(57)【要約】【課題】封止膜の収縮応力による半導体ウエハの反りを低減する。【解決手段】複数の接続パッド３および開口部４ａを有する絶縁膜４が形成された半導体ウエハ１を準備し、絶縁膜４の開口部４ａを介して接続パッド３に接続された複数の外部接続用電極２０を形成する。半導体ウエハ１上における外部接続用電極２０の間に、未硬化の有機樹脂１７中に、予め硬化された樹脂粉末（微小体）１８が分散された封止膜１６を形成する。このように、半導体ウエハ１上の封止膜（有機樹脂層）１６は、予め硬化された樹脂粉末（微小体）１８を含んでいるので、熱硬化時の収縮を抑制でき、従って半導体ウエハの反りを低減することができる。【選択図】      図１
2011171350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の接続パッドを有する半導体基板と、
前記接続パッドに電気的に接続された複数の外部接続用電極と、
未硬化の有機樹脂中に、予め硬化された有機樹脂により形成された微小体が分散された有機樹脂層を、前記半導体基板上における前記外部接続用電極の間に充填した後、前記未硬化の有機樹脂を硬化した封止膜と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、前記未硬化の有機樹脂は、前記微小体と同一の材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、前記封止膜中にシリカが分散されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記未硬化の有機樹脂および前記微小体は熱硬化性樹脂により形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記半導体基板と前記外部接続用電極間に、前記接続パッドの一部を露出する開口部を有する絶縁膜を有し、前記絶縁膜上に前記接続パッドに接続された配線が形成され、前記外部接続用電極は前記配線上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
複数の接続パッドおよび前記接続パッドに接続された複数の外部接続用電極を有する半導体基板上に、未硬化の有機樹脂に予め硬化された有機樹脂により形成された微小体が分散された有機樹脂層を、前記半導体基板上における前記外部接続用電極の間に充填した後、前記未硬化の有機樹脂を硬化して封止膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体基板は、複数の半導体装置形成領域を含む半導体ウエハであり、前記封止膜を形成する工程の後、前記半導体ウエハを前記半導体装置形成領域毎に切断する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上における前記外部接続用電極の間に、未硬化の有機樹脂に、予め硬化された有機樹脂により形成された微小体が分散された有機樹脂層を形成する工程は、印刷法、モールド法またはディスペンサ法のいずれかの方法によることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上における前記外部接続用電極の間に、未硬化の有機樹脂中に、予め硬化された有機樹脂により形成された微小体が分散された封止膜を形成する工程は、前記未硬化の有機樹脂に、予め硬化された有機樹脂により形成された微小体が分散された有機樹脂層を、前記外部接続用電極の高さよりも厚く形成し、前記外部接続用電極の上面を覆う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上における前記外部接続用電極の間に、未硬化の有機樹脂に、予め硬化された有機樹脂により形成された微小体が分散された有機樹脂層を形成する工程は、前記未硬化の有機樹脂層を硬化する工程の後、前記微小体が分散された有機樹脂層の上面を、少なくとも前記外部接続用電極の上面が露出するまで研削する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＳＰ（Chip Size Package）といわれる半導体装置を製造する方法として、例えば、次のような製造方法が知られている。複数の半導体形成領域内のそれぞれに集積回路が形成された半導体ウエハを準備し、集積回路に接続された接続パッドに電気的に接続される複数の外部接続用電極を形成する。次に、半導体ウエハ上における外部接続用電極の間にエポキシ樹脂等からなる封止膜を形成する。
【０００３】
封止膜は、一旦、外部接続用電極の上面を覆うように外部接続用電極の高さよりも厚く半導体基板上の全面に塗布される。次に、封止膜の上部を研削して柱状の外部接続用電極の上面を露出する。露出された外部接続用電極の上面に半田ボールを搭載し、リフロー処理により外部接続用電極に接合する。この後、半導体ウエハをダイシングして、半導体装置形成領域毎に分離して複数の半導体装置を同時に得る（例えば、特許文献１参照）。
上記おいて、封止膜は、半導体装置の半田ボールを回路基板の接続端子にボンディングする際、半導体装置と回路基板の熱膨張係数の差に起因して外部接続用電極に作用する応力集中を緩和する。また、外部環境から半導体装置を保護する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２１８７３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような半導体装置において、半導体装置の薄型化のため半導体基板を薄くすると、封止膜を熱硬化した後の収縮応力により、半導体基板に反りが発生する。半導体基板の反りが大きくなると、外部接続用電極上に半田ボールを搭載する際の位置決め、外部接続用電極上面への半田ボールの載置、あるいは半導体基板裏面へのマーキング等、以降の作業が困難となる。このため、半導体基板の厚さが薄い場合でも半導体基板の反りが大きくならない方法の開発が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、複数の接続パッドを有する半導体基板と、前記接続パッドに電気的に接続された複数の外部接続用電極と、未硬化の有機樹脂中に、予め硬化された有機樹脂により形成された微小体が分散された有機樹脂層を、前記半導体基板上における前記外部接続用電極の間に充填した後、前記未硬化の有機樹脂を硬化した封止膜と、を具備することを特徴とする。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の半導体装置において、前記未硬化の有機樹脂は、前記微小体と同一の材料からなることを特徴とする。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１または２に記載の半導体装置において、前記封止膜中にシリカが分散されていることを特徴とする。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記未硬化の有機樹脂および前記微小体は熱硬化性樹脂により形成されていることを特徴とする。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記半導体基板と前記外部接続用電極間に、前記接続パッドの一部を露出する開口部を有する絶縁膜を有し、前記絶縁膜上に前記接続パッドに接続された配線が形成され、前記外部接続用電極は前記配線上に形成されていることを特徴とする。
【０００７】
請求項６に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の接続パッドおよび前記接続パッドに接続された複数の外部接続用電極を有する半導体基板上に、未硬化の有機樹脂に予め硬化された有機樹脂により形成された微小体が分散された有機樹脂層を、前記半導体基板上における前記外部接続用電極の間に充填した後、前記未硬化の有機樹脂を硬化して封止膜を形成することを特徴とする。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体基板は、複数の半導体装置形成領域を含む半導体ウエハであり、前記封止膜を形成する工程の後、前記半導体ウエハを前記半導体装置形成領域毎に切断する工程を含むことを特徴とする。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項６または６に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上における前記外部接続用電極の間に、未硬化の有機樹脂に、予め硬化された有機樹脂により形成された微小体が分散された有機樹脂層を形成する工程は、印刷法、モールド法またはディスペンサ法のいずれかの方法によることを特徴とする。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上における前記外部接続用電極の間に、未硬化の有機樹脂中に、予め硬化された有機樹脂により形成された微小体が分散された封止膜を形成する工程は、前記未硬化の有機樹脂に、予め硬化された有機樹脂により形成された微小体が分散された有機樹脂層を、前記外部接続用電極の高さよりも厚く形成し、前記外部接続用電極の上面を覆う工程を含むことを特徴とする。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上における前記外部接続用電極の間に、未硬化の有機樹脂に、予め硬化された有機樹脂により形成された微小体が分散された有機樹脂層を形成する工程は、前記未硬化の有機樹脂層を硬化する工程の後、前記微小体が分散された有機樹脂層の上面を、少なくとも前記外部接続用電極の上面が露出するまで研削する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
有機樹脂中に、有機樹脂により形成された微小体が分散された封止膜を用いるため、封止膜の収縮応力を小さくすることができ、半導体基板の反りを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体装置の拡大断面図。
【図２】図１に図示された半導体装置を得る前の半導体装置形成領域を有する半導体ウエハの平面図。
【図３】図２の領域Ａの拡大平面図。
【図４】図１の半導体装置の製造方法に関し、最初の工程を説明するための拡大断面図。
【図５】図４に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図６】図５に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図７】図６に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図８】図７に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図９】図８に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１０】図９に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための拡大断面図。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、この発明の半導体装置について説明をする。
図１はこの発明の一実施形態に係る半導体装置１０の拡大断面図を示す。図２は、ダイシングによって半導体装置１０を得る前の半導体ウエハ１の平面図を示す。半導体装置１０は、半導体ウエハ１上に行方向および列方向に、マトリクス状に配列されて形成される。半導体装置１０は、後述する最終工程、すなわち、半田ボールを形成した後、半導体ウエハ１をダイシングライン２で切断することにより、同時に多数個が得られる。
【００１１】
図３は、図２に二点鎖線で図示された半導体装置形成領域Ａ、すなわち、一対の行方向のダイシングライン２と一対の列方向のダイシングライン２により囲まれた領域内の拡大平面図を示す。
半導体装置形成領域Ａ内には、四つの側辺の各側辺に沿って接続パッド３が配列され、接続パッド３が配列された領域の内側には多数の外部接続用電極２０が配列されている。外部接続用電極２０は、通常は、半導体装置形成領域Ａの周側辺から中心に向かう環状に配列されるが、これとは異なるように配列されることもある。
【００１２】
外部接続用電極２０と接続パッド３とは配線１５により接続されている。図示はしないが、各配線１５の外部接続用電極２０に対応する部分には、外部接続用電極２０の直径とほぼ同一サイズか、僅かに大きいサイズのパッド部が形成されており、各外部接続用電極２０は、配線１５のパッド部上に形成される。
以下、図１を参照して半導体装置１０の詳細について説明をするが、図面の明確化のため、図１においては、半導体装置形成領域Ａ内の各側辺近傍にそれぞれ１個の外部接続用電極２０が形成されているものとして説明する。
【００１３】
半導体装置１０は、例えば、シリコン基板などの半導体基板１１を有する。半導体基板の１１の厚さは１５０〜４００μｍである。半導体基板１１の主面（上面）側には、集積回路１１ａが形成されている。半導体基板１１の主面上には、集積回路１１ａに接続された複数の接続パッド３が形成されている。接続パッド３は、例えば、アルミニウム系金属で形成されている。また、半導体基板１１の主面上には、接続パッド３の中央部を露出する開口部４ａを有する第１の絶縁膜４が形成されている。第１の絶縁膜４は、酸化シリコン、窒化シリコンなどの無機材料で形成されており、その周側面は、半導体基板１１の周側面から少し引っ込んだ位置にある。
【００１４】
第１の絶縁膜４上に、第２の絶縁膜１２が形成されている。第２の絶縁膜１２は、ポリイミド系樹脂、ＰＢＯ（Poly-p-Phenylene Benzobisoxazole；ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール）系樹脂等の有機樹脂材料によって形成されている。第２の絶縁膜１２にも、接続パッド３の中央部を露出する開口部１２ａが形成されている。第２の絶縁膜１２の開口部１２ａは、第１の絶縁膜４の開口部４ａより小さいサイズに形成され、第１の絶縁膜４の開口部４ａ近傍を覆っている。但し、第２の絶縁膜１２の開口部１２ａは、第１の絶縁膜４の開口部４ａより大きくするか、または同一寸法とすることもできる。第２の絶縁膜１２の周側面は、第１の絶縁膜４の周側面と同一の位置にあり、第１の絶縁膜４の周側面と共に半導体基板１１の周側面から少し引っ込んでいる。
【００１５】
第２の絶縁膜１２上には、一端側が第２の絶縁膜１２の開口部１２ａを介して接続パッド３に接続された配線１５が形成されている。配線１５は、第１の配線１３と第１の配線１３上に形成された第２の配線１４の二層構造を有する。第１の配線１３および第２の配線１４は、例えば、銅系金属により形成することができる。配線１５は、二層構造に限らず、三層以上の積層構造とすることもできる。その場合には、例えば、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）またはチタンとタングステンの合金などからなる金属層を１層以上介在させる。
【００１６】
配線１５のパッド部（図示せず）上には外部接続用電極２０が形成されている。外部接続用電極２０は平坦な上面２０ａを有し、例えば、直径１５０〜３００μｍ、高さ６０〜１２０μｍの円柱形状を有し、銅系金属等の導電性金属で形成されている。第２の絶縁膜１２上における外部接続用電極２０の外周側面の周囲領域、換言すれば、外部接続用電極２０の間には、封止膜（有機樹脂層）１６が充填されている。
【００１７】
封止膜（有機樹脂層）１６は、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂等からなる有機樹脂１７中に、多数の樹脂粉末（微小体）１８が分散されたものである。また、図示はしないが、封止膜（有機樹脂層）１６にはシリカ等の無機材料からなるフィラーが含まれている。樹脂粉末１８は、有機樹脂で形成されており、限定する意味ではないが、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂等の熱硬化型樹脂で形成することが望ましい。また、特に、結合強度面から有機樹脂１７と同一の材料であることが望ましい。
【００１８】
詳細は後述するが、樹脂粉末１８は、予め樹脂粉末として形成されているものであるから、有機樹脂１７を硬化する際の収縮が無く、従って、封止膜（有機樹脂層）１６の収縮応力を小さいものとすることができる。封止膜（有機樹脂層）１６の周側面は、半導体基板１１の周側面と同一位置にあり、第１の絶縁膜４および第２の絶縁膜１２の周囲における半導体基板１１上にも形成され、第１の絶縁膜４の側面および第２の絶縁膜１２の側面を覆っている。
【００１９】
封止膜（有機樹脂層）１６の上面１６ａは、外部接続用電極２０の上面２０ａと同一か、あるいは数μｍ程度、外部接続用電極２０の上面２０ａよりも高く形成されている。
外部接続用電極２０の上面２０ａには半田ボール２９が形成されている。半田ボール２９は、外部接続用電極２０の外形（直径）より少し大きい外形（直径）を有する。外部接続用電極２０の直径が１５０〜２５０μｍの場合、半田ボール２９の直径は、最大部分において、２００〜３００μｍ程度である。
【００２０】
次に、図４〜図１４を参照して図１に図示される本発明の半導体装置１０の製造方法の一実施形態を説明する。
先ず、図４に図示されるように、完成された半導体装置１０の半導体基板１１の厚さより厚い、例えば、厚さ５００μｍ以上の半導体ウエハ１を準備する。半導体ウエハ１には、各半導体装置形成領域Ａ内に集積回路１１ａと、この集積回路１１ａに接続された接続パッド３と、接続パッド３の中央部を露出する開口部４ａを有し、半導体ウエハ１の主面を覆う第１の絶縁膜４が形成されている。接続パッド３は、例えば、アルミニウム系金属により形成されている。
【００２１】
第１の絶縁膜４は酸化シリコンまたは窒化シリコン等の無機材料からなるもので、半導体上ウエハ１の全面に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により第１の絶縁膜４を成膜した後、第１の開口部４ａを形成する。また、同時に、第１の絶縁膜４の周側面がダイシングライン２より少し引っ込んだ位置となるように周囲を除去する。第１の絶縁膜４の第１の開口部４ａ内および第１の絶縁膜４の周側面の周囲を除去するパターニングは、一般に知られたフォトリソグラフィ技術より行うことができる。
【００２２】
次に、図５に図示されるように、第１の絶縁膜４上に第２の絶縁膜１２を形成する。ポリイミド系樹脂またはＰＢＯ系樹脂等の有機樹脂を、第１の絶縁膜４上および接続パッド３上にべた状に塗布する。塗布の方法は、スピンコーティング法、スクリーン印刷法、スキャン塗布法等、適宜な方法を用いることができる。有機樹脂をべた状に塗布した後、フォトリソグラフィ技術によって、接続パッド２の中央部を露出する開口部１２ａを形成すると共に、第２の絶縁膜１２の周側面がダイシングライン２より少し引っ込んだ位置となるように周囲を除去する。この場合、第２の絶縁膜１２の開口部１２ａは、第１の絶縁膜４の開口部４ａよりも小さいサイズに形成する。
【００２３】
次に、図６に図示されるように、第１の配線１３を形成するための金属膜１３Ａおよび第２の配線１４を形成する。第２の絶縁膜１２上全面および第２の絶縁膜１２の開口部１２ａから露出する接続パッド３上にスパッタ法または無電解めっき法により、例えば、銅系金属からなる金属膜１３Ａを形成する。金属膜１３Ａは、ダイシングライン２およびその近傍に対応する半導体ウエハ１上にも形成される。この金属膜１３Ａ上にフォトレジスト膜４１を塗布し、このフォトレジスト膜４１に、フォトリソグラフィ技術により、形成しようとする第２の配線１４の形状の開口４１ａを形成する。そして、金属膜１３Ａを電流路として電解めっきを行い、開口４１ａ内における金属膜１３Ａ上に第２の配線１４を形成する。この状態を図６に図示する。この後、フォトレジスト膜４１を剥離する。
【００２４】
次に、金属膜１３Ａ上および第２の配線１４上にドライフォトレジストフィルムからなるフォトレジスト膜４２を形成する。このフォトレジスト膜４２は、その上面が、形成する外部接続用電極２０の上面より高い位置となるように、外部接続用電極２０の高さより大きい厚さに形成する。そして、フォトリソグラフィ技術により、フォトレジスト膜４２に、形成しようとする外部接続用電極２０の形状の開口４２ａを形成するに。図７には、フォトレジスト膜４２に外部接続用電極２０の開口４２ａが形成された状態が図示されている。
【００２５】
次に、金属膜１３Ａを電流路として電解めっきを行い、フォトレジスト膜４２の開口４２ａ内における第２の配線１４上に外部接続用電極２０を形成する。この状態を図８に図示する。
次に、フォトレジスト膜４２を剥離し、第２の配線１４をマスクとして、金属膜１３Ａをエッチングする。これにより第２の配線１４と同一パターンを有する第１の配線１３が形成される。つまり、第１の配線１３上に第２の配線１４が積層された配線１５が形成される。この状態を図９に図示する。
【００２６】
次に、封止膜（有機樹脂層）１６を形成する。封止膜１６は、未硬化（液状）の有機樹脂１７中に、多数の樹脂粉末（微小体）１８が分散されたものである。また、図示はしないが、封止膜１６にはシリカ等の無機材料からなるフィラーが含まれている。有機樹脂１７はエポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂等の熱硬化型樹脂が望ましい。また、樹脂粉末１８も、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂等の熱硬化型樹脂により形成することが望ましく、特に、結合強度面から有機樹脂１７と同一の材料であることが望ましい。樹脂粉末１８は、例えば、硬化温度以上の温度に加熱した熱硬化性樹脂材料をヤスリあるいは適宜な研削装置により研削して形成することができる。また、樹脂粉末１８は、熱硬化性樹脂の破砕粉体あるいは懸濁重合で合成した樹脂粒子を用いることができる。封止膜１６中に含まれる樹脂粉末（微小体）１８の混入率は、２０ｗｔ％以上が望ましい。また、樹脂粉末（微小体）１８の径は、配線１５間の間隔の１／２以下、例えば配線間の間隔が０．５ｍｍの場合、樹脂粉末（微小体）１８の径は、０．２５ｍｍ以下であることが望ましい。
【００２７】
封止膜１６は、図１０に図示するように、配線１５上および第２の絶縁膜１２上に外部接続用電極２０の上面２０ａを覆うように外部接続用電極２０の高さよりも厚く形成する。封止膜１６は、第２の絶縁膜１２の周囲における半導体ウエハ１上にも形成される。封止膜１６は、スクリーン印刷法、モールド法またはディスペンサ法等により外部接続用電極２０の間に充填する。
【００２８】
次に、封止膜１６の有機樹脂１７を熱硬化性樹脂の硬化温度以上に加熱して硬化する。有機樹脂１７は、硬化過程において大きく収縮するため、この有機樹脂１７の収縮応力により半導体ウエハ１に反りが生じる。有機樹脂１７が常温硬化型である場合には加熱する必要はないが、硬化過程において、有機樹脂１７が収縮することは同様であるので、やはり、収縮応力により基板に反りが生じる。しかし、本発明においては、封止膜１６中に予め硬化された樹脂粉末１８が分散されているため、有機樹脂１７の収縮応力は小さい。このため、その分、半導体ウエハ１の反りを小さくすることができる。
【００２９】
封止膜１６を硬化した後は、図１１に図示するように封止膜１６の上部を研削して、外部接続用電極２０の上面２０ａを露出させる。この状態では、封止膜１６の上面１６ａは、外部接続用電極２０の上面２０ａと同一面となっている。
【００３０】
外部接続用電極２０は、電解めっきにより形成するため、それぞれ、高さが異なり、また、各外部接続用電極２０の上面２０ａにはかなり大きな凹凸が形成されている。従って、外部接続用電極２０の上面２０ａを露出する工程では、封止膜１６と共に外部接続用電極２０の上部側を研削する。外部接続用電極２０は銅系金属などの軟質の金属で形成されているので、外部接続用電極２０の上面２０ａを研削する工程において、図１１には図示されていないが、外部接続用電極２０の上面２０ａの周囲にバリのようなダレができる。このダレを有する外部接続用電極２０の上面２０ａ上に半田ボールを搭載してリフロー処理をすると、半田ボールが異形となり、外部端子に半田付けした場合、十分な接合強度を得ることができない。
【００３１】
このため、次に、外部接続用電極２０の上面２０ａをエッチングしてダレと共に外部接続用電極２０の上部側を除去する。この工程により、外部接続用電極２０の上面２０ａは封止膜１６の上面１６ａより数μｍ程度以下の範囲で低くなる。なお、外部接続用電極２０の上面２０ａを研削しない場合、例えば、封止膜１６を外部接続用電極２０の高さよりも低く形成する、あるいはモールド法により封止膜１６の上面１６ａを外部接続用電極２０の上面２０ａと実質的に同一面に形成する場合等は、ダレを除去するための外部接続用電極２０の上面２０ａをエッチングする工程は不要である。
【００３２】
次に、外部接続用電極２０の上面２０ａ上にフラックス層を印刷法等により形成する（図示せず)。そして、このフラックス層上に半田ボール２９を搭載し、リフロー炉に収容してリフロー処理を行う。このリフロー処理により、半田ボール２９が外部接続用電極２０の上面２０ａに接合される。この状態を図１２に図示する。上記におけるフラックス層の形成に替えて、金またはニッケルなどの半田にぬれ性を示す金属層を形成する表面処理を行うようにしてもよい。
【００３３】
次に、図１３に示すように、半田ボール２９の高さよりも厚い接着テープ４３を封止膜１６の上面１６ａに貼り付ける。接着テープ４３は、例えば、紫外線硬化型接着剤を用い、半田ボール２９の最上部を含む全体を覆うように貼り付ける。接着テープ４３の厚さは、例えば、半田ボール２９の高さより２０μｍ程度以上厚いものが望ましい。
【００３４】
そして、接着テープ４３を支持部材として、半導体ウエハ１の裏面を研削する。研削は、最終の半導体基板１１の厚さ、例えば、１５０〜４００μｍ程度となるまで行う。図１３は、半導体ウエハ１の裏面の研削が終了した状態を示す。
次に、研削された半導体ウエハ１の裏面をダイシングテープ（図示せず）に貼り付ける。そして、接着テープ４３に紫外線を照射して接着テープ４３硬化させ、接着テープ４３をピーリング法により剥離する。この状態を図１４に示す。
そして、封止膜１６および半導体ウエハ１をダイシングライン２で切断することにより、図１に図示された半導体装置１０を複数個、同時に得ることができる。
【００３５】
上述した如く、本発明の半導体装置は、有機樹脂１７中に、有機樹脂により形成された樹脂粉末１８が分散された封止膜１６を用いるため、封止膜１６の収縮応力を小さくすることができ、半導体ウエハ１の反りを小さくすることができる。また、有機樹脂１７と樹脂粉末１８とを同一材料により形成することにより有機樹脂１７と樹脂粉末１８の結合強度を大きくすることができる。さらに、この場合、外部接続用電極２０の上面２０ａを露出するために封止膜１６の上面を研削する作業も容易である。
【００３６】
なお、上記実施形態では、半導体ウエハ１を切断して個々の半導体装置を得る前に、各半導体装置形成領域Ａ内における外部接続用電極２０上に半田ボール２９を形成するものであった。しかし、半田ボール２９は、半導体装置１０がボンディングされる回路基板の接続端子上に形成しておいてもよい。
【００３７】
また、外部接続用電極２０は、接続パッド３に接続された配線１５上に形成する構造であった。しかし、外部接続用電極２０を、直接、接続パッド３上に形成するようにしてもよい。
【００３８】
第１の絶縁膜４および第２の絶縁膜１２を単層とすることもできる。単層とする場合、酸化シリコン等の無機材料からなる液状の樹脂、またはポリイミド系樹脂、ＰＢＯ樹脂などの有機樹脂のいずれかを用いて、スピンコート法、スクリーン印刷法などにより形成する。
【００３９】
配線１５は、第１の配線１３および第２の配線１４の二層積層構造の他、三層積層構造とすることができることは記載したが、スパッタ法あるいは無電解めっき法等により単層として形成することもできる。
【００４０】
その他、本発明の半導体装置は発明の趣旨の範囲内において、種々、変形して構成することが可能であり、要は、複数の接続パッドを有する半導体基板と、接続パッドに電気的に接続された複数の外部接続用電極と、半導体基板上における外部接続用電極の間に設けられ、有機樹脂中に、有機樹脂により形成された微小体が分散された封止膜と、を具備するものであればよい。
【００４１】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の接続パッドおよび接続パッドの一部を露出する開口部を有する絶縁膜が形成された半導体基板を準備する工程と、絶縁膜の開口部を介して接続パッドに接続された複数の外部接続用電極を形成する工程と、半導体基板上における外部接続用電極の間に、有機樹脂中に、有機樹脂により形成された微小体が分散された封止膜を形成する工程と、を含む方法であればよい。
【符号の説明】
【００４２】
１      半導体ウエハ
２      ダイシングライン
３      接続パッド
４      第１の絶縁膜
１０    半導体装置
１１    半導体基板
１２    第２の絶縁膜
１５    配線
１６    封止膜（有機樹脂層）
１７    有機樹脂
１８    樹脂粉末（微小体）
２０    外部接続用電極
２９    半田ボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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