(57)【要約】【課題】外光反射を抑制し、厚さを最小化した有機発光表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の有機発光表示装置１０１は、基板本体１１１、基板本体１１１上に形成された有機発光素子７０、有機発光素子７０上に形成された位相遅延キャッピング層４２０、位相遅延キャッピング層４２０上に配置された封止部材２１０、および封止部材２１０に付着された偏光板４１０を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体と、
前記基板本体上に形成された有機発光素子と、
前記有機発光素子上に形成された位相遅延キャッピング層と、
前記位相遅延キャッピング層上に配置された封止部材と、
前記封止部材に付着された偏光板と、
を含むことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記位相遅延キャッピング層は、１．８〜２．７の範囲内の屈折率を有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記位相遅延キャッピング層は、複屈折特性を有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記位相遅延キャッピング層は、チタン酸化物、ジルコニウム酸化物、セリウム酸化物、鉛酸化物、錫酸化物、タンタル酸化物、インジウム酸化物、および亜鉛酸化物のうちの１つ以上を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記偏光板を通過して直線偏光された光が、前記位相遅延キャッピング層を通過して円偏光されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記位相遅延キャッピング層は、０．９μｍ〜１．３μｍの範囲内の厚さを有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記有機発光素子は、前記基板本体上に形成された第１電極、前記第１電極上に形成された有機発光層、および前記有機発光層上に形成された第２電極を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１電極は反射電極であり、前記第２電極は透明電極または半透過電極であることを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記位相遅延キャッピング層は、斜方蒸着膜であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記位相遅延キャッピング層は、熱蒸着工程を通じて形成されたことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記熱蒸着工程は、蒸着方向に対して前記基板本体が４０°〜５０°の範囲内の角度に傾けられた状態で行われたことを特徴とする請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記位相遅延キャッピング層は、前記基板本体の表面に対して傾斜しており前記蒸着方向に延長された複数の微細な柱状構造体を含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
基板本体を用意する工程と、
前記基板本体上に有機発光素子を形成する工程と、
前記基板本体を所定の角度に傾けた状態で、熱蒸着工程を通じて前記有機発光素子上に位相遅延キャッピング層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記基板本体が傾けられた角度は、４０°〜５０°の範囲内に属することを特徴とする請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記位相遅延キャッピング層は、前記基板本体の表面に対して傾斜しており蒸着方向に延長された複数の微細な柱状構造体を含むことを特徴とする請求項１３または１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記位相遅延キャッピング層は、０．９μｍ〜１．３μｍの範囲内の厚さに形成されることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
封止部材を前記基板本体と合着させる工程と、
偏光板を前記封止部材に付着させる工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記位相遅延キャッピング層は、屈折率が１．８〜２．７の範囲内の物質で形成されることを特徴とする請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記位相遅延キャッピング層は、複屈折特性を有することを特徴とする請求項１３〜１８のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記位相遅延キャッピング層は、チタン酸化物、ジルコニウム酸化物、セリウム酸化物、鉛酸化物、錫酸化物、タンタル酸化物、インジウム酸化物、および亜鉛酸化物のうちの１つ以上を含むことを特徴とする請求項１３〜１９のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置およびその製造方法に関し、より詳しくは、外光反射を抑制した有機発光表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）は、光を放出する有機発光素子を有して画像を表示する自発光型表示装置である。有機発光層の内部で電子と正孔が結合して生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発生するエネルギーによって光が発生し、これを利用して有機発光表示装置は画像を表示する。
【０００３】
しかし、有機発光表示装置は明るい場所で使用すると、外部から流入する光の反射によって黒色の表現およびコントラストが不良になる問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、本発明の第１の目的は、外光反射を抑制し、厚さを最小化した有機発光表示装置を提供することにある。
【０００５】
本発明の第２の目的は、上記の有機発光表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、有機発光表示装置は、基板本体、前記基板本体上に形成された有機発光素子、前記有機発光素子上に形成された位相遅延キャッピング層、前記位相遅延キャッピング層上に配置された封止部材、および前記封止部材に付着された偏光板を含む。
【０００７】
前記位相遅延キャッピング層は、１．８〜２．７の範囲内の屈折率を有することができる。
【０００８】
前記位相遅延キャッピング層は、複屈折特性を有することができる。
【０００９】
前記位相遅延キャッピング層は、チタン酸化物、ジルコニウム酸化物、セリウム酸化物、鉛酸化物、錫酸化物、タンタル酸化物、インジウム酸化物、および亜鉛酸化物のうちの１つ以上を含むことができる。
【００１０】
前記偏光板を通過して直線偏光された光が、前記位相遅延キャッピング層を通過して円偏光され得る。
【００１１】
前記位相遅延キャッピング層は、０．９μｍ〜１．３μｍの範囲内の厚さを有することができる。
【００１２】
前記有機発光素子は、前記基板本体上に形成された第１電極、前記第１電極上に形成された有機発光層、および前記有機発光層上に形成された第２電極を含むことができる。
【００１３】
前記第１電極は反射電極であり、前記第２電極は透明電極または半透過電極であってよい。
【００１４】
前記有機発光表示装置において、前記位相遅延キャッピング層は、斜方蒸着膜であってよい。
【００１５】
前記位相遅延キャッピング層は、熱蒸着工程を通じて形成されることができる。
【００１６】
前記熱蒸着工程は、蒸着方向に対して前記基板本体が４０°〜５０°の範囲内の角度に傾けられた状態で行われることができる。
【００１７】
前記位相遅延キャッピング層は、前記基板本体の表面に対して傾斜しており前記蒸着方向に延長された複数の微細な柱状構造体を含むことができる。
【００１８】
また、本発明の実施形態によれば、有機発光表示装置の製造方法は、基板本体を用意する工程、前記基板本体上に有機発光素子を形成する工程、および前記基板本体を所定の角度に傾けた状態で熱蒸着工程を通じて前記有機発光素子上に位相遅延キャッピング層を形成する工程を含む。
【００１９】
前記基板本体が傾けられた角度は、４０°〜５０°の範囲内である。
【００２０】
前記位相遅延キャッピング層は、前記基板本体の表面に対して傾斜しており蒸着方向に延長された複数の微細な柱状構造体を含むことができる。
【００２１】
前記位相遅延キャッピング層は、０．９μｍ〜１．３μｍの範囲内の厚さに形成されることができる。
【００２２】
前記有機発光表示装置の製造方法は、封止部材を前記基板本体と合着させる工程と、偏光板を前記封止部材に付着させる工程と、をさらに含むことができる。
【００２３】
前記有機発光表示装置の製造方法において、前記位相遅延キャッピング層は、屈折率が１．８〜２．７の範囲内の物質で形成できる。
【００２４】
前記位相遅延キャッピング層は、複屈折特性を有することができる。
【００２５】
前記位相遅延キャッピング層は、チタン酸化物、ジルコニウム酸化物、セリウム酸化物、鉛酸化物、錫酸化物、タンタル酸化物、インジウム酸化物、および亜鉛酸化物のうちの１つ以上を含むことができる。
【発明の効果】
【００２６】
以上説明したように本発明によれば、有機発光表示装置は外光反射を抑制し、その厚さを最少化することができる。
【００２７】
また、上記有機発光表示装置を効果的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態にかかる有機発光表示装置の部分断面図である。
【図２】図１の有機発光表示装置の画素回路を示す配置図である。
【図３】図２のIII−III線に沿った断面図である。
【図４】図１の有機発光表示装置の製造工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は様々に相違した形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されることはない。
【００３０】
また、明細書全体にわたって同一または類似した構成要素については同一の参照符号を付与する。
【００３１】
また、図面に示した各構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示したものであるため、本発明が必ずしも図示された通りに限定されることはない。
【００３２】
図面から複数の層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして、図面において、説明の便宜のために、一部層および領域の厚さを誇張して示した。層、膜、領域、板などの部材分が他の部材の「上に」または「上部に」あるというとき、これは他の部材の「直上に」ある場合だけでなく、その中間にまた他の部材がある場合も含む。
【００３３】
以下、図１〜図３を参照して、本発明の一実施形態にかかる有機発光表示装置１０１を説明する。
【００３４】
図１に示したように、本実施形態にかかる有機発光表示装置１０１は、基板本体１１１、駆動回路部（ＤＣ）、有機発光素子７０、位相遅延キャッピング層４２０、封止部材２１０、および偏光板４１０を含む。ここで、基板本体１１１と、その上に形成された駆動回路部（ＤＣ）および有機発光素子７０とを表示基板１００と称する。
【００３５】
基板本体１１１は、ガラス、石英、およびセラミックなどからなる透明な絶縁性基板で形成されたり、プラスチックなどからなる透明なフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板で形成されたりする。また、基板本体１１１は、ステンレス鋼などからなる金属性基板で形成されてもよい。
【００３６】
駆動回路部（ＤＣ）は、基板本体１１１上に形成される。駆動回路部（ＤＣ）は、薄膜トランジスタ１０，２０（図２参照）および蓄電素子８０（図２参照）等を含み、有機発光素子７０を駆動する。即ち、有機発光素子７０は、駆動回路部（ＤＣ）から伝達された駆動信号によって光を放出して画像を表示する。
【００３７】
駆動回路部（ＤＣ）の具体的な構造は図２および図３に示されているが、本実施形態における駆動回路部（ＤＣ）は図２および図３に示された構造に限定されない。駆動回路部（ＤＣ）は、当業者が容易に変形実施できる範囲内で多様な構造で形成できる。
【００３８】
有機発光素子７０は、第１電極７１０、有機発光層７２０、および第２電極７３０を含む。第１電極７１０は、正孔注入電極であるアノード電極であり、第２電極７３０は、電子注入電極であるカソード電極となる。しかし、本実施形態は必ずしもこれに限定されるのではなく、即ち、第１電極７１０がカソード電極となって、第２電極７３０がアノード電極となることもある。
【００３９】
第１電極７１０は正孔注入電極であるため、相対的に大きい仕事関数、例えば、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有する銀（Ａｇ）、Ｎｉ（ニッケル）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、およびＣｕ（銅）のうちの１つ以上の金属を含む。そして、第２電極７３０は電子注入電極であるため、相対的に低い仕事関数、例えば、４．５ｅｖ未満の仕事関数を有するリチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、亜鉛（Ｚｎ）、およびアルミニウム（Ａｌ）のうちの１つ以上の金属を含む。
【００４０】
また、第１電極７１０は反射膜で形成され、第２電極７３０は半透過膜または透明導電膜で形成される。従って、有機発光層７２０で発生した光は、第２電極７３０を通過して放出される。即ち、図１において矢印で示したように、有機発光素子７０で発生した光は、封止部材２１０を経て外部に放出される。このように、本実施形態において、有機発光表示装置１０１は、前面発光型の構造を有する。しかし、本実施形態は、これに限定されるわけではない。即ち、有機発光表示装置１０１は、基板本体１１１方向および封止部材２１０方向に全ての光を放出する両面発光型でもありうる。この場合、第１電極７１０も半透過膜または透明導電膜で形成されることができる。
【００４１】
反射膜と半透過膜は、厚さにより決定される。一般的に、半透過膜の厚さは５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり、反射膜は半透過膜より相対的に厚い。半透過膜の厚さによって光の透過率および反射率が変動する。具体的に、半透過膜の厚さが薄くなるほど光の透過率が高くなり、厚さが厚くなるほど光の透過率が低くなる。また、厚さによる光の透過率は金属ごとに異なる。通常、半透過膜の厚さが１００ｎｍより大きいと、光の透過率が過度に低くなる。一方、半透過膜の厚さが５ｎｍより小さいと電気的特性が不良になる。
【００４２】
透明導電膜は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：インジウム亜鉛酸化物）、ＺＩＴＯ（Ｚｉｎｃ  Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：亜鉛インジウムスズ酸化物）、ＧＩＴＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ  Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ガリウムインジウムスズ酸化物）、Ｉｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：酸化亜鉛）、ＧＩＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ  Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：ガリウムインジウム亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：ガリウム添加酸化亜鉛）、ＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：フッ素添加酸化スズ）、およびＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ−Ｄｏｐｅｄ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：アルミニウムドープ酸化亜鉛）のうちの１つ以上を含む。
【００４３】
また、第１電極７１０も、透明導電膜を含むことができる。即ち、第１電極７１０は、反射膜と透明導電膜を含む多重層構造を有することができる。具体的に、第１電極７１０において、透明導電膜は、反射膜と有機発光層７２０との間に配置される。また、第１電極７１０は、透明導電膜、反射膜、および透明導電膜が順に積層された３重膜構造で形成することもできる。透明導電膜は、相対的に高い仕事関数を有するため、第１電極７１０において円滑な正孔注入を行う助けとなる。この場合、第１電極７１０の反射膜として多様な金属を用いることができる。
【００４４】
有機発光層７２０は、発光層、正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｏｎｇ  ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）、および電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）のうちの１つ以上を含む多重膜で形成される。前述した複数の層のうち発光層を除く残りの層は必要に応じて省略されてもよい。有機発光層７２０が上述した全ての層を含む場合、正孔注入電極である第１電極７１０上に正孔注入層が配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順に積層される。また、有機発光層７２０は、必要に応じて他の層をさらに含むこともできる。
【００４５】
また、第１電極７１０が反射膜で形成され、第２電極７３０が半透過膜で形成される場合、有機発光表示装置１０１は、微小共振器（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）効果を利用して、光の利用効率、即ち、輝度を向上させることができる。微小共振器効果は、有機発光素子７０の第１電極７１０と第２電極７３０との間の距離を調節して極大化することができる。そして、微小共振器効果を極大化するために必要な第１電極７１０と第２電極７３０との間の距離は、有機発光素子７０が放出する光の色ごとに変動する。微小共振器効果を極大化するための第１電極７１０と第２電極７３０との間の距離は、相対的に赤色系の光を放出する有機発光素子７０が最も大きく、青色系の光を放出する有機発光素子７０が最も小さい。
【００４６】
従って、放出する光の色によって互いに異なる厚さの共振層（図示せず）を有機発光素子７０に配置すれば、電力に対する輝度効率を効果的に向上させることができる。即ち、赤色系の光を放出する有機発光素子７０には相対的に最も厚い共振層を配置し、青色系の光を放出する有機発光素子７０には相対的に最も薄い共振層を配置したり、共振層を省略したりすることができる。
【００４７】
共振層は、第１電極７１０および第２電極７３０との間に別途に形成してもよく、有機発光層７２０が有する正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、および電子注入層（ＥＩＬ）のうちの１つ以上の層を厚く形成して共振層とすることもできる。そして、有機発光素子７０の第１電極７１０が透明導電膜を有する場合、この透明導電膜を厚く形成して共振層とすることもできる。
【００４８】
本実施形態において、有機発光表示装置１０１は、図１に示したように赤色系の光を放出する有機発光素子７０が相対的に最も厚く、青色系の光を放出する有機発光素子７０が相対的に最も薄く形成される。
【００４９】
また、有機発光表示装置１０１は、第１電極７１０の少なくとも一部を露出する開口部１９５を有する画素定義膜１９０をさらに含む。有機発光層７２０は、画素定義膜１９０の開口部１９５内で発光する。即ち、画素定義膜１９０の開口部１９５は、実際に光が放出される発光領域を画定する。
【００５０】
位相遅延キャッピング層４２０は、第２電極７３０上に形成されて有機発光素子７０を覆う。位相遅延キャッピング層４２０は、基本的に有機発光素子７０を保護すると同時に、有機発光素子７０から発生して位相遅延キャッピング層４２０を通過する光の位相を遅延させる。ここで、位相遅延キャッピング層４２０は、１／４波長板のように作用して光の位相を遅延させる。
【００５１】
また、位相遅延キャッピング層４２０は、１．８〜２．７の範囲内の屈折率を有する。そして、位相遅延キャッピング層４２０は、複屈折特性を有する。位相遅延キャッピング層４２０が通過する光の位相を遅延させるためには、高屈折特性と複屈折特性を有しなければならない。
【００５２】
また、位相遅延キャッピング層４２０の厚さは、０．９μｍ〜１．３μｍの範囲内である。このような厚さの範囲は、位相遅延キャッピング層４２０が通過する光の位相を遅延させると同時に、有機発光素子７０で放出された光の利用効率を向上させて、安定的に有機発光素子７０を保護するために要求される数値である。
【００５３】
また、位相遅延キャッピング層４２０は、斜方蒸着膜（ｏｂｌｉｑｕｅ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）で形成される。即ち、位相遅延キャッピング層４２０は、蒸着方向に対して４０°〜５０°の範囲内の角度に傾けられた状態で熱蒸着工程によって形成される。ここで、蒸着方向に対して傾けられた角度は、位相遅延キャッピング層４２０が１／４波長板のような役割を果たすために設定された角度である。このように形成された位相遅延キャッピング層４２０は、基板本体１１１の表面に対して傾斜した複数の微細な円柱形素子（柱状構造体）を有するようになる。複数の円柱形素子は、蒸着方向に延長されている。このような複数の円柱形素子によって、位相遅延キャッピング層４２０を通過する光は位相が変化する。
【００５４】
また、位相遅延キャッピング層４２０は高屈折率を有しつつ、熱蒸着が可能なチタン酸化物、ジルコニウム酸化物、セリウム酸化物、鉛酸化物、錫酸化物、タンタル酸化物、インジウム酸化物、および亜鉛酸化物のうちの１つ以上を含む物質で形成される。
【００５５】
封止部材２１０は、基板本体１１１と対向配置され、有機発光素子７０および駆動回路部（ＤＣ）を覆う。図示していないが、封止部材２１０の周縁に沿って形成されたシーラントを介して、基板本体１１１と封止部材２１０とは互いに合着密封される。封止部材２１０は、ガラス、石英、セラミック、およびプラスチックなどからなる透明な絶縁性基板で形成される。
【００５６】
しかし、本実施形態がこれに限定されるわけではない。従って、封止部材２１０は、透明な絶縁性有機膜および無機膜のうちの１つ以上が積層された封止薄膜構造で形成されてもよい。
【００５７】
偏光板４１０は、封止部材２１０に付着される。この時、偏光板４１０を通過して直線偏光された光が、位相遅延キャッピング層４２０を通過して円偏光されるように偏光板４１０の偏光軸方向が配列される。また、図１において偏光板４１０は、封止部材２１０の上に付着されたが、本実施形態がこれに限定されるわけではない。従って、偏光板４１０は、封止部材２１０の位相遅延キャッピング層４２０と対向する面、即ち、封止部材２１０の下に付着されてもよい。また、偏光板４１０は、位相遅延キャッピング層４２０の直ぐ上に配置されてもよい。
【００５８】
以上のような構成によって、本実施形態にかかる有機発光表示装置１０１は、外光反射を抑制しながら厚さを最少化することができる。
【００５９】
本実施形態において、外光反射が抑制される作用効果を見てみると、外光がまず偏光板４１０を通過しながら偏光板４１０の偏光軸と一致する外光は通過して、異なる外光は吸収される。この過程で約５０％程度の外光が消滅する。そして、偏光板４１０を通過して直線偏光された外光は、位相遅延キャッピング層４２０を通過して円偏光される。この時、円偏光は、左円偏光されたものを例に挙げて説明する。左円偏光された外光は、有機発光素子７０の第１電極７１０および第２電極７３０のうちの１つ以上に反射する。そして、反射されながら、左円偏光された外光が右円偏光に位相が変わる。そして、右円偏光された外光が再び位相遅延キャッピング層４２０を通過しながら直線偏光されるが、この時の外光は偏光板４１０の偏光軸と交差する方向に直線偏光される。従って、反射した外光は、偏光板４１０を通過できずに吸収される。このように、外部から流入した光は大部分消滅する。
【００６０】
また、外光反射を効果的に抑制するために偏光板４１０と共に必要な位相遅延板を、位相遅延キャッピング層４２０で代替することができる。従って、別途の位相遅延板が封止部材２１０に付着されることを省略することができるため、有機発光表示装置１０１の全体的な厚さも最少化できる。
【００６１】
また、位相遅延キャッピング層４２０は、有機発光層７２０および第２電極７３０に続いて連続的に蒸着形成され得るため、製造工程も単純化することができる。
【００６２】
以下、図２および図３を参照して、有機発光表示装置１０１の内部構造について詳しく説明する。図２は、画素の構造を示した配置図であり、図３は、図２のIII−III線に沿った断面図である。ここで、画素とは、有機発光表示装置１０１が画像を表示する最小単位である。
【００６３】
また、図２および図３では、１つの画素に２つの薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）１０，２０と１つの蓄電素子（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）８０を備えた２Ｔｒ−１Ｃａｐ構造のアクティブマトリックス（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ：ＡＭ）方式の有機発光表示装置１０１を示したが、本実施形態がこれに限定されるわけではない。従って、有機発光表示装置１０１は、１つの画素に３つ以上の薄膜トランジスタと２つ以上の蓄電素子を具備することができ、別途の配線がさらに形成されて多様な構造で形成することもできる。ここで、画素とは、画像を表示する最小単位をいい、各画素の領域ごとに配置される。有機発光表示装置１０１は、複数の画素を用いて画像を表示する。
【００６４】
図２および図３に示したように、有機発光表示装置１０１は、１つの画素ごとに各々形成されたスイッチング薄膜トランジスタ１０、駆動薄膜トランジスタ２０、蓄電素子８０、および有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ：ＯＬＥＤ）７０を含む。ここで、スイッチング薄膜トランジスタ１０、駆動薄膜トランジスタ２０、および蓄電素子８０を含む構成を駆動回路部（ＤＣ）という。そして、有機発光表示装置１０１は、一方向に沿って配置されるゲートライン１５１と、ゲートライン１５１と絶縁交差されるデータライン１７１および共通電源ライン１７２とをさらに含む。
【００６５】
１つの画素は、ゲートライン１５１、データライン１７１、および共通電源ライン１７２を境界として定義されるが、必ずしもこれに限定されるわけではない。
【００６６】
有機発光素子７０は、上述したように、第１半透過電極７１０、第１半透過電極７１０上に形成された有機発光層７２０、および有機発光層７２０上に形成された第２半透過電極７３０を含む。第１半透過電極７１０および第２半透過電極７３０から正孔および電子が有機発光層７２０の内部に各々注入される。注入された正孔と電子が結合した励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発光がなされる。
【００６７】
蓄電素子８０は、層間絶縁膜１６０を間において配置された一対の蓄電板１５８，１７８を含む。ここで、層間絶縁膜１６０は誘電体となる。蓄電素子８０において蓄電された電荷と両蓄電板１５８，１７８間の電圧によって蓄電容量が決定される。
【００６８】
スイッチング薄膜トランジスタ１０は、スイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３、およびスイッチングドレイン電極１７４を含む。駆動薄膜トランジスタ２０は、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６、および駆動ドレイン電極１７７を含む。
【００６９】
スイッチング薄膜トランジスタ１０は、発光しようとする画素を選択するスイッチング素子として使用される。スイッチングゲート電極１５２は、ゲートライン１５１に連結される。スイッチングソース電極１７３は、データライン１７１に連結される。スイッチングドレイン電極１７４は、スイッチングソース電極１７３から離隔配置されて、１つの蓄電板１５８と連結される。
【００７０】
駆動薄膜トランジスタ２０は、選択された画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電力を画素電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は、スイッチングドレイン電極１７４と連結された蓄電板１５８と連結される。駆動ソース電極１７６および他の１つの蓄電板１７８は、各々共通電源ライン１７２と連結される。駆動ドレイン電極１７７は、コンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）を通じて、有機発光素子７０の第１半透過電極７１０と連結される。
【００７１】
このような構造によって、スイッチング薄膜トランジスタ１０は、ゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって作動して、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスタ２０に伝達する役割を果たす。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスタ２０に印加される共通電圧とスイッチング薄膜トランジスタ１０から伝達されたデータ電圧との差に相当する電圧が蓄電素子８０に保存され、蓄電素子８０に保存された電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスタ２０を通じて有機発光素子７０に流れ、有機発光素子７０が発光するようになる。
【００７２】
以下、図４を参照して、本実施形態にかかる有機発光表示装置１０１の製造方法を説明する。
【００７３】
まず、基板本体１１１上に駆動回路部（ＤＣ）および有機発光素子７０を形成して表示基板１１０を設ける。
【００７４】
次に、図４に示したように、表示基板１００を所定の角度（θ）に傾けた状態で熱蒸着工程を通して有機発光素子７０の上に位相遅延キャッピング層４２０を形成する。ここで、蒸着方向（ｙ軸方向）に対して表示基板１００が傾けられた角度（θ）は４０°〜５０°の範囲内に属する。図４の参照符号ＥＳは熱蒸着ソースを示し、ＳＴは表示基板１００が据置されたステージを示す。
【００７５】
このように形成された位相遅延キャッピング層４２０は、基板本体１１１の表面に対して傾斜しており蒸着方向に延長された複数の微細な円柱形素子を有する。このような複数の円柱形素子によって、位相遅延キャッピング層４２０を通過する光は位相が変化する。具体的に、位相遅延キャッピング層４２０は、１／４波長板のように光の位相を遅延させることができる。
【００７６】
また、位相遅延キャッピング層４２０は、チタン酸化物、ジルコニウム酸化物、セリウム酸化物、鉛酸化物、錫酸化物、タンタル酸化物、インジウム酸化物、および亜鉛酸化物のうちの１つ以上を含む物質で形成される。そして、位相遅延キャッピング層４２０は、１．８〜２．７の範囲内の高屈折率を有し、複屈折特性を有するように形成される。また、位相遅延キャッピング層４２０は、０．９μｍ〜１．３μｍの範囲内の厚さを有するように形成される。
【００７７】
次に、図１に示したように、封止部材２１０を基板本体１１１と合着させて、偏光板４１０を封止部材２１０に付着させる。
【００７８】
以上のような製造方法によって、本実施形態にかかる有機発光表示装置１０１を効果的に製造することができる。
【００７９】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、添付された特許請求の範囲で定義している本発明の概念と範囲を逸脱しない限り、多様な修正及び変形が可能であることは本発明の権利範囲に属する技術分野に従事する者は簡単に理解できるはずである。
【符号の説明】
【００８０】
１０，２０  薄膜トランジスタ、
７０  有機発光素子、
１０１  有機発光表示装置、
１１１  基板本体、
１９０  画素定義膜、
１９５  開口部、
２１０  封止部材、
４１０  偏光板、
４２０  位相遅延キャッピング層、
７１０  第１電極、
７２０  有機発光層、
７３０  第２電極。
【図１】
2011171275.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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