(57)【要約】【課題】本発明は、正確なドットパターンを有したインプリントモールドの製造方法、およびそれを利用した、正確なドットパターンを有した磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、第１の壁面および第２の壁面を有するガイドであって、少なくとも一方の前記壁面と前記基板の露出した表面とによって規定される角度が１３１°以下であるガイドを複数形成し、前記第１の壁面、前記第２の壁面および前記基板表面によって規定されるガイド溝領域に、スフェアを形成して相分離する自己組織化材料を塗布し、前記自己組織化材料を自己組織化させてドットパターンを形成し、前記ドットパターンをマスクとして、前記基板をエッチングして前記ドットパターンを転写し、前記ドットパターンが転写された前記基板を型としてインプリントモールドを形成することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の壁面および第２の壁面を有するガイドであって、少なくとも一方の前記壁面と前記基板の露出した表面とによって規定される角度が１３１°以下であるガイドを複数形成し、
前記第１の壁面、前記第２の壁面および前記基板表面によって規定されるガイド溝領域に、スフェアを形成して相分離する自己組織化材料を塗布し、前記自己組織化材料を自己組織化させてドットパターンを形成し、
前記ドットパターンをマスクとして、前記基板をエッチングして前記ドットパターンを転写し、
前記ドットパターンが転写された前記基板を型としてインプリントモールドを形成する
ことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
【請求項２】
前記角度が１２０°以上且つ１３１°以下である、請求項１に記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項３】
磁気記録層上にレジストを形成し、
前記レジストに対して請求項１に記載の製造方法によって製造されたインプリントモールドをインプリントして前記ドットパターンを転写し、
パターン化されたレジストの凹部に残存している残渣を除去し、
パターン化されたレジストをマスクとして、前記磁気記録層をエッチングして前記ドットパターンを転写する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリントモールドの製造方法及び磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクといった磁気記録装置の高容量化を目的として、そのような磁気記録装置に含まれる磁気記録媒体の記録密度の増大が図られている。ビットパターンドメディア（ＢＰＭ）は、このような目的のもと開発された磁気記録媒体である。ＢＰＭでは、単一の磁性ドットが単一の記録単位として機能する。この磁性ドットが想定した位置からずれて存在すると、その磁性ドットに対する磁気記録再生ヘッドの正確なアクセスが阻害され、結果として、記録および再生のエラーにつながる。したがって、これらの磁性ドットが正確に配列していることが、ＢＰＭの性能において重要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１４２８９５号公報
【特許文献２】特開２００８−９０９５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
正確なドットパターンを有したインプリントモールドの製造方法、およびそれを利用した、正確なドットパターンを有した磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、基板上に、第１の壁面および第２の壁面を有するガイドであって、少なくとも一方の前記壁面と前記基板の露出した表面とによって規定される角度が１３１°以下であるガイドを複数形成し、前記第１の壁面、前記第２の壁面および前記基板表面によって規定されるガイド溝領域に、スフェアを形成して相分離する自己組織化材料を塗布し、前記自己組織化材料を自己組織化させてドットパターンを形成し、前記ドットパターンをマスクとして、前記基板をエッチングして前記ドットパターンを転写し、前記ドットパターンが転写された前記基板を型としてインプリントモールドを形成することを特徴とするインプリントモールドの製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に係る、第１のガイドスタンパの製造方法を示す図。
【図２】第１の実施形態に係る、インプリントモールドおよび磁気記録媒体の製造方法を示す図。
【図３】実施形態における、ガイドとスフェアとの位置関係を示す上面図および断面図。
【図４】ガイドの壁面の角度と形成されるスフェアの状態との関係を示す図。
【図５】第２の実施形態に係る、第２のガイドスタンパの製造方法を示す図。
【図６】第２の実施形態に係る、インプリントモールドおよび磁気記録媒体の製造方法を示す図。
【図７】ガイドの壁面の角度と形成されるスフェアの状態との関係を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
＜インプリントモールドの製造方法＞
以下に、第１の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法を説明する。
【０００８】
まず、図１に基づいて、第１の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において使用される第１のガイドスタンパ１５の製造方法について説明する。
【０００９】
図１（ａ）に示すように、シリコン基板１４上に、スパッタカーボン層１３およびシリコンマスク１２をこの順にスパッタリングした後、電子線レジスト１１を塗布する。
【００１０】
図１（ｂ）に示すように、電子線描画及び現像によって、電子線レジスト１１の一部を除去して、凹凸パターンを形成する。このパターンは、ガイドに対応する領域と、ガイド間の溝に対応する領域とから成る。
【００１１】
図１（ｃ）に示すように、凹凸パターンを形成した電子線レジスト１１をマスクとしてシリコンマスク１２をエッチングし、パターン凹部からスパッタカーボン層１３を露出させる。このとき、エッチングガスとしてＣＦ４を使用する。
【００１２】
図１（ｄ）に示すように、凹凸パターンを形成したシリコンマスク１２をマスクとしてスパッタカーボン層１３をエッチングする。エッチングガスとしてＡｒを使用する。このとき、スパッタカーボン層１３の凹部はテーパーをつけてエッチングされる。すなわち、
凹部は、下に向かってすぼむように形成される。図中、スパッタカーボン層１３の壁面と、シリコン基板１４の露出した表面とが成す角度が鈍角となっている。なお、第１の実施形態では、この角度は、スパッタカーボン層１３の凹部の左右においてほぼ同一となっている。
【００１３】
図１（ｅ）に示すように、スパッタカーボン層１３の凸部に残ったシリコンマスク１２を、ＣＦ４ガスを用いたエッチングによって除去する。
【００１４】
図１（ｆ）に示すように、スパッタカーボン層１３の凹凸パターンを型とする電鋳を行い、第１のガイドスタンパ１５を形成する。この第１のガイドスタンパ１５は、型として使用したスパッタカーボン層１３の凹凸パターンに対応した凹凸パターンを有している。したがって、第１のガイドスタンパ１５の凸部のテーパーは、左右でほぼ同一の角度となる。
【００１５】
以上のようにして、第１の実施形態に係る第１のガイドスタンパ１５が形成される。
【００１６】
次に、図２に基づいて、第１のガイドスタンパ１５を利用する第１の実施形態に係るインプリントモールド２３の製造方法を説明する。
【００１７】
図２（ａ）に示すように、シリコン基板２２上に、インプリントレジスト２１を塗布する。次に、上記の通り製造した第１のガイドスタンパ１５の凹凸パターンを、インプリントレジスト２１にインプリントする。すなわち、第１のガイドスタンパ１５の凹凸パターンを有した面を、インプリントレジスト２１の表面に押し当てる。
【００１８】
図２（ｂ）に示すように、押し当てていた第１のガイドスタンパ１５を取り除く。このとき、図示していないものの、インプリントレジスト２１に形成された凹部の底面には、インプリントレジスト２１の残渣が残る。この残渣をエッチングにより除去し、凹部にてシリコン基板２２の表面を露出させることでインプリントレジスト２１が分断され、ガイド２１ａが形成される。このガイド２１ａは、第１のガイドスタンパ１５に対応した形状を有している。すなわち、ガイド２１ａの壁面とシリコン基板の露出した表面とによって形成される角度θが鈍角となっている。具体的には、θは１３１°以下であり、好ましくは、θは１２０°以上且つ１３１°以下である。
【００１９】
ここで、単一のガイド２１ａを考えたとき、このガイド２１ａは一方の壁面（第１の壁面）の反対に他方の壁面（第２の壁面）を有する。また、隣り合って並ぶ２つのガイド２１ａを考えたとき、一方のガイド２１ａの壁面（第１の壁面）は、他方のガイド２１ａの壁面（第２の壁面）と向かい合う。このように、「ガイド２１ａが第１の壁面および第２の壁面を有する」との表現は、単一のガイド２１ａを想定する場合と、隣り合って並ぶ２つのガイド２１ａを想定する場合の両方を含むと解す。なお、図示されるように、第１の実施形態に係る製造方法では、シリコン基板２２の露出した表面とガイド２１ａの第１の壁面とによる角度と、シリコン基板２２の露出した表面とガイド２１ａの第２の壁面とによる角度とは、ほぼ同一である。
【００２０】
また、隣り合って並ぶ２つのガイド２１ａの壁面とシリコン基板２２の露出した表面とによって規定される溝状の領域は、「ガイド溝領域」と表現することができる。
【００２１】
図２（ｃ）に示すように、ガイド溝領域に自己組織化材料を塗布し、続いて自己組織化を誘導して、スフェア２７とマトリックス２８とに相分離させる。これらの工程は、例えば、ガイド溝領域に対して、ポリスチレン−ポリジメチルシロキサンジブロックコポリマー（ＰＳ−ＰＤＭＳ）（ＰＳの分子量：１１７００、ＰＤＭＳの分子量：２９００）溶液をスピンコートして塗布し、その後１８０℃でアニールすることで、ＰＤＭＳ（スフェア２７）とＰＳ（マトリックス２８）とに相分離させることで行われる。自己組織化材料としては、ＰＳ−ＰＤＭＳ以外にも、スフェア（球）を形成して相分離する材料を使用することができる。この工程において、スフェア２７は、互いに等間隔に離れた規則的な配列で、好ましくは１層で形成される。
【００２２】
図２（ｄ）および（ｅ）に示すように、相分離によって形成されたスフェア２７をマスクとしてシリコン基板２２をエッチングする。このとき、例えばＣＦ４をエッチングガスとして使用する。スフェア２７は等間隔の規則的なドットパターンを有して配列しているため、これをマスクとしてエッチングすることで、シリコン基板２２上に、等間隔の規則的なドットパターンに配列するシリコン基板ドット２２ａを形成することができる。
【００２３】
図２（ｆ）に示すように、ドットパターンが形成されたシリコン基板２２を型とする電鋳によって、インプリントモールド２３を形成する。これよって、インプリントモールド２３には、多数のドット状の凹部からなる、正確なドットパターンが形成される。
【００２４】
以上のようにして、第１の実施形態に係るインプリントモールド２３が形成される。
【００２５】
なお、図２（ａ）に示される第１のガイドスタンパ１５の凸部のテーパーの角度は、ガイド２１ａの角度θに正確に対応している必要はない。図２（ｂ）に示される工程を終えた段階で、ガイド２１ａに角度θが形成されていればよい。したがって、最終的にガイド２１ａの角度θを達成できるものであれば、第１のガイドスタンパ１５の凸部のテーパーの角度、および図１（ｄ）に示されるスパッタカーボン層１３の凹部の壁面とシリコン基板１４の表面とが作る角度は、限定されない。
【００２６】
また、図２（ｂ）に示されるような、シリコン基板２２上のガイド２１ａを形成する工程は、第１のガイドスタンパ１５を利用する場合に限定されない。例えば、インプリントレジスト２１に、ほぼ矩形の凹部を形成した後、壁面をミリング等によって削ることでθの角度を達成してもよい。その他、角度θを形成可能な技術を利用することができる。
【００２７】
＜磁気記録媒体の製造方法＞
以下に、図２に基づいて、本発明の実施形態に係るインプリントモールド２３を利用した磁気記録媒体の製造方法を説明する。
【００２８】
まず、図２（ｇ）に示すように、ガラス基板２６上に磁気記録層２５を成膜し、その上にインプリントレジスト２４を塗布する。
【００２９】
次に、この積層体に対し、上記のとおり作製したインプリントモールド２３のドットパターンをインプリントする。インプリントモールド２３のドットパターンを有した面を積層体のインプリントレジスト２４に押し当てることにより、インプリントレジスト２４にドットパターンが形成される。
【００３０】
図２（ｈ）に示すように、ドットパターンが形成されたインプリントレジストをミリングマスクとして用い、磁気記録層２５をミリング加工する。これによって、ガラス基板２６上に、正確に所望のパターンを成す磁性ドットが形成される。
【００３１】
その後、適宜、非磁性体の埋め込み、保護膜の形成等を行うことで、規則正しい磁性ドットパターンを有した磁気記録媒体を製造することができる。
【００３２】
＜ガイドの壁面の角度に関して＞
以下に、ガイド壁面の角度と、自己組織化材料によって作られるドットパターンとの関係を説明する。
【００３３】
図３（ａ）および（ｂ）は、実施形態に係る製造方法において、隣り合って並ぶ２つのガイド２１ａ、およびその間に形成されるスフェア２７を示す断面図である。この図ではスフェアとガイドとの位置関係を示すため、図２におけるマトリクス２８を省いて示してある。
【００３４】
図３に示されるように、実施形態に係る製造方法では、ガイド２１ａの壁面とシリコン基板２２の表面とから作られる角度θが、１３１°以下、好ましくは１２０°以上且つ１３１°以下となっている。図３（ａ）は、隣り合って並ぶ２つのガイド２１ａの間のガイド溝の幅がスフェア２７の配列に最適な場合を示している。また、図３（ｂ）のようにガイド溝の幅が最適値よりも狭くなった場合でも、スフェア２７が、ガイド２１ａの傾斜した壁面に乗り上げた状態で安定的に形成される。これにより、スフェア２７全体の配列も想定したパターンとなる。実施形態に係るガイド２１ａを使用することで、ガイド２１ａの寸法や形状が乱れた場合であっても、想定したドットパターンを正確に再現したインプリントモールド２３および磁気記録媒体を製造することができる。なお、図３（ａ）および（ｂ）では、それぞれのガイド２１ａのエッジ距離について、Ｌ１＞Ｌ２となっていることに基づいて、ガイド溝の幅が広い場合および狭い場合を表している。
【００３５】
図３（ｃ）及び（ｄ）でガイドの傾斜角θ１２０°より小さい場合を示すが、ガイド２１ａのエッジ距離についてＬ１＞Ｌ２となった場合、各スフェア２７間のピッチが狭まるか、または（ｄ）に示すように、ガイド内に整列するスフェアの数が、適正なピッチ間を有して整列する場合よりも少なくなる現象が生じ、所望のパターンが得られず欠陥が発生する場合がある。
【００３６】
次に、図４に基づいて、ガイド２１ａの壁面とシリコン基板２２の表面とから作られる角度θについて説明する。この図ではスフェアとガイドとの位置関係を示すため、図２におけるマトリクス２８を省いて示してある。
【００３７】
実施形態において、この角度θは１３１°以下である。この条件とすることで、図４（ｂ）に示されるように、ガイド２１ａ上におけるスフェア２７の形成を抑制することができる。図４（ａ）は、θが１３１°を超える場合を示しているが、ガイド２１ａ上にスフェア２７ａが形成されている。これは、θが大きすぎるため、スフェア２７ａが図４（ａ）に仮想的に示す自己組織化パターンの２層目スフェア２７ｂと同位置となり、ガイド溝内からガイド２１ａ上にスフェアが形成されてもエネルギー的なロスがないためである。言い換えれば、ガイド２１ａの傾斜が小さい（θが大きい）場合、スフェア２７ａが傾斜の途中で安定して形成できてしまうためである。
【００３８】
ガイド２１ａ上にスフェア２７ａが形成される場合と形成されない場合との境の角度が１３１°であることは、次のようにして導き出せる。
【００３９】
ガイド２１ａの壁面に沿って形成される２つのスフェア２７がエネルギー的に最も安定するのは、これらが六方格子の関係にある場合である。すなわち、ガイド２１ａの壁面の角度θが、そのような六方格子の形成を可能にする角度である場合、安定的にガイド２１ａ上にスフェア２７ａが形成される。一方、この角度より小さな角度では、六方格子の形成は、エネルギー的に安定しない。すなわち、境となる角度θとは、六方格子の形成を可能にする角度となる。
【００４０】
図４（ａ）において、シリコン基板２２の直上に形成されるスフェア２７の層を第１の層と考えたとき、ガイド２１ａ上のスフェア２７ａは第２の層として形成される。ガイド２１ａ壁面の角度θは、第１の層のスフェア２７と第２の層のスフェア２７ａとの位置関係に反映されるため、六方格子の形成を可能にする角度θは、六方格子の第の１層のスフェア２７と第２の層のスフェア２７ａとの関係を考えることで求められる。すなわち、ｔａｎ（１８０°−θ）＝２／√３との式を導くことができ、θは１３１°よりわずかに大きな角度となる。したがって、θが１３１°以下である場合に、ガイド２１ａ上におけるスフェア２７の形成を抑制することができる。
【００４１】
さらに、実施形態において、角度θは１２０°以上であることが好ましい。この条件とすることで、図４（ｂ）に示されるように、スフェア２７間のピッチを等間隔にすることができる。図４（ｃ）は、θが１２０°未満の場合を示しているが、ガイド２１ａに最も近いスフェア２７のガイドコーナー部において符号２８ａで示す部分のマトリクス成分が疎になりやすい。そのためガイド付近でのスフェア２７の配列にひずみが生じる。このひずみによって、ピッチの不均一が起こる。一方、このコーナーの角度が１２０°である場合、スフェア２７のひずみの発生は最小化される。したがって、θが１２０°以上である場合に、スフェア２７間のピッチを等間隔にすることができる。
【００４２】
なお、本明細書において、スフェア２７間、シリコン基板ドット２２ａ間および磁性ドット２５ａ間におけるドットピッチとは、いずれの場合も、スフェアまたはドットの中心間の距離を意味するものとする。
【００４３】
また、ガイド２１ａの壁面とシリコン基板２２の表面とから作られる角度θは、既知の方法によって測定することができ、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて断面を観察することで、角度θを求めることができる。
【００４４】
＜変形例＞
実施形態に係るインプリントモールドの製造方法および磁気記録媒体の製造方法は、第１の実施形態に限定されず、例えば、以下のような第２の実施形態を取り得る。
【００４５】
図５は、第２の実施形態に係るインプリントモールド２３の製造方法において使用される、第２のガイドスタンパ１６の製造方法を示す。
【００４６】
図５（ａ）から（ｄ）までの工程は、それぞれ第１のガイドスタンパ１５の製造方法における図１（ａ）から（ｄ）に示される工程と同様である。
【００４７】
図５（ｅ）に示されるように、スパッタカーボン層１３に形成された凹部の壁面の一方を加工し、例えば矩形に形成する。この加工は、例えば、積層体を傾けて、加工しようとする壁面に対してエッチングすることで行われる。これによって、スパッタカーボン層１３の凹部における向かい合う壁面の角度を異ならせた凹凸パターンが形成される。
【００４８】
図５（ｆ）および（ｇ）は、第１のガイドスタンパ１５の製造方法における図１（ｅ）および（ｆ）に示される工程とそれぞれ同様である。
【００４９】
図５に示される実施形態の製造方法によって、図５（ｇ）に示されるように、凹部の左右の壁面の角度が互いに異なる第２のガイドスタンパ１６が形成される。
【００５０】
図６は、第２のガイドスタンパ１６を用いて形成される、第２の実施形態に係るインプリントモールド２３の製造方法および磁気記録媒体の製造方法を示す。
【００５１】
図６（ａ）から（ｈ）の工程は、第１の実施形態に係る製造方法における図２（ａ）から（ｈ）とそれぞれ同様である。
【００５２】
ただし、図６（ｂ）に示されるように、第１の壁面とシリコン基板２２の露出表面とが成す角度θ１は、第２の壁面とシリコン基板２２の露出表面とが成す角度θ２と異なっており、図６（ｂ）では、θ２が１２０°以上且つ１３１°以下であるのに対し、θ１は直角に近い角度となっている。このように、一方の角度が１３１°以下、好ましくは１２０°以上且つ１３１°以下という条件を満たしていれば、他方の角度がその条件を満たしていなくとも、第１の実施態様に係るスタンパモールド２３または磁気記録媒体と同様に、正確なドットパターンを形成することができる。
【実施例】
【００５３】
＜実施例１＞
図１に示す方法によって、ガイド作製用の第１のガイドスタンパ１５を作製した。
【００５４】
図１（ａ）に示すように、シリコン基板１４上に４０ｎｍのスパッタカーボン層および５ｎｍのシリコンスパッタ膜を形成した。その上から電子線レジスト１１（日本ゼオン製ＺＥＰ）を塗布した。
【００５５】
図１（ｂ）に示すように、電子線レジスト１１に対して電子線描画及び現像を行い、所望のガイドパターンを形成した。
【００５６】
図１（ｃ）に示すように、パターンを形成した電子線レジスト１１をマスクとして、ＣＦ４ガスを用いて、シリコンハードマスク１２をエッチングした。これによって、シリコンハードマスク１２にパターンを転写した。
【００５７】
図１（ｄ）に示すように、パターンを形成したシリコンハードマスク１２をマスクとして、Ａｒイオンミリングによりスパッタカーボン層１３を加工した。これによって、角度１２０°のテーパーを有する溝を作製した。
【００５８】
図１（ｅ）に示すように、スパッタカーボン層１３上に残ったシリコンマスク１２を、ＣＦ４ガスを使用したエッチングによって除去した。
【００５９】
図１（ｆ）に示すように、スパッタカーボン層１３に形成されたガイドパターンを型として、ニッケル電鋳により凸部両サイドのエッジが１２０°である第１のガイドスタンパ１５を作製した。
【００６０】
＜変形例１＞
図５に示す方法によって、ガイド作製用の第２のガイドスタンパ１６を作製した。
【００６１】
図５（ａ）から（ｄ）までの工程は、実施例１の図１（ａ）から（ｄ）までの工程と同様に行い、スパッタカーボン層１３に、両テーパーの角度がともに１２０°である溝を形成した。
【００６２】
図５（ｅ）に示すように、基板角度を傾けてエッチングすることで、一方のテーパーの角度を１０５°とした。
【００６３】
図５（ｆ）に示すように、スパッタカーボン層１３上に残ったシリコンマスク１２を、ＣＦ４ガスを使用したエッチングによって除去した。
【００６４】
図５（ｇ）に示すように、スパッタカーボン層１３に形成されたガイドパターンを型として、ニッケル電鋳により凸部の一方の側のエッジが１２０°であり、他方の側のエッジが１０５°である第２のガイドスタンパ１６を作製した。
【００６５】
＜実施例２＞
図２（ａ）から（ｄ）に示す方法によって、ガイド２１ａを形成したシリコン基板２２上に自己組織化パターンを形成させた。
【００６６】
図２（ａ）に示すように、シリコン基板２２上にインプリントレジスト２１を塗布した。
【００６７】
図２（ｂ）に示すように、実施例１で作製した第１のガイドスタンパ１５を、インプリントレジスト２１に押し当てて、凹凸パターンを転写した。形成した凹部の底の幅を複数の点で測定したところ、９３ｎｍから８５ｎｍの間の値をとってバラツキが観察された。
【００６８】
図２（ｃ）および（ｄ）に示すように、作製したガイド間の溝に、ポリスチレン―ポリジメチルシロキサンジブロックコポリマー（ＰＳ−ＰＤＭＳ、ＰＳの分子量：１１７００、ＰＤＭＳの分子量：２９００）溶液をスピンコートにより塗布し、続いて１８０度でアニールすることで相分離を誘導し、スフェア２７を形成させた。形成されたスフェア２７のピッチを、複数のスフェア間で測定したところ、何れも１７ｎｍであった。
【００６９】
＜変形例２＞
図６（ａ）から（ｄ）に示す方法によって、ガイド２１ａを形成したシリコン基板２２上に自己組織化パターンを形成させた。
【００７０】
図６（ａ）に示すように、シリコン基板２２上にインプリントレジスト２１を塗布した。
【００７１】
図６（ｂ）に示すように、変形例１で作製した第２のガイドスタンパ１６を、インプリントレジスト２１に押し当てて、凹凸パターンを転写した。形成した凹部の底の幅を複数の点で測定したところ、９３ｎｍから８５ｎｍ間の値をとってバラツキが観察された。
【００７２】
図６（ｃ）および（ｄ）に示すように、作製したガイド間の溝に、ポリスチレン―ポリジメチルシロキサンジブロックコポリマー（ＰＳ−ＰＤＭＳ、ＰＳの分子量：１１７００、ＰＤＭＳの分子量：２９００）溶液をスピンコートにより塗布し、続いて１８０度でアニールすることで相分離を誘導し、スフェア２７を形成させた。形成されたスフェア２７のピッチを、複数のスフェア間で測定したところ、何れも１７ｎｍであった。
【００７３】
＜実施例３＞
図２（ｄ）から（ｈ）に示す方法によって、インプリントモールド２３および磁気記録媒体を製造した。
【００７４】
図２（ｄ）および（ｅ）に示すように、実施例２によって作製した自己組織化パターンをマスクとして、ＣＦ４ガスを用いて、シリコン基板２２をエッチングした。これによって、シリコン基板２２表面には、１７ｎｍのピッチでシリコン基板ドット２２ａが配列したパターンが形成された。
【００７５】
図２（ｆ）に示すように、パターンを形成したシリコン基板２２を型として、ニッケル電鋳によりインプリントモールド２３を形成した。
【００７６】
図２（ｇ）に示すように、ガラス基板２６上に、所望の磁気記録層２５を成膜し、さらにインプリントレジスト２４を塗布した。そこへ、インプリントモールド２３を押し当て、インプリントモールド２３のドットパターンを転写した。
【００７７】
図２（ｈ）に示すように、ドットパターンが転写されたインプリントレジスト２４をミリングマスクとして、磁気記録層２５をミリング加工することにより、ガラス基板２６上に磁性ドット２５ａが整列したドットパターンを作製した。
【００７８】
＜実施例４＞
ガイド２１ａの壁面とシリコン基板２２の露出した表面とによって規定される角度θが、スフェア２７間のピッチに与える影響、およびガイド２１ａ上のスフェア２７形成に与える影響を検討した。
【００７９】
図２（ｂ）に示されるような、シリコン基板２２上にガイド２１ａが形成された基板を作製した。このとき、θが１０５°、１２０°、１３５°または１５０°であり、ガイド幅（ガイド間の底部の距離）が８５ｎｍ、８８ｎｍまたは９３ｎｍである、計１２種を作製した。作製した基板に対し、自己組織化材料を塗布し、１８０°でアニールすることでスフェア２７を形成させた。
【００８０】
それぞれの基板について、ＳＥＭを用いて、複数のスフェア２７間のピッチを測定し、且つ、ガイド２１ａ上にスフェア２７が形成された面積を測定した。それぞれの基板ごとに、ピッチは平均値を求め、面積はガイド２１ａの全面積に対するその割合を求めた。その結果を図７のグラフにまとめた。図中、横軸は角度θを表し、左の縦軸はスフェア２７間のピッチ（ｎｍ）を表し、右の縦軸はガイド２１ａ上にスフェア２７が形成された面積の割合を表す。ピッチについては、１２種それぞれの値をプロットし、ガイド幅が同じプロット同士を曲線で結んだ。面積については、ガイド幅８５ｎｍでθの異なる基板ごとにガイド上に自己組織化パターンが占める平均を観察し、それらをプロットして曲線で結んだ。
【００８１】
ピッチに着目すると、ガイド幅が異なる３つの曲線は、θが小さい場合に分離し、θが大きくなると集束した。具体的には、θが１０５°のとき、ガイド幅の違いに応じて、ピッチは１７ｎｍから１９ｎｍの間の値をとった。一方、θが１２０°以上のとき、ガイド幅の違いにかかわらず、ピッチはほぼ１７ｎｍとなった。このことから、θを１２０°以上とすることで、ガイド幅にバラツキが生じたとしても、スフェア間のピッチを一定に保つことが出来ることがわかる。
【００８２】
面積に着目すると、θが大きくなるほど、ガイド２１ａ上で形成されるスフェアの面積が大きくなった。具体的には、１０５°および１２０°では１０％以下であるのに対し、θが１２０°を超えると急激に割合が増大し、１３４°では３０％付近に、１５０°では７０％付近にまで達した。このことから、θの値が小さいほど、ガイド２１ａ上でのスフェア２７の形成が抑制されることがわかる。
【００８３】
これらのピッチに関する結果と面積に関する結果とをまとめると、θが１２０°から１３５°の範囲にあるときに、ガイド幅のバラツキが生じた場合であってもスフェアのピッチを一定に保ち、且つガイド上でのスフェアの形成を一定のレベルに抑制して、自己組織化を誘導できることがわかる。
【符号の説明】
【００８４】
１１…電子線レジスト、１２…シリコンマスク、１３…スパッタカーボン層、１４…シリコン基板、１５…第１のガイドスタンパ、１６…第２のガイドスタンパ、２１…インプリントレジスト、２１ａ…ガイド、２２…シリコン基板、２２ａ…シリコン基板ドット、２３…インプリントモールド、２４…インプリントレジスト、２５…磁気記録層、２５ａ…磁性ドット、２６…ガラス基板、２７、２７ａ、２７ｂ…スフェア、２８、２８ａ…マトリックス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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