(57)【要約】【課題】蒸着源の加熱初期時に蒸着源からの輻射熱によりシャッターが加熱され、シャッター表面に吸着した水分等を不純ガスとして放出するのを抑制して、高純度の金属膜形成ができる真空蒸着装置を得る。【解決手段】真空槽と、真空槽の内部に設けられた蒸着源と、蒸着源を加熱する加熱手段と、蒸着源に対向配置され、基板を保持する基板ホルダーと、蒸着源と基板との間を開閉するシャッターを備え、このシャッター表面のうち、少なくとも基板側の表面をＡｕ又はＰｔの層で覆う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽と、前記真空槽の内部に設けられた蒸着源と、前記蒸着源を加熱する加熱手段と、前記蒸着源に対向配置され、基板を保持する基板ホルダーと、前記蒸着源と前記基板との間を開閉するシャッターとを備え、
前記シャッターは、少なくとも前記基板側の表面がＡｕ又はＰｔの層で覆われていることを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項２】
前記シャッターは、Ａｕ又はＰｔで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項３】
前記加熱手段は、電子銃であることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか一項に記載の真空蒸着装置。
【請求項４】
前記真空槽内に設けられ、前記蒸着源から放出された反射電子を吸収する吸収体を備えたことを特徴とする請求項３に記載の真空蒸着装置。
【請求項５】
前記吸収体は、表面がＡｕ又はＰｔの層で覆われていることを特徴とする請求項４に記載の真空蒸着装置。
【請求項６】
前記真空槽は、内壁がＡｕ又はＰｔの層で覆われていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の真空蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板表面に金属等の薄膜を蒸着する真空蒸着装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、蒸着源と基板の間にシャッターを設け、蒸着源の加熱初期段階ではシャッターを閉じて蒸着源の基板への付着を防止し、蒸発速度が安定した後にシャッターを開いて薄膜形成する真空蒸着装置がある。（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６２−１０３３６１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のような真空蒸着装置においては、一般にＳＵＳ製又はセラミックス製のシャッターが用いられている。このようなＳＵＳ製のシャッターは表面に酸化膜を形成しやすく、この酸化膜はセラミックスと同様に表面に多孔体を有するため、水分等を吸着しやすい。このため、蒸着源の加熱初期時に蒸着源からの輻射熱によりシャッターが加熱されると、シャッター表面に吸着した水分等が不純ガスとして放出され、基板に付着する蒸着源に不純ガスが取り込まれて高純度の金属膜形成に困難をきたすという問題があった。
【０００５】
本発明は上記のような問題を解決するためになされたもので、不純ガスの発生を抑制して高純度の金属膜形成ができる真空蒸着装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る真空蒸着装置は、真空槽と、真空槽の内部に設けられた蒸着源と、蒸着源を加熱する加熱手段と、蒸着源に対向配置され、基板を保持する基板ホルダーと、蒸着源と基板との間を開閉するシャッターを備え、このシャッターは、少なくとも基板側の表面がＡｕ又はＰｔの層で覆われていることを特徴としたものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、少なくとも基板側の表面がＡｕ又はＰｔの層で覆われたシャッターを用いることにより、蒸着源の加熱初期時におけるシャッター表面からの不純ガス放出が抑制され、高純度の金属膜形成ができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る真空蒸着装置を示す図である。
【図２】従来の真空蒸着装置におけるＡｕ蒸着時の不純ガス分圧を示す図である。
【図３】図２のＨ２Ｏ分圧を拡大した図である。
【図４】Ａｕ／Ｃｕミラーのレーザ耐力試験結果を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る真空蒸着装置を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態３に係る真空蒸着装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
本発明を実施するための実施の形態１における真空蒸着装置１を図１ないし図４を用いて説明する。図１において、真空蒸着装置１は真空槽２と、真空槽２の内部下方に設けられたタングステン製のルツボであるハースライナー４と、ハースライナー４に保持されたＡｕ３すなわち蒸着源と、Ａｕ３を加熱する電子ビーム（ＥＢ）銃５すなわち加熱手段と、ハースライナー４の上部空間に設けられたＣｕ基板９を保持して回転するＳＵＳ製の半球状基板ドーム１０すなわち基板ホルダーと、表面全体がＡｕの層で覆われ、Ａｕ３とＣｕ基板９の間を開閉するシャッター６とで構成されている。Ｃｕ基板９は基板ドーム１０に設けられた孔に直接又はアダプターを介して取付けられ、シャッター６はシャッターアーム回転軸８を中心に回転するシャッターアーム７に固定されている。
なお、ここでは加熱手段として電子銃５を示したが、抵抗加熱装置や高周波コイルであっても良い。
【００１０】
また、真空槽２の外部にはドライポンプからなる低真空排気ポンプ１１、メカニカルブースターポンプからなる中真空排気ポンプ１２、クライオポンプからなる高真空排気ポンプ１３が接続されており、これら３つのポンプにより真空槽２内部を高真空状態に排気できる。さらに、真空槽２の内壁には水冷機構（図示せず）が設けられ、また、真空槽２の外壁にはパイプ（図示せず）が張り巡らされ、水冷機構と併用してパイプ内に水等の冷媒を流すことで急激な温度上昇を防止している。
【００１１】
ここで、シャッター６をＡｕの層で覆う意味について説明する。
図２はＳＵＳ製（例えばＳＵＳ３０４）のシャッターを用いた従来の真空蒸着装置において、Ａｕ膜成膜中の真空槽２内ガス成分の時間変化をガス分析装置にて測定した結果である。蒸着源の加熱開始時点ではＨ２Ｏの分圧が最も高く、１×１０−３Ｐａ以下の圧力範囲ではほぼ９０％が水分（Ｈ２Ｏ）であるという通説を裏付けている。
【００１２】
蒸着源の加熱開始と共に各成分のガス分圧は上昇し、特にＨ２分圧はシャッター６を開く時点で最大となっている。これはＨ２とＯがＨ２Ｏの分解によって生じることに起因し、図のＨ２分圧とＯ分圧がＨ２Ｏ分圧の変化とほぼ連動していることからも分かる。なお、Ｈ２分圧がＨ２Ｏ分圧やＯ分圧よりも少し遅れて変化しているのは、Ｈ２が非凝縮性の気体であって高真空状態でも２０Ｋ以下に冷却した吸着剤にしかトラップされないためである。
通常、蒸着は１×１０−５Ｐａ程度で行われるため、ガス分圧が１×１０−７Ｐａ以下のものは蒸着時に不純物としてほとんど混入しない。
【００１３】
図３に示すように、Ｈ２Ｏ分圧は蒸着源の加熱開始と共に上昇し、シャッター６を開くと一旦低下するものの約２０秒で再び緩やかに上昇を始め、成膜終了と同時に低下する。加熱によりＨ２Ｏ分圧が上昇するのは、電子銃５の輻射熱によりシャッター６及び真空槽２の内壁表面に吸着した水分が放出されたためと考えられる。
【００１４】
また、シャッター６を開く前のＨ２Ｏ分圧の上昇率はシャッター６を開いた後の上昇率よりも大きい。これは電子銃５と真空槽２の距離がシャッター６との距離に比べて大きく、また、真空槽２は水冷機構が設けられていることから、主に輻射熱の影響を受けるのはシャッター６であることを示唆している。
【００１５】
シャッター６の表面がＳＵＳ等の金属やセラミックスの場合、不純ガスの発生要因となる水分等を吸着しやすい。すなわち、ＳＵＳ等の金属は酸化膜を形成しやすく、酸化膜はセラミックスと同様に表面に多孔体を有するため、水分等を吸着しやすい。そこで、本実施の形態に係る蒸着装置１においては、ＳＵＳ等の金属酸化膜やセラミックスに比べて表面が滑らかで、かつ、酸化膜を形成しにくいＡｕ又はＰｔ等の層でもってシャッター６の表面を覆っている。
【００１６】
例えばＡｕメッキの場合、ＳＵＳ３０４やセラミックの母材表面に厚さ１００μｍ程のＡｕの層を形成する。シャッター６の表面を覆う方法はメッキに限らず、真空蒸着やスパッタのような物理的成膜方法や、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法のような化学的成膜方法であっても良く、シャッター６の表面を覆う代わりにシャッター６自体をＡｕ又はＰｔ等で形成しても良い。
なお、シャッター６表面を電解研磨や機械研磨等により表面を鏡面状態に仕上げておけば、さらに水分等を吸着しにくくなる。
【００１７】
シャッター６は輻射熱で加熱されることにより、ハースライナー４側の面からのみならずＣｕ基板９側の面からも不純ガスを放出する。Ｃｕ基板９の表面に吸着してＡｕ薄膜に取り込まれるのは、主にＣｕ基板９側の面から放出される不純ガスであるため、少なくともＣｕ基板９側のシャッター６表面をＡｕ又はＰｔ等の層で覆うようにコーティングすれば良い。なお、一般に、シャッター６は繰り返し使用するため、ハースライナー４側の面は以前の蒸着時に付着したＡｕでコーティングされている。
【００１８】
次に、蒸着方法について説明する。
真空槽２の扉を開けて大気開放し、蒸着源である純度９９．９９％以上のＡｕ３を所定量ハースライナー４に入れ、Ｃｕ基板９をＳＵＳ製のアダプターを介して基板ドーム１０の孔に取り付け、シャッター６を閉じた状態で真空槽２の扉を閉める。
なお、シャッター６は通常、大気中水分の表面吸着を避けるために使用していないときはデシケータや乾燥炉等に保管されており、使用する際に真空槽２内のシャッターアーム７に取付けられる。
【００１９】
次に低真空排気ポンプ１１を駆動して真空槽２内を１０Ｐａ程度まで粗引きし、中真空排気ポンプ１２で１×１０−２Ｐａ程度、高真空排気ポンプ１３で１×１０−５Ｐａ以下と順に高真空状態まで排気させる。
【００２０】
真空槽２の内部が１０−５Ｐａ程度になったところで基板ドーム１０を回転させ、同時に電子銃５からＡｕ３への電子ビーム照射を開始する。Ａｕメッキしたシャッター６は水分等を吸着し難いだけでなく、１×１０−５Ｐａ程度の高真空状態まで排気される間にシャッター６表面に吸着した水分が排気除去されるため、Ａｕ３からの輻射熱によりシャッター６が加熱されても表面から水分等を放出しない。
【００２１】
これに加えて、真空槽２を排気しながらシャッター６表面を加熱したりイオンクリーニング等することにより、シャッター６の表面にわずかに残った水分等も除去できる。
同様の効果を得る方法として、シャッター６の母材を熱容量の大きなもので形成し、シャッター６表面の温度上昇を抑制することもできる。また、蒸着源であるＡｕ３よりも融点の高い材料を用意し、この材料に蒸発しない条件下で電子ビームを照射してシャッター６に輻射熱を与え、水分等を除去することもできる。
【００２２】
上記のように電子ビームを照射することによりＡｕ３は加熱され、粒状から溶融状態となってハースライナー４内に電子ビームの照射位置を中心とする高温溶融状態の溶融池を形成し、さらに加熱されると蒸発する。なお、Ａｕ３を蒸発させるにはこの溶融地の形成が重要で、単に溶融しただけではＡｕ３はほとんど蒸発しない。
【００２３】
蒸着源は均一に溶解するまでの間にスプラッシュと呼ばれる沸騰物を飛散することがあり、このスプラッシュがＣｕ基板９に到達すると膜欠陥の原因となるため、スプラッシュの飛散が収まるのを待ってシャッターアーム回転軸８を回転させてシャッター６を開く。このとき、Ａｕメッキが施されたシャッター６表面には水分等がほとんど吸着していないため、真空槽２内には不純ガスもほぼ存在しない。
【００２４】
シャッター６が開かれるとハースライナー４とＣｕ基板９間を遮蔽するものが無くなり、蒸発したＡｕ３は高速回転している基板ドーム１０へ向かって放射状に拡散し、Ｃｕ基板９の表面に付着してＡｕ薄膜を形成する。シャッター６を開いてから所定時間が経過するとＣｕ基板９上に所望の膜厚のＡｕ薄膜が形成されるので、シャッター６を閉じて電子銃５によるＡｕ３への電子ビーム照射及び基板ドーム１０の回転を停止する。成膜後、Ａｕ３が大気圧下でも飛散しない程度まで温度低下するのを待ち、真空槽２に吸気させてＣｕ基板９を取り出す。
なお、シャッター６を開閉するタイミングは水晶振動子によるＡｕ薄膜の膜厚測定で決めても良い。
【００２５】
ここで、本実施の形態に係る真空蒸着装置１で形成したＡｕ／Ｃｕミラーが高純度であること、反射率とレーザ耐力でもって示す。
Ａｕ／Ｃｕミラーは例えば炭酸ガスレーザのベンドミラーとして用いられるため、本実施の形態に係る真空蒸着装置１で形成したＡｕ／Ｃｕミラーの反射率を炭酸ガスレーザの波長である波長１０．６μｍのＳ偏光に対して計測したところ９９．５％超が得られた。ミラー形成時の蒸着条件は、蒸着真空度２×１０−４Ｐａ以下、Ａｕ３に照射する電子ビームの加速電圧６ｋＶ、エミッション電流８０ｍＡである。
【００２６】
図４は本実施の形態に係る真空蒸着装置１で形成したＡｕ／Ｃｕミラーと、従来の真空蒸着装置で形成したＡｕ／Ｃｕミラーのレーザ耐力試験の結果を示すグラフである。それぞれのＡｕ／Ｃｕミラーにレーザ加工機の使用条件よりも３桁から５桁ほどエネルギー密度の高いレーザ光を照射し、ミラー面が損傷する値でもってレーザ耐力を比較したところ、本実施の形態に係る真空蒸着装置１で形成したＡｕ／Ｃｕミラーは従来の真空蒸着装置で形成したＡｕ／Ｃｕミラーよりも約１．２７倍のレーザ耐力を有することが分かった。すなわち、本実施の形態に係る真空蒸着装置１で形成したＡｕ／ＣｕミラーのＡｕ薄膜中には不純物が少なく、レーザ光の吸収が小さいためと推測できる。
【００２７】
なお、上記レーザ耐力の測定ではエネルギー密度の高いレーザ光を照射したが、通常の使用においてはミラーにこのようなレーザ光が照射されることは無い。実使用におけるミラー寿命は使用環境中に存在するごみが支配的要因であり、通常条件のレーザ光の照射試験でミラーの寿命を規定することは困難であり、また、実際のレーザ加工機におけるミラー寿命とレーザ耐力値に相関関係あることが経験的に知られているため、光学部品の寿命評価の一環としてこのような試験が行われている。
【００２８】
反射率とレーザ耐力の結果から、本実施の形態に係る真空蒸着装置１は表面をＡｕメッキしたシャッター６を用いることにより、蒸着時にシャッター６表面から放出する不純ガスの量が低減され、Ｃｕ基板９に吸着してＡｕ薄膜に取り込まれる不純物も抑制されていると考えられる。
【００２９】
なお、ここでは高純度の金属膜としてＡｕ薄膜を形成する場合について説明したが、本実施の形態に係る真空蒸着装置１は、例えばＡｌなど他の金属においても高純度の金属膜形成ができることは言うまでも無く、酸化物やフッ化物のような誘電体膜の形成にも用いることができる。
【００３０】
この実施の形態によれば、真空蒸着装置１は蒸着源であるＡｕ３とＣｕ基板９の間を開閉するシャッター６を設け、このシャッター６は少なくともＣｕ基板９側の表面をＡｕ又はＰｔ等の層で覆うことにより、不純ガス発生の要因となる水分等が吸着されにくくなり、シャッター６が輻射熱で加熱されても不純ガスの発生が抑制され、Ｃｕ基板９に付着するＡｕ３の薄膜へ取り込まれる不純物の量が低減し、高純度の金属膜形成ができる。
また、シャッター６をデシケータや乾燥炉等に保管したり、蒸着前に加熱やイオンクリーニングで表面に吸着した水分等を除去したり、シャッター６の母材を熱容量の大きなもので形成してシャッター６表面の温度上昇を抑制したり、蒸着前に蒸着源より融点の高い材料でもってシャッター６に輻射熱を与えて表面に吸着した水分等を除去したり、シャッター６表面を電解研磨や機械研磨等により表面を鏡面状態に仕上げて水分等を吸着しにくくしておくことにより、不純ガスの発生をさらに抑制できる。
【００３１】
また、シャッター６の表面全体をＡｕ又はＰｔ等の層で覆うことにより、シャッター６のハースライナー側の面から放出される不純ガスも抑制でき、さらに高純度の金属膜が形成できる。
また、シャッター６をＡｕ又はＰｔ等で形成しても同様の効果が得られる。
【００３２】
実施の形態２．
上記実施の形態１において加熱手段として電子銃５を用いる場合、例えば電子ビームが金属表面に照射されると、この金属の原子番号に比例して一定割合の電子が照射時の加速電圧を減ずること無く、電子ビームを照射された金属表面から１次反射電子としてハースライナー４の外側に飛び出し、真空槽２の内壁に照射される。
【００３３】
電子ビームの照射対象がＡｕの場合は約４０％の電子が１次反射電子となることから、仮に電子ビームの加速電圧を１０ｋＶ、エミッション電流を１Ａとすると、約４ｋＷのエネルギーがハースライナー４から飛び出し、真空槽２の内壁で消費されることになる。すなわち、１次反射電子が照射される真空槽２内壁が、真空槽２に設けられた水冷機構の冷却能力を上回る勢いで加熱されると不純ガスを放出することがある。そこで、実施の形態２ではハースライナー４から飛び出した１次反射電子の照射位置にこれを吸収する吸収体１４を設ける。
【００３４】
図５は実施の形態２に係る真空蒸着装置１Ａの構成を示す図である。実施の形態１の構成に加えて、真空槽２内の１次反射電子が照射する位置にＡｕ又はＰｔ等のブロックからなる１次反射電子の吸収体１４が設けられている。この吸収体１４には水冷機構（図示せず）等が備えられ、１次反射電子のエネルギーを吸収している。
なお、吸収体１４は１次反射電子からエネルギーを吸収するため熱伝導性を有する金属であり、かつ、不純ガスの発生要因を吸着しにくい材料で表面が形成されていれば良く、例えばＳＵＳ３０４やセラミックスの母材をＡｕ又はＰｔ等の層で覆ったものでも良い。また、実施の形態１に係るシャッター６と同様に、吸収体１４を乾燥状態にして水分等を放出した状態にすることで、真空槽２内の不純ガス発生をさらに抑制できる。
【００３５】
蒸着方法は実施の形態１と同様に、真空槽２を大気開放して蒸着源のＡｕ３を所定量ハースライナー４に入れ、Ｃｕ基板９を基板ドーム１０に取り付けて真空槽２の扉を閉める。その際、シャッター６は閉じておく。３種類のポンプ１１〜１３を用いて真空槽２内を１０−５Ｐａ程度の高真空状態にすると、基板ドーム１０を回転させ、電子銃５からハースライナー４上のＡｕ３に電子ビームを照射する。
【００３６】
電子ビームにより加熱されたＡｕ３はハースライナー４内に溶融池を形成し、さらに高温になると蒸発する。スプラッシュの飛散が収まるのを待って、シャッターアーム回転軸８を回転させてシャッター６を開くと蒸発したＡｕ３は基板ドーム１０へ向かって放射状に広がり、Ｃｕ基板９の表面に付着してＡｕ薄膜を形成する。このとき、シャッター６はＡｕメッキされているため大気圧下でもあまり水分等を吸着せず、また、高真空状態に排気する際に表面吸着した水分等も排気除去されているため、輻射熱でシャッター６が加熱されても不純ガスを放出することはほとんど無い。
【００３７】
電子銃５からＡｕ３に照射された電子ビームの一部は１次反射電子としてハースライナー４から飛び出して吸収体１４に照射され、吸収体１４は１次反射電子のエネルギーを吸収する。また、吸収したエネルギーを吸収体１４に設けた水冷機構等で冷却して真空槽２の外部に熱を排出することにより、吸収体１４自身の温度上昇による水分等放出を抑制できる。
【００３８】
この実施の形態によれば、実施の形態１の効果に加えて、真空槽２内に反射電子を吸収する吸収体１４を設けたことにより、ハースライナー４から１次反射電子が飛び出す場合であっても反射電子のエネルギーは吸収体１４で吸収されて真空槽２の内壁を直接加熱しないため、真空槽２の内壁からの不純ガス放出を抑制して純度の高い金属膜形成ができる。
また、この吸収体１４は表面がＡｕ又はＰｔ等の層で覆われており、吸収体１４の表面からの水分等放出も抑制できる。
また、この吸収体１４を水冷機構等で冷却することにより、吸収体１４の温度上昇による水分等放出も抑制できる。
【００３９】
実施の形態３．
真空槽２が非常に小さい場合や１次反射電子が拡散する特殊なケースにおいては、エネルギー密度の高い１次反射電子が真空槽２の内壁全体に渡って照射することがある。このような１次反射電子が照射した部分は真空槽２の水冷機構でも十分に冷却できず、真空槽２内部が１００℃以上にまで温度上昇し、真空槽２の内壁に吸着した水分等が放出される。
【００４０】
そこで、本実施の形態では、図６に示すように真空槽２の内壁を覆うようにＡｕ又はＰｔ等の層１５をメッキ等により形成し、不純ガスの発生要因である水分等の吸着を抑制する。なお、メッキ層に例えば電解研磨処理のような表面処理を施せば、真空槽２の内部を高真空状態に排気する際に真空槽２の内壁に吸着した水分等を放出しやすく、不純ガスの発生をさらに低減できる。その他の構成は実施の形態２と同じため、説明を省略する。
【００４１】
蒸着方法も実施の形態２と同様である。真空槽２を大気開放して蒸着源のＡｕ３を所定量ハースライナー４に充填し、Ｃｕ基板９を基板ドーム１０に取り付けて真空槽２の扉を閉める。その際、シャッター６は閉じておき、３種類のポンプ１１〜１３を用いて真空槽２内を１０−５Ｐａ程度の高真空状態にする。
【００４２】
真空槽２内が高真空状態となったところで基板ドーム１０を回転させ、電子銃５からハースライナー４上のＡｕ３に電子ビームを照射する。電子ビームにより加熱されたＡｕ３はハースライナー４内に溶融池を形成し、さらに高温になると蒸発する。スプラッシュの飛散が収まるのを待って、シャッターアーム回転軸８を回転させてシャッター６を開くと蒸発したＡｕ３は基板ドーム１０へ向かって放射状に広がり、Ｃｕ基板９の表面に付着してＡｕ薄膜を形成する。
【００４３】
このとき、一部の１次反射電子は吸収体１４に吸収され、冷却機構により真空槽２の外部にエネルギー排出されるが、残りはシャッター６や真空槽２の内壁に照射される。しかしながら、シャッター６も真空槽２の内壁もＡｕメッキされているため大気圧下でもあまり水分等を吸着せず、また、高真空状態に排気する際に表面吸着した水分等も排気除去させているため、輻射熱でシャッター６が加熱されても不純ガスを放出することはほとんど無い。
【００４４】
この実施の形態によれば、実施の形態２の効果に加えて、真空槽２の内壁を覆うようにＡｕ又はＰｔの層１５を設けたことにより、真空槽２の内壁に水分等が吸着しにくくなり、真空槽２が非常に小さい場合やエネルギー密度の高い１次反射電子が拡散して真空槽２の内部が１００℃以上となる場合であっても、不純ガスの放出を抑制して純度の高い金属膜形成ができる。また、メッキ層に電解研磨処理等を施すことにより、高真空状態に排気する際に真空槽２の内壁に吸着した水分等を放出しやすくなるため、不純ガスの発生をさらに低減できる。
【符号の説明】
【００４５】
１、１Ａ、１Ｂ  真空蒸着装置
２  真空槽
３  Ａｕ
４  ハースライナー
５  電子銃
６  シャッター
７  シャッターアーム
８  シャッターアーム回転軸
９  Ｃｕ基板
１０  基板ドーム
１１  低真空排気ポンプ
１２  中真空排気ポンプ
１３  高真空排気ポンプ
１４  吸収体
１５  Ａｕ又はＰｔの層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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