(57)【要約】【課題】高／低温環境下における電子部品の電気特性を確認する電気試験の測定精度を向上させる。【解決手段】ＱＦＰ（半導体装置）１を試験温度環境下に配置して電気的特性を確認する電気試験装置２０は、テストヘッド２１と、ＱＦＰ１を搭載するソケット２２と、表面２３ａにソケット搭載領域２３ｃを有するテスト基板（配線基板）２３と、内部空間２４ａの温度を試験温度に保持する恒温室２４と、を有している。ここで、テスト基板２３は、テストヘッド２１上に形成された隔壁２５によって囲まれ、給気経路および排気経路を備える中空空間２５ａを介して、裏面２３ｂがテストヘッド２１の上面２１ａと対向するように、テストヘッド２１上に固定され、隔壁２５は、テスト基板２３のソケット搭載領域２３ｃと重なる位置よりも外側に配置する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１端子を有する半導体装置を準備する工程と、
前記半導体装置を、加温された、あるいは冷却された試験温度環境下に配置して、前記半導体装置の電気的特性を確認する電気試験を行う工程と、を有し、
前記電気試験を行う工程で用いる電気試験装置は、
第１の面を有し、前記電気試験の動作を制御する制御回路が形成されたテストヘッドと、
前記半導体装置を配置する第１領域、前記半導体装置の前記第１端子と電気的に接続する第２端子、および前記第２端子と電気的に接続され、前記テストヘッドと電気的に接続する第３端子を有するソケットと、
表面、前記表面の反対側に位置する裏面、および前記表面に配置され、前記ソケットを搭載するソケット搭載領域を有し、前記裏面が前記テストヘッドの前記第１の面と対向するように、前記テストヘッド上に形成された隔壁によって囲まれ、給気経路および排気経路を備える中空空間を介して前記テストヘッド上に固定される配線基板と、
前記配線基板の前記ソケット搭載領域の周囲を囲んで配置される恒温室アダプタを密着させることにより密封される開口部を有し、内部空間の温度を前記試験温度に保持する恒温室と、を有し、
前記電気試験を行う工程は、
前記半導体装置の前記第１端子を、前記ソケットを介して前記配線基板および前記テストヘッドと電気的に接続する工程と、
前記半導体装置を前記恒温室の内部空間側に露出させた状態で、前記恒温室の前記開口部を密封し、加熱手段あるいは冷却手段により、前記恒温室の内部の温度を前記試験温度に保温する工程と、
前記半導体装置に通電し、前記半導体装置の電気特性を測定する工程と、を含み、
前記隔壁は、前記配線基板の前記ソケット搭載領域と重なる位置よりも外側に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記配線基板には、前記半導体装置と電気的に接続される導電経路のうち、信号電流が流れる導電経路におけるノイズを除去あるいは減衰させるための電子部品が実装されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記給気経路の前記中空空間側の端部には、開口部を有し、前記テストヘッドの前記第１の面において、前記ソケット搭載領域と重なる位置に形成される給気ノズルが配置され、
前記給気ノズルの開口部は、前記ソケット搭載領域に向くように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記電気試験を行う工程は、
冷却手段により前記恒温室内を冷却した低温環境において行う電気試験であって、
前記給気経路から前記中空空間に前記試験温度よりも露点が低いガスを供給した状態で、前記半導体装置の電気的特性を確認することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記電子部品は、前記隔壁よりも内側に実装されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記電子部品は、前記配線基板の前記裏面において、前記ソケット搭載領域と重なる領域内に実装されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項４において、
前記電子部品は、前記隔壁よりも外側に実装されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項４において、
前記配線基板は、前記テストヘッドに形成された回路と、前記第１の面上に配置されたコネクタ端子を介して電気的に接続され、
前記コネクタ端子は、前記隔壁よりも内側に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項４において、
前記配線基板は、前記テストヘッドに形成された回路と、前記第１の面上に配置されたコネクタ端子を介して電気的に接続され、
前記コネクタ端子は、前記隔壁よりも外側に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項３において、
前記電気試験を行う工程は、
加熱手段により前記恒温室内を加熱した高温環境において行う電気試験であって、
前記給気経路から前記中空空間に前記試験温度よりも温度が低いガスを供給した状態で、前記半導体装置の電気的特性を確認することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記電子部品は、前記隔壁よりも内側に実装されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記電子部品は、前記配線基板の前記裏面において、前記ソケット搭載領域と重なる領域内に実装されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０において、
前記電子部品は、前記隔壁よりも外側に実装されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０において、
前記配線基板は、前記テストヘッドに形成された回路と、前記第１の面上に配置されたコネクタ端子を介して電気的に接続され、
前記コネクタ端子は、前記隔壁よりも内側に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１０において、
前記配線基板は、前記テストヘッドに形成された回路と、前記第１の面上に配置されたコネクタ端子を介して電気的に接続され、
前記コネクタ端子は、前記隔壁よりも外側に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造技術に関し、特に高温環境、あるいは低温環境において、組み立てた半導体装置の電気的特性が要求仕様を満たしていることを確認する電気試験工程に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、組み立てた半導体装置が高温環境、あるいは低温環境において要求仕様を満たしていることを確認する電気試験工程がある。この電気試験工程として、半導体装置の電気特性を測定するための電子部品が実装されたパフォーマンスボードが取り付けられたテストヘッドを有する試験装置（テスタ）と、半導体装置を収納する恒温室とを準備して、恒温室内の半導体装置とパフォーマンスボードを、例えばケーブルを介して電気的に接続して電気試験を行う技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１４７０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体装置など、電子部品の品質に対する要求の厳格化に伴い、高／低温環境下における電子部品の電気試験要求が高まっている。このような温度環境を変化させて電気試験を行う試験装置においては、電気試験を行うための各種回路が形成された試験装置が試験環境温度に起因して破損する、あるいは測定精度が低下するのを防止する観点から、恒温室と試験装置の間を断熱する必要がある。
【０００５】
特に、低温環境試験時には、水滴の発生による電気試験への弊害（リーク・ショート発生）や試験装置への水滴の滴下による破損を防止するため、恒温室の外部を周囲雰囲気の露点温度より、高温に保ち、飽和水蒸気量を超えた水蒸気の凝縮による水滴の発生を抑制する必要があるので、より断熱を強化する必要がある。
【０００６】
このように、恒温室と試験装置の間を断熱する観点からは、前記特許文献１に記載されるように、恒温室に配置された半導体装置と、試験装置（パフォーマンスボード）との距離を離すことにより恒温室から試験装置への熱の伝搬距離を長くして、熱勾配を緩和することが有効である。
【０００７】
また、試験装置（パフォーマンスボードやテストヘッド）への水滴の滴下を防止する観点からは、半導体装置と試験装置（パフォーマンスボード）の間の空間をドライエアで満たすことで、結露を防止ないしは抑制することができる。
【０００８】
ところが、本願発明者がこの高／低温環境下における半導体装置（電子部品）の電気試験について検討した結果、以下に示す新たな課題を見出した。
【０００９】
すなわち、近年の半導体装置の高速化、高機能化に伴い、該電気試験の測定精度を向上させる必要がある。ところが、前記特許文献１のように、半導体装置（電子部品）が収納される恒温室と、信号電流などの試験電流を検出する試験装置（パフォーマンスボードやテストヘッド）の間の距離を長くすると、半導体装置と試験装置の間の伝送路（導電経路）距離が長くなるので、これに比例して試験電流を流す伝送路のインピーダンスが増大する。このように、試験電流を流す伝送路のインピーダンス成分の増大は、電気試験におけるノイズの原因となるため、測定精度が低下してしまう。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、高／低温環境下における電子部品の電気特性を確認する電気試験の測定精度を向上させる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１３】
すなわち、本発明の一つの実施の形態における半導体装置の製造方法は、
複数の第１端子を有する半導体装置を準備する工程と、
前記半導体装置を、加温されたあるいは冷却された試験温度環境下に配置して、前記半導体装置の電気的特性を確認する電気試験を行う工程と、を有し、
前記電気試験を行う工程で用いる電気試験装置は、
第１の面を有し、前記電気試験の動作を制御する制御回路が形成されたテストヘッドと、
前記半導体装置を配置する第１領域、前記半導体装置の前記第１端子と電気的に接続する第２端子、および前記第２端子と電気的に接続され、前記テストヘッドと電気的に接続する第３端子を有するソケットと、
表面、前記表面の反対側に位置する裏面、および前記表面に配置され、前記ソケットを搭載するソケット搭載領域を有し、前記裏面が前記テストヘッドの前記第１の面と対向するように、前記テストヘッド上に形成された隔壁によって囲まれ、給気経路および排気経路を備える中空空間を介して前記テストヘッド上に固定される配線基板と、
前記配線基板の前記ソケット搭載領域の周囲を囲んで配置される恒温室アダプタを密着させることにより密封される開口部を有し、内部空間の温度を前記試験温度に保持する恒温室と、を有し、
前記電気試験を行う工程は、
前記半導体装置の前記第１端子を、前記ソケットを介して前記配線基板および前記テストヘッドと電気的に接続する工程と、
前記半導体装置を前記恒温室の内部空間側に露出させた状態で、前記恒温室の前記開口部を密封し、加熱手段あるいは冷却手段により、前記恒温室の内部の温度を前記試験温度に保持する工程と、
前記半導体装置に通電し、前記半導体装置の電気特性を測定する工程と、を含み、
前記隔壁は、前記配線基板の前記ソケット搭載領域と重なる位置よりも外側に配置されているものである。
【発明の効果】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１５】
すなわち、高／低温環境下における電子部品の電気特性を確認する電気試験の測定精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の内部構造の概要を示す平面図である。
【図２】図２は図１に示す半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法において、リードフレームのタブ上に半導体チップを搭載した状態を示す要部拡大平面図である。
【図４】図３に示す半導体チップのパッド−リード間をワイヤボンディングした状態を示す要部拡大平面図である。
【図５】図４に示す半導体チップおよびワイヤを樹脂封止した状態を示す要部拡大平面図である。
【図６】本発明の実施の形態１の電気試験工程を行う電気試験装置の概要を模式的に示す説明図である。
【図７】図６に示す電気試験装置のテスト基板周辺を拡大して示す要部拡大断面図である。
【図８】図７に示すテストヘッドの上面側を示す要部拡大平面図である。
【図９】図７に示すテスト基板の裏面側を示す要部拡大平面図である。
【図１０】図７に示すテスト基板の表面側を示す要部拡大平面図である。
【図１１】図１０に示すテスト基板にソケットおよび恒温室アダプタを取り付けた状態を示す要部拡大平面図である。
【図１２】図１０に示すソケットに半導体装置を固定した状態を示す平面図である。
【図１３】図１２に示すＡ−Ａ線に沿った要部拡大断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２の電気試験装置のテスト基板周辺を拡大して示す要部拡大断面図である。
【図１５】図１４に示す電気試験装置のテストヘッドの上面側を示す要部拡大平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３の電気試験装置のテスト基板周辺を拡大して示す要部拡大断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態４の電気試験装置のテストヘッドの上面側を示す要部拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００１８】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケル・めっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００１９】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２１】
（実施の形態１）
＜半導体装置の構造概要＞
図１は、本実施の形態１の半導体装置の内部構造の概要を示す平面図、図２は図１に示す半導体装置の断面図である。なお、図１では、半導体装置内部の平面的配置を示すため、封止樹脂を透過した状態で示している。
【００２２】
図１および図２に示す本実施の形態のＱＦＰ１は、半導体チップ２が封止樹脂（封止体）６の内部に埋め込まれた半導体パッケージであり、ここでは、封止樹脂６から突出する外部端子である複数のアウタリード５ｂがガルウィング状に形成されたＱＦＰ（Quad Flat Package）１を一例として取り上げて説明する。
【００２３】
ＱＦＰ（半導体装置）１は、主面２ａ、主面２ａの反対側に位置する裏面２ｂ、および主面２ａ上に形成された複数のパッド（端子）２ｃを有する半導体チップ２を有している。半導体チップ２の主面２ａには、例えばトランジスタやダイオードなどの複数の半導体素子が形成され、この半導体素子は主面２ａ上に形成された複数のパッド２ｃに電気的に接続されている。半導体チップ２の主面２ａに構成される複数の半導体素子は、主面２ａに形成される図示しない配線を介して電気的に接続され、電気回路を構成する。本実施の形態では、例えば、１ＭＨｚ以上の高周波で動作する、所謂、高周波回路が形成されている。
【００２４】
また、ＱＦＰ１は、半導体チップ２を搭載するタブ（チップ搭載領域、ダイパッド）３、半導体チップ２の複数のパッド２ｃと複数のワイヤ（導電性部材）４を介してそれぞれ電気的に接続される複数のリード５、および半導体チップ２および複数のワイヤ４を封止する封止樹脂（封止体）６を有している。半導体チップ２は、タブ３上に搭載され、半導体チップ２の複数のパッド２ｃは、ワイヤ４を介して外部端子である複数のリード５とそれぞれ電気的に接続されている。また、半導体チップ２および複数のワイヤ４は、封止樹脂６により樹脂封止され、複数のリード５は、それぞれ一方の端部（インナリード５ａ）が封止樹脂６の内部に封止され、他方の端部（アウタリード５ｂ）は封止樹脂６の外部に配置されている。このアウタリード５ｂは、ＱＦＰ１の外部端子となっている。
【００２５】
近年の電子機器の高速化、高機能化に伴い、本実施の形態１で例示したＱＦＰ１のような半導体装置は様々な用途に用いられる。このため、半導体装置を動作させる環境も多様化しており、例えば、高温環境、あるいは低温環境においても正常に動作する半導体装置が要求されている。
【００２６】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、前記した高温環境、あるいは低温環境においても正常に動作する半導体装置を提供するために行う電気的試験を行う工程を中心に、ＱＦＰ１の製造方法について説明する。
【００２７】
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、複数の端子（リード）を有する半導体装置を準備する工程と、準備した半導体装置を常温（例えば２５℃）よりも高く加温された、あるいは常温よりも低く冷却された試験温度環境下に配置して、半導体装置の電気的特性を確認する電気試験を行う工程（以下、単に電気試験工程と記す）と、を有している。
【００２８】
半導体装置を準備する工程は、以下に限定されないが、図１に示すＱＦＰ１の製造工程を簡単に説明すると以下である。図３〜図５は、本実施の形態の半導体装置を準備する工程を示す要部拡大平面図であって、図３はリードフレームのタブ上に半導体チップを搭載した状態、図４は図３に示す半導体チップのパッド−リード間をワイヤボンディングした状態、図５は図４に示す半導体チップおよびワイヤを樹脂封止した状態を示している。
【００２９】
半導体装置を準備する工程では、以下のように図１および図２に示すＱＦＰ１を組み立てる。まず、図３に示すように基板であるリードフレーム１０および半導体チップ２を準備して、半導体チップ２をリードフレーム１０のタブ３に搭載する（ダイボンディング工程）。図３において、リードフレーム１０は、複数の製品形成領域１０ａを有し、各製品形成領域１０ａが一体に形成されている。また、各製品形成領域１０ａには、タブ３、リード５、吊りリード７、タイバー８がそれぞれ形成され、これらは一体に形成されている。詳しくは、タブ３は吊りリード７により支持されている。また、複数のリード５はタイバー８を介して接続され、一体に形成されている。本工程では、半導体チップ２の裏面をタブ３の上面と対向させた状態で、例えば、樹脂ペーストなどの接着材を介して、タブ３上に固定する。
【００３０】
次に、図４に示すように、半導体チップ２の主面２ａ上に形成された複数のパッド２ｃと、複数のリード５とを、それぞれワイヤ４を介して電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）。
【００３１】
次に図５に示すように、各製品形成領域１０ａに搭載された半導体チップ２および複数のワイヤ４を封止樹脂６により樹脂封止する（封止工程）。本工程では、リード５のタイバー８よりも内側の部分が封止樹脂６により封止され、タイバー８よりも外側の部分は封止樹脂６から露出した状態となる。
【００３２】
次に、リードフレーム１０に、例えば半田めっきを施し、図５に示す封止樹脂６から露出した領域に、半田からなる外装めっき層を形成する（めっき工程）。
【００３３】
次に、リードフレーム１０を切断して、図５に示す製品形成領域１０ａ毎に個片化する（個片化工程）。本工程では、吊りリード７の封止樹脂６から露出した領域、およびタイバー８が切断され、一体に形成されていたリード５は図１に示すようにそれぞれ個別に分割される。また、本工程では、図２に示すようにアウタリード５ｂに曲げ加工が施され、ＱＦＰ１を得る。
【００３４】
次に、電気試験工程について説明する。なお、半導体装置を組み立てた後に行う高温試験として、所謂、バーンインと呼ばれる加速試験があるが、このバーンインにおいて、導通試験など、簡易的な電気的検査を行う場合がある。しかし、このバーンインと本実施の形態の電気試験工程は区別される。すなわち、バーンインは、半導体装置の初期不良を温度と電圧により加速して検出し、除去するための工程であり、初期故障モード不良の最終検査での検出力を高めることを目的とする。このため、バーンインでは一般に、１２５℃程度の環境下で使用が予定される電圧よりも高い電圧を、数時間〜１０時間程度の間半導体装置に印加して行う。
【００３５】
一方、本実施の形態の電気試験工程は、半導体装置の仕様上要求される温度環境において、要求される電気特性が得られるか否かを確認することを目的とする機能テストを含んでいる。したがって、バーンインにおいて行う簡易的な電気的検査と比較すると、本実施の形態の電気試験工程では、測定精度を向上させる必要がある。
【００３６】
図６は、本実施の形態の電気試験工程を行う電気試験装置の概要を模式的に示す説明図、図７は図６に示す電気試験装置のテスト基板周辺を拡大して示す要部拡大断面図である。また、図８は図７に示すテストヘッドの上面側を示す要部拡大平面図、図９は、図７に示すテスト基板の裏面側を示す要部拡大平面図である。また、図１０は、図７に示すテスト基板の表面側を示す要部拡大平面図、図１１は、図１０に示すテスト基板にソケットおよび恒温室アダプタを取り付けた状態を示す要部拡大平面図である。また、図１２は、図１０に示すソケットに半導体装置を固定した状態を示す平面図、図１３は図１２に示すＡ−Ａ線に沿った要部拡大断面図である。なお、ソケット搭載領域と隔壁で囲まれた中空空間の平面的位置関係を判り易くするため、図１０および図１１では、隔壁２５の平面位置を点線で示している。
【００３７】
本実施の形態の電気試験工程で用いる電気試験装置２０は、電気試験の動作を制御する制御回路が形成されたテストヘッド２１と、ＱＦＰ１を固定するソケット２２と、テストヘッド２１上に固定されるテスト基板（配線基板、パフォーマンスボード）２３と、内部空間２４ａの温度を試験温度に保温する恒温室２４と、を有している。
【００３８】
図７に示すようにテストへッド２１は、テスト基板２３を搭載する側の面である上面２１ａを有し、上面２１ａ上には上面２１ａの一部を囲む隔壁２５が配置され、テスト基板２３は隔壁２５上に固定されている。テスト基板２３を固定する固定手段は特に限定されないが、本実施の形態では、図６に示すテストへッド２１側からテスト基板２３の方向に延在するボルト２９ａをテスト基板２３に形成された貫通孔に挿入し、これをナット２９ｂで締結することにより固定する例を示している。また、図８に示すように隔壁２５の周囲に複数の梁２９ｃを配置して、テスト基板２３の支持強度を補強している。このように、テスト基板２３は、隔壁２５上にしっかりと固定され、隔壁２５の上面とテスト基板２３の裏面２３ｂは密着している。テスト基板２３と隔壁２５の密着性を向上させる観点から、隔壁２５とテスト基板２３の裏面２３ｂの間に、樹脂などの弾性体を介在させることもできる。また、テスト基板２３は、テストヘッド２１の上面２１ａ上に配置された、コネクタ端子（端子）２８を介してテストヘッド２１に形成された回路と電気的に接続されている。また、隔壁２５で囲まれた領域は、テストヘッド２１の上面２１ａ、隔壁２５およびテスト基板２３の裏面２３ｂによって区画される中空空間２５ａとなっている。この隔壁２５が形成される領域および隔壁２５で囲まれた中空空間２５ａの詳細については、後述する。
【００３９】
テスト基板２３は、表面２３ａ、表面２３ａの反対側に位置する裏面２３ｂ、表面２３ａに配置されるソケット２２を搭載するソケット搭載領域２３ｃを有する配線基板である。また、表面２３ａには、ソケット搭載領域２３ｃの周囲を囲むように恒温室アダプタ２６が配置されている。表面２３ａおよび裏面２３ｂには、それぞれ複数の配線２３ｄからなる配線パターンが形成され、これら複数の配線２３ｄは、テスト基板２３の表面２３ａから裏面２３ｂまで貫通するスルーホールなどの伝送路を介して電気的に接続されている。また、テスト基板２３にはコンデンサやコイルなど、複数の電子部品２７が実装され、表面２３ａ側に搭載されたソケット２２と電気的に接続される複数の端子２３ｅと配線２３ｄを介して電気的に接続されている。本実施の形態では、複数の電子部品２７は裏面２３ｂに実装されている。また、テスト基板２３は、裏面２３ｂがテストヘッド２１の上面２１ａと対向するように、テストヘッド２１上に形成された隔壁２５によって囲まれる中空空間２５ａを介してテストヘッド２１上に固定されている。
【００４０】
また、ソケット２２は、ソケット２２の表面側に配置され、ＱＦＰ１を固定して保持する固定部（第１領域）２２ａ、ＱＦＰ１の複数のリード５と電気的に接続する端子２２ｂ、および端子２２ｂと電気的に接続され、テスト基板２３を介してテストヘッド２１と電気的に接続する端子２２ｃを有している。ＱＦＰ１を固定する手段は、特に限定されないが、例えば、図示しない押圧治具によりＱＦＰ１の上面側を固定部２２ａの方向に押圧することにより、固定することができる。固定部２２ａは、ソケット２２の上面に対して窪んでおり、この窪み部の側壁が、ＱＦＰ１の位置を所定の位置に合わせるガイド（位置決めガイド、誘い込みガイド）としての機能を有している。
【００４１】
また、本実施の形態では検査対象であるＱＦＰ１は、外部端子であるリード５が封止樹脂６の周囲に導出される半導体装置なので、ソケット２２の複数の端子２２ｂはリード５とそれぞれ接続するために、複数のリード５の配列と応じて固定部２２ａに並べて配置されている。本実施の形態では、端子２２ｂ、２２ｃとして、導電性材料からなる接触ピンをバネで接続対象物に押し当てることにより電気的接続を行う、所謂ポゴピン、あるいはポゴコンタクトと呼ばれる接触端子を用いている。
【００４２】
また、ソケット２２は、少なくとも測定対象となる半導体装置の品種変更に応じて、頻繁に着脱する必要がある。そこで、本実施の形態では、ソケット２２の着脱を容易にする観点から、テスト基板２３を厚さ方向に貫通する位置決め用の貫通孔２３ｆ（図９、図１０および図１３参照）を複数形成し、貫通孔２３ｆに位置決めピン２２ｄ（図１２および図１３参照）をそれぞれ挿入して締結することによりソケット２２を搭載している。なお、図１３では、貫通孔２３ｆをキャップ２３ｇで塞ぐ構成例を示している。
【００４３】
また、恒温室２４は、下面側に恒温室アダプタ２６を密着させることにより密封される開口部２４ｂを有し、ソケット２２を搭載した状態で、恒温室アダプタ２６を恒温室２４の下面側（例えば、図６に示すように恒温室２４の下壁）に密着させると、ソケット２２に固定されるＱＦＰ１が恒温室２４の密封された内部空間２４ａに曝露した状態となる。また、恒温室２４は、内部空間２４ａを試験温度に保温する加熱手段（例えばヒータ）または／および冷却手段（例えば、冷風給排気装置）を備え、内部空間２４ａを常温よりも高い、あるいは低い試験温度に保持する機構となっている。このため、内部空間２４ａに曝露したＱＦＰ１を試験温度において電気的試験に供することができる。
【００４４】
本実施の形態の電気試験工程では、まず、ＱＦＰ１の複数のリード５を、ソケット２２を介してテスト基板２３およびテストヘッド２１と電気的に接続する。本工程では、例えば、予めソケット２２の固定部２２ａにＱＦＰ１を搭載した状態で、ソケット搭載領域２３ｃに搭載することにより、電気的に接続する。あるいは、ソケット２２をソケット搭載領域２３ｃに搭載した後、ソケット２２の固定部２２ａにＱＦＰ１を搭載することもできる。ここで、予めソケット２２の固定部２２ａにＱＦＰ１を搭載した状態で、ソケット搭載領域２３ｃに搭載する場合、測定対象であるＱＦＰ１を交換する都度、ソケット２２をソケット搭載領域２３ｃから着脱する必要がある。このため、本実施の形態のように貫通孔２３ｆ（図９、図１０参照）に位置決めピン２２ｄ（図１３参照）をそれぞれ挿入して締結することによりソケット２２を搭載する構成は、ソケット２２の着脱を容易にし、電気試験工程の効率を向上させる観点から好ましい。
【００４５】
次に、ＱＦＰ１を恒温室２４の内部空間２４ａ側に露出させた状態で、恒温室２４の開口部２４ｂを塞ぎ、加熱手段あるいは冷却手段により、恒温室２４の内部の温度を試験温度とする。
【００４６】
次に、恒温室２４の内部を試験温度とした状態で、ＱＦＰ１に通電し、ＱＦＰ１の電気特性を測定する。測定項目としては、例えばＡＣタイミングテスト、アナログ精度テスト等が挙げられる。試験温度は、ＱＦＰ１の仕様により異なるが、例えば、低温の場合には、−５０℃、高温の場合には、１５０℃の環境で電気的試験を行う。
【００４７】
ここで、低温、あるいは高温環境で試験を行う場合、何ら対策を施さなければ、電気試験装置２０が、試験環境温度に起因して破損する、あるいは測定精度が低下する場合がある。例えば、高温環境で試験を行う場合、ＱＦＰ１とテストヘッド２１の間を電気的に接続する金属材料を介した熱伝導により、テスト基板２３に実装される電子部品２７やテストヘッド２１の回路が破損する場合がある。また、テスト基板２３やテストヘッド２１に形成される試験用の回路特性が高温により変化して測定精度が低下する原因となる。一方、低温環境で試験を行う場合、恒温室２４の内外の温度差が大きくなるため、恒温室２４の近傍に結露が生じ、試験用の回路の短絡や、水滴がテストヘッド２１に落下すると、電気試験装置２０の破損の原因となる。
【００４８】
この熱伝達による電気試験装置２０の破損や測定精度の低下を防止する観点からは、恒温室２４とテスト基板２３の距離を離し、恒温室２４からテスト基板２３への熱の伝搬距離を長くして、熱勾配を緩和することが好ましい。
【００４９】
しかし、恒温室２４からテスト基板２３までの距離を離すと、熱の伝搬距離のみでなく、信号電流など、試験電流の伝送距離も長くなる。この結果、ＱＦＰ１からテスト基板２３までのインピーダンスが上昇することとなる。本実施の形態の電気試験においては、信号電流の透過や反射、あるいはノイズ耐性の観点から、信号電流の伝送路のインピーダンスは、極力低く、所定の値（例えば５０Ω）となるように調整することが好ましい。インピーダンスを低く抑えることにより、信号電流の伝送路におけるインピーダンスのばらつきを抑制することができるので、測定精度を向上させることができる。また、インピーダンスを低く抑えることにより、伝送路の反射波の影響を低減することができるので、測定精度を向上させることができる。つまり、本実施の形態の電気試験工程において、ノイズの原因を低減することにより、測定精度を向上させることができる。
【００５０】
このように、測定精度を向上させる観点からは、ＱＦＰ１−テスト基板２３間の伝送距離を短くすることが好ましい。特に、ＱＦＰ１のように高周波回路が形成された半導体装置の電気試験においては、動作周波数が高くなる程、電気試験における処理速度も上昇するため、測定精度の向上が必要となる。
【００５１】
そこで、本実施の形態では、ＱＦＰ１が搭載されたソケット２２をテスト基板２３上に直接搭載することにより、ＱＦＰ１とテスト基板２３の伝送距離を短縮し、測定精度を向上させている。例えば、前記特許文献１に記載されるように、検査対象である半導体装置とパフォーマンスボードを離間して配置する電気試験装置と比較すると、測定精度を大幅に向上させることができる。
【００５２】
本実施の形態の電気試験装置２０のように、ＱＦＰ１とテスト基板２３の距離を近付けると、恒温室２４とテスト基板２３の距離も近付くこととなる。そこで、本実施の形態では、試験温度に起因する電気試験装置２０の破損や、測定精度の低下を以下により防止している。
【００５３】
すなわち、本実施の形態では、テスト基板２３は、裏面２３ｂがテストヘッド２１の上面２１ａと対向するように、テストヘッド２１上に形成された隔壁２５によって区画される中空空間２５ａを介してテストヘッド２１上に固定されている。この中空空間２５ａは、表面２３ａに配置されるソケット搭載領域２３ｃと（テスト基板２３の厚さ方向に）重なる位置に配置され、給気経路である給気ノズル２５ｂと排気経路である排気ノズル２５ｃを備えている。
【００５４】
電気試験装置２０は給気ノズル２５ｂおよび排気ノズル２５ｃを経由して、中空空間２５ａ内にガスを対流させることにより、試験温度に起因する電気試験装置２０の破損や、測定精度の低下を防止することができる。
【００５５】
例えば、恒温室２４内を加熱して常温よりも高い高温環境下で電気試験を行う場合、中空空間２５ａに試験温度よりも低い、常温（例えば２５℃）、あるいは常温よりも低い温度のガス（冷却ガス）を対流させることにより、熱交換を行い、テスト基板２３を裏面２３ｂ側から冷却することができる。熱交換により暖められたガスは、排気ノズル２５ｃから中空空間２５ａの外部に排出され、中空空間２５ａ内は、給気ノズル２５ｂから供給される冷却ガスで満たされる。このよう高温環境下で電気試験を行う際に、テスト基板２３を冷却することにより、試験用の回路の温度上昇を防止ないしは抑制することができるので、電気試験装置２０の破損や、測定精度の低下を防止することができる。
【００５６】
また例えば、恒温室２４内を冷却して常温よりも低い低温環境下で電気試験を行う場合、中空空間２５ａに露点が試験温度よりも低い（例えば試験温度が−５０℃の場合に−６０℃）ガス（乾燥ガス）を対流させる。これにより、テスト基板２３の中空空間２５ａと対向する領域では、結露の発生を防止することができる。したがって、試験用の回路の短絡や、水滴がテストヘッド２１に落下することによる電気試験装置２０の破損を防止することができる。なお、乾燥ガスを対流させる場合には、安全率を考慮して、露点温度を試験温度よりも１０℃程度低くすることが好ましい。
【００５７】
ところで、本願発明者の検討によれば、電気試験装置２０を用いて低温環境下で電気試験を行う場合、テスト基板２３の裏面２３ｂの内、ソケット搭載領域２３ｃと重なる領域の温度が最も低下することが判った。これは、ソケット２２に搭載されたＱＦＰ１とテスト基板２３との伝送距離を短縮する観点から、ソケット搭載領域２３ｃには十分な厚さの断熱材を配置することができないからである。また、本実施の形態のように、ソケット搭載領域２３ｃ内に、ソケット２２を締結するための貫通孔２３ｆを形成する場合、貫通孔２３ｆを経由して試験温度の熱（温熱あるいは冷熱）がテスト基板２３の裏面２３ｂ側に伝達される懸念がある。一方、ソケット搭載領域２３ｃ以外の部分は、例えば、恒温室２４の外壁に断熱材を配置することにより、外部への熱伝達を防止ないしは大幅に抑制することができる。本願発明者は、低温環境下での電気試験において、テスト基板２３の裏面２３ｂのソケット搭載領域２３ｃと重なる領域に特に結露が生じ易いという知見に基づいて、この現象を見出したので、低温環境下での電気試験の場合について説明したが、高温環境下での電気試験についても同様のことが言える。
【００５８】
つまり、本願発明者が検討の結果見出した上記知見から、テスト基板２３において、最も試験温度の影響（熱伝達による温度上昇、あるいは結露の発生）を受けやすいのは、ソケット搭載領域２３ｃと重なる領域であることが判った。このため、この領域に高温対策、あるいは結露対策を施すことにより、試験温度に起因する電気試験装置２０の破損や、測定精度の低下を防止ないしは抑制することができる。また、このように、テスト基板２３の裏面２３ｂ側に高温対策あるいは結露対策を施す場合、高温対策あるいは結露対策に必要なスペースを大幅に縮小することができる。この結果、ＱＦＰ１とテスト基板２３の伝送距離を短縮することができるので、測定精度を向上させることができる。
【００５９】
また、テスト基板２３の裏面２３ｂにおいて、ソケット搭載領域２３ｃと重なる領域を効率的に冷却する、あるいは結露を防止する観点から、給気ノズル２５ｂはテストヘッド２１の上面２１ａにおいて、当該領域（ソケット搭載領域２３ｃと重なる領域）と重なる位置に形成されている。また、給気ノズル２５ｂは、開口部が当該領域（ソケット搭載領域２３ｃと重なる領域）に向くように配置され、給気ノズル２５ｂから供給されるガス（冷却ガス、乾燥ガス）はテスト基板２３の裏面２３ｂのソケット搭載領域２３ｃと重なる領域に向かって供給される。これにより、最も試験温度の影響を受けやすい領域周辺を効率的に冷却する、あるいは結露を防止することができる。
【００６０】
また、テスト基板２３には、前記したようにコンデンサやコイルなど、電子部品２７が実装されているが、この電子部品２７は、ＱＦＰ１と電気的に接続される伝送路（導電経路）のうち、信号電流が流れる伝送路におけるノイズを除去あるいは減衰させるための部品である。電気試験工程におけるノイズは、例えば、電源ラインから侵入するノイズや、電気試験装置２０の内部で発生するノイズなどがあるが、これらのノイズを除去あるいは減衰させる観点からは、電子部品２７とＱＦＰ１の距離を近づけて配置することが好ましい。そこで、本実施の形態では、電子部品２７をテスト基板２３に実装することにより、電子部品２７とＱＦＰ１の伝送距離を近づけている。したがって、電気試験工程におけるノイズの影響を効率的に取り除き、測定精度を向上させることができる。本実施の形態では、電子部品２７の一例として、リード（端子）をスルーホールに挿入して、実装面の反対側から半田などの導電性接合材料で固定するピン挿入型電子部品を用いている。このため、電子部品２７のリードと、ソケット２２あるいは恒温室アダプタ２６との干渉を防止するため、電子部品２７は恒温室アダプタ２６の横（本実施の形態では裏面２３ｂ側）に実装している。
【００６１】
また、電子部品２７に対する試験温度の影響（温度上昇による誤作動や、結露による短絡など）を防止する観点からは、電子部品２７をテスト基板２３の裏面２３ｂ側の中空空間２５ａ内に実装することが好ましい。換言すれば、隔壁２５を電子部品２７よりも外側に配置することが好ましい。電子部品２７を冷却ガスあるいは乾燥ガスが滞留する中空空間２５ａ内に実装することにより、電子部品２７の温度上昇あるいは水滴の発生を抑制できるからである。
【００６２】
同様に、本実施の形態では、コネクタ端子２８に対する試験温度の影響（温度上昇による誤作動や、結露による短絡など）を防止する観点から、コネクタ端子２８を中空空間２５ａ内に配置している。換言すれば、隔壁２５をコネクタ端子２８よりも外側に配置している。これにより、コネクタ端子２８の冷却あるいは結露の抑制をすることができるので、テスト基板２３とテストヘッド２１の距離を短くすることができる。この結果、テスト基板２３と、テストヘッド２１に形成された回路の伝送距離を短くすることができるので、インピーダンスを低減し、測定精度を向上させることができる。なお、本実施の形態では、ソケット２２をテスト基板２３に直接搭載し、信号電流が流れる伝送路におけるノイズを除去あるいは減衰させる電子部品２７をテスト基板２３に実装することにより、測定精度を大幅に向上させることが可能となる。しかし、これに加えて、
テスト基板２３からテストヘッド２１までの伝送距離を短縮することにより、さらに測定精度を向上させることができる。
【００６３】
この電気試験が完了した後、良品と不良品の選別を行い、要求仕様を満足していることが確認された良品は、包装工程などの次工程に搬送され、その後出荷される。
【００６４】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、ノイズを除去あるいは減衰させる電子部品２７およびテスト基板２３とテストヘッド２１を電気的に接続するコネクタ端子２８を隔壁２５で囲まれる中空空間２５ａ内に配置する実施態様について説明した。本実施の形態２では、前記実施の形態１の変形例として、電子部品２７およびコネクタ端子２８を中空空間２５ａの外側に配置する実施態様について説明する。図１４は、本実施の形態２の電気試験装置のテスト基板周辺を拡大して示す要部拡大断面図である。また、図１５は、図１４に示す電気試験装置のテストヘッドの上面側を示す要部拡大平面図である。
【００６５】
図１４に示す電気試験装置３０と前記実施の形態１で説明した電気試験装置２０との相違点は、隔壁２５の位置および中空空間２５ａの範囲である。すなわち、本実施の形態２の電気試験装置３０では、隔壁２５が電子部品２７およびコネクタ端子２８よりも内側に配置されている。換言すれば、電子部品２７およびコネクタ端子２８は隔壁２５に囲まれる中空空間２５ａの外に配置されている。
【００６６】
前記実施の形態１で説明したように、本願発明者の検討によれば、試験温度の影響により、特に温度が上昇あるいは低下するのは、ソケット搭載領域２３ｃと重なる領域であり、この周辺の領域は、比較的試験温度の影響を受けにくい。したがって、少なくとも隔壁２５をソケット搭載領域２３ｃと重なる領域よりも外側に配置していれば、試験温度の影響（熱伝達による温度上昇、あるいは結露の発生）を抑制することができる。また、電気試験装置３０のように、中空空間２５ａの範囲（体積）を低減することにより、中空空間２５ａ内でのガス（冷却ガス、乾燥ガス）の流れを制御し易くなる。例えば、中空空間２５ａ内でのガスの滞留を防止することができるので、高温環境下で電気試験を行う際に、中空空間２５ａ内の温度上昇をより確実に抑制することができる。この結果、電気試験装置の破壊を防止する、あるいは測定精度を向上させる観点から特に重要な領域（すなわち、ソケット搭載領域２３ｃと重なる領域）において、高温対策あるいは結露対策を確実に行うことができる。
【００６７】
また、隔壁２５で囲む範囲を小さくすると、加工精度との関係で、隔壁２５に囲まれた中空空間２５ａの気密性を向上させることができる。このため、隔壁２５とテスト基板２３の隙間から、中空空間２５ａの外側に温熱あるいは冷熱が漏れることを防止することができる。
【００６８】
なお、電気試験装置３０では、排気ノズル２５ｃとコネクタ端子２８の干渉を防止するため、図１５に示すように排気ノズル２５ｃを隣り合う梁２９ｃの間に配置して、コネクタ端子２８を回避している。また、コネクタ端子２８との干渉を防止する観点からは、排気手段として、ノズルに換えて、隔壁２５に貫通孔（排気孔）を形成する方法を採用することもできる。
【００６９】
（実施の形態３）
前記実施の形態１では、ノイズを除去あるいは減衰させる電子部品２７として、リード（端子）をスルーホールに挿入して、実装面の反対側から半田などの導電性接合材料で固定するピン挿入型電子部品を用いた実施態様について説明した。このため、電気試験装置２０では、電子部品２７のリードと、ソケット２２あるいは恒温室アダプタ２６との干渉を防止するため、電子部品２７は恒温室アダプタ２６の横に実装している。
【００７０】
本実施の形態３では、テスト基板２３に形成されたランド（端子）の表面上に電子部品２７の端子を接合して実装する、所謂、面実装型の電子部品２７を用いる実施態様について説明する。図１６は、本実施の形態３の電気試験装置のテスト基板周辺を拡大して示す要部拡大断面図である。
【００７１】
図１６に示す電気試験装置３５と前記実施の形態１で説明した電気試験装置２０との相違点は、テスト基板２３の裏面２３ｂにおける電子部品２７を実装する平面位置である。すなわち、本実施の形態３の電気試験装置３５では、電子部品２７はテスト基板２３の裏面２３ｂにおいてソケット搭載領域２３ｃと重なる領域内に実装されている。電子部品２７をソケット搭載領域２３ｃと重なる領域内に実装すると、ＱＦＰ１と電子部品２７とを電気的に接続する伝送路の伝送距離は、前記実施の形態１で説明した電気試験装置２０と比較して、さらに短縮することができる。電子部品２７は、前記実施の形態１で説明したように、信号電流が流れる伝送路におけるノイズを除去あるいは減衰させるための部品（ノイズフィルタ部品）である。したがって、このノイズフィルタ部品から測定対象であるＱＦＰ１までの伝送距離を低減することにより、ノイズの除去あるいは減衰をさらに効果的に行うことが可能となり、測定精度を向上させることができる。
【００７２】
また、電子部品２７をソケット搭載領域２３ｃと重なる領域内に実装すると、隔壁２５で囲まれる中空空間２５ａの範囲を前記実施の形態１で説明した電気試験装置２０と比較して小さくすることができる。このため、前記実施の形態２で説明したように、中空空間２５ａ内でのガス（冷却ガス、乾燥ガス）の流れを制御し易くなる。また、加工精度との関係で、隔壁２５に囲まれた中空空間２５ａの気密性を向上させることができる。
【００７３】
ここで、本実施の形態３では、テスト基板２３の裏面２３ｂにランド（端子）２３ｈを形成し、ランド２３ｈ上に、例えばクリーム半田と呼ばれる半田（導電性接続材料）を介して電子部品２７の端子を接合している。このような実装方式は、面実装方式、あるいは表面実装方式と呼ばれ、面実装方式で実装する電子部品は面実装型電子部品と呼ばれる。ランド２３ｈとテスト基板２３の表面に形成された配線２３ｄとは、図示しないスルーホールなどの層間導電路を介して電気的に接続されている。
【００７４】
前記実施の形態１で説明した図７に示すピン挿入型の電子部品２７を用いる場合電子部品２７のリード（端子）の先端がテスト基板２３の表面２３ａ側に突出するので、ソケット搭載領域２３ｃと重なる領域内に実装するためには、テスト基板２３の表面２３ａにおけるソケット２２と電子部品２７のリード（端子）の干渉を防止する対策が必要となる。一方、面実装型電子部品の場合、電子部品２７の端子がテスト基板２３の表面２３ａ側に突出することなく実装できるので、容易にソケット搭載領域２３ｃと重なる領域内に実装することができる点で好ましい。
【００７５】
本実施の形態３において、電子部品２７を実装するソケット搭載領域２３ｃと重なる領域は、前記したように試験温度の影響により最も温度が高く、あるいは低くなり易い領域である。したがって、電子部品２７の温度変化に伴う測定精度の低下、あるいは結露による配線の短絡を防止する観点からは電子部品２７の雰囲気を確実に冷却ガスや乾燥ガス雰囲気とする必要がある。つまり、前記実施の形態１で説明したように、給気ノズル２５ｂはテストヘッド２１の上面２１ａにおいて、ソケット搭載領域２３ｃと重なる領域と重なる位置に形成し、給気ノズル２５ｂの開口部を当該領域に向けて配置することは、ソケット搭載領域２３ｃと重なる領域に搭載した電子部品２７に対する試験温度の影響を抑制する観点から本実施の形態３に適用して特に好適である。
【００７６】
（実施の形態４）
前記実施の形態１では、排気経路として隔壁２５の１カ所に排気経路を形成する実施態様について説明した。本実施の形態４では、隔壁２５の複数カ所に排気経路を形成する実施態様について説明する。図１７は、本実施の形態４の電気試験装置のテストヘッドの上面側を示す要部拡大平面図である。
【００７７】
図１７に示す電気試験装置３７と前記実施の形態１で説明した電気試験装置２０との相違点は、隔壁２５に形成する排気経路である排気ノズル２５ｃの数である。すなわち、
電気試験装置３７では、隔壁２５に複数（図１７では４個）の排気ノズル２５ｃが形成されている。
【００７８】
このように、隔壁２５で囲まれた中空空間２５ａに複数の排気経路を形成することにより、給気経路（給気ノズル２５ｂ）から供給されるガス（冷却ガス、乾燥ガス）が対流する方向が制御し易くなる。例えば、中空空間２５ａ内に配置される各部材の配置に応じて、排気ノズル２５ｃの位置や口径を調整することにより、ガスの滞留を抑制することができる。この結果、試験温度の影響により最も温度が高く、あるいは低くなり易い領域である、ソケット搭載領域と重なる領域における高温対策や結露対策を確実に行うことができる。
【００７９】
以上、本願発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００８０】
例えば、実施の形態１〜４では、電気試験の測定対象となる半導体装置の例としてＱＦＰ１を取り上げて説明したが、半導体装置の種類、形状はこれに限定されない。例えば、配線基板の表面上に半導体装置を搭載し、裏面側に複数の外部端子が形成された、所謂ＢＧＡ（Ball Grid Allay）あるいはＬＧＡ（Land Grid Allay）などの半導体装置（半導体パッケージ）に適用することもできる。
【００８１】
また、実施の形態１〜４では、給気経路および排気経路の例としてノズルを配設する例について説明したが、ノズルに換えて、貫通孔（給気孔あるいは排気孔）を形成する方法を採用することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明は、高温環境、あるいは低温環境において、使用される半導体装置に利用可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１  ＱＦＰ（半導体装置）
２  半導体チップ
２ａ  主面
２ｂ  裏面
２ｃ  パッド
３  タブ
４  ワイヤ
５  リード
５ａ  インナリード
５ｂ  アウタリード
６  封止樹脂、
７  吊りリード
８  タイバー
１０  リードフレーム
１０ａ  製品形成領域
２０、３０、３５、３７  電気試験装置
２１  テストヘッド
２１ａ  上面
２２  ソケット
２２ａ  固定部（第１領域）
２２ｂ、２２ｃ  端子
２２ｄ  位置決めピン
２３  テスト基板（パフォーマンスボード、配線基板）
２３ａ    表面
２３ｂ    裏面
２３ｃ  ソケット搭載領域
２３ｄ  配線
２３ｅ  端子
２３ｆ  貫通孔
２３ｇ  キャップ
２３ｈ  ランド
２４  恒温室
２４ａ  内部空間
２４ｂ  開口部
２５  隔壁
２５ａ  中空空間
２５ｂ  給気ノズル
２５ｃ  排気ノズル
２６  恒温室アダプタ、
２７  電子部品
２８  コネクタ端子
２９ａ  ボルト
２９ｂ  ナット
２９ｃ  梁
【図１】
2011033557.tif 000003
【図２】
2011033557.tif 000004
【図３】
2011033557.tif 000005
【図４】
2011033557.tif 000006
【図５】
2011033557.tif 000007
【図６】
2011033557.tif 000008
【図７】
2011033557.tif 000009
【図８】
2011033557.tif 000010
【図９】
2011033557.tif 000011
【図１０】
2011033557.tif 000012
【図１１】
2011033557.tif 000013
【図１２】
2011033557.tif 000014
【図１３】
2011033557.tif 000015
【図１４】
2011033557.tif 000016
【図１５】
2011033557.tif 000017
【図１６】
2011033557.tif 000018
【図１７】
2011033557.tif 000019