(57)【要約】【課題】露光領域における半径方向に沿った辺のＬＥＲを良好にする。【解決手段】情報記録媒体製造用の凹凸パターンを形成するための樹脂層が形成された基材を回転させた状態において樹脂層に描画用ビームを照射することによって、凹凸パターンを形成するためのサーボパターンＰＳａを含む露光パターンＰａを樹脂層に描画する描画方法であって、露光パターンＰａにおけるサーボパターンＰＳａのうちの少なくとも一部のパターン（プリアンブルパターンＰＳ１等）の描画に際して、基材の回転方向と交差する方向（同図における上下方向）に描画用ビームを往復動させて、そのパターンにおける基材の半径方向の一部を描画する第１の部分描画処理を、第１の部分描画処理において描画用ビームのビーム中心を移動させる第１の移動範囲の半径方向に沿った長さＬａよりも短く規定した長さＬｂだけ半径方向に沿って第１の移動範囲を移動させて複数回に亘って実行する。【選択図】図４
2011186274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録媒体製造用の凹凸パターンを形成するための樹脂層が形成された基材を回転させた状態において当該樹脂層に描画用ビームを照射することによって、前記凹凸パターンを形成するためのサーボパターンを含む露光パターンを当該樹脂層に描画する描画方法であって、
前記露光パターンにおける前記サーボパターンのうちの少なくとも一部のパターンの描画に際して、前記基材の回転方向と交差する方向に前記描画用ビームを往復動させて当該少なくとも一部のパターンにおける当該基材の半径方向の一部を描画する第１の部分描画処理を、当該第１の部分描画処理において当該描画用ビームのビーム中心を移動させる第１の移動範囲の前記半径方向に沿った第１の長さよりも短く規定した移動量だけ当該半径方向に沿って当該第１の移動範囲を移動させて複数回に亘って実行する描画方法。
【請求項２】
プリアンブルパターン、サーボアドレスマークパターン、セクターアドレスパターン、トラックアドレスパターン、バーストパターン、パッド領域用パターンおよび位相サーボパターンのうちの少なくとも１つを含む前記露光パターンを描画する際に、当該少なくとも１つのうちの少なくとも１つを前記少なくとも一部のパターンとして前記第１の部分描画処理を複数回実行して描画する請求項１記載の描画方法。
【請求項３】
バーストパターンを含む前記露光パターンの描画に際して当該バーストパターンにおける前記回転方向に沿った端部を含む端部領域を描画する際に、前記描画用ビームのビーム中心を移動させる第２の移動範囲における前記半径方向に沿った長さを前記第１の長さよりも短い第２の長さに規定して前記描画用ビームを前記交差する方向に往復動させて当該端部領域を描画する第２の部分描画処理と、前記描画用ビームを往復動させることなく前記端部領域を描画する第３の部分描画処理とのいずれかを実行して描画する請求項１記載の描画方法。
【請求項４】
前記バーストパターンを含む前記露光パターンの描画に際して当該バーストパターンにおける前記回転方向に沿った端部を含む端部領域を描画する際に、前記描画用ビームのビーム中心を移動させる第２の移動範囲における前記半径方向に沿った長さを前記第１の長さよりも短い第２の長さに規定して前記描画用ビームを前記交差する方向に往復動させて当該端部領域を描画する第２の部分描画処理と、前記描画用ビームを往復動させることなく前記端部領域を描画する第３の部分描画処理とのいずれかを実行して描画する請求項２記載の描画方法。
【請求項５】
前記凹凸パターンを形成するためのデータトラックパターンを含む前記露光パターンの描画に際して当該データトラックパターンにおける前記回転方向に沿った端部を含む端部領域を描画する際に、前記描画用ビームのビーム中心を移動させる第３の移動範囲における前記半径方向に沿った長さを前記第１の長さよりも短い第３の長さに規定して前記描画用ビームを前記交差する方向に往復動させて当該端部領域を描画する第４の部分描画処理と、前記描画用ビームを往復動させることなく前記端部領域を描画する第５の部分描画処理とのいずれかを実行して描画する請求項１から４のいずれかに記載の描画方法。
【請求項６】
前記露光パターンのうちの少なくとも一部のパターンの描画に際して当該少なくとも一部のパターンにおける前記回転方向に沿った端部を含む端部領域を描画する際に、前記描画用ビームのビーム中心を移動させる第４の移動範囲における前記半径方向に沿った第４の長さを当該少なくとも一部のパターンにおける当該端部領域を除く領域の描画時に前記描画用ビームを往復動させる際の第５の移動範囲における前記半径方向に沿った第５の長さよりも短く規定して前記描画用ビームを前記交差する方向に往復動させて当該端部領域を描画する第６の部分描画処理と、前記描画用ビームを往復動させることなく前記端部領域を描画する第７の部分描画処理とのいずれかを実行して描画する請求項１または２記載の描画方法。
【請求項７】
情報記録媒体製造用の凹凸パターンを形成するための樹脂層が形成された基材を回転させる回転機構と、前記樹脂層に描画用ビームを照射するビーム照射部と、前記回転機構を制御して前記基材を回転させると共に前記ビーム照射部を制御して前記樹脂層に前記描画用ビームを照射させることによって、前記凹凸パターンを形成するためのサーボパターンを含む露光パターンを当該樹脂層に描画する制御部を備えた描画装置であって、
前記制御部は、前記露光パターンにおける前記サーボパターンのうちの少なくとも一部のパターンの描画に際して、前記ビーム照射部を制御して、前記基材の回転方向と交差する方向に前記描画用ビームを往復動させて当該少なくとも一部のパターンにおける当該基材の半径方向の一部を描画する第１の部分描画処理を、当該第１の部分描画処理において当該描画用ビームのビーム中心を移動させる第１の移動範囲の前記半径方向に沿った第１の長さよりも短く規定した移動量だけ当該半径方向に沿って当該第１の移動範囲を移動させて複数回に亘って実行させる描画装置。
【請求項８】
請求項１から６のいずれかに記載の描画方法に従って前記樹脂層に前記露光パターンを描画した後に当該樹脂層に対して所定の処理を実行して前記凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造する情報記録媒体製造用原盤の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを転写して情報記録媒体を製造する情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体製造用の凹凸パターンを形成するための露光パターンを描画する描画方法および描画装置、並びに、描画した露光パターンを利用して形成した凹凸パターンを用いて情報記録媒体製造用原盤および情報記録媒体を製造する製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
出願人は、この種の描画方法に従って描画した露光パターンを利用して凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤や情報記録媒体を製造する方法を特開２００５−２０２９８８号公報に開示している。具体的には、この公開公報において開示している描画方法では、露光パターンを描画すべき樹脂層が形成された基材を回転させながら電子ビームを照射して樹脂層に露光パターンを描画している。この場合、１つ目の実施形態では、露光パターンを構成する各パターンを基材の回転方向に沿った複数の帯状の描画領域に分割すると共に、樹脂層に対して回転方向に沿って直線的に電子ビームを照射することによって１回転につき１つの描画領域を描画する描画方法（１つのパターンを複数回に分けて描画する描画方法）が採用されている。したがって、１つ目の実施形態における描画方法によれば、各描画領域の描画時における電子ビームの照射開始位置や照射停止位置を適宜変更することで、各パターンにおける回転方向と交差する方向に沿った辺に任意の角度（一例として、スキュー角に応じた角度）を付与することが可能となっている。
【０００３】
また、２つ目の実施形態では、露光パターンを構成する各パターンの描画に際して、そのパターンにおける回転方向と交差する方向に沿った辺に付与すべき角度に応じて、回転方向と交差する方向に電子ビームを往復動させながら照射することによって樹脂層に露光パターンを描画する描画方法が採用されている。したがって、２つ目の実施形態における描画方法によれば、電子ビームを往復動させる方向を任意に規定することで、各パターンにおける回転方向と交差する方向に沿った辺に任意の角度を付与することが可能となっている。この場合、この２つ目の実施形態における描画方法では、回転方向と交差する方向に往復動させながら電子ビームを樹脂層に照射しているため、上記の１つ目の描画方法における描画方法に従って描画したときよりも、各パターンにおける回転方向と交差する方向に沿った辺のＬＥＲ（line edge roughness ）を良好な状態にすることが可能となっている。
【０００４】
一方、特開２００９−１３３９４２号公報には、ディスクリートトラックメディアやビットパターンメディアなどの高密度磁気記録媒体を製造するためのインプリントモールドおよび磁気転写用マスター担体などを作製する際に、所望の凹凸パターンに応じた微細パターンを描画する電子ビーム描画方法および微細パターン描画システム（以下、単に「描画方法」および「描画システム」ともいう）が開示されている。この描画方法および描画システムでは、レジストが塗布された基板を回転ステージによって線速度一定の条件で回転させた状態において電子銃からレジストの層に向けて電子ビームを照射することによって微細パターンを構成する各エレメントをレジストの層に描画する。この場合、この描画方法および描画システムでは、出願人が開示している上記の２つ目の実施形態における描画方法と同様に、回転方向と交差する方向に電子ビームを往復動させながら照射している。
【０００５】
具体的には、この描画方法および描画システムでは、周方向（基板の回転方向）に対して直交する方向に電子ビームを高速に往復振動させると共に、半径方向と直交する方向（回転方向の逆向き）に基板の回転速度よりも速い速度で電子ビームを偏向させるように走査制御することにより、各エレメントを塗り潰すようにして順次描画する。この場合、この描画方法および描画システムでは、基板の１回転当りに１トラック分の微細パターンを描画する方法および構成が採用されている。また、この描画方法および描画システムでは、各エレメントの描画に際して、１トラックの半径方向に沿った長さ（トラックピッチに対応する長さ）の範囲内で電子ビームを往復振動させている。したがって、複数トラックに跨るエレメント（半径方向に沿って長いエレメント）については、そのエレメントを半径方向において複数の領域に分割すると共に基板の１回転につき１つの領域を描画することによって、複数回転に分けて描画している。これにより、各種形状のエレメントからなる微細パターンが基板上のレジストの層に描画される。
【０００６】
また、例えばインプリントモールドの製造に際しては、まず、上記の描画方法によって微細パターンを描画した基板を現像処理することによってレジストによる凹凸パターンを基板上に形成する。次いで、形成した凹凸パターン（レジスト）をマスクとして用いて基板をエッチング処理した後に、基板上の残留レジストを除去する。これにより、上記の描画方法に従って描画した微細パターンと平面形状が同様の微細凹凸パターンが基板に形成されて、インプリントモールドが完成する。
【０００７】
さらに、インプリント法によって磁気ディスク媒体を製造する際には、基板上に磁性層およびレジスト樹脂層がこの順で形成された中間体を用いて、レジスト樹脂層に対してインプリントモールドの微細凹凸パターンを押し当てた状態において紫外線を照射することでレジスト樹脂層を硬化させる。これにより、硬化したレジスト樹脂層にインプリントモールドの微細凹凸パターンが転写されて、インプリントモールドの微細凹凸パターンと凹凸位置関係が反転した微細凹凸パターンがレジスト樹脂層に形成される。次いで、微細凹凸パターンが形成されたレジスト樹脂層をマスクとして用いて基板上の磁性層をエッチングする。これにより、レジスト樹脂層に形成した微細凹凸パターンと同様の微細凹凸パターンが磁性層に形成されてディスクリートトラックメディア用の磁気ディスク媒体が完成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−２０２９８８号公報（第８−２２頁、図１−１７）
【特許文献２】特開２００９−１３３９４２号公報（第１，８−１５頁、図１−８）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、従来の描画方法、描画システム、およびインプリントモールド（情報記録媒体製造用原盤）や磁気ディスク媒体（情報記録媒体）の製造方法には、以下の問題点がある。すなわち、従来の描画方法および描画システムでは、複数トラックに跨る半径方向に沿って長いエレメントについて、そのエレメントを半径方向において複数の領域に分割して複数回転に分けて描画している。このため、従来の描画方法および描画システムでは、半径方向において隣接する各領域の境界部分に対する電子ビームの照射量と、各領域の半径方向における中央部に対する電子ビームの照射量とが相違する状態を招き易くなっている。このため、従来の描画方法および描画システムによって微細凹凸パターンを描画した基板を現像処理して形成される微細凹凸パターンでは、描画処理時におけるエレメントの各部に対する電子ビームの照射量のばらつきに起因して、半径方向に沿って長い凸部や凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲが悪化しているという現状がある。
【００１０】
一方、この種の描画方法に従って描画した微細パターンを用いて製造する情報記録媒体のサーボパターンには、プリアンブルパターン、サーボアドレスマークパターン、セクターアドレスパターンおよびトラックアドレスパターンのように、半径方向に沿って長い凸部や凹部を有するパターンが存在する。また、サーボパターン領域内にパッド領域を設けた場合や、位相サーボパターン形式のサーボパターンを採用した場合には、パッド領域用パターンや位相サーボパターン内にも半径方向に沿って長い凸部や凹部が存在する。この場合、正確なトラッキングサーボを実現するためには、上記の半径方向に沿って長い凸部や凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲが良好である必要がある。
【００１１】
しかしながら、従来の描画方法では、上記したように、エレメントを分割した各領域における境界部分の露光量と中央部の露光量とが相違する状態を招き易く、これに起因して、描画処理後の現像処理によって形成される微細凹凸パターンにおける半径方向に沿って長い凸部や凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲの悪化を招いている。このため、半径方向に沿って長い凸部や凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲが良好な情報記録媒体製造用原盤を製造するのが困難となっており、これに起因して、情報記録媒体における半径方向に沿って長い凸部や凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲの悪化を招き、正確なトラッキングサーボが困難となっているという問題点がある。
【００１２】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、描画したパターンにおける半径方向に沿った辺のＬＥＲが良好な露光パターンを描画し得る描画方法および描画装置、並びに、凸部や凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲが良好な凹凸パターンを形成し得る情報記録媒体製造用原盤の製造方法および情報記録媒体の製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成すべく本発明に係る描画方法は、情報記録媒体製造用の凹凸パターンを形成するための樹脂層が形成された基材を回転させた状態において当該樹脂層に描画用ビームを照射することによって、前記凹凸パターンを形成するためのサーボパターンを含む露光パターンを当該樹脂層に描画する描画方法であって、前記露光パターンにおける前記サーボパターンのうちの少なくとも一部のパターン（Ａパターン）の描画に際して、前記基材の回転方向と交差する方向に前記描画用ビームを往復動させて当該少なくとも一部のパターンにおける当該基材の半径方向の一部を描画する第１の部分描画処理を、当該第１の部分描画処理において当該描画用ビームのビーム中心を移動させる第１の移動範囲の前記半径方向に沿った第１の長さよりも短く規定した移動量だけ当該半径方向に沿って当該第１の移動範囲を移動させて複数回に亘って実行する。
【００１４】
この場合、本明細書における「露光パターン」とは、ポジ型のレジスト等で樹脂層が形成されている場合においては、描画を完了した後の現像処理によって基材上から樹脂層が消失する領域の平面パターンを意味し、ネガ型のレジスト等で樹脂層が形成されている場合においては、現像処理によって基材上に樹脂層が残留する領域の平面パターンを意味する。
【００１５】
また、本発明に係る描画方法は、プリアンブルパターン、サーボアドレスマークパターン、セクターアドレスパターン、トラックアドレスパターン、バーストパターン、パッド領域用パターンおよび位相サーボパターンのうちの少なくとも１つを含む前記露光パターンを描画する際に、当該少なくとも１つのうちの少なくとも１つを前記少なくとも一部のパターンとして前記第１の部分描画処理を複数回実行して描画する。
【００１６】
また、本発明に係る描画方法は、バーストパターンを含む前記露光パターンの描画に際して当該バーストパターンにおける前記回転方向に沿った端部を含む端部領域を描画する際に、前記描画用ビームのビーム中心を移動させる第２の移動範囲における前記半径方向に沿った長さを前記第１の長さよりも短い第２の長さに規定して前記描画用ビームを前記交差する方向に往復動させて当該端部領域を描画する第２の部分描画処理と、前記描画用ビームを往復動させることなく前記端部領域を描画する第３の部分描画処理とのいずれかを実行して描画する。
【００１７】
さらに、本発明に係る描画方法は、前記バーストパターンを含む前記露光パターンの描画に際して当該バーストパターンにおける前記回転方向に沿った端部を含む端部領域を描画する際に、前記描画用ビームのビーム中心を移動させる第２の移動範囲における前記半径方向に沿った長さを前記第１の長さよりも短い第２の長さに規定して前記描画用ビームを前記交差する方向に往復動させて当該端部領域を描画する第２の部分描画処理と、前記描画用ビームを往復動させることなく前記端部領域を描画する第３の部分描画処理とのいずれかを実行して描画する。
【００１８】
また、本発明に係る描画方法は、前記凹凸パターンを形成するためのデータトラックパターンを含む前記露光パターンの描画に際して当該データトラックパターンにおける前記回転方向に沿った端部を含む端部領域を描画する際に、前記描画用ビームのビーム中心を移動させる第３の移動範囲における前記半径方向に沿った長さを前記第１の長さよりも短い第３の長さに規定して前記描画用ビームを前記交差する方向に往復動させて当該端部領域を描画する第４の部分描画処理と、前記描画用ビームを往復動させることなく前記端部領域を描画する第５の部分描画処理とのいずれかを実行して描画する。
【００１９】
さらに、本発明に係る描画方法は、前記露光パターンのうちの少なくとも一部のパターン（Ｂパターン）の描画に際して当該少なくとも一部のパターンにおける前記回転方向に沿った端部を含む端部領域を描画する際に、前記描画用ビームのビーム中心を移動させる第４の移動範囲における前記半径方向に沿った第４の長さを当該少なくとも一部のパターンにおける当該端部領域を除く領域の描画時に前記描画用ビームを往復動させる際の第５の移動範囲における前記半径方向に沿った第５の長さよりも短く規定して前記描画用ビームを前記交差する方向に往復動させて当該端部領域を描画する第６の部分描画処理と、前記描画用ビームを往復動させることなく前記端部領域を描画する第７の部分描画処理とのいずれかを実行して描画する。
【００２０】
また、本発明に係る描画装置は、情報記録媒体製造用の凹凸パターンを形成するための樹脂層が形成された基材を回転させる回転機構と、前記樹脂層に描画用ビームを照射するビーム照射部と、前記回転機構を制御して前記基材を回転させると共に前記ビーム照射部を制御して前記樹脂層に前記描画用ビームを照射させることによって、前記凹凸パターンを形成するためのサーボパターンを含む露光パターンを当該樹脂層に描画する制御部を備えた描画装置であって、前記制御部が、前記露光パターンにおける前記サーボパターンのうちの少なくとも一部のパターンの描画に際して、前記ビーム照射部を制御して、前記基材の回転方向と交差する方向に前記描画用ビームを往復動させて当該少なくとも一部のパターンにおける当該基材の半径方向の一部を描画する第１の部分描画処理を、当該第１の部分描画処理において当該描画用ビームのビーム中心を移動させる第１の移動範囲の前記半径方向に沿った第１の長さよりも短く規定した移動量だけ当該半径方向に沿って当該第１の移動範囲を移動させて複数回に亘って実行させる。
【００２１】
また、本発明に係る情報記録媒体製造用原盤の製造方法は、上記のいずれかの描画方法に従って前記樹脂層に前記露光パターンを描画した後に当該樹脂層に対して所定の処理を実行して前記凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造する。
【００２２】
また、本発明に係る情報記録媒体の製造方法は、上記の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを転写して情報記録媒体を製造する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る描画方法および描画装置によれば、露光パターンにおけるサーボパターンのうちの少なくとも一部のパターンの描画に際して、基材の回転方向と交差する方向に描画用ビームを往復動させて、その少なくとも一部のパターンにおける基材の半径方向の一部を描画する第１の部分描画処理を、第１の部分描画処理において描画用ビームのビーム中心を移動させる第１の移動範囲の半径方向に沿った第１の長さよりも短く規定した移動量だけ半径方向に沿って第１の移動範囲を移動させて複数回に亘って実行することにより、各第１の部分描画処理毎のビーム中心の第１の移動範囲が基材の半径方向において重なり合うこととなるため、半径方向において重なり合っている各第１の移動範囲の半径方向における境界部分に対する描画用ビームの照射量（露光量）と、各第１の移動範囲の半径方向における境界部分以外の部位に対する描画用ビームの照射量（露光量）とが大きく相違する状態となる事態を回避することができる。これにより、この描画方法および描画装置によれば、上記の少なくとも一部のパターンにおける半径方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができるため、露光パターンに対応して情報記録媒体製造用原盤に形成される凹凸パターンにおいて上記の少なくとも一部のパターンに対応する部位の凸部および凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができる。このため、この情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体の凹凸パターンにおいて上記の少なくとも一部のパターンに対応する部位の凸部および凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【００２４】
また、本発明に係る描画方法によれば、プリアンブルパターン、サーボアドレスマークパターン、セクターアドレスパターン、トラックアドレスパターン、バーストパターン、パッド領域用パターンおよび位相サーボパターンのうちの少なくとも１つを含む露光パターンを描画する際に、少なくとも１つのうちの少なくとも１つを上記の少なくとも一部のパターンとして第１の部分描画処理を複数回実行して描画することにより、半径方向に沿った辺のＬＥＲが良好であることが好ましいこれらのパターンについて、半径方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができるため、この露光パターンに対応して形成される凹凸パターンを有する情報記録媒体において、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【００２５】
さらに、本発明に係る描画方法によれば、バーストパターンを含む露光パターンの描画に際してバーストパターンにおける回転方向に沿った端部を含む端部領域を描画する際に、描画用ビームのビーム中心を移動させる第２の移動範囲における半径方向に沿った長さを上記の第１の長さよりも短い第２の長さに規定して描画用ビームを回転方向と交差する方向に往復動させて端部領域を描画する第２の部分描画処理と、描画用ビームを往復動させることなく端部領域を描画する第３の部分描画処理とのいずれかを実行して描画することにより、回転方向に沿った辺のＬＥＲが良好であることが好ましいバーストパターンについて、回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができるため、この露光パターンに対応して形成される凹凸パターンを有する情報記録媒体において、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【００２６】
また、本発明に係る描画方法によれば、凹凸パターンを形成するためのデータトラックパターンを含む露光パターンの描画に際してデータトラックパターンにおける回転方向に沿った端部を含む端部領域を描画する際に、描画用ビームのビーム中心を移動させる第３の移動範囲における半径方向に沿った長さを上記の第１の長さよりも短い第３の長さに規定して描画用ビームを交差する方向に往復動させて端部領域を描画する第４の部分描画処理と、描画用ビームを往復動させることなく端部領域を描画する第５の部分描画処理とのいずれかを実行して描画することにより、回転方向に沿った辺のＬＥＲが良好であることが好ましいデータトラックパターンについて、回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができるため、この露光パターンに対応して形成される凹凸パターンを有する情報記録媒体において、記録データの正確な書き込みや読み出しを実現することができる。
【００２７】
さらに、本発明に係る描画方法によれば、露光パターンのうちの少なくとも一部のパターンの描画に際して、その少なくとも一部のパターンにおける回転方向に沿った端部を含む端部領域を描画する際に、描画用ビームのビーム中心を移動させる第４の移動範囲における半径方向に沿った第４の長さを上記の少なくとも一部のパターンにおける端部領域を除く領域の描画時に描画用ビームを往復動させる際の第５の移動範囲における半径方向に沿った第５の長さよりも短く規定して描画用ビームを回転方向と交差する方向に往復動させて端部領域を描画する第６の部分描画処理と、描画用ビームを往復動させることなく端部領域を描画する第７の部分描画処理とのいずれかを実行して描画することにより、回転方向に沿った辺のＬＥＲが良好であることが好ましい上記の少なくとも一部のパターンについて、回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができるため、この露光パターンに対応して形成される凹凸パターンを有する情報記録媒体において、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【００２８】
また、本発明に係る情報記録媒体製造用原盤の製造方法によれば、上記のいずれかの描画方法に従って樹脂層に露光パターンを描画した後に樹脂層に対して所定の処理を実行して凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造することにより、露光パターンに対応して情報記録媒体製造用原盤に形成される凹凸パターンにおける上記の「露光パターンにおけるサーボパターンのうちの少なくとも一部のパターン」に対応する部位の凸部および凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができる。したがって、この情報記録媒体製造用原盤の製造方法によれば、この情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体の凹凸パターンにおいて上記の少なくとも一部のパターンに対応する部位の凸部および凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができるため、正確なトラッキングサーボを実現し得る情報記録媒体を製造可能な情報記録媒体製造用原盤を提供することができる。
【００２９】
また、本発明に係る情報記録媒体の製造方法によれば、上記の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを転写して情報記録媒体を製造することにより、露光パターンに対応して形成される凹凸パターンにおける上記の「露光パターンにおけるサーボパターンのうちの少なくとも一部のパターン」の半径方向に沿った辺のＬＥＲが十分に良好な状態であるため、この凹凸パターンを有する情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体の凹凸パターンにおいて上記の少なくとも一部のパターンに対応する部位の凸部および凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができる。したがって、この情報記録媒体の製造方法によれば、正確なトラッキングサーボを実現し得る情報記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】電子ビーム描画装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】電子ビーム描画装置１による露光パターンの描画対象である基材１０の断面図である。
【図３】電子ビーム描画装置１によって描画する露光パターンＰａの平面図である。
【図４】露光パターンＰａ（Ｐｂ〜Ｐｄ）におけるサーボパターンＰＳａ（ＰＳｂ〜ＰＳｄ）のプリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３およびパッド領域用パターンＰＳ６の描画方法について説明するための説明図である。
【図５】露光パターンＰａ（Ｐｂ〜Ｐｄ）におけるサーボパターンＰＳａ（ＰＳｂ〜ＰＳｄ）のトラックアドレスパターンＰＳ４の描画方法について説明するための説明図である。
【図６】露光パターンＰａ（Ｐｃ，Ｐｄ）におけるサーボパターンＰＳａ（ＰＳｄ）のバーストパターンＰＳ５の描画方法について説明するための説明図である。
【図７】露光パターンＰａ（Ｐｂ，Ｐｄ）におけるデータトラックパターンＰＴａの描画方法について説明するための説明図である。
【図８】特許文献１において出願人が１つ目の実施形態として開示している従来の描画方法と同様の手順に従ってプリアンブルパターンを描画した試料を現像処理して形成した凹凸パターンの表面を電子顕微鏡で撮像した図面代用写真である。
【図９】特許文献２に開示されている従来の描画方法と同様の手順に従ってプリアンブルパターンを描画した試料を現像処理して形成した凹凸パターンの表面を電子顕微鏡で撮像した図面代用写真である。
【図１０】本願発明に係る描画方法に従ってプリアンブルパターンを描画した試料を現像処理して形成した凹凸パターンの表面を電子顕微鏡で撮像した図面代用写真である。
【図１１】電子ビーム描画装置１によって露光パターンＰａ（Ｐｂ〜Ｐｄ）を描画した基材１０を現像して凹凸パターン２１を形成した状態の原盤１１の断面図である。
【図１２】原盤１１の凹凸パターン２１に成膜層１２ａおよび電解ニッケル層１２ｂを順に形成してスタンパー１２を作製した状態の断面図である。
【図１３】スタンパー１２を使用してインプリント法によって磁気記録媒体１５を製造する工程を示す中間体１５ｍおよびスタンパー１２の断面図である。
【図１４】スタンパー１２の凹凸パターン２２を樹脂層１５ｃに転写した状態の中間体１５ｍの断面図である。
【図１５】凹凸パターン２３が形成された樹脂層１５ｃをマスクとして用いて磁性層１５ｂをエッチングした状態の磁気記録媒体１５の断面図である。
【図１６】電子ビーム描画装置１によって描画する露光パターンＰｂ（Ｐｃ，Ｐｄ）の平面図である。
【図１７】露光パターンＰｂ（Ｐｃ，Ｐｄ）におけるサーボパターンＰＳｂ（ＰＳｄ）のバーストパターンＰＳ７の描画方法について説明するための説明図である。
【図１８】露光パターンＰｃ（Ｐｂ，Ｐｄ）におけるデータトラックパターンＰＴｂの描画方法について説明するための説明図である。
【図１９】電子ビーム描画装置１によって描画する露光パターンＰｄ（Ｐａ〜Ｐｃ）の平面図である。
【図２０】露光パターンＰｄ（Ｐａ〜Ｐｃ）におけるサーボパターンＰＳｄ（ＰＳａ，ＰＳｂ）の位相サーボパターンＰＳ８の描画方法について説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る描画方法、描画装置、情報記録媒体製造用原盤の製造方法、および情報記録媒体の製造方法の実施の形態について説明する。
【００３２】
最初に、電子ビーム描画装置１の構成について、図面を参照して説明する。
【００３３】
電子ビーム描画装置１（以下、「描画装置１」ともいう）は、図１に示すように、Ｘ−Ｙ移動機構２、ターンテーブル３、ビーム発生部４、ブランキング制御部５、ビーム成形部６、ビーム偏向器７、制御部８および記憶部９を備え構成されている。この描画装置１は、後述する描画方法に従って電子ビームＥＢ（「描画用ビーム」の一例）を照射することにより、図３に示す露光パターンＰａなどの各種露光パターンを基材１０（図２参照）に描画可能に構成されている。
【００３４】
この場合、基材１０は、スタンパー１２（図１３参照）を製造するための原盤１１（「情報記録媒体製造用原盤」の一例：図１１参照）を製作するための板体であって、図２に示すように、円板状のＳｉウエハ１０ａの表面に厚み６０ｎｍ程度の樹脂層１０ｂ（一例として、電子ビーム感光性を有するポジ型レジストを塗布して形成したレジスト層）が形成されて構成されている。また、基材１０を用いて製作される原盤１１は、図１１に示すように、後述するようにして描画装置１によって基材１０の樹脂層１０ｂに描画された露光パターンＰａ等を現像して形成した凹凸パターン２１（「情報記録媒体製造用の凹凸パターン」の一例）を備えている。また、スタンパー１２は、ディスクリートトラック型の磁気記録媒体１５（図１５参照）を製造するための原盤（「情報記録媒体製造用原盤」の他の一例）であって、図１３に示すように、後述するようにして原盤１１の凹凸パターン２１をスタンパー形成材料に転写することによって形成した凹凸パターン２２（「情報記録媒体製造用の凹凸パターン」の一例：図１３参照）を備えている。
【００３５】
さらに、スタンパー１２を使用して製造される磁気記録媒体１５は、「情報記録媒体」の一例であって、図１５に示すように、突端部側が磁性材料（磁性層１５ｂ）で形成された複数の凸部と、隣り合う凸部の間の凹部とが形成されて、データトラックパターンやサーボパターンを構成する凹凸パターン２４が形成されている。この磁気記録媒体１５は、磁気記録媒体１５を回転させるモータや、磁気記録媒体１５に対する記録データの記録再生を実行する記録再生用磁気ヘッドなどと共に筐体内に収容されて（図示せず）、記録再生装置（ハードディスクドライブ）を構成する。
【００３６】
一方、Ｘ−Ｙ移動機構２は、制御部８の制御に従い、ターンテーブル３によって回転させられている基材１０の回転面に沿ってターンテーブル３を移動させる。ターンテーブル３は、回転機構の一例であって、基材１０を載置可能に構成されると共に、制御部８の制御に従って描画速度が一定の線速度となるように基材１０を回転させる。また、ターンテーブル３は、その内部でテーブルの回転に同期して生成する信号に基づいて基材１０の回転に同期した基準信号Ｓを生成して、一例として、基材１０を一回転させる間に基準信号Ｓを複数回に亘って出力する。この場合、ターンテーブル３は、一例として、基材１０の一回転当りに、磁気記録媒体１５の一周当りにおけるサーボパターン領域の数と同数の基準信号Ｓを出力する。
【００３７】
ビーム発生部４は、ブランキング制御部５と相俟って「ビーム照射部」を構成し、樹脂層１０ｂに露光パターンＰａ等を描画するための電子ビームＥＢを生成して出力する。ブランキング制御部５は、制御部８の制御に従い、ビーム発生部４からの電子ビームＥＢの出力をＯＮ／ＯＦＦ制御（ブランキング制御）する。ビーム成形部６は、ビーム成形レンズおよびアパーチャ（図示せず）などを備えて、ブランキング制御部５を通過した電子ビームＥＢを成形（細径化）する。この場合、この描画装置１では、その有効描画幅が露光パターンＰａ等を構成する各露光領域Ａ１（図３参照）の半径方向に沿った幅や回転方向に沿った長さよりも十分に狭い電子ビームＥＢを照射して露光パターンＰａを描画する。ビーム偏向器７は、制御部８の制御に従って電子ビームＥＢを偏向することによって樹脂層１０ｂに対する照射位置を変化させる。この場合、この描画装置１では、露光パターンＰａにおける一部の描画に際して、後述するように、ビーム偏向器７が制御部８の制御に従って電子ビームＥＢを偏向することによって基材１０の回転方向と交差する方向（一例として、基材１０の半径方向）に電子ビームＥＢを往復動させる。
【００３８】
制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３と共に基材１０を移動させると共に、ターンテーブル３を制御して描画速度が線速度一定となる条件で基材１０を回転させる。また、制御部８は、ターンテーブル３から出力される基準信号Ｓに応じて、ビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム偏向器７を制御することにより、ターンテーブル３によって回転させられている基材１０の樹脂層１０ｂにおける所定の位置に電子ビームＥＢを照射させる。記憶部９は、基材１０に描画すべき露光パターンＰａ等の描画手順を特定可能な描画手順データＤＰを記憶する。この場合、描画手順データＤＰには、基準信号Ｓが出力されてからブランキング制御部５に対して電子ビームＥＢの照射を開始させるまでの待機時間を各サーボパターン毎に特定可能な情報と、ビーム偏向器７によって電子ビームＥＢをどのように偏向すべきかを特定可能なデータとが記録されている。
【００３９】
また、図３に示すように、この描画装置１によって描画する露光パターンＰａは、磁気記録媒体１５を製造するためのスタンパー１２に形成すべき凹凸パターン２２、およびスタンパー１２を製造するための原盤１１に形成すべき凹凸パターン２１に対応して露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２が規定されている。具体的には、この例では、原盤１１における凹凸パターン２１の各凹部、およびスタンパー１２における凹凸パターン２２の各凸部に対応して露光領域Ａ１が規定されると共に、原盤１１における凹凸パターン２１の各凸部、および凹凸パターン２２の各凹部に対応して非露光領域Ａ２が規定されている。
【００４０】
なお、本明細書における「露光領域Ａ１」とは、ポジ型のレジスト等で樹脂層１０ｂを形成したこの例においては、描画を完了した後の現像処理によってＳｉウエハ１０ａ上から樹脂層１０ｂが消失する領域と一致する領域を意味し、樹脂層１０ｂに代えてネガ型のレジスト等で樹脂層を形成した場合においては、現像処理によってＳｉウエハ１０ａ上に樹脂層が残留する領域と一致する領域を意味する。また、本明細書における「非露光領域Ａ２」とは、描画用ビーム（この例では、電子ビームＥＢ）が照射されない領域だけでなく、上記の露光領域Ａ１に対する照射に伴って描画用ビームが僅かに照射されるものの、現像後において描画用ビームが照射されない領域と同様の状態となる領域を含む。具体的には、ポジ型のレジスト等で樹脂層１０ｂを形成したこの例においては、描画用ビームが照射されない領域と同様にして現像後にＳｉウエハ１０ａ上に樹脂層１０ｂが残留する領域を意味し、樹脂層１０ｂに代えてネガ型のレジスト等で樹脂層を形成した場合においては、描画用ビームが照射されない領域と同様にして現像時にＳｉウエハ１０ａ上から樹脂層が消失する領域を意味する。
【００４１】
また、原盤１１の凹凸パターン２１は、スタンパー１２に形成すべき凹凸パターン２２の各凸部に対応して複数の凹部が形成されると共に、凹凸パターン２２の各凹部に対応して複数の凸部が形成されている。さらに、スタンパー１２の凹凸パターン２２は、磁気記録媒体１５に形成すべき凹凸パターン２４の各凹部に対応して複数の凸部が形成されると共に、凹凸パターン２４の各凸部に対応して複数の凹部が形成されている。したがって、上記の露光パターンＰａは、磁気記録媒体１５における凹凸パターン２４の各凹部に対応して露光領域Ａ１が規定されると共に、凹凸パターン２４の各凸部に対応して非露光領域Ａ２が規定されている。
【００４２】
この場合、磁気記録媒体１５では、その回転方向においてデータトラックパターンおよびサーボパターンが交互に並ぶように凹凸パターン２４によってそれぞれ形成されている（図示せず）。なお、本明細書では、回転方向において並ぶ２つのデータトラックパターンによって挟まれた領域（１つのデータトラックパターンにおける回転方向に対して下流側の端部から、他の１つのデータトラックパターンにおける回転方向に対して上流側の端部までの間の領域）に形成されているパターンをサーボパターンとする。また、データトラックパターンにおける回転方向側の端部は、そのデータトラックパターンを構成する複数のデータ記録トラックにおける回転方向側の各端部を連結した仮想線分と一致しているものとする。
【００４３】
さらに、磁気記録媒体１５のサーボパターンは、一例として、プリアンブルパターン（オートゲインコントロールパターン）、サーボアドレスマークパターン（サーボマークパターン）、セクターアドレスパターン、トラックアドレスパターンおよびバーストパターンが回転方向における上流側からこの順で形成されると共に、バーストパターンとデータトラックパターンとの間にはパッド領域が規定されて、一例として、プリアンブルパターンと同様のパターンがパッド領域用パターン（ポストアンブルパターン、ギャップパター）として形成されている（図示せず）この場合、この磁気記録媒体１５には、一例として、１トラックにつき（磁気記録媒体１５の一回転当りに）２００箇所のサーボパターンが形成されている。なお、パッド領域（パッド領域用パターンを形成する領域）については、バーストパターンとデータトラックパターンとの間（サーボパターンの回転方向における下流側の端部）に限定されず、例えば、トラックアドレスパターンとバーストパターンとの間に規定することもできる。
【００４４】
一方、図３に示すように、露光パターンＰａは、基材１０の回転方向（矢印Ｒの向き）においてデータトラックパターンＰＴａおよびサーボパターンＰＳａが交互に並ぶように規定されている。また、露光パターンＰａのサーボパターンＰＳａは、磁気記録媒体１５のサーボパターンに合わせて、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、バーストパターンＰＳ５およびパッド領域用パターンＰＳ６が回転方向における上流側からこの順で規定されている。なお、図３では、データトラックパターンＰＴａおよびサーボパターンＰＳａにおける各露光領域Ａ１を左下がりの斜線で塗り潰すと共に、各非露光領域Ａ２を白色で図示している。この場合、以下に説明する描画方法においては、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、バーストパターンＰＳ５およびパッド領域用パターンＰＳ６が「露光パターンにおけるサーボパターンのうちの少なくとも一部のパターン」に相当すると共に、トラックアドレスパターンＰＳ４、バーストパターンＰＳ５およびデータトラックパターンＰＴａが「露光パターンのうちの少なくとも一部のパターン」に相当する。
【００４５】
次に、描画装置１によって基材１０に露光パターンＰａを描画する描画方法について、図面を参照して説明する。
【００４６】
まず、樹脂層１０ｂの形成面を上向きにして基材１０をターンテーブル３の上に載置する。次に、制御部８が描画処理を開始する。この描画処理では、制御部８は、まず、ターンテーブル３を制御して所定の描画位置（半径位置）において所望の描画速度（線速度）となるように基材１０を回転させる。次いで、制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３と共に基材１０をその半径方向に移動させることにより、基材１０に対する露光パターンＰａの描画開始位置がビーム発生部４の下方に位置するように位置決めする。この場合、この描画装置１では、一例として、磁気記録媒体１５のディスク外周部に対応する部位から露光パターンＰａの描画を開始する。したがって、制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御して、基材１０の外周部がビーム発生部４の下方に位置するように半径方向の位置決めを行う。次に、制御部８は、ターンテーブル３によって基準信号Ｓが出力されたか否かを監視すると共に、基準信号Ｓが出力されたときには、描画手順データＤＰに従い、データトラックパターンＰＴａおよびサーボパターンＰＳａにおける外周側の一部の描画を開始する。
【００４７】
具体的には、制御部８は、一例として、基準信号Ｓが出力された時刻から露光パターンＰａにおいて最初に描画すべき露光領域Ａ１の描画を開始する時刻が到来するまでの時間だけ待機した後に、ブランキング制御部５に電子ビームＥＢのＯＮ／ＯＦＦ制御を開始させる。同時に、制御部８は、ビーム偏向器７を制御して、描画すべき露光領域Ａ１に応じて電子ビームＥＢを偏向させる。これにより、露光領域Ａ１とすべき部位に電子ビームＥＢが照射されて露光パターンＰａにおける半径方向の一部が描画される。なお、実際には、露光パターンＰａとして描画すべきデータトラックパターンＰＴａおよびサーボパターンＰＳａにおける外周側の一部を基材１０の１回転に亘って交互に描画した後に、描画すべきデータトラックパターンＰＴａおよびサーボパターンＰＳａにおいて描画が完了している部位よりも内周側の一部を基材１０の１回転に亘って交互に描画する処理を繰り返して実行することで基材１０の外周側から内周側までの全域に亘って露光パターンＰａを描画するが、描画方法についての理解を容易とするために、以下、露光パターンＰａを構成する各パターン毎の具体的な描画方法を順に説明する。
【００４８】
[プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３およびパッド領域用パターンＰＳ６の描画方法］
例えば、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３およびパッド領域用パターンＰＳ６のように、基材１０の半径方向に沿って長く、かつ、半径方向に沿った辺のＬＥＲが良好である必要がある露光領域Ａ１を有するパターンについては、制御部８は、図４に示すように、描画手順データＤＰに従って、電子ビームＥＢを基材１０の回転方向と交差する方向に往復動させながら照射する（「第１の部分描画処理」の一例）。なお、同図および後に参照する図５〜７，１７，１８，２０では、電子ビームＥＢの走査によって電子ビームＥＢのビーム中心が通過する樹脂層１０ｂ上の軌跡を各実線Ｌ（太線）で図示すると共に、電子ビームＥＢの照射によって露光領域Ａ１とすべき領域を左下がりの斜破線で塗り潰して図示している。また、本明細書および図面では、描画方法についての理解を容易とするために、各露光領域Ａ１および各非露光領域Ａ２に付与すべきスキュー角についての説明および図示を省略する。
【００４９】
この場合、制御部８は、例えばプリアンブルパターンＰＳ１の描画に際して、基準信号Ｓが出力された時点から、プリアンブルパターンＰＳ１における最初の露光領域Ａ１の外周側の一部についての描画を開始すべき時点までの時間だけ待機した後に、開始すべき時点が到来したとき（この例では、図４における照射開始位置Ｐ１Ｓａがビーム発生部４の下方に位置した時点）において、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を開始させる。同時に、制御部８は、ビーム偏向器７を制御して、ターンテーブル３（基材１０）の回転速度に応じて、回転方向と交差する方向（基材１０の半径方向：同図における上下方向）に電子ビームＥＢを往復動させる。
【００５０】
この場合、露光パターンＰａにおけるトラックピッチＴＰを８０ｎｍとしたときに、この例では、ビーム偏向器７による偏向によって、半径方向に沿った長さＬａ（「第１の長さ」の一例）が４０ｎｍの範囲内で電子ビームＥＢを往復動させる。この結果、樹脂層１０ｂに対する電子ビームＥＢの照射位置が同図に実線Ｌ１ａで示すように蛇行させられる。なお、同図では、露光パターンＰａにおける最外周部よりも内周側のプリアンブルパターンＰＳ１を図示している。このため、図示した部位よりも外周側の描画に際して樹脂層１０ｂに電子ビームＥＢを照射した際のビーム中心の軌跡を実線ＬＸａで図示しているが、プリアンブルパターンＰＳ１における最外周部の一部の描画に際しては、この実線ＬＸａで示す電子ビームＥＢの照射は行われない。
【００５１】
また、実際には、１つの露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する際に、その露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さに応じて、数十往復から数百往復の範囲内で電子ビームＥＢを往復動させるが、本明細書において参照する各図では、描画方法についての理解を容易とするために、電子ビームＥＢの往復動の回数を実際の回数よりも少ない数で図示している。したがって、例えば図４では、電子ビームＥＢが照射開始位置Ｐ１Ｓａから斜め右上に向かって走査された後に斜め右下に向かって走査されているかのように（プリアンブルパターンＰＳ１における露光領域Ａ１の半径方向に沿った辺に対して斜めに走査されたかのように）実線Ｌ１ａを図示しているが、実際には、プリアンブルパターンＰＳ１における露光領域Ａ１の半径方向に沿った辺とほぼ平行に電子ビームＥＢが走査されて往復動させられる。この点に関しては、同図の他の実線Ｌや、後に参照する各図においても同様である。
【００５２】
一方、制御部８は、電子ビームＥＢの出力を開始させてからプリアンブルパターンＰＳ１における最初の露光領域Ａ１の外周側の一部についての描画を終了すべき時点が到来したとき（この例では、図４における照射停止位置Ｐ１Ｅａがビーム発生部４の下方に位置した時点）において、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を停止させる。これにより、プリアンブルパターンＰＳ１における最初の露光領域Ａ１における外周側の一部（半径方向の一部）を描画する部分描画処理（「第１の部分描画処理」の一例）が完了する。この後、制御部８は、プリアンブルパターンＰＳ１における２つ目以降の露光領域Ａ１についても同様にして描画する。また、制御部８は、露光パターンＰａにおける他のパターンについても、後述するようにして描画することにより、露光パターンＰａにおける外周側の一部（半径方向の一部）を基材１０の１回転に亘って描画する。
【００５３】
次いで、制御部８は、基材１０の２回転目において、プリアンブルパターンＰＳ１における各露光領域Ａ１の最外周部よりも内周側の部位を描画する。具体的には、制御部８は、照射開始位置Ｐ２Ｓａがビーム発生部４の下方に位置した時点において、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を開始させる。同時に、制御部８は、ビーム偏向器７を制御して、電子ビームＥＢの照射開始位置Ｐ２Ｓａを上記の照射開始位置Ｐ１Ｓａに対して長さＬｂ（一例として、２０ｎｍ）だけ半径方向に沿って内周側に移動させると共に、長さＬａの範囲内で電子ビームＥＢを往復動させるように偏向させる。この結果、樹脂層１０ｂに対する電子ビームＥＢの照射位置が同図に実線Ｌ２ａで示すように蛇行させられる。また、制御部８は、照射停止位置Ｐ２Ｅａがビーム発生部４の下方に位置した時点において、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を停止させる。これにより、プリアンブルパターンＰＳ１における最初の露光領域Ａ１における最外周よりも内周側の一部（半径方向の他の一部）を描画する部分描画処理（「第１の部分描画処理」の他の一例）が完了する。
【００５４】
この場合、この例では、上記の長さＬｂを長さＬａの１／２である２０ｎｍ（「第１の長さ」の一例である「長さＬａ＝４０ｎｍ」よりも短く規定した「移動量」の一例：１回転目に露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する際の電子ビームＥＢの第１の移動範囲における半径方向の中心と、２回転目に露光領域Ａ１における半径方向の他の一部を描画する際の電子ビームＥＢの第１の移動範囲における半径方向の中心との半径方向に沿った離間距離を「第１の長さ」よりも短く規定した例）に規定している。このため、照射開始位置Ｐ１Ｓａから照射停止位置Ｐ１Ｅａまで長さＬａの範囲内で実線Ｌ１ａで示すように往復動させた電子ビームＥＢにおけるビーム中心の移動範囲（第１の移動範囲）と、照射開始位置Ｐ２Ｓａから照射停止位置Ｐ２Ｅａまで長さＬａの範囲内で実線Ｌ２ａで示すように往復動させた電子ビームＥＢにおけるビーム中心の移動範囲（第１の移動範囲）とが、半径方向において２０ｎｍずつ重なり合うこととなる。したがって、実線Ｌ１ａで示すビーム中心の移動範囲における内周側の端部や、実線Ｌ２ａで示すビーム中心の移動範囲における外周側の端部に対する電子ビームＥＢの照射量と、実線Ｌ１ａで示すビーム中心の移動範囲における上記の内周側の端部以外の部位や、実線Ｌ２ａで示すビーム中心の移動範囲における上記の外周側の端部以外の部位に対する電子ビームＥＢの照射量とが大きく相違する状態となる事態が回避される。
【００５５】
この後、制御部８は、プリアンブルパターンＰＳ１における２つ目以降の露光領域Ａ１についても同様にして描画すると共に、露光パターンＰａにおける他のパターンについても、後述するようにして描画することにより、露光パターンＰａにおける最外周部よりも内周側の一部（半径方向の他の一部）を基材１０の１回転に亘って描画する。また、制御部８は、基材１０の３回転目以降においても、上記の２回転目の描画処理と同様にしてプリアンブルパターンＰＳ１の各露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する処理を繰り返して実行する。この際に、制御部８は、各露光領域Ａ１におけるビーム偏向器７による偏向可能範囲よりも内周側の部位を描画するときに、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御して、その内側部位がビーム発生部４の下方に位置するようにターンテーブル３（基材１０）を移動させる。これにより、各サーボパターンＰＳａ内のプリアンブルパターンＰＳ１における各露光領域Ａ１の外周側から内周側までの全域に対する電子ビームＥＢの照射（各プリアンブルパターンＰＳ１の描画）が完了する。なお、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３およびパッド領域用パターンＰＳ６についても、上記のプリアンブルパターンＰＳ１についての一連の描画処理と同様の手順に従って描画される。
【００５６】
［トラックアドレスパターンＰＳ４の描画方法］
一方、例えばトラックアドレスパターンＰＳ４のように、基材１０の半径方向に沿った長さが長い露光領域Ａ１と、半径方向に沿った長さが比較的短い露光領域Ａ１とが混在し、かつ、半径方向に沿った辺のＬＥＲだけでなく、回転方向に沿った辺のＬＥＲも良好である必要がある露光領域Ａ１を有するパターン（最内周側の端部や最外周側の端部以外にも回転方向に沿った端部領域が存在するパターン）については、制御部８は、図５に示すように、描画手順データＤＰに従って、電子ビームＥＢを基材１０の回転方向と交差する方向に往復動させながら照射する処理（「第１の部分描画処理」の一例）と、電子ビームＥＢを往復動させることなく基材１０の回転方向に沿って直線的に照射する処理（「第７の部分描画処理」の一例）とを実行する。なお、同図および後に参照する図６，７，１７，１８，２０において、プリアンブルパターンＰＳ１等の描画方法について説明する際に参照した図４における長さＬａ，Ｌｂと等しい長さについては、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【００５７】
具体的には、制御部８は、トラックアドレスパターンＰＳ４を描画する際に、同図における照射開始位置Ｐ１Ｓｂがビーム発生部４の下方に位置した時点において、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を開始させる。同時に、制御部８は、ビーム偏向器７を制御して、基材１０の半径方向に長さＬａの範囲内で電子ビームＥＢを往復動させる。この結果、樹脂層１０ｂに対する電子ビームＥＢの照射位置が同図に実線Ｌ１ｂで示すように蛇行させられる。なお、同図では、露光パターンＰａにおける最外周部よりも内周側のトラックアドレスパターンＰＳ４を図示しているため、図示した部位よりも外周側の描画に際して樹脂層１０ｂに電子ビームＥＢを照射した際のビーム中心の軌跡を実線ＬＸｂで図示しているが、トラックアドレスパターンＰＳ４における最外周部の一部を描画する際には、この実線ＬＸｂで示す電子ビームＥＢの照射は行われない。
【００５８】
また、制御部８は、照射停止位置Ｐ１Ｅｂがビーム発生部４の下方に位置した時点において、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を停止させる。これにより、トラックアドレスパターンＰＳ４における最初の露光領域Ａ１における外周側の一部（半径方向の一部）を描画する部分描画処理（「第１の部分描画処理」の一例）が完了する。次いで、制御部８は、トラックアドレスパターンＰＳ４における２つ目以降の露光領域Ａ１についても描画手順データＤＰに従って描画する。また、制御部８は、露光パターンＰａにおける他のパターンについても描画手順データＤＰに従って描画することにより、露光パターンＰａにおける外周側の一部（半径方向の一部）を基材１０の１回転に亘って描画する。
【００５９】
次いで、制御部８は、基材１０の２回転目において、トラックアドレスパターンＰＳ４における各露光領域Ａ１の最外周部よりも内周側の部位を描画する。具体的には、制御部８は、照射開始位置Ｐ２Ｓｂがビーム発生部４の下方に位置した時点において、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を開始させる。同時に、制御部８は、ビーム偏向器７を制御して、電子ビームＥＢの照射開始位置Ｐ２Ｓｂを上記の照射開始位置Ｐ１Ｓｂに対して長さＬｂだけ半径方向に沿って内周側に移動させる（第１の移動範囲における半径方向の中心の半径方向における離間距離を第１の長さに相当する長さＬａよりも短い長さＬｂとする）と共に、長さＬａの範囲内で電子ビームＥＢを往復動させるように偏向させる。この結果、樹脂層１０ｂに対する電子ビームＥＢの照射位置が同図に実線Ｌ２ｂで示すように蛇行させられる。また、制御部８は、照射停止位置Ｐ２Ｅｂがビーム発生部４の下方に位置した時点において、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を停止させる。これにより、トラックアドレスパターンＰＳ４における最初の露光領域Ａ１における外周部の他の一部（半径方向の他の一部）を描画する部分描画処理（「第１の部分描画処理」の他の一例）が完了する。
【００６０】
この際には、照射開始位置Ｐ１Ｓｂから照射停止位置Ｐ１Ｅｂまで長さＬａの範囲内で実線Ｌ１ｂで示すように往復動させた電子ビームＥＢにおけるビーム中心の移動範囲（第１の移動範囲）と、照射開始位置Ｐ２Ｓｂから照射停止位置Ｐ２Ｅｂまで長さＬａの範囲内で実線Ｌ２ｂで示すように往復動させた電子ビームＥＢにおけるビーム中心の移動範囲（第１の移動範囲）とが、半径方向において２０ｎｍずつ重なり合うこととなる。したがって、実線Ｌ１ｂで示すビーム中心の移動範囲における内周側の端部や、実線Ｌ２ｂで示すビーム中心の移動範囲における外周側の端部に対する電子ビームＥＢの照射量と、実線Ｌ１ｂで示すビーム中心の移動範囲における上記の内周側の端部以外の部位や、実線Ｌ２ｂで示すビーム中心の移動範囲における上記の外周側の端部以外の部位に対する電子ビームＥＢの照射量とが大きく相違する状態となる事態が回避される。次いで、制御部８は、トラックアドレスパターンＰＳ４における２つ目以降の露光領域Ａ１についても描画手順データＤＰに従って描画すると共に、露光パターンＰａにおける他のパターンについても描画手順データＤＰに従って描画することにより、露光パターンＰａにおける外周側の他の一部（半径方向の他の一部）を基材１０の１回転に亘って描画する。
【００６１】
次いで、制御部８は、基材１０の３回転目において、トラックアドレスパターンＰＳ４における最初の露光領域Ａ１の回転方向に沿った端部領域を描画する。この際に、制御部８は、描画手順データＤＰに従い、照射開始位置Ｐ３Ｓｂがビーム発生部４の下方に位置した時点においてブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を開始させる。また、制御部８は、ビーム偏向器７を制御して、位置Ｐ１ｂがビーム発生部４の下方に位置するまで、電子ビームＥＢを往復動させることなく基材１０の回転方向に沿って直線的に照射させて、端部領域を描画する（「第７の部分描画処理」の一例）。さらに、制御部８は、ビーム偏向器７を制御して、位置Ｐ１ｂから位置Ｐ２ｂまで長さＬａの範囲内で電子ビームＥＢを半径方向に往復動させながら照射させて、半径方向の一部を描画する（「第１の部分描画処理」の一例）。
【００６２】
また、制御部８は、位置Ｐ２ｂがビーム発生部４の下方に位置した時点において、ビーム偏向器７を制御して、照射停止位置Ｐ３Ｅｂがビーム発生部４の下方に位置するまで、電子ビームＥＢを往復動させることなく基材１０の回転方向に沿って直線的に照射させて、端部領域を描画すると共に（「第７の部分描画処理」の一例）、照射停止位置Ｐ３Ｅｂにおいて電子ビームＥＢの照射を停止させる。これにより、照射開始位置Ｐ３Ｓｂから照射停止位置Ｐ３Ｅｂまで実線Ｌ３ｂで示すように電子ビームＥＢが樹脂層１０ｂに照射され、トラックアドレスパターンＰＳ４における最初の露光領域Ａ１の外周部のさらに他の一部（半径方向のさらに他の一部）を描画する部分描画処理が完了する。
【００６３】
なお、上記の３回転目における電子ビームＥＢの照射では、線速度一定の条件となるように基材１０を回転させつつ、照射開始位置Ｐ３Ｓｂから位置Ｐ１ｂまでの範囲、および位置Ｐ２ｂから照射停止位置Ｐ３Ｅｂまでの範囲において、電子ビームＥＢを往復動させることなく基材１０の回転方向に沿って直線的に照射すると共に、位置Ｐ１ｂから位置Ｐ２ｂまでの範囲において長さＬａの範囲内で電子ビームＥＢを半径方向に往復動させながら照射している。このため、回転方向に沿って直線的に電子ビームＥＢを照射した範囲の「ビーム軌跡の単位長さ当りの露光量」が、電子ビームＥＢを往復動させながら照射した範囲の「ビーム軌跡の単位長さ当りの露光量」よりも多くなっている（直線的に電子ビームＥＢを照射した範囲の「ビーム軌跡の単位長さ当りの露光量」よりも、電子ビームＥＢを往復動させながら照射した範囲の「ビーム軌跡の単位長さ当りの露光量」が少なくなっている）。したがって、同図における実線Ｌ３ｂでは、上記の「ビーム軌跡の単位長さ当りの露光量」が多い範囲に対する照射時の軌跡を、「ビーム軌跡の単位長さ当りの露光量」が少ない範囲に対する照射時の軌跡よりも太く図示している（後に参照する図６，７，１７，１８における各実線Ｌについても同様）。
【００６４】
この場合、制御部８は、トラックアドレスパターンＰＳ４における最初の露光領域Ａ１の回転方向に沿った端部領域において、電子ビームＥＢを往復動させることなく回転方向に沿って直線的に照射させる。したがって、電子ビームＥＢを往復動させながら照射することに起因して露光領域Ａ１における回転方向に沿った辺のＬＥＲが悪化するおそれが回避される。また、半径方向に沿って露光領域Ａ１が連続している部位においては、その部位よりも外周側の一部の描画時に電子ビームＥＢを往復動させた範囲が半径方向において重なり合うこととなる。具体的には、この例では、照射開始位置Ｐ２Ｓｂから照射停止位置Ｐ２Ｅｂまで長さＬａの範囲内で実線Ｌ２ｂで示すように往復動させた電子ビームＥＢにおけるビーム中心の移動範囲と、位置Ｐ１ｂから位置Ｐ２ｂまで長さＬａの範囲内で実線Ｌ３ｂで示すように往復動させた電子ビームＥＢにおけるビーム中心の移動範囲（第１の移動範囲）とが、半径方向において重なり合うこととなる。したがって、実線Ｌ２ｂで示すビーム中心の移動範囲における内周側の端部や、実線Ｌ３ｂで示すビーム中心の移動範囲における位置Ｐ１ｂから位置Ｐ２ｂまでの間の外周側の端部に対する電子ビームＥＢの照射量と、実線Ｌ２ｂで示すビーム中心の移動範囲における上記の内周側の端部以外の部位や、実線Ｌ３ｂで示すビーム中心の移動範囲における上記の外周側の端部以外の部位に対する電子ビームＥＢの照射量とが大きく相違する状態となる事態が回避される。
【００６５】
次いで、制御部８は、トラックアドレスパターンＰＳ４における２つ目以降の露光領域Ａ１についても同様にして描画すると共に、露光パターンＰａにおける他のパターンについても描画手順データＤＰに従って描画することにより、露光パターンＰａにおける外周側のさらに他の一部（半径方向のさらに他の一部）を基材１０の１回転に亘って描画する。また、制御部８は、基材１０の４回転目において、照射開始位置Ｐ４Ｓｂから照射停止位置Ｐ４Ｅｂまで実線Ｌ４ｂで示すように長さＬａの範囲内で往復動させながら電子ビームＥＢを照射する。これにより、トラックアドレスパターンＰＳ４における最初の露光領域Ａ１の外周側のさらに他の一部（半径方向のさらに他の一部）を描画する部分描画処理が完了する。さらに、制御部８は、トラックアドレスパターンＰＳ４における２つ目以降の露光領域Ａ１についても同様にして描画すると共に、露光パターンＰａにおける他のパターンについても描画手順データＤＰに従って描画することにより、露光パターンＰａにおける外周側のさらに他の一部を基材１０の１回転に亘って描画する。また、制御部８は、基材１０の５回転目以降についても、描画手順データＤＰに従い、露光パターンＰａにおける各露光領域Ａ１の半径方向のさらに他の一部を描画する処理を繰り返して実行する。
【００６６】
［バーストパターンＰＳ５の描画方法］
また、例えばバーストパターンＰＳ５のように、回転方向に沿った辺のＬＥＲが良好である必要がある露光領域Ａ１を有するパターン（最内周側の端部や最外周側の端部以外にも回転方向に沿った端部領域が存在するパターン）であって、半径方向に沿った辺のＬＥＲについても良好であるのが好ましい露光領域Ａ１を有するパターンについては、制御部８は、図６に示すように、描画手順データＤＰに従って、電子ビームＥＢを往復動させることなく基材１０の回転方向に沿って直線的に照射する処理（「第３の部分描画処理」および「第７の部分描画処理」の一例）を実行すると共に、対象とする露光領域Ａ１の半径方向に沿った長さが長いときには、電子ビームＥＢを基材１０の回転方向と交差する方向に往復動させながら照射する処理（「第１の部分描画処理」の一例）を実行する。
【００６７】
具体的には、制御部８は、バーストパターンＰＳ５における最初の露光領域Ａ１の回転方向に沿った外周側の端部領域を描画する際に、同図における照射開始位置Ｐ１Ｓｃから照射停止位置Ｐ１Ｅｃまで電子ビームＥＢを往復動させることなく同図に実線Ｌ１ｃで示すように回転方向に沿って直線的に照射させる。これにより、最初の露光領域Ａ１における外周側の端部領域（半径方向の一部）を描画する部分描画処理（「第３の部分描画処理」および「第７の部分描画処理」の一例）が完了する。また、制御部８は、バーストパターンＰＳ５における２つ目以降の露光領域Ａ１についても描画手順データＤＰに従って描画する。この場合、制御部８は、バーストパターンＰＳ５における各露光領域Ａ１の回転方向に沿った外周側の端部領域において、電子ビームＥＢを往復動させることなく回転方向に沿って直線的に照射させる。したがって、電子ビームＥＢを往復動させながら照射することに起因して露光領域Ａ１における回転方向に沿った外周側の辺のＬＥＲが悪化するおそれが回避される。また、制御部８は、露光パターンＰａにおける他のパターンについても描画手順データＤＰに従って描画することにより、露光パターンＰａにおける外周側の一部（半径方向の一部）を基材１０の１回転に亘って描画する。
【００６８】
次いで、制御部８は、基材１０の２回転目において、照射開始位置Ｐ２Ｓｃがビーム発生部４の下方に位置した時点において、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を開始させる。同時に、制御部８は、ビーム偏向器７を制御して、基材１０の半径方向に長さＬａの範囲内で電子ビームＥＢを往復動させ、照射停止位置Ｐ２Ｅｃがビーム発生部４の下方に位置した時点において、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を停止させる。この結果、樹脂層１０ｂに対する電子ビームＥＢの照射位置が同図に実線Ｌ２ｃで示すように蛇行させられる。これにより、バーストパターンＰＳ５における最初の露光領域Ａ１の外周側の端部領域よりも内周側の一部（半径方向の他の一部）を描画する部分描画処理（「第１の部分描画処理」の一例）が完了する。
【００６９】
また、制御部８は、バーストパターンＰＳ５における２つ目以降の露光領域Ａ１や、バーストパターンＰＳ５以外の露光パターンＰａについても描画手順データＤＰに従って基材１０の１回転に亘って描画した後に、基材１０の３回転目において、照射開始位置Ｐ３Ｓｃから照射停止位置Ｐ３Ｅｃまで長さＬａの範囲内で往復動させながら実線Ｌ３ｃで示すように電子ビームＥＢを照射させる。これにより、バーストパターンＰＳ５における最初の露光領域Ａ１のさらに内周側の一部（半径方向のさらに他の一部）を描画する部分描画処理（「第１の部分描画処理」の一例）が完了する。さらに、制御部８は、バーストパターンＰＳ５における２つ目以降の露光領域Ａ１や、バーストパターンＰＳ５以外の露光パターンＰａについても描画手順データＤＰに従って基材１０の１回転に亘って描画する。
【００７０】
次いで、制御部８は、基材１０の４回転目において、バーストパターンＰＳ５における最初の露光領域Ａ１の回転方向に沿った内周側の端部領域を描画する際に、同図における照射開始位置Ｐ４Ｓｃから照射停止位置Ｐ４Ｅｃまで電子ビームＥＢを往復動させることなく同図に実線Ｌ４ｃで示すように回転方向に沿って直線的に照射させる。これにより、最初の露光領域Ａ１における内周側の端部領域（半径方向のさらに他の一部）を描画する部分描画処理（「第３の部分描画処理」および「第７の部分描画処理」の一例）が完了する。また、制御部８は、バーストパターンＰＳ５における２つ目以降の露光領域Ａ１についても描画手順データＤＰに従って描画する。また、制御部８は、露光パターンＰａにおける他のパターンについても描画手順データＤＰに従って描画することにより、露光パターンＰａにおける半径方向の他の一部を基材１０の１回転に亘って描画する。
【００７１】
この場合、制御部８は、バーストパターンＰＳ５における各露光領域Ａ１の回転方向に沿った内周側の端部領域において、電子ビームＥＢを往復動させることなく回転方向に沿って直線的に照射させる。したがって、電子ビームＥＢを往復動させながら照射することに起因して露光領域Ａ１における回転方向に沿った内周側の辺のＬＥＲが悪化するおそれが回避される。また、半径方向に沿って露光領域Ａ１が連続している部位においては、その部位よりも外周側の一部の描画時に電子ビームＥＢを往復動させた範囲が半径方向において重なり合うため、半径方向において重なり合っている各第１の移動範囲の半径方向における端部に対する描画用ビームの照射量（露光量）と、各第１の移動範囲の半径方向における端部以外の部位に対する描画用ビームの照射量（露光量）とが大きく相違する状態となる事態を回避することが可能となっている。このため、露光領域Ａ１における半径方向に沿った辺のＬＥＲが悪化するおそれが回避される。
【００７２】
［データトラックパターンＰＴａの描画方法］
一方、データトラックパターンＰＴａのように、回転方向に沿った辺のＬＥＲが良好である必要がある露光領域Ａ１を有するパターン（最内周側の端部や最外周側の端部以外にも回転方向に沿った端部領域が存在するパターン）については、制御部８は、図７に示すように、描画手順データＤＰに従って、回転方向に沿った端部領域の描画に際して電子ビームＥＢを往復動させることなく基材１０の回転方向に沿って直線的に照射する処理（「第５の部分描画処理」および「第７の部分描画処理」の一例）を実行する。なお、データトラックパターンＰＴａについては、その露光領域Ａ１が、回転方向において隣接するサーボパターンＰＳａの露光領域Ａ１と回転方向において連続している。このため、データトラックパターンＰＴａの露光領域Ａ１については、回転方向における上流側に隣接するサーボパターンＰＳａの最後の露光領域Ａ１の半径方向の一部を描画する部分描画処理を開始してから、回転方向における下流側に隣接するサーボパターンＰＳａの最初の露光領域Ａ１の半径方向の一部を描画する部分描画処理を完了するまでの一連の描画処理において描画される。
【００７３】
具体的には、制御部８は、回転方向における上流側に隣接するサーボパターンＰＳａの最後の露光領域Ａ１（この例では、パッド領域用パターンＰＳ６における最後の露光領域Ａ１）の半径方向の一部を描画する処理に際して、照射開始位置Ｐ１Ｓｄがビーム発生部４の下方に位置した時点において、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を開始させる。同時に，制御部８は、ビーム偏向器７を制御して、長さＬａの範囲内で電子ビームＥＢを半径方向に往復動させる。これにより、同図に実線Ｌ１ｄで示すように電子ビームＥＢが蛇行させられ、回転方向における上流側に隣接するサーボパターンＰＳａの最後の露光領域Ａ１の半径方向の一部を描画する部分描画処理が完了する。なお、同図における実線ＬＸｄは、隣接するサーボパターンＰＳａの露光領域Ａ１の描画に際して照射される電子ビームＥＢにおけるビーム中心の軌跡を示している。
【００７４】
また、制御部８は、位置Ｐ１ｄがビーム発生部４の下方に位置した時点において、ビーム偏向器７を制御して、電子ビームＥＢの往復動を停止させ、位置Ｐ２ｄがビーム発生部４の下方に位置するまで、同図に実線Ｌ１ｄで示すように、回転方向に沿って直線的に電子ビームＥＢを照射させる。これにより、最初のデータトラックパターンＰＴａにおける露光領域Ａ１の回転方向に沿った外周側の端部領域（半径方向の一部）を描画する部分描画処理（「第５の部分描画処理」および「第７の部分描画処理」の一例）が完了する。この場合、電子ビームＥＢを往復動させることなく、位置Ｐ１ｄから位置Ｐ２ｄまで回転方向に沿って直線的に照射させるため、電子ビームＥＢを往復動させながら照射することに起因してデータトラックパターンＰＴａの露光領域Ａ１における回転方向に沿った外周側の辺のＬＥＲが悪化するおそれが回避される。
【００７５】
次いで、制御部８は、位置Ｐ２ｄがビーム発生部４の下方に位置した時点において、ビーム偏向器７を制御して長さＬａの範囲内で電子ビームＥＢを半径方向に往復動させ、照射停止位置Ｐ１Ｅｄがビーム発生部４の下方に位置した時点において、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を停止させる。これにより、回転方向における下流側に隣接するサーボパターンＰＳａの最初の露光領域Ａ１（この例では、プリアンブルパターンＰＳ１における最初の露光領域Ａ１）の半径方向の一部を描画する部分描画処理が完了する。続いて、制御部８は、描画手順データＤＰに従って、露光パターンＰａの他のパターンを基材１０の１回転に亘って描画する。
【００７６】
続いて、制御部８は、照射開始位置Ｐ２Ｓｄから照射停止位置Ｐ２Ｅｄまで長さＬａの範囲内で半径方向に沿って実線Ｌ２ｄで示すように電子ビームＥＢを往復動させながら照射させる。これにより、回転方向における上流側に隣接するサーボパターンＰＳａの最後の露光領域Ａ１の半径方向の他の一部を描画する部分描画処理、最初のデータトラックパターンＰＴａにおける露光領域Ａ１の半径方向における中央部の一部（半径方向の他の一部）を描画する部分描画処理、および回転方向における下流側に隣接するサーボパターンＰＳａの最初の露光領域Ａ１の半径方向の他の一部を描画する部分描画処理が完了する。続いて、制御部８は、描画手順データＤＰに従って、露光パターンＰａの他のパターンを基材１０の１回転に亘って描画する。
【００７７】
次いで、制御部８は、基材１０の次の回転目において、照射開始位置Ｐ３Ｓｄから位置Ｐ３ｄまで長さＬａの範囲内で電子ビームＥＢを半径方向に往復動させながら照射させた後に、位置Ｐ３ｄから位置Ｐ４ｄまで、往復動させることなく回転方向に沿って直線的に電子ビームＥＢを照射させ（「第５の部分描画処理」および「第７の部分描画処理」）、位置Ｐ４ｄから照射停止位置Ｐ３Ｅｄまで長さＬａの範囲内で電子ビームＥＢを半径方向に往復動させながら照射する。これにより、同図に実線Ｌ３ｄで示すように電子ビームＥＢが照射されて、回転方向における上流側に隣接するサーボパターンＰＳａの最後の露光領域Ａ１のさらに内周側の一部を描画する部分描画処理、最初のデータトラックパターンＰＴａにおける露光領域Ａ１の内周側の端部領域（半径方向の他の一部）を描画する部分描画処理、および回転方向における下流側に隣接するサーボパターンＰＳａの最初の露光領域Ａ１のさらに内周側の一部を描画する部分描画処理が完了する。
【００７８】
この場合、電子ビームＥＢを往復動させることなく、位置Ｐ３ｄから位置Ｐ４ｄまで回転方向に沿って直線的に照射させるため、電子ビームＥＢを往復動させながら照射することに起因してデータトラックパターンＰＴａの露光領域Ａ１における回転方向に沿った内周側の辺のＬＥＲが悪化するおそれが回避される。この後、制御部８は、描画手順データＤＰに従って、露光パターンＰａの他のパターンを基材１０の１回転に亘って描画する。さらに、制御部８は、基材１０の次の回転目以降についても、描画手順データＤＰに従い、露光パターンＰａにおける各露光領域Ａ１の半径方向のさらに他の一部を描画する処理を繰り返して実行する。以上説明したように、この描画装置１では、データトラックパターンＰＴａおよびサーボパターンＰＳａの各露光領域Ａ１の形状に応じて電子ビームＥＢを走査することにより、基材１０の樹脂層１０ｂにおける外周側から内周側までの全域に露光パターンＰａを描画する。
【００７９】
前述した特許文献１において出願人が１つ目の実施形態として開示している従来の描画方法と同様の手順に従い、１つのパターンを半径方向において複数の領域に分割すると共に、分割した各領域毎に電子ビームを往復動させることなく回転方向に沿って照射することで、１つのパターンを複数回転に分けて描画したときには、図８に示すように、半径方向に沿って長いパターンの半径方向に沿った辺のＬＥＲが悪化する。なお、同図は、１つのパターンを描画する際の電子ビームの半径方向における照射ピッチを２０ｎｍに規定して、微細パターンとしてのプリアンブルパターンを描画した後に現像処理した凹凸パターンを電子顕微鏡によって撮像した図面代用写真である。この場合、本願発明の発明者が電子顕微鏡を用いて計測したところ、この描画方法に従ってプリアンブルパターンを描画して形成した凹凸パターンの半径方向に沿った辺のＬＥＲは、９．５３ｎｍであった。
【００８０】
また、前述した特許文献２に開示されている従来の描画方法と同様の手順に従い、複数トラックに跨る半径方向に沿って長いエレメントについて、そのエレメントを半径方向において複数の領域に分割すると共に、分割した各領域毎に電子ビームを半径方向に往復動させながら照射することで、１つのエレメントを複数回転に分けて描画したときには、半径方向において隣接する各領域の境界部分に対する電子ビームの照射量と、各領域の半径方向における中央部に対する電子ビームの照射量とが相違する状態を招き易くなっており、図９に示すように、半径方向に沿って長いエレメントの半径方向に沿った辺のＬＥＲが悪化する。なお、同図は、上記の長さＬａに対応する長さ、および長さＬｂに対応する長さの双方が２０ｎｍとなるように電子ビームを照射して微細パターンとしてのプリアンブルパターンを描画した後に現像処理した凹凸パターンを電子顕微鏡によって撮像した図面代用写真である。この場合、本願発明の発明者が電子顕微鏡を用いて計測したところ、この描画方法に従ってプリアンブルパターンを描画して形成した凹凸パターンの半径方向に沿った辺のＬＥＲは、８．９５ｎｍであった。
【００８１】
これに対して、上記の描画装置１による露光パターンＰａの描画方法では、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、バーストパターンＰＳ５およびパッド領域用パターンＰＳ６のように、基材１０の半径方向に沿った辺のＬＥＲが良好である必要がある露光領域Ａ１を有するパターンについては、制御部８が、描画手順データＤＰに従い、基材１０の半径方向に沿って長さＬａの範囲内で往復動させながら電子ビームＥＢを照射すると共に、電子ビームＥＢを往復動させたときのビーム中心の移動範囲（第１の移動範囲）を長さＬａよりも短い長さＬｂ（この例では、長さＬａ＝４０ｎｍに対する１／２の長さＬｂ＝２０ｎｍ）だけ半径方向に沿って移動させている（第１の移動範囲における半径方向の中心の半径方向における離間距離を第１の長さよりも短い長さとしている）。このため、半径方向に沿った辺のＬＥＲが良好である必要がある露光領域Ａ１の描画に際して、ビーム中心の移動範囲（第１の移動範囲）が長さＬｂずつ重なり合うこととなる。
【００８２】
このため、描画装置１によって描画した露光パターンＰａにおいては、前述したように、ビーム中心の移動範囲における半径方向の端部と、ビーム中心の移動範囲における半径方向の端部以外の部位とで電子ビームＥＢの照射量が大きく相違する事態が回避され、これにより、図１０に示すように、半径方向に沿って長いエレメントにおける半径方向に沿った辺のＬＥＲが良好となっている。なお、同図は、描画装置１によってプリアンブルパターンＰＳ１を描画した後に現像処理した凹凸パターン２１を電子顕微鏡によって撮像した図面代用写真である。この場合、本願発明の発明者が電子顕微鏡を用いて計測したところ、描画装置１によってプリアンブルパターンＰＳ１を描画して形成した凹凸パターン２１における半径方向に沿った辺のＬＥＲは、４．６４ｎｍであった。
【００８３】
このように、この描画装置１、および描画装置１による描画方法によれば、露光パターンＰａにおけるサーボパターンＰＳａのうちの少なくとも一部のパターン（この例では、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、バーストパターンＰＳ５およびパッド領域用パターンＰＳ６）の描画に際して、基材１０の回転方向と交差する方向に電子ビームＥＢを往復動させて、上記の少なくとも一部のパターンにおける基材１０の半径方向の一部を描画する第１の部分描画処理を、第１の部分描画処理において電子ビームＥＢのビーム中心を移動させる第１の移動範囲の半径方向に沿った長さＬａよりも短く規定した移動量（この例では、長さＬｂ）だけ半径方向に沿って第１の移動範囲を移動させて複数回に亘って実行することにより、各第１の部分描画処理毎のビーム中心の第１の移動範囲が基材１０の半径方向において重なり合うこととなるため、半径方向において重なり合っている各第１の移動範囲の半径方向における境界部分に対する電子ビームＥＢの照射量（露光量）と、各第１の移動範囲の半径方向における境界部分以外の部位に対する電子ビームＥＢの照射量（露光量）とが大きく相違する状態となる事態を回避することができる。これにより、この描画装置１、および描画装置１による描画方法によれば、上記の少なくとも一部のパターンにおける半径方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができるため、凹凸パターン２１において上記の少なくとも一部のパターンに対応する部位の凸部および凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができる。したがって、後述するように、この凹凸パターン２１を使用して製造されるスタンパー１２の凹凸パターン２２において上記の少なくとも一部のパターンに対応する部位の凸部および凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができるため、このスタンパー１２を使用して製造される磁気記録媒体１５の凹凸パターン２４において上記の少なくとも一部のパターンに対応する部位の凸部および凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【００８４】
また、この描画装置１、および描画装置１による描画方法によれば、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、バーストパターンＰＳ５およびパッド領域用パターンＰＳ６を含む露光パターンＰａを描画する際に、これらのパターンＰＳ１〜ＰＳ６のすべてを上記の少なくとも一部のパターンとして第１の部分描画処理を複数回実行して描画することにより、半径方向に沿った辺のＬＥＲが良好であることが好ましいこれらのパターンについて、半径方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができるため、この露光パターンＰａに対応して形成される凹凸パターン２４を有する磁気記録媒体１５において、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【００８５】
さらに、この描画装置１、および描画装置１による描画方法によれば、バーストパターンＰＳ５を含む露光パターンＰａの描画に際してバーストパターンＰＳ５における回転方向に沿った端部を含む端部領域を描画する際に、電子ビームＥＢを往復動させることなく端部領域を描画する第３の部分描画処理を実行して描画することにより、回転方向に沿った辺のＬＥＲが良好であることが好ましいバーストパターンＰＳ５について、回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができるため、この露光パターンＰａに対応して形成される凹凸パターン２４を有する磁気記録媒体１５において、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【００８６】
また、この描画装置１、および描画装置１による描画方法によれば、データトラックパターンＰＴａを含む露光パターンＰａの描画に際してデータトラックパターンＰＴａにおける回転方向に沿った端部を含む端部領域を描画する際に、電子ビームＥＢを往復動させることなく端部領域を描画する第５の部分描画処理を実行して描画することにより、回転方向に沿った辺のＬＥＲが良好であることが好ましいデータトラックパターンＰＴａについて、回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができるため、この露光パターンＰａに対応して形成される凹凸パターン２４を有する磁気記録媒体１５において、記録データの正確な書き込みや読み出しを実現することができる。
【００８７】
さらに、この描画装置１、および描画装置１による描画方法によれば、露光パターンＰａのうちの少なくとも一部のパターン（この例では、トラックアドレスパターンＰＳ４、バーストパターンＰＳ５およびデータトラックパターンＰＴａ）の描画に際して、少なくとも一部のパターンにおける回転方向に沿った端部を含む端部領域を描画する際に、電子ビームＥＢを往復動させることなく端部領域を描画する第７の部分描画処理を実行して描画することにより、回転方向に沿った辺のＬＥＲが良好であることが好ましい上記の少なくとも一部のパターンについて、回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができるため、この露光パターンＰａに対応して形成される凹凸パターン２４を有する磁気記録媒体１５において、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【００８８】
次いで、描画装置１による露光パターンＰａの描画が完了した基材１０を用いてスタンパー１２を製造するための原盤１１を製造する方法、および、製造した原盤１１を用いてスタンパー１２を製造する方法について、図面を参照して説明する。
【００８９】
まず、露光パターンＰａの描画が完了した基材１０を現像処理することにより、図１１に示すように、樹脂層１０ｂにおける各露光領域Ａ１を除去して凹凸パターン２１を形成する。これにより、スタンパー１２を製造するための原盤１１が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」の一例の完了）。この場合、完成した原盤１１には、描画装置１によって基材１０（樹脂層１０ｂ）に描画した露光パターンＰａと平面形状が同様の凹凸パターン２１が形成されている。したがって、凹凸パターン２１において露光パターンＰａにおけるサーボパターンＰＳａのプリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、バーストパターンＰＳ５およびパッド領域用パターンＰＳ６に対応する各パターンでは、半径方向に沿った辺のＬＥＲが良好となっている。また、凹凸パターン２１において露光パターンＰａにおけるデータトラックパターンＰＴａや、サーボパターンＰＳａのトラックアドレスパターンＰＳ４およびバーストパターンＰＳ５に対応する各パターンでは、回転方向に沿った辺のＬＥＲが良好となっている。
【００９０】
次に、図１２に示すように、原盤１１における凹凸パターン２１を覆うようにしてスパッタ法等によって成膜層１２ａを形成し、この成膜層１２ａを電極として用いてめっき処理することにより、電解ニッケル層１２ｂを形成する。これにより、原盤１１の凹凸パターン２１が転写された凹凸パターン２２を有するスタンパー１２が原盤１１の上に形成される。次いで、Ｓｉウエハ１０ａからスタンパー１２を剥離すると共に、必要に応じて溶剤等を用いてスタンパー１２を洗浄すると共に、その裏面（凹凸パターン２２の形成面とは反対側の面）を研磨処理する。これにより、図１３に示すように、スタンパー１２が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」の他の一例の完了）。
【００９１】
この場合、完成したスタンパー１２には、描画装置１によって基材１０（樹脂層１０ｂ）に描画した露光パターンＰａを用いて形成した凹凸パターン２１と平面形状が同様の凹凸パターン２２が形成されている。したがって、凹凸パターン２２において原盤１１における凹凸パターン２１の各パターン（この例では、露光パターンＰａにおけるサーボパターンＰＳａのプリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、バーストパターンＰＳ５およびパッド領域用パターンＰＳ６に対応して形成されたパターン）に対応する各パターンでは、半径方向に沿った辺のＬＥＲが良好となっている。また、凹凸パターン２２において原盤１１における凹凸パターン２１の各パターン（この例では、露光パターンＰａにおけるデータトラックパターンＰＴａや、サーボパターンＰＳａのトラックアドレスパターンＰＳ４およびバーストパターンＰＳ５に対応して形成されたパターン）に対応する各パターンでは、回転方向に沿った辺のＬＥＲが良好となっている。
【００９２】
このように、この原盤１１の製造方法によれば、上記の描画方法に従って樹脂層１０ｂに露光パターンＰａを描画した後に樹脂層１０ｂに対して所定の処理（この例では、現像処理）を実行して凹凸パターン２１を有する原盤１１を製造することにより、露光パターンＰａに対応して形成される凹凸パターン２１における前述した「露光パターンにおけるサーボパターンのうちの少なくとも一部のパターン」の半径方向に沿った辺のＬＥＲや、「露光パターンのうちの少なくとも一部のパターン」の回転方向に沿った辺のＬＥＲが十分に良好な状態であるため、この凹凸パターン２１を使用して製造されるスタンパー１２の凹凸パターン２２において上記の「少なくとも一部のパターン」に対応する部位の凸部および凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲや回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができる。したがって、この原盤１１の製造方法によれば、この原盤１１を使用して製造したスタンパー１２の凹凸パターン２２において上記の「少なくとも一部のパターン」に対応する部位の凸部および凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲや回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができるため、このスタンパー１２を使用して製造される磁気記録媒体１５の凹凸パターン２４において上記の「少なくとも一部のパターン」に対応する部位の凸部および凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲや回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができると共に、記録データの正確を正確に読み出し可能な磁気記録媒体１５を製造可能なスタンパー１２を製造し得る原盤１１を提供することができる。
【００９３】
また、このスタンパー１２の製造方法によれば、上記の描画方法に従って樹脂層１０ｂに露光パターンＰａを描画した後に樹脂層１０ｂに対して所定の処理（この例では、現像処理、および現像処理によって形成した凹凸パターン２１をスタンパー形成用材料に転写する処理）を実行して凹凸パターン２２を有するスタンパー１２を製造することにより、露光パターンＰａに対応して形成される凹凸パターン２１における前述した「露光パターンにおけるサーボパターンのうちの少なくとも一部のパターン」の半径方向に沿った辺のＬＥＲや、「露光パターンのうちの少なくとも一部のパターン」の回転方向に沿った辺のＬＥＲが十分に良好な状態であるため、この凹凸パターン２１を使用して製造されるスタンパー１２の凹凸パターン２２において上記の「少なくとも一部のパターン」に対応する部位の凸部および凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲや回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができる。したがって、このスタンパー１２の製造方法によれば、このスタンパー１２を使用して製造される磁気記録媒体１５の凹凸パターン２４において上記の「少なくとも一部のパターン」に対応する部位の凸部および凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲや回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができるため、正確なトラッキングサーボを実現することができると共に、記録データの正確を正確に読み出し可能な磁気記録媒体１５を製造可能なスタンパー１２を提供することができる。
【００９４】
続いて、スタンパー１２を使用して磁気記録媒体１５を製造する方法（情報記録媒体の製造方法）について、図面を参照して説明する。
【００９５】
まず、インプリント法によってスタンパー１２の凹凸パターン２２を中間体１５ｍに転写する。具体的には、図１３に示すように、スタンパー１２における凹凸パターン２２の形成面を中間体１５ｍの樹脂層１５ｃに押し付けた後に、中間体１５ｍからスタンパー１２を剥離する。これにより、図１４に示すように、スタンパー１２の凹凸パターン２２が樹脂層１５ｃに転写されて中間体１５ｍ上に凹凸パターン２３が形成される。この場合、中間体１５ｍは、磁気記録媒体１５を製造するための中間体であって、円板状の基材１５ａの表面に磁性層１５ｂが形成されて構成されている。なお、中間体１５ｍは、実際には、下地層、軟磁性層、配向層および記録層（磁性層１５ｂ）等が基材１５ａの上に積層されて構成されているが、製造方法についての理解を容易とするために、中間体１５ｍの詳細な層構造についての説明および図示を省略する。
【００９６】
次に、凹凸パターン２３をマスクとして用いて中間体１５ｍをエッチングする。この際には、凹凸パターン２３の凹部の底面から磁性層１５ｂが露出し、さらにエッチング処理を実行することにより、図１５に示すように、磁性層１５ｂに凹凸パターン２４が形成される。この後、必要に応じて、凹凸パターン２４の凹部に非磁性材料を充填した後に例えば研磨処理によって磁性層１５ｂ（凹凸パターン２４の凸部の先端）を非磁性材料から露出させ、磁性層１５ｂの表面に保護膜を形成する。これにより、磁気記録媒体１５が完成する。
【００９７】
この場合、凹凸パターン２４は、露光パターンＰａに対応して凹凸パターン２２が形成されたスタンパー１２を使用したインプリント処理によって形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いてエッチング処理することによって形成されている。したがって、凹凸パターン２４において露光パターンＰａにおけるサーボパターンＰＳａのプリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、バーストパターンＰＳ５およびパッド領域用パターンＰＳ６に対応する各パターンでは、半径方向に沿った辺のＬＥＲが良好となっている。また、凹凸パターン２４において露光パターンＰａにおけるデータトラックパターンＰＴａや、サーボパターンＰＳａのトラックアドレスパターンＰＳ４およびバーストパターンＰＳ５に対応する各パターンでは、回転方向に沿った辺のＬＥＲが良好となっている。
【００９８】
このように、この磁気記録媒体１５の製造方法によれば、上記の製造方法によって製造したスタンパー１２に転写されている凹凸パターン２２を転写して基材１０を製造することにより、露光パターンＰａに対応して形成される凹凸パターン２２における前述した「露光パターンにおけるサーボパターンのうちの少なくとも一部のパターン」の半径方向に沿った辺のＬＥＲや、「露光パターンのうちの少なくとも一部のパターン」の回転方向に沿った辺のＬＥＲが十分に良好な状態であるため、この凹凸パターン２２を有するスタンパー１２を使用して製造される磁気記録媒体１５の凹凸パターン２４において上記の「少なくとも一部のパターン」に対応する部位の凸部および凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲや回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好な状態とすることができる。したがって、この磁気記録媒体１５の製造方法によれば、正確なトラッキングサーボを実現することができると共に、記録データの正確を正確に読み出し可能な磁気記録媒体１５を提供することができる。
【００９９】
なお、露光パターンの描画方法は、上記の例示に限定されない。例えば、前述した露光パターンＰａでは、バーストパターンＰＳ５における単位バースト領域（平面視矩形状の領域）に対応する領域を露光領域Ａ１とし、その周囲の領域を非露光領域Ａ２としたが、磁気記録媒体１５に形成すべきサーボパターン（バーストパターン）に応じて、図１６に示す露光パターンＰｂにおけるバーストパターンＰＳ７のように、単位バースト領域に対応する領域を非露光領域Ａ２とし、その周囲の領域を露光領域Ａ１とすることもできる。この場合、このバーストパターンＰＳ７は、「露光パターンにおけるサーボパターンのうちの少なくとも一部のパターン」および「露光パターンのうちの少なくとも一部のパターン」の双方に相当する。なお、この露光パターンＰｂにおけるバーストパターンＰＳ７以外のサーボパターンＰＳｂ（図４，５参照）は、前述した露光パターンＰａにおけるバーストパターンＰＳ５以外のサーボパターンＰＳａと同様であるため、その説明を省略する。
【０１００】
［バーストパターンＰＳ７の描画方法］
バーストパターンＰＳ７の描画に際しては、図１７に示すように電子ビームＥＢを走査して基材１０（樹脂層１０ｂ）に照射する。具体的には、制御部８は、図示しない照射開始位置から照射停止位置Ｐ１Ｅｅまで長さＬａの範囲内で半径方向に沿って電子ビームＥＢを実線Ｌ１ｅで示すように往復動させながら照射させる。これにより、バーストパターンＰＳ７の露光領域Ａ１における外周側の一部（半径方向の一部）を描画する部分描画処理（「第１の部分描画処理」の一例）が完了する。なお、同図では、露光パターンＰｂにおける最外周部よりも内周側のバーストパターンＰＳ７を図示しているため、図示した部位よりも外周側の描画に際して樹脂層１０ｂに電子ビームＥＢを照射した際のビーム中心の軌跡を実線ＬＸｅで図示しているが、バーストパターンＰＳ７における最外周部の一部の描画に際しては、この実線ＬＸｅで示す電子ビームＥＢの照射は行われない。また、制御部８は、照射開始位置Ｐ２Ｓｅから図示しない照射停止位置まで長さＬａの範囲内で半径方向に沿って電子ビームＥＢを実線Ｌ２ｅで示すように往復動させながら照射させる。これにより、バーストパターンＰＳ７の露光領域Ａ１における外周側の他の一部（半径方向の他の一部）を描画する部分描画処理（「第１の部分描画処理」の他の一例）が完了する。
【０１０１】
次いで、制御部８は、図示しない照射開始位置から照射停止位置Ｐ３Ｅｅまで長さＬａの範囲内で半径方向に沿って電子ビームＥＢを実線Ｌ３ｅで示すように往復動させながら照射させる。これにより、バーストパターンＰＳ７の露光領域Ａ１における外周側のさらに他の一部（半径方向のさらに他の一部）を描画する部分描画処理（「第１の部分描画処理」のさらに他の一例）が完了する。続いて、制御部８は、照射開始位置Ｐ４Ｓｅから位置Ｐ１ｅまで長さＬａの範囲内で半径方向に沿って電子ビームＥＢを実線Ｌ４ｅで示すように往復動させながら照射させた後に（「第１の部分描画処理」のさらに他の一例）、位置Ｐ１ｅから位置Ｐ２ｅまで電子ビームＥＢを往復動させることなく回転方向に沿って直線的に照射させ（「第３の部分描画処理」および「第７の部分描画処理」の一例）、さらに、位置Ｐ２ｅから図示しない照射停止位置まで長さＬａの範囲内で半径方向に沿って電子ビームＥＢを往復動させながら照射させる（「第１の部分描画処理」のさらに他の一例）。これにより、バーストパターンＰＳ７の露光領域Ａ１における外周側のさらに他の一部（半径方向のさらに他の一部）を描画する部分描画処理が完了すると共に、露光領域Ａ１における内周側の端部領域の１つ（この例では、露光領域Ａ１において、同図における右側の非露光領域Ａ２に半径方向で接している部位）を描画する部分描画処理が完了する。
【０１０２】
続いて、制御部８は、図示しない照射開始位置から位置Ｐ３ｅまで長さＬａの範囲内で半径方向に沿って電子ビームＥＢを実線Ｌ５ｅで示すように往復動させながら照射させた後に（「第１の部分描画処理」のさらに他の一例）、位置Ｐ３ｅから位置Ｐ４ｅまで電子ビームＥＢを往復動させることなく回転方向に沿って直線的に照射させ（「第３の部分描画処理」および「第７の部分描画処理」の他の一例）、さらに、位置Ｐ４ｅから照射停止位置Ｐ５Ｅｅまで長さＬａの範囲内で半径方向に沿って電子ビームＥＢを往復動させながら照射させる（「第１の部分描画処理」のさらに他の一例）。これにより、バーストパターンＰＳ７の露光領域Ａ１における外周側の端部領域の１つ（この例では、露光領域Ａ１において、同図における左側の非露光領域Ａ２に半径方向で接している部位）を描画する部分描画処理が完了すると共に、露光領域Ａ１における外周側のさらに他の一部（半径方向のさらに他の一部）を描画する部分描画処理が完了する。
【０１０３】
この場合、制御部８は、バーストパターンＰＳ７の露光領域Ａ１における回転方向に沿った端部領域において、電子ビームＥＢを往復動させることなく回転方向に沿って直線的に照射させる。したがって、電子ビームＥＢを往復動させながら照射することに起因して露光領域Ａ１における回転方向に沿った端部領域における回転方向に沿った辺のＬＥＲが悪化するおそれが回避され、この端部領域に対して半径方向において隣接している非露光領域Ａ２の回転方向に沿った辺のＬＥＲが良好となる。また、半径方向に沿って露光領域Ａ１が連続している部位においては、その部位よりも外周側の一部の描画時に電子ビームＥＢを往復動させた範囲が半径方向において重なり合うため、半径方向において重なり合っている各第１の移動範囲の半径方向における端部に対する描画用ビームの照射量（露光量）と、各第１の移動範囲の半径方向における端部以外の部位に対する描画用ビームの照射量（露光量）とが大きく相違する状態となる事態を回避することが可能となっている。このため、露光領域Ａ１における半径方向に沿った辺のＬＥＲが悪化するおそれが回避され、この露光領域Ａ１に対して回転方向において隣接している非露光領域Ａ２の半径方向に沿った辺のＬＥＲが良好となる。
【０１０４】
また、前述した露光パターンＰａのデータトラックパターンＰＴａの描画に際しては、その回転方向に沿った端部領域の描画に際して電子ビームＥＢを往復動させることなく回転方向に沿って直線的に描画して露光領域Ａ１を描画すると共に、その半径方向における中央部の一部の描画に際して電子ビームＥＢを往復動させながら照射して描画することで露光領域Ａ１を描画したが、データトラックパターンの描画に際して、その半径方向における中央部の一部（一例として、図７に示す位置Ｐ５ｄ〜Ｐ６ｄに対する電子ビームＥＢの照射時（データトラックパターンＰＴａの描画時における基材１０の２回転目の電子ビームＥＢの照射時に））について、電子ビームＥＢを往復動させることなく、回転方向に沿って直線的に描画する方法を採用することもできる。
【０１０５】
また、図１８に示す露光パターンＰｃにおけるデータトラックパターンＰＴｂのように、露光領域Ａ１の半径方向に沿った長さが短い場合（露光領域Ａ１の幅が狭い場合）には、電子ビームＥＢを往復動させることなく直線的に照射する処理（「第５の部分描画処理」および「第７の部分描画処理」の一例）だけを実行する描画方法を採用することもできる。具体的には、同図に示す例では、図７を参照しつつ説明したデータトラックパターンＰＴａの描画時における２回転目の電子ビームＥＢの照射（図７に実線Ｌ２ｄで示した電子ビームＥＢの照射）を実行することなく基材１０（樹脂層１０ｂ）に電子ビームＥＢを照射する。なお、同図では、図７に示すデータトラックパターンＰＴａの描画方法との比較を容易とするために、電子ビームＥＢの「照射開始位置」、電子ビームＥＢの軌跡を示す「実線」、および電子ビームＥＢの「照射停止位置」に関して、データトラックパターンＰＴａの描画方法と同様の要素について同一の符号を付している。
【０１０６】
また、露光領域Ａ１の半径方向に沿った長さが長いデータトラックパターンを描画する場合（露光領域Ａ１の幅が広いデータトラックパターンを描画する場合：図示せず）には、一例として、その半径方向における中央部の一部の描画に際して電子ビームＥＢを往復動させながら照射する処理を、その電子ビームＥＢの移動範囲を半径方向にずらしながら複数回に亘って実行する方法を採用することもできる。これらの描画方法を採用した場合においても、前述したデータトラックパターンＰＴａの描画時と同様にして、その回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好とすることができる。
【０１０７】
さらに、磁気記録媒体１５に形成すべきサーボパターンに応じて、前述した露光パターンＰａにおけるサーボパターンＰＳａのバーストパターンＰＳ５や、露光パターンＰｂにおけるサーボパターンＰＳｂのバーストパターンＰＳ７に代えて（または、バーストパターンＰＳ５、およびバーストパターンＰＳ７のいずれかと共に）、図１９に示す露光パターンＰｄにおけるサーボパターンＰＳｄの位相サーボパターンＰＳ８を描画装置１によって上記の描画方法のように描画することもできる。この場合、この位相サーボパターンＰＳ８は、「露光パターンにおけるサーボパターンのうちの少なくとも一部のパターン」に相当する。なお、この露光パターンＰｄにおける位相サーボパターンＰＳ８以外のサーボパターンＰＳｄ（図４，５参照）や、データトラックパターンＰＴａ，ＰＴｂ（図７，１８参照）については、前述した露光パターンＰａ〜ＰｃにおけるバーストパターンＰＳ５以外のサーボパターンＰＳａ，ＰＳｂや、データトラックパターンＰＴａ，ＰＴｂと同様であるため、その説明を省略する。
【０１０８】
［位相サーボパターンＰＳ８の描画方法］
位相サーボパターンＰＳ８の描画に際しては、図２０に示すように電子ビームＥＢを走査して基材１０（樹脂層１０ｂ）に照射する。具体的には、制御部８は、位相サーボパターンＰＳ８における最初の露光領域Ａ１を描画する際に、照射開始位置Ｐ１Ｓｆから照射停止位置Ｐ１Ｅｆまで長さＬａの範囲内で半径方向に沿って実線Ｌ１ｆで示すように電子ビームＥＢを往復動させながら照射する。これにより、位相サーボパターンＰＳ８における最初の露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する部分描画処理（「第１の部分描画処理」の一例）が完了する。
【０１０９】
この場合、同図に実線Ｌ１ｆで示す電子ビームＥＢの照射時や、後に説明する実線Ｌ２ｆ等で示す電子ビームＥＢの照射時には、基材１０の回転方向における上流側や下流側において電子ビームＥＢの照射領域が非露光領域Ａ２と重なる状態となる。しかしながら、この部位については、電子ビームＥＢが多重照射される度合いが小さいため、露光領域Ａ１となることなく、非露光領域Ａ２の状態（現像処理時に樹脂層１０ｂが残留する状態）が維持される。この後、制御部８は、位相サーボパターンＰＳ８における２つ目以降の露光領域Ａ１についても、１つ目以降の露光領域Ａ１と同様にして、長さＬａの範囲内で半径方向に沿って電子ビームＥＢを往復動させながら照射する。これにより、位相サーボパターンＰＳ８における２つ目以降の露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する部分描画処理（「第１の部分描画処理」の他の一例）が完了する。
【０１１０】
また、制御部８は、基材１０の次の回転目において、照射開始位置Ｐ２Ｓｆから照射停止位置Ｐ２Ｅｆまで長さＬａの範囲内で半径方向に沿って実線Ｌ２ｆで示すように電子ビームＥＢを往復動させながら照射する。これにより、位相サーボパターンＰＳ８における最初の露光領域Ａ１における半径方向の他の一部を描画する部分描画処理（「第１の部分描画処理」のさらに他の一例）が完了する。この場合、基材１０の回転方向に対して直交していない斜め角度を有する露光領域Ａ１で構成された位相サーボパターンＰＳ８を描画するための描画手順データＤＰでは、照射開始位置Ｐ２Ｓｆが上記の照射開始位置Ｐ１Ｓｆに対して半径方向に沿って長さＬｂだけ内周側に規定されると共に照射停止位置Ｐ２Ｅｆが上記の照射停止位置Ｐ１Ｅｆに対して半径方向に沿って長さＬｂだけ内周側に規定されるだけでなく、露光領域Ａ１に付与すべき斜め角度に応じて、照射開始位置Ｐ２Ｓｆが上記の照射開始位置Ｐ１Ｓｆよりも回転方向の下流側に位置すると共に照射停止位置Ｐ２Ｅｆが上記の照射停止位置Ｐ１Ｅｆよりも回転方向の下流側に位置するように規定されている。
【０１１１】
この結果、照射開始位置Ｐ１Ｓｆから照射停止位置Ｐ１Ｅｆまで実線Ｌ１ｆで示すように電子ビームＥＢを照射したときのビーム中心の移動範囲（第１の移動範囲）に対して、照射開始位置Ｐ２Ｓｆから照射停止位置Ｐ２Ｅｆまで実線Ｌ２ｆで示すように電子ビームＥＢを照射したときのビーム中心の移動範囲（第１の移動範囲）が基材１０の回転方向における下流側に位置することとなり、実線Ｌ１ｆで示すように電子ビームＥＢを照射したときよりも、実線Ｌ２ｆで示すように電子ビームＥＢを照射したときの方が、回転方向における下流側に露光領域Ａ１が描画される。これにより、位相サーボパターンＰＳ８の露光領域Ａ１における半径方向に沿った辺に付与すべき斜め角度が付与された状態で露光領域Ａ１の半径方向における一部が描画される。続いて、制御部８は、位相サーボパターンＰＳ８における２つ目以降の露光領域Ａ１についても、１つ目以降の露光領域Ａ１と同様にして、長さＬａの範囲内で半径方向に沿って電子ビームＥＢを往復動させながら照射する。
【０１１２】
この後、制御部８は、基材１０のさらに次の回転目において、照射開始位置Ｐ３Ｓｆから照射停止位置Ｐ３Ｅｆまで長さＬａの範囲内で半径方向に沿って実線Ｌ３ｆで示すように電子ビームＥＢを往復動させながら照射する。これにより、位相サーボパターンＰＳ８における最初の露光領域Ａ１における半径方向のさらに他の一部を描画する部分描画処理（「第１の部分描画処理」のさらに他の一例）が完了する。この際には、照射開始位置Ｐ２Ｓｆから照射停止位置Ｐ２Ｅｆまで実線Ｌ２ｆで示すように電子ビームＥＢを照射したときのビーム中心の移動範囲（第１の移動範囲）に対して、照射開始位置Ｐ３Ｓｆから照射停止位置Ｐ３Ｅｆまで実線Ｌ３ｆで示すように電子ビームＥＢを照射したときのビーム中心の移動範囲（第１の移動範囲）が基材１０の回転方向における下流側に位置することとなり、実線Ｌ２ｆで示すように電子ビームＥＢを照射したときよりも、実線Ｌ３ｆで示すように電子ビームＥＢを照射したときの方が、回転方向における下流側に露光領域Ａ１が描画される。
【０１１３】
このように、露光領域Ａ１における半径方向に沿った辺に任意の角度を付与して描画するときには、電子ビームＥＢの照射開始位置や照射停止位置を、付与すべき角度に応じて基材１０の回転方向における下流側（または、上流側）にずらして規定する（電子ビームＥＢのビーム中心の移動範囲（第１の移動範囲）を回転方向における下流側（または、上流側）にずらして規定する）ことにより、所望の斜め角度を付与した露光領域Ａ１を描画することができる。この場合、半径方向の一部を描画する部分描画処理（例えば「第１の部分描画処理」）に際して、露光領域Ａ１の半径方向に沿った辺に付与すべき角度に応じて、電子ビームＥＢを斜め方向に往復動させながら照射する描画方法を採用することもできる。
【０１１４】
また、露光領域Ａ１における半径方向の一部の描画に際して回転方向と交差する方向に電子ビームＥＢを往復動させながら照射する際に、電子ビームＥＢの中心の移動範囲（第１の移動範囲）における半径方向の中央部に「照射開始位置」や「照射停止位置」を規定した例（「第１の移動範囲」における半径方向の中央部から電子ビームＥＢの照射を開始して半径方向に沿って往復動させつつ照射した後に、「第１の移動範囲」における半径方向の中央部において電子ビームＥＢの照射を停止する例）について説明したが、「照射開始位置」や「照射停止位置」の「ビーム中心の移動範囲」内における位置は、上記の例示に限定されない。具体的には、その「移動範囲」における半径方向の最外周部から最内周部の間の任意の位置から電子ビームＥＢの照射を開始して半径方向に沿って往復動させつつ照射した後に、その「移動範囲」における半径方向の最外周部から最内周部の間の任意の位置において電子ビームＥＢの照射を停止することもできる。この場合、この「照射開始位置」や「照射停止位置」の移動範囲内におけ位置については、露光パターンＰａ等を構成する各パターン毎に相違していても構わないし、１つの露光領域Ａ１を描画する際の各部分描画処理毎に相違していても構わない。
【０１１５】
また、トラックアドレスパターンＰＳ４、バーストパターンＰＳ５，ＰＳ７、およびデータトラックパターンＰＴａ，ＰＴｂの描画に際して、露光領域Ａ１の回転方向に沿った端部領域において「第３の部分描画処理」、「第５の部分描画処理」および「第７の部分描画処理」を実行する例（回転方向に沿った端部を含む端部領域において、電子ビームＥＢを半径方向に沿って往復動させることなく回転方向に沿って直線的に照射する例）について説明したが、これらのパターンにおける露光領域Ａ１の回転方向に沿った端部領域において「第２の部分描画処理」、「第４の部分描画処理」および「第６の部分描画処理」を実行する方法を採用することもできる。
【０１１６】
具体的には、「露光パターンのうちの少なくとも一部のパターン」の一例であるトラックアドレスパターンＰＳ４については、その露光領域Ａ１における回転方向に沿った端部を含む端部領域の描画に際して、電子ビームＥＢを往復動させることなく直線的に照射する処理（第７の部分描画処理）に代えて、電子ビームＥＢを半径方向に沿って往復動させながら照射する処理（第６の部分描画処理）を実行する。より具体的には、回転方向に沿った端部領域の描画に際して電子ビームＥＢを往復動させる際のビーム中心を移動させる移動範囲（第４の移動範囲）における半径方向に沿った長さ（第４の長さ）を、端部領域を除く領域の描画時に電子ビームＥＢを往復動させる際の移動範囲（第５の移動範囲）における半径方向に沿った長さ（第５の長さ：この例では、他のパターンの描画時における上記の「第１の移動範囲」の「第１の長さ」と等しい長さ）よりも短く規定して（一例として、「第４の長さ」を５ｎｍに規定して）、電子ビームＥＢを往復動させながら照射することで端部領域を描画する。
【０１１７】
また、「露光パターンのうちの少なくとも一部のパターン」の他の一例であるバーストパターンＰＳ５，ＰＳ７については、その露光領域Ａ１における回転方向に沿った端部を含む端部領域の描画に際して、電子ビームＥＢを往復動させることなく直線的に照射する処理（第３の部分描画処理、および第７の部分描画処理）に代えて、電子ビームＥＢを半径方向に沿って往復動させながら照射する処理（第２の部分描画処理、および第６の部分描画処理）を実行する。より具体的には、回転方向に沿った端部領域の描画に際して電子ビームＥＢを往復動させる際のビーム中心を移動させる移動範囲（第２の移動範囲、および第４の移動範囲）における半径方向に沿った長さ（第２の長さ、および第４の長さ）を、例えばプリアンブルパターンＰＳ１の露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する際の電子ビームＥＢを往復動させる移動範囲（第１の移動範囲）における半径方向に沿った長さ（第１の長さ）や、バーストパターンＰＳ５，ＰＳ７の露光領域Ａ１における端部領域を除く領域の描画時に電子ビームＥＢを往復動させる際の移動範囲（第５の移動範囲）における半径方向に沿った長さ（第５の長さ）よりも短く規定して（一例として、「第２の長さ」および「第４の長さ」を５ｎｍに規定して）、電子ビームＥＢを往復動させながら照射することで端部領域を描画する。
【０１１８】
さらに、「露光パターンのうちの少なくとも一部のパターン」の他の一例であるデータトラックパターンＰＴａについては、その露光領域Ａ１における回転方向に沿った端部を含む端部領域の描画に際して、電子ビームＥＢを往復動させることなく直線的に照射する処理（第５の部分描画処理、および第７の部分描画処理）に代えて、電子ビームＥＢを半径方向に沿って往復動させながら照射する処理（第４の部分描画処理、および第６の部分描画処理）を実行する。より具体的には、回転方向に沿った端部領域の描画に際して電子ビームＥＢを往復動させる際のビーム中心を移動させる移動範囲（第３の移動範囲、および第４の移動範囲）における半径方向に沿った長さ（第３の長さ、および第４の長さ）を、例えばプリアンブルパターンＰＳ１の露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する際の電子ビームＥＢを往復動させる移動範囲（第１の移動範囲）における半径方向に沿った長さ（第１の長さ）や、データトラックパターンＰＴａの露光領域Ａ１における端部領域を除く領域の描画時に電子ビームＥＢを往復動させる際の移動範囲（第５の移動範囲）における半径方向に沿った長さ（第５の長さ）よりも短く規定して（一例として、「第３の長さ」および「第４の長さ」を５ｎｍに規定して）、電子ビームＥＢを往復動させながら照射することで端部領域を描画する。
【０１１９】
また、データトラックパターンＰＴｂについては、その露光領域Ａ１における回転方向に沿った端部を含む端部領域の描画に際して、電子ビームＥＢを往復動させることなく直線的に照射する処理（第５の部分描画処理）に代えて、電子ビームＥＢを半径方向に沿って往復動させながら照射する処理（第４の部分描画処理）を実行する。より具体的には、回転方向に沿った端部領域の描画に際して電子ビームＥＢを往復動させる際のビーム中心を移動させる移動範囲（第３の移動範囲）における半径方向に沿った長さ（第３の長さ）を、例えばプリアンブルパターンＰＳ１の露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する際の電子ビームＥＢを往復動させる移動範囲（第１の移動範囲）における半径方向に沿った長さ（第１の長さ）よりも短く規定して（一例として、「第３の長さ」を５ｎｍに規定して）、電子ビームＥＢを往復動させながら照射することで端部領域を描画する。
【０１２０】
これらのような描画方法を採用した場合においても、回転方向に沿った端部領域において電子ビームＥＢを半径方向に沿って往復動させることなく回転方向に沿って直線的に照射した例と同様にして、電子ビームＥＢを長さＬａの範囲内で大きく往復動させながら照射することに起因して各パターンの露光領域Ａ１における回転方向に沿った辺のＬＥＲが悪化するおそれが回避され、回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好とすることができる。
【０１２１】
さらに、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、パッド領域用パターンＰＳ６および位相サーボパターンＰＳ８が「露光パターンのうちの少なくとも一部のパターン」に相当しない例（回転方向に沿った端部領域において「第６の部分描画処理」または「第７の部分描画処理」を実行しない例）について説明したが、これらのパターンについても「露光パターンのうちの少なくとも一部のパターン」として回転方向に沿った端部領域において「第６の部分描画処理」または「第７の部分描画処理」を実行してもよい。また、トラックアドレスパターンＰＳ４や、バーストパターンＰＳ５，ＰＳ７の描画に際して、各露光領域Ａ１の端部領域を除く領域（半径方向における中央部）の描画時に電子ビームＥＢを往復動させながら照射する例について説明したが、トラックアドレスパターンＰＳ４や、バーストパターンＰＳ５，ＰＳ７における各露光領域Ａ１の端部領域を除く領域についても、端部領域に対する電子ビームＥＢの照射時と同様にして、電子ビームＥＢを往復動させる際の移動範囲における半径方向に沿った長さを短く規定して電子ビームＥＢを往復動させて照射する処理、または、電子ビームＥＢを往復動させることなく照射する処理を実行して描画する描画方法を採用することもできる。
【０１２２】
さらに、露光パターンＰａ等を描画した後に現像処理によって凹凸パターン２１を有する原盤１１を製造し、原盤１１の凹凸パターン２１を転写して凹凸パターン２２を有するスタンパー１２を作製する例について説明したが、情報記録媒体製造用原盤の製造方法は、これに限定されない。具体的には、一例として、露光パターンＰａ等を描画した後に現像処理によって凹凸パターン２１を形成した状態の基材１０に対して、凹凸パターン２１（樹脂層１０ｂ）をマスクとして用いたエッチング処理を実行することにより、Ｓｉウエハ１０ａの一面に凹凸パターン２１における各凸部に対応する複数の凸部、および凹凸パターン２１における各凹部に対応する複数の凹部を有する凹凸パターンを形成し（図示せず）、このＳｉウエハ１０ａを原盤として使用して（「情報記録媒体製造用原盤」の他の一例）スタンパー１２を製造する方法を採用することもできる。
【０１２３】
また、例えば、スタンパー１２の凹凸パターン２２をスタンパー形成用材料に１回または複数回に亘って転写して、凹凸パターン２２における凸部に対応する凹部および凹凸パターン２２における凹部に対応する凸部を有する凹凸パターンが形成されたスタンパー（図示せず）や、凹凸パターン２２における凸部に対応する凸部および凹凸パターン２２における凹部に対応する凹部を有する凹凸パターンが形成されたスタンパー（図示せず）を製造することができる。
【０１２４】
また、スタンパー１２の凹凸パターン２２を樹脂層１５ｃに転写して形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いて磁性層１５ｂをエッチング処理する例について説明したが、情報記録媒体の製造方法は、これに限定されない。具体的には、例えば、樹脂層１５ｃと磁性層１５ｂとの間に１層または複数層のマスク形成層を設け、樹脂層１５ｃに形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いてその下層のマスク層を順次エッチングすることで樹脂層１５ｃをエッチングするためのマスク層を形成する製造方法を採用することもできる。
【０１２５】
さらに、ディスクリートトラック型の磁気記録媒体１５を製造するためのスタンパー１２や原盤１１を製作するための露光パターンＰａ等の描画方法について説明したが、データトラックパターンにおける各データ記録トラックをメッシュ状またはドット状に区切って（各データ記録トラックをその長さ方向（媒体の回転方向）においても磁気的に複数に分離させて）形成したデータ記録部（磁性体部）が島状（アイランド状）に孤立している、いわゆるパターンド媒体を製造するためのスタンパー（情報記録媒体製造用原盤：図示せず）用の露光パターンを描画することもできる。この場合、このパターンド媒体におけるデータトラックパターンは、一例として、上記のバーストパターンＰＳ５，ＰＳ７と同様の描画手順に従って描画することができる。したがって、上記のバーストパターンＰＳ５，ＰＳ７と同様にして、露光領域における回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に良好とすることができると共に、露光領域における半径方向の中央部の描画に際して第１の部分描画処理を実行した場合においては、その半径方向に沿った辺のＬＥＲについても十分に良好とすることができる。
【０１２６】
また、磁気記録媒体１５と同様にしてサーボパターンが凹凸パターン２４によって形成されると共に、データトラック領域が連続磁性層で構成された（データトラック領域に凹凸パターンが存在しない）情報記録媒体を製造するためのスタンパー（情報記録媒体製造用原盤：図示せず）用の露光パターンを描画することもできる。さらに、上記の描画装置１（描画方法）では、電子ビームＥＢを照射して露光パターンＰａ等を描画する例について説明したが、描画用ビームは電子ビームＥＢに限定されずに任意のエネルギー線を用いることができる。加えて、Ｓｉウエハ１０ａの表面にポジ型レジスト（樹脂層１０ｂ）を塗布して露光パターンＰａ等を描画した例について説明したが、樹脂層の形成材料として、ポジ型レジストに限定されず、ネガ型レジストなどの各種樹脂材料を使用することができる。
【符号の説明】
【０１２７】
１  電子ビーム描画装置
３  ターンテーブル
４  ビーム発生部
５  ブランキング制御部
７  ビーム偏向器
８  制御部
９  記憶部
１０  基材
１０ａ  Ｓｉウエハ
１０ｂ  樹脂層
１１  原盤
１２  スタンパー
１５  磁気記録媒体
２１〜２４  凹凸パターン
Ａ１  露光領域
Ａ２  非露光領域
ＤＰ  描画手順データ
ＥＢ  電子ビーム
Ｌ１ａ，Ｌ２ａ，Ｌ１ｂ〜Ｌ４ｂ，Ｌ１ｃ〜Ｌ４ｃ，Ｌ１ｄ〜Ｌ３ｄ，Ｌ１ｅ〜Ｌ５ｅ，Ｌ１ｆ〜Ｌ３ｆ，ＬＸａ〜ＬＸｆ  実線
Ｌａ，Ｌｂ  長さ
Ｐ１ｂ，Ｐ２ｂ，Ｐ１ｄ〜Ｐ６ｄ，Ｐ１ｅ〜Ｐ４ｅ  位置
Ｐ１Ｓａ，Ｐ２Ｓａ，Ｐ１Ｓｂ〜Ｐ４Ｓｂ，Ｐ１Ｓｃ〜Ｐ４Ｓｃ，Ｐ１Ｓｄ〜Ｐ３Ｓｄ，Ｐ２Ｓｅ，Ｐ４Ｓｅ，Ｐ１Ｓｆ〜Ｐ３Ｓｆ  照射開始位置
Ｐ１Ｅａ，Ｐ２Ｅａ，Ｐ１Ｅｂ〜Ｐ４Ｅｂ，Ｐ１Ｅｃ〜Ｐ４Ｅｃ，Ｐ１Ｅｄ〜Ｐ３Ｅｄ，Ｐ１Ｅｅ，Ｐ３Ｅｅ，Ｐ５Ｅｅ，Ｐ１Ｅｆ〜Ｐ３Ｅｆ  照射停止位置
Ｐａ〜Ｐｄ  露光パターン
ＰＳ１  プリアンブルパターン
ＰＳ２  サーボアドレスマークパターン
ＰＳ３  セクターアドレスパターン
ＰＳ４  トラックアドレスパターン
ＰＳ５，ＰＳ７  バーストパターン
ＰＳ６  パッド領域用パターン
ＰＳ８  位相サーボパターン
ＰＳａ，ＰＳｂ，ＰＳｄ  サーボパターン
ＰＴａ，ＰＴｂ  データトラックパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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