(57)【要約】【課題】調色可能な半導体発光装置において発生した熱の放熱性能の向上に関する技術を提供する。【解決手段】少なくともパッケージ、半導体発光素子、及び蛍光体を備える半導体発光装置を搭載するための回路基板であって、半導体発光装置が搭載される熱伝導材料を用いて形成された基材部と、半導体発光装置のパッケージの有する複数の分割領域部のうち少なくとも一の分割領域部と他の分割領域部を別系統として半導体発光素子の各々に電力を供給する電力供給部と、を有する。電力供給部は、熱伝導材料を用いて且つ基材部を覆うように面状に形成される。【選択図】図１２
2011175950.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともパッケージ、半導体発光素子、及び蛍光体を備える半導体発光装置を搭載するための回路基板であって、
前記半導体発光装置におけるパッケージは、該半導体発光装置の出射方向に開口する開口部と、該パッケージ内部を２以上に分割して画定され且つ該開口部の一部である分割開口部において開口する、少なくとも２以上の分割領域部を有し、
前記分割領域部の各々は、
一又は複数の前記半導体発光素子と、
前記蛍光体と各分割領域部を封止する透光性材料とを含む蛍光部と、を有し、
前記複数の分割領域部のうち少なくとも一の分割領域部と他の分割領域部において、該蛍光部から出力される光のスペクトルが互いに異なり、
前記半導体発光装置が搭載される、熱伝導材料を用いて形成された基材部と、
前記複数の分割領域部のうち少なくとも一の分割領域部と他の分割領域部を別系統として前記半導体発光素子の各々に電力を供給する電力供給部と、
を有し、
前記電力供給部は、熱伝導材料を用いて且つ前記基材部を覆うように面状に形成される、
半導体発光装置を搭載するための回路基板。
【請求項２】
別系統の前記半導体発光素子に電力を供給する電力供給部同士を互いに絶縁するための絶縁部材が前記基材部に設けられており、
前記電力供給部はその系統ごとに、前記絶縁部材によって前記基材部の面内方向に区画されている、
請求項１に記載の半導体発光装置を搭載するための回路基板。
【請求項３】
前記基材部には、前記半導体発光装置が搭載されていない方の非搭載面と熱的に接するように放熱用ハウジング部材が取り付けられ、前記電力供給部を介して前記基材部に伝えられる前記半導体発光装置からの熱が該放熱用ハウジング部材から大気中に放熱される、請求項１又は２に記載の半導体発光装置を搭載するための回路基板。
【請求項４】
少なくともパッケージ、半導体発光素子、及び蛍光体を備える半導体発光装置と、該半導体発光装置を搭載するための回路基板と、を含む発光モジュールであって、
前記半導体発光装置におけるパッケージは、該半導体発光装置の出射方向に開口する開口部と、該パッケージ内部を２以上に分割して画定され且つ該開口部の一部である分割開口部において開口する、少なくとも２以上の分割領域部を有し、
前記分割領域部の各々は、
一又は複数の前記半導体発光素子と、
前記蛍光体と各分割領域部を封止する透光性材料とを含む蛍光部と、を有し、
前記複数の分割領域部のうち少なくとも一の分割領域部と他の分割領域部において、該蛍光部から出力される光のスペクトルが互いに異なり、
前記回路基板は、
前記半導体発光装置が搭載される、熱伝導材料を用いて形成された基材部と、
前記複数の分割領域部のうち少なくとも一の分割領域部と他の分割領域部を別系統として前記半導体発光素子の各々に電力を供給する電力供給部と、
を有し、
前記電力供給部は、熱伝導材料を用いて且つ前記基材部を覆うように面状に形成される、
発光モジュール。
【請求項５】
前記回路基板において、別系統の前記半導体発光素子に電力を供給する電力供給部同士を互いに絶縁するための絶縁部材が前記基材部に設けられており、
前記電力供給部はその系統ごとに、前記絶縁部材によって前記基材部の面内方向に区画されている、
請求項４に記載の発光モジュール。
【請求項６】
前記回路基板において、
前記基材部には複数の前記半導体発光装置が搭載され、
前記絶縁部材によって系統ごとに区画された前記電力供給部は、前記半導体発光装置の各々において互いに対応する前記分割領域部に含まれる前記半導体発光素子同士を直列に接続する、
請求項４又は５に記載の発光モジュール。
【請求項７】
前記回路基板における前記基材部に搭載された前記複数の半導体発光装置の各々は、環状に且つ各半導体発光装置の間隔が等角に配置され、
一の半導体発光装置を基準としたときに、前記パッケージ内の前記一の分割領域部と前記他の分割領域部との相対位置関係が、隣接する該半導体発光装置に対して、前記開口部の開口面内での回転方向において、３６０°を前記基材部に搭載される該半導体発光装置の数で除して定義される所定角度ずつ、ずれた状態で配置されており、
前記電力供給部はその系統ごとに、前記基材部面内における所定の基準点を中心に同心円状に区画されている、
請求項６に記載の発光モジュール。
【請求項８】
請求項４から７の何れか１項に記載の発光モジュールと、
該発光モジュールの前記回路基板に対して、前記基材部における該半導体発光装置が搭載されていない方の非搭載面と熱的に接するように取り付けられる放熱用ハウジング部材と、
を備える照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子からの発光により外部に対して発光する半導体発光装置を搭載するための回路基板、発光モジュール、及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今においては、省エネルギー性やその他の様々な目的のために、従来の照明装置に代えて半導体発光素子である発光ダイオード（Light-emitting Diode、ＬＥＤ）を用いた照明装置が広く提案されてきている。また、従来の光源では実現困難であった色調可変照明の光源としてもＬＥＤは期待されている。その一例として、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤを一つのパッケージにすることで白色光を出力する照明装置が開示されている（例えば、特許文献１等を参照。）。この技術においては、上記三種類のＬＥＤに供給される駆動電流を各ＬＥＤの順方向電圧に応じて調整することで、各ＬＥＤの発光効率を一定にし、白色光の輝度の安定化を図るために、また様々な色調の光を出射するように工夫されている。
【０００３】
また、ＬＥＤを利用した照明技術として、青色ＬＥＤと赤色および緑色発色のための蛍光体を用いて赤色、青色、緑色の光を発光する半導体発光装置を組み合わせて、ＬＥＤの出力を制御することで、黒体輻射軌跡をトレースし、自然光に近い白色光を出射する技術が開示されている（例えば、特許文献１〜３等を参照。）。
【０００４】
また、半導体発光素子が実装されているパッケージからの発光により外部に対して発光する半導体発光装置において、パッケージからの光の出力面を複数に分割し、それぞれに半導体発光素子と蛍光部とを対応させて配置させることによって、該出力面から出力される光のスペクトルが互いに異なるようにした、調色可能な（色調可変とする）半導体発光装置や、発光モジュール等が提案されている（例えば特許文献４等を参照。）。この種の半導体発光装置等においては、例えば複数に分割されたパッケージの出力面ごとに、対応する半導体発光素子へと供給する電力を制御することで半導体発光装置から出力される光の色温度を調整することが可能となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１００７９９号公報
【特許文献２】特開２００７−２６５８１８号公報
【特許文献３】特開２００７−２９９５９０号公報
【特許文献４】特開２００９−２３１５２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体発光装置は、その温度上昇に伴い発光量が減少し（暗くなり）、寿命が短くなるという特性がある。そのため、特に照明用途に採用される半導体発光装置においては、半導体発光装置において発生した熱を外部に放出する（逃がす）放熱性能をできるだけ高める必要がある。また、調色可能な半導体発光装置では、パッケージ内において分割された出力面ごとに、対応する半導体発光素子への電力供給を独立して制御することになるため、半導体発光装置の局所的な熱集中が起こりやすくなる。それ故、調色可能な半導体発光装置や発光モジュールにおいては、半導体発光装置の局所的な熱集中に伴う発光効率の低下や半導体発光素子の熱劣化等の不具合が顕在化し易いという実情があった。
【０００７】
本発明は上記実情に鑑み、調色可能な半導体発光装置において発生した熱の放熱性能の向上に関する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明では、上述した課題を解決するため、以下の手段を採用した。
すなわち、本発明に係る半導体発光装置を搭載するための回路基板は、
少なくともパッケージ、半導体発光素子、及び蛍光体を備える半導体発光装置を搭載するための回路基板であって、
前記半導体発光装置におけるパッケージは、該半導体発光装置の出射方向に開口する開口部と、該パッケージ内部を２以上に分割して画定され且つ該開口部の一部である分割開口部において開口する、少なくとも２以上の分割領域部を有し、
前記分割領域部の各々は、
一又は複数の前記半導体発光素子と、
前記蛍光体と各分割領域部を封止する透光性材料とを含む蛍光部と、を有し、
前記複数の分割領域部のうち少なくとも一の分割領域部と他の分割領域部において、該蛍光部から出力される光のスペクトルが互いに異なり、
前記半導体発光装置が搭載される、熱伝導材料を用いて形成された基材部と、
前記複数の分割領域部のうち少なくとも一の分割領域部と他の分割領域部を別系統として前記半導体発光素子の各々に電力を供給する電力供給部と、
を有し、
前記電力供給部は、熱伝導材料を用いて且つ前記基材部を覆うように面状に形成される。
【０００９】
また、本発明に係る発光モジュールは、
少なくともパッケージ、半導体発光素子、及び蛍光体を備える半導体発光装置と、該半導体発光装置を搭載するための回路基板と、を含む発光モジュールであって、
前記半導体発光装置におけるパッケージは、該半導体発光装置の出射方向に開口する開口部と、該パッケージ内部を２以上に分割して画定され且つ該開口部の一部である分割開口部において開口する、少なくとも２以上の分割領域部を有し、
前記分割領域部の各々は、
一又は複数の前記半導体発光素子と、
前記蛍光体と各分割領域部を封止する透光性材料とを含む蛍光部と、を有し、
前記複数の分割領域部のうち少なくとも一の分割領域部と他の分割領域部において、該蛍光部から出力される光のスペクトルが互いに異なり、
前記回路基板は、
前記半導体発光装置が搭載される、熱伝導材料を用いて形成された基材部と、
前記複数の分割領域部のうち少なくとも一の分割領域部と他の分割領域部を別系統として前記半導体発光素子の各々に電力を供給する電力供給部と、
を有し、
前記電力供給部は、熱伝導材料を用いて且つ前記基材部を覆うように面状に形成される。
【００１０】
本発明に係る回路基板に搭載される半導体発光装置は、同装置からの出力光を出射するための開口部を２以上に分割するように、パッケージ内部に少なくとも一の分割領域部と他の分且つ領域部が画定される。これらの分割領域部における開口部分は上記分割開口部として定義され、この分割開口部は上記発光装置本体の開口部の一部を占めることになる。各分割領域部には、半導体発光素子、蛍光部が備えられる。そして、例えば、各半導体発光素子からの出力光は蛍光体を励起し蛍光させた後、蛍光体による発光とともに透光性材料を経て、対応する分割領域部の分割開口部から外部へ至る。
【００１１】
本発明によれば、回路基板が有する電力供給部によって、半導体発光装置における複数の分割領域部のうち少なくとも一の分割領域部と他の分割領域部を別系統として半導体発光素子の各々に電力が供給されることになる。その結果、半導体発光装置外の照射面においては、少なくとも二種類のスペクトルを有する光の合成光を到達させることができ、この合成光の色温度を可変とすることができる。
【００１２】
電力供給部及び該電力供給部が形成される基材部は、共に熱伝導材料を用いて構成されている。従って、半導体発光装置における各分割領域部において、これらに含まれる半導体発光素子への電力供給に伴って発生した熱は、電力供給部を経由して基材部へと伝わることになる。本構成に係る電力供給部は、基材部を覆うように面状に形成されているため、半導体発光装置において局所的に集中した熱を、基材部における面内方向に好適に分散させることができる。従って、このように基材部にわたり面状に形成された電力供給部によれば、半導体発光装置からより効率的に熱を奪うことができ、以って半導体発光装置における放熱性能を好適に高めることが可能となる。従って、調色可能とする半導体発光装置において顕在化し易い局所的な温度上昇に伴う発光効率の低下や、熱劣化などの発生を好適に抑止することができる。
【００１３】
ここで、回路基板は、別系統の半導体発光素子に電力を供給する電力供給部同士を互いに絶縁するための絶縁部材が基材部に設けられており、電力供給部はその系統ごとに、絶縁部材によって基材部の面内方向に区画されていると良い。
【００１４】
また、回路基板において、基材部には、半導体発光装置が搭載されていない方の非搭載面と熱的に接するように放熱用ハウジング部材が取り付けられ、電力供給部を介して基材部に伝えられる半導体発光装置からの熱が放熱用ハウジング部材から大気中に放熱されるようにしても良い。これにより、回路基板が備える電力供給部及び基材部によって半導体発光装置から順次、伝導されてくる熱が、放熱用ハウジング部材から大気中に放出されるので、半導体発光装置から電力供給部への伝熱が一層促進されることになる。そのため、半導体発光装置における放熱性能をより好適に高めることができる。
【００１５】
また、本発明を発光モジュールとして捉える場合、回路基板において、基材部には複数の半導体発光装置が搭載され、絶縁部材によって系統ごとに区画された電力供給部は、半導体発光装置の各々において互いに対応する分割領域部に含まれる半導体発光素子同士を直列に接続するようにしても良い。各半導体発光装置において互いに対応する分割領域部とは、半導体発光素子への制御系統が同系統の分割領域部同士を指すことができる。これにより、複数の半導体発光装置において、対応する分割領域部ごとに独立した電力供給制御を好適に実現できる。
【００１６】
また、発光モジュールにおいて、前記回路基板における前記基材部に搭載された前記複数の半導体発光装置の各々は、環状に且つ各半導体発光装置の間隔が等角に配置され、一の半導体発光装置を基準としたときに、前記パッケージ内の前記一の分割領域部と前記他の分割領域部との相対位置関係が、隣接する該半導体発光装置に対して、前記開口部の開口面内での回転方向において、３６０°を前記基材部に搭載される該半導体発光装置の数で除して定義される所定角度ずつ、ずれた状態で配置されていても良い。
【００１７】
上記構成においては、発光モジュールに配置された半導体発光装置の上記相対位置関係が、均等に回転され且つずれた状態とされることになる。これにより、発光モジュール単位で考えると、一の分割領域部からの出力光と、他の分割領域部からの出力光との合成を、むらが無く、より均一に行うことができ、最終的に発光モジュールから出射される合成光においては、光の分離が効果的に抑制される。
【００１８】
この場合、前記電力供給部はその系統ごとに、前記基材部面内における所定の基準点を中心に同心円状に区画されても良い。これによれば、回路基板の基材部上に形成される電力供給部が、その系統ごとに一塊となって整然と分布させることができる。これにより、回路基板の基材部表面という限られたスペース内において、基材部全表面積に対する電力供給部が形成される面積、すなわち電力供給部の占有面積比をできるだけ高く確保することができる。基材部の表面積が等しい条件下においては電力供給部の上記占有面積比が高くなるほど、半導体発光装置からより多くの熱を効果的に奪うことができるため、この構成によれば半導体発光装置の放熱性能を可及的に高めることができる。また、この構成によれば、例えば別系統の電力供給部同士を絶縁するために必要な絶縁部材の使用量を低減することができ、回路基板の製造コスト削減の観点からも有効である。
【００１９】
また、本発明は、上述した何れかの発光モジュールと、該発光モジュールの前記回路基板に対して、前記基材部における該半導体発光装置が搭載されていない方の非搭載面と熱的に接するように取り付けられる放熱用ハウジング部材と、を備える照明装置、として捉えることも可能である。
【００２０】
なお、本発明における課題を解決するための手段は、可能な限り組み合わせて使用することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、調色可能な半導体発光装置において発生した熱の放熱性能の向上に関する技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１Ａ】実施例１に係る発光モジュールを構成する半導体発光装置内の、パッケージの概略構成の斜視図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示す半導体発光素子に電力を供給する配線の実装状態を示す図である。
【図１Ｃ】図１Ａ及び図１Ｂに示す半導体発光装置を、電気的記号を用いて模式化した図である。
【図２】図１に示す半導体発光装置の断面図である。
【図３】図１に示す半導体発光装置での半導体発光素子と基部との接続関係を示す図である。
【図４】図１に示す半導体発光装置において、各分割領域部からの出力光に設定される白色光の色度点と黒体輻射軌跡との関係を示す図である。
【図５】図４に示す白色光の色度点と黒体輻射軌跡との関係についての要部拡大図である。
【図６】図１に示す半導体発光装置において採用が可能な、各種半導体発光素子と蛍光体との組み合わせについて、出力光の色温度と発光効率との相関関係を示す図である。
【図７Ａ】実施例１に係る発光モジュールの構成を示す斜視図である。
【図７Ｂ】発光モジュールにおける半導体発光装置の配置について簡略に示す図である。
【図８】発光モジュールの各発光装置間における電気的な接続状態を模式化して示す図である。
【図９】図７及び図８に示す発光モジュールへの供給電流の一態様を示す図である。
【図１０】実施例１に係る発光モジュールの回路基板の上面を模式化して示した図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ切断線を含む断面を模式的に示した図である。
【図１２】実施例１に係る回路基板に各発光装置が搭載された状態を示す図である。
【図１３】発光モジュールと放熱用ハウジング部材とレンズとを含んだ照明装置Ｌを示した図である。
【図１４】実施例１の第１の変形例に係る回路基板に各発光装置が搭載された状態を示す図である。
【図１５】実施例１の第２の変形例に係る回路基板に発光装置が搭載された状態を示す図である。
【図１６】実施例１の第３の変形例に係る回路基板に発光装置が搭載された状態を示す図である。
【図１７】実施例１の第３の変形例に係る回路基板の基板部を説明するための説明図である。
【図１８】実施例２に係る発光モジュールの回路基板の上面を模式化して示した図である。
【図１９】実施例２に係る回路基板に発光装置が搭載された状態を示す図である。
【図２０】実施例２の第１の変形例に係る回路基板に発光装置が搭載された状態を示す図である。
【図２１】実施例２の第２の変形例に係る回路基板に発光装置が搭載された状態を示す図である。
【図２２】実施例２の第３の変形例に係る回路基板に発光装置が搭載された状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を例示的に詳しく説明する。尚、本実施の形態に記載されている構成要素の寸法、材質、形状、その相対配置等は、特に特定的な記載がない限りは、発明の技術的範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００２４】
＜実施例１＞
ここで、図１Ａは、本実施例に係る発光モジュール３０を構成する半導体発光装置（以下、単に「発光装置」と言う。）８内の、パッケージ１の概略構成の斜視図であり、図１Ｂは、パッケージ１に設けられた半導体発光素子３Ａ、３Ｂに電力を供給する配線２０Ａ、２０Ｂの実装状態を示す図である。また、図１Ｃは、図１Ａ及び図１Ｂに示す発光装置８を電気的記号を用いて模式化した図である。更に、図２は、図１Ａに示す発光装置８において、上記配線２０Ａ、２０Ｂを含む面で切断した場合の断面図である。なお、本実施例における発光モジュール３０は、発光装置８及びこれを搭載するための回路基板を含んで構成されている。
【００２５】
図１Ａに示すように、発光装置８はパッケージ１を含んで構成され、該パッケージ１は、ベース２上に配置された環状且つ円錐台形状のリフレクタ１０を有する。このリフレクタ１０は後述する各分割領域部１２からの出力光の一部を、発光装置８の出射方向に導く機能を有するとともに、パッケージ１の本体としての機能も果たす。尚、リフレクタ１０の円錐台形状の上面側は、発光装置８による光の出射方向となり、開口部１３を形成している。一方で、リフレクタ１０の円錐台形状の下面側はベース２が配置され、詳細は後述するが各半導体発光素子への電力供給のための配線が敷設等されている（当該配線は図１Ａには図示せず）。
【００２６】
そして、この環状のリフレクタ１０の内部の空間を図１Ａ、図２に示すように均等に二つの領域に分割する間仕切り１１が、ベース２に対して垂直に設けられている。この間仕切り１１によって、リフレクタ１０内に２つの分割領域部１２Ａ、１２Ｂが画定されるとともに、分割領域部１２Ａの開口部は、リフレクタ１０の開口部１３の右半分を占め、分割領域部１２Ｂの開口部は、リフレクタ１０の開口部１３の左半分を占めることになる。
本明細書においては、分割領域部１２Ａの開口部を、分割開口部１３Ａと称し、分割領域部１２Ｂの開口部を、分割開口部１３Ｂと称する。即ち、開口部１３は、間仕切り１１によって分割開口部１３Ａと１３Ｂに分割されたことになる。
【００２７】
この分割領域部１２Ａ、１２Ｂには、それぞれ半導体発光素子であり近紫外光を出力光とする近紫外半導体発光素子３Ａ、３Ｂがそれぞれ４個ずつ設けられている。この近紫外半導体発光素子３Ａ、３Ｂ（これらの近紫外半導体発光素子を包括的に参照する場合は近紫外半導体発光素子３と称する。）は、対となる配線２０Ａ、２０Ｂ（包括的に配線２０と称する場合もある。）にそれぞれ接続され、電力供給を受けることで発光を行う。尚、各分割領域部での配線２０への近紫外半導体発光素子３の接続は、図１Ｂに示すように、配線２０Ａの上に４個の近紫外半導体発光素子３Ａが実装され、配線２０Ｂの上に４個の近紫外半導体発光素子３Ｂが実装される。そして、各分割領域における４個の半導体発光素子３は、対応する配線に対して順方向に並列接続されている。なお、図１Ｂにおける符号２１Ａ，２１Ｂは、電極を表す。この電極２１Ａ，２１Ｂは、ベース２の下面（リフレクタ１０が配置されていない側の面）に形成されており、配線２０Ａ，２０Ｂにそれぞれ接続されている。また、ここでの例では、分割領域部１２Ａ、１２Ｂには、近紫外半導体発光素子３Ａ、３Ｂがそれぞれ４個ずつ設けられているが、双方に設けられる半導体発光素子の数を相違させても良く、また、分割領域部１２Ａ、１２Ｂの各々には少なくとも１つの半導体発光素子が設けられていれば良い。
【００２８】
近紫外半導体発光素子３Ａ、３Ｂの実装状態を模式化して示すと図１Ｃのようになる。即ち、分割領域部１２Ａに配置される４つの近紫外半導体発光素子３Ａに対しては、電極２１Ａを介して配線２０Ａより電力供給が行われ、分割領域部１２Ｂに配置される４つの近紫外半導体発光素子３Ｂに対しては、電極２１Ｂを介して配線２０Ｂより電力供給が行われる。このとき、各近紫外半導体発光素子３に印加される電圧は３．３Ｖ〜３．９Ｖの範囲で、供給電流は４０ｍＡ〜２００ｍＡの範囲となる。この電力供給については、発光モジュール３０全体の発光強度を考慮して行われてもよく、その点については後述する。
【００２９】
ここで、近紫外半導体発光素子３のベース２への実装について、図３に基づいて説明する。ベース２は、近紫外半導体発光素子３を含む発光装置８を保持するための基部であり、メタルベース部材２Ａ、メタルベース部材２Ａ上に形成された絶縁層２Ｄ、および絶縁層２Ｄ上に形成された対配線２０Ｃ、２０Ｄを有している。近紫外半導体発光素子３は、相対する底面および上面に一対の電極であるｐ電極及びｎ電極を有しており、対配線２０Ｃの上面に、ＡｕＳｎの共晶半田５を介して近紫外半導体発光素子３の底面側の電極が接合されている。近紫外半導体発光素子３の上面側の電極は、金属製のワイヤ６によって、もう一方の対配線２０Ｄに接続されている。これらの対配線２０Ｃ、２０Ｄの対で、図１Ｂに示される一つ対の配線２０Ａあるいは２０Ｂをなし、各分割領域部の４個の近紫外半導体発光素子３への電力供給が行われる。
【００３０】
尚、近紫外半導体発光素子３とベース２の一対の対配線２０Ｃ、２０Ｄとの電気的接続は、図３に示す形態に限られず、近紫外半導体発光素子３における電極の組の配置に応じて適宜方法で行なうことができる。例えば、近紫外半導体発光素子３の片面のみに電極の組が設けられている場合は、電極が設けられている面を上に向けて近紫外半導体発光素子３を設置し、各組の電極と各対配線２０Ｃ、２０Ｄとを例えば金製のワイヤ６でそれぞれ接続することによって、対配線２０Ｃ、２０Ｄと近紫外半導体発光素子３とを電気的に接続することができる。また、近紫外半導体発光素子３がフリップチップ（フェースダウン）の場合は、近紫外半導体発光素子３の電極と対配線２０Ｃ、２０Ｄとを金バンプや半田で接合することによって電気的に接続することができる。
【００３１】
ここで、近紫外半導体発光素子３は、電力が供給されることにより近紫外領域（発光波
長３６０ｎｍ〜４３０ｎｍの領域）の光を発光し、後述する蛍光部１４Ａ、１４Ｂ（包括的に蛍光部１４と称する場合もある。）を励起するものである。中でも、ＧａＮ系化合物半導体を使用したＧａＮ系半導体発光素子が好ましい。なぜなら、ＧａＮ系半導体発光素子は、この領域の光を発するのに、発光出力や外部量子効率が格段に大きく、後述の蛍光体と組み合わせることによって、非常に低電力で非常に明るい発光が得られるからである。ＧａＮ系半導体発光素子においては、ＡｌｘＧａｙＮ発光層、ＧａＮ発光層、またはＩｎｘＧａｙＮ発光層を有しているものが好ましい。ＧａＮ系半導体発光素子においては、それらの中でＩｎｘＧａｙＮ発光層を有するものが、発光強度が非常に強いので、特に好ましく、ＩｎｘＧａｙＮ層とＧａＮ層の多重量子井戸構造のものが、発光強度が非常に強いので、特に好ましい。
【００３２】
なお、上記組成式においてｘ＋ｙの値は通常０．８〜１．２の範囲の値である。ＧａＮ系半導体発光素子において、これら発光層にＺｎやＳｉをドープしたものやドーパント無しのものが発光特性を調節する上で好ましいものである。
【００３３】
ＧａＮ系半導体発光素子はこれら発光層、ｐ層、ｎ層、電極、及び基板を基本構成要素としたものであり、発光層をｎ型とｐ型のＡｌｘＧａｙＮ層、ＧａＮ層、またはＩｎｘＧａｙＮ層などでサンドイッチにしたヘテロ構造を有しているものが、発光効率が高く、好ましく、さらにヘテロ構造を量子井戸構造にしたものが、発光効率がさらに高く、より好ましい。
【００３４】
また、ＧａＮ系半導体発光素子を形成するためのＧａＮ系結晶層の成長方法としては、ＨＶＰＥ法、ＭＯＶＰＥ法、ＭＢＥ法などが挙げられる。厚膜を形成する場合はＨＶＰＥ法が好ましいが、薄膜を形成する場合はＭＯＶＰＥ法やＭＢＥ法が好ましい。
【００３５】
そして、図３に示すように、ベース２上には、この近紫外半導体発光素子３から発せられる光の一部を吸収して異なる波長の光を発する複数あるいは単独の蛍光体及び前記蛍光体を封止する透光性材料を含有する蛍光部１４が、近紫外半導体発光素子３を覆って設けられている。尚、図３ではリフレクタ１０の記載は省略されているが、このような形態もパッケージから構成される半導体発光装置の一形態となり得る。近紫外半導体発光素子３から発せられた光の一部は、蛍光部１４内の発光物質（蛍光体）に励起光として一部又は全部が吸収される。より具体的に発光装置８における蛍光部について図２に基づいて説明すると、分割領域部１２Ａにおいては、蛍光部１４Ａが近紫外半導体発光素子３Ａを覆い、且つその蛍光部１４Ａは分割開口部１３Ａにて露出される。また、分割領域部１２Ｂにおいては、蛍光部１４Ｂが近紫外半導体発光素子３Ｂを覆い、且つその蛍光部１４Ｂは分割開口部１３Ｂにて露出される。従って、各蛍光部からの出力光は、各分割開口部から外部に出射される。
【００３６】
次に、蛍光部１４について詳細に説明する。本実施例に係る発光装置８は、白色光を出力することを目的とし、特に、発光装置８の発光色が、ＵＣＳ（ｕ、ｖ）表色系（ＣＩＥ１９６０）のｕｖ色度図において、黒体輻射軌跡からの偏差ｄｕｖが、−０．０２≦ｄｕｖ≦０．０２を満たすように、赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体の３数種の蛍光体を採用する。具体的には以下に挙げられるものを使用することができる。尚、本発明における黒体輻射軌跡からの偏差ｄｕｖは、ＪＩＳ Ｚ８７２５（光源の分布温度及び色温度・
相関色温度の測定方法）の５．４項の備考の定義に従う。
【００３７】
本実施形態において好適な赤色蛍光体が発する蛍光の具体的な波長の範囲を例示すると、主発光ピーク波長が通常５７０ｎｍ以上、好ましくは５８０ｎｍ以上、特に好ましくは６１０ｎｍ以上であり、また、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６８０ｎｍ以下、特に好ましくは６６０ｎｍ以下である。また、主発光ピークの半値幅は、通常１ｎｍ以上、好ま
しくは１０ｎｍ以上、特に好ましくは３０ｎｍ以上であり、また通常１２０ｎｍ以下、好ましくは１１０ｎｍ以下、特に好ましくは１００ｎｍ以下である。
【００３８】
赤色蛍光体としては、例えば、赤色破断面を有する破断粒子から構成され、赤色領域の発光を行なう(Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ)2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕで表されるユウロピウム付活ア
ルカリ土類シリコンナイトライド系蛍光体、規則的な結晶成長形状としてほぼ球形状を有する成長粒子から構成され、赤色領域の発光を行なう(Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ)2Ｏ2Ｓ：Ｅｕで表されるユウロピウム付活希土類オキシカルコゲナイド系蛍光体等が挙げられる。
【００３９】
さらに、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、及びＭｏよりなる群から選ばれる少なくも１種の元素を含有する酸窒化物および／または酸硫化物を含有する蛍光体であって、Ａｌ元素の一部または全てがＧａ元素で置換されたアルファサイアロン構造をもつ酸窒化物を含有する蛍光体も用いることができる。なお、これらは酸窒化物および／または酸硫化物を含有する蛍光体である。
【００４０】
また、そのほか、赤色蛍光体としては、(Ｌａ，Ｙ)2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ等のＥｕ付活酸硫化物蛍光体、Ｙ(Ｖ，Ｐ)Ｏ4：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ等のＥｕ付活酸化物蛍光体、(Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ)2ＳｉＯ4：Ｅｕ，Ｍｎ、(Ｂａ，Ｍｇ)2ＳｉＯ4：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ
付活珪酸塩蛍光体、(Ｃａ，Ｓｒ)Ｓ：Ｅｕ等のＥｕ付活硫化物蛍光体、ＹＡｌＯ3：Ｅｕ
等のＥｕ付活アルミン酸塩蛍光体、ＬｉＹ9(ＳｉＯ4)6Ｏ2：Ｅｕ、Ｃａ2Ｙ8(ＳｉＯ4)6Ｏ2：Ｅｕ、(Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ)3ＳｉＯ5：Ｅｕ、Ｓｒ2ＢａＳｉＯ5：Ｅｕ等のＥｕ付活珪
酸塩蛍光体、(Ｙ，Ｇｄ)3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、(Ｔｂ，Ｇｄ)3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ等のＣｅ付活アルミン酸塩蛍光体、(Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ)2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ、(Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ)
ＳｉＮ2：Ｅｕ、(Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ)ＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ等のＥｕ付活窒化物蛍光体、(Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ)ＡｌＳｉＮ3：Ｃｅ等のＣｅ付活窒化物蛍光体、(Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ)10(ＰＯ4)6Ｃｌ2：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活ハロリン酸塩蛍光体、Ｂａ3ＭｇＳｉ2Ｏ8：Ｅｕ，Ｍｎ、(Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ)3(Ｚｎ，Ｍｇ)Ｓｉ2Ｏ8：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活珪酸塩蛍光体、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ2・ＧｅＯ2：Ｍｎ等のＭｎ付活ゲルマン酸塩蛍光体、Ｅｕ付活αサイアロン等のＥｕ付活酸窒化物蛍光体、(Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ)2Ｏ3：Ｅｕ，Ｂｉ等のＥｕ，Ｂｉ付活酸化物蛍光体、(Ｇｄ，Ｙ
，Ｌｕ，Ｌａ)2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，Ｂｉ等のＥｕ，Ｂｉ付活酸硫化物蛍光体、(Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ)ＶＯ4：Ｅｕ，Ｂｉ等のＥｕ，Ｂｉ付活バナジン酸塩蛍光体、ＳｒＹ2Ｓ4：Ｅｕ，Ｃｅ等のＥｕ，Ｃｅ付活硫化物蛍光体、ＣａＬａ2Ｓ4：Ｃｅ等のＣｅ付活硫化物蛍光体、(Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ)ＭｇＰ2Ｏ7：Ｅｕ，Ｍｎ、(Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ)2Ｐ2Ｏ7
：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活リン酸塩蛍光体、(Ｙ，Ｌｕ)2ＷＯ6：Ｅｕ，Ｍｏ等のＥｕ，Ｍｏ付活タングステン酸塩蛍光体、(Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ)xＳｉyＮz：Ｅｕ，Ｃｅ（但
し、ｘ、ｙ、ｚは、１以上の整数）等のＥｕ，Ｃｅ付活窒化物蛍光体、(Ｃａ，Ｓｒ，Ｂ
ａ，Ｍｇ)10(ＰＯ4)6(Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＯＨ)2：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活ハロリン酸塩蛍光体、((Ｙ，Ｌｕ，Ｇｄ，Ｔｂ)1-xＳｃxＣｅy)2(Ｃａ，Ｍｇ)1-r(Ｍｇ，Ｚｎ)2+rＳｉz-qＧｅｑＯ12+δ等のＣｅ付活珪酸塩蛍光体等を用いることも可能である。
【００４１】
また、赤色蛍光体としては、β−ジケトネート、β−ジケトン、芳香族カルボン酸、または、ブレンステッド酸等のアニオンを配位子とする希土類元素イオン錯体からなる赤色有機蛍光体、ペリレン系顔料(例えば、ジベンゾ｛［ｆ，ｆ´］−４，４´，７，７´−
テトラフェニル｝ジインデノ［１，２，３−ｃｄ：１´，２´，３´−ｌｍ］ペリレン)
、アントラキノン系顔料、レーキ系顔料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、アントラセン系顔料、イソインドリン系顔料、イソインドリノン系顔料、フタロシアニン系顔料、トリフェニルメタン系塩基性染料、インダンスロン系顔料、インドフェノール系顔料、シアニン系顔料、ジオキサジン系顔料を用いることも可能である。
【００４２】
本実施形態において好適な緑色蛍光体が発する蛍光の具体的な波長の範囲を例示すると、主発光ピーク波長が通常５００ｎｍ以上、好ましくは５１０ｎｍ以上、特に好ましくは５２０ｎｍ以上であり、また、通常５８０ｎｍ以下、好ましくは５７０ｎｍ以下、特に好ましくは５６０ｎｍ以下である。また、主発光ピークの半値幅が通常１ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、特に好ましくは３０ｎｍ以上であり、また、通常１２０ｎｍ以下、好ましくは９０ｎｍ以下、特に好ましくは６０ｎｍ以下である。
【００４３】
このような緑色蛍光体として、例えば、破断面を有する破断粒子から構成され、緑色領域の発光を行なう(Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ)Ｓｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕで表されるユウロピウム
付活アルカリ土類シリコンオキシナイトライド系蛍光体、破断面を有する破断粒子から構成され、緑色領域の発光を行なう(Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｍｇ)2ＳｉＯ4：Ｅｕで表されるユウロピウム付活アルカリ土類シリケート系蛍光体等が挙げられる。
【００４４】
また、そのほか、緑色蛍光体としては、Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ、(Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ)
Ａｌ2Ｏ4：Ｅｕ等のＥｕ付活アルミン酸塩蛍光体、(Ｓｒ，Ｂａ)Ａｌ2Ｓｉ2Ｏ8：Ｅｕ、(Ｂａ，Ｍｇ)2ＳｉＯ4：Ｅｕ、(Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ)2ＳｉＯ4：Ｅｕ、(Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ)2(Ｍｇ，Ｚｎ)Ｓｉ2Ｏ7：Ｅｕ等のＥｕ付活珪酸塩蛍光体、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ，Ｔｂ等のＣｅ，Ｔｂ付活珪酸塩蛍光体、Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7−Ｓｒ2Ｂ2Ｏ5：Ｅｕ等のＥｕ付活硼酸リン酸塩蛍光体、Ｓｒ2Ｓｉ3Ｏ8−２ＳｒＣｌ2：Ｅｕ等のＥｕ付活ハロ珪酸塩蛍光体、Ｚn2ＳｉＯ4：Ｍｎ等のＭｎ付活珪酸塩蛍光体、ＣｅＭｇＡｌ11Ｏ19：Ｔｂ、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：
Ｔｂ等のＴｂ付活アルミン酸塩蛍光体、Ｃａ2Ｙ8(ＳｉＯ4)6Ｏ2：Ｔｂ、Ｌａ3Ｇａ5Ｓｉ
Ｏ14：Ｔｂ等のＴｂ付活珪酸塩蛍光体、(Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ)Ｇａ2Ｓ4：Ｅｕ，Ｔｂ，Ｓｍ等のＥｕ，Ｔｂ，Ｓｍ付活チオガレート蛍光体、Ｙ3(Ａｌ，Ｇａ)5Ｏ12：Ｃｅ、(Ｙ，Ｇ
ａ，Ｔｂ，Ｌａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌｕ)3(Ａｌ，Ｇａ)5Ｏ12：Ｃｅ等のＣｅ付活アルミン酸
塩蛍光体、Ｃａ3Ｓｃ2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ、Ｃａ3(Ｓｃ，Ｍｇ，Ｎａ，Ｌｉ)2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ等のＣｅ付活珪酸塩蛍光体、ＣａＳｃ2Ｏ4：Ｃｅ等のＣｅ付活酸化物蛍光体、ＳｒＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、(Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ)Ｓｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、Ｅｕ付活βサイアロン等のＥｕ付活酸窒化物蛍光体、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活アルミン酸塩蛍光体、ＳｒＡｌ2Ｏ4：Ｅｕ等のＥｕ付活アルミン酸塩蛍光体、(Ｌａ，Ｇｄ，Ｙ)2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ等のＴｂ付活酸硫化物蛍光体、ＬａＰＯ4：Ｃｅ，Ｔｂ等のＣｅ，Ｔｂ付活リン酸
塩蛍光体、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ等の硫化物蛍光体、(Ｙ，Ｇ
ａ，Ｌｕ，Ｓｃ，Ｌａ)ＢＯ3：Ｃｅ，Ｔｂ、Ｎａ2Ｇｄ2Ｂ2Ｏ7：Ｃｅ，Ｔｂ、(Ｂａ，Ｓ
ｒ)2(Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎ)Ｂ2Ｏ6：Ｋ，Ｃｅ，Ｔｂ等のＣｅ，Ｔｂ付活硼酸塩蛍光体、Ｃａ8Ｍｇ(ＳｉＯ4)4Ｃｌ2：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活ハロ珪酸塩蛍光体、(Ｓｒ，Ｃａ
，Ｂａ)(Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ)2Ｓ4：Ｅｕ等のＥｕ付活チオアルミネート蛍光体やチオガレ
ート蛍光体、(Ｃａ，Ｓｒ)8(Ｍｇ，Ｚｎ)(ＳｉＯ4)4Ｃｌ2：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活ハロ珪酸塩蛍光体等を用いることも可能である。
【００４５】
また、緑色蛍光体としては、ピリジン−フタルイミド縮合誘導体、ベンゾオキサジノン系、キナゾリノン系、クマリン系、キノフタロン系、ナルタル酸イミド系等の蛍光色素、テルビウム錯体等の有機蛍光体を用いることも可能である。
【００４６】
本実施形態において好適な青色蛍光体が発する蛍光の具体的な波長の範囲を例示すると、主発光ピーク波長が通常４３０ｎｍ以上、好ましくは４４０ｎｍ以上であり、また、通常５００ｎｍ以下、好ましくは４８０ｎｍ以下、特に好ましくは４６０ｎｍ以下である。また、主発光ピークの半値幅が通常１ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、特に好ましくは３０ｎｍ以上で有り、また通常１００ｎｍ以下、好ましくは８０ｎｍ以下、特に好ましくは７０ｎｍ以下である。
【００４７】
このような青色蛍光体としては、規則的な結晶成長形状としてほぼ六角形状を有する成
長粒子から構成され、青色領域の発光を行なうＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕで表されるユウロピウム付活バリウムマグネシウムアルミネート系蛍光体、規則的な結晶成長形状としてほぼ球形状を有する成長粒子から構成され、青色領域の発光を行なう(Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ)5(ＰＯ4)3Ｃｌ：Ｅｕで表されるユウロピウム付活ハロリン酸カルシウム系蛍光体、規則
的な結晶成長形状としてほぼ立方体形状を有する成長粒子から構成され、青色領域の発光を行なう(Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ)2Ｂ5Ｏ9Ｃｌ：Ｅｕで表されるユウロピウム付活アルカリ土
類クロロボレート系蛍光体、破断面を有する破断粒子から構成され、青緑色領域の発光を行なう(Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ)Ａｌ2Ｏ4：Ｅｕまたは(Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ)4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ
で表されるユウロピウム付活アルカリ土類アルミネート系蛍光体等が挙げられる。
【００４８】
また、そのほか、青色蛍光体としては、Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｓｎ等のＳｎ付活リン酸塩蛍光
体、Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ、ＢａＡｌ8Ｏ13：Ｅｕ等のＥｕ付活アルミン酸塩蛍光体、ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｃｅ、ＣａＧａ2Ｓ4：Ｃｅ等のＣｅ付活チオガレート蛍光体、(Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ)ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｔｂ，Ｓｍ等のＥｕ，Ｔｂ，Ｓｍ付活アルミン酸塩蛍光体、(Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ)ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活アルミン酸塩蛍光体、(Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ)10(ＰＯ4)6Ｃｌ2：Ｅｕ、(Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ)5(ＰＯ4)3(Ｃｌ，Ｆ，Ｂｒ，ＯＨ)：Ｅｕ，Ｍｎ，Ｓｂ等のＥｕ，Ｔｂ，Ｓｍ付活ハロリン酸塩蛍光体、ＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8：Ｅｕ、(Ｓｒ，Ｂａ)3ＭｇＳｉ2Ｏ8：Ｅｕ等のＥｕ付活珪酸塩蛍光体、Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕ等のＥ
ｕ付活リン酸塩蛍光体、ＺｎＳ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ等の硫化物蛍光体、Ｙ2Ｓｉ
Ｏ5：Ｃｅ等のＣｅ付活珪酸塩蛍光体、ＣａＷＯ4等のタングステン酸塩蛍光体、(Ｂａ，
Ｓｒ，Ｃａ)ＢＰＯ5：Ｅｕ，Ｍｎ、(Ｓｒ，Ｃａ)10(ＰＯ4)6・ｎＢ2Ｏ3：Ｅｕ、２ＳｒＯ・０．８４Ｐ2Ｏ5・０．１６Ｂ2Ｏ3：Ｅｕ等のＥｕ，Ｍｎ付活硼酸リン酸塩蛍光体、Ｓｒ2Ｓｉ3Ｏ8・２ＳｒＣｌ2：Ｅｕ等のＥｕ付活ハロ珪酸塩蛍光体等を用いることも可能である。
【００４９】
また、青色蛍光体としては、例えば、ナフタル酸イミド系、ベンゾオキサゾール系、スチリル系、クマリン系、ピラゾリン系、トリアゾール系化合物の蛍光色素、ツリウム錯体等の有機蛍光体等を用いることも可能である。
【００５０】
なお、上述の赤色、緑色、青色蛍光体は、所望の発光スペクトル、色温度、色度座標、演色性、発光効率などに応じて適宜組み合わせて用いてもよい。
【００５１】
発光装置８において、近紫外半導体発光素子３および蛍光部１４は、通常、近紫外半導体発光素子３の発光によって蛍光体が励起されて発光を生じ、この発光が、外部に取り出されるように配置される。このような構造を有する場合、上述の近紫外半導体発光素子３および蛍光体１４は、通常は透光性材料（封止材料）で封止保護される。具体的には、この封止材料は、上記蛍光部１４に含まれることで蛍光体を分散させて発光部分を構成したり、近紫外半導体発光素子３、蛍光体およびベース２間を接着する目的で採用される。
【００５２】
そして、使用される透光性材料としては、通常、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等が挙げられるが、近紫外半導体発光素子３はその出力光の波長が３６０ｎｍ〜４３０ｎｍの近紫外領域にあるため、その出力光に対して充分な透明性と耐久性のある樹脂が封止材料として好ましい。そこで、封止材料として、具体的には、ポリ（メタ）アクリル酸メチル等の（メタ）アクリル樹脂；ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体等のスチレン樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリエステル樹脂；フェノキシ樹脂；ブチラール樹脂；ポリビニルアルコール；エチルセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート等のセルロース系樹脂；エポキシ樹脂；フェノール樹脂；シリコーン樹脂等が挙げられる。また、無機系材料、例えば、金属アルコキシド、セラミック前駆体ポリマー若しくは金属アルコキシドを含有する溶液をゾル−ゲル法により加水分
解重合して成る溶液又はこれらの組み合わせを固化した無機系材料、例えばシロキサン結合を有する無機系材料やガラスを用いることもできる。
【００５３】
これらのうち、耐熱性、耐紫外線（ＵＶ）性等の点から、珪素含有化合物であるシリコーン樹脂や金属アルコキシド、セラミック前駆体ポリマー若しくは金属アルコキシドを含有する溶液をゾル−ゲル法により加水分解重合して成る溶液またはこれらの組み合わせを固化した無機系材料、例えばシロキサン結合を有する無機系材料が好ましい。特に、以下の特徴（１）〜（３）のうち１つ以上を、好ましくは全てを有するシリコーン系材料やシリコーン樹脂（以下「本件のシリコーン系材料」と称す場合がある。）が好ましい。
【００５４】
（１）固体Ｓｉ−核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルにおいて、下記（ｉ）および／または（ｉｉ）のピークを少なくとも１つ有する。
（ｉ）ピークトップの位置がケミカルシフト−４０ｐｐｍ以上、０ｐｐｍ以下の領域にあり、ピークの半値幅が０．３ｐｐｍ以上、３．０ｐｐｍ以下であるピーク。
（ｉｉ）ピークトップの位置がケミカルシフト−８０ｐｐｍ以上、−４０ｐｐｍ未満の領域にあり、ピークの半値幅が０．３ｐｐｍ以上５．０ｐｐｍ以下であるピーク。
（２）珪素含有率が２０重量％以上である。
（３）シラノール含有率が０．０１重量％以上、１０重量％以下である。
【００５５】
ここで、上記封止剤としてのシリコーン系材料については、上記の通り、珪素含有率が２０重量％以上であるものが好ましい。従来のシリコーン系材料の基本骨格は炭素−炭素及び炭素−酸素結合を基本骨格としたエポキシ樹脂等の有機樹脂であるが、これに対し本件のシリコーン系材料の基本骨格はガラス（ケイ酸塩ガラス）などと同じ無機質のシロキサン結合である。このシロキサン結合を有するシリコーン系材料は、（Ｉ）結合エネルギーが大きく、熱分解・光分解しにくいため、耐光性が良好である、（ＩＩ）電気的に若干分極している、（ＩＩＩ）鎖状構造の自由度は大きく、フレキシブル性に富む構造が可能であり、シロキサン鎖中心に自由回転可能である、（ＩＶ）酸化度が大きく、これ以上酸化されない、（Ｖ）電気絶縁性に富む等の優れた特徴を有する。
【００５６】
これらの特徴から、シロキサン結合が３次元的に、しかも高架橋度で結合した骨格で形成されるシリコーン系材料は、ガラス或いは岩石などの無機質に近く、耐熱性・耐光性に富む保護皮膜となることが理解できる。特にメチル基を置換基とするシリコーン系材料は、紫外領域に吸収を持たないため光分解が起こりにくく、耐光性に優れる。
【００５７】
本件のシリコーン系材料の珪素含有率は、上述の様に２０重量％以上であるが、中でも２５重量％以上が好ましく、３０重量％以上がより好ましい。一方、上限としては、ＳｉＯ2のみからなるガラスの珪素含有率が４７重量％であるという理由から、通常４７重量
％以下の範囲である。
【００５８】
このように構成される発光装置８は、間仕切り１１で分割された二つの分割領域部１２Ａ、１２Ｂにそれぞれ、４個の近紫外半導体発光素子３を光源とする近紫外光によって励起される蛍光部１４が設けられ、且つリフレクタ１０の内部において二つの分割領域部１２Ａ、１２Ｂが、その出力光の出射口、即ち分割開口部１３Ａ、１３Ｂを並べて一体的に設けられている。そして、各蛍光部１４Ａ、１４Ｂからの出力光である白色光は、それぞれ分割開口部１３Ａ、１３Ｂから外部に出射される。ここで、この分割開口部から放出される各白色光は、蛍光体を含む蛍光部１４を介して得られるため、近紫外半導体発光素子３Ａ、３Ｂからの出力光が充分に散乱され、配光がランバーシアン的となり出射される。これにより、上記３種類の蛍光体からの一次光を合成して白色にすることができると共に、均一な白色が得られるため、発光装置８が発する合成光においては均一な白色光と照度が得られることになる。
【００５９】
ここで、分割領域部１２Ａから出力される白色光（以下、「白色光Ａ」と言う。）と分割領域部１２Ｂから出力される白色光（以下、「白色光Ｂ」と言う。）のスペクトルは、互いに異なるように、蛍光部１４Ａに含まれる蛍光体と蛍光部１４Ｂに含まれる蛍光体とが適宜選択される。また、白色光Ａ、Ｂに対応するｘｙ色度図（ＣＩＥ１９３１）上の色度点をＷL、ＷHで表すものとすると、図４、５に示すように、色度点ＷLの相関色温度は
２６００Ｋ、色度点ＷHの相関色温度は９０００Ｋとする。また、色度点ＷLは、黒体輻射軌跡ＢＢＬからの偏差ｄｕｖが＋０．００５であり、色度点ＷHは、黒体輻射軌跡ＢＢＬ
からの偏差ｄｕｖが＋０．０１であるとする。尚、図５は、図４の要部拡大図であり、図中に示されている黒体輻射からの偏差の範囲−０．０２≦ｄｕｖ≦０．０２は、ＵＣＳ表色系（ＣＩＥ１９６０）からｘｙ色度図（ＣＩＥ１９３１）上へ変換したものである。
【００６０】
上記の場合において、分割領域部１２Ａからの白色光Ａと分割領域部１２Ｂからの白色光Ｂの相関色温度が異なるように設定し、且つ白色光Ａ、Ｂに対応する色度点それぞれの黒体輻射軌跡ＢＢＬからの偏差ｄｕｖを−０．０２≦ｄｕｖ≦０．０２に収めることで、発光装置８の出力光が実質的に黒体輻射軌跡ＢＢＬに沿っているといってよく、且つ各分割領域部に設けられた近紫外半導体発光素子３Ａ、３Ｂの光出射時間、駆動電流値または電力量といった駆動条件を制御することで、白色光Ａ、Ｂごとにそのエネルギー比を自由に変化させ、発光装置８の最終的な出力光である合成光の色度点を、上記色度点ＷLと色
度点ＷHとを結ぶ直線上の任意の色度点に対応する相関色温度に調整することができる。
即ち、発光装置８においては、配線２０Ａ、２０Ｂを介して、対応するそれぞれの分割領域部１２Ａ、１２Ｂに設けられた近紫外半導体発光素子３への供給電力をそれぞれ制御することで、発光装置８の出力光である合成光の相関色温度を２６００Ｋから９０００Ｋの間の任意の値に調整でき、且つその合成光の色度点は実質的に黒体輻射軌跡ＢＢＬに沿っているため、人間の視覚に対して極めて自然に近い白色光を提供し、且つ２６００Ｋから９０００Ｋにわたって色温度を自在に可変すること、すなわち発光装置８における出力光の調色を行うことが可能となる。
【００６１】
また、発光装置８において合成光としての白色光を出力するために、上述までの実施例では、近紫外半導体発光素子３と赤色、緑色、青色蛍光体を組合せ、それを各分割領域部１２に図１等に示すように配置した。勿論、白色光を出力するために、その他の半導体発光素子と蛍光体の組合せを採用し、各分割領域部１２に配置するようにしてもよい。そこで、上述までの近紫外半導体発光素子３と赤色、緑色、青色蛍光体との組合せを組合せＡとすると、それ以外の白色光が得られる組合せとして、青色半導体発光素子と赤色、緑色蛍光体との組合せ（組合せＢ）、青色半導体発光素子と黄色蛍光体との組合せ（組合せＣ）も、図１等に示す分割領域部１２に配置可能である。組合せＢおよびＣによって白色光を出力する技術そのものは公知のものであるので、それらの詳細な説明は省略する。
【００６２】
ここで、上記組合せＡ、Ｂ、Ｃにおいて、蛍光体の濃度を調整することで得られる白色光の色温度と、その発光効率との相関を図６に示す。図６の横軸は色温度（Ｋ）を表し、縦軸は発光効率（lm/W）を表す。そして、図中の線ＬＡは組合せＡに対応し、線ＬＢは組合せＢに対応し、線ＬＣは組合せＣに対応している。図６から分かるように、上記３つの組合せの中で、組合せＡに対応する線ＬＡの傾きが最も小さく、ほぼ水平な直線状態になっており、組合せＣに対応する線ＬＣの傾きが最も大きくなっている。この各直線の傾きが大きくなるほど、色温度を変化させようとするとき、その発光効率が大きく変動することを意味する。
【００６３】
従って、該直線の傾きの増大は、色温度を変化させたとき、半導体発光素子に供給する電力が一定のままであれば、当該半導体発光素子の輝度が大きく変動することを意味する。換言すると、該直線の傾きが比較的大きいときは、輝度を安定化させるために半導体発
光素子への供給電力も確実に制御する必要性が高くなり、その結果発光装置８の駆動制御全体が煩雑になる可能性が高い。従って、安定した輝度の発光装置８を構成するためには、可及的に図６に示す直線の傾きが小さい組合せ、即ち近紫外半導体発光素子３と対応する三色の蛍光体の組合せＡを採用することが好ましい。但し、このことは、本発明に係る発光装置８に、組合せＢ、Ｃやその他の半導体発光素子と蛍光体の組合せを適用することを排除するものではない。
【００６４】
尚、組み合わせＢ、Ｃにおいての白色化は蛍光体励起源である青色半導体発光素子の光そのものを青色光として混色に利用しているがために、低色温度領域を出すために赤や緑あるいは黄色の蛍光体量を増加させ青色光の占める割合を減ずる必要がある。また、青色光は蛍光体変換光より効率がよいため、青色光の占める割合が減るほど効率が落ちることになる。一方、組み合わせＡのごとく近紫外半導体発光素子を用いた場合、近紫外光は殆ど白色化には寄与せず大半が蛍光体の励起に使用され白色化はもっぱら青、緑、赤の蛍光体変換光となる。従って、色温度を変化させるために蛍光体の組成比を変えても発光効率には大きく影響が現れない。
【００６５】
このように本実施例に係る発光装置８によれば、色温度が２６００Ｋと９０００Ｋの間の色温度となる白色光を容易に出力することが可能であり、また、図２等に示す構造を採用することにより、各分割領域部１２からの出力光の合成光が、照射面で分離する虞を十分に抑制することが可能である。
【００６６】
ここで、上述に示すように構成され、２つの色温度間の色温度となる白色光を容易に出力できる発光装置８と、該発光装置８を搭載するための回路基板３１とを備える発光モジュール３０の構成について、図７Ａ及び図７Ｂに基づいて説明する。図７Ａは、発光モジュール３０の具体的構成を示す斜視図であり、図７Ｂは、図７Ａに示す発光モジュール上における５台の発光装置８の配置状態を模式的に示す図である。なお、図７Ａにおいて、各発光装置８への電力供給系統については図示していない。また、図７Ｂにおいて、分割領域部１２Ａ，１２Ｂのそれぞれを区別するために、便宜上、１２Ａに破線で模様を付している。発光モジュール３０は、具体的には、環状の回路基板３１上に、同様に環状に配置される。このとき、図７Ｂに示すように、５台の発光装置８は、回路基板３１の中心Ｏを中心点として同一円周上に等角配置される。従って、隣接する発光装置８間の角度θ（以下、「所定配置角θ」と言う。）は、全て中心Ｏの一周３６０°を発光装置８の台数である５で除した角度、即ち７２°となる。
【００６７】
ここで、図７Ｂに示すように、各発光装置８における間仕切り１１と、発光装置８が配置される環状の半径とは直交し、且つ分割領域部１２Ａが該環状の内側に位置し、分割領域部１２Ｂが該環状の外側に位置するように、発光モジュール３０においては５台の発光装置８の配置が行われている。その結果、発光モジュール３０においては、隣接する発光装置８との間仕切り１１の向きのずれは、発光装置８の開口部１３の開口面内における一の回転方向に、上記所定配置角度θずつ回転された状態となり、以って、分割領域部１２Ａと分割領域部１２Ｂとの相対位置関係を代表する間仕切り１１の向きが、発光装置８ごとに異なった状態となる。
【００６８】
このように間仕切り１１の向きを、所定配置角θずつ、ずらした状態で５台の発光装置８を配置することで、各発光装置８の分割領域部１２Ａと分割領域部１２Ｂとからの発光がムラを抑えて合成されやすくなるため、発光モジュール３０からの発光として照射される光の、照射面における分離を回避することが可能となる。特に、発光装置８の開口部１３発上に凸レンズ等のレンズ素子を設けた場合においても、発光の分離を回避することが可能となる。
【００６９】
図８は、発光モジュール３０の各発光装置８間における電気的な接続状態を模式化して示す図である。発光モジュール３０においては、各発光装置８が有する５つの分割領域部１２Ａの配線２０Ａは互いに直列に接続される。同様に、５つの分割領域部１２Ｂの配線２０Ｂは互いに直列に接続される。このように各発光装置８のそれぞれの分割領域部１２Ａ、１２Ｂを直列に接続することで、発光モジュール３０の発光制御を容易に行うことができる。
【００７０】
本実施例では、各分割領域部１２Ａに対応する電極２１Ａの各々が電力供給用導体層３２Ａ，３２Ｂ（包括的に電力供給用導体層３２と称する場合もある。）に接触するように配置されている。電力供給用導体層３２Ａ，３２Ｂの詳細については後述するが、これらは回路基板３１の主要な構成要素である。電力供給用導体層３２Ａ，３２Ｂは、各分割領域部１２Ａ，１２Ｂを別系統として各近紫外半導体発光素子３に対して電力を供給するものであり、本発明における電力供給部に対応している。ここでの系統とは、分割領域部１２に含まれる各近紫外半導体発光素子３へと供給する電力の制御系統のことを意味し、この実施例では２系統になっている。すなわち、分割領域部１２Ａに対する電力が電力供給用導体層３２Ａによって供給され、分割領域部１２Ｂに対する制御用電力が電力供給用導体層３２Ｂによって供給されており、それぞれに対応する各近紫外半導体発光素子３への電力供給が互いに独立して制御されるようになっている。
【００７１】
ここで、別系統の電力供給用導体層３２Ａ，３２Ｂ同士は、互いに絶縁部材３３（図中、ハッチングにて図示）によって絶縁される。図中の符号３４Ａ，３４Ｂは＋端子部であり、符号３５Ａ，３５Ｂは−端子部である。図８において、電力供給用導体層３２は矩形として表されているが、本図においては便宜的に矩形で表しているに過ぎない。また、各発光装置８のグラウンド線の図示は省略している。
【００７２】
図９には、発光モジュール３０の発光制御のために各発光装置８に供給される電流の一例が示されており、特に図９（ａ）は電力供給用導体層３２Ａを介して各発光装置８の分割領域部１２Ａ内に配置される近紫外半導体発光素子３Ａに供給される電流の推移を示しており、図９（ｂ）は電力供給用導体層３２Ｂを介して各発光装置８の分割領域部１２Ｂ内に配置される近紫外半導体発光素子３Ｂに供給される電流の推移を示している。本実施例では、各近紫外半導体発光素子３には、矩形状の電流が供給され、且つ近紫外半導体発光素子３Ａ側に供給される電流量と、近紫外半導体発光素子３Ｂ側に供給される電流量の総和は一定になるように制御される。尚、図９に示す状態は、近紫外半導体発光素子３Ａ側に供給される電流量は該総和の２５％であり、近紫外半導体発光素子３Ｂ側に供給される電流量は該総和の７５％であり、その結果、各発光装置８の分割領域部１２Ａからの発光強度と各発光装置８の分割領域部１２Ｂからの発光強度との比は、１：３となる。
【００７３】
このように近紫外半導体発光素子３Ａ側に供給される電流量と、近紫外半導体発光素子３Ｂ側に供給される電流量の総和を一定にしながら、各半導体発光素子３側に供給される電流量の比を調整することで、発光モジュール３０としての発光強度は一定としながら、分割領域部１２Ａと分割領域部１２Ｂからの発光強度の比率を変化させることができる。その結果、図４及び図５に示したように、発光モジュール３０の出力光を、発光強度を一定のままで、その相関色温度を２６００Ｋから９０００Ｋの間の任意の値に調整できる。また、上述したように、その合成光の色度点は実質的に黒体輻射軌跡ＢＢＬに沿っているため、人間の視覚に対して極めて自然に近い白色光を提供し、且つ２６００Ｋから９０００Ｋにわたって色温度を自在に可変することが可能となる。
【００７４】
尚、分割領域部１２Ａと分割領域部１２Ｂからの発光強度の比率の変化については、段階的に変化させてもよく、また連続的に変化させてもよい。前者の場合は、発光モジュールの出力光は、相関色温度が異なる複数の出力光を有し、ユーザがいずれかの相関色温度
の出力を選択する等して、該発光モジュール３０を利用する。また後者の場合は、ユーザが好みの相関色温度となるように任意の比率を選択する等して、該発光モジュール３０を利用する。もっとも、近紫外半導体発光素子３Ａ、３Ｂの駆動制御については、上述以外の駆動制御も採用可能である。例えば、近紫外半導体発光素子３Ａ、３Ｂへの供給電流量の総和を一定にせず、近紫外半導体素子ごとに独立に電力供給することにより、各々の入力電流を制御するようにしてもよい。
【００７５】
図９で説明した一態様のように、発光モジュール３０では、その出力光を、発光強度を一定のまま、分割領域部１２Ａと分割領域部１２Ｂからの発光強度の比率を変化させることができる。これによって、発光モジュール３０として出力する出力光の色温度を自在に且つ容易に可変とすることができる反面、分割領域部１２Ａと分割領域部１２Ｂとにおける発光強度の比率を相違させることに伴って各発光装置８における局所的な熱集中が起こりやすい。そうすると、近紫外半導体発光素子３の温度上昇に伴う発光効率の低下や、近紫外半導体発光素子３の熱劣化などの問題が、いわゆる調色を不可とする半導体発光装置に比べて、顕在化し易い。そこで、本実施例における発光モジュール３０では、各発光装置８において発生する熱をより効率的に外部に逃がし、放熱性能を向上させるべく、特に発光装置８を搭載するための回路基板３１の構成について工夫した。
【００７６】
図１０は、発光モジュール３０の回路基板３１の上面を模式化して示した図である。図１１は、図１０のＡ−Ａ切断線を含む断面を模式的に示した図である。図１２は、回路基板３１に各発光装置８が搭載された状態を示す図である。また、図１３は、発光モジュール３０と放熱用ハウジング部材５０とレンズ６０とを含んだ照明装置ＤＬを示した図である。
【００７７】
発光モジュール３０における回路基板３１は、発光装置８を搭載（実装）するための基板であり、本実施例では５個の発光装置を搭載する。回路基板３１は、各発光装置８を取り付けるための土台となる環状（ドーナツ状）に形成された基材部３６を有する。この基材部３６は、熱伝導性の優れた熱伝導材料を用いて形成されており、中心Ｏ側は中空となっている。本実施例では、アルミニウムを用いて基材部３６を構成しているが、勿論これに限定されるものではない。基材部３６表面には絶縁層３６Ａが形成されている。この絶縁層３６Ａは、例えばPEEK(ポリエーテルエーテルケトン)に代表されるようなレジンを用いることができる。
【００７８】
絶縁層３６Ａの上には、電力供給用導体層３２が基材部３６のほぼ全面を覆うように形成されている。本実施例における電力供給用導体層３２は、たとえば電気伝導性の優れた銅箔を用いているが、その他の電気伝導性材料を用いることもできる。図８で説明したように、本実施例において、各分割領域部１２に含まれる近紫外半導体発光素子３に供給するための電力制御系統の数は２系統である。以下、分割領域部１２Ａにおける近紫外半導体発光素子３Ａへの電力制御系統に対応した３２Ａを「第１系統電力供給用導体層」とし、分割領域部１２Ｂにおける近紫外半導体発光素子３Ｂへの電力制御系統に対応した３２Ｂを「第２系統電力供給用導体層」とする。
【００７９】
図１０に示すように、第１系統電力供給用導体層３２Ａ及び第２系統電力供給用導体層３２Ｂは、概略、環状に形成された絶縁部材（以下、「環状絶縁部材」と称する。）３３Ａによって、互いに絶縁されている。言い換えると、環状絶縁部材３３Ａによって、第１系統電力供給用導体層３２Ａ及び第２系統電力供給用導体層３２Ｂが、基材部３６の面内方向において平面的に区画されている。この図では、環状絶縁部材３３Ａを境に内側に第１系統電力供給用導体層３２Ａ（格子ハッチング）が配置され、外側に第２系統電力供給用導体層３２Ｂ（横ハッチング）が配置されている。
【００８０】
回路基板３１（基材部３６）の径方向には、放射状に、６本の絶縁部材（以下、「放射状絶縁部材」と称する。）３３Ｂ〜３３Ｇが設けられている。この放射状絶縁部材３３Ｂ〜３３Ｇにより、第１系統電力供給用導体層３２Ａが６つの導体領域Ａ１〜Ａ６に分割（区画）され、且つ、第２系統電力供給用導体層３２Ｂが６つの導体領域Ｂ１〜Ｂ６に分割（区画）されている。
【００８１】
図１１に示すように、基材部３６上に形成されている電力供給用導体層３２上には、更に電気絶縁保護塗膜層３７（一例として、ソルダーレジスト）が積層されている。電力供給用導体層３２は、特定部位を除いてこの電気絶縁保護塗膜層３７によって覆われている。第１系統電力供給用導体層３２Ａにおいては、＋端子部３４Ａ及び−端子部３５Ａが形成される部分、各発光装置８におけるベース２下面に形成された電極２１Ａと接触させる部分が露出している（露出部は白抜きで図示する）。そのため、図１０に格子ハッチングで表した領域は、第１系統電力供給用導体層３２Ａに電気絶縁保護塗膜層３７が積層されていることになる。
【００８２】
一方、第２系統電力供給用導体層３２Ａにおいては、＋端子部３４Ｂ及び−端子部３５Ｂが形成される部分、各発光装置８におけるベース２下面に形成された電極２１Ｂと接触させる部分が露出している（露出部は白抜きで図示する）。そのため、図１０に横ハッチングで表した領域は、第２系統電力供給用導体層３２Ｂに電気絶縁保護塗膜層３７が積層されていることになる。その他、電気の逆流防止用に設けられるツェナーダイオード等の電力制御用電子部品（図示省略）を配置する部分についても、電力供給用導体層３２を剥き出しにしておくことができる。もっとも、このような電力制御用電子部品は、必ずしも回路基板３１上に設置する必要はなく、回路基板３１の外部に設置しても良い。また、電力制御用電子部品を発光装置８の内部に配置するようにしても良い。
【００８３】
既述のように回路基板３１に搭載された各発光装置８は、環状に、且つ中心Ｏを中心点として同一円周上に等角配置されている（図７Ｂを参照）。そして、隣接する発光装置８間の所定配置角θは７２°である。図１２において、５台の発光装置８を、＋端子部３４Ａ，３４Ｂに近いものからそれぞれ順に、第１発光装置８Ａ〜第５発光装置８Ｅと定義する。
【００８４】
以上、図１０〜１２を参照して説明したように、絶縁部材３３によって区画された電力供給用導体層３２は、各発光装置８において互いに対応する分割領域部１２同士を直列に接続するように機能する。具体的には、各発光装置８の分割領域部１２Ａ側に対応する電力制御系統では、＋端子部３４Ａから入力された電力は、Ａ１→８Ａの分割領域部１２Ａ→Ａ２→８Ｂの分割領域部１２Ａ→Ａ３→８Ｃの分割領域部１２Ａ→Ａ４→８Ｄの分割領域部１２Ａ→Ａ５→８Ｅの分割領域部１２Ａ→Ａ６と経由し、−端子部３５Ａに至る。また、各発光装置８の分割領域部１２Ｂ側に対応する電力制御系統では、＋端子部３４Ｂから入力された電力は、Ｂ１→８Ａの分割領域部１２Ｂ→Ｂ２→８Ｂの分割領域部１２Ｂ→Ｂ３→８Ｃの分割領域部１２Ｂ→Ｂ４→８Ｄの分割領域部１２Ｂ→Ｂ５→８Ｅの分割領域部１２Ｂ→Ｂ６と経由し、−端子部３５Ｂに至る。これにより、各発光装置８では、その電力制御系統ごとに独立した発光制御が好適に実現される。
【００８５】
そして、上記発光制御に起因する各発光装置８での発熱は、各発光装置８の電極２１Ａ，２１Ｂを介して電力供給用導体層３２に伝えられる。ここで、電力供給用導体層３２は、熱伝導性材料によって基材部３６のほぼ全面にわたって面状に形成されている。従って、電力供給用導体層３２が各発光装置８から奪った熱を、回路基板３１（基材部３６）の面内方向への広がりをもたせて逃がすことができる。すなわち、発光装置８において局所的に集中した熱を、基材部３６における面内方向に好適に分散させつつ、効率的に発光装置８から熱を奪うことができる。
【００８６】
ここで、基材部３６の全表面積に対する電力供給用導体層３２が形成される部分の面積比率（以下、「導体層占有面積比率」という）が高いほど発光装置８の放熱性能を高めることができる。基材部３６の面積が等しければ、導体層占有面積比率が高いほど、発光装置８からより多くの熱を効果的に奪うことができるからである。そのため、本実施例では、発光装置８の発光効率が規定のレベルを満足するように導体層占有面積比率が設定されており、その値は好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上とすると良い。
【００８７】
また、本実施例における発光モジュール３０では、各発光装置８を回路基板３１上に環状に、且つ中心Ｏを中心点として同一円周上に等角配置し、且つ、隣接する発光装置８との間仕切り１１の向きのずれが開口部１３の開口面内における一の回転方向に所定配置角度θずつ回転された状態となっている。本実施例では、このような発光装置８の配置パターンに対して、図１２に示す如く、電力供給用導体層３２がその電力制御系統ごとに、中心Ｏ（所定の基準点）を中心に同心円状に配置されるように、絶縁部材３３を用いて区画するようにした。
【００８８】
これにより、第１系統電力供給用導体層３２Ａ及び第２系統電力供給用導体層３２Ｂが、回路基板３１（基材部３６）面内において散在することなく、まとまって整然と分布するようになる。これによれば、電力制御系統別に電力供給用導体層３２を区画するために必要な絶縁部材３３の量をより少なくすることができる。従って、上述した導体層占有面積比率を可及的に高くすることが可能となり、以って発光装置８の放熱性能の向上に寄与することができる。また、上述の如く絶縁部材３３の使用量をより少なくすることができるため、製造コスト削減の観点からも有益である。尚、第１系統電力供給用導体層３２Ａ及び第２系統電力供給用導体層３２Ｂを、中心点Ｏ以外の基準点を中心として同心円状に配置しても良い。
【００８９】
また、図示のように、回路基板３１上における端子部３４Ａ、３４Ｂ、３５Ａ、３５Ｂ（これらの各端子部を包括的に参照する場合は端子部３４と称する。）は、それぞれ隣接して配置されている。これによれば、外部電源と接続される各配線をまとめることができる。よって、この実施形態は照明装置ＤＬの全体設計に関する自由度を向上させる観点からも好ましい形態の一つである。
【００９０】
また、図１１及び図１３に示すように、本実施例に係る回路基板３１には、発光装置８から奪った熱を大気中に放熱させるための放熱用ハウジング部材５０が取り付けられるようになっている。この放熱用ハウジング部材５０は、発光モジュール３０を保持するための筐体であると共に、基材部３６と同様に熱伝導性の優れた材料を用いており、基材部３６側から伝導されてくる熱を大気中に放散させるための放熱促進部材としても機能する。放熱用ハウジング部材５０は、主に放熱促進部材としての役割を担う放熱フィン部５１と、筐体としての役割を担うハウジング部５２とを含んで構成されている。ハウジング部５２は、円形状を有する中底部５２Ａから円筒側壁部５２Ｂが放熱フィン部５１と逆側に向かって立ち上がるように形成されている。円筒側壁部５２Ｂの内径は回路基板３１（基材部３６）の外径と略等しく、回路基板３１が放熱用ハウジング部材５０に装着される際に、円筒側壁部５２Ｂと回路基板３１外周との間に僅かにクリアランスが形成されるようになっている。
【００９１】
本実施例では、基材部３６において、発光装置８が搭載されない側の面（以下、「非搭載面」という）３６Ｂに放熱用ハウジング部材５０が熱的に接触するように取り付けられる。具体的には、基材部３６における非搭載面３６Ｂ及び放熱用ハウジング部材５０における中底部５２Ａの界面には、サーマル・インターフェース・マテリアル（ＴＩＭ）３８を介在させるようにした。通常、放熱用ハウジング部材５０と基材部３６における熱膨張
率が異なる。そこで、ＴＩＭ３８のように変形能（追従能）を有する材料を基材部３６及び放熱用ハウジング部材５０の界面に介在させることで、熱膨張率の差に起因する双方の部材の損傷を防ぐようにしている。また、このようにＴＩＭ３８を介在させることにより、放熱用ハウジング部材５０及び基材部３６の何れかの面精度が仮に低いとしても、基材部３６から放熱用ハウジング部材５０へと円滑な熱伝達を行うことができる。なお、円筒側壁部５２Ｂと回路基板３１（基材部３６）外周との間に形成される僅かなクリアランスを埋めるようにＴＩＭ３８を配置しても良い。これにより、発光モジュール３０と放熱用ハウジング部材５０との間の伝熱効率を一層高めることができる。
【００９２】
このようにして、発光装置８による発熱が、発光モジュール３０の回路基板３１における電力供給用導体層３２、基材部３６を介して放熱用ハウジング部材５０へと伝えられ、その熱が放熱フィン部５１から大気中への放出されることで発光モジュール（発光装置８）の放熱が促進される。本実施例における回路基板３１、発光モジュール３０、及び照明装置ＤＬによれば、調色可能な発光装置８において発生した熱の放熱性能を好適に向上させることができる。よって、発光装置８における局所的な温度上昇に伴う発光効率の低下や、熱劣化を抑制することが可能となる。
【００９３】
なお、本実施例における照明装置ＤＬは、特定の種類に限定されるものではないが、ダウンライト（たとえば、ＬＥＤシェルフダウンライト等）として好適に適用することができる。例えば、放熱用ハウジング部材５０の放熱フィン部５１を、棚や天井の内側に埋め込み、隠すことで、美観を損なわずに発光装置８の放熱性能を高めることができる（ハウジング部５２も埋め込むようにしても勿論構わない）。なお、発光モジュール３０、放熱用ハウジング部材５０、レンズ６０の各々は、公知の種々の方法を用いて固定することができる。例えば、図１３に示すように、放熱用ハウジング部材５０における中底部５２Ａの中央に形成されている接続用孔と、回路基板３１の中央に形成されている接続用孔とを、図示しない固定用治具（例えば、ねじ等）を介して固定しても良い。また、レンズ６０と放熱用ハウジング部材５０とに関しては、レンズ６０枠の外周面及び円筒側壁部５２Ｂの内周面にねじ溝を形成し、これらを互いに螺合することでレンズ６０を放熱用ハウジング部材５０に取り付けても良い。また、レンズ６０の機能、仕様などは特に限定されるものではなく、例えば集光レンズ、拡散レンズ等を採用することができる。
【００９４】
＜変形例＞
次に、本実施例における発光モジュール３０の第１の変形例について、図１４を参照して説明する。図１４では、リフレクタ１０の内部が３つの分割領域部１２Ａ〜１２Ｃに分割されている発光装置８を回路基板３１に搭載する例を説明する。分割領域部１２Ａ〜１２Ｃからの各出力光は、たとえば赤色、緑色、青色となるように、半導体発光素子及び蛍光体の組み合わせが適宜調節されており、発光装置８からは白色の合成光が出力されるようになっている。
【００９５】
図１４に示す例では、３台の発光装置８が回路基板３１に設置されるようになっている。各発光装置８の回路基板３１への搭載方法については、既述した内容と同様である。すなわち、３台の発光装置８は、回路基板３１の中心Ｏを中心点として同一円周上に等角配置されている。そして、隣接する発光装置８間の所定配置角θは、３６０°を発光装置８の台数である３で除した角度、即ち１２０°となっている。ここで、各発光装置８において、図中の「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」の表記が、分割領域部１２Ａ〜１２Ｃの各々に対応する。各発光装置８において、回路基板３１の中心Ｏ側から径方向外側に向かって、分割領域部１２Ａ〜１２Ｃが順に配置されている。
【００９６】
本変形例においても、各分割領域部１２Ａ〜１２Ｃに対応する電力制御系統ごとに電力供給用導体層３２が平面的に区画されている。すなわち、ここでの系統数は３であるため
、電力供給用導体層３２が２つの環状絶縁部材３３Ｈ，３３Ｉによって区画するようにした。これにより、第１系統電力供給用導体層３２Ａ〜第３系統電力供給用導体層３２Ｃが回路基板３１（基材部３６）面内において中心点Ｏを基準として同心円状に配置されている。
【００９７】
また、回路基板３１（基材部３６）の径方向には、放射状に、４本の放射状絶縁部材３３Ｊ〜３３Ｍが配置されている。そして、この放射状絶縁部材３３Ｊ〜３３Ｍによって、第１系統電力供給用導体層３２Ａが４つの導体領域Ａ１〜Ａ４に区画され、第２系統電力供給用導体層３２Ｂが４つの導体領域Ｂ１〜Ｂ４に区画され、第３系統電力供給用導体層３２Ｃが４つの導体領域Ｃ１〜Ｃ４に区画されている。尚、図中の導体領域Ｃ１に含まれる符号３４Ｃは、各発光装置８の分割領域部１２Ｃに含まれる半導体発光素子に供給する電力を外部から入力するための＋端子部である。また、導体領域Ｃ４に含まれる符号３５Ｃは、各発光装置８の分割領域部１２Ｃに対応する−端子部を表す。
【００９８】
以上のように、図１４では、発光装置８におけるリフレクタ１０内部の分割数、すなわち半導体発光素子に供給するための電力制御系統の数が異なる変形パターンに関する実施形態を説明した。このような変形パターンにおいても、回路基板３１の面内方向にわたって基材部３６を覆うように面状に形成された電力供給用導体層３２を介して、各発光装置８における発熱、特に分割領域部１２ごとに局所的に集中して発生した熱を、効率的に基材部３６へと逃がすことができる。これにより、発光装置８の放熱性能が向上し、以って該発光装置８における局所的な熱集中に伴う発光効率の低下や、熱劣化を好適に抑止することができる。
【００９９】
次に、本実施例における発光モジュール３０の第２の変形例について、図１５を参照して説明する。図１５に示した発光モジュール３０は、複数ではなく単一の発光装置８が回路基板３１に搭載されている。この図において回路基板３１に搭載される発光装置８自体は、図１〜３等において説明したものと同等であるが、発光モジュール３０から発光される発光量を充分に確保するために、各分割領域部１２Ａ，１２Ｂにおいて近紫外半導体発光素子３Ａ、３Ｂを設置する数を、増やしても良い。
【０１００】
この図において、回路基板３１（基材部３６）は円形状を有する。回路基板３１の厚さ方向の基本構成は、図１１において説明したものと同様である。すなわち、基材部３６上には、そのほぼ全面わたって電力供給用導体層３２が基材部３６を覆うように面状に形成される。図中の符号３３Ｘ、３３Ｙ、３３Ｚは既述した絶縁部材を表す。絶縁部材３３Ｚは、基材部３６の外縁に沿って配置されている。絶縁部材３３Ｘ，３３Ｙは、基材部３６の面内領域を４等分するように直交する十字型に配置されている。
【０１０１】
基材部３６の面内方向に関しては、上記絶縁部材３３が配置される部分を除く領域に電力供給用導体層３２が形成されることになる。そして、この電力供給用導体層３２は、絶縁部材３３Ｘによって第１系統電力供給用導体層３２Ａ及び第２系統電力供給用導体層３２Ｂに区画されている。これらの用語の意味については既述のため、その説明については省略するが、第１系統電力供給用導体層３２Ａが分割領域部１２Ａ側の電力制御系統に対応し、第２系統電力供給用導体層３２Ｂが分割領域部１２Ｂ側の電力制御系統に対応するものである。
【０１０２】
また、絶縁部材３３Ｙにより、第１系統電力供給用導体層３２Ａが導体領域Ａ１、Ａ２に２分（区画）され、且つ、第２系統電力供給用導体層３２Ｂが導体領域Ｂ１、Ｂ２に２分（区画）されている。尚、実施例１と同様、電力供給用導体層３２には、発光装置８の電極２１Ａ，２１Ｂが配置される箇所、端子部３４Ａ，３４Ｂ，３５Ａ，３５Ｂが形成される箇所を除いて電気絶縁保護塗膜層３７が更に積層されている。
【０１０３】
この構成では、＋端子部３４Ａから入力された電力は、導体領域Ａ１→電極２１Ａ→分割領域部１２Ａ→電極２１Ａ→導体領域Ａ２と経由し、−端子部３５Ａに至る。また、＋端子部３４Ｂから入力された電力は、導体領域Ｂ１→電極２１Ｂ→分割領域部１２Ｂ→電極２１Ｂ→導体領域Ｂ２と経由し、−端子部３５Ｂに至る。これにより、発光装置８ではその電力制御系統ごとに、すなわち分割領域部１２Ａ，１２Ｂごとに独立した発光制御が実現される。そして、発光装置８に係る放熱性能に関しては、既述の実施形態と同様、発光装置８からの熱が電力供給用導体層３２（３２Ａ，３２Ｂ）へと伝えられるところ、この変形例においても電力供給用導体層３２は基材部３６のほぼ全面にわたって形成されているため、発光装置８の熱を効率良く基材部３６に輸送することができる。従って、発光装置８における放熱性能が向上し、発光装置８における局所的な熱集中に伴う発光効率の低下、熱劣化等を好適に抑制することが可能となる。
【０１０４】
これまでに説明した実施の形態では、回路基板（基材部）の形状が円形状である場合を例に説明したが、これに限定されるものではなく、種々の形状を採用しても勿論構わない。ここでは図１６及び図１７を参照して、発光モジュール３０の第３の変形例について説明する。なお、図１６に示す発光モジュール３０では、３台の発光装置８が回路基板３１０に搭載されている。図１４で説明した配置例と同様、３台の発光装置８は回路基板３１０（基材部３１６）の中心Ｏを中心点として同一円周上に等角配置されており、隣接する発光装置８間の所定配置角θは１２０°である。なお、各発光装置８は、図１２で説明したものと同等であり、詳しい説明は省略する。また、本変形例においても、基材部３１６の平面内において電力供給用導体層３２が、絶縁部材３３によって第１系統電力供給用導体層３２Ａ（格子ハッチング）及び第２系統電力供給用導体層３２Ｂ（横ハッチング）に区画されている。
【０１０５】
図１６に示すように、回路基板３１０（基材部３１６）は、円形から弓形（segment）
の切り欠き部（以下、「弓形切り欠き部」という）を切り欠いた形状（以下、「一部切り欠き円形状」という）に形成されている。弓形切り欠き部は、円弧及びこれに対応する弦によって囲まれた領域である。この図の例では、中心Ｏを挟んで対称位置（中心Ｏ周りに１８０°ずれた位置）に一対の弓形切り欠き部３１１Ａ，３１１Ｂ（これらの弓形切り欠き部を包括的に参照する場合は弓形切り欠き部３１１と称する。）が設けられている。
【０１０６】
このように、回路基板３１０（基材部３１６）を一部切り欠き円形状として構成することにより、以下の点で有効である。すなわち、図示のように、回路基板３１上における各端子部３４を弓形切り欠き部３１１近傍にそれぞれ隣接して配置させることにより、外部電源と端子部３４とを接続する配線を挿通させるための空間として弓形切り欠き部３１１を利用することができる。この配線は、弓形切り欠き部３１１を通って放熱用ハウジング部材５０における中底部５２Ａ側に導かれる。中底部５２Ａ側には、各端子部３４に接続された配線を通すための貫通孔（図示省略）が設けられており、この貫通孔を介して配線が外部電源（例えば、定電流回路等）に接続されている。また、このように回路基板３１上において各端子部３４を互いに隣接させて纏めて配置することにより、発光装置８、他の電子部品（ツェナーダイオード等）との干渉を回避し、限られた搭載スペースを有効に活用することができる。
【０１０７】
また、照明装置ＤＬの外観（デザイン）に関して、一般にユーザー（利用者）は、鋭角な角部を有する形状に比べて、円形状もしくはそれに近い多角形状を感覚的、心理的に好む傾向がある。たとえば、角張った形の照明装置に比べて丸い形の照明装置の方が眺めたときのストレスが少なく、丸い形の照明装置を好む傾向がある。その点、回路基板３１０を一部切り欠き円形状に形成した場合においても、円筒形状の円筒側壁部５２を備えた放熱用ハウジング部材５０に好適に装着することができるため、ユーザーによる感覚面、心
理面からの好みに合致した外観を有する照明装置ＤＬを提供することができる。また、丸い外観を有する照明装置ＤＬがユーザーに好まれるという上記理由から、円筒形状を有する筐体が既製品（汎用品）として多く流通している。そして、照明装置ＤＬ全体の製造コストのうち、放熱用ハウジング部材５０のコストが占める割合は比較的高いという実情がある。一部切り欠き円形状に形成された回路基板３１０によれば、市場に多く流通している汎用品としての筐体に容易に装着することができる。よって、照明装置ＤＬにおける製造コストを好適に抑制することができる。
【０１０８】
また、回路基板３１０（基材部３１６）を一部切り欠き円形状として形成することにより、基材部３１６の原材料（例えば、アルミニウム板）Ｓから該基材部３１６を切り出す際、無駄となる部分の面積を、例えば基材部３１６を円形状とする場合に比べて好適に減らすことができる（図１７を参照）。これにより、同量の原材料（例えば、同じ大きさのアルミニウム板）Ｓから、より多数の基材部３１６を製造することができる。よって、回路基板３１０一個あたりに要する製造コストを好適に抑制することができる。但し、回路基板３１０（基材部３１６）を一部切り欠き円形状とすることは好適な態様の一つであるが、本発明の適用がこれらに限定される趣旨のものではなく、既に説明した円形状や、多角形状、その他の形状としても良いのは勿論である。また、基材部３１６を一部切り欠き円形状とする場合、弓形切り欠き部を設ける個数は特に限定されない。すなわち、図１６に示した２個に限定されず、３つ以上の弓形切り欠き部を設けても良いし、単一の弓形切り欠き部を設けても良い。
【０１０９】
＜実施例２＞
次に、本実施の形態における実施例２について説明する。実施例２における発光モジュール３０の回路基板３１Ａは、実施例１において説明した回路基板３１と基本構成を等しくしており、既に説明した部材については、同じ符号を付与することでその説明を省略する。本実施例における回路基板３１Ａは、各発光装置８を搭載する態様が実施例１と相違する。
【０１１０】
図１８は、実施例２に係る回路基板３１Ａの上面を模式化して示した図である。図１９は、実施例２に係る回路基板３１Ａに各発光装置８が搭載された状態を示す図である。回路基板３１Ａにおいても、実施例１の回路基板３１と同様に、基材部３６、この基材部３６表面に形成された絶縁層３６Ａ、及び電力供給用導体層３２を備え、電力供給用導体層３２は基材部３６の面内方向において絶縁部材３３０により区画されている。また、回路基板３１Ａは、各発光装置８を環状に且つ中心Ｏを中心点として同一円周上に等角配置する点で、実施例１における回路基板３１と共通する。
【０１１１】
図１９では、回路基板３１Ａに対して３個（３台）の発光装置８を搭載している。そして、隣接する発光装置８間の所定配置角θは、中心Ｏの一周３６０°を発光装置８の台数である３で除した１２０°となるように、各発光装置８が中心Ｏを中心点として同一円周上に等角配置されている。
【０１１２】
また、回路基板３１Ａにおいても、電力供給用導体層３２が基材部３６のほぼ全面を覆うように形成されており、この電力供給用導体層３２は更に、分割領域部１２Ａに対応する第１系統電力供給用導体層３２Ａ（図中、格子ハッチング）と分割領域部１２Ｂに対応する第２系統電力供給用導体層３２Ｂ（図中、斜めハッチング）とに絶縁部材３３０（図中、太実線）によって平面的に区画されている。絶縁部材３３０は、実施例１で説明した絶縁部材３３と同様の機能を有する。
【０１１３】
本実施例における回路基板３１Ａでは、各発光装置８における分割領域部１２Ａと分割領域部１２Ｂとを区画する間仕切り１１が、回路基板３１Ａ（基材部３６）の径方向に沿
うように配置されている点で、実施例１と相違する。このように、本実施例では、各発光装置８の分割領域部１２Ａ、１２Ｂ同士を区画する間仕切り１１が円周方向ではなく、径方向に沿って配置される関係上、第１系統電力供給用導体層３２Ａおよび第２系統電力供給用導体層３２Ｂを同心円状の配置とはしていない。回路基板３１Ａにおける各発光装置８の配置状態は、実施例１に係る回路基板３１での配置状態を基準にしてちょうど９０°回転させた状態に等価であるため、各発光装置８の近傍における絶縁部材３３０の形状は図示のように概ね卍形をなしている。
【０１１４】
また、本実施例では、第１系統電力供給用導体層３２Ａおよび第２系統電力供給用導体層３２Ｂをより整然と区画するために、間仕切り１１に対する分割領域部１２Ａと分割領域部１２Ｂとの相対位置関係を、各発光装置８で統一するようにした。図１９に示す例では、各発光装置８を中心Ｏ側から眺めた場合に、間仕切り１１を境にして時計回り進行方向側に分割領域部１２Ｂを配置し、逆側に分割領域部１２Ａを配置している。但し、これら分割領域部１２Ａ、１２Ｂの配置に関する位置関係を逆にしても良い。
【０１１５】
以上のように、実施例２における発光モジュール３０の回路基板３１Ａにおいては、各発光装置８の分割領域部１２Ａと分割領域部１２Ｂの境界部（すなわち、間仕切り１１）が、回路基板３１Ａの径方向に沿って形成される。このような配置パターンによっても、各発光装置８の分割領域部１２Ａと分割領域部１２Ｂとからの発光がムラを抑えて合成されやすくなるため、双方の領域から発する光の混色状態が良好となる。また、本実施例においても、電力供給用導体層３２が面状に形成されているため、電力供給用導体層３２が各発光装置８から奪った熱を、回路基板３１Ａの面内において分散させつつ効率的に発光装置８から熱を奪うという効果は、実施例１と同様に奏することができる。
【０１１６】
以下、本実施例における回路基板３１Ａのバリエーションについて説明する。図２０乃至図２２は、実施例２の第１乃至第３の変形例に係る回路基板３１Ａに各発光装置８が搭載された状態を示す図である。図２０及び図２１は、概略、回路基板３１Ａに対して搭載される発光装置８の数のみが図１９と相違する。図２０では５個（５台）の発光装置８が回路基板３１Ａに搭載されている。この場合、隣接する発光装置８間の所定配置角θは中心Ｏの一周３６０°を発光装置８の台数である５で除した７２°となるように、各発光装置８が中心Ｏを中心点として同一円周上に等角配置されている。その他に関しては、図１９に示す構成例と概ね同様であり、図１９を参照して説明したものと同等の効果を奏することができる。
【０１１７】
また、図２１に示す構成例では６個（６台）の発光装置８が回路基板３１Ａに搭載されている。この場合、隣接する発光装置８間の所定配置角θは中心Ｏの一周３６０°を発光装置８の台数である６で除した６０°となるように、各発光装置８が中心Ｏを中心点として同一円周上に等角配置されている。その他に関しては、図１９や図２０に示す構成例と概ね同様であり、これらと同等の効果を奏することができる。
【０１１８】
図２２は、本実施例の回路基板３１Ａにおいて、図１４に対応する構成図であり、各発光装置８のリフレクタの内部は３つの分割領域部１２Ａ〜１２Ｃに分割されている。そのため、電力供給用導体層３２に関しても、分割領域部１２Ａ〜１２Ｃに各々対応する第１系統電力供給用導体層３２Ａ（図中、格子ハッチング）、第２系統電力供給用導体層３２Ｂ（図中、斜めハッチング）、第３系統電力供給用導体層３２Ｃ（図中、ドットハッチング）に、絶縁部材３３０によって区画されている。
【０１１９】
各分割領域部１２Ａ〜１２Ｃを区画する間仕切り１１は、図１９乃至図２１と同様、回路基板３１Ａの径方向に沿って配置されることで、各分割領域部１２Ａ〜１２Ｃが径方向に沿って形成されている。従って、図１９乃至図２１に示した他の構成例と同様に、発光
装置８の各分割領域部からの光が合成されやすくなり、これらを良好に混色することができる。また、各発光装置８を効率的に冷却できるという効果に関しても、上述までの構成例と同様に奏することができる。
【０１２０】
以上述べた実施の形態は本発明を説明するための一例であって、本発明の本旨を逸脱しない範囲内において上記の実施形態には種々の変更を加え得る。また、本実施形態に発光モジュール３０の発光装置８は白色光を出力するものを例示的に採用しているが、他の色を出力する発光装置に本発明を適用しても勿論構わない。また、本発明に係る半導体発光装置を搭載するための回路基板、発光モジュール、及び照明装置は、上記実施形態に限定されるものではなく、可能な限りこれらの組合せを含むことができる。
【符号の説明】
【０１２１】
１・・・・パッケージ
２・・・・ベース
３、３Ａ、３Ｂ・・・・半導体発光素子
８・・・・半導体発光装置
１０・・・・リフレクタ
１１・・・・間仕切り
１２、１２Ａ、１２Ｂ・・・・分割領域部
１３・・・・開口部
１３Ａ、１３Ｂ・・・・分割開口部
２０、２０Ａ、２０Ｂ・・・・配線
２０Ｃ、２０Ｄ・・・・対配線
２１Ａ、２１Ｂ・・・・電極
３０・・・・発光モジュール
３１・・・・回路基板
３２、３２Ａ、３２Ｂ・・・・電力供給用導体層
３３・・・・絶縁部材
３６・・・・基材部
３７・・・・電気絶縁保護塗膜層
５０・・・・放熱用ハウジング部材
５１・・・・放熱フィン部
５２・・・・ハウジング部
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2011175950.tif 000009
【図６】
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【図７Ａ】
2011175950.tif 000011
【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2011175950.tif 000020
【図１６】
2011175950.tif 000021
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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