(57)【要約】【課題】光導波路構造を用いた固体撮像装置において、どの色の画素においても良好な感度特性を得る。【解決手段】固体撮像装置は、基板２００上に、行列状に配列された複数の画素１５１を備える。それぞれの画素は、入射光を電気信号に変換する光電変換部２０２と、光電変換部２０２上に形成された光導波路２１８と、光導波路２１８の周囲に形成された層間絶縁膜２２０と、光導波路２１８上に形成されたカラーフィルタ２１２とを備える。光導波路２１８は、カラーフィルタ２１２を透過した光が、光電変換部２０２上面の中央において単一のピークを有する光強度分布となるように設定された構成を有する。複数の画素１５１は、それぞれ異なる波長帯の光を透過させるカラーフィルタ２１２を備える少なくとも２種類の画素を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、行列状に配列された複数の画素を備え、
それぞれの前記画素は、
入射光を電気信号に変換する光電変換部と、
前記光電変換部上に形成された光導波路と、
前記光導波路の周囲に形成された層間絶縁膜と、
前記光導波路上に形成されたカラーフィルタとを備え、
前記光導波路は、前記カラーフィルタを透過した光が、前記光電変換部上面の中央において単一のピークを有する光強度分布となるように設定された構成を有し、
前記複数の画素は、それぞれ異なる波長帯の光を透過させる前記カラーフィルタを備える少なくとも２種類の画素を含むことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
請求項１の固体撮像装置において、
前記少なくとも２種類の画素は、互いに異なる幅の前記光導波路を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
請求項２の固体撮像装置において、
前記少なくとも２種類の画素は、赤色光を透過させる前記カラーフィルタを備える赤色画素と、青色光を透過させる前記カラーフィルタを備える青色画素と、緑色光を透過させる前記カラーフィルタを備える緑色画素とを含み、
前記赤色画素、前記青色画素、前記緑色画素の順に、より幅の小さい前記光導波路を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項４】
請求項１の固体撮像装置において、
前記少なくとも２種類の画素は、互いに異なる屈折率の材料からなる前記光導波路を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項５】
請求項４の固体撮像装置において、
より短い波長帯の光を透過させる前記カラーフィルタを備える前記画素ほど、より低い屈折率の物質からなる光導波路を有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項６】
請求項４の固体撮像装置において、
前記少なくとも２種類の画素は、赤色光を透過させる前記カラーフィルタを備える赤色画素と、青色光を透過させる前記カラーフィルタを備える青色画素と、緑色光を透過させる前記カラーフィルタを備える緑色画素とを含み、
前記青色画素、前記緑色画素、前記赤色画素の順に、より低い屈折率の物質からなる前記光導波路を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項７】
請求項１の固体撮像装置において、
前記少なくとも２種類の画素は、互いに異なる高さの前記光導波路を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項８】
請求項７の固体撮像装置において、
より短い波長帯の光を透過させる前記カラーフィルタを備える前記画素ほど、より高い前記光導波路を有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項９】
請求項７の固体撮像装置において、
前記少なくとも２種類の画素は、赤色光を透過させる前記カラーフィルタを備える赤色画素と、青色光を透過させる前記カラーフィルタを備える青色画素と、緑色光を透過させる前記カラーフィルタを備える緑色画素とを含み、
前記赤色画素、前記緑色画素、前記青色画素の順に、より高い前記光導波路を有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１つの固体撮像装置において、
前記光導波路は、直方体又は円柱形であることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１つの固体撮像装置において、
それぞれの前記画素は、前記光導波路の上方に設けられたマイクロレンズを更に備え、
前記カラーフィルタは、前記光導波路と前記マイクロレンズとの間、又は、前記マイクロレンズ上に位置することを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、受光部分の光電変換素子に入射光が良好に入射し、感度特性が良好な固体撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルスチルカメラ等に用いられる固体撮像装置の多画素化に伴って、各画素における光電変換素子が微細になり、光電変換素子に効率良く入射光を集光させることが開発の重要なポイントの１つとなっている。特に、１つの光電変換素子のサイズが１．５μｍよりも微細になると、マイクロレンズだけでは集光が不十分になるので、光導波路構造を用いることが提案されている。
【０００３】
光導波路とは、周辺部分（クラッド）に比べて屈折率が高い部分（コア）を備えた構造のことである。この構造によると、コアとクラッドとの界面における光の全反射又はフレネル反射を利用し、光を導波路内（コア）に閉じ込めることにより光の拡散を抑制し、入射光を光電変換部に集光させることができる。
【０００４】
図１１に、光導波路を採用した固体撮像装置の例を示す。
【０００５】
図１１に示す通り、基板１の上部に受光部２及びチャネル領域１７が設けられ、その上を層間絶縁膜３ａが覆っている。チャネル領域１７の上方には層間絶縁膜３ａの一部を介してゲート電極１６が設けられている。更にその上方に、層間絶縁膜３ａ上部に埋め込まれるように、バリア膜７に側面及び底面を覆われた配線４ａが設けられている。配線４ａ上を覆うように、層間絶縁膜３ａ上に、拡散防止膜５ａが設けられている。拡散防止膜５ａ上に層間絶縁膜３ｂが設けられ、その上部にはバリア膜７に覆われた配線４ｂが埋め込まれている。層間絶縁膜３ｂ上に、配線４ｂ上を覆うように、拡散防止膜５ｂが設けられている。更にその上に、同様に、バリア膜７、配線４ｃ、層間絶縁膜３ｃ、拡散防止膜５ｃからなる構造が設けられている。
【０００６】
受光部２の上方において、層間絶縁膜３ａ上の拡散防止膜５ａ、５ｂ及び５ｃ、層間絶縁膜３ｂ及び３ｃ等は除去され、そのようにして設けられた凹部にはパッシベーション膜１２が埋め込まれている。この結果、層間絶縁膜３ｂ及び３ｃ、拡散防止膜５ａ〜５ｃ等の界面は受光部２の上方には位置しないので、そのような界面による入射光１３の反射を避けることができる。従って、受光部に対する入射の効率が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３２４１８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、対応する色が異なる複数の画素を含む固体撮像装置の場合、光導波路に入射する光の波長の分布は、当該光導波路上方に設けられたカラーフィルタによって決定される。従って、光導波路の形状、寸法、構成する物質の屈折率等が同一であっても、光導波路の終端に位置する受光部において、ある色の画素については十分な光強度が得られても、別の色の画素では十分な光強度が得られないことがある。
【０００９】
以上に鑑みて、本開示の技術の目的は、対応する色が異なる複数の画素を含む固体撮像装置において、各画素の受光部における光強度をそれぞれ向上し、各色の感度の向上を図ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するために、本願発明者らは、以下のような検討を行なった。
【００１１】
光導波路内で安定して光が存在するためには、コアとクラッドとの境界において、マックスウェルの電磁方程式の境界条件を満たすことが要求される。境界条件を満たして安定に存在する光波は固有モードと呼ばれ、離散的になる。固有モードのうちのシングルモードと呼ばれる基本モードの場合、光導波路の横方向（光波の伝播方向に対して垂直な方向）について、中心部分に単一のピークが位置する光強度分布になる。
【００１２】
また、光導波路において、伝播方向の位置に応じて、シングルモードの現れる位置と、多次モードの現れる位置がある。更に、シングルモードにおいて、光強度が最大となる。
【００１３】
このようなことから、本願発明者らは、各色の画素において、受光部の表面にシングルモードの現れるようにそれぞれの光導波路の構成を設定することにより、感度（入射光に対する、出力部の出力電気信号の大きさ）を向上させることを発想した。
【００１４】
具体的には、本開示に係る固体撮像装置は、基板上に行列状に配列された複数の画素を備え、それぞれの画素は、入射光を電気信号に変換する光電変換部と、光電変換部上に形成された光導波路と、光導波路の周囲に形成された層間絶縁膜と、光導波路上に形成されたカラーフィルタとを備え、光導波路は、カラーフィルタを透過した光が、光電変換部上面の中央において単一のピークを有する光強度分布となるように設定された構成を有し、複数の画素は、それぞれ異なる波長帯の光を透過させるカラーフィルタを備える少なくとも２種類の画素を含む。
【００１５】
このような固体撮像装置によると、異なる波長帯の光（異なる色の光）に対応する複数種類の画素について、それぞれ、光電変換部上面の中央付近において強度が高い光強度分布を実現し、感度を向上することができる。
【００１６】
尚、少なくとも２種類の画素は、互いに異なる幅の光導波路を備えていても良い。
【００１７】
光導波路を画素毎に最適化する方法の１つとして、対応する光の波長帯に合わせて幅（基板の主面に平行な方向の寸法。例えば、光導波路が直方体であれば底面の辺の長さ、円柱形であれば直径等）を変えても良い。
【００１８】
また、少なくとも２種類の画素は、赤色光を透過させるカラーフィルタを備える赤色画素と、青色光を透過させるカラーフィルタを備える青色画素と、緑色光を透過させるカラーフィルタを備える緑色画素とを含み、赤色画素、青色画素、緑色画素の順に、より幅の小さい光導波路を備えていても良い。
【００１９】
このようにすると、原色系のカラー固体撮像装置について、各色の画素の感度をそれぞれ向上することができる。
【００２０】
また、少なくとも２種類の画素は、互いに異なる屈折率の材料からなる光導波路を備えていても良い。
【００２１】
光導波路を画素毎に最適化する方法の１つとして、対応する光の波長帯に合わせて光導波路の材料を変えても良い。
【００２２】
また、より短い波長帯の光を透過させるカラーフィルタを備える画素ほど、より低い屈折率の物質からなる光導波路を有していても良い。
【００２３】
また、少なくとも２種類の画素は、赤色光を透過させるカラーフィルタを備える赤色画素と、青色光を透過させるカラーフィルタを備える青色画素と、緑色光を透過させるカラーフィルタを備える緑色画素とを含み、青色画素、緑色画素、赤色画素の順に、より低い屈折率の物質からなる光導波路を備えていても良い。
【００２４】
画素の種類と光導波路の材料（屈折率）の関係としては、このようになっていても良い。
【００２５】
また、少なくとも２種類の画素は、互いに異なる高さの光導波路を備えていても良い。
【００２６】
光導波路を画素毎に最適化する方法の１つとして、対応する光の波長帯に合わせて光導波路の高さを変えてもよい。
【００２７】
また、より短い波長帯の光を透過させるカラーフィルタを備える画素ほど、より高い（基板の主面に垂直な方向の寸法が大きい）光導波路を有していても良い。
【００２８】
また、少なくとも２種類の画素は、赤色光を透過させるカラーフィルタを備える赤色画素と、青色光を透過させるカラーフィルタを備える青色画素と、緑色光を透過させるカラーフィルタを備える緑色画素とを含み、赤色画素、緑色画素、青色画素の順に、より高い光導波路を有していても良い。
【００２９】
画素の種類と光導波路の高さの関係としては、このようになっていても良い。
【００３０】
また、光導波路は、直方体又は円柱形であっても良い。
【００３１】
具体的な光導波路の形状の例として、直方体又は円柱形を挙げることができる。また、底面が正方形の四角柱形であっても良い。
【発明の効果】
【００３２】
以上に説明した固体撮像装置によると、異なる波長帯の光（色）に対応する複数種類の画素について、それぞれ光導波路の構成を設定することにより、いずれの画素についても感度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１は、光導波路において、伝播方向の位置とシングルモード及び多モードの現れる位置との関係、各位置における光強度分布に関するシミュレーション結果を例示する図である。
【図２】図２は、本開示の例示的固体撮像装置において、行列状に配列された画素を示す平面図である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、本開示の第１の実施形態の例示的固体撮像装置を示す模式的な断面図であり、順に図２のX-X'線及びY-Y'線に対応する。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は、図３に示す例示的固体撮像装置の製造方法について説明するための図である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は、本開示の第２の実施形態の例示的固体撮像装置を示す模式的な断面図であり、順に図２のX-X'線及びY-Y'線に対応する。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、図５に示す例示的固体撮像装置の製造方法について説明するための図である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は、本開示の第３の実施形態の例示的固体撮像装置を示す模式的な断面図であり、順に図２のX-X'線及びY-Y'線に対応する。
【図８】図８（ａ）及び（ｂ）は、図７に示す例示的固体撮像装置の製造方法について説明するための図である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は、図８（ａ）及び（ｂ）に続いて、図７に示す例示的固体撮像装置の製造方法について説明するための図である。
【図１０】図１０（ａ）及び（ｂ）は、図９（ａ）及び（ｂ）に続いて、図７に示す例示的固体撮像装置の製造方法について説明するための図である。
【図１１】図１１は、背景技術の固体撮像装置について示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本開示の固体撮像装置に関して説明するために、初めに、光導波路に関して説明する。
【００３５】
光導波路内において、シリコン表面（シリコン基板に形成された光電変換部の上面。但し、表面空乏化抑止領域等が形成されている場合は、その上面）に伝播する波の波長は、光導波路の形状及び寸法、コア（光導波路内）及びクラッド（外部）を構成する物質の屈折率等により決定される。これは、光導波路内に安定して光が存在するためには、コアとクラッドとの境界において、マックスウェルの電磁方程式の境界条件を満たすこと（Ｅ（電場）及びＢ（磁場）の接線成分がいずれも境界の両側で相等しいこと）が要求されるからである。境界条件を満たして安定に存在する光波は固有モードと呼ばれ、離散的になる。つまり、飛び飛びの波長の光しか存在しない。更に、固有モードのうちのシングルモードと呼ばれる基本モードの場合、光導波路の横方向（光の伝播方向に対して垂直な方向）について、中心部分における光強度が強い光分布となる。
【００３６】
０次のシングルモードの場合には光導波路の中心部分の光強度が強くなるのに対し、１次モード、２次モード等の多次モードの場合、光導波路の周辺部分における光強度が中心部分の光強度よりも強くなる。これらのモードが干渉しあい重なって、光導波路内を伝播する。この結果、伝播方向の位置に依存して、シングルモードが現れる位置と、多次モードが現れる位置とが生じる。ここで、シングルモードが現れる位置において、光強度は最大になる。
【００３７】
これらのことから、本願発明者等は次のことを着想した。つまり、撮像装置の感度特性向上のために、光導波路について、シングルモードの光がシリコン表面の光電変換部に位置するように設計し、光が余分に広がるのを抑制する。この着想に基づき、本願発明者等が緑画素の感度のシミュレーション（３次元波動シミュレーション）を行なうと、実際に、シリコン表面にシングルモードを一致させた場合に、緑感度が最高になることが確認された。
【００３８】
図１に、光学波動シミュレーションを行なった結果を例示する。図１には、屈折率１．９の材料からなる光導波路１０１と、屈折率１．２の材料からなるその周囲の部分１０２（クラッド層に相当する）を含む構造が模式的に示されている。また、図１における上側から緑光（波長５５０ｎｍ程度）が入射した場合について、それぞれの位置における電場強度｜Ｅ｜2 の違いが色の濃淡によって表されている。
【００３９】
入射光の伝播方向に関する位置の違いにより、現れるモード、伝播方向に垂直な面における光強度分布が異なる。ここで、光導波路１０１内の所定面１０３においてシングルモードが出現し、当該位置では光導波路１０１の中心部における光強度が大きくなっている。言い換えると、光導波路１０１の中心部に光強度のピークが位置している。従って、所定面１０３の位置に光電変換部の上面が位置するようにすると、入射光は光電変換部の中心部分に集められ、外に広がることは避けられる。結果として、十分な光量の入射光を受光することができ、良好な感度特性を得ることができる。
【００４０】
ここで、異なる色にそれぞれ対応する画素には、異なる波長帯の光を透過するカラーフィルタが備えられており、該カラーフィルタによって光導波路に入射する光の波長が決定される。より正確には、光導波路に入射する光の波長の分布は、その上部に設けられたカラーフィルタの吸収率の波長依存性（波長分散と呼ばれる）によって決定される。よって、異なる色の画素について、それぞれの光導波路の形状及び寸法、光導波路内の屈折率等が全く同じである場合、各画素全てにおいて最適な感度を得ることはできない。例えば、緑色画素において感度が最高になった際にも、青色画素、赤色画素における感度は最高にはならない。これは、入射光の波長の違いにより、同じ構造の光導波路であってもシングルモードの現れる位置が異なるので、複数種類の画素の全てにおいてシングルモードの位置と光電変換部上面とを一致させることができないからである。
【００４１】
そこで、対応する光の波長帯が異なる画素について、それぞれの波長帯（それぞれの画素が備えるカラーフィルタの波長分散）に最適化された光導波路を設けることにより、全ての画素について感度を向上することができる。このような着想に基づく固体撮像蔵装置の実施形態について、以下に説明する。
【００４２】
（第１の実施形態）
第１の実施形態の例示的固体撮像装置（一例としてＣＣＤ（Charge Coupled Device ）を考える）について、図面を参照しながら説明する。
【００４３】
図２は、例示的固体撮像装置１５０について、撮像領域の一部を拡大して示す平面図であり、より詳しくは、行列状に配列された複数の画素１５１を模式的に示す図である。また、基本単位である各画素１５１は光電変換を行なう光電変換部１５２、マイクロレンズ１５３等を備え、撮像領域には垂直転送レジスタ１５４も備えられている。
【００４４】
固体撮像装置において、入射光の色分離を行なわない場合、光電変換された信号からはモノクロの画像しか得られない。そこで、カラーの画像を得るためには、ＣＣＤ等の固体撮像装置において、異なる波長帯の光を透過する複数種類のカラーフィルタを用いることにより、色分離を行なう。
【００４５】
例えば、赤色、青色、緑色の波長帯の光を透過するカラーフィルタのいずれか１つずつを備える赤色画素１５１Ｒ、青色画素１５１Ｂ、緑色画素１５１Ｇを設ける。そして、赤色画素１５１Ｒにより得られる映像、青色画素１５１Ｂにより得られる映像、緑色画素１５１Ｇにより得られる映像を重ね合わせることにより、元の画像の色を再現する。
【００４６】
尚、赤色カラーフィルタ２１２Ｒ（図３）を透過する光は、例えば、６５０±３０ｎｍの範囲（中心波長が６５０ｎｍ）の波長を有する。同様に、青色カラーフィルタ２１２Ｂ（図３）を透過する光は例えば４５０±３０ｎｍの範囲（中心波長が４５０ｎｍ）の波長を有し、緑色カラーフィルタ２１２Ｇ（図３）を透過する光は例えば５５０±３０ｎｍの範囲（中心波長が５５０ｎｍ）の波長を有する。これらの数値は例示であるから、赤色、青色、緑色に相当する範囲の波長であれば、他の値であっても良い。
【００４７】
図２の例では、各色の画素は、ベイヤー配列と呼ばれる規則的な二次元配列に並べられている。
【００４８】
具体的に、ある１つの横方向の配列（例えば図２のX-X'の並び）では青色、緑色、青色と並んでおり、その隣の配列（例えば図２のY-Y'の並び）では緑色、赤色、緑色と並んでいる。同時に、縦方向についても、青色、緑色、青色と並ぶ配列と緑色、赤色、緑色と並ぶ配列とが交互に配置されている。更に、緑色画素１５１Ｇの隣の画素は必ず青色画素１５１Ｂ又は赤色画素１５１Ｒとなっており、同じ行又は列において、赤色画素１５１Ｒと青色画素１５１Ｂとが混在することはない。図では合計９個の画素１５１が示されているが、実際には更に多数の画素が配列される。
【００４９】
このようなベイヤー配列では、緑色画素１５１Ｇが赤色画素１５１Ｒ及び青色画素１５１Ｂに比べて２倍使われていることになる。これは、人間の目が緑色の光に対して感度が高いことに対応しており、撮影した画像の解像度を高める効果がある。
【００５０】
次に、固体撮像装置１５０について、模式的な断面を図３（ａ）及び（ｂ）に示す。図３（ａ）は図２におけるX-X'線による断面（青色画素１５１Ｂ、緑色画素１５１Ｇ、青色画素１５１Ｂと並ぶ断面）、図３（ｂ）はY-Y'線による断面（緑色画素１５１Ｇ、赤色画素１５１Ｒ、緑色画素１５１Ｇと並ぶ断面）である。
【００５１】
固体撮像装置１５０は、ｎ型のシリコン基板２００を用いて形成されており、赤色画素１５１Ｒ、青色画素１５１Ｂ及び緑色画素１５１Ｇが配列されている。シリコン基板２００上にはｐ型の第１のウェル領域２０１が設けられ、その上に、画素毎に、ｎ型の電荷蓄積領域２０２が設けられている。電荷蓄積領域２０２上を覆うように表面空乏化抑止領域２０６が設けられている。また、電荷蓄積領域２０２の一方にはＶｔ制御領域２０５、他方にはチャネルストップ領域２０７が設けられている。チャネルストップ領域２０７は、隣の画素にノイズ電荷が侵入するのを抑える目的で設けられる。隣り合う画素の電荷蓄積領域２０２同士の間には、第１のウェル領域２０１上に、ｐ型の第２のウェル領域２０３が設けられている。第２のウェル領域２０３上には、転送チャネル領域２０４が設けられている。
【００５２】
転送チャネル領域２０４上には、ゲート酸化膜２０８を介して、垂直転送ＣＣＤを駆動するためのゲート電極２０９が形成されている。ゲート電極２０９、電荷蓄積領域２０２等を覆うように、層間絶縁膜２２０が設けられている。また、層間絶縁膜２２０中におけるゲート電極２０９の上方に、ゲート電極２０９に駆動電圧を与えるための銅配線２１０が設けられている。銅配線２１０は、銅の拡散を抑制又は防止するために、下面及び側面をバリア膜２１１、上面をバリア膜２１７に覆われている。
【００５３】
各画素において、光電変換を行なう電荷蓄積領域２０２上方に光導波路が設けられ、更にその上方において、層間絶縁膜２２０上に、カラーフィルタ及びマイクロレンズが設けられている。赤色画素１５１Ｒには赤色画素用光導波路２１８Ｒ及び赤色カラーフィルタ２１２Ｒ、青色画素１５１Ｂには青色画素用光導波路２１８Ｂ及び青色カラーフィルタ２１２Ｂ、緑色画素１５１Ｇには緑色画素用光導波路２１８Ｇ及び緑色カラーフィルタ２１２Ｇが設けられている。
【００５４】
尚、３種類の画素（１５１Ｒ、１５１Ｂ、１５１Ｇ）が備える光導波路及びカラーフィルタについて、まとめて光導波路２１８及びカラーフィルタ２１２と呼ぶことがある。また、コア部分である光導波路２１８に対し、周囲の層間絶縁膜２２０は、クラッド層に相当する。
【００５５】
電荷蓄積領域２０２が、光を電荷に変換する光電変換部（フォトダイオード部）として機能する。ここで、電荷蓄積領域２０２上（シリコン表面部分）において、表面欠陥による界面準位は暗電流の原因となるので、この影響を防ぐために、ｐ型の表面空乏化抑止領域２０６を設けている。尚、表面空乏化抑止領域２０６に代えて、シリコン表面に、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等のエッチングストッパー（光導波路を形成するための開口を設ける際に用いる）を設けることによっても同様の効果を得ることができる。
【００５６】
また、各色の画素１５１の光導波路２１８は、上面から見ると、電荷蓄積領域２０２の長方形の内部に全体が含まれる。また、光導波路２１８の下端は、シリコン表面に設けられた表面空乏化抑止領域２０６に接している。更に、各色の画素１５１の光導波路２１８は、同じ高さ（光波の伝播方向の寸法）に形成されていると共に、異なる幅を有する。この点については、後に更に説明する。
【００５７】
以上のような構成の固体撮像装置１５０において、画素の配列された撮像領域に入射した光は、マイクロレンズ１５３によって各画素１５１の中心に向けて集光される。集光された入射光は、マイクロレンズ１５３の下方のカラーフィルタ２１２（２１２Ｒ、２１２Ｂ、２１２Ｇ）を透過した後、光導波路２１８（２１８Ｒ、２１８Ｂ、２１８Ｇ）内に閉じ込められる。更に、光導波路２１８内を伝播し、電荷蓄積領域２０２に入射して吸収される。吸収された光は光電変換によって電荷となり、蓄積される。蓄積された電荷は、ゲート電極２０９に電圧を印加することにより、電気信号として転送チャネル領域２０４を通じて転送される。
【００５８】
良好な感度特性を得るためには、微小な入射光であってもこれを効率良く電荷蓄積領域２０２に集めて電気信号を得ることが求められる。このためには、上記のような主経路以外の部分に光を逃がすことが無いように、電荷蓄積領域２０２に光を到達させることが重要である。
【００５９】
光導波路２１８内（コア）への光の閉じ込め作用が弱いと、光導波路２１８以外の部分、例えばクラッドである層間絶縁膜２２０等に光が吸収・反射されてしまい、感度が低下する。層間絶縁膜２２０の他に、ゲート電極２０９に電圧を印加するための銅配線２１０、銅配線２１０からの銅の拡散を抑制するためのバリア膜２１１及び２１７等による吸収・反射も感度低下の原因となる。
【００６０】
光導波路内に光を十分に閉じ込めるためには、光導波路内の物質の屈折率がその周囲の物質の屈折率よりも高いことが要求され、これらの屈折率の差が大きいほど、光閉じ込めの効果が高い。そこで、クラッドとなる層間絶縁膜２２０の屈折率が例えば１．０〜１．３程度（プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜等）であるのに対し、光導波路２１８（２１８Ｒ、２１８Ｂ、２１８Ｇ）内部には、屈折率が１．９〜２．０程度と高い有機材料、シリコン窒化膜等が充填されている。
【００６１】
更に、本願発明者らは、光導波路２１８内を電荷蓄積領域２０２に向かって伝播する光波がシリコン表面において腹になり、外向きに向かっている状態の場合、光が電荷蓄積領域２０２以外に広がって感度低下の原因になることに着目し、これを避けることを発想した。また、各色の画素において光導波路２１８に入射する光の波長が異なるので、適切な光導波路２１８の構成も異なることに着目している。これに関して以下に具体例を挙げて説明する。
【００６２】
図３（ａ）及び（ｂ）に示す通り、本実施形態の固体撮像装置１５０において、赤色画素用光導波路２１８Ｒ、青色画素用光導波路２１８Ｂ、緑色画素用光導波路２１８Ｇについて、シリコン表面からそれぞれの上面までの高さＨが揃えられている。具体的な高さは、例えば、６００ｎｍ以上で且つ６５０ｎｍ以下の範囲である。
【００６３】
このとき、各光導波路２１８が直方体、より詳しくは正方形の底面を有する四角柱形であるとすると、幅（底面の辺の長さ）が３００ｎｍ以上で且つ８００ｎｍ以下の場合に感度が最適になる。
【００６４】
光学波動シミュレーションによると、緑色画素用光導波路２１８Ｇについて、幅が７００ｎｍ以上で且つ７４０ｎｍ以下であるときに、シングルモードの位置をシリコン表面と一致させることができる。このとき、光導波路内の光波がシリコン表面にて節となっており、光強度分布のピークが中央部分に位置している。従って、光が広がることなく電荷蓄積領域２０２に吸収されるので、高い感度を実現することができる。尚、最も望ましい幅は７２０ｎｍである。
【００６５】
同様に、青色画素用光導波路２１８Ｂについては幅が５８０ｎｍ以上で且つ６２０ｎｍ以下（最も望ましいのは６００ｎｍ）、赤色画素用光導波路２１８Ｒについては幅が５００ｎｍ以上で且つ５４０ｎｍ以下（最も望ましいのは５２０ｎｍ）であるときにシングルモードの位置とシリコン表面とを一致させることができ、高い感度を実現することができる。また、光導波路２１８の高さについては、６００ｎｍとするのが最も望ましい。
【００６６】
また、各光導波路２１８を円柱形状とすると、直径が３５０ｎｍ以上で且つ８５０ｎｍ以下の場合に感度が最適になる。更に、直方体との形状の違いから固有モードも異なるようになる。光学波動シミュレーションによると、望ましい直径には（直方体の場合の幅と比べて）±５０ｎｍ程度の違いが現れる。具体的に、円柱形状の場合、緑色画素用光導波路２１８Ｇの直径を７７０ｎｍ、青色画素用光導波路２１８Ｂの直径を６７０ｎｍ、赤色画素用光導波路２１８Ｒの直径を５７０ｎｍとし、高さをいずれも６００ｎｍとするのが最も望ましい。
【００６７】
以上のようにして、緑色画素１５１Ｇ、赤色画素１５１Ｒ、青色画素１５１Ｂのいずれについても良好な感度特性を実現することができる。但し、各光導波路の望ましい高さ及び幅は、各種の条件、例えばクラッド及びコア（層間絶縁膜２２０及び光導波路２１８）の材料や屈折率等に依存して異なる値になる。
【００６８】
尚、ＣＣＤの場合を例として説明したが、これには限らず、例えば、画素毎にＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor ）トランジスタが接続されているＣＭＯＳセンサーに本実施形態の構成を適用することもできる。ＣＭＯＳセンサーは単位画素毎に増幅器を備えるので、ノイズが転送されず、光電変換された電気信号の読み出しによる電気ノイズの発生が抑えられる特徴を有する。
【００６９】
また、本実施形態では青、赤、緑の原色の画素を備える例を説明したが、これに代えて、補色の画素を備える構成でも良い。補色とは、色環の反対の位置にある色のことであり、三原色（青、赤、緑）の補色は、順に、黄色、マゼンダ、シアンである。ムービー用等の場合、実際には、これら三色に緑色を加えた４色のカラーフィルタを用いることが多い。このような構成の場合、色変換を用いることになるので色再現性は劣る。その一方、補色フィルターは原色フィルターよりも光吸収が小さいので、明るい画像を得やすい。
【００７０】
尚、それぞれ幅の異なる光導波路を設けるためには、例えば、層間絶縁膜２２０に対してそれぞれ異なる寸法の光導波路形成用の開口を形成し、当該開口をコア材料により埋め込めば良い。これについて以下に説明する。
【００７１】
図４（ａ）及び（ｂ）に、図３（ａ）及び（ｂ）に対応するように、製造途中の固体撮像装置１５０を示している。固体撮像装置１５０を製造するには、まず、シリコン基板２００に対する不純物注入等により、第１のウェル領域２０１、電荷蓄積領域２０２、第２のウェル領域２０３、転送チャネル領域２０４、Ｖｔ制御領域２０５、表面空乏化抑止領域２０６、チャネルストップ領域２０７等を形成すると共に、絶縁膜及び導電膜を積層した後パターニングして、ゲート酸化膜２０８及びゲート電極２０９を形成する。その後、層間絶縁膜２２０と、その中に埋め込まれる銅配線２１０、バリア膜２１１及び２１７を形成する。ここで、層間絶縁膜２２０は、図では一層に示されているが、複数の層からなる積層構造として形成されている。
【００７２】
この後、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、各画素の電荷蓄積領域２０２上方に所定の寸法及び形状の開口を有するレジスト２３１を形成する。所定の寸法及び形状とは、本実施形態で説明した各光導波路の寸法及び形状である。次に、レジスト２３１をマスクとするエッチングにより光導波路形成用の開口２３２を形成し、ここにコア材料（層間絶縁膜２２０よりも屈折率の高い材料）を充填する。
【００７３】
その後、各光導波路よりも上の部分の層間絶縁膜２２０、カラーフィルタ２１２、マイクロレンズ１５３を順次形成する。カラーフィルタ２１２は、例えば、それぞれ所定の色の顔料を含む有機材料を用いて形成する。また、マイクロレンズ１５３は、屈折率１．５から１．７程度の有機材料を塗布した後、熱フロー、硬化等の工程を経て形成される。
【００７４】
以上のように、導波路を形成するためのエッチング工程に用いるレジスト２３１において、開口の寸法を設定することにより、工程数を増加させることなく各光導波路の最適な構造を実現できる。
【００７５】
（第２の実施形態）
第２の実施形態の例示的固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。
【００７６】
本実施形態の例示的固体撮像装置１５０ａについても、図２に示すようにベイヤー配列された各色の画素を含む撮像領域を備えている。また、図５（ａ）及び（ｂ）に、図２のX-X'線及びY-Y'線に対応する模式的な断面を示す。図５（ａ）及び（ｂ）おいて、図３（ａ）及び（ｂ）に示す第１の実施形態の固体撮像装置１５０と同じ構成要素については同じ符号を付している。以下では、主に、相違点である光導波路２１８の構造について詳しく説明する。
【００７７】
図３（ａ）及び（ｂ）に示す第１の実施形態の固体撮像装置１５０の場合、各色の画素が備える光導波路はそれぞれ異なる幅を有し、且つ、同じ高さを有している。
【００７８】
これに対し、本実施形態の固体撮像装置１５０ａの場合、各色の画素が備える光導波路は異なる高さを有し、且つ、同じ幅を有している。このような構成によっても、それぞれの画素の光導波路内において、シングルモードの位置をシリコン表面に一致させることができ、高い感度を実現することができる。
【００７９】
具体例として、固体撮像装置１５０ａにおける緑色画素用光導波路２１８Ｇ、青色画素用光導波路２１８Ｂ及び赤色画素用光導波路２１８Ｒはいずれも直方体、より詳しくは正方形の底面を有する四角柱形であり、幅（底面の辺の長さ）が７００ｎｍ以上で且つ７２０ｎｍ以下である場合を考える。この場合、シリコン表面から各光導波路の上面までの高さを４００ｎｍ以上で且つ９００ｎｍ以下の範囲で互いに異なるように設定する。
【００８０】
更に、光学波動シミュレーションによると、緑色画素用光導波路２１８Ｇについて、高さが６００ｎｍ以上で且つ６４０ｎｍ以下であるときに、シングルモードの位置をシリコン表面と一致させることができる。このとき、光導波路内の光波がシリコン表面にて節となっており、光強度分布のピークが中央部分に位置している。従って、光が広がることなく電荷蓄積領域２０２に吸収されるので、高い感度を実現することができる。最も望ましい高さは、６２０ｎｍである。
【００８１】
同様に、青色画素用光導波路２１８Ｂについては高さが５４０ｎｍ以上で且つ５８０ｎｍ以下（最も望ましいのは５６０ｎｍ）、赤色画素用光導波路２１８Ｒについては高さが６５０ｎｍ以上で且つ６９０ｎｍ以下（最も望ましいのは６７０ｎｍ）であるときにシングルモードの位置とシリコン表面とを一致させることができ、高い感度を実現することができる。また、各光導波路２１８の幅については、７１０ｎｍとするのが最も望ましい。
【００８２】
また、各光導波路２１８を円柱形状とすると、直方体との形状の違いから固有モードも異なるようになる。光学波動シミュレーションによると、望ましい高さには（直方体の場合と比べて）±５０ｎｍ程度の違いが現れる。具体的に、円柱形状の場合、緑色画素用光導波路２１８Ｇの高さを６７０ｎｍ、青色画素用光導波路２１８Ｂの高さを６１０ｎｍ、赤色画素用光導波路２１８Ｒの高さを７２０ｎｍとし、直径を７１０ｎｍとするのが最も望ましい。
【００８３】
以上のようにして、緑色画素１５１Ｇ、赤色画素１５１Ｒ、青色画素１５１Ｂのいずれについても良好な感度特性を実現することができる。
【００８４】
尚、ＣＣＤに限らずＣＭＯＳセンサー等を用いても良いこと、原色系の画素に代えて補色系の画素を用いても良いこと等については、第１の実施形態の例と同様である。
【００８５】
本実施形態の固体撮像装置１５０ａは、導波路の幅が例えば７１０ｎｍであるから、電荷蓄積領域２０２を上方から見た寸法が７１０ｎｍ四方である微細なセルに使用することもできる。
【００８６】
異なる高さの導波路を実現するためには、例えば、層間絶縁膜２２０に設けた開口をコア材料によって埋め込んだ後、当該コア材料の上部の一部を除去すればよい。
【００８７】
図６（ａ）及び（ｂ）に、これに関して示す。図６（ａ）は、製造途中の固体撮像装置１５０ａについて示す図であり、図２のX-X'線に対応する。図６（ａ）において、層間絶縁膜２２０に設けた開口にコア材料を埋め込むことにより、緑色画素１５１Ｇ及び青色画素１５１Ｂに、同じ幅且つ同じ高さの光導波路が設けられている。また、緑色画素１５１Ｇの光導波路上を覆い且つ青色画素１５１Ｂの光導波路上に開口を有するレジスト２３３が形成されている。
【００８８】
この後、レジスト２３３をマスクとするエッチングにより、図６（ｂ）に示すように、青色画素１５１Ｂにおける光導波路の上部一部を除去する。このようにして、各色の画素について異なる高さの光導波路を設けることができる。同様の工程を繰り返すことにより、３種類以上の高さの光導波路についても実現できる。
【００８９】
その後、第１の実施形態にて説明したのと同様に、各光導波路よりも上の部分の層間絶縁膜２２０、カラーフィルタ２１２、マイクロレンズ１５３を順次形成する。
【００９０】
（第３の実施形態）
第３の実施形態の例示的固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。
【００９１】
本実施形態の例示的固体撮像装置１５０ｂについても、図２に示すようにベイヤー配列された各色の画素を含む撮像領域を備えている。また、図７（ａ）及び（ｂ）に、図７のX-X'線及びY-Y'線に対応する模式的な断面を示す。図７（ａ）及び（ｂ）おいて、図３（ａ）及び（ｂ）に示す第１の実施形態の固体撮像装置１５０と同じ構成要素については同じ符号を付している。以下では、主に、相違点である光導波路２１８の構造について詳しく説明する。
【００９２】
第１の実施形態及び第２の実施形態の場合、各色の画素の光導波路は、異なる幅又は高さを有している。
【００９３】
これに対し、本実施形態の固体撮像装置１５０ｂの場合、各色の画素が備える光導波路は、同じ幅及び高さを有している。但し、各色の光導波路は屈折率が異なる。このような構成によっても、それぞれの画素の光導波路内において、シングルモードの位置をシリコン表面に一致させることができ、高い感度を実現することができる。
【００９４】
具体例として、固体撮像装置１５０ａにおける緑色画素用光導波路２１８Ｇ、青色画素用光導波路２１８Ｂ及び赤色画素用光導波路２１８Ｒはいずれも直方体、より詳しくは正方形の底面を有する四角柱形であるものとする。また、幅（底面の辺の長さ）がいずれも７００ｎｍ以上で且つ７２０ｎｍ以下であり、高さがいずれも６００ｎｍ以上で且つ６２０ｎｍ以下とする。
【００９５】
また、光導波路のクラッドとなる層間絶縁膜２２０の屈折率は、１．２〜１．３である。
【００９６】
このような場合において、各光導波路として充填されているコア材料の屈折率を、画素毎に例えば１．７以上２．３以下の範囲において互いに異なるように設定する。
【００９７】
光学波動シミュレーションによると、緑色画素用光導波路２１８Ｇのコア材料の屈折率が２．２、青色画素用光導波路２１８Ｂのコア材料の屈折率が１．８、赤色画素用光導波路２１８Ｒのコア材料の屈折率が２．６であるときが最適である。このようにすると、各光導波路において、シングルモードの位置をシリコン表面と一致させることができる。このとき、光導波路内の光波がシリコン表面にて節となっており、光強度分布のピークが中央部分に位置している。従って光が広がることなく電荷蓄積領域２０２に吸収されるので、高い感度を実現することができる。また、各光導波路の寸法については、幅が７１０ｎｍ、高さが６１０ｎｍであるのが最適である。
【００９８】
以上のようにして、緑色画素１５１Ｇ、赤色画素１５１Ｒ、青色画素１５１Ｂのいずれについても良好な感度特性を実現することができる。
【００９９】
尚、ＣＣＤに限らずＣＭＯＳセンサー等を用いても良いこと、原色系の画素に代えて補色系の画素を用いても良いこと等については、第１、第２の実施形態の例と同様である。
【０１００】
また、各光導波路の高さ６００ｎｍ以上で且つ６２０ｎｍ以下である場合を例としたが、無論これには限らず、例えば７００ｎｍ以上で且つ７５０ｎｍ以下としても良い。この場合、各光導波路のコア材料の屈折率を（先の例の値に比べて）０．３程度低い値に設定することができる。
【０１０１】
尚、それぞれ屈折率の異なる光導波路を形成するためには、例えば、コア材料に対するイオン注入を利用する。これについて以下に説明する。
【０１０２】
図８（ａ）及び（ｂ）は、図７（ａ）及び（ｂ）に対応するように、製造途中の固体撮像装置１５０ｂを示している。図８（ａ）及び（ｂ）の工程において、各画素の電荷蓄積領域２０２上に、層間絶縁膜２２０に同じ有機材（コア材料）が埋め込まれた構成であり、寸法及び形状が同一の光導波路が形成されている。コア材料の屈折率は、例えば、１．８のである。
【０１０３】
次に、図９（ａ）及び（ｂ）のように、緑色画素１５１Ｇにおける光導波路についてのみ、イオン注入を行なう。まず、緑色画素１５１Ｇの光導波路（コア材料）上に開口を有するレジスト２３４を形成し、当該レジストをマスクとしたイオン注入を行なう。例えば、ドーズ量１×１０15ｃｍ-2、注入エネルギー８０ｋｅＶの条件にて、窒素イオンを注入する。これにより、緑色画素１５１Ｇにおけるコア材料（緑色画素用光導波路２１８Ｇ）の屈折率は２．２程度にまで高くなる。
【０１０４】
続いて、レジスト２３４を除去した後、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、赤色画素１５１Ｒにおける光導波路についてのみイオン注入を行なう。このためには、赤色画素１５１Ｒの光導波路上に開口を有するレジスト２３５を形成し、当該レジストをマスクとしたイオン注入を行なう。例えば、ドーズ量５×１０15ｃｍ-2、注入エネルギー１００ｋｅＶの条件にて、窒素イオンを注入する。このドーズ量は、図９（ａ）及び（ｂ）の工程における緑色画素１５１Ｇの光導波路に対するドーズ量よりも多い。その結果、赤色画素１５１Ｒにおけるコア材料（赤色画素用光導波路２１８Ｒ）の屈折率は、緑色画素用光導波路２１８Ｇの屈折率よりも高くなり、２．６程度になる。
【０１０５】
この後、レジスト２３５を除去する。更に、第１の実施形態にて説明したのと同様に、各光導波路よりも上の部分の層間絶縁膜２２０、カラーフィルタ２１２、マイクロレンズ１５３を順次形成すると、図７（ａ）及び（ｂ）に示す固体撮像装置１５０ｂを得ることができる。
【０１０６】
以上のようにして画素毎に異なる屈折率（青色画素用光導波路２１８Ｂにおいて１．８、緑色画素用光導波路２１８Ｇにおいて２．２、赤色画素用光導波路２１８Ｒにおいて２．６）のコア材料からなる光導波路を設けることができる。
【０１０７】
導波路内における光波の実効的な伝播波長は、真空中での波長と、当該導波路の屈折率の逆数との積である。これに基づき、各画素における実効的な伝播波長を同一にすることができる。例えば、中心波長に関し、赤色画素１５１Ｒでは６５０×（１／２．８）＝２５０、緑色画素１５１Ｇでは５５０×（１／２．２）＝２５０、青色画素１５１Ｂでは４５０×（１／１．８）＝２５０となり、同一の値となっている。
【０１０８】
このようにすると、対応する波長帯の異なる各画素において光導波路２１８の形状及び寸法（幅、光導波路表面からシリコン表面までの距離）が同じであっても、それぞれシングルモードの位置をシリコン表面に一致させることができる。従って、全ての画素において良好な感度特性を実現することができる。
【０１０９】
尚、注入するイオン種として窒素イオンを例示したが、これには限らず、ボロンイオン、フッ素イオン等を用いることもできる。また、それぞれ屈折率の異なる光導波路を形成する方法として、層間絶縁膜２２０に設けた光導波路形成用の開口に対し、それぞれ異なるコア材料を埋め込んでも良い。更には、異なるコア材料の利用とイオン注入を組み合わせて用いることも可能である。
【０１１０】
尚、第１、第２及び第３の実施形態において、いずれも、光導波路２１８の幅、高さ、コアの屈折率のうち１つの要素だけを変更することにより、各画素について感度の最適化を行なった。しかしながら、複数の要素の変更を組み合わせても良い。これにより、光導波路の設計について自由度が高くなる。
【０１１１】
実際の固体撮像装置における光導波路に入射する光の伝播は、マイクロレンズによる集光の影響、カラーフィルタ等の多層の膜を通過することによる影響等から、単純な現象ではない。しかしながら、基本原理としては、光導波路に出現するモードは、導波路の幅ｄ、真空中の波長λ、コアの屈折率ｎ１、クラッドの屈折率ｎ０により決定される。よって、これらの複数要素の変更を組み合わせることができる。
【０１１２】
一番単純なスラブ導波路（平板状のコアを平板状クラッドにより挟んだ構造）に存在するモード数は、次の式に示す正規化周波数ｖという値から求めることができる。
【０１１３】
ｖ＝ｄ／λ×π×√（ｎ１2 −ｎ０2 ）
ここで、ｖが０以上で且つ１／２π以下の場合にシングルモードとなる。スラブ導波路以外の構造の光導波路についても、類似の計算、シミュレーション等に基づいて、適切な構造を決めることができる。
【０１１４】
第１〜第３の固体撮像装置と同様の固体撮像装置の場合、例えば、緑色画素用光導波路２１８Ｇ、青色画素用光導波路２１８Ｂ及び赤色画素用光導波路２１８Ｒについて、高さは６００ｎｍ〜６２０ｎｍの範囲である同一の値に揃える。また、緑色画素用光導波路２１８Ｇ及び青色画素用光導波路２１８Ｂについて、コア材料の屈折率を１．９〜２．０の範囲である同一の値に揃えると共に、赤色画素用光導波路２１８Ｒについてはコア材料の屈折率を２．４〜２．６の範囲の値とする。更に、青色画素用光導波路２１８Ｂの幅を５８０ｎｍ〜６２０ｎｍの範囲の値とすると、緑色画素用光導波路２１８Ｇ及び赤色画素用光導波路２１８Ｒの幅を７００ｎｍ〜７４０ｎｍの範囲である同一の値に揃えることができる。尚、層間絶縁膜２２０の屈折率は、１．２〜１．３の範囲の値である。
【０１１５】
光導波路の幅が狭くなりすぎると、コア材料の埋め込み性が劣化する等の問題が生じやすくなる。前記の構成とすると、赤色画素用光導波路２１８Ｒについて幅が小さくなりすぎるのを避けると共に、イオン注入工程を１回で済ませることができる利点がある。
【産業上の利用可能性】
【０１１６】
本開示の固体撮像装置は、対応する波長帯が異なる画素それぞれについて感度特性を最適化することができるので、多画素化・微細化した固体撮像装置としても有用である。
【符号の説明】
【０１１７】
１０１          光導波路
１０２          周囲の部分（クラッド層）
１０３          所定面
１５０          固体撮像装置
１５０ａ        固体撮像装置
１５０ｂ        固体撮像装置
１５１          画素
１５１Ｂ        青色画素
１５１Ｇ        緑色画素
１５１Ｒ        赤色画素
１５２          光電変換部
１５３          マイクロレンズ
１５４          垂直転送レジスタ
２００          シリコン基板
２０１          第１のウェル領域
２０２          電荷蓄積領域
２０３          第２のウェル領域
２０４          転送チャネル領域
２０５          Ｖｔ制御領域
２０６          表面空乏化抑止領域
２０７          チャネルストップ領域
２０８          ゲート酸化膜
２０９          ゲート電極
２１０          銅配線
２１１          バリア膜
２１２          カラーフィルタ
２１２Ｂ        青色カラーフィルタ
２１２Ｇ        緑色カラーフィルタ
２１２Ｒ        赤色カラーフィルタ
２１７          バリア膜
２１８          光導波路
２１８Ｂ        青色画素用光導波路
２１８Ｇ        緑色画素用光導波路
２１８Ｒ        赤色画素用光導波路
２２０          層間絶縁膜
２３１          レジスト
２３２          開口
２３３          レジスト
２３４          レジスト
２３５          レジスト
【図２】
2011258593.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１】
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