(57)【要約】【課題】  特に、配線部を所定の配線パターンで安定して形成することが可能な入力装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  基材表面の全体に透明導電層３２を形成し、前記透明導電層３２の上に所定の配線パターンからなる金属層３３を形成する工程、金属層３３の側面から上面にかけてレジスト層３６ａで覆うとともに、センサ部にセンサパターンからなるレジスト層３６ｂを形成する工程（図２（ｄ））、レジスト層３６で覆われていない透明導電層３２を除去する工程、レジスト層３６を除去する工程、を有する。本実施形態では、図２（ｅ）工程で、金属層３３は透明導電層３２に対するエッチングの影響を受けることがない。よって透明導電層と金属層３３との積層構造からなる配線部を所定の配線パターンで安定して形成することができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ部と前記センサ部の側部に位置し前記センサ部と電気的に接続された配線部とを有し、前記センサ部は、基材表面に所定のセンサパターンからなる第１の透明導電層が形成されて成り、前記配線部は前記第１の透明導電層と一体となって所定の配線パターンに引き出された第２の透明導電層と、前記第２の透明導電層上に重ねて前記配線パターンで形成された金属層とを備えて形成される入力装置の製造方法において、
（ａ）  基材表面の全体に透明導電層を形成し、前記透明導電層の上に所定の配線パターンからなる金属層を形成する工程、
（ｂ）  前記金属層の側面から上面にかけてマスク層で覆うとともに、前記センサ部にセンサパターンからなるマスク層を形成する工程、
（ｃ）  前記マスク層で覆われていない前記透明導電層を除去し、このとき、前記センサ部に前記センサパターンからなる第１の透明導電層を形成するとともに、前記配線部に、前記金属層の下側に前記第１の透明導電層と一体となり配線パターンで引き出された第２の透明導電層を形成する工程、
（ｄ）  前記マスク層を除去する工程、
を有することを特徴とする入力装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ａ）工程では、前記透明導電層上の全面に金属層を形成し、前記金属層の上面に配線パターンから成る第２のマスク層を形成し、前記第２のマスク層に覆われていない前記金属層を除去して、所定の配線パターンからなる前記金属層を残す請求項１記載の入力装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ｂ）工程では、前記センサ部の前記透明導電層の上面にセンサパターンのマスク層を形成する請求項１又は２に記載の入力装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力座標位置を検出可能な入力装置の製造方法に係り、特に配線部の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献にはタッチセンサに関する発明が開示されている。タッチセンサのセンサ部には、ＩＴＯ等で形成された多数のセンサパターンが配置されている。そしてセンサ部の側部の非センサ部に各センサパターンに電気的に接続される配線部が所定の配線パターンで引き回されている。
【０００３】
従来では、配線パターンを印刷等で形成していたが、非センサ部の領域（額縁とも言われる）が非常に狭くなってきており、また静電容量式のタッチパネルであるとセンサ部に多数のセンサパターン（電極パターン）が存在するため、非センサ部に引き回す配線パターンの数も多くなる。その結果、各配線パターン間のピッチを小さくすることが必要とされる。
【０００４】
そのため、薄膜技術及びフォトリソグラフィ技術を用いて配線パターンを微細化する必要があった。
【０００５】
例えば特許文献１に示す発明には、基材上に透明導電層と金属層とを重ねて形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、透明導電層と金属層との積層構造からなる所定パターンを形成している。
【０００６】
図４（ａ）〜（ｅ）は、従来における入力装置（タッチセンサ）の製造方法の問題点を説明するための工程図である。（ａ）〜（ｅ）の各左図は、製造工程における平面図を示し、（ａ）〜（ｅ）の各右図は、（ａ）の左図に示すＡ−Ａ線から切断した部分縦断面図を示している。
【０００７】
図４（ａ）の工程では、基材１上の全面に透明導電層２を形成する。更に透明導電層２上の全面に金属層３を形成する。そして図４（ａ）の工程では、金属層３の上面に、センサパターン４ｂ及び配線パターン４ａを有するレジスト層４を形成する。
【０００８】
次に図４（ｂ）の工程では、前記レジスト層４に覆われていない金属層３をエッチングにより除去する。これにより金属層３は、配線パターン及びセンサパターンで残される。
【０００９】
次に図４（ｃ）の工程では、前記レジスト層４をそのまま用い、前記レジスト層４に覆われていない透明導電層２をエッチングにより除去する。これにより、透明導電層２は、配線パターン及びセンサパターンで残される。
【００１０】
次に図４（ｄ）の工程では、センサパターン４ｂのレジスト層を多重露光・現像により除去する。これにより、センサパターンの金属層３が露出する。次に図４（ｄ）の工程では、センサパターンの金属層３をエッチングで除去する（図４（ｄ）の点線部）。
【００１１】
そして図４（ｅ）の工程では、残りのレジスト層４を除去する。
これにより、配線部５では、透明導電層２の上に金属層３を重ねた複数の配線パターンを形成することができる。
【００１２】
しかしながら図４の製造工程では、配線部５に配線パターンで形成される金属層３が複数回のエッチング工程に晒される。すなわち図４（ｂ）の金属層３を配線パターンに形成する工程の後、図４（ｃ）の不要な透明導電層２を除去するエッチング工程、図４（ｄ）のセンサパターンの金属層３を除去するエッチング工程に晒される。図４（ｃ）の工程では、透明導電層２のエッチング（ウエットエッチング）に使用されるエッチング液が開放されている金属層３の側面に対して影響を与える。また図４（ｄ）の工程では、センサパターンの金属層３が除去されるとともに配線パターンの金属層３も側面からエッチングされてしまう。この結果、図４（ｅ）に示すように配線パターンとして最終的に残る金属層３が非常に細い形状になり安定して所定幅の配線パターンを形成できない問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開昭６３−１１３５８５号公報
【特許文献２】特開昭６０−１８１８２２号公報
【特許文献３】特開２００８−６５７４８号公報
【特許文献４】特開２００８−１２９７０８号公報
【特許文献５】特開平１０−２１４１４５号公報
【特許文献６】特開２００８−７７３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、配線部を所定の配線パターンで安定して形成することが可能な入力装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、センサ部と前記センサ部の側部に位置し前記センサ部と電気的に接続された配線部とを有し、前記センサ部は、基材表面に所定のセンサパターンからなる第１の透明導電層が形成されて成り、前記配線部は前記第１の透明導電層と一体となって所定の配線パターンに引き出された第２の透明導電層と、前記第２の透明導電層上に重ねて前記配線パターンで形成された金属層とを備えて形成される入力装置の製造方法において、
（ａ）  基材表面の全体に透明導電層を形成し、前記透明導電層の上に所定の配線パターンからなる金属層を形成する工程、
（ｂ）  前記金属層の側面から上面にかけてマスク層で覆うとともに、前記センサ部にセンサパターンからなるマスク層を形成する工程、
（ｃ）  前記マスク層で覆われていない前記透明導電層を除去し、このとき、前記センサ部に前記センサパターンからなる第１の透明導電層を形成するとともに、前記配線部に、前記金属層の下側に前記第１の透明導電層と一体となり配線パターンで引き出された第２の透明導電層を形成する工程、
（ｄ）  前記マスク層を除去する工程、
を有することを特徴とするものである。
【００１６】
本発明では（ａ）工程で配線パターンからなる金属層を形成した後、（ｂ）工程で金属層の側面から上面にかけてマスク層で覆う。その後、（ｃ）工程で、マスク層に覆われていない透明導電層を除去するが、このとき、金属層は上面のみならず側面もマスク層で保護されているので、透明導電層に対するエッチング工程の影響を受けることがない。よって本発明では、配線パターンの金属層を安定して所定幅で形成することができる。また本発明では、エッチング工程を従来よりも減らすことができる。よって製造工程を容易化でき更に製造コストの低減を図ることが可能である。
【００１７】
本発明では、前記（ａ）工程では、前記透明導電層上の全面に金属層を形成し、前記金属層の上面に配線パターンから成る第２のマスク層を形成し、前記第２のマスク層に覆われていない前記金属層を除去して、所定の配線パターンからなる前記金属層を残すことが好ましい。これにより安定して、所定の配線パターンからなる金属層を形成することができる。
【００１８】
また本発明では、前記（ｂ）工程では、前記センサ部の前記透明導電層の上面にセンサパターンのマスク層を形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の入力装置の製造方法によれば、配線部を所定の配線パターンで安定して形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態の入力装置の分解斜視図、
【図２】本実施形態の入力装置の製造方法を示す工程図（（ａ）〜（ｅ）の左図は製造工程の平面図、（ａ）〜（ｅ）の右図は（ａ）のＢ−Ｂ線から切断した部分縦断面図）、
【図３】図２（ｄ）の右図の一部を拡大した部分拡大縦断面図、
【図４】従来の入力装置の製造方法を示す工程図（（ａ）〜（ｅ）の左図は製造工程の平面図、（ａ）〜（ｅ）の右図は（ａ）のＡ−Ａ線から切断した部分縦断面図）、
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は本実施形態の入力装置１０の分解斜視図である。図１に示すように入力装置１０は、天板２０、上部基板２１、下部基板２２、及びフレキシブルプリント基板２３等を有して構成される。
【００２２】
天板２０は、プレスチックやガラス基材で形成される。天板２０の下面２０ｂには、加飾層２４が設けられ、図１に示すように、透光性のセンサ部１１とセンサ部１１の周囲を囲む着色された非透光性の非センサ部１２とに区分けされている。非センサ部１２にはセンサ部１１と電気的に接続される配線部が設けられている。
【００２３】
本実施形態における入力装置１０は、センサ部１１を指で操作したときにセンサ部内部に配置された上部センサパターンと下部センサパターンの間の静電容量が指の接近・操作によって生じる容量変化に基づいて、指の操作座標位置を検出する静電容量式タッチパネルを構成する。
【００２４】
図１に示すように、上部基板２１のセンサ部１１には、複数本の上部センサパターン１３が設けられ、下部基板２２のセンサ部１１には、複数本の下部センサパターン１４が配置されている（図１では、上部センサパターン１３及び下部センサパターン１４の一部のみ図示した）。
【００２５】
各センサパターン１３，１４はいずれも基材表面にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電層をスパッタや蒸着により成膜してなる。
【００２６】
各上部センサパターン１３と各下部センサパターン１４は直交している。
図１に示すように上部センサパターン１３はＸ−Ｙ平面の例えばＹ１−Ｙ２方向に沿って連続して延出し、且つ複数の各上部センサパターン１３がＸ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配置される。
【００２７】
また図１に示すように各下部センサパターン１４はＸ−Ｙ平面の例えばＸ１−Ｘ２方向に沿って連続して延出し、且つ複数の各下部センサパターン１４がＹ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配置される。
【００２８】
各上部センサパターン１３のＹ２側端部には、上部配線パターン（図示しない）が電気的に接続され、更に、各上部配線パターンの先端は上部接続部１５を構成している。各上部配線パターン及び各上部接続部１５はいずれも非センサ部１２に設けられる。
【００２９】
また、各下部センサパターン１４のＸ１側あるいはＸ２側の端部には下部配線パターン１６が電気的に接続されている。例えば、一つ置きに配置された各下部センサパターン１４のＸ２側端部に下部配線パターン１６が接続され、残りの各下部センサパターン１４のＸ１側端部に下部配線パターン１６が接続されている。
【００３０】
各下部配線パターン１６は非センサ部１２のＸ１側領域及びＸ２側領域から引き回され、各下部配線パターン１６の先端は非センサ部１２のＹ２側領域で下部接続部１７を構成している。
【００３１】
天板２０、上部基板２１及び下部基板２２は、間に透明粘着層を介して接合されている。
【００３２】
図２に本実施形態の入力装置、特に配線部の形成方法について説明する。図２（ａ）〜（ｆ）の各左図は、下部基板２２の平面図（模式図）を示し、（ａ）〜（ｆ）の各右図は、（ａ）に示すＢ−Ｂ線から切断した部分縦断面図を示す。
【００３３】
図２（ａ）の工程では、ガラスや樹脂からなる透明基材３１の表面全体に透明導電層３２をスパッタ法や蒸着法で成膜している。ここで、「透明」とは可視光線透過率が９０％以上の状態を指す。更にヘイズ値が３以下であることが好適である。
【００３４】
透明導電層３２には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＳｎＯ2，ＺｎＯ等の無機透明導電材料を、スパッタや蒸着等で成膜したもの、又は、これらの無機透明導電材料の微粉末を固着したものでもよい。あるいは、有機透明導電材料として、カーボンナノチューブやポリチオフィン、ポリピロール等の有機導電性ポリマーをコーティングしたものでもよい。ただし、透明導電層３２には、ＩＴＯを用いることが好適である。
【００３５】
次に、透明導電層３２上の全面に金属層３３をスパッタ法や蒸着法で成膜する。金属層３３は透明でなくてよく、透明導電層３２よりも導電性に優れた（抵抗値が低い）材質を選択する。金属層３３には、ＡｇＰｄＣｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、ＭｏＮｂ／Ａｌ、ＭｏＮｂ／ＡｇＰｄＣｕ等の良導体で形成することができる。金属層３３は単層であっても積層体であってもよい。
【００３６】
図２（ａ）に示すように、金属層３３の上面に配線部３４を構成する複数の配線パターンからなるレジスト層（第２のマスク層）３５を形成する。なお図１では、配線パターンを一つ置きの各センサパターン１４に対して同方向から引き出しているが、図２では、図に示す全ての配線パターンを同方向に引き出すこととした。
【００３７】
次に図２（ｂ）の工程では、レジスト層３５に覆われていない金属層３３をエッチングにて除去する。これにより、レジスト層３５の下側にのみ配線パターンの金属層３３が残される。金属層３３は若干、サイドエッチングを受けて、各金属層３３の幅寸法は各レジスト層３５の幅寸法よりも小さくなる。図２（ｂ）に示すエッチング工程にはウエットエッチングを選択できる。
【００３８】
次に図２（ｃ）に示す工程では、レジスト層３５を除去する。
次に図２（ｄ）に示す工程では、図２（ｄ）及び図３（図２（ｄ）の一部を拡大した部分拡大縦断面図）に示すように配線パターンからなる金属層３３の側面３３ａから上面３３ｂにかけてレジスト層（第１のマスク層）３６ａで覆う。また前記レジスト層３６ａに連続して、透明導電層３２の上面にセンサパターンからなるレジスト層３６ｂを形成する。
【００３９】
図２（ｄ）に示す工程では、まず金属層３３上から透明導電層３２上の全体にレジスト層３６を形成し、露光現像により、レジスト層３６を金属層３３の側面３３ａから上面３３ｂにかけて覆う部分３６ａとセンサパターンからなる部分３６ｂとにパターン形成する。
【００４０】
次に図２（ｅ）に示す工程では、レジスト層３６に覆われていない透明導電層３２をエッチングして除去する。図３に示すように点線に示す透明導電層３２ａを除去することができる。これにより、センサパターンから成る第１の透明導電層３２ｂを形成することができるとともに、配線部３４に、金属層３３の下に前記第１の透明導電層３２ｂと一体となり配線パターンで引き出された第２の透明導電層３２ｃを形成することができる（図２（ｅ））。透明導電層３２に対するエッチングにはウエットエッチングを用いることが出来る。
そして図２（ｆ）の工程では、レジスト層３６を除去する。
【００４１】
以上により本実施形態の入力装置の製造方法により、第１の透明導電層３２ｂにより複数のセンサパターン１４（図２（ｆ）参照）を形成でき、更に、第１の透明導電層３２ｂと一体となって所定の配線パターンに引き出された第２の透明導電層３２ｃと、前記第２の透明導電層３２ｃ上に重ねて前記配線パターンで形成された金属層３３とで構成される配線部３４（図２（ｆ）参照）を形成することができる。
【００４２】
本実施形態における入力装置の製造方法では、配線パターンからなる金属層３３を形成した後（図２（ｂ）工程）、金属層３３の側面３３ａから上面３３ｂにかけてレジスト層３６ａで覆う（図２（ｄ）工程、図３参照）。その後、図２（ｅ）の工程では、レジスト層３６に覆われていない透明導電層３２を除去するが、このとき金属層３３は上面３３ｂのみならず側面３３ａもレジスト層３６ａにより保護されているため、透明導電層３２に対するエッチングの影響を受けることがない（図３参照）。
【００４３】
特に不要な透明導電層３２をウエットエッチングにて除去するときに使用されるエッチング液が、金属層３３をもエッチング可能な場合でも、不要な透明導電層３２をウエットエッチングにて除去するエッチング液の影響を配線パターンで形成された金属層３３が受けない。このため、配線パターンの金属層３３を所定幅にて安定して形成することが可能になる。また、図２に示す製造方法を用いることで、エッチング工程を図４に示した従来の製造方法よりも減らすことができる。具体的には図４に示す従来の入力装置の製造方法では、図４（ｂ）の金属層３に対するエッチング工程、図４（ｃ）の透明導電層２に対するエッチング工程、図４（ｄ）の金属層３に対するエッチング工程の計３回に対し、本実施形態の入力装置の製造方法では、図２（ｂ）工程における金属層３３のエッチング工程、図２（ｅ）における透明導電層３２のエッチング工程の計２回で済む。よって本実施形態では従来に比べてエッチング槽を減らすことができる。したがって、本実施形態では従来に比べて、製造工程を容易化でき更に製造コストの低減を図ることが可能になる。
【００４４】
本実施形態では、配線部３４に形成された各配線パターンを、配線パターンを印刷形成していた従来に比べて十分に小さく且つ安定して形成でき、例えば、本実施形態では各配線パターンのピッチを１００μｍ以下あるいは５０μｍ以下に安定して形成することが可能である。
【００４５】
図２（ａ）（ｂ）に代えて、配線パターン形状の空間を備えるレジスト層を透明導電層３２上に形成し、前記空間内に金属層３３をスパッタ等して、配線パターンの金属層３３を形成する方法もある。ただし、図２（ａ）（ｂ）に示すように、金属層３３上に配線パターンのレジスト層３５を形成し、レジスト層３５に覆われていない金属層３３を除去することで、配線パターンの金属層３３を残すほうが、安定して狭ピッチの配線パターンを形成しやすい。
【００４６】
また、上部基板２１及び下部基板２２の双方に対して、図２に示す製造方法を適用することが好ましいが条件によっては一方の基板側にのみ適用することも可能である。
【００４７】
また本実施形態における入力装置は静電容量式であったが抵抗式等、他の入力装置に対しても適用可能である。例えば抵抗式の入力装置の場合、マルチタッチ入力が可能な入力装置であると、配線部に形成される配線パターンが複数本あり、非センサ部（額縁部）が狭い形態では、本実施形態の配線部の製造方法を好ましく適用できる。
【符号の説明】
【００４８】
１０  入力装置
１１  センサ部
１２  非センサ部
１４  下部センサパターン
１５  上部接続部
１６  下部配線パターン
１７  下部接続部
２０  天板
２１  上部基板
２２  下部基板
２３  フレキシブルプリント基板
２４  加飾層
３１  透明基材
３２  透明導電層
３２ｂ  第１の透明導電層
３２ｃ  第２の透明導電層
３３  金属層
３３ａ  金属層の側面
３３ｂ  金属層の上面
３４  配線部
３５、３６、３６ａ、３６ｂ  レジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
2011186977.tif 000005
【図４】
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