(57)【要約】【課題】従来の電子機器の製造方法では、製造効率を向上させることが困難である。【解決手段】素子層５３が形成される側の面である第１面５２ａと、第１面５２ａとは反対側の面である第２面５２ｂとを有し、且つ無機材料で構成されたマザー基板５１Ｍの第２面５２ｂに、無機材料で構成された補助基板９１の基板面を対向させた状態で、マザー基板５１Ｍと補助基板９１とを溶接する溶接工程と、前記溶接工程の後に、マザー基板５１Ｍの第１面５２ａ側に、素子層５３を形成する素子形成工程と、前記素子形成工程の後に、マザー基板５１Ｍと補助基板９１とを分離する分離工程と、を含む、ことを特徴とする電子機器の製造方法。【選択図】図１３
2011017889.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子が形成される側の面である素子形成面と、前記素子形成面とは反対側の面である反対面とを有し、且つ無機材料で構成された第１基板の前記反対面に、無機材料で構成された第２基板の基板面を対向させた状態で、前記第１基板と前記第２基板とを溶接する溶接工程と、
前記溶接工程の後に、前記第１基板の前記素子形成面側に、前記電子素子を形成する素子形成工程と、
前記素子形成工程の後に、前記第１基板と前記第２基板とを分離する分離工程と、を含む、
ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板には、平面視で、前記電子素子が形成される領域である素子領域が規定され、
前記溶接工程では、前記素子領域の外側に溶融部を形成する、ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器の製造方法。
【請求項３】
前記第１基板及び前記第２基板は、それぞれ、ガラスを含む材料で構成されており、
前記溶接工程では、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方をレーザー光で溶融させることによって、前記第１基板と前記第２基板とを溶接する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子機器の製造方法。
【請求項４】
前記第１基板の前記反対面と前記第２基板の前記基板面とを、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に設けられた中間層を介して対向させ、
前記溶接工程では、前記中間層を溶融させることによって、前記第１基板と前記第２基板とを溶接する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子機器の製造方法。
【請求項５】
前記溶接工程では、前記素子領域の外側において、前記素子領域の周囲にわたって前記溶融部を形成する、
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の電子機器の製造方法。
【請求項６】
前記溶接工程では、大気圧よりも低い圧力の環境である減圧環境下で、前記第１基板と前記第２基板とを溶接する、
ことを特徴とする請求項５に記載の電子機器の製造方法。
【請求項７】
前記溶接工程では、前記素子領域の外側において、前記素子領域の周囲のうちの一部に前記溶融部を形成する、
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の電子機器の製造方法。
【請求項８】
前記第２基板において、平面視で、前記素子領域に重なる領域内に、前記第２基板を前記基板面から前記基板面とは反対側の面まで貫く貫通孔が設けられている、
ことを特徴とする請求項７に記載の電子機器の製造方法。
【請求項９】
前記第１基板の前記反対面側において、平面視で、少なくとも前記素子領域に重なる領域内に、前記素子形成面側に向かって凹となる凹部が設けられている、
ことを特徴とする請求項２乃至８のいずれか一項に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１０】
前記第２基板の前記基板面側において、平面視で、少なくとも前記素子領域に重なる領域内に、前記基板面側とは反対側に向かって凹となる凹部が設けられている、
ことを特徴とする請求項２乃至８のいずれか一項に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１１】
前記第１基板の前記反対面側において、平面視で、少なくとも前記素子領域に重なる領域内に、前記素子形成面側に向かって凹となる凹部が設けられており、
前記第２基板の前記基板面側において、平面視で、少なくとも前記素子領域に重なる領域内に、前記基板面側とは反対側に向かって凹となる凹部が設けられている、
ことを特徴とする請求項２乃至８のいずれか一項に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１２】
前記第１基板には、平面視で、複数の前記素子領域が規定される、ことを特徴とする請求項２に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１３】
前記溶接工程では、平面視で複数の前記素子領域に重なる領域である複合領域の外側において、前記複合領域の周囲にわたって前記溶融部を形成する、
ことを特徴とする請求項１２に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１４】
前記溶接工程では、前記複数の素子領域の前記素子領域ごとに、前記素子領域の外側において、前記素子領域の周囲にわたって前記溶融部を形成する、
ことを特徴とする請求項１２に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１５】
前記溶接工程では、大気圧よりも低い圧力の環境である減圧環境下で、前記第１基板と前記第２基板とを溶接する、
ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１６】
前記分離工程は、前記第１基板を、平面視で前記素子領域と前記溶融部との間で分断する工程を含む、
ことを特徴とする請求項２乃至１５のいずれか一項に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１７】
前記第１基板の前記反対面側において、前記素子形成面側に向かって凹となる溝部が設けられており、
前記溝部は、平面視で、前記素子領域と前記溶融部との間に起点を有し、且つ前記起点から前記素子領域内に延在しており、
前記分離工程では、前記第１基板を、平面視で前記溝部に重なる位置で分断する、
ことを特徴とする請求項１６に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１８】
前記第２基板の前記基板面側において、前記基板面側とは反対側に向かって凹となる溝部が設けられており、
前記溝部は、平面視で、前記素子領域と前記溶融部との間に起点を有し、且つ前記起点から前記素子領域内に延在しており、
前記分離工程では、前記第１基板を、平面視で前記溝部に重なる位置で分断する、
ことを特徴とする請求項１６に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１９】
前記第１基板の前記反対面側において、前記素子形成面側に向かって凹となる第１溝部が設けられており、
前記第２基板の前記基板面側において、前記基板面側とは反対側に向かって凹となる第２溝部が設けられており、
前記第１溝部及び前記第２溝部は、それぞれ、平面視で、前記素子領域と前記溶融部との間に起点を有し、且つ前記起点から前記素子領域内に延在しており、
前記分離工程では、前記第１基板を、平面視で前記第１溝部及び前記第２溝部のうち少なくとも一方に重なる位置で分断する、
ことを特徴とする請求項１６に記載の電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器の製造方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の１つである電気光学装置には、画像を表示する表示装置が含まれている。表示装置としては、例えば、液晶ディスプレー、プラズマディスプレー、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレー等が知られている。
例えば、液晶ディスプレーなどの液晶装置では、互いに対向する一対の基板間に液晶が介在した構成を有する液晶パネルが電気光学パネルとして用いられる。また、有機ＥＬディスプレーなどの有機ＥＬ装置では、互いに対向する一対の基板間に発光層が介在した構成を有する有機ＥＬパネルが電気光学パネルとして用いられる。
このような電気光学パネルでは、電気光学パネルにおける基板の厚みを薄くすることによって、電気光学パネルの薄型化が図られ得る。電気光学パネルの薄型化では、従来、電気光学パネルを製造してから、この電気光学パネルにおける基板の厚みを薄くする方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−５８４８８号公報（１３頁）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載された方法では、電気光学パネルを製造してから基板を薄くするので、基板を薄くする工程でこの基板に不良が発生すると、他の部材が良好であっても、電気光学パネル全体が無駄になってしまう。
他方で、基板を薄くしてから電気光学パネルを製造する方法では、薄くした基板の強度に起因して、電気光学パネルの製造過程におけるハンドリングの困難さが増大する。これにより、製造過程において、電気光学パネルの扱いに細心の注意を払う必要性が増大する。この結果、電気光学パネルのハンドリングなどの扱いに、多くの時間がかかりやすくなる。
つまり、従来の電子機器の製造方法では、製造効率を向上させることが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００６】
［適用例１］電子素子が形成される側の面である素子形成面と、前記素子形成面とは反対側の面である反対面とを有し、且つ無機材料で構成された第１基板の前記反対面に、無機材料で構成された第２基板の基板面を対向させた状態で、前記第１基板と前記第２基板とを溶接する溶接工程と、前記溶接工程の後に、前記第１基板の前記素子形成面側に、前記電子素子を形成する素子形成工程と、前記素子形成工程の後に、前記第１基板と前記第２基板とを分離する分離工程と、を含む、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【０００７】
この適用例の電子機器の製造方法は、溶接工程と、素子形成工程と、分離工程と、を含む。
溶接工程では、第１基板と第２基板とを溶接する。第１基板は、無機材料で構成されており、素子形成面と、反対面と、を有している。素子形成面は、電子素子が形成される側の面である。反対面は、素子形成面とは反対側の面である。第２基板は、無機材料で構成されており、基板面を有している。溶接工程では、第１基板の反対面に、第２基板の基板面を対向させた状で、第１基板と第２基板とを溶接する。
溶接工程の後に、素子形成工程では、第１基板の素子形成面側に、電子素子を形成する。
素子形成工程の後に、分離工程では、第１基板と第２基板とを分離する。
【０００８】
この製造方法では、第１基板と第２基板とを溶接してから、第１基板に電子素子を形成するので、第１基板を第２基板で補強した状態で、第１基板を取り扱うことができる。このため、第１基板と第２基板とを溶接する前に比較して、第１基板の取り扱いにおける困難性を緩和することができる。これにより、第１基板の取り扱いにかかる時間が長くなってしまうことを低く抑えやすくすることができる。この結果、電子機器の製造効率を向上させやすくすることができる。
【０００９】
［適用例２］上記の電子機器の製造方法であって、前記第１基板には、平面視で、前記電子素子が形成される領域である素子領域が規定され、前記溶接工程では、前記素子領域の外側に溶融部を形成する、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００１０】
この適用例では、第１基板に素子領域が規定される。素子領域は、平面視で電子素子が形成される領域である。そして、溶接工程において、素子領域の外側に溶融部を形成する。これにより、溶接痕（溶融部）を素子領域の外側に形成することができる。
【００１１】
［適用例３］上記の電子機器の製造方法であって、前記第１基板及び前記第２基板は、それぞれ、ガラスを含む材料で構成されており、前記溶接工程では、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方をレーザー光で溶融させることによって、前記第１基板と前記第２基板とを溶接する、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００１２】
この適用例では、第１基板及び第２基板が、それぞれ、ガラスを含む材料で構成されている。そして、溶接工程では、第１基板及び第２基板の少なくとも一方をレーザー光で溶融させることによって、第１基板と第２基板とを溶接することができる。
【００１３】
［適用例４］上記の電子機器の製造方法であって、前記第１基板の前記反対面と前記第２基板の前記基板面とを、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に設けられた中間層を介して対向させ、前記溶接工程では、前記中間層を溶融させることによって、前記第１基板と前記第２基板とを溶接する、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００１４】
この適用例では、第１基板の反対面と第２基板の基板面とを、第１基板及び第２基板の少なくとも一方に設けられた中間層を介して対向させ、溶接工程において、中間層を溶融させることによって、第１基板と第２基板とを溶接する。これにより、第１基板と第２基板とを溶接することができる。
【００１５】
［適用例５］上記の電子機器の製造方法であって、前記溶接工程では、前記素子領域の外側において、前記素子領域の周囲にわたって前記溶融部を形成する、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００１６】
この適用例では、素子領域の外側において、素子領域の周囲にわたって溶融部を形成するので、平面視で素子領域を溶融部で囲むことができる。
【００１７】
［適用例６］上記の電子機器の製造方法であって、前記溶接工程では、大気圧よりも低い圧力の環境である減圧環境下で、前記第１基板と前記第２基板とを溶接する、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００１８】
この適用例では、減圧環境下で、第１基板と第２基板とを溶接する。減圧環境は、大気圧よりも低い圧力の環境である。これにより、第１基板と第２基板との間において、溶融部によって囲まれた領域内の圧力を大気圧よりも低くすることができる。
【００１９】
［適用例７］上記の電子機器の製造方法であって、前記溶接工程では、前記素子領域の外側において、前記素子領域の周囲のうちの一部に前記溶融部を形成する、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００２０】
この適用例では、素子領域の外側において、素子領域の周囲のうちの一部に溶融部を形成する。これにより、第１基板と第２基板との間の気密状態を解放しやすくすることができる。このため、分離工程において、第１基板と第２基板とを分離しやすくすることができる。
【００２１】
［適用例８］上記の電子機器の製造方法であって、前記第２基板において、平面視で、前記素子領域に重なる領域内に、前記第２基板を前記基板面から前記基板面とは反対側の面まで貫く貫通孔が設けられている、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００２２】
この適用例では、第２基板に貫通孔が設けられている。貫通孔は、平面視で素子領域に重なる領域内に設けられている。貫通孔は、第２基板を基板面から、基板面とは反対側の面まで貫いている。これにより、第１基板と第２基板との間の気密状態を解放しやすくすることができる。このため、分離工程において、第１基板と第２基板とを分離しやすくすることができる。
【００２３】
［適用例９］上記の電子機器の製造方法であって、前記第１基板の前記反対面側において、平面視で、少なくとも前記素子領域に重なる領域内に、前記素子形成面側に向かって凹となる凹部が設けられている、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００２４】
この適用例では、第１基板の反対面側に凹部が設けられている。凹部は、平面視で、少なくとも素子領域に重なる領域内に設けられている。凹部は、反対面側から素子形成面側に向かって凹となる向きに設けられている。これにより、平面視で素子領域に重なる領域内において、第１基板と第２基板との接触面積を低減することができる。このため、分離工程において、第１基板と第２基板とを分離しやすくすることができる。
【００２５】
［適用例１０］上記の電子機器の製造方法であって、前記第２基板の前記基板面側において、平面視で、少なくとも前記素子領域に重なる領域内に、前記基板面側とは反対側に向かって凹となる凹部が設けられている、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００２６】
この適用例では、第２基板の基板面側に凹部が設けられている。凹部は、平面視で、少なくとも素子領域に重なる領域内に設けられている。凹部は、基板面側から基板面側とは反対側に向かって凹となる向きに設けられている。これにより、平面視で素子領域に重なる領域内において、第１基板と第２基板との接触面積を低減することができる。このため、分離工程において、第１基板と第２基板とを分離しやすくすることができる。
【００２７】
［適用例１１］上記の電子機器の製造方法であって、前記第１基板の前記反対面側において、平面視で、少なくとも前記素子領域に重なる領域内に、前記素子形成面側に向かって凹となる凹部が設けられており、前記第２基板の前記基板面側において、平面視で、少なくとも前記素子領域に重なる領域内に、前記基板面側とは反対側に向かって凹となる凹部が設けられている、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００２８】
この適用例では、第１基板の反対面側に凹部が設けられており、第２基板の基板面側に凹部が設けられている。第１基板の凹部、及び第２基板の凹部は、平面視で、少なくとも素子領域に重なる領域内に設けられている。第１基板の凹部は、反対面側から素子形成面側に向かって凹となる向きに設けられている。第２基板の凹部は、基板面側から基板面側とは反対側に向かって凹となる向きに設けられている。
これにより、平面視で素子領域に重なる領域内において、第１基板と第２基板との接触面積を一層低減することができる。このため、分離工程において、第１基板と第２基板とを一層分離しやすくすることができる。
【００２９】
［適用例１２］上記の電子機器の製造方法であって、前記第１基板には、平面視で、複数の前記素子領域が規定される、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００３０】
この適用例では、第１基板に複数の素子領域が規定されるので、１つの第１基板に電子機器の複数個分の電子素子を形成することができる。
【００３１】
［適用例１３］上記の電子機器の製造方法であって、前記溶接工程では、平面視で複数の前記素子領域に重なる領域である複合領域の外側において、前記複合領域の周囲にわたって前記溶融部を形成する、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００３２】
この適用例では、溶接工程において、複合領域の外側に複合領域の周囲にわたって溶融部を形成する。複合領域は、平面視で複数の素子領域に重なる領域である。これにより、平面視で複数の素子領域を溶融部で囲むことができる。
【００３３】
［適用例１４］上記の電子機器の製造方法であって、前記溶接工程では、前記複数の素子領域の前記素子領域ごとに、前記素子領域の外側において、前記素子領域の周囲にわたって前記溶融部を形成する、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００３４】
この適用例では、素子領域ごとに、素子領域の外側において、素子領域の周囲にわたって溶融部を形成する。このため、平面視で素子領域を、素子領域ごとに溶融部で囲むことができる。
【００３５】
［適用例１５］上記の電子機器の製造方法であって、前記溶接工程では、大気圧よりも低い圧力の環境である減圧環境下で、前記第１基板と前記第２基板とを溶接する、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００３６】
この適用例では、減圧環境下で、第１基板と第２基板とを溶接する。減圧環境は、大気圧よりも低い圧力の環境である。これにより、第１基板と第２基板との間において、溶融部によって囲まれた領域内の圧力を大気圧よりも低くすることができる。
【００３７】
［適用例１６］上記の電子機器の製造方法であって、前記分離工程は、前記第１基板を、平面視で前記素子領域と前記溶融部との間で分断する工程を含む、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００３８】
この適用例では、分離工程は、第１基板を、平面視で素子領域と溶融部との間で分断する工程を含む。これにより、第１基板と第２基板とを分離することができる。
【００３９】
［適用例１７］上記の電子機器の製造方法であって、前記第１基板の前記反対面側において、前記素子形成面側に向かって凹となる溝部が設けられており、前記溝部は、平面視で、前記素子領域と前記溶融部との間に起点を有し、且つ前記起点から前記素子領域内に延在しており、前記分離工程では、前記第１基板を、平面視で前記溝部に重なる位置で分断する、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００４０】
この適用例では、第１基板の反対面側に溝部が設けられている。溝部は、反対面側から素子形成面側に向かって凹となる向きに設けられている。溝部は、平面視で、素子領域と溶融部との間に起点を有し、且つ起点から素子領域内に延在している。これにより、平面視で素子領域に重なる領域内において、第１基板と第２基板との接触面積を低減することができる。このため、分離工程において、第１基板と第２基板とを分離しやすくすることができる。
【００４１】
［適用例１８］上記の電子機器の製造方法であって、前記第２基板の前記基板面側において、前記基板面側とは反対側に向かって凹となる溝部が設けられており、前記溝部は、平面視で、前記素子領域と前記溶融部との間に起点を有し、且つ前記起点から前記素子領域内に延在しており、前記分離工程では、前記第１基板を、平面視で前記溝部に重なる位置で分断する、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００４２】
この適用例では、第２基板の基板面側に溝部が設けられている。溝部は、基板面側から基板面側とは反対側に向かって凹となる向きに設けられている。溝部は、平面視で、素子領域と溶融部との間に起点を有し、且つ起点から素子領域内に延在している。これにより、平面視で素子領域に重なる領域内において、第１基板と第２基板との接触面積を低減することができる。このため、分離工程において、第１基板と第２基板とを分離しやすくすることができる。
【００４３】
［適用例１９］上記の電子機器の製造方法であって、前記第１基板の前記反対面側において、前記素子形成面側に向かって凹となる第１溝部が設けられており、前記第２基板の前記基板面側において、前記基板面側とは反対側に向かって凹となる第２溝部が設けられており、前記第１溝部及び前記第２溝部は、それぞれ、平面視で、前記素子領域と前記溶融部との間に起点を有し、且つ前記起点から前記素子領域内に延在しており、前記分離工程では、前記第１基板を、平面視で前記第１溝部及び前記第２溝部のうち少なくとも一方に重なる位置で分断する、ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【００４４】
この適用例では、第１基板の反対面側に第１溝部が設けられており、第２基板の基板面側に第２溝部が設けられている。第１溝部は、反対面側から素子形成面側に向かって凹となる向きに設けられている。第２溝部は、基板面側から基板面側とは反対側に向かって凹となる向きに設けられている。第１溝部及び第２溝部は、それぞれ、平面視で、素子領域と溶融部との間に起点を有し、且つ起点から素子領域内に延在している。これにより、平面視で素子領域に重なる領域内において、第１基板と第２基板との接触面積を低減することができる。このため、分離工程において、第１基板と第２基板とを分離しやすくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本実施形態における表示装置を示す斜視図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】本実施形態における表示装置の回路構成を示す図。
【図５】図３中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図６】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図７】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図８】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図９】本実施形態でのマザー基板を示す平面図。
【図１０】図９（ａ）中のＤ−Ｄ線における断面図。
【図１１】本実施形態でのマザー基板を示す平面図。
【図１２】本実施形態でのマザー基板の製造工程を説明する図。
【図１３】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１４】本実施形態でのマザーパネルを示す断面図。
【図１５】本実施形態でのマザーパネルから表示装置を切り出す工程を説明する図。
【図１６】本実施形態での溝部を説明する断面図。
【図１７】本実施形態でのマザー基板を示す平面図。
【図１８】本実施形態での溝部の他の例を説明する平面図。
【図１９】本実施形態でのマザー基板の他の例を示す平面図。
【図２０】本実施形態でのマザー基板の他の例を示す平面図。
【図２１】本実施形態での貫通孔を説明する断面図。
【図２２】本実施形態での凹凸部を説明する断面図。
【図２３】本実施形態でのマザー基板の他の例を示す断面図。
【図２４】本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
実施形態について、電子機器の１つである有機ＥＬ装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
本実施形態における表示装置１は、図１に示すように、素子基板３と、封止基板５と、を有している。素子基板３と封止基板５とは、互いに対向している。
表示装置１では、封止基板５の素子基板３側とは反対側の面である表示面７に、画像などを表示することができる。
【００４７】
ここで、表示装置１には、複数の画素９が設定されている。複数の画素９は、表示領域１１内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。Ｘ方向及びＹ方向は、平面視で互いに交差（直交）する方向である。本実施形態では、Ｘ方向は、後述する走査線が延在する方向でもある。また、Ｙ方向は、後述する信号線が延在する方向でもある。
表示装置１は、複数の画素９から選択的に表示面７を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面７に画像などを表示する。なお、表示領域１１とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素９が誇張され、且つ画素９の個数が減じられている。
【００４８】
表示装置１において、素子基板３は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、封止基板５側とは反対側の面である底面１３を有している。
素子基板３には、表示面７側すなわち封止基板５側に、後述する有機ＥＬ素子などが設けられている。なお、表示装置１において、表示面７と底面１３とは、互いに表裏の関係にある。
【００４９】
封止基板５は、素子基板３よりも表示面７側で素子基板３に対向した状態で設けられている。素子基板３と封止基板５とは、接着剤１６を介して接合されている。表示装置１では、有機ＥＬ素子は、接着剤１６によって表示面７側から覆われている。
また、素子基板３と封止基板５との間は、表示装置１の周縁よりも内側で表示領域１１を囲むシール材１７によって封止されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子と接着剤１６とが、素子基板３及び封止基板５並びにシール材１７によって封止されている。
【００５０】
ここで、表示装置１における複数の画素９は、それぞれ、表示面７から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素９は、Ｒの光を射出する画素９Ｒと、Ｇの光を射出する画素９Ｇと、Ｂの光を射出する画素９Ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素９という表記と、画素９Ｒ、画素９Ｇ及び画素９Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００５１】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００５２】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って一列に並ぶ複数の画素９が、１つの画素列１８を構成している。また、Ｘ方向に沿って一列に並ぶ複数の画素９が、１つの画素行１９を構成している。
１つの画素列１８内の各画素９は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素９ＲがＹ方向に配列した画素列１８Ｒと、複数の画素９ＧがＹ方向に配列した画素列１８Ｇと、複数の画素９ＢがＹ方向に配列した画素列１８Ｂとを有している。そして、表示装置１では、画素列１８Ｒ、画素列１８Ｇ及び画素列１８Ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列１８という表記と、画素列１８Ｒ、画素列１８Ｇ及び画素列１８Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００５３】
表示装置１は、回路構成を示す図である図４に示すように、画素９ごとに、選択トランジスター３１と、駆動トランジスター３３と、容量素子３５と、有機ＥＬ素子３７とを有している。有機ＥＬ素子３７は、画素電極３９と、有機層４１と、共通電極４３とを有している。選択トランジスター３１及び駆動トランジスター３３は、それぞれ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子で構成されており、スイッチング素子としての機能を有する。
また、表示装置１は、走査線駆動回路４５と、信号線駆動回路４７と、複数の走査線ＧＴと、複数の信号線ＳＩと、複数の電源線ＰＷとを有している。
【００５４】
複数の走査線ＧＴは、それぞれ走査線駆動回路４５につながっており、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
複数の信号線ＳＩは、それぞれ信号線駆動回路４７につながっており、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
複数の電源線ＰＷは、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線ＰＷと各信号線ＳＩとがＸ方向に間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
【００５５】
各画素９は、各走査線ＧＴと各信号線ＳＩとの交差に対応して設定されている。各走査線ＧＴは、図３に示す各画素行１９に対応している。各信号線ＳＩ及び各電源線ＰＷは、それぞれ、図３に示す各画素列１８に対応している。
図４に示す各選択トランジスター３１のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴに電気的につながっている。各選択トランジスター３１のソース電極は、対応する各信号線ＳＩに電気的につながっている。各選択トランジスター３１のドレイン電極は、各駆動トランジスター３３のゲート電極及び各容量素子３５の一方の電極に電気的につながっている。
【００５６】
容量素子３５の他方の電極と、駆動トランジスター３３のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線ＰＷに電気的につながっている。
各駆動トランジスター３３のドレイン電極は、各画素電極３９に電気的につながっている。各画素電極３９と共通電極４３とは、画素電極３９を陽極とし、共通電極４３を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極４３は、マトリクスＭを構成する複数の画素９間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素９間にわたって共通して機能する。
各画素電極３９と共通電極４３との間に介在する有機層４１は、後述する発光層を含んでいる。有機層４１では、画素電極３９と共通電極４３との間に発生する電流によって、発光層が発光する。
【００５７】
選択トランジスター３１は、この選択トランジスター３１につながる走査線ＧＴに選択信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、この選択トランジスター３１につながる信号線ＳＩからデータ信号が供給され、駆動トランジスター３３がＯＮ状態になる。駆動トランジスター３３のゲート電位は、データ信号の電位が容量素子３５に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、駆動トランジスター３３のＯＮ状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。
【００５８】
駆動トランジスター３３のＯＮ状態が保持されているときに、駆動トランジスター３３のゲート電位に応じた電流が、電源線ＰＷから画素電極３９と有機層４１を経て共通電極４３に流れる。そして、有機層４１に含まれる発光層が、有機層４１を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置１では、階調表示が行われ得る。
表示装置１は、有機層４１に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が封止基板５を介して表示面７から射出されるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の１つである。なお、表示装置１では、表示面７側という表現が上側とも表現され、底面１３側という表現が下側とも表現される。
【００５９】
ここで、素子基板３及び封止基板５のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板３は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図５に示すように、基板５１と、素子層５３と、を有している。素子層５３は、駆動素子層５５を含んでいる。
なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、図４に示す選択トランジスター３１、駆動トランジスター３３、容量素子３５、走査線ＧＴ、信号線ＳＩ及び電源線ＰＷが省略されている。選択トランジスター３１、駆動トランジスター３３、容量素子３５、走査線ＧＴ、信号線ＳＩ及び電源線ＰＷは、駆動素子層５５に含まれている。
【００６０】
基板５１は、表示面７側に向けられた第１面５２ａと、底面１３側に向けられた第２面５２ｂとを有している。基板５１の材料としては、例えば、ガラスや石英などの光透過性を有する無機材料が採用され得る。本実施形態では、基板５１の材料として、ガラスが採用されている。
駆動素子層５５は、基板５１の第１面５２ａに設けられている。
駆動素子層５５の表示面７側には、画素電極３９が設けられている。画素電極３９の材料としては、例えば、銀、白金、アルミニウム、銅などの光反射性を有する金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
【００６１】
画素電極３９を陽極として機能させる場合には、画素電極３９の材料として、銀、白金などの仕事関数が比較的高い材料を用いることが好ましい。また、画素電極３９の材料としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などを用い、光反射性を有する部材を画素電極３９と駆動素子層５５との間に設けた構成も採用され得る。本実施形態では、画素電極３９の材料としてＩＴＯが採用されている。
【００６２】
隣り合う画素電極３９同士の間には、各画素９を区画する絶縁膜（第１隔壁）５７が領域５８にわたって設けられている。絶縁膜５７は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料で構成されている。絶縁膜５７は、平面視で、表示領域１１にわたって格子状に設けられている。このため、表示領域１１は、絶縁膜５７によって複数の画素９の領域に区画されている。１つの画素９に着目すると、絶縁膜５７は、平面視で環状に設けられている。なお、各画素電極３９は、絶縁膜５７によって囲まれた各画素９の領域に平面視で重なっている。本実施形態では、絶縁膜５７の材料として酸化シリコンが採用されている。
【００６３】
絶縁膜５７の表示面７側には、各画素９の領域を囲む絶縁膜（第２隔壁）５９が設けられている。絶縁膜５９は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミド樹脂などの有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜５７に沿って格子状に設けられている。１つの画素９に着目すると、絶縁膜５９は、平面視で各画素９の領域を囲んでいる。このため、絶縁膜５９は、画素９ごとに環状に設けられているとみなされ得る。本実施形態では、絶縁膜５９の材料としてアクリル系の樹脂が採用されている。
画素電極３９の表示面７側には、絶縁膜５９に囲まれた領域内に、有機層４１が設けられている。
【００６４】
有機層４１は、各画素９に対応して設けられており、正孔注入層６１と、正孔輸送層６３と、発光層６５と、を有している。
正孔注入層６１は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜５９によって囲まれた領域内で、画素電極３９の表示面７側に設けられている。
正孔注入層６１の有機材料としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等との混合物が採用され得る。正孔注入層６１の有機材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。
【００６５】
正孔輸送層６３は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜５９によって囲まれた領域内で、正孔注入層６１の表示面７側に設けられている。
正孔輸送層６３の有機材料としては、例えば、下記化合物１として示されるＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ構成が採用され得る。
【００６６】
【化１】
2011017889.tif 000003
【００６７】
発光層６５は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜５９によって囲まれた領域内で、正孔輸送層６３の表示面７側に設けられている。
画素９Ｒに対応する発光層６５の有機材料としては、例えば、下記化合物２として示されるＦ８（ポリジオクチルフルオレン）と、ペリレン染料とを混合したものが採用され得る。
【００６８】
【化２】
2011017889.tif 000004
【００６９】
画素９Ｇに対応する発光層６５の有機材料としては、例えば、下記化合物３として示されるＦ８ＢＴと、上記化合物１として示されるＴＦＢと、上記化合物２として示されるＦ８とを混合したものが採用され得る。
【００７０】
【化３】
2011017889.tif 000005
【００７１】
画素９Ｂに対応する発光層６５の有機材料としては、例えば、上記化合物２として示されるＦ８が採用され得る。
【００７２】
有機層４１の表示面７側には、図５に示すように、絶縁膜５９に囲まれた領域内に、電子注入層６７が設けられている。電子注入層６７の材料としては、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金や、カルシウムなどが採用され得る。本実施形態では、電子注入層６７の材料として、マグネシウムと銀とを含む合金が採用されている。
電子注入層６７の表示面７側には、共通電極４３が設けられている。共通電極４３は、例えば、アルミニウム等の金属を薄膜化して光透過性を付与したものなどが採用され得る。また、共通電極４３は、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金等を薄膜化して光透過性を付与したものなどによっても構成され得る。本実施形態では、共通電極４３として、アルミニウムの薄膜が採用されている。共通電極４３は、電子注入層６７及び絶縁膜５９を表示面７側から複数の画素９間にわたって覆っている。
【００７３】
なお、表示装置１では、各画素９において発光する領域（以下、発光領域と呼ぶ）は、平面視で画素電極３９と有機層４１と共通電極４３とが重なる領域であると定義され得る。また、画素９ごとに発光領域を構成する要素の一群が１つの有機ＥＬ素子３７であると定義され得る。表示装置１では、１つの有機ＥＬ素子３７は、１つの画素電極３９と、１つの有機層４１と、１つの電子注入層６７と、１つの画素９に対応する共通電極４３とを含んだ構成を有している。
【００７４】
封止基板５は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面７側に向けられた外向面５ａと、底面１３側に向けられた対向面５ｂとを有している。
上記の構成を有する素子基板３及び封止基板５は、素子基板３の共通電極４３と封止基板５の対向面５ｂとの間が、接着剤１６を介して接合されている。
【００７５】
表示装置１では、図２に示すシール材１７は、図５に示す基板５１の第１面５２ａと、封止基板５の対向面５ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子３７及び接着剤１６が、基板５１及び封止基板５並びにシール材１７によって封止されている。なお、シール材１７は、対向面５ｂ及び共通電極４３の間に設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ素子３７及び接着剤１６は、素子基板３及び封止基板５並びにシール材１７によって封止されているとみなされ得る。
【００７６】
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、素子基板３を製造する工程と、表示装置１を組み立てる工程とに大別される。
素子基板３を製造する工程では、図６（ａ）に示すように、まず、基板５１の第１面５２ａに駆動素子層５５を形成する。
次いで、駆動素子層５５の表示面７側に、各画素９に対応した画素電極３９を形成する。
画素電極３９の形成では、例えばスパッタリング技術や真空蒸着技術などの成膜技術や、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術が活用され得る。画素電極３９の形成では、まず、例えばスパッタリング技術や真空蒸着技術などを活用して、駆動素子層５５の表示面７にＩＴＯの膜を形成する。次いで、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術を活用して、ＩＴＯの膜をパターニングすることによって画素電極３９が形成され得る。
【００７７】
次いで、図６（ｂ）に示すように、隣り合う画素電極３９間に、絶縁膜５７を、各画素電極３９の周縁に重ねて形成する。
絶縁膜５７の形成では、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術や、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術などの成膜技術や、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術が活用され得る。絶縁膜５７の形成では、まず、例えばＣＶＤ技術やＰＶＤ技術などを活用して酸化シリコンの膜を形成する。次いで、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術を活用して、酸化シリコンの膜をパターニングすることによって絶縁膜５７が形成され得る。
【００７８】
次いで、絶縁膜５７の表示面７側に絶縁膜５９を形成する。
絶縁膜５９の形成では、まず、ネガ型の感光物質を含むアクリル系の樹脂で、平面視で画素電極３９及び絶縁膜５７を覆う樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。次いで、例えばフォトリソグラフィー技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、絶縁膜５９が形成され得る。
なお、駆動素子層５５から絶縁膜５９までの構成が形成された基板５１は、以下において基板５１ａと呼ばれる。
【００７９】
次いで、図６（ｃ）に示すように、基板５１ａにプラズマ処理を施す。このプラズマ処理では、基板５１ａに酸素プラズマ処理を施してから、基板５１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す。基板５１ａに酸素プラズマ処理を施すことにより、画素電極３９や絶縁膜５７に、後述する液状体６１ａ、液状体６３ａ、液状体６５ａ等に対する親液性が付与される。また、基板５１ａにＣＦ4プラズマ処理を施すことにより、絶縁膜５９に、後述する液状体６１ａ、液状体６３ａ、液状体６５ａ等に対する撥液性が付与される。
本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、酸素プラズマ処理において、処理ガスとして酸素を含むガスが採用されている。また、ＣＦ4プラズマ処理において、処理ガスとして、フッ素化合物を含むガスであるＣＦ4ガスが採用されている。なお、ＣＦ4プラズマ処理では、処理ガスは、ＣＦ4ガスに限定されず、ＳＦ6やＣＨＦ3などのハロゲンガスや、フッ素ガスなども採用され得る。
【００８０】
基板５１ａにプラズマ処理を施す工程に次いで、図７（ａ）に示すように、絶縁膜５９によって囲まれた各画素９の領域内に液状体６１ａを配置する。液状体６１ａには、正孔注入層６１を構成する有機材料が含まれている。液状体６１ａの配置には、液滴吐出ヘッド７１を利用したインクジェット法が活用され得る。
液滴吐出ヘッド７１から液状体６１ａなどを液滴６１ｂとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体６１ａなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の１つである。
【００８１】
各画素９の領域内に配置された液状体６１ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行うことによって、図７（ｂ）に示す正孔注入層６１が形成され得る。なお、液状体６１ａには、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。
なお、減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。減圧環境とは、大気圧よりも低い圧力が保たれる環境である。また、液状体６１ａの焼成条件は、環境温度が約２００℃で、保持時間が約１０分間である。
【００８２】
次いで、図７（ｂ）に示すように、絶縁膜５９によって囲まれた各画素９の領域内に、液状体６３ａを配置する。液状体６３ａには、正孔輸送層６３を構成する有機材料が含まれている。液状体６３ａは、液滴吐出ヘッド７１から液状体６３ａを液滴６３ｂとして吐出することによって配置される。このとき、正孔注入層６１は、液状体６３ａによって覆われる。なお、液状体６３ａには、ＴＦＢを溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
次いで、液状体６３ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図８（ａ）に示す正孔輸送層６３が形成され得る。なお、液状体６３ａの焼成条件は、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１時間である。
【００８３】
次いで、図８（ａ）に示すように、絶縁膜５９によって囲まれた各画素９の領域内に、液状体６５ａを配置する。液状体６５ａには、発光層６５を構成する有機材料が含まれている。液状体６５ａは、液滴吐出ヘッド７１から液状体６５ａを液滴６５ｂとして吐出することによって配置される。このとき、正孔輸送層６３は、液状体６５ａによって覆われる。なお、液状体６５ａには、画素９Ｒ、画素９Ｇ及び画素９Ｂのそれぞれに対応する発光層６５を構成する有機材料を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
次いで、液状体６５ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図８（ｂ）に示す発光層６５が形成され得る。液状体６５ａの焼成条件は、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１時間である。
【００８４】
次いで、蒸着技術などを活用してマグネシウムと銀とを含む合金の膜を、絶縁膜５９によって囲まれた各画素９の領域内に形成することにより、図８（ｃ）に示す電子注入層６７が形成され得る。このとき、電子注入層６７は、絶縁膜５９をマスクで表示面７側から覆った状態で形成され得る。
次いで、蒸着技術を活用してアルミニウム等の膜を形成することにより、図５に示す共通電極４３が形成され得る。これにより、素子基板３が製造され得る。
【００８５】
表示装置１を組み立てる工程では、図２に示すように、素子基板３及び封止基板５を、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。
このとき、素子基板３及び封止基板５は、図５に示すように、基板５１の第１面５２ａと、封止基板５の対向面５ｂとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置１が製造され得る。
【００８６】
ここで、上述した素子基板３の製造工程、及び表示装置１の組立工程は、それぞれ、マザー基板の状態で実施される。
複数の素子基板３が形成されるマザー基板８１は、平面図である図９（ａ）に示すように、複数の基板５１の領域を包含する大きさを有している。
また、複数の封止基板５が形成されるマザー基板８３は、平面図である図９（ｂ）に示すように、複数の封止基板５の領域を包含する大きさを有している。
【００８７】
マザー基板８１において、基板５１の領域は、図９（ａ）に示すように、基板領域８５と呼ばれる。基板領域８５は、シール領域８７と、素子領域８９と、を包含している。なお、図９（ａ）では、構成をわかりやすく示すため、シール領域８７及び素子領域８９にハッチングが施されている。
素子領域８９は、基板領域８５の周縁よりも内側で島状に設定される。素子領域８９には、前述した素子層５３が設けられる。シール領域８７は、基板領域８５の内側且つ素子領域８９の外側で、素子領域８９を囲む領域に設定される。シール領域８７には、シール材１７が設けられる。
【００８８】
マザー基板８１は、図９（ａ）中のＤ−Ｄ線における断面図である図１０に示すように、マザー基板５１Ｍと、補助基板９１と、を有している。
マザー基板５１Ｍは、複数の基板５１を包含している。
補助基板９１は、マザー基板５１Ｍに包含される基板５１の第２面５２ｂ側に設けられている。
マザー基板５１Ｍと補助基板９１とは、互いに対向した状態で溶接されている。
補助基板９１は、マザー基板５１Ｍの剛性を補助する機能を有している。
【００８９】
補助基板９１の材料としては、マザー基板５１Ｍの剛性を補助する機能が発揮されれば、特に限定されない。マザー基板５１Ｍと補助基板９１とを溶接する観点から、補助基板９１の材料としては、ガラスを含有する無機材料であることが好ましい。これにより、マザー基板５１Ｍと補助基板９１との間の溶接を達成しやすくなる。
本実施形態では、補助基板９１の材料として、ガラスが採用されている。これにより、マザー基板５１Ｍと補助基板９１との間の溶接が達成されやすくなっている。
マザー基板５１Ｍと補助基板９１とは、溶融部９３を共有している。溶融部９３は、マザー基板５１Ｍと補助基板９１とが互いに溶融し合っている部位である。マザー基板８１では、溶融部９３において、マザー基板５１Ｍと補助基板９１とが溶接されている。
【００９０】
マザー基板５１Ｍの剛性を補助する観点から、補助基板９１の大きさは、マザー基板５１Ｍにおける複数の基板領域８５を包含する大きさであることが好ましい。補助基板９１の大きさは、マザー基板５１Ｍを包含する大きさであることがより好ましい。本実施形態では、補助基板９１は、マザー基板５１Ｍを包含する大きさに設定されている。
溶融部９３は、図１１に示すように、素子領域８９の外側に設けられる。本実施形態では、溶融部９３は、基板領域８５の外側に設けられており、且つ素子領域８９の周囲にわたって形成されている。さらに、本実施形態では、溶融部９３は、複数の基板領域８５を包含する領域である複合領域９４を、複合領域９４の外側から囲んでいる。つまり、溶融部９３は、複合領域９４内の複数の基板領域８５を外側から囲んでいる。なお、図１１では、構成をわかりやすく示すため、溶融部９３及び複合領域９４のそれぞれにハッチングが施されている。
【００９１】
本実施形態では、溶融部９３は、図１２に示すように、レーザー光９５によって形成される。レーザー光９５としては、波長が６００ｎｍ〜１６００ｎｍの範囲内にあるものが採用され得る。このようなレーザー光９５としては、例えば、ＧａＡｓやＩｎＧａＡｓＰなどの半導体レーザー、チタンサファイア、ＹＡＧ、ＹＶＯ4などの固体レーザー等の様々な種類が採用され得る。
本実施形態では、レーザー光９５は、コリーメーターレンズ９６を介して集光した状態で照射される。これにより、レーザー光９５のエネルギー密度を高めることができ、効率よく溶融部９３を形成することができる。本実施形態では、レーザー光９５の集光範囲は、直径が略１ｍｍの円の範囲内に納められる。また、レーザー光９５の発振器は、約２０Ｗの出力に設定される。
【００９２】
マザー基板５１Ｍと補助基板９１との溶接では、まず、図１２に示すように、ステージ９７に、補助基板９１及びマザー基板５１Ｍを重ねて載置する。
次いで、マザー基板５１Ｍに押さえ板９８を重ねる。これにより、補助基板９１及びマザー基板５１Ｍは、ステージ９７と押さえ板９８とによって挟持される。押さえ板９８は、補助基板９１とマザー基板５１Ｍとを加圧する機能を有しており、補助基板９１とマザー基板５１Ｍとの密着性を高める。押さえ板９８の材料としては、例えば、石英やガラスなどのレーザー光９５に対する光透過性が高い材料が採用され得る。
次いで、レーザー光９５を励起させる。このとき、レーザー光９５の集光部を、補助基板９１とマザー基板５１Ｍとの境界面に合わせる。
【００９３】
次いで、補助基板９１及びマザー基板５１Ｍに対するレーザー光９５の位置を変化させながら、図１１に示す複合領域９４の周囲にわたって溶融部９３を形成していく。このとき、補助基板９１及びマザー基板５１Ｍに対するレーザー光９５の位置を、約１ｍｍ／秒の速さで変化させる。
上記により、図１１に示す溶融部９３が形成され、マザー基板５１Ｍと補助基板９１との間が溶接される。
なお、図１２では、ステージ９７に補助基板９１を載置してから、補助基板９１にマザー基板５１Ｍを重ねた状態が図示されている。しかしながら、補助基板９１及びマザー基板５１Ｍの重ね順は、これに限定されず、ステージ９７にマザー基板５１Ｍを載置してから、マザー基板５１Ｍに補助基板９１を重ねる順序も採用され得る。
【００９４】
前述した素子基板３の製造工程は、マザー基板８１の状態で実施される。前述した素子層５３は、図１３に示すように、マザー基板８１のマザー基板５１Ｍに形成される。
ところで、本実施形態では、溶融部９３は、図１１に示すように、複合領域９４の周囲にわたって、すなわち環状に一連した状態で形成されている。このため、溶融部９３によって閉じられた領域、すなわち溶融部９３と補助基板９１とマザー基板５１Ｍとによって囲まれた領域は、気密性が高い。
素子層５３の形成では、減圧環境下で実施する工程が含まれている。前述したように、減圧環境とは、大気圧よりも低い圧力が保たれる環境である。
マザー基板８１は、溶融部９３によって閉じられた気密性が高い領域を有しているので、減圧環境下で変形しやすくなる。
そこで、本実施形態では、補助基板９１とマザー基板５１Ｍとの間の溶接を、減圧環境下で実施する方法が採用されている。これにより、素子層５３の形成における減圧環境下での工程で、マザー基板８１の変形が低く抑えられる。
【００９５】
図１３に示す素子層５３の形成に次いで、マザー基板８１のシール領域８７にシール材１７を設ける。シール材１７を設ける方法としては、例えば、ディスペンサーなどを用いた塗布法や、フレキソ印刷やスクリーン印刷などの印刷法等が採用され得る。
次いで、図１４に示すように、マザー基板８３とマザー基板５１Ｍとを、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。これにより、マザーパネル１０１が製造され得る。マザーパネル１０１では、マザー基板８１及びマザー基板８３によって、複数の表示装置１が相互につながっている。マザーパネル１０１では、マザー基板８３に切断予定線１０３が想定され、マザー基板５１Ｍに切断予定線１０５が想定される。
切断予定線１０３は、図９（ｂ）に示す封止基板５の周縁に重なっている。切断予定線１０５は、図９（ａ）に示す基板領域８５の周縁に重なっている。
【００９６】
マザー基板８３において、封止基板５の領域よりも外側の領域が、表示装置１には不要な領域である不要領域１０７とされる。同様に、マザー基板５１Ｍにおいて、基板５１の領域（図１３に示す基板領域８５）よりも外側の領域が、表示装置１には不要な領域である不要領域１０９とされる。
マザーパネル１０１の製造に次いで、マザーパネル１０１から図１５に示す表示装置１を切り出す。
表示装置１を切り出す工程では、まず、図１４に示すマザー基板８３を切断予定線１０３で切断する。これにより、図１５に示すように、封止基板５と不要領域１０７とが分断される。
【００９７】
次いで、図１４に示すマザー基板５１Ｍを切断予定線１０５で切断する。これにより、図１５に示すように、基板５１と不要領域１０９とが分断される。
上記により、マザーパネル１０１から表示装置１が切り出される。これにより、表示装置１が製造され得る。
マザー基板８３やマザー基板５１Ｍの切断では、例えば、ダイシング技術や、スクライブブレイク技術などが活用され得る。
【００９８】
なお、マザーパネル１０１から表示装置１、不要領域１０７及び不要領域１０９を分離すると、マザー基板８１'が残る。
マザー基板８１'では、平面視で溶融部９３に重なる不要領域１０９が、補助基板９１に接合したままの状態で残っている。本実施形態では、マザー基板８１'に、不要領域１０９側から溶融部９３を包含する深さＦまで研磨処理を施すことによって、新たな補助基板９１を再生させることができる。
研磨処理としては、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）技術や、エッチング技術などが活用され得る。
【００９９】
本実施形態において、マザー基板５１Ｍが第１基板に対応し、選択トランジスター３１や駆動トランジスター３３、有機ＥＬ素子３７がそれぞれ電子素子に対応し、第１面５２ａが素子形成面に対応し、第２面５２ｂが反対面に対応し、補助基板９１が第２基板に対応している。また、表示装置１を切り出す工程が分離工程に対応している。
本実施形態では、マザー基板５１Ｍと補助基板９１とを溶接してから、マザー基板５１Ｍに素子層５３を形成するので、マザー基板５１Ｍを補助基板９１で補強した状態で、マザー基板５１Ｍを取り扱うことができる。このため、マザー基板５１Ｍと補助基板９１とを溶接する前に比較して、マザー基板５１Ｍの取り扱いにおける困難性を緩和することができる。これにより、マザー基板５１Ｍの取り扱いにかかる時間が長くなってしまうことを低く抑えやすくすることができる。この結果、表示装置１の製造効率を向上させやすくすることができる。
【０１００】
なお、本実施形態において、補助基板９１が、図１６に示すように、溝部１１１を有していると、マザーパネル１０１から表示装置１を分離しやすくできる点で好ましい。
溝部１１１は、補助基板９１のマザー基板５１Ｍ側の基板面９１ａに設けられており、基板面９１ａから反対面９１ｂに向かって凹となる向きに形成されている。反対面９１ｂは、補助基板９１の基板面９１ａとは反対側の面である。
また、溝部１１１は、平面図である図１７に示すように、基板領域８５ごとに設けられている。各溝部１１１は、溶融部９３によって囲まれた領域内に設けられており、基板領域８５の外側の領域から各基板領域８５内に延在している。
この溝部１１１によって、図１６に示す基板５１と補助基板９１との接触面積が軽減する。このため、マザー基板５１Ｍを切断予定線１０５で切断してから、表示装置１を補助基板９１から分離するときに、表示装置１を補助基板９１から分離しやすくすることができる。
【０１０１】
溝部１１１がなく、且つ基板５１と補助基板９１とが互いに密着した状態では、表示装置１を補助基板９１から分離しにくい。これに対し、溝部１１１を有する構成では、基板５１と補助基板９１との接触面積が軽減するので、表示装置１を補助基板９１から分離しやすくすることができる。これにより、表示装置１の製造効率を一層向上させやすくすることができる。
さらに、マザー基板５１Ｍを切断予定線１０５で切断すると、溝部１１１内が大気に連通しやすくなる。
前述したように、本実施形態では、マザー基板５１Ｍと補助基板９１とが減圧環境下で溶接される。このため、基板５１と補助基板９１とが密着しやすい状態にある。
これに対し、溝部１１１を有する構成では、マザー基板５１Ｍを切断予定線１０５で切断すると、溝部１１１内が大気に連通しやすくなる。これにより、基板５１と補助基板９１との間に気体が進入しやすくなるので、基板５１と補助基板９１との密着性を緩和させやすくすることができる。これにより、表示装置１を補助基板９１から一層分離しやすくすることができる。この結果、表示装置１の製造効率を一層向上させやすくすることができる。
【０１０２】
なお、溝部１１１の個数は、基板領域８５ごとに１つずつに限定されず、任意の個数が採用され得る。
また、基板領域８５ごとに溝部１１１を設ける構成に限定されず、図１８に示すように、複数の基板領域８５間にまたがって溝部１１１を設ける構成も採用され得る。この構成では、基板領域８５ごとに溝部１１１を設ける構成に比較して、溝部１１１の個数を軽減することができる。これにより、表示装置１の製造効率を一層向上させやすくすることができる。
【０１０３】
溝部１１１を設ける基板は、補助基板９１に限定されず、マザー基板５１Ｍも採用され得る。マザー基板５１Ｍに溝部１１１を設ける場合、溝部１１１は、第２面５２ｂに設けられる。マザー基板５１Ｍに設けられる溝部１１１は、第２面５２ｂから第１面５２ａに向かって凹となる向きに形成される。
さらに、マザー基板５１Ｍ及び補助基板９１の双方に溝部１１１を設けた構成も採用され得る。この場合、マザー基板５１Ｍの溝部１１１と、補助基板９１の溝部１１１とを互いに交差させれば、基板５１と補助基板９１との接触面積を一層軽減することができる。この結果、表示装置１の製造効率を一層向上させやすくすることができる。
【０１０４】
また、本実施形態では、図１１に示す複合領域９４内の複数の基板領域８５を外側から囲む溶融部９３を形成する例が示されている。しかしながら、溶融部９３の形態は、これに限定されず、図１８に示すように、溶融部９３が基板領域８５ごとに基板領域８５を個別に囲む構成も採用され得る。以下において、基板領域８５ごとに基板領域８５を囲む溶融部９３が設けられたマザー基板は、マザー基板１１５と表記される。
溶融部９３は、基板領域８５の外側に形成されている。マザー基板１１５では、溶融部９３は、基板領域８５を基板領域８５の外側から囲んでいる。
マザー基板１１５では、マザー基板５１Ｍと補助基板９１との接合強度を高めやすくすることができる。また、マザー基板１１５では、基板領域８５ごとに溶融部９３が形成されるので、マザー基板８１に比較して、各基板領域８５と補助基板９１との密着性を高めやすくすることができる。
【０１０５】
マザー基板１１５においても、マザー基板５１Ｍ及び補助基板９１の少なくとも一方に溝部１１１を設けた構成が採用され得る。
マザー基板１１５では、溝部１１１は、基板領域８５ごとに設けられる。マザー基板１１５においても、溝部１１１は、溶融部９３によって囲まれた領域内に設けられており、基板領域８５の外側の領域から各基板領域８５内に延在している。マザー基板１１５においても、溝部１１１によって、表示装置１を補助基板９１から分離しやすくすることができる。
【０１０６】
また、溶融部９３が基板領域８５を個別に囲む構成としては、マザー基板１１５に限定されず、図１９に示すように、マザー基板１１７の構成も採用され得る。マザー基板１１７における溶融部９３は、マザー基板８１における溶融部９３（図１１）に、複合領域９４を基板領域８５ごとに区分する溶融部９３を付加した構成を有している。マザー基板１１７では、マザー基板１１５に比較して、溶融部９３の総延長を短くすることができるので、表示装置１の製造効率を向上させやすくすることができる。
マザー基板１１７においても、マザー基板５１Ｍ及び補助基板９１の少なくとも一方に溝部１１１を設けた構成が採用され得る。
マザー基板１１７では、溝部１１１が基板領域８５ごとに設けられても、溝部１１１が複数の基板領域８５間にまたがって設けられてもよい。
【０１０７】
マザー基板８１、マザー基板１１５及びマザー基板１１７では、それぞれ、溶融部９３が基板領域８５の周囲にわたって、すなわち環状に一連した状態で形成されている。しかしながら、溶融部９３の形態は、これに限定されず、例えば、図２０に示すように、基板領域８５の周囲のうちの一部だけに設けたマザー基板１１９の形態も採用され得る。
マザー基板１１９の溶融部９３は、マザー基板１１５の溶融部９３の一部を欠いた形態を有している。マザー基板１１９の溶融部９３としては、マザー基板８１やマザー基板１１７における溶融部９３の一部を欠いた形態も採用され得る。
マザー基板１１９の製造では、マザー基板５１Ｍと補助基板９１との間の溶接を、大気圧環境下で実施する方法が採用される。
マザー基板１１９では、溶融部９３が基板領域８５の周囲のうちの一部だけに設けられているので、マザー基板５１Ｍと補助基板９１との間の気密性が緩和されやすい。このため、素子層５３の形成において、減圧環境下で実施する工程が含まれていても、マザー基板１１９の変形を低く抑えやすくすることができる。
【０１０８】
また、マザー基板１１９では、マザー基板８１、マザー基板１１５及びマザー基板１１７のそれぞれに比較して、溶融部９３の総延長を短くしやすいので、表示装置１の製造効率を向上させやすくすることができる。
マザー基板１１９においても、マザー基板５１Ｍ及び補助基板９１の少なくとも一方に溝部１１１を設けた構成が採用され得る。マザー基板１１９では、溝部１１１は、平面視で基板領域８５の外側から基板領域８５内に延在していれば、複合領域９４の外側に起点があってもよい。さらに、マザー基板１１９では、溝部１１１がマザー基板１１９の周端面１２１に露呈していてもよい。
また、マザー基板１１９では、溝部１１１が基板領域８５ごとに個別に設けられても、溝部１１１が複数の基板領域８５間にまたがって設けられてもよい。
【０１０９】
また、マザー基板１１９では、図２１に示すように、補助基板９１に貫通孔１２３を設けた構成も採用され得る。貫通孔１２３は、平面視で基板領域８５に重なる領域に設けられており、基板面９１ａから反対面９１ｂまで貫通している。
貫通孔１２３によって、図２１に示す基板５１と補助基板９１との接触面積が軽減する。このため、表示装置１を補助基板９１から分離するときに、表示装置１を補助基板９１から分離しやすくすることができる。貫通孔１２３の個数としては、任意の個数が採用され得る。
マザー基板１１９では、溝部１１１を単独で設けた形態、貫通孔１２３を単独で設けた形態、及び、溝部１１１と貫通孔１２３とを併設した形態のいずれの形態も採用され得る。
【０１１０】
また、マザー基板８１、マザー基板１１５、マザー基板１１７及びマザー基板１１９では、それぞれ、図２２に示すように、マザー基板５１Ｍ及び補助基板９１の少なくとも一方に凹凸部１２５を設けた構成も採用され得る。なお、図２２には、補助基板９１に凹凸部１２５を設けた例が示されている。補助基板９１に凹凸部１２５を設ける場合には、基板面９１ａ側に凹凸部１２５が設けられる。また、マザー基板５１Ｍに凹凸部１２５を設ける場合には、第２面５２ｂ側に凹凸部１２５が設けられる。
【０１１１】
凹凸部１２５は、例えばエッチング技術を活用することによって形成され得る。フッ酸などを用いたエッチング技術を活用してガラスに凹凸部１２５を形成する方法は、一般的にフロスト処理として知られている。フロスト処理では、エッチング技術を活用して複数の凹部を形成することによって、凹凸部１２５が形成される。
このため、例えば、補助基板９１に凹凸部１２５を形成する場合には、フロスト処理で基板面９１ａに複数の凹部を形成することによって凹凸部１２５が形成され得る。このとき、基板面９１ａに形成する複数の凹部は、基板面９１ａから反対面９１ｂに向かって凹となる向きに形成される。
マザー基板５１Ｍに凹凸部１２５を設ける場合、第２面５２ｂに形成する複数の凹部は、第２面５２ｂから第１面５２ａに向かって凹となる向きに形成される。
【０１１２】
なお、マザー基板８１、マザー基板１１５及びマザー基板１１７では、それぞれ、凹凸部１２５は、平面視で溶融部９３によって囲まれた領域内で、少なくとも平面視で基板領域８５に重なる領域に設けられる。
また、マザー基板１１９では、凹凸部１２５は、少なくとも、平面視で基板領域８５に重なる領域に設けられれば、任意の領域に設けられ得る。例えば、マザー基板１１９では、凹凸部１２５が、平面視でマザー基板１１９の全面にわたって設けられていてもよい。
【０１１３】
マザー基板８１、マザー基板１１５、マザー基板１１７及びマザー基板１１９では、それぞれ、マザー基板５１Ｍと補助基板９１とを互いに溶接した構成が採用されている。しかしながら、マザー基板５１Ｍと補助基板９１との溶接の形態は、これに限定されず、図２３に示すように、マザー基板５１Ｍと補助基板９１とが中間層１２９を介して溶接されたマザー基板１３１の形態も採用され得る。
マザー基板１３１において、中間層１２９は、補助基板９１の基板面９１ａと、マザー基板５１Ｍの第２面５２ｂとの間に介在している。中間層１２９の材料としては、溶接にかかるエネルギーを軽減できる観点から、マザー基板５１Ｍや補助基板９１よりも融点が低い材料が好適である。中間層１２９の材料としては、例えば、ＩＴＯやシリコンなどが採用され得る。シリコンとしては、例えば、アモルファスシリコンやポリシリコンなどが挙げられる。
【０１１４】
マザー基板１３１では、中間層１２９は、補助基板９１の基板面９１ａに形成されている。
マザー基板１３１の製造では、補助基板９１の基板面９１ａに中間層１２９を形成してから、中間層１２９にマザー基板５１Ｍを重ねた状態で溶接を行う。このとき、溶接は、図１２に示すレーザー光９５で、図２３に示す中間層１２９に溶融部９３を形成することによって行われる。
中間層１２９に形成された溶融部９３は、マザー基板５１Ｍに接合する。これにより、マザー基板５１Ｍと補助基板９１とが中間層１２９を介して溶接され得る。
【０１１５】
マザー基板１３１では、マザー基板８１、マザー基板１１５、マザー基板１１７及びマザー基板１１９のそれぞれに比較して、低い温度で溶融部９３を形成することができる。このため、溶融部９３の形成にかかるエネルギーを軽減しやすくすることができる。これにより、表示装置１の製造効率を向上させやすくすることができる。
なお、中間層１２９を設ける基板は、補助基板９１に限定されず、マザー基板５１Ｍも採用され得る。マザー基板５１Ｍに中間層１２９を設ける場合、中間層１２９は、第２面５２ｂに設けられる。さらに、マザー基板５１Ｍ及び補助基板９１の双方に中間層１２９を設けた構成も採用され得る。
【０１１６】
また、マザー基板１３１においても、溶融部９３の形成パターンは、図１１に示すマザー基板８１のパターン、図１８に示すマザー基板１１５のパターン、図１９に示すマザー基板１１７のパターン、及び図２０に示すマザー基板１１９のパターンのいずれも採用され得る。
また、中間層１２９は、少なくとも溶融部９３を形成する領域に設けられていれば、平面視でマザー基板１３１の全面に設けられていても、平面視でマザー基板１３１の一部の領域だけに設けられていてもよい。
さらに、マザー基板１３１においても、溝部１１１や貫通孔１２３や凹凸部１２５などを設けた構成が採用され得る。この構成では、溝部１１１や貫通孔１２３や凹凸部１２５は、マザー基板５１Ｍ及び補助基板９１の少なくとも一方に設けられ得る。また、溝部１１１や凹凸部１２５は、中間層１２９に設けられていてもよい。
【０１１７】
なお、本実施形態では、複数の画素９が設定され、画素９ごとに有機ＥＬ素子３７を有する表示装置１を例に説明したが、実施の形態はこれに限定されない。実施の形態としては、有機ＥＬ素子３７を表示領域１１にわたって一連した状態で設けた照明装置などの形態もある。このような照明装置は、例えば液晶表示装置などの光源に好適である。
【０１１８】
また、本実施形態では、絶縁膜５７が光透過性を有する材料で構成されているが、絶縁膜５７の材料はこれに限定されない。絶縁膜５７の材料としては、光吸収性が高い材料も採用され得る。絶縁膜５７の材料に光吸収性が高い材料を採用すれば、隣り合う画素９同士間における遮光性が高められる。これにより、表示におけるコントラストを向上させやすくすることができ、表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１１９】
また、本実施形態では、有機層４１からの光を封止基板５を介して表示面７から射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を例に説明したが、有機ＥＬ装置はこれに限定されない。有機ＥＬ装置は、有機層４１からの光を素子基板３を介して底面１３から射出するボトムエミッション型も採用され得る。
ボトムエミッション型の場合、有機層４１からの光が底面１３から射出されるので、底面１３側に表示面７が設定される。つまり、ボトムエミッション型では、表示装置１の底面１３と表示面７とが入れ替わる。そして、ボトムエミッション型では、底面１３側が上側に対応し、表示面７側が下側に対応する。
【０１２０】
また、本実施形態では、有機層４１をインクジェット法で形成する場合を例に説明したが、有機層４１の形成方法は、これに限定されず、蒸着法も採用され得る。
【０１２１】
また、本実施形態では、表示装置１として有機ＥＬ装置を例に説明したが、表示装置１はこれに限定されない。表示装置１としては、光を変調することができる液晶を有する液晶装置も適用され得る。
また、マザー基板８１、マザー基板１１５、マザー基板１１７、マザー基板１１９及びマザー基板１３１は、それぞれ、有機ＥＬ装置や液晶装置への適用に限定されず、半導体用シリコン基板や、半導体装置、太陽電池などの種々の電子機器にも適用され得る。
【０１２２】
上述した表示装置１は、例えば、図２４に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１が適用されているので、表示部５１０における表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１２３】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピューター、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【符号の説明】
【０１２４】
１…表示装置、３…素子基板、５…封止基板、７…表示面、９…画素、１１…表示領域、３１…選択トランジスター、３３…駆動トランジスター、３７…有機ＥＬ素子、３９…画素電極、４１…有機層、４３…共通電極、５１…基板、５１Ｍ…マザー基板、５２ａ…第１面、５２ｂ…第２面、５３…素子層、５５…駆動素子層、６１…正孔注入層、６３…正孔輸送層、６５…発光層、８１…マザー基板、８５…基板領域、８７…シール領域、８９…素子領域、９１…補助基板、９１ａ…基板面、９１ｂ…反対面、９３…溶融部、９４…複合領域、９５…レーザー光、１０１…マザーパネル、１０３，１０５…切断予定線、１１１…溝部、１１５…マザー基板、１１７…マザー基板、１１９…マザー基板、１２３…貫通孔、１２５…凹凸部、１２９…中間層、１３１…マザー基板、５００…電子機器、５１０…表示部、５１１…操作ボタン。
【図１】
2011017889.tif 000006
【図２】
2011017889.tif 000007
【図３】
2011017889.tif 000008
【図４】
2011017889.tif 000009
【図５】
2011017889.tif 000010
【図６】
2011017889.tif 000011
【図７】
2011017889.tif 000012
【図８】
2011017889.tif 000013
【図９】
2011017889.tif 000014
【図１０】
2011017889.tif 000015
【図１１】
2011017889.tif 000016
【図１２】
2011017889.tif 000017
【図１３】
2011017889.tif 000018
【図１４】
2011017889.tif 000019
【図１５】
2011017889.tif 000020
【図１６】
2011017889.tif 000021
【図１７】
2011017889.tif 000022
【図１８】
2011017889.tif 000023
【図１９】
2011017889.tif 000024
【図２０】
2011017889.tif 000025
【図２１】
2011017889.tif 000026
【図２２】
2011017889.tif 000027
【図２３】
2011017889.tif 000028
【図２４】
2011017889.tif 000029