(57)【要約】      （修正有）【課題】熱及び光に対する安定性に優れ、生産性に優れる有機電界発光素子用材料の提供。【解決手段】式Ａで表されるモノアニオン性の２座配位子と、原子量４０以上の金属とを含む燐光性金属錯体ａと、該燐光性金属錯体ａと同じ化学式で表されながら、該配位子の配位方法が立体的に異なる構造異性体ｂとを含有する有機電界発光素子用材料。2011068848.tif 000100（Ｅ１ａ、Ｅ１ｄ、Ｅ１ｅ、Ｅ１ｆ、Ｅ１ｋ、Ｅ１ｌ、Ｅ１ｐ、及びＥ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子；Ｚ１、Ｚ２、及びＺ３は各々独立に芳香環又は芳香族複素環を表し、該芳香環又は芳香族複素環は置換基を有していてもよい。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ａ）で表されるモノアニオン性の２座配位子と、原子量４０以上の金属とを含む燐光性金属錯体ａと、該燐光性金属錯体ａと同じ化学式で表されながら、該配位子の配位方法が立体的に異なる構造異性体ｂとを含有する有機電界発光素子用材料であって、該構造異性体ｂを該燐光性金属錯体ａに対して０．０５質量％以上５質量％以下含む有機電界発光素子用材料。
【化１】
2011068848.tif 000093
（一般式（Ａ）中、Ｅ１ａ、Ｅ１ｄ、Ｅ１ｅ、Ｅ１ｆ、Ｅ１ｋ、Ｅ１ｌ、Ｅ１ｐ、及びＥ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｚ１、Ｚ２、及びＺ３は各々独立に芳香環又は芳香族複素環を表し、該芳香環又は芳香族複素環は置換基を有していてもよい。一般式（Ａ）で表される骨格は合計で１８π電子を有する。）
【請求項２】
前記一般式（Ａ）が下記一般式（Ａ１）又は（Ａ３）で表される請求項１に記載の有機電界発光素子用材料。
【化２】
2011068848.tif 000094
（一般式（Ａ１）及び（Ａ３）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１）及び（Ａ３）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【請求項３】
前記一般式（Ａ）が下記一般式（Ａ１−３）又は（Ａ３−３）で表される請求項１又は２に記載の有機電界発光素子用材料。
【化３】
2011068848.tif 000095
（一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）中、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【請求項４】
前記金属がイリジウムである請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料。
【請求項５】
前記燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体である請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料。
【化４】
2011068848.tif 000096
（一般式（Ａ１０）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ−Ｙは下記（ｌ−１）〜（ｌ−１４）から選ばれる少なくとも１種のモノアニオン性の二座配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）
【化５】
2011068848.tif 000097
（上記Ｒｘ、Ｒｙ及びＲｚはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【請求項６】
前記一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１０−１）で表される燐光性金属錯体である請求項５に記載の有機電界発光素子用材料。
【化６】
2011068848.tif 000098
（一般式（Ａ１０−１）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【請求項７】
前記一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１１−１）、（Ａ１１−２）又は（Ａ１１−３）で表される燐光性金属錯体である請求項５に記載の有機電界発光素子用材料。
【化７】
2011068848.tif 000099
（一般式（Ａ１１−１）、（Ａ１１−２）及び（Ａ１１−３）中、Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ１ｄ、Ｒ１ｅ、Ｒ１ｇ、及びＲ１ｈは各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基、フルオロ基、−ＯＲ２ａ、−ＳＲ２ａ、−ＮＲ２ａＲ２ｂ、−ＢＲ２ａＲ２ｂ、又は−ＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃである。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立に炭化水素置換基、又はヘテロ原子で置換された炭化水素置換基である。Ｒｘ、Ｒｚはそれぞれ独立にアルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかであり、Ｒｙは水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかである。）
【請求項８】
前記構造異性体ａがフェイシャル体を表し、構造異性体ｂがメリジオナル体を表す請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料。
【請求項９】
基板上に、一対の電極と、該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって、請求項１〜８のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料を該有機層のうち少なくとも一層に含む有機電界発光素子。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料を発光層に含む請求項９に記載の有機電界発光素子。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
【請求項１２】
請求項９又は１０に記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
【請求項１３】
請求項９又は１０に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子用材料、及び有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子（以下、「素子」、「有機ＥＬ素子」ともいう）は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから、近年活発な研究開発が行われている。一般に有機電界発光素子は、発光層を含む有機層及び該層を挟んだ一対の電極から構成されており、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が発光層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。
【０００３】
近年、燐光発光材料を用いることにより、素子の高効率化が進んでいる。例えば、燐光発光材料としてイリジウム錯体や白金錯体などを用い、発光効率及び耐熱性が向上した有機電界発光素子が研究されている。
また、発光材料をホスト材料中にドープした発光層を用いるドープ型素子が広く採用されている。
【０００４】
特許文献１には、縮環アゾール配位子を含み、高耐久性かつ青色発光可能なイリジウム錯体について記載されている。
また、特許文献２には、りん光性発光錯体、特にイリジウム錯体について、構造異性体を混合した材料を用いた素子について記載されている。
また、特許文献３には、イリジウム錯体について、フェイシャル体の純度を高くすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００８／０２９７０３３号明細書
【特許文献２】特開２００６−２３７３０６号公報
【特許文献３】特開２００７−９１７１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では青色純度が高く、耐久性の高い発光材料について記載されている。しかしながら、特許文献１に記載の金属錯体は、特許文献１の５５ページに記載されている通り、錯体の合成から単離に至るまで遮光条件で扱わなければならないほど、可視光に弱く、容易に酸化されるものであり、製造工程が複雑になったり、生産性に劣るため改善が望まれていた。
また、特許文献２ではトリスＩｒ錯体に存在する２つの構造異性体を一定の比率で混合することで錯体の溶解性及び発光特性、耐久性の改善に効果が見られることが記載されているが、この混合物に関して光や熱に対する材料の安定性については記載されていない。また、特許文献３の第１１段落に記載の通り、従来イリジウム錯体の構造異性体の一つであるメリジオナル体は、フェイシャル体に比較して発光量子収率が低く、燐光材料としてはフェイシャル体構造の方が望ましいとされると考えられてきたため、これら異なる構造異性体を混合して用いる事は、素子特性の低下を引き起こすと認識されてきた。
【０００７】
本発明の目的は、有機電界発光素子に用いることができ、熱及び光に対する安定性に優れ、生産性に優れる有機電界発光素子用材料を提供することである。また、本発明の別の目的は、該有機電界発光素子用材料を用いた有機電界発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は鋭意検討の結果、特定の縮環配位子を持つ燐光性金属錯体において、構造異性体を特定の含有率で含有させることで、材料を可視光下、高温条件で保存した時の安定性に優れることを見出した。
【０００９】
すなわち、本発明は下記の手段により前記課題を解決した。
［１］下記一般式（Ａ）で表されるモノアニオン性の２座配位子と、原子量４０以上の金属とを含む燐光性金属錯体ａと、該燐光性金属錯体ａと同じ化学式で表されながら、該配位子の配位方法が立体的に異なる構造異性体ｂとを含有する有機電界発光素子用材料であって、該構造異性体ｂを該燐光性金属錯体ａに対して０．０５質量％以上５質量％以下含む有機電界発光素子用材料。
【００１０】
【化１】
2011068848.tif 000002
【００１１】
（一般式（Ａ）中、Ｅ１ａ、Ｅ１ｄ、Ｅ１ｅ、Ｅ１ｆ、Ｅ１ｋ、Ｅ１ｌ、Ｅ１ｐ、及びＥ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｚ１、Ｚ２、及びＺ３は各々独立に芳香環又は芳香族複素環を表し、該芳香環又は芳香族複素環は置換基を有していてもよい。一般式（Ａ）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
［２］前記一般式（Ａ）が下記一般式（Ａ１）又は（Ａ３）で表される［１］に記載の有機電界発光素子用材料。
【００１２】
【化２】
2011068848.tif 000003
【００１３】
（一般式（Ａ１）及び（Ａ３）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１）及び（Ａ３）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
［３］前記一般式（Ａ）が下記一般式（Ａ１−３）又は（Ａ３−３）で表される［１］又は［２］に記載の有機電界発光素子用材料。
【００１４】
【化３】
2011068848.tif 000004
【００１５】
（一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）中、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
［４］前記金属がイリジウムである［１］〜［３］のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料。
［５］前記燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体である［１］〜［４］のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料。
【００１６】
【化４】
2011068848.tif 000005
【００１７】
（一般式（Ａ１０）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ−Ｙは下記（ｌ−１）〜（ｌ−１４）から選ばれる少なくとも１種のモノアニオン性の二座配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）
【００１８】
【化５】
2011068848.tif 000006
【００１９】
（上記Ｒｘ、Ｒｙ及びＲｚはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
［６］前記一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１０−１）で表される燐光性金属錯体である［５］に記載の有機電界発光素子用材料。
【００２０】
【化６】
2011068848.tif 000007
【００２１】
（一般式（Ａ１０−１）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
［７］前記一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１１−１）、（Ａ１１−２）又は（Ａ１１−３）で表される燐光性金属錯体である上記［５］に記載の有機電界発光素子用材料。
【００２２】
【化７】
2011068848.tif 000008
【００２３】
（一般式（Ａ１１−１）、（Ａ１１−２）及び（Ａ１１−３）中、Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ１ｄ、Ｒ１ｅ、Ｒ１ｇ、及びＲ１ｈは各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基、フルオロ基、−ＯＲ２ａ、−ＳＲ２ａ、−ＮＲ２ａＲ２ｂ、−ＢＲ２ａＲ２ｂ、又は−ＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃである。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立に炭化水素置換基、又はヘテロ原子で置換された炭化水素置換基である。Ｒｘ、Ｒｚはそれぞれ独立にアルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかであり、Ｒｙは水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかである。）
［８］前記構造異性体ａがフェイシャル体を表し、構造異性体ｂがメリジオナル体を表す［１］〜［７］のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料。
［９］基板上に、一対の電極と、該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって、［１］〜［８］のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料を該有機層のうち少なくとも一層に含む有機電界発光素子。
［１０］上記［１］〜［８］のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料を発光層に含む［９］に記載の有機電界発光素子。
［１１］上記［９］又は［１０］に記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
［１２］上記［９］又は［１０］に記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
［１３］上記［９］又は［１０］に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、有機電界発光素子に用いることができ、熱及び光に対する安定性、及び生産性の観点で優れる有機電界発光素子用材料を提供することができる。また、該有機電界発光素子用材料を用いた有機電界発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ素子の層構成の一例（第１実施形態）を示す概略図である。
【図２】本発明に係る発光装置の一例（第２実施形態）を示す概略図である。
【図３】本発明に係る照明装置の一例（第３実施形態）を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の一般式の説明における水素原子は同位体（重水素原子等）も含み、また更に置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。
本発明において、上記アルキル基等の置換基の「炭素数」とは、アルキル基等の置換基が他の置換基によって置換されてもよい場合も含み、当該他の置換基の炭素数も包含する意味で用いる。
【００２７】
本発明の有機電界発光素子用材料は、前記一般式（Ａ）で表されるモノアニオン性の２座配位子と、原子量４０以上の金属とを含む燐光性金属錯体ａと、該燐光性金属錯体ａと同じ構造式で表されながら、該配位子の配位が立体的に異なる構造異性体ｂとを含有する有機電界発光素子用材料であって、該構造異性体ｂを該燐光性金属錯体ａに対して０．０５質量％以上５質量％以下含む。
【００２８】
本発明において、構造異性体とは、同じ構造式で表されながら、該配位子の配位が立体的に異なるという関係にあるものをいう。本発明の有機電界発光素子用材料は、同じ構造式で表される燐光性金属錯体の構造異性体ａと構造異性体ｂとを少なくとも含み、該構造異性体ｂを該構造異性体ａに対して０．０５質量％以上５質量％以下含む。
前記特許文献１に記載されたような従来の縮環配位子を持つ錯体はいくつかの酸化活性位を持つ。また、縮環配位子は必然的に配位子の表面積が広く、活性位の多くが遮蔽されずに分子の外側に出ていると予測される。この状態で材料の粉体が可視光による励起を受けると、高エネルギーに励起された錯体分子が近傍の別の錯体分子の活性位を攻撃し、これがトリガーとなり分解が起こると考えられる。希薄溶液やホスト分散膜素子とした場合には顕著な光劣化が見られず、合成、単離時に分解が起こるのは上記した錯体分子間距離が近い場合にのみこのような分解がおこるためと考えられる。ここに少量の構造異性体を共存させることにより、発光効率のより低い（すなわち熱失活パスの多いと考えられる）構造異性体（例えばメリジオナル体）が光励起エネルギーを発散させる役割を果たすと考えられる。特許文献２に記載されたトリス（２−フェニルピリジン）イリジウムやトリス（２−フェニルキノリン）イリジウムでは、固体状態における光分解の主経路が本発明の化合物とは異なると予測され、また実際にこのような効果は見られない。
上記のような効果は特に有機ＥＬを安価に製造する際に非常に有効である。本発明の材料は幅広い温度範囲での長期保存が可能であり、また精製、保管時に特殊な遮光条件が必要ないため、製造工程の簡略化、生産性の向上、コスト低減を実現させることができる。
また、本発明の材料をるつぼ中で加熱し、素子作製の際の蒸着条件に長時間曝した後作製した素子の特性を評価したところ、材料の劣化による素子の性能の低下が小さいことがわかった。すなわち本発明の材料により、長時間蒸着に対する耐性が向上したことで、有機ＥＬ素子を生産する際の時間の短縮やコスト低減につながる。
【００２９】
これら構造異性体の物性は、大きく異なることが明らかになっており、構造異性体ｂの含有量が大きすぎる場合、有機ＥＬ素子の基本的な性能に構造異性体ｂの物性が強く影響する事が考えられる。このため、構造異性体ｂの該構造異性体ａに対する含有量は本発明の効果が得られる範囲で小さい事が好ましい。０．０５質量％以上１質量％以下含むことがより好ましく、０．０５質量％以上０．７質量％以下含むことが更に好ましい。
【００３０】
前述のように、光励起エネルギーを発散させ、分解を抑制するという観点から、構造異性体ａは構造異性体ｂよりも発光効率が同じか、もしくは低いことが好ましい。
【００３１】
中心金属Ｍ、単座配位子Ｘ及びＹから構成される錯体（ここで、複数の配位子は互いに連結して２座以上の配位子を形成していてもよい。）について、構造異性体として例えば、ＭＸ３Ｙ３型８面体６配位構造を有する金属錯体に存在するフェイシャル体、メリジオナル体、またＭＸ２Ｙ４型８面体６配位構造あるいはＭＸ２Ｙ２型平面四角形４配位構造を有する金属錯体に存在するトランス体、シス体が挙げられる。
フェイシャル体とは、同じ配位子が八面体の１面の三角形の頂点にある構造であり、メリジオナル体とは、同じ配位子が金属を挟んで両面に存在する構造である。フェイシャル体はＣ３対称構造を有し、メリジオナル体よりも対称性が高い。
【００３２】
例を挙げて具体的に説明すると、下記ａ１がフェイシャル体であり、ｂ１がメリジオナル体である。
【００３３】
【化８】
2011068848.tif 000009
【００３４】
金属錯体が複座の配位子から構成される場合も同様に異性体が存在するが、８面体６配位構造を有するモノアニオン性２座配位子から成る金属錯体において、アニオン性配位原子が八面体の１面の三角形の頂点にある構造をフェイシャル体と定義し、アニオン性配位原子が金属を挟んで両面に存在する構造をメリジオナル体と定義する。
【００３５】
また、トランス体とは配位子Ｘが金属を介した直線状に配されている構造であり、シス体は配位子Ｘが隣り合って配されている構造である。
【００３６】
例を挙げて具体的に説明すると、下記ａ２、ａ３がシス体であり、ｂ２，ｂ３がトランス体である。
【００３７】
【化９】
2011068848.tif 000010
【００３８】
本発明においては、構造異性体ａがフェイシャル体であり、構造異性体ｂがメリジオナル体であることが好ましい。
【００３９】
フェイシャル体とメリジオナル体は、例えばＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２５巻，２４号，７３７７−７３８７頁（２００３年）に記載されているような方法を用いてそれぞれを選択的に合成することが可能である。また、混合物で得られたとしてもカラムクロマトグラフィーによりそれぞれを単離することができ、その構造を１Ｈ−ＮＭＲや１３Ｃ−ＮＭＲにより確認することができる。
【００４０】
以下、一般式（Ａ）で表される２座配位子について説明する。
なお、本発明における配位子の一般式中、＊は金属への配位部位であって、Ｅ１ａと金属の結合、およびＥ１ｑと金属の結合はそれぞれ独立に共有結合であっても、配位結合であっても良い。
〔一般式（Ａ）で表される２座配位子〕
【００４１】
【化１０】
2011068848.tif 000011
【００４２】
（一般式（Ａ）中、Ｅ１ａ、Ｅ１ｄ、Ｅ１ｅ、Ｅ１ｆ、Ｅ１ｋ、Ｅ１ｌ、Ｅ１ｐ、及びＥ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｚ１、Ｚ２、及びＺ３は各々独立に芳香環又は芳香族複素環を表し、該芳香環又は芳香族複素環は置換基を有していてもよい。一般式（Ａ）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【００４３】
ヘテロ原子とは、炭素原子又は水素原子以外の原子を指す。ヘテロ原子の例として、例えば酸素、窒素、リン、硫黄、セレン、砒素が挙げられる。好ましくは酸素、硫黄、窒素原子であり、より好ましくは窒素原子である。
一般式（Ａ）で表される２座配位子は他の配位子と結合して３座以上の配位子を形成しても良い。
【００４４】
Ｚ１は、５員又は６員の芳香族炭化水素環又はヘテロ環を表すことが好ましく、５員のヘテロ環を表すことがより好ましい。５員のヘテロ環として、具体的にはオキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾールなどが挙げられる。好ましくはイミダゾール又はピラゾールであり、より好ましくはイミダゾールである。これらの環は他の環によって縮環されていても良い。
【００４５】
Ｚ２は、５員又は６員の芳香族炭化水素環又はヘテロ環を表すことが好ましく、より好ましくは６員環であり、更に好ましくは６員の芳香族炭化水素環である。Ｚ２の具体例としては、ベンゼン、オキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、フラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジンなどが挙げられる。好ましくはピリジン又はベンゼンであり、より好ましくはベンゼンである。これらの環は他の環によって縮環されていても良い。
【００４６】
Ｚ３は、５員又は６員の芳香族炭化水素環又はヘテロ環を表すことが好ましく、より好ましくは６員環であり、更に好ましくは６員の芳香族炭化水素環である。Ｚ３の具体例としては、ベンゼン、オキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、フラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジンなどが挙げられる。好ましくはピリジン又はベンゼンであり、より好ましくはベンゼンである。これらの環は他の環によって縮環されていても良い。
【００４７】
Ｚ１、Ｚ２、及びＺ３が表す芳香環又は芳香族複素環は置換基を有していてもよく、該置換基としては後述する置換基群Ｚから選ばれる置換基が挙げられ、好ましくは、炭化水素置換基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、又は炭素数６〜１８のアリール基）、シアノ基、フルオロ基、ＯＲ２ａ、ＳＲ２ａ、ＮＲ２ａＲ２ｂ、ＢＲ２ａＲ２ｂ、又はＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃであり、より好ましくは水素原子、炭化水素置換基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、又は炭素数６〜１８のアリール基）、シアノ基、フルオロ基、ＯＲ２ａ、ＳＲ２ａ、ＮＲ２ａＲ２ｂ、又はＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃである。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立に炭化水素置換基、又は該置換基の炭素原子が1つ以上ヘテロ原子で置換された炭化水素置換基であり、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃの好ましい範囲は前記Ｚ１、Ｚ２、及びＺ３が表す芳香環又は芳香族複素環が有してもよい置換基の場合と同じである。該置換基のうちの少なくとも２つが互いに結合し、飽和又は不飽和の、芳香族環又は非芳香族環を形成していても良い。該形成される環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、ピロール環、チオフェン環、フラン環などが挙げられる。
また、これらの置換基は可能であれば更に置換基を有してもよく、該更なる置換基としては、前記置換基群Ｚから選ばれる置換基が挙げられ、好ましい範囲は、前記Ｚ１、Ｚ２、及びＺ３が表す芳香環又は芳香族複素環が有してもよい置換基の場合と同じである。
【００４８】
なお、本明細書において、炭化水素置換基とは、１価又は２価で、鎖状、分岐又は環状の置換基であり、炭素原子と水素原子のみからなるものを指す。
１価の炭化水素置換基の例としては、炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数６〜１８のアリール基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換されたアリール基等が挙げられる。
２価の炭化水素基の例としては、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、１，２−フェニレン基等が挙げられる。
【００４９】
一般式（Ａ）で表される２座配位子は、下記一般式（Ａ１）、一般式（Ａ２）、一般式（Ａ３）、又は一般式（Ａ４）で表されることが好ましい。
【００５０】
【化１１】
2011068848.tif 000012
【００５１】
（一般式（Ａ１）〜（Ａ４）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【００５２】
Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑは炭素原子又はヘテロ原子から選ばれる。ヘテロ原子の例として、例えば酸素、窒素、リン、硫黄、セレン、砒素が挙げられる。好ましくは酸素、硫黄、窒素原子であり、より好ましくは窒素原子である。Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑは好ましくは炭素原子又は窒素原子から選ばれる。また、Ｅ１ａとＥ１ｐは異なる原子であることが好ましい。また、該骨格は１８π電子構造を有する。
【００５３】
Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅから形成される５員環は、５員のヘテロ環を表す。５員のヘテロ環として、具体的にはオキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾールなどが挙げられる。好ましくはオキサゾール、イミダゾール又はピラゾールであり、より好ましくはイミダゾール又はピラゾールであり、最も好ましくはイミダゾールである。これらの５員環は他の環によって縮環されていても良い。
また、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅのうち少なくとも１つは窒素原子を表すことが好ましく、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅのうち２つ、または３つが窒素原子を表すことが更に好ましく、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅのうち２つが窒素原子を表すことが特に好ましい。Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅのうち２つが窒素原子を表す場合、Ｅ１ａ、Ｅ１ｄ、及びＥ１ｅのうち２つが窒素原子を表すことが好ましく、Ｅ１ａとＥ１ｄ、又はＥ１ａとＥ１ｅが窒素原子を表すことがより好ましく、Ｅ１ａとＥ１ｄが窒素原子を表すことが更に好ましい。
【００５４】
Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋから形成される環は５員又は６員の芳香族炭化水素環又はヘテロ環であり、好ましくは６員環であり、より好ましくは６員の芳香族炭化水素環である。Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋから形成される環の具体例としては、ベンゼン、オキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、フラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジンなどが挙げられる。好ましくはチオフェン、ピリジン又はベンゼンであり、より好ましくはピリジン又はベンゼンであり、最も好ましくはベンゼンである。
【００５５】
Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑから形成される環は、５員又は６員の芳香族炭化水素環又はヘテロ環であり、好ましくは６員環であり、より好ましくは６員の芳香族炭化水素環である。Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑから形成される環の具体例としては、ベンゼン、オキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、フラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジンなどが挙げられる。好ましくはピリジン又はベンゼンであり、より好ましくはベンゼンである。
【００５６】
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。該置換基は、好ましくは以下に説明する置換基群Ｚから選ばれる基である。
【００５７】
置換基群Ｚについて具体的には、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロアリール基以外のヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、重水素原子などが挙げられる。これらの置換基は、更に他の置換基によって置換されてもよい。
【００５８】
ここで、アルキル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル、１−アダマンチル、トリフルオロメチルなどが挙げられる。
【００５９】
また、アルケニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、１−プロペニル、１−イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。
【００６０】
また、アルキニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばエチニル、プロパルギル、１−プロピニル、３−ペンチニルなどが挙げられる。
【００６１】
アリール基とは、芳香族炭化水素モノラジカルを指す。アリール基が置換されている場合、置換基として好ましくはフルオロ基、炭化水素置換基、ヘテロ原子置換炭化水素置換基、シアノ基などが挙げられる。アリール基として好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｏ−メチルフェニル、ｍ−メチルフェニル、ｐ−メチルフェニル、２，６−キシリル、ｐ−クメニル、メシチル、ナフチル、アントラニル、ビフェニルなどが挙げられる。
【００６２】
ヘテロアリール基とは、芳香族ヘテロ環状モノラジカルを指す。置換されている場合、置換基として好ましくはフルオロ基、炭化水素置換基、ヘテロ元素置換炭化水素置換基、シアノ基などが挙げられる。ヘテロ環基として例えば、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ピラジル、ピリミジル、トリアジニル、キノリル、イソキノリニル、ピロリル、インドリル、フリル、チエニル、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニルなどが挙げられる。
【００６３】
また、アミノ基としては、好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。
【００６４】
また、アルコキシ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。
【００６５】
また、アリールオキシ基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。
【００６６】
また、ヘテロ環オキシ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。
【００６７】
また、アシル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。
【００６８】
また、アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。
【００６９】
また、アリールオキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。
【００７０】
また、アシルオキシ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。
【００７１】
また、アシルアミノ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。
【００７２】
また、アルコキシカルボニルアミノ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。
【００７３】
また、アリールオキシカルボニルアミノ基としては、好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。
【００７４】
また、スルホニルアミノ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。
【００７５】
また、スルファモイル基としては、好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。
【００７６】
また、カルバモイル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。
【００７７】
また、アルキルチオ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。
【００７８】
また、アリールチオ基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。
【００７９】
また、ヘテロアリールチオ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。
【００８０】
また、スルホニル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル、トリフルオロメタンスルホニルなどが挙げられる。
【００８１】
また、スルフィニル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。
【００８２】
また、ウレイド基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。
【００８３】
また、リン酸アミド基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。
【００８４】
又はハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
【００８５】
また、ヘテロアリール基以外のヘテロ環基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えば、ピペリジル、モルホリノ、ピロリジルなどが挙げられる。
【００８６】
また、シリル基としては、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ジメチル‐ｔｅｒｔ−ブチルシリル、ジメチルフェニルシリル、ジフェニル‐ｔｅｒｔ−ブチルシリル、トリフェニルシリル、トリ−１−ナフチルシリル、トリ−２−ナフチルシリルなどが挙げられる。
【００８７】
また、シリルオキシ基としては、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。
【００８８】
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは、好ましくは水素原子、炭化水素置換基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、又は炭素数６〜１８のアリール基）、シアノ基、フルオロ基、ＯＲ２ａ、ＳＲ２ａ、ＮＲ２ａＲ２ｂ、ＢＲ２ａＲ２ｂ、又はＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃであり、より好ましくは水素原子、炭化水素置換基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、又は炭素数６〜１８のアリール基）、シアノ基、フルオロ基、ＯＲ２ａ、ＳＲ２ａ、ＮＲ２ａＲ２ｂ、又はＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃであり、最も好ましくは水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基である。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立に炭化水素置換基、又は該置換基の炭素原子が1つ以上ヘテロ原子で置換された炭化水素置換基であり、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃの好ましい範囲は前記Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉが炭化水素置換基である場合と同じである。該へテロ原子としては好ましくは酸素、硫黄、窒素原子であり、より好ましくは窒素原子である。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉ、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃのうちの２つが互いに結合し、飽和又は不飽和の、芳香族環又は非芳香族環を形成していても良い。該形成される環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、ピロール環、チオフェン環、フラン環などが挙げられる。
また、これらの置換基は可能であれば更に置換基を有してもよく、該更なる置換基としては、前記置換基群Ｚから選ばれる置換基が挙げられ、好ましい範囲は、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉの好ましい範囲と同様である。
窒素原子に結合している場合、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは存在しない。
【００８９】
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは少なくとも１つが母骨格に対し２面角が７０度以上であるアリール基であることが好ましく、下記一般式ｓｓ−１で表される置換基であることがより好ましく、２，６−ジ置換アリール基であることがさらに好ましく、Ｒ１ｂが２，６−ジ置換アリール基であることが最も好ましい。
【００９０】
【化１２】
2011068848.tif 000013
【００９１】
（一般式ｓｓ−１中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、又はアリール基のいずれかを表す。Ｒｃの数は０〜３個である。）
【００９２】
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃが表すアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル、１−アダマンチル、トリフルオロメチルなどが挙げられ、メチル基、又はイソプロピル基が好ましい。
【００９３】
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃが表すアリール基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｏ−メチルフェニル、ｍ−メチルフェニル、ｐ−メチルフェニル、２，６−キシリル、ｐ−クメニル、メシチル、ナフチル、アントラニル、などが挙げられ、フェニル基、２，６−キシリル、メシチル、が好ましく、フェニル基がより好ましい。
【００９４】
Ｒａ、Ｒｂの少なくとも１つはアルキル基又はアリール基から選ばれることが好ましく、Ｒａ、Ｒｂの少なくとも１つはアルキル基から選ばれることがより好ましく、Ｒａ、Ｒｂが共にアルキル基であることが更に好ましく、Ｒａ、Ｒｂが共にメチル基、又はイソプロピル基であることが最も好ましい。
２，６−ジ置換アリール基として好ましくは２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，４，６−トリイソプロピルフェニル基、２，６−ジメチル−４−フェニルフェニル基、２，６−ジメチル−４−（２，６−ジメチルピリジン−４−イル）フェニル基、２，６−ジフェニルフェニル基、２，６−ジフェニル−４−イソプロピルフェニル基、２，４，６−トリフェニルフェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（４−イソプロピルフェニル）フェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（３，５−ジメチルフェニル）フェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（ピリジン−４−イル）フェニル基、又は２，６−ジ−（３，５−ジメチルフェニル）フェニル基である。
【００９５】
Ｒｃの数は、好ましくは０又は１である。複数のＲｃは同一でも異なっても良い。
【００９６】
一方で、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは、少なくとも１つがアルキル基であることが好ましい。特に、Ｒ１ｅがアルキル基であることがより好ましい。アルキル基は４以上の炭素原子から成るベンジル位より離れた部位で分岐しているアルキル基であることが好ましく、メチル基又はネオペンチル基であることが好ましく、ネオペンチル基であることがより好ましい。
Ｒ１ａ及びＲ１ｂの少なくとも１つは電子供与性基であることが好ましく、Ｒ１ａが電子供与性置換基であることが好ましく、Ｒ１ａがメチル基であることがより好ましい。
【００９７】
本発明における燐光性金属錯体が有する金属は、原子量４０以上の金属であり、周期表の８族〜１０族に属する金属であることが好ましい。また、非放射性であることが好ましい。本発明における燐光性金属錯体が有する金属は、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、又はＡｕのいずれかであることがより好ましく、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔであることが更に好ましく、Ｉｒ、Ｐｔであることが特に好ましく、高い発光効率、高い錯体安定性、発光層内の正孔・電子輸送のキャリアバランス制御の観点からＩｒであることが最も好ましい。
【００９８】
本発明においては、一般式の配位子から成る金属錯体は主配位子若しくはその互変異性体と副配位子若しくはその互変異性体の組み合わせで構成されるか、金属錯体の配位子の全てが主配位子又はその互変異性体で表される部分構造のみで構成されていてもよい。
【００９９】
更に従来公知の金属錯体形成に用いられる、所謂配位子として当該業者が周知の配位子（配位化合物ともいう）を必要に応じて副配位子として有していてもよい。
【０１００】
本発明に記載の効果を好ましく得る観点からは、錯体中の配位子の種類は１〜２種類から構成されることが好ましく、更に好ましくは１種類である。合成容易性という観点から配位子が２種類からなることも好ましい。
【０１０１】
従来公知の金属錯体に用いられる配位子としては、種々の公知の配位子があるが、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社  Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著  １９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社  山本明夫著  １９８２年発行等に記載の配位子（例えば、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、シアノ配位子、ホスフィン配位子、含窒素ヘテロアリール配位子（例えば、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）が挙げられる。好ましくは、ジケトン類あるいはピコリン酸誘導体である。
【０１０２】
以下に、副配位子の例を具体的に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【０１０３】
【化１３】
2011068848.tif 000014
【０１０４】
上記Ｒｘ、Ｒｙ及びＲｚはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。
【０１０５】
好ましくは、Ｒｘ、Ｒｚはそれぞれ独立にアルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかであり、より好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基、フッ素原子、置換されていても良いフェニル基であり、最も好ましくはメチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子、フェニル基である。Ｒｙは好ましくは水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかであり、より好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、置換されていても良いフェニル基であり、最も好ましくは水素原子、メチル基のいずれかである。これら副配位子は素子中で電荷を輸送したり励起によって電子が集中する部位ではないと考えられるため、Ｒｘ、Ｒｙ、Ｒｚは化学的に安定な置換基であれば良く、本発明の効果にも影響を及ぼさない。
【０１０６】
一般式（Ａ１）〜（Ａ４）のいずれかで表される２座配位子は、一般式（Ａ１）又は（Ａ３）で表される２座配位子であることが好ましい。
【０１０７】
一般式（Ａ１）又は（Ａ３）で表される２座配位子は、下記一般式（Ａ１−１）又は（Ａ３−１）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることが好ましい。
【０１０８】
【化１４】
2011068848.tif 000015
【０１０９】
（一般式（Ａ１−１）及び（Ａ３−１）中、Ｅ１ａ、Ｅ１ｄ、Ｅ１ｅ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１−１）及び（Ａ３−１）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【０１１０】
一般式（Ａ１−１）及び（Ａ３−１）中、Ｅ１ａ、Ｅ１ｄ、Ｅ１ｅ〜Ｅ１ｑ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１）及び（Ａ３）におけるＥ１ａ、Ｅ１ｄ、Ｅ１ｅ〜Ｅ１ｑ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同様である。
【０１１１】
本発明においては、一般式（Ａ１−１）で表されるモノアニオン性の２座配位子がより好ましい。
【０１１２】
一般式（Ａ１−１）又は（Ａ３−１）で表される２座配位子は、下記一般式（Ａ１−２）又は（Ａ３−２）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることが好ましい。
【０１１３】
【化１５】
2011068848.tif 000016
【０１１４】
（一般式（Ａ１−２）及び（Ａ３−２）中、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１−２）及び（Ａ３−２）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【０１１５】
一般式（Ａ１−２）及び（Ａ３−２）中、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１−１）及び（Ａ３−１）におけるＥ１ｌ〜Ｅ１ｑ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同様である。
【０１１６】
一般式（Ａ１−１）及び（Ａ３−１）で表されるモノアニオン性の２座配位子は、一般式（Ａ１−３）又は（Ａ３−３）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることがより好ましい。
【０１１７】
【化１６】
2011068848.tif 000017
【０１１８】
（一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）中、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【０１１９】
一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）中、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１−１）及び（Ａ２−１）におけるＥ１ｌ〜Ｅ１ｑ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同様である。
【０１２０】
一般式（Ａ１−３）及び（Ａ３−３）で表されるモノアニオン性の２座配位子は、一般式（Ａ１−４）又は（Ａ３−４）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることがより好ましい。
【０１２１】
【化１７】
2011068848.tif 000018
【０１２２】
（一般式（Ａ１−４）及び（Ａ３−４）中、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１−４）及び（Ａ３−４）で表される骨格はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【０１２３】
一般式（Ａ１−４）及び（Ａ３−４）で表されるモノアニオン性の２座配位子は、下記一般式（Ａ１−５）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることが好ましい。
【０１２４】
【化１８】
2011068848.tif 000019
【０１２５】
（一般式（Ａ１−５）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【０１２６】
一般式（Ａ１−５）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１−３）におけるＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同様である。
【０１２７】
置換基による立体障害を抑制し、配位子の化学的安定性を維持するため、Ｒ１ｃ、Ｒ１ｆ、Ｒ１ｉは水素原子を表すことが好ましい。
【０１２８】
一般式（Ａ１−５）で表される２座配位子は下記一般式（Ａ１−６）で表される２座配位子であることが好ましい。
【０１２９】
【化１９】
2011068848.tif 000020
【０１３０】
（一般式（Ａ１−６）中、Ｒ１ａは水素原子又は置換基を表す。Ｒｂ及びＲｃはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、又はアリール基を表す。）
一般式（Ａ１−６）中、Ｒ１ａの好ましいものは、一般式（Ａ１−１）におけるＲ１ａと同様である。また、Ｒｂ及びＲｃの好ましいものは、一般式ｓｓ−１におけるＲｂ及びＲｃと同様である。
【０１３１】
本発明における一般式（Ａ）で表されるモノアニオン性の２座配位子と、原子量４０以上の金属とを含む燐光性金属錯体は、下記一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体であることが好ましい。
【０１３２】
【化２０】
2011068848.tif 000021
【０１３３】
（一般式（Ａ１０）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ−Ｙは前記（ｌ−１）〜（ｌ−１４）から選ばれる少なくとも１種のモノアニオン性の二座配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）
【０１３４】
一般式（Ａ１０）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１）におけるＲ１ａ〜Ｒ１ｉの好ましいものと同様である。
Ｘ−Ｙは好ましくはアセチルアセトナト配位子又は置換されたアセチルアセトナト配位子である。
合成の容易さの観点からはｎは３である事が好ましいが、ｎを１〜２として配位子を安価な副配位子に置き換える事もコスト削減の観点からまた好ましい。
ｎが３である場合、前記一般式（Ａ１０）は、下記一般式（Ａ１０−１）で表される。
【０１３５】
【化２１】
2011068848.tif 000022
【０１３６】
（一般式（Ａ１０−１）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
一般式（Ａ１０−１）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉの好ましいものは、一般式（Ａ１）におけるＲ１ａ〜Ｒ１ｉの好ましいものと同様である。
【０１３７】
一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体は、下記一般式（Ａ１１−１）、（Ａ１１−２）又は（Ａ１１−３）で表されることが特に好ましい。
【０１３８】
【化２２】
2011068848.tif 000023
【０１３９】
（一般式（Ａ１１−１）、（Ａ１１−２）及び（Ａ１１−３）中、Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ１ｄ、Ｒ１ｅ、Ｒ１ｇ、及びＲ１ｈは各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基、フルオロ基、−ＯＲ２ａ、−ＳＲ２ａ、−ＮＲ２ａＲ２ｂ、−ＢＲ２ａＲ２ｂ、又は−ＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃである。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立に炭化水素置換基、又はヘテロ原子で置換された炭化水素置換基である。Ｒｘ、Ｒｚはそれぞれ独立にアルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかであり、Ｒｙは水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかである。）
【０１４０】
一般式（Ａ１１−１）、（Ａ１１−２）及び（Ａ１１−３）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｈは各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基、フルオロ基、−ＯＲ２ａ、−ＳＲ２ａ、−ＮＲ２ａＲ２ｂ、−ＢＲ２ａＲ２ｂ、又は−ＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃである。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立に炭化水素置換基、又はヘテロ原子で置換された炭化水素置換基である。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｈは好ましくは、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）、シクロアルキル基、アリール基（好ましくは炭素数６〜１８）、シアノ基、フルオロ基、−ＯＲ２ａ、−ＳＲ２ａ、−ＮＲ２ａＲ２ｂ、又は−ＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃである。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃは好ましくはアルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）、シクロアルキル基、アリール基（好ましくは炭素数６〜１８）であり、ヘテロ原子としては、好ましくは酸素、硫黄、窒素原子であり、より好ましくは窒素原子である。
Ｒｘ、Ｒｚはそれぞれ独立にアルキル基（好ましくは炭素数１〜６）、パーフルオロアルキル基（好ましくは炭素数１〜６）、ハロゲン原子、アリール基（好ましくは炭素数６〜１８）のいずれかであり、Ｒｙは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜６）、パーフルオロアルキル基（好ましくは炭素数１〜６）、ハロゲン原子、アリール基（好ましくは炭素数６〜１８）のいずれかである。
【０１４１】
一般式（Ａ）で表される２座配位子は、より具体的には以下のような構造が好ましく、中でも（Ｘ−６４）〜（Ｘ−６８）が最も好ましい。
【０１４２】
【化２３】
2011068848.tif 000024
【０１４３】
【化２４】
2011068848.tif 000025
【０１４４】
【化２５】
2011068848.tif 000026
【０１４５】
【化２６】
2011068848.tif 000027
【０１４６】
【化２７】
2011068848.tif 000028
【０１４７】
【化２８】
2011068848.tif 000029
【０１４８】
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは一般式（Ａ１）におけるＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同義であり、好ましいものも同様である。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは全て水素原子であることが好ましい。
【０１４９】
一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子と原子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体は、例えば、ＵＳ２００７／０１９０３５９やＵＳ２００８／０２９７０３３に記載の方法など、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、又はその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、若しくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、若しくは、塩基非存在下、室温以下、若しくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。具体的には、Ｘ−６４は、７−メチルイミダゾフェナントリジンを出発原料として、ＵＳ２００７／０１９０３５９の、［０１３２］〜［０１３４］に記載の合成法にて合成することができる。また、Ｘ−６３は、ＵＳ２００８／０２９７０３３の［０２８１］〜［０２８７］に記載の合成法にて合成することができる。
【０１５０】
以下に一般式（Ａ）〜一般式（Ａ１０−１）で表される化合物をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
一般式（Ａ）〜一般式（Ａ１０−１）で表される化合物は下記一般式Ａ−１〜Ａ−２２２で表されることが好ましい。
【０１５１】
【化２９】
2011068848.tif 000030
【０１５２】
【化３０】
2011068848.tif 000031
【０１５３】
【化３１】
2011068848.tif 000032
【０１５４】
【化３２】
2011068848.tif 000033
【０１５５】
【化３３】
2011068848.tif 000034
【０１５６】
【化３４】
2011068848.tif 000035
【０１５７】
【化３５】
2011068848.tif 000036
【０１５８】
【化３６】
2011068848.tif 000037
【０１５９】
【化３７】
2011068848.tif 000038
【０１６０】
【化３８】
2011068848.tif 000039
【０１６１】
【化３９】
2011068848.tif 000040
【０１６２】
【化４０】
2011068848.tif 000041
【０１６３】
【化４１】
2011068848.tif 000042
【０１６４】
【化４２】
2011068848.tif 000043
【０１６５】
【化４３】
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【０１６６】
【化４４】
2011068848.tif 000045
【０１６７】
【化４５】
2011068848.tif 000046
【０１６８】
【化４６】
2011068848.tif 000047
【０１６９】
【化４７】
2011068848.tif 000048
【０１７０】
【化４８】
2011068848.tif 000049
【０１７１】
ここで、上記一般式におけるＸ−Ｙは互いに連結して下記構造を表すことができる。
【０１７２】
【化４９】
2011068848.tif 000050
【０１７３】
また、Ｘは下記中性単座配位子を表してもよいし、Ｙは下記アニオン性配位子を表してもよい。
【０１７４】
【化５０】
2011068848.tif 000051
【０１７５】
【化５１】
2011068848.tif 000052
【０１７６】
上記一般式Ａ−１〜Ａ−２２２のいずれかとＸ−Ｙとの組み合わせにより、本発明に用いられる化合物は例えば、下記のように例示できる。
【０１７７】
【化５２】
2011068848.tif 000053
【０１７８】
【化５３】
2011068848.tif 000054
【０１７９】
【化５４】
2011068848.tif 000055
【０１８０】
【化５５】
2011068848.tif 000056
【０１８１】
【化５６】
2011068848.tif 000057
【０１８２】
【化５７】
2011068848.tif 000058
【０１８３】
【化５８】
2011068848.tif 000059
【０１８４】
【化５９】
2011068848.tif 000060
【０１８５】
【化６０】
2011068848.tif 000061
【０１８６】
【化６１】
2011068848.tif 000062
【０１８７】
【化６２】
2011068848.tif 000063
【０１８８】
上記組み合わせにより得られる一般式（Ａ）〜一般式（Ａ１０−１）で表される化合物（金属錯体ａ）とその構造異性体ｂを含有する材料の具体例を下記表１〜４に示す。なお表１〜表４において、「構造」の欄の数字は、前記一般式Ａ−１〜Ａ−２２２における１〜２２２の数字を表している。
【０１８９】
【表１】
2011068848.tif 000064
【０１９０】
【表２】
2011068848.tif 000065
【０１９１】
【表３】
2011068848.tif 000066
【０１９２】
【表４】
2011068848.tif 000067
【０１９３】
また、本発明の化合物としてＷＯ２００８−１４０１１４公報の段落［０１０２］〜段落［０２５３］に記載の（１）〜（６０）、Ａ−１〜Ａ−２０４、Ｃ−１〜Ｃ−２４８、Ｄ−１〜Ｄ−４９、Ａ−１〜Ａ−２０４、Ｐ−２０１〜Ｐ−３３９、特開２００８−３１１６０７公報の段落［０１１６］〜段落［０１３０］に記載のＢ−１〜Ｂ−１４６、特開２００８−３１１６０８公報の段落［０１１５］〜段落［０１２５］に記載のＤＭ−１−１〜ＤＭ−５−４７及びＰ−Ａ〜Ｐ−Ｃに記載の化合物を好適に用いる事ができる。
【０１９４】
〔有機電界発光素子〕
本発明の有機電界発光素子について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、一対の電極と、該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって、該有機層のうち少なくとも一層に前記一般式（Ａ）で表されるモノアニオン性の２座配位子と原子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体を含む。
【０１９５】
本発明の有機電界発光素子は、好ましくは発光層に前記一般式（Ａ）で表されるモノアニオン性の２座配位子と原子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体を含有する。
【０１９６】
本発明の有機電界発光素子において、発光層は有機層であるが、更に複数の有機層を有していてもよい。
発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明若しくは半透明であることが好ましい。
図１は、本発明に係る有機電界発光素子の構成の一例を示している。図１に示される本発明に係る有機電界発光素子１０は、支持基板１２上において、陽極４と陰極９との間に発光層６が挟まれている。具体的には、陽極４と陰極９との間に正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、正孔ブロック層７、及び電子輸送層８がこの順に積層されている。
【０１９７】
＜有機層の構成＞
前記有機層の層構成としては、特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記透明電極上に又は前記背面電極上に形成されるのが好ましい。この場合、有機層は、前記透明電極又は前記背面電極上の前面又は一面に形成される。
有機層の形状、大きさ、及び厚み等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【０１９８】
具体的な層構成として、下記が挙げられるが本発明はこれらの構成に限定されるものではない。
・陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極。
有機電界発光素子の素子構成、基板、陰極及び陽極については、例えば、特開２００８−２７０７３６号公報に詳述されており、該公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０１９９】
＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
＜陽極＞
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
＜陰極＞
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
【０２００】
基板、陽極、陰極については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔００７０〕〜〔００８９〕に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０２０１】
＜有機層＞
本発明における有機層について説明する。
【０２０２】
−有機層の形成−
本発明の有機電界発光素子において、各有機層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、溶液塗布などの湿式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
【０２０３】
（発光層）
＜発光材料＞
本発明における発光材料は前記一般式（Ａ）で表されるモノアニオン性の２座配位子と原子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体であることが好ましい。
【０２０４】
発光層中の発光材料は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物の質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることがより好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることが更に好ましい。
発光層中の特定燐光性金属錯体は、発光層中に耐久性、発光色相の観点から１質量％〜３０質量％含有されることが好ましく、５質量％〜２０質量％含有されることがより好ましい。
【０２０５】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、２ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、中でも、外部量子効率の観点で、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０２０６】
本発明の素子における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは一種であっても二種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は一種であっても二種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は一層であっても二層以上の多層であってもよい。また、それぞれの発光層が異なる発光色で発光してもよい。
【０２０７】
＜ホスト材料＞
本発明に用いられるホスト材料として、以下の化合物を含有していても良い。例えば、ピロール、インドール、カルバゾール（例えばＣＢＰ（４，４’−ジ（９−カルバゾイル）ビフェニル））、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体及びそれらの誘導体（置換基や縮環を有していてもよい）等を挙げることができる。
【０２０８】
本発明における発光層において、前記ホスト材料三重項最低励起エネルギー（Ｔ１エネルギー）が、前記燐光発光材料のＴ１エネルギーより高いことが色純度、発光効率、駆動耐久性の点で好ましい。
【０２０９】
また、本発明におけるホスト化合物の含有量は、特に限定されるものではないが、発光効率、駆動電圧の観点から、発光層を形成する全化合物質量に対して１５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。
【０２１０】
前記発光層は、一般式（Ａ）〜（Ａ１０−１）で表される化合物と、さらにホスト材料を含む事が好ましい。ホスト材料としては、正孔輸送性ホスト材料であっても、電子輸送性ホスト材料であってもよいが、正孔輸送性ホスト材料を用いることができる。
本発明においては、発光層に前記一般式（Ａ）〜（Ａ１０−１）で表される化合物と、さらに一般式（４−１）または（４−２）で表される化合物の少なくとも１つ以上を含むことが好ましい。
【０２１１】
一般式（４−１）または（４−２）で表される化合物は発光層中に３０〜９９質量％含まれることが好ましく、４０〜９７質量％含まれることが好ましく、５０〜９５質量％含まれることが特に好ましい。また、一般式（４−１）または（４−２）で表される化合物を、複数の有機層に用いる場合はそれぞれの層において、上記の範囲で含有することが好ましい。
【０２１２】
一般式（４−１）または（４−２）で表される化合物は、いずれかの有機層に、一種類のみを含有していてもよく、複数の一般式（４−１）または（４−２）で表される化合物を任意の割合で組み合わせて含有していてもよい。
【０２１３】
前記ホスト材料は下記一般式（４−１）または（４−２）で表される化合物であることが好ましい。
【０２１４】
【化６３】
2011068848.tif 000068
【０２１５】
（一般式（４−１）及び（４−２）中、ｄ、ｅは０〜３の整数を表し、少なくとも一方は１以上である。ｆは１〜４の整数を表す。Ｒ８は置換基を表し、ｄ、ｅ、ｆが２以上である時Ｒ８は互いに異なっていても同じでも良い。また、Ｒ８の少なくとも１つは下記一般式（５）で表されるカルバゾール基を表す。）
【０２１６】
【化６４】
2011068848.tif 000069
【０２１７】
（一般式（５）中、Ｒ９はそれぞれ独立に置換基を表す。ｇは０〜８の整数を表す。）
【０２１８】
Ｒ８はそれぞれ独立に置換基を表し、具体的にはハロゲン原子、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、または一般式（５）で表される置換基である。Ｒ８が一般式（５）を表さない場合、好ましくは炭素数１０以下のアルキル基、炭素数１０以下の置換または無置換のアリール基であり、さらに好ましくは炭素数６以下のアルキル基である。
【０２１９】
Ｒ９はそれぞれ独立に置換基を表し、具体的にはハロゲン原子、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、好ましくは炭素数１０以下のアルキル基、炭素数１０以下の置換または無置換のアリール基であり、さらに好ましくは炭素数６以下のアルキル基である。
ｇは０〜８の整数を表し、電荷輸送を担うカルバゾール骨格を遮蔽しすぎない観点から０〜４が好ましい。また、合成容易さの観点から、カルバゾールが置換基を有する場合、窒素原子に対し、対称になるように置換基を持つものが好ましい。
【０２２０】
一般式（４−１）において、電荷輸送能を保持する観点で、ｄとｅの和は２以上である事が好ましい。また、他方のベンゼン環に対しＲ８がメタで置換することが好ましい。その理由として、オルト置換では隣り合う置換基の立体障害が大きいため結合が開裂しやすく、耐久性が低くなる。また、パラ置換では分子形状が剛直な棒状へと近づき、結晶化しやすくなるため高温条件での素子劣化が起こりやすくなる。具体的には以下の構造で表される化合物である事が好ましい。
【０２２１】
【化６５】
2011068848.tif 000070
【０２２２】
一般式４−２において、電荷輸送能を保持する観点で、ｆは２以上である事が好ましい。ｆが２または３の場合、同様の観点からＲ８が互いにメタで置換することが好ましい。具体的には以下の構造で表される化合物である事が好ましい。
【化６６】
2011068848.tif 000071
【０２２３】
一般式（４−１）及び（４−２）が水素原子を有する場合、水素の同位体（重水素原子等）も含む。この場合化合物中の全ての水素原子が水素同位体に置き換わっていてもよく、また一部が水素同位体を含む化合物である混合物でもよい。好ましくは一般式（５）におけるＲ９が重水素によって置換されたものであり、特に好ましくは以下の構造が挙げられる。
【０２２４】
【化６７】
2011068848.tif 000072
【０２２５】
更に置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。
【０２２６】
一般式（４−１）及び（４−２）で表される化合物は、種々の公知の合成法を組み合わせて合成することが可能である。最も一般的には、カルバゾール化合物に関してはアリールヒドラジンとシクロヘキサン誘導体との縮合体のアザーコープ転位反応の後、脱水素芳香族化による合成（Ｌ．Ｆ．Ｔｉｅｚｅ，Ｔｈ．Ｅｉｃｈｅｒ著、高野、小笠原訳、精密有機合成、３３９頁（南江堂刊））が挙げられる。また、得られたカルバゾール化合物とハロゲン化アリール化合物のパラジウム触媒を用いるカップリング反応に関してはテトラヘドロン・レターズ３９巻６１７頁（１９９８年）、同３９巻２３６７頁（１９９８年）及び同４０巻６３９３頁（１９９９年）等に記載の方法が挙げられる。反応温度、反応時間については特に限定されることはなく、前記文献に記載の条件が適用できる。また、ｍＣＰなどのいくつかの化合物は市販されているものを好適に用いる事ができる。
【０２２７】
本発明の一般式（４−１）及び（４−２）で表される化合物は、真空蒸着プロセスで薄層を形成することが好ましいが、溶液塗布などのウェットプロセスも好適に用いることが出来る。化合物の分子量は、蒸着適性や溶解性の観点から２０００以下であることが好ましく、１２００以下であることがより好ましく、８００以下であることが特に好ましい。また蒸着適性の観点では、分子量が小さすぎると蒸気圧が小さくなり、気相から固相への変化がおきず、有機層を形成することが困難となるので、２５０以上が好ましく、３００以上が特に好ましい。
【０２２８】
一般式（４−１）及び（４−２）は、以下に示す構造もしくはその水素原子が１つ以上重水素原子で置換された化合物であることが好ましい。
【化６８】
2011068848.tif 000073
【０２２９】
以下に、本発明における一般式（４−１）及び（４−２）で表される化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２３０】
【化６９】
2011068848.tif 000074
【０２３１】
【化７０】
2011068848.tif 000075
【０２３２】
【化７１】
2011068848.tif 000076
【０２３３】
【化７２】
2011068848.tif 000077
【０２３４】
【化７３】
2011068848.tif 000078
【０２３５】
【化７４】
2011068848.tif 000079
【０２３６】
（蛍光発光材料）
本発明に使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の錯体やピロメテン誘導体の錯体に代表される各種錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【０２３７】
（燐光発光材料）
本発明に使用できる燐光発光材料としては、例えば、ＵＳ６３０３２３８Ｂ１、ＵＳ６０９７１４７、ＷＯ００／５７６７６、ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／０８２３０、ＷＯ０１／３９２３４Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、ＷＯ０２／４４１８９Ａ１、ＷＯ０５／１９３７３Ａ２、特開２００１−２４７８５９、特開２００２−３０２６７１、特開２００２−１１７９７８、特開２００３−１３３０７４、特開２００２−２３５０７６、特開２００３−１２３９８２、特開２００２−１７０６８４、ＥＰ１２１１２５７、特開２００２−２２６４９５、特開２００２−２３４８９４、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−１７３６７４、特開２００２−２０３６７８、特開２００２−２０３６７９、特開２００４−３５７７９１、特開２００６−２５６９９９、特開２００７−１９４６２、特開２００７−８４６３５、特開２００７−９６２５９等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられ、中でも、更に好ましい発光性ドーパントとしては、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、及びＣｅ錯体が挙げられる。特に好ましくは、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体であり、中でも金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体が好ましい。更に、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体が特に好ましい。
【０２３８】
燐光発光材料の含有量は、発光層中に、発光層の総質量に対して、０．１質量％以上５０質量％以下の範囲が好ましく、０．２質量％以上５０質量％以下の範囲がより好ましく、０．３質量％以上４０質量％以下の範囲がさらに好ましく、５質量％以上３０質量％以下の範囲が最も好ましい。
【０２３９】
本発明に用いることのできる燐光発光材料（特定燐光性金属錯体及び／又は併用する燐光発光材料）の含有量は、発光層の総質量に対して、０．１質量％以上５０質量％以下の範囲が好ましく、１質量％以上４０質量％以下の範囲がより好ましく、５質量％以上３０質量％以下の範囲が最も好ましい。特に５質量％以上３０質量％以下の範囲では、その有機電界発光素子の発光の色度は、燐光発光材料の添加濃度依存性が小さい。
本発明の有機電界発光素子は、上記特定燐光性金属錯体の少なくとも一種を該発光層の総質量に対して５〜３０質量％含有することが最も好ましい。
【０２４０】
有機電界発光素子は、有機層のいずれかの層がさらに、炭化水素化合物を含むことが好ましく、発光層が炭化水素化合物を含むことがより好ましい。
また、炭化水素化合物は下記一般式（ＶＩ）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（ＶＩ）で表される化合物を発光材料とともに適切に用いることにより、材料分子間の相互作用を適切に制御し、隣接分子間のエネルギーギャップ相互作用を均一にすることで駆動電圧をさらに低下させることが可能となる。
また、有機電界発光素子において用いられる、一般式（ＶＩ）で表される化合物は、化学的な安定性に優れ、素子駆動中における材料の分解等の変質が少なく、当該材料の分解物による、有機電界発光素子の効率低下や素子寿命の低下を防ぐことが出来る。
一般式（ＶＩ）で表される化合物について説明する。
【０２４１】
【化７５】
2011068848.tif 000080
【０２４２】
一般式（ＶＩ）中、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１０、Ｘ４〜Ｘ１５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。
【０２４３】
一般式（ＶＩ）の、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１０、Ｘ４〜Ｘ１５で表されるアルキル基は、アダマンタン構造、アリール構造で置換されていてもよく、炭素数１〜７０が好ましく、炭素数１〜５０がより好ましく、炭素数１〜３０がさらに好ましく、炭素数１〜１０がよりさらに好ましく、炭素数１〜６が特に好ましく、炭素数２〜６の直鎖のアルキル基が最も好ましい。
【０２４４】
一般式（ＶＩ）の、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１０、Ｘ４〜Ｘ１５で表されるアルキル基としては、例えば、ｎ−Ｃ５０Ｈ１０１基、ｎ−Ｃ３０Ｈ６１基、３−（３，５，７−トリフェニルアダマンタン−１−イル）プロピル基（炭素数３１）、トリチル基（炭素数１９）、３−（アダマンタン−１−イル）プロピル基（炭素数１３）、９−デカリル基（炭素数１０）、ベンジル基（炭素数７）、シクロヘキシル基（炭素数６）、ｎ−ヘキシル基（炭素数６）、ｎ−ペンチル基（炭素数５）、ｎ−ブチル基（炭素数４）、ｎ−プロピル基（炭素数３）、シクロプロピル基（炭素数３）、エチル基（炭素数２）、メチル基（炭素数１）などが挙げられる。
【０２４５】
一般式（ＶＩ）の、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１０、Ｘ４〜Ｘ１５で表されるアリール基は、アダマンタン構造、アルキル構造で置換されていてもよく、炭素数６〜３０が好ましく、炭素数６〜２０がより好ましく、炭素数６〜１５がさらに好ましく、炭素数６〜１０が特に好ましく、炭素数６が最も好ましい。
【０２４６】
一般式（ＶＩ）の、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１０、Ｘ４〜Ｘ１５で表されるアリール基としては、例えば、１−ピレニル基（炭素数１６）、９−アントラセニル基（炭素数１４）、１−ナフチル基（炭素数１０）、２−ナフチル基（炭素数１０）、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基（炭素数１０）、２−ｍ−キシリル基（炭素数８）、５−ｍ−キシリル基（炭素数８）、ｏ−トリル基（炭素数７）、ｍ−トリル基（炭素数７）、ｐ−トリル基（炭素数７）、フェニル基（炭素数６）などが挙げられる。
【０２４７】
一般式（ＶＩ）のＲ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１０は、水素原子であっても、アルキル基であっても、アリール基であってもよいが、前述の高いガラス転移温度が好ましい観点から、少なくともひとつはアリール基であることが好ましく、少なくともふたつはアリール基であることがより好ましく、３ないし４つがアリール基であることが特に好ましい。
【０２４８】
一般式（ＶＩ）の、Ｘ４〜Ｘ１５は、水素原子であっても、アルキル基であっても、アリール基であってもよいが、水素原子、又はアリール基であることが好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
【０２４９】
本発明における一般式（ＶＩ）で表される化合物の分子量は、有機電界発光素子を真空蒸着プロセスや溶液塗布プロセスを用いて作成するので、蒸着適性や溶解性の観点から、２０００以下であることが好ましく、１２００以下であることがより好ましく、１０００以下であることが特に好ましい。また、蒸着適性の観点では、分子量が小さすぎると蒸気圧が小さくなり、気相から固相への変化がおきず、有機層を形成することが困難となるので、２５０以上が好ましく、３５０以上がより好ましく、４００以上が特に好ましい。
【０２５０】
一般式（ＶＩ）で表される化合物は、室温（２５℃）において固体であることが好ましく、室温（２５℃）から４０℃の範囲において固体であることがより好ましく、室温（２５℃）から６０℃の範囲において固体であることが特に好ましい。
室温（２５℃）において固体を形成しない一般式（ＶＩ）で表される化合物を用いる場合は、他の材料と組み合わせることにより、常温で固相を形成させることができる。
【０２５１】
一般式（ＶＩ）で表される化合物は、その用途が限定されることはなく、有機層内のいずれの層に含有されてもよい。本発明における一般式（ＶＩ）で表される化合物の導入層としては、後述の発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、若しくは複数に含有されるのが好ましく、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれか、若しくは複数に含有されるのがより好ましく、発光層、正孔注入層、正孔輸送層のいずれか、若しくは複数に含有されるのが特に好ましく、発光層に含むことが最も好ましい。
【０２５２】
一般式（ＶＩ）で表される化合物を、有機層中で用いる場合は、一般式（ＶＩ）で表される化合物の含量は、電荷輸送性を抑制しない程度の量に制限して用いる必要があり、一般式（ＶＩ）で表される化合物は０．１〜７０質量％含まれることが好ましく、０．１〜３０質量％含まれることがより好ましく、０．１〜２５質量％含まれることが特に好ましい。
また、一般式（ＶＩ）で表される化合物を、複数の有機層に用いる場合はそれぞれの層において、上記の範囲で含有することが好ましい。
【０２５３】
一般式（ＶＩ）で表される化合物は、いずれかの有機層に、一種類のみを含有していてもよく、複数の一般式（ＶＩ）で表される化合物を任意の割合で組み合わせて含有していてもよい。
【０２５４】
一般式（ＶＩ）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、以下に限定されるものではない。
【０２５５】
【化７６】
2011068848.tif 000081
【０２５６】
【化７７】
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【０２５７】
【化７８】
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【０２５８】
【化７９】
2011068848.tif 000084
【０２５９】
一般式（ＶＩ）で表される化合物は、アダマンタン、もしくは、ハロゲン化アダマンタンと、ハロゲン化アルキルもしくは、アルキルマグネシウムハライド（グリニヤー試薬）を適当に組み合わせることによって合成できる。例えば、インジウムを用いて、ハロゲン化アダマンタンと、ハロゲン化アルキルをカップリングすることができる（文献１）。又はロゲン化アルキルをアルキル銅試薬に変換し、芳香族化合物のグリニヤー試薬とカップリングすることもできる（文献２）。又はロゲン化アルキルを、適当なアリールホウ酸とパラジウム触媒を用いてカップリングすることもできる（文献３）。
文献１：Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．３９，１９９８，９５５７−９５５８．
文献２：Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．３９，１９９８，２０９５−２０９６．
文献３：Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２４，２００２，１３６６２−１３６６３．
【０２６０】
アリール基を有するアダマンタン骨格は、アダマンタン、もしくは、ハロゲン化アダマンタンと、対応するアレーンやアリールハライドを適当に組み合わせることにより合成できる。
【０２６１】
なお、上記に示した製造方法において、定義された置換基が、ある合成方法の条件下で変化するか、又は該方法を実施するのに不適切な場合、官能基の保護、脱保護（例えば、プロテクティブ・グループス・イン・オーガニック・シンセシス（Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ
Ｇｒｏｕｐｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）、グリーン（Ｔ．  Ｗ．
Ｇｒｅｅｎｅ）著、ジョン・ワイリー・アンド・サンズ・インコーポレイテッド（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ  Ｉｎｃ．）（１９８１年）等）等の手段により容易に製造が可能である。また、必要に応じて適宜置換基導入等の反応工程の順序を変化させることも可能である。
【０２６２】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０２６３】
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
本発明に関し、有機層として、電子受容性ドーパントを含有する正孔注入層又は正孔輸送層を含むことが好ましい。
【０２６４】
−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
【０２６５】
正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１６５〕〜〔０１６７〕に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０２６６】
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）４−フェニルフェノレート（Ａｌｕｍｉｎｕｍ（ＩＩＩ）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）４−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ（ＢＡｌｑと略記する））等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（ＢＣＰと略記する））等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０２６７】
−電子ブロック層−
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する有機化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
電子ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０２６８】
＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１６９〕〜〔０１７０〕に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０２６９】
＜封止容器＞
本発明の素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
封止容器については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１７１〕に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０２７０】
（駆動）
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書等に記載の駆動方法を適用することができる。
【０２７１】
本発明の発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
【０２７２】
本発明の発光素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆるトップエミッション方式であっても良い。
【０２７３】
本発明における有機ＥＬ素子は、共振器構造を有しても良い。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明又は半透明電極、発光層、及び金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、２つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第一の態様の場合の計算式は特開平９−１８０８８３号明細書に記載されている。第２の態様の場合の計算式は特開２００４−１２７７９５号明細書に記載されている。
【０２７４】
本発明の有機電界発光素子の外部量子効率としては、５％以上が好ましく、７％以上がより好ましい。外部量子効率の数値は２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、若しくは、２０℃で素子を駆動したときの１００〜３００ｃｄ／ｍ２付近での外部量子効率の値を用いることができる。
【０２７５】
本発明の有機電界発光素子の内部量子効率は、３０％以上であることが好ましく、５０％以上がさらに好ましく、７０％以上がさらに好ましい。素子の内部量子効率は、外部量子効率を光取り出し効率で除して算出される。通常の有機ＥＬ素子では光取り出し効率は約２０％であるが、基板の形状、電極の形状、有機層の膜厚、無機層の膜厚、有機層の屈折率、無機層の屈折率等を工夫することにより、光取り出し効率を２０％以上にすることが可能である。
【０２７６】
本発明の有機電界発光素子は、３５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下に極大発光波長（発光スペクトルの最大強度波長）を有するものが好ましく、より好ましくは３５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下、更に好ましくは４００ｎｍ以上５２０ｎｍ以下、特に好ましくは４００ｎｍ以上４７０ｎｍ以下である。
【０２７７】
（本発明の発光素子の用途）
本発明の発光素子は、発光装置、ピクセル、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、又は光通信等に好適に利用できる。特に、発光装置、照明装置、表示装置等の発光輝度が高い領域で駆動されるデバイスに好ましく用いられる。
【０２７８】
次に、図２を参照して本発明の発光装置について説明する。
本発明の発光装置は、前記有機電界発光素子を用いてなる。
図２は、本発明の発光装置の一例を概略的に示した断面図である。
図２の発光装置２０は、透明基板（支持基板）２、有機電界発光素子１０、封止容器１１等により構成されている。
【０２７９】
有機電界発光素子１０は、基板２上に、陽極（第一電極）３、有機層１１、陰極（第二電極）９が順次積層されて構成されている。また、陰極９上には、保護層１２が積層されており、さらに、保護層１２上には接着層１４を介して封止容器１６が設けられている。なお、各電極３、９の一部、隔壁、絶縁層等は省略されている。
ここで、接着層１４としては、エポキシ樹脂等の光硬化型接着剤や熱硬化型接着剤を用いることができ、例えば熱硬化性の接着シートを用いることもできる。
【０２８０】
本発明の発光装置の用途は特に制限されるものではなく、例えば、照明装置のほか、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、電子ペーパ等の表示装置とすることができる。
【０２８１】
（照明装置）
次に、図３を参照して本発明の実施形態に係る照明装置について説明する。
図３は、本発明の実施形態に係る照明装置の一例を概略的に示した断面図である。
本発明の実施形態に係る照明装置４０は、図３に示すように、前述した有機ＥＬ素子１０と、光散乱部材３０とを備えている。より具体的には、照明装置４０は、有機ＥＬ素子１０の基板２と光散乱部材３０とが接触するように構成されている。
光散乱部材３０は、光を散乱できるものであれば特に制限されないが、図３においては、透明基板３１に微粒子３２が分散した部材とされている。透明基板３１としては、例えば、ガラス基板を好適に挙げることができる。微粒子３２としては、透明樹脂微粒子を好適に挙げることができる。ガラス基板及び透明樹脂微粒子としては、いずれも、公知のものを使用できる。このような照明装置４０は、有機電界発光素子１０からの発光が散乱部材３０の光入射面３０Ａに入射されると、入射光を光散乱部材３０により散乱させ、散乱光を光出射面３０Ｂから照明光として出射するものである。
【実施例】
【０２８２】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲は以下の実施例に制限されるものではない。
【０２８３】
実施例及び比較例に用いた有機材料は全て昇華精製したものを用いた。実施例及び比較例で使用した化合物の構造を以下に示す。
【０２８４】
【化８０】
2011068848.tif 000085
【０２８５】
【化８１】
2011068848.tif 000086
【０２８６】
【化８２】
2011068848.tif 000087
【０２８７】
【化８３】
2011068848.tif 000088
【０２８８】
実施例及び比較例で使用した金属錯体は、例えば、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書や米国特許出願公開第２００８／０２９７０３３号明細書に記載の方法など、種々の手法で合成した。化合物１〜７はＵＳ２００８／０２９７０３３５５ページ、第１２９段落以降に記載の合成方法を用いて作製した。化合物１１及び１２は特開２００９−１０２５３３の１８９ページ、第２８８段落〜第３０２段落に記載の合成方法を用いて合成を行った。また、各々の金属錯体の構造異性体は、特開２００５−３４４１２４号広報の第８４段落に記載の通り、同様の方法で単離する事ができる。それぞれの化合物は錯体化反応を行う際に得られた各々の構造異性体をカラムクロマトグラフィーにて単離し、昇華精製後１Ｈ  ＮＭＲにて構造を確認したのちに実施例に記載の混合比で材料を混合し、素子に用いた。例えば、化合物１の錯体化は以下のようにして行うことができる。
【０２８９】
【化８４】
2011068848.tif 000089
【０２９０】
化合物Ｌ１（１．１ｇ、５．０ｍｍｏｌ）とトリス（アセチルアセトナト）イリジウム（０．４９ｇ、１．０ｍｍｏｌ）をフラスコに入れ、トリデカン（０．３ｍＬ）を加えて容器内を乾燥窒素で充分に置換する。反応容器を黄色灯下、記載の時間加熱する。放冷した反応物をジクロロメタンに溶解させ、ＵＳ２００８−０２９７０３３広報に記載の方法で粗精製を行った。さらに得られた明黄色粉末をジクロロメタンに溶解させ、カラムクロマトグラフィーを行うことにより化合物１のフェイシャル体（０．３ｇ）とメリジオナル体（０．０１ｇ）をそれぞれ得ることができる。
また、他の化合物も類似の方法で構造異性体を分離する事ができる。
【０２９１】
〔実施例１〕
１００μｍ厚み、２．５ｃｍ角の酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機層を順次蒸着した。
第１層：ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン），膜厚１２０ｎｍ
第２層：ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン），膜厚７ｎｍ
第３層：ＣＢＰ（４，４’−ジ（９−カルバゾイル）ビフェニル））、膜厚３ｎｍ
第４層（発光層）：発光材料（ドーパント）として化合物１（９質量％）、ホスト材料としてｍＣＢＰ（９１質量％）、膜厚３０ｎｍ
第５層：第一電子輸送材料（ＢＡｌｑ）：膜厚３０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム１ｎｍ及び金属アルミニウム１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
得られた積層体を、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、本発明の実施例である素子１を得た。
【０２９２】
素子の発光材料、及びホスト材料を、下記表５に示すように変更する以外は上記素子１と同様にして、本発明の実施例である本発明の素子２〜８４、比較例である比較素子１〜４０を作製した。
【０２９３】
（有機電界発光素子の性能評価）
得られた各種素子の性能を以下のように評価した。
各素子に電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２になるよう電圧を印加した時の輝度を測定した。
次に、各素子に使用される発光材料（金属錯体１〜２４、ｒｅｆ−１、及びｒｅｆ−２）を透明瓶に入れたものを、白色光を設置し照射したエスペック社製オーブンＰＨ−１０１中に入れ、大気下で、表５記載の条件（例えば素子１は６０℃・２４時間）で加熱（保存）した。放冷ののち材料を取り出し、前記と同様にして素子を作製し、輝度を測定した。なお、測定輝度は明確化のため光と熱に対する暴露前後ともに素子１の暴露前の輝度を１００としたときの相対値で表し、暴露前に対する暴露後の輝度維持率を算出した。
輝度維持率＝（暴露後の輝度）／（暴露前の輝度）×１００（％）
【０２９４】
【表５】
2011068848.tif 000090
【０２９５】
【表６】
2011068848.tif 000091
【０２９６】
表５において、発光材料の項目は、例えば素子１については、前記燐光性金属錯体１のフェイシャル体（ｆａｃ）：メリジオナル体（ｍｅｒ）が質量比で１００：０．５の発光材料を用いたという意味である。
表５の結果から、本発明の実施例である本発明の素子１〜８４は、比較例である比較素子１〜４０と比べて、輝度維持率に優れていることが分かる。なお、メリジオナル体を含有していない比較例は先行技術である特許文献１に対応するものである。
比較例の素子３２は暴露安定性は良好であるが、フェイシャル体に対するメリジオナル体の含有量が多すぎるために、素子１に対して輝度が低くなっており、効率が劣る。
本発明の素子４１〜４５、５１〜６８、７７〜８４では異なる構造のホスト材料を用いても、本発明の効果が同様に得られることを示している。特に本発明の素子５６〜６８、７９〜８１では、ホストとしてＨ−３及びＨ−４を用いる事で加熱前の輝度が向上している。化合物１０〜１３を用いた素子に比べて、化合物１〜９を用いた素子は効率及び輝度の維持率が高い事がわかった。
【０２９７】
発光装置、表示装置、照明装置の場合、駆動時に発生する熱のために、室温より高い温度での駆動が必要になることが考えられる。また、各画素部で高い電流密度を通じて瞬間的に高輝度発光させる必要があり、本発明の発光素子はそのような場合に発光効率が高くなるように設計されているため、有利に利用することができる。
【０２９８】
〔実施例２〕
表６に示した発光材料を用いて、前記実施例１と同様に素子を作製した。なお、このとき材料をるつぼに入れ、時間を置かずに蒸着した（蒸着条件１）。
次に、るつぼをその温度のまま４８時間加熱したのちに蒸着（蒸着条件２）して、同様に素子を作製した。後者の蒸着条件２は素子の生産時に大量の材料を連続で蒸着する条件を想定して行ったものである。この２種の素子に電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２になるよう電圧を印加した時の輝度を測定した。なお、輝度は素子２−１の輝度を１００としたときの相対値で表した。
【０２９９】
【表７】
2011068848.tif 000092
【０３００】
表６に示した結果から、本発明の有機電界発光素子用材料を用いた本発明の素子２−１〜２−５は、通常通りに作製した場合と比べて、発光材料を４８時間加熱したのちに蒸着して作製した素子の輝度はほとんど低下していない。よって、本発明の有機電界発光素子用材料は、素子の大量生産に適しているといえる。
一方、本発明の範囲外の有機電界発光素子用材料を用いた比較素子２−１〜２−６は、通常通りに作製した場合と比べて、発光材料を４８時間加熱したのちに蒸着して作製した素子の輝度が著しく低下しおり、大量生産に適さないことがわかる。
【符号の説明】
【０３０１】
２・・・基板
３・・・陽極
４・・・正孔注入層
５・・・正孔輸送層
６・・・発光層
７・・・正孔ブロック層
８・・・電子輸送層
９・・・陰極
１０・・・有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）
１１・・・有機層
１２・・・保護層
１４・・・接着層
１６・・・封止容器
２０・・・発光装置
３０・・・光散乱部材
３０Ａ・・・光入射面
３０Ｂ・・・光出射面
３１・・・透明基板
３２・・・微粒子
４０・・・照明装置
【図１】
2011068848.tif 000101
【図２】
2011068848.tif 000102
【図３】
2011068848.tif 000103
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月30日(2010.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ａ１−５）で表されるモノアニオン性の２座配位子と、イリジウムとを含む下記一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体ａと、該燐光性金属錯体ａと同じ化学式で表されながら、該一般式（Ａ１−５）で表される配位子の配位方法が立体的に異なる構造異性体ｂとを含有する有機電界発光素子用材料であって、該構造異性体ｂを該燐光性金属錯体ａに対して０．０５質量％以上５質量％以下含む有機電界発光素子用材料。
【化１】
2011068848.tif 000104
（一般式（Ａ１−５）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基、フルオロ基、−ＯＲ２ａ、−ＳＲ２ａ、−ＮＲ２ａＲ２ｂ、−ＢＲ２ａＲ２ｂ、又は−ＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃを表す。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立にアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。）
【化２】
2011068848.tif 000105
（一般式（Ａ１０）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基、フルオロ基、−ＯＲ２ａ、−ＳＲ２ａ、−ＮＲ２ａＲ２ｂ、−ＢＲ２ａＲ２ｂ、又は−ＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃを表す。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立にアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。Ｘ−Ｙは下記（ｌ−１）〜（ｌ−１４）から選ばれる少なくとも１種のモノアニオン性の二座配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）
【化３】
2011068848.tif 000106
（上記Ｒｘ、Ｒｚはそれぞれ独立にアルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかを表し、Ｒｙは水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかを表す。）
【請求項２】
前記一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１０−１）で表される燐光性金属錯体である請求項１に記載の有機電界発光素子用材料。
【化４】
2011068848.tif 000107
（一般式（Ａ１０−１）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基、フルオロ基、−ＯＲ２ａ、−ＳＲ２ａ、−ＮＲ２ａＲ２ｂ、−ＢＲ２ａＲ２ｂ、又は−ＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃを表す。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立にアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。）
【請求項３】
前記一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１１−１）、（Ａ１１−２）又は（Ａ１１−３）で表される燐光性金属錯体である請求項１に記載の有機電界発光素子用材料。
【化５】
2011068848.tif 000108
（一般式（Ａ１１−１）、（Ａ１１−２）及び（Ａ１１−３）中、Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ１ｄ、Ｒ１ｅ、Ｒ１ｇ、及びＲ１ｈは各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基、フルオロ基、−ＯＲ２ａ、−ＳＲ２ａ、−ＮＲ２ａＲ２ｂ、−ＢＲ２ａＲ２ｂ、又は−ＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃを表す。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立にアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。Ｒｘ、Ｒｚはそれぞれ独立にアルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかを表し、Ｒｙは水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかを表す。）
【請求項４】
前記構造異性体ａがフェイシャル体を表し、構造異性体ｂがメリジオナル体を表す請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。
【請求項５】
基板上に、一対の電極と、該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料を該有機層のうち少なくとも一層に含む有機電界発光素子。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料を発光層に含む請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
【請求項８】
請求項５又は６に記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
【請求項９】
請求項５又は６に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、本発明は下記の手段により前記課題を解決した。
＜１＞
下記一般式（Ａ１−５）で表されるモノアニオン性の２座配位子と、イリジウムとを含む下記一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体ａと、該燐光性金属錯体ａと同じ化学式で表されながら、該一般式（Ａ１−５）で表される配位子の配位方法が立体的に異なる構造異性体ｂとを含有する有機電界発光素子用材料であって、該構造異性体ｂを該燐光性金属錯体ａに対して０．０５質量％以上５質量％以下含む有機電界発光素子用材料。
【化１０１】
2011068848.tif 000109
（一般式（Ａ１−５）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基、フルオロ基、−ＯＲ２ａ、−ＳＲ２ａ、−ＮＲ２ａＲ２ｂ、−ＢＲ２ａＲ２ｂ、又は−ＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃを表す。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立にアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。）
【化１０２】
2011068848.tif 000110
（一般式（Ａ１０）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基、フルオロ基、−ＯＲ２ａ、−ＳＲ２ａ、−ＮＲ２ａＲ２ｂ、−ＢＲ２ａＲ２ｂ、又は−ＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃを表す。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立にアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。Ｘ−Ｙは下記（ｌ−１）〜（ｌ−１４）から選ばれる少なくとも１種のモノアニオン性の二座配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）
【化１０３】
2011068848.tif 000111
（上記Ｒｘ、Ｒｚはそれぞれ独立にアルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかを表し、Ｒｙは水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかを表す。）
＜２＞
前記一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１０−１）で表される燐光性金属錯体である上記＜１＞に記載の有機電界発光素子用材料。
【化１０４】
2011068848.tif 000112
（一般式（Ａ１０−１）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基、フルオロ基、−ＯＲ２ａ、−ＳＲ２ａ、−ＮＲ２ａＲ２ｂ、−ＢＲ２ａＲ２ｂ、又は−ＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃを表す。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立にアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。）
＜３＞
前記一般式（Ａ１０）で表される燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１１−１）、（Ａ１１−２）又は（Ａ１１−３）で表される燐光性金属錯体である上記＜１＞に記載の有機電界発光素子用材料。
【化１０５】
2011068848.tif 000113
（一般式（Ａ１１−１）、（Ａ１１−２）及び（Ａ１１−３）中、Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ１ｄ、Ｒ１ｅ、Ｒ１ｇ、及びＲ１ｈは各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基、フルオロ基、−ＯＲ２ａ、−ＳＲ２ａ、−ＮＲ２ａＲ２ｂ、−ＢＲ２ａＲ２ｂ、又は−ＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃを表す。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立にアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。Ｒｘ、Ｒｚはそれぞれ独立にアルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかを表し、Ｒｙは水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基のいずれかを表す。）
＜４＞
前記構造異性体ａがフェイシャル体を表し、構造異性体ｂがメリジオナル体を表す上記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。
＜５＞
基板上に、一対の電極と、該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって、上記＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料を該有機層のうち少なくとも一層に含む有機電界発光素子。
＜６＞
上記＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料を発光層に含む上記＜５に記載の有機電界発光素子。
＜７＞
上記＜５＞又は＜６＞に記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
＜８＞
上記＜５＞又は＜６＞に記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
＜９＞
上記＜５＞又は＜６＞に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。
なお、本発明は上記＜１＞〜＜９＞に関するものであるが、参考のため、例えば下記［１］〜［１３］に記載の事項など、その他の事項についても記載した。
［１］下記一般式（Ａ）で表されるモノアニオン性の２座配位子と、原子量４０以上の金属とを含む燐光性金属錯体ａと、該燐光性金属錯体ａと同じ化学式で表されながら、該配位子の配位方法が立体的に異なる構造異性体ｂとを含有する有機電界発光素子用材料であって、該構造異性体ｂを該燐光性金属錯体ａに対して０．０５質量％以上５質量％以下含む有機電界発光素子用材料。