(57)【要約】      （修正有）【課題】下部絶縁層に封止材で塞ぐことが容易な貫通孔が設けられた、薄型化が容易な電子部品収納用パッケージを提供する。【解決手段】上面に搭載部103を有する下部絶縁層101ａと、下部絶縁層101ａ上に搭載部103を取り囲んで積層された上部絶縁層101ｂとを具備し、上部絶縁層101ｂの内側面に下端から上端にかけて溝108が形成されているとともに、溝108の内側面の下端から上端にかけて導体109が、少なくとも溝108の下端において溝108を埋めて被着されており、下部絶縁層101ａに、上側の開口が部分的に溝108内の導体109の下端面で塞がれた貫通孔110が形成され、貫通孔110の内側面に内側面を一周する環状の金属層111が被着されている電子部品収納用パッケージである。導体109の下端面で封止材114を貫通孔110内に止めて、封止材114で貫通孔110を塞いで気密封止する。【選択図】図１
2011171701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に電子部品を搭載するための搭載部を有する下部絶縁層と、該下部絶縁層上に前記搭載部を取り囲むように積層され、上面に蓋体が接合される枠状の上部絶縁層とを具備する電子部品収納用パッケージであって、
前記上部絶縁層の内側面に下端から上端にかけて溝が形成されているとともに、該溝の内側面の下端から上端にかけて導体が、少なくとも前記溝の下端において該溝を埋めて被着されており、前記下部絶縁層に、上側の開口が部分的に前記溝内の前記導体の下端面で塞がれた貫通孔が形成され、該貫通孔の内側面に該内側面を一周する環状の金属層が被着されていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項２】
前記溝の下端から上端にかけて前記導体が前記溝を埋めていることを特徴とする請求項１記載の電子部品収納用パッケージ。
【請求項３】
前記溝の上端部分における内径が下端部分における内径よりも小さいことを特徴とする請求項２記載の電子部品収納用パッケージ。
【請求項４】
前記導体は、前記溝の下端部分において前記溝を埋めており、上端部分において前記溝の内側面に層状に被着していることを特徴とする請求項１記載の電子部品収納用パッケージ。
【請求項５】
前記溝内の前記導体は、前記搭載部に露出する表面の少なくとも下端部分が絶縁材で覆われていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電振動子や半導体素子等の電子部品を気密に収納するための電子部品収納用パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、圧電振動子や半導体素子等の電子部品を搭載するための電子部品収納用パッケージとして、図４に示すような構造のものが用いられている（例えば、特許文献１を参照。）。図４（ａ）は、従来の電子部品収納用パッケージの一例を示す上面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＹ−Ｙ’線における断面図である。図４に示す電子部品収納用パッケージは、上面に電子部品202（この例では圧電振動子）の搭載部203を有する平板状の部分と、この平板状の部分の上に積層された、搭載部203を取り囲む枠状の部分とを有する絶
縁基体201と、絶縁基体201の上面に形成された枠状メタライズ層204と、枠状メタライズ
層204にろう付けされた金属枠体211と、搭載部203に形成され電子部品が電気的に接続さ
れる接続パッド205と、搭載部203の接続パッド205が形成されている部位から絶縁基体201の下面等にかけて形成された配線導体207とにより基本的に構成されている。
【０００３】
また、絶縁基体201には、搭載部203から下面にかけて、平板状の部分を貫通する貫通孔209が形成されている。このような電子部品収納用パッケージでは、電子部品202を接続パッド205に接続するとともに蓋体212をシーム溶接等の接合方法で金属枠体211の上面に接
合した後、絶縁基体201の搭載部203と蓋体212との間の電子部品202を収容する空間内の不要なガスを貫通孔209から外部に除去し、その後、貫通孔209をろう材ボール等の封止材210で塞ぐことによって搭載部203に搭載された電子部品202が気密に封止される。
【０００４】
なお、このような構造のパッケージでは、例えば蓋体212と絶縁基体201とを接合する際に発生するガスや、導電性接着剤等の接合材206で電子部品202を接続パッド205に接合す
る際に発生するガス等の不要なガスが上記電子部品202を収容する空間内に残留すること
を抑制し、電子部品202である圧電振動子の振動周波数特性の変化等を抑制するようにし
ている。
【０００５】
また、この貫通孔209について、内径が異なる部分が上下につながった構造（絶縁基体201の下面側の内径が大きい孔と、搭載部203側の内径が小さい孔とが同心円状に上下につ
ながった構造）とすることが提案されている（例えば文献１を参照。）。
【０００６】
このような構造によれば、貫通孔209の途中に内径が変化する段状の部分があるので、
絶縁基体201を上下反転させて絶縁基体201の下面側（外側）から貫通孔209内に封止材210を落とし入れた際に、封止材210が段状の部分で止まる。そのため、封止材210が搭載部203側まで貫通孔209を通り抜けることが防止され、封止材210で貫通孔209を塞ぐことが容易である。貫通孔209の内側面には、封止材210が溶融した際に良好に濡れるようにするためのメタライズ層208が被着されている。なお、封止材210の溶融には、高エネルギーを瞬間的に付与することが容易なレーザや電子ビームを用いることが好適とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開2005−223612号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記の電子部品収納用パッケージにおいて、貫通孔209を上記のような
構造とするためには、絶縁基体201の平板状の部分にある程度以上の厚みが必要であり、
例えば、平板状の部分を２層以上の絶縁層で形成し、それらの絶縁層に形成する孔の内径を異ならせた構造とする必要があることから、電子部品収納用パッケージの薄型化が妨げられるという問題点があった。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、絶縁基体に封止材で塞ぐことが容易な貫通孔が設けられた構造を有しながら、薄型化することが容易な電子部品収納用パッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の電子部品収納用パッケージは、上面に電子部品を搭載するための搭載部を有する下部絶縁層と、該下部絶縁層上に前記搭載部を取り囲むように積層され、上面に蓋体が接合される枠状の上部絶縁層とを具備する電子部品収納用パッケージであって、前記上部絶縁層の内側面に下端から上端にかけて溝が形成されているとともに、該溝の内側面の下端から上端にかけて導体が、少なくとも前記溝の下端において該溝を埋めて被着されており、前記下部絶縁層に、上側の開口が部分的に前記溝内の前記導体の下端面で塞がれた貫通孔が形成され、該貫通孔の内側面に該内側面を一周する環状の金属層が被着されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の電子部品収納用パッケージは、上記構成において、前記溝の下端から上端にかけて前記導体が前記溝を埋めていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の電子部品収納用パッケージは、上記構成において、前記溝の上端部分における内径が下端部分における内径よりも小さいことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の電子部品収納用パッケージは、上記構成において、前記導体は、前記溝の前記下端部分において前記溝を埋めており、前記上端部分において前記溝の内側面に層状に被着していることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の電子部品収納用パッケージは、上記構成において、前記溝内の前記導体は、前記搭載部に露出する表面の少なくとも下端部分が絶縁材で覆われていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の電子部品収納用パッケージによれば、下部絶縁層に、上側の開口が部分的に溝内の導体（少なくとも溝の下端を埋めて被着された導体）の下端面で塞がれた貫通孔が形成され、貫通孔の内側面に内側面を一周する環状の金属層が被着されていることから、導体の下端面で封止材を貫通孔内に止めることができる。また、この封止材を加熱溶融させて環状の金属層に接合して、封止材で貫通孔を塞ぐことができる。したがって、封止材を貫通孔内に止めるための段状の部分等を貫通孔内に形成する必要がなく、段状の部分を設けるための余計な絶縁層が不要であるため、薄型化が容易である。
【００１６】
また、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、上記構成において、溝の下端から上端にかけて導体が溝を埋めている場合には、溝の上端も導体で埋められているので、この溝の上端が位置する上部絶縁層の上面における蓋体等が接合される部分の幅（いわゆるシール幅）を確保する上で有利である。
【００１７】
また、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、上記構成において、溝の上端部分における内径が、下端部分における内径よりも小さい場合には、溝の上端から下端まで導
体で埋めた構成において、上部絶縁層の上面の平坦性をより高くして蓋体等の接合をより容易とする上で有効である。すなわち、この場合には、上部絶縁層の上面に露出する溝内の導体の上端面の面積が小さい。そのため、上部絶縁層の上面と導体の上端部分との間で導体の体積の変化（焼成収縮等）に起因して凹凸が生じたとしても、その凹凸の範囲を極力小さく抑えることができる。したがって、上部絶縁層の上面の凹凸を抑制して、蓋体等の接合を容易とすることができる。
【００１８】
また、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、上記構成において、導体は、溝の下端部分において溝を埋めており、上端部分において溝の内側面に層状に被着している場合には、例えば上部絶縁層となるセラミックグリーンシートと導体となる金属ペーストとの焼成収縮のミスマッチによって導体が上部絶縁層の上面から突出するようなことを、より効果的に抑制することができる。そのため、上部絶縁層の上面の平坦性を高く確保することができ、上部絶縁層の上面に対する蓋体等の接合をより容易とすることができる。
【００１９】
また、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、上記いずれかの構成において、溝内の導体は、搭載部に露出する表面の少なくとも下端部分が絶縁材で覆われている場合には、封止材が溶融した際に、溶けた封止材の濡れ広がりを絶縁材の部分で止めることができる。そのため、溝内の導体の表面に溶けた封止材が濡れ広がり過ぎることを抑制することができる。したがって、この場合には、貫通孔を塞ぐための封止材のボリュームが不足することをより効果的に抑制することができ、電子部品の気密封止の信頼性をより高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。
【図４】（ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大下面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。
【図５】（ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大下面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。
【図６】（ａ）は従来の電子部品収納用パッケージの一例を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の電子部品収納用パッケージについて、添付の図面を参照しつつ説明する。なお、この実施の形態の例では、電子部品として圧電振動子を収納する場合を例に挙げて説明する。
【００２２】
図１（ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示す上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。図１において101ａは
下部絶縁層，101ｂは上部絶縁層，102は電子部品である圧電振動子，103は電子部品の搭
載部，104は封止用メタライズ層，105は電子部品102を電気的に接続するための接続パッ
ド，106は電子部品102を接続パッド105に接続するための接合材，107は配線導体，108は
上部絶縁層101ｂの内側面に形成されている溝，109は溝108の内側面に被着されている導
体，110は貫通孔，111は環状の金属層，112は封止用メタライズ層104に接合された金属枠体である。なお、以下の説明においては、まず、溝108の上端から下端にかけて導体109が溝108を埋めている場合を例に挙げて説明する。
【００２３】
下部絶縁層101ａおよび上部絶縁層101ｂとで構成される絶縁基体101に封止用メタライ
ズ層104，接続パッド105，配線導体107，溝108，導体109，貫通孔110，環状の金属層111
，封止用メタライズ層104および金属枠体112が配置されて電子部品収納用パッケージが基本的に構成されている。なお、図１（ａ）では、導体109および貫通孔110の状態を見やすくするために、金属枠体112および蓋体113を省略している。この電子部品収納用パッケージに電子部品102が気密封止されて電子装置が形成されている。
【００２４】
絶縁基体101は、上面の中央部に電子部品102を搭載するための搭載部103を有する平板
状の下部絶縁層101ａ上に、枠状の上部絶縁層101ｂが搭載部103を取り囲むように積層さ
れて形成されている。下部絶縁層101ａの上面と上部絶縁層101ｂの内側面とによって、電子部品102を気密封止するための凹状のスペースが絶縁基体101の上面に形成されている。
【００２５】
下部絶縁層101ａおよび上部絶縁層101ｂは、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム焼結体，ムライト質焼結体，ガラス−セラミック焼結体等のセラミック材料からなり、例えば同様のセラミック材料からなる下部絶縁層101ａと上部絶縁層101ｂとが同時焼成されて絶縁基体101が作製されている。
【００２６】
絶縁基体101は、例えば全体の外形が、平面視で一辺の長さが2.0〜10ｍｍ程度の長方形状であり、厚みが0.5〜２ｍｍ程度の板状であり、上面に上記のような凹状のスペースを
有している。なお、絶縁基体101を構成する下部絶縁層101ａおよび上部絶縁層101ｂは、
それぞれ、セラミック材料からなる複数の絶縁層が積層されて構成されたものであってもよい。
【００２７】
ここで、電子装置がＴＣＸＯ（Temperature Compensated Crystal Oscillator、温度補償水晶発振器）等の複数の電子部品（圧電振動子102に加えて温度補償用の半導体素子等
の他の電子部品）（図示せず）を搭載部103内に搭載するようなものである場合には、複
数の電子部品102を収納するためのスペースを確保するために（上記凹状のスペースの深
さを確保するために）、上部絶縁層101ｂを２層以上の絶縁層で構成する場合もある。
【００２８】
このような絶縁基体101は、下部絶縁層101ａおよび上部絶縁層101ｂがいずれも酸化ア
ルミニウム質焼結体からなる場合であれば、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダや溶剤，可塑剤等を添加混合して泥漿状にするとともに、これを例えばドクターブレード法やロールカレンダー法等のシート成形法によりシート状となすことにより複数枚のセラミックグリーンシートを得て、次に一部のセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施して枠状に成形するとともに、枠状に成形していない平板状のセラミックグリーンシートの上に枠状のセラミックグリーンシートが位置するように上下に積層し、その積層体を高温で焼成することにより製作される。
【００２９】
絶縁基体101は、それぞれがこのような絶縁基体101となる複数の基板領域（図示せず）がセラミック母基板に縦横の並びに配列された、いわゆる多数個取り基板（図示せず）として製作し、これを基板領域（図示せず）の境界において切断または破断させて個片に分割する方法で製作するようにしてもよい。
【００３０】
また、下部絶縁層101ａの搭載部103は、四角板状の電子部品102に合わせて四角形状で
あり、その隣り合う２つの隅部に一対の接続パッド105が形成されている。この接続パッ
ド105は、搭載部103に搭載される電子部品102である圧電振動子の電極（図示せず）を接
続するための接続導体として機能する。圧電振動子は、通常、その外形が四角形状で、その主面の隅部に接続用の一対の電極（図示せず）が形成されており、そのような電極の接
続を容易かつ確実に行なえるようにするため、接続パッド105は搭載部103の隅部に形成されている。
【００３１】
電子部品102の各電極と接続パッド105との接続は、導電性接着剤等の接合材106を介し
て行なわれる。すなわち、電子部品102の主面の隅部に形成された電極が接続パッド105に対向するように電子部品102を搭載部103に位置決めして、あらかじめ接続パッド105に被
着させておいた接合材106を加熱して硬化させれば、電子部品102の電極と接続パッド105
とが接続される。
【００３２】
なお、接続パッド105は、この実施の形態の例では電子部品102として圧電振動子を用いた例を説明しているので上記のような位置に形成されているが、その他の電子部品（図示せず）を搭載する場合やその他の電子部品を複数搭載する場合であれば、その電子部品の電極の配置に応じて位置や形状を変えて形成すればよい。このような電子部品としては、例えば、セラミック圧電素子や弾性表面波素子等の圧電素子，半導体素子，容量素子，抵抗器等を挙げることができる。
【００３３】
接続パッド105は、例えば、接続パッド105から絶縁基体101の外表面にかけて形成され
た配線導体107を介して絶縁基体101の外表面に電気的に導出されている。配線導体107は
、搭載部103に搭載される電子部品102の各電極を外部の電気回路（図示せず）に電気的に接続するための導電路として機能する。この配線導体107の絶縁基体101の外表面に形成された部分を、半田等を介して外部電気回路に接続することにより、電子部品102の電極が
接続パッド105および配線導体107を介して外部の電気回路に電気的に接続される。
【００３４】
接続パッド105および配線導体107は、例えば、タングステンやモリブデン，マンガン，銅，銀等のメタライズ層からなり、このようなメタライズ層となる金属材料のペーストを、下部絶縁層101ａを構成する絶縁層となるセラミックグリーンシートに所定パターンに
印刷しておき、下部絶縁層101ａと同時焼成する方法で形成される。
【００３５】
これらの接続パッド105や配線導体107は、酸化腐食を防止するとともに、接続パッド105と電子部品102の電極との接続や、配線導体107と外部の電気回路との接続をより容易で
強固なものとするために、それらの露出した表面に１〜10μｍ程度の厚みのニッケルめっき層と0.1〜３μｍ程度の厚みの金めっき層とが順次被着されているのがよい。
【００３６】
また、この図１に示す例においては、絶縁基体101（上部絶縁層101ｂ）の上面に封止用メタライズ層104が被着されている。封止用メタライズ層104は、搭載部103を取り囲んで
おり、この封止用メタライズ層104に金属枠体112がろう付けされている。そして、搭載部103に電子部品102を搭載し、電子部品102の電極を導電性接着剤等の接合材106で接続パッド105に接続した後、金属枠体112の上面に蓋体113を接合することにより、蓋体113と金属枠体112と絶縁基体101とからなる容器内に電子部品102が収容され、その後、後述するよ
うに貫通孔110が塞がれて上記容器内に電子部品102が気密封止され、電子装置（水晶発振器等）となる。
【００３７】
なお、封止用メタライズ層104は、例えば接続パッド105や配線導体107と同様の金属材
料（タングステンやモリブデン，マンガン，銅，銀等）によって形成されている。封止用メタライズ層104は、例えば、このようなタングステン等の金属材料のペーストを上部絶
縁層101ｂを構成する絶縁層となるセラミックグリーンシートに所定パターンに印刷して
おき、上部絶縁層101ｂと同時焼成する方法で形成される。
【００３８】
なお、封止用メタライズ層104や接続パッド105や配線導体107は、酸化腐食の防止や、
配線導体107と外部の電気回路とを接続する半田の濡れ性の向上，封止用メタライズ層104
のろう材の接合強度の向上等のためには、それらの露出した表面に１〜10μｍ程度の厚みのニッケルめっき層と0.1〜３μｍ程度の厚みの金めっき層とが順次被着されているのが
よい。
【００３９】
金属枠体112は、例えば鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属材料
からなり、蓋体113を絶縁基体101にシーム溶接等の方法で接合するための金属部材として機能する。この金属枠体112は、例えば、厚みが0.1〜0.5ｍｍ程度であり、幅が0.15〜0.45ｍｍ程度の四角枠状である。また、金属枠体112を封止用メタライズ層104にろう付けす
る方法としては、例えば、金属枠体112の下面に予め20〜50μｍの厚みの銀ろう（図示せ
ず）を被着させておき、この銀ろうが被着された下面を封止用メタライズ層104上に載置
して、これらを治具等で仮固定しながら電気炉等で加熱する方法を挙げることができる。この方法により、容易に蓋体113と封止用メタライズ層104との間を気密性よく強固にろう付けすることができる。
【００４０】
蓋体113は、例えば四角板状であり、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金
等の金属材料やセラミック材料，樹脂材料からなり、ろう付け法や溶接法（例えばシーム溶接やエレクトロンビーム溶接等）の接合法で下面の外周部が金属枠体112に接合される
。なお、蓋体113がセラミック材料や樹脂材料から成る場合は、ろう付け法や溶接法によ
って封止用メタライズ層104に接合できるようにするために、蓋体113の接合面に、メタライズ法やめっき法等の方法により接合用の金属層（図示せず）が形成される。
【００４１】
金属枠体112を封止用メタライズ層104に接合するためのろう材（図示せず）は、例えば、銀−銅共晶組成をベースとする銀ろう（例えば、71〜73質量％銀−27〜29質量％銅、ＪＩＳ名称：ＢＡｇ−８）である。ＢＡｇ−８の場合、融点は780℃程度である。このよう
なろう材を使用することにより、800〜850℃程度の熱処理において金属枠体112を封止用
メタライズ層104にろう付けすることができる。このろう材は、絶縁基体101の大きさや形状，用途等に応じて、濡れ性や溶融温度等の調整のために、錫，亜鉛等の金属元素が添加されていてもよい。
【００４２】
本発明の電子部品収納用パッケージにおいて、例えば図１に示すように、上部絶縁層101ｂの内側面に下端から上端にかけて溝108が形成されているとともに、溝108の内側面の
下端から上端にかけて導体109が被着されている。また、この導体109は、少なくとも溝108の下端において溝108を埋めて被着されている。また、下部絶縁層101ａに、上側の開口
が部分的に溝108内の導体109の下端面で塞がれた貫通孔110が形成され、貫通孔110の内側面に内側面を一周する環状の金属層111が被着されている。
【００４３】
なお、前述したように、この例においては導体109が溝108を、溝108の下端から上端に
かけて埋めている。導体109は、後述するように貫通孔110から封止材114が抜け出るのを
防止するために、少なくとも溝108の下端、つまり貫通孔110の上端に接する部分において溝108を埋めて被着されている必要がある。また、導体109は、上部絶縁層101ｂの上面と
下部絶縁層101ａの上面との間を導通させるために、溝108の下端から上端にかけて被着されている。導体109を介して、例えば上部絶縁層101ｂの上面の封止用メタライズ層104と
環状の金属層111とが電気的に接続され、面積が比較的広い封止用メタライズ層104によって、電子部品102に供給される接地電位をより安定させることができる。
【００４４】
このような、導体109が、少なくとも溝108の下端において溝108を埋めて被着されてい
る構成によれば、導体109の下端面で封止材114を貫通孔110内に止めることができる。例
えば、絶縁基体101を上下反転して貫通孔110内に封止材114を落とし入れたときに、封止
材114が貫通孔110の（このときには下向きになっている）上側の開口を部分的に塞いでいる導体109の下端面部分で止まる。また、この封止材114を加熱溶融させて環状の金属層11
1に接合して、封止材114で貫通孔110を塞ぐことができる。したがって、封止材114を貫通孔110内に止めるための段状の部分（図示せず）等を貫通孔110内に形成する必要がなく、段状の部分を設けるための余計な絶縁層が不要であるため、電子部品収納用パッケージを薄型化することが容易である。
【００４５】
すなわち、この電子部品収納用パッケージについて、搭載部103に圧電振動子等の電子
部品102を搭載した後、まず蓋体113を金属枠体112の上面に溶接法等の方法で接合し、次
に下部絶縁層101ａの上面の搭載部103と上部絶縁層101ｂの内側面と蓋体113とで構成される電子部品102を収容する空間内に残留しているガスを貫通孔110から外部に吸引して排出させる。そして、その後に貫通孔110の内側面を一周する環状の金属層111に封止材114を
接合して貫通孔110を完全に塞いでしまえば、電子部品102が、不要なガス成分が排出された空間内に気密封止された電子装置を作製することができる。なお、この場合、電子部品102が収容される空間は、不要なガスが排出されて真空状態となっているか、または不要
なガスが排出された後に窒素やヘリウム，アルゴン等の不活性ガスが充填された状態となる。
【００４６】
なお、封止材114は、貫通孔110を塞ぐためのものであるため、その外形の寸法は、ちょうど貫通孔110内に入ることができる程度の寸法に設定される。そのため、貫通孔110の上側の開口が部分的に塞がっていれば、封止材114を貫通孔110内に止めることができる。
【００４７】
溝108および導体109は、上記のように導体109の下端面が封止材114を止める部分となるため、上部絶縁層101ｂの内側面の下端、つまり貫通孔110の上側の開口の位置から上部絶縁層101ｂの上端にかけて形成する必要がある。
【００４８】
溝108は、例えば図１に示す例では平面視で円弧状であるが、楕円弧状や四角形状，三
角形状等でもかまわない。ただし、後述するように、溝108は、上部絶縁層101ｂとなるセラミックグリーンシートに打ち抜き加工を施すこと等によって形成されているので、その形成の際の作業性や、導体109で埋めることを容易とすることを容易とする上では、円弧
状であることが好ましい。
【００４９】
溝108は、例えば、上部絶縁層101ｂとなる枠状のセラミックグリーンシートの内側面の所定位置に、この内側面の下端から上端まで溝状に切削加工を施すことによって形成することができる。また、溝108は、このセラミックグリーンシートを枠状に成形する前に、
搭載部103に相当する範囲の外周（枠状に成形したときに内周となる部分）を跨いで円形
状等の貫通孔を打ち抜き加工で形成しておいて、その後、セラミックグリーンシートに打ち抜き加工を施して枠状に成形する方法で形成することもできる。この場合には、円形状の貫通孔が打ち抜き加工によって縦方向に２つに分割されて、この貫通孔のうち上部絶縁層101ｂ側に位置する部分が溝108となる。図１に示す例において、溝108は、平面視で中
心角が約270度の扇形状であり、上記円形状の貫通孔のうち中心角が約90度の扇形状の部
分が打ち抜き加工によって分割除去されて形成されている。ここで、打ち抜き加工時の各コーナー部（図１に示す例では、貫通孔の中心付近が該当する）は、金型の加工性や貫通孔の打ち抜き性を考慮して、平面視で丸みを帯びた形状となっている。
【００５０】
さらに、この、先に円形状の貫通孔を設けておく方法の場合には、円形状の貫通孔にタングステンやモリブデン，銅，銀等の金属材料等のペーストを充填しておき、その後上記のように打ち抜き加工を施すようにすれば、金属ペーストが充填された円形状の貫通孔が上記のように縦方向に２つに分割されて、導体109となる金属ペーストで埋められた溝108を、上部絶縁層101ｂとなる枠状のセラミックグリーンシートの内側面に形成することが
できる。なお、溝108を埋める導体109も、接続パッド105や配線導体107と同様にニッケルや金等のめっき層で被覆しておけば、酸化腐食をより効果的に抑制することができる。
【００５１】
図１に示す例において、溝108は平面視で四角形状の上部絶縁層101ｂのコーナー部に配置されている。上部絶縁層101ｂのコーナー部に対する溝108の位置は、貫通孔110との位
置関係を考慮して搭載部103の中心側、または上部絶縁層101ｂの外側の角部側にオフセットさせてもよい。また、溝108の位置は、搭載部103の長辺側や短辺側の辺部分の中央等でもよい。
【００５２】
貫通孔110は、上記のように電子部品102を収容する空間から不要なガスを外部に排出させるためのものであり、例えば、下部絶縁層101ａとなるグリーンシートの所定の位置に
金型を用いた機械的な打ち抜き加工を施すことによって形成される。なお、貫通孔110は
、図１に示す例では、この形成の際の作業性等を考慮して円形状としているが、楕円形状や四角形状等でもかまわない。
【００５３】
ここで、貫通孔110は、封止材114で塞がれることにより電子部品102を気密封止する孔
である。この封止材114の接合のために、貫通孔110の内側面には、この内側面を一周する環状の金属層111が被着されている。
【００５４】
貫通孔110内の環状の金属層111への封止材114の接合は、例えば、搭載部103の内部を真空若しくは不活性ガスが充填された状態で行われる。環状の金属層111は、図１に示す例
では貫通孔110の内側面の上端から下端にかけて形成されている。
【００５５】
環状の金属層111は、例えばタングステンやモリブデン，銅，銀等の金属材料からなる
メタライズ層上に、ニッケル層や金層等のめっき層が被着された構造である。
【００５６】
環状の金属層111は、例えば、下部絶縁層101ａとなるセラミックグリーンシートに貫通孔110を形成した後、その内側面に、タングステンの粉末を有機溶剤およびバインダとと
もに混練して作製した金属ペーストをスクリーン印刷法等の方法で塗布しておき、セラミックグリーンシートと同時焼成する方法で、タングステンのメタライズ層として貫通孔110の内側面に被着させることができる。メタライズ層上のめっき層は、電解めっき用のニ
ッケルめっき液や金めっき液中でメタライズ層に所定の電流密度および時間でめっき用の電流を供給することによって被着させることができる。
【００５７】
また、封止材114は、貫通孔110の内側面に被着された環状の金属層111に接合されて貫
通孔110を塞ぐためのものであり、例えば金−錫または金−ゲルマニウム等の合金から形
成されている。封止材114の環状の金属層111に対する接合は、例えば封止材114を上記の
ような合金のろう材で形成しておいて、封止材114自体が加熱によって溶融して環状の金
属層111に接合されるようにして行なうことができる。また、封止材114を、鉄−ニッケル系合金等の他の金属材料で形成しておいて、金−錫合金等のろう材を介して環状の金属層111に接合するようにしてもよい。封止材114は、例えば図１に示したように球状（ろう材ボール）としておけば、貫通孔110内に入れやすい。
【００５８】
なお、この電子部品収納用パッケージにおいては、封止用メタライズ層104がグランド
電位として用いられ、配線導体107の一部がグランド電位と電気的に接続される場合があ
る。この場合には、貫通孔110の内側面の下端から上端にかけて環状の金属層111を被着させて、環状の金属層111の下端部分を下部絶縁層101ａの下面に設けられた配線導体107の
うちグランド電位と電気的に接続されるものに接続すれば、環状の金属層111および溝108内の導体109を介して配線導体107とグランド電位である封止用メタライズ層104とを電気
的接続することができる。
【００５９】
そして、この場合には、グランド電位のための導電経路（図示せず）を別途配置する必
要がないため、電子部品収納用パッケージとしての構造の簡略化が可能となり、電子部品収納用パッケージの小型化を容易とすることができる。すなわち、従来の電子部品収納用パッケージでは、グランド電位と接続される配線導体107を下部絶縁層101ａの下面等へ引き回すための貫通導体（図示せず）と不要なガスを排出するための貫通孔（図示せず）とを別に設ける必要があるのに対して、内側面に環状の金属層111が被着された貫通孔110だけで不要なガスの排出とグランド電位用の導電経路とを兼用することができるため、パッケージの小型化を図る上で有利である。
【００６０】
さらに、貫通孔110は、図１に示す例の場合、平面視で四角形状の搭載部103のコーナー部に形成されている。この構成によれば、上部絶縁層101ｂと下部絶縁層101ａとの重なり具合によって貫通孔110の実質的な開口（貫通孔110の上側の開口のうち環状の金属層111
の下端面で塞がれていない部分）の大きさを調整することがより容易である。一般に、金型によるセラミックグリーンシートの打抜き孔の最小径は、80〜100μｍ程度とされてい
るが、このように上部絶縁層101ｂと下部絶縁層101ａとの重なり具合によって貫通孔110
の実質的な開口の大きさを調整することにより、非常に小さな開口の貫通孔110を形成す
ることが容易となる。したがって、貫通孔110をろう材ボール等の封止材114で塞いで電子部品102を封止する際の封止材114のボリュームを効果的に小さく抑えることができる。
【００６１】
また、貫通孔110の実質的な開口の大きさを調整するには、例えば上部絶縁層101ｂの内側面に形成された溝108に対する貫通孔110の位置を変えればよい。開口を大きくするためには、貫通孔110の内側面（溝108）に対する位置を搭載部103の中心側にオフセットすれ
ばよく、また開口を小さくするためには、貫通孔110の位置を絶縁基体101の外側の角部側にオフセットすればよい。さらに、貫通孔110の開口の大きさを調整する別の手段として
は、溝108の大きさを変化させて、その溝108を埋める導体109の貫通孔110の上側の開口を塞ぐ下端面の面積を変化させる手段がある。
【００６２】
なお、このような電子部品収納用パッケージによれば、導体109の下端面が貫通孔110の開口を部分的に塞ぐ構造であることから、この導体109の下端面に封止材114の一部を接合させて、封止材114の接合面積を大きくすることもできる。そのため、例えば引用文献１
に記載されている技術のように貫通孔内の段差部分に別途メタライズ層を形成する必要がないことから、メタライズ層と絶縁層との焼成収縮の差に起因して発生する絶縁基体101
の反りを抑制できるという効果もある。
【００６３】
ここで、本発明の電子部品収納用パッケージの効果を具体例を挙げて説明する。
【００６４】
下部絶縁層101ａおよび上部絶縁層101ｂを酸化アルミニウム質焼結体で作製し、これに、直径が約200μｍの円形状の貫通孔110と、その貫通孔110の上側の開口が３／４周の範
囲で導体109の下端面で塞がれた（貫通孔110の実質的な開口が半径約100μｍで中心角が90度の扇状である）電子部品収納用パッケージを準備した。なお、下部絶縁層101ａおよび上部絶縁層101ｂは、いずれも厚みが約200μｍの１層の絶縁層からなるものとした。
【００６５】
溝108および溝108を埋めた導体109は、平面視で中心角が約270度で半径が約150μｍの
扇状とし、貫通孔110の内側面には約20μｍの厚みでこの内側面を一周する環状の金属層111を被着させた。これらの導体109および環状の金属層111は、いずれもタングステンのメタライズ層からなるものとし、露出表面は、ニッケルめっき層および金めっき層を順次被着させて被覆しておいた。
【００６６】
この電子部品収納用パッケージに水晶振動子を搭載し、上部絶縁層101ｂの上面に封止
用メタライズ層104を介して接合した金属枠体112に蓋体113を接合した後、不要なガスを
貫通孔110から外部に排出し、球状の金−錫合金からなる封止材114（ろう材ボール）を貫
通孔110の環状の金属層111に加熱して接合させ、貫通孔110を塞いで電子装置（図示せず
）とした。この電子装置について、温度サイクル試験（ＪＩＳ  Ｃ７０２１  試験方法Ａ−４：−55℃〜＋125℃、10サイクル）の後、発振周波数の変動確認を行なった。その結
果、発振周波数不良は試験個数200個に対して０個であり、気密封止の信頼性が確認され
た。
【００６７】
また、従来の技術で同様に、貫通孔（図示せず）を有しながら気密封止の信頼性の高い電子部品収納用パッケージ（図示せず）とする場合には、下部絶縁層（図示せず）が少なくとも２層必要であり、単純に比較すれば、上記具体例の電子部品収納用パッケージの厚み（約400μｍ）よりも約200μｍ厚くする必要がある。このように、本発明の電子部品収納用パッケージは、薄型化の点で有効である。
【００６８】
また、この電子部品収納用パッケージにおいて、導体109は、前述したように、少なく
とも溝108の下端において溝108を埋めて被着されていれば貫通孔110から封止材114が抜け出るのを防止することはできるが、例えば、図１に示すように、溝108の上端から下端に
かけて導体109が溝108を埋めている場合には、以下のような効果も有する。すなわち、この場合には、溝108の上端も導体109で埋められているので、この溝108の上端が位置する
上部絶縁層101bの上面における蓋体113等が接合される部分の幅を確保する上で有利であ
る。
【００６９】
なお、図１に示す例においては、上部絶縁層101ｂの上面に封止用メタライズ層104が被着されているとともに、封止用メタライズ層104に金属枠体112がろう付けされているため、上部絶縁層101ｂの上面に金属枠体112を接合するための下地金属層（封止用メタライズ層104と導体109の上端面とを合わせた部位）の幅を広く確保することができる。
【００７０】
このように導体109が溝108を埋めている構造とするためには、上述のように溝108を上
部絶縁層101ｂとなる枠状のセラミックグリーンシートの内側面の所定位置に、この内側
面の下端から上端まで溝状に切削加工を施すことによって形成しておき、この溝108内に
タングステンやモリブデン，銅，銀等の金属材料等のペーストを充填して焼成すればよい。
【００７１】
また、溝108は、前述したように、上部絶縁層101ｂとなるセラミックグリーンシートを枠状に成形する前に搭載部103に相当する範囲の外周を跨いで貫通孔を形成し、この貫通
孔内に上記金属ペーストを充填した後に、セラミックグリーンシートに枠状に成形する打ち抜き加工を施すようにすれば、金属ペーストが充填された円形状の貫通孔が上記のように縦方向に２つに分割されて、導体109となる金属ペーストで埋められた溝108を、上部絶縁層101ｂとなる枠状のセラミックグリーンシートの内側面に形成することができる。
【００７２】
なお、溝108を埋めている導体109は、溝108の上端において封止用メタライズ層104と直接に接続し、下端において環状の金属層111と直接に接続している。この構造において導
体109は、封止用メタライズ層104と接地層となる配線導体107を電気的に接続する導電路
として作用する。
【００７３】
また、この電子部品収納用パッケージにおいて、例えば、図２に示すように、溝108の
上端部分における内径が下端部分における内径よりも小さい場合には、以下のような効果を有する。溝108の内径は、例えば枠状の上部絶縁層101ｂの幅方向における溝108の開口
寸法である。図２に示す例においては、溝108は円弧状であり、溝108の内径は溝108の直
径程度である。なお、図２（ａ）は、本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。図２において図１と同様の部位には同様の符号を付している。また、図２（ａ）におい
ては、見やすくするために、封止用メタライズ層104および金属枠体112を省略している。
【００７４】
この場合には、溝108の上端から下端まで導体109で埋めた構成において、上部絶縁層101ｂの上面の平坦性を高くして蓋体113等の接合性を高くする上で有効である。すなわち、この場合には、上部絶縁層101ｂの上面に露出する溝108内の導体109（端面）の面積が小
さい。そのため、上部絶縁層101ｂの上面と導体109の上端との間で導体109の体積の変化
等に起因して凹凸が生じたとしても、その凹凸の範囲を極力小さく抑えることができる。
【００７５】
なお、図２に示す例においても、上部絶縁層101ｂの上面に封止用メタライズ層104が被着されているとともに、封止用メタライズ層104に金属枠体112がろう付けされている。この場合には、金属枠体112を接合するための下地金属層（封止用メタライズ層104と導体109の上端面とを合わせた部位）の表面の凹凸を小さく抑えて、金属枠体112の傾きや、ろう材の偏りによるろう付け強度のばらつき等をより効果的に抑制することができる。
【００７６】
さらに、溝108の上端部分における内径、つまり、封止用メタライズ層104に接する導体109の上端面の幅（枠状の上部絶縁層101ｂの幅方向の寸法）が、下端部分における内径（導体109の下端面の幅）よりも小さくなるように形成することにより、この電子部品収納
用パッケージを多数個取り基板として作製する場合に、次のような効果を得ることもできる。
【００７７】
すなわち、この場合には、多数個取り基板を個片に分割（破断）するための分割溝（図示せず）を個々の電子部品収納用パッケージとなる基板領域の境界（図示せず）毎に形成する場合がある。分割溝は、多数個取り基板となるセラミックグリーンシート積層体に、基板領域の境界に沿ってカッター刃を押し入れて形成される。この際に、カッター刃に押されてセラミックグリーンシート積層体が部分的に下側へ凸状に変形する可能性がある。そして、このような変形が生じたとしても、上部絶縁層101ｂとなるセラミックグリーン
シートにおいて溝108内に充填された金属ペースト（図示せず）が、封止用メタライズ層104側へ押し出され難くなるので、封止用メタライズ層104の平坦度を高く維持することが
できるという効果もある。これは、溝108が上端部分において内径が小さくなっているた
め、上記金属ペーストが溝108の上端部分を通って上側に突出することを抑制できるため
である。
【００７８】
ここで、溝108の上端部分における内径が下端部分における内径よりも小さくなる構造
とするためには、例えば図２に示すように、上部絶縁層101ｂを複数の絶縁層（符号なし
）を積層して形成しておき、上側の絶縁層の溝108の内径よりも下側の絶縁層の溝108の内径を大きくすればよい。この場合、上部絶縁層101ｂを構成する絶縁層毎にそれぞれの溝108内に別々に金属ペーストを充填するようにしてもよい。このように充填することにより、金属ペーストの充填不足や過剰充填をより効果的に抑制できるため、封止用メタライズ層104の平坦度をより確実に高く確保する上で有利である。
【００７９】
なお、上部絶縁層101ｂが１層の絶縁層からなるときに、溝108の上端部分における内径が下端部分における内径よりも小さくなる構造として、溝108の内径が上端部分から下端
部分にかけて漸次広がるように（開口が大きくなるように）することもできる。この場合も、溝108の内部に充填された導体109となる金属ペースト（図示せず）が上記のように封止用メタライズ層104上に突出しにくくなるので、封止用メタライズ層104の平坦度をより確実に高くすることができる。
【００８０】
よって、封止用メタライズ層104の上面の平坦度を確保してこの封止用メタライズ層104に金属枠体112を隙間なく密着させることができ、これにより気密封止の信頼性が良好な
電子部品収納用パッケージを実現することができる。
【００８１】
上記のような効果を得る上では、溝108の上端部分における内径は小さいほど好ましい
が、この上端部分における内径が小さくなると、導体109と封止用メタライズ層104とが直接に接続する範囲（長さ）が小さくなる。そのため、例えば導体109と封止用メタライズ
層104との間の電気抵抗が大きくなり、配線導体107を接地電位に電気的に接続する際の電気抵抗が大きくなる可能性がある。したがって、導体109が充填された溝108の上端部分における内径を小さくする場合は、この内径を0.12〜0.4ｍｍ程度に設定することが好まし
い。
【００８２】
また、この電子部品収納用パッケージにおいて、例えば、図３に示すように、導体109
は、溝108の下端部分において溝108を埋めており、上端部分において溝108の内側面に層
状に被着している場合には、以下のような効果を有する。なお、図３（ａ）は、本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す上面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。図３において図１と同様の部位には同様の符号を付している。また、図３（ａ）においては、見やすくするために、封止用メタライズ層104および金属枠体112を省略している。
【００８３】
この場合には、例えば、上部絶縁層101ｂとなるセラミックグリーンシートと導体109となる金属ペーストとの焼成収縮のミスマッチにより導体109が上部絶縁層101ｂの上面から突出することを抑制することができる。そのため、上部絶縁層101ｂの上面の平坦性を高
く確保することができ、上部絶縁層101ｂの上面に蓋体113等の封止部材を接合するときの接合性を向上させることができる。
【００８４】
つまり、導体109となる金属ペーストの焼成収縮率が上部絶縁層101ｂとなるグリーンシート部の焼成収縮率よりも小さいため、導体109は、上端部分が上部絶縁層101ｂの上面（封止用メタライズ層104）よりも上に突出する可能性がある。
【００８５】
これに対して、導体109が上端部分において溝108の内側面に層状に被着している場合（溝108の上端部分においては導体109が溝108を充填せず、しかも溝108の下端から上端にかけて導体109が被着している場合）には、溝108の上端部分において溝108に比べて導体109の体積が小さい。そのため、上部絶縁層101ｂ（セラミックグリーンシート）に比べて収
縮量が小さい導体109（金属ペースト）の上部絶縁層101ｂの上面（封止用メタライズ層104）からの突出量を小さく抑えることができる。
【００８６】
この場合、封止用メタライズ層104の上面に凹凸が生じることをより効果的に抑制して
、金属枠体112や蓋体113を接合することができ、金属枠体112や蓋体113の接合性を向上させることができる。
【００８７】
なお、この場合の導体109は、溝108の内側面に層状に被着しているため、封止用メタライズ層104に対して直接に接続する範囲（長さ）は溝108に導体109を充填したときと同じ
程度であり、導体109と封止用メタライズ層104との間の接続抵抗は、溝108に導体109を充填したときと同じ程度に抑えることができる。
【００８８】
溝108の内側面に層状に被着させるときの導体109の厚さは、導体109の突出の抑制を有
効なものとするとともに、導体109の電気抵抗を低く抑えることや、溝108の内側面に対する導体109の被着の強度，生産性等を考慮して、約10〜30μｍ程度にすればよい。
【００８９】
なお、この場合の溝108の上端部分の寸法は、例えば上面視で、幅（上部絶縁層101ｂの外辺に沿った方向の寸法）が約80〜350μｍで、深さ（奥行き）が約80〜150μｍ程度の円弧状である。
【００９０】
溝108の上端部分において溝108の内側面に層状に導体109を被着させる場合、溝108は、この上端部分における内径を、下端部分における内径よりも小さくするようにしてもよい。この場合には、導体109が上部絶縁層101ｂの上面に凸状に形成されることをより効果的に抑制することができる。ただし、この場合には、溝108の上端部分における内径を小さ
くすると導体109と封止用メタライズ層104との直接の接続範囲が小さくなる傾向があるため、導体109と封止用メタライズ層104との接続の電気抵抗が高くなりやすい。そのため、溝108の内側面に層状に導体109を被着させるときに、溝108の上端部分の内径を下端部分
よりも小さくするような場合でも、上端部分の内径を上記の範囲（0.12〜0.4ｍｍ程度）
に設定することが好ましい。
【００９１】
なお、図１〜図５の例では、封止用メタライズ層104に金属枠体112を接合した形態の電子部品収納用パッケージが示されているが、これに限らず封止用メタライズ層104に直接
蓋体113を接合する形態の電子部品収納用パッケージであっても同様に気密封止の信頼性
が良好な電子部品収納用パッケージを実現できる。
【００９２】
また、この電子部品収納用パッケージにおいて、例えば図４に示すように、溝108内の
導体109は、搭載部103に露出する表面の少なくとも下端部分が絶縁材115で覆われている
場合には、以下のような効果を有する。なお、図４（ａ）は、本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大下面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。図４において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００９３】
この場合には、封止材114が溶融した際に、溶けた封止材114が導体109の搭載部103に露出した表面にまで濡れ広がり過ぎることを抑制することができる。そのため、貫通孔110
を塞ぐための封止材114のボリュームが不足することをより効果的に抑制することができ
、電子部品102の気密封止の信頼性をより高くすることができる。
【００９４】
溝108を埋めて形成される導体109の露出した表面には、例えば上記のように１〜10μｍ程度の厚みのニッケルめっき層と、0.1〜３μｍ程度の厚みの金めっき層とが順次被着さ
れている場合があり、この場合には、溶融した封止材114の一部が導体109の露出した表面に沿って濡れ広がることがある。これに対して、導体109の搭載部103に露出する表面の少なくとも下端部分が絶縁材115で覆われている構造とすれば、この濡れ広がりを抑制する
ことができる。
【００９５】
絶縁材115は、上記のように封止材114の濡れ広がりを抑制するためには、導体109の搭
載部103に露出している表面の左右の両端間（幅方向）いっぱいに被着させておく必要が
ある。このような絶縁材115は、例えば上部絶縁層101ｂと同様のセラミック材料（酸化アルミニウム質焼結体等）を用いることができ、このようなセラミック材料の粉末を有機溶剤およびバインダと混練して作製したセラミックペーストを、導体109となる金属ペース
トのうち搭載部103に露出する部分の下端に塗布しておき、焼成することによって形成す
ることができる。
【００９６】
すなわち、導体109の下端部分（貫通孔110と接する面側）が絶縁材115で覆われている
構造とするには、上記のように導体109となる導体ペーストで上部絶縁層101ｂとなるセラミックグリーンシートに形成した溝108を埋めた後に、上部絶縁層101ｂの内側面に露出した導体109の下端部分を絶縁材115となる絶縁ペーストで覆うようにすればよい。なお、絶縁材115の形成は、搭載部103に露出する表面の少なくとも下端部分が絶縁材115で覆われ
るように形成すればよく、搭載部103に露出する表面の全面にスクリーン印刷して形成し
てもよい。
【００９７】
さらに、例えば図５に示すように、絶縁材115は、導体109の貫通孔110を塞いでいる下
端面の外周部分に形成されていてもよい。なお、図５（ａ）は、本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大下面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。図５において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００９８】
このように絶縁材115が形成されていても、溶融した封止材114の導体109への濡れ広が
りを抑制することができる。したがって、この場合にも、貫通孔110を塞ぐ上で十分なボ
リュームの封止材114を貫通孔110内に確保して気密封止の信頼性をより高くすることができる。この場合の絶縁材115も、図４に示す例の場合と同様の絶縁材115を用いることができる。
【００９９】
絶縁材115が、導体109の貫通孔110を部分的に塞ぐ下端面の外周部分に形成された構造
とするには、例えば、上記のように導体109となる導体ペーストで上部絶縁層101ｂとなるセラミックグリーンシートに形成した溝108を埋めた後に、導体109となる金属ペーストの下端面の少なくとも貫通孔110の開口に接する外周部分に、上記と同様の絶縁ペーストを
印刷すればよい。なお、導体109は、封止用メタライズ層104と環状の金属層111や絶縁基
体101の下面に形成される配線導体107とを電気的に接続する導電経路として作用する場合があるため、導体109と環状の金属層111との電気的な接続性を悪化させないように形成することが好ましい。
【０１００】
なお、貫通孔110の下側の開口の寸法に合わせて封止材114の大きさを適宜変更することにより、貫通孔110内の所望の高さに封止材114を保持させることができる。例えば、円形状の貫通孔110の内径（直径）が200μｍであるときに、半径100μｍの扇形状に上側の開
口を形成した場合には、ろう材ボール等の封止材114（球状）の径を160〜180μｍ程度と
することにより、封止材114を貫通孔110内に容易に挿入・位置決めすることができる。この場合、貫通孔110に封止材114を挿入するためには、振動式の、孔内に球状のろう材を落とし込むような装置や治具等を用いて封止材114を下部絶縁層101ａの下面側から貫通孔110内に挿入すればよい。また、貫通孔110を下側から上側に漸次狭くするように形成してもよく、このような形状とすることにより封止材114のより確実な位置決めができる。
【０１０１】
なお、本発明は上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施の形態の一例では、溝108は上部絶縁層101ｂの内側面のコーナー部に形成され、貫通孔110は下部絶縁層101ａの搭載部103のコーナー部に形成されていたが、溝108を上部絶縁層101ｂのその他の内側
面（例えば、長辺の中央部等）に設けておいて、貫通孔110をそれに合わせた位置に設け
てもよい。さらに、上述の実施の形態の一例では上部絶縁層101ｂに設けた溝108や貫通孔110は、その形状を円形状または円弧状としたが、封止構造にあわせて楕円状や四角形状
として設けてもよい。
【０１０２】
また、図２に示すような、溝108の内径を上端部分で小さくして導体109で溝108を埋め
た構成や、図３に示すような、溝108の下端部分において導体109が溝108を埋め、上端部
分において溝108の内側面に導体109が層状に被着している構成においても、溝108内の導
体109の搭載部103に露出する表面の少なくとも下端部分を絶縁材115で覆うようにしても
よい。この場合には、蓋体113等の接合を容易とする効果に加えて、さらに封止材114の濡れ広がりを抑制する効果を得ることができる。
【符号の説明】
【０１０３】
101・・・絶縁基体
101ａ・・・下部絶縁層
101ｂ・・・上部絶縁層
102・・・電子部品（圧電振動子）
103・・・搭載部
104・・・封止用メタライズ層
105・・・接続パッド
106・・・接合材
107・・・配線導体
108・・・溝
109・・・導体
110・・・貫通孔
111・・・環状の金属層
112・・・金属枠体
113・・・蓋体
114・・・封止材
115・・・絶縁材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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