤインレットを示す断面図である。
【図４】カレンダ処理の説明図である。
【図５】本発明の好ましい第１の実施の形態によるＲＦＩＤインレットの製造途中における構成を示す上面図であり、（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、（ａ）のＦ−Ｆ’線断面図、Ｇ−Ｇ’線断面図である。
【図６】本発明の好ましい第１の実施の形態によるＲＦＩＤインレットの製造途中における構成を示す上面図であり、（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、（ａ）のＩ−Ｉ’線断面図、Ｊ−Ｊ’線断面図である。
【図７】本発明の好ましい第１の実施の形態の第２のバリエーションによるＲＦＩＤインレットを示す断面図である。
【図８】（ａ）（ｂ）は、本発明の好ましい第１の実施の形態の第３のバリエーションによるＲＦＩＤインレットを示す斜視図である。
【図９】（ａ）は図８（ａ）のＫ線断面図、（ｂ）は図８（ａ）のＬ線断面図である。
【図１０】本発明の好ましい第１の実施の形態の第４のバリエーションによるＲＦＩＤインレットの構成を示す図である。（ａ）は本バリエーションによるＲＦＩＤインレットの上面図であり、（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、（ａ）のＭ−Ｍ’線断面図、Ｎ−Ｎ’線断面図である。
【図１１】本発明の好ましい第２の実施の形態によるＲＦＩＤインレットの構成を示す図である。（ａ）は本実施の形態によるＲＦＩＤインレットの上面図であり、（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、（ａ）のＯ−Ｏ’線断面図、Ｐ−Ｐ’線断面図である。
【図１２】図１０（ｂ）に示した領域Ｑの拡大図である。
【図１３】本発明の好ましい第２の実施の形態によるＲＦＩＤインレットの製造途中における上面図であり、（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、（ａ）のＲ−Ｒ’線断面図、Ｓ−Ｓ’線断面図である。
【図１４】本発明の好ましい第２の実施の形態によるＲＦＩＤインレットの製造途中における上面図であり、（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、（ａ）のＴ−Ｔ’線断面図、Ｕ−Ｕ’線断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態によるＲＦＩＤインレットの構成を示す図である。（ａ）は本実施の形態によるＲＦＩＤインレットの上面図であり、（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、（ａ）のα−α’線断面図、β−β’線断面図である。
【図１６】（ａ）は、図１５（ｂ）に示した領域γの拡大図である。（ｂ）は、本発明の好ましい第３の実施の形態のバリエーションによるＲＦＩＤインレットを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００２３】
図１は、本発明の第１の実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０の構成を示す図である。図１（ａ）はＲＦＩＤインレット１０の上面図であり、図１（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、Ｂ−Ｂ’線断面図である。また、図２は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線斜視片側断面図である。また、図３（ａ）は図１（ｂ）に示した領域Ｃの拡大図である。なお、図１（ａ）は断面図ではないが、分かりやすくするために、アンテナ導体３にハッチングを施している。また、ＴＦＴ回路４及び接続導体５の位置を破線で示している。後掲する各図でも同様である。
【００２４】
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＲＦＩＤインレット１０は、基板２、アンテナ導体３、ＴＦＴ回路４、接続導体５、及び樹脂層６を備えている。基板２と樹脂層６とは、絶縁層７を構成する。
【００２５】
ＲＦＩＤインレット１０は紙の中に挿入されて用いられるものであり、抄紙工程で２枚の湿紙の間に挟む形で挿入される。紙とＲＦＩＤインレット１０との接着には、必要に応じて糊が利用される。ＲＦＩＤインレット１０が挿入された紙は、乾燥処理などが施された後、ＲＦＩＤとして出荷されることになる。
【００２６】
抄紙工程で行われる処理のひとつにカレンダ処理がある。図４はカレンダ処理の説明図である。同図に示すように、カレンダ処理では、ＲＦＩＤインレット１０を含む紙ＰをローラーＲに挟む。ローラーＲは、図示したＤ方向に回転することで紙Ｐを図面Ｎ１方向に送るとともに、紙Ｐに図面Ｅ方向（紙送り方向Ｎ１と垂直な方向）の圧力を加える。本実施の形態では、この圧力に耐え得る構造を有するＲＦＩＤインレット１０を提供する。
【００２７】
基板２は、相対的に軟らかい各種のプラスチックフィルム等によって構成される、絶縁性かつ平板状の材料である。基板２のヤング率は、０．１ＧＰａ〜１０ＧＰａとすることが好適である。具体的には、基板２の材料として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ＰＥＴ−Ｇ（テレフタル酸−シクロヘキサンジメタノール−エチレングリコール共重合体）、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ポリスチレン系、ＡＢＳ樹脂、ポリアクリル酸エステル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリウレタン、アクリル系、耐水紙などの単独フィルム若しくはこれらの複合フィルムを用いることができる。基板２の厚みは規格によって決められており、具体的には１μｍ〜１００μｍ程度である。
【００２８】
基板２は、縦幅４５ｍｍと横幅７５ｍｍの矩形の基板を、図１（ａ）に示すアンテナ導体３の平面形状に沿って切り出したものであり、厚さは１０μｍ〜５００μｍ程度、幅は１０μｍ〜５０００μｍ程度である。ただし、基板２の大きさはこれに限られるものではない。
【００２９】
アンテナ導体３は、相対的に硬い導電性物質によって構成される管状（図２を参照。）の物体である。平面的には、巻回数１の平面コイルを構成している。管の延伸方向に垂直な断面の形状は、ここでは矩形である。管の内部には、図３などに示すように基板２や樹脂層６などが配置されている。アンテナ導体３のヤング率は、１０ＧＰａ〜１０００ＧＰａとすることが好適である。具体的には、アンテナ導体３の材料として、アルミニウムや銅を用いることができる。
【００３０】
ＴＦＴ回路４は、基板２の上面２ａにＴＦＴ(Thin Film Transistor)を使って形成した集積回路である。本実施の形態ではＴＦＴ回路を用いているが、本発明は、集積回路として半導体基板を用いて作製されたＩＣチップを用いる場合にも適用できる。ＴＦＴ回路４は、図３などに示すように樹脂層６によって封止されており、アンテナ導体３である管の内部に配置されている。これにより、ＴＦＴ回路４の平面形状は、アンテナ導体３に沿った形状となっている。
【００３１】
アンテナ導体３及びＴＦＴ回路４は所謂パッシブタグを構成する。すなわち、ＴＦＴ回路４は、トランジスタ、ダイオードなどの能動素子と、キャパシタ、抵抗などの受動素子と、これら素子を相互接続する配線とから構成され、これによって整流回路、メモリ、通信回路などが構成される。また、アンテナ導体３とＴＦＴ回路４とは、それぞれの両端で、接続導体５により電気的に接続される。つまり、図１（ａ）に示すように、アンテナ導体３の一方端部３ａは接続導体５を介してＴＦＴ回路４の一方端部４ａと接続され、アンテナ導体３の他方端部３ｂは接続導体５を介してＴＦＴ回路４の他方端部４ｂと接続される。以下、アンテナ導体３及びＴＦＴ回路４によって構成されるパッシブタグの動作について、簡単に説明する。
【００３２】
まず、リーダ（不図示）が、読み出し命令を含むデータによって変調した電波（変調波）を送出し、その後、無変調の電波（無変調波）を所定時間にわたって送出する。ＴＦＴ回路４の整流回路は、アンテナ導体３を介してこれらの電波を受信し、整流して直流化する。通信回路は、この直流を電源として動作するものであり、まず変調波を解釈し、解釈結果に応じてメモリ内からデータを読み出す。そして、読み出したデータによって無変調波の反射波を変調する。リーダはこの反射波を受信することで、ＴＦＴ回路４内のメモリに記憶されているデータを取得する。
【００３３】
樹脂層６は、相対的に軟らかい絶縁性の樹脂素材によって構成される。樹脂層６のヤング率は、０．１ＧＰａ〜１０ＧＰａとすることが好適である。具体的には、樹脂層６の材料として、フェノール樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。樹脂層６の厚みは０．１μｍ〜１００μｍ程度である。
【００３４】
以上説明した構成によれば、基板２及び樹脂層６からなる絶縁層７と、アンテナ導体３とがＲＦＩＤインレット１０を高圧から保護するための保護材として機能する。つまり、カレンダ処理による高圧がＲＦＩＤインレット１０に加わった際、相対的に硬い材料からなるアンテナ導体３が支えとなり、ＲＦＩＤインレット１０が潰れてしまうことを防止する。一方、相対的に軟らかい絶縁層７は衝撃吸収層として機能し、カレンダ処理時の衝撃からＲＦＩＤインレット１０を保護する。したがって、ＲＦＩＤインレット１０は、別途の保護材を設けずとも高圧に強い構造を有しており、また、別途の保護材を設ける場合に比べて小型かつ安価を実現している。
【００３５】
また、本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０は、絶縁層７がＴＦＴ回路４の上下面及び側面を覆い、さらにアンテナ導体３が、絶縁層７の上下面及び側面を覆っていることから、どの方向からの圧力にも耐えられるようになっている。また、アンテナ導体３の断面積を大きく取れることから、比較的高いアンテナ感度が実現されている。
【００３６】
次に、本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０の製造方法について、図５及び図６を参照しながら説明する。なお、図５（ａ）は製造途中におけるＲＦＩＤインレット１０の上面図であり、図５（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、図５（ａ）のＦ−Ｆ’線断面図、Ｇ−Ｇ’線断面図である。また、図６（ａ）も製造途中におけるＲＦＩＤインレット１０の上面図であり、図６（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、図６（ａ）のＩ−Ｉ’線断面図、Ｊ−Ｊ’線断面図である。
【００３７】
本製造方法では、初めに図５（ａ）に示すような矩形の基板２を用意し、その上面２ａに、図５（ａ）〜（ｃ）に示すＴＦＴ回路４を形成する。
【００３８】
次に、基板２をアンテナ導体３の平面形状（図５（ａ）〜（ｃ）に示す破線Ｈ）に沿って切断し、その後、図６（ａ）（ｂ）に示すように、接続導体５を形成する。なお、接続導体５には、棒状の導電性部品を用いることが好適である。また、接続導体５の長さは、基板２のエッジから少しはみ出す程度が好ましい。こうすることで、後の工程においてアンテナ導体３を形成する際、アンテナ導体３と接続導体５とを確実に導通させることが可能になる。
【００３９】
次に、基板上面２ａの全面に樹脂を堆積することにより、図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＴＦＴ回路４を封止する樹脂層６を形成する。そして最後に、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板２及び樹脂層６の表面に接続導体５と電気的に接触する導電性物質を形成することにより、アンテナ導体３を形成する。アンテナ導体３の形成には、導電性物質の塗布又はスパッタを用いることが好適である。
【００４０】
以上のように、本製造方法によれば、本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０を製造することが可能になる。
【００４１】
次に、本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０のバリエーションについて説明する。
【００４２】
図３（ｂ）は、本実施の形態の第１のバリエーションによるＲＦＩＤインレット１０を示す断面図である。同図の断面図は、図３（ａ）の断面に対応する断面を示している。
【００４３】
本バリエーションでは、図３（ｂ）に示すように、図３（ａ）の例と比較してＴＦＴ回路４の幅ｄ１を狭くし、その分、アンテナ導体３の側壁の幅ｄ２を広げている。ＴＦＴ回路４の幅ｄ１を狭くすることができる場合、このようにアンテナ導体３の側壁の幅ｄ２を広げることで、アンテナ導体３の横幅ｗ１は変わらず、より高い強度を得ることが可能になる。
【００４４】
図７は、本実施の形態の第２のバリエーションによるＲＦＩＤインレット１０を示す断面図である。同図の断面図も、図３（ａ）の断面に対応する断面を示している。
【００４５】
本バリエーションでは、図７に示すように、アンテナ導体３を構成する管の、延伸方向（図７では奥行き方向）に垂直な断面の形状を円形としている。こうすることで、断面の形状を矩形にしている図１の例に比べ、高圧に対してより強くなっている。
【００４６】
なお、本バリエーションによるＲＦＩＤインレット１０を製造する場合、上述した製造工程のうち樹脂層を形成する工程において、基板２の上下面を、それぞれ半円形の断面形状を有する樹脂層６ａ，６ｂで樹脂封止することとすればよい。この場合、絶縁層７は、基板２及び樹脂層６ａ，６ｂにより構成される。こうすることで、本バリエーションによるＲＦＩＤインレット１０を製造することが可能になる。
【００４７】
図８（ａ）（ｂ）は、本実施の形態の第３のバリエーションによるＲＦＩＤインレット１０を示す斜視図である。同図には、ＲＦＩＤインレット１０の一部分のみを示している。また、図９（ａ）は図８（ａ）のＫ線断面図、図９（ｂ）は図８（ａ）のＬ線断面図である。
【００４８】
本バリエーションによるＲＦＩＤインレット１０は、図８に示すように、複数の部分ＲＦＩＤインレット１０ｘが一方方向に沿って並べられた構成を有しており、各部分ＲＦＩＤインレット１０ｘはフレキシブルケーブル８，９により接続されている。
【００４９】
各部分ＲＦＩＤインレット１０ｘの基本的な構造は、図９に示すように、図３で示したＲＦＩＤインレット１０と同様である。ただし、各部分ＲＦＩＤインレット１０ｘに含まれる集積回路はＴＦＴ回路４の部分回路４ｘであり、隣接する部分ＲＦＩＤインレット１０ｘ内の部分回路４ｘとフレキシブルケーブル８によって接続されている。
【００５０】
基板２及び樹脂層６からなる絶縁層７は、部分回路４ｘごとに、その上下面及び側面を覆っている。また、アンテナ導体３は部分回路４ｘごとの部分３ｘに分割されており、各部分３ｘにより絶縁層７の上下面及び側面を覆っている。隣接する部分３ｘは、フレキシブルケーブル９によって互いに接続されている。
【００５１】
以上のように、部分ＲＦＩＤインレット１０ｘの接続にフレキシブルケーブル８，９を用いていることから、本バリエーションによるＲＦＩＤインレット１０は、高い柔軟性を有している。図８（ｂ）は、この柔軟性を示す例である。同図に示すように、フレキシブルケーブル８，９の柔軟性により、ＲＦＩＤインレット１０をある程度曲げることが可能になっている。
【００５２】
図１０（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態の第４のバリエーションによるＲＦＩＤインレット１０の構成を示す図である。図１０（ａ）は本バリエーションによるＲＦＩＤインレット１０の上面図であり、図１０（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、図１０（ａ）のＭ−Ｍ’線断面図、Ｎ−Ｎ’線断面図である。
【００５３】
図１０（ａ）に示すように、本バリエーションによるＲＦＩＤインレット１０では、平面コイルであるアンテナ導体３の巻回数が「２」となり、いわゆる平面スパイラル構造となっている。このように、本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０によれば、平面スパイラル構造を有するアンテナ導体３を構成することも可能である。
【００５４】
図１１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０の構成を示す図である。図１０（ａ）は本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０の上面図であり、図１０（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、図１０（ａ）のＯ−Ｏ’線断面図、Ｐ−Ｐ’線断面図である。また、図１２は図１０（ｂ）に示した領域Ｑの拡大図である。
【００５５】
本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０と第１の実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０との違いは、基板２として、アンテナ導体３の平面形状に沿って切り出した基板ではなく、矩形のままの基板を用いている点にある。これに伴い、アンテナ導体３の形状が異なっている。以下、相違点を中心に説明する。
【００５６】
本実施の形態におけるアンテナ導体３は、樹脂層６の上面及び側面を覆う第１の導体３ｓと、基板２の下面を覆う第２の導体３ｔとによって構成される。第２の導体３ｔはＴＦＴ回路４と対応する位置（ＴＦＴ回路４の真下の位置）に形成されており、図１２に示すように、基板２を介して第１の導体３ｓと容量結合している。
【００５７】
このような構成を採用したことにより、本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０は、第１の実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０と同様に、基板２及び樹脂層６からなる絶縁層７と、アンテナ導体３とがＲＦＩＤインレット１０を高圧から保護するための保護材として機能する。加えて、第１の実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０に比べ、容易に作製可能となっている。
【００５８】
以下、本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０の製造方法について、図１３及び図１４を参照しながら説明する。なお、図１３（ａ）は製造途中におけるＲＦＩＤインレット１０の上面図であり、図１３（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、図１３（ａ）のＲ−Ｒ’線断面図、Ｓ−Ｓ’線断面図である。また、図１４（ａ）も製造途中におけるＲＦＩＤインレット１０の上面図であり、図１４（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、図１４（ａ）のＴ−Ｔ’線断面図、Ｕ−Ｕ’線断面図である。
【００５９】
初めに矩形の基板２を用意し、その上面２ａに、図１３（ａ）〜（ｃ）に示すＴＦＴ回路４を形成するところまでは、第１の実施の形態と同様である。ただし、本実施の形態では、この段階で接続導体５も形成する。
【００６０】
次に、基板上面２ａの全面に樹脂を堆積し、エッチングすることにより、図１４（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＴＦＴ回路４を封止する樹脂層６を形成する。そして最後に、図１１（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板上面２ａに、樹脂層６を封止し、かつ接続導体５と電気的に接触する第１の導体３ｓを形成するとともに、基板下面２ｂのうちＴＦＴ回路４と対応する位置に、基板２を介して第１の導体３ｓと容量結合する第２の導体３ｔを形成する。第１及び第２の導体３ｓ，３ｔの形成には、導電性物質の塗布又はスパッタを用いることが好適である。
【００６１】
以上のように、本製造方法によれば、本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０を製造することが可能になる。また、この製造方法では基板２の切断工程を含まないので、第１の実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０に比べ、容易に作製可能となっている。
【００６２】
図１５（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０の構成を示す図である。図１５（ａ）は本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０の上面図であり、図１５（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、図１５（ａ）のα−α’線断面図、β−β’線断面図である。また、図１６（ａ）は図１５（ｂ）に示した領域γの拡大図である。
【００６３】
本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０と第２の実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０との違いは、基板２の上面２ａ側に位置するアンテナ導体３が、上面導体３ｋと側壁導体３ｍに分かれている点にある。以下、相違点を中心に説明する。
【００６４】
本実施の形態におけるアンテナ導体３は、樹脂層６の上面を覆う上面導体３ｋと、樹脂層６の側面を覆う側壁導体３ｍと、基板２の下面２ｂに形成された下面導体３ｎとから構成されている。図１６（ａ）に示すように、上面導体３ｋと側壁導体３ｍとは空間を介して互いに容量結合しており、側壁導体３ｍと下面導体３ｎとは基板２を介して互いに容量結合している。この容量結合により、上面導体３ｋ、側壁導体３ｍ、及び下面導体３ｎはアンテナ導体３を構成している。
【００６５】
また、図１６（ａ）に示すように、側壁導体３ｍの上面３ｍａは、上面導体３ｋの上面３ｋａに比べて基板上面２ａから遠い位置にある。
【００６６】
以上の構成により、本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０は、第１及び第２の実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０と同様に、基板２及び樹脂層６からなる絶縁層７と、アンテナ導体３とがＲＦＩＤインレット１０を高圧から保護するための保護材として機能する。特に、側壁導体３ｍが支え材となって上面導体３ｋの上面３ｋａに圧力が加わりにくくなっているので、より確実に、ＲＦＩＤインレット１０を高圧から保護できる。
【００６７】
図１６（ｂ）は、本実施の形態のバリエーションによるＲＦＩＤインレット１０を示す断面図である。同図の断面図は、図１６（ａ）の断面に対応する断面を示している。
【００６８】
図１６（ｂ）に示すように、基板下面２ｂにも側壁導体３ｍを設けてもよい。この場合、基板下面２ｂの側壁導体３ｍは、基板上面２ａの側壁導体３ｍと平面的に見て同じ位置に形成することが好ましい。こうすることで、側壁導体３ｍの支え材としての機能がより確実に果たされるようになる。なお、基板上面２ａの側壁導体３ｍと基板下面２ｂの側壁導体３ｍの間の基板２に貫通孔を設け、基板上面２ａの側壁導体３ｍと基板下面２ｂの側壁導体３ｍとを一体化してもよい。
【００６９】
なお、本実施の形態では、上面導体３ｋ、側壁導体３ｍ、下面導体３ｎを互いに容量結合させ、全体としてアンテナ導体３を構成するようにしたが、これらの導体のうちの一部のみをアンテナ導体３として機能させることとしてもよい。この場合、接続導体５は、アンテナ導体３として機能させる導体に接続させる必要がある。アンテナ導体３として機能させない導体は、ＴＦＴ回路４を静電気から防護する静電気シールドとしても機能することになる。
【００７０】
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何等限定されるものではなく、本発明が、その要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施され得ることは勿論である。
【符号の説明】
【００７１】
２      基板
２ａ    基板上面
２ｂ    基板下面
３      アンテナ導体
３ｋ    上面導体
３ｍ    側壁導体
３ｎ    下面導体
３ｓ    第１の導体
３ｔ    第２の導体
３ｕ    導体
３ｘ    部分アンテナ導体
４      アンテナパターン
４，４ｅ  ＴＦＴ回路
４ｘ    部分回路
５      接続導体
６，６ａ，６ｂ  樹脂層
７      絶縁層
８，９  フレキシブルケーブル
１０    ＲＦＩＤインレット
１０ｘ  部分ＲＦＩＤインレット
１１    スルーホール導体
【図１】
2011096106.tif 000003
【図２】
2011096106.tif 000004
【図３】
2011096106.tif 000005
【図４】
2011096106.tif 000006
【図５】
2011096106.tif 000007
【図６】
2011096106.tif 000008
【図７】
2011096106.tif 000009
【図８】
2011096106.tif 000010
【図９】
2011096106.tif 000011
【図１０】
2011096106.tif 000012
【図１１】
2011096106.tif 000013
【図１２】
2011096106.tif 000014
【図１３】
2011096106.tif 000015
【図１４】
2011096106.tif 000016
【図１５】
2011096106.tif 000017
【図１６】
2011096106.tif 000018