(57)【要約】【課題】シリコンの研磨速度を向上させる。【解決手段】研磨用組成物は、シリカ粒子と、ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎは２以上の整数）からなるポリエチレンアミンとを含む。シリカ粒子は、シリコンの研磨に用いられる粒子からなり、例えば、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、およびコロイダルシリカとヒュームドシリカとの混合物のいずれかからなる。ポリエチレンアミンは、ジエチレントリアミン（ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）２Ｈ）、トリエチレンテトラミン（ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）３Ｈ）、テトラエチレンペンタミン（ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）４Ｈ）およびペンタエチレンヘキサミン（ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）５Ｈ）のいずれかからなる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリカ粒子と、
ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎは２以上の整数）からなるポリエチレンアミンとを含む研磨用組成物。
【請求項２】
シリカ粒子と、
ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎは１以上の整数）からなるポリエチレンアミンと、
銅イオン捕捉剤と、
ｐＨ調整剤とを含む研磨用組成物。
【請求項３】
銅イオン捕捉剤は、３級アミノ基と酢酸基とを有するキレート剤である、請求項２に記載の研磨用組成物。
【請求項４】
環状アミンを更に含む、請求項２または請求項３に記載の研磨用組成物。
【請求項５】
前記ポリエチレンアミンは、ジエチレントリアミンまたはトリエチレンテトラミンからなる、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、シリコンの研磨に用いる研磨用組成物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）は、主に、シリコンおよびガリウム砒素等からなるウェハ表面に形成された酸化膜、金属膜、およびセラミックス膜等の多層配線用薄膜を平坦化するために利用され、ウェハ表面に多層配線を構築し、高性能化および高集積化が進んだ超ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）を製造する上で必要不可欠な技術になっている。
【０００３】
従来、シリコンの研磨に用いられる研磨用組成物として、平均粒径が４２ｎｍであるコロイダルシリカと、低分子量脂肪族アミンとを含むシリコン研磨剤が知られている（特許文献１）。
【０００４】
低分子量脂肪族アミンは、エチレンジアミンおよびメチルアミン等からなる。そして、このシリコン研磨剤において、コロイダルシリカは、３．８重量％の含有量を有し、低分子量脂肪族アミンとしてのエチレンジアミンは、３．１重量％の含有量を有する。
【０００５】
そして、このシリコン研磨剤を用いてシリコンを研磨することによって、１．１４３μｍ／分の研磨速度が得られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１００６７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、次世代の接続技術として注目されているＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ：シリコン貫通電極）を用いる場合には、数分程度で十数μｍのシリコンをＣＭＰによって研磨する必要があり、従来のシリコン研磨剤では、研磨速度が遅いという問題がある。
【０００８】
そこで、実施の形態による研磨用組成物は、シリコンの研磨速度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の実施の形態によれば、研磨用組成物は、シリカ粒子と、ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎは２以上の整数）からなるポリエチレンアミンとを含む。
【００１０】
また、この発明の実施の形態によれば、研磨用組成物は、シリカ粒子と、ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎは１以上の整数）からなるポリエチレンアミンと、銅イオン捕捉剤と、ｐＨ調整剤とを含む。
【発明の効果】
【００１１】
この発明の実施の形態による研磨用組成物は、シリカ粒子と、ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎは２以上の整数）からなるポリエチレンアミンとを含む。その結果、ポリエチレンアミンに含まれる２級アミノ基とシリコンとの反応性は、１級アミノ基とシリコンとの反応性よりも高い。そして、ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎは２以上の整数）からなるポリエチレンアミンは、シリカ粒子によるシリコンの研磨を促進する。
【００１２】
従って、シリコンの研磨速度を向上できる。
【００１３】
また、この発明の実施の形態による研磨用組成物は、シリカ粒子と、ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎは１以上の整数）からなるポリエチレンアミンと、銅イオン捕捉剤と、ｐＨ調整剤とを含む。その結果、ポリエチレンアミンに含まれる１級アミノ基または２級アミノ基は、シリコンと反応する。そして、ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎは１以上の整数）からなるポリエチレンアミンは、シリカ粒子によるシリコンの研磨を促進する。また、銅イオン捕捉剤は、銅イオンを捕捉する。
【００１４】
従って、銅イオンのシリコンウェハへの混入を抑制してシリコンの研磨速度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１におけるポリエチレンアミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す図である。
【図２】研磨用組成物の温度によるシリコンの研磨速度の変化を示す図である。
【図３】実施の形態２におけるポリエチレンアミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す図である。
【図４】実施の形態３におけるポリエチレンアミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００１７】
［実施の形態１］
この発明の実施の形態１による研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）は、シリカ粒子と、ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎは２以上の整数）からなるポリエチレンアミンとを含む。
【００１８】
そして、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）は、シリコンを研磨の対象とする。
【００１９】
シリカ粒子は、シリコンの研磨に用いられる粒子からなり、例えば、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、およびコロイダルシリカとヒュームドシリカとの混合物のいずれかからなる。そして、シリカ粒子は、７０ｎｍの平均粒径を有する。平均粒径が７０ｎｍであるとは、シリカ粒子の粒径が主に７０ｎｍに分布していることを言う。
【００２０】
ポリエチレンアミンは、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ，ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）２Ｈ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ，ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）３Ｈ）、テトラエチレンペンタミン（ＴＥＰＡ，ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）４Ｈ）およびペンタエチレンヘキサミン（ＰＥＨＡ，ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）５Ｈ）のいずれかからなる。
【００２１】
シリカ粒子は、１．３３重量％の含有量を有し、ポリエチレンアミンは、７０ミリモル／リットル未満の含有量を有する。なお、シリカ粒子は、一般的には、０．５重量％〜５重量％の含有量を有する。含有量が０．５重量％未満では、シリコンの研磨速度が極端に低下し、含有量が５重量％よりも多いと、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）のコストが高くなるからである。
【００２２】
このように、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）は、直鎖状アミンを含む。
【００２３】
研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）は、シリカ粒子、およびポリエチレンアミンを適宜混合して水を加えることによって作製される。また、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）は、シリカ粒子、およびポリエチレンアミンを、順次、水に混合することによって作製される。そして、これらの成分を混合する手段としては、ホモジナイザー、および超音波等、研磨用組成物の技術分野において常用される手段が用いられる。
【００２４】
研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）を用いてシリコンを研磨することによって、ポリエチレンアミンに含まれるアミノ基がシリコンと反応する。その結果、ポリエチレンアミンがシリカ粒子によるシリコンの研磨を促進する。
【００２５】
従って、研磨速度を向上できる。
【００２６】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
【００２７】
実施例１〜実施例２０における研磨用組成物の組成と、評価結果とを表１〜表４に示す。また、比較例における研磨用組成物の組成と、評価結果とを表５に示す。
【００２８】
【表１】
2011258825.tif 000002
【００２９】
【表２】
2011258825.tif 000003
【００３０】
【表３】
2011258825.tif 000004
【００３１】
【表４】
2011258825.tif 000005
【００３２】
【表５】
2011258825.tif 000006
【００３３】
（実施例１）
実施例１における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、３．４２ミリモル／リットルのジエチレントリアミンとを含む。
【００３４】
（実施例２）
実施例２における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−２は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、６．８４ミリモル／リットルのジエチレントリアミンとを含む。
【００３５】
（実施例３）
実施例３における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−３は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、１３．６８ミリモル／リットルのジエチレントリアミンとを含む。
【００３６】
（実施例４）
実施例４における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−４は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、２７．３５ミリモル／リットルのジエチレントリアミンとを含む。
【００３７】
（実施例５）
実施例５における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−５は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、６８．３８ミリモル／リットルのジエチレントリアミンとを含む。
【００３８】
（実施例６）
実施例６における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−６は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、３．４２ミリモル／リットルのトリエチレンテトラミンとを含む。
【００３９】
（実施例７）
実施例７における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−７は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、６．８４ミリモル／リットルのトリエチレンテトラミンとを含む。
【００４０】
（実施例８）
実施例８における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−８は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、１３．６８ミリモル／リットルのトリエチレンテトラミンとを含む。
【００４１】
（実施例９）
実施例９における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−９は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、２７．３５ミリモル／リットルのトリエチレンテトラミンとを含む。
【００４２】
（実施例１０）
実施例１０における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１０は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、６８．３８ミリモル／リットルのトリエチレンテトラミンとを含む。
【００４３】
（実施例１１）
実施例１１における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１１は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、３．４２ミリモル／リットルのテトラエチレンペンタミンとを含む。
【００４４】
（実施例１２）
実施例１２における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１２は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、６．８４ミリモル／リットルのテトラエチレンペンタミンとを含む。
【００４５】
（実施例１３）
実施例１３における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１３は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、１３．６８ミリモル／リットルのテトラエチレンペンタミンとを含む。
【００４６】
（実施例１４）
実施例１４における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１４は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、２７．３５ミリモル／リットルのテトラエチレンペンタミンとを含む。
【００４７】
（実施例１５）
実施例１５における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１５は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、６８．３８ミリモル／リットルのテトラエチレンペンタミンとを含む。
【００４８】
（実施例１６）
実施例１６における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１６は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、３．４２ミリモル／リットルのペンタエチレンヘキサミンとを含む。
【００４９】
（実施例１７）
実施例１７における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１７は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、６．８４ミリモル／リットルのペンタエチレンヘキサミンとを含む。
【００５０】
（実施例１８）
実施例１８における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１８は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、１３．６８ミリモル／リットルのペンタエチレンヘキサミンとを含む。
【００５１】
（実施例１９）
実施例１９における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１９は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、２７．３５ミリモル／リットルのペンタエチレンヘキサミンとを含む。
【００５２】
（実施例２０）
実施例２０における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−２０は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、６８．３８ミリモル／リットルのペンタエチレンヘキサミンとを含む。
【００５３】
（比較例１）
比較例１における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ１は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、３．４２ミリモル／リットルのエチレンジアミンとを含む。
【００５４】
（比較例２）
比較例２における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ２は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、６．８４ミリモル／リットルのエチレンジアミンとを含む。
【００５５】
（比較例３）
比較例３における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ３は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、１３．６８ミリモル／リットルのエチレンジアミンとを含む。
【００５６】
（比較例４）
比較例４における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ４は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、２７．３５ミリモル／リットルのエチレンジアミンとを含む。
【００５７】
（比較例５）
比較例５における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ５は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、６８．３８ミリモル／リットルのエチレンジアミンとを含む。
【００５８】
評価項目は、研磨速度からなる。
【００５９】
（比較例６）
比較例６における研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６は、１．３３重量％のコロイダルシリカと、０．０２重量％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）とを含む。
【００６０】
なお、実施例１〜実施例２０および比較例１〜比較例６における研磨用組成物のｐＨは、１１である。
【００６１】
評価項目は、研磨速度からなる。
【００６２】
（研磨速度評価）
研磨装置（ＥＣＯＭＥＴ４（ＢＵＥＬＥＲ社製））を用い、研磨パッド（Ｓｕｐｒｅｍｅ  ＡＴ−Ｈ（Ｅ）（ニッタ・ハース株式会社製））に実施例１〜実施例２０の研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−２０を６０ミリリットル／分の割合で供給し、かつ、直径４インチのシリコンウェハに３００ｇ／ｃｍ２（＝４．３ｐｓｉ）の圧力をかけながら研磨定盤を２００ｒｐｍの回転速度で回転させ、キャリアを４０ｒｐｍの回転速度で回転させながら、５分間、研磨を行なった。
【００６３】
研磨終了後、研磨によって除去されたシリコンの厚みの差を研磨前後のシリコン重量差から算出した。研磨速度は、単位時間当たりに研磨によって除去されたシリコンウェハの厚み（Å／分）で評価した。
【００６４】
（結果）
上述した研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−２０を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度は、６０００Å／分〜１５１００Å／分の範囲であり、コロイダルシリカとＫＯＨとを含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（＝４８００Å／分）よりも速い。
【００６５】
また、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−２〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−１４，ＣＯＭＰ（Ｉ）−１６，ＣＯＭＰ（Ｉ）−１７を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度は、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（＝４８００Å／分）の２倍以上である。そして、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−５を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（＝１５１００Å／分）は、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（＝４８００Å／分）の３．１５倍である。
【００６６】
図１は、実施の形態１におけるポリエチレンアミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す図である。図１において、縦軸は、シリコンの研磨速度を表し、横軸は、ポリエチレンアミンの含有量を表す。また、曲線ｋ１は、ポリエチレンアミンとしてのジエチレントリアミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す。更に、曲線ｋ２は、ポリエチレンアミンとしてのトリエチレンテトラミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す。更に、曲線ｋ３は、ポリエチレンアミンとしてのテトラエチレンペンタミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す。更に、曲線ｋ４は、ポリエチレンアミンとしてのペンタエチレンヘキサミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係と示す。更に、曲線ｋ５は、ポリエチレンアミンとしてのエチレンジアミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す。更に、星印は、コロイダルシリカとＫＯＨとを含む研磨用組成物を用いたときのシリコンの研磨速度を示す。
【００６７】
研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−５を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ１）は、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ５を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ５）よりも速い。即ち、ポリエチレンアミンとしてエチレンジアミンを用いるよりもジエチレントリアミンを用いた方がシリコンの研磨速度が速くなる。
【００６８】
また、３,４２，６．８４，１３．６８，２７．３５ミリモル／リットルのトリエチレンテトラミンをそれぞれ含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−６〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−９を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ２）は、３,４２，６．８４，１３．６８，２７．３５ミリモル／リットルのエチレンジアミンをそれぞれ含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ４を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ５）よりも速い。
【００６９】
更に、３,４２，６．８４，１３．６８ミリモル／リットルのテトラエチレンペンタミンをそれぞれ含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−１３を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ３）は、３,４２，６．８４，１３．６８ミリモル／リットルのエチレンジアミンをそれぞれ含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ３を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ５）よりも速い。
【００７０】
更に、３,４２，６．８４ミリモル／リットルのペンタエチレンヘキサミンをそれぞれ含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１６，ＣＯＭＰ（Ｉ）−１７を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ４）は、３,４２，６．８４ミリモル／リットルのエチレンジアミンをそれぞれ含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ１，ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ２を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ５）よりも速い。
【００７１】
このように、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンおよびペンタエチレンヘキサミンのいずれかをポリエチレンアミンとして含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−２０を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ１〜ｋ４）は、ポリエチレンアミンを含まない研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（星印）よりも速い。そして、ジエチレントリアミンまたはトリエチレンテトラミンをポリエチレンアミンとして含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−１０を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ１，ｋ２）は、ポリエチレンアミンを含まない研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（星印）よりも約２倍以上速い。
【００７２】
また、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンおよびペンタエチレンヘキサミンのいずれかをポリエチレンアミンとして含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−２０を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ１〜ｋ４）は、そのポリエチレンアミンの含有量によって、エチレンジアミンを含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ５を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ５）よりも速い。
【００７３】
特に、ジエチレントリアミンまたはトリエチレンテトラミンを含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−１０（曲線ｋ１，ｋ２）は、３０ミリモル／リットル未満の含有量の範囲において、エチレンジアミンを含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ５（曲線ｋ５）よりも１．１６〜１．８６倍の研磨速度を実現する。
【００７４】
ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンおよびペンタエチレンヘキサミンのいずれかをポリエチレンアミンとして含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−２０を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ１〜ｋ４）が研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ５および星印）よりも速くなるのは、次の理由による。
【００７５】
ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンおよびペンタエチレンヘキサミンは、２級アミノ基を含み、この２級アミノ基とシリコンとの反応性は、１級アミノ基とシリコンとの反応性よりも高い。その結果、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンおよびペンタエチレンヘキサミンは、シリカ粒子によるシリコンの研磨を促進するためである。
【００７６】
図２は、研磨用組成物の温度によるシリコンの研磨速度の変化を示す図である。図２において、縦軸は、シリコンの研磨速度を表し、横軸は、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）の添加の有無を表す。また、白四角は、研磨用組成物の温度が２５℃であるときのシリコンの研磨速度を示し、黒四角は、研磨用組成物の温度が４５℃であるときのシリコンの研磨速度を示す。
【００７７】
図２を参照して、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）の添加がない研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６を用いてシリコンを研磨するとき、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６の温度が２５℃から４５℃へ上昇すると、研磨速度は、１．４５μｍ／分から１．５５μｍ／分へ増加する。この場合、研磨速度の増加率は、約７％である。
【００７８】
一方、１３．６８ミリモル／リットルのトリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）が添加された研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１３を用いてシリコンを研磨するとき、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−１３の温度が２５℃から４５℃へ上昇すると、研磨速度は、１．７０μｍ／分から１．８７μｍ／分へ増加する。この場合、研磨速度の増加率は、約１０％である。
【００７９】
このように、ポリエチレンアミンを含む研磨用組成物を用いてシリコンを研磨する場合、研磨用組成物の温度を上昇することによって、シリコンの研磨速度をより速くできる。
【００８０】
上述したように、実施の形態１による研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）は、ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎは２以上の整数）からなるポリエチレンアミンを含むので、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）を用いてシリコンを研磨したとき、２級アミノ基がシリコンと反応する。その結果、コロイダルシリカによるシリコンの研磨が促進される。
【００８１】
従って、シリコンの研磨速度を向上できる。
【００８２】
［実施の形態２］
実施の形態２による研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）は、シリカ粒子と、ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎは１以上の整数）からなるポリエチレンアミンと、銅イオン捕捉剤と、ｐＨ調整剤とを含む。そして、研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）は、シリコンを研磨の対象とする。
【００８３】
ポリエチレンアミンは、エチレンジアミン（ＥＤＡ，ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）１Ｈ）、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンおよびペンタエチレンヘキサミンのいずれかからなる。
【００８４】
銅イオン捕捉剤は、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）またはトリエチレンテトラミン六酢酸（ＴＴＨＡ）からなる。即ち、銅イオン捕捉剤は、３級アミノ基と酢酸基とを含むキレート剤からなる。
【００８５】
ｐＨ調整剤は、ＫＯＨ、炭酸水素カリウム（ＫＨＣＯ３）と炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）との混合物、およびテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）のいずれかからなる。
【００８６】
研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）は、シリカ粒子、ポリエチレンアミン、銅イオン捕捉剤、およびｐＨ調整剤を適宜混合して水を加えることによって作製される。また、研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）は、シリカ粒子、ポリエチレンアミン、銅イオン捕捉剤、およびｐＨ調整剤を、順次、水に混合することによって作製される。そして、これらの成分を混合する手段としては、ホモジナイザー、および超音波等、研磨用組成物の技術分野において常用される手段が用いられる。
【００８７】
研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）を用いてシリコンを研磨することによって、ポリエチレンアミンに含まれる１級アミノ基または２級アミノ基がシリコンと反応するとともに、銅イオン捕捉剤が銅イオンを捕捉する。
【００８８】
その結果、ポリエチレンアミンがシリカ粒子によるシリコンの研磨を促進し、銅イオン捕捉剤が銅イオンのシリコンウェハへの混入を抑制する。
【００８９】
従って、シリコンウェハへの不純物の混入を抑制して研磨速度を向上できる。
【００９０】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
【００９１】
実施例２１〜実施例４５における研磨用組成物の組成と、評価結果とを表６〜表１０に示す。
【００９２】
【表６】
2011258825.tif 000007
【００９３】
【表７】
2011258825.tif 000008
【００９４】
【表８】
2011258825.tif 000009
【００９５】
【表９】
2011258825.tif 000010
【００９６】
【表１０】
2011258825.tif 000011
【００９７】
なお、実施の形態２における比較例は、実施の形態１において説明した研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６である。
【００９８】
（実施例２１）〜（実施例４５）
実施例２１〜実施例４５における研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）−２１〜ＣＯＭＰ（ＩＩ）−４５は、それぞれ、実施例１〜実施例２０におけるＣＯＭＰ（Ｉ）−１〜ＣＯＭＰ（Ｉ）−２０に、０．０５重量％のメタノールと、０．１０重量％のＴＭＡＨと、０．０１重量％のＤＴＰＡとを追加したものである。
【００９９】
実施の形態２における研磨条件は、実施の形態１における研磨条件と同じである。また、実施の形態２における評価項目も、研磨速度であり、研磨速度は、実施の形態１における方法と同じ方法によって求められた。
【０１００】
図３は、実施の形態２におけるポリエチレンアミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す図である。
【０１０１】
図３において、縦軸は、シリコンの研磨速度を表し、横軸は、ポリエチレンアミンの含有量を表す。また、曲線ｋ６は、ポリエチレンアミンとしてのエチレンジアミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す。更に、曲線ｋ７は、ポリエチレンアミンとしてのジエチレントリアミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す。更に、曲線ｋ８は、ポリエチレンアミンとしてのトリエチレンテトラミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す。更に、曲線ｋ９は、ポリエチレンアミンとしてのテトラエチレンペンタミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す。更に、曲線ｋ１０は、ポリエチレンアミンとしてのペンタエチレンヘキサミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係と示す。更に、星印は、コロイダルシリカとＫＯＨとを含む研磨用組成物を用いたときのシリコンの研磨速度を示す。
【０１０２】
図３を参照して、研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）−２１〜ＣＯＭＰ（ＩＩ）−４０を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ６〜ｋ９）は、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（星印）よりも速い。
【０１０３】
また、３．４２，６．８４，１３．６８ミリモル／リットルのペンタエチレンヘキサミンをそれぞれ含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）−４１〜ＣＯＭＰ（ＩＩ）−４３を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ１０）は、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（星印）よりも速い。
【０１０４】
研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）−２１〜ＣＯＭＰ（ＩＩ）−４３は、ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎ＝１〜５）からなるポリエチレンアミンを含むので、１級アミノ基または２級アミン基がシリコンと反応する。その結果、ポリエチレンアミンは、シリカ粒子によるシリコンの研磨を促進する。
【０１０５】
また、研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）−２１〜ＣＯＭＰ（ＩＩ）−４３は、銅イオンを捕捉するジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）を含むので、銅からなるシリコン貫通電極が形成されたシリコンウェハを研磨したときにシリコンウェハから出て来る銅イオンがジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）によって捕捉される。
【０１０６】
従って、銅イオンのシリコンウェハへの混入を抑制してシリコンの研磨速度を向上できる。
【０１０７】
ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨにおいて、ｎ＝１であるエチレンジアミンは、１級アミノ基を含む。そして、研磨速度は、エチレンジアミンの含有量が増えるに従って速くなる（曲線ｋ６参照）。１級アミノ基は、低分子であり、シリコンに近づき易い。その結果、研磨速度は、エチレンジアミンの含有量が増えるに従って速くなる。
【０１０８】
ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨにおいて、ｎ＝２であるジエチレントリアミンは、２級アミノ基を含む。そして、２級アミノ基は、１級アミノ基よりも反応性が高い。その結果、ジエチレントリアミンを含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）−２６〜ＣＯＭＰ（ＩＩ）−３０を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ７）は、エチレンジアミンを含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）−２１〜ＣＯＭＰ（ＩＩ）−２５を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ６）よりも速い。
【０１０９】
ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨにおいて、ｎ＝３であるトリエチレンテトラミンは、２級アミノ基を含み、分子量がジエチレントリアミンよりも大きい。その結果、トリエチレンテトラミンを含む研磨用組成物を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ８）は、１３．６８ミリモル／リットルまではトリエチレンテトラミンの含有量の増加に伴って速くなり、２７．３５ミリモル／リットルの含有量で飽和し、６８．３８ミリモル／リットルの含有量で低下する。
【０１１０】
ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨにおいて、ｎ＝４であるテトラエチレンペンタミンは、２級アミノ基を含み、分子量がトリエチレンテトラミンよりも大きく、立体障害によってシリコンと反応可能な分子が少なく、粘度が高い。その結果、テトラエチレンペンタミンを含む研磨用組成物を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ９）は、６．８４ミリモル／リットルまではテトラエチレンペンタミンの含有量の増加に伴って速くなり、６．８４ミリモル／リットルの含有量以上では低下する。
【０１１１】
ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨにおいて、ｎ＝５であるペンタエチレンヘキサミンは、２級アミノ基を含み、分子量がテトラエチレンペンタミンよりも大きく、立体障害によってシリコンと反応可能な分子が少なく、粘度が高い。その結果、ペンタエチレンヘキサミンを含む研磨用組成物を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ１０）は、３．４２ミリモル／リットルの含有量で増加するが、３．４２ミリモル／リットル以上では低下する。
【０１１２】
このように、ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎ＝１〜５）からなるポリエチレンアミンを含む研磨用組成物を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度は、ポリエチレンアミンの分子量が大きくなるに従ってポリエチレンアミンの少ない含有量で低下し始める。
【０１１３】
以上より、エチレンジアミン、ジエチレントリアミンおよびトリエチレンテトラミンのいずれかを含む研磨用組成物がシリコンの研磨に好適であり、ジエチレントリアミンまたはトリエチレンテトラミンを含む研磨用組成物がシリコンの研磨により好適である。
【０１１４】
シリカ粒子とエチレンジアミンとを含む研磨用組成物は、５８００Å／分〜１３０００Å／分の研磨速度を有する（表５参照）。
【０１１５】
一方、シリカ粒子と、エチレンジアミンと、０．０５重量％のメタノールと、０．１０重量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）と、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）とを含む研磨用組成物は、７７００Å／分〜１３９００Å／分の研磨速度を有する（表６参照）。
【０１１６】
また、シリカ粒子とジエチレントリアミンとを含む研磨用組成物は、９３００Å／分〜１５１００Å／分の研磨速度を有する（表１参照）。
【０１１７】
一方、シリカ粒子と、ジエチレントリアミンと、０．０５重量％のメタノールと、０．１０重量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）と、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）とを含む研磨用組成物は、９３００Å／分〜１５４００Å／分の研磨速度を有する（表７参照）。
【０１１８】
従って、ポリエチレンアミンがエチレンジアミンまたはジエチレントリアミンからなる場合、０．０５重量％のメタノールと、０．１０重量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）と、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）とを加えることによって、シリコンの研磨速度が速くなる。
【０１１９】
つまり、０．０５重量％のメタノールと、０．１０重量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）と、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）とを加えることによって、銅イオンを捕捉する効果のみならず、シリコンの研磨速度を速くするという顕著な効果も享受できる。この顕著な効果は、特許文献１に記載されていない効果である。
【０１２０】
そして、この顕著な効果は、本願の発明者によって初めて見出されたものである。
【０１２１】
その他は、実施の形態１と同じである。
【０１２２】
［実施の形態３］
実施の形態３による研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）は、上述した実施の形態２による研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）に環状アミンを追加したものであり、その他は、研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）と同じである。そして、研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）は、シリコンを研磨の対象とする。
【０１２３】
環状アミンは、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、ピペラジン、およびモルホリンのいずれかからなる。
【０１２４】
このように、研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）は、ポリエチレンアミン（直鎖状アミン）と、環状アミンとを含む。
【０１２５】
研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）は、シリカ粒子、ポリエチレンアミン、環状アミン、銅イオン捕捉剤、およびｐＨ調整剤を適宜混合して水を加えることによって作製される。また、研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）は、シリカ粒子、ポリエチレンアミン、環状アミン、銅イオン捕捉剤、およびｐＨ調整剤を、順次、水に混合することによって作製される。そして、これらの成分を混合する手段としては、ホモジナイザー、および超音波等、研磨用組成物の技術分野において常用される手段が用いられる。
【０１２６】
研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）を用いてシリコンを研磨することによって、ポリエチレンアミンに含まれる１級アミノ基または２級アミノ基がシリコンと反応するとともに、環状アミンがポリエチレンアミンの含有量を実質的に増加し、銅イオン捕捉剤が銅イオンを捕捉する。
【０１２７】
その結果、ポリエチレンアミンがより少ない含有量でシリカ粒子によるシリコンの研磨を促進し、銅イオン捕捉剤が銅イオンのシリコンウェハへの混入を抑制する。
【０１２８】
従って、ポリエチレンアミンの少ない含有量の領域において、シリコンウェハへの不純物の混入を抑制して研磨速度を向上できる。
【０１２９】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
【０１３０】
実施例４６〜実施例７５における研磨用組成物の組成と、評価結果とを表１１〜表１５に示す。
【０１３１】
【表１１】
2011258825.tif 000012
【０１３２】
【表１２】
2011258825.tif 000013
【０１３３】
【表１３】
2011258825.tif 000014
【０１３４】
【表１４】
2011258825.tif 000015
【０１３５】
【表１５】
2011258825.tif 000016
【０１３６】
なお、実施の形態３における比較例も、実施の形態１において説明した研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６である。
【０１３７】
（実施例４６）〜（実施例７５）
実施例４６〜実施例７５における研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）−４６〜ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）−７５は、それぞれ、実施例２５〜実施例４５における研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）−２５〜ＣＯＭＰ（ＩＩ）−４５に０．２４重量％のピペラジンを追加したものである。
【０１３８】
実施の形態３における研磨条件は、実施の形態１における研磨条件と同じである。また、実施の形態３における評価項目も、研磨速度であり、研磨速度は、実施の形態１における方法と同じ方法によって求められた。
【０１３９】
図４は、実施の形態３におけるポリエチレンアミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す図である。
【０１４０】
図４において、縦軸は、シリコンの研磨速度を表し、横軸は、ポリエチレンアミンの含有量を表す。また、曲線ｋ１１は、ポリエチレンアミンとしてのエチレンジアミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す。更に、曲線ｋ１２は、ポリエチレンアミンとしてのジエチレントリアミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す。更に、曲線ｋ１３は、ポリエチレンアミンとしてのトリエチレンテトラミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す。更に、曲線ｋ１４は、ポリエチレンアミンとしてのテトラエチレンペンタミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す。更に、曲線ｋ１５は、ポリエチレンアミンとしてのペンタエチレンヘキサミンの含有量とシリコンの研磨速度との関係を示す。更に、星印は、コロイダルシリカとＫＯＨとを含む研磨用組成物を用いたときのシリコンの研磨速度を示す。
【０１４１】
図４を参照して、研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）−４６〜ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）−６９を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ１１〜ｋ１４）は、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（星印）よりも速い。
【０１４２】
また、３．４２，６．８４，１３．６８，２７．３５，４７．８６ミリモル／リットルのペンタエチレンヘキサミンをそれぞれ含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）−７０〜ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）−７４を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（曲線ｋ１５）は、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）−ｃｍｐ６を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度（星印）よりも速い。
【０１４３】
研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）−４６〜ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）−７４は、ＮＨ２（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｎＨ（ｎ＝１〜５）からなるポリエチレンアミンを含むので、１級アミノ基または２級アミン基がシリコンと反応する。その結果、ポリエチレンアミンは、シリカ粒子によるシリコンの研磨を促進する。
【０１４４】
また、研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）−４６〜ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）−７４は、銅イオンを捕捉するジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）を含むので、銅からなるシリコン貫通電極が形成されたシリコンウェハを研磨したときにシリコンウェハから出て来る銅イオンがジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）によって捕捉される。
【０１４５】
従って、銅イオンのシリコンウェハへの混入を抑制してシリコンの研磨速度を向上できる。
【０１４６】
また、実施の形態３においても、研磨速度は、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンおよびペンタエチレンヘキサミンの含有量に対して実施の形態２における傾向とほぼ同じ傾向を有する。
【０１４７】
更に、ピペラジンを追加することによって、３．４２，６．８４ミリモル／リットルのポリエチレンアミンを含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）−４６，４７，５２，５３，５８，５９，６４，６５，７０，７１を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度は、ピペラジンを含まず、かつ、３．４２，６．８４ミリモル／リットルのポリエチレンアミンを含む研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ）−２１，２２，２６，２７，３１，３２，３６，３７，４１，４２を用いてシリコンを研磨したときの研磨速度よりも速い（表６〜表１５参照）。
【０１４８】
従って、環状アミンであるピペラジンを追加することによって、ポリエチレンアミンの含有量を実質的に増加させ、研磨速度を速くできる。即ち、ポリエチレンアミンの含有量を少なくして研磨速度を速くできる。
【０１４９】
以上より、エチレンジアミン、ジエチレントリアミンおよびトリエチレンテトラミンのいずれかを含む研磨用組成物がシリコンの研磨に好適であり、ジエチレントリアミンまたはトリエチレンテトラミンを含む研磨用組成物がシリコンの研磨により好適である。
【０１５０】
その他は、実施の形態１および実施の形態２と同じである。
【０１５１】
シリコン貫通電極が形成される場合、シリコン貫通電極は、例えば、多結晶シリコンまたは銅からなる。
【０１５２】
上述した実施の形態１による研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）は、銅イオン捕捉剤を含まないので、多結晶シリコンからなるシリコン貫通電極が形成されたシリコンウェハの研磨に適している。また、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）は、銅からなるシリコン貫通電極が形成されたシリコンウェハであっても、シリコン貫通電極が露出するまでシリコンウェハを研磨しないのであれば、銅からなるシリコン貫通電極が形成されたシリコンウェハの研磨に適している。
【０１５３】
また、上述した実施の形態２，３により研磨用組成物ＣＯＭＰ（ＩＩ），ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）は、銅イオン捕捉剤を含むので、シリコン貫通電極が多結晶シリコンおよび銅のいずれで形成されていても、シリコン貫通電極が形成されたシリコンウェハの研磨に適している。
【０１５４】
更に、上述した研磨装置（ＥＣＯＭＥＴ４（ＢＵＥＬＥＲ社製））は、シリコン貫通電極が形成されたシリコンウェハ専用の研磨装置ではないため、シリコンの研磨速度は、最大でも、１５４００Å／分であるが、実施の形態１〜実施の形態３による研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）〜ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）をシリコン貫通電極が形成されたシリコンウェハ専用の研磨装置において用いた場合、シリコンの研磨速度は、更に、向上することが期待される。
【０１５５】
従って、研磨用組成物ＣＯＭＰ（Ｉ）〜ＣＯＭＰ（ＩＩＩ）は、シリコン貫通電極が形成されたシリコンウェハの研磨に適したものである。
【０１５６】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１５７】
この発明は、シリコンの研磨に用いられる研磨用組成物に適用される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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