(57)【要約】【課題】リフローはんだ付け時のフラッシュを抑止し、半導体素子接続界面の安定性を確保し、熱応力に対する接続信頼性を向上することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置において、Ｎｉ電極１４を有する半導体素子１と、Ｎｉめっきを施したフレームと、半導体素子１のＮｉ電極１４をＮｉめっきを施したフレームに接続するＳｎ−Ｂｉ−Ｃｕ系鉛フリーはんだ３と、半導体素子１の周囲を封止するレジンとを備えた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉ電極を有する半導体素子と、
Ｎｉ系めっきを施したフレームと、
前記半導体素子の前記Ｎｉ電極を前記Ｎｉ系めっきを施したフレームに接続するＳｎ−Ｂｉ−Ｃｕ系鉛フリーはんだと、
前記半導体素子の周囲を封止するレジンとを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ系鉛フリーはんだは、Ｓｎ−３７〜６０質量％Ｂｉ−２〜７質量％Ｃｕのはんだであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ系鉛フリーはんだは、Ｓｎ−３７〜６０質量％Ｂｉ−５〜７質量％Ｃｕのはんだであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記Ｎｉ系めっきとして、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂのめっき、あるいはその上にＡｕ、Ａｇ、Ｐｄのうちの少なくとも１つのめっきを施すことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
Ｎｉ電極を有する半導体素子の前記Ｎｉ電極を、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ系鉛フリーはんだでＮｉ系めっきを施したフレームに接続し、前記半導体素子と前記フレームの端子間をワイヤボンディングした後、レジンで周囲をモールドすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
Ｎｉ電極を有する半導体素子の前記Ｎｉ電極を、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ系鉛フリーはんだでＮｉ系めっきを施したフレームに接続し、前記半導体素子と前記フレームの端子間をリボンボンディングした後、レジンで周囲をモールドすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ系鉛フリーはんだは、Ｓｎ−３７〜６０質量％Ｂｉ−２〜７質量％Ｃｕのはんだであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ系鉛フリーはんだは、Ｓｎ−３７〜６０質量％Ｂｉ−５〜７質量％Ｃｕのはんだであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、はんだを使用して半導体素子をフレーム上に接続する場合のフラッシュ防止に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、はんだを使用して半導体素子をフレーム上に接続した半導体装置は、図１２に示すような構成である。図１２は従来の半導体装置の構成を示す構成図である。
【０００３】
図１２において、半導体素子１はフレーム２上に、はんだ３によりダイボンディングされ、半導体素子１の上面の電極と、フレームの端子５との間をワイヤ４でワイヤボンディングした後、ポッティングレジン６で封止される。
【０００４】
その後、半導体装置７は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の中温の鉛フリーはんだにより、プリント基板（図示せず）にリフローはんだ付けされる。Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系鉛フリーはんだの融点は約２２０℃と高く、リフローはんだ付けの際に接続部が最高２６０℃まで加熱されることが想定される。
【０００５】
そのため、温度階層を目的として半導体装置７内部の半導体素子１のダイボンディングのはんだ３には、２９０℃以上の融点を有する高鉛はんだが使用されていた。高鉛はんだは、構成成分として８５ｗｔ．％以上の鉛を含有しており、２００６年７月より施行されているＲｏＨＳ指令で禁止されているＳｎ−Ｐｂ共晶はんだに比べて環境負荷が大きい。
【０００６】
よって、高鉛はんだに替わる代替接続材の開発が切望されている。
【０００７】
現在、既に開発されているＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系等のはんだは融点が２６０℃以下であるため、半導体素子１のダイボンディングに使用した場合、リフローはんだ付け（最高温度２６０℃）の際にはんだが溶融してしまう。接続部周りが樹脂モールドされている場合、内部のはんだ３が溶融すると、溶融時の体積膨張により、図１３に示すような、フラッシュといってポッティングレジン６とフレーム２界面からはんだ３が漏れ出すことがある。
【０００８】
図１３は従来の半導体装置でのリフローはんだ付け後の状態を示す図である。
【０００９】
また、漏れ出さないまでも、漏れ出そうと作用し、その結果、図１３に示すように、凝固後にはんだの中に大きなボイド８が形成され不良品となる。
【００１０】
代替材料候補としては、融点の面からＡｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｇｅ等のＡｕ系はんだ、Ｚｎ、Ｚｎ−Ａｌ系のはんだおよびＢｉ、Ｂｉ−Ｃｕ、Ｂｉ−Ａｇ等のはんだが報告されており、世界中で検討が進められているが、汎用的に使用するには課題がある。
【００１１】
Ａｕ系のはんだは構成成分としてＡｕを８０ｗｔ．％以上含有しており、コストの面で汎用性に難がある。Ｂｉ系はんだは、熱伝導率が約９Ｗ／ｍＫと現行の高鉛はんだより低く、高放熱性が要求される半導体装置への適用は難しいと推定できる。
【００１２】
また、ＺｎおよびＺｎ−Ａｌ系はんだは、約１００Ｗ／ｍＫと高い熱伝導率を有するが、濡れにくい（特にＺｎ−Ａｌ系はんだ）、はんだが硬く接続後冷却時に熱応力によって半導体素子が破壊しやすい等の問題がある。
【００１３】
高鉛はんだ代替材として、金属材料の他に導電性接着剤が挙げられる。これは樹脂とＡｇフィラーの混合物であり、高鉛はんだの代替材料としては、最も汎用的に使用されている。
【００１４】
ただし、金属接合ではなく、フィラー間の接触により熱伝導するため、高い熱伝導率を得るためには、Ａｇフィラー含有量を高くする必要がある。その場合、接着を担う樹脂の量を減らさなければならなくなり、十分な接着強度を得ることが難しくなる。また、Ａｇの含有率を９０％以上に高めたとしても熱伝導率を約１０Ｗ／ｍＫ程度であり、高鉛はんだの熱伝導率約３０Ｗ／ｍＫには及ばない。
【００１５】
このような問題点を解決するための、従来では、例えば、特開２００７−１８１８８０号公報（特許文献１）に記載されたものがあった。これは、Ｂｉ−０．０１〜５７質量％Ｓｎを用いることで、はんだ凝固時の体積収縮を防止し、貫通型セラミックコンデンサの内面電極と構造体の孔内壁との界面や構造体の内部へのクラックを抑止するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００７−１８１８８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、特許文献１に記載のものは、半導体装置に適用するには、以下の問題がある。
【００１８】
Ｂｉ−０．０１〜５７質量％Ｓｎは、半導体素子の電極に用いられるＮｉ層との反応性が高い。通常、半導体素子の裏面電極に厚さ０．５μｍから１μｍのＮｉ電極が使用される。このＮｉ電極は、はんだと半導体素子の接続を維持するために必要な層である。
【００１９】
特許文献１のＢｉ−０．０１〜５７質量％Ｓｎで接続した場合、接続時にはんだと反応してＮｉメタライズが消失して界面強度が低下し、半導体素子が剥離するおそれがある。
【００２０】
また、接続した半導体装置に熱衝撃が生じた場合、Ｂｉ−０．０１〜５７質量％Ｓｎは、Ｂｉが脆性材料であるため、母材の強度が弱く、はんだ接続部にクラックが進展しやすい。
【００２１】
更に、特許文献１の場合、凝固時の体積膨張について考慮がなされていない。Ｂｉの含有率が高い場合、凝固時に体積膨張する。はんだの最終凝固部で体積膨張するため、リフローはんだ付けの加熱によって、はんだが溶融して体積収縮し、それが凝固して膨張した際に、元の形状に戻らない場合、半導体装置のモールド樹脂部、半導体素子等が破損するおそれがある。
【００２２】
そこで、本発明の目的は、Ｓｎ−３７〜６０質量％Ｂｉ−２〜７質量％Ｃｕのはんだで半導体素子を接続し、はんだ溶融時の体積変化を０．５％以内にして、リフローはんだ付け時のフラッシュを抑止し、半導体素子接続界面の安定性を確保し、熱応力に対する接続信頼性を向上することができる半導体装置を提供することにある。
【００２３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
【００２５】
すなわち、代表的なものの概要は、Ｎｉ電極を有する半導体素子を、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ系鉛フリーはんだでＮｉ系めっきを施したフレームに接続し、その周囲を樹脂で封止したものである。
【発明の効果】
【００２６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００２７】
すなわち、代表的なものによって得られる効果は、Ｓｎ−３７〜６０質量％Ｂｉ−２〜７質量％Ｃｕを半導体素子の接続に適用することにより、リフローはんだ付け時のフラッシュを抑止できる。また、２〜７質量％Ｃｕの添加により、接続時およびリフローはんだ付け時の半導体素子接続界面の安定性を確保、熱応力に対する接続信頼性を向上ができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の半導体素子側の接続部の断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る半導体装置のフレーム側の接続部の断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の比較例となるＣｕを含まないＳｎ−Ｂｉ系鉛フリーはんだを使用した場合の半導体素子側の接続部の断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の比較例となるＣｕを含まないＳｎ−Ｂｉ系鉛フリーはんだを使用した場合のフレーム側の接続部の断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の温度とはんだの体積膨張の関係を示す図である。
【図６】本発明の一実施の形態に係る半導体装置のＣｕ含有率と半導体素子のＮｉ電極消失厚さの関係を示す図である。
【図７】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の実施例および比較例のはんだの組成と接続信頼性の関係を示す図である。
【図８】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の実施例での接続状態を示す図である。
【図９】本発明の一実施の形態に係る半導体装置のクラックの状態を示す図である。
【図１０】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の比較例でのクラックの状態を示す図である。
【図１１】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の比較例でのボイドの発生を示す図である。
【図１２】従来の半導体装置の構成を示す構成図である。
【図１３】従来の半導体装置でのリフローはんだ付け後の状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００３０】
図１〜図６により、本発明の一実施の形態に係る半導体装置の構成について説明する。図１は本発明の一実施の形態に係る半導体装置の半導体素子側の接続部の断面図、図２は本発明の一実施の形態に係る半導体装置のフレーム側の接続部の断面図、図３は本発明の一実施の形態に係る半導体装置の比較例となるＣｕを含まないＳｎ−Ｂｉ系鉛フリーはんだを使用した場合の半導体素子側の接続部の断面図、図４は本発明の一実施の形態に係る半導体装置の比較例となるＣｕを含まないＳｎ−Ｂｉ系鉛フリーはんだを使用した場合のフレーム側の接続部の断面図、図５は本発明の一実施の形態に係る半導体装置の温度とはんだの体積膨張の関係を示す図、図６は本発明の一実施の形態に係る半導体装置のＣｕ含有率と半導体素子のＮｉ電極消失厚さの関係を示す図である。
【００３１】
本実施の形態では、Ｓｎ系鉛フリーはんだを使用しても、上記の図１３に示すようなフラッシュを防止できないかと考え、フラッシュは、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ等の鉛フリーはんだがリフローはんだ付けの際に溶融して、約３％の体積膨張を起こすことによって発生するので、溶融する際の体積変化が小さなＳｎ−Ｂｉ−Ｃｕはんだで半導体素子１を接続することによって、フラッシュを抑制するようにしたものである。
【００３２】
上記の図１２に示すような半導体装置において、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ系鉛フリーはんだで半導体素子を接続することによって、図１および図２に示すように、半導体素子１のＮｉ電極１４とフレーム２のＮｉめっき１２上に（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５を含む金属間化合物層１１を形成することができる。
【００３３】
これが、半導体素子１のＮｉ電極１４およびＮｉめっき１２の消失を防ぐバリア層として機能する。また、はんだ内部に析出した（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５を含む金属間化合物１１’は、母相であるＳｎ−Ｂｉを強化している。
【００３４】
一方、比較例として、従来のＣｕを含まないＳｎ−Ｂｉ系鉛フリーはんだで接続した場合、半導体素子１側の接続界面において、接続時に半導体素子１のＮｉ電極が消失したために、図３の２１に示すような接続界面の剥離が発生するおそれがあり、また、図４に示すフレーム２側界面においては、Ｎｉ３Ｓｎ４化合物１３を形成しており、Ｃｕを添加した場合と異なる化合物層が形成されてしまう。
【００３５】
本実施の形態では、Ｓｎ−Ｂｉが母合金であるため、はんだ溶融時の体積変化をＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ等のＳｎ−ｒｉｃｈな鉛フリーはんだに比べて、小さくすることができる。また、リフローはんだ付けを行う２６０℃における体積膨張もＳｎ−ｒｉｃｈな鉛フリーはんだに比べて小さくすることができる。
【００３６】
図５は、Ｓｎ−４８Ｂｉ−５Ｃｕと、Ｓｎ−ｒｉｃｈなはんだと、Ｓｎ−５８Ｂｉの温度と体積膨張の関係を示した図である。Ｓｎ−ｒｉｃｈはんだの場合、溶融により約３％の体積膨張が生じるのに対し、Ｓｎ−４８Ｂｉ−５ＣｕおよびＳｎ−５８Ｂｉの場合、１％未満の体積膨張となる。また、リフローはんだ付けを行う２６０℃において、Ｓｎ−ｒｉｃｈはんだの室温からの体積膨張が約４．５％であるのに対し、Ｓｎ−４８Ｂｉ−５ＣｕおよびＳｎ−５８Ｂｉでは約２％となる。
【００３７】
以上のことから、Ｎｉ電極１４を有する半導体素子１がＳｎ−Ｂｉ−Ｃｕ系鉛フリーはんだでＮｉ系めっきを施したフレーム２に接続することにより、接続界面の安定性、接続部の母相強化するのと同時に、はんだフラッシュを抑制できる。
【００３８】
図６は、Ｎｉ電極１４の厚さが０．５μｍの半導体素子１を接続条件３５０℃１ｍｉｎ．で接続したときのＮｉ電極１４の消失量を示したグラフである。横軸は、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ合金のＣｕ含有率を示している。Ｃｕ含有率が２質量％以上の場合、０．５μｍのＮｉ電極１４が消失することなく接続できる。
【００３９】
ただし、Ｃｕ含有率が７質量％以上になると、はんだの液相線温度が４００℃以上となり、半導体装置のはんだ接続を行う３５０℃で濡れ性が低下してはんだ未濡れ部が発生しやすくなる。
【００４０】
また、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ合金の組成をＳｎ−３７〜６０質量％Ｂｉ−２〜７質量％Ｃｕとすることにより、溶融時の体積変化を５％以内にすることができる。
【００４１】
したがって、Ｓｎ−３７〜６０質量％Ｂｉ−２〜７質量％Ｃｕのはんだ使用することにより、Ｎｉ層の消失を抑制し、リフローはんだ付け時のフラッシュを抑止することができる。
【００４２】
また、図６に示すＳｎ−Ｂｉ−Ｃｕ合金のＣｕ含有率とＮｉ電極消失厚さの関係を見ると、Ｃｕ含有率が５質量％以上になると、Ｎｉ電極消失抑制効果が大きく向上することが分かる。
【００４３】
このことから、Ｃｕ含有率５質量％以上にすることが望ましい。ただし、Ｃｕ含有率が７質量％以上になると、はんだの液相線温度が４００℃以上となり、半導体装置のはんだ接続を行う３５０℃で濡れ性が低下してはんだ未濡れ部が発生しやすくなる。
【００４４】
したがって、Ｓｎ−３７〜６０質量％Ｂｉ−５〜７質量％Ｃｕのはんだ使用することにより、Ｎｉ層の消失をより抑制し、リフローはんだ付け時のフラッシュを抑止することができる。
【００４５】
また、本実施の形態では、Ｎｉ系めっきとしてＮｉ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ等のめっき、あるいはその上にＡｕ、Ａｇ、Ｐｄのうちの少なくとも１つのめっきを施すようになっている。
【００４６】
Ｎｉ系めっきは、Ｓｎ系はんだに対して十分な濡れを確保することができ、Ｎｉ系めっき上に（Ｃｕ，Ｎｉ）−Ｓｎ化合物主体のバリア層が形成される。また、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ等のめっき上にＡｕめっき、Ａｇめっきを施すことにより、濡れを向上させることも可能である。
【００４７】
その場合、Ａｕ、Ａｇといっためっき層は接続時にはんだ内部に全て拡散させることにより、下地のＮｉ系めっき上に（Ｃｕ，Ｎｉ）−Ｓｎ化合物主体のバリア層を形成することができる。
【００４８】
また、はんだの供給形態は、箔、ワイヤ、ペーストのいずれの形状で供給した場合でも、はんだフラッシュおよび半導体素子接続界面の安定性、Ｓｎ−Ｂｉ母相の化合物による強化ができる。接続環境に応じた供給方法を選択することが可能である。
【００４９】
また、封止にポッティングレジンを用いることで、レジンをはんだの固相線温度以上で硬化させた場合にも、接続状態を維持することができる。
【実施例】
【００５０】
次に、図７〜図１１により、本発明の一実施の形態に係る半導体装置の実施例について説明する。図７は本発明の一実施の形態に係る半導体装置の実施例および比較例のはんだの組成と接続信頼性の関係を示す図、図８は本発明の一実施の形態に係る半導体装置の実施例での接続状態を示す図、図９は本発明の一実施の形態に係る半導体装置のクラックの状態を示す図、図１０は本発明の一実施の形態に係る半導体装置の比較例でのクラックの状態を示す図、図１１は本発明の一実施の形態に係る半導体装置の比較例でのボイドの発生を示す図である。
【００５１】
図７に示す実施例１〜９は、上記の図１２に示す半導体装置７を作製し、リフローはんだ付け時のフラッシュの有無およびクラック進展による接続信頼性の判定を行った。半導体装置７は、以下のように作製した。
【００５２】
まず、Ｓｉ側からＴｉ／Ｎｉ（０．５μｍ）／フラッシュＡｕのメタライズを有するサイズ３ｍｍ×３ｍｍの半導体素子１を、図７に示すはんだ組成のはんだ３を用いて、Ｎ２＋４％Ｈ２雰囲気中、３５０℃１ｍｉｎ．の条件で、Ｎｉめっきのフレーム２に接続した。
【００５３】
その後、半導体素子１の上面の電極とフレーム２の端子５の間をワイヤ４でワイヤボンディングした。更に、ワイヤボンディングをした後、周囲を金属製の型で囲み、ポッティングレジン６を流し込み、大気中、１５０℃２ｈの条件でレジンを硬化させた。
【００５４】
なお、ポッティングレジン６は、モールド樹脂などの他のレジンを用いてもよい。
【００５５】
また、半導体素子１の上面と端子間５との接続はリボンボンディングを使用してもよい。
【００５６】
実施例１〜９について、最高温度２６０℃以上でリフロープロセスを３回行い、はんだフラッシュ発生の有無を評価した結果を図７に示す。
【００５７】
実施例１〜９のいずれにおいても、フラッシュは発生しなかった。図８に、Ｓｎ−４８Ｂｉ−５Ｃｕのリフロー試験後の接続部断面を示す。はんだ３が流出することなく、半導体素子１の接続を維持していることを確認できる。
【００５８】
実施例１〜９について、−４０℃⇔１２５℃の条件で温度サイクル試験を１０００サイクル行った結果をクラック接続信頼性として図７に示す。
【００５９】
１０００サイクル後に元の接続面積の８０％以上で接続を維持したものを○、接続面積が８０％未満になった場合を×とした。実施例１〜９いずれの場合も試験前後で接続面積は変化しなかった。
【００６０】
このとき、いずれも図９に示すように、半導体素子１とはんだ接続部端部からクラック２３が入り、はんだ３内部を進展した。このようにクラック２３ははんだ３の内部を進展するので、剥離などの問題は発生しない。
【００６１】
一方、比較例１の場合、リフロー試験ではフラッシュは発生しなかった。ただし、半導体素子１とはんだ３の接続界面において、図３に示すような剥離２１が局所的に発生した。これを温度サイクル試験したところ、１０００サイクル後の接続面積が元の面積の約６０％となり、高い接続信頼性が得られなかった。
【００６２】
このとき、図１０に示すように、クラック２３は半導体素子１とはんだ接続部を伝うように直線的に進展した。これは、Ｃｕの含有率が低いため、実施例１〜９のように接続界面に（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５を含む金属間化合物層１１を形成しないため、はんだ母相（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５が析出していないためである。このように比較例１では、クラック２３は半導体素子１とはんだ接続部を伝うように直線的に進展してしまうので、剥離などの問題は発生しやすくなり、接続性が悪くなってしまう。
【００６３】
また、比較例２〜４については、いずれもリフロー試験において、フラッシュが発生した。図１１にリフロー試験後のＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕによる接続部を示す。はんだが溶融して流出したことにより、ボイドが生成していることを確認できる。
【００６４】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、はんだを使用して半導体素子をフレーム上に接続する半導体装置に広く適用可能である。
【符号の説明】
【００６６】
１…半導体素子、２…フレーム、３…はんだ、４…ワイヤ、５…端子、６…ポッティングレジン、７…半導体装置、８…ボイド、１１…（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５を含む金属間化合物層、１２…Ｎｉめっき、１３…Ｎｉ３Ｓｎ４化合物、１４…Ｎｉ電極、２１…剥離、２３…クラック。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１０】
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【図１２】
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【図１３】
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【図８】
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【図１１】
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