(57)【要約】【課題】    平坦な表面を有する絶縁樹脂層上にメッキ金属層を強固に結合する。【解決手段】    多層配線基板の製造方法は、（ａ）下地配線を備える下地構造上に、絶縁樹脂層を形成し、（ｂ）絶縁樹脂層表面に、水酸基を形成可能な粒子を配置すると共に、保護樹脂膜で覆い、（ｃ）保護樹脂膜、絶縁樹脂層を貫通して、下地配線に達するビアホールをレーザ加工し、（ｄ）レーザ加工によるスミアを除去し、（ｅ）前記保護樹脂膜を除去し、（ｆ）前記水酸基を形成可能な粒子にカップリング剤を結合し、（ｇ）前記下地配線、前記絶縁樹脂層の上に、シード層を無電解メッキし、（ｈ）前記シード層上に主配線層を電解メッキする。【選択図】  図１−１
2011171528.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）下地配線を備える下地構造上に、絶縁樹脂層を形成し、
（ｂ）前記絶縁樹脂層表面に、水酸基を形成可能な粒子を配置すると共に、保護樹脂膜で覆い、
（ｃ）前記保護樹脂膜、前記絶縁樹脂層を貫通して、前記下地配線に達するビアホールをレーザ加工し、
（ｄ）前記レーザ加工によるスミアを除去し、
（ｅ）前記保護樹脂膜を除去し、
（ｆ）前記水酸基を形成可能な粒子にカップリング剤を結合し、
（ｇ）前記下地配線、前記絶縁樹脂層の上に、シード層を無電解メッキし、
（ｈ）前記シード層上に主配線層を電解メッキする、
多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記（ｂ）が、半硬化状態の前記絶縁樹脂層を前記粒子の縣濁液に浸漬し、前記絶縁樹脂層上に前記保護樹脂層を押し当て、前記絶縁樹脂層の熱硬化処理を行なう、請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記（ｂ）が、前記保護樹脂層を前記粒子の縣濁液に浸漬し、前記絶縁樹脂層上に前記保護樹脂層を押し当て、前記絶縁樹脂層の熱硬化処理を行なう、請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記（ｃ）が炭酸ガスレーザ光を用い、前記（ｄ）がＣＦ４，ＳＦ６の少なくとも一方と酸素とを用いたドライエッチング、または過マンガン酸塩を用いたウェットエッチングを含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記水酸基を形成可能な粒子は、平均径が１μｍ以下である、シリカ粒子、アルミナ粒子、ゴム粒子のいずれかであり、前記カップリング剤はシランカップリング剤である、請求項１〜４のいずれか１項記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、ガラスエポキシ等の支持基板上に銅配線などの配線層とエポキシ樹脂等の絶縁樹脂層とを交互に積層した多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリント配線基板の微細化、多層化、及び電子部品の高密度実装化が急速に進み、配線層を順次積み上げるビルドアップ多層配線構造の検討が活発に行なわれている。
【０００３】
ビルドアップ多層配線構造では、下層配線の上に絶縁層を形成し、下層配線と上層配線との接続をとるための微細な孔であるビアホールを絶縁層に形成する。ビアホールの形成方法としては、絶縁層上に感光性樹脂(フォトレジスト)層を形成し、露光現像してビアホールに対応する開口を形成し、開口部の絶縁層をエッチングする方法、絶縁層にレーザ光を照射してビアホールを形成する方法がある。フォトレジストを用いるフォトリソグラフィ技術はコストが高くなるので、レーザ光を用いてビアホールを形成する方法が一般的である。
【０００４】
炭酸ガスレーザを用いると、絶縁樹脂層にビアホールを形成し、露出する銅配線は削ることなく、ほぼそのまま残すことができる。レーザ光を用いてビアホールを形成すると、少なくともビアホールの底にスミアと呼ばれる樹脂残渣が残存する。スミアを除去するために、過マンガン酸カリウム等の過マンガン酸塩溶液等を用いて、デスミア処理が行なわれる。スミアは絶縁樹脂層上にも形成され得るが、全表面に対するデスミア処理を行なうと、絶縁樹脂層上のスミアもビア孔底面のスミアと共に除去される。デスミア処理によって、絶縁樹脂層の表面を疎化することもできる。
【０００５】
パターン化された配線の形成方法としては、下地上に金属層を形成し、レジストマスクを用いて金属層の不要な箇所をエッチングで除去する方法（サブトラクト法）、下地表面を触媒処理し、不要部を覆うレジストマスクを形成し、無電解めっきにより配線を形成する方法（アディティブ法）、下地全面上に薄い金属層（シード層）を形成し、不要部を覆うレジストマスクを形成し、電解めっきにより配線を形成した後、レジストマスクを除去して薄い金属層をエッチングで除去する方法（セミアディティブ法）が知られている。微細配線形成にはセミアディティブ法が好適であり、レジストマスクはドライフィルムレジストを用いて形成される。
【０００６】
電気抵抗率が低く、配線として広く用いられるようになった銅は、絶縁樹脂として一般的に用いられるエポキシ樹脂との密着性が極めて低い。デスミア処理により樹脂表面に微細な凹凸を形成すると、凹凸と銅層の間に働くアンカー力により、銅配線を樹脂表面に固定することができる。樹脂中にシリカ等のフィラーを入れると、効果的に表面粗さを得ることができ、熱膨張係数を調整することもできる。
【０００７】
配線幅／配線間隔は、現在３５μｍ／３５μｍ程度であるが、微細化する傾向にあり、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ／１０μｍ以下の配線も検討されている。デスミア処理により樹脂層表面に大きな粗さを形成すると、配線パターン形成用のレジスト層の露光の際、乱反射が生じ、微細配線は形成できないことにもなる。ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１５μｍ／１５μｍ以下の配線を実現するには、樹脂層表面を平滑にし、且つ樹脂層とメッキ金属層との間の密着強度を高めることが望まれる。平坦な表面を有する絶縁樹脂層の表面に、絶縁樹脂層、メッキ金属層双方に対して密着性のよい密着層を形成し、密着層の上にメッキ金属層を形成することが考えられる。
【０００８】
特開２００３−２７３５０９号は、絶縁層と配線層との間に、クロム酸化物膜、クロム酸化物を含む混合膜、シランカップリング剤膜から選択される密着膜を介在させることを提案する。
【０００９】
特開２００３−２３４５７３号は、カップリング剤で表面処理した銅箔を絶縁樹脂層上に真空中でホットプレスし、その後銅箔をエッチング除去して、絶縁樹脂層上にカップリング剤を転写することを提案する。
【００１０】
特許第３２７７４６３号は、イミダゾール系化合物とエポキシシラン系化合物との反応により得られたシランカップリング剤で、無電解メッキ前の絶縁表面を処理することを提案する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−２７３５０９号公報
【特許文献２】特開２００３−２３４５７３号公報
【特許文献３】特許第３２７７４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
平坦な表面を有する絶縁樹脂層上にメッキ金属層を強固に結合する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の１観点によれば、
（ａ）下地配線を備える下地構造上に、絶縁樹脂層を形成し、
（ｂ）前記絶縁樹脂層表面に、水酸基を形成可能な粒子を配置すると共に、保護樹脂膜で覆い、
（ｃ）前記保護樹脂膜、前記絶縁樹脂層を貫通して、前記下地配線に達するビアホールをレーザ加工し、
（ｄ）前記レーザ加工によるスミアを除去し、
（ｅ）前記保護樹脂膜を除去し、
（ｆ）前記水酸基を形成可能な粒子にカップリング剤を結合し、
（ｇ）前記下地配線、前記絶縁樹脂層の上に、シード層を無電解メッキし、
（ｈ）前記シード層上に主配線層を電解メッキする、
多層配線基板の製造方法
が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
水酸気を形成可能な粒子が、カップリング剤を絶縁樹脂層表面に強固に結合する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１−１】と、
【図１−２】図１Ａ−１Ｌは、実施例１による多層配線基板の製造方法を示す断面図、図１Ｍは、作成される多層配線基板を示す断面図である。
【図２】図２Ａ−２Ｂは、実施例２による多層配線基板の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
無機物と有機樹脂等の化学的密着性を向上するために、シランカップリング剤がよく用いられる。絶縁樹脂層の表面にシランカップリング剤を結合させることができれば、メッキ金属層を絶縁樹脂層に強固に結合することが可能であろう。ところが、シランカップリング剤を絶縁樹脂層に有効に結合させることは容易でない。
【００１７】
本発明者らは、シランカップリング剤を絶縁樹脂層に結合させるため、絶縁樹脂層表面部に水酸基形成可能な粒子を結合することを検討した。水酸基とシランカップリング剤とは強固に結合することが期待できる。水酸基を形成可能な物質として、シリカ(酸化シリコン)がよく知られている。また、アルミナ(酸化アルミニウム)も水酸基を形成可能である。さらに、水酸基を形成可能なゴム粒子も知られている。
【００１８】
これらの物質を含む粒子を、絶縁樹脂層表面に結合できれば、これらの粒子がカップリング剤を強く結合できるであろう。レーザ光によってビアホールを形成した後のデスミア処理等において、埋め込んだ粒子が除去されないように、絶縁樹脂層の上に保護樹脂層を配置することが考えられる。レーザ光を用いたビアホール形成、デスミア処理は保護樹脂層が絶縁樹脂層を覆った状態で行なうこととなる。保護樹脂層を除去した後も、水酸基は絶縁樹脂層表面部に残るであろう。例えば、硬化(キュア)前の半硬化状態(いわゆるＢステージ)の絶縁樹脂層表面部に、粒子を埋め込み、その後、絶縁樹脂層を硬化させれば、埋め込まれた粒子と絶縁樹脂層とを強く結合することが可能であろう。
【００１９】
図１Ａ−１Ｌは、実施例１による配線形成工程を示す多層配線基板の断面図である。
【００２０】
図１Ａに示すように、配線１２を形成した下地構造１１上に、半硬化状態（Ｂステージ）の熱硬化性エポキシ樹脂層１３ｐをラミネートする。下地構造１１は、例えばガラスエポキシ基板である。なお、ガラスエポキシ基板上に銅配線と絶縁層とを交互に形成し、最表面に配線を有する構造を下地構造としてもよい。実際に実験した例においては、配線１２は、例えばライン／スペースが１０μｍ／１０μｍの銅配線とし、熱硬化状態のエポキシ樹脂層１３ｐは、例えば、味の素ファインテクノ社より入手可能な、商品名ＡＢＦ−ＧＸ−１３，厚さ４０μｍのエポキシ樹脂シートとした。
【００２１】
図１Ｂに示すように、シリカ粒子の縣濁液１５を作製し、熱硬化性エポキシ樹脂層１３ｐを縣濁液１５に浸漬する。熱硬化性エポキシ樹脂層１３ｐの表面にシリカ粒子１６が付着する。シリカ粒子は、表面に水酸基を形成可能な粒子である。例においては、例えば信越石英社から入手可能な、商品名アドマファインＳＯ−Ｃ３，粒径０．９μｍのシリカ粒子を用いた。水酸基を形成可能な粒子の粒径は、エポキシ樹脂層の表面平坦度を保つためにも、１μｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
図１Ｃに示すように、シリカ粒子１６を付着させた熱硬化性エポキシ樹脂層の上に、保護樹脂層として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム１７を押し当ててラミネートする。粒径１μｍのシリカ粒子は、半硬化状態のエポキシ樹脂層１３ｐに容易に押し込まれると考えられる。１８０℃、１時間の加熱を行い、熱硬化性エポキシ樹脂層を硬化させる。硬化後のエポキシ樹脂層を１３で示す。
【００２３】
例においては、ＰＥＴフィルムは、帝人デュポン社製、厚さ２５μｍの帝人テトロンフィルムを用いた。加熱処理は、クリーンオーブン（ヤマト化学、ＤＴ−４１）を用い、１８０℃、１時間の加熱で行なった。エポキシ樹脂層１３とＰＥＴフィルム１７の合計厚さは、単純に和を取ると、６５μｍとなる。
【００２４】
図１Ｄに示すように、炭酸ガスレーザ光Ｌを照射し、ＰＥＴフィルム１７、エポキシ樹脂層１３を貫通し、銅配線１２を露出するビアホール１８を形成する。炭酸ガスレーザで形成したビアホールは、深さと共に径が減少するテーパを形成する。なお、ビアホール１８の底にはスミア１９が生じる。炭酸ガスレーザを用いてビアホールを形成した場合、スミアはビアホール部分の樹脂と同等の成分である。エポキシとＰＥＴの混合は生じうるが、変質はほぼ生じないと考えられる。デスミア処理は、２種類の樹脂を除去できる処理とする。
【００２５】
例においては、厚さ４０μｍの樹脂層とＰＥＴフィルム２５μｍを貫通して幅１０μｍの配線に達するコンタクトホールを形成する為に、上端径７０μｍのビアホールを形成した。
【００２６】
図１Ｅに示すように、酸素：ＣＦ４＝９５：５の混合ガスを用いたプラズマＰ１により、ビアホール底面等のデスミア処理を行なう。なお、ＣＦ４に換え、またはＣＦ４に加え、ＳＦ６を用いてもよい。過マンガン酸カリウム等、過マンガン酸塩溶液を用いたウェットのデスミア処理を行なうことも可能である。
【００２７】
図１Ｆに示すように、積層構造を１５０℃に加熱し、ＰＥＴフィルム１７を剥離する。
【００２８】
図１Ｇに示すように酸素ガスを用いたプラズマＰ２により、エポキシ樹脂層１３の表面処理(ライトエッチング)を行い、水酸基を形成可能な粒子１６を確実に表出させる。粒子１６がエポキシ樹脂１３に覆われている場合、粒子１６上表面上のエポキシ樹脂１３を除去し、粒子１６が表出するようにする。
【００２９】
水酸基を形成可能な粒子は、径１μｍ以下であることが好ましいと説明したが、大きな粒径の粒子を用いると、図１Ｇに示したライトエッチング工程で、絶縁樹脂層表面の表面粗さを大きくしてしまう。
【００３０】
図１Ｈに示すように、粒子１６を露出した積層構造をシランカップリング剤１９に浸漬し、表面処理をする。水酸基形成可能な粒子１６を介して、エポキシ樹脂層１３表面にシランカップリング剤２０が結合する。例においては、アミノ系シランカップリング剤の１ｗｔ％水溶液を用いた。例えば、信越化学社から入手可能な、商品名ＫＢＭ−９０３を用いた。
【００３１】
図１Ｉに示すように、無電解銅メッキ液２１に積層構造を浸漬し、シランカップリング剤を介してエポキシ樹脂層１３上にシード層としての銅層２２を無電解メッキする。なお図では、厚さを誇張して示している。例においては、無電解メッキ液として、例えば、ロームアンドハース社より入手可能な無電解銅メッキ液を用い、厚さ０．３μｍの銅シード層を無電解メッキした。
【００３２】
図１Ｊに示すように、ドライフィルムレジストを用いて、シード層２２の上にレジストマスク２３を形成する。レジストマスク形成後、電解銅メッキ液２４中に浸漬し、対向電極との間に電流を流して、主配線層である銅層２５を電解メッキする。例においては、ドライフィルムレジストとして、日立化成社より入手可能な、商品名ＲＹ３２１５，厚さ１５μｍのドライフィルムレジストを用い、レジストマスクは、ライン／スペース＝１０μｍ／１０μｍのパターンとした。また、電解メッキ液として硫酸銅、硫酸、および光沢剤等を混合した硫酸銅メッキ液を用い、厚さ１５μｍの銅層を電解メッキした。
【００３３】
図１Ｋに示すように、主配線層である電界メッキ層の輪郭を画定したドライフィルムレジストのレジストマスク２３を除去する。
【００３４】
図１Ｌに示すように、（硫酸＋過酸化水素）溶液を用いたウェットエッチングにより、露出している、無電解銅メッキのシード層２２を除去する。同じ銅で形成された主配線層２５もエッチングされるが、厚さ０．３μｍのシード層のエッチングであるため、主配線層の厚さの減少は許容範囲内に抑えることができる。このようにして、下層配線上に、ビアホールを有する絶縁樹脂層、下層配線に接続され、所望パターンを有する銅配線層を形成する。
【００３５】
例においては、厚さ１５μｍ、ライン／スペース＝１０μｍ／１０μｍの銅配線が形成できた。なお、シード層のエッチングは、ドライで行なうことも可能である。
【００３６】
比較のため、実施例１同様の条件で、下地構造上に半硬化状態のエポキシ樹脂層をラミネートし、シリカ粒子添加処理は行なわず、保護フィルムもラミネートせず、エポキシ樹脂の硬化、レーザ光によるビアホール形成、デスミア処理を行なった。デスミア処理後の絶縁樹脂層の表面粗さは約２μｍになった。このエポキシ樹脂層上に無電解メッキ、レジストマスク形成、電解メッキの工程を行ったが、ライン／スペース＝１０μｍ／１０μｍの配線は形成できなかった。
【００３７】
図１Ｍに示すように、複数の配線層を積層することにより、多層配線基板を形成する。図において、ガラスエポキシ基板１０の上に、第１銅配線層Ｗ１，第１絶縁樹脂層Ｒ１，第２銅配線層Ｗ２，第２絶縁樹脂層Ｒ２，第３銅配線層Ｗ３，第３絶縁樹脂層Ｒ３，第４銅配線層Ｗ４，第４絶縁樹脂層Ｒ４、第５銅配線層Ｗ５が積層される。上層配線Ｗ２−Ｗ５は、実施例１に従って作成することができる。なお、積層数は任意に選択できる。
【００３８】
実施例１においては、絶縁樹脂層表面に水酸基を形成可能な粒子を付着させ、保護樹脂フィルムで覆って、絶縁樹脂層内に押し込んだ。保護樹脂フィルムに水酸基を形成可能な粒子を付着させ、絶縁樹脂層に押し当てて、保護樹脂フィルムに覆われた状態で水酸基を形成可能な粒子を絶縁樹脂層に押し込むこともできる。
【００３９】
図２Ａ，２Ｂは、実施例２による配線形成工程を示す多層配線基板の断面図である。
【００４０】
図２Ａに示すように、保護樹脂フィルムであるＰＥＴフィルム１４をシリカ粒子縣濁液１５に浸漬し、表面にシリカ粒子１６を分散させ、シリカ粒子を付着させたＰＥＴフィルムを形成する。例においては、まず、厚さ２５μｍの（硬化された）ＰＥＴフィルム１４表面を日放電子製プラズマ装置(型番ＮＶＣ−１０３)に酸素ガスを供給し、電力５００Ｗで３分間、プラズマ表面処理を行なった。表面をプラズマ処理で、清浄化、活性化したＰＥＴフィルム１４をシリカ粒子縣濁液１５に浸漬し、表面にシリカ粒子１６を付着させた。なお、ＰＥＴフィルム、シリカ粒子縣濁液等は実施例１と同様のものである。
【００４１】
図２Ｂに示すように、電極１２を形成した下地構造１１上に半硬化状態の熱硬化性エポキシ樹脂層１３ｐをラミネートする。シリカ粒子１６を付着させたＰＥＴフィルム１４をエポキシ樹脂層１３ｐ上に押し当ててラミネートする。積層構造を加熱して、エポキシ樹脂層１３ｐを硬化させる。その後、実施例１、図１Ｄ−１Ｌに示す工程同様の工程を行なう。
【００４２】
例においては、１８０℃で１時間加熱して、エポキシ樹脂を硬化させた。ライン／スペース＝１０μｍ／１０ｍμｍ、厚さ１５μｍの配線を形成できた。
【００４３】
上記実施例によれば、配線幅、配線間隔が１５μｍ以下の配線を精度高く形成することができる。配線の底面を平坦にできる。
【００４４】
絶縁樹脂層として、エポキシ樹脂層に換え、パナソニック電工から入手可能な半硬化状態のポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）樹脂層(商品名メグトロン６)も用いることができた。例においては、下地構造上に半硬化状態のＰＰＥ樹脂層、シリカ粒子処理済のＰＥＴフィルムを重ね合わせ、２００℃、１時間、圧力１．５ＭＰａの条件で真空中で熱プレスし、シリカ粒子をＰＰＥ樹脂層に押し込み、ＰＰＥ樹脂を硬化させた。その後、実施例１、図１Ｄ−１Ｌに示す工程同様の工程を行なうことで、ライン／スペース＝１０μｍ／１０ｍμｍ、厚さ１５μｍの配線を形成できた。
【００４５】
なお、絶縁(有機)樹脂として、エポキシ、ポリフェニルエーテルを用いたが、絶縁樹脂はレーザ加工可能な絶縁樹脂であればよく、これらに限らない。絶縁性を考慮すると、エポキシ、ポリイミド、ポリフェニルエーテル、テフロン等が好ましい。
【００４６】
水酸基を形成できる粒子は、シリカ粒子のみでなく、アルミナ粒子でも同様の作用効果が期待できる。ゴム粒子を用い得る可能性もある。絶縁樹脂層との組み合わせによっては、絶縁樹脂層を硬化した後に、水酸基を形成できる粒子を結合できる可能性もある。
【００４７】
保護樹脂膜は除去され製品には残らない。保護樹脂膜をＰＥＴで形成する場合を説明したが、レーザ加工可能で、デスミア処理に耐えるものであればよい。  上記実施例においては、保護樹脂フィルムをラミネートした後、絶縁樹脂層を硬化させる加熱処理を行なうので、加熱温度の耐熱性が必要である。絶縁樹脂層を硬化した後に、水酸基を形成できる粒子を結合させる場合は、耐熱性の要件は緩和される。保護樹脂層は、ＰＥＴフィルムやテフロンフィルムのように反応性のないフィルムでもよいし、ドライフィルムレジストのように反応性を有するフィルムでもよい。
【００４８】
カップリング剤として、分子中にアミノ基を有するアミノ系シランカップリング剤を用いたが、他のカップリング剤を用いることも可能である。分子中に、アミノ基、メルカプト基、エポキシ基，イミダゾール基、ビニル基、ジアルキルアミノ基、ピリジン基の少なくとも１つを含むシランカップリング剤を用いることが好ましい。
【００４９】
配線は、銅配線とすることが低電気抵抗とする上で好ましいが、電解メッキ層のシード層となる無電解メッキ層は薄くでき、電気抵抗に与える影響が小さいので、銅以外を用いることも可能である。例えば、ニッケル（Ｎｉ）やニッケル−銅（Ｎｉ−Ｃｕ）合金を用いることも可能である。シード層の厚さは０．５μｍ以下、主配線層の厚さは１０μｍ以上とすることが好ましい。
【００５０】
ビアホールを加工するレーザは、ＹＡＧレーザ等、炭酸ガスレーザ以外でも可能である。但し、銅配線にダメージを与えない点からは炭酸ガスレーザが好ましい。デスミア処理をドライで行なう場合は、ＣＦ４，ＳＦ６の少なくとも一方を含むガスを用いたドライエッチングを行なうことが好ましい。保護膜剥離後に、絶縁樹脂層を表面処理して、水酸基を形成可能な粒子を表出させる処理は、ライトエッチングであり、ドライエッチング又は紫外線照射で行なうことが好ましい。
【００５１】
以上実施例に沿って、本発明を説明したが、本発明はこれらに限るものではない。例えば、種々の変更、置換、組み合わせ、改良などが可能なことは、当業者に自明であろう。
【００５２】
以下、本発明の特徴を付記する。
【００５３】
（付記１）    
（ａ）下地配線を備える下地構造上に、絶縁樹脂層を形成し、
（ｂ）前記絶縁樹脂層表面に、水酸基を形成可能な粒子を配置すると共に、保護樹脂膜で覆い、
（ｃ）前記保護樹脂膜、前記絶縁樹脂層を貫通して、前記下地配線に達するビアホールをレーザ加工し、
（ｄ）前記レーザ加工によるスミアを除去し、
（ｅ）前記保護樹脂膜を除去し、
（ｆ）前記水酸基を形成可能な粒子にカップリング剤を結合し、
（ｇ）前記下地配線、前記絶縁樹脂層の上に、シード層を無電解メッキし、
（ｈ）前記シード層上に主配線層を電解メッキする、
多層配線基板の製造方法。
【００５４】
（付記２）
前記絶縁樹脂層が、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリフェニルエーテル、のいずれか１種を含む付記１記載の多層配線基板の製造方法。
【００５５】
（付記３）    
前記（ｂ）が、半硬化状態の前記絶縁樹脂層を前記粒子の縣濁液に浸漬し、前記絶縁樹脂層上に前記保護樹脂層を押し当て、前記絶縁樹脂層の熱硬化処理を行なう、付記１または２記載の多層配線基板の製造方法。
【００５６】
（付記４）    
前記（ｂ）が、前記保護樹脂層を前記粒子の縣濁液に浸漬し、前記絶縁樹脂層上に前記保護樹脂層を押し当て、前記絶縁樹脂層の熱硬化処理を行なう、付記１または２記載の多層配線基板の製造方法。
【００５７】
（付記５）  
前記（ｂ）が、前記保護樹脂層をプラズマ処理した後、前記粒子の縣濁液に浸漬する付記４記載の多層配線基板の製造方法。
【００５８】
（付記６）
前記保護樹脂層が、前記熱硬化処理において変質しない材料である付記１〜５のいずれか１項記載の多層配線基板の製造方法。
【００５９】
（付記７）    
前記（ｃ）が炭酸ガスレーザ光を用い、前記（ｄ）がＣＦ４，ＳＦ６の少なくとも一方と酸素とを用いたドライエッチング、または過マンガン酸塩を用いたウェットエッチングを含む、付記１〜６のいずれか１項記載の多層配線基板の製造方法。
【００６０】
（付記８）
前記（ｆ）が、ドライエッチング又は紫外線照射により、前記絶縁樹脂層に対するライトエッチングを行なった後、カップリング剤溶液に前記絶縁樹脂層を浸漬する付記１〜７のいずれか１項記載の多層配線基板の製造方法。
【００６１】
（付記９）    
前記水酸基を形成可能な粒子は、平均径が１μｍ以下である、シリカ粒子、アルミナ粒子、ゴム粒子のいずれかであり、前記カップリング剤はシランカップリング剤である、付記１〜８のいずれか１項記載の多層配線基板の製造方法。
【００６２】
（付記１０）
前記（ｇ）は、厚さ０．５μｍ以下の、銅、ニッケル、ニッケル合金のいずれかの層をシード層としてをメッキし、前記（ｈ）は、前記シード層の上にレジストマスクを形成し、厚さ１０μｍ以上の銅の主配線層を電解メッキする付記１〜９のいずれか１項記載の多層配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【００６３】
１１    下地構造、
１２    配線、
１３    絶縁樹脂層、
１５    縣濁液、
１６    水酸基を形成可能な粒子、
１７    保護樹脂膜、
１９    カップリング剤溶液、
２０    カップリング剤層、
２１    無電解メッキ液、
２２    シード(無電解メッキ)層、
２４    電解メッキ液、
２５    主配線（電解メッキ）層、
Ｌ    レーザ光、
Ｐ    プラズマ。
【図１−１】
2011171528.tif 000003
【図１−２】
2011171528.tif 000004
【図２】
2011171528.tif 000005