(57)【要約】【課題】配線基板の反りが緩和される半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、準備ステップ、モールドステップおよびダイシングステップを有する。準備ステップでは、ダイシングライン１７によって区画された複数の製品形成部１３と、複数の製品形成部１３を囲む非製品形成部１４と、を有し、各製品形成部１３の第１の面１５に半導体チップ２０が搭載された配線基板１２を準備する。モールドステップでは、複数の製品形成部１３および該複数の製品形成部を囲む非製品形成部１４の第１の面１５と複数の半導体チップ２０とを第１の樹脂２２で一括して覆うとともに、非製品形成部１４の、第１の面とは反対側の第２の面１６上であって複数の製品形成部１３からなる領域の周りを、第２の樹脂２４で覆う。ダイシングステップでは、配線基板１２をダイシングライン１７に沿って切断し、個々の半導体装置に分割する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングラインによって区画された複数の製品形成部と、該複数の製品形成部を囲む非製品形成部と、を有し、前記各製品形成部の第１の面に半導体チップが搭載された配線基板を準備するステップと、
前記複数の製品形成部および該複数の製品形成部を囲む前記非製品形成部の前記第１の面と、前記複数の半導体チップとを第１の樹脂で一括して覆うとともに、前記非製品形成部の、前記第１の面とは反対側の第２の面上であって前記複数の製品形成部からなる領域の周りを、第２の樹脂で覆うステップと、
前記配線基板を前記ダイシングラインに沿って切断し、個々の半導体装置に分割するステップと、を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の樹脂で、前記複数の製品形成部からなる前記領域を枠状に取り囲むように、前記非製品形成部の前記第２の面を覆う、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の樹脂および前記第２の樹脂の熱膨張係数が、前記配線基板の熱膨張係数よりも大きい、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の樹脂の熱膨張係数が前記第１の樹脂の熱膨張係数よりも大きい、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の樹脂および前記第２の樹脂の熱膨張係数が、前記配線基板の熱膨張係数よりも小さい、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の樹脂の熱膨張係数が前記第１の樹脂の熱膨張係数よりも小さい、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の樹脂および前記第２の樹脂で前記配線基板を覆った後、かつ前記個々の半導体装置に分割する前に、前記配線基板の前記製品形成部の前記第２の面に外部電極を形成するステップを更に含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の樹脂は、熱膨張係数を調整するフィラーを含有しており、
前記第１の樹脂の前記フィラーの混入密度の分布に応じて、前記第２の樹脂の厚みを調整する、請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
上型および前記配線基板を吸引する吸引孔を有する下型を備えた成型金型を用い、前記上型と前記下型との間に前記配線基板を固定し、前記配線基板の前記製品形成部の前記第２の面を前記下型に吸引した状態で、前記上型および前記下型と前記配線基板との間に形成されるキャビティ内に溶融状態の前記第１の樹脂および前記第２の樹脂を注入して、前記複数の製品形成部および該複数の製品形成部を囲む前記非製品形成部の前記第１の面と前記複数の半導体チップとを前記第１の樹脂で一括して覆うとともに、前記非製品形成部の、前記第１の面とは反対側の第２の面上であって前記複数の製品形成部からなる領域の周りを前記第２の樹脂で覆う、請求項１から８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
ダイシングラインによって区画された複数の製品形成部と、該複数の製品形成部を囲む非製品形成部と、を有する配線基板を準備するステップと、
夫々の前記製品形成部の第１の面に半導体チップを搭載するステップと、
前記複数の製品形成部および該複数の製品形成部を囲む前記非製品形成部の前記第１の面と前記複数の半導体チップとを第１の樹脂で一括して覆うとともに、前記非製品形成部の、前記第１の面とは反対側の第２の面上であって前記複数の製品形成部からなる領域の周りを、第２の樹脂で覆うステップと、
前記配線基板を前記ダイシングラインに沿って切断し、個々の半導体装置に分割するステップと、を含む、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＡＰ方式により半導体チップを封止することを含む、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の小型化および薄型化の要求に対応するために、例えばＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）型の半導体パッケージが用いられている。このような半導体パッケージは、ＭＡＰ（モールドアレイプロセス）方式により、半導体チップが封止されることが多い。ＭＡＰ方式では、配線基板に搭載された複数の半導体チップを一括して樹脂封止した後、配線基板をダイシングラインに沿って切断することで、多数の半導体パッケージが同時に製造される。この方法によれば、複数の半導体チップを一括して封止するため、封止時間が短縮でき、半導体パッケージの生産性を向上させることができる。また、一度に多数の半導体パッケージを製造できるため、製造コストの面からも有利である。
【０００３】
ＭＡＰ方式による封止方法では、封止樹脂の面積が大きいため、封止樹脂の熱膨張係数と配線基板の熱膨張係数との差によって、配線基板が反り易いという問題がある。特に、大きな面積を有する基板（拡大基板）では、封止樹脂の面積がより大きくなり、配線基板の反りがより大きくなる。そのため、ＭＡＰ方式の封止方法を、製造コストの削減に有利な拡大基板に適用することは困難である。
【０００４】
特開２００２−１１０７１８号（以下、特許文献１と呼ぶ。）や特開２００５−３３３０４４号（以下、特許文献２と呼ぶ。）には、配線基板の反りを緩和するために、配線基板上の封止樹脂に、ダイシングラインに沿って溝を形成することが開示されている。
【０００５】
特開２０００−２４３８６７号（以下、特許文献３と呼ぶ。）には、配線基板の一方の面に搭載された半導体チップを封止すると同時に、配線基板の他方の面の外周部に補強枠を形成することが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１１０７１８号公報
【特許文献２】特開２００５−３３３０４４号公報
【特許文献３】特開２０００−２４３８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１および特許文献２に記載の方法では、半導体パッケージ（半導体装置）のサイズ毎に、封止樹脂に形成するべき溝の位置が変わるため、溝パターンが変更された成型金型を準備する必要がある。そのため、成型金型の準備および交換にかかる時間および費用が増大し、半導体パッケージの生産性が低下するという問題がある。
【０００８】
特許文献３に記載の半導体装置は、配線基板の外周部に補強枠が存在する特殊なパッケージ構造を有しており、汎用的なＢＧＡ型の半導体装置としては利用できないという問題がある。また、特許文献３では、配線基板の反りの改善については言及されていない。
【０００９】
したがって、これらの方法とは別に、配線基板の反りが緩和される半導体装置の製造方法が提供されることが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一態様における半導体装置の製造方法は、ダイシングラインによって区画された複数の製品形成部と、該複数の製品形成部を囲む非製品形成部と、を有し、各製品形成部の第１の面に半導体チップが搭載された配線基板を準備するステップと、複数の製品形成部および該複数の製品形成部を囲む非製品形成部の第１の面と複数の半導体チップとを第１の樹脂で一括して覆うとともに、非製品形成部の、第１の面とは反対側の第２の面上であって複数の製品形成部からなる領域の周りを、第２の樹脂で覆うステップと、配線基板をダイシングラインに沿って切断し、個々の半導体装置に分割するステップと、を含む。
【００１１】
また、一態様における半導体装置の製造方法は、半導体チップが搭載されていない配線基板を準備した後に、配線基板の夫々の製品形成部の第１の面に半導体チップを搭載するステップを含んでいて良い。
【００１２】
一般に、樹脂の熱膨張係数と配線基板の熱膨張係数との差に起因して、配線基板には反りが生じるが、上記製造方法によれば、第１の樹脂が配線基板に与える外力は、第２の樹脂が配線基板に与える外力により相殺または緩和されるため、配線基板の反りが緩和される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、配線基板の反りが緩和される半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態における半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図２】第１の実施形態における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】ダイシングステップ前の配線基板を、チップ搭載面（第１の面）から見た概略平面図である。
【図４】ダイシングステップ前の配線基板を、チップ搭載面とは反対側の面（第２の面）から見た概略平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿った配線基板の概略断面図である。
【図６】図４のＢ−Ｂ’線に沿った配線基板の概略断面図である。
【図７】第２の樹脂が無い場合に、配線基板に反りが生じる状況を説明するための概略図である。
【図８】第２の樹脂がある場合に、配線基板に反りが緩和される状況を説明するための概略図である。
【図９】第２の実施形態における半導体装置の製造方法において、モールドステップを説明する概略図である。
【図１０】図９に示すモールドステップおよびボールマウントステップ後の配線基板を、第２の面から見た概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下では、半導体装置の底面にボール状の電極が格子状に配設されたＢＧＡ型の半導体装置を例に挙げて説明する。これに限らず、本発明は、ＭＡＰ方式のモールド工程を含む、半導体装置の製造方法全般に適用できる。
【００１６】
図１は、第１の実施形態における半導体装置の製造方法を説明する工程図であり、図２は半導体装置の製造方法のフローチャートを示している。
【００１７】
まず、図１（ａ）に示すように、半導体チップが搭載された配線基板を準備する（準備ステップＳ１）。配線基板１２は、ダイシングライン１７によって区画された複数の製品形成部１３と、複数の製品形成部１３からなる領域を取り囲む非製品形成部１４と、を有する（図３も参照。）。本実施形態では、複数の製品形成部１３はマトリックス状に配置されている。配線基板１２は、例えばガラスエポキシ系素材からなる。
【００１８】
次に、夫々の製品形成部１３の第１の面（以下、チップ搭載面または上面と呼ぶ。）１５に、半導体チップ２０を搭載する。そして、例えば金ワイヤによりワイヤボンディングを行い、半導体チップ２０と配線基板１２とを電気的に接続する。ワイヤボンディングは、ダイボンディング装置を用いて行うことができる。
【００１９】
ここでは、半導体チップ２０が搭載されていない配線基板１２を準備した後に、配線基板１２の夫々の製品形成部１３のチップ搭載面１５に、半導体チップ２０を搭載することについて説明した。これに代えて、予め半導体チップ２０が搭載された配線基板１２を準備しても良い。
【００２０】
次に、複数の製品形成部１３および非製品形成部１４の第１の面１５と複数の半導体チップ２０とを、第１の樹脂２２で一括して覆うとともに、非製品形成部１４の、第１の面とは反対側の第２の面（以下、下面と呼ぶ。）１６上であって複数の製品形成部１３からなる領域の周りを、第２の樹脂２４で覆う（モールドステップＳ２）。ここで、第１の樹脂２２は、非製品形成部１４の第１の面１５の少なくとも一部を覆っていれば良い。
【００２１】
具体的には、図１（ｂ）に示すように、モールド装置の成型金型３０を構成する上型３２と下型３４との間に配線基板１２を固定する。上型３２には凹部が形成されており、上型３２と配線基板１２のチップ搭載面１５との間に、第１のキャビティ部分３３が形成される。第１のキャビティ部分３３は、配線基板の上面１５の、製品形成部１３、非製品形成部１４、半導体チップ２０を一括して覆う形状である。
【００２２】
下型３４には、配線基板の非製品形成部１４に対応して、略長方形の枠状の凹部が形成されている。この凹部により、下型３４と非製品形成部１４の下面１６との間に、第２のキャビティ部分３５が形成される。第２のキャビティ部分３５は、配線基板の非製品形成部１４に、略長方形の連続した枠状であることが好ましい。下型３４は製品形成部１３の下面１６と密着しており、製品形成部１３の下面１６に樹脂が付着しないようになっている。
【００２３】
下型３４は、配線基板１２との密着性を高めるため、配線基板１２を吸引する吸引孔３６を有していることが好ましい。これにより、製品形成部１３の下面１６を下型３４に吸引した状態でモールドステップＳ２を行うことができ、第２のキャビティ部分３５に第２の樹脂２４を注入したときに、製品形成部１３の下面１６への、樹脂の付着を防止することができる。
【００２４】
配線基板１２を成型金型３０に固定した後、注入ゲート３８から第１のキャビティ部分３３に溶融状態の第１の樹脂２２を注入するとともに、注入ゲート３８から第２のキャビティ部分３５に溶融状態の第２の樹脂２４を注入する。このようにして、半導体チップ２０を第１の樹脂２２で封止するとともに、非製品形成部１４の下面１６を第２の樹脂２４で覆うことができる。
【００２５】
なお、キャビティ部分３３、３５の注入ゲート３８とは反対側に、エアベント３９が形成されており、樹脂２２、２４はキャビティ２２、２５内で容易に流動することができる。
【００２６】
第１の樹脂２２および第２の樹脂２４は、例えばエポキシ系素材からなる熱硬化性樹脂であることが好ましい。樹脂２２、２４の注入後、図示しないベーク炉によりベークを行い、樹脂２２、２４を熱硬化した後、第１の樹脂２２および第２の樹脂２４を常温まで冷却する。
【００２７】
図３〜図６は、後述するボールマウントステップ後かつダイシングステップＳ３前の配線基板と、配線基板を覆う樹脂２２、２４の形状とを示している。図３は、第１の面１５から見た配線基板の概略平面図であり、図４は第２の面１６から見た配線基板の概略平面図である。図５は図４のＡ−Ａ’線に沿った、配線基板の概略断面図であり、図６は図４のＢ−Ｂ’線に沿った、配線基板の概略断面図である。
【００２８】
図３に示すように、第１の樹脂２２は、複数の製品形成部１３を一括して覆っている。図４〜図６に示すように、第２の樹脂２４は、複数の製品形成部１３を取り囲むように、連続した枠状になっている。後のボールマウントステップやダイシングステップＳ３などにおける作業に影響を与えなければ、凸状に形成された第２の樹脂２４の高さや幅や断面形状などは任意である。
【００２９】
一般に、モールドステップＳ２中の温度変化により、配線基板１２には反りが生じるが、配線基板１２の両面１５、１６に樹脂２２、２４が形成されているため、配線基板１２の反りは緩和される。配線基板１２の反りの主な要因は、配線基板１２の熱膨張係数と半導体装置を構成する要素、特に半導体チップ２０を封止する封止樹脂２２の熱膨張係数との差に起因するものである。
【００３０】
配線基板１２がガラスエポキシ系素材からなり、封止樹脂２２がエポキシ系素材からなる場合、封止樹脂２２の熱膨張係数は配線基板１２の熱膨張係数より大きい。この場合、図７に示すように、冷却時に、封止樹脂２２が収縮しようとする力Ｆ１が生じ、封止樹脂２２が配線基板１２に外力を与える。したがって、配線基板１２の下面１６に第２の樹脂２４が無い場合、配線基板１２の周辺部が第１の面側に反ることになる。
【００３１】
第１の実施形態における製造方法によれば、配線基板１２の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する第２の樹脂２４が、配線基板の下面１６にも形成されている。そのため、図８に示すように、冷却時に、第２の樹脂２４が収縮しようとする力Ｆ２が生じ、第２の樹脂２４が配線基板１２に外力を与える。そして、第１の樹脂２２が配線基板１２に与える外力が、第２の樹脂２４が配線基板１２に与える外力により相殺または緩和されるため、配線基板１２の反りが緩和される。
【００３２】
本実施形態では、第２の樹脂２４が収縮しようとする力Ｆ２を確保するためには、第２の樹脂２４は、複数の製品形成部１３を取り囲む連続した枠状になっていることが好ましい。
【００３３】
配線基板１２の反りの緩和効果は、樹脂２２、２４の材料や、配線基板１２の素材および大きさによらず表れる。したがって、上記の製造方法を、製造コストの削減に有利な拡大基板に適用することも可能になる。
【００３４】
第２の樹脂２４は、半導体装置のパッケージサイズに影響しない領域、つまり非製品形成部１４のみを覆っている。そのため、パッケージサイズが異なる半導体装置を製造する際に、同一の成型金型３０を使用することができる。これにより、成型金型３０の準備および交換にかかる時間および費用を削減することができ、半導体装置の生産効率を向上することができる。
【００３５】
モールドステップＳ２を容易に実施するという観点からは、第１の樹脂２２および第２の樹脂２４は同一の材料から成ることが好ましい。これにより、同一の成型金型３０の同一の注入ゲート３８から、同時に第１の樹脂２２および第２の樹脂２４を注入することができる。
【００３６】
第１および第２の樹脂２２、２４が同一の熱膨張係数を有する場合、第２の樹脂２４は非製品形成部１４のみに存在するため、第１の樹脂２２よりも収縮力が小さくなることが予想される。そのため、第２の樹脂２４は、第１の樹脂２２よりも熱膨張係数の大きい材料であっても良い。この場合、冷却時に、第２の樹脂２４の収縮力が増大するため、配線基板１２の反りの緩和効果が向上する。
【００３７】
なお、第１のキャビティ部分３３と第２のキャビティ部分３５とは、配線基板１２によって分離されているため、注入ゲート３８から注入する樹脂を適宜変えることで、第１の樹脂２２および第２の樹脂２４の材料を変えることができる。
【００３８】
一般的には、熱硬化性樹脂からなる第１の樹脂２２および第２の樹脂２４の熱膨張係数は配線基板１２の熱膨張係数より大きいが、第１の樹脂２２および第２の樹脂２４の熱膨張係数が配線基板１２の熱膨張係数より小さい場合でも、配線基板１２の緩和効果が得られることは明らかである。この場合、配線基板１２の反りの緩和効果を向上させるため、第２の樹脂２４の熱膨張係数が第１の樹脂２２の熱膨張係数よりも小さくても良い。
【００３９】
図３〜図６に示すように、複数の製品形成部１３は、２つまたは３つ以上の領域に分かれていても良い。この場合、第１の樹脂２２および第２の樹脂２４で覆われる領域も、２つまたは３つ以上の領域に分かれていて良い。
【００４０】
次に、図１（ｃ）に示すように、配線基板の製品形成部１３の下面１６に、電極としてのボール状の電極を格子状に形成する（ボールマウントステップ）。ボール状の電極としては、例えば半田ボール２６を用いることができる。第２の樹脂２４は、非製品形成部１４、つまり半田ボール２６を搭載する領域の外側に存在するため、ボールマウントステップにおける作業に影響を与えない。ボールマウントステップでは、電極を形成する位置に合わせて複数の吸着孔が形成されたボールマウンター４０を使用することができる。
【００４１】
モールドステップＳ２において配線基板１２の反りが緩和されているため、ボールマウントステップでは、精度良く半田ボール２６を搭載することができる。
【００４２】
ＢＧＡ型の半導体装置を製造する場合、ボールマウントステップを実施するが、このステップは半導体装置の構成に応じて、様々なステップに置き換えることが出来る。このように、ボールマウントステップは、本発明にとって、必ずしも必要なステップではない。
【００４３】
次に、配線基板１２をダイシングライン１７に沿って切断し、個々の半導体装置に分割する（ダイシングステップＳ３）。具体的には、図１（ｄ）に示すように、配線基板１２のチップ搭載面１５側の第１の樹脂２２に、ダイシングテープ５０を貼り付ける。ダイシング装置のダイシングブレード５２を用いて、配線基板の下面１６側から配線基板１２および第１の樹脂２２を、製品形成部１３ごとに切断する。前述のように、配線基板１２の反りが緩和されているため、配線基板１２を精度良く切断できる。
【００４４】
製品形成部１３ごとに切断された製品形成部１３をダイシングテープ５０からピックアップし、例えばマーク作業や選別作業などを実施して、個々の半導体装置が完成する。
【００４５】
ここで、第２の樹脂２４は、非製品形成部１４にのみを覆っているため、個々の半導体装置は第２の樹脂２４を含んでいない。そのため、完成した半導体装置を、配線基板の下面に樹脂を有する特殊なパッケージ構造ではなく、汎用的なパッケージ構造にすることができる。
【００４６】
［第２の実施形態］
以下、第２の実施形態における半導体装置の製造方法について説明する。第２の実施形態における製造方法は、第１の実施形態と同様なステップを含んでいるが、モールドステップのみが異なっている。なお、第１の実施形態と同様のステップについては説明を省略する。
【００４７】
図９はモールドステップを説明するための概略断面図であり、図１０は、モールドステップおよびボールマウントステップ後の配線基板を、第２の面（半田ボールが搭載される面）から見た概略平面図である。なお、図９は、図１０におけるＣ−Ｃ’線に相当する断面を示しており、図１０において下側が樹脂の注入側３８ａになっている。
【００４８】
第２の実施形態における製造方法では、非製品形成部１４の下面１６を覆う第２の樹脂２４の厚みが均一ではない。具体的には、枠状の第２の樹脂２４の一部の領域（樹脂削減領域）９０の厚みを薄くする。これは、図９に示すように、キャビティ３５の高さが調節可能な調整用ブロック９２を、成型金型３０の下型３４の一部に備えた成型金型３０を用いることで実施できる。調整用ブロック９２の設置場所は任意である。第２の樹脂２４の厚みは任意に調整可能であるが、モールドステップＳ２において注入される第２の樹脂２４が第２のキャビティ部分３５内で滞らずに流入する程度の隙間を確保しておく。
【００４９】
第２の実施形態に係る製造方法は、配線基板１２の特定の領域の反りが小さくなり易い場合に有効である。近年、半導体チップを封止する封止樹脂（第１の樹脂）２２は、熱膨張係数を調整するため、例えばシリカ粉末素材からなるフィラーを適量含有することがある。この場合、封止樹脂２２の位置によりフィラーの混入密度が異なることがある。例えば、注入ゲート３８から遠い領域にフィラーが多く滞留すると、その領域において封止樹脂２２の熱膨張係数が低下し、その領域では配線基板１２の反り量が低下することがある。このような場合には、注入ゲート３８から遠い領域９０の第２の樹脂２４の厚みを、注入ゲート３８に近い領域の第２の樹脂２４の厚みより小さくしておくことで、注入ゲート３８から遠い領域９０においての反りの緩和効果を小さくする。これにより、配線基板１２の反り量を均一にすることができる。
【００５０】
上記のように、第１の樹脂２２が熱膨張係数を調整するフィラーを含有している場合、第１の樹脂２２のフィラーの混入密度の分布に応じて、第２の樹脂２４の厚みを調整することが好ましい。同一条件下で同一の材料を用いてモールドステップを繰り返し実施していれば、第１の樹脂２２のフィラーの混入密度の分布は、経験的に知ることが出来る。
【００５１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５２】
１２  配線基板
１３  製品形成部
１４  非製品形成部
１５  第１の面（チップ搭載面または上面）
１６  第２の面（下面）
１７  ダイシングライン
２０  半導体チップ
２２  第１の樹脂
２４  第２の樹脂
２６  半田ボール
３０  成型金型
３２  上型
３３  第１のキャビティ部分
３４  下型
３５  第２のキャビティ部分
３６  吸着孔
３８  注入ゲート
３９  エアベント
４０  ボールマウンター
５０  ダイシングテープ
５２  ダイシングブレード
９０  樹脂削減領域
９２  調整用ブロック
Ｓ１  準備ステップ
Ｓ２  モールドステップ
Ｓ３  ダイシングステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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