(57)【要約】      （修正有）【課題】微細な穴を有する板状体を処理液に浸漬して行う湿式処理において、穴に気泡が残留することをより十分に抑制し、より均一な湿式処理を実現することが可能な湿式処理方法及び湿式処理装置を提供する。【解決手段】密閉容器１１内に板状体３を保持した状態で密閉容器１１内を減圧する減圧工程と、減圧工程の後，密閉容器１１内が減圧された状態で密閉容器１１内へ処理液２に溶解可能な溶解性気体８を導入する溶解性気体導入工程と、溶解性気体導入工程の後，密閉容器１１内が溶解性気体８で充満された状態で密閉容器１１内へ処理液２を導入する処理液導入工程とを備えることにより、微細な穴に気泡が残留しない状態で基板３の湿式処理ができるようにしている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
穴を有する板状体を処理液に浸漬して湿式処理を行う湿式処理方法において、
密閉容器内に板状体を保持した状態で密閉容器内の雰囲気を,処理液に溶解可能な溶解性気体に置換する密閉容器内雰囲気置換工程と、
密閉容器内雰囲気置換工程の後，密閉容器内が溶解性気体で充満された状態で密閉容器内へ処理液を導入する処理液導入工程とを備えた
ことを特徴とする湿式処理方法。
【請求項２】
前記密閉容器内雰囲気置換工程として、
密閉容器内に板状体を保持した状態で密閉容器内を減圧する減圧工程と、
減圧工程の後，密閉容器内が減圧された状態で密閉容器内へ溶解性気体を導入する溶解性気体導入工程とを備えた
ことを特徴とする請求項１に記載の湿式処理方法。
【請求項３】
処理液を入れた処理液槽を設けるとともに密閉容器に開閉可能な扉部を設け、
処理液導入工程では、密閉容器および扉部のうち少なくとも扉部の部分を処理液槽内の処理液に浸漬させ、この状態で扉部を開放することにより密閉容器内に処理液が導入されるようにした
ことを特徴とする請求項1または２に記載の湿式処理方法。
【請求項４】
処理液は，水または水を溶媒とした水溶液であり、
溶解性気体は，水溶性気体である
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の湿式処理方法。
【請求項５】
水溶性気体は，アンモニアまたは塩化水素である
ことを特徴とする請求項４に記載の湿式処理方法。
【請求項６】
穴を有する板状体を処理液に浸漬して湿式処理を行う湿式処理装置において、
内部に板状体を保持する板状体保持機構部を有するとともに板状体が保持された状態で密閉状態とすることのできる密閉容器と、
密閉容器内の雰囲気を処理液に溶解可能な溶解性気体に置換することのできる密閉容器内雰囲気置換手段と、
密閉容器内が溶解性気体で充満された状態で密閉容器内へ処理液を導入することのできる処理液供給手段とを備えた
ことを特徴とする湿式処理装置。
【請求項７】
前記密閉容器内雰囲気置換手段として、
密閉容器内を減圧することのできる真空排気手段と、
密閉容器内が減圧された状態で密閉容器内へ溶解性気体を導入することのできる溶解性気体供給手段とを備えた
ことを特徴とする請求項６に記載の湿式処理装置。
【請求項８】
前記処理液供給手段として、処理液を入れた処理液槽を備えるとともに、密閉容器に配設された開閉可能な扉部と、密閉容器を上昇および下降させることができ，下降時には密閉容器を処理液槽内の処理液に浸漬することのできる密閉容器駆動部とを設け、
密閉容器駆動部により密閉容器および扉部のうち少なくとも扉部の部分を処理液槽内の処理液に浸漬させた状態で扉部を開放することにより密閉容器内に処理液が導入されるようにした
ことを特徴とする請求項６または７に記載の湿式処理装置。
【請求項９】
処理液は，水または水を溶媒とした水溶液であり、
溶解性気体は、水溶性気体である
ことを特徴とする請求項６ないし８のいずれか１項に記載の湿式処理装置。
【請求項１０】
水溶性気体は，アンモニアまたは塩化水素である
ことを特徴とする請求項９に記載の湿式処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細な穴等の複雑形状を有する半導体基板，プリント配線板などの板状体（基板）を処理液に浸漬して行うエッチング，洗浄，めっきなどの湿式処理において、微細な穴等に気泡が滞留し処理液の接触が妨げられることによる不具合を発生させることなく、均一な湿式処理を実現するための湿式処理方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板，プリント配線板などの基板に対する湿式処理として、エッチング，洗浄，めっきなどの処理が行われるが、微細な穴等の複雑形状を有する半導体基板，プリント配線板などの基板を処理液に浸漬して行う湿式処理では、微細な穴等に残留する気泡が問題となる。
【０００３】
図５は従来の湿式処理装置を示す構成図である。図５（ａ）に示されるように、湿式処理槽１内に入れられた処理液２に処理対象の板状体（基板）３が浸漬されている。図５（ｂ）は、板状体３（図５（ａ））におけるＣ部拡大図であり、板状体３の微細な穴４の部分の断面構造を例示するものである。この穴４は非貫通の穴となっており、穴４の内部に気泡５が残留した状態が示されている。そして、この穴４のような非貫通の穴では特に気泡が残留しやすい。
【０００４】
なお、穴の形状としては、例えば穴径０．２ｍｍ以下、アスペクト比１以上のものでは、上記のような気泡残留の問題が有る。
このように、基板の湿式処理において微細な穴の内部に気泡が残留していると、気泡が残留している穴の部分で処理液の接触不足が発生することになり、これにより、成膜不良や洗浄残りなどの不良が発生する。
【０００５】
そして、上述のような微細な穴等を有する基板を処理液に浸漬して行う湿式処理において微細な穴等に気泡が残留することを抑制する対策（気泡除去対策）として例えば次のような方式が提案されている。
【０００６】
（従来方式１）
非貫通孔を有する基板を浴槽内に入れためっき液に浸漬して、振動及び揺動を与えると同時に浴槽内を減圧することにより非貫通孔内の気泡を排出して非貫通孔内にめっき液が入り易くするものである（例えば特許文献１参照）。
【０００７】
（従来方式２）
微細な穴が形成された基板をめっき槽に入れためっき液に浸漬して、超音波で微細な穴に積極的に気泡を発生させた後、めっき槽ごと減圧して微細な穴内の気泡を除去（脱泡）するものであって、めっき液を微細な穴内部に行き渡らせる攪拌の効果を奏するようにしたものである（例えば特許文献２参照）。
【０００８】
（従来方式３）
非貫通穴を有する基板を処理液槽に基板面が処理液面と垂直になるように浸漬して、基板の上下方向の振動に円運動を組み合わせることによって非貫通孔内の気泡を除去するようにしたものである（例えば特許文献３参照）。
【０００９】
（従来方式４）
基板の非貫通穴の底部に更に小さな脱泡穴を設けて、非貫通穴の底部にたまった気泡が脱泡穴から排出することができるようにしたものである（例えば特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平０５−２１１３８４号公報
【特許文献２】特開２０００−１０１２３０号公報
【特許文献３】特開平０７−３２６８９２号公報
【特許文献４】特開平０９−３２６５３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述のように、微細な穴等を有する基板の湿式処理における気泡除去対策として例えば従来方式１〜４が提案されているが、それぞれ次のような点が問題と考えられる。
（従来方式１における問題）
従来方式１は、非貫通孔を有する基板をめっき液に浸漬した後に減圧することで、非貫通孔内に滞留した気泡を膨張させ非貫通孔内から除去しようとしているものであるが、この方式では、非貫通孔内に滞留した気泡のうち、膨張により非貫通孔からはみ出した部分の気泡は除去されるものの、残りの部分の気泡は残留したままとなる。また、この方式では、減圧したままでめっき処理を実施するため、見かけ上気泡は大きい状態で存在していることとなり、気泡除去対策として大きな効果は期待できない。
【００１２】
（従来方式２における問題）
従来方式２は、超音波によるキャビティ発生により微細な穴内の気泡を除去し、さらに減圧により気泡を低減しようとしているものであるが、この方式では、キャビティの発生位置にばらつきが生じるので、基板全面で均一な気泡除去効果を奏するようにして気泡を完全に除去することは困難である。
【００１３】
（従来方式３における問題）
従来方式３は、基板の上下方向の振動に円運動を加えた揺動により、非貫通穴内の気泡の除去効果を高めようとしているものであるが、この方式も、気泡残留の程度は低減するものの、完全な除去は困難と考えられ、また、アスペクト比が大きい非貫通穴では気泡が残留する可能性が高い。
【００１４】
（従来方式４における問題）
従来方式４は、基板の非貫通穴の底部に更に小さな脱泡穴を設けることで気泡の残留を抑制しようとしているものであるが、この方式では、基板における全ての非貫通穴の底部に脱泡穴を形成しなければならないため、基板設計上の制約が大きいことが難点である。
【００１５】
このように、微細な穴等を有する基板の湿式処理における気泡除去対策のうち、湿式処理プロセスの改良を図った従来方式１〜３では気泡除去効果がまだ不十分であり、基板構造の改良を図った従来方式４では特に基板設計上の制約が大きいことが難点である。
【００１６】
そして、従来方式４におけるような基板設計上の制約が大きいことは実製品への適用において基本的な問題となることを考慮すると、微細な穴等、そして特に非貫通の微細な穴を有する基板の湿式処理における気泡除去対策としては、湿式処理プロセスの更なる改良により気泡除去効果の向上を図ることが適当と考えられる。
【００１７】
このため、本発明は、上記のような問題点を解決し、例えば気泡が特に残留しやすい非貫通の微細穴などの穴を有する板状体（基板）を処理液に浸漬して行う湿式処理において、穴に気泡が残留することをより十分に抑制し、より均一な湿式処理を実現することが可能な湿式処理方法及び湿式処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明によれば、穴を有する板状体を処理液に浸漬して湿式処理を行う湿式処理方法において、密閉容器内に板状体を保持した状態で密閉容器内の雰囲気を,処理液に溶解可能な溶解性気体に置換する密閉容器内雰囲気置換工程と、密閉容器内雰囲気置換工程の後，密閉容器内が溶解性気体で充満された状態で密閉容器内へ処理液を導入する処理液導入工程とを備えた構成とする（請求項１の発明）。
【００１９】
上記請求項１の発明によれば、密閉容器内における板状体（例えば半導体基板、プリント配線板などの基板）の周囲の雰囲気が、湿式処理のための処理液（例えば水を溶媒とした水溶液）に溶解可能な溶解性気体（例えば水溶性気体）に置換されるので、この溶解性気体が板状体の周囲に穴の内部も含めて充満した状態となる。そして、板状体の周囲において気泡発生の原因となる大気中ガス成分が排除されているとともに処理液に溶解可能な溶解性気体が充満している状態で処理液が導入されることにより、溶解性気体を溶解させながら処理液が板状体面に濡れ拡がり、さらに、溶解性気体が充満している穴の内部にも濡れ拡がることになる。このため、例えば気泡が特に残留しやすい非貫通の微細な穴を有する板状体であっても、穴の内部に処理液が行き渡ることになり、穴内に気泡が残留することなく板状体の全面にわたって処理液が接触している状態とすることができ、これにより、部分的な処理液接触不足による不良をなくし、均一な湿式処理を実現することができるようになる。
【００２０】
また、上記請求項１に記載の湿式処理方法において、前記密閉容器内雰囲気置換工程として、密閉容器内に板状体を保持した状態で密閉容器内を減圧する減圧工程と、減圧工程の後，密閉容器内が減圧された状態で密閉容器内へ溶解性気体を導入する溶解性気体導入工程とを備えた構成とすることができる（請求項２の発明）。
【００２１】
そして、上記請求項１または２に記載の湿式処理方法においては、処理液を入れた処理液槽を設けるとともに密閉容器に開閉可能な扉部を設け、処理液導入工程では、密閉容器および扉部のうち少なくとも扉部の部分を処理液槽内の処理液に浸漬させ、この状態で扉部を開放することにより密閉容器内に処理液が導入されるようにした構成とするとよい（請求項３の発明）。
【００２２】
また、上記請求項１ないし３のいずれか１項に記載の湿式処理方法において、処理液は，水または水を溶媒とした水溶液であり、溶解性気体は，水溶性気体である構成とすることができる（請求項４の発明）。
【００２３】
また、さらに、上記請求項４に記載の湿式処理方法においては、水溶性気体は，アンモニアまたは塩化水素である構成とすることができる（請求項５の発明）。
上記請求項５の発明において、アンモニアまたは塩化水素は、水に対する溶解度が大きいことから、水溶性気体として特に好適である。
【００２４】
次に、本発明によれば、穴を有する板状体を処理液に浸漬して湿式処理を行う湿式処理装置において、内部に板状体を保持する板状体保持機構部を有するとともに板状体が保持された状態で密閉状態とすることのできる密閉容器と、密閉容器内の雰囲気を処理液に溶解可能な溶解性気体に置換することのできる密閉容器内雰囲気置換手段と、密閉容器内が溶解性気体で充満された状態で密閉容器内へ処理液を導入することのできる処理液供給手段とを備えた構成とする（請求項６の発明）。
【００２５】
上記請求項６の発明によれば、密閉容器内における板状体（例えば半導体基板、プリント配線板などの基板）の周囲の雰囲気を、密閉容器内雰囲気置換手段により、湿式処理のための処理液（例えば水を溶媒とした水溶液）に溶解可能な溶解性気体（例えば水溶性気体）に置換して、この溶解性気体が板状体の周囲に穴の内部も含めて充満した状態となるようにすることができる。そして、処理液供給手段により、板状体の周囲において気泡発生の原因となる大気中ガス成分が排除されているとともに処理液に溶解可能な溶解性気体が充満している状態で処理液を導入することにより、溶解性気体を溶解させながら処理液が板状体面に濡れ拡がり、さらに、溶解性気体が充満している穴の内部にも濡れ拡がるようにすることができる。このため、例えば気泡が特に残留しやすい非貫通の微細な穴を有する板状体であっても、穴の内部に処理液が行き渡ることになり、穴内に気泡が残留することなく板状体の全面にわたって処理液が接触している状態とすることができ、これにより、部分的な処理液接触不足による不良をなくし、均一な湿式処理を実現することができるようになる。
【００２６】
上記請求項６に記載の湿式処理装置において、前記密閉容器内雰囲気置換手段として、密閉容器内を減圧することのできる真空排気手段と、密閉容器内が減圧された状態で密閉容器内へ溶解性気体を導入することのできる溶解性気体供給手段とを備えた構成とすることができる（請求項７の発明）。
【００２７】
そして、上記請求項６または７に記載の湿式処理装置においては、前記処理液供給手段として、処理液を入れた処理液槽を備えるとともに、密閉容器に配設された開閉可能な扉部と、密閉容器を上昇および下降させることができ，下降時には密閉容器を処理液槽内の処理液に浸漬することのできる密閉容器駆動部とを設け、密閉容器駆動部により密閉容器および扉部のうち少なくとも扉部の部分を処理液槽内の処理液に浸漬させた状態で扉部を開放することにより密閉容器内に処理液が導入されるようにした構成とすることができる（請求項８の発明）。
【００２８】
また、上記請求項６ないし８のいずれか１項に記載の湿式処理装置において、処理液は，水または水を溶媒とした水溶液であり、溶解性気体は，水溶性気体である構成とすることができる（請求項９の発明）。
【００２９】
また、さらに、上記請求項９に記載の湿式処理装置においては、水溶性気体は，アンモニアまたは塩化水素である構成とすることができる（請求項１０の発明）。
上記請求項１０の発明において、アンモニアまたは塩化水素は、水に対する溶解度が大きいことから、水溶性気体として特に好適である。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、例えば気泡が特に残留しやすい非貫通の微細穴などの穴を有する板状体を処理液に浸漬して行う洗浄、エッチング、めっきなどの湿式処理において穴に気泡が残留することにより発生する不具合を防止し、板状体全面に均一な湿式処理を施すことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施例１による湿式処理装置を示す構成図
【図２】図１の湿式処理装置による湿式処理方法を示す工程図
【図３】本発明の実施例２による湿式処理装置を示す構成図
【図４】図３の湿式処理装置による湿式処理方法を示す工程図
【図５】従来の湿式処理装置を示す構成図
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態を図１〜図４に示す実施例に基づいて説明する。同一の構成要素については、同一の符号を付け、重複する説明は省略する。なお、本発明は、下記の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲内で適宜変形して実施することができるものである。
［本発明の実施形態］
本発明は、微細な穴を有する（例えば半導体基板、プリント配線板などの）板状体（基板）を（水を溶媒とした水溶液などの）処理液に浸漬して行う（例えばエッチング、洗浄、めっきなどの）湿式処理において微細な穴に気泡が残留することを抑制するための対策として、密閉容器内に板状体を保持した状態で密閉容器内の雰囲気を，処理液に溶解可能な（例えば水溶性気体などの）溶解性気体に置換し、密閉容器内が溶解性気体で充満された状態で密閉容器内へ処理液を導入するようにしたものである。これにより、本発明では、穴を有する板状体の周囲に処理液に溶解可能な溶解性気体が充満した状態で処理液が導入されることによって、溶解性気体を溶解させながら処理液が板状体面に濡れ拡がるとともに、溶解性気体が充満している穴の内部にも濡れ拡がることになるので、穴内に気泡が残留することなく板状体の全面にわたって処理液が接触している状態とすることができ、均一な湿式処理を実現することができるようになる。
【実施例１】
【００３３】
図１は実施例１による湿式処理装置を示す構造図であり、図２は実施例１による湿式処理方法における処理プロセスの一例を示す工程図である。
本発明の実施例１は、処理液２を入れた処理液槽１３を設けるとともに、密閉容器１１に開閉可能な開閉扉１４を設け、密閉容器１１および開閉扉１４のうち少なくとも開閉扉１４の部分を処理液槽１３内の処理液２の液面下に浸漬させ、この状態で開閉扉１４を開放することにより、溶解性気体８で充満された状態の密閉容器１１内へ処理液２が導入されるようにしたものである。
【００３４】
（イ）実施例１における湿式処理装置の構成：
図１の湿式処理装置は、図１（ａ）に示されているように、処理液２が入れられた処理液槽１３、板状体（基板）３を保持するための板状体保持機構１６が内部に配設されているとともに板状体３を保持した状態で密閉構造とすることのできる密閉容器１１、真空排気配管４４を介して密閉容器１１に接続された真空排気手段４１、および溶解性気体供給配管３４を介して密閉容器１１に接続された溶解性気体供給手段３１を備えている。
【００３５】
密閉容器１１の下方端部には密閉容器１１内の空間を開放状態および密閉状態とすることのできる開閉扉１４が設けられているとともに、密閉容器１１を矢印Ｂで示されるように上昇および下降させることのできる密閉容器駆動部１５が設けられている。
【００３６】
そして、真空排気手段４１としては、真空ポンプ４２がバルブ４３を介して真空排気配管４４に接続されている。ここで、バルブ４３は、常時は閉状態であり、真空排気時のみ開状態とする。
【００３７】
また、溶解性気体供給手段３１としては、例えば溶解性気体８が貯留されたガスボンベなどの溶解性気体供給源３２がバルブ３３を介して溶解性気体供給配管３４に接続されている。ここで、バルブ３３は、常時は閉状態であり、溶解性気体供給時のみ開状態とする。
【００３８】
また、処理液槽１３、開閉扉１４および密閉容器駆動部１５は、後述するように、処理液導入工程では処理液供給手段１２として機能する。
なお、実施例１における真空排気配管４４および溶解性気体供給配管３４は、それぞれ、密閉容器１１の上下動に対応できるようにするため、可とう性を備えたものとなっている。
【００３９】
次に、図１（ｂ）は、湿式処理の対象となる板状体（基板）３（図１（ａ））におけるＡ部拡大図であり、微細な穴４の部分の断面構造を例示するものである。この穴４は非貫通の穴となっており、特に気泡が残留しやすいものとなっている。
【００４０】
（ロ）実施例１における湿式処理方法の構成：
図２により、実施例１による湿式処理方法における処理プロセスの一例をその工程順に説明する。なお、図２では、密閉容器１１に接続された真空排気手段４１、溶解性気体供給手段３１などの図示は省略している。
【００４１】
（板状体装着工程）（図２（ａ））
密閉容器１１に処理対象の板状体（基板）３を入れて板状体保持機構１６で板状体３を保持した状態とする。なお、板状体３は、開閉扉１４を開放して密閉容器１１内に入れるようにしてもよく、また、開閉扉１４とは別に、密閉処理可能な板状体３用の（図示されない）挿入機構部を設けて、この挿入機構部から密閉容器１１内に入れるようにしてもよい。また、この板状体装着工程では、密閉容器１１内の雰囲気は大気６となっている。
【００４２】
（減圧工程）（図２（ｂ））
板状体装着工程の後、密閉容器１１内に板状体３を保持し、開閉扉１４を閉じて密閉容器１１を密閉した状態で、真空排気手段４１により密閉容器１１内を減圧して、減圧雰囲気７（真空雰囲気）とする。なお、減圧工程で減圧された密閉容器１１内の真空度は常圧の１０００分の１程度（約１〜１０Ｐａ）以下であればよい。
【００４３】
（溶解性気体導入工程）（図２（ｂ））
減圧工程の後，密閉容器１１内が減圧された状態で、溶解性気体供給手段３１により密閉容器１１内へ処理液２に溶解可能な溶解性気体８を導入し、これにより、密閉容器１１内の雰囲気を溶解性気体８に置換する。なお、溶解性気体導入工程で溶解性気体８を充満した後の密閉容器１１内の圧力は常圧でよい。
【００４４】
（処理液導入工程）（図２（ｃ）〜（ｄ））
溶解性気体導入工程の後、密閉容器１１内が溶解性気体８で充満された状態で、密閉容器駆動部１５によって、密閉容器１１および開閉扉１４のうち少なくとも開閉扉１４の部分が処理液２中の液面下に浸漬するように密封容器１１を処理液槽１３内に下降させ、この浸漬状態で開閉扉１４を開放することにより、密閉容器１１内へ処理液２を導入する。このとき、密閉容器１１内の溶解性気体８は処理液２中に溶解していき、溶解性気体８の溶解により密閉容器１１内が減圧され、処理液２は密閉容器１１内へ吸引されるようにして導入されていく。これに伴い、処理液２が密閉容器１１内の隅々まで行き渡るとともに、板状体３の面に沿って濡れ拡がることになる。そして、板状体３における穴４の内部に充満していた溶解性気体８も穴４部まで濡れ広がってきた処理液２に溶解する。これにより、気泡が特に残留しやすい非貫通の微細な穴４を有する基板であっても、穴４の内部に処理液２が行き渡ることになり、穴４の内部に気泡５が残留しない状態で、板状体３に対する処理液２による均一な湿式処理を行うことが可能となる。
【００４５】
なお、処理液導入工程において密閉容器１１を処理液２中の液面下に浸漬させる深さとして、密閉容器１１の全部を浸漬させるものとしてもよい。
また、この処理液導入工程では上述のように処理液槽１３、開閉扉１４および密閉容器駆動部１５が処理液供給手段１２として機能する。
【００４６】
（ハ）溶解性気体の種類：
なお、処理液２として水または水を溶媒とした水溶液を用いる場合、溶解性気体８としては水溶性気体を用いることになる。そして、水溶性気体としてはアンモニア、塩化水素、二酸化硫黄などが適用可能であり、特に水に対する溶解度が大きいという点でアンモニア、塩化水素が好適である。
【００４７】
（ニ）処理液導入工程後の湿式処理：
実施例１における処理液導入工程（図２（ｄ））の後における（エッチング、洗浄、めっきなどの）湿式処理は、例えば、次のようにして行うことができるが、これらに限定されるものではない。
【００４８】
（ａ）密閉容器１１自体に例えば（図示されない）めっき用電極部などの湿式処理機構部を設けておき、板状体３が密閉容器１１内に装着された状態のままで湿式処理を行う。
【００４９】
（ｂ）（図示されない）移送機構により板状体３を密閉容器１１下方端の開口部から処理液槽１３内の処理液２中に引き出し、処理液槽１３内に設けられた例えば（図示されない）めっき用電極部などの湿式処理機構部に装着して湿式処理を行う。
【実施例２】
【００５０】
図３は実施例２による湿式処理装置を示す構成図であり、図４は実施例２による湿式処理方法における処理プロセスの一例を示す工程図である。
本発明の実施例２は、上述の実施例１とは異なり、処理液供給手段２２により処理液供給配管２５を介して、溶解性気体８で充満された状態の密閉容器２１内へ処理液２を導入するようにしたものである。
【００５１】
（イ）実施例２における湿式処理装置の構成：
図３の湿式処理装置は、板状体（基板）３を保持するための板状体保持機構２６が内部に配設されているとともに板状体３を保持した状態で密閉構造とすることのできる密閉容器２１、真空排気配管４４Ａを介して密閉容器２１に接続された真空排気手段４１、溶解性気体供給配管３４Ａを介して密閉容器２１に接続された溶解性気体供給手段３１、および処理液供給配管２５を介して密閉容器２１に接続された処理液供給手段２２を備えている。
【００５２】
また、密閉容器２１の上蓋部には大気導入バルブ２７が接続されている。そして、密閉容器２１の底部には処理液排出配管５２が接続され、さらにバルブ５１を介して処理液排出系統に接続されている。これによって、密閉容器２１内が処理液２で満たされている状態で大気導入バルブ２７を開放するとともにバルブ５１を開放することにより、処理液２を処理液排出配管５２から排出することができるようになっているが、処理液２を排出するための構成は上記構成に限定されるものではない。
【００５３】
そして、真空排気手段４１としては、真空ポンプ４２がバルブ４３を介して真空排気配管４４Ａに接続されている。ここで、バルブ４３は、常時は閉状態であり、真空排気時のみ開状態とする。
【００５４】
また、溶解性気体供給手段３１としては、例えば溶解性気体８が貯留されたガスボンベなどの溶解性気体供給源３２がバルブ３３を介して溶解性気体供給配管３４Ａに接続されている。ここで、バルブ３３は、常時は閉状態であり、溶解性気体供給時のみ開状態とする。
【００５５】
また、処理液供給手段２２としては、処理液２が貯留された処理液槽２３がバルブ２４を介して処理液供給配管２５に接続されている。ここで、バルブ２４は、常時は閉状態であり、処理液供給時のみ開状態とする。
【００５６】
なお、実施例２における密閉容器２１は、（図示されない）めっき用電極部などの湿式処理機構部を備え、湿式処理槽として機能することができるものとなっている。
（ロ）実施例２における湿式処理方法の構成
図４により、実施例２による湿式処理方法における処理プロセスの一例をその工程順に説明する。なお、図４では、密閉容器２１に接続された真空排気手段４１、溶解性気体供給手段３１、処理液供給手段２２などの図示は省略している。
【００５７】
（板状体装着工程）（図４（ａ））
密閉容器２１内に処理対象の板状体（基板）３を入れて板状体保持機構２６で板状体３を保持した状態とした上で、大気導入バルブ２７および処理液排出用のバルブ５１は閉じて密閉容器２１を密閉状態とする。なお、この板状体装着工程では、密閉容器２１内の雰囲気は大気６となっている。
【００５８】
（減圧工程）（図４（ｂ））
板状体装着工程の後、真空排気手段４１により密閉容器２１内を減圧して、減圧雰囲気７（真空雰囲気）とする。なお、実施例１と同様に、減圧工程で減圧された密閉容器２１内の真空度は常圧の１０００分の１程度（約１〜１０Ｐａ）以下であればよい。
【００５９】
（溶解性気体導入工程）（図４（ｃ））
減圧工程の後，密閉容器２１内が減圧された状態で、溶解性気体供給手段３１により密閉容器２１内へ処理液２に溶解可能な溶解性気体８を導入し、これにより、密閉容器２１内の雰囲気を溶解性気体８に置換する。なお、実施例１と同様に、溶解性気体導入工程で溶解性気体８を充満した後の密閉容器２１内の圧力は常圧でよい。
【００６０】
（処理液導入工程）（図４（ｄ）〜（ｅ））
溶解性気体導入工程の後、密閉容器２１内が溶解性気体８で充満された状態で、処理液供給手段２２により処理液供給配管２５を介して密閉容器２１内へ処理液２を導入する。このとき、密閉容器２１内の溶解性気体８は処理液２中に溶解していき、溶解性気体８の溶解により密閉容器２１内が減圧され、処理液２は密閉容器２１内へ吸引されるようにして導入されていく。これに伴い、処理液２が密閉容器２１内の隅々まで行き渡るとともに、板状体３の面に沿って濡れ拡がることになる。そして、板状体３における穴４の内部に充満していた溶解性気体８も穴４部まで濡れ広がってきた処理液２に溶解する。これにより、気泡が特に残留しやすい非貫通の微細な穴４を有する基板であっても、穴４の内部に処理液２が行き渡ることになり、穴４の内部に気泡５が残留しない状態で、板状体３に対する処理液２による均一な湿式処理を行うことが可能となる。
【００６１】
（ハ）溶解性気体の種類：
なお、実施例１と同様に、処理液２として水または水を溶媒とした水溶液を用いる場合、溶解性気体８としては水溶性気体を用いることになる。そして、水溶性気体としてはアンモニア、塩化水素、二酸化硫黄などが適用可能であり、特に水に対する溶解度が大きいという点でアンモニア、塩化水素が好適である。
【００６２】
（ニ）処理液導入工程後の湿式処理：
実施例２における処理液導入工程（図４（ｅ））の後における（エッチング、洗浄、めっきなどの）湿式処理は、例えば密閉容器２１に設けられた（図示されない）めっき用電極部などの湿式処理機構部により行うことができる。
［本発明の適用対象］
（イ）本発明を適用可能な湿式処理としては、半導体基板、プリント配線板などの板状体（基板）に対するエッチング、洗浄、めっきなどが有り、さらに、めっきでは、電解めっき、無電解のいずれにも適用可能である。
【００６３】
（ロ）上述の実施形態では、本発明による気泡残留抑制効果について、特に非貫通の微細な穴４（図１（ｂ）参照））を有する板状体（基板）３を例として説明したが、貫通構造の微細な穴、その他の複雑形状を有する（半導体基板、プリント配線板などの）板状体（基板）に対する湿式処理においても気泡残留の問題は有り、本発明を有効に適用することができる。
【符号の説明】
【００６４】
１・・・湿式処理槽、２・・・処理液、３・・・板状体（基板）、４・・・穴、５・・・気泡、６・・・大気、７・・・減圧雰囲気（真空雰囲気）、８・・・溶解性気体（水溶性気体）
１１・・・密閉容器、１２・・・処理液供給手段、１３・・・処理液槽、１４・・・開閉扉、１５・・・密閉容器駆動部、１６・・・板状体保持機構
２１・・・密封容器、２２・・・処理液供給手段、２３・・・処理液槽、２４・・・バルブ、２５・・・処理液供給配管、２６・・・板状体保持機構、２７・・・大気導入バルブ
３１・・・溶解性気体供給手段、３２・・・溶解性気体供給源、３３・・・バルブ、３４、３４Ａ・・・溶解性気体供給配管
４１・・・真空排気手段、４２・・・真空ポンプ、４３・・・バルブ、４４、４４Ａ・・・真空排気配管
５１・・・バルブ、５１・・・処理液排出配管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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