(57)【要約】【課題】搬送室の排気装置の排気能力に拘わらず、搬送室に接続可能な真空処理装置を提供する。【解決手段】処理室１がターボ分子ポンプ１１を含む排気装置５０によって排気され、搬送室３１がターボ分子ポンプ３７を含む排気装置７０によって排気されている状態で仕切弁２２を開けて基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する。また、搬送室３１がメカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６によって数Ｐａに排気されているとき、処理室１を排気装置５０によって排気しながら仕切弁２２を開けて基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、
第１の開閉弁を介して前記処理室の排気口に接続され、前記処理室の圧力が第１の圧力になるまで前記処理室内のガスを排気する第１の排気装置と、
第２の開閉弁を介して前記処理室の排気口に接続され、前記処理室の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力になるまで前記処理室内のガスを排気する第２の排気装置と、
前記処理室が接続される搬送室と前記処理室との間を仕切る仕切弁と前記第１および第２の開閉弁とを制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記処理室の圧力と前記搬送室の圧力との圧力差が前記仕切弁を開閉可能な圧力差になるように前記第１および第２の開閉弁を制御し、前記処理室の圧力と前記搬送室の圧力との圧力差が前記仕切弁を開閉可能な圧力差になると、前記仕切弁を開けるように前記仕切弁を制御し、前記仕切弁が開いた状態では前記搬送室および前記処理室のいずれか一方が排気されるようにまたは前記搬送室の圧力および前記処理室の圧力が前記第１の圧力または前記第２の圧力になるように前記第１および第２の開閉弁を制御し、前記仕切弁が閉じられた時点で前記処理室の圧力が前記処理室を前記第１の排気装置によって排気可能な圧力になるように前記第１および第２の開閉弁を制御し、前記処理室の圧力が前記第１の排気装置によって前記処理室を排気可能な圧力になると前記処理室を前記第１の排気装置によって排気するように前記第１および第２の開閉弁を制御する、真空処理装置。
【請求項２】
前記制御装置は、前記搬送室の圧力が前記第１の圧力になるまで前記搬送室内のガスを排気する排気装置が前記搬送室に接続されているとき、前記処理室内のガスを前記第１の排気装置によって排気するように前記第１および第２の開閉弁を制御し、前記処理室の圧力を前記第１の圧力に保持しながら前記仕切弁を開け、基板の前記処理室または前記搬送室への搬送が終了すると、前記仕切弁を閉じるように前記仕切弁を制御する、請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記搬送室の圧力が前記第２の圧力になるまで前記搬送室内のガスを排気する排気装置が前記搬送室に接続されているとき、前記処理室内のガスを前記第１の排気装置によって排気した後に前記第１の開閉弁を閉じ、前記第１の開閉弁が閉じると前記仕切弁を開け、基板が前記搬送室から前記処理室内に搬入された後または前記基板が前記処理室から前記搬送室内に搬入された後に前記仕切弁を閉じ、前記処理室内のガスを前記第１の排気装置によって排気するように前記第１の開閉弁と前記仕切弁とを制御する、請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記処理室へガスを供給するためのガス供給弁を更に備え、
前記制御装置は、前記搬送室の圧力が前記第２の圧力になるまで前記搬送室内のガスを排気する排気装置が前記搬送室に接続されているとき、前記処理室内のガスを前記第１の排気装置によって排気しながらガスを前記ガス供給弁を介して前記処理室内へ供給し、前記処理室内の圧力が前記搬送室の圧力と同程度になると前記第１の開閉弁を閉じ、かつ、前記第２の開閉弁を開けて前記処理室内のガスを前記第２の排気装置によって排気しながら前記仕切弁を開け、基板が前記搬送室から前記処理室内に搬入された後または前記基板が前記処理室から前記搬送室内に搬入された後に前記仕切弁を閉じるとともに前記第２の開閉弁を閉じ、かつ、前記処理室内のガスを前記第１の排気装置によって排気するように前記第１および第２の開閉弁と前記仕切弁と前記ガス供給弁とを制御する、請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記制御装置は、前記搬送室の圧力が前記第２の圧力になるまで前記搬送室内のガスを排気する排気装置が前記搬送室に接続されているとき、前記搬送室内にガスが導入され、前記搬送室の圧力が第３の圧力に設定された状態で前記仕切弁を開け、前記処理室の圧力が前記第２の圧力よりも高い第４の圧力になると前記第２の開閉弁を開けて前記処理室内のガスを前記第２の排気装置によって排気し、基板が前記搬送室から前記処理室内に搬入された後または前記基板が前記処理室から前記搬送室内に搬入された後に前記仕切弁を閉じるとともに前記第２の開閉弁を閉じ、前記第１の開閉弁を開けて前記処理室内のガスを前記第１の排気装置によって排気するように前記第１および第２の開閉弁と前記仕切弁とを制御する、請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記制御装置は、前記搬送室の圧力が前記第２の圧力になるまで前記搬送室内のガスを排気する排気装置が前記搬送室に接続されているとき、前記搬送室内にガスが導入され、前記搬送室の圧力が第３の圧力に設定された状態で前記仕切弁を開け、前記処理室の圧力が前記第２の圧力よりも高い第４の圧力になると前記第１の開閉弁または前記第２の開閉弁を開けて前記処理室内のガスを前記第１の排気装置または前記第２の排気装置によって排気し、基板が前記搬送室から前記処理室内に搬入された後または前記基板が前記処理室から前記搬送室内に搬入された後に前記仕切弁を閉じるとともに前記第１の開閉弁を開けて前記処理室内のガスを前記第１の排気装置によって排気するように前記第１および第２の開閉弁と前記仕切弁とを制御する、請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記制御装置は、前記第４の圧力が前記第１の排気装置を差動可能な臨界圧力以下であるとき、前記処理室の圧力が前記第４の圧力になると前記第１の開閉弁を開けて前記処理室内のガスを前記第１の排気装置によって排気するように前記第１の開閉弁を制御する、請求項６に記載の真空処理装置。
【請求項８】
前記制御装置は、前記第４の圧力が前記第１の排気装置を差動可能な基準圧力よりも高いとき、前記処理室の圧力が前記第４の圧力になると前記第２の開閉弁を開けて前記処理室内のガスを前記第２の排気装置によって排気するように前記第２の開閉弁を制御する、請求項６に記載の真空処理装置。
【請求項９】
前記処理室へガスを供給するためのガス供給弁を更に備え、
前記制御装置は、前記第１の開閉弁が閉じると、前記ガス供給弁を介してガスを前記処理室へ供給し、前記処理室の圧力が前記第４の圧力になると、前記第２の開閉弁を開けて前記処理室内のガスを前記第２の排気装置によって排気し、基板が前記搬送室から前記処理室内に搬入された後または前記基板が前記処理室から前記搬送室内に搬入された後に前記仕切弁を閉じるとともに前記ガス供給弁および前記第２の開閉弁を閉じ、前記第１の開閉弁を開けて前記処理室内のガスを前記第１の排気装置によって排気するように前記第１および第２の開閉弁と前記ガス供給弁とを制御する、請求項６に記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、真空処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、真空処理室内のプロセス雰囲気が真空搬送室に入ってくる確率を低くしてウェハを真空搬送室から真空処理室へ搬送する技術が知られている（特許文献１）。
【０００３】
また、搬送室の圧力と処理室の圧力とを調整し、処理室の圧力を所定の圧力に調整することが行なわれている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１４９９４８号公報
【特許文献２】特開２００８−７８１９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の真空処理装置においては、搬送室の排気装置がターボ分子ポンプを含む場合と、搬送室の排気装置がターボ分子ポンプを含まない場合とがある。また、処理室の排気装置は、通常、ターボ分子ポンプを含んでいる。従って、各種の処理が可能な処理室を搬送室に接続しようとした場合、搬送室の排気装置と処理室の排気装置との排気能力の違いによって処理室を搬送室に接続するのが困難な場合がある。
【０００６】
例えば、搬送室の排気装置がロータリーポンプのみからなり、処理室の排気装置がターボ分子ポンプを含む場合、搬送室と処理室との間のゲートバルブを開けて基板を搬送室から処理室へ搬送しようとすると、処理室の圧力がターボ分子ポンプの作動範囲よりも高くなり、ターボ分子ポンプが停止するという問題がある。また、ゲートバルブを開けた時点では、処理室の圧力は、搬送室の圧力よりも非常に低いので、ロータリーポンプのオイルが搬送室を介して処理室へ逆拡散するという問題がある。
【０００７】
そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、搬送室の排気装置の排気能力に拘わらず、搬送室に接続可能な真空処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の実施の形態によれば、真空処理装置は、処理室と、第１および第２の排気装置と、制御装置とを備える。第１の排気装置は、第１の開閉弁を介して処理室の排気口に接続され、処理室の圧力が第１の圧力になるまで処理室内のガスを排気する。第２の排気装置は、第２の開閉弁を介して処理室の排気口に接続され、処理室の圧力が第１の圧力よりも高い第２の圧力になるまで処理室内のガスを排気する。制御装置は、処理室が接続される搬送室と処理室との間を仕切る仕切弁と第１および第２の開閉弁とを制御する。そして、制御装置は、処理室の圧力と搬送室の圧力との圧力差が仕切弁を開閉可能な圧力差になるように第１および第２の開閉弁を制御し、処理室の圧力と搬送室の圧力との圧力差が仕切弁を開閉可能な圧力差になると、仕切弁を開けるように仕切弁を制御し仕切弁が開いた状態では搬送室および処理室のいずれか一方が排気されるようにまたは搬送室の圧力および処理室の圧力が第１の圧力または第２の圧力になるように第１および第２の開閉弁を制御し、仕切弁が閉じられた時点で処理室の圧力が処理室を第１の排気装置によって排気可能な圧力になるように第１および第２の開閉弁を制御し、処理室の圧力が第１の排気装置によって処理室を排気可能な圧力になると処理室を第１の排気装置によって排気するように第１および第２の開閉弁を制御する。
【発明の効果】
【０００９】
この発明の実施の形態による真空処理装置においては、搬送室の圧力に関係無く、仕切弁を開閉できるように処理室の圧力が調整されるとともに、仕切弁が開いた状態では搬送室の排気装置から処理室への逆拡散または処理室の排気装置から搬送室への逆拡散が防止され、仕切弁が閉じられた時点で処理室は第１の排気装置によって排気される。
【００１０】
従って、処理室の排気装置の排気能力に拘わらず、第１の排気装置の停止および搬送室または処理室の排気装置からの逆拡散を防止して搬送室に処理室を接続できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の実施の形態による真空処理装置の概略断面図である。
【図２】実施の形態１における搬送室と処理室との接続を示す模式図である。
【図３】基板を搬送室から処理室へ搬送する方法を説明するための実施の形態１におけるフローチャートである。
【図４】実施の形態２における搬送室と処理室との接続を示す模式図である。
【図５】基板を搬送室から処理室へ搬送する方法を説明するための実施の形態２におけるフローチャートである。
【図６】基板を搬送室から処理室へ搬送する方法を説明するための実施の形態３におけるフローチャートである。
【図７】実施の形態４における搬送室と処理室との接続を示す模式図である。
【図８】基板を搬送室から処理室へ搬送する方法を説明するための実施の形態４におけるフローチャートである。
【図９】実施の形態５における搬送室と処理室との接続を示す模式図である。
【図１０】基板を搬送室から処理室へ搬送する方法を説明するための実施の形態５におけるフローチャートである。
【図１１】基板を搬送室から処理室へ搬送する方法を説明するための実施の形態６におけるフローチャートである。
【図１２】マルチチャンバシステムの概略図である。
【図１３】図１２に示す真空装置の概略図である。
【図１４】この発明の実施の形態による他の真空処理装置の概略図である。
【図１５】図１４に示すアンテナおよび平板部材の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００１３】
図１は、この発明の実施の形態による真空処理装置の概略断面図である。図１を参照して、この発明の実施の形態による真空処理装置１００は、処理室１と、電極２と、ホルダー３と、ヒーター４と、圧力検出器５と、配管６，８，１０，１２，１４，１５，１７，１９と、ガス供給弁７と、開閉弁９，１３，１６と、ターボ分子ポンプ１１と、メカニカルブースタポンプ１８と、ロータリーポンプ２０と、制御装置２１と、仕切弁２２とを備える。
【００１４】
処理室１は、四角形の断面形状を有する。そして、処理室１は、搬入／搬出口１Ａと、排気口１Ｂとを含む。搬入／搬出口１Ａは、仕切弁２２に接している。電極２は、処理室１内に配置され、処理室１の天井１Ｃに固定される。
【００１５】
ホルダー３は、処理室１内に配置され、電極２に対向するように処理室１の底面１Ｄに固定される。ヒーター４は、ホルダー３内に配置される。
【００１６】
圧力検出器５は、例えば、ピラニーゲージからなる。そして、圧力検出器５は、例えば、処理室１の天井１Ｃに取り付けられる。
【００１７】
配管６は、一方端が処理室１の天井１Ｃに接続され、他方端がガスボンベ（図示せず）に接続される。
【００１８】
ガス供給弁７は、処理室１の近傍で配管６中に配置される。配管８は、一方端が処理室１の排気口１Ｂに接続され、他方端が開閉弁９に接続される。
【００１９】
開閉弁９は、配管８と配管１０との間に配置される。配管１０は、一方端が開閉弁９に接続され、他方端がターボ分子ポンプ１１に接続される。
【００２０】
ターボ分子ポンプ１１は、配管１０と配管１２との間に配置される。配管１２は、一方端がターボ分子ポンプ１１に接続され、他方端が開閉弁１３に接続される。
【００２１】
開閉弁１３は、配管１２と配管１４との間に配置される。配管１４は、一方端が開閉弁１３に接続され、他方端がメカニカルブースタポンプ１８に接続される。
【００２２】
配管１５は、一方端が配管８に接続され、他方端が開閉弁１６に接続される。開閉弁１６は、配管１５と配管１７との間に配置される。
【００２３】
配管１７は、一方端が開閉弁１６に接続され、他方端が配管１４に接続される。メカニカルブースタポンプ１８は、配管１４と配管１９との間に配置される。配管１９は、一方端がメカニカルブースタポンプ１８に接続され、他方端がロータリーポンプ２０に接続される。
【００２４】
仕切弁２２は、搬入／搬出口１Ａに接して配置される。
【００２５】
ホルダー３は、基板を支持する。ヒーター４は、制御装置２１からの制御に従って基板を所定の温度に加熱する。圧力検出器５は、処理室１内の圧力ＰＰＲＣを検出し、その検出した圧力ＰＰＲＣを制御装置２１へ出力する。
【００２６】
ガス供給弁７は、制御装置２１からの制御に従って開閉し、ガスボンベ（図示せず）から供給された窒素（Ｎ２）ガスを処理室１内に供給し、窒素ガスの処理室１内への供給を停止する。
【００２７】
開閉弁９，１３，１６は、制御装置２１からの制御に従って開閉する。ターボ分子ポンプ１１は、開閉弁９，１３が開けられると、排気口１Ｂを介して処理室１内のガスをメカニカルブースタポンプ１８へ排気する。そして、ターボ分子ポンプ１１は、処理室１の圧力ＰＰＲＣが１×１０−４Ｐａ以下の圧力になるまで処理室１内のガスを排気する。また、ターボ分子ポンプ１１は、数Ｐａ以下の圧力範囲において動作可能である。この数Ｐａは、ターボ分子ポンプ１１が動作可能な「臨界圧力ＰＣＲＴ」である。
【００２８】
メカニカルブースタポンプ１８は、開閉弁９，１３が閉じられ、開閉弁１６が開けられると、排気口１Ｂを介して処理室１内のガスをロータリーポンプ２０へ排気する。そして、メカニカルブースタポンプ１８は、処理室１の圧力ＰＰＲＣが数Ｐａ程度の圧力になるまで処理室１内のガスを開閉弁１６を介して排気する。
【００２９】
また、メカニカルブースタポンプ１８は、開閉弁１６が閉じられ、開閉弁９，１３が開けられると、ターボ分子ポンプ１１から排出されたガスをロータリーポンプ２０へ排気する。
【００３０】
ロータリーポンプ２０は、メカニカルブースタポンプ１８から排出されたガスを外部へ排出する。
【００３１】
制御装置２１は、圧力検出器５から圧力ＰＰＲＣを受ける。また、制御装置２１は、処理室１が仕切弁２２を介して接続される搬送室（図示せず）の圧力ＰＴＲＰを搬送室に設けられた圧力検出器（図示せず）から受ける。
【００３２】
そして、制御装置２１は、搬送室の排気装置の排気能力に関係無く、基板が搬送室と処理室１との間で搬送されるように、圧力ＰＰＲＣ，ＰＴＲＰに基づいて、後述する方法によって、ガス供給弁７、開閉弁９，１３，１６および仕切弁２２を制御する。
【００３３】
また、制御装置２１は、ホルダー３上に載せられた基板の温度を所定の温度に加熱するようにヒーター４を制御する。
【００３４】
更に、制御装置２１は、ターボ分子ポンプ１１、メカニカルブースタポンプ１８およびロータリーポンプ２０をオン／オフする。
【００３５】
処理室１内のガスを排気する方法について説明する。処理室１の圧力ＰＰＲＣは、最初、大気圧であるものとする。
【００３６】
処理室１内のガスを排気する動作が開始される前、制御装置２１は、開閉弁９，１３，１６を閉じた状態でロータリーポンプ２０をオンし、その後、メカニカルブースタポンプ１８をオンする。そして、制御装置２１は、開閉弁１３を開け、ターボ分子ポンプ１１をオンする。
【００３７】
その後、制御装置２１は、ターボ分子ポンプ１１の回転数が定常の回転数に達すると、開閉弁１３を閉じ、開閉弁１６を開ける。これによって、処理室１内のガスは、メカニカルブースタポンプ１８およびロータリーポンプ２０によって排気される。
【００３８】
そして、制御装置２１は、処理室１の圧力ＰＰＲＣが数Ｐａになると、開閉弁１６を閉じ、開閉弁９および開閉弁１３を開ける。これによって、処理室１内のガスは、ターボ分子ポンプ１１、メカニカルブースタポンプ１８およびロータリーポンプ２０によって排気され、処理室１の圧力ＰＰＲＣは、１×１０−４Ｐａ以下に到達する。
【００３９】
ターボ分子ポンプ１１、メカニカルブースタポンプ１８およびロータリーポンプ２０を用いて処理室１内のガスを排気した場合、処理室１の圧力ＰＰＲＣは、１×１０−４Ｐａ以下に到達するので、配管８、開閉弁９、配管１０、ターボ分子ポンプ１１、配管１２、開閉弁１３、配管１４、メカニカルブースタポンプ１８、配管１９およびロータリーポンプ２０は、排気装置５０を構成する。
【００４０】
また、メカニカルブースタポンプ１８およびロータリーポンプ２０を用いて処理室１内のガスを排気した場合、処理室１の圧力ＰＰＲＣは、数Ｐａ程度まで到達するので、配管８，１５、開閉弁１６、配管１４，１７、メカニカルブースタポンプ１８、配管１９およびロータリーポンプ２０は、排気装置６０を構成する。
【００４１】
真空処理装置１００は、プラズマによって基板上にアモルファスシリコン、アモルファスゲルマニウム、多結晶シリコンおよび多結晶ゲルマニウム等の各種の半導体薄膜を堆積する装置である。
【００４２】
また、真空処理装置１００は、プラズマによって基板上にシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜等の各種の絶縁膜を堆積する装置である。
【００４３】
更に、真空処理装置１００は、基板上に堆積された各種の半導体薄膜および絶縁膜等を各種のガスを用いてプラズマによってエッチングおよびクリーニングする装置である。
【００４４】
そして、処理室１内にプラズマを発生する高周波電源は、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を電極２とホルダー３との間に印加する。これによって、電極２とホルダー３との間の空間にプラズマが発生する。
【００４５】
また、各種の半導体薄膜または各種の絶縁膜が基板上に堆積される場合、シラン（ＳｉＨ４）およびゲルマン（ＧｅＨ４）等の各種の材料ガスが配管６およびガス供給弁７を介して処理室１内へ供給される。
【００４６】
更に、各種の半導体薄膜または各種の絶縁膜がエッチングまたはクリーニングされる場合、水素（Ｈ２）ガスおよびアルゴン（Ａｒ）ガス等の各種のガスが配管６およびガス供給弁７を介して処理室１内へ供給される。
【００４７】
なお、図１においては、図示されていないが、真空処理装置１００は、上述した高周波電源と、整合器とを備えている。整合器は、高周波電源と電極２との間に接続され、高周波電源から供給された高周波電力を反射波を抑制して電極２およびホルダー３間に印加する。
【００４８】
以下、搬送室の排気装置の排気能力に関係無く、基板を搬送室と処理室１との間で搬送する方法について説明する。
【００４９】
［実施の形態１］
図２は、実施の形態１における搬送室と処理室との接続を示す模式図である。図２を参照して、真空装置２００は、搬送室３１と、搬送装置３２と、圧力検出器３３と、配管３４,３６，３８，４０，４１，４３，４５，４８と、開閉弁３５，３９，４２と、ターボ分子ポンプ３７と、メカニカルブースタポンプ４４と、ロータリーポンプ４６と、搬入／搬出弁４７と、ガス供給弁４９と、制御装置５１とを備える。
【００５０】
搬送室３１は、四角形の断面形状を有し、搬入／搬出口３１Ａ，３１Ｃおよび排気口３１Ｂを含む。
【００５１】
搬送装置３２は、搬送室３１の底面３１Ｄに設置される。圧力検出器３３は、例えば、ピラニーゲージからなり、搬送室３１の天井３１Ｅに設置される。
【００５２】
配管３４は、一方端が搬送室３１の排気口３１Ｂに接続され、他方端が開閉弁３５に接続される。開閉弁３５は、配管３４と配管３６との間に配置される。
【００５３】
配管３６は、一方端が開閉弁３５に接続され、他方端がターボ分子ポンプ３７に接続される。ターボ分子ポンプ３７は、配管３６と配管３８との間に配置される。
【００５４】
配管３８は、一方端がターボ分子ポンプ３７に接続され、他方端が開閉弁３９に接続される。開閉弁３９は、配管３８と配管４０との間に配置される。
【００５５】
配管４０は、一方端が開閉弁３９に接続され、他方端がメカニカルブースタポンプ４４に接続される。
【００５６】
配管４１は、一方端が配管３４に接続され、他方端が開閉弁４２に接続される。開閉弁４２は、配管４１と配管４３との間に配置される。配管４３は、一方端が開閉弁４２に接続され、他方端が配管４０に接続される。
【００５７】
メカニカルブースタポンプ４４は、配管４０と配管４５との間に配置される。配管４５は、一方端がメカニカルブースタポンプ４４に接続され、他方端がロータリーポンプ４６に接続される。
【００５８】
搬入／搬出弁４７は、搬入／搬出口３１Ａに接して配置される。搬入／搬出口３１Ｃは、仕切弁２２に接して配置される。
【００５９】
配管４８は、一方端が搬送室３１の天井３１Ｅに接続され、他方端がガスボンベ（図示せず）に接続される。ガス供給弁４９は、搬送室３１の近くで配管４８中に設けられる。
【００６０】
搬送装置３２は、アーム３２１を有する。アーム３２１は、制御装置５１からの制御に従って、真空装置２００が設置された設置面の面内方向ＤＲ１に伸縮する。そして、アーム３２１は、搬入／搬出口３１Ａまで伸張し、基板が載せられると、面内方向ＤＲ１へ縮む。また、アーム３２１は、基板を載せた状態で搬入／搬出口３１Ａまで伸張し、操作者が基板をアーム３２１から取り除くと、面内方向ＤＲ１へ縮む。更に、アーム３２１は、基板を載せた状態で面内方向ＤＲ１へ伸長し、基板を処理室１のホルダー３上へ設置する。更に、アーム３２１は、処理室１のホルダー３上に載せられた基板を載せて面内方向ＤＲ１へ縮み、基板を処理室１から搬送室３１へ搬出する。
【００６１】
圧力検出器３３は、搬送室３１の圧力ＰＴＲＰを検出し、その検出した圧力ＰＴＲＰを制御装置２１，５１へ出力する。
【００６２】
制御装置５１は、ガス供給弁４９を開閉する。また、制御装置５１は、搬送装置３２のアーム３２１を伸縮させる。更に、制御装置５１は、開閉弁３５，３９，４２を開閉する。更に、制御装置５１は、ターボ分子ポンプ３７、メカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６をオン／オフする。更に、制御装置５１は、搬入／搬出弁４７を開閉する。
【００６３】
ターボ分子ポンプ３７、メカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６を用いて搬送室３１内のガスを排気した場合、搬送室３１の圧力ＰＴＲＰは、１×１０−４Ｐａ以下に到達するので、配管３４、開閉弁３５、配管３６、ターボ分子ポンプ３７、配管３８、開閉弁３９、配管４０、メカニカルブースタポンプ４４、配管４５およびロータリーポンプ４６は、排気装置７０を構成する。
【００６４】
また、メカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６を用いて搬送室３１内のガスを排気した場合、搬送室３１の圧力ＰＴＲＰは、数Ｐａ程度まで到達するので、配管３４，４１、開閉弁４２、配管４３，４０、メカニカルブースタポンプ４４、配管４５およびロータリーポンプ４６は、排気装置８０を構成する。
【００６５】
基板を搬送室３１へ搬入する方法について説明する。なお、ターボ分子ポンプ３７、メカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６がオンされ、開閉弁３５，４２が閉じられ、開閉弁３９が開けられていることを前提とする。
【００６６】
制御装置５１は、ガス供給弁４９を開ける。これによって、窒素ガスが配管４８およびガス供給弁４９を介して搬送室３１に導入される。
【００６７】
そして、制御装置５１は、圧力検出器３３から受けた圧力ＰＴＲＰが大気圧になると、搬入／搬出弁４７を開ける。その後、制御装置５１は、アーム３２１を搬入／搬出口３１Ａまで伸張する。引き続いて、制御装置５１は、基板がアーム３２１上に載せられると、アーム３２１を面内方向ＤＲ１へ縮ませる。そして、制御装置５１は、アーム３２１が元の位置まで縮むと、搬入／搬出弁４７を閉じ、その後、ガス供給弁４９を閉じる。これによって、基板は、搬送室３１に搬入される。
【００６８】
そうすると、制御装置５１は、開閉弁３９を閉じ、開閉弁４２を開ける。これによって、搬送室３１は、排気装置８０によって排気される。
【００６９】
そして、制御装置５１は、圧力検出器３３から受けた圧力ＰＴＲＰが臨界圧力ＰＣＲＴ以下になると、開閉弁４２を閉じ、開閉弁３５，３９を開ける。これによって、搬送室３１は、排気装置７０によって排気される。そして、搬送室３１は、１×１０−４Ｐａ以下の圧力に排気される。
【００７０】
次に、基板を搬送室３１から処理室１へ搬送する方法について説明する。図３は、基板を搬送室３１から処理室１へ搬送する方法を説明するための実施の形態１におけるフローチャートである。
【００７１】
なお、図３においては、搬入／搬出弁４７が開けられ、基板が搬送装置３２のアーム３２１上に載せられ、搬入／搬出弁４７が閉じられた状態であり、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気されていることを前提として基板を搬送室３１から処理室１へ搬送する方法を説明する。
【００７２】
図３を参照して、一連の動作が開始されると、真空装置２００の制御装置５１は、開閉弁３５，３９を閉じ、開閉弁４２を開ける。これによって、メカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６（＝排気装置８０）は、搬送室３１内のガスを排気する。その後、制御装置５１は、搬送室３１の圧力ＰＴＲＰが臨界圧力ＰＣＲＴ以下になると、開閉弁４２を閉じ、開閉弁３５，３９を開ける。これによって、ターボ分子ポンプ３７、メカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６（＝排気装置７０）は、搬送室３１内のガスを１×１０−４Ｐａ以下に排気する。即ち、制御装置５１は、搬送室１内のガスを１×１０−４Ｐａ以下に排気するように開閉弁３５，３９，４２を制御する（ステップＳ１）。
【００７３】
そして、搬送室３１は、排気装置７０によって排気され続ける（ステップＳ２）。
【００７４】
一方、真空処理装置１００の制御装置２１は、搬送室３１の圧力ＰＴＲＰおよび処理室１内の圧力ＰＰＲＣが１×１０−４Ｐａ以下になると、制御装置２１は、処理室１を排気装置５０によって排気しながら仕切弁２２を開ける（ステップＳ３）。
【００７５】
その後、制御装置５１は、仕切弁２２が開けられたことを示す信号ＯＰＥＮ１を制御装置２１から受けると、搬送装置３２のアーム３２１を面内方向ＤＲ１へ伸張し、基板を処理室１のホルダー３へ搬送する。即ち、処理室１を排気装置５０によって排気しながら基板を搬送室３１から処理室１へ搬入する（ステップＳ４）。
【００７６】
この場合、基板は、例えば、ガラス基板からなり、サイズは、例えば、０．７ｍｍ（厚み）×５５０ｍｍ×６５０ｍｍである。
【００７７】
制御装置５１は、基板が処理室１へ搬入されると、処理室１を排気装置５０によって排気しながらアーム３２１を搬送室３１へ戻す（ステップＳ５）。
【００７８】
そして、制御装置２１は、アーム３２１が元の位置に戻ったことを示す信号ＡＲＭを制御装置５１から受けると、処理室１を排気装置５０によって排気しながら仕切弁２２を閉じる（ステップＳ６）。これによって、一連の動作が終了する。
【００７９】
基板が処理室１へ搬送されると、制御装置２１は、処理室１を排気装置５０によって排気しながらシランガス等を配管６およびガス供給弁７を介して処理室１へ供給し、アモルファスシリコン等の半導体薄膜を基板上に堆積する。
【００８０】
そして、処理室１におけるプロセスが終了すると、基板は、図３に示すフローチャートに従って処理室１から搬送室３１へ搬送される。即ち、搬送室３１および処理室１をそれぞれ排気装置７０，５０によって排気しながら基板が処理室１から搬送室３１へ搬送される。
【００８１】
このように、実施の形態１においては、搬送室３１および処理室１をそれぞれターボ分子ポンプ３７，１１によって１×１０−４Ｐａ以下に排気しながら基板が搬送室３１と処理室１との間で搬送される。
【００８２】
従って、１×１０−４Ｐａ以下の圧力まで排気可能な排気装置７０が搬送室３１に接続されている場合、処理室１を搬送室３１に接続し、基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送できる。
【００８３】
また、基板の処理室１への搬送が完了した時点で、処理室１の圧力は、１×１０−４Ｐａ以下に保持されており、プロセスを直ちに開始できる。その結果、基板の搬送からプロセス開始までの時間を大幅に短縮でき、スループットを向上できる。
【００８４】
更に、基板を搬送室３１から処理室１へ搬送しているとき、搬送室３１および処理室１の圧力は、１×１０−４Ｐａ以下に保持されているので、搬送室３１と処理室１との間でガスの粘性流的な流れはなく、分子流のみである。その結果、搬送室３１から処理出１への不純物の持ち込み、および処理室１から搬送室３１への残留ガスの拡散を抑制できる。
【００８５】
更に、基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送するとき、搬送室３１および処理室１は、それぞれ、排気装置７０，５０によって排気されているので、排気装置５０または排気装置７０からのオイルの逆拡散を防止できる。
【００８６】
［実施の形態２］
図４は、実施の形態２における搬送室と処理室との接続を示す模式図である。図４を参照して、真空装置３００は、図２に示す真空装置２００の開閉弁３５，３９、配管３６，３８、およびターボ分子ポンプ３７を削除し、制御装置５１を制御装置５１Ａに代えたものであり、その他は、真空装置２００と同じである。
【００８７】
制御装置５１Ａは、図２に示す制御装置５１の機能のうち、開閉弁３５，３９を開閉する機能と、ターボ分子ポンプ３７をオン／オフする機能とを削除したものであり、その他、制御装置５１と同じ機能を果たす。
【００８８】
このように、実施の形態２においては、真空装置３００処理室３１は、メカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６（＝排気装置８０）によって排気される。そして、処理室１は、排気装置８０によって排気される搬送室３１に接続される。即ち、実施の形態２においては、処理室１は、数Ｐａ程度まで排気される搬送室３１に接続される。
【００８９】
図５は、基板を搬送室から処理室へ搬送する方法を説明するための実施の形態２におけるフローチャートである。
【００９０】
なお、図５においても、搬入／搬出弁４７が開けられ、基板が搬送装置３２のアーム３２１上に載せられ、搬入／搬出弁４７が閉じられた状態であり、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気されていることを前提として基板を搬送室３１から処理室１へ搬送する方法を説明する。
【００９１】
図５を参照して、一連の動作が開始されると、制御装置５１Ａは、開閉弁４２を開ける。これによって、メカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６（＝排気装置８０）は、搬送室３１内のガスを排気する。即ち、制御装置５１Ａは、搬送室１内のガスを数Ｐａ程度まで排気するように開閉弁４２を制御する（ステップＳ１１）。
【００９２】
そして、搬送室３１は、排気装置８０によって排気され続ける（ステップＳ１２）。
【００９３】
一方、真空処理装置２００の制御装置２１は、処理室１内の圧力ＰＰＲＣが１×１０−４Ｐａ以下になると、開閉弁９，１６を閉じる（ステップＳ１３）。
【００９４】
そして、制御装置２１は、仕切弁２２を開ける（ステップＳ１４）。この場合、搬送室３１と処理室１との圧力差は、数Ｐａ程度であるので、仕切弁２２を開けることができる。これによって、処理室１の圧力は、上昇し、搬送室３１の圧力は、若干低下する。
【００９５】
その後、制御装置５１Ａは、アーム３２１を面内方向ＤＲ１へ伸張させ、基板を処理室１のホルダー３上へ搬入する（ステップＳ１５）。そして、制御装置５１Ａは、アーム３２１を搬送室３１へ戻す（ステップＳ１６）。
【００９６】
その後、制御装置２１は、アーム３２１が元の位置へ戻ったことを示す信号ＡＲＭを制御装置５１Ａから受けると、仕切弁２２を閉じる（ステップＳ１７）。そして、制御装置２１は、開閉弁９を開ける（ステップＳ１８）。これによって、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気される。そして、一連の動作が終了する。
【００９７】
基板が処理室１へ搬入された時点においては、開閉弁９，１６は、閉じられており、処理室１の圧力は、数Ｐａ程度であり、臨界圧力ＰＣＲＴ以下であるので、制御装置２１は、開閉弁９を開け、排気装置５０によって処理室１を排気する。そして、処理室１の圧力が１×１０−４Ｐａ以下になると、プロセスが開始される。
【００９８】
そして、処理室１におけるプロセスが終了すると、排気装置５０によって処理室１を１×１０−４Ｐａ以下に排気した後、図５に示すフローチャートに従って基板を処理室１から搬送室３１へ搬出する。
【００９９】
このように、実施の形態２においては、搬送室３１の圧力を数Ｐａ程度に保持し、処理室１の圧力を１×１０−４Ｐａ以下に保持した状態で仕切弁２２を開けて搬送室３１および処理室１を排気装置８０によって排気しながら基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する。
【０１００】
従って、数Ｐａ程度までしか排気しない排気装置８０が搬送室３１に接続されている場合も、処理室１を搬送室３１に接続し、基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送できる。
【０１０１】
また、仕切弁２２を開ける直前では、処理室１の圧力は、搬送室３１の圧力よりも低いので、仕切弁２２を開けても、処理室１の残留ガスが搬送室３１へ拡散するのを抑制できる。
【０１０２】
更に、仕切弁２２を開けた状態では、開閉弁９，１６が閉じられているので、処理室１の圧力が搬送室３１の圧力よりも低くても、排気装置８０のオイルが処理室１へ逆拡散するのを防止できる。
【０１０３】
更に、仕切弁２２が閉じられる直前では、処理室１の圧力ＰＰＲＣは、数Ｐａ程度であるので、仕切弁２２が閉じられると、開閉弁９を直ちに開けて処理室１を排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気できる。その結果、制御装置２１は、仕切弁２２が閉じられた時点で処理室１の圧力が排気装置５０によって排気可能な圧力になるように開閉弁９，１６を制御することになる。
【０１０４】
［実施の形態３］
実施の形態３においても、真空処理装置１００は、真空装置３００に接続される。
【０１０５】
図６は、基板を搬送室から処理室へ搬送する方法を説明するための実施の形態３におけるフローチャートである。
【０１０６】
なお、図６においても、搬入／搬出弁４７が開けられ、基板が搬送装置３２のアーム３２１上に載せられ、搬入／搬出弁４７が閉じられた状態であり、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気されていることを前提として基板を搬送室３１から処理室１へ搬送する方法を説明する。
【０１０７】
図６を参照して、一連の動作が開始されると、制御装置５１Ａは、開閉弁４２を開ける。これによって、メカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６（排気装置８０）は、搬送室３１内のガスを排気する。即ち、制御装置５１Ａは、搬送室３１内のガスを数Ｐａ程度まで排気するように開閉弁４２を制御する（ステップＳ２１）。
【０１０８】
そして、搬送室３１は、排気装置８０によって排気され続ける（ステップＳ２２）。
【０１０９】
一方、真空処理装置１００の制御装置２１は、処理室１内の圧力ＰＰＲＣが１×１０−４Ｐａ以下になると、開閉弁９，１３を閉じる（ステップＳ２３）。
【０１１０】
そして、制御装置２１は、ガス供給弁７を開け、配管６およびガス供給弁７を介して窒素ガスを処理室１へ導入する（ステップＳ２４）。
【０１１１】
その後、制御装置２１は、処理室１の圧力ＰＰＲＣが数Ｐａになると、開閉弁１６を開ける（ステップＳ２５）。これによって、処理室１は、排気装置６０によって排気される。
【０１１２】
そうすると、制御装置２１は、仕切弁２２を開ける（ステップＳ２６）。そして、制御装置５１Ａは、仕切弁２２が開けられたことを示す信号ＯＰＥＮ１を制御装置２１から受けると、アーム３２１を面内方向ＤＲ１へ伸張し、基板を搬送室３１から処理室１へ搬入する（ステップＳ２７）。
【０１１３】
その後、制御装置５１Ａは、アーム３２１を搬送室３１へ戻す（ステップＳ２８）。そして、制御装置２１は、アーム３２１が元の位置に戻ったことを示す信号ＡＲＭを制御装置５１Ａから受けると、仕切弁２２を閉じる（ステップＳ２９）。
【０１１４】
そして、制御装置２１は、ガス供給弁７を閉じ、その後、開閉弁１６を閉じ、開閉弁９，１３を開ける（ステップＳ３０）。これによって、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気される。そして、一連の動作が終了する。
【０１１５】
処理室１が１×１０−４Ｐａ以下に排気されると、処理室１におけるプロセスが開始される。その後、処理室１におけるプロセスが終了すると、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気される。
【０１１６】
そうすると、基板は、図６に示すフローチャートに従って処理室１から搬送室３１へ搬出される。
【０１１７】
このように、実施の形態３においては、処理室１に窒素ガスを導入し、搬送室３１の圧力と処理室１の圧力とを同程度（＝数Ｐａ程度）に保持して基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する。
【０１１８】
従って、数Ｐａ程度までしか排気しない排気装置８０が搬送室３１に接続されている場合も、処理室１を搬送室３１に接続し、基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送できる。
【０１１９】
また、処理室１に窒素ガスを導入し、排気装置６０によって処理室１を排気しながら基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送するので、処理室１の残留ガスが搬送室３１へ拡散するのを抑制できる。
【０１２０】
更に、仕切弁２２が閉じられる直前では、処理室１の圧力ＰＰＲＣは、数Ｐａ程度であるので、仕切弁２２が閉じられると、開閉弁９を直ちに開けて処理室１を排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気できる。その結果、制御装置２１は、仕切弁２２が閉じられた時点で処理室１の圧力が排気装置５０によって排気可能な圧力になるように開閉弁９，１６を制御することになる。
【０１２１】
［実施の形態４］
図７は、実施の形態４における搬送室と処理室との接続を示す模式図である。図７を参照して、真空装置４００は、図４に示す真空装置３００の制御装置５１Ａを制御装置５１Ｂに代えたものであり、その他は、真空装置３００と同じである。
【０１２２】
制御装置５１Ｂは、圧力検出器３３から受けた圧力ＰＴＲＰが数Ｐａになると、ガス供給弁４９を開ける。
【０１２３】
また、制御装置５１Ｂは、仕切弁２２を閉じたことを示す信号ＣＬＳ１を制御装置２１から受けると、開閉弁４２を開ける。
【０１２４】
制御装置５１Ｂは、その他、制御装置５１Ａと同じ機能を果たす。
【０１２５】
なお、実施の形態４においては、制御装置２１は、仕切弁２２を閉めると、信号ＣＬＳ１を生成して制御装置５１Ｂへ出力する。
【０１２６】
図８は、基板を搬送室から処理室へ搬送する方法を説明するための実施の形態４におけるフローチャートである。
【０１２７】
なお、図８においても、搬入／搬出弁４７が開けられ、基板が搬送装置３２のアーム３２１上に載せられ、搬入／搬出弁４７が閉じられた状態であり、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気されていることを前提として基板を搬送室３１から処理室１へ搬送する方法を説明する。
【０１２８】
図８を参照して、一連の動作が開始されると、制御装置５１Ｂは、開閉弁４２を開ける。これによって、メカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６（＝排気装置８０）は、搬送室３１内のガスを排気する。即ち、制御装置５１Ｂは、搬送室３１内のガスを数Ｐａ程度まで排気するように開閉弁４２を制御する（ステップＳ４１）。
【０１２９】
その後、制御装置５１Ｂは、搬送室３１の圧力ＰＴＲＰが数Ｐａ程度になると、ガス供給弁４９を開け、１〜１０リットル／分の流量で窒素ガスを搬送室３１へ導入する（ステップＳ４２）。
【０１３０】
そして、搬送室３１は、圧力が１〜１００Ｐａになるように排気装置８０によって排気される（ステップＳ４３）。
【０１３１】
一方、真空処理装置１００の制御装置２１は、処理室１内の圧力ＰＰＲＣが１×１０−４Ｐａ以下になると、開閉弁９，１３を閉じる（ステップＳ４４）。
【０１３２】
そして、制御装置２１は、仕切弁２２を開ける（ステップＳ４５）。この場合、搬送室３１と処理室１との間の圧力差は、１００Ｐａ以下であるので、仕切弁２２を開けることができる。
【０１３３】
その後、制御装置２１は、圧力検出器５から受けた圧力ＰＰＲＣが１０Ｐａ程度になると、開閉弁１６を開ける（ステップＳ４６）。これによって、処理室１は、排気装置６０によって排気される。
【０１３４】
そして、制御装置５１Ｂは、仕切弁２２が開けられたことを示す信号ＯＰＥＮ１を制御装置２１から受けると、アーム３２１を面内方向ＤＲ１へ伸張し、基板を搬送室３１から処理室１へ搬入する（ステップＳ４７）。
【０１３５】
その後、制御装置５１Ｂは、アーム３２１を搬送室３１に戻す（ステップＳ４８）。
【０１３６】
そして、制御装置２１は、アーム３２１が元の位置へ戻ったことを示す信号ＡＲＭを制御装置５１Ｂから受けると、仕切弁２２を閉じ（ステップＳ４９）、信号ＣＬＳ１を生成して制御装置５１Ｂへ出力する。
【０１３７】
そして、制御装置２１は、開閉弁１６を閉じ、開閉弁９，１３を開ける（ステップＳ５０）。これによって、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気される。
【０１３８】
真空装置４００の制御装置５１Ｂは、制御装置２１から信号ＣＬＳ１を受けると、ガス供給弁４９を閉じ、その後、開閉弁４２を開ける（ステップＳ５１）。これによって、搬送室３１は、排気装置８０によって排気される。そして、一連の動作が終了する。
【０１３９】
処理室１が１×１０−４Ｐａ以下に排気されると、処理室１におけるプロセスが開始される。その後、処理室１におけるプロセスが終了すると、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気される。
【０１４０】
そうすると、基板は、図８に示すフローチャートに従って処理室１から搬送室３１へ搬出される。
【０１４１】
このように、実施の形態４においては、搬送室３１に窒素ガスを導入し、搬送室３１を排気装置８０によって排気し、処理室１を排気装置６０によって排気しながら基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する。
【０１４２】
従って、搬送室３１が数Ｐａ程度までしか排気されない場合も、処理室１を搬送室３１に接続し、基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送できる。
【０１４３】
また、搬送室３１に窒素ガスを導入し、搬送室３１および処理室１をそれぞれ排気装置８０，６０によって排気しながら基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送するので、処理室１の残留ガスが搬送室３１へ拡散するのを抑制できる。
【０１４４】
更に、仕切弁２２が開けられ、基板が搬送室３１と処理室１との間で搬送されるとき、搬送室３１および処理室１は、それぞれ、排気装置８０，６０によって排気されているので、排気装置８０，６０のオイルが逆拡散するのを防止できる。
【０１４５】
更に、仕切弁２２が閉じられる直前では、処理室１の圧力ＰＰＲＣは、数Ｐａであるので、仕切弁２２が閉じられると、開閉弁９を直ちに開け、処理室１を排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気できる。その結果、制御装置２１は、仕切弁２２が閉じられた時点で処理室１の圧力が排気装置５０によって排気可能な圧力になるように開閉弁９，１６を制御することになる。
【０１４６】
［実施の形態５］
図９は、実施の形態５における搬送室と処理室との接続を示す模式図である。図９を参照して、真空装置５００は、図７に示す真空装置４００の制御装置５１Ｂを制御装置５１Ｃに代えたものであり、その他は、真空装置４００と同じである。
【０１４７】
制御装置５１Ｃは、開閉弁４２を閉めると、開閉弁４２を閉めたことを示す信号ＣＬＳ２を生成して制御装置２１へ出力する。制御装置５１Ｃは、その他、制御装置５１Ｂと同じ機能を果たす。
【０１４８】
実施の形態５においても、処理室１は、数Ｐａまでしか排気しない排気装置８０が接続された搬送室３１に接続される。
【０１４９】
図１０は、基板を搬送室から処理室へ搬送する方法を説明するための実施の形態５におけるフローチャートである。
【０１５０】
なお、図１０においても、搬入／搬出弁４７が開けられ、基板が搬送装置３２のアーム３２１上に載せられ、搬入／搬出弁４７が閉じられた状態であり、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気されていることを前提として基板を搬送室３１から処理室１へ搬送する方法を説明する。
【０１５１】
図１０を参照して、一連の動作が開始されると、制御装置５１Ｃは、開閉弁４２を開ける。これによって、メカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６（―排気装置８０）は、搬送室３１内のガスを排気する。即ち、制御装置５１Ｃは、搬送室３１内のガスを数Ｐａ程度まで排気するように開閉弁４２を制御する（ステップＳ６１）。
【０１５２】
その後、制御装置５１Ｃは、搬送室３１の圧力ＰＴＲＰが数Ｐａ程度になると、ガス供給弁４９を開け、１〜１０リットル／分の流量で窒素ガスを搬送室３１へ導入する（ステップＳ６２）。
【０１５３】
そして、搬送室３１は、圧力が１〜１００Ｐａになるように排気装置８０によって排気される（ステップＳ６３）。
【０１５４】
その後、制御装置５１Ｃは、搬送室３１の圧力ＰＴＲＰが１〜１００Ｐａになると、開閉弁４２を閉じ（ステップＳ６４）、開閉弁４２を閉じたことを示す信号ＣＬＳ２を生成して制御装置２１へ出力する。
【０１５５】
一方、真空処理装置１００の制御装置２１は、処理室１内の圧力ＰＰＲＣが１×１０−４Ｐａ以下になると、開閉弁９，１３を閉じる（ステップＳ６５）。
【０１５６】
そして、制御装置２１は、信号ＣＬＳ２を制御装置５１Ｃから受けると、仕切弁２２を開ける（ステップＳ６６）。この場合、搬送室３１と処理室１との圧力差は、１００Ｐａ以下であるので、仕切弁２２を開けることができる。
【０１５７】
その後、制御装置２１は、処理室１の圧力ＰＰＲＣが１０Ｐａ程度になると、開閉弁１６を開ける（ステップＳ６７）。これによって、搬送室３１に導入された窒素ガスは、処理室１を介して排気装置６０によって排気される。
【０１５８】
そして、制御装置２１は、処理室１の圧力ＰＰＲＣが臨界圧力ＰＣＲＴ以下であるか否かを判定する（ステップＳ６８）。
【０１５９】
ステップＳ６８において、圧力ＰＰＲＣが臨界圧力ＰＣＲＴ以下であると判定されたとき、制御装置２１は、開閉弁１６を閉じ、開閉弁９，１３を開ける（ステップＳ６９）。これによって、処理室１は、排気装置５０によって排気される。
【０１６０】
そして、制御装置５１Ｃは、開閉弁９，１３が開けられたことを示す信号ＯＰＥＮ２を制御装置２１から受けると、アーム３２１を面内方向ＤＲ１へ伸張し、基板を搬送室３１から処理室１へ搬入する（ステップＳ７０）。その後、制御装置５１Ｃは、アーム３２１を搬送室３１へ戻す（ステップＳ７１）。
【０１６１】
そして、制御装置２１は、アーム３２１が元の位置に戻ったことを示す信号ＡＲＭを制御装置５１Ｃから受けると、仕切弁２２を閉じ（ステップＳ７２）、仕切弁２２を閉じたことを示す信号ＣＬＳ１を生成して制御装置５１Ｃへ出力する。
【０１６２】
一方、ステップＳ６８において、圧力ＰＰＲＣが臨界圧力ＰＣＲＴよりも高いと判定されたとき、制御装置５１Ｃは、圧力ＰＰＲＣが臨界圧力ＰＣＲＴよりも高いことを示す信号ＨＰを制御装置２１から受けると、アーム３２１を面内方向ＤＲ１へ伸張し、基板を搬送室３１から処理室１へ搬入する（ステップＳ７３）。
【０１６３】
そして、制御装置５１Ｃは、アーム３２１を搬送室３１へ戻す（ステップＳ７４）。
【０１６４】
その後、制御装置２１は、アーム３２１が元に戻ったことを示す信号ＡＲＭを制御装置５１Ｃから受けると、仕切弁２２を閉じ（ステップＳ７５）、仕切弁２２を閉じたことを示す信号ＣＬＳ１を生成して制御装置５１Ｃへ出力する。
【０１６５】
そして、制御装置２１は、開閉弁１６を閉じ、開閉弁９，１３を開ける（ステップＳ７６）。これによって、処理室１は、排気装置５０によって排気される。
【０１６６】
一方、真空装置４００の制御装置５１Ｃは、制御装置２１から信号ＣＬＳ１を受けると、ガス供給弁４９を閉じ、その後、開閉弁４２を開ける（ステップＳ７７）。これによって、搬送室３１は、排気装置８０によって排気される。
【０１６７】
そして、ステップＳ７３，Ｓ７８の後、またはステップＳ７７，Ｓ７８の後、一連の動作は、終了する。
【０１６８】
ステップＳ７０〜ステップＳ７３の経路は、処理室１を排気装置５０によって排気しながら基板を搬送室３１から処理室１へ搬送する経路である。また、ステップＳ７４〜ステップＳ７７の経路は、処理室１を排気装置６０によって排気しながら基板を搬送室３１から処理室１へ搬送する経路である。
【０１６９】
このように、実施の形態５においては、搬送室３１に導入する窒素ガスの流量が処理室１の圧力をターボ分子ポンプ１１が動作する臨界圧力ＰＣＲＴ以下の圧力に設定する流量であれば、処理室１をターボ分子ポンプ１１を含む排気装置５０によって排気しながら基板を搬送室３１から処理室１へ搬送する（ステップＳ７０〜ステップＳ７３参照）。
【０１７０】
また、実施の形態５においては、搬送室３１に導入する窒素ガスの流量が処理室１の圧力をターボ分子ポンプ１１が動作する臨界圧力ＰＣＲＴよりも高い圧力に設定する流量であれば、処理室１をメカニカルブースタポンプ１８を含む排気装置６０によって排気しながら基板を搬送室３１から処理室１へ搬送する（ステップＳ７４〜ステップＳ７７参照）。
【０１７１】
基板の処理室１への搬送が終了すると、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気され、処理室１におけるプロセスが開始される。その後、処理室１におけるプロセスが終了すると、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気される。
【０１７２】
そうすると、基板は、図９に示すフローチャートに従って処理室１から搬送室３１へ搬出される。
【０１７３】
このように、実施の形態５においては、搬送室３１から処理室１へ窒素ガスを導入し、搬送室３１および処理室１を排気装置５０または排気装置６０によって排気しながら基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する。
【０１７４】
従って、搬送室３１が数Ｐａ程度までしか排気されない場合も、処理室１を搬送室３１に接続し、基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送できる。
【０１７５】
また、搬送室３１に窒素ガスを導入し、搬送室３１および処理室１を排気装置５０または排気装置６０によって排気しながら基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送するので、処理室１の残留ガスが搬送室３１へ拡散するのを抑制できる。
【０１７６】
更に、仕切弁２２が閉じられる直前では、処理室１の圧力ＰＰＲＣは、数Ｐａまたは１×１０−４Ｐａ以下であるので、仕切弁２２が閉じられると、直ちに、処理室１を排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気できる。その結果、制御装置２１は、仕切弁２２が閉じられた時点で処理室１の圧力が排気装置５０によって排気可能な圧力になるように開閉弁９，１６を制御することになる。
【０１７７】
［実施の形態６］
実施の形態６においても、真空処理装置１００の処理室１は、真空装置５００の搬送室３１に接続される。
【０１７８】
図１１は、基板を搬送室から処理室へ搬送する方法を説明するための実施の形態６におけるフローチャートである。
【０１７９】
なお、図１１においても、搬入／搬出弁４７が開けられ、基板が搬送装置３２のアーム３２１上に載せられ、搬入／搬出弁４７が閉じられた状態であり、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気されていることを前提として基板を搬送室３１から処理室１へ搬送する方法を説明する。
【０１８０】
図１１を参照して、一連の動作が開始されると、制御装置５１Ｃは、開閉弁４２を開ける。これによって、メカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６（＝排気装置８０）は、搬送室３１内のガスを排気する。即ち、制御装置５１Ｃは、搬送室３１内のガスを数Ｐａ程度まで排気するように開閉弁４２を制御する（ステップＳ８１）。
【０１８１】
その後、制御装置５１Ｃは、搬送室３１の圧力ＰＴＲＰが数Ｐａ程度になると、ガス供給弁４９を開け、１〜１０リットル／分の流量で窒素ガスを搬送室３１へ導入する（ステップＳ８２）。
【０１８２】
そして、搬送室３１は、圧力が１〜１００Ｐａになるように排気装置８０によって排気される（ステップＳ８３）。
【０１８３】
その後、制御装置５１Ｃは、搬送室３１の圧力ＰＴＲＰが１〜１００Ｐａになると、開閉弁４２を閉じ（ステップＳ６４）、開閉弁４２を閉じたことを示す信号ＣＬＳ２を生成して制御装置２１へ出力する。
【０１８４】
一方、真空処理装置１００の制御装置２１は、処理室１内の圧力ＰＰＲＣが１×１０−４Ｐａ以下になると、開閉弁９，１３を閉じる（ステップＳ８５）。
【０１８５】
そして、制御装置２１は、ガス供給弁７を開け、窒素ガスを処理室１へ導入する（ステップＳ８６）。
【０１８６】
その後、制御装置２１は、処理室１の圧力ＰＰＲＣが１０Ｐａ程度になると、開閉弁１６を開ける（ステップＳ８７）。これによって、処理室１は、排気装置６０によって排気される。
【０１８７】
その後、制御装置２１は、処理室１の圧力ＰＰＲＣと搬送室３１の圧力ＰＴＲＰとの圧力差が数Ｐａ程度になると、仕切弁２２を開ける（ステップＳ８８）。この場合、搬送室３１と処理室１との圧力差は、数Ｐａ程度であるので、仕切弁２２を開けることができる。
【０１８８】
そして、制御装置５１Ｃは、仕切弁２２が開けられたことを示す信号ＯＰＥＮ１を制御装置２１から受けると、アーム３２１を面内方向ＤＲ１へ伸張し、基板を搬送室３１から処理室１へ搬入する（ステップＳ８９）。その後、制御装置５１Ｃは、アーム３２１を搬送室３１へ戻す（ステップＳ９０）。
【０１８９】
そして、制御装置２１は、アーム３２１が元の位置に戻ったことを示す信号ＡＲＭを制御装置５１Ｃから受けると、仕切弁２２を閉じ（ステップＳ９１）、仕切弁２２を閉じたことを示す信号ＣＬＳ１を生成して制御装置５１Ｃへ出力する。
【０１９０】
そして、制御装置２１は、ガス供給弁７を閉じ、その後、開閉弁１６を閉じ、開閉弁９，１３を開ける（ステップＳ９２）。これによって、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気される。
【０１９１】
一方、真空装置４００の制御装置５１Ｃは、制御装置２１から信号ＣＬＳ１を受けると、ガス供給弁４９を閉じ、開閉弁４２を開ける（ステップＳ９３）。これによって、搬送室３１は、排気装置８０によって排気される。
【０１９２】
基板の処理室１への搬送が終了すると、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気され、処理室１におけるプロセスが開始される。その後、処理室１におけるプロセスが終了すると、処理室１は、排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気される。
【０１９３】
そうすると、基板は、図１１に示すフローチャートに従って処理室１から搬送室３１へ搬出される。
【０１９４】
このように、実施の形態６においては、搬送室３１および処理室１へ窒素ガスを導入し、搬送室３１の圧力ＰＴＲＰと処理室１の圧力ＰＰＲＣとの圧力差が数Ｐａ程度になった状態で基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する。
【０１９５】
従って、搬送室３１が数Ｐａ程度までしか排気されない場合も、処理室１を搬送室３１に接続し、基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送できる。
【０１９６】
また、搬送室３１から処理室１への方向の力が仕切弁２２に印加されるのが抑制される。その結果、仕切弁２２の寿命を長くできる。
【０１９７】
更に、搬送室３１および処理室１に窒素ガスを導入し、搬送室３１および処理室１を排気装置６０によって排気しながら基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送するので、処理室１の残留ガスが搬送室３１へ拡散するのを抑制できる。
【０１９８】
更に、仕切弁２２が閉じられる直前では、処理室１の圧力ＰＰＲＣは、数Ｐａ程度であるので、仕切弁２２が閉じられると、開閉弁９を直ちに開け、処理室１を排気装置５０によって１×１０−４Ｐａ以下に排気できる。その結果、制御装置２１は、仕切弁２２が閉じられた時点で処理室１の圧力が排気装置５０によって排気可能な圧力になるように開閉弁９，１６を制御することになる。
【０１９９】
なお、図１１においては、窒素ガスを処理室１に流した状態で基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送すると説明したが、実施の形態６においては、これに限らず、仕切弁２２を開けた後、窒素ガスを停止した状態で基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送するようにしてもよい。
【０２００】
この場合、搬送室３１に導入された窒素ガスを処理室１の排気装置６０によって排気しながら基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送するので、処理室１の残留ガスが搬送室３１へ拡散するのを抑制できる。
【０２０１】
図１２は、マルチチャンバシステムの概略図である。図１２を参照して、マルチチャンバシステム１０００は、真空装置１０１０，１０２０と、真空処理装置１０３０，１０４０，１０５０，１０６０とを備える。
【０２０２】
真空装置１０２０は、真空装置２００，３００，４００，５００のいずれかからなる。従って、真空装置１０２０は、ターボ分子ポンプ３７、メカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６を含む排気装置７０、またはメカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６を含む排気装置８０によって排気される真空装置である。
【０２０３】
真空処理装置１０３０，１０４０，１０５０，１０６０の各々は、真空処理装置１００からなる。従って、真空処理装置１０３０，１０４０，１０５０，１０６０の各々は、ターボ分子ポンプ１１、メカニカルブースタポンプ１８およびロータリーポンプ２０を含む排気装置５０、またはメカニカルブースタポンプ１８およびロータリーポンプ２０を含む排気装置６０によって排気される真空処理装置である。
【０２０４】
真空装置１０２０は、五角形の平面形状を有する。真空装置１０１０および真空処理装置１０３０，１０４０，１０５０，１０６０は、真空装置１０２０の五角形の５個の辺にそれぞれ接して真空装置１０２０の周囲に配置される。
【０２０５】
図１３は、図１２に示す真空装置１０１０の概略図である。図１３を参照して、真空装置１０１０は、真空容器６１と、ホルダー６２と、圧力検出器６３と、配管６４，６６，６８，７２と、開閉弁６５と、メカニカルブースタポンプ６７と、ロータリーポンプ６９と、搬入／搬出弁７１と、ガス供給弁７３と、制御装置７４とを含む。
【０２０６】
真空容器６１は、略四角形の断面形状からなり、搬入／搬出口６１Ａ，６１Ｃを有する。搬入／搬出口６１Ｃは、搬入／搬出弁４７に接する。ホルダー６２は、真空容器６１の底面６１Ｄに設置される。
【０２０７】
圧力検出器６３は、例えば、ピラニーゲージからなり、真空容器６１の天井６１Ｅに設置される。
【０２０８】
配管６４は、一方端が真空容器６１の排気口６１Ｂに接続され、他方端が開閉弁６５に接続される。開閉弁６５は、配管６４と配管６６との間に配置される。配管６６は、一方端が開閉弁６５に接続され、他方端がメカニカルブースタポンプ６７に接続される。
【０２０９】
メカニカルブースタポンプ６７は、配管６６と配管６８との間に接続される。配管６８は、一方端がメカニカルブースタポンプ６７に接続され、他方端がロータリーポンプ６９に接続される。
【０２１０】
搬入／搬出弁７１は、搬入／搬出口６１Ａに接して設置される。配管７２は、一方端が真空容器６１の天井６１Ｅに接続され、他方端がガスボンベ（図示せず）に接続される。ガス供給弁７３は、真空容器６１の近くで配管７２中に設置される。
【０２１１】
ホルダー６２は、基板を支持する。圧力検出器６３は、真空容器６１内の圧力ＰＶＡＣを検出し、その検出した圧力ＰＶＡＣを制御装置７４へ出力する。
【０２１２】
開閉弁６５は、制御装置７４からの制御に従って開閉する。メカニカルブースタポンプ６７は、開閉弁６５が開けられると、排気口６１Ｂを介して真空容器６１内のガスをロータリーポンプ６９へ排気する。そして、メカニカルブースタポンプ６５は、真空容器６１の圧力ＰＶＡＣが数Ｐａ程度の圧力になるまで真空容器６１内のガスを開閉弁６５を介して排気する。
【０２１３】
ロータリーポンプ６９は、メカニカルブースタポンプ６７から排出されたガスを外部へ排出する。
【０２１４】
搬入／搬出弁７１は、制御装置７４からの制御に従って開閉される。ガス供給弁７３は、制御装置７４からの制御に従って開閉し、ガスボンベ（図示せず）から供給された窒素ガスを真空容器６１内に供給し、窒素ガスの真空容器６１内への供給を停止する。
【０２１５】
制御装置７４は、圧力検出器６３から圧力ＰＶＡＣを受ける。また、制御装置７４は、圧力ＰＶＡＣに基づいて、開閉弁６５、搬入／搬出弁７１およびガス供給弁７３を開閉する。更に、制御装置７４は、メカニカルブースタポンプ６７およびロータリーポンプ６９をオン／オフする。
【０２１６】
なお、配管６４，６６，６８、メカニカルブースタポンプ６７およびロータリーポンプ６９は、排気装置９０を構成する。
【０２１７】
基板を真空装置１０１０へ搬入／搬出する方法について説明する。基板を真空装置１０１０へ搬入する場合、制御装置７４は、開閉弁６５を閉め、その後、ガス供給弁７３を開ける。これによって、窒素ガスが真空容器６１内へ導入される。
【０２１８】
そして、制御装置７４は、圧力検出器６３から受けた圧力ＰＶＡＣが大気圧になると、搬入／搬出弁７１を開ける。
【０２１９】
その後、制御装置７４は、基板がホルダー６２上に搬入されると、搬入／搬出弁７１を閉じ、その後、ガス供給弁７３を閉じる。
【０２２０】
そして、制御装置７４は、開閉弁６５を開ける。これによって、真空容器６１は、排気装置９０によって数Ｐａ程度に排気される。
【０２２１】
その後、真空装置１０２０の搬入／搬出弁４７が開けられると、ホルダー６２上に設置された基板は、真空装置１０２０の搬送装置３２のアーム３２１によって搬送室３１へ搬送される。
【０２２２】
また、基板を真空装置１０１０から搬出する場合、制御装置７４は、開閉弁６５を閉め、その後、ガス供給弁７３を開ける。これによって、窒素ガスが真空容器６１内へ導入される。
【０２２３】
そして、制御装置７４は、圧力検出器６３から受けた圧力ＰＶＡＣが大気圧になると、搬入／搬出弁７１を開ける。その後、基板は、真空容器６１から搬出される。
【０２２４】
そして、制御装置７４は、搬入／搬出弁７１を閉じ、その後、ガス供給弁７３を閉じる。その後、制御装置７４は、開閉弁６５を開ける。これによって、真空容器６１は、排気装置９０によって数Ｐａ程度に排気される。
【０２２５】
再び、図１２を参照して、真空装置１０１０は、上述した方法によって基板がホルダー６２上に搬入される。そして、基板は、真空装置１０２０の搬入／搬出弁４７が開けられると、真空装置１０２０の搬送装置３２のアーム３２１によって真空装置１０２０の搬送室３１に搬入される。
【０２２６】
搬送装置３２は、基板を真空装置１０２０の搬送室３１に搬入すると、各真空処理装置１０３０，１０４０，１０５０，１０６０の方向へ回転する（点線参照）。そして、搬送装置３２のアーム３２１は、搬送装置３２が回転した位置において、各真空処理装置１０３０，１０４０，１０５０，１０６０の方向へ伸縮する。
【０２２７】
真空装置１０２０から各真空処理装置１０３０，１０４０，１０５０，１０６０への基板の搬入／搬出は、上述した実施の形態１〜実施の形態６のいずれかの方法によって行なわれる。
【０２２８】
従って、マルチチャンバシステム１０００においても、真空装置１０２０の搬送室３１と各真空処理装置１０３０，１０４０，１０５０，１０６０の処理室１との間で基板を搬送できる。
【０２２９】
また、マルチチャンバシステム１０００が真空処理装置１０３０，１０４０，１０５０を備えている場合に、真空処理装置１０６０を追加する場合も、真空装置１０２０の排気装置の排気能力に無関係に真空処理装置１０６０をマルチチャンバシステム１０００に追加できる。
【０２３０】
図１４は、この発明の実施の形態による他の真空処理装置の概略図である。この発明の実施の形態においては、真空処理装置は、図１４に示す真空処理装置１００Ａであってもよい。
【０２３１】
図１４を参照して、真空処理装置１００Ａは、図１に示す真空処理装置１００の電極２をアンテナ１０１〜１０４、導入端子１２１，１２３，１２５，１２７および平板部材１３１に代えたものであり、その他は、真空処理装置１００と同じである。
【０２３２】
アンテナ１０１〜１０４の各々は、たとえば、銅（Ｃｕ）からなる。アンテナ１０１〜１０４は、処理室１の内部に配置される。そして、アンテナ１０１〜１０４は、処理室１の天井１Ｃに所定の間隔で配列される。また、アンテナ１０１〜１０４は、その一方端側がそれぞれ導入端子１２１，１２３，１２５，１２７を通って平板部材１３１に接続される。更に、アンテナ１０１〜１０４は、その他方端側が別の導入端子（図示せず）を通って接地電位ＧＮＤに接続される。更に、アンテナ１０１〜１０４の各々は、例えば、３０〜４０ｃｍの長さを有する。
【０２３３】
導入端子１２１，１２３，１２５，１２７は、処理室１の天井１Ｃに固定される。平板部材１３１は、たとえば、Ｃｕからなる。そして、平板部材１３１は、処理室１の外側において、処理室１の天井１Ｃに略平行に配置される。
【０２３４】
平板部材１３１は、１つの面がアンテナ１０１〜１０４の一方端に接続される。そして、平板部材１３１は、整合器（図示せず）を介して高周波電源に接続される。高周波電源は、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を整合器に供給する。整合器は、高周波電源から受けた高周波電力を反射波を抑制して平板部材１３１に供給する。
【０２３５】
図１５は、図１４に示すアンテナ１０１〜１０４および平板部材１３１の斜視図である。図１５を参照して、真空処理装置１００Ａは、導入端子１２２，１２４，１２６，１２８を更に備える。
【０２３６】
導入端子１２２，１２４，１２６，１２８は、導入端子１２１，１２３，１２５，１２７と同じように処理室１の天井１Ｃに固定される。
【０２３７】
平板部材１３１は、たとえば、１ｃｍの幅、１ｃｍの厚みおよび１ｍの長さを有する。
【０２３８】
アンテナ１０１〜１０４の各々は、略Ｕ字形状を有する。そして、アンテナ１０１〜１０４は、略Ｕ字形に曲げられたアンテナ１０１〜１０４をそれぞれ含む４個の平面が略平行になるように配置される。
【０２３９】
アンテナ１０１〜１０４のうち、直線部分１０１Ａ，１０２Ａ，１０３Ａ，１０４Ａは、それぞれ、導入端子１２１，１２３，１２５，１２７を通って平板部材１３１に接続される。また、アンテナ１０１〜１０４のうち、直線部分１０１Ｂ，１０２Ｂ，１０３Ｂ，１０４Ｂは、それぞれ、導入端子１２２，１２４，１２６，１２８を通って接地電位ＧＮＤに接続される。
【０２４０】
そして、導入端子１２１〜１２８は、処理室１の天井１Ｃに固定されるので、アンテナ１０１〜１０４は、それぞれ、１対の導入端子１２１，１２２、１対の導入端子１２３，１２４、１対の導入端子１２５，１２６、および１対の導入端子１２７，１２８によって処理室１の天井１Ｃに固定される。
【０２４１】
図１４および図１５を参照して、アンテナ１０１〜１０４は、整合器（図示せず）および平板部材１３１を介して高周波電源（図示せず）から高周波電力が供給されると、平板部材１３１から接地電位ＧＮＤへ向かう方向に高周波電流を流し、誘導結合により処理室１内にプラズマを発生する。
【０２４２】
より具体的には、高周波電源が高周波電力を整合器を介して平板部材１３１へ供給すると、高周波電流は、平板部材１３１と整合器との接続点１３１Ａから矢印ＡＲＷ１の方向へ流れ、アンテナ１０１〜１０４の直線部分１０１Ａ，１０２Ａ，１０３Ａ，１０４Ａへ流れ込む。
【０２４３】
そして、高周波電流は、アンテナ１０１を矢印ＡＲＷ２の方向へ流れ、接地電位ＧＮＤへ流れる。また、高周波電流は、アンテナ１０２を矢印ＡＲＷ３の方向へ流れ、接地電位ＧＮＤへ流れる。さらに、高周波電流は、アンテナ１０３を矢印ＡＲＷ４の方向へ流れ、接地電位ＧＮＤへ流れる。さらに、高周波電流は、アンテナ１０４を矢印ＡＲＷ５の方向へ流れ、接地電位ＧＮＤへ流れる。その結果、アンテナ１０１〜１０４は、誘導結合によってプラズマを発生する。
【０２４４】
従って、真空処理装置１００Ａは、誘導結合型のプラズマによって基板上に半導体薄膜または絶縁膜を堆積するとともに、基板上に堆積された半導体薄膜または絶縁膜をエッチングまたはクリーニングする。
【０２４５】
真空処理装置１００Ａが用いられる場合、基板は、実施の形態１〜実施の形態６のいずれかの方法によって真空装置２００，３００，４００，５００の搬送室３１と真空処理装置１００Ａの処理室１との間で搬送される。
【０２４６】
従って、搬送室３１に接続された排気装置の排気能力に関係なく、真空処理装置１００Ａの処理室１を真空装置２００，３００，４００，５００の搬送室３１に接続できる。
【０２４７】
また、真空処理装置１００Ａは、マルチチャンバシステム１０００の真空処理装置１０３０，１０４０，１０５０，１０６０に適用される。そして、基板は、実施の形態１〜実施の形態６のいずれかの方法によって真空装置１０２０の搬送室３１と真空処理装置１００Ａの処理室１との間で搬送される。
【０２４８】
従って、搬送室３１に接続された排気装置の排気能力に関係なく、真空処理装置１００Ａの処理室１を真空装置１０２０の搬送室３１に接続できる。
【０２４９】
この発明の実施の形態による真空処理装置は、実施の形態１による方法（図３のフローチャート参照）によって基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する機能と、実施の形態２〜実施の形態６のいずれかによる方法（図５，６，８，１０，１１のいずれかに示すフローチャート参照）によって基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する機能とを備えていればよい。その理由は、次のとおりである。
【０２５０】
実施の形態１による方法（図３のフローチャート参照）は、搬送室３１をターボ分子ポンプを用いて排気する場合における搬送室３１と処理室１との間の基板の搬送方法であり、実施の形態２〜実施の形態６のいずれかによる方法（図５，６，８，１０，１１のいずれかに示すフローチャート参照）は、搬送室３１をメカニカルブースタポンプを用いて排気する場合における搬送室３１と処理室１との間の基板の搬送方法である。その結果、この発明の実施の形態による真空処理装置は、実施の形態１による方法（図３のフローチャート参照）によって基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する機能と、実施の形態２〜実施の形態６のいずれかによる方法（図５，６，８，１０，１１のいずれかに示すフローチャート参照）によって基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する機能とを備えていれば、搬送室３１を排気する排気装置の排気能力に関係なく、真空処理装置の処理室１を搬送室３１に接続できるからである。
【０２５１】
そして、実施の形態１による基板の搬送方法は、搬送室３１および処理室１の両方を１×１０−４Ｐａ以下に排気した状態で仕切弁２２を開けて処理室１を排気装置５０によって排気しながら基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する方法である。
【０２５２】
一方、実施の形態２〜実施の形態６のいずれかによる基板の搬送方法は、搬送室３１の圧力を１〜１００Ｐａに設定し、処理室１の圧力を数Ｐａまたは１×１０−４Ｐａ以下に設定した状態で仕切弁２２を開けて基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する方法である。つまり、実施の形態２〜実施の形態６のいずれかによる基板の搬送方法は、搬送室３１と処理室１との圧力差が１００Ｐａ以下であるときに仕切弁２２を開けて基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する方法である。そして、１００Ｐａ以下の圧力差は、仕切弁２２を開閉可能な圧力差である。
【０２５３】
また、実施の形態２による基板の搬送方法は、処理室１の圧力が搬送室３１の圧力とほぼ同等になるように調整した状態で搬送室３１の排気装置８０によって搬送室３１および処理室１を排気しながら基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送するとともに仕切弁２２を閉じた後に処理室１を排気装置５０によって排気する。
【０２５４】
更に、実施の形態３または実施の形態４による基板の搬送方法は、処理室１の圧力が搬送室３１の圧力とほぼ同等になるように調整した状態で搬送室３１および処理室１をそれぞれ排気装置８０，６０によって排気しながら基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送するとともに仕切弁２２を閉じた後に処理室１を排気装置５０によって排気する。
【０２５５】
更に、実施の形態５または実施の形態６による基板の搬送方法は、仕切弁２２が開いた状態では搬送室３１および処理室１を排気装置５０または排気装置６０によって排気可能な圧力に処理室１の圧力を調整し、搬送室３１および処理室１を排気装置５０または排気装置６０によって排気しながら基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送するとともに仕切弁２２を閉じた後に処理室１を排気装置５０によって排気する。
【０２５６】
従って、この発明の実施の形態による真空処理装置は、処理室１の圧力と搬送室３１の圧力との圧力差が仕切弁２２を開閉可能な圧力差になるように開閉弁９，１６を制御し、処理室１の圧力と搬送室３１の圧力との圧力差が仕切弁２２を開閉可能な圧力差になると、仕切弁２２を開けるように仕切弁２２を制御し、仕切弁２２が開いた状態では搬送室３１および処理室１のいずれか一方が排気されるようにまたは搬送室３１の圧力および処理室１の圧力が１×１０−４Ｐａ以下または数Ｐａになるように開閉弁９，１６を制御し、仕切弁２２が閉じられた時点で処理室１の圧力が処理室１を排気装置５０によって排気可能な圧力になるように開閉弁９，１６を制御し、処理室１の圧力が排気装置５０によって処理室１を排気可能な圧力になると処理室１を排気装置５０によって排気するように開閉弁９，１６を制御する制御装置を備えていればよい。
【０２５７】
上記においては、基板は、０．７ｍｍ（厚み）×５５０ｍｍ×６５０ｍｍのサイズを有するガラス基板からなると説明したが、この発明の実施の形態においては、これに限らず、基板は、これ以外のサイズを有するガラス基板からなっていてもよく、金属および半導体ウェハ等からなっていてもよい。
【０２５８】
また、上記においては、排気装置５０，７０は、ターボ分子ポンプ１１，３７を含むと説明したが、この発明の実施の形態においては、これに限らず、排気装置５０，７０は、イオンソープションポンプを含んでいてもよく、一般的には、処理室１または搬送室３１を１×１０−４Ｐａ以下まで排気可能なポンプを含んでいればよい。
【０２５９】
更に、上記においては、排気装置６０，８０，９０は、メカニカルブースタポンプ１８，４４，６７およびロータリーポンプ２０，４６，６９を含むと説明したが、この発明の実施の形態においては、これに限らず、排気装置６０，８０，９０は、ドライポンプ、および拡散ポンプのいずれかを含んでいてもよい。
【０２６０】
更に、上記においては、搬送室３１の圧力と処理室１の圧力との圧力差が１００Ｐａ以下の場合に、仕切弁２２を開くことができると説明したが、この発明の実施の形態においては、これに限らず、仕切弁２２の設計によって、搬送室３１の圧力と処理室１の圧力との圧力差が１００Ｐａ以下以外の圧力差であるときに仕切弁２２を開くようにしてもよい。
【０２６１】
なお、この発明の実施の形態においては、排気装置５０は、「第１の排気装置」を構成し、排気装置６０は、「第２の排気装置」を構成する。
【０２６２】
また、この発明の実施の形態においては、開閉弁９は、「第１の開閉弁」を構成し、開閉弁１６は、「第２の開閉弁」を構成する。
【０２６３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０２６４】
この発明は、真空処理装置に適用される。
【符号の説明】
【０２６５】
１  処理室、１Ａ，３１Ａ，３１Ｃ，６１Ａ，６１Ｃ  搬入／搬出口、１Ｂ，３１Ｂ，６１Ｂ  排気口、１Ｃ，３１Ｅ，６１Ｅ  天井、１Ｄ，３１Ｄ，６１Ｄ  底面、２  電極、３，６２  ホルダー、４  ヒーター、５，３３，６３  圧力検出器、６，８，１０，１２，１４，１５，１７，１９，３４，３６，３８，４０，４１，４３，４５，４８，６４，６６，６８，７２  配管、７，４９，７３  ガス供給弁、９，１３，１６，３５，３９，４２，６５  開閉弁、１１，３７  ターボ分子ポンプ、１８，４４，６７  メカニカルブースタポンプ、２０，４６，６９  ロータリーポンプ、２１，５１，５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，７４  制御装置、２２  仕切弁、３１  搬送室、３２  搬送装置、４７，７１  搬入／搬出弁、５０，６０，７０，８０，９０  排気装置、６１  真空容器、１００，１０３０，１０４０，１０５０，１０６０  真空処理装置、２００，３００，４００，５００，１０１０，１０２０  真空装置、３２１  アーム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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