(57)【要約】【課題】ＷＬＣＳＰとして製造される半導体パッケージにおいて、その良否を目視により容易に評価することができるようにする。【解決手段】半導体基板１１の主面１１ａに、格子状のスクライブ領域７によって区画されて、半導体素子及びこれに電気接続された電極パッド１３を含むように平面視矩形状に形成されたチップ領域９がマトリックス状に配置され、さらに、半導体基板１１の主面１１ａ上に、電極パッド１３に接続されて半導体素子を外部回路に接続するための接続電極部２３と、接続電極部２３の一部が前記主面１１ａの上方から外方に露出するように前記主面１１ａ全体を覆うと共に接続電極部２３を封止する樹脂封止層２７とを形成して構成されたウエハレベルパッケージ１において、スクライブ領域７のうち各チップ領域９の各角部に隣接するように、かつ、樹脂封止層２７から外方に露出するように前記主面１１ａ上にダイシング用ポスト２５を立設する。【選択図】図２
2011014702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主面に、格子状のスクライブ領域によって区画されて、半導体素子を含むように平面視矩形状に形成された半導体素子形成領域をマトリックス状に配置し、さらに、前記半導体基板の主面全体を覆う樹脂封止層を形成してなるウエハレベルパッケージであって、
前記スクライブ領域のうち各半導体素子形成領域の各角部に隣接するように前記半導体基板の主面上に立設され、かつ、前記主面の上方から外方に露出するように前記樹脂封止層に封止されたダイシング用ポストが形成されていることを特徴とするウエハレベルパッケージ。
【請求項２】
前記ダイシング用ポストが、前記スクライブ領域の格子点において互いに向かい合う４つの前記半導体素子形成領域の角部に隣接するように一体に形成され、平面視十字形状を呈することを特徴とする請求項１に記載のウエハレベルパッケージ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のウエハレベルパッケージを前記スクライブ領域に沿って切断することで、１つの前記半導体素子形成領域を含む平面視矩形状の半導体パッケージに個片化した後に、
前記ダイシング用ポストの有無について当該半導体パッケージの角部を観察することで前記半導体パッケージの良否を評価することを特徴とする半導体パッケージの検査方法。
【請求項４】
格子状のスクライブ領域によって区画され、半導体素子及びこれに電気接続された電極パッドを含む平面視矩形状の半導体素子形成領域をマトリックス状に形成した半導体基板の主面上に、前記電極パッドを外部回路に電気接続するための接続電極部を形成する電極部形成工程と、
前記半導体基板の主面全体を覆うと共に前記接続電極部の一部が前記主面の上方に露出するように前記接続電極部を封止する樹脂封止層を形成する樹脂封止工程とを順番に実施し、
前記電極部形成工程において、前記スクライブ領域のうち各半導体素子形成領域の各角部に隣接する前記半導体基板の主面上に、ダイシング用ポストが前記接続電極部と同じ材料によって同時に形成され、
前記樹脂封止工程において、前記ダイシング用ポストが前記主面の上方に露出するように前記樹脂封止層によって封止されることを特徴とするウエハレベルパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体パッケージ用のウエハレベルパッケージ、その製造方法、及び、半導体パッケージの検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体パッケージには、半導体基板に形成した多数の半導体チップを個々に切り分ける前に、半導体チップの表面上に、半導体パッケージを搭載する回路基板と半導体チップとを電気接続するための配線部や電極部、及び、これら配線部や電極部を封止する樹脂封止層を形成した所謂ウエハレベルチップサイズパッケージ（以下、ＷＬＣＳＰと呼ぶ）がある。このＷＬＣＳＰでは、配線部や電極部、樹脂封止層が半導体チップの表面からはみ出さないように形成されているため、半導体パッケージの小型軽量化を実現するものとして注目されている。
なお、半導体チップは、格子状のスクライブ領域によって区画されるように、半導体基板の主面に半導体素子や電極パッド等を含むチップ領域（半導体素子の形成領域）をマトリックス状に形成した上で、半導体基板を直線状の各スクライブ領域に沿って切断することにより製造される。
【０００３】
このように半導体基板を切断して個々の半導体チップに切り分ける切断工程においては、スクライブ領域に対する切断線（ダイシングライン）の位置ずれが発生することがあり、切断線がチップ領域に入り込んでいる場合、その半導体チップは不良品となる。
従来では、この半導体チップの良否を評価するために、例えば特許文献１のように、スクライブ領域において実際に切断された切断線のズレ量を測定するためのパターンを切断前の半導体基板の主面に形成している。すなわち、半導体基板の切断前後におけるパターンの変化を目視により観察することで、半導体チップの良否を評価している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１４０２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＷＬＣＳＰとして半導体パッケージを製造する場合には、切断工程直前の状態、すなわち、多数の半導体パッケージが一体に連なっているウエハレベルパッケージの状態において、半導体基板の主面の各チップ領域に配線部や電極部が形成され、また、半導体基板の主面全体が樹脂封止層によって覆われている。このため、上記従来のパターンを目視することはできず、その結果として、半導体基板を切断した後の半導体パッケージの良否を容易に評価することができない。
【０００６】
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、ウエハレベルパッケージを切断して個片化された半導体パッケージの良否を目視により容易に評価することが可能なウエハレベルパッケージ、その製造方法、及び、半導体パッケージの検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明のウエハレベルパッケージは、半導体基板の主面に、格子状のスクライブ領域によって区画されて、半導体素子を含むように平面視矩形状に形成された半導体素子形成領域をマトリックス状に配置し、さらに、前記半導体基板の主面全体を覆う樹脂封止層を形成してなるウエハレベルパッケージであって、前記スクライブ領域のうち各半導体素子形成領域の各角部に隣接するように前記半導体基板の主面上に立設され、かつ、前記主面の上方から外方に露出するように前記樹脂封止層に封止されたダイシング用ポストが形成されていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の半導体パッケージの検査方法は、前記ウエハレベルパッケージを前記スクライブ領域に沿って切断することで、１つの前記半導体素子形成領域を含む平面視矩形状の半導体パッケージに個片化した後に、前記ダイシング用ポストの有無について当該半導体パッケージの角部を観察することで前記半導体パッケージの良否を評価することを特徴とする。
【０００９】
すなわち、上記ウエハレベルパッケージは、１つの半導体素子形成領域を含む半導体基板の主面上に接続電極部及び樹脂封止層を形成した所謂ＷＬＣＳＰをなす半導体パッケージを半導体基板の主面に沿って複数連ねたものに相当する。したがって、このウエハレベルパッケージを帯状の各スクライブ領域に沿って切断することにより、個々の半導体パッケージに切り分けることができる。
そして、上記ウエハレベルパッケージによれば、その切断の際に、スクライブ領域を認識できなくても、外方に露出するダイシング用ポストを目印として帯状の各スクライブ領域に対する切断線の位置や向きをアライメントすることができるため、容易に切断することが可能となる。
【００１０】
そして、ウエハレベルパッケージを切断して個片化された半導体パッケージにおいては、切断線が半導体素子形成領域に入り込んでいるか否かを目視により容易に判定することができる。
すなわち、個片化された半導体パッケージにおいて、半導体素子形成領域の角部の外側に隣接して形成されたダイシング用ポストが、切断によって削り取られて無くなっている場合には、切断線が半導体素子形成領域に入り込んでいると判定することができる。この場合には、当該半導体パッケージが不良品であると判断することができる。一方、半導体パッケージにおいてその全ての角部にダイシング用ポストが残存している場合には、切断線がスクライブ領域内に収まっていると判定することができ、この半導体パッケージが良品であると判断することができる。
【００１１】
そして、前記ウエハレベルパッケージにおいては、前記ダイシング用ポストが、前記スクライブ領域の格子点において互いに向かい合う４つの前記半導体素子形成領域の角部に隣接するように一体に形成され、平面視十字形状を呈していてもよい。
この場合には、個片化された平面視矩形状の半導体パッケージが良品であれば、半導体パッケージにおいて樹脂封止層の全ての角部にダイシング用ポストを確実に露出させることができる。すなわち、ダイシング用ポストによって樹脂封止層の角部を確実に覆って、樹脂封止層を確実に保護することができる。
【００１２】
さらに、本発明のウエハレベルパッケージの製造方法は、格子状のスクライブ領域によって区画され、半導体素子及びこれに電気接続された電極パッドを含む平面視矩形状の半導体素子形成領域をマトリックス状に形成した半導体基板の主面上に、前記電極パッドを外部回路に電気接続するための接続電極部を形成する電極部形成工程と、前記半導体基板の主面全体を覆うと共に前記接続電極部の一部が前記主面の上方に露出するように前記接続電極部を封止する樹脂封止層を形成する樹脂封止工程とを順番に実施し、前記電極部形成工程において、前記スクライブ領域のうち各半導体素子形成領域の各角部に隣接する前記半導体基板の主面上に、ダイシング用ポストが前記接続電極部と同じ材料によって同時に形成され、前記樹脂封止工程において、前記ダイシング用ポストが前記主面の上方に露出するように前記樹脂封止層によって封止されることを特徴とする。
上記製造方法によれば、ダイシング用ポストを接続電極部と同時に形成することで、ウエハレベルパッケージの製造効率を低下させること無く、半導体パッケージの良否評価を容易に実施できるウエハレベルパッケージを製造することが可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ウエハレベルパッケージを切断して個片化された半導体パッケージの良否を目視により容易に評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明の一実施形態に係るウエハレベルパッケージを配線パッケージ部側から見た状態を示す概略平面図である。
【図２】図１のウエハレベルパッケージを示す概略断面図である。
【図３】図１，２のウエハレベルパッケージの製造方法を示す模式図である。
【図４】図１，２のウエハレベルパッケージを切断して個片化された半導体パッケージを配線パッケージ部側から見た状態を示す概略平面図である。
【図５】個片化された半導体パッケージの一例を示す概略断面図である。
【図６】個片化された半導体パッケージの他の例を示す概略断面図である。
【図７】この発明の他の実施形態に係るウエハレベルパッケージを配線パッケージ部側から見た状態を示す概略平面図である。
【図８】図７のウエハレベルパッケージを示す概略断面図である。
【図９】この発明の他の実施形態に係るウエハレベルパッケージから製造された半導体パッケージの要部を示す拡大平面図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ矢視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図１〜６を参照して本発明の一実施形態に係るウエハレベルパッケージについて説明する。この実施形態に係るウエハレベルパッケージは、集積回路を形成した半導体チップの表面から側方にはみ出さない位置に、集積回路を外部回路に接続するための電極を設けたＷＬＣＳＰとしての半導体パッケージを、半導体チップの表面に沿って多数連ねた状態のものである。
図１及び図２に示すように、ウエハレベルパッケージ１は、半導体基板１１の主面１１ａに集積回路をなすトランジスタ等の各種半導体素子（不図示）、これに電気接続された電極パッド１３、及び、シールリング１５を形成した板状の半導体チップ部３と、半導体基板１１の主面１１ａ上に位置する半導体チップ部３の表面３ａに積層された配線パッケージ部５とを備えて構成されている。
【００１６】
半導体基板１１の主面１１ａにおいては、格子状のスクライブ領域７によって区画されるように、半導体素子、電極パッド１３及びシールリング１５を含むチップ領域（半導体素子形成領域）９がマトリックス状に配置されている。すなわち、チップ領域９は平面視矩形状に形成されている。
なお、図示例において、符号７ＡはＸ軸方向に延びる帯状のスクライブ領域を示しており、符号７ＢはＹ軸方向に延びる帯状のスクライブ領域を示している。
【００１７】
また、半導体チップ部３は、半導体基板１１の主面１１ａを被覆して半導体チップ部３の表面３ａをなす層間絶縁膜１７を備えている。層間絶縁膜１７は、半導体基板１１の主面１１ａから二酸化シリコン（ＳｉＯ２）の薄膜と窒化シリコン（ＳｉＮ）の薄膜とを順次重ねて形成したものである。そして、電極パッド１３及びシールリング１５はこの層間絶縁膜１７内に配されており、電極パッド１３は層間絶縁膜１７の表面３ａに開口している。
シールリング１５は、半導体チップ部３をスクライブ領域７において切断した後の半導体チップの状態において、その側部からチップ領域９に水分が侵入することを防止するものである。このシールリング１５は、平面視矩形状に形成されており、チップ領域９の外周縁をなしている。なお、図１において、シールリング１５は実線にて示されているが、実際には配線パッケージ部５によって覆い隠されているため、平面視では視認されない。また、スクライブ領域７とチップ領域９との境界も同様に、平面視では視認されない。
【００１８】
配線パッケージ部５は、電極パッド１３の開口状態を保持するように半導体チップ部３の表面３ａを被覆する保護膜２１と、保護膜２１上に形成された接続電極部２３及びダイシング用ポスト２５と、保護膜２１を覆うと共に接続電極部２３及びダイシング用ポスト２５を封止する樹脂封止層２７とを備えて構成されている。保護膜２１は、ポリイミド（ＰＩ）からなり、層間絶縁膜１７を被覆している。また、樹脂封止層２７は、電気絶縁性の樹脂材料によって形成されている。
接続電極部２３は、電極パッド１３を外部回路に電気接続する役割を果たすものであり、半導体チップ部３のチップ領域９上に配されている。この接続電極部２３は、電極パッド１３の開口を埋めるように保護膜２１上において所定パターンに形成された配線層３１と、配線層３１上に立設された略円柱状の電極用ポスト３３とを備えて構成されている。
【００１９】
なお、保護膜２１と配線層３１との間には、保護膜２１に対して銅（Ｃｕ）からなる配線層３１の密着性を向上させる不図示のアンダーバリアメタル（以下、ＵＢＭと呼ぶ）が形成されていてもよい。このＵＢＭは、保護膜２１上において配線層３１と同一パターンで配線層３１の厚さよりも十分に薄く形成され、配線層３１と共に電極パッド１３を電極用ポスト３３に電気接続するための配線部を構成している。
電極用ポスト３３は、銅（Ｃｕ）からなり、その上端面３３ａは樹脂封止層２７の表面２７ａと共に同一平面を形成している。そして、この電極用ポスト３３の上端面３３ａには、半田を略球体状に形成した半田ボール２９が取り付けられており、半田ボール２９は樹脂封止層２７の表面２７ａから突出している。
【００２０】
ダイシング用ポスト２５は、電極用ポスト３３と同様に銅（Ｃｕ）からなり、保護膜２１上に立設して形成されている。そして、ダイシング用ポスト２５の上端面２５ａは、樹脂封止層２７の表面２７ａと共に同一平面を形成している。また、ダイシング用ポスト２５は、平面視でスクライブ領域７のうち各チップ領域９の各角部に隣接するように形成されており、Ｌ字形状を呈している。そして、１つの帯状のスクライブ領域７Ａ，７Ｂを介して相互に向かい合うチップ領域９の角部に形成されたダイシング用ポスト２５同士の間には、隙間が形成されている。
以上のように構成されるウエハレベルパッケージ１において、これを帯状の各スクライブ領域７Ａ，７Ｂに沿って切断する際のダイシングライン（切断線）３５の線幅Ｄｗは、各スクライブ領域７Ａ，７Ｂの幅寸法Ｓｗ以下となるように、かつ、各スクライブ領域７Ａ，７Ｂの幅方向に対向するダイシング用ポスト２５間の隙間寸法Ｇｗ以上となるように設定されている。すなわち、ダイシングライン３５の線幅Ｄｗは、Ｇｗ≦Ｄｗ≦Ｓｗ、の範囲内で設定されている。
【００２１】
以上のように構成されるウエハレベルパッケージ１の製造方法について説明する。
ウエハレベルパッケージ１を製造する際には、図３に示すように、スクライブ領域７によって区画されるように、半導体基板１１の主面１１ａに半導体素子、電極パッド１３及びシールリング１５を含むチップ領域９をマトリックス状に多数形成し、また、層間絶縁膜１７を形成しておく。これにより、半導体チップ部３が構成される。
次いで、電極パッド１３の開口状態が保持されるように、また、層間絶縁膜１７を被覆するように、半導体チップ部３の表面３ａに保護膜２１を形成する。そして、チップ領域９上に位置する保護膜２１上に、電極パッド１３を外部回路に電気接続するための接続電極部２３を形成する（電極部形成工程）。
【００２２】
この電極部形成工程においては、保護膜２１上及び電極パッド１３上にわたって所定パターンの帯状に延びる配線層３１を形成する配線層形成工程を実施した後に、配線層３１上に略円柱状の電極用ポスト３３を形成するポスト形成工程を実施する。
配線層形成工程では、配線層３１の形成領域を除く保護膜２１上に第一レジスト層４１を形成しておき、この状態において第一レジスト層４１が形成されていない部分、すなわち、保護膜２１が露出している部分を銅で埋めることで配線層３１を形成する。この配線層３１の形成後には、第一レジスト層４１を除去する。なお、この配線層形成工程においては、配線層３１の形成前に密着層としてのＵＢＭを形成してもよい。
【００２３】
ポスト形成工程では、電極用ポスト３３の形成領域を除く配線層３１上及び保護膜２１上にわたって第二レジスト層４３を形成しておき、この状態において第二レジスト層４３が形成されていない部分、すなわち、配線層３１が露出する部分を銅で埋めることにより電極用ポスト３３を形成する。
また、このポスト形成工程においては、電極用ポスト３３と同時にダイシング用ポスト２５をスクライブ領域７上に位置する保護膜２１上に形成する。すなわち、スクライブ領域７のうち各チップ領域９の各角部に隣接する保護膜２１上の領域（ダイシング用ポスト２５の形成領域）が露出するように第二レジスト層４３を形成しておく。そして、電極用ポスト３３の形成と同様に、保護膜２１が露出する部分を銅で埋めることによりダイシング用ポスト２５を形成する。
これら電極用ポスト３３及びダイシング用ポスト２５の形成後には、第二レジスト層４３を除去する。
【００２４】
その後、保護膜２１の全体を覆うと共に電極用ポスト３３及びダイシング用ポスト２５の上端面２５ａが外方に露出するように接続電極部２３及びダイシング用ポスト２５を封止する樹脂封止層２７を形成する（樹脂封止工程）。この工程を終えることで、配線パッケージ部３が構成されることになる。最後に、図２に示すように、電極用ポスト３３の上端面３３ａに半田ボール２９を取り付けることで、ウエハレベルパッケージ１の製造が完了する。
【００２５】
次に、このウエハレベルパッケージ１から半導体パッケージを製造する方法、及び、半導体パッケージの検査方法について説明する。
ウエハレベルパッケージ１から半導体パッケージを製造する際には、ウエハレベルパッケージ１をダイシングブレード等の切断装置を用いてスクライブ領域７に沿って切断すればよく、これによって、図４，５に示すように、ウエハレベルパッケージ１が１つのチップ領域９を含む平面視矩形状の半導体パッケージ５１に個片化されることになる。
【００２６】
ここで、前述したように、ダイシングライン３５の線幅Ｄｗは帯状のスクライブ領域７の幅寸法Ｓｗ以下となるように設定されているため、この切断の際に、各スクライブ領域７をその幅方向から挟み込む一対のチップ領域９の両方にダイシングライン３５が入り込むことは防止される。また、スクライブ領域７部分を構成する半導体チップ部３及び配線パッケージ部５のうちダイシングライン３５の線幅Ｄｗ分だけ削り落とされ、半導体パッケージ５１の側部にスクライブ領域７部分が残る場合がある。
そして、図示例のように、ダイシングライン３５の線幅Ｄｗの中心が、その長手方向にわたってスクライブ領域７の幅方向の中心に一致している場合には、ウエハレベルパッケージ１の切断後の状態において、ダイシングライン３５の両側に位置する一対の半導体パッケージ５１にスクライブ領域７がそれぞれ残存し、さらに、一対の半導体パッケージ５１において残存したスクライブ領域７の幅寸法が互いに等しくなる。すなわち、このように製造された半導体パッケージ５１は、チップ領域９の周囲にスクライブ領域７が残存した構成となる。
【００２７】
そして、本実施形態に係る半導体パッケージ５１の検査方法は、上述した半導体パッケージ５１の製造後に、ダイシング用ポスト２５の有無について半導体パッケージ５１の角部を観察することで半導体パッケージ５１の良否を評価する。
すなわち、ダイシング用ポスト２５はチップ領域９の角部の外側に隣接して形成されているため、半導体パッケージ５１の角部にダイシング用ポスト２５が残存していない場合、すなわち、ダイシング用ポスト２５がウエハレベルパッケージ１の切断によって削り取られて無くなっている場合には、ダイシングライン３５がチップ領域９に入り込んでいると判定することができる。この場合には、シールリング１５がダメージを受けている虞があるため、当該半導体パッケージ５１が不良品であると判断することができる。
一方、半導体パッケージ５１の全ての角部にダイシング用ポスト２５が残存している場合には、ダイシングライン３５がスクライブ領域７内に収まっていると判定することができ、この半導体パッケージ５１が良品であると判断することができる。
【００２８】
また、ダイシング用ポスト２５は、保護膜２１の上面から樹脂封止層２７の表面２７ａに至るまでウエハレベルパッケージ１の厚さ方向（半導体チップ部３及び配線パッケージ部５の積層方向）に延びるように立設されていることから、ダイシング用ポスト２５の側面形状を観察することでダイシングライン３５の異常を判断することも可能である。
すなわち、例えば図６に示すように、ダイシングライン３５が、斜めに切り下がっているような場合（ウエハレベルパッケージ１の厚さ方向に対してスクライブ領域７の幅方向に傾斜している場合）には、ダイシング後におけるウエハレベルパッケージ１を樹脂封止層２７の表面２７ａ側から観察しても、ダイシングライン３５の異常の有無は判別できない。
【００２９】
このような場合には、図示例のように、ダイシングポスト２５の下方のみが削られて樹脂封止層２７の下方側の側面の一部が露出して、樹脂封止層２７よりも下層に配置されているシールリング１５や半導体基板１１上に形成された能動領域にダイシングによるダメージが生じていることがある。そこで、前述したように、ダイシング用ポスト２５の側面形状を観察すれば、ダイシングポスト２５の下方のみが削られているか否かを確認できるため、ダイシング用ポスト２５よりも下層に配置されているシールリング１５やシールリング１５の側面を覆う層間絶縁膜１７がダメージを受けているか否かを判断することができる。
【００３０】
以上説明したように、上記ウエハレベルパッケージ１及び半導体パッケージ５１の検査方法によれば、ウエハレベルパッケージ１を切断して個片化された半導体パッケージ５１において、ダイシングライン３５がチップ領域９に入り込んでいるか否かを目視により容易に判定することができる。
また、上記ウエハレベルパッケージ１によれば、これを切断する際にスクライブ領域７を認識できなくても、樹脂封止層２７の表面２７ａから外方に露出するダイシング用ポスト２５の上端面２５ａを目印として、帯状の各スクライブ領域７Ａ，７Ｂに対するダイシングライン３５の位置や向きをアライメントすることができるため、容易に切断することが可能となる。
【００３１】
さらに、ウエハレベルパッケージ１の製造方法によれば、ダイシング用ポスト２５を接続電極部２３の電極用ポスト３３と同時に形成することで、ウエハレベルパッケージ１の製造効率を低下させること無く、半導体パッケージ５１の良否評価を容易に実施できるウエハレベルパッケージ１を製造することが可能となる。
また、個片化された平面視矩形状の半導体パッケージ５１においては、ウエハレベルパッケージ１を切断する際に樹脂封止層２７の角部に欠けが生じやすいが、この角部にダイシング用ポスト２５が残存していることで、樹脂封止層２７の角部を保護して前記欠けの発生を防止できる。
【００３２】
なお、上記実施形態において、ダイシング用ポスト２５は、ウエハレベルパッケージ１においてチップ領域９の各角部に対して個別に形成されて平面視でＬ字形状を呈するとしたが、これに限ることは無く、例えば図７，８に示すように、スクライブ領域７の格子点において互いに向かい合う４つのチップ領域９の角部に隣接するように一体に形成されてもよい。この場合、ダイシング用ポスト２５は平面視で十字形状を呈することになる。
上記構成のウエハレベルパッケージ２によれば、個片化された平面視矩形状の半導体パッケージが良品である限り、半導体パッケージにおいて樹脂封止層２７の全ての角部にダイシング用ポスト２５を確実に露出させることができる。すなわち、ダイシング用ポスト２５によって樹脂封止層２７の角部を確実に覆って、樹脂封止層２７を確実に保護することができる。
【００３３】
また、ウエハレベルパッケージ１，２やこれを個片化した半導体パッケージ５１においては、例えば図９，１０に示すように、チップ領域９の角部に沿って延びるダイシング用ポスト２５の両端部２５Ｃ，２５Ｄに電気接続された一対のテスト用端子部６１を設けてもよい。なお、ダイシング用ポスト２５の各端部２５Ｃ，２５Ｄとテスト用端子部６１とを電気接続するテスト用配線層６３は、接続電極部２３の配線層３１と同様に、銅によって保護膜２１上に形成されればよく、このテスト用配線層６３上にダイシング用ポスト２５の各端部２５Ｃ，２５Ｄ及びテスト用端子部６１を形成すればよい。
そして、各テスト用端子部６１は、電極用ポスト３３と同様に、銅によって略円柱状に形成され、半導体基板１１のチップ領域９上に配されている。また、各テスト用端子部６１の上端面６１ａは樹脂封止層２７の表面２７ａから外方に露出している。
【００３４】
上記構成の場合には、個片化された半導体パッケージの状態において一対のテスト用端子部６１の上端面６１ａにプローブを当てる等してダイシング用ポスト２５の通電状態を検査することで、半導体パッケージの検査を実施することができる。
すなわち、ダイシング用ポスト２５の通電状態検査を実施して、ダイシング用ポスト２５に電流が流れていると判定された場合には、半導体パッケージの角部にダイシング用ポスト２５が残存していることが確認され、当該半導体パッケージが良品であると判断することができる。一方、ダイシング用ポスト２５に電流が流れていないと判定された場合には、半導体パッケージの角部にダイシング用ポスト２５が残存していない、あるいは、両端部２５Ｃ，２５Ｄの間でダイシング用ポスト２５の一部が削り落とされていることが確認され、当該半導体パッケージが不良品であると判断することができる。
さらに、上記検査を実施する際に、ダイシング用ポスト２５に流れる電流値やダイシング用ポスト２５の抵抗値を測定すれば、残存するダイシング用ポスト２５の量を知ることができ、これに基づいてウエハレベルパッケージの切断が適正に実施されたかどうかを判断することができる。具体的には、帯状のスクライブ領域７Ａ，７Ｂに対するダイシングライン３５の幅方向の位置ずれや向きのずれが許容範囲内に収まっているかどうかを判断することができる。
【００３５】
さらに、シールリング１５はチップ領域９の外周縁をなすことに限らず、例えばチップ領域９の外周縁から内側に離れた位置に形成されてもよい。また、シールリング１５は平面視矩形状に形成されるとしたが、少なくとも半導体素子や電極パッド１３を囲む平面視環状に形成されていればよい。
また、このシールリング１５は必ずしも形成しなくてもよく、チップ領域９は例えば半導体素子及び電極パッド１３のみを含むように形成されてもよい。
【００３６】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【符号の説明】
【００３７】
１，２…ウエハレベルパッケージ、７…スクライブ領域、９…チップ領域（半導体素子形成領域）、１１…半導体基板、１１ａ…主面、１３…電極パッド、２３…接続電極部、２５…ダイシング用ポスト、２７…樹脂封止層、３５…ダイシングライン（切断線）、５１…半導体パッケージ
【図１】
2011014702.tif 000003
【図２】
2011014702.tif 000004
【図３】
2011014702.tif 000005
【図４】
2011014702.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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