(57)【要約】【課題】温度変動によるＳＡＷチップ表面の弾性表面波の伝搬方向の伸縮を大巾に抑制した弾性表面波デバイスを得る。【解決手段】本発明は、凹状断面をもつ容器２の両内側壁２ａの所定位置に中空部Ｃに向って平行に突出して一体に形成した所定巾をもつ一対の支持部３と、前記支持部３の下面３ｂに形成した金属メッキ部３ａと、前記金属メッキ部３ａに対向するＳＡＷチップ４の両端に形成した所定巾の金属部４ａと、からなり、前記金属メッキ部３ａと前記金属部４ａとを、導電性接着剤を介し、あるいは介さずに、互に強固に接合したことを特徴とする弾性表面波デバイス１に関する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹状断面をもつ容器の両内側壁の所定位置に中空部に向って突出して形成した所定巾をもつ一対の支持部と、
前記支持部の下面に形成した金属メッキ部と、
前記金属メッキ部に対面するＳＡＷチップの両端に形成した所定巾の金属部と、からなり、
前記金属メッキ部と前記金属部とを、接着剤を介し、あるいは介さずに、互に強固に接合したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記金属メッキ部と前記金属部とを、導電性接着剤を介して強固に接合したことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記金属メッキ部を金から構成し、前記金属メッキ部と前記金属部とを導電性接着剤を介さずに互に強固に接合したことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記容器が、ＳＡＷチップを構成する材料と同符号の温度変化に対する線膨張係数をもつ材料からなることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記金属部が、交差指状電極と同じ材料からなることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記弾性表面波デバイスが、ＲＦ用ＳＡＷフィルタであることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、移動体端末や基地局等で使用されるＲＦ用フィルタに用いられる弾性表面波デバイス（以下、“ＳＡＷデバイス”という）に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＳＡＷデバイス、例えばＳＡＷフィルタ１は、図５と図６に示すように、セラミック材料、ガラスエポキシ樹脂等からなる側壁２ａをもつパッケージ２の基板２ｂの上面にダイボン剤と称する接着剤２ｃによりタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）等からなる圧電基板を個片にしたＳＡＷチップ４が接着・固定されている。そして、パッケージ２の基板２ｂの上面側と裏面側には、それぞれリード部を構成する内部リード部（パッド部）５，５ａ，６，６ａと外部リード部（パット部）９，１０とが設けられ、内部リード部５，５ａ，６，６ａと外部リード部９，１０とは、基板２ｂ内を通る中間リード部（図示せず）により電気的に接続されている。
【０００３】
そして、ＳＡＷチップ４の表面（主面）に形成した交差指状電極（ＩＤＴ）と内部リード部５，５ａ，６，６ａとは、アルミワイヤからなるワイヤボンディング７，８により電気的に接続されている。さらに、パッケージ２の上端開口部に、金属キャップ１１をシーム溶接等により封止して、ＩＤＴの上面に気密空間（中空部）Ｃが形成されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−９３５８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＳＡＷフィルタの周波数（ｆ）は、圧電基板の表面に形成されたＩＤＴの電極指の間隔（λ）（図１参照）と、圧電基板上の弾性表面波の伝搬速度（Ｖ）とにより、
【０００６】
【数１】
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【０００７】
ｆ＝Ｖ／λ
で決まる。
【０００８】
ここで、圧電基板は、雰囲気温度が変動すると弾性表面波（ＳＡＷ）の伝搬方向（図１参照）も含め伸縮し、それに伴い数式１に示す圧電基板上に形成したＩＤＴ電極指の間隔（λ）が、伸縮し、その結果、ＳＡＷフィルタの周波数ｆが変化する。
【０００９】
一般に、ＳＡＷフィルタの温度変化による周波数（ｆ）の変動量は、使用する圧電基板の材質によって、ほぼ一義的に決まるが、携帯端末や基地局等で使用されるＲＦ用ＳＡＷフィルタでは、ＬｉＴａＯ3（タンタル酸リチウム）からなる圧電基板が広く使用され、この種の圧電基板の温度変動率（温度特性）は、−４０ｐｐｍ／℃の一次直線状の温度係数をもつことが知られている。
【００１０】
しかしながら、図５と図６に示した従来のＳＡＷフィルタでは、基板２ｂの上面側に接着剤２ｃでＳＡＷチップ４を単に固着してあるだけなので、周囲雰囲気の温度変化による圧電基板の伸縮によって、ＩＤＴの電極指の間隔（λ）が大きく伸縮し、そのため、ＳＡＷフィルタの周波数（ｆ）が大巾に変動する問題点があった。
【００１１】
例えば、ＲＦ用ＳＡＷフィルタを使用する携帯電話の規格であるＧＳＭ（Global System for Mobile Communication）では、その使用温度範囲が一般的な仕様である−３０℃〜＋８５℃で４６００ｐｐｍの周波数変動をＳＡＷフィルタの設計時に見込まなければならず、顧客の要求仕様を十分満足できないＳＡＷフィルタが多くなっている問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記した課題を解決するため、本発明の弾性表面波デバイスは、凹状断面をもつ容器の両側壁の所定位置に中空部に向って突出した所定巾をもつ一対の支持部と、前記支持部の下面に形成した金属メッキ部と、前記金属メッキ部に対向するＳＡＷチップの両端に形成した所定巾の金属部と、からなり、前記金属メッキ部と前記金属部とを、接着剤を介し、あるいは介さずに、強固に接合する。
【００１３】
また、本発明では、前記金属メッキ部と前記金属部とを、導電性接着剤を介して強固に接合する。
【００１４】
さらに、本発明では、前記金属メッキ部を金から構成し、前記金属メッキ部と前記金属部とを導電性接着剤を介さずに強固に接合する。
【００１５】
さらに、本発明では、前記容器自身の温度変化による伸縮が、ＳＡＷチップの温度変化による伸縮を抑えるように、互に同符号の線膨張係数をもつ材料から構成する。
【００１６】
またさらに、本発明では、前記金属部を、交差指状電極（ＩＤＴ）と同じ材料から構成する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の弾性表面波デバイスによれば、温度変動によるＳＡＷチップ表面の弾性表面波の伝搬方向の伸縮が大巾に抑制され、ＳＡＷフィルタの温度特性を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明のＳＡＷデバイスに用いるＳＡＷチップの基本構造を模式的に示した平面図である。
【図２】図１に示したＳＡＷチップを用いたＳＡＷデバイス（ＳＡＷフィルタ）の縦断面である。
【図３】図２に示したＳＡＷデバイスの金属キャップを取った状態で上から見た平面図である。
【図４】図２に示すＡ矢視部の部分拡大断面図である。
【図５】従来例のＳＡＷデバイス（ＳＡＷフィルタ）の縦断面図である。
【図６】図５に示した従来例のＳＡＷデバイスの金属キャップを取った状態で上から見た平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスの一実施形態であるＳＡＷフィルタについて、図面に基づいて説明する。
【実施例】
【００２０】
まず、図１は、本発明の一実施例であるＳＡＷフィルタに用いるＳＡＷチップ４の基本構造を模式的に示した平面図であって、ＳＡＷチップ４（圧電基板）の表面（主面、ＩＤＴ形成面）に、弾性表面波を励振及び発信する交差指状電極（すだれ状電極）ＩＤＴを設け、ＳＡＷチップ４のＳＡＷ伝搬方向のチップ両端付近に、ＳＡＷチップ４の回路表面目一杯にＳＡＷチップ４が重くならない程度に、後述するセラミックパッケージ２の支持部３に金属メッキ部３ａを介して接合される金属部分４ａ（例えば、ＩＤＴと同じＡｌ材料で）を、ＩＤＴを形成する成膜プロセスで同時に蒸着、メッキ、印刷等の技法により形成する。
【００２１】
本発明の実施例のＳＡＷフィルタ１は、図２と図３に示すように、例えばセラミック材料からなる断面凹状のパッケージ２（容器）の両内側壁２ａの所定位置に中空部Ｃに向って突出した一対の所定巾のセラミック材料からなる支持部３を一体化して平行に設け、この一対の支持部３，３の下面３ｂに形成した所定面積（例えば、金属部４ａと同じ面積の）の金属メッキ部３ａを前述のＳＡＷチップ４に設けた金属部４ａと接合できる位置に形成する。そして、金属メッキ部３ａ、あるいは金属部４ａ〔例えばＡｌ（アルミニュウム）材料〕に導電性接着剤、例えば、半田ボールを予め配置しておき、リフロー等により、溶融した半田ボールを介して金属メッキ部３ａと金属部４ａとを強固に接合する。ここで、金属メッキ部３ａにＡｇ（金）を用いて、半田ボール等を用いずに、金属メッキ部３ａとＡｌからなる金属部４ａとを接合してもよい。
【００２２】
本実施例では、パッケージ２の材質としてセラミック材料を挙げたが、ＳＡＷチップ４と温度の変化に対する同符号の線膨張係数をもつ材料であればよい。
【００２３】
そして、金属部分４ａと金属メッキ部３ａとを接合後、従来例と同様に、パッケージ２の基板２ｂの上面側と裏面側には、それぞれリード部（パット部）を構成する内部リード部（パット部）５，５ａ，６，６ａと外部リード部（パット部）９，１０とを設け、内部リード部５，５ａ，６，６ａと外部リード部９，１０とを、基板２ｂ内を貫通する中間リード部（図示せず）により電気的に接続する。
【００２４】
また、図２に示すように、ＳＡＷチップ４の表面（主面）に形成した交差指状電極（ＩＤＴ）と内部リード部５，５ａ，６，６ａとを、アルミワイヤからなるワイヤボンディング７，８により電気的に接続する。さらに、パッケージ２の上端開口部に、金属キャップ１１をシーム溶接等により封止して、ＩＤＴの上面に気密空間（中空部）Ｃを形成する。
【００２５】
このようにして、ＳＡＷチップ４の両端付近に形成した金属部分４ａとセラミックパッケージ２の金属メッキ部分３ａとを、半田ボール等を介して、あるいは介さずに強固に接合することにより、ＳＡＷチップ４のＳＡＷ伝搬方向の伸縮が物理的に大巾に抑制され（間隔λ伸縮が小さくなる）、その結果、数式１（ｆ＝Ｖ／λ）から算出されるように、温度の変化による周波数の変動（温度特性）が大巾に低減できるようになる。
【００２６】
また、セラミックパッケージ２の伸縮自体は、本発明では、周波数変動に関し、無視できるものにするか、パッケージ２の材料として、ＳＡＷチップ４を構成する圧電基板〔ＬｉＴａＯ3（約４０ｐｐｍ／℃）〕とは、温度変動に対し、同符合の線膨張係数をもつ材料、例えば、セラミック（Ａｌ2Ｏ3）（約７ｐｐｍ／℃）、シリコン（約４ｐｐｍ／℃、ポリイミド（１０〜４０ｐｐｍ／℃）等、を選択すれば、さらに、ＳＡＷチップ４の伸縮が抑制され、ＳＡＷフィルタの温度特性が大巾に低減されるようになる。
【符号の説明】
【００２７】
１  ＳＡＷ部品（デバイス）
２  パッケージ
３  支持部
３ａ  金属メッキ部
４  ＳＡＷチップ
４ａ  金属部
５  内部リード部（パッド部）
６  内部リード部（パッド部）
７  ワイヤボンディング
８  ワイヤボンディング
９  外部リード部（パッド部）
１０  外部リード部（パッド部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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