(57)【要約】【課題】ステッパのショットサイズを越えて連なるストライプ状パターンをステッパにより露光焼き付けを行う際に、形成するストライプ状パターンの幅の寸法のばらつきを低減する。【解決手段】ショットパターン幅いっぱいに伸びる、先端が段階的に先細りとなったくさび型となっている端部を有するストライブ状のマスクパターン５を備えるショットパターンを、ショットパターン幅の１／ｎピッチで送ってショット露光を行い、ｎ回重ねた露光を行うことにより、形成したストライプ状パターンに途切れ、くびれ、および太りが生じるのを防ぎ、ストライプ状パターンの寸法のばらつきを低減する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステッパのショットパターン幅を越えて前記ステッパの送り方向に連なるストライプ状パターンをステッパにより露光焼き付けを行う方法であって、
前記ショットパターンは、ストライプ状に並んだ直線的な複数の線状パターンを有し、
前記線状パターンの両端は段階的に細くなるくさび型の形状を有し、
隣り合う前記ショットパターン同士のそれぞれの対向する前記線状パターンの端部の一部が重なるようなピッチで前記ストライプ状パターンの伸びる方向に繰り返し前記ショットパターンを配置した状態での露光を、それぞれ前記ストライプ状パターンの伸びる方向にずれた位置で複数回重ねあわせた状態で露光することを特徴とするパターン露光方法。
【請求項２】
前記ストライプ状パターンを形成する対象物は、半導体ウエハであることを特徴とする請求項１記載のパターン露光方法。
【請求項３】
前記露光焼き付けを行う際に照射される光源はＡｒＦレーザ光源であることを特徴とする請求項１記載のパターン露光方法。
【請求項４】
前記ストライプ状パターンの幅は６５ｎｍであることを特徴とする請求項１記載のパターン露光方法。
【請求項５】
隣り合う前記ショットパターン同士のそれぞれの前記線状パターンの端部を重ねる長さは、前記線状パターンの一方の端部の細り始める点から、前記線状パターンの前記一方の端部の先端までの距離の５０〜７０％の長さであることを特徴とする請求項１記載のパターン露光方法。
【請求項６】
前記複数回の回数ｎ（ｎは２以上の正の整数）とし、
隣り合う前記ショットパターン同士のそれぞれの前記線状パターンの端部を重ねる長さをＬ１とし、
前記ショットパターンのストライプ状パターンの伸びる方向の幅をＬとしたとき、
隣り合う前記ショットパターン同士のそれぞれの対向する前記線状パターンの端部の一部が重なるような前記ピッチで前記ストライプ状パターンの伸びる方向に繰り返し前記ショットパターンを配置した状態での露光を、それぞれ前記ストライプ状パターンの伸びる方向に（Ｌ−Ｌ１）／ｎずつずらして露光することを特徴とする請求項１記載のパターン露光方法。
【請求項７】
前記線状パターンは、前記ショットパターン幅いっぱいに伸びていることを特徴とする請求項１記載のパターン露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステッパのショットサイズを越えて連なるストライプ状パターンをステッパにより露光焼き付けを行う方法に関し、特にショットパターン間のつなぎめを改良した露光方法に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ある種の装置を製造する際、その装置の一部となる基板に長い（たとえば、ウエハの端から端まで達する）ストライプ状のパターンを形成する場合がある。このパターンのストライプの幅が数十ｎｍの微細なパターンである場合、パターンの形成方法としてフォトリソグラフィ技術を用いたパターニング方法が考えられる。
【０００３】
フォトリソグラフィ技術は、基板に塗布されたフォトレジストに対し、フォトマスクを通し紫外線やエキシマレーザ光線などを照射して露光することにより、マスクパターンをフォトレジストに転写し、その後現像を行って所望のレジストパターンを形成する技術である。通常、形成されたレジストパターンをマスクとして、ドライエッチングやウェットエッチングによって基板の一部を選択的に除去することで、基板の表面をパターニングするために利用される。
【０００４】
ここで、図２を用いて、ウエハ（半導体基板）の端から端まで達するストライプ状のパターンを形成する従来の一般的な方法を説明する。図２はパターンが形成されたウエハの平面図であり、符号１はフォトレジスト膜が塗布されたウエハ、２はフォトレジスト膜にパターンを焼き付けされた後に現像されて形成されたレジストからなるストライプ状パターン（ハッチング部分）をそれぞれ示している。ウエハ１上にストライプ状パターン２を形成するには、まずウエハ１の表面にフォトレジスト膜を塗布形成する。その後、マスク（レチクル）を通してフォトレジスト膜を露光することによりマスクパターンを焼き付け、現像して平行なストライプ状パターン２を所定の間隔でウエハ１の端から端に渡って形成する。露光されたフォトレジスト膜の現像処理は、一般的に薬液（現像液）を用いたウェット現像法を用い、ポジ型レジストでは光が照射された部分が、ネガ型レジストでは逆に未露光部が現像液により溶解してパターンが形成される。
【０００５】
特許文献１（特開２０００−３０６８１８号公報）には、ステッパのショットパターンサイズを越えて連なるストライプ状パターン（たとえばウエハの端から端まで連なるストライプ状パターン）をステッパにより露光焼き付けを行う際に、ショットパターン幅の１／ｎピッチで送ってショット露光を行い、ｎ（ｎは２以上の正の整数）回重ねた露光を行うことによりショットパターンのつなぎめで生ずるパターンのくずれを緩和する技術が開示されている。
【０００６】
特許文献２（特開２００１−２３０１８２号公報）には、分割された複数のマスクにより半導体装置上に連続したパターンを形成する際に、マスクからレジストに転写されたパターン同士の接続部の線幅変化を小さくし、かつ、分割された複数のパターンを確実に接続する技術が開示されている。具体的には、互いに隣接する複数の分割パターンの内の接続端部が、パターン幅よりも２０〜５０％細い凸部を有するようなマスクを作成し、マスクの端部の凸部同士の少なくとも一部を重ね合わせるようにレジストに転写するものである。また、パターン先端が根本より広がった形状を有し、根本から広がった途中でオーバーラップ露光を行う技術も開示されている。
【０００７】
特許文献３（特開２００１−３０８００４号公報）には、分割されたパターンをマスク上に形成し、レジストに転写して半導体装置のパターンを形成する際に、転写されたパターンの接続部の線幅変化を小さくし、分割されたパターンを確実に接続する技術が開示されている。具体的には、パターン先端を先細り（長手方向に斜めにカット）にした凸部を有し、その凸部と相補的な形状を有する凹部を有するパターンを形成し、凸部のパターンと凹部のパターンとを組み合わせるように、それぞれのパターンをレジストに転写する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−３０６８１８号公報
【特許文献２】特開２００１−２３０１８２号公報
【特許文献３】特開２００１−３０８００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
フォトリソグラフィでは、ショットと呼ばれる、１回でパターンを露光できる領域が限られており、隣り合うショット同士の間には必ずつなぎめが発生するが、これまでにはパターンのつなぎめを打ち消すための技術に対する需要は少なかった。その理由は、フォトリソグラフィは主に半導体装置の製造に用いられる技術であり、通常、半導体ウエハ上に形成される半導体素子はスクライブと呼ばれる分離領域で囲まれており、最終的には半導体ウエハは切断されて製品となるため、露光ショットに跨るパターンを形成する必要性がないためである。
【００１０】
図２において、破線で囲まれた範囲のそれぞれの区画が一つのショットを示している。ウエハ１の全体を露光する際には、通常、ウエハの端の一つのショットを露光した後、隣接する次のショットを露光していき、１行の露光が終われば行を替えて同様に（または移動方向を逆に）露光していく。こうして、ウエハ１の全面のそれぞれのショットを一回ずつ露光する。
【００１１】
ここで、一つのショット当たりに一回露光し、マスクパターンの端と端が一致するように露光を行ったとしても、一般的に光学的な特性より、パターンの端が縮退するため形成されるパターンは不連続となる。また、露光処理時の環境的、または、装置的な要因により、露光（照射）領域が伸縮することがあるが、その場合、わずかな変動でもつなぎめ部のパターン形状が変化し、連続的なパターン形成が困難となる。
【００１２】
図３の（ａ）、（ｂ）および（ｃ）のそれぞれは、従来の一般的なパターンを有するマスクを使用した場合の、図２におけるショット同士のつなぎめであるＡの領域を拡大して示した平面図であり、符号３は、マスクパターンを露光し、現像して形成されたレジストパターンを示す。なお、このとき露光に使用する従来のマスクパターンの端部の形状は、図４に示すような、マスク上のラインパターン４をショットの端で寸断した形とする。ここで、図４に示すように、破線で示すショット同士の端部が一致せず、マスクパターン同士が離れた状態で露光した場合、現像されたレジストパターン３にのつなぎめには、図３（ａ）に示すような途切れが発生したり、図３（ｂ）に示すようなくびれが発生する。また、図３（ｃ）に示すように、逆にショット同士の端部が一部重なり、オーバーラップした状態で露光した場合、現像されたレジストパターン３のつなぎめには太りが発生する。このようにショットのつなぎめにパターンの途切れ、くびれまたは太りが発生した場合、それは視認可能な基板上の色ムラとなる。
【００１３】
また、一般的に、露光装置の露光領域内では、その露光光の強度分布は完全に均一ではない。さらに、寸法に影響する露光装置の収差も露光領域で一様でないため、単純な繰り返し露光を実施した場合は、それらの光強度分布や収差の影響により、形成するパターンの寸法もある分布を持つ。それらの分布により、ウェハ上に形成したパターン領域に、視認可能な色ムラが生じる。このストライプ状のパターンを有する基板を、たとえばＣＭＯＳセンサ素子などに使用したい場合、視認可能な色ムラが生じている基板は使用することができない。そこで、本発明者らはこのつなぎめにおけるパターンの途切れ、くびれまたは太りの発生を防ぐ技術を検討した。
【００１４】
特許文献１に開示されている技術では、ショットのつなぎめ部分の形状を緩和することを目的として、１／ｎ（ｎは２以上の正の整数）の露光量で１／ｎピッチずらしをｎ回露光することになっている。しかし、ラインパターンの先端同士をオーバーラップさせることなく、正確にラインパターンの端と端を一致させて露光することはステッパの性能上難しく、確実にできるとは言えない。少しでもマスク上のラインパターンの先端同士が離れた状態で露光すれば、露光されたラインパターンはつなぎめにくびれが発生する。また、逆にマスク上のラインパターンの先端同士がオーバーラップした場合、その箇所ではラインパターンが太くなる問題がある。
【００１５】
一方、特許文献２の技術は、マスク上のラインパターンの先端を、一旦細くした後、また太く形成したものを用いており、このパターンをオーバーラップさせることにより所望の太さを得ようとしているが、この場合は原理上、オーバーラップ量が不足した場合、一旦、細くした部分は光学像が弱くなることを意味しており、安定した形状を得られない問題がある。
【００１６】
また、特許文献３に示す技術では、マスク上で凸型と凹型のパターンを重ね合わせることで、つなぎ部分の均一性を保つことを目的としているが、マスクのパターン形成の再現性という面においては、凸型に比べ、特に凹型のパターンはより微細なパターン形成を強いられることとなり、不利である。
【００１７】
本発明の目的は、連続的なストライプ状のパターンの幅の寸法のばらつきを低減する技術を提供することにある。
【００１８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００２０】
本願の一発明によるパターン露光方法は、
ステッパのショットパターン幅を越えて前記ステッパの送り方向に連なるストライプ状パターンをステッパにより露光焼き付けを行う方法であって、
前記ショットパターンは、ストライプ状に並んだ直線的な複数の線状パターンを有し、
前記線状パターンの両端は段階的に細くなるくさび型の形状を有し、
隣り合う前記ショットパターン同士のそれぞれの対向する前記線状パターンの端部の一部が重なるようなピッチで前記ストライプ状パターンの伸びる方向に繰り返し前記ショットパターンを配置した状態での露光を、それぞれ前記ストライプ状パターンの伸びる方向にずれた位置で複数回重ねあわせた状態で露光することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２２】
フォトリソグラフィ技術により形成する連続的なストライプ状のパターンの幅の寸法のばらつきを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態であるマスクパターンの端部を示す要部平面図である。
【図２】従来の一般的な方法で形成されたストライプ状パターンを示す要部平面図である。
【図３】（ａ）は、レジストパターンに形成された途切れを示す要部平面図である。（ｂ）はレジストパターンに形成されたくびれを示す要部平面図である。（ｃ）はレジストパターンに形成された太りを示す要部平面図である。
【図４】従来のマスクパターンを示す要部平面図である。
【図５】本発明の実施の形態であるマスクパターンを示す要部平面図である。
【図６】本発明の実施の形態におけるウエハの露光方法を示す要部平面図である。
【図７】本発明の実施の形態におけるマスクパターンの重ね量を示す要部平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００２５】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。
【００２６】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、実施の形態等において構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。
【００２７】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２８】
また、材料等について言及するときは、特にそうでない旨明記したとき、または、原理的または状況的にそうでないときを除き、特定した材料は主要な材料であって、副次的要素、添加物、付加要素等を排除するものではない。たとえば、シリコン部材は特に明示した場合等を除き、純粋なシリコンの場合だけでなく、添加不純物、シリコンを主要な要素とする２元、３元等の合金（たとえばＳｉＧｅ）等を含むものとする。
【００２９】
また、以下の実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００３０】
また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするために部分的にハッチングを付す場合がある。
【００３１】
（実施の形態）
本発明は、ステッパのショットサイズを越えてステッパの送り方向に連なるストライプ状パターン（例えばウエハの端から端まで連なって伸びるストライプ状のパターン）をステッパにより露光焼き付けを行う方法において、ショットパターン間のつなぎめで生じがちなパターンの途切れ、くびれ、太り等のパターンくずれの発生を防ぐものである。このようなパターンをステッパで露光するには、ショットパターン幅いっぱいに伸びるストライプ状パターンをつなぎあわせる露光が行われる。
【００３２】
本発明は、ショットパターン内に複数本並列に形成されたストライプ状のマスクパターンの端部を先細り形状にし、隣り合うショット同士のマスクパターンの端部の一部をオーバーラップさせて（重ねて）露光するものである。また、各々のパターンの寸法均一性を向上させることを目的として、各露光量は少なくした上で複数回の露光を重ねてトータルで適正な露光量を照射する。これにより、各回のつなぎめの位置をずらし、各つなぎめに生ずる露光量の過不足を抑制するものである。
【００３３】
ここで、周知のフォトリソグラフィ技術を用い、ウエハの主面上にストライプ状のパターンを形成する際、形成されたパターン上に途切れ、くびれまたは太りが発生するのを防ぎ、ストライプ状パターンの寸法のばらつきをおさえる方法を、図を用いて詳しく説明する。
【００３４】
まず、半導体ウエハ（半導体基板）を用意し、その表面にフォトレジスト膜を塗布形成する。その後、ステッパ内でマスクを通してフォトレジスト膜を露光することによりマスクパターンをフォトレジスト膜に焼き付ける。なお、露光に用いられる光源はＡｒＦレーザ光源とし、露光するレジストはポジ型レジストとする。
【００３５】
ここで、本実施の形態において露光に使用するマスクには、ストライプ状のパターンを有するマスクであって、ショットのマスクパターンの両端部が、図１に示すように段階的に細くなっている形状、すなわちくさび型の形状のものを使用する。図１は本実施の形態に用いるマスクの平面図であり、ハッチングを付した部分はマスクブランクスの表面に形成された遮光膜を示し、マスクパターン５は露光光が透過する箇所を示している。なお、マスクパターン５同士の間隔の距離Ｘ１を６５ｎｍ、マスクパターン５の幅Ｘ２を６５ｎｍ、マスクパターン５の先端で段階的に先細りになっている箇所の段差から段差までの長さＹ１を２００ｎｍとする。すなわち、マスクパターン５は、両端部は長さＹ１ごとに段階的または徐々に細くなる先細り形状となっており、マスクパターン５の端部の細り始める位置からその端部の先端までの部分以外の領域では、パターン幅が一定な形状となっている。なお、図１の破線はショットの端部を示し、マスクパターン５はショットの幅いっぱいに伸びている。
【００３６】
また、ここで隣り合うショットであるショットＴ１およびショットＴｂを図５に示す。一つ目のショットＴ１を露光した後に、ストライプ状パターンの延在方向にショットを移してショットＴ１に隣り合うショットＴｂの露光を行うが、その際、隣り合うショット同士の対向する辺同士を一致させて露光するのではなく、ショットＴ１の端部とその隣のショットＴｂの対向する端部を長さＬ１だけ重ねた位置でショットＴｂの露光を行う。ショット同士のオーバーラップ量である長さＬ１は、具体的には図７に示すように、マスクパターン５の端部の細り始める位置からその端部の先端までの部分（長さＹ２）のパターンの５０〜７０％の長さである。すなわち、長さＬ１は長さＹ２を用いて０．５×Ｙ２≦Ｌ１≦０．７×Ｙ２と表わせる。この後、ショットＴｂの隣のショットＴｃ（図示しない）の露光を行う際も、同様にショットＴｂとショットＴｃの端部を長さＬ１だけオーバーラップするような位置でショットＴｃを露光する。なお、ここでショットＴｃとは、ショットＴｂに対してストライプ状パターンの延在方向であってショットＴ１の反対側に隣接するショットのことを言う。
【００３７】
このように、マスクパターン５の端部の露光光の透過部を細くすることにより、その領域を透過する光を低減させ、絞られた両端の光を重ねることにより、通常のストライプ状パターンを形成するために必要な光を得る。パターン端部を段階的に細くしてくさび状にすると、終端部にかけて段階的に透過光を低減することができ、両端の重ねる領域を増減することで、パターンのオーバーラップ量を一定の状態に保つことができるため、容易に最適な状態で露光が可能となり、つなぎめの均一性をより向上できる。
【００３８】
また、同じく段階的に光を低減することにより、露光処理時の環境的、または、装置的な要因により、露光領域が伸縮する現象が発生した場合も、パターン形成への影響を低減し、プロセスマージンを拡大できる。
【００３９】
加えて、本実施の形態では、一つの露光領域に対し、露光領域のストライプ状パターンの延在方向の幅Ｌの１／ｎずつショットをずらして複数回露光することにより、ｎ回の多重露光を行う。なお、各ショットの幅（ストライプ状パターンの延在方向の長さ）は、露光領域の幅Ｌと同じ長さである。また、ｎ回の多重露光の内それぞれの露光時に照射するエネルギーは、１回の露光のみで一つの露光領域を露光する場合における照射エネルギーの１／ｎとする。すなわち、ｎ＝３として一つの露光領域において３回の露光を行う場合、３回の内１回の露光で照射するエネルギーは、一つのショットを１回のみ露光する場合に照射するエネルギーの１／３とする。
【００４０】
従来の一般的なパターン露光方法では、図２に示すように、一つの露光領域に対して１回のみ露光を行い、また、隣り合うショット同士をオーバーラップさせず、ショット同士の端部を一致させるようにして露光を行っていた。このため、従来は一つの露光領域を露光した後の次の露光は、ショットを長さＬだけストライプ状パターンの延在方向にショットを送って露光を繰り返していた。
【００４１】
本実施の形態では、図６に示すように、一つの露光領域をｎ回露光するとき、ショットＴ１を露光した後のショットＴ２の露光位置は、隣り合うショット（ここではたとえばショットＴ１とショットＴ４）の端部を長さＬ１だけオーバーラップさせるため、ショットＴ１の位置からレジストパターン３の延在方向に（Ｌ−Ｌ１）／ｎの距離だけ移動した位置となる。たとえばｎ＝３とすると、ショットＴ１を露光した後、（Ｌ−Ｌ１）／３の長さだけショット位置を送り、ショットＴ２の露光を行う。以降の工程も同様に（Ｌ−Ｌ１）／３の長さだけショット位置を同方向に送り、ショットＴ３、ショットＴ４、ショットＴ５…というようにステップアンドリピートで露光を続け、ウエハ１上の１行を露光し終えたら、次の行へと移行し、同様に露光を行う。露光工程を次の行に移行するときは、ショットの露光の順番はショットＴ１と同様の方向へ順次行っても良いし、逆方向から順次露光を行っても良い。
【００４２】
ここで、図５に示すショットＴ１と隣り合うショットＴｂは、ショットＴ１を露光した後にｎ回ショット位置を送って露光したショット位置のことであり、たとえばｎ＝３の場合、Ｔｂ＝Ｔ４となる。
【００４３】
これにより、たとえばｎ＝３のとき、ショットＴ１とショットＴ４とのつなぎめ等、パターンのつなぎめは図２に示す従来の露光方法と比較して約３倍の個所に生ずる。しかしながら、ステッパの送りの精度や倍率の精度の関係で隣接するショットＴ１およびショットＴ４間のパターンにくびれが生じた場合でも、隙間の部分はショットＴ２およびショットＴ３で露光されているのでストライプ状パターンが途切れずに接続し、適切なパターン幅を維持する。また、本実施の形態ではマスクパターンの両端部を段階的に細くなるくさび型とし、その一部を隣り合うマスクパターンとオーバーラップさせるため、ステッパの送り精度のばらつきによるストライプ状パターンの途切れや太りの発生を抑制することができる。
【００４４】
以上の工程を繰り返し、ウエハ１の主面の所望の範囲を露光した後、ウエハ１を現像することにより露光により溶解されたフォトレジスト膜を除去し、ウエハ１の主面上にストライプ上のレジストパターン３を形成する。その後、ウエハ１上に形成されたフォトレジスト膜をマスクとしてドライエッチングまたはウェットエッチングなどのエッチング工程によってウエハ１上のシリコン層の一部を選択的に除去し、本実施の形態のストライプ状のパターンを完成する。
【００４５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００４６】
たとえば、前記実施の形態はステッパの順次送り方向（行方向）に伸びるストライプパターンについて説明したが、列方向に伸びるストライプ状パターンに対してはステッパの行がえ処理を上記思想に基づいて行えば良い。
【００４７】
また、実施の形態では半導体基板にストライプ状パターンを形成したが、パターンを形成する対象はガラス基板などでもよく、たとえば大型化されたＣＭＯＳ素子などに適用することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の半導体装置の製造方法は、ステッパのショットサイズを越えて連なるストライプ状パターンをステッパにより露光焼き付けを行う装置に幅広く利用されるものである。
【符号の説明】
【００４９】
１  ウエハ（半導体基板）
２  ストライプ状パターン
３  レジストパターン
４  ラインパターン
５  マスクパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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