(57)【要約】【課題】樹脂基材上に支持された金属微細パターンの表面をメッキ処理の対象とし、そのようなメッキ処理対象面に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う際に、下地である樹脂表面に金属の異常析出が起きるのを抑えることができるメッキ処理品の製造方法によって得られる、金メッキ金属微細パターン付き基材を提供する。【解決手段】樹脂からなる支持表面を有する基材の当該支持表面上に、金属微細パターンと、当該金属微細パターンを設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、前記ソルダーレジスト層は、前記金属微細パターンの少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、前記開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする、金メッキ金属微細パターン付き基材。【選択図】図２Ａ
2011258597.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金メッキ金属微細パターン付き基材であって、
樹脂からなる支持表面を有する基材の当該支持表面上に、金属微細パターンと、当該金属微細パターンを設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、
前記ソルダーレジスト層は、前記金属微細パターンの少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、
前記金属微細パターンの前記ソルダーレジスト層の開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする、金メッキ金属微細パターン付き基材。
【請求項２】
前記金属微細パターンの複合金メッキ層を有する領域のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が５／５〜１００／１００μｍである、請求項１に記載の金属微細パターン付き基材。
【請求項３】
プリント配線板であって、
樹脂からなる支持表面を有するプリント配線板用基材の当該支持表面上に、導体回路と、当該導体回路を設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、
前記ソルダーレジスト層は、前記導体回路の少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、
前記導体回路の前記ソルダーレジスト層の開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする、プリント配線板。
【請求項４】
前記導体回路の複合金メッキ層を有する領域のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が５／５〜１００／１００μｍである、請求項３に記載のプリント配線板。
【請求項５】
前記導体回路の複合金メッキ層を有する領域が、端子を形成する領域である、請求項３又は４に記載のプリント配線板。
【請求項６】
前記請求項５に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載し、当該プリント配線板の端子と半導体素子の出入力部をペリフェラル配置により接続したことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
金メッキ金属微細パターン付き基材の製造方法であって、
樹脂からなる支持表面上に、金属微細パターンを有する金属微細パターン付き基材を準備する工程と、
当該金属微細パターンの少なくとも一部の表面に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理を行う工程と、を含む金メッキ金属微細パターン付き基材を製造する方法であって、
前記金属微細パターン付き基材の金属微細パターン形成面を、ソルダーレジスト層で被覆し、
前記金属微細パターンの所定領域の上に存在するソルダーレジスト層を選択的に除去して、前記金属微細パターンの一部が露出し且つ前記樹脂からなる支持表面が露出していない開口部を形成し、
当該開口部において露出した金属微細パターンに前記金メッキ処理を行うことを特徴とする、金メッキ金属微細パターン付き基材の製造方法。
【請求項８】
感光性ソルダーレジストを用いて前記ソルダーレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーのプロセスでソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記ソルダーレジスト層にレーザーを照射してソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、請求項７に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記金属微細パターンの金メッキ処理を行う領域のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が５／５〜１００／１００μｍである、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
プリント配線板の製造方法であって、
樹脂からなる支持表面上に、導体回路を有する導体回路付き基材を準備する工程と、
当該導体回路の少なくとも一部の表面に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理を行う工程と、を含むプリント配線板を製造する方法であって、
前記導体回路付き基材の導体回路形成面を、ソルダーレジスト層で被覆し、
前記導体回路の所定領域の上に存在するソルダーレジスト層を選択的に除去して、前記導体回路の一部が露出し且つ前記樹脂からなる支持表面が露出していない開口部を形成し、
当該開口部において露出した導体回路に前記金メッキ処理を行うことを特徴とする、プリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
感光性ソルダーレジストを用いて前記ソルダーレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーのプロセスでソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記ソルダーレジスト層にレーザーを照射してソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記導体回路の金メッキ処理を行う領域のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が５／５〜１００／１００μｍである、請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記導体回路の複合金メッキ層を有する領域が、端子を形成する領域である、請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の製造方法で得られたプリント配線板に半導体素子を搭載し、当該プリント配線板の端子と半導体素子の出入力部をペリフェラル配置により接続することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金メッキ金属微細パターン付き基材、プリント配線板、半導体装置、及び、それらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化、軽量化、小型化、薄型化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、高密度実装化が進んでいる。これらの電子機器に使用されるプリント配線板の回路配線は高密度化する傾向にあり、回路パターンの微細化が進んでいる。
【０００３】
プリント配線板上の回路の実装部分および端子部分等の最終表面処理として、金メッキが行われる。金メッキの代表的な方法の一つとして、無電解ニッケル−金メッキ法がある。この方法では、メッキ対象にクリーナー等の適宜の方法により前処理を行った後、パラジウム触媒を付与し、その後さらに無電解ニッケルメッキ処理及び無電解金メッキ処理を順次行う。ＥＮＩＧ法（Electroless Nickel Immersion Gold）は、無電解ニッケル−金メッキ法の一つであり、無電解金メッキ処理段階において、置換金メッキ処理（Immersion Gold）を行う方法である。無電解ニッケル−金メッキ法では、回路や端子部分における導体材料の拡散防止および耐食性向上、ニッケル酸化防止が可能である。
【０００４】
また、他の金メッキの方法として、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法の適用が検討され始めている。この方法では、上記無電解ニッケル−金メッキ法の無電解ニッケルメッキ処理の後、無電解パラジウムメッキ処理を行い、続いて無電解金メッキ処理を行う。ＥＮＥＰＩＧ法（Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold）は、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法の無電解金メッキ処理段階において、置換金メッキ処理（Immersion Gold）を行う方法である（特許文献１）。無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法では、回路や端子部分における導体材料の拡散防止および耐食性向上、ニッケル酸化防止および拡散防止が可能である。また、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法は、無電解パラジウムめっき被膜を設けることによって、金によるニッケル酸化を防止することができるので、熱負荷の大きい鉛フリー半田接合の信頼性が向上し、さらに金の膜厚を厚くしなくてもニッケル拡散が生じないため、無電解ニッケル−金メッキ法よりも低コスト化できる利点もある。
【０００５】
しかし、プリント配線板の回路が微細化すると、導体回路を支持している絶縁膜または基板の樹脂表面の回路周囲に金属が異常析出し、めっき処理面の品質を落とし、甚だしい場合には、隣接する配線間或いは端子間でショートを起こす原因となる。
パッケージ基板用インターポーザの半導体素子接続側最外層回路の接続端子は、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が数十μｍ／数十μｍ程度と狭いため、特にショートを起こしやすい。
【０００６】
本発明者らの研究によると、無電解ニッケル−金メッキ法又は無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法のプロセスにおいて付与されるパラジウム触媒に起因して上記異常析出が起きると考えられる。当該パラジウム触媒は、回路表面の無電解メッキ付き性を向上させるために、無電解ニッケルメッキを行う前に付与される。しかし、この段階で付与されるパラジウム触媒は、メッキ対象とされる回路表面だけでなく、回路周囲の樹脂面にも付着する場合がある。
このような樹脂表面に存在するパラジウム触媒またはパラジウム触媒残渣が核となって、回路周囲の樹脂面に異常析出が起きると考えられる。
【０００７】
また、微細回路形成を行うセミアディティブ法と無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法を組み合わせた場合には、サブトラクティブ法を行う場合と比べて、更に多量の異常析出が起こりやすいことが本発明者らによって判明した。このため、セミアディティブ法との組み合わせで無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法を行う場合には、特に異常析出を防止する必要性が高い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−１４４１８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであって、プリント配線板の導体回路表面（特に端子部分の表面）、或いはプリント配線板以外の電子部品の導体回路表面、その他にも樹脂基材上に支持された金属微細パターンの表面をメッキ処理の対象とし、そのようなメッキ処理対象面に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う際に、下地である樹脂表面に金属の異常析出が起きるのを抑えることができるメッキ処理品の製造方法を提供することを目的とする。
さらに本発明は、品質に優れたメッキ処理面を有する金メッキ金属微細パターン付き基材、プリント配線板及び半導体装置を提供することを目的とする。
【００１０】
上記目的は、下記発明（１）〜（１６）により達成される。
（１）樹脂からなる支持表面を有する基材の当該支持表面上に、金属微細パターンと、当該金属微細パターンを設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、
前記ソルダーレジスト層は、前記金属微細パターンの少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、
前記金属微細パターンの前記ソルダーレジスト層の開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする、金メッキ金属微細パターン付き基材。
（２）前記金属微細パターンの複合金メッキ層を有する領域のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が５／５〜１００／１００μｍである、上記（１）に記載の金属微細パターン付き基材。
（３）樹脂からなる支持表面を有するプリント配線板用基材の当該支持表面上に、導体回路と、当該導体回路を設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、
前記ソルダーレジスト層は、前記導体回路の少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、
前記導体回路の前記ソルダーレジスト層の開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする、プリント配線板。
（４）前記導体回路の複合金メッキ層を有する領域のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が５／５〜１００／１００μｍである、上記（３）に記載のプリント配線板。
（５）前記導体回路の複合金メッキ層を有する領域が、端子を形成する領域である、上記（３）又は（４）に記載のプリント配線板。
（６）上記（５）に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載し、当該プリント配線板の端子と半導体素子の出入力部をペリフェラル配置により接続したことを特徴とする半導体装置。
（７）樹脂からなる支持表面上に、金属微細パターンを有する金属微細パターン付き基材を準備する工程と、
当該金属微細パターンの少なくとも一部の表面に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理を行う工程と、を含む金メッキ金属微細パターン付き基材を製造する方法であって、
前記金属微細パターン付き基材の金属微細パターン形成面を、ソルダーレジスト層で被覆し、
前記金属微細パターンの所定領域の上に存在するソルダーレジスト層を選択的に除去して、前記金属微細パターンの一部が露出し且つ前記樹脂からなる支持表面が露出していない開口部を形成し、
当該開口部において露出した金属微細パターンに前記金メッキ処理を行うことを特徴とする、金メッキ金属微細パターン付き基材の製造方法。
（８）感光性ソルダーレジストを用いて前記ソルダーレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーのプロセスでソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、上記（７）に記載の製造方法。
（９）前記ソルダーレジスト層にレーザーを照射してソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、上記（７）に記載の製造方法。
（１０）前記金属微細パターンの金メッキ処理を行う領域のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が５／５〜１００／１００μｍである、上記（７）乃至（９）のいずれか１に記載の製造方法。
（１１）樹脂からなる支持表面上に、導体回路を有する導体回路付き基材を準備する工程と、
当該導体回路の少なくとも一部の表面に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理を行う工程と、を含むプリント配線板を製造する方法であって、
前記導体回路付き基材の導体回路形成面を、ソルダーレジスト層で被覆し、
前記導体回路の所定領域の上に存在するソルダーレジスト層を選択的に除去して、前記導体回路の一部が露出し且つ前記樹脂からなる支持表面が露出していない開口部を形成し、
当該開口部において露出した導体回路に前記金メッキ処理を行うことを特徴とする、プリント配線板の製造方法。
（１２）感光性ソルダーレジストを用いて前記ソルダーレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーのプロセスでソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、上記（１１）に記載の製造方法。
（１３）前記ソルダーレジスト層にレーザーを照射してソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、上記（１１）に記載の製造方法。
（１４）前記導体回路の金メッキ処理を行う領域のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が５／５〜１００／１００μｍである、上記（１１）乃至（１３）のいずれか１に記載の製造方法。
（１５）前記導体回路の複合金メッキ層を有する領域が、端子を形成する領域である、上記（１１）乃至（１４）のいずれか１に記載の製造方法。
（１６）上記（１１）乃至（１５）のいずれか１に記載の製造方法で得られたプリント配線板に半導体素子を搭載し、当該プリント配線板の端子と半導体素子の出入力部をペリフェラル配置により接続することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、プリント配線板の導体回路の配線間をソルダーレジスト層で被覆して、端子表面のみが露出するようにソルダーレジスト層を開口し、当該開口部に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ層及び無電解ニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金めっき層を被覆することによって、プリント配線板の導体回路の周囲、特に、微細回路の配線間、端子間の樹脂面における金属の異常析出を防止することができる。
また、本発明は、プリント配線板以外の電子部品の導体回路表面に対しても好適に適用することができ、さらには、電子部品以外の様々な分野において、樹脂基材上に支持された金属微細パターンをメッキする場合にも好適に適用することができ、品質の良いメッキ面が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に属するプリント配線板の横断面を模式的に示す図である。
【図２Ａ】プリント配線板の端子領域の一部を拡大してみた平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示すプリント配線板の端子領域のＡＡ断面図である。
【図３】本発明に属する半導体装置の片面のみの横断面を模式的に示す図である。
【図４Ａ】プリント配線板を製造する手順（第１パート）を説明する図である。
【図４Ｂ】プリント配線板を製造する手順（第２パート）を説明する図である。
【図４Ｃ】プリント配線板を製造する手順（第３パート）を説明する図である。
【図５】無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法の手順を示すブロック図である。
【図６】無電解ニッケル−金メッキ法の手順を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明者は、プリント配線板の導体回路配線間をソルダーレジスト層で被覆して、端子部分となる当該導体回路の表面のみが露出するようにソルダーレジスト層を開口し、当該開口部に無電解ニッケル−金メッキ法又は無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法により複合金めっき層を被覆することにより、プリント配線板の導体回路の周囲、特に、微細回路の配線間、端子間の樹脂面における金属の異常析出を防止することが可能となることを発見した。
つまり、端子部分となる導体回路の表面以外の領域をソルダーレジスト層で被覆することによって、プリント配線板の導体回路の周囲における異常析出が生じる場を無くすことができる。
【００１４】
本発明は、プリント配線板以外の電子部品の導体回路表面に対しても好適に適用することができ、さらには、電子部品以外の様々な分野において、樹脂基材上に支持された金属微細パターンをめっきする場合にも好適に適用することができ、品質の良いめっき面が得られる。
【００１５】
従来、ペリフェラル配置により半導体素子をプリント配線板に接続するために、プリント配線板上に導電体の端子を設け、金ワイヤーや半田などの接続部材と接続する構造が用いられる場合がある。このようなペリフェラル型の端子は、近年の半導体素子の高性能化を背景に狭ピッチ化が進展しており、プリント配線板の表面保護層として用いられるソルダーレジストは、複数の端子を包含する範囲を開口する構造で形成される。
このように複数の端子を包含する範囲を開口するのは、適用されるソルダーレジストの解像性能や露光工程の位置決め精度による歩留まり低下を防ぐためであるが、近年の狭ピッチ化で、端子間の樹脂面でメッキの異常析出が発生し、ショートする問題が顕在化してきている。
【００１６】
上記知見に基づき、下記発明が提供される。
本発明の金メッキ金属微細パターン付き基材は、
樹脂からなる支持表面を有する基材の当該支持表面上に、金属微細パターンと、当該金属微細パターンを設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、
前記ソルダーレジスト層は、前記金属微細パターンの少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、
前記金属微細パターンの前記ソルダーレジスト層の開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明のプリント配線板は、
樹脂からなる支持表面を有するプリント配線板用基材の当該支持表面上に、導体回路と、当該導体回路を設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、
前記ソルダーレジスト層は、前記導体回路の少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、
前記導体回路の前記ソルダーレジスト層の開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の半導体装置は、上記本発明のプリント配線板に半導体素子を搭載し、当該プリント配線板の端子と半導体素子の出入力部をペリフェラル配置により接続したことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の金メッキ金属微細パターン付き基材の製造方法は、
樹脂からなる支持表面上に、金属微細パターンを有する金属微細パターン付き基材を準備する工程と、
当該金属微細パターンの少なくとも一部の表面に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理を行う工程と、を含む金メッキ金属微細パターン付き基材を製造する方法であって、
前記金属微細パターン付き基材の金属微細パターン形成面を、ソルダーレジスト層で被覆し、
前記金属微細パターンの所定領域の上に存在するソルダーレジスト層を選択的に除去して、前記金属微細パターンの一部が露出し且つ前記樹脂からなる支持表面が露出していない開口部を形成し、
当該開口部において露出した金属微細パターンに前記金メッキ処理を行うことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明のプリント配線板の製造方法は、
樹脂からなる支持表面上に、導体回路を有する導体回路付き基材を準備する工程と、
当該導体回路の少なくとも一部の表面に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理を行う工程と、を含むプリント配線板を製造する方法であって、
前記導体回路付き基材の導体回路形成面を、ソルダーレジスト層で被覆し、
前記導体回路の所定領域の上に存在するソルダーレジスト層を選択的に除去して、前記導体回路の一部が露出し且つ前記樹脂からなる支持表面が露出していない開口部を形成し、
当該開口部において露出した導体回路に前記金メッキ処理を行うことを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、
上記本発明の製造方法で得られたプリント配線板に半導体素子を搭載し、当該プリント配線板の端子と半導体素子の出入力部をペリフェラル配置により接続することを特徴とする。
【００２２】
先ず、プリント配線板の構造について説明する。
図１は、本発明に属するプリント配線板の横断面を模式的に示す図である。プリント配線板１は、コア基板２を有し、その両面に導体回路層を有する。コア基板２の上面側には４層の導体回路層３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄが、層間絶縁層４ａ、４ｂ、４ｃを介して順次積層されており、下面側には４層の導体回路層５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄが、層間絶縁層４ｄ、４ｅ、４ｆを介して順次積層されている。導体回路層３ａ〜３ｄ及び５ａ〜５ｄは、コア基板または層間絶縁層からなる支持表面に形成されている。上下面の各導体回路層は、バイアホールを通じて層間接続されている。コア基板上面側の最外層回路３ｄは、大部分がソルダーレジスト層６によって被覆されているが、導体回路層３ｄの端子領域７（不図示）が有するパッド部７ａの一部を露出するように開口部６ａが形成され、当該パッド部７ａの露出部分はニッケル−パラジウム−金メッキ層８で被覆される。尚、ソルダーレジスト層６は、樹脂層４ｃの表面が露出する隙間がないように被覆する。コア基板下面側の最外層回路５ｄは、マザーボード等との接続のための開口部６ｂを形成するように、ソルダーレジスト層６によって被覆されている。プリント配線板１は、前記開口部６ｂから露出したパッド部７ｃ上に、ハンダボール等のコンタクト部材を設けることにより、マザーボード等と接続することができる。前記開口部６ｂは、パッド部７ｃとソルダーレジスト６との間に隙間を設けた構造でもよいし、パッド部７ｃの周囲がソルダーレジスト６によって被覆された構造でもよい。図１にはパッド部７ｃとソルダーレジスト６間に隙間を設けた構造の開口部６ｂを示す。前記開口部６ｂは、前記端子領域７のように複数の接続端子を含まず、異常析出によるショートが起こることがないため、前記開口部６ｂの表面処理（不図示）は、無電解ニッケルーパラジウムー金メッキでもよいし、その他公知の表面処理方法によるものでもよい。
尚、プリント配線板１はコア基板の両面に層間絶縁層の積層構造を有するが、本発明のプリント配線板はこれに限定されず、コア基板の片面のみに層間絶縁層を有する構造でもよく、層間絶縁層を有さず、コア基板のみの構造でもよい。
【００２３】
プリント配線板１の端子領域７は、ペリフェラル配置により配設されている。本発明においてペリフェラル配置とは、多数の電極端子がその一方の主面の外周に沿って配置されていることを意味する。尚、本発明のプリント配線板は、端子領域がペリフェラル配置となっていることが好ましいが、特に限定はされず、多数の電極端子がその一方の主面の略全面に亘って格子状の並びに配置されるエリアアレイ型であってもよい。
【００２４】
図２Ａは、端子領域７の一部を拡大した平面図である。端子領域７は、電気的接続点となるパッド部７ａと、パッド部近傍の回路７ｂを有し、絶縁材料であるソルダーレジスト層６によって被覆され、開口部６ａにおいてパッド部７ａの一部が露出している。当該パッド部７ａの露出部分と電子部品（素子や回路など）とを電気的に接続することができる。尚、図２Ａにおいて、ソルダーレジスト層６によって被覆されて見えないが、ソルダーレジスト層６の下に存在するパッド部７ａ及びパッド部近傍の回路７ｂを点線で示す。
【００２５】
図２Ｂは、図２Ａに示すプリント配線板の端子領域７のＡＡ断面図である。開口部６ａにおけるパッド部７ａの露出部分は、ニッケル−パラジウム−金メッキ層８によって被覆されている。
【００２６】
上記プリント配線板１は、端子領域７において周囲の樹脂表面、特に隣接しあう回路間に挟まれた位置の樹脂表面の異常析出が無いため、めっき処理面の品質に優れており、ショートが起こらない。ニッケル−パラジウム−金メッキによる異常析出は、導体回路が微細化し導体回路間の距離が小さくなるほど起きやすくなるが、本発明によれば、導体回路のニッケル−パラジウム−金メッキ層等の複合金メッキ層を有する領域のラインアンドスペースが５／５〜１００／１００μｍの範囲において、金属析出を効果的に防止することができる。
【００２７】
図３は、上記プリント配線板１を用いた半導体装置の片面のみの横断面を模式的に示す図である。半導体装置１０は、プリント配線板１に半導体素子１１をワイヤーボンディングにより搭載してなる。尚、図３はワイヤーボンディングにより半導体素子を接続した例を示すが、本発明においてプリント配線板と半導体素子との接続方法は特に限定されず、ワイヤーボンディング及びフリップチップ等の公知の方法によって接続することができる。
【００２８】
プリント配線板１の上面側の最外層回路３ｄは、ソルダーレジスト層６で被覆されているが、ソルダーレジスト層６の開口部６ａからパッド部７ａの一部が露出しており、当該パッド部７ａの露出部分はニッケル−パラジウム−金メッキ層８で被覆されている。尚、ソルダーレジスト層６は、樹脂層４ｃの表面が露出する隙間がないように被覆する。
半導体素子１１は、プリント配線板１のソルダーレジスト層６上に、エポキシ樹脂等のダイボンド材硬化層１３を介して固着されている。半導体素子１１は、上面に電極パッド１２を有しており、この電極パッド１２と、プリント配線板１の最外層回路の開口部６ａ覆うように形成される接続端子とが、金線１４により接続している。
半導体装置１０の半導体素子搭載側は、エポキシ樹脂等の封止材１５により封止されている。
図３は、ワイヤーボンディングにより半導体素子を接続した例を示すが、本発明は、エリアアレイ型パッケージ等、他の接続方式の端子部分を金メッキする場合にも適用される。
【００２９】
次に、図１のプリント配線板１を製造する方法を説明する。
先ず、樹脂からなる支持表面を有するプリント配線板用基材を準備する。
プリント配線板１の場合、前記プリント配線板用基材としては、図１に示したプリント配線板からソルダーレジスト層６、最外層回路３ｄ、ニッケル−パラジウム−金メッキ層８が欠如し、最上層として第三の層間絶縁層４ｃを有する積層体を準備する。
本発明においてプリント配線板用基材とは、コア基板２、及び、コア基板２に１層以上の導体回路層を有し、最上層が層間絶縁層であって、その上にさらに導体回路層を形成できる状態にある多層プリント配線板の中間製品である。
また、プリント配線板以外の金メッキ金属微細パターン付き基材を製造する場合の「樹脂からなる支持表面を有する基材」とは、特に限定を受けるものではないが、セミアディティブやサブトラクティブ法などによって金属微細パターンを形成することが可能な樹脂面を有する基材であればよく、当該基材の深い部分が樹脂以外の材料からなるものであってもよい。
次に、前記プリント配線板用基材に導体回路を形成し、導体回路付き基材を得る。前記導体回路の形成方法は、特に限定されず、セミアディティブ法、アディティブ法、及びサブトラクティブ法等の公知の方法により行うことができる。中でも、特に微細な配線加工が可能なセミアディティブ法によって導体回路を形成することが好ましい。
プリント配線板１の場合、前記導体回路付き基材は、図１に示したプリント配線板１から、ソルダーレジスト層６、ニッケル−パラジウム−金メッキ層８が欠如した構造を有する積層体である。
次に、導体回路付き基材の導体回路形成面をソルダーレジスト層で被覆し、前記導体回路の所定領域の上に存在するソルダーレジスト層を選択的に除去して、前記導体回路の一部が露出し且つ前記樹脂からなる支持表面が露出していない開口部を形成する。
次に、前記導体回路付き基板が有する導体回路の少なくとも一部の表面に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理を行うことで、プリント配線板を得る。プリント配線板１の場合には、ソルダーレジスト層の開口部において露出した導体回路に前記金メッキ処理を行う。
【００３０】
以下、前記プリント配線板１の製造方法を図面に基づいて詳しく説明する。
図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃに記載の（ａ）〜（ｋ）は、プリント配線板を製造する手順を説明する図である。尚、図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃは、プリント配線板の片面のみを示す模式図である。
先ず、手順（ａ）において、コア基板２の上面側に３層の導体回路層（３ａ、３ｂ、３ｃ）を層間絶縁層（４ａ、４ｂ）を介して積層し、コア基板２の下面側に導体回路層５を形成し、各導体回路層を層間接続した積層体を準備する。
コア基板はガラスエポキシ基板等、公知のものを用いることができる。コア基板上への導体回路層のビルドアップも公知の材料を用い、回路形成も前記公知の方法により行うことができる。
また、絶縁層４ｃ’’をキャリアフィルム１６に積層した樹脂シートを準備する。樹脂シートも、層間絶縁層を転写可能な公知のものを用いることができる。
【００３１】
樹脂シートのキャリアフィルム１６は、絶縁層４ｃ’’を導体回路層の上に転写できる離型性を有している。キャリアフィルムは特に限定されないが、高分子フィルムまたは金属箔を用いることができる。高分子フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルムを用いることができる。金属箔としては、例えば、銅及び／又は銅系合金、アルミ及び／又はアルミ系合金、鉄及び／又は鉄系合金、銀及び／又は銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金等の金属箔などを用いることができる。
【００３２】
キャリアフィルムの厚みは特に限定されないが、厚みが１０〜７０μｍのものを用いると、樹脂シートを製造する際の取り扱い性が良好であり好ましい。
キャリアフィルム上の絶縁層の厚さは特に限定されないが、１〜６０μｍが好ましく、特に５〜４０μｍが好ましい。樹脂層の厚さは、絶縁信頼性を向上させるうえで前記下限値以上が好ましく、多層プリント配線板の薄膜化を達成するうえで前記上限値以下が好ましい。
【００３３】
絶縁層４ｃ’’を構成する樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されていることが好ましい。これにより、樹脂層の耐熱性を向上させることができる。
また前記絶縁層４ｃ’’は、ガラス繊維基材等の基材を含んでいても良い。
熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、トリアジン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、シアネート樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂およびベンゾシクロブテン樹脂の中から選ばれる１種以上の樹脂が好ましく、特にシアネート樹脂が好ましい。これにより、樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、樹脂層の電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度等にも優れる。
【００３４】
シアネート樹脂としては、具体的にはノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。ノボラック型シアネート樹脂は、樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができ、樹脂層の機械的強度、電気特性（低誘電率、低誘電正接）にも優れる。
【００３５】
シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜４，５００が好ましく、特に６００〜３，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると樹脂層を硬化物の機械的強度が低下する場合があり、さらに樹脂層を作製した場合にタック性が生じ、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平均分子量が前記上限値を超えると硬化反応が速くなり、基板（特に回路基板）とした場合に、成形不良が生じたり、層間ピール強度が低下したりする場合がある。尚、シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質：ポリスチレン換算）で測定することができる。
【００３６】
熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の５〜５０重量％が好ましく、特に１０〜４０重量％が好ましい。含有量が下限値未満であると樹脂層を形成するのが困難となる場合があり、上限値を超えると樹脂層の強度が低下する場合がある。
【００３７】
熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）を用いる場合は、エポキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）を併用することが好ましい。
エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
エポキシ樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
【００３８】
エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜５５重量％が好ましく、特に５〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると低熱膨張性、耐熱性が低下する場合がある。
【００３９】
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜２０，０００が好ましく、特に８００〜１５，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると樹脂層の表面にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えると半田耐熱性が低下する場合がある。重量平均分子量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。
【００４０】
また、絶縁層４ｃ’’を構成する樹脂組成物は、無機充填材を含むものとすることができる。これにより低熱膨張性及び機械強度を付与することができる。前記無機充填材としては、特に限定されるものではないが、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。無機充填材として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも特に、低熱膨張性、難燃性、及び弾性率に優れる点から、シリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。これらの中でもその形状は球状シリカが好ましい。また、ガラス繊維を用いると、さらに低熱膨張性、難燃性、及び弾性率に優れることからより好適である。
【００４１】
無機充填材の平均粒子径の測定は、例えばレーザー回折散乱法により測定することができる。無機充填材を水中で超音波により分散させ、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒子径とすることで測定することができる。
【００４２】
樹脂シートの製造方法は特に限定されないが、例えば、樹脂組成物を溶剤などに溶解、分散させて樹脂ワニスを調製し、ガラス繊維に含浸塗布させて乾燥する方法や、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスをキャリアフィルム上に塗工した後、これを乾燥する方法や、スプレー装置を用いて、樹脂ワニスをキャリアフィルム上に噴霧塗工した後、これを乾燥する方法等が挙げられる。これらの中でも、コンマコーター、ダイコーターなどの各種コーター装置を用いて、樹脂ワニスをキャリアフィルム上に塗工した後、これを乾燥する方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な樹脂層の厚みを有する樹脂シートを効率よく製造することができる。
【００４３】
次に、手順（ｂ）において、上記手順（ａ）で準備した積層体の上面側に、樹脂シートの絶縁層側を向き合わせて重ねた後、手順（ｃ）において、キャリアフィルム１６を剥離し、層間絶縁層４ｃを形成すると、プリント配線板用基材が得られる。
層間絶縁層４ｃのキャリアフィルムを剥離した側の表面４ｃ’は、粗化処理されていることが好ましい。前記粗化処理の方法としては、例えば（ア）層間絶縁層４ｃとの接触面が粗化されているキャリアフィルムを用い、当該粗化されたキャリアフィルムを剥離することで、剥離した層間絶縁層４ｃの表面４ｃ’を粗化する方法、（イ）層間絶縁層４ｃとの接触面が粗化されているキャリアフィルムを用い、当該粗化されたキャリアフィルムを剥離した層間絶縁層４ｃの表面４ｃ’を、プラズマ処理及び／又はデスミア処理することにより粗化する方法、（ウ）無粗化のキャリアフィルムを用い、当該無粗化のキャリアフィルムを剥離した層間絶縁層４ｃの表面４ｃ’を、プラズマ処理及び／又はデスミア処理することにより粗化する方法等が挙げられる。
【００４４】
次に、手順（ｄ）において無電解めっきを行い、層間絶縁層４ｃの表面に無電解めっき層１８を形成する。無電解めっき層１８の金属の種類は、特に限定されないが、銅やニッケル等が好ましい。
【００４５】
次に、手順（ｅ）において無電解めっき層１８の上にめっきレジスト１９により非回路形成部をマスクし、手順（ｆ）において電解めっきを行い、電解めっき層２０を形成する。電解めっきには硫酸銅電解めっきが使用できる。
【００４６】
次に、手順（ｇ）において、めっきレジスト１９を除去し、手順（ｈ）において非回路形成部の無電解めっき層１８をフラッシュエッチングで除去することにより、層間絶縁層４ｃに最外層回路３ｄを形成すると、導体回路付き基材が得られる。
【００４７】
次に、手順（ｉ）においてソルダーレジスト層６を被覆し、手順（ｊ）において、フォトリソグラフィーのプロセス又はレーザーの照射により、ソルダーレジスト層６の一部を選択的に除去し、開口部６ａを形成する。開口部６ａにおいて端子領域７のパッド部７ａの一部が露出される。
【００４８】
手順（ｊ）をフォトリソグラフィーのプロセスによって行う場合は、感光性ソルダーレジストを用いて前記ソルダーレジスト層６を形成する。
手順（ｊ）をフォトリソグラフィーのプロセスによって行う場合、具体的には、例えば、前記感光性ソルダーレジストとしてネガ型レジストを用いてソルダーレジスト層６を形成し、開口部６ａ以外の領域に活性エネルギー線を選択的に照射して硬化させ、現像することで、開口部６ａを被覆していたソルダ−レジスト層６を除去し、開口部６ａを形成する。
【００４９】
レーザーの照射により、ソルダーレジスト層６の一部を選択的に除去する場合は、熱硬化性または熱可塑性のレジストを用いることができる。
レーザー光は、ＵＶ−ＹＡＧレーザーまたはエキシマレーザーであることが好ましい。これらのレーザーを使用することにより、精度・形状よくソルダーレジスト層の開口部を形成することが可能となる。特に限定はされないが、ＵＶ−ＹＡＧレーザーの波長は３５５ｎｍであることが好ましく、エキシマレーザーのレーザー波長は、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、３０８ｎｍなどを用いることができる。
【００５０】
次に、手順（ｋ）において導体回路付き基材の開口部６ａから露出しているパッド部７ａの一部に対し、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを選択的に行うことにより、プリント配線板１が得られる。
前記導体回路付き基材は、最外層回路のうち端子領域７のパッド部７ａの一部のみがソルダーレジスト層６の開口部６ａから露出しているので、当該パッド部７ａの露出部分に対しニッケル−パラジウム−金メッキを選択的に行うことができる。
本発明において、導体回路または金属微細パターンの一部領域に対してだけニッケル−パラジウム−金メッキを行いたい場合には、ソルダーレジスト層のような永久レジスト以外に、可溶性レジストや成形品マスクなどの他のメッキ処理用マスクを用いてもよい。
【００５１】
本発明においては、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理が行われる。前記金メッキ処理を行うことにより、前記導体回路上に、ニッケル−パラジウム−金メッキ層（Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ層）及びニッケル−金メッキ層（Ｎｉ−Ａｕ層）よりなる群から選ばれる複合金メッキ層を形成する。前記金メッキ処理の中でも、特に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理の一例であるＥＮＥＰＩＧ法が好ましい。よりニッケルの酸化防止及び拡散防止に優れ、耐熱性が高く、金膜厚を薄くできるからである。
【００５２】
図５は、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理の一例としてＥＮＥＰＩＧ法の手順を示すブロック図であり、図６は、無電解ニッケル−金メッキ処理の一例としてＥＮＩＧ法の手順を示すブロック図である。
本発明においてＥＮＥＰＩＧ法又はＥＮＩＧ法を行う場合、パラジウム触媒付与工程に先立つ前処理として、端子部分に必要に応じ１つ又は２つ以上の方法で表面処理を行うことができる。これらの図には、前処理としてクリーナー（Ｓ１ａ）、ソフトエッチング（Ｓ１ｂ）、酸処理（Ｓ１ｃ）、プレディップ（Ｓ１ｄ）を示したが、それ以外の処理を行っても良い。
前処理の後、パラジウム触媒の付与と、ＥＮＥＰＩＧ法又はＥＮＩＧ法を行うことで、複合金メッキ層（Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ層又はＮｉ−Ａｕ層）が形成される。
【００５３】
以下、特に断らない限りＥＮＥＰＩＧ法の手順について説明するが、ＥＮＩＧ法についてもＥＮＥＰＩＧ法の手順と同様に考えることが出来る。
ＥＮＥＰＩＧ法においては、前処理（Ｓ１）、パラジウム触媒付与工程（Ｓ２）、無電解ニッケルめっき処理（Ｓ３）、無電解パラジウムめっき処理（Ｓ４）、無電解金めっき処理（Ｓ５）は、従来と同様に行えばよい。
【００５４】
以下、Ｓ１〜Ｓ５の各処理段階について順次説明する。
＜前処理（Ｓ１）＞
（１）クリーナー処理（Ｓ１ａ）
前処理の一つであるクリーナー処理（Ｓ１ａ）は、酸性タイプ又はアルカリタイプのクリーナー液を端子表面に接触させることにより、端子表面からの有機被膜除去、端子表面の金属活性化、端子表面の濡れ性向上を図るために行われる。
酸性タイプのクリーナーは、主として端子表面の極薄い部分をエッチングして表面を活性化するものであり、銅端子に有効なものとしては、オキシカルボン酸、アンモニア、食塩、界面活性剤を含有する液（例えば、上村工業（株）のＡＣＬ−００７）が用いられる。
銅端子に有効な別の酸性タイプクリーナーとしては、硫酸、界面活性剤、塩化ナトリウムを含有する液（例えば、上村工業（株）のＡＣＬ−７３８）を用いても良く、この液は濡れ性が高い。
アルカリ性タイプのクリーナーは、主として有機被膜を除去するものであり、銅端子に有効なものとしては、ノニオン界面活性剤、２−エタノールアミン、ジエチレントリアミンを含有する液（例えば、上村工業（株）のＡＣＬ−００９）が用いられる。
クリーナー処理を行うには、端子部分に浸漬、スプレー等の方法で上記いずれかのクリーナー液を接触させた後、水洗すればよい。
【００５５】
（２）ソフトエッチング処理（Ｓ１ｂ）
他の前処理であるソフトエッチング処理（Ｓ１ｂ）は、端子表面の極薄い部分をエッチングして酸化膜の除去を図るために行われる。銅端子に有効なソフトエッチング液としては、過硫酸ソーダと硫酸を含有する酸性液が用いられる。
ソフトエッチング処理を行うには、端子部分に浸漬、スプレー等の方法で上記ソフトエッチング液を接触させた後、水洗すればよい。
【００５６】
（３）酸洗処理（Ｓ１ｃ）
他の前処理である酸洗処理（Ｓ１ｃ）は、端子表面又はその近傍の樹脂表面からスマット（銅微粒子）を除去するために行われる。
銅端子に有効な酸洗液としては、硫酸が用いられる。
酸洗処理を行うには、端子部分に浸漬、スプレー等の方法で上記酸洗液を接触させた後、水洗すればよい。
【００５７】
（４）プレディップ処理（Ｓ１ｄ）
他の前処理であるプレディップ処理（Ｓ１ｄ）は、パラジウム触媒付与工程に先立ち、触媒付与液とほぼ同じ濃度の硫酸に浸ける処理であり、端子表面の親水性を上げて触媒付与液中に含有されるＰｄイオンに対する付着性を向上したり、触媒付与液への水洗水の流入を避けて触媒付与液の繰り返し再使用を可能としたり、酸化膜除去を図るために行われる。プレディップ液としては、硫酸が用いられる。
プレディップ処理を行うには、端子部分を上記プレディップ液に浸漬する。なお、プレディップ処理後に水洗は行わない。
【００５８】
＜パラジウム触媒付与工程（Ｓ２）＞
Ｐｄ２＋イオンを含有する酸性液（触媒付与液）を端子表面に接触させて、イオン化傾向（Ｃｕ＋Ｐｄ２＋→Ｃｕ２＋＋Ｐｄ）により端子表面でＰｄ２＋イオンを金属Ｐｄへ置換する。端子表面に付着したＰｄは、無電解めっきの触媒として作用する。Ｐｄ２＋イオン供給源であるパラジウム塩として、硫酸パラジウム又は塩化パラジウムを用いることができる。
硫酸パラジウムは、吸着力が塩化パラジウムより弱く、Ｐｄ除去されやすいため、細線形成に適している。銅端子に有効な硫酸パラジウム系触媒付与液としては、硫酸、パラジウム塩、及び、銅塩を含有する強酸液（例えば、上村工業（株）のＫＡＴ−４５０）や、オキシカルボン酸、硫酸、及び、パラジウム塩を含有する強酸液（例えば、上村工業（株）のＭＮＫ−４）が用いられる。
一方、塩化パラジウムは、吸着力、置換性が強く、Ｐｄ除去されにくいため、めっき未着が起こり易い条件で無電解めっきを行う場合に、めっき未着を防止する効果が得られる。
パラジウム触媒付与工程を行うには、端子部分に浸漬、スプレー等の方法で上記触媒付与液を接触させた後、水洗すればよい。
【００５９】
＜無電解ニッケルめっき処理（Ｓ３）＞
無電解ニッケルめっき浴としては、例えば、水溶性ニッケル塩、還元剤及び錯化剤を含有するめっき浴を用いることができる。無電解ニッケルめっき浴の詳細は、例えば、特開平８−２６９７２６号公報などに記載されている。
水溶性ニッケル塩としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル等を用い、その濃度を０．０１〜１モル／リットル程度とする。
還元剤としては、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム等の次亜リン酸塩、ジメチルアミンボラン、トリメチルアミンボラン、ヒドラジン等を用い、その濃度を０．０１〜１モル／リットル程度とする。
錯化剤としては、りんご酸、こはく酸、乳酸、クエン酸などやそのナトリウム塩などのカルボン酸類、グリシン、アラニン、イミノジ酢酸、アルギニン、グルタミン酸等のアミノ酸類を用い、その濃度を０．０１〜２モル／リットル程度とする。
このめっき浴を、ｐＨ４〜７に調整し、浴温度４０〜９０℃程度で使用する。このめっき浴に還元剤として次亜リン酸を用いる場合、銅端子表面で次の主反応がＰｄ触媒によって進行し、Ｎｉめっき被膜が形成される。
Ｎｉ２＋  ＋  Ｈ２ＰＯ２−  ＋  Ｈ２Ｏ  ＋２ｅ−  →  Ｎｉ  ＋  Ｈ２ＰＯ３−  ＋  Ｈ２
【００６０】
＜無電解パラジウムめっき処理（Ｓ４）＞
無電解パラジウムめっき浴としては、例えば、パラジウム化合物、錯化剤、還元剤、不飽和カルボン酸化合物を含有するめっき浴を用いることができる。
パラジウム化合物としては、例えば、塩化パラジウム、硫酸パラジウム、酢酸パラジウム、硝酸パラジウム、テトラアンミンパラジウム塩酸塩などを用い、その濃度をパラジウム基準として、０．００１〜０．５モル／リットル程度とする。
錯化剤としては、アンモニア、或いはメチルアミン、ジメチルアミン、メチレンジアミン、ＥＤＴＡ等のアミン化合物などを用い、その濃度を０．００１〜１０モル／リットル程度とする。
還元剤としては、次亜リン酸、或いは次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸アンモニウム等の次亜リン酸塩などを用い、その濃度を０．００１〜５モル／リットル程度とする。
不飽和カルボン酸化合物としては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸等の不飽和カルボン酸、それらの無水物、それらのナトリウム塩、アンモニウム塩等の塩、それらのエチルエステル、フェニルエステル等の誘導体などを用い、その濃度を０．００１〜１０モル／リットル程度とする。
このめっき浴を、ｐＨ４〜１０に調整し、浴温度４０〜９０℃程度で使用する。このめっき浴に還元剤として次亜リン酸を用いる場合、銅端子表面（実際にはニッケル表面）で次の主反応が進行し、Ｐｄめっき被膜が形成される。
Ｐｄ２＋  ＋  Ｈ２ＰＯ２−  ＋  Ｈ２Ｏ→  Ｐｄ  ＋  Ｈ２ＰＯ３−  ＋  ２Ｈ＋
【００６１】
＜無電解金めっき処理（Ｓ５）＞
無電解金めっき浴としては、例えば、水溶性金化合物、錯化剤、及びアルデヒド化合物を含有するめっき浴を用いることができる。無電解金めっき浴の詳細は、例えば、特開２００８−１４４１８８号公報などに記載されている。
水溶性金化合物としては、例えば、シアン化金、シアン化金カリウム、シアン化金ナトリウム、シアン化金アンモニウム等のシアン化金塩を用い、その濃度を金基準で０．０００１〜１モル／リットル程度とする。
錯化剤としては、例えば、リン酸、ホウ酸、クエン酸、グルコン酸、酒石酸、乳酸、リンゴ酸、エチレンジアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン四酢酸などを用い、その濃度を０．００１〜１モル／リットル程度とする。
アルデヒド化合物（還元剤）としては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド等の脂肪族飽和アルデヒド、グリオキサール、スクシンジアルデヒド等の脂肪族ジアルデヒド、クロトンアルデヒド等の脂肪族不飽和アルデヒド、ベンズアルデヒド、ｏ−，ｍ−又はｐ−ニトロベンズアルデヒド等の芳香族アルデヒド、グルコース、ガラクトース等のアルデヒド基（−ＣＨＯ）を有する糖類などを用い、その濃度を０．０００１〜０．５モル／リットル程度とする。
このめっき浴を、ｐＨ５〜１０に調整し、浴温度４０〜９０℃程度で使用する。このめっき浴を用いる場合、銅端子表面（実際にはパラジウム表面）で次の２つの置換反応が進行し、Ａｕめっき被膜が形成される。
Ｐｄ  ＋  Ａｕ＋  →  Ｐｄ２＋  ＋  Ａｕ  ＋  ｅ−
ｅ−（Ａｕ自動触媒の作用により、めっき浴中成分を酸化して獲得する）＋  Ａｕ＋→Ａｕ
【００６２】
上記手順を経て、プリント配線板の最外層回路の端子部分に品質の良いＮｉ−Ｐｄ−Ａｕめっき被膜が形成され、且つ、端子領域７の樹脂表面には異常析出が無い品質の良いめっき処理面が確保される。
上記方法で製造された本発明のプリント配線板上に半導体素子を実装し、接続信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【実施例】
【００６３】
以下において、実施例を示して本発明を更に詳細に説明するが、これに限定されるものではない。
（テストピースの作成）
後述する実施例及び比較例で共通して用いるテストピース（銅回路付き基板）を、次の手順で作成した。
（１）３μｍ銅箔付きの全厚０．１ｍｍ銅張積層板（日立化成製ＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧ）を５％塩酸により表面処理する。
（２）銅張積層板の銅箔表面に、セミアディティブ用ドライフィルム（旭化成製ＵＦＧ−２５５）をロールラミネーターによりラミネートする。
（３）上記ドライフィルムを所定パターン状に露光（平行光露光機：小野測器製ＥＶ−０８００、露光条件：露光量１４０ｍＪ）、現像（スプレー型装置、現像液：１％炭酸ナトリウム水溶液、現像時間：４０秒）する。パターン状の露出部に電解銅めっき処理を行って２０μｍ厚の電解銅めっき皮膜を形成し、ドライフィルムを剥離（剥離液：三菱ガス化学製Ｒ−１００、剥離時間：２４０秒）する。
（４）剥離後、フラッシュエッチング処理（荏原電産製ＳＡＣプロセス）により、３μｍ銅箔シード層を除去する。
（５）その後、回路粗化処理（粗化処理液：メック（株）製ＣＺ８１０１、１μｍ粗化条件）を実施し、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝７０／３０μｍの銅回路を有するテストピースを作成した。
【００６４】
＜実施例１＞
上記で得られたテストピースの銅回路形成面に、ソルダーレジスト（太陽インキ製ＡＵＳ７０３）をスクリーン印刷により塗布、乾燥後、ＥＮＥＰＩＧ法によるめっき処理がなされる端子形成部のみが開口され、前記銅張り積層板の樹脂部分が露出しないように露光（平行光露光機：小野測器製ＥＶ−０８００、露光条件：露光量２３５ｍＪ）、現像（スプレー型装置、現像液：１％炭酸ナトリウム水溶液、現像時間：１２０秒）、ポストキュア（１５０℃、１時間）、ポスト露光（小野測器製ＥＶ−０８００、露光条件：露光量１０００ｍＪ）した。これにより、銅回路上の所定の位置に直径６０μｍの円状の開口部を形成した。
【００６５】
前記開口部に、次の手順で、後述する実施例２および比較例１と共通するＥＮＥＰＩＧ工程を行った。
（１）クリーナー処理
クリーナー液として上村工業（株）製ＡＣＬ−００７を用い、上記テストピースを液温５０℃のクリーナー液に５分間浸漬した後、３回水洗した。
（２）ソフトエッチング処理
クリーナー処理後、ソフトエッチング液として過硫酸ソーダと硫酸の混液を用い、上記テストピースを液温２５℃のソフトエッチング液に１分間浸漬した後、３回水洗した。
（３）酸洗処理
ソフトエッチング処理後、上記テストピースを液温２５℃の硫酸に１分間浸漬した後、３回水洗した。
（４）プレディップ処理
酸洗処理後、上記テストピースを液温２５℃の硫酸に１分間浸漬した。
（５）パラジウム触媒付与工程
プレディップ処理後、端子部分にパラジウム触媒を付与するために、パラジウム触媒付与液として上村工業（株）製ＫＡＴ−４５０を用いた。上記テストピースを、液温２５℃の当該パラジウム触媒付与液に２分間浸漬した後、３回水洗した。
（６）無電解Ｎｉめっき処理
パラジウム触媒付与工程の後、上記テストピースを液温８０℃の無電解Ｎｉめっき浴（上村工業（株）製ＮＰＲ−４）に３５分間浸漬した後、３回水洗した。
（７）無電解Ｐｄめっき処理
無電解Ｎｉめっき処理後、上記テストピースを液温５０℃の無電解Ｐｄめっき浴（上村工業（株）製ＴＰＤ−３０）に５分間浸漬した後、３回水洗した。
（８）無電解Ａｕめっき処理
無電解Ｐｄめっき処理後、上記テストピースを液温８０℃の無電解Ａｕめっき浴（上村工業（株）製ＴＷＸ−４０）に３０分間浸漬した後、３回水洗した。
【００６６】
＜実施例２＞
上記で得られたテストピースの銅回路形成面に、熱硬化性絶縁層（住友ベークライト製ＢＬα３７００ＧＳ）をラミネート形成し、熱硬化処理（条件２００℃、１時間）を実施した。ＥＮＥＰＩＧ法によるめっき処理がなされる端子形成部のみが開口され、前記銅張り積層板の樹脂部分が露出しないように、波長が３５５ｎｍのＵＶ−ＹＡＧレーザー（三菱電機製ＭＬ６０５ＬＤＸ、加工条件：４０μＪ、５０ショット）にて、熱硬化性絶縁層への穴あけ加工、デスミア処理（アトテック製スウェリングディップセキュリガントＰプロセス）を行い、銅回路上の所定の位置に直径６０μｍの円状の開口部を形成した。前記開口部には、実施例１と同様にＥＮＥＰＩＧ工程を行った。
【００６７】
＜比較例１＞
テストピースの銅回路形成面に、ソルダーレジスト（太陽インキ製ＡＵＳ７０３）をスクリーン印刷により塗布、乾燥後、ＥＮＥＰＩＧ法によるめっき処理がなされる端子形成部を少なくとも２箇所包含するように開口し、前記銅張り積層板の樹脂部分が露出するように露光した以外は、実施例１と同様に加工した。
【００６８】
各実施例及び比較例で得られたＥＮＥＰＩＧ工程後のテストピースについて、以下の評価を行った。
【００６９】
＜異常析出の有無＞
テストピースの端子間を実体顕微鏡により観察することで異常析出の有無を確認した。
【００７０】
＜ショート不良の有無＞
テストピースの外周部に設けられた絶縁チェック用パッドを導通試験機（ＨＩＯＫＩ製Ｈｉｇｈｔｅｓｔｅｒ１１１６）により、ショート不良発生有無を確認した。
【００７１】
得られた結果を表１に示す。
【００７２】
【表１】
2011258597.tif 000003
【符号の説明】
【００７３】
１  プリント配線板
２  コア基板
３（３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ）  上面側の導体回路層
４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ、４ｆ）  層間絶縁層
４ｃ’  支持表面
４ｃ’’  絶縁層
５（５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ）  下面側の導体回路層
６  ソルダーレジスト層
６ａ  開口部
６ｂ  開口部
７  端子領域
７ａ  パッド部
７ｂ  パッド部近傍の回路
７ｃ  パッド部
８  ニッケル−パラジウム−金メッキ層
１０  半導体装置
１１  半導体素子
１２  電極パッド
１３  ダイボンド材硬化層
１４  金線
１５  封止材
１６  キャリアフィルム
１７  バイアホール
１８  無電解めっき層
１９  めっきレジスト
２０  電解めっき層
【図１】
2011258597.tif 000004
【図２Ａ】
2011258597.tif 000005
【図２Ｂ】
2011258597.tif 000006
【図３】
2011258597.tif 000007
【図４Ａ】
2011258597.tif 000008
【図４Ｂ】
2011258597.tif 000009
【図４Ｃ】
2011258597.tif 000010
【図５】
2011258597.tif 000011
【図６】
2011258597.tif 000012