(57)【要約】【課題】磁性層に挟まれた導電層を有する多層セラミック基板において、磁性層の段差部分での導電層の断線を抑制することができる多層セラミック基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】第１の磁性層２は、第１の面１ｆの一部の上に設けられている。導電層４は、第１の磁性層２が設けられた第１の面１ｆの上において、第１の磁性層２の縁を跨ぎ、かつ第１の磁性層２の上を横断している。第２の磁性層５は、第１の磁性層２との間で導電層４を挟んでいる。電気絶縁層３は、第１の磁性層２が設けられた第１の面１ｆと、導電層４のうち第１の磁性層２の縁を跨ぐ部分との間に設けられ、かつガラスを含有する。【選択図】図２
2011014734.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面（１ｆ）を有する第１の部分（１ａ）と、前記第１の面に向き合う第２の面（２ｆ）を有する第２の部分（１ｂ）とを含むセラミック基材（１）と、
前記第１および第２の面に挟まれた積層構造体（Ｍ１）とを備え、
前記積層構造体は、
前記第１の面の一部の上に設けられた第１の磁性層（２）と、
前記第１の磁性層が設けられた前記第１の面の上において、前記第１の磁性層の縁を跨ぎ、かつ前記第１の磁性層の上を横断する導電層（４）と、
前記第１の磁性層との間で前記導電層を挟む第２の磁性層（５）と、
前記第１の磁性層が設けられた前記第１の面と、前記導電層のうち前記第１の磁性層の縁を跨ぐ部分との間に設けられ、かつガラスを含有する電気絶縁層（３）とを含む、多層セラミック基板（Ｓ１）。
【請求項２】
前記導電層はＡｇを含有し、かつ前記ガラスはＢｉを実質的に含有しない、請求項１に記載の多層セラミック基板。
【請求項３】
前記電気絶縁層は平面視において前記第２の磁性層から離れている、請求項１または２に記載の多層セラミック基板（Ｓ２）。
【請求項４】
主面（１ｋ）を有するセラミックグリーンシート（１ｇ）を形成する工程と、
前記主面の一部の上に第１の磁性ペースト層（２ｐ）を形成する工程と、
前記第１の磁性ペースト層が設けられた前記主面の上において前記第１の磁性ペースト層の縁を跨ぎ、かつガラスを含有する電気絶縁ペースト層（３ｐ）を形成する工程と、
前記第１の磁性ペースト層および前記電気絶縁ペースト層が設けられた前記主面の上において、前記第１の磁性ペースト層の上を横断し、かつ前記第１の磁性ペースト層の縁を前記電気絶縁ペースト層を介して跨ぐ導電ペースト層（４ｐ）を形成する工程と、
前記第１の磁性ペースト層との間で前記導電ペースト層を挟む第２の磁性ペースト層（５ｐ）を形成する工程と、
前記第２の磁性ペースト層の形成の後に、前記セラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートを、積層プレスし、さらに焼成する工程とを備えた、多層セラミック基板（Ｓ１）の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層セラミック基板およびその製造方法に関し、特に、磁性層に挟まれた導電層を有する多層セラミック基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の分野では、素子の搭載が高密度化する傾向にあり、その結果、素子間の相互干渉や、ノイズの輻射の問題が顕在化してきている。ノイズは、使用する信号の高調波であるため、ノイズを抑制するには、その高調波を抑制するのが有効である。高調波を抑制するためには、磁性材料（フェライト）を用いたフェライトビーズが多用されているが、これは高周波領域でのフェライトの良好な吸収特性を利用したものである。
【０００３】
フェライトビーズ構造は中空のフェライトに配線を通したものである。配線が印刷法により形成される場合、フェライト磁性層／導電層／フェライト磁性層の３層構造が形成される。磁性層によるノイズ吸収効果を大きくするためには、磁性層の厚さが大きくされればよい。しかし磁性層の厚さが大きくなるほど、導電層が磁性層の段差部分を跨ぐ部分で断線しやすくなる。
【０００４】
この不良に対処するため、段差部分を緩やかな傾斜面とする方法（特許文献１）や、段差部分において段差乗り越しパターンとして主要パターンに対して幅広で薄厚のパターンを設ける方法（特許文献２）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３８２６号公報（第１図）
【特許文献２】特開２００３−３３２１３１号公報（第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１の方法がグリーンシート法に適用される場合、グリーンシート上において、傾斜面を形成するための複数回の印刷乾燥が繰り返されることになる。この結果、グリーンシートに複数回の熱履歴が加わることによってグリーンシートが縮むので、印刷時の重ね合わせ精度を確保することが困難になるという問題があった。また傾斜面を形成するための印刷マスクとセラミックグリーンシートとの重ね合せが複数回必要になるために、印刷の際の位置ずれが大きくなるという問題があった。さらに傾斜面を形成するための印刷を複数回行わなければならないので、生産性が低下するという問題があった。
【０００７】
また上記特許文献２の方法では、絶縁層の段差部分における配線パターンの膜厚変化をある程度緩和することはできるものの、この段差部分での配線パターンの断線を十分には防止することができず、特に焼成工程において断線が生じやすいという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、磁性層に挟まれた導電層を有する多層セラミック基板において、磁性層の段差部分での導電層の断線を抑制することができる多層セラミック基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の多層セラミック基板は、セラミック基材と、積層構造体とを有する。セラミック基材は、第１の面を有する第１の部分と、第１の面に向き合う第２の面を有する第２の部分とを含む。積層構造体は第１および第２の面に挟まれている。積層構造体は、第１の磁性層と、導電層と、第２の磁性層と、電気絶縁層とを有する。第１の磁性層は第１の面の一部の上に設けられている。導電層は、第１の磁性層が設けられた第１の面の上において、第１の磁性層の縁を跨ぎ、かつ第１の磁性層の上を横断している。第２の磁性層は、第１の磁性層との間で導電層を挟んでいる。電気絶縁層は、第１の磁性層が設けられた第１の面と、導電層のうち第１の磁性層の縁を跨ぐ部分との間に設けられ、かつガラスを含有する。
【００１０】
本発明の多層セラミック基板の製造方法は、以下の工程を有する。
主面を有するセラミックグリーンシートが形成される。この主面の一部の上に第１の磁性ペースト層が形成される。第１の磁性ペースト層が設けられた主面の上において第１の磁性ペースト層の縁を跨ぎ、かつガラスを含有する電気絶縁ペースト層が形成される。第１の磁性ペースト層および電気絶縁ペースト層が設けられた主面の上において、第１の磁性ペースト層の上を横断し、かつ第１の磁性ペースト層の縁を電気絶縁ペースト層を介して跨ぐ導電ペースト層が形成される。第１の磁性ペースト層との間で導電ペースト層を挟む第２の磁性ペースト層が形成される。第２の磁性ペースト層の形成の後に、セラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートが、積層プレスされ、さらに焼成される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の多層セラミック基板によれば、電気絶縁層となる電気絶縁ペースト層によって第１の磁性層の段差が緩やかにされるので、この電気絶縁ペースト層の上に形成される導電ペースト層の断線が抑制される。よって導電ペースト層の形成不良に起因する導電層の断線を抑制することができる。
【００１２】
また第１の磁性ペースト層および導電ペースト層のそれぞれが焼成されることで第１の磁性層および導電層となる際の収縮率の相違に起因するストレスが、特に断線しやすい第１の磁性層の段差部分において、ガラスを含有する電気絶縁層によって緩和される。よって焼成時に生じる導電層の断線を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１における多層セラミック基板の構成を概略的に示す部分平面図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩに沿う概略的な部分断面図である。
【図３】図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿う概略的な部分断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１における多層セラミック基板の製造方法のフロー図である。
【図５】図４の積層構造体形成工程を概略的に示す部分平面図である。
【図６】図５の線ＶＩ−ＶＩに沿う概略的な部分断面図である。
【図７】比較例の多層セラミック基板の構成を概略的に示す部分断面図であり、図２の断面に対応する図である。
【図８】比較例の多層セラミック基板の構成を概略的に示す部分断面図であり、図３の断面に対応する図である。
【図９】比較例の多層セラミック基板の製造方法の一工程を概略的に示す部分平面図であり、図５の視野に対応する図である。
【図１０】図９の線Ｘ−Ｘに沿う概略的な部分断面図であり、図６の断面に対応する図である。
【図１１】本発明の実施の形態２における多層セラミック基板の構成を概略的に示す部分平面図である。
【図１２】図１１の線ＸＩＩ−ＸＩＩに沿う概略的な部分断面図である。
【図１３】図１１の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿う概略的な部分断面図である。
【図１４】図１１の線ＸＩＶ−ＸＩＶに沿う概略的な部分断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態１における多層セラミック基板の製造方法の積層構造体形成工程を概略的に示す部分平面図である。
【図１６】図１５の線ＸＶＩ−ＸＶＩに沿う概略的な部分断面図である。
【図１７】図１６の寸法Ｘが１．９ｍｍ、３．２ｍｍ、および４ｍｍのそれぞれの場合における、積層構造体の導電層の中央の長さ方向に沿う高さ分布の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１〜図３を参照して、本実施の形態の多層セラミック基板Ｓ１は、セラミック基材１と、積層構造体Ｍ１とを有する。セラミック基材１は、複数のセラミックグリーンシートが積層・プレスされた後に焼成されることで形成されており、第１の面１ｆを有する第１の部分１ａと、第１の面１ｆに向き合う第２の面２ｆを有する第２の部分１ｂとを含む。積層構造体Ｍ１は第１の面１ｆおよび第２の面２ｆに挟まれている。
【００１５】
積層構造体Ｍ１は、第１の磁性層２と、ガラス層３（電気絶縁層）と、導電層４と、第２の磁性層５とを有する。第１の磁性層２は第１の面１ｆの一部の上に設けられている。導電層４は、第１の磁性層２が設けられた第１の面１ｆの上において、第１の磁性層２の縁を跨ぎ、かつ第１の磁性層２の上を横断している。第２の磁性層５は、第１の磁性層２との間で導電層４を挟んでいる。ガラス層３は、第１の磁性層２が設けられた第１の面１ｆと、導電層４のうち第１の磁性層２の縁を跨ぐ部分との間に設けられている。
【００１６】
幅寸法（図３の横方向の寸法）について比較すると、ガラス層３の幅は、導電層４の幅より広く、第２の磁性層５の幅より狭い。たとえば、ガラス層３の幅は、導電層４の幅に対して５０〜１００μｍだけ広い。
【００１７】
また導電層４は、Ａｇ（銀）を含有し、たとえばＡｇまたはＡｇＰｄを主成分とする。
ガラス層３の材料は主成分としてガラスを含有する。このガラスの材料は、焼成工程において、ガラス層３上に形成されている導電層４の材料の拡散を促進してしまわない材料が好ましい。具体的にはＢｉ（ビスマス）を実質的に含有しないことが好ましい。Ｂｉを含有しないガラスとしては、たとえば、ケイ酸系ガラス、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸塩系ガラス、亜鉛系ガラス、バナジウム系ガラス、リン酸塩系ガラス、酸化錫−リン酸塩系ガラス、酸化銅−リン酸塩系ガラス、鉛系低融点ガラス、およびホウケイ酸鉛系ガラスがある。
【００１８】
またガラス層３の材料は、好ましくは、適用されるセラミックグリーンシート焼結体（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）や導電材料と共焼成された場合にパターン幅の違いが大きくならないもの、すなわちガラス層３の周辺部の材料と熱収縮特性がそろっているものが好ましい。
【００１９】
次に、主に図４〜図６を参照して、多層セラミック基板Ｓ１の製造方法について説明する。
【００２０】
ステップＳ１１にて、主面１ｋ（図６）を有するセラミックグリーンシート１ｇが形成される。またセラミックグリーンシート１ｇにおける必要な箇所（図示せず）に孔加工がなされる。ステップＳ１２にて、上記の孔加工がなされた場所に導体材料が充填される。すなわちＶＩＡ（ビア）充填が行われる。
【００２１】
ステップＳ２０にて、後に積層構造体Ｍ１（図２、図３）となる積層構造体Ｍ１ｇが形成される。具体的には、以下のステップＳ２１〜Ｓ２４が行われる。
【００２２】
まずステップＳ２１にて、後に第１の磁性層２（図２、図３）となる第１の磁性ペースト層２ｐの印刷が行われる。具体的には、セラミックグリーンシート１ｇの主面１ｋの一部の上に、第１の磁性ペースト層２ｐがスクリーン印刷される。第１の磁性ペースト層２ｐのパターン寸法は、印刷乾燥後で、たとえば、幅０．４〜０．６ｍｍ、長さ５〜２５ｍｍ、厚さ１３〜２０μｍである。第１の磁性ペースト層２ｐの印刷に用いられる磁性ペーストは、磁性粉末が樹脂中に分散されたペーストである。この磁性粉末は、たとえばＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末である。
【００２３】
ステップＳ２２にて、後にガラス層３（図２、図３）となるガラスペースト層３ｐ（電気絶縁ペースト層）の印刷が行われる。具体的には、第１の磁性ペースト層２ｐが設けられた主面１ｋの上において、ガラスペースト層３ｐが、第１の磁性ペースト層２ｐの縁を跨ぐように形成される。すなわちガラスペースト層３ｐが第１の磁性ペースト層２ｐの段差部分を跨ぐように形成される。ガラスペースト層３ｐの印刷に用いられるガラスペーストは、ガラス粉末が樹脂中に分散されたペーストである。このガラス粉末は、たとえば、ホウ珪酸ガラスおよび酸化ホウ素を主成分として含むガラスペーストである。ガラスペースト層３ｐのパターン寸法は、印刷乾燥後で、たとえば幅０．３〜０．５ｍｍ、長さ６〜２６ｍｍ、厚さ１０〜１８μｍである。
【００２４】
ステップＳ２３にて、後に導電層４（図２、図３）となる導電ペースト層４ｐの印刷が行われる。具体的には、第１の磁性ペースト層２ｐおよびガラスペースト層３ｐが設けられた主面１ｋの上において、第１の磁性ペースト層２ｐの上を横断し、かつ第１の磁性ペースト層２ｐの縁をガラスペースト層３ｐを介して跨ぐ、導電ペースト層４ｐが形成される。導電層４の印刷に用いられる導電ペーストは、たとえばＡｇ（銀）ペーストである。導電ペースト層４ｐのパターンは、たとえば、直線状の配線パターンであり、長さ１５〜３０ｍｍ、幅０．１〜０．３ｍｍ、厚さ１８〜２４μｍを有する。
【００２５】
ステップＳ２４にて、後に第２の磁性層５（図２、図３）となる第２の磁性ペースト層５ｐが、第１の磁性ペースト層２ｐとの間で導電ペースト層４ｐを挟むように形成される。第２の磁性ペースト層５ｐのパターン寸法は、たとえば、幅０．２〜０．４ｍｍ、長さ４．８〜２４．８ｍｍ、厚さ６〜１４μｍである。第２の磁性ペースト層５ｐの印刷に用いられる磁性ペーストとしては、第１の磁性ペースト層２ｐの印刷に用いられるものと同様のものを用いることができる。
【００２６】
上記のステップＳ２０により、第１の磁性ペースト層２ｐ／ガラスペースト層３ｐ／導電ペースト層４ｐ／第２の磁性ペースト層５ｐからなる積層構造体Ｍ１ｇが形成される。
【００２７】
一方、ステップＳ３１にて、他のセラミックグリーンシート（図示せず）が形成される。またこのセラミックグリーンシートにおける必要な箇所に孔加工がなされる。ステップＳ３２にて、上記の孔加工がなされた場所に導体材料が充填される。すなわちＶＩＡ（ビア）充填が行われる。ステップＳ４０にて、このセラミックグリーンシートに、導体、抵抗体およびガラス層などからなる素子が形成される。
【００２８】
ステップＳ５１にて、上記ステップＳ３１〜Ｓ４０で形成された他のセラミックグリーンシートと、上記ステップＳ１１〜Ｓ２４で形成されたセラミックグリーンシートとが、アライメントされた上で重ね合わされ、さらに積層・プレスされる。これにより複数のセラミックグリーンシートの積層体が得られる。ステップＳ５２にて、この積層体が所望の形状に切断される。ステップＳ５３にて、この切断された積層体が焼成される。焼成温度は、たとえば、ピーク温度として８５０〜９００℃である。
【００２９】
以上により、多層セラミック基板Ｓ１が得られる。
次に本実施の形態の検証結果について説明する。
【００３０】
まず積層構造体Ｍ１ｇ（図５、図６）を有するセラミックグリーンシートが形成された。このセラミックグリーンシートが他のセラミックグリーンシートと積層される前に、積層構造体Ｍ１ｇの導電ペースト層４ｐの両端の間での電気的な導通がテスターでチェックされた。これにより、断線などの印刷異常が生じていないことが確認された。その後にステップＳ５１〜Ｓ５３が行われることで、多層セラミック基板Ｓ１が作られた。
【００３１】
得られた多層セラミック基板Ｓ１を検査したところ、たとえ導電層４の幅が１００μｍより小さくても、導電層４のうち第１の磁性層２の段差における部分、すなわち導電層４のうち膜厚が周辺よりも薄くなる部分において導電層４の断線は発生せず、導電層４の電気的な導通が確保されていることが確認された。これは、焼成時に発生する、導電層４と第１の磁性層２との異材間収縮に伴う熱的な応力が、ガラス層３の存在により緩和された結果と考えられる。
【００３２】
次に上記検証結果と比較するための多層セラミック基板Ｓ０（図７、図８）が、図９および図１０に示す工程を経て作られた。この比較例では、本実施の形態と異なり、製造工程においてガラスペースト層３ｐが形成されず、よって多層セラミック基板Ｓ０はガラス層３を有しない。
【００３３】
次に、多層セラミック基板Ｓ０の導電層４の幅寸法をパラメータとして、各幅寸法ごとに５０〜６０本の導電層４の導通チェックを行った。この結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
2011014734.tif 000003
【００３５】
表１に示すように、導電層４のパターン幅が小さいほど、第１の磁性層２の段差部分において導電層４が断線し易いことが確認された。
【００３６】
また本実施の形態においては、導電ペースト層４ｐが印刷される下地が第１の磁性層２ではなくガラス層３とされる。ガラス層３の材料は、導電層４の材料の拡散を特に促進しないものとされる。これによりガラス層３の有無による導電層４の幅寸法の相違が抑制される。この検証結果について、以下に説明する。
【００３７】
ガラスペースト層３ｐの材料と同じ材料からなる下地に、導電ペースト層４ｐの材料と同じ材料からなる、直線状の孤立パターンが印刷された。この印刷の際、スクリーン版の版開口の幅をパラメータとして、各幅寸法ごとに５０〜６０個の導電層４の孤立パターンが形成された。なおこの孤立パターンは、実際には、多層セラミック基板Ｓ１の製造におけるＴＥＧ(Test Element group)として形成され評価された。この結果を表２に示す。
【００３８】
【表２】
2011014734.tif 000004
【００３９】
表２に示すように、下地の違いによって標準偏差の３倍の値には大小差異が認められるが、平均幅では略同寸法になっており、下地の存在が焼成によるパターン幅の焼き縮みに大きな影響を与えていないことが確かめられた。
【００４０】
本実施の形態によれば、後にガラス層３となるガラスペースト層３ｐによって第１の磁性層２の段差が緩やかにされるので、このガラスペースト層３ｐの上に形成される導電ペースト層４ｐの断線が抑制される。よって導電ペースト層４ｐの形成不良に起因する導電層４の断線を抑制することができる。また第１の磁性ペースト層２ｐおよび導電ペースト層４ｐのそれぞれが焼成されることで第１の磁性層２および導電層４となる際の収縮率の相違に起因するストレスが、特に断線しやすい第１の磁性層２の段差部分において、ガラス層３によって緩和される。よって焼成時に生じる導電層４の断線を抑制することができる。このように、本実施の形態によれば、積層構造体Ｍ１からなる小型の磁性機能素子の歩留りおよび耐久性を高めることができる。よって多層構造体Ｍ１を有する多層セラミック基板Ｓ１を小型化し、またその耐久性を高めることができる。
【００４１】
またガラス層３の含有するガラスが実質的にＢｉを含有しないので、焼成工程においてＢｉが導電層４のＡｇと反応することに起因してＡｇ拡散が促進されてしまうことがない。よって導電層４の幅を、ガラス層３が形成されない場合と同様の幅とすることができる。
【００４２】
（実施の形態２）
主に図１１〜図１４を参照して、本実施の形態の多層セラミック基板Ｓ２は、上記実施の形態１における積層構造体Ｍ１の代わりに積層構造体Ｍ２を有する。積層構造体Ｍ２のガラス層３は、積層構造体Ｍ１のガラス層３と異なり、平面視（図１２の上方からの視野）において第２の磁性層５から離れている。
【００４３】
主に図１５および図１６を参照して、次に、焼成によって多層セラミック基板Ｓ２の積層構造体Ｍ２となる積層構造体Ｍ２ｇの形成方法について説明する。
【００４４】
導電ペースト層４ｐの延在方向（図１５および図１６の各々における横方向）において、第１の磁性ペースト層２ｐの長さは、第２の磁性ペースト層５ｐの長さよりも長くされる。これは、仮に第２の磁性ペースト層５ｐおよび第１の磁性ペースト層２ｐの各々の長さが略等しいと、焼成工程において導電層４にかかる熱的な応力が両磁性ペースト層の両端に集中してしまうからである。この応力集中は導電層４が焼成工程において断線する原因となり得る。この応力集中を避けるために、第１の磁性層２および第２の磁性層５の端の位置は平面視において互いに距離を持つように配置される。
【００４５】
第１の磁性ペースト層２ｐのパターン寸法は、印刷乾燥後で、たとえば、幅（図１５の縦方向の寸法）０．６〜０．７ｍｍ、長さ（図１５および図１６の横方向の寸法）略１０ｍｍ、厚さ（図１６の縦方向の寸法）１３〜２０μｍである。ガラスペースト層３ｐのパターン寸法は、印刷乾燥後で、たとえば、幅略２ｍｍ、長さ略５ｍｍ、厚さ１０〜１８μｍである。導電ペースト層４ｐとしてのＡｇパターンは、たとえば、直線状配線であり、長さ略1５ｍｍ、幅０．１〜０．３ｍｍ、厚さ１８〜２４μｍを有する。第２の磁性ペースト層５ｐのパターン寸法は、たとえば、幅０．４〜０．５ｍｍ、長さ５〜９ｍｍ、厚さ６〜１４μｍである。
【００４６】
なお上記寸法で形成された積層構造体Ｍ２ｇの導電ペースト層４ｐの両端の間での電気的な導通がテスターでチェックされた結果、電気的な導通が確認され、印刷時の異常は認められなかった。
【００４７】
次に、第１の磁性ペースト層２ｐとガラスペースト層３ｐとの重なる寸法Ｘ（図１６）と、焼成後の異材間の熱的な応力緩和の状態との関係を調べる実験の結果について説明する。具体的には、寸法Ｘが変化されつつ、印刷・焼成後の導電層４の両端間の導通チェックと、焼成後の積層構造体Ｍ２の反り（変形）の測定とが行われた。なお積層構造体Ｍ２の反り（変形）は、導電層４の断線の一因となるため、できる限り小さいことが好ましい。
【００４８】
寸法ｌｘ（図１６）は、導電ペースト層４ｐの延在方向における第２の磁性ペースト層５ｐの長さであり、略５ｍｍとされた。寸法Ｌｘは、導電ペースト層４ｐの延在方向における第１の磁性ペースト層２ｐの長さであり、略１０ｍｍとされた。導電ペースト層４ｐの幅は９０μｍとされた。そして第１の磁性ペースト層２ｐとガラスペースト層３ｐとの重なる寸法Ｘ、すなわち第１の磁性ペースト層２ｐの段差部分に跨るガラスペースト層３ｐの長さを０．８〜４ｍｍの範囲で変化させた。
【００４９】
上記の寸法条件の下で導電層４の導通状態を調べた結果、第２の磁性層５とガラス層３とが平面視においてオーバーラップする場合（たとえば寸法Ｘ＝３．２ｍｍおよび４ｍｍの各々の場合）、導電層４に導通不良が生じた。一方、平面視において第２の磁性層５とガラス層３とが離れている場合（寸法Ｘが０．８〜２．６mmの場合）、導電層４に導通不良は生じなかった。
【００５０】
また上記の寸法条件の下で、導電層４の高さ変化を、レーザ変位計による導電層４の延在方向の走査によって調べた。この結果を図１７に示す。なお、図１７のグラフの横軸における測定位置６．５〜７ｍｍ付近が、積層構造体Ｍ２（図１２〜図１４）の中央に相当する。
【００５１】
図１７のグラフから、寸法Ｘが３．２ｍｍおよび４ｍｍの場合、第２の磁性層５の端部で導電層４の変形が発生していることが分かる。この変形が導電層４の断線の原因となったと考えられる。寸法Ｘが４ｍｍの場合、寸法Ｘが１．９ｍｍの場合に比して、第２の磁性層５とガラス層３とがオーバーラップする領域で導電層４の変形が４０μｍ超大きく、導電層４の大きな変形が発生していることが分かる。導電層４の厚さは焼成後で略９〜１０μｍであるので、この程度の変形は導電層４を破断し得るものである。
【００５２】
導電層４の幅が１３０〜１８０μｍである場合には、寸法Ｘ、すなわちガラス層３の配置に依らず、導電層４の導通は確保された。よって導電層４の幅の大小によっても導電層４の変形による導電層４の断線し易さは変わることになる。しかし導電層４の幅の大小に依らず導電層４の導通を確保することが好ましいことから、ガラス層３は、第２の磁性層５とオーバーラップしない範囲で第１の磁性層２を跨ぐように配置されることが好ましい。
【００５３】
なお、ガラス層３が無い構造についても検討した結果、導電層４の幅が１３０μｍ未満では導電層４の導通が得られなかった。よって本実施の形態においても、ガラス層３が焼成時の熱的な応力を緩衝する効果を奏していることが確かめられた。
【００５４】
今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、磁性層に挟まれた導電層を有する多層セラミック基板およびその製造方法に特に有利に適用され得る。
【符号の説明】
【００５６】
１  セラミック基材、１ａ  第１の部分、１ｂ  第２の部分、１ｆ  第１の面、１ｇ  セラミックグリーンシート、１ｋ  主面、２  磁性層、２ｆ  第２の面、２ｐ  磁性ペースト層、３  ガラス層（電気絶縁層）、３ｐ  ガラスペースト層（電気絶縁ペースト層）、４  導電層、４ｐ  導電ペースト層、５  磁性層、５ｐ  磁性ペースト層、Ｍ１，Ｍ１ｇ，Ｍ２，Ｍ２ｇ  積層構造体、Ｓ１，Ｓ２  多層セラミック基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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