(57)【要約】【課題】単一の電源で駆動可能な半導体光変調装置を得る。【解決手段】電源からの電圧が印加され、この電源から供給される電流に応じてレーザー光を出力するレーザダイオード２と、外部からの高周波電気信号（電気変調信号）に応じて前記レーザー光を変調する半導体光変調素子１と、を備えた半導体光変調装置１００であって、一端が前記レーザダイオード２のカソードと前記半導体光変調素子１のカソードとの接続端に接続され他端がＧＮＤに接続されたキャパシタ３と、一端が前記半導体光変調素子１のアノードに接続され他端が前記ＧＮＤに接続されたインピーダンス整合用の整合抵抗４と、一端が前記半導体光変調素子１のアノードに接続され、他端から入力した電気変調信号を通過させるキャパシタ５と、を備えた。【選択図】図１
2011096762.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源からの電圧が印加され、この電源から供給される電流に応じてレーザー光を出力するレーザダイオードと、外部からの高周波電気信号に応じて前記レーザー光を変調する光変調素子と、を備えた半導体光変調装置であって、
一端が前記レーザダイオードのカソードと前記光変調素子のカソードとの接続端に接続され、他端がＧＮＤに接続されたキャパシタと、
一端が前記光変調素子のアノードに接続され、他端が前記ＧＮＤに接続されたインピーダンス整合用の抵抗と、
一端が前記光変調素子のアノードに接続され、他端から入力した前記高周波電気信号を通過させるキャパシタと、
を備えたことを特徴とする半導体光変調装置。
【請求項２】
一端が前記抵抗の他端に接続され、他端が前記光変調素子のカソードに接続されたキャパシタを有すること特徴とする請求項１に記載の半導体光変調装置。
【請求項３】
電源からの電圧が印加され、この電源から供給される電流に応じてレーザー光を出力するレーザダイオードと、外部からの高周波電気信号に応じて前記レーザー光を変調する光変調素子と、を備えた半導体光変調装置であって、
一端が前記レーザダイオードのカソードと前記光変調素子のカソードとの接続端に接続され、他端がＧＮＤに接続されたキャパシタと、
インピーダンス整合用の抵抗とキャパシタとが直列接続され、一端が前記光変調素子のアノードに接続され、他端が前記光変調素子のカソードに接続された直列接続回路と、
一端が前記光変調素子のアノードに接続され、他端から入力した前記高周波電気信号を通過させるキャパシタと、
一端が前記ＧＮＤに接続され、他端が前記光変調素子のアノードに接続されたインダクタと、
を備えたことを特徴とする半導体光変調装置。
【請求項４】
前記光変調素子のカソードの電位と、前記レーザダイオードのカソードとアノードとの間の電位差と、前記レーザダイオードを駆動する回路の電位差との和が、電源電圧以下に設定されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体光変調装置。
【請求項５】
一端が前記レーザダイオードのカソードと前記光変調素子のカソードとの接続端に接続され、他端が前記ＧＮＤに接続されたキャパシタを、前記高周波電気信号を伝達する基板上に設置したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体光変調装置。
【請求項６】
前記基板には、
前記光変調素子のアノードに接続された第１の端子と、前記光変調素子のカソードに接続された第２の端子と、前記ＧＮＤに接続された第３の端子とが形成され、
前記基板に接続するフレキシブル基板には、
前記第１の端子に電気変調信号を伝達する第１のパッドと、前記第２の端子に光変調素子のカソード電位を与える第２のパッドと、前記第３の端子にＧＮＤ電位を与える第３のパッドが形成され、
前記各パッドの配列順は、
第２のパッド、第１のパッド、および第３のパッド、もしくは、第３のパッド、第１のパッド、および第２のパッドであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体光変調装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信用の光モジュールを備えた半導体光変調装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、レーザダイオード（Laser Diode）が集積された半導体光変調素子を駆動する場合には、半導体光変調素子のカソードとレーザダイオードのカソードと整合抵抗の一方の電極とを基準電位に接続し、整合抵抗の他方の電極と半導体光変調素子のアノードとを接続し、高周波電気信号である電気変調信号を入力する。この半導体光変調素子が電界吸収型光変調器（ＥＡＭ−ＬＤ：Electro-Absorption Modulators-Laser Diode）の場合、ＥＡＭ−ＬＤは、ＥＡＭ−ＬＤのアノードとカソード間に逆バイアスがかかるときに、レーザダイオードからの光の強度変調を行う。
【０００３】
従来、例えば下記特許文献１には、電気変調信号を伝達する伝送線路の基準導体を共通な値の電位とすることによって、伝送線路のインピーダンス不整合を軽減して、電気変調信号の反射や損失を減少させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−０１３０８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に代表される従来の技術は、ＥＡＭ−ＬＤのカソードとＬＤのカソードとがＧＮＤに接続されている場合、ＥＡＭ−ＬＤとレーザダイオードのカソードは共通電位となっているため、レーザダイオードのアノードには正電圧を与える必要があるがＥＡＭ−ＬＤのアノードには負電圧を印加しなければならず、また、ＥＡＭ−ＬＤのカソードとレーザダイオードのカソードとが正電源に接続されている場合、レーザダイオードのアノードには正電源よりも高い電圧を印加しなければならない。したがって、上記従来の技術では、正負の両電源を供給するための回路が必要であったり、昇圧手段としてのＤＣＤＣコンバータが必要となるため、低消費電力化や省スペース化が困難であるという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、単一の電源で駆動可能な半導体光変調装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、電源からの電圧が印加され、この電源から供給される電流に応じてレーザー光を出力するレーザダイオードと、外部からの高周波電気信号に応じて前記レーザー光を変調する光変調素子と、を備えた半導体光変調装置であって、一端が前記レーザダイオードのカソードと前記光変調素子のカソードとの接続端に接続され、他端がＧＮＤに接続されたキャパシタと、一端が前記光変調素子のアノードに接続され、他端が前記ＧＮＤに接続されたインピーダンス整合用の抵抗と、一端が前記光変調素子のアノードに接続され、他端から入力した前記高周波電気信号を通過させるキャパシタと、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、半導体光変調素子と、レーザダイオードと、一端が半導体光変調素子のカソードとレーザダイオードのカソードとの接続端に接続され他端がＧＮＤに接続されたキャパシタと、一端が半導体光変調素子のアノードに接続され他端がＧＮＤに接続された整合抵抗と、ＡＣ入力するためのキャパシタとを有するようにしたので、単一の電源のみでレーザダイオードおよび半導体光変調素子を駆動することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１にかかる半導体光変調装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、半導体光変調素子の駆動電圧を説明するための図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態２にかかる半導体光変調装置の構成を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態２にかかる半導体光変調装置の動作を説明するための図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態３にかかる半導体光変調装置の構成を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態４にかかる半導体光変調装置の構成を示す図である。
【図７】図７は、ＧＮＤパターン上にキャパシタが形成された伝送線路基板を示す図である。
【図８】図８は、図７に示される伝送線路基板を用いた場合における光出力のシミュレーション結果を示すものである。
【図９】図９は、ＡＣ−ＧＮＤ用のパッドに半導体光変調素子のカソード電位が割当てられたフレキシブル基板とＰＷＢ基板との接続例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明にかかる半導体光変調装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１１】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１にかかる半導体光変調装置１００の構成を示す図であり、図２は、半導体光変調素子１の駆動電圧を説明するための図である。
【００１２】
図１に示される半導体光変調装置１００は、主たる構成として、半導体光変調素子（以下単に「ＥＡＭ」と称する）１と、レーザダイオード（以下単に「ＬＤ」と称する）２と、一端がＥＡＭ１のカソードおよびＬＤ２のカソードに接続され他端がＧＮＤに接続されたキャパシタ３と、一端がＥＡＭ１のアノードに接続され他端がＧＮＤに接続されたインピーダンス整合用の整合抵抗４と、電気変調信号（ＡＣ）を入力するためのキャパシタ５と、を有して構成されている。
【００１３】
ＬＤ２においては、端子３１を介して外部から供給された電流によってレーザ発光がなされる。ＥＡＭ１は、外部からの電気変調信号に基づいてＬＤ２からの光の強度を制御する。すなわち、ＥＡＭ１およびＬＤ２で構成される光変調器８は、電気変調信号に従ってＬＤ２からのレーザ発光を制御することで、電気変調信号を光信号に変換する。
【００１４】
以下、光変調器８、キャパシタ３、および整合抵抗４で構成されるモジュール（「光モジュール」と称する）４０の構成と動作を詳細に説明する。キャパシタ５を介して入力された電気変調信号は、ＥＡＭ１、キャパシタ３、およびＧＮＤによってＡＣ結合されている。また、整合抵抗４の他端がＧＮＤに接続されているため、ＥＡＭ１のアノードには、０Ｖを中心とする電圧振幅が印加される。
【００１５】
図２（ａ）は、一例として、ＥＡＭ１のアノードに入力される電気変調信号の波形を示している。電気変調信号は、例えば、０Ｖを中心としてＨｉｇｈ＝＋１．０Ｖ、Ｌｏｗ＝−１．０Ｖ（ピーク間電圧Ｖｐｐ＝２Ｖ）の信号である。
【００１６】
ここで、ＥＡＭ１のアノードとカソードとの間の相対的な電位Ｖｅａｍは「ＥＡＭ１のアノード」−「ＥＡＭ１のカソード」で表わすことができる。この電位Ｖｅａｍは、ＥＡＭ１のカソード電位（オフセット電圧Ｖｏｆｆ）が高くなるほど下がる。例えば、ＥＡＭ１の相対的な電圧をＨｉｇｈ＝０ＶおよびＬｏｗ＝−２．０Ｖ（図２（ｃ）参照）とするには、ＥＡＭ１のアノードに図２（ａ）に示すＨｉｇｈ＝＋１．０ＶおよびＬｏｗ＝−１．０Ｖの電圧が印加されているので、オフセット電圧Ｖｏｆｆ＝＋１．０Ｖとすることで実現できる（図２（ｂ）参照）。
【００１７】
なお、端子３１には、ＬＤ２の出力レベルを一定にする制御するための電源回路（図示せず）が接続されており、またＬＤ２、ＥＡＭ１、および整合抵抗４は、端子３１と端子３３との間に設置された直列接続回路とみなすことができる。従って、この電源回路からの電源電圧によってオフセット電圧Ｖｏｆｆが＋１．０Ｖとなり、ＥＡＭ１のアノードにおけるＨｉｇｈレベルの電圧が、ピーク間電圧Ｖｐｐの１／２の電圧(上記の例では１Ｖ)だけ低い方向に変化する。その結果、ＥＡＭ１の相対的な電圧は、Ｈｉｇｈ＝０．０ＶおよびＬｏｗ＝−２．０Ｖとなる。
【００１８】
以上に説明したように、本実施の形態にかかる半導体光変調装置１００は、ＥＡＭ１と、ＬＤ２と、一端がＥＡＭ１のカソードとＬＤ２のカソードとの接続端に接続され他端がＧＮＤに接続されたキャパシタ３と、一端がＥＡＭ１のアノードに接続され他端がＧＮＤに接続された整合抵抗４と、ＡＣ入力するためのキャパシタ５とを有する構成としたので、端子３１からの電源供給によって、ＥＡＭ１のカソードにオフセット電圧Ｖｏｆｆが与えられ、光変調器８を駆動することができる。従来技術では、レーザダイオードを駆動するための電源と半導体光変調素子を駆動するための電源とが必要となるため、更なる低消費電力化や省スペース化を実現することが困難であったが、本実施の形態にかかる半導体光変調装置１００では、上述した回路構成とすることによって、更なる低消費電力化や省スペース化を図ることができるとともに、回路構成が簡素化されることで信頼性を向上させることが可能である。
【００１９】
実施の形態２．
図３は、本発明の実施の形態２にかかる半導体光変調装置１１０の構成を示す図であり、図４は、本発明の実施の形態２にかかる半導体光変調装置１１０の動作を説明するための図である。なお、実施の形態１と同一部分には同一符号を付してその説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【００２０】
図３に示される半導体光変調装置１１０は、主たる構成として、ＥＡＭ１と、ＬＤ２と、キャパシタ３と、一端がＧＮＤに接続され他端がＥＡＭ１のカソードに接続されたキャパシタ６と、一端がＥＡＭ１のアノードに接続され他端がキャパシタ６の一端に接続された整合抵抗４と、キャパシタ５と、を有して構成されている。実施の形態１にかかる半導体光変調装置との相違点は、整合抵抗４の他端とＥＡＭ１のカソードとの間にキャパシタ６が接続されている点である。
【００２１】
次に、光変調器８、キャパシタ３、キャパシタ６、および整合抵抗４で構成される光モジュール４１を中心とする半導体光変調装置１１０の動作を詳細に説明する。一般的に整合抵抗４およびＥＡＭ１は、図４に示すように近接して配置されている。ここで、ＥＡＭ１の安定したＡＣ−ＧＮＤ（図４に示される安定したＥＡＭ１のカソード電位）は、オフセット電圧Ｖｏｆｆとなる。
【００２２】
ここで、例えば、整合抵抗４の一端とＧＮＤとを図４に示すようなワイヤなどで接続してしまうと、整合抵抗４の他端からＧＮＤまでの距離が長いためにインダクタンス成分が大きくなり、高周波でのインピーダンス整合が取り難くなる。その結果、電気変調信号の波形が劣化し、それに伴って光出力波形も劣化してしまう。
【００２３】
本実施の形態にかかる半導体光変調装置は、図３に示すように整合抵抗４の他端とＥＡＭ１のカソードとの間にキャパシタ６を接続することによって、整合抵抗４を安定なＥＡＭ１のカソード電位（オフセット電圧Ｖｏｆｆ）に接続するようにしたので、整合抵抗４のＧＮＤ電位が安定化し、インピーダンス整合が取りやすくなる。その結果、電気変調信号の波形の劣化が抑制され、光出力波形の劣化も抑制される。
【００２４】
以上に説明したように、本実施の形態にかかる半導体光変調装置１１０は、ＥＡＭ１と、ＬＤ２と、一端がＥＡＭ１のカソードおよびＬＤ２のカソードに接続され他端がＧＮＤに接続されたキャパシタ３と、一端がＥＡＭ１のアノードに接続され他端がＧＮＤに接続された整合抵抗４と、ＡＣ入力するためのキャパシタ５と、整合抵抗４の他端とＥＡＭ１のカソードとの間に接続されたキャパシタ６とを有するようにしたので、実施の形態１同様の効果を得ることができるとともに、インピーダンス整合が取りやすくなるため、電気変調信号の反射や損失が軽減され、光出力波形の劣化を抑制することが可能である。
【００２５】
実施の形態３．
図５は、本発明の実施の形態３にかかる半導体光変調装置１２０の構成を示す図である。なお、実施の形態１および２と同一部分には同一符号を付してその説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【００２６】
図５に示される半導体光変調装置１２０は、主たる構成として、ＥＡＭ１と、ＬＤ２と、キャパシタ３と、一端がＥＡＭ１のアノードに接続され他端がキャパシタ６に接続された整合抵抗４と、一端が整合抵抗４に接続され他端がＥＡＭ１のカソードに接続されたキャパシタ６と、キャパシタ５と、一端がＧＮＤに接続され他端がＥＡＭ１のアノードに接続されたインダクタ７と、を有して構成されている。実施の形態２との相違点は、整合抵抗４とキャパシタ３と結ぶ配線が無くなり、一端がＧＮＤに接続され他端がＥＡＭ１のアノードに接続されたインダクタを有している点である。
【００２７】
次に、半導体光変調装置１２０の動作を詳細に説明する。ＥＡＭ１のアノードに０Ｖを中心とする電圧振幅をかけるためには基準電位（上記説明では、オフセット電圧Ｖｏｆｆ）が必要である。そのため実施の形態１および２では、一端がＥＡＭ１にアノードに接続された整合抵抗４の他端をＧＮＤに接続する構成としていた。一方、実施の形態３では、上述したようにインダクタ７の他端をＥＡＭ１のアノードに接続する構成を成している。すなわち、ＬＤ２、ＥＡＭ１、およびインダクタ７は、端子３１とＧＮＤとの間に設置された直列接続回路とみなすことができる。従って、実施の形態１と同様に、端子３１に接続された電源回路からの電源電圧によって、ＥＡＭ１のカソードにオフセット電圧Ｖｏｆｆが与えられ、光変調器８を駆動することが可能である。
【００２８】
このように構成とすることによって、本実施の形態にかかる半導体光変調装置は、実施の形態１および２の効果を得ることができると共に、整合抵抗４の一端をＧＮＤに接続する必要が無いため光モジュール４２内の実装の容易化を図ることが可能である。なお、図５ではインダクタ７が光モジュール４２の外部に設置されているが、これに限定されるものではく、光モジュール４２の内部にインダクタ７を配置した場合でも同様の効果を得ることができる。
【００２９】
実施の形態４．
図６は、本発明の実施の形態４にかかる半導体光変調装置１３０の構成を示す図である。なお、実施の形態１〜３と同一部分には同一符号を付してその説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【００３０】
図６に示される半導体光変調装置１３０は、実施の形態１にかかる半導体光変調装置１００と同様に、主たる構成として、ＥＡＭ１と、ＬＤ２と、キャパシタ３と、一端がＥＡＭ１のアノードに接続され他端がＧＮＤに接続されたインピーダンス整合用の整合抵抗４と、キャパシタ５と、を有して構成されている。
【００３１】
端子３１には、レーザ発光強度が一定となるようにＬＤ２の駆動電流を制御するレーザダイオード駆動回路（Automatic Power Control）１０が接続されている。本実施の形態では、ＥＡＭ１のカソードに与える電位（オフセット電圧Ｖｏｆｆ）と、ＬＤ２のアノードとカソードとの間の電位差Ｖｌｄと、レーザダイオード駆動回路１０の電位差Ｖａｐｃとの和が、一般的に使用される電源電圧１１以下となるように構成されている。
【００３２】
ここで、例えばＶｏｆｆとＶｌｄとＶａｐｃの中で最も電位が高くなる電位差Ｖｌｄが、その他の駆動回路に使われる電源電位よりも高い場合、電源が２つ必要になる。そこで、本実施の形態では、例えば、Ｖｏｆｆを１．０Ｖ、Ｖｌｄを１．５Ｖ、Ｖａｐｃを０．４Ｖに設定することで、これらの合計値が２．９Ｖとなる。一般的に使用される電源電圧１１の値は＋３．３Ｖであるので、図６に示される電源電圧１１だけでＶｏｆｆ、Ｖｌｄ、およびＶａｐｃを賄うことが可能である。
【００３３】
このように構成とすることによって、本実施の形態にかかる半導体光変調装置は、実施の形態１〜３の効果だけでなく、一般的に使用される電源電圧のみで光変調器８を駆動することができるため、汎用性をもたせることが可能である。
【００３４】
なお、実施の形態１〜４では、各光モジュールの外部にキャパシタ５を設置しているが、これに限定されるものではなく、光モジュール４０の内部にキャパシタ５を設置した場合でも同様の効果を得ることができるのは言うまでもない。
【００３５】
実施の形態５．
図７は、ＧＮＤパターン上にキャパシタが形成された伝送線路基板を示す図である。電位がＧＮＤである金属１３上に形成された伝送線路基板１２は、電気変調信号を伝送する信号パターン１４と、ＧＮＤパターン１５ａおよび１５ｂと、ＧＮＤパターン１５上に形成されたキャパシタ１６ａ、１６ｂと、を有して構成されている。また、電位がオフセット電圧Ｖｏｆｆである金属１８上に形成された伝送線路基板１７は、電気変調信号を伝送する信号パターン１９と、ＡＣ−ＧＮＤパターン２０ａおよび２０ｂと、を有して構成されている。さらに、キャパシタ１６ａとＡＣ−ＧＮＤパターン２０ａは、ワイヤ２１によって接続されている。以下同様に、キャパシタ１６ｂとＡＣ−ＧＮＤパターン２０ｂがワイヤ２１によって接続され、信号パターン１４と信号パターン１９がワイヤ２１で接続されている。
【００３６】
伝送線路基板１２および１７と、実施の形態１〜４にかかる光モジュール４０〜４３との対応関係を説明すると以下の通りである。ＡＣ−ＧＮＤパターン２０ａおよび２０ｂは、例えば図４に示す安定したＥＡＭ１のカソード電位に対応し、ＧＮＤパターン１５ａおよび１５ｂは、図４に示す安定したグランド電位に対応する。キャパシタ１６ａおよび１６ｂは、図１〜６に示されたキャパシタ３に対応する。
【００３７】
次に、図７に示される伝送線路基板１２および１７の構成と電気変調信号との関係を具体的に説明する。電気変調信号がＧＮＤとカップリングしながら伝達される場合、電気変調信号とカップリングするＡＣ−ＧＮＤの電位を、ＧＮＤからＥＡＭ１のカソードの電位に切り替える必要がある。このとき、電気変調信号の品質を落とさずに伝送させることが重要である。そこで、本実施の形態では、伝送線路基板１２のＧＮＤパターン１５ａ上にキャパシタ１６ａを形成し、ＧＮＤパターン１５ｂ上にキャパシタ１６ｂを形成している。この構成によって、電界の乱れが抑えられ信号の品質劣化が抑えられる。
【００３８】
図８は、図７に示される伝送線路基板１２および１７を用いた場合における光出力のシミュレーション結果を示すものである。図８に示されるシミュレーション結果は、ＥＡＭ１の寄生容量や寄生抵抗などを加味して、伝送線路基板１２および１７の電磁界解析を行ったものであり、１０ＧＨｚ以上の帯域が得られている。なお、図７では、伝送線路基板１２上にキャパシタ１６ａおよび１６ｂを形成しているが、これに限定されるものではなく、伝送線路基板１７のＡＣ−ＧＮＤパターン２０ａ上にキャパシタ１６ａを形成し、ＡＣ−ＧＮＤパターン２０ｂ上にキャパシタ１６ｂを形成する構成としてもよい。
【００３９】
実施の形態６．
図９は、ＡＣ−ＧＮＤ用のパッドにＥＡＭ１のカソード電位が割当てられたフレキシブル基板２２とＰＷＢ基板２３との接続例を示す図である。半導体光変調装置が実装されたＰＷＢ（Printed Wiring Board）基板２３には、例えば図１〜６に示された各端子３０〜３３が設置され、フレキシブル基板２２には、これらの端子と電気的に接続するための複数のパッドが設置されている。
【００４０】
ここで、１０ＧｂｐｓのＥＡＭ-ＬＤを適用した光通信用光モジュールは、１０Ｇｂｉｔ／ｓ小型モジュール用マルチソース・アグリーメント（ＸＭＤ−ＭＳＡ：10Gbit/s Miniature Device Multi Source Agreement）において、フレキシブル基板を介して電気信号を受け渡すことが標準化されている。そしてＸＭＤ−ＭＳＡには、パッド配列も決まっており、このパッド配列によれば信号の両隣のパッドはＡＣ−ＧＮＤとなっている。
【００４１】
一方、実施の形態１〜５に示された各半導体光変調装置の電気変調信号を、フレキシブル基板を介して接続するためには、例えば図４に示したように、安定したＥＡＭ１のカソード電位を与える必要がある。この安定したＥＡＭ１のカソード電位を、上述した電気変調信号を伝達するパッドに隣接する一方のＡＣ−ＧＮＤ用のパッドに割り当てた場合、パッドの大きさを替える必要がなく、さらにＥＡＭ１のカソード以外のパッド（すなわち、電気変調信号を伝達するパッド、および電気変調信号を伝達するパッドに隣接する他方のＡＣ−ＧＮＤ用のパッド）は替える必要が無い。そのため、ＰＷＢ基板２３側の基板にカソード電位に接続するかＡＣ−ＧＮＤに接続するかを切替えるだけで、ＸＭＤ−ＭＳＡ準拠の製品との互換が可能になる。
【００４２】
図９には、この切替えの具体例が示されており、ＰＷＢ基板２３上に点線で示されるパターンは、ＸＭＤ−ＭＳＡ準拠の製品と接続するときのパターンであり、実線で示されるパターンは、本実施の形態による接続パターンを示すものである。またフレキシブル基板２２のパッドは、例えば、端子３２にＥＡＭ１のカソード電位の電位を与える第２のパッド２２ｃ、端子３２にＧＮＤ電位を与える第３のパッド２２ａ、および端子３０に電気変調信号を伝達する第１のパッド２２ｂなどからなる。なお、上記説明では、電気変調信号を伝達するパッドの右側のパッドに、ＥＡＭ１のカソード電位を割り当てた場合として説明したが、電気変調信号を伝達するパッドの左側のパッドにＥＡＭ１のカソード電位を割り当てる構成でもよい。従って、各パッドの配列順は、第２のパッド２２ｃ、第１のパッド２２ｂ、および第３のパッド２２ａでもよいし、第３のパッド２２ａ、第１のパッド２２ｂ、および第２のパッド２２ｃでもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
以上のように、本発明は、光通信用の光モジュールを備えた半導体光変調装置に適用可能であり、特に、単一の電源で駆動可能な発明として有用である。
【符号の説明】
【００４４】
１  半導体光変調素子
２  レーザダイオード
３，５，６，１６ａ，１６ｂ  キャパシタ
４  整合抵抗
７  インダクタ
８  光変調器
１０  レーザダイオード駆動回路
１１  電源電圧
１２，１７  伝送線路基板
１３，１８  金属
１４，１９  信号パターン
１５ａ，１５ｂ  ＧＮＤパターン
２０ａ，２０ｂ  ＡＣ−ＧＮＤパターン
２１  ワイヤ
２２  フレキシブル基板
２２ａ  ＧＮＤ電位を与える第３のパッド
２２ｂ  電気変調信号を伝達する第１のパッド
２２ｃ  半導体光変調素子のカソード電位の電位を与える第２のパッド
２３  ＰＷＢ基板
３０，３１，３２，３３  端子
４０，４１，４２，４３  光モジュール
１００，１１０，１２０，１３０  半導体光変調装置
Ｖａｐｃ  レーザダイオード駆動回路の電位差
Ｖｅａｍ  半導体光変調素子のアノードとカソードとの間の相対的な電位
Ｖｌｄ  レーザダイオードのアノードとカソードとの間の電位差
Ｖｏｆｆ  オフセット電圧
Ｖｐｐ  ピーク間電圧
【図１】
2011096762.tif 000003
【図２】
2011096762.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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