(57)【要約】【課題】デッドスペースを減少させながら画素に供給される画素電源の電圧降下を防止することのできる有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】本発明の有機電界発光表示装置は、第１電極２５０ａ及び第２電極２５０ｃと有機発光層２５０ｂとを含む有機発光ダイオード２５０を備えた多数の画素が形成された画素部と、画素を駆動するための駆動回路が形成された内蔵回路部と、画素に画素電源を伝達するためのバスライン２３０が形成されたバス部とを含み、画素部、内蔵回路部及びバス部は表示パネルの中央部から外郭方向に順次配列され、有機発光ダイオード２５０の第２電極２５０ｃとバスライン２３０は内蔵回路部上に形成された導電性パターン２６０によって電気的に連結されていることを特徴とする。【選択図】図３
2011044417.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極及び第２電極と有機発光層とを含む有機発光ダイオードを備えた多数の画素が形成された画素部と、
前記画素を駆動するための駆動回路が形成された内蔵回路部と、
前記画素に画素電源を伝達するためのバスラインが形成されたバス部と
を含み、
前記画素部、内蔵回路部及びバス部は表示パネルの中央部から外郭方向に順次配列され、前記有機発光ダイオードの第２電極と前記バスラインは前記内蔵回路部上に形成された導電性パターンによって電気的に連結されていることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記有機発光ダイオードの第２電極は、前記画素部上に全面的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記有機発光ダイオードの第２電極はカソード電極として設定され、前記バスラインは前記カソード電極に低電位画素電源を伝達する低電位画素電源のバスラインであることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記導電性パターンは、前記有機発光ダイオードの第１電極と同じ物質で同じレイヤに形成されたパターンであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記有機発光ダイオードの第１電極はアノード電極として設定され、前記導電性パターンはアノード電極物質で形成されていることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記有機発光ダイオードの第２電極は前記内蔵回路部上で前記導電性パターンと連結され、前記バスラインは前記バス部上で前記導電性パターンと連結されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記画素のそれぞれは前記有機発光ダイオードと電気的に連結された薄膜トランジスタを更に含み、
前記バスラインは前記薄膜トランジスタのゲート電極、ソース及びドレイン電極のうちの１つ以上の電極と同じ物質で同じレイヤに形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記バスラインは前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と同じ物質で同じレイヤに形成されていることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記導電性パターンが形成された領域であって、前記導電性パターンと前記有機発光ダイオードの第２電極が連結されたコンタクト領域を含むカソードコンタクト部を更に備え、前記カソードコンタクト部は前記内蔵回路部と重なるように配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記画素部を含む領域を封止するためのシーリング剤が形成されたシーリング部を更に含み、前記シーリング部は前記バス部と一部重なるように配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記内蔵回路部は、走査駆動部及び発光制御駆動部のうちの１つ以上を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記内蔵回路部は、前記画素部の互いに対向する両側に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示装置に関し、特に、デッドスペースを減少させながら画素に供給される画素電源の電圧降下を防止できるようにした有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管と比較して重さが軽く、体積が小さな各種平板表示装置（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）が開発されている。
【０００３】
平板表示装置のうち、特に有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）は自発光素子である有機発光ダイオードを用いて映像を表示するので、輝度及び色純度に優れ、次世代表示装置として注目されている。
【０００４】
有機発光ダイオードは、互いに対向するアノード電極及びカソード電極と、これらの間に介在した有機発光層とを含んでいる。このような有機発光ダイオードの発光期間にアノード電極は高電位画素電源と連結され、カソード電極は低電位画素電源と連結される。すると、アノード電極及びカソード電極から有機発光層にそれぞれ正孔及び電子が注入され、これらの正孔及び電子が有機発光層で結合して発生した励起分子が基底状態に戻りながら放出されるエネルギーによって有機発光ダイオードが発光する。
【０００５】
但し、一般の有機電界発光表示装置において、有機発光ダイオードのアノード電極又はカソード電極は画素部上に全面的に形成することができる。
【０００６】
特に、アノード電極が画素回路を経由して高電位画素電源に連結され、カソード電極が画素回路を経由することなく、直接（但し、バスラインなどの連結配線は考慮しないことにする）低電位画素電源に連結される場合、カソード電極は画素部上に全面的に形成される。このようなカソード電極は、画素部の周辺で低電位画素電源のバスラインと連結されて低電位画素電源の供給を受けることになる。
【０００７】
但し、デッドスペースを減少させるためには、カソード電極と低電位画素電源のバスラインとが連結されるカソードコンタクト部領域と低電位画素電源のバス部領域を縮小することが必要であるが、この場合、低電位画素電源の電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）によって輝度が不均一になるという問題が発生し得る。
【０００８】
従って、限定された設計空間を効率的に活用してデッドスペースを減少させながらも画素に供給される低電位画素電源の電圧降下を防止する方案が要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】大韓民国特許公開第２００６−００６５３７０号
【特許文献２】大韓民国特許公開第２００５−００６８８６４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、デッドスペースを減少させながら画素に供給される低電位画素電源の電圧降下を防止できるようにした有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような目的を達成するために、本発明の有機電界発光表示装置は、第１電極及び第２電極と有機発光層とを含む有機発光ダイオードを備えた多数の画素が形成された画素部と、前記画素を駆動するための駆動回路が形成された内蔵回路部と、前記画素に画素電源を伝達するためのバスラインが形成されたバス部とを含み、前記画素部、内蔵回路部及びバス部は表示パネルの中央部から外郭方向に順次配列され、前記有機発光ダイオードの第２電極と前記バスラインは前記内蔵回路部上に形成された導電性パターンによって電気的に連結されていることを特徴とする。
【００１２】
ここで、前記有機発光ダイオードの第２電極は、前記画素部上に全面的に形成されている。そして、前記有機発光ダイオードの第２電極はカソード電極として設定され、前記バスラインは前記カソード電極に低電位画素電源を伝達する低電位画素電源のバスラインとして設定される。
【００１３】
また、前記導電性パターンは、前記有機発光ダイオードの第１電極と同じ物質で同じレイヤに形成されたパターンであってもよい。ここで、前記有機発光ダイオードの第１電極はアノード電極として設定され、前記導電性パターンはアノード電極物質で形成されている。
【００１４】
更に、前記有機発光ダイオードの第２電極は前記内蔵回路部上で前記導電性パターンと連結され、前記バスラインは前記バス部上で前記導電性パターンと連結される。
【００１５】
また、前記画素のそれぞれは前記有機発光ダイオードと電気的に連結された薄膜トランジスタを更に含み、前記バスラインは前記薄膜トランジスタのゲート電極、ソース及びドレイン電極のうちの１つ以上の電極と同じ物質で同じレイヤに形成されている。ここで、前記バスラインは、前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と同じ物質で同じレイヤに形成することができる。
【００１６】
更に、前記有機電界発光表示装置は、前記導電性パターンが形成された領域であって、前記導電性パターンと前記有機発光ダイオードの第２電極が連結されたコンタクト領域を含むカソードコンタクト部を更に備え、前記カソードコンタクト部は前記内蔵回路部と重なるように配置されている。
【００１７】
また、前記有機電界発光表示装置は、前記画素部を含む領域を封止するためのシーリング剤が形成されたシーリング部を更に含み、前記シーリング部は前記バス部と一部重なるように配置されている。
【発明の効果】
【００１８】
このような本発明によれば、内蔵回路部がバス部の内側に位置するので、静電気による内蔵回路部の損傷を防止できるという効果を奏する。
【００１９】
また、バス部とシーリング部を重畳配置することにより、デッドスペースを減少させながらもバスラインの幅を十分に確保できるので、バスラインを介して供給される低電位画素電源の電圧降下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】有機電界発光表示装置の一例を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置の構成を示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置の構造を示す要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を更に詳細に説明する。
【００２２】
図１は、有機電界発光表示装置の一例を示すブロック図である。
【００２３】
図１を参照すれば、本発明の有機電界発光表示装置は、走査駆動部１０と、発光制御駆動部２０と、データ駆動部３０と、画素部４０と、タイミング制御部６０とを含んでいる。
【００２４】
走査駆動部１０は、タイミング制御部６０による制御を受けながら走査線Ｓ１〜Ｓｎに走査信号を順次供給する。すると、画素５０は走査信号によって選択されて順次データ信号の供給を受ける。
【００２５】
発光制御駆動部２０は、タイミング制御部６０による制御を受けながら発光制御線Ｅ１〜Ｅｎに発光制御信号を順次供給する。すると、画素５０は発光制御信号によって発光が制御される。
【００２６】
走査駆動部１０及び発光制御駆動部２０はチップ状に別途に実装される場合もあるが、画素部４０に含まれる駆動素子と共に表示パネル上に内蔵されるように形成されて内蔵回路部を構成することも可能である。
【００２７】
一方、図１では走査駆動部１０及び発光制御駆動部２０が画素部４０を間に挟んで互いに対向して異なる側面に形成されるように示したが、これは単なる一例を示したものであって、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２８】
例えば、これらは画素部４０の同じ側面に共に形成されてもよいし、或いは画素部４０の両側に走査駆動部１０及び発光制御駆動部２０をそれぞれ形成することも可能であることはもちろんである。
【００２９】
また、画素部４０に備えられた画素５０の構造によって発光制御駆動部２０を省略することも可能である。
【００３０】
データ駆動部３０は、タイミング制御部６０による制御を受けながらデータ線Ｄ１〜Ｄｍにデータ信号を供給する。データ線Ｄ１〜Ｄｍに供給されたデータ信号は走査信号が供給される度に走査信号によって選択された画素５０に供給される。すると、画素５０はデータ信号に対応した電圧を充電する。
【００３１】
画素部４０は、走査線Ｓ１〜Ｓｎ、発光制御線Ｅ１〜Ｅｎ及びデータ線Ｄ１〜Ｄｍの交差部に位置する多数の画素５０を含んでいる。このような画素部４０は、外部から高電位画素電源ＥＬＶＤＤ及び低電位画素電源ＥＬＶＳＳの供給を受け、高電位画素電源ＥＬＶＤＤ及び低電位画素電源ＥＬＶＳＳはそれぞれの画素５０に伝達される。すると、画素５０はデータ信号に対応する輝度で発光して映像を表示する。
【００３２】
ここで、高電位画素電源ＥＬＶＤＤは画素５０の発光期間に有機発光ダイオード（図示せず）の第１電極（例えば、アノード電極）に伝達され、低電位画素電源ＥＬＶＳＳは有機発光ダイオードの第２電極（例えば、カソード電極）に伝達される。
【００３３】
このとき、有機発光ダイオードの第１電極及び第２電極のうち、いずれか１つの電極は画素部４０上に全面的に形成されている。
【００３４】
特に、有機発光ダイオードの第１電極が画素回路を経由して高電位画素電源ＥＬＶＤＤに連結され、第２電極は画素回路を経由することなく、直接（但し、バスラインなどの連結配線は考慮しないことにする）低電位画素電源ＥＬＶＳＳに連結されている場合、有機発光ダイオードの第２電極が画素部４０上に全面的に形成される。
【００３５】
このような第２電極は、画素部４０の周辺に形成されたバスライン（図示せず）を介して低電位画素電源ＥＬＶＳＳの供給を受けることになる。
【００３６】
そして、有機発光ダイオードの第１電極は、画素部４０内で画素アレイに対応するようにパターニングされる。
【００３７】
タイミング制御部６０は、外部から供給される同期信号に対応して制御信号を生成し、これを走査駆動部１０、発光制御駆動部２０及びデータ駆動部３０に供給する。これにより、タイミング制御部６０は、走査駆動部１０、発光制御駆動部２０及びデータ駆動部３０を制御する。また、タイミング制御部６０は外部から供給されるデータをデータ駆動部３０に伝達する。すると、データ駆動部３０はデータに対応したデータ信号を生成する。
【００３８】
図２は、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置の構成を示す平面図である。
【００３９】
図２を参照すれば、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、表示パネル１００の中央部から外郭方向に順次配列される第１領域〜第４領域と、ＩＣ実装領域及びパッド領域とに区分される。
【００４０】
第１領域は多数の画素が形成される画素部領域であって、表示パネル１００の中央部を中心に他の領域に比べて相対的に大きい割合を占めている。それぞれの画素は第１電極、第２電極及び有機発光層を含む有機発光ダイオードを備え、能動型有機電界発光表示装置である場合には、有機発光ダイオードと電気的に連結された薄膜トランジスタを含む画素回路を更に備えている。
【００４１】
第２領域は、画素を駆動するための駆動回路が形成される内蔵回路部と、有機発光ダイオードの第２電極を低電位画素電源ＥＬＶＳＳのバスラインに連結する導電性パターンが前記第２電極と連結されるカソードコンタクト部とを含んでいる領域であり、第１領域の外郭に配置されている。
【００４２】
ここで、第２領域に含まれる内蔵回路部とカソードコンタクト部は互いに重なるように配置され、これらの構造についての更に詳細な説明は後述する。
【００４３】
一方、内蔵回路部は走査駆動部及び／又は発光制御駆動部などのように画素を駆動するための駆動回路が形成される領域であって、場合によっては、検査回路などを更に含むことが可能である。
【００４４】
このような内蔵回路部は、第１領域の少なくとも一つの側に形成されるものであり、例えば、第１領域の左側又は右側、或いは互いに対向する左右両側に形成されてもよく、検査回路が含まれる場合などには左右両側と共に上側に配置されてもよい。
【００４５】
また、カソードコンタクト部は有機発光ダイオードの第２電極を低電位画素電源ＥＬＶＳＳのバスラインに連結する導電性パターンが形成された領域であって、導電性パターンが第２電極と連結されるコンタクト領域を含んでいる。
【００４６】
このようなカソードコンタクト部は、第１領域の少なくとも一つの側に形成されるものであり、例えば、第１領域を取り囲む形態で第１領域の上側及び下側と、左側及び右側の両方に配置される。
【００４７】
第３領域は、第１領域の画素に低電位画素電源ＥＬＶＳＳを伝達するための低電位画素電源ＥＬＶＳＳのバスラインが形成されるバス部領域であって、第２領域の外郭に配置されている。例えば、第３領域は、第２領域の外郭を取り囲む形態で第２領域の上側及び下側と、左側及び右側の両方に配置される。
【００４８】
第４領域は、少なくとも第１領域を含む領域を封止するためのシーリング剤が形成されるシーリング部領域であって、第３領域の外郭を取り囲む形態で配置される。シーリング剤は、第１基板（蒸着基板２００）及び第２基板（封止基板３００）を貼り合わせるためのものであって、第３領域に形成されたバスラインと少なくとも一部重なるように配置される。即ち、本実施形態においてシーリング部はバス部と少なくとも一部重なるように配置されている。
【００４９】
ＩＣ実装領域は、データ駆動部などを含むＩＣチップを実装するための領域であって、第１基板２００の封止されていない一つの側（例えば、下側）に配置することができる。
【００５０】
パッド領域は、外部からの駆動電源及び駆動信号の伝達を受けるための多数のパッドが形成される領域であって、ＩＣ実装領域と隣接した第１基板２００の一側縁部（例えば、下側縁部）に配置することができる。
【００５１】
上述したような実施形態によれば、表示パネル１００内の限定された設計空間を効率的に活用してデッドスペースを減少させながらも、画素に供給される低電位画素電源ＥＬＶＳＳの電圧降下を防止できる。これについての更に詳細な説明は、図３を参照して後述する。
【００５２】
図３は、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置の構造を示す要部断面図である。便宜上、図３では、本発明を説明するために不要な構成要素の図示は省略する。
【００５３】
図３を参照すれば、第１基板２００上の領域は、画素部（第１領域）と、内蔵回路部及びカソードコンタクド部（第２領域）と、バス部（第３領域）と、シーリング部（第４領域）とに区分されている。
【００５４】
画素部は、第１基板２００上部のバッファ層２１０上に形成された薄膜トランジスタ２２０と、薄膜トランジスタ２２０上に形成された有機発光ダイオード２５０とを含んでいる。
【００５５】
薄膜トランジスタ２２０は、バッファ層２１０上に形成された半導体層２２０ａと、ゲート絶縁膜２２２を間に挟んで半導体層２２０ａ上に形成されたゲート電極２２０ｂと、層間絶縁膜２２４を間に挟んでゲート電極２２０ｂ上に形成され、コンタクトホールを介して半導体層２２０ａに接続されるソース及びドレイン電極２２０ｃ、２２０ｄとを含んでいる。
【００５６】
薄膜トランジスタ２２０上には平坦化膜２４０が形成される。このような平坦化膜２４０は、有機／無機絶縁膜を含む多層膜構造で形成することができる。例えば、平坦化膜２４０は無機絶縁膜である第１平坦化膜２４０ａと、有機絶縁膜である第２平坦化膜２４０ｂとを含んで構成することができる。
【００５７】
平坦化膜２４０上の画素部には平坦化膜２４０に形成されたビアホールを通じて薄膜トランジスタ２２０と電気的に連結された有機発光ダイオード２５０が形成される。
【００５８】
有機発光ダイオード２５０は、平坦化膜２４０上に形成され、薄膜トランジスタ２２０のソース及びドレイン電極２２０ｃ、２２０ｄのうちのいずれか１つの電極と電気的に連結される第１電極２５０ａと、第１電極２５０ａ上に形成された有機発光層２５０ｂと、有機発光層２５０ｂ上に形成された第２電極２５０ｃとを含んでいる。
【００５９】
ここで、有機発光ダイオードの第１電極２５０ａは画素単位でパターニングされ、各画素の第１電極の間には画素定義膜２７０が形成される。画素定義膜２７０は、第１電極２５０ａの縁領域上部と重なるように形成され、画素の発光領域で第１電極２５０ａを露出するように形成される。
【００６０】
有機発光層２５０ｂは、第１電極２５０ａの露出した領域を含んだ領域に形成される。
【００６１】
そして、有機発光ダイオードの第２電極２５０ｃは画素単位でパターニングされず、画素部上に全面的に形成される。このような第２電極２５０ｃはカソードコンタクト部で導電性パターン２６０と連結され、導電性パターン２６０はバス部で低電位画素電源のバスライン２３０と連結されている。
【００６２】
一方、便宜上、詳細な説明の全般にわたって有機発光ダイオードの第２電極２５０ｃがカソード電極であることを仮定して説明したが、本発明は必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、薄膜トランジスタ２２０のタイプや画素回路などが変更される場合には、第２電極２５０ｃをアノード電極に変更実施することも可能である。
【００６３】
内蔵回路部は画素を駆動するための駆動回路が形成される領域であって、薄膜トランジスタ２２０'などの回路素子を含んでいる。ここで、内蔵回路部に形成された薄膜トランジスタ２２０'は構造上、画素部に形成された薄膜トランジスタ２２０と同一であるので（但し、他の構成要素との連結関係は考慮しないことにする）、これについての詳細な説明は省略する。
【００６４】
内蔵回路部上には導電性パターン２６０を含むカソードコンタクト部が形成される。即ち、本発明においてカソードコンタクト部は内蔵回路部と重なるように配置される。
【００６５】
導電性パターン２６０は、有機発光ダイオードの第２電極２５０ｃと低電位画素電源のバスライン２３０とを電気的に連結するものであり、有機発光ダイオードの第１電極２５０ａと同じ物質で同じレイヤに形成することができる。例えば、導電性パターン２６０は平坦化膜２４０上にアノード電極物質で形成することができる。
【００６６】
このようなカソードコンタクト部は、導電性パターン２６０と有機発光ダイオードの第２電極２５０ｃがコンタクトされて連結されるコンタクト領域を含んでいる。
【００６７】
即ち、有機発光ダイオードの第２電極２５０ｃは、内蔵回路部上のカソードコンタクト部で導電性パターン２６０と連結される。このために導電性パターン２６０の一領域上部はコンタクト領域で画素定義膜２７０が除去されて露出している。
【００６８】
バス部は、導電性パターン２６０を経由して有機発光ダイオードの第２電極２５０ｃと連結されるバスライン２３０を含んでいる。即ち、本実施形態においてバスライン２３０は有機発光ダイオードの第２電極２５０ｃに低電位画素電源ＥＬＶＳＳを伝達するための低電位画素電源のバスラインとして設定することができる。このようなバスライン２３０は、バス部上で導電性パターン２６０とコンタクトして連結される。
【００６９】
バスライン２３０は、薄膜トランジスタ２２０、２２０’のゲート電極、ソース及びドレイン電極のうちの１つ以上の電極と同じ物質で同じレイヤに形成することができる。
【００７０】
例えば、バスライン２３０は、図３に示すように、薄膜トランジスタ２２０、２２０’のソース及びドレイン電極と同じ物質で同じレイヤに形成することができる。
【００７１】
しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、バスライン２３０は薄膜トランジスタ２２０、２２０’のゲート電極と同じ物質で同じレイヤに形成されるか、或いは互いに異なるレイヤに位置する少なくとも２つの配線が連結される構造で形成することも可能である。
【００７２】
シーリング部は、図２の第１及び第２基板２００、３００を貼り合わせるためのシーリング剤２８０が形成される領域であって、バス部の外郭に配置される。
【００７３】
但し、本発明においてシーリング部はバス部と少なくとも一部重なるように配置することができる。即ち、シーリング剤２８０はバスライン２３０の少なくとも一領域の上部に位置することができる。そして、シーリング剤２８０とバスライン２３０との間には第１平坦化膜２４０ａなどのような絶縁膜を介在させることができる。
【００７４】
前述したような本発明によれば、中央部から外郭への方向に画素部、内蔵回路部及びカソードコンタクト部、バス部、シーリング部が順次配置されることによって、低電位画素電源のバスライン２３０の幅を縮小させることなく、デッドスペースを減少させることができる。
【００７５】
更に具体的に説明すると、バス部が画素部と内蔵回路部との間に配置される比較例と比較する時、比較例の場合にはデッドスペースを減少させるためにバス部及び／又は内蔵回路部の領域を縮小することが避けられないが、本発明の場合にはバス部が内蔵回路部の外郭に配置されているので、バス部とシーリング部を少なくとも一部重複させることができるようになる。
【００７６】
内蔵回路部はシーリング工程で発生する熱及び静電気ＥＳＤに弱いため、内蔵回路部がシーリング部と隣接するように配置されると、シーリング剤２８０と重ねることができず、設計空間の活用に制約が生じてしまう。さらに、内蔵回路部が表示パネルの外郭に近接して配置されるので、静電気によって損傷し易いという問題点もある。内蔵回路部の損傷は有機電界発光表示装置の不良をもたらすことになる。
【００７７】
しかしながら、本発明のような配列構造にすれば、内蔵回路部がバス部の内側に位置するので、静電気による内蔵回路部の損傷が更に防止できることはもちろん、バスライン２３０をシーリング剤２８０と一部重複させても駆動不良が発生しないため、デッドスペースを減少させながらもバスライン２３０の幅を十分に確保できる。これにより、バスライン２３０を介して伝達される低電位画素電源ＥＬＶＳＳの電圧降下を防止できる。
【００７８】
更に、内蔵回路部とバス部が重ならないため、内蔵回路部の薄膜トランジスタ２２０’を構成するゲート電極２２０ａ’、ソース及びドレイン電極２２０ｃ'、２２０ｄ’などの電極物質を用いて断層、或いは多層でバスライン２３０を自由に設計できる。これにより、バスライン２３０の低抵抗設計が可能になるので、低電位画素電源ＥＬＶＳＳの電圧降下を更に効果的に防止できる。
【００７９】
以上説明したように、本発明の最も好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、又は明細書に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能なことはもちろんであり、斯かる変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００８０】
１０  走査駆動部
２０  発光制御駆動部
３０  データ駆動部
４０  画素部
６０  タイミング制御部
２００  第１基板
２１０  バッファ層
２２０  薄膜トランジスタ
２２０ａ  半導体層
２２０ｂ  ゲート電極
２２０ｃ、２２０ｄ  ソース及びドレイン電極
２２２  ゲート絶縁膜
２２４  層間絶縁膜
２４０  平坦化膜
２４０ａ  第１平坦化膜
２４０ｂ  第２平坦化膜
２５０  有機発光ダイオード
２５０ａ  第１電極
２５０ｂ  有機発光層
２５０ｃ  第２電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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