(57)【要約】【課題】配線電極の幅が小さく、かつ厚みの大きい配線電極である、配線電極の断面形状について、所望のアスペクト比の配線電極を有する配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】この発明にかかる配線基板１０は、絶縁基板１２と、該絶縁基板１２上に配線電極２２が形成された配線基板であって、絶縁基板１２上に保護膜１４を形成し、レーザー光１６の照射により保護膜１４に保護膜１４の厚さ以下の幅を有する配線パターン溝１８を形成し、該配線パターン溝１８に導電性ペースト２０を埋め込んで、該導電性ペースト２０の塗膜を形成する。そして、絶縁基板１２上に形成された保護膜１４を除去することにより絶縁基板１２上に、所望のアスペクト比を有する配線電極２２が形成された配線基板１０が得られる。【選択図】図１
2011233625.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板上に配線電極が形成された配線基板であって、
前記配線電極は、
前記絶縁基板上に保護膜を形成し、
レーザー光の照射により前記保護膜に前記保護膜の厚さ以下の幅を有する配線パターン溝を形成し、
前記配線パターン溝に導電性ペーストを埋め込んで、導電性ペーストの厚みの大きい塗膜を形成し、
前記保護膜を除去することにより前記配線電極が形成されることを特徴とする、配線基板。
【請求項２】
前記保護膜は、除去用保護膜と厚膜用保護膜により形成され、
前記除去用保護膜は、低分子量のポリビニルアルコールにより前記絶縁基板上に形成され、
前記厚膜用保護膜は、高分子量のポリビニルアルコールにより前記除去用保護膜上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
絶縁基板上に配線電極が形成された配線基板の製造方法であって、
前記絶縁基板上に保護膜を形成する工程と、
レーザー光の照射により前記保護膜に前記保護膜の厚さ以下の幅を有する配線パターン溝を形成する工程と、
前記配線パターン溝に導電性ペーストを埋め込んで、前記導電性ペーストの塗膜を形成する工程と、
前記保護膜を除去する工程と、
を含む、配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記保護膜は、除去用保護膜と厚膜用保護膜により形成され、
前記除去用保護膜は、低分子量のポリビニルアルコールにより前記絶縁基板上に形成され、
前記厚膜用保護膜は、高分子量のポリビニルアルコールにより前記除去用保護膜上に形成されることを特徴とする、請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、配線基板およびその製造方法に関し、特にたとえば、微細な配線電極を有する配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、電子機器の高機能化や高性能化が加速しており、そのような電子機器に用いられる電子部品にも小型化が求められていることから、それらに対して厳しい精度が電子部品の製造工程における配線の印刷にも要求されてきている。加えて、電子部品の小型化が進むにつれ、要求される配線の幅も細くなってきている（特許文献１および特許文献２参照）。
【０００３】
セラミック配線基板等の配線電極は、通常、スクリーン印刷等で所定のパターンにしたがって印刷されることにより形成される。形成された配線電極パターンは、低抵抗であるととともに、高密度に配線することができるように、細く形成されることが求められている。すなわち、配線幅は小さく、厚みの大きい、いわゆる高アスペクト比を有する配線電極とすることが好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３４９０８６号公報
【特許文献２】特開２００２−２６１４３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、スクリーン印刷では印刷塗膜の厚みを大きくするのに限界があることから、絶縁層の厚みを使って、そこに埋め込むように電極を形成することにより、配線の厚みを得る技術が開示されている。しかしながら、上記のような方法によると、その厚さは絶縁層の厚み以上には形成することができない。加えて、配線電極の厚みを厚くするためには、絶縁層の厚みを厚くする必要があるが、セラミック配線基板等の薄層化が求められている現在においては、上記のような従来の製造方法では、所望のアスペクト比の配線電極が得られなくなるという問題があった。
【０００６】
それゆえに、この発明の主たる目的は、配線電極の幅が小さく、かつ厚みの大きい配線電極である、配線電極の断面形状が、例えば、高アスペクト比の配線電極を有する配線基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明にかかる配線基板は、絶縁基板と、絶縁基板上に配線電極が形成された配線基板であって、配線電極は、絶縁基板上に保護膜を形成し、レーザー光の照射により保護膜に保護膜の厚さ以下の幅を有する配線パターン溝を形成し、配線パターン溝に導電性ペーストを埋め込んで、導電性ペーストの塗膜を形成し、保護膜を除去することにより配線電極が形成されることを特徴とする、配線基板である。
また、この発明にかかる配線基板では、保護膜は、除去用保護膜と厚膜用保護膜により形成され、除去用保護膜は、低分子量のポリビニルアルコールにより絶縁基板上に形成され、厚膜用保護膜は、高分子量のポリビニルアルコールにより除去用保護膜上に形成されることが好ましい。
この発明にかかる配線基板の製造方法は、絶縁基板上に配線電極が形成された配線基板の製造方法であって、絶縁基板上に保護膜を形成する工程と、レーザー光の照射により保護膜に保護膜の厚さ以下の幅を有する配線パターン溝を形成する工程と、配線パターン溝に導電性ペーストを埋め込んで、導電性ペーストの塗膜を形成する工程と、保護膜を除去する工程と、を含む、配線基板の製造方法である。
また、この発明にかかる配線基板の製造方法は、保護膜は、除去用保護膜と厚膜用保護膜により形成され、除去用保護膜は、低分子量のポリビニルアルコールにより絶縁基板上に形成され、厚膜用保護膜は、高分子量のポリビニルアルコールにより除去用保護膜上に形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
この発明にかかる配線基板およびその製造方法によれば、保護膜の厚みを制御することで、所望のアスペクト比の配線電極を有する配線基板を得ることができる。
また、この発明にかかる配線基板およびその製造方法では、除去用保護膜に低分子量のポリビニルアルコール（以下、ＰＶＡという）を使用しているため粘度が低く、除去用保護膜が絶縁基板からの剥離が容易となることから絶縁基板上に残渣が残らない。また、厚膜用保護膜に高分子量のＰＶＡを用いると粘度が大きくなるので、高厚膜化を図ることができることから配線電極の断面形状に関してより高アスペクト比の配線電極を有する配線基板を得ることができる。
【０００９】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明にかかる配線基板の製造方法の一実施形態についての概略断面図である。
【図２】この発明にかかる配線基板の製造方法の他の実施形態についての概略断面図である。
【００１１】
本発明にかかる配線基板の製造方法についての一実施形態について説明する。図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明にかかる一実施形態における配線基板１０の製造方法についての概略断面図である。本発明にかかる配線基板の製造方法は、絶縁基板上に保護膜を設け、その保護膜にレーザー光を照射することによって配線パターン溝を形成し、その溝に導電性ペーストを印刷後、保護膜を除去して配線電極を形成することにより配線基板を製造する工法である。以下、詳細に説明する。
【００１２】
まず、絶縁基板１２が準備される。本発明にかかる実施形態において用いられる絶縁基板１２は、アルミナ基板、エポキシ基板、シリコン基板、セラミック基板等の絶縁基板１２が使用される。
【００１３】
次に、図１（ａ）に示されるように、絶縁基板１２の保護膜塗布面１２ａに所望の厚さの保護膜１４が形成される。まず、絶縁基板１２の保護膜塗布面１２ａ上に、ポリビニルアルコール（以下、ＰＶＡという）を水で溶融したものが、スピンコーターにより塗布される。そして、塗布されたＰＶＡは、ホットプレート等を用いて乾燥され、保護膜１４が形成される。
【００１４】
本実施形態における保護膜１４の材料は、ＰＶＡを水で溶解したものであって、比較的高分子量のＰＶＡが使用される。このような高分子量のＰＶＡは粘度が高いことから、保護膜１４の膜厚の厚さを厚くすることが可能となり、保護膜１４の膜厚の大きさの調整がしやすい。したがって、保護膜１４に使用されるＰＶＡは、高分子量のＰＶＡを用いるのが好ましい。具体的には、分子量が１７００のＰＶＡの場合、濃度を１５重量％とすると、粘度が４．１Ｐａ・ｓと高くなるため、特に好ましい。なお、保護膜１４に使用されるＰＶＡは、５００より大きい分子量のＰＶＡが好ましく、１０００以上の分子量のＰＶＡを用いると、保護膜１４の膜厚をより厚く形成することができるので、特に好ましい。このように、保護膜１４の材料に高分子量のＰＶＡを使用することにより、所望する配線電極の厚みに応じて、保護膜１４の厚さを調整することができるので、所望の配線電極を形成することができる。
【００１５】
なお、高分子量のＰＶＡは、保護膜１４を溶融するための溶剤である、例えば水に溶けにくい性質を有していることから、保護膜１４の材料に用いると、保護膜１４の形成後に行われる保護膜１４の除去処理において、保護膜１４が除去しきれず絶縁基板１２上に残渣として残る可能性がある。そのため、保護膜１４の材料として、分子量が５００以下の比較的低分子量のＰＶＡを使用してもよい。しかしながら、保護膜１４の材料に濃度の低い低分子量のＰＶＡを使用すると、粘度が低いため保護膜１４が薄くなる。また、低分子量のＰＶＡでは、重ね塗りが困難である。そのため、絶縁基板１２上に形成される配線電極の膜厚も薄くなるという問題があることから、所望の配線電極を得ることが困難となる点に留意する必要がある。したがって、保護膜１４の材料として低分子量のＰＶＡを使用する場合は、濃度を高めにすることで粘度を高くした上で使用するのが好ましい。
【００１６】
続いて、図１（ｂ）に示されるように、導電性ペースト２０を埋め込み配線電極２２を形成するために、レーザー光１６を照射することにより保護膜１４上に配線パターン溝１８が形成される。配線パターン溝１８は、例えば、保護膜１４の厚さ以下の幅の大きさで形成される。レーザー光１６の照射は、保護膜１４は貫通（溶融）するが、絶縁基板１２は傷つけない強さが好ましい。なお、フェムト秒レーザーによる金属や透明材料などの加工では、これまでの炭酸ガスレーザー等による加工とは全く異なり、レーザー光１６の照射部位周辺が熱的、化学的損傷をほとんど受けない特徴を有する。したがって、保護膜１４に所望の配線パターン溝１８を形成することができ、結果、配線電極の幅のばらつきの小さい配線電極を得ることができる。なお、ＵＶレーザーも使用することができるが、出力が大きくなると基板を傷めてしまうため出力の調整に注意する必要がある。
【００１７】
そして、図１（ｃ）に示されるように、導電性ペースト２０が保護膜１４のスキージ面１４ｃ（絶縁基板１２側とは反対側の面）に供給された後、スキージＳのエッジにてスキージ面１４ｃを押圧して掃引きし、形成された配線パターン溝１８に導電性ペースト２０が埋め込まれる。これにより、図１（ｄ）に示されるように、配線パターン溝１８に、導電性ペースト２０が埋没するように塗膜が形成され、配線パターンが印刷される。その後、保護膜１４の溶融（除去）を行うために、例えば水で現像する。保護膜１４は、保護膜１４のみを溶解し、導電性ペースト２０は溶解しない溶剤によって除去される。そして、図１（ｅ）に示されるように、配線電極２２の断面形状について、配線電極２２の幅に対して膜厚の大きいアスペクト比の配線電極２２を有する配線基板１０を製造することができる。
【００１８】
本発明にかかる配線基板の製造方法によれば、高分子量のＰＶＡにより保護膜１４の厚膜化が図れ、所望のアスペクト比を有する配線電極２２を有する配線基板１０を得ることができる。
なお、保護膜１４の材料に高分子量のＰＶＡを使用した場合、保護膜１４の除去が困難となり、保護膜１４の残渣が残りやすくなる点に留意する必要がある。
【００１９】
次に、本発明にかかる配線基板の製造方法についての他の実施形態について説明する。図２（ａ）〜（ｅ）は、本発明にかかる他の実施形態における配線基板１１０の製造方法についての概略断面図である。実施例１と同様に、本発明にかかる配線基板１１０の製造方法は、絶縁基板上に役割の異なる保護膜を設け、それらの保護膜にレーザー光を照射することによって配線パターン溝を形成し、その溝に導電性ペーストを印刷後、保護膜を除去して配線電極を形成することにより配線基板を製造する工法である。以下、詳細に説明する。
【００２０】
まず、絶縁基板１２が準備される。本発明にかかる他の実施形態において用いられる絶縁基板１２は、実験例１と同様、アルミナ基板、エポキシ基板、シリコン基板、セラミック基板等の絶縁基板１２が使用される。
【００２１】
次に、図２（ａ）に示されるように、絶縁基板１２の保護膜塗布面１２ａに所望の厚さの保護膜１４が形成される。保護膜１４は、除去用保護膜１４ａおよび厚膜用保護膜１４ｂにより形成される。
除去用保護膜１４ａは、保護膜１４が絶縁基板１２から容易に剥がれるようにするために、絶縁基板１２の保護膜塗布面１２ａ上に形成される。すなわち、絶縁基板１２の保護膜塗布面１２ａ上に、低分子量のポリビニルアルコール（以下、ＰＶＡという）を水で溶融したものをスピンコーターにより塗布した上で、ホットプレート等を用いて乾燥され、除去用保護膜１４ａが形成される。
厚膜用保護膜１４ｂは、保護膜１４の膜厚を厚くするために除去用保護膜１４ａの除去用保護膜塗布面１４ａ１（絶対基板１２側と反対側の面）上に形成される。すなわち、除去用保護膜塗布面１４ａ１上に高分子量のＰＶＡを水で溶融したものをスピンコーターにより塗布した上で、ホットプレート等を用いて乾燥され、厚膜用保護膜１４ｂが形成される。
【００２２】
本実施形態における除去用保護膜１４ａの材料は、ポリビニルアルコール（以下、ＰＶＡという）を水で溶解したものであって、上述したように比較的低分子量のＰＶＡが使用されるが、このような低分子量のＰＶＡは、粘度が低くなることから、膜厚を厚くすることはできないが、水に溶けやすいため、水による現像処理により除去用保護膜１４ａの除去が短時間で行うことができる。そのため、除去用保護膜１４ａに使用されるＰＶＡは、低分子量のＰＶＡを用いるのが好ましい。このように、除去用保護膜１４ａに使用されるＰＶＡは、分子量が５００以下である低分子量のＰＶＡが好ましく、特に、分子量が３００以上５００のＰＶＡを用いると、除去用保護膜１４ａの除去がより容易にかつ短時間で行うことができるので、特に好ましい。除去用保護膜１４ａの材料として、このような低分子量のＰＶＡを使用することにより、この後に行われる保護膜１４の除去処理において、容易に短時間で保護膜１４を除去することができる。また、特に、分子量が３００のＰＶＡの場合、濃度は、１５重量％が好ましい。また、分子量が５００のＰＶＡの場合、濃度は、１０重量％が特に好ましい。
【００２３】
また、厚膜用保護膜１４ｂの材料は、ＰＶＡを水で溶解したものであって、上述したように比較的高分子量のＰＶＡが使用される。このような高分子量のＰＶＡは、粘度が高いことから、膜厚の厚さを調整しやすい。すなわち、厚膜用保護膜１４ｂに使用されるＰＶＡは、高分子量のＰＶＡを用いるのが好ましい。このように、厚膜用保護膜１４ｂに使用されるＰＶＡは、５００より大きい高分子量のＰＶＡが好ましく、１０００以上の高分子量のＰＶＡを用いると、厚膜用保護膜１４ｂの膜厚をより厚く形成することができるので、特に好ましい。厚膜用保護膜１４ｂの材料として、このような高分子量のＰＶＡを使用することにより粘度が高くなることから、所望する配線電極の厚みに応じて、保護膜１４の厚さを調整することができる。また、分子量が１７００のＰＶＡの場合、濃度は、１５重量％が特に好ましい。
【００２４】
続いて、図２（ｂ）に示されるように、導電性ペースト２０を埋め込み配線電極２２を形成するために、レーザー光１６を照射することにより保護膜１４上に配線パターン溝１８が形成される。配線パターン溝１８は、保護膜１４の厚さ以下の幅の大きさで形成される。レーザー光１６の照射は、保護膜１４は貫通（溶融）するが、絶縁基板１２は傷つけない程度の強さが好ましい。
【００２５】
そして、図２（ｃ）に示されるように、導電性ペースト２０が厚膜用保護膜１４ｂのスキージ面１４ｃ（絶縁基板１２側とは反対側の面）に供給された後、スキージＳのエッジにてスキージ面１４ｃを押圧して掃引きし、レーザー光１６により形成された配線パターン溝１８に導電性ペースト２０が埋め込まれる。これにより、図２（ｄ）に示されるように、配線パターン溝１８に、導電性ペースト２０が埋没するように塗膜が形成され、配線パターンが印刷される。その後、保護膜１４の溶融（除去）を行うために、例えば水で現像する。保護膜１４は、保護膜１４のみを溶解し、導電性ペースト２０は溶解しない溶剤によって除去される。除去用保護膜１４ａは、低分子量のＰＶＡの材料が用いられていることから溶融しやすいため、容易にかつ短時間に除去することができる。そして、図２（ｅ）に示されるように、配線電極２２の断面形状について、配線電極２２の幅に対して膜厚の大きい高アスペクト比の配線電極２２を有する配線基板１１０を製造することができる。
【００２６】
本発明にかかる配線基板１１０の製造方法によれば、除去用保護膜１４ａとして低分子量のＰＶＡを使用することにより、保護膜１４を除去する際に、絶縁基板１２から剥がし（水に溶融し）やすく絶縁基板１２上に保護膜１４の残渣が残らない配線基板１１０を得ることができる。加えて、本発明にかかる配線基板の製造方法によれば、厚膜用保護膜１４ｂとして高分子量のＰＶＡを使用することにより、厚膜化が可能な粘度の高い高分子量のＰＶＡを厚膜用保護膜１４ｂとして塗布または重ね塗りすることで、保護膜１４の膜厚を厚くすることができることから、結果、配線電極２２のより高膜厚化が図られた配線基板１１０を得ることができる。
【実施例１】
【００２７】
続いて、本発明にかかる配線基板の製造方法についての一実施例について説明する。本実施例にかかる配線基板の製造方法は、絶縁基板上に保護膜を設け、レーザー光を照射することによって配線パターン溝を形成し、その溝に導電性ペーストを印刷後、保護膜を除去して配線基板を形成する工法である。
【００２８】
まず、絶縁基板として、誘電体セラミックグリーンシートにより形成されたセラミック基板を準備した。
次に、セラミック基板の保護膜塗布面にスピンコーターを使用して塗布することにより保護膜を形成した。本実施例における保護膜の材料は、ポリビニルアルコール（以下、ＰＶＡという）を水で溶解したものを用い、分子量が１７００のＰＶＡ（クラレ製：ＰＶＡ２１７Ｓ）であって、濃度および粘度が、それぞれ、１５重量％および４．１Ｐａ・ｓのものを使用した。なお、１回に保護膜を塗布する際のスピンコーターの使用条件は、５００ｒｐｍで１０秒とし、続いて、３０００ｒｐｍで２０秒とした。また、塗布する際の乾燥温度は、６０℃に設定した。その後、塗布された保護膜を、ホットプレートにより４０℃で、１０分間乾燥することにより、セラミック基板上に、膜厚が１０μｍの保護膜を形成した。なお、保護膜の材料に分子量が１７００のＰＶＡ用いた場合、上述の工程を３回繰り返すことで、保護膜の厚みを４０μｍに形成することもできる。
【００２９】
続いて、レーザー光を照射することにより保護膜上に所望の配線パターン溝を形成した。このときの配線パターンの溝の幅は、１２μｍであった。なお、本実施例において、レーザー光の照射には、フェムト秒レーザー（繰り返し周波数：１ｋＨｚ、波長：８００ｎｍ、出力：５０ｍＷ、走査速度：５ｎｍ／ｓ）を用いた。
【００３０】
そして、導電性ペーストを保護膜のスキージ面（セラミック基板側とは反対の面）に供給した後、スキージのエッジにてスキージ面を押圧して掃引きし、レーザー光により形成された配線パターン溝に導電性ペーストを埋め込んだ。なお、印刷条件は、印圧が５ｋｇｆ、スキージのエッジからスキージ面の距離が１．５ｍｍ、スキージの移動速度が１００ｍｍ／ｓとした。また、導電性ペーストは、粘度が２０Ｐａ・ｓのＡｇナノペーストを用いた。これにより、配線パターン溝に導電性ペーストが埋没するように塗膜を形成し、配線パターンの印刷を行った。その後、保護膜の溶融（除去）を行うために水を用いて現像し、配線基板を得た。
得られた配線基板の配線電極の幅は１２μｍ、厚さは３０μｍであり、結果、例えば、高アスペクト比である配線電極を有する所望の配線基板が得られていることが確認された。
【実施例２】
【００３１】
次に、本発明にかかる配線基板の製造方法についての他の実施例について説明する。本実施例にかかる配線基板の製造方法は、実施例１と同様に、基板上に保護膜を設け、レーザー光を照射することによって配線パターン溝を形成し、その溝に導電性ペーストを印刷後、保護膜を除去して配線基板を形成する工法である。
【００３２】
まず、絶縁基板として、誘電体セラミックグリーンシートにより形成されたセラミック基板を準備した。
次に、セラミック基板の保護膜塗布面に所望の厚さの保護膜を形成した。保護膜は、除去用保護膜および厚膜用保護膜の２層に形成した。以下、保護膜の形成方法を説明する。
【００３３】
まず、セラミック基板の保護膜塗布面にスピンコーターを使用して塗布することにより除去用保護膜を形成した。本実施例における除去用保護膜の材料は、分子量が５００のＰＶＡ（クラレ製：ＰＶＡ２０５）を水で溶解したものであって、濃度および粘度が、それぞれ１０重量％および０．２Ｐａ・ｓのものを使用した。なお、１回に除去用保護膜を塗布する際のスピンコーターの使用条件は、２０００ｒｐｍで３０秒とした。また、塗布する際の乾燥温度は、６０℃に設定した。その後、塗布された除去用保護膜をホットプレートにより４０℃で、１０分間乾燥することにより、セラミック基板上に除去用保護膜を形成した。このときの除去用保護膜の膜厚は５μｍであった。
【００３４】
続いて、除去用保護膜の保護膜塗布面にスピンコーターを使用して塗布することにより厚膜用保護膜を形成した。本実施例における厚膜用保護膜の材料は、分子量が１７００のＰＶＡ（クラレ製：ＰＶＡ２１７Ｓ）を水で溶解したものであって、濃度および粘度が、それぞれ１５重量％および４．１Ｐａ・ｓのものを使用した。なお、１回に厚膜用保護膜を塗布する際のスピンコーターの使用条件は、２０００ｒｐｍで３０秒とした。また、塗布する際の乾燥温度は、６０℃に設定した。その後、塗布された厚膜用保護膜をホットプレートにより４０℃で、１０分間乾燥することにより、除去用保護膜上に厚膜用保護膜を形成した。このときの除去用保護膜および厚膜用保護膜を合わせた膜厚は２０μｍであった。
【００３５】
次に、このＰＶＡの保護膜が形成されたシート状にフェムト秒レーザーを照射した。このときの配線パターン溝の幅は、１２μｍであった。なお、本実施例において、レーザー光の照射には、フェムト秒レーザー（繰り返し周波数：１ｋＨｚ、波長：８００ｎｍ、出力：５０ｍＷ、走査速度：５ｎｍ／ｓ）を用いた。
【００３６】
そして、導電性ペーストを厚膜用保護膜のスキージ面（セラミック基板側とは反対の面）に供給した後、スキージのエッジにてスキージ面を押圧して掃引きし、レーザー光により形成された配線パターン溝に導電性ペーストを埋め込んだ。なお、印刷条件は、印圧が５ｋｇｆ、スキージのエッジからスキージ面の距離が１．５ｍｍ、スキージの移動速度が１００ｍｍ／ｓとした。また、導電性ペーストは、粘度が２０Ｐａ・ｓのＡｇナノペーストを用いた。これにより、配線パターン溝に導電性ペーストが埋没するように塗膜を形成し、配線パターンの印刷を行った。その後、保護膜の溶融（除去）を行うために水を用いて現像し、配線基板を得た。
得られた配線基板の配線電極の幅は１２μｍ、厚さは１２μｍであり、結果、より高アスペクト比である配線電極を有する所望の配線基板が得られていることが確認された。
【００３７】
【表１】
2011233625.tif 000003
【００３８】
ここで、表１は、保護膜に用いられる材料（ポリビニルアルコール：ＰＶＡ）の分子量の違いによる保護膜の膜厚とその除去に必要な時間を示したものである。
低分子量のＰＶＡについては、分子量が３００のＰＶＡ（クラレ製：ＰＶＡ２０３）及び分子量が５００のＰＶＡ（クラレ製：ＰＶＡ２０５）について調べた。また、高分子量のＰＶＡについては、分子量が１７００のＰＶＡ（クラレ製：ＰＶＡ２１７Ｓ）について調べた。
膜厚は、上記の各ＰＶＡを、スピンコーターを用いてセラミック基板に塗布した結果を示している。スピンコーターの使用条件は、まず、５００ｒｐｍで１０秒行い、続いて、３０００ｒｐｍで２０秒とした。調査時における各ＰＶＡの乾燥温度は、６０℃であった。
また、除去時間は、上記の方法により形成された形成膜厚を水により除去する際に要した時間を示している。
【００３９】
除去用保護膜１４ａには、保護膜が除去しやすい材料が適しているが、表１の結果によると、低分子量のＰＶＡが好ましいといえることが確認された。
また、厚膜用保護膜１４ｂには、膜厚が厚く形成可能な材料が適しているが、表１の結果によると、高分子量のＰＶＡが好ましいといえることが確認された。なお、分子量が１７００の高分子量のＰＶＡでは、形成膜厚の除去時間に３０分を要しているが、この場合でも形成膜厚の若干の残渣が残る。
【００４０】
本発明にかかる配線基板の製造方法によれば、絶縁基板１２上に塗布される保護膜１４の厚みを制御することにより、配線電極２２の断面形状について、所望のアスペクト比、例えば、高アスペクト比の配線電極２２を有する配線基板１０を得ることができる。
【００４１】
また、本発明にかかる配線基板の製造方法によれば、除去用保護膜１４ａに低分子量のポリビニルアルコールを使用しているため粘度が低く、さらに除去用保護膜１４ａが絶縁基板１２から剥離が容易となるため、絶縁基板１２上に残渣が残らない。さらに、圧膜用保護膜１４ｂに高分子量のポリビニルアルコールを用いると粘度が大きくなるので、高厚膜化を図ることができることから、より高アスペクト比の配線電極２２を有する配線基板１１０を得ることができる。
【００４２】
また、本発明にかかる実施例においては、厚膜用保護膜１４ｂとして、比較的高分子量のＰＶＡを用いたが、これに限られるものではなく、除去用保護膜１４ａに低分子量のＰＶＡが用いられれば、厚膜用保護膜１４ｂは、フォトレジストを用いても良い。この場合、フォトレジストの材料は、アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系、ノボラック系が用いられるのが好ましい。
【符号の説明】
【００４３】
１０、１１０  配線基板
１２  絶縁基板
１２ａ  保護膜塗布面
１４  保護膜
１４ａ  除去用保護膜
１４ａ１  除去用保護膜塗布面
１４ｂ  厚膜用保護膜
１４ｃ  スキージ面
１６  レーザー光
１８  配線パターン溝
２０  導電性ペースト
２２  配線電極
【図１】
2011233625.tif 000004
【図２】
2011233625.tif 000005