(57)【要約】【課題】耐硫化性の良好な素子搭載用基板を提供すること。【解決手段】低温焼成セラミックス基板２と、前記低温焼成セラミックス基板２の表面に形成される銀を主体とする金属からなる厚膜導体層３と、前記厚膜導体層３を覆う導電性金属からなるメッキ層４と、前記メッキ層４の縁部４１と、前記縁部４１の外側となる前記低温焼成セラミックス基板２とに連続して形成される樹脂層６とを有する素子搭載用基板１。【選択図】図１
2011171558.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低温焼成セラミックス基板と、
前記低温焼成セラミックス基板の表面に形成される銀を主体とする金属からなる厚膜導体層と、
前記厚膜導体層を覆う導電性金属からなるメッキ層と、
前記メッキ層の縁部と、前記縁部の外側となる前記低温焼成セラミックス基板とに連続して形成される樹脂層と
を有することを特徴とする素子搭載用基板。
【請求項２】
前記樹脂層のうち前記メッキ層上に形成されるものについては、前記メッキ層の端部からその内側となる０．０５〜０．２ｍｍまでの領域に形成され、前記樹脂層のうち前記低温焼成セラミックス基板上に形成されるものについては、前記メッキ層の端部からその外側となる少なくとも０．２ｍｍまでの領域に形成されていることを特徴とする請求項１記載の素子搭載用基板。
【請求項３】
前記樹脂層は、前記メッキ層の端部からその内側となる０．０５ｍｍまでの部分、および前記メッキ層の端部からその外側となる０．２ｍｍまでの部分において、前記低温焼成セラミックス基板からの高さが０．０５〜０．２ｍｍであることを特徴とする請求項２記載の素子搭載用基板。
【請求項４】
前記樹脂層は、前記メッキ層の全周にわたって設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の素子搭載用基板。
【請求項５】
前記メッキ層は、ニッケル−金メッキ層であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の素子搭載用基板。
【請求項６】
前記樹脂層は、エポキシ樹脂組成物からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の素子搭載用基板。
【請求項７】
表面に銀を主体とする金属からなる厚膜導体層を有する低温焼成セラミックス基板を製造する基板製造工程と、
前記厚膜導体層の表面を覆うメッキ層を形成するメッキ工程と、
前記メッキ層の縁部と、前記縁部の外側となる前記低温焼成セラミックス基板とに連続して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と
を有することを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子搭載用基板とその製造方法とに係り、特に耐硫化性に優れる素子搭載用基板と、この素子搭載用基板を製造するための製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高密度実装化や処理速度の高速化に伴い、低誘電率で低配線抵抗という優れた特徴を有する低温焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）で使用されている。また、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子のような発光素子を搭載するための素子搭載用基板として、ＬＴＣＣ基板の使用が検討されている。
【０００３】
ＬＴＣＣ基板は、一般的なセラミックス基板の焼成温度より低い８００〜１０００℃程度の温度で焼成されるものであり、ガラスと、アルミナフィラー、ジルコニアフィラー等のセラミックスフィラーとからなるグリーンシートを所定の枚数重ね合わせ、熱圧着により一体化した後、焼成することにより作製されている。
【０００４】
このようなＬＴＣＣ基板の表面には、接続端子（電極）として、銀もしくは銅からなる導体金属を主体とするペーストを焼成した厚膜導体層が形成されている。厚膜導体層の表面には、ワイヤボンディング性、密着強度、耐候性等を良好にするために、例えばニッケルメッキ膜および金メッキ膜からなるメッキ層（ニッケル／金メッキ層）が形成されている。このようなメッキ層を形成することで、特に耐硫化性を向上させることができ、空気中等における硫黄分との反応による厚膜導体層の変色を抑制することができる（例えば、特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】実公平２−３６２７８号公報
【特許文献２】特開２００２−３１４２３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、一般に厚膜導体層の厚みは５〜１５μｍ程度とされており、この上に形成されるメッキ層、特にニッケルメッキ膜の厚みは５〜１５μｍ程度とされている。しかしながら、ニッケルメッキ膜の厚さを正確に制御することは難しく、想定外に厚く形成される場合がある。ニッケルメッキ膜が厚く形成されると、厚膜導体層に過度な引張応力が加えられ、その端部がＬＴＣＣ基板から剥がれることがある。この場合、ＬＴＣＣ基板と厚膜導体層との隙間に空気中の水分が侵入し、厚膜導体層中の銀が端部を伝うようにしてメッキ層の表面、特に最表面の金メッキ膜上に拡散する。
【０００７】
このような状態で硫化性環境下においた場合、最表面の金メッキ膜上に拡散した銀が硫化され、ワイヤボンディング性等が低下するおそれがある。また、金メッキ膜の表面が黒色化することで反射率が低下し、発光素子等を搭載するものとして必ずしも好ましくないものとなる。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、厚膜導体層の剥がれが抑制され、耐硫化性に優れる素子搭載用基板を提供することを目的としている。また、本発明は、このような耐硫化性に優れる素子搭載用基板を製造するための製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の素子搭載用基板は、低温焼成セラミックス基板と、前記低温焼成セラミックス基板の表面に形成される銀を主体とする金属からなる厚膜導体層と、前記厚膜導体層を覆う導電性金属からなるメッキ層と、前記メッキ層の縁部と、前記縁部の外側となる前記低温焼成セラミックス基板とに連続して形成される樹脂層とを有することを特徴とする。
【００１０】
前記樹脂層のうち前記メッキ層上に形成されるものについては、前記メッキ層の端部からその内側となる０．０５〜０．２ｍｍまでの領域に形成されることが好ましい。また、前記樹脂層のうち前記低温焼成セラミックス基板上に形成されるものについては、前記メッキ層の端部からその外側となる少なくとも０．２ｍｍまでの領域に形成されていることが好ましい。
【００１１】
また、前記樹脂層は、前記メッキ層の端部からその内側となる０．０５ｍｍまでの部分、および前記メッキ層の端部からその外側となる０．２ｍｍまでの部分において、前記低温焼成セラミックス基板からの高さが０．０５〜０．２ｍｍであることが好ましい。前記樹脂層は、前記メッキ層の全周にわたって設けられていることが好ましい。
【００１２】
前記メッキ層は、ニッケル−金メッキ層であることが好ましい。また、前記樹脂層は、エポキシ樹脂組成物からなることが好ましい。
【００１３】
本発明の素子搭載用基板の製造方法は、表面に銀を主体とする金属からなる厚膜導体層を有する低温焼成セラミックス基板を製造する基板製造工程と、前記厚膜導体層の表面を覆うメッキ層を形成するメッキ工程と、前記メッキ層の縁部と、前記縁部の外側となる前記低温焼成セラミックス基板とに連続して樹脂層を形成する樹脂層形成工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、メッキ層の縁部と、この縁部の外側となる低温焼成セラミックス基板とに連続して樹脂層を形成することで、低温焼成セラミックス基板からの厚膜導体層の剥がれを抑制し、耐硫化性の良好な素子搭載用基板とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の素子搭載用基板の一例を示す平面図。
【図２】図１に示す素子搭載用基板のＸ−Ｘ線断面図。
【図３】図１の樹脂層を拡大して示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の素子搭載用基板１の一例を示す平面図である。また、図２は、図１に示す素子搭載用基板１のＸ−Ｘ線断面図である。
【００１７】
本発明の素子搭載用基板１は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなる低温焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）２を有している。ＬＴＣＣ基板２の一方の主面（図中上面）には、素子、例えばＬＥＤ素子のような発光素子が搭載される搭載面２ａが設けられている。搭載面２ａの周囲には、例えばこの搭載面２ａよりも高くされた側壁２ｂが設けられている。なお、ＬＴＣＣ基板２の形状、厚さ、大きさ等は必ずしも制限されるものではなく、例えば側壁２ｂを有しない平板状のものであってもよい。
【００１８】
搭載面２ａには、素子と電気的に接続される接続端子（電極）となる厚膜導体層３が形成されている。厚膜導体層３は、銀を主体とする導体金属から構成されており、後述するように導体金属のペーストをスクリーン印刷等で印刷し、焼成することにより形成されている。
【００１９】
厚膜導体層３には、これを隙間なく覆うように導電性金属からなるメッキ層４が形成されている。メッキ層４は、図示しないが、例えば厚膜導体層３を覆うように形成されるニッケルメッキ膜と、これを覆うように形成される金メッキ膜とから構成されている。
【００２０】
一方、搭載面２ａとは反対側の主面である非搭載面２ｃには、外部接続用の接続端子（電極）となる厚膜導体層３が形成されており、この厚膜導体層３の表面にも隙間なく覆うようにメッキ層４が形成されている。ＬＴＣＣ基板２の内部には、搭載面２ａの接続端子と非搭載面２ｃの接続端子とを電気的に接続する貫通導体５が設けられている。非搭載面２ｃの厚膜導体層３、メッキ層４は、それぞれ搭載面２ａに形成される厚膜導体層３、メッキ層４と同様の材料からなるものとすることができる。また、貫通導体５は、搭載面２ａや非搭載面２ｃに形成される厚膜導体層３と同様の材料からなるものとすることができる。
【００２１】
本発明の素子搭載用基板１は、図３に拡大して示すように、メッキ層４の縁部４１と、この縁部４１の外側となるＬＴＣＣ基板２とに連続して樹脂層６が形成されることを特徴とする。具体的には、樹脂層６は、メッキ層４の表面のうち端部４２の内側の表面に接着するように形成されるとともに、この端部４２の外側となるＬＴＣＣ基板２の表面に接着するように形成される。なお、樹脂層６は、少なくとも搭載面２ａに設けられるメッキ層４に形成されていればよい。
【００２２】
このような樹脂層６を形成することで、メッキ層４を介して厚膜導体層３をＬＴＣＣ基板２に押さえつけることができ、想定外にメッキ層４、特にニッケルメッキ膜が厚く形成され、厚膜導体層３に過度な引張応力が加えられた場合であっても、ＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれを有効に抑制することができる。
【００２３】
これにより、メッキ層４の表面への銀の拡散を抑制し、硫化性環境下における硫化を抑制することができる。結果として、ワイヤボンディング性等が良好であり、また発光素子を搭載する場合に必要とされる反射率についても良好なものとすることができる。
【００２４】
このような樹脂層６は、後述するように樹脂組成物からなるものである。樹脂層６は、少なくともＬＴＣＣ基板２とメッキ層４とに連続して形成されていればよいが、メッキ層４上に形成される樹脂層６については、少なくともメッキ層４の端部４２からその内側（図３中、右側）となる０．０５ｍｍまでの領域に形成されていることが好ましい。このメッキ層４上に形成される樹脂層６は、メッキ層４の端部４２からその内側となる０．２ｍｍまでの領域に形成されていることが好ましい。すなわち、メッキ層４上に形成される樹脂層６については、図３におけるＷ１が０．０５〜０．２ｍｍとなるように形成されていることが好ましい。
【００２５】
メッキ層４上に形成される樹脂層６の領域（Ｗ１）が０．０５ｍｍ以上であれば、メッキ層４を押さえる樹脂層６の大きさが十分であり、ＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれを効果的に抑制することができる。また、領域（Ｗ１）は０．２ｍｍもあれば、ＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれを十分に抑制することができ、これを超えるとかえってワイヤボンディングを行うための領域が減少するおそれがある。
【００２６】
一方、ＬＴＣＣ基板２上に直接形成される樹脂層６については、少なくともメッキ層４の端部４２からその外側（図３中、左側）となる０．２ｍｍまでの領域に形成されていることが好ましい。すなわち、ＬＴＣＣ基板２上に直接形成される樹脂層６については、図３におけるＷ２が０．２ｍｍ以上となるように形成されていることが好ましい。ＬＴＣＣ基板２上に直接形成される樹脂層６の領域（Ｗ２）が０．２ｍｍ以上であれば、ＬＴＣＣ基板２と樹脂層６との接着が十分となり、結果としてＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれを効果的に抑制することができる。ＬＴＣＣ基板２上に直接形成される樹脂層６については、メッキ層４の端部４２からその外側となる０．２ｍｍまでの領域に形成されていれば特に制限されるものではなく、例えばＬＴＣＣ基板２の端部に達するように形成されていてもよい。
【００２７】
また、樹脂層６が上記領域に形成されている場合、メッキ層４の端部４２からその内側となる０．０５ｍｍまでの部分（Ｗ１＝０．０５ｍｍの部分）、およびメッキ層４の端部４２からその外側となる０．２ｍｍまでの部分（Ｗ２＝０．２ｍｍの部分）については、ＬＴＣＣ基板２からの樹脂層６の高さ（Ｈ）が０．０５〜０．２ｍｍとなっていることが好ましい。
【００２８】
樹脂層６の高さ（Ｈ）が０．０５ｍｍ以上であれば、メッキ層４上の樹脂層６の厚さが十分となり、ＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれを効果的に抑制することができる。また、樹脂層６の高さ（Ｈ）は０．２ｍｍもあればＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれを十分に抑制することができ、これを超えると、例えば発光素子等を実装する際、発光素子等と接続端子とを接続するボンディングワイヤが樹脂層６の上部に引っかかりやすくなる。なお、樹脂層６の高さ（Ｈ）は、内外方向について異なっていてもよいが、上記部分内ではいずれも上記高さ（Ｈ）の範囲内となっていることが好ましい。
【００２９】
このような樹脂層６は、通常、図１に示すようにメッキ層４の全周にわたって設けられる。ここで、符号６１、６２は、それぞれ樹脂層６の内側端部、外側端部を表している。メッキ層４の全周に樹脂層６を設けることで、ＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれを効果的に抑制することができる。この際、メッキ層４上に形成される樹脂層６の領域（Ｗ１）、ＬＴＣＣ基板２上に直接形成される樹脂層６の領域（Ｗ２）については、必ずしも全周において一定でなくてもよいが、いずれの部分についても上記領域（Ｗ１）、領域（Ｗ２）の範囲内となっていることが好ましい。
【００３０】
次に、本発明の素子搭載用基板１の製造方法について説明する。
本発明の素子搭載用基板１の製造方法は、表面に銀を主体とする金属からなる厚膜導体層３を有するＬＴＣＣ基板２を製造する基板製造工程と、厚膜導体層３の表面を覆うメッキ層４を形成するメッキ工程と、メッキ層４の縁部４１と、この縁部４１の外側となるＬＴＣＣ基板２とに連続して樹脂層６を形成する樹脂層形成工程とを有することを特徴とする。
【００３１】
基板製造工程、メッキ工程は、従来の素子搭載用基板の製造と同様にして行うことができる。すなわち、基板製造工程では、まずＬＴＣＣ基板２となるグリーンシートを形成する。グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで製造することができる。
【００３２】
ガラス粉末は、必ずしも限定されるものではないものの、ガラス転移点（Ｔｇ）が５５０〜７００℃のものが好ましい。ガラス転移点（Ｔｇ）が５５０℃未満の場合には、後述する脱脂が困難となるおそれがあり、７００℃を超える場合には、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。
【００３３】
ガラス粉末としては、例えばＳｉＯ２を５７〜６５ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３を１３〜１８ｍｏｌ％、ＣａＯを９〜２３ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３を３〜８ｍｏｌ％、Ｋ２ＯおよびＮａ２Ｏから選ばれる少なくとも一方を合計で０．５〜６ｍｏｌ％含有するガラスの粉末が用いられる。ガラス粉末の５０％粒径（Ｄ５０）は０．５〜２μｍが好ましい。ガラス粉末のＤ５０が０．５μｍ未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となるばかりでなく、均一に分散させることが困難となる。一方、Ｄ５０が２μｍを超える場合には、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。なお、本件記載の粒径は、レーザ回折・散乱法により測定したものである。
【００３４】
セラミックスフィラーとしては、従来からＬＴＣＣ基板の製造に用いられるものを用いることができる。例えば、アルミナ粉末、ジルコニア粉末、アルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物等を好適に用いることができる。セラミックスフィラーのＤ５０は、０．５〜４μｍであることが好ましい。
【００３５】
このようなガラス粉末とセラミックスフィラーとを、例えばガラス粉末が３０〜５０質量％、セラミックスフィラーが５０〜７０質量％となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を得ることができる。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得ることができる。
【００３６】
バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に用いることができる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を用いることができる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、ブタノール等の芳香族系またはアルコール系の有機溶剤を用いることができる。さらに、分散剤やレべリング剤を併用することも可能である。
【００３７】
こうして形成したグリーンシートは、打抜き型あるいはパンチングマシーンを使用し、所定の寸法角に切断するとともに、層間接続用のビアホールを打抜き形成する。また、グリーンシートの表面には、導体金属のペーストをスクリーン印刷等の方法で印刷することにより、未焼成厚膜導体層３を形成する。また、層間接続用のビアホール内にも導体金属のペーストを充填することによって、未焼成貫通導体５を形成する。
【００３８】
導体金属のペーストとしては、例えば銀を主成分とする金属粉末、具体的には銀を５０質量％以上含有する金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いることができる。金属粉末としては、銀粉末、銀とパラジウムとの混合粉末、銀と白金との混合粉末等が好適に用いられる。なお、本発明においては、グリーンシートに含まれるガラス成分により導体金属と基板との接着力を十分に確保することができることから、導体金属の電気抵抗（抵抗値）を上げないために、ガラスフリットが配合されていない金属ペーストを使用することが好ましい。
【００３９】
未焼成厚膜導体層３が形成されたグリーンシートは、位置合わせしつつ複数枚重ねて加熱および加圧して一体化した後、５００〜６００℃の温度で加熱することにより、グリーンシートに含まれる樹脂等のバインダーを分解し、除去する脱脂を行う。その後、さらに８００〜１０００℃程度の温度で加熱し、グリーンシートを構成するガラスセラミックス組成物を焼成する。この焼成により、グリーンシートの内部および表裏面に形成された金属ペーストも同時に焼成され、銀を主体とする金属からなる厚膜導体層３が形成される。
【００４０】
メッキ工程では、このようにして得られた厚膜導体層３の表面にメッキ層４を設ける。メッキ層４は、例えばニッケルメッキを行った後、金メッキを行うことにより形成することができる。ニッケルメッキは、例えばスルファミン酸ニッケル浴を使用した電界メッキによって５〜１５μｍの厚みに形成する。また、金メッキは、例えばシアン化金カリウム浴を使用した電界メッキによって０．２〜０．５μｍの厚みに形成する。
【００４１】
樹脂層形成工程では、メッキ層４の縁部４１と、この縁部４１の外側となるＬＴＣＣ基板２とに跨るように熱硬化性樹脂等の樹脂組成物を塗布し、乾燥、硬化等させることで、これらに連続するように樹脂層６を形成する。この際、樹脂組成物の塗布範囲、塗布量を調整することによって、上記領域（Ｗ１）、領域（Ｗ２）、高さ（Ｈ）を調整することができる。
【００４２】
樹脂組成物に含有させる樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれであってもよいが、通常、熱硬化性樹脂が好適に用いられる。熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等が挙げられ、これらの中でもエポキシ樹脂が好ましいものとして挙げられる。エポキシ樹脂は、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性等に優れることから、熱硬化性樹脂として好適に用いられる。
【００４３】
エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４４】
熱硬化性樹脂を用いる場合、例えばフェノール類、アミン類、チオール類等の硬化剤を含有させることが好ましい。これらの中でも、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、フェノール類を用いることが好ましい。フェノール類としては、特に限定されるものではないが、エポキシ樹脂と反応し得る官能基を２以上有するものが好ましい。これにより、エポキシ樹脂の硬化物の特性、例えば耐熱性、耐湿性等を向上させることができる。
【００４５】
フェノール類としては、例えばビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック類、クレゾールノボラック類等が挙げられる。
【００４６】
フェノール類の配合量は、エポキシ樹脂に対する当量比で０．５〜１．２程度が好ましく、０．６〜１．１程度がより好ましい。このような範囲内に設定することによって、エポキシ樹脂組成物の硬化物の特性、例えば耐熱性、耐湿性等を良好にすることができる。
【００４７】
樹脂組成物には、熱硬化性樹脂、硬化剤に加えて、無機充填材、カップリング剤、その他の特性を向上させるための添加剤を適宜添加することができる。
【００４８】
無機充填材としては、例えば樹脂層６の熱膨張率の低減、反射率の向上等の観点から、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、セリア、硫酸バリウム、炭酸カルシウム等の粉末が好適なものとして挙げられる。無機充填材としての粉末は、例えば５０％粒径（Ｄ５０）が１〜５μｍのものが好ましい。
【００４９】
このような無機充填材は、例えば熱硬化性樹脂１００質量部に対して、１０〜４０質量部配合することが好ましい。無機充填材の配合量を１０質量部以上とすることで、効果的に熱膨張率を低減させ、また反射率を向上させることができる。また、無機充填材の配合量は４０質量部程度もあれば十分に熱膨張率を低減させ、また反射率を向上させることができ、これを超えるとかえって樹脂組成物の塗布等が困難となるおそれがある。
【００５０】
カップリング剤としては、例えばエポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤のようなシランカップリング剤等が挙げられ、これらは１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。カップリング剤を含有させることで、ＬＴＣＣ基板２やメッキ層４との接着性を良好とすることができる。シランカップリング剤の配合量は、樹脂組成物の全体中、例えば０．０１〜５質量％程度が好ましい。
【００５１】
樹脂組成物に含有させる溶媒としては、特に限定されるものではないが、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ＤＩＢＫ (ジイソブチルケトン)、シクロヘキサノン、ＤＡＡ（ジアセトンアルコール）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ＢＣＳＡ（ブチロセルソルブアセテート）等のセロソルブ系、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＢＥ（ニ塩基酸エステル）、ＥＥＰ（３−エトキシプロピオン酸エチル）、ＤＭＣ（ジメチルカーボネート）等が挙げられる。
【００５２】
樹脂組成物における溶媒の含有量は、特に限定されるものではないが、例えば樹脂組成物中の固形分（樹脂層６の構成材料）が１０〜６０質量％程度となる範囲に設定されていることが好ましい。
【００５３】
このような樹脂組成物は、メッキ層４まで形成したＬＴＣＣ基板２の所定の領域にスクリーン印刷等の公知の塗布方法により塗布し、乾燥させた後、例えば１００〜１５０℃程度に加熱して硬化等させることで、樹脂層６とすることができる。このようにしてＬＴＣＣ基板２に樹脂層６を形成することで、素子搭載用基板１を得ることができる。
【実施例】
【００５４】
以下に、本発明について実施例を参照して説明する。
【００５５】
（実施例１）
素子搭載用基板１として、図１、２に示すようなものを製造した。
まず、ＬＴＣＣ基板２となるグリーンシートを作製した。グリーンシートは、ＳｉＯ２が６０．４ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３が１５．６ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３が６ｍｏｌ％、ＣａＯが１５ｍｏｌ％、Ｋ２Ｏが１ｍｏｌ％、Ｎａ２Ｏが２ｍｏｌ％となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて１６００℃で６０分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより４０時間粉砕してガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
【００５６】
このガラス粉末が４０質量％、アルミナフィラー（昭和電工社製、商品名：ＡＬ−４５Ｈ）が６０質量％となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物５０ｇに、有機溶剤（トルエン、キシレン、２−プロパノール、２−ブタノールを質量比４：２：２：１で混合したもの）１５ｇ、可塑剤（フタル酸ジ−２−エチルヘキシル）２．５ｇ、バインダーとしてのポリビニルブチラール（デンカ社製、商品名：ＰＶＫ＃３０００Ｋ）５ｇ、さらに分散剤（ビックケミー社製、商品名：ＢＹＫ１８０）を配合し、混合してスラリーを調製した。
【００５７】
このスラリーをＰＥＴフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させ、焼成後の厚さが０．１５ｍｍとなるグリーンシートを製造した。
【００５８】
一方、銀を主成分とする導電性粉末（大研化学工業社製、商品名：Ｓ４００−２）に、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比９０：１０の割合で配合し、固形分が８７質量％となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で１時間混練を行い、さらに三本ロールにて３回分散を行って金属ペーストを製造した。
【００５９】
グリーンシートのうち貫通導体５を形成する部分に孔空け機を用いて直径０．３ｍｍの貫通孔を形成し、スクリーン印刷法により金属ペーストを充填して未焼成貫通導体５を形成すると共に、表面にスクリーン印刷法により金属ペーストを塗布して未焼成厚膜導体層３を形成した。
【００６０】
この未焼成厚膜導体層３が形成されたグリーンシートを５５０℃で５時間保持して脱脂を行った後、さらに８７０℃で３０分間保持して焼成を行って、１０μｍの厚みの厚膜導体層３および貫通導体５が形成されたＬＴＣＣ基板２を製造した。
【００６１】
その後、厚膜導体層３の表面にスルファミン酸ニッケル浴を用いた電界メッキによって７μｍのニッケルメッキ膜を形成し、その表面にシアン化金カリウム浴を用いた電界メッキによって０．３μｍの厚みの金メッキ膜を形成してメッキ層を形成した。
【００６２】
さらに、搭載面２ａにおけるメッキ層４の縁部４１と、この縁部４１の外側となるＬＴＣＣ基板２とに連続するように、メッキ層４の全周にわたって樹脂組成物を塗布し、１２５℃で５時間加熱することにより硬化させて樹脂層６を形成し、素子搭載用基板１を製造した。
【００６３】
ここで、樹脂組成物としては、エポキシ樹脂組成物（稲葉産業社製、商品名：ＨＬ８０１０Ｂ）を用いた。また、メッキ層４上に形成される樹脂層６の領域（Ｗ１）は０．０３ｍｍ、ＬＴＣＣ基板２上に直接形成される樹脂層６の領域（Ｗ２）は０．１０ｍｍ、樹脂層６の高さ（Ｈ）は０．０３ｍｍとした。なお、領域（Ｗ１）、領域（Ｗ２）は、全周にわたって一定となるようにした。また、高さ（Ｈ）は、メッキ層４の内外方向に一定となるようにし、かつ全周にわたって一定となるようにした。
【００６４】
（実施例２）
実施例１の素子搭載用基板１の製造において、搭載面２ａにおけるメッキ層４上に形成される樹脂層６の領域（Ｗ１）を０．０５ｍｍ、ＬＴＣＣ基板２上に直接形成される樹脂層６の領域（Ｗ２）を０．２０ｍｍ、樹脂層６の高さ（Ｈ）を０．０５ｍｍに変更して素子搭載用基板１を製造した。
【００６５】
（比較例１）
実施例１の素子搭載用基板１の製造において、樹脂層を形成せずに素子搭載用基板を製造した。
【００６６】
次に、実施例および比較例の素子搭載用基板をＪＩＳ−Ｃ−６００６８−２−４３に準拠する硫化試験において１００時間暴露させ、搭載面２ａにおけるメッキ層４、特に金メッキ膜の表面の硫化（黒色化）を２０倍の顕微鏡により観察した。結果を表１に示す。なお、表１中、黒色化の欄における「◎」は黒色化が見られなかったことを示し、「○」は僅かに黒色化が見られたことを示し、「×」は明確に黒色化が見られたことを示す。
【００６７】
【表１】
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【００６８】
表１に示すように、樹脂層６を形成した実施例の素子搭載用基板１については、ＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれが抑制され、メッキ層４の表面への銀の拡散、およびその硫化が有効に抑制されていることが認められた。一方、樹脂層を形成しなかった比較例の素子搭載用基板については、ＬＴＣＣ基板から厚膜導体層が剥がれるために、メッキ層の表面に銀が拡散し、硫化されることが認められた。
【符号の説明】
【００６９】
１…素子搭載用基板
２…低温焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）
３…厚膜導体層
４…メッキ層
５…貫通導体
６…樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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