(57)【要約】【課題】光センサ内蔵表示パネルを有する表示装置において、被写体からの反射光が隣接センサへ入射するのを防止し、解像度が低下するのを防止する。【解決手段】複数の画素を有する表示パネルを有し、前記複数の画素の中の少なくとも１つの画素は光センサを有する表示装置であって、前記表示パネル上に、被写体からの光が隣接する光センサに入射するのを防止する隣接遮蔽構造体を有し、前記隣接遮蔽構造体は、光の透過を遮蔽する光遮蔽部と、前記光遮蔽部で区割りされた複数の光透過セルによって構成され、平面的に見た場合に、前記各光センサは、前記光透過セル内に位置している。【選択図】図１２
2011186099.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する表示パネルを有し、
前記複数の画素の中の少なくとも１つの画素は光センサを有する表示装置であって、
前記表示パネル上に、被写体からの光が隣接する光センサに入射するのを防止する隣接遮蔽構造体を有し、
前記隣接遮蔽構造体は、光の透過を遮蔽する光遮蔽部と、前記光遮蔽部で区割りされた複数の光透過セルによって構成され、
平面的に見た場合に、前記各光センサは、前記光透過セル内に位置していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
複数の画素を有する表示パネルと、
複数の光センサを有する光センサ基板とを有する表示装置であって、
前記光センサ基板上に、被写体からの光が隣接する光センサに入射するのを防止する隣接遮蔽構造体を有し、
前記隣接遮蔽構造体は、光の透過を遮蔽する光遮蔽部と、前記光遮蔽部で区割りされた複数の光透過セルによって構成され、
平面的に見た場合に、前記各光センサは、前記光透過セル内に位置していることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
前記光遮蔽部は、光を反射しない材料で構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記光遮蔽部は、黒色の材料で構成されていることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記光透過セルは、内部が中空状態であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記光透過セルは、内部に光を透過する樹脂が充填されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
平面的に見た場合に、前記光遮蔽部は、格子状に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項８】
前記隣接遮蔽構造体の高さをｈ、前記隣接遮蔽構造体と前記表示パネルとの間の間隔をｂとするとき、ｈ≧ｂを満足することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項９】
ｈ≧２ｂを満足することを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記光センサをスキャナとして使用する場合に、前記表示パネルは、特定の光を照射することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記表示パネルは、液晶表示パネルであり、
前記液晶表示パネルは、バックライトから出射するバックライト光が照射され、
前記受光部は、前記バックライト光を遮光する遮光膜を有することを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記受光部は、ホトダイオードで構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に係わり、特に、光センサ内蔵表示パネル、あるいは、光センサ基板を有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型の光センサを、液晶表示パネルの各画素に組み込んだ光センサ内蔵液晶表示パネルが知られている。（下記特許文献１参照）
この光センサ内蔵液晶表示パネルは、タッチパネルやスキャナとしての用途がある。特に、スキャナについては、以下のメリットが有する。
通常、図１９（ａ）に示すように、この光センサ内蔵液晶表示パネルは、パーソナルコンピュータ（以下、ＰＣ）のディスプレイとして使用される。
しかしながら、図１９（ｂ）に示すように、書類や画像をＰＣに取り込む時には、専用のスキャナを使わず液晶表示パネルに書類（被写体（ＯＢＪ））等を押し当てることて、その内容がＰＣへ取り込まれる。書類に関しては、公知の光学文字認識（Optical Character Recognition）ソフトを使う事により直接文字コードへの変換が可能である。
この光センサ内蔵液晶表示パネルを使用することにより、前述の処理は、別のスキャナ機器を使わずに行えるので、机上を効率的に使うことができ、一般家庭だけではなく会社・企業でも有用となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−３００６３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、実際の光センサ内蔵液晶表示パネルでは、隣接光センサ間の距離（Ｘｓ）と、光センサから被写体までの距離（Ｙｓ）の比（Ｙｓ/Ｘｓ：以下、アスペクト比）は大きい。そして、このアスペクト比が大きいと、被写体ＯＢＪで反射した光が、隣接センサに入射されることが予想される。その結果として、スキャナとしての解像度が低下することが想定される。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、光センサ内蔵表示パネル、あるいは、光センサ基板を有する表示装置において、被写体からの反射光が隣接センサへ入射するのを防止し、解像度が低下するのを防止することが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）複数の画素を有する表示パネルを有し、前記複数の画素の中の少なくとも１つの画素は光センサを有する表示装置であって、前記表示パネル上に、被写体からの光が隣接する光センサに入射するのを防止する隣接遮蔽構造体を有し、前記隣接遮蔽構造体は、光の透過を遮蔽する光遮蔽部と、前記光遮蔽部で区割りされた複数の光透過セルによって構成され、平面的に見た場合に、前記各光センサは、前記光透過セル内に位置している。
（２）複数の画素を有する表示パネルと、複数の光センサを有する光センサ基板とを有する表示装置であって、前記光センサ基板上に、被写体からの光が隣接する光センサに入射するのを防止する隣接遮蔽構造体を有し、前記隣接遮蔽構造体は、光の透過を遮蔽する光遮蔽部と、前記光遮蔽部で区割りされた複数の光透過セルによって構成され、平面的に見た場合に、前記各光センサは、前記光透過セル内に位置している。
【０００６】
（３）（１）または（２）において、前記光遮蔽部は、光を反射しない材料（例えば、、黒色の材料）で構成されている。
（４）前記光透過セルは、内部が中空状態、あるいは、内部に光を透過する樹脂が充填されている。
（５）（１）または（２）において、平面的に見た場合に、前記光遮蔽部は、格子状に形成されている。
（６）（１）または（２）において、前記隣接遮蔽構造体の高さをｈ、前記隣接遮蔽構造体と前記表示パネルとの間の間隔をｂとするとき、ｈ≧ｂ（より好ましくは、ｈ≧２ｂ）を満足する。
（７）（１）または（２）において、前記光センサをスキャナとして使用する場合に、前記表示パネルは、特定の光を照射する。
【発明の効果】
【０００７】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明によれば、光センサ内蔵表示パネル、あるいは、光センサ基板を有する表示装置において、被写体からの反射光が隣接センサへ入射するのを防止し、解像度が低下するのを防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の前提となる、１画素に光センサが組み込まれた光センサ内蔵液晶表示パネルの等価回路を示す回路図である。
【図２】図１に示す光センサが組み込まれた１画素の断面構造を示す模式断面図である。
【図３】光センサが組み込まれた画素をアレイ状に配置した液晶表示パネルの等価回路を示す回路図である。
【図４】図３に示す光センサ部及び読み出し回路部を抜き出して示す回路図である。
【図５】図４に示す回路の動作を説明するためのタイミングチャート図である。
【図６】図１に示す光センサが組み込まれた１画素の、実際の断面構造を示す断面図である。
【図７】図６に示す構造を簡易な構造で示す図である。
【図８】光センサ内蔵液晶表示パネルの光センサをスキャナとして使う場合の、液晶表示パネルの断面構造と光の経路を示す図である。
【図９】実際の液晶表示パネルにおける、隣接光センサ間の距離（Ｘｓ）と、光センサ（ＰＳ）から被写体までの距離（Ｙｓ）の比（Ｙｓ/Ｘｓ：アスペクト比）を説明するための図である。
【図１０】アスペクト比＝７．０として、光センサと被写体の関係を示す図である。
【図１１】図１０の関係において、光センサＢに到達する光量を１とした場合、光センサＢ以外の隣接センサへ到達する光量を示すグラフである。
【図１２】本発明の隣接遮蔽構造体を説明するための図である。
【図１３】本発明の隣接遮蔽構造体の条件を説明するための図である。
【図１４】本発明の隣接遮蔽構造体の概略構成を示す斜視図である。
【図１５】本発明の隣接遮蔽構造体の製造方法を説明するための図である。
【図１６】本発明の実施例１の表示装置を説明するための要部断面図である。
【図１７】本発明の実施例２の表示装置を説明するための斜視図である。
【図１８】本発明の実施例２の表示装置を説明するための要部断面図である。
【図１９】光センサ内蔵液晶表示パネルの使用方法として、通常のディスプレイとして使用する場合と、スキャナとして使用する場合を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施例は、本発明の特許請求の範囲の解釈を限定するためのものではない。
［本発明の前提となる光センサ内蔵表示パネルの構成］
図１は、本発明の前提となる、１画素に光センサが組み込まれた光センサ内蔵液晶表示パネルの等価回路を示す回路図である。
図１に示すように、従来の１画素に光センサが組み込まれた液晶表示パネルは、液晶用の走査線(ＧＬ；ゲート線ともいう）と、映像線（ＤＬ；ドレイン線、あるいはソース線ともいう）と、液晶用の薄膜トランジスタ（Ｔｒ２）と、保持容量（Ｃ）の他に、光センサ（ＰＳ）と、センサ制御線（ＰＳＬ；複数の場合有り）と、センサ出力線（ＯＵＴ）を有する。センサ制御線（ＰＳＬ）と、センサ出力線（ＯＵＴ）は、液晶用の走査線（ＧＬ）や、映像線（ＤＬ）と共用することも可能な場合がある。
光センサ（ＰＳ）の出力は、液晶表示パネル外に出力され、外部のドライバ（液晶データ制御ＩＣ等）（ＤＲＶ）へ入力される。これにより、光センサ（ＰＳ）の出力が、液晶データとして液晶表示パネル上に反映される。なお、図１、および後述する図３において、矢印ＦＡは、液晶表示パネルの外側を示している。
図２は、図１に示す光センサが組み込まれた１画素の断面構造を示す模式断面図であり、図２（ａ）が、薄膜トランジスタ（Ｔｒ２）の断面構造を、図２（ｂ）が光センサ（ＰＳ）の断面構造を示す。
図２において、Ｓはソース、Ｇはゲート、Ｄはドレイン、ＳＭは半導体層、Ｋはカソード、Ａはアノードである。光センサ（ＰＳ）は、例えば、ＰＩＮ構造とされ、光に対する電流を発生する。また、バックライトからの光が入射されないように、光センサ（ＰＳ）の下側には遮光膜（ＢＰＳ）が設けられる。
【００１０】
図３は、光センサが組み込まれた画素をアレイ状に配置した液晶表示パネルの等価回路を示す回路図である。
図３に示す光センサ（ＰＳ）は、ホトダイオード（Ｄ１）と、ホトダイオード（Ｄ１）の電流を電圧に変換する容量素子（Ｃ１）と、読み出し回路の薄膜トランジスタ（Ｔｒ１，Ｔｒ３）とで構成される。なお、薄膜トランジスタ（Ｔｒ３）については、共用として使うため１垂直読み出しラインに１つの構成となる。また、ＣＬＫ１，ＣＬＫ２はクロック線、Ｖｂはバイアス線である。
図３の光センサ部及び読み出し回路部を抜き出すと図４の通りとなる。図４に示すように、Ｔｒ１とＴｒ３の薄膜トランジスタは、ソースホロア回路を構成しており、容量素子（Ｃ１）の光に対する電圧変化をインピーダンス変換して、センサ出力（ＳＯＵＴ）として出力している。
また、図３に示す回路では、液晶用の走査線（ＧＬ）や、映像線（ＤＬ）を共用していないため、光センサ（ＰＳ）の動作は、液晶の表示と非同期で行う事ができる。
【００１１】
図５は、図４に示す回路のタイミングチャートである、以下、図５を用いて、図４に示す回路の動作について説明する。
始めに、クロック線（ＣＬＫ２）の電圧をＨｉｇｈレベル（以下、Ｈレベル）にして、容量素子（Ｃ１）に電荷を蓄積する。そして、クロック線（ＣＬＫ２）の電圧がＬｏｗレベル（以下、Ｌレベル）となった時点から、光センサ（ＰＳ）の動作（受光によるセンス）が開始する。
ホトダイオード（Ｄ１）に光が照射されることにより、容量素子（Ｃ１）に蓄積された電荷が、クロック線（ＣＬＫ２）へはき出され、結果として容量素子（Ｃ１）の電圧Ｖｏが下がる。これが、センサ動作時間により積分されて、照射光の変化が容量素子（Ｃ１）の電圧Ｖｏとして出力される。
次に、クロック線（ＣＬＫ１）がＨレベルの電圧となった時に、Ｔｒ１とＴｒ３の薄膜トランジスタで構成されるソースホロア回路が動作を開始し、その時の容量素子（Ｃ１）の電圧Ｖｏがソースホロア回路を介してセンサ出力ＳＯＵＴとなる。
よって、クロック線（ＣＬＫ２）の電圧がＬレベルとなってから、クロック線（ＣＬＫ１）がＨレベルとなる時点までがセンサ受光時間となる。
なお、図５の容量素子（Ｃ１）の電圧Ｖｏ、センサ出力（ＳＯＵＴ）の波線は、光が照射されない暗状態の時の出力となり、この差が照射光に対する電圧変化となる。
なお、図１に示す光センサが組み込まれた１画素の、実際の断面構造は、図６に示すような構造となる。即ち、ガラス基板などの基板（ＳＵＢ１）上に光センサ等が作製されたＴＦＴ基板（Ｔ−ＳＵＢ）と、ガラス基板などの基板（ＳＵＢ２）上にカラーフィルタ等が作製されたカラーフィルタ基板（Ｃ−ＳＵＢ）と、液晶層（ＬＣ）と、ＴＦＴ基板（Ｔ−ＳＵＢ）上に形成された下偏光板と、カラーフィルタ基板（Ｃ−ＳＵＢ）上に形成された上偏光板と、バックライト（Ｂ／Ｌ）とで構成される。
しかしながら、図６に示す構造を以降の説明図では、図７の様な簡易な図をもって表す事とする。
【００１２】
［本発明の前提となる光センサ内蔵表示パネルの問題点］
光センサ内蔵液晶表示パネルの光センサをスキャナとして使う場合の、液晶表示パネルの断面構造と光の経路を図８に示す。なお、前述したように、図８では、センサ受光部のみを図示し、その他の液晶表示回路、その他のセンサ回路は省略する。
（１）被写体（ＯＢＪ）の黒部分の光の経路
バックライト（Ｂ／Ｌ）から放射された光は、ＴＦＴ基板（Ｔ−ＳＵＢ）→液晶層（ＬＣ）→カラーフィルタ基板（Ｃ−ＳＵＢ）の経路Ａを通り、被写体（ＯＢＪ）の黒部分へ到達する。被写体（ＯＢＪ）の黒部分での光の吸収により光センサＡ（ＰＳ−Ａ）へ光が到達しない。これにより、光センサＡ（ＰＳ−Ａ）の上部を黒と判定する。
（２）被写体（ＯＢＪ）の白部分の光の経路
バックライト（Ｂ／Ｌ）から放射された光は、ＴＦＴ基板（Ｔ−ＳＵＢ）→液晶層（ＬＣ）→カラーフィルタ基板（Ｃ−ＳＵＢ）の経路Ｂを通り、被写体（ＯＢＪ）の白部分へ到達する。被写体（ＯＢＪ）の白部分で反射した光は、カラーフィルタ基板（Ｃ−ＳＵＢ）→液晶層（ＬＣ）→光センサＢ（ＰＳ−Ｂ）へ到達し、光センサＢ（ＰＳ−Ｂ）の上部を白と判定する。
【００１３】
しかしながら、実際の液晶表示パネルでは、図９に示すように、隣接光センサ間の距離（Ｘｓ）と、光センサ（ＰＳ）から被写体（ＯＢＪ）までの距離（Ｙｓ）の比（Ｙｓ/Ｘｓ：以下、アスペクト比）は大きい。
一例を計算すると、以下の通りとなる。
Ｘｓ：約０．１ｍｍ（１５型ＸＧＡパネルの１画素に１つセンサを配置した場合）
Ｙｓ：約０．７ｍｍ（カラーフィルタ基板（Ｃ−ＳＵＢ）の厚み（０．５ｍｍ）、液晶層（ＬＣ）のギャップ（５μｍ）、カラーフィルタ基板（Ｃ−ＳＵＢ）上の上偏光板（図１０では図示せず）の厚み（０．２ｍｍ）の場合）
アスペクト比：Ｙｓ／Ｘｓ＝７．０
したがって、実際は、図８の経路Ｂの光が、被写体（ＯＢＪ）で反射した場合、アスペクト比が大きいと、被写体（ＯＢＪ）からの反射が隣接センサ（例えば、図９のセンサＡ（ＰＳ−Ａ））に入射されることが予想される。
【００１４】
図１０に、アスペクト比＝７．０として、光センサ（ＰＳ）と被写体（ＯＢＪ）の関係を図示する。光センサ（ＰＳ）は、光センサＢ−３〜Ｂ＋３（ＰＳ−Ｂ−３〜ＰＳ−Ｂ＋３）まで、距離＝１で配置し、光センサＢ（ＰＳ−Ｂ）と被写体（ＯＢＪ）までを距離＝７で図示する。
光センサＢ（ＰＳ−Ｂ）の直上で被写体（ＯＢＪ）に反射した光は散乱するため、光センサＢ（ＰＳ−Ｂ）以外の光センサ（Ｂ−３〜Ｂ−１，Ｂ＋１〜Ｂ＋３）（ＰＳ−Ｂ−３〜Ｂ−１，Ｂ＋１〜Ｂ＋３）にも入射する。
図１０に示す関係において、被写体（ＯＢＪ）から光センサＢ（ＰＳ−Ｂ）に到達する光量を１とした場合、光量が、距離の二乗に反比例するとして、光センサＢ（ＰＳ−Ｂ）以外の隣接センサへ到達する光量は、図１１に示すグラフのようになると考えられる。
スキャナ用として、液晶表示パネルに光センサ（ＰＳ）を内蔵し、スキャナとして利用する場合、図１９（ｂ）に示すように、読み込む被写体（ＯＢＪ）を直接液晶表示パネルへ押しつける。
そのため、スキャナとしての解像度を決めるのは、光センサ（ＰＳ）を、どの密度で、液晶表示パネルに配置するかで決まることとなる。しかしながら、図１１の結果は、アスペクト比が大きいとスキャナとしての解像度が低下することを意味している。
【００１５】
［本発明の特徴］
本発明は、図１２に示すように、カラーフィルタ基板（Ｃ−ＳＵＢ）と被写体（ＯＢＪ）の間に隣接遮蔽構造体１０を配置し、被写体（ＯＢＪ）からの反射光（あるいは、散乱光）が、隣接光センサへ入射するのを防止するようにしたものである。
なお、後述するように、隣接遮蔽構造体１０は、光の透過を遮蔽する光遮蔽部１１によって、区割りされた複数の光透過セル１２によって構成されている。
ここで、隣接遮蔽構造体１０の必要な条件は以下となる。
図１３の通り、被写体（ＯＢＪ）の反射点（ＰＦ）で反射した光が、センサ面で拡散するとして、光の照射幅ｙが、隣接光センサ間距離ａ以下と考えれば、光の照射幅ｙは、下記（１）式のように表される。よって、隣接遮蔽構造体１０の高さｈは、下記（２）式となる。
ｙ＝Ｗ＋（Ｗ×ｂ）／ｈ≦ａ  ・・・・・（１）
ｈ≧Ｗ×ｂ／（ａ−Ｗ）  ・・・・・・・（２）
ここで、ａ≒（３×Ｗ）／２と考えれば、前述の（２）式は、下記（３）式となる。
ｈ≧２×ｂ  ・・・・（３）
また、ａ≒２Ｗと考えれば、前述の（２）式は、下記（４）式となる。
ｈ≧ｂ  ・・・・（４）
前述の（３）式、（４）式が、隣接遮蔽構造体１０の条件となる。
なお、（１）式において、Ｗは、隣接する光遮蔽部１１の間隔（ピッチ幅）、ａは隣接する光センサ（ＰＳ）の間隔、ｂは、光センサ（ＰＳ）からカラーフィルタ基板（Ｃ−ＳＵＢ）までの距離である。
【００１６】
図１４は、本発明の隣接遮蔽構造体１０の概略構成を示す斜視図である。
図１４に示すように、隣接遮蔽構造体１０は、光の透過を遮蔽する光遮蔽部１１によって、区割りされた複数の光透過セル１２によって構成されている。ここで、光透過セル１２は、１つの光センサ（ＰＳ）を内包する。
ここで、図１２のＷに相当する隣接する光遮蔽部１１の間隔（ピッチ幅）は、図１４に示すような長方形光透過セル１２では、ＷとＷ１が存在するが、当然のことながら、（１）式における、隣接する光遮蔽部１１の間隔（ピッチ幅）は、短い方のＷとなる。
なお、光遮蔽部１１は、光を遮蔽できる材料で作製する。ここで、光遮蔽部１１の材料は、黒色の材料等、光を反射しにくい材料を用いることが望ましいが、特に制限するものではない。また、光透過セル１２の内部は、中空状態でも、合成樹脂等の充填物があっても問題はい。
さらに、平面的に見た場合（上から見た場合）、光遮蔽部１１は、図１４では、格子状に形成されているが、平面的に見た場合（上から見た場合）、１つの光透過セル１２を囲う光遮蔽部１１の形状は、円形、あるいは多角形形状であってもよい。
この隣接遮蔽構造体１０の作成については、例えば、図１５に示すように、隣接遮蔽構造体基材１０Ｂを、レジスト膜（ＲＧＳ）をマスクとしてエッチングする公知の方法を使い、図１２に示すカラーフィルタ基板（Ｃ−ＳＵＢ）上に作り上げても良いし、あるいは、別の方法で作成したシート上の隣接遮蔽構造体１０を使っても良い。さらには、光ファイバアレイのように、周囲の側壁が光遮蔽材料で作製された複数の光透過セル１２を積層し、接着剤等で固定するようにしてもよい。
ここで、隣接遮蔽構造体基材１０Ｂとしては、シリコン系樹脂、あるいは、ＳｉＯ２等が使用可能である。
【００１７】
［実施例１］
図１６は、本発明の実施例１の表示装置を説明するための要部断面図である。
本実施例の表示装置は、ＴＦＴ基板（Ｔ−ＳＵＢ）内に、画素（ＰＸ）と、光センサ（ＰＳ）を内蔵し、図１２で説明したとおり、カラーフィルタ基板（Ｃ−ＳＵＢ）の偏光板（ＰＯＬ２）上に隣接遮蔽構造体１０を配置したものである。なお、図１６において、ＰＯＬ１は、ＴＦＴ基板（Ｔ−ＳＵＢ）上に配置される偏光板である。
本実施例の液晶表示パネルには、前述の図１〜図３で説明した、１画素に光センサが組み込まれた光センサ内蔵液晶表示パネルが使用可能である。
【００１８】
［実施例２］
図１７は、本発明の実施例２の表示装置を説明するための斜視図であり、図１８は、本発明の実施例２の表示装置を説明するための要部断面図である。
本実施例は、液晶表示パネル（ＬＣＤ）における、カラーフィルタ基板（Ｃ−ＳＵＢ）の偏光板（ＰＯＬ２）上に、マトリクス状に配置された複数の光センサ（ＰＳ）のみを内蔵した光センサ内蔵基板（ＰＳＤ）を、光センサ（ＰＳ）の受光面が観察者側となるように貼り付けたものである。そして、隣接遮蔽構造体１０が、光センサ内蔵基板（ＰＳＤ）上に配置される。
ここで、前述の各実施例において、光センサ（ＰＳ）をスキャナとして使用する場合、液晶表示パネルは、特定の色（例えば、白色）を表示する。
【００１９】
なお、前述の説明では、薄膜トランジスタＴｒ１は、ｎ型の薄膜トランジスタで構成されているが、ｎ型の薄膜トランジスタに代えてｐ型の薄膜トランジスタを使用することも可能である。但し、薄膜トランジスタＴｒ１を、ｐ型の薄膜トランジスタで構成する場合には、バイアス電圧の電圧値を適宜変更する必要があることはいうまでもない。
また、前述の説明では、薄膜トランジスタＴｒ１は、半導体層が多結晶シリコン膜で構成される薄膜トランジスタの場合について説明したが、薄膜トランジスタＴｒ１は、半導体層がアモルファスシリコン膜で構成される薄膜トランジスタであってもよい。
さらに、前述の説明では、本発明を液晶表示パネルに適用した実施例について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、本発明は、有機ＥＬ表示パネルなどにも適用可能である。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【００２０】
１０  隣接遮蔽構造体
１０Ｂ  隣接遮蔽構造体基材
１１  光遮蔽部
１２  光透過セル
ＧＬ，走査線(ゲート線)
ＤＬ  映像線（ドレイン線、あるいはソース線）
Ｔｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３  薄膜トランジスタ
ＬＣ  液晶層
Ｃ  保持容量
ＰＳ  光センサ
ＰＳＬ  センサ制御線
ＯＵＴ  センサ出力線
ＤＲＶ  ドライバ
Ｓ  ソース
Ｇ  ゲート
Ｄ  ドレイン
ＳＭ  半導体層
Ｋ  カソード
Ａ  アノード
ＢＰＳ  遮光膜
Ｄ１  ホトダイオード
Ｃ１  容量素子
ＣＬＫ１，ＣＬＫ２  クロック線
Ｖｂ  バイアス線
ＳＵＢ１，ＳＵＢ２  基板
Ｃ−ＳＵＢ  カラーフィルタ基板
Ｔ−ＳＵＢ  ＴＦＴ基板
ＰＳ−ＳＵＢ  光センサ基板
Ｂ／Ｌ  バックライト
ＯＢＪ  被写体
ＲＧＳ  レジスト膜
ＰＯＬ１，ＰＯＬ２  偏光板
ＰＸ  画素
ＬＣＤ  液晶表示パネル
ＰＳＤ  光センサ内蔵基板
ＦＰＣ，ＦＰＣ１  フレキシブル配線基板
【図１】
2011186099.tif 000003
【図２】
2011186099.tif 000004
【図３】
2011186099.tif 000005
【図４】
2011186099.tif 000006
【図５】
2011186099.tif 000007
【図６】
2011186099.tif 000008
【図７】
2011186099.tif 000009
【図８】
2011186099.tif 000010
【図９】
2011186099.tif 000011
【図１０】
2011186099.tif 000012
【図１１】
2011186099.tif 000013
【図１２】
2011186099.tif 000014
【図１３】
2011186099.tif 000015
【図１４】
2011186099.tif 000016
【図１５】
2011186099.tif 000017
【図１６】
2011186099.tif 000018
【図１７】
2011186099.tif 000019
【図１８】
2011186099.tif 000020
【図１９】
2011186099.tif 000021