(57)【要約】      （修正有）【課題】巻取り体の端面からのガス供給装置を設置することなく、大気開放時にゴミの流入を防止し、且つ、巻取り部材を非接触状態で維持する非接触巻取り体の製造方法。【解決手段】５．０×１０−４Ｐａ以下の圧力条件に保たれた真空容器の内部で、基板の端部に直接突起形状を複数設ける工程、または、少なくとも片面に突起形状を複数設けたテープ状フィルムを該基板の両端に共巻する工程を有し、次いで、前記真空容器を前記圧力条件〜大気圧条件に大気開放する工程を有する非接触巻取り体の製造方法において、該大気開放する工程が、真空状態から１．０×１０−３Ｐａ／秒〜０．１Ｐａ／秒の速度で１Ｐａ〜１０Ｐａの圧力範囲に装置内を調整する第１の圧力調整工程と、次いで、１．０×１０１Ｐａ／秒〜５．０×１０２Ｐａ／秒以下の速度で大気開放する第２の圧力調整工程を有することを特徴とする非接触巻取り体の製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
５．０×１０−４Ｐａ以下の圧力条件に保たれた真空容器の内部で、基板の端部に直接突起形状を複数設ける工程、または、少なくとも片面に突起形状を複数設けたテープ状フィルムを該基板の両端に共巻する工程を有し、次いで、前記真空容器を前記圧力条件〜大気圧条件に大気開放する工程を有する非接触巻取り体の製造方法において、
該大気開放する工程が、真空状態から１．０×１０−３Ｐａ／秒〜０．１Ｐａ／秒の速度で１Ｐａ〜１０Ｐａの圧力範囲に装置内を調整する第１の圧力調整工程と、次いで、１．０×１０１Ｐａ／秒〜５．０×１０２Ｐａ／秒以下の速度で大気開放する第２の圧力調整工程を有することを特徴とする非接触巻取り体の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の非接触巻取り体の製造方法により製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空中で長尺な帯状可撓性フィルム（基板ともいう）を非接触で巻き取るロールツーロール真空成膜装置（ロールツーロール真空巻取装置ともいう）及び非接触巻取り体の製造方法に関し、特に、長尺な帯状可撓性フィルム（基板ともいう）を巻き取った後、大気開放して取り出す際に、製造工程時のゴミが該フィルムに付着する等の不具合の発生を抑制することができるロールツーロール真空成膜装置、非接触巻取り体の製造方法及び該ロールツーロール真空成膜装置を用いて製造された有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の真空成膜装置においては、フィルム基板（単に、基材、基板、基盤等ともいう）をロールツーロールで成膜する装置において、接触を嫌う材料の場合、材料を基板上に積層したものを巻取りせずにシートに切断して枚葉処理するのが一般的である。
【０００３】
一方、開示される一部の特許等から、フィルム基板そのものの端部にエンボスと呼ばれる突起状の形状を作製したり、端部を折り返したり、または、テープ状の材料を端部に一緒に巻き込んだり、巻いたフィルム同士が端部の突起等の嵩上げにより接触しない手段が知られており、非接触のまま巻取りが可能である。
【０００４】
しかしながら、この非接触巻取り形態のまま成膜装置チャンバー内に入れた場合、真空後に通常条件にて大気圧に戻す際に巻取り内部とその外側に発生する差圧によりフィルムが潰れる等の不具合が発生するため、ゆっくりとガス置換していく方法があるが生産性が著しく落ちてしまう。
【０００５】
また、早くガス置換すると前記変形の発生に加え急激なガス流入のためゴミの混入といった問題も発生する。
【０００６】
これらの問題を解決する手段として、非接触巻取り体のフィルム間隙にクリーンなガスを供給する装置をチャンバ内に設置して、差圧を少なくするよう制御して変形を無くす方法が公開されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に記載では、真空対応のガス給装置と大気開放時のチャンバ内とガス供給の精密な制御が必須となる為に、真空成膜装置の構成が複雑になり、設備費用の大幅なアップが避けられないという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１７９４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、ロールツーロール真空成膜装置での成膜後の巻取り工程において、巻取り体（巻取り部材ともいう）の端面からのガス供給装置を設置することなく、大気開放時（大気圧復帰時ともいう）にゴミの流入を防止し、且つ、巻取り部材を非接触状態で維持して、大気開放時の差圧による巻取り部材同士の接触を防止する非接触巻取り体の製造方法及び該非接触巻取り体の製造方法を用いて製造された有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の上記目的は下記の構成により達成された。
【００１１】
１．５．０×１０−４Ｐａ以下の圧力条件に保たれた真空容器の内部で、基板の端部に直接突起形状を複数設ける工程、または、少なくとも片面に突起形状を複数設けたテープ状フィルムを該基板の両端に共巻する工程を有し、次いで、前記真空容器を前記圧力条件〜大気圧条件に大気開放する工程を有する非接触巻取り体の製造方法において、
該大気開放する工程が、真空状態から１．０×１０−３Ｐａ／秒〜０．１Ｐａ／秒の速度で１Ｐａ〜１０Ｐａの圧力範囲に装置内を調整する第１の圧力調整工程と、次いで、１．０×１０１Ｐａ／秒〜５．０×１０２Ｐａ／秒以下の速度で大気開放する第２の圧力調整工程を有することを特徴とする非接触巻取り体の製造方法。
【００１２】
２．前記１に記載の非接触巻取り体の製造方法により製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、ロールツーロール真空成膜装置での成膜後の巻取り工程において、巻取り体（巻取り部材ともいう）の端面からのガス供給装置を設置することなく、大気開放時（大気圧復帰時ともいう）にゴミの流入を防止し、且つ、巻取り部材を非接触状態で維持して、大気開放時の差圧による巻取り部材同士の接触を防止する装置、該装置を用いる非接触巻取り体の製造方法及び該非接触巻取り体の製造方法を用いて製造された有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略断面図である。
【図２】有機ＥＬ素子を作製する工程の一例を示す模式図である。
【図３】本発明に係る幅方向の両側の端部に突起形状を複数有する帯状可撓性基板に用いられる突起形状の一例を示す模式図である。
【図４】実施例で作製した有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明は、５．０×１０−４Ｐａ以下の圧力条件に保たれた真空容器の内部で、基板の端部に直接突起形状を複数設ける工程、または、少なくとも片面に突起形状を複数設けたテープ状フィルムを該基板の両端に共巻する工程を有し、次いで、前記真空容器を前記圧力条件〜大気圧条件に大気開放する工程を有する非接触巻取り体の製造方法において、
該大気開放する工程が、真空状態から１．０×１０−３Ｐａ／秒〜０．１Ｐａ／秒の速度で１Ｐａ〜１０Ｐａの圧力範囲に装置内を調整する第１の圧力調整工程と、次いで、１．０×１０１Ｐａ／秒〜５．０×１０２Ｐａ／秒以下の速度で大気開放する第２の圧力調整工程を有することにより巻取り体の表面への擦り傷の発生を効果的に防止する非接触巻取り体の製造方法を提供するものです。
【００１６】
本発明の非接触巻取り体の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ素子は、素子表面（例えば、封止層の表面、封止フィルムの表面）への巻取り時の擦り傷発生が防止され、その結果として、封止層の下層に位置する有機機能層（例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等）への物理的なダメージや、擦り傷に由来する水分や酸素等の影響による素子の欠陥（素子寿命の低下、発光輝度の低下等）を効果的に防止することができる。
【００１７】
以下、図を用いて、本発明の非接触巻取り体の製造方法を本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造を例に挙げながら説明する。
【００１８】
まず、図１により本発明の有機ＥＬ素子の構成について説明する。
【００１９】
図１は、有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略断面図である。図１の（ａ）は封止層（封止膜ともいう）が形成された有機ＥＬ素子の構成層を示す概略断面図である。図１の（ｂ）は接着剤を介して封止フィルムを貼着することで形成された有機ＥＬ素子の構成層を示す概略断面図である。
【００２０】
図１の（ａ）に示される有機ＥＬ素子の層構成につき説明する。図中、１ａは有機ＥＬ素子を示す。有機ＥＬ素子１ａは、基材１０１上に、第一電極１０２と、正孔輸送層１０３と、発光層１０４と、電子注入層１０５と、第二電極１０６と、封止層１０７とをこの順番に有している。
【００２１】
図１の（ｂ）に示される有機ＥＬ素子の層構成に付き説明する。
【００２２】
図中、１ｂは有機ＥＬ素子を示す。有機ＥＬ素子１ｂは、基材１０１上に、第一電極１０２と、正孔輸送層１０３と、発光層１０４と、電子注入層１０５と、第二電極１０６と、接着剤層１０８と、封止フィルム１０９とをこの順番に有している。本図に示される有機ＥＬ素子において、第一電極１０２と正孔輸送層１０３の間に正孔注入層（不図示）を設けてもよい。又、発光層１０４と電子注入層１０５との間に電子輸送層（不図示）を設けてもよい。本図に示される有機ＥＬ素子１ａ及び有機ＥＬ素子１ｂでは、第一電極１０２と基材１０１との間にガスバリア膜（不図示）を設けてもかまわない。
【００２３】
本発明の有機ＥＬ素子は、本発明の非接触巻取り体の製造方法を用いてロール状の可撓性支持体（基材ともいう）上に、第一電極（陽極ともいう）、有機機能層（正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層等）陰極、更に、封止層（封止膜）や封止フィルム等を設けたものであり、その一例として、上記の図１の（ａ）、図１の（ｂ）に示される有機ＥＬ素子を挙げることができる。
【００２４】
尚、図１（ａ）、図１（ｂ）に示す有機ＥＬ素子の層構成は一例を示したものであるが、下記に示すような素子構成も本発明の有機ＥＬ素子の構成として挙げることができる。
【００２５】
（１）基材／陽極／発光層／電子輸送層／陰極／封止層
（２）基材／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極／封止層
（３）基材／陽極／正孔輸送層（正孔注入層）／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／陰極／封止層
（４）基材／陽極／陽極バッファー層（正孔注入層）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／陰極／封止層
本発明の有機ＥＬ素子に係る基材について説明する。
【００２６】
《基材》
本発明の有機ＥＬ素子に係る基板（以下、支持基板、基体、基板、基盤、基材、支持体等とも言う）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
【００２７】
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
【００２８】
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が、１０−５ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【００２９】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【００３０】
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【００３１】
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
【００３２】
また、本発明の有機ＥＬ素子をその他の層については、実施例のところで説明する。
【００３３】
次いで、本発明の非接触巻取り体の製造方法を用いて製造した、本発明の有機ＥＬ素子の製造工程の一例を図２の製造工程２ａ、製造工程２ｂを用いて説明する。
【００３４】
図２は、本発明の有機ＥＬ素子を作製する工程の一例を示す模式図である。
【００３５】
図２で示す製造工程の説明は、有機ＥＬ素子の一例として、帯状可撓性支持体上にガスバリア層、第一電極、正孔輸送層、発光層、電子注入層、第二電極、ついで、非接触部材（具体的には、少なくとも片面に突起形状を複数設けたテープ状フィルムである）の順番に各層が形成されている有機ＥＬ素子（具体的な用途としては、照明用に用いられる面発光の素子である）の場合について行う。また、図２では、第一電極（陽極）の形成工程は省略してある。
【００３６】
また、後述するように本発明の有機ＥＬ素子が素子として用いられる場合には、帯状可撓性支持体上に設けられた有機ＥＬ素子は、所定の裁断工程により個々の素子が作製され、更に実用上、素子の第二電極上または素子の周囲に封止フィルムによる封止処理が施される。
【００３７】
図２において、本発明の有機ＥＬ素子の製造工程２ａは、帯状可撓性支持体Ａ（基材Ａ）の供給工程３と、正孔輸送層を形成する正孔輸送層形成工程４と、発光層を形成する発光層形成工程５と、電子輸送層形成工程６、次いで、非接触部材の形成工程７において、非接触部材７ａを有機機能層（正孔輸送層、発光層、電子輸送層）が形成されている帯状可撓性支持体Ａの裏面側に設けて帯状可撓性支持体Ｂを形成後、一旦、帯状可撓性支持体Ｂは巻取り部８において巻き取られる。
【００３８】
図２において、本発明の有機ＥＬ素子の製造工程２ｂは、製造工程２ａにおいて一旦巻き取られた、電子輸送層形成後の帯状可撓性支持体Ｂはさらに、帯状可撓性支持体の供給部９から、電子注入層を形成する電子注入層形成工程１０と、更に、第二電極（陰極）を形成する第二電極形成工程１１を経た後に、非接触部材の形成工程１２において、第二電極上に非接触部材１２ｂが貼合され形成されたロール状の帯状可撓性支持体Ｃ（ロール状の有機ＥＬ素子ともいう）が巻取り工程１３において巻取りされて、非接触巻き取り体１４が製造される。
【００３９】
尚、照明用（面発光）の有機ＥＬ素子として実用される場合には、非接触巻取り体１５から、適宜、巻出しが行われ、必要に応じて、断裁され個別の素子が形成され電気回路が実装され有機エレクトロルミネッセンスパネルが形成されることになる。
【００４０】
ここで、本発明の有機ＥＬ素子の製造工程２ａ、製造工程２ｂについて、更に具体的な製造条件等について、以下詳細に説明する。
【００４１】
図２で示される本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造工程２ａにおいては、帯状可撓性支持体Ａ（基材Ａ）供給工程３から、正孔輸送層の形成工程４、発光層形成工程５さらに電子輸送層形成工程６、次いで、非接触部材７ａを設けて帯状可撓性支持体Ｂを製造するまでを連続して大気圧条件下で行い、一旦、巻取って非接触巻取り体８ｇを製造する。
【００４２】
帯状可撓性支持体Ａの供給工程３では、繰り出し部３０１と表面処理部３０２とを有している。繰り出し部３０１では、例えば、ガスバリア膜と第一電極を含む陽極層とがこの順番で既に形成された帯状可撓性支持体Ａが巻き芯に巻き取られたロール状態で供給される。３ａ１は帯状可撓性支持体の元巻きロールを示す。
【００４３】
表面処理部３０２は洗浄表面改質処理装置や、帯電防止手段を有しているがここでは帯電防止手段は省略されている。
【００４４】
洗浄表面改質処理装置は、有機機能層塗布前に供給工程３から送られる帯状可撓性支持体Ａの第一電極（不図示）表面の洗浄改質を行うため、例えば、低圧水銀ランプ、エキシマランプ、プラズマ洗浄装置等を使用し、例えば、低圧水銀ランプの場合、波長１８４．２ｎｍの低圧水銀ランプを、照射強度５ｍＷ／ｃｍ２〜２０ｍＷ／ｃｍ２で、距離５ｍｍ〜１５ｍｍの範囲で照射することが好ましい。
【００４５】
また、帯電防止手段は、非接触式除電防止装置、接触式除電防止装置等からなり、例えば、非接触式のイオナイザーや、除電ロールまたはアース接続した導電性ブラシ等を用いて行われる。非接触式帯電防止装置は帯状可撓性支持体Ａの第一電極面側に使用し、接触式帯電防止装置帯状可撓性支持体Ａの裏面側に使用することが好ましい。
【００４６】
図ではこれら細部は省略されているが、帯状可撓性支持体Ａはロールから巻き出されて、正孔輸送層形成工程４に入る。
【００４７】
正孔輸送層形成工程４においては、帯状可撓性支持体Ａを保持するバックアップロール４ａと、バックアップロール４ａに保持された帯状可撓性支持体Ａに正孔輸送層形成用塗布液を塗布する第一湿式塗布機４ｂと、帯状可撓性支持体Ａ上の第一電極上に形成された正孔輸送層の溶媒を除去する第一乾燥装置４ｃと、溶媒が除去された正孔輸送層を加熱する第一加熱処理装置４ｄとを有している。ここで、帯電防止手段を設けてもよいが図では省略されている。
【００４８】
第一湿式塗布機４ｂによる正孔輸送層形成用塗布液は、例えば、既に形成されている第一電極の片方の端部の一部を除いて第一電極上に塗布される。
【００４９】
第一湿式塗布機４ｂは、パターン化されて形成されている第一電極のパターンに合わせて第一電極上に発光層をパターン塗布するため、例えば、インクジェット方式、フレキソ印刷方式、オフセット印刷方式、グラビア印刷方式、スクリーン印刷方式、マスクを用いたスプレー塗布方式等に使用する各種塗布装置を使用することが可能である。
【００５０】
第一乾燥装置４ｃは、加熱された気流による溶媒の除去を行う乾燥処理装置であり、例えば、スリットノズル形式の噴出し口から成膜面に向け高さ１００ｍｍ、噴出し風速１ｍ／秒、幅手分布５％、乾燥温度１００℃で実施することが好ましい。
【００５１】
加熱処理装置４ｄは、帯状可撓性支持体の裏面側から正孔輸送層を裏面伝熱方式で加熱する、例えば、複数の例えば２００℃の加熱ローラを有する裏面伝熱型の加熱処理装置であり、溶媒除去後、温度２００℃のヒートロールを密に並べたロール間から吸引して基板が吸着搬送され、裏面伝熱による加熱で熱処理を行うものである。この加熱処理により膜の平滑性や残留溶媒の除去、また、塗膜の硬化等を行う。
【００５２】
次いで、発光層形成工程５においては、バックアップロール５ａに保持された正孔輸送層を有する帯状可撓性支持体に発光層形成用塗布液を塗布する第二湿式塗布機５ｂと、正孔輸送層上に形成された発光層の溶媒を除去する乾燥装置５ｃと、溶媒が除去された発光層を加熱する加熱処理装置５ｄとを有している。ここでも前記同様の帯電防止手段を用いてよいが省略されている。
【００５３】
第二湿式塗布機５ｂは第一湿式塗布機４ｂと同じ型式のものが好ましい。
【００５４】
乾燥装置５ｃは乾燥装置４ｃと同じ構造をしている。加熱処理装置５ｄは第一加熱処理装置４ｄと同じ構造をしており、正孔輸送層上に形成された、発光層を帯状可撓性支持体の裏面側から裏面伝熱方式で加熱するようになっている。
【００５５】
発光層形成工程５後に次いで電子輸送層塗布工程６にはいる。
【００５６】
電子輸送層形成工程６において、バックアップロール６ａに保持された正孔輸送層、発光層を有する帯状可撓性支持体に電子輸送層形成用塗布液を塗布する第三湿式塗布機６ｂと、発光層上に形成された電子輸送層の溶媒を除去する乾燥装置６ｃと、溶媒が除去された電子輸送層を加熱する加熱処理装置６ｄとを有している。また、同様に帯電防止手段を用いてよい。
【００５７】
本図に示される、正孔輸送層形成工程４、発光層形成工程５、電子輸送層形成工程６は湿式塗布装置、乾燥装置、加熱処理装置がそれぞれ１台の場合を示しているが、必要に応じて増加することが可能である。
【００５８】
続いて、非接触部材の形成工程７において、非接触部材の巻取り体７ｂから供給される非接触部材７ａが巻出され、圧着ロール７ｃにおいて、非接触部材７ａが有機機能層（正孔輸送層、発光層、電子輸送層）が形成されている帯状可撓性支持体Ａの裏面側に圧着、貼合され、帯状可撓性支持体Ｂが形成される。
【００５９】
尚、非接触部材の形成工程７は、プロセス圧力置換（工程の圧力調整）が必要に応じて可能とするべく、チャンバーＣｈａ中に行われ、工程時の圧力調整は、挟持型の圧力バルブＧａ、Ｇｂを通して適宜行われる。
【００６０】
非接触部材の形成工程７に続いて、チャンバーＣｈｂ内に設けられた巻取り工程８において、帯状可撓性支持体Ｂが一旦、非接触部材７ａ（具体的には、少なくとも片面に突起形状が複数設けられたテープ上フィルムが用いられる）が形成された状態で、巻取られて、非接触巻取り体８ｇが製造される。
【００６１】
尚、巻取り工程８においては、有機機能層各層（正孔輸送層、発光層、電子輸送層）が形成された帯状可撓性支持体Ｂを、有機機能層側を内側にして巻き芯に巻取りロール状の帯状可撓性支持体８ｇ（以下、ロール状の帯状可撓性支持体Ｂともいう）とする。
【００６２】
また、巻取り工程８においても、必要に応じて、Ｃｈｂ内の圧力を所定の圧力に調整することが可能であり、調整は、挟持型の圧力バルブＧｂ、Ｇｃにより適宜行われる。
【００６３】
尚、巻き取られたロール状の帯状可撓性支持体Ｂは、一旦、収納箱に保管されるときには、減圧下（１０−６〜１０−２Ｐａ）に収納されることが好ましい。
【００６４】
収納持においては、酸素や微量水分等による素子特性の劣化を防止する観点から、適宜、加温し、且つ、１時間〜２００時間の範囲で収納することが好ましい。
【００６５】
また、本発明の有機ＥＬ素子を製造するにおいては、図２ａ、図２ｂのような態様とは異なり、製造工程２ａの後、連続して製造工程２ｂに送り、電子注入層形成工程を行ってもよい。
【００６６】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造工程２ｂにおいては、製造工程２ａにおいて、一旦巻き取られた帯状可撓性支持体Ｂ上に、更に、電子注入層、第二電極（陰極）の形成が行なわれ、続いて、非接触部材１２ｂ（具体的には、少なくとも片面に突起形状を複数設けたテープ状フィルムが用いられる）を設けて帯状可撓性支持体Ｃを形成後、巻取り工程１３により、巻芯に巻取られて非接触巻取り体１４が形成される。
【００６７】
図２の製造工程２ｂにおいては、電子注入層形成工程１０と、第二電極（陰極）を形成する第二電極形成工程１１については、共に真空プロセス工程であり、電子注入層形成工程１０、第二電極（陰極）形成工程１１は各々減圧条件下、真空蒸着により層形成が行われる。
【００６８】
電子注入層の形成工程１０、第二電極の形成工程１１における減圧条件の調整は、プロセス圧力置換工程（製造工程時の雰囲気の圧力調整する工程ともいう）として設けられたチャンバーＣｈ１、Ｃｈ２及びＣｈ３によって行い、圧力の調整手段としては、挟持型ゲートバルブＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４及びＧ５を適宜開閉することにより行われる。
【００６９】
しかしながら、本発明の有機ＥＬ素子に係る電子注入層及び第二電極（陰極）の形成方法については、特に限定はなく、例えばスパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法などを用いてもよい。
【００７０】
製造工程２ｂの供給部９において、ロール状の帯状可撓性支持体８ｇから巻出された電子輸送層形成後の帯状可撓性支持体Ｂは、減圧条件下で電子注入層形成工程１０に搬送される。
【００７１】
（電子注入層形成工程１０及び第二電極（陰極）形成工程１１）
電子注入層形成工程１０からは真空下（好ましい減圧条件は、５．０×１０−４Ｐａ〜５．０×１０−５Ｐａの範囲である）で行われるが、供給部９については大気圧であるため、ここにはプロセス圧力置換工程としてチャンバーＣｈ１、Ｃｈ２が設けられる。
【００７２】
本発明に用いられるプロセス圧力置換工程とは、大気圧プロセス工程と真空プロセス工程の間にプロセス圧力を大気圧から真空に、また逆に、真空から大気圧に置換する工程であり、本発明においては、プロセス圧力置換工程は、挟持型ゲートバルブを備えたチャンバーを用い、チャンバー内に帯状可撓性支持体を導入した状態でゲートバルブがこれを挟持して疑似密閉空間を形成して、この空間から真空ポンプで排気することで挟持型ゲートバルブにより密閉された空間を減圧としこれを維持することにより構成されることが好ましい。
【００７３】
本発明に用いられるプロセス圧力置換工程は、基本的には、挟持型ゲートバルブとこれにより開閉されるチャンバー（バッファー室）からなっており、挟持型ゲートバルブにより密閉したチャンバー内の圧力をポンプにより減圧し調整することからなるため、帯状可撓性支持体の通過搬送されるチャンバー（バッファー室）入り口と出口に挟持型ゲートバルブが設けられている。
【００７４】
製造工程２ｂにおいて、供給部９から、帯状可撓性支持体Ｂが、プロセス圧力置換工程として、挟持型ゲートバルブを備えたチャンバー（バッファー室）Ｃｈ１、Ｃｈ２においてプロセス圧力が大気圧から減圧条件（具体的には、蒸着に必要な真空成膜条件である）に調整され、電子注入層形成工程１０にはいる。
【００７５】
挟持型ゲートバルブＧ１、Ｇ２が、チャンバーＣｈ１の入り口及び出口側、Ｇ２、Ｇ３がチャンバーＣｈ２の入口側及び出口側、即ち、電子注入層形成工程１０の入り口に連結するよう備えられている。
【００７６】
チャンバーＣｈ１、Ｃｈ２は各々独立にポンプで排気することが可能であり、２ｂに示された構成では、２段階でのプロセス圧力調整が行われる構成であるが、必要とされる真空度、また、効率的に搬送を行うため２段階以上、更に３段階以上の多段階に亘るプロセス圧力調整を行う構成を設けることができる。
【００７７】
Ｃｈ１、Ｃｈ２においては、電子注入層形成工程１０において、蒸着に必要な充分な真空度（好ましい減圧条件は、５．０×１０−４Ｐａ〜５．０×１０−５Ｐａの範囲である）を確保するために、バルブ位置において挟持型ゲートバルブを閉じ、帯状可撓性支持体Ｂの搬送を停止させて、排気して減圧とするため、連続で巻き出され搬送される帯状可撓性支持体Ｂの搬送と停止をバッファーするための、アキューム機構が、チャンバー内部に各々備えられている。
【００７８】
アキューム機構は、概略図で示したように、一定の張力をかけるためのダンサーローラで構成される。
【００７９】
供給部９から巻き出された帯状可撓性支持体Ｂは、開いた挟持型ゲートバルブＧ１を介してチャンバーＣｈ１に搬送され、一方で挟持型ゲートバルブＧ２は閉じているので、可撓性支持体Ｂはアキューム機構によって、チャンバーＣｈ１内に蓄積される。
【００８０】
所定量の可撓性支持体Ｂが搬送されたところで、挟持型ゲートバルブＧ１が閉じ、供給部９から巻き出される帯状可撓性支持体Ｂの搬送が停止すると共に、挟持型ゲートバルブＧ１、Ｇ２で閉じられたチャンバーＣｈ１が排気され減圧となる。
【００８１】
チャンバーＣｈ１を減圧とし、真空状態になったところで、挟持型ゲートバルブＧ２が開き、真空状態のチャンバーＣｈ２に所定量の可撓性支持体が搬送される。
【００８２】
また、所定量搬送されたところで、また挟持型ゲートバルブＧ２は閉じ、チャンバーＣｈ２に可撓性支持体がチャンバーＣｈ２内にも設けられたアキューム機構により所定量蓄積される。
【００８３】
次いで、電子注入層形成工程１０（高真空に排気されている）との連結部を構成する挟持型ゲートバルブＧ３が開き、次にチャンバーＣｈ２内に蓄積された蒸着工程を受ける所定量の可撓性支持体が、電子供給層形成工程１０に送り込まれる。
【００８４】
ここで、また挟持型ゲートバルブＧ３を閉じて、搬送を停止し、蒸着は架台上に帯状可撓性支持体Ｂが静止した状態で蒸着工程（電子注入材料の蒸着工程）が実施される。
【００８５】
この間チャンバーＣｈ１、Ｃｈ２は所定の圧力を保つように維持される。
【００８６】
電子注入層形成工程１０における電子注入層の形成は、真空蒸着により架台上で、搬送が停止した状態で行われるので、アキューム機構を設けることで、この停止を吸収することができる。
【００８７】
チャンバーＣｈ１から、挟持型ゲートバルブＧ２を開くことにより所定量の帯状可撓性支持体Ｂが搬送されたのち、挟持型ゲートバルブＧ２は閉じ、さらに、挟持型ゲートバルブＧ１が開いて、チャンバーＣｈ１の減圧は解除され、所定量の帯状可撓性支持体Ｂをアキューム機構付きのチャンバーＣｈ１内に搬送する。
【００８８】
所定量の帯状可撓性支持体Ｂがチャンバー内に搬送された後、再び挟持型ゲートバルブＧ１は閉じて、供給部からの搬送は一旦停止し、再度チャンバーＣｈ１をポンプで排気し減圧とする。
【００８９】
ここで、チャンバーＣｈ１、チャンバーＣｈ２は、ポンプでそれぞれ排気することで減圧とすることができ、チャンバーＣｈ１は、チャンバーＣｈ２と供給部９（大気圧条件下にある）とを連結し、また、チャンバーＣｈ２はチャンバーＣｈ１と蒸着室（高真空）との間に設置されており、段階的に、真空度を調整できるようになっている。
【００９０】
各チャンバーに設けられたアキューム機構は、適宜、チャンバーＣｈ２から電子注入層形成部１０への、またチャンバーＣｈ１からチャンバーＣｈ２への帯状可撓性支持体Ｂの搬送を円滑に行えるようバッファー機能を有する。
【００９１】
このようにして繰り返し、所定量ずつ搬送、アキュームの各動作を所定のシーケンスを組んで行うことで、プロセス圧力を大気圧から所定の真空状態に円滑に移行させることができる。
【００９２】
尚、図２では、製造工程２ａにおいて、一旦、帯状可撓性支持体Ａ上に有機機能層（正孔輸送層、発光層、電子輸送層）が形成された帯状可撓性支持体Ｂが巻取り工程８において巻取られて、ロール状の帯状可撓性支持体８ｇが製造されるが、巻取り工程８の代わりに、プロセス圧力置換工程を図２ｂの供給部９との間に設け、図２ｂと同様なアキューム機構を設置することにより、巻取りを行うことなく、帯状可撓性支持体Ｂを直接、図２ｂの救急部９に移行させ、帯状可撓性支持体Ｂの搬送を断続することなく、連続して次ぎの製造工程２ｂに移行することが可能である。
【００９３】
製造工程２ｂにおける供給部９に移行して、電子注入層形成工程１０、また、第二電極形成工程１１は、同じ真空プロセス工程であり、ここでは、蒸着速度の違いを調整できるよう、アキューム機構を介して同じ真空槽内にそれぞれ、電子注入層形成工程１０、第二電極形成工程１１となる二つの蒸着部が設けられている。
【００９４】
チャンバーＣｈ２から挟持型ゲートバルブＧ３を介して帯状可撓性支持体Ｂが搬送されると、電子注入層形成工程１０において、電子注入層形成部位が支持体ホルダー１０ｂに固定され静止すると、挟持型ゲートバルブＧ３が閉じ、蒸着原料ボートが加熱されマスク蒸着が行われる。
【００９５】
電子注入層形成工程１０では、電子注入層形成部において、電子輸送層上に電子注入層が形成される。
【００９６】
尚、１０ｂは蒸着装置の支持体ホルダー、１０ａは蒸発源容器を概略的に示している。
【００９７】
第二電極形成工程１１においても、形成部位が支持体ホルダー１１ｂに固定され静止すると、第二電極形成部（蒸着装置）において、電子注入層上に第二電極が形成される。
【００９８】
蒸着装置の１１ｂは支持体ホルダー、１１ａは、各々蒸発源容器を各々概略的に示している。
【００９９】
尚、図２ｂでは、電子注入層が形成された帯状可撓性支持体Ｂは、アキューム機構を介して、第二電極形成工程１１へ送られる構成となっている。
【０１００】
（非接触部材の形成工程１２）
第二電極が形成された帯状可撓性支持体Ｂは、引き続き、プロセス圧力置換工程である、チャンバーＣｈ３を介した後に、チャンバーＣｈ４内に設けられている非接触部材の形成工程１２に搬送される。
【０１０１】
即ち、挟持型ゲートバルブＧ４さらにＧ５が閉じた状態で減圧・高真空に排気したチャンバーＣｈ３に、蒸着工程である第二電極形成工程１１から挟持型ゲートバルブＧ４をあけて、蒸着により第二電極が形成された帯状可撓性支持体Ｂを所定量搬送したのち、挟持型ゲートバルブＧ４を閉じる。挟持型ゲートバルブＧ５は搬送時には閉じているが、内部のアキューム機構によりチャンバーＣｈ３内には第二電極が形成された帯状可撓性支持体Ｂを所定量蓄積する。
【０１０２】
次いで、挟持型ゲートバルブＧ４を閉じた後、挟持型ゲートバルブＧ５を開いて、下記条件に保たれた非接触部材の形成工程１２に、所定量の、第二電極まで形成された帯状可撓性支持体Ｂを送る。
【０１０３】
非接触部材の形成工程１２においては、非接触部材の巻取り体１２ｂ１から供給される非接触部材１２ｂが巻出され、圧着ロール１２ｂ２において、非接触部材１２ｂが有機機能層（正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層）及び第二電極が形成されている帯状可撓性支持体Ｂに圧着、貼合され、帯状可撓性支持体Ｃが形成される。
【０１０４】
尚、非接触部材の形成工程１２は、プロセス圧力置換（工程の圧力調整）が必要に応じて可能とするべく、チャンバーＣｈ４中にて実施され、非接触部材の形成工程１２におけるチャンバーＣｈ４内の圧力調整は、挟持型の圧力バルブＧ５、Ｇ６を通して適宜行われる。
【０１０５】
（非接触部材１２ｂ（少なくとも片面に突起形状を複数設けたテープ状フィルム））
本発明に用いられる非接触部材１２ｂとしては、上記１．に記載のように、少なくとも片面に突起形状を複数設けたテープ状フィルムが用いられる。
【０１０６】
ここで、非接触部材１２ｂである、少なくとも片面に突起形状を複数設けたテープ状フィルムとしては、例えば、図３に示すように、四角錐状の凸部７６を複数備えるパターン７２ｂを有する部材を一例としてあげることができる。
【０１０７】
この場合、非接触部材１２ｂの端部に設けられた凸部７６により、後述する巻取り工程１４で巻取りされた際に、帯状可撓性支持体Ｃ同士の接触が防止される。
【０１０８】
加えて、四角錐状の各凸部７６同士の斜面の間に隙間が生じるため、この隙間を気体Ｇが通過可能となり、その結果、幅方向Ｗの通気性が確保される。
【０１０９】
各凸部７６間の隙間から帯状可撓性支持体Ｃ間の隙間に気体Ｇが供給され、帯状可撓性支持体Ｃは、非接触部材１３ｂの幅方向Ｗに通気性を有していてもよい。
【０１１０】
図３に示すパターン７２ｂにおいては、凸部７６は、四角錐状としたが、本発明の凸部は四角錐に限定されず、三角錐、円錐などであってもよく、凸部が円柱、四角柱である場合には、各凸部を隙間を設けて配置することが好ましい。
【０１１１】
（本発明の非接触巻取り体１４の製造）
以下、本発明の非接触巻取り体の製造方法の一例として、製造工程２ｂにおける非接触巻取り体１４の製造を説明する。
【０１１２】
非接触部材の形成工程１２に続いて、チャンバーＣｈ４内に設けられた巻取り工程１３において、帯状可撓性支持体Ｃが、非接触部材１２ｂが形成された状態で、巻取られて、非接触巻取り体１４（ロール状の帯状可撓性支持体１４ともいう）が製造される。
【０１１３】
尚、巻取り工程１３においては、有機機能層各層（正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層）及び第二電極が形成された帯状可撓性支持体Ｃを、有機機能層各層側を内側にして巻き芯に巻取り、非接触巻取り体１４（ロール状の帯状可撓性支持体１４）が得られる。
【０１１４】
また、巻取り工程１３においても、必要に応じて、Ｃｈ４内の圧力を所定の圧力に調整することが可能であり、調整は、挟持型の圧力バルブＧ５、Ｇ６により適宜行われる。
【０１１５】
非接触巻取り体１４（ロール状の帯状可撓性支持体１４）においては、帯状可撓性支持体Ｃを重ねたときに帯状可撓性支持体Ｃ同士が非接触状態であり、且つ、帯状可撓性支持体Ｃ間が、帯状可撓性支持体Ｃの長手方向（搬送方向）と直交する幅方向に通気性を有する状態で巻き取られる。
【０１１６】
次いで、チャンバーＣｈ４内で、下記に示す（ａ）第１の圧力調整工程（スローリークともいう）、（ｂ）第２の圧力工程（ファストリークともいう）を経て、非接触巻取り体１４が得られる。
【０１１７】
（ａ）第一の圧力調整工程（スローリークともいう）
非接触巻き取り体１５の製造においては、巻取りが終了した後のチャンバーＣｈ５内の圧力は、５．０×１０−４Ｐａ以下に調整されるが、本発明においては、５．０×１０−４Ｐａ〜５．０×１０−５Ｐａの範囲の圧力条件に保たれていることが好ましい。
【０１１８】
上記の圧力条件に調整されたチャンバーＣｈ５内において、第一の圧力調整工程（スローリーク）が、１．０×１０−３Ｐａ／秒〜０．１Ｐａ／秒の速度で、チャンバーＣｈ５内の圧力を１Ｐａ〜１０Ｐａの範囲に調整するが、スローリークの速度としては、生産効率の観点から、１．０×１０−３Ｐａ／秒〜１．０×１０−２Ｐａ／秒の速度で圧力調整することが好ましい。
【０１１９】
（ｂ）第２の圧力調整工程（ファストリークともいう）
上記（ａ）に記載の第一の圧力調整工程（スローリーク）を実施し、チャンバーＣｈ５内の圧力を１Ｐａ〜１０Ｐａの範囲に調整した後、更に、チャンバーＣｈ５内の圧力を、５．０×１０２Ｐａ／秒以下の速度で大気開放（チャンバーＣｈ５内の圧力を大気圧条件にする）するが、本発明では、１．０×１０１Ｐａ／秒〜５．０×１０２Ｐａ／秒の速度でチャンバーＣｈ５内の圧力を大気開放（大気置換）することが好ましい。
【０１２０】
ここで、大気圧とは、１．０１３×１０５Ｐａ（約１０万Ｐａであり、本発明では、前記圧力を単に大気圧ともいう）を表す。
【０１２１】
尚、巻き取られたロール状の有機エレクトロルミネッセンス素子（帯状可撓性支持体Ｃ）を保存する場合には、性能維持、ダークスポット（未発光部分）等を考慮し、酸素濃度１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ、水分濃度１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍの環境下に保管することが好ましい。
【０１２２】
また、非接触巻取り体１５として得られたロール状の帯状可撓性支持体Ｃを素子として実用する場合には、帯状可撓性支持体Ｃを製品サイズに裁断して有機エレクトロルミネッセンス素子として用いられる。
【０１２３】
打ち抜き断裁され形成された素子の一例を概略で図４に示す。なお、図中、（ａ）は素子を上方斜めからみた図を、また、（ｂ）はそのＯ−Ｏ’断面図を、（ｃ）はＰ−Ｐ’断面図を示す。１０１は可撓性支持体である基材、１０２は第一電極を、１０２ａは第一電極用取り出し電極を、１０３〜１０５は正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び正孔注入層からなる有機層を、１０６は第二電極を、１０６ａは第二電極用取り出し電極、１０８は接着剤層、１０９は封止フィルムを示す。また、図中、Ａは作製された素子の帯状可撓性支持体の幅手方向を、またＢは搬送方向を示す。
【０１２４】
この断裁工程は空気雰囲気下で行われることが好ましい。製品サイズに断裁、打ち抜かれた素子に、各素子に電気回路をそれぞれ実装することで有機エレクトロルミネッセンスパネルが形成される。
【０１２５】
（挟持型ゲートバルブ）
本発明に用いられるプロセス圧力置換工程に用いた挟持型ゲートバルブについて説明する。
【０１２６】
コンダクタンス型真空バルブの代表的なものとしては、ニップロールを多段に設置し、この部分のコンダクタンスにより真空を得る仕組みのものが古くより研究されているが、多くのものは加工面への接触を厭わない製品ラインへの適用が多い。有機ＥＬのように加工面への接触が問題となる製品のラインへ適用する場合は、非接触状態を維持しながらも間隙をできる限り狭くする必要があり、かつ、蛇行等による加工面損傷をできる限り抑制した高精度の搬送技術も同時に必要となる。
【０１２７】
本発明において用いる挟持型ゲートバルブは、フィルムの全幅あるいは一部をバルブでクランプする方式である。より詳しくは、真空側と大気側との間に位置する開口を弁体により開閉する真空ゲートバルブであって、弁体は変形可能な輪状の弾性弁体であり、弾性弁体を駆動するアクチュエータにより変形させ開口の開閉を行う構成である。弾性弁体は上部弁部材及び下部弁部材より構成され、駆動アクチュエータにより互いに逆方向に移動する上部押え部材及び下部押え部材を有し、上部押え部材は上部弁部材に接続され、下部押え部材は下部弁部材に接続されている構成であり、さらに、弾性弁体は、ゴムから構成される。なお、弾性体の材質はゴムが望ましいが、ゴムの中でも気体透過率の低いフッ素ゴムが適している。
【０１２８】
《有機ＥＬ素子の機能層の構成に用いられる材料》
次に、有機ＥＬ素子を構成するこれら各有機機能層において用いられる材料について説明する。
【０１２９】
有機機能層のうち、発光層中に含有される有機発光材料としては、カルバゾール、カルボリン、ジアザカルバゾール等の芳香族複素環化合物、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体等があげられるが、本発明においてはこれに限られるものではなく、広く公知の材料を用いることができる。
【０１３０】
また層中（成膜材料）には、好ましくは０．１質量５〜２０質量％の範囲のドーパントが発光材料中に含まれてもよい。ドーパントとしては、ペリレン誘導体、ピレン誘導体等公知の蛍光色素等、また、リン光発光タイプの発光層の場合、例えば、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）（アセチルアセトナート）イリジウム、ビス（２，４−ジフルオロフェニルピリジン）（ピコリナート）イリジウム、などに代表されるオルトメタル化イリジウム錯体等の錯体化合物が同様に０．１〜２０質量％程度含有される。
【０１３１】
リン光発光方式は、発光層内部に発光領域をもつためか、塗布による層界面のムラによる発光ムラを比較的起こしにくい。発光層の膜厚は、１ｎｍ〜数百ｎｍの範囲に亘る。
【０１３２】
正孔注入・輸送層中に用いられる材料としては、フタロシアニン誘導体、ヘテロ環アゾール類、芳香族三級アミン類、ポリビニルカルバゾール、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）などに代表される導電性高分子等の高分子材料が、また、発光層に用いられる、例えば、４，４′−ジカルバゾリルビフェニル、１，３−ジカルバゾリルベンゼン等のカルバゾール系発光材料、（ジ）アザカルバゾール類、１，３，５−トリピレニルベンゼンなどのピレン系発光材料に代表される低分子発光材料、ポリフェニレンビニレン類、ポリフルオレン類、ポリビニルカルバゾール類などに代表される高分子発光材料などが挙げられる。
【０１３３】
電子注入・輸送層材料としては、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛等の金属錯体化合物もしくは以下に挙げられる含窒素五員環誘導体がある。即ち、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４′−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４″−ビフェニル）１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４′−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４″−ビフェニル）−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２−（４′−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４″−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル）］ベンゼン等が挙げられる。
【０１３４】
有機ＥＬ素子、各有機層の膜厚は、０．０５μｍ〜０．３μｍの範囲が好ましく、更に好ましくは０．１μｍ〜０．２μｍの範囲である。
【０１３５】
また、有機層（有機ＥＬ各機能層）の形成方法としてはウェットプロセスである塗布及び印刷等が好ましい。例えば、ダイコート方式、スクリーン印刷方式、フレキソ印刷方式、インクジェット方式、メイヤーバー方式、キャップコート法、スプレー塗布法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、グラビアコート法等の塗布機の使用が可能である。これらの湿式塗布機の使用は有機化合物層の材料に応じて適宜選択することが可能となっている。
【０１３６】
各有機材料には溶解特性（溶解パラメータやイオン化ポテンシャル、極性）がそれぞれにあり、溶解できる溶媒には限定がある。またその際には溶解度もそれぞれ違うため、一概に濃度も決めることができないが、本発明において用いられる溶媒の種類は、成膜しようとする有機ＥＬ材料に応じて、前記の条件に適ったものを、公知の溶媒から選択すればよく、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、メタノールや、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、シクロヘキサノール、２−メトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、オクタン、デカン、テトラリン等のパラフィン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン系溶媒、ピリジン、キノリン、アニリン等のアミン系溶媒、アセトニトリル、バレロニトリル等のニトリル系溶媒、チオフェン、二硫化炭素などの硫黄系溶媒が挙げられる。
【０１３７】
なお、使用可能な溶媒は、これらに限るものではなく、これらを二種以上混合して溶媒として用いてもよい。
【０１３８】
これらのうち好ましい例としては、有機ＥＬ材料において、各機能層材料によっても異なるものの、大凡について、良溶媒としては、例えば芳香族系溶媒、ハロゲン系溶媒、エーテル系溶媒などであり、好ましくは、芳香族系溶媒、エーテル系溶媒である。また、貧溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、パラフィン系溶媒などが挙げられ、なかでもアルコール系溶媒、パラフィン系溶媒である。
【０１３９】
また、本発明では、上記の各機能層において、反応性基をもつ有機化合物（反応性有機化合物）を用いてもよい。反応性有機化合物を用いる層としては特に制限はなく、各層に用いることができる。それぞれ各機能層に反応性基をもつそれぞれの機能をもつ有機材料を用いればよい。
【０１４０】
反応性有機化合物塗布層を形成後基板上で反応させ、有機分子によるネットワークポリマーを形成させ、硬化させることができる。ネットワークポリマーが生成することで、構成層のＴｇ（ガラス転移点）調整による素子劣化の抑制させることができる。
【０１４１】
また、素子使用中の活性ラジカルを用いて分子の共役系の切断または生成を伴う反応を調整することにより、有機ＥＬ素子の発光波長をかえたり、特定波長の劣化を抑制すること等も可能である。
【０１４２】
一方、製造面では、例えば、塗布により積層する工程の場合では、下層が上層の塗布液に溶解しないことが好ましいため、下層を樹脂化し溶剤溶解性を劣化させることで、上層塗布を可能とすることができる。例えば、正孔輸送層をこのように架橋した有機層として樹脂化することで、上層として発光層を塗布する際に下層の溶解、又浸透を防止することができる。
【０１４３】
用いることのできる反応性基としては、特に限定されないが、例えば、ビニル基、エチニル基、イソシアネート基、エポキシ基等が代表的には挙げられる。
【０１４４】
また、２つの電極のうち、第一電極である正孔の注入を行う陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数をもつものが適しており、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、酸化スズ、酸化インジウム、ＩＴＯ等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。透光性であることが好ましく、透明電極としてはＩＴＯが好ましい。ＩＴＯ透明電極の形成方法としては、マスク蒸着またはフォトリソパターニング等が使用できるが、これに限られるものではない。
【０１４５】
また、第二電極である陰極として使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数をもつものが適しており、マグネシウム、アルミニウム等。合金としては、マグネシウム／銀、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられる。また、その形成方法は、マスク蒸着、フォトリソパターニング、メッキ、印刷等が使用できるが、これに限られるものではない。
【０１４６】
また、本発明において、帯状の可撓性支持体としては、透明性樹脂フィルムが用いられる。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等のフィルムが挙げられる。
【０１４７】
またこれら支持体上にガスバリア層を形成したガスバリアフィルムを用いることが好ましい。ガスバリア層としては例えば、厚み数ｎｍ〜数百ｎｍの酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等透湿度の低い材料からなる水分透過率が小さい薄膜が挙げられる。
【０１４８】
本発明で用いられる封止フィルムとしては、水分透過率が小さいガスバリア性の樹脂フィルムであることが好ましい。これらのフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリエチレン、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン等の上記可撓性支持体として挙げられたフィルム上に透明な厚み数ｎｍ〜数百ｎｍの酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等透湿度の低い材料からなる薄膜を形成したフィルム、また、ガスバリア性の被膜である、アルミナ蒸着膜等を形成したフィルム、等が挙げられる。例えば、金属蒸着フィルムである凸版印刷製、ＧＸフィルム、テックバリア（三菱樹脂）等のシリカ蒸着フィルム、また、アルミナ蒸着フィルム等ガスバリア層を形成した上記フィルム等を用いることができる。
【０１４９】
封止に用いる接着剤としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂等からなるＵＶ硬化型接着剤組成物を用いることができ、例えば、ナガセケムテック（株）製、ＵＶレジン  ＸＮＲ５５１６等のＵＶ硬化型接着剤（樹脂）を用いることができる。また、勿論、熱接着型樹脂でもよい。
【実施例】
【０１５０】
以下、実施例により、本発明の非接触巻取り体の製造方法及び該非接触巻取り体の製造方法を用いて製造された有機エレクトロルミネッセンス素子について具体的に説明する。
【０１５１】
《有機エレクトロルミネッセンス素子１の製造》：本発明
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子１は、以下に示す製造工程（１）、（２）及び（３）により製造した。尚、製造工程（２）については、図２の２ａ、製造工程（３）については、図２の２ｂを適宜参照しながら説明する。
【０１５２】
以下、製造工程（１）、（２）及び（３）について順次詳細に説明する。
【０１５３】
《製造工程（１）：ＩＴＯ電極パターンを有するロール状ＰＥＮフィルムの製造》
ＩＴＯ電極パターンを有するロール状ＰＥＮフィルム（帯状可撓性支持体Ａ）を下記のようにして製造した。
【０１５４】
先ず、幅７００ｍｍ、厚さ１２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム）を準備し、準備したＰＥＮフィルム上に、大気圧プラズマ放電処理法で、トータルの膜厚で約９０ｎｍの酸化珪素からなる低密度層、中密度層、高密度層、中密度層のユニットを３層積層した透明ガスバリア性フィルムを作製した。
【０１５５】
得られた透明ガスバリア性フィルムをＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法により水蒸気透過度を測定した結果、１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下であった。ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法により酸素透過度を測定した結果、１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈｒ・ＭＰａ）以下であった。
【０１５６】
次に、ロールツーロールの真空チャンバー内に元巻きを導入し、スパッタ装置（図示していない）を用いて、アルゴン雰囲気下で、ＩＴＯ膜を１３０ｎｍ成膜して、透明導電膜を形成した。このＩＴＯ膜の表面比抵抗は、４０Ω／□であった。
【０１５７】
次に、ＩＴＯ膜の形成された面に、幅方向６７０ｍｍ、長手方向７２０ｍｍの長方形の領域に紫外光で重合するフォトリソグラフ用の樹脂をパターン塗布し、９０℃の乾燥炉を通過させたのち、位置を合わせ露光後、搬送しながら、現像、エッチング、アルカリ処理を経て、イオン交換水で洗浄後、清浄な空気を吹き付けて、十分乾燥したのち、巻き取った。
【０１５８】
各透明導電膜パターンの間隔は、後述する本発明の非接触巻取り体の製造方法に用いられるロールツーロール真空成膜装置の各真空室（チャンバー）に差圧を形成するための挟持型ゲートバルブで挟み込まれる部分を予め確保するため６０ｍｍずつ距離をおいた。
【０１５９】
《製造工程（２）：非接触巻取り体８ｇの作製》
次いで、図２の２ａの製造工程に示すように、上記の電極パターンを作製したロール状ＰＥＮフィルムＡ（帯状可撓性支持体Ａ）上に、下記に示すように正孔輸送層の形成工程４、発光層の形成工程５、電子輸送層の形成工程６により、有機機能層（正孔輸送層、発光層、電子輸送層）の塗布形成を行ない、次いで、有機機能層を有するロール状ＰＥＮフィルム（帯状可撓性支持体Ａ）面の裏面側に非接触部材７ａ（片面にエンボス状の突起形状を複数設けたテープ状フィルムを用いた）を貼合した後、非接触巻取り体８ｇを作製した。
【０１６０】
（正孔輸送層の形成工程４）
先ず、正孔輸送層の形成工程４において正孔輸送層を形成した。
【０１６１】
図２の２ａに示す正孔輸送層の形成工程４においては、ＩＴＯ電極パターンを有するロール状ＰＥＮフィルム（帯状可撓性支持体Ａ）を保持するバックアップロール４ａと、バックアップロール４ａに保持された帯状可撓性支持体Ａに正孔輸送層形成用塗布液を塗布する第一湿式塗布機４ｂと、帯状可撓性支持体Ａ上の第一電極上に形成された正孔輸送層の溶媒を除去する第一乾燥装置４ｃと、溶媒が除去された正孔輸送層を加熱する第一加熱処理装置４ｄとを有している。ここで帯電防止手段を設けてもよいが図では省略されている。
【０１６２】
正孔輸送層形成用塗布液としては、ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製  Ｂｙｔｒｏｎ  Ｐ  ＡＩ  ４０８３）を純水で６５％、メタノールで５％希釈した溶液を調製した。
【０１６３】
正孔輸送層形成用塗布液の表面張力は４０ｍＮ／ｍ（協和界面化学社製：表面張力計ＣＢＶＰ−Ａ３）であった。
【０１６４】
図２、２ａにおいて、ＩＴＯ電極（第一電極ともいう）が形成されたロール状のＰＥＮフィルム（帯状可撓性支持体Ａ）に帯電除去処理を施した後、ＰＥＮフィルムの有効画素上のみに、発光層形成用塗布液を温度２５℃で、第一湿式塗布機４ｂにより乾燥後の厚みが３０ｎｍになるように成膜した。尚、第一湿式塗布機としては、インクジェット塗布機を使用した。
【０１６５】
塗布後、正孔輸送層形成用塗布液の溶媒を除去する第一乾燥装置４ｃと、溶媒が除去された正孔輸送層を加熱する第一加熱処理装置４ｄを使用して、第一乾燥装置４ｃではスリットノズル形式の吐出口から成膜面に向け高さ１００ｍｍ、吐出風速１ｍ／秒、幅手の風速分布５％、温度１２０℃で溶媒を除去した後、引き続き、第一加熱処理装置４ｄにより温度１５０℃で裏面伝熱方式の熱処理を行い、正孔輸送層を形成した。
【０１６６】
尚、搬送速度は、３ｍ／分とした。
【０１６７】
（発光層の形成工程５）
図２の２ａに示す発光層形成工程５においては、バックアップロール５ａに保持された正孔輸送層を有するロール状のＰＥＮフィルム（帯状可撓性支持体Ａ）に発光層形成用塗布液を塗布する第二湿式塗布機５ｂと、発光層中の溶媒を除去する乾燥装置５ｃと、溶媒が除去された発光層を加熱する加熱処理装置５ｄとを有している。ここでも前記同様の帯電防止手段を用いてよいが省略されている。
【０１６８】
第二湿式塗布機５ｂは第一湿式塗布機４ｂと同じ型式のものが好ましい。
【０１６９】
ここで、発光層形成用塗布液として、溶媒であるトルエンに対してホストであるジカルバゾール誘導体（ＣＢＰ）を１質量％、ドーパントであるイリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）を０．０５質量％の比率で溶解させたものを調製した。
【０１７０】
発光層形成用塗布液の表面張力は２５℃で２８ｍＮ／ｍ（協和界面化学社製：表面張力計ＣＢＶＰ−Ａ３を使用）であった。
【０１７１】
上記で得られた正孔輸送層が形成されたロール状のＰＥＮフィルム（帯状可撓性支持体Ａ）に帯電除去処理（図示せず）した後、ＰＥＮフィルムの有効画素上のみに、発光層形成用塗布液を温度２５℃で、正孔輸送層形成工程で用いた第一湿式塗布機と同様のインクジェット塗布機を第二湿式塗布機５ｂを使用して乾燥膜厚が５０ｎｍになるように塗布した。
【０１７２】
塗布後、正孔輸送層塗膜の乾燥及び加熱処理に使用したのと同様に、発光層形成用塗布液の溶媒を除去する第二乾燥装置５ｃ及び溶媒が除去された発光層を加熱する第二加熱処理装置５ｄを使用し、第二乾燥装置５ｃではスリットノズル形式の吐出口から成膜面に向け高さ１００ｍｍ、吐出風速１ｍ／秒、幅手の風速分布５％、温度６０℃で溶媒を除去した後、第二加熱処理装置５ｄにより温度１５０℃で裏面伝熱方式の熱処理を行い、発光層を形成した。
【０１７３】
（電子輸送層の形成工程６）
図２の２ａに示す電子輸送層形成工程６においても、バックアップロール６ａに保持された正孔輸送層、発光層を有するロール状のＰＥＮフィルム（帯状可撓性支持体Ａ）に電子輸送層形成用塗布液を塗布する第三湿式塗布機６ｂと、発光層上に形成された電子輸送層の溶媒を除去する第三乾燥装置６ｃと、溶媒が除去された電子輸送層を加熱する第三加熱処理装置６ｄとを有している。また、同様に帯電防止手段を用いてよい。
【０１７４】
尚、電子輸送層形成用塗布液として、溶媒である乳酸エチルに対して２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔ−Ｂｕ−ＰＢＤ）を１質量％で溶解させたものを調製した。
【０１７５】
電子輸送層形成用塗布液の表面張力は２５℃で２９ｍＮ／ｍ（協和界面化学社製：表面張力計ＣＢＶＰ−Ａ３を使用）であった。
【０１７６】
発光層が形成されたロール状のＰＥＮフィルム（帯状可撓性支持体Ａ）を帯電除去処理（図示していない）した後、ロール状ＰＥＮフィルム（帯状可撓性支持体Ａ）の有効画素上のみに、電子輸送層形成用塗布液を乾燥膜厚が３０ｎｍになるように塗布した。
【０１７７】
塗布後、発光層塗膜の乾燥及び加熱処理に使用したのと同様に、電子輸送層形成用塗布液の溶媒を除去する第三乾燥装置６ｃ及び溶媒が除去された電子輸送層を加熱する第三加熱処理装置６ｄを使用し、第三乾燥装置６ｃではスリットノズル形式の吐出口から成膜面に向け高さ１００ｍｍ、吐出風速１ｍ／秒、幅手の風速分布５％、温度１００℃で溶媒を除去した後、第三加熱処理装置６ｄにより温度１５０℃で裏面伝熱方式の熱処理を行い、電子輸送層を形成した。
【０１７８】
（非接触部材７ａの貼合工程７）
非接触部材７ａ（片面にエンボス状の突起形状を複数設けたテープ状フィルムを用いた）の形成工程７は、帯状可撓性支持体Ａと非接触部材７ａとの貼合工程（貼着工程ともいう）であり、具体的には、圧着ロール７ｃで構成される貼合部（貼着部ともいう）で、電子輸送層が形成されている帯状可撓性支持体Ａの面の裏面側に、ロール７ｂから供給された非接触部材７ａとが圧着、貼合されて帯状可撓性支持体Ｂが形成され、次工程の非接触巻取り体８ｇの形成工程に搬送される。
【０１７９】
非接触部材７ａの形成工程７は、挟時型ゲートバルブＧａ、Ｇｂを備えたチャンバーＣｈａ内で行われ、チャンバーＣｈａ内の雰囲気は窒素ガス雰囲気に調整した。
【０１８０】
尚、チャンバーＣｈａ内の雰囲気としては、窒素ガス雰囲気に限定されず、例えば、その他の不活性ガス雰囲気（アルゴンガス、キセノンガス、ラドンガス等）、減圧条件（例えば、１０−６Ｐａ〜１０−２Ｐａ等の範囲が好ましい）に調整してもよい。
【０１８１】
（非接触巻取り体８ｇ（非接触巻取り部材８ｇ）の形成工程８）
非接触巻取り体８ｇの形成工程８において、貼合工程７で形成された帯状可撓性支持体Ｂは、挟持型ゲートバルブＧｂ、Ｇｃを備えたチャンバーＣｈｂ内で、帯状可撓性支持体Ｂ上の有機機能層（正孔輸送層、発光層、電子輸送層）を内側に、且つ、非接触部材７ａが外側になるようにして巻芯に巻取られ、非接触巻取り体８ｇが形成される。
【０１８２】
尚、チャンバーＣｈｂ内の雰囲気は、非接触巻取り体８ｇの形成時には、上記の貼合工程７と同様に窒素ガス雰囲気で行った。
【０１８３】
尚、図２の７に示す帯状可撓性基板７ａとしては、幅方向の両側の端部に突起形状を複数有する帯状可撓性基板、または、基板の片面または両面の幅方向の両側の端部に突起形状を複数有する帯状可撓性基板のいずれをも用いることができる。
【０１８４】
巻取られた帯状可撓性支持体Ｂ（ロール状ＰＥＮフィルム）は、一旦、収納箱（図示していない）に保管されるときには、減圧下（１０−６Ｐａ〜１０−２Ｐａ）に収納されることが好ましい。
【０１８５】
また、適宜、必要に応じて温度調整をかけても良く、収納箱中の収納期間は１時間〜２００時間が好ましい。これにより、素子劣化の原因となる酸素、微量水分、微量の残留溶媒等が取り除かれる。
【０１８６】
《製造工程（３）：非接触巻取り体１４の作製》
（電子注入層及び陰極の作製）
続いて、図２に示す真空成膜工程２ｂにおいて、非接触部材７ａを設けた後に巻取られた帯状可撓性支持体Ｂ（ロール状ＰＥＮフィルムＢともいう）は、ここで、非接触部材７ａを剥離（図示していない）した後、供給部９から、帯状可撓性支持体Ｂを、プロセス圧力置換工程として設けられたチャンバーＣｈ１、Ｃｈ２を経由しながら、大気圧環境から真空環境（５．０×１０−４Ｐａ）への移行を行いながら搬送される。
【０１８７】
次いで、電子注入層の形成工程１０でフッ化リチウム（０．５ｎｍ）をマスク蒸着し、電子輸送層上に電子注入層を設けた。
【０１８８】
更に、陰極の形成工程１１において、電子注入層上にアルミニウムを１１０ｎｍマスク蒸着して陰極（第二電極ともいう）を作製した。
【０１８９】
尚、電子注入層の形成〜陰極の形成において、プロセス圧力置換工程における各チャンバーＣｈ１、Ｃｈ２は、挟持型ゲートバルブ（排気ポンプ）（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３）の各々シークェンシャルな動作により、適切な状態となるよう維持され、各工程のプロセス圧力は適切に保たれるようにし、本実施例では、真空成膜工程２ｂにおいて、電子注入層の形成工程１０、陰極の形成工程１１における圧力条件は、５．０×１０−４Ｐａに調整した。
【０１９０】
（非接触部材１２ｂを有する帯状可撓性支持体Ｃの作製）
続いて、非接触部材の形成工程１２に移行し、圧着ロール１２ｂ２で構成される貼合部（貼着部ともいう）で、ロール１２ｂ１から供給された非接触部材１２ｂ（具体的には、片面にエンボス状の突起形状を複数設けたテープ状フィルムを用いた）と帯状可撓性支持体Ｂの陰極上に、非接触部材１２ｂを圧着・貼合させて、帯状可撓性支持体Ｃを作製した。
【０１９１】
尚、帯状可撓性支持体Ｃの具体的な形状は、帯状可撓性支持体Ｂの幅方向の両側の端部にエンボス状の突起形状を複数有するテープ状フィルム（非接触部材１２ｂの一例である）を圧着・貼合させて得られたものである。
【０１９２】
ここで、非接触部材１２ｂの圧着・貼合が行われるチャンバーＣｈ４内の圧力は、５．０×１０−４Ｐａに調整した。
【０１９３】
ここで、エンボス状の突起形状とは、図３に示すように、四角錐状の凸部７６を複数備えるパターン７２ｂを有する部材を挙げることができる。
【０１９４】
本発明に係る非接触部材１２ｂの一例であるテープ状フィルムは、この凸部７６により帯状可撓性支持体Ｃ（ロール状ＰＥＮフィルムＣともいう）同士の接触を効果的に防止することができる。
【０１９５】
また、四角錐状の各凸部７６同士の斜面の間に隙間が生じるため、この隙間を気体Ｇ（例えば、空気でもよく、不活性ガス（窒素ガス、アルゴンガス、キセノンガス等）が通ることが可能であり、帯状可撓性支持体Ｃ（ロール状ＰＥＮフィルム）の幅方向Ｗの通気性が確保される。
【０１９６】
（非接触巻取り体１４の作製）
次いで、非接触巻取り体の形成工程１３において、チャンバーＣｈ４内で非接触巻取り体１４を作製後、下記に示す（ａ）第１の圧力調整工程、（ｂ）第２の圧力工程を経て、非接触巻取り体として、ロール状の本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子１を製造した。
【０１９７】
尚、非接触巻取り体１４の巻取りが行われる前のチャンバーＣｈ４内の圧力は、５．０×１０−４Ｐａに調整した。
【０１９８】
（ａ）第一の圧力調整工程（スローリークともいう）
帯状可撓性支持体Ｃの巻取りが行われる際のチャンバーＣｈ４内の圧力真空成膜時の圧力５．０×１０−４Ｐａから、１．０×１０−２Ｐａ／秒の速度でチャンバーＣｈ４内の圧力を５Ｐａに調整した。
【０１９９】
（ｂ）第２の圧力調整工程（ファストリークともいう）
５Ｐａに調整されたチャンバーＣｈ４の圧力５Ｐａから、５．０×１０２Ｐａ／秒の速度でチャンバーＣｈ４内の圧力を１．０１３×１０５Ｐａ（約１０万Ｐａであり、本発明における大気圧を示す。）にまで大気開放（大気置換）した。
【０２００】
尚、巻き取られたロール状の有機エレクトロルミネッセンス素子（帯状可撓性支持体Ｃ）は、性能維持、ダークスポット（未発光部分）等を考慮し、酸素濃度１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ、水分濃度１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍの環境下に保管することが好ましい。
【０２０１】
《有機エレクトロルミネッセンス素子２の製造》：比較例
有機エレクトロルミネッセンス素子１の製造において、第一の圧力調整工程（スローリーク）の速度を１．０×１０−２Ｐａ／秒、第二の圧力調整工程（ファストリーク）の速度を１．０Ｐａ／秒に調整した以外は同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子２を製造した。
【０２０２】
《有機エレクトロルミネッセンス素子３の製造》：比較例
有機エレクトロルミネッセンス素子１の製造において、第一の圧力調整工程（スローリーク）の速度を１．０×１０−２Ｐａ／秒、第二の圧力調整工程（ファストリーク）の速度を６．０×１０２Ｐａ／秒に調整した以外は同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子３を製造した。
【０２０３】
《有機エレクトロルミネッセンス素子４の製造》：比較例
有機エレクトロルミネッセンス素子１の製造において、第一の圧力調整工程（スローリーク）の速度を１．０×１０−２Ｐａ／秒、第二の圧力調整工程（ファストリーク）の速度を１．０×１０３Ｐａ／秒に調整した以外は同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子２を製造した。
【０２０４】
《擦り傷の評価》
非接触巻取り体として得られたロール状の有機エレクトロルミネッセンス素子１〜４の各々について、下記に示すように、素子の最表面に位置する陰極（第二電極）の擦り傷発生を評価した。
【０２０５】
非接触巻取り体として得られたロール状の有機エレクトロルミネッセンス素子１〜４の各々について、巻き始めから１０ｍの箇所から３０ｃｍ×３０ｃｍの試料を１０枚サンプリングし、８倍のルーペにより目視で長さ１００μｍの擦り傷の数を計測した。
【０２０６】
１０枚の擦り傷の数の平均値を計測し、擦り傷を以下に示す評価方法によりランク評価を行った。
【０２０７】
（擦り傷の評価ランク）
○：擦り傷の数の平均値数が５個未満
△：擦り傷の数の平均値数が５個以上、１０個未満
×：擦り傷の数の平均値数が１０個以上
得られた結果を下記に示す。
【０２０８】
有機ＥＬ素子Ｎｏ．  擦り傷評価  備考
１                    ○        本発明
２                    ○        比較例（※１：大気圧開放まで約２８時間）
３                    △        比較例
４                    ×        比較例
上記から、本発明の有機ＥＬ素子１は、陰極（第二電極）上の擦り傷発生がなく、巻取り工程及び大気解放工程において、非接触部材を用いて巻取り体を用いていることにより、非接触巻取り体の製造持に、素子表面（陰極）への物理的なダメージがないことがあきらかである。
【０２０９】
一方、比較に有機ＥＬ素子３及び４は、素子表面（陰極）への擦り傷発生が多く、結果として、陰極の下層に位置する有機機能層への水分、酸素等による劣化等が著しく、素子特性が著しく劣化していることがわかった。
【０２１０】
また、比較の有機ＥＬ素子２は、陰極表面の擦り傷評価は良好であるが、スローリーク〜ファストリークによる大気圧開放までに、２８時間と極めて長時間を要するために、有機ＥＬ素子生産の観点からは実用的でないことがわかった。
【０２１１】
本発明の非接触巻取り体の製造方法では、スローリークからファストリークによる大気圧開放までの時間として、実用的な生産効率の観点からは、数分〜数時間の範囲が実用の範囲である。
【０２１２】
尚、ロール状の巻取り体として製造された本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子１を実際に素子として使用する際には、別途断裁工程における打ち抜き装置（図示していない）を用いて、有機エレクトロルミネッセンス素子１（帯状可撓性支持体Ｃ）に付けられたアラインメントマーク（図示せず）を検出し、アラインメントマークの位置に従って断裁、打ち抜いたものが使用される等が一例として挙げられる。
【０２１３】
ここで、打ち抜いて得られた有機ＥＬ素子の一例を図４に示す。
【０２１４】
図４は、ロール状の有機ＥＬ素子１を打ち抜いて得られた素子の一例を示す概略図である。但し、図４においては、素子の表面または周囲を接着剤層１０８と封止フィルム１０９とを貼合した状態の素子を示し、上記で得られた有機ＥＬ素子１〜４の素子特性を評価するにあたっては、素子を封止フィルム１０９により封止した状態で評価した。
【０２１５】
尚、図４において、１０１はＰＥＮフィルムである基材、１０２はＩＴＯからなる第一電極（陽極）を、１０２ａは第一電極用取り出し電極を、１０３〜１０５は正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び正孔注入層からなる有機層を、１０６はアルミニウムからなる第二電極（陰極）を、１０６ａは第二電極用取り出し電極、１０８は接着剤層、１０９は封止フィルム（ガスバリア層形成済みのＰＥＮフィルム）である。
【０２１６】
裁断された有機ＥＬ素子１は、発光輝度、素子寿命（評価方法は記載せず）が共に良好であったが、ロール状の有機ＥＬ素子３、４（比較例）については、発光輝度、素子寿命共に実用レベルに達しなかった。
【０２１７】
比較の有機ＥＬ素子３、４が、発光輝度、素子寿命共に実用レベルに達しなかった理由としては、陰極（第二電極）の表面に発生した擦り傷により、下層の有機層（正孔輸送層、発光層、電子輸送層）等への物理的ダメージにより、素子の特性が著しく劣化したものと本発明者らは推定している。
【符号の説明】
【０２１８】
１ａ、１ｂ  有機ＥＬ素子
１０１  基材
１０２  第一電極
１０３  正孔輸送層
１０４  発光層
１０５  電子注入層
１０６  第二電極
１０７  封止層
１０８  接着剤層
１０９  封止フィルム
２ａ、２ｂ  有機ＥＬ素子の製造工程
３  供給工程
４  正孔輸送層の形成工程
５  発光層の形成工程
６  電子輸送層の形成工程
７  非接触部材の形成工程
８  巻取り工程
９  供給部
１０  電子注入層形成工程
１１  第二電極形成工程（陰極形成工程）
１２  非接触部材の形成工程
【図１】
2011258684.tif 000003
【図２】
2011258684.tif 000004
【図３】
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【図４】
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