(57)【要約】【課題】有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、薄い厚さで有機電界発光表示装置を製造して、製造工程中または製造工程の後に紫外線が基板を通じて有機電界発光素子に伝達しなく、製造工程中に基板の曲がり及び損傷を防止して、製造工程時間を短縮することを目的とする。【解決手段】本発明の有機電界発光表示装置は、基板と、上記基板上に形成されたバッファ層と、上記バッファ層上に形成された半導体層と、上記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極上に形成された層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜上に形成されたソース／ドレイン電極と、上記ソース／ドレイン電極上に形成された絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成された非透過層と、上記絶縁膜上に形成された有機電界発光素子と、前記基板の下面に形成される摩擦防止層と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された半導体層と、
前記半導体層に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に形成されたソース／ドレイン電極と、
前記ソース／ドレイン電極に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上面全体に形成された非透過層と、
前記絶縁膜に形成された有機電界発光素子と、
前記基板の下面に形成される摩擦防止層と、
を備えることを特徴とする、有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記基板と前記半導体層との間に形成されたバッファ層をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項３】
前記非透過層は、前記有機電界発光素子の外周を囲むように形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記非透過層は、前記有機電界発光素子の外周を囲むようにして、前記半導体層と対応する前記絶縁膜の上面に形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記非透過層は、前記有機電界発光素子の外周を囲むようにして、前記半導体層と対応しない前記絶縁膜の上面に形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記非透過層は、前記有機電界発光素子をなすアノードと接続されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記非透過層上には、画素定義膜が形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記非透過層は、紫外線遮断層であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記非透過層は、紫外線が透過されない金属、透明紫外線遮断剤及び不透明の紫外線遮断済のうち少なくともいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記非透過層は、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び銀合金（ＡＴＤ）のうち少なくともいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記非透過層は、５０〜３００ｎｍの厚さに形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記非透過層は、前記有機電界発光素子をなすアノードと同様な材質で形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記非透過層は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）／Ａｇ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ及びＩＴＯ／Ａｇ／ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）のうち少なくともいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記基板は、０．０５〜１ｍｍの厚さに形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記基板は、ガラス、プラスチック、金属及びポリマーのうちいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記摩擦防止層の厚さは、１０〜１００μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記摩擦防止層は、有機材料及び無機材料のうちいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記非透過層は、導電性ビアを通じて上記ソース／ドレイン電極に電気的に接続されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
二枚の基板を準備する段階と、
前記段階で準備した二枚の基板を合着する段階と、
前記各基板のうち、合着面の反対面に半導体層を形成する段階と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜上の領域全体に非透過層を形成する段階と、
前記非透過層上に有機電界発光素子を形成する段階と、
前記合着された二枚の基板をそれぞれ分離する段階と、
を含み、
前記基板合着段階では、基板と基板との間に摩擦防止層を備えることを特徴とする、有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記基板の合着段階と前記半導体層形成段階との間に、前記合着面の反対側にバッファ層を形成する段階をさらに含み、
前記半導体層形成段階では、前記半導体層は前記バッファ層上に形成されることを特徴とする、請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記有機電界発光素子形成段階では、前記非透過層の一部の領域をアノードとすることを特徴とする、請求項１９又は２０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記非透過層形成段階では、前記非透過層が紫外線遮断層として形成することを特徴とする、請求項１９又は２０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記非透過層形成段階では、前記非透過層が、紫外線が透過されない金属、透明紫外線遮断剤及び不透明の紫外線遮断済のうち少なくともいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１９又は２０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記非透過層形成段階では、前記非透過層が、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び銀合金（ＡＴＤ）のうち少なくともいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１９又は２０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記非透過層形成段階では、前記非透過層が、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）／Ａｇ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ及びＩＴＯ／Ａｇ／ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）のうち少なくともいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１９又は２０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記基板準備段階では、０．０５〜１ｍｍ厚さの基板を準備することを特徴とする、請求項１９又は２０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記基板分離段階の後に、摩擦防止層を除去する段階がさらに含まれることを特徴とする、請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、薄い厚さの有機電界発光表示装置を製造し、製造工程中または製造工程後に紫外線が基板を通じて有機電界発光素子に伝達されなく、製造工程中に基板の曲がり及び損傷を防止して製造工程時間を短縮することができる有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機電界発光表示装置は、蛍光性または燐光性有機化合物に電流を流すことで、電子と正孔が結合して自発光する表示装置である。また、このような有機電界発光表示装置は、例えば、ｎ×ｍ個の有機電界発光素子を電圧駆動または電流記入して映像を表示するようになっている。
【０００３】
また、このような有機電界発光素子は、図１に示すように、アノード（ＩＴＯ）、有機薄膜及びカソード電極（ｍｅｔａｌ）の構造を基本構造にする。上記有機薄膜は、電子と正孔が結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成して発光する発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子の移動速度を適切に調節する電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、正孔の移動速度を適切に調節する正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）からなることができる。また、上記電子輸送層には、電子の注入効率を向上させる電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）が形成され、上記正孔輸送層には、正孔の注入効率を向上させる正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）がさらに形成されることができる。
【０００４】
このような有機電界発光表示装置は、広視野角、超高速応答、自発光などの利点を有して、小型から大型に至るまでの動画表示装置としても好適であり、低消費電力、バックライト（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ）が不要で、軽量及び薄型に製作できる。また、低温で製造が可能であり、製造工程が単純で低価格化が可能である。さらに、最近では、有機薄膜材料技術及び工程技術の急速な成長につれ既存の平板表示装置の代替技術として考えられている。
【０００５】
ところが、最近の携帯電話機、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ノート型パーソナルコンピュータ、コンピュータモニタ及びテレビなどのような電子製品の薄型（ｓｌｉｍ）化につれ、上記有機電界発光表示装置も次第にほぼ１ｍｍ以下の厚さであることを要求されている。しかし、現在の有機電界発光表示装置は、封止技術を代替する保護膜技術が充分に開発されてない状況であるため、１ｍｍ以下の厚さの製造は困難である。
【０００６】
これに対して、厚さ１ｍｍ以下の有機電界発光表示装置を製造するために、例えば、特許文献１、特許文献２及び特許文献３によると、二枚のガラス基板にそれぞれ素子層（半導体層及び有機電界発光素子など）を形成して、上記各素子層が対面するようにガラス基板を合着し、以後、素子層のないガラス基板の表面を食刻や研磨工程により除去することで、薄型有機電界発光表示装置を製造する方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３４０１８２号公報
【特許文献２】特開２００５−２２２９３０号公報
【特許文献３】特開２００５−２２２７８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、このような方法は、それぞれのガラス基板に半導体層や有機電界発光素子をそれぞれ形成した後、これを合着して食刻または研磨することで、製造工程時間が非常に長くなる問題点がある。さらに、このような従来の方法は、ある程度の完成されたガラス基板を合着することで、合着工程中にガラス基板、半導体層及び有機電界発光素子が損傷されるとか、破損される場合が多く、低生産効率に伴う製造費用の増加の問題点がある。
【０００９】
勿論、ガラス基板の厚さをあらかじめ１ｍｍ以下で製造した後、それの表面に素子層を形成する方法も考慮できるが、この場合、上記ガラス基板の厚さが非常に薄くて製造工程中に上記ガラス基板が曲がるとか、製造装置に機械的に接触して破損される問題点がある。
【００１０】
そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、薄型の有機電界発光表示装置及びその製造方法において、製造工程中または製造工程の後、紫外線が基板を通じて有機電界発光素子に入射されないようにし、製造工程中に基板の曲がり及び破損を防止し、製造工程時間を短縮することで、生産性の向上及び原価を節減することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基板と、前記基板上に形成された半導体層と、前記半導体層に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に形成されたソース／ドレイン電極と、前記ソース／ドレイン電極に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された非透過層と、前記絶縁膜に形成された有機電界発光素子と、前記基板の下面に形成される摩擦防止層と、を備える有機電界発光表示装置が提供される。
【００１２】
前記基板と前記半導体層との間に形成されたバッファ層をさらに備え得る。
【００１３】
上記非透過層は、上記有機電界発光素子の外周を囲むように形成され得る。
【００１４】
上記非透過層は、上記有機電界発光素子の外周を囲むようにして、上記半導体層と対応される上記絶縁膜の上面に形成され得る。
【００１５】
上記非透過層は、上記有機電界発光素子の外周を囲むようにして、上記半導体層と対応されない上記絶縁膜の上面に形成され得る。
【００１６】
上記非透過層は、上記有機電界発光素子をなすアノードと接続され得る。
【００１７】
上記非透過層上には、画素定義膜が形成され得る。
【００１８】
上記非透過層は、紫外線遮断層であり得る。
【００１９】
上記非透過層は、紫外線が透過されない金属、透明紫外線遮断剤及び不透明の紫外線遮断済のうち少なくともいずれか１つであり得る。
【００２０】
上記非透過層は、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、  金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び銀合金（ＡＴＤ）のうち少なくともいずれか１つであり得る。
【００２１】
上記非透過層は、５０〜３００ｎｍの厚さに形成され得る。
【００２２】
上記非透過層は、有機電界発光素子をなすアノードと同様な材質に形成され得る。
【００２３】
上記非透過層は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）／Ａｇ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ及びＩＴＯ／Ａｇ／ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）のうち少なくともいずれか１つで形成され得る。
【００２４】
上記基板は、０．０５〜１ｍｍの厚さに形成され得る。
【００２５】
上記基板は、ガラス、プラスチック、金属及びポリマーのうちいずれか１つで形成され得る。
【００２６】
上記摩擦防止層の厚さは、１０〜１００μｍであり得る。
【００２７】
上記摩擦防止層は、有機材料及び無機材料のうちいずれか１つで形成され得る。
【００２８】
上記非透過層は、導電性ビアを通じて上記ソース／ドレイン電極に電気的に接続され得る。
【００２９】
上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、二枚の基板を準備する段階と、前記段階で準備した二枚の基板を合着する段階と、前記各基板のうち、合着面の反対面に半導体層を形成する段階と、前記半導体層上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜上に非透過層を形成する段階と、前記非透過層上に有機電界発光素子を形成する段階と、前記合着された二枚の基板をそれぞれ分離する段階と、を含む有機電界発光表示装置の製造方法が提供される。
【００３０】
前記基板の合着段階と前記半導体層形成段階との間に、前記合着面の反対側にバッファ層を形成する段階をさらに含み、前記半導体層形成段階では、前記半導体層は前記バッファ層上に形成され得る。
【００３１】
上記非透過層形成段階では、上記非透過層を上記絶縁膜上の領域全体に形成し得る。
【００３２】
上記有機電界発光素子形成段階では、上記非透過層の一部の領域をアノードとし得る。
【００３３】
上記非透過層形成段階では、上記非透過層が紫外線遮断層として形成され得る。
【００３４】
上記非透過層形成段階では、上記非透過層が、紫外線が透過されない金属、透明紫外線遮断剤及び不透明の紫外線遮断済のうち少なくともいずれか１つで形成され得る。
【００３５】
上記非透過層形成段階では、上記非透過層が、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び銀合金（ＡＴＤ）のうち少なくともいずれか１つで形成され得る。
【００３６】
上記非透過層形成段階では、上記非透過層が、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）／Ａｇ／  ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ及びＩＴＯ／Ａｇ／ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）のうち少なくともいずれか１つで形成され得る。
【００３７】
上記基板準備段階では、０．０５〜１ｍｍ厚さの基板を準備し得る。
【００３８】
上記基板合着段階は、基板と基板との間に摩擦防止層を備える。
【００３９】
上記基板分離段階の後には、摩擦防止層を除去する段階がさらに含まれ得る。
【００４０】
上記のような本発明に係る有機電界発光表示装置は、例えば、０．０５〜１ｍｍの厚さを有する薄型の基板を含むことで、最近のスリム化である携帯電話、ＰＤＡ、ノート型パーソナルコンピュータ、コンピュータモニタ及びテレビなどのような各種のディスプレー用の電子製品に適用しやすくなる。
【００４１】
また、上記のような本発明に係る有機電界発光表示装置は、有機電界発光素子の下部に非透過層を形成することで、製品の使用中に紫外線が基板を通じて有機電界発光素子に影響を及ぼさないようにする。
【００４２】
上記のような本発明に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、例えば、０．０５〜１ｍｍの厚さを有する基板を二枚合着して半導体工程及び有機薄膜工程（勿論、各工程には洗浄、食刻、露光、現象及び熱処理などを含む）を同時に行うことで、全体工程時間をほぼ５０％程度に短縮させることができる。
【００４３】
また、上記のような本発明に係る製造方法は、有機電界発光素子の下部にあらかじめ非透過層を形成することで、露光工程中に紫外線が反対側の他の基板によく伝達されないようにする。
【００４４】
また、上記のような本発明に係る製造方法は、合着される基板の間に所定の厚さの摩擦防止層を形成して剛性を補強することで、製造工程中に基板が曲がるとか、破損されないようにする。
【００４５】
また、上記のような本発明に係る製造方法は、合着される基板の間に摩擦防止層を形成することで、二枚の基板合着の際にも、基板同士の接触を防止して基板損傷を防止することができるようになる。
【発明の効果】
【００４６】
本発明に係る有機電界発光表示装置は、例えば、０．０５〜１ｍｍの厚さを有する基板を含むことで、最近のスリム化である携帯電話、ＰＤＡ、ノート型パーソナルコンピュータ、コンピュータモニタ及びテレビなどのような各種ディスプレー用の電子製品に適用しやすくなる。
【００４７】
また、上記のような本発明に係る有機電界発光表示装置は、有機電界発光素子の下部に非透過層を形成することで、製品の使用中に紫外線が基板を通じて有機電界発光素子に影響を及ぼさないようにする。
【００４８】
また、上記のような本発明に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、例えば、０．０５〜１ｍｍの厚さを有する基板を二枚合着して半導体工程及び有機薄膜工程（勿論、各工程には洗浄、食刻、露光、現象及び熱処理などを含む）を同時に行うことで、全体工程時間をほぼ５０％程度に短縮させることができる。
【００４９】
また、上記のような本発明に係る製造方法は、有機電界発光素子の下部にあらかじめ非透過層を形成することで、露光工程中に紫外線が反対側の他の基板によく伝達しないようにする。
【００５０】
また、上記のような本発明に係る製造方法は、合着される基板の間に所定の厚さの摩擦防止層を形成して剛性を補強することで、製造工程中に基板が曲がるとか、破損されないようにする。
【００５１】
また、上記のような本発明に係る製造方法は、合着される基板の間に摩擦防止層を形成することで、二枚の基板合着の際にも、基板同士の接触を防止して基板損傷を防止することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】通常の有機電界発光素子を示した概路図。
【図２】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置を示した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を示したフローチャートである。
【図４ａ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｂ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｃ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｄ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｅ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｆ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｇ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｈ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｉ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｊ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｋ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５３】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００５４】
図２は、本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。
【００５５】
図２に示すように、本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置１００は、基板１１０と、上記基板１１０上に形成されたバッファ層１２０と、上記バッファ層１２０上に形成された半導体層１３０と、上記半導体層１３０上に形成されたゲート絶縁膜１４０と、上記ゲート絶縁膜１４０上に形成されたゲート電極１５０と、上記ゲート電極１５０上に形成された層間絶縁膜１６０と、上記層間絶縁膜１６０上に形成されたソース／ドレイン電極１７０と、上記ソース／ドレイン電極１７０上に形成された絶縁膜１８０と、上記絶縁膜１８０上に形成された非透過層１９０と、上記非透過層１９０上に形成された有機電界発光素子２００と、上記有機電界発光素子２００の外周縁である非透過層１９０上に形成された画素定義膜２１０と、上記基板１１０の下面に形成された摩擦防止層２２０とを含むことができる。
【００５６】
上記基板１１０は、上面と下面とがほぼ平坦で、上面と下面との間の厚さは、ほぼ０．０５〜１ｍｍ程度に形成されることができる。上記基板１１０の厚さがほぼ０．０５ｍｍ以下の場合には、製造工程中に洗浄、食刻及び熱処理工程などによって損傷されやすく、また、外力に弱いという弱点がある。また、上記基板１１０の厚さがほぼ１ｍｍ以上の場合には、最近のスリム化である各種表示装置に適用しにくい。また、上記基板１１０は、通常のガラス、プラスチック、ポリマー、金属及びその等価物の中から選択されたいずれか１つに形成されることができるが、この材質に本発明が限定されるものではない。
【００５７】
上記バッファ層１２０は、上記基板１１０の上面に形成されることができる。このようなバッファ層１２０は、下記の半導体層１３０や有機電界発光素子２００方に湿気（Ｈ２Ｏ）、水素（Ｈ２）または酸素（Ｏ２）などが上記基板１１０を貫通して浸透しないようにする役割を有する。このために、上記バッファ層１２０は、半導体の工程中に形成し易いシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）、無機膜及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つに形成することができるが、この材質に本発明が限定されるものではない。勿論、このようなバッファ層１２０は、必要によって省略されることもあり得る。
【００５８】
上記半導体層１３０は、上記バッファ層１２０の上面に形成されることができる。このような半導体層１３０は、お互いに対向する両側に形成されたソース／ドレイン領域１３２と、上記ソース／ドレイン領域１３２の間に形成されたチャンネル領域１３４からなることができる。例えば、上記半導体層１３０は、薄膜トランジスタであることができる。このような薄膜トランジスタとしては、例えば、アモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｓｉ）薄膜トランジスタ、ポリシリコン（ｐｏｌｙ  Ｓｉ）薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、マイクロシリコン（ｍｉｃｒｏ  Ｓｉ）、アモルファスシリコンとポリシリコンとの間のグレーンサイズを有するシリコン）薄膜トランジスタ及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つに形成されることができるが、本発明において、上記の薄膜トランジスタの種類が限定されるわけではない。また、上記薄膜トランジスタがポリシリコン薄膜トランジスタの場合、上記ポリシリコン薄膜トランジスタは、低温でレーザを利用して結晶化する方法、金属を利用して結晶化する方法、高圧力を利用して結晶化する方法及びその等価方法の中から選択されたいずれか１つの方法であることができるが、本発明において、上記ポリシリコンの結晶化方法が限定されるわけではない。上記レーザを利用して結晶化する方法は、ＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、ＴＤＸ（Ｔｈｉｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）などの方式が可能であるが、この方法に本発明が限定されるものではない。また、金属を利用して結晶化する方法は、ＳＰＣ（Ｓｏｌｉｄ  Ｐｈａｓｅｓ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＳＧＳ（Ｓｕｐｅｒ  Ｇｒａｉｎｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）などが可能であるが、この方式に本発明が限定されるものではない。勿論、上記薄膜トランジスタは、ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ及びその等価形態の中から選択された少なくともいずれか１つであることができるが、本発明において、上記薄膜トランジスタの導電形態が限定されるものでもない。
【００５９】
上記ゲート絶縁膜１４０は、上記半導体層１３０の上面に形成されることができる。勿論、このようなゲート絶縁膜１４０は、上記半導体層１３０の外周縁であるバッファ層１２０上にも形成されることができる。また、上記ゲート絶縁膜１４０は、半導体の工程中に易しく得られるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、無機膜またはその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つで形成されることができるが、ここでその材質が限定されるわけではない。
【００６０】
上記ゲート電極１５０は、上記ゲート絶縁膜１４０の上面に形成されることができる。さらに、具体的に、上記ゲート電極１５０は、上記半導体層１３０のうち、チャンネル領域１３４と対応されるゲート絶縁膜１４０上に形成されることができる。周知のように、このようなゲート電極１５０は、上記ゲート絶縁膜１４０下部のチャンネル領域１３４に電界を印加することで、上記チャンネル領域１３４に正孔または電子のチャンネルが形成されるようにする。また、上記ゲート電極１５０は、通常の金属（Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｌＮｄ、Ｃｒ、Ｍｏ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金など）、ドーピングされたポリシリコン及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つで形成されることができるが、ここで、その材質が限定されるわけではない。
【００６１】
上記層間絶縁膜１６０は、上記ゲート電極１５０及びゲート絶縁膜１４０との上面に形成されることができる。上記層間絶縁膜１６０は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリマー、プラスチック、ガラスまたはその等価物の中から選択されたいずれか１つに形成されることができるが、ここで、上記層間絶縁膜１６０の材質が限定されるわけではない。
【００６２】
上記ソース／ドレイン電極１７０は、上記層間絶縁膜１６０の上面に形成されることができる。勿論、上記ソース／ドレイン電極１７０と半導体層１３０との間には、層間絶縁膜１６０を貫通する導電性コンタクト１７６（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｃｏｎｔａｃｔ）が形成されることができる。すなわち、上記導電性コンタクト１７６によって上記半導体層１３０のうち、ソース／ドレイン領域１３２とソース／ドレイン電極１７０とがお互いに電気的に接続される。また、上記ソース／ドレイン電極１７０は、上記ゲート電極１５０のような金属材質に形成されることができるが、ここで、その材質が限定されるわけではない。一方、上記のような半導体層１３０（すなわち、薄膜トランジスタ）は、通常に同一平面構造（ｃｏｐｌａｎａｒ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）に定義されることができる。しかし、本発明の一実施形態に開示された半導体層１３０は、同一平面構造のみに限定されるものではなく、今まで知られたすべての薄膜トランジスタの構造を例に挙げれば、逆転同一平面構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ  ｃｏｐｌａｎａｒ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、ジグザグ型構造（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、逆転ジグザグ型構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ  ｓｔａｇｇｅｒｅｄ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）及びその等価構造の中から選択された少なくともいずれか１つが可能であり、本発明において、上記半導体層１３０の構造が限定されるわけではない。
【００６３】
上記絶縁膜１８０は、上記ソース／ドレイン電極１７０及び層間絶縁膜１６０の上面に形成されることができる。このような絶縁膜１８０は、また、保護膜１８２と上記保護膜１８２の上面に形成された平坦化膜１８４とを備えてなることができる。上記保護膜１８２は、上記ソース／ドレイン電極１７０及び層間絶縁膜１６０を覆って、上記ソース／ドレイン電極１７０などを保護する役割をする。このような保護膜１８２は、通常の無機膜及びその等価物の中から選択されたいずれか１つに形成されることができるが、本発明において、上記保護膜１８２の材質が限定されるわけではない。尚、上記平坦化膜１８４は、上記保護膜１８２を覆う。このような平坦化膜１８４は、素子全体の表面を平坦にすることとして、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ  Ｃｙｃｌｏ  Ｂｕｔｅｎｅ）、アクリル（Ａｃｒｙｌｉｃ）及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つに形成されることができるが、ここで、その材質が限定されるわけではない。
【００６４】
上記非透過層１９０は、上記絶縁膜１８０の上面全体に形成されることができる。すなわち、上記非透過層１９０は、上記半導体層１３０と対応される上部領域、或いは上記半導体層１３０と対応されない上部領域全体に形成されることができる。また、上記非透過層１９０は、上記絶縁膜１８０を貫通する導電性ビア２０８によって上記ソース／ドレイン電極１７０に電気的に接続されることができる。このように非透過層１９０が上記ソース／ドレイン電極１７０と電気的に接続される理由に対して、下記に説明する。
【００６５】
また、上記非透過層１９０は、二枚の基板１１０を合着して有機電界発光素子２００などを形成する製造工程中に露光のための紫外線が反対側の他の基板方へ透過されないようにする役割をする。勿論、上記非透過層１９０は、基板１１０が一個ずつ分離された後、外部の紫外線が有機電界発光素子２００方に透過できないようにする役割もする。
【００６６】
このような非透過層１９０は、紫外線遮断剤及びその等価物の中から選択されたいずれか１つに形成されることができる。尚、上記非透過層１９０は、紫外線が透過されない金属、透明紫外線遮断剤、不透明の紫外線遮断剤及びその等価物の中から選択されたいずれか１つに形成されることもできる。さらに、上記非透過層１９０が金属の場合、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、銀合金（ＡＴＤ）及びその等価物の中から選択されたいずれか１つに形成されることができるが、ここでその材質が限定されるわけではない。
【００６７】
また、上記非透過層１９０は、５０〜３００ｎｍの厚さに形成されることができる。上記非透過層１９０の厚さが５０ｎｍ以下である場合には、紫外線遮断率が低く、製造工程中、或いは工程後に上記半導体層１３０や有機電界発光素子２００に影響を与えることができ、また、上記非透過層１９０の厚さが３００ｎｍ以上場合には、充分な紫外線遮断効率にもかかわらず厚さが非常に厚くなる恐れがある。
【００６８】
上記有機電界発光素子２００は、上記非透過層１９０の上面のうち、一定の領域のみに形成されることができる。このような有機電界発光素子２００は、再びアノード２０２、上記アノード２０２の上面に形成された有機電界発光薄膜２０４及び上記有機電界発光薄膜２０４の上面に形成されたカソード２０６とを含むことができる。上記アノード２０２は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ／Ａｇ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つに形成されることができるが、本発明において、上記アノード２０２の材質が限定されるわけではない。上記ＩＴＯは、仕事関数が均一で有機電界発光薄膜２０４に対する正孔注入障壁が小さい透明導電膜であり、上記Ａｇは、全面発光方式で特に有機電界発光薄膜２０４から光を上面に反射させる膜である。一方、上記有機電界発光薄膜２０４は、電子と正孔が結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成して発光する発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子の移動速度を適切に調節する電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、正孔の移動速度を適切に調節する正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）からなることができる。また、上記電子輸送層には、電子の注入効率を向上させる電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）が形成され、上記正孔輸送層には、正孔の注入効率を向上させる正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）がさらに形成されることができる。尚、上記カソード２０６は、Ａｌ、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＣａ合金及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つであることができるが、本発明において、上記カソード２０６の材質が限定されるわけではない。但し、本発明において、全面発光式を採用する場合、上記Ａｌは、厚さを非常に薄くしなければならなく、その場合、抵抗が高くなって電子注入障壁が大きくなる短所がある。上記ＭｇＡｇ合金は、上記Ａｌに比べて電子注入障壁が小さく、上記ＭｇＣａ合金は、上記ＭｇＡｇ合金に比べて電子注入障壁がより低い。従って、全面発光式である場合は、上記Ａｌ代わりにＭｇＡｇ合金及びＭｇＣａ合金をカソード２０６として使用することがよい。しかし、このようなＭｇＡｇ合金及びＭｇＣａ合金は、周辺環境に敏感あり、酸化して絶縁層を形成することができるので、外部と完璧に遮断しなければならない。
【００６９】
ここで、上記有機電界発光素子２００の一構成要素であるアノード２０２と非透過層１９０とは、実質的に同様な材質であることもできる。つまり、絶縁膜１８０の上面全体に非透過層１９０を形成し、上記非透過層１９０のうち上記有機電界発光素子２００が形成される領域を別途のアノード２０２に定義したものである。よって、上記非透過層１９０は、アノード２０２のようにＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つに形成されることができる。尚、上述したように非透過層１９０は、ソース／ドレイン電極１７０と導電性ビア２０８によってお互いに電気的に接続されることができるということに対して、上記非透過層１９０の一部領域が有機電界発光素子２００のアノード２０２として使用できるからである。
【００７０】
一方、ここで本実施形態は、基板１１０の上部方向に発光する全面発光方式を中心に説明したが、これに限定されなく、基板１１０の下部方向に発光する背面発光方式または基板１１０の上部と下部方向に同時に発光する両面発光にも全部適用可能である。
【００７１】
上記画素定義膜２１０は、上記有機電界発光素子２００の外周縁として、上記非透過層１９０の上面に形成されることができる。このような画素定義膜２１０は、赤色有機電界発光素子、緑色有機電界発光素子、青色有機電界発光素子との間の境界を明確にして、さらに画素との間の発光境界領域が明確になるようにする。また、このような画素定義膜２１０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つに形成されることができるが、ここで上記画素定義膜２１０の材質が限定されるわけではない。
【００７２】
一方、本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置１００は、上記基板１１０の下面に摩擦防止層２２０がさらに形成されることができる。このような摩擦防止層２２０は、二枚の基板１１０を合着して半導体層１３０及び有機電界発光素子２００などを形成する工程中に両基板１１０がお互いに接触されないようにする役割をする。尚、このような摩擦防止層２２０は、二枚の基板１１０が合着された状態において、全体的な厚さが厚くなることで、所定の剛性を確保して基板の移送工程などでの曲がり或は破損現象が防止されるようにする。このような摩擦防止層２２０は、有機材料、無機材料及びその等価物の中から選択されたいずれか１つを利用して形成することができるが、ここでその材質が限定されるわけではない。
【００７３】
また、上記摩擦防止層２２０は、１０〜１００μｍの厚さに形成することが好ましい。上記摩擦防止層２２０の厚さが１０μｍ以下である場合には、製造工程中に基板と基板とが接触することができ、上記摩擦防止層２２０の厚さが１００μｍ以上である場合には、基板１１０の全体厚さが非常に厚くなることができる。
【００７４】
図３は、本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法の手順図である。
【００７５】
図示されたように、本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、基板準備段階（Ｓ１）と、基板合着段階（Ｓ２）と、バッファ層形成段階（Ｓ３）と、半導体層形成段階（Ｓ４）と、絶縁膜形成段階（Ｓ５）と、非透過層形成段階（Ｓ６）と、有機電界発光素子形成段階（Ｓ７）と、基板分離段階（Ｓ８）と、摩擦防止層除去段階（Ｓ９）とを含むことができる。
【００７６】
図４ａから図４ｋは、本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法の断面図である。上記図３及び図４ａから図４ｋを参照して、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を順次に説明する。
【００７７】
先に、図４ａに示すように、上記基板準備段階（Ｓ１）においては、上面と下面とがほぼ平たくて一定な厚さを有する基板１１０を提供する。
【００７８】
上記基板１１０は、通常のガラス、プラスチック、ポリマー、金属及びその等価物の中から選択されたいずれか１つであることができるが、本発明において、上記基板１１０の材質や種類が限定されるわけではない。また、上記基板１１０は、厚さがほぼ０．０５〜１ｍｍの程度であることを準備することがよい。上記基板１１０の厚さがほぼ０．０５ｍｍ以下である場合には、製造工程中に洗浄、食刻及び熱処理工程などによって損傷されやすく、取り扱いが難しくてまた外力に破損されやすい短所がある。また、上記基板１１０の厚さがほぼ１ｍｍ以上である場合には、最近のスリム化である各種の表示装置に適用しにくい短所がある。
【００７９】
図４ｂに示すように、上記基板合着段階（Ｓ２）においては、上記のような基板１１０を二枚準備してお互いに合着する。
【００８０】
この際、上記基板１１０と基板１１０との直接的な摩擦を控え、また製造工程中に一定な剛性を維持するように、上記基板１１０と基板１１０との間には摩擦防止層２２０をさらに介在することができる。このような摩擦防止層２２０は、通常の有機材料、無機材料またはその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つを蒸着、或はコーティングして形成することができるが、本発明において、上記摩擦防止層２２０の材質及び形成方法が限定されるわけではない。勿論、このような摩擦防止層２２０は、有機電界発光表示装置の完成後に除去すれば、除去しやすい材質に形成することがよい。このような材質として、例えば、有機物質であるフォトレジスト（ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ）が可能であるが、ここでその材質が限定されるわけではない。尚、上記基板１１０の端または全体領域には、製造工程中に二枚の基板１１０がお互いに分離しないように合着剤（図示せず）をさらに介在することもできる。このような合着剤は、通常のエポキシ接着剤、紫外線硬化接着剤及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つを利用することができるが、ここでその材質が限定されるわけではない。また、上記摩擦防止層２２０は、各基板１１０にあらかじめ形成した後、これをお互いに合着することもできるが、二枚の基板１１０を合着剤を介在して合着した後、上記両基板１１０との間に形成された隙間に液体成分の摩擦防止層２２０を注入して形成することもできる。すなわち、上記二枚の基板１１０との間に液体成分の摩擦防止層２２０を注入すれば、毛細管現象によって容易に注入されるからである。勿論、このような液体成分の摩擦防止層２２０の形成後には、所定の温度で基板１１０を熱処理することで、上記摩擦防止層２２０が硬化されるようにすることがよい。
【００８１】
図４ｃに示すように、上記バッファ層形成段階（Ｓ３）においては、摩擦防止層２２０が形成された面の反対面である各基板１１０の表面に一定の厚さのバッファ層１２０を形成する。このようなバッファ層１２０は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、無機膜及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つを利用して形成する。上記バッファ層１２０は、水分、水素または酸素などが上記基板１１０を通じて半導体層１３０または有機電界発光素子２００に伝達しないようにする役割を有する。勿論、このようなバッファ層１２０は、その表面に半導体層１３０などがよく形成できるような役割も有する。
【００８２】
尚、このようなバッファ層１２０は、いずれか一側の基板に先に形成し、次に他の基板に順次に形成するとか、または両側の基板に同時に形成することができる。また、このバッファ層形成段階（Ｓ３）は必ずしも必要ではなく、必要に応じて、省略されてもよい。
【００８３】
図４ｄに示すように、上記半導体層形成段階（Ｓ４）においては、上記バッファ層１２０の表面に半導体層１３０を形成し、次にその表面にゲート絶縁膜１４０を形成する。
【００８４】
上記半導体層１３０は、お互いに対向される両側にソース／ドレイン領域１３２を形成し、上記ソース／ドレイン領域１３２との間には、チャンネル領域１３４を形成してなることができる。一例として、上記半導体層１３０は、薄膜トランジスタであることができる。このような薄膜トランジスタは、アモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｓｉ）薄膜トランジスタ、ポリシリコン（ｐｏｌｙ  Ｓｉ）薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、マイクロシリコン（ｍｉｃｒｏ  Ｓｉ）薄膜トランジスタまたはその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つに形成することができるが、本発明において、上記薄膜トランジスタの種類が限定されるわけではない。
【００８５】
また、上記薄膜トランジスタがポリシリコン薄膜トランジスタである場合、アモルファスシリコンを上記バッファ層１２０上に形成した後、低温でレーザを利用して結晶化する方法、金属を利用して結晶化する方法、高圧力を利用して結晶化する方法及びその等価方法の中から選択された少なくともいずれか１つの方法に結晶化することができる。しかし、本発明において、上記ポリシリコンの結晶化方法が限定されるわけではない。
【００８６】
勿論、上記アモルファスシリコンは、例えば、ＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング及びその等価方式の中から選択された少なくともいずれか１つの方法に形成することができ、ここで上記アモルファスシリコンの形成方法が限定されるわけではない。尚、このようなアモルファスシリコンの結晶化の以後には、フォトレジスト塗布、露光、現象、食刻及びフォトレジスト剥離などの工程を通じて所望の位置及び個数の半導体層１３０を形成する。
【００８７】
一方、上記レーザを利用してアモルファスシリコンをポリシリコンに結晶化する方法として、ＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、ＴＤＸ（Ｔｈｉｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）などの方式が可能であるが、本発明において、その方式が限定されるわけではない。また、金属を利用して結晶化する方法としては、ＳＰＣ（Ｓｏｌｉｄ  Ｐｈａｓｅｓ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＳＧＳ（Ｓｕｐｅｒ  Ｇｒａｉｎｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）などが可能であるが、本発明において、その方式が限定されるわけではない。
【００８８】
また、上記薄膜トランジスタは、ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ及びその等価形態の中から選択された少なくともいずれか１つであることができるが、本発明において、上記薄膜トランジスタの導電形態が限定されるわけではない。
【００８９】
上記半導体層１３０の表面には、例えば、ＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング及びその等価方法の中から選択されたいずれか１つの方法として、一定の厚さのゲート絶縁膜１４０を形成する。勿論、このようなゲート絶縁膜１４０は、上記半導体層１３０の外周縁であるバッファ層１２０上にも形成することができる。また、上記ゲート絶縁膜１４０は、半導体の工程中に易しく得られるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、無機膜またはその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つに形成することができ、ここでその材質が限定されるわけではない。
【００９０】
図４ｅに示すように、上記ゲート絶縁膜１４０の上面には、例えば、ＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング及びその等価方法の中から選択されたいずれか１つの方法でゲート電極１５０を形成することができる。勿論、上記のような蒸着工程以後には、フォトレジスト塗布、露光、現象、食刻及びフォトレジスト剥離などの工程を通じて所望の位置に所望の個数のゲート電極１５０を形成する。すなわち、上記ゲート電極１５０は、上記半導体層１３０のうち、チャンネル領域１３４と対応されるゲート絶縁膜１４０上に形成することができる。このようなゲート電極１５０は、上記ゲート絶縁膜１４０下部のチャンネル領域１３４に電界を印加することで、上記チャンネル領域１３４に正孔または電子のチャンネルが形成されるようにする。また、上記ゲート電極１５０は、通常の金属（Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｌＮｄ、Ｃｒ、Ｍｏ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金など）、ドーピングされたポリシリコン及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つを利用して形成することができるが、ここでその材質が限定されるわけではない。
【００９１】
また、上記ゲート電極１５０及びゲート絶縁膜１４０の上面には、層間絶縁膜１６０を形成する。上記層間絶縁膜１６０は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリマー、プラスチック、ガラスまたはその等価物の中から選択されたいずれか１つに形成することができ、ここで上記層間絶縁膜１６０の材質が限定されるわけではない。勿論、上記層間絶縁膜１６０のうち、ソース／ドレイン領域１３２と対応される領域は食刻工程を通じて上記ソース／ドレイン領域１３２が外部に露出されるようにする。このような露出された領域を通常にコンタクトホールといい、このようなコンタクトホールには、後に導電性コンタクトが形成される。
【００９２】
また、図４ｆに示すように、上記層間絶縁膜１６０の上面には、例えば、ＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング及びその等価方法の中から選択されたいずれか１つの方法でソース／ドレイン電極１７０を形成する。勿論、上記のような蒸着工程の以後には、フォトレジスト塗布、露光、現象、食刻及びフォトレジスト剥離などの工程を通じて所望の位置に所望の個数のソース／ドレイン電極１７０を形成する。上記ソース／ドレイン電極１７０と半導体層１３０のソース／ドレイン領域１３２との間には、上記層間絶縁膜１６０を貫通する導電性コンタクト１７６（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｃｏｎｔａｃｔ）を形成する。勿論、上記導電性コンタクト１７６は、上述したようにあらかじめ形成されたコンタクトホールを充填して形成される。
【００９３】
上記導電性コンタクト１７６によって上記半導体層１３０とソース／ドレイン電極１７０とが電気的にお互いに接続される。このような導電性コンタクト１７６も上記ゲート電極１５０及びソース／ドレイン電極１７０のような材質を利用して形成することができ、ここで上記導電性コンタクト１７６の材質が限定されるわけではない。
【００９４】
また、上記ソース／ドレイン電極１７０は、上記ゲート電極１５０のような金属材質に形成することができ、ここでその材質が限定されるわけではない。一方、上記のような半導体層１３０（すなわち、薄膜トランジスタ）は、通常、同一平面構造（ｃｏｐｌａｎａｒ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）に定義される。しかし、本発明に開示された半導体層１３０は、同一平面構造のみに限定されるわけではなく、今まで知られたすべての薄膜トランジスタの構造、例えば、逆転同一平面構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ  ｃｏｐｌａｎａｒ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、ジグザグ型構造（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、逆転ジグザグ型構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ  ｓｔａｇｇｅｒｅｄ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）及びその等価構造の中から選択された少なくともいずれか１つが可能であり、本発明において、上記半導体層１３０の構造が限定されるわけではない。
【００９５】
上記半導体層１３０と、ゲート絶縁膜１４０と、ゲート電極１５０と、層間絶縁膜１６０と、ソース／ドレイン電極１７０とは、一側の基板１１０に先に形成した後、他側の基板１１０に形成することができる。すなわち、一側の基板上で半導体層１３０と、ゲート絶縁膜１４０と、ゲート電極１５０と、層間絶縁膜１６０と、ソース／ドレイン電極１７０とを完成し、他側の基板で再び半導体層１３０と、ゲート絶縁膜１４０と、ゲート電極１５０と、層間絶縁膜１６０と、ソース／ドレイン電極１７０とを完成することができる。尚、このような構成要素１３０、１４０、１５０、１６０、１７０は、工程別に一側と他側の基板とをひっくり返して順次に形成することもできる。さらに、上記構成要素１３０、１４０、１５０、１６０、１７０は、工程装備が可能であれば、両側の基板で同時に形成して完成することもできる。
【００９６】
図４ｇに示すように、上記絶縁膜形成段階（Ｓ５）においては、上記半導体層１３０（すなわち、ソース／ドレイン電極１７０及び層間絶縁膜１６０の上面）上に一定の厚さの絶縁膜１８０を形成する。
【００９７】
上記絶縁膜１８０は、保護膜１８２と平坦化膜１８４とからなることができる。勿論、保護膜１８２を先に形成し、次に上記保護膜１８２の上に平坦化膜１８４を形成する。上記保護膜１８２は、上記ソース／ドレイン電極１７０及び層間絶縁膜１６０とを覆って、上記ソース／ドレイン電極１７０及びゲート電極１５０などを保護する役割をする。勿論、上記保護膜１８２及び平坦化膜１８４には、上記ソース／ドレイン電極１７０と対応される領域を食刻してビアホール２０８ａをあらかじめ形成する。このようなビアホール２０８ａには、後に導電性ビアを形成する。上記保護膜１８２は、通常のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、無機膜及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つを蒸着またはコーティングして形成することができるが、本発明において、上記保護膜１８２の材質や形成方法が限定されるわけではない。尚、保護膜１８２上には、平坦化膜１８４を形成する。このような平坦化膜１８４は、素子全体の表面を平坦にさせることとして、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ  Ｃｙｃｌｏ  Ｂｕｔｅｎｅ）、アクリル及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つをコーティングまたは蒸着して形成することができるが、本発明において、上記平坦化膜１８４の材質や形成方法が限定されるわけではない。
【００９８】
また、上記絶縁膜１８０は、一側の基板１１０に形成した後、他側の基板１１０に形成することができる。すなわち、一側の基板上に絶縁膜１８０を先に完成して、他側の基板に再び絶縁膜１８０を完成することができる。尚、このような絶縁膜１８０は、工程別に一側と他側の基板とをひっくり返して順次に形成することもできる。さらに、上記絶縁膜１８０は、工程装備が可能であれば、両側の基板に同時に形成して完成することもできる。
【００９９】
図４ｈに示すように、上記非透過層形成段階（Ｓ６）においては、実質的に上記絶縁膜１８０の上面全体に一定の厚さの非透過層１９０を形成する。すなわち、上記非透過層１９０は、上記半導体層１３０と対応される上部領域及び上記半導体層１３０と対応されない上部領域に全部形成する。この際、上記絶縁膜１８０にあらかじめ形成されたビアホール２０８ａには、導電性ビア２０８を形成することで、上記非透過層１９０が上記導電性ビア２０８によって上記ソース／ドレイン電極１７０に電気的に接続されるようにする。
【０１００】
上記のような非透過層１９０は、二枚の基板１１０を合着して有機電界発光素子２００などを形成する製造工程中に露光のための紫外線が反対側の他の基板方に透過されないようにする役割を有する。勿論、上記非透過層１９０は、基板１１０が一個ずつ分離された後、外部の紫外線が有機電界発光素子２００方に透過できないようにする役割も有する。
【０１０１】
このような非透過層１９０は、紫外線遮断剤及びその等価物の中から選択されたいずれか１つに形成することができる。尚、上記非透過層１９０は、紫外線が透過されない金属、透明紫外線遮断剤、不透明の紫外線遮断剤及びその等価物の中から選択されたいずれか１つに形成することができる。さらに、上記非透過層１９０が金属である場合、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、銀合金（ＡＴＤ）及びその等価物の中から選択されたいずれか１つに形成することができるが、ここでその材質が限定されるわけではない。
【０１０２】
また、上記非透過層１９０は、５０〜３００ｎｍの厚さに形成することができる。上記非透過層１９０の厚さが５０ｎｍ以下である場合には、紫外線遮断率が低くて製造工程中、或は工程後に上記半導体層１３０や有機電界発光素子２００に影響を与えることができ、また、上記非透過層１９０の厚さが３００ｎｍ以上である場合には、充分な紫外線遮断効率にもかかわらず厚さが非常に厚くなる可能性がある。
【０１０３】
尚、このような非透過層１９０は、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｔｉｏｎ）、ＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、コーティング及びその等価方式の中から選択されたいずれか１つの方法に形成することができるが、ここでその形成方法が限定されるわけではない。
【０１０４】
勿論、このような非透過層１９０も、いずれか一側の基板に先に形成し、次に他の基板に順次に形成するとか、または両側の基板に同時に形成することができる。
【０１０５】
図４ｉに示すように、有機電界発光素子形成段階（Ｓ７）においては、上記非透過層１９０のうち一部領域の上に薄膜形態として有機電界発光素子２００を形成する。
【０１０６】
さらに、具体的に、上記非透過層１９０の一部領域をアノード２０２で利用して、その上に有機電界発光薄膜２０４及びカソード２０６とを順次に形成する。
【０１０７】
上記アノード２０２は、ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＺＯ及びその等価物の中から選択されたいずれか１つを蒸着して形成することができるが、本発明において、上記アノード２０２の材質や形成方法が限定されるわけではない。一例として、上記アノード２０２は、ＲＦスパッタリング、ＤＣスパッタリング、イオンビームスパッタリング及び真空蒸着方法の中から選択されたいずれか１つの方法に形成することができる。以後、フォトレジスト塗布、露光、現象、食刻及びフォトレジスト剥離などの工程を通じて所望の位置に所望の面積のアノード２０２を形成する。勿論、この際、上記アノード２０２は、上記絶縁膜１８０を貫通する導電性ビア２０８を通じて上記ソース／ドレイン電極１７０に電気的に接続される。
【０１０８】
一方、上述したように、非透過層１９０の一部領域が有機電界発光素子２００のアノード２０２に利用される。よって、本発明の一実施形態は、実質的に上記非透過層１９０の材質が上記アノード２０２と同様であることができる。すなわち、本発明の一実施形態において、上記非透過層１９０は、ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＺＯ、またはその等価物の中から選択されたいずれか１つに形成されることができる。尚、上述したように、非透過層１９０とソース／ドレイン電極１７０とは、導電性ビア２０８によって電気的に接続されるように形成されるが、その理由は、上記非透過層１９０の一部領域が有機電界発光素子２００のアノード２０２に利用されるからである。
【０１０９】
尚、上記ＩＴＯは、仕事関数が均一で有機電界発光薄膜２０４に対する正孔注入障壁が小さい透明導電膜の役割を有し、上記Ａｇは、全面発光方式で特に有機電界発光薄膜２０４からの光を上面へ反射させる役割を有する。
【０１１０】
上記有機電界発光薄膜２０４は、周知のように、正孔の注入効率を向上させる正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔の移動速度を適切に調節する正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子と正孔が結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成して発光する発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子の移動速度を適切に調節する電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、電子の注入効率を向上させる電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）を順次に形成することができるが、層の種類がこれに限定されるわけではない。一例として、このような有機電界発光薄膜２０４は、溶液状態として塗布するスピンコーティング、ディップコーティング、スプレー法、スクリーン印刷またはインクジェットプリンティング法などの湿式コーティング方法で形成するとか、またはスパッタリング、真空蒸着などの乾式コーティング方法で形成することができる。
【０１１１】
上記有機電界発光薄膜２０４のうち、電子注入層表面には、上記カソード２０６を形成する。このようなカソード２０６は、Ａｌ、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＣａ合金及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つを蒸着して形成することができるが、本発明において、上記カソード２０６の材質や形成方法が限定されるわけではない。例えば、上記カソード２０６は、ＲＦスパッタリング、ＤＣスパッタリング、イオンビームスパッタリング及び真空蒸着方法の中から選択されたいずれか１つの方法で形成されることができる。以後、フォトレジスト塗布、露光、現象、食刻及びフォトレジスト剥離などの工程を通じて所望の位置に所望の面積のカソード２０６を形成する。
【０１１２】
尚、本発明の一実施形態において、全面発光式を採用する場合、カソード２０６として上記Ａｌを用いれば、光放出率を大きくするために厚さを非常に薄くしなければならないが、その場合、抵抗が高くなって電子注入障壁が大きくなる可能性がある。よって、この際には、カソード２０６としてＡｌより電子注入障壁が低いＭｇＡｇ合金、ＭｇＣａ合金及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つを利用することができる。勿論、この以外にも、上記カソード２０６は、上記ＩＴＯ及びＩＺＯの中から選択されたいずれか１つに形成することもできる。
【０１１３】
ここで、上記ＭｇＡｇ合金及びＭｇＣａ合金は、周辺環境に敏感であり、酸化されて絶縁層を形成することができるので、外部と完璧に遮断しなければならない。
【０１１４】
尚、このようなカソード２０６の形成後には、各有機電界発光素子２００の間の境界が明確になるように非透過層１９０上に画素定義膜２１０を形成する。このような画素定義膜２１０は、通常のポリイミド及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つをコーティング或は、蒸着して形成する。勿論、このようなコーティングや蒸着後には、通常のフォトレジスト塗布、露光、現象、食刻及びフォトレジスト剥離などの工程を通じて上述した有機電界発光素子２００が外部に露出されるようにする。
【０１１５】
さらに、ここで本発明の一実施形態では、基板１１０の上部方向に発光する全面発光方式を中心に説明したが、これに限定されなく、基板１１０の下部方向に発光する背面発光方式または基板１１０の上部と下部方向に同時に発光する両面発光にも全部適用可能である。
【０１１６】
上記有機電界発光素子２００は、一側の基板１１０に形成した後、他側の基板１１０に形成することができる。すなわち、一側の基板上に有機電界発光素子２００を完成し、他側の基板に再び有機電界発光素子２００を完成することができる。尚、このような有機電界発光素子２００は、工程別に一側と他側の基板とをひっくり返して順次に形成することもできる。さらに、上記有機電界発光素子２００は、工程装備が可能であれば、両側の基板で同時に形成して完成することもできる。
【０１１７】
図４ｊに示すように、基板分離段階（Ｓ８）においては、今まで合着されて工程が行ったそれぞれの基板１１０をそれぞれ分離する。すなわち、二枚の基板１１０をそれぞれ接着している合着剤をソーイングツール（ｓａｗｉｎｇ  ｔｏｏｌ）などを利用して除去することで、それぞれの基板１１０を分離する。この際、各基板１１０に摩擦防止層２２０が別途に形成された場合には、上記各基板１１０がお互いに易しく分離される。しかし、各基板１１０に合着剤を接着し、基板１１０の間に液状の摩擦防止層２２０を注入する場合には、各基板１１０がお互いによく分離しないこともある。この際には、上記摩擦防止層２２０を溶解する化学溶液を利用して上記各基板１１０がお互いに分離されるようにする。
【０１１８】
勿論、このような基板１１０の分離の後にも上記基板１１０の一側には、まだ摩擦防止層２２０が残存する状態であることができる。尚、図面には図示されてないが、上記ソーイング前、またはソーイング後には、封止材を利用して封止基板を接着する工程が当然に含まれることができる。勿論、上記封止基板には、水分などを吸収するために透明吸湿剤が形成されることができる。
【０１１９】
本発明の一実施形態では、上記のような基板１１０の分離段階を最後に終了することができる。すなわち、このような基板１１０の分離段階の後、セルテスト、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）ボンディング、モジュールテスト、信頼性テストを経て製品として出荷されることもできる。勿論、上記セルテストは、ソーイング段階前に基板１１０にセルテストのための領域を別途に作って行うこともできる。
【０１２０】
一方、上記のように基板１１０の分離段階（Ｓ８）を最後の工程で採択すれば、当然に完成された有機電界発光表示装置１００のうち、基板１１０の一側表面には摩擦防止層２３０がそのまま残存可能である。このような摩擦防止層２３０は、紫外線の透過を防止する同時に、基板１１０の表面を外部環境から保護する役割をすることもできる。
【０１２１】
上記のような本発明の一実施形態では、例えば、基板１１０の厚さが０．５ｍｍである場合、このような基板１１０を二枚合着して製造工程を行うことで、製造工程中には、１ｍｍ以上の合着基板１１０を取り扱うようになる。よって、製造工程中に合着基板１１０の剛性が高くなって曲がりや破損現象を防止することができ、また、半導体層の形成工程、有機電界発光素子の形成工程などを容易に行うことができる。勿論、製品の完成後には、基板１１０が一個ずつに再び分離することで、ほぼ０．５ｍｍ程度のスリム基板を得ることができる。
【０１２２】
図４ｋに示すように、摩擦防止層除去段階（Ｓ９）においては、上記基板１１０に形成された摩擦防止層２２０を除去する。すなわち、このような摩擦防止層２２０は、所定の化学溶液を利用して基板１１０から除去するとか、または研摩機などを利用する基板１１０から除去する。よって、このような摩擦防止層２２０を除去すれば、完成された有機電界発光表示装置のうち、基板１１０の表面にはいかなる摩擦防止層２２０も残存しなくなり、また厚さはさらに薄くなる。勿論、本発明の一実施形態は、このような摩擦防止層２２０が残存するようにして、紫外線を遮断するとか、外部衝撃保護用として使用することができるが（従って、摩擦防止層除去段階Ｓ９はなくてもよいが）、すでに基板１１０内部に非透過層１９０が形成されていることで、上記摩擦防止層２２０を残存させなくてもよい。
【０１２３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１２４】
１００    有機電界発光表示装置
１１０    基板
１２０    バッファ層
１３０    半導体層
１３２    ソース／ドレイン領域
１３４    チャンネル領域
１４０    ゲート絶縁膜
１５０    ゲート電極
１６０    層間絶縁膜
１７０    ソース／ドレイン電極
１７６    導電性コンタクト
１８０    絶縁膜
１８２    保護膜
１８４    平坦化膜
１９０    非透過層
２００    有機電界発光素子
２０４    有機薄膜
２０６    カソード
２１０    画素定義膜
２２０    摩擦防止層
【図１】
2011165681.tif 000003
【図２】
2011165681.tif 000004
【図３】
2011165681.tif 000005
【図４ａ】
2011165681.tif 000006
【図４ｂ】
2011165681.tif 000007
【図４ｃ】
2011165681.tif 000008
【図４ｄ】
2011165681.tif 000009
【図４ｅ】
2011165681.tif 000010
【図４ｆ】
2011165681.tif 000011
【図４ｇ】
2011165681.tif 000012
【図４ｈ】
2011165681.tif 000013
【図４ｉ】
2011165681.tif 000014
【図４ｊ】
2011165681.tif 000015
【図４ｋ】
2011165681.tif 000016