(57)【要約】【課題】有機ＥＬを用いたパネルの検査に対して、リペア対象となるデバイスに悪影響を与える欠陥箇所を短時間で精度良く選別する。【解決手段】電圧印加時に検出されるパネル１に生じるリーク光２ａ，２ｂは、短時間で強く発光して消滅するものと、長時間で弱く発光して消滅しないものがある。長時間で弱く発光するリーク光２ｂは一定期間後に電気的ショートとなり不良となるため、選別しリペアを必要とする。このリーク光２ａ，２ｂを見分けるため、短時間撮像（時間ＴＳ）と長時間撮像（時間ＴＬ）の各時間の露光により撮像する。短時間撮像では微弱発光強度のリーク光２ｂは検出されずリーク光２ａのみ検出され、長時間撮像ではリーク光２ａ，２ｂが共に検出される。長時間撮像と短時間撮像の取得データから検出するべき長時間に発生するリーク光２ｂのみを得る。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬを用いた表示パネルに対し、電圧を印加することにより生じる発光を検出して行う有機ＥＬ検査方法であって、
前記検出した発光の状態を区別するために撮像手段による前記発光の撮像を複数回行うことを特徴とする有機ＥＬ検査方法。
【請求項２】
前記撮像手段が複数回行う各撮像において、電圧印加時間を短くした発光の状態と電圧印加時間を長くした発光の状態とを、それぞれの電圧印加時間の露光により撮像して、発光の状態を区別することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ検査方法。
【請求項３】
前記撮像手段が複数回行う各撮像において、所定の電圧印加時間による発光の状態を前記電圧印加時間に同期させた露光により撮像し、かつ前記撮像を複数回行って、発光の状態を区別することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ検査方法。
【請求項４】
前記所定の電圧印加時間の露光により撮像した後、前記所定の電圧印加時間より長くした電圧印加時間の露光によって撮像して、発光の状態を区別することを特徴とする請求項３記載の有機ＥＬ検査方法。
【請求項５】
前記撮像手段が複数回行う各撮像において、発光の状態とする電圧印加時間内を順番に、所定時間の露光により撮像して、発光の状態を区別することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ検査方法。
【請求項６】
前記所定時間の露光により撮像した後、前記所定時間より長くした時間の露光によって撮像して、発光の状態を区別することを特徴とする請求項５記載の有機ＥＬ検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬディスプレイ，有機ＥＬ照明，太陽電池など発光デバイスを用いたパネルに対する検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬを用いた表示パネル、あるいは有機ＥＬ照明、太陽電池などのパネルの製造工程における検査、あるいは開発時の解析手法として、リーク光検査手法を用いた解析が行われている。これは、パネルに対し電圧をかけた際に、電気的リーク箇所が発光を起こし、それをＣＣＤカメラ等の撮像手段により検出することによって不良箇所を検出する方法である。
【０００３】
以下に具体的な検出の方法の例について示す。なお、本発明では有機ＥＬディスプレイのパネルを例として説明を行うが、前記有機ＥＬ照明等のデバイスに対しても適応可能である。
【０００４】
図１０は従来の有機ＥＬディスプレイにおけるリーク光検査装置の説明図である。図１０に示すとおり、リーク光検査装置は、高感度カメラ３，ソースメーター４，可動ステージ５，制御部６，入力部７，出力部８から構成されている。図１０を元に、従来のリーク光検査の動作について、図１１のフローチャートを参照しながら説明する。
【０００５】
まず、検査の前に、事前に検査する条件を教示し、入力部７から入力しておく。従来の検査の教示条件例を（表１）に示す。
【０００６】
【表１】
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【０００７】
リーク光２は非常に微弱な発光であるために、従来の外観検査で用いる産業用カメラでは発光像を取得できない。そのため、高感度カメラ３を用い、また取得したリーク光画像からリーク光２の情報を自動で取得するため、リーク光検出強度閾値を設定する。
【０００８】
リーク光２の情報として、例えば、パネル１におけるリーク光ＸＹ座標、リーク光面積、リーク光最大強度などがある。これらの検出要素から最終的にはリペアポイントを選定することが重要であり、特許文献１では強度、リーク光の面積、およびリーク電流値からリペアできる箇所を特定している。次に、有機ＥＬにリーク光２を発生させるためにかける電圧の電圧値設定を行う。
【０００９】
教示が終了すると、まず、可動ステージ５にパネル１を設置して、撮像を行うため高感度カメラ３を移動し（Ｓ１）、ソースメーター４とパネル１の電気的コンタクトをとる。次に制御部６よりソースメーター４を駆動させ、教示値の電圧をパネル１に供給する（Ｓ２）。このとき、ある電圧条件化で電流リーク箇所にリーク光２が発生し、それを高感度カメラ３で観測する（Ｓ３）。どの発光強度のリーク光２を取得するかはあらかじめ教示で設定しておき、高感度カメラ３で画像取得後、制御部６により処理を行い（Ｓ４）出力部８に結果が表示される（Ｓ６）。
【００１０】
パネル１の撮像において、パネル１のサイズが大きく、カメラ視野がパネル全域にない場合、複数視野にまたがり撮像する必要があり（Ｓ５のＹｅｓ）、パネル全域を検査する場合は制御部６から可動ステージ５を動かし、また撮像を繰り返す。これにより欠陥箇所を検出する。
【００１１】
リーク光２を検査した後、そのパネル１は廃棄される場合もあるが、リーク箇所をリペアする場合が多い。図１０に示す撮像系はパネル全面を検査するマクロ光学系であるが、この後、リーク光２の箇所を顕微鏡光学系で観測し、その不良位置をリペアすることによりパネル１を良品化する。リペアの手法としては、例えばレーザーをリーク光２の箇所に照射し、絶縁化することでパネル全体をリペアする方法が考えられる。このようにリーク光検出は、不良の検査のみならず、不良箇所をリペアするためのＸＹ位置座標条件にも用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００９−２６６６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、このような手法によりリーク光を検出し、リペアすることを考えたとき、良品・不良品の２つのモードが存在するパネルのリーク箇所を短時間で精度良く選別することはできないという課題があった。
【００１４】
本発明は、前記の事情を考慮してなされたものであり、表示・エネルギーパネル、とりわけ有機ＥＬを用いたパネルの検査に対して、リペア対象となるデバイスに悪影響を与える欠陥箇所を短時間で精度良く選別できる有機ＥＬ検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載した有機ＥＬ検査方法は、有機ＥＬを用いた表示パネルに対し、電圧を印加することにより生じる発光を検出して行う有機ＥＬ検査方法であって、検出した発光の状態を区別するために撮像手段による発光の撮像を複数回行うことを特徴とする。
【００１６】
また、請求項２に記載した発明は、有機ＥＬ検査方法の撮像手段が複数回行う各撮像において、電圧印加時間を短くした発光の状態と電圧印加時間を長くした発光の状態とを、それぞれの電圧印加時間の露光により撮像して、発光の状態を区別することを特徴とする。
【００１７】
また、請求項３，４に記載した発明は、有機ＥＬ検査方法の撮像手段が複数回行う各撮像において、所定の電圧印加時間による発光の状態を電圧印加時間に同期させた露光により撮像し、かつ撮像を複数回行って、発光の状態を区別すること、さらに、所定の電圧印加時間の露光により撮像した後、所定の電圧印加時間より長くした電圧印加時間の露光によって撮像して、発光の状態を区別することを特徴とする。
【００１８】
また、請求項５，６に記載した発明は、有機ＥＬ検査方法の撮像手段が複数回行う各撮像において、発光の状態とする電圧印加時間内を順番に、所定時間の露光により撮像して、発光の状態を区別すること、さらに、所定時間の露光により撮像した後、所定時間より長くした時間の露光によって撮像して、発光の状態を区別することを特徴とする。
【００１９】
前記検査方法によれば、表示パネルに生じる複数の発光の状態を有するリーク箇所を選別することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、良品・不良品の２つのモードが存在するパネルのリーク箇所を短時間で精度良く選別することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態１におけるリーク光の検出方法の（ａ）はパネル、（ｂ）は撮像画像、（ｃ）は検出画像を示す図
【図２】本実施形態１におけるリーク光の検出される（ａ）はパネル、（ｂ）はリーク光の挙動を示す図
【図３】本実施形態１における短時間の発生リーク光と長時間の発生リーク光を選別する（ａ）はパネル、（ｂ）はリーク光強度Ｉ―電圧印加時間Ｔの関係、（ｃ）は長時間の検出画像、（ｄ）は短時間の検出画像、（ｅ）は検出結果を示す図
【図４】本実施形態１における検査方法の具体的な動作を示すフローチャート
【図５】本発明の実施形態２におけるリーク光強度の時間変位を示す図
【図６】本実施形態２におけるリーク光の検出される（ａ）はパネル、（ｂ）はリーク光の挙動を示す図
【図７】本実施形態２における検査方法の具体的な動作を示すフローチャート
【図８】本発明の実施形態３におけるリーク光の検出される（ａ）はパネル、（ｂ）はリーク光の挙動を示す図
【図９】本実施形態３における発生リーク光を選別する（ａ）はパネル、（ｂ）はリーク光強度Ｉ−電圧印加時間Ｔの関係、（ｃ）は短時間（Ｔｓ１）の検出画像、（ｄ）は短時間（Ｔｓ２）の検出画像、（ｅ）は検出結果を示す図
【図１０】有機ＥＬディスプレイにおけるリーク光検査装置の説明図
【図１１】従来のリーク光検査の動作を示すフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。
【００２３】
（実施形態１）
図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態１におけるパネル不良となるリーク光の検出の方法を示す図である。また、前記従来例を示す図１０において説明した構成部材に対応し同等機能を有するものには同一の符号を付すと共に、リーク光検査装置として図１０を参照しながら説明する。
【００２４】
まず、図１（ａ）に示すパネル１の電極コンタクト部（図１０参照）から電圧をかける。このとき電圧を逆方向（負電圧）にかけるとＥＬ発光を起こさないためリーク光２ａ〜２ｄのみが図１（ｂ）のように撮像できる。正常パネルであれば逆電圧をかけるとパネル１からは発光を起こさないが、電流リーク箇所があると図１（ｂ）ようにパネル１にリーク光２ａ〜２ｄが発生する。
【００２５】
図１（ｂ）はリーク光を高感度カメラで撮像した例であり、２ａ〜２ｄの４つのリーク光が発生している。リーク光を自動検出するに当たり、検出前の教示データ作成時に、リーク光検出閾値を設定しておく。例えば、強度閾値を１０００〜３００００という数値に設定したとする。これは、リーク光強度をデジタル画像輝度に変換した数値である。この強度内のリーク光を画像処理等のソフトウェアにより自動検出し、画像表示、テキスト出力を行う。
【００２６】
図１（ｂ）で、発生したリーク光２ａの強度が２００００、リーク光２ｂで８００、リーク光２ｃで２５０００、リーク光２ｄで４００００であったとき、強度１０００〜３００００の間にあるのはリーク光２ａ，リーク光２ｃなので、検査結果画像表示としては図１（ｃ）に示すようにリーク光２ａ，リーク光２ｃのみが画像表示される。このときテキスト出力としては検出されたリーク光２ａ，リーク光２ｃのパネル１のＸＹ座標，面積，最大輝度値などが図１０の出力部８に表示され、また計測結果がログファイルに記載される。
【００２７】
このリーク光検出には図１０に示すように高感度カメラ３を用いて検出する。これはリーク光２が非常に微弱であり、通常のＥＬ発光の約１／１００００の強度であって、通常のＣＣＤカメラでは観測できない。そこで冷却式，電子増倍式カメラ等の高感度カメラ３を用いてリーク光２を撮像する。また、リーク光２は微弱かつ微細（１〜５０μｍ）であるため、輝度計で毎回観測することは困難であり、そのため事前に輝度計で参照測定したリーク光２の輝度値（ｃｄ／ｍ２）を高感度カメラ３で撮像した強度値に置き換えて表現する。
【００２８】
前述したようなパネル不良となるリーク光の取得方法では、リーク光の選別が取得した撮像画像からの強度閾値のみに依存することになり、リーク光自体の時間変化を考慮した選別ができていない。リーク光は実際には瞬間的に発生・消滅するものと、ある時間以上発生するものとがあり、デバイスに悪影響を及ぼすものは、ある時間以上発生するリーク光であると考えられる。この２つを区別せず検査およびリペアすると、デバイスに悪影響を及ぼさない瞬間的に発生するリーク光も検出しリペアすることになるため、無駄な工程を増やし、またデバイスに過剰な加工を与えることになる。
【００２９】
電圧をかけた際に検出される、実際のパネル内のリーク光の挙動を図２（ａ），（ｂ）に示す。図２（ａ）は１回の撮像により撮像されたリーク光画像である。リーク光強度Ｉ―電圧印加時間Ｔを示す図２（ｂ）のように、パネル１にリーク光２ａ，２ｂを発生させるための電圧を印加し続けた場合、実際のリーク発光はリーク光２ａのように短時間（数１００μｓｅｃ〜５ｓｅｃ程度）で強いリーク発光を放ち、消滅するものと、リーク光２ｂのように長時間（１０ｓｅｃ以上）で弱いリーク発光を放ち、消滅しないものとがある。
【００３０】
この２つのモード（発光の状態）について、すなわち短時間に発生するリーク光２ａと、長時間発生するリーク光２ｂの発生原因を説明する。リーク光は微細な異物（５μｍ以下の有機物や無機物）がデバイスの電極間に入り込むことで異物箇所に電流集中が起こり、その集中箇所から局所発光が起こっていると考えられる。そういった電流集中箇所はパネル製造後初期ではＥＬ点灯に影響しないが、パネル使用のある一定期間後に熱影響などにより電気的ショートとなり、ＥＬ点灯せず、不良パネルとなってしまう。
【００３１】
しかし電流集中はパネル電圧印加直後に瞬間的に起こる場合がある。これは前記説明した異物が起因ではなく、有機層の厚みが薄い（数ｎｍ〜１００ｎｍ）ため発生する瞬時的な電流集中が原因であり、パネル内で瞬間的に発生するリーク光である。このリーク光はデバイスに悪影響を及ぼさず、不良箇所とならないため、リペアは不要である。
【００３２】
リペアを効率的に行うためには短時間に発生するリーク光２ａと長時間発生するリーク光２ｂを検出時に選別し、長時間発生するリーク光２ｂのみをリペア工程に流す必要がある。しかし、従来のリーク光検出方法のようにリーク光強度のみで検出有無を判定する方法では、リーク光２ａとリーク光２ｂは共に不良となるリーク光と判定され、良品・不良品の区別はできない。強度閾値を変えて判定する方法もあるが、短時間に発生するリーク光２ａは瞬間的なスパーク状の発光であることもあり、カメラの検出強度としては大きな値をとり、長時間に発生するリーク光２ｂの強度と見分けがつかない。よって、リーク光２ａとリーク光２ｂを選別する方法が必要となってくる。
【００３３】
図３（ａ）〜（ｅ）を用いて短時間に発生するリーク光と長時間に発生するリーク光を選別する方法を説明する。また、リーク光強度Ｉ―電圧印加時間Ｔの関係を示す図３（ｂ）においては説明の簡略化のため、リーク光は矩形的に発生するとしている。短時間に発生するリーク光２ａを検出するため、図３（ｂ）に示すように、時間ＴＳ（＜ＴＬ）の間のみ露光して撮像を行う。
【００３４】
この時間ＴＳの間を露光する撮像では、図３（ｄ）に示すように長時間に発生するリーク光２ｂは発光強度が微弱なため、検出強度閾値以下で検出されない。また、時間ＴＬの間を露光する撮像では短時間に発生するリーク光２ａと長時間に発生するリーク光２ｂが図３（ｃ）のように両方とも検出される。
【００３５】
よって、取得データの図３（ｃ）から図３（ｄ）に示す画像データを減算することで、目的とする微弱リーク光２ｂの図３（ｅ）に示す取得データのように、検出するべき長時間に発生するリーク光２ｂのみを得ることができる。
【００３６】
図４に本実施形態１における検査方法の具体的な動作のフローチャートを示す、また、（表２）に教示条件を示す。
【００３７】
【表２】
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【００３８】
まず、従来の教示とは異なり、短時間に発生するリーク光の検出条件と長時間に発生するリーク光の検出条件を区別して教示する。撮像露光時間は前述した説明のとおり、ＴＳ，ＴＬの時間を区別する。時間ＴＳはおおよそ１００μｓｅｃ〜１０ｓｅｃの間に設定する。ただし、あまり長い時間とすると長時間に発生するリーク光を検出してしまい、画像減算時に長時間発生するリーク光も減算してしまう。時間ＴＬは１０ｓｅｃ以上が良い。撮像時間が極端に長い場合は装置内に存在する微弱な外部光がノイズとして増加してしまうため、特に１０ｓｅｃ〜３００ｓｅｃに設定すると良い。撮像時間はこのようなノイズ値に注意しながら、あらかじめどんな発光強度値のリーク光がどういった不良に関連するか検証し、それを検出できる撮像時間を確認してから条件設定を行う。
【００３９】
次に、リーク光を検出するための発光強度閾値を設定する。リーク光強度はｃｄ／ｍ２といった輝度値を、画像のデジタル強度（８ｂｉｔ画像であれば０〜２５５、１６ｂｉｔ画像であれば０〜６５５３５）に置き換え、教示データとしてはデジタル画像の強度値範囲を入力する。例えば１６ｂｉｔ画像で強度閾値を設定する場合は、１０００〜３００００の範囲を閾値と設定する。この強度閾値も短時間・長時間に発生するリーク光のモードそれぞれに関して別々に設定する。短時間に発生するリーク光は瞬間的に大きな発光を起こす場合が多く、かつ長時間に発生するリーク光を検出しない必要があるため、閾値は長時間に発生するリーク光の検出条件よりも大きい値を入れる。逆に長時間に発生するリーク光は弱い発光を検出するため小さい値を入れる。
【００４０】
次に、リーク光を発生させるための電圧条件を設定する。この値は通常のＥＬ発光の電圧設定値と異なる場合が多い。例えば、有機ＥＬデバイスでは通常２〜６Ｖで駆動しＥＬ発光を起こすが、リーク光検出のためには、−８Ｖ〜−１５Ｖといった大きな逆方向電圧をかけることが多い。リーク光強度は電圧設定値に対し指数関数的に増加していくため、大きな電圧値をかけて検出する方が効果的である。ただし、デバイスに対する影響（熱の発生など）を極力避けたいことから、±１５Ｖ程度までに抑える方が良い。
【００４１】
あるいは、発光開始前電圧０〜２Ｖの電圧を印加して検出することもある。リーク発光は順方向電圧でも発生するが、ＥＬ発光の中にうずもれてしまい、観測することができない。そこで、０〜２ＶのＥＬ発光前の電圧値でリーク光を観測する。またソースメーターから供給される電圧源は１つだけでない場合もあって、例えば駆動用ＴＦＴのゲート電圧もリーク光検出のために操作することもあり、その場合は２つの電圧設定値が必要となってくる。
【００４２】
また、短時間に発生するリーク光はスパーク状に強く発生する場合が多く、強いスパーク状の光は高感度カメラを破壊することもあるため、リーク光発生強度を抑える必要がある。そして、ＥＬデバイスにかける電圧を小さくするとスパーク上のリーク光強度は弱くなるため、長時間に発生するリーク光を出す電圧条件より、１〜５Ｖ小さい電圧値を設定しても良い。
【００４３】
図４の実際の検査を示すフローチャートと、図３および図１０の装置構成を参照しながら説明する。まず、検査する撮像領域に可動ステージ５を動かす（Ｓ１１）。次に短時間リーク光用の条件の電圧を供給して（Ｓ１２）、リーク光２ａを発生させる。時間ＴＳの間を露光する撮像を行い（Ｓ１３）、設定した強度閾値の図３（ｄ）のリーク光２ａを検出する（Ｓ１４）。同様に、長時間リーク光用の条件の電圧を供給して（Ｓ２２）、リーク光２ａ，２ｂを発生させる。時間ＴＬの間を露光する撮像を行い（Ｓ２３）、設定した強度閾値の図３（ｃ）のリーク光２ａ，２ｂを検出する（Ｓ２４）。
【００４４】
時間ＴＬ，ＴＳの間を露光する撮像からリーク光２ａ，２ｂの取得データを減算することにより（Ｓ２５）、目的とする長時間に発生するリーク光２ｂのみの図３（ｅ）の検出データを取得する（Ｓ２６）。さらに、他の検査視野がある場合は（Ｓ１５のＹｅｓ）、処理Ｓ１１に戻り、撮像を繰り返す。全ての検査視野を検査すれば（Ｓ１５のＮｏ）、処理Ｓ１６として装置での結果出力、結果のログファイルの吐き出しを行う。以上により、良品・不良品の２つのモードが存在するパネル１のリーク箇所を短時間で精度良く選別することができる。
【００４５】
（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２について説明する。リーク光は実際には同じ強度の発光を断続的に続けているのではなく、図５に示すように、同じ電圧を加え続けていた場合でも強度変化を繰り返す、点滅状態で発光を行っている。そして、長時間に発生するリーク光では撮像時間が長いため強度が平均化して検出できる。
【００４６】
しかしながら、短時間に発生するリーク光は撮像時間が短いため強度が平均化されず、同じリーク光でも撮像ごとに取得強度が異なってくる。リーク光を取得する強度閾値を下げてやれば、検出できる短時間のリーク光数を増やすことができるが、その場合は点ノイズを多く拾ってしまう。よって、強度バラつきのある短時間に発生するリーク光を検出する方法が必要となってくる。
【００４７】
図６（ａ），（ｂ）に、短時間に発生するリーク光２の、強度変化が存在する場合の画像およびリーク光強度変化を示す。前述の実施形態１では短時間に発生するリーク光２ａは瞬間的に強い値である例を示した。リーク光によっては、図６（ｂ）に示すように、有機ＥＬデバイスに対し同一の電圧値でオン／オフしても、同一リーク光２の位置で強度値にバラつきが生じることがある。ある電圧印加時には強度閾値より下のリーク光２が発生する場合もあるため、リーク光２を検出できない場合が出てくる。
【００４８】
よって、確実に閾値を超えるリーク光２を取得するため、所定の時間（短時間）露光によって、所定の回数を行う撮像を、電圧印加オン／オフと同期させて行うことで、短時間に発生するリーク光検出の精度を上げる。
【００４９】
図７に本実施形態２における検査方法の具体的な動作のフローチャートを示す、また、（表３）に教示条件を示す。長時間に発生するリーク光の検出教示条件は、実施形態１の（表２）と同じである。さらに、短時間に発生するリーク光の検出条件として、撮像回数を追加する。この回数により強度バラつきのある短時間に発生するリーク光を検出し続ける。
【００５０】
【表３】
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【００５１】
傾向としては同一電圧条件では１０回程度でリーク光を取得できるが、回数を増やしすぎると検出時間が長くかかってしまう。処理としては図７に示すように、検査視野に移動した後（Ｓ１１）、電圧供給を行い（Ｓ１２）、画像撮像（Ｓ１３）、画像処理を行う（Ｓ１４）。短時間露光での撮像回数が複数ある場合は（Ｓ２１のＮｏ）、一旦ここで電圧をオフし、再度電圧をオンにしてから処理Ｓ１２へ戻り画像撮像を行う。
【００５２】
この短時間に発生するリーク光は電圧のオン時に瞬間的（数１００μｓｅｃ〜５ｓｅｃ程度）に発生するため、撮像ごとに電圧をオン／オフする必要がある。短時間露光の撮像が終わると（Ｓ２１のＹｅｓ）、前述した図４のフローチャートで説明したように、長時間露光の電圧供給を行い（Ｓ２２）、画像撮像（Ｓ２３）、画像処理を行う（Ｓ２４）。長短の撮像時間から取得データを処理（Ｓ２５）、目的とする検出データを取得する（Ｓ２６）。
【００５３】
さらに、他の検査視野がある場合（Ｓ１５のＹｅｓ）、処理Ｓ１１に戻り、次の視野の検査を実施し、全ての検査視野が終わると（Ｓ１５のＮｏ）、結果を出力して（Ｓ１６）検査を終了する。
【００５４】
以上により短時間に発生するリーク光を精度良く検出することができる。短時間に発生するリーク光は直接不良になることは少ないが、その挙動を解析するため、発光部の断面解析を行う場合がある。その場合には本手法により短時間により発生するリーク光を漏れなく検出する方法は有効である。
【００５５】
（実施形態３）
次に、本発明の実施形態３について説明する。リーク光によっては微弱ではなく、発生時に大きな値を示すものもある。図８（ａ），（ｂ）に示すように、リーク光２ｃは、本来リペア対象とするべき微弱なリーク光２ａと比べて強度が大きく、例えば撮像時間が３ｓｅｃ以下といった短い撮像時間でも、１６ｂｉｔ画像で６５５３５値をとる、といった結果となる。
【００５６】
このような強いリーク光の中には異物サイズが大きく（１０μｍ以上）、リーク光として検出しても、レーザーによるリペアが不可能な場合がある。このような検出点が発生した場合は、そのパネルはリペアせず廃棄するか、全く別のリペア工程に持っていく必要がある。露光時間を長く（６０ｓｅｃ以上）した場合、リペアすべき微弱なリーク光も取得データ上は大きな強度値（６５５３５以下）をとることもあるため、このような強いリーク光２ｃは従来の検出方法ではリーク光２ａ，２ｂと選別することができない。よって、リーク光２ｃを選別した後に、リーク光２ａを選別する方法が必要となってくる。
【００５７】
図９（ａ）〜（ｅ）を用いて選別する方法の説明を行う。図９（ａ）に示す２ａが短時間に発生するリーク光、２ｂが長時間に発生する弱いリーク光であり、２ｃが長時間に発生する強いリーク光である。リーク光２ｃを検出した後に、リーク光２ａとリーク光２ｂを選別していく。このために、短時間露光による撮像を２回（図９（ｂ）において、時間ＴＳ１の短時間撮像を１回、時間ＴＳ２の短時間撮像を１回）行い、その後に時間ＴＬの長時間露光による撮像を実施する。短時間露光による撮像２回目の撮像画像が図９（ｄ）であり、長時間に発生する強いリーク光２ｃを検出することができる。
【００５８】
また、短時間露光による撮像１回目の撮像画像の図９（ｃ）では短時間に発生するリーク光２ａおよび長時間に発生するリーク光２ｃが両方とも撮像される。この図９（ｃ）のリーク光検出位置から図９（ｄ）のリーク光検出位置を差し引くことで、図９（ｅ）に示すように短時間に発生するリーク光２ａを検出することができる。このリーク光２ａと、長時間に発生するリーク光２ｂを選別する方法は実施形態１と同様である。
【００５９】
また、本実施形態３における検査方法の具体的な動作は、実施形態２の図７に示すフローチャートの処理Ｓ２１で行う複数回の撮像を２回行うようにしたものであり、その他の処理動作は同様である。また、教示条件を（表４）に示す。長時間および短時間に発生するリーク光の検出教示条件は、実施形態１の（表２）と同じであり、短時間に発生するリーク光の検出を２回行うものである。
【００６０】
【表４】
2011258495.tif 000006
【００６１】
以上に説明した各実施形態により、良品・不良品の２つのモードが存在するパネルのリーク箇所を短時間で精度良く選別することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明に係る有機ＥＬ検査方法は、複数存在するパネルのリーク箇所を短時間で精度良く選別することができ、有機ＥＬディスプレイ，有機ＥＬ照明，太陽電池など発光デバイスを用いたパネルの製造工程の検査、あるいは開発時の解析手法として電気的リーク箇所の特定する方法の用途に適用できる。
【符号の説明】
【００６３】
１  パネル
２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ  リーク光
３  高感度カメラ
４  ソースメーター
５  可動ステージ
６  制御部
７  入力部
８  出力部
【図１】
2011258495.tif 000007
【図２】
2011258495.tif 000008
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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