(57)【要約】【課題】制御手段によってインバータ駆動信号の周波数を可変制御する構成において、静電容量式タッチ入力検出装置の誤検出を防止する。【解決手段】誘導加熱コイル８に高周波電流を供給するインバータ３２と、インバータ３２に与えるインバータ駆動信号の周波数を可変制御することにより誘導加熱コイル８の火力の大きさを制御する制御手段３０と、トッププレ−トの上面に設けられたタッチ入力部と、トッププレ−トの下面側に設けられた複数の検出電極と、検出電極の静電容量が変化することに基づきタッチ入力を検出する静電容量式タッチ入力検出装置とを備え、インバータ駆動信号の周波数の逓倍が静電容量式タッチ入力検出装置の充放電タイミングを制御する高周波信号の周波数にほぼ等しいときに、インバータ駆動信号の周波数の前後の周波数帯域のインバータ駆動信号をインバータ３２に与えないようにマスクする。【選択図】図１
2011060646.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
調理器本体と、
この調理器本体の上面に設けられたトッププレ−トと、
このトッププレ−トの下方に配設された誘導加熱コイルと、
前記誘導加熱コイルに高周波電流を供給するインバータと、
このインバータに高周波のインバータ駆動信号を与えて前記インバータを駆動するものであって、前記インバータ駆動信号の周波数を可変制御することにより前記誘導加熱コイルの火力の大きさを制御する制御手段と、
前記トッププレ−トの上面に設けられ使用者の手指が接触可能なタッチ入力部と、
このタッチ入力部に対応して前記トッププレ−トの下面側に設けられた複数の検出電極と、
前記タッチ入力部に対して手指が接触されることにより対応する検出電極の静電容量が変化することに基づき各検出電極に対するタッチ入力を個別に検出する静電容量式タッチ入力検出装置とを備え、
前記静電容量式タッチ入力検出装置は、前記検出電極に接続されたサンプリングコンデンサと、前記サンプリングコンデンサの充放電タイミングを制御する高周波信号を発生する高周波発生回路とを備えて構成され、
前記制御手段は、前記インバータ駆動信号の周波数の逓倍が前記静電容量式タッチ入力検出装置の充放電タイミングを制御する高周波信号の周波数にほぼ等しいときに、前記インバータ駆動信号の周波数を中間値としてその前後の周波数帯域のインバータ駆動信号を前記インバータに与えないようにマスクする制御を行うことを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項２】
前記制御手段は、前記誘導加熱コイルに入力される入力電力の大きさに応じて前記マスク用の周波数帯域の幅を可変することを特徴とする請求項１記載の誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記制御手段は、前記マスク用の周波数帯域の前後で前記静電容量式タッチ入力検出装置の検出時間を変えることを特徴とする請求項１または２記載の誘導加熱調理器。
【請求項４】
前記制御手段は、前記静電容量式タッチ入力検出装置から充放電タイミングを制御する高周波信号の周波数を通信により取得することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項５】
前記制御手段は、前記マスク用の周波数帯域のインバータ駆動信号に対応する前記誘導加熱コイルに入力される入力電力を、誘導加熱の火力設定の目盛に割り当てないようにすることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項６】
前記制御手段および前記静電容量式タッチ入力検出装置に送風して冷却するファン装置を備え、
前記制御手段は、前記誘導加熱コイルに入力される入力電力に応じた回転数で前記ファン装置を駆動するように構成され、更に、前記マスクする周波数帯域のインバータ駆動信号をマスクしているときに、前記誘導加熱コイルの入力電力に応じた回転数よりも高い固定回転数で前記ファン装置を駆動することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項７】
前記制御手段は、前記マスク用の周波数帯域のインバータ駆動信号をマスクするとき、前記周波数帯域の下限側の周波数のインバータ駆動信号を与えるか、上限側の周波数のインバータ駆動信号を与えるかを選択可能なように構成したことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項８】
前記マスク用の周波数帯域の上限値及び下限値を調整可能なように構成されていると共に、
前記調整された周波数帯域を記憶する不揮発性記憶手段を備えたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、手指の接触を検出電極の静電容量の変化に基づいて検出する静電容量式タッチ入力検出装置を備えた誘導加熱調理器に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の誘導加熱調理器において、静電容量式タッチ入力検出装置の誤検出を防止する構成の例として、特許文献１や特許文献２が知られている。特許文献１には、電界による静電容量式タッチ入力検出装置の誤検出を防止するようにした構成が記載されている。特許文献２には、トッププレート上にタッチ入力部を十分に確保して、タッチ入力検出の応答性を良くし、ノイズによる誤検出を防止するようにした構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１７３６９９号公報
【特許文献２】特開２００８−２９３８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来構成の誤検出を防止する対策を実施した誘導加熱調理器においても、静電容量式タッチ入力検出装置の誤検出が発生することがあった。具体的には、誘導加熱コイルに高周波電流を供給するインバータと、このインバータに高周波のインバータ駆動信号を与えてインバータを駆動する制御手段とを備え、制御手段によってインバータ駆動信号の周波数を可変制御することにより誘導加熱コイルに入力される入力電力、即ち、加熱強度（火力）の大きさを制御するように構成した誘導加熱調理器において、上記静電容量式タッチ入力検出装置の誤検出が発生することを、本発明者らは見い出した。
【０００５】
本発明は、制御手段によってインバータ駆動信号の周波数を可変制御する構成において、静電容量式タッチ入力検出装置の誤検出を防止することができる誘導加熱調理器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の誘導加熱調理器は、調理器本体と、この調理器本体の上面に設けられたトッププレ−トと、このトッププレ−トの下方に配設された誘導加熱コイルと、前記誘導加熱コイルに高周波電流を供給するインバータと、このインバータに高周波のインバータ駆動信号を与えて前記インバータを駆動するものであって、前記インバータ駆動信号の周波数を可変制御することにより前記誘導加熱コイルの出力の大きさを制御する制御手段と、前記トッププレ−トの上面に設けられ使用者の手指が接触可能なタッチ入力部と、このタッチ入力部に対応して前記トッププレ−トの下面側に設けられた複数の検出電極と、
前記タッチ入力部に対して手指が接触されることにより対応する検出電極の静電容量が変化することに基づき各検出電極に対するタッチ入力を個別に検出する静電容量式タッチ入力検出装置とを備え、前記静電容量式タッチ入力検出装置は、前記検出電極に接続されたサンプリングコンデンサと、前記サンプリングコンデンサの充放電タイミングを制御する高周波信号を発生する高周波発生回路とを備えて構成され、前記制御手段は、前記インバータ駆動信号の周波数の逓倍が前記静電容量式タッチ入力検出装置の充放電タイミングを制御する高周波信号の周波数にほぼ等しいときに、前記インバータ駆動信号の周波数を中心値としてその前後の周波数帯域のインバータ駆動信号を前記インバータに与えないようにマスクする制御を行うところに特徴を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、制御手段によってインバータ駆動信号の周波数を可変制御する構成において、静電容量式タッチ入力検出装置の誤検出を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態を示す加熱調理器の電気的構成のブロック図
【図２】加熱調理器をキッチンキャビネットに組み込んで示す斜視図
【図３】トッププレートを省略して示す平面図
【図４】タッチ入力部周辺の部分平面図
【図５】タッチ入力部周辺の部分縦断側面図
【図６】図１に示す電気的構成の一部を取り出して示す電気的構成図
【図７】周波数と入力電力との関係を示す図
【図８】マイクロコンピュータの出力ポートおよび入力ポートの検出タイミング期間を示す図
【図９】作用説明用の各部の電圧波形
【図１０】検出基準値設定のための説明図
【図１１】電力と火力レベルとの関係を示す図
【図１２】本発明の第２実施形態を示すフローチャート
【図１３】周波数と帯域幅との関係を示す図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の第１実施形態について、図１ないし図１２を参照しながら説明する。まず、図２には、キッチンキャビネット１に、加熱調理器２が組み込まれた状態の外観斜視図が示されている。また、図３は、トッププレ−トを外した状態で示す調理器本体３の平面図である。加熱調理器２の調理器本体３は、キャビネット１に設けられた開口４に落とし込み状態に組み込まれている。この調理器本体３の下部には、ロ−スタ部５が設けられている。
【００１０】
前記調理器本体３は、図３に示すように、矩形状をなす金属製の筐体から構成されて上面が開口しており、内部の手前側に加熱手段としての２つの誘導加熱コイル８、９が設けられ、中央奥部に別の加熱手段として例えばラジエントヒ−タからなるヒ−タ１０が設けられている。また、この調理器本体３内には、主回路基板１１が配設されており、この主回路基板１１には、図４にも示すように、多数の加熱強度表示用の発光ダイオ−ド１２ｄ１〜１２ｄｎが実装されているとともに、例えば蛍光表示管からなる表示器１３が実装されている。さらに、図５にも示すように、調理器本体３の開口３ａの内面には、配線用中間基板１４がホルダ１４ａを介して取り付けられている。この配線用中間基板１４には、複数（後述する検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄの数と対応）の接続パタ−ン（図示せず）が形成されている。発光ダイオ−ド１２ｄ１〜１２ｄｎの数は、後述の検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎの数と同数としている。
【００１１】
図５に示すように、前記調理器本体３の開口３ａの周縁部には、上面に絶縁体１５ａを有する金属製の支持部たるフランジ部１５が設けられており、このフランジ部１５が前記キャビネット１の開口４の縁部に配置されている。
【００１２】
さらに、前記調理器本体３の上面には、開口３ａを覆うように、つまり前記誘導加熱コイル８、９及びヒ−タ１０を上方から覆うように、耐熱ガラス製のトッププレ−ト１６が設けられている。このトッププレ−ト１６の前縁部は調理器本体３より外側（前後方向及び左右方向）へ張出して張出し部１６ａとなるように形成されており、この張出し部１６ａは前記フランジ部１５により支持されている。トッププレ−ト１６において、左右の誘導加熱コイル８、９及びヒ−タ１０の上方に対応する部位はそれぞれ円形の加熱部１７、１８、１９とされている。表示部１７ａ、１８ａ、１９ａの内部領域が加熱部１７、１８、１９に相当する。
【００１３】
トッププレ−ト１６において、加熱部１７、１８の前側には、前記発光ダイオ−ド１２ｄ１〜１２ｄｎからなる調理条件表示部２０（図４参照）が形成されている。この調理条件表示部２０の上側及び下側に、調理条件たる加熱条件である加熱温度及び加熱強度を表示する加熱温度文字表示部２１ａ及び加熱強度文字表示部２１ｂが印刷により形成されている。なお、表示器１３も調理条件を表示する手段である。
【００１４】
トッププレ−ト１６の張出し部１６ａの上面には、図４に示すように、前記加熱部１７の前方に位置してタッチ入力部２２、単一タッチ入力部２３〜２５が設けられている。タッチ入力部２２は調理条件たる加熱条件設定用である。また、単一タッチ入力部２３〜２５は、制御切換用であり、そのうち、単一タッチ入力部２３は調理条件たる調理メニュ−設定用、単一タッチ入力部２４は電源オン用、単一タッチ入力部２５は電源オフ用である。タッチ入力部２２は、使用者の手指の接触位置を任意に変更できる長さの領域を有する形態に、つまり長尺形態に、トッププレ−ト１６上に印刷膜により形成されている。また、単一タッチ入力部２３〜２５も、トッププレ−ト１６上に印刷膜により形成されている。前記加熱モ−ド設定用の単一タッチ入力部２３は、通常加熱、天ぷら、炊飯などの調理に適した加熱モ−ドを設定するためのものである。
【００１５】
トッププレ−ト１６の張出し部６ａの下面側には、前記タッチ入力部２２に対応して多数（複数）の検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎが設けられている。この検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎは、トッププレ−ト１６の張出し部６ａの下面に設けた基板２８（図５参照）に導体パタ−ンにより形成されていて、相互に手指による同時タッチ入力が可能な配置間隔で設けられている。検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎは、トッププレ−ト１６の下面側に存在するので、実際に手指が接触することはない。
【００１６】
ここで、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎは同じ構成であるので、検出電極２６Ｄ１について述べる。基板２８の上面には、検出電極２６Ｄ１が導体パタ−ンにより形成され、基板２８の下面には、この検出電極２６Ｄ１とスル−ホ−ル２６ａを介して導通する接続導体部２６ｂが形成されている。本実施例の各種の電気電子回路は、前記主回路基板１１に実装されており、この主回路基板１１の接続部（図示せず）に、前記検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎの各接続導体部２６ｂが、接続導体１４ｂ、配線用中間基板１４の接続パタ−ン及びハ−ネス（図示せず）を介して接続されている。
【００１７】
各検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎは、前記調理条件表示部２０と対応して設けられており、各検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎは、図６に示すように、左側のものから右側へ、順次、加熱条件（加熱強度あるいは加熱温度）を大なる方向へ設定するようになっている。
【００１８】
前記単一タッチ入力部２３〜２５に対応するトッププレ−ト１６の張出し部１６ａの下面側には、単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄが設けられており、この単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄも前記基板２８の上面に形成されている。この場合、この単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄの配置間隔は、前記検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ相互の配置間隔よりも広く設定されて誤検出防止が図られている。これらの単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄも、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎと同様にして主回路基板１１の接続部に接続されている。
【００１９】
次に、本実施例の電気的構成について図１及び図６を参照して説明する。
図１において、検出電極Ｐ１１〜Ｐ１４、Ｐ２１〜Ｐ２４．Ｐ３１〜Ｐ３４及びＰ４１〜Ｐ４４は、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄに１対１で対応するものであるが、説明の便宜上このように示す。
【００２０】
検出電極Ｐ１１〜Ｐ１４、Ｐ２１〜Ｐ２４．Ｐ３１〜Ｐ３４及びＰ４１〜Ｐ４４は、マトリックス回路２９を構成する。すなわち、検出電極Ｐ１１〜Ｐ１４の一方の端子は信号線Ｌ１に接続され、検出電極Ｐ２１〜Ｐ２４の一方の端子は信号線Ｌ２に接続され、検出電極Ｐ３１〜Ｐ３４の一方の端子は信号線Ｌ３に接続され、検出電極Ｐ４１〜Ｐ４４の一方の端子は信号線Ｌ４に接続されている。また、検出電極Ｐ１１〜Ｐ４１の他方の端子は信号線Ｒ１に接続され、検出電極Ｐ１２〜Ｐ４２の他方の端子は信号線Ｒ２に接続され、検出電極Ｐ１３〜Ｐ４３の他方の端子は信号線Ｒ３に接続され、検出電極Ｐ１４〜Ｐ４４の他方の端子は信号線Ｒ４に接続されている。
【００２１】
マトリックス回路２９において、信号線Ｌ１〜Ｌ４は、抵抗器Ｒ１１〜Ｒ１４を介してマイクロコンピュ−タ３０の出力ポ−トＧ１〜Ｇ４にそれぞれ接続され、信号線Ｒ１〜Ｒ４は、抵抗器Ｒ２１〜Ｒ２４を介してマイクロコンピュ−タ３０の入力ポ−トＤ１ａ〜Ｄ４ａにそれぞれ接続されている。さらに、マイクロコンピュ−タ３０の入力ポ−トＤ１ａ〜Ｄ４ａは、コンデンサ（サンプリングコンデンサ）Ｃ１〜Ｃ４を介してマイクロコンピュ−タ３０の入力ポ−トＤ１ｂ〜Ｄ４ｂにそれぞれ接続され，これらの入力ポ−トＤ１ｂ〜Ｄ４ｂは、抵抗器Ｒ３１〜Ｒ３４をそれぞれ介してマイクロコンピュ−タ３０の入力ポ−トＩに接続されている。この場合、マイクロコンピュ−タ３０とコンデンサＣ１〜Ｃ４から静電容量式タッチ入力検出装置が構成されている。
【００２２】
マイクロコンピュ−タ３０の入出力ポ−トには、制御手段であるインバ−タ制御回路３１が接続されている。このインバ−タ制御回路３１は、誘導加熱コイル８に高周波電流を供給するインバ−タ３２を制御する。この場合、インバ−タ制御回路３１は、インバ−タ３２に高周波のインバータ駆動信号を与えて該インバータ３２を駆動するものであり、上記インバータ駆動信号の周波数を可変制御することにより前記誘導加熱コイル８に入力される入力電力（即ち、加熱強度または火力）の大きさを制御する機能を有している。具体的には、図７に示すように、インバ−タ制御回路３１は、インバータ駆動信号の周波数を例えば２５ｋＨｚ程度から９５ｋＨｚ程度まで可変制御することにより、誘導加熱コイル８に入力される入力電力の大きさを例えば３０００Ｗ程度から２００Ｗ程度まで可変制御することができるように構成されている。
【００２３】
また、インバ−タ制御回路３１は、誘導加熱コイル９についてもインバ−タ（図示しない）を介して同様に制御する機能を有している。更に、インバ−タ制御回路３１は、ヒータ１０についてもヒータ駆動回路（図示しない）を介して制御する機能を有している。
【００２４】
また、インバ−タ制御回路３１は、マイクロコンピュータ３０、コンデンサＣ１〜Ｃ４およびインバ−タ制御回路３１等に送風してこれらを冷却するファン装置４１を駆動回路４２を介して制御する機能を有している。この場合、インバ−タ制御回路３１は、ファン装置４１の回転数（回転速度）を可変制御することが可能なように構成されている。
【００２５】
さて、図６は、図１に示す電気的構成の一部を取り出して示すもので、特に検出電極Ｐ１１の部分を代表して示す。すなわち、検出電極Ｐ１１は、対向する２つの電極部Ｐａ、Ｐｂからなる。一方の電極Ｐａが抵抗器Ｒ１１を介してタッチ入力検出手段としての充放電回路（高周波発生回路）３３の出力ポ−トＧ１に接続され、他方の電極部Ｐｂが抵抗器Ｒ２１を介して充放電回路３３の入力ポ−トＤ１ａに接続されている。さらに、この入力ポ−トＤ１ａが充放電回路３３の入力ポ−トＤ１ｂにコンデンサＣ１を介して充放電回路３３の入力ポ−トＤ１ｂに接続され、この入力ポ−トＤ１ｂが抵抗器Ｒ３１を介して充放電回路３３の入力ポ−トＩに接続されている。
【００２６】
充放電回路３３は、マイクロコンピュ−タ３０によって構成されるものであるが、以下においては、説明の便宜上、ハ−ドウエアの構成として述べる。充放電回路３３は、放電タイミング制御部３３ｂを含む充放電手段３３ａ、電荷量検出手段たる電圧検出部３３ｃ及び判定手段３３ｄを備えている。
【００２７】
充放電手段３３ａの充放電タイミング制御部３３ｂにおいて、充電タイミング電圧Ｖ１を出力する出力端子は、スイッチング素子たるＦＥＴＱ１ａ、Ｑ１ｂのゲ−トに接続され、放電タイミング電圧Ｖ２を出力する出力端子は、スイッチング素子たるＦＥＴＱ２のゲ−ト及び電圧検出部３３ｃの１つの入力端子に接続され、計測終了電圧Ｖ３を出力する出力端子は、スイッチング素子たるＦＥＴＱ３のゲ−ト及び電圧検出部３３ｃの他の入力端子に接続されている。なお、電圧検出部３３ｃのもう１つの入力端子は、入力ポ−トＩに接続されている。
【００２８】
ＦＥＴＱ１ａにおいて、ソ−スはグランドＧＮＤ（０Ｖ）に接続され、ドレインは出力ポ−トＧ１に接続され、ソ−ス、ドレイン間にはダイオ−ドＤａが接続されている。ＦＥＴＱ１ｂにおいて、ソ−スは入力ポ−トＤ１ｂに接続され、ドレインは負電圧−Ｖｓｓ（−５Ｖ）の負直流電源に接続され、ソ−ス、ドレイン間にはダイオ−ドＤｂが接続されている。ＦＥＴＱ２において、ソ−スはグランドＧＮＤに接続され、ドレインは入力ポ−トＤ１ａに接続されているとともにＦＥＴＱ３のソ−スに接続されており、さらに、ＦＥＴＱ３のドレインは負電圧−Ｖｓｓ（−５Ｖ）の負直流電源に接続されている。
【００２９】
そして、電圧検出部３３ｃの出力端子は、判定手段３３ｄの入力端子に接続されている。電圧検出部３３ｃは、後述するように、入力ポ−トＩの検出電圧Ｖｓｉ（負（−）電圧）を入力して検出タイミング時の検出電圧Ｖｓｉを容量検出値としての電圧検出値Ｖｎｃとして検出し、判定手段３３ｄに与える。判定手段３３ｄは、この電圧検出値Ｖｎｃと後述する検出基準値Ｖｎｓとを比較し、電圧検出値Ｖｎｃが検出基準値Ｖｎｓを超えている（負方向に大）と判定したときにタッチ入力検出としてタッチ検出信号Ｓｔｏｃを出力するようになっている。
【００３０】
以上説明した図７の充放電回路３３は、マイクロコンピュ−タ３０における出力ポ−トＧ１と入力ポ−トＤ１ａ、Ｄ１ｂとに関して設けられたものであるが、出力ポ−トＧ２と入力ポ−トＤ２ａ、Ｄ２ｂとに関して、出力ポ−トＧ３と入力ポ−トＤ３ａ、Ｄ３ｂとに関して、及び、出力ポ−トＧ４と入力ポ−トＤ４ａ、Ｄ４ｂとに関しても、充放電回路３３と同様の構成の充放電回路が設けられている。
【００３１】
次に、本実施例の作用につき、図８ないし図１１をも参照しながら説明する。
マイクロコンピュ−タ３０の概略的な動作は、以下の通りである。すなわち、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎのいずれか１つの検出電極に対するタッチ入力が検出されると、当該検出電極に対応して予め割り当てられた調理条件が設定される。この実施例では、当該検出電極の左方からの順位に応じた火力（加熱強度）あるいは加熱温度が設定される。また、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎのいずれか１つの検出電極に対してタッチ入力が検出された場合には、当該１つの検出電極に対応して予め定められた加熱条件表示パタ−ンを調理条件表示部２０に表示させる。
【００３２】
使用者が単一タッチ入力部２３に対して、そのほぼ真上から手指を接触させると、単一検出電極２３Ｄに対するタッチ入力が正確に検出され、タッチ入力の回数に応じて、通常加熱、天ぷら、炊飯などの調理に適した加熱モ−ドが選択設定される。他の単一タッチ入力部２４、２５に対しても、そのほぼ真上から手指を接触させると、単一検出電極２４Ｄ、２５Ｄに対するタッチ入力が正確に検出される。従って、電源オン用の単一タッチ入力部２４の単一検出電極２４Ｄに対するタッチ入力が検出された場合には、マイクロコンピュ−タ３０は、上述した調理条件たる加熱モ−ドや加熱条件をインバ−タ制御回路３１へ送信する。インバ−タ制御回路３１は、上記した加熱モ−ドや加熱条件で調理を実行させるべく、インバ−タ３２を制御して誘導加熱コイル８を駆動制御する。
【００３３】
さて、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄに対するタッチ入力の検出に関して説明する。マイクロコンピュ−タ３０は、図８に示すように、出力ポ−トＧ１、Ｇ２、Ｇ３及びＧ４から例えば２ｍｓｅｃの検出期間信号Ｔ１（時刻ｔｃ１−ｔｃ２）、Ｔ２（時刻ｔｃ２−ｔｃ３）、Ｔ３（時刻ｔｃ３−ｔｃ４）及びＴ４（ｔｃ４−ｔｃ５）を１周期（８ｍｓｅｃ）として順次出力し、出力ポ−トＧ１、Ｇ２、Ｇ３及びＧ４とマトリックスを構成する入力ポ−トＤ１ｂ、Ｄ２ｂ、Ｄ３ｂ及びＤ４ｂに検出期間信号Ｔ５（時刻ｔｃ１−ｔｃ５）、Ｔ６（時刻ｔｃ５−ｔｃ９）、Ｔ７（時刻ｔｃ９−ｔｃ１３）及びＴ８（時刻ｔｃ１３−ｔｃ１７）を１周期（３２ｍｓｅｃ）として順次出力する。
【００３４】
この場合、検出期間信号Ｔ１〜Ｔ７は、実際のハイレベル、ロウレベルの信号ではなく、検出期間を示す便宜上の信号である。すなわち、各検出期間信号Ｔ１（時刻ｔｃ１−ｔｃ２）、Ｔ２（時刻ｔｃ２−ｔｃ３）、Ｔ３（時刻ｔｃ３−ｔｃ４）及びＴ４（ｔｃ４−ｔｃ５）の期間においては、マイクロコンピュ−タ３０は、出力ポ−トＧ１、Ｇ２、Ｇ３及びＧ４から、周波数が例えば２００ＫＨｚの高周波の放電タイミング電圧Ｖ１（図９（ａ）参照）に対応した高周波電圧を出力する。検出期間信号Ｔ５（時刻ｔｃ１−ｔｃ５）、Ｔ６（時刻ｔｃ５−ｔｃ９）、Ｔ７（時刻ｔｃ９−ｔｃ１３）及びＴ８（時刻ｔｃ１３−ｔｃ１７）の期間においては、マイクロコンピュ−タ３０は、入力ポ−トＤ１ｂ、Ｄ２ｂ、Ｄ３ｂ及びＤ４ｂにおいて入力ポ−トＩに与えられる検出電圧Ｖｉの検出を可能とする。
【００３５】
図９は、図６に示す検出電極Ｐ１１に関する各部の電圧波形であり、（ｂ）図の放電タイミング電圧Ｖ２は充電タイミング電圧Ｖ１を反転した電圧、（ｃ）図の計測終了電圧Ｖ３は、時刻ｔｃ１から時刻ｔｃ２より放電タイミング信号Ｖ１の１サイクル分長い時刻ｔｃ２´までの間ロウレベルとなる電圧である。以下、図６について説明する。
【００３６】
放電タイミング制御部３３ｂは、検出指令ＳＴが与えられると（これはマイクロコンピュ−タ３０のプログラムに基づく）、出力ポ−トＧ１及び入力ポ−トＤ１ｂが検出期間信号Ｔ１及びＴ５の期間となる。今、タッチ入力部２２に使用者が手指を触れない状態において、充電タイミング電圧Ｖ１がハイレベルになると、ＦＥＴＱ１ａ、Ｑ１ｂがオンになり、ＦＥＴＱ１ａのソ−スがグランドＧＮＤ（０Ｖ）に接続されかつＦＥＴＱ１ｂのドレインがが−Ｖｓｓ（−５Ｖ）の負直流電源に接続される。これにより、検出電極Ｐ１１において、電極部Ｐａ、Ｐｂ間に（寄生）静電容量Ｃ０１が生じるとともに、グランドＧＮＤと電極部Ｐｂとの間に（寄生）静電容量Ｃ０２（Ｃ０＝Ｃ０１＋Ｃ０２）が生じる。そして、グランドＧＮＤ、ＦＥＴＱ１ａのソ−ス、ドレイン、抵抗器Ｒ１１、検出電極Ｐ１１の電極部Ｐａ、静電容量Ｃ０１、電極部Ｐｂ、抵抗器Ｒ２１、コンデンサＣ１、ＦＥＴＱ１ｂのソ−ス、ドレイン及び−Ｖｓｓ（−５Ｖ）の負直流電源の経路で静電容量Ｃ０１及びコンデンサＣ１が充電されるとともに、グランドＧＮＤ、静電容量Ｃ０２、検出電極Ｐ１１の電極部Ｐｂ，抵抗器Ｒ２１、コンデンサＣ１、ＦＥＴＱ１ｂのソ−ス、ドレイン及び−Ｖｓｓ（−５Ｖ）の負直流電源の経路で静電容量Ｃ０２及びコンデンサＣ１が充電される。
【００３７】
充電タイミング電圧Ｖ１がロウレベルになり、代わりに、放電タイミング電圧Ｖ２が
ハイレベルになると、ＦＥＴＱ１ａ、Ｑ１ｂがオフし、ＦＥＴＱ２がオンする。これにより、静電容量Ｃ０１の充電電荷は、電極部Ｐａ、抵抗器Ｒ１１、ダイオ−ドＤａ、グランドＧＮＤ、ＦＥＴＱ２のソ−ス、ドレイン、抵抗器Ｒ２１及び電極部Ｐｂの経路で放電するとともに、静電容量Ｃ０２の充電電荷は、ＦＥＴＱ２のソ−ス、ドレイン、抵抗器Ｒ２１及び電極部Ｐｂの経路で放電する。この場合、ＦＥＴＱ２がオンしてもコンデンサＣ１の放電経路は形成されないので、コンデンサＣ１の充電電荷は保持される。以下、同様にして、充電タイミング電圧Ｖ１と放電タイミング電圧Ｖ２とが交互にハイレベルになることにより、コンデンサＣ１の端子電圧Ｖｓは、図９（ｄ）に示すように、徐々に上昇する。また、入力ポ−トＩの検出電圧Ｖｉは、図９（ｅ）に示すように、ＦＥＴＱ１ｂがオンのときには、ＦＥＴＱ１ｂのソ−スが−Ｖｓｓ（−５Ｖ）になるので、その−Ｖｓｓ（−５Ｖ）となり、ＦＥＴＱ２がオンのときには、コンデンサＣ１の充電電圧分だけ負（−）方向に段階的に大きくなる。
【００３８】
電圧検出部３３ｃは、検出期間信号Ｔ１の終了時点ｔｃ２において放電タイミング信号Ｖ２がロウレベルからハイレベルに立ち上がると、ＦＥＴＱ２がオンしてそのソ−スがグランドＧＮＤに接続されることにより入力ポ−トＩの検出電圧Ｖｉを読み込み可能となり、このときには、コンデンサＣ１の端子電圧Ｖｓは、図９（ｄ）に示すように、電圧Ｖｓ´となっているものとする。そして、検出電圧Ｖｉは、電圧Ｖｓ´分だけ負（−）方向に大きくなった値となり、電圧検出部３３ｃは、この電圧値を電圧検出値Ｖｎｃ（図９（ｅ）参照）として読み込んで記憶する。充放電タイミング制御部３３ｂから出力される計測終了電圧Ｖ３は、図９（ｃ）に示すように、時刻ｔｃ１−ｔｃ２間はロウレベルであるが、時刻ｔｃ２´になるとハイレベルになる。これにより、ＦＥＴＱ３がオンして、そのドレインが−Ｖｓｓ（−５Ｖ）の負直流電源に接続され、コンデンサＣ１は、ＦＥＴＱ３のソ−ス、ドレイン、−Ｖｓｓ（−５Ｖ）の負直流電源及びダイオ−ドＤｂの経路で放電するようになり、図９（ｄ）に示すように、コンデンサＣ１の端子電圧Ｖｓは零（０）になる。
【００３９】
マイクロコンピュ−タ３０は、検出電極Ｐ１１に対する電圧検出値Ｖｎｃの検出を複数回実行して、それらの平均の電圧検出値Ｖｎｃを得、図１０に示すように、この平均の電圧検出値Ｖｎｃより閾値分（例えば平均の電圧検出値Ｖｎｃの２％分）だけ負方向に大きな検出基準値Ｖｎｓを設定する。
【００４０】
以上のように、マイクロコンピュ−タ３０は、出力ポ−トＧ１の検出期間信号Ｔ１の期間においては、入力ポ−トＤ１ａ、Ｄ１ｂ及びＩに関する電圧検出部３３ｃで検出電極Ｐ１１の電圧検出値Ｖｎｃを検出して検出基準値Ｖｎｓを設定することができ、同様にして、出力ポ−トＧ２、Ｇ３及びＧ４の検出期間信号Ｔ２、Ｔ３及びＴ４をスキャニングしてその期間において、電圧検出部３３ｃで検出電極Ｐ２１、Ｐ３１及びＰ４１の電圧検出値を検出して検出基準値を設定することができる。
【００４１】
さらに、マイクロコンピュ−タ３０は、同様にして、出力ポ−トＧ１，Ｇ２、Ｇ３及びＧ４の検出期間信号Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３及びＴ４をスキャニングしてその期間において、入力ポ−トＤ２ａ、Ｄ２ｂ及びＩに関する電圧検出部で検出電極Ｐ１２、Ｐ２２、Ｐ３２及びＰ４２の電圧検出値を検出して検出基準値を設定し、出力ポ−トＧ１，Ｇ２、Ｇ３及びＧ４の検出期間信号Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３及びＴ４をスキャニングしてその期間において、入力ポ−トＤ３ａ、Ｄ３ｂ及びＩに関する電圧検出部で検出電極Ｐ１３、Ｐ２３、Ｐ３３及びＰ４３の電圧検出値を検出して検出基準値を設定し、出力ポ−トＧ１，Ｇ２、Ｇ３及びＧ４の検出期間信号Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３及びＴ４をスキャニングしてその期間において、入力ポ−トＤ４ａ、Ｄ４ｂ及びＩに関する電圧検出部で検出電極Ｐ１４、Ｐ２４、Ｐ３４及びＰ４４の電圧検出値を検出して検出基準値を設定することができる。すなわち、マイクロコンピュ−タ３０は、各検出電極Ｐ１１〜Ｐ４４毎に検出基準値（Ｖｎｓ）を設定するものである。
【００４２】
次に、図６及び図９を参照して検出電極Ｐ１１のタッチ入力検出動作につき説明する。出力ポ−トＧ１の検出期間信号Ｔ１の期間において、充電タイミング電圧Ｖ１がハイレベルのときには、前述したように、（寄生）静電容量Ｃ０（Ｃ０１＋Ｃ０２）を介してコンデンサＣ１が充電されるが、使用者が検出電極Ｐ１１に対応するタッチ入力部２２の部位に手指を触れると、使用者の手指を介して電極部Ｐａ、Ｐｂ間に（寄生）静電容量Ｃｘ１が生じるとともに、使用者の人体を介して電極部ＰｂとグランドＧＮＤとの間に（寄生）静電容量Ｃｘ２が生じる。このため、検出電極Ｐ１１は、静電容量Ｃ０の他に静電容量Ｃｘ（＝Ｃｘ１＋Ｃｘ２）が加わって静電容量が変化する。従って、コンデンサＣ１は、静電容量Ｃ０の他に静電容量Ｃｘを介しても充電されるようになり、コンデンサＣ１の端子電圧Ｖｓは、静電容量Ｃ０のみを介する場合（前述の検出基準値Ｖｎｓを設定する場合）よりも大きくなる。
【００４３】
その後、電圧検出部３３ｃは、検出期間信号Ｔ１の終了時点ｔｃ２で入力ポ−トＩの検出電圧Ｖｉを検圧検出値Ｖｎｃとして読み込み記憶する。判定手段３３ｄは、前述したようにして予め設定された検出基準値Ｖｎｓと上記電圧検出値Ｖｎｃとを比較し、電圧検出値Ｖｎｃが検出基準値Ｖｎｓを超えたとき（負方向に大なるとき）にタッチ入力ありと判定してタッチ入力信号Ｓｔｏｃを出力する。他の検出電極Ｐ１２〜Ｐ４４に対するタッチ入力検出も同様である。以上のような原理に基づいて、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄのタッチ入力検出が行なわれる。
【００４４】
さて、上記構成において、インバ−タ制御回路３１によってインバータ駆動信号の周波数を可変制御することにより誘導加熱コイルに入力される入力電力、即ち、加熱出力（火力）の大きさを制御したときに、静電容量式タッチ入力検出装置の誤検出、即ち、タッチ入力部２２〜２５を手指でタッチ操作していないときに、タッチ操作したと判定するような誤検出が発生することを本発明者らは見い出した。
【００４５】
具体的には、インバータ駆動信号の周波数の逓倍が静電容量式タッチ入力検出装置の充放電タイミングを制御する充放電回路３３の高周波信号（即ち、放電タイミング電圧Ｖ１）の周波数（即ち、２００ｋＨｚ）にほぼ等しいときに、タッチ入力部２２〜２５を手指でタッチ操作していないときであっても、タッチ操作したと判定するような誤検出が発生することがあった。例えば、インバータ駆動信号の周波数が６６、７ｋＨｚのとき、その３逓倍がほぼ２００ｋＨｚとなり、このとき、静電容量式タッチ入力検出装置の誤検出が起こることがあった。また、インバータ駆動信号の周波数が例えば５０ｋＨｚのとき、その４逓倍が２００ｋＨｚとなり、このときも、静電容量式タッチ入力検出装置の誤検出が起こることがあった。
【００４６】
そこで、本実施形態では、静電容量式タッチ入力検出装置の誤検出の発生を防止するために、インバ−タ制御回路３１は、上記誤検出が発生するおそれがある周波数のインバータ駆動信号をインバータ３２へ与えないようにマスクする構成となっている。具体的には、インバータ駆動信号の周波数６６、７ｋＨｚを中心値としてその前後の周波数帯域、例えば６５．４ｋＨｚ〜６８ｋＨｚ（６６、７ｋＨｚ±１．３ｋＨｚ）のインバータ駆動信号をインバータ３２に与えないようにマスクする制御を行う。即ち、インバ−タ制御回路３１は、上記周波数帯域６５．４ｋＨｚ〜６８ｋＨｚの間のインバータ駆動信号については、例えば６８ｋＨｚに固定してインバータ３２へ与える制御を実行するように構成されている。
【００４７】
この構成の場合、インバータ駆動信号の周波数が高くなるほど、入力電力（火力）が低くなるように構成されている（図７参照）。インバータ駆動信号の周波数が６５．４ｋＨｚのときは、入力電力は３１０Ｗとなり、インバータ駆動信号の周波数が６８ｋＨｚのときは、入力電力は３００Ｗとなる。従って、火力（入力電力）を比例制御で低下させているときに、上記したインバータ駆動信号の周波数のマスク制御を実行すると、マスク周波数帯域外（下限値６５．４ｋＨｚ未満）からマスク周波数帯域（６５．４ｋＨｚ〜６８ｋＨｚ）内に入るときに、火力が１０Ｗだけ段階的に変化（低下）する。尚、この１０Ｗ程度の火力の段階的な変化であれば、火力の低下制御時にユーザーに違和感を与えることがない。
【００４８】
更に、本実施形態では、インバータ駆動信号の周波数５０ｋＨｚを中心値としてその前後の周波数帯域、例えば４９．５ｋＨｚ〜５０．５ｋＨｚ（５０ｋＨｚ±０．５ｋＨｚ）のインバータ駆動信号をインバータ３２に与えないようにマスクする制御も行う。即ち、インバ−タ制御回路３１は、上記周波数帯域４９．５ｋＨｚ〜５０．５ｋＨｚの間のインバータ駆動信号については、例えば５０．５ｋＨｚに固定してインバータ３２へ与える制御を実行するように構成されている。
【００４９】
この構成の場合、インバータ駆動信号の周波数が４９．５ｋＨｚのときは、入力電力は４７０Ｗとなり、インバータ駆動信号の周波数が５０．５ｋＨｚのときは、入力電力は４５０Ｗとなる。従って、火力（入力電力）を比例制御で低下させているときに、上記したインバータ駆動信号の周波数のマスク制御を実行すると、帯域外（下限値４９．５ｋＨｚ未満）から上記マスク周波数帯域（４９．５ｋＨｚ〜５０．５ｋＨｚ）内に入るときに、火力が２０Ｗだけ段階的に変化（低下）する。尚、この２０Ｗ程度の火力の段階的な変化であれば、火力の低下制御時にユーザーに違和感を与えることがない。
【００５０】
インバータ駆動信号の周波数の中心値が６６．７ｋＨｚのときは、マスク周波数帯域を６５．４ｋＨｚ〜６８ｋＨｚとし、周波数の中心値６６．７ｋＨｚの前後の幅を±１．３ｋＨｚとしたのに対して、インバータ駆動信号の周波数の中心値が５０ｋＨｚのときは、マスク周波数帯域を４９．５ｋＨｚ〜５０．５ｋＨｚとし、周波数の中心値５０ｋＨｚの前後の幅を±０．５ｋＨｚとした。このように、周波数の中心値が５０ｋＨｚのときに、周波数の中心値５０ｋＨｚの前後の幅（即ち、周波数帯域の幅）を小さくした理由は、火力（入力電力）を比例制御で低下させているときに、帯域外（下限値４９．５ｋＨｚ未満）からマスク周波数帯域（４９．５ｋＨｚ〜５０．５ｋＨｚ）内に入るときに、火力の段階的変化をできるだけ小さくするためである。尚、周波数の中心値に対する上記前後の幅を更に小さくすれば、火力の段階的変化を更に小さくできるが、静電容量式タッチ入力検出装置の誤検出が発生する可能性が高くなるので、上記前後の幅を小さくするにはある程度限界がある。
【００５１】
また、本実施形態においては、図１１に示すように、誘導加熱の火力設定の目盛（例えばレベル１〜１０、発光ダイオード１２ｄ１〜１２ｄｎ）に、誘導加熱コイル８に入力される入力電力（火力）を割り当てる際に、マスク用の周波数帯域のインバータ駆動信号に対応する入力電力（例えば４５０〜４７０Ｗ、３００〜３１０Ｗ）を、誘導加熱の火力設定の目盛に割り当てないように構成している。
【００５２】
また、本実施形態においては、インバ−タ制御回路３１は、マイクロコンピュータ３０、コンデンサＣ１〜Ｃ４およびインバ−タ制御回路３１等に送風してこれらを冷却するファン装置４１を駆動回路４２を介して駆動制御する場合、ファン装置４１の回転数（回転速度）を、誘導加熱コイル８に入力される入力電力の大きさに対応するように、即ち、入力電力が大きく（または小さく）なるほど回転数を大きく（小さく）するように設定している。
【００５３】
ここで、静電容量式タッチ入力検出装置の誤検出の発生を防止するために、インバ−タ制御回路３１は、上記誤検出が発生するおそれがある周波数のインバータ駆動信号をインバータ３２へ与えないようにマスクする制御を行うが、このとき、誘導加熱コイル８に入力される入力電力の大きさが階段状に変化する。このため、ファン装置４１の回転数も階段状に変化することから、ユーザーに不自然な印象を与えるおそれがある。
【００５４】
そこで、本実施形態においては、インバ−タ制御回路３１がマスクする周波数帯域のインバータ駆動信号をマスク制御しているときには、誘導加熱コイル８の入力電力に応じた回転数よりも高い固定回転数、具体的には、マスク周波数帯域の中心値（中間値）のインバータ駆動信号（入力電力）に対応する回転数でファン装置４１を駆動する。この構成によれば、インバータ駆動信号のマスク制御を行うときに、即ち、誘導加熱コイル８に入力される入力電力の大きさが階段状に変化するときに、マスク周波数帯域の中心値のインバータ駆動信号（入力電力）に対応する回転数でファン装置４１を駆動する構成としたので、ファン装置４１の回転数の階段状の変化を比較的小さくすることが可能となるから、ユーザーに不自然な印象を与えるおそれを少なくすることができる。
【００５５】
また、上記実施形態では、静電容量式タッチ入力検出装置のタッチの検出時間（即ち、検出期間信号Ｔ１（時刻ｔｃ１−ｔｃ２））を２ｍｓとしたが、この検出時間を上記マスク周波数帯域の内外で変更するように構成しても良い。マスク周波数帯域の外では上記２ｍｓのままとし、マスク周波数帯域の内では、３ｍｓ、４ｍｓまたは６ｍｓ等と長くするように構成しても良い。このように検出時間を長くすると、ノイズ耐性を高くすることができる。
【００５６】
図１２及び図１３は、本発明の第２実施形態を示すものであり、前記第１実施形態と同一部分には同一符号を付している。この第２実施形態では、静電容量式タッチ入力検出装置を構成するマイクロコンピュ−タ３０内の不揮発性メモリ内に、静電容量式タッチ入力検出装置の充放電タイミングを制御する充放電回路３３の高周波信号（即ち、放電タイミング電圧Ｖ１）の周波数（例えば２００ｋＨｚ）を記憶しておき、この記憶しておいた周波数を、インバ−タ制御回路３１はマイクロコンピュータ３０と通信することにより取得するように構成されている。そして、インバ−タ制御回路３１は、上記通信により取得した周波数に基づいて計算によりマスク周波数帯域を設定するように構成されている。図１２のフローチャートは、インバ−タ制御回路３１の制御機能のうちのマスク周波数帯域を設定する制御の内容を示している。
【００５７】
まず、図１２のステップＳ１０において、インバ−タ制御回路３１は、マイクロコンピュータ３０と通信することにより、マイクロコンピュ−タ３０内の不揮発性メモリ内に記憶されている周波数（静電容量式タッチ入力検出装置の充放電タイミングを制御する充放電回路３３の高周波信号の周波数（例えば２００ｋＨｚ））を取得する。続いて、ステップＳ２０へ進み、インバ−タ制御回路３１は、上記通信により取得した周波数に基づいて計算によりマスク周波数帯域を設定する。この場合、周波数を３（または４）で除算して周波数帯域（ノイズ領域）の中心値（中間値）の周波数を算出する。例えば２００ｋＨｚの場合、２００／３＝６６．７ｋＨｚとなる。次に、上記中心値の周波数の前後の幅を、図１３に示す表に基づいて決定し、マスク周波数帯域を設定する。例えば中心値の周波数が６６．７ｋＨｚの場合、図１３の表から、中心値の周波数の前後の幅（帯域幅）は、±２％となり、マスク周波数帯域は、６５．４（６６．７＊０．９８）〜６８（６６．７＊１．０２）ｋＨｚと設定される。尚、図１３に示すように、中心値の周波数の前後の幅（帯域幅）は、中心値の周波数の値によって変化するように構成されている。
【００５８】
また、上記したマスク周波数帯域を設定する制御は、例えば加熱調理器１の電源を投入した直後の初期化処理を実行するときに行なうように構成されている。
上述した以外の第２実施形態の構成は、第１実施形態と同じ構成となっている。従って、第２実施形態においても、第１実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第２実施形態によれば、インバ−タ制御回路３１によって、マイクロコンピュ−タ３０から静電容量式タッチ入力検出装置の充放電タイミングを制御する高周波信号の周波数を通信により取得する構成としたので、静電容量式タッチ入力検出装置として周波数が異なる他の静電容量式タッチ入力検出装置を使用したときに、マスク周波数帯域を設定する制御が自動的に行われることから、制御プログラムの変更作業等が不要になる。尚、周波数が異なる他の静電容量式タッチ入力検出装置としては、例えば２５０ｋＨｚ、３００ｋＨｚなどの静電容量式タッチ入力検出装置がある。また、インバ−タ制御回路３１とマイクロコンピュ−タ３０との間で通信するデータとしては、上記周波数の値に限られるものではなく、静電容量式タッチ入力検出装置の種類（即ち、周波数の値）を特定できるデータであれば良い。
【００５９】
また、上記実施形態では、インバ−タ制御回路３１は、インバータ駆動信号の周波数６６、７ｋＨｚを中心値としてその前後の周波数帯域、例えば６５．４ｋＨｚ〜６８ｋＨｚのインバータ駆動信号をインバータ３２に与えないようにマスク制御するときに、上記周波数帯域６５．４ｋＨｚ〜６８ｋＨｚの上限値（入力電力が最も小さくなる側）の周波数６８ｋＨｚに固定したインバータ駆動信号をインバータ３２へ与えるように制御したが、これに代えて、上記周波数帯域６５．４ｋＨｚ〜６８ｋＨｚの下限値（入力電力が最も大きくなる側）の周波数６５．４ｋＨｚに固定したインバータ駆動信号をインバータ３２へ与えるように制御しても良い。また、周波数帯域の上限値または下限値の周波数のいずれをインバータ３２へ与えるかを、ユーザーに選択設定可能なように構成しても良い。この場合、上限値（入力電力が最も小さくなる側）の周波数を選択すると、安全性重視となり、下限値（入力電力が最も大きくなる側）の周波数を選択すると、調理性能重視となる。
【００６０】
更にまた、マスク周波数帯域の帯域幅を微調整可能なように、即ち、マスク周波数帯域の上限値または下限値を微調整可能なように構成することが好ましい。そして、上記微調整したマスク周波数帯域の帯域幅（即ち、マスク周波数帯域の上限値または下限値）を、マイクロコンピュ−タ３０の内蔵の不揮発性メモリに記憶させるように構成することが良い。このように構成すると、上記微調整によって製品毎のばらつきを吸収することができる。尚、上記マスク周波数帯域の微調整作業は、製品出荷前の最終的なチェック工程で実行することが好ましい。
【符号の説明】
【００６１】
図面中、２は加熱調理器、８、９は誘導加熱コイル、１１は主回路基板、１２ｄ１〜１２ｄｎは発光ダイオ−ド、１６はトッププレ−ト、１７、１８、１９は加熱部、２３Ｄ〜２５Ｄは単一検出電極、２６Ｄ１〜２６Ｄｎは検出電極、３０はマイクロコンピュ−タ、３１はインバ−タ制御回路（制御手段）、３２はインバ−タ、３３は充放電回路（高周波発生回路）、４１はファン装置、４２は駆動回路である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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