(57)【要約】【課題】柱状スペーサあるいは台座を小さくすることなく、配向膜の剥がれ屑の発生量を大幅に少なくできる液晶表示装置を提供する。【解決手段】第２基板の液晶側の面に、散在して配置された複数の柱状スペーサと、これら柱状スペーサを被覆する第２配向膜とが形成され、  第１基板の前記液晶側の面に、前記柱状スペーサに対向する箇所に配置された台座と、これら台座を被覆する第１配向膜とが形成され、  前記柱状スペーサの径は前記台座の径あるいは幅よりも大きく形成され、  前記柱状スペーサの頂面に前記台座の径あるいは幅よりも小さな径あるいは幅を有する凹部が形成されている。【選択図】図１
2011081103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟持して対向配置される第１基板、第２基板とを有し、
前記第２基板の前記液晶側の面に、少なくとも、散在して配置された複数の柱状スペーサと、これら柱状スペーサを被覆し前記液晶と接触して配置された第２配向膜とが形成され、
前記第１基板の前記液晶側の面に、少なくとも、前記柱状スペーサに対向する箇所に配置された台座と、これら台座を被覆し前記液晶と接触して配置された第１配向膜とが形成され、
前記柱状スペーサの径は前記台座の径あるいは幅よりも大きく形成され、
前記柱状スペーサの頂面に前記台座の径あるいは幅よりも小さな径あるいは幅を有する凹部が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記凹部は前記柱状スペーサに形成されたクラックであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記凹部は前記柱状スペーサの頂面に複数形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
液晶を挟持して対向配置される第１基板、第２基板とを有し、
前記第２基板の前記液晶側の面に、少なくとも、散在して配置された複数の柱状スペーサと、これら柱状スペーサを被覆し前記液晶と接触して配置された第２配向膜とが形成され、
前記第１基板の前記液晶の面に、少なくとも、前記柱状スペーサに対向する箇所に配置された台座と、これら台座を被覆し前記液晶と接触して配置された第１配向膜とが形成され、
前記台座の頂面側から底面側に至る側壁面の部分において、前記台座の径あるいは幅を小さくする窪みを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記台座の頂面側から底面側に至る側壁面が、頂面側の面積に対して底面側の面積が小さくなる逆テーパ状となっていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記画素には、面状電極からなる画素電極と、この画素電極を被って形成される絶縁膜と、この絶縁膜上に配置された複数の線状電極からなる対向電極とが形成され、
前記台座は、前記対向電極の下層に前記対向電極に接触して設けられたコモン信号線を兼ねて構成され、
エッチングレートの大きな金属層を間にしてエッチングレートの小さな金属層が配置される３層構造からなることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記対向電極は、画素の集合によって形成される表示領域を被って形成される透明導電膜に、各画素の領域に複数のスリットを形成することによって複数の線状電極を備え、
前記コモン信号線は、隣接する画素の間に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、液晶を挟持して対向配置される一対の基板の間に配置された柱状スペーサおよびその台座を備える液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、一対の基板の間に、液晶を一構成要素とする画素を備えて構成される。画素のそれぞれには画素電極および対向電極が備えられ、これらの電極の間に発生する電界によって液晶の分子を挙動させ、当該画素における光透過率を制御するようになっている。
【０００３】
そして、各画素の液晶の層厚を均一にするため、一対の基板のうち一方の基板（以下、たとえば第２基板と称する）の液晶側の面には、複数の柱状スペーサを形成し、他方の基板（以下、たとえば第１基板と称する）の液晶側の面に前記柱状スペーサを支持する台座を設けることによって、第１基板と第２基板のギャップの均一化を図るようになっている。ここで、柱状スペーサは第２基板側に基部を有する突状のたとえば樹脂体で形成され、台座は第１基板に形成された島状あるいは帯状のたとえば金属層で形成される。
【０００４】
この場合、第１基板と第２基板の液晶側の面には液晶と直接に接触する配向膜を形成する必要が生じる。この配向膜によって液晶の分子の初期配向方向を決定させる必要があるからである。このため、第２基板の液晶側の面には前記柱状スペーサをも被って配向膜が形成され、第１基板の液晶側の面には前記台座をも被って配向膜が形成された構成となっている。
【０００５】
このような構成からなる液晶表示装置は、たとえば、下記特許文献１に開示がなされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−５８６１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述のように構成された液晶表示装置は、配向膜の剥がれ屑によって、いわゆる微少輝点と称する光漏れが生じることが確認された。
【０００８】
本発明者等は、この原因を究明した結果、次のようなことが判明するに至った。すなわち、液晶表示装置に振動が生じ、第１基板と第２基板に平面的な方向へのずれが生じた場合、柱状スペーサの頂部と台座の表面が互いにこすれ合うことになる。この場合、柱状スペーサの頂部の表面（以下、頂面と称する場合がある）、台座の表面には、それぞれ配向膜が形成されているため、直接には、これら配向膜がこすれ合うことになり、このこすれによって、配向膜の剥がれ屑が周辺に浮遊してしまうことになる。そして、この配向膜の剥がれ屑が、液晶の分子の配向に乱れを生じさせ、微少輝点を発生させるようになる。
【０００９】
このような不都合を解決する方法の一つとして、たとえば、柱状スペーサ、および台座の径（あるいは幅）を小さくすることが考えられる。このようにした柱状スペーサ、あるいは台座は、これらを被って配向膜の材料となる樹脂を塗布した場合、柱状スペーサの頂面上、および台座の表面上の樹脂材は、段差を形成する低位部に流動し易くなり、柱状スペーサの頂面上、および台座の表面上に留まり難くなる。このため、柱状スペーサの頂面、および台座の表面における配向膜の膜厚を薄く、すなわち柱状スペーサの頂面上、および台座の表面上における樹脂の残留量を少なくでき、配向膜の剥がれ屑の発生量を少なくできる。
【００１０】
しかし、柱状スペーサおよび台座のそれぞれの径（あるいは幅）を小さくすることは、第１基板と第２基板に平面的な方向へのずれが生じた場合、台座の柱状スペーサに対する支持が外れ易くなり、ひいては、第１基板と第２基板のギャップの均一性を確保することが困難となってしまうことになる。
【００１１】
本発明の目的は、柱状スペーサあるいは台座を小さくすることなく、配向膜の剥がれ屑の発生量を大幅に少なくできる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の液晶表示装置は、柱状スペーサ、あるいは台座において、それらの頂面、表面に塗布された配向膜の材料である樹脂を流動し易くする手段を設け、柱状スペーサの頂面上、および台座の表面上において樹脂の残留量を少なくするようにしたものである。
【００１３】
本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。
【００１４】
（１）本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第１基板、第２基板とを有し、
前記第２基板の前記液晶側の面に、少なくとも、散在して配置された複数の柱状スペーサと、これら柱状スペーサを被覆し前記液晶と接触して配置された第２配向膜とが形成され、
前記第１基板の前記液晶側の面に、少なくとも、前記柱状スペーサに対向する箇所に配置された台座と、これら台座を被覆し前記液晶と接触して配置された第１配向膜とが形成され、
前記柱状スペーサの径は前記台座の径あるいは幅よりも大きく形成され、
前記柱状スペーサの頂面に前記台座の径あるいは幅よりも小さな径あるいは幅を有する凹部が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
（２）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記凹部は前記柱状スペーサに形成されたクラックであることを特徴とする。
【００１６】
（３）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記凹部は前記柱状スペーサの頂面に複数形成されていることを特徴とする。
【００１７】
（４）本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第１基板、第２基板とを有し、
前記第２基板の前記液晶側の面に、少なくとも、散在して配置された複数の柱状スペーサと、これら柱状スペーサを被覆し前記液晶と接触して配置された第２配向膜とが形成され、
前記第１基板の前記液晶の面に、少なくとも、前記柱状スペーサに対向する箇所に配置された台座と、これら台座を被覆し前記液晶と接触して配置された第１配向膜とが形成され、
前記台座の頂面側から底面側に至る側壁面の部分において、前記台座の径あるいは幅を小さくする窪みを有することを特徴とする。
【００１８】
（５）本発明の液晶表示装置は、（４）において、前記台座の頂面側から底面側に至る側壁面が、頂面側の面積に対して底面側の面積が小さくなる逆テーパ状となっていることを特徴とする。
【００１９】
（６）本発明の液晶表示装置は、（４）において、前記画素には、面状電極からなる画素電極と、この画素電極を被って形成される絶縁膜と、この絶縁膜上に配置された複数の線状電極からなる対向電極とが形成され、
前記台座は、前記対向電極の下層に前記対向電極に接触して設けられたコモン信号線を兼ねて構成され、
エッチングレートの大きな金属層を間にしてエッチングレートの小さな金属層が配置される３層構造からなることを特徴とする。
【００２０】
（７）本発明の液晶表示装置は、（６）において、前記対向電極は、画素の集合によって形成される表示領域を被って形成される透明導電膜に、各画素の領域に複数のスリットを形成することによって複数の線状電極を備え、
前記コモン信号線は、隣接する画素の間に形成されていることを特徴とする。
【００２１】
なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００２２】
このように構成した液晶表示装置は、柱状スペーサあるいは台座を小さくすることなく、配向膜の剥がれ屑の発生量を大幅に少なくできるようになる。
【００２３】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施例１の液晶表示装置の柱状スペーサを示す断面図である。
【図２】本発明の実施例１の液晶表示装置の概略を示す全体平面図である。
【図３】本発明の実施例１の液晶表示装置の画素の構成を示す平面図である。
【図４】図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】図３のV−V線における断面図である。
【図６】図１に示す柱状スペーサの頂面における第２配向膜の樹脂の膜厚が薄くなる理由を示す説明図である。
【図７】本発明の実施例１の液晶表示装置の台座を示す断面図である。
【図８】本発明の実施例２の液晶表示装置の台座を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【実施例１】
【００２６】
〈全体の構成〉
図２は、本発明の液晶表示装置の実施例１の概略を示す平面図である。図２において、液晶（図示せず）を挟持して対向配置される第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２がある。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１よりも若干小さな面積となっており、第１基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部ＳＤを露出させるようになっている。第１基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部ＳＤには半導体装置（チップ）ＳＥＣが搭載されている。この半導体装置ＳＥＣは後述の表示領域ＡＲにおける各画素を駆動する制御回路となっている。第２基板ＳＵＢ２の周辺には、第１基板ＳＵＢ１との固着を図るシール材ＳＬが形成され、このシール材ＳＬは前記液晶を封止させる機能をも有している。
【００２７】
シール材ＳＬで囲まれた領域は表示領域ＡＲとなっている。第１基板ＳＵＢ１の前記表示領域ＡＲにおける液晶側の面には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬ、および図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。隣接する一対のゲート信号線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれる領域は画素領域を構成するようになっている。これにより、表示領域ＡＲにはマトリックス状に配置された多数の画素を有するようになっている。
【００２８】
各画素領域には、図中の点線楕円枠内の等価回路図である図Ａに示すように、ゲート信号線ＧＬからの信号（走査信号）によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを通してドレイン信号線ＤＬからの信号（映像信号）が供給される画素電極ＰＸと、この画素電極ＰＸとの間に電界を生じさせる対向電極ＣＴとが形成されている。前記電界は第１基板ＳＵＢ１の面に平行な成分を有し、液晶の分子は第１基板ＳＵＢ１の面に水平な状態のままで配向状態が変化するようになっている。この種の液晶表示装置はたとえば横電界方式と称される。なお、対向電極ＣＴはたとえばゲート信号線ＧＬに平行して走行するコモン信号線ＣＬを介して映像信号に対して基準となる基準信号が供給されるようになっている。
【００２９】
また、表示領域ＡＲ内には、複数の柱状スペーサＳＰＳがほぼ均等に散在されて配置され、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間のギャップを均一な状態としている。柱状スペーサＳＰＳはたとえば第２基板ＳＵＢ２の液晶側の面に形成されている。また、図示していないが、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面の前記柱状スペーサＳＰＳと対向する箇所に前記柱状スペーサＳＰＳの台座ＰＤＳ（図５参照）が形成されている。この台座ＰＤＳはたとえば金属膜から構成され、前記柱状スペーサＳＰＳを支持するようになっている。柱状スペーサＳＰＳ（および台座ＰＤＳ）は、表示領域ＡＲ内において、隣接する画素と画素の間の領域に形成され、これにより画素の開口率の向上の妨げにならないようになっている。
【００３０】
なお、ゲート信号線ＧＬ、ドレイン信号線ＤＬ、およびコモン信号線ＣＬは、それぞれ図示しない引き出し線によって前記半導体装置ＳＥＣに接続され、ゲート信号線ＧＬには走査信号、ドレイン信号線ＤＬには映像信号、コモン信号線ＣＬには基準信号が供給されるようになっている。
【００３１】
上述した実施例では、横電界方式と称される液晶表示装置を例に挙げて示したものである。しかし、この方式に限らず、たとえば、ＴＮ（Twisted Nematic）、ＶＡ（Vertical Alignment）等の縦電界方式と称される液晶表示装置にも適用できる。
【００３２】
〈画素の構成〉
図３は、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成された画素の構成図である。図３は、図２の点線矩形枠Ｂの部分に相当する平面図となっている。すなわち、ゲート信号線ＧＬを間にして隣接配置された４個の画素（半分の領域）を示している。図４は、図３のIV−IV線における断面図を、図５は、図３のV−V線における断面図を示している。図４、図５は、それぞれ、第２基板ＳＵＢ２をも併せて描画している。
【００３３】
図３において、第１基板ＳＵＢ１（図４、図５参照）の液晶側の面（表面）に、図中ｘ方向に延在するゲート信号線ＧＬが形成されている。このゲート信号線ＧＬは、後述のドレイン信号線ＤＬとともに、各画素の領域を画するようになっている。
【００３４】
第１基板ＳＵＢ１の表面には、ゲート信号線ＧＬをも被って絶縁膜ＧＩ（図４、図５参照）が形成されている。この絶縁膜ＧＩは、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において前記薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として機能するようになっている。
【００３５】
絶縁膜ＧＩの上面であってゲート信号線ＧＬに重なる部分に島状の半導体層ＡＳが形成されている。半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となるもので、隣接するドレイン信号線ＤＬの間に１個ずつ設けられている。半導体層ＡＳは、たとえばアモルファスシリコンから構成され、たとえば図中下側に直線を有する半円形状となっている。薄膜トランジスタＴＦＴは、半導体層ＡＳの上面に、ドレイン電極ＤＴと、このドレイン電極ＤＴと対向してソース電極ＳＴが形成されることにより、いわゆるボトムゲート型のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）トランジスタが形成されるようになっている。ここで、ドレイン電極ＤＴは半導体層ＡＳの形状に沿った半円弧状のパターンに、ソース電極ＳＴはドレイン電極ＤＴの弧内に先端が配置される棒状のパターンに形成することによって、薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル幅を大きくするようにしている。
【００３６】
薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴ、ソース電極ＳＴは、図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。この場合、ドレイン電極ＤＴは、ドレイン信号線ＤＬ側に延在する延在部ＥＸによってドレイン信号線ＤＬと一体に形成され、ソース電極ＤＴは、ゲート信号線ＧＬに対して図中下方の画素領域内にまで延在されて形成され、その先端には面積の比較的大きなパッド部ＰＤを有するようになっている。バッド部ＰＤは後述の画素電極ＰＸと電気的に接続されるようになっている。
【００３７】
第１基板ＳＵＢ１の表面には、ドレイン信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴをも被って保護膜ＰＡＳが形成されている。この保護膜ＰＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴを液晶との直接の接触を回避するために形成され、たとえば、無機絶縁膜ＰＡＳ１と有機絶縁膜ＰＡＳ２との順次積層体からなっている。有機絶縁膜ＰＡＳ２を用いることによって、保護膜ＰＡＳの表面を平坦化できるようになる。
【００３８】
保護膜ＰＡＳの上面には、画素領域ごとに面状電極からなる画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の透光性導電膜から構成されている。また、画素電極ＰＸは、隣接する他の画素領域における画素電極ＰＸとは電気的に独立して形成され、保護膜ＰＡＳに予め形成されたスルーホールＴＨを通して、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴ（正確にはパッド部ＰＤ）に電気的に接続されている。
【００３９】
第１基板ＳＵＢ１の表面には、画素電極ＰＸをも被って絶縁膜ＩＮが形成されている。この絶縁膜ＩＮは、画素電極ＰＸと後述の対向電極ＣＴとの絶縁を図る層間絶縁膜の機能を有するようになっている。絶縁膜ＩＮの表面には、ゲート信号線ＧＬに重ねられ前記ゲート信号線ＧＬに沿ってコモン信号線ＣＬが形成されている。コモン信号線ＣＬは、その幅がゲート信号線ＧＬの幅よりも小さく形成され、平面的に視て、ゲート信号線ＧＬのほぼ中央を走行するように形成されている。このコモン信号線ＣＬは、たとえばＡｌ等の金属膜から構成され、このコモン信号線ＣＬを被って形成される後述の対向電極ＣＴの全体的な電気抵抗を低減させる機能を有するようになっている。対向電極ＣＴは、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透光性導電膜から構成され、電気的抵抗が比較的大きいためである。また、このコモン信号線ＣＬは、たとえばドレイン信号線ＤＬと交差する部分において、第２基板ＳＵＢ２の側に形成される柱状スペーサ（図３中点線丸枠で示す）ＰＳＰの台座としての機能を有するようになっている。このコモン信号線ＣＬのさらなる構成については後に詳述する。
【００４０】
第１基板ＳＵＢ１の表面には、対向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは、たとえばＩＴＯの透光性導電膜を表示領域ＡＲ（図２参照）面に形成した後に画素領域ごとに並設された複数のスリットＳＴを形成することによって、各画素領域に複数の線状電極からなる対向電極ＣＴを構成するようになっている。対向電極ＣＴは、前記コモン信号線ＣＬを被って形成され、前記コモン信号線ＣＬと電気的に接続されて形成されている。
【００４１】
なお、図３において、ある画素領域における対向電極ＣＴの線状電極の角度と他の画素領域における対向電極ＣＴの線状電極の角度が異なっているのは、いわゆるマルチドメイン方式を採用し、表示領域ＡＲを目視する方向によって色が異なって見えてしまうのを回避した構成としているからである。
【００４２】
第１基板ＳＵＢ１の表面には対向電極ＣＴをも被って第１配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この第１配向膜ＯＲＩ１は液晶ＬＣと直接に接触する膜となり、液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決定させるようになっている。
【００４３】
第２基板の前記液晶ＬＣ側の面には、図４、図５に示すように、まず、ブラックマトリックス（遮光膜）ＢＭが形成されている。このブラックマスクＢＭは、実質的な画素領域となる部分において開口を有し、少なくも薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域を被って形成されている。
【００４４】
ブラックマトリックスＢＭの上面には、前記ブラックマトリックスＢＭの開口をも被ってカラーフィタルＣＦが形成されている。このカラーフィタルＣＦは、たとえばｙ方向に並設される各画素領域において同色の帯状パターンからなり、ｘ方向の画素領域ごとに、たとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の順で、繰り返し配置されるようになっている。これにより、ｘ方向に互いに隣接される３個の画素がカラー表示の単位画素として構成されるようになっている。
【００４５】
第２基板ＳＵＢ２の表面には、ブラックマスクＢＭ、カラーフィタルＣＦをも被ってたとえば樹脂からなる平坦化膜ＯＣが形成されている。平坦化膜ＯＣの表面には、図５に示すように、柱状スペーサＰＳＰが形成され、この柱状スペーサＰＳＰの頂部は、第１基板ＳＵＢ１側に形成された前記台座ＰＤＳに対向して位置づけられている。この柱状スペーサＰＳＰは、平坦化膜ＯＣの上面に塗布によって形成された樹脂膜をフォトリソグラフィ技術による選択除去によって形成されるようになっている。柱状スペーサＰＳＰの中心軸と直交する面はたとえば円形となっており、前記台座ＰＤＳと比較して大きな径を有して形成されている。柱状スペーサＰＳＰのさらなる構成については後に詳述する。
【００４６】
第２基板ＳＵＢ２の表面には柱状スペーサＰＳＰをも被って第２配向膜ＯＲＩ２が形成されている。この第２配向膜ＯＲＩ２は液晶ＬＣと直接に接触する膜となり、液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決定させるようになっている。
【００４７】
〈柱状スペーサ〉
図１は、前記柱状スペーサＰＳＰを拡大した断面を示している。図１において、柱状スペーサＰＳＰは、平坦化膜ＯＣ側の基部と反対側の頂部における面（頂面ＳＦ）に、複数の散在された孔ＨＬが形成されている。これら孔ＨＬの径は、前記コモン信号線ＣＬの幅よりも小さく設定されている。この理由は、柱状スペーサＰＳＰの前記台座ＰＤＳと当接（第２配向膜ＯＲＩ２、第１配向膜ＯＲＩ１を介して）する部分が、孔ＨＬと孔ＨＬの間の突出した部分となるようにし、前記孔ＨＬの凹陷部とならないようにするためである。そして、前記孔ＨＬの深さは、柱状スペーサＰＳＰの強度を損なわない限り比較的深く形成されていてもかまわない。前記孔ＨＬは、フォトリソグラフィ技術によって前記柱状スペーサＰＳＰＳを形成する際に、たとえばハーフトーン露光にみられるように露光量を制御したフォトマスクを用いることにより、所定の径および深さで形成することができる。また、柱状スペーサＰＳＰの孔ＨＬは、このような方法に限らず、たとえば、柱状スペーサＰＳＰの形成の後において、その頂面にクラックを発生させるようにして溝状に形成するようにしてもよい。そして、この柱状スペーサＰＳＰをも被って形成される第２配向膜ＯＲＩ２は、柱状スペーサＰＳＰの頂面ＳＦの孔ＨＬ以外を被う部分において薄く形成されている。平坦化膜ＯＣ上に形成される第２配向膜ＯＲＩ２の膜厚をＷ０とした場合、柱状スペーサＰＳＰの頂面ＳＦに形成される第２配向膜ＯＲＩ２の膜厚はＷ１（＜Ｗ０）となり極めて薄く形成されている。このことは、柱状スペーサＰＳＰの前記台座ＰＤＳと当接（第２配向膜ＯＲＩ２、第１配向膜ＯＲＩ１を介して）する部分において、第２配向膜ＯＰＩ２の膜厚が小さくなっていることを意味する。
【００４８】
図６は、柱状スペーサＰＳＰの頂面において、孔ＨＬ以外を被う第２配向膜ＯＲＩ２の膜厚が薄く形成される理由を示す説明図である。図６は、第２基板ＳＵＢ２に形成された柱状スペーサＰＳＰを被って第２配向膜ＯＲＩ２の材料である樹脂を塗布する際を示した図となっている。このため、図６に示す柱状スペーサＰＡＳは、その基部が図中下側に、頂部が図中上側になるように位置づけられる。この状態で、柱状スペーサＰＳＰの頂面ＳＦに塗布された樹脂は、孔ＨＬに向かって流れ込み易くなり（図中矢印で示す）、該孔ＨＬを除く領域に留まり難くなる。このため、孔ＨＬ以外を被う第２配向膜ＯＲＩ２は、その膜厚が薄く形成されることになる。
【００４９】
このように構成した柱状スペーサＰＳＰは、たとえ第１基板ＳＵＢ１側の台座ＰＤＳと、第２配向膜ＯＲＩ２、第１配向膜ＯＲＩ１を介して、こすれ合うようなことがあっても、第２配向膜ＯＲＩ２のこすれ部分の膜厚は極めて薄くなっており、第２配向膜ＯＲＩ２の剥がれ屑の発生量を大幅に少なくすることができる。したがって、配向膜の剥がれ屑の浮遊による微少輝点の発生を抑制できるようになる。
【００５０】
〈柱状スペーサの台座〉
柱状スペーサＰＳＰの台座ＰＤＳは、上述したように、コモン信号線ＣＬの一部分（たとえばドレイン信号線ＤＬと交差する部分）を利用して構成したものとなっている。このため、この実施例におけるコモン信号線ＣＬは、次に示すように構成されている。図７は、コモン信号線ＣＬの断面の拡大図を示している。図７において、コモン信号線ＣＬは、たとえば３層構造からなり、最下層の金属膜ＭＴ１、中間層の金属膜ＭＴ２、および最上層の金属膜ＭＴ３から構成されている。そして、中間層の金属膜ＭＴ２は、そのエッチングレートが、最下層の金属膜ＭＴ１および最上層の金属膜ＭＴ３のエッチングレートよりも大きな材料で構成されている。このため、フォトリソグラフィ技術による選択エッチングによってコモン信号線ＣＬを形成した場合、前記コモン信号線ＣＬは、その頂面（最上層の金属膜ＭＴ３の上面）側から底面（最下層の金属膜ＭＴ１の下面）側に至る側壁面において、サイドエッチによる窪みＨＬＷが形成されることになる。前記窪みＨＬＷは、コモン信号線ＣＬの中間層の金属膜ＭＴ２に形成され、その高さ方向のほぼ中央において、前記コモン信号線ＣＬの幅を最も小さくし、最下層の金属層ＭＴ１および最上層の金属膜ＭＴ３の側に向かうにつれ前記コモン信号線ＣＬの幅を大きくするような形状で形成されるようになっている。
【００５１】
このようにコモン信号線ＣＬの頂面側から底面側に至る側壁面の部分において、コモン信号線ＣＬの幅を小さくするような窪みＨＬＷを形成することによって、このコモン信号線ＣＬの形成領域をも被って第１配向膜ＯＲＩ１の材料となる樹脂を塗布した場合、前記樹脂が前記窪みＨＬＷに流れ込み易くすることができる。これにより、コモン信号線ＣＬの上方の樹脂の残量を少なくすることができる。したがって、台座の上面における第１配向膜ＯＲＩ１の膜厚（その膜厚を図中Ｗ２で示している）を大幅に薄くできるようになる。このように構成した台座ＰＤＳは、たとえ第２基板ＳＵＢ２側の柱状スペーサＰＳＰと、第１配向膜ＯＲＩ１、第２配向膜ＯＲＩ２を介して、こすれ合うようなことがあっても、第１配向膜ＯＲＩ２の膜厚は極めて薄くなっていることから、第１配向膜ＯＲＩ１の剥がれ屑の発生量を大幅に少なくすることができる。したがって、配向膜の剥がれ屑の浮遊による微少輝点の発生を抑制できるようになる。
【００５２】
なお、コモン信号線ＣＬの側壁面に上述したような窪みＨＬＷを設けることによって、コモン信号線ＣＬをも被って対向電極ＣＴを形成した場合、この対向電極ＣＴには、コモン信号線の側壁面の箇所において段切れが生じてしまうことが免れず、コモン信号線ＣＬと対向電極ＣＴとの電気的接続が図れなくなる恐れが生じる。しかし、最下層の金属膜ＭＴ１は、サイドエッチングが生じ難くい材料で構成され、この金属膜ＭＴ１と、同じ絶縁膜ＩＮ上に形成される対向電極ＣＴとの電気的接続が確保されることになり、前記対向電極ＣＴの段切れによる不都合が解消された構成となっている。
【実施例２】
【００５３】
実施例１に示した柱状スペーサＰＳＰの台座ＰＤＳは、コモン信号線ＣＬを兼用させた構成としたものである。このため、このコモン信号線ＣＬを被って形成される対向電極ＣＴの段切れによる不都合をも併せ解消した構成となっている。
【００５４】
しかし、柱状スペーサＰＳＰの台座ＰＤＳは、必ずしも信号線を兼用させる必要のない構成とすることができる。すなわち、単に、帯状の金属膜の長手方向における一部を台座とし、あるいは、柱状スペーサの頂面と対向する領域内に配置されるたとえば円形の金属膜を台座とすることができる。
【００５５】
この場合、電極の段切れによる不都合を考慮する必要はないことから、前記台座ＰＤＳは比較的簡単な構成として形成することができる。図８は、このように構成した台座ＰＤＳの断面図を示し、図７に対応づけて描画した図となっている。図８において、台座ＰＤＳは、たとえば金属膜で形成されている。そして、台座ＰＤＳの頂面側から底面側に至る側壁面が、頂面側の面積に対して底面側の面積が小さくなる逆テーパ状となっている。この場合、絶縁膜ＩＮの上面に、たとえ、台座ＰＤＳをも被って対向電極ＣＴを形成し、この対向電極ＣＴが台座ＰＤＳの周辺で段切れが生じるようなことがあっても、前記台座ＰＤＳは、島状に形成されたものであることから、特に不都合なことにはならない。
【００５６】
そして、台座ＰＤＳを上記のような構成とすることによって、その側壁面には、実施例１に示したと同様な窪みＨＬＷが形成されるようになる。このため、台座ＰＤＳの頂面に塗布された第１配向膜ＯＲＩ１形成のための樹脂は、前記窪みＨＬＷに流れ込み易くなり、台座ＰＤＳの上方に残存する樹脂の残量を少なくできる。
【実施例３】
【００５７】
実施例１、実施例２は、柱状スペーサＰＳＰ、台座ＰＤＳのいずれにおいても改良された構成とすることにより、配向膜の剥がれ屑の発生を少なくするようにしたものである。しかし、柱状スペーサｐＳＰ、台座ＰＤＳのうちいずれか一方の構成を採用するようにしてもよい。この場合においても、従来よりも、配向膜の剥がれ屑の発生を少なくできる効果を奏するからである。
【００５８】
以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。
【符号の説明】
【００５９】
ＳＵＢ１……第１基板、ＳＵＢ２……第２基板、ＳＬ……シール材、ＡＲ……表示領域、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＣＬ……コモン信号線、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＤＴ……ドレイン電極、ＳＴ……ソース電極、ＰＤ……パッド部、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……対向電極、ＰＳＰ……柱状スペーサ、ＧＩ……絶縁膜、ＰＡＳ……保護膜、ＰＡＳ１……無機絶縁膜、ＰＡＳ２……有機絶縁膜、ＩＮ……層間絶縁膜、ＴＨ……スルーホール、ＰＤＳ……台座、ＯＲＩ１……第１配向膜、ＯＲＩ２……第２配向膜、ＳＦ……柱状スペーサの頂面、ＭＴ１……最下層の金属膜、ＭＴ２……中間層の金属膜、ＭＴ３……最上層の金属膜、ＨＬＷ……窪み。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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