(57)【要約】【課題】グレーティングカプラへのレーザ光の結合効率が向上すると共に実装精度も向上させることが可能な面発光レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体層２０上に光透過性の厚い絶縁膜２８を形成し、この絶縁膜２８から半導体層２０中のｎ型ＤＢＲ層２１に達する円環形状の溝２８Ａを形成する。マスク（レジスト層３４を絶縁膜２８上に形成すると共に溝２８Ａにも充填させ、このレジスト層３４の溝２８Ａの近傍位置に開口３４Ａを設ける。この開口３４Ａからエッチング液を導入し絶縁膜２８を加工することによって、傾斜した光出射面３Ａを有するプリズム３を形成する。これにより素子本体２の光出射面２０Ａに対して垂直な方向よりも傾いたレーザ光を出射する面発光レーザ素子１が得られる。【選択図】図６
2011096944.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な第１光出射面を有する素子本体と、
前記素子本体の第１光出射面上に設けられると共に、前記第１光出射面に対して傾斜した第２光出射面を有するプリズムと
を備えた面発光レーザ素子。
【請求項２】
前記素子本体は、基板上に第１多層膜反射鏡、活性層、電流狭窄層、第２多層膜反射鏡およびコンタクト層をこの順に有すると共に前記コンタクト層上の前記第１光出射面を除く領域に第１電極を有し、
前記プリズムは前記第１光出射領域および第１電極上に設けられている
請求項１記載の面発光レーザ素子。
【請求項３】
前記素子本体の周囲に、前記第１多層膜反射鏡に達する溝を間にして前記プリズムと同一材料からなる絶縁膜を有する
請求項２記載の面発光レーザ素子。
【請求項４】
前記絶縁膜の膜厚は、前記プリズムの高さよりも厚い
請求項２記載の面発光レーザ素子。
【請求項５】
前記絶縁膜の上に電極パッドを有し、前記電極パッドと前記第１電極とが電気的に接続されている
請求項４記載の面発光レーザ素子。
【請求項６】
前記プリズムの傾斜角は、前記第１光出射面に対して５〜４５°の範囲である
請求項１に記載の面発光レーザ素子。
【請求項７】
記録媒体に向けて光を導波するグレーティングカプラと、
前記グレーティングカプラの光導波方向に対して斜めにレーザ光を出射する面発光レーザ素子とを備え、
前記面発光レーザ素子は、
平坦な第１光出射面を有する素子本体と、
前記素子本体の第１光出射面上に設けられると共に、前記第１光出射面に対して傾斜した第２光出射面を有し、前記第２光出射面から前記グレーティングカプラに向けてレーザ光を出射するプリズムと
を備えたスライダ。
【請求項８】
平坦面を有する基板上に、第１多層膜反射鏡、活性層、電流狭窄層、第２多層膜反射鏡およびコンタクト層をこの順に有する半導体層を形成し、前記半導体層上に光出射領域となる第１開口を有する電極を形成する工程と、
前記半導体層上に所定の厚みを有する光透過性の絶縁膜を形成すると共に、素子パターンに応じた形状を有し前記絶縁膜から前記第１多層膜反射鏡に達する溝を形成する工程と、
前記絶縁膜上および溝内にマスク材料を堆積させてマスクを形成すると共に、前記マスクの前記光出射領域の中心からずれた位置に第２開口を形成する工程と、
前記第２開口を介して前記絶縁膜のウエットエッチングを行い、前記光出射領域の面（第１光出射面）に対して所定の角度で傾斜した第２光出射面を有するプリズムを形成する工程と
を含む面発光レーザ素子の製造方法。
【請求項９】
前記溝を形成したのち、前記溝を通して前記電流狭窄層の周縁領域を酸化することにより電流狭窄領域を形成し、そののち前記マスクを形成する
請求項８記載の面発光レーザ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第２開口を前記溝の近傍位置に形成する
請求項８に記載の面発光レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱アシスト磁気ヘッドのスライダなどに搭載して好適な面発光レーザ素子およびその製造方法、並びにこの面発光レーザ素子を備えたスライダに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、超高密度記録のために熱アシスト磁気ヘッドの開発が進められている。この熱アシスト磁気ヘッドでは、レーザ光照射により記録媒体を局所的に加熱してこの領域の保持力を下げ、この保持力の低下した領域に磁気記録を行うものである。この熱アシスト磁気ヘッドのスライダには、磁気記録部の他に、レーザ光源およびこのレーザ光源からの光を記録媒体へ導くためのグレーティングカプラが設けられている。このグレーティングカプラに対するレーザ光の結合効率を高めるためには、レーザ光をグレーティングカプラの導波方向に対して斜めに入射させることが望ましい。
【０００３】
従来、グレーティングカプラに対して斜め入射を実現する方法として段違いのスペーサ上に面発光レーザ素子を実装する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＵＳ２００８／０００２２９８Ａ１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この方法では、面発光レーザ素子を斜めに実装するため、実装精度が悪く、量産上、現実的ではないという問題があった。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、グレーティングカプラへのレーザ光の結合効率が向上すると共に実装精度も向上させることが可能な面発光レーザ素子およびその製造方法、並びにスライダを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の面発光レーザ素子は、平坦な第１光出射面を有する素子本体と、素子本体の第１光出射面上に設けられると共に、第１光出射面に対して傾斜した第２光出射面を有するプリズムと、を備えたものである。
【０００８】
この面発光レーザ素子では、素子本体の第１光出射面からその垂直方向に出射されたレーザ光が直接プリズムに入射し、このプリズムの第２光出射面から第１光出射面の垂直方向に対して所定の角度を持って（すなわち斜め方向）に出射される。
【０００９】
素子本体は、具体的には、基板上に第１多層膜反射鏡、活性層、電流狭窄層、第２多層膜反射鏡およびコンタクト層をこの順に有すると共に、コンタクト層上の第１光出射面を除く領域に第１電極を有するものであり、プリズムは光出射領域および第１電極上に設けられている。
【００１０】
本発明の面発光レーザ素子の製造方法は以下の（Ａ）〜（Ｄ）の工程を備えている。
（Ａ）平坦面を有する基板上に、第１多層膜反射鏡、活性層、電流狭窄層、第２多層膜反射鏡およびコンタクト層をこの順に有する半導体層を形成し、半導体層上に光出射領域となる第１開口を有する電極を形成する工程
（Ｂ）半導体層上に所定の厚みを有する光透過性の絶縁膜を形成すると共に、素子パターンに応じた形状を有し絶縁膜から第１多層膜反射鏡に達する溝を形成する工程
（Ｃ）絶縁膜上および溝内にマスク材料を堆積させてマスクを形成すると共に、マスクの光出射領域の中心からずれた位置に第２開口を形成する工程
（Ｄ）第２開口を介して絶縁膜のウエットエッチングを行い、光出射領域の面（第１光出射面）に対して所定の角度で傾斜した第２光出射面を有するプリズムを形成する工程
【００１１】
本発明のスライダは、光を導波するグレーティングカプラと、グレーティングカプラの光導波方向に対して斜めにレーザ光を出射する面発光レーザ素子とを備えたものであり、面発光レーザ素子として上記本発明の面発光レーザ素子を備えたものである。スライダは、具体的には、例えば熱アシスト磁気ヘッドのスライダである。
【００１２】
このスライダでは、面発光レーザ素子の第１光出射面より出射されたレーザ光がグレーティングカプラの導波方向に対して斜めに入射し、グレーティングカプラに対して効率の良い光結合がなされる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の面発光レーザ素子によれば、素子本体の第１光出射面上にプリズムを一体的に設け、このプリズムに第１光出射面に対して傾斜した第２光出射面を設けるようにしたので、プリズムを通して斜め出射が可能になる。よって、この面発光レーザ素子を用いたスライダでは、グレーティングカプラへのレーザ光の結合効率が向上すると共にその実装精度も向上する。
【００１４】
また、本発明の面発光レーザ素子の製造方法によれば、素子本体となる半導体層上に厚い光透過性の絶縁膜を形成し、この絶縁膜をウエットエッチングにより加工するようにしたので、上記本発明の面発光レーザ素子を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る面発光レーザ素子を表す断面図である。
【図２】図１に示した面発光レーザ素子の上面図である。
【図３】プリズムによるレーザ光の斜め出射を説明するための模式図である。
【図４】図１に示した面発光レーザ素子の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図５】図４に続く工程を表す断面図である。
【図６】図５に続く工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】本発明の面発光レーザ素子の適用例を表す構成図である。
【図９】変形例に係る面発光レーザ素子を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（基板の両面に電極を有する例）
（１）面発光レーザ素子の構成
（２）面発光レーザ素子の製造方法
２．適用例
３．変形例（基板の片面に両電極を有する例）
【００１７】
［実施の形態］
図１は本発明の一実施の形態に係る面発光レーザ素子１の断面構成を、図２は同じく上面から見た構成をそれぞれ表している。なお、図１および図２は模式的に表したものであり、実際の寸法および形状とは異なっている。
【００１８】
この面発光レーザ素子１は、素子本体２上にプリズム３を一体的に有するものである。素子本体２は、表面が平坦な基板、例えばｎ型ＧａＡｓよりなる基板１０上に、ｎ型ＤＢＲ層２１（第１多層膜反射鏡）、下部スペーサ層２２、活性層２３、上部スペーサ層２４、電流狭窄層２５、ｐ型ＤＢＲ層２６（第２多層膜反射鏡）およびコンタクト層２７を基板１０側からこの順に積層した半導体層２０を備えている。この半導体層２０の上部、具体的には、ｎ型ＤＢＲ層２１の一部、下部スペーサ層２２、活性層２３、上部スペーサ層２４、電流狭窄層２５、ｐ型ＤＢＲ層２６およびコンタクト層２７は例えば円柱状の柱状部２９となっている。
【００１９】
この円柱部２９のコンタクト層２７の表面が光出射面２０Ａ（第１光出射面）であり、この光出射面２０Ａには発光領域１３Ａに対応して開口３０Ａ（第１開口）を有するドーナツ形状のｐ側電極３０（第１電極）が設けられている。これに対してｎ側電極３３（第２電極）は基板１０の裏面に設けられている。
【００２０】
プリズム３はコンタクト層２７の光出射面２０Ａ上に設けられており、その光出射面３Ａ（第２光出射面）は平坦な光出射面２０Ａに対して所定の角度で傾斜している。
【００２１】
基板１０は、例えばｎ型ＧａＡｓなどの導電性基板により構成されている。
【００２２】
ｎ型ＤＢＲ層２１は、低屈折率層（図示せず）および高屈折率層（図示せず）を交互に積層して形成されたものである。低屈折率層は例えば厚さがλ0／４n1（λ0は発振波長、ｎ１は屈折率）のｎ型Ａｌx１Ｇａ1-x1Ａｓ（０＜ｘ１≦１）、高屈折率層は例えば厚さがλ0／４ｎ2（ｎ2は屈折率）のｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x２Ａｓ（０≦ｘ２＜ｘ１）によりそれぞれ構成されている。下部スペーサ層２２は、例えばｎ型Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ（０＜ｘ３＜１）により構成されている。ｎ型不純物としては、例えば、燐（Ｐ）などが挙げられる。
【００２３】
活性層２３は、例えばアンドープのＡｌx4Ｇａ1-x4Ａｓ（０≦ｘ４≦１）により構成されている。この活性層１３では、後述の電流注入領域１８Ａとの対向領域が発光領域２３Ａとなる。上部スペーサ層２４は、例えばｐ型Ａｌx5Ｇａ1-x5Ａｓ（０≦ｘ５＜１）により構成されている。なお、ｐ型不純物としては、例えば、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）などが挙げられる。
【００２４】
電流狭窄層２５は、中央に電流注入領域２５Ａを有し、電流注入領域２５Ａの外縁に電流狭窄領域２５Ｂを有している。電流注入領域２５Ａは、例えばｐ型Ａｌx6Ｇａ1-x6Ａｓ（０＜ｘ６≦１）により構成されている。電流狭窄領域２５Ｂは例えば、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）により構成されている。この電流狭窄領域２５Ｂは、後述するように柱状部２９の側面から電流狭窄層２５に含まれる高濃度のアルミニウム（Ａｌ）を酸化することにより得られるものである。すなわち電流狭窄層２５は電流を狭窄する機能を有し、活性層２３のうち電流注入領域２５Ａと対向する領域が発光領域２３Ａとなっている。
【００２５】
ｐ型ＤＢＲ層２６は、低屈折率層（図示せず）および高屈折率層（図示せず）を交互に積層して形成されたものである。この低屈折率層は、例えば厚さがλ0／４ｎ3（ｎ3は屈折率）のｐ型Ａｌx7Ｇａ1-x7Ａｓ（０＜ｘ７≦１）、高屈折率層は、例えば厚さがλ0／４ｎ4(ｎ4は屈折率）のｐ型Ａｌx8Ｇａ1-x8Ａｓ（０≦ｘ８＜ｘ７）によりそれぞれ構成されている。コンタクト層２７は、例えばｐ型Ａｌx9Ｇａ1-x9Ａｓ（０＜ｘ９＜１）により構成されている。
【００２６】
プリズム３は、空気の屈折率１よりも大きな屈折率を有する光透過性の絶縁材料、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）により構成されている。このプリズム３は、詳細は後述するが、例えばフッ酸系のエッチング液を用いたウエットエッチングによって、縦方向エッチングに加えて、エッチング液がプリズム形成用の絶縁膜２８とマスク３５（図６参照）との境界面に侵入することによる（すなわち密着性の低下を利用した）横方向エッチングが行われることによって形成されたものである。
【００２７】
図３はこのプリズム３を取り出して表したものであり、このプリズム３の傾斜角度θ１は５〜４５°の範囲であればよく、好ましくは３０〜４０°である。光出射面２０Ａから垂直に出射されプリズム３に入射したレーザ光は、プリズム３と空気との屈折率差に応じて光出射面３Ａから光出射面２０Ａの垂直方向に対して所定の角度θ２をもって斜めに出射されるようになっている。
【００２８】
素子本体２の周囲には、ｎ型ＤＢＲ層２１に達する溝２８Ａを間にしてプリズム３と同一材料からなる絶縁膜２８が設けられている。この絶縁膜２８の膜厚はプリズム３の高さよりも厚くなっている。但し、このプリズム３と絶縁膜２８との高低差は、プリズム３を後述の絶縁膜２８の選択エッチングにより形成した結果によるものであり、構造上は、両者の工程差はなくてもよい。また、プリズム３の加工方法が異なれば、プリズム３と絶縁膜２８の材料は異なっていてもよい。
【００２９】
プリズム３の表面、溝２８Ａの内壁並びに絶縁膜２８の表面および側壁には保護膜３１が設けられている。この保護膜３１は、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの絶縁材料により構成されている。保護膜３１のｐ側電極３０に対向する位置には開口３１Ａが設けられている。絶縁膜２８の表面には電極パッド３２が設けられており、この電極パッド３２は開口３１Ａを介してｐ側電極３０と電気的に接続されている。
【００３０】
ｐ側電極３０および電極パッド３２はそれぞれ、例えばチタン（Ｔｉ），白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）をこの順に積層して構成されたものである。一方、ｎ側電極３３は、例えば、金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）との合金，ニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）とを基板１０側からこの順に積層した構造を有する。
【００３１】
この面発光レーザ素子１では、電極パッド３２とｎ側電極３３との間に所定の電圧が印加されると、電流狭窄層２５により狭窄された電流が活性層２３の利得領域である発光領域２３Ａに注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光には誘導放出によって生じた光だけでなく、自然放出によって生じた光も含まれているが、素子内で誘導放出が繰り返される結果、所定の波長λ0でレーザ発振が生じ、波長λ0 を含むレーザ光が光出射面２０Ａから垂直方向に出射される。この光出射面２０Ａから出射されたレーザ光はプリズム３に直接に入射され、このプリズム３の光出射面３Ａからプリズム３と空気との屈折率差に応じて斜め方向、すなわち光出射面２０Ａに垂直な方向からずれた方向に出射される。
【００３２】
このように本実施の形態では、素子本体１の光出射面２０Ａにプリズム３を一体的に設けるようにしたので、このプリズム３によって斜め方向にレーザ光を出射させることができる。よって，この面発光レーザ素子１を図８に示したように、例えば熱アシスト磁気ヘッドのスライダ１００のグレーティングカプラ１０１に対向するよう実装することにより、グレーティングカプラ１０１の光導波方向（記録媒体Ｍへの方向）に対してレーザ光を斜め入射させることができる。面発光レーザ素子１のスライダ１００への実装は例えば段差を有するサブマウント１０２を利用して行うことができる。よって，従来のような段違いのスペーサなどの斜め入射手段を別途設ける必要がなく、これにより面発光レーザ素子１のスライダ１００への実装精度が向上すると共に、面発光レーザ素子１からのレーザ光のグレーティングカプラ１０１への結合効率が向上する。
【００３３】
[製造方法]
次に、この面発光レーザ素子１の製造方法の一例について説明する。
【００３４】
図４〜図７は、この面発光レーザ素子１の製造方法を工程順に表したものである。なお、図４〜図７は、製造過程の面発光レーザ素子を図２のＩ−Ｉ矢視線に対応する箇所で切断した断面の構成をそれぞれ表したものである。
【００３５】
まず、図４（Ａ）に示したようにｎ型ＧａＡｓからなる基板１０上に、ＧａＡｓ系化合物半導体を、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ：有機金属気相成長）法などのエピタキシャル結晶成長法により一括に形成する。この際、ＧａＡｓ系化合物半導体の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アルシン（ＡｓＨ３ ）を用い、ドナー不純物の原料としては、例えばセレン化水素（Ｈ2Ｓｅ）を用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えばジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）を用いる。
【００３６】
具体的には、基板１０上に、ｎ型ＤＢＲ層２１，下部スペーサ層２２，活性層２３，上部スペーサ層２４，被酸化層２５Ｃ，ｐ型ＤＢＲ層２６およびコンタクト層２７を基板１０側からこの順に積層する。被酸化層２５Ｃは、後述の酸化工程で酸化されることにより、電流狭窄層２５になる層であり、例えばＡｌＧａＡｓを含んで構成されている。
【００３７】
次いで、図４（Ｂ）に示したように、例えば蒸着法などにより、出射面２０Ａすなわちコンタクト層２７の表面に、開口３０Ａ（第１開口）を有するｐ側電極３０を形成する。ｐ側電極３０の外形は例えば１０μｍ未満とする。
【００３８】
続いて、図４（Ｃ）に示したように、ｐ側電極３０およびコンタクト層２７の表面全体に、例えばＳｉＯ2などの光透過性の絶縁性無機材料からなる絶縁膜２８を形成する。この絶縁膜２８は後工程でプリズム３を形成するために通常の膜厚（２００ｎｍ程度）よりも厚い、例えば４〜５μｍ程度の厚みを有するものとする。
【００３９】
次いで、図５（Ａ）に示したように、絶縁膜２８の表面に素子パターンを有する感光性樹脂（レジスト）マスク（図示せず）を形成したのち、例えば反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）法などのドライエッチングによって絶縁膜２８に環状の溝２８Ａを形成する。この溝２８Ａの内径はｐ側電極３０の外径よりも大きく、例えば１０μｍとする。
【００４０】
続いて、図５（Ｂ）に示したように、絶縁膜２８をマスクとして例えばＲＩＥなどのドライエッチングを行うことにより溝２８Ａを掘り下げる。すなわちコンタクト層２７，ｐ型ＤＢＲ層２６，被酸化層２５Ｃ，上部スペーサ層２４，活性層２３および下部スペーサ層２２を貫通し、ｎ型ＤＢＲ層２１に達する手前までエッチングし、柱状部２９を形成する。
【００４１】
次いで、図５（Ｃ）に示したように、水蒸気雰囲気中において高温（例えば４００℃）で酸化処理を行い、溝２８Ａを通じて柱状部２９（メサ）の側面から被酸化層２５Ａを選択的に酸化する。これにより被酸化層２５Ｃの外縁領域が絶縁膜（酸化アルミニウム）となった電流狭窄領域２５Ｂと、中央の未酸化領域が電流注入領域２５Ａとなった電流狭窄層２５が形成される。
【００４２】
続いて、図６（Ａ）に示したように、絶縁膜２８の表面にレジスト層３４（マスク層）を塗布形成すると共に、溝２８Ａ内にもこのレジスト層３４を充填させる。そののち図６（Ｂ）に示したように、例えば図示しないマスクを用いた露光法によって、レジスト層３４の柱状部２９の中心軸（発光領域２３Ａの中心）からずれた位置、例えば溝２８Ａの近傍に開口３４Ａ（第２開口）を形成する。開口３４Ａの大きさは例えば直径１μｍ程度とする。
【００４３】
次いで、図６（Ｃ）に示したように、開口３４Ａを有するレジスト層３４をマスクとした、例えばバッファードフッ酸などのフッ酸系のエッチング液を用いたウエットエッチングにより絶縁膜２８を、例えばｐ側電極３０の一部が露出するまで選択的に除去する。このとき、絶縁膜２８とマスク（レジスト層３４）との密着性の程度に応じて、開口３４Ａから縦方向にエッチングが進行すると共に、絶縁膜２８とレジスト層３４との境界面にもエッチング液が侵入することにより横方向のエッチングも進行する。その結果、例えばｐ側電極３０の一部が露出した時点でエッチングを終了すると、溝２８Ａ内の絶縁膜２８は傾斜した光出射面３Ａを有するプリズム３となる。
【００４４】
続いて、図７（Ａ）に示したようにレジスト層３４を除去したのち、図７（Ｂ）に示したように、絶縁膜２８、溝２８Ａ、プリズム３およびｐ側電極３０の表面に、例えば膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2からなる保護膜３１を形成する。
【００４５】
次いで、図７（Ｃ）に示したように、レジストマスク（図示せず）を用いて例えばＲＩＥなどのドライエッチングを行い、ｐ側電極３０上の保護膜３１に開口３１Ａを形成する。続いて、レジストマスクを除去したのち、例えば真空蒸着法により表面全体に前述の金属材料を積層する。そののち選択エッチングにより、絶縁膜２８上の保護膜３１上に電極パッド３２を形成すると共に開口３１Ａを介して電極パッド３２とｐ側電極３０とを電気的に接続させる。
【００４６】
最後に、基板１０の裏面を適宜研磨してその厚さを調整した後、この基板１０の裏面に上述の金属材料を積層しｎ側電極３３を形成する。これにより図１に示した面発光レーザ素子１が完成する。
【００４７】
このように本実施の形態では、通常は２００ｎｍ程度である絶縁膜２８の厚さを、例えば４〜５μｍの厚みを有するものとし、これをウエットエッチングによって加工することにより傾斜した光出射面３Ａを有するプリズム３を素子本体２に一体的に形成するようにした。これにより複雑なプリズムの実装工程を経ることなく、発光領域２３Ａの直上にプリズム３を容易に形成することができ、自らレーザ光を斜めに出射することのできる面発光レーザ素子１を得ることができる。
【００４８】
プリズム３の光出射面３Ａの傾きθ１は、絶縁膜２８と絶縁膜２８上に塗布されるマスク（レジスト層３４）との密着性を調整することにより制御することができる。この密着性は、密着性向上塗布剤であるＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）などの界面活性剤の塗布量、あるいはレジスト層３４の絶縁膜２８への塗布形成時の温度によって変化する。例えば、密着性を低下させるためには、ＨＭＤＳの塗布量を減らす、あるいは塗布時の温度を上げればよい。密着性を低下させることにより、横方向のエッチング速度は上がり、プリズムの傾きは小さくなる。一例として、６０℃にて数秒間ＨＭＤＳを吹き付けたのち、レジスト層３４が形成された絶縁膜２８を、バッファードフッ酸を用いてエッチングを行った場合には、図３では光出射面３Ａの光出射面２０Ａに対する傾きθ１が４０度となり、レーザ光は垂直方向からθ２（＝２９．７度）だけ傾く。
【００４９】
（変形例）
上記実施の形態では、ｎ側電極３３を基板１０の裏面に設けた場合について説明したが、図９に示したように、素子本体２の一部を基板１０に達するまでエッチングし、基板１０の上面にｎ側電極３３を形成してもよい。このとき、ｐ側電極３０と同様に絶縁膜２８の上に電極パッド３５を設け，この電極パッド３５とｎ側電極３３とを配線により電気的に接続させる。これによりワイヤボンディングが不要となる。本変形例の作用および効果は上記実施の形態と同様である。
【００５０】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、プリズム３の空気との屈折率差を利用しているが、空気以外の材料との屈折率差を利用するようにしてもよい。また、例えばプリズム３の加工（光出射面３Ａの形成）については上記実施の形態においてはウエットエッチングによるものとしたが、これに限らずその他の方法、例えば回折露光によってもよい。
【００５１】
更に、上記実施の形態では、面発光レーザ素子１の構成を具体的に挙げて説明したが、必ずしも全ての層を備える必要はなく、他の層を更に備えていてもよい。また、上記実施の形態において説明した各層の材料、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料としてもよく、または他の成膜方法としてもよい。
【００５２】
更に、例えば、上記実施の形態では、面発光レーザ素子１をＧａＡｓ系化合物半導体により構成した場合について説明したが、他の材料系、例えば、ＧａＩｎＰ系（赤系）材料またはＡｌＧａＡｓ系（赤外系）や、ＧａＮ系（青緑色系）などにより構成することも可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１…面発光レーザ素子、２…素子本体、３…プリズム、１０…基板、２１…ｎ型ＤＢＲ層、２１…下部スペーサ層、２３…活性層、２４…上部スペーサ層、２５…電流狭窄層、２５Ａ…電流注入領域、２５Ｂ…電流狭窄領域、２６…ｐ型ＤＢＲ層、２７…コンタクト層、２８…絶縁膜、２８Ａ…溝、２９…柱状部、３０…ｐ側電極、３０Ａ…開口（第１開口）、３１…保護膜、３２…電極パッド、３３…ｎ側電極、３４…マスク（レジスト層）、３４Ａ…開口（第２開口）、３５…電極パッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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