(57)【要約】【課題】基板の表面に塗布膜が形成された基板を熱板に載置して加熱処理する加熱処理装置において、排気流量の変動許容範囲を小さく設定した場合にもメンテナンス周期を長くすることができ、排気流量を安定させるとともに保守管理コストの低減を両立することができる加熱処理装置を提供する。【解決手段】熱板７０を収納する処理容器７０ｂと、処理容器７０ｂと処理容器７０ｂ内の雰囲気を排気する排気系とを接続する排気流路７２と、排気流路７２の途中に設けられた導入口７６を介して、排気流路７２内に大気を導入する大気導入路７３と、大気導入路７３上に設けられた流量計７４とを有する。大気導入路７３の排気流量Ｑ２を計測することによって、処理容器７０ｂ内からの排気流量Ｑ１を推測する。【選択図】図５
2011044662.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に塗布膜が形成された基板を熱板に載置して加熱処理する加熱処理装置において、
前記熱板を収納する処理容器と、
前記処理容器と、該処理容器内の雰囲気を排気する排気系とを接続する排気流路と、
前記排気流路の途中に設けられた導入口を介して、前記排気流路内に大気を導入する大気導入路と、
前記大気導入路上に設けられた流量計と
を有し、
前記大気導入路の排気流量を計測することによって、前記処理容器内からの排気流量を推測することを特徴とする加熱処理装置。
【請求項２】
前記処理容器内からの排気流量と、前記大気導入路の排気流量との和が略一定であることを特徴とする請求項１に記載の加熱処理装置。
【請求項３】
前記大気導入路の排気流量に基づいて前記処理容器内からの排気流量を監視する監視部を有し、
前記監視部は、前記流量計が計測した流量値と、所定の上限基準値の大小関係を判定し、前記流量値が前記上限基準値より大きい場合に警報を出力することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の加熱処理装置。
【請求項４】
前記排気流路の内部に付着した付着物をブロー洗浄するためのブローガスを前記排気流路の内部へ供給するブローガス供給部を有する請求項１から請求項３のいずれかに記載の加熱処理装置。
【請求項５】
前記処理容器と前記導入口との間に設けられ、前記排気流路を加温する加温部を有する請求項１から請求項４のいずれかに記載の加熱処理装置。
【請求項６】
前記加温部は、前記熱板が発生する熱を利用することを特徴とする請求項５に記載の加熱処理装置。
【請求項７】
前記加温部の近傍において、前記排気流路は二重管構造を有することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の加熱処理装置。
【請求項８】
前記加温部より前記排気系側に、前記処理容器内からの排気を冷却し、排気中の固化成分を捕集する捕集部が設けられたことを特徴とする請求項５から請求項７のいずれかに記載の加熱処理装置。
【請求項９】
冷却されたガスを前記捕集部の内部へ供給することを特徴とする請求項８に記載の加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を加熱処理する加熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程では、半導体基板（以下、半導体基板のことを単に「ウェハ」又は「基板」という。）の表面に塗布された例えばレジスト、ＢＡＲＣ（Bottom Anti-Reflective Coating）、ＳＯＧ（Spin On Glass）等の各種の薬液に含まれる溶剤を蒸発させるための加熱処理（プリベーキング）、パターンの露光後に、ウェハ上のレジスト膜の化学反応を促進させるための加熱処理（ポストエクスポージャーベーキング）、現像処理後の加熱処理（ポストベーキング）等の種々の加熱処理が行われている。
【０００３】
上述した加熱処理は、通常、熱板を備えたオーブン等の加熱処理装置において、所望の熱処理温度に維持された熱板上にウェハを載置することによって行われている。
【０００４】
このような加熱処理装置においては、蒸発した溶剤を排気するため、排気ダクトを介して工場内の排気系に接続し、処理容器内の雰囲気を排気する場合がある。
【０００５】
ところが、ウェハ表面に塗布された上記各種の薬液中には、加熱処理温度でウェハ表面から気化（昇華）し、気体として排気される成分がある。気体として排気される薬液中の成分の中には、排気系に排気される排気ダクト等の排気流路の途中で冷却されて固化（昇華）し、排気流路の配管の内部に付着する場合がある。排気流路の内部に付着する付着物が蓄積すると、排気流路の配管の内部が詰まり、必要な排気流量を確保することができなくなる。そのため、加熱処理装置の処理容器内の雰囲気を排気する排気流量を検知する場合、又は排気流路の配管の内部に付着する付着物を洗浄除去するメンテナンス工程を行う場合がある。
【０００６】
例えば、加熱処理部を排気する排気流量を検知する薬液塗布装置として、薬液塗布処理部の排気風速をフィードバック制御する排気風速センサと、排気風速センサの感度を補正するための排気配管系統とを有する薬液塗布装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
また、例えば、半導体プロセス用の装置に使用される排気システムにおいて、排気ダクトの半導体プロセス装置と接続されている上流側の部分を加熱して排気ダクト内に薬品の結晶が付着することを防止する加熱手段と、冷却手段によって冷却された排気ダクト内に付着する薬品の結晶を取り除いて排気ダクトを洗浄すべく液体を排気ダクト内に噴出する洗浄手段とを備えたことを特徴とする排気システムが開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平４−１８４９１４号公報
【特許文献２】特開平８−１０７０９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、上記した加熱処理装置において処理容器内の雰囲気を排気する排気流量を検知する場合、又は排気流路の配管の内部に付着する付着物を除去し、配管の内部を洗浄するメンテナンス工程を行う場合、次のような問題がある。
【００１０】
加熱処理装置においては、排気流路上に排気流量を検知する流量計を設ける場合がある。流量計として、排気流路の途中に流路を狭くした部分を設け、その部分の前後での差圧を測定し、流量を決定する場合がある。流路を狭くした部分は、他の部分よりも早く流路が詰まりやすく、いわゆる詰まり部分となる場合がある。このとき、排気流路の途中の一部分でも詰まると処理容器内の雰囲気を排気する排気流量を確保することができない場合がある。従って、流路を狭くした部分のみが詰まった場合でも、加熱処理装置の運転を停止し、排気流路の配管の内部に付着した付着物を除去し、配管の内部を洗浄するメンテナンス工程を行わなければならず、メンテナンス周期が短くなる場合がある。
【００１１】
このような加熱処理装置を運転する場合、使用者が使用の目的に応じてメンテナンス周期を決定する場合がある。しかしながら、メンテナンス周期を長くすることと、実際の詰まり部分の発生に対応して洗浄を行うこととは、トレードオフの関係にある。例えば、排気流量の変動許容範囲を大きくする場合、定期的なメンテナンス工程の周期を予測し、予測した周期毎に詰まり部分の洗浄を実施する場合がある。この場合は、比較的メンテナンス周期を長くすることができるものの、実際の詰まり部分の発生に対応してメンテナンス工程を行うことができない場合がある。一方、排気流量の変動許容範囲を小さくする場合、排気流量の値を監視し、排気ダクトに詰まり部分が発生する度に詰まり部分の洗浄を実施する場合がある。この場合は、実際の詰まり部分の発生に対応してメンテナンス工程を行うことができるものの、メンテナンス周期が短くなる場合がある。
【００１２】
更に、使用する薬液の種類を変更し、薬液の昇華する成分が変更された場合には、詰まり部分が発生する頻度が変動する場合があるが、薬液に対応してメンテナンス周期を決定することが困難な場合がある。このような場合、本当に必要な周期よりも短めに設定した周期に従ってメンテナンスを行うため、保守管理コストが増大する場合がある。
【００１３】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、排気流量の変動許容範囲を小さく設定した場合にもメンテナンス周期を長くすることができ、排気流量を安定させるとともに保守管理コストの低減を両立することができる加熱処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１５】
本発明は、基板の表面に塗布膜が形成された基板を熱板に載置して加熱処理する加熱処理装置において、前記熱板を収納する処理容器と、前記処理容器と、該処理容器内の雰囲気を排気する排気系とを接続する排気流路と、前記排気流路の途中に設けられた導入口を介して、前記排気流路内に大気を導入する大気導入路と、前記大気導入路上に設けられた流量計とを有し、前記大気導入路の排気流量を計測することによって、前記処理容器内からの排気流量を推測することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、加熱処理装置において、排気流量の変動許容範囲を小さく設定した場合にもメンテナンス周期を長くすることができ、排気流量を安定させるとともに保守管理コストの低減を両立することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施の形態に係る加熱処理装置を具備するレジスト塗布現像処理システムを示す概略平面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る加熱処理装置を具備するレジスト塗布現像処理システムの概略正面図である。
【図３】第１の実施の形態に係る加熱処理装置を具備するレジスト塗布現像処理システムの概略背面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る加熱処理装置の排気システムを示す概略断面図である。
【図５】第１の実施の形態に係る加熱処理装置を示す概略正面図である。
【図６】第１の実施の形態に係る加熱処理装置における排気流量の監視方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【図７】第１の実施の形態に係る加熱処理装置の運転の継続に伴って排気流路内に付着物が徐々に付着して処理容器内からの排気流量が低下する様子を模式的に示す図（その１）である。
【図８】第１の実施の形態に係る加熱処理装置の運転の継続に伴って排気流路内に付着物が徐々に付着して処理容器内からの排気流量が低下する様子を模式的に示す図（その２）である。
【図９】第１の実施の形態に係る加熱処理装置の運転の継続に伴って排気流路内に付着物が徐々に付着して処理容器内からの排気流量が低下する様子を模式的に示す図（その３）である。
【図１０】比較例として流量計が排気流路上に設けられる加熱処理装置の運転の継続に伴って排気流路に付着物が徐々に付着して処理容器内からの排気流量が低下していく状態を模式的に示す図（その１）である。
【図１１】比較例として流量計が排気流路上に設けられる加熱処理装置の運転の継続に伴って排気流路に付着物が徐々に付着して処理容器内からの排気流量が低下していく状態を模式的に示す図（その２）である。
【図１２】第２の実施の形態に係る加熱処理装置を示す概略正面図である。
【図１３】第２の実施の形態に係る加熱処理装置のメンテナンス工程の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【図１４】第２の実施の形態の第１の変形例に係る加熱処理装置を示す概略正面図である。
【図１５】第２の実施の形態の第２の変形例に係る加熱処理装置を示す概略正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
（第１の実施の形態）
始めに、図１から図１１を参照し、第１の実施の形態に係る加熱処理装置について説明する。
【００１９】
最初に、本実施の形態に係る加熱処理装置をレジスト塗布現像処理システムにおける加熱処理装置に適用した場合について説明する。
【００２０】
図１は、本実施の形態に係る加熱処理装置を具備するレジスト塗布現像処理システムを示す概略平面図、図２は、レジスト塗布現像処理システムの概略正面図、図３は、レジスト塗布現像処理システムの概略背面図である。
【００２１】
レジスト塗布現像処理システム１は、図１に示すように、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部からレジスト塗布・現像処理システム１に対して搬入出すると共に、カセットＣに対してウェハＷを搬入出するカセットステーション２と、このカセットステーション２に隣接して設けられ、塗布現像工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェース部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２２】
カセットステーション２は、カセット載置台５上の所定の位置に、複数のカセットＣを水平のＸ方向に一列に載置可能となっている。また、カセットステーション２には、搬送路６上をＸ方向に沿って移動可能なウェハ搬送アーム７が設けられている。ウェハ搬送アーム７は、カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウェハＷに対して選択的にアクセスできるように構成されている。
【００２３】
また、ウェハ搬送アーム７は、Ｚ軸を中心としてθ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ステーション３側の第３の処理ユニット群Ｇ３に属するトランジション装置（ＴＲＳ）３１に対してもアクセスできるように構成されている。
【００２４】
処理ステーション３は、複数の処理ユニットが多段に配置された、例えば５つの処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。図１に示すように、処理ステーション３の正面側には、カセットステーション２側から第１の処理ユニット群Ｇ１、第２の処理ユニット群Ｇ２が順に配置されている。また、処理ステーション３の背面側には、カセットステーション２側から第３の処理ユニット群Ｇ３、第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理ユニット群Ｇ３と第４の処理ユニット群Ｇ４との間には、第１の搬送機構１１０が設けられている。第１の搬送機構１１０は、第１の処理ユニット群Ｇ１、第３の処理ユニット群Ｇ３及び第４の処理ユニット群Ｇ４に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送するように構成されている。第４の処理ユニット群Ｇ４と第５の処理ユニット群Ｇ５との間には、第２の搬送機構１２０が設けられている。第２の搬送機構１２０は、第２の処理ユニット群Ｇ２、第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送するように構成されている。
【００２５】
第１の処理ユニット群Ｇ１には、図２に示すように、ウェハＷに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニット、例えばウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）１０、１１、１２、露光時の光の反射を防止するための反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）１３、１４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２には、液処理ユニット、例えばウェハＷに現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２０〜２４が下から順に５段に重ねられている。また、第１の処理ユニット群Ｇ１及び第２の処理ユニット群Ｇ２の最下段には、各処理ユニット群Ｇ１及びＧ２内の前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室（ＣＨＭ）２５、２６がそれぞれ設けられている。
【００２６】
一方、第３の処理ユニット群Ｇ３には、図３に示すように、下から順に、温調ユニット（ＴＣＰ）３０、ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置（ＴＲＳ）３１及び精度の高い温度管理下でウェハＷを加熱処理する熱処理ユニット（ＵＬＨＰ）３２〜３８が９段に重ねられている。
【００２７】
第４の処理ユニット群Ｇ４では、例えば高精度温調ユニット（ＣＰＬ）４０、レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキングユニット（ＰＡＢ）４１〜４４及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）４５〜４９が下から順に１０段に重ねられている。
【００２８】
第５の処理ユニット群Ｇ５では、ウェハＷを熱処理する複数の熱処理ユニット、例えば高精度温調ユニット（ＣＰＬ）５０〜５３、露光後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）５４〜５９が下から順に１０段に重ねられている。
【００２９】
また、第１の搬送機構１１０のＸ方向正方向側には、図１に示すように、複数の処理ユニットが配置されており、例えば図３に示すように、ウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット（ＡＤ）６０、６１、ウェハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）６２、６３が下から順に４段に重ねられている。また、第２の搬送機構１２０の背面側には、図１に示すように、例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニット（ＷＥＥ）６４が配置されている。
【００３０】
インターフェース部４は、図１に示すように、処理ステーション３側から順に第１のインターフェース部１００と、第２のインターフェース部１０１とを備えている。第１のインターフェース部１００には、ウェハ搬送アーム１０２が第５の処理ユニット群Ｇ５に対応する位置に配設されている。ウェハ搬送アーム１０２のＸ方向の両側には、例えばバッファカセット１０３（図１の背面側）、１０４（図１の正面側）が各々設置されている。ウェハ搬送アーム１０２は、第５の処理ユニット群Ｇ５内の熱処理装置とバッファカセット１０３、１０４に対してアクセスできる。第２のインターフェース部１０１には、Ｘ方向に向けて設けられた搬送路１０５上を移動するウェハ搬送アーム１０６が設けられている。ウェハ搬送アーム１０６は、Ｚ方向に移動可能で、かつθ方向に回転可能であり、バッファカセット１０４と、第２のインターフェース部１０１に隣接した図示しない露光装置に対してアクセスできるようになっている。したがって、処理ステーション３内のウェハＷは、ウェハ搬送アーム１０２、バッファカセット１０４、ウェハ搬送アーム１０６を介して露光装置に搬送でき、また、露光処理の終了したウェハＷは、ウェハ搬送アーム１０６、バッファカセット１０４、ウェハ搬送アーム１０２を介して処理ステーション３内に搬送できる。
【００３１】
次に、図４を参照し、加熱処理装置の排気システムについて説明する。図４は、本実施の形態に係る加熱処理装置の排気システムを示す概略断面図である。ここでは、例として、第５の処理ユニット群Ｇ５に含まれるポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）である熱処理装置５４〜５９内の加熱処理装置について説明する。
【００３２】
図４に示すように、熱処理装置５４〜５９は、閉鎖可能な筐体６７をそれぞれ有している。筐体６７は、後述する加熱処理装置である熱板７０と冷却板７１を収容する。また、第５の処理ユニット群Ｇ５の背面側の端部付近には、主排気口６５がそれぞれ設けられている。熱処理装置５４〜５９内の加熱処理装置である後述する熱板７０を収納する処理容器７０ｂは、後述する排気流路７２により主排気口６５に接続されている。また、排気流路７２とは別に、熱処理装置５４〜５９の筐体６７内も図示しない排気流路により主排気口６５に接続されてもよい。更に、主排気口６５は、図４に示すように、排気系（例えば工場排気系）に接続された排気ダクト６６にそれぞれ連通している。したがって、各熱処理装置５４〜５９内の加熱処理装置内の雰囲気は、排気流路７２、主排気口６５、排気ダクト６６を介し、工場排気系により排気される。
【００３３】
次に、図５を参照し、加熱処理装置について説明する。図５は、本実施の形態に係る加熱処理装置を示す概略正面図である。
【００３４】
加熱処理装置は、熱板７０、処理容器７０ｂ、排気流路７２、大気導入路７３、流量計７４、監視部７５を有する。加熱処理装置は、基板の表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する。
【００３５】
熱板７０は、レジスト、ＢＡＲＣ、ＳＯＧ等の各薬液が塗布されたウェハＷを載置して所定温度例えば１３０℃に加熱する。熱板７０は、図５に示すように、例えば上下動自在な蓋体７０ａと、蓋体７０ａの下方に位置し当該蓋体７０ａと一体となって熱板７０と共働して処理容器７０ｂを形成するサポートリング７０ｃが設けられている。
【００３６】
サポートリング７０ｃは、例えば上下面が開口した略円筒状の形態を有しており、サポートリング７０ｃの内側に熱板７０が収容されている。熱板７０は、例えば厚みのある円盤形状を有し、熱板７０内には、例えばヒータ７０ｄが内蔵されている。このヒータ７０ｄによって熱板７０は、所定の加熱温度例えば１３０℃に昇温できる。
【００３７】
熱板７０の中央付近には、複数例えば３個の貫通孔７０ｅが設けられている。各貫通孔７０ｅには、昇降駆動機構７０ｆにより昇降する支持ピン７０ｇがそれぞれ貫挿可能に形成されている。この支持ピン７０ｇによって、熱板７０上でウェハＷを昇降し、熱板７０と図４に示す冷却板７１との間でウェハＷの受け渡しを行うことができる。
【００３８】
蓋体７０ａは、下面が開口した略円筒形状の形態を有している。蓋体７０ａの上面中央部には、開口部７０ｈが設けられており、処理容器７０ｂと排気系とを接続する排気流路７２が、開口部７０ｈと接続する。また、蓋体７０ａには、図示しない気体供給口が設けられて、不活性ガス例えば窒素（Ｎ２）ガスが図示しない気体供給口から導入され、熱板７０上にウェハＷに向かってＮ２ガスが放射状に吐出されようにしてもよい。このように放射状にＮ２ガスを吐出することにより、加熱により発生した触媒等の拡散によるウェハＷへの付着を防止することができる。
【００３９】
また、蓋体７０ａは、図示しない昇降可能なアームに支持されており、所定のタイミングで上下動し、サポートリング７０ｃと一体となって処理容器７０ｂを形成したり、その処理容器７０ｂを開放したりできるように構成されている。
【００４０】
排気流路７２は、処理容器７０ｂと、処理容器７０ｂ内の雰囲気を排気する排気系（工場排気系）とを接続する。具体的には、処理容器７０ｂの蓋体７０ａに形成された開口部７０ｈと、排気系とを接続するように設けられる。開口部７０ｈと接続する排気流路７２は、図４を用いて前述したレジスト塗布現像処理システム１に含まれる各装置の排気流路７２と同様に、主排気口６５において排気ダクト６６に接続される。処理容器７０ｂの開口部７０ｈと排気ダクト６６とを接続する排気流路７２の途中には、導入口７６が設けられており、導入口７６を介して、排気流路７２内に外部から大気を導入する大気導入路７３が設けられている。大気導入路７３は、一端が大気からの大気取入れ口７７となっており、他端が排気流路７２の導入口７６になっている。
【００４１】
前述したように、熱板７０で加熱処理されるウェハＷには、レジスト、ＢＡＲＣ、ＳＯＧ等の各薬液が塗布されている。ウェハＷが加熱処理される際に、上記各薬液に含まれる成分が気化（昇華）し、処理容器７０ｂ内から排気流路７２を通って排気系により排気される。
【００４２】
なお、本実施の形態に係る排気系は、レジスト塗布現像処理システム１の外部に設けられた工場排気系に相当する。しかし、排気系は、レジスト塗布現像処理システム１の内部に独自に設けられてもよい。また、レジスト塗布現像処理システム１の内部又は外部において、加熱処理装置に対応して単独で設けられてもよい。
【００４３】
大気導入路７３上には、流量計７４が設けられている。流量計７４は、大気導入路７３を大気取入れ口７７から排気流路７２に設けられた導入口７６に向かって排気される排気流量（後述するＱ２）を計測する。流量計７４は、特に限定されるものではないが、例えば絞り流量計（ベンチュリ計）、又は差圧式流量計（オリフィス流量計）を用いることができる。絞り流量計（ベンチュリ計）を用いる場合には、図５に示すように、大気導入路７３の途中の径が細く絞り込まれ、その径の細い部分の大気取入れ口７７側と排気流路７２の導入口７６側との間での圧力差を計測する。また、差圧式流量計（オリフィス流量計）を用いる場合にも、大気導入路７３の途中にプレート状のオリフィス（絞り機構）が設けられ、オリフィスの大気取入れ口７７側と排気流路７２の導入口７６側との間での圧力差を計測する。
【００４４】
ただし、流量計の方式は、絞り流量計（ベンチュリ計）、又は差圧式流量計（オリフィス流量計）に限られるものではなく、その他、フロート型流量計、層流型流量計、熱線式流量計、カルマン渦流量計、タービン流量計、超音波流量計等の各種の流量計を用いることができる。
【００４５】
導入口７６を介して大気導入路７３が接続された排気流路７２は、レジスト塗布現像処理システム１内の排気ダクト６６に接続される。更に、塗布現像処理システム１の排気ダクト６６は、工場排気系に接続され、工場排気系に含まれる図示しない排気装置によって、排気される。なお、点線Ｉで囲まれた領域を、本発明に係る加熱処理装置と定義する。
【００４６】
ここで、工場排気系がレジスト塗布現像処理システム１の排気ダクト６６を排気する排気流量をＱＴとする。また、レジスト塗布現像処理システム１の排気ダクト６６の主排気口６５と接続する加熱処理装置の排気流路７２が、主排気口６５付近における排気流路７２を排気する排気流量をＱ０とする。また、排気流路７２が大気導入路７３と接続する導入口７６と処理容器７０ｂとの間の排気流路７２の排気流量、すなわち排気系が処理容器７０ｂ内から排気する排気流量をＱ１とする。また、排気流路７２が大気導入路７３と接続する導入口７６と大気取入れ口７７との間の大気導入路７３の排気流量、すなわち排気系が大気導入路７３を排気する排気流量をＱ２とする。すると、Ｑ０＝Ｑ１＋Ｑ２であり、Ｑ０＜ＱＴである。ここで、工場排気系の排気能力、レジスト塗布現像処理システム１の排気ダクト６６のダクト径、レジスト塗布現像処理システム１内の加熱処理装置その他の各種の装置の排気流路７２との径、それぞれの排気流路７２の途中に設けられた図示しない排気流量調整ダンパの開度を調節することにより、Ｑ０＜＜ＱＴとすることができる。この場合、レジスト塗布現像システム１内の他の装置の状態にあまり依存せず、Ｑ１とＱ２との和Ｑ０を略一定にすることができる。
【００４７】
監視部７５は、監視部本体７５ａ、警報出力部７５ｂを有する。監視部７５は、大気導入路７３の排気流量Ｑ２に基づいて処理容器７０ｂ内からの排気流量を監視する。また、監視部７５は、流量計７４が大気導入路７３の排気流量Ｑ２を計測することによって、処理容器７０ｂ内からの排気流量Ｑ１を推測する機能を有してもよい。この場合、Ｑ０からＱ２を差し引くことによって、Ｑ１を推測することができる。
【００４８】
次に、図６を参照し、加熱処理装置の運転時における流量計による排気流量の監視方法について説明する。図６は、本実施の形態に係る加熱処理装置における排気流量の監視方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【００４９】
本実施の形態に係る排気流量の監視方法は、Ｑ２を計測する工程（ステップＳ１１）、Ｑ２を監視部７５に送る工程（ステップＳ１２）、Ｑ０からＱ２を差し引くことによってＱ１を推測する工程（ステップＳ１３）、Ｑ２が上限基準値より大きいか判定する工程（ステップＳ１４）、及び警報を出力する工程（ステップＳ１５）を含む。
【００５０】
加熱処理装置の運転を開始した後、最初に、ステップＳ１１を行う。ステップＳ１１では、流量計７４により大気導入路７３の排気流量を計測する。
【００５１】
次に、ステップＳ１２を行う。ステップＳ１２では、計測した大気導入路７３の排気流量Ｑ２の計測値を監視部７５に送る。
【００５２】
次に、ステップＳ１３を行う。ステップＳ１３では、例えば前述した方法により処理容器７０ｂ内からの排気流量Ｑ１と、大気導入路７３の排気流量Ｑ２との和Ｑ０（＝Ｑ１＋Ｑ２）が略一定となるようにしておき、Ｑ０からＱ２の計測値を差し引くことによって、Ｑ１を算出し、Ｑ１を推測する。
【００５３】
次に、ステップＳ１４を行う。ステップＳ１４では、予めＱ２の上限基準値ＱＡＬＭを決めておき、所定の上限基準値ＱＡＬＭとＱ２の計測値との大小関係を判定する。具体的には、Ｑ２がＱＡＬＭより大きいか判定し、Ｑ２がＱＡＬＭより小さい場合には、再びステップＳ１１に戻り、ステップＳ１１からステップＳ１４の工程を繰り返す。一方、Ｑ２がＱＡＬＭより大きい場合には、ステップＳ１５に進む。
【００５４】
また、ステップＳ１４では、予めＱ１の下限基準値ＱＡＬＭ´を決めておき、所定の下限基準値ＱＡＬＭ´とＱ１の推測値との大小関係を判定してもよい。この場合、具体的には、Ｑ１がＱＡＬＭ´より小さいか判定し、Ｑ１がＱＡＬＭ´より大きい場合には、再びステップＳ１１に戻る。一方、Ｑ１がＱＡＬＭ´より小さい場合には、ステップＳ１５に進む。
【００５５】
ステップ１５では、Ｑ２がＱＡＬＭより大きい場合、又はＱ１がＱＡＬＭ´より小さい場合には、処理容器７０ｂ内からの排気流量Ｑ１が低下したことになるため、警報を出力する。監視部７５の警報出力部７５ｂが、警報を出力し、加熱処理装置の運転を停止し、メンテナンス工程へ進む。メンテナンス工程では、排気流路７２に付着した付着物を除去し、排気流路７２の洗浄を行う。排気流路７２の洗浄が終了した後、加熱処理装置の運転を再開する。
【００５６】
次に、図７から図１１を参照し、本実施の形態に係る加熱処理装置において、排気流量の変動許容範囲を小さく設定した場合にもメンテナンス周期を長くすることができ、排気流量を安定させることができることについて説明する。
【００５７】
図７から図９は、本実施の形態に係る加熱処理装置の運転の継続に伴って排気流路内に付着物が徐々に付着して処理容器内からの排気流量が低下する様子を模式的に示す図である。図１０及び図１１は、比較例として流量計が排気流路上に設けられる加熱処理装置の運転の継続に伴って排気流路に付着物が徐々に付着して処理容器内からの排気流量が低下していく状態を模式的に示す図である。
【００５８】
図７は、排気流路７２のメンテナンス工程を行った後、まだほとんど運転しておらず、排気流路７２内にほとんど付着物７８が付着していない状態を示す。このときのＱ１をＱＮ１とし、Ｑ２をＱＮ２とする。ＱＮ１は、Ｑ１の変動許容範囲の中の最大付近の値である。ＱＮ２は、Ｑ２の変動許容範囲の中の最小付近の値である。このときは、流量計７４から監視部７５に送られるＱ２の値はＱＮ２であり、ＱＮ２＜ＱＡＬＭ（ＱＮ１＞ＱＡＬＭ´）であるため、監視部７５は、警報を出力しない。
【００５９】
図８は、図７と比較して、メンテナンス工程を行った後、少し運転を行って、排気流路７２内に少し付着物７８が付着している状態を示す。このときのＱ１をＱＳ１とし、Ｑ２をＱＳ２とする。ＱＳ１は、Ｑ１の変動許容範囲の中の中心付近の値である。ＱＳ２は、Ｑ２の変動許容範囲の中の中心付近の値である。処理容器７０ｂと排気流路７２に大気導入路７３が接続する導入口７６との間の排気流路７２には、配管の内壁の温度に依存するものの、処理容器７０ｂ側ほど多く付着し、排気系側ほどあまり付着しない。このときも、流量計７４から監視部７５に送られるＱ２の値はＱＳ２であり、ＱＳ２＜ＱＡＬＭ（ＱＳ１＞ＱＡＬＭ´）であるため、監視部７５は、警報を出力しない。また、大気導入路７３及び流量計７４には、処理容器７０ｂからの排気が流れ込むことがないため、付着物は付着しない。また、導入口７６において、排気流路７２には大気取入れ口７７からの大気が大気導入路７３を通って流れ込む。従って、導入口７６付近における排気流路７２には、常時大気からのエアーが吹き付けるため、昇華物等を含む付着物は付着しない。更に、導入口７６よりも排気系側の排気流路７２には、処理容器７０ｂからの排気とともに前述した大気導入路７３からの大気が流れ込むため、付着物が付着することはない。
【００６０】
図９は、図８と比較して、更に運転を行って、排気流路７２内に多くの付着物７８が付着している状態を示す。このときのＱ１をＱＡ１とし、Ｑ２をＱＡ２とする。ＱＡ１は、Ｑ１の変動許容範囲の中の最小付近の値である。ＱＡ２は、Ｑ２の変動許容範囲の中の最大付近の値である。このときは、流量計７４から監視部７５に送られるＱ２の値はＱＡ２であり、ＱＡ２＞ＱＡＬＭ（ＱＡ１＜ＱＡＬＭ´）となるため、監視部７５は、処理容器７０ｂ内からの排気流量が低下したと判断し、警報を出力する。また、処理容器７０ｂと排気流路７２に大気導入路７３が接続する導入口７６との間の排気流路７２内には多くの付着物７８が付着しているものの、大気導入路７３及び流量計７４には、付着物はほとんど付着していない。また、図８と同様に、導入口７６付近における排気流路７２及び導入口７６よりも排気系側の排気流路７２には、付着物が付着することはない。
【００６１】
一方、比較例として、図１０及び図１１を参照し、排気流路の途中に導入口が設けられず、導入口を介して大気導入路も接続されず、流量計が排気流路上に設けられる場合を考える。図１０及び図１１において、排気流路を１７２、流量計を１７４、監視部を１７５、監視部本体を１７５ａ、警報出力部を１７５ｂ、付着物を１７８とする。
【００６２】
図１０は、排気流路１７２のメンテナンス処理を行った後、まだほとんど運転しておらず、排気流路１７２内にほとんど付着物が付着していない状態を示す。このときの排気流路１７２の排気流量をＱＲＮとする。このときは、流量計１７４から監視部１７５に送られる値ＱＲＮと所定の下限基準値ＱＡＬＭとの大小関係が判定され、ＱＲＮ＞ＱＡＬＭであるため、監視部１７５は、警報を出力しない。また、流量計１７４には、付着物は付着していない。
【００６３】
図１１は、図１０と比較して、メンテナンス工程を行った後、少し運転を行って、排気流路１７２内に少し付着物１７８が付着している状態を示す。このときの排気流路１７２の排気流量をＱＲＡとする。このときは、流量計１７４から監視部１７５に送られる値ＱＲＡと所定の基準値ＱＡＬＭとの大小関係が判定され、ＱＲＡ＜ＱＡＬＭであるため、監視部１７５は、警報を出力する。図１１に示すように、流量計１７４の付近における排気流路１７２の径が細く絞り込まれた部分では、もともと狭い流路がほとんど塞がれているが、処理容器７０ｂと流量計１７４との間の排気流路１７２内にはまだあまり付着物１７８が付着していない。従って、排気流路１７２に付着物１７８がまだあまり付着していないにも関わらず、流量計１７４部分における付着物の除去及び洗浄を行わなければならず、メンテナンス周期を長くすることができない。
【００６４】
一方、本実施の形態に係る加熱処理装置では、流路が狭く絞り込まれた流量計を処理容器内からの排気が通ることがなく、流量計付近で付着物が付着することがない。また、流量計による流量の監視幅（前述したＱ１の変動許容範囲）を決定するメンテナンス周期は、流量計の狭い部分に付着物が付着して配管が塞がれるまでの運転時間ではなく、排気流路７２の配管の内部に付着物が付着して配管が塞がれるまでの運転時間によって決定される。また、排気流路７２の径は流量計の径よりも太くすることができる。従って、本実施の形態でのメンテナンス周期は、比較例における加熱処理装置におけるメンテナンス周期よりも長くすることができ、排気流量の変動許容範囲を小さく設定した場合にもメンテナンス周期を長くすることができる。また、本実施の形態では、運転時間を等しくした場合における排気流量の変動範囲が小さいため、排気流量を安定させることができる。
【００６５】
ここで、排気流路７２の径を大きくするほどメンテナンス周期を長くすることができる。しかし、適量の排気の流速をもって大気導入路７３の流量監視を行うため、排気流路７２の径は、ある程度まで絞ることが望ましい。
【００６６】
具体的には、Ｑ０を３０Ｌ／ｍｉｎとする場合には、排気流路７２の径を１５〜２５ｍｍφとし、流量計７４の流路の狭い部分の径を１０〜１５ｍｍφとすることができる。また、Ｑ０を５Ｌ／ｍｉｎとする場合には、排気流路７２の径を３／８インチφとし、流量計７４の流路の狭い部分の径を２ｍｍφとすることができる。
【００６７】
また、Ｑ０を３０Ｌ／ｍｉｎとする場合には、ＱＮ１＝２０Ｌ／ｍｉｎ（ＱＮ２＝１０Ｌ／ｍｉｎ）、ＱＡ１＝１４Ｌ／ｍｉｎ（ＱＡ２＝１６Ｌ／ｍｉｎ）、ＱＡＬＭ＝１５Ｌ／ｍｉｎ（ＱＡＬＭ´＝１５Ｌ／ｍｉｎ）とすることができる。
（第２の実施の形態）
次に、図１２及び図１３を参照し、第２の実施の形態に係る加熱処理装置について説明する。
【００６８】
初めに、図１２を参照し、加熱処理装置について説明する。図１２は、本実施の形態に係る加熱処理装置を示す概略正面図である。また、以下の文中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある（以下の変形例についても同様）。
【００６９】
本実施の形態に係る加熱処理装置は、排気流路内に付着した付着物を除去し、排気流路内を洗浄するための加温部、ブローガス供給部を有し、捕集部が設けられている点で、第１の実施の形態に係る加熱処理装置と相違する。
【００７０】
本実施の形態に係る加熱処理装置も、レジスト塗布現像処理システムにおける加熱処理装置に適用できる点において、第１の実施の形態と同様である。また、熱板７０、処理容器７０ｂ、大気導入路７３、流量計７４、監視部７５については、第１の実施の形態と同様である。
【００７１】
一方、本実施の形態では、排気流路７２ａ上に、加温部８１、ブローガス供給部８２を有し、加温部８１より排気系側に捕集部８３が設けられている。
【００７２】
加温部８１は、処理容器７０ｂと導入口７６との間に設けられ、排気流路７２ａの配管の内部に付着物が付着しにくくするために、排気流路７２ａの配管を加温する。また、加温部８１は、排気流路７２ａの配管の内部に付着物が付着した場合に、その付着物を加温して気化することもできる。
【００７３】
加温部８１は、処理容器７０ｂと排気流路７２ａに大気導入路７３が接続する導入口７６との間の排気流路７２ａ上に設けられる。排気流路７２ａの配管の内部に付着物が付着しにくくすることができればよく、加温する方式は限定されない。例えば排気流路７２ａの配管の内部又は外部に設けられたヒータ等の加熱機構を備え、内部または外部から配管を加熱してもよい。又は、処理容器７０ｂから排気流路７２ａの配管に熱を伝導するための熱アンカー等を設け、熱板７０が発生する熱を利用してもよい。
【００７４】
熱板７０が発生する熱を利用する場合には、その熱を効率よく利用するために、排気流路７２ａを内管７２ｂと外管７２ｃよりなる二重管構造を有するように構成し、処理容器７０ｂ内の雰囲気を内管７２ｂを介して排気し、内管７２ｂ又は外管７２ｃに処理容器７０ｂからの熱アンカーを取付け、外管７２ｃで内管７２ｂを保温するようにしてもよい。更に、内管７２ｂと外管７２ｃとの間を真空断熱構造にしてもよく、これにより更に内管７２ｂを加温する加温効果を高めることができる。図１２では、外管７２ｃが内管７２ｂを加温及び保温する構成を示すため、外管７２ｃが加温部８１を兼ねている。なお、加温部８１は、排気流路７２ａ上の導入口７６よりも排気系側に設けられてもよい。
【００７５】
加温部８１を設けることにより、排気流路７２ａの配管内に付着物が付着しにくくすることができる。従って、メンテナンス周期を長くすることができる。
【００７６】
ブローガス供給部８２は、ブローガスを排気流路７２ａ内へ噴出するブローガスノズル８２ａ、ブローノズルにブローガスを供給するブローガス供給源８２ｂを有する。ブローガスノズル８２ａは、加温部８１の設けられた部分における排気流路７２ａの内部、又は加温部８１よりも処理容器７０ｂ側の部分における排気流路７２ａの内部に、ブローガスを供給するように設けられる。ブローガスノズル８２ａは、ブローガスを排気流路７２ａの配管の内部へ供給し、加温部８１に加温され気化した付着物をブロー洗浄する。
【００７７】
ブローガスとして、Ｎ２ガス等の不活性ガスを用いることができる。また、気化した付着物を排気流路７２ａの配管の内壁に再度付着させないために、ブローガス供給源８２ｂに加熱機構を設け、ブローガスを加温してから供給してもよい、
ブローガス供給部８２を設けることにより、排気流路７２ａの配管の内部の付着物がブロー洗浄される。また、排気中の付着物の成分がブローガスによって希釈されるため、排気流路７２ａ内へ再付着することを防止できる。従って、メンテナンス周期を長くすることができる。
【００７８】
捕集部８３は、加温部８１より排気系側に設けられ、排気中の成分を冷却固化して捕集する、いわゆる冷却トラップである。捕集部８３は、排気流路７２ａ上の加温部８１より排気系側に設けられていてもよく、加熱処理装置の外部、更にはレジスト塗布現像処理システム１の外部であって排気系に含まれるように設けられていてもよい。捕集部８３は、図１２に示すように、積層等して設けられた捕集板８３ａを有し、捕集板８３ａ自体あるいは捕集板８３ａとは別に設けられた冷却ガス供給部８４等により、処理容器７０ｂ内からの排気を冷却し、冷却された排気中の固化成分を冷却する。冷却された排気中の固化成分は、捕集板８３ａ又は捕集部８３の内壁に固化して再付着することによって、捕集される。
【００７９】
捕集板８３ａ自体により通過する気体を冷却する場合には、捕集板８３ａに冷却素子を設け、冷却素子からの伝導冷却により捕集板８３ａを冷却する。冷却素子として、例えばペルチエ素子等を用いることができる。
【００８０】
冷却ガスにより通過する気体を冷却する場合には、捕集部８３に冷却ガス供給部８４を設け、冷却した冷却ガスを捕集部８３内へ供給する。冷却ガス供給部８４は、冷却ガスを捕集部８３内へ噴出する冷却ガスノズル８４ａ、冷却ガスノズル８４ａに冷却ガスを供給する冷却ガス供給源８４ｂを有する。
【００８１】
捕集部８３を設けることにより、加温部８１で排気流路７２ａ内の付着物を気化し、ブローガス供給部８２によりブロー洗浄された排気流路７２ａ内を排気されていく付着物の成分は、加熱処理装置の外部側、すなわち工場排気系等の排気系側に排出されることがない。従って、加熱処理装置の外部側、すなわち排気系側の排気ダクト等の配管内に付着させないようにすることができる。
【００８２】
本実施の形態では、加温部８１、ブローガス供給部８２、捕集部８３を流量計７４及び監視部７５と組み合わせて用いることにより、メンテナンス工程を自動化して行うことができる。以下、図１３を参照し、本実施の形態に係るメンテナンス工程について説明する。図１３は、本実施の形態に係る加熱処理装置のメンテナンス工程の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【００８３】
本実施の形態に係るメンテナンス工程は、ブローガスを供給する工程（ステップＳ２１）、Ｑ２を計測する工程（ステップＳ２２）、Ｑ２を監視部７５に送る工程（ステップＳ２３）、Ｑ０からＱ２を差し引くことによってＱ１を推測する工程（ステップＳ２４）、Ｑ２が下限基準値より小さいか判定する工程（ステップＳ２５）、及び警報の出力を停止する工程（ステップＳ２６）を含む。
【００８４】
なお、本実施の形態に係るメンテナンス方法を行う前の通常の排気流量の監視方法は、第１の実施の形態において図６を用いて説明した方法と同様にして行うことができる。
【００８５】
警報を出力し、加熱処理装置の運転を停止した後、最初にステップＳ２１を行う。ステップＳ２１では、排気流路７２ａを加温した状態で、付着物をブロー洗浄するためのブローガスを排気流路７２ａの配管の内部へ供給する。
【００８６】
次に、ステップＳ２２を行う。ステップＳ２２では、流量計７４により大気導入路７３の排気流量を計測する。
【００８７】
次に、ステップＳ２３を行う。ステップＳ２３では、計測した大気導入路７３の排気流量Ｑ２の計測値を監視部７５に送る。
【００８８】
次に、ステップＳ２４を行う。ステップＳ２４では、例えば第１の実施の形態で説明した方法により処理容器７０ｂ内からの排気流量Ｑ１と、大気導入路７３の排気流量Ｑ２との和Ｑ０（＝Ｑ１＋Ｑ２）が略一定となるようにしておき、Ｑ０からＱ２の計測値を差し引くことによって、Ｑ１を算出し、Ｑ１を推測する。
【００８９】
次に、ステップＳ２５を行う。ステップＳ２５では、予めＱ２の下限基準値ＱＳＴＤを決めておき、所定の下限基準値ＱＳＴＤとＱ２の計測値との大小関係を判定する。具体的には、Ｑ２がＱＳＴＤより小さいか判定し、Ｑ２がＱＳＴＤより大きい場合には、再びステップＳ２２に戻り、ステップＳ２２からステップＳ２５の工程を繰り返す。一方、Ｑ２がＱＳＴＤより小さい場合には、ステップＳ２６に進む。
【００９０】
また、ステップＳ２５では、予めＱ１の上限基準値ＱＳＴＤ´を決めておき、所定の上限基準値ＱＳＴＤ´とＱ１の推測値との大小関係を判定してもよい。この場合、具体的には、Ｑ１がＱＳＴＤ´より大きいか判定し、Ｑ１がＱＳＴＤ´より小さい場合には、再びステップＳ２２に戻る。一方、Ｑ１がＱＳＴＤ´より大きい場合には、ステップＳ２６に進む。
【００９１】
ステップＳ２６では、Ｑ２がＱＳＴＤより小さい場合、又はＱ１がＱＳＴＤ´より大きい場合には、処理容器７０ｂ内からの排気流量が正常に戻ったものと判断し、警報の出力を停止する。監視部７５の警報出力部７５ｂからの警報の出力を停止し、加熱処理装置の運転を再開し、第１の実施の形態で図６を用いて説明した通常の排気流量の監視方法を行う。
【００９２】
また、上述したメンテナンス工程は、警報を出力し、加熱処理装置を停止した後に行う場合に限定されるものではなく、例えば警報を出力するＱ２の上限基準値ＱＡＬＭよりも小さい参照値ＱＲＥＦを予め決めておき、通常の排気流量の監視方法を行いながら、Ｑ２がＱＲＥＦよりも大きいと判定された場合に、加熱処理装置を運転しながらメンテナンス工程を同時に行ってもよい。また、排気流路７２ａの洗浄を行うメンテナンス工程と異なる他の洗浄ダミー工程（洗浄ダミーシーケンス）を準備しておき、加熱処理装置の熱板７０で基板を処理中の場合には、他の洗浄ダミーシーケンスと同期してメンテナンス工程を行ってもよい。
【００９３】
以上、本実施の形態によれば、通常の排気流量の監視方法を行うのに加え、排気流量の配管内に付着した付着物の洗浄を行うメンテナンス工程を自動で行うことができるため、実質的なメンテナンス周期を増大させることができる。
（第２の実施の形態の第１の変形例）
次に、図１４を参照し、第２の実施の形態の第１の変形例に係る加熱処理装置について説明する。図１４は、本変形例に係る加熱処理装置を示す概略正面図である。
【００９４】
本変形例に係る加熱処理装置は、捕集部を有しない点で、第２の実施の形態に係る加熱処理装置と相違する。
【００９５】
本変形例に係る加熱処理装置も、レジスト塗布現像処理システム１における加熱処理装置に適用することができる点において、第２の実施の形態と同様である。また、熱板７０、処理容器７０ｂ、大気導入路７３、流量計７４、監視部７５、加温部８１、ブローガス供給部８２については、第２の実施の形態と同様である。
【００９６】
一方、本変形例では、捕集部が設けられていないため、ブローガス供給部８２によりブロー洗浄され、排気流路７２ａ内を排気されていく付着物の成分は、捕集部によっては捕集されない。この場合、レジスト塗布現像処理システム１の外部に設けられたスクラバー等の除外装置によって付着物を除去してもよい。
【００９７】
また、本変形例では、加温部により、排気流路の配管の内部に付着物が付着しにくくすることができ、ブローガス供給部により、排気流路内の付着物をブロー洗浄した成分は、その付近において再付着することなく、排気される。従って、メンテナンス周期を長くすることができる。
（第２の実施の形態の第２の変形例）
次に、図１５を参照し、第２の実施の形態の第２の変形例に係る加熱処理装置について説明する。図１５は、本変形例に係る加熱処理装置を示す概略正面図である。
【００９８】
本変形例に係る加熱処理装置は、ブローガス供給部及び捕集部を有しない点で、第２の実施の形態に係る加熱処理装置と相違する。
【００９９】
本変形例に係る加熱処理装置も、レジスト塗布現像処理システム１における加熱処理装置に適用することができる点において、第２の実施の形態と同様である。また熱板７０、処理容器７０ｂ、大気導入路７３、流量計７４、監視部７５、加温部８１については、第２の実施の形態と同様である。
【０１００】
一方、本変形例では、排気流路７２ａ上に、ブローガス供給部を有しておらず、排気ダクト６６の工場排気系側に捕集部が設けられていないため、排気流路７２ａ内の付着物の成分は、ブローガス供給部によりブロー洗浄はされず、その後、排気流路７２ａ内を排気される際に捕集部によっては捕集されない。
【０１０１】
しかしながら、第２の実施の形態の第１の変形例と同様に、レジスト塗布現像処理システム１の外部に設けられたスクラバー等の除外装置によって付着物の成分を除去することができるのであれば、捕集部を設けなくてもよい。また、Ｑ１とＱ２との和Ｑ０を大きくすることができるのであれば、ブロー洗浄をしなくても、加温部により気化された付着物の成分は、排気流路内で再付着することなく、排気系に排気され得る。従って、本変形例でも、メンテナンス周期を長くすることができる。
【０１０２】
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０１０３】
また、本発明は、塗布膜形成装置又はレジスト塗布現像処理装置のみならず、基板洗浄装置、成膜装置、エッチング装置その他の各種装置に適用することが可能である。また、本発明は、半導体基板、ガラス基板その他の各種基板を搬送する工程を含む装置に適用することが可能である。
【符号の説明】
【０１０４】
６５  主排気口
６６  排気ダクト
７０  熱板
７０ｂ  処理容器
７２、７２ａ、１７２  排気流路
７３  大気導入路
７４、１７４  流量計
７５、１７５  監視部
７６  導入口
７７  大気取入れ口
８１  加温部
８２  ブローガス供給部
８３  捕集部
８４  冷却ガス供給部
【図１】
2011044662.tif 000003
【図２】
2011044662.tif 000004
【図３】
2011044662.tif 000005
【図４】
2011044662.tif 000006
【図５】
2011044662.tif 000007
【図６】
2011044662.tif 000008
【図７】
2011044662.tif 000009
【図８】
2011044662.tif 000010
【図９】
2011044662.tif 000011
【図１０】
2011044662.tif 000012
【図１１】
2011044662.tif 000013
【図１２】
2011044662.tif 000014
【図１３】
2011044662.tif 000015
【図１４】
2011044662.tif 000016
【図１５】
2011044662.tif 000017