(57)【要約】【課題】  リードフレームと封止用樹脂との密着性を向上させるめっき層が形成されたリードフレームを、生産性を落とすことなく製造する方法を提供する。【解決手段】  金属製基材の表裏面に同じ厚さのＮｉめっき層を形成し、半導体素子の搭載面側のみのＮｉめっき層をエッチング処理することによって、該搭載面側のＮｉめっき層の厚さを外部基板と接続する裏面側のＮｉめっき層より薄くすることを特徴としている。具体的には、表裏面に２.５〜５μｍの厚さを有するＮｉめっき層を形成し、半導体素子の搭載面側のみをエッチング処理することによって、該搭載面側のＮｉめっき層の厚さを裏面側のＮｉめっき層より０.５〜２μｍ薄くする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製基材の表裏面に同じ厚さのＮｉめっき層を形成し、半導体素子の搭載面側のみをエッチング処理することによって該搭載面側のＮｉめっき層の厚さを外部基板と接続する裏面側のＮｉめっき層より薄くすることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項２】
金属製基材の表裏面に２.５〜５μｍの厚さを有するＮｉめっき層を形成する工程と、半導体素子の搭載面側のみをエッチング処理することによって該搭載面側のＮｉめっき層の厚さを外部基板と接続する裏面側のＮｉめっき層より０.５〜２μｍ薄くする工程とを含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項３】
前記Ｎｉめっき層の上に所定のマスクを形成する工程と、前記マスクから露出しているＮｉめっき層とその下の金属製基材をエッチング処理する工程と、前記マスクを剥離する工程と、Ｐｄめっき層とＡｕめっき層を形成する工程とを更に含むことを特徴とする、請求項２に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項４】
前記Ｐｄめっき層とＡｕめっき層を形成する工程の前に厚さ０.２μｍ以下の極薄Ｎｉめっき層を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項３に記載のリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームとその製造方法に関し、特に、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ）やＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ）と呼ばれる片面封止タイプの半導体装置に用いられるリードフレームとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板等に実装される半導体装置は、小型化・薄型化の要求から、チップサイズパッケージと呼ばれるパッケージ形態の普及が急速に進んでいる。特に、リードフレームを用いた半導体装置においては、半導体素子の搭載側であるリードフレームの上面側を樹脂で封止してパッケージを形成することによってパッケージの裏面からリードの下面を露出させた、片面封止タイプのＳＯＮやＱＦＮと呼ばれる半導体装置が生産されている。
【０００３】
このような片面封止タイプの半導体装置に使用するリードフレームは、図８に示すように、金属板からなる基材１をエッチング法やプレス加工法によってリードフレーム形状に加工した後、その全面である表面１ａ、裏面１ｂ、及び側面１ｃにＮｉめっき層２、Ｐｄめっき層３及びＡｕめっき層４の３層構造のめっき層が形成されている。
【０００４】
このリードフレーム５のダイパッド部５ａに半導体素子６を搭載し、半導体素子６とリードフレーム５のリード部５ｂとをボンディングワイヤ７でボンディングした後、半導体素子６の搭載面側であるリードフレームの上面側（表面１ａ側）と側面１ｃ側とを樹脂８で封止し、個々の半導体装置９に切り分ける切断工程を経て半導体装置９が得られる。
【０００５】
上記片面封止タイプの半導体装置９は、前述したように外部基板（図示せず）と接続するリード部５ｂの下面側（裏面１ｂ側）を樹脂８から露出させる構造となっているため、リード部５ｂと樹脂８との密着性が比較的弱かった。そのため、複数の半導体装置９をまとめて一括して樹脂８で封止した後の切断工程において、個々の半導体装置９に切り分ける際にリード部５ｂが樹脂８から剥離して抜け落ちる問題が生じることがあった。
【０００６】
そこで、特許文献１（特開２００６−９３５５９号公報）では、異なるＮｉめっき液を用いてリードフレームの上面と下面で組成の異なるＮｉめっき層を形成することによって、上面側にＮｉめっき層、Ｐｄめっき層及びＡｕめっき層からなる粗な３層構造めっき層を形成し、下面側にＮｉめっき層、Ｐｄめっき層及びＡｕめっき層からなる平滑な３層構造のめっき層を形成して、粗な３層構造めっき層で樹脂との密着性を向上させる方法が提案されている。
【０００７】
上記粗な３層構造めっき層が形成されたリードフレームの樹脂密着性を判断するために、下記の方法により樹脂密着強度を評価した。すなわち、金属製基材の上に形成した上記粗な３層構造めっき層の上に、金型注入圧力１００ｋｇ／ｃｍ２、金型温度１７５℃×９０秒の条件で直径２ｍｍの大きさの樹脂を４つ形成し、１７５℃のオーブン中で８時間に亘って硬化処理して４点の評価用樹脂を形成した。これら評価用樹脂をそれぞれ真横から押して樹脂が剥離したときの荷重を測定し、この値を樹脂の接着面積で割って単位面積あたりの荷重に換算した。得られた４点の荷重の平均をとって樹脂密着強度とした。
【０００８】
その結果、上記粗な３層構造めっき層が形成されたリードフレームでは、樹脂密着強度は１９.９ＭＰａであった。比較のため、Ｎｉめっき層、Ｐｄめっき層及びＡｕめっき層からなる通常の３層構造めっき層の樹脂密着強度を評価した結果、樹脂密着強度は９.５ＭＰａであった。このように、粗な３層構造めっき層を形成することによって、通常の３層構造めっき層に比べて密着性が向上していることが認められた。
【０００９】
また、特許文献２（特開２００６−３１０３９７号公報）では、銅系のリードフレーム用基材にマイクロエッチング液を用いて金属表面を僅かに溶かし、微細な凹凸を形成することで粗面化する技術が記載されている。
【００１０】
この粗面化した銅系のリードフレーム用基材に通常のＮｉめっき層、Ｐｄめっき層及びＡｕめっき層の３層構造めっき層を形成して上記と同様の樹脂密着強度の評価を行った結果、樹脂密着強度は１１.８ＭＰａであり、特許文献１の方法による樹脂密着強度には及ばなかったものの、通常の３層構造めっき層に比べて密着性が向上していることが認められた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−９３５５９号広報
【特許文献２】特開２００６−３１０３９７号広報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、特許文献１の方法を用いて表裏面に異なるめっき液により片面ずつＮｉめっき層を形成する場合は、これら表裏面のＮｉめっき層同士の応力差により反りが生じることがあった。また、２種類のめっき液を使用するため、めっき処理装置の長さが長くなると共にめっき処理工程が増えて管理が複雑になる上、めっき処理に長時間を要するという問題があった。特許文献２のマイクロエッチング加工も、エッチング処理装置が必要となる上、エッチング処理に長時間を要するという問題があった。
【００１３】
本発明は、上記した従来の事情に鑑みてなされたものであり、リードフレームと封止用樹脂との密着性を向上させるめっき層が形成されたリードフレームを、生産性を落とすことなく提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明が提供するリードフレームは、Ｎｉめっき層が形成されたリードフレームであって、該Ｎｉめっき層は外部基板と接続する裏面側に形成されている厚膜部分と、半導体素子の搭載面側の全面あるいは一部に形成されている薄膜部分とを有することを特徴としている。前記厚膜部分は２.５〜５μｍの厚さを有しており、前記薄膜部分は厚膜部分より０.５〜２μｍ薄いことが好ましい。
【００１５】
上記本発明が提供するリードフレームにおいては、前記厚膜部分が半導体素子の搭載面側のうち半導体素子が搭載される部分とワイヤボンディングされる部分に形成されており、それ以外の部分は前記薄膜部分が形成されており、前記厚膜部分は更に外部基板と接続する裏面側にも形成されていることが好ましい。
【００１６】
更に、上記本発明が提供するリードフレームにおいては、前記厚膜部分と薄膜部分の上にＰｄめっき層とＡｕめっき層が形成されているのが望ましく、リードフレームの側面にはＮｉめっき層が形成されていないかあるいは厚さ０.２μｍ以下の極薄Ｎｉめっきが形成されていることが望ましい。このリードフレームの側面には、Ｐｄめっき層とＡｕめっき層とが金属製基材に直接又は前記極薄Ｎｉめっき層を介して形成されていることが望ましい。
【００１７】
また、本発明が提供するリードフレームの製造方法は、金属製基材の表裏面に同じ厚さのＮｉめっき層を形成し、半導体素子の搭載面側のみのＮｉめっき層をエッチング処理することによって、該搭載面側のＮｉめっき層の厚さを外部基板と接続する裏面側のＮｉめっき層より薄くすることを特徴としている。具体的には、表裏面に２.５〜５μｍの厚さを有するＮｉめっき層を形成し、半導体素子の搭載面側のみをエッチング処理することによって、該搭載面側のＮｉめっき層の厚さを裏面側のＮｉめっき層より０.５〜２μｍ薄くすることによりリードフレームを作製することができる。
【００１８】
上記製造方法は、金属製基材がリードフレームの形状に形成される前に、金属製基材の片面側のみをエッチング液で処理するものであるため、金属製基材の反対面側のＮｉめっき層に悪影響を及ぼすことがほとんどない。
【００１９】
更に、上記製造方法は、所定のマスクをＮｉめっき層の表面に形成する工程と、このマスクから露出しているＮｉめっき層とその下の金属製基材をエッチング処理する工程と、該マスクを剥離する工程と、ＰｄめっきとＡｕめっきを形成する工程とを含んでも良い。また、上記製造方法は、Ｐｄめっき層とＡｕめっき層を形成する工程の前に、厚さ０.２μｍ以下の極薄Ｎｉめっきを形成する工程を含んでも良く、また更に、金属製基材の表裏面に同じ厚さのＮｉめっき層を形成した後に半導体素子の搭載面側の一部にＮｉめっき層の薄膜部分を形成するためのマスクを形成する工程と、Ｎｉめっき層をエッチング処理して薄膜部分を形成した後マスクを剥離する工程を含んでも良い。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、封止用樹脂との密着性が向上したリードフレームを、生産性を落とすことなく提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１の実施形態のリードフレームを用いた半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態のリードフレームのリード部の一具体例を示す部分拡大断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態のリードフレームのリード部の他の具体例を示す部分拡大断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態のリードフレームの製造工程を示す概略フロー図である。
【図５】本発明の第２の実施形態のリードフレームを用いた半導体装置の断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態のリードフレームのリード部の一具体例を示す部分拡大断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態のリードフレームを用いた半導体装置の左半分を示す断面図である。
【図８】従来のリードフレームを用いた半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
先ず、図１を参照しながら、本発明の第１の実施形態のリードフレームを説明する。この第１の実施形態のリードフレーム１０は、金属製基材１１の表裏面にＮｉめっき層が形成されており、このＮｉめっき層は薄膜部分１２ａと厚膜部分１２ｂからなることを特徴としている。すなわち、金属製基材１１の表面側である半導体素子６の搭載面側の全面に形成されているＮｉめっき層の薄膜部分１２ａは、外部基板（図示せず）と接続する裏面側に形成されたＮｉめっき層の厚膜部分１２ｂに比べて薄く形成されている。この厚膜部分１２ｂは厚さが２.５〜５μｍであることが好ましく、薄膜部分１２ａは厚膜部分１２ｂより０.５〜２μｍ薄いことが好ましい。
【００２３】
これらＮｉめっき層の薄膜部分１２ａと厚膜部分１２ｂの上には、図２のリードフレームの部分拡大断面図に示すように、Ｐｄめっき層１３ａとＡｕめっき層１３ｂからなる積層体１３が形成されている。この積層体１３は、リードフレーム１０の表裏面に垂直な側面にも形成されている。但し、後述するように、リードフレーム１０は、板状の金属製基板１１に、Ｎｉめっき層の薄膜部分１２ａ及び厚膜部分１２ｂを形成した後にプレス加工法やエッチング法によってリードフレームの形状に加工されるものであるので、リードフレーム１０の側面にはこれらのＮｉめっき層の薄膜部分１２ａや厚膜部分１２ｂが形成されていない。従って、リードフレーム１０の側面は、金属製基材１１の上に、直接、積層体１３が形成されている。
【００２４】
尚、リードフレーム１０の形状に加工した後に、図３のリードフレームの部分拡大断面図に示されるように、リードフレーム１０の側面を含む全面に、厚さ０.２μｍ以下の極薄Ｎｉめっき層１４を形成しても良い。この場合は、リードフレーム１０の側面では、金属製基材１１の上に極薄Ｎｉめっき層１４を介して積層体１３が形成される。
【００２５】
このように、外部基板と接続する裏面側のＮｉめっき層を厚く形成し、半導体素子の搭載面側のＮｉめっき層をエッチング処理により薄く形成することよって、封止用樹脂との密着面を粗くすることができる。これにより、封止用樹脂との密着面でのアンカー効果が向上し、パッケージを形成したときに、リード部が封止用樹脂から剥離して抜け落ちる問題を抑えることができる。また、パッケージの裏面から露出するリードフレームの裏面には従来通りの厚さを有する平滑なめっき面が形成されるため、パッケージ形成の際に樹脂漏れを生じることがなく、半導体装置を外部基板と接続する際にはんだの濡れ性が損なわれることもない。
【００２６】
次に、図４（Ａ）〜図４（Ｈ）を参照しながら、本発明の第１の実施形態のリードフレームの製造方法を説明する。先ず、図４（Ａ）に示すような板状の金属製基材１１を準備し、その両面に、図４（Ｂ）に示すように、２.５〜５μｍの厚さを有するＮｉめっき層１２を形成する。次に、図４（Ｃ）に示すように、Ｎｉめっき層１２が形成された金属製基材１１の片面側からスプレーによりエッチング液を吹き付けて、先に形成した厚さ２.５〜５μｍのＮｉめっき層１２のうちエッチング液を吹き付けた片面側を０.５〜２μｍ薄くする。これにより、エッチング処理された薄膜部分１２ａと、エッチング処理されなかった厚膜部分１２ｂとが形成される。
【００２７】
このとき、金属製基材１１は、まだリードフレームの形状に加工されていないため、片面側にスプレーされたエッチング液が反対面側のＮｉめっき層に悪影響を及ぼすことはほとんどない。但し、金属製基材１１の側面からエッチング液が回り込んで反対面側のＮｉめっき層に付着することが考えられるので、念のため反対面側のＮｉめっき層全面を保護膜１５で覆っても良い。図４（Ｃ）は、かかる保護膜１５を用いた場合が示されている。
【００２８】
エッチング処理後は保護膜１５を取り除き、図４（Ｄ）に示すように、Ｎｉめっき層の薄膜部分１２ａ及び厚膜部分１２ｂの両方の上にドライフィルムレジスト１６をラミネートし、所定のマスクを用いて露光し、現像する。これにより、図４（Ｅ）に示すように、金属製基材１１の両面にレジストパターン１６ａが形成される。次に、図４（Ｆ）に示すように、エッチング処理を行って、レジストパターン１６ａから露出しているＮｉめっき層の薄膜部分１２ａ及び厚膜部分１２ｂ並びにその下の金属製基材１１を溶解除去する。このエッチング処理では、金属製基材１１のエッチングスピードが速く、Ｎｉめっき層がバリ状に残るためＮｉ選択エッチング処理も行う。その後、図４（Ｇ）に示すように、レジストパターン１６ａを剥離する。最後に、図４（Ｈ）に示すように、全面にＰｄめっき層とＡｕめっき層とからなる積層体１３を形成することで、樹脂密着性の優れたリードフレーム１０が得られる。
【００２９】
尚、レジストパターン１６ａを剥離した後、全面にＰｄめっき層とＡｕめっき層とからなる積層体１３を形成する前に、前述した図３に示す厚さ０.２μｍ以下の極薄Ｎｉめっき層１４を全面に形成しても良い。この極薄Ｎｉめっき層１４は、エッチング処理によって形成されたＮｉめっき層の薄膜部分１２ａの樹脂密着性を損なうことなく、金属製基材１１が露出しているリードフレーム側面に非常に薄いＮｉめっき層を形成することができる。
【００３０】
金属製基材の両面に最初に形成するＮｉめっき層１２を２.５μｍより薄くすると、片面側のみをエッチング処理して０.５〜２μｍ薄くしたときに、表裏面に形成されたＮｉめっき層同士の応力差により反りが生じ易くなり好ましくない。一方、５μｍより厚くすると、めっき時間が長くなることから量産には不向きである。
【００３１】
また、Ｎｉめっき層は、数秒程度のエッチング処理で厚さを０.４〜０.６μｍ程度薄くすることが可能であり、約２０秒のエッチング処理で厚さを２μｍ以上薄くすることが可能である。従って、厚さを０.５〜２μｍ薄くするには数十秒で十分であるため、生産性が問題となることはない。
【００３２】
次に、図５を参照しながら、本発明の第２の実施形態のリードフレームを説明する。この第２の実施形態のリードフレーム２０は、半導体素子６の搭載面側のうち、半導体素子６が搭載される部分Ａとワイヤボンディングされる部分ＢのＮｉめっき層が厚膜部分２２ｂからなり、それ以外の部分のＮｉめっき層が薄膜部分２２ａからなる。更に、裏面側の外部基板（図示せず）と接続する面側のＮｉめっき層も、厚膜部分２２ｂからなる。
【００３３】
このような構造にすることによって、半導体素子６の搭載面側において、半導体素子６やボンディングワイヤ７の接続部分のＮｉめっき層表面を平滑にすることができるので、半導体素子６やボンディングワイヤ７とリードフレーム２０との良好な電気的接続状態を確保しつつ、樹脂８とリードフレーム２０との密着性を向上させることができる。
【００３４】
このような第２の実施形態のリードフレーム２０は、以下の方法で得ることができる。すなわち、前述の第１の実施形態と同様に、先ず金属製基材１１の両面に２.５〜５μｍの厚さを有するＮｉめっき層を形成する。次に、金属製基材１１の片面側からのスプレーによるエッチング液の吹き付け前に、該エッチング液の吹き付け面にドライフィルムレジストによって所定のパターンを有するマスクを形成する。この状態でスプレーによりエッチング液を吹き付けて、そのマスクから露出しているＮｉめっき層をエッチング処理して０.５〜２μｍ薄くする。その後マスクを剥離して、図６の部分拡大断面図に示されるように、２.５〜５μｍの厚さを有する厚膜部分２２ｂと、この厚膜部分２２ｂより０.５〜２μｍ薄い薄膜部分２２ａとを形成することができる。
【００３５】
マスクの剥離後は第１の実施形態の図４（Ｄ）〜図４（Ｈ）と同様に行うことができる。これにより、半導体素子が搭載される部分とワイヤボンディングされる部分のＮｉめっき層が厚く、それ以外の部分のＮｉめっき層が薄く、反対面側の外部基板と接続する面側のＮｉめっき層が厚いリードフレーム２０を得ることができる。
【００３６】
次に、本発明の第３の実施形態のリードフレームを説明する。この第３の実施形態のリードフレーム３０は、図７に示すように、半導体素子６の搭載面側の全面あるいは一部のＮｉめっきが薄く形成されており、外部基板と接続する裏面側のＮｉめっきが厚く形成されていることに加えて、樹脂８がリードフレーム３０の裏面側に部分的に回り込むことができるように、リードフレーム３０のダイパッド部３０ａやリード部３０ｂの縁部に、階段状のオーバーハング部Ｃが形成されていることを特徴としている。尚、図７は、半導体素子６の搭載面側の全面のＮｉめっきが薄く形成されている例が示されている。
【００３７】
これにより、半導体素子６の搭載面側を樹脂８で封止したとき、樹脂８が当該オーバーハング部Ｃを経てリードフレーム３０の裏面側に回り込み、ダイパッド部３０ａ及びリード部３０ｂと、樹脂８とをより強固に接合させることが可能となる。尚、図７においては、ダイパッド部３０ａ及びリード部３０ｂの両方にオーバーハング部Ｃが形成されているが、いずれか一方のみにオーバーハング部Ｃが形成されていても良い。
【００３８】
このような第３の実施形態のリードフレーム３０は、以下の方法で得ることができる。すなわち、図４（Ｄ）に示す工程を行うまでは、前述の第１の実施形態又は第２の実施形態の方法と同様にして、Ｎｉめっき層の厚膜部分と薄膜部分とを形成する。次に、図４（Ｄ）に示すドライフィルムレジスト１６に対して、表面側と裏面側で互いに異なるパターンが形成されたガラスマスクを用いて露光し、現像することにより両面に互いに異なるパターンを有するマスクを形成する。
【００３９】
この状態で裏面側からのみ部分的にハーフエッチングとなるマスクが形成され、マスクから露出しているＮｉめっき層とその下の金属製基材をエッチング処理して、階段状のオーバーハング部Ｃを形成する。その後マスクを剥離し、以降は図４（Ｅ）〜図４（Ｈ）と同様に行って、図７に示すようなリードフレーム３０が得られる。
【実施例】
【００４０】
［実施例１］
板厚０.２ｍｍ、幅１８０ｍｍの銅材からなる金属製基材にめっき前処理を行った後、スルファミン酸ニッケルめっき浴を用いて金属製基材の表裏面に厚さが３.３〜４.１μｍのＮｉめっき層を形成した。
【００４１】
次に、Ｎｉめっき層が形成された金属製基材の片面（表面）側にスプレーによりエッチング液（塩化第二鉄液）を約１０秒間吹き付けることによって、吹き付けられた側のＮｉめっき層を０.８〜１.０μｍ薄くして、厚さが２.３〜３.２μｍの薄膜部分を形成した。
【００４２】
このとき、レジストを用いた保護膜を反対面（裏面）側に設けていなくても特に問題はなかった。スプレーによるエッチング処理時間が２０秒程度までであれば、保護膜が無くても、反対面（裏面）側のＮｉめっき層にエッチング液が回り込んで付着する問題は生じなかった。
【００４３】
次に、表裏面に形成されたＮｉめっき層の上にドライフィルムレジストをラミネートし、リードフレームのパターンが画かれたガラスマスクを両面に被せて露光し、露光後ガラスマスクを外して現像することによりＮｉめっき層が表裏面に形成された金属製基材の両面にレジストパターンを形成した。
【００４４】
次に、この金属製基材をエッチング処理してレジストパターンから露出しているＮｉめっき層及びその下の金属製基材を溶解除去してリードフレームの形状に加工した。その後、レジストパターンを剥離した。尚、リードフレームの形状に加工された金属製基材の表裏面にはＮｉめっき層が形成されているが、側面にはＮｉめっき層が形成されていない。
【００４５】
このリードフレームの形状に加工された金属製基材の全面（上下面及び側面）に厚さ０.１０μｍのＰｄめっき層を形成し、更に、その上に厚さ０.０５μｍのＡｕめっき層を形成して試料１のリードフレームを得た。
【００４６】
スプレー時間を変えた以外は上記試料１と同様にして、片面側のＮｉめっき層を反対面側のＮｉめっき層より０.４〜０.６μｍ薄くした試料２のリードフレームと、片面側のＮｉめっき層を反対面側のＮｉめっき層より１.３〜１.６μｍ薄くした試料３のリードフレームと、片面側のＮｉめっき層を反対面側のＮｉめっき層より１.８〜２.２μｍ薄くした試料４のリードフレームとを作製した。
【００４７】
これら試料１〜４のリードフレームのそれぞれに対して、Ｎｉめっき層の薄膜部分にＰｄめっき層とＡｕめっき層が形成された部分での樹脂密着強度を前述した方法に従って評価した。その結果、樹脂密着強度は、試料２のリードフレームでは１８.７ＭＰａであり、試料１のリードフレームでは２３.４ＭＰａであり、試料３のリードフレームでは２３.２ＭＰａであり、試料４のリードフレームでは２１.３ＭＰａであった。
【００４８】
これらの結果から、いずれの試料も十分な樹脂密着強度を有していることが分かった。前述した特開２００６−９３５５９号公報に記載された粗いＮｉめっきの樹脂密着強度が１９.９ＭＰａであったことと、エッチング処理は短時間である方が生産には有利であることを考慮すると、１.０〜１.５μｍ薄くするエッチング処理が特に好ましいことが分かった。
【００４９】
［実施例２］
実施例１と同じ金属製基材に、スルファミン酸ニッケルめっき浴を用いて両面に厚さ３.０〜３.５μｍのＮｉめっき層を形成した。次に、半導体素子の搭載側に、半導体素子を搭載する部分とワイヤボンディングする部分を保護するマスクをレジストにより形成し、その、マスクから露出しているＮｉめっき層にスプレーによりエッチング液を約１０秒間吹き付けることによって、露出しているＮｉめっき層を約１.０μｍ薄くし、その後マスクを剥離した。
【００５０】
以降は実施例１と同様にして、半導体素子が搭載される部分とワイヤボンディングされる部分のＮｉめっき層が厚く、それ以外の部分のＮｉめっき層が薄く、反対面側の外部基板と接続する面側のＮｉめっき層が厚いリードフレームを得た。このリードフレームのダイパッド部に半導体素子を搭載し、半導体素子とリードフレームのリード部とをボンディングワイヤでボンディングした後、半導体素子の搭載面側であるリードフレームの上面側と側面側を樹脂で封止し、切断工程を経て半導体装置を得た。
【００５１】
上記リードフレームは、半導体素子を搭載する部分とワイヤボンディングする部分とリードフレームの裏面側のＮｉめっき層が従来と同様の厚さを有して平滑に形成されていたため、半導体素子の搭載時やワイヤボンディング時に問題を生じることは無かった。また、エッチング処理をしたＮｉめっき層の薄膜部分は樹脂と良好に接触しており、従来のＮｉめっき層を有するリードフレームに比べて樹脂密着性の向上したリードフレームが得られることが分かった。
【符号の説明】
【００５２】
６                半導体素子
７                ボンディングワイヤ
８                樹脂
１０、２０、３０  リードフレーム
１１              金属製基材
１２ａ、２２ａ    薄膜部分
１２ｂ、２２ｂ    厚膜部分
１３              積層体（Ｐｄめっき層及びＡｕめっき層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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