(57)【要約】【課題】保護層形成原料の大小粒子が塗布乾燥時に混ざることを防止したＰＤＰ製造法を提供すること。【解決手段】前面板における保護層の形成が、（ｉ）第１ＭｇＯ粒子および第１溶剤を含んだ第１保護層原料ならびに第２ＭｇＯ粒子および第２溶剤を含んだ第２保護層原料を用意する工程、（ｉｉ）前面板基板に形成された誘電体層に対して第１保護層原料と第２保護層原料とを同時に塗布することによって、第１保護層原料層および第２保護層原料層との２層構造の保護層原料層を形成する工程、ならびに、（ｉｉｉ）２層構造の保護層原料層を乾燥に付す工程を含んで成り、工程（ｉ）で用意する第１保護層原料および第２保護層原料では、第１ＭｇＯ粒子の粒子サイズが第２ＭｇＯ粒子の粒子サイズよりも小さくなっており、工程（ｉｉ）においては、塗布されることになる誘電体層面を鉛直方向下向きにした状態で、第１保護層原料と第２保護層原料とを同時に塗布することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。【選択図】図１
2011258441.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板Ａ上に電極Ａと誘電体層Ａと保護層とが形成された前面板と、基板Ｂ上に電極Ｂと誘電体層Ｂと隔壁と蛍光体層とが形成された背面板とが対向配置されて成るプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前面板における保護層の形成が、
（ｉ）第１ＭｇＯ粒子および第１溶剤を含んで成る第１保護層原料ならびに第２ＭｇＯ粒子および第２溶剤を含んで成る第２保護層原料を用意する工程、
（ｉｉ）基板Ａ上に形成された誘電体層Ａに対して第１保護層原料と第２保護層原料とを同時に塗布することによって、第１保護層原料層および第２保護層原料層との２層構造の保護層原料層を形成する工程、ならびに
（ｉｉｉ）保護層原料層を乾燥に付す工程
を含んで成り、
前記工程（ｉ）で用意する第１保護層原料および第２保護層原料では、第１保護層原料の第１ＭｇＯ粒子の粒子サイズが第２保護層原料の第２ＭｇＯ粒子の粒子サイズよりも小さくなっており、
前記工程（ｉｉ）において、塗布されることになる誘電体層Ａの面を鉛直方向下向きにした状態で、第１保護層原料および第２保護層原料を同時に塗布しており、それによって、誘電体層Ａと接するように第１保護層原料層を形成すると共に、該第１保護層原料層と接するように第２保護層原料層を形成することを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｉ）で用意する第１保護層原料および第２保護層原料では、第２保護層原料における第２ＭｇＯ粒子の沈降速度が第１保護層原料における第１ＭｇＯ粒子の沈降速度よりも速くなっており、また、第２溶剤の蒸気圧が第１溶剤の蒸気圧よりも低いことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｉｉ）では、第１保護層原料および第２保護層原料を鉛直方向上向きに供給することによって、第１保護層原料および第２保護層原料の同時塗布を実施することを特徴とする、請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｉｉｉ）では、２層構造の保護層原料層を真空乾燥に付しており、
保護層原料層が誘電体層Ａに対して鉛直方向の下側に位置する向きのまま真空乾燥を実施することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｉｉｉ）では、２層構造の保護層原料層を２段階で真空乾燥に付しており、
第１真空乾燥では、第１減圧下において第１保護層原料層を乾燥させ、第２真空乾燥では、該第１減圧から更に減圧した第２減圧下において第２保護層原料層を乾燥させることを特徴とする、請求項２に従属する請求項３または４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。より詳細には、本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法のうち特に保護層形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）は、気体放電からの放射を利用した平面表示装置である。高速表示や大型化が容易であり、映像表示装置や広報表示装置などの分野で広く実用化されている。ＰＤＰには直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）があるが、面放電型ＡＣ型ＰＤＰは寿命特性や大型化の点で特に高い技術的ポテンシャルを持ち、商品化されている。
【０００３】
図１０は、一般的なＡＣ型ＰＤＰにおける放電単位となる放電セル構造の模式的組図である。図示するように、ＰＤＰ（１０１’）は、フロントパネル（１０２’）とバックパネル（１０９’）との貼り合せから構成される。フロントパネル（１０２’）は、フロントパネルガラス（１０３’）の片面に、走査電極および維持電極を一対とする表示電極対（１０６’）が複数対にわたり配設されており、当該表示電極対（１０６’）を覆うように誘電体層（１０７’）および保護層（１０８’）が順次積層されて成るパネルである。走査電極および維持電極は、それぞれ透明電極（１２０’）及びバスライン（１２１’）を積層して構成されている。
【０００４】
誘電体層（１０７’）は低融点ガラスから形成され、ＡＣ型ＰＤＰ特有の電流制限機能を奏する。そして、表面層（１０８’）は、誘電体層（１０７’）及び表示電極対（１０６’）をプラズマ放電のイオン衝突から保護すると共に、二次電子を効率よく放出し、放電開始電圧を低下させる役目を果たす。通常、当該表面層（１０８’）は、二次電子放出特性、耐スパッタ性、光学透明性に優れる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用いて真空蒸着法や印刷法によって成膜される。かかる表面層（１０８’）と同様の構成は、誘電体層（１０７’）及び表示電極対（１０６’）を保護する他に、二次電子放出特性の確保を目的とした保護層として設けられる。
【０００５】
他方、バックパネル（１０９’）は、バックパネルガラス（１１０’）上に画像データを書き込むための複数のデータ（アドレス）電極（１１１’）が前記フロントパネル（１０２’）の表示電極対（１０６’）と直交方向で交差するように併設されて成るパネルである。バックパネルガラス（１１０’）には、データ電極（１１１’）を覆うように低融点ガラスからなる誘電体層（１１２’）が配設される。誘電体層（１１２’）において隣接する放電セル（図示省略）との境界上には、低融点ガラスからなる所定の高さの隔壁リブ（１１３’）が（放電空間１１５’）を区画するように、井桁状等のパターン部（１１３’）を組み合わせて形成される。誘電体層（１１２’）の表面と隔壁（１１３’）の側面には、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の蛍光体インクが塗布及び焼成されてなる蛍光体層（１１４’）（即ち、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ）が形成されている。
【０００６】
フロントパネル（１０２’）とバックパネル（１０９’）とは、表示電極対（１０６’）とデータ電極（１１１’）とが放電空間（１１５’）をおいて互いに直交するように配置され、その各周囲で封着されている。フロントパネル（１０２’）およびバックパネル（１０９’）の内部の放電空間（１１５’）には、放電ガスとしてＸｅ−Ｎｅ系あるいはＸｅ−Ｈｅ系等の希ガスが約数十ｋＰａの圧力で封入されている。以上のような構成でもってＰＤＰ（１０１）が構築されている。
【０００７】
ＰＤＰで画像表示を実現するためには、１フィールドの映像を複数のサブフィールド（Ｓ.Ｆ.）に分割する階調表現方式（例えばフィールド内時分割表示方式）が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−２７９２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、近年の電化製品においては低電力駆動が望まれており、ＰＤＰについても同様の要求がある。高精細なＰＤＰにおいては、放電セルが微細化されて放電セル数も増大するので、書込放電の確実性を上げるべく動作電圧が高くなる問題が生じる。これらの問題の対策として、ＭｇＯ保護層の結晶構造を変化させたり、或いはＭｇＯにＦｅ、ＣｒおよびＶや、Ｓｉ、Ａｌを添加物として加えることで、ＭｇＯの改質を図ることが講じられている。また、誘電体層上或いは、真空蒸着方法やスパッタ法で成膜したＭｇＯ膜上に、放電遅れの改善効果が期待できるＭｇＯ保護層を気相法で成膜したり、気相法で作製したＭｇＯの粉体を誘電体層上に塗布する構成も提案されている。このような従来技術では、真空蒸着方法で成膜したＭｇＯ層の上にダイコータによりＭｇＯの粉体が塗布する方法が取られてきた。
【００１０】
しかしながら、いわゆる薄膜成膜と言われる真空蒸着方法と厚膜成膜と言われるダイコート方法とが連続して行われることを考えると、この２層を同じ塗布プロセスで実施すべきとの考え方が浮上してくる。その１つの方法として、まず従来、蒸着法にて成膜されていたＭｇＯ層をダイコート法にて微細なＭｇＯを分散させたインクを用いて形成し、乾燥後、この層の粒子よりも少し大きなＭｇＯを分散させたインクを用いて同様に塗布乾燥させる方法が考えられる。特に、２層を同時に塗布乾燥することが、工程の削減や、工程間で発生するダストの低減、２層間の密着力向上などの点で望まれている。
【００１１】
ＭｇＯ粒子の積層膜を形成するには、下層にあたるインク内に微細なＭｇＯ粒子を供する一方、上層にあたるインク内に下層の粒子の数百倍ある粒子サイズのＭｇＯを並べることが必要である。ここで従来の積層塗布としては、光学フィルムの製造方法というものがある（例えば、上記特許文献１参照）。図１１は、特許文献１に記載された従来法で粒子を含んだインクの積層塗布を行う態様を示している。図示するように、それぞれにＭｇＯ粒子を含んだインク（４０’および５０’）は、スリットダイ（７０’）のスリット（７１’および７２’）を通してパネル（１０’）上へ積層塗布される。塗布後は、乾燥装置（図示せず）でインクを乾燥させている。しかしながら、かかる従来法では、図１２に示すように、大粒子（５６’）と小粒子（４６’）との上下関係が入れ替わってしまい、混ざりを発生した粒子の積層体が生じてしまう。
【００１２】
つまり、粒子サイズの異なる２種類のインクを同時塗布して乾燥した場合には、２層の乾燥が終了するまでに大粒子（５６’）が沈降を開始し、小粒子（４６’）層の中に大粒子（５６’）が混ざってしまう。これにより、本来、小粒子（４６’）層の上に存在すべき大粒子（５６’）が減少し、ＰＤＰパネルとして目的の電気特性を得られないということが懸念される。
【００１３】
本発明はこのような事情に鑑みて為されたものである。つまり、本発明の課題は、保護層形成原料の大小粒子が塗布乾燥時に混ざることを防止したＰＤＰ製造法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明は、基板Ａ上に電極Ａと誘電体層Ａと保護層とが形成された前面板と、基板Ｂ上に電極Ｂと誘電体層Ｂと隔壁と蛍光体層とが形成された背面板とが対向配置されて成るプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前面板の保護層の形成が、
（ｉ）第１ＭｇＯ粒子および第１溶剤を含んで成る第１保護層原料ならびに第２ＭｇＯ粒子および第２溶剤を含んで成る第２保護層原料を用意する工程、
（ｉｉ）基板Ａ上に形成された誘電体層Ａに対して第１保護層原料と第２保護層原料とを実質的に同時に塗布することによって「第１保護層原料から成る第１保護層原料層」と「第２保護層原料から成る第２保護層原料層」との２層構造の保護層原料層を形成する工程、ならびに
（ｉｉｉ）２層構造の保護層原料層を乾燥に付す工程
を含んで成り、
工程（ｉ）で用意する第１保護層原料および第２保護層原料につき、第１保護層原料の第１ＭｇＯ粒子の粒子サイズが第２保護層原料の第２ＭｇＯ粒子の粒子サイズよりも小さくなっており、
工程（ｉｉ）においては、「塗布されることになる誘電体層Ａの面」を鉛直方向下向きにした状態で、第１保護層原料および第２保護層原料を実質的に同時に誘電体層Ａの面に向かって供給しており、それによって、誘電体層Ａと接するようにその誘電体層Ａ上に第１保護層原料層を形成すると共に、第１保護層原料層と接するようにその第１保護層原料層上に第２保護層原料層を形成することを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの製造方法が提供される。
【００１５】
本発明の製造方法では、「塗布されることになる誘電体層Ａの面」を鉛直方向下向きにした状態で２種類の保護層原料を個別に同時塗布することを特徴としている。つまり、図１に示すように、塗布面を地面側へ向けた状態で２種類の保護層原料（４０，５０）を鉛直方向上向きに供給して２層同時塗布を行う。
【００１６】
本明細書において「第１保護層原料および第２保護層原料を同時に塗布」とは、誘電体層Ａの塗布される面に対して、第１保護層原料を供給すると共に、その供給に際して第２保護層原料も併せて供給する態様を実質的に意味している。
【００１７】
また、本明細書において「塗布されることになる誘電体層Ａの面を鉛直方向下向きにした状態」とは、保護層原料が供される誘電体層面が地面側を向いていることを実質的に意味している。従って、本発明では、誘電体層Ａの面が大きく見て地面側を向いていればよく鉛直方向下向きから僅かにずれた態様（例えば鉛直方向から±３０°以内の範囲で誘電体層面が地面側を向いている態様）をも包含している。
【００１８】
更に、本明細書において「粒子サイズ」とは、粒子のあらゆる方向における長さのうち最大となる長さを実質的に意味している。特に本発明で用いられるＭｇＯ粒子はＭｇＯ粉体の形態で用いられ得るので、「ＭｇＯ粒子サイズ」は実質的には粉体粒子における「平均粒子サイズ」のことを指している。ここで、かかる「平均粒子サイズ」とは、粒子の透過型電子顕微鏡写真または光学顕微鏡写真に基づいて例えば１０個の粒子のサイズを測定し、その数平均として算出した粒子サイズを実質的に意味している。
【００１９】
ある好適な態様では、工程（ｉ）で用意する第１保護層原料および第２保護層原料につき、“第２保護層原料における第２ＭｇＯ粒子の沈降速度”が“第１保護層原料における第１ＭｇＯ粒子の沈降速度”よりも速くなっており、かつ、“第２保護層原料における第２溶剤の蒸気圧”が“第１保護層原料における第１溶剤の蒸気圧”よりも低くなっている。
【００２０】
別のある好適な態様では、工程（ｉｉ）で形成された２層構造の保護層原料層をその形成時における向きをそのまま維持した状態で真空乾燥に付す。つまり、工程（ｉｉｉ）において、誘電体層Ａに対して保護層原料層の方が鉛直方向に下側となった配置状態で「２層構造の保護層原料層」を真空乾燥させる。かかる場合、保護層原料層を２段階で真空乾燥に付すことが好ましい。具体的には、第１真空乾燥と第２真空乾燥との２段階の真空乾燥を実施することが好ましく、第１真空乾燥では、第１減圧下において第１保護層原料層を乾燥させ、第２真空乾燥では、その第１減圧から更に減圧した第２減圧下において第２保護層原料層を乾燥させる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の製造方法によれば、保護層形成原料の大小粒子（ＭｇＯ大粒子およびＭｇＯ小粒子）が塗布乾燥時に混ざり合うといった不都合が防止される。つまり、パネルの塗布面に近い側の第１保護層として小粒子のＭｇＯ粒子層が形成され、遠い側の第２保護層として大粒子のＭｇＯ粒子層が形成される。具体的には図２に示すように、前面板の保護層としては、誘電体層上に「第１保護層原料層の乾燥によって得られる第１ＭｇＯ粒子層（４６）」が設けられると共に、「第２保護層原料層の乾燥によって得られる第２ＭｇＯ粒子層（５６）」が第１ＭｇＯ粒子層（４６）の上に設けられる（第１ＭｇＯ粒子サイズ＜第２ＭｇＯ粒子サイズ）。
【００２２】
このように、本発明では、パネル基板に近い側の第１保護層としてＭｇＯ小粒子層および遠い側の第２保護層としてＭｇＯ大粒子層を実現できるので、得られるＰＤＰでは、従来に比べ、低消費電力と高コントラストという有利な効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明における背面積層塗布の態様を表した断面模式図
【図２】本発明における真空乾燥後の前面板パネル（特に保護層）の態様を表した断面模式図
【図３】ＰＤＰの構成を模式的に示した図（図３（ａ）：ＰＤＰの概略構成を模式的に示した斜視図、図３（ｂ）：ＰＤＰ前面板を模式的に示した断面図）
【図４】本発明の製造方法における工程を模式的に表した断面斜視図
【図５】保護層原料中における粒子径と沈降速度との相関関係を表したグラフ（実験結果）
【図６】本発明における２層同時の背面塗布の態様を模式的に表した断面斜視図
【図７】本発明で用いることができる真空排気チャンバーの構成を模式的に表した図
【図８】本発明における真空乾燥時の真空度特性を表したグラフ
【図９】大粒子の８割以上が小粒子層から飛び出ている場合の電顕写真図
【図１０】一般的なＰＤＰの保護膜周辺の構成を表した断面模式図
【図１１】従来技術における積層塗布時の態様を表した断面模式図
【図１２】従来技術における真空乾燥後の前面板パネル（特に保護層）の態様を表した断面模式図
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下にて、図面を参照しながら、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法を詳細に説明する。図面に示す各種の要素は、本発明の理解のために模式的に示したにすぎず、寸法比や外観などは実物と異なり得ることに留意されたい。
【００２５】
［プラズマディスプレイパネルの構成］
まず、本発明の製造方法を経ることによって最終的に得られるプラズマディスプレイパネルを簡単に説明する。図３（ａ）に、ＰＤＰの構成を断面斜視図で模式的に示すと共に、図３（ｂ）にＰＤＰの前面板の断面図を模式的に示す。
【００２６】
本発明のＰＤＰ（１００）の構成は、図３（ａ）に示すように、「基板Ａ（１０）に電極Ａ（１１）と誘電体層Ａ（１５）と保護層（１６）とが設けられた前面板（１）」および「基板Ｂ（２０）上に電極Ｂ（２１）と誘電体層Ｂ（２２）と隔壁（２３）と蛍光体層（２５）とが設けられた背面板（２）」からなる。
【００２７】
図示するように、前面板（１）では基板Ａ（１０）上に電極Ａ（１１）が設けられ、電極Ａ（１１）を覆うように誘電体層Ａ（１５）が基板Ａ（１０）上に設けられ、また、誘電体層Ａ（１５）上に保護層（１６）が設けられている。背面板（２）では基板Ｂ（２０）上に電極Ｂ（２１）が設けられ、電極Ｂ（２１）を覆うように誘電体層Ｂ（２２）が基板Ｂ（２０）上に設けられ、誘電体層Ｂ（２２）上に隔壁（２３）および蛍光体層（２５）が設けられている。前面板（１）と背面板（２）とは、保護層（１６）と蛍光体層（２５）とが互いに向き合うように対向配置されている。前面板（１）および背面板（２）の周縁部は、例えば低融点フリットガラス材料などから成る封着部材によって気密封着されている（図示せず）。前面板（１）と背面板（２）との間に形成された放電空間（３０）には放電ガス（ヘリウム、ネオンまたはキセノンなど）が例えば２０ｋＰａ〜８０ｋＰａ程度の圧力で封入されている。
【００２８】
更に具体的に、本発明のＰＤＰ（１００）を説明していく。本発明のＰＤＰ（１００）の前面板（１）は、上述したように、基板Ａ（１０）、電極Ａ（１１）、誘電体層Ａ（１５）および保護層（１６）を有して成る。基板Ａ（１０）は、透明で絶縁性を有する基板（厚さは例えば約１．０ｍｍ以上かつ約３ｍｍ以下）である。基板Ａ（１０）としては、例えば、フロート法などで製造されたフロートガラス基板を挙げることができる他、ソーダライムガラス基板またはホウケイ酸塩ガラス基板などを挙げることができる。電極Ａ（１１）は、基板Ａ（１０）上にストライプ状に平行に複数配置されるものであり、例えば、走査電極（１２）および維持電極（１３）から成る表示電極である。この場合、走査電極（１２）および維持電極（１３）は、それぞれ「酸化インジウム（ＩＴＯ）または酸化スズ（ＳｎＯ２）などから成る透明導電膜である透明電極（１２ａ、１３ａ）」、および、かかる透明電極上に形成された「銀を主成分としたバス電極（１２ｂ、１３ｂ）」から構成される（図３（ｂ）参照）。透明電極（１２ａ、１３ａ）は、蛍光体層で発生した可視光を透過させる電極として主に機能する一方、バス電極（１２ｂ、１３ｂ）は、透明電極の長手方向に導電性を付与するための電極として主に機能する。透明電極（１２ａ、１３ａ）の厚さは、好ましくは約５０ｎｍ以上かつ約５００ｎｍ以下である。また、バス電極（１２ｂ、１３ｂ）の厚さは、好ましくは約１μｍ以上かつ約２０μｍ以下である。尚、図３（ａ）に示すように、基板Ａ（１０）上にはブラックストライプ（１４）（遮光層）もパターン形成され得る。
【００２９】
誘電体層Ａ（１５）は、基板Ａ（１０）の表面に形成された電極Ａ（１１）を覆うように設けられている。かかる誘電体層Ａ（１５）は、主としてガラス成分およびビヒクル成分（＝バインダ樹脂および有機溶剤などを含んだ成分）から成る誘電体原料ペーストを塗布および熱処理して得られるガラス組成から成る膜である。誘電体層Ａ（１５）の上には、例えば酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などから成る保護層（１６）が形成されている（厚さは例えば約０．５μｍ以上かつ約１．５μｍ以下）。
【００３０】
一方、本発明のＰＤＰの背面板（２）は、上述したように、基板Ｂ（２０）、電極Ｂ（２１）、誘電体層Ｂ（２２）、隔壁（２３）および蛍光体層（２５）を有して成る。基板Ｂ（２０）は、透明で絶縁性を有する基板（厚さは例えば約１．０ｍｍ以上かつ約３ｍｍ以下）であることが好ましく、例えば、フロート法などで製造されたフロートガラス基板を挙げることができる他、ソーダライムガラス基板、ホウケイ酸塩ガラス基板または各種セラミック基板などを挙げることができる。電極Ｂ（２１）は、基板Ｂ（２０）上にストライプ状に複数形成される銀を主成分とした電極（厚さは例えば約１μｍ以上かつ約１０μｍ以下）であり、例えば、アドレス電極（またはデータ電極）である。アドレス電極は、各放電セルを選択的に放電させる機能を主に有している。
【００３１】
誘電体層Ｂ（２２）は、下地誘電体層と一般に呼ばれるものであり、基板Ｂ（２０）の表面に形成された電極Ｂ（２１）を覆うように設けられている。かかる誘電体層Ｂ（２２）は、主としてガラス成分およびビヒクル成分（＝バインダ樹脂および有機溶剤などを含んだ成分）から成る誘電体原料ペーストを塗布および熱処理して得られるガラス組成から成る膜である。誘電体層Ｂ（２２）の厚さは、例えば約５μｍ以上かつ約５０μｍ以下である。誘電体層Ｂ（２２）の上には、蛍光体材料を主成分とした蛍光体層（２５）が形成されている（厚さは例えば約５μｍ以上かつ約２０μｍ以下程度）。蛍光体層（２５）は、放電によって放射された紫外線を可視光線に変換する機能を主に有している。かかる蛍光体層（２５）は、赤色、緑色および青色を発する蛍光体層を構成単位としており、それぞれが隔壁（２３）で区切られている。隔壁（２３）は、放電空間をアドレス電極（２１）毎に区画する目的で、ストライプ状または井桁状に誘電体層Ｂ（２２）上に形成されている。
【００３２】
本発明のＰＤＰ（１００）では、前面板（１）の表示電極（１１）と背面板（２）のアドレス電極（２１）とが直交するように、前面板（１）と背面板（２）とが放電空間（３０）を挟んで対向して配置されている。このようなＰＤＰ（１００）では、隔壁（２３）によって仕切られ、アドレス電極（２１）と表示電極（１１）とが交差する放電空間（３０）が放電セル（３２）として機能することになる。換言すれば、マトリクス状に配列されている放電セルが画像表示領域を構成している。従って、外部駆動回路から表示電極（１１）に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電ガスを放電させ、かかる放電によって生じる紫外線によって、各色の蛍光体層を励起させて赤色、緑色および青色の可視光を発生させると、カラー画像表示が実現される。
【００３３】
［ＰＤＰの一般的な製造方法］
次に、ＰＤＰの一般的な製造方法について簡潔に説明する。特に言及しない限り、本発明に係るＰＤＰは、原則、一般的なＰＤＰ製造法に基づいて得ることができる。また、特に言及しない限り、各種構成部材の原材料（原料ペースト）／構成材料なども一般的なＰＤＰ製造法で常套的に用いられているものであってよい。
【００３４】
まず、ガラス基板である基板Ａ（１０）上に、電極Ａとして走査電極（１２）と維持電極（１３）とから構成される表示電極（１１）を形成する。走査電極（１２）および維持電極（１３）のそれぞれの透明電極（１２ａ、１３ａ）とバス電極（１２ｂ、１３ｂ）とは、露光・現像するフォトリソグラフィ法などを用いてパターニングできる。透明電極（１２ａ、１３ａ）は薄膜プロセスなどを用いて形成でき、バス電極（１２ｂ、１３ｂ）は銀（Ａｇ）材料を含むペーストを乾燥（１００〜２００℃程度）および焼成（４００〜６００℃程度）に付すことによって形成できる。また、電極Ａの形成に際して、遮光層（１４）も形成してよく、黒色顔料を含んだ原料ペーストをスクリーン印刷する方法や黒色顔料を含んだ原料をガラス基板の全面に設けた後、露光・現像するフォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、焼成することによって形成できる。次いで、走査電極（１２）、維持電極（１３）および遮光層（１４）を覆うように基板Ａ（１０）上に、ガラス成分（ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３などから形成される材料）とビヒクル成分とを主成分とした誘電体原料ペーストをダイコート法または印刷法などにより塗布して誘電体ペースト層を形成する。塗布した後、所定の時間放置すると塗布された誘電体ペーストの表面がレベリングされて平坦な表面になる。その後、誘電体ペースト層を焼成すると誘電体層Ａ（１５）が形成される。誘電体層Ａ（１５）を形成した後、かかる誘電体層Ａ（１５）上に保護膜（１６）を形成する。保護膜（１６）は、一般的には、真空蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法などを用いて形成できる。
【００３５】
以上の工程により、基板Ａ（１０）上に所定の構成部材である電極Ａ（走査電極（１２）および維持電極（１３））、誘電体層Ａ（１５）および保護層（１６）が形成され、前面板（１）が完成する。
【００３６】
一方、背面板（２）は次のようにして形成する。まず、ガラス基板である基板Ｂ（２０）上に、電極Ｂとしてアドレス電極（２１）を形成する。具体的には、銀（Ａｇ）材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、銀を主成分とした金属膜を全面に形成した後、露光・現像するフォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などによって前駆体層を形成し、それを所望の温度（例えば約４００〜約６００℃）で焼成することによりアドレス電極（２１）を形成する。この「アドレス電極」は、クロム／銅／クロムの３層薄膜上にフォトレジストを塗布したものをフォトリソグラフィ及びウェットエッチングによりパターニングして形成してもよい。次いで、アドレス電極（２１）が形成された基板Ｂ（２０）上に、下地誘電体層となる誘電体層Ｂ（２２）を形成する。まず、「ガラス成分（ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３などから形成される材料）およびビヒクル成分などを主成分とした誘電体原料ペースト」をダイコート法などにより塗布して誘電体ペースト層を形成する。そして、かかる誘電体ペースト層を焼成することで誘電体層Ｂ（２２）を形成できる。次いで、隔壁（２３）を形成する。まず、誘電体層Ｂ（２２）上に誘電体原料ペーストを塗布して所定の形状にパターニングすることにより、隔壁材料層を形成し、その後、それを焼成に付して隔壁（２３）を形成する。例えば、低融点ガラス材料、ビヒクル成分およびフィラー等を主成分とした原料ペーストをダイコート法または印刷法によって塗布して約１００℃〜２００℃の乾燥に付した後、露光・現像するフォトリソグラフィ法でパターニングし、次いで、約４００℃〜約６００℃の焼成に付すことによって隔壁（２３）を形成する。隔壁（２３）の形成に引き続いて、蛍光体層（２５）を形成する。隣接する隔壁（２３）間の誘電体層Ｂ（２２）上および隔壁（２３）の側面に蛍光体材料を含む蛍光体原料ペーストを塗布し、焼成することによって蛍光体層（２５）を形成する。より具体的には、蛍光体粉末およびビヒクル成分等を主成分とした原料ペーストをダイコート法、印刷法、ディスペンス法またはインクジェット法などによって塗布し、次いで、約１００℃の乾燥に付すことによって蛍光体層（２５）を形成する。
【００３７】
以上の工程により、基板Ｂ（２０）上に、所定の構成部材たる電極Ｂ（アドレス電極（２１））、誘電体層Ｂ（２２）、隔壁（２３）および蛍光体層（２５）が形成され、背面板（２）が完成する。
【００３８】
このようにして所定の構成部材を備えた前面板（１）と背面板（２）とは、表示電極（１１）とアドレス電極（２１）とが直交するように対向配置させる。次いで、前面板（１）と背面板（２）の周囲をガラスフリットで封着すると共に、形成される放電空間（３０）に放電ガス（ヘリウム、ネオンまたはキセノンなど）を封入することによってＰＤＰ（１００）が完成する。
【００３９】
［本発明の製造方法］
本発明の方法は、ＰＤＰ製造において、特に前面板側の保護層形成に特徴を有している。かかる保護層形成においては、原料が塗布されることになる誘電体層面を鉛直方向下向きにした状態で２種類の保護層原料を同時塗布することを特徴としている（図１参照）。即ち、２種類の保護層原料を“背面積層塗布”ないしは“裏面積層塗布”している。
【００４０】
前面板の製作を図４（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。前面板の製作に際しては、まず、「電極が形成された基板」を用意する。「電極が形成された基板」とは、「前面板側の電極Ａが形成された基板Ａ」のことを意味しており、より具体的には図４（ａ）に示すように「表示電極（１１）が形成されたガラス基板（１０）」のことを意味している。つまり、ガラス基板（１０）上に、走査電極（１２）と維持電極（１３）とから構成される表示電極（１１）が形成されたものを用意する。基板（１０）は、ソーダライムガラスや高歪み点ガラス、各種セラミックスからなる絶縁基板であることが好ましく、厚さは１．０ｍｍ〜３ｍｍ程度であることが好ましい。走査電極（１２）および維持電極（１３）には、それぞれ、厚さ５０〜５００ｎｍ程度のＩＴＯ等から成る透明電極（１２ａ、１３ａ）が形成されていると共に、表示電極の抵抗値を下げるべく透明電極上に、銀を含んで成る厚さ１〜２０μｍ程度のバス電極（１２ｂ、１３ｂ）が形成されている。具体的には、透明電極を薄膜プロセスなどで形成した後に、バス電極を焼成プロセスなどを経て形成する。特に、バス電極の形成に際しては、まず、銀を主成分とした導電性ペーストをスクリーン印刷法によりストライプ状に形成する。また、バス電極は銀を主成分とした感光性ペーストをダイコート法や印刷法により塗布した後に、１００℃〜２００℃で乾燥した後、露光・現像するフォトリソグラフィー法によりパターンニングすることによってストライプ状に形成してもよい。別法にてディスペンス法やインクジェット法を用いてもよい。最終的には、乾燥に付した後、４００℃〜６００℃の焼成に付すことによって、バス電極を得ることができる。尚、透明電極上には、Ａｌ、ＣｕまたはＣｒ等の金属やＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒのような積層体からなる金属電極を形成してもよい。
【００４１】
表示電極（１１）の形成に引き続いて、図４（ｂ）に示すように誘電体層（１５）を形成する。誘電体層（１５）は、ＰＤＰ前面板の一般的な製造で用いられる焼成法またはゾルゲル法などを用いて得ることができる。例えば、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３などを含むガラス粉末と有機溶剤とバインダ樹脂とを混合して成る誘電体原料ペーストをスクリーン印刷法で塗布し、その後、熱処理に付すことによって誘電体層を形成することができる。誘電体層（１５）の厚さは、好ましくは５μｍ〜３０μｍ程度であり、より好ましくは１０μｍ〜２０μｍ程度である。尚、有機溶剤としてはアルコール類（例えばイソプロピルアルコール）やケトン類（例えばメチルイソブチルケトン）を挙げることができ、バインダ樹脂としては、セルロース系樹脂またはアクリル系樹脂などを挙げることができる。
【００４２】
誘電体層（１５）の形成に引き続いて、保護層（１６）を形成する。従って、まず、本発明の製造方法の工程（ｉ）を実施する。具体的には「第１ＭｇＯ粒子および第１溶剤を含んで成る第１保護層原料」ならびに「第２ＭｇＯ粒子および第２溶剤を含んで成る第２保護層原料」を用意する。
【００４３】
第１保護層原料は、“第１ＭｇＯ粒子としてのＭｇＯ粒子粉体”と“第１溶剤としての有機溶剤”とを相互に混合することによって調製することができる。第１ＭｇＯ粒子は、好ましくはＭｇＯ結晶粉体（ＭｇＯ微結晶粉体）であり、より好ましくはＭｇＯ単結晶粉体である。かかる第１ＭｇＯ粒子の粒径は、第２保護層原料の第２ＭｇＯ粒子のサイズよりも小さくなっており、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは約５ｎｍ〜５０ｎｍ程度、更に好ましくは約１５ｎｍ〜５０ｎｍ程度である。そして、第１保護層原料の第１ＭｇＯ粒子の含有量は、第２保護層原料の第２ＭｇＯ粒子の含有量よりも多いことが好ましく、例えば好ましくは６〜２０重量％程度（第１保護層原料の全重量基準）であり、より好ましくは８〜１５重量％程度（第１保護層原料の全重量基準）である。第１溶剤として用いる有機溶剤としては、３-メトキシ-３-メチル-１-ブタノール、ｎ−ヘプチルアルコール、２−エトキシエタノール、２−メトキシエタノール、ｎ−ヘキシルアルコールまたは２−メチル−１−プロパノール等の有機溶剤を挙げることができる他、α−テルピネオール、プロピレングリコール、２−オクタノール、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテルまたはグリセリン等の有機溶剤も挙げることができる。ここで、第１溶剤として用いる有機溶剤は、その蒸気圧が第２保護層原料の第２溶剤の蒸気圧よりも高いことが好ましい（一例として、例えば３−メトキシ−３−メチル−１ブタノールを第１溶剤として用いることができる）。第１保護層原料中の第１溶剤の含有量は、好ましくは８０〜９５重量％程度（第１保護層原料の全重量基準）、より好ましくは８５〜９５重量％程度（第１保護層原料の全重量基準）である。尚、第１溶剤の有機溶剤としては、上述で例示したような有機溶剤から選ばれる少なくとも２種類以上の溶剤を組み合わせた混合物を用いてもよい。
【００４４】
第２保護層原料は、“第２ＭｇＯ粒子としてのＭｇＯ粒子粉体”と“第２溶剤としての有機溶剤”とを相互に混合することによって調製することができる。第２ＭｇＯ粒子は、好ましくはＭｇＯ結晶粉体（ＭｇＯ微結晶粉体）であり、より好ましくはＭｇＯ単結晶粉体である。かかる第２ＭｇＯ粒子の粒径は、第１保護層原料の第１ＭｇＯ粒子よりも大きくなっており、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは約１μｍ〜２０μｍ程度、更に好ましくは約１μｍ〜５μｍ程度である。そして、第２保護層原料の第２ＭｇＯ粒子の含有量は、第１保護層原料の第１ＭｇＯ粒子の含有量よりも小さいことが好ましく、例えば好ましくは０．３〜８重量％程度（第２保護層原料の全重量基準）であり、より好ましくは０．３〜２重量％程度（第２保護層原料の全重量基準）である。第２溶剤として用いる有機溶剤としては、Ｐ−メンタ−１−エン−８−オール、３-メトキシ-３-メチル-１-ブタノール、ｎ−ヘプチルアルコール、２−エトキシエタノール、２−メトキシエタノール、ｎ−ヘキシルアルコールまたは２−メチル−１−プロパノール等の有機溶剤を挙げることができる他、α−テルピネオール、プロピレングリコール、２−オクタノール、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテルまたはグリセリン等の有機溶剤も挙げることができる。ここで、第２溶剤として用いる有機溶剤は、その蒸気圧が第１保護層原料の第１溶剤の蒸気圧よりも低いことが好ましい（一例としては、例えばＰ−メンタ−１−エン−８−オールを第２溶剤として用いることができる）。第２保護層原料中の第２溶剤の含有量は、好ましくは９２〜９９．７重量％（第２保護層原料の全重量基準）、より好ましくは９８〜９９．７重量％（第２保護層原料の全重量基準）である。尚、第２溶剤の有機溶剤としては、上述で例示したような有機溶剤から選ばれる少なくとも２種類以上の溶剤を組み合わせた混合物を用いてもよい。
【００４５】
特に本発明においては、第１保護層原料および第２保護層原料の溶剤として、成分が異なるものを選択してよく、蒸気圧や粘度が相互に異なるものを選択してよい。つまり、第１保護層原料および第２保護層原料の有機溶剤として、相互に可溶性を呈するものの、粘度、飽和蒸気圧（沸点）が異なるものを用いてよい。
【００４６】
例えば、保護層原料の蒸気圧についていえば、上述したように、第２保護層原料の第２溶剤の蒸気圧が第１保護層原料の第１溶剤の蒸気圧よりも低くなっていることが好ましい。換言すれば、第１保護層原料の第１溶剤の蒸気圧が第２保護層原料の第２溶剤の蒸気圧よりも高くなっていることが好ましい。これによって、後述する“２段階の真空乾燥”を好適に実施することができる。例えば、第１保護層原料と第２保護層原料との間では２桁程度の差で蒸気圧値が異なることが好ましく、より具体的には第１保護層原料の第１溶剤の蒸気圧が第２保護層原料の第２溶剤の蒸気圧よりも１０倍〜１００倍程度高くなっていることが好ましい。
【００４７】
ここで、本発明においては、“第１保護層原料に含まれる第１ＭｇＯ粒子のサイズ”が“第２保護層原料に含まれる第２ＭｇＯ粒子のサイズ”よりも小さくなっている。一般に粒子は液体内で重力の影響を受け、浮力よりも重力が勝る場合では、液体内でも沈降現象が生じる。沈降速度に関し、一般的に知られているストークスの式は以下の通りである。
（式１）
2011258441.tif 000003
上記式１から分かるように、液体内の粒子の沈降速度は一般に粒子半径の二乗に比例することになる。つまり、粒径が大きいほど液体中で沈降速度が大きくなる。この点、本発明においては第２ＭｇＯ粒子の方が第１ＭｇＯ粒子よりもサイズ（粒径）が大きくなっているので、第２保護層原料中の第２ＭｇＯ粒子の沈降速度は、第１保護層原料中の第１ＭｇＯ粒子の沈降速度よりも速くなる。実際、本発明で用いる保護層原料についての実験結果をプロットすると２次曲線上にあり、式１で示された一般的な沈降速度と粒子径との関係が成り立つことを把握している（図５参照）。具体的には、第１ＭｇＯ粒子（小粒子）の直径を５０ｎｍ以下、第２ＭｇＯ粒子（大粒子）の直径を約１μｍ以上とした場合では、溶媒が同じであると式１から沈降速度が４００倍も異なる結果が予想される。特に小粒子レベルの場合では、粒子間のファンデルワールス力などの影響でほとんどが沈むことがないので、沈降速度の差がさらに広がることが予想される。実際に低粘度原料において沈降速度を測定した結果においては、１μｍ以上のＭｇＯ大粒子の場合は約１μ/s、５０ｎｍ以下のＭｇＯ小粒子の場合は測定不能であった。それゆえ、従来技術において保護層原料層の各厚みを１０μｍとした場合を想定すると、かかる塗布薄膜内では、上層に存在する大粒子のＭｇＯ粒子は、上層と下層の境界部まで１０秒程度で沈降し、その後、下層内へそのまま溶け込むか、あるいは、乾燥時にて下層に入り込むなどの現象を起こす可能性があるものと考えられる。
【００４８】
この点、本発明では、最終的には上層を成す層（＝第２保護層）に大粒子の第２ＭｇＯ粒子が含まれているといえども、後述するように第１保護層原料層と第２保護層原料層とを背面積層状態にしているので（図１参照）、第２保護層原料層の第２ＭｇＯ粒子（大粒子）が第１保護層原料層内に入り込むことが防止されている。むしろ背面積層状態では第２保護層原料層の第２ＭｇＯ粒子が鉛直方向下向きに沈降しようとする力が働き、第１保護層原料層から離れる方向に移動し得るので、大粒子の第２ＭｇＯ粒子と小粒子の第１ＭｇＯ粒子とが好適に棲み分けされることになる。
【００４９】
ちなみに、本発明でいう『第２保護層原料中の第２ＭｇＯ粒子の沈降速度Ｖ２は、第１保護層原料中の第１ＭｇＯ粒子の沈降速度Ｖ１よりも速くなっている』につき具体例を挙げれば、例えばＶ２がＶ１よりも２〜４５０倍程度（例えば４００倍程度）大きくなっている。
【００５０】
本発明の製造方法の工程（ｉ）に引き続いて工程（ｉｉ）を実施する。即ち、基板Ａ上に形成された誘電体層Ａ上に対して第１保護層原料と第２保護層原料とを同時に塗布する。本発明では、かかる同時塗布によって「第１保護層原料から成る第１保護層原料層」と「第２保護層原料から成る第２保護層原料層」との２層構造の保護層原料層を形成する。
【００５１】
特に本発明においては、第１保護層原料と第２保護層原料とを背面積層状態で同時に塗布する。より具体的には、図４（ｃ）および図６に示すように、塗布されることになる誘電体層Ａ（１５）の面を鉛直方向下向きにした状態で、第１保護層原料（４０）および第２保護層原料（５０）を同時に塗布する。これによって、誘電体層Ａ（１５）と接するように第１保護層原料層（４０Ａ）を形成すると共に、その第１保護層原料層（４０Ａ）の上に第２保護層原料層（５０Ａ）を形成する（図４（ｄ）参照）。
【００５２】
保護層原料の塗布にはスリットダイを用いることが好ましい。特に本発明では“積層塗布”が行えるように２つのスリット部を備えたスリットダイ（７０）を用いることが好ましい（図１および図６参照）。特に図１に示すように、用いるスリットダイ（７０）は、３分割されており、原料吐出部となる２つのスリット部（７１および７２）を備えている。これにより、第１保護層原料および第２保護層原料の同時塗布が可能となる。好ましくはスリット厚み（ｔ１，ｔ２）は数１０〜数１００μｍ程度である。スリットダイ（７０）の形状及び分割部の形や数などは、記載されたものに限定されるものでなく、３分割のうち中央部の部分の先端を鋭角にしたタイプなど、様々な形状や数が考えられる。また、これらの分割部の取り付け高さを変えるなどして、リップ間の位置を適宜変更してもよい。いずれのタイプのスリットダイであっても、本発明においては、塗布面を下向き（即ち“鉛直方向下側”）にするので、図６に示すようにスリット部（７１，７２）が上側（即ち“鉛直方向上側”）に向くようにスリットダイを設置することになる。
【００５３】
スリットダイ（７０）への原料供給は、チューブポンプやシリンジポンプなどのポンプを用いて行ってよい。また、第１保護層原料および第２保護層原料は粒子を含んでいるので、粒子沈降を抑えるべく、スリットダイ（７０）の周辺回路としてポンプなどを備えた循環機構を設けてもよい。
【００５４】
上述のようなスリットダイを用いて積層塗布を好適に実施するには、第１保護層原料および第２保護層原料が１５ｍＰａ・ｓ以下程度の粘度を有していることが好ましい。より具体的にいえば、スリットダイを用いた背面積層塗布が好適に行われるように、第１保護層原料および第２保護層原料の粘度は、好ましくは３ｍＰａ・ｓ以上かつ１５ｍＰａ・ｓ以下であり、より好ましくは４ｍＰａ・ｓ以上かつ１０ｍＰａ・ｓ以下となっている。尚、第１保護層原料および第２保護層原料は一般に非ニュートン性流体となり得るので、本明細書で用いる粘度は「ずり速度１００ｓ−１および温度２５℃における粘度」を実質的に意味している。
【００５５】
第１保護層原料および第２保護層原料の同時塗布に際しては、図６に示すように、「電極（１１）および誘電体層（１５）が形成された基板（１０）」が塗布面を下側（地面側）に向けて設置されることになる。図示する態様では、塗布される基板（１０）がガラスパネルのような枚葉仕様で表されているものの、塗布面が常に地面側を向くことが可能であれば、ロール・ツー・ロール方式などを採用してもよい。ロール・ツー・ロール方式を採用する場合であっても、本発明では塗布面を下向き（即ち“鉛直方向下側”）にするので、スリットダイはそのスリット部が上側（即ち“鉛直方向上側”）に向くように設置される。
【００５６】
背面積層塗布により形成される第１保護層原料層（４０Ａ）の厚さ（Ｗｅｔ膜厚）は、好ましくは３μｍ〜１５μｍ程度である。一方、背面積層塗布により形成される第２保護層原料層（５０Ａ）の厚さ（Ｗｅｔ膜厚）は、好ましくは３μｍ〜２０μｍ程度である（図４（ｄ）参照）。
【００５７】
第１および第２の保護層原料層が形成されると、次に、本発明の製造方法の工程（ｉｉｉ）を実施する。具体的には、図４（ｄ）に示される２層構造の保護層原料層（６０）を乾燥に付す。即ち、第１保護層原料層を乾燥に付すことにより第１保護層（即ち、第１ＭｇＯ粒子層）を得ると共に、第２保護層原料層を乾燥に付することにより第２保護層（即ち、第２ＭｇＯ粒子層）を得る。ここでいう「乾燥」とは、原料層に含まれている溶剤（より具体的にいえば第１溶剤および第２溶剤）を気化させて原料層から除去することを実質的に意味している。例えば、保護層原料層を７〜１Ｐａ、好ましくは７〜０．１Ｐａの減圧下または真空下に置いてもよく、あるいは、大気圧下で１００〜４００℃程度の熱処理に付してもよい。必要に応じて「減圧下または真空下」と「熱処理」とを組み合わせてもよい。乾燥後に得られる保護層全体の厚さは、溶剤が抜けることに起因して、原料層の厚さよりも減じられ、全体で０．２〜５μｍ程度となり得る。
【００５８】
特に本発明においては、工程（ｉｉ）で形成された２層構造の保護層原料層の向きをそのまま維持して真空乾燥を行うことが好ましい。つまり、工程（ｉｉｉ）においては、誘電体層Ａに対して保護層原料層の方が鉛直方向に下側に位置する状態で２層構造の保護層原料層を真空乾燥に付すことが好ましい。これにより、乾燥処理に際して「第２保護層原料層（５０Ａ）に含まれる大粒子の第２ＭｇＯ粒子」と「第１保護層原料層（４０Ａ）に含まれる小粒子の第１ＭｇＯ粒子」とが好適に棲み分けされた状態が維持される。
【００５９】
真空乾燥を行う場合、図７に示すような装置（８０）を用いることができる。かかる真空乾燥装置（８０）は、真空チャンバー（８１）、圧力調整機能を備えたコンダクタンスバルブ（８２）、ポンプ（８３）および真空計（８４）を有して成る。塗布される基板は、吊り下げ機構（図示せず）によって塗布面を地面側へ向けた状態で設置することができる。図７には示してしないものの、基板交換用に搬送用ロボット（図示せず）が設置されていてもよい。
【００６０】
真空乾燥装置（８０）では、真空チャンバー（８１）内に「電極、誘電体層および保護層原料層（６０）を備えた基板（１０）」が設置される。例えばロボットなどを用いてかかる基板（１０）を塗布面が地面側にした状態のままで真空チャンバー（８０）へと搬送する。塗布されることになる基板（１０）が真空チャンバー（８０）内に設置されると、ポンプ（８３）を用いて真空排気を開始する。真空排気では、急激な減圧により保護層原料層（６０）内から突沸が起こらないように排気初期時の排気速度変化を真空計（８４）の値を見ながらコンダクタンスバルブ（８２）を用いて制御することが好ましい。例えば、チャンバー・サイズ及び排気能力に依存し得るが、１０００Ｐａ以下の真空度に至るまでに３０秒程度の時間を要するように制御すると、突沸をより好適に抑制することができる。ちなみに、保護層原料層の完全乾燥として必要な１Ｐａ以下の到達圧力や排気能力が不足する場合では、ターボポンプなどの超高真空対応ポンプをポンプ（８３）の前段に追加してもよい。その場合、同様に、一度に高真空まで到達しないようにコンダクタンスバルブ（８２）の制御やターボポンプの排気スタートのタイミングを調整することが好ましい。
【００６１】
本発明においては、突沸をより好適に防止すべく保護層原料層を２段階で真空乾燥に付すことが好ましい。具体的には、第１真空乾燥と第２真空乾燥との２段階の真空乾燥を実施することが好ましい。例えば、第１真空乾燥では、第１減圧下において第１保護層原料層を乾燥させ、第２真空乾燥では、その第１減圧から更に減圧した第２減圧下において第２保護層原料層を乾燥させる。これにより、第１保護層原料層（４０Ａ）と第２保護層原料層（５０Ａ）とが時間をずらして個々に乾燥されることになり、「第２保護層原料層（５０Ａ）に含まれる第２ＭｇＯ大粒子」と「第１保護層原料層（４０Ａ）に含まれる第１ＭｇＯ小粒子」とがより好適に棲み分けされることになる。
【００６２】
図８は、真空排気を実施した際の乾燥曲線であって、真空チャンバー（８１）内の真空度を排気開始からの時間軸でグラフ化した乾燥曲線である。保護層原料層は、真空チャンバー中が真空排気されることにより、液体状態から気化し、蒸発、つまり乾燥を始める。一般的に低粘度原料層（低粘度原料）と高粘度原料層（高粘度原料）との蒸気圧を比べた場合、低粘度原料層の蒸気圧＞高粘度原料層の蒸気圧となり、高粘度原料層ほど乾燥しにくい。低粘度原料層と高粘度原料層との積層物が設けられた閉空間に対して真空引きを行う場合では、図８に示すような２つこぶの真空度曲線が得られるように実施することが好ましい。つまり、真空引きを開始すると、まず低粘度原料の蒸気圧あたりで圧力が一旦上昇するので、そのあたりで真空引きの程度を減じて低粘度原料層の乾燥を促進させる。低粘度原料層の乾燥が終了すると、高粘度原料層の気化する真空度にまで真空引きを更に進めて高粘度原料層の乾燥を開始させる。高粘度原料層の乾燥が開始すると（高粘度原料の蒸気圧付近で真空度の上昇が見られる）、同様に真空引きの程度を減じて高粘度原料層の乾燥を促進させる。このようにすると、低粘度原料と高粘度原料層との積層物を２段階で真空乾燥することができる。
【００６３】
本発明では、第１保護層原料層を低粘度層として形成し、第２保護層原料層を高粘度層として形成することが好ましい。そのためには、第１保護層原料の粘度が例えば３０ｍＰａ・ｓ〜１００ｍＰａ・ｓ程度であって、一方、第２保護層原料の粘度が例えば３ｍＰａ・ｓ〜１０ｍＰａ・ｓ程度であることが好ましい。このような第１保護層原料層および第２保護層原料層を図７に示される真空乾燥装置（８０）を用いて２段階で真空乾燥する態様を説明する。まず、コンダクタンスバルブ（８２）の開度が小さい状態で真空チャンバー（８１）をポンプ（８３）にて真空排気を開始し、数１００Ｐａ程度の真空領域において蒸気圧の高い第１保護層原料層の乾燥を開始させる。その後、コンダクタンスバルブ（８２）の開度を大きくし、数Ｐａ程度の高真空領域まで真空排気し、蒸気圧の低い第２保護層原料層を乾燥させる。コンダクタンスバルブ（８２）を調整せず、一度に高真空領域まで真空排気してしまうと、２種類の保護層原料層の乾燥が同時に起こる可能性があり、第１と第２との積層膜内で混ざり合いなどの不具合が発生してしまうので、排気速度の調整は慎重に実施することが好ましい。この圧力制御を効果ある範囲で適切に実施するには、上述したように、第１保護層原料と第２保護層原料との間で２桁程度の蒸気圧差があることが望ましい。このようにして、２段階で真空乾燥すると、基板に近い側の第１保護層としてＭｇＯ小粒子層、遠い側の第２保護層としてＭｇＯ大粒子層が好適に形成される。
【００６４】
以上の工程（ｉ）〜（ｉｉｉ）を経ることによって、「第１保護層原料層から形成された第１ＭｇＯ粒子層」と「第２保護層原料層から形成された第２ＭｇＯ粒子層」とから成る２層構造の保護層が得られることになり、最終的に前面板が完成する。特に本発明では、基板に近い側の１層目には小粒子の第１ＭｇＯ粒子の膜が形成され、その表面に２層目として大粒子の第２ＭｇＯ粒子がちりばめられた状態となった保護層が得られる。
【実施例】
【００６５】
以下では、本発明に関連して行った実験内容と実施操作について説明する。尚、以下の説明では、保護層原料のことを便宜上「インク」と称している。
（表１）
2011258441.tif 000004
【００６６】
表１の上段に記載している４つの実験（実験１−１、２−１、３−１および４−１）は、図１１に示す従来技術の方法を用いたものであり、インク４０’、インク５０’の成分を変えて行ったものである。一方、下段に記載している４つの実験（実験１−２、２−２、３−２および４−２）は、図１に示す本発明の塗布乾燥方法を用いて実験した結果であり、同様にインク４０、インク５０の成分を変えて行ったものである。
【００６７】
インクの溶媒としては、以下の溶媒を用いた。
高粘度インク溶媒：Ｐ−メンタ−１−エン−８−オール  蒸気圧５Ｐａ（常温時）
低粘度インク溶媒：３−メトキシ−３−メチル−１ブタノール  蒸気圧２００Ｐａ（常温時）
【００６８】
インクに含まれる粒子としては、小粒子、大粒子共にＭｇＯ粒子を用い、各インク間で粒子径が異なるようにした。
【００６９】
上記表１では、実験１−２の条件が一番良い出来栄えと判断された。このような出来栄え評価は、乾燥後に大粒子が小粒子層からどれだけ頭を出しているかをＳＥＭにより観察することで行った（図９参照）。評価の判断基準にあたっては、『○』は大粒子の８割以上が小粒子層から飛び出ている場合であり（図９で示されている“飛び出し程度”である）、『◎』は大粒子の９割以上が小粒子層から飛び出ている場合である。逆に、『△』は、大粒子の半分未満しか小粒子層から飛び出していない場合、『×』は、大粒子が小粒子層から全く飛び出していない場合である。
【００７０】
本実施例に際して行った実験内容を経時的に説明する。まず、２種類のインクを、それぞれの押出しポンプによりスリットダイの内部へ押し込んだ。これにより、２つのスリットからスリットダイ内部へ押し込まれたインクが吐出されるのに合わせて、スリットダイ（又はパネル１０）を移動させて２層のインク層を形成した。本発明の実験では、各層の塗布膜厚を数１０〜数１００μｍとした為、塗布時に各層に供給されるインク量は４２インチパネルサイズを前記の厚みで塗布した場合、数ｍＬ〜数１０ｍＬとなる。塗布されたパネルでは２種類のインクが積層され、基板に近い側のインク層には小粒子が、遠い側のインク層には大粒子が含まれているものである。積層塗布されたパネル基板は、真空チャンバーへと塗布面を地面側にしたままで搬送した。そして、真空チャンバーへと移動させた後、ポンプを駆動させて真空排気を実施した。この時、急激な減圧により塗布膜内から突沸が起こらないように排気初期時の排気速度変化を真空計の値を見ながらコンダクタンスバルブを用いて制御した。チャンバー・サイズ及び排気能力にもよるが、１０００Ｐａ以下の真空度に至るまでに３０秒程度の時間をとる方が突沸抑制に効果的であることが今回の実験より分かった。
【００７１】
（結果の考察）
実験条件と出来栄え評価の結果とを鑑みると、各Ｒｕｎで起こっている現象としては以下のことが考えられる。
● まず従来例であるインク４０’およびインク５０’に同じ溶媒を用いた実験２−１や４−１の場合、下層のインク内の小粒子は粒子径が小さい為、インク内でほとんど沈降しない状況であるのに対し、上層のインク内の大粒子はその粒子径が大きい為に高速で沈降してしまい、塗布後、乾燥までの間に大粒子が、小粒子の存在する下層インクの中へ混ざり込んだものと考えられる。その結果、大粒子と小粒子との上下関係が逆転している部分が発生し、所望の特性が得られないという現象が起こったものと考えられる。
● また、従来例でインク４０’と５０’とでインクが異なる場合、塗布後、大粒子はインク内で沈降を始めてインク４０’とインク５０’との境界面まで移動する。この状態で真空乾燥を実施した場合、観察結果を見ると大粒子は、小粒子層の中に潜り込んでおり、これも問題である。
● 実験２−２や４−２の場合は、上記の実験２−１や４−１と同様に塗布後の乾燥時にインク５０の層より乾燥を開始するが、インクの乾燥時には、小粒子と大粒子とが同じ溶媒内に混合した形になってしまう為、最終の乾燥時には、大粒子層の表面に小粒子が存在する部分などが存在し、目的に積層構造になっていなかったと考えられる。低粘度インクを用いた２−２の方が４−２よりも結果が良いのは、乾燥時間が長く混合現象がより発生していたからであると考えられる。
● 実験１−２が一番良い出来栄えとなったが、これは、乾燥時にまず低粘度インク４０の乾燥を開始し、小粒子層をパネル表面に形成後、大粒子を含んだ高粘度インク５０の乾燥を行ったので、小粒子層の表面に大粒子の分散状態が好適に出来たからであると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明の製造方法によって得られるＰＤＰは、改質された保護層によって前面板誘電体層が好適に覆われたものであるので、一般家庭向けテレビジョンおよび商業用のディスプレイとして用いることができる他、その他の表示デバイスにも好適に用いることができる。
【００７３】
また、本発明の製造方法は、異なるサイズの粒子積層体を“同時塗布乾燥”により形成することができるので、ＰＤＰ製造のみならず、粒子層形成の制御が必要とされるＬＣＤ、有機ＥＬなどのディスプレイパネル及び、光学フルム、そして鋼板や布などの塗装工程などの用途にも適用することができる。
【符号の説明】
【００７４】
（本発明に関連した符号）
１    前面板
２    背面板
１０  前面板側の基板
１１  前面板側の電極（表示電極）
１２  走査電極
１２ａ  透明電極
１２ｂ  バス電極
１３  維持電極
１３ａ  透明電極
１３ｂ  バス電極
１４  ブラックストライプ（遮光層）
１５  前面板側の誘電体層
１６  保護層
２０  背面板側の基板
２１  背面板側の電極（アドレス電極）
２２  背面板側の誘電体層
２３  隔壁
２４  溝部
２５  蛍光体層
２６  隔壁上層
３０  放電空間
３２  放電セル
４０  第１保護層原料
４０Ａ  第１保護層原料層
４６  第１ＭｇＯ粒子（小粒子）
４８  第１溶剤
５０  第２保護層原料
５０Ａ  第２保護層原料層
５６  第２ＭｇＯ粒子（大粒子）
５８  第２溶剤
６０  ２層構造の保護層原料層
７０  スリットダイ
７１  第１スリット部
７２  第２スリット部
８０  真空乾燥装置
８１  真空チャンバー
８２  コンダクタンスバルブ
８３  ポンプ
８４  真空計
１００  ＰＤＰ
（従来技術・背景技術に関連した符号）
１０’  パネル
１６’  保護層
４０’  インク
４６’  ＭｇＯ小粒子
４８’  インク溶剤
５０’  インク
５６’  ＭｇＯ大粒子
５８’  インク溶剤
７０’  スリットダイ
７１’  第１スリット部
７２’  第２スリット部
１０１’  ＰＤＰ
１０２’  フロントパネル
１０３’ フロントパネルガラス
１０４’ 維持電極
１０６’ 表示電極対
１０７’ 誘電体層
１０８’ 保護層
１０９’ バックパネル
１１０’ バックパネルガラス
１１１’ データ電極
１１２’ 誘電体層
１１３’ 隔壁（リブ）
１１４’ 蛍光体層
１１５’ 放電空間
１２０’ 透明電極
１２１’ バスライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図９】
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