(57)【要約】【課題】本発明の目的は、薄膜化に対応することが可能であり、かつ回路パターンに応じて樹脂量を調整することが可能なプリプレグを容易に製造することにある。また、本発明の目的は、上記プリプレグ、該プリプレグを有する基板および半導体装置を提供することにある。【解決手段】本発明のプリプレグの製造方法は、ガラス繊維で構成される繊維基材１と、第１樹脂層（キャリア材料２ａ）と、第１樹脂層より厚さが薄い第２樹脂層（キャリア材料２ｂ）とを用意し、例えば真空ラミネート装置８において前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との間に繊維基材１を挿入し、これらを重ね合わせて接合し、その後、例えば熱風乾燥装置９で加熱処理することによりプリプレグ１０を得るものである。【選択図】図４
2011068139.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス繊維で構成される繊維基材と、第１樹脂層と、前記第１樹脂層より厚さが薄い第２樹脂層とを用意し、
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との間に前記繊維基材を挿入し、これらを重ね合わせて接合し、
その後、加熱処理することを特徴とするプリプレグの製造方法。
【請求項２】
前記第１樹脂層および前記第２樹脂層は、それぞれ、キャリアフィルム上に形成されたものである請求項１に記載のプリプレグの製造方法。
【請求項３】
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層と前記繊維基材との接合は、減圧下で行われる請求項１または２に記載のプリプレグの製造方法。
【請求項４】
前記加熱処理は、熱風乾燥装置を用いて行われる請求項１ないし３のいずれかに記載のプリプレグの製造方法。
【請求項５】
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とは、それぞれ、同一または異なる組成の樹脂組成物で構成されている請求項１ないし４のいずれかに記載のプリプレグの製造方法。
【請求項６】
前記第１樹脂層を構成する樹脂組成物と前記第２樹脂層を構成する樹脂組成物の少なくとも一方は、シアネート樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂から選択される少なくとも１種の熱硬化性樹脂を含むものである請求項１ないし５のいずれかに記載のプリプレグの製造方法。
【請求項７】
さらに、導体を前記第１樹脂層に接合する工程を有する請求項１ないし６のいずれかに記載のプリプレグの製造方法。
【請求項８】
さらに、導体パターンを前記第１樹脂層に接合し、加熱・加圧して前記第１樹脂層中に埋設する工程を有する請求項１ないし６のいずれかに記載のプリプレグの製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載のプリプレグの製造方法により製造されたプリプレグであって、
前記第１樹脂層と前記繊維基材と前記第２樹脂層とがこの順に積層され、
前記第１樹脂層の厚さが前記第２樹脂層の厚さより厚いものであることを特徴とするプリプレグ。
【請求項１０】
複数のプリプレグを積層してなる基板であって、
前記複数のプリプレグのうちの少なくとも１つが請求項９に記載のプリプレグであることを特徴とする基板。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板に半導体素子を搭載したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリプレグの製造方法、プリプレグ、基板および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス繊維基材等に熱硬化性樹脂を含浸して得られるプリプレグを用いて回路基板が形成されている。このプリプレグは、厚さ５０〜２００μｍ程度のガラス繊維基材を熱硬化性樹脂のワニスに浸漬する方法等によって得られる（例えば、特許文献１参照）。
しかし、近年の電子部品・電子機器等の小型化・薄膜化等に伴って、それに用いられる回路基板等にも小型化・薄膜化が要求される。それに伴い、回路基板には、より高密度の回路配線パターンを形成することが必要となってきている。
【０００３】
このような高密度の回路パターンを形成するために、多層構造の回路基板を用い、その各層を薄くすることが行なわれている。しかし、ガラス繊維を含むプリプレグを薄くすることは困難であった。また、従来のプリプレグでは、ガラス繊維を中心として樹脂材料が対象に担持されるものであった。したがって、内層の回路パターンによって必要とされる樹脂量が異なる場合、樹脂がはみ出したり、回路を埋める樹脂が不足したりする場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２１６７８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、薄膜化に対応することが可能であり、かつ回路パターンに応じて樹脂量を調整することが可能なプリプレグの製造方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、上記製造方法により得られるプリプレグ、該プリプレグを有する基板および半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記（１）〜（１１）に記載の本発明により達成される。
（１）ガラス繊維で構成される繊維基材と、第１樹脂層と、前記第１樹脂層より厚さが薄い第２樹脂層とを用意し、
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との間に前記繊維基材を挿入し、これらを重ね合わせて接合し、
その後、加熱処理することを特徴とするプリプレグの製造方法。
（２）前記第１樹脂層および前記第２樹脂層は、それぞれ、キャリアフィルム上に形成されたものである上記（１）に記載のプリプレグの製造方法。
（３）前記第１樹脂層と前記第２樹脂層と前記繊維基材との接合は、減圧下で行われる上記（１）または（２）に記載のプリプレグの製造方法。
（４）前記加熱処理は、熱風乾燥装置を用いて行われる上記（１）ないし（３）のいずれかに記載のプリプレグの製造方法。
（５）前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とは、それぞれ、同一または異なる組成の樹脂組成物で構成されている上記（１）ないし（４）のいずれかに記載のプリプレグの製造方法。
（６）前記第１樹脂層を構成する樹脂組成物と前記第２樹脂層を構成する樹脂組成物の少なくとも一方は、シアネート樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂から選択される少なくとも１種の熱硬化性樹脂を含むものである上記（１）ないし（５）のいずれかに記載のプリプレグの製造方法。
（７）さらに、導体を前記第１樹脂層に接合する工程を有する上記（１）ないし（６）のいずれかに記載のプリプレグの製造方法。
（８）さらに、導体パターンを前記第１樹脂層に接合し、加熱・加圧して前記第１樹脂層中に埋設する工程を有する上記（１）ないし（６）のいずれかに記載のプリプレグの製造方法。
（９）上記（１）ないし（８）のいずれかに記載のプリプレグの製造方法により製造されたプリプレグであって、
前記第１樹脂層と前記繊維基材と前記第２樹脂層とがこの順に積層され、
前記第１樹脂層の厚さが前記第２樹脂層の厚さより厚いものであることを特徴とするプリプレグ。
（１０）複数のプリプレグを積層してなる基板であって、
前記複数のプリプレグのうちの少なくとも１つが上記（９）に記載のプリプレグであることを特徴とする基板。
（１１）上記（１０）に記載の基板に半導体素子を搭載したことを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、簡単な方法で、薄膜化に対応することが可能であり、かつ回路パターンに応じて樹脂量を調整することが可能なプリプレグを提供することができる。すなわち、回路パターン（例えば残銅率、銅箔の厚さ）に応じて繊維基材をプリプレグの厚さ方向に偏在させることができ、それによって必要な樹脂量のみを有するプリプレグを得ることができる。
また、本発明によれば上記プリプレグを有する基板および半導体装置を提供することができ、それによって薄い厚さの基板および半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明のプリプレグの一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、繊維基材がプリプレグの厚さ方向に偏在している状態を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、繊維基材がプリプレグの厚さ方向に偏在している状態を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明のプリプレグの製造方法における工程の一例を示す工程図である。
【図５】図５は、本発明の基板の一例を示す断面図である。
【図６】図６は、基板を構成するプリプレグの状態を模式的に示す模式図である。
【図７】図７は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明のプリプレグの製造方法、プリプレグ、基板および半導体装置について説明する。
【００１０】
まず、プリプレグの好適な実施形態について図面に基づいて説明する。
図１は、本発明のプリプレグの一例を示す断面図である。
プリプレグ１０は、繊維基材１に樹脂材料２が担持されている。
繊維基材１は、プリプレグ１０の厚さ方向（図１中の上下方向）に対して偏在している。
【００１１】
繊維基材１は、厚さが２５μｍ以下であるのが好ましい。これにより、プリプレグ１０の厚さを薄くすることができる。
この繊維基材１の厚さは、具体的には２０μｍ以下が好ましく、特に１０〜１５μｍが好ましい。繊維基材１の厚さが前記範囲内であると、後述する基板の薄膜化と基板の強度とのバランス、さらには層間接続の加工性や信頼性に優れる。
【００１２】
従来のプリプレグの製造方法（例えば通常の塗工装置を用いて、繊維布基材を樹脂ワニスに浸漬含浸・乾燥させる方法）では、厚さが３０μｍ以下の繊維基材に樹脂材料を担持してプリプレグを得るのが困難であった。すなわち、厚さが薄い繊維基材を熱硬化性樹脂に浸漬して多数の搬送ロールを通したり、繊維基材に含浸させる樹脂材料の量を調整したりする際に、繊維基材に応力が作用し、繊維基材の目が開いてしまったり（拡大してしまったり）、引き取る際に繊維基材が切断してしまったりする場合があった。
これに対して、本発明では、後述するようなプリプレグ１０の製造方法を用いることにより、厚さが２５μｍ以下の繊維基材１に対しても樹脂材料２を担持することができ、それによって通常の厚さのプリプレグ１０に加えて、厚さが３５μｍ以下のプリプレグ１０を得ることができるものである。また、基板を成形した後のプリプレグ１０の厚さが導体回路層間で３５μｍ以下にもできるものである。導体回路層間の厚さを３５μｍ以下にできると、最終的に得られる基板の厚さを薄くすることができる。
【００１３】
（繊維基材）
このような繊維基材１としては、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等が挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、プリプレグ１０の強度を向上することができる。また、プリプレグ１０の熱膨張係数を小さくすることができる。
【００１４】
このようなガラス繊維基材を構成するガラスとしては、例えばＥガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、Ｈガラス等が挙げられる。これらの中でもＴガラスが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の熱膨張係数を小さくすることができ、それによってプリプレグの熱膨張係数を小さくすることができる。
【００１５】
（樹脂材料）
樹脂材料２は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されていることが好ましい。これにより、プリプレグ１０の耐熱性を向上することができる。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、特に、シアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）が好ましい。これにより、プリプレグ１０の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、プリプレグ１０の電気特性（低誘電率、低誘電正接）等にも優れる。
【００１６】
前記シアネート樹脂は、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度増加による耐熱性向上と、樹脂組成物等の難燃性を向上することができる。ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成するからである。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。さらに、プリプレグ１０を薄膜化（厚さ３５μｍ以下）した場合であってもプリプレグ１０に優れた剛性を付与することができる。特に加熱時における剛性に優れるので、半導体素子実装時の信頼性にも特に優れる。
【００１７】
前記ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば式（Ｉ）で示されるものを使用することができる。
【００１８】
【化１】
2011068139.tif 000003
【００１９】
前記式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜７が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、プリプレグの成形性が低下する場合がある。
【００２０】
前記シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜４，５００が好ましく、特に６００〜３，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であるとプリプレグ１０を作製した場合にタック性が生じ、プリプレグ１０同士が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平均分子量が前記上現値を超えると反応が速くなりすぎ、基板（特に回路基板）とした場合に、成形不良が生じたり、層間ピール強度が低下したりする場合がある。
前記シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。
【００２１】
前記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の５〜５０重量％が好ましく、特に２０〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとプリプレグ１０を形成するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えるとプリプレグ１０の強度が低下する場合がある。
【００２２】
また、前記樹脂組成物は、無機充填材を含むことが好ましい。これにより、プリプレグ１０を薄膜化（厚さ３５μｍ以下）にしても強度に優れることができる。さらに、プリプレグの低熱膨張化を向上することもできる。
前記無機充填材としては、例えばタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等を挙げることができる。これらの中でもシリカが好ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材１への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使う等、その目的にあわせた使用方法が採用される。
【００２３】
前記無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、０．０１〜５．０μｍが好ましく、特に０．２〜２．０μｍが好ましい。無機充填材の粒径が前記下限値未満であるとワニスの粘度が高くなるため、プリプレグ１０作製時の作業性に影響を与える場合がある。また、前記上限値を超えると、ワニス中で無機充填剤の沈降等の現象が起こる場合がある。
この平均粒子径は、例えば粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により測定することができる。
【００２４】
更に平均粒子径５．０μｍ以下の球状シリカ（特に球状溶融シリカ）が好ましく、特に平均粒子径０．０１〜２．０μｍの球状溶融シリカが好ましい。これにより、無機充填剤の充填性を向上させることができる。
【００２５】
前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の４０〜８０重量％が好ましく、特に６０〜７０重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に低熱膨張、低吸水とすることができる。
【００２６】
前記熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）を用いる場合は、エポキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）を用いることが好ましい。前記エポキシ樹脂としては、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。
【００２７】
前記アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば式（II）で示すことができる。
【００２８】
【化２】
2011068139.tif 000004
【００２９】
前記式（II）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜５が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると樹脂の流動性が低下し、成形不良等の原因となる場合がある。
【００３０】
前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜５５重量％が好ましく、特に２〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると耐熱性が低下する場合がある。
【００３１】
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜２０，０００が好ましく、特に８００〜１５，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であるとプリプレグ１０にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えるとプリプレグ１０作製時、基材への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。
【００３２】
前記熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）を用いる場合は、フェノール樹脂を用いることが好ましい。前記フェノール樹脂としては、例えばノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、アリールアルキレン型フェノール樹脂等が挙げられる。これらの中でもアリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。これにより、さらに吸湿半田耐熱性を向上させることができる。
【００３３】
前記アリールアルキレン型フェノール樹脂としては、例えばキシリレン型フェノール樹脂、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂等が挙げられる。ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂は、例えば式（III）で示すことができる。
【００３４】
【化３】
2011068139.tif 000005
【００３５】
前記式（III）で示されるビフェニルジメチレン型フェノール樹脂の繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１２が好ましく、特に２〜８が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であると耐熱性が低下する場合がある。また、前記上限値を超えると他の樹脂との相溶性が低下し、作業性が低下する場合がある。
【００３６】
前述のシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）とアリールアルキレン型フェノール樹脂との組合せにより、架橋密度をコントロールし、金属と樹脂との密着性を向上することができる。
【００３７】
前記フェノール樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜５５重量％が好ましく、特に５〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低熱膨張の特性が損なわれる場合がある。
【００３８】
前記フェノール樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量４００〜１８，０００が好ましく、特に５００〜１５，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であるとプリプレグ１０にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えるとプリプレグ１０作製時、繊維基材１への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。
前記フェノール樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。
【００３９】
更に、前記シアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）と前記フェノール樹脂（アリールアルキレン型フェノール樹脂、特にビフェニルジメチレン型フェノール樹脂）と前記エポキシ樹脂（アリールアルキレン型エポキシ樹脂、特にビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂）との組合せを用いて基板（特に回路基板）を作製した場合、特に優れた寸法安定性を得ることが出来る。
【００４０】
前記樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を用いることが好ましい。前記カップリング剤は、前記熱硬化性樹脂と、前記無機充填材との界面の濡れ性を向上させることにより、繊維基材１に対して熱硬化性樹脂等および無機充填材を均一に定着させ、耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。
前記カップリング剤としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。
【００４１】
前記カップリング剤の添加量は、前記無機充填材の表面積に依存するので特に限定されないが、無機充填材１００重量部に対して０．０５〜３重量部が好ましく、特に０．１〜２重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると無機充填材を十分に被覆できないため耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応に影響を与え、曲げ強度等が低下する場合がある。
【００４２】
前記樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を用いても良い。前記硬化促進剤としては公知の物を用いることが出来る。例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（II）、トリスアセチルアセトナートコバルト（III）等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。
【００４３】
前記硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の０．０５〜５重量％が好ましく、特に０．２〜２重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化を促進する効果が現れない場合があり、前記上限値を超えるとプリプレグ１０の保存性が低下する場合がある。
【００４４】
前記樹脂組成物では、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂を併用しても良い。
また、前記樹脂組成物には、必要に応じて、顔料、酸化防止剤等の上記成分以外の添加物を添加しても良い。
【００４５】
本発明のプリプレグ１０は、上述のような樹脂材料２が繊維基材１に担持されてなり、繊維基材１がプリプレグ１０の厚さ方向に対して偏在していることを特徴とする。これにより、回路パターンに応じて樹脂量を調整することができる。
ここで、繊維基材１がプリプレグ１０の厚さ方向に対して偏在している状態を図２に基づいて説明する。図２（ａ）、（ｂ）は、繊維基材１がプリプレグ１０に対して偏在している状態を模式的に示す断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、プリプレグ１０の厚さ方向の中心線Ａ−Ａに対して、繊維基材１の中心がずれて配置されていることを意味する。図２（ａ）では、繊維基材１の下側（図２中下側）の面が、プリプレグ１０の下側（図２中下側）の面とほぼ一致するようになっている。図２（ｂ）では、繊維基材１が中心線Ａ−Ａと、プリプレグ１０の下側（図２中下側）の面との間に配置されている。なお、繊維基材１が中心線Ａ−Ａに一部重なるようになっていても良い。
【００４６】
従来のプリプレグの製造方法（例えば通常の塗工装置を用いて、繊維基材を樹脂ワニスに浸漬含浸・乾燥させる方法）では、繊維基材に対して樹脂材料が対象に形成されていた。しかし、この場合、プリプレグの両面で回路の配線パターンが異なる場合（特に、回路パターンの残銅率が異なる場合）には、両方の面で必要な樹脂量が異なるが、それに対応することができなかった。この場合には、基板を製造する際にプリプレグを構成する樹脂がはみ出したり、回路パターンを埋めるのに必要な樹脂が不足したりすることがあった。
これに対して本発明のプリプレグ１０では、繊維基材１をプリプレグ１０の厚さ方向で偏在させることが可能となるため、ビルドアップする回路のパターンに応じた樹脂量を有するプリプレグ１０を設計することが対応可能となる。さらに、厚さが３５μｍ以下という薄いプリプレグ１０を製造することが可能となり、かつ繊維基材１をプリプレグ１０の厚さ方向で偏在させることにより、最終的に得られる半導体装置の厚さを薄くすることもできる。これはプリプレグ１０の厚さが単純に薄いことに加え、回路パターンの残銅率等に対応してプリプレグ１０の樹脂量を調整することができるので、余分な樹脂層を設ける必要が無くなるからである。
【００４７】
前記偏在している状態について別な表現をすると、例えば図３に示すようにプリプレグ１０の中に好ましくは厚さ２５μｍ以下の繊維基材１があって、繊維基材１の一方面側に第１樹脂層２１および他方面側に第２樹脂層２２を有し、第１樹脂層２１の厚さと、第２樹脂層２２の厚さとが異なっている状態を意味する。すなわち、厚さの厚い第１樹脂層２１の厚さＢ１［μｍ］とし、厚さの薄い第２樹脂層２２の厚さＢ２［μｍ］としたときの比（Ｂ２／Ｂ１）が、０＜Ｂ２／Ｂ１＜１を満たせば良い。
【００４８】
また、第１樹脂層２１の厚さＢ１と、第２樹脂層２２の厚さＢ２との比（Ｂ２／Ｂ１）は、特に限定されないが、０．５以下であることが好ましく、特に０．２〜０．４が好ましい。比が前記範囲内であると、特に繊維基材１の波打ちを低減でき、それによってプリプレグ１０の平坦性をより向上できる。
【００４９】
前記Ｂ２の厚さは、特に限定されないが、表面のメッキ付き性を主として要求されるだけの場合は、５〜１５μｍが好ましく、特に８〜１０μｍが好ましい。これにより、一方の面側にメッキ付き性を付与することができる。
【００５０】
また、本発明のプリプレグ１０では、例えば図３に示すようなプリプレグ１０において、第１樹脂層２１の厚さと、第２樹脂層２２の厚さとが異なっている状態に加えて、第１樹脂層２１を構成する樹脂組成物と、第２樹脂層２２を構成する樹脂組成物とを異なる樹脂組成物とすることもできる。前記異なる樹脂組成物とは、例えば無機充填材の含有量等が異なる等の組成が異なる樹脂組成物、種類が異なる熱硬化性樹脂を用いた樹脂組成物等が挙げられる。プリプレグ１０の両面で組成の異なる樹脂組成物とすることができると、要求される性能に応じた樹脂層の設計が可能となり、樹脂選択の幅を広げることができる。例えば、内層回路に面する樹脂層は、埋め込み性を考慮して柔軟な組成にし、反対側の面は剛性を考慮して硬い組成にする等のプリプレグ１０の両面で異なる機能を付与することができる。
【００５１】
このようなプリプレグ１０の面方向の線膨張係数は、特に限定されないが、１２ｐｐｍ以下であることが好ましく、特に５〜１０ｐｐｍであることが好ましい。線膨張係数が前記範囲内であると、繰り返しの熱衝撃に対する耐クラック性を向上することができる。
前記面方向の線膨張係数は、例えばＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製）を用いて、１０℃／分で昇温して評価することができる。
【００５２】
前述したように従来の方法では、厚さ３０μｍ以下の繊維基材を担持することが困難であった。さらに厚さが３５μｍ以下の繊維基材を有するプリプレグを製造することも困難であった。
本発明では、例えば予め樹脂材料２をキャリアフィルムに塗布等したキャリア材料２ａ、２ｂを製造し、このキャリア材料２ａ、２ｂを繊維基材１にラミネートした後、キャリアフィルムを剥離する方法により、厚さが２５μｍ以下の繊維基材１に対しても樹脂材料２を担持して、通常の厚さのプリプレグ１０および厚さが３５μｍ以下のプリプレグ１０を得ることが可能となった。
【００５３】
ここで、予め樹脂材料２を有するキャリア材料２ａ、２ｂを製造し、このキャリア材料２ａ、２ｂを繊維基材１にラミネートした後、キャリアフィルムを剥離する方法について、図４を用いて具体的に説明する。図４は、本発明のプリプレグを製造する工程の一例を示す工程図である。
まず、厚さの異なる樹脂材料２が形成されたキャリア材料２ａおよび２ｂを用意する。キャリア材料２ａ、２ｂは、例えばキャリアフィルムに樹脂材料２を塗工する方法等により得ることができる。
次に、真空ラミネート装置８を用いて、減圧下で繊維基材１の両面からキャリア材料２ａおよび２ｂを重ね合わせてラミネートロール８１で接合する。減圧下で接合することにより、繊維基材１の内部または樹脂材料２と繊維基材１との接合部位に非充填部分が存在しても、これを減圧ボイドあるいは実質的な真空ボイドとすることができる。ゆえに、最終的に得られるプリプレグ１０に発生するボイドを低減することができる。なぜなら、減圧ボイドまたは真空ボイドは、後述する加熱処理で消し去ることができるからである。このような減圧下で繊維基材１と樹脂材料２とを接合する他の装置としては、例えば真空ボックス装置等を用いることができる。
【００５４】
次に、繊維基材１と樹脂材料２とを接合した後、熱風乾燥装置９で樹脂材料２の溶融温度以上の温度で加熱処理する。これにより、前記減圧下での接合工程で発生していた減圧ボイド等をほぼ消し去ることができる。
前記加熱処理する他の方法は、例えば赤外線加熱装置、加熱ロール装置、平板状の熱盤プレス装置等を用いて実施することができる。
【００５５】
また、このようなプリプレグ１０を得る他の方法としては、厚さ２５μｍ以下の繊維基材１を粘度の低い樹脂ワニスに浸漬し、乾燥して第１層を形成し、さらに、他の樹脂ワニスに浸漬して第２層を形成することにより、プリプレグ１０を得ることもできる。
【００５６】
本発明では、このようにして前述した本発明のプリプレグ１０を得ることができる。
また、キャリアフィルムに形成する樹脂材料２の厚さを変えることにより、容易にプリプレグ１０の厚さを３５μｍ以下とすることもできる。プリプレグ１０の厚さが３５μｍ以下であると、多層の回路基板であっても、薄くすることができる。これにより、最終的に得られる半導体装置を薄型にすることができる。
このプリプレグ１０の厚さは、具体的には３０μｍ以下が好ましく、特に２０〜２５μｍ以下であることが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に６層以上に多層化しても基板を薄い状態に維持でき、最終的に薄い半導体装置を得ることができる。
【００５７】
次に、基板および半導体装置について説明する。
図５に示すように、基板１００は、コア基板３と、コア基板３の上側（図５中の上側）に設けられた３層のプリプレグ（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）と、コア基板３の下側（図５中の下側）に設けられた３層のプリプレグ（１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ）と、で構成されている。コア基板３とプリプレグ１０ａおよび１０ｂとの間、各プリプレグ間（１０ａと１０ｂ、１０ｂと１０ｃ、１０ｄと１０ｅおよび１０ｅと１０ｆ）には、所定の回路配線部４が形成されている。また、プリプレグ１０ｃおよび１０ｆの表面には、パッド部５が設けられている。このようなプリプレグ１０ａ〜１０ｆの少なくとも１枚（好ましくは全部）に上述した厚さ３５μｍ以下のプリプレグ１０を用いることが好ましい。これにより、（回路）基板１００の厚さを薄くすることができる。
各回路配線部４は、各プリプレグ１０ａ〜１０ｆを貫通して設けられたフィルドビア部６を介して電気的に接続されている。
基板１００を構成する各プリプレグ１０ａ〜１０ｆは、繊維基材１が各プリプレグの厚さ方向で偏在しているので回路の高さ等の制限を少なくでき、それによって内層導体回路の設計の自由度が増える。すなわち、内層導体回路を形成するのが容易となる。さらに、内層導体回路が形成されるのと反対側に繊維基材１が配置するように設計できるので、内層導体回路と繊維基材１とが接触することによって生じる不具合も低減することができる。
【００５８】
図６は、基板１００を構成するプリプレグ１０ｃを模式的に示す模式図である。図６に示すように、プリプレグ１０ｃの繊維基材１が偏在しているのと反対側の樹脂材料２（第１樹脂層２１）に回路配線部４が埋設されている。このように樹脂材料２（第１樹脂層２１）は、回路配線部４同士で形成される空隙部に埋め込まれるようになっている。
そして、図３に示すように、プリプレグ１０ｃ全体の厚さをＴ０［μｍ］とし、図６に示すように、回路配線部４の高さをｔ１［μｍ］としたとき、Ｔ０とｔ１の差（特に、ｔ３）は、特に限定されないが、３５μｍ以下であることが好ましく、特に１０〜３０μｍであることが好ましい。これにより、基板１００の厚さが薄くても、絶縁信頼性を維持することができる。
ここで、ｔ３は、回路配線部４の繊維基材１側の面４１（図６中の上側の面）から、プリプレグ１０ｃの繊維基材１が偏在している側の面２２１（図６中の上側の面）までの厚さに該当する。
【００５９】
また、図３および図６に示すように第１樹脂層２１の厚さをＢ１［μｍ］とし、第２樹脂層２２の厚さをＢ２［μｍ］とし、回路配線部４の厚さをｔ１［μｍ］およびその残銅率をＳ［％］とし、回路配線部４の上端面（図６中上側）から繊維基材１までの厚さをｔ２［μｍ］としたとき、Ｂ２＜Ｂ１であり、かつＢ１＝ｔ２＋ｔ１×（１−Ｓ／１００）である関係を満たすことが好ましい。
ここで、ｔ２の厚さは、特に限定されないが、０〜１５μｍが好ましい。また、回路配線部４と繊維基材１との接触による回路配線部４での絶縁性の低下等が懸念される場合は、ｔ２を３〜１５μｍとすることが好ましい。一方、基板１００の厚さを薄くする場合には、ｔ２を０〜５μｍとすることが好ましく、さらに絶縁性と薄さを両立するためには、ｔ２を３〜５μｍとすることが好ましい。これにより、プリプレグ１０の一方の面側に回路配線部４への埋め込み性に優れ、かつ高い絶縁信頼性を付与することができる。
【００６０】
また、図５に示すような基板１００に、半導体素子７のバンプ７１と基板１００のパッド部５とを接続して半導体素子７を搭載することにより半導体装置２００を得ることができる（図７）。このような半導体装置２００は、基板１００を構成する各プリプレグ１０ａ〜１０ｆの繊維基材１がその厚さ方向で偏在しているので、最適な厚さのプリプレグ１０を用いることができ、要求される特性に必要な最低限の厚さの半導体装置２００を得ることができる。
【００６１】
図５および図７では、６層の基板について説明したが、本発明の基板はこれに限定されず、３層、４層、５層等、または７層、８層等の多層基板にも好適に用いることができる。
また、本発明の基板１００では、上述したような繊維基材１が厚さ方向で偏在しているプリプレグ１０と従来から用いられていたプリプレグとを併用しても構わない。さらに、繊維基材１の厚さ方向で偏在しているプリプレグ１０においても、種々の偏在位置を有するプリプレグ１０を併用しても構わない。
【実施例】
【００６２】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。まず、プリプレグの実施例について説明する。
（実施例１）
１．樹脂材料ワニスの調整
熱硬化性樹脂としてノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット  ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）１５重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｐ、エポキシ当量２７５）８重量％、フェノール樹脂としてビフェニルジメチレン型フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−Ｓ、水酸基当量２０３）７重量％およびカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）を、後述する無機充填材１００重量部に対して０．３重量部をメチルエチルケトンに常温で溶解し、無機充填材として球状溶融シリカＳＦＰ−１０Ｘ（電気化学工業社製、平均粒径０．３μｍ）２０重量％および球状溶融シリカＳＯ−３２Ｒ（アドマテックス社製、平均粒径１．５μｍ）５０重量％を添加し、高速攪拌機を用いて１０分間攪拌して樹脂材料ワニスを調製した。
【００６３】
２．キャリア材料の製造
キャリアフィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステル社製、ＳＦＢ−３８、厚さ３８μｍ、幅４８０ｍ）を用い、上述の樹脂材料ワニスをコンマコーター装置で塗工し、１７０℃の乾燥装置で３分間乾燥させ、厚さ１５μｍ、幅４１０ｍｍの樹脂層が、キャリアフィルムの幅方向の中心に位置するように形成してキャリア材料２ａ（最終的に第１樹脂層２１を形成）を得た。
また、同様の方法で塗工する樹脂材料ワニスの量を調整して、厚さ８μｍ、幅３６０ｍｍの樹脂層が、キャリアフィルムの幅方向の中心に位置するように形成してキャリア材料２ｂ（最終的に第２樹脂層２２を形成）を得た。
【００６４】
３．プリプレグの製造
繊維基材としてガラス織布（クロスタイプ♯１０１５、幅３６０ｍｍ、厚さ１５μｍ、坪量１７ｇ／ｍ２）を用い、図４に示す真空ラミネート装置および熱風乾燥装置によりプリプレグを製造した。
具体的には、ガラス織布の両面に前記キャリア材料２ａおよびキャリア材料２ｂがガラス織布の幅方向の中心に位置するように、それぞれ重ね合わせ、７５０Ｔｏｒｒの減圧条件下で、８０℃のラミネートロールを用いて接合した。
ここで、ガラス織布の幅方向寸法の内側領域においては、キャリア材料２ａおよびキャリア材料２ｂの樹脂層を繊維布の両面側にそれぞれ接合するとともに、ガラス織布の幅方向寸法の外側領域においては、キャリア材料２ａおよびキャリア材料２ｂの樹脂層同士を接合した。
次いで、上記接合したものを、１２０℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を２分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、厚さ３０μｍ（第１樹脂層：１１μｍ、繊維基材：１５μｍ、第２樹脂層：４μｍ）のプリプレグを得た。
【００６５】
（実施例２）
キャリア材料２ａおよびキャリア材料２ｂの樹脂層の厚さを、それぞれ２０μｍ（キャリア材料２ａ）および８μｍ（キャリア材料２ｂ）とした以外は、実施例１と同様にした。得られたプリプレグの厚さは、３５μｍ（第１樹脂層：１６μｍ、繊維基材：１５μｍ、第２樹脂層：４μｍ）であった。
【００６６】
（実施例３）
繊維基材およびキャリア材料２ａ、２ｂを以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
繊維基材としてガラス織布（クロスタイプ♯１０３７、厚さ２４μｍ、坪量２４ｇ／ｍ２）を用いた。得られたプリプレグの厚さは、４０μｍ（第１樹脂層：１２μｍ、繊維基材：２４μｍ、第２樹脂層：４μｍ）であった。なお、キャリア材料２ａおよびキャリア材料２ｂの樹脂層の厚さを、それぞれ２０μｍ（キャリア材料２ａ）および１１μｍ（キャリア材料２ｂ）とした。
【００６７】
（実施例４）
樹脂ワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「Ｅｐ５０４８」）１００重量部、硬化剤（ジシアンジアミド）２重量部および硬化促進剤（２−エチル−４−メチルイミダゾール）０．１重量部をメチルセルソルブ１００重量部に溶解させて樹脂ワニスを得た。得られたプリプレグの厚さは、３５μｍ（第１樹脂層：１６μｍ、繊維基材：１５μｍ、第２樹脂層：４μｍ）であった。
【００６８】
（実施例５）
キャリア材料２ａ、２ｂを以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
キャリア材料２ａおよびキャリア材料２ｂに樹脂層の厚さを、それぞれ２５μｍ（キャリア材料２ａ）および８μｍ（キャリア材料２ｂ）とした。得られたプリプレグの厚さは、４０μｍ（第１樹脂層：２１μｍ、繊維基材：１５μｍ、第２樹脂層：４μｍ）であった。
【００６９】
（比較例１）
繊維基材およびキャリア材料２ａ、２ｂを以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
繊維基材としてガラス織布（クロスタイプ♯１０８０、厚さ５５μｍ、坪量４７ｇ／ｍ２）を用いた。なお、キャリア材料２ａおよびキャリア材料２ｂの樹脂層の厚さを、それぞれ２５μｍ（キャリア材料２ａ）および２５μｍ（キャリア材料２ｂ）とした。
得られたプリプレグの厚さは、７５μｍ（第１樹脂層：１０μｍ、繊維基材：５５μｍ、第２樹脂層：１０μｍ）であった。
【００７０】
（比較例２）
キャリア材料２ａ、２ｂおよび繊維基材をガラス織布（クロスタイプ♯１０３７、厚さ２４μｍ、坪量２４ｇ／ｍ２）を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。なお、キャリア材料２ａおよびキャリア材料２ｂの樹脂層の厚さを、それぞれ１６μｍ（キャリア材料２ａ）および１６μｍ（キャリア材料２ｂ）とした。得られたプリプレグの厚さは、４０μｍ（第１樹脂層：８μｍ、繊維基材：２４μｍ、第２樹脂層：８μｍ）であった。
【００７１】
各実施例および比較例で得られたプリプレグについて、以下の評価を行なった。評価内容を項目と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．第１樹脂層の厚さと第２樹脂層の厚さとの比
得られたプリプレグの断面から各層の厚さを測定した。
【００７２】
２．プリプレグの面方向の熱膨張係数
プリプレグの面方向の熱膨張係数は、ＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製）を用いて、１０℃／分で昇温して測定した。
【００７３】
３．プリプレグの弾性率
得られたプリプレグの弾性率を、ＤＭＡ(ＴＡインスツルメント社製 ＤＭＡ９８３)の共鳴周波数ズリモードを用いて、昇温速度５℃／分の条件で測定した。
【００７４】
【表１】
2011068139.tif 000006
【００７５】
表１から明らかなように実施例１〜５のプリプレグは、第１樹脂層と、第２樹脂層の厚さが異なっており、繊維基材が偏在していることが示された。したがって、回路配線のパターン（残銅率、回路高さ）等に応じてプリプレグの樹脂層を形成することができることが示された。
また、実施例１〜５のプリプレグは、熱膨張係数が小さく、弾性率も高かった。これにより、基板を形成した後の基板の接続信頼性に優れることが予想される。
【００７６】
次に、基板（多層基板）および半導体装置の実施例および比較例について説明する。
（実施例１Ａ〜５Ａ）
表面に導体間隔５０μｍのくし形パターンを有し、回路厚さ１８μｍで残銅率５０％のコア基板に、各実施例で得られたプリプレグを重ね、さらに最外層に銅箔を重ねて、加熱、加圧成形（３ＭＰａ、２００℃、９０分間）して多層基板を得た。そして、最外層の銅箔（厚さ１２μｍ）に回路形成した後に半導体素子を搭載して半導体装置を得た。
【００７７】
（比較例１Ａおよび比較例２Ａ）
比較例１および比較例２で得られたプリプレグを用いた以外は、実施例１Ａと同様に行なった。
【００７８】
各実施例および比較例で得られた多層基板について、以下の評価を行った。評価内容を評価項目と共に示す。得られた結果を表２に示す。
１．基板の厚さ
得られた基板の厚さを測定した。
【００７９】
２．絶縁信頼性
内外層に導体間隔５０μｍのくし形パターンを有する、絶縁信頼性試験用の４層プリント配線板を作製し、これらの絶縁抵抗を自動超絶縁抵抗計（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製）で測定した後、ＰＣＴ−１３０℃／８５％の雰囲気中で、直流電圧５０Ｖを印加、９６時間経過後の絶縁抵抗を測定した。測定時の印加電圧は１００Ｖで１分とし、絶縁抵抗が１×１０９Ω以上であるものを合格とした。
【００８０】
３．埋め込み性
くし形パターン部の断面を顕微鏡で観察して樹脂層の埋め込み性を評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：全てのサンプルについて埋め込み性に優れていた。
○：ガラス織布への回路配線の接触が一部有るが、実用上問題無し。
△：ガラス織布への回路配線の接触が一部有り、実用不可。
×：樹脂層の埋め込みが、不十分でボイド等有り。
【００８１】
【表２】
2011068139.tif 000007
【００８２】
表２から明らかなように実施例１Ａ〜５Ａの多層基板の厚さは、２００μｍ以下であり薄い多層基板が得られることが示された。
また、実施例１Ａ〜５Ａの多層基板は、絶縁信頼性および埋め込み性にも優れていた。
また、実施例１Ａ〜５Ａの半導体装置は、正常に作動することが確認された。
【符号の説明】
【００８３】
１      繊維基材
２      樹脂材料
２ａ、２ｂ  キャリア材料
２１    第１樹脂層
２２    第２樹脂層
２２１  繊維基材が偏在している側の面
３      コア基板
４      回路配線部
４１    回路配線部の繊維基材側の面
５      パッド部
６      フィルドビア部
７      半導体素子
７１    バンプ
８      真空ラミネート装置
８１    ラミネートロール
９      熱風乾燥装置
１０    プリプレグ
１０ａ  プリプレグ
１０ｂ  プリプレグ
１０ｃ  プリプレグ
１０ｄ  プリプレグ
１０ｅ  プリプレグ
１０ｆ  プリプレグ
１００  基板
２００  半導体装置
【図１】
2011068139.tif 000008
【図２】
2011068139.tif 000009
【図３】
2011068139.tif 000010
【図４】
2011068139.tif 000011
【図５】
2011068139.tif 000012
【図６】
2011068139.tif 000013
【図７】
2011068139.tif 000014