(57)【要約】【課題】吸着取出しミスによる装着運転の停止を極力減少させることよって、半導体素子の装着装置における生産効率の向上を図ること。【解決手段】吸着取出し動作の開始により、タイマー３５をセットし（ステップＳ１４）、タイムアップした後に、真空スイッチ１６の状態を見て（ステップＳ１６）、オン状態であれば半導体素子２を正しい姿勢で吸着しているものとして、角錐コレット４を上昇させる（ステップＳ１７）。また、真空スイッチ１６がオフ状態であればタイマー３５を再度セットし（ステップＳ１８）、タイムアップする前に（ステップＳ１９）、真空スイッチ１６の状態を再度見て（ステップＳ２０）、オン状態であれば半導体素子２を正しい姿勢で吸着しているものとして、角錐コレット４を上昇させる（ステップＳ１７）。【選択図】図７
2011171679.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を供給する半導体素子供給装置やこの半導体素子供給装置から取出されて前記半導体素子が載置された中継装置等から前記半導体素子をコレットにより吸着保持して取出す半導体素子の取出し方法において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始し、
この吸着取出し動作が開始するとタイマーをセットし、
このタイマーのタイムアップ後において前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチの状態がオン状態であれば前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる
ことを特徴とする半導体素子の取出し方法。
【請求項２】
半導体素子を供給する半導体素子供給装置やこの半導体素子供給装置から取出されて前記半導体素子が載置された中継装置等から前記半導体素子をコレットにより吸着保持して取出す半導体素子の取出し方法において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始し、
この吸着取出し動作が開始すると第１タイマーをセットし、
この第１タイマーのタイムアップ後において前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチの状態がオフ状態であれば第２タイマーをセットし、
この第２タイマーのタイムアップ前に前記真空スイッチの状態がオン状態となると前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる
ことを特徴とする半導体素子の取出し方法。
【請求項３】
半導体素子を供給する半導体素子供給装置やこの半導体素子供給装置から取出されて前記半導体素子が載置された中継装置等から前記半導体素子をコレットにより吸着保持して取出す半導体素子の取出し方法において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始し、
この吸着取出し動作が開始すると第１タイマーをセットし、
この第１タイマーのタイムアップ後において前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチの状態がオフ状態であれば第２タイマーをセットし、
この第２タイマーの計時中に前記真空スイッチの状態がオン状態とならずにタイムアップすると、前記コレットを上昇させる
ことを特徴とする半導体素子の取出し方法。
【請求項４】
前記コレットが上昇して上昇限に達した後において、前記真空スイッチの状態がオフ状態であれば、装着運転を停止することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体素子の取り出し方法。
【請求項５】
半導体素子を供給する半導体素子供給装置やこの半導体素子供給装置から取出されて前記半導体素子が載置された中継装置等から前記半導体素子をコレットにより吸着保持して取出す半導体素子の取出し方法において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始し、
この吸着取出し動作が開始するとタイマーをセットし、
このタイマーのタイムアップ前において、前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチの状態がオン状態であれば前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる
ことを特徴とする半導体素子の取出し方法。
【請求項６】
半導体素子を供給する半導体素子供給装置やこの半導体素子供給装置から取出されて前記半導体素子が載置された中継装置等から前記半導体素子をコレットにより吸着保持して取出す半導体素子の取出し方法において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始し、
この吸着取出し動作が開始した後において、前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチの状態の結果がオン状態であれば前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる
ことを特徴とする半導体素子の取出し方法。
【請求項７】
搬送されるリードフレームや基板等のワークにコレットにより吸着保持された半導体素子を装着する半導体素子の装着装置において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始させる開始手段と、
この開始手段による吸着取出し動作が開始するとセットして計時を開始するタイマーと、
前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチと、
前記タイマーのタイムアップ後において前記真空スイッチの状態がオン状態であれば前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる手段とを
設けたことを特徴とする半導体素子の装着装置。
【請求項８】
搬送されるリードフレームや基板等のワークにコレットにより吸着保持された半導体素子を装着する半導体素子の装着装置において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始させる開始手段と、
この開始手段による吸着取出し動作が開始するとセットして計時を開始する第１タイマーと、
前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチと、
前記第１タイマーのタイムアップ後において前記真空スイッチの状態がオフ状態であればセットして計時を開始する第２タイマーと、
この第２タイマーのタイムアップ前に前記真空スイッチの状態がオン状態となると前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる手段と
を設けたことを特徴とする半導体素子の装着装置。
【請求項９】
搬送されるリードフレームや基板等のワークにコレットにより吸着保持された半導体素子を装着する半導体素子の装着装置において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始させる開始手段と、
この開始手段による吸着取出し動作が開始するとセットして計時を開始する第１タイマーと、
前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチと、
前記第１タイマーのタイムアップ後において前記真空スイッチの状態がオフ状態であればセットして計時を開始する第２タイマーと、
この第２タイマーの計時中に前記真空スイッチの状態がオン状態とならずにタイムアップすると、前記コレットを上昇させる手段と
を設けたことを特徴とする半導体素子の装着装置。
【請求項１０】
前記コレットが上昇して上昇限に達した後において、前記真空スイッチの状態がオフ状態であれば、装着運転を停止するように制御する制御手段を設けたことを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれかに記載の半導体素子の装着装置。
【請求項１１】
搬送されるリードフレームや基板等のワークにコレットにより吸着保持された半導体素子を装着する半導体素子の装着装置において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始させる開始手段と、
この開始手段による吸着取出し動作が開始するとセットして計時を開始するタイマーと、
前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチと、
このタイマーのタイムアップ前において、前記真空スイッチの状態がオン状態であれば前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる手段と
を設けたことを特徴とする半導体素子の装着装置。
【請求項１２】
搬送されるリードフレームや基板等のワークにコレットにより吸着保持された半導体素子を装着する半導体素子の装着装置において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始させる開始手段と、
前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチと、
前記開始手段により吸着取出し動作が開始した後において、前記真空スイッチの状態の結果がオン状態であれば前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる手段と
を設けたことを特徴とする半導体素子の装着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を供給する半導体素子供給装置やこの半導体素子供給装置から取出されて前記半導体素子が載置された中継装置等から前記半導体素子をコレットにより吸着保持して取出す半導体素子の取出し方法、及び搬送されるリードフレームや基板等のワークに半導体素子を装着する半導体素子の装着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体素子の装着装置は、例えば特許文献１などに開示されているが、半導体素子を吸着するコレットと半導体素子との位置決めは重要である。ここで、従来の半導体素子の装着装置における角錐コレットが半導体素子を部品供給装置又は中継装置（半導体素子を予備加熱している。）から半導体素子を取出すシーケンスについて、図９に基づき説明する。先ず、装着ヘッドの上下軸駆動モータが駆動して角錐コレットが下降し（ステップＳ０１）、下降限に達したら（ステップＳ０２）、半導体素子（ダイ）の吸着取出し動作が開始する（ステップＳ０３）。即ち、部品供給装置又は中継装置から角錐コレットが下降して吸着して半導体素子を取出す。
【０００３】
この吸着取出し動作の開始により、タイマーが吸着姿勢が安定する時間であるタイマー時間１００ｍｓｅｃをセットし（ステップＳ０４）、タイムアップしたら（ステップＳ０５）、前記上下軸駆動モータが駆動して角錐コレットが上昇し（ステップＳ０６）、上昇限に達したら（ステップＳ０７）、真空スイッチの状態を見て（ステップＳ０８）、オフ状態であれば半導体素子を吸着保持していないか正しい姿勢で吸着していないので、表示装置に吸着ミスとして異常表示をすると共に装着運転を停止する（ステップＳ０９）。また、前述したように、真空スイッチの状態を見て（ステップＳ０８）、オン状態であれば半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして終了する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２７７４５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、半導体素子の吸着姿勢が安定する時間であるタイマー時間をセットして、タイムアップしたら、正しい姿勢で吸着して取出したものとして、上昇させて装着動作に移るようにしているが、半導体素子の外形寸法のバラツキや、特に前記コレットが半導体素子を部品供給装置又は中継装置（半導体素子を予備加熱している。）から半導体素子を取出して前記ワーク（加熱炉内にある）に装着する場合の前記コレットの熱膨張による半導体素子の位置、高さのズレなどの要因により吸着取出しミスが発生し易く、半導体素子の装着装置の運転を停止せざるを得ず、結果として装着動作の生産効率の悪化を招いていた。
【０００６】
そこで本発明は、吸着取出しミスによる装着運転の停止を極力減少させることよって、半導体素子の装着装置における生産効率の向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このため第１の発明は、半導体素子を供給する半導体素子供給装置やこの半導体素子供給装置から取出されて前記半導体素子が載置された中継装置等から前記半導体素子をコレットにより吸着保持して取出す半導体素子の取出し方法において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始し、
この吸着取出し動作が開始するとタイマーをセットし、
このタイマーのタイムアップ後において前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチの状態がオン状態であれば前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる
ことを特徴とする。
【０００８】
第２の発明は、半導体素子を供給する半導体素子供給装置やこの半導体素子供給装置から取出されて前記半導体素子が載置された中継装置等から前記半導体素子をコレットにより吸着保持して取出す半導体素子の取出し方法において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始し、
この吸着取出し動作が開始すると第１タイマーをセットし、
この第１タイマーのタイムアップ後において前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチの状態がオフ状態であれば第２タイマーをセットし、
この第２タイマーのタイムアップ前に前記真空スイッチの状態がオン状態となると前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる
ことを特徴とする。
【０００９】
第３の発明は、半導体素子を供給する半導体素子供給装置やこの半導体素子供給装置から取出されて前記半導体素子が載置された中継装置等から前記半導体素子をコレットにより吸着保持して取出す半導体素子の取出し方法において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始し、
この吸着取出し動作が開始すると第１タイマーをセットし、
この第１タイマーのタイムアップ後において前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチの状態がオフ状態であれば第２タイマーをセットし、
この第２タイマーの計時中に前記真空スイッチの状態がオン状態とならずにタイムアップすると、前記コレットを上昇させる
ことを特徴とする。
【００１０】
第４の発明は、第１乃至第３の発明に係る半導体素子の取出し方法において、前記コレットが上昇して上昇限に達した後において、前記真空スイッチの状態がオフ状態であれば、装着運転を停止することを特徴とする。
【００１１】
第５の発明は、半導体素子を供給する半導体素子供給装置やこの半導体素子供給装置から取出されて前記半導体素子が載置された中継装置等から前記半導体素子をコレットにより吸着保持して取出す半導体素子の取出し方法において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始し、
この吸着取出し動作が開始するとタイマーをセットし、
このタイマーのタイムアップ前において、前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチの状態がオン状態であれば前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる
ことを特徴とする。
【００１２】
第６の発明は、半導体素子を供給する半導体素子供給装置やこの半導体素子供給装置から取出されて前記半導体素子が載置された中継装置等から前記半導体素子をコレットにより吸着保持して取出す半導体素子の取出し方法において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始し、
この吸着取出し動作が開始した後において、前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチの状態の結果がオン状態であれば前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる
ことを特徴とする。
【００１３】
第７の発明は、搬送されるリードフレームや基板等のワークにコレットにより吸着保持された半導体素子を装着する半導体素子の装着装置において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始させる開始手段と、
この開始手段による吸着取出し動作が開始するとセットして計時を開始するタイマーと、
前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチと、
前記タイマーのタイムアップ後において前記真空スイッチの状態がオン状態であれば前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる手段とを
設けたことを特徴とする。
【００１４】
第８の発明は、搬送されるリードフレームや基板等のワークにコレットにより吸着保持された半導体素子を装着する半導体素子の装着装置において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始させる開始手段と、
この開始手段による吸着取出し動作が開始するとセットして計時を開始する第１タイマーと、
前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチと、
前記第１タイマーのタイムアップ後において前記真空スイッチの状態がオフ状態であればセットして計時を開始する第２タイマーと、
この第２タイマーのタイムアップ前に前記真空スイッチの状態がオン状態となると前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる手段と
を設けたことを特徴とする。
【００１５】
第９の発明は、搬送されるリードフレームや基板等のワークにコレットにより吸着保持された半導体素子を装着する半導体素子の装着装置において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始させる開始手段と、
この開始手段による吸着取出し動作が開始するとセットして計時を開始する第１タイマーと、
前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチと、
前記第１タイマーのタイムアップ後において前記真空スイッチの状態がオフ状態であればセットして計時を開始する第２タイマーと、
この第２タイマーの計時中に前記真空スイッチの状態がオン状態とならずにタイムアップすると、前記コレットを上昇させる手段と
を設けたことを特徴とする。
【００１６】
第１０の発明は、第７乃至第９の発明に係る半導体素子の装着装置において、前記コレットが上昇して上昇限に達した後において、前記真空スイッチの状態がオフ状態であれば、装着運転を停止するように制御する制御手段を設けたことを特徴とする。
【００１７】
第１１の発明は、搬送されるリードフレームや基板等のワークにコレットにより吸着保持された半導体素子を装着する半導体素子の装着装置において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始させる開始手段と、
この開始手段による吸着取出し動作が開始するとセットして計時を開始するタイマーと、
前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチと、
このタイマーのタイムアップ前において、前記真空スイッチの状態がオン状態であれば前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる手段と
を設けたことを特徴とする。
【００１８】
第１２の発明は、搬送されるリードフレームや基板等のワークにコレットにより吸着保持された半導体素子を装着する半導体素子の装着装置において、
前記コレットを下降させて前記半導体素子の吸着取出し動作を開始させる開始手段と、
前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチと、
前記開始手段により吸着取出し動作が開始した後において、前記真空スイッチの状態の結果がオン状態であれば前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させる手段と
を設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、吸着取出しミスによる装着運転の停止を極力減少させることよって、半導体素子の装着装置における生産効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】半導体素子の装着装置の平面図である。
【図２】中間テーブルと装着ヘッドを示す半導体素子の装着装置の概略図である。
【図３】角錐コレットの斜視図である。
【図４】角錐コレットによる半導体素子の取出し動作を示す図である。
【図５】制御ブロック図である。
【図６】ワークであるリードフレームの平面図である。
【図７】第１の実施形態の部品供給装置又は中継装置から半導体素子を取出すシーケンスを示す図である。
【図８】第２の実施形態の部品供給装置又は中継装置から半導体素子を取出すシーケンスを示す図である。
【図９】従来の部品供給装置又は中継装置から半導体素子を取出すシーケンスを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について説明する。半導体素子の装着装置１は、外から供給されるワーク３を搬送装置により間欠送りしながら、このワーク３上に所定作業を施した後、装着装置１から下流の装置に送るものである。前記ワーク３はリードフレーム、ヒートシンクやセラミック基板等であるが、図６に示したように、本実施形態のワーク３は、搬送するためのトランスファの送り爪が係合する係合穴３Ａを有するリードフレームである。
【００２２】
ワーク３の搬送装置を省略した前記装着装置１の平面図である図１において、前記装着装置１は、上流から供給ステーションＡ、はんだ塗布ステーションＢ、装着ステーションＣ及び排出ステーションＤを有している。そして、加熱雰囲気空間である加熱炉を構成する装置本体１Ａにはのぞき窓１４が設けられ、はんだの塗布状態や半導体素子２の装着状態などを作業者がのぞくことができる。
【００２３】
先ず、供給ステーションＡでは、トレイ収納ユニット１５に収納されたトレイ１８上に整列されて収納されている前記ワーク３をワーク移載用吸着ノズルが図示しない駆動源により平面方向及び上下方向に移動しながら取出してシリンダー１２Ａによりシャッター１３Ａを移動させて開口１１Ａを介して搬送路上に順次供給し、この供給後に、シャッター１３Ａを移動させて前記開口１１Ａを閉塞する。そして、搬送装置が前記搬送路上のワーク３を順次１ピッチずつ間欠送りする。
【００２４】
８は装置本体１Ａ内のワーク３の酸化を防止したり還元させるために窒素ガスを前記装置本体１Ａ内に供給する複数のガス供給パイプで、この各ガス供給パイプ８は図示しないガス供給源に各流量調節器を介して接続されている。
【００２５】
次のはんだ塗布ステーションＢでは、シリンダー１２Ｂによりシャッター１３Ｂを移動させて開口１１Ｂを介して搬送路上のワーク３上にはんだ塗布装置が接合材であるワイヤはんだを塗布し、この塗布後に、シャッター１３Ｂを移動させて前記開口１１Ｂを閉塞する。尚、搬送路には、ヒータが埋設されたヒータブロックが設けられ、前記ワーク３を加熱し、前記ワイヤはんだを溶融しながら塗布する。
【００２６】
次の装着ステーションＣでは、移載ヘッド６に設けられた半導体移載用ノズル７がＸ軸駆動モータ、Ｙ軸駆動モータにより平面方向、上下軸駆動モータに上下方向、及びθ軸駆動モータにより回転方向に移動しながら、半導体素子の供給装置２０のＸＹテーブル２１上のウエハシート２２からダイシングされた状態で配置されたダイなどの半導体素子２を吸着して取出して、中継装置である中間テーブル９上に順次移載する。この中間テーブル９は、半導体素子の供給装置２０の上方に空間を存して配設され、加熱ヒータが内蔵されており、半導体素子２を搬送路上のワーク３に装着する前に、この半導体素子２を予備加熱する。また、半導体移載用ノズル７が下降してくるポイントの真下に半導体素子２を下から突き上げる突き上げ針を有する突き上げ装置２４が設置されている。
【００２７】
そして、装着ヘッド５に設けられた装着用角錐コレット４がＸ軸駆動モータ３７、Ｙ軸駆動モータ３８により平面方向、上下軸駆動モータ３９に上下方向、及びθ軸駆動モータ４０により回転方向に移動しながら、吸引口が開設された中間テーブル９上に移載されて吸引保持されていた状態からこの吸引保持が解除された半導体素子２を吸着して取出して、順次搬送路上のワーク３に装着される。
【００２８】
この場合、中間テーブル９は装置本体１Ａ外にあって、前記搬送路は装置本体１Ａ内にあって、シリンダー１２Ｃによりシャッター１３Ｃを移動させて開口１１Ｃを介して搬送路上のワーク３上に装着用角錐コレット４が半導体素子２を装着し、この装着後に、シャッター１３Ｃを移動させて前記開口１１Ｃを閉塞する。
【００２９】
前記装着用角錐コレット４は、図３及び図４に示すように、外形は四角筒状体を呈しており、中央部に真空吸引通路４Ａが形成され、この真空吸引通路４Ａに上端部が連通すると共に下端面が開口して半導体素子２を受入れる四角錐状の凹部４Ｂを有している。即ち、この凹部４Ｂの形状は半導体素子２の上面外形よりも広い下開口部と、半導体素子２の上面外形よりも狭い上開口部（真空吸引通路４Ａに連通する。）との間に、傾斜した４面の接触面４Ｃが形成され、四角錐状の凹部４Ｂを半導体素子２で閉塞して、半導体素子２の上面側を真空引きして真空吸着するようになっている。従って、半導体素子２は角錐コレット４の角錐状凹部４Ｂの内形にて位置規制されて、角錐コレット４に真空吸着されるようになっている。
【００３０】
そして、図２に示すように、前記真空吸引通路４Ａは真空吸引路を構成するチューブ１７を介して図示しない開閉弁及び吸引源に連通され、その途中に真空スイッチ１６が設けられ、チューブ１７内の空気圧が大気圧より低い（所謂、真空圧が高い）真空圧に近い圧力である所定レベル（閾値）以下になるとオンし、このオン信号を制御装置３５に出力する。
【００３１】
前記装着ステーションＣと排出ステーションＤとの間には、半導体素子２の装着が終わったワーク３の迅速なる冷却により酸化を防止するために、窒素ガス等の酸化防止ガスのエアーカーテンが形成される。このエアーカーテンは、ワーク３の搬送路上方からワーク３に酸化防止ガスを吹き付けるもので、例えば搬送路上方に配設されたパイプ２６に複数個の穴を開けて、ガス供給源（図示せず）に連通するガス供給バルブ２７を介して該パイプ２６の穴より酸化防止ガスを噴出させる。
【００３２】
最後の排出ステーションＤでは、前記搬送路上の前記半導体素子２が装着されたワーク３が図示しない駆動源により平面方向及び上下方向に移動する排出取出し装置により取出され、トレイ収納ユニット１５に収納されたトレイ１８上に収納される。
【００３３】
以上のように、供給ステーションＡで供給された搬送路上のワーク３を搬送装置により順次１ピッチずつ間欠送りしながら、各作業、即ちワーク３上にワイヤはんだを塗布したり、ワーク３上に半導体素子２を装着したり、ワーク３を搬送路上から取出して収納したりする。
【００３４】
なお、前記装着用角錐コレット４の動作に係る前記半導体素子の装着装置１の図５の制御ブロック図について説明すると、３１は本装着装置を統括制御するマイクロコンピュータなどから構成される判断手段、監視手段、制御手段としての制御装置、３２は各種データを格納する記憶装置、３５はインターフェース３３を介して制御装置３１に接続されるタイマー、３６はインターフェース３３を介して制御装置３１に接続される表示装置としてのモニターである。そして、制御装置３１は、インターフェース３３及び駆動回路３４を介して前記Ｘ軸駆動モータ３７、Ｙ軸駆動モータ３８、上下軸駆動モータ３９及びθ軸駆動モータ４０等の駆動を制御する。
【００３５】
以下、半導体素子の装着装置における角錐コレット４が中継装置の中間テーブル９から半導体素子２を取出す第１の実施形態のシーケンスについて、図７に基づいて説明するが、中間テーブル９に限らず、半導体素子の供給装置２０のＸＹテーブル２１上のウエハシート２２から半導体素子２を取出す場合も同様なシーケンスとなる。
【００３６】
先ず、制御装置３１はＸ軸駆動モータ３７及びＹ軸駆動モータ３８を駆動させて平面方向に移動させると共に装着ヘッド５の上下軸駆動モータ３９を駆動させて角錐コレット４を下降させ（ステップＳ１１）、エンコーダにより下降限に達したことが検出されたら（ステップＳ１２）、真空吸引路に設けられた開閉弁が開き、真空吸引が始まり、半導体素子２の吸着取出し動作が開始する（ステップＳ１３）。即ち、半導体素子の供給装置２０から取出されて移載された中間テーブル９上の半導体素子２を角錐コレット４が下降して、図４に示すように、半導体素子２上部が四角錐状の凹部４Ｂに受入れられて接触面４Ｃに接触した状態で吸着されて取出される。
【００３７】
この吸着取出し動作の開始、即ち真空吸引路に設けられた開閉弁を開けたとき、制御装置３１がタイマー３５に対して吸着姿勢が安定する時間であるタイマー時間１００ｍｓｅｃをセットして計時を開始させ（ステップＳ１４）、タイムアップしたか否かを判定する（ステップＳ１５）。
【００３８】
そして、タイマー時間が経過してタイムアップすると、真空スイッチ１６の状態を見て（ステップＳ１６）、オン状態であれば半導体素子２を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記上下軸駆動モータ３９を駆動させて角錐コレット４を上昇させる（ステップＳ１７）。また、チューブ１７内の空気圧が前述の所定レベルより高く、前記真空スイッチ１６がオフ状態の場合には、制御装置３１がタイマー３５に対して吸着姿勢が安定する時間であるタイマー時間１００ｍｓｅｃを再度セットして計時を開始させ（ステップＳ１８）、タイムアップしたか否かを判定する（ステップＳ１９）。
【００３９】
この場合、タイムアップする前に、真空スイッチ１６を見て（ステップＳ２０）、真空スイッチ１６がオン状態となると、半導体素子２を正しい姿勢で吸着しているものとして、角錐コレット４を上昇させる（ステップＳ１７）。また、真空スイッチ１６がオフ状態のままでタイムアップすると前記上下軸駆動モータ３９を駆動させて角錐コレット４を上昇させる（ステップＳ１７）。
【００４０】
そして、前述したように、角錐コレット４を上昇させて、エンコーダにより上昇限に達したことが検出されたら（ステップＳ２１）、真空スイッチ１６の状態を再度見て（ステップＳ２２）、オン状態であれば角錐コレット４が半導体素子２を正しい姿勢で吸着しているものとして取出し動作を終了し、その後、吸着している半導体素子をワーク３上に装着する。また、オフ状態であれば半導体素子を吸着保持していないか正しい姿勢で吸着していないので、モニター４０に吸着ミスとして異常表示して、その旨を報知させると共に装着運転を停止させるように制御装置３１は制御する（ステップＳ２３）。
【００４１】
なお、この第１の実施形態において、ステップＳ１４及びステップＳ１８においてセットするタイマーは、1つのタイマー３５としたが、２つの別個のタイマーとしてもよい。
【００４２】
この第１の実施形態によれば、吸着取出し動作の開始により、タイマー３５をセットして計時を開始させ（ステップＳ１４）、タイムアップした後に、真空スイッチ１６の状態を見て（ステップＳ１６）、オン状態であれば半導体素子２を正しい姿勢で吸着しているものとして、角錐コレット４を上昇させる（ステップＳ１７）。また、前記真空スイッチ１６がオフ状態であればタイマー３５を再度セットして計時を開始させ（ステップＳ１８）、タイムアップする前に（ステップＳ１９）、真空スイッチ１６の状態を再度見て（ステップＳ２０）、オン状態であれば半導体素子２を正しい姿勢で吸着しているものとして、角錐コレット４を上昇させる（ステップＳ１７）。更に、上述したように、角錐コレット４を上昇させて、上昇限に達したことが検出されたら（ステップＳ２１）、真空スイッチ１６の状態を再度見て（ステップＳ２２）、オン状態であればステップＳ１９でタイムアップしたと判定された場合も含め、角錐コレット４が半導体素子２を正しい姿勢で吸着しているものとして取出し動作を終了し、その後、吸着している半導体素子をワーク３上に装着する。また、オフ状態であれば半導体素子を吸着保持していないか正しい姿勢で吸着していないので、モニター４０に吸着ミスとして異常表示して、その旨を報知させると共に装着運転を停止させるように制御装置３１は制御する（ステップＳ２３）。
【００４３】
なお、ステップＳ１９でタイムアップと判定され、その後、ステップＳ２２で真空スイッチ１６がオン状態になっているにもかかわらず、異常表示して装着運転を停止してもよい。
【００４４】
従って、ステップＳ１６で真空スイッチ１６がＯＦＦのときにも、取出し吸着ミスとして、半導体素子の装着運転を停止させる回数を減少させることができ、延いては半導体素子の装着装置１における生産効率の向上を図ることができる。
【００４５】
次に、半導体素子の装着装置１における角錐コレット４が中継装置の中間テーブル９から半導体素子２を取出す第２の実施形態のシーケンスについて、図８に基づいて説明するが、中間テーブル９に限らず、半導体素子の供給装置２０のＸＹテーブル２１上のウエハシート２２から半導体素子２を取出す場合も同様なシーケンスとなる。
【００４６】
先ず、制御装置３１はＸ軸駆動モータ３７及びＹ軸駆動モータ３８を駆動させて平面方向に移動させると共に装着ヘッド５の上下軸駆動モータ３９を駆動させて角錐コレット４を下降させ（ステップＳ３１）、エンコーダにより下降限に達したことが検出されたら（ステップＳ３２）、半導体素子２の吸着取出し動作が開始する（ステップＳ３３）。即ち、半導体素子の供給装置２０から取出されて移載された中間テーブル９上の半導体素子２を角錐コレット４が下降して、図３に示すように、半導体素子２上部が四角錐状の凹部４Ｂに受入れられて接触面４Ｃに接触した状態で吸着されて取出される。
【００４７】
この吸着取出し動作の開始により、制御装置３１がタイマー３５に対して吸着姿勢が安定する時間であるタイマー時間１００ｍｓｅｃをセットして計時を開始させ（ステップＳ３４）、タイムアップしたか否かを判定して（ステップＳ３５）、タイムアップしていなければ真空スイッチ１６の状態を見る（ステップＳ３６）。
【００４８】
この場合、真空スイッチ１６の状態を見て（ステップＳ３６）、オン状態であれば半導体素子２を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記上下軸駆動モータ３９を駆動させて角錐コレット４を上昇させる（ステップＳ３７）。また、タイムアップしていない状態で真空スイッチ１６がオフ状態の場合には、タイムアップするまで真空スイッチ１６の状態を見るが、真空スイッチ１６がオフ状態のままでタイムアップすると前記上下軸駆動モータ３９を駆動させて角錐コレット４を上昇させる（ステップＳ３７）。
【００４９】
そして、角錐コレット４を上昇させて、エンコーダにより上昇限に達したことが検出されたら（ステップＳ３８）、真空スイッチ１６の状態を再度見て（ステップＳ３９）、オフ状態であれば半導体素子を吸着保持していないか正しい姿勢で吸着していないので、モニター４０に吸着ミスとして異常表示して、その旨を報知させると共に装着運転を停止させるように制御装置３１は制御する（ステップＳ４０）。また、真空スイッチ１６の状態を見て（ステップＳ３９）、オン状態であれば角錐コレット４が半導体素子２を正しい姿勢で吸着しているものとして取出し動作を終了し、その後、吸着している半導体素子をワーク３上に装着する。
【００５０】
この第２の実施形態によれば、吸着取出し動作の開始により、制御装置３１がタイマー３５をセットして計時を開始させ（ステップＳ３４）、タイムアップする前でも、真空スイッチ１６がオン状態になると、角錐コレット４が半導体素子２を正しい姿勢で吸着しているものとして、角錐コレット４を上昇させるようにしたので、生産タクトの短縮化を図ることができる。
【００５１】
なお、第１及び第２の実施形態において、コレットを下降させて半導体素子の吸着取出し動作を開始し、この吸着取出し動作が開始すると前記コレットへの真空吸引路に設けられた真空スイッチの状態を見て、この真空スイッチの状態がオン状態であれば前記半導体素子を正しい姿勢で吸着しているものとして、前記コレットを上昇させるようにしてもよい。
【００５２】
なお、中間テーブルが無く、半導体素子をウエハシートから吸着し、直接ワーク等に装着してもよく、この場合において、ウエハシートから半導体素子を吸着し取出すときに、上述した図７、或いは図８に示したフローチャートに示したシーケンスのように、してもよい。
【００５３】
以上のように本発明の実施態様について説明したが、上述の説明に基づいて当業者にとって種々の代替例、修正又は変形が可能であり、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で前述の種々の代替例、修正又は変形を包含するものである。
【符号の説明】
【００５４】
２            半導体素子
３            ワーク
４            角錐コレット
５            装着ヘッド
９            中間テーブル
１６          真空スイッチ
３１          制御装置
３５          タイマー
４０          モニター
【図１】
2011171679.tif 000003
【図２】
2011171679.tif 000004
【図３】
2011171679.tif 000005
【図４】
2011171679.tif 000006
【図５】
2011171679.tif 000007
【図６】
2011171679.tif 000008
【図７】
2011171679.tif 000009
【図８】
2011171679.tif 000010
【図９】
2011171679.tif 000011