(57)【要約】      （修正有）【課題】ＷＬＰのヒートスプレッダによる放熱効率を高める。【解決手段】半導体装置１が、集積回路を主面１１ａ側に有した半導体基板１１と、パッシベーション膜１３上の被覆した絶縁膜１４上に形成された配線２３、及び電極２５と、電極２５以外を覆う遮光性の封止層２６と、半導体基板１１の裏面１１ｂに設けられたヒートスプレッダ３０と、を備える。ヒートスプレッダ３０の縁寄り部分３３が半導体基板１１の裏面１１ｂの縁からはみ出ている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に集積回路を有した半導体基板と、
前記半導体基板の他方の面に設けられたヒートスプレッダと、
を備え、
前記ヒートスプレッダの縁寄り部分が前記半導体基板の他方の面の縁からはみ出ていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ヒートスプレッダの表面は凸凹になっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ヒートスプレッダは、銅、アルミニウム等の金属からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
複数のチップ領域に区画されており、前記チップ領域毎に集積回路を一方の面に有した半導体ウエハの他方の面にヒートスプレッダを設け、
前記チップ領域の境界線に沿って前記半導体ウエハの一方の面から他方の面迄又は前記ヒートスプレッダの途中迄切り込んで、前記境界線に沿った溝を形成し、
前記溝よりも幅の狭い切り込み幅で前記溝に沿って前記ヒートスプレッダを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ヒートスプレッダを前記半導体ウエハの他方の面に設ける前に、前記半導体ウエハの一方の面に封止層を形成することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ヒートスプレッダの表面を凸凹に形成することを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ヒートスプレッダは、銅、アルミニウム等の金属により形成されていることを特徴とする請求項４から６の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
一方の面に集積回路を有した半導体基板の他方の面に、前記半導体基板の縁からはみ出した縁寄り部分を有するヒートスプレッダを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記ヒートスプレッダよりも大きな放熱部材を、複数のチップ領域に区画されており、前記チップ領域毎に集積回路を一方の面に有した半導体ウエハの他方の面に設け、
前記チップ領域の境界線に沿って前記半導体ウエハの一方の面から他方の面迄又は前記放熱部材の途中迄切り込んで、前記半導体ウエハを複数の前記半導体基板に分割するとともに前記境界線に沿った溝を形成し、
前記溝よりも幅の狭い切り込み幅で前記溝に沿って前記放熱部材を切断して、前記放熱部材を前記ヒートスプレッダに分割することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップのパッケージ方法として、いわゆるＷＬＰ（Wafer Level Package）法がある。ＷＬＰ法は、半導体ウエハの集積回路が形成された主面に配線の形成と封止樹脂層の成膜を行った後に、その半導体ウエハを封止樹脂層とともにダイシングして、チップサイズに個片化する方法である（例えば、特許文献１）。
【０００３】
チップ内部の集積回路から発した熱を放散すべく、金属膜等のヒートスプレッダが半導体チップの裏面に設けられている（例えば、特許文献１参照）。ＷＬＰ法では、半導体ウエハの主面を封止した後に、半導体ウエハの裏面に金属膜を蒸着法等によって成膜し、その後、封止樹脂層、半導体ウエハ及び金属膜をダイシングする（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１５８９２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ヒートスプレッダによる放熱効率をより高めることが望まれている。そこで、本発明が解決しようとする課題は、ヒートスプレッダによる放熱効率を高めることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、一方の面に集積回路を有した半導体基板と、前記半導体基板の他方の面に設けられたヒートスプレッダと、を備え、前記ヒートスプレッダの縁寄り部分が前記半導体基板の他方の面の縁からはみ出ていることとした。
【０００７】
好ましくは、前記ヒートスプレッダの表面は凸凹になっている。
好ましくは、前記ヒートスプレッダは、銅、アルミニウム等の金属からなる。
【０００８】
以上の課題を解決するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数のチップ領域に区画されており、前記チップ領域毎に集積回路を一方の面に有した半導体ウエハの他方の面にヒートスプレッダを設け、前記チップ領域の境界線に沿って前記半導体ウエハの一方の面から他方の面迄又は前記ヒートスプレッダの途中迄切り込んで、前記境界線に沿った溝を形成し、前記溝よりも幅の狭い切り込み幅で前記溝に沿って前記ヒートスプレッダを切断することとした。
【０００９】
好ましくは、前記ヒートスプレッダを前記半導体ウエハの他方の面に設ける前に、前記半導体ウエハの一方の面に封止層を形成する。
好ましくは、前記ヒートスプレッダの表面を凸凹に形成する。
好ましくは、前記ヒートスプレッダは、銅、アルミニウム等の金属により形成されている。
【００１０】
以上の課題を解決するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、一方の面に集積回路を有した半導体基板の他方の面に、前記半導体基板の縁からはみ出した縁寄り部分を有するヒートスプレッダを形成する。
【００１１】
好ましくは、前記ヒートスプレッダよりも大きな放熱部材を、複数のチップ領域に区画されており、前記チップ領域毎に集積回路を一方の面に有した半導体ウエハの他方の面に設け、前記チップ領域の境界線に沿って前記半導体ウエハの一方の面から他方の面迄又は前記放熱部材の途中迄切り込んで、前記半導体ウエハを複数の前記半導体基板に分割するとともに前記境界線に沿った溝を形成し、前記溝よりも幅の狭い切り込み幅で前記溝に沿って前記放熱部材を切断して、前記放熱部材を前記ヒートスプレッダに分割する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ヒートスプレッダの縁寄り部分が半導体基板の裏面の縁からはみ出ているから、ヒートスプレッダの面積が半導体基板の裏面の面積よりも大きくなる。そのため、ヒートスプレッダによる放熱効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態における半導体装置の斜視図。
【図２】同実施形態における半導体装置の断面図。
【図３】同実施形態における半導体装置を製造する方法の一工程における斜視図及び断面図。
【図４】図３に続く工程における斜視図及び断面図。
【図５】図４に続く工程における斜視図及び断面図。
【図６】図５に続く工程における斜視図及び断面図。
【図７】図６に続く工程における斜視図及び断面図。
【図８】図７に続く工程における斜視図及び断面図。
【図９】図８に続く工程における斜視図及び断面図。
【図１０】図９に続く工程における斜視図及び断面図。
【図１１】図１０に続く工程における斜視図及び断面図。
【図１２】図１１に続く工程における斜視図及び断面図。
【図１３】図１２に続く工程における斜視図及び断面図。
【図１４】図６に続く工程における斜視図及び断面図。
【図１５】図１４に続く工程における斜視図及び断面図。
【図１６】図１５に続く工程における斜視図及び断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明を実施するための形態について、図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１５】
〔半導体装置の構成〕
図１は、半導体装置１を示した斜視図である。図２は、この半導体装置１を示した断面図である。この半導体装置１は、チップサイズにパッケージしたもの（いわゆる、ＣＳＰ：Chip Size Package）である。この半導体装置１は半導体基板１１、パッシベーション膜１３、絶縁膜１４、配線下地２１、配線２３、電極２５、封止層２６、半田バンプ２７及びヒートスプレッダ３０等を備える。
【００１６】
半導体基板１１は半導体ウエハを個片化したものである。半導体基板１１がシリコン等の半導体材料等からなる。半導体基板１１の主面１１ａが表側の面であり、その主面１１ａ側の表層には、集積回路が形成されている。半導体基板１１の主面１１ａ上には、複数の接続パッド１５が形成されている。接続パッド１５は、主面１１ａ側の表層に形成された集積回路の配線の一部である。半導体基板１１の主面１１ａが、パッシベーション膜１３によって被覆されている。パッシベーション膜１３は、酸化シリコン又は窒化シリコンからなる。パッシベーション膜１３が、絶縁膜１４によって被覆されている。絶縁膜１４は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の樹脂からなる。例えば、絶縁膜１４には、ポリイミド（ＰＩ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）等の高機能プラスチック材料、エポキシ系、フェノール系、シリコン系等のプラスチック材料、又はこれらの複合材料等を用いることができる。
【００１７】
パッシベーション膜１３のうち接続パッド１５に重なる位置には、開口１３ａが形成されている。絶縁膜１４のうち接続パッド１５に重なる位置には、開口１４ａが形成されている。接続パッド１５が開口１３ａ，１４ａ内に位置しており、接続パッド１５の一部又は全体がパッシベーション膜１３及び絶縁膜１４によって覆われていない。なお、絶縁膜１４が無くてもよい。
【００１８】
絶縁膜１４上（絶縁膜１４が無い場合には、パッシベーション膜１３上）には、導電パターン２０が形成されている。導電パターン２０は配線下地２１と配線（上層導体）２３を有し、配線下地２１が絶縁膜１４上に形成され、配線２３が配線下地２１上に形成されている。
【００１９】
配線下地２１は、シード層をパターニングしたものである。配線下地２１は、銅（Ｃｕ）の薄膜、チタン（Ｔｉ）の薄膜、チタンに銅を積層した薄膜その他の金属薄膜である。配線下地２１は、所定の形状に形成されている。配線下地２１の一部が接続パッド１５上に積層され、配線下地２１が開口１３ａ，１４ａを介して接続パッド１５に接続されている。
【００２０】
配線２３は、銅メッキその他の金属メッキからなる。平面視して、配線２３が所定の形状にパターニングされており、配線２３の平面形状と配線下地２１の平面形状がほぼ同じである。配線２３は、配線下地２１よりも厚い。なお、導電パターン２０が、配線下地２１、配線２３の積層体でなくてもよい。例えば、導電パターン２０は、導体の単層であってもよいし、更に二層よりも多くの導体層を積層したものでもよい。
【００２１】
電極２５が配線２３の一端部上に形成されている。電極２５は、柱状に設けられたポスト電極である。電極２５は、銅その他の金属からなる。電極２５の高さ（厚さ）は、配線２３の厚さよりも大きい。配線２３のうち電極２５の台座となる部分が、ランド２４である。
【００２２】
遮光性の封止層２６が絶縁膜１４上に形成され、配線２３が封止層２６によって覆われている。電極２５の頭頂面は封止層２６によって覆われていないが、電極２５の周側面が封止層２６によって保護されている。封止層２６の表面が、電極２５の頭頂面と面一に設けられているか、又は、電極２５の頭頂面よりも僅かに高い位置にある。
封止層２６は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の絶縁性樹脂からなり、好ましくは、フィラー（例えば、ガラスフィラー）を含有した熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂）からなる。
【００２３】
半田バンプ２７が電極２５の頭頂面に形成されている。半田バンプ２７が電極２５の頭頂面に結合することによって、半田バンプ２７と電極２５が相互に電気的に接続している。なお、半田バンプ２７が無くてもよい。
【００２４】
半導体基板１１の裏面１１ｂは主面１１ａの反対面である。その裏面１１ｂには、ヒートスプレッダ（Heat Spreader）３０が固着している。ヒートスプレッダ３０が、半導体基板１１の裏面１１ｂに直接貼着していてもよいし、熱伝導接着剤によって半導体基板１１の裏面１１ｂに接着していてもよい。ヒートスプレッダ３０は、半導体基板１１の材料（シリコン）よりも放熱性の高い材料からなる。例えば、ヒートスプレッダ３０は、銅、アルミニウム等の金属からなる。ヒートスプレッダ３０は例えば板状、膜状、シート状又は積層体であり、半導体基板１１の集積回路等から発した熱がヒートスプレッダ３０によって放散される。
【００２５】
ヒートスプレッダ３０の表面３０ａ、つまり、ヒートスプレッダ３０の下面が、凸凹に設けられている。これにより、ヒートスプレッダ３０の放熱性能が向上する。
【００２６】
具体的には、ヒートスプレッダ３０の表面３０ａに、格子状の溝３１が形成されていることによって、複数の突起３２がマトリクス状に配列されている。なお、溝３１の形状は格子状である必要はない。例えば溝３１がストライプ状であれば、互いに平行な複数の突条がヒートスプレッダ３０の表面３０ａに形成されている。また、ヒートスプレッダ３０の表面３０ａに溝３１が形成されずに、その表面３０ａが平坦な面であってもよい。
【００２７】
平面視した場合、ヒートスプレッダ３０が半導体基板１１よりも大きく、ヒートスプレッダ３０の縁寄り部分３３が半導体基板１１の裏面１１ｂの縁１１ｃから側方へはみ出ている。これにより、ヒートスプレッダ３０による放熱効率が向上する。そのため、半導体基板１１での発熱量が大きい場合でも、半導体基板１１の放熱が可能である。
【００２８】
また、ヒートスプレッダ３０が半導体基板１１の裏面１１ｂに固着しているから、半導体基板１１を補強することができる。特に、半導体装置１の曲げ強度が向上する。
【００２９】
なお、図１、図２に示された半導体装置１の封止層２６が厚く、電極２５が柱状に設けられているが、封止層２６が薄くてもよい。封止層２６が薄い場合には、電極２５が無く、封止層２６のうちランド２４に重なる部分に開口が形成され、半田バンプ２７がその開口内においてランド２４上に形成され、その半田バンプ２７がその開口から突き出ている。
【００３０】
〔半導体装置の製造方法（第１の方法）〕
半導体装置１の製造方法について図３〜図１３を参照して説明する。図３〜図１３は半導体装置１の製造工程を示すものであり、図３〜図１３の（ａ）は半導体ウエハ５０の斜視図であり、（ｂ）はその半導体ウエハ５０の部分断面図である。
【００３１】
半導体装置１を製造するに際しては、個片化する前の半導体ウエハ５０（図３に図示）を用いる。図３に示すように、半導体ウエハ５０は、分割予定線としての格子状のダイシングストリート（境界線）５２によって複数のチップ領域５１に区画されている。これらチップ領域５１がマトリクス状に配列されている。半導体ウエハ５０の主面５０ａ側の表層には、チップ領域５１ごとに集積回路が形成されている。半導体ウエハ５０の主面５０ａ上には、複数の接続パッド１５が形成されている。半導体ウエハ５０の主面５０ａ上にパッシベーション膜１３が成膜され、パッシベーション膜１３上に絶縁膜１４が成膜されている。パッシベーション膜１３及び絶縁膜１４に開口１３ａ，１４ａが形成され、接続パッド１５が開口１３ａ，１４ａ内で露出している。半導体ウエハ５０の裏面５０ｂでは、半導体（例えば、シリコン）が露出している。なお、絶縁膜１４は、無くてもよい。
【００３２】
図４に示すように、無電解メッキ法若しくは気相成長法（例えば、スパッタ法）又はこれらの組合せによって、絶縁膜１４（絶縁膜１４が無い場合には、パッシベーション膜１３）の上全体にシード層６１を成膜する。シード層６１は、開口１３ａ，１４ａの内壁面や接続パッド１５の上にも成長する。シード層６１は、銅（Ｃｕ）の薄膜、チタン（Ｔｉ）の薄膜、チタンに銅を積層した薄膜その他の金属薄膜である。
【００３３】
次に、図５に示すように、配線２３をパターニングする。具体的には、レジスト等のマスクをシード層６１の上に設置し、シード層６１をそのマスクによって部分的に覆った状態で、シード層６１を電極として電解メッキを行う。マスクには、形成しようとする配線２３の位置・形状に合った開口が形成されており、電解メッキによって配線２３をシード層６１の上であってマスクの開口内に成長させる。配線２３は、シード層６１よりも厚く成長させる。なお、マスクがレジストである場合には、露光・現像によってレジストに開口を形成する。
配線２３の形成後、マスクを除去する。
【００３４】
次に、電極２５を形成する。具体的には、配線２３よりも厚いドライフィルムレジスト等のマスクをシード層６１及び配線２３の上に設置し、シード層６１及び配線２３をマスクで覆った状態で、シード層６１及び配線２３を電極として電解メッキを行う。マスクには、形成しようとする電極２５の位置・形状に合った開口が形成されており、それら開口は、配線２３の端部に設けられたランド２４に重なっている。そのため、電解メッキによって電極２５がランド２４の上であってマスクの開口内に成長する。ここで、電極２５の高さ（厚さ）が配線２３の厚さよりも充分に厚くなるよう、電極２５を成長させる。なお、マスクがドライフィルムレジストである場合には、露光・現像によってドライフィルムレジストに開口を形成する。
電極２５の形成後、マスクを除去する。
【００３５】
マスクの除去後、シード層６１のうち配線２３に重なっていない部分をエッチングにより除去することにより、図６に示すように、シード層６１を配線下地２１に形状加工する。このとき、配線２３及び電極２５の表面が一部エッチングされるが、配線２３及び電極２５がシード層６１と比較して充分に厚いため、配線２３及び電極２５が残留する。なお、導電パターン２０や電極２５を上述以外のサブトラクト法やアディティブ法によって形成してもよい。
【００３６】
次に、絶縁膜１４（絶縁膜１４が無い場合には、パッシベーション膜１３）の上全体に封止層２６を形成する。具体的には、絶縁膜１４（絶縁膜１４が無い場合には、パッシベーション膜１３）の上に封止樹脂を塗布し、その封止樹脂によって配線２３及び電極２５を覆って、その封止樹脂を硬化させる。この状態では、電極２５が封止層２６に埋め込まれているので、封止層２６の表面を研削する。封止層２６の表面の研削によって電極２５の頭頂面が露出し、封止層２６の表面が電極２５の頭頂面と略面一となる。この時、電極２５の頭頂面も研削され、電極２５の頭頂面が平坦になる。なお、プリプレグを絶縁膜１４（絶縁膜１４が無い場合には、パッシベーション膜１３）に貼り付けて、そのプリプレグを硬化させて封止層２６としてもよい。
【００３７】
封止層２６を形成した後、半導体ウエハ５０の裏面５０ｂをグラインダ等によって研削し、電極２５の頭頂面を軽くエッチングする。これらの研削工程・エッチング工程は行わなくてもよい。
そして、図７に示すように、半田バンプ２７を電極２５の頭頂面に形成する。
【００３８】
次に、図８に示すように、シート状の保護材６６を半田バンプ２７の上から覆い被せることによって、半田バンプ２７を保護材６６によって保護する。図８に示すように保護材６６と封止層２６との間の隙間が形成されているが、保護材６６を封止層２６に密着させてもよい。保護材６６は、粘着性・可撓性のあるものであって、紫外線によって粘着性を消失するものであることが好ましい。なお、保護材６６を覆い被せなくてもよい。
【００３９】
次に、図９に示すように、半導体ウエハ５０の裏面５０ｂに放熱部材７０を設ける。具体的には、気相成長法（例えば、スパッタ法、蒸着法）によって半導体ウエハ５０の裏面５０ｂに金属材料を堆積させることによって、放熱部材７０を形成する。又は、予め薄板状又はシート状に形成された放熱部材７０を熱伝導性接着剤によって半導体ウエハ５０の裏面５０ｂに接着する。その他の方法で、放熱部材７０を半導体ウエハ５０の裏面５０ｂに放熱部材７０を設けてもよい。放熱部材７０は、ヒートスプレッダ３０のもととなるものであって、ヒートスプレッダ３０よりも大きなヒートスプレッダである。
【００４０】
次に、図１０に示すように、放熱部材７０の表面７０ａを形状加工することによって、放熱部材７０の表面７０ａを凸凹にする。具体的には、放熱部材７０の表面７０ａにマスク（例えば、フォトレジスト法によるレジスト）を設置し、放熱部材７０をそのマスクによって部分的に覆った状態で、放熱部材７０の表面７０ａをエッチングすることによって溝３１を形成する。又は、サンドブラスト法により放熱部材７０の表面７０ａに溝３１を形成する。又は、放熱部材７０の表面７０ａから放熱部材７０をハーフダイシングすることによって溝３１を形成する。なお、放熱部材７０の表面７０ａを凸凹にしなくてもよい。
【００４１】
次に、保護材６６を剥離する。例えば、保護材６６に紫外線を照射することによって、保護材６６を剥離する。
【００４２】
次に、図１１に示すように、放熱部材７０をダイシングテープ８０に向けて、放熱部材７０をダイシングテープ８０に貼り付け、半導体ウエハ５０の周囲にダイシングフレーム８１を設置する。
【００４３】
次に、放熱部材７０、半導体ウエハ５０及び封止層２６の積層体を複数の半導体装置１に個片化する。
具体的には、まず、図１２に示すように、第一のダイシングブレードによって封止層２６及び半導体ウエハ５０をダイシングストリート５２に沿ってハーフダイシングする。これにより、ダイシングストリート５２に沿った格子状の溝６５を封止層２６及び半導体ウエハ５０に形成する。ハーフダイシングに際しては、封止層２６の表面から放熱部材７０の途中まで切り込むが、放熱部材７０の表面７０ａまでは切り込まない。放熱部材７０に対しての切り込み深さは、半導体ウエハ５０と放熱部材７０の界面から３０μｍであることが好ましい。このようなハーフダイシングによって半導体ウエハ５０が複数の半導体基板１１に分割され、封止層２６が半導体基板１１ごとに分割される。なお、封止層２６の表面から半導体ウエハ５０の裏面５０ｂまで溝６５を切り込み、溝６５の深さを浅くしてもよい。
【００４４】
次に、図１３に示すように、前記第一のダイシングブレードよりも薄く且つ溝６５の幅よりも薄い第二のダイシングブレードによって放熱部材７０をダイシングストリート５２に沿って切断する。切断に際しては、溝６５の底から放熱部材７０の表面７０ａまで切り込むことによって、放熱部材７０を複数のヒートスプレッダ３０に分割する。第二のダイシングブレードが溝６５の幅よりも薄いので、放熱部材７０の切り込み７４の幅が溝６５の幅よりも狭い。そのため、分割されたヒートスプレッダ３０の縁寄り部分３３を半導体基板１１の裏面１１ｂの縁１１ｃからはみ出させることができる。
【００４５】
以上のような製造方法によれば、半導体ウエハ５０、封止層２６及び放熱部材７０をダイシングすることによって、一括して複数の半導体装置１にヒートスプレッダ３０を設けることができるから、生産性が向上する。
【００４６】
〔半導体装置の製造方法（第２の方法）〕
上記第１の方法では、半田バンプ２７を形成した後に、半導体ウエハ５０の裏面５０ｂに放熱部材７０を設けていた。
一方、この第２の方法では、半導体ウエハ５０の裏面５０ｂに放熱部材７０を設けた後に、半田バンプ２７を形成する。以下、第２の方法について具体的に説明する。
【００４７】
封止層２６を形成するまでの工程は、上記第１の方法と同じである（図３〜図６参照）。その後、図１４に示すように、半導体ウエハ５０の裏面５０ｂに放熱部材７０を設ける。次に、図１５に示すように、放熱部材７０の表面７０ａを形状加工することによって、放熱部材７０の表面７０ａを凸凹にする。これらの工程は、第１の方法の場合と同様である。
【００４８】
次に、図１６に示すように、半田バンプ２７を電極２５の頭頂面に形成する。
次に、放熱部材７０、半導体ウエハ５０及び封止層２６の積層体を複数の半導体装置１に個片化する。この工程は、第１の方法の場合と同様である（図１２、図１３参照）。
【符号の説明】
【００４９】
１  半導体装置
１１  半導体基板
１１ａ  主面
１１ｂ  裏面
１１ｃ  縁
２６  封止層
３０  ヒートスプレッダ
３０ａ  表面
３１  溝
３２  突起
３３  縁寄り部分
５０  半導体ウエハ
５０ａ  主面（一方の面）
５０ｂ  裏面（他方の面）
５１  チップ領域
５２  ダイシングストリート
６５  溝
７０  放熱部材
７０ａ  表面
【図１】
2011258733.tif 000003
【図２】
2011258733.tif 000004
【図３】
2011258733.tif 000005
【図４】
2011258733.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2011258733.tif 000009
【図８】
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【図９】
2011258733.tif 000011
【図１０】
2011258733.tif 000012
【図１１】
2011258733.tif 000013
【図１２】
2011258733.tif 000014
【図１３】
2011258733.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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