(57)【要約】      （修正有）【課題】フレキシブルなフィルムまたは金属箔上にＴＦＴ素子を形成して軽量化かつ安価な表示装置を提供する。【解決手段】画像表示素子形成基板として厚さの薄い金属箔を、搬送用金属基板の上に重ねて周囲を溶接する。そして、搬送用基板に固定された薄い金属箔上にＴＦＴ素子等を形成して画像表示装置を形成した後、溶接部の内側を切断して画像表示素子が形成された金属箔と搬送用金属基板を分離する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示装置を作製するための金属箔基板を、それと同一の熱膨張係数を持つ搬送用金属基板の上に重ね、周囲を溶接により固定して、当該金属箔基板上に画像表示素子を形成し、その後金属箔基板と搬送用基板を分離する画像表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、画像形成用金属箔基板と、搬送用金属基板を真空中で溶接することを特徴とする画像表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、画像形成用金属箔基板と、搬送用金属基板が、共にステンレス鋼であることを特徴とする画像表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１において、金属箔基板の厚さが３０μｍ〜２００μｍの範囲であり、かつ金属箔基板と搬送用金属基板を溶接後の厚さが４００μｍ〜８００μｍの範囲であることを特徴とする画像表示装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】本願発明は金属箔上に画像表示装置を作製する方法に関する。例えば、有機ＥＬディスプレイや電子ペーパーディスプレイに代表される電気光学装置およびその様な電気光学装置を部品として搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術は、ガラスを基板とした液晶ディスプレイなどに応用されている。その中で近年、金属箔基板を使用して、ガラス基板よりも薄くて割れないディスプレイの開発が進められている。【０００３】しかしながら金属箔基板は搬送時のたわみが大きく、ガラス基板の搬送を前提とした現在の製造装置で製造することは非常に困難である。【０００４】金属箔基板と搬送用基板の固定方法として、特開２００２−４９０５６が提案されているが、金属箔基板の厚さが５０μｍ未満の場合には固定用の基板ホルダーに巻きついて密着するが、金属箔基板の厚さが５０μｍ以上の場合にはステンレスのバネ性が強く、搬送用基板面に密着しない。本発明は、厚さが３０μｍ〜２００μｍの金属箔基板を使用する製造方法に関するものである。【０００５】また、金属箔基板をガラス基板に接着剤または粘着剤を用いて密着させ、ガラス基板を搬送する方法で画像表示装置を製造する試みもなされているが、使用する接着剤または粘着剤の耐熱性が低く素子形成中の温度でガス発生するため、画像表示素子の形成温度を下げざるを得ないために画像表示装置の表示性能が低下するという問題がある。【０００６】さらに、金属箔基板をガラス基板に接着剤または粘着剤を用いて密着させる方法では、画像表示素子形成後に剥離する際に金属箔基板を傷つけて表示素子を損傷したり、使用後の搬送用ガラス基板に接着剤または粘着剤が強固に付着しているために再使用が難しく、コストがアップするという問題もある。【０００７】そのため、現在まで金属箔基板を用いた高性能な画像表示装置は実現されていない。
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、本発明は、フレキシブルな金属箔基板上にＴＦＴ及び画素を形成して、フレキシブルかつ薄い画像表示装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】本発明は、素子形成基板として厚さの薄い金属基板を用い、フレキシブルな金属基板上に必要な素子を形成して、フレキシブルかつ薄い画像表示装置を安価に提供することを特徴としている。
【００１０】なお、前記必要な素子とは、アクティブマトリクス型の画像表示装置ならば画素のスイッチング素子として用いる半導体素子（典型的にはＴＦＴ）を指す。
【００１１】金属箔を基板として画像表示装置を製造するにあたって、前記金属箔基板と搬送用金属基板を溶接することを特徴としている。
【００１２】また、本発明は、金属箔基板と、搬送用金属基板の熱膨張係数を一致させることにより、素子形成中の温度過程での湾曲を防止することを特徴としている。
【００１３】また、本発明は、金属箔基板と、搬送用金属基板を真空中で溶接することにより、素子形成中の真空工程での膨れを防止することを特徴としている。
【００１４】また、上記構成において、金属箔基板と搬送用金属基板にステンレス鋼を使用することを特徴としている。
【００１５】また、上記構成において、金属箔基板の厚さが３０μｍ〜２００μｍの範囲であり、かつ金属箔基板と搬送用金属基板を溶接後の厚さが４００μｍ〜８００μｍの範囲であることを特徴としている。
【発明を実施するための形態】
本願発明の実施形態について、以下に説明する。
【００１６】まず、素子形成基板となる金属箔基板１と、搬送用基板２を用意する。（図１）金属箔基板１としては、ステンレス箔基板を用意する。この基板１の厚さは３０μｍ〜２００μｍのものを用いる。また、搬送用基板２としては、金属箔基板１よりも厚いステンレス基板を用意する。この基板２の厚さは２００μｍ〜７７０μｍのものを用いる。また、搬送用基板２の材質は、熱膨張係数を等しくする点から、金属箔基板１と同じ種類のステンレスが好ましい。
【００１７】金属箔基板１は、搬送用基盤２よりも一回り小さな大きさにするのが好ましい。これは、画像素子作製の各装置における基板位置設定時に、搬送用基板の外周部を基準にするためである。
【００１８】次に図２に示すように搬送用基板２の上に、金属箔基板１を重ね合わせる。（図２）仮止めは、端部のスポット溶接でも良いし、クリップ状の冶具で物理的に挟んでも良い
【００１９】仮止めした搬送用基板２と金属箔基板１を真空装置内に挿入し、真空にした状態で周辺の４辺を順次溶接する。（図３）真空度は、通常スパッタリング装置などで使用される１０−５Ｔｏｒｒから１０−６Ｔｏｒｒであれば良い。溶接の方法としては、円盤状の溶接電極を用いた連続シーム溶接または、レーザー溶接が好ましい。この際、溶接のパワーが大きすぎると、金属箔基板の端部が溶接の熱によって捲れ上がるので、パワーを最適に調節する必要がある。溶接する部位は金属箔基板の内周であれば良いが、端部の捲れを防止するために、金属箔基板の外周辺に出来るだけ近い方が好ましい。これにより、金属箔基板１は搬送用基板２に固定され、以降の素子形成工程はガラス基板と同様に搬送することが可能となる。
【００２０】次いで、金属箔基板１に下地絶縁膜を形成した後、その下地絶縁膜上に必要な素子を形成する。この素子形成工程の熱処理によって固定した金属箔基板１と搬送用基板２が反らないように、金属箔基板１が搬送用基板２との熱膨張係数を一致させることが好ましい。そのため、搬送用基板２の材質は金属箔基板１と同じ種類のステンレスが好ましい。ここでは、ＴＦＴ素子３と画素部４を形成した例を示す。（図４）
【００２１】素子形成後、金属箔基板１の溶接部よりも内側をカッターなどで切断する。これにより、容易に搬送用基板２から金属箔基板１を分離することができる。
【００２２】これにより、金属箔基板が固定された搬送用基板を通常のガラス基板と同様に取り扱うことが可能となり、金属箔基板を用いたフレキシブルな画像表示装置を安価に製造することができる。
【００２３】以上の構成でなる本願発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【実施例】
【００２４】本実施例は、薄い金属箔である素子形成基板と、同じ種類の金属である搬送用基板を固定した状態でので画像表示装置の作製方法の一例を図１〜図５を用いて示す。ただし、本発明が本実施例に限定されないことはいうまでもない。【００２５】まず、金属箔基板１として厚さ１００μｍ、横４５０ｍｍ、縦３５０ｍｍのＳＵＳ４３０を用意した。搬送用基板２として厚さ０．６ｍｍ、横４６０ｍｍ、縦３６０ｍｍのＳＵＳ４３０を用意した。（図１）【００２６】次に、搬送用基板２の上に金属箔基板１を重ね合わせ、金属箔基板１の４つの頂点から２ｍｍの位置をスポット溶接した。（図２）【００２７】仮止めした搬送用基板２と金属箔基板１を真空装置内に挿入し、真空にした状態で周辺の４辺を順次溶接した。（図３）ロータリーポンプで真空に引いたときの真空度は、１０−５Ｔｏｒｒであった。溶接は、ＹＡＧレーザー溶接ヘッドを縦横に動かして行った。溶接した部位は金属箔基板の内周５ｍｍの部分とした。これにより、金属箔基板１は搬送用基板２に固定され、以降の素子形成工程はガラス基板と同様に搬送することが可能となった。【００２８】上記で作製した金属箔基板１と搬送用基板２を、スパッタリング装置に入れ、真空にした後に金属クロムを製膜した。真空度は１０−５Ｔｏｒｒ、基板温度は３００℃である。これを取り出して確認したが、金属箔基板１の膨れや剥がれなどはなく、均一な膜が作製できた。【００２９】ここでは、ＴＦＴ素子３と画素部４までの作製はしていないが、それらの作製工程で掛かる真空状態と加熱状態を模擬した条件で、不具合が発生しなかったことから、問題なくＴＦＴ素子３と画素部４を形成できることが容易に推測できる。図４にＴＦＴ素子３と画素部４までの作製例を示す。【００３０】クロム膜形成後、金属箔基板１の溶接部の内側をカッターで切断した。これにより、容易に搬送用基板２から分離することができた。
【発明の効果】
【００３１】本発明により、フレキシブルな金属箔基板上にガラス基板用の製造装置を用いてＴＦＴ素子を形成することが可能となり、安価な画像表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】金属箔基板と搬送用基板を示す図。
【図２】搬送用基板に金属箔基板を重ねて仮止めした状態を示す図。
【図３】金属箔基板の周内側を溶接した図。
【図４】溶接した基板上に表示素子を形成した図。
【符号の説明】１  金属箔基板
２  搬送用基板
３  スポット溶接部
４  レーザー溶接部
５  ＴＦＴ素子
６  画素部
７  絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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