(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性を低下させること無くスルーホールの高密度化が可能なプリント配線板を提供する。【解決手段】スルーホール導体が充填される貫通孔は、径が最小となる貫通孔の中央部で、径Ｗｍｉｎが相対的に大きく、径が最大となる貫通孔の第１面側開口、第２面側開口で径Ｗ２を相対的に小さくすることができる。これにより、小径化によるスルーホール導体の信頼性の低下を防ぎながら、コア基板表面の第１面、第２面で大径に成るのを避け、スルーホール導体を高密度で配置することができる。【選択図】図８
2011205069.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有し、該第1面側に形成されていて該第１面から該第２面に向かって細くなっている第１開口部と該第２面側に形成されていて該第２面から該第１面に向かって細くなっている第２開口部とからなる貫通孔を有するコア基板と、
前記コア基板の第１面に形成されている第１の回路と、
前記コア基板の第２面に形成されている第２の回路と、
前記貫通孔に形成されていて前記第１の回路と前記第２の回路とを接続するスルーホール導体とからなるプリント配線板において、
前記第１開口部は前記コア基板の第１面に第１開口を有し、前記第１開口部は該第１開口を含む第１−１開口部と該第１−１開口部に繋がっている第１−２開口部とからなり、
前記第２開口部は前記コア基板の第２面に第２開口を有し、前記第２開口部は該第２開口を含む第２−１開口部と該第２−１開口部に繋がっている第２−２開口部とからなり、
前記第１開口部の内壁は第１−１開口部と第１−２開口部の境界で貫通孔の内側に屈曲しており、前記第２開口部の内壁は第２−１開口部と第２−２開口部の境界で貫通孔の内側に屈曲している。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記コア基板は、主面と該主面とは反対側の副面とを有する絶縁基板と、表面と該表面とは反対側の裏面とを有し該裏面が前記絶縁基板の主面と対向するように前記絶縁基板の主面上に形成されている第１樹脂絶縁層と、上面と該上面とは反対側の下面を有し該上面が前記絶縁基板の副面と対向するように前記絶縁基板の副面下に形成されている第２樹脂絶縁層とからなる。
【請求項３】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記コア基板の第１面から第２面の方向に前記第１−１開口部が細くなる割合をΔＷ１とし、前記コア基板の第１面から第２面の方向に前記第１−２開口部が細くなる割合をΔＷ２とすると、ΔＷ１とΔＷ２との関係は、ΔＷ１＜ΔＷ２であり、前記コア基板の第２面から第１面の方向に第２−１開口部が細くなる割合をΔＷ３とし、前記コア基板の第２面から第１面の方向に第２−２開口部が細くなる割合をΔＷ４とすると、ΔＷ３とΔＷ４との関係は、ΔＷ３＜ΔＷ４である。
【請求項４】
請求項２に記載のプリント配線板において、前記第１樹脂絶縁層と前記絶縁基板に同条件でレーザにより開口部が形成される時、前記第１樹脂絶縁層は前記絶縁基板より加工されやすく、前記第２樹脂絶縁層と前記絶縁基板に同条件でレーザにより開口部が形成される時、前記第２樹脂絶縁層は前記絶縁基板より加工されやすい。
【請求項５】
請求項２に記載のプリント配線板において、第１開口部が屈曲する位置は第１樹脂絶縁層と絶縁基板の界面であり、第２開口部が屈曲する位置は第２樹脂絶縁層と絶縁基板の界面である。
【請求項６】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記第１開口部と第２開口部はＣＯ２ガスレーザで形成されている。
【請求項７】
請求項２に記載のプリント配線板において、前記絶縁基板は補強材を有している。
【請求項８】
請求項７に記載のプリント配線板において、前記第１樹脂絶縁層と前記第２樹脂絶縁層は無機フィラーを含んでいる。
【請求項９】
請求項８に記載のプリント配線板において、前記第１樹脂絶縁層と前記第２樹脂絶縁層は補強材を有していない。
【請求項１０】
請求項７に記載のプリント配線板において、前記補強材はガラスクロスである。
【請求項１１】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記第１開口の重心を通り前記コア基板の第１面に垂直な直線と前記第２開口の重心を通り前記コア基板の第１面に垂直な直線はオフセットしている。
【請求項１２】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記第１開口部は前記第１−１開口部と前記第１−２開口部との接合部分に第３開口を有し、前記第２開口部は前記第２−１開口部と前記第２−２開口部との接合部分に第４開口を有していて、前記第３開口の重心を通り前記コア基板の第１面に垂直な直線と前記第４開口の重心を通り前記コア基板の第１面に垂直な直線はオフセットしている。
【請求項１３】
請求項１１に記載のプリント配線板において、前記第１開口部は前記第１−１開口部と前記第１−２開口部との接合部分に第３開口を有し、前記第２開口部は前記第２−１開口部と前記第２−２開口部との接合部分に第４開口を有していて、前記第３開口の重心を通り前記コア基板の第１面に垂直な直線と前記第４開口の重心を通り前記コア基板の第１面に垂直な直線はオフセットしている。
【請求項１４】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記スルーホール導体は前記貫通孔を充填しているめっき膜からなる。
【請求項１５】
第１面と該第１面とは反対側の第２面を有するコア基板を準備することと、
レーザにより前記コア基板の第１面から第２面に向かって細くなる第１開口部を前記コア基板の第１面側に形成することとレーザにより前記コア基板の第２面から第１面に向かって細くなる第２開口部を前記コア基板の第２面側に形成することにより第１の開口部と第２の開口部とからなる貫通孔を前記コア基板に形成することと、
前記コア基板の第１面に第１の回路を形成することと、
前記コア基板の第２面に第２の回路を形成することと、
前記貫通孔にめっき膜を形成することで前記第１の回路と前記第２の回路とを接続するスルーホール導体を形成することとからなるプリント配線板の製造方法において、
前記第１開口部は前記コア基板の第１面に第１開口を有し、前記第１開口部は該第１開口を含む第１−１開口部と該第１−１開口部に繋がっている第１−２開口部とからなり、
前記第２開口部は前記コア基板の第２面に第２開口を有し、前記第２開口部は該第２開口を含む第２−１開口部と該第２−１開口部に繋がっている第２−２開口部とからなり、
前記第１開口部の内壁は第１−１開口部と第１−２開口部の境界で貫通孔の内側に屈曲しており、前記第２開口部の内壁は第２−１開口部と第２−２開口部の境界で貫通孔の内側に屈曲している。
【請求項１６】
請求項１５に記載のプリント配線板の製造方法において、前記コア基板を準備することは、主面と該主面と反対側の副面とを有する絶縁基板の主面に表面と該表面と反対側の裏面とを有する第１樹脂絶縁層を前記絶縁基板の主面と該第１樹脂絶縁層の裏面が対向するように積層することと前記絶縁基板の副面に上面と該上面とは反対側の下面とを有する第２樹脂絶縁層を前記絶縁基板の副面と該第２樹脂絶縁層の上面が対向するように積層することとからなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第1開口部と第２開口部とからなる貫通孔を有するコア基板とそのコア基板上に形成されている第１と第２の回路と貫通孔に形成され第１と第２の回路とを接続しているスルーホール導体とを有するプリント配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、誘電体層に第１のブラインド孔と第２のブラインド孔とからなる貫通孔を形成することを開示している。特許文献１の貫通孔は砂時計の形状であり、貫通孔は導電材料で充填されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−４１４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の図３から、特許文献１は、第１と第２のブラインド孔の内壁を直線的に細くする思想を有していると考えられる。第１と第２のブラインド孔が誘電体層の中央から表面に向かって直線的に太くなると貫通孔の径が大きくなると考えられる。ここで、貫通孔の径は第１のブラインド孔または第２のブラインド孔の誘電体層の表面における径の内、大きい径である。貫通孔の径が大きいと、貫通孔を狭いピッチで形成することが難しいと考えられる。そのため、スルーホール導体を狭いピッチで形成することが難しいと考えられる。プリント配線板を小さくすることが難しいと考えられる。
第１と第２のブラインド孔が直線的に細くなると、プリント配線板の反りなどによりスルーホール導体が応力を受ける場合、第１と第２のブラインド孔の連結部分でスルーホール導体にクラックが発生することがあると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、信頼性を低下させること無くスルーホール導体を高密度に配置することができるプリント配線板及び該プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプリント配線板は、第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有し、該第１面側に形成されていて該第１面から該第２面に向かって細くなっている第１開口部と該第２面側に形成されていて該第２面から該第１面に向かって細くなっている第２開口部とからなる貫通孔を有するコア基板と、前記コア基板の第１面に形成されている第１の回路と、
前記コア基板の第２面に形成されている第２の回路と、前記貫通孔に形成されていて前記第１の回路と前記第２の回路とを接続するスルーホール導体とを有している。そして、
前記第１開口部は前記コア基板の第１面に第１開口を有し、前記第１開口部は該第１開口を含む第１−１開口部と該第１−１開口部に繋がっている第１−２開口部とからなり、
前記第２開口部は前記コア基板の第２面に第２開口を有し、前記第２開口部は該第２開口を含む第２−１開口部と該第２−１開口部に繋がっている第２−２開口部とからなり、
前記第１開口部の内壁は第１−１開口部と第１−２開口部の境界で貫通孔の内側に屈曲しており、前記第２開口部の内壁は第２−１開口部と第２−２開口部の境界で貫通孔の内側に屈曲している。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（Ａ）〜（Ｅ）は第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図６】第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図７】コア基板の第１面と貫通孔の内壁間の角度を示している図。
【図８】参考例と第１実施形態の貫通孔の断面が示されている図。
【図９】第１実施形態の貫通孔の内径を示している図。
【図１０】（Ａ）、（Ｃ）は参考例のスルーホール導体を示している図、（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）は第１実施形態のスルーホール導体を示している図。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は第１実施形態の貫通孔を示している図、（Ａ−１）は第１実施形態のコア基板の第１面を示している平面図、（Ａ−２）は第１実施形態のコア基板の第２面を示している平面図。
【図１２】図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）は、レーザのエネルギーの強度を模式的に示している図。図１２（Ｃ）は、補強材内で貫通孔が屈曲している例を示している図。
【図１３】第１実施形態のプリント配線板を製造するための別の工程図。
【図１４】第１実施形態の貫通孔を示している断面図。
【図１５】レーザ照射位置の説明図である。
【図１６】第２実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
第１実施形態の多層プリント配線板１０について、図６を参照して説明する。図６は該多層プリント配線板１０の断面図を示している。多層プリント配線板１０では、コア基板３０の第１面に第１の回路３４Ａ、第２面に第２の回路３４Ｂが形成されている。第１の回路３４Ａは第１の導体回路３４ＡＣと第１のランド３４ＡＬを有し、第２の回路３４Ｂは第２の導体回路３４ＢＣと第２のランド３４ＢＬとを有している。第１の導体回路と第２の導体回路はスルーホール導体３６を介して接続されている。第１のランドと第２のランドはスルーホール導体３６を介して接続されている。コア基板３０の第１面と第１の回路上に上層の第１層間樹脂絶縁層５０Ａが形成されている。上層の第１層間樹脂絶縁層５０Ａは第１面と第１面とは反対側の第２面とを有している。上層の第１層間樹脂絶縁層５０Ａの第２面はコア基板の第１面と対向している。上層の第１層間樹脂絶縁層５０Ａの第１面上に導体回路５８Ａが形成されている。上層の第１層間樹脂絶縁層５０Ａ上の導体回路５８Ａと第１の回路またはスルーホール導体は上層の第１層間樹脂絶縁層５０Ａを貫通するビア導体６０Ａで接続されている。
【０００９】
コア基板３０の第２面と第２の回路上に下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｂが形成されている。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｂは第１面と第１面とは反対側の第２面とを有している。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｂの第２面はコア基板の第２面と対向している。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｂの第１面上に導体回路５８Ｂが形成されている。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｂ上の導体回路５８Ｂと第２の回路またはスルーホール導体は下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｂを貫通するビア導体６０Ｂで接続されている。
【００１０】
上層の第１層間樹脂絶縁層５０Ａの第１面上に上層のソルダーレジスト層７０Ａが形成され、下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｂの第１面上に下層のソルダーレジスト層７０Ｂが形成されている。上層と下層のソルダーレジスト層７０Ａ、７０Ｂはビア導体６０Ａ、６０Ｂや導体回路５８Ａ、５８Ｂを露出する開口７１Ａ、７１Ｂを有している。開口７１Ａ、７１Ｂにより露出するビア導体や導体回路の上面は半田パッド７２Ａ、７２Ｂとして機能する。半田パッド７２Ａ、７２Ｂ上に半田バンプ７８Ａ、７８Ｂが形成されている。
【００１１】
図６中のコア基板３０に形成されているスルーホール導体３６を拡大して図１０（Ｂ）に示す。
コア基板３０は、主面３１Ａと主面とは反対側の副面３１Ｂとを有する絶縁基板３１と絶縁基板３１の主面上に形成されている第１樹脂絶縁層３２Ａと副面下に形成されている第２樹脂絶縁層３２Ｂとからなる。コア基板３０はコア基板を貫通する貫通孔３３を有している。第１樹脂絶縁層３２Ａは表面と表面とは反対側の裏面とを有し、裏面と主面が対向している。第２樹脂絶縁層３２Ｂは上面と上面とは反対側の下面とを有し、上面と副面が対向している。コア基板は第１面と第１面とは反対側の第２面とを有し、第１面と表面は同じ面であり、第２面と下面は同じ面である。絶縁基板３１は補強材を有し、第１樹脂絶縁層３２Ａと第２樹脂絶縁層３２Ｂは補強材を有していないことが好ましい。補強材として、ガラスクロスやアラミド繊維などを例示することができる。第１と第２樹脂絶縁層３２Ａ、３２Ｂはシリカやアルミナなどの無機フィラーを有してもよい。スルーホール導体３６は貫通孔３３をめっきで充填している金属からなる。図１１は、スルーホール導体用の貫通孔３３を示している。貫通孔３３は、コア基板３０の第１面３０Ａ側からレーザを照射することで形成される第１開口部３３Ａとコア基板の第２面３０Ｂ側からレーザを照射することで形成される第２開口部３３Ｂとからなる。図１１（Ａ−１）はコア基板の第１面の平面図であり、図１１（Ａ−２）はコア基板の第２面の平面図である。第１開口部３３Ａはコア基板の第１面に第１開口３３Ａ−Ａを有し、第２開口部３３Ｂはコア基板の第２面に第２開口３３Ｂ−Ｂを有する。第１開口部３３Ａと第２開口部３３Ｂは絶縁基板３１内で繋がっている。第１開口部３３Ａはコア基板の第１面から第２面に向かって細くなっていて、第２開口部３３Ｂはコア基板の第２面から第１面に向かって細くなっている。図１１は第１開口の重心を通りコア基板の第１面に垂直な直線（第１重心線）Ｇ１を含む平面で貫通孔３３を切断することで得られる断面図である。図１１が示すように、第１開口部の内壁は第１樹脂絶縁層と絶縁基板の界面で内側に屈曲していて、第２開口部の内壁は第２樹脂絶縁層と絶縁基板の界面で内側に屈曲している。屈曲する方向は第１重心線に向かう方向である。
【００１２】
第１開口の重心を通りコア基板の第１面に垂直な直線と第２開口の重心を通りコア基板の第１面に垂直な直線（第２重心線）Ｇ２はオフセットしても良い（図１１（Ｂ））。第１重心線と第２重心線は重なる必要は無い。この場合、貫通孔がめっきで充填されやすい。第１開口部と第２開口部が接続する部分の面積が増える。スルーホール導体の接続信頼性が高くなる。
【００１３】
第１開口部は第１−１開口部と第１−２開口部との接合部分に第３開口を有し、第２開口部は第２−１開口部と第２−２開口部との接合部分に第４開口を有する。第３開口の重心を通りコア基板の第１面に垂直な直線（第３重心線）Ｇ３と第１重心線はオフセットしても良い。第１重心線と第３重心線は重なる必要は無い。第４開口の重心を通りコア基板の第１面に垂直な直線（第４重心線）Ｇ４と第２重心線はオフセットしても良い。第２重心線と第４重心線は重なる必要は無い。貫通孔３３がめっき膜で充填されやすい。スルーホール導体内のボイドが少なくなる。スルーホール導体の信頼性が高くなる。図７は第１重心線と第３重心線がオフセットしている場合に得られる貫通孔の断面図を示している。対向している貫通孔の内壁Ｘ、Ｙはコア基板の第１面に対し異なる角度θ１、θ２を有している。貫通孔をめっき膜で充填する場合、貫通孔は内壁Ｘと内壁Ｙから徐々にめっき膜で充填される。内壁Ｘとコア基板の第１面との角度θ１と内壁Ｙとコア基板の第１面との角度θ２が異なると、内壁Ｘ上のめっき膜に沿って貫通孔内に供給されるめっき液と内壁Ｙ上のめっき膜に沿って貫通孔内に供給されるめっき液は異なる方向から貫通孔内へ侵入すると考えられる。また、めっき液は異なる角度で貫通孔内に供給されると考えられる。貫通孔内のめっき液が入れ替わり易い。貫通孔がめっきで充填されやすい。貫通孔を電解めっき膜で充填する時、電解めっきは析出速度が速いので電解めっき膜にボイドが入り易い。しかしながら、第１重心線と第３重心線がオフセットしている場合、開口部内のめっき液が入れ替わり易いので、第１開口部がめっき膜で充填され易い。同様に、第２重心線と第４重心線がオフセットしている場合、第２開口部がめっき膜で充填され易い。
【００１４】
第１重線、第２重心線、第３重心線と第４重心線は全てオフセットしても良い。第１重線、第２重心線、第３重心線と第４重心線は全て重ならなくて良い。上述と同様な効果が得られる。
コア基板が絶縁基板とその絶縁基板を挟む第１樹脂絶縁層と第２樹脂絶縁層とからなる場合、第３開口は絶縁基板と第１樹脂絶縁層との界面に形成されやすく、第４開口は絶縁基板と第２樹脂絶縁層との界面に形成されやすい。
【００１５】
第１開口部は第１−１開口部３３Ａ−１と第１−２開口部３３Ａ−２とからなる。コア基板の第１面から第２面の方向に第１−１開口部が細くなる割合をΔＷ１とし、コア基板の第１面から第２面の方向に第１−２開口部が細くなる割合をΔＷ２とすると、ΔＷ１はΔＷ２より小さい。また、第２開口部は第２−１開口部３３Ｂ−１と第２−２開口部３３Ｂ−２とからなる。コア基板の第２面から第１面の方向に第２−１開口部３３Ｂ−１が細くなる割合をΔＷ３とし、コア基板の第２面から第１面の方向に第２−２開口部が細くなる割合をΔＷ４とすると、ΔＷ３はΔＷ４より小さい。
【００１６】
コア基板が絶縁基板とその絶縁基板を挟む第１樹脂絶縁層と第２樹脂絶縁層とからなる場合、第１−１開口部は第１樹脂絶縁層に形成され、第１−２開口部と第２−２開口部は絶縁基板に形成され、第２−１開口部は第２樹脂絶縁層に形成されるケースが多い。この場合、ΔＷ１は第１樹脂絶縁層の表面から裏面に向かって第１−１開口部が細くなる割合であり、ΔＷ２は絶縁基板の主面から副面に向かって第１−２開口部が細くなる割合であり、ΔＷ４は絶縁基板の副面から主面に向かって第２−２開口部が細くなる割合であり、ΔＷ３は第２樹脂絶縁層の下面から上面に向かって第２−１開口部が細くなる割合である。
【００１７】
このため、第１開口部と第２開口部とが接合する部分（接合部分）３３ｃの径Ｗｍｉｎが大きくなり易い。そして、第１開口３３Ａ−Ａや第２開口３３Ｂ−Ｂの径を小さくすることができる。径Ｗｍｉｎは貫通孔の最小径であり、図１１中のＷｍｉｎに相当する。図１１中のＷｍｉｎは第１開口部と第２開口部が交差する部分間の距離である。第１実施形態では、貫通孔の最小径が大きくなるので、接合部分３３ｃでスルホール導体にクラックが入りがたくなる。また、第１開口の径と第２開口の径を小さくすることができる。第１の開口の径と第２の開口の径の内、大きい径が貫通孔の径に相当する。小径化によるスルーホール導体の信頼性の低下を防ぎながらスルーホール導体を高密度で配置することができる。
【００１８】
図８（Ａ）は参考例の貫通孔を示している。参考例では、第１開口部３３３Ａの内壁は直線的に変化している。同様に、第２開口部３３３Ｂの内壁は直線的に変化している。
図８（Ｂ）では参考例の貫通孔に第１実施形態の貫通孔が重ねられている。参考例の内壁は実線で描かれている。第１実施形態の内壁の一部が破線で描かれている。第１実施形態の第１開口部は第１−１開口部と第１−２開口部とからなり、第１開口部の内壁は所定の位置ａ、ｂで屈曲している。コア基板の第１面から屈曲部ａ、ｂまでが第１−１開口部の内壁であり、第１−１開口部の内壁は破線Ｚで描かれている。屈曲部ａ、ｂから屈曲部ｃ、ｄまでの内壁が第１−２開口部の内壁である。参考例の内壁と第１実施形態の第１−２開口部の内壁は重なっている（図８（Ｂ）参照）。第１開口部は第１−１開口部と第１−２開口部との境界で貫通孔の内側に屈曲している。第２開口部の内壁は所定の位置ｅ、ｆで屈曲している。コア基板の第２面から屈曲部ｅ、ｆまでが第２−１開口部の内壁であり、第２−１開口部の内壁は破線Ｖで描かれている。屈曲部ｅ、ｆから屈曲部ｃ、ｄまでの内壁が第２−２開口部の内壁である。参考例の内壁と第１実施形態の第２−２開口部の内壁は重なっている（図８（Ｂ）参照）。第２開口部は第２−１開口部と第２−２開口部との境界で貫通孔の内側に屈曲している。
【００１９】
図８（Ｂ）が示すように、参考例と第１実施形態で貫通孔の最小径Ｗｍｉｎが同じ場合、第１実施形態の第１開口３３Ａ−Ａの径Ｗ２は参考例の第１開口の径Ｗ１より小さく、第１実施形態の第２開口３３Ｂ−Ｂの径Ｗ３は参考例の第２開口の径Ｗ４より小さい。参考例の貫通孔の最小径と第１実施形態の貫通孔の最小径が同等でも、第１実施形態の貫通孔の径ＷＷは参考例の貫通孔の径より小さい。貫通孔の径ＷＷはＷ２とＷ３の内、大きい径である。従って、第１実施形態では、参考例より、スルーホール導体の径（貫通孔の径）を小さくできる。第１実施形態は参考例よりスルーホール導体を狭ピッチに配置できる。第１実施形態ではコア基板を小さくすることができる。第１実施形態のスルーホール導体は、参考例のスルーホール導体より信頼性が優れる。
【００２０】
第１実施形態と参考例を比較すると、図８（Ｂ）に示すように、第１実施形態では貫通孔３３の径ＷＷに対する最小径Ｗｍｉｎの比（Ｗｍｉｎ／ＷＷ）が大きくなるため、熱収縮によるコア基板の反りなどに対して、スルーホール導体の信頼性を高くすることができる。
【００２１】
図８（Ｃ）では参考例の貫通孔に第１実施形態の貫通孔が重ねられている。参考例の内壁は破線で描かれている。第１実施形態の内壁が実線で描かれている。第１実施形態の第１開口部３３Ａは第１−１開口部と第１−２開口部とからなり、第１開口部の内壁は所定の位置で屈曲している。第１−１開口部の内壁は実線Ｚ‘で描かれている。第２開口部３３Ｂの内壁は所定の位置で屈曲している。第２−１開口部の内壁は実線Ｖ’で描かれている。
図８（Ｃ）が示すように、参考例と第１実施形態で貫通孔の第１開口の径Ｗ１が同じ場合、第１実施形態の貫通孔の最小径Ｄ１は、参考例の貫通孔の最小径Ｄ２よりも大きい。即ち、第１実施形態では、第１開口の径に対して、貫通孔の最小径を大きくすることができるため、第１開口部と第２開口部とを精度高く接合することができる。また、貫通孔の最小径を大きくできるので、プリント配線板の反りを改善することができる。更に、貫通孔に充填されるスルーホール導体の信頼性を高めることができる。
【００２２】
図９は第１重心線を含む平面でコア基板を切断することで得られる断面図である。コア基板の左側に示されている矢印はＺ軸であり、コア基板の第１面に垂直な軸である。上方向が＋方向で下方向が−方向である。図９（Ａ）では、コア基板が１種の材料からなっている。図９（Ａ）に示すように、第１実施形態では、第１開口部３３Ａは第１−１開口部３３Ａ−１と第１−２開口部３３Ａ−２とからなり、第２開口部３３Ｂは第２−１開口部３３Ｂ−１と第２−２開口部３３Ｂ−２とからなる。第１開口部と第２開口部がコア基板の内部で繋がることで貫通孔が形成されている。第１−１開口部は第１開口を含む開口部であり、第１−２開口部はコア基板の内部で第１−１開口部に繋がっている開口部である。第２−１開口部は第２開口を含む開口部であり、第２−２開口部はコア基板の内部で第２−１開口部に繋がっている開口部である。第１開口部の内壁は第１−１開口部と第１−２開口部との境界で第１重心線の方向に屈曲している。第２開口部の内壁は第２−１開口部と第２−２開口部との境界で第１重心線の方向に屈曲している。第１開口部、第１−１開口部と第１−２開口部はコア基板の第１面から第２面に向かって徐々に細くなっている。第１−１開口部が細くなるなっている割合をΔＷ１とし、第１−２開口部が細くなるなっている割合をΔＷ２とすると、ΔＷ２はΔＷ１より大きい。ΔＷ１とΔＷ２はＺ軸の−方向に第１−１開口部と第１−２開口部が細くなる割合である。
【００２３】
図９（Ａ）内のＨ１は第１−１開口部３３Ａ−１の内径であり、所定位置において向かい合う第１−１開口部の内壁間の距離である。Ｈ１の大きさはコア基板の第１面から第２面に向かって小さくなっている（Ｈ１の大きさはＺ軸のマイナス方向に向かって小さくなっている）。その変化量はΔＨ１である。図９（Ａ）内のＨ２は第１−２開口部３３Ａ−２の内径であり、所定位置において向かい合う第１−２開口部の内壁間の距離である。Ｈ２の大きさはコア基板の第１面から第２面に向かって小さくなっている（Ｈ２の大きさはＺ軸のマイナス方向に向かって小さくなっている）。その変化量はΔＨ２である。ΔＨ２はΔＨ１より大きい。
【００２４】
第２開口部３３Ｂ、第２−１開口部３３Ｂ−１と第２−２開口部３３Ｂ−２はコア基板の第２面から第１面に向かって徐々に細くなっている。第２−１開口部が細くなるなっている割合をΔＷ３とし、第２−２開口部が細くなるなっている割合をΔＷ４とすると、ΔＷ４はΔＷ３より大きい。ΔＷ３とΔＷ４はＺ軸の＋方向に第２−１開口部と第２−２開口部が細くなる割合である。
図９（Ａ）内のＨ３は第２−１開口部３３Ｂ−１の内径であり、所定位置における向かい合う第２−１開口部の内壁間の距離である。Ｈ３の大きさはコア基板の第２面から第１面に向かって小さくなっている（Ｈ３の大きさはＺ軸の＋方向に向かって小さくなっている）。その変化量はΔＨ３である。図９（Ａ）内のＨ４は第２−２開口部３３Ｂ−２の内径であり、所定位置において向かい合う第２−２開口部の内壁間の距離である。Ｈ４の大きさはコア基板の第２面から第１面に向かって小さくなっている（Ｈ４の大きさはＺ軸のプラス方向に向かって小さくなっている）。その変化量はΔＨ４である。ΔＨ４はΔＨ３より大きい。
【００２５】
図９（Ｂ）はコア基板が絶縁基板と絶縁基板を挟む樹脂絶縁層とからなる例を示している。第１−１開口部は第１樹脂絶縁層を貫通する開口であり、第１−２開口部は絶縁基板の主面側に形成されている開口である。第１−１開口部は第１樹脂絶縁層の表面から裏面に向かって徐々に細くなっている。その割合はΔＷ１である。第１−２開口部は絶縁基板の主面から副面に向かって徐々に細くなっている。その割合はΔＷ２である。ΔＷ２はΔＷ１より大きい。ΔＷ１とΔＷ２はＺ軸の−方向に第１−１開口部と第１−２開口部が細くなる割合である。図９（Ｂ）内のＨ１は第１−１開口部の内径であり、所定位置において向かい合う第１−１開口部の内壁間の距離である。Ｈ１の大きさは第１樹脂絶縁層の表面から裏面に向かって小さくなっている（Ｈ１の大きさはＺ軸のマイナス方向に向かって小さくなっている）。図９（Ｂ）内のＨ２は第１−２開口部の内径であり、所定位置において向かい合う第１−２開口部の内壁間の距離である。Ｈ２の大きさは絶縁基板の主面から副面に向かって小さくなっている（Ｈ２の大きさはＺ軸のマイナス方向に向かって小さくなっている）。第２−１開口部は第２樹脂絶縁層を貫通する開口であり、第２−２開口部は絶縁基板の副面側に形成されている開口である。第２−１開口部は第２樹脂絶縁層の下面から上面に向かって徐々に細くなっている。その割合はΔＷ３である。第２−２開口部は絶縁基板の副面から主面に向かって徐々に細くなっている。その割合はΔＷ４である。ΔＷ４はΔＷ３より大きい。ΔＷ３とΔＷ４はＺ軸のプラス方向に第２−１開口部と第２−２開口部が細くなる割合である。図９（Ｂ）内のＨ３は第２−１開口部の内径であり、所定位置において向かい合う第２−１開口部の内壁間の距離である。Ｈ３の大きさは第２樹脂絶縁層の下面から上面に向かって小さくなっている（Ｈ３の大きさはＺ軸のプラス方向に向かって小さくなっている）。その量はΔＨ３である。図９（Ｂ）内のＨ４は第２−２開口部の内径であり、所定位置において向かい合う第２−２開口部の内壁間の距離である。Ｈ４の大きさは絶縁基板の副面から主面に向かって小さくなっている（Ｈ４の大きさはＺ軸のプラス方向に向かって小さくなっている）。その変化量はΔＨ４である。ΔＨ４はΔＨ３より大きい。
【００２６】
第１開口部内でΔＷ１とΔＷ２の大きさが異なるので、第１開口部は第１−１開口部と第１−２開口部との境界で屈曲する。同様に、第２開口部内でΔＷ３とΔＷ４の大きさが異なるので、第２開口部は第２−１開口部と第２−２開口部との境界で屈曲する。
第１開口部内でΔＨ１とΔＨ２の大きさが異なるので、第１開口部は第１−１開口部と第１−２開口部との境界で屈曲する。同様に、第２開口部内でΔＨ３とΔＨ４の大きさが異なるので、第２開口部は第２−１開口部と第２−２開口部との境界で屈曲する。
コア基板を構成する絶縁基板と樹脂絶縁層を同条件でレーザにより開口部を形成する場合、樹脂絶縁層に開口部を形成することは絶縁基板に開口部を形成することより容易であることが望ましい。１種の材料で形成されているコア基板（図９（Ａ））より、屈曲部を有する第１開口部や第２開口部を容易に形成することができる。
【００２７】
第１実施形態や参考例の貫通孔（図８、図９）を導体で充填することで得られるスルーホール導体が図１０に示されている。図１０（Ａ）は参考例のスルーホール導体３６０を示し、図１０（Ｂ）、（Ｅ）は第１実施形態のスルーホール導体を示している。図１０（Ｂ）、（Ｅ）では、第１重心線と第２重心線がオフセットしている。図１０（Ｂ）のコア基板は絶縁基板と絶縁基板を挟む第１樹脂絶縁層と第２樹脂絶縁層とからなる。図１０（Ｅ）のコア基板は１種類の材料からなっている。貫通孔を充填する導体として、めっき膜からなる金属や導電性ペーストを例示することができる。めっき膜としては、電解めっき膜や無電解めっき膜を挙げることができる。スルーホール導体としては、貫通孔の内壁に形成されているシード層とシード層上の電解めっき膜とからなる金属が好ましい。電解めっき膜が貫通孔を充填する。シード層として、スパッタ膜や無電解めっき膜を例示することができる。第１実施形態のスルーホール導体３６は、第１−１開口部、第１−２開口部、第２−１開口部と第２−２開口部を充填している導体からなっている。第１−１開口部を充填している導体はコア基板の第１面から第２面の方向に向かって細くなっている。その割合はδ１である。第１−２開口部を充填している導体はコア基板の第１面から第２面の方向に向かって細くなっている。その割合はδ２である。δ１の大きさとδ２の大きさが異なるので、スルーホール導体はコア基板内で屈曲する。そのため、第１開口部内のスルーホール導体は屈曲部３６ｄを有する。第２−１開口部を充填している導体はコア基板の第２面から第１面の方向に向かって細くなっている。その割合はδ４である。第２−２開口部を充填している導体はコア基板の第２面から第１面の方向に向かって細くなっている。その割合はδ３である。δ３の大きさとδ４の大きさが異なるので、スルーホール導体はコア基板内で屈曲する。そのため、第２開口部内のスルーホール導体は屈曲部３６ｅを有する。コア基板が絶縁基板とその絶縁基板を挟む第１樹脂絶縁層と第２樹脂絶縁層とからなる場合、屈曲部３６ｄは第１樹脂絶縁層と絶縁基板との界面に位置し、屈曲部３６ｅは第２樹脂絶縁層と絶縁基板との界面に位置する。さらに、第１実施形態のスルーホール導体は第１開口部と第２開口部との接合部に屈曲部３６ｆを有する。それに対し、参考例は第１−２開口部と第２−２開口部とを有していない。このため、参考例のスルーホール導体は第１開口部と第２開口部との接合部に屈曲部を有しているが、第１−１開口部と第１−２開口部の境界や第２−１開口部と第２−２開口部の境界で屈曲部を有しない。図１０（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｆ）はスルーホール導体が屈曲している部分を示している。丸で囲まれている部分が屈曲部である。図１０（Ｃ）は参考例のスルーホール導体３６０であり、図１０（Ｄ）、（Ｆ）は第１実施形態のスルーホール導体３６である。コア基板が反ると屈曲する部分に応力が集中し易いと考えられる。断面図において、参考例と第１実施形態を比較すると、参考例のスルーホール導体の屈曲部分は２箇所であり、第１実施形態のスルーホール導体の屈曲部は６箇所である。第１実施形態のスルーホール導体は参考例のスルーホール導��より多くの屈曲部を有している。そのため、第１実施形態と参考例を比較すると、第１実施形態は参考例より、スルーホール導体にかかる応力が多くの箇所に分散されると考えられる。従って、第１実施形態のスルーホール導体は参考例のスルーホール導体より信頼性が高いと考えられる。図１０（Ｄ）と図１０（Ｆ）を比較すると、図１０（Ｄ）では、樹脂絶縁層と絶縁基板の強度を変えることができる。第１−１開口部と第１−２開口部の境界でスルーホール導体が曲がる程度と第１開口部と第２開口部の接合部分でスルーホール導体が曲がる程度を比較すると後者が大きい。第１開口部と第２開口部の接合部分でスルーホール導体が破壊され易い。しかしながら、絶縁基板の強度を樹脂絶縁層の強度より高くすることで、絶縁基板の変形を小さくできるので、第１開口部と第２開口部の接合部分に集中する応力を小さくすることができる。この点から、コア基板は絶縁基板と絶縁基板を挟む第１樹脂絶縁層と第２樹脂絶縁層とからなり、絶縁基板の強度は第１樹脂絶縁層及び第２樹脂絶縁層の強度より高いことが好ましい。このため、第１実施形態のスルーホール導体は、コア基板の反りなどで発生するストレスに対して、参考例よりも耐性が高いと考えられる。
【００２８】
コア基板が絶縁基板と絶縁基板を挟む第１樹脂絶縁層と第２樹脂絶縁層とからなる場合、第１樹脂絶縁層３２Ａと第２樹脂絶縁層３２Ｂに薬品に溶解する成分を含有させることができる。薬液で樹脂絶縁層の表面に存在する可溶性成分を溶解することで、樹脂絶縁層の表面に粗面を形成することができる。コア基板３０の表面に粗面３２αを形成することで、コア基板３０の第１面と第２面にアディティブ法で第１と第２の回路を形成することができる。サブトラクティブ法でなくアディティブ法でコア基板上に回路を形成することができるので、コア基板上の回路の幅や回路間の間隔を小さくすることできる。このため、コア基板上のビルドアップ層の層数を減らすことが可能になる。
【００２９】
引き続き、多層プリント配線板１０の製造方法について図１〜図５を参照して説明する。
（１）補強材と樹脂とからなる絶縁基板３１を用意する（図１（Ａ））。絶縁基板３１の厚さは０．２〜０．８ｍｍである。補強材として、ガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維を例示することができる。補強材としてガラスクロスが強度の点から好ましい。樹脂として、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を例示することができる。樹脂中に水酸化物からなる粒子を分散させることができる。水酸化物としては、Ａｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２、Ｃａ（ＯＨ）２、Ｂａ（ＯＨ）２などの金属水酸化物が好ましい。絶縁基板の熱膨張係数を小さくすることができる。レーザで絶縁基板に第１−２開口部や第２−２開口部を形成するとき、ΔＷ２とΔＷ４の値を大きくすることができる。水酸化物は熱で分解し水が生成する。そのため、水酸化物は絶縁基板を構成する材料から熱を奪うことが可能と考えられる。つまり、絶縁基板が水酸化物を含むことで、絶縁基板はレーザで加工され難くなると考えられる。第１−１開口部と第１−２開口部とからなる第１開口部を形成することや第２−１開口部と第２−２開口部とからなる第２開口部を形成することが容易になる。開口部がＣＯ２レーザで形成される場合、絶縁基板は水酸化物を含むことが好ましい。
【００３０】
絶縁性基板３１の主面３１Ａ及び副面３１Ｂに、樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）３２を積層する。加熱プレスにより、絶縁基板と樹脂絶縁層とからなるコア基板が得られる（図１（Ｂ））。コア基板は第１面３０Ａと第１面と反対側の第２面３０Ｂとを有している。絶縁基板３１の主面上に形成されている樹脂絶縁層が第１樹脂絶縁層３２Ａである。第１樹脂絶縁層は表面と表面とは反対側の裏面とを有している。裏面と主面は対向している。絶縁基板３１の副面下に形成されている樹脂絶縁層が第２樹脂絶縁層３２Ｂである。第２樹脂絶縁層は上面と上面とは反対側の下面とを有している。副面と上面は対向している。樹脂絶縁層用樹脂フィルムは、薬品に溶解する成分と熱膨張率調整用の無機粒子とを含有している。第１樹脂絶縁層の材質と第２樹脂絶縁層の材質と絶縁基板の材質を同じ材質にすることができる。しかしながら、第１樹脂絶縁層と第２樹脂絶縁層は補強材を有さず、絶縁基板は補強材を有することが好ましい。ΔＷ１とΔＷ２の大きさを容易に変えることができる。ΔＷ３とΔＷ４の大きさを容易に変えることができる。ΔＨ１とΔＨ２の大きさを容易に変えることができる。ΔＨ３とΔＨ４の大きさを容易に変えることができる。
【００３１】
（２）コア基板３０の第１面３０Ａ側からＣＯ２ ガスレーザにて、レーザを照射してコア基板の第１面側に第１開口部３３Ａを形成する（図１（Ｃ））。
【００３２】
（３）コア基板３０の第２面３０Ｂ側からＣＯ２ガスレーザにて、レーザを照射してコア基板の第２面側に第２開口部３３Ｂを形成する。第１開口部と第２開口部が絶縁基板３１内で連結することで、貫通孔３３が形成される（図１（Ｄ））。
図１（Ｄ）中の貫通孔３３を拡大して図１１と図１４に示す。図１１では、コア基板が樹脂絶縁層と絶縁基板からなっている。樹脂絶縁層と絶縁基板は同じ材質でも異なる材質でもよい。異なる材質が好ましい。図１４ではコア基板が１つの絶縁基板または１つの樹脂絶縁層からなっている。図１１（Ａ）と図１４（Ａ）は第１重心線、第２重心線、第３重心線と第４重心線が一致している例を示している。図１１（Ｂ）と図１４（Ｂ）は第１重心線と第３重心線が一致し、第２重心線と第４重心線は一致しているが、第１重心線と第２重心線がオフセットしている例を示している。図１１（Ｃ）と図１４（Ｃ）は、第２重心線と第４重心線は一致しているが、第１重線、第２重心線と第３重心線がそれぞれオフセットしている例を示している。図１１（Ｄ）と図１４（Ｄ）は第１重心線、第２重心線、第３重心線と第４重心線がそれぞれオフセットしている例を示している。第１開口部はコア基板の第１面から第２面に向かって細くなっている。図１１では、第１開口部の内壁は絶縁基板と第１樹脂絶縁層の界面で第１開口部の内部の方向に屈曲している。第２開口部はコア基板の第２面から第１面に向かって細くなっている。第２開口部の内壁は絶縁基板と第２樹脂絶縁層の界面で第２開口部の内部の方向に屈曲している。第１開口部３３Ａの縮径する割合は、第１樹脂絶縁層内より絶縁基板３１内で大きい。同様に、第２開口部３３Ｂの縮径する割合は、第２樹脂絶縁層内より絶縁基板内３１で大きい。
【００３３】
第１開口部はコア基板の第１面から第２面に向かって細くなっている。図１４では、第１開口部の内壁は第１−１開口部と第１−２開口部との境界で第１開口部の内部の方向に屈曲している。第２開口部はコア基板の第２面から第１面に向かって細くなっている。第２開口部の内壁は第２−１開口部と第２−２開口部との境界で第２開口部の内部の方向に屈曲している。第１開口部３３Ａの縮径する割合は、第１−１開口部より第１−２開口部の方が大きい。同様に、第２開口部３３Ｂの縮径する割合は、第２−１開口部より第２−２開口部の方が大きい。
【００３４】
以下に、図１１と図１４に示されている貫通孔の形成方法を示す。
図１１と図１４に示す貫通孔は以下のような加工方法で形成することができる。第１開口部や第２開口部が複数のパルスのレーザ照射で形成される場合、所定パルス以降のレーザの強度を弱くする。例えば、第１開口部や第２開口部が２パルスのレーザ照射で形成される場合、２パルス目のレーザの強度を１パルス目のレーザの強度より弱くする。１パルス目で形成される開口が第１−１開口部や第２−１開口部であり、２パルス目で形成される開口が第１−２開口部や第２−２開口部である。これにより、１パルス目で形成される開口と２パルス目で形成される開口の形状を変えることができる。２パルス目のエネルギーは１パルス目のエネルギーより弱いので、第１開口部は第１−１開口部と第１−２開口部の境界で内側へ屈曲する。同様に、第２開口部は第２−１開口部と第２−２開口部の境界で内側へ屈曲する。それぞれの重心線の位置を変えることは、レーザを照射する位置を変えることで可能である。より詳しいことは以下に示されている。
【００３５】
その他の例が以下に示されている。コア基板がレーザ加工されがたい絶縁基板とその絶縁基板を挟むレーザ加工され易い樹脂絶縁層とからなることで、図１１に示す貫通孔を形成することができる。この場合、樹脂絶縁層と絶縁基板を同じレーザ強度で加工する場合、樹脂絶縁層と絶縁基板で加工される量が異なる。樹脂絶縁層は絶縁基板より加工される量が多い。これにより、樹脂絶縁層に形成される開口と絶縁基板に形成される開口の形状を変えるここができる。樹脂絶縁層に形成される開口が第１−１開口部と第２−１開口部であり、絶縁基板に形成される開口が第１−２開口部と第２−２開口部である。絶縁基板は樹脂絶縁層よりレーザで加工され難いので、第１開口部は第１−１開口部と第１−２開口部の境界で内側へ屈曲する。同様に、第２開口部は第２−１開口部と第２−２開口部の境界で内側へ屈曲する。この場合、境界は概ね樹脂絶縁層と絶縁基板との界面に位置する。但し、第１開口部と第２開口部が屈曲する位置は絶縁基板内であっても良い。なぜなら、上述と同様な効果が発揮されるからである。絶縁基板と樹脂絶縁層の組み合わせの例を以下に示す。絶縁基板は補強材と樹脂とからなり、樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂とからなる。絶縁基板が補強材を有するため、絶縁基板は樹脂絶縁層よりレーザで加工されがたい。第１開口部と第２開口部が屈曲する位置は、樹脂絶縁層と絶縁基板との界面から絶縁基板内の補強材との間であることが好ましい。補強材内で屈曲する場合は含まれる（図１２（Ｃ）参照）。その他の例として、樹脂絶縁層が酸化物からなる粒子を含有し、絶縁基板が水酸化物からなる粒子を含有している例を挙げることができる。絶縁基板が水酸化物からなる粒子を有するため、絶縁基板は樹脂絶縁層よりレーザで加工されがたい。酸化物からなる粒子として、アルミナ、シリカ、酸化バリウムなどを挙げることができる。
【００３６】
絶縁基板は樹脂と補強材とからなり、樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂とからなり、補強材を有しない。この場合でも、図１１に示される貫通孔が得られる。さらに、絶縁基板は水酸化物からなる粒子を有し、樹脂絶縁層は水酸化物からなる粒子を含まないことが好ましい。
【００３７】
図１１（Ａ）や図１４（Ａ）の貫通孔は以下の方法で形成することができる（方法例１）。コア基板の第１面の所定位置に１パルス目のレーザを照射する。この位置を位置Ｍとする。同じ位置に２パルス目のレーザを照射する。１パルス目のレーザエネルギーは２パルス目のレーザエネルギーより強い。これにより、第１−１開口部と第１−２開口部とからなる第１開口部が形成される。続いて、コア基板の第２面に１パルス目のレーザを照射する。１パルス目のレーザの位置（位置Ｎ）は位置Ｍに対向する位置である。つまり、１パルス目のレーザの位置（位置Ｎ）は、位置Ｍを通りコア基板の第１面と垂直な直線とコア基板の第２面と交わる点である。同じ位置に２パルス目のレーザを照射する。１パルス目のレーザエネルギーは２パルス目のレーザエネルギーより強い。第１開口部と第２開口部が繋がることで、図１１（Ａ）や図１４（Ａ）に示される貫通孔が形成される。この方法で利用できるコア基板として、樹脂と無機粒子とからなるコア基板４００や樹脂と補強材とからなるコア基板４００や無機粒子と樹脂と補強材とからなるコア基板４００や水酸化物からなる粒子と樹脂と補強材とからなるコア基板４００や絶縁基板とその絶縁基板を挟む樹脂絶縁層とからなるコア基板３０を使うことが出来る。絶縁基板と樹脂絶縁層に同条件でレーザにより開口を形成すると、樹脂絶縁層に開口を形成することは絶縁基板に開口を形成することより容易である。
【００３８】
図１１（Ｂ）の貫通孔は以下の方法で形成することができる（方法例２）。図１１（Ｂ）に示されているコア基板は、補強材と金属水酸化物と樹脂とからなる絶縁基板と無機粒子と樹脂とからなり絶縁基板を挟んでいる樹脂絶縁層とからなる。コア基板の第１面の所定位置（位置Ｏ）にレーザを照射して第１−１開口部と第１−２開口部とからなる第１開口部３３Ａを形成する（図１５（Ａ））。続いて、コア基板の第２面の所定位置（位置Ｐ）にレーザを照射して第２−１開口部と第２−２開口部とからなる第２開口部３３Ｂを形成する（図１５（Ｂ））。位置Ｏと位置Ｐは対向していない。つまり、位置Ｐは、位置Ｏを通りコア基板の第１面と垂直な直線とコア基板の第２面と交わる点から所定距離離れている。これにより、第１開口部と第２開口部が絶縁機基板内で繋がることで図１１（Ｂ）に示されている貫通孔が形成される。
【００３９】
図１１（Ｃ）や図１４（Ｃ）の貫通孔は方法例１をモディファイすることで形成することができる（方法例３）。方法例１において、コア基板の第１面に照射する１パルス目のレーザの位置と２パルス目のレーザの位置（位置Ｑ）をずらすことで、図１１（Ｃ）や図１４（Ｃ）の貫通孔が得られる。図１１（Ｃ）の貫通孔は第１開口部と第２開口部が繋がることで得られる。この時、２パルス目のレーザの径は１パルス目のレーザの径より小さいことが好ましい。
【００４０】
図１１（Ｃ）の貫通孔は方法例２をモディファイすることで形成することができる（方法例４）。方法例２において、コア基板の第１面に照射されるレーザのパルス数を方法１と同様に複数にする。コア基板の第１面に照射する１パルス目のレーザの位置（位置Ｏ）と２パルス目のレーザの位置（位置Ｓ）をずらすことで（図１５（Ｃ））、図１１（Ｃ）の貫通孔が得られる。図１１（Ｃ）の貫通孔は第１開口部と第２開口部が絶縁基板内で繋がることで得られる。この時、２パルス目のレーザの径は１パルス目のレーザの径より小さいことが好ましい。
【００４１】
図１１（Ｄ）や図１４（Ｄ）の貫通孔は方法例３をモディファイすることで形成することができる（方法例５）。方法例５では、コア基板の第２面に照射される２パルス目のレーザの位置（位置Ｒ）は１パルス目のレーザの照射位置からを所定距離離れている。図１１（Ｄ）や図１４（Ｄ）の貫通孔は第１開口部と第２開口部が繋がることで得られる。この時、２パルス目のレーザの径は１パルス目のレーザの径より小さいことが好ましい。位置Ｍを通りコア基板の第１面に垂直な直線（直線Ｍ）と位置Ｎを通りコア基板の第１面に垂直な直線（直線Ｎ）と位置Ｑを通りコア基板の第１面に垂直な直線（直線Ｑ）と位置Ｒを通りコア基板の第１面に垂直な直線（直線Ｒ）は重ならない（図１５（Ｄ））。
【００４２】
図１１（Ｄ）の貫通孔は方法例４をモディファイすることで形成することができる（方法例６）。方法例６では、コア基板の第２面に照射されるレーザのパルス数を複数にする。コア基板の第２面に照射される２パルス目のレーザの位置（位置Ｒ）は１パルス目のレーザの照射位置からを所定距離離れている。この時、２パルス目のレーザの径は１パルス目のレーザの径より小さいことが好ましい。図１１（Ｄ）の貫通孔は第１開口部と第２開口部が繋がることで得られる。位置Ｏを通りコア基板の第１面に垂直な直線（直線Ｏ）と位置Ｐを通りコア基板の第１面に垂直な直線（直線Ｐ）と位置Ｓを通りコア基板の第１面に垂直な直線（直線Ｓ）と位置Ｒを通りコア基板の第１面に垂直な直線（直線Ｒ）は重ならない。
【００４３】
いずれの方法例においても、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示されるエネルギー強度を有するレーザが照射されることが好ましい。長さがレーザの強度を模式的に示している。中心部の強度は外周部の強度より強い。中心から外周に向かってレーザの強度は指数関数的または直線的に弱くなっている。
第１重心線と第３重心線とをオフセットするために、第１−１開口部を形成するためのレーザ照射位置と第１−２開口部を形成するためのレーザ照射位置が所定距離離される場合、第１−１開口部を形成するためのレーザの径は第１−２開口部を形成するためのレーザの径より大きいことが好ましい。
第２重心線と第４重心線とをオフセットするために、第２−１開口部を形成するためのレーザ照射位置と第２−２開口部を形成するためのレーザ照射位置が所定距離離される場合、第２−１開口部を形成するためのレーザの径は第２−２開口部を形成するためのレーザの径より大きいことが好ましい。
【００４４】
（４）貫通孔３３を有するコア基板３０は、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬される。樹脂絶縁層３２の表面に粗面３２αが形成される（図１（Ｅ））。コア基板の第１面とコア基板の第２面に粗面が形成される。
【００４５】
（５）コア基板３０の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与する。その後、無電解めっき液にコア基板を浸漬する。コア基板の第１面、第２面と貫通孔の内壁に無電解めっき膜２３が形成される（図２（Ａ）参照）。無電解めっき膜として、無電解銅めっき膜や無電解ニッケルめっき膜を例示することができる。厚さは０．２μｍ〜０．６μｍである。無電解めっき膜２３上にめっきレジスト２５が形成される（図２（Ｂ））。無電解めっき膜をシード層として、めっきレジストから露出している無電解めっき膜上に電解めっき膜を形成する。貫通孔３３は電解めっき膜２４で充填される（図２（Ｃ））。無電解めっき膜の代わりに、貫通孔３３の内壁とコア基板の表面にスパッタ膜を形成することができる。
【００４６】
（６）めっきレジストが除去される。めっきレジストを除去することで露出する無電解めっき膜がエッチングで除去される。コア基板の第１面に第１の回路３４Ａが形成される。コア基板の第２面に第２の回路３４Ｂが形成される（図３（Ａ）参照）。プリント配線板１０００が完成する。第１の回路は第１の導体回路３４ＡＣや第１のスルーホールランド（第１のランド）３４ＡＬを有する。第１の導体回路はコア基板の第１面に形成されている回路であり、第１のスルーホールランド３４ＡＬは、スルーホール導体を覆う回路とコア基板の第１面上であってスルーホール導体の周りに形成されている回路とからなる。第２の回路は第２の導体回路３４ＢＣや第２のスルーホールランド（第２のランド）３４ＢＬを有する。第２の導体回路３４ＢＣはコア基板の第２面に形成されている回路であり、第２のスルーホールランド３４ＢＬは、スルーホール導体を覆う回路とコア基板の第２面上であってスルーホール導体の周りに形成されている回路とからなる。
【００４７】
上述の例では、コア基板が樹脂絶縁層と絶縁基板からなっているが、コア基板は１つの絶縁基板や１つの樹脂絶縁層からなってもよい。製造方法が簡略化できる。上述の方法（図１から図３（Ａ））以外の方法で、プリント配線板を製造する方法が図１３に示されている。この例では、１つの絶縁基板または１つの樹脂絶縁層が出発材料である（図１３（Ａ））。１つの絶縁基板４００Ａまたは１つの樹脂絶縁層４００Ａに銅箔４０１が積層される（図１３（Ｂ））。１つの絶縁基板または１つの樹脂絶縁層の第１面３０Ａにレーザが照射される。１つの絶縁基板または１つの樹脂絶縁層の第１面側に第１開口部３３Ａが形成される（図１３（Ｃ））。１つの絶縁基板または１つの樹脂絶縁層の第２面３０Ｂにレーザが照射される。１つの絶縁基板または１つの樹脂絶縁層の第２面側に第２開口部３３Ｂが形成される。第１開口部３３Ａと第２開口部３３Ｂが１つの絶縁基板または１つの樹脂絶縁層内で繋がることで貫通孔３３が形成される（図１３（Ｄ））。貫通孔を有するコア基板が完成する。貫通孔は上述のいずれかの方法により形成することができる。コア基板の表面と貫通孔の内壁に無電解めっきなどでシード層３２３が形成される。シード層３２３上に電解めっき膜３２４を形成する。貫通孔３３が電解めっき膜３２４で充填される（図１３（Ｅ））。エッチングによりコア基板上に導体回路３４ＡＣ、３４ＢＣとランド３４ＡＬ、３４ＢＬを形成することで、プリント配線板１０００が完成する（図１３（Ｆ））。
【００４８】
（７）次に、第１と第２の回路３４Ａ、３４Ｂの表面に粗化層３４βが形成される（図３（Ｂ））。
【００４９】
（８）回路を有するコア基板３０の両面に、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）が積層される。硬化することで、コア基板の両面に層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂが形成される（図３（Ｃ））。
【００５０】
（９）ＣＯ２ガスレーザにて層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂに導体回路やスルーホールランドに到達するビア導体用開口５１が形成される（図３（Ｄ））。
【００５１】
（１０）ビア導体用開口５１を有する基板は、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬される。ビア導体用開口５１の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂの表面に粗面５０αが形成される（図４（Ａ））。触媒液に基板を浸漬することにより、層間樹脂絶縁層の表面およびビア導体用開口の内壁面に触媒核が付着される。
【００５２】
（１１）次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液（スルカップＰＥＡ）に基板を浸漬することで、ビア導体用開口５１の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂの表面に無電解銅めっき膜５２が形成される（図４（Ｂ））。
【００５３】
（１２）無電解銅めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される。めっきレジスト５４から露出する無電解めっき膜上に、電解銅めっき膜５６が形成される（図４（Ｃ））。
【００５４】
（１３）めっきレジスト５４が除去される。電解銅めっき膜間の無電解めっき膜をエッチングで除去することで独立の導体回路５８Ａ、５８Ｂ、及び、ビア導体６０Ａ、６０Ｂが形成される（図４（Ｄ））。多層配線板３００が得られる。
【００５５】
（１４）ついで、導体回路５８Ａ、５８Ｂ及びビア導体６０Ａ、６０Ｂの表面に粗化層５８αが形成される（図５（Ａ））。
【００５６】
（１５）次に、多層配線板３００の両面に、開口７１Ａ、７１Ｂを有するソルダーレジスト層７０Ａ、７０Ｂが形成される（図５（Ｂ））。開口７１Ａ、７１Ｂにより導体回路５８Ａ、５８Ｂやビア導体６０Ａ、６０Ｂの上面が露出する。開口７１Ａ、７１Ｂにより露出する導体回路５８Ａ、５８Ｂやビア導体６０Ａ、６０Ｂの上面が半田パッド７２Ａ、７２Ｂとして機能する。
【００５７】
（１６）半田パッド上ニッケルめっき層を形成し、さらに、ニッケルめっき層上に、金めっき層を形成する（図５（Ｃ））。半田パッド上に、ニッケル−金層以外に、ニッケル−パラジウム−金層を形成してもよい。
【００５８】
（１７）この後、ソルダーレジスト層の開口部７１Ａ、７１Ｂにそれぞれ半田ボールを搭載し、２３０℃でリフローすることにより、半田パッド上に半田バンプ７８Ａ、７８Ｂが形成される（図６）。
【００５９】
[第１実施例]
（１）ガラスクロスとエポキシ樹脂と水酸化マグネシウムとからなる絶縁基板３１を用意する（図１（Ａ））。絶縁基板３１の厚さは０．２ｍｍである。絶縁基板３１は主面３１Ａと主面と反対側の副面３１Ｂとを有している。絶縁基板の両面に、樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）３２を積層する。加熱プレスにより、絶縁基板と樹脂絶縁層とからなるコア基板が得られる（図１（Ｂ））。樹脂絶縁層は、ＫＭｎＯ４溶液に溶解する成分と熱膨張率調整用のシリカとを含有している。第１樹脂絶縁層と第２樹脂絶縁層は補強材を有していない。
【００６０】
（２）コア基板３０の第１面３０Ａの所定の位置（位置１）にＣＯ２ ガスレーザにてレーザを照射する。照射されるレーザ数は４パルスである。コア基板の第１面側に第１−１開口部と第１−２開口部とからなる第１開口部３３Ａが形成される（図１（Ｃ））。第１−１開口部は第１樹脂絶縁層に形成されている開口部であり、第１−２開口部は絶縁基板に形成されている開口部である。第１樹脂絶縁層３２Ａは絶縁基板３１よりレーザで加工されやすいので、第１開口部は第１−１開口部と第１−２開口部の境界で内側へ屈曲している。屈曲している位置は第１樹脂絶縁層３２Ａと絶縁基板３１との界面とほぼ一致している。
【００６１】
（３）コア基板３０の第２面３０Ｂの所定の位置（位置２）にＣＯ２ ガスレーザにてレーザを照射する。位置１を通りコア基板の第１面に垂直な直線とコア基板の第２面との交点が位置２である。第１重心線と第２重心線が重なっている。照射されるレーザ数は４パルスである。コア基板の第２面側に第２−１開口部と第２−２開口部とからなる第２開口部３３Ｂが形成される（図１（Ｄ））。第１開口部と第２開口部が繋がることで貫通孔が形成される。第２−１開口部は第２樹脂絶縁層に形成されている開口部であり、第２−２開口部は絶縁基板に形成されている開口部である。第２樹脂絶縁層３２Ｂは絶縁基板３１よりレーザで加工されやすいので、第２開口部は第２−１開口部と第２−２開口部の境界で内側へ屈曲している。屈曲している位置は第２樹脂絶縁層３２Ｂと絶縁基板３１との界面とほぼ一致している。図１１（Ａ）に示される貫通孔が形成される。
【００６２】
（４）貫通孔３３を有するコア基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬する。樹脂絶縁層３２の表面に粗面３２αが形成される（図１（Ｅ））。コア基板の第１面と第２面に粗面が形成される。
【００６３】
（５）コア基板３０表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与する。その後、無電解銅めっき液（上村工業社製）にコア基板を浸漬する。コア基板の第１面、第２面と貫通孔の内壁に無電解銅めっき膜２３が形成される（図２（Ａ）参照）。無電解銅めっき膜の厚さは０．４μｍである。無電解めっき膜２３上にめっきレジスト２５が形成される（図２（Ｂ））。無電解めっき膜２３をシード層として、めっきレジスト２５から露出している無電解めっき膜上に電解銅めっき膜２４を形成する。貫通孔３３は電解銅めっき膜２４で充填される（図２（Ｃ））。
【００６４】
（６）めっきレジストが除去される。めっきレジストを除去することで露出する無電解銅めっき膜がエッチングで除去される。コア基板の第１面に第１の導体回路３４ＡＣや第１のスルーホールランド３４ＡＬが形成され、コア基板の第２面に第２の導体回路３４ＢＣや第２のスルーホールランド３４ＢＬが形成される。同時に、第１と第２の導体回路とを接続するスルーホール導体３６が形成される（図３（Ａ）参照）。電解銅めっき膜の厚さは略１５μｍである。第１実施例のプリント配線板１０００が完成する。
【００６５】
[第２実施例]
（１）ガラスクロスとエポキシ樹脂とからなるプリプレグ４００を用意する（図１３（Ａ））。プリプレグの両面に１２μｍの銅箔４０１が積層される。加熱プレスによりプリプレグが硬化することで銅箔を有するコア基板３０が得られる（図１３（Ｂ））。
【００６６】
（２）コア基板３０の第１面３０Ａの所定の位置（位置１０）にＣＯ２ ガスレーザにてレーザを照射する。照射されるレーザ数は４パルスである。１パルス目と２パルス目のレーザの強度は同じであり、３パルス目と４パルス目のレーザの強度は同じである。１パルス目のレーザの強度は３パルス目のレーザの強度より強い。照射される位置は全て同じ位置（位置１０）である。コア基板の第１面側に第１−１開口部３３Ａ−１と第１−２開口部３３Ａ−２とからなる第１開口部３３Ａが形成される（図１３（Ｃ））。レーザの強度が３パルス以降弱くなっているので、第１開口部３３Ａは第１−１開口部３３Ａ−１と第１−２開口部３３Ａ−２との境界で内側へ屈曲している。
【００６７】
コア基板３０の第２面３０Ｂの所定の位置（位置１１）にＣＯ２ ガスレーザにてレーザを照射する。照射されるレーザ数は４パルスである。１パルス目と２パルス目のレーザの強度は同じであり、３パルス目と４パルス目のレーザの強度は同じである。１パルス目のレーザの強度は３パルス目のレーザの強度より強い。照射される位置は全て同じ位置（位置１１）である。コア基板の第２面側に第２−１開口部３３Ｂ−１と第２−２開口部３３Ｂ−２とからなる第２開口部３３Ｂが形成される。第１開口部と第２開口部とからなる貫通孔３３が形成される（図１３（Ｄ））。位置１０を通りコア基板の第１面に垂直な直線とコア基板の第２面との交点は位置１１から所定距離離れている。レーザの強度が３パルス以降弱くなっているので、第２開口部は第２−１開口部と第２−２開口部との境界で内側へ屈曲している。図１４（Ｂ）に示される貫通孔３３が形成される。
【００６８】
コア基板の第１面、第２面と貫通孔の内壁にスパッタで銅膜３２３が形成される。銅膜３２３をシード層として、コア基板の第１面と第２面上に電解銅めっき膜３２４が形成される。同時に貫通孔３３は電解銅めっき膜３２４で充填される（図１３（Ｅ））。
電解銅めっき膜上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出する電解銅めっき膜、銅膜と銅箔がエッチングで除去される。
【００６９】
コア基板の第１面に第１の導体回路３４ＡＣや第１のスルーホールランド３４ＡＬが形成され、コア基板の第２面に第２の導体回路３４ＢＣや第２のスルーホールランド３４ＢＬが形成される。同時に、第１と第２の導体回路とを接続するスルーホール導体３６が形成される。電解銅めっき膜の厚さは略１５μｍである。第２実施例のプリント配線板１０００が完成する（図１３（Ｆ））。
【００７０】
[第３実施例]
第３実施例のプリント配線板の作り方は第１実施例の変更例である。
第３実施例のコア基板の作成方法は第１実施例と同様である。コア基板の第１面の所定位置（位置１０）に１パルス目と２パルス目のレーザが照射される。その後、位置１０から所定距離離れている位置（位置１００）に３パルス目と４パルス目のレーザが照射される。１パル目のレーザの強度と２パルス目のレーザの強度は同等であり、３パル目のレーザの強度と４パルス目のレーザの強度は同等である。１パルス目のレーザの強度は３パルス目のレーザの強度より強い。１パル目のレーザの径と２パルス目のレーザの径は同等であり、３パル目のレーザの径と４パルス目のレーザの径は同等である。１パルス目のレーザの径は３パルス目のレーザ径より大きい。
【００７１】
コア基板の第２面の所定位置（位置２０）に１パルス目から４パルス目のレーザが照射される。位置１０を通りコア基板の第１面に垂直な直線とコア基板の第２面との交点（交点１）は位置２０から所定距離離れている。また、位置１００を通りコア基板の第１面に垂直な直線とコア基板の第２面との交点（交点２）は位置２０から所定距離離れている。交点１、交点２と位置２０は一致しない。１パル目のレーザの強度と２パルス目のレーザの強度は同等であり、３パル目のレーザの強度と４パルス目のレーザの強度は同等である。１パルス目のレーザの強度は３パルス目のレーザの強度より強い。図１１（Ｃ）に示される貫通孔が形成される。
【００７２】
[第４実施例]
第４実施例のプリント配線板の作り方は第３実施例の変更例である。
第４実施例のコア基板の作成方法は第１実施例と同様である。コア基板の第１面の所定位置（位置１０）に１パルス目と２パルス目のレーザが照射される。その後、位置１０から所定距離離れている位置（位置１００）に３パルス目と４パルス目のレーザが照射される。１パル目のレーザの強度と２パルス目のレーザの強度は同等であり、３パル目のレーザの強度と４パルス目のレーザの強度は同等である。１パルス目のレーザの強度は３パルス目のレーザの強度より強い。１パル目のレーザの径と２パルス目のレーザの径は同等であり、３パル目のレーザの径と４パルス目のレーザの径は同等である。１パルス目のレーザの径は３パルス目のレーザ径より大きい。
【００７３】
コア基板の第２面の所定位置（位置２０）に１パルス目と２パルス目のレーザが照射される。その後位置２０から所定距離離れている位置（位置２００）に３パルス目と４パルス目のレーザが照射される。位置１０を通りコア基板の第１面に垂直な直線とコア基板の第２面との交点（交点１）は位置２０、位置２００から所定距離離れている。また、位置１００を通りコア基板の第１面に垂直な直線とコア基板の第２面との交点（交点２）は位置２０、位置２００から所定距離離れている。交点１、交点２、位置２０と位置２００は一致しない。１パル目のレーザの強度と２パルス目のレーザの強度は同等であり、３パル目のレーザの強度と４パルス目のレーザの強度は同等である。１パルス目のレーザの強度は３パルス目のレーザの強度より強い。１パルス目のレーザの径は３パルス目のレーザ径より大きい。図１１（Ｄ）に示される貫通孔が形成される。
【００７４】
[ビルドアップ配線板の例]
第１実施例から第４実施例のプリント配線板１０００はビルドアップ配線板のコア基板に利用することができる。
第１実施例から第４実施例のいずれかのプリント配線板の両面に、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）が積層される。硬化することで、コア基板の両面に層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂが形成される（図３（Ｃ））。
【００７５】
（９）ＣＯ２ガスレーザにて層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂに導体回路やスルーホールランドに到達するビア導体用開口５１を形成する（図３（Ｄ））。
【００７６】
（１０）ビア導体用開口５１を有する基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬する。ビア導体用開口５１の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂの表面に粗面５０αが形成される（図４（Ａ））。触媒液に基板を浸漬することにより、層間樹脂絶縁層の表面およびビア導体用開口の内壁面に触媒核が付着される。
【００７７】
（１１）次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液（スルカップＰＥＡ）に基板を浸漬することで、ビア導体用開口５１の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂの表面に無電解銅めっき膜５２が形成される（図４（Ｂ））。
【００７８】
（１２）無電解銅めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される。めっきレジスト５４から露出する無電解めっき膜上に、電解銅めっき膜５６が形成される（図４（Ｃ））。
【００７９】
（１３）めっきレジスト５４が除去される。電解銅めっき膜間の無電解めっき膜をエッチングで除去することで独立の導体回路５８Ａ、５８Ｂ、及び、ビア導体６０Ａ、６０Ｂが形成される（図４（Ｄ））。多層配線板３００が得られる。
【００８０】
（１４）ついで、導体回路５８Ａ、５８Ｂ及びビア導体６０Ａ、６０Ｂの表面に粗化層５８αが形成される（図５（Ａ））。
【００８１】
（１５）次に、多層配線板の両面に、開口７１Ａ、７１Ｂを有するソルダーレジスト層７０Ａ、７０Ｂが形成される（図５（Ｂ））。開口７１Ａ、７１Ｂにより導体回路５８Ａ、５８Ｂやビア導体６０Ａ、６０Ｂの上面が露出する。開口７１Ａにより露出する導体回路５８Ａ、５８Ｂやビア導体６０Ａ、６０Ｂの上面が半田パッドとして機能する。
【００８２】
（１６）半田パッド上ニッケルめっき層を形成し、さらに、ニッケルめっき層上に、金めっき層を形成する（図５（Ｃ））。
【００８３】
（１７）この後、ソルダーレジスト層の開口部７１Ａ、７１Ｂにそれぞれ半田ボールを搭載し、２３０℃でリフローすることにより、半田パッド上に半田バンプ７８Ａ、７８Ｂが形成される（図６）。ビルドアップ配線板が完成する。
【００８４】
[第２実施形態]
図１６を参照して本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板について説明する。
第１実施形態に係る多層プリント配線板では、コア基板の貫通孔３３内にめっきが充填されている。これに対して、第２実施形態では、貫通孔３３の側壁にスルーホール導体３６が形成され、該スルーホール導体３６の内部は充填樹脂３７で充填されている。第２実施形態のように、スルーホール導体内に樹脂が充填されているプリント配線板においても、スルーホール導体の信頼性を高めることができる。
【符号の説明】
【００８５】
３０  コア基板
３１  絶縁基板
３２  樹脂絶縁層
３３  貫通孔
３３Ａ  第１開口部
３３Ｂ  第２開口部
３４Ａ  第１の回路
３４Ｂ  第２の回路
３６  スルーホール導体
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  ビア導体
７０  ソルダーレジスト層
【図１】
2011205069.tif 000003
【図２】
2011205069.tif 000004
【図３】
2011205069.tif 000005
【図４】
2011205069.tif 000006
【図５】
2011205069.tif 000007
【図６】
2011205069.tif 000008
【図７】
2011205069.tif 000009
【図８】
2011205069.tif 000010
【図９】
2011205069.tif 000011
【図１０】
2011205069.tif 000012
【図１１】
2011205069.tif 000013
【図１２】
2011205069.tif 000014
【図１３】
2011205069.tif 000015
【図１４】
2011205069.tif 000016
【図１５】
2011205069.tif 000017
【図１６】
2011205069.tif 000018