(57)【要約】【課題】実装部におけるランド間のショートを防止して、実装品質の向上を図ることができる３端子コンデンサ及びその実装方法を提供する。【解決手段】３端子コンデンサ１−１は、貫通電極３及びグランド電極４−１，４−２を内包したチップ体２と、外部電極５−１，５−２と、グランド外部電極６とを備える。さらに、３端子コンデンサ１−１の中央部には、グランド外部電極６とチップ体２との中央部を貫通する貫通孔７が設けられている。これにより、半田３００がスルーホール２１０から隆起するような事態が生じた場合に、隆起した半田を、貫通孔７内に逃がして、３端子コンデンサ１−１が実装されたグランド側接続ランドとホット側接続ランドとの間のショートを防止することができる。【選択図】図１
2011165776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性部材で形成したチップ体と、このチップ体に内包され前端及び後端がチップ体の前面及び後面に露出した貫通電極と、この貫通電極と上下方向で対向し且つ両端がチップ体の両側面にそれぞれ露出したグランド電極と、上記チップ体の前面及び後面にそれぞれ形成され且つ上記貫通電極の両端にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の外部電極と、チップ体の胴部中央部を巻くように設けられ且つ上記グランド電極の両端に電気的に接続された周回形状のグランド外部電極とを備える３端子コンデンサであって、
上記グランド外部電極の下面中央部からチップ体の胴部上下方向に貫通する貫通孔を設け、
上記貫通電極を抜ける孔を、上記貫通孔よりも大径に設定すると共に、この孔内に位置する上記貫通孔の外側と貫通電極の孔の内側との間に、上記絶縁性部材を介在させて、上記貫通電極が上記貫通孔内に露出しないように設定した、
ことを特徴とする３端子コンデンサ。
【請求項２】
絶縁性部材で形成したチップ体と、このチップ体に内包され前端及び後端がチップ体の前面及び後面に露出した貫通電極と、この貫通電極と上下方向で対向し且つ両端がチップ体の両側面にそれぞれ露出したグランド電極と、上記チップ体の前面及び後面にそれぞれ形成され且つ上記貫通電極の両端にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の外部電極と、チップ体の胴部中央部において一方の側面から少なくとも下面縁部に渡って形成され且つ上記グランド電極の一方端部に接続された折曲形状の第１のグランド外部電極と、チップ体の胴部中央部において他方の側面から少なくとも下面縁部に渡って形成され且つ上記グランド電極の他方端部に接続された折曲形状の第２のグランド外部電極とを備える３端子コンデンサであって、
上記チップ体の胴部下面中央部から上下方向に貫通する貫通孔を設け、
上記貫通電極を抜ける孔を、上記貫通孔よりも大径に設定すると共に、この孔内に位置する上記貫通孔の外側と貫通電極の孔の内側との間に、上記絶縁性部材を介在させて、上記貫通電極が上記貫通孔内に露出しないように設定した、
ことを特徴とする３端子コンデンサ。
【請求項３】
請求項２に記載の３端子コンデンサにおいて、
上記貫通孔の内壁に、導電膜を付着させて、当該導電膜と上記グランド電極とを電気的に接続した、
ことを特徴とする３端子コンデンサ。
【請求項４】
絶縁性のチップ体と、このチップ体に内包され前端及び後端がチップ体の前面及び後面に露出した貫通電極と、この貫通電極と上下方向で対向し且つ両端がチップ体の両側面にそれぞれ露出したグランド電極と、上記チップ体の前面及び後面にそれぞれ形成され且つ上記貫通電極の両端にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の外部電極と、チップ体の胴部中央部を巻くように設けられ且つ上記グランド電極の両端に電気的に接続された周回形状のグランド外部電極とを備える３端子コンデンサであって、
上記グランド外部電極の下面中央部から上記チップ体の胴部下面に渡って上方向に所定高さだけ凹む凹部を設けた、
ことを特徴とする３端子コンデンサ。
【請求項５】
絶縁性のチップ体と、このチップ体に内包され前端及び後端がチップ体の前面及び後面に露出した貫通電極と、この貫通電極と上下方向で対向し且つ両端がチップ体の両側面にそれぞれ露出したグランド電極と、上記チップ体の前面及び後面にそれぞれ形成され且つ上記貫通電極の両端にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の外部電極と、チップ体の胴部中央部において一方の側面から少なくとも下面縁部に渡って形成され且つ上記グランド電極の一方端部に接続された折曲形状の第１のグランド外部電極と、チップ体の胴部中央部において他方の側面から少なくとも下面縁部に渡って形成され且つ上記グランド電極の他方端部に接続された折曲形状の第２のグランド外部電極とを備える３端子コンデンサであって、
上記チップ体の胴部下面中央部から上方向に所定高さだけ凹む凹部を設けた、
ことを特徴とする３端子コンデンサ。
【請求項６】
３端子コンデンサを、基板上に所定間隔で配設された第１及び第２のホット側接続ランドと、これら第１及び第２のホット側接続ランドの間の中央のスペースに配設され且つその中央部にスルーホールを有するグランド側接続ランドとに実装する３端子コンデンサの実装方法であって、
上記３端子コンデンサとして、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の３端子コンデンサを用い、
当該３端子コンデンサの第１及び第２の外部電極を、上記第１及び第２のホット側接続ランド上に接続し、上記貫通孔を上記スルーホールの真上に位置させた状態で、グランド外部電極を上記グランド側接続ランドに接続した、
ことを特徴とする３端子コンデンサの実装方法。
【請求項７】
３端子コンデンサを、基板上に所定間隔で配設された第１及び第２のホット側接続ランドと、これら第１及び第２のホット側接続ランドの間の中央のスペースに配設され且つその中央部にスルーホールを有するグランド側接続ランドとに実装する３端子コンデンサの実装方法であって、
上記３端子コンデンサとして、請求項４又は請求項５に記載の３端子コンデンサを用い、
当該３端子コンデンサの第１及び第２の外部電極を、上記第１及び第２のホット側接続ランド上に接続し、上記凹部を上記スルーホールの真上に位置させた状態で、グランド外部電極を上記グランド側接続ランドに接続した、
ことを特徴とする３端子コンデンサの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の１対のホット側接続ランドと１つのグランド側接続ランド上に実装する貫通型の３端子コンデンサ及びその実装方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の３端子コンデンサは、高速ＩＣの電源の電荷供給用に使用する場合等に、その等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を小さくするために、その実装構造に種々の工夫を施している。
図１７は、一従来例に係る３端子コンデンサその実装構造を一部破断して示す斜視図である。
図１７に示す３端子コンデンサの実装構造は、特許文献１に開示の技術であり、グランド側接続ランド上を流れる電流の方向を規制することで、構造全体の等価直列インダクタンスを低減化する。
具体的には、３端子コンデンサ１００の中央の胴部を巻く周回形状のグランド外部電極１０１の下側に、グランド側接続ランド２０３を配し、図示しないグランドに下端が接続されたスルーホール２１０を、グランド側接続ランド２０３の中央部に形成している。そして、リフロー処理により、３端子コンデンサ１００のグランド外部電極１０１とグランド側接続ランド２０３とを半田にて接続させている。
これにより、３端子コンデンサ１００のグランド外部電極１０１から流出したノイズ電流Ｉ１，Ｉ２が互いに逆方向からスルーホール２１０に向かって流れ、スルーホール２１０に流入して、図示しないグランドに排出される。
したがって、ノイズ電流Ｉ１，Ｉ２が互いに逆方向から向かい合うように流れるので、それぞれの電流が発生する磁界が互いに打ち消し合い、グランド外部電極１０１とグランド側接続ランド２０３とスルーホール２１０との間の等価直列インダクタンスが小さくなる。この結果、３端子コンデンサ１００と基板とを含むトータルの等価直列インダクタンスを小さくすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２８２３４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した従来の技術では、次のような問題がある。
図１８は、従来技術の問題点を説明するための断面図である。
図１７において、３端子コンデンサ１００の実装面の真裏の位置に、図示しないランドを設けて、スルーホール２１０をこのランドに接続した構造をとる場合がある。このような構造において、３端子コンデンサ１００を実装した状態で、図示しない３端子コンデンサ等のチップ部品をリフロー処理によって基板裏側のランドに半田付けしようとすると、図１８に示すように、このランド上の溶けた半田３００がスルーホール２１０に流入して、３端子コンデンサ１００側の開口からに隆起することがある。このような現象が起こると、隆起した半田３００が３端子コンデンサ１００の下面で押され、グランド側接続ランド２０３の両側（図１８の左右側）からホット側接続ランド２０１，２０２に向かって広がり、グランド側接続ランド２０３とホット側接続ランド２０１，２０２とをショートさせてしまうおそれがある。
なお、この従来技術では、周回形状のグランド外部電極１０１を３端子コンデンサ１００に適用して、このグランド外部電極１０１とグランド側接続ランド２０３との接続を図るようにしているが、図１９に示すように、断面コの字状の１対のグランド外部電極１０１′，１０１′を用いた３端子コンデンサ１００′の場合にも、半田３００がスルーホール２１０から隆起して、上記と同様に、ショート事故が発生するおそれがある。
【０００５】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、実装部におけるランド間のショートを防止して、実装品質の向上を図ることができる３端子コンデンサ及びその実装方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、絶縁性部材で形成したチップ体と、このチップ体に内包され前端及び後端がチップ体の前面及び後面に露出した貫通電極と、この貫通電極と上下方向で対向し且つ両端がチップ体の両側面にそれぞれ露出したグランド電極と、チップ体の前面及び後面にそれぞれ形成され且つ貫通電極の両端にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の外部電極と、チップ体の胴部中央部を巻くように設けられ且つグランド電極の両端に電気的に接続された周回形状のグランド外部電極とを備える３端子コンデンサであって、グランド外部電極の下面中央部からチップ体の胴部上下方向に貫通する貫通孔を設け、貫通電極を抜ける孔を、貫通孔よりも大径に設定すると共に、この孔内に位置する貫通孔の外側と貫通電極の孔の内側との間に、絶縁性部材を介在させて、貫通電極が貫通孔内に露出しないように設定した構成とする。
かかる構成により、基板上に、第１及び第２のホット側接続ランドが所定間隔で配設され、中央部にスルーホールを有するグランド側接続ランドがこれら第１及び第２のホット側接続ランドの間の中央のスペースに配設されている場合に、この発明の３端子コンデンサを、これらグランド側接続ランドと第１及び第２のホット側接続ランドとに実装することができる。
具体的には、３端子コンデンサの第１及び第２の外部電極を、第１及び第２のホット側接続ランド上に載置し、貫通孔をスルーホールの真上に位置させた状態で、グランド外部電極を、グランド側接続ランドに載置する。しかる後、リフロー処理を行うことで、第１及び第２の外部電極を第１及び第２のホット側接続ランド上に接続し、グランド外部電極をグランド側接続ランドに接続することができる。これにより、３端子コンデンサの実装が完了する。
ところで、当該３端子コンデンサの実装面の真裏の位置に、ランドが設けられ、スルーホールがこのランドにも接続されている場合がある。このような場合に、３端子コンデンサを実装した状態で、３端子コンデンサ等のチップ部品をリフロー処理によってそのランドに半田付けしようとすると、その溶けた半田が、スルーホールから流入することがある。すると、この半田は、当該３端子コンデンサが接続されているグランド側接続ランドのスルーホール開口から隆起し、第１及び第２のホット側接続ランド側に広がろうとする。
しかし、この発明の３端子コンデンサを上記のように実装することで、スルーホールから隆起した半田は、グランド外部電極の下面中央部に位置する貫通孔の開口から貫通孔内に入り込み、第１及び第２のホット側接続ランド側に広がることはない。したがって、裏面側のリフロー処理時に、半田が広がって、グランド側接続ランドと第１及び第２のホット側接続ランドとをショートさせるという事態は生じない。
また、この発明の３端子コンデンサでは、貫通電極を抜ける孔を、貫通孔よりも大径に設定すると共に、この孔内に位置する貫通孔の外側と貫通電極の孔の内側との間に、絶縁性部材を介在させて、貫通電極が貫通孔内に露出しないように設定した構成をとっているので、貫通孔内に入った半田が貫通電極と接触することはない。
３端子コンデンサを実装した状態で、ノイズ電流が第１及び第２のホット側接続ランドが接続された配線に発生すると、ノイズ電流は、３端子コンデンサの第１及び第２の外部電極の一方から貫通電極に流れ込み、これと対向するグランド電極を通じてグランド外部電極からグランド側接続ランドへと排出される。このとき、ノイズ電流はグランド側接続ランド上を互いに逆方向から中央のスルーホールに向かって流れるので、それぞれの電流が発生する磁界が互いに打ち消し合い、グランド外部電極とグランド側接続ランドとスルーホールとの間の等価直列インダクタンスが小さくなる。
【０００７】
請求項２の発明は、絶縁性部材で形成したチップ体と、このチップ体に内包され前端及び後端がチップ体の前面及び後面に露出した貫通電極と、この貫通電極と上下方向で対向し且つ両端がチップ体の両側面にそれぞれ露出したグランド電極と、チップ体の前面及び後面にそれぞれ形成され且つ貫通電極の両端にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の外部電極と、チップ体の胴部中央部において一方の側面から少なくとも下面縁部に渡って形成され且つグランド電極の一方端部に接続された折曲形状の第１のグランド外部電極と、チップ体の胴部中央部において他方の側面から少なくとも下面縁部に渡って形成され且つグランド電極の他方端部に接続された折曲形状の第２のグランド外部電極とを備える３端子コンデンサであって、チップ体の胴部下面中央部から上下方向に貫通する貫通孔を設け、貫通電極を抜ける孔を、貫通孔よりも大径に設定すると共に、この孔内に位置する貫通孔の外側と貫通電極の孔の内側との間に、絶縁性部材を介在させて、貫通電極が貫通孔内に露出しないように設定した構成とする。
かかる構成により、３端子コンデンサの第１及び第２の外部電極を、第１及び第２のホット側接続ランド上に載置し、貫通孔をスルーホールの真上に位置させた状態で、第１及び第２のグランド外部電極を、グランド側接続ランドに載置することができる。しかる後、リフロー処理を行うことで、第１及び第２の外部電極を第１及び第２のホット側接続ランド上に接続し、第１及び第２のグランド外部電極をグランド側接続ランドに接続することができる。
また、半田がスルーホールから隆起するような事態が生じたとしても、その半田は、チップ体の胴部下面中央部に位置する貫通孔の開口から貫通孔内に入り込むので、半田が、第１及び第２のホット側接続ランド側に広がって、グランド側接続ランドと第１及び第２のホット側接続ランドとをショートさせるという事態は生じない。
また、この３端子コンデンサも、貫通電極を抜ける孔が、貫通孔よりも大径に設定されているので、貫通孔内に入った半田が貫通電極と接触することはない。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項２に記載の３端子コンデンサにおいて、貫通孔の内壁に、導電膜を付着させて、当該導電膜と上記グランド電極とを電気的に接続した構成とする。
かかる構成により、半田がスルーホールから隆起するような事態が生じた場合には、その半田が、チップ体の胴部下面中央部に位置する貫通孔の開口から貫通孔内に入り込み、導電膜を通じて、グランド電極と電気的に接続するので、チップ体内部のグランド電極と外部のスルーホールとが、半田を介して電気的に接続されることとなる。
【０００９】
請求項４の発明は、絶縁性のチップ体と、このチップ体に内包され前端及び後端がチップ体の前面及び後面に露出した貫通電極と、この貫通電極と上下方向で対向し且つ両端がチップ体の両側面にそれぞれ露出したグランド電極と、チップ体の前面及び後面にそれぞれ形成され且つ貫通電極の両端にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の外部電極と、チップ体の胴部中央部を巻くように設けられ且つグランド電極の両端に電気的に接続された周回形状のグランド外部電極とを備える３端子コンデンサであって、グランド外部電極の下面中央部からチップ体の胴部下面に渡って上方向に所定高さだけ凹む凹部を設けた構成とする。
かかる構成により、３端子コンデンサの第１及び第２の外部電極を、第１及び第２のホット側接続ランド上に載置し、凹部をスルーホールの真上に位置させた状態で、グランド外部電極を、グランド側接続ランドに載置することができる。しかる後、リフロー処理を行うことで、第１及び第２の外部電極を第１及び第２のホット側接続ランド上に接続し、グランド外部電極をグランド側接続ランドに接続することができる。
また、半田がスルーホールから隆起するような事態が生じたとしても、その半田は、グランド外部電極の下面中央部に位置する凹部内に入り込むので、半田が、第１及び第２のホット側接続ランド側に広がって、グランド側接続ランドと第１及び第２のホット側接続ランドとをショートさせるという事態は生じない。
【００１０】
請求項５の発明は、絶縁性のチップ体と、このチップ体に内包され前端及び後端がチップ体の前面及び後面に露出した貫通電極と、この貫通電極と上下方向で対向し且つ両端がチップ体の両側面にそれぞれ露出したグランド電極と、チップ体の前面及び後面にそれぞれ形成され且つ貫通電極の両端にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の外部電極と、チップ体の胴部中央部において一方の側面から少なくとも下面縁部に渡って形成され且つグランド電極の一方端部に接続された折曲形状の第１のグランド外部電極と、チップ体の胴部中央部において他方の側面から少なくとも下面縁部に渡って形成され且つグランド電極の他方端部に接続された折曲形状の第２のグランド外部電極とを備える３端子コンデンサであって、チップ体の胴部下面中央部から上方向に所定高さだけ凹む凹部を設けた構成とする。
かかる構成により、３端子コンデンサの第１及び第２の外部電極を、第１及び第２のホット側接続ランド上に載置し、凹部をスルーホールの真上に位置させた状態で、第１及び第２のグランド外部電極をグランド側接続ランドに載置することができる。しかる後、リフロー処理を行うことで、第１及び第２の外部電極を第１及び第２のホット側接続ランド上に接続し、第１及び第２のグランド外部電極をグランド側接続ランドに接続することができる。
また、半田がスルーホールから隆起するような事態が生じたとしても、その半田は、チップ体の胴部下面中央部に位置する凹部に入り込むので、半田が、第１及び第２のホット側接続ランド側に広がって、グランド側接続ランドと第１及び第２のホット側接続ランドとをショートさせるという事態は生じない。
【００１１】
請求項６の発明は、３端子コンデンサを、基板上に所定間隔で配設された第１及び第２のホット側接続ランドと、これら第１及び第２のホット側接続ランドの間の中央のスペースに配設され且つその中央部にスルーホールを有するグランド側接続ランドとに実装する３端子コンデンサの実装方法であって、３端子コンデンサとして、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の３端子コンデンサを用い、３端子コンデンサの第１及び第２の外部電極を、第１及び第２のホット側接続ランド上に接続し、貫通孔をスルーホールの真上に位置させた状態で、グランド外部電極をグランド側接続ランドに接続した構成とする。
かかる構成により、半田がスルーホールから隆起するような事態が生じたとしても、その半田は、貫通孔の開口から３端子コンデンサの貫通孔内に入り込むので、半田が、第１及び第２のホット側接続ランド側に広がって、グランド側接続ランドと第１及び第２のホット側接続ランドとをショートさせるという事態は生じない。
【００１２】
請求項７の発明は、３端子コンデンサを、基板上に所定間隔で配設された第１及び第２のホット側接続ランドと、これら第１及び第２のホット側接続ランドの間の中央のスペースに配設され且つその中央部にスルーホールを有するグランド側接続ランドとに実装する３端子コンデンサの実装方法であって、３端子コンデンサとして、請求項４又は請求項５に記載の３端子コンデンサを用い、３端子コンデンサの第１及び第２の外部電極を、第１及び第２のホット側接続ランド上に接続し、凹部をスルーホールの真上に位置させた状態で、グランド外部電極をグランド側接続ランドに接続した構成とする。
かかる構成により、半田がスルーホールから隆起するような事態が生じたとしても、その半田は、３端子コンデンサの凹部内に入り込むので、半田が、第１及び第２のホット側接続ランド側に広がって、グランド側接続ランドと第１及び第２のホット側接続ランドとをショートさせるという事態は生じない。
【発明の効果】
【００１３】
以上詳しく説明したように、この発明によれば、実装状態の３端子コンデンサに向かってスルーホールから隆起した半田を、当該３端子コンデンサに設けた貫通孔内や凹部に逃がして、グランド側接続ランドと第１及び第２のホット側接続ランドとのショートを防止するので、高品質の３端子コンデンサ実装基板を提供することができるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明の第１実施例に係る３端子コンデンサの内部を透過して示す斜視図である。
【図２】３端子コンデンサを示す分解斜視図である。
【図３】図１の矢視Ａ−Ａ断面図である。
【図４】図２の矢視Ｂ−Ｂ断面図である。
【図５】３端子コンデンサの実装方法を示す斜視図である。
【図６】３端子コンデンサの実装方法を示す断面図である。
【図７】３端子コンデンサによるショート防止効果を説明するための断面図である。
【図８】等価直列インダクタンス低減効果を示す断面図である。
【図９】この発明の第２実施例に係る３端子コンデンサを示す斜視図である。
【図１０】図９の矢視Ｃ−Ｃ断面図である。
【図１１】３端子コンデンサのショート防止効果を説明するための断面図である。
【図１２】この発明の第３実施例に係る３端子コンデンサを示す斜視図である。
【図１３】図１２の矢視Ｄ−Ｄ断面図である。
【図１４】３端子コンデンサのショート防止効果を説明するための断面図である。
【図１５】この発明の第４実施例に係る３端子コンデンサを示す斜視図である。
【図１６】図１５の矢視Ｅ−Ｅ断面図である。
【図１７】一従来例に係る３端子コンデンサその実装構造を一部破断して示す斜視図である。
【図１８】従来技術の問題点を説明するための断面図である。
【図１９】他の従来例に係る３端子コンデンサその実装構造を一部破断して示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、この発明の第１実施例に係る３端子コンデンサの内部を透過して示す斜視図であり、図２は、３端子コンデンサを示す分解斜視図であり、図３は、図１の矢視Ａ−Ａ断面図であり、図４は、図２の矢視Ｂ−Ｂ断面図である。
【００１７】
図１に示すように、この実施例の３端子コンデンサ１−１は、貫通電極３及びグランド電極４−１，４−２を内包したチップ体２と、第１の外部電極としての外部電極５−１及び第２の外部電極としての外部電極５−２と、グランド外部電極６とを備えている。
【００１８】
チップ体２は、絶縁性素材で形成されており、貫通電極３とグランド電極４−１，４−２は、このチップ体２内に積層形成されている。
具体的には、図２に示すように、グランド電極４−１をチップ体２を構成する絶縁層２１上に形成し、絶縁層２２をグランド電極４−１上に積層した。そして、貫通電極３を絶縁層２２上に生成し、絶縁層２３を貫通電極３上に積層した。しかる後、グランド電極４−２を絶縁層２３上に形成し、最後に、絶縁層２４をグランド電極４−２上に積層することにより、貫通電極３とグランド電極４−１，４−２を内包したチップ体２を形成した。
このように形成された貫通電極３では、図３に示すように、その前端３ａ及び後端３ｂをチップ体２の前面２ａ及び後面２ｂに露出させている。
一方、グランド電極４−１は、図４に示すように、この貫通電極３と下側に位置して対向し、その両端４ａ，４ｂをチップ体２の両側面２ｃ，２ｄにそれぞれ露出させている。
また、グランド電極４−２は、貫通電極３と上側に位置して対向し、その両端４ａ，４ｂをチップ体２の両側面２ｃ，２ｄにそれぞれ露出させている。
【００１９】
外部電極５−１，５−２は、図１に示すように、チップ体２の前面２ａ側，後面２ｂ側（図３参照）にそれぞれ形成され、貫通電極３に接続されている。
具体的には、外部電極５−１，５−２は、図３に示すように、断面コ字状をなし、チップ体２の前面２ａ，後面２ｂにおいて、貫通電極３の両端３ａ，３ｂにそれぞれ電気的に接続されている。
【００２０】
一方、グランド外部電極６は、図１及び図２に示すように、周回状を成し、チップ体２の胴部中央部を巻くように設けられている。そして、このグランド外部電極６は、図４に示すように、チップ体２の両側面２ｃ，２ｄに露出したグランド電極４−１，４−２の両端４ａ，４ｂに電気的に接続されている。
【００２１】
この実施例では、このような３端子コンデンサ１−１に、図１に示すように貫通孔７を設けている。
すなわち、図４に示すように、貫通孔７が、グランド外部電極６の下面６ａの中央部からチップ体２の胴部上方向に貫通し、グランド外部電極６の上面６ｂで開口している。
具体的には、図２に示すように、連通する同径の孔７ａ〜７ｄを、絶縁層２１とグランド電極４−１、絶縁層２２と貫通電極３、絶縁層２３とグランド電極４−２、絶縁層２４にそれぞれ形成し、これら孔７ａ〜７ｄに連通する孔７ｅ，７ｆをグランド外部電極６の下面６ａ，上面６ｂにそれぞれ形成した。
【００２２】
また、図２に示すように、絶縁層２２と貫通電極３には、貫通孔７を構成する孔７ｂを形成したが、貫通電極３にも、直径がこの孔７ｂよりも大きな孔３０を形成している。そして、孔３０を孔７ｂよりも大径に設定すると共に、孔７ｂの外側と孔３０の内側との間に、チップ体２を形成する絶縁性部材２０を介在させて、貫通電極３が孔７ｂ内に露出しないようにしている。
【００２３】
次に、この実施例の３端子コンデンサの実装方法について説明する。
図５は、３端子コンデンサ１−１の実装方法を示す斜視図であり、図６は、３端子コンデンサ１−１の実装方法を示す断面図である。
図５に示すように、３端子コンデンサ１−１を実装する基板２００上には、例えば、図示しない外部電源に接続されたホット側接続ランド２０１と、図示しないＩＣの電源端子に接続されたホット側接続ランド２０２とが所定間隔で設けられている。そして、グランド側接続ランド２０３が、ホット側接続ランド２０１，２０２の間の中央のスペースに配設されている。また、等価直列インダクタンス低減用のスルーホール２１０が、グランド側接続ランド２０３の中央部に設けられ、図示しないグランドと接続されている。
【００２４】
３端子コンデンサ１−１をかかる基板２００に実装するには、図６に示すように、３端子コンデンサ１−１の外部電極５−１，５−２を、ホット側接続ランド２０１，２０２上に載置し、貫通孔７をスルーホール２１０の真上に位置させた状態で、グランド外部電極６を、グランド側接続ランド２０３に載置する。
しかる後、リフロー処理を行うことで、外部電極５−１，５−２をホット側接続ランド２０１，２０２上に接続すると共に、グランド外部電極６をグランド側接続ランド２０３に接続することで、３端子コンデンサ１−１の実装が終わる。
【００２５】
図７は、３端子コンデンサ１−１によるショート防止効果を説明するための断面図である。
ところで、上記実装状態において、スルーホール２１０が、３端子コンデンサ１−１実装面の真裏に設けられた図示しないランドに接続され、図示しない３端子コンデンサ等のチップ部品がそのランド上にリフロー処理で半田付けされる場合がある。このような場合には、スルーホール２１０当該ランド側の開口から溶けた半田３００が流入し、図７に示すように、グランド側接続ランド２０３のスルーホール２１０の開口２１０ａから流出して隆起し、ホット側接続ランド２０１，２０２側に広がるおそれがある。
上記実装状態では、３端子コンデンサ１−１の貫通孔７が、グランド外部電極６の下面６ａの中央部からチップ体２の胴部上方向に貫通しているので、この貫通孔７はスルーホール２１０の真上に位置する。したがって、スルーホール２１０の開口２１０ａから隆起した半田３００は、真上で開口するグランド外部電極６の下面６ａの孔７ｅから貫通孔７内に入り込む。このため、半田３００が、スルーホール２１０から溢れ、グランド外部電極６の下面６ａの両側からスペースＳ１，Ｓ２上に広がることはない。
したがって、この実施例の３端子コンデンサ１−１を用いることで、隆起した半田３００によって、グランド側接続ランド２０３及びホット側接続ランド２０１，２０２間がショートするという事態の発生を防止することができる。
【００２６】
上記のように、スルーホール２１０から溢れた半田３００は、３端子コンデンサ１−１の貫通孔７に入り込みグランド外部電極６の上面６ｂ側に向かうので、図７の破線で示すように、半田３００が、グランド電極４−１，４−２に接触した状態になる場合がある。このような場合には、グランド電極４−１，４−２が半田３００を通じてスルーホール２１０に直接接続した状態になる。
これに対して、半田３００が、貫通電極３に接触すると、貫通電極３とグランド電極４−１，４−２とがショートした状態になり、好ましくはない。しかし、この実施例の３端子コンデンサ１−１では、貫通電極３の孔３０を、貫通孔７の孔７ｂよりも大径に設定すると共に、孔７ｂの外側と孔３０の内側との間に、チップ体２を形成する絶縁性部材２０を介在させて、貫通電極３が孔７ｂ内に露出しないようにしているので、貫通孔７内に入った半田３００が貫通電極３と接触することはない。
【００２７】
図８は、等価直列インダクタンス低減効果を示す断面図である。
３端子コンデンサ１−１の上記実装状態において、ＩＣのスイッチング動作等によって高周波のノイズ電流が、ＩＣの電源端子に生じると、ノイズ電流は、図７において、ホット側接続ランド２０１から３端子コンデンサ１−１の外部電極５−１を通じて貫通電極３に流れ込む。そして、図８に示すように、ノイズ電流Ｉ１，Ｉ２が、グランド電極４−１，４−２を通じてグランド外部電極６からグランド側接続ランド２０３へと排出される。このとき、矢印で示すように、ノイズ電流Ｉ１，Ｉ２が、グランド側接続ランド２０３上を互いに逆方向から中央のスルーホール２１０に向かって流れる。この結果、それぞれの電流Ｉ１，Ｉ２が発生する磁界が互いに打ち消し合い、グランド外部電極６とグランド側接続ランド２０３とスルーホール２１０との間の等価直列インダクタンスが小さくなる。
【００２８】
以上のように、この実施例によれば、スルーホール２１０から隆起した半田３００を、３端子コンデンサ１−１の貫通孔７内や凹部に逃がし、グランド側接続ランド２０３とホット側接続ランド２０１，２０２とのショートを防止するので、高品質の３端子コンデンサ実装基板を提供することができる。
【実施例２】
【００２９】
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図９は、この発明の第２実施例に係る３端子コンデンサを示す斜視図であり、図１０は、図９の矢視Ｃ−Ｃ断面図である。
この実施例は、グランド外部電極の構成が上記第１実施例と異なる。
すなわち、図９に示すように、この実施例の３端子コンデンサ１−２は、１対のグランド外部電極６−１，６−２を有する。
具体的には、図１０に示すように、第１のグランド外部電極としてのグランド外部電極６−１が、チップ体２の胴部中央部において側面２ｃから上面２ｅ及び下面２ｆの縁部に渡って形成され、全体として断面コ字状の折曲形状を成している。そして、このグランド外部電極６−１が、グランド電極４−１，４−２の端部４ａに接続されて、グランド外部電極６−１とグランド電極４−１，４−２との電気的接続が図られている。
また、第２のグランド外部電極としてのグランド外部電極６−２が、チップ体２の胴部中央部において側面２ｄから上面２ｅ及び下面２ｆの縁部に渡って形成され、このグランド外部電極６−２も全体として断面コ字状の折曲形状を成している。そして、このグランド外部電極６−２も、グランド電極４−１，４−２の端部４ｂに接続されて、グランド外部電極６−２とグランド電極４−１，４−２との電気的接続が図られている。
【００３０】
このようなグランド外部電極６−１，６−２を有する３端子コンデンサ１−２においては、貫通孔７は、チップ体２にのみ形成されている。
具体的には、貫通孔７は、チップ体２の胴部下面２ｆの中央部から上面２ｅ側に貫通している。
そして、導電膜７０が、貫通孔７の内壁に付着形成され、導電膜７０とグランド電極４−１，４−２とが電気的に接続されている。なお、導電膜７０を貫通孔７の内壁に形成するか否かは任意であり、導電膜７０を貫通孔７の内壁に形成しない３端子コンデンサもこの発明の一態様であり、発明の範囲に含まれることは勿論である。
【００３１】
次に、この実施例の３端子コンデンサ１−２の実装方法について説明する。
図１１は、３端子コンデンサ１−２のショート防止効果を説明するための断面図である。
図１１に示すように、３端子コンデンサ１−２の場合も、上記第１実施例の３端子コンデンサ１−１と同様に、外部電極５−１，５−２（図９参照）を、基板２００上のホット側接続ランド２０１，２０２（図５及び図６参照）上に載置し、貫通孔７をスルーホール２１０の真上に位置させた状態で、グランド外部電極６−１，６−２を、グランド側接続ランド２０３に載置させることができる。この状態で、リフロー処理を行うことにより、外部電極５−１，５−２をホット側接続ランド２０１，２０２上に接続し、グランド外部電極６−１，６−２をグランド側接続ランド２０３に接続することができる。
また、半田３００がスルーホール２１０から隆起するような事態が生じたとしても、スルーホール２１０から隆起した半田３００は、チップ体２の貫通孔７の開口から貫通孔７内に入り込むので、グランド側接続ランド２０３とホット側接続ランド２０１，２０２との間のショートを防止することができる。
【００３２】
また、この実施例の３端子コンデンサ１−２では、導電膜７０が貫通孔７の内壁に形成されているので、半田３００が貫通孔７内に入り込むと、グランド電極４−１，４−２が、導電膜７０及び半田３００を通じて外部のスルーホール２１０に電気的に接続された状態になる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例３】
【００３３】
次に、この発明の第３実施例について説明する。
図１２は、この発明の第３実施例に係る３端子コンデンサを示す斜視図であり、図１３は、図１２の矢視Ｄ−Ｄ断面図である。
この実施例は、貫通孔７の代わりに凹部を設けた点が、上記第１実施例と異なる。
すなわち、図１２に示すように、この実施例の３端子コンデンサ１−３は、下側に凹部８を有する。
具体的には、図１３に示すように、グランド外部電極６の下面６ａとチップ体２の下面２ｆとを上方向に所定高さだけ凹ませることで、３端子コンデンサ１−３の下側に凹部８を形成した。
【００３４】
次に、この実施例の３端子コンデンサ１−３の実装方法について説明する。
図１４は、３端子コンデンサ１−３のショート防止効果を説明するための断面図である。
図１４に示すように、３端子コンデンサ１−３の外部電極５−１，５−２（図１２参照）を、ホット側接続ランド２０１，２０２（図５参照）上に接続し、凹部８をスルーホール２１０の真上に位置させた状態で、グランド外部電極６を、グランド側接続ランド２０３に接続する。
かかる状態で、リフロー処理することで、３端子コンデンサ１−３を実装することができる。
また、半田３００がスルーホール２１０から隆起するような事態が生じたとしても、スルーホール２１０から隆起した半田３００が、グランド外部電極６の下面中央部に位置する凹部８内に入り込むので、グランド側接続ランド２０３とホット側接続ランド２０１，２０２とのショートは防止される。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例４】
【００３５】
次に、この発明の第４実施例について説明する。
図１５は、この発明の第４実施例に係る３端子コンデンサを示す斜視図であり、図１６は、図１５の矢視Ｅ−Ｅ断面図である。
この実施例は、貫通孔７の代わりに凹部を用いた点が、上記第２実施例と異なる。
すなわち、図１５に示すように、この実施例の３端子コンデンサ１−４は、チップ体２の下側に凹部８′を有する。
具体的には、図１６に示すように、チップ体２の下面２ｆの中央部を上方向に所定高さだけ凹ませることで、３端子コンデンサ１−４の下側に、凹部８′を形成した。
その他の構成、作用及び効果は、上記第２実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【符号の説明】
【００３６】
１−１〜１−４…３端子コンデンサ、  ２…チップ体、  ２ａ…前面、  ２ｂ…後面、  ２ｃ，２ｄ…側面、  ２ｅ，６ｂ…上面、  ２ｆ，６ａ…下面、  ３…貫通電極、  ３ａ…前端、  ３ｂ…後端、  ４−１，４−２…グランド電極、  ４ａ，４ｂ…端部、  ５−１，５−２…外部電極、  ６，６−１，６−２…グランド外部電極、  ７…貫通孔、  ７ａ〜７ｆ，３０…孔、  ８，８′…凹部、  ２０…絶縁性部材、  ２１〜２４…絶縁層、  ７０…導電膜、  ２００…基板、  ２０１，２０２…ホット側接続ランド、  ２０３…グランド側接続ランド、  ２１０…スルーホール、  ３００…半田。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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