(57)【要約】【課題】半導体チップを搭載後の樹脂封止工程において、半導体チップを確実に封止する。【解決手段】基材１上にＣｕ箔２を用いて導電性パターン４を形成する。この際に、チップ搭載部１１に第１のベタパターン４Ａを形成し、基材１の外周の押さえ部１２にも第２のベタパターン４Ｂを角形状に形成する。この後に、ベタパターン４Ａ，４Ｂをレジスト層６で覆って基板１０を形成する。基板１０のチップ搭載部１１に半導体チップ２１を搭載させたら、トランスファモールド装置３１で半導体チップ２１をモールドする。上型３３で押さえ部１２を押さえ付けることで型締めを行う。押さえ部１２におけるレジスト層６の盛り上がりによって、半導体チップ２１と上型３３との間の距離として、モールド樹脂の流動に十分な距離が確保される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の基材上に導電性の第１のベタパターンを少なくとも１つ形成すると共に、前記基材の外周部分に第２のベタパターンを形成する工程と、
前記第１のベタパターンを絶縁層で覆って半導体チップを搭載するチップ搭載部を形成すると共に、前記第２のベタパターンを絶縁層で覆って押さえ部を形成する工程と、
前記基材に前記チップ搭載部及び前記押さえ部を形成した前記基板の前記チップ搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップを搭載させた前記基板を第１の型に載置し、第２の型で前記押さえ部を押さえ付け、前記第１及び第２の型で形成されるキャビティ内に樹脂を流し込んで前記半導体チップをモールドする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記基材の前記第１のベタパターンを形成した面と同じ面に前記第２のベタパターンを形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のベタパターンのサイズは、前記半導体チップのサイズ以上に形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２のベタパターンは、前記基材の外周部分に前記第１のベタパーンを囲む角形状に形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２のベタパターンは、前記第１のベタパターンと略同じ形状のパターンを含み、前記パターンは、前記第１のベタパターンと同一線上に形成されることを特徴とする請求項１又は請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、ガラスエポキシ樹脂等からなる基板に半導体チップを搭載し、半導体チップの電極と基板の電極パッドとを金等のワイヤで電気的に接続したものがある。
【０００３】
その基板は、マトリクス状に半導体チップを搭載するシート形状になっており、例えば５０ｍｍ×１００ｍｍのサイズに、半導体チップを搭載するチップ搭載部が複数形成されている。チップ搭載部には、半導体チップが１つ実装される。例えば、チップ搭載部が３×８個のマトリクス状に配置されている場合には、半導体チップも３×８個のマトリクス状に実装される。
【０００４】
半導体装置を製造する従来の方法としては、最初に基板のチップ搭載部に半導体チップを実装する。その後、基板をトランスファモールド装置の金型内にセットし、金型内のキャビティにモールド樹脂を供給する。そして、モールド樹脂を硬化させると、基板上の複数の半導体チップのそれぞれが樹脂でモールドされる。
【０００５】
続いて、基板の裏面の外部電極に半田ボールを搭載させ、リフローで電極パッドに半田ボールを溶融接合させてＢＧＡ（ball Grid Array）を形成する。その後、ダイシングによって個片化を行うと、半導体装置が完成する。
【０００６】
なお、基板には、半導体チップの電極と外部装置を電気的に接続されるために用いられる回路パターンが形成されている。基板がガラスエポキシ基板を用いて製造されている場合、樹脂製のコア基材にＣｕ箔を貼り付けてからエッチングによりパターンニングを行うと、回路パターンが形成される。
その後、レジストを電極パッド以外の領域に塗布すると、レジスト層が形成される。そして、レジスト層から露出する電極パッドに対し、電解メッキ等を用いてＮｉ−Ａｕメッキが施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−１２５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、図１２及び図１３に示すように、従来の基板１０１では、半導体チップ１２０を搭載するチップ搭載部１２１や、シート周辺部１２２に、レジストの平坦性を考慮して網目パターン１０４Ａ，１０４Ｂが形成されている。さらに、網目パターン１０４Ａ，１０４Ｂやその他の回路パターンを覆うように、レジスト層１２６が形成されている。なお、図１２は、理解を容易にするために、パターン１０４Ａ，１０４Ｂを実線で表示してあるが、実際に各パターン１０４Ａ，１０４Ｂはレジスト層１２６の下に隠れている。
このような基板１０１では、網目パターン１０４Ａ，１０４Ｂのパターンの隙間にレジストが流れ込むのでパターン上に形成するレジスト層１２６の平坦度が良好になる。
【０００９】
また、図１４及び図１５に示すような基板１０１では、チップ搭載部１１１にベタパターン１３４Ａを採用し、シート周辺部１２２には網目パターンが用いられている。なお、
ベタパターン１３４Ａは、面積が比較的に大きくて開口を有しない金属パターンである。
【００１０】
この基板１０１では、シート周辺部１２２の網目パターンによって、この領域のレジスト層１２６の平坦性が確保される。さらに、チップ搭載部１１１をベタパターン１３４Ａにすることで、チップ搭載部１１１の電気特性が改善されると共に、半導体チップを固定する接着剤に基板側から水分が侵入することが防止される。なお、図１４は、理解を容易にするために、パターン１０４Ｂ，１３４Ａを実線で表示してあるが、実際に各パターン１０４Ｂ，１３４Ａはレジスト層１２６の下に隠れている。
【００１１】
しかしながら、レジスト層１２６において、チップ搭載部１１１にベタパターン１３４Ａを採用すると、網目パターン１０４Ｂのような隙間がないので、ベタパターン１３４Ａ上のレジスト層１２６が盛り上がってしまう。また、ベタパターン１３４Ａは、隙間が無いことからＣｕ箔の伸縮の影響を受け易くなり、ベタパターン１３４Ａ自体が盛り上がってしまうこともある。
【００１２】
このため、図１４に示すように、チップ搭載部１１１の高さが、シート周辺部１２２の高さに比べて高くなる。このような高さの差ｄＨは、約２０μｍ〜３０μｍに達することもある。そして、このようなチップ搭載部１１１に半導体チップを搭載すると、レジストが盛り上がった分だけ半導体チップ１２０の位置が相対的に高くなってしまう。
【００１３】
チップ搭載部１１１に実装した半導体チップ１２０を、トランスファモールド装置を用いて樹脂でモールドする際には、図１５及び図１６に示すように、モールド樹脂を下型１３２及び上型１３３からなる金型のゲート１４１から、矢印に示すようにエアベント１３６に向って流動させる。
【００１４】
ここで、モールド樹脂が金型内で流動する際には、半導体チップ１２０が障害物になって流動性を低下させる。つまり、図１６に矢印で示すように、モールド樹脂は、半導体チップ１２０が無い領域でキャビティ１３５が形成する比較的に広い空間内を流動できるが、半導体チップ１２０が配置されている領域では、半導体チップ１２０と上型１３３との間に形成された狭い空間ではモールド樹脂の流動性は良好である。しかし、図１５に矢印で示すように、半導体チップ１２０が無い領域に比べて半導体チップ１２０が配置された領域におけるモールド樹脂の流動性が悪くなる。
【００１５】
モールド樹脂が金型内で流動する際は、半導体チップ１２０が障害物となって流動性を低下させる。つまり、図１５、１６の矢印で示すように、モールド樹脂は、半導体チップ１２０が無い領域でキャビティ１３５が形成する比較的に広い空間内では、モールド樹脂の流動性は良好である。しかしながら半導体チップ１２０が配置された領域は、半導体チップ１２０と上型１３３との間が狭いので、モールド樹脂の流動性は悪くなる。
【００１６】
特に、チップ搭載部１１１にベタパターン１３４Ａを採用した場合、半導体チップ１２０から金型１３２，１３３までの間隔Ｈｐａが小さくなるので、半導体チップ１２０の周囲のうち、エアベント１３６に近い側にモールド樹脂が充分に充填されない領域１３０が残ってしまうことがあった。なお、モールド樹脂は、流動中に硬化が進行するので、エアベント１３６に近づくほど、その粘度が高くなる。このため、このようなモールド樹脂の未充填の領域１３０は、特に金型１３２，１３３のベント部付近に多く見られる傾向がある。
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、半導体チップを搭載後の樹脂封止工程において、半導体チップを確実に封止することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願の一観点によれば、基板の基材上に導電性の第１のベタパターンを少なくとも１つ形成すると共に、前記基材の外周部分に第２のベタパターンを形成する工程と、前記第１のベタパターンを絶縁層で覆って半導体チップを搭載するチップ搭載部を形成すると共に、前記第２のベタパターンを絶縁層で覆って押さえ部を形成する工程と、前記基材に前記チップ搭載部及び前記押さえ部を形成した前記基板の前記チップ搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップを搭載させた前記基板を第１の型に載置し、第２の型で前記押さえ部を押さえ付け、前記第１及び第２の型で形成されるキャビティ内に樹脂を流し込んで前記半導体チップをモールドする工程と、を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、チップ搭載部と押さえ部の両方にベタパターンを用いたので、チップ搭載部と押さえ部のそれぞれの絶縁層が略同じ量だけ盛り上がる。これにより、金型を押さえ部に押し付けたときに、レジスト層の盛り上がり量だけ金型が基板に対して持ち上げられるので、金型と半導体チップの間の距離が確保される。これにより、モールド樹脂を流動させるのに充分なスペースが確保されて半導体チップを確実にモールドすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図２】図２は、レジストの塗布方法の一例としてのカーテンコート法を説明する図である。
【図３】図３は、ベタパターンを形成した基板の平面図である。
【図４】図４は、チップ搭載部に半導体チップを搭載した図である。
【図５】図５は、トランスファモールド装置に基板をセットし、型締めした状態を示す図である。
【図６】図６は、下型にセットした基板を示す平面図である。
【図７】図７は、図６のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図８】図８は、モールド樹脂の流れを模式的に示す図である。
【図９】図９は、半導体チップをモールドした図である。
【図１０】図１０は、半導体装置の断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の平面図である。
【図１２】図１２は、チップ搭載部と押さえ部の両方に網目パターンを用いた従来の半導体装置の製造工程を説明する断面図である。
【図１３】図１３は、図１２に示す基板の平面図である。
【図１４】図１４は、チップ搭載部にベタパターンを用い、押さえ部に網目パターンを用いた従来の半導体装置の製造工程を説明する断面図である。
【図１５】図１５は、図１４に示す基板の平面図である。
【図１６】図１６は、図１４に示す基板に搭載させた半導体チップをモールドする工程を説明する図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
発明の目的および利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素および組み合わせによって実現され達成される。
前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、典型例および説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない、と理解すべきである。
【００２１】
以下に、図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。図面において、同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【００２２】
（第１の実施の形態）
最初に、半導体チップ取り付け用の基板として使用されるガラスエポキシ樹脂基板（以下、基板という）の製造方法について説明する。
図１（ａ）に示すように、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂等からなるシート状の基材１の両面のそれぞれに、シート状のＣｕ箔２が１枚ずつ貼り付けられる。
なお、図示を省略するが、Ｃｕ箔２を貼り付けた基材１にドリルやレーザ等で貫通孔を開け、この後にＣｕメッキを行うと、基材１の表面と裏面とを繋ぐビアホールが形成される。
【００２３】
さらに、開口部を有するマスクをＣｕ箔２上に形成し、例えばウェットエッチングを行ってマスクの開口部から露出するＣｕ箔２を除去する。この後に、マスクを除去すると、図１（ｂ）に示すように、Ｃｕからなる導電性パターン４が形成される。導電性パターン４には、ベタパターン４Ａ，４Ｂ、配線やパッドを構成する回路パターン４Ｃ，４Ｄ及び網目パターン４Ｅなどが含まれる。
【００２４】
第１のベタパターン４Ａは、基材１上の所定位置であって、後に半導体チップを搭載する位置（以下、チップ搭載部１１という）に矩形に形成される。第１のベタパターン４Ａの大きさは、半導体チップの大きさ以上になっている。さらに、第１のベタパターン４Ａの厚さは、回路パターン４Ｃ，４Ｄ及び網目パターン４Ｅの厚さと略同じである。なお、第１のベタパターン４Ａの形状は、矩形に限定されない。
【００２５】
また、第２のベタパターン４Ｂは、基材１上のトランスファモールド時に金型によって押さえ付けられる領域（以下、押さえ部１２という）に形成される。第２のベタパターン４Ｂは、基材１に対して第１のベタパターン４Ａと同じ面、つまり表面側のみに形成されており、チップ搭載部１１に形成された複数の第１のベタパターン４Ａの全体を囲むように、切れ目の無い中抜きの四角形状に形成されている。第２のベタパターン４Ｂの厚さは、第１のベタパターン４Ａの厚さと略同じである。第２のベタパターン４Ｂの幅は、金型との間に必要な接触面積が得られる値、例えば５ｍｍ〜１０ｍｍになっている。
【００２６】
さらに、回路パターン４Ｃ，４Ｄ（第３のベタパターン）は、基材１の裏面と表面のそれぞれに複数形成される。これら回路パターン４Ｃ，４Ｅは、他の機器、半導体チップなどと電気的な接続を形成するための電極パッド５として使用される。
【００２７】
そして、網目パターン４Ｅは、基材１の裏面側で、チップ搭載部１１に対応する領域と、押さえ部１２に対応する領域のそれぞれに形成されている。この実施の形態で、網目パターン４Ｅの網目の線幅は、ベタパターン４Ａ，４Ｂの幅より充分に狭い。例えば、網目パターン４Ｅの網目の線幅が０．２ｍｍ〜０．３ｍｍであるのに対し、ベタパターン４Ａ，４Ｂは５ｍｍ〜１０ｍｍ又はそれ以上になっている。この実施の形態では、基材１の裏面側に網目パターン４Ｅを採用することで、裏面側のレジスト層６の平坦性を確保している。
なお、これらパターン４Ａ，４Ｂ及び、回路パターン４Ｃ，４Ｄ並びに網目パターン４Ｅは、１つの工程で同時に形成されることが好ましいが、別々の工程で形成しても良い。また、回路パターン４Ｃ，４Ｄは、第１のベタパターン４Ａに接続されていても良い。
【００２８】
次に、図１（ｃ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、導電性パターン４及び基材１を覆うようにレジスト層６（絶縁層）が形成される。レジスト層６の形成にあたっては、例えば、導電性パターン４を形成した基材１の両面のそれぞれに液状のレジストを塗布してから、乾燥させる。図２に一例を示すような、カーテンコート法を用いてレジストを塗布する場合には、導電性パターン４を形成した基材
１が一対のローラ２０間に挿入される。一対のローラ２０の間の上には、液膜状のレジスト６Ａが供給されており、基材１を一対のローラ２０の間から引き上げると、その両面にレジスト６Ａからなる膜が形成される。このようにして形成したレジスト６Ａの膜を硬化させると、レジスト層６が形成される。
【００２９】
このとき、電極パッド５の少なくとも一部がレジスト層６から露出するように、レジスト層６に開口部６Ｂを形成しておくと良い。開口部６Ｂを形成する方法としては、例えば、レジスト膜６を形成する前に、回路パターン４Ｃ，４Ｄ上の所定位置にマスクを形成しておき、レジスト層６を形成した後にマスクを除去する。また、レジスト６Ａとして感光性材料を用い、レジスト６Ａを露光、現像することにより、開口部６Ｂを形成しても良い。
【００３０】
これにより、レジスト層６に開口部６Ｂが形成され、下地のベタパターン４Ｃ，４Ｄの少なく一部が露出する。さらに、レジスト層６の開口部６Ｂから露出するベタパターン４Ｃ，４Ｄに対して電解メッキ等を行ってＮｉ及びＡｕからなるメッキ層７を形成する。ここまでの工程で、基板１０の製造が完了する。
【００３１】
図３に示すように、このようにして製造された基板１０は、第１のベタパターン４Ａをレジスト層６で覆った複数のチップ搭載部１１が所定の間隔で２次元に配列された構成を有する。図３では、チップ搭載部１１は、Ｘ方向に３つ配列され、Ｘ方向と直交するＹ方向には３つ以上配列されている。しかしながら、チップ搭載部１１の配列数は、これに限定されない。
また、基板１０の外縁部分には、第２のベタパターン４Ｂをレジスト層６で覆った押さえ部１２が多数のチップ搭載部１１を囲むように切れ目のない中抜きの四角形状に形成されている。さらに、図１（ｃ）に示すように、基板１０の表面及び裏面のそれぞれには、電極パッド５が複数設けられている。
【００３２】
ここで、チップ搭載部１１と押さえ部１２は、共にベタパターン４Ａ，４Ｂをレジスト層６で覆った構成を有する。さらに、ベタパターン４Ａ，４Ｂの基材１からの高さ（厚さ）は略等しい。このため、チップ搭載部１１におけるレジスト層６の盛り上がり量と、押さえ部１２におけるレジスト層６の盛り上がり量は略等しくなる。
このため、図１（ｃ）に示すように、基材１からチップ搭載部１１の上面までの高さと、基材１から押さえ部１２の上面までの高さは、略同じに高さＨａになっている。
【００３３】
なお、チップ搭載部１１と押さえ部１２の間でこのような高さの関係性を実現するために、押さえ部１２の第２のベタパターン４Ｂの幅は、高さＨａが得られる値、例えば第１のベタパターン４Ａの幅と同程度にすると良い。この場合、図３で、Ｘ方向の一方の側部に形成されている第２のベタパターン４ＢのＸ方向に平行な方向の幅は、第１のベタパターン４Ａの同じ方向の幅と略同じになる。図３で、Ｙ方向の両方の側部に形成されている第２のベタパターン４ＢのＹ方向に平行な方向の幅は、第１のベタパターン４Ａの同じ方向の幅と略同じになる。
【００３４】
次に、図４に示すように、この基板１０のチップ搭載部１１に、半導体チップ２１が実装される。半導体チップ２１は、その内部に半導体回路が形成されており、図示を省略するチップマウンタで吸着保持等され、チップ搭載部１１に搭載される。半導体チップ２１の裏面には、予め接着剤フィルム２２を貼り付けておく。そして、チップマウンタで半導体チップ２１を掴んで基板１０のチップ搭載部１１に搭載させる。このとき、チップマウンタは半導体チップ２１に対して所定の加重を加えると共に、熱を与えて接着剤フィルム２２を硬化させて半導体チップ２１を基板１０上のレジスト層６に固定する。その後、ワイヤボンディング装置を用いてＡｕ製のワイヤ２３で半導体チップ２１の電極と、基板１
０の電極パッド５とを電気的に接続される。
【００３５】
次に、図５及び図６に示すように、半導体チップ２１を搭載した基板１０をトランスファモールド装置３１にセットし、半導体チップ２１をモールドする。トランスファモールド装置３１は、下型３２（第１の型）と上型３３（第２の型）とからなる金型３４が上下に型開き可能に構成されている。基板１０は、下型３２と上型３３が形成するキャビティ３５内に収容される。下型３２には、基板１０を収容するための凹部３２Ａと、図示を省略するピンが設けられており、このピンを用いて下型３２に対する基板１０の位置合わせが行われる。さらに、下型３２の下面には吸着孔３６が複数形成されている。これら吸着孔３６を用いて基板１０を裏面から真空吸着することでモールド時の基板１０の位置ずれが防止される。
【００３６】
さらに、図５に示すように、金型３４の一方の側部には、ゲート３７が形成されている。ゲート３７は、図示を省略するホッパに接続されており、ゲート３７を通してキャビティ３５内にモールド樹脂３８を流入させることができる。キャビティ３５の高さは、例えば６００ｍｍになっている。金型３４の他方の側部には、エアベント３９が所定の間隔で複数設けられている。エアベント３９は、基板１０及び下型３２と、上型３３との間に設けられた数ｍｍの隙間を利用して形成されている。
【００３７】
モールドを行うときは、最初に上型３３を上昇させ、下型３２に基板１０を半導体チップ２１が上に向くようにセットする。この後、上型３３を下降させて型締めし、ゲート３７からモールド樹脂をキャビティ３５内に所定の圧力で流し込む。このとき、上型３３は、基板１０の押さえ部１２に押し付けられることで基板１０を固定しつつ、キャビティ３５を形成する。
【００３８】
金型３４は、例えば、約１８０℃に加熱され、液状のモールド樹脂３８がキャビティ３５内をゲート３７からエアベント３９に向って流動する。
【００３９】
ここで、モールド樹脂３８は、硬化しながら流動するため、エアベント３９側では樹脂粘度が高くなる。また、キャビティ３５内では、半導体チップ２１やワイヤ２３が障害物となって、半導体チップ２１の近傍におけるモールド樹脂３８の流動性は、半導体チップ２１がない領域に比べて低下する。
【００４０】
このため、図１６の従来例に示すように、半導体チップ１２０の上面から上型１３３までの間隔Ｈｐａが小さいと、半導体チップ１２０が搭載された領域の周囲におけるモールド樹脂の流路抵抗が大きくなって、半導体チップ１２０の無い領域と半導体チップ１２０を搭載した領域との間のモールド樹脂の流動スピードの差が大きくなってしまう。その結果、半導体チップ１２０の周囲にモールド樹脂が充分に充填されない領域が生じ、その状態でモールド樹脂を硬化させると、半導体チップ１２０の周囲に未充填の領域１３０が形成されてしまう。
【００４１】
これに対し、図７に示すように、この実施の形態では、チップ搭載部１１と、基板１０の外周の周縁部分に設けた押さえ部１２とが共にベタパターン４Ａ，４Ｂになっている。このため、チップ搭載部１１のレジスト層６の盛り上がり量に略等しい高さまで、押さえ部１２のレジスト層６が盛り上がっている。つまり、押さえ部１２は、チップ搭載部１１と略同じ高さに形成されている。
【００４２】
トランスファモールド装置３１の上型３３は、基板１０を押さえ部１２を上から押さえ付けている。したがって、第２のベタパターン４Ｂによってレジスト層６が盛り上がった量だけ、上型３３が高い位置に保持される。つまり、チップ搭載部１１のレジスト層６Ａ
が第１のベタパターン４Ａの存在によって盛り上がった量と略同じ量だけ上型３３の位置が高くなる。
【００４３】
このように、キャビティ３５内で半導体チップ２１の位置が高くなった分だけ、上型３３の位置も高くなり、上型３３の天井面の位置も高くなる。その結果、半導体チップ２１の上面と天井面との間隔がＨ１＞Ｈｐａになる。間隔Ｈ１は、モールド樹脂３８の流動に充分な距離になっている。そして、図８に矢印で示すように、モールド樹脂３８が、半導体チップ２１がない領域だけでなく、半導体チップ２１の上方を含む半導体チップ２１の近傍においても流動し易くなり、半導体チップ２１の周囲にモールド樹脂３８が行きわたる。その結果、半導体チップ２１の周囲にモールド樹脂３８が隙間無く供給される。
【００４４】
そして、キャビティ３５に注入したモールド樹脂３８が硬化したら、型開きをして基板１０を取り出す。これにより、図９に示すように、半導体チップ２１及びワイヤ２３が硬化したモールド樹脂３８に覆われる。
さらに、ボール付け工程として、基板１０の背面のマトリクス状に配置された電極端子となる回路パターン４Ｄの表面のメッキ層７にフラックスの付いた半田ボール４０を仮固定する。半田ボール４０は、リフロー炉を用いて一括で溶融、固着される。
【００４５】
次に、半導体チップ２１をモールドした基板１０を所定位置でダイシングにより個片化すると、図１０に示すように半導体装置４１が得られる。
【００４６】
以上、説明したように、この実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、モールド工程において金型３４によって押さえられる領域に、チップ搭載部１１と同様の第２のベタパターン４Ｂを採用することで、押さえ部１２の高さをチップ搭載部１１の高さと略同じにすることができる。これにより、半導体チップ２１と金型３４との間にモールド樹脂３８を流動させるのに充分なスペースが確保され、モールド樹脂３８の未充填を防止できる。
また、半導体チップ２１を薄くしなくてもモールドが可能になるので、半導体装置４１の反りや、強度の低下などを抑制できる。
【００４７】
さらに、図１２から図１５に示すような従来の半導体装置の製造工程で使用される金型を使用することができるので、新規に金型を作製する必要がなくなる。
基材１の裏面、つまりチップ搭載部１１及び押さえ部１２の反対側の面に、網目パターン４Ｅを形成したので、基板１０の裏面側でのレジスト層６の膨らみを抑制できる。
【００４８】
なお、半導体チップ２１の上方の領域においてモールド樹脂３８の流動性を良好にする観点からは、押さえ部１２のレジスト層６Ｂの盛り上がり量が、チップ搭載部１１のレジスト層６Ａの盛り上がり量より大きくなるように、ベタパターン４Ａ，４Ｂを形成しても良い。このようにすることで、半導体チップ２１と上型３３の間の距離がさらに大きくなって、モールド樹脂３８の流動性をさらに向上できる。
【００４９】
（第２実施の形態）
以下、この実施の形態について詳細に説明する。この実施の形態は、押さえ部を形成するベタパターンの形状が第１の実施の形態と異なる。
【００５０】
図１１に示すように、基板５１は、周縁部に押さえ部５２を有する。押さえ部５２は、導電性を有する第２のベタパターン５３と、第２のベタパターン５３を覆うレジスト層６とを有する。第２のベタパターン５３は、所定の間隔で配置された矩形のベタパターン４Ｇを連結パターン４Ｈでつないでおり、全体として切れ目のない角形になっている。ベタパターン４Ｇ及び連結パターン４Ｈは、Ｃｕ箔２を用いて形成されている。なお、第２の
ベタパターン５３において、モールド工程でゲート３７側に配置される側部には、連結パターン４Ｈのみが形成されているのが、この部分にもベタパターン４Ｇを配列させても良い。
【００５１】
ベタパターン４Ｇのサイズは、チップ搭載部１１のサイズと同程度になっている。例えば、チップ搭載部１１の第１のベタパターン４Ａの平面視におけるサイズがＬａ（ｍｍ）×Ｌｂ（ｍｍ）である場合、押さえ部１２のベタパターン４ＧのサイズもＬａ（ｍｍ）×Ｌｂ（ｍｍ）になる。
【００５２】
さらに、ベタパターン４Ｇの形成位置は、チップ搭載部１１の第１のベタパターン４Ａの配置に対応させてある。すなわち、モールド樹脂３８の注入方向に略平行なＸ方向と、Ｘ方向に直交するＹ方向のそれぞれにおいて、第１のベタパターン４Ａとベタパターン４Ｇは、同一ライン上にそれぞれの中心位置が一致するように配置されている。
【００５３】
また、連結パターン４Ｈは、ベタパターンから形成されており、その幅ｄＬは金型との間に必要な接触面積が得られる値、例えば５ｍｍ〜１０ｍｍになっている。
【００５４】
次に、半導体装置４１を製造方法について説明する。
この実施の形態では、第１の実施の形態と同様にして半導体装置４１を製造する。すなわち、押さえ部５２のベタパターン４Ｇ，４Ｈは、Ｃｕ箔２をパターニングして形成する。さらに、ベタパターン４Ｇ，４Ｈ上にレジストを塗布してから硬化させてレジスト層６を形成する。ベタパターン４Ｇの形状は、チップ搭載部１１の第１のベタパターン４Ａの形状に略等しいので、レジストの盛り上がり量や、レジストが盛り上がたときの形状がチップ搭載部１１と押さえ部５２で略等しくなる。
【００５５】
半導体チップ２１をモールドするときは、基板５１をトランスファモールド装置３１の下型３２にセットする。上型３３を下降させて型締めを行うと、基板５１の押さえ部５２が下型３２と上型３３に挟まれる。チップ搭載部１１と略同じ形状のベタパターン４Ｇの部分に上型３３を当接させることで、押さえ部５２におけるレジスト層６の盛り上がり量に相当する距離だけ、半導体チップ２１から上型３３の天井面までの距離が大きくなり、モールド樹脂３８の流動に必要なスペースが確保される。
【００５６】
モールドが終了したら、基板５１をトランスファモールド装置３１から取り出して、ダイシングにより個片化する。これにより、図１０に示すような半導体装置４１が得られる。
【００５７】
この実施の形態によれば、押さえ部５１のベタパターン４Ｇの形状をチップ搭載部１１の第１のベタパターン４Ａの形状と略同じにしたので、押さえ部５１とチップ搭載部１１のレジストの盛り上がり高さを略一致させることができる。これにより、半導体チップ２１の上方にモールド樹脂３８を流動させるのに必要なスペースが確保され、樹脂の未充填を防止できる。その他の効果は、第１の実施の形態と同じである。
【００５８】
また、押さえ部５２は、ベタパターン４Ｇが存在しない領域でも連結パターン４Ｅによってレジストが基板５１の外周に沿って盛り上げられるので、モールド工程時のモールド樹脂の液漏れを防止できる。
【００５９】
なお、各実施の形態において、チップ搭載部１１及び押さえ部１２が形成される基板は、多層配線構造を有しても良い。
また、押さえ部１２，５２の第２のベタパターン４Ｂ，５３は、少なくとも１つのスリットで切れ目を設けても良い。例えば、図６や図１１において、ゲート３７近傍の領域に
第２のベタパターン４Ｂ，５３を設けないことも可能である。押さえ部５２においては、連結パターン４Ｇを部分的に設けないことで切れ目を形成しても良い。
【００６０】
図６及び図１１において、ゲート３７に臨む基板１０，５１の側縁部は、押さえ部１２，５２の領域が小さくなっているが、これは、この領域は金型３４による基板１０，５１の押さえ込みに殆ど寄与しないためにレジスト層６を盛り上げる必要がないためである。しかしながら、この部分も基板１０，５１の他の側縁部と同様の幅の押さえ部１２，５２を形成しても良い。
【００６１】
さらに、第２のベタパターン４Ｂ，５３は、角形に限定されない。
また、半導体チップ２１をモールドする際に使用する金型は、半導体チップ２１に臨む型が基板１０，５１の押さえ部１２，５２を押さえ付ける構成を有していれば良く、上下に型開きする下型３２と上型３３に限定されない。
【００６２】
ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例および条件に限定することなく解釈すべきであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができると理解すべきである。
【００６３】
以下に、各実施の形態の特徴を付記する。
（付記１）  基板の基材上に導電性の第１のベタパターンを少なくとも１つ形成すると共に、前記基材の外周部分に第２のベタパターンを形成する工程と、前記第１のベタパターンを絶縁層で覆って半導体チップを搭載するチップ搭載部を形成すると共に、前記第２のベタパターンを絶縁層で覆って押さえ部を形成する工程と、前記基材に前記チップ搭載部及び前記押さえ部を形成した前記基板の前記チップ搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップを搭載させた前記基板を第１の型に載置し、第２の型で前記押さえ部を押さえ付け、前記第１及び第２の型で形成されるキャビティ内に樹脂を流し込んで前記半導体チップをモールドする工程と、を含む半導体装置の製造方法。
（付記２）  前記基材の前記第１のベタパターンを形成した面と同じ面に前記第２のベタパターンを形成することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）  前記第１のベタパターンのサイズは、前記半導体チップのサイズ以上に形成されることを特徴とする付記１又は付記２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）  前記第２のベタパターンは、前記基材の外周部分に前記第１のベタパーンを囲む角形状に形成することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）  前記押さえ部の厚さを前記チップ搭載部の厚さ以上に形成することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）  前記第２のベタパターンは、前記第１のベタパターンと略同じ形状のパターンを含み、前記パターンは、前記第１のベタパターンと同一線上に形成されることを特徴とする付記１又は付記４に記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）  前記第２のベタパターンは、前記第１のベタパターンと略同じ形状の前記パターンと、前記パターンをつなぐ連結パターンとを有することを特徴とする付記６に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００６４】
１  基材
４  回路パターン
４Ａ  第１のベタパターン
４Ｂ，５３  第２のベタパターン
４Ｅ  網目パターン
４Ｇ  ベタパターン
４Ｈ  連結パターン
６  レジスト層（絶縁層）
１０，５１  基板
１１  チップ搭載部
１２，５２  押さえ部
２１  半導体チップ
３２  下型（第１の型）
３３  上型（第２の型）
３４  金型
４１  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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