(57)【要約】【課題】伝送帯域幅を増大させうるとともに、データのバックアップ能力を得ることができるデュアルチャネルフラッシュメモリセットを得るためのフラッシュメモリのアクセス装置を提供する。【解決手段】フラッシュメモリのアクセス装置は、コントローラと、第１のチャネルのメモリセットと、第２のチャネルのメモリセットとを具える。第１のチャネルのメモリセットは、第１のフラッシュメモリと、少なくとも１つの第１のメモリ拡張用ソケットとを有する。第２のチャネルのメモリセットは、第２のフラッシュメモリと、少なくとも１つの第２のメモリ拡張用ソケットとを有する。コントローラは、第１のメモリ拡張用ソケット及び第２のメモリ拡張用ソケット内にフラッシュメモリが挿入されているかどうかに応じて第１のフラッシュメモリ及び第２のフラッシュメモリに関して実行すべきアクセス方法を決定する。【選択図】図１
2011081681.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コントローラと、
第１のチャネルを経てこのコントローラに結合された第１のチャネルのメモリセットであって、この第１のチャネルのメモリセットが、前記コントローラに結合された第１のフラッシュメモリと、この第１のフラッシュメモリ及び前記コントローラに結合された少なくとも第１のフラッシュメモリ拡張用ソケットとを有する当該第１のチャネルのメモリセットと、
第２のチャネルを経て前記コントローラに結合された第２のチャネルのメモリセットであって、この第２のチャネルのメモリセットが、前記コントローラに結合された第２のフラッシュメモリと、この第２のフラッシュメモリ及び前記コントローラに結合された少なくとも第２のフラッシュメモリ拡張用ソケットとを有する当該第２のチャネルのメモリセットと
を具えるフラッシュメモリのアクセス装置において、
前記コントローラが、前記第１のフラッシュメモリ拡張用ソケット及び前記第２のフラッシュメモリ拡張用ソケットの各々のフラッシュメモリ挿入状態の検出に応じて、前記第１のフラッシュメモリ及び前記第２のフラッシュメモリで実行すべき読み取り動作又はプログラミング動作を決定するようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項２】
請求項１に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記第１のフラッシュメモリ拡張用ソケットが第３のフラッシュメモリに接続され、前記第２のフラッシュメモリ拡張用ソケットが第４のフラッシュメモリに接続されている場合に、前記コントローラは、読み取り動作又はプログラミング動作が第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリで正常に実施されているかどうかに応じて、第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリをメインメモリ又はバックアップメモリとして決定するようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項３】
請求項２に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記コントローラは更に、読み取り動作又はプログラミング動作がメインメモリに関して異常に実施されているということが検出された場合に、バックアップメモリをメインメモリとなるように切り換えるようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項４】
請求項２に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記コントローラは、読み取り動作又はプログラミング動作が第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリの各々に関して正常に実施されている場合に、第１のフラッシュメモリ及び第２のフラッシュメモリをメインメモリとして決定し、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項５】
請求項４に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記第３のフラッシュメモリは、前記第１のフラッシュメモリ内に記憶されるデータのコピーを記憶するのに用いられ、前記第２のフラッシュメモリは、前記第４のフラッシュメモリ内に記憶されるデータのコピーを記憶するのに用いられるようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項６】
請求項２に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記コントローラは、読み取り動作又はプログラミング動作が前記第１のチャネルのメモリセットにおける前記第１のフラッシュメモリ及び前記第３のフラッシュメモリの各々に関して異常に実施されていると決定された場合に、前記第２のフラッシュメモリをメインメモリとして決定し、前記第４のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項７】
請求項２に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記コントローラは、読み取り動作又はプログラミング動作が前記第２のチャネルのメモリセットにおける前記第２のフラッシュメモリ及び前記第４のフラッシュメモリの各々に関して異常に実施されていると決定された場合に、前記第１のフラッシュメモリをメインメモリとして決定し、前記第３のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項８】
請求項１に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記第１のチャネルのメモリセットと、前記第２のチャネルのメモリセットと、前記コントローラとが回路板上に構成されているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項９】
請求項１に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記第１のチャネルのメモリセットと、前記コントローラとが回路板上に構成されており、前記第２のチャネルのメモリセットがオープン式のＮＡＮＤフラッシュメモリインターフェースセットであるフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項１０】
請求項１に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記コントローラが回路板上に構成されており、前記第１のチャネルのメモリセットと、前記第２のチャネルのメモリセットとの各々がオープン式のＮＡＮＤフラッシュメモリインターフェースセットであるフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項１１】
請求項１に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記コントローラが回路板上に構成されており、前記第１のチャネルのメモリセットと、前記第２のチャネルのメモリセットとの各々がオープン式のＮＡＮＤフラッシュメモリインターフェースセットであるとともに前記回路板上に直接構成されているフラッシュメモリのアクセス装置。
【請求項１２】
第１のチャネルのメモリセットの第１のフラッシュメモリ及び第２のフラッシュメモリと、第２のチャネルのメモリセットの第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリとに関する読み取り動作又はプログラミング動作を実施するために、コントローラを設けるステップと、
前記第１のチャネルのメモリセット及び前記第２のチャネルのメモリセットのそれぞれにおける前記第１のフラッシュメモリ、前記第２のフラッシュメモリ及び前記第３のフラッシュメモリ、前記第４のフラッシュメモリの各々が読み取り動作又はプログラミング動作で正常であるかどうかを、前記コントローラが決定するステップと、
前記第１のフラッシュメモリ、前記第２のフラッシュメモリ、前記第３のフラッシュメモリ及び前記第４のフラッシュメモリの各々が正常に動作しているかどうかに応じて、前記コントローラがこれら第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリの各々をメインメモリ又はバックアップメモリとして決定するステップと
を具えるフラッシュメモリのアクセス方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、この方法は更に、
前記コントローラが、読み取り動作又はプログラミング動作がメインメモリに関して異常に実施されているということを前記コントローラが検出した場合に、このコントローラがバックアップメモリをメインメモリとなるように切り換えるステップ
を具えているフラッシュメモリのアクセス方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、前記第１のフラッシュメモリ、前記第２のフラッシュメモリ、前記第３のフラッシュメモリ及び前記第４のフラッシュメモリの各々が正常に動作しているかどうかに応じて、前記コントローラがこれら第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリの各々をメインメモリ又はバックアップメモリとして決定する前記ステップが、
読み取り動作又はプログラミング動作が前記第１のフラッシュメモリ、前記第２のフラッシュメモリ、前記第３のフラッシュメモリ及び前記第４のフラッシュメモリの各々に関して正常に実施されていることを前記コントローラが検出した場合に、このコントローラは、前記第１のフラッシュメモリ及び前記第３のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、前記第２のフラッシュメモリ及び前記第４のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するステップ
を有しているフラッシュメモリのアクセス方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、前記第２のフラッシュメモリは、前記第１のフラッシュメモリ内に記憶されるデータのコピーを記憶するのに用い、前記第４のフラッシュメモリは、前記第３のフラッシュメモリ内に記憶されるデータのコピーを記憶するのに用いるフラッシュメモリのアクセス方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、前記第１のフラッシュメモリ、前記第２のフラッシュメモリ、前記第３のフラッシュメモリ及び前記第４のフラッシュメモリの各々が正常に動作しているかどうかに応じて、前記コントローラがこれら第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリの各々をメインメモリ又はバックアップメモリとして決定する前記ステップが、
読み取り動作又はプログラミング動作が前記第１のチャネルのメモリセットにおける前記第１のフラッシュメモリ及び前記第２のフラッシュメモリの各々に関して異常に実施されていることを前記コントローラが検出した場合に、このコントローラは、前記第３のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、前記第４のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するステップ
を有しているフラッシュメモリのアクセス方法。
【請求項１７】
請求項１２に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、前記第１のフラッシュメモリ、前記第２のフラッシュメモリ、前記第３のフラッシュメモリ及び前記第４のフラッシュメモリの各々が正常に動作しているかどうかに応じて、前記コントローラがこれら第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリの各々をメインメモリ又はバックアップメモリとして決定する前記ステップが、
読み取り動作又はプログラミング動作が前記第２のチャネルのメモリセットにおける前記第３のフラッシュメモリ及び前記第４のフラッシュメモリの各々に関して異常に実施されていることを前記コントローラが検出した場合に、このコントローラは、前記第１のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、前記第２のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するステップ
を有しているフラッシュメモリのアクセス方法。
【請求項１８】
請求項１２に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、この方法が更に、
少なくとも１つの拡張用メモリを前記第１のチャネルのメモリセットにおけるバックアップメモリとなるように設けるステップ
を具えているフラッシュメモリのアクセス方法。
【請求項１９】
請求項１２に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、この方法が更に、
少なくとも１つの拡張用メモリを前記第２のチャネルのメモリセットにおけるバックアップメモリとなるように設けるステップ
を具えているフラッシュメモリのアクセス方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュメモリのアクセス装置及びアクセス方法に関するものであり、特にデュアルチャネルフラッシュメモリのアクセス装置及びアクセス方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フラッシュメモリは電気的にプログラミングしうる読み取り専用メモリであり、これは動作中に複数回消去又はプログラミングしうるものである。フラッシュメモリは、通常、ＮＯＲフラッシュメモリ又はＮＡＮＤフラッシュメモリを有する。フラッシュメモリがＮＯＲフラッシュメモリであるか、又はＮＡＮＤフラッシュメモリであるかにかかわらず、フラッシュメモリを消去又はプログラミングする回数は制限されている。一例としてＮＡＮＤフラッシュメモリを考慮すると、マルチレベルセルのＮＡＮＤフラッシュメモリを消去又はプログラミングしうる回数は、通常、約一万回である。又、シングルレベルセルのＮＡＮＤフラッシュメモリを消去又はプログラミングしうる回数は、通常、約十万回である。
【０００３】
現在の技術では、デュアルチャネルフラッシュメモリのアクセス装置が存在する。この従来のデュアルチャネルフラッシュメモリのアクセス装置によりデータを記憶する場合、データは２つのデータ区分に分割される。これらの２つのデータ区分は、互いに異なるチャネルを介して異なるフラッシュメモリ内に同時に記憶される。従って、フラッシュメモリ内にデータを記憶する速度は有効に２倍となる。すなわち、フラッシュメモリのアクセス装置によりデータをアクセスする帯域幅は２倍となる。
【０００４】
しかし、フラッシュメモリは、あまりにも多数回消去又はプログラミングされることにより損傷されるおそれがある。上述したデュアルチャネルフラッシュメモリのアクセス装置では、１つのチャネルのフラッシュメモリが損傷されると、この損傷されたフラッシュメモリ内に記憶されたデータが永久に失われる。すなわち、従来のデュアルチャネルフラッシュメモリのアクセス装置内のフラッシュメモリが一旦損傷されると、このフラッシュメモリ内のデータを回復しえない可能性が高くなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、伝送帯域幅を増大させうるとともに、データのバックアップ能力を得ることができるデュアルチャネルフラッシュメモリセットを得るためのフラッシュメモリのアクセス装置及びアクセス方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、コントローラと、第１のチャネルのメモリセットと、第２のチャネルのメモリセットとを具えるフラッシュメモリのアクセス装置を提供する。第１のチャネルのメモリセットは第１のチャネルを経てコントローラに結合されており、且つ第１のフラッシュメモリと少なくとも第１のメモリ拡張用ソケットとを具えている。第１のフラッシュメモリはコントローラに結合されており、第１のメモリ拡張用ソケットは第１のフラッシュメモリとコントローラとに結合されている。第２のチャネルのメモリセットは第２のチャネルを経てコントローラに結合されている。第２のチャネルのメモリセットはコントローラに結合された第２のフラッシュメモリと、この第２のフラッシュメモリ及びコントローラに結合された第２のメモリ拡張用ソケットとを具えている。コントローラは、第１のメモリ拡張用ソケット及び第２のメモリ拡張用ソケットの各々のフラッシュメモリ挿入状態の検出に応じて第１のフラッシュメモリ及び第２のフラッシュメモリで実行すべき読み取り動作又はプログラミング動作を決定する。
【０００７】
本発明の一例によれば、第１のメモリ拡張用ソケットが第３のフラッシュメモリに接続され、第２のメモリ拡張用ソケットが第４のフラッシュメモリに接続された場合に、コントローラは、読み取り動作又はプログラミング動作が第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリで正常に実施されているかどうかに応じて、第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリをメインメモリ又はバックアップメモリとして決定するようにする。
【０００８】
本発明の一例によれば、コントローラにより、読み取り動作又はプログラミング動作が第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリの各々で正常に実施されていることを検出した場合、このコントローラは第１のフラッシュメモリ及び第２のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するようにする。或いはまた、コントローラは、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第１のフラッシュメモリ及び第２のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定しうる。同じチャネルのメモリセット内に構成されたフラッシュメモリは互いのバックアップメモリとしうることを銘記すべきである。
【０００９】
本発明の一例によれば、第３のフラッシュメモリを用いて、第１のフラッシュメモリ内に記憶されたデータのコピーを記憶し、第４のフラッシュメモリを用いて、第２のフラッシュメモリ内に記憶されたデータのコピーを記憶するようにする。
【００１０】
本発明の一例によれば、第１のフラッシュメモリを用いて、第３のフラッシュメモリ内に記憶されたデータのコピーを記憶し、第２のフラッシュメモリを用いて、第４のフラッシュメモリ内に記憶されたデータのコピーを記憶するようにする。
【００１１】
本発明の一例によれば、コントローラにより、読み取り動作又はプログラミング動作が第１のチャネルのメモリセットにおける第１のフラッシュメモリ及び第３のフラッシュメモリの各々で異常に実施されていることを検出した場合、このコントローラは第２のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第４のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するようにする。或いはまた、コントローラは、第４のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第２のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定することができる。
【００１２】
本発明の一例によれば、コントローラにより、読み取り動作又はプログラミング動作が第２のチャネルのメモリセットにおける第２のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリの各々で異常に実施されていることを検出した場合、このコントローラは第１のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第３のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するようにする。或いはまた、コントローラは、第３のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第１のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定することができる。
【００１３】
本発明の一例によれば、第１のチャネルのメモリセットと、第２のチャネルのメモリセットと、コントローラとを回路板上に構成する。
【００１４】
本発明の一例によれば、第１のチャネルのメモリセットと、コントローラとを回路板上に構成し、第２のチャネルのメモリセットをオープン式のＮＡＮＤフラッシュメモリインターフェースセットとする。
【００１５】
本発明の一例によれば、コントローラを回路板上に構成し、第１のチャネルのメモリセット及び第２のチャネルのメモリセットの各々をオープン式のＮＡＮＤフラッシュメモリインターフェースセットとする。
【００１６】
本発明の一例によれば、コントローラを回路板上に構成し、第１のチャネルのメモリセット及び第２のチャネルのメモリセットの各々をオープン式のＮＡＮＤフラッシュメモリインターフェースセットにするとともに前記回路板上に直接構成する。
【００１７】
本発明は更に、第１のチャネルのメモリセットにおける第１のフラッシュメモリ及び第２のフラッシュメモリに且つ第２のチャネルのメモリセットにおける第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリに読み取り動作又はプログラミング動作を実行するためのコントローラを設けるステップを有するフラッシュメモリのアクセス方法をも提供するものである。この場合、コントローラは、第１のチャネルのメモリセットにおける第１のフラッシュメモリ及び第２のフラッシュメモリ且つ第２のチャネルのメモリセットにおける第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリの各々が、読み取り動作又はプログラミング動作で正常であるかどうかを決定する。コントローラは、第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリの各々が正常に動作しているかどうかに応じて、第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリをメインメモリ又はバックアップメモリとして決定する。
【００１８】
上述したところによれば、本発明のフラッシュメモリセットの各々にフラッシュメモリをバックアップメモリとして設けた。従って、メインフラッシュメモリに記憶されたデータをバックアップメモリ内にコピーすることができる。更に、フラッシュメモリがあまりにも多数回の消去動作及びプログラミング動作が原因で損傷された際に、このフラッシュメモリ内のデータを有効に復元しうる。更に、本発明では、読み取り動作又はプログラミング動作が正常に実施されているかどうかを決定することにより、デュアルチャネルメモリセットにおけるフラッシュメモリを、データを記憶するメインメモリ及びこれらのメインメモリ内に記憶されるデータのコピーを記憶するバックアップメモリとなるように決定しうる。従って、損傷されないメモリを有効に用いてその効率を最大にしうる。
【００１９】
本発明の上述した及びその他の特徴や利点をより一層理解しうるようにするために、添付図面を用いた実施例を以下に詳細に説明する。
【００２０】
添付図面は、本発明を更に理解させるためのものであり、この明細書の一部を成すものである。本発明の実施例を示す図面は、明細書の説明と相俟って本発明の原理を説明する役割を成すものである。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の一実施例によるフラッシュメモリのアクセス装置１００を示すブロック線図である。
【図２】図２は、フラッシュメモリのアクセス装置１００のフラッシュメモリ設計方法を示す線図である。
【図３】図３は、本発明の他の実施例によるフラッシュメモリのアクセス装置３００を示すブロック線図である。
【図４】図４は、本発明の一実施例によるフラッシュメモリのアクセス方法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１は、本発明の一実施例によるフラッシュメモリのアクセス装置１００を示すブロック線図である。この図１に示すように、フラッシュメモリのアクセス装置１００は、コントローラ１１０と、第１のチャネルのメモリセット１２０と、第２のチャネルのメモリセット１３０とを有する。更に、コントローラ１１０は、第１のチャネル１５０を経て第１のチャネルのメモリセット１２０に結合されているとともに、第２のチャネル１６０を経て第２のチャネルのメモリセット１３０に結合されている。第１のチャネルのメモリセット１２０はフラッシュメモリ１２１と、メモリ拡張用ソケット１２２とを有し、第２のチャネルのメモリセット１３０はフラッシュメモリ１３１と、メモリ拡張用ソケット１３２とを有している。フラッシュメモリ１２１と、メモリ拡張用ソケット１２２とは互いに結合されているとともに、コントローラ１１０に結合されており、フラッシュメモリ１３１と、メモリ拡張用ソケット１３２とは互いに結合されているとともに、コントローラ１１０に結合されている。
【００２３】
メモリ拡張用ソケット１２２及び１３２内にメモリが挿入されていない場合には、コントローラ１１０がメモリ拡張用ソケット１２２及び１３２のフラッシュメモリ非挿入状態を検出することによるデュアルチャネル方法で、このコントローラが第１のチャネル１５０及び第２のチャネル１６０をそれぞれ経てフラッシュメモリ１２１及び１３１をアクセスする。
【００２４】
或いはまた、図１に示すように、メモリ拡張用ソケット１２２及び１３２がそれぞれフラッシュメモリ１２３及び１３３に接続されている場合には、フラッシュメモリのアクセス装置１００の実際の動作中にコントローラ１１０により検出されるメモリ拡張用ソケット１２２及び１３２のフラッシュメモリの挿入状態に応じて、このコントローラ１１０が第１のチャネルのメモリセット１２０及び第２のチャネルのメモリセット１３０のそれぞれにおけるフラッシュメモリ１２１、１２３及び１３１、１３３に関する検査を実行する。この検査の主な目的は、フラッシュメモリ１２１、１２３、１３１及び１３３が損傷されているかどうかを決定することにある。換言すれば、コントローラ１１０はフラッシュメモリ１２１、１２３、１３１及び１３３に関する読み取り動作及びプログラミング動作を実行するものであり、このコントローラが例えば、フラッシュメモリ１２１に関して読み取り動作又はプログラミング動作を正常に実行しうる場合には、このフラッシュメモリ１２１は損傷されていないということが決定されている。コントローラが、フラッシュメモリ１２１に関して読み取り動作又はプログラミング動作を正常に実行しえない場合には、このフラッシュメモリ１２１は損傷されているということが決定される。
【００２５】
その後、コントローラ１１０は、読み取り動作又はプログラミング動作をフラッシュメモリ１２１、１２３、１３１及び１３３に関して正常に実行しうるかどうかに応じてフラッシュメモリの各々をメインメモリか又はバックアップメモリとして決定する。メインメモリはデータを記憶するのに用いられ、バックアップメモリは、メインメモリに記憶されたデータのコピーを記憶するのに用いられる。
【００２６】
コントローラ１１０は、フラッシュメモリ１２１、１２３、１３１及び１３３の読み取り動作又はプログラミング動作が正常であるかどうかを決定するための決定処理を周期的に実行することを銘記すべきである。フラッシュメモリはあまりにも多数回の消去動作及びプログラミング動作が原因で損傷されるおそれがある為、コントローラ１１０は、フラッシュメモリのアクセス装置１００におけるフラッシュメモリ１２１、１２３、１３１及び１３３が損傷されているかどうかを知るとともに、どのフラッシュメモリをメインメモリとし、どのフラッシュメモリをバックアップメモリとするかを動的に調整する必要がある。
【００２７】
以下の説明では、読み取り動作又はプログラミング動作がフラッシュメモリ１２１、１２３、１３１及び１３３に関し正常に実行しうるかどうかをコントローラ１１０により決定することに応じた、これらフラッシュメモリ１２１、１２３、１３１及び１３３の設計方法を実行する本発明の実施例のコントローラ１１０を詳述し、当業者が本発明の実施例の詳細を更に理解しうるようにするものである。
【００２８】
図１及び図２に示すように、図２は、読み取り動作又はプログラミング動作をフラッシュメモリ１２１、１２３、１３１及び１３３に関し正常に実施しうることをコントローラが検出した場合の４つの可能な割り当て方法を示す。コントローラ１１０は、フラッシュメモリ１２１とフラッシュメモリ１３１とを、メインメモリとして決定しうる。更に、フラッシュメモリ１２３とフラッシュメモリ１３３とは、バックアップメモリとして決定される。フラッシュメモリ１２３は、フラッシュメモリ１２１内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。同様に、フラッシュメモリ１３３は、フラッシュメモリ１３１内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。コントローラ１１０は、（破線２２０で示すように）フラッシュメモリ１２３とフラッシュメモリ１３３とを、メインメモリとして決定することもできる。更に、フラッシュメモリ１２１とフラッシュメモリ１３１とは、バックアップメモリとして決定される。フラッシュメモリ１２１は、フラッシュメモリ１２３内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。同様に、フラッシュメモリ１３１は、フラッシュメモリ１３３内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。
【００２９】
更に、コントローラ１１０は、（破線２３０で示すように）フラッシュメモリ１２１とフラッシュメモリ１３３とを、メインメモリとして決定することもできる。更に、フラッシュメモリ１２３とフラッシュメモリ１３１とは、バックアップメモリとして決定される。フラッシュメモリ１２３は、フラッシュメモリ１２１内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。同様に、フラッシュメモリ１３１は、フラッシュメモリ１３３内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。或いはまた、コントローラ１１０は、（破線２４０で示すように）フラッシュメモリ１２３とフラッシュメモリ１３１とを、メインメモリとして決定することもできる。更に、フラッシュメモリ１２１とフラッシュメモリ１３３とは、バックアップメモリとして決定される。フラッシュメモリ１２１は、フラッシュメモリ１２３内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。同様に、フラッシュメモリ１３３は、フラッシュメモリ１３１内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。
【００３０】
容易に理解しうるように、フラッシュメモリ１２１、１２３、１３１及び１３３が損傷されていない場合には、コントローラ１１０は第１のチャネルのメモリセット１２０における何れかのフラッシュメモリをメインメモリとなるように決定するとともに、第１のチャネルのメモリセット１２０における他のフラッシュメモリをバックアップメモリとなるように決定することができる。一方、コントローラは、第２のチャネルのメモリセット１３０における何れかのフラッシュメモリをメインメモリとなるように決定するとともに、第２のチャネルのメモリセット１３０における他のフラッシュメモリをバックアップメモリとなるように決定することができる。従って、フラッシュメモリのアクセス装置１００は、記憶すべきデータを分割し、次にこの分割されたデータを第１のチャネルのメモリセット１２０及び第２のチャネルのメモリセット１３０におけるメインメモリ内にそれぞれ同時に記憶しうるように、デュアルチャネルアクセス方法を保つことができる。
【００３１】
メインメモリ中のデータをバックアップメモリ中にバックアップする方法では、コントローラ１１０がメインメモリ内のデータをバックアップメモリ内に周期的に複写しうることを銘記すべきである。すなわち、カウンタ（図示せず）により時間を計算し、計算時間が予め決定したサイクル時間に等しくなると、コントローラ１１０はメインメモリ内のデータをバックアップメモリに複写するバックアップ処理を実行するようにする。従って、メインメモリ内のデータが周期的にバックアップされて、データの安全性を維持しうるようになる。
【００３２】
上述したデータのバックアップ方法は、一例にすぎず、データをバックアップするために上述したデータのバックアップ方法のみを用いるものとして本発明を制限するのに用いるものではない。当業者にとって周知のデータバックアップ方法をも本発明の実施例に適用することができる。
【００３３】
或いはまた、コントローラ１１０は、読み取り動作又はプログラミング動作がフラッシュメモリ１２１、１２３、１３１及び１３３に関し正常に実行されているかどうかを実時間で検出し、フラッシュメモリ１２１、１２３、１３１及び１３３の状態を実時間で制御しうる為、コントローラ１１０は例えば、メインメモリとしてのフラッシュメモリ１２１が損傷された場合に、フラッシュメモリ１２１のバックアップメモリとして用いているフラッシュメモリ１２３をメインメモリとなるように再決定することができ、従って、フラッシュメモリのアクセス装置１００は依然として正常に動作しうるようになる。
【００３４】
図１に示すように、読み取り動作又はプログラミング動作が第１のチャネルのメモリセット１２０におけるフラッシュメモリ１２１及び１２３で異常に実施されていることをコントローラ１１０が検出すると、このコントローラ１１０は、第２のチャネルのメモリセット１３０におけるフラッシュメモリ１３１及び１３３のうちの一方のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第２のチャネルのメモリセット１３０におけるフラッシュメモリ１３１及び１３３のうちの他方のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定する。同様に、読み取り動作又はプログラミング動作が第２のチャネルのメモリセット１３０におけるフラッシュメモリ１３１及び１３３で異常に実施されていることをコントローラ１１０が検出すると、このコントローラ１１０は、第１のチャネルのメモリセット１２０におけるフラッシュメモリ１２１及び１２３のうちの一方のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第１のチャネルのメモリセット１２０におけるフラッシュメモリ１２１及び１２３のうちの他方のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定する。
【００３５】
図３は、本発明の一実施例によるフラッシュメモリのアクセス装置３００を示すブロック線図である。この図３に示すように、フラッシュメモリのアクセス装置３００は、コントローラ３１０と、第１のチャネルのメモリセット３２０と、第２のチャネルのメモリセット３３０とを有する。第１のチャネルのメモリセット３２０はフラッシュメモリ３２１と、メモリ拡張用ソケット３２２とを有し、第２のチャネルのメモリセット３３０はフラッシュメモリ３３１を有している。前述したフラッシュメモリのアクセス装置１００と本例のフラッシュメモリのアクセス装置３００との相違は、フラッシュメモリのアクセス装置３００の第２のチャネルのメモリセット３３０が更に、数個のメモリ拡張用ソケット３３２２及び３３３を有していることである。メモリ拡張用ソケット３３３に接続されているフラッシュメモリはバックアップメモリとして用いることができる。更に、第１のチャネルのメモリセット３２０にも数個のメモリ拡張用ソケットを設けることができる。
【００３６】
本例におけるコントローラ３１０、第１のチャネルのメモリセット３２０及び第２のチャネルのメモリセット３３０は、マザーボードのような回路板上に構成しうる。或いはまた、コントローラ３１０を回路板上に構成し、第１のチャネルのメモリセット３２０をこのコントローラ３１０と同じ回路板上に構成し、第２のチャネルのメモリセット３３０をオープン式のＮＡＮＤフラッシュメモリインターフェースセットとする。更に、コントローラ３１０を回路板上に構成し、第１のチャネルのメモリセット３２０及び第２のチャネルのメモリセット３３０の各々をオープン式のＮＡＮＤフラッシュメモリインターフェースセットとし、これらの第１のチャネルのメモリセット３２０及び第２のチャネルのメモリセット３３０はコントローラを構成したのと同じ回路板上に構成しうるも、必ずしもこのようにする必要はない。
【００３７】
図４は、本発明の一実施例によるフラッシュメモリのアクセス方法を示す線図である。この図４に示すように、第１のチャネルのメモリセットの第１のフラッシュメモリ及び第２のフラッシュメモリと、第２のチャネルのメモリセットの第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリとに関する読み取り動作又はプログラミング動作を実施するために、コントローラを設ける（ステップＳ４１０）。次に、第１のチャネルのメモリセット及び第２のチャネルのメモリセットのそれぞれにおける第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ及び第３のフラッシュメモリ、第４のフラッシュメモリの各々が読み取り動作又はプログラミング動作で正常であるかどうかを、コントローラが決定する（ステップＳ４２０）。又、第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリの各々が正常に動作しているかどうかに応じて、コントローラがこれら第１のフラッシュメモリ、第２のフラッシュメモリ、第３のフラッシュメモリ及び第４のフラッシュメモリの各々をメインメモリ又はバックアップメモリとして決定する（ステップＳ４３０）。
【００３８】
更に、フラッシュメモリの各々が正常に動作しているかどうかに応じて、コントローラがこれらフラッシュメモリの各々をメインメモリ又はバックアップメモリとして決定する方法は、フラッシュメモリのアクセス装置１００及び３００に関し前述した２つの実施例で詳細に説明しており、ここではこの方法を更に説明しない。
【００３９】
上述したように、本発明は、デュアルチャネルメモリセットのフラッシュメモリアクセス装置及びアクセス方法を提供する。第１のチャネルのメモリセット及び第２のチャネルのメモリセットにおけるフラッシュメモリの各々が損傷されているかどうかに応じて、フラッシュメモリのアクセス装置のコントローラがこれらフラッシュメモリの各々をメインメモリ又はバックアップメモリとして決定する。従って、メインメモリ内に記憶されたデータを失うことなしにバックアップメモリ内にバックアップしうる。更に、メインメモリが損傷されると、コントローラは、バックアップメモリをメインメモリとなるように動的に切り換えて、フラッシュメモリのアクセス装置の正常な動作を維持するようにしうる。
【００４０】
本発明を上述した実施例につき説明したが、当業者にとって明らかなように、本発明の精神を逸脱することなく、これらの実施例に対し変更を施すことができる。従って、本発明の範囲は上述した実施例に限定されず、特許請求の範囲により規定されるものである。
【符号の説明】
【００４１】
１００、３００    フラッシュメモリのアクセス装置
１１０、３１０    コントローラ
１２０、３２０、３３０    メモリセット
１２１、１２３、１３１、１３３、３２１、３３１    フラッシュメモリ
１２２、１３２、３２２、３３２、３３３    メモリ拡張用ソケット
１５０    第１のチャネル
１６０    第２のチャネル
【図１】
2011081681.tif 000003
【図２】
2011081681.tif 000004
【図３】
2011081681.tif 000005
【図４】
2011081681.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月26日(2009.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2011081681.tif 000007
【外国語明細書】
2011081681000001.pdf