(57)【要約】【課題】高い信頼性を実現する半導体装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置５０は、半導体素子２と、半導体素子２を封止してパッケージ５１を構成する封止樹脂５と、上面に半導体素子２が固着され、少なくとも裏面が封止樹脂５から露出するアイランド１と、半導体素子２と電気的に接続され、側面の一部、及び裏面が封止樹脂５から露出するリード端子３と、パッケージの側面のうち、リード端子３の裏面とは反対側に位置するリード端子上面が配置されている近傍に、少なくとも形成された保護皮膜６とを備える。パッケージ５１の側面と、リード端子３の裏面とを区画する辺の近傍に配置されるリード端子３は、その側面が露出するように形成されている。【選択図】図１Ｄ
2011044585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子を封止してパッケージを構成する封止樹脂と、
上面に前記半導体素子が固着され、少なくとも裏面が前記封止樹脂から露出するアイランドと、
前記半導体素子と電気的接続手段を介して接続され、側面の一部、及び裏面が前記封止樹脂から露出するリード端子と、
前記パッケージの側面のうち、前記リード端子の裏面とは反対側に位置するリード端子上面が配置されている位置及びその近傍に少なくとも形成された保護皮膜と、
を備え、
前記パッケージの側面と、前記リード端子の裏面とを区画する辺、及びその近傍に配置される前記リード端子は、当該リード端子の側面が露出するように形成されている半導体装置。
【請求項２】
前記リード端子の上面のうち、少なくとも前記電気接続手段との接触部には、導電性皮膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記保護皮膜は、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、又はテフロン系樹脂から選ばれる樹脂であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記保護皮膜の膜厚は、０．１μｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記アイランドは、その側面の一部が、前記封止樹脂から露出する部分を有し、
前記保護皮膜は、前記パッケージの側面のうち、前記アイランドの裏面とは反対側に位置するアイランド上面が配置されている位置、及びその近傍に、さらに形成されており、
前記パッケージの側面と、前記アイランドの裏面とを区画する辺、及びその近傍に配置される前記アイランドは、当該アイランドの側面が露出するように形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
アイランドの上面に固着された半導体素子、及び前記アイランドに一端が接近するリード端子を用意し、
封止樹脂によりパッケージを形成し、
ダイシングカットにより、前記パッケージを個片分離し、
前記パッケージの表面に形成する保護皮膜を形成するためのディッピング液に、前記パッケージの上面側から、保護皮膜を形成したい位置まで前記ディッピング液に浸漬させ、
その後、乾燥により保護皮膜を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
実装基板に半導体装置を半田接続により搭載した電子機器であって、
半導体装置は、
半導体素子と、
前記半導体素子を封止してパッケージを構成する封止樹脂と、
上面に前記半導体素子が固着され、少なくとも裏面が前記封止樹脂から露出するアイランドと、
前記半導体素子と電気的接続手段を介して接続され、側面の一部、及び裏面が前記封止樹脂から露出するリード端子と、
前記パッケージの側面のうち、前記リード端子の裏面とは反対側に位置するリード端子上面が配置されている位置及びその近傍に少なくとも形成された保護皮膜と、
を備え、
前記パッケージの側面と、前記リード端子の裏面とを区画する辺、及びその近傍に配置される前記リード端子側面、及び前記実装基板には、半田よりなるフィレットが形成されている電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、及びその製造方法に関する。また、前記半導体装置が、プリント基板等の実装基板の表面に実装された電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体のパッケージには、プリント回路基板等に対して挿入して実装する挿入実装タイプと、プリント回路基板等の表面に実装する表面実装タイプがある。表面実装タイプとしては、様々なタイプのものが提案されているが、薄型化、高密度化が可能なものとして、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）型がある。ＱＦＮ型は、パッケージ裏面に電極を配した底面端子型のパッケージである。
【０００３】
図７Ａに、従来例に係る底面端子型の半導体パッケージの裏面側の平面図を、図７Ｂに、その側面図を、図７Ｃに、図７ＡのＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ切断部断面図を示す。半導体装置１００は、アイランド１０１、半導体素子１０２、リード端子１０３、ボンディングワイヤ１０４、封止樹脂１０５を備えている。半導体素子１０２は、基体として機能するアイランド１０１の上面に接着されている。半導体素子１０２は、外部と電気的に接続するために裏面の外周部に露出されたリード端子１０３と、その露出面とは反対側の面においてボンディングワイヤ１０４を介して接続されている。ボンディング強度を確保するために、ボンディングワイヤ１０４が接続される側のリード端子１０３の表面には、メッキ皮膜１０６が施されている。このような構成を持つ半導体装置１００は、全体が封止樹脂１０５によりモールド成形されている。
【０００４】
図８に、特許文献１に開示された半導体パッケージの模式的断面図を示す。半導体パッケージ２００は、アイランド２０１、半導体素子２０２、リード端子２０３、ボンディングワイヤ２０４、樹脂２０５、保護皮膜２０６を備えている。保護皮膜（被膜層）２０６は、半導体パッケージ２００の側面、及び上面全体が被覆されている。保護皮膜２０６は、半導体パッケージ２００を個片化する前に、粘着性のダイシングテープにパッケージ裏面を貼り付け、ダイシング後に保護皮膜２０６を塗布することにより形成している。
【０００５】
図９に、特許文献２に開示された半導体パッケージの模式的断面図を示す。半導体パッケージ３００は、アイランド３０１、半導体素子３０２、リード端子３０３、ボンディングワイヤ３０４、樹脂３０５、保護皮膜３０６を備えている。保護皮膜（被膜層）３０６は、半導体パッケージ３００の側面が被覆されている。保護皮膜３０６は、半導体パッケージ３００を個片化する前に、粘着性のダイシングテープにパッケージ裏面を貼り付け、ダイシング後に保護皮膜３０６を塗布することにより形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２８４２０号公報
【特許文献２】特開２００５−３５３７００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図７Ａ〜図７Ｃに示す半導体パッケージにおいては、半導体パッケージをボード（実装基板）に搭載する際に半田が側面を這い上がり、以下のような不具合が生じることがあった。すなわち、側面を這い上がった半田が、メッキ皮膜１０６を介してパッケージ内部に侵入し、リード端子１０３と半導体素子１０２を電気的に接続しているボンディングワイヤ１０４に半田食われ（又は、半田溶食）が発生することがあった。そして、これに起因して、ボンディングワイヤが断裂して導通不良が生じることがあった。
【０００８】
特許文献１や２に開示された半導体パッケージにおいては、保護皮膜２０６、３０６を形成しているので、半導体パッケージをボードに搭載する際に、半田が側面を這い上がり、ボンディングワイヤに半田食われが生じることを防止することができる。しかしながら、特許文献１や２の構成においては、実装強度が弱いという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子を封止してパッケージを構成する封止樹脂と、上面に前記半導体素子が固着され、少なくとも裏面が前記封止樹脂から露出するアイランドと、前記半導体素子と電気的に接続され、側面の一部、及び裏面が前記封止樹脂から露出するリード端子と、前記パッケージの側面のうち、前記リード端子の裏面とは反対側に位置するリード端子上面が配置されている近傍に、少なくとも形成された保護皮膜とを備える。そして、前記パッケージの側面と、前記リード端子の裏面とを区画する辺の近傍に配置される前記リード端子は、その側面が露出するように形成されている。
【００１０】
本発明によれば、半導体装置側面のうち、リード端子上面が配置されている位置、及びその近傍を保護皮膜で覆っているので、リード端子の上面に、実装基板時に用いる半田が這い上がることを防止することができる。すなわち、実装基板時に形成される半田のフィレットと、リード端子の上面との距離を確保することができる。このため、半田が半導体装置内部へ侵入して、信頼性が低下することを防止することができる。しかも、リード端子の裏面と側面を区画する辺、及びその近傍を被覆しないことにより、半導体装置を実装基板に実装する際に、リード端子にフィレットを形成することができるので、実装強度を確保することができる。これらの結果、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、アイランドの上面に固着された半導体素子、及び前記アイランドに一端が接近するリードを用意し、封止樹脂によりパッケージを形成し、
ダイシングカットにより、パッケージを個片分離し、前記パッケージの表面に形成する保護皮膜を形成するためのディッピング液に、前記パッケージの上面側から、保護皮膜を形成したい位置まで前記ディッピング液に浸漬させ、その後、乾燥により保護皮膜を形成するものである。
【００１２】
本発明に係る電子機器は、実装基板に半導体装置を半田接続により搭載した電子機器である。半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子を封止してパッケージを構成する封止樹脂と、上面に前記半導体素子が固着され、少なくとも裏面が前記封止樹脂から露出するアイランドと、前記半導体素子と電気的接続手段を介して接続され、側面の一部、及び裏面が前記封止樹脂から露出するリード端子と、前記パッケージの側面のうち、前記リード端子の裏面とは反対側に位置するリード端子上面が配置されている位置及びその近傍に少なくとも形成された保護皮膜とを備える。前記パッケージの側面と、前記リード端子の裏面とを区画する辺、及びその近傍に配置される前記リード端子、及び前記実装基板には、半田よりなるフィレットが形成されている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、高い信頼性を実現する半導体装置、及びその製造方法を提供することができるという優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】実施形態１に係る半導体装置の模式的上面図。
【図１Ｂ】実施形態１に係る半導体装置の模式的裏面図。
【図１Ｃ】実施形態１に係る半導体装置の模式的側面図。
【図１Ｄ】図１ＢのＩＤ−ＩＤ切断部断面図。
【図２】実施形態１に係る半導体装置を実装基板に実装した場合の部分拡大断面図。
【図３Ａ】実施形態１に係るディッピング装置の説明図。
【図３Ｂ】実施形態１に係る半導体装置の製造工程の説明図。
【図４】実施形態２に係る半導体装置の模式的断面図。
【図５】実施形態２に係る半導体装置の製造工程の説明図。
【図６Ａ】実施形態３に係る半導体装置の模式的裏面図。
【図６Ｂ】図６ＡのＶＩＢ−ＶＩＢ切断部断面図。
【図７Ａ】従来例に係る半導体装置の模式的裏面図。
【図７Ｂ】従来例に係る半導体装置の模式的側面図。
【図７Ｃ】図７ＡのＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ切断部断面図。
【図８】特許文献１に開示された半導体装置の模式的断面図。
【図９】特許文献２に開示された半導体装置の模式的断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。また、以降の図における各部材のサイズや比率は、説明の便宜上のものであり、実際のものとは異なる。
【００１６】
［実施形態１］
図１Ａに、本実施形態１に係る底面端子型の半導体装置の模式的上面図を、図１Ｂに、その模式的裏面図を示す。また、図１Ｃに、本実施形態１に係る半導体装置の模式的側面図を、図１Ｄに、図１ＢのＩＤ−ＩＤ切断部断面図を示す。
【００１７】
半導体装置５０は、アイランド１、半導体素子２、電極として機能するリード端子３、ボンディングワイヤ４、半導体素子を覆ってパッケージを構成する封止樹脂５、保護皮膜６を備えている。アイランド１は、例えば、銅系の金属製フレームにより構成される。アイランド１は、基体として機能する。アイランド１の裏面は、封止樹脂５から露出するように形成されている。アイランド１の材料は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変形が可能である。例えば、銅系の金属製フレームに代えて、鉄系の金属製フレームを用いてもよい。
【００１８】
半導体素子２は、アイランド１の上面に固着されている。半導体素子２は、例えば、ＧａＡｓ等の半導体基板に所定の素子が形成されたものである。半導体素子２のアイランド１への固着は、例えば、Ａｇペースト等により接着することにより行うことができる。半導体素子１とアイランド１との接着材としては、特に限定されるものではなく、公知の材料を制限なく用いることができる。一例として、上記Ａｇの他、ＡｕＳｎや半田を挙げることができる。
【００１９】
リード端子３は、半導体素子２と電気的接続手段として機能するボンディングワイヤ４を介して接続されている。リード端子３は、図１Ｂに示すように、半導体装置５０の裏面の外周部に露出するように形成されている。すなわち、アイランド１と同様に、封止樹脂５からその裏面が露出するように形成されている。
【００２０】
本実施形態１においては、半導体装置５０の裏面において、対向する２辺に互いに対向するように合計６つのリード端子３が形成されている。そして、この対向する２辺側の側面において、リード端子３の一部が露出している。詳しくは、後述する。
【００２１】
図１Ｂに示すリード端子３の数や配置位置などは、一例であって、種々の変形が可能である。例えば、半導体装置５０の裏面において、４辺にリード端子３を複数配設するようにしてもよい。また、リード端子３の一部に、側面が露出しないものが形成されていてもよい。また、リート端子３の側面として、一面の一部が露出している例について述べたが、リード端子をパッケージのコーナー部に設け、リード端子の側面のうちの二面について、それぞれ一部が露出するように構成してもよい。
【００２２】
リード端子３の裏面とは反対側の面（以下、「上面」と云う）の一部、若しくは全面には、導電性皮膜７が施されている。導電性皮膜７は、必ずしも設けなくてもよいが、導電性皮膜を、少なくともボンディングワイヤ４と接触する位置に導電性皮膜７を設けることにより、ボンディング強度を高めることができる。導電性皮膜７は、特に限定されないが、本実施形態１においては、Ａｇでメッキ処理することにより形成する。Ａｇに代えて、ＡｕやＮｉなども好適な例として挙げることができるが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の導電性皮膜を適用することができる。
【００２３】
ボンディングワイヤ４は、図１Ｄに示すように、半導体素子２の表面と、リード端子３の露出面とは反対側の面（「上面」）の間を電気的に接続している。なお、電気的接続手段としては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、他の構成を適用することができる。
【００２４】
封止樹脂５は、半導体素子２を封止してパッケージを構成している。封止樹脂５としては、特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂を用いることができる。
【００２５】
保護皮膜６は、半導体装置５０の側面のうち、リード端子３の上面が配置されている位置、及びその近傍に少なくとも形成する。本実施形態１においては、パッケージの側面と、リード端子３の裏面とを区画する辺、及びその近傍に配置されるリード端子３の側面が露出するように、当該部分を含む高さの側面部分以外のパッケージ側面を保護皮膜６により被覆した（図１Ｃ，図１Ｄ参照）。換言すると、半導体装置５０の側面のうち、下側からリード端子３の側面の途中までの高さが、保護皮膜６により覆われていない構成となっている。
【００２６】
保護皮膜６は、絶縁性材料により構成する。保護皮膜６の材料としては、絶縁性材料であり、被覆性に優れるものであれば特に限定されないが、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン系樹脂を好適な例として挙げることができる。本実施形態１においては、ポリイミド系樹脂を用いた。保護皮膜６の膜厚は、特に限定されないが、外形の精度確保、及び小型化を実現する観点より、０．１μｍ以上、１００μｍ以下とすることが好ましい。本実施形態１においては、保護皮膜６の膜厚を約２０μｍとした。
【００２７】
図２に、半導体装置５０を実装基板９に実装したときの、部分拡大断面図を示す。実装基板９に半導体装置５０を半田接続することにより、リード端子３の表面が露出する側面領域から実装基板９にわたって半田からなるフィレット８が形成される。フィレット８は、図２に示すように、通常、表面が凹んだ形状をしている。フィレット８を設けることにより、半導体装置５０の実装強度を高めることができる。
【００２８】
ＱＦＮ型において、ＳＯＰ（Small Outline Package）型やＳＯＪ（Small Outline J-leaded package）型のようにリード端子がパッケージ側面より露出していないものは、実装強度に特に注意する必要がある。上記特許文献１や２においては、前述したように、フィレットを形成することができなかった。そのため、半導体装置の実装強度が弱いという問題があった。
【００２９】
本実施形態１によれば、保護皮膜６をフィレット８の形成領域に設けない構成としている。このため、実装基板９に半田接続する際に、リード端子３の側面にフィレット８を形成することができる。半導体装置５０の実装強度を高めることができるので、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００３０】
また、半導体装置５０の側面のうち、リード端子３の上面が配置されている位置、及びその近傍に少なくとも保護皮膜６を形成することにより、ボンディングワイヤ４に半田食われ（半田溶食）が発生し、ワイヤーが断裂して導通不良が生じることを防止することができる。
【００３１】
次に、本実施形態１に係る半導体装置５０の製造方法について、図３Ａ，図３Ｂを参照しつつ説明する。まず、公知の方法に従って、アイランド１、半導体素子２、リード端子３、ボンディングワイヤ４を封止樹脂５によって封止する。そして、ダイシングカットにより個片分離することにより半導体パッケージ５１を得る（図３Ｂ参照）。
【００３２】
次に、保護皮膜６を形成する樹脂、又はこれらを有機溶剤に溶解した溶液、若しくは分散した分散液からなるディッピング液１１を収容したディッピング装置１５を用意する（図３Ａ参照）。ディッピング液は、液状のポリイミド系、エポキシ系、テフロン（登録商標）系の樹脂、またはそれらを溶解又は分散した有機溶剤などを好適に用いることができる。ディッピング装置１５には、例えば、底面に固設され、上方に向かって延在されたバネなどの弾性部材１３が設けられている。
【００３３】
弾性部材１３の先端部には、表面カバー治具１２が取り付けられている。表面カバー治具１２に付勢力を加えることにより、弾性部材１３は、底面側に収縮するように構成されている。弾性部材１３に代えて、半導体パッケージ５１の浸漬深さを規制するストッパーなどを設けてもよい。ストッパーの高さを調節可能とすることにより、用途に応じて高さを調節したり、他の種類の半導体装置と共用して用いることができる。
【００３４】
上記工程を経て得られた半導体パッケージ５１の裏面を、ピックアップノズル１０によりピックアップする（図３Ｂ参照）。そして、半導体パッケージ５１の上面を、表面カバー治具１２に当接させる。そして、付勢力を加えることにより、ピックアップノズル１０に取り付けられた半導体パッケージ５１をディッピング液１１に浸漬する。より具体的には、半導体パッケージ５１の側面のうち、リード端子３の上面が配置されている位置、及びその近傍がディッピング装置１５内のディッピング液１１に浸漬するように、ディッピングを実施する。
【００３５】
その後、半導体パッケージ５１を取り出し、乾燥する。これらの工程を経て、半導体装置５０が製造される。
【００３６】
なお、半導体装置５０の側面のうち、フィレット８を形成する領域に、有機溶剤が塗布されるのを確実に防止するために、当該領域を仮保護膜などにより隠した状態でディッピングを実施してもよい。
【００３７】
本実施形態１によれば、半導体装置５０側面のうち、ボンディングワイヤ接続側のリード端子３の上面が配置される位置、及びその近傍を保護皮膜６で覆うことにより、リード端子３の上面に形成した導電性皮膜７と、実装基板時に用いる半田のフィレット８との距離を確保することができる。このため、フィレット８と導電性皮膜７が接触することを防止することができる。すなわち、半田と導電性皮膜７が接触することを防止することができる。これにより、半導体装置５０内部への半田侵入によるワイヤー断裂を防ぐことができる。しかも、リード端子３の裏面と側面を区画する辺及びその近傍を保護皮膜６により被覆しないことにより、半導体装置５０をプリント回路基板等に実装する際に、リード端子３にフィレットを形成することができる。その結果、実装強度を確保することができる。
【００３８】
特許文献１においては、パッケージ裏面を粘着テープに貼り付ける工程を経るため、少なからず粘着糊の影響を受けてしまう。さらに、粘着テープからパッケージを突き上げてはがす際に、塗布した皮膜は、個片化されていないため、ピックアップミスや個片化時のカスがパッケージに付着するという問題がある。
【００３９】
特許文献２においては、２段階のダイシング工程を有している。このため、ダイシング精度の影響で、保護皮膜３０６を薄膜化することが非常に困難となる。このため、パッケージの小型化の妨げとなっていた。
【００４０】
本実施形態１に係る製造方法によれば、保護皮膜６をディッピングで形成することにより、粘着テープに貼り付いた状態で塗布することによって生じるピックアップミスや、皮膜カスの付着を防止することができる。さらに、ダイシング精度に依存しない薄膜が得られることにより、半導体装置５０の小型化が可能となる。その結果、高信頼性を維持しつつ、安価で小型化が容易な半導体パッケージを提供することができる。
【００４１】
［実施形態２］
次に、上記実施形態１とは異なる半導体装置の一例について説明する。なお、以降の図において、上記実施形態と同一の要素部材には、同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
【００４２】
本実施形態２に係る半導体装置は、以下の点を除く基本的な構成は、上記実施形態１と同様である。すなわち、上記実施形態１においては、半導体装置５０の上面には、保護皮膜６が形成されていなかったのに対し、本実施形態２においては、半導体装置の上面に保護皮膜が形成されている点において相違する。
【００４３】
図４に、本実施形態２に係る半導体装置５０ａの切断部断面図を示す。保護皮膜６ａは、半導体装置５０の側面に関しては、上記実施形態１と同様の位置に被覆されている。一方、保護皮膜６ａは、上記実施形態１とは異なり、半導体装置５０の上面全体を被覆するように形成されている。
【００４４】
本実施形態２に係る半導体装置５０ａは、例えば、図５に示すようなディッピング装置１５ａを用いることにより製造することができる。ピックアップノズル１０により、半導体装置５０ａの浸漬深さを規制するようにしてもよいし、ディッピング装置１５ａ内に半導体装置の浸漬深さを規制するストッパーなどを設けるようにしてもよい。また、上記実施形態１に記載したように、仮保護皮膜などを利用して、フィレット形成位置に対して、有機溶剤の塗布を確実に防止するようにしてもよい。なお、図５のディッピング装置１５ａを用い、半導体パッケージ５１の上面に仮保護皮膜などを被覆して、上記実施形態１に係る半導体装置５０を製造することもできる。
【００４５】
本実施形態２に係る半導体装置５０ａによれば、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
［実施形態３］
本実施形態３に係る半導体装置は、以下の点を除く基本的な構成は、上記実施形態１と同様である。すなわち、上記実施形態１においては、アイランド１の側面が露出していなかったのに対し、本実施形態３においては、アイランドの側面が露出している点において相違する。
【００４７】
図６Ａに、本実施形態３に係る半導体装置５０ａの模式的裏面図を、図６Ｂに、図６ＡのＶＩＢ−ＶＩＢ切断部断面図を示す。図６Ａに示すように、リード端子３ｂは、一の辺近傍に３つ配設されている。アイランド１ｂは、リード端子３ｂが露出している側面とは対向する側面において、その一部が露出している（図６Ｂ参照）。
【００４８】
本実施形態３に係る半導体装置５０ｂによれば、実装基板に実装する際に、リード端子３ｂの側面のみならず、アイランド１ｂの側面においても、フィレットを形成することができる。
【００４９】
本実施形態３に係る半導体装置５０ｂによれば、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００５０】
なお、上記実施形態１〜３は、本発明の一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。製造方法においても一例であり、例えば、ディッピング方式以外の方法により半導体装置を製造することもできる。
【００５１】
１      金属製フレーム
２      半導体素子
３      電極
４      ボンディングワイヤ
５      封止樹脂
６      保護皮膜
７      導電性皮膜
８      フィレット
９      実装基板
１０    ピックアップノズル
１１    ディッピング液
１２    表面カバー治具
１３    弾性部材
５０    半導体装置
【図１Ａ】
2011044585.tif 000003
【図１Ｂ】
2011044585.tif 000004
【図１Ｃ】
2011044585.tif 000005
【図１Ｄ】
2011044585.tif 000006
【図２】
2011044585.tif 000007
【図３Ａ】
2011044585.tif 000008
【図３Ｂ】
2011044585.tif 000009
【図４】
2011044585.tif 000010
【図５】
2011044585.tif 000011
【図６Ａ】
2011044585.tif 000012
【図６Ｂ】
2011044585.tif 000013
【図７Ａ】
2011044585.tif 000014
【図７Ｂ】
2011044585.tif 000015
【図７Ｃ】
2011044585.tif 000016
【図８】
2011044585.tif 000017
【図９】
2011044585.tif 000018