(57)【要約】      （修正有）【課題】広い温度範囲に亘って所要速度の信号伝送に必要な特性を満足できる低消費電力の光デバイスを提供する。【解決手段】環境温度が低温になると、バイメタル型遮蔽板１４が反ることで、チップ１が搭載されるマウント１１に形成した光吸収部１２に照射される後方出力光７の光量が増やされて、光吸収部１２での光吸収が増えて温度が上昇する。その結果、マウント１１上のチップ１の温度が上昇して、低温側の温度範囲を実質的に狭めることができる。【選択図】図３
2011258704.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前方および後方にレーザ光を出力するチップと、
前記チップを搭載するマウントと、
前記マウントに形成され、前記チップからの後方出力光を吸収することで温度が上昇する光吸収部と、
前記チップからの後方出力光が伝搬する領域内に配置され、環境温度が動作温度の範囲内で低温側に変化したときに、前記光吸収部に照射される前記後方出力光の光量を増やす光量調整手段と、を備えたことを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の光デバイスであって、
前記光量調整手段は、温度に応じて反り量が変わるバイメタル型遮蔽板を有し、該バイメタル型遮蔽板が前記チップからの後方出力光を遮蔽可能であり、かつ、環境温度が動作温度の範囲内で低温側に変化したときの前記バイメタル型遮蔽板の変形に従って前記後方出力光の遮蔽量が減るように、前記バイメタル型遮蔽板を配置したことを特徴とする光デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載の光デバイスであって、
前記光量調整手段は、温度に応じて伸縮する部材に固定された遮蔽板を有し、該遮蔽板が前記チップからの後方出力光を遮蔽可能であり、かつ、環境温度が動作温度の範囲内で低温側に変化したときの前記部材の収縮または伸長による前記遮蔽板の変位に従って前記後方出力光の遮蔽量が減るように、前記遮蔽板を配置したことを特徴とする光デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載の光デバイスであって、
前記光量調整手段は、前記チップの発振波長の温度依存性よりも透過波長特性の温度依存性が小さな透過フィルタを有し、前記チップからの後方出力光が前記透過フィルタを通って前記光吸収部に照射されるように、前記透過フィルタを配置し、かつ、環境温度が動作温度の範囲内で低温側に変化したときの前記チップの発振波長の変化に従って、前記透過フィルタにおける前記後方出力光の透過量が増えるように、前記透過フィルタの透過波長特性を設定したことを特徴とする光デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載の光デバイスであって、
前記光量調整手段は、前記チップの発振波長の温度依存性よりも反射波長特性の温度依存性が小さな反射フィルタを有し、前記チップからの後方出力光が前記反射フィルタで反射されて前記光吸収部に照射されるように、前記反射フィルタを配置し、かつ、環境温度が動作温度の範囲内で低温側に変化したときの前記チップの発振波長の変化に従って、前記反射フィルタにおける前記後方出力光の反射量が増えるように、前記反射フィルタの反射波長特性を設定したことを特徴とする光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信に利用される各種の光伝送装置に備えられる光デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光伝送装置では、ＸＦＰ（10 Gigabit Small Form-factor Pluggable）などの１０Ｇｂ／ｓの光トランシーバが広く市場で用いられてきている。このような光伝送装置は、極地付近などの寒冷地や、赤道付近の熱帯地で、空調設備の無い局舎や屋外などに設置される場合がある。この場合、光伝送装置に使用される光トランシーバに対して、例えば−４０〜８５℃のような広い温度範囲での動作保証を要求されることがある。
【０００３】
上記のような動作温度の拡大を実現する上での重要な課題の一つは、光トランシーバに搭載される半導体レーザについて必要な特性を満足させることである。電界吸収型変調器集積レーザ（ＥＭＬ：Electro-absorption Modulated Laser）のように、熱電冷却素子またはペルチェ素子とも呼ばれるＴＥＣ（Thermo-Electric Coolers）上で温度を一定に保つタイプの冷却型半導体レーザでは、環境温度に関係なく半導体レーザが所要の温度に制御されるため、動作温度の拡大が問題になる可能性は低い。一方、直接変調レーザ（ＤＭＬ：Direct Modulated Laser）のように、ＴＥＣのない非冷却型半導体レーザでは、広い温度範囲に亘って、１０Ｇｂ／ｓ等の所要速度の信号伝送に必要な特性（例えば、変調特性など）を満足させることは非常に難しいため、動作温度の拡大が問題になる。
【０００４】
上記の問題に対処した従来の技術としては、例えば、半導体レーザのマウント内部、または、半導体レーザのモジュールの外部にヒータを設け、サーミスタ等の温度センサを用いて、低温時にのみ、ヒータで半導体レーザを加熱する構成が知られている（例えば、特許文献１〜３参照）。このような従来の技術によれば、例えば、−２０〜９０℃のように低温側の温度範囲を実質的に狭めることができ、変調特性などの必要な特性を満足させることができるようになる。実際に、−２０〜９０℃の動作温度を保証した１０Ｇｂ／ｓ−ＤＭＬが市販されており入手可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第７４９２７９８号明細書
【特許文献２】特開２００１−９４２００号公報
【特許文献３】特開２００５−７２１９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のような従来の技術については、ヒータを用いて光デバイスを加熱させるため、該光デバイスを用いたモジュールの消費電力が増えるという本質的に解決できない課題がある。
【０００７】
本発明は上記の点に着目してなされたもので、広い温度範囲に亘って所要速度の信号伝送に必要な特性を満足できる低消費電力の光デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明による光デバイスの一態様は、前方および後方にレーザ光を出力するチップと、前記チップを搭載するマウントと、前記マウントに形成され、前記チップからの後方出力光を吸収することで温度が上昇する光吸収部と、前記チップからの後方出力光が伝搬する領域内に配置され、環境温度が動作温度の範囲内で低温側に変化したときに、前記光吸収部に照射される前記後方出力光の光量を増やす光量調整手段と、を備えるようにしたものである。
【発明の効果】
【０００９】
上記のような光デバイスによれば、環境温度が低温になった場合に、光量調整手段によって、マウントに形成した光吸収部に照射される後方出力光の光量が増やされるため、光吸収部における光吸収が増えてその温度が上昇し、結果的にマウントに搭載されたチップの温度が上昇することで、低温側の温度範囲を実質的に狭めることができる。よって、広い温度範囲に亘って所要速度の信号伝送に必要な特性を満足させることが可能になり、かつ、ヒータによる加熱などを必要としていないため、消費電力の上昇を招くこともない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一般的な半導体レーザの構成を示す断面図である。
【図２】第１実施形態の半導体レーザの構成（室温時）を示す断面図である。
【図３】第１実施形態の半導体レーザの構成（低温時）を示す断面図である。
【図４】第１実施形態の半導体レーザの構成（高温時）を示す断面図である。
【図５】第１実施形態の応用例の構成（室温時）を示す断面図である。
【図６】第１実施形態の応用例の構成（低温時）を示す断面図である。
【図７】第１実施形態の応用例の構成（高温時）を示す断面図である。
【図８】第２実施形態の半導体レーザの構成（室温時）を示す断面図である。
【図９】第２実施形態の半導体レーザの構成（低温時）を示す断面図である。
【図１０】第２実施形態の半導体レーザの構成（高温時）を示す断面図である。
【図１１】第３実施形態の半導体レーザの構成（室温時）を示す断面図である。
【図１２】第３実施形態の半導体レーザの構成（低温時）を示す断面図である。
【図１３】第３実施形態の半導体レーザの構成（高温時）を示す断面図である。
【図１４】第３実施形態の応用例の構成を示す断面図である。
【図１５】第４実施形態の半導体レーザの構成を示す断面図である。
【図１６】第４実施形態に用いる短波長透過フィルタの透過波長特性を示す図である。
【図１７】第５実施形態の半導体レーザの構成を示す断面図である。
【図１８】第５実施形態に用いる短波長透過フィルタの透過波長特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について添付図面を参照しながら詳細に説明する。
まず初めに、本発明を理解する上で有用であると考えられるため、一般的な半導体レーザの構造について、図１の断面図を参照しながら説明する。
【００１２】
図１において、半導体レーザチップ１は、通常、チップの固定や配線のためにマウント２上に半田などで固定される。ここで、半導体レーザチップ１は、回折格子に位相シフトを有する分布帰還型（ＤＦＢ：Distributed Feed-Back）のレーザチップであり、両端面は反射防止膜が形成されている。また、半導体レーザチップ１は、直接変調型レーザ（ＤＭＬ）であり、波長が１．３ｕｍ帯で、２ｋｍ程度の伝送距離の１０Ｇｂ／ｓ伝送に用いられる。上記半導体レーザチップ１は、非冷却型であるためＴＥＣ（Thermo-Electric Coolers）は無い。マウント２は、円柱形のステム３上に立設された柱４の先端部分に半田などで固定される。
【００１３】
半導体レーザチップ１の前方から出射される前方出力光５は、レンズ６により集光されて、図示を省略した光ファイバに集光される。なお、ＸＦＰなどのプラガブル光トランシーバに搭載されるＴＯＳＡ（Transmitter Optical Sub Assembly）では、前方出力光５は、レセプタクルの光ファイバスタブに集光される。位相シフト型のＤＦＢレーザの場合、チップの両端面は反射防止膜が形成されているので、前方出力光とほぼ同等の強度の光が、半導体レーザチップ１の後方より出射され、これを後方出力光７という。
【００１４】
後方出力光７は、前方出力光５の強度を一定に保つ制御（ＡＰＣ：Auto Power Control）を行う場合に、前方出力光５に損失を与えることなく、その強度をモニタするために活用される。ここでは、ステム３上における後方出力光７の到達範囲内にモニタＰＤ（Photo Detector）８が配置され、該モニタＰＤ８により後方出力光７の相対強度がモニタされ、そのモニタ結果を基にＡＰＣが行われる。後方出力光７が上記の用途以外で活用されることは通常ない。
【００１５】
また、半導体レーザチップ１は、湿度により劣化するために、レンズ６付きのキャップ９の周囲をステム３上に抵抗溶接して、乾燥窒素などにより気密封止される。上記のようにして構成された半導体レーザは、レーザＣＡＮ１０と呼ばれ、ＴＯＳＡやＢＩＤＩ（bi-directional）などの光トランシーバに用いられる。
【００１６】
上記のような一般的な非冷却型半導体レーザは、前述したように−４０〜８５℃のような広い温度範囲での動作保証を実現することが困難であり、ヒータを用いて低温時に半導体レーザを加熱して低温側の温度範囲を実質的に狭めたとしても、消費電力の増大が課題となる。そこで、本発明は、後方出力光を半導体レーザの加熱に活用することにより上記課題の解決を図る。以下、本発明による光デバイスの一つである半導体レーザの実施形態を詳しく説明する。
【００１７】
図２〜図４は、第１実施形態の半導体レーザの構成を示す断面図であって、図２は環境温度が室温（例えば、２５℃）の状態、図３は環境温度が低温（例えば、−４０℃）の状態、図４は環境温度が高温（例えば、８５℃）の状態をそれぞれ示している。ただし、図２〜図４において、前述の図１に示した構成と同じ部分には同一の符号が付してあり、以降の他の図面についても同様とする。
【００１８】
図２〜図４において、本実施形態の半導体レーザは、例えば、半導体レーザチップ１と、半導体レーザチップが固定されるマウント１１と、マウント１１に形成される光吸収部１２と、ステム３と、ステム３上に立設され先端部分にマウント１１が固定される柱４と、ステム３上の柱４とは異なる位置に立設される柱１３と、柱１３の先端部分に固定されるバイメタル型遮蔽板１４と、を備える。
【００１９】
なお、図２〜図４には、本実施形態の断面構造を分かり易くするために、前述の図１に示した一般的な半導体レーザにおけるレンズ６付きのキャップ９の図示を省略している。つまり、本実施形態においても、図１の場合と同様にレンズ付きのキャップの周囲をステム上に抵抗溶接すれば、レーザＣＡＮとしての使用が可能である。以降、他の実施形態の説明においてもレンズ付きのキャップの図示を省略するものとする。
【００２０】
半導体レーザチップ１、ステム３および柱４は、図１に示した一般的な半導体レーザに使用されているものと同様である。一方、半導体レーザチップ１が固定されるマウント１１は、図１のマウント２とは相違し、窒化アルミウム（ＡｌＮ）などの熱伝導率の高い材料からなり、略コ字型の断面形状における半導体レーザチップ１からの後方出力光７が照射される位置に光吸収部１２を有している。光吸収部１２は、例えば、１．３ｕｍ帯の近赤外光を効率良く吸収する赤外吸収材料をマウント１１の上記照射位置の表面に塗布するか、または、該赤外吸収材料を用いた薄板をマウント１１の上記照射位置に貼り合せて構成される。
【００２１】
上記光吸収部１２に用いられる赤外吸収材料としては、例えば、特許第４１９６０１９号公報に開示されているような公知の種々の材料を使用することができる。具体的には、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ、ＰｂＴｅ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＺｎＳｅなどの化合物半導体の単結晶、前記化合物半導体の微粒子をマトリックス材料中へ分散したもの、異種金属イオンをドープした金属ハロゲン化物（例えば、臭化カリウム、塩化ナトリウムなど）の単結晶、前記金属ハロゲン化物（例えば、臭化銅、塩化銅、塩化コバルトなど）の微粒子をマトリックス材料中へ分散したもの、銅などの異種金属イオンをドープしたＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅなどのカドミウムカルコゲナイドの単結晶、前記カドミウムカルコゲナイドの微粒子をマトリックス材料中に分散したもの、シリコン、ゲルマニウム、セレン、テルルなどの半導体単結晶薄膜、多結晶薄膜ないし多孔質薄膜、シリコン、ゲルマニウム、セレン、テルルなどの半導体微粒子をマトリックス材料中へ分散したもの、ルビー、アレキサンドライト、ガーネット、Ｎｄ：ＹＡＧ、サファイア、Ｔｉ：サファイア、Ｎｄ：ＹＬＦなど、金属イオンをドープした宝石に相当する単結晶（いわゆるレーザー結晶）、金属イオン（例えば、鉄イオン）をドープしたニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、ＬｉＢ３Ｏ５、ＬｉＴａＯ３、ＫＴｉＯＰＯ４、ＫＨ２ＰＯ４、ＫＮｂＯ３、ＢａＢ２Ｏ２などの強誘電性結晶、金属イオン（例えば、ネオジウムイオン、エルビウムイオンなど）をドープした石英ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、その他のガラスなどを用いることができる。また、上記の他にも、マトリックス材料中に色素（色素としては、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、エオシン、フロキシンＢなどのキサンテン系色素、アクリジンオレンジ、アクリジンレッドなどのアクリジン系色素、エチルレッド、メチルレッドなどのアゾ色素、ポリフィリン系色素、フタロシアニン系色素、３，３’−ジエチルチアカルボシアニンヨージド、３，３’−ジエチルオキサジカルボシアニンヨージドなどのシアニン色素、エチル・バイオレット、ビクトリア・ブルーＲなどのトリアリルメタン系色素など）を溶解または分散したものなどを用いてもよい。
【００２２】
或いは、上記光吸収部１２に用いられる赤外吸収材料の他の具体例として、特開平５−２４３７４号公報に開示されているような、カーボンブラック、グラファイト、シアニン色素、スクワリリウム色素、メチン系色素、ナフトキノン系色素、キノンイミン系色素、キノンジイミン系色素、ナフタロシアニン色素、ジチオール金属錯体色素、アントラキノン系色素、トリスアゾ系色素、ピリリウム塩系色素、アミニウム塩系色素などを用いることもできる。また、特間平７−１１３０７２号公報に開示されているような、Ｎｄ，Ｙｂ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎを含む酸化物、硫化物、ハロゲン化物またはそれらの複合物などを用いてもよい。
【００２３】
上記のような光吸収部１２を有するマウント１１に加えて、本実施形態の半導体レーザは、半導体レーザチップ１とマウント１１の光吸収部１２との間に、ステム３上に立設した柱１３に半田などにより固定されたバイメタル型遮蔽板１４を有する。このバイメタル型遮蔽板１４は、熱膨張率の異なる２種類の金属板を張り合わせた複合金属板（バイメタル）からなり、温度により反り量が変わる。
【００２４】
具体的に、バイメタル型遮蔽板１４は、図２に示した環境温度がおよそ２５℃になる室温の状態で、ほぼ直線的な形状となり、半導体レーザチップ１からの後方出力光７が、柱１３から突出したバイメタル型遮蔽板１４の先端部分で遮蔽されてマウント１１の光吸収部１２に照射されないように、バイメタル型遮蔽板１４の特性および配置等が設計してある。この室温の状態では、光吸収部１２の発熱はない。
【００２５】
一方、図３に示した環境温度がおよそ−４０℃になる低温の状態では、バイメタル型遮蔽板１４は、半導体レーザチップ１側に反った形状となり、半導体レーザチップ１からの後方出力光７が、バイメタル型遮蔽板１４の先端部分で遮蔽されることなくマウント１１の光吸収部１２に照射されるように、バイメタル型遮蔽板１４の特性および配置等が設計してある。この低温の状態では、光吸収部１２が後方出力光７を吸収することで、光エネルギーが熱エネルギーに変換され、光吸収部１２が発熱し、温度が上昇する。光吸収部１２の温度が上昇すれば、マウント１１全体およびマウント１１上に固定された半導体レーザチップ１の温度も上昇することになる。実際に温度を測定したところ、環境温度が−４０℃の時に、半導体レーザチップ１の温度は環境温度よりも２０℃以上高い、−２０℃以上となることが確認された。
【００２６】
なお、マウント１１が固定される柱４の材料については、マウント１１の発熱が逃げないように熱伝導率の低いガラスなどの材料を用いるのが好ましい。これにより、後方出力光７を利用して効率的に半導体レーザチップ１の温度を上昇させることが可能になる。
【００２７】
また、図４に示した環境温度がおよそ８５℃になる高温の状態では、バイメタル型遮蔽板１４は、マウント１１の光吸収部１２側に反った形状となるが、前述した環境温度が室温の場合と同様に、半導体レーザチップ１からの後方出力光７が、バイメタル型遮蔽板１４の先端部分で遮蔽されてマウント１１の光吸収部１２に照射されないように、バイメタル型遮蔽板１４の特性および配置等が設計してある。この高温の状態でも、光吸収部１２の発熱はない。
【００２８】
なお、室温および高温の状態において、半導体レーザチップ１からの後方出力光７がバイメタル型遮蔽板１４で反射し、該反射光が半導体レーザチップ１に戻るようになると、雑音が増えて好ましくない。このため、図２〜図４に示した構成例では、後方出力光７の出射方向に対してバイメタル型遮蔽板１４の遮蔽面が傾けて配置されるようにしている。また、バイメタル型遮蔽板１４の配置を斜めにする代わりに、バイメタル型遮蔽板１４の表面を荒らして後方出力光７が乱反射されるようにしたり、或いは、バイメタル型遮蔽板１４の表面に反射防止膜を付けるなどの無反射処理を施したりしてもよい。
【００２９】
上記のように第１実施形態の半導体レーザによれば、環境温度の変化に応じて反り量が変わることで光の遮蔽量が変わるバイメタル型遮蔽板１４により、半導体レーザチップ１からの後方出力光７がマウント１１の光吸収部１２に照射する光量が、低温時に自動的に増え、マウント１１の光吸収部１２の光吸収が増えてその温度が上昇し、結果的にマウント１１上に搭載された半導体レーザチップ１の温度が上昇することで、低温側の温度範囲を実質的に狭めることができる。よって、広い温度範囲に亘って所要速度の信号伝送に必要な特性を満足させることが可能になる。この半導体レーザは、ヒータによる加熱などを必要としていないため、消費電力の上昇を招くこともない。
【００３０】
次に、上記第１実施形態の半導体レーザについての応用例を説明する。この応用例では、半導体レーザのＡＰＣに対応可能な構成を考える。
図５〜図７は、上記半導体レーザの応用例の構成を示す断面図であって、図５は環境温度が室温の状態、図６は環境温度が低温の状態、図７は環境温度が高温の状態をそれぞれ示している。
【００３１】
図５〜図７に示す応用例では、半導体レーザから外部に出力される前方出力光５の強度を一定に保つＡＰＣを行うために、まず、環境温度の変化によるバイメタル型遮蔽板１４の変形（反り）に依存せず、どのような環境温度でも半導体レーザチップ１からの後方出力光７がバイメタル型遮蔽板１４によって遮蔽されないような後方出力光７の無遮蔽領域１５を設定する。そして、マウント１１の無遮蔽領域１５に重なる部分に穴部１６を形成し、該穴部１６を通過した後方出力光７がステム３上に到達する範囲内にモニタＰＤ８を設ける。これにより、図５〜図７に示したように、環境温度がおよそ−４０℃〜８５℃の範囲で変化しても、マウント１１の穴部１６を通過した後方出力光７の一部がモニタＰＤ８で受光され、該後方出力光７の相対強度がモニタされるようになる。このモニタＰＤ８のモニタ結果を基に、半導体レーザから外部に出力される前方出力光５の強度を判断して、該強度が一定に保たれるように半導体レーザチップ１の駆動状態を制御することにより、前述した第１実施形態の場合と同様な効果に加えて、前方出力光５に損失を与えることなくＡＰＣを行うことが可能になる。
【００３２】
次に、本発明による半導体レーザの第２実施形態について説明する。
図８〜図１０は、第２実施形態の半導体レーザの構成を示す断面図であって、図８は環境温度が室温（例えば、２５℃）の状態、図９は環境温度が低温（例えば、−４０℃）の状態、図１０は環境温度が高温（例えば、８５℃）の状態をそれぞれ示している。
【００３３】
図８〜図１０において、本実施形態の半導体レーザは、例えば、上述の図５〜図７に示した第１実施形態の応用例の構成について、半導体レーザチップ１からの後方出力光７を反射する反射ミラー１７と、該反射ミラー１７を柱１３に固定する固定部材１８とを追設すると共に、形状を変更したマウント１９を適用している。なお、半導体レーザチップ１、バイメタル型遮蔽板１４、モニタＰＤ８、ステム３および柱４，１３は、第１実施形態の応用例の場合と同様である。
【００３４】
反射ミラー１７は、半導体レーザチップ１からの後方出力光７が、低温の状態でバイメタル型遮蔽板１４により遮蔽されない時に、後方出力光７の大部分を反射し、該反射光がマウント１９の光吸収部２０に照射されるように、固定部材１８を介して柱１３に固定されている。
【００３５】
マウント１９は、環境温度の変化によるバイメタル型遮蔽板１４の変形（反り）に依存せず、どのような環境温度でも半導体レーザチップ１からの後方出力光７がバイメタル型遮蔽板１４によって遮蔽されないような後方出力光７の無遮蔽領域１５を設定し、該無遮蔽領域１５に重ならないような形状に設計されている。このマウント１９は、略Ｌ字型の断面形状における反射ミラー１７に対向する斜めにカットされた先端面に光吸収部２０を有する。光吸収部２０は、上述した第１実施形態における光吸収部１２と同様であり、赤外吸収材料をマウント１９の上記先端面に塗布するか、または、該赤外吸収材料を用いた薄板をマウント１９の上記先端面に貼り合せて構成される。
【００３６】
上記のような構成の半導体レーザでは、図８に示した環境温度が室温の状態において、バイメタル型遮蔽板１４がほぼ直線的な形状となり、半導体レーザチップ１からの後方出力光７のうちの反射ミラー１７に向かって進む成分が、柱１３から突出したバイメタル型遮蔽板１４の先端部分で遮蔽される。これにより、後方出力光７が反射ミラー１７で反射されてマウント１９の光吸収部２０に照射されることはないため、室温の状態では、光吸収部２０の発熱はない。
【００３７】
一方、図９に示した環境温度が低温の状態では、バイメタル型遮蔽板１４は、半導体レーザチップ１側に反った形状となり、半導体レーザチップ１からの後方出力光７のうちの反射ミラー１７に向かって進む成分が、バイメタル型遮蔽板１４の先端部分で遮蔽されることなく反射ミラー１７に到達して反射され、該反射光がマウント１９の光吸収部２０に照射される。この低温の状態では、光吸収部２０が後方出力光７を吸収することで、光エネルギーが熱エネルギーに変換され、光吸収部２０が発熱し、温度が上昇する。光吸収部２０の温度が上昇すれば、マウント１９全体およびマウント１９上に固定された半導体レーザチップ１の温度も上昇することになる。本実施形態の半導体レーザにおいても、第１実施形態の場合と同様、実際の温度測定よって、環境温度が−４０℃の時に半導体レーザチップ１の温度が−２０℃以上となることが確認された。
【００３８】
また、図１０に示した環境温度が高温の状態では、バイメタル型遮蔽板１４は、反射ミラー１７側に反った形状となるが、前述した環境温度が室温の場合と同様に、半導体レーザチップ１からの後方出力光７のうちの反射ミラー１７に向かって進む成分が、バイメタル型遮蔽板１４の先端部分で遮蔽されて反射ミラー１７には到達しない。このため、高温の状態でも、光吸収部２０の発熱はない。
【００３９】
なお、半導体レーザチップ１からの後方出力光７のうちのモニタＰＤ８に向かって進む成分は、図８〜図１０に示したように、環境温度が変化してもバイメタル型遮蔽板１４で遮蔽されることなく、反射ミラー１７とマウント１９の先端面との間を通ってモニタＰＤ８で受光され、当該成分の相対強度がモニタされる。
【００４０】
上記のように本実施形態の半導体レーザによっても、前述した第１実施形態の効果と同様に、環境温度の変化に応じて反り量が変わることで光の遮蔽量が変わるバイメタル型遮蔽板１４により、半導体レーザチップ１からの後方出力光７が反射ミラー１７を介してマウント１９の光吸収部２０に照射する光量が、低温時に自動的に増え、マウント１９の光吸収部２０の光吸収が増えてその温度が上昇し、結果的にマウント１９上に搭載された半導体レーザチップ１の温度が上昇することで、低温側の温度範囲を実質的に狭めることができる。よって、広い温度範囲に亘って所要速度の信号伝送に必要な特性を満足させることが可能になる。この半導体レーザは、ヒータによる加熱などを必要としていないため、消費電力の上昇を招くこともない。また、反射ミラー１７を用いるようにしたことで、後方出力光７の相対強度をモニタＰＤ８でモニタするために、前述の図５〜図７に示したような無遮蔽領域１５に対応した穴部１６を設ける必要がないので、マウント１９を容易に加工することができる。
【００４１】
次に、本発明による半導体レーザの第３実施形態について説明する。
図１１〜図１３は、第３実施形態の半導体レーザの構成を示す断面図であって、図１１は環境温度が室温（例えば、２５℃）の状態、図１２は環境温度が低温（例えば、−４０℃）の状態、図１３は環境温度が高温（例えば、８５℃）の状態をそれぞれ示している。
【００４２】
図１１〜図１３において、本実施形態の半導体レーザは、例えば、上述の図２〜図４に示した第１実施形態の構成について、バイメタル型遮蔽板１４およびそれを固定する柱１３に代えて、遮蔽板２１と、遮蔽板２１が固定される固定部材２２と、ステム３上に立設され先端部分に固定部材２２が固定される柱２３とを設けると共に、半導体レーザチップ１が固定されるマウント２４の略コ字型の断面形状を第１実施形態の場合よりやや小さくしている。なお、半導体レーザチップ１、ステム３および柱４は、第１実施形態の場合と同様である。
【００４３】
遮蔽板２１は、半導体レーザチップ１からの後方出力光７に対する位置が、環境温度の変化による固定部材２２の伸縮によって変化する。固定部材２２は、樹脂などの高い熱膨張率の材料からなり、環境温度が変化することにより図示の断面における長手方向に大きく伸縮可能である。ここでは、固定部材２２の一端が、ステム３上に立設された柱２３の先端部分に固定されており、固定部材２２の他端（自由端）に遮蔽板２１が固定されている。このため、環境温度の変化に応じた固定部材２２の伸縮によって、図１１〜図１３に拡大して示したように、後方出力光７と遮蔽板２１の相対的な位置が変化する。
【００４４】
半導体レーザチップ１が固定されるマウント２４は、第１実施形態で使用したマウント１１と同様に、窒化アルミウム（ＡｌＮ）などの熱伝導率の高い材料からなり、略コ字型の断面形状における半導体レーザチップ１からの後方出力光７が照射される位置に光吸収部２５を有している。第１実施形態のマウント１１との違いは、環境温度の変化による遮蔽板２１の変位が、バイメタル型遮蔽板１４の変形（そり）に比べて小さくなるので、光吸収部２５が半導体レーザチップ１の後方端面に近くづくように、マウント２４の略コ字型の断面形状を変更している点である。
【００４５】
上記のような構成の半導体レーザでは、図１１に示した環境温度が室温の状態において、固定部材２２に固定された遮蔽板２１の先端部分が、半導体レーザチップ１からの後方出力光７を遮蔽する（拡大図参照）。これにより、後方出力光７がマウント２４の光吸収部２５に照射されることはないため、室温の状態では、光吸収部２５の発熱はない。
【００４６】
一方、図１２に示した環境温度が低温の状態では、固定部材２２が大きく収縮するため、該固定部材２２に固定された遮蔽板２１は、半導体レーザチップ１からの後方出力光７を全く遮蔽しない位置にあり（拡大図参照）、後方出力光７がマウント２４の光吸収部２５に照射される。この低温の状態では、光吸収部２５が後方出力光７を吸収することで、光エネルギーが熱エネルギーに変換され、光吸収部２５が発熱し、温度が上昇する。光吸収部２５の温度が上昇すれば、マウント２４全体およびマウント２４上に固定された半導体レーザチップ１の温度も上昇することになる。本実施形態の半導体レーザにおいても、第１実施形態の場合と同様、実際の温度測定よって、環境温度が−４０℃の時に半導体レーザチップ１の温度が−２０℃以上となることが確認された。
【００４７】
また、図１３に示した環境温度が高温の状態では、固定部材２２が大きく伸長するが、前述した環境温度が室温の場合と同様に、半導体レーザチップ１からの後方出力光７が、遮蔽板２１の先端より少し内側の部分で遮蔽され（拡大図参照）、マウント２４の光吸収部２５には到達しない。このため、高温の状態でも、光吸収部２５の発熱はない。
【００４８】
なお、室温および高温の状態において、遮蔽板２１で遮蔽（反射）された後方出力光７が半導体レーザチップ１に戻らないようにするために、図１０〜図１３に示した構成例では、後方出力光７の出射方向に対して遮蔽板２１の遮蔽面が傾けて配置されるようにしている。また、遮蔽板２１の配置を斜めにする代わりに、遮蔽板２１の表面を荒らして後方出力光７が乱反射されるようにしたり、或いは、遮蔽板２１の表面に反射防止膜を付けるなどの無反射処理を施したりしてもよい。
【００４９】
上記のように本実施形態の半導体レーザによっても、前述した第１実施形態の効果と同様に、環境温度の変化に応じて伸縮する固定部材２２に固定されることで光の遮蔽量が変わる遮蔽板２１により、半導体レーザチップ１からの後方出力光７がサマウント２４の光吸収部２５に照射する光量が、低温時に自動的に増え、マウント２４の光吸収部２５の光吸収が増えてその温度が上昇し、結果的にマウント２４上に搭載された半導体レーザチップ１の温度が上昇することで、低温側の温度範囲を実質的に狭めることができる。よって、広い温度範囲に亘って所要速度の信号伝送に必要な特性を満足させることが可能になる。この半導体レーザは、ヒータによる加熱などを必要としていないため、消費電力の上昇を招くこともない。
【００５０】
なお、上記第３実施形態の半導体レーザについても、上述した第１実施形態の応用例の場合と同様に、後方出力光７の相対強度をモニタする機能を付加する応用が可能である。図１４は、後方出力光のモニタ機能を付加した第３実施形態の応用例の構成を示す断面図である。ただし、図１４には、前述した図１１の断面図における直交方向（図１１中の矢印Ａの方向）から、半導体レーザチップ１を通る断面を見た図が示してある。
【００５１】
具体的に、図１４の応用例では、環境温度の変化に応じた固定部材２２（図１４では省略）の伸縮による遮蔽板２１の変位（図１４の紙面にほぼ垂直な方向の移動）に依存せず、どのような環境温度でも半導体レーザチップ１からの後方出力光７が遮蔽板２１によって遮蔽されないような、後方出力光７の無遮蔽領域２６を遮蔽板２１の横に設定する。そして、無遮蔽領域２６に重ならないようにマウント２４の形状を変更し、マウント２４の横を通過した後方出力光７がステム３上に到達する範囲内にモニタＰＤ８を設ける。これにより、環境温度が変化しても、無遮蔽領域２６を進む後方出力光７の一部がモニタＰＤ８で受光され、該後方出力光７の相対強度がモニタされるようになる。このモニタＰＤ８のモニタ結果を基に、半導体レーザから外部に出力される前方出力光５の強度を判断して、該強度が一定に保たれるように半導体レーザチップ１の駆動状態を制御することにより、上記第３実施形態の効果に加えて、前方出力光５に損失を与えることなくＡＰＣを行うことが可能になる。
【００５２】
次に、本発明による半導体レーザの第４実施形態について説明する。
図１５は、第４実施形態の半導体レーザの構成を示す断面図である。
図１５において、本実施形態の半導体レーザは、例えば、上述の図２〜図４に示した第１実施形態の構成について、マウント１１の形状を変更したマウント２８を用いると共に、バイメタル型遮蔽板１４およびそれを固定する柱１３に代えて、短波長透過フィルタ３０を上記マウント２８上に設けている。さらに、この半導体レーザは、半導体レーザチップ１からの後方出力光７の相対強度をモニタするためのモニタＰＤ８をステム３上に備える。なお、半導体レーザチップ１、ステム３および柱４は、第１実施形態の場合と同様である。
【００５３】
マウント２８は、窒化アルミウム（ＡｌＮ）などの熱伝導率の高い材料からなり、半導体レーザチップ１からの後方出力光７が短波長透過フィルタ３０を透過して照射される位置に光吸収部２９を有する。光吸収部２９は、上述した第１実施形態における光吸収部１２と同様であり、赤外吸収材料をマウント２８の上記照射位置に塗布するか、または、該赤外吸収材料を用いた薄板をマウント１９の上記照射位置に貼り合せて構成される。
【００５４】
短波長透過フィルタ３０は、半導体レーザチップ１とマウント２８の光吸収部２９との間に位置するように、ここではマウント２８に形成した段差部分を利用して、該段差部分に接着剤などで固定される。この短波長透過フィルタ３０は、誘電体多層膜からなり、例えば図１６に示すような透過波長特性Ｂ（横軸が波長、縦軸が透過率）を有する。上記短波長透過フィルタ３０は、波長温度依存性が０．００１ｎｍ／℃以下のものを使用するのが好ましく、このような波長温度依存性が小さな透過フィルタは市販されている。上記短波長透過フィルタ３０の波長温度依存性に対して、半導体レーザチップ１の波長温度依存性は０．１ｎｍ／℃程度であり、半導体レーザチップ１は、短波長透過フィルタ３０に比べて１００倍以上の大きな波長温度依存性を有することになる。
【００５５】
上記短波長透過フィルタ３０の透過波長特性Ｂは、例えば、半導体レーザチップ１の８５℃の発振波長をλＨ、室温（２５℃）の発振波長をλＲ、−２０℃の発振波長をλＬとすると（λＬ＜λＲ＜λＨ）、該半導体レーザチップ１の発振波長の温度依存性に対して図１６に示したような関係、すなわち、波長λＬより短波長側で１００％に近い透過率が得られ、かつ、波長λＲ付近より長波長側で透過率がほぼ０％になるように、設計される。このとき、短波長透過フィルタ３０の波長温度依存性は、前述したように半導体レーザチップ１の波長温度依存性に比べて十分小さいので無視することが可能である。
【００５６】
モニタＰＤ８は、後方出力光７の通過領域３１がステム３上に到達する範囲内に固定される。後方出力光７の通過領域３１は、半導体レーザチップ１からの後方出力光７が、短波長透過フィルタ３０で遮られることなく短波長透過フィルタ３０およびマウント２８の上方を通過してステム３に向けて進む領域に設定されている。
【００５７】
上記のような構成の半導体レーザでは、環境温度が８５℃から室温までの範囲において、半導体レーザチップ１からの後方出力光７のうちの光吸収部２９に向かって進む成分は、短波長透過フィルタ３０を透過できず、その殆どが短波長透過フィルタ３０で反射される。このため、後方出力光７がマウント２８の光吸収部２９に照射されることは実質的になく、光吸収部３１の発熱はない。
【００５８】
一方、環境温度が室温から−４０℃までの範囲では、室温付近からの温度の低下に伴って、半導体レーザチップ１からの後方出力光７のうちの光吸収部２９に向かって進む成分が短波長透過フィルタ３０を透過する量が徐々に増えて行き、該後方出力光７の透過量は−４０℃付近で最大となる。このため、環境温度がおよそ−４０℃の低温になると、後方出力光７がマウント２８の光吸収部２９に多く照射されるようになって、光吸収部２９が発熱する。したがって、低温の状態では、上述した第１実施形態の場合と同様に、光吸収部２９の発熱によって、マウント２８全体およびマウント２８上の半導体レーザチップ１の温度が上昇することになる。本実施形態の半導体レーザにおいても、実際の温度測定よって、環境温度が−４０℃の時に半導体レーザチップ１の温度が−２０℃以上となることが確認された。
【００５９】
なお、半導体レーザチップ１からの後方出力光７のうちのモニタＰＤ８に向かって進む成分は、図１５に示したように、環境温度の変化に関係なく短波長透過フィルタ３０の上方を通ってモニタＰＤ８で受光され、当該成分の相対強度がモニタされる。
【００６０】
上記のように本実施形態の半導体レーザによれば、環境温度の変化に対して透過波長特性が殆ど変わらない短波長透過フィルタ３０を通ってマウント２８の光吸収部２９に照射される後方出力光７の光量が、低温時に自動的に増え、マウント２８の光吸収部２９の光吸収が増えてその温度が上昇し、結果的にマウント２８上に搭載された半導体レーザチップ１の温度が上昇することで、低温側の温度範囲を実質的に狭めることができる。よって、広い温度範囲に亘って所要速度の信号伝送に必要な特性を満足させることが可能になる。この半導体レーザは、ヒータによる加熱などを必要としていないため、消費電力の上昇を招くこともない。また、上記半導体レーザは、モニタＰＤ８のモニタ結果を基に半導体レーザチップ１の駆動状態を制御することにより、前方出力光５に損失を与えることなくＡＰＣを行うことが可能である。
【００６１】
次に、本発明による半導体レーザの第５実施形態について説明する。
図１７は、第５実施形態の半導体レーザの構成を示す断面図である。
図１７において、本実施形態の半導体レーザは、前述の図１７に示した第４実施形態の構成について、短波長透過フィルタ３０に代えて、短波長反射フィルタ３２と、短波長反射フィルタ３２を固定する固定部材３３と、ステム３上に立設され先端部分に固定部材３３が固定される柱３４とを設けると共に、半導体レーザチップ１が固定されるマウント３５の形状、およびステム３上におけるモニタＰＤ８の配置を変更している。なお、半導体レーザチップ１、ステム３および柱４は、第４実施形態の場合と同様である。
【００６２】
短波長反射フィルタ３２は、半導体レーザチップ１からの後方出力光７の大部分を受け、該光を波長に応じて反射し、該反射光をマウント３５の光吸収部３６に照射するように設置されている。この短波長反射フィルタ３２は、後方出力光７に対して透明なガラスなどの材料からなる固定部材３３を介して、ステム３上に立設された柱３４の先端部分に固定されている。上記短波長反射フィルタ３２は、誘電体多層膜からなり、例えば図１８に示すような反射波長特性Ｃ（横軸が波長、縦軸が反射率）を有する。上記短波長反射フィルタ３２についても、前述した第４実施形態の短波長透過フィルタ３０と同様に、波長温度依存性が０．００１ｎｍ／℃以下のものを使用するのが好ましく、このような波長温度依存性が小さな反射フィルタは市販されている。
【００６３】
上記短波長反射フィルタ３２の反射波長特性Ｃは、例えば、半導体レーザチップ１の８５℃の発振波長をλＨ、室温（２５℃）の発振波長をλＲ、−２０℃の発振波長をλＬとすると（λＬ＜λＲ＜λＨ）、該半導体レーザチップ１の発振波長の温度依存性に対して図１８に示したような関係、すなわち、波長λＬより短波長側でほぼ１００％の反射率が得られ、かつ、波長λＲ付近より長波長側で反射率が０％に近くなるように、設計される。このとき、短波長反射フィルタ３２の波長温度依存性は、前述したように半導体レーザチップ１の波長温度依存性に比べて十分小さいので無視することが可能である。
【００６４】
マウント３５は、窒化アルミウム（ＡｌＮ）などの熱伝導率の高い材料からなり、半導体レーザチップ１からの後方出力光７が短波長反射フィルタ３２で反射され、該反射光が照射される位置に光吸収部３６を有する。光吸収部３６は、上述した第１実施形態における光吸収部１２と同様であり、赤外吸収材料をマウント３５の上記照射位置に塗布するか、または、該赤外吸収材料を用いた薄板をマウント３５の上記照射位置に貼り合せて構成される。
【００６５】
モニタＰＤ８は、後方出力光７の通過領域３７がステム３上に到達する範囲内に固定される。後方出力光７の通過領域３７は、半導体レーザチップ１からの後方出力光７が、短波長反射フィルタ３２で遮られることなく短波長反射フィルタ３２とマウント３５の光吸収部３６との間を通過しステム３に向けて進む領域に設定されている。
【００６６】
上記のような構成の半導体レーザでは、環境温度が８５℃から室温までの範囲において、半導体レーザチップ１からの後方出力光７のうちの短波長反射フィルタ３２に向かって進む成分は、短波長反射フィルタ３２で反射されずに、その殆どが短波長反射フィルタ３２を透過する。短波長反射フィルタ３２を透過した後方出力光７は、透明な固定部材３３を通過するので、半導体レーザチップ１に戻ることは殆どない。したがって、高温および室温の状態では、後方出力光７がマウント３５の光吸収部３６に照射されることは実質的になく、光吸収部３１の発熱はない。
【００６７】
一方、環境温度が室温から−４０℃までの範囲では、室温付近からの温度の低下に伴って、半導体レーザチップ１からの後方出力光７のうちの短波長反射フィルタ３２に向かって進む成分が、短波長透過フィルタ３０で反射される量が徐々に増えて行き、該後方出力光７の反射量は−４０℃付近で最大となる。このため、環境温度がおよそ−４０℃の低温になると、後方出力光７がマウント３５の光吸収部３６に多く照射されるようになって、光吸収部３６が発熱する。したがって、低温の状態では、上述した第１実施形態の場合と同様に、光吸収部３６の発熱によって、マウント３５全体およびマウント３５上の半導体レーザチップ１の温度が上昇することになる。本実施形態の半導体レーザにおいても、実際の温度測定よって、環境温度が−４０℃の時に半導体レーザチップ１の温度が−２０℃以上となることが確認された。
【００６８】
なお、半導体レーザチップ１からの後方出力光７のうちのモニタＰＤ８に向かって進む成分は、図１７に示したように、環境温度の変化に関係なく、短波長反射フィルタ３２とマウント３５の光吸収部３６との間を通ってモニタＰＤ８で受光され、当該成分の相対強度がモニタされる。
【００６９】
上記のように本実施形態の半導体レーザによれば、環境温度の変化に対して反射波長特性が殆ど変わらない短波長反射フィルタ３２で反射されてマウント３５の光吸収部３６に照射される後方出力光７の光量が、低温時に自動的に増え、マウント３５の光吸収部３６の光吸収が増えてその温度が上昇し、結果的にマウント３５上に搭載された半導体レーザチップ１の温度が上昇することで、低温側の温度範囲を実質的に狭めることができる。よって、広い温度範囲に亘って所要速度の信号伝送に必要な特性を満足させることが可能になる。この半導体レーザは、ヒータによる加熱などを必要としていないため、消費電力の上昇を招くこともない。また、上記半導体レーザは、モニタＰＤ８のモニタ結果を基に半導体レーザチップ１の駆動状態を制御することにより、前方出力光５に損失を与えることなくＡＰＣを行うことが可能である。
【００７０】
以上の各実施形態に関して、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）  前方および後方にレーザ光を出力するチップと、
前記チップを搭載するマウントと、
前記マウントに形成され、前記チップからの後方出力光を吸収することで温度が上昇する光吸収部と、
前記チップからの後方出力光が伝搬する領域内に配置され、環境温度が動作温度の範囲内で低温側に変化したときに、前記光吸収部に照射される前記後方出力光の光量を増やす光量調整手段と、を備えたことを特徴とする光デバイス。
【００７１】
（付記２）  付記１に記載の光デバイスであって、
前記光量調整手段は、温度に応じて反り量が変わるバイメタル型遮蔽板を有し、該バイメタル型遮蔽板が前記チップからの後方出力光を遮蔽可能であり、かつ、環境温度が動作温度の範囲内で低温側に変化したときの前記バイメタル型遮蔽板の変形に従って前記後方出力光の遮蔽量が減るように、前記バイメタル型遮蔽板を配置したことを特徴とする光デバイス。
【００７２】
（付記３）  付記２に記載の光デバイスであって、
環境温度が変化しても前記バイメタル型遮蔽板によって遮蔽されることのない後方出力光の無遮蔽領域内に配置され、該後方出力光の相対強度をモニタするモニタ部を備え、
前記マウントは、前記無遮蔽領域に重なる部分に穴部を有し、該穴部を通過した後方出力光が前記モニタ部に送られることを特徴とする光デバイス。
【００７３】
（付記４）  付記２に記載の光デバイスであって、
前記チップからの後方出力光を反射して前記光吸収部に照射する反射ミラーを備え、
前記バイメタル型遮蔽板は、前記チップから前記反射ミラーに送られる後方出力光を遮蔽可能であることを特徴とする光デバイス。
【００７４】
（付記５）  付記４に記載の光デバイスであって、
環境温度が変化しても前記バイメタル型遮蔽板によって遮蔽されることのない後方出力光の無遮蔽領域内に配置され、前記反射ミラーおよび前記光吸収部の間を通過した後方出力光の相対強度をモニタするモニタ部を備えたことを特徴とする光デバイス。
【００７５】
（付記６）  付記２〜５のいずれか１つに記載の光デバイスであって、
前記バイメタル型遮蔽板は、遮蔽した後方出力光が前記チップに戻ることのない構造を有することを特徴とする光デバイス。
【００７６】
（付記７）  付記１に記載の光デバイスであって、
前記光量調整手段は、温度に応じて伸縮する部材に固定された遮蔽板を有し、該遮蔽板が前記チップからの後方出力光を遮蔽可能であり、かつ、環境温度が動作温度の範囲内で低温側に変化したときの前記部材の収縮または伸長による前記遮蔽板の変位に従って前記後方出力光の遮蔽量が減るように、前記遮蔽板を配置したことを特徴とする光デバイス。
【００７７】
（付記８）  付記７に記載の光デバイスであって、
環境温度が変化しても前記遮蔽板によって遮蔽されることのない後方出力光の無遮蔽領域内に配置され、該後方出力光の相対強度をモニタするモニタ部を備えたことを特徴とする光デバイス。
【００７８】
（付記９）  付記７または８に記載の光デバイスであって、
前記遮蔽板は、遮蔽した後方出力光が前記チップに戻ることのない構造を有することを特徴とする光デバイス。
【００７９】
（付記１０）  付記１に記載の光デバイスであって、
前記光量調整手段は、前記チップの発振波長の温度依存性よりも透過波長特性の温度依存性が小さな透過フィルタを有し、前記チップからの後方出力光が前記透過フィルタを通って前記光吸収部に照射されるように、前記透過フィルタを配置し、かつ、環境温度が動作温度の範囲内で低温側に変化したときの前記チップの発振波長の変化に従って、前記透過フィルタにおける前記後方出力光の透過量が増えるように、前記透過フィルタの透過波長特性を設定したことを特徴とする光デバイス。
【００８０】
（付記１１）  付記１０に記載の光デバイスであって、
前記透過フィルタは、透過波長特性の温度依存性が０．００１ｎｍ／℃以下であることを特徴とする光デバイス。
【００８１】
（付記１２）  付記１に記載の光デバイスであって、
前記光量調整手段は、前記チップの発振波長の温度依存性よりも反射波長特性の温度依存性が小さな反射フィルタを有し、前記チップからの後方出力光が前記反射フィルタで反射されて前記光吸収部に照射されるように、前記反射フィルタを配置し、かつ、環境温度が動作温度の範囲内で低温側に変化したときの前記チップの発振波長の変化に従って、前記反射フィルタにおける前記後方出力光の反射量が増えるように、前記反射フィルタの反射波長特性を設定したことを特徴とする光デバイス。
【００８２】
（付記１３）  付記１２に記載の光デバイスであって、
前記反射フィルタは、反射波長特性の温度依存性が０．００１ｎｍ／℃以下であることを特徴とする光デバイス。
【符号の説明】
【００８３】
１…半導体レーザチップ
２，１１，１９，２４，２８，３５…マウント
３…ステム
４，１３，２３，３４…柱
５…前方出力光
６…レンズ
７…後方出力光
８…モニタＰＤ
９…キャップ
１０…レーザＣＡＮ
１２，２０，２５，２９，３６…光吸収部
１４…バイメタル型遮蔽板
１５，２６…無遮断領域
１６…穴部
１７…反射ミラー
１８，２２，３３…固定部材
２１…遮蔽板
３０…短波長透過フィルタ
３１，３７…通過領域
３２…短波長反射フィルタ
【図１】
2011258704.tif 000003
【図２】
2011258704.tif 000004
【図３】
2011258704.tif 000005
【図４】
2011258704.tif 000006
【図５】
2011258704.tif 000007
【図６】
2011258704.tif 000008
【図７】
2011258704.tif 000009
【図８】
2011258704.tif 000010
【図９】
2011258704.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2011258704.tif 000015
【図１４】
2011258704.tif 000016
【図１５】
2011258704.tif 000017
【図１６】
2011258704.tif 000018
【図１７】
2011258704.tif 000019
【図１８】
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