(57)【要約】【課題】  高い熱効率で供給ガスを加熱するとともに、熱効率を損なうことなく装置の大型化を図ることができ、大量生産を可能にする。【解決手段】  反応容器１の内部を加熱する加熱機構２と、ガス供給部３と、ガス排出部４とを備え、加熱機構２は、反応容器１の内底部に設けられ外部の電源に接続された電極部３１と、電極部３１に保持され反応容器２内に上下方向に沿って立設されたヒータ部３２とからなり、反応容器１内には、反応容器１の内部空間をヒータ部３２が配置される反応室２３と、その下方で電極部３１が配置されるガス導入室２１とに区画するとともに反応室２３とガス導入室２１とを複数の貫通孔１９により連通状態としたガス分散板１７が設けられ、ガス供給部３は、ガス導入室２１を経由して反応室２３に原料ガスを供給するように接続されている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスが内部に供給されてトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスが生成される反応容器と、前記反応容器の内部を加熱する加熱機構と、前記反応容器内に前記原料ガスを供給するガス供給部と、前記反応容器から前記反応生成ガスを外部に排出するガス排出部とを備えたトリクロロシラン製造装置であって、
前記加熱機構は、前記反応容器の内底部に設けられ外部の電源に接続された電極部と、該電極部に保持され反応容器内に上下方向に沿って立設されたヒータ部とからなり、前記反応容器内には、該反応容器の内部空間を前記ヒータ部が配置される反応室と、その下方で前記電極部が配置されるガス導入室とに区画するとともに前記反応室とガス導入室とを複数の貫通孔により連通状態としたガス分散板が設けられ、前記ガス供給部は、前記ガス導入室を経由して前記反応室に原料ガスを供給するように接続されていることを特徴とするトリクロロシラン製造装置。
【請求項２】
反応容器を構成する部材、電極部及びヒータ部が、カーボンにより形成され、該カーボンの表面が、炭化珪素によりコーティングされている請求項１記載のトリクロロシラン製造装置。
【請求項３】
前記ガス導入室のガス供給口は、前記電極部と前記ヒータ部との接合面よりも上方位置に配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載のトリクロロシラン製造装置。
【請求項４】
前記ヒータ部は、前記ガス分散板の貫通孔内に、その内周縁と間隔を開けて挿入されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のトリクロロシラン製造装置。
【請求項５】
前記反応容器の外側に、該反応容器を囲む収納容器が設けられるとともに、該収納容器と前記反応容器との間に、前記ガス供給部から供給される原料ガスを前記ガス導入室に案内しつつ前記反応容器の外面からの熱により予熱するガス予熱室が形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のトリクロロシラン製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テトラクロロシランをトリクロロシランに転換するトリクロロシラン製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン（Ｓｉ：珪素）を製造するための原料として使用されるトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）は、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４：四塩化珪素）を水素と反応させて転換することで製造することができる。
すなわち、シリコンは、以下の反応式（１）（２）によるトリクロロシランの還元反応と熱分解反応で生成され、トリクロロシランは、以下の反応式（３）による転換反応で生成される。
ＳｉＨＣｌ３＋Ｈ２  → Ｓｉ＋３ＨＣｌ                  ・・・（１）
４ＳｉＨＣｌ３     → Ｓｉ＋３ＳｉＣｌ４＋２Ｈ２        ・・・（２）
ＳｉＣｌ４＋Ｈ２    → ＳｉＨＣｌ３＋ＨＣｌ             ・・・（３）
【０００３】
このトリクロロシランを製造する装置として、例えば特許文献１には、反応室が、同心配置の２つの管によって形成された外室と内室とをもった二重室設計とされ、この反応室の外側の周りに発熱体を配置した反応容器が提案されている。この反応容器では、炭素等で形成されたヒータ部である発熱体が通電により発熱し、反応室内を外側から加熱することで、反応室内のガスを反応させている。
一方、特許文献２には、反応容器を複数の同心状の円筒壁と、これら円筒壁の間の小空間の上下を閉塞する円板とにより構成するとともに、各小空間を連続的に連通させて反応室とし、最も内周位置の円筒壁の内側に発熱体を設けたトリクロロシラン製造装置を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３７８１４３９号公報
【特許文献２】特開２００８−１３３１７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１記載の構造であると、反応室の外部に配した発熱体により反応室内を加熱するが、この場合、発熱体からは半径方向内方だけでなく半径方向外方にも輻射熱が放射されるため、熱効率が低いという不都合がある。
【０００６】
一方、特許文献２記載の構造の場合、反応容器の中央位置に発熱体を設けたことにより、半径方向外方に放射される輻射熱の全体を反応室内のガスに加えることができ、特許文献１記載のものより高い熱効率で加熱することができる。ただし、発熱体の外側を囲むように反応室が設けられるため、生産量の増大のために装置を大型化して反応室の外径を大きくしようとすると、その外周部は発熱体から遠くなるため、大型化への対応には限界がある。
【０００７】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、さらに高い熱効率で供給ガスを加熱するとともに、熱効率を損なうことなく装置の大型化を図ることができ、大量生産を可能にするトリクロロシラン製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のトリクロロシラン製造装置は、テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスが内部に供給されてトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスが生成される反応容器と、前記反応容器の内部を加熱する加熱機構と、前記反応容器内に前記原料ガスを供給するガス供給部と、前記反応容器から前記反応生成ガスを外部に排出するガス排出部とを備えたトリクロロシラン製造装置であって、前記加熱機構は、前記反応容器の内底部に設けられ外部の電源に接続された電極部と、該電極部に保持され反応容器内に上下方向に沿って立設されたヒータ部とからなり、前記反応容器内には、該反応容器の内部空間を前記ヒータ部が配置される反応室と、その下方で前記電極部が配置されるガス導入室とに区画するとともに前記反応室とガス導入室とを複数の貫通孔により連通状態としたガス分散板が設けられ、前記ガス供給部は、前記ガス導入室を経由して前記反応室に原料ガスを供給するように接続されていることを特徴とする。
【０００９】
ヒータ部を反応容器の中に設置したことにより、ヒータ部の熱がその周囲に流通する原料ガスに直接伝わることになり、原料ガスを高い熱効率で加熱することができる。また、反応容器内にヒータ部が設置されるので、反応室を大型化しても、その必要個所にヒータ部を設置することができ、熱効率を損なうことがない。
この場合、電極部も反応容器内に設置されることから、この電極部とヒータ部との接続面の周辺が原料ガスに晒されることになる。このため、その接続面の導電部と高温の原料ガスとが反応すると不純物が発生するおそれがあるが、ガス分散板によってガス導入室と反応室とを区画し、そのガス導入室に電極部を配置したことから、ガス供給部から供給される比較的低温の原料ガスが電極部に接触するとともに、電極部が高温の反応室から遮蔽されることになり、不純物の発生を防止することができる。
【００１０】
本発明のトリクロロシラン製造装置において、反応容器を構成する部材、電極部及びヒータ部が、カーボンにより形成され、該カーボンの表面が、炭化珪素によりコーティングされているとよい。
すなわち、トリクロロシラン製造装置では、炭化珪素（ＳｉＣ）でコーティングされたカーボンで反応容器、電極部及びヒータ部が構成されているので、カーボンと原料ガス及び反応生成ガス中の水素、クロロシラン及び塩化水素（ＨＣｌ）とが反応してメタン、メチルクロロシラン、炭化珪素等が生成されて不純物となることを防ぎ、純度の高いトリクロロシランを得ることができる。
この場合、電極部とヒータ部との接合面は導電部であるため、低抵抗であることが必要となり、高抵抗材料である炭化珪素をコーティングすることができないが、前述したように、その接合面付近には比較的低温の原料ガスが供給されるので、不純物の発生を有効に防止することができる。多数のヒータ部を設置する場合に、電極部との接合面も多数配置されることになるため、特に有効である。
【００１１】
この場合、前記ガス導入室のガス供給口は、前記電極部と前記ヒータ部との接合面よりも上方位置に配置されているとよい。
ガス導入室内においては、原料ガスが電極部とヒータ部との接合面よりも上方位置から導入され、その大部分が接合面を避けるようにガス分散板の貫通孔に向けて流れることになり、不純物の混入防止効果をより高めることができる。
【００１２】
本発明の多結晶シリコン製造装置において、前記ヒータ部は、前記ガス分散板の貫通孔内に、その内周縁と間隔を開けて挿入されている構成とするとよい。
ガス導入室に供給された原料ガスが反応室内に導入される際に、ヒータ部を挿入状態としているガス分散板の貫通孔を通ることにより、上下方向に沿って立設されたヒータ部に対して上方に向けて流通する原料ガスがいわゆるショートパス状態とならずに、確実にヒータ部に接触するので、加熱効率がよい。
【００１３】
本発明のトリクロロシラン製造装置において、前記反応容器の外側に、該反応容器を囲む収納容器が設けられるとともに、該収納容器と前記反応容器との間に、前記ガス供給部から供給される原料ガスを前記ガス導入室に案内しつつ前記反応容器の外面からの熱により予熱するガス予熱室が形成されているとよい。
反応容器が高温となるので、その外面から放出される熱を有効利用するのである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るトリクロロシラン製造装置によれば、ヒータ部を反応容器の中に設置したことにより、ヒータ部の熱が原料ガスに直接伝わり、原料ガスを高い熱効率で加熱して、トリクロロシランへの転換率をより向上させることができる。しかも、反応室を大型化しても、必要個所にヒータ部を設置することができ、熱効率を損なうことなく装置の大型化を図ることができ、大量生産を可能にする。また、ガス分散板によってガス導入室と反応室とを区画し、そのガス導入室に電極部を配置したことから、ガス供給部から供給される比較的低温の原料ガスが電極部に接触することになるとともに、電極部が高温の反応室から遮蔽されるので、電極部とヒータ部との接合面からの不純物の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係るトリクロロシラン製造装置の一実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図1のＡ−Ａ線に沿う矢視断面図である。
【図３】図1の加熱機構の一部を拡大して示す（ａ）が正面図、（ｂ）が縦断面図である。
【図４】本発明に係るトリクロロシラン製造装置の他の実施形態を示す縦断面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ線に沿う矢視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係るトリクロロシラン製造装置の一実施形態を図面を参照しながら説明する。
本実施形態のトリクロロシラン製造装置は、図１に示すように、テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスが内部に供給されて転換反応によりトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスが生成される反応容器１と、反応容器１の内部を加熱する加熱機構２と、反応容器１内に原料ガスを供給するガス供給部３と、反応容器１から反応生成ガスを外部に排出するガス排出部４と、反応容器１の外側を覆う収納容器５とを備えている。
【００１７】
反応容器１は、円板状の底板部１１と、この底板部１１の上に立設された円筒状の外側筒壁１２と、この外側筒壁１２の上端を閉塞する天板部１３とにより構成されており、中央部に、外側筒壁１２より高さの低い内側筒壁１４が同心状に設けられている。また、外側筒壁１２の下端部にガス導入口１５が周方向に間隔をおいて複数形成されている。一方、内側筒壁１４の上端部は天板部１３との間に隙間が開けられ、その隙間から内側筒壁１４の内部空間が連通状態とされており、その内側筒壁１４の下端に、底板部１１を貫通するガス導出口１６が形成されている。そして、外側筒壁１２のガス導入口１５から導入された原料ガスが外側筒壁１２と内側筒壁１４との間を流通し、内側筒壁１４と天板部１３との間から内側筒壁１４の内部空間を通ってガス導出口１６から導出されるようになっている。
【００１８】
また、外側筒壁１２と内側筒壁１４との間には、その下端部と上端部とに、それぞれ底板部１１及び天板部１３との間に間隔を開けてガス分散板１７，１８が水平に設けられている。これらガス分散板１７，１８は、外側筒壁１２と内側筒壁１４との間のリング状空間を上下に仕切るリング板状に形成されるとともに、板厚方向に多数の貫通孔１９，２０が形成されており、その貫通孔１９，２０を介して両筒壁１２，１４の間のリング状空間を上下に連通した状態としている。この場合、下側のガス分散板１７は、外側筒壁１２のガス導入口１５よりも上方に配置され、また、上側のガス分散板１８は、内側筒壁１４の上端に天板部１３との間に隙間を開けて配置されている。そして、下側のガス分散板１７より下方の空間が環状のガス導入室２１とされ、上側のガス分散板１８より上方から内側筒壁１４の内部空間に至るまでの部分がガス導出案内室２２とされ、両ガス分散板１７，１８の間が反応室２３とされている。
【００１９】
加熱機構２は、電極部３１とヒータ部３２とから構成されている。電極部３１は、底板部１１を貫通してガス導入室２１内に突出した状態に設けられており、ガス導入室２１の周方向に沿って複数列、図示例では４列をなすように相互に間隔をおいて複数配置されている（図２には最外周位置の電極部の位置のみ破線で示している）。そして、各列毎に、ヒータ部３２が設けられている。このヒータ部３２は、図３に示すように、正面視逆Ｕ字の板状をなすカーボン製の発熱体３３を電極部３１を介して反応室２３の周方向に複数個直列に連結状態としたリング状のものである。
【００２０】
この場合、各発熱体３３の二股状に分かれた下端部にはそれぞれ脚部３４が水平に形成され、一方、電極部３１の上端部には水平な支持台部３５が形成されており、隣接する二つの発熱体３３の脚部３４が一つずつ電極部３１の支持台部３５の上面に接合状態に固定されている。そして、各発熱体３３が二つの電極部３１にこれらの間をまたぐようにして固定されていることにより、この電極部３１を介して全体としてリング状に連結されてヒータ部３２を構成している。電極部３１は、外部の電源（図示略）に接続されており、底板部１１に絶縁材（図示略）を介して固定され、底板部１１から突出する上端部は少なくともカーボン製とされている。
【００２１】
また、これら電極部３１及びヒータ部３２には、その表面を覆う炭化珪素（ＳｉＣ）のコーティングが施されている。この場合、電極部３１とヒータ部３２との接合面（脚部３４と支持台部３５との接合面）Ｃは、電気的接続状態を確保するため、コーティングされずにカーボンどうしが直接接合されている。この接合面Ｃは水平状態に配置されており、外側筒壁１２におけるガス導入口１５よりも下方となる高さ位置に配置されている（図３にその高さの差をｈで示す）。
【００２２】
また、ヒータ部３２は、ガス導入室２１からガス分散板１７を貫通して反応室２３内に上下方向に沿って立設されており、各発熱体３３がガス拡散板１７の貫通孔１９内に挿入状態とされている。この貫通孔１９は、発熱体３３の横断面積よりも大きい面積に形成され、発熱体３３の周囲に隙間を開けた状態としており、図３（ｂ）等の矢印で示すように、その隙間の部分を通って原料ガスが流通するようになっている。そして、反応室２３内では、各ヒータ部３２の発熱体３３が半径方向に間隔をおいて同心のリング状に配置され、その上端部が上側のガス分散板１８より若干下方の高さとなる位置まで延びている。
なお、上側のガス分散板１８に設けられている貫通孔２０は、適宜の大きさ、間隔で分散して設けられるが、なるべく下側のガス分散板１７の貫通孔１９と上下方向に一致させずに水平方向にずれた配置とする、あるいは下側のガス分散板１７の貫通孔１９よりも小さい貫通孔として均等に分散配置するとよい。
【００２３】
一方、収納容器５は、底板部１１の上に反応容器２の外側筒壁１２の回りを間隔を開けて囲んだ状態に筒状外壁４１が設けられるとともに、その上端を覆う天板部４２が反応容器２の天板部１３との間に間隔を開けて設けられた構成とされ、その天板部４２の中心部に上方からガス供給部３が接続されている。このガス供給部３は、図示略の供給源からテトラクロロシランと水素とを含む原料ガスを搬送して、これらを混合した状態で供給するものである。
【００２４】
また、反応容器２と収納容器５との両天板部１３，４２の間には、二つの径の異なるリング状のスペーサ部材４３，４４が設けられ、両スペーサ部材４３，４４に貫通孔又は切欠により半径方向に沿う連通部４５が設けられていることにより、ガス供給部３から両スペーサ部材４３，４４の間のリング板状の空間を経由して外側筒壁１２と筒状外壁４１との間の筒状の空間までが連通状態とされている。したがって、ガス供給部３から供給された原料ガスは、反応容器２の上方のリング板状の空間を通って反応容器２の外方の筒状の空間内に導かれ、外側筒壁１２の下端部のガス導入口１５から反応容器２内に導入される。そして、この両天板部１３，４２の間のリング板状の空間及び外側筒壁１２と筒状外壁４１との間の筒状の空間が反応容器２の天板部１３及び外側筒壁１２からの熱を受けて原料ガスが予熱される予熱室４６とされている。
【００２５】
また、ガス排出部４は、図示例の場合は底板部１１の中心位置に接続された管により、反応容器２の内側筒壁１４の内部空間（ガス導出案内室２２）から反応生成ガスを外部に排出するものである。
なお、反応容器２を構成する部材（外側筒壁１２、内側筒壁１４、両ガス分散板１７，１８、天板部１３等）はカーボンによって形成されるとともに、収納容器５において予熱室４６に接する内面にはカーボンのライニングが施されており、これらカーボンの表面には炭化珪素がコーティングされている。
【００２６】
このように構成したトリクロロシラン製造装置において、電極部３１から通電して反応容器２内のヒータ部３２を例えば１１００℃程度の発熱状態としておき、ガス供給部３から原料ガスを供給すると、その原料ガスは、反応容器２の天板部１３の上方からまず予熱室４６に導かれ、反応容器２の外面からの熱を受けて例えば７００〜７５０℃程度に予熱される。そして、外側筒壁１２の下端部のガス導入口１５から反応容器２内のガス導入室２１に導入され、このガス導入室２１の上方のガス分散板１７の各貫通孔１９から反応室２３内に流通される。
【００２７】
前述したように、原料ガスとの反応によって不純物が生じないように、反応容器２の構成部材、電極部３１、ヒータ部３２等はカーボン製で炭化珪素のコーティングがなされているが、電極部３１とヒータ部３２の各発熱体３３との接合面Ｃにおいては、導電性を確保するため、コーティングされずにカーボンどうしがそのまま接合されている。
そして、ガス導入室２１においては、原料ガスが電極部３１とヒータ部３２との接合面Ｃ付近にも流れることになるが、このときの原料ガスは予熱されてはいるが、７００〜７５０℃程度であり、カーボンと原料ガス中の水素との反応温度（約８５０℃）よりは低いので、メチルクロロシラン等の不純物の発生を防止することができる。しかも、電極部３１とヒータ部３２との接合面Ｃはガス導入口１５よりも下方に配置されていることから、ガス導入口１５から導入された原料ガスの大部分は、電極部３１とヒータ部３２との接合面Ｃに向かうことなく、図３（ｂ）の矢印で示すように上方のガス分散板１７の各貫通孔１９へと流れるので、不純物が発生しにくい配置となっている。
【００２８】
そして、ガス分散板１７の各貫通孔１９は、ヒータ部３２の各発熱体３３を挿入状態としているため、原料ガスは、各貫通孔１９を通ることにより、図１の矢印で示すようにヒータ部３２の発熱体３３の表面に沿って流れることになり、発熱体３３からの熱が原料ガスに直接伝わって原料ガスが高い熱効率で加熱され、トリクロロシランへの転換率を向上させることができる。反応生成ガスは上側のガス分散板１８の貫通孔２０を経由してガス導出案内室２２に導かれ、ガス導出口１６からガス排出部４に排出される。
この場合、炭化珪素でコーティングされたカーボンで反応容器１の構成部材（外側筒壁１２、内側筒壁１４、両ガス分散板１７，１８等）やヒータ部３２が構成されているので、カーボンと供給ガス及び反応生成ガス中の水素、クロロシラン及び塩化水素（ＨＣｌ）とが反応してメタン、メチルクロロシラン、炭化珪素等が生成されて不純物となることを防ぎ、純度の高いトリクロロシランを得ることができる。
また、反応室２３を大型化する場合、ヒータ部３２の列を増やすことにより、大型の反応室にも均等にヒータ部を配置することができ、大型化への対応も容易で、大量生産にも適している。
【００２９】
図４及び図５は、本発明の他の実施形態を示している。このトリクロロシラン製造装置は、図１のトリクロロシラン製造装置では、収納容器の上方から原料ガスを供給して反応生成ガスを下方に排出する構成であったのに対して、原料ガスの供給と反応生成ガスの排出とのいずれをも収納容器の下方で行うようにしたものであり、その他の構成はほぼ図１等の一実施形態のものと同様である。したがって、図１等の一実施形態と共通部分には同一符号を付して説明を簡略化する。
【００３０】
この実施形態においては、反応容器５１と収納容器５２との天板部５３が共通とされており、収納容器５２と反応容器５１との間の予熱室５４は筒状の空間部のみから構成されている。そして、この予熱室５４に下方から原料ガスを供給するガス供給部となる複数の原料ガス供給管５５が底板部１１に周方向に間隔をおいて設けられている。また、予熱室５４の内部は、その筒状の空間部の中間位置に同心状に設けられた筒状壁５６により、径の異なる二つの筒状空間５７，５８に仕切られており、筒状壁５６の上端部に形成した貫通孔又は切欠等の連通部５９により相互に連通状態とされている。この場合、原料ガス供給管５５は、外側の筒状空間５８に接続されており、この外側の筒状空間５８に供給された原料ガスは、筒状壁５６の上端部の連通部５９を通って内側の筒状空間５７に折り返すように案内された後、反応容器５１の外側筒壁１２のガス導入口１５からガス導入室２１内に導入される。
【００３１】
ガス導入室２１に導入されてからは、原料ガスは、一実施形態の場合と同様、ガス分散板１７の貫通孔１９から反応室２３に導かれ、ヒータ部３２の加熱により生じた反応生成ガスが上側のガス分散板１８の貫通孔２０からガス導出案内室２２を経由してガス排出部４に排出される。
このトリクロロシラン製造装置は、ガス供給部（原料ガス供給管）５５及びガス排出部４が底板部１１に接続されているので、これらの配管系を底板部１１の下方に集中させることができ、一実施形態の場合に比べて配管の取り回しを容易にすることができる。
【００３２】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、下側のガス分散板の貫通孔をヒータ部の発熱体が挿入する貫通孔としたが、同心状に配置されているヒータ部の間に貫通孔を配置してもよい。
また、ヒータ部は、複数の発熱体を筒状に構築して、これを同心状に配置したが、各発熱体を分散して配置する構成としてもよい。
また、内側筒壁の上端と天板部との間に空間を形成して、反応室の上方にガス導出案内室を構成するようにしたが、内側筒壁を外側筒壁と同じ高さに設定して、上側のガス分散板を廃止することにより、反応室を天板部の直下まで延長し、その内側筒壁の上端部に貫通孔又は切欠を形成することにより、反応室を内側筒壁の内部空間に連通させる構成としてもよい。
【符号の説明】
【００３３】
１  反応容器
２  加熱機構
３  ガス供給部
４  ガス排出部
５  収納容器
１１  底板部
１２  外側筒壁
１３  天板部
１４  内側筒壁
１５  ガス導入口
１６  ガス導出口
１７，１８  ガス分散板
１９，２０  貫通孔
２１  ガス導入室
２２  ガス導出案内室
２３  反応室
３１  電極部
３２  ヒータ部
３３  発熱体
３４  脚部
３５  支持台部
４１  筒状外壁
４２  天板部
４３，４４  スペーサ部
４５  連通部
４６  予熱室
５１  反応容器
５２  収納容器
５３  天板部
５４  予熱室
５５  原料ガス供給管（ガス供給部）
５６  筒状壁
５７，５８  筒状空間
５９  連通部
Ｃ  接合面
ｈ  高さの差
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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