(57)【要約】      （修正有）【課題】高精度のレジストパターンを得るとともに、レジストへの電子線の描画時間を短縮する。【解決手段】ナノインプリントモールドの製造方法は、基材１０１上に、凹凸パターンが形成されるパターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂとを設定し、少なくとも前記非パターン領域１０１Ｂ上にポジ型レジスト１０２からなるポジ型レジスト層を形成して、該ポジ型レジスト層に露光、現像を行いポジ型レジストパターン１０３を形成した後、前記パターン領域１０１Ａ上にネガ型レジスト１０４からなるネガ型レジスト層を形成して、該ネガ型レジスト層に電子線により露光、現像を行いネガ型レジストパターン１０５を形成し、前記ネガ型レジストパターン１０５及び前記ポジ型レジストパターン１０３をエッチングマスクとして、前記基材をエッチングして前記凹凸パターン１０８を形成することを特徴とする。【選択図】図２
2011165980.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、凹凸パターンが形成されるパターン領域と、該パターン領域の周囲に位置する非パターン領域と、を設定し、
少なくとも前記パターン領域上にネガ型レジストからなるネガ型レジスト層を形成して、該ネガ型レジスト層に電子線により露光、現像を行いネガ型レジストパターンを形成し、
少なくとも前記非パターン領域上にポジ型レジストからなるポジ型レジスト層を形成して、該ポジ型レジスト層に露光、現像を行いポジ型レジストパターンを形成し、
前記ネガ型レジストパターン及びポジ型レジストパターンの一方を形成した後、他方を形成し、
前記ネガ型レジストパターン及び前記ポジ型レジストパターンをエッチングマスクとして、前記基材をエッチングして前記凹凸パターンを形成することを特徴とするナノインプリントモールドの製造方法。
【請求項２】
前記ポジ型レジストパターンを形成した後、前記ネガ型レジストパターンを形成することを特徴とする請求項１記載のナノインプリントモールドの製造方法。
【請求項３】
前記ネガ型レジストパターンを形成した後、前記ポジ型レジストパターンを形成することを特徴とする請求項１記載のナノインプリントモールドの製造方法。
【請求項４】
前記パターン領域の面積が１２３ｍｍ２よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のナノインプリントモールドの製造方法。
【請求項５】
前記パターン領域と前記非パターン領域を設定する際に、前記パターン領域と前記非パターン領域の境界を指定し、前記境界に対する位置合わせ精度を設定し、
前記境界に対する位置ずれ吸収幅を用いて前記ネガ型レジストパターンと前記ポジ型レジストパターンを各々形成するための描画データを分割して作成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のナノインプリントモールドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノインプリントに用いるモールドを製造するナノインプリントモールドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ナノオーダーの微細加工技術としてナノインプリント技術が注目されている。このナノインプリント技術は、微細な凹凸形状を有する型部材（以下、モールドと呼ぶ）を用いて、凹凸形状が転写される側の基材上の被加工物に押し当てた状態で被加工物を硬化させ、モールドと被加工物とを引き離し（以下、離型と呼ぶ）、微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。
【０００３】
従来のナノインプリントモールドの製造技術として、例えば、特許文献１に記載された技術が挙げられる。特許文献１では、モールドとなる基材全面にポジ型レジストを塗布し、このポジ型レジストに電子線描画を行ってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッチングマスクとして基材をエッチングして凹凸パターンを形成することでモールドを製造する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２８８８４５号公報（［実施例１］）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電子線描画によりレジストパターンを形成する場合、近接効果やフォギング効果といった電子散乱による寸法変動が生じる。前者はレジスト及び基材による散乱によって電子の散乱軌跡が広がる現象であり、後者は、電子線照射によってレジストへ入射した電子が、後方への散乱によってレジスト表面より飛び出し、電子線描画装置のチャンバーに散乱され再びレジストへ入射する現象である。いずれの現象も、電子線照射面積及び面積密度が小さいほど、電子線を照射しない部位へのエネルギー蓄積量が小さくなり、その影響を小さく抑えることができる。
【０００６】
図１９はモールドのパターン形状を示す図であり、基材１１上に形成したレジスト１２を介してエッチングを行い、凹凸パターン１３をそれぞれ形成した例を示している。モールドの凹凸パターンとして、例えば、図１９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すようなパターン領域に占める凸部の総面積が５０％以下であるパターン形状（パターンピッチの大きいライン形状、細線で構成された網目形状、ピラー形状）を形成する場合には、特許文献１のようにポジ型レジストを用いるよりもネガ型レジストを用いる方が、近接効果やフォギング効果の影響を小さくすることができ、ポジ型レジストを用いる場合に比べてプロセス裕度が大きくなるだけではなく、レジストの断面形状やエッジラフネスが良好となり結果としてパターン形状が有利になる場合がある。
【０００７】
また、ナノインプリント用のモールドを製造する工程では、（１）基材に占める面積が充分小さく、基材に転写用の凹凸パターンが作製される領域（以下、パターン領域と呼ぶ）と、（２）パターン領域を除く領域（以下、非パターン領域と呼ぶ）とで構成される場合がある。しかしながら、上記のパターン領域と非パターン領域を含めた基材全面にレジストパターンを形成する際に、ネガ型レジストを選択すると非パターン領域の面積が非常に大きくなり、フォギング効果によるパターン形状悪化を引き起こすだけではなく、多大な描画時間を要し、その結果モールドの製造時間とコストが増大してしまう虞がある。
【０００８】
このように精確なパターン形成に適するネガ型レジストを用いると、パターン領域の面積と非パターン領域に電子線を照射しなければならず、電子線による描画時間が非常に長時間になり、モールドの製造コストを上昇させる。そのため、ポジ型レジストを選択せざるを得ず、良好なパターン形状を得ることは困難であった。
【０００９】
そこで本発明は上記に鑑み、基材上にネガ型レジストによりレジストパターンを形成する際の描画時間を短縮し、ナノインプリント用の精確なパターンの作製を可能にするナノインプリントモールドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態に係るナノインプリントモールドの製造方法は、基材上に、凹凸パターンが形成されるパターン領域と、該パターン領域の周囲に位置する非パターン領域と、を設定し、少なくとも前記パターン領域上にネガ型レジストからなるネガ型レジスト層を形成して、該ネガ型レジスト層に電子線により露光、現像を行いネガ型レジストパターンを形成し、少なくとも前記非パターン領域上にポジ型レジストからなるポジ型レジスト層を形成して、該ポジ型レジスト層に露光、現像を行いポジ型レジストパターンを形成し、前記ネガ型レジストパターン及びポジ型レジストパターンの一方を形成した後、他方を形成し、前記ネガ型レジストパターン及び前記ポジ型レジストパターンをエッチングマスクとして、前記基材をエッチングして前記凹凸パターンを形成することを特徴とする。
これにより、パターン領域上のレジストパターンをネガ型レジストにより構成し、非パターン領域上のレジストパターンをポジ型レジストにより構成することで、基材上にレジストパターンを形成する際の描画時間を短縮し、ナノインプリント用の精確なパターンの作製を可能にする。
【００１１】
本発明の他の態様は、前記ポジ型レジストパターンを形成した後、前記ネガ型レジストパターンを形成することを特徴とする。これにより、ポジ型レジストパターンを形成し、該ポジ型レジストの反応を停止させた後でネガ型レジストパターンを形成することで、ポジ型レジストパターンがネガ型レジストパターン形成工程で侵食される虞がなく、より精確なナノインプリント用のパターンの作製を可能にする。
【００１２】
さらに本発明の他の態様は、前記パターン領域の面積が１２３ｍｍ２よりも小さいことを特徴とする。これにより、レジストの後重合によるパターン寸法変動を低減でき、より精確なナノインプリント用のパターンの作製を可能にする。
【００１３】
さらに本発明の他の態様は、前記パターン領域と前記非パターン領域を設定する際に、前記パターン領域と前記非パターン領域の境界を指定し、用いる描画装置の位置合わせ精度を考慮し、その位置ずれ吸収幅を用いて前記ポジ型レジストパターンと前記ネガ型レジストパターンを各々形成するための描画データを分割して作成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、非パターン領域のレジストパターン形成にはポジ型レジストを用い、パターン領域のレジストパターン形成にはネガ型レジストを用いることで、パターン領域上及び非パターン領域上にレジストパターンを形成する際の描画時間を短縮し、かつナノインプリント用の精確な形状のパターンを作製できるナノインプリントモールドの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施の形態に係るモールドの斜視図である。
【図２】図１のモールドの製造工程を示す図であり、（Ａ）はポジ型レジストの塗布工程を示す図、（Ｂ）はポジ型レジストの露光工程を示す図、（Ｃ）はポジ型レジストの現像工程を示す図、（Ｄ）はネガ型レジストの塗布工程を示す図、（Ｅ）はネガ型レジストの露光工程を示す図、（Ｆ）はネガ型レジストの現像工程を示す図、（Ｇ）は凹凸パターン形成工程を示す図である。
【図３】図２（Ｄ）のネガ型レジストの塗布工程に係る他の塗布状態を示す図であり、（Ａ）はポジ型レジストと略同じ膜厚でネガ型レジストを塗布した状態を示す図、（Ｂ）はポジ型レジストより薄い膜厚でネガ型レジストを塗布した状態を示す図である。
【図４】第１の実施の形態に係るモールドのパターン領域と非パターン領域の各面積の具体例を示す図である。
【図５】代表的な描画方法を説明する図であり、（Ａ）は描画の対象となる所望のパターンを示す図、（Ｂ）は矩形成型ビーム描画装置にて描画を行う際のビーム照射の様子を示す図、（Ｃ）はスポットビーム描画装置にて描画を行う際のビーム照射の様子を示す図である。
【図６】ポジ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２とし、ネガ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２とした場合のパターン領域の面積と描画時間との関係を示す図である。
【図７】ポジ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２とし、ネガ型レジストの感度を２００μｃ／ｃｍ２とした場合のパターン領域の面積と描画時間との関係を示す図である。
【図８】ポジ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２とし、ネガ型レジストの感度を５００μｃ／ｃｍ２とした場合のパターン領域の面積と描画時間との関係を示す図である。
【図９】ポジ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２とし、ネガ型レジストの感度を２０００μｃ／ｃｍ２とした場合のパターン領域の面積と描画時間との関係を示す図である。
【図１０】第１の実施の形態に係るモールドとなる基材上に格子状のネガ型レジストパターンを形成した例を示す図であり、（Ａ）はモールドのパターン領域に格子状のパターンを形成した例を示す斜視図であり、（Ｂ）はモールドを上面側から見た平面図である。
【図１１】（Ａ）はパターン領域描画時に位置ずれがなく良好な様子を示す図、（Ｂ）はパターン領域描画時に位置ずれが発生し、隙間の発生と凹部の消失が生じた様子を示す図である。
【図１２】（Ａ）はパターン領域と非パターン領域の境界線を示す図、（Ｂ）はパターン領域と非パターン領域の境界部における位置ずれ吸収幅Ｗの一例を示した図である。
【図１３】パターン領域描画時の位置ずれによる不具合を回避する一例を示す図であり、（Ａ）はパターン領域及び非パターン領域に向かって２Ｗまでの領域をネガ型レジスト描画用パターンとして設定した場合を示す図、（Ｂ）は非パターン領域からＷだけ小さくした領域をポジ型レジスト描画用パターンとして設定した場合を示す図である。
【図１４】図１３に設定した場合において、（Ａ）はパターン領域が左下方向へＷだけ位置ずれを起こした様子を示す図、（Ｂ）はパターン領域が左上へＷだけ位置ずれを起こした場合を示す図である。
【図１５】実施例を示す図であり、（Ａ）はポジ型レジスト現像後の様子を示す図であり、（Ｂ）はネガ型レジストを塗布後の様子を示す図であり、（Ｃ）はネガ型レジスト現像後の様子を示す図であり、（Ｃ）は（Ａ）の状態を観察した写真であり、（Ｄ）は（Ｃ）の状態を観察した写真である。
【図１６】第１の実施の形態に係る描画データ作成処理を示すフローチャートである。
【図１７】第２の実施の形態に係るモールドの製造工程を示す図であり、（Ａ）はネガ型レジストの塗布工程を示す図、（Ｂ）はネガ型レジストの露光工程を示す図、（Ｃ）はネガ型レジストの現像工程を示す図、（Ｄ）はポジ型レジストの塗布工程を示す図、（Ｅ）はポジ型レジストの露光工程を示す図、（Ｆ）はポジ型レジストの現像工程を示す図、（Ｇ）は凹凸パターン形成工程を示す図である。
【図１８】図１７（Ｄ）のポジ型レジストの塗布工程に係る他の塗布工程を示す図であり、（Ａ）はネガ型レジストと同等の膜厚でポジ型レジストを塗布した状態を示す図、（Ｂ）はネガ型レジストより薄い膜厚でポジ型レジストを塗布した状態を示す図である。
【図１９】モールドのパターン形状を示す図であり、（Ａ）はパターンピッチの大きいライン形状を示す図、（Ｂ）は細線で構成された網目形状を示す図であり、（Ｃ）はドット形状を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（第１の実施の形態）
以下、図面を参照して、本発明の第１の実施の形態を詳細に説明する。
【００１７】
＜モールドの構成＞
第１の実施の形態に係るモールド１００の構成について、図１を参照して説明する。図１は、モールド１００の斜視図である。図１において、モールド１００は、基材１０１上に、基材面積よりも小さいパターン領域１０１Ａを有している。このパターン領域１０１Ａは、後述するネガ型レジストがパターニングされて、マイクロ（μｍ）〜ナノ（ｎｍ）オーダーの凹凸パターンが形成される領域である。基材１０１上のパターン領域１０１Ａを除く領域は、非パターン領域１０１Ｂであり、後述するポジ型レジストがパターニングされる領域である。なお、非パターン領域１０１Ｂはパターン領域１０１Ａと対比して定義される領域であり、ナノインプリント転写に用いる凹凸パターンが作製されない領域であって、必ずしも「何もパターンがない」ということを指すものではない。つまり、当該領域にアライメント用構造体、離型補助用構造体、被加工物（樹脂）の流動を制御する構造体等が設けられている場合であっても、本明細書に言う「非パターン領域１０１Ｂ」とみなすものとする。モールド１００に用いられる基材１０１は、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、青板ガラス、ソーダガラス、ＢＫ−７等の透明材料、透明樹脂フィルム、シリコン等の半導体材料、それらの積層体が用いられる。なお、モールド１００の厚み、大きさ、形状は用途に応じて適宜設定される。
【００１８】
＜モールドの製造方法＞
次に、モールド１００を製造する工程について、図２を参照して説明する。図２（Ａ）〜（Ｆ）は、基材１０１上にエッチングマスクを形成する工程を順に示す断面図であり、（Ｇ）はパターン領域１０１Ａに凹凸パターン１０８を形成する工程を示す断面図である。以下に示す製造工程において用いるネガ型レジストとポジ型レジストの組み合わせ条件は、ネガ型レジスト用の現像液によりポジ型レジストが反応しないネガ型レジストとポジ型レジストの組み合わせを選択するか、または、反応したとしても反応速度が大きく異なり、ネガ型レジストの現像時にポジ型レジストの浸食が無視できるネガ型レジストとポジ型レジストの組み合わせを選択すればよい。
【００１９】
（１）ポジ型レジストの塗布
まず、図２（Ａ）において、基材１０１上にポジ型レジスト１０２を、例えば膜厚が１０ｎｍ〜１０００ｎｍとなるように塗布する。ポジ型レジスト１０２としては、例えば、ＺＥＰ５２０Ａ（日本ゼオン株式会社製）等の電子線露光用ポジ型レジストを用いる。このポジ型レジスト１０２は、ネガ型レジストより感度が高い材料を用いることが望ましい。
【００２０】
（２）ポジ型レジストの露光
次に、図２（Ｂ）において、ポジ型レジスト１０２に対して、パターン領域１０１Ａに対応する領域に電子線を照射する。なお、ポジ型レジスト１０２として紫外線露光用ポジ型レジストを選択する場合は、パターン領域１０１Ａに対応する領域に紫外線を照射すればよい。（説明のため図２（Ｂ）では露光した部位を別のハッチングで表示している）
【００２１】
（３）ポジ型レジストの現像
次に、図２（Ｃ）において、パターン領域１０１Ａのポジ型レジストを現像により除去する。ここで、残ったポジ型レジストが、非パターン領域１０１Ｂを覆うポジ型レジストパターン１０３になる。ポジ型レジストが有機レジストである場合には、この後の工程における反応を完全に停止させるため焼成処理を実施する。ポジ型レジストの反応を停止させることで、ポジ型レジストパターン１０３がネガ型レジストパターン形成工程で侵食される虞がなく、パターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂの境界において精確なナノインプリント用のパターンの作製を可能にする。また、次に塗布するネガ型レジストと基材１０１の密着性の向上あるいはパターン領域１０１Ａ上のレジスト残渣の除去を目的としてアッシングを実施してもよい。
【００２２】
（４）ネガ型レジストの塗布
次に、図２（Ｄ）において、少なくともパターン領域１０１Ａに対してネガ型レジスト１０４を塗布する。ネガ型レジスト１０４としては、例えば、ＨＳＱ（水素化シルセスキオキサン、東レ・ダウコーニング株式会社製）等の電子線露光用ネガ型レジストを用いる。このネガ型レジスト１０４は、ポジ型レジストより解像度が高い材料を用いることが望ましい。ネガ型レジスト１０４の塗布状態は、図２（Ｄ）に示すように、パターン領域１０１Ａだけでなくポジ型レジストパターン１０３の塗布面を覆うようにしてもよい。また、図３（Ａ）に示すように、ポジ型レジストパターン１０３と同等の膜厚でパターン領域１０１Ａだけネガ型レジスト１０４を塗布するようにしてもよい。また、図３（Ｂ）に示すように、ポジ型レジストパターン１０３の膜厚より薄い膜厚でパターン領域１０１Ａだけネガ型レジスト１０４を塗布するようにしてもよい。但し、後述するポジ型レジスト１０２に対する描画領域とネガ型レジスト１０４に対する描画領域との位置合わせ精度を考慮した場合、図２（Ｄ）に示す塗布状態とすることで、ネガ型レジスト１０４の電子線照射時に位置ずれが生じたとしても、後述する回避方法により、パターン領域のパターン欠陥（例えば、パターン領域と非パターン領域との間の隙間発生や、パターン領域と非パターン領域境界部の凹部消失など）を回避することができる。
【００２３】
（５）ネガ型レジストの露光
次に、図２（Ｅ）において、ネガ型レジスト１０４に対して電子線を照射して所望の部位を露光する（説明のため図２（Ｅ）では露光した部位をハッチングで表示している）。
【００２４】
（６）ネガ型レジストの現像
次に、図２（Ｆ）において、電子線を照射した後、ネガ型レジスト１０４の現像を実施してパターン領域１０１Ａのネガ型レジスト１０４を除去して、所望の形状を有するネガ型レジストパターン１０５を形成する。
【００２５】
（７）凹凸パターンの形成
次に、図２（Ｇ）において、ポジ型レジスト及びネガ型レジストでそれぞれ形成したエッチングマスクを介して基材１０１をエッチングして、凹凸パターン１０８を形成する。その後、エッチングマスクを除去してモールド１００が完成する。
【００２６】
＜モールドの具体例＞
次に、本発明に係るモールドの製造方法を適用するモールド１００の具体例について図４を参照して説明する。図４はパターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂの各面積の具体例を示す図である。図４に示すモールド１００は、一辺Ｌ（ｃｍ）が略正方形であり、パターン領域１０１Ａが一辺Ｘの正方形領域であり、パターン領域１０１Ａは基材面積に対してある割合を占めるように設定されている。
【００２７】
従来のモールドの製造方法では、ポジ型レジストよりも解像力やパターンエッジラフネスが優れるネガ型レジストを用いたい場合、パターン領域１０１Ａだけではなく非パターン領域１０１Ｂを含めた基材１０１全面に塗布したネガ型レジストに対して電子線を照射する必要があり、非パターン領域１０１Ｂの描画に多大な時間を要していた。これに対して第１の実施の形態では、非パターン領域１０１Ｂにポジ型レジストを用い、パターン領域１０１Ａにネガ型レジストを用いることにより描画時間を短縮できる。
【００２８】
＜描画時間の算出＞
図４に示したモールド１００のパターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂに対して電子線描画する際の描画時間の算出について説明する。
【００２９】
（モールド内の各領域について）
図４においてパターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂの面積和である基材面積をＳとする。パターン領域１０１Ａの面積は、基材面積Ｓに対する割合をαとすると、その面積はＳ×αと表すことができる。非パターン領域１０１Ｂの面積は、Ｓ×（１−α）と表すことができる。パターン領域１０１Ａ内の電子線で描画すべき面積の密度をρとすると、パターン領域１０１Ａにおいて電子線描画すべき面積はＳ×α×ρと表すことができる。
【００３０】
（描画装置の電子線ビームのショット形状について）
図４に示すモールド１００の各領域に対して電子線照射する際に用いる、電子線描画装置の描画方式の具体例を図５に示す。ここでは、描画方式の違いが分かり易いように電子線描画されるパターンの具体例を、図５（Ａ）に示すような多角形パターンとする。図（Ｂ）は矩形成形ビーム描画装置による矩形ショットの様子を示し、図５（Ｃ）はスポットビーム描画装置によるスポットビーム描画の様子を示しており、図５（Ｃ）に示すスポットビームステップは、スポットビームのショットとショットの間隔を示している。尚、図４に示すモールド１００の各領域に対する電子線照射はどちらの方式の電子線描画装置を用いても構わない。
【００３１】
（描画時間の算出方法）
図５（Ｂ）に示した矩形成型ビーム描画装置の場合、全てのショットサイズが同じ（同一ショット）で描画すると仮定すると、描画時間は以下に示す数式（１）により表すことができる。
描画時間＝（レジスト感度／電流密度）×ショット数
＝（レジスト感度／１ショットあたりの電流値）×１ショットあたりの面積×ショット数
＝（レジスト感度／電流値）×描画面積・・・・（１）
また、図５（Ｃ）に示したスポットビーム描画装置の場合、スポットビームステップがスポットビーム径と同等であると仮定すると、描画時間は以下に示す数式（２）により表すことができる。
描画時間＝（レジスト感度／ショットステップ２）×ショット数
＝（レジスト感度／電流値）×描画面積・・・・（２）
【００３２】
（パターン領域と非パターン領域の関係）
以上の説明をもとにパターン領域と非パターン領域の関係について考察する。本発明に係るナノインプリントモールドの製造方法では、次の条件１を満たす。
§条件１
ネガ型レジストのみを用いて描画する時間（Ｔ１）≧ポジ型レジストとネガ型レジストを併用して描画する時間（Ｔ２）
【００３３】
上記の左辺と右辺でパターン領域１０１Ａにネガ型レジストを適用する点においては同じであることから、上記条件１はより具体的には以下のように表現できる。
§条件１
非パターン領域１０１Ｂのネガ型レジストを描画する時間≧パターン領域１０１Ａのポジ型レジストを描画する時間
【００３４】
ここで以下のパラメータを適用する。
ネガ型レジスト感度：ＲＮ，ポジ型レジスト感度：ＣｒＲＮ（Ｃｒ：係数），ネガ型レジスト描画時の電流値：ＩＮ，ポジ型レジスト描画時の電流値：ＣｉＩＮ（Ｃｉ：係数），基材面積：Ｓ，非パターン領域１０１Ｂの面積：Ｓ×（１−α），α：全領域基材面積Ｓに対するパターン領域１０１Ａの割合
【００３５】
これらのパラメータを上記数式（２）に適用し、上記条件Ｔ１≧Ｔ２を表現すると、以下に示す数式（３）になる。
【数３】
2011165980.tif 000003
この数式（３）を、基材面積Ｓに対するパターン領域１０１Ａの割合を示すαについて解くと、以下の数式（４）として表すことができる。
【数４】
2011165980.tif 000004
【００３６】
この数式（４）の右辺のパラメータは既に分かっているため、基材面積Ｓに対するパターン領域１０１Ａの割合を示すαを求めることができる。
数式（４）のパラメータに対して具体的な値を設定してαを算出する例を以下に示す。
ここで数式（４）の各パラメータを以下に示す値に設定する。
Ｃｒ：０．０５（ポジレジスト感度：１００μＣ／ｃｍ２），Ｃｉ：１
これら各パラメータの値を数式（８）に代入して計算すると、以下のようになる。
α≦１／｛（Ｃｒ／Ｃｉ）＋１｝＝１／｛（０．０５／１）＋１｝
＝１／１．０５＝０．９５
【００３７】
これより上記条件を満たすネガ型レジストとポジ型レジストにて基材面積Ｓに対するパターン領域の割合が０．９５以下となるパターン領域１０１Ａにネガ型レジストを用い、かつ非パターン領域１０１Ｂにポジ型レジストを用いることで、基材全面にネガ型レジストを用いる場合よりも短い描画時間でレジストパターンを形成することが可能となることが分かる。
【００３８】
次に本発明に係るナノインプリントモールドの製造方法を更に好適に実施するための条件について説明する。レジストに電子線を照射して後、真空中に置いておくとレジスト感度が経時変化する（本明細書では、この現象を後重合と呼ぶこととする）。描画時間が膨大になると、レジスト感度の経時変化によるレジストパターンの寸法変動の影響が現れてしまう。したがって、後重合によるレジストパターンの寸法変動がナノインプリントモールド用レジストパターンにおいて支障を来たさないような時間を描画時間として設定することが好ましい。ナノインプリント用モールド等の微細加工で後重合の影響を許容できる時間としては使用するレジスト等により決まるため、その値を一般化することは難しいが本発明者らは種々の実験則から１６８時間以内であれば、後重合の影響が小さくなる知見を得た。以上の理由により、条件２を以下のように設定した。
§条件２
ポジ型レジストとネガ型レジストを併用して描画する時間（Ｔ２）≦後重合に関する許容時間
【００３９】
また、上記条件２を満たすためのＴ２は次の式で求めることができる。
Ｔ２＝非パターン領域１０１Ｂ上にポジ型レジストパターンを形成する描画時間
＋凸部１０１Ｄ上にネガ型レジストパターンを形成する描画時間
この総描画時間を算出するため、上記のパラメータに加えて以下のＷＴとρを適用する。
許容される総描画時間：ＷＴ，パターン領域１０１Ａにおける凸部の割合：ρ
許容される総描画時間ＷＴを用いて条件２は以下に示す数式（５）により表すことができる。
【数５】
2011165980.tif 000005
この数式（５）を、基材面積Ｓに対するパターン領域１０１Ａの割合を示すαについて解くと、以下の数式（６）として表すことができる。
【数６】
2011165980.tif 000006
この数式（６）の右辺のパラメータは既知であるため、全領域面積Ｓに対するパターン領域１０１Ａの割合を示すαを求めることができる。
【００４０】
条件２を満たすナノインプリントモールドの具体例について、以後更に図４及び図６〜図９を参照して具体的に説明する。図４に示すモールド１００を一辺Ｌが６．２５（ｃｍ）の略正方形とし、パターン領域１０１Ａを一辺Ｘ（変数）の正方形領域、パターン領域１０１Ａ内に一辺がＸ２＝１２０（ｎｍ）の正方形状の凹部１０１Ｅが送りピッチＸ３＝１６０（ｎｍ）で配置され、線幅Ｘ１＝４０（ｎｍ）のメッシュ形状に形成されているものとする。図６はポジ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２とし、ネガ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２とした場合のパターン領域の面積と描画時間との関係を示す図である。図７はポジ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２とし、ネガ型レジストの感度を２００μｃ／ｃｍ２とした場合のパターン領域の面積と描画時間との関係を示す図である。図８はポジ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２とし、ネガ型レジストの感度を５００μｃ／ｃｍ２とした場合のパターン領域の面積と描画時間との関係を示す図である。図９はポジ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２とし、ネガ型レジストの感度を２０００μｃ／ｃｍ２とした場合のパターン領域の面積と描画時間との関係を示す図である。
【００４１】
ポジ型レジストとネガ型レジストの感度によって描画時間は変わるため、ポジ型レジストとネガ型レジストの感度を以下のように設定する。
・ポジ型レジストの感度：１００μｃ／ｃｍ２（一定）
・ネガ型レジストの感度：１００，２００，５００，２０００μｃ／ｃｍ２に各々設定
【００４２】
また、以下のように他の条件を設定する。非パターン領域１０１Ｂのレジストパターン形成のための描画時の描画装置の電流密度を２ｎＡ，パターン領域１０１Ａを描画時の描画装置の電流密度を０．２ｎＡとする。非パターン領域１０１Ｂ上のレジストパターン形成時には高い解像力を必要としないため、パターン領域１０１Ａ上のレジストパターン形成時よりも電流値を高く設定した。基材の面積は、６．２５ｃｍ×６．２５ｃｍとする。パターン領域１０１Ａは、４０ｎｍのメッシュ形状とする。
【００４３】
パターン領域１０１Ａの面積を変化させて描画時間を算出した結果を図６〜図９に示す。図６は、ポジ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２（一定）、ネガ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２にそれぞれ設定し、パターン領域１０１Ａの一辺Ｘ（つまり、パターン領域１０１Ａの面積）を変更した場合における、ネガ型レジストのみでパターン領域１０１Ａを描画した場合の描画時間の算出結果（比較例）と、本実施の形態のポジ型レジストとネガ型レジストを分けてパターン領域１０１Ａを描画した場合の描画時間の算出結果（実施例）とを示す。なお、実施例においてポジ型レジストの処理後からネガ型レジスト処理開始までの所要時間を２時間とした。描画時間が１６８時間となる実施例のパターン領域１０１Ａの一辺の長さＸは約２８８００μｍであり、その時の比較例の描画時間は約４６０時間であった。このように実施例では比較例に比べて大幅に描画時間を短縮できていることが分かる。
【００４４】
図７は、図６における条件と同様にし、ポジ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２（一定）、ネガ型レジストの感度を２００μｃ／ｃｍ２にそれぞれ設定した場合の結果を示している。描画時間が１６８時間となる実施例のパターン領域１０１Ａの一辺の長さＸは約２５３００μｍであり、その時の比較例の描画時間は約９８５時間であった。このように実施例では比較例に比べて大幅に描画時間を短縮できていることが分かる。
【００４５】
図８は、図６における条件と同様にし、ポジ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２（一定）、ネガ型レジストの感度を５００μｃ／ｃｍ２にそれぞれ設定した場合の結果を示している。描画時間が１６８時間となる実施例のパターン領域１０１Ａの一辺の長さＸは約１９４００μｍであり、その時の比較例の描画時間は約２５６７時間であった。このように実施例では比較例に比べて大幅に描画時間を短縮できていることが分かる。
【００４６】
図９は、図６における条件と同様にし、ポジ型レジストの感度を１００μｃ／ｃｍ２（一定）に設定し、ネガ型レジストの感度を２０００μｃ／ｃｍ２にそれぞれ設定した場合の結果を示している。描画時間が１６８時間となる実施例のパターン領域１０１Ａの一辺の長さＸは約１１１００μｍであり、その時の比較例の描画時間は約１１６６０時間であった。このように実施例では比較例に比べて大幅に描画時間を短縮できていることが分かる。
【００４７】
以上の結果から、ポジ型レジストの感度の値が１００μｃ／ｃｍ２の条件の下でネガ型レジストの感度がそれぞれ１００μｃ／ｃｍ２，２００μｃ／ｃｍ２，５００μｃ／ｃｍ２，２０００μｃ／ｃｍ２の時に、条件２を満たすパターン領域１０１Ａの面積は、それぞれ２８．８ｍｍ×２８．８ｍｍ（≒８２９ｍｍ２）、２５．３ｍｍ×２５．３ｍｍ（≒６４０ｍｍ２）、１９．４ｍｍ×１９．４ｍｍ（≒３７６ｍｍ２）、１１．１ｍｍ×１１．１ｍｍ（≒１２３ｍｍ２）である。したがって、パターン領域１０１Ａの面積が１２３ｍｍ２以下である場合には、所期の目的を達成できるとともに後重合によるレジストパターンの寸法変動を低減でき、より高精度のレジストパターンの形成が可能となる。なお、本明細書におけるパターン領域の面積は最外周の凸部を結んで画定される輪郭線により囲まれた面積を指すものとする。
【００４８】
以上説明したように、第１の実施の形態に係るモールド１００の製造方法では、モールド１００の非パターン領域１０１Ｂ上のレジストパターンをポジ型レジストを用いて形成した後、パターン領域１０１Ａ上の凹凸パターン１０８を形成するためのレジストパターンをネガ型レジストを用いて形成した。これにより、凹凸パターン１０８を形成するためのレジストパターンを、ポジ型レジストよりも解像力、パターンエッジラフネスが優れるネガ型レジストを用いたい場合において、パターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂにレジストパターンを描画する際の各描画時間、又は、パターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂにレジストパターンを描画する際の合計描画時間を大幅に短縮でき、モールド１００の製造時間を大幅に短縮することが可能になる。その結果、モールドの製造コストを低減することが可能になる。
【００４９】
＜描画位置の補正＞
次に、上述したポジ型レジスト１０２を電子線描画する非パターン領域１０１Ｂと、ネガ型レジスト１０４を電子線描画するパターン領域１０１Ａと、の位置ずれによる描画不良の回避方法について以下に説明する。
【００５０】
第１の実施の形態では、ポジ型レジスト１０２とネガ型レジスト１０４と２回に分けて電子線描画を行うため、電子線描画時に「位置ずれ」が発生する。必要に応じてこの「位置ずれ」を考慮する必要がある。図１０及び図１１を参照して「位置ずれ」が発生する例を説明する。図１０（Ａ）は、モールド１００のパターン領域１０１Ａに格子状のパターンを形成した例を示す斜視図である。このパターン領域１０１Ａを拡大したものを図中に示す。パターン領域１０１Ａの外周は非パターン領域１０１Ｂと接している。これらのパターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂには、上述した製造方法によりネガ型レジスト１０４とポジ型レジスト１０２を用いた電子線描画が実施される。図１０（Ａ）では、基材１０１の図中の手前側の辺を「左」、この辺に対向する辺を「右」とし、その左右に上の辺を「上」、この辺に対向する辺を「下」として示している。図１０（Ｂ）は、（Ａ）に示すモールド１００を上面側から見た平面図である。この図１０（Ｂ）では、パターン領域１０１Ａが電子線描画時にずれる方向を位置ずれが発生する「ずれ方向」として示す。この場合、「ずれ方向」は図中の左下方向であるものとする。
【００５１】
図１０に示したパターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂに対する各電子線描画時に「位置ずれ」が発生した例を図１１（Ｂ）に示す。図１１（Ａ）は、パターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂとの間に「位置ずれ」が発生していない例を示す斜視図である。図１１（Ｂ）は、パターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂとの間に「位置ずれ」が発生した例を示す斜視図である。この図１１（Ｂ）では、ネガ型レジスト描画時に図１０（Ｂ）に示した「ずれ方向」への「位置ずれ」による描画不良が発生した例を示す。この描画不良の発生により、パターン領域１０１Ａの右上の○で囲む部分ではパターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂとの間に隙間が発生し、パターン領域１０１Ａの左下の○で囲む部分では凹部が消失している。
【００５２】
次に、図１１（Ｂ）に示したような電子線描画時の「位置ずれ」による描画不良を回避する方法について、図１２及び図１３を参照して説明する。
【００５３】
図１２は、パターン領域１０１Ａの一部を拡大して示す図であり、（Ａ）はパターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂの間の境界線を示す図、（Ｂ）はパターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂに対して描画する際の位置ずれ吸収幅Ｗをパターン領域１０１Ａの一部拡大図に加えた図である。ここで、位置ずれ吸収幅Ｗは、描画に用いる描画装置の描画位置精度を予め考慮して描画時の位置ずれを吸収するマージンを設定するパラメータであり、位置ずれ吸収幅Ｗの値は描画に用いる描画装置の描画位置精度によって決定される。
【００５４】
電子線描画装置において、パターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂに対する各電子線描画時に「位置ずれ」が発生しなければ、図１２（Ａ）に示した境界線沿って、パターン領域１０１Ａとして電子線を照射する領域と非パターン領域１０１Ｂとして電子線を照射する領域を決定することで、所望のレジストパターンを形成することができる。しかし、モールド１００に配置されるパターン領域１０１Ａでは、ナノ（ｎｍ）オーダーの描画位置精度が要求される。このため、電子線描画装置もナノ（ｎｍ）オーダーの描画位置精度が要求されるが、対応可能な装置は限られる。このため、本実施の形態では、電子線描画装置の描画位置精度を予め考慮して、パターン領域１０１Ａとして電子線を照射する領域と非パターン領域１０１Ｂ電子線を照射する領域を、位置ずれ吸収幅Ｗを考慮して決定する。なお、この位置ずれ吸収幅Ｗの値は、電子線描画装置の描画位置精度に応じて適宜変更してもよい。
【００５５】
図１３を参照して、パターン領域１０１Ａの電子線を照射する領域と、非パターン領域１０１Ｂの電子線を照射する領域とを決定する例を示す。パターン領域１０１Ａとして電子線を照射する領域を図１３（Ａ）に示す。図１３（Ａ）に示した境界線から非パターン領域１０１Ｂへ向かって２Ｗまでの領域をネガ型レジスト描画用パターンと設定する。ネガ型レジスト現像工程後、図１３（Ａ）中の灰色地に黒斜線で示した部分にネガ型レジストパターンが形成される。次に非パターン領域１０１Ｂ電子線を照射する領域を図１３（Ｂ）に示す。図１３（Ｂ）に斜線のない灰色の塗りつぶしにて示された境界線から非パターン領域１０１Ｂへ向かってＷまでの矩形領域をポジ型レジスト描画用パターンと設定する。ポジ型レジスト現像工程後、図１３（Ｂ）中の灰色地に黒斜線で示した部分にポジ型レジストパターンが形成される。つまり、ネガ型レジスト描画時の描画領域を非パターン領域側へ２Ｗだけ広げ、かつ、ポジ型レジスト描画時の描画領域を非パターン領域側へＷだけ広げることにより、境界線から非パターン領域側へＷだけ広げた領域を重複させることで「位置ずれ」による描画不良を回避できる。
【００５６】
図１３にて設定したネガ型レジスト描画用パターンとポジ型レジスト描画用パターンを電子線描画した結果を図１４に示す。図１４（Ａ）はネガ型レジスト描画時に左方向、及び下方向へ各々Ｗだけ「位置ずれ」が発生した結果を示し、図１４（Ｂ）はネガ型レジスト描画時に右方向、及び上方向へ各々Ｗだけ「位置ずれ」が発生した結果を示す。これらの結果により、例えば、ネガ型レジスト描画時にＷだけ位置ずれが発生したとしても、パターン領域１０１Ａに形成された凹凸パターンの形状に影響はない。すなわち、図１４（Ａ）及び（Ｂ）に示す図中の丸で示す部分の凹部が消滅していない。
【００５７】
以上のように、予め電子線描画装置の描画位置精度を考慮してネガ型レジスト描画用パターンとポジ型レジスト描画用パターンを設定することにより、電子線描画装置による描画時に位置ずれが発生したとしてもパターン領域１０１Ａに形成された凹凸パターンの形状に対する影響を回避することが可能になる。
【００５８】
上記位置ずれ吸収幅Ｗを考慮して非パターン領域１０１Ｂをポジ型レジストにて形成し、パターン領域１０１Ａをネガ型レジストにて描画した具体例を図１５に示す。
【００５９】
図１５（Ａ）は、非パターン領域１０１Ｂの形成に対してポジ型レジストを用いて描画を行い、現像を行なった様子を示す斜視図である。この現像された実際のポジ型レジスト表面の顕微鏡写真を図１５（Ｄ）に示す（位置ずれ吸収幅Ｗを２０ｎｍとした）。図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）に対してネガ型レジストを塗布した様子を示す斜視図である。図１５（Ｃ）はネガ型レジストを描画、現像して凹凸パターンを形成した様子を示す斜視図である。この現像された実際のネガ型レジスト表面の顕微鏡写真を図１５（Ｅ）に示す。
【００６０】
図１５（Ｃ）及び（Ｅ）に示す境界は、パターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂの境界部分を示す。図１５（Ｅ）の境界部分に表れている白太線部は、図１５（Ｃ）に示す境界部分で、「位置ずれ」回避のために設けたポジ型レジストとネガ型レジストが重なっている部分である。図１５（Ｅ）の境界部分には、隙間や凹部の消失といった現象は発生していない。
【００６１】
以上のように、予め電子線描画装置の描画位置精度を考慮した位置ずれ吸収幅Ｗを設定し、この位置ずれ吸収幅Ｗを用いてネガ型レジスト描画用パターンとポジ型レジスト描画用パターンを設定して、非パターン領域１０１Ｂに対してポジ型レジストを描画／現像し、パターン領域１０１Ａに対してネガ型レジストを描画／現像することにより、描画時に位置ずれが発生したとしても、パターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂの間に隙間や凹部の消失が発生することを防止できる。
【００６２】
＜描画データ作成処理＞
次に、上記位置ずれ吸収幅Ｗを含む描画データ作成処理について図１６を参照して説明する。この描画データ作成処理は、電子線描画装置に設定する描画データを作成する処理である。この処理は、コンピュータ等を用いて実行される。
【００６３】
図１６において、描画データ作成処理を開始すると、まず、上記モールド１００に対する図形データ（パターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂを含む）を入力する（ステップＳ１０１）。次に、パターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂの境界を指定する（ステップＳ１０２）。次に、指定した境界に対して位置ずれ吸収幅（Ｗ）を入力する（ステップＳ１０３）。次に、境界に対する位置ずれ吸収幅（Ｗ）を用いて図形データをパターン領域用描画データと非パターン領域用描画データとに分割する（ステップＳ１０４）。次に、分割したパターン領域用描画データと非パターン領域用描画データを電子線描画装置に対して出力して（ステップＳ１０５，Ｓ１０６）、本処理を終了する。
【００６４】
以上のように、描画データ作成処理において、パターン領域と非パターン領域の境界に対して予め位置ずれ吸収幅（Ｗ）を設定することにより、電子線描画装置の描画位置精度を考慮してパターン領域用描画データと非パターン領域用描画データを作成することが可能になる。その結果、パターン領域と非パターン領域の境界部分でパターン形状が損なわれることを防止でき、モールドの歩留まりを向上させることができる。
【００６５】
（第２の実施の形態）
以下、図面を参照して、本発明の第２の実施の形態を詳細に説明する。
【００６６】
第２の実施の形態に係るモールドでは、パターン領域にネガ型レジストを用いてレジストパターンを形成した後、非パターン領域にポジ型レジストを用いてレジストパターンを形成することに特徴がある。なお、本第２の実施の形態に係るモールドの概略構成は、図１に示したモールド１００と同様であるため、その図示及び構成説明は省略する。
【００６７】
＜モールドの製造方法＞
本第２の実施の形態に係るモールド２００を製造する工程について、図１７を参照して説明する。図１７（Ａ）〜（Ｆ）は、基材２０１上のパターン領域２０１Ａに凹凸パターン２０８を形成する工程を順に示す断面図であり、（Ｇ）は基材上に凹凸パターンを形成する工程を示す断面図である。以下に示す製造工程において用いるネガ型レジストとポジ型レジストの組み合わせ条件は、ポジ型レジスト用の現像液によりネガ型レジストが反応しないネガ型レジストとポジ型レジストの組み合わせを選択するか、または、反応したとしても反応速度が大きく異なり、ポジ型レジストの現像時にネガ型レジストの浸食が無視できるネガ型レジストとポジ型レジストの組み合わせを選択すればよい。
【００６８】
（１）ネガ型レジストの塗布
まず、図１７（Ａ）において、基材２０１上にネガ型レジスト２０２を、例えば膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように塗布する。ネガ型レジスト２０２としては、例えば、ＨＳＱ等の電子線露光用ネガ型レジストを用いる。このネガ型レジスト２０２は、解像度がポジ型レジストより高い材料を用いることが望ましい。基材２０１は、上記第１の実施の形態に示したものと同様のものを用いることができる。
【００６９】
（２）ネガ型レジストの露光
次に、図１７（Ｂ）において、凹凸パターンを形成するネガ型レジスト２０２に対して電子線を照射して所望の部位を露光する（説明のため図１７（Ｂ）では露光した部位をハッチングしている）。
【００７０】
（３）ネガ型レジストの現像
次に、図１７（Ｃ）において、ネガ型レジストを現像により除去してネガ型レジストパターン２０３を得る。そして、ネガ型レジストの反応を止めるため焼成処理を行う。ネガ型レジスト２０２としてＨＳＱを用いる場合は焼成処理は必要ないが、ネガ型レジストとして化学増幅型ネガレジストを用いる場合は焼成処理が必要になる。また、基材２０１とポジ型レジストの密着性の向上、あるいはレジスト残渣の除去を目的として、例えば、アッシングを実施する。基材２０１に残存するネガ型レジスト２０２を完全に除去するなどの処理を実施してもよい。
【００７１】
（４）ポジ型レジストの塗布
次に、図１７（Ｄ）において、図１７（Ｃ）においてネガ型レジストを除去した基材２０１上にポジ型レジスト２０４を塗布する。ポジ型レジスト２０４としては、例えば、ＺＥＰ５２０Ａ等の電子線露光用ポジ型レジストを用いる。このポジ型レジスト２０４は、感度が高い材料を用いることが好ましい。この場合、ポジ型レジスト２０４の塗布状態は、図１７（Ｄ）に示すように、パターン領域２０１Ａを覆う膜厚で塗布してもよい。また、図１８（Ａ）に示すように、ポジ型レジスト２０４はパターン領域２０１Ａと同等の膜厚で塗布するようにしてもよい。また、図１８（Ｂ）に示すように、ポジ型レジスト２０４はパターン領域２０１Ａより薄い膜厚で塗布するようにしてもよい。ポジ型レジスト２０４の膜厚は、後述するエッチングに耐えうる膜厚であればよい。
【００７２】
（５）ポジ型レジストの露光
次に、図１７（Ｅ）において、ネガ型レジスト２０１で形成したネガ型レジストパターン２０３が出現するように、パターン領域２０１Ａのポジ型レジスト２０４に対して電子線を照射する。
【００７３】
（６）ポジ型レジストの現像
次に、図１７（Ｆ）において、電子線を照射した後、ポジ型レジスト２０４の現像を実施してパターン領域２０１Ａのポジ型レジスト２０４を除去して、所望の形状を有するネガ型レジストパターン２０３、ポジ型レジストパターン２０５を形成する。
【００７４】
（７）凹凸パターンの形成
次に、図１７（Ｇ）において、ポジ型レジスト及びネガ型レジストでそれぞれ形成したエッチングマスクを介して基材２０１をエッチングして、凹凸パターン２０８を形成する。その後、エッチングマスクを除去してモールド２００が完成する。
【００７５】
第２の実施の形態に係るモールド２００の製造方法では、モールド２００の非パターン領域２０１Ｂ上のレジストパターンをポジ型レジストを用いて形成した後、パターン領域２０１Ａ上の凹凸パターン２０８を形成するためのレジストパターンをネガ型レジストを用いて形成した。凹凸パターン２０８を形成するためのレジストパターンを、ポジ型レジストよりも解像力、パターンエッジラフネスが優れるネガ型レジストを用いたい場合において、パターン領域２０１Ａと非パターン領域２０１Ｂにレジストパターンを描画する際の各描画時間、又は、パターン領域２０１Ａと非パターン領域２０１Ｂにレジストパターンを描画する際の合計描画時間を大幅に短縮でき、モールド２００の製造時間を大幅に短縮することが可能になる。その結果、モールドの製造コストを低減することが可能になる。
【００７６】
また、第２の実施の形態に係るモールド２００に対しても、電子線描画装置の描画位置精度を考慮した上記位置ずれ吸収幅Ｗを設定し、この位置ずれ吸収幅Ｗを用いてネガ型レジスト描画用パターンとポジ型レジスト描画用パターンを設定することにより、電子線描画装置による描画時に位置ずれが発生したとしてもパターン領域２０１Ａの形状に対する影響を回避することが可能になる。なお、第２の実施の形態に係るモールド２００に対する描画位置の補正に関しては、第１の実施の形態で説明した内容と同様であるため、その図示及び説明は省略する。
【００７７】
さらに、第２の実施の形態に係るモールド２００に対しても、図１６に示した描画データ作成処理を適用可能である。なお、第２の実施の形態に係るモールド２００に対する描画データ作成処理に関しては、第１の実施の形態で説明した内容と同様であるため、その図示及び説明は省略する。
【００７８】
なお、第１の実施の形態に示したモールドの製造方法と、第２の実施の形態に示したモールドの製造方法は、共に描画時間を短縮する技術として有効であるが、パターン領域の凹凸パターンが所期の形状に形成することに関しては、第１の実施の形態に示したモールドの製造方法を適用することがより好ましい。また、第１の実施の形態に示したモールドの製造方法と、第２の実施の形態に示したモールドの製造方法では、パターン領域の形状が正方形である場合を示したが、この形状に限定されるものではない。例えば、パターン領域の形状は、長方形、多角形、円形等もあり、これらの形状のパターン領域に対しても第１の実施の形態と第２の実施の形態に示したモールドの製造方法は適用可能である。
【００７９】
また、第１の実施の形態に示したモールドの製造方法と、第２の実施の形態に示したモールドの製造方法では、共にポジ型レジストを用いたレジストパターンの描画と、ネガ型レジストを用いたレジストパターンの描画とを共通の電子線描画装置で行う場合を示したが、これに限定されるものではない。例えば、ポジ型レジストを用いたレジストパターンを図５（Ｂ）に示した可変成型ビーム描画装置を用いて描画し、ネガ型レジストを用いたレジストパターンを図５（Ｂ）に示したスポットビーム描画装置を用いて描画してもよい。これにより更に描画時間を短縮することができる。
【符号の説明】
【００８０】
１００，２００…モールド、１０１，２０１…基材、１０１Ａ，２０１Ａ…パターン領域、１０１Ｂ，２０１Ｂ…非パターン領域、１０２，２０４…ポジ型レジスト、１０３，２０５…ポジ型レジストパターン、１０５，２０３…ネガ型レジストパターン，１０４，２０２…ネガ型レジスト、１０８，２０８…凹凸パターン。
【図２】
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【図３】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１９】
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