(57)【要約】【課題】パターン要素が周期的に配列されたパターン領域と、このような周期性のないパターン領域とが混在しているパターンを高い解像度で形成することができるパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様によれば、一対の主開口、並びに、前記一対の主開口の中心を結ぶ第１直線及び前記第１直線に対して直交する第２直線に関して対称の位置であって前記第１直線上にない４つの補助開口が設けられた照明からマスクに向けて光を照射し、前記マスクにより回折した０次回折光及び１次回折光を集光してレジスト膜を露光する工程と、前記露光したレジスト膜を現像することにより、パターン要素が周期的に配列された第１のパターン領域及び前記周期性を持たない第２のパターン領域が形成されたレジストパターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法が提供される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の主開口、並びに、前記一対の主開口の中心を結ぶ第１直線及び前記第１直線に対して直交する第２直線に関して対称の位置であって前記第１直線上にない少なくとも４つの補助開口が設けられた照明からマスクに向けて光を照射し、前記マスクにより回折した０次回折光及び１次回折光を集光してレジスト膜を露光する工程と、
前記露光したレジスト膜を現像することにより、パターン要素が周期的に配列された第１のパターン領域及び前記周期性を持たない第２のパターン領域が形成されたレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記主開口は、前記０次回折光が前記集光を行うレンズに入射する角度範囲の外縁を表す円の一部及び前記１次回折光が前記レンズに入射する角度範囲の外縁を表す円の一部によって囲まれたリーフ形状の領域内に設けられていることを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記パターン要素の形状はライン状であることを特徴とする請求項１または２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
基板上にレジスト膜を形成する工程と、
一対の主開口、並びに、前記一対の主開口の中心を結ぶ第１直線及び前記第１直線に対して直交する第２直線に関して対称の位置であって前記第１直線上にない少なくとも４つの補助開口が設けられた照明からマスクに向けて光を照射し、前記マスクにより回折した０次回折光及び１次回折光を集光して前記レジスト膜を露光する工程と、
前記露光したレジスト膜を現像することにより、パターン要素が周期的に配列された第１のパターン領域及び前記周期性を持たない第２のパターン領域が形成されたレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記主開口は、前記０次回折光が前記集光を行うレンズに入射する角度範囲の外縁を表す円の一部及び前記１次回折光が前記レンズに入射する角度範囲の外縁を表す円の一部によって囲まれたリーフ形状の領域内に設けられていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記パターン要素の形状はライン状であることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記パターン要素の側面上に側壁を形成する工程と、
前記パターン要素を除去する工程と、
前記側壁をマスクとしてエッチングを行う工程と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項４〜６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記エッチングは前記基板に対するエッチングであり、
前記エッチングによって前記基板に形成されたトレンチ内に素子分離絶縁膜を埋め込む工程をさらに備えたことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記エッチングは前記基板上に設けられた導電膜に対するエッチングであり、
前記エッチングによって前記導電膜は複数本の配線に分断されることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体装置はＮＡＮＤ型フラッシュメモリであり、
前記配線はワード線であることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記パターン要素を除去した領域にレジストパターンを形成する工程をさらに備え、
前記エッチングは前記側壁の他に前記レジストパターンもマスクとして行い、
前記導電膜における前記レジストパターンの直下域に残留した部分は選択ゲート電極であることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体装置はＮＡＮＤ型フラッシュメモリであり、
前記配線はビット線であることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化に伴い、微細なレジストパターンを解像することが次第に困難になってきている。特に、微細なラインパターンが周期的に配列されたパターン領域と、周期性のないパターン領域とが混在しているレジストパターンを形成しようとすると、両パターン領域の境界部分において露光の解像度が低下するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３１０７０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態の目的は、パターン要素が周期的に配列されたパターン領域と、このような周期性のないパターン領域とが混在しているパターンを高い解像度で形成することができるパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、一対の主開口、並びに、前記一対の主開口の中心を結ぶ第１直線及び前記第１直線に対して直交する第２直線に関して対称の位置であって前記第１直線上にない少なくとも４つの補助開口が設けられた照明からマスクに向けて光を照射し、前記マスクにより回折した０次回折光及び１次回折光を集光してレジスト膜を露光する工程と、前記露光したレジスト膜を現像することにより、パターン要素が周期的に配列された第１のパターン領域及び前記周期性を持たない第２のパターン領域が形成されたレジストパターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法が提供される。
【０００６】
本発明の他の一態様によれば、基板上にレジスト膜を形成する工程と、一対の主開口、並びに、前記一対の主開口の中心を結ぶ第１直線及び前記第１直線に対して直交する第２直線に関して対称の位置であって前記第１直線上にない少なくとも４つの補助開口が設けられた照明からマスクに向けて光を照射し、前記マスクにより回折した０次回折光及び１次回折光を集光して前記レジスト膜を露光する工程と、前記露光したレジスト膜を現像することにより、パターン要素が周期的に配列された第１のパターン領域及び前記周期性を持たない第２のパターン領域が形成されたレジストパターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態において形成されるレジストパターンを例示する平面図である。
【図２】第１の実施形態に係るパターン形成方法を例示する光学モデル図である。
【図３】第１の実施形態における照明形状を例示する図である。
【図４】第１の実施形態における照明形状を例示する図である。
【図５】第１の実施形態における照明形状を例示する図である。
【図６】第１の実施形態における照明形状を例示する図である。
【図７】第１の実施形態における照明形状を例示する図である。
【図８】第１の実施形態における照明形状を例示する図である。
【図９】第１の実施形態における照明形状を例示する図である。
【図１０】第１の実施形態における主開口の位置の決定方法を例示する図である。
【図１１】第１の実施形態の比較例における照明形状を例示する図である。
【図１２】横軸に露光量裕度ＥＬをとり、縦軸に焦点深度ｄｏｆをとって、第１の実施形態及び比較例の露光マージンを例示するグラフ図である。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程断面図である。
【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程断面図である。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程断面図である。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、第１の実施形態について説明する。
本実施形態は、パターン形成方法の実施形態である。
図１は、本実施形態において形成されるレジストパターンを例示する平面図であり、
図２は、本実施形態に係るパターン形成方法を例示する光学モデル図であり、
図３〜図９は、本実施形態における照明形状を例示する図である。
【０００９】
先ず、本実施形態において形成しようとするパターンについて説明する。
図１に示すように、本実施形態においては形成しようとするレジストパターン１０１は、パターン要素としてのラインパターン１０２が周期的に配列されたパターン領域１０３と、パターン領域１０３において実現されている周期性を持たないパターン領域１０４とが混在したパターンである。パターン領域１０３においては、複数本のラインパターン１０２が相互に平行に且つ周期的に配列されている。ラインパターン１０２の配列周期は、露光限界に近い微細な周期である。一方、パターン領域１０４においては、例えば１本のラインパターン１０５が形成されている。ラインパターン１０２及び１０５の形状はライン状である。また、ラインパターン１０５はラインパターン１０２に対して平行であり、その幅はラインパターン１０２の幅よりも太い。
【００１０】
次に、本実施形態において使用する露光光学系について説明する。
図２に示すように、本実施形態において使用する露光光学系１０においては、光の進行方向に沿って、照明１１、フォトマスク１２、レンズ１３及び露光対象物１４がこの順に配置されている。フォトマスク１２には、レジストパターン１０１に対応するパターンが形成されている。また、露光対象物１４においては、半導体基板１５上にレジスト膜１６が成膜されている。フォトマスク１２と露光対象物１４とは、レンズ１３に関して光学的に共役の関係にある。
【００１１】
次に、本実施形態における照明形状の具体例について説明する。
照明形状の具体例にはいくつかのパターンがあるが、以下順に説明する。
図３に示すように、照明１１ａにおいては、２重極の位置にある２つの主開口２１と、４重極の位置にある４つの補助開口２２ａとが設けられている。一対の主開口２１は、露光光学系１０の光軸Ｏに関して点対称となる位置に配置されている。一対の主開口２１の形状は相互に同一であり、例えば、半径が相互に等しい２つの円弧によって囲まれたリーフ状である。また、４つの補助開口２２ａは、一対の主開口２１の中心を結ぶ直線を直線Ｌｘとし、直線Ｌｘ及び光軸Ｏの双方に対して直交する直線を直線Ｌｙとするとき、直線Ｌｘ及び直線Ｌｙに関して対称の位置であって直線Ｌｘ上にない位置に配置されている。４つの補助開口２２ａの形状は相互に同一であり、例えば、直線Ｌｙが延びる方向を長軸方向とする長方形である。図３に示す円Ｃ０は、フォトマスク１２による０次回折光がレンズ１３に入射する角度範囲の外縁を表している。
【００１２】
図４に示すように、照明１１ｂにおいては、補助開口２２ｂの形状が円Ｃ０に沿った湾曲した矩形である。
図５に示すように、照明１１ｃにおいては、補助開口２２ｃの形状が直線Ｌｙが延びる方向を長軸方向とする楕円形である。
図６に示すように、照明１１ｄにおいても、補助開口２２ｄの形状は直線Ｌｙが延びる方向を長手方向とする楕円形であるが、補助開口２２ｄは補助開口２２ｃ（図５参照）よりも少し大きい。
図７に示すように、照明１１ｅにおいては、補助開口２２ｅの形状は円形である。
図８に示すように、照明１１ｆにおいては、補助開口２２ｆが４重極の位置に８つ設けられている。各補助開口２２ｆの形状は補助開口２２ｅ（図７参照）と同じ円形である。
図９に示すように、照明１１ｇにおいては、補助開口２２ｇが４重極の位置に４つ設けられている。補助開口２２ｇの形状は、直線Ｌｘが延びる方向を長軸方向とする長方形である。
なお、図３〜図９に示すように、いずれの照明１１ａ〜１１ｇにおいても、主開口２１の位置及び形状は同じである。また、以下の説明では、補助開口２２ａ〜２２ｇを総称して「補助開口２２」ともいう。
【００１３】
次に、本実施形態に係るパターン形成方法について説明する。
図２に示すように、先ず、半導体基板１５上にレジスト膜１６を成膜する。これが露光対象物１４となる。そして、露光対象物１４及びフォトマスク１２を露光光学系１０にセットする。
【００１４】
次に、照明１１からフォトマスク１２に向かって光を照射する。このとき、例えば、４つの補助開口２２から出射する光量の合計は、２つの主開口２１から出射する光量の合計以下とする。なお、図２においては、主開口２１からフォトマスク１２に対して照射される光を光線３１ａ及び３１ｂによって示し、補助開口２２からフォトマスク１２に対して照射される光を光線３２ａ及び３２ｂによって示している。なお、この光は、主開口２１及び補助開口２２の長手方向、すなわち、直線Ｌｙが延びる方向に偏光させてもよい。
【００１５】
これらの光は、フォトマスク１２に形成されたパターンによって回折する。図２においては、フォトマスク１２よりも下流側には光線３１ａの０次回折光３３と、１次回折光３４ａ及び３４ｂのみを示している。レンズ１３には０次回折光３３及び１本の１次回折光３４ａが入射する。なお、図には示していないが、光線３１ｂの０次回折光及び１本の１次回折光もレンズ１３に入射し、光線３２ａ及び３２ｂの０次回折光もレンズ１３に入射する。レンズ１３に入射した０次回折光３３及び１本の１次回折光３４は、レンズ１３によって集光され、露光対象物１４に到達し、レジストパターン１０１に相当する像を結像させる。また、このとき、露光対象物１４において０次回折光３３及び１次回折光３４ａが干渉することにより、像の解像度が向上する。このようにして、レジスト膜１６が選択的に露光される。次に、レジスト膜１６を現像することにより、レジスト膜１６が選択的に除去されて、レジストパターン１０１が形成される。
【００１６】
次に、本実施形態の効果について説明する。
図１０は、本実施形態における主開口の位置の決定方法を例示する図であり、
図１１は、本実施形態の比較例における照明形状を例示する図であり、
図１２は、横軸に露光量裕度ＥＬをとり、縦軸に焦点深度ｄｏｆをとって、本実施形態及び比較例の露光マージンを例示するグラフ図である。
【００１７】
図３及び図１０に示すように、照明１１において、主開口２１は、円Ｃ０の一部及び円Ｃ１の一部によって囲まれたリーフ形状の領域２３、すなわち、円Ｃ０の内部と円Ｃ１の内部とが重なる領域２３の少なくとも一部、例えば、領域２３の全体に形成されている。上述の如く、円Ｃ０はフォトマスク１２による０次回折光（例えば、０次回折光３３）がレンズ１３に入射する角度範囲の外縁を表している。また、円Ｃ１はフォトマスク１２による１次回折光（例えば、１次回折光３４ａ及び３４ｂ）がレンズ１３に入射する角度範囲の外縁を表している。従って、主開口２１を領域２３の内部に形成することにより、０次回折光及び１本の１次回折光の双方をレンズ１３に入射させることができ、露光対象物１４において干渉させることができる。これにより、露光の解像度が向上する。
【００１８】
一方、補助開口２２については、直線Ｌｘに沿った方向（Ｘ方向）の座標ｘを、パターン領域１０４に形成されたラインパターン１０５の空間周波数に適した値とする。次に、直線Ｌｙに沿った方向（Ｙ方向）の座標ｙを、ｙ＝０によって表される直線Ｌｘから離れた値とすることで、レンズの実効的な開口数ＮＡを小さくすることができる。焦点深度をｄｏｆとし、係数をｋ２とし、露光に用いる光の波長をλとすると、一般に、焦点深度は下記数式１によって表すことができる。
【００１９】
【数１】
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【００２０】
開口数ＮＡを小さくすると、露光量裕度ＥＬは小さくなるが、上記数式１により、焦点深度ｄｏｆを大きくすることができる。従って、焦点深度ｄｏｆと露光量裕度ＥＬをバランス良く確保できるように、補助開口２２の座標ｙを決定する。逆に言えば、座標ｙを適切に設定することにより、良好な焦点深度ｄｏｆ及び露光量裕度ＥＬを両立させることができる。
【００２１】
次に、上述の効果を比較例と比較して説明する。
図１１に示すように、本実施形態の比較例における照明１１１においては、一対の主開口１２１のみが設けられており、補助開口は設けられていない。このような照明１１１を用いて、上述の実施形態と同様な条件で露光を行い、レジストパターン１０１を形成した。そして、このときの焦点深度ｄｏｆと露光量裕度ＥＬとの関係を求め、本実施形態と比較した。
【００２２】
図１２に示すように、本実施形態によれば、露光量裕度ＥＬ及び焦点深度ｄｏｆの双方について、比較例よりも向上した。比較例においては、特に、パターン領域１０３とパターン領域１０４との境界付近において、解像度が低下したが、本実施形態においては、このような解像度の低下を抑えることができた。
このように、本実施形態によれば、パターン要素が周期的に配列されたパターン領域と、このような周期性のないパターン領域とが混在しているパターンを高い解像度で形成することができる。
【００２３】
次に、第２の実施形態について説明する。
本実施形態は、前述の第１の実施形態に係るパターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法の実施形態である。
図１３（ａ）〜（ｄ）、図１４（ａ）〜（ｄ）、図１５（ａ）〜（ｃ）、図１６（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程断面図である。
【００２４】
先ず、図１３（ａ）に示すように、半導体基板５１の上面に対して不純物を注入し、ウェル５２を形成する。次に、半導体基板５１上に絶縁膜５３を形成し、その上に導電膜５４を形成する。次に、導電膜５４上にレジスト膜５５を成膜する。
そして、半導体基板５１を露光光学系１０（図２参照）にセットし、前述の第１の実施形態において説明した方法により、レジスト膜５５を露光する。
【００２５】
次に、図１３（ｂ）に示すように、レジスト膜５５を現像することによって選択的に除去し、レジストパターン５６を形成する。レジストパターン５６においては、前述のレジストパターン１０１と同様に、ラインパターン１０２が周期的に配列されたパターン領域１０３と、このような周期性を持たないパターン領域１０４とが混在している。ラインパターン１０２の幅は、例えば、露光の解像限界によって定まる最小の幅２ｗである。また、ラインパターン１０２間の距離も２ｗである。従って、ラインパターン１０２の配列周期は４ｗである。一方、パターン領域１０４においては、ラインパターン１０２よりも太いラインパターン１０５が形成されている。
【００２６】
次に、図１３（ｃ）に示すように、ラインパターン１０２及び１０５をスリミングする。これにより、ラインパターン１０２の幅はｗとなり、ラインパターン１０２間の距離は３ｗとなる。
次に、図１３（ｄ）に示すように、全面に絶縁膜を堆積させ、エッチバックすることにより、ラインパターン１０２及び１０５の側面上に厚さがｗの側壁５７を形成する。その後、ラインパターン１０２及び１０５を除去する。これにより、幅がｗである側壁５７が、相互間の距離をｗとして周期的に配列される。すなわち、側壁５７の配列周期は２ｗである。
【００２７】
次に、図１４（ａ）に示すように、側壁５７をマスクとして、導電膜５４、絶縁膜５３及び半導体基板５１に対してエッチングを施す。これにより、導電膜５４及び絶縁膜５３を複数本のライン状にパターニングする共に、半導体基板５１の上面にトレンチ５９を形成する。
次に、図１４（ｂ）に示すように、側壁５７を除去する。
【００２８】
次に、図１４（ｃ）に示すように、トレンチ５９内に絶縁材料を埋め込んで、素子分離絶縁膜６０を形成する。これにより、ウェル５２における素子分離絶縁膜６０によって区画されたライン状の部分が、アクティブエリアＡＡとなる。
次に、図１４（ｄ）に示すように、半導体基板５１上に、パターニングされた絶縁膜５３及び導電膜５４を覆うように、絶縁膜６２を形成する。次に、絶縁膜６２上に導電膜６３を形成し、その上に絶縁膜６４を形成する。
【００２９】
次に、図１５（ａ）に示すように、絶縁膜６４上にレジスト膜６５を成膜する。なお、図１５及び図１６に示す断面は、図１３及び図１４に示す断面に対して直交している。
次に、前述の第１の実施形態において説明した方法により、レジスト膜６５を露光する。この露光における照明は、レジストパターン５６を形成する際に用いた照明１１を、９０度回転させて使用することができる。
【００３０】
次に、図１５（ｂ）に示すように、露光後のレジスト膜６５を現像することにより、レジストパターン６６を形成する。レジストパターン６６においても、前述のレジストパターン１０１と同様に、ラインパターン１０２が周期的に配列されたパターン領域１０３と、このような周期性を持たないパターン領域１０４とが混在している。
次に、図１５（ｃ）に示すように、レジストパターン６６のラインパターン１０２及び１０５をスリミングし、その側面上に側壁６７を形成する。その後、レジストパターン６６のラインパターン１０２及び１０５を除去する。
【００３１】
次に、図１６（ａ）に示すように、ラインパターン１０５を除去した領域の一部に、選択ゲート用のレジストパターン６８を２本形成する。次に、側壁６７及びレジストパターン６８をマスクとしてエッチングを行い、絶縁膜６４、導電膜６３、絶縁膜６２、導電膜５４及び絶縁膜５３をライン状にパターニングする。これにより、導電膜５４がマトリクス状に分断されてフローティングゲート電極ＦＧとなる。また、導電膜６３が複数本の配線に分断されて、ワード線ＷＬ及び選択ゲート電極ＳＧとなる。すなわち、側壁６７の直下域に残留した部分がワード線ＷＬとなり、レジストパターン６８の直下域に残留した部分が選択ゲート電極ＳＧとなる。なお、選択ゲート電極ＳＧにおいては、導電膜６３と導電膜５４が接続されていてもよい。その後、レジストパターン６８を除去する。
【００３２】
次に、図１６（ｂ）に示すように、全面に絶縁膜７０を堆積させて、上面を平坦化する。次に、絶縁膜７０内にコンタクト７１を形成する。コンタクト７１は、選択ゲート電極ＳＧ間の領域であってワード線ＷＬが設けられていない領域、すなわち、レジストパターン６６のパターン領域１０４が設定されていた領域に形成する。次に、絶縁膜７０上に導電膜７２を形成する。
【００３３】
次に、図１６（ｃ）に示すように、導電膜７２上にレジスト膜を成膜し、前述の第１の実施形態において説明したパターン形成方法を用いて、レジストパターン７３を形成する。このときの露光の照明は、レジストパターン６６を形成する際に用いた照明１１を、９０度回転させて使用することができる。そして、上述の導電膜６３を分断した方法と同様な側壁法を用いて、導電膜７２を複数本の配線に分断する。これにより、導電膜７２から複数本のビット線ＢＬが形成される。ビット線ＢＬはアクティブエリアＡＡの直上域に配置され、コンタクト７１を介してアクティブエリアＡＡに接続される。また、ビット線ＢＬ間の領域には、シャント配線（図示せず）を形成する。このようにして、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ８０が製造される。
【００３４】
次に、本実施形態の効果について説明する。
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ８０においては、アクティブエリアＡＡ及びビット線ＢＬが形成されていない領域にはシャント配線が形成され、選択ゲート電極ＳＧ間の領域であってワード線ＷＬが形成されていない領域には、コンタクト７１が形成されている。このため、レジストパターン５６、６６及び７３においては、それぞれ、アクティブエリアＡＡ、ワード線ＷＬ及びビット線ＢＬを形成するための微細なラインパターン１０２が周期的に設けられたパターン領域１０３だけでなく、周期性を持たないパターン領域１０４を設定する必要がある。上述の如く、一般に、このようなレジストパターンは解像が困難である。
【００３５】
しかしながら、本実施形態においては、レジストパターン５６、６６及び７３を形成する際に、前述の第１の実施形態に係るパターン形成方法を用いているため、高い解像度でこれらのレジストパターンを形成することができる。この結果、アクティブエリアＡＡ、ワード線ＷＬ及びビット線ＢＬを微細に形成することができ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ８０の高集積化を図ることができる。また、レジストパターン５６、６６及び７３を形成する際に、同じ照明１１を使うことができるため、製造コストを抑えることができる。
【００３６】
このように、以上説明した本発明の実施形態によれば、パターン要素が周期的に配列されたパターン領域と、このような周期性のないパターン領域とが混在しているパターンを高い解像度で形成することができるパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を実現することができる。
【００３７】
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。例えば、前述の第２の実施形態においては、ワード線ＷＬをパターニングするための側壁６７を形成した後、選択ゲート電極ＳＧをパターニングするためのレジストパターン６８を形成する例を示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図１５（ｂ）に示す工程においてレジストパターン６６を形成する際に、ラインパターン１０５の代わりに選択ゲート電極用のラインパターンを形成しておき、図１５（ｃ）に示す工程においてラインパターン１０２の側面上に側壁６７を形成する際に、この選択ゲート電極用のラインパターンを側面上にも側壁を形成し、ラインパターン１０２を除去する際に、この選択ゲート電極用のラインパターンは除去せずに、図１６（ａ）に示す工程においてエッチングを行う際に、選択ゲート電極用のラインパターンとその両側に形成された側壁を一体的なマスクとして用いて、選択ゲート電極ＳＧをパターニングしてもよい。
【符号の説明】
【００３８】
１０  露光光学系、１１、１１ａ〜１１ｇ  照明、１２  フォトマスク、１３  レンズ、１４  露光対象物、１５  半導体基板、１６  レジスト膜、２１  主開口、２２ａ〜２２ｇ  補助開口、２３  領域、３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂ  光線、３３  ０次回折光、３４ａ、３４ｂ  １次回折光、５１  半導体基板、５２  ウェル、５３  絶縁膜、５４  導電膜、５５  レジスト膜、５６  レジストパターン、５７  側壁、５９  トレンチ、６０  素子分離絶縁膜、６２  絶縁膜、６３  導電膜、６４  絶縁膜、６５  レジスト膜、６６  レジストパターン、６７  側壁、６８  レジストパターン、７０  絶縁膜、７１  コンタクト、７２  導電膜、７３  レジストパターン、１０１  レジストパターン、１０２  ラインパターン、１０３、１０４  パターン領域、１０５  ラインパターン、１１１  照明、１２１  主開口、ＡＡ  アクティブエリア、ＢＬ  ビット線、Ｃ０、Ｃ１  円、ＦＧ  フローティングゲート電極、Ｌｘ、Ｌｙ  直線、ＳＧ  選択ゲート電極、ＷＬ  ワード線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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