(57)【要約】【課題】装置を煩雑化することがなく、引上装置内の所要部分へのＳｉＯガスの凝縮を抑制して、シリコン単結晶の有転位化を防止すると共に、シリコン単結晶の引上時に使用するカーボンヒータやカーボンルツボの寿命の低下を抑制することができるシリコン単結晶引上装置を提供する。【解決手段】本発明に係るシリコン単結晶引上装置１００は、ルツボ３の外周囲に設けられ、ルツボ３を加熱する第１ヒータ５と、ルツボ３の上方に設けられ、シリコン単結晶Ｉｇへの輻射熱を遮断する輻射シールド７と、第１ヒータ５より上方であり、かつ輻射シールド７の外周囲に設けられ、ルツボ３の上部３ａ１及び輻射シールド７の外周部７ａを加熱する第２ヒータ１０と、を備えることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルツボ内の原料シリコンを溶融してシリコン融液とし、チョクラルスキー法により前記シリコン融液からシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶引上装置であって、
前記ルツボの外周囲に設けられ、前記ルツボを加熱する第１ヒータと、
前記ルツボの上方に設けられ、前記シリコン単結晶への輻射熱を遮断する輻射シールドと、
前記第１ヒータより上方であり、かつ前記輻射シールドの外周囲に設けられ、前記ルツボの上部及び前記輻射シールドの外周部を加熱する第２ヒータと、
を備えることを特徴とするシリコン単結晶引上装置。
【請求項２】
前記ルツボは、シリコン融液を保持する石英ルツボと、前記石英ルツボを収容するカーボンルツボとで構成され、
前記第１ヒータの外周囲に設けられた第１保温部材と、
前記第１保温部材の外周囲に設けられた第２保温部材と、
前記輻射シールドの上方に設けられ、前記輻射シールドの内周側、前記輻射シールドと前記シリコン融液との間及び前記第１保温部材と前記第２保温部材との間を連続して通過するキャリアガスが供給されるキャリアガス供給口と、
前記第１保温部材と前記第２保温部材との間で形成される排気経路の出口部に設けられ、前記排気経路を通過したガスのみを排出するキャリアガス排出口と、を備え、
前記第２ヒータは、前記排気経路の入口部に設けられ、前記排気経路を通過する前のガスを加熱することを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶引上装置。
【請求項３】
前記第１保温部材の前記第１ヒータの下方には、前記カーボンルツボと前記第１ヒータとの間を通過したガスを前記キャリアガス排出口に導くための排気経路が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のシリコン単結晶引上装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チョクラルスキー法（ＣＺ法：Czochralski Method）によるシリコン単結晶の育成に用いられるシリコン単結晶引上装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成は、チャンバ内に設置した石英ルツボに原料であるポリシリコンを充填し、石英ルツボの周囲に設けられたヒータによってポリシリコンを加熱して溶融し、シリコン融液とした後、シードチャックに取り付けた種結晶（シード）を当該シリコン融液に浸漬し、シードチャックおよび石英ルツボを同方向または逆方向に回転させながらシードチャックを引上げることにより行う。
【０００３】
このようなシリコン単結晶の育成には、冷却速度の向上を目的として、シリコン単結晶への輻射熱を遮断する輻射シールドが一般的に用いられる。この輻射シールドは、例えば、下部開口部の直径が上部開口部の直径より小さい截頭円錐形状の筒体を備えている。
【０００４】
なお、一般に、シリコン単結晶引上装置では、シリコン融液表面から発生するＳｉＯガスを装置内から効率的に排出する必要がある。ＳｉＯガスは、冷却されると凝縮し、ＳｉＯｘとなって引上装置内の所要部分（石英ルツボのシリコン融液と接しない内周面等）に堆積する。この堆積物が当該所要部分から剥離しシリコン融液中に落下すると、引上中のシリコン単結晶が有転位化する問題がある。また、ＳｉＯガスが石英ルツボの周囲に設けられたカーボンヒータ（以下、単にヒータともいう）やカーボンルツボに接触してＳｉＣ化した場合、ヒータやカーボンルツボの寿命が低下するという問題がある。
【０００５】
前者の問題に対して、シリコン単結晶引上装置内に、多結晶シリコンの融解時又はシリコン融液の加熱時にカーボンヒータからの熱を前記石英ルツボの鉛直な内面に反射する熱反射体を設ける技術が開示されている（例えば、特許文献１）。
【０００６】
また、後者の問題に対して、ＳｉＯガスをチャンバの内壁と保温筒の外周との隙間に導き、カーボンルツボやヒータに対するＳｉＯガスの接触を回避する技術が開示されている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２５５５９０号公報
【特許文献２】特開平６−５６５７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載の技術は、石英ルツボの鉛直な内面に反射する位置まで当該熱反射体を移動させる新たな移動装置を必要とするため、装置構成が煩雑化する問題がある。
また、特許文献２に記載の技術は、チャンバの内壁と保温筒の外周との隙間でＳｉＯガスが凝縮して堆積し、当該隙間が堆積物で詰まってしまう可能性がある。その場合、ＳｉＯガスが逆流し、逆流した際に剥離した堆積物がシリコン融液中に落下し、引上中のシリコン単結晶を有転位化させてしまう問題がある。
【０００９】
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、装置を煩雑化することがなく、引上装置内の所要部分へのＳｉＯガスの凝縮を抑制して、シリコン単結晶の有転位化を防止すると共に、シリコン単結晶の引上時に使用するカーボンヒータやカーボンルツボの寿命の低下を抑制することができるシリコン単結晶引上装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るシリコン単結晶引上装置は、ルツボ内の原料シリコンを溶融してシリコン融液とし、チョクラルスキー法により前記シリコン融液からシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶引上装置であって、前記ルツボの外周囲に設けられ、前記ルツボを加熱する第１ヒータと、前記ルツボの上方に設けられ、前記シリコン単結晶への輻射熱を遮断する輻射シールドと、前記第１ヒータより上方であり、かつ前記輻射シールドの外周囲に設けられ、前記ルツボの上部及び前記輻射シールドの外周部を加熱する第２ヒータと、を備えることを特徴とする。
【００１１】
前記ルツボは、シリコン融液を保持する石英ルツボと、前記石英ルツボを収容するカーボンルツボとで構成され、前記第１ヒータの外周囲に設けられた第１保温部材と、前記第１保温部材の外周囲に設けられた第２保温部材と、前記輻射シールドの上方に設けられ、前記輻射シールドの内周側、前記輻射シールドと前記シリコン融液との間及び前記第１保温部材と前記第２保温部材との間を連続して通過するキャリアガスが供給されるキャリアガス供給口と、前記第１保温部材と前記第２保温部材との間で形成される排気経路の出口部に設けられ、前記排気経路を通過したガスのみを排出するキャリアガス排出口と、を備え、前記第２ヒータは、前記排気経路の入口部に設けられ、前記排気経路を通過する前のガスを加熱することが好ましい。
【００１２】
前記第１保温部材の前記第１ヒータの下方には、前記カーボンルツボと前記第１ヒータとの間を通過したガスを前記キャリアガス排出口に導くための排気経路が設けられていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、装置を煩雑化することがなく、引上装置内の所要部分へのＳｉＯガスの凝縮を抑制して、シリコン単結晶の有転位化を防止すると共に、シリコン単結晶の引上時に使用するカーボンヒータやカーボンルツボの寿命の低下を抑制することができるシリコン単結晶引上装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るシリコン単結晶引上装置の要部構成の一例を示す概念図である。
【図２】図１の破線で囲んだ部分Ａの拡大概念図である。
【図３】図２に示す第２ヒータ１０の外観形状を示す概念図であり、図３（ａ）は上面図、図３（ｂ）は当該上面図のＡ−Ａ’線で切った断面図である。
【図４】図１の破線で囲んだ部分Ａの他の態様を示す拡大概念図である。
【図５】図４に示す第２ヒータ１０の外観形状を示す概念図であり、図５（ａ）は上面図、図５（ｂ）は当該上面図のＢ−Ｂ’線で切った断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るシリコン単結晶引上装置の要部構成の一例を示す概念図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に用いられる第１保温部材３０の外観形状の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１６】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るシリコン単結晶引上装置の要部構成の一例を示す概念図である。
本実施形態に係るシリコン単結晶引上装置１００は、図１に示すように、チャンバ１と、チャンバ１内に設けられ、原料シリコン（主に、ポリシリコン）を保持するルツボ３と、ルツボ３の外周囲に設けられ、ルツボ３を加熱し、ルツボ３内の原料シリコンを溶融してシリコン融液４とする第１ヒータ５と、ルツボ３の上方に設けられ、チョクラルスキー法により前記シリコン融液４から引上げたシリコン単結晶Ｉｇへの輻射熱を遮断する輻射シールド７と、第１ヒータ５より上方であり、かつ輻射シールド７の外周囲に設けられ、ルツボ３の上部３ａ１を加熱する第２ヒータ１０と、を備える。
【００１７】
このように、本実施形態に係わるシリコン単結晶引上装置１００は、ルツボ３の上部３ａ１を加熱する第２ヒータ１０を備えているため、シリコン単結晶Ｉｇの引上中におけるルツボ３の上部３ａ１の内周面へのＳｉＯガスの凝縮を抑制することができる。
【００１８】
また、前記第２ヒータ１０は、輻射シールド７の外周囲に設けられているため、輻射シールド７の外周部７ａを加熱する。従って、輻射シールド７の外周部７ａへのＳｉＯガスの凝縮も抑制することもできる。
【００１９】
従って、装置を煩雑化することがなく、第２ヒータ１０を設置するのみで、シリコン融液４に直接的に落下しやすいルツボ３の上部３ａ１の内周面及び輻射シールド７の外周部７ａへのＳｉＯガスの凝縮を抑制することができるため、シリコン単結晶の有転位化を高い確率で防止することができる。
【００２０】
前記ルツボ３は、シリコン融液４を保持する石英ルツボ３ａと、石英ルツボ３ａを収容するカーボンルツボ３ｂとで構成されている。
前記第１ヒータ５の外周囲には第１保温部材３０が設けられ、第１保温部材３０の外周囲には一定の間隔を有して第２保温部材３２が設けられ、第２保温部材３２の上部には、第１保温部材３０と一定の間隔を有して第３保温部材３４が設けられている。
【００２１】
前記輻射シールド７の上方には、輻射シールド７の内周側７ｂ、輻射シールド７とシリコン融液４との間、第１保温部材３０と第３保温部材３４との間及び第１保温部材３０と第２保温部材３２との間を連続して通過するキャリアガスＧが供給されるキャリアガス供給口４０が設けられている。
【００２２】
前記第１保温部材３０と前記第２保温部材３２との間で形成される排気経路Ｅｃの出口部には、前記排気経路Ｅｃを通過したガス（ＳｉＯガス及びキャリアガス：以下、総称して単にガスという）のみを排出するキャリアガス排出口４５が設けられている。
【００２３】
更に、前記第２ヒータ１０は、排気経路Ｅｃの入口部に設けられ、排気経路Ｅｃを通過する前のガスを加熱する。
【００２４】
このように、第２ヒータ１０が排気経路Ｅｃの入口部に設けられ、排気経路Ｅｃを通過する前のガス（特に、ＳｉＯガス）を加熱することで、排気経路Ｅｃ内でのＳｉＯガスの凝縮を抑制することができる。従って、排気経路Ｅｃが詰まることを抑制することができるため、当該ＳｉＯガスの逆流による堆積物のシリコン融液中の落下を抑制することができ、シリコン単結晶の有転位化を防止することができる。
【００２５】
また、第１保温部材３０と第２保温部材３２との間を通過したガスのみを排出するキャリアガス排出口４５が設けられているため、チャンバ１内でのＳｉＯガスが、カーボンルツボ３ｂと第１ヒータ５との間を通過することがないため、カーボンヒータやカーボンルツボのＳｉＣ化を抑制することができ、カーボンヒータやカーボンルツボの寿命の低下を抑制することができる。
【００２６】
次に、図２を参照して、第１ヒータ５の上方に設けられた第２ヒータ１０及びその周辺部材についての構成を具体的に説明する。
図２は、図１の破線で囲んだ部分Ａの拡大概念図である。図３は、図２に示す第２ヒータ１０の外観形状を示す概念図であり、図３（ａ）は上面図、図３（ｂ）は当該上面図のＡ−Ａ’線で切った断面図である。
【００２７】
第１保温部材３０は、ＣＩＰ材３０ａで構成されている。
第２保温部材３２は、ＣＩＰ材３０ａの外周囲に一定の間隔を有して配置された断熱材３２ａと、断熱材３２ａのＣＩＰ材３０ａ側に配置されたＣＩＰ材３２ｂとで構成されている。
第３保温部材３４は、ＣＩＰ材３０ａ上に一定の間隔を有して断熱材３２ａ上に配置された断熱材３４ａと、ＣＩＰ材３２ｂ上に配置されたＣＩＰ材３４ｂとで構成されている。ＣＩＰ材３０ａとＣＩＰ材３２ｂとの間で排気経路Ｅｃを構成している。
第２ヒータ１０は、例えば、図３に示すように、板状のリング形状を有し、図２に示すように、断熱材３２ａ上部に設けられた切り掛け部３２ｃに契合するように、断熱材３４ａとＣＩＰ材３４ｂとの間に配置されている。
なお、前記ＣＩＰ材３０ａ、３２ｂ、３４ｂは、炭素／炭素複合材料（Ｃ／Ｃ材）で構成されていてもよい。
【００２８】
図４は、図１の破線で囲んだ部分Ａの他の態様を示す拡大概念図である。図５は、図４に示す第２ヒータ１０の外観形状を示す概念図であり、図５（ａ）は上面図、図５（ｂ）は当該上面図のＢ−Ｂ’線で切った断面図である。
図４、５に示す第２ヒータ１０は、図３に示す板状のリング形状に加え、その外周部１０ａが排気経路Ｅｃに沿って下方に延在した延在部１０ａ１を有する形状であってもよい。
【００２９】
チャンバ１内には、シリコン単結晶Ｉｇを育成するために用いられるシード１２を保持するシードチャック１４が取り付けられた引上用ワイヤ１６が、ルツボ３の上方に設けられている。引上ワイヤ１６は、チャンバ１外に設けられた回転昇降自在なワイヤ回転昇降機構１８に取り付けられている。
【００３０】
ルツボ３は、チャンバ１の底部を貫通し、チャンバ１外に設けられたルツボ回転昇降機構２０によって回転昇降可能なルツボ回転軸２２に取付けられている。
輻射シールド７は、第３保温部材３４の上面に取付けられた輻射シールド支持部材２４を介してルツボ３の上方に保持されている。
【００３１】
キャリアガス供給口４０には、電磁弁４７を介して、チャンバ１内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給部４９が接続されている。キャリアガス排出口４５には、電磁弁５２を介して、排気経路Ｅｃを追加したガスのみを排出するキャリアガス排出部５４が接続されている。前記電磁弁４７を調整することでチャンバ１内に供給するキャリアガスＧの供給量を、電磁弁５２を調整することでチャンバ１内から排出するＳｉＯガス及びキャリアガスＧの排出量をそれぞれ制御する。
【００３２】
次に、本実施形態に係るシリコン単結晶引上装置１００を用いたシリコン単結晶の引上方法について説明する。
まず、原料シリコン（主に、ポリシリコン）を石英ルツボ３ａに充填し、キャリアガスＧとしてＡｒガスをチャンバ１の上方のキャリアガス供給口４０からチャンバ１内に流入させ、第１ヒータ５及び第２ヒータ１０をオンして、石英ルツボ３ａの上部３ａ１、輻射シールド７の外周部７ａ及び排気経路Ｅｃの入口部をそれぞれ加熱し、ルツボ回転昇降機構２０をオンしてルツボ回転軸２２を回転させることでルツボ３を回転させながら、原料シリコンを溶融してシリコン融液４とする。
【００３３】
その後、第１ヒータ５はもちろん、第２ヒータ１０においても加熱を継続しつつ、ワイヤ回転昇降機構１８を回転させながら引上用ワイヤ１６を降下させ、シードチャック１４を下ろし、シード１２をシリコン融液４に浸漬させ、シードチャック１４およびルツボ３を同方向または逆方向に回転させながらシードチャック１４を引上げることによりシリコン単結晶Ｉｇを引き上げる。シリコン単結晶Ｉｇの引き上げ終了後（シリコン単結晶Ｉｇをシリコン融液４から切り離し後）、第１ヒータ５及び第２ヒータ１０をすべてオフとしてシリコン単結晶Ｉｇを自然冷却した後、チャンバ１内からシリコン単結晶Ｉｇを取り出す。
【００３４】
このように、原料シリコンの溶融時から第１ヒータ５と共に、第２ヒータ１０をオンとし、シリコン単結晶Ｉｇの引き上げ終了後まで継続することで、溶融中の原料シリコンから発生するＳｉＯガスの引上装置内の所要部分（石英ルツボ３の上部３ａ１の内周面、輻射シールド７の外周部７ａ及び排気経路Ｅｃ内）へのＳｉＯガスの凝縮を確実に抑制することができる。
【００３５】
（第２の実施形態）
図６は、本発明の第２の実施形態に係るシリコン単結晶引上装置の要部構成の一例を示す概念図である。
本実施形態に係るシリコン単結晶引上装置１００Ａは、図６に示すように、第１保温部材３０の第１ヒータ５の下方に、カーボンルツボ３ｂと第１ヒータ５との間を通過したガス（ＳｉＯガス及びキャリアガスＧ）を前記キャリアガス排出口４５に導くための排気経路Ｅｓが更に設けられている点が異なる。その他は、第１の実施形態と同様であるため説明を省略する。
【００３６】
第１の実施形態では、前記キャリアガス排出口４５は、排気経路Ｅｃを通過したガスのみを排出するため、シリコン融液４から蒸発したＳｉＯガスが、カーボンルツボ３ｂと第１ヒータ５との間を通過することがなく、カーボンルツボ３ｂや第１ヒータ５のＳｉＣ化を抑制できる。
【００３７】
しかしながら、キャリアガス供給口４０から供給されるキャリアガスの流量が大きい場合には、カーボンルツボ３ｂと第１ヒータ５との間の入口部近傍でガスの対流が発生する場合がある。この対流が発生すると、カーボンルツボ３ｂや第１ヒータ５のカーボンが当該対流によりシリコン融液４に入り込む可能性があり、シリコン融液４の炭素濃度が増加してしまうため好ましくない。
【００３８】
また、当該対流によって、カーボンルツボ３ｂと第１ヒータ５との間の入口部に存在するパーテクル等がシリコン融液４に入り込む可能性もあり、これによって、シリコン単結晶の有転位化を引き起こす可能性がある。
【００３９】
そのため、第１保温部材３０の第１ヒータ５の下方に、キャリアガス排出口４５に導くための排気経路Ｅｓを新たに設けることで、カーボンルツボ３ｂと第１ヒータ５との間の入口部近傍におけるガスの対流を抑制することができる。
【００４０】
なお、この際、カーボンルツボ３ｂと第１ヒータ５との間にＳｉＯガスが流れることになるが、この隙間の入口部は、前述した第２ヒータ１０によって加熱されているため、従来よりもＳｉＯガスの凝縮に伴うカーボンルツボ３ｂ及び第１ヒータ５のＳｉＣ化を抑制することができる。
【００４１】
図７は、本発明の第２の実施形態に用いられる第１保温部材３０の外観形状の一例を示す斜視図である。
前記排気経路Ｅｓは、例えば、図７に示すように、第１ヒータ５の下方に位置する第１保温部材３０の下部に円周状に複数の貫通孔３０ｂを設けることで形成することができる。
【実施例】
【００４２】
（実施例１）
図１に示すシリコン単結晶引上装置１００を用い、ポリシリコンを石英ルツボ３ａに充填し、Ａｒガスをチャンバ１の上方のキャリアガス供給口４０から流量８０Ｌ／ｍｉｎでチャンバ１内に流入させ、第１ヒータ５及び第２ヒータ１０をオンして、石英ルツボ３ａの上部３ａ１、輻射シールド７の外周部７ａ及び排気経路Ｅｃの入口部を加熱し、ルツボ回転昇降機構２０をオンしてルツボ回転軸２２を回転させることでルツボ３を回転させながら、原料シリコンを溶融してシリコン融液４とした。
【００４３】
その後、第１ヒータ５及び第２ヒータ１０の加熱を継続しつつ、ワイヤ回転昇降機構１８を回転させながら引上用ワイヤ１６を降下させ、シード１２をシリコン融液４に浸漬させ、シードチャック１４およびルツボ３を逆方向に回転させながらシードチャック１４を引上げることにより、直径３１０ｍｍ、長さが１５００ｍｍの直胴部を有するシリコン単結晶Ｉｇを引上げた。その後、第１ヒータ５及び第２ヒータ１０をすべてオフとしてシリコン単結晶Ｉｇを自然冷却した後、チャンバ１内からシリコン単結晶Ｉｇを取り出した。
この取り出したシリコン単結晶Ｉｇについて、ＤＦ率（％）を評価した。
【００４４】
ＤＦ率（％）は、引上げたシリコン単結晶Ｉｇのテール側からウェーハを切り出し、エッチングにより転位の有無を評価し、転位が確認された場合は、ヘッド側に遡り再サンプリングを行い、転位が確認されなくなった位置をＤＦ長とし、無転位の直胴部の長さ÷全体の直胴部の長さ（１５００ｍｍ）にて算出した。
【００４５】
また、上述した方法によって、カーボンルツボ３ｂ及び第１ヒータ５を交換せずに、５０回引上げを行った後、カーボンルツボ３ｂ及び第１ヒータ５について、その表面がＳｉＣ化されているか否かについて、目視にて評価を行った。
【００４６】
（比較例１）
図１に示す第２ヒータ１０を用いないで、その他は実施例１と同様な条件で、直径が３１０ｍｍ、長さが１５００ｍｍの直胴部を有するシリコン単結晶Ｉｇを引上げた。その後、実施例１と同様な方法でＤＦ率（％）を評価した。
また、実施例１と同様に本条件にて、カーボンルツボ３ｂ及び第１ヒータ５を交換せずに、５０回引上げを行った後、カーボンルツボ３ｂ及び第１ヒータ５について、その表面がＳｉＣ化されているか否かについて、目視にて評価を行った。
【００４７】
（比較例２）
キャリアガス供給口４０からのアルゴンガス流量を１３０Ｌ／ｍｉｎとし、その他は実施例１と同様な条件で、直径が３１０ｍｍ、長さが１５００ｍｍの直胴部を有するシリコン単結晶Ｉｇを引上げた。その後、実施例１と同様な方法でＤＦ率（％）を評価した。
また、実施例１と同様に本条件にて、カーボンルツボ３ｂ及び第１ヒータ５を交換せずに、５０回引上げを行った後、カーボンルツボ３ｂ及び第１ヒータ５について、その表面がＳｉＣ化されているか否かについて、目視にて評価を行った。
【００４８】
（実施例２）
図６に示すシリコン単結晶引上装置１００Ａを用い、その他は比較例２と同様な条件で、直径が３１０ｍｍ、長さが１５００ｍｍの直胴部を有するシリコン単結晶Ｉｇを引上げた。その後、実施例１と同様な方法でＤＦ率（％）を評価した。
また、実施例１と同様に本条件にて、カーボンルツボ３ｂ及び第１ヒータ５を交換せずに、５０回引上げを行った後、カーボンルツボ３ｂ及び第１ヒータ５について、その表面がＳｉＣ化されているか否かについて、目視にて評価を行った。
【００４９】
（比較例３）
図６に示す第２ヒータ１０を用いないで、その他は実施例２と同様な条件で、直径が３１０ｍｍ、長さが１５００ｍｍの直胴部を有するシリコン単結晶Ｉｇを引上げた。その後、実施例１と同様な方法でＤＦ率（％）を評価した。
また、実施例１と同様に本条件にて、カーボンルツボ３ｂ及び第１ヒータ５を交換せずに、５０回引上げを行った後、カーボンルツボ３ｂ及び第１ヒータ５について、その表面がＳｉＣ化されているか否かについて、目視にて評価を行った。
【００５０】
実施例１、２、比較例１から３における評価結果を表１に示す。
【表１】
2011026147.tif 000003
【００５１】
以上の結果から示すように、実施例１ではＤＦ率（％）が高く、また、カーボンルツボ３ａや第１ヒータ５の表面のＳｉＣ化は確認されなかった。比較例１では、第２ヒータ１０を用いていないためＤＦ率（％）が大きく低下することが認められた。比較例２では、実施例１に比べて、キャリアガスの供給量を大きくしたため、ＤＦ率が若干低下することが認められた。
【００５２】
更に、実施例１及び比較例２について、引上げたシリコン単結晶Ｉｇの外周部の炭素濃度を赤外吸収法により測定したところ、比較例２のシリコン単結晶Ｉｇにおいては、実施例１の場合に比べて、１．５倍程度炭素濃度が高くなっていることが認められた。
【００５３】
実施例２では、実施例１と同様にＤＦ率（％）が高いことが認められた。また、実施例２について、引上げたシリコン単結晶Ｉｇの外周部の炭素濃度を同様に赤外吸収法により測定したところ、実施例１と同レベルの炭素濃度を確認した。なお、実施例２においては、若干カーボンルツボ３ａと第１ヒータ５の表面にＳｉＣ化が確認されたが、第２ヒータ１０を用いない比較例３よりはＳｉＣ化が低減されることが認められた。
【符号の説明】
【００５４】
１  チャンバ
３  ルツボ
４  シリコン融液
５  第１ヒータ
７  輻射シールド
１０  第２ヒータ
３０  第１保温部材
３２  第２保温部材
４０  キャリアガス供給口
４５  キャリアガス排出口
Ｅｃ  排気経路
Ｅｓ  排気経路
【図１】
2011026147.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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