(57)【要約】【課題】  帯状の基板をその長手方向に連続的に移動させながら繰り返し投影露光することができ、スループットを向上させることができる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。【解決手段】帯状の基板の長手方向に沿って該基板の複数のパターン転写領域に、第１部分パターン及び第２部分パターンを含むパターンを露光する露光方法である。また、その露光方法は基板を長手方向に連続的に移動させる工程と、パターン転写領域のうちの第１部分領域に第１部分パターンを露光する第１露光処理を、基板の長手方向への移動に同期して繰り返す工程と、パターン転写領域のうち長手方向に沿って第１部分領域に隣接する第２部分領域に第２部分パターンを露光する第２露光処理を、基板の前記長手方向への移動に同期して繰り返す工程と、を含む。【選択図】  図１
2011033908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状の基板の長手方向に沿って該基板の複数のパターン転写領域に、第１部分パターン及び第２部分パターンを含むパターンを露光する露光方法において、
前記基板を前記長手方向に連続的に移動させる工程と、
前記パターン転写領域のうちの第１部分領域に前記第１部分パターンを露光する第１露光処理を、前記基板の前記長手方向への移動に同期して繰り返す工程と、
前記パターン転写領域のうち前記長手方向に沿って前記第１部分領域に隣接する第２部分領域に前記第２部分パターンを露光する第２露光処理を、前記基板の前記長手方向への移動に同期して繰り返す工程と、
を含む露光方法。
【請求項２】
前記第１露光処理は、前記第１部分パターンに対応する第１原画パターンが形成された第１マスクを前記基板の前記長手方向への移動に同期して第１位置から第２位置へ走査しながら前記第１部分パターンを前記第１部分領域に走査露光することを含み、
前記第１露光処理を繰り返す工程は、前記走査露光することと、前記基板の前記長手方向への移動に同期して前記第１マスクを前記第２位置から前記第１位置へ移動させることとを繰り返すことを含む請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記第２部分パターンは、単位パターンが前記長手方向に繰り返される繰り返しパターンを含み、
前記第２露光処理は、前記基板の前記長手方向への移動に同期して前記単位パターンを前記第２部分領域に繰り返し露光することを含む請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記第２露光処理は、
前記単位パターンに対応する第２原画パターンが形成された第２マスクを第３位置に配置することと、
前記第３位置に配置された前記第２マスクに対して、前記単位パターンの繰り返しピッチと前記基板の前記長手方向への移動速度とに基づいてパルス光を繰り返し照射し、前記第２マスクを介した前記パルス光によって前記単位パターンを前記第２部分領域に繰り返し露光することを含む請求項３に記載の露光方法。
【請求項５】
前記第１露光処理は、前記第１部分パターンとして前記第１原画パターンの像を前記第１部分領域に投影することを含む請求項２から請求項４のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項６】
前記第１露光処理は、前記第１原画パターンの像を前記基板の前記長手方向に離れた複数の前記第１部分領域に同時に投影することを含む請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】
前記第２露光処理は、前記単位パターンとして前記第２原画パターンの像を前記第２部分領域に投影することを含む請求項３に記載の露光方法。
【請求項８】
前記第２露光処理は、前記第２原画パターンの像を前記基板の前記長手方向に離れた複数の前記第２部分領域に同時に投影することを含む請求項７に記載の露光方法。
【請求項９】
前記第２露光処理は、前記第２部分領域に投影する前記第２原画パターンの像の大きさを制限することを含む請求項７又は請求項８に記載の露光方法。
【請求項１０】
回路パターンを含む電子デバイスの製造方法であって、
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、帯状の基板に前記回路パターンを露光することと、
前記回路パターンが露光された前記基板を該回路パターンに基づいて加工することと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項１１】
帯状の基板の長手方向に沿って該基板の複数のパターン転写領域に、第１部分パターン及び第２部分パターンを含むパターンを露光する露光装置において、
前記基板を前記長手方向に連続的に移動させる搬送部と、
前記パターン転写領域のうちの第１部分領域に、前記基板の前記長手方向への移動に同期して前記第１部分パターンを露光する第１露光部と、
前記パターン転写領域のうち前記長手方向に沿って前記第１部分領域に隣接する第２部分領域に、前記基板の前記長手方向への移動に同期して前記第２部分パターンを露光する第２露光部と、
を含む露光装置。
【請求項１２】
前記第１露光部は、
前記第１部分パターンに対応する第１原画パターンが形成された第１マスクを備え、
前記第１マスクを前記基板の前記長手方向への移動に同期して第１位置から第２位置へ走査しながら前記第１部分パターンを前記第１部分領域に走査露光する請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第１露光部は、前記基板の前記長手方向への移動に同期して前記第１マスクを前記第１位置から前記第２位置へ移動させ、又は前記第２位置から前記第１位置へ移動させる第１マスクステージを備える請求項１１又は請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第２部分パターンは、単位パターンが前記長手方向に繰り返される繰り返しパターンを含み、
前記第２露光部は、前記基板の前記長手方向への移動に同期して前記単位パターンを前記第２部分領域に繰り返し露光する請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第２露光部は、前記第２部分パターンに対応する第２原画パターンが透明基板に形成された第２マスクを含む請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記第２露光部は、前記第２部分パターンに対応する第２原画パターンを電気的に可変する第２マスクを含む請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記第２露光部は、前記第２マスクを前記第１位置又は前記第２位置と異なる第３位置に配置する請求項１５又は請求項１６に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記第２露光部は、前記第３位置に配置された前記第２マスクに対して、前記単位パターンの繰り返しピッチと前記基板の前記長手方向への移動速度とに基づいてパルス光を繰り返し照射するパルス光源を備える請求項１７に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記第１露光部及び第２露光部は、前記パターンの像を前記パターン転写領域に投影する投影光学系を備える請求項１１から請求項１８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記第１露光部に設けられた前記投影光学系は、前記第１原画パターンの像を前記基板の前記長手方向に離れた複数の前記第１部分領域に同時に投影する請求項１９に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記第２露光部に設けられた前記投影光学系は、前記第２原画パターンの像を前記基板の前記長手方向に離れた複数の前記第２部分領域に同時に投影する請求項１９に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記第２露光部は、前記第２部分領域に投影する前記第２原画パターンの像の大きさを制限する可動ブラインドを含む請求項１８に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記帯状の基板にはアライメントマークが形成されており、
前記第１露光部は前記アライメントマークに基づいて前記第１マスクを露光し、
前記第２露光部は前記アライメントマークに基づいて前記第２マスクを露光する請求項１１から請求項２２のいずれか一項に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、帯状の基板に設けられた複数のパターン転写領域に、パターン部材に設けられたパターンを露光する露光装置、露光方法及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）又は有機ＥＬといったフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）に用いられるガラス基板又は樹脂基板は、画面の大型化の要望に応じサイズが大型化する傾向にある。パターン部材の回路パターンをガラス基板又は樹脂基板に照射する露光装置は、ガラス基板又は樹脂基板の大型化に応じて大型化している。
【０００３】
ガラス基板又は樹脂基板などが大型化するとその搬送に対して多くの問題が生じるため、ロール状に形成された長尺シートを使うことが提案されている。例えば、特許文献１では、レチクルのパターンを長尺のシート基板に露光するにあたり、シート基板を間歇的に搬送しながら、パターンを繰り返し投影露光する露光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１１４３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に開示された露光装置は、シート基板を間歇的に搬送しているために、長手方向に沿ってシート基板にパターンを繰り返し露光するにあたって多大な時間が必要である。すなわち特許文献１に開示された露光装置は、連続的に搬送しながら露光することができないために、シート基板を一時的に停止させなければならない。
【０００６】
本発明は、帯状の基板をその長手方向に連続的に移動させながら繰り返し投影露光することができ、スループットを向上させることができる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様は、帯状の基板の長手方向に沿って該基板の複数のパターン転写領域に、第１部分パターン及び第２部分パターンを含むパターンを露光する露光方法である。この露光方法は基板を長手方向に連続的に移動させる工程と、パターン転写領域のうちの第１部分領域に第１部分パターンを露光する第１露光処理を、基板の長手方向への移動に同期して繰り返す工程と、パターン転写領域のうち長手方向に沿って第１部分領域に隣接する第２部分領域に第２部分パターンを露光する第２露光処理を、基板の前記長手方向への移動に同期して繰り返す工程と、を含む。
【０００８】
本発明の第２の態様は、帯状の基板の長手方向に沿って該基板の複数のパターン転写領域に、第１部分パターン及び第２部分パターンを含むパターンを露光する露光装置である。この露光装置は基板を長手方向に連続的に移動させる搬送部と、パターン転写領域のうちの第１部分領域に、基板の前記長手方向への移動に同期して第１部分パターンを露光する第１露光部と、パターン転写領域のうち長手方向に沿って第１部分領域に隣接する第２部分領域に、基板の長手方向への移動に同期して第２部分パターンを露光する第２露光部と、を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の露光装置及び露光方法は、帯状の基板をその長手方向に連続的に移動させながら繰り返し露光することができる。このため、デバイスの製造スループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態の露光装置ＥＸを示す概略斜視図である。
【図２】第１露光部であるマスク走査型露光部ＭＳＸの概略側面図である。
【図３】マスク走査型露光部ＭＳＸのマスクＭＳの平面図である。
【図４】帯状の基板ＦＢがマスク走査型露光部ＭＳＸにより露光される平面図である。
【図５】第２露光部であるマスク固定型露光部ＭＦＸの概略側面図である。
【図６】（ａ）は、マスク固定型露光部ＭＦＸのマスクＭＦの平面図である。  （ｂ）は、矩形パルスの露光光ＥＸＬの説明図である。
【図７】帯状の基板ＦＢがマスク固定型露光部ＭＦＸにより露光される説明図である。
【図８Ａ】マスク固定型露光部ＭＦＸが帯状の基板ＦＢを露光するステップである。
【図８Ｂ】マスク固定型露光部ＭＦＸが帯状の基板ＦＢを露光するステップである。
【図９】露光装置ＥＸによる帯状の基板ＦＢの露光を説明するためのフローチャートである。
【図１０】第２の実施形態の露光装置ＥＸを示す側面図である。
【図１１】第３の実施形態の露光装置ＥＸを示す側面図である。
【図１２Ａ】第３の実施形態において、帯状の基板ＦＢが露光された図である。
【図１２Ｂ】第３の実施形態において、帯状の基板ＦＢが露光された図である。
【図１３】デバイス製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１の実施形態）
＜露光装置の全体構成＞
第１の実施形態に係る露光装置ＥＸは、露光部に対して帯状の基板を連続的に搬送することで、帯状の基板ＦＢの複数の露光領域ＥＡを走査して露光する。１つの露光領域ＥＡは例えばフラットパネルディスプレイの１画面に相当する。
【００１２】
以下、露光装置ＥＸの全体構成について図１を参照しながら説明する。
図１は、第１の実施形態の露光装置ＥＸを示す概略斜視図である。なお、帯状の基板ＦＢの移動方向をＸ軸方向（走査方向）、帯状の基板ＦＢの面においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と直交する方向をＺ軸方向（露光光の照射方向）とする。帯状の基板ＦＢの走査方向と搬送方向とは一致する。また、図１では露光済みの露光領域ＥＡを太線及び網目で示し、未露光の露光領域ＥＡを白く示している。
【００１３】
図１に示されたように、露光装置ＥＸは第１露光部としてのマスク走査型露光部ＭＳＸと第２露光部としてのマスク固定型露光部ＭＦＸとを有する。マスク走査型露光部ＭＳＸ及びマスク固定型露光部ＭＦＸは、帯状の基板ＦＢの搬送方向（Ｘ軸方向）に離れて配置されている。マスク走査型露光部ＭＳＸはマスクＭＳ（図３を参照）の移動を制御するマスク制御装置ＭＣを有している。一方マスク固定型露光部ＭＦＸは、マスクＭＦ（図６を参照）を移動させず固定したままである。
【００１４】
マスク走査型露光部ＭＳＸ及びマスク固定型露光部ＭＦＸは、マスクのパターンの像を帯状の基板ＦＢに投影する投影光学系ＰＬを有している。投影光学系ＰＬは例えばＸ軸方向に２列に配置されＹ軸方向に交互に３つ並んで配置される。投影光学系ＰＬは、図１では便宜上、Ｚ軸方向に伸びるように描かれている。ここで、マスク走査型露光部ＭＳＸの投影光学系ＰＬは投影像ＰＩ―Ｓを投影する。マスク固定型露光部ＭＦＸの投影光学系ＰＬは投影像ＰＩ―Ｆを投影する。また、投影光学系ＰＬによるマスクのパターンの投影像ＰＩ（投影像ＰＩ―Ｓ及び投影像ＰＩ―Ｆ）は帯状の基板ＦＢの表面で台形状または六角形状となっている。
【００１５】
露光装置ＥＸは帯状の基板ＦＢを供給する供給ローラＦＲと帯状の基板ＦＢを巻き取る巻き取りローラＷＲとを有する。供給ローラＦＲ及び巻き取りローラＷＲは矢印ＡＲ１のように回転する。これによって帯状の基板ＦＢはＸ軸方向に沿って移送することができる。帯状の基板ＦＢはロール状に巻き取ることができる樹脂シートである。帯状の基板ＦＢはその面積に対して厚さが十分に薄い基板であり可撓性を有する。帯状の基板ＦＢは例えばＸ軸方向に１００メートルの長さであり、Ｙ軸方向に１メートルの幅であり、厚さが１００マイクロメートルである。この帯状の基板ＦＢのマスクＭ側の片面にフォトレジストが塗布されている。フォトレジストは帯状の基板ＦＢの搬送途中に塗布されてもよい。帯状の基板ＦＢは、具体的には、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂を使うことができる。
【００１６】
帯状の基板ＦＢの走査方向の両側にはアライメントマークＡＭが設けられている。アライメントマークＡＭは、マスク走査型露光部ＭＳＸ及びマスク固定型露光部ＭＦＸ内に配置されたマスクと帯状の基板ＦＢとの位置合わせに用いられる。不図示のアライメントカメラはアライメントマークＡＭを検出し、その結果に基づいてマスクと基板ＦＢとの位置を合わせる。なお、図１ではアライメントマークＡＭは「＋」として示されているが、例えばボックスマーク「□」など任意のマーク形状でよい。
【００１７】
＜露光部の概略＞
第１の実施形態において、露光装置ＥＸは第１露光部であるマスク走査型露光部ＭＳＸ及び第２露光部であるマスク固定型露光部ＭＦＸを有している。まず、第１露光部であるマスク走査型露光部ＭＳＸについて、図２を参照しながら説明する。
【００１８】
＜＜マスク走査型露光部の構成＞＞
図２は、マスク走査型露光部ＭＳＸの概略側面図である。図２に示されたように、マスク走査型露光部ＭＳＸは照明光学系ＬＸと、マスクＭＳを載置したマスクステージＭＳＴと、マスク制御装置ＭＣと、投影光学系ＰＬとを備える。照明光学系ＬＸは投影光学系ＰＬと一対一に対応して配置される。すなわち、照明光学系ＬＸは投影光学系ＰＬと同じく６つ設けられている（図１を参照）。６対の照明光学系ＬＸと投影光学系ＰＬとは同じ構成であるため、図２では、一対の照明光学系ＬＸと投影光学系ＰＬとが描かれている。
【００１９】
照明光学系ＬＸは照明光を射出する光源１０と光源１０からの照明光を反射する楕円鏡１１とを備える。光源１０は高圧水銀ランプ又はエキシマレーザなどの短波長の光を照射するものであればよい。また照明光学系ＬＸは、ダイクロイックミラー１２、シャッター１３、波長選択フィルター１４と、フライアイレンズ１５及びコンデンサレンズ１６とを順次設けている。また、照明光学系ＬＸは照明光の射出側に視野を絞る視野絞り１７を有する。
【００２０】
ダイクロイックミラー１２は露光に必要な波長の光束を反射し、その他の波長の光束を透過させる。シャッター１３は投影光学系ＰＬ側への照射を選択的に制限する。波長選択フィルター１４は、投影光学系ＰＬが転写を行うのに適した波長を選択する。また、フライアイレンズ１５及びコンデンサレンズ１６は、光束の強度分布を均一にする。視野絞り１７は台形状または六角形状の開口を有する。なお、視野絞り１７とマスクＭＳとの間にレンズ系を設けて視野絞り１７とマスクＭＳのパターン面と帯状の基板ＦＢの投影面とが互いに共役になるようにしてもよい。
【００２１】
高圧水銀ランプ等の光源１０から射出した光束は、楕円鏡１１で反射された後にダイクロイックミラー１２に入射する。ダイクロイックミラー１２で反射された光束は、シャッター１３によって投影光学系側への照射を選択的に制限される。シャッター１３が開放されることによって、光束は波長選択フィルター１４に入射し、投影光学系ＰＬが転写を行うのに適した波長の光束となる。そしてフライアイレンズ１５とコンデンサレンズ１６を介して均一化された光束が視野絞り９に入射する。視野絞り９は例えば台形状の開口で光束を台形状にする。そしてその台形状の照明光ＩＬ−ＳがマスクＭＳに照射される。
【００２２】
マスクＭＳを載置したマスクステージＭＳＴは照明光学系ＬＸと投影光学系ＰＬとの間に配置される。マスクステージＭＳＴはマスク制御装置ＭＣによりＺ軸方向に長いストロークを移動可能でありＹ軸方向に短いストロークを移動可能である。マスクステージＭＳＴがマスクＭＳをＺ軸方向に沿って移動させることは、帯状の基板ＦＢの走査方向（Ｘ軸方向）の移動に対応する。すなわちマスクＭＳのＺ軸方向の走査と帯状の基板ＦＢのＸ軸方向の走査とが同期する。なおマスクＭＳ及びマスクステージＭＳＴは、６対の照明光学系ＬＸと投影光学系ＰＬに対して１セット用意されている。
【００２３】
さらに、投影光学系ＰＬはマスクステージＭＳＴの−Ｘ側に設けられている。投影光学系ＰＬは照明光学系ＬＸにより照明されたマスクＭＳ上のパターンを帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡ（図１を参照）上に転写する。マスク走査型露光部ＭＳＸの投影光学系ＰＬは投影像ＰＩ―Ｓ（図１を参照）の倍率を調整するズーム光学系１８を備える。また、投影光学系ＰＬは正屈折レンズ１９と凹面反射鏡２０とからなる結像光学系を有している。ズーム光学系１８は、正屈折レンズ１９と凹面反射鏡２０とからなる結像光学系の中心軸ＣＡからＺ軸方向にずれて配置されている。さらに、投影光学系ＰＬは平面反射鏡２１と補正光学系２２とを有している。
【００２４】
ズーム光学系１８は例えば投影光学系ＰＬの光束の入力側の光軸上に３枚の凹レンズ、凸レンズ、凹レンズを設け、３枚のレンズの間隔を制御することで投影像ＰＩ―Ｓの倍率が制御可能となる。レンズ群からなる補正光学系２２はズーム光学系１８による影響を打ち消すように光路に配置されている。
【００２５】
マスクＭＳからの光束は、ズーム光学系１８を通過した後に、正屈折レンズ１９を通過して凹面反射鏡２０に達する。凹面反射鏡２０に達した光束は、この凹面反射鏡２０にて反射され、再び正屈折レンズ１９を通過して、光路偏向部材としての平面反射鏡２１へ向かう。この平面反射鏡２１は、正屈折レンズ１９と凹面反射鏡２０とからなる結像光学系の中心軸ＣＡに対して４５°で配置されている。そして、正屈折レンズ１９からの光束は、補正光学系２２を介して帯状の基板ＦＢに進み、帯状の基板ＦＢに投影像ＰＩ―Ｓを形成する。
【００２６】
＜＜マスク走査型露光部による帯状の基板の露光＞＞
マスク走査型露光部ＭＳＸによる帯状の基板ＦＢの露光について説明する前に、マスク走査型露光部ＭＳＸ中での光路に対して図２を参照しながら説明する。
上述の構成のマスク走査型露光部ＭＳＸにおいて、光源１０から発生した照明光は楕円鏡１１に反射されて＋Ｚ軸方向にダイクロイックミラー１２に入射する。このダイクロイックミラー１２は露光に必要な波長の光束を−Ｘ方向に反射し、その他の波長の光束を透過する。ダイクロイックミラー１２で反射された照明光は、シャッター１３によって投影光学系ＰＬ側への照射を選択的に制限される。シャッター１３が開放されることによって、光束は波長選択フィルター１４に入射し所定の波長の光束となる。この光束はフライアイレンズ１５及びコンデンサレンズ１６によって強度が均一化される。強度が均一化された光束は、視野絞り１７を介して台形状になりマスクＭＳのパターン上に照明光ＩＬ−Ｓ（図３を参照）が照射される。
【００２７】
そして、マスクＭＳのパターン領域を照射した照明光ＩＬ−Ｓはズーム光学系１８により倍率が調整される。倍率が調整された光束は正屈折レンズ１９により凹面反射鏡２０の中心に集光される。その後、光束は凹面反射鏡２０に反射され＋Ｘ軸方向に向い再び正屈折レンズ１９に入射される。正屈折レンズ１９から射出した光束は平面反射鏡２１により−Ｚ軸方向に反射され補正光学系２２に入射する。補正光学系２２により補正された光束はマスク走査型露光部ＭＳＸから射出され、帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡに投影像ＰＩ−Ｓ（図４を参照）が投影される。
【００２８】
次に、マスク走査型露光部ＭＳＸによる露光について、図３及び図４を参照しながら説明する。
図３はマスク走査型露光部ＭＳＸのマスクＭＳの平面図である。図４は、帯状の基板ＦＢがマスク走査型露光部ＭＳＸにより露光される平面図である。
【００２９】
図３に示されたように、マスク走査型露光部ＭＳＸのマスクＭＳは例えばフラットパネルディスプレイのパターンの一部が描かれている。フラットパネルディスプレイのＸ軸方向の両側には電極ライン又はデータラインなどが形成されている。マスクＭＳはＸ軸方向に隣り合うフラットパネルディスプレイの電極ラインなどの非連続なパターンが描かれている。具体的には、マスクＭＳは“][”形状で示される原画パターンＯＰ１を有する。
【００３０】
図３には、マスクＭＳのパターン上に６個の照明光ＩＬ−Ｓ（ＩＬ−Ｓ１〜ＩＬ−Ｓ６）が点線で示されている。上述したように６対の照明光学系ＬＸ及び投影光学系ＰＬに対して、１セットのマスクＭＳが用意されている。台形状の６個の照明光ＩＬ−ＳはマスクＭＳの原画パターンＯＰ１を照明する。マスクステージＭＳＴは、照明光ＩＬ−Ｓを通過するように矢印ＡＲ３に沿ってマスクＭＳを移動させる。マスク制御装置ＭＣは、マスクＭＳを帯状の基板ＦＢの移動速度に同期させた速度で移動させる。図１、図３及び図４では、投影光学系ＰＬはマスクＭＳの原画パターンＯＰ１を等倍で帯状の基板ＦＢに投影している。そのためマスクＭＳは帯状の基板ＦＢの移動速度と同じ速度で移動させられる。投影光学系ＰＬが２倍の倍率であれば、マスクＭＳは帯状の基板ＦＢの２倍の速度で移動させられる。
【００３１】
マスクＭＳの原画パターンＯＰ１が照明光ＩＬ−Ｓを通過すると、マスクＭＳは矢印ＡＲ４に移動して初期の位置に戻る。このマスクＭＳが矢印ＡＲ４に戻る期間は、６個の照明光ＩＬ−Ｓはシャッター１３によって遮光されている。したがって、戻りの期間はマスクＭＳの原画パターンＯＰ１は帯状の基板ＦＢに投影されない。次の帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡが近づくまでマスクＭＳは停止している。
【００３２】
次に帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡについて説明する。帯状の基板ＦＢは常に搬送方向（Ｘ軸方向）に連続的に移動している。台形状の６個の照明光ＩＬ−ＳがマスクＭＳの原画パターンＯＰ１を照明すると、図４に示されるように、投影像ＰＩ−Ｓ（ＰＩ−Ｓ１〜ＰＩ−Ｓ６）が投影される。したがって帯状の基板ＦＢの表面の破線ＺＴで囲まれた領域（Ａｒｅａ  Ａの領域）に、原画パターンＯＰ１が転写される。
【００３３】
上述したように、原画パターンＯＰ１が転写される際には、マスクＭＳと帯状の基板ＦＢとが同期して移動する。破線ＺＴと破線ＺＴとの間（Ａｒｅａ  Ｂの領域）は、図３の矢印ＡＲ４方向に、マスクＭＳが初期の位置に戻る期間である。再びマスクＭＳが初期の位置に戻り、次に露光する帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡが搬送されてくると、マスクＭＳが帯状の基板ＦＢに同期して移動する（Ａｒｅａ  Ａの領域）。マスクＭＳが初期の位置に戻る期間（Ａｒｅａ  Ｂの領域）を確保するため、帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡは破線ＺＴで囲まれた領域しか露光されていない。つまりフラットパネルディスプレイのＸ軸方向の両側には電極ラインなどのみが露光されている。２つの破線ＺＴで囲まれた領域が露光されると、１つの露光領域ＥＡのＸ軸方向の両側の電極ラインなどが形成される。
【００３４】
不図示のアライメントカメラはアライメントマークＡＭを検出しその検出結果をマスク制御装置ＭＣに伝達する。マスク制御装置ＭＣは、マスクＭＳと基板ＦＢの露光領域ＥＡとの位置を合わせている。図４に示されるように、帯状の基板ＦＢのそれぞれの露光領域ＥＡの周囲にはアライメントマークＡＭが２０個設けられている。アライメントマークＡＭは露光領域ＥＡの両端側にＸ軸方向を沿って５個ずつ設けられ、Ｙ軸方向に沿って５個ずつ設けられている。Ｙ軸方向に沿った５個のアライメントマークＡＭは、隣り合う露光領域ＥＡで共用される。
【００３５】
また、隣り合う投影像ＰＩ−Ｓ（ＰＩ−Ｓ１〜ＰＩ−Ｓ６）はＹ軸方向に互いに重なり合う重複領域ＤＵを有している。アライメントマークＡＭはＹ軸方向に重複領域ＤＵと重なる範囲にも配置されている。これらのアライメントマークＡＭは隣接された二つの投影像ＰＩ―Ｓ（ＰＩ−Ｓ１〜ＰＩ−Ｓ６）の位置調整にも使用される。
【００３６】
また、露光領域ＥＡの周囲のアライメントマークＡＭを計測することで、露光領域ＥＡの伸縮状況が計測される。このため、投影光学系ＰＬのズーム光学系１８が露光領域ＥＡの伸縮に合わせて投影像ＰＩ―Ｓ（ＰＩ−Ｓ１〜ＰＩ−Ｓ６）の倍率を調整することができる。
【００３７】
＜＜マスク固定型露光部の構成＞＞
次に、第２露光部であるマスク固定型露光部ＭＦＸによる帯状の基板ＦＢの露光について、図５及から図８Ｂを参照しながら説明する。
【００３８】
図５は、第２露光部であるマスク固定型露光部ＭＦＸの概略側面図である。図５に示されたように、マスク固定型露光部ＭＦＸは照明光学系ＬＣと、原画パターンＯＰ２が描かれているマスクＭＦと、投影光学系ＰＬとを備える。マスク固定型露光部ＭＦＸにおいて、照明光学系ＬＣは投影光学系ＰＬとは一対一に対応され、照明光学系ＬＣも投影光学系ＰＬと同じく６つ設けられている（図１を参照）。６対の照明光学系ＬＣと投影光学系ＰＬとは同じ構成であるため、図５では、一対の照明光学系ＬＸと投影光学系ＰＬとが描かれている。
【００３９】
マスク固定型露光部ＭＦＸの投影光学系ＰＬはマスク走査型露光部ＭＳＸで説明された投影光学系ＰＬと同じであるため、説明を省略する。
照明光学系ＬＣは、レーザ発振器３１、回折光学素子３２、シリンゴリカルレンズ３３、フライアイレンズ１５、コンデンサレンズ１６、視野絞り１７及び可動ブラインド３４を順次に設けている。シリンゴリカルレンズ３３の代わりに、凸型球面レンズを用いることもできる。
【００４０】
レーザ発振器３１は、発振周波数が例えば１０ｋＨｚ程度のパルスレーザを用いることができる。例えばレーザの種類はＹＡＧなどの固体レーザであり、ＹＡＧの第三高調波（３５５ｎｍ）が使用される。レーザ発振器３１はトリガー信号に基づいて１０ｋＨｚ程度のパルス光を照射する。レーザ発振器３１はトリガー信号を制御するトリガー制御装置ＭＰに接続されている。
【００４１】
回折光学素子３２は、レーザ発振器３１からのパルス光の断面の形状を四角形状に整形させるとともに、パルス光の強度分布を均一にする。回折光学素子３２は、光の回折を利用してスペクトルを得る素子でその表面に多数の溝が形成されている。シリンゴリカルレンズ３３は、四角形状にパルス光を集光させる。そしてフライアイレンズ１５とコンデンサレンズ１６を介して均一化された光束が視野絞り１７に入射する。視野絞り１７は例えば台形状の開口でパルス光を台形状にする。そしてその台形状の照明光ＩＬ−ＦがマスクＭＦに照射される。可動ブラインド３４は、マスクＭＦに照射される照明光ＩＬ−Ｆの照射範囲を制限するブラインドである。搬送されている帯状の基板ＦＢに対して、露光量が均一になるように、露光の開始と終了時に可動ブラインド３４が稼働する。
【００４２】
第２露光部であるマスク固定型露光部ＭＦＸは、原画パターンＯＰ２の描かれたマスクＭＦを載置している。基本的にマスクＭＦはＹＺ平面の所定位置に固定されている。必要であれば、マスクＭＦと帯状の基板ＦＢとの位置合わせができるように、マスクＭＦは短いストローク移動できればよい。
【００４３】
また、マスク固定型露光部ＭＦＸにおいて、その他の構成と照明光学系ＬＣ及び投影光学系ＰＬ内での光路とはマスク走査型露光部ＭＳＸと同じであるため、説明を省略する。
【００４４】
＜＜マスク固定型露光部による帯状の基板の露光＞＞
マスク走査型露光部ＭＳＸで露光を終了した帯状の基板ＦＢは、供給ローラＦＲにより（図１を参照）マスク固定型露光部ＭＦＸに搬送される。マスク固定型露光部ＭＦＸは連続的に搬送されている帯状の基板ＦＢに対して原画パターンＯＰ２を露光する。以下、マスク固定型露光部ＭＦＸによる帯状の基板ＦＢの露光について詳述する。
【００４５】
図６（ａ）は、トリガー信号に基づいて照射される照明光ＩＬ−Ｆを示したものである。照明光ＩＬ−Ｆは、一定の時間間隔で強度（光量）Ｑのパルス光を照射する。
図６（ｂ）は、マスク固定型露光部ＭＦＸのマスクＭＦの平面図である。また、図６（ｂ）に示されたようにマスク固定型露光部ＭＦＸのマスクＭＦは、等間隔に構成さられた５行の単位パターン（Ｐ１〜Ｐ５）により形成された原画パターンＯＰ２を有している。図６（ｂ）には、マスクＭＦの原画パターンＯＰ２上に１個の照明光ＩＬ−Ｆが点線で示されている。図６では１対の照明光学系ＬＣ及び投影光学系ＰＬに対して、１セットのマスクＭＦが用意されている。
【００４６】
マスク固定型露光部ＭＦＸのマスクＭＦは例えばフラットパネルディスプレイのパターンの一部が描かれている。フラットパネルディスプレイの中央領域には画素電極などが形成されている。画素電極は連続的な単位パターン（Ｐ１〜Ｐ５）であり、１列の画素電極に続いて同じ形状の１列の画素電極が描かれている。マスクＭＦはこのような連続的な単位パターンを有する原画パターンＯＰ２を有する。
【００４７】
図７は、帯状の基板ＦＢがマスク固定型露光部ＭＦＸにより露光される説明図である。
帯状の基板ＦＢは常に搬送方向（Ｘ軸方向）に連続的に移動している。すでにマスク走査型露光部ＭＳＸが露光しているため、マスク固定型露光部ＭＦＸの投影像ＰＩ−Ｆ（ＰＩ−Ｆ１〜ＰＩ−Ｆ６）に搬送されるまでに、マスク走査型露光部ＭＳＸで原画パターンＯＰ１が転写されている。図７中において「Ａｒｅａ  Ａ」と示された領域が、原画パターンＯＰ１の転写された領域である。
【００４８】
台形状の６個の照明光ＩＬ−ＦがマスクＭＦの原画パターンＯＰ２を照明すると、図７に示されるように、帯状の基板ＦＢの表面に投影像ＰＩ−Ｆ（ＰＩ−Ｆ１〜ＰＩ−Ｆ６）が投影される。すでに露光領域ＥＡのＸ軸方向の両側は原画パターンＯＰ１が転写されている。そのため、露光領域ＥＡの中央領域に原画パターンＯＰ２が転写される。図７中において「Ａｒｅａ  Ｂ」と示された領域が、原画パターンＯＰ２の転写された領域である。
【００４９】
原画パターンＯＰ２が転写される際には、マスクＭＦは固定されたままで、パルス光である照明光ＩＬ−Ｆが照射される。マスクＭＦに描かれた原画パターンＯＰ２は連続的な単位パターンであり、単位パターンの移動に合わせて照明光ＩＬ−Ｆが照射されると、連続する単位パターンを重ね合わせて露光することができる。連続的に照明光ＩＬ−Ｆが照射されフォトレジストに適正な露光量が照射されると、原画パターンＯＰ２が帯状の基板ＦＢに転写される。
【００５０】
不図示のアライメントカメラはアライメントマークＡＭを検出し、帯状の基板ＦＢの搬送速度及び帯状の基板ＦＢの位置を算出する。その算出結果をトリガー制御装置ＭＰに伝達する。トリガー制御装置ＭＰは、基板ＦＢの露光領域ＥＡとの位置を合わせてレーザ発振器３１にトリガー信号を送る。そしてレーザ発振器３１は照明光ＩＬ−Ｆを照射する。
【００５１】
露光領域ＥＡの周囲のアライメントマークＡＭを計測することで、露光領域ＥＡの伸縮状況が計測される。このため、投影光学系ＰＬのズーム光学系１８が露光領域ＥＡの伸縮に合わせて投影像ＰＩ―Ｆ（ＰＩ−Ｆ１〜ＰＩ−Ｆ６）の倍率を調整することができる。
【００５２】
図８Ａ及び図８Ｂは、投影像ＰＩ―Ｆが帯状の基板ＦＢに露光されていくステップを示した図である。
図８Ａ（ａ）〜図８Ｂ（ｉ）の左図は、原画パターンＯＰ２の５行の単位パターン（Ｐ１〜Ｐ５）（図６（ｂ）を参照）が帯状の基板ＦＢに露光されていくステップを説明した図である。投影像ＰＩ―Ｆのうち投影された単位パターン像（Ｆ１〜Ｆ５）が描かれていない領域は、可動ブラインド３４で照射領域を遮られている領域である。理解し易くするため、可動ブラインド３４は描かれていない。また、帯状の基板ＦＢは長尺であるが５行の単位パターン像（Ｆ１〜Ｆ５）分の長さしか描かれていない。
【００５３】
図８Ａ（ａ）〜図８Ｂ（ｉ）の右図は、露光されていくステップに対応して、投影された単位パターン像（Ｆ１〜Ｆ５）の光の蓄積強度（光量）Ｑの変化が示された図である。しきい値ＴＨまで光の蓄積強度が達すると、帯状の基板ＦＢのフォトレジストに単位パターン（Ｐ１〜Ｐ５）が転写される。
【００５４】
まず、図８Ａ（ａ）において、左図に示されたステップＳ１は帯状の基板ＦＢが矢印に沿って＋Ｘ軸方向に距離Ｆｘだけ移動した状態である。このとき、マスクＭＦの単位パターンＰ５（図６（ｂ）を参照）が帯状の基板ＦＢに１行の単位パターン像Ｆ１として露光される。照明光ＩＬ−Ｆが１回のパルス光で露光する露光量は右図に示されたように１Ｑである。
【００５５】
図８Ａ（ｂ）において、左図に示されたステップＳ２は帯状の基板ＦＢがさらに距離Ｆｘだけ移動した状態である。このとき、マスクＭＦの単位パターンＰ４及び単位パターンＰ５（図６（ｂ）を参照）が帯状の基板ＦＢに２行の単位パターン像Ｆ１及び単位パターン像Ｆ２として露光される。帯状の基板ＦＢの距離Ｆｘだけ移動した際に照明光ＩＬ−Ｆが１回のパルス光で露光する。そのため、マスクＭＦの単位パターンＰ４は、ステップＳ１で露光された１行の単位パターン像Ｆ１に重複して露光される。マスクＭＦの単位パターンＰ５は、基板ＦＢに露光されて１行の単位パターン像Ｆ２を形成する。したがって、右図に示されたように単位パターン像Ｆ１は２回分が蓄積されて露光量が２Ｑとなり、単位パターン像Ｆ２は露光量が１Ｑとなる。
【００５６】
図８Ａ（ｃ）において、左図に示されたステップＳ３は帯状の基板ＦＢが距離Ｆｘ３だけ移動した状態である。このとき、マスクＭＦの単位パターンＰ３、Ｐ４及びＰ５（図６（ｂ）を参照）が帯状の基板ＦＢに単位パターン像Ｆ１、単位パターン像Ｆ２及び単位パターン像Ｆ３として露光される。帯状の基板ＦＢの距離Ｆｘだけ移動した際に照明光ＩＬ−Ｆが１回のパルス光で露光する。そのためマスクＭＦの単位パターンＰ３は、１行の単位パターン像Ｆ１に重複して露光され、単位パターンＰ４は、１行の単位パターン像Ｆ２に重複して露光される。マスクＭＦの単位パターンＰ５は、基板ＦＢに露光されて１行の単位パターン像Ｆ３を形成する。したがって、右図に示されたように単位パターン像Ｆ１は３回分が蓄積されて露光量が３Ｑとなり、単位パターン像Ｆ２は２回分が蓄積されて露光量が２Ｑとなる。単位パターン像Ｆ３は１回露光されて露光量が１Ｑとなる。
【００５７】
図８Ａ（ｄ）において、左図に示されたステップＳ４は帯状の基板ＦＢがさらに距離Ｆｘだけ移動した状態である。このとき、マスクＭＦの単位パターンＰ２、Ｐ３、Ｐ４及びＰ５が帯状の基板ＦＢに単位パターン像Ｆ１、単位パターン像Ｆ２、単位パターン像Ｆ３及び単位パターン像Ｆ４として露光される。上述したと同様に、右図に示されたように単位パターン像Ｆ１は４回分が蓄積されて露光量が４Ｑとなり、単位パターン像Ｆ２は３回分が蓄積されて露光量が３Ｑとなる。単位パターン像Ｆ３は２回露光されて露光量が２Ｑとなり、単位パターン像Ｆ４は１回露光されて露光量が１Ｑとなる。
【００５８】
図８Ａ（ｅ）において、左図に示されたステップＳ５は帯状の基板ＦＢが距離５Ｆｘ移動した状態である。このとき、マスクＭＦの単位パターンＰ１，Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４及びＰ５が帯状の基板ＦＢに単位パターン像Ｆ１、単位パターン像Ｆ２、単位パターン像Ｆ３、単位パターン像Ｆ４及び単位パターン像Ｆ５として露光される。上述したと同様に、右図に示されたように単位パターン像Ｆ１は５回分が蓄積されて露光量が５Ｑとなり、しきい値ＴＨを越える。したがって帯状の基板ＦＢのフォトレジストに単位パターン像Ｆ１が転写される。単位パターン像Ｆ２は４回分が蓄積されて露光量が４Ｑとなる。単位パターン像Ｆ３は３回露光されて露光量が３Ｑとなり、単位パターン像Ｆ４は２回露光されて露光量が２Ｑとなる。単位パターン像Ｆ５は１回露光されて露光量が１Ｑとなる。
【００５９】
図８Ｂ（ｆ）において、左図に示されたステップＳ６は帯状の基板ＦＢが距離６Ｆｘ移動した状態である。このとき、マスクＭＦの単位パターンＰ２、Ｐ３、Ｐ４及びＰ５（図６（ｂ）を参照）が帯状の基板ＦＢに単位パターン像Ｆ２、単位パターン像Ｆ３、単位パターン像Ｆ４及び単位パターン像Ｆ５として露光される。上述したと同様に、右図に示されたように単位パターン像Ｆ２は５回分が蓄積されて露光量が５Ｑとなり、しきい値ＴＨを越える。したがって帯状の基板ＦＢのフォトレジストに単位パターン像Ｆ２が転写される。単位パターン像Ｆ３は４回分が蓄積されて露光量が４Ｑとなる。単位パターン像Ｆ４は３回露光されて露光量が３Ｑとなり、単位パターン像Ｆ５は２回露光されて露光量が２Ｑとなる。
【００６０】
図８Ｂ（ｇ）において、左図に示されたステップＳ７は帯状の基板ＦＢがさらに距離Ｆｘ移動した状態である。このとき、マスクＭＦの単位パターンＰ３、Ｐ４及びＰ５が帯状の基板ＦＢに単位パターン像Ｆ３、単位パターン像Ｆ４及び単位パターン像Ｆ５として露光される。上述したと同様に、右図に示されたように単位パターン像Ｆ３は５回分が蓄積されて露光量が５Ｑとなり、しきい値ＴＨを越える。したがって帯状の基板ＦＢのフォトレジストに単位パターン像Ｆ３が転写される。単位パターン像Ｆ４は４回分が蓄積されて露光量が４Ｑとなり、単位パターン像Ｆ５は３回露光されて露光量が３Ｑとなる。
【００６１】
図８Ｂ（ｈ）に示されるステップＳ８は帯状の基板ＦＢがさらに距離Ｆｘ移動した状態である。マスクＭＦの単位パターンＰ４及びＰ５が帯状の基板ＦＢに単位パターン像Ｆ４及び単位パターン像Ｆ５として露光される。上述したと同様に、右図に示されたように単位パターン像Ｆ４は５回分が蓄積されて露光量が５Ｑとなり、しきい値ＴＨを越える。したがって帯状の基板ＦＢのフォトレジストに単位パターン像Ｆ４が転写される。単位パターン像Ｆ５は４回分が蓄積されて露光量が４Ｑとなる。
【００６２】
最後に、図８Ｂ（ｉ）に示されるステップＳ９は帯状の基板ＦＢが距離９Ｆｘ移動した状態である。マスクＭＦの単位パターンＰ５が帯状の基板ＦＢに単位パターン像Ｆ５として露光される。上述したと同様に、右図に示されたように単位パターン像Ｆ５は５回分が蓄積されて露光量が５Ｑとなり、しきい値ＴＨを越える。したがって帯状の基板ＦＢのフォトレジストに単位パターン像Ｆ５が転写される。
【００６３】
投影像ＰＩ―Ｆの形状は台状であるので、１つの投影像ＰＩ―ＦのＹ軸方向の両側は露光量が５Ｑとならない。しかし、図７で示されるように隣り合った投影像ＰＩ―Ｆがそれぞれ重なり合っている。このため、例えば投影像ＰＩ―Ｆ３の両側にある重複領域ＤＵ２及びＤＵ３はその両隣に設けられた投影像ＰＩ―Ｆ２及びＰＩ―Ｆ３により再び露光される。これにより、重複領域ＤＵ２及びＤＵ３の露光量がしきい値ＴＨを越える。他の重複領域ＤＵ１、ＤＵ４及びＤＵ５も同様である。これにより、露光領域ＥＡの中央領域に原画パターンＯＰ２の全体が転写される。
【００６４】
＜露光装置ＥＸによる帯状の基板ＦＢの露光＞
以下、露光装置ＥＸによる帯状の基板ＦＢの全体的な露光について、図９を参照しながら説明する。図９は、露光装置ＥＸによる帯状の基板ＦＢの露光を説明するためのフローチャートである。
【００６５】
ステップＳ１１１において、供給ローラＦＲはアライメントマークＡＭが設けられた帯状の基板ＦＢをマスク走査型露光部ＭＳＸ及びマスク固定型露光部ＭＦＸに連続的に搬送する（図１を参照）。
【００６６】
ステップＳ１１２において、マスク走査型露光部ＭＳＸは帯状の基板ＦＢの搬送速度に同期させて、原画パターンＯＰ１が形成されたマスクＭＳを走査する。その際にマスク走査型露光部ＭＳＸの照明光ＩＬ−ＳがマスクＭＳの原画パターンＯＰ１を照明し、投影像ＰＩ−Ｓ（ＰＩ−Ｓ１〜ＰＩ−Ｓ６）を投影する（図４の「Ａｒｅａ  Ａ」を参照）。マスク走査型露光部ＭＳＸは露光領域ＥＡの全面に対して露光するのではなく、露光領域ＥＡの搬送方向の両側のみを走査する。
【００６７】
ステップＳ１１３において、図４に示された帯状の基板ＦＢの「Ａｒｅａ  Ｂ」の領域が搬送される際に、マスク走査型露光部ＭＳＸはマスクＭＳを初期の位置に移動させる。その際にマスク走査型露光部ＭＳＸは照明光ＩＬ−Ｓを遮光している。初期の位置に戻ったマスクＭＳは次の露光領域ＥＡが搬送されるまで待機している。
【００６８】
ステップＳ１１４において、マスク固定型露光部ＭＦＸはパルス光で照明光ＩＬ−Ｆで固定されたマスクＭＦの原画パターンＯＰ２を露光領域ＥＡの搬送方向の中央領域に露光する（図７の「Ａｒｅａ  Ｂ」を参照）。
【００６９】
以上の第１の実施形態において、マスク固定型露光部ＭＦＸとマスク走査型露光部ＭＳＸとを入れ替えて、マスク固定型露光部ＭＦＸが帯状の基板ＦＢを露光した後にマスク走査型露光部ＭＳＸが帯状の基板ＦＢを露光してもよい。また、マスク固定型露光部ＭＦＸに代えて、多数の微小鏡面（マイクロミラー）を平面に配列したＤＭＤ（Digital Mirror Device）などの可変パターン形成素子を用いた露光装置を使用してもよい。
【００７０】
また、第１露光部も第２露光部も両方ともマスク走査型露光部ＭＳＸを配置してもよい。次に説明する第２の実施形態は、また第１露光部も第２露光部も両方ともマスク走査型露光部ＭＳＸを配置している。
【００７１】
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る露光装置ＥＸ２は、露光部に対して帯状の基板を連続的に搬送することで、帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡを走査して露光する露光装置である。
【００７２】
図１０は、露光装置ＥＸ２を示す側面図である。図１０に示されたように、露光装置ＥＸ２において、Ｘ軸方向の長さを短縮するために第１露光部であるマスク走査型露光部ＭＳＸと第２露光部であるマスク走査型露光部ＭＳＸとがＺ軸方向に重ねて配置されている。なお、第２の実施形態のマスク走査型露光部ＭＳＸは第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。
【００７３】
第２の実施形態の露光装置ＥＸ２は第１露光部及び第２露光部のマスク走査型露光部ＭＳＸに対応して帯状の基板ＦＢの下側に基板ステージＦＢＳがそれぞれ設けられている。基板ステージＦＢＳは帯状の基板ＦＢに圧縮空気などの流体を吐出して、一定距離浮上させている。これにより帯状の基板ＦＢは投影光学系ＰＬの焦点位置に高さ（Ｚ軸方向）調整される。帯状の基板ＦＢの搬送方向（Ｘ軸方向）の両側には２対の副ドラムｄｒが複数個所に設けられている。これらの副ドラムｄｒは帯状の基板ＦＢを挟んで帯状の基板ＦＢを一定速度で搬送している。
【００７４】
第２の実施形態の帯状の基板ＦＢは、第１の実施形態で説明された帯状の基板ＦＢと同じ材料より構成されている。また、図示しないが第２の実施形態の帯状の基板ＦＢも露光領域ＥＡの周囲にアライメントマークＡＭが設けられている。帯状の基板ＦＢは供給側から第１露光部のマスク走査型露光部ＭＳＸへ＋Ｘ軸方向に搬送され、マスク走査型露光部ＭＳＸはマスクＭＳの原画パターンＯＰ１を帯状の基板ＦＢに転写する。このときマスクＭＳは帯状の基板ＦＢの搬送速度に同期する。第１露光部のマスク走査型露光部ＭＳＸは、図４に示された露光領域ＥＡの「Ａｒｅａ  Ａ」の領域を投影像ＰＩ−Ｓで露光する。転写が終了した後マスクＭＳは露光領域ＥＡの「Ａｒｅａ  Ｂ」の領域が搬送される間に初期の位置に戻る。
【００７５】
帯状の基板ＦＢは、マスク走査型露光部ＭＳＸの投影光学系ＰＬの下方を通過しドラムＤＲ１により反転して−Ｘ軸方向に向かう。−Ｘ軸方向に向かった帯状の基板ＦＢはドラムＤＲ２により−Ｚ軸方向に向かって搬送され、ドラムＤＲ３を介して再び＋Ｘ軸方向に搬送される。そして、帯状の基板ＦＢは第２露光部のマスク走査型露光部ＭＳＸの投影光学系ＰＬの下方を通り、マスク走査型露光部ＭＳＸはマスクＭＳの原画パターンＯＰ２を帯状の基板ＦＢに転写する。このときマスクＭＳは帯状の基板ＦＢの搬送速度に同期する。第２露光部のマスク走査型露光部ＭＳＸは、図７に示された露光領域ＥＡの「Ａｒｅａ  Ｂ」の領域を投影像ＰＩ−Ｓで露光する。転写が終了した後マスクＭＳは露光領域ＥＡの「Ａｒｅａ  Ａ」の領域が搬送される間に初期の位置に戻る。
その後、帯状の基板ＦＢはドラムＤＲ４により再び−Ｘ軸方向に向かって搬送され巻き取り側で巻き取られる。
【００７６】
つまり、第１露光部のマスク走査型露光部ＭＳＸが、搬送されていく帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡの部分領域（図４又は図７の「Ａｒｅａ  Ａ」）に対して露光し、続く第２の露光部のマスク走査型露光部ＭＳＸが、露光されていない露光領域ＥＡの残りの部分領域（図４又は図７の「Ａｒｅａ  Ｂ」）に対して穴埋めするように露光する。こうすることで、第１露光部のマスク走査型露光部ＭＳＸは、露光しない期間、すなわち残りの部分領域が搬送される期間（図４又は図７の「Ａｒｅａ  Ｂ」）にマスクＭＳを初期の位置に戻すことができる。また、第２露光部のマスク走査型露光部ＭＳＸは、露光しない期間（図４又は図７の「Ａｒｅａ  Ａ」）にマスクＭＳを初期の位置に戻すことができる。
【００７７】
したがって、露光装置ＥＸ２は帯状の基板を連続移動させながら、１画面に相当するフラットパネルディスプレイの露光領域ＥＡを繰り返し露光することができる。このため、露光装置ＥＸ２は帯状の基板ＦＢの搬送を止めることなく露光可能としたことでスループットの向上させることができる。
【００７８】
（第３の実施形態）
＜露光装置の構成＞
第３の実施形態に係る露光装置ＥＸ３も、露光部に対して帯状の基板を連続的に搬送することで、帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡを走査して露光する露光装置である。
【００７９】
図１１は、露光装置ＥＸ３を示す側面図である。図１１に示されたように、露光装置ＥＸ３は、Ｘ軸方向の長さを短縮するために第１露光部であるマスク走査型露光部ＭＳＸと第２露光部であるマスク固定型露光部ＭＦＸとがＺ軸方向に設けられる。なお、マスク走査型露光部ＭＳＸの照明光学系ＬＸ及びマスクＭＭＳ、マスク固定型露光部ＭＦＸの照明光学系ＬＣ及びマスクＭＦは、第１の実施形態と同じである。そのため、これらについては、説明を省略する。また、図示しないが第３の実施形態の帯状の基板ＦＢも露光領域ＥＡの周囲にアライメントマークＡＭが設けられている。
【００８０】
以下、投影光学系ＰＬ２及び帯状の基板ＦＢの搬送につい詳述する。第１の実施形態と同じ部材には同じ符号を付している。
図１１に示されたように、投影光学系ＰＬ２はズーム光学系１８が設けられている。そのズーム光学系１８の−Ｘ軸方向側には正屈折レンズ１９及びビームスプリッタ２３を有する。さらに、投影光学系ＰＬ２はビームスプリッタ２３の−Ｘ側及び−Ｚ側には二つの凹面反射鏡２４、凹面反射鏡２５をそれぞれ備える。また、投影光学系ＰＬ２は光軸と４５度に配置された二つの平面反射鏡２１、平面反射鏡２６をそれぞれ設けている。また投影光学系ＰＬ２は同じ構成である補正光学系２２をそれぞれ有する。
【００８１】
第３の実施形態ではビームスプリッタ２３を用いられるが、分光機能を有するハーフミラーでもよい。また、凹面反射鏡２４は正屈折レンズ１９の中心を透過した光束を中心からずらすために、正屈折レンズ１９の中心を通る光軸から少し斜めに配置されている。凹面反射鏡２５も同様に、正屈折レンズ１９の中心を通る光軸から少し斜めに配置されている。マスク走査型露光部ＭＳＸの投影光学系ＰＬ２は照射口ＬＭ１及び照射口ＬＭ２を有している。つまり、マスク走査型露光部ＭＳＸは２箇所の露光部を有している。同様にマスク固定型露光部ＭＦＸの投影光学系ＰＬ２は照射口ＬＭ３及び照射口ＬＭ４を有している。
【００８２】
次に、第３の実施形態の帯状の基板ＦＢの搬送について説明する。帯状の基板ＦＢは供給側から−Ｘ軸方向に搬送されマスク走査型露光部ＭＳＸの＋Ｚ側に設けられた照射口ＬＭ１を通過しドラムＤＲ５を介して−Ｚ軸方向に向かう。−Ｚ軸方向に向かった帯状の基板ＦＢはドラムＤＲ６により＋Ｘ軸方向に搬送される。そして、マスク走査型露光部ＭＳＸの−Ｚ側の照射口ＬＭ２の下方を通過しドラムＤＲ７により−Ｘ軸方向に向かう。−Ｘ軸方向に向かった帯状の基板ＦＢはマスク固定型露光部ＭＦＸの＋Ｚ側に設けられた照射口ＬＭ３を通過しドラムＤＲ２により−Ｚ軸方向に向かって搬送される。その後、帯状の基板ＦＢはドラムＤＲ３を介して再び＋Ｘ軸方向に搬送されマスク固定型露光部ＭＦＸの−Ｚ側に設けられた照射口ＬＭ４を通過する。
【００８３】
また、露光装置ＥＸ３はマスク走査型露光部ＭＳＸ及びマスク固定型露光部ＭＦＸの４つの照射口ＬＭと対応して４つの基板ステージＦＢＳがそれぞれ設けられている。また、基板ステージＦＢＳに位置している帯状の基板ＦＢの搬送方向（Ｘ軸方向）の両側には帯状の基板ＦＢを挟む４つの副ドラムｄｒがそれぞれ備けられる。
【００８４】
＜帯状の基板ＦＢの露光＞
まず、投影光学系ＰＬ２内での光路について説明する。ここで、マスク走査型露光部ＭＳＸ及びマスク固定型露光部ＭＦＸの投影光学系ＰＬ２内での光路は同じである。そのためマスク走査型露光部ＭＳＸの投影光学系ＰＬ２を代表して説明する。
【００８５】
照明光学系ＬＸからの照明光はマスクＭＳを照射した後、投影光学系ＰＬ２に入射する。投影光学系ＰＬ２に入射した光束はズーム光学系１８及び正屈折レンズ１９を順次に通過しビームスプリッタ２３に入射する。そして、光束は、ビームスプリッタ２３の分光面Ｓ１１により分光面Ｓ１１を透過する光束（図１１の一点鎖線）と、分光面Ｓ１１で反射した光束（図１１の点線）とに分割される。
【００８６】
まず、ビームスプリッタ２３の分光面Ｓ１１を透過した光束はビームスプリッタ２３の−Ｘ側に設けられた凹面反射鏡２４に反射する。凹面反射鏡２４は正屈折レンズ１９の焦点に配置されている。また、凹面反射鏡２４が正屈折レンズ１９の中心を通る光軸からずれて配置されているため、反射光も光軸からずれる。そして、再びビームスプリッタ２３を透過した光束は正屈折レンズ１９により平行光になり、平面反射鏡２６により＋Ｚ軸方向の光束となる。その後、＋Ｚ軸方向の光束は投影像ＰＩ−Ｓとして照射口ＬＭ１から射出され、投影像ＰＩ−Ｓは照射口ＬＭ１を通過する帯状の基板ＦＢに投影される。
【００８７】
次に、ビームスプリッタ２３の分光面Ｓ１１に反射された光束はビームスプリッタ２３の−Ｚ側に設けられた凹面反射鏡２５に反射する。なお、凹面反射鏡２５からビームスプリッタ２３までの距離は凹面反射鏡２４からビームスプリッタ２３までの距離と同じであるため、凹面反射鏡２５は正屈折レンズ１９の焦点に配置されている。また、凹面反射鏡２５が正屈折レンズ１９の中心を通る光軸からずれて配置されているため、反射光も光軸からずれる。そして、再びビームスプリッタ２３に反射された光束は正屈折レンズ１９により平行光になり、平面反射鏡２１により−Ｚ軸方向の光束となる。その後、−Ｚ軸方向の光束は投影像ＰＩ−Ｓとして照射口ＬＭ２から射出され、投影像ＰＩ−Ｓは照射口ＬＭ２を通過する帯状の基板ＦＢに投影される。
【００８８】
すなわち、マスク走査型露光部ＭＳＸは、照射口ＬＭ１及び照射口ＬＭ２から同時に投影像ＰＩ−Ｓを投影することができる。
【００８９】
以下、第３の実施形態の帯状の基板ＦＢの露光について、図１１、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照しながら詳述する。
図１２Ａは、帯状の基板ＦＢが第１の実施形態のマスク走査型露光部ＭＳＸ及びマスク固定型露光部ＭＦＸにより露光されるステップを説明するための図である。なお、第３の実施形態でも、マスクＭＳの原画パターンＯＰ１（図３を参照）及びマスクＭＦの原画パターンＯＰ２（図６（ｂ）を参照）は第１の実施形態と同じであるため、詳細な露光過程の説明を省略する。
【００９０】
図１２Ａ（ａ）は、帯状の基板ＦＢがマスク走査型露光部ＭＳＸの照射口ＬＭ１（図１１を参照）を通過するときの露光を説明した図である。マスク走査型露光部ＭＳＸは、マスクＭＳの原画パターンＯＰ１を走査露光する。そして照射口ＬＭ１側から投影された投影像ＰＩ−Ｓが、露光領域ＥＡのＸ軸方向の両側の電極ラインなどを露光する。図１２Ａ（ａ）に示されたように、破線ＬＭ１で囲まれている露光領域ＥＡの部分領域が露光されている。すべての露光領域ＥＡが露光されておらず、マスク走査型露光部ＭＳＸの照射口ＬＭ１では露光領域ＥＡが１つおきに（１スキップ）露光されている。
【００９１】
図１２Ａ（ｂ）は、帯状の基板ＦＢがマスク走査型露光部ＭＳＸの照射口ＬＭ２を通過する（図１１を参照）ときの露光を説明した図である。マスク走査型露光部ＭＳＸは、マスクＭＳの原画パターンＯＰ１を走査露光する。そして照射口ＬＭ２側から投影された投影像ＰＩ−Ｓが、露光領域ＥＡのＸ軸方向の両側の電極ラインなどを露光する。図１２Ａ（ｂ）に示されたように、破線ＬＭ２で囲まれている露光領域ＥＡの部分領域が露光されている。マスク走査型露光部ＭＳＸの照射口ＬＭ２では、照射口ＬＭ１で露光されなかった露光領域ＥＡの部分領域に対して１つおきに（１スキップ）露光する。
【００９２】
ここで、照射口ＬＭ１からの投影像ＰＩ−Ｓで露光された原画パターンＯＰ１が図１２Ａ（ａ）で示され、照射口ＬＭ２からの投影像ＰＩ−Ｓで露光された原画パターンＯＰ１が図１２Ａ（ｂ）で示された。しかし実際にはマスクＭＳの走査露光は「Ａｒｅａ  Ａ」で示される部分領域で同時に行われる。マスクＭＳは、走査露光が終了すると、「Ａｒｅａ  Ｂ」で示される部分領域が搬送される期間に初期位置に戻る。帯状の基板ＦＢは引き続きマスク固定型露光部ＭＦＸに搬送される（図１１を参照）。
【００９３】
図１２Ｂ（ｃ）は、帯状の基板ＦＢがマスク固定型露光部ＭＦＸの照射口ＬＭ３を通過する（図１１を参照）ときの露光を説明した図である。マスク固定型露光部ＭＦＸは、マスクＭＦの原画パターンＯＰ２をパルスで露光する。そして照射口ＬＭ３側から投影された投影像ＰＩ−Ｆが、露光領域ＥＡの中央領域に画素電極などの単位パターンを露光する。図１２Ｂ（ｃ）に示されたように、破線ＬＭ３で囲まれている露光領域ＥＡの部分領域が露光されている。すべての露光領域ＥＡが露光されておらず、マスク固定型露光部ＭＦＸの照射口ＬＭ３では露光領域ＥＡが１つおきに（１スキップ）露光されている。
【００９４】
図１２Ｂ（ｄ）は、帯状の基板ＦＢがマスク固定型露光部ＭＦＸの照射口ＬＭ４を通過する（図１１を参照）ときの露光を説明した図である。図１２Ｂ（ｄ）に示されたように、マスク固定型露光部ＭＦＸは、マスクＭＦの原画パターンＯＰ２を走査露光する。そして照射口ＬＭ４側から投影された投影像ＰＩ−Ｆが、露光領域ＥＡの中央領域の単位パターンを露光する。図１２Ｂ（ｄ）に示されたように、破線ＬＭ４で囲まれている露光領域ＥＡの部分領域が露光されている。マスク固定型露光部ＭＦＸの照射口ＬＭ４では、照射口ＬＭ３で露光されなかった露光領域ＥＡの部分領域に対して１つおきに（１スキップ）露光する。
【００９５】
ここで、照射口ＬＭ３からの投影像ＰＩ−Ｆで露光された原画パターンＯＰ２が図１２Ｂ（ｃ）で示され、照射口ＬＭ４からの投影像ＰＩ−Ｆで露光された原画パターンＯＰ２が図１２ｂ（ｄ）で示された。しかし実際にはマスクＭＦは「Ａｒｅａ  Ｂ」で示される部分領域で同時に行われる。
【００９６】
また、以上の第３の実施形態において、マスク固定型露光部ＭＦＸとマスク走査型露光部ＭＳＸとを入れ替えて、マスク固定型露光部ＭＦＸが帯状の基板ＦＢを露光した後にマスク走査型露光部ＭＳＸが帯状の基板ＦＢを露光してもよい。また両方ともマスク走査型露光部ＭＳＸを配置してもよい。
【００９７】
以上の実施形態では、搬送されていく帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡの部分領域（図４、図７、図１２Ａ又は図１２Ｂの「Ａｒｅａ  Ａ」）と、露光されていない露光領域ＥＡの残りの部分領域（図４、図７、図１２Ａ又は図１２Ｂの「Ａｒｅａ  Ｂ」）に対して穴埋めするように露光した。しかし、露光領域ＥＡが３つに分けられてもよい。つまり、第１露光部のマスク走査型露光部ＭＳＸが「Ａｒｅａ  Ａ」を、第２露光部のマスク走査型露光部ＭＳＸが「Ａｒｅａ  Ｂ」を、第３露光部のマスク走査型露光部ＭＳＸが「Ａｒｅａ  Ｃ」を露光してもよい。こうすることで、各マスク走査型露光部ＭＳＸは、露光しない期間にマスクＭＳを初期の位置に戻すことができる。
【００９８】
（デバイス製造方法）
図１３は、デバイス製造方法を示すフローチャートである。
図１３に示されたように、デバイスは、デバイスの機能・性能・パターン設計を行うステップＳ２１１と、ステップＳ２１１に基づいてマスクＭを制作するステップＳ２１２と、感光剤が塗布された帯状の基板ＦＢを制作するステップＳ２１３とを有している。
また第１例又は第２例で説明された露光方法によってマスクＭのパターンを帯状の基板ＦＢに露光する（ステップＳ２１４）。その後、帯状の基板ＦＢの感光剤が現像され（ステップＳ２１５）、帯状の基板ＦＢにマスクＭのパターンに対応する凹凸形状を有した転写パーン層が形成される（ステップＳ２１６）。転写パターン層を介して基板を加工されて（ステップＳ２１７）、デバイスが組み合わせる（ステップＳ２１８）。このようにしてデバイスが製造される。
【符号の説明】
【００９９】
１０、３１  …  光源、レーザ発振器３１
１１  …  楕円鏡
１２  …  ダイクロイックミラー
１３  …  シャッター
１４  …  波長選択フィルター
１５  …  フライアイレンズ
１６  …  コンデンサレンズ
１７  …  視野絞り
１８  …  ズーム光学系
１９  …  レンズ
２０、２４、２５  …  凹面反射鏡
２１、２６  …  平面反射鏡
２２  …  補正光学系
２３  …  ビームスプリッタ
ＡＭ  …  アライメントマーク
ＤＲ１〜ＤＲ７  …  ドラム
ｄｒ  …  副ドラム
ＥＡ  …  露光領域
ＥＸ、ＥＸ２、ＥＸ３  …  露光装置
ＦＢ  …  帯状の基板
ＦＢＳ  …  基板ステージ
ＦＲ  …  供給ローラ
ＬＭ、ＬＭ１、ＬＭ２、ＬＭ３、ＬＭ４  …  照射口
Ｍ、ＭＳ、ＭＦ  …  マスク
ＭＣ  …  マスク制御装置
ＭＳＴ  …  マスクステージ
ＭＳＸ  …  マスク走査型露光部
ＭＦＸ  …  マスク固定型露光部
ＯＰ１  …  マスクＭＳの原画パターン
ＯＰ２  …  マスクＭＦの原画パターン
Ｐ１〜Ｐ５  …  単位パターン
ＰＬ、ＰＬ２  …  投影光学系
ＰＩ、ＰＩ―Ｓ、ＰＩ―Ｆ  …  投影像
Ｆｘ  …  単位パターンの間隔
Ｑ  …  露光光の強度
Ｓ１１  …  ビームスプリッタの分光面
ＷＲ  …  巻き取りローラ
【図１】
2011033908.tif 000003
【図２】
2011033908.tif 000004
【図３】
2011033908.tif 000005
【図４】
2011033908.tif 000006
【図５】
2011033908.tif 000007
【図６】
2011033908.tif 000008
【図７】
2011033908.tif 000009
【図８Ａ】
2011033908.tif 000010
【図８Ｂ】
2011033908.tif 000011
【図９】
2011033908.tif 000012
【図１０】
2011033908.tif 000013
【図１１】
2011033908.tif 000014
【図１２Ａ】
2011033908.tif 000015
【図１２Ｂ】
2011033908.tif 000016
【図１３】
2011033908.tif 000017