(57)【要約】【課題】透過性および導電性を高めると共に下地材料へのダメージを小さくすることが可能な透明導電膜およびその製造方法、並びにこれを備えた電子素子および電子機器を提供する。【解決手段】基材１０に導電性を有する透明樹脂を塗布し、平行格子状または交差格子状の凹部を有する型を透明樹脂の表面に配置して透明樹脂を硬化させ、凹部の形状を透明樹脂の表面に転写することにより、平行格子状または交差格子状の凸部２１を有する凹凸構造層２０を形成する。この凹凸構造層２０の表面の法線に対して斜め方向からＩＴＯなどの導電材料を成膜することにより、凸部２１の上面および側面に導電層３０を形成すると共に、凹凸構造層２０の凸部２１以外の領域に導電層３０が形成されない隙間３１を設ける。【選択図】図８
2011141961.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に平行格子状または交差格子状の凸部を有し、導電性を有する透明樹脂よりなる凹凸構造層と、
前記凸部の表面の少なくとも一部に設けられ、前記凹凸構造層の前記凸部以外の領域に隙間を有する導電層と
を備えた透明導電膜。
【請求項２】
前記導電層は、透明導電材料により構成されている
請求項１記載の透明導電膜。
【請求項３】
基材に導電性を有する透明樹脂を塗布し、平行格子状または交差格子状の凹部を有する型を前記透明樹脂の表面に配置して前記透明樹脂を硬化させ、前記凹部の形状を前記透明樹脂の表面に転写することにより、平行格子状または交差格子状の凸部を有する凹凸構造層を形成する工程と、
前記凹凸構造層の表面の法線に対して斜め方向から導電材料を成膜することにより、前記凸部の表面の少なくとも一部に導電層を形成すると共に、前記凹凸構造層の前記凸部以外の領域に前記導電層が形成されない隙間を設ける工程と
を含む透明導電膜の製造方法。
【請求項４】
前記導電層を形成する工程において、前記導電材料の成膜方向が前記凹凸構造層の表面の法線に対してなす角度θ（ｒａｄ）を、θ＝ａｔａｎ（ｇｓ／ｇｈ）（ｇｓは隣接する前記凸部の間の距離、ｇｈは前記凸部の高さ）を満たす角度とする
請求項３記載の透明導電膜の製造方法。
【請求項５】
透明導電膜を有し、
前記透明導電膜は、
表面に平行格子状または交差格子状の凸部を有し、導電性を有する透明樹脂よりなる凹凸構造層と、
前記凸部の表面の少なくとも一部に設けられ、前記凹凸構造層の前記凸部以外の領域に隙間を有する導電層と
を備えた電子素子。
【請求項６】
透明導電膜を有する電子素子を備え、
前記透明導電膜は、
表面に平行格子状または交差格子状の凸部を有し、導電性を有する透明樹脂よりなる凹凸構造層と、
前記凸部の表面の少なくとも一部に設けられ、前記凹凸構造層の前記凸部以外の領域に隙間を有する導電層と
を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明電極または電磁シールドなどに用いられる透明導電膜およびその製造方法、並びにこの透明導電膜を備えた電子素子および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスに実用化されている透明導電膜は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）（登録商標）、ＡＺＯ（アルミニウム（Ａｌ）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ））などの金属酸化物よりなる透明導電材料を用いている。
【０００３】
また、特許文献１では、ステンレス鋼などの金属板をあらかじめエッチングを行うことでメッシュ状にし、これを透明基板表面に貼合して半透明導電層を形成する手法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２６９８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した金属酸化物よりなる透明導電材料は、高融点材料であるため蒸着法による成膜ができず、スパッタ法で成膜される。スパッタ法は、成膜時にプラズマを発生させるため、基板に対するダメージを避けられず、特に有機ＥＬ（Electroluminescence）表示素子や有機薄膜太陽電池等のように下地に有機材料層が存在し、その上に透明電極の形成が必要な場合には、有機材料がダメージを受け、デバイス特性が劣化してしまうといった問題点があった。下地材料にダメージを与えにくく高融点材料を成膜する手法としては、ＰＬＤ（Pulsed Laser Deposition）法があるが、大面積に対する成膜ができないため量産には不向きであった。
【０００６】
特許文献１の手法では、メッシュの金属線幅が数十μｍ程度有り、透過性がＩＴＯに比べて劣ることや、目視でメッシュが認識できてしまうといった問題点があった。これを解決するためにはメッシュを細かくする必要があるが、金属線幅を数μｍレベルにすると、メッシュが崩れやすく基板表面に貼合することが難しくなってしまっていた。
【０００７】
一方、近年では、電気を流すことのできる導電性高分子材料が実用化され、電解コンデンサー等の電極材料として利用され始めている。しかし、導電性ポリマー材料はＩＴＯに比較してまだ抵抗値が高かった。また、カーボンナノチューブや金属ナノワイヤーを樹脂に混合させたものも提案されているが、いずれも表示素子等の透明電極材料としては、抵抗値的に不十分なレベルであった。
【０００８】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたもので、その目的は、透過性および導電性を高めると共に下地材料へのダメージを小さくすることが可能な透明導電膜およびその製造方法、並びにこの透明導電膜を備えた電子素子および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による透明導電膜は、表面に平行格子状または交差格子状の凸部を有し、導電性を有する透明樹脂よりなる凹凸構造層と、凸部の表面の少なくとも一部に設けられ、凹凸構造層の凸部以外の領域に隙間を有する導電層とを備えたものである。
【００１０】
本発明による透明導電膜の製造方法は、以下の（Ａ），（Ｂ）の工程を含むものである。
（Ａ）基材に導電性を有する透明樹脂を塗布し、平行格子状または交差格子状の凹部を有する型を透明樹脂の表面に配置して透明樹脂を硬化させ、凹部の形状を透明樹脂の表面に転写することにより、平行格子状または交差格子状の凸部を有する凹凸構造層を形成する工程
（Ｂ）凹凸構造層の表面の法線に対して斜め方向から導電材料を成膜することにより、凸部の表面の少なくとも一部に導電層を形成すると共に、凹凸構造層の凸部以外の領域に導電層が形成されない隙間を設ける工程
【００１１】
本発明による電子素子は、上記本発明による透明導電膜を備えたものである。また、本発明による電子機器は、上記本発明による電子素子を備えたものである。
【００１２】
本発明の透明導電膜、または本発明の電子素子あるいは本発明の電子機器では、凹凸構造層の表面に平行格子状または交差格子状の凸部が設けられており、この凸部の表面の少なくとも一部に導電層が設けられているので、抵抗値が低くなり、高い導電性が得られる。また、導電層は、凹凸構造層の凸部以外の領域に隙間を有しているので、光はこの隙間を透過し、光透過率が向上すると共に、下地材料へのダメージが小さくなっている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の透明導電膜によれば、凹凸構造層の表面に平行格子状または交差格子状の凸部を設け、この凸部の表面の少なくとも一部に導電層を設け、この導電層に、凹凸構造層の凸部以外の領域に隙間を設けるようにしたので、透過性および導電性を高めると共に下地材料へのダメージを小さくすることが可能となる。よって、この透明導電膜を用いて電子素子および電子機器を構成すれば、透明有機ＥＬディスプレイ等の完全透明なデバイスの実現が可能となる。
【００１４】
本発明の透明導電膜の製造方法によれば、基材に導電性を有する透明樹脂を塗布し、平行格子状または交差格子状の凹部を有する型を透明樹脂の表面に配置して透明樹脂を硬化させ、凹部の形状を透明樹脂の表面に転写することにより、平行格子状または交差格子状の凸部を有する凹凸構造層を形成し、この凹凸構造層の表面の法線に対して斜め方向から導電材料を成膜することにより、凸部の表面の少なくとも一部に導電層を形成すると共に、凹凸構造層の凸部以外の領域に導電層が形成されない隙間を設けるようにしたので、本発明の透明導電膜を容易に製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る透明導電膜の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した凹凸構造層の構成例を表す平面図および断面図である。
【図３】凹凸構造層の他の構成例を表す平面図および断面図である。
【図４】凹凸構造層の更に他の構成例を表す平面図および断面図である。
【図５】凹凸構造層の更に他の構成例を表す平面図および断面図である。
【図６】図１に示した透明導電膜の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】図７に示した工程における成膜方向を説明するための図である。
【図９】成膜方向を変えた場合を表す図である。
【図１０】図１に示した透明導電膜の変形例を表す断面図である。
【図１１】電子素子への適用例１を表す平面図および断面図である。
【図１２】図１１に示した電子素子の適用例である電子機器の外観を表す斜視図である。
【図１３】電子素子への適用例２を表す平面図である。
【図１４】電子素子への適用例３を表す平面図である。
【図１５】電子素子への適用例４を表す平面図である。
【図１６】有機ＥＬ素子への適用例を表す断面図である。
【図１７】図１６に示した有機ＥＬ素子を各画素として備えた表示装置の概略構成例を表す図である。
【図１８】図１７に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図１９】図１７に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２０】表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２１】（Ａ）は表示装置の適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２２】表示装置の適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２３】表示装置の適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２４】（Ａ）は表示装置の適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
（１）実施の形態
（２）電子素子への適用例
（３）有機ＥＬ素子への適用例および表示装置の適用例
【００１７】
図１は本発明の一実施の形態に係る透明導電膜１の断面構成を表したものである。この透明導電膜１は、透明有機ＥＬディスプレイなどの透明電極として用いられるものであり、基材１０に、透明樹脂よりなる凹凸構造層２０と、導電層３０とを有している。
【００１８】
基材１０は、例えば、樹脂（プラスチック）または、ガラスあるいは石英等の無機材料により構成されている。樹脂としては、ポリテレフタル酸ポリエチレン（ＰＥＴ，polyethylene terephthalate）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ，polymethylmethacrylate）、ポリプロピレン（ＰＰ,polypropylene）およびポリスチレン（ＰＳ，polystyrene）等が挙げられる。中でも、ＰＥＴが好ましい。耐熱性および耐薬品性に優れているからである。基材１０は、透明導電膜１の用途に応じて光透過性を有することが望ましい。
【００１９】
凹凸構造層２０は、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキキシチオフェン）あるいはＰＰｙ（ポリピロール）等の導電性高分子材料、または、筒状炭素分子（カーボンナノチューブ、ＣＮＴ），金属ナノワイヤーあるいは金属ナノ粒子を混合させることにより導電性をもたせた樹脂により構成されている。
【００２０】
凹凸構造層２０の表面には、図２に示したような平行格子状、または図３ないし図５に示したような交差格子状の凸部２１が設けられており、導電層３０は凸部２１の上面および側面に設けられている。導電層３０は、凹凸構造層２０の凸部２１以外の領域に隙間３１を有している。これにより、この透明導電膜１では、透過性および導電性を高めると共に下地材料へのダメージを小さくすることが可能となっている。
【００２１】
導電層３０は、上述したように凸部２１の上面および側面に設けられることによって凹凸構造層２０のもつ比較的高い抵抗値を補い、全体として低抵抗な透明導電膜１を得るためのものである。凸部２１が図２に示したような平行格子状の場合には、導電層３０が設けられていることにより、凸部２１の長手方向（延長方向）においては抵抗が小さくなる。一方、凸部２１の長手方向と直交する方向では導電層３０がつながっていないので、抵抗値が大きく変化する。これに対して、凸部２１が図３ないし図５に示したような交差格子状である場合には、導電層３０が凹凸構造層２０の広がる平面全体でつながっているので、面抵抗を小さくすることが可能である。凸部２１の平面形状は、図３に示したような矩形（正方形）のほか、図４に示した円形、図５に示した多角形（六角形）、図示しないが三角形または楕円形など特に限定されない。
【００２２】
導電層３０は、例えば、金（Ａｕ）あるいは銀（Ａｇ）等の金属材料、またはＩＴＯ，ＩＺＯ（登録商標）、ＡＺＯ等の金属酸化物よりなる透明導電材料により構成されている。導電層３０はベタ膜ではなく、凹凸構造層２０の凸部２１以外の領域に隙間３１があいた状態となっているので、光は隙間３１を通過することができる。よって、導電層３０が金（Ａｕ）または銀（Ａｇ）等の金属材料により構成されている場合でも、透明導電膜１は光を透過することが可能である。隙間３１すなわち隣接する凸部２１間の距離ｇｓは、凸部２１を後述するナノインプリント法で作製する場合には、数１０ｎｍまで狭くすることが可能である。よって、従来の特許文献１のような金属板のエッチングにより形成したメッシュと異なり、透過性を著しく向上させると共に視認されにくくすることが可能である。更に、導電層３０がＩＴＯやＩＺＯ（登録商標）、ＡＺＯ等の金属酸化物よりなる透明導電材料により構成されている場合には、導電層３０にも光透過性をもたせることができ、極めて光透過率の高い、かつ低抵抗な透明導電膜１を実現可能となる。なお、導電層３０は、凸部２１の表面の全体（上面および側面の上端から下端まで）に設けられていてもよいが、上面のみに設けられていてもよいし、上面と側面の一部とに設けられていてもよい。
【００２３】
凸部２１の間隔ｇｐ（ピッチ、凸部２１の中央から隣接する凸部２１の中央までの距離）は、例えば、凸部２１をナノインプリント法で作製する場合には１００ｎｍ程度、凸部２１をフォトリソグラフィで作製する場合には１０μｍ程度とすることができる。凸部２１のアスペクト比（隣接する凸部２１間の距離ｇｓと、凸部２１の高さｇｈとの比ｇｓ：ｇｈ）は、できるだけ大きいほうが望ましい。後述する製造方法において導電層３０を形成する際に下地材料へのダメージを小さくすることができるからである。凸部２１をナノインプリント法で作製する場合には、凸部２１のアスペクト比を、例えばｇｓ：ｇｈ＝１：４程度まで大きくすることが可能である。
【００２４】
この透明導電膜１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００２５】
まず、図６（Ａ）ないし図６（Ｃ）に示したように、上述した材料よりなる基材１０を用意し、この基材１０に、例えばナノインプリント法により、平行格子状または交差格子状の凸部２１を有する凹凸構造層２０を形成する。
【００２６】
すなわち、図６（Ａ）に示したように、基材１０に、例えばスピンコート法により、導電性を有する透明樹脂２０Ａ、例えば紫外線硬化型のＰＥＤＯＴを塗布する。次いで、同じく図６（Ａ）に示したように、平行格子状または交差格子状の凹部４１を有する石英よりなる型（モールド）４０を製作し、この型４０を透明樹脂２０Ａの表面に押し当てる。続いて、図６（Ｂ）に示したように、石英の型４０越しに紫外線ＵＶを照射して透明樹脂２０Ａを硬化させ、凹部４１の形状を透明樹脂２１Ａの表面に転写する。これにより、凹部４１の反転した形状の平行格子状または交差格子状の凸部２１を有する凹凸構造層２０が形成される。
【００２７】
ナノインプリント法では、アスペクト比の高い凸部２１を容易に形成することができる。ナノインプリント用の型４０は、数十ｎｍピッチまでの細かい凹凸構造を形成可能である。また、ナノインプリント用の型４０をロール形状とすれば、大面積の基材１０に対しても凸部２１を容易に形成可能である。
【００２８】
凹凸構造層２０を形成したのち、図７（Ａ）に示したように、例えばＩＴＯなどの導電材料のターゲット４２の下方に、基材１０を傾けてセットし、スパッタ法により斜め方向からの成膜を行い、凸部２１の上面および左側面に導電層３０を形成する。
【００２９】
続いて、図７（Ｂ）に示したように、ターゲット４２の下方に、基材１０を図７（Ａ）とは反対方向に傾けてセットし、スパッタ法により斜め方向からの成膜を行い、凸部２１の上面および右側面に導電層３０を形成する。凸部２１が図２に示した平行格子状である場合には、以上により、凸部２１の上面および側面に、左右対称に導電層３０を成膜可能である。
【００３０】
凸部２１が図３ないし図５に示したような交差格子状である場合には、図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示した左右斜め方向からの成膜に加えて、前後斜め方向からの成膜を行うことによって、凸部２１の上面および前後左右の側面に平均的に成膜を行うことができる。前後左右斜め方向からの成膜は、成膜装置が対応していれば別々に行う必要はなく、同時に成膜してもよい。これにより、図１に示した透明導電膜１が完成する。
【００３１】
導電材料の成膜方向４３は、図８に示したように、凸部２１の上部角２１Ａと隣接する凸部２１における根元の角２１Ｂとを結ぶ方向とすることが好ましい。つまり成膜角度θ（成膜方向４３が透明樹脂層２０の表面の法線４４に対してなす角度）（ｒａｄ）を、θ＝ａｔａｎ（ｇｓ／ｇｈ）を満たす角度とすることが好ましい。これにより、凸部２１の上面および側面のみに選択的に導電層３０を形成し、凹凸構造層２０の凸部２１以外の領域に導電材料を堆積させることなく隙間３１を設けることが可能となる。
【００３２】
また、スパッタ法は生産性が高い反面でプラズマによる基材１０へのダメージが発生しやすい。しかし、成膜角度θを上述のように制御することにより、プラズマによるダメージは、凹凸構造層２０の凸部２１のみが吸収することになる。従って、凹凸構造層２０の下地（この場合は基材１０）がダメージを受けやすい材料であったとしても、下地層にダメージが及ぶことなく、透過率の高い低抵抗な透明導電膜１を形成することができる。
【００３３】
図９に示したように、成膜角度θ１を大きくした場合には、導電層３０を凸部２１の上面と側面の一部とに形成することが可能である。
【００３４】
また、図１０に示したように、成膜時間を長くすることにより、導電層３０を凸部２１の間で連続させることも可能である。その場合も、凹凸構造層２０の凸部２１以外の領域には隙間３１が形成されるので、下地材料へのダメージは回避される。
【００３５】
このようにして形成された透明導電膜１は、図示しないが、必要に応じて、導電層３０を用途に合わせた所望の形状に加工することも可能である。加工方法としては、例えば、前工程で基材１０の導電層３０が不要な領域にマスキングを施しておく、または、基材１０の全面に導電層３０を形成したのちに不要な部分を後工程でエッチングにより除去する、などが挙げられる。
【００３６】
この透明導電膜１では、凹凸構造層２０の表面に平行格子状または交差格子状の凸部２１が設けられており、この凸部２１の上面および側面に導電層３０が設けられているので、凹凸構造層２０を構成する導電性高分子材料のもつ比較的高い抵抗値は、より抵抗値が低い導電層３０によって補われ、全体として抵抗値が低くなり、高い導電性が得られる。また、凹凸構造層２０の凸部２１以外の領域は、導電層３０が形成されず、隙間３１となっているので、光は隙間３１を透過し、光透過率が向上すると共に、下地材料へのダメージが小さくなっている。
【００３７】
このように本実施の形態の透明導電膜１では、凹凸構造層２０の表面に平行格子状または交差格子状の凸部２１を設け、この凸部２１の上面および側面に導電層３０を設けるようにしたので、透過性および導電性を高めると共に下地材料へのダメージを小さくすることが可能となる。よって、この透明導電膜１を用いて電子素子および電子機器を構成すれば、熱等のエネルギーダメージを受けやすい材料の上に極めて低抵抗な透明導電膜１を形成することが可能となり、透明有機ＥＬディスプレイ等の完全透明なデバイスの実現が可能となる。
【００３８】
本実施の形態の透明導電膜１の製造方法では、基材１０に透明樹脂２０Ａを塗布し、平行格子状または交差格子状の凹部４１を有する型４０を透明樹脂２０Ａの表面に配置して透明樹脂２０Ａを硬化させ、凹部４１の形状を透明樹脂２０Ａの表面に転写することにより、平行格子状または交差格子状の凸部２１を有する凹凸構造層２０を形成し、この透明樹脂層２０の表面の法線４４に対して斜め方向から導電材料を成膜することにより、凸部２１の上面および側面に導電層３０を形成するようにしたので、エッチング工程を用いることなく成膜工程のみで、透明導電膜１を容易に製造することが可能となる。
【００３９】
なお、上記実施の形態では、導電層３０の成膜方法としてスパッタ法を用いる場合について説明したが、導電層３０は、蒸着法など他の成膜方法により形成することも可能である。
【００４０】
また、上記実施の形態では、凹凸構造層２０が導電性高分子材料または導電性をもたせた樹脂などの、導電性を有する透明樹脂により構成されている場合について説明したが、凹凸構造層２０の下地材料との電気的接続を必要としない電磁シールドのような用途であれば、凹凸構造層２０は導電性をもたない材料により構成されていてもよい。
【００４１】
（電子素子および電子機器）
上記実施の形態の透明導電膜１は、例えば、静電容量型タッチパネルセンサの検出電極、非接触式ＩＣカード等のアンテナ、透明フィルムヒータ、透明キャパシタなどの電子素子、またはこの電子素子を備えた電子機器として、多岐にわたる応用が可能である。
【００４２】
（適用例１）
図１１は、上記実施の形態の透明導電膜１が適用される静電容量型タッチパネルの構成を表したものである。この静電容量型タッチパネル１１０は、基材１０の上面１０Ａに、検出電極として複数（例えば図７では８本）の直線状の凹凸構造層２０および導電層３０Ａを有している。各凹凸構造層２０および導電層３０Ａは接続線６１Ａを介して切替装置６２Ａに接続されている。一方、基材１０の下面１０Ｂには、検出電極として複数（例えば図７では４本）の直線状の凹凸構造層２０および導電層３０Ｂが、導電層３０Ａと直交する方向に設けられている。各凹凸構造層２０および導電層３０Ｂは接続線６１Ｂを介して切替装置６２Ｂに接続されている。切替装置６２Ａ，６２Ｂは一定時間ごとに導電層３０Ａ，３０Ｂを走査し、その結果を静電容量検出部６３に供給する。人の指やペンなどの接触体５０でタッチされている導電層３０Ａ，３０Ｂでは静電容量が増加することからタッチの有無が認識できる。
【００４３】
この静電容量型タッチパネル１１０は、例えば図１２に示したテレビジョン装置などの電子機器に適用される。このテレビジョン装置２００は、例えば、フロントパネル２１０およびフィルターガラス２２０を含む映像表示画面部２３０を有しており、この映像表示画面部２３０に、静電容量型タッチパネル１１０が設けられている。
【００４４】
（適用例２）
図１３は、上記実施の形態の透明導電膜１が適用されるヒータの平面構成を表したものである。このヒータ１２０は、基材１０にミアンダ（ジグザグ）形状の凹凸構造層２０および導電層３０を設けたものである。凹凸構造層２０および導電層３０の一端と他端との間には電源７０が接続されている。電源７０から電流を流すと、凹凸構造層２０および導電層３０を電流が流れ、ジュール熱により発熱する。
【００４５】
（適用例３）
図１４は、上記実施の形態の透明導電膜１が適用されるキャパシタの断面構成を表したものである。このキャパシタ１３０は、誘電体層としての基材１０の上面１０Ａおよび下面１０Ｂに、電極としての凹凸構造層２０および導電層３０Ａ，３０Ｂがそれぞれ設けられている。導電層３０Ａと導電層３０Ｂとの間には、電源７０が接続されている。電源７０により電圧を印加すると、誘電体層としての基材１０が分極し、電荷が蓄積される。
【００４６】
（適用例４）
図１５は、上記実施の形態の積層体１が適用されるアンテナの平面構成を表したものである。このアンテナ１４０は、基材１０に渦巻きパターンの凹凸構造層２０および導電層３０を有している。導電層３０の一端と他端との間には送信部または受信部８０が設けられている。
【００４７】
（有機ＥＬ素子および表示装置）
上記実施の形態の透明導電膜１は、例えば、有機ＥＬ素子およびこれを用いた有機ＥＬ表示装置への適用が可能である。
【００４８】
（有機ＥＬ素子への適用例）
図１６は、上記実施の形態の透明導電膜１が適用される有機ＥＬ素子の構成を表したものである。この有機ＥＬ素子１５０は、基材１０に、例えばＩＴＯよりなる下部電極９１、正孔輸送層，発光層および電子輸送層などを含む有機層９２、並びに上部電極９３が順に設けられ、必要に応じて保護膜（図示せず）により覆われたものである。上部電極９３は、上記実施の形態の透明導電膜１により構成されている。これにより、この有機ＥＬ素子１５０では、有機層９２へダメージを与えずに透明な上部電極９３を形成することができ、上部電極９３と下部電極９１の両方が透明なウィンドウディスプレイ（透明有機ＥＬディスプレイ）の実現が可能となっている。
【００４９】
これに対して従来では、透明導電材料として用いられるＩＴＯ、ＩＺＯ（登録商標）、ＡＺＯ等が高融点材料であるため蒸着法による成膜ができず、スパッタ法による成膜を行わなければならないので、有機層へダメージを与えずに透明な上部電極を形成することは困難であった。従って、透明な下部電極の上に有機層を形成し、上部電極は、Ｍｇ−Ａｇ合金またはカルシウム（Ｃａ）等の金属材料を、比較的下地材料へのダメージが少ない蒸着法によって成膜し、光を下部電極側から取り出しており、ウインドウディスプレイ（透明有機ＥＬディスプレイ）のような完全透明なデバイスを実現することは困難であった。
【００５０】
なお、有機ＥＬ素子１５０が単純マトリクス駆動方式のものである場合には、下部電極９１および上部電極９３は、互いに直交するストライプ状に設けられている。有機ＥＬ素子１５０がアクティブマトリクス駆動方式のものである場合には、下部電極９１は個々の有機ＥＬ素子ごとに設けられ、上部電極９３は全部の有機ＥＬ素子の共通電極として設けられる。
【００５１】
この有機ＥＬ素子１５０は、基材１０に、下部電極９１および有機層９２を順に形成したのち、上記実施の形態と同様にして凹凸構造層２０および導電層３０を形成し、透明導電膜１よりなる上部電極９３を形成することにより製造することができる。
【００５２】
（表示装置）
図１７は、図１６に示した有機ＥＬ素子１５０を備えた表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば、基材１０の上に、表示領域３１０として、複数の有機ＥＬ素子１５０Ｒ，１５０Ｇ，１５０Ｂがマトリクス状に配置されたものである。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路３２０および走査線駆動回路３３０が設けられている。
【００５３】
表示領域３１０内には画素駆動回路３４０が設けられている。図１８は、画素駆動回路３４０の一例を表したものである。画素駆動回路３４０は、下部電極９１の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。すなわち、この画素駆動回路３４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１５０Ｒ（または１５０Ｇ，１５０Ｂ）とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００５４】
画素駆動回路３４０において、列方向には信号線３２０Ａが複数配置され、行方向には走査線３３０Ａが複数配置されている。各信号線３２０Ａと各走査線３３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１５０Ｒ，１５０Ｇ，１５０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線３２０Ａは、信号線駆動回路３２０に接続され、この信号線駆動回路３２０から信号線３２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線３３０Ａは走査線駆動回路３３０に接続され、この走査線駆動回路３３０から走査線３３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００５５】
この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路３３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路３２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機ＥＬ素子１５０Ｒ，１５０Ｇ，１５０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、下部電極９１と、透明導電膜１よりなる上部電極９３との両方の側から取り出される。
【００５６】
（表示装置のモジュールおよび適用例）
以下、この表示装置の適用例について説明する。上記の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００５７】
（モジュール）
上記の表示装置は、例えば、図１９に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基材１０の一辺に、保護層（図示せず）から露出した領域３５０を設け、この露出した領域３５０に、信号線駆動回路３２０および走査線駆動回路３３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）３６０が設けられていてもよい。
【００５８】
（表示装置の適用例１）
図２０は、上記の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル４１１およびフィルターガラス４１２を含む映像表示画面部４１０を有しており、この映像表示画面部４１０は、上記の表示装置により構成されている。
【００５９】
（表示装置の適用例２）
図２１は、上記の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４２１、表示部４２２、メニュースイッチ４２３およびシャッターボタン４２４を有しており、その表示部４２２は、上記の表示装置により構成されている。
【００６０】
（表示装置の適用例３）
図２２は、上記の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体４３１，文字等の入力操作のためのキーボード４３２および画像を表示する表示部４３３を有しており、その表示部４３３は、上記の表示装置により構成されている。
【００６１】
（表示装置の適用例４）
図２３は、上記の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部４４１，この本体部４４１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ４４２，撮影時のスタート／ストップスイッチ４４３および表示部４４４を有しており、その表示部４４４は、上記の表示装置により構成されている。
【００６２】
（表示装置の適用例５）
図２４は、上記の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体４５１と下側筐体４５２とを連結部（ヒンジ部）４５３で連結したものであり、ディスプレイ４５４，サブディスプレイ４５５，ピクチャーライト４５６およびカメラ４５７を有している。そのディスプレイ４５４またはサブディスプレイ４５６は、上記の表示装置により構成されている。
【００６３】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、凸部２１が矩形の断面を有し、凸部２１の側面が垂直である場合について説明したが、凸部２１の側面は傾斜していてもよく、その断面形状は、基材１０に近づくにつれて幅が大きくなる順テーパ状の台形断面でもよいし、基材１０に近づくにつれて幅が小さくなる逆テーパ状の台形断面でもよい。更に、凸部２１は、三角形の断面を有していてもよい。その場合、凸部２１は側面のみを有し、上面を有しないが、導電層３０は、凸部２１の表面（側面）の少なくとも一部に設けられていればよい。
【００６４】
また、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法，成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法，成膜条件としてもよい。
【００６５】
更に、上記実施の形態では、有機ＥＬ素子の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【００６６】
加えて、上記実施の形態で説明したアクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路３２０や走査線駆動回路３３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１…透明導電膜、１０…基材、２０…凹凸構造層、２１…凸部、３０…導電層、４０…型、４１…凹部、７０…電源、６１…接続線、６２…切替装置、６３…静電容量検出部
【図１】
2011141961.tif 000003
【図２】
2011141961.tif 000004
【図３】
2011141961.tif 000005
【図４】
2011141961.tif 000006
【図５】
2011141961.tif 000007
【図６】
2011141961.tif 000008
【図７】
2011141961.tif 000009
【図８】
2011141961.tif 000010
【図９】
2011141961.tif 000011
【図１０】
2011141961.tif 000012
【図１１】
2011141961.tif 000013
【図１２】
2011141961.tif 000014
【図１３】
2011141961.tif 000015
【図１４】
2011141961.tif 000016
【図１５】
2011141961.tif 000017
【図１６】
2011141961.tif 000018
【図１７】
2011141961.tif 000019
【図１８】
2011141961.tif 000020
【図１９】
2011141961.tif 000021
【図２０】
2011141961.tif 000022
【図２１】
2011141961.tif 000023
【図２２】
2011141961.tif 000024
【図２３】
2011141961.tif 000025
【図２４】
2011141961.tif 000026