(57)【要約】【課題】樹脂封止の工程にて用いられる封止用シートの移動が防止された半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、樹脂封止に用いられる下金型の内壁を粗面とすることにより、樹脂封止に用いられる接着シートの移動を防止している。具体的には、キャビティ５６に面する下金型５４の上面を、微細な凹凸が多数個設けられた梨地面としている。この様にすることで、下金型５４と接着シート４８との間に、吸引部６５から吸引される空気が通過する間隙が良好に形成される。この結果、接着シート４８が全面的に下金型５４に固定され、接着シート４８が貼着されたリードフレーム１０の移動や変形が防止される。【選択図】図１
2011014606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が固着されるアイランドと、前記アイランドに一端が接近すると共に前記半導体素子と電気的に接続されたリードとを備え、下面にシートが貼着されたリードフレームを用意する工程と、
上金型と下金型とから成るモールド金型を用意し、前記下金型の表面に前記シートを介して前記リードフレームを載置し、前記上金型と前記下金型とを当接させることにより構成されるキャビティの内部に、前記半導体素子、前記アイランドおよび前記リードを収納する工程と、
前記モールド金型の前記下金型に設けた吸引手段により前記シートを吸引しつつ、前記キャビティに封止樹脂を注入することにより、前記半導体素子、前記アイランドおよび前記リードを前記封止樹脂により封止する工程と、を備え、
前記シートに当接する前記下金型の表面を、微少な凹凸部が設けられた梨地面とすることにより、前記吸引手段により吸引される気体が通過する経路を、前記シートと前記下金型との間に確保することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記リードフレームには、１つの半導体装置を構成する前記アイランドおよびリードから成るユニットをマトリックス状に配置したブロックが設けられ、
前記収納する工程では、前記リードの前記ブロックを１つのキャビティに収納し、
前記封止する工程では、前記ブロックを単一の前記封止樹脂により封止し、
前記封止する工程が終了した後に、前記ブロックを構成する前記封止樹脂を前記ユニット毎に切断することにより個別の半導体装置を得ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記梨地面を構成する微少な凸部は、頂部が切除されて平坦化された形状を呈することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記下金型には、複数の前記吸引手段が分散して配置されることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記下金型の前記シートに当接する部分は保護膜より被覆されることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、Ｍｏｌｄ  Ａｒｒａｙ  Ｐａｃｋａｇｅ（ＭＡＰ）により半導体素子が樹脂封止される半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、年々大容量化されており、これに伴って各種信号線となるリード端子数も増加の傾向にある。そして、この傾向に伴ってリード端子が４方向より導出されるＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置およびＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が使用されるようになってきている。また、半導体装置では、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。
【０００３】
従来の樹脂封止金型内で封止シートを介して樹脂モールドを行う半導体装置の製造方法では、半導体素子が固着されたリードフレームの対向面全体に封止シートを貼り付け、封止シートの貼り付けられたリードフレームを樹脂封止金型内に設置し、樹脂モールドを行う技術が知られている（例えば、特許文献１。）。
【０００４】
以下に、図９を参照として、従来の樹脂封止金型内で封止シートを介して樹脂モールドを行う半導体装置の製造方法に関し簡単に説明する。図９（Ａ）は封止シートを貼り付けたリードフレームを説明するための断面図であり、図９（Ｂ）はリードフレームを樹脂封止金型に設置した状況を説明するための断面図であり、図９（Ｃ）は樹脂パッケージ形成後の状況を説明するための断面図である。
【０００５】
図９（Ａ）に示すように、先ず、リードフレーム１０１に少なくとも信号接続用端子１０２、半導体チップ１０４を搭載するダイパッド１０３から成る搭載部１１１を複数形成する。このとき、ダイパッド１０３が信号接続用端子１０２よりも上方に位置するように形成する。そして、リードフレーム１０１の裏面に封止シート１０６を貼り合わせた後、封止シート１０６を貼り合わせた面の対向面のダイパッド１０３に半導体チップ１０４を接合する。その後、ダイパッド１０３上に接合された半導体チップ１０４と信号接続用端子１０２とを金属細線１０５により電気的に接合する。
【０００６】
図９（Ｂ）に示すように、次に、リードフレーム１０１を上金型１０７及び下金型１０８から成る樹脂封止金型のキャビティ１０９内に設置する。このとき、リードフレーム１０１及び封止シート１０６の端部を上金型１０７及び下金型１０８で狭持することで、キャビティ１０９を構成する。そして、樹脂封止金型に設けられた樹脂注入ゲートから封止樹脂を注入し、樹脂モールドを行う。
【０００７】
更に本工程では、下金型１０８に吸気口１５０を設けており、この吸気口１５０に吸引圧を加えることにより、封止シート１０６を下金型１０８の上面（内壁）に密着させている。
【０００８】
図９（Ｃ）に示すように、次に、樹脂封止金型内を封止樹脂で充填し、樹脂パッケージ１０を形成した後、共通の樹脂パッケージ１１０が形成されたリードフレーム１０１を樹脂封止金型から離型する。その後、共通の樹脂パッケージ１１０を個々の搭載部１１１毎に切断し、半導体装置が完成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−２４００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記した半導体装置の製造方法では、安定して樹脂封止を行うことが困難な問題があった。
【００１１】
具体的には、図９（Ｂ）を参照して、下金型１０８に設けた吸気口１５０から吸気を行うことにより、樹脂から成る封止シート１０６の下面を、下金型１０８の上面に密着させている。この密着が確保されれば、液状の樹脂材料をキャビティ１０９に高圧で封入しても、この封入圧により樹脂シート１０６およびリードフレーム１０１が移動することが防止される。
【００１２】
しかしながら、封止シート１０６やリードフレーム１０１が封止の工程にて変形してしまう問題が発生していた。具体的には次の通りである。先ず、封止シート１０６と下金型１０８との間隙に存在する空気が、吸気口１５０に吸引されることにより、封止シート１０６の下面は下金型１０８に密着された状態となる。即ち、封止シート１０６を金型１０８に密着させるためには、両者の間に適度な間隙が存在する必要がある。しかしながら、下金型１０８の上面は凹凸が非常に少ない平滑面であるので、下金型１０８の上面に封止シート１０６を載置すると、封止シート１０６は下金型１０８の上面にぴたりと貼着してしまう。換言すると、封止シート１０６と下金型１０８との間には、吸引口１５０から吸引される気体が通過する間隙が無い状態となってしまう。
【００１３】
この様になると、吸気口１５０を経由して吸引圧を付与しても、吸引される空気は両者の間を流通せず、下金型１０８に貼着している大部分の封止シート１０６には吸引力は付与されない。従って、吸引力が封止シート１０６に付与されるのは、吸引口１５０の周辺部のみ（図９（Ｂ）にて領域Ａで示す部分）のみである。
【００１４】
この様になると、大部分の封止シート１０６は下金型１０８の上面に固定されていない状態となるので、キャビティ１０９に注入される封止樹脂の圧力により、リードフレーム１０１や封止シート１０６が移動する恐れがある。特に、上記したＭＡＰによる方法では、１つのキャビティ１０９に多数個の半導体チップ１０４を収納して樹脂封止を行うので、一度の樹脂封止が失敗することで不良が大量に発生する危険性がある。
【００１５】
更にまた、封止シート１０６が下金型１０８の上面に張り付いてしまい、樹脂封止の工程が修了した後に、封止シート１０６を下金型１０８から離すのが容易でない問題もあった。
【００１６】
本発明は、上記した問題を鑑みて成され、本発明の目的は、樹脂封止の工程にて用いられる封止用シートの移動が防止された半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子が固着されるアイランドと、前記アイランドに一端が接近すると共に前記半導体素子と電気的に接続されたリードとを備え、下面にシートが貼着されたリードフレームを用意する工程と、上金型と下金型とから成るモールド金型を用意し、前記下金型の表面に前記シートを介して前記リードフレームを載置し、前記上金型と前記下金型とを当接させることにより構成されるキャビティの内部に、前記半導体素子、前記アイランドおよび前記リードを収納する工程と、前記モールド金型の前記下金型に設けた吸引手段により前記シートを吸引しつつ、前記キャビティに封止樹脂を注入することにより、前記半導体素子、前記アイランドおよび前記リードを前記封止樹脂により封止する工程と、を備え、前記シートに当接する前記下金型の表面を、微少な凹凸部が設けられた梨地面とすることにより、前記吸引手段により吸引される気体が通過する経路を、前記シートと前記下金型との間に確保することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、リードフレームに貼着されたシートが密着する金型の内壁を、微少な凹凸が形成された梨地面としている。このことにより、金型内壁にシートが密着せずに、両者の間に微細な間隙が形成され、吸引手段により吸引される空気がこの間隙を良好に通過する。従って、吸引手段の吸引力がシート全体に付与されるので、シートを全体的に金型内壁に密着させることができる。結果として、モールド金型のキャビティに封止樹脂が高圧で注入されても、この注入により生じる圧力でシートやリードフレームが変形することが防止される。更にまた、梨地面である金型内壁には封止用のシートが張り付かないので、封止工程が修了した後に、シートを容易に金型から取り出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は拡大された平面図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は拡大された平面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法で用いられるモールド金型を示す図であり、（Ａ）−（Ｃ）は断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は斜視図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図９】背景技術の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、図１から図７を参照して、本発明の半導体装置の製造方法を説明する。
【００２１】
図１を参照して、先ず、本発明の製造方法で用いられるリードフレーム１０を用意する。図１（Ａ）はリードフレーム１０を示す平面図であり、図１（Ｂ）はリードフレーム１０を部分的に拡大して示す平面図であり、図１（Ｃ）は断面図である。
【００２２】
図１（Ａ）を参照して、リードフレーム１０は、例えば厚みが０．２ｍｍ程度の銅等の金属から成る導電箔に対して、エッチング加工またはパンチング加工を施して所定の形状に成形されている。また、リードフレーム１０は短冊型の形状を呈し、平面的なサイズは例えば縦×横＝６０ｍｍ×１４０ｍｍ程度である。更に、リードフレーム１０の表面は、例えばニッケル、パラジューム、金をこの順番で順次積層させたメッキ膜により被覆されている。
【００２３】
リードフレーム１０には、多数個のユニットから構成されるブロック１２が複数個離間して配置されている。ここでは、リードフレーム１０の長手方向に沿って２個のブロック１２が配置されているが、配置されるブロック１２の個数は３個以上の多数個でも良い。
【００２４】
ブロック１２は、ブロック１２が形成されない残余部から成る枠状の外枠１４により囲まれている。そして、ブロック１２同士の間にも、リードフレーム１０の残余部から成る連結帯１６が配置されており、この連結帯１６によりブロック１２同士が横方向に連結されている。
【００２５】
ブロック１２の内部には、マトリックス状に配置された複数のユニット２６が形成されている。ここで、ユニット２６とは、１つの回路装置を構成する単位要素である。この図を参照すると、１つのブロック１２に、５行×５列で合計２５個のユニット２６が設けられているが、更に多数個のユニット２６をブロック１２に設けることも可能である。
【００２６】
図１（Ｂ）を参照して、上記したブロック１２に含まれるユニット２６の構成を説明する。ユニット２６は、１つのアイランド２８と、このアイランド２８の四方を囲むように配置された複数個のリード３０から構成されている。
【００２７】
各ユニット２６同士の間には、格子状にタイバー３２が形成されている。そして、各ユニット２６のリード３０は、タイバー３２から連続してユニット２６の内側に延出している。更に、アイランド２８の４隅は、吊りリードを経由してタイバー３２に連結されている。
【００２８】
各ユニット２６同士の間には、分割線１８、２０が規定されており、後の分割工程に於いては、分割線１８、２０に沿ってダイシングを行うことにより、個々のユニット２６を半導体装置として分離する。ここで、分割線１８は横方向に規定された分割線であり、分割線２０は縦方向に規定された分割線である。各タイバー３２の位置は、分割線１８、２０に正確に対応している。従って、製造工程に於いて、分割線１８、２０にてダイシングを行うと、タイバー３２は除去される。
【００２９】
更に、上記した除去を確実に行うためにタイバー３２は細く形成されており、その幅Ｗ１は例えば０．２ｍｍ程度である。また、タイバー３２の幅Ｗ１は、製造工程にて使用されるダイシングブレードの幅よりも狭く形成される。このことにより、ダイシングブレードによるダイシングで、タイバー３２を除去して各リード３０を電気的に分離することができる。
【００３０】
図１（Ｃ）を参照して、上記した構成のリードフレーム１０の下面全域には、接着シート４８が貼着されている。この接着シート４８は、厚みが５０μｍ程度のｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ（ＰＥＴ）等の樹脂材料から成る基材の上面に、アクリル樹脂やシリコン樹脂から構成される粘着層が塗布されたものである。この接着シート４８が、リードフレーム１０のアイランド２８やリード３０の下面に貼着されることで、後の樹脂封止の工程にて、アイランド２８やリード３０の下面が封止樹脂により被覆されることが防止される。
【００３１】
図２を参照して、次に、リードフレーム１０の各ユニット２６に半導体素子を電気的に接続する。図２（Ａ）は本工程を示す平面図であり、図２（Ｂ）は断面図である。
【００３２】
図２の各図を参照して、アイランド２８の上面に半導体素子４４が固着される。具体的には、アイランド２８の上面に、エポキシ樹脂等の絶縁性固着材または半田や導電性ペースト等の導電性固着材を塗布し、この固着材の上部に半導体素子４４を載置した後に、固着材を硬化させる。ここで、半導体素子４４としては、上面の周辺部に多数個のパッドが設けられたＬＳＩが採用される。
【００３３】
次に、半導体素子４４の上面の周辺部に設けられたパッドとリード３０とを、金属細線４６を経由して接続する。ここで使用される金属細線４６としては、直径が４０μｍ程度の金または銅から成る細線が採用される。金属細線４６の一端は半導体素子４４のパッドにボールボンディングされ、他端はリード３０の上面にステッチボンディングされる。
【００３４】
図３から図６を参照して、次に、上記した各ユニット２６をブロック毎に樹脂封止する。図３（Ａ）は本工程を示す断面図であり、図３（Ｂ）は本工程を示す平面図である。図４（Ａ）は本工程を拡大して示す断面図であり、図４（Ｂ）は本工程で用いられる下金型５４を拡大して示す断面図であり、図５の各図は下金型５４の他の形状を示す拡大図である。更に、図６は本工程を経たリードフレーム１０を示す平面図である。
【００３５】
先ず、本工程にて使用するモールド用の金型５０の構成を説明する。
【００３６】
図３（Ａ）を参照して、本工程では、上金型５２および下金型５４から構成されるモールド用の金型５０を使用して樹脂封止を行っている。上金型５２と下金型５４とを当接させることで、封止樹脂が注入される空間であるキャビティ５６が構成される。また、キャビティ５６は、ゲート６０およびエアベント５８を介して外部と連通している。ゲート６０は液状または半固形状の封止樹脂が注入される部位であり、エアベント５８はキャビティ５６の内部の空気が外部に放出される際に通過する経路である。
【００３７】
更にまた、下金型５４には、接着シート４８を吸引するための吸引部６２が設けられている。この吸引部６２は下金型５４の上面まで連通して設けられた孔部であり、吸引ポンプと接続されている。また、ここでは、１つのキャビティ５６に対して、複数個の吸引部６２が等間隔に設けられている。
【００３８】
図３（Ｂ）を参照して、上記した金型５０には複数個のキャビティ５６がブロック１２毎に設けられている。具体的には、金型５０を上方から見ると、左右両側にリードフレーム１０が載置される領域が設けられており、各リードフレーム１０のブロック１２に対応してキャビティ５６が配置されている。ここでは、２つのブロック１２を有するリードフレーム１０が２つ配置されるので、金型５０には４つのキャビティが設けられている。
【００３９】
また、金型５０の中央部付近に、固形状の封止樹脂が収納される筒状のポッド６４が設けられており、このポッド６４と各キャビティ５６とは、ランナー６６を経由して連通している。
【００４０】
上記した構成の金型５０を使用した樹脂封止の方法は以下の通りである。
【００４１】
先ず、半導体素子４４や金属細線４６が上部に備えられたリードフレーム１０を、金型５０にセットする。上記したように、リードフレーム１０の下面には接着シート４８が貼着されている。従って、リードフレーム１０を下金型５４の上面に配置すると、リードフレーム１０に貼着された接着シート４８の下面が、下金型５４の上面（キャビティ５６に面する内壁）に接触することとなる。尚、本工程では、図３（Ｂ）に示すように、１つの金型５０に対して、２つのリードフレーム１０が配置されて一括して樹脂封止が行われる。
【００４２】
次に、上金型５２と下金型５４とを当接させる。上記したように、金型５０のキャビティ５６はブロック１２に対応して設けられているので、１つのブロック１２に含まれる全てのユニットは、１つのキャビティ５６に収納される。
【００４３】
更に、下金型５４に設けた吸引部６２から空気を吸引することにより接着シート４８に吸引力を与える。このことにより、接着シート４８と共にリードフレーム１０の位置も固定される。吸引部６２を介した吸引は、本工程が終了するまで連続して行われる。
【００４４】
本形態では、吸引部６２から吸引することによる接着シート４８の固定を良好にするために、下金型５４の内壁を粗化して梨地面としている。この事項は図４等を参照して後述する。更に、下金型５４に設けた複数の吸引部６２を介して接着シート４８を吸引することで、接着シート４８全体に対して適切な強さの吸引力を均一に与えている。
【００４５】
次に、図３（Ｂ）に示すポット６４にタブレット状の封止樹脂を収納させた後に加熱溶融して液状とし、ポット６４からランナー６６およびゲート６０を経由して、キャビティ５６に封止樹脂を供給する。このことにより、キャビティ５６に封止樹脂が充填され、ブロック１２を構成する各ユニットの半導体素子４４、金属細線４６、アイランドおよびリード（不図示）が封止樹脂により被覆される。この後に、各キャビティ５６に注入された封止樹脂を加熱硬化させ、上金型５２と下金型５４とを離して、樹脂封止が施されたリードフレーム１０を金型５０から取り出す。また、樹脂封止が終了した後に吸引部６２に対して付与されている吸引力が解除される。
【００４６】
図４を参照して、接着シート４８を吸引しつつ樹脂封止する本工程の詳細を説明する。図４（Ａ）は本工程で用いられる金型を拡大して示す断面図であり、図４（Ｂ）は下金型５４の上面付近を更に拡大して示す断面図である。
【００４７】
図４（Ａ）を参照して、上記したように、樹脂封止を行う本工程では下金型５４に設けた吸引部６２から空気を吸引することにより、リードフレーム１０の下面に貼着された接着シート４８を下金型５４の上面に密着させて固定している。ここで、接着シート４８が接触する下金型５４の上面が平滑面であると、接着シート４８が下金型５４に張り付いてしまう。このことにより、吸引部６２から付与される吸引力が接着シート４８全体に付与されず、更に接着シート４８が下金型５４の上面に張り付いて剥がれ難くなる問題が発生していた。
【００４８】
そこで、本形態では、接着シート４８に接触する下金型５４の上面を、微少な凹凸部が形成された梨地面としている。この様にすることで、接着シート４８の下面と下金型５４との間に適度な間隙が形成される。そして、この状態で吸引部６２から空気を吸引すると、接着シート４８と下金型５４の上面との間に形成された微細な間隙を通路として、吸引部６２に空気が良好に吸引されるようになる。結果的に、吸引部６２から空気を吸引することで発生する吸引力が接着シート４８全体に対して付与され、接着シート４８およびリードフレーム１０が強固に固定される。このことにより、封止樹脂の注入圧が作用しても、キャビティ５６内部におけるリードフレーム１０の変形や移動が防止される。
【００４９】
更には、下金型５４の上面が梨地面とされることにより、接着シート４８が下金型５４の上面に張り付くことが防止される。従って、樹脂封止の工程が終了した後に、接着シート４８を下金型５４から容易に離脱できる。
【００５０】
図４（Ｂ）を参照して、下金型５４の上面には、梨地面を構成する微細な凹凸が形成されている。この凹凸の１０点平均表面粗さＲｚの範囲は、例えば６μｍ以上７μｍ以下（代表的には６．７μｍ）が好ましい。ここで、１０点平均表面粗さＲｚとは、粗さ曲線から、その平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線から、最も高い山頂から５番目までの山頂の標高の絶対値の平均値と、最も低い谷底から５番目までの谷底の標高の絶対値の平均値との和である。
【００５１】
ここで、１０点平均表面粗さＲｚが上記した下限値よりも小さいと、下金型５４の上面の粗さが不十分であり、接着シート４８の下面が下金型５４の上面に張り付いてしまい、上記した問題が発生する。一方、Ｒｚが上記した上限値よりも大きくなってしまうと、下金型５４の上面の凹凸に追従して接着シート４８が変形してしまい、変形した接着シート４８とリード３０とが剥離してしまう恐れがある。この様になると、リード３０の下面に封止樹脂が回り込むことにより、リード３０の下面が封止樹脂により覆われてしまう所謂フラッシュバリが発生する恐れがある。以上の問題を回避するためにも、１０点平均表面粗さＲｚは、上記した範囲が好適である。
【００５２】
図５を参照して、上記した樹脂封止の工程にて用いられる下金型の他の形状を説明する。図５（Ａ）、図５（Ｂ）および図５（Ｃ）は、各形態の下金型５４の形状を示す断面図である。
【００５３】
図５（Ａ）を参照して、この図に示す下金型５４の上面の状態は、図４（Ｂ）を参照して説明したものと基本的には同様であり、相違点は、下金型５４の上面が保護膜６４により被覆されている点にある。換言すると、下金型５４の上面にて梨地を構成している各凹凸部が保護膜６４により被覆されている。この保護膜は、金型を構成する金属よりも樹脂との密着力が低い物質から成る。
【００５４】
下金型５４の上面を保護膜６４により被覆することにより、下金型５４の上面に樹脂滓等の異物が付着することが抑制される。即ち、図４（Ｂ）を参照して、下金型５４の上面に樹脂滓が付着したまま樹脂封止を行うと、下金型５４と接着シート４８との間に樹脂滓が挟まれることとなる。このようになると、樹脂滓により接着シート４８が突き上げられてしまい、この結果、リード３０が接着シート４８から離れてしまうことがある。このことは、上記したフラッシュバリを招く。
【００５５】
ここでは、樹脂との接着力が弱い保護膜６４で下金型５４の上面を被覆している。従って、下金型５４の上面に樹脂滓が付着したとしても、樹脂滓は下金型５４を構成する金属材料ではなく、下金型５４の上面を被覆する保護膜６４に接触している。上記したように、保護膜６４と樹脂滓とが密着する強さは、下金型５４の金属材料と樹脂滓６４とが密着する強さよりも弱い。従って、樹脂滓が下金型５４の上面に付着しても、本工程に先行して真鍮ベラ等を用いて容易に樹脂滓を下金型５４から除去することが可能となる。このことから、保護膜６４により下金型５４の上面を被覆することで、樹脂滓の残存が抑制され、結果的に下金型５４の上面に密着される接着シート４８（図４（Ｂ）参照）が平坦に保たれる。この結果、樹脂封止時に於いてリード３０が接着シート４８から剥がれることによるフラッシュバリの発生が抑制される。
【００５６】
図５（Ｂ）を参照して、上記した樹脂滓の残存を抑制するための他の対策を説明する。ここでは、下金型５４の凹部（即ち谷形状の部位）は保護膜６４により被覆されており、凸部に相当する部分は平坦に形成されて金属材料が露出している。この形状は、下金型５４の上面に凹凸を形成することにより梨地面とした後に、この上面部分を保護膜６４により被覆し、更に上面から研磨処理を行うことで実現される。ここでは、Ｒｚは例えば５．０μｍ以上５．５μｍ以下（代表的には５．２μｍ）であり、Ｒｍａｘは例えば６．７μｍである。
【００５７】
この様にすることで、先ず、下金型５４の上面全体が適度に平坦化されるので、平坦化された下金型５４上面に樹脂滓が付着しにくくなる。また、樹脂滓が付着したとしても、上記した除去方法により樹脂滓を容易に除去することができる。また、この様に平坦化されても、下金型５４の上面は凹凸が残っており梨地の状態を保っている。従って、図４（Ａ）に示すように、下金型５４の上面に接着シート４８を配置しても、両者の間には適度な間隙が確保される。従って、吸引部６２により吸引される空気が通過する間隙は、両者の間に確保されると共に、接着シート４８が下金型５４上面に張り付いて離型が困難になることもない。
【００５８】
更にまた、下金型５４の上面で梨地を構成している凸状部分の上端が平坦面とされることにより、図４（Ｂ）に示す接着シート４８が平坦な状態で保持される。このことにより、樹脂封止の工程に於けるリード３０の接着シート４８からの剥がれが抑制される。
【００５９】
図５（Ｃ）に示す下金型５４の構成は、図５（Ｃ）に示した構成から保護膜６４を除去したものと成っている。この様な構成によっても、上記と同様の効果を奏することができる。
【００６０】
図６を参照して、上記工程により、リードフレーム１０に含まれるブロック１２は、個別に封止樹脂３６により樹脂封止される。
【００６１】
次に、図７に示すように、封止樹脂３６により樹脂封止されたブロック１２を各ユニット２６に分離して半導体装置を得る。ここでは、ブロック１２をリードフレームから分離した後にダイシングによる分割を行っているが、リードフレーム１０により連結された状態のまま本工程の分離を行っても良い。
【００６２】
具体的には、各ユニット２６同士の間に格子状に配置された分割線１８、２０に沿って、高速で回転するダイシングブレード４０を移動させることにより、本工程の分離を行う。本工程では、ブロック１２に含まれる封止樹脂３６と、ユニット２６同士の間に配置されたタイバー３２（図１（Ｂ）参照）が、ダイシングブレード４０により切断して除去される。
【００６３】
本工程が終了した後は、各ユニットに内蔵される素子の特性等を測定するテスト工程等を経て、半導体装置が完成する。
【００６４】
図８を参照して、次に、上記工程により製造される半導体装置７０の構成を説明する。図８（Ａ）は実装される状態の半導体装置７０を上方から見た斜視図であり、図８（Ｂ）はその状態の半導体装置７０を下方から見た斜視図である。更に、図８（Ｃ）は半導体装置７０の一部を拡大して示す断面図である。
【００６５】
図８（Ａ）を参照して、半導体装置７０の外形形状は薄型の６面体であり、具体的な大きさの一例としては、縦×横×厚み＝５ｍｍ×５ｍｍ×０．４ｍｍ程度である。半導体装置７０の外面の大部分は封止樹脂３６から構成される。そして、封止樹脂３６の側面にはリード３０の端部が露出しており、封止樹脂３６の側面とリード３０の露出面とは同一平面上に位置する。
【００６６】
図８（Ｂ）を参照すると、半導体装置７０の上面（実装される面）の中央部には、アイランド２８が露出しており、このアイランド２８の四方を囲む位置に複数のリード３０が露出している。製造方法の説明にて上記したように、アイランド２８は半導体素子が実装される部位であり、リード３０は金属細線を介して半導体素子の電極と電気的に接続される。
【００６７】
図８（Ｃ）を参照して、半導体装置７０の下方に露出する封止樹脂３６の下面３６Ａは、平坦面ではなく、微細な凹凸が形成された梨地面の如き粗面を呈している。下面３６Ａが粗面を呈する理由は、図４に示したように、内壁が粗面とされた下金型５４を用いてトランスファーモールドを行うことで、封止樹脂３６を形成するからである。図４（Ｂ）に示すように、本形態では接着シート４８により下金型５４の内壁を被覆するので封止樹脂は直に下金型５４の上面には接触しない。しかしながら、接着シート４８は下金型５４の凹凸形状に追従して変形し、この変形した接着シート４８の上面に封止樹脂が接触する。従って、製造される半導体装置７０の封止樹脂３６の下面３６Ａも凹凸形状を呈する。
【符号の説明】
【００６８】
１０      リードフレーム
１２      ブロック
１４      外枠
１６      連結帯
１８      分割線
２０      分割線
２６      ユニット
２８      アイランド
３０      リード
３２      タイバー
３６      封止樹脂
３６Ａ      下面
４０      ダイシングブレード
４８      接着シート
５０      金型
５２      上金型
５４      下金型
６２      吸引部
７０      半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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