(57)【要約】【課題】障害に対する信頼性が高い蓄電装置を提供することを目的とする。【解決手段】バッテリモジュールＢＭと、各バッテリモジュールＢＭに対応して設けられ、バッテリモジュールＢＭを構成する複数のバッテリセルＢを制御する複数のＩＣチップと、これらのＩＣチップを制御する制御ＩＣチップ１と、ＩＣチップモジュールＩＭと、を有するセルコントローラ３において、制御ＩＣチップ１と、ＩＣチップモジュールＩＭと、は直列に接続されており、ＩＣチップモジュールＩＭにおいて、同じバッテリモジュールＢＭに対応している１つのメインＩＣチップＭ、およびサブＩＣチップＵが、互いに並列に接続されており、制御ＩＣチップ１は、メインＩＣチップＭが異常と判定した場合、異常と判定されたメインＩＣチップＭと、同じＩＣチップモジュールのサブＩＣチップＵを経由して上流のＩＣチップへ指示を送信することを特徴とする。【選択図】図１
2011050156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の蓄電池を直列に接続した蓄電モジュールを、さらに直列接続した組電池と、
前記蓄電モジュールのそれぞれに対応して設けられ、前記蓄電モジュールを構成する複数の蓄電池を制御する複数の下位制御装置と、
前記複数の下位制御装置を制御する上位制御装置と、
前記下位制御装置を備える下位制御装置モジュールと、
を有する蓄電装置において、
前記上位制御装置と、前記下位制御装置モジュールと、は直列に接続されており、
前記下位制御装置モジュールにおいて、同じ蓄電モジュールに対応している１つのメイン下位制御装置、および少なくとも１つのサブ下位制御装置が、互いに並列に接続されており、
前記上位制御装置は、上流の前記下位制御装置から、下流の前記下位制御装置へ電圧値読取指示を送信し、
前記上位制御装置は、前記電圧値読取指示の返信として受信した前記蓄電池の電圧値から前記メイン下位制御装置が異常と判定した場合、前記異常と判定された前記メイン下位制御装置と、同じ下位制御装置モジュールの前記サブ下位制御装置を経由して前記下流の下位制御装置へ指示を送信する
ことを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
前記上位制御装置と、１個の前記下位制御装置モジュールとの間は、１個の絶縁素子を介して接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の蓄電装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、絶縁素子数を削減する蓄電装置の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
セルコントローラは、リチウムイオンバッテリセルなどのバッテリセルが複数接続されたバッテリモジュールに対して、バッテリモジュールの電圧監視および容量の均等化を行うＩＣ（Intagrated Circuit）チップを備えている。
このようなセルコントローラにおいて、通常時にバッテリモジュールの電圧監視を行う複数のメインＩＣチップをデイジーチェーン方式で接続し、さらにこのメインＩＣチップに異常が生じたとき、代わりにバッテリモジュールの電圧監視を行う複数のサブＩＣチップをデイジーチェーン方式で接続することにより、フォトカプラなどの絶縁素子を削減した多直列電池制御システムが開示されている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。
【０００３】
図８は、特許文献１および特許文献２に記載の多直列電池制御システムとしてのセルコントローラを示す模式図である。
図８に示すように、セルコントローラ３ｂは、複数のバッテリセルＢが組みになったバッテリモジュールＢＭの電圧監視を行うメインＩＣチップＭｂ（Ｍ１ｂ〜Ｍ３ｂ）およびサブＩＣチップＵｂ（Ｕｂ１〜Ｕｂ３）を有している。
セルコントローラ３ｂは、複数（図８〜図１１では３個）のバッテリモジュールＢＭ（ＢＭ１〜ＢＭ３）を有している。そして、これらのバッテリモジュールＢＭ１〜ＢＭ３は、メインＩＣチップＭｂ１〜Ｍｂ３と、サブＩＣチップＵｂ１〜Ｕｂ３とに、それぞれ接続され、電圧監視や、容量均等化のためのバッテリセルＢの電圧値などを送っている。メインＩＣチップＭｂ１〜Ｍｂ３はデイジーチェーン方式で接続されている。同様に、サブＩＣチップＵｂ１〜Ｕｂ３もデイジーチェーン方式で接続されている。
最も上流のメインＩＣチップＭｂ１およびサブＩＣチップＵｂ１は、絶縁素子２を介して、メインＩＣチップＭｂおよびサブＩＣチップＵｂを制御する制御ＩＣチップ１ｂに接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４０９２５８０号明細書
【特許文献２】特開２００５−３１８７５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、図９〜図１１を参照して、図８に示す従来におけるセルコントローラの課題を説明する。
図９は正常時、すなわちすべてのメインＩＣチップＭｂが正常に動作しているときにおける通信状態を示している。なお、図９〜図１１において、通信を行っている接続は実線の矢印で示し、通信を行っていない、または通信不可能な接続は破線の矢印で示している。また、図９〜図１１において、図８と同様の要素については同一の符号を付して説明を省略する。
図９に示すように、正常時ではメインＩＣチップＭｂ（Ｍｂ１〜Ｍｂ３）と、バッテリモジュールＢＭ（ＢＭ１〜ＢＭ３）と、制御ＩＣチップ１ｂの間は通信が行われており、サブＩＣチップＵｂ（Ｕｂ１〜Ｕｂ２）は通信が行われていない。
【０００６】
図１０は、メインＩＣチップＭｂ２に障害が生じたときにおける通信状態を示している。なお、図１０および図１１では、障害が生じたメインＩＣチップＭｂおよびサブＩＣチップＵｂはドットを付したブロックで示してある。
図１０に示すように、メインＩＣチップＭｂ２に障害が生じたことによって制御ＩＣチップ１ｂは、バッテリモジュールＢＭ３，ＢＭ２の情報を取得することができなくなる。そこで、制御ＩＣチップ１ｂは、サブＩＣチップＵｂ（Ｕｂ１〜Ｕｂ３）を経由して各バッテリモジュールＢＭの情報を取得するようセルコントローラ３ｂを制御する。
【０００７】
図１１は、メインＩＣチップＭｂ２に加えて、サブＩＣチップＵｂ１にも障害が生じたときにおける通信状態を示している。
このような状態になると、制御ＩＣチップ１ｂは、サブＩＣチップＵｂ１〜Ｕｂ３を経由してもバッテリモジュールＢＭ１〜ＢＭ３の情報を取得することができなくなってしまう。
このように、特許文献１および特許文献２に記載の技術では、メインＩＣチップＭｂ（図８）と、サブＩＣチップＵｂ（図８）の双方に障害が発生すると、バッテリモジュールＢＭ（図８）の情報の読み込みが不可能となってしまうという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明の課題は、障害に対する信頼性が高い蓄電装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決する本発明のうち請求項１に記載の発明は、複数の蓄電池を直列に接続した蓄電モジュールを、さらに直列接続した組電池と、前記蓄電モジュールのそれぞれに対応して設けられ、前記蓄電モジュールを構成する複数の蓄電池を制御する複数の下位制御装置と、前記複数の下位制御装置を制御する上位制御装置と、前記下位制御装置を備える下位制御装置モジュールと、を有する蓄電装置において、前記上位制御装置と、前記下位制御装置モジュールと、は直列に接続されており、前記下位制御装置モジュールにおいて、同じ蓄電モジュールに対応している１つのメイン下位制御装置、および少なくとも１つのサブ下位制御装置が、互いに並列に接続されており、前記上位制御装置は、上流の前記下位制御装置から、下流の前記下位制御装置へ電圧値読取指示を送信し、前記上位制御装置は、前記電圧値読取指示の返信として受信した前記蓄電池の電圧値から前記メイン下位制御装置が異常と判定した場合、前記異常と判定された前記メイン下位制御装置と、同じ下位制御装置モジュールの前記サブ下位制御装置を経由して前記下流の下位制御装置へ指示を送信することを特徴とする。
【００１０】
請求項１に係る発明によれば、メイン下位制御装置およびサブ下位制御装置の両方が破綻しても、破綻したメイン下位制御装置と対になっているサブ下位制御装置を介して通信を行うことで、破綻した下位制御装置を迂回した通信が可能となる。この結果、信頼性の高いセルコントローラを提供することができる。
【００１１】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の蓄電装置において、前記上位制御装置と、１個の前記下位制御装置モジュールとの間は、１個の絶縁素子を介して接続されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項２に係る発明によれば、絶縁素子を１つにすることができ、コストを削減することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、障害に対する信頼性が高い蓄電装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態に係るセルコントローラの接続図の例である。
【図２】本実施形態に係る制御ＩＣチップの構成例を示すブロック図である。
【図３】本実施形態に係るセルコントローラの模式図である。
【図４】正常時における通信状態を示す図である。
【図５】メインＩＣチップおよびサブＩＣチップに障害が発生したときにおける通信状態を示す図である。
【図６】本実施形態に係るセルコントローラ制御処理の流れを示すフローチャートである。
【図７】本実施形態に係るセルコントローラの他の例を示す構成図である。
【図８】従来におけるセルコントローラの接続図である。
【図９】従来における正常時の通信状態を示す図である。
【図１０】従来におけるメインＩＣチップに障害が発生したときの通信状態を示す図である。
【図１１】従来におけるメインＩＣチップおよびサブＩＣチップの双方に障害が発生したときの通信状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
次に、本発明を実施するための最良の形態（「実施形態」という）について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の各図において、同様の要素については同一の符号を付して説明を省略する。また、本実施形態においてＩＣチップに障害が発生しているとは、セル電圧値の読込機能に障害が発生しており、通信機能には障害が発生していないことを示す。
【００１６】
《構成》
図１は、本実施形態に係るセルコントローラの接続図の例である。
セルコントローラ３は、上位制御装置としての制御ＩＣチップ１と、メイン下位制御装置としてのメインＩＣチップＭ（Ｍ１〜Ｍ３）と、サブ下位制御装置としてのサブＩＣチップＵ（Ｕ１〜Ｕ３）と、蓄電モジュールとしてのバッテリモジュールＢＭ（ＢＭ１〜ＢＭ３）と、絶縁素子２とを有する。なお、図１に示すように制御ＩＣチップ１に近いほうを上流、制御ＩＣチップ１から遠い方を下流とする。
バッテリモジュールＢＭは、複数のバッテリセル（蓄電池）Ｂが直列に接続されている構成となっている。バッテリモジュールＢＭ内のバッテリセルＢは、１個以上であればよいが８個が一般的である。本実施形態では８個としている。バッテリモジュールＢＭは、互いに直列に接続して組電池ＢＮを形成している。
各々のバッテリモジュールＢＭを構成しているバッテリセルＢに関して、図面上から順に第１バッテリセルＢ１、第２バッテリセルＢ２、・・・、第７バッテリセルＢ７、第８バッテリセルＢ８と称することし、それぞれの電圧値を第１セル電圧値、第２セル電圧値、・・・、第７セル電圧値、第８セル電圧値と称する。
【００１７】
１個のバッテリモジュールＢＭを構成している各バッテリセルＢは、１つのメインＩＣチップＭおよび１つのサブＩＣチップＵと電気的に接続している。本実施形態では、バッテリモジュールＢＭ１のバッテリセルＢ１〜Ｂ８はメインＩＣチップＭ１およびサブＩＣチップＵ１と接続しており、バッテリモジュールＢＭ２のバッテリセルＢ１〜Ｂ８はメインＩＣチップＭ２およびサブＩＣチップＵ２と接続しており、バッテリモジュールＢＭ３のバッテリセルＢ１〜Ｂ８はメインＩＣチップＭ３およびサブＩＣチップＵ３と接続している。同じバッテリモジュールＢＭに接続しているメインＩＣチップＭと、サブＩＣチップＵの対をＩＣチップモジュールＩＭ（ＩＭ１〜ＩＭ３）と称することとする。
各ＩＣチップモジュールＩＭは直列に接続されており、最上流のＩＣチップモジュールＩＭ１はフォトカプラなどの絶縁素子２を介して制御ＩＣチップ１に接続されている。
なお、本実施形態では、メインＩＣチップＭと、サブＩＣチップＵとをまとめてＩＣチップ（下位制御装置）と称することとする。
【００１８】
制御ＩＣチップ１は、各メインＩＣチップＭまたは各サブＩＣチップＵにバッテリセルＢの電圧値を読み込む電圧値読込指示を送信し、応答として各バッテリセルＢの電圧値を受信する機能を有し、受信した電圧値を基にバッテリセルＢの監視を行う機能を有している。さらに、制御ＩＣチップ１はメインＩＣチップＭまたはサブＩＣチップＵの障害発生の有無を検出し、障害が生じたＩＣチップを回避して、バッテリセルＢの電圧値読込指示を送信する機能を有する。
なお、図１において制御ＩＣチップ１に接続されている２本の接続線は、送信用および受信用の２系統の接続線を示している。
【００１９】
制御ＩＣチップ１には、図示しない電流センサや、温度センサが接続されており、セル電圧の監視と併せて、バッテリセルＢの温度や、電流も監視している。このとき、制御ＩＣチップ１は、車体ＧＮＤ（Ground）でない高圧側に存在することとなる。つまり、制御ＩＣチップ１の電位は、バッテリセルＢの電位と等位になってしまう。そうすると、制御ＩＣチップ１に接続されている温度センサや、電流センサも高圧側（バッテリセルＢの電位）となってしまい、温度センサや、電流センサにおける高圧電圧から保護することが必要となり、作業安全性の低下などが生じてしまう。
【００２０】
このような状況を避けるため、ＩＣチップと、制御ＩＣチップ１との間にフォトカプラなどの絶縁素子２を配し、制御ＩＣチップ１が高圧側となることを防ぐことが一般的に行われている。しかしながら、フォトカプラなどの絶縁素子２は高価であり、絶縁素子２の数の削減が必要となっている。
図８〜図１１に示す図では、絶縁素子２を２個使用しているが、本実施形態では１個しか使用しておらず、コストの削減を可能としている。
【００２１】
図２は、本実施形態に係る制御ＩＣチップの構成例を示すブロック図である。
制御ＩＣチップ１は、情報の処理を行う処理部１０、情報の送受信を行う通信部２０、およびワークエリアなどの記憶部３０を有している。
処理部１０は、セル電圧値監視部１１、セル電圧値判定部１２、ＩＣチップ正常判定部１３、ＩＣチップ動作制御部１４、フェイルセーフ処理部１５を有している。
セル電圧値監視部１１は、各ＩＣチップへ電圧値読込指示を送信し、その応答として受信するバッテリセルＢの電圧値（セル電圧値）を読み込むことにより、各バッテリモジュールＢＭ（図１）の監視を行う機能を有する。
セル電圧値判定部１２は、各セル電圧値が規定値内であるか否かの判定を行う機能を有する。
ＩＣチップ正常判定部１３は、各ＩＣチップが管理するバッテリモジュールＢＭ内の各セル電圧値のすべてが規定値外であるＩＣチップが存在するか否かを判定することにより、該当するＩＣチップが正常であるか否かを判定する。
ＩＣチップ動作制御部１４は、ＩＣチップ正常判定部１３が障害が発生していると判定したＩＣチップと対になっているＩＣチップへセル電圧値を読み込むよう指示する機能を有する。
フェイルセーフ処理部１５は、障害が生じているＩＣチップと対になっているＩＣチップも障害が生じている場合に、後記するフェイルセーフ処理を行う機能を有する。
なお、処理部１０および各部１１〜１５は、予め制御ＩＣチップ１に記憶されているプログラムが必要に応じて適宜実行されることによって具現化する。
【００２２】
図３は、本実施形態に係るセルコントローラの模式図である。
図３に示すように、バッテリモジュールＢＭに対応した各ＩＣチップモジュールＩＭではメインＩＣチップＭおよびサブＩＣチップＵが制御ＩＣチップ１から送信される信号に対して並列に接続されている。そして、各ＩＣチップモジュールＩＭは、制御ＩＣチップ１から送信される信号に対して直列に接続されている。最上流（制御ＩＣチップ１に最も近い）ＩＣチップモジュールＩＭは、絶縁素子２を介して制御ＩＣチップ１と直列に接続されている。
【００２３】
《動作の概要》
次に、図４および図５を参照して、本実施形態に係るセルコントローラ３の動作の概要を示す図である。なお、図４および図５において、図１と同様の要素については図１と同一の符号を付して説明を省略する。
また、図４および図５において、通信を行っている接続は太い実線で示し、通信を行っていない接続を細い破線で示している。
【００２４】
（正常時）
図４は、正常時、すなわちすべてのメインＩＣチップＭが正常に正常に動作しているときの通信状態を示している。
このとき、制御ＩＣチップ１は、メインＩＣチップＭ（Ｍ１〜Ｍ３）に対し、各バッテリモジュールＢＭの第１バッテリセルＢ１の電圧値を読み込むようセル電圧値読込指示を送信する。
セル電圧値読込指示は、メインＩＣチップＭ１→メインＩＣチップＭ２→メインＩＣチップＭ３の順に送信される。セル電圧値読込指示を受信した各メインＩＣチップＭは、対応する各バッテリモジュールＢＭの第１バッテリセルＢ１から第１セル電圧値を取得し、これを図示しないメインＩＣチップＭ内の記憶領域に一時保存する。
【００２５】
続いて、制御ＩＣチップ１は、メインＩＣチップＭ（Ｍ１〜Ｍ３）に対し、各バッテリモジュールＢＭの第２バッテリセルＢ２の電圧値を読み込むようセル電圧値読込指示を送信する。セル電圧値読込指示を受信した各メインＩＣチップＭは、対応する各バッテリモジュールＢＭの第２バッテリセルＢ２から第２セル電圧値を取得し、これを図示しないメインＩＣチップＭ内の記憶領域に一時保存する。
同様にして、制御ＩＣチップ１は、第３セル電圧値〜第８セル電圧値を取得するためのセル電圧値読込指示を順次メインＩＣチップＭ（Ｍ１〜Ｍ３）へ送信し、各メインＩＣチップＭは取得した第３セル電圧値〜第８セル電圧値を図示しないメインＩＣチップＭ内の記憶領域に一時保存する。
【００２６】
そして、第８セル電圧値までを取得したメインＩＣチップＭは、第１セル電圧値〜第８セル電圧値までが含まれている応答データをメインＩＣチップＭ３→メインＩＣチップＭ２→メインＩＣチップＭ１→制御ＩＣチップ１の順に返信する。
【００２７】
このとき、各メインＩＣチップＭは、下流から送られたきた応答データに自身の応答データを付加して上流へ送信する。つまり、メインＩＣチップＭ３は、自身が取得した第１セル電圧値〜第８セル電圧値を含む応答データ「ＭＤ３」を上流のメインＩＣチップＭ２へ送信する。メインＩＣチップＭ２は、送られてきた応答データ「ＭＤ３」に自身が取得した第１セル電圧値〜第８セル電圧値を含む応答データ「ＭＤ２」を付加し（「ＭＤ１＋ＭＤ２」）、上流のメインＩＣチップＭ１へ送信する。メインＩＣチップＭ１は、送られてきた応答データ「ＭＤ３＋ＭＤ２」に自身が取得した第１セル電圧値〜第８セル電圧値を含む応答データ「ＭＤ１」を付加し（「ＭＤ３＋ＭＤ２＋ＭＤ１」）、制御ＩＣチップ１へ送信する。
【００２８】
（障害発生時）
次に、図５は、前記した図１１と同様にメインＩＣチップＭ２と、サブＩＣチップＵ１に障害が発生したときにおける通信状態を示している。障害が発生しているＩＣチップはドットを付して示している。なお、障害発生検知の方法は後記して説明する。
このとき、制御ＩＣチップ１は、メインＩＣチップＭ１，Ｍ３、サブＩＣチップＵ２に対し、各バッテリモジュールＢＭの第１セル電圧値を読み込むよう第１セル電圧値読込指示を送信する。
第１セル電圧値読込指示は、メインＩＣチップＭ１→サブＩＣチップＵ２→メインＩＣチップＭ３の順に送信される。第１セル電圧値読込指示を取得した各ＩＣチップは、対応するバッテリモジュールＢＭのバッテリセルＢから第１セル電圧値を取得し、これを図示しないメインＩＣチップＭ１、Ｍ３およびサブＩＣチップＵ２内の記憶領域に一時保存する。
【００２９】
続いて、制御ＩＣチップ１は、各バッテリモジュールＢＭの第２バッテリセルＢ２の電圧値（第２セル電圧値）を読み込むよう第２セル電圧値読込指示を、メインＩＣチップＭ１→サブＩＣチップＵ２→メインＩＣチップＭ３の順に送信する。第２セル電圧値読込指示を受信したメインＩＣチップＭ１，Ｍ３、サブＩＣチップＵ２は、対応する各バッテリモジュールＢＭの第２バッテリセルＢ２から第２セル電圧値を取得し、これを図示しないメインＩＣチップＭ１，Ｍ３およびサブＩＣチップＵ２内の記憶領域に一時保存する。
同様にして、制御ＩＣチップ１は、第３セル電圧値〜第８セル電圧値を取得するための第３セル電圧値読込指示〜第８セル電圧値読込指示を順次メインＩＣチップＭ１，Ｍ３、サブＩＣチップＵ２へ送信し、メインＩＣチップＭ１，Ｍ３、サブＩＣチップＵ２は取得した第３セル電圧値〜第８セル電圧値を図示しないメインＩＣチップＭ１，Ｍ３およびサブＩＣチップＵ２内の記憶領域に一時保存する。
【００３０】
そして、第８セル電圧値までを取得したメインＩＣチップＭ１，Ｍ３、サブＩＣチップＵ２は、第１セル電圧値〜第８セル電圧値までが含まれている応答データをメインＩＣチップＭ３→サブＩＣチップＵ２→メインＩＣチップＭ１→制御ＩＣチップ１の順に返信する。
【００３１】
このとき、各ＩＣチップは、下流から送られたきた応答データに自身の応答データを付加して上流へ送信する。つまり、メインＩＣチップＭ３は、自身が取得した第１セル電圧値〜第８セル電圧値を含む応答データ「ＭＤ３」を上流のサブＩＣチップＵ２へ送信する。サブＩＣチップＵ２は、送られてきた応答データ「ＭＤ３」に自身が取得した第１セル電圧値〜第８セル電圧値を含む応答データ「ＳＤ２」を付加し（「ＭＤ１＋ＳＤ２」）、上流のメインＩＣチップＭ１へ送信する。メインＩＣチップＭ１は、送られてきた応答データ「ＭＤ３＋ＳＤ２」に自身が取得した第１セル電圧値〜第８セル電圧値を含む応答データ「ＭＤ１」を付加し（「ＭＤ３＋ＳＤ２＋ＭＤ１」）、制御ＩＣチップ１へ送信する。
【００３２】
このように本実施形態によれば、メインＩＣチップＭおよびサブＩＣチップＵの双方に障害が発生しても、セル電圧値を読み込むことができ、高い信頼性を得ることができる。
【００３３】
《フローチャート》
次に、図１、図２を参照しつつ、図６に沿って本実施形態に係るセルコントローラ３制御処理を説明する。
図６は、本実施形態に係るセルコントローラ制御処理の流れを示すフローチャートである。
まず、制御ＩＣチップ１のセル電圧値監視部１１は現在動作しているＩＣチップに対し、第１セル電圧値読込指示を送信する（Ｓ１０１）。ここでは、メインＩＣチップＭの障害が検知されていないものとし、送信先は各メインＩＣチップＭであるとする。
第１セル電圧値読込指示を受信した各メインＩＣチップＭは、監視対象となっている各バッテリモジュールＢＭから第１セル電圧値を取得し、各メインＩＣチップＭ内の図示しない記憶領域に一時保存する。
【００３４】
同様に、セル電圧値監視部１１は、第２セル電圧値読込指示〜第８セル電圧値読込指示を、順次各メインＩＣチップＭへ送信し（Ｓ１０２，Ｓ１０３）、第２セル電圧値読込指示〜第８セル電圧値読込指示を受信した各メインＩＣチップＭは、監視対象となっている各バッテリモジュールＢＭから第２セル電圧値〜第８セル電圧値を受信順に取得し、各メインＩＣチップＭ内の図示しない記憶領域に一時保存する。
【００３５】
第８セル電圧値までを取得したメインＩＣチップＭは、第１セル電圧値〜第８セル電圧値を含んだ応答データを下流から上流へ順に送信し、制御ＩＣチップ１のセル電圧値監視部１１は、この応答データを取得することによってすべてのセル電圧値を取得する（Ｓ１０４）。
【００３６】
次に、セル電圧値判定部１２は、第１セル電圧値〜第８セル電圧値すべてのセル電圧値が規定値外であるメインＩＣチップＭがあるか否かを判定する（Ｓ１０５）。すなわち、セル電圧値判定部１２は、第１セル電圧値〜第８セル電圧値のすべてが規定値外であるメインＩＣチップＭがあるか否かを判定する。なお、規定値は、例えば、３．０Ｖ以上４．０Ｖ以下などである。
ステップＳ１０５の結果、すべてのセル電圧値が規定値外であるメインＩＣチップＭがない場合（Ｓ１０５→Ｎｏ）、ＩＣチップ動作制御部１４は、すべてのサブＩＣチップＵの出力を停止状態を維持し（Ｓ１０６）、処理部１０は、ステップＳ１０１へ処理を戻す。
【００３７】
ステップＳ１０５の結果、すべてのセル電圧値が規定値外であるメインＩＣチップＭがある場合（Ｓ１０５→Ｙｅｓ）、ＩＣチップ正常判定部１３は、障害が発生していると判定されたメインＩＣチップＭと対である（同じＩＣチップモジュールＩＭに属する）サブＩＣチップＵが正常であるか否かを判定する（Ｓ１０７）。例えば、ＩＣチップ正常判定部１３はメインＩＣチップＭ２で障害が発生していれば、サブＩＣチップＵ２が正常であるか否かを判定する。判定は、セルコントローラ３のスイッチＯＮ時に、制御ＩＣチップ３がすべてのＩＣチップに対し、通信チェックを行い、その結果を記憶部２０に保存しておく。ステップＳ１０７では、その通信チェックの結果を用いて、ＩＣチップ正常判定部１３がサブＩＣチップＵが正常であるか否かを判定するなどの手法が用いられる。
ステップＳ１０７の結果、対であるサブＩＣチップＵが正常でない場合（Ｓ１０７→Ｎｏ）、フェイルセーフ処理部１５がすべてのバッテリモジュールＢＭ（組電池ＢＮ）およびセルコントローラ３に対してフェイルセーフ処理を行う（Ｓ１０８）。フェイルセーフ処理は、すべてのバッテリモジュールＢＭ（組電池ＢＮ）およびセルコントローラ３の電源をＯＦＦにすることで行われる。
【００３８】
ステップＳ１０７の結果、対であるサブＩＣチップＵが正常である場合（Ｓ１０７→Ｙｅｓ）、ＩＣチップ動作制御部１４は、該当するサブＩＣチップＵの出力を許可し（Ｓ１０９）、その他のサブＩＣチップＵの出力を停止する（Ｓ１１０）。そして、処理部１０は、ステップＳ１０１へ処理を戻す。ステップＳ１１０の後、セル電圧値監視部１１がセル電圧値読込指示を送信するＩＣチップは、ステップＳ１０９で出力を許可されたサブＩＣチップＵと、ステップＳ１０５で障害が発生していないと判定されたメインＩＣチップＭである。
【００３９】
なお、本実施形態では、セル電圧値はまとめて制御ＩＣチップ１へ送信される形式となっているが、これに限らず、第ｋセル電圧値読込指示を受信したメインＩＣチップＭが、第ｋセル電圧値をバッテリモジュールＢＭから取得して、その都度、第ｋセル電圧値を制御ＩＣチップ１へ送信する形式としてもよい。そして、制御ＩＣチップ１のセル電圧値判定部１２が、送信された第ｋセル電圧値が規定値内であるあるか否かを判定し、判定の結果を記憶部２０に保存する形式としてもよい。
【００４０】
本実施形態によれば、メインＩＣチップＭと、サブＩＣチップＵに障害が発生しても（同じＩＣチップモジュールＩＭ内を除く）、障害が発生したＩＣチップを迂回する形でバッテリモジュールＢＭの情報を取得することができ、信頼性の高いセルコントローラ３を提供することができる。
また、本実施形態によれば、フォトカプラなどの絶縁素子２の使用を１個に抑えることができるので、コストを削減することが可能となる。
【００４１】
図７は、本実施形態に係るセルコントローラの他の例を示す構成図である。
セルコントローラ３ａのように、１個のＩＣチップモジュールＩＭに属するサブＩＣチップＵは２個以上でもよい。図７では、各ＩＣチップモジュールＩＭに属するサブＩＣチップＵ（Ｕ１〜Ｕ６）が２個である場合を示している。
このようにすることで、図７に示すように、ＩＣチップモジュールＩＭ１に属するメインＩＣチップＭ１と、サブＩＣチップＵ３において同時に障害が発生しても、制御ＩＣチップ１は、残ったサブＩＣチップＵ４を用いてセル電圧値を読み込むことができるので、信頼性をさらに高めることができる。
【符号の説明】
【００４２】
１      制御ＩＣチップ（上位制御装置）
２      絶縁素子
３      セルコントローラ（蓄電装置）
１０    処理部
１１    セル電圧値監視部
１２    セル電圧値判定部
１３    ＩＣチップ正常判定部
１４    ＩＣチップ動作制御部
１５    フェイルセーフ処理部
２０    通信部
３０    記憶部
Ｂ（Ｂ１〜Ｂ８）  バッテリセル（蓄電池）
ＢＭ（ＢＭ１〜ＢＭ３）  バッテリモジュール（蓄電モジュール）
ＢＮ    組電池
ＩＭ（ＩＭ１〜ＩＭ３）  ＩＣチップモジュール（下位制御装置モジュール）
Ｍ（Ｍ１〜Ｍ３）  メインＩＣチップ（下位制御装置、メイン下位制御装置）
Ｕ（Ｕ１〜Ｕ３）  サブＩＣチップ（下位制御装置、サブ下位制御装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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