(57)【要約】      （修正有）【課題】欠陥が少なく信頼性の高い圧電デバイスを製造できる圧電デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】第１導電層２０と、第２導電層４０と、第１導電層２０と第２導電層４０とに挟まれた圧電層３０とを含む圧電素子１００を有する圧電デバイス１の製造方法であって、第１導電層２０及び第２導電層４０の少なくとも一方の導電層を形成する導電層形成工程と、導電層形成工程で形成された導電層の形状の異常を検出する導電層検出工程と、導電層検出工程で異常が検出された場合に、異常を修復する導電層修復工程と、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電層と、第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層とに挟まれた圧電層とを含む圧電素子を有する圧電デバイスの製造方法であって、
前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくとも一方の導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層形成工程で形成された前記導電層の形状の異常を検出する導電層検出工程と、
前記導電層検出工程で前記異常が検出された場合に、前記異常を修復する導電層修復工程と、
を含む、圧電デバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記導電層形成工程では、発光材料を含む材料で前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくとも一方を形成する、圧電デバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１及び２のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記導電層形成工程では、液相プロセスにより前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくとも一方を形成する、圧電デバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記導電層検出工程において、前記異常として前記第１導電層及び前記第２導電層のいずれかの一部に欠落箇所を検出した場合には、前記導電層修復工程では、インクジェット法、ディップペン法及びディスペンス法のいずれかを用いて前記欠落箇所を修復する、圧電デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記導電層検出工程において、前記異常として前記第１導電層及び前記第２導電層のいずれかの一部に余剰箇所を検出した場合には、前記導電層修復工程では、レーザー、プラズマ及びイオンビームのいずれかを前記余剰箇所に照射して前記余剰箇所を除去する、圧電デバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法であって、
前記圧電層を形成する圧電層形成工程と、
前記圧電層形成工程で形成された前記圧電層の形状の異常を検出する圧電層検出工程と、
前記圧電層検出工程で前記異常が検出された場合に、前記異常を修復する圧電層修復工程と、
を含む、圧電デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記圧電層形成工程では、発光材料を含む材料で圧電層を形成する、圧電デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項６及び７のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記圧電層形成工程では、液相プロセスにより前記圧電層を形成する、圧電デバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項６ないし８のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記圧電層検出工程において、前記異常として前記圧電層の一部に欠落箇所を検出した場合には、前記圧電層修復工程では、インクジェット法、ディップペン法及びディスペンス法のいずれかを用いて前記欠落箇所を修復する、圧電デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項６ないし９のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記圧電層検出工程において、前記異常として前記圧電層の一部に余剰箇所を検出した場合には、前記圧電層修復工程では、レーザー、プラズマ及びイオンビームのいずれかを前記余剰箇所に照射して前記余剰箇所を除去する、圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、下部電極、圧電体層および上部電極を備えた圧電素子などの薄膜形状のパターンを有するデバイスは、フォトリソグラフィによるパターニング工程を経て形成されることが一般的であった。フォトリソグラフィによって素子をパターニングする工程は、材料の使用効率が悪く、またマスキング、エッチング等の工程を経るため、割高でスループットも必ずしも優れていなかった。
【０００３】
このような問題に対して、フォトリソグラフィを必要としない方法として、特許文献１には、電極材料と基板との親和性を表面修飾によって調節し、所定領域に選択的に電極パターンを形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１３５９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、液相プロセスのようにフォトリソグラフィを必要としない方法は、フォトリソグラフィによるパターニングに比べて精度が低いのが現状である。そのため、形成したパターンの欠落や、不要部分へのパターンの形成が発生しやすい。これにより、圧電デバイスの信頼性を損なう可能性がある。
【０００６】
本発明のいくつかの態様によれば、欠陥が少なく信頼性の高い圧電デバイスを製造できる圧電デバイスの製造方法を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明の態様の１つである圧電デバイスの製造方法は、
第１導電層と、第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層とに挟まれた圧電層とを含む圧電素子を有する圧電デバイスの製造方法であって、
前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくとも一方の導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層形成工程で形成された前記導電層の形状の異常を検出する導電層検出工程と、
前記導電層検出工程で前記異常が検出された場合に、前記異常を修復する導電層修復工程と、
を含む。
【０００８】
本発明によれば、導電層検出工程で異常が検出された場合に、異常を修復する導電層修復工程を行うので、導電層の欠陥が少なく信頼性の高い圧電デバイスを製造できる。
【０００９】
（２）この圧電デバイスの製造方法は、
前記導電層形成工程では、発光材料を含む材料で前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくとも一方を形成してもよい。
【００１０】
これにより、導電層検出工程において、異常の有無を識別しやすくなる。
【００１１】
（３）この圧電デバイスの製造方法は、
前記導電層形成工程では、液相プロセスにより前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくとも一方を形成してもよい。
【００１２】
液相プロセスは、フォトリソグラフィによるパターニングに比べて精度が低い。したがって、異常を修復する導電層修復工程を行うことにより、導電層の欠陥が少なく信頼性の高い圧電デバイスを製造できる。
【００１３】
（４）この圧電デバイスの製造方法は、
前記導電層検出工程において、前記異常として前記第１導電層及び前記第２導電層のいずれかの一部に欠落箇所を検出した場合には、前記導電層修復工程では、インクジェット法、ディップペン法及びディスペンス法のいずれかを用いて前記欠落箇所を除去してもよい。
【００１４】
これにより、欠落箇所を除去することができる。
【００１５】
（５）この圧電デバイスの製造方法は、
前記導電層検出工程において、前記異常として前記第１導電層及び前記第２導電層のいずれかの一部に余剰箇所を検出した場合には、前記導電層修復工程では、レーザー、プラズマ及びイオンビームのいずれかを前記余剰箇所に照射して前記余剰箇所を修復してもよい。
【００１６】
これにより、余剰箇所を修復することができる。
【００１７】
（６）この圧電デバイスの製造方法は、
前記圧電層を形成する圧電層形成工程と、
前記圧電層形成工程で形成された前記圧電層の形状の異常を検出する圧電層検出工程と、
前記圧電層検出工程で前記異常が検出された場合に、前記異常を修復する圧電層修復工程と、
を含んでもよい。
【００１８】
圧電層検出工程で異常が検出された場合に、異常を修復する圧電層修復工程を行うので、圧電層の欠陥が少なく信頼性の高い圧電デバイスを製造できる。
【００１９】
（７）この圧電デバイスの製造方法は、
前記圧電層形成工程では、発光材料を含む材料で圧電層を形成してもよい。
【００２０】
これにより、圧電層検出工程において、異常の有無を識別しやすくなる。
【００２１】
（８）この圧電デバイスの製造方法は、
前記圧電層形成工程では、液相プロセスにより前記圧電層を形成してもよい。
【００２２】
液相プロセスは、フォトリソグラフィによるパターニングに比べて精度が低い。したがって、異常を修復する圧電層修復工程を行うことにより、圧電層の欠陥が少なく信頼性の高い圧電デバイスを製造できる。
【００２３】
（９）この圧電デバイスの製造方法は、
前記圧電層検出工程において、前記異常として前記圧電層の一部に欠落箇所を検出した場合には、前記圧電層修復工程では、インクジェット法、ディップペン法及びディスペンス法のいずれかを用いて前記欠落箇所を修復してもよい。
【００２４】
これにより、欠落箇所を修復することができる。
【００２５】
（１０）この圧電デバイスの製造方法は、
前記圧電層検出工程において、前記異常として前記圧電層の一部に余剰箇所を検出した場合には、前記圧電層修復工程では、レーザー、プラズマ及びイオンビームのいずれかを前記余剰箇所に照射して前記余剰箇所を修復してもよい。
【００２６】
これにより、余剰箇所を修復することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施形態に係る圧電デバイスの製造方法の流れを示すフローチャート。
【図２】本実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための圧電デバイスの断面図。
【図３】マイクロコンタクトプリント法について説明するための図。
【図４】本実施形態における修復方法の一例を説明するための図。
【図５】本実施形態における修復方法の他の一例を説明するための図。
【図６】本実施形態における修復方法の他の一例を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００２９】
なお、本実施形態に係る記載では、「上」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「上」に他の特定のもの（以下「Ｂ」という）を形成する」などと用いている。本実施形態に係る記載では、この例のような場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「上」という文言を用いている。
【００３０】
１．圧電デバイスの製造方法の概略
本実施形態に係る圧電デバイスの製造方法の概略について、圧電デバイスの一例として圧電アクチュエーターを製造する場合を例にとり説明する。なお、圧電デバイスとしてはこれに限らず、例えば、セラミック共振子、水晶振動子、圧電型角速度センサ、表面実装型加速度センサ、超音波モータ、圧電トランス、ＳＡＷ（surface acoustic wave）デバイス等を挙げることができる。
【００３１】
図１は、本実施形態に係る圧電デバイスの製造方法の流れを示すフローチャート、図２は、本実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための圧電デバイスの断面図である。
【００３２】
本実施形態に係る圧電デバイスの製造方法は、第１導電層２０と、第２導電層４０と、第１導電層２０と第２導電層４０とに挟まれた圧電層３０とを含む圧電素子１００を有する圧電デバイス１の製造方法であって、第１導電層２０及び第２導電層４０の少なくとも一方の導電層を形成する導電層形成工程と、導電層形成工程で形成された導電層の形状の異常を検出する導電層検出工程と、導電層検出工程で異常が検出された場合に、異常を修復する導電層修復工程と、を含む。
【００３３】
また、本実施形態に係る圧電デバイスの製造方法は、圧電層３０を形成する圧電層形成工程と、圧電層形成工程で形成された圧電層３０の形状の異常を検出する圧電層検出工程と、圧電層検出工程で異常が検出された場合に、異常を修復する圧電層修復工程と、を含んでもよい。
【００３４】
図１に示すフローチャートにおいて、まず、第１導電層２０を形成する（ステップＳ１００；本発明における導電層形成工程に対応）。図２（Ａ）に示す例では、基板１０の上に第１導電層２０を形成している。
【００３５】
基板１０としては、例えば、半導体基板、樹脂基板等を用途に応じて任意に用いることができる。本実施形態においては、基板１０は、圧電アクチュエーター１の振動板として構成されている。振動板としての基板１０としては、例えば、酸化ジルコニウム、酸化珪素及び酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも１種の層又はこれらの積層体として形成することができる。
【００３６】
第１導電層２０は、導電性を有し、圧電素子の下部電極として機能する。第１導電層２０の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ等の金属や、ＩＴＯ、ＩｒＯ２、ＳｒＲｕＯ３、ＬａＮｉＯ３等の酸化物、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Polystyrenesulfonate doped PEDOT(polyethylenedioxythiophene)）、ポリアニリン等の有機物を用いることができる。第１導電層２０の厚さは、十分に低い電気抵抗値を得られる厚さであればよく、例えば、１０ｎｍ〜５μｍとすることができる。
【００３７】
第１導電層２０は、液相プロセスにより形成してもよい。液相プロセスとしては、例えば、インクジェット法、スクリーン印刷法、凹版印刷法、凸版印刷法、マイクロコンタクトプリント法等を用いることができる。例えば、第１導電層２０をＰｔで形成する場合には、例えば、前駆体材料（インク）として、市販のインク（Ｐｔ  Ｐａｓｔｅ  Ｅ−３１００：Ｎ．Ｅ．ＣＨＥＭＣＡＴ社製）を用いて上記の方法により形成することができる。
【００３８】
液相プロセスの一例として、マイクロコンタクトプリント法を用いて第１導電層２０を形成する場合について説明する。図３は、マイクロコンタクトプリント法について説明するための図である。
【００３９】
まず、図３（Ａ）に示すように、マスター版５００を準備する。マスター版５００は、材料として例えばＳｉや石英を用い、フォトリソグラフィ法により所望の形状に形成して作成されてもよい。また、マスター版５００は、材料として例えばＮｉを用い、電鋳法により所望の形状に形成して作成されてもよい。図３（Ａ）に示す例では、マスター版５００は、凹凸面５０２を有する形状に形成されている。
【００４０】
次に、図３（Ｂ）に示すように、マスター版５００の凹凸面５０２を転写することにより、転写版５２０を作成する。転写方法としては、一般的にナノインプリント法と称される方法を用いることができる。これにより、マスター版５００に形成された凹凸面５０２の凹部の形状が、転写版５２０における凸部の形状に転写され、凹凸面５２２を有する転写版５２０を形成することができる。転写版５２０の材料としては、例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）を用いることができる。
【００４１】
次に、図３（Ｃ）に示すように、転写版５２０の凹凸面５２２に、第１導電層２０の前駆体材料（インク）を塗布して、インク層６００を形成する。前駆体材料の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、スリットコート法、バーコート法等を用いることができる。
【００４２】
次に、図３（Ｄ）に示すように、転写版５２０の凹凸面５２２の凸部に形成されたインク層６００を基板１０に転写して、転写インク層２０Ａを形成する。その後、転写インク層２０Ａの溶媒（分散媒）となっている有機成分を、乾燥や脱脂等により除去することにより、第１導電層２０が形成される。これにより、所望のパターンの第１導電層２０を形成することができる。
【００４３】
図１に示すフローに戻り、ステップＳ１００の後に、第１導電層２０の形状の異常を検出する（Ｓ１０２；本発明における導電層検出工程に対応）。例えば、画像認識装置により、製造中の圧電アクチュエーターと製造中のほかの圧電アクチュエーターとを比較したり、製造中の圧電アクチュエーターと設計図面を基に作成した基本パターンと比較したりすることにより、第１導電層２０の形状の異常の有無や異常の位置及び種類を検出することができる。
【００４４】
例えば、ステップＳ１０２において、許容される面積を超える面積の欠落箇所が第１導電層２０の１箇所に検出された場合に、その箇所を欠落箇所として検出してもよい。また例えば、ステップＳ１０２において、許容される面積を超える面積の余剰箇所が第１導電層２０の１箇所に検出された場合に、その箇所を余剰箇所として検出してもよい。
【００４５】
ステップＳ１０２の後に、ステップＳ１０２において異常が検出されたか否かを判定する（ステップＳ１０４；本発明における導電層修復工程に対応）。ステップＳ１０２において異常が検出されたものと判定した場合（ステップＳ１０４でＹＥＳの場合）には、検出された異常を修復する（ステップＳ１０６；本発明における導電層修復工程に対応）。異常の修復方法については後述する。
【００４６】
ステップＳ１０２において異常が検出されなかったものと判定した場合（ステップＳ１０４でＮＯの場合）及びステップＳ１０６の後に、図２（Ｂ）に示すように、圧電層３０を形成する（ステップＳ１０８；本発明における圧電層形成工程に対応）。
【００４７】
圧電層３０は、圧電素子１００の圧電体として機能する。図２（Ｂ）に示す例では、第１導電層２０の上に圧電層３０を形成している。
【００４８】
圧電層３０は、液相プロセスにより形成してもよい。液相プロセスとしては、例えば、インクジェット法、スクリーン印刷法、凹版印刷法、凸版印刷法、マイクロコンタクトプリント法等を用いることができる。例えば、図３を用いて説明したマイクロコンタクトプリント法と同様の方法により、圧電体層３０を形成してもよい。
【００４９】
圧電体層３０の材料としては、特に限定されず、例えば、ＰＺＴ［Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３］、ＰＺＴＮ［Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ３］、ＢａＴｉＯ３、（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ３等を用いることができる。
【００５０】
圧電体層をＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）で構成する場合のインクとしては、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉを含むゾルゲル溶液を用いることができる。例えば、酢酸鉛、ジルコニウムアセチルアセトナート、チタニウムテトライソプロポキシドを含みブトキシエタノールを溶媒とし、ジエタノールアミンおよびポリエチレングリコールを添加したものを用いることができる。
【００５１】
図１に示すフローに戻り、ステップＳ１０８の後に、圧電層３０の形状の異常を検出する（Ｓ１１０；本発明における圧電層検出工程に対応）。例えば、画像認識装置により、製造中の圧電アクチュエーターと製造中のほかの圧電アクチュエーターとを比較したり、製造中の圧電アクチュエーターと設計図面を基に作成した基本パターンと比較したりすることにより、圧電層３０の形状の異常の有無や異常の位置及び種類を検出することができる。
【００５２】
例えば、ステップＳ１１０において、許容される面積を超える面積の欠落箇所が圧電層３０の１箇所に検出された場合に、その箇所を欠落箇所として検出してもよい。また例えば、ステップＳ１１０において、許容される面積を超える面積の余剰箇所が圧電層３０の１箇所に検出された場合に、その箇所を余剰箇所として検出してもよい。
【００５３】
ステップＳ１１０の後に、ステップＳ１１０において異常が検出されたか否かを判定する（ステップＳ１１２；本発明における圧電層修復工程に対応）。ステップＳ１１０において異常が検出されたものと判定した場合（ステップＳ１１２でＹＥＳの場合）には、検出された異常を修復する（ステップＳ１１４；本発明における圧電層修復工程に対応）。異常の修復方法については後述する。
【００５４】
ステップＳ１１０において異常が検出されなかったものと判定した場合（ステップＳ１１２でＮＯの場合）及びステップＳ１１４の後に、図２（Ｃ）に示すように、第２導電層４０を形成する（ステップＳ１１６；本発明における導電層形成工程に対応）。
【００５５】
第２導電層４０は、導電性を有し、圧電素子１００の上部電極として機能する。図２（Ｃ）に示す例では、圧電層３０の上に第２導電層４０を形成している。第２導電層４０の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ等の金属や、ＩＴＯ、ＩｒＯ２、ＳｒＲｕＯ３、ＬａＮｉＯ３等の酸化物、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリアニリン等の有機物を用いることができる。第２導電層４０の厚さは、十分に低い電気抵抗値を得られる厚さであればよく、例えば、１０ｎｍ〜５μｍとすることができる。
【００５６】
第２導電層４０は、液相プロセスにより形成してもよい。液相プロセスとしては、例えば、インクジェット法、スクリーン印刷法、凹版印刷法、凸版印刷法、マイクロコンタクトプリント法等を用いることができる。例えば、図３を用いて説明したマイクロコンタクトプリント法と同様の方法により、第２導電層４０を形成してもよい。また例えば、第２導電層４０をＰｔで形成する場合には、例えば、前駆体材料（インク）として、市販のインク（Ｐｔ  Ｐａｓｔｅ  Ｅ−３１００：Ｎ．Ｅ．ＣＨＥＭＣＡＴ社製）を用いて上記の方法により形成することができる。
【００５７】
図１に示すフローに戻り、ステップＳ１１６の後に、第２導電層４０の形状の異常を検出する（Ｓ１１８；本発明における導電層検出工程に対応）。例えば、画像認識装置により、製造中の圧電アクチュエーターと製造中のほかの圧電アクチュエーターとを比較したり、製造中の圧電アクチュエーターと設計図面を基に作成した基本パターンと比較したりすることにより、第２導電層４０の形状の異常の有無や異常の位置及び種類を検出することができる。
【００５８】
例えば、ステップＳ１１８において、許容される面積を超える面積の欠落箇所が第２導電層４０の１箇所に検出された場合に、その箇所を欠落箇所として検出してもよい。また例えば、ステップＳ１１８において、許容される面積を超える面積の余剰箇所が第２導電層４０の１箇所に検出された場合に、その箇所を余剰箇所として検出してもよい。
【００５９】
ステップＳ１１８の後に、ステップＳ１１８において異常が検出されたか否かを判定する（ステップＳ１２０；本発明における導電層修復工程に対応）。ステップＳ１１８において異常が検出されたものと判定した場合（ステップＳ１２０でＹＥＳの場合）には、検出された異常を修復する（ステップＳ１２２；本発明における導電層修復工程に対応）。異常の修復方法については後述する。
【００６０】
ステップＳ１１８において異常が検出されなかったものと判定した場合（ステップＳ１２０でＮＯの場合）及びステップＳ１２２の後に、圧電アクチュエーター１の製造を完了する。
【００６１】
なお、図２には示していないが、ステップＳ１１８において異常が検出されなかったものと判定した場合（ステップＳ１２０でＮＯの場合）及びステップＳ１２２の後に、圧電層３０を保護する保護膜や、第２導電層４０と電気的に接続する配線層を形成してもよい。
【００６２】
２．異常の修復方法
次に、図１に示すフローチャートにおけるステップＳ１０８、ステップＳ１１４及びステップＳ１２２での異常の修復方法について説明する。
【００６３】
図４は、本実施形態における修復方法の一例を説明するための図である。
【００６４】
図４に示す例は、導電層検出工程（ステップＳ１０２、ステップＳ１１８）において、異常として第１導電層２０及び第２導電層４０のいずれかの一部に欠落箇所を検出した場合には、導電層修復工程（ステップＳ１０６、ステップＳ１２２）では、インクジェット法、ディップペン法及びディスペンス法のいずれかを用いて欠落箇所を修復する例である。
【００６５】
なお、図４に示す例では、第１導電層２０を修復する例について説明するが、同様に、圧電層検出工程（ステップＳ１１０）において、異常として圧電層３０の一部に欠落箇所を検出した場合には、圧電層修復工程（ステップＳ１１４）では、インクジェット法、ディップペン法及びディスペンス法のいずれかを用いて欠落箇所を修復してもよい。
【００６６】
図４（Ａ）は、導電層検出工程（ステップＳ１０２）において、異常の有無を判定するための比較対象となる基本パターン、図４（Ｂ）は、導電層形成工程（ステップＳ１００）において形成された第１導電層２０のパターン例、図４（Ｃ）は、導電層修復工程（ステップＳ１０６）で修復された後の第１導電層２０のパターン例をそれぞれ表す平面図である。
【００６７】
まず、導電層検出工程（ステップＳ１０２）において、図４（Ａ）に示す基本パターンと図４（Ｂ）に示す第１導電層２０のパターンとを比較して、欠落箇所２００Ａ、２０２Ａを異常として検出する。
【００６８】
次に、導電層修復工程（ステップＳ１０６）において、インクジェット法、ディップペン法及びディスペンス法のいずれかを用いて、図４（Ｂ）に示す欠落箇所２００Ａ、２０２Ａを所望の材料で埋めることにより、欠落箇所２００Ａ、２０２Ａを修復する。導電層修復工程（ステップＳ１０６）において、所望の材料で埋めた箇所が、図４（Ｃ）において、修復箇所２００Ｂ、２０２Ｂとなる。所望の材料は、例えば、修復したい層（図４に示す例では第１導電層２０）を形成する材料と同一の材料を用いることができる。
【００６９】
これにより、欠落箇所を修復することができる。したがって、欠陥が少なく信頼性の高い圧電デバイスを製造できる。
【００７０】
図５は、本実施形態における修復方法の他の一例を説明するための図である。
【００７１】
図５に示す例は、導電層検出工程（ステップＳ１０２、ステップＳ１１８）において、異常として第１導電層２０及び第２導電層４０のいずれかの一部に余剰箇所を検出した場合には、導電層修復工程（ステップＳ１０６、ステップＳ１２２）では、レーザー、プラズマ及びイオンビームのいずれかを余剰箇所に照射して余剰箇所を修復する例である。
【００７２】
なお、図５に示す例では、第１導電層２０を修復する例について説明するが、同様に、圧電層検出工程（ステップＳ１１０）において、異常として圧電層３０の一部に余剰箇所を検出した場合には、圧電層修復工程（ステップＳ１１４）では、レーザー、プラズマ及びイオンビームのいずれかを余剰箇所に照射して余剰箇所を除去してもよい。
【００７３】
図５（Ａ）は、導電層検出工程（ステップＳ１０２）において、異常の有無を判定するための比較対象となる基本パターン、図５（Ｂ）は、導電層形成工程（ステップＳ１００）において形成された第１導電層２０のパターン例、図５（Ｃ）は、導電層修復工程（ステップＳ１０６）で修復された後の第１導電層２０のパターン例をそれぞれ表す平面図である。
【００７４】
まず、導電層検出工程（ステップＳ１０２）において、図５（Ａ）に示す基本パターンと図５（Ｂ）に示す第１導電層２０のパターンとを比較して、余剰箇所２０４Ａを異常として検出する。
【００７５】
次に、導電層修復工程（ステップＳ１０６）において、レーザー、プラズマ及びイオンビームのいずれかを図５（Ｂ）に示す余剰箇所２０４Ａに照射して、余剰箇所２０４Ａを除去する。導電層修復工程（ステップＳ１０６）において、余剰箇所２０４Ａを除去された箇所が、図５（Ｃ）において、修復箇所２０４Ｂとなる。
【００７６】
これにより、余剰箇所を除去することができる。したがって、欠陥が少なく信頼性の高い圧電デバイスを製造できる。
【００７７】
なお、上述の例では、１箇所の異常について、欠落箇所を修復する工程と余剰箇所を除去する工程とのいずれかのみを行う例について説明したが、１箇所の異常について、欠落箇所を修復する工程と余剰箇所を除去する工程との両方を行ってもよい。
【００７８】
図６は、本実施形態における修復方法の他の一例を説明するための図である。図６（Ａ）は、導電層形成工程（ステップＳ１００）において形成された第１導電層２０のパターン例、図６（Ｂ）は、導電層修復工程（ステップＳ１０６）で欠落箇所を修復された後の第１導電層２０のパターン例、図６（Ｃ）は、導電層修復工程（ステップＳ１０６）で余剰箇所を修復された後の第１導電層２０のパターン例をそれぞれ表す平面図である。
【００７９】
まず、導電層検出工程（ステップＳ１０２）において、図６（Ａ）に示す欠落箇所２０６Ａ、２０８Ａを異常として検出する。
【００８０】
次に、導電層修復工程（ステップＳ１０６）において、インクジェット法、ディップペン法及びディスペンス法のいずれかを用いて、図６（Ａ）に示す欠落箇所２０６Ａ、２０８Ａを所望の材料で埋めることにより、欠落箇所２０６Ａ、２０８Ａを修復する。導電層修復工程（ステップＳ１０６）において、所望の材料で埋めた箇所が、図６（Ｂ）において、修復箇所２０６Ｂ、２０８Ｂとなる。所望の材料は、例えば、修復したい層（図６に示す例では第１導電層２０）を形成する材料と同一の材料を用いることができる。
【００８１】
ここで、図６（Ｂ）において、欠落箇所２０６Ａ、２０８Ａを修復したことによって、修復箇所２０６Ｂ、２０８Ｂの一部が新たな余剰箇所となっている。このような場合に、新たな余剰箇所となっている修復箇所２０６Ｂ、２０８Ｂの一部にレーザー、プラズマ及びイオンビームのいずれかを照射して、余剰箇所を除去することことができる。余剰箇所を除去した後の修復箇所は、図６（Ｃ）に示す修復箇所２０６Ｃ、２０８Ｃとなる。
【００８２】
このように、１箇所の異常について、欠落箇所を修復する工程と余剰箇所を除去する工程との両方を行うことにより、より精度よくパターンの異常を修復することができる。
【００８３】
３．変形例
導電層形成工程（ステップＳ１０２、ステップＳ１１８）では、発光材料を含む材料で第１導電層２０及び第２導電層４０の少なくとも一方を形成してもよい。また、圧電層形成工程（ステップＳ１０８）では、発光材料を含む材料で圧電層３０を形成してもよい。発光材料としては、例えば、蛍光材料や燐光材料を用いることができる。
【００８４】
例えば、第１導電層２０及び第２導電層４０を形成する場合には、前駆体材料にジスチリルビフェニル系、ジメシチルボリル基結合アモルファス発光材料、ポリフルオレン系発光材料、アリールアミン系発光材料、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）系発光材料、チオフェン系発光材料、オリゴフェニレンビニレンテトラマー発光材料のいずれかを含有させて、液相プロセスを用いて形成してもよい。これらの材料は、光を照射すると発光するため、導電層検出工程（ステップＳ１０２、ステップＳ１１０）において容易に形状の異常を検出できるようになる。
【００８５】
また、導電層修復工程（ステップＳ１０６、ステップＳ１２２）及び圧電層修復工程（ステップＳ１１４）は、異常を修復したい層に発光材料が含まれている段階で行い、異常を修復した後に脱脂、焼成等を行って発光材料を除去する発光材料除去工程を行ってもよい。例えば、図１のフローチャートにおいて、ステップＳ１０８の直前、ステップＳ１１６の直前、「エンド」の直前の工程に、発光材料除去工程を行う。発光材料として、上述のような有機材料を用いることにより、発光材料除去工程で発光材料を比較的容易に除去できる。また、特に圧電素子の場合には、このような有機材料の発光材料が残存しても特性への悪影響が少ない。
【００８６】
なお、上述した実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば各実施形態及び各変形例は、複数を適宜組み合わせることが可能である。
【００８７】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【００８８】
１  圧電アクチュエーター、１０  基板、２０  第１導電層、２０Ａ  転写インク層、３０  圧電層、４０  第２導電層、１００  圧電素子、２００Ａ  欠落箇所、２００Ｂ  修復箇所、２０２Ａ  欠落箇所、２０２Ｂ  修復箇所、２０４Ａ  余剰箇所、２０４Ｂ  修復箇所、２０６Ａ  欠落箇所、２０６Ｂ  修復箇所、２０６Ｃ  修復箇所、２０８Ａ  欠落箇所、２０８Ｂ  修復箇所、２０８Ｃ  修復箇所、５００  マスター版、５０２  凹凸面、５２０  転写版、５２２  凹凸面、６００  インク層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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