(57)【要約】【課題】プラズマ処理装置および光学素子成形型の製造方法において、プラズマ放出方向を均等化しつつ、ドロップレットや飛散粒子を容易に除去することができ、表面処理の品質を向上することができるようにする。【解決手段】ターゲット６とアノード電極とを有し、アーク放電によるプラズマ８を放出するプラズマ放出部１０と、プラズマ８を偏向させて光学素子成形用型母材１１の表面に輸送する偏向部１３と、ターゲット６の表面から光学素子成形用型母材１１に向けて直進する経路を遮蔽する遮蔽板２０とを備え、アノード電極は、複数の円弧状導電体が、ターゲット６の軸方向回りに周回するように配置され、ターゲット６を挟んで光学素子成形用型母材１１と反対側に円弧状導電体の各開口が配置された周回電極部と、周回電極部に電流を供給する配線部と、を備えるプラズマ処理装置１を用いる。【選択図】図１
2011026676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸状のターゲットとの間にトリガー放電を生じさせるトリガー電極と、前記ターゲットとの間にアーク放電を誘起するアノード電極とを有し、前記アーク放電によって生じる前記ターゲットのイオンを含むプラズマを前記ターゲットの先端方向に放出するプラズマ放出部と、
該プラズマ放出部から放出される前記プラズマを前記ターゲットの軸方向と交差する方向に偏向させることにより前記プラズマを被処理体の表面に輸送する偏向部と、
前記被処理体と前記アノード電極との間に設けられ、前記ターゲットの表面から前記被処理体に向けて直進する経路を遮蔽する遮蔽部とを備えるプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ放出部の前記アノード電極は、
一方に開口を有する略アーチ状とされた複数の導電体が、前記ターゲットの軸方向回りに周回するように配置されるとともに、前記ターゲットを挟んで前記被処理体と反対側に前記複数の導電体の各開口が配置された周回電極部と、
該周回電極部に電流を供給する配線部と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記周回電極部は、
前記略アーチ状の形状の中心軸が、前記ターゲットの中心軸と略同軸に配置されたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記周回電極部の略アーチ状の形状は、円弧形状からなることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記被処理体にバイアス電圧を印加するバイアス電源部を備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理装置を用いて、被処理体である型母材の表面に表面処理を行うことを特徴とする光学素子成形型の製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載のプラズマ処理装置を用いて、被処理体である型母材の表面に、前記プラズマ処理装置で発生されたプラズマを輸送するとともに、前記被処理体にバイアス電圧を印加することにより、前記プラズマに含まれる前記ターゲットのイオンを注入もしくは付着させるか、または注入および付着させることを特徴とする光学素子成形型の製造方法。
【請求項７】
前記被処理体に印加する前記バイアス電圧を変化させることにより、前記型母材の表面に、前記プラズマに含まれる前記ターゲットのイオンを、注入させた後に付着させることを特徴とする請求項６に記載の光学素子成形型の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置、およびこれを用いた光学素子成形型の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、減圧雰囲気下で、ターゲット材料にアーク放電を誘起して、ターゲット材料のイオンを含むプラズマを発生させ、このプラズマを被処理体の表面に輸送することにより被処理体の表面処理、すなわち、イオンの注入や成膜を行うプラズマ処理装置が種々提案されている。
このようなプラズマ処理装置として、例えば、特許文献１には、ターゲット材料を軸心に配置したコイル形状の螺旋体からなるアーク電極を用いた薄膜形成装置が記載されている。
この薄膜形成装置によれば、アーク放電を起こすための電流がアーク電極に流れる際、コイルに流れる螺旋状の電流により、ターゲット材料の周囲にターゲット材料の軸線に沿う方向の磁場、およびターゲット材料内を流れる電流によってターゲット材料の軸線回りに周回する磁場が発生する。そして、このような磁場の作用により、プラズマの発生位置がターゲット材料の軸回りに回転しながら、軸線方向に沿って移動されるため、プラズマの放出方向の偏りが低減されプラズマの濃度分布が均等化される。このため、磁場を発生させない場合に比べて均一に成膜できる領域が広げられるものである。
また、特許文献２には、円筒状のアーク電極から放出されるプラズマに磁場をかけることで、プラズマの進行方向を偏向させ、アーク放電時に発生する電気的に中性なドロップレットや飛散粒子などを直進させ、プラズマと分離できるようにした表面処理装置が記載されている。
この表面処理装置によれば、ドロップレットや飛散粒子などが被処理体の表面に到達することを阻止できるため、ドロップレットや飛散粒子が原因で発生する被処理体の表面の欠陥の発生を防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３２７２６２号公報
【特許文献２】特開２００８−８１７９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のような従来のプラズマ処理装置には、以下のような問題があった。
特許文献１に記載の技術では、プラズマの濃度分布を均等化することができるものの、ドロップレットや飛散粒子などとプラズマとを分離する構成を有していないため、ドロップレットや飛散粒子によって被処理体の表面に欠陥が発生するおそれがある。
また、特許文献２に記載の技術では、アーク電極が円筒形状のため、ターゲットの軸方向に沿う磁場が形成されにくいため、プラズマ放出方向の偏りが発生しやすくなり、特許文献１の場合に比べて、ターゲットの消耗に偏りが生じたり、表面処理の均一性が劣ったりする。
特許文献１のコイル形状のアーク電極と、特許文献２の磁場によるプラズマの偏向手段とを組み合わせることも考えられるが、電気的に中性で磁場の影響を受けないドロップレットや飛散粒子は、コイル形状のアーク電極の隙間を通過し被処理体に向かって飛散したり、アーク電極のコイルの内周側に衝突して反射されてから、アーク電極の隙間を通過して被処理体に向かって飛散したりする成分が発生する。このため、被処理体に到達するドロップレットや飛散粒子を良好に除去することができないという問題がある。
【０００５】
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、プラズマ放出方向を均等化しつつ、ドロップレットや飛散粒子を容易に除去することができ、表面処理の品質を向上することができるプラズマ処理装置、およびこれを用いた光学素子成形型の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明のプラズマ処理装置は、軸状のターゲットとの間にトリガー放電を生じさせるトリガー電極と、前記ターゲットとの間にアーク放電を誘起するアノード電極とを有し、前記アーク放電によって生じる前記ターゲットのイオンを含むプラズマを前記ターゲットの先端方向に放出するプラズマ放出部と、該プラズマ放出部から放出される前記プラズマを前記ターゲットの軸方向と交差する方向に偏向させることにより前記プラズマを被処理体の表面に輸送する偏向部と、前記被処理体と前記アノード電極との間に設けられ、前記ターゲットの表面から前記被処理体に向けて直進する経路を遮蔽する遮蔽部とを備えるプラズマ処理装置であって、前記プラズマ放出部の前記アノード電極は、一方に開口を有する略アーチ状とされた複数の導電体が、前記ターゲットの軸方向回りに周回するように配置されるとともに、前記ターゲットを挟んで前記被処理体と反対側に前記複数の導電体の各開口が配置された周回電極部と、該周回電極部に電流を供給する配線部とを備える構成とする。
この発明によれば、プラズマ放出部のトリガー電極からターゲットへトリガー放電させることで、アノード電極の周回電極部とターゲットとの間にアーク放電が誘起され、ターゲットの表面にターゲットのイオンを含むプラズマを発生させることができる。その際、アーク放電によって形成される電気回路において、周回電極部を流れる電流とターゲット内を流れる電流とによって、それぞれアンペールの法則に基づく磁場が発生する。周回電極部を流れる電流による磁場は重ね合わせによってターゲットの軸方向に沿う磁場を形成し、ターゲット内を流れる電流による磁場はターゲットの先端側に向かって右ネジ方向に回転する磁場である。このため、これらが重ね合わせられた磁場によって、周回電極部とターゲットの表面との間のアーク電流が、ターゲットの根本側に向けて螺旋状に回転する力を受ける。アーク放電がターゲット露出部の根本で発生している場合は、アーク放電位置は単にターゲットの中心軸に対して回転運動する。これにより、ターゲット上のプラズマ発生位置もアーク放電のターゲット側位置の移動に伴って移動する。
プラズマ放出部から放出されたプラズマは、偏向部によってターゲットの軸方向と交差する方向に偏向され、被処理体の表面に輸送される。その際、放出時のプラズマの位置は、ターゲットの表面上で回転しているため、ターゲットのプラズマの放出位置が周方向に均等化される。
一方、アーク放電によってターゲット表面から発生するドロップレットや飛散粒子（以下、まとめて飛散粒状体と称する）は、電気的に中性であるため、電磁場の影響を受けることなく飛散するが、ターゲットから被処理体に向けて直進する経路上には遮蔽部が設けられているため、ターゲットから被処理体側に向かって飛散する飛散粒状体は、周回電極部間の隙間を通過したとしても、遮蔽部に遮蔽されて被処理体へ到達することができない。また、ターゲットを挟んで被処理体と反対側には、周回電極部を構成する導電体の開口が配置されているため、ターゲットから被処理体と反対側に向かって飛散する飛散粒状体は、周回電極部の開口を通してプラズマ放出部の外側に飛散し、プラズマから分離される。このため、周回電極部で反射されて飛散向きを変えることにより、遮蔽部で遮蔽されない領域および方向から被処理体側に向かう飛散粒状体の発生が抑制される。
【０００７】
また、本発明のプラズマ処理装置では、前記周回電極部は、前記略アーチ状の形状の中心軸が、前記ターゲットの中心軸と略同軸に配置されることが好ましい。
この場合、アーク放電時に周回電極部を流れる電流が形成する磁場の重ね合わせにより、ターゲットの中心軸に対して対称的な磁場が形成される。このため、アーク放電位置およびターゲット表面のプラズマの螺旋運動の回転軸がターゲットの中心軸に略一致し、これによりプラズマ放出位置のターゲット表面の周方向の位置が良好に均等化される。
【０００８】
また、本発明のプラズマ処理装置では、前記周回電極部の略アーチ状の形状は、円弧形状からなることが好ましい。
この場合、アーク放電時に周回電極部を流れる電流が形成する磁場の重ね合わせにより、ターゲットの中心軸に対して回転対称的な磁場が形成される。このため、アーク放電位置およびターゲット表面のプラズマの螺旋運動の回転軸がターゲットの中心軸に略一致するとともに、アーク放電位置およびターゲット表面を螺旋運動させる磁場からの力もターゲットの周方向に均等化される。これにより、プラズマ放出位置のターゲット表面の周方向の位置が良好に均等化される。
【０００９】
また、本発明のプラズマ処理装置では、前記被処理体にバイアス電圧を印加するバイアス電源部を備えていることが好ましい。
この場合、バイアス電源部によって、被処理体にバイアス電圧を印加することにより、被処理体近傍に輸送されたターゲットイオンの速度調整を行いつつ、被処理体に衝突させることができる。例えば、バイアス電圧の大きさを制御することにより、ターゲットイオンを加速して被処理体に注入したり、付着量を動的に制御して成膜を行ったりすることができる。
【００１０】
本発明の光学素子成形型の製造方法は、本発明のプラズマ処理装置を用いて、被処理体である型母材の表面に表面処理を行う方法とする。
この発明によれば、本発明のプラズマ処理装置によって型母材の表面が表面処理されるので、ドロップレットや飛散粒子等によるミクロ的な表面欠陥が好適に抑えられ、高密度、高密着強度を有する表面を得ることができる。
【００１１】
また、本発明の光学素子成形型の製造方法では、本発明のバイアス電源部を備えるプラズマ処理装置を用いて、被処理体である型母材の表面に、前記プラズマ処理装置で発生されたプラズマを輸送するとともに、前記被処理体にバイアス電圧を印加することにより、前記プラズマに含まれる前記ターゲットのイオンを注入もしくは付着させるか、または注入および付着させることが好ましい。
この場合、本発明のバイアス電源部を備えるプラズマ処理装置によって型母材の表面が表面処理されるので、プラズマに含まれるターゲットイオンを被処理体の表面から内部に注入させることができ、高密度、高密着強度を有する表面を得ることができる。
【００１２】
また、本発明の光学素子成形型の製造方法では、前記被処理体に印加する前記バイアス電圧を変化させることにより、前記型母材の表面に、前記プラズマに含まれる前記ターゲットのイオンを、注入させた後に付着させることが好ましい。
この場合、高密着強度を有する保護層を形成することができるので、光学素子成形型の耐久性を向上することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のプラズマ処理装置によれば、ターゲットを挟んで被処理体と反対側に開口を有する周回電極部とターゲットから前記被処理体に向けて直進する経路を遮蔽する遮蔽部とを有するので、プラズマ放出方向を均等化しつつ、ドロップレットや飛散粒子を容易に除去することができ、表面処理の品質を向上することができるという効果を奏する。
また、本発明の光学素子成形型の製造方法によれば、本発明のプラズマ処理装置を用いて製造するので、表面処理された型表面の品質を向上することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す正面視の模式的な部分断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るプラズマ処理装置に用いるアノード電極の概略構成を示す模式的な左側面図（図１のＡ視）、およびそのＢ−Ｂ断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態のプラズマ処理装置を用いて製造された光学素子成形型の模式的な断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の光学素子が成形される様子を示す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す正面視の模式的な部分断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るプラズマ処理装置に用いるアノード電極の概略構成を示す模式的な左側面図（図５のＥ視）、およびそのＦ−Ｆ断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す正面視の模式的な部分断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態のプラズマ処理装置を用いて製造された光学素子成形型の模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下では、本発明の実施形態について添付図面を参照して説明する。すべての図面において、実施形態が異なる場合であっても、同一または相当する部材には同一の符号を付し、共通する説明は省略する。
【００１６】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す正面視の模式的な部分断面図である。図２（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係るプラズマ処理装置に用いるアノード電極の概略構成を示す模式的な左側面図（図１のＡ視）である。図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
なお、各図面は模式図のため、形状や寸法は誇張されている（以下の図面も同様）。
【００１７】
本実施形態のプラズマ処理装置１は、減圧雰囲気下において、ターゲット６のイオンを含むプラズマ８を発生させて、このプラズマ８を被処理体の表面に輸送し、プラズマ８に含まれるイオンを被処理体に注入したり、被処理体の表面に付着させたりすることで、被処理体の表面処理を行う装置である。
プラズマ処理装置１の概略構成は、図１に示すように、真空チャンバ２を備え、この真空チャンバ２内に、プラズマ放出部１０、偏向部１３、支持台１２、および遮蔽板２０（遮蔽部）が配置されている。
真空チャンバ２の外部には、内部を大気圧から所定の圧力まで調整する図示しない真空排気系、トリガー電源１５（図２（ｂ）参照）、およびアーク電源１６（図２（ｂ）参照）が設けられている。
【００１８】
プラズマ放出部１０は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、筒状の絶縁物３を介してトリガー電極５と接続された軸状のターゲット６と、ターゲット６の周囲にアーク放電を誘起させるアノード電極７とを有し、アーク放電によって生じるターゲットイオンを含むプラズマ８をターゲット６の基端側から先端６ａに向かう方向に放出するものである。
本実施形態では、先端６ａが真空チャンバ２の中心側に向けられターゲット６の中心軸Ｏが略水平となる姿勢で、真空チャンバ２の高さ方向の中間部に、不図示の絶縁支持部材によって支持されている。
【００１９】
ターゲット６は、プラズマ処理装置１によって、被処理体に注入したり、付着させたりする材料の種類に応じた適宜の金属材料を採用することができる。本実施形態では一例として、棒状の白金から構成されている。
本実施形態のターゲット６の形状は、一例として、直径１０ｍｍ、長さ４０ｍｍの円柱形状を採用している。
【００２０】
本実施形態の絶縁物３は、一例として、厚さ０．５ｍｍの管状の二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）の焼結体からなる管部材を耐熱性接着剤、例えば、セラミックス粉末が混入された接着剤であるアルミナボンドなどによりターゲット６の外周に接着したものを採用している。
また、本実施形態のトリガー電極５は、絶縁物３に外嵌するＳＵＳ３０４からなる円環部材であり、絶縁物３におけるターゲット６の先端６ａ側の端部に、上記と同様の耐熱性接着剤によって接着固定されている。
【００２１】
プラズマ放出部１０のアノード電極７は、周回電極部７Ａおよび配線部７Ｂからなる。
周回電極部７Ａは、基端部７ｂと先端部７ｃとの間が円弧形状に湾曲されることでアーチ状とされ、基端部７ｂと先端部７ｃとの間が離間されて開口７ｄが形成された複数の円弧状導電体７ａ（導電体）で構成される。各円弧状導電体７ａは、互いの円弧中心を同軸上に整列させ、開口７ｄが一定方向に向けられた状態で、一定ピッチに並列配置されている。
これら円弧状導電体７ａの各基端部７ｂは、周回電極部７Ａに電流を供給する直線状の導電体からなる配線部７Ｂに接続されている。このため、アノード電極７は、複数の円弧状導電体７ａが配線部７Ｂから、湾曲した櫛歯状に取り付けられている。
アノード電極７の大きさは、ターゲット６、絶縁物３、およびトリガー電極５を含む組立体を挿通可能な内径を有し、少なくともターゲット６の先端６ａを内側に引っ込ませた状態で、全体としてターゲット６を軸方向に覆うことができる大きさとされる。
【００２２】
本実施形態のアノード電極７の円弧状導電体７ａは、一例として、線径ｄ＝３（ｍｍ）のＳＵＳ３０４の線材を、内径Ｄ＝４０（ｍｍ）で周長が円周の６分の５（中心角が３００度）の円弧形状に湾曲させたものである。これにより、基端部７ｂと先端部７ｃとの間に円弧状導電体７ａの円弧の中心から見込む角度が６０度の開口７ｄが形成されている。
また、アノード電極７の配線部７Ｂには、線径ｄ＝３（ｍｍ）のＳＵＳ３０４の真直な線材を採用している。円弧状導電体７ａの各基端部７ｂは配線部７Ｂに溶接によって接続されている。
また、円弧状導電体７ａの配列ピッチｗは、ｗ＝２×ｄ＝６（ｍｍ）とされている。
【００２３】
アノード電極７は、ターゲット６に対して、各円弧状導電体７ａの円弧中心がターゲット６の中心軸Ｏに同軸とされるとともに、各円弧状導電体７ａの開口７ｄがターゲット６の下方に向けた状態で配置される。
このため、アノード電極７の複数の円弧状導電体７ａは、ターゲット６の上方で、ターゲット６の中心軸Ｏを中心として周回するように配置されている。
ターゲット６の先端６ａの位置は、アノード電極７の軸方向の端部から１０ｍｍだけ内側（図２（ｂ）の右側）に配置されている。
以下では、プラズマ放出部１０において、ターゲット６の先端６ａが位置する側の端部を、プラズマ放出部１０の先端部と称し、ターゲット６の基端側の端部をプラズマ放出部１０の基端部と称する。
【００２４】
トリガー電源１５は、トリガー放電を起こすため、図示しないコンピュータなどの制御手段からのパルス信号により、トリガー電極５にパルス状の電圧を印加する電源である。本実施形態では、一例として、５μｓｅｃのパルス幅で、ターゲット６とトリガー電極５との間に０ｋＶ〜５ｋＶの範囲で任意に設定された電圧を印加できるようになっている。
トリガー電源１５は、正極の接続端子１５ａがトリガー電極５におけるターゲット６の先端６ａとは反対側の端面に、負極の接続端子１５ｂがターゲット６の基端側に、それぞれ接続されている。
【００２５】
アーク電源１６は、アーク放電を起こすための図示しないコンデンサを備えた電源である。本実施形態では、一例として、８８００μＦ程度の電気量を充電しておくことができる容量を有し、電圧は０Ｖ〜１００Ｖの範囲で任意に設定できるようにした電源を採用している。
アーク電源１６は、正極の接続端子１６ａがアノード電極７の配線部７Ｂに、負極の接続端子１６ｂがターゲット６の基端側に、それぞれ接続されている。
【００２６】
偏向部１３は、図１に示すように、図示紙面内の水平方向に中心軸を有するリング状の磁石１７と、磁石１７から生じる磁力線の方向を調整する鉄製のＬ字状ヨーク１８とを備えている。
本実施形態のＬ字状ヨーク１８は、プラズマ放出部１０の基端部側で鉛直方向に延ばされた側部１８Ａと、側部１８Ａの上端から水平方向に向かってプラズマ放出部１０の先端側に延ばされた側部１８Ｂとからなり、不図示の支持部材によって真空チャンバ２内に固定されている。
【００２７】
側部１８Ａには、プラズマ放出部１０の基端部を挿通させる貫通孔１８ａが設けられている。そして、磁石１７は、この貫通孔１８ａの外周側において、磁極がターゲット６の中心軸Ｏに沿う方向に形成されるように配置されている。
このため、プラズマ放出部１０の基端部は、磁石１７の径方向内側に配置されている。
また、側部１８Ｂには、水平方向においてプラズマ放出部１０の先端部の前方側となる端部に、鉛直方向に貫通する貫通孔１８ｂが設けられている。
【００２８】
このような偏向部１３の構成によれば、Ｌ字状ヨーク１８によって磁石１７の磁力線の方向が調整され、側部１８Ｂの下側で、側部１８Ｂと側部１８Ａとで挟まれる真空チャンバ２内の空間において、貫通孔１８ａの近傍から貫通孔１８ｂの近傍に向かって湾曲された磁力線で表される磁場が形成される。以下では、この磁場を磁石１７による空間磁場と称することにする。
この空間磁場は、プラズマ放出部１０から放出されたプラズマ８を偏向して、側部１８Ｂの近傍に輸送するものである。そのため、Ｌ字状ヨーク１８の形状および磁石１７の配置は、側部１８Ｂの近傍において、被処理体の表面処理に必要なプラズマ８の分布が得られるように設定する。
本実施形態では、図１に示すように、貫通孔１８ｂの側部１８Ａ側の外周部上の領域Ｖの範囲に空間磁場の磁力線が密となり表面処理に必要なプラズマ８が輸送され、領域Ｖから側部１８Ａと反対側（図示左側）では磁力線が粗となりプラズマ８が略輸送されないようにしている。
【００２９】
支持台１２は、表面処理を行う被処理体である光学素子成形用型母材１１を、磁石１７による空間磁場の磁力線の経路上の位置に支持するための部材である。
本実施形態では、略円板状に形成され、真空チャンバ２に端部が固定され貫通孔１８ｂに挿通された軸２１に固定されている。これにより、支持台１２は、円板の中心軸線ＣがＬ字状ヨーク１８の側部１８Ｂの貫通孔１８ｂと略同軸、かつ略鉛直方向に沿うようにして側部１８Ｂの下側近傍に配置されている。このため、本実施形態の支持台１２は、プラズマ放出部１０の斜め上方に配置され、支持台１２の中心軸線Ｃとプラズマ放出部１０のターゲット６の中心軸Ｏとは、略直交する位置関係に設けられている。
支持台１２のプラズマ放出部１０側（下側）の表面は、光学素子成形用型母材１１を支持できるようになっている。
光学素子成形用型母材１１は、いずれも被処理面１１ａ（被処理体の表面）を下方に向けた状態で、被処理面１１ａと反対側の被支持面１１ｂにおいて支持台１２に支持されている。
【００３０】
遮蔽板２０は、支持台１２上に保持された光学素子成形用型母材１１と、プラズマ放出部１０のアノード電極７との間に設けられ、ターゲット６から光学素子成形用型母材１１に向けて直進する経路を遮蔽する部材である。
遮蔽板２０の材質は、偏向部１３の磁力の影響を受けないように非磁性体を採用している。
【００３１】
次に、本実施形態のプラズマ処理装置１の動作について、光学素子成形用型母材１１の表面に表面処理を行う場合の例で説明する。
図３は、本発明の第１の実施形態のプラズマ処理装置を用いて製造された光学素子成形型の模式的な断面図である。図４は、この光学素子成形型を用いて光学素子が成形される様子を示す断面図である。
【００３２】
図３に示す光学素子成形型２３は、図４に示すように、凸凹レンズからなるレンズ２６の凹面である第１レンズ面２６ｂを形成するための型部材である。
この光学素子成形型２３を製造するには、まず、例えば、炭化タングステンなどの材料を切削して略円柱状とし、軸方向の一端側に支持台１２上に支持するための平面状の被支持面１１ｂを形成し、軸方向の他端側に第１レンズ面２６ｂの凹面を形成するための凸面形状を有する被処理面１１ａを鏡面加工して光学素子成形用型母材１１を製造する。
そして、プラズマ処理装置１を用いて、光学素子成形用型母材１１の被処理面１１ａ上に被処理面１１ａの耐久性を向上するため、白金の薄膜層である膜体２３Ａを形成する。
【００３３】
光学素子成形用型母材１１の被処理面１１ａに膜体２３Ａを形成するには、まず、図１に示すように、表面処理を行う複数の光学素子成形用型母材１１を、それぞれ支持台１２に被支持面１１ｂが密着するように装着する。
次に、真空チャンバ２内を真空排気系（不図示）にて真空引きして、例えば、１×１０−４Ｐａ以下程度の真空度まで減圧し、この減圧雰囲気下でアーク電源１６を９０Ｖの電圧で作動させ、ターゲット６とアノード電極７との間に９０Ｖの電圧をかける。減圧下なので、ターゲット６とアノード電極７との間に電圧をかけても放電は起こらず待機状態となる。
【００３４】
この状態で、トリガー電源１５に不図示の制御手段からパルス信号を送り、トリガー電源１５を作動させ、ターゲット６とトリガー電極５との間に、高圧パルス電圧、例えば、３ｋＶの電圧を５μｓｅｃ印加する。このとき、絶縁物３の先端に瞬間的に沿面放電（トリガー放電）が発生し、トリガー電極５と絶縁物３から突出したターゲット６との間に電流が流れて、ターゲット６の表面にアークスポットＳＡ（図２（ｂ）参照）とともにプラズマが発生する。
【００３５】
アークスポットＳＡからターゲット６のプラズマが僅かに発生することによって、ターゲット６とアノード電極７との間に電気回路が形成され、アノード電極７とターゲット６との間でアーク放電が生じる。そして、アーク電源１６に配線されている図示しないコンデンサに貯められた電気が、瞬時的に配線部７Ｂから周回電極部７Ａを流れ、周回電極部７Ａの表面からターゲット６の表面に向けてはアーク電流ＩＡとして空間を流れ、ターゲット６の表面からは、アーク電源１６の負極に向かってターゲット６内をターゲット６の中心軸Ｏに沿う方向に流れる。高温化したアークスポットＳＡの近傍のターゲット６の表面には、アーク電流ＩＡの大きさに応じてプラズマが発生する。
このアーク放電は、アーク電源１６の不図示のコンデンサに貯められた電気量の放出が終わるまで継続される。本実施形態では、この放電時間は約６００μｓｅｃである。
【００３６】
このアーク放電中にアーク電源１６の正極から負極に流れる電流値を、Ｉ（ｔ）（ｔは時間を表す）とすると、Ｉ（ｔ）は、放電時間の中間で最大値をとる山形の時間変化を示す。
電流Ｉ（ｔ）は、周回電極部７Ａ内では、各円弧状導電体７ａにおいて、それぞれ基端部７ｂから放電位置まで、先端部７ｃ側に向かって流れるため、各円弧状導電体７ａの周囲にアンペールの法則に従って図２（ｂ）の紙面内で反時計回りの磁場がそれぞれ発生する。これらの磁場によりと、巻線コイルに通電した場合と略同様に、周回電極部７Ａの内周側に、プラズマ放出部１０の先端から基端に向かう方向の磁場成分が発生する。
周回電極部７Ａの内周側を径方向に流れるアーク電流ＩＡには、こうして発生する磁場を横切って流れるため、この磁場成分により図２（ａ）の紙面内の反時計回り方向の電磁力を受ける。そのため、アーク電流ＩＡは、アークスポットＳＡとともに、図２（ａ）の紙面内では、中心軸Ｏを中心として反時計回り方向に回転される。
この結果、プラズマの発生位置が、ターゲット６の周方向に移動する。
【００３７】
これらの磁場成分の重ね合わせの結果、アーク電流ＩＡは、アークスポットＳＡとともに、周回電極部７Ａとターゲット６の表面との間で、ターゲット６の中心軸Ｏ回りに円周運動する。これにより、ターゲット６の表面に発生した荷電粒子の集まりであるプラズマは、周回電極部７Ａの内周側で、ターゲット６の中心軸Ｏを中心として螺旋状に回転し、磁場からの電磁力を受けて加速されながら先端６ａ側に移動し、プラズマ放出部１０の先端側にプラズマ８（図１参照）として放出される。
【００３８】
このようにして、プラズマ８は、アーク放電が継続する間、ターゲット６の中心軸回りに周回されつつ、プラズマ放出部１０の先端側に移動されて、ターゲット６からプラズマ放出部１０の先端側に放出されるため、プラズマ放出部１０の先端部でのプラズマ８の濃度分布が略均等化されて前方に放出される。
【００３９】
その際、本実施形態では、円弧状導電体７ａの円弧の中心軸が、ターゲット６の中心軸Ｏに略同軸に配置されているため、アーク放電時にターゲット６の中心軸Ｏに対して対称的な磁場が形成される。このため、アーク放電位置およびターゲット表面のプラズマの螺旋運動の回転軸がターゲット６の中心軸Ｏに略一致し、これによりプラズマ放出位置のターゲット表面の周方向の位置が良好に均等化される。
また、本実施形態では、円弧状導電体７ａを採用しているため、ターゲットの中心軸に対して回転対称的な磁場が形成される。このため、アーク放電位置およびターゲット表面のプラズマの螺旋運動の回転軸がターゲットの中心軸に略一致するとともに、アーク放電位置およびターゲット表面を螺旋運動させる磁場からの力もターゲットの周方向に均等化される。これにより、プラズマ放出位置のターゲット表面の周方向の位置が良好に均等化される。
【００４０】
プラズマ放出部１０の先端部から放出されたプラズマ８は、径方向に拡散されるものの、全体としては、ターゲット６の中心軸Ｏに沿う方向に放出される。
プラズマ放出部１０から放出されたプラズマ８は、偏向部１３によって形成された空間磁場の磁力線に巻き付くようにして偏向される。このため、プラズマ８は空間磁場の磁力線が密となる経路に沿って輸送され、遮蔽板２０の側部を通過して領域Ｖに向かう。
そして、ターゲット６のイオンを含むプラズマ８は、領域Ｖに配置された光学素子成形用型母材１１の被処理面１１ａに到達して被処理面１１ａに衝突し、その運動エネルギーに応じて、被処理面１１ａに注入されたり、付着されたりする。これにより、被処理面１１ａにターゲット６の材質からなる膜体２３Ａが形成される。
【００４１】
一方、アーク放電は、プラズマ８の他にも飛散粒状体１９（図１参照）として、アークスポットＳＡにおいて溶融した液体状の飛沫であるドロップレットや、ドロップレットが飛散中に固化した粒子やターゲット６に含まれる不純物粒子などからなる飛散粒子などを発生させる。これらの飛散粒状体１９は、電気的に中性であるため、アノード電極７内の磁場や偏向部１３による磁場の影響を受けず、初速度の方向に飛散する。なお、一般に飛散粒状体１９の質量は小さいため重力の影響は小さく、飛散行程の初期には、初速度の方向に略直線的に進むと考えてよい。
【００４２】
本実施形態では、ターゲット６と領域Ｖに配置された光学素子成形用型母材１１との間には、遮蔽板２０が配置されている。このため、周回電極部７Ａの各円弧状導電体７ａの隙間を通過して、ターゲット６の表面から領域Ｖに配置された光学素子成形用型母材１１に向かって飛散する飛散粒状体１９は遮蔽板２０に衝突して、光学素子成形用型母材１１に到達することが防止される。
また、周回電極部７Ａは、ターゲット６を挟んで領域Ｖに配置された光学素子成形用型母材１１と反対側に、開口７ｄが形成されている。このため、ターゲット６の表面から領域Ｖに配置された光学素子成形用型母材１１と反対側に飛散する飛散粒状体１９は、図１に示すように、大部分が開口７ｄを通過して下方に飛散する。
下方に飛散した飛散粒状体１９は、最終的には、重力によって真空チャンバ２の底面上に落下する。
このため、飛散粒状体１９が、領域Ｖに配置された光学素子成形用型母材１１の被処理面１１ａに到達し、飛散粒状体１９の衝突や付着によって被処理面１１ａ上に凹凸が生じたり、欠陥が発生したりすることを防止することができる。
【００４３】
また、例えば、周知の巻線コイル状のアノード電極のように、開口７ｄに相当する位置に巻線コイルが横断している場合を考えると、ターゲット６から先端６ａに向かって斜め下方に飛散される飛散粒状体１９は、巻線コイルの横断部によって斜め上方に反射されて上側の巻線コイルの隙間から被処理体に向かって飛散するものが発生する。
このような開口７ｄに相当する位置の巻線コイルによる反射によれば、あたかも飛散粒状体１９の飛散の起点が水平面内でターゲット６の大きさの範囲よりも外側に拡大されたのと同等の作用を有する。このため、ターゲット６の表面からの直線経路を遮蔽する遮蔽板２０では遮蔽しきれない飛散粒状体１９が光学素子成形用型母材１１の被処理面１１ａに到達してしまう。
この場合、遮蔽板２０の大きさを拡大することも考えられるが、プラズマ放出部１０の先端から偏向されるプラズマ８の輸送経路を狭められてしまい、表面処理の効率が悪くなるという問題がある。
本実施形態によれば、開口７ｄが設けられていることにより、このようなターゲット６から下方に飛散された飛散粒状体１９が上方に反射される確率が格段に低減される。そのため、遮蔽板２０の大きさを拡大することなく、したがってプラズマ８の輸送経路を狭めることなく、被処理面１１ａへの飛散粒状体１９の到達を防止することができる。
【００４４】
このようにして、飛散粒状体１９が混じっていない清浄なプラズマ８のみが遮蔽板２０の側方を通過して、領域Ｖに配置された光学素子成形用型母材１１の被処理面１１ａに到達し、被処理面１１ａの表面処理が行われる。
【００４５】
次に、領域Ｖに位置する光学素子成形用型母材１１の被処理面１１ａの表面処理が終了したら、真空チャンバ２を大気開放して支持台１２から処理後の光学素子成形用型母材１１を取り出す。こうして、図３に示すように、膜体２３Ａが形成された光学素子成形型２３が製造される。
【００４６】
このプラズマ処理装置１によれば、光学素子成形用型母材１１の表面におけるドロップレットや飛散粒子によるミクロ的な表面欠陥が好適に抑えられ、高密度、高密着強度、かつ、欠陥の極めて少ない表面を得て高精度かつ確実に処理することができる。
【００４７】
また、このようにして、被処理面１１ａが表面処理された光学素子成形型２３によれば、膜体２３Ａにおいてドロップレットや飛散粒子によるミクロ的な表面欠陥が好適に抑えられているので、高精度、高耐久の成形を行うことができる。
【００４８】
また、上記と同様にして、光学素子成形用型母材１１の被処理面１１ａの形状を変更することにより種々の形状に対応した光学素子成形型を製造することができる。
例えば、図４に示すように、被処理面１１ａを凹面として、この被処理面１１ａにプラズマ処理装置１によって膜体２４Ａを形成した光学素子成形型２４を製造することができる。
これら光学素子成形型２３、２４を用いて、凹面からなる第２レンズ面２６ａ、凸面からなる第１レンズ面２６ｂを有するレンズ２６を成形することができる。
すなわち、光学素子成形型２３、２４を、膜体２３Ａ、２４Ａが形成された各被処理面１１ａを対向させた状態で、円筒状の型枠部材２５によって径方向に位置決めし、膜体２３Ａ、２４Ａが形成された各被処理面１１ａと型枠部材２５の内周面とで囲まれる成形空間を形成する。そして、この成形空間に加熱したガラス材料を配置して、光学素子成形型２３、２４を軸方向に押圧して、ガラス材料をプレスし、型面形状を転写して脱型することで、レンズ２６を成形することができる。
【００４９】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。
図５は、本発明の第２の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す正面視の模式的な部分断面図である。図６（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係るプラズマ処理装置に用いるアノード電極の概略構成を示す模式的な左側面図（図５のＥ視）である。図６（ｂ）は、図５（ａ）におけるＦ−Ｆ断面図である。
【００５０】
本実施形態のプラズマ処理装置１Ａは、上記第１の実施形態のプラズマ処理装置１の遮蔽板２０に代えて、遮蔽カバー３０（遮蔽部）を備えるものである。以下、上記第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００５１】
遮蔽カバー３０は、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、プラズマ放出部１０の外径よりわずかに大きな内径を有する略円筒状の非磁性体からなる部材であり、プラズマ放出部１０のターゲット６の中心軸Ｏと略同軸とされた状態でプラズマ放出部１０の外周側を覆うように配置されている。
遮蔽カバー３０におけるプラズマ放出部１０の先端側の先端面３０ｅは、プラズマ放出部１０の先端と略同位置もしくはわずかに前方に配置されている。
そして、遮蔽カバー３０の先端部には、領域Ｖに配置された光学素子成形用型母材１１と反対側の側面に、切欠き面３０ａ、３０ｂ、３０ｃからなるコ字状の切欠き部によって形成された開口３０ｄが設けられている。ここで、切欠き面３０ａは、先端面３０ｅから遮蔽カバー３０の軸方向に沿って延びる切断面であり、切欠き面３０ｃは、切欠き面３０ａに遮蔽カバー３０の周方向に離間して対向する切断面である。また、切欠き面３０ｂは、切欠き面３０ａ、３０ｃの先端面３０ｅとは反対側の端部に接続する切断面である。
開口３０ｄの周方向の位置は、径方向外側から見て、開口３０ｄ内にアノード電極７の開口７ｄを臨むことができる位置とされる。
また、切欠き面３０ｂの軸方向に沿う位置は、ターゲット６の先端６ａよりも基端側であることが好ましく、トリガー電極５よりも基端側であることがより好ましい。また、開口７ｄの軸方向長さと同程度としてもよい。
【００５２】
このような構成により、遮蔽カバー３０は、少なくともターゲット６と領域Ｖに配置された光学素子成形用型母材１１の被処理面１１ａとの間において、周回電極部７Ａの外周側を覆うように設けられている。このため、遮蔽カバー３０は、被処理体とアノード電極との間に設けられ、ターゲットから被処理体に向けて直進する経路を遮蔽する遮蔽部を構成している。
【００５３】
このようなプラズマ処理装置１Ａによれば、上記第１の実施形態のプラズマ処理装置１と同様にして、領域Ｖに配置された光学素子成形用型母材１１の被処理面１１ａを表面処理することができる。
その際、ターゲット６の表面から飛散する飛散粒状体１９のうち、周回電極部７Ａの各円弧状導電体７ａの間の隙間を通過して上方に飛散する飛散粒状体１９は、遮蔽カバー３０によって、直進する経路が遮蔽されているので、遮蔽カバー３０の内周面に衝突して反射されたり、内周面に付着したりする。
遮蔽カバー３０の内周面で反射された飛散粒状体１９は、さらに反射を繰り返すなどして最終的に、遮蔽カバー３０のいずれかに付着されるか、開口３０ｄを通過して、光学素子成形用型母材１１とは反対側の真空チャンバ２の下方に飛散する。
このため、飛散粒状体１９が、表面処理する被処理面１１ａに付着することを防止することができる。
遮蔽カバー３０は、アノード電極７の外周側に近接して配置することにより、アノード電極７からより離間した位置に遮蔽部を設ける場合に比べて遮蔽面積を小さくしても、飛散粒状体１９を確実に遮蔽することができる。
【００５４】
［第３の実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。
図７は、本発明の第３の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す正面視の模式的な部分断面図である。図８は、本発明の第３の実施形態のプラズマ処理装置を用いて製造された光学素子成形型の模式的な断面図である。
【００５５】
本実施形態のプラズマ処理装置１Ｂは、図７に示すように、上記第１の実施形態のプラズマ処理装置１に、フィードスルー３６を介して支持台１２に接続されて光学素子成形用型母材１１に負のバイアス電圧を印加するバイアス電源部３７を追加したものである。以下、上記第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００５６】
バイアス電源部３７は、図示しないコンピュータ等の制御手段によってターゲット６とアノード電極７との間にアーク放電が起こったことを検知して、支持台１２に支持された光学素子成形用型母材１１に負のバイアス電圧を印加するものである。
【００５７】
このようなプラズマ処理装置１Ｂによれば、第１の実施形態のプラズマ処理装置１と同様にして、ターゲット６とアノード電極７との間にアーク放電を起こさせ、プラズマ放出部１０によってプラズマ８を発生させる。そして、プラズマ８が発生するたびに、バイアス電源部３７によって、例えば、１０ｋＶ程度の大きさのパルス状の負のバイアス電圧を光学素子成形用型母材１１に印加する。ここでは、例えば、バイアス電源パルス幅を１２μｓｅｃ、インターバルを２５μｓｅｃ、繰り返し回数を１００回とする。
【００５８】
このとき、プラズマイオンは、正に帯電しているので、このような負の高電圧パルス状のバイアス電圧によって、プラズマ８の粒子は、被処理面１１ａの近傍で加速され、光学素子成形用型母材１１に衝突され、被処理面１１ａの内部側に打ち込まれていく。
このようにして、プラズマ８から白金イオンが容易に取り出され、被処理面１１ａから光学素子成形用型母材１１内に注入される。
その際、バイアス電圧の大きさを漸次変化させることによって、光学素子成形用型母材１１に注入される白金濃度を漸次変化させることができる。
このようにして、図６に示すように、被処理面１１ａ下に、濃度が漸次変化する白金が注入されることで白金の傾斜組成を有する傾斜層３８が形成される。
【００５９】
傾斜層３８が形成されたら、バイアス電源部３７による負のバイアス電圧の大きさを、例えば３００Ｖ程度まで低下させて、さらにプラズマ放出部１０のアーク放電を繰り返す。
これにより、被処理面１１ａ上に輸送されるプラズマ８内の白金イオンは、被処理面１１ａ上に順次付着していき、傾斜層３８の上に白金合金よりなる保護膜４０が形成される。
このようにして、表面に傾斜層３８、保護膜４０を有する光学素子成形用型４１が製造される。
ここで、傾斜層３８は、光学素子成形用型母材１１と保護膜４０との密着強度を向上する中間層を構成している。
【００６０】
プラズマ処理装置１Ｂによれば、バイアス電源部３７により光学素子成形用型母材１１に負のバイアス電圧を印加することによって、飛散粒状体１９を含まない清浄なプラズマ８の粒子を光学素子成形用型母材１１の表面のみならずその内部に注入させることができる。
【００６１】
また、バイアス電源部３７を制御して、光学素子成形用型母材１１に印加する負のバイアス電圧の大きさを変化させることによって、表面に、傾斜層３８を介して強固に密着された保護膜４０を成膜することができる。
【００６２】
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記の説明では、ターゲット６の形状を円柱棒状としているが、ペレット状、線状、円筒状であっても構わない。また、ターゲット６の材質は白金のみならず、金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム等の貴金属類、又は炭素であってもよい。
【００６３】
また、上記の説明では、周回電極部として、複数の円弧状導電体７ａを採用した例で説明したが、複数の導電体の形状は、一方に開口を有する略アーチ状であれば、円弧形状には限定されない。
例えば、楕円状であってもよいし、円弧からわずかにずれた略円弧状としてもよいし、線材を多角形状に屈曲した形状でもよい。
また、導電体がターゲットを囲む範囲を決める略アーチ状の周回方向の長さも適宜寸法とすることができる。例えば、円弧形状で言えば、中心角が１８０度より大きい優弧状（Ｃ字状）に限定されず、半円弧状や、中心角が１８０度より小さい劣弧状であってもよい。
中心角の大きさは、１０度以上１２０度以下であることが好ましい。
また、略アーチ状の周回方向は、ターゲットの中心軸に直交する方向には限定されず、ターゲットの中心軸に交差する斜め方向であってもよい。
【００６４】
また、上記の説明では、周回電極部の略アーチ状の形状の中心軸がターゲットの中心軸と同軸に配置された場合の例で説明したが、周回電極部を流れる電流による磁場は、略アーチ状の形状の中心軸に略平行に形成されるので、略アーチ状の形状の中心軸とターゲットの中心軸とはずれていてもよい。これらの中心軸同士がずれていても、プラズマはターゲットの中心軸に沿う方向に輸送されてターゲットの先端から放出される。
【００６５】
また、上記の説明では、トリガー電極５を、絶縁物３を介してターゲット６の周囲に配したが、トリガー電極５はターゲット６との間にトリガー放電を起こすことができればそれでよく、絶縁物は空気であってもよい。例えば、トリガー電極５をターゲット６との間に１ｍｍ以下の間隙をおいて配置し、空間放電を起こさせてもよい。
【００６６】
また、上記の説明では、偏向部１３が磁石１７とＬ字状ヨーク１８とを備えて磁場によりプラズマ８の輸送経路を偏向させるものとして説明したが、Ｌ字の開き角度は９０度以外の角度でもよい。また、磁石１７は電磁石であってもよい。
また、偏向部は、磁場でなく電場を発生させてこの電磁力によってプラズマの経路を偏向させてもよい。
【００６７】
また、上記第３の実施形態の説明では、バイアス電源部が負のバイアス電圧をパルス状に印加する場合の例で説明したが、バイアス電圧の波形等の条件は表面処理の目的に合わせて自由に設定してもよく、例えば、正電圧と負電圧とを交互に混ぜ合わせた波形や、定常電圧を正の低電圧として被処理体に引き寄せられるプラズマイオンの速度を低下させてもよい。
【００６８】
また、上記の説明では、負極の接続端子１６ｂ、１５ｂは、それぞれベース電極としてターゲット６に別々に接続されている場合の例で説明したが、接続端子１６ｂ、１５ｂは１本の接続線で結線してもよい。また、負極の接続端子１６ｂ、１５ｂは、ベース電極となる導電部材を介して、ターゲット６に接続させるようにしてもよい。また、接続端子１６ｂ、１５ｂを溶着によって形成した溶着部としてもよい。
【００６９】
また、上記の説明は、被処理体の被処理面の中心軸が、ターゲットの中心軸に直交する位置関係に配置され、プラズマ放出部から放出されるプラズマがプラズマ放出方向と直交する方向に偏向される場合の例で説明した。
被処理面の近傍におけるプラズマの輸送方向は、被処理面の中心軸に沿う方向であることが好ましいが、偏向部による偏向角度や、被処理面の中心軸とプラズマ放出方向とのなす角度は、９０度には限定されず、９０度とは異なる角度で交差する位置関係にあってもよい。
【００７０】
また、上記の説明では、光学素子成形用型母材１１は、支持台１２上に１個配置される場合の例で説明したが、支持台１２は複数個の光学素子成形用型母材１１を配置できる構成とするとともに、軸２１を中心に回転できるようにしておき、領域Ｖ上に、光学素子成形用型母材１１を進退させることで、複数個の光学素子成形用型母材１１を処理できるようにしてもよい。
この場合、飛散粒状体１９が、領域Ｖの外側に配置された光学素子成形用型母材１１に到達しないように、遮蔽板２０は、領域Ｖの下方のプラズマ８の輸送経路のみが開口された穴あき板を採用することが好ましい。
【００７１】
また、上記の説明では、支持台１２は、真空チャンバ２に固定された場合の例で説明したが、支持台１２は、軸２１に直交する２軸方向（水平方向）に揺動可能に支持されていてもよい。
この場合、支持台１２の揺動に伴って光学素子成形用型母材１１が揺動移動をされるので、プラズマ８の輸送経路の断面積を絞った状態でも、被処理面１１ａの全体をわたって均一な膜体２３Ａを形成することができる。
例えば、光学素子成形用型母材１１の被処理面１１ａの直径を２０ｍｍとしたとき、偏向部１３の磁力線分布を調整して、被処理面１１ａ上でのプラズマ８の輸送範囲の直径を１０ｍｍ程度と、被処理面１１ａの直径の半分程度となるように設定しておく。
そして、被処理面１１ａにプラズマ８が到達している間、揺動機構を駆動して支持台１２を水平面内で２軸揺動させる。これにより、プラズマ８が輸送される間、プラズマ８が被処理面１１ａ上を相対的に揺動移動して、プラズマ８の流れが被処理面１１ａ上で走査されるため、プラズマ８に断面方向の濃度分布があっても、被処理面１１ａ上では平均化され、全体に均一に到達するようになる。
【００７２】
また、上記の各実施形態のすべての構成要素は、本発明の技術的思想の範囲で適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００７３】
１、１Ａ、１Ｂ  プラズマ処理装置
２  真空チャンバ
３  絶縁物
５  トリガー電極
６  ターゲット
７  アノード電極
７Ａ  周回電極部
７Ｂ  配線部
７ａ  円弧状導電体（導電体）
７ｄ  開口
８  プラズマ
１０  プラズマ放出部
１１  光学素子成形用型母材（被処理体）
１１ａ  被処理面（被処理体の表面）
１２  支持台
１３  偏向部
１５  トリガー電源
１６  アーク電源
１９  飛散粒状体
２０  遮蔽板（遮蔽部）
２３、２４、４１  光学素子成形型
２３Ａ、２４Ａ  膜体
２６  レンズ
３０  遮蔽カバー（遮蔽部）
３７  バイアス電源部
３８  傾斜層
４０  保護膜
ＩＡ  アーク電流
ＳＡ  アークスポット
Ｃ  中心軸線
Ｏ  中心軸（ターゲットの中心軸）
Ｖ  領域
【図１】
2011026676.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2011026676.tif 000008
【図７】
2011026676.tif 000009
【図８】
2011026676.tif 000010