(57)【要約】【課題】電気光学装置の製造工程において、比較的細いレジストパターンが剥がれることなく、基板を洗浄する。【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上にレジスト（２０２）を塗布するレジスト塗布工程と、塗布されたレジストを所定形状にパターニングするパターニング工程と、パターニングされたレジスト（２０２ａ）を有する基板を、洗浄液を用いて洗浄する洗浄工程とを備える。洗浄工程では、基板が２０〜３０ｒｐｍで回転されつつ、洗浄液が０．５Ｌ／ｍｉｎ以下で供給される。【選択図】図９
2011141467.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、
前記塗布されたレジストを所定形状にパターニングするパターニング工程と、
前記パターニングされたレジストを有する前記基板を、洗浄液を用いて洗浄する洗浄工程と
を備え、
前記洗浄工程では、前記基板が２０〜３０ｒｐｍで回転されつつ、前記洗浄液が０．５Ｌ／ｍｉｎ以下で供給される
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記洗浄工程は、
前記基板が５０ｒｐｍで回転されつつ、前記洗浄液が０．５Ｌ／ｍｉｎ以下で供給される第１回転洗浄工程と、
前記基板が２０〜３０ｒｐｍで回転されつつ、前記洗浄液が０．５Ｌ／ｍｉｎ以下で供給される第２回転洗浄工程と、
前記基板が５０ｒｐｍで回転されつつ、前記洗浄液が０．５Ｌ／ｍｉｎ以下で供給される第３回転洗浄工程と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置等の電気光学装置の製造方法に関し、特に、電気光学装置を構成する基板の洗浄方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の方法として、処理対象の基板の表面に硫酸を供給して、該基板の表面上に硫酸を液盛りすることによって硫酸の液膜を形成する工程に先立って、処理対象の基板の表面に硫酸を供給して、該硫酸で基板の表面を湿潤させる方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
或いは、レジスト剥離液による処理の後、基板の表面に温水を供給して、基板の表面に付着しているレジスト剥離液を温水によって洗い流す方法が提案されている（特許文献２参照）。ここでは特に、基板の回転速度を３００〜１５００ｒｐｍとすることが開示されている。
【０００４】
或いは、アルミ配線パターンが形成された表面に対して、超純水、又は不活性ガス及び超純水、又は少なくとも超純水を含む液体と混合した２流体を、ノズルから吐出させて洗浄する方法が提案されている（特許文献３参照）。
【０００５】
或いは、ＳＯＧ塗布後に、ウェハー最外周部端面のＳＯＧを除去するために、ウェハーの裏面洗浄と、その後の振り切り乾燥とを複数回繰り返す方法が提案されている（特許文献４参照）。ここでは特に、ウェハーの裏面洗浄は、１０秒間、ウェハーを１２００ｒｐｍで回転させつつ、４０ｃｃ／ｍｉｎで洗浄液を供給することが開示されている。また、振り切り乾燥は、ウェハーを３０００ｒｐｍで回転させることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２６４８９号公報
【特許文献２】特開２００５−３２８１９号公報
【特許文献３】特開２００６−４１１４７号公報
【特許文献４】特開平１１−１６２９６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の背景技術では、基板上に形成されたレジストパターンが比較的細い場合、基板の洗浄に起因して、レジストパターンが剥がれてしまう可能性があるという技術的問題点がある。
【０００８】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、比較的細いレジストパターンが剥がれることなく、基板を洗浄することができる電気光学装置の製造方法を提案することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、基板上にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記塗布されたレジストを所定形状にパターニングするパターニング工程と、前記パターニングされたレジストを有する前記基板を、洗浄液を用いて洗浄する洗浄工程とを備え、前記洗浄工程では、前記基板が２０〜３０ｒｐｍで回転されつつ、前記洗浄液が０．５Ｌ（リットル）／ｍｉｎ以下で供給される。
【００１０】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、先ず、レジスト塗布工程において、基板上にレジストが塗布される。尚、レジストが塗布される前の基板上には、一又は複数の導電層や絶縁層等が形成されていてよい。
【００１１】
次に、パターニング工程において、塗布されたレジストが所定形状にパターニングされる。次に、洗浄工程において、パターニングされたレジストを有する基板が、例えば純水等の洗浄液を用いて洗浄される。
【００１２】
本発明では特に、洗浄工程では、基板が２０〜３０ｒｐｍ（ｒｏｔａｔｉｏｎ  ｐｅｒ  ｍｉｎｕｔｅ）で回転されつつ、洗浄液が０．５Ｌ／ｍｉｎ以下で供給される。
【００１３】
本願発明者の研究によれば、以下の事項が判明している。即ち、レジスト膜をフォトエッチングしてパターニングした場合、基板（即ち、ウェハ）表面に水溶性の異物が付着することが多い。このため、該パターニングされたレジストを用いてエッチングした場合、エッチング不良を起こすことが多い。エッチング不良を回避するために、レジスト膜のパターニング後に、基板表面をスピン洗浄することが提案されているが、パターニングされたレジストが比較的細い場合、基板の洗浄（例えば、基板を１５０ｒｐｍで回転させつつ、洗浄液を２Ｌ／ｍｉｎで供給）に起因して、パターニングされたレジストが剥がれてしまうおそれがある。
【００１４】
しかるに本発明では、上述の如く、基板を比較的低い回転数で回転させつつ、洗浄液を比較的少ない流量で供給しながら、基板を洗浄している。このため、遠心力による洗浄液の勢いで、パターニングされたレジストが剥がれる又は崩れることを防止することができる。加えて、基板表面を洗浄しているので、基板表面の水溶性の異物を除去することができる。
【００１５】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
【図４】相隣接する複数の画素部の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る液晶装置の製造方法の一工程を示す工程断面図である。
【図７】図６の工程の後に続く工程を示す工程断面図である。
【図８】図７の工程の後に続く工程を示す工程断面図である。
【図９】洗浄液吐出流量と回転数との評価結果の一例である。
【図１０】レジストパターン洗浄の概念を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を、図面に基づいて説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材毎に縮尺を異ならしめている。
【００１８】
＜電気光学装置＞
本発明に係る電気光学装置の実施形態を、図１乃至図５を参照して説明する。本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を挙げる。
【００１９】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２０】
図１及び図２において、液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とから構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２１】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００２２】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００２３】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７、走査線駆動回路１０４、外部回路接続端子１０２が夫々形成される。
【００２４】
ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置される。
【００２５】
また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００２６】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられる。
【００２７】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用素子としてのＴＦＴや走査線、データ線等の配線上に画素電極９ａが、更にその上から配向膜１６が形成されている。
【００２８】
他方、対向基板２０上の画像表示領域１０ａには、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が形成され、この遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、液晶層５０を介して複数の画素電極９ａと対向する対向電極２１が形成され、更に、配向膜２２が形成される。
【００２９】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９ａと対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。
【００３０】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００３１】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部における原理的構成について、図３を参照して説明する。図３は、液晶装置の画素領域を構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００３２】
図３において、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３３】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００３４】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００３５】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと電気的に並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線３００に接続されている。
【００３６】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。図４は、相隣接する複数の画素部の平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ´断面図である。尚、図４及び図５では、説明の便宜上画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。
【００３７】
図４において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリックス状に複数設けられている。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ並びに走査線１１（即ち、走査線１１ａ及び１１ｂ）が設けられている。図４中、走査線１１ａ及び１１ｂは夫々Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは走査線１１ａ及び１１ｂの各々と交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線１１ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の夫々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００３８】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ及びゲート電極３ａを含んで構成されている。
【００３９】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。
【００４０】
低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。
【００４１】
尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００４２】
図４及び図５に示すように、ゲート電極３ａは、走査線１１ａの一部として形成されており、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。走査線１１ａは、図４中Ｘ方向に沿って延びる本線部分と共に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´のうち該本線部分が重ならない領域と重なるようにＹ方向に沿って本線部分から延在する部分を有している。このような走査線１１ａのうちチャネル領域１ａ´と重なる部分がゲート電極３ａとして機能する。図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して垂直をなす方向で、ゲート電極３ａ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２によって絶縁されている。
【００４３】
図４及び図５において、図５中で半導体層１ａより下層側に配置されたゲート電極３ｂは、走査線１１ｂの一部として形成されている。即ち、本実施形態では、例えば、半導体層１ａの上層側及び下層側に２種の走査線１１ａ及び１１ｂが設けられる。半導体層１ａより下層側の走査線１１ｂは、平面的にみて、図４中でＸ方向に沿うようにパターニングされた本線部と、該本線部からＹ方向に沿って延在する部分を有している。このような走査線１１ｂのうちチャネル領域１ａ´と重なる部分が半導体層１ａより下層側でゲート電極３ｂとして機能する。このように、本実施形態では、例えばＴＦＴ３０は、ダブルゲート構造を有している。このような構成によれば、仮に半導体層１ａよりも上層側又は下層側の一方だけにゲート電極が形成される場合と比較して、ＴＦＴ３０のオン電流を大きくすることができる。
【００４４】
走査線１１ｂは、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料により、半導体層１ａよりも下層側に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０に対する戻り光のうち、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´に入射する光を低減することができる。
【００４５】
図５に示すように、半導体層１ａより下層側の走査線１１ｂ及び半導体層１ａ間は、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。下地絶縁層１２は、走査線１１ｂからＴＦＴ３０を絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００４６】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０、及び中継電極２００が設けられている。中継電極２００は、半導体層１ａと同一導電型の、例えばポリシリコンを含んで形成されている。
【００４７】
蓄積容量７０は、下側電極７１及び上側電極３００が誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００４８】
上側電極３００は、図４及び図５中にはその詳細な構成については図示を省略するが、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に例えば延設され、定電位源と電気的に接続されることにより、固定電位に維持されて、固定電位側容量電極として機能するように構成される。上側電極３００は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０に入射する光を遮光可能な上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能し得る。上側電極３００は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。
【００４９】
下側電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続され、画素電位側容量電極として機能するように構成される。より具体的には、下側電極７１は、コンタクトホール８３を介して高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、コンタクトホール８４を介して中継層９３に電気的に接続されている。更に、中継層９３は、コンタクトホール８５を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下側電極７１は、中継層９３と共に高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。下側電極７１は、例えば導電性のポリシリコンから形成される。尚、下側電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上側電極３００とＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜として機能し得る。
【００５０】
誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００５１】
中継電極２００は、コンタクトホール８１を介して高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されると共に、コンタクトホール８２を介してデータ線６ａと接続されている。即ち、中継電極２００は、データ線６ａ及び高濃度ソース領域１ｄ間の電気的な接続を中継する。
【００５２】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられている。
【００５３】
データ線６ａは、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄに、層間絶縁膜４１及び層間絶縁膜４２を貫通して形成されたコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。尚、データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する遮光膜としても機能し得る。
【００５４】
中継層９３は、層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａと同層に、且つ例えば同一膜により形成される。従って、液晶装置の製造時、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。
【００５５】
図５において、画素電極９ａは、データ線６ａよりも層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、下側電極７１、コンタクトホール８３、８４及び８５、並びに中継層９３を介して半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。コンタクトホール８５は、層間絶縁層４３を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。
【００５６】
以上に説明した画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、このような液晶装置では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００５７】
＜電気光学装置の製造方法＞
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を、図６乃至図１０を参照して説明する。尚、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０上に半導体層を形成する際の製造方法を一例として挙げる。
【００５８】
図６は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の一工程を示す工程断面図であり、図７は、図６の工程の後に続く工程を示す工程断面図であり、図８は、図７の工程の後に続く工程を示す工程断面図である。
【００５９】
図６に示すように、レジスト塗布工程において、ＴＦＴアレイ基板１０上の下地絶縁膜１２上に形成された半導体膜２０１上に、レジストが塗布されレジスト膜２０２が形成される。
【００６０】
次に、図７に示すように、パターニング工程において、形成されたレジスト膜２０２が、例えばフォトエッチング等により、所定形状にパターニングされレジストパターン２０２ａが形成される。尚、この際、表面に水溶性の異物Ｒが付着することが多い。
【００６１】
次に、図８に示すように、水溶性の異物Ｒを除去するために、レジストパターン２０２ａを有するＴＦＴアレイ基板１０（即ち、ウェハ）がスピン洗浄機３００にセットされる。
【００６２】
洗浄工程において、先ず、スピン洗浄機３００のスピンベース３０１によりＴＦＴアレイ基板１０が５０ｒｐｍで回転されつつ、スピン洗浄機３００のリンスノズル３０２から、例えば純水等の洗浄液が０．５Ｌ／ｍｉｎ以下で供給される。これにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面全体に洗浄液をいきわたらせることができる。
【００６３】
尚、洗浄液は、レジストパターン２０２ａ及び半導体膜２０１をエッチングしない液体であれば、純水に限られない。
【００６４】
続いて、例えば５〜６秒間、スピンベース３０１によりＴＦＴアレイ基板１０が２０〜３０ｒｐｍで回転されつつ、リンスノズル３０２から洗浄液が０．５Ｌ／ｍｉｎ以下で供給される。これにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面上に洗浄液の液膜を形成すること（所謂、液盛り）ができる。
【００６５】
続いて、スピンベース３０１によりＴＦＴアレイ基板１０が５０ｒｐｍで回転されつつ、リンスノズル３０２から洗浄液が０．５Ｌ／ｍｉｎで供給される。これにより、水溶性の異物Ｒが除去される。
【００６６】
洗浄工程の後に、乾燥工程において、スピンベース３０１によりＴＦＴアレイ基板１０が高速回転されることによって、ＴＦＴアレイ基板１０が乾燥される。
【００６７】
次に、洗浄工程における洗浄液の吐出（供給）流量と、回転数とについて、図９及び図１０を参照して説明する。図９は、洗浄液吐出流量と回転数との評価結果の一例であり、図１０は、レジストパターン洗浄の概念を示す概念図である。
【００６８】
図９からわかるように、洗浄液の吐出流量が０．５Ｌ／ｍｉｎ以下であり、且つ、回転数が２０〜３０ｒｐｍであれば、微細なレジストパターンが剥がれることなく、ＴＦＴアレイ基板１０を洗浄（即ち、水溶性の異物Ｒを除去）することができることがわかる。
【００６９】
つまり、洗浄液の吐出流量を０．５Ｌ／ｍｉｎ以下、回転数を２０〜３０ｒｐｍとすれば、図１０（ａ）に示すような微細なレジストパターン２０２ａが形成されているＴＦＴアレイ基板１０の表面に付着している水溶性の異物Ｒを、図１０（ｂ）に示すように、微細なレジストパターン２０２ａが剥がれることなく、除去することができる。
【００７０】
他方で、例えば、洗浄液の吐出流量を２．０Ｌ／ｍｉｎ、回転数を２５０ｒｐｍとすると、図１０（ｃ）に示すように、微細なレジストパターン２０２ａの一部（又は全部）が剥がれてしまう。
【００７１】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００７２】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１２…下地絶縁膜、２０１…半導体膜、２０２…レジスト膜、２０２ａ…レジストパターン、３００…スピン洗浄機、３０１…スピンベース、３０２…リンスノズル
【図１】
2011141467.tif 000003
【図２】
2011141467.tif 000004
【図３】
2011141467.tif 000005
【図４】
2011141467.tif 000006
【図５】
2011141467.tif 000007
【図６】
2011141467.tif 000008
【図７】
2011141467.tif 000009
【図８】
2011141467.tif 000010
【図９】
2011141467.tif 000011
【図１０】
2011141467.tif 000012