(57)【要約】【課題】被処理基板に形成された塗布膜に乾燥処理を施す減圧乾燥装置において、乾燥処理後の塗布膜の面内均一性を向上し、配線パターン形成過程における前記塗布膜の残膜厚及び線幅の均一性を向上する。【解決手段】塗布膜が形成された基板Ｇをチャンバ２に収容し、前記チャンバ内を減圧環境とする工程において、前記チャンバ内の圧力を第一の減圧速度ｖ１で減圧し、前記溶剤の蒸気圧Ｐｅよりも高く、少なくとも前記溶剤が突沸的に蒸発することのない第一の圧力値Ｐ１とするステップと、前記第一の圧力値から少なくとも前記溶剤の蒸気圧となるまで、前記第一の減圧速度よりも低い第二の減圧速度ｖ２で緩やかに減圧するステップとを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布膜が形成された被処理基板を減圧環境下に置いて前記塗布膜中の溶剤を蒸発させ、前記塗布膜の乾燥処理を施す減圧乾燥方法であって、
塗布膜が形成された前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバ内を減圧環境とする工程において、
前記チャンバ内の圧力を第一の減圧速度で減圧し、前記溶剤の蒸気圧よりも高く、少なくとも前記溶剤が突沸的に蒸発することのない第一の圧力値とするステップと、
前記第一の圧力値から少なくとも前記溶剤の蒸気圧となるまで、前記第一の減圧速度よりも低い第二の減圧速度で緩やかに減圧するステップとを含むことを特徴とする減圧乾燥方法。
【請求項２】
前記チャンバ内の圧力を前記溶剤の蒸気圧とするステップの後、
更に、前記第二の減圧速度で減圧し、前記溶剤の蒸気圧よりも低い第二の圧力値とするステップを実施することを特徴とする請求項１に記載された塗布膜形成方法。
【請求項３】
塗布膜が形成された被処理基板を減圧環境下に置いて前記塗布膜中の溶剤を蒸発させ、前記塗布膜の乾燥処理を施す減圧乾燥装置であって、
塗布膜が形成された前記基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内を排気する排気手段と、前記チャンバからの排気量を調整する排気量調整手段と、前記チャンバ内の圧力を検出する圧力検出手段と、前記圧力検出手段の検出結果に基づき、前記排気量調整手段による排気調整量を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、
前記チャンバ内の圧力が、前記溶剤の蒸気圧よりも高く、少なくとも前記溶剤が突沸的に蒸発することのない第一の圧力値となるまでは第一の減圧速度で減圧するよう前記排気量調整手段を制御し、
前記第一の圧力値から少なくとも前記溶剤の蒸気圧となるまでは、前記第一の減圧速度よりも低い第二の減圧速度で緩やかに減圧するよう前記排気量調整手段を制御することを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項４】
前記制御手段は、
前記チャンバ内の圧力が、前記溶剤の蒸気圧よりも低い第二の圧力値となるまで前記第二の減圧速度で緩やかに減圧するよう前記排気量調整手段を制御することを特徴とする請求項３に記載された減圧乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布液が塗布された被処理基板を減圧環境下に置くことにより、前記基板上の塗布膜に乾燥処理を施す減圧乾燥方法及び減圧乾燥装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の製造においては、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成することが行われている。
前記フォトリソグラフィ工程は、具体的には次のように行われる。
先ず、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、塗布液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）が塗布されレジスト膜が形成される。そして、回路パターンに対応してレジスト膜が露光され、これが現像処理される。
【０００３】
このようなフォトリソグラフィ工程にあっては、図８（ａ）に示すようにレジストパターンＲに異なる膜厚（厚膜部Ｒ１と薄膜部Ｒ２）を持たせ、これを利用して複数回のエッチング処理を行うことによりフォトマスク数、及び工程数を低減することが可能である。尚、そのようなレジストパターンＲは、１枚で光の透過率が異なる部分を有するハーフトーンマスクを用いるハーフ（ハーフトーン）露光処理によって得ることができる。
【０００４】
このハーフ露光が適用されたレジストパターンＲを用いた場合の回路パターン形成工程について図８（ａ）〜（ｅ）を用いて具体的に説明する。
例えば、図８（ａ）において、ガラス基板Ｇ上に、ゲート電極２００、絶縁層２０１、ａ−Ｓｉ層（ノンドープアモルファスＳｉ層）２０２ａとｎ＋ａ−Ｓｉ層２０２ｂ（リンドープアモルファスＳｉ層）からなるＳｉ層２０２、電極を形成するためのメタル層２０３が順に積層されている。
また、メタル層２０５上には、前記ハーフ露光処理、及び現像処理により得られたレジストパターンＲが形成される。
【０００５】
このレジストパターンＲ（厚膜部Ｒ１及び薄膜部Ｒ２）の形成後、図８（ｂ）に示すように、このレジストパターンＲをマスクとして、メタル膜のエッチング（１回目のエッチング）が行われる。
次いで、レジストパターンＲ全体に対し、プラズマ中でアッシング（灰化）処理が施される。これにより、図８（ｃ）に示すように、膜厚が半分程度に減膜されたレジストパターンＲ３が得られる。
そして、図８（ｄ）に示すように、このレジストパターンＲ３をマスクとして利用し、露出するメタル膜２０３やＳｉ層２０２に対するエッチング（２回目のエッチング）が行われ、最後に図８（ｅ）に示すようにレジストＲ３を除去することにより回路パターンが得られる。
【０００６】
ところで、前記レジストパターンＲを形成するためのハーフ露光処理の前段工程においては、基板面へのレジスト液の塗布処理後、塗布されたレジスト膜を減圧環境下で乾燥させる減圧乾燥処理が行われる。
この減圧乾燥処理にあっては、レジスト液が塗布された基板をチャンバ内に収容し、チャンバ内をレジスト液中の溶剤の蒸気圧まで減圧し、所定時間の間、レジスト中の溶剤を蒸発させることにより乾燥処理を行うものである。
尚、基板に塗布されたレジスト液などの塗布液を減圧乾燥する減圧乾燥装置については、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−４７７９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、本願発明者らは、従来行われている減圧乾燥処理のように、その開始時にチャンバ内の圧力を溶剤の蒸気圧まで減圧すると、図９の測定結果に示すようにレジスト膜から溶剤が突沸的に蒸発し（２５ｓｅｃ付近）、これが減圧乾燥後のレジスト膜の均一性に悪影響を及ぼすことを知見した。
更には、前記したようにハーフ露光処理によって厚膜部Ｒ１及び薄膜部Ｒ２を有するレジストパターンＲを形成し、それを図８（ｃ）のようにアッシング処理した場合に、残膜として得られたレジストパターンＲ３（図８（ｃ））に、前記レジスト膜の不均一性により、ばらつきが生じることを知見するに至った。
具体的には、基板面内において、図１０（ａ）に示すように残膜パターンの膜厚、線幅が小さすぎる部位と、図１０（ｂ）に示すように大きすぎる部位とが混在するという課題があった。
【０００９】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、被処理基板に形成された塗布膜に乾燥処理を施す減圧乾燥装置において、乾燥処理後の塗布膜の面内均一性を向上し、配線パターン形成過程における前記塗布膜の残膜厚及び線幅の均一性を向上することのできる減圧乾燥方法及び減圧乾燥装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記した課題を解決するために、本発明に係る減圧乾燥方法は、塗布膜が形成された被処理基板を減圧環境下に置いて前記塗布膜中の溶剤を蒸発させ、前記塗布膜の乾燥処理を施す減圧乾燥方法であって、塗布膜が形成された前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバ内を減圧環境とする工程において、前記チャンバ内の圧力を第一の減圧速度で減圧し、前記溶剤の蒸気圧よりも高く、少なくとも前記溶剤が突沸的に蒸発することのない第一の圧力値とするステップと、前記第一の圧力値から少なくとも前記溶剤の蒸気圧となるまで、前記第一の減圧速度よりも低い第二の減圧速度で緩やかに減圧するステップとを含むことに特徴を有する。
尚、前記チャンバ内の圧力を前記溶剤の蒸気圧とするステップの後、更に、前記第二の減圧速度で減圧し、前記溶剤の蒸気圧よりも低い第二の圧力値とするステップを実施することが望ましい。
【００１１】
このような方法によれば、チャンバ内の圧力が溶剤の蒸気圧よりも高く、少なくとも前記溶剤が突沸的に蒸発することのない第一の圧力値の時点から、より低速度の緩やかな第二の減圧速度により減圧が行われる。
この制御により、基板面付近における圧力値は、ばらつくことなく面内均一な状態を維持して緩やかに減圧され、溶剤の蒸気圧に達する。
その結果、塗布膜からの溶剤の突沸的な蒸発が抑制され、低速度での溶剤の蒸発を行うことができ、レジストの乾燥状態を均一にすることができる。
また、レジストの乾燥状態が均一になることにより、例えばハーフ露光処理を用いた場合の配線パターン形成過程におけるパターン残膜厚及び線幅の均一性を向上することができる。
【００１２】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る減圧乾燥装置は、塗布膜が形成された被処理基板を減圧環境下に置いて前記塗布膜中の溶剤を蒸発させ、前記塗布膜の乾燥処理を施す減圧乾燥装置であって、塗布膜が形成された前記基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内を排気する排気手段と、前記チャンバからの排気量を調整する排気量調整手段と、前記チャンバ内の圧力を検出する圧力検出手段と、前記圧力検出手段の検出結果に基づき、前記排気量調整手段による排気調整量を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記チャンバ内の圧力が、前記溶剤の蒸気圧よりも高く、少なくとも前記溶剤が突沸的に蒸発することのない第一の圧力値となるまでは第一の減圧速度で減圧するよう前記排気量調整手段を制御し、前記第一の圧力値から少なくとも前記溶剤の蒸気圧となるまでは、前記第一の減圧速度よりも低い第二の減圧速度で緩やかに減圧するよう前記排気量調整手段を制御することに特徴を有する。
尚、前記制御手段は、前記チャンバ内の圧力が、前記溶剤の蒸気圧よりも低い第二の圧力値となるまで前記第二の減圧速度で緩やかに減圧するよう前記排気量調整手段を制御することが望ましい。
【００１３】
このような構成によれば、塗布膜からの溶剤の突沸的な蒸発が抑制され、低速度での溶剤の蒸発を行うことができ、レジストの乾燥状態を均一にすることができる。
また、レジストの乾燥状態が均一になることにより、例えばハーフ露光処理を用いた場合の配線パターン形成過程におけるパターン残膜厚及び線幅の均一性を向上することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、被処理基板に形成された塗布膜に乾燥処理を施す減圧乾燥装置において、乾燥処理後の塗布膜の面内均一性を向上し、配線パターン形成過程における前記塗布膜の残膜厚及び線幅の均一性を向上することのできる減圧乾燥方法及び減圧乾燥装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明にかかる一実施形態の全体概略構成を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明にかかる一実施形態の動作を示すフローである。
【図３】図３は、本発明にかかる一実施形態において、チャンバ内の減圧制御を示すグラフである。
【図４】図４は、本発明にかかる実施例１−４において、チャンバ内の圧力変化を示すグラフである。
【図５】図５は、本発明にかかる実施例１−４において、レジストの溶剤の蒸発速度の変化を示すグラフである。
【図６】図６は、本発明にかかる実施例５−７において、チャンバ内の圧力変化を示すグラフである。
【図７】図７は、本発明にかかる実施例５−７において、レジストの溶剤の蒸発速度の変化を示すグラフである。
【図８】図８（ａ）〜（ｅ）は、ハーフ露光処理を用いた配線パターンの一連の形成工程を説明するための断面図である。
【図９】図９は、従来の減圧乾燥方法を用いた場合の測定結果であって、チャンバ内の圧力変化、及びレジストの溶剤の蒸発速度の変化を示すグラフである。
【図１０】図１０（ａ），（ｂ）は、ハーフ露光処理を用いた配線パターンの形成工程において、レジストパターン残膜のばらつきを説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の減圧乾燥方法及び減圧乾燥装置にかかる一実施形態を、図１乃至図３に基づき説明する。
図１に示すように、この減圧乾燥装置１は、その内部空間を気密に維持するためのチャンバ２を備え、このチャンバ２は、下部チャンバ２ａと、その上を覆うように昇降移動可能に設けられた上部チャンバ２ｂとを備えている。
【００１７】
下部チャンバ２ａには、被処理基板であるガラス基板Ｇを載置するためのステージ４が設けられ、このステージ４は、基板搬入出を容易にするために、昇降可能なシャフト６によって支持されている。ステージ４上には、基板Ｇを載置するための複数の固定ピン５が設けられ、これら複数の固定ピン５は、ステージ４上に分散配置されている。尚、この固定ピン５は、基板Ｇと実質的に同じ材質（本実施形態ではガラス）で形成されていることが好ましい。
【００１８】
また、下部チャンバ２ａの各コーナー部には、４個の排気口１０（図１では、そのうち２つを示す）が設けられている。各排気口１０には排気管１１が連通し、排気管１１は排気ポンプ１７（排気手段）に接続されている。即ち、下部チャンバ２ａに上部チャンバ２ｂが密着してチャンバ２内が気密状態とされ、排気ポンプ１７により排気管１１を通じて排気することにより、チャンバ２内が減圧されて所定の真空状態となされるように構成されている。
【００１９】
排気管１１の途中には、流量調整バルブ１５（排気量調整手段）とメインバルブ１６とが設けられている。前記流量調整バルブ１５は、コンピュータからなる制御部２０によって、そのバルブ開度が制御され、この開度に応じてチャンバ２内からの排気量が決められる。
また、排気管１１には、チャンバ２内の圧力検出を行うための圧力検出部１８（圧力検出手段）が設けられており、制御部２０は圧力検出部１８の検出結果に基づき流量調整バルブ１５のバルブ開度を設定するようになされている。
また、制御部２０は、チャンバ２内の減圧を一定の制御に基づいて行うために、所定の制御プログラムを記憶し、減圧乾燥処理の開始時にこの制御プログラムが実行されるようになされている。
尚、この制御プログラムは、図３に示すように時間経過に伴い、チャンバ２内の圧力が変化するように制御を行うようになされている。また、この図３に実線で示す圧力線にあっては、直線的に圧力変化するものとしているが、それに限らず一点鎖線で示すように曲線的に変化させる制御を行ってもよい。
【００２０】
続いて、前記制御プログラムを用いた減圧乾燥処理について説明する。
前段工程において、基板Ｇの被処理面に塗布液であるレジスト液が塗布されると、減圧乾燥装置１に前記基板Ｇが搬入され、ステージ４上に載置される。
また、下部チャンバ２ａに対して上部チャンバ２ｂが閉じられ、気密状態のチャンバ２内に基板Ｇが収容される（図２のステップＳ１）。
【００２１】
チャンバ２内が気密状態となされると、排気ポンプ１７が駆動されると共にメインバルブ１６が開かれ、図３の時点ｔ０からチャンバ２内の排気が開始される。
ここで先ず制御部２０は、流量調整バルブ１５の開度を調整することによって、図３に示すようにチャンバ２内を第一の減圧速度ｖ１で減圧し、チャンバ２内の圧力をレジスト液の溶剤（例えばＰＧＭＥＡ）の蒸気圧Ｐｅよりも高い第一の圧力値Ｐ１（例えば図３の時点ｔ１における４００Ｐａ）とする（図２のステップＳ２）。尚、この第一の圧力値Ｐ１は、溶剤が突沸的に蒸発する圧力値よりも高く、前記溶剤が突沸的に蒸発することがない、例えば、溶剤が全く蒸発しない場合、及び多少蒸発する場合（例えば、図５の３０ｓｅｃ付近の蒸発速度の場合）を含む圧力値である。また、ここでいう溶剤の蒸気圧とは、減圧環境下における蒸気圧の値を示す。
【００２２】
チャンバ２内の圧力が第一の圧力値Ｐ１に達すると、制御部２０は流量調整バルブ１５の開度を閉じる方向に調整し、排気量を減少させることによって、前記第一の減圧速度ｖ１よりも遅い第二の減圧速度ｖ２で緩やかに減圧を行う（図２のステップＳ３）。
【００２３】
この第二の減圧速度ｖ２による緩やかな減圧制御は、図３に示すように第一の圧力値Ｐ１の時点ｔ１から第二の圧力値Ｐ２（例えば２５０Ｐａ）の時点ｔ３となるまで行われる。
尚、前記第二の圧力値Ｐ２は、レジストの溶剤の蒸気圧Ｐｅよりも低い値であり、前記第二の減圧速度ｖ２により緩やかに減圧を続けた場合にレジスト中の溶剤の蒸発が完了する時点ｔ３での圧力値である。前記第一の圧力値Ｐ１、第二の圧力値Ｐ２は、溶剤の種類等の諸条件に応じて予め設定されている。
【００２４】
ここで、制御部２０は、チャンバ２内の圧力が第一の圧力値Ｐ１から第二の圧力値Ｐ２に減圧されるまで間、圧力検出部１８の検出結果に基づき、チャンバ２内の減圧速度が前記第二の減速速度ｖ２付近（所定範囲内）にあるか否かを監視する（図２のステップＳ４）。
そして、チャンバ２内の減圧速度が所定範囲よりも小さい場合には（図２のステップＳ５）、排気流量が増加するよう流量調整バルブ１５の開度を大きくする（図２のステップＳ６）。一方、チャンバ２内の減圧速度が所定範囲よりも大きい場合には（図２のステップＳ５）、排気流量が減少するよう流量調整バルブ１５の開度を小さくする（図２のステップＳ７）。
【００２５】
また、図３に示すように、チャンバ２内の圧力が第一の圧力値Ｐ１から第二の圧力値Ｐ２に緩やかに減圧される間の時点ｔ２において、チャンバ２内の圧力は溶剤の蒸気圧Ｐｅに達する。
このため、チャンバ２内の圧力が緩やかに蒸気圧Ｐｅに達する時点ｔ２の少し前から、溶剤の蒸発が（突沸することなく）低速度で開始され、更に第二の圧力Ｐ２に達するまでの間、時間をかけて安定した蒸発速度で溶剤の蒸発が進行する。
【００２６】
そしてチャンバ２内の圧力が第二の圧力値Ｐ２まで減圧されると（図２のステップＳ８）、レジスト中の溶剤の蒸発が略完了し、制御部２０は排気ポンプ１７の駆動を停止し、減圧乾燥処理を終了する（図２のステップＳ９）。
【００２７】
以上のように、本発明に係る実施の形態によれば、チャンバ２内の圧力がレジストの溶剤の蒸気圧よりも高く、少なくとも前記溶剤が突沸的に蒸発することのない第一の圧力値Ｐ１の時点ｔ１から、より低速度の緩やかな減圧速度ｖ２により減圧が行われる。
この制御により、基板面付近における圧力は、ばらつくことなく面内均一な状態を維持して緩やかに減圧され、溶剤の蒸気圧に達する。
その結果、レジスト膜からの溶剤の突沸的な蒸発が抑制され、低速度での溶剤の蒸発を行うことができ、レジストの乾燥状態を均一にすることができる。
また、レジストの乾燥状態が均一になることにより、例えばハーフ露光処理を用いた場合の配線パターン形成過程におけるレジストパターンの残膜厚及び線幅の均一性を向上することができる。
【００２８】
尚、前記実施の形態においては、減圧乾燥装置１において排気量調整手段として流量調整バルブ１５を設け、その開度を調整することによりチャンバ２からの排気量の制御を行う構成としたが、本発明にあっては、その構成に限定されるものではない。
例えば、流量調整バルブ１５に替えて、排気管１１内にエアを流し込むエア導入手段（図示せず）を設け、そのエア導入量を調整することにより排気量の制御を行う構成としてもよい。
【００２９】
また、図３を用いて説明したように、圧力制御にあっては、第一の圧力値Ｐ１と第二の圧力値Ｐ２とを設定し、それらの圧力値に達するまでの減圧速度を制御するようにしたが、更に圧力値の設定数を増やし、より細かく減圧速度を制御してもよい。
例えば、図３に示すように第一の圧力値Ｐ１の付近に、さらに第三の圧力値Ｐ３、第四の圧力値Ｐ４を追加し、第一の圧力値Ｐ１に達するまでの減圧制御をより細かく行ってもよい。また、例えば、第一の気圧値Ｐ１と第二の気圧値Ｐ２との間に、第五の気圧値Ｐ５、第六の気圧値Ｐ６を設け、蒸気圧Ｐｅ付近の減圧制御をより細かく行ってもよい。
【００３０】
また、前記実施の形態においては、チャンバ２内において、基板Ｇをステージ４上に載置する構成としたが、その構成に限定されるものではなく、例えば、支持ピン、或いは搬送コロ（ローラ）上に載置する構成であってもよい。
【実施例】
【００３１】
続いて、本発明に係る塗布膜形成方向及び塗布膜形成装置について、実施例に基づきさらに説明する。
［実施例１−４］
実施例１−４では、レジスト塗布されたガラス基板を気密状態のチャンバ内に収容し、前記実施形態における第一の圧力値Ｐ１に相当する圧力値（４００Ｐａ）まで減圧した状態から、所定時間をかけて、第二の圧力値Ｐ２に相当する所定の圧力値まで減圧した。そして、４００Ｐａから第二の圧力値Ｐ２まで減圧する間に、溶剤の蒸発速度がどのように変化するか検証した。
尚、レジストにはＡＺ−ＳＲ２１０（ＡＺ社）、溶剤にはＰＧＭＥＡを用い、レジスト膜の塗布膜厚は１．５μｍとした。
また、前記第二の圧力値Ｐ２に相当する圧力値を、実施例１では２５０Ｐａ、実施例２では２００Ｐａ、実施例３では１５０Ｐａ、実施例４では１００Ｐａとした。
【００３２】
各実施例１−４におけるチャンバ内の圧力変化を図４に示す。また、そのときのレジスト溶剤の蒸発速度の変化を図５に示す。
図５から、最も減圧速度が緩やかな実施例１（４００Ｐａ→２５０Ｐａ）の場合に、溶剤の蒸発速度の変化が最も少なく、突沸的な蒸発が発生しないため好ましいことが確認された。
【００３３】
［実施例５−７］
実施例５−７では、前記実施形態における第一の圧力値Ｐ１に相当する圧力値を４００Ｐａとし、第二の圧力値Ｐ２に相当する所定の圧力値を２５０Ｐａとし、４００Ｐａから２５０Ｐａまで減圧するまでの時間によって溶剤の蒸発速度がどのように変化するか検証した。
尚、レジスト、溶剤、及び塗布膜厚は、実施例１−４と同じとした。
また、４００Ｐａから２５０Ｐａまで減圧するまでの時間を、実施例５では３５ｓｅｃ、実施例６では２５ｓｅｃ、実施例７では１５ｓｅｃとした。
【００３４】
各実施例５−７におけるチャンバ内の圧力変化を図６に示す。また、そのときのレジスト溶剤の蒸発速度の変化を図７に示す。
図７から、最も時間をかけることによって減圧速度が緩やかな実施例５の場合に、溶剤の蒸発速度の変化が最も少なく、突沸的な蒸発が発生しないため好ましいことが確認された。
以上の実施例１−７の結果から、少なくともレジスト液の溶剤が突沸的に蒸発することのない第一の圧力値Ｐ１から、時間をかけて緩やかに減圧を行うことによって、レジスト膜からの溶剤の突沸的な蒸発が抑制され、低速度での溶剤の蒸発を行うことができると確認した。
【００３５】
［実施例８］
実施例８では、前記実施形態における第一の圧力値Ｐ１に相当する圧力値を４００Ｐａとし、第二の圧力値Ｐ２に相当する所定の圧力値を２５０Ｐａとし、４００Ｐａから２５０Ｐａまで減圧した。
その結果得られたレジスト膜を用いてハーフ露光処理を行い、得られたレジストパターンのパターン線幅、及び残膜厚について、基板面内の２５のポイントで測定を行い、変動幅（ばらつき）を求めた。また、各測定ポイントにおいて、レジストパターン断面のテーパ角度（基板面に対する傾斜角：図８（ｃ）に示すθ角）を測定し、それらの平均値を求めた。
【００３６】
また、比較例１として、従来の減圧乾燥方法、即ちチャンバ内をレジストの溶剤の蒸気圧まで急激に減圧し、その圧力を維持することによって乾燥処理を行った基板について、実施例８と同様に変動幅、及びテーパ角度を求めた。
尚、実施例８及び比較例１におけるレジストにはＡＺ−ＳＲ２１０、溶剤にはＰＧＭＥＡを用い、レジスト膜の塗布膜厚は２．２μｍとした。
実施例８、及び比較例１の結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
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【００３８】
表１に示すように本発明に係る減圧乾燥方法を適用した実施例８によれば、従来方法を適用した比較例１の結果よりもレジストパターンの残膜厚、線幅ともに変動幅（ばらつき）が低減され、従来よりも基板面内での均一性が向上することを確認した。
また、テーパ角度は、実施例８では比較例１よりも小さくなり、この検証結果から、第一の圧力値Ｐ１〜蒸気圧Ｐｅの傾き（蒸発速度）を制御することでレジストパターンのテーパ角度を任意に制御できることを確認した。
【符号の説明】
【００３９】
１          減圧乾燥装置
２          チャンバ
２ａ        下部チャンバ
２ｂ        上部チャンバ
４          ステージ
５          固定ピン
６          昇降シャフト
１０        排気口
１１        排気管
１５        流量調整バルブ（排気量調整手段）
１６        メインバルブ
１７        排気ポンプ（排気手段）
２０        制御部
Ｇ          ガラス基板（被処理基板）
Ｐ１        第一の圧力値
Ｐ２        第二の圧力値
Ｐｅ        溶剤の蒸気圧
ｖ１        第一の減圧速度
ｖ２        第二の減圧速度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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