(57)【要約】【課題】低抵抗かつ高屈折率の透明導電酸化物膜を直流スパッタリング法により工業的に生産可能な酸化インジウムスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】酸化インジウムを主原料とし、酸化タンタルおよび酸化チタンを合計量で５．２〜９．２質量％含有し、酸化チタン／酸化タンタルの質量比が０．０２２〜０．１６０である酸化物からなる成形体を、酸素含有雰囲気下、１５３０〜１６３０℃で焼結することにより、相対密度が９７％以上で、比抵抗が５×１０-4Ω・ｃｍ以下であり、成膜により比抵抗が５×１０-4Ω・ｃｍ以下、可視光領域における光の屈折率が２．０以上、透過率が９６％以上の透明導電酸化物膜を得られる、スパッタリングターゲットを得る。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化タンタルおよび酸化チタンを合計量で５．２〜９．２質量％含有し、酸化チタン／酸化タンタルの質量比が０．０２２〜０．１６０で、残部が酸化インジウムであり、相対密度が９７％以上で、比抵抗が５×１０-4Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする、酸化インジウム系スパッタリングターゲット。
【請求項２】
酸化タンタルおよび酸化チタンを合計量で５．２〜９．２質量％含有し、酸化チタン／酸化タンタルの質量比が０．０２２〜０．１６０で、残部が酸化インジウムであり、直流スパッタリング法により透明導電酸化物膜を得た場合に、該透明導電酸化物膜の比抵抗が５×１０-4Ω・ｃｍ以下で、屈折率が２．０以上となることを特徴とする、酸化インジウム系スパッタリングターゲット。
【請求項３】
請求項１または２に記載のスパッタリングターゲットを用いて、直流スパッタリング法により得られる、比抵抗が５×１０-4Ω・ｃｍ以下で、波長５００〜６００ｎｍの光の屈折率が２．０以上であることを特徴とする、透明導電酸化物膜。
【請求項４】
膜厚１００ｎｍにおける波長５００〜６００ｎｍの光の透過率が９６％以上である、請求項３に記載の透明導電酸化物膜。
【請求項５】
酸化インジウムを主原料とし、酸化タンタルおよび酸化チタンを合計量で５．２〜９．２質量％含有し、酸化チタン／酸化タンタルの質量比が０．０２２〜０．１６０である酸化物からなる成形体を、酸素含有雰囲気下、１５３０〜１６３０℃で焼結することを特徴とする、酸化インジウム系スパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、直流スパッタリング法による透明導電酸化物膜の成膜に用いられる酸化インジウム系スパッタリングターゲットおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電酸化物膜は、高い導電性と高透過率（特に可視光領域）を有するため、太陽電池、液晶表示素子、その他の各種受光素子の電極などに利用されている。また、自動車窓や建築用の熱線反射膜、帯電防止膜、防曇用透明発熱体などにも広く利用されている。
【０００３】
透明導電酸化物膜としては、主として、酸化インジウム系（Ｉｎ2Ｏ3＋α）の酸化物膜、酸化亜鉛系（ＺｎＯ＋α）の酸化物膜、酸化錫系（ＳｎＯ2＋α）の酸化物膜が広く知られている。これらのうち、酸化インジウム系の酸化物膜が最も多く使用されているが、その中でも酸化錫をドーパントとして含む酸化インジウム膜は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜と称され、低抵抗の透明導電酸化物膜が容易に得られることから、広範に利用されている。
【０００４】
光学的に有効な酸化物膜も数多く知られており、各酸化物の特徴をうまく組み合わせた積層体として応用がなされている。代表的な例としては、特定の波長の光が選択的に反射または透過するように設計された多層の反射防止膜が挙げられる。また、光学特性のみならず、帯電防止、電磁波遮蔽などの付加価値を付けた機能性多層膜（光学膜）も提案されている。
【０００５】
多層構造の反射防止膜の分光特性は、各層の屈折率（ｎ）、消衰係数（ｋ）、および膜厚（ｄ）によって決定される。積層体の構成の決定は、多層膜を構成する各層の屈折率、消衰係数および膜厚のデータに基づいた計算によって行われている。この場合、高屈折率膜と低屈折率膜を組み合わせることを基本とし、必要に応じて、中間屈折率膜も組み入れることによって、より優れた光学特性をもつ多層膜（光学膜）の実現が可能となっている。
【０００６】
一般に、高屈折率材料（ｎ＞１．９）としては、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化セリウム（ＣｅＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などが知られている。
【０００７】
これら各種の酸化物膜を形成する方法しては、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法などがよく用いられている。これらの中でも、スパッタリング法は、蒸気圧の低い材料を成膜する際や、精密な膜厚制御を必要とする場合に、有効な手段として知られている。
【０００８】
スパッタリング法では、一般的にアルゴンガスを使用し、約１０Ｐａ以下のガス圧のもとで、陽極上に基板を置き、成膜する酸化物透明導電膜の原料となるスパッタリングターゲットを陰極として電圧を印加する。電圧を印加された電極間には、グロー放電が起こってアルゴンプラズマが発生し、プラズマ中のアルゴン陽イオンが陰極のスパッタリングターゲットに衝突する。この衝突によって次々と弾き飛ばされる粒子が基板上に順次堆積して薄膜を形成する。
【０００９】
スパッタリング法は、アルゴンプラズマの発生方法で分類され、高周波プラズマを用いる高周波スパッタリング法、直流プラズマを用いる直流スパッタリング法などがある。このうち、直流スパッタリング法は、成膜速度が比較的速い、電源設備が安価である、成膜操作が簡単であるなどの理由で、工業的に広範に利用されている。
【００１０】
直流スパッタリング法を用いて酸化物膜を成膜する場合には、導電性スパッタリングターゲットを用いる必要がある。例えば、導電性物質の母体中に高抵抗物質が含まれたスパッタリングターゲットを用いて直流スパッタリングを行うと、アルゴン陽イオンの照射により高抵抗物質の部分が帯電し、アーク放電が発生し、安定して成膜することができない。
【００１１】
しかし、前述した高屈折率の酸化物膜は、いずれも導電性に乏しく、これらの酸化物のスパッタリングターゲットを用いた場合、直流スパッタリング法によって安定した成膜を行うことはできない。
【００１２】
したがって、直流スパッタリング法による成膜によって、これらの高屈折率の酸化物膜を得るためには、導電性を有する金属ターゲットを用いて、酸素を多く含む雰囲気で、金属粒子と酸素を反応させながらスパッタリング（反応性スパッタリング法）を行うことが必要となる。しかし、酸素を多く含む反応性スパッタリング法によって得られる薄膜の成膜速度は極めて遅いため、生産性が著しく損なわれる。このために生産コストが高くなってしまい、高屈折率の酸化物膜の製造上の大きな問題になっている。
【００１３】
近年、太陽電池、タッチパネル、フラットパネルディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンス、無機エレクトロルミネッセンスなどの用途において、透明導電酸化物膜の需要が高まっている。このような透明導電酸化物膜としては、現在ＩＴＯが主流であり、ＩＴＯ膜は主に直流スパッタリング法により形成されている。しかしながら、比較的低抵抗とされるＩＴＯでも、その比抵抗は２〜３×１０-4Ω・ｃｍ程度、その屈折率は１．９前後が限界とされており、より低抵抗、かつ、より高屈折率の透明導電酸化物膜が熱望されている。
【００１４】
例えば、直流スパッタリング法に適用可能な高屈折率の酸化インジウム系焼結体としては、セリウムおよび錫、またはセリウムおよびチタンを含有する酸化インジウム系スパッタリングターゲットが知られている（特許文献１参照）。このスパッタリングターゲットを用いて得られる透明導電酸化物膜の屈折率は約２．３と高いものとになっている。しかしながら、このスパッタリングターゲットの比抵抗は、最も低いもので３．１×１０-3Ω・ｃｍ程度にすぎない。よって、太陽電池、タッチパネル、フラットディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンス、無機エレクトロルミネッセンスなどの用途の透明導電酸化物膜を得るスパッタリングターゲットとしては、十分なものとなっていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開平９−１７６８４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、低い比抵抗と高い屈折率を有する透明導電酸化物膜を工業的な手法により安定的に得ることを可能とするため、このような高い屈折率の成膜が可能な組成を有し、かつ、高い相対密度および低い比抵抗を有する酸化インジウム系スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の酸化インジウム系スパッタリングターゲットは、酸化タンタルおよび酸化チタンを合計量で５．２〜９．２質量％含有し、酸化チタン／酸化タンタルの質量比が０．０２２〜０．１６０で、残部が酸化インジウムであり、相対密度が９７％以上で、比抵抗が５×１０-4Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。
【００１８】
すなわち、本発明では、酸化インジウムを主原料とし、酸化タンタルおよび酸化チタンを合計量で５．２〜９．２質量％含有し、酸化チタン／酸化タンタルの質量比が０．０２２〜０．１６０である酸化物からなる成形体を、酸素含有雰囲気下、１５３０〜１６３０℃で焼結することにより、酸化インジウム系スパッタリングターゲットを得ている。
【００１９】
かかる組成と所定の製造条件により得られた本発明の酸化インジウム系スパッタリングターゲットを用いて、直流スパッタリング法により、比抵抗が５×１０-4Ω・ｃｍ以下で、かつ、波長５００〜６００ｎｍの光の屈折率が２．０以上となる透明導電酸化物膜を得ることが可能となる。
【００２０】
なお、この本発明の透明導電酸化物膜においては、膜厚１００ｎｍにおける波長５００〜６００ｎｍの光の透過率が９６％以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明により、透明導電酸化物膜を工業的に量産可能な直流スパッタリング法に適用することができる大型の焼結体からなり、高い相対密度を有し、かつ、低い比抵抗を有する酸化インジウム系スパッタリングターゲットが提供される。
【００２２】
かかる酸化インジウム系スパッタリングターゲットを用いることにより、成膜時の異常放電、ノジュール、パーティクルの発生を防止しつつ、高い成膜速度により、低い比抵抗、高い屈折率、かつ、可視光領域における高い透過率を有する透明導電酸化物膜を得ることができる。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の酸化インジウム系スパッタリングターゲットは、酸化タンタルおよび酸化チタンを合計量で５．２〜９．２質量％含有し、酸化チタン／酸化タンタルの質量比が０．０２２〜０．１６０で、残部が酸化インジウムである酸化物により構成されることを特徴とする。
【００２４】
得られる透明導電酸化物膜において、可視光領域（可視分光光度計により測定する波長５００〜６００ｎｍの光）における屈折率が２．０以上と高く、かつ、透過率が９６．０％以上の膜を直流スパッタリング法で得るためには、当該スパッタリングターゲットの比抵抗を５×１０-4Ω・ｃｍ以下、好ましくは、２×１０-4Ω・ｃｍ以下とする必要がある。
【００２５】
酸化タンタルを含有することにより、酸化インジウムを主成分とする焼結体および成膜により得られる透明導電酸化物膜の導電性の向上が図られる。ただし、かかる特性は、酸化タンタルのみの添加では十分に得られず、酸化チタンの含有による焼結体の密度の向上により、効果的に得られるものである。
【００２６】
すなわち、酸化チタンをさらに含有することにより、酸化インジウムを主成分とする焼結体の密度が上昇し、焼結体の緻密化が図られ、成膜により得られる透明導電酸化物膜における安定した屈折率の向上が図られる。
【００２７】
かかる組成の範囲外になると、まず焼結体の密度低下が発生する。焼結体の密度が低下すると、焼結体の抵抗の上昇に伴い、得られる膜の抵抗も上昇してしまうとともに、屈折率、透過率も悪化してしまう。
【００２８】
また、本発明の酸化インジウム系スパッタリングターゲットでは、相対密度が９７％以上で、比抵抗が５×１０-4Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。
【００２９】
かかる相対密度の測定は、アルキメデス法による。相対密度を９７％以上とすることにより、スパッタリングターゲットの比抵抗が５×１０-4Ω・ｃｍ以下となり、得られる膜の比抵抗を４．５×１０-4Ω・ｃｍ以下と低いものとすることができる。また、高い相対密度とすることにより、スパッタリング中に発生する異常放電、ノジュール、パーティクルの発生など、膜の特性に影響を与える原因を有効に防止することができる。この観点から、相対密度は望ましくは９８％以上、さらに望ましくは９９％以上とする。
【００３０】
よって、かかる特性を有する本発明の酸化インジウム系スパッタリングターゲットを用いることにより、透明導電酸化物膜を直流スパッタリング法により安定的に成膜することが可能となる。
【００３１】
本発明の酸化インジウム系スパッタリングターゲットは、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉と酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）粉と酸化チタン（ＴｉＯ2）粉とを含む原料粉末に、水と水溶性バインダを配合し、得られたスラリーを粉砕し、１０時間以上攪拌した後、乾燥、造粒を行う。その後、得られた造粒粉を型に詰め、加圧成形し得られた成形体を、酸素含有雰囲気中、１５３０〜１６３０℃で１０〜２５時間焼結して得ている。
【００３２】
具体的には、まず、焼結体が所望の組成範囲内となるように、酸化インジウム粉、酸化タンタル粉、酸化チタン粉を原料粉末とし、酸化タンタルおよび酸化チタンを合計量で５．２〜９．２質量％含有し、酸化チタン／酸化タンタルの含有量質量比が０．０２２〜０．１６０となるように調合を行う。
【００３３】
次に、水溶性バインダを原料粉末に対して０．５〜１．５質量％となるように調合し、原料粉末と水と共に樹脂製ポットへ入れ、湿式粉砕および混合を行う。この処理により、平均粒径が０．５μｍ以下の原料粉末を含むスラリーが得られる。かかる工程においては、ボールミル、ビーズミルなど公知の手段を用いる。コストの面ではボールミルを採用することが好ましいが、ボールミルでは粉砕時間が非常に掛かるため、作業効率の面からは、ビーズミルを使用することが好ましい。ボールやビーズとしては、例えば、硬質のジルコニア（ＺｒＯ2）ボールやビーズを用いうる。
【００３４】
湿式粉砕および混合の時間は、ボールミルの場合には１５〜２８時間とする。また、ビーズミルの場合には３〜６時間とする。粉砕および混合の時間が不足すると、最終的に得られる焼結体密度の低下が見られ、逆に粉砕および混合の時間が長すぎると、ジルコニアが不純物として混入し、焼結体密度が低下するからである。
【００３５】
バインダとしては、加熱により消失または気化する公知のバインダであれば限定されず、ポリビニルアルコールなどが使用可能である。
【００３６】
粉砕および混合後、スラリーを取り出し、乾燥および造粒し、得られた造粒粉を型の中へ入れ、冷間静水圧プレスで２５０〜３５０ＭＰａの圧力をかけて、成形を行う。
【００３７】
次に、得られた成形体を焼結炉内に設置し、炉内容積１ｍ3当たり１００Ｌ（リットル）／分の割合で焼結炉内に酸素を導入し、焼結雰囲気の酸素濃度を３０％以上（体積比）として大気中（酸素量２１％）よりも酸素濃度を高めに設定し、２００〜８００℃で３０時間以上の加熱（脱バインダ）を行う。その後、１５３０〜１６３０℃にて大気中にて１０〜２５時間焼結を行う。
【００３８】
焼結雰囲気の酸素濃度を３０％以上（体積比）とするのは、高強度、高密度の焼結体を得るのに有益だからである。焼結雰囲気は、純酸素雰囲気まで採用できるが、コスト面から、酸素濃度を３０％（体積比）とすれば十分である。
【００３９】
この温度範囲内で焼結を行うことにより、液相焼結が充分に進行して焼結体密度を高くすることができ、さらには酸化インジウムの溶融を防止して、所望の形状の焼結体の作製が行いやすくなる。
【００４０】
本発明の好ましい態様によれば、焼結は１０〜２５時間行われるのが好ましいが、もっとも好ましい時間は１５〜２０時間である。この範囲内であると、焼結時間の短縮（電力の使用量減）と高い生産性を実現しつつ、高品質な酸化インジウム系スパッタリングターゲットを得ることができる。
【００４１】
このようにして得られた本発明の酸化インジウム系スパッタリングターゲットを用いて成膜すると、得られた膜においても低抵抗、高透過率および高屈折率を同時に実現することが可能となる。
【００４２】
すなわち、得られた膜の比抵抗が５×１０-4Ω・ｃｍ以下で、可視分光光度計により測定する波長５００〜６００ｎｍの光を用いて、分光エリプソメトリにより測定した場合に、屈折率が２．０以上となる。
【００４３】
また、膜厚が１００ｎｍの場合に、可視分光光度計により測定する波長５００〜６００ｎｍの光の透過率のピーク値が９６．０％以上となる高透過率の膜を得ることができる。
【実施例】
【００４４】
（実施例１）
まず、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末（純度９９．９％、平均粒径約１．３μｍ）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）粉末（純度９９．９％、平均粒径約１．５μｍ）、および酸化チタン（ＴｉＯ2）粉末（純度９９．９％、平均粒径約１．０μｍ）の３種類の原料粉末を用意した。
【００４５】
次いで、上記酸化インジウム粉末質量：９４．８質量％と、上記酸化タンタル粉末：５質量％と、上記酸化チタン粉末：０．２質量％とを樹脂製ポットに入れ、さらに水溶性バインダ：１．４質量％と純水も樹脂製ポットへ入れた。ボールミル（ＺｒＯ2ボール）で２４時間粉砕および混合を行い、乾燥、造粒を行った後、得られた造粒粉をφ１５０ｍｍ寸法の型へ充填し、冷間静水圧プレスで２９４ＭＰａ（３ｔｏｎ／ｃｍ2）の圧力にて成形を行った。
【００４６】
この成形体を、炉内容積１ｍ3当たり１００Ｌ／分の割合で焼結炉内に酸素を導入した酸素濃度が３０％以上の雰囲気で、２００〜８００℃にて２４時間の加熱後、大気中、焼結温度１５７０℃で２０時間焼結させ、焼結体を得た。
【００４７】
上記焼結体を研削加工し、直径４インチ（１０１．６ｍｍ）、厚み５ｍｍサイズの酸化インジウム系スパッタリングターゲットを作製した。なお、得られたスパッタリングターゲットをＩＣＰ発光分光測定装置（株式会社島津製作所製、ＩＣＰＳ８１００）で組成分析を行ったところ、原料粉末の配合時の組成と同一の分析結果であった。
【００４８】
実施例１の原料粉末の組成範囲および焼結温度について、表１に示す。
【００４９】
得られた酸化インジウム系スパッタリングターゲットについて、（１）相対密度、（２）スパッタリングターゲットの比抵抗を測定した。
【００５０】
（１）相対密度
得られたスパッタリングターゲットを一定の大きさに切り出した試料について、アルキメデス法により密度を測定した。次に、各原料の密度を酸化インジウム：７．１４ｇ／ｃｍ3、酸化タンタル：８．７４ｇ／ｃｍ3、酸化チタン：４．２６ｇ／ｃｍ3として加重平均密度（理論密度）を算出し、この加重平均密度を１００％として、相対密度を算出した。
【００５１】
（２）スパッタリングターゲットの比抵抗
同様に得た試料を、四探針法抵抗率系ロレスタＥＰ（株式会社三菱化学アナリテック製、ＭＣＰ−Ｔ３６０型）を用いて、四探針法により比抵抗を測定した。
【００５２】
実施例１のスパッタリングターゲットの相対密度と比抵抗について、表２に示す。
【００５３】
得られたスパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにメタルボンディングして、直流電源を用いたマグネトロンスパッタリング装置（株式会社トッキ製）にセットし、膜厚１００ｎｍとなるように、透明導電酸化物膜を成膜した。基板についてはガラス基板を使用した。
【００５４】
得られた透明導電酸化物膜の組成をＩＣＰ発光分光測定装置により確認したところ、スパッタリングターゲットの組成と同一であった。この透明導電酸化物膜について、（３）比抵抗、（４）透過率、（５）屈折率について測定した。
【００５５】
（３）透明導電酸化物膜の比抵抗
四探針法抵抗率系ロレスタＥＰ（株式会社三菱化学アナリテック製、ＭＣＰ−Ｔ３６０型）を用いて、得られた透明導電酸化物膜のシート抵抗値（四探針法）を測定した。得られたシート抵抗値に膜厚を掛けることにより、比抵抗を算出した。
【００５６】
（４）透明導電酸化物膜の透過率
得られた透明導電酸化物膜について、可視分光光度計（日本分光株式会社製、  Ｕｂｅｓｔ  Ｖ-５７０ｉＲＭ／ＤＳ）を用いて、波長３００〜８００ｎｍの光の透過率を測定した。波長５００〜６００ｎｍに透過率のピークが観察された。
【００５７】
（５）透明導電酸化物膜の屈折率
得られた透明導電酸化物膜について、可視分光光度計により測定する波長５５０ｎｍの光を用いて、分光エリプソメトリ装置（Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製、ＶＡＳＥ）を用いて測定した。
【００５８】
実施例１の透明導電酸化物膜の比抵抗、ピーク値における透過率、および、屈折率について、表２に示す。
【００５９】
（実施例２〜５ならびに比較例１〜８）
表１に示した組成比率での原料粉末を調合したこと、および焼結温度を変えたこと以外は、実施例１と同様の製造方法にて、酸化インジウム系スパッタリングターゲットを製造した。なお、得られたスパッタリングターゲットについてＩＣＰ発光分光法で組成分析を行ったところ、実施例１と同様、原料粉末の配合時の組成と同一の分析結果であった。また、得られた透明導電酸化物膜についてもＩＣＰ発光分光測定装置で組成分析を行ったところ、実施例１と同様、スパッタリングターゲットの組成と同一の分析結果であった。
【００６０】
各実施例および比較例の原料粉末の組成範囲および焼結温度について、表１に示す。また、各実施例および比較例のスパッタリングターゲットの相対密度と比抵抗について、表２に示す。
【００６１】
実施例４、比較例１および比較例４については、実施例１と同様に、成膜を行い、得られた透明導電酸化物膜について、比抵抗、透過率、および屈折率について測定を行った。その結果を表２に示す。
【表１】
2011006725.tif 000002
【表２】
2011006725.tif 000003
【００６２】
（評価）
本発明のスパッタリングターゲットは、いずれも９７％以上の相対密度が得られていた。これに対して、組成範囲が外れるか、焼結温度の範囲が外れていた比較例のスパッタリングターゲットでは、いずれも９７％以上の高い相対密度を得ることができていなかった。
【００６３】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、いずれも比抵抗が５×１０-4Ω・ｃｍ以下という低抵抗のものであった。
【００６４】
これに対して、酸化チタンを添加していない比較例１〜３のスパッタリングターゲットは、酸化タンタルの添加により、その添加量に伴い、相対密度が低下し、スパッタリングターゲットの比抵抗が５×１０-4Ω・ｃｍを超えて上昇する傾向にあった。
【００６５】
すなわち、酸化タンタルに、酸化チタンを添加することで、スパッタリングターゲットの相対密度の向上と比抵抗の低減の両方を達成できることが理解される。
【００６６】
また、比較例８より、酸化チタンの添加量が、酸化チタン／酸化タンタルの質量比で０．０２２未満であると、酸化チタンの添加効果が十分に発揮されないことが理解される。
【００６７】
一方、比較例４および５から理解されるように、焼結温度に関しても、高すぎても低すぎても焼結体密度の低下により、スパッタリングターゲットの比抵抗が上昇してしまうことが理解される。
【００６８】
本発明の透明導電酸化物膜は、その比抵抗が４．５×１０-4Ω・ｃｍ以下となり、良好な導電性を示していた。また、透過率および屈折率についても、それぞれ９６％以上、２．０以上と、高い値を示した。
【００６９】
一方、比較例４の透明導電酸化物膜は、その比抵抗が４．５×１０-4Ω・ｃｍを超えており、また、透過率および屈折率についても、それぞれ９６％未満、２．０未満であり、不十分なものであった。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明の酸化インジウム系スパッタリングターゲットは太陽電池用透明導電膜、タッチパネル用透明導電膜、フラットパネルディスプレイなどの液晶表示装置用透明導電膜、有機エレクトロルミネッセンスおよび無機エレクトロルミネッセンス用透明導電膜などの低抵抗を必要とする用途に加え、反射防止膜や屈折率制御などで使用される高屈折率の光学膜用途での透明導電膜、酸化物半導体膜を直流スパッタリング法により得るためのスパッタリングターゲットとして好適である。