(57)【要約】【課題】マイクロコネクタにおいて、微細化を図ると共に、雄端子と雌端子との着脱を繰り返した場合でも、雄端子と雌端子との嵌合を外れにくくする。【解決手段】嵌合部５を雄側ばね部４ａと雌側ばね部２ａ、３ａとで形成し、嵌合部５の形状を、雄側ばね部４ａが、雌側ばね部２ａ、３ａの間に水平方向に押圧されると、雄側ばね部４ａと雌側ばね部２ａ、３ａとが嵌合され得る形状に形成した。これにより、雄端子側部材４と雌端子側部材２、３との着脱を繰り返した場合でも、雄端子側部材４と雌端子側部材２、３との接続を外れにくくすることができる。また、雄端子側部材４と雌端子側部材２、３とをレジストのパターニング工程とめっき工程とを用いて作成したので、携帯機器などの更なる小型化やＩＣレベルでの配線接続に対応可能な微細なコネクタを得ることができる。【選択図】図１
2011096370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にめっき工程を用いて作成された雄端子と雌端子とを備えたマイクロコネクタにおいて、
前記雄端子と前記雌端子とは、いずれもばね部を有し、
前記雄端子側のばね部と前記雌端子側のばね部とは、嵌合部を形成し、
前記嵌合部は、前記雄端子側のばね部が前記雌端子側のばね部に水平方向に押圧されると、該雄端子側のばね部と前記雌端子側のばね部とが嵌合され得る形状に形成されていることを特徴とするマイクロコネクタ。
【請求項２】
前記雄端子と前記雌端子とは、いずれも立ち上がり部を有することを特徴とする請求項１に記載のマイクロコネクタ。
【請求項３】
前記雄端子と前記雌端子とは、いずれも異なる種類の金属を多層化して形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のマイクロコネクタ。
【請求項４】
前記雄端子と前記雌端子とは、いずれも、レジストのパターニング工程と前記めっき工程とを用いて作成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のマイクロコネクタ。
【請求項５】
前記雄端子と前記雌端子とを複数組備え、各組の雄端子及び雌端子の立ち上がり部の高さが、他のいずれの組の雄端子及び雌端子の立ち上がり部の高さとも異なることを特徴とする請求項２に記載のマイクロコネクタ。
【請求項６】
前記複数組の雄端子と雌端子とは、いずれも、レジストのパターニング工程と前記めっき工程とを用いて作成されたことを特徴とする請求項５に記載のマイクロコネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異なる基板上に設けられた回路間や、機器間の電気的接続を行うためのマイクロコネクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、異なる基板上に設けられた回路間や、機器間の電気的接続を行うためのコネクタは、ばねとなる金属材料を機械的に切断して、切断後の金属材料に曲げ加工を行う方法により作成されている。しかしながら、金属材料に機械的な切断加工や曲げ加工を行ってコネクタを作成する方法では、コネクタの微細化に限界があり、携帯機器などの更なる小型化やＩＣレベルでの配線接続に対応可能な微細なコネクタを製造することが困難であるといった問題があった。
【０００３】
そこで、コネクタを含むマイクロ構造体の分野において、従来の半導体デバイス製造に用いられる工程（半導体プロセス）とめっき工程とを用いて、マイクロ構造体の微細化を図るようにしたものが知られている（例えば、特許文献１及び２参照）。また、コネクタの分野において、従来の半導体デバイス製造に用いられる工程とめっき工程とを用いて、嵌合操作が容易で、精度のよい嵌合を行うことが可能な電気コネクタが開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００４】
上述した特許文献３に記載の電気コネクタでは、コネクタの雄端子と雌端子とを嵌合させることは容易であるかもしれない。また、特許文献３の第２の実施形態の発明（図6及び７に示される発明）によれば、雄端子と雌端子との嵌合を外れにくくすることも可能であるかもしれない。しかしながら、一旦、コネクタの雄端子と雌端子との嵌合を解除した後に、再度雄端子と雌端子とを嵌合させた場合には、雄端子と雌端子との接続が外れやすくなってしまうという問題があった。また、上記特許文献１及び２には、コネクタの雄端子と雌端子との接続に関する開示はない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２９７４６６号公報
【特許文献２】特開２００３−２９７５１５号公報
【特許文献３】特開２００１−３３２３４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するものであり、雄端子と雌端子との着脱（嵌合と取り外し）を繰り返した場合でも、雄端子と雌端子との嵌合を外れにくくすることができ、しかも、携帯機器などの更なる小型化やＩＣレベルでの配線接続に対応可能な微細なマイクロコネクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項1の発明は、基板上にめっき工程を用いて作成された雄端子と雌端子とを備えたマイクロコネクタにおいて、前記雄端子と前記雌端子とは、いずれもばね部を有し、前記雄端子側のばね部と前記雌端子側のばね部とは、嵌合部を形成し、前記嵌合部は、前記雄端子側のばね部が前記雌端子側のばね部に水平方向に押圧されると、該雄端子側のばね部と前記雌端子側のばね部とが嵌合され得る形状に形成されているものである。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１に記載のマイクロコネクタにおいて、前記雄端子と前記雌端子とは、いずれも立ち上がり部を有するものである。
【０００９】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載のマイクロコネクタにおいて、前記雄端子と前記雌端子とは、いずれも異なる種類の金属を多層化して形成されているものである。
【００１０】
請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマイクロコネクタにおいて、前記雄端子と前記雌端子とは、いずれも、レジストのパターニング工程と前記めっき工程とを用いて作成されたものである。ここで、上記のレジストのパターニング工程には、レジスト塗布、乾燥ベーキング、マスク合わせ、及び露光の工程が含まれる。
【００１１】
請求項５の発明は、請求項２に記載のマイクロコネクタにおいて、前記雄端子と前記雌端子とを複数組備え、各組の雄端子及び雌端子の立ち上がり部の高さが、他のいずれの組の雄端子及び雌端子の立ち上がり部の高さとも異なるものである。
【００１２】
請求項６の発明は、請求項５に記載のマイクロコネクタにおいて、前記複数組の雄端子と雌端子とは、いずれも、レジストのパターニング工程と前記めっき工程とを用いて作成されたものである。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１の発明によれば、嵌合部を雄端子側のばね部と雌端子側のばね部とで形成し、嵌合部の形状を、雄端子側のばね部が雌端子側のばね部に水平方向に押圧されると、雄端子側のばね部と雌端子側のばね部とが嵌合され得る形状に形成した。これにより、雄端子と雌端子との着脱（雄端子側のばね部と雌端子側のばね部との嵌合と取り外し）を繰り返した場合でも、雄端子と雌端子とを容易に着脱することができ、しかも、雄端子と雌端子との接続を外れにくくすることができる。また、雄端子と雌端子とをめっき工程を用いて作成したので、携帯機器などの更なる小型化やＩＣレベルでの配線接続に対応可能な微細なコネクタを得ることができる。
【００１４】
また、請求項２の発明によれば、雄端子と雌端子とが、いずれも立ち上がり部を有するようにしたことにより、嵌合部が基板からある程度の高さを持つようにすることができる。これにより、ダイシング等で基板をカットするときに、嵌合部を傷つけてしまうのを防ぐことができる。
【００１５】
また、請求項３の発明によれば、雄端子と雌端子とを、いずれも異なる種類の金属を多層化して形成したことにより、雄端子と雌端子とに、必要となる導電性、ばね性、強度（剛性）、及び基板との密着性を付与することが可能となる。
【００１６】
また、請求項４及び請求項６の発明によれば、雄端子と雌端子とが、いずれも、レジストのパターニング工程とめっき工程とを用いて作成されているので、携帯機器などの更なる小型化やＩＣレベルでの配線接続に対応可能な微細なコネクタを得ることができる。
【００１７】
また、請求項５の発明によれば、各組の雄端子及び雌端子の立ち上がり部の高さが、他のいずれの組の雄端子及び雌端子の立ち上がり部の高さとも異なるようにしたことにより、高さの異なる複数組の雄端子及び雌端子を高さ方向に互い違いに配置して、多層の嵌合部を同時に作成することができる。これにより、このマイクロコネクタを用いる機器の長さ方向及び幅方向における大きさの小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ）（ｂ）は、それぞれ本発明の第１の実施形態に係るマイクロコネクタの上面図と側面図。
【図２】異なる種類の金属を多層化して形成した場合における、図１中の雌端子側部材を示す側面図。
【図３】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）（ｇ）（ｈ）（ｉ）は、同雌端子側部材の各製造段階における支持基板上の積層状態を示す側面図及び上面図。
【図４】（ａ）（ｂ）は、それぞれ本発明の第２の実施形態に係るマイクロコネクタの上面図と側面図。
【図５】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）（ｇ）（ｈ）（ｉ）は、同マイクロコネクタの雌端子側部材の各製造段階における支持基板上の積層状態を示す側面図及び上面図。
【図６】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、同雌端子側部材の各製造段階における支持基板上の積層状態を示す側面図及び上面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施形態に係るマイクロコネクタについて、図面を参照して説明する。
＜第１の実施形態＞
図１（ａ）（ｂ）は、それぞれ本発明の第１の実施形態のマイクロコネクタの上面と側面とを示す。第１の実施形態は、請求項１乃至４に相当する。図に示されるように、マイクロコネクタ１は、セラミックやガラスエポキシ材等の支持基板（請求項における基板）６上に、レジストのパターニング工程を含む半導体プロセスとめっき工程とを用いて作成された、雌端子側部材２、３と雄端子側部材４とを備えている。雄端子側部材４が請求項における雄端子に相当し、雌端子側部材２と雌端子側部材３とが請求項における雌端子に相当する。雌端子側部材２は、弾性を有する雌側ばね部２ａと、立ち上がり部２ｂと、支持基盤６と接合する土台部２ｃとを有している。雌端子側部材３も弾性を有する雌側ばね部３ａと、立ち上がり部３ｂと、支持基盤６と接合する土台部３ｃとを有している。雄端子側部材４は、弾性を有する菱型状の雄側ばね部４ａと、立ち上がり部４ｂと、支持基盤６と接合する土台部４ｃとを有している。雌側ばね部２ａ、３ａの先端には、それぞれ雄側ばね部４ａの抜け止めとなるストッパ２ｄ、３ｄが設けられている。雌側ばね部２ａ、３ａと雄側ばね部４ａとが、マイクロコネクタ１の嵌合部（雌端子側部材２、３と雄端子側部材４との嵌合部）５を形成している。
【００２０】
上記の嵌合部５は、雄側ばね部４ａが、図中の黒矢印で示されるように、雌側ばね部２ａ、３ａの間に水平方向に押圧されて嵌入されると、雄側ばね部４ａと雌側ばね部２ａ、３ａとが嵌合され得る形状に形成されている。具体的に言うと、嵌合部５において、雌側ばね部２ａ、３ａは、それぞれ図１（ａ）で上方向と下方向に容易に撓み得る形状となっており、雄側ばね部４ａは、図１（ａ）で上方向と下方向から押圧されると、容易に上下方向の幅の狭い細長い菱型形状に変形し得る形状となっている。従って、雄側ばね部４ａが、雌側ばね部２ａ、３ａの間に水平方向に押圧されて嵌入されると、雄側ばね部４ａが、雌側ばね部２ａ、３ａの間を容易に貫通した後、雄側ばね部４ａの後部４ｅが雌側ばね部２ａ、３ａの端部に設けられたストッパ２ｄ、３ｄに係止されて、雄側ばね部４ａと雌側ばね部２ａ、３ａとが容易に嵌合される。
【００２１】
また、雌端子側部材２、３と雄端子側部材４とに、立ち上がり部２ｂ、３ｂと立ち上がり部４ｂとを設けた理由は、嵌合部５が支持基板６からある程度の高さを持つようにするためである。
【００２２】
なお、雌端子側部材２、３が形成された支持基板６に載置されたＩＣ７、及び雄端子側部材４が形成された支持基板６に載置されたＩＣ７は、いずれもワイヤ８を用いて、ワイヤボンディングで、雌端子側部材２、３又は雄端子側部材４と電気的に接続されている。
【００２３】
また、上記の雌端子側部材２、３と雄端子側部材４とは、いずれも異なる種類の金属を多層化して形成されている。これらの金属の組み合わせとしては、例えば、図２に示される組み合わせが考えられる。すなわち、支持基板６に接する金属層３０ａを支持基板６との密着性のよい金属で構成し、この金属層３０ａと接する金属層３０ｂを接触抵抗が低い金属で構成し、この金属層３０ｂと接する金属層３０ｃを合成を保持し得る金属で構成し、この金属層３０ｃと接する金属層３０ｄを金属層３０ｂと同種の金属で構成する。このように、支持基板６に接する金属層３０ａを支持基板６との密着性のよい金属で構成したことにより、雌端子側部材３を支持基板６に接合した状態を保持することができる。また、金属層３０ｂ、３０ｄを接触抵抗が低い金属で構成したことにより、雌端子側部材３に必要とされる導電性を確保することができる。さらにまた、金属層３０ｃを合成を保持し得る金属で構成したことにより、雌端子側部材３に強度（剛性）を付与することができる。
【００２４】
上記の支持基板６との密着性のよい金属の例としては、Ｎｉ（ニッケル）やＣｒ（クロム）が挙げられる。また、接触抵抗が低い金属の例としては、Ｃｕ（銅）やＡｕ（金）が挙げられる。また、合成を保持し得る金属の例としては、Ｆｅ（鉄）が挙げられる。なお、図２に示されるように、合成を保持し得る金属の厚み（金属層３０ｃの厚み）を薄くすることにより、雌端子側部材３にばね性を付与することができる。なお、図２に示される例では、雌端子側部材３の場合を例にして、異なる種類の金属を多層化して端子を形成する場合の金属層の例について説明したが、雌端子側部材２及び雄端子側部材４の場合も同様な方法で形成することができる。
【００２５】
次に、図３を参照して、上記の雌端子側部材２、３及び雄端子側部材４の製造方法の一例について説明する。図３では、雌端子側部材２、３の製造方法の一例を示しているが、雄端子側部材４についても、同様な方法で製造することができる。図３（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）（ｇ）（ｈ）（ｉ）の各図において、左側の図と右側の図とは、各製造段階における支持基板６上の積層状態を側面側から見た図と上面側から見た図とを示す。なお、図２では、３種類の金属層を多層化して作成した雌端子側部材３の例を示したが、図３は、２種類の金属層（Ｎｉ系金属層とＡｕ系合金層）を多層化して雌端子側部材２、３を製造する場合における製造方法の例を示す。
【００２６】
まず、図３（ａ）に示されるセラミックやガラスエポキシ材等の支持基板６上にレジストを塗布して、図３（ｂ）に示されるような厚さ約１００μｍの圧膜レジスト層１１を形成する。そして、図３（ｃ）に示されるように、スパッタ等の方法で、圧膜レジスト層１１上に、Ｎｉ系の金属から構成される、厚さ０．１〜０．５μｍのシード層１２を成膜する。このシード層１２は、めっき工程において電極として機能する層である。次に、図３（ｄ）に示されるように、レジストの塗布、乾燥ベーキング、マスク合わせ、及び露光の工程から構成される、レジストのパターニング工程を行って、シード層１２上に厚さ１０〜２０μｍのレジスト層１３を形成する。そして、図３（ｄ）の右側の図に示される、シード層１２上におけるレジスト層１３から露出した部分に電気めっき（めっき工程）を行って、図３（ｅ）に示されるように、Ａｕ系の合金から構成される、厚さ１０〜２０μｍのめっき層１４を形成する。このとき、図２に示されるような３層以上の金属層を積層して雌端子側部材２、３を製造する場合には、異なる金属材料を用いためっきを行って、金属層を積層する。
【００２７】
次に、図３（ｆ）に示されるように、レジスト層１３を除去剤等により除去する。そして、このレジスト層除去により表面に現れた（めっき層１４の真下以外の部分の）シード層１２を、図３（ｇ）に示されるように、エッチング又はイオンミリング（アルゴンイオン等のイオンビームを用いた研磨処理）により除去する。次に、図３（ｈ）に示されるように、圧膜レジスト層１１を除去剤等により除去する。そして、最後に、図３（ｉ）に示されるように、支持基板６をダイシングで裏面からカットすることにより、雌端子側部材２、３の製造が完了する。
【００２８】
上述のように、本実施形態のマイクロコネクタ１によれば、嵌合部５を雄側ばね部４aと雌側ばね部２a、３aとで形成し、嵌合部５の形状を、雄側ばね部４aが、雌側ばね部２a、３aの間に水平方向に押圧されると、雄側ばね部４aと雌側ばね部２a、３aとが嵌合され得る形状に形成した。これにより、雄端子側部材４と雌端子側部材２、３との着脱（雄側ばね部４aと雌側ばね部２a、３aとの嵌合と取り外し）を繰り返した場合でも、雄端子側部材４と雌端子側部材２、３とを容易に着脱することができ、しかも、雄端子側部材４と雌端子側部材２、３との接続を外れにくくすることができる。また、雄端子側部材４と雌端子側部材２、３とをめっき工程を用いて作成したので、携帯機器などの更なる小型化やＩＣレベルでの配線接続に対応可能な微細なコネクタを得ることができる。
【００２９】
また、本実施形態のマイクロコネクタ１によれば、雄側ばね部４aと雌側ばね部２a、３aとが、それぞれ立ち上がり部４ｂと立ち上がり部２ｂ、３ｂとを有するようにしたことにより、嵌合部５が支持基板６からある程度の高さを持つようにすることができる。これにより、ダイシング等で支持基板６をカットするときに、嵌合部５を傷つけてしまうのを防ぐことができる。
【００３０】
また、本マイクロコネクタ１によれば、雄端子側部材４と雌端子側部材２、３とを、いずれも異なる種類の金属を多層化して形成したことにより、雄端子側部材４と雌端子側部材２、３とに、必要となる導電性、ばね性、強度（剛性）、及び基板との密着性を付与することが可能となる。
【００３１】
また、本マイクロコネクタ１によれば、雄端子側部材４と雌端子側部材２、３とが、いずれも、レジストのパターニング工程とめっき工程とを用いて作成されているので、携帯機器などの更なる小型化やＩＣレベルでの配線接続に対応可能な微細なコネクタを得ることができる。
【００３２】
＜第２の実施形態＞
次に、図４を参照して、本発明の第２の実施形態のマイクロコネクタについて説明する。第２の実施形態は、請求項５及び６に相当する。第２の実施形態のマイクロコネクタ２０は、第１の実施形態のマイクロコネクタ１と同様な第１コネクタ２１と第２コネクタ３１という２つのコネクタから構成されている。より詳細にいうと、第２の実施形態のマイクロコネクタ２０は、第１雄端子側部材２４と第１雌端子側部材２２、２３とから構成される雄端子と雌端子の組（第１コネクタ２１）と、第２雄端子側部材３４と第２雌端子側部材３２、３３とから構成される雄端子と雌端子の組（第２コネクタ３１）とを備えている。そして、これらの各組の雄端子及び雌端子の立ち上がり部の高さが、他の組の雄端子及び雌端子の立ち上がり部の高さと異なる。具体的には、第１雄端子側部材２４の立ち上がり部２４ｂ、及び第１雌端子側部材２２、２３の立ち上がり部２２ｂ、２３ｂの高さが、第２雄端子側部材３４の立ち上がり部３４ｂ、及び第２雌端子側部材３２、３３の立ち上がり部３２ｂ、３３ｂの高さと異なる。第２の実施形態のマイクロコネクタ２０は、構造の面から見ると、これらの点において第１の実施形態と異なるが、第１コネクタ２１と第２コネクタ３１のそれぞれの構造については、第１の実施形態のマイクロコネクタ１と同様であるので、ここでは、その説明を省略する。
【００３３】
上記の構成のマイクロコネクタ２０によれば、各組の雄端子及び雌端子の立ち上がり部の高さが、他の組の雄端子及び雌端子の立ち上がり部の高さと異なる。具体的には、第１雄端子側部材２４の立ち上がり部２４ｂ、及び第１雌端子側部材２２、２３の立ち上がり部２２ｂ、２３ｂの高さが、第２雄端子側部材３４の立ち上がり部３４ｂ、及び第２雌端子側部材３２、３３の立ち上がり部３２ｂ、３３ｂの高さと異なるようにした。これにより、高さの異なる２組の雄端子及び雌端子（高さの異なる第１コネクタ２１と第２コネクタ３１と）を高さ方向に互い違いに配置して、多層の嵌合部を同時に作成することができる。具体的には、雌側ばね部２２a、２３aと雄側ばね部２４aとから形成される嵌合部と、雌側ばね部３２a、３３aと雄側ばね部３４aとから形成される嵌合部とを同時に作成することができる。従って、このマイクロコネクタ２０を用いる機器の長さ方向（図４（ａ）の左右方向）及び幅方向（図４（ａ）の上下方向）における大きさの小型化を図ることができる。
【００３４】
次に、図５及び図６を参照して、上記のマイクロコネクタ２０を構成する第１雌端子側部材２２、２３、第１雄端子側部材２４、第２雌端子側部材３２、３３、及び第２雄端子側部材３４の製造方法の一例について説明する。図５及び図６では、第１雌端子側部材２２、２３及び第２雌端子側部材３２、３３の製造方法の一例を示しているが、第１雄端子側部材２４及び第２雄端子側部材３４についても、同様な方法で製造することができる。図５（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）（ｇ）（ｈ）（ｉ）及び図６（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）の各図において、左側の図と右側の図とは、各製造段階における支持基板６上の積層状態を側面側から見た図と上面側から見た図とを示す。これらの図において、めっき層以外の層については、図３と同様な層は、同じ符号で示した。なお、図５及び図６では、図３の場合と同様に、２種類の金属層（Ｎｉ系金属層とＡｕ系合金層）を多層化して第１雌端子側部材２２、２３及び第２雌端子側部材３２、３３を製造する場合における製造方法の例を示す。
【００３５】
まず、図５（ａ）に示されるセラミックやガラスエポキシ材等の支持基板６上にレジストを塗布して、図５（ｂ）に示されるような厚さ約５０μｍの１層目の圧膜レジスト層１１を形成する。そして、図５（ｃ）に示されるように、スパッタ等の方法で、圧膜レジスト層１１上に、Ｎｉ系の金属から構成される、厚さ０．１〜０．５μｍの１層目のシード層１２を成膜する。このシード層１２は、めっき工程において電極として機能する層である。次に、図５（ｄ）に示されるように、レジストの塗布、乾燥ベーキング、マスク合わせ、及び露光の工程から構成される、レジストのパターニング工程を行って、シード層１２上に厚さ１０〜２０μｍの１層目のレジスト層１３を形成する。そして、図５（ｄ）の右側の図に示される、シード層１２上におけるレジスト層１３から露出した部分に電気めっき（めっき工程）を行って、図５（ｅ）に示されるように、Ａｕ系の合金から構成される、厚さ１０〜２０μｍの１層目のめっき層４１を形成する。このとき、図２に示されるような３層以上の金属層を積層して第１雌端子側部材２２、２３を製造する場合には、異なる金属材料を用いためっきを行って、金属層を積層する。
【００３６】
次に、図５（ｆ）に示されるように、１層目のレジスト層１３を除去剤等により除去する。そして、このレジスト層除去により表面に現れた１層目のシード層１２と１層目のめっき層４１との上に、レジストを塗布して、図５（ｇ）に示されるような厚さ約１００μｍの２層目の圧膜レジスト層５１を形成する。次に、図５（ｈ）に示されるように、スパッタ等の方法で、２層目の圧膜レジスト層５１上に、Ｎｉ系の金属から構成される、厚さ０．１〜０．５μｍの２層目のシード層５２を成膜する。この後、図５（ｉ）に示されるように、レジストの塗布、乾燥ベーキング、マスク合わせ、及び露光の工程から構成される、レジストのパターニング工程を行って、２層目のシード層５２上に２層目のレジスト層５３を形成する。
【００３７】
次に、図には示さないが、図５（ｅ）と同様な処理を行って、Ａｕ系の合金から構成される、厚さ１０〜２０μｍの２層目のめっき層４２を形成する。このとき、図２に示されるように、３層以上の金属層を積層して第２雌端子側部材３２、３３を製造する場合には、異なる金属材料を用いためっきを行って、金属層を積層する。そして、図５（ｆ）と同様な処理を行って、２層目のレジスト層５３を除去剤等により除去する。
【００３８】
次に、上記のレジスト層除去により表面に現れた（めっき層４２の真下以外の部分の）２層目のシード層５２を、２層目のシード層５２の真下に積層された１層目のシード層１２と共に、図６（ａ）に示されるように、エッチング又はイオンミリングにより除去する。そして、図６（ｂ）に示されるように、２層目の圧膜レジスト層５１を除去剤等により除去する。次に、図６（ｃ）に示されるように、上記図６（ａ）に示されるシード層除去処理で除去されなかった、２層目の圧膜レジスト層５１の真下に位置した１層目のシード層１２を、エッチングにより除去すると共に、１層目の圧膜レジスト層１１を除去剤等により除去する。そして、最後に、図６（ｄ）に示されるように、支持基板６をダイシングで裏面からカットすることにより、第１雌端子側部材２２、２３及び第２雌端子側部材３２、３３の製造が完了する。
【００３９】
上記のように、第２の実施形態のマイクロコネクタ２０によれば、第１雄端子側部材２４の立ち上がり部２４ｂ、及び第１雌端子側部材２２、２３の立ち上がり部２２ｂ、２３ｂの高さが、第２雄端子側部材３４の立ち上がり部３４ｂ、及び第２雌端子側部材３２、３３の立ち上がり部３２ｂ、３３ｂの高さと異なるようにした。これにより、高さの異なる２組の雄端子及び雌端子を高さ方向に互い違いに配置して、多層の嵌合部を同時に作成することができる。従って、このマイクロコネクタ２０を用いる機器の長さ方向及び幅方向における大きさの小型化を図ることができる。
【００４０】
なお、本発明は、上記の各実施形態の構成に限られず、発明の趣旨を変更しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、上記第２の実施形態では、高さの異なる２組の雄端子及び雌端子を高さ方向に互い違いに配置したが、高さの異なる３組以上の雄端子及び雌端子を高さ方向に互い違いに配置してもよい。また、雌側ばね部及び雌側ばね部の形状は、図１（ａ）（ｂ）及び図４（ａ）（ｂ）に示される形状に限られず、雄側ばね部が雌側ばね部に水平方向に押圧されると、雄側ばね部と雌側ばね部とが嵌合され得る形状であればよい。さらにまた、雌端子側部材及び雄端子側部材の製造方法は、図３に示される製造方法や、図５及び図６に示される製造方法に限られず、めっき工程を含んでいればよい。また、めっき工程に加えて、レジストのパターニング工程を含んでいることが望ましい。
【符号の説明】
【００４１】
１    マイクロコネクタ
２    雌端子側部材（雌端子）
２ａ  雌側ばね部（雌端子側のばね部）
２ｂ  立ち上がり部
３    雌端子側部材（雌端子）
３ａ  雌側ばね部（雌端子側のばね部）
３ｂ  立ち上がり部
４    雄端子側部材（雄端子）
４ａ  雄側ばね部（雄端子側のばね部）
４ｂ  立ち上がり部
５    嵌合部
６    支持基板（基板）
２２  第１雌端子側部材（雌端子）
２２ａ  雌側ばね部（雌端子側のばね部）
２２ｂ  立ち上がり部
２３  第１雌端子側部材（雌端子）
２３ａ  雌側ばね部（雌端子側のばね部）
２３ｂ  立ち上がり部
２４  第１雄端子側部材（雄端子）
２４ａ  雄側ばね部（雄端子側のばね部）
２４ｂ  立ち上がり部
３２  第２雌端子側部材（雌端子）
３２ａ  雌側ばね部（雌端子側のばね部）
３２ｂ  立ち上がり部
３３  第２雌端子側部材（雌端子）
３３ａ  雌側ばね部（雌端子側のばね部）
３３ｂ  立ち上がり部
３４  第２雄端子側部材（雄端子）
３４ａ  雄側ばね部（雄端子側のばね部）
３４ｂ  立ち上がり部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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