(57)【要約】【課題】高出力ＬＥＤパッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つの貫通溝を形成する段階と、上記金属板の全体の外部面に一定の厚さの絶縁層を形成する段階と、上記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階と、上記金属板を切断線に沿って切断してパッケージを分離する段階と、を含む。  本発明によると、構成部品間の相違する熱膨張係数による熱衝撃を防止して高温環境で安定した放熱特性を保障し、光学的損失を最少化して光学特性を向上させることができ、製造工程及び組立工程を単純化して大量生産を可能とし、製造コストを低減することが出来る。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つの貫通溝を形成する段階と、
前記金属板の全体の外部面に一定の厚さの絶縁層を形成する段階と、
前記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階と、を含む高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項２】
前記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の高さのチップ搭載部を形成した後、前記チップ搭載部より低い金属板の上部底面に貫通溝を形成することを特徴とする請求項１に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項３】
前記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、前記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成した後、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の高さのチップ搭載部を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部を形成した後、前記チップ搭載部より高い金属板の上部面に貫通溝を形成することを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項５】
前記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、前記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成した後、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部を形成することを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、前記貫通溝が形成される金属板の上部面にチップ搭載部を形成することを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項７】
前記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）を形成して、前記トレンチを外周面とするチップ搭載部を形成した後、前記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成することを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項８】
前記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、前記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成した後、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチを形成して前記トレンチを外周面とするチップ搭載部を形成することを特徴とする請求項１から請求項７の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項９】
前記金属板は、陽極酸化が可能な金属素材からなることを特徴とする請求項１から請求項８の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記金属板は、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ  Ａｌｌｏｙ）、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  Ａｌｌｏｙ）のいずれか一つからなることを特徴とする請求項１または請求項９に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁層は、陽極酸化法、ＰＥＯ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）、乾式酸化法のいずれか一つの工程により形成されることを特徴とする請求項１から請求項１０の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁層は、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＭｇＯのいずれか一つからなることを特徴とする請求項１から請求項１１の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記電極部を形成する段階は、前記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に導電材を充填或いは塗布して導電性ビアホールを形成する段階と、前記絶縁層から外部露出される前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、前記チップ搭載部に搭載された発光チップを前記外部電極と電気的に連結する段階とを含むことを特徴とする請求項１から請求項１２の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記電極部を形成する段階は、前記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上の金属層を形成すると同時に貫通型の導電性ビアホールを形成する段階と、前記金属層の一部を除去して前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、前記チップ搭載部に搭載された発光チップを前記外部電極と電気的に連結する段階とを含むことを特徴とする請求項１から請求項１３の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、前記金属板の上部面から一定の高さで突出形成されたチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して前記外部電極をワイヤボンディングすることを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、前記金属板の上部面に一定の深さで陥没形成されたチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して前記外部電極をワイヤボンディングすることを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１７】
前記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、前記チップ搭載部まで延長された外部電極に前記発光チップをフリップチップボンディングすることを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１８】
前記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、前記金属板の上部面に一定の深さに陥没形成されたトレンチを外周面とするチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して前記外部電極をワイヤボンディングすることを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１９】
前記外部電極は、導電性ペーストを印刷した後焼成する工程、前記絶縁層の表面を金属化した後メッキする工程及び真空蒸着工程のいずれか一つの方式で形成されることを特徴とする請求項１３に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項２０】
前記チップ搭載部の上部面に前記発光チップを覆うよう蛍光体を含有する封止材を備える段階をさらに含むことを特徴とする請求項１から請求項１９の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項２１】
前記封止材を備える段階は、前記発光チップ、前記発光チップを覆う封止材、そして前記発光チップと電気的に連結される電極部の一部を外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部を備える段階をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項２２】
前記金属板の上部面に、前記発光チップを外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部を備える段階をさらに含むことを特徴とする請求項１から請求項２１の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項２３】
前記金属板を切断線に沿って切断してパッケージを分離する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１から請求項２２の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項２４】
前記金属板を切断する段階は、導電性ビアホールと、これに隣接する他の導電性ビアホールとの間を通過する切断線に沿って行われることを特徴とする請求項２３に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項２５】
前記金属板を切断する段階は、前記チップ搭載部と、これに隣接する他のチップ搭載部との間に形成された導電性ビアホールの中心を通過する切断線に沿って行われることを特徴とする請求項２３に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項２６】
少なくとも一つの発光チップが搭載されるチップ搭載部と、少なくとも一つの導電性ビアホールを備える放熱体と、
前記放熱体の外部面に一定の厚さで備えられる絶縁層と、
前記導電性ビアホールと前記発光チップとの間を電気的に連結する電極部と、を含む高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項２７】
前記放熱体は、陽極酸化が可能な金属素材からなることを特徴とする請求項２６に記載の高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項２８】
前記放熱体は、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ  Ａｌｌｏｙ）、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  Ａｌｌｏｙ）のいずれか一つからなることを特徴とする請求項２６または請求項２７に記載の高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項２９】
前記チップ搭載部は、前記放熱体の上部面から一定の高さで突出形成される突出型で備えられるか、前記放熱体の上部面から一定の深さで陥没形成される陥没型で備えられるか、前記放熱体の上部面に備えられる基板型で備えられるか、前記放熱体の上部面から一定の深さに陥没形成されるトレンチにより前記放熱体の上部面に備えられるトレンチ型で備えられることを特徴とする請求項２６から請求項２８の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項３０】
前記絶縁層は、陽極酸化法、ＰＥＯ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）、乾式酸化法のいずれか一つの工程により前記放熱体の外部面に一定の厚さで備えられることを特徴とする請求項２６から請求項２９の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項３１】
前記絶縁層は、Ａｌ２Ｏ３  、ＴｉＯ２、ＭｇＯのいずれか一つで備えられることを特徴とする請求項２６から請求項３０の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項３２】
前記電極部は、前記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に導電材を充填或いは塗布して形成された導電性ビアホールと、前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう前記絶縁層に備えられる外部電極と、前記発光チップと外部電極との間をワイヤボンディングする金属ワイヤとを含むことを特徴とする請求項２６から請求項３１の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項３３】
前記電極部は、前記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に導電材を充填或いは塗布して形成された導電性ビアホールと、前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう前記絶縁層に備えられる外部電極と、前記発光チップと外部電極との間をフリップチップボンディングするソルダボールとを含むことを特徴とする請求項２６から請求項３２の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項３４】
前記電極部は、前記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に金属層が塗布されて形成された貫通型導電性ビアホールと、前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう前記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上塗布された金属層の一部を除去して形成される外部電極及び前記発光チップと外部電極との間をワイヤボンディングする金属ワイヤとを含むことを特徴とする請求項２６から請求項３３の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項３５】
前記電極部は、前記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に金属層が塗布されて形成された貫通型導電性ビアホールと、前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう前記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上塗布された金属層の一部を除去して形成される外部電極及び前記発光チップと外部電極との間をフリップチップボンディングするソルダボールを含むことを特徴とする請求項２６から請求項３４の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項３６】
前記導電性ビアホールは、前記放熱体の胴体の内部に備えられるか前記放熱体の角または縁に備えられることを特徴とする請求項２６から請求項３５の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項３７】
前記放熱体は、前記発光チップを外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部をさらに含むことを特徴とする請求項２６から請求項３６の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項３８】
前記放熱体は、前記発光チップを覆うよう前記チップ搭載部上に備えられる蛍光体を含有する封止材と、前記発光チップと封止材及び前記電極部の一部を外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部をさらに含むことを特徴とする請求項２６から請求項３７の何れかに記載の高出力ＬＥＤパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高出力ＬＥＤパッケージとこれを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）は電流が流れるとき光を出す半導体素子で、ＧａＡｓ、ＧａＮ光半導体からなるＰＮ接合ダイオードにより電気エネルギーを光エネルギーに変えるものである。
【０００３】
このようなＬＥＤから出る光の領域はレッド（６３０ｎｍ〜７００ｎｍ）からブルー−Ｖｉｏｌｅｔ（４００ｎｍ）までで、ブルー、グリーン及びホワイトまでも含んでおり、ＬＥＤは白熱電球と蛍光灯のような既存の光源に比べて低電力消費、高効率、長時間動作寿命などの長所を有しているため、その需要が増加し続けている実情である。
【０００４】
最近ＬＥＤは、モバイル端末機の小型照明から室内外の一般照明、自動車照明、大型ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）用バックライトまでその適用範囲が徐々に拡大している。
【０００５】
これにより、電流印加時に発生する光の強さに比例して発光源の発光チップに印加される電力は増加し、電力消耗の多い高出力ＬＥＤには発光時に発生する熱により発光チップ及びパッケージ自体が熱化することを防止できるよう放熱構造を採用することが一般である。
【０００６】
図１（ａ）は従来の高出力ＬＥＤパッケージの胴体の中央の断面斜視図で、図１（ｂ）は従来の高出力ＬＥＤパッケージが基板上に組み立てられた断面図であって、従来のＬＥＤパッケージ１０は図示した通り、発光源の発光チップ１１と、これを上部面の中央に搭載する放熱体１２を備える。
【０００７】
上記発光チップ１１は外部電源と連結され電流が印加されるよう複数個の金属製のワイヤ１３を介して複数個のリードフレーム１４と電気的に連結される。
【０００８】
上記放熱体１２は上記発光チップ１１の発光時に発生する熱を外部へ放出して冷却する手段で、熱伝導性に優れた素材からなる接着手段１２ａを介して基板１９上に装着される。
【０００９】
上記リードフレーム１４は、モールド部１５に一体に備えられ、上記放熱体１２は上記モールド部１５の胴体の中央に形成された組立孔１５ａに挿入配置され、上記モールド部１５にはワイヤ１３とのワイヤボンディングが行われるようリードフレーム１４の一端が露出され、上記リードフレーム１４の他端はパッド１４ａを介して基板１９上に印刷されたパターン回路１９ａと電気的に連結される。
【００１０】
上記モールド部１５の上部面には上記発光チップ１１の発光時に発生した光を外部へ広く発散させるレンズ１６を備え、上記モールド部１５と上記レンズ１６との間の空間には上記発光チップ１１とワイヤ１３を保護しながら発光された光をそのまま投射させるよう透明なシリコン樹脂からなる充填剤１７が満たされる。
【００１１】
しかし、このような構造を有する従来のＬＥＤパッケージ１０は、ポリマー材質からなるモールド部１５が高温環境で劣化して熱特性を低下させることがあり、上記リードフレーム１４とモールド部１５との大きな熱膨張係数の差により反復的な熱衝撃により破損する恐れがある。
【００１２】
また、上記モールド部１５の射出成形時、リードフレーム１４の一端を外部へ露出すると同時に上記放熱体１２が挿入配置される組立孔１５ａを胴体の中央に形成しなければならないため、精密な金型の製作が必要で、射出工程及び組立工程が複雑となり製造コストを上昇させる原因として作用した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従って、本発明は上記の問題点を解決するため案出されたもので、その目的は、構成部品間の相違する熱膨張係数の差による熱衝撃を防止して高温の環境で安定した放熱特性を保障し、光学的損失を最少化して光学特性を向上させることができ、製造工程及び組立工程を単純化して大量生産を可能とし、製造コストを低減できる高出力ＬＥＤパッケージ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達成するための具体的な手段として、本発明は、金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つの貫通溝を形成する段階と、上記金属板の全体の外部面に一定の厚さの絶縁層を形成する段階と、上記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階と、を含む高出力ＬＥＤパッケージの製造方法を提供する。
【００１５】
好ましく、上記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の高さのチップ搭載部を形成した後、上記チップ搭載部より低い金属板の上部底面に貫通溝を形成する。
【００１６】
好ましく、上記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、上記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成した後、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の高さのチップ搭載部を形成する。
【００１７】
好ましく、上記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部を形成した後、上記チップ搭載部より高い金属板の上部面に貫通溝を形成する。
【００１８】
好ましく、上記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、上記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成した後、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部を形成する。
【００１９】
好ましく、上記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、上記貫通溝が形成される金属板の上部面にチップ搭載部を形成する。
【００２０】
好ましく、上記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）を形成して上記トレンチを外周面とするチップ搭載部を形成した後、上記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成する。
【００２１】
好ましく、上記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、上記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成した後、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチを形成して上記トレンチを外周面とするチップ搭載部を形成する。
【００２２】
好ましく、上記金属板は、陽極酸化が可能な金属素材からなる。
【００２３】
さらに好ましく、上記金属板は、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ  Ａｌｌｏｙ）、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  Ａｌｌｏｙ）のいずれか一つからなる。
【００２４】
好ましく、上記絶縁層は、陽極酸化法、ＰＥＯ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）、乾式酸化法のいずれか一つの工程により形成される。
【００２５】
好ましく、上記絶縁層は、Ａｌ２Ｏ３  、ＴｉＯ２  、ＭｇＯのいずれか一つからなる。
【００２６】
好ましく、上記電極部を形成する段階は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に導電材を充填或いは塗布して導電性ビアホールを形成する段階と、上記絶縁層から外部露出される上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、上記チップ搭載部に搭載された発光チップを上記外部電極と電気的に連結する段階とを含む。
【００２７】
好ましく、上記電極部を形成する段階は、上記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上の金属層を形成すると同時に貫通型ビアホールを形成する段階と、上記金属層の一部を除去して上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、上記チップ搭載部に搭載された発光チップを上記外部電極と電気的に連結する段階とを含む。
【００２８】
さらに好ましく、上記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、上記金属板の上部面から一定の高さで突出形成されたチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して上記外部電極をワイヤボンディングする。
【００２９】
さらに好ましく、上記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、上記金属板の上部面に一定の深さで陥没形成されたチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して上記外部電極をワイヤボンディングする。
【００３０】
さらに好ましく、上記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、上記チップ搭載部まで延長された外部電極に上記発光チップをフリップチップボンディングする。
【００３１】
さらに好ましく、上記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、上記金属板の上部面に一定の深さに陥没形成されたトレンチを外周面とするチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して上記外部電極をワイヤボンディングする。
【００３２】
さらに好ましく、上記外部電極は導電性ペーストを印刷した後焼成する工程、上記絶縁層の表面を金属化した後メッキする工程及び真空蒸着工程のいずれか一つの方式で形成される。
【００３３】
好ましく、上記チップ搭載部の上部面に上記発光チップを覆うよう蛍光体を含有する封止材を備える段階をさらに含む。
【００３４】
さらに好ましく、上記封止材を備える段階は、上記発光チップ, 上記発光チップを覆う封止材、そして上記発光チップと電気的に連結される電極部の一部を外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部を備える段階をさらに含む。
【００３５】
好ましく、上記金属板の上部面に上記発光チップを外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部を備える段階をさらに含む。
【００３６】
好ましく、上記金属板を切断線に沿って切断してパッケージを分離する段階をさらに含む。
【００３７】
さらに好ましく、上記金属板を切断する段階は、上記導電性ビアホールと、これに隣接する他の導電性ビアホールとの間を通過する切断線に沿ってな行われる。
【００３８】
さらに好ましく、上記金属板を切断する段階は、上記チップ搭載部と、これに隣接する他のチップ搭載部との間に形成された導電性ビアホールの中心を通過する切断線に沿って行われる。
【００３９】
また、本発明は少なくとも一つの発光チップが搭載されるチップ搭載部と、少なくとも一つの導電性ビアホールを備える放熱体と、上記放熱体の外部面に一定の厚さで備えられる絶縁層と、上記導電性ビアホールと上記発光チップとの間を電気的に連結する電極部と、を含む高出力ＬＥＤパッケージを提供する。
【００４０】
好ましく、上記放熱体は陽極酸化が可能な金属素材からなる。
【００４１】
さらに好ましく、上記放熱体は、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ  Ａｌｌｏｙ）、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  Ａｌｌｏｙ）のいずれか一つからなる。
【００４２】
好ましく、上記チップ搭載部は上記放熱体の上部面から一定の高さで突出形成される突出型で備えられるか、上記放熱体の上部面から一定の深さで陥没形成される陥没型で備えられるか、上記放熱体の上部面に備えられる基板型で備えらるか、上記放熱体の上部面から一定の深さに陥没形成されるトレンチにより上記放熱体の上部面に備えられるトレンチ型で備えられる。
【００４３】
好ましく、上記絶縁層は陽極酸化法、ＰＥＯ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）、乾式酸化法のいずれか一つの工程により上記放熱体の外部面に一定の厚さで備えられる。
【００４４】
好ましく、上記絶縁層は、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２  、ＭｇＯのいずれか一つで備えられる。
【００４５】
好ましく、上記電極部は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に導電材を充填或いは塗布して形成された導電性ビアホールと、上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう上記絶縁層に備えられる外部電極及び上記発光チップと外部電極との間をワイヤボンディングする金属ワイヤを含む。
【００４６】
好ましく、上記電極部は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に導電材を充填或いは塗布して形成された導電性ビアホールと、上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう上記絶縁層に備えられる外部電極と、上記発光チップと外部電極との間をフリップチップボンディングするソルダボールを含む。
【００４７】
好ましく、上記電極部は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に金属層が塗布されて形成された貫通型導電性ビアホールと、上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう上記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上塗布された金属層の一部を除去して形成される外部電極と、上記発光チップと外部電極との間をワイヤボンディングする金属ワイヤとを含む。
【００４８】
好ましく、上記電極部は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に金属層が塗布されて形成された貫通型導電性ビアホールと、上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう上記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上塗布された金属層の一部を除去して形成される外部電極と、上記発光チップと外部電極との間をフリップチップボンディングするソルダボールを含む。
【００４９】
好ましく、上記導電性ビアホールは、上記放熱体の胴体内部に備えられるか上記放熱体の角または縁に備えられる。
【００５０】
好ましく、上記放熱体は、上記発光チップを外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部をさらに含む。
【００５１】
好ましく、上記放熱体は上記発光チップを覆うよう上記チップ搭載部上に備えられる蛍光体を含有する封止材と、上記発光チップと封止材及び上記電極部の一部を外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部をさらに含む。
【発明の効果】
【００５２】
上記構成の本発明によると、熱伝導性に優れた金属素材からなる放熱体を通して発光チップから発生する熱を外部へ容易に放出することにより高温環境で安定した放熱特性を保障することが出来る。
【００５３】
また、チップ搭載部を放熱体から一定の高さで突出形成される突出型で備えることにより、発光チップの搭載高さを放熱体の上部面の高さより相対的に高くして発光時に光学的損失を最少化し、光輝度を高め光学特性を向上させることが出来る。
【００５４】
また、製造工程において従来のような射出工程を排除してパッケージ同士の間隔を最少化することにより実装密度を高め、製造工程及び組立工程を単純化して大量生産を可能とし、製造コストを低減することが出来る。
【００５５】
また、放熱体の外部面に備えられる絶縁層によりパッケージの機械的強度を向上させることができ、発光チップと外部電極との電気的な連結作業を安定的に行い、製品の信頼性を向上させることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５６】
以下、本発明を添付の図面により詳しく説明する。
図２ａ乃至ｉは、本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図で、図３ａ乃至ｈは、本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【００５７】
本発明の好ましい実施例による高出力ＬＥＤパッケージ１００は下記のａ乃至ｅ段階を経て製造される。
【００５８】
ａ．金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つのビアホールを形成する段階；
一定の大きさを有する金属板１１０には、図２ａ乃至図２ｃ及び図３ａ乃至図３ｃのように、電源印加時に発光チップ１０１が搭載されるチップ搭載部１１２と導電性ビアホールを形成するための貫通溝１１４を少なくとも一つ備える。
【００５９】
このようなチップ搭載部１１２は、図２ａと図３ａに図示した通り、上記チップ搭載部１１２と対応する金属板１１０の上部表面に一定の大きさのマスクＭをパターニング或いは付着する。
【００６０】
次に、上記金属板１１０の上部面を化学的に蝕刻すると、図２ｂと図３ｂに図示した通り、上記マスクＭを除く金属板１１０の上部面が均一に除去されることにより、金属板１１０の上部底面１１３より相対的に高い一定の高さのチップ搭載部１１２を形成することとなる。
【００６１】
ここで、上記チップ搭載部１１２は化学的蝕刻方法により形成されるものと図示して説明したが、これに限定されず、上記チップ搭載部１１２のみを残留しようとする領域を除いて金属板１１０の上部面を機械的に研磨することにより、金属板１１０の上部底面１１３より相対的に高い一定の高さのチップ搭載部１１２を形成することも出来る。
【００６２】
また、上記チップ搭載部１１２が形成された金属板１１０の底面には、図２ｃと図３ｃに図示した通り、一定の大きさの貫通溝１１４をパンチング、ドリリングまたはレーザ加工のいずれか一つの方式で少なくとも一つ形成する。
【００６３】
この際、上記チップ搭載部１１２と貫通溝１１４が形成される金属板１１０は、熱伝導率の高い銅（Ｃｕ）、銅合金（Ｃｕ  Ａｌｌｏｙ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ  Ａｌｌｏｙ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ  Ａｌｌｏｙ）、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  Ａｌｌｏｙ）、スチール（Ｓｔｅｅｌ）、ステンレススチール（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ  Ｓｔｅｅｌ）のいずれか一つで選択的に備えられることが出来る。
【００６４】
本発明の実施例において上記金属板１１０は、陽極酸化が可能であるよう、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ  Ａｌｌｏｙ）、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  Ａｌｌｏｙ）のような金属素材からなることが好ましい。
【００６５】
一方、上記金属板１１０は図２ａ乃至図２ｃに図示した通り、化学的蝕刻または機械的研磨工程によりチップ搭載部１１２を形成した後、上記チップ搭載部１１２の上部面より低い高さを有する上部底面１１３に貫通溝１１４を形成するものと図示して説明したが、これに限定されず、上記金属板１１０の上部面に貫通溝１１４を貫通形成した後、上記チップ搭載部１１２を形成するよう化学的蝕刻または機械的研磨工程を行うことが出来る。
【００６６】
また、上記チップ搭載部１１２ａと貫通溝１１４ａを形成する段階は、図４ａ乃至図４ｃに図示した通り、上記チップ搭載部１１２が形成される領域を除いて金属板１１０の上部面にマスクＭを形成した状態で、上記金属板１１０の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部１１２ａを形成した後、上記チップ搭載部１１２ａより高い金属板１１０の上部面１１３ａに貫通溝１１４ａを形成できるが、これに限定されず、上記金属板１１０の上部面に貫通溝１１４ａを貫通形成した後、上記金属板１１０の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部１１２ａを形成することも出来る。
【００６７】
また、上記チップ搭載部１１２ｂと貫通溝１１４ｂを形成する段階は、図５に図示した通り、上記貫通溝１１４ｂが形成される金属板１１０の上部面にチップ搭載部１１２ｂを平面状で形成することにより、上記貫通溝１１４ｂの上端と上記チップ搭載部１１２ｂが同一平面上に位置するようにする。
【００６８】
なお、上記チップ搭載部１１２ｃと貫通溝１１４ｃを形成する段階は、図６ａ乃至ｃのように、上記チップ搭載部１１２ｃが形成される領域及び後に説明する電極部が形成される領域の金属板１１０の上部面にマスクＭを形成した状態で、上記金属板１１０の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）１１５を形成して上記トレンチ１１５を外周面とするチップ搭載部１１２ｃを形成した後、上記金属板１１０の上部面に貫通溝１１４ｃを形成する。
【００６９】
しかし、これに限定されるのではなく、上記金属板１１０の上部面に貫通溝１１４ｃを貫通形成した後、上記金属板１１０の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチ１１５を形成して上記トレンチ１１５を外周面とするチップ搭載部１１２ｃを形成することも出来る。
【００７０】
ｂ．上記金属板の外部面に絶縁層を形成する段階；
上記チップ搭載部１１２と貫通溝１１４が形成された金属板１１０は、電解液が満たされた電解槽に浸漬させた状態で陽極酸化工程により上記チップ搭載部１１２の外部面、上部底面及び貫通溝の内周面を含む上記金属板１１０の全体の外部面に陽極酸化層である絶縁層１２０を一定の厚さで形成する。
【００７１】
このような絶縁層１２０は、金属板１１０の外部面の全体に１０乃至３０μｍの厚さで均一に備えられることが好ましい。
【００７２】
この際、上記貫通溝１１４は、上記絶縁層１２０の厚さより相対的に大きい内径で備えられ上記絶縁層１２０の形成後、上記絶縁層１２０により遮断されないようにしなければならない。
【００７３】
即ち、上記金属板１１０がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる場合、上記金属板１１０の外部面にはＡｌ２Ｏ３のような絶縁層１２０が形成され、このような絶縁層１２０はセラミック材質特性を有して機械的強度を向上させ、空隙の多い柱状形態からなり、着色、塗布及び印刷のような後続工程をより安定して進めることが出来る。
【００７４】
また、上記金属板１１０がチタニウムまたはチタニウム合金からなる場合、上記金属板１１０の外部面にはＴｉＯ２のような絶縁層１２０が形成され、このような絶縁層１２０は反射性が高いため発光チップ１０１から発光した光を反射する効率を向上させ高出力ＬＥＤパッケージ１００の光効率を向上させる。
【００７５】
ここで、上記金属板１１０に絶縁層１２０を形成する工程は陽極酸化法で例示して説明したが、これに限定されず、ＰＥＯ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）または高温酸化ガスによる乾式酸化法によっても形成されることが出来る。
【００７６】
また、上記絶縁層１２０はＡｌ２Ｏ３またはＴｉＯ２で備えられるものと図示して説明したが、これに限定されず、ＭｇＯで備えられることも出来る。
【００７７】
ｃ．上記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階；
上記電極部１３０を形成する段階は、導電性ビアホール１３１を形成する段階と、外部電極１３２，１３３を形成する段階と、発光チップ１０１と外部電極１３２，１３３を電気的に連結する段階とを含む。
【００７８】
即ち、上記導電性ビアホール１３１を形成する段階は、上記絶縁層１２０が外部面に一定の厚さで形成された金属板１１０の貫通溝１１４に、図２ｅと図３ｅに図示した通り、導電性ペーストのような導電材を充填或いは塗布することにより電源供給用導電性ビアホール１３１を形成する。
【００７９】
また、上記外部電極１３２，１３３を形成する段階は、図２ｆと図３ｆに図示した通り、上記導電性ビアホール１３１が外部露出される絶縁層１２０には、上記導電性ビアホール１３１の上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極１３２，１３３をそれぞれ備える。
【００８０】
ここで、上記外部電極１３２，１３３は、絶縁層１２０が接合力に優れた絶縁膜からなっているため、導電性ペーストを印刷した後焼成する工程、上記絶縁層の表面を金属化した後メッキする工程及び真空蒸着工程のいずれか一つの方式で形成されることが出来る。
【００８１】
次いで、上記発光チップ１０１と外部電極１３２，１３３を電気的に連結する段階は、図２ｇと図３ｇに図示した通り、一定の高さで突出されたチップ搭載部１１２に接着剤を介して発光チップ１０１を搭載した後、金属ワイヤ１３４，１３５を介して金属板１１０の上側に形成された外部電極１３２とそれぞれワイヤボンディングされて電気的に接続される。
【００８２】
一方、上記電極部１３０を形成する段階は、図７ａと図７ｂに図示した通り、貫通型導電性ビアホール１３１を形成しながら外部電極１３２，１３３を同時に形成した後、発光チップ１０１と外部電極１３２，１３３を電気的に連結する段階を含む。
【００８３】
即ち、上記貫通型導電性ビアホール１３１を形成する段階は、上記絶縁層１２０の外部面の全体に、図７ａに図示した通り、一定の厚さの導電性金属層１３６を少なくとも一層以上均一に形成する。
【００８４】
このような金属層１３６は、パラジウム（Ｐｄ）、亜鉛（Ｚｎ）のような導電性金属を素材として蒸着方式で備えられるか、Ｎｉ／Ｃｕメッキ後Ａｇのような金属素材をプレーティング（Ｐｌａｔｉｎｇ）方式で備えられることが出来るが、これに限定されず、上記金属層１３６は蒸着方式からなる金属シード層とその上部面に積層されるメッキ層で備えられることが出来る。
【００８５】
これにより、上記貫通溝１１４は上記のように導電材により充填されて塞がらず、上記貫通溝１１４の内周面に絶縁層１２０と金属層１３６が塗布された貫通型導電性ビアホール１３１を形成することとなる。
【００８６】
そして、上記外部電極１３２，１３３を形成する段階は、図７ｂに図示した通り、上記絶縁層１２０の外部面の全体に形成されて外部露出される全体金属層１３６のうち予め設定された回路パターンに該当する一部の領域を除く残りの一部を除去することにより、上記導電性ビアホール１３１の上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極１３２，１３３をそれぞれ備える。
【００８７】
ここで、上記外部電極１３２，１３３は、上記金属層の外部面に備えられるマスク（未図示）を用いた不要な金属層を除去する湿式蝕刻または乾式蝕刻方式により形成されることが出来る。
【００８８】
次いで、上記発光チップ１０１と外部電極１３２，１３３を電気的に連結する段階は、図７ｃに図示した通り、一定の高さで突出されたチップ搭載部１１２に接着剤を介して発光チップ１０１を搭載した後、金属ワイヤ１３４，１３５を介して金属板１１０の上側に形成された外部電極１３２とそれぞれワイヤボンディングされて電気的に接続される。
【００８９】
一方、上記チップ搭載部１１２ａが金属板１１０に一定の深さで陥没形成された場合、上記発光チップ１０１と外部電極１３２，１３３を電気的に連結する段階は、図８に図示した通り、一定の深さで突出されたチップ搭載部１１２ａに接着剤を介して発光チップ１０１を搭載した後、金属ワイヤ１３４，１３５を介して上記チップ搭載部１１２ａより高い位置に形成された外部電極１３２と発光チップ１０１がそれぞれワイヤボンディングされて電気的に接続される。
【００９０】
また、上記チップ搭載部１１２ｂが金属板１１０の平面に形成された場合、上記発光チップ１０１と外部電極１３２，１３３を電気的に連結する段階は、図９に図示した通り、上記金属板１１０に形成された導電性ビアホール１３１と接続される外部電極１３２を上記チップ搭載部１１２ｂまで延長した後、上記外部電極１３２に載せられるソルダボール１０２を介して発光チップ１０１がフリップチップボンディングされて電気的に接続される。
【００９１】
なお、上記チップ搭載部１１２ｃが金属板１１０の平面に一定の深さに陥没形成されるトレンチ１１５を外周面として上記金属板１１０の平面に形成された場合、上記発光チップ１０１と外部電極１３２、１３３を電気的に連結する段階は、図１０に図示した通り、上記チップ搭載部１１２ｃに接着剤を介して発光チップ１０１を搭載した後、金属ワイヤ１３４、１３５を介して金属板１１０の上側に形成された外部電極１３２とそれぞれワイヤボンディングされて電気的に接続される。
【００９２】
この際、上記金属板１１０の下側に形成された外部電極１３３は、未図示の基板に形成された電源供給用パッドと電気的に連結されることにより、上記導電性ビアホール１３１、外部電極１３２，１３３及び金属ワイヤ１３４，１３５またはソルダーボール１０２を介して外部電源を上記発光チップ１０１に供給して光を発生させることとなる。
【００９３】
ｄ．上記チップ搭載部の上部面に上記発光チップを覆うよう封止材を備える段階；
上記発光チップ１０１と上記電極部１３０が電気的に連結された状態で上記チップ搭載部１１２の上部面には、図２ｈと図３ｈに図示した通り、上記発光チップ１０１を覆うよう封止材１４０が備えられる。
【００９４】
ここで、上記封止材１４０は上記発光チップ１０１から出射される光効率を向上させるため蛍光体を含有することが好ましい。
【００９５】
上記封止材１４０は上記チップ搭載部１１２に上記発光チップ１０１を実装した後、実装された上記発光チップ１０１が覆われるよう液状樹脂が供給され、この液状樹脂が硬化することにより形成される。
【００９６】
また、上記封止材１４０は液状樹脂が上記発光チップ１０１を覆うよう上記チップ搭載部１１２上に供給されるとき、表面張力により外側面が曲面を成し、その中心部が上側に膨らんだドーム状に形成される。
【００９７】
具体的に、液状樹脂は外側端が上記チップ搭載部１１２の上面の縁、すなわち、鋭端部（ｋｎｉｆｅ  ｅｄｇｅ）まで位置するよう供給される。このように、液状樹脂の外側端が上記チップ搭載部１１２の鋭端部に位置する場合、液状樹脂の外側端が平面上に位置する場合に比べて表面張力がより大きく形成されるため、液状樹脂がチップ搭載部１１２の鋭端部を超えてチップ搭載部１１２の外側に広がらず、上側に膨らんだ形状を有することとなる。
【００９８】
一方、上記金属板１１０の上部面には、上記電極部１３０の金属ワイヤ１３４、１３５とワイヤボンディングされた発光チップ１０１と、上記発光チップ１０１を覆う封止材１４０と、上記金属ワイヤ１３４、１３５を覆ってこれらを外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部１４５を装着する。
【００９９】
このようなレンズ部１４５は、上記発光チップ１０１から発生した光を外部へより広い角度に放射できるよう上記金属板１１０の上部面に搭載される凸レンズで備えられるものと図示して説明したが、これに限定されず、上記金属板１１０の上部面にドーム状で塗布される投光性透明樹脂で備えられることも出来る。
【０１００】
ここで、上記レンズ部１４５が凸レンズで備えられる場合、上記金属板１１０とレンズ部１４５との間には、ＡＧ系、ＴＡＧ系、シリケート系のいずれか一つの波長変換手段の蛍光物質が含まれた投光性透明樹脂が満たされることができ、上記レンズ部が投光性透明樹脂からなる場合には、上記蛍光物質をさらに含むことも出来る。
【０１０１】
本発明の好ましい実施例では、上記チップ搭載部１１２上に上記発光チップ１０１を覆う封止材１４０を備えた後、上記発光チップ１０１とともに上記封止材１４０を覆うレンズ部１４５を上記金属板１１０の上部面に備えるものと説明しているが、これに限定されるのではなく、上記封止材１４０を備えず上記レンズ部１４５のみ備えることも可能である。
【０１０２】
ｅ．上記金属板を切断線に沿って切断してパッケージを分離する段階；
上記チップ搭載部１１２に発光チップ１０１が搭載されて電極部１３０と電気的に連結され、上記封止材１４０及び上記レンズ部１４５の搭載が完了すると、図２ｉに図示した通り、上記金属板１１０に描かれる仮想の切断線Ｃに沿って未図示の切断工具を用いて上記金属板１１０を切断することにより、高出力ＬＥＤパッケージ１００を製造完成することとなる。
【０１０３】
ここで、上記切断線Ｃは、図２ｈと図３ｈに図示した通り、上記導電性ビアホール１３１と、これに隣接する他の導電性ビアホール１３１との間を通過するようして切断線に沿って切断すると、上記導電性ビアホール１３１は、図１１ａに図示した通り、金属板１１０から切断分離された放熱体１１０ａの胴体の内部に位置することが出来る。
【０１０４】
また、上記切断線Ｃは、上記チップ搭載部１１２と、これに隣接する他のチップ搭載部１１２との間に形成された導電性ビアホール１３１の中心を通過するようにし、これに沿って切断すると、上記導電性ビアホール１３１は、図１１ｂに図示した通り、金属板１１０から切断分離された放熱体１１０ａの角または縁に位置することが出来る。
【０１０５】
図１２は本発明による高出力ＬＥＤパッケージの実施例を図示した断面図で、図１３は本発明による高出力ＬＥＤパッケージの他の実施例を図示した断面図で、図１４は本発明による高出力ＬＥＤパッケージのさらに他の実施例を図示した断面図で、図１５は本発明による高出力ＬＥＤパッケージの変形実施例を図示した断面図で、図１６は本発明による高出力ＬＥＤパッケージの他の変形実施例を図示した断面図である。
【０１０６】
本発明の実施例による高出力ＬＥＤパッケージ１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄは、放熱体１１０ａ、絶縁層１２０及び電極部１３０を含む。
【０１０７】
上記放熱体１１０ａは、上部面に少なくとも一つの発光チップ１０１が搭載されるチップ搭載部１１２を備え、少なくとも一つの導電性ビアホール１３１を備える金属構造物である。
【０１０８】
このような放熱体１１０ａは、熱伝導率の高い銅（Ｃｕ）、銅合金（Ｃｕ  Ａｌｌｏｙ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ  Ａｌｌｏｙ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ  Ａｌｌｏｙ）、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  Ａｌｌｏｙ）、スチール、ステンレススチールのいずれか一つで選択的に備えられることが出来る。
【０１０９】
本発明の実施例において上記放熱体１１０ａは、陽極酸化が可能であるようアルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ  Ａｌｌｏｙ）、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  Ａｌｌｏｙ）のような金属素材からなることが好ましい。
【０１１０】
そして、上記発光チップ１０１を搭載するために上記放熱体１１０ａに形成される搭載部１１２は、図１２に図示した通り、発光チップ１０１が搭載される領域を除いて化学的蝕刻または機械的研磨工程により部分除去して一定の高さで上向突出された突出型チップ搭載部１１２で備えることが出来る。
【０１１１】
または、図１３に図示した通り、上記チップ搭載部１１２ａは、発光チップ１０１が搭載される領域を化学的蝕刻または機械的研磨工程により部分除去して一定の深さで陥没形成された陥没型チップ搭載部１１２ａで備えられることが出来る。
【０１１２】
また、上記チップ搭載部１１２ｂは、図１４に図示した通り、発光チップ１０１が搭載される領域を上記外部電極１３２が形成される放熱体１１０ａの上部面に形成した基板型チップ搭載部１１２ｂで備えられることが出来る。
【０１１３】
また、上記チップ搭載部１１２ｃは、図１５に図示した通り、発光チップ１０１が搭載される領域の周りに沿って化学的蝕刻または機械的研磨工程により部分除去して一定の深さに陥没形成されたトレンチ１１５を外周面とするトレンチ型チップ搭載部１１２ｃに備えられることができる。
【０１１４】
そして、上記導電性ビアホール１３１は、上記放熱体１１０ａに貫通形成される貫通溝１１４，１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃの内周面に絶縁層１２０が塗布された状態で、上端と下部端が上記放熱体１１０ａの上部面と下部面にそれぞれ露出されるよう導電性ペーストのような導電材を充填或いは塗布して備えられる。
【０１１５】
上記絶縁層１２０は、上記放熱体１１０ａの外部面及び上記貫通溝１１４，１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃの内部面に一定の厚さで備えられる絶縁部材である。
【０１１６】
このような絶縁層１２０は、１０μｍ乃至３０μｍの厚さで均一に備えられることが好ましく、上記貫通溝１１４，１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃは上記絶縁層１２０の厚さより大きい内径で備えられて上記絶縁層１２０の形成後、上記絶縁層１２０により遮断されないようにしなければならない。
【０１１７】
上記チップ搭載部１１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃと貫通溝１１４，１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃが形成された金属板１１０は、電解液が満たされた電解槽に浸漬させた状態で陽極酸化工程により上記チップ搭載部１１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃの外部面、上部底面及び貫通溝の内周面を含む上記金属板１１０の全体の外部面に陽極酸化層である絶縁層１２０を一定の厚さで形成する。
【０１１８】
このような絶縁層１２０は、金属板１１０の外部面の全体に１０μｍ乃至３０μｍの厚さで均一に備えられることが好ましい。
【０１１９】
この際、上記貫通溝１１４，１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃは上記絶縁層１２０の厚さより大きい内径で備えられ上記絶縁層１２０により遮断されないよう常に開放されなければならない。
【０１２０】
また、上記絶縁層１２０は上記放熱体１１０ａを構成する金属素材の種類によって異なるよう形成されるため、上記放熱体１１０ａがアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる場合、上記放熱体１１０ａの外部面にはＡｌ２Ｏ３のような絶縁層１２０が形成されることができ、上記放熱体１１０ａがチタニウムまたはチタニウム合金からなる場合、上記金属板１１０の外部面にはＴｉＯ２のような絶縁層１２０が形成されることが出来るが、これに限定されず、ＭｇＯのような酸化層からなる絶縁層で備えられることが出来る。
【０１２１】
この際、ＴｉＯ２のような絶縁層１２０は反射性が高いため、発光チップ１０１から発光した光を反射する効率を向上させパッケージの光効率を向上させることが出来る。
【０１２２】
上記放熱体１１０ａに絶縁層１２０は陽極酸化法、ＰＥＯ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）、高温酸化ガスによる乾式酸化法のいずれか一つの方式で形成される。
【０１２３】
一方、上記電極部１３０は上記放熱体１１０ａに備えられた導電性ビアホール１３１と上記チップ搭載部１１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃに備えられた発光チップ１０１との間を電気的に連結する。
【０１２４】
上記導電性ビアホール１３１には、上記発光チップ１０１をワイヤボンディングまたはフリップチップボンディング方式で搭載し、外部電源との電気的な連結が容易であるよう外部電極１３２，１３３を形成する。
【０１２５】
このような外部電極１３２，１３３は、上記絶縁層１２０から外部露出される導電性ビアホール１３１の上下端とそれぞれ接続連結されるよう導電性ペーストを印刷した後焼成する工程、上記絶縁層の表面を金属化した後メッキする工程及び真空蒸着工程のいずれか一つの方式で備えられる。
【０１２６】
これにより、上記放熱体１１０ａの上部面に形成された外部電極１３２は、図１２に図示した通り、上部に一定の高さで突出されたチップ搭載部１１２に搭載された発光チップ１０１と、金属ワイヤ１３４，１３５を介してワイヤボンディングされることが出来る。
【０１２７】
また、上記放熱体１１０ａの上部面に形成された外部電極１３２は、図１３に図示した通り、下部に一定の深さで突出されたチップ搭載部１１２ａに搭載された発光チップ１０１と金属ワイヤ１３４，１３５を介してワイヤボンディングされることが出来る。
【０１２８】
そして、上記放熱体１１０ａの上部面に形成された外部電極１３２は、図１４に図示した通り、上記外部電極１３２が形成された放熱体１１０ａの平面上に備えられたチップ搭載部１１２ｂに搭載された発光チップ１０１と、ソルダボール１０２を介してフリップチップボンディングされることが出来る。
【０１２９】
なお、上記放熱体１１０ａの上部面に形成された外部電極１３２は、図１５に図示した通り、下部に一定の深さに陥没形成されたトレンチ１１５を外周面とするチップ搭載部１１２ｃに搭載された発光チップ１０１と金属ワイヤ１３４，１３５を介してしてワイヤボンディングされることができる。
【０１３０】
また、上記放熱体１１０ａの上部面の外部電極１３２は、図１２乃至１５に図示した通り、上記絶縁層１２０の外部面に直接形成されるものと図示して説明したが、これに限定されるものではない。
【０１３１】
即ち、図１６に図示した通り、上記絶縁層１２０の外部面の全体に一定の厚さの導電性金属層１３６を真空蒸着方式またはプレーティング方式で少なくとも一層以上均一に形成することにより、上記貫通溝１１４の内周面には絶縁層１２０と金属層１３６が多層に塗布された貫通型導電性ビアホール１３１を形成することとなる。
【０１３２】
続いて、上記絶縁層１２０の外部面の全体に形成されて外部露出される金属層１３６を予め設定された回路パターン以外の領域を湿式蝕刻または乾式蝕刻  工程により除去することにより、上記導電性ビアホール１３１の上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極１３２，１３３をパターン形成することとなる。
【０１３３】
これにより、上記放熱体１１０ａの上部面に形成された外部電極１３２は、上記と同様に、チップ搭載部１１２ａに搭載された発光チップ１０１と金属ワイヤ１３４，１３５を介してワイヤボンディングされる。
【０１３４】
また、上記放熱体１１０ａの下側に形成された外部電極１３３は、未図示の基板に形成された電源供給用パッドと電気的に連結される。
【０１３５】
ここで、上記外部電極１３２，１３３と電気的に接続される導電性ビアホール１３１は、上記金属板を切断する切断線に沿って内部型または外部型で備えられることができ、このような導電性ビアホール１３１は、図１１ａに図示した通り、上記放熱体１１０ａの胴体の内部に位置する内部型で備えられるか、図１１ｂに図示した通り、上記放熱体１１０ａの角または縁に位置する外部型で備えられることが出来る。
【０１３６】
一方、上記チップ搭載部の上部面には上記発光チップ１０１と上記電極部１３０が電気的に連結された状態で、上記発光チップ１０１を覆うよう封止材１４０が備えられる。ここで、上記封止材１４０は上記発光チップ１０１から出射される光効率を向上させるため蛍光体を含有することが好ましい。
【０１３７】
そして、上記放熱体１１０ａの上部面には、図１２、図１３、図１５及び図１６に図示した通り、上記発光チップ１０１と封止材１４０及び金属ワイヤ１３４，１３５を外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部１４５を装着する。
【０１３８】
このようなレンズ部１４５は、上記放熱体１１０ａの上部面に搭載される凸レンズで備えられるか、上記放熱体１１０ａの上部面にドーム状で塗布される投光性透明樹脂で備えられることが出来る。
【０１３９】
また、上記レンズ部１４５ｂは、図１４に図示した通り、上記チップ搭載部１１２ｂにフリップチップボンディングされた発光チップ１０１を外部環境から保護するよう透明性投光樹脂を素材とする透明性モールド部で成形されることが出来る。
【０１４０】
本発明は特定の実施例に係わり図示して説明したが、当業界において通常の知識を有している者であれば添付の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域を外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更できることを明らかにする。
【図面の簡単な説明】
【０１４１】
【図１】（ａ）は、従来の高出力ＬＥＤパッケージの胴体の中央の断面斜視図であり、（ｂ）は、従来の高出力ＬＥＤパッケージが基板上に組み立てられた断面図である。
【図２ａ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｂ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｃ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｄ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｅ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｆ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｇ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｈ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｉ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図３ａ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図３ｂ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図３ｃ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図３ｄ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図３ｅ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図３ｆ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図３ｇ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図３ｈ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図４ａ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて陥没型チップ搭載部を形成する工程図である。
【図４ｂ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて陥没型チップ搭載部を形成する工程図である。
【図４ｃ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて陥没型チップ搭載部を形成する工程図である。
【図５】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて基板型チップ搭載部を形成する工程図である。
【図６ａ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいてトレンチ型チップ搭載部を形成する工程図である。
【図６ｂ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいてトレンチ型チップ搭載部を形成する工程図である。
【図６ｃ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいてトレンチ型チップ搭載部を形成する工程図である。
【図７ａ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて金属層を形成して発光チップを搭載した状態図である。
【図７ｂ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて金属層を形成して発光チップを搭載した状態図である。
【図７ｃ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて金属層を形成して発光チップを搭載した状態図である。
【図８】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて陥没型チップ搭載部に発光チップを搭載した状態図である。
【図９】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて基板型チップ搭載部に発光チップを搭載した状態図である。
【図１０】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいてトレンチ型チップ搭載部に発光チップを搭載する状態図である。
【図１１ａ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージに採用される放熱体を図示したもので、内部型導電性ビアホールを形成した放熱体である。
【図１１ｂ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージに採用される放熱体を図示したもので、外部型導電性ビアホールを形成した放熱体である。
【図１２】本発明による高出力ＬＥＤパッケージの実施例を図示した断面図である。
【図１３】本発明による高出力ＬＥＤパッケージの他の実施例を図示した断面図である。
【図１４】本発明による高出力ＬＥＤパッケージのさらに他の実施例を図示した断面図である。
【図１５】本発明による高出力ＬＥＤパッケージの変形実施例を図示した断面図である。
【図１６】本発明による高出力ＬＥＤパッケージの他の変形実施例を図示した断面図である。
【符号の説明】
【０１４２】
１１０  金属板
１１０ａ  放熱体
１１２、１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ  チップ搭載部
１１４、１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ  貫通溝
１２０  絶縁層
１３０  電極部
１３１  導電性ビアホール
１３２、１３３  外部電極
１３４、１３５  金属ワイヤ
１４５  レンズ部
【図１】
2011258991.tif 000003
【図２ａ】
2011258991.tif 000004
【図２ｂ】
2011258991.tif 000005
【図２ｃ】
2011258991.tif 000006
【図２ｄ】
2011258991.tif 000007
【図２ｅ】
2011258991.tif 000008
【図２ｆ】
2011258991.tif 000009
【図２ｇ】
2011258991.tif 000010
【図２ｈ】
2011258991.tif 000011
【図２ｉ】
2011258991.tif 000012
【図３ａ】
2011258991.tif 000013
【図３ｂ】
2011258991.tif 000014
【図３ｃ】
2011258991.tif 000015
【図３ｄ】
2011258991.tif 000016
【図３ｅ】
2011258991.tif 000017
【図３ｆ】
2011258991.tif 000018
【図３ｇ】
2011258991.tif 000019
【図３ｈ】
2011258991.tif 000020
【図４ａ】
2011258991.tif 000021
【図４ｂ】
2011258991.tif 000022
【図４ｃ】
2011258991.tif 000023
【図５】
2011258991.tif 000024
【図６ａ】
2011258991.tif 000025
【図６ｂ】
2011258991.tif 000026
【図６ｃ】
2011258991.tif 000027
【図７ａ】
2011258991.tif 000028
【図７ｂ】
2011258991.tif 000029
【図７ｃ】
2011258991.tif 000030
【図８】
2011258991.tif 000031
【図９】
2011258991.tif 000032
【図１０】
2011258991.tif 000033
【図１１ａ】
2011258991.tif 000034
【図１１ｂ】
2011258991.tif 000035
【図１２】
2011258991.tif 000036
【図１３】
2011258991.tif 000037
【図１４】
2011258991.tif 000038
【図１５】
2011258991.tif 000039
【図１６】
2011258991.tif 000040
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つの貫通孔を形成する段階と、
前記金属板の全体の外部面に一定の厚さの絶縁層を形成する段階と、
前記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階と、を含み、
前記チップ搭載部と貫通孔を形成する段階は、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）を形成して、前記トレンチを外周面とするチップ搭載部を形成した後、前記金属板の上部面に貫通孔を貫通形成することを特徴とする高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項２】
金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つの貫通孔を形成する段階と、
前記金属板の全体の外部面に一定の厚さの絶縁層を形成する段階と、
前記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階と、を含み、
前記チップ搭載部と貫通孔を形成する段階は、前記金属板の上部面に貫通孔を貫通形成した後、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチを形成して前記トレンチを外周面とするチップ搭載部を形成することを特徴とする高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項３】
前記チップ搭載部の上部面に前記発光チップを覆うよう封止材を備える段階をさらに含み、
前記封止材を備える段階は、
液状樹脂が前記発光チップを覆い且つ前記液状樹脂の外側端が前記チップ搭載部の上面の縁まで位置するよう前記液状樹脂を供給する段階と、
供給された前記液状樹脂を硬化することにより前記封止材を形成する段階と
を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記電極部を形成する段階は、前記絶縁層が内周面に塗布された貫通孔に導電材を充填或いは塗布して導電性ビアホールを形成する段階と、前記絶縁層から外部露出される前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、前記チップ搭載部に搭載された発光チップを前記外部電極と電気的に連結する段階とを含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項５】
前記電極部を形成する段階は、前記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上の金属層を形成すると同時に貫通型の導電性ビアホールを形成する段階と、前記金属層の一部を除去して前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、前記チップ搭載部に搭載された発光チップを前記外部電極と電気的に連結する段階とを含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、前記金属板の上部面に一定の深さに陥没形成されたトレンチを外周面とするチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して前記外部電極をワイヤボンディングすることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項７】
金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つの貫通孔を形成する段階と、
前記金属板の全体の外部面に一定の厚さの絶縁層を形成する段階と、
前記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階と、を含み、
前記チップ搭載部と貫通孔を形成する段階は、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部を形成した後、前記チップ搭載部より高い金属板の上部面に貫通孔を形成することを特徴とする高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項８】
金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つの貫通孔を形成する段階と、
前記金属板の全体の外部面に一定の厚さの絶縁層を形成する段階と、
前記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階と、を含み、
前記チップ搭載部と貫通孔を形成する段階は、前記金属板の上部面に貫通孔を貫通形成した後、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部を形成することを特徴とする高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項９】
前記電極部を形成する段階は、前記絶縁層が内周面に塗布された貫通孔に導電材を充填或いは塗布して導電性ビアホールを形成する段階と、前記絶縁層から外部露出される前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、前記チップ搭載部に搭載された発光チップを前記外部電極と電気的に連結する段階とを含むことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記電極部を形成する段階は、前記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上の金属層を形成すると同時に貫通型の導電性ビアホールを形成する段階と、前記金属層の一部を除去して前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、前記チップ搭載部に搭載された発光チップを前記外部電極と電気的に連結する段階とを含むことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、前記金属板の上部面に一定の深さで陥没形成されたチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して前記外部電極をワイヤボンディングすることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１２】
金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つの貫通孔を形成する段階と、
前記金属板の全体の外部面に一定の厚さの絶縁層を形成する段階と、
前記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階と、を含み、
前記チップ搭載部と貫通孔を形成する段階は、前記貫通孔が形成される金属板の上部面にチップ搭載部を形成することを特徴とする高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記電極部を形成する段階は、前記絶縁層が内周面に塗布された貫通孔に導電材を充填或いは塗布して導電性ビアホールを形成する段階と、前記絶縁層から外部露出される前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、前記チップ搭載部に搭載された発光チップを前記外部電極と電気的に連結する段階とを含むことを特徴とする請求項１２に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記電極部を形成する段階は、前記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上の金属層を形成すると同時に貫通型の導電性ビアホールを形成する段階と、前記金属層の一部を除去して前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、前記チップ搭載部に搭載された発光チップを前記外部電極と電気的に連結する段階とを含むことを特徴とする請求項１２に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、前記チップ搭載部まで延長された外部電極に前記発光チップをフリップチップボンディングすることを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１６】
少なくとも一つの発光チップが搭載されるチップ搭載部および少なくとも一つの導電性ビアホールを備える放熱体と、
前記放熱体の外部面に一定の厚さで備えられる絶縁層と、
前記導電性ビアホールと前記発光チップとの間を電気的に連結する電極部と、
を含み、
前記チップ搭載部は、前記放熱体の上部面から一定の深さに陥没形成されるトレンチにより前記放熱体の上部面に備えられるトレンチ型で備えられることを特徴とする高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項１７】
前記発光チップを覆うように備えられる封止材をさらに含み、
前記封止材は、前記発光チップを覆い且つ外側端が前記チップ搭載部の上部面の縁まで位置する液状樹脂が硬化して形成されることを特徴とする請求項１６に記載の高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項１８】
少なくとも一つの発光チップが搭載されるチップ搭載部および少なくとも一つの導電性ビアホールを備える放熱体と、
前記放熱体の外部面に一定の厚さで備えられる絶縁層と、
前記導電性ビアホールと前記発光チップとの間を電気的に連結する電極部と、
を含み、
前記チップ搭載部は、前記放熱体の上部面から一定の深さで陥没形成される陥没型で備えられることを特徴とする高出力ＬＥＤパッケージ。
【請求項１９】
少なくとも一つの発光チップが搭載されるチップ搭載部および少なくとも一つの導電性ビアホールを備える放熱体と、
前記放熱体の外部面に一定の厚さで備えられる絶縁層と、
前記導電性ビアホールと前記発光チップとの間を電気的に連結する電極部と、
を含み、
前記チップ搭載部は、前記放熱体の上部面に備えられる基板型で備えられることを特徴とする高出力ＬＥＤパッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高出力ＬＥＤパッケージとこれを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は電流が流れるとき光を出す半導体素子で、ＧａＡｓ、ＧａＮ光半導体からなるＰＮ接合ダイオードにより電気エネルギーを光エネルギーに変えるものである。
【０００３】
このようなＬＥＤから出る光の領域はレッド（６３０ｎｍ〜７００ｎｍ）からブルー−Ｖｉｏｌｅｔ（４００ｎｍ）までで、ブルー、グリーン及びホワイトまでも含んでおり、ＬＥＤは白熱電球と蛍光灯のような既存の光源に比べて低電力消費、高効率、長時間動作寿命などの長所を有しているため、その需要が増加し続けている実情である。
【０００４】
最近ＬＥＤは、モバイル端末機の小型照明から室内外の一般照明、自動車照明、大型ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）用バックライトまでその適用範囲が徐々に拡大している。
【０００５】
これにより、電流印加時に発生する光の強さに比例して発光源の発光チップに印加される電力は増加し、電力消耗の多い高出力ＬＥＤには発光時に発生する熱により発光チップ及びパッケージ自体が熱化することを防止できるよう放熱構造を採用することが一般である。
【０００６】
図１（ａ）は従来の高出力ＬＥＤパッケージの胴体の中央の断面斜視図で、図１（ｂ）は従来の高出力ＬＥＤパッケージが基板上に組み立てられた断面図であって、従来のＬＥＤパッケージ１０は図示した通り、発光源の発光チップ１１と、これを上部面の中央に搭載する放熱体１２を備える。
【０００７】
上記発光チップ１１は外部電源と連結され電流が印加されるよう複数個の金属製のワイヤ１３を介して複数個のリードフレーム１４と電気的に連結される。
【０００８】
上記放熱体１２は上記発光チップ１１の発光時に発生する熱を外部へ放出して冷却する手段で、熱伝導性に優れた素材からなる接着手段１２ａを介して基板１９上に装着される。
【０００９】
上記リードフレーム１４は、モールド部１５に一体に備えられ、上記放熱体１２は上記モールド部１５の胴体の中央に形成された組立孔１５ａに挿入配置され、上記モールド部１５にはワイヤ１３とのワイヤボンディングが行われるようリードフレーム１４の一端が露出され、上記リードフレーム１４の他端はパッド１４ａを介して基板１９上に印刷されたパターン回路１９ａと電気的に連結される。
【００１０】
上記モールド部１５の上部面には上記発光チップ１１の発光時に発生した光を外部へ広く発散させるレンズ１６を備え、上記モールド部１５と上記レンズ１６との間の空間には上記発光チップ１１とワイヤ１３を保護しながら発光された光をそのまま投射させるよう透明なシリコン樹脂からなる充填剤１７が満たされる。
【００１１】
しかし、このような構造を有する従来のＬＥＤパッケージ１０は、ポリマー材質からなるモールド部１５が高温環境で劣化して熱特性を低下させることがあり、上記リードフレーム１４とモールド部１５との大きな熱膨張係数の差により反復的な熱衝撃により破損する恐れがある。
【００１２】
また、上記モールド部１５の射出成形時、リードフレーム１４の一端を外部へ露出すると同時に上記放熱体１２が挿入配置される組立孔１５ａを胴体の中央に形成しなければならないため、精密な金型の製作が必要で、射出工程及び組立工程が複雑となり製造コストを上昇させる原因として作用した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従って、本発明は上記の問題点を解決するため案出されたもので、その目的は、構成部品間の相違する熱膨張係数の差による熱衝撃を防止して高温の環境で安定した放熱特性を保障し、光学的損失を最少化して光学特性を向上させることができ、製造工程及び組立工程を単純化して大量生産を可能とし、製造コストを低減できる高出力ＬＥＤパッケージ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達成するための具体的な手段として、本発明は、金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つの貫通孔を形成する段階と、上記金属板の全体の外部面に一定の厚さの絶縁層を形成する段階と、上記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階と、を含む高出力ＬＥＤパッケージの製造方法を提供する。
【００１５】
好ましく、上記チップ搭載部と貫通孔を形成する段階は、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の高さのチップ搭載部を形成した後、上記チップ搭載部より低い金属板の上部底面に貫通孔を形成する。
【００１６】
好ましく、上記チップ搭載部と貫通孔を形成する段階は、上記金属板の上部面に貫通孔を貫通形成した後、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の高さのチップ搭載部を形成する。
【００１７】
好ましく、上記チップ搭載部と貫通孔を形成する段階は、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部を形成した後、上記チップ搭載部より高い金属板の上部面に貫通孔を形成する。
【００１８】
好ましく、上記チップ搭載部と貫通孔を形成する段階は、上記金属板の上部面に貫通孔を貫通形成した後、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部を形成する。
【００１９】
好ましく、上記チップ搭載部と貫通孔を形成する段階は、上記貫通孔が形成される金属板の上部面にチップ搭載部を形成する。
【００２０】
好ましく、上記チップ搭載部と貫通孔を形成する段階は、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）を形成して上記トレンチを外周面とするチップ搭載部を形成した後、上記金属板の上部面に貫通孔を貫通形成する。
【００２１】
好ましく、上記チップ搭載部と貫通孔を形成する段階は、上記金属板の上部面に貫通孔を貫通形成した後、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチを形成して上記トレンチを外周面とするチップ搭載部を形成する。
【００２２】
好ましく、上記金属板は、陽極酸化が可能な金属素材からなる。
【００２３】
さらに好ましく、上記金属板は、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ Ａｌｌｏｙ）、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ Ａｌｌｏｙ）のいずれか一つからなる。
【００２４】
好ましく、上記絶縁層は、陽極酸化法、ＰＥＯ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）、乾式酸化法のいずれか一つの工程により形成される。
【００２５】
好ましく、上記絶縁層は、Ａｌ２Ｏ３ 、ＴｉＯ２ 、ＭｇＯのいずれか一つからなる。
【００２６】
好ましく、上記電極部を形成する段階は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通孔に導電材を充填或いは塗布して導電性ビアホールを形成する段階と、上記絶縁層から外部露出される上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、上記チップ搭載部に搭載された発光チップを上記外部電極と電気的に連結する段階とを含む。
【００２７】
好ましく、上記電極部を形成する段階は、上記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上の金属層を形成すると同時に貫通型ビアホールを形成する段階と、上記金属層の一部を除去して上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、上記チップ搭載部に搭載された発光チップを上記外部電極と電気的に連結する段階とを含む。
【００２８】
さらに好ましく、上記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、上記金属板の上部面から一定の高さで突出形成されたチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して上記外部電極をワイヤボンディングする。
【００２９】
さらに好ましく、上記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、上記金属板の上部面に一定の深さで陥没形成されたチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して上記外部電極をワイヤボンディングする。
【００３０】
さらに好ましく、上記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、上記チップ搭載部まで延長された外部電極に上記発光チップをフリップチップボンディングする。
【００３１】
さらに好ましく、上記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、上記金属板の上部面に一定の深さに陥没形成されたトレンチを外周面とするチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して上記外部電極をワイヤボンディングする。
【００３２】
さらに好ましく、上記外部電極は導電性ペーストを印刷した後焼成する工程、上記絶縁層の表面を金属化した後メッキする工程及び真空蒸着工程のいずれか一つの方式で形成される。
【００３３】
好ましく、上記チップ搭載部の上部面に上記発光チップを覆うよう蛍光体を含有する封止材を備える段階をさらに含む。
【００３４】
さらに好ましく、上記封止材を備える段階は、上記発光チップ, 上記発光チップを覆う封止材、そして上記発光チップと電気的に連結される電極部の一部を外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部を備える段階をさらに含む。
【００３５】
好ましく、上記金属板の上部面に上記発光チップを外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部を備える段階をさらに含む。
【００３６】
好ましく、上記金属板を切断線に沿って切断してパッケージを分離する段階をさらに含む。
【００３７】
さらに好ましく、上記金属板を切断する段階は、上記導電性ビアホールと、これに隣接する他の導電性ビアホールとの間を通過する切断線に沿ってな行われる。
【００３８】
さらに好ましく、上記金属板を切断する段階は、上記チップ搭載部と、これに隣接する他のチップ搭載部との間に形成された導電性ビアホールの中心を通過する切断線に沿って行われる。
【００３９】
また、本発明は少なくとも一つの発光チップが搭載されるチップ搭載部と、少なくとも一つの導電性ビアホールを備える放熱体と、上記放熱体の外部面に一定の厚さで備えられる絶縁層と、上記導電性ビアホールと上記発光チップとの間を電気的に連結する電極部と、を含む高出力ＬＥＤパッケージを提供する。
【００４０】
好ましく、上記放熱体は陽極酸化が可能な金属素材からなる。
【００４１】
さらに好ましく、上記放熱体は、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ Ａｌｌｏｙ）、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ Ａｌｌｏｙ）のいずれか一つからなる。
【００４２】
好ましく、上記チップ搭載部は上記放熱体の上部面から一定の高さで突出形成される突出型で備えられるか、上記放熱体の上部面から一定の深さで陥没形成される陥没型で備えられるか、上記放熱体の上部面に備えられる基板型で備えらるか、上記放熱体の上部面から一定の深さに陥没形成されるトレンチにより上記放熱体の上部面に備えられるトレンチ型で備えられる。
【００４３】
好ましく、上記絶縁層は陽極酸化法、ＰＥＯ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）、乾式酸化法のいずれか一つの工程により上記放熱体の外部面に一定の厚さで備えられる。
【００４４】
好ましく、上記絶縁層は、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２ 、ＭｇＯのいずれか一つで備えられる。
【００４５】
好ましく、上記電極部は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通孔に導電材を充填或いは塗布して形成された導電性ビアホールと、上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう上記絶縁層に備えられる外部電極及び上記発光チップと外部電極との間をワイヤボンディングする金属ワイヤを含む。
【００４６】
好ましく、上記電極部は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通孔に導電材を充填或いは塗布して形成された導電性ビアホールと、上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう上記絶縁層に備えられる外部電極と、上記発光チップと外部電極との間をフリップチップボンディングするソルダボールを含む。
【００４７】
好ましく、上記電極部は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通孔に金属層が塗布されて形成された貫通型導電性ビアホールと、上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう上記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上塗布された金属層の一部を除去して形成される外部電極と、上記発光チップと外部電極との間をワイヤボンディングする金属ワイヤとを含む。
【００４８】
好ましく、上記電極部は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通孔に金属層が塗布されて形成された貫通型導電性ビアホールと、上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう上記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上塗布された金属層の一部を除去して形成される外部電極と、上記発光チップと外部電極との間をフリップチップボンディングするソルダボールを含む。
【００４９】
好ましく、上記導電性ビアホールは、上記放熱体の胴体内部に備えられるか上記放熱体の角または縁に備えられる。
【００５０】
好ましく、上記放熱体は、上記発光チップを外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部をさらに含む。
【００５１】
好ましく、上記放熱体は上記発光チップを覆うよう上記チップ搭載部上に備えられる蛍光体を含有する封止材と、上記発光チップと封止材及び上記電極部の一部を外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部をさらに含む。
【発明の効果】
【００５２】
上記構成の本発明によると、熱伝導性に優れた金属素材からなる放熱体を通して発光チップから発生する熱を外部へ容易に放出することにより高温環境で安定した放熱特性を保障することが出来る。
【００５３】
また、チップ搭載部を放熱体から一定の高さで突出形成される突出型で備えることにより、発光チップの搭載高さを放熱体の上部面の高さより相対的に高くして発光時に光学的損失を最少化し、光輝度を高め光学特性を向上させることが出来る。
【００５４】
また、製造工程において従来のような射出工程を排除してパッケージ同士の間隔を最少化することにより実装密度を高め、製造工程及び組立工程を単純化して大量生産を可能とし、製造コストを低減することが出来る。
【００５５】
また、放熱体の外部面に備えられる絶縁層によりパッケージの機械的強度を向上させることができ、発光チップと外部電極との電気的な連結作業を安定的に行い、製品の信頼性を向上させることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５６】
以下、本発明を添付の図面により詳しく説明する。
図２ａ乃至ｉは、本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図で、図３ａ乃至ｈは、本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【００５７】
本発明の好ましい実施例による高出力ＬＥＤパッケージ１００は下記のａ乃至ｅ段階を経て製造される。
【００５８】
ａ．金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つのビアホールを形成する段階；
一定の大きさを有する金属板１１０には、図２ａ乃至図２ｃ及び図３ａ乃至図３ｃのように、電源印加時に発光チップ１０１が搭載されるチップ搭載部１１２と導電性ビアホールを形成するための貫通孔１１４を少なくとも一つ備える。
【００５９】
このようなチップ搭載部１１２は、図２ａと図３ａに図示した通り、上記チップ搭載部１１２と対応する金属板１１０の上部表面に一定の大きさのマスクＭをパターニング或いは付着する。
【００６０】
次に、上記金属板１１０の上部面を化学的に蝕刻すると、図２ｂと図３ｂに図示した通り、上記マスクＭを除く金属板１１０の上部面が均一に除去されることにより、金属板１１０の上部底面１１３より相対的に高い一定の高さのチップ搭載部１１２を形成することとなる。
【００６１】
ここで、上記チップ搭載部１１２は化学的蝕刻方法により形成されるものと図示して説明したが、これに限定されず、上記チップ搭載部１１２のみを残留しようとする領域を除いて金属板１１０の上部面を機械的に研磨することにより、金属板１１０の上部底面１１３より相対的に高い一定の高さのチップ搭載部１１２を形成することも出来る。
【００６２】
また、上記チップ搭載部１１２が形成された金属板１１０の底面には、図２ｃと図３ｃに図示した通り、一定の大きさの貫通孔１１４をパンチング、ドリリングまたはレーザ加工のいずれか一つの方式で少なくとも一つ形成する。
【００６３】
この際、上記チップ搭載部１１２と貫通孔１１４が形成される金属板１１０は、熱伝導率の高い銅（Ｃｕ）、銅合金（Ｃｕ Ａｌｌｏｙ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ Ａｌｌｏｙ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ Ａｌｌｏｙ）、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ Ａｌｌｏｙ）、スチール（Ｓｔｅｅｌ）、ステンレススチール（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）のいずれか一つで選択的に備えられることが出来る。
【００６４】
本発明の実施例において上記金属板１１０は、陽極酸化が可能であるよう、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ Ａｌｌｏｙ）、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ Ａｌｌｏｙ）のような金属素材からなることが好ましい。
【００６５】
一方、上記金属板１１０は図２ａ乃至図２ｃに図示した通り、化学的蝕刻または機械的研磨工程によりチップ搭載部１１２を形成した後、上記チップ搭載部１１２の上部面より低い高さを有する上部底面１１３に貫通孔１１４を形成するものと図示して説明したが、これに限定されず、上記金属板１１０の上部面に貫通孔１１４を貫通形成した後、上記チップ搭載部１１２を形成するよう化学的蝕刻または機械的研磨工程を行うことが出来る。
【００６６】
また、上記チップ搭載部１１２ａと貫通孔１１４ａを形成する段階は、図４ａ乃至図４ｃに図示した通り、上記チップ搭載部１１２が形成される領域を除いて金属板１１０の上部面にマスクＭを形成した状態で、上記金属板１１０の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部１１２ａを形成した後、上記チップ搭載部１１２ａより高い金属板１１０の上部面１１３ａに貫通孔１１４ａを形成できるが、これに限定されず、上記金属板１１０の上部面に貫通孔１１４ａを貫通形成した後、上記金属板１１０の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部１１２ａを形成することも出来る。
【００６７】
また、上記チップ搭載部１１２ｂと貫通孔１１４ｂを形成する段階は、図５に図示した通り、上記貫通孔１１４ｂが形成される金属板１１０の上部面にチップ搭載部１１２ｂを平面状で形成することにより、上記貫通孔１１４ｂの上端と上記チップ搭載部１１２ｂが同一平面上に位置するようにする。
【００６８】
なお、上記チップ搭載部１１２ｃと貫通孔１１４ｃを形成する段階は、図６ａ乃至ｃのように、上記チップ搭載部１１２ｃが形成される領域及び後に説明する電極部が形成される領域の金属板１１０の上部面にマスクＭを形成した状態で、上記金属板１１０の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）１１５を形成して上記トレンチ１１５を外周面とするチップ搭載部１１２ｃを形成した後、上記金属板１１０の上部面に貫通孔１１４ｃを形成する。
【００６９】
しかし、これに限定されるのではなく、上記金属板１１０の上部面に貫通孔１１４ｃを貫通形成した後、上記金属板１１０の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチ１１５を形成して上記トレンチ１１５を外周面とするチップ搭載部１１２ｃを形成することも出来る。
【００７０】
ｂ．上記金属板の外部面に絶縁層を形成する段階；
上記チップ搭載部１１２と貫通孔１１４が形成された金属板１１０は、電解液が満たされた電解槽に浸漬させた状態で陽極酸化工程により上記チップ搭載部１１２の外部面、上部底面及び貫通孔の内周面を含む上記金属板１１０の全体の外部面に陽極酸化層である絶縁層１２０を一定の厚さで形成する。
【００７１】
このような絶縁層１２０は、金属板１１０の外部面の全体に１０乃至３０μｍの厚さで均一に備えられることが好ましい。
【００７２】
この際、上記貫通孔１１４は、上記絶縁層１２０の厚さより相対的に大きい内径で備えられ上記絶縁層１２０の形成後、上記絶縁層１２０により遮断されないようにしなければならない。
【００７３】
即ち、上記金属板１１０がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる場合、上記金属板１１０の外部面にはＡｌ２Ｏ３のような絶縁層１２０が形成され、このような絶縁層１２０はセラミック材質特性を有して機械的強度を向上させ、空隙の多い柱状形態からなり、着色、塗布及び印刷のような後続工程をより安定して進めることが出来る。
【００７４】
また、上記金属板１１０がチタニウムまたはチタニウム合金からなる場合、上記金属板１１０の外部面にはＴｉＯ２のような絶縁層１２０が形成され、このような絶縁層１２０は反射性が高いため発光チップ１０１から発光した光を反射する効率を向上させ高出力ＬＥＤパッケージ１００の光効率を向上させる。
【００７５】
ここで、上記金属板１１０に絶縁層１２０を形成する工程は陽極酸化法で例示して説明したが、これに限定されず、ＰＥＯ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）または高温酸化ガスによる乾式酸化法によっても形成されることが出来る。
【００７６】
また、上記絶縁層１２０はＡｌ２Ｏ３またはＴｉＯ２で備えられるものと図示して説明したが、これに限定されず、ＭｇＯで備えられることも出来る。
【００７７】
ｃ．上記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階；
上記電極部１３０を形成する段階は、導電性ビアホール１３１を形成する段階と、外部電極１３２，１３３を形成する段階と、発光チップ１０１と外部電極１３２，１３３を電気的に連結する段階とを含む。
【００７８】
即ち、上記導電性ビアホール１３１を形成する段階は、上記絶縁層１２０が外部面に一定の厚さで形成された金属板１１０の貫通孔１１４に、図２ｅと図３ｅに図示した通り、導電性ペーストのような導電材を充填或いは塗布することにより電源供給用導電性ビアホール１３１を形成する。
【００７９】
また、上記外部電極１３２，１３３を形成する段階は、図２ｆと図３ｆに図示した通り、上記導電性ビアホール１３１が外部露出される絶縁層１２０には、上記導電性ビアホール１３１の上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極１３２，１３３をそれぞれ備える。
【００８０】
ここで、上記外部電極１３２，１３３は、絶縁層１２０が接合力に優れた絶縁膜からなっているため、導電性ペーストを印刷した後焼成する工程、上記絶縁層の表面を金属化した後メッキする工程及び真空蒸着工程のいずれか一つの方式で形成されることが出来る。
【００８１】
次いで、上記発光チップ１０１と外部電極１３２，１３３を電気的に連結する段階は、図２ｇと図３ｇに図示した通り、一定の高さで突出されたチップ搭載部１１２に接着剤を介して発光チップ１０１を搭載した後、金属ワイヤ１３４，１３５を介して金属板１１０の上側に形成された外部電極１３２とそれぞれワイヤボンディングされて電気的に接続される。
【００８２】
一方、上記電極部１３０を形成する段階は、図７ａと図７ｂに図示した通り、貫通型導電性ビアホール１３１を形成しながら外部電極１３２，１３３を同時に形成した後、発光チップ１０１と外部電極１３２，１３３を電気的に連結する段階を含む。
【００８３】
即ち、上記貫通型導電性ビアホール１３１を形成する段階は、上記絶縁層１２０の外部面の全体に、図７ａに図示した通り、一定の厚さの導電性金属層１３６を少なくとも一層以上均一に形成する。
【００８４】
このような金属層１３６は、パラジウム（Ｐｄ）、亜鉛（Ｚｎ）のような導電性金属を素材として蒸着方式で備えられるか、Ｎｉ／Ｃｕメッキ後Ａｇのような金属素材をプレーティング（Ｐｌａｔｉｎｇ）方式で備えられることが出来るが、これに限定されず、上記金属層１３６は蒸着方式からなる金属シード層とその上部面に積層されるメッキ層で備えられることが出来る。
【００８５】
これにより、上記貫通孔１１４は上記のように導電材により充填されて塞がらず、上記貫通孔１１４の内周面に絶縁層１２０と金属層１３６が塗布された貫通型導電性ビアホール１３１を形成することとなる。
【００８６】
そして、上記外部電極１３２，１３３を形成する段階は、図７ｂに図示した通り、上記絶縁層１２０の外部面の全体に形成されて外部露出される全体金属層１３６のうち予め設定された回路パターンに該当する一部の領域を除く残りの一部を除去することにより、上記導電性ビアホール１３１の上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極１３２，１３３をそれぞれ備える。
【００８７】
ここで、上記外部電極１３２，１３３は、上記金属層の外部面に備えられるマスク（未図示）を用いた不要な金属層を除去する湿式蝕刻または乾式蝕刻方式により形成されることが出来る。
【００８８】
次いで、上記発光チップ１０１と外部電極１３２，１３３を電気的に連結する段階は、図７ｃに図示した通り、一定の高さで突出されたチップ搭載部１１２に接着剤を介して発光チップ１０１を搭載した後、金属ワイヤ１３４，１３５を介して金属板１１０の上側に形成された外部電極１３２とそれぞれワイヤボンディングされて電気的に接続される。
【００８９】
一方、上記チップ搭載部１１２ａが金属板１１０に一定の深さで陥没形成された場合、上記発光チップ１０１と外部電極１３２，１３３を電気的に連結する段階は、図８に図示した通り、一定の深さで突出されたチップ搭載部１１２ａに接着剤を介して発光チップ１０１を搭載した後、金属ワイヤ１３４，１３５を介して上記チップ搭載部１１２ａより高い位置に形成された外部電極１３２と発光チップ１０１がそれぞれワイヤボンディングされて電気的に接続される。
【００９０】
また、上記チップ搭載部１１２ｂが金属板１１０の平面に形成された場合、上記発光チップ１０１と外部電極１３２，１３３を電気的に連結する段階は、図９に図示した通り、上記金属板１１０に形成された導電性ビアホール１３１と接続される外部電極１３２を上記チップ搭載部１１２ｂまで延長した後、上記外部電極１３２に載せられるソルダボール１０２を介して発光チップ１０１がフリップチップボンディングされて電気的に接続される。
【００９１】
なお、上記チップ搭載部１１２ｃが金属板１１０の平面に一定の深さに陥没形成されるトレンチ１１５を外周面として上記金属板１１０の平面に形成された場合、上記発光チップ１０１と外部電極１３２、１３３を電気的に連結する段階は、図１０に図示した通り、上記チップ搭載部１１２ｃに接着剤を介して発光チップ１０１を搭載した後、金属ワイヤ１３４、１３５を介して金属板１１０の上側に形成された外部電極１３２とそれぞれワイヤボンディングされて電気的に接続される。
【００９２】
この際、上記金属板１１０の下側に形成された外部電極１３３は、未図示の基板に形成された電源供給用パッドと電気的に連結されることにより、上記導電性ビアホール１３１、外部電極１３２，１３３及び金属ワイヤ１３４，１３５またはソルダーボール１０２を介して外部電源を上記発光チップ１０１に供給して光を発生させることとなる。
【００９３】
ｄ．上記チップ搭載部の上部面に上記発光チップを覆うよう封止材を備える段階；
上記発光チップ１０１と上記電極部１３０が電気的に連結された状態で上記チップ搭載部１１２の上部面には、図２ｈと図３ｈに図示した通り、上記発光チップ１０１を覆うよう封止材１４０が備えられる。
【００９４】
ここで、上記封止材１４０は上記発光チップ１０１から出射される光効率を向上させるため蛍光体を含有することが好ましい。
【００９５】
上記封止材１４０は上記チップ搭載部１１２に上記発光チップ１０１を実装した後、実装された上記発光チップ１０１が覆われるよう液状樹脂が供給され、この液状樹脂が硬化することにより形成される。
【００９６】
また、上記封止材１４０は液状樹脂が上記発光チップ１０１を覆うよう上記チップ搭載部１１２上に供給されるとき、表面張力により外側面が曲面を成し、その中心部が上側に膨らんだドーム状に形成される。
【００９７】
具体的に、液状樹脂は外側端が上記チップ搭載部１１２の上面の縁、すなわち、鋭端部（ｋｎｉｆｅ ｅｄｇｅ）まで位置するよう供給される。このように、液状樹脂の外側端が上記チップ搭載部１１２の鋭端部に位置する場合、液状樹脂の外側端が平面上に位置する場合に比べて表面張力がより大きく形成されるため、液状樹脂がチップ搭載部１１２の鋭端部を超えてチップ搭載部１１２の外側に広がらず、上側に膨らんだ形状を有することとなる。
【００９８】
一方、上記金属板１１０の上部面には、上記電極部１３０の金属ワイヤ１３４、１３５とワイヤボンディングされた発光チップ１０１と、上記発光チップ１０１を覆う封止材１４０と、上記金属ワイヤ１３４、１３５を覆ってこれらを外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部１４５を装着する。
【００９９】
このようなレンズ部１４５は、上記発光チップ１０１から発生した光を外部へより広い角度に放射できるよう上記金属板１１０の上部面に搭載される凸レンズで備えられるものと図示して説明したが、これに限定されず、上記金属板１１０の上部面にドーム状で塗布される投光性透明樹脂で備えられることも出来る。
【０１００】
ここで、上記レンズ部１４５が凸レンズで備えられる場合、上記金属板１１０とレンズ部１４５との間には、ＡＧ系、ＴＡＧ系、シリケート系のいずれか一つの波長変換手段の蛍光物質が含まれた投光性透明樹脂が満たされることができ、上記レンズ部が投光性透明樹脂からなる場合には、上記蛍光物質をさらに含むことも出来る。
【０１０１】
本発明の好ましい実施例では、上記チップ搭載部１１２上に上記発光チップ１０１を覆う封止材１４０を備えた後、上記発光チップ１０１とともに上記封止材１４０を覆うレンズ部１４５を上記金属板１１０の上部面に備えるものと説明しているが、これに限定されるのではなく、上記封止材１４０を備えず上記レンズ部１４５のみ備えることも可能である。
【０１０２】
ｅ．上記金属板を切断線に沿って切断してパッケージを分離する段階；
上記チップ搭載部１１２に発光チップ１０１が搭載されて電極部１３０と電気的に連結され、上記封止材１４０及び上記レンズ部１４５の搭載が完了すると、図２ｉに図示した通り、上記金属板１１０に描かれる仮想の切断線Ｃに沿って未図示の切断工具を用いて上記金属板１１０を切断することにより、高出力ＬＥＤパッケージ１００を製造完成することとなる。
【０１０３】
ここで、上記切断線Ｃは、図２ｈと図３ｈに図示した通り、上記導電性ビアホール１３１と、これに隣接する他の導電性ビアホール１３１との間を通過するようして切断線に沿って切断すると、上記導電性ビアホール１３１は、図１１ａに図示した通り、金属板１１０から切断分離された放熱体１１０ａの胴体の内部に位置することが出来る。
【０１０４】
また、上記切断線Ｃは、上記チップ搭載部１１２と、これに隣接する他のチップ搭載部１１２との間に形成された導電性ビアホール１３１の中心を通過するようにし、これに沿って切断すると、上記導電性ビアホール１３１は、図１１ｂに図示した通り、金属板１１０から切断分離された放熱体１１０ａの角または縁に位置することが出来る。
【０１０５】
図１２は本発明による高出力ＬＥＤパッケージの実施例を図示した断面図で、図１３は本発明による高出力ＬＥＤパッケージの他の実施例を図示した断面図で、図１４は本発明による高出力ＬＥＤパッケージのさらに他の実施例を図示した断面図で、図１５は本発明による高出力ＬＥＤパッケージの変形実施例を図示した断面図で、図１６は本発明による高出力ＬＥＤパッケージの他の変形実施例を図示した断面図である。
【０１０６】
本発明の実施例による高出力ＬＥＤパッケージ１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄは、放熱体１１０ａ、絶縁層１２０及び電極部１３０を含む。
【０１０７】
上記放熱体１１０ａは、上部面に少なくとも一つの発光チップ１０１が搭載されるチップ搭載部１１２を備え、少なくとも一つの導電性ビアホール１３１を備える金属構造物である。
【０１０８】
このような放熱体１１０ａは、熱伝導率の高い銅（Ｃｕ）、銅合金（Ｃｕ Ａｌｌｏｙ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ Ａｌｌｏｙ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ Ａｌｌｏｙ）、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ Ａｌｌｏｙ）、スチール、ステンレススチールのいずれか一つで選択的に備えられることが出来る。
【０１０９】
本発明の実施例において上記放熱体１１０ａは、陽極酸化が可能であるようアルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ Ａｌｌｏｙ）、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ Ａｌｌｏｙ）のような金属素材からなることが好ましい。
【０１１０】
そして、上記発光チップ１０１を搭載するために上記放熱体１１０ａに形成される搭載部１１２は、図１２に図示した通り、発光チップ１０１が搭載される領域を除いて化学的蝕刻または機械的研磨工程により部分除去して一定の高さで上向突出された突出型チップ搭載部１１２で備えることが出来る。
【０１１１】
または、図１３に図示した通り、上記チップ搭載部１１２ａは、発光チップ１０１が搭載される領域を化学的蝕刻または機械的研磨工程により部分除去して一定の深さで陥没形成された陥没型チップ搭載部１１２ａで備えられることが出来る。
【０１１２】
また、上記チップ搭載部１１２ｂは、図１４に図示した通り、発光チップ１０１が搭載される領域を上記外部電極１３２が形成される放熱体１１０ａの上部面に形成した基板型チップ搭載部１１２ｂで備えられることが出来る。
【０１１３】
また、上記チップ搭載部１１２ｃは、図１５に図示した通り、発光チップ１０１が搭載される領域の周りに沿って化学的蝕刻または機械的研磨工程により部分除去して一定の深さに陥没形成されたトレンチ１１５を外周面とするトレンチ型チップ搭載部１１２ｃに備えられることができる。
【０１１４】
そして、上記導電性ビアホール１３１は、上記放熱体１１０ａに貫通形成される貫通孔１１４，１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃの内周面に絶縁層１２０が塗布された状態で、上端と下部端が上記放熱体１１０ａの上部面と下部面にそれぞれ露出されるよう導電性ペーストのような導電材を充填或いは塗布して備えられる。
【０１１５】
上記絶縁層１２０は、上記放熱体１１０ａの外部面及び上記貫通孔１１４，１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃの内部面に一定の厚さで備えられる絶縁部材である。
【０１１６】
このような絶縁層１２０は、１０μｍ乃至３０μｍの厚さで均一に備えられることが好ましく、上記貫通孔１１４，１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃは上記絶縁層１２０の厚さより大きい内径で備えられて上記絶縁層１２０の形成後、上記絶縁層１２０により遮断されないようにしなければならない。
【０１１７】
上記チップ搭載部１１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃと貫通孔１１４，１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃが形成された金属板１１０は、電解液が満たされた電解槽に浸漬させた状態で陽極酸化工程により上記チップ搭載部１１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃの外部面、上部底面及び貫通孔の内周面を含む上記金属板１１０の全体の外部面に陽極酸化層である絶縁層１２０を一定の厚さで形成する。
【０１１８】
このような絶縁層１２０は、金属板１１０の外部面の全体に１０μｍ乃至３０μｍの厚さで均一に備えられることが好ましい。
【０１１９】
この際、上記貫通孔１１４，１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃは上記絶縁層１２０の厚さより大きい内径で備えられ上記絶縁層１２０により遮断されないよう常に開放されなければならない。
【０１２０】
また、上記絶縁層１２０は上記放熱体１１０ａを構成する金属素材の種類によって異なるよう形成されるため、上記放熱体１１０ａがアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる場合、上記放熱体１１０ａの外部面にはＡｌ２Ｏ３のような絶縁層１２０が形成されることができ、上記放熱体１１０ａがチタニウムまたはチタニウム合金からなる場合、上記金属板１１０の外部面にはＴｉＯ２のような絶縁層１２０が形成されることが出来るが、これに限定されず、ＭｇＯのような酸化層からなる絶縁層で備えられることが出来る。
【０１２１】
この際、ＴｉＯ２のような絶縁層１２０は反射性が高いため、発光チップ１０１から発光した光を反射する効率を向上させパッケージの光効率を向上させることが出来る。
【０１２２】
上記放熱体１１０ａに絶縁層１２０は陽極酸化法、ＰＥＯ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）、高温酸化ガスによる乾式酸化法のいずれか一つの方式で形成される。
【０１２３】
一方、上記電極部１３０は上記放熱体１１０ａに備えられた導電性ビアホール１３１と上記チップ搭載部１１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃに備えられた発光チップ１０１との間を電気的に連結する。
【０１２４】
上記導電性ビアホール１３１には、上記発光チップ１０１をワイヤボンディングまたはフリップチップボンディング方式で搭載し、外部電源との電気的な連結が容易であるよう外部電極１３２，１３３を形成する。
【０１２５】
このような外部電極１３２，１３３は、上記絶縁層１２０から外部露出される導電性ビアホール１３１の上下端とそれぞれ接続連結されるよう導電性ペーストを印刷した後焼成する工程、上記絶縁層の表面を金属化した後メッキする工程及び真空蒸着工程のいずれか一つの方式で備えられる。
【０１２６】
これにより、上記放熱体１１０ａの上部面に形成された外部電極１３２は、図１２に図示した通り、上部に一定の高さで突出されたチップ搭載部１１２に搭載された発光チップ１０１と、金属ワイヤ１３４，１３５を介してワイヤボンディングされることが出来る。
【０１２７】
また、上記放熱体１１０ａの上部面に形成された外部電極１３２は、図１３に図示した通り、下部に一定の深さで突出されたチップ搭載部１１２ａに搭載された発光チップ１０１と金属ワイヤ１３４，１３５を介してワイヤボンディングされることが出来る。
【０１２８】
そして、上記放熱体１１０ａの上部面に形成された外部電極１３２は、図１４に図示した通り、上記外部電極１３２が形成された放熱体１１０ａの平面上に備えられたチップ搭載部１１２ｂに搭載された発光チップ１０１と、ソルダボール１０２を介してフリップチップボンディングされることが出来る。
【０１２９】
なお、上記放熱体１１０ａの上部面に形成された外部電極１３２は、図１５に図示した通り、下部に一定の深さに陥没形成されたトレンチ１１５を外周面とするチップ搭載部１１２ｃに搭載された発光チップ１０１と金属ワイヤ１３４，１３５を介してしてワイヤボンディングされることができる。
【０１３０】
また、上記放熱体１１０ａの上部面の外部電極１３２は、図１２乃至１５に図示した通り、上記絶縁層１２０の外部面に直接形成されるものと図示して説明したが、これに限定されるものではない。
【０１３１】
即ち、図１６に図示した通り、上記絶縁層１２０の外部面の全体に一定の厚さの導電性金属層１３６を真空蒸着方式またはプレーティング方式で少なくとも一層以上均一に形成することにより、上記貫通孔１１４の内周面には絶縁層１２０と金属層１３６が多層に塗布された貫通型導電性ビアホール１３１を形成することとなる。
【０１３２】
続いて、上記絶縁層１２０の外部面の全体に形成されて外部露出される金属層１３６を予め設定された回路パターン以外の領域を湿式蝕刻または乾式蝕刻 工程により除去することにより、上記導電性ビアホール１３１の上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極１３２，１３３をパターン形成することとなる。
【０１３３】
これにより、上記放熱体１１０ａの上部面に形成された外部電極１３２は、上記と同様に、チップ搭載部１１２ａに搭載された発光チップ１０１と金属ワイヤ１３４，１３５を介してワイヤボンディングされる。
【０１３４】
また、上記放熱体１１０ａの下側に形成された外部電極１３３は、未図示の基板に形成された電源供給用パッドと電気的に連結される。
【０１３５】
ここで、上記外部電極１３２，１３３と電気的に接続される導電性ビアホール１３１は、上記金属板を切断する切断線に沿って内部型または外部型で備えられることができ、このような導電性ビアホール１３１は、図１１ａに図示した通り、上記放熱体１１０ａの胴体の内部に位置する内部型で備えられるか、図１１ｂに図示した通り、上記放熱体１１０ａの角または縁に位置する外部型で備えられることが出来る。
【０１３６】
一方、上記チップ搭載部の上部面には上記発光チップ１０１と上記電極部１３０が電気的に連結された状態で、上記発光チップ１０１を覆うよう封止材１４０が備えられる。ここで、上記封止材１４０は上記発光チップ１０１から出射される光効率を向上させるため蛍光体を含有することが好ましい。
【０１３７】
そして、上記放熱体１１０ａの上部面には、図１２、図１３、図１５及び図１６に図示した通り、上記発光チップ１０１と封止材１４０及び金属ワイヤ１３４，１３５を外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部１４５を装着する。
【０１３８】
このようなレンズ部１４５は、上記放熱体１１０ａの上部面に搭載される凸レンズで備えられるか、上記放熱体１１０ａの上部面にドーム状で塗布される投光性透明樹脂で備えられることが出来る。
【０１３９】
また、上記レンズ部１４５ｂは、図１４に図示した通り、上記チップ搭載部１１２ｂにフリップチップボンディングされた発光チップ１０１を外部環境から保護するよう透明性投光樹脂を素材とする透明性モールド部で成形されることが出来る。
【０１４０】
本発明は特定の実施例に係わり図示して説明したが、当業界において通常の知識を有している者であれば添付の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域を外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更できることを明らかにする。
【図面の簡単な説明】
【０１４１】
【図１】（ａ）は、従来の高出力ＬＥＤパッケージの胴体の中央の断面斜視図であり、（ｂ）は、従来の高出力ＬＥＤパッケージが基板上に組み立てられた断面図である。
【図２ａ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｂ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｃ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｄ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｅ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｆ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｇ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｈ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図２ｉ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した断面図である。
【図３ａ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図３ｂ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図３ｃ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図３ｄ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図３ｅ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図３ｆ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図３ｇ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図３ｈ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。
【図４ａ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて陥没型チップ搭載部を形成する工程図である。
【図４ｂ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて陥没型チップ搭載部を形成する工程図である。
【図４ｃ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて陥没型チップ搭載部を形成する工程図である。
【図５】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて基板型チップ搭載部を形成する工程図である。
【図６ａ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいてトレンチ型チップ搭載部を形成する工程図である。
【図６ｂ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいてトレンチ型チップ搭載部を形成する工程図である。
【図６ｃ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいてトレンチ型チップ搭載部を形成する工程図である。
【図７ａ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて金属層を形成して発光チップを搭載した状態図である。
【図７ｂ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて金属層を形成して発光チップを搭載した状態図である。
【図７ｃ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて金属層を形成して発光チップを搭載した状態図である。
【図８】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて陥没型チップ搭載部に発光チップを搭載した状態図である。
【図９】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいて基板型チップ搭載部に発光チップを搭載した状態図である。
【図１０】本発明による高出力ＬＥＤパッケージにおいてトレンチ型チップ搭載部に発光チップを搭載する状態図である。
【図１１ａ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージに採用される放熱体を図示したもので、内部型導電性ビアホールを形成した放熱体である。
【図１１ｂ】本発明による高出力ＬＥＤパッケージに採用される放熱体を図示したもので、外部型導電性ビアホールを形成した放熱体である。
【図１２】本発明による高出力ＬＥＤパッケージの実施例を図示した断面図である。
【図１３】本発明による高出力ＬＥＤパッケージの他の実施例を図示した断面図である。
【図１４】本発明による高出力ＬＥＤパッケージのさらに他の実施例を図示した断面図である。
【図１５】本発明による高出力ＬＥＤパッケージの変形実施例を図示した断面図である。
【図１６】本発明による高出力ＬＥＤパッケージの他の変形実施例を図示した断面図である。
【符号の説明】
【０１４２】
１１０  金属板
１１０ａ  放熱体
１１２、１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ  チップ搭載部
１１４、１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ  貫通孔
１２０  絶縁層
１３０  電極部
１３１  導電性ビアホール
１３２、１３３  外部電極
１３４、１３５  金属ワイヤ
１４５  レンズ部