(57)【要約】【課題】プローブカードにおける導通試験の結果に基づきプローブカードの交換時期を的確に知ることのできるプローブカードの検査方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハに形成されたチップ領域における電気的な試験を行うための半導体検査装置に取り付けられたプローブカードの検査方法において、前記チップ領域における電極端子と、前記プローブカードのプローブ針とを接触させて、前記チップ領域に電流を流し電圧値を計測する導通試験工程と、前記計測された電圧値の標準偏差を算出する算出工程と、前記標準偏差の値が所定の範囲内であるか否かを判断する判断工程と、を有し、前記標準偏差の値が所定の範囲を超える場合には、前記プローブカードに設けられた表示部において、前記半導体検査装置に取り付けられた前記プローブカードを新しいプローブカードと交換する旨を知らせることを特徴とするプローブカードの検査方法により上記課題を解決する。【選択図】  図８
2011033549.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハに形成されたチップ領域における電気的な試験を行うための半導体検査装置に取り付けられたプローブカードの検査方法において、
前記チップ領域における電極端子と、前記プローブカードのプローブ針とを接触させて、前記チップ領域に電流を流し電圧値を計測する導通試験工程と、
前記計測された電圧値の標準偏差を算出する算出工程と、
前記標準偏差の値が所定の範囲内であるか否かを判断する判断工程と、
を有し、前記標準偏差の値が所定の範囲を超える場合には、前記プローブカードに設けられた表示部において、前記半導体検査装置に取り付けられた前記プローブカードを新しいプローブカードと交換する旨を知らせることを特徴とするプローブカードの検査方法。
【請求項２】
前記判断工程は、前記プローブカードにおいて行われるものであることを特徴とする請求項１に記載のプローブカードの検査方法。
【請求項３】
半導体ウエハに形成されたチップ領域における半導体装置の検査方法において、
前記チップ領域における電極端子と、プローブカードのプローブ針とを接触させて、前記チップ領域に電流を流し電圧値を計測する導通試験工程と、
前記計測された電圧値の標準偏差を算出する算出工程と、
前記標準偏差の値が所定の範囲内であるか否かを判断する判断工程と、
前記標準偏差の値が所定の範囲内である場合には、前記プローブカードを介し前記チップ領域に入力信号を入力し、前記チップ領域からの出力信号を検出することにより検査を行う検査工程と、
を有し、前記標準偏差の値が所定の範囲を超える場合には、前記プローブカードに設けられた表示部において、前記半導体検査装置に取り付けられた前記プローブカードを新しいプローブカードと交換する旨を知らせることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項４】
前記判断工程は、前記プローブカードにおいて行われるものであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項５】
半導体ウエハに形成されたチップ領域における電気的な試験を行うための半導体検査装置に取り付けられたプローブカードにおいて、
前記チップ領域における電極端子と、前記プローブカードのプローブ針とを接触させて、前記チップ領域に電流を流し電圧値を計測し、前記計測された電圧値の標準偏差を算出し、
前記標準偏差の値が所定の範囲を超える場合には、前記半導体検査装置に取り付けられた前記プローブカードを新しいプローブカードと交換する旨を知らせる表示部を有することを特徴とするプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカードの検査方法、半導体装置の検査方法及びプローブカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
プローブカードは、主にＬＳＩ（Large Scale Integration）製造の組立工程前におけるウエハ状態のチップ領域における試験に用いられる。プローブカードは、測定領域となるチップ領域におけるＡｌパッド、金バンプ、はんだバンプ等の電極部等に接触させるプローブ針を有しており、半導体検査装置であるプローバー等に取り付けて使用する。
【０００３】
プローバーでは、プローブカードにおけるプローブ針より、チップ領域の電極部に試験信号または試験パターンを入力し、チップ領域の別の電極部等から得られる出力信号をもとにウエハ状態のチップ領域の検査を行うものである。
【０００４】
プローブカードのプローブ針は、検査を行う度にウエハ状態のチップ領域における電極部に、所定の圧力をかけて接触させる。このため使用を重ねることにより、プローブ針の先端は、チップ領域における電極部との接触により徐々に削られることにより問題が発生していた。問題の一例として、チップ領域における電極部との接触状態が次第に低下して、プローブ針とチップ領域における電極部との間で良好な電気的な導通が得られなくなる。よって、ウエハ状態のチップ領域における正確な検査が行うことができなくなり、歩留まりの低下を招く一要因である。
【０００５】
このため、一般的には、所定の使用回数を超えたプローブカードは、新しいプローブカードと交換する方法が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２００８１１号公報
【特許文献２】特開２００６−１２８４５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述したように、使用回数により管理し新しいプローブカードと交換する場合、各々のプローブカードにおけるコンタクト回数（ウエハのチップ領域における電極部との接触回数）を台帳等に記録して管理する必要がある。従って、管理のための費用と時間を要していた。
【０００８】
また、コンタクト回数を設定して管理する場合、一定のコンタクト回数に達したプローブカードは一律に交換されてしまう。よって、まだ使用することのできるプローブカードであっても新しいプローブカードと交換されてしまう場合や、既に、電極部との間で接触状態が良好ではないプローブカードであっても、一定のコンタクト回数に達するまで交換されない場合が生じる。特に、一定のコンタクト回数に達する前に、電極部との間の接触状態が良好ではない場合では、ウエハ状態のチップ領域における正確な検査を行うことができなくなり、製造されるＬＳＩ等の半導体装置の歩留まりの低下を招いてしまう。また、これを回避するため、プローブカードを交換するための設定されるコンタクト回数の値を下げると、まだ十分に使用可能なプローブカードが交換されることとなり、半導体装置の製造コストを上昇させてしまう。
【０００９】
従って、使用可能なプローブカードはできるだけ長く使用することができ、また、プローブ針が削られチップ領域における電極部との接触状態が低下したプローブカードは、すぐに新しいプローブカードと交換することができる方法が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本実施の形態の一観点によれば、半導体ウエハに形成されたチップ領域における電気的な試験を行うための半導体検査装置に取り付けられたプローブカードの検査方法において、前記チップ領域における電極端子と、前記プローブカードのプローブ針とを接触させて、前記チップ領域に電流を流し電圧値を計測する導通試験工程と、前記計測された電圧値の標準偏差を算出する算出工程と、前記標準偏差の値が所定の範囲内であるか否かを判断する判断工程と、を有し、前記標準偏差の値が所定の範囲を超える場合には、前記プローブカードに設けられた表示部において、前記半導体検査装置に取り付けられた前記プローブカードを新しいプローブカードと交換する旨を知らせる。
【００１１】
また、本実施の形態の他の観点によれば、半導体ウエハに形成されたチップ領域における半導体装置の検査方法において、前記チップ領域における電極端子と、プローブカードのプローブ針とを接触させて、前記チップ領域に電流を流し電圧値を計測する導通試験工程と、前記計測された電圧値の標準偏差を算出する算出工程と、前記標準偏差の値が所定の範囲内であるか否かを判断する判断工程と、前記標準偏差の値が所定の範囲内である場合には、前記プローブカードを介し前記チップ領域に入力信号を入力し、前記チップ領域からの出力信号を検出することにより検査を行う検査工程と、を有し、前記標準偏差の値が所定の範囲を超える場合には、前記プローブカードに設けられた表示部において、前記半導体検査装置に取り付けられた前記プローブカードを新しいプローブカードと交換する旨を知らせる。
【００１２】
また、本実施の形態の他の観点によれば、半導体ウエハに形成されたチップ領域における電気的な試験を行うための半導体検査装置に取り付けられたプローブカードにおいて、前記チップ領域における電極端子と、前記プローブカードのプローブ針とを接触させて、前記チップ領域に電流を流し電圧値を計測し、前記計測された電圧値の標準偏差を算出し、前記標準偏差の値が所定の範囲を超える場合には、前記半導体検査装置に取り付けられた前記プローブカードを新しいプローブカードと交換する旨を知らせる表示部を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
開示のプローブカードの検査方法、半導体装置の検査方法及びプローブカードによれば、プローブ針の先端が削られ使用することができなくなった場合に、この状態となった旨をプローブカードにおいて知らせることができる。これにより、新しいプローブカードと交換することができる。これにより歩留まりの低下を招くことなく低コストで半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】半導体試験装置の構成図
【図２】ロジックテスターの構成図
【図３】プローブカードの構成図
【図４】半導体ウエハにおける電極端子へのプローブ針の接触状態の説明図
【図５】新しいプローブカードの導通試験における電圧値のヒストグラム
【図６】数ヶ月使用したプローブカードの導通試験における電圧値のヒストグラム
【図７】プローブカードのコンタクト回数と導通試験における電圧値のσ値との相関図
【図８】第１の実施の形態における半導体検査方法のフローチャート
【図９】第２の実施の形態における半導体検査方法のフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００１５】
実施するための形態について、以下に説明する。
【００１６】
〔第１の実施の形態〕
（半導体検査装置）
第１の実施の形態について説明する。最初に本実施の形態における半導体検査装置について説明する。
【００１７】
図１に基づき本実施の形態における半導体検査装置について説明する。本実施の形態における半導体検査装置は、ロジックテスター１０とプローバー２０とを含んだものであり、ロジックテスター１０とプローバー２０とはケーブル２１を介して電気的に接続されている。
【００１８】
次に、図２に基づきロジックテスター１０について説明する。このロジックテスター１０は、Ｉ／Ｆ部１１、検査部１２、制御部１５及び不揮発性メモリ１６を有している。
【００１９】
Ｉ／Ｆ部１１は、ケーブル２１を介し、プローバー２０との電気信号の通信を行うためのものである。
【００２０】
検査部１２は、半導体ウエハのチップ領域の検査を行うための電気信号を生成する信号生成部１３と、半導体ウエハのチップ領域より得られた電気信号に基づき検査を行う信号検査部１４とを有している。このため、検査部１２内には、信号の発生源となるパルスジェネレーター、複数の電源、半導体ウエハのチップ領域より得られた電気信号に基づき検査を行う複数の比較器等を有している。
【００２１】
信号生成部１３において生成された電気信号はＩ／Ｆ部１１を介し、プローバー２０に出力され、プローバー２０からの電気信号はＩ／Ｆ部１１を介し入力され、信号検査部１４において検査が行われる。
【００２２】
制御部１５は、プローバー２０全体の制御を行うためのものであり、Ｉ／Ｆ部１１及び検査部１２及び不揮発性メモリ１６等の制御を行う。
【００２３】
不揮発性メモリ１６は、ハードディスク等により形成されており、半導体検査装置の電源が切られても記憶された状態を保持することが可能である。
【００２４】
一方、プローバー２０内では、試験ボード２２を介し、プローブカード３０が接続されている。プローブカード３０は、プローバー２０内に取り付けられた状態で、ＬＳＩ等の半導体ウエハ４０におけるチップ領域の検査を行うものである。尚、プローブカード３０はプローバー２０と脱着可能な状態で電気的に接続されており、検査の対象となる半導体ウエハ４０はプローバー２０内に設置されている。
【００２５】
次に、図３に基づきプローブカード３０について説明する。プローブカード３０は、プローブ針部３１と、Ｉ／Ｆ部３２、制御部３３、不揮発性メモリ３４、表示部となるＬＥＤ３５等を有している。
【００２６】
プローブ針部３１は、複数のプローブ針により形成されており、前述したように、検査の対象となる半導体ウエハ４０のチップ領域における各々の電極端子と接触させることにより電気的に接続される。
【００２７】
Ｉ／Ｆ部３２は、試験ボード２２を介しプローバー２０本体との電気信号の通信を行うためのものである。ロジックテスター１０において生成された電気信号をＩ／Ｆ部３２を介し入力し、半導体ウエハのチップ領域より得られた電気信号をＩ／Ｆ部３２を介し、プローバー２０本体更にはロジックテスター１０に出力する。
【００２８】
制御部３３は、プローブカード３０の全体の制御を行うものであり、Ｉ／Ｆ部３２、不揮発性メモリ３４等の制御を行う。制御部３３はマイコン及び制御のための周辺回路等が含まれている。
【００２９】
不揮発性メモリ３４は、フラッシュメモリ等により形成されており、プローブカード３０に電力が供給されない状態においても記憶を保持することが可能である。
【００３０】
ＬＥＤ３５は、プローブカード３０を交換する必要がある旨を知らせるものであり、制御部３３の制御に基づき点灯する。尚、ＬＥＤ３５に代えて他の表示方法により、プローブカード３０を交換する必要がある旨を表示することも可能である。
【００３１】
プローブカード３０には、図４に示すようなプローブ針３１ａが複数設けられており、半導体ウエハ４０のチップ領域を検査する際には、半導体ウエハ４０のチップ領域における電極端子４１とプローブ針３１ａの先端部において接触させた状態で行われる。この状態においては、プローブ針３１ａとチップ領域の電極端子４１とが電気的に接続される。しかしながら、電極端子４１とのコンタクト回数が増える伴い、プローブ針３１ａの先端が削られ、電極端子４１との良好な接触を保つことができなくなり、プローブ針３１ａと電極端子４１との間で高抵抗となる場合が生じる。
【００３２】
このことを図５及び図６に基づきより詳しく説明する。図５及び図６は導通試験の結果を示すものである。本実施の形態において行った導通試験は、プローブカード３０を介し、所定の電圧を半導体ウエハ４０のチップ領域に形成されたダイオードに所定の電流を流し、この状態におけるダイオードの端子電圧を測定することにより行ったものである。
【００３３】
図５は、新しいプローブカードにおいて導通試験を行った場合の電圧値と発生頻度のヒストグラムを示す。新しいプローブカードの場合では、全てのプローブ針の先端が確実に半導体ウエハに設けられた電極端子と接触しているため、均一な電圧値が得られる。図６は、数ヶ月使用したプローブカードにおいて導通試験を行った場合の電圧値と発生頻度のヒストグラムを示す。プローブカードを使用することによりプローブ針の先端が削れ、半導体ウエハに設けられた電極端子との接触状態が良好ではなくなり、プローブ針の先端と電極端子との間において抵抗が高くなり、電圧値にバラツキ等が生じる。このような状態では、半導体ウエハのチップ領域における正確な検査を行うことができなくなり、製造されるＬＳＩ等の半導体装置の歩留まりを低下させてしまう。
【００３４】
次に、図７にプローブカードにおけるコンタクト回数と、導通試験において測定される電圧値の標準偏差σとの関係を示す。一般的には、図に示されるように、プローブカードにおける半導体ウエハにおける電極端子とのコンタクト回数が増加するに従い、導通試験において測定される標準偏差σの値が大きくなっており、プローブ針間における検出される電圧値のバラツキが増加する傾向にある。
【００３５】
本実施の形態における半導体検査装置は、上記標準偏差σの値が基準となる値を超えた場合には、プローブカード３０に設けられたＬＥＤ３５が点灯し、プローブカード３０の交換が必要である旨を表示する。
【００３６】
（プローブカードの検査方法及び半導体装置の検査方法）
次に、本実施の形態におけるプローブカードの検査方法及び半導体装置の検査方法について説明する。
【００３７】
図８は、本実施の形態におけるプローブカードの検査方法を含む半導体装置の検査方法の流れ図である。
【００３８】
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）に示すように、プローブカード３０のチェックを行う。具体的には、プローブカード３０におけるプローブ針の先端部分に付着物等がないか検査を行う。
【００３９】
次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）に示すように、プローバー２０内に半導体ウエハ４０を設置する。具体的には、プローバー２０における半導体ウエハ４０をソート（sort）することにより設置される。プローバー２０内に半導体ウエハ４０を所定の位置に設置した後、プローブカード３０におけるプローブ針が、半導体ウエハ４０のチップ領域に形成された電極端子と接触し、電気的に接続される。
【００４０】
次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）に示すように、プローブカードの導通試験を行う。具体的には、半導体ウエハ４０のチップ領域に形成されたダイオードに、プローブカード３０におけるプローブ針を介し電流を流す。
【００４１】
次に、ステップ１０８（Ｓ１０８）に示すように、導通試験が適正に行われているか否かの判断がなされる。例えば、プローブカード３０におけるプローブ針が半導体ウエハ４０のチップ領域における電極端子と接触していない状態等においては、導通試験が適正に行われないため、プローブカード３０の検査を行うことができない。この場合では、ダイオード等に電流を流すことができないためプローブカード３０を介して電圧を検出することができない。よって、この判断はプローブカード３０を介し所定の電圧値が検出されるか否かにより行われる。導通試験が適正に行われていないものと判断された場合には、ステップ１１０に移行する。一方、導通試験が適性に行われているものと判断された場合には、ステップ１１２に移行する。尚、この判断は、ロジックテスター１０において行われる。
【００４２】
ステップ１１０（Ｓ１１０）では、半導体ウエハ４０の再セットアップが行われる。例えば、導通試験が適正に行われていないものと判断された場合として、半導体ウエハ４０が所定に位置に設置されていない可能性がある。従って、半導体ウエハ４０の再セットアップを行う。具体的には、プローバー２０より半導体ウエハ４０が再セットアップのため搬出され、この後、半導体ウエハ４０を再びソートする。この後、ステップ１０４に移行する。
【００４３】
次に、ステップ１１２（Ｓ１１２）に示すように、プローバー２０に設置されている半導体ウエハ２０に設置されている半導体ウエハ２０のチップ領域の検査を行う。この検査により、半導体ウエハ２０におけるチップ領域の良否が判断される。
【００４４】
次に、ステップ１１４（Ｓ１１４）に示すように、ステップ１０６において行われた導通試験において得られた電圧値の標準偏差であるσ値が計算される。具体的には、ロジックテスター１０の信号検査部１４等において、導通試験に基づき得られた電圧値のσ値が算出される。尚、この導通試験において得られた電圧値は不揮発性メモリ１６に記憶される。
【００４５】
次に、ステップ１１６（Ｓ１１６）に示すように、σ値がロジックテスター１０からプローブカード３０に転送される。
【００４６】
次に、ステップ１１８（Ｓ１１８）に示すように、σ値が所定の範囲内にあるか否かが判断される。具体的には、図７に示すようにコンタクト回数が増加するに従い、σ値が大きくなるため、プローブカードを交換する基準となる所定の値を設け、σ値が所定の値以下であるか否かにより判断される。σ値が所定の範囲内にある場合には終了する。一方、σ値が所定の範囲を超えるものである場合には、ステップ１２０に移行する。尚、本実施の形態では、この判断はプローブカード３０における制御部３３において行う。
【００４７】
次に、ステップ１２０（Ｓ１２０）に示すように、メンテナンスを行う。具体的には、表示方法の一例として、プローブカード３０に設けられたＬＥＤ３５が点灯し、新しいプローブカードとの交換が必要である旨を知らせる。この情報に基づき測定者は、プローバー２０に取付けられているプローブカードと新しいプローブカードと交換する。尚、交換した後は、ステップ１０４に移行する。
【００４８】
以上により、本実施の形態における半導体装置となる半導体ウエハのチップ領域の検査は終了する。本実施の形態では、各々のプローブカード３０に対し、個別に良否が判断されるため、各々のプローブカードの寿命となるまで使用することが可能である。よって、検査の対象となる半導体装置をより低コストで製造することができる。
【００４９】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態とは異なるプローブカードの検査方法及び半導体装置の検査方法である。
【００５０】
図９は、本実施の形態におけるプローブカードの検査方法を含む半導体装置の検査方法の流れ図である。
【００５１】
最初に、ステップ２０２（Ｓ２０２）に示すように、プローブカード３０のチェックを行う。具体的には、プローブカード３０におけるプローブ針の先端部分に付着物等がないか検査を行う。
【００５２】
次に、ステップ２０４（Ｓ２０４）に示すように、プローバー２０内に半導体ウエハ４０を設置する。具体的には、プローバー２０における半導体ウエハ４０をソート（sort）することにより設置される。プローバー２０内に半導体ウエハ４０を所定の位置に設置した後、プローブカード３０におけるプローブ針が、半導体ウエハ４０のチップ領域に形成された電極端子と接触し、電気的に接続される。
【００５３】
次に、ステップ２０６（Ｓ２０６）に示すように、プローブカードの導通試験を行う。具体的には、半導体ウエハ４０のチップ領域に形成されたダイオードに、プローブカード３０におけるプローブ針を介し電流を流す。
【００５４】
次に、ステップ２０８（Ｓ２０８）に示すように、導通試験が適正に行われているか否かの判断がなされる。例えば、プローブカード３０におけるプローブ針が半導体ウエハ４０のチップ領域における電極端子と接触していない状態等においては、導通試験が適正に行われないため、プローブカード３０の検査を行うことができない。この場合では、ダイオード等に電流を流すことができないためプローブカード３０を介して電圧を検出することができない。よって、この判断はプローブカード３０を介し所定の電圧値が検出されるか否かにより行われる。導通試験が適正に行われていないものと判断された場合には、ステップ２１０に移行する。一方、導通試験が適性に行われているものと判断された場合には、ステップ２１２に移行する。尚、この判断は、ロジックテスター１０において行われる。即ち、ステップ２０６において行われた導通試験における結果により得られた電圧値は、ロジックテスター１０に送信され、ロジックテスター１０において、ステップ２０８における判断がなされる。
【００５５】
ステップ２１０（Ｓ２１０）では、半導体ウエハ４０の再セットアップが行われる。例えば、導通試験が適正に行われていないものと判断された場合として、半導体ウエハ４０が所定に位置に設置されていない可能性がある。従って、半導体ウエハ４０の再セットアップを行う。具体的には、プローバー２０より半導体ウエハ４０が再セットアップのため搬出され、この後、半導体ウエハ４０を再びソートする。この後、ステップ２０４に移行する。
【００５６】
次に、ステップ２１２（Ｓ２１２）に示すように、プローバー２０に設置されている半導体ウエハ２０に設置されている半導体ウエハ２０のチップ領域の検査を行う。この検査により、半導体ウエハ２０におけるチップ領域の良否が判断される。
【００５７】
次に、ステップ２１４（Ｓ２１４）に示すように、ステップ２０６において行われた導通試験に基づき得られた電圧値がロジックテスター１０からプローブカード３０に転送される。尚、導通試験に基づき得られた電圧値はロジックテスター１０内の不揮発性メモリ１６にも記憶される。
【００５８】
次に、ステップ２１６（Ｓ２１６）に示すように、ロジックテスター１０からプローブカード３０に転送された電圧値、即ち、ステップ２０６において行われた導通試験に基づき得られた電圧値の標準偏差であるσ値が計算される。具体的には、プローブカード３０の制御部３３において、導通試験に基づき得られた電圧値のσ値が算出される。
【００５９】
次に、ステップ２１８（Ｓ２１８）に示すように、σ値が所定の範囲内にあるか否かが判断される。具体的には、図７に示すようにコンタクト回数が増加するに従い、σ値が大きくなるため、プローブカードを交換する基準となる所定の値を設け、σ値が所定の値以下であるか否かにより判断する。σ値が所定の範囲内にある場合には終了する。一方、σ値が所定の範囲を超えるものである場合には、ステップ２１８に移行する。尚、本実施の形態では、この判断はプローブカード３０における制御部３３において行う。
【００６０】
次に、ステップ２２０（Ｓ２２０）に示すように、メンテナンスを行う。具体的には、表示方法の一例として、プローブカード３０に設けられたＬＥＤ３５が点灯し、新しいプローブカードとの交換が必要である旨を知らせる。この情報に基づき測定者は、プローバー２０に取付けられているプローブカードと新しいプローブカードと交換する。尚、交換した後は、ステップ２０４に移行する。
【００６１】
以上により、本実施の形態における半導体装置となる半導体ウエハのチップ領域の検査は終了する。本実施の形態では、各々のプローブカード３０に対し、プローブカード毎に良否が判断されるため、各々のプローブカードの寿命となるまで使用することが可能である。よって、検査の対象となる半導体装置をより低コストで製造することができる。
【００６２】
以上により、本実施の形態における半導体装置となる半導体ウエハのチップ領域の検査は終了する。本実施の形態では、各々のプローブカード３０に対し、個別に良否が判断されるため、各々のプローブカードが寿命となるまで使用することができる。よって、検査の対象となる半導体装置をより低コストで製造することが可能となる。
【００６３】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００６４】
以上の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
半導体ウエハに形成されたチップ領域における電気的な試験を行うための半導体検査装置に取り付けられたプローブカードの検査方法において、
前記チップ領域における電極端子と、前記プローブカードのプローブ針とを接触させて、前記チップ領域に電流を流し電圧値を計測する導通試験工程と、
前記計測された電圧値の標準偏差を算出する算出工程と、
前記標準偏差の値が所定の範囲内であるか否かを判断する判断工程と、
を有し、前記標準偏差の値が所定の範囲を超える場合には、前記プローブカードに設けられた表示部において、前記半導体検査装置に取り付けられた前記プローブカードを新しいプローブカードと交換する旨を知らせることを特徴とするプローブカードの検査方法。
（付記２）
前記半導体検査装置は、ロジックテスターと前記プローブカードが取り付けられるプローバーとを有しており、
前記算出工程は、前記ロジックテスターにおいて行われるものであることを特徴とする付記１に記載のプローブカードの検査方法。
（付記３）
前記算出工程は、前記プローブカードにおいて行われるものであることを特徴とする付記１に記載のプローブカードの検査方法。
（付記４）
前記判断工程は、前記プローブカードにおいて行われるものであることを特徴とする付記１から３のいずれかに記載のプローブカードの検査方法。
（付記５）
半導体ウエハに形成されたチップ領域における半導体装置の検査方法において、
前記チップ領域における電極端子と、プローブカードのプローブ針とを接触させて、前記チップ領域に電流を流し電圧値を計測する導通試験工程と、
前記計測された電圧値の標準偏差を算出する算出工程と、
前記標準偏差の値が所定の範囲内であるか否かを判断する判断工程と、
前記標準偏差の値が所定の範囲内である場合には、前記プローブカードを介し前記チップ領域に入力信号を入力し、前記チップ領域からの出力信号を検出することにより検査を行う検査工程と、
を有し、前記標準偏差の値が所定の範囲を超える場合には、前記プローブカードに設けられた表示部において、前記半導体検査装置に取り付けられた前記プローブカードを新しいプローブカードと交換する旨を知らせることを特徴とする半導体装置の検査方法。
（付記６）
前記半導体検査装置は、ロジックテスターと前記プローブカードが取り付けられるプローバーとを有しており、
前記算出工程は、前記ロジックテスターにおいて行われるものであることを特徴とする付記５に記載の半導体装置の検査方法。
（付記７）
前記算出工程は、前記プローブカードにおいて行われるものであることを特徴とする付記５に記載の半導体装置の検査方法。
（付記８）
前記判断工程は、前記プローブカードにおいて行われるものであることを特徴とする付記５から７のいずれかに記載の半導体装置の検査方法。
（付記９）
半導体ウエハに形成されたチップ領域における電気的な試験を行うための半導体検査装置に取り付けられたプローブカードにおいて、
前記チップ領域における電極端子と、前記プローブカードのプローブ針とを接触させて、前記チップ領域に電流を流し電圧値を計測し、前記計測された電圧値の標準偏差を算出し、
前記標準偏差の値が所定の範囲を超える場合には、前記半導体検査装置に取り付けられた前記プローブカードを新しいプローブカードと交換する旨を知らせる表示部を有することを特徴とするプローブカード。
（付記１０）
前記表示部はＬＥＤを含むものであり、
前記ＬＥＤが点灯することにより、前記プローブカードを新しいプローブカードと交換する旨を知らせることを特徴とする付記９に記載のプローブカード。
【符号の説明】
【００６５】
１０        ロジックテスター
１１        Ｉ／Ｆ部
１２        検査部
１３        信号生成部
１４        信号検査部
１５        制御部
１６        不揮発性メモリ
２０        プローバー
２１        ケーブル
２２        試験ボード
３０        プローブカード
３１        プローブ針部
３１ａ      プローブ針
３２        Ｉ／Ｆ部
３３        制御部
３４        不揮発性メモリ
４０        半導体ウエハ
４１        電極端子
【図１】
2011033549.tif 000003
【図２】
2011033549.tif 000004
【図３】
2011033549.tif 000005
【図４】
2011033549.tif 000006
【図５】
2011033549.tif 000007
【図６】
2011033549.tif 000008
【図７】
2011033549.tif 000009
【図８】
2011033549.tif 000010
【図９】
2011033549.tif 000011