(57)【要約】【課題】長尺のシート状基板Ｓを真空処理室２を通して搬送し、シート状基板Ｓに所定の処理を施す真空処理装置における基板搬送装置であって、真空処理室２の上流側と下流側に夫々連設した上流側補助真空室３１や下流側補助真空室３２に繰出しローラや巻取りローラを収納せずに、且つ、真空処理室２を大気解放せずにシート状基板Ｓを搬送できるようにしたものを提供する。【解決手段】上流側補助真空室３１の入口部と、下流側補助真空室３２の出口部と、真空処理室の入口部及び出口部とに，夫々シート状基板Ｓを挟むようにして閉じる仕切り弁４を配置する。また、上流側補助真空室３１と下流側補助真空室３２とに、夫々所定長さ分のシート状基板Ｓを引き込み、引き込んだシート状基板を引き出し自在に保持する基板引き込み機構５１，５２を配置する。【選択図】図３
2011096709.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺のシート状基板を真空処理室を通して搬送し、この真空処理室でシート状基板に所定の処理を施す真空処理装置における基板搬送装置であって、
前記真空処理室の上流側に連設した上流側補助真空室と、
前記真空処理室の下流側に連設した下流側補助真空室と、
前記上流側補助真空室の入口部と、前記下流側補助真空室の出口部と、前記真空処理室の入口部及び出口部とに夫々配置した、シート状基板を挟むようにして閉じる仕切り弁と、
所定長さ分のシート状基板を引き込み、引き込んだシート状基板を引き出し自在に保持する基板引き込み機構とを備え、
前記上流側補助真空室と前記下流側補助真空室とに夫々前記基板引き込み機構が配置され、
前記上流側補助真空室の入口部の前記仕切り弁を開弁させた状態で、前記上流側補助真空室に配置した前記基板引き込み機構により、シート状基板を前記上流側補助真空室にその上流側の大気圧空間から引き込み、前記下流側補助真空室の出口部の前記仕切り弁を開弁させた状態で、シート状基板を前記下流側補助真空室に配置した前記基板引き込み機構から前記下流側補助真空室の下流側の大気圧空間に引き出すことを特徴とする真空処理装置における基板搬送装置。
【請求項２】
前記真空処理室内の入口部側と出口部側に、夫々前記基板引き込み機構が配置されることを特徴とする請求項１項記載の真空処理装置における基板搬送装置。
【請求項３】
前記上流側補助真空室と前記真空処理室との間に少なくとも１つの上流側バッファ室が介設されると共に、前記下流側補助真空室と前記真空処理室との間に少なくとも１つの下流側バッファ室が介設され、前記上流側バッファ室の入口部と前記下流側バッファ室の出口部とに、夫々シート状基板を挟むようにして閉じる仕切り弁が配置されることを特徴とする請求項１又は２項記載の真空処理装置における基板搬送装置。
【請求項４】
前記真空処理室を複数個備え、これら真空処理室間に、前記基板引き込み機構を配置した中間補助真空室が介設されることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項記載の真空処理装置における基板搬送装置。
【請求項５】
前記基板引き込み機構は、シート状基板の搬送方向に間隔を存して配置した一対のガイドローラと、両ガイドローラ間に配置した、シート状基板の搬送方向と直交する方向に移動自在な可動ローラとで構成されることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項記載の真空処理装置における基板搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、長尺のシート状基板を真空処理室を通して搬送し、この真空処理室でシート状基板に所定の処理を施す真空処理装置における基板搬送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の真空処理装置として、真空処理室の上流側と下流側に、夫々補助真空室を連設し、上流側補助真空室にシート状基板を巻回した繰出しローラを収納すると共に、下流側補助真空室に巻取りローラを収納し、繰出しローラから繰出されたシート状基板を
真空処理室を通して巻取りローラで巻取るようにしたものは知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記従来例では、繰出しローラが空になる度に繰出しローラ及び巻取りローラの交換が必要になる。この交換作業に際しては、新たな繰出しローラから引き出したシート状基板の先端を真空処理室を経由して新たな巻取りローラに巻き付けることが必要で、作業に時間がかかる。そして、補助真空室の大きさの制限から、繰出しローラに巻回できるシート状基板の長さにも制限があるため、繰出しローラ及び巻取りローラを頻繁に交換せざるを得なくなる。その結果、交換作業に要する時間が多大になり、生産性の向上を図ることが困難になっている。
【０００４】
尚、真空処理室の入口部及び出口部に、夫々シート状基板を挟むようにして閉じる仕切り弁を配置すると共に、上流側補助真空室と下流側補助真空室とを省略して、上流側と下流側の大気圧空間に繰出しローラと巻取りローラとを配置し、入口部と出口部の仕切り弁を開弁させた状態で繰出しローラから巻取りローラにシート状基板を所定長さ搬送し、搬送後に仕切り弁を閉弁して、真空処理室での処理を行うことも考えられる。
【０００５】
然し、この手法では、真空処理室が基板搬送時に大気解放されるため、仕切り弁の閉弁後に真空処理室を所要の真空度に減圧するのに時間がかかり、生産性を向上することはできない。また、仕切り弁を閉弁しても、シート状基板の側縁と仕切り弁との間に僅かではあるが隙間を生ずるため、真空処理室を所要の真空度まで減圧できないという問題もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−５７０２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、以上の点に鑑み、補助真空室に繰出しローラや巻取りローラを収納せずに、且つ、真空処理室を大気解放せずにシート状基板を搬送できるようにした真空処理装置における基板搬送装置を提供することをその課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、長尺のシート状基板を真空処理室を通して搬送し、この真空処理室でシート状基板に所定の処理を施す真空処理装置における基板搬送装置であって、前記真空処理室の上流側に連設した上流側補助真空室と、前記真空処理室の下流側に連設した下流側補助真空室と、前記上流側補助真空室の入口部と、前記下流側補助真空室の出口部と、前記真空処理室の入口部及び出口部とに夫々配置した、シート状基板を挟むようにして閉じる仕切り弁と、所定長さ分のシート状基板を引き込み、引き込んだシート状基板を引き出し自在に保持する基板引き込み機構とを備え、前記上流側補助真空室と前記下流側補助真空室とに夫々前記基板引き込み機構が配置され、前記上流側補助真空室の入口部の前記仕切り弁を開弁させた状態で、前記上流側補助真空室に配置した前記基板引き込み機構により、シート状基板を前記上流側補助真空室にその上流側の大気圧空間から引き込み、前記下流側補助真空室の出口部の前記仕切り弁を開弁させた状態で、シート状基板を前記下流側補助真空室に配置した前記基板引き込み機構から前記下流側補助真空室の下流側の大気圧空間に引き出すことを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、上流側補助真空室に配置した基板引き込み機構により、シート状基板を上流側補助真空室にその上流側の大気圧空間から引き込んだ後、真空処理室の入口部と出口部の仕切り弁を開弁させた状態で、下流側補助真空室に配置した基板引き込み機構により、シート状基板を上流側補助真空室に配置した基板引き込み機構から真空処理室に引き出しつつ真空処理室から下流側補助真空室に引き込むこと、即ち、シート状基板を上流側補助真空室から真空処理室を経由して下流側補助真空室に搬送することができる。この際、予め上流側補助真空室の入口部の仕切り弁を閉弁して、上流側補助真空室を減圧しておくことにより、真空処理室が大気解放されることを防止できる。また、下流側補助真空室の出口部の仕切り弁を開弁させた状態で、シート状基板を下流側補助真空室の下流側の大気圧空間に引き出す際、予め真空処理層の出口部の仕切り弁を閉弁させておくことにより、真空処理層が大気解放されることを防止できる。
【００１０】
このように、本発明によれば、真空処理室を大気解放せずシート状基板を搬送できるため、基板搬送後に、真空処理室を短時間で所要の真空度に減圧してシート状基板に処理を施すことができ、生産性が向上する。また、上流側と下流側の補助真空室に繰出しローラと巻取りローラを収納するものと異なり、これらローラの頻繁な交換作業が不要になる。更には、前工程からシート状基板をロール状に巻き取らずにそのまま真空処理装置に搬送したり、真空処理装置からシート状基板をロール状に巻き取らずにそのまま後工程に搬送したりすることもでき、生産性の大幅な向上を図ることができる。
【００１１】
また、本発明においては、真空処理室内の入口部側と出口部側に、夫々基板引き込み機構を配置することが望ましい。これによれば、真空処理室の入口部の仕切り弁を開弁させた状態で、入口部側の基板引き込み機構により、シート状基板を上流側補助真空室に配置した基板引き込み機構から真空処理室に引き込んだ後、入口部の仕切り弁を閉弁し、真空処理室を所要の真空度に減圧した状態で、出口部側の基板引き込み機構により真空処理室内でシート状基板を搬送しつつ、シート状基板に連続的に処理を施すことができ、生産性を一層向上できる。
【００１２】
尚、仕切り弁を閉弁しても、シート状基板の側縁と仕切り弁との間に僅かではあるが隙間を生ずるため、真空処理装置の上流側の大気圧空間に対し真空処理室を上流側補助真空室の入口部の仕切り弁と真空処理室の入口部の仕切り弁とで２重にシールすると共に、下流側の大気圧空間に対し真空処理室を下流側補助真空室の出口部の仕切り弁と真空処理室の出口部の仕切り弁とで２重にシールしても、真空処理室を所定の真空度以上に減圧することが困難になる。
【００１３】
ここで、上流側補助真空室と真空処理室との間に少なくとも１つの上流側バッファ室を介設すると共に、下流側補助真空室と真空処理室との間に少なくとも１つの下流側バッファ室を介設し、上流側バッファ室の入口部と下流側バッファ室の出口部とに、夫々シート状基板を挟むようにして閉じる仕切り弁を配置しておけば、真空処理室を大気圧空間に対して少なくとも３重にシールすることができ、真空処理室の要求真空度が高い場合にも対処できる。
【００１４】
尚、真空処理室を複数個備える場合は、これら真空処理室間に、前記基板引き込み機構を配置した中間補助真空室を介設してもよい。
【００１５】
また、基板引き込み機構としては種々のものが考えられるが、シート状基板の搬送方向に間隔を存して配置した一対のガイドローラと、両ガイドローラ間に配置した、シート状基板の搬送方向と直交する方向に移動自在な可動ローラとで基板引き込み機構を構成すれば、構造簡単で且つ作動が確実になり、有利である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態の基板搬送装置を示す模式的断面図。
【図２】図１の基板搬送装置の仕切り弁の部分の拡大断面図。
【図３】第１実施形態の基板搬送装置の動作を示す説明図。
【図４】第２実施形態の基板搬送装置を示す模式的断面図。
【図５】第２実施形態の基板搬送装置の動作を示す説明図。
【図６】第３実施形態の基板搬送装置を示す模式的断面図。
【図７】第４実施形態の基板搬送装置を示す模式的断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１を参照して、１は長尺のシート状基板Ｓに成膜処理を施す真空処理装置を示している。この真空処理装置１は、図外の真空ポンプで真空引きされる真空処理室２を備えている。真空処理室２には、シート状基板Ｓの搬送方向（図１の左右方向）に間隔を存して配置した一対のガイドローラ２１，２１と、両ガイドローラ２１，２１間に配置した、下側の半周面にシート状基板Ｓを巻回する冷却ローラ２２と、冷却ローラ２２の下方に配置したＰＶＤ方式の成膜ユニット２３とが収納されている。そして、成膜ユニット２３から蒸発やスパッタで発生する成膜材料から成る薄膜が冷却ローラ２２に巻回したシート状基板Ｓの部分に成膜されるようにしている。また、真空処理室２には、成膜ユニット２３を配置した真空処理室２の下部空間に対し上部空間を仕切る仕切り板２４が設けられている。
【００１８】
また、真空処理装置１は、真空処理室２の上流側（図１の左側）に連設した上流側補助真空室たる第１補助真空室３１と、真空処理室２の下流側（図１の右側）に連設した下流側補助真空室たる第２補助真空室３２とを備えている。これら補助真空室３１，３２は、真空処理室２と共通又は専用の真空ポンプで真空引きされる。
【００１９】
第１補助真空室３１の入口部と、真空処理室２の入口部及び出口部と、第２補助真空室３２の出口部とには、夫々シート状基板Ｓを挟むようにして閉じる仕切り弁４が配置されている。仕切り弁４は、図２に示す如く、上記入口部や上記出口部に設けた弁座４１と、弁座４１に接離自在な弁体４２とで構成されている。そして、シート状基板Ｓをガイドローラ４３で弁座４１に沿うように支持し、弁体４２の閉じ動作でシート状基板Ｓが弁座４１と弁体４２との間に挟み込まれるようにしている。また、弁座４１と弁体４２には、気密性を高めるためシール材４４が取り付けられている。尚、本実施形態では、弁体４２を軸４２ａを中心にして回動する回動式のものとしているが、直動式の弁体を用いることも可能である。
【００２０】
また、第１と第２の各補助真空室３１，３２には、所定長さ分のシート状基板Ｓを引き込み、引き込んだシート状基板Ｓを引き出し自在に保持する第１と第２の各基板引き込み機構５１，５２が配置されている。各基板引き込み機構５１，５２は、シート状基板Ｓの搬送方向に間隔を存して配置した一対のガイドローラ５１，５１と、両ガイドローラ５１，５１間に配置した、シート状基板Ｓの搬送方向と直交する上下方向に図示省略したシリンダ等のアクチュエータによって移動自在な可動ローラ５２とで構成されている。そして、可動ローラ５２を下動させることにより、シート状基板Ｓが両ガイドローラ５１，５１間に所定長さ引き込まれ、可動ローラ５２をフリーにすることにより、引き込んだシート状基板Ｓが引き出し自在になるようにしている。
【００２１】
ここで、シート状基板Ｓは、前工程Ｆから大気圧空間を通して真空処理装置１に搬送され、真空処理装置１から大気圧空間を通して後工程Ｒに搬送される。そして、真空処理装置１におけるシート状基板Ｓの搬送は、第１と第２の各基板引き込み機構５１，５２を作動することにより行われる。以下、真空処理装置１におけるシート状基板Ｓの搬送について、図３を参照して説明する。尚、図３において、開弁状態の仕切り弁４は白抜きで示している。
【００２２】
シート状基板Ｓの搬送に際しては、先ず、図３（ａ）に示す如く、第１補助真空室３１の入口部の仕切り弁４を開弁させた状態で、第１基板引き込み機構５１の可動ローラ５２を下動させる。これにより、所定長さ分のシート状基板Ｓが第１補助真空室３１にその上流側の大気圧空間から引き込まれる。その後、第１補助真空室３１の入口部の仕切り弁４を閉弁して、第１補助真空室３１を減圧する。
【００２３】
次に、図３（ｂ）に示す如く、真空処理室２の入口部及び出口部の仕切り弁４，４を開弁させた状態で、第２基板引き込み機構５２の可動ローラ５２を一定ストロークで間欠的に下動させ、シート状基板Ｓを第１基板引き込み機構５１から真空処理室２を介して第２補助真空室３２に一定長さずつ間欠的に搬送する。この際、冷却ローラ２２を第２基板引き込み機構５２によるシート状基板Ｓの引き込みに同期して回転させ、シート状基板Ｓに冷却ローラ２２と第２引き込み機構５２との間で過大な張力が作用しないようにする。そして、各間欠搬送後に、真空処理室２の入口部及び出口部の仕切り弁４，４を閉弁して、真空処理室２を所要の真空度まで減圧し、シート状基板Ｓに一定長さずつ成膜処理を施す。
【００２４】
次に、図３（ｃ）に示す如く、第２補助真空室３２の出口部の仕切り弁４を開弁させた状態で、後工程Ｒ側に設けた引き出し機構により、シート状基板Ｓを第２基板引き込み機構５２から第２補助真空室３２の下流側の大気圧空間に引き出す。その後、第２補助真空室３２の出口部の仕切り弁４を閉弁させて、第２補助真空室３２を減圧すると共に、図３（ａ）に示す如く、第１補助真空室３１にシート状基板Ｓを引き込む。以上の動作を繰り返して、成膜処理と基板搬送とを連続して行う。
【００２５】
ここで、本実施形態では、第２基板引き込み機構５２によりシート状基板Ｓを第１補助真空室３１から真空処理室２を経由して第２補助真空室３２に間欠搬送する際に、真空処理室２の入口部及び出口部の仕切り弁４，４を開弁させても、予め第１補助真空室３１の入口部の仕切り弁４及び第２補助真空室３２の出口部の仕切り弁４を閉弁して、第１と第２の両補助真空室３１，３２を減圧しておくことができるため、間歇搬送時に真空処理室２が大気解放されることはない。従って、間歇搬送後に、真空処理室２を短時間で所要の真空度に減圧して成膜処理を再開することができ、生産性が向上する。
【００２６】
また、前工程Ｆからシート状基板Ｓをロール状に巻き取らずにそのまま真空処理装置１に搬送したり、真空処理装置１からシート状基板Ｓをロール状に巻き取らずにそのまま後工程Ｒに搬送したりすることもでき、生産性の大幅な向上を図ることができる。
【００２７】
尚、真空処理装置１の上流側と下流側の大気圧空間に夫々繰出しローラと巻取りローラを設置して、繰出しローラからシート状基板Ｓを第１基板引き込み機構５１により引き込み、第２基板引き込み機構５２からシート状基板Ｓを巻取りローラにより引き出すことも可能である。この場合、従来例の如く補助真空室に繰出しローラを収納するものと異なり、繰出しローラの大きさが制限されず、繰出しローラに多大な長さのシート状基板Ｓを巻回しておくことができる。そのため、繰出しローラと巻取りローラの交換頻度は少なくて済み、生産性が向上する。
【００２８】
次に、図４に示す第２実施形態について説明する。第２実施形態の上記第１実施形態との相違点は、真空処理室２内に、入口部側と出口部側とに位置させて、一対の基板引き込み機構５ｉｎ，５ｏｕｔを配置したことである。これら各基板引き込み機構５ｉｎ，５ｏｕｔは、第１と第２の補助真空室３１，３２に配置した第１と第２の各基板引き込み機構５１，５２と同様に、一対のガイドローラ５１，５１と、両ガイドローラ５１，５１間に配置した可動ローラ５２とで構成されている。
【００２９】
第２実施形態では、先ず、図５（ａ）に示す如く、第１補助真空室３１の入口部の仕切り弁４を開弁させた状態で、第１基板引き込み機構５１の可動ローラ５２を下動させ、シート状基板Ｓを第１補助真空室３１にその上流側の大気圧空間から引き込んだ後、第１補助真空室３１の入口部の仕切り弁４を閉弁して、第１補助真空室３１を減圧する。次に、図５（ｂ）に示す如く、真空処理室２の入口部の仕切り弁４を開弁させた状態で、入口側基板引き込み機構５ｉｎの可動ローラ５２を下動させて、シート状基板Ｓを第１基板引き込み機構５１から真空処理室２に引き込む。
【００３０】
次に、真空処理室２の入口部の仕切り弁４を閉弁し、真空処理室２を所要の真空度に減圧して、成膜処理を開始する。そして、成膜処理中に、図５（ｃ）に示す如く、出口側基板引き込み機構５ｏｕｔの可動ローラ５２を一定ストロークで間欠的に下動させて、入口側基板引き込み機構５ｉｎから冷却ローラ２２を介して出口側基板引き込み機構５ｏｕｔにシート状基板Ｓを一定長さずつ間欠的に搬送し、シート状基板Ｓに一定長さずつ成膜処理を施す。
【００３１】
その後、図５（ｄ）に示す如く、真空処理室２の出口部の仕切り弁４を開弁させた状態で、第２基板引き込み機構５２の可動ローラ５２を下動させ、シート状基板Ｓを出口側基板引き込み機構５ｏｕｔから第２補助真空室３２に引き込む。次に、真空処理室２の出口部の仕切り弁４を閉弁した後、図５（ａ）に示す如く、第１補助真空室３１の入口部の仕切り弁４及び第２補助真空室３２の出口部の仕切り弁４を開弁させた状態で、第１基板引き込み機構５１により第１補助真空室３１にシート状基板Ｓを引き込むと共に、後工程Ｒ側に設けた引き出し機構により、シート状基板Ｓを第２基板引き込み機構５２から第２補助真空室７２の下流側に引き出す。以上の動作を繰り返して、成膜処理と基板搬送とを連続して行う。
【００３２】
ここで、上記第１実施形態においては、第１基板引き込み機構５１から第２基板引き込み機構５２にシート状基板Ｓを一定長さずつ間欠搬送するたびに真空処理室２の入口部及び出口部の仕切り弁４を開弁させる必要がある。そして、仕切り弁４の開弁により真空処理室２の真空度が若干ではあるが低下してしまうため、仕切り弁４の閉弁後に、真空処理室２が所要の真空度に減圧されるまで待ってから成膜処理を再開することが必要になる。これに対し、第２実施形態では、真空処理室２の入口部及び出口部の仕切り弁４を閉弁させたまま、真空処理室２内でシート状基板Ｓを間欠搬送することができる。そのため、間欠搬送後に直ちに成膜処理を再開することができ、生産性が向上する。
【００３３】
尚、第２実施形態では、出口側基板引き込み機構５ｏｕｔの可動ローラ５２を下降端位置まで一定速度で下動させ、シート状基板Ｓを入口側基板引き込み機構５ｉｎから出口側基板引き込み機構５ｏｕｔに連続搬送しながら成膜処理を施すこともできる。
【００３４】
次に、図６に示す第３実施形態について説明する。第３実施形態の上記第１実施形態との相違点は、第１補助真空室３１と真空処理室２との間に第１バッファ室６１を介設すると共に、第２補助真空室３２と真空処理室２との間に第２バッファ室６２を介設したことである。
【００３５】
第１と第２の各バッファ室６１，６２は、真空処理室２や第１と第２の各補助真空室３１，３２と共用の真空ポンプ或いは専用の真空ポンプにより真空引きされる。また、第１バッファ室６１の入口部と第２バッファ室６２の出口部には、夫々シート状基板Ｓを挟むようにして閉じる仕切り弁４が配置されている。
【００３６】
ここで、仕切り弁４を閉弁しても、シート状基板Ｓの側縁と仕切り弁４との間に僅かではあるが隙間を生ずる。そのため、第１実施形態の如く、真空処理装置１の上流側の大気圧空間に対し真空処理室２を第１補助真空室３１の入口部の仕切り弁４と真空処理室２の入口部の仕切り弁４とで２重にシールすると共に、真空処理装置１の下流側の大気圧空間に対し真空処理室２を第２補助真空室３２の出口部の仕切り弁４と真空処理室２の出口部の仕切り弁４とで２重にシールしても、真空処理室２を所定の真空度以上には減圧することが困難になる。
【００３７】
これに対し、第３実施形態によれば、真空処理装置１の上流側の大気圧空間に対し真空処理室２を第１補助真空室３１の入口部の仕切り弁４と第１バッファ室６１の入口部の仕切り弁４と真空処理室２の入口部の仕切り弁４とで３重にシールすることができる。同様に真空処理装置１の下流側の大気圧空間に対し真空処理室２を第２補助真空室３２の出口部の仕切り弁４と第２バッファ室６２の出口部の仕切り弁４と真空処理室２の出口部の仕切り弁４とで３重にシールすることができる。そして、第１と第２の各補助真空室３１，３２の真空度よりも第１と第２の各バッファ室６１，６２の真空度の方が高くなり、真空処理室２の真空度は各バッファ室６１，６２の真空度よりも更に高くなる。そのため、真空処理室２をかなり高い真空度まで減圧でき、真空処理室２の高度の真空度が要求される場合にも対処できる。
【００３８】
尚、第３実施形態では、第１と第２の各バッファ室６１，６２の数を１個にしているが、真空処理室２の要求真空度によっては各バッファ室６１，６２の数を２個以上としてもよい。また、第３実施形態において、真空処理室２内の入口部側と出口部側に、夫々第２実施形態の如く基板引き込み機構を配置してもよい。
【００３９】
また、各バッファ室６１，６２に基板引き込み機構を配置してもよい。この場合、第１バッファ室６１に配置した基板引き込み機構により、シート状基板Ｓを第１補助真空室３１に配置した第１基板引き込み機構５１から第１バッファ室６１に引き込み、また、第２バッファ室６２に配置した基板引き込み機構により、シート状基板Ｓを第１バッファ室６１に配置した基板引き込み機構から真空処理室２を経由して第２バッファ室６２に引き込み、更に、第２補助真空室３２に配置した第２基板引き込み機構５２により、シート状基板Ｓを第２バッファ室６２に配置した基板引き込み機構から第２補助真空室３２に引き込むようにする。尚、各バッファ室６１，６２に基板引き込み機構を配置することは、第１と第２の各基板引き込み機構５１，５２を内蔵する第１と第２の各補助真空室５１，５２を真空処理室２の上流側と下流側に夫々複数配置することと同じである。
【００４０】
次に、図７に示す第４実施形態について説明する。第４実施形態の上記第１実施形態との相違点は、真空処理装置１に複数個の真空処理室、例えば、第１と第２の２個の真空処理室２１，２２を設け、両真空処理室２１，２２間に中間補助真空室たる第３補助真空室３３を介設して、第３補助真空室３３に第３基板引き込み機構５３を配置したことである。第３基板引き込み機構５３は、第１と第２の各基板引き込み機構５１，５２と同様に、一対のガイドローラ５１，５１と両ガイドローラ５１，５１間に配置した可動ローラ５２とで構成される。
【００４１】
第４実施形態においては、第１補助真空室３１に配置した第１基板引き込み機構５１により、シート状基板Ｓを大気圧空間から第１補助真空室３１に引き込むことと、第３基板引き込み機構５３により、シート状基板Ｓを第１基板引き込み機構５１から第１真空処理室２１を経由して第３補助真空室３３に引き込むことと、第２補助真空室３２に配置した第２基板引き込み機構５２により、シート状基板Ｓを第３基板引き込み機構５３から第２真空処理室２２を経由して第２補助真空室３２に引き込むことと、シート状基板Ｓを第２基板引き込み機構５２から下流側の大気圧空間に引き出すこととが行われる。そして、第１補助真空室３１の入口部の仕切り弁４及び第２補助真空室３２の出口部の仕切り弁４を閉弁させた状態で、第１真空処理室２１及び第２真空処理室２２にシート状基板Ｓを搬送し、各真空処理室２１，２２が大気解放されないようにする。
【００４２】
尚、第４実施形態において、第１と第２の各真空処理室２１，２２内の入口部側と出口部側に、夫々第２実施形態の如く基板引き込み機構を配置し、また、第１補助真空室３１と第１真空処理室２１との間及び第２補助真空室３２と第２真空処理室２２との間に、夫々第３実施形態の如くバッファ室を介設してもよい。
【００４３】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、上記実施形態では、各基板引き込み機構５１，５２，５３，５ｉｎ，５ｏｕｔを一対のガイドローラ５１，５１と両ガイドローラ５１，５１間に配置した可動ローラ５２とで構成しているが、シート状基板Ｓを挟んで回転するピンチローラで各基板引き込み機構を構成することも可能である。但し、ピンチローラを用いた場合には、シート状基板Ｓとピンチローラ間での滑りによりシート状基板Ｓの引き込み不良を生ずることがある。これに対し、上記実施形態の如く可動ローラ５２を用いれば、シート状基板Ｓを確実に引き込むことができ、有利である。
【００４４】
また、上記実施形態は、シート状基板ＳにＰＶＤによる成膜処理を施す真空処理装置の基板搬送装置に本発明を適用したものであるが、ＣＶＤによる成膜処理を施す真空処理装置、更にはエッチングなどの成膜処理以外の真空処理を施す真空処理装置の基板搬送装置にも同様に本発明を適用できる。
【符号の説明】
【００４５】
１…真空処理装置、２，２１，２２…真空処理室、３１…第１補助真空室（上流側補助真空室）、３２…第２補助真空室（下流側補助真空室）、３３…第３補助真空室（中間補助真空室）、４…仕切り弁、５１，５２，５３，５ｉｎ，５ｏｕｔ…基板引き込み機構、５１…ガイドローラ、５２…可動ローラ、６１…第１バッファ室（上流側バッファ室）、６２…第２バッファ室（下流側バッファ室）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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