(57)【要約】【課題】  直径３００ｍｍの半導体ウエハのプロセスラインでそれよりも小径の半導体ウエハの加工を行うことができるようにする。【解決手段】  直径３００ｍｍの単なるシリコン基板からなる搬送用半導体ウエハ２３の上面側をその厚さのほぼ半分研削して除去する。そして、搬送用半導体ウエハ２３の上面に、直径２００ｍｍで上面に集積回路を有する半導体ウエハ２１を直接固着する。この場合、半導体ウエハ２１は、その下面側を研削され、薄くなっている。固着した状態では、搬送用半導体ウエハ２３と半導体ウエハ２１との合計厚さは、搬送用半導体ウエハ２３の当初の厚さとほぼ同じとなっている。これにより、直径３００ｍｍの半導体ウエハのプロセスラインで直径２００ｍｍの半導体ウエハ２１の加工を行うことができる。【選択図】  図４
2011014844.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に集積回路を有する半導体ウエハおよび該半導体ウエハよりも大径で集積回路を有しない単なる半導体ウエハからなる搬送用半導体ウエハを準備する工程と、
前記搬送用半導体ウエハの上面に前記半導体ウエハの下面を直接固着する工程と、
前記搬送用半導体ウエハの上面に前記半導体ウエハの下面が直接固着された状態で前記半導体ウエハに対して加工を行う工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記搬送用半導体ウエハの上面に前記半導体ウエハの下面を直接固着する工程は、前記搬送用半導体ウエハに対して前記半導体ウエハの位置合わせを行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記搬送用半導体ウエハ側から前記搬送用半導体ウエハおよび前記半導体ウエハを研削して、前記搬送用半導体ウエハを完全に除去し、且つ、前記半導体ウエハの厚さを薄くする工程と、前記半導体ウエハを切断して複数個の半導体装置を得る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記半導体ウエハおよび前記搬送用半導体ウエハを切断して複数個の半導体装置を得る工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記搬送用半導体ウエハを準備した後に、前記搬送用半導体ウエハを研削してその厚さを薄くする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記半導体ウエハはその下面側を研削されて薄くなっており、前記搬送用半導体ウエハの上面に前記半導体ウエハの下面を直接固着した状態では、前記半導体ウエハと前記搬送用半導体ウエハとの合計厚さは前記搬送用半導体ウエハの当初の厚さと同じであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の発明において、前記搬送用半導体ウエハを準備した後に、前記搬送用半導体ウエハの周辺部を除く上面側を研削して凹部を形成する工程を有し、前記搬送用半導体ウエハの上面に前記半導体ウエハの下面を直接固着する工程は、前記搬送用半導体ウエハの凹部の底面に前記半導体ウエハの下面を直接固着する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記半導体ウエハはその下面側を研削されて薄くなっており、前記搬送用半導体ウエハの凹部の底面に前記半導体ウエハの下面を直接固着した状態では、前記半導体ウエハと前記搬送用半導体ウエハの凹部の部分との合計厚さは前記搬送用半導体ウエハの当初の厚さと同じであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記搬送用半導体ウエハの凹部内において前記半導体ウエハの周囲における隙間に絶縁材料を充填する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の発明において、前記搬送用半導体ウエハの上面に前記半導体ウエハの下面を直接固着する工程は、前記搬送用半導体ウエハの上面に複数の前記半導体ウエハの下面を直接固着する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発明において、前記半導体ウエハは、その外周部において前記集積回路が形成されていない部分をカットされたものからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の発明において、前記半導体ウエハおよび前記搬送用半導体ウエハはシリコンからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発明において、前記搬送用半導体ウエハの上面に前記半導体ウエハの下面を直接固着する工程は、原子間接合により固着する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、ＣＳＰ(Chip Size Package)と呼ばれるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この半導体装置では、半導体基板上に設けられた絶縁膜の上面に配線が設けられている。配線の接続パッド部上面には柱状電極が設けられている。配線を含む絶縁膜の上面において柱状電極の周囲には封止膜が設けられている。柱状電極の上面には半田ボールが設けられている。
【０００３】
上記従来の半導体装置の製造方法では、まず、ウエハ状態の半導体基板（以下、半導体ウエハという）上に絶縁膜が形成されたものを準備する。次に、絶縁膜の上面全体に下地金属層を形成する。次に、下地金属層の上面に、電解メッキにより、配線用上部金属層を形成する。次に、配線用上部金属層の接続パッド部上面に、電解メッキにより、柱状電極を形成する。
【０００４】
次に、配線用上部金属層をマスクとして配線用上部金属層下以外の領域における下地金属層をエッチングして除去し、配線用上部金属層下にのみ下地金属層を残存させる。この状態では、配線用上部金属層とその下に残存された下地金属層とにより、２層構造の配線が形成されている。次に、配線を含む絶縁膜の上面において柱状電極の周囲に封止膜を形成する。次に、柱状電極の上面に半田ボールを形成する。次に、半導体ウエハ等をダイシングストリートに沿って切断すると、上記構造の半導体装置が複数個得られる。
【０００５】
ところで、市販されている半導体ウエハには、直径が例えば３００ｍｍ（１２インチ）、２００ｍｍ（８インチ）、１５０ｍｍ（６インチ）のものがある。そして、各サイズの半導体ウエハはそれぞれ専用のプロセスラインで加工されている。ここで、例えば直径３００ｍｍの半導体ウエハ搬送トレイ上にそれよりも小径の半導体ウエハを載置し、直径３００ｍｍの半導体ウエハのプロセスラインでそれよりも小径の半導体ウエハの加工を行うことが考えられる。
【０００６】
ところで、従来の半導体ウエハ搬送トレイとしては、特許文献２に記載のものが知られている。この半導体ウエハ搬送トレイは、円板状のトレイ本体の周辺部を除く上面側に円形状の凹部が形成された構造となっている。そして、半導体ウエハ搬送トレイの凹部内に半導体ウエハを載置し、半導体ウエハを半導体ウエハ搬送トレイと共に搬送するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−６０００２号公報
【特許文献２】特開２００７−８８４１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の半導体ウエハ搬送トレイでは、その凹部内に半導体ウエハをただ単に載置しているだけであるので、半導体ウエハの微細な位置決めが要求される場合には、不向きであるという問題がある。また、半導体ウエハのプロセスラインで半導体ウエハの上下を反転させる工程がある場合には、半導体ウエハが落下し、半導体ウエハを搬送することができなくなってしまうという問題もある。
【０００９】
そこで、この発明は、半導体ウエハの微細な位置決めを可能とし、且つ、半導体ウエハの上下を反転させても半導体ウエハを搬送することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、上面に集積回路を有する半導体ウエハおよび該半導体ウエハよりも大径で集積回路を有しない単なる半導体ウエハからなる搬送用半導体ウエハを準備する工程と、前記搬送用半導体ウエハの上面に前記半導体ウエハの下面を直接固着する工程と、前記搬送用半導体ウエハの上面に前記半導体ウエハの下面が直接固着された状態で前記半導体ウエハに対して加工を行う工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記搬送用半導体ウエハの上面に前記半導体ウエハの下面を直接固着する工程は、前記搬送用半導体ウエハに対して前記半導体ウエハの位置合わせを行う工程を含むことを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記搬送用半導体ウエハ側から前記搬送用半導体ウエハおよび前記半導体ウエハを研削して、前記搬送用半導体ウエハを完全に除去し、且つ、前記半導体ウエハの厚さを薄くする工程と、前記半導体ウエハを切断して複数個の半導体装置を得る工程とを有することを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記半導体ウエハおよび前記搬送用半導体ウエハを切断して複数個の半導体装置を得る工程を有することを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記搬送用半導体ウエハを準備した後に、前記搬送用半導体ウエハを研削してその厚さを薄くする工程を有することを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記半導体ウエハはその下面側を研削されて薄くなっており、前記搬送用半導体ウエハの上面に前記半導体ウエハの下面を直接固着した状態では、前記半導体ウエハと前記搬送用半導体ウエハとの合計厚さは前記搬送用半導体ウエハの当初の厚さと同じであることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記搬送用半導体ウエハを準備した後に、前記搬送用半導体ウエハの周辺部を除く上面側を研削して凹部を形成する工程を有し、前記搬送用半導体ウエハの上面に前記半導体ウエハの下面を直接固着する工程は、前記搬送用半導体ウエハの凹部の底面に前記半導体ウエハの下面を直接固着する工程であることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記半導体ウエハはその下面側を研削されて薄くなっており、前記搬送用半導体ウエハの凹部の底面に前記半導体ウエハの下面を直接固着した状態では、前記半導体ウエハと前記搬送用半導体ウエハの凹部の部分との合計厚さは前記搬送用半導体ウエハの当初の厚さと同じであることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記搬送用半導体ウエハの凹部内において前記半導体ウエハの周囲における隙間に絶縁材料を充填する工程を有することを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記搬送用半導体ウエハの上面に前記半導体ウエハの下面を直接固着する工程は、前記搬送用半導体ウエハの上面に複数の前記半導体ウエハの下面を直接固着する工程であることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載の発明において、前記半導体ウエハは、その外周部において前記集積回路が形成されていない部分をカットされたものからなることを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記半導体ウエハおよび前記搬送用半導体ウエハはシリコンからなることを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の発明において、前記搬送用半導体ウエハの上面に前記半導体ウエハの下面を直接固着する工程は、原子間接合により固着する工程であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、半導体ウエハの下面をそれよりも大径の搬送用半導体ウエハの上面に直接固着しているので、半導体ウエハの微細な位置決めを可能とし、且つ、半導体ウエハの上下を反転させても半導体ウエハを搬送することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】この発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図。
【図２】（Ａ）および（Ｂ）は図１に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初準備したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】図１に示す半導体装置の製造方法の他の例において、所定の工程の断面図。
【図１７】図１６に続く工程の断面図。
【図１８】図１７に続く工程の断面図。
【図１９】この発明の製造方法により製造された半導体装置の他の例の断面図。
【図２０】図１９に示す半導体装置の製造方法の一例において、所定の工程の断面図。
【図２１】図２０に続く工程の断面図。
【図２２】変形例その１を説明するために示す平面図。
【図２３】変形例その２を説明するために示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰと呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子（図示せず）が形成され、その上面周辺部には、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属等からなる接続パッド２が設けられている。接続パッド２は２個のみを図示するが、実際にはシリコン基板１の上面周辺部に多数配列されている。
【００１４】
シリコン基板１の周辺部および接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなるパッシベーション膜（絶縁膜）３が設けられ、接続パッド２の中央部はパッシベーション膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。パッシベーション膜３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜（絶縁膜）５が設けられている。パッシベーション膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。
【００１５】
保護膜５の上面には配線７が設けられている。配線７は、保護膜５の上面に設けられた銅等からなる下地金属層８と、下地金属層８の上面に設けられた銅からなる上部金属層９との２層構造となっている。配線７の一端部は、パッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。
【００１６】
配線７の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極１０が設けられている。配線７を含む保護膜５の上面において柱状電極１０の周囲にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１が設けられている。柱状電極１０は、その上面が封止膜１１の上面と面一乃至数μｍ低くなるように設けられている。柱状電極１０の上面には半田ボール１２が設けられている。
【００１７】
（製造方法の一例）
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２（Ａ）に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）上に集積回路（図示せず）、接続パッド２、パッシベーション膜３および保護膜５が形成され、接続パッド２の中央部がパッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出されたものを準備する。
【００１８】
この場合、半導体ウエハ２１の直径は２００ｍｍである。ところで、市販されている直径２００ｍｍの半導体ウエハ２１の厚さは、図１に示すシリコン基板１の厚さよりも厚く、７２５μｍ程度である。勿論、本発明は、市販品以外の半導体ウエハを用いて製造することができるものであり、半導体ウエハ２１の厚さも、以下に示す製造方法に適したものを採用することができるものであって、上記市販品の半導体ウエハ２１の厚さは単なる参考である（以下、同じ）。
【００１９】
そして、図２（Ａ）に示す半導体ウエハ２１の厚さは、その下面（底面）側が研削されていることにより、当初の厚さ（７２５μｍ程度）のほぼ半分となっている。ここで、図２（Ａ）において、符号２２で示す領域はダイシングストリートである。ダイシングストリート２２で囲まれた半導体装置形成領域は３個のみを図示するが、実際には半導体ウエハ２１の周辺部を除く領域の行方向および列方向に多数配列されている。そして、ダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分におけるパッシベーション膜３および保護膜５は除去されている。
【００２０】
また、図２（Ｂ）に示すように、集積回路を有しないウエハ状態の単なるシリコン基板からなる搬送用半導体ウエハ２３を準備する。この場合、搬送用半導体ウエハ２３の直径は、図２（Ａ）に示す半導体ウエハ２１の直径よりも大きくて３００ｍｍである。市販されている直径３００ｍｍの搬送用半導体ウエハ２３の厚さは７７５μｍ程度である。ここで、搬送用半導体ウエハ２３の外周部の断面形状はほぼ半円形状となっている。図２（Ａ）に示す半導体ウエハ２１の当初の外周部の断面形状も実際はほぼ半円形状となっているが、図示の都合上、平面としている。
【００２１】
さて、図２（Ａ）、（Ｂ）にそれぞれ示すものを準備したら、次に、図３に示すように、搬送用半導体ウエハ２３の上面側を研削し、搬送用半導体ウエハ２３の厚さをほぼ半分となるように薄くする。次に、図４に示すように、搬送用半導体ウエハ２３の中央部上面に半導体ウエハ２１の下面を常温接合法と呼ばれる接合方法により直接固着する（特開平１０−９２７０２号公報参照）。
【００２２】
すなわち、図示していないが、まず、室温の真空中（真空チャンバー内）において、搬送用半導体ウエハ２３の上面および半導体ウエハ２１の下面を、不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームを照射することにより、スパッタエッチングする。すると、搬送用半導体ウエハ２３の上面および半導体ウエハ２１の下面に存在する吸着ガスや自然酸化膜等が剥離される。
【００２３】
次に、そのまま室温の真空中（真空チャンバー内）において、搬送用半導体ウエハ２３の上面に半導体ウエハ２１の下面を重ね合わせると、搬送用半導体ウエハ２３の上面および半導体ウエハ２１の下面が極めて平滑であることにより、無加熱、無加圧で、搬送用半導体ウエハ２３の上面に半導体ウエハ２１の下面が原子間接合により強固に接合される。
【００２４】
このように、搬送用半導体ウエハ２３の上面に半導体ウエハ２１の下面を原子間接合により強固に接合しているので、半導体ウエハ２１の微細な位置決めが要求されても、それに容易に対応することができる。この場合、半導体ウエハ２１の外周部に形成されている位置決め用のノッチ（Ｖ字状等の切り欠き、図示せず）を搬送用半導体ウエハ２３の外周部に形成されている位置決め用のノッチ（図示せず）に位置合わせする等の位置合わせを行う方が望ましい。
【００２５】
搬送用半導体ウエハ２３に対して半導体ウエハ２１の位置合わせを行うと、直径３００ｍｍの半導体ウエハのプロセスラインにおいて、搬送用半導体ウエハ２３のノッチを基準にして半導体ウエハ２１の位置決めを行うことができる。ここで、図４に示す状態では、搬送用半導体ウエハ２３と半導体ウエハ２１との合計厚さは、直径３００ｍｍの半導体ウエハのプロセスラインに適応させるために、搬送用半導体ウエハ２３の当初の厚さとほぼ同じ（７７５μｍ±２５μｍ）となるようにする。そして、以下の工程は直径３００ｍｍの半導体ウエハのプロセスラインで行う。
【００２６】
直径３００ｍｍの半導体ウエハのプロセスラインでは、まず、図５に示すように、パッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む保護膜５の上面並びにダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ２１の上面に下地金属層８を形成する。この場合、下地金属層８は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００２７】
次に、下地金属層８の上面にポジ型の液状レジストからなるメッキレジスト膜２４をパターン形成する。この場合、上部金属層９形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜２４には開口部２５が形成されている。次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、メッキレジスト膜２４の開口部２５内の下地金属層８の上面に上部金属層９が形成される。次に、メッキレジスト膜２４を剥離する。
【００２８】
次に、図６に示すように、上部金属層９を含む下地金属層８の上面にネガ型のドライフィルムレジストからなるメッキレジスト膜２６をパターン形成する。この場合、上部金属層９の接続パッド部（柱状電極１０形成領域）に対応する部分におけるメッキレジスト膜２６には開口部２７が形成されている。次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、メッキレジスト膜２６の開口部２７内の上部金属層９の接続パッド部上面に柱状電極１０が形成される。
【００２９】
次に、メッキレジスト膜２６を剥離し、次いで、上部金属層９をマスクとして上部金属層９下以外の領域における下地金属層８をエッチングして除去すると、図７に示すように、上部金属層９下にのみ下地金属層８が残存される。この状態では、上部金属層９とその下に残存された下地金属層８とにより、２層構造の配線７が形成されている。
【００３０】
次に、図８に示すように、配線７および柱状電極１０を含む保護膜５の上面並びにダイシングストリート２２およびその両側における半導体ウエハ２１の上面に印刷法、スピンコート法等によりエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１をその厚さが柱状電極１０の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極１０の上面は封止膜１１によって覆われている。
【００３１】
次に、封止膜１１の上面側を適宜に研削し、図９に示すように、柱状電極１０の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極１０の上面を含む封止膜１１の上面を平坦化する。柱状電極１０の上面にバリや酸化膜が形成されている場合には、柱状電極１０の上面を数μｍエッチングして、これらを除去する。
【００３２】
次に、図１０に示すように、封止膜１１および柱状電極１０の上面に、保護テープ２８の下面に設けられた紫外線硬化型で未硬化状態の粘着剤２９を貼り付ける。次に、図１０に示すものの上下を反転すると、図１１に示すように、搬送用半導体ウエハ２３が上側となる。この場合、図１０に示すものの上下を反転しても、半導体ウエハ２１は搬送用半導体ウエハ２３に強固に固着されているので、半導体ウエハ２１が落下することはない。
【００３３】
次に、搬送用半導体ウエハ２３の上面側から搬送用半導体ウエハ２３および半導体ウエハ２１を研削し、図１２に示すように、搬送用半導体ウエハ２３を完全に除去し、且つ、半導体ウエハ２１の厚さを薄くする。次に、図１２に示すものの上下を反転すると、図１３に示すように、保護テープ２８が上側となる。
【００３４】
次に、保護テープ２８の上面側から紫外線を照射すると、粘着剤２９が硬化し、粘着剤２９と封止膜１１および柱状電極１０との間の接着力が低減する。次に、保護テープ２８を粘着剤２９と共に封止膜１１および柱状電極１０の上面から剥離し、封止膜１１および柱状電極１０の上面を露出させる。
【００３５】
次に、図１４に示すように、柱状電極１０の上面に半田ボール１２を形成する。次に、図１５に示すように、封止膜１１および半導体ウエハ２１をダイシングストリート２２に沿って切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３６】
なお、図９に示す工程後に、柱状電極１０の上面に半田ボール１２を形成し、次いで半田ボール１２を含む封止膜１１の上面に保護テープ２８を貼り付け、次いで搬送用半導体ウエハ２３および半導体ウエハ２１を研削し、次いで保護テープ２８を剥離し、次いでダイシングストリート２２に沿って切断するようにしてもよい。
【００３７】
ところで、上記の半導体装置の製造方法では、図３に示すように、搬送用半導体ウエハ２３の上面側を研削し、搬送用半導体ウエハ２３の厚さをほぼ半分となるように薄くしているので、搬送用半導体ウエハ２３の強度が低下し、搬送用半導体ウエハ２３が割れやすくなり、特に、搬送用半導体ウエハ２３の外周部の半円形状部が割れやすい。そこで、次に、搬送用半導体ウエハ２３が割れにくいようにすることができる半導体装置の製造方法の他の例について説明する。
【００３８】
（製造方法の他の例）
この半導体装置の製造方法の他の例では、図２（Ａ）、（Ｂ）にそれぞれ示すものを準備した後に、図１６に示すように、研削装置３１を準備する。この研削装置３１は、回転円板３２の下面に該回転円板３２よりもやや大きめの研削砥石部３３が設けられたものを有し、駆動手段（図示せず）の駆動により、回転円板３２と共に研削砥石部３３が回転されるようになっている。
【００３９】
そして、研削砥石部３３の下面を搬送用半導体ウエハ２３の上面に当接させる。この場合、研削砥石部３３の所定の周側面は搬送用半導体ウエハ２３の所定の周側面よりも内側（例えば４５±２．５ｍｍ内側）に位置させる。研削砥石部３３の直径は、余り小さいと、加工効率が低下するので、限定する意味ではないが、搬送用半導体ウエハ２３の直径、または、以下に説明するが、加工によって形成される凹部３４の直径の１／４〜３／４程度が望ましい。
【００４０】
そして、回転円板３２と共に研削砥石部３３を自転させながら搬送用半導体ウエハ２３の中心を中心にして公転させ、且つ、予め設定された高さ位置（搬送用半導体ウエハ２３の厚さのほぼ半分）まで徐々に下降させると、図１７に示すように、搬送用半導体ウエハ２３の周辺部を除く上面側が研削砥石部３３によって研削され、例えば直径２１０±５ｍｍの凹部３４が形成される。この場合、搬送用半導体ウエハ２３の周辺部を除く上面側を研削して凹部３４を形成し、搬送用半導体ウエハ２３の周辺部を除く部分を薄くしているので、搬送用半導体ウエハ２３の周辺部の残存により、搬送用半導体ウエハ２３が割れにくいようにすることができる。
【００４１】
次に、図１８に示すように、搬送用半導体ウエハ２３の凹部３４の底面中央部に半導体ウエハ２１の下面を上記接合方法により直接固着する。この状態では、搬送用半導体ウエハ２３凹部３４の部分と半導体ウエハ２１との合計厚さは、直径３００ｍｍの半導体ウエハのプロセスラインに適応させるために、搬送用半導体ウエハ２３の当初の厚さとほぼ同じ（７７５μｍ±２５μｍ）になるようにする。以下、上記の場合と同様の工程を経ると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。なお、搬送用半導体ウエハ２３の凹部３４内において半導体ウエハ２１の周囲における隙間にはインクジェット法等によりボリイミド系樹脂等からなる絶縁材料を充填するようにしてもよい。
【００４２】
次に、図１９はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の他の例の断面図を示す。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と異なる点は、シリコン基板１の厚さが厚く、且つ、シリコン基板１の下面に搬送用半導体ウエハ２３の一部が設けられた点である。
【００４３】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。この場合、図９に示す工程後に、図２０に示すように、柱状電極１０の上面に半田ボール１２を形成する。次に、図２１に示すように、封止膜１１、半導体ウエハ２１および搬送用半導体ウエハ２３をダイシングストリート２２に沿って切断すると、図１９に示す半導体装置が複数個得られる。
【００４４】
ところで、図４では、直径３００ｍｍの搬送用半導体ウエハ２３の上面中央部に直径３００ｍｍの半導体ウエハ２１を１枚固着した場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図２２に示すように、直径３００ｍｍの搬送用半導体ウエハ２３の上面に直径１５０ｍｍの半導体ウエハ４１を２枚線対象に固着するようにしてもよい。この場合、直径３００ｍｍの搬送用半導体ウエハ２３の外周部の所定の箇所にはノッチ４２が設けられている。直径１５０ｍｍの半導体ウエハ４１の外周部の所定の箇所にはオリエンテーションフラット４３が設けられている。
【００４５】
また、搬送用半導体ウエハ２３の上面にそれよりも小径の半導体ウエハを３枚以上固着するようにしてもよい。さらに、必要に応じて、例えば、図２３に示すように、半導体ウエハ４１の外周部において集積回路が形成されていない部分をカットして、半導体ウエハ４１のサイズを小さくするようにしてもよい。
【符号の説明】
【００４６】
１  シリコン基板
２  接続パッド
３  パッシベーション膜
５  保護膜
７  配線
１０  柱状電極
１１  封止膜
１２  半田ボール
２１  半導体ウエハ
２２  ダイシングストリート
２３  搬送用半導体ウエハ
３４  凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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