(57)【要約】【課題】電極形成に係る不良率の低減を図りながら、高い光取出し効率の実現が可能な発光素子および表示装置を提供する。【解決手段】アノード１４とカソード１８との主面間に、有機発光層１７３を含む発光積層体１７が挿設されている。そして、発光素子では、アノード１４が、発光積層体１７における有機発光層１７３から出射された光を反射する反射電極層１４１と、出射光を透過する透明電極層１４２とが積層された構造を有する。ここで、アノード１４では、透明電極層１４２が反射電極層１４１よりも発光積層体１７の側に配されている。発光素子では、反射電極層１４１の周縁部がステップ形状であり、反射電極層１４１におけるＺ軸方向上側表面、および反射層の周縁部における保護膜１５で被覆された表面が、透明電極層１４２で覆われている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極および第２電極と、有機発光層を含み、前記第１電極と前記第２電極の両主面間に挿設された積層体とを有する発光素子であって、
前記第１電極は、前記有機発光層から出射された光を反射する反射層と、前記光を透過する透過層とを有し、
前記反射層の周縁部はステップ形状であり、絶縁性の保護膜により被覆されており、
前記反射層における前記積層体側表面、及び前記周縁部の前記保護膜で被覆された表面が、前記透過層により覆われている
ことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記反射層における前記積層体側の主面は、外縁部分において、前記両端面から回り込んだ前記保護膜が前記透過層との間に介挿され、その他の部分において、前記透過層が当接している
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記保護膜は、絶縁性材料から構成されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記保護膜は、シリコンの酸化物またはシリコンの窒化物またはシリコンの酸窒化物から構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記積層体には、前記有機発光層よりも前記第１電極の側に、金属化合物から構成された層が含まれている
ことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１電極および前記第２電極と、その間に挿設される前記積層体とにより、前記有機発光層から出射された光に対応するキャビティ構造が構成されており、
前記キャビティ構造は、その光路長が前記反射層の主面上における前記透過層の厚みにより調整されている
ことを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の発光素子。
【請求項７】
複数のピクセルから構成される表示装置であって、
請求項１から６の何れかの発光素子を、前記複数のピクセルの各々として備える
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子および表示装置に関し、特に、エレクトロルミネッセンス効果を利用した発光素子および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年においては、次世代の表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示装置の開発が行われている（例えば、特許文献１）。有機ＥＬ表示装置は、サブピクセル単位で有機ＥＬ素子が設けられた構成を有し、有機ＥＬ素子毎に、固体蛍光性物質の電界発光現象を利用して自発光する。従来技術に係る有機ＥＬ表示装置の構成について、図７を用い説明する。図７では、従来技術に係る有機ＥＬ表示装置における要部断面を示す。
【０００３】
図７に示すように、有機ＥＬ表示装置では、基板９１０上にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）回路が構成され、その上にパッシベーション膜９１２および平坦化膜９１３が積層されている。基板９１０上のＴＦＴ回路には、例えば、薄膜トランジスタ９１１（ゲート９１１１、ドレイン９１１２、ソース９１１３）が含まれており、ソース９１１３の一部に対しては、コンタクトホール９１３ｈが設けられている。
【０００４】
平坦化膜９１３のＺ軸方向上側主面には、アノード９１４が敷設されている。アノード９１４は、反射電極層９１４１と透明電極層９１４２との積層により構成されており、平坦化膜９１３に設けられたコンタクトホール９１３ｈを介して薄膜トランジスタ９１１のソース９１１３に接続されている。
平坦化膜９１３の主面上およびアノード９１４の主面の一部上には、バンク９１６が形成されている。バンク９１６は、光出射領域が開口された形状を有する。バンク９１６で規定された領域には、発光積層体９１７が設けられている。発光積層体９１７は、Ｚ軸方向下側から、ホール注入層９１７１、ホール輸送層９１７２、有機発光層９１７３、電子注入輸送層９１７４が順に積層された構成を有する。
【０００５】
発光積層体９１７上およびバンク９１６上には、カソード９１８および封止膜９１９が被膜されており、更にその上には、樹脂層９２０、カラーフィルタ９２１、基板９２２が順に積層されている。
図７の拡大部分に示すように、アノード９１４における透明電極層９１４２は、反射電極層９１４１の端面９１４１ｅも覆うように形成されている。そして、透明電極層９１４２は、反射電極層９１４１のＺ軸方向上面を被覆する膜厚みｔ３は、反射電極層９１４１の端面９１４１ｅを被覆する膜厚みｘ７よりも厚くなっている。これは、透明電極層９１４２の形成には、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）が用いられるのであるが、その積層形成においては、反射電極層９１４１の上面を被覆する場合に比べて、端面９１４１ｅを被覆し難いためであり、確実に反射電極層９１４１の端面９１４１ｅを透明電極層９１４２で被覆しようとする場合には、反射電極層９１４１の上面を被覆する膜厚みｔ３を必然的に厚くせざるを得ない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１９２８９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、有機ＥＬ表示装置では、アノード９１４とカソード９１８との間でのキャビティ効果により光取出し効率の向上を図っているが、上記のように、従来技術では、反射電極層９１４１の上方を被覆する透明電極層９１４２の膜厚ｔ３を余り薄くすることができず、光取出し効率という観点から改善が必要である。
ここで、従来技術に係る構成のまま、光取出し効率という観点のみを考慮し、透明電極層９１４２の厚みを薄くした場合に生じる問題点について、図８を用い説明する。
【０００８】
図８（ａ）に示すように、従来技術の構成を採用しながら、光取出し効率を優先して反射電極層９１４１上の透明電極層９２４２ｕを膜厚ｔ４まで薄くした場合には、反射電極層９１４１の端面の一部９１４１ｅしか透明電極層９２４２ｔで覆うことができない。即ち、反射電極層９１４１の端面の一部９１４１ｆは、露出してしまうことになる。図８（ｂ）に示すように、上記状態で、エッチングおよび焼き固め工程を実行した場合には、反射電極層９１４１の側部に配された透明電極層９１４２ｓで被覆されない部分（矢印Ｂで示す部分）が、瘤状に膨れてしまう（ヒロック（Ｈｉｌｌｏｃｋ）９１４１ａ）。このようにアノード９１４にヒロック９１４１ａが発生した場合には、発光性能に問題を生じることになる。
【０００９】
本発明は、上記問題の解決を図ろうとなされたものであって、電極形成に係る不良率の低減を図りながら、高い光取出し効率の実現が可能な発光素子および表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、次の構成を採用する。
本発明に係る発光素子は、第１電極および第２電極と、有機発光層を含み、第１電極と第２電極の両主面間に挿設された積層体とを有する。そして、本発明に係る発光素子では、第１電極が、積層体における有機発光層から出射された光を反射する反射層と、出射光を透過する透過層とを有してなる。
【００１１】
本発明に係る発光素子では、反射層の周縁部がステップ形状であり、絶縁性の保護膜で被覆されている。そして、反射における積層体側表面、および上記周縁部における保護膜で被覆された表面が、透過層で覆われている。
上記において、「保護膜」とは、第１電極の形成後において、その後の工程を実施するのに際して、第１電極における反射層の保護を図ることも一つの目的とするものである。
【００１２】
本発明に係る表示装置は、上記本発明に係る発光素子を、複数のピクセルの各々として備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
上記のように、本発明に係る発光素子では、第１電極における反射層が、透過層と保護膜とにより領域を分けた状態で被覆されている。具体的には、反射層における積層体側の主面が透過層で被覆され、両端面が保護膜で被覆されている。このように、反射層の主面と端面とを異なる層で被覆することにより、上記従来技術のように、反射層の端面を確実に被覆するためだけに、必要以上に主面上における透過層の厚みを厚くしなくても、保護膜により確実に端面を被覆することができる。
【００１４】
従って、本発明に係る発光素子では、光取出し効率の向上を目的として透過層の厚みを薄く設定する場合においても、保護膜により反射層の端面を被覆することができ、製造時の焼き固め等の実行に際して、ヒロックの発生を有効に防止することができる。
また、本発明に係る発光素子では、第１電極における反射層が透過層と保護膜とによって被覆されているので、その後の工程、例えば、有機層パターニングでのウェットプロセスの薬液などを用いる工程を実行する際の反射層の保護が確実に図られる。このため、本発明に係る発光素子および表示装置では、第１電極における高い反射性能を得ることができ、これからも高い光取出し効率を得ることができる。
【００１５】
本発明に係る表示装置は、上記本発明に係る発光素子を、複数のピクセルの各々として備えるので、上記同様の効果を奏することができる。
上記本発明に係る発光素子および表示装置では、次のようなバリエーションを採用することができる。
上記本発明に係る発光素子および表示装置では、反射層における積層体側の主面に対しては、外縁部分において、両端面から回り込んだ保護膜が透過層との間に介挿され、その他の部分で透過層が当接されている、という構成を採用することができる。このような構成を採用すれば、製造誤差を考慮しても、確実に反射層の外表面を透過層と保護膜とで被覆することができる。
【００１６】
また、上記本発明に係る発光素子および表示装置では、保護膜が絶縁性材料から構成されている、という構成を採用することができる。このような構成を採用すれば、他の導電部分と第１電極との間の絶縁を確実に図ることができる。保護膜を構成する具体的な材料としては、例えば、シリコンの酸化物またはシリコンの窒化物またはシリコンの酸窒化物などを採用することができる。
【００１７】
また、上記本発明に係る発光素子および表示装置では、積層体において、有機発光層よりも第１電極の側に、金属化合物から構成された層が含まれている、という構成を採用することができる。具体的には、金属酸化物や金属窒化物、さらには金属酸窒化物を用いて電荷注入層を形成することができる。このような構成を採用する場合には、従来から電荷注入層の形成に用いられてきたＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料に比べて、素子における電圧−電流密度特性が優れ、また、大きな電流を流して強い発光強度を得る場合にも劣化し難い、というような優位性を有する。
【００１８】
また、上記本発明に係る発光素子および表示装置では、第１電極および第２電極と、その間に挿設される積層体とにより、有機発光層から出射された光に対応するキャビティ構造が構成されており、キャビティ構造における光路長が反射層の主面上における透過層の厚みにより調整されている、という構成を採用することができる。このような構成を採用する場合には、キャビティ構造における光路長を規定するために、透過層の厚みを従来技術よりも薄くする場合にも、本発明に係る構成では、反射層が露出される危険性を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施の形態に係る表示装置１の要部構成を示す模式断面図である。
【図２】アノード１４およびカソード１８と、これらの間に挿設される発光積層体１７、および保護膜１５の構成を示す模式断面図である。
【図３】表示装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図４】表示装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図５】変形例１に係るアノード２４および保護膜２５の構成を示す模式断面図である。
【図６】変形例２に係るアノード１４および保護膜３５の構成を示す模式断面図である。
【図７】従来技術に係る有機ＥＬ表示装置の要部構成を示す模式断面図である。
【図８】従来技術に係るアノードを示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下では、本発明を実施するための最良の形態について、例を用い説明する。
なお、以下の説明で用いる実施の形態は、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる例であって、本発明は、その本質的な特徴部分以外に何ら以下の形態に限定を受けるものではない。
［実施の形態］
１．要部構成
実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（以下では、単に「表示装置」と記載する。）１の要部構成について、図１を用い説明する。図１は、表示装置１における表示パネル部に設けられた複数のサブピクセルの内の一つを抜き出して示す模式断面図である。
【００２１】
図１に示すように、表示装置１は、２枚の基板１０，２２の間に発光素子部が設けられている。基板１００におけるＺ軸方向上側主面には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１を含むＴＦＴ回路が形成されている。薄膜トランジスタ１１は、ゲート１１１、ドレイン１１２、ソース１１３を有し構成されている。ＴＦＴ回路が形成された基板１０の主面上には、パッシベーション膜１２および平坦化膜１３が順に積層されている。
【００２２】
基板１０は、例えば、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコン系樹脂、あるいはアルミナなどの絶縁性材料等をベースとして形成されている。また、平坦化膜１３は、例えば、アクリル系樹脂材料から形成されている。
【００２３】
平坦化膜１３におけるＺ軸方向上側の主面には、各サブピクセルに対応してアノード１４が形成されている。アノード１４は、平坦化膜１３の側から順に積層された反射電極層１４１と透明電極層１４２との２層を要素として構成されている。この内、反射電極層１４１は、平坦化膜１３およびパッシベーション膜１２に開けられたコンタクトホール１３ｈにより、ＴＦＴ１１におけるソース１１３に接続されている。
【００２４】
アノード１４における反射電極層１４１は、例えば、Ａｇ（銀）や、ＡＰＣ（銀とパラジウムと銅との合金）、ＡＲＡ（銀とルビジウムと金との合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムとの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムとの合金）などを用い形成されており、光の反射機能を有する。
透明電極層１４２は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電材料を用い形成されている。
【００２５】
表示装置１においては、反射電極層１４１が矩形断面を有し、且つ、その両端面が保護膜１５により被覆されている。保護膜１５は、反射電極層１４１のＺ軸方向上側主面の端部にも回り込んでおり、当該部分では、反射電極層１４１と透明電極層１４２との間に介挿されている。
保護膜１５は、絶縁材料を用い形成されている。保護膜１５の形成に用いられる絶縁材料としては、例えば、酸化珪素があげられる。なお、保護膜１５の形成に用いる材料は、酸化珪素に限定されるものではなく、その他に窒化珪素を用いることもでき、この場合には、窒化珪素は絶縁性が高いので絶縁破壊に対する耐性を高くすることができ、また、成膜性が高いのでパターニング性が高い、という優位性を有する。
【００２６】
アノード１４の上面の一部を含み、保護膜１５の上を覆う状態で、バンク１６が形成されている。バンク１６は、例えば、ポリイミド、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などの絶縁性有機材料などを用い形成されている。そして、バンク１６は、開口部分を有し、各サブピクセルを規定している。
バンク１６で規定された領域には、発光積層体１７が設けられている。発光積層体１７は、Ｚ軸方向下側から、ホール注入層１７１、ホール輸送層１７２、有機発光層１７３、電子注入輸送層１７４の順に積層された積層体である。ホール注入層１７１は、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料や、ＷＯＸ（酸化タングステン）またはＭｏＷＯＸ（モリブデン−タングステン酸化物）などの金属酸化物、あるいは金属窒化物または金属酸窒化物を用い形成されている。
【００２７】
ホール輸送層１７２は、例えば、トリフェニルジアミン誘導体（ＴＰＤ）や、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイドなどのポリフィリン化合物や、１，１−ビス{４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）フェニル}シクロヘキサン、４，４’，４”−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’， Ｎ’−テトラキス（Ｐ−トリル）−Ｐ−フェニレンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−Ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）−２−２’−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’， Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−４、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾールなどの芳香族第三級アミンや、４−ジ−Ｐ−トリルアミノスチルベン、４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベンなどのスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体や、オキサジザゾール誘導体や、イミダゾール誘導体や、ポリアリールアルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体や、ピラゾロン誘導体や、フェニレンジアミン誘導体や、アニールアミン誘導体や、アミノ置換カルコン誘導体や、オキサゾール誘導体や、スチリルアントラセン誘導体や、フルオレノン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、シラザン誘導体や、ポリシラン誘導体や、ポリシラン系アニリン系共重合体や、高分子オリゴマーや、スチリンアミン化合物や、芳香族ジメチリディン系化合物や、ポリ−３，４エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、テトラジヘクシルフルオレニルフェニル（ＴＦＢ）、あるいは、ポリ３−メチルチオフェン（ＰＭｅＴ）といったポリチオフェン誘導体などの有機材料を用い形成されている。
【００２８】
また、ホール輸送層１７２の形成には、ポリカーボネートなどの高分子中に低分子のホール輸送層用の有機材料を分散させた、高分子分散系材料を用いることもできる。また、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＷＯ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＭｇＯなどの無機材料を用いることもできる。
有機発光層１７３は、例えば、特開平０５−１６３４８８号公報に開示された材料を用い形成されている。具体的には、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリン化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チオピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、２，２‘−ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体などの蛍光物質を用い形成されている。
【００２９】
電子注入輸送層１７４は、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、あるいは、これらを組み合わせた材料を用い形成されている。
図１に示すように、発光積層体１７およびバンク１６の上には、カソード１８および封止膜１９が順に積層されている。カソード１８は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどを用い形成されている。また、封止膜１９は、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）や窒化シリコン（ＳｉＮ）などを用い形成されている。
【００３０】
さらに、封止膜１９の上には、樹脂層２０が積層され、各サブピクセルに対応する箇所にカラーフィルタ２１が設けられている。そして、樹脂層２０およびカラーフィルタ２１を覆うように、基板２２が設けられている。
２．アノード１４と保護膜１５との構成、および表示装置１の優位性
アノード１４と保護膜１５との相対的な位置関係、さらには、これらと発光積層体１７との相対的な位置関係について、図２を用い説明する。図２は、アノード１７の一方の端面１４１ｅおよびその周囲について、拡大した模式断面図である。
【００３１】
図２に示すように、反射電極層１４１は、矩形断面を有し、その端面１４１ｅが保護膜１５により被覆されている。保護膜１５は、断面におけるコーナー部（ポイントＰ２）を超えて、反射電極層１４１のＺ軸方向上側主面に回り込んでおり、その端部も被覆している。反射電極層１４１の上側主面における端部では、反射電極層１４１と透明電極層１４２との間に、保護膜１５が介挿されている。即ち、保護膜１５は、その端部にテーパー角が付いた台形状をしており、反射電極層１４１の主面における端部では、透明電極層１４２と保護膜１５とが重なりを有している。
【００３２】
透明電極層１４２と保護膜１５との重なり領域（ポイントＰ１からポイントＰ２までの領域）Ｘ１は、例えば、３〜７［μｍ］程度の幅を有する。反射電極層１４１は、平坦化膜１３上に形成されることで、Ｚ軸方向下側の主面がこれにより被覆され、Ｚ軸方向上側の主面が透明電極層１４２と保護膜１５の回り込み部分とで覆われ、さらに、端面１４１ｅが保護膜１５により被覆されている。このように、表示装置１では、反射電極層１４１の外周面の全てが被覆されている。
【００３３】
なお、上記における透明電極層１４２と保護膜１５との重なり領域（ポイントＰ１からポイントＰ２までの領域）Ｘ１は、例えば、露光機の精度にも依存するものであり、１［μｍ］程度の幅とすることも可能である。
本実施の形態に係る表示装置１では、上記のように、アノード１４における反射電極層１４１が、透明電極層１４２と保護膜１５とにより被覆されている。具体的には、反射電極層１４１におけるＺ軸方向上側の主面が主に透明電極層１４２で被覆され、両端面１４１ｅが保護膜１５で被覆されている。そして、透明電極層１４２と保護膜１５とは、反射電極層１４１における上側主面の端部で重なりを有しており、これにより、反射電極層１４１の上側主面および端面１４１ｅは外部に露出しない状態となっている。
【００３４】
このように、反射電極層１４１のＺ軸方向上側主面と端面１４１ｅとを異なる層（透明電極層１４２と保護膜１５）で被覆することにより、上記従来技術のように、反射電極層の端面１４１ｅを確実に被覆するためだけに、必要以上に主面上における透明電極層１４２の厚みｔ１を厚くしなくても、保護膜１５により確実に端面１４１ｅを被覆することができる。
【００３５】
従って、本実施の形態に係る表示装置１では、光取出し効率の向上を目的としてアノード１４における透明電極層１４２の厚みｔ１を薄く設定する場合においても、保護膜１５により反射電極層１４１の端面１４１ｅを確実に被覆することができ、製造時の焼き固め等の実行に際して、ヒロックの発生を有効に防止することができる。
また、本実施の形態に係る表示装置１では、アノード１４における反射電極層１４１が透明電極層１４２と保護膜１５とによって被覆されているので、その後の工程、例えば、スパッタリングを用いた工程を実行する際の反射電極層１４１の保護が確実に図られる。このため、表示装置１では、アノード１４における高い反射性能を得ることができ、これからも高い光取出し効率を得ることができる。
【００３６】
３．表示装置１の製造方法
表示装置１の製造方法について、図３および図４を用い説明する。図３および図４では、表示装置１の製造工程の内、特徴となる一部工程を抜き出して描いている。
図３（ａ）に示すように、基板１０におけるＺ軸方向上側主面にゲート１１１、ドレイン１１２およびソース１１３からなるＴＦＴ１１を形成し、これを覆うようにパッシベーション膜１２を形成する。そして、パッシベーション膜１２上に平坦化膜１３を積層し、平坦化膜１３には、ソース１１３に到達するコンタクトホール１３ｈを設ける。
【００３７】
次に、平坦化膜１３のＺ軸方向上面１３ｆおよびコンタクトホール１３ｈの内壁面に、反射電極準備層１４１０を形成する（図３（ｂ）を参照）。
反射電極準備層１４１０に対し、各サブピクセルに相当する領域Ｘ３を残し、エッチングで他の部分を除去する。これにより、図３（ｃ）に示すように、アノード１４の反射電極層１４１が形成される。
【００３８】
次に、図４（ａ）に示すように、反射電極層１４１の端面１４１ｅを被覆するように、保護膜１５を形成する。ここで、保護膜１５は、反射電極層１４１における主面の中央領域Ｘ４については、積層形成しない。なお、保護膜１５の形成は、例えば、フォトリソグラフィーおよびドライエッチング（あるいはウェットエッチング）を用いて実行することができる。ドライエッチングの場合には、エッチングガスとしてＣＦ４を用いることができ、ウェットエッチングの場合には、エッチング液として希フッ酸を用いることができる。
【００３９】
次に、保護膜１５および反射電極層１４１の上全体を覆うように、透明電極準備膜１４２０を形成する。透明電極準備層１４２０は、ＩＴＯやＩＺＯ材料をスパッタリングまたは真空蒸着、あるいはＣＶＤなどにより形成される。
最後に、透明電極準備層１４２０に対し、保護膜１５と一部重なり部分を有する状態で、反射電極層１４１の上の相当領域Ｘ５を残し、他の部分をエッチングで除去する。そして、その後、１５０〜２５０［℃］程度の熱をかけて、所謂、焼き固めを行う。これにより、図４（ｃ）に示すように、アノード１４の形成が完了する。
【００４０】
なお、上記のように、透明電極層１４２の形成に際しての焼き固めの実行において、反射電極層１４１の端面１４１ｅは保護膜１５で被覆され、また、上面は透明電極層１４２および保護膜１５の一部により被覆されているので、ヒロックの発生が防止される。
［変形例１］
変形例１に係る表示装置の構成について、図５を用い説明する。なお、図５では、本変形例１に係る表示装置の最も特徴を有するアノード２４の構成のみを抜き出して示している。
【００４１】
図５に示すように、本変形例１に係る表示装置では、反射電極層２４１の端面２４１ｅに対し、保護膜２５がその全体を被覆している点は、上記実施の形態に係る表示装置１と同様である。本変形例１に係る表示装置では、保護膜２５が、反射電極層２４１の断面におけるコーナー部分（ポイントＰ５）を回り込んでおらず、反射電極層２４１のＺ軸方向上側の主面を被覆していない。
【００４２】
本変形例１に係る表示装置では、反射電極層２４１のＺ軸方向上側に積層された透明電極層２４２が、その端部において、保護膜２５の一部にも重なりを有している（重なり領域Ｘ６）。透明電極層２４２と保護膜２５との重なりは、反射電極層２４１の全周にわたっており、これにより、アノード２４における反射電極層２４１は、その上面および端面２４１ｅが透明電極層２４２と保護膜２５との何れかにより被覆されることになる。
【００４３】
なお、アノード２４を構成する反射電極層２４１および透明電極層２４２、および保護膜２５の各々の形成には、上記実施の形態に係る表示装置１の場合と同様の材料を用いることができる。
以上の構成を採用する変形例１に係る表示装置においても、アノード２４における反射電極層２４１が透明電極層２４２および保護膜２５により確実に被覆されており、上記同様の効果を奏することができる。
【００４４】
［変形例２］
変形例２に係る表示装置３の構成について、図６を用い説明する。図６は、表示装置３における要部断面を示す模式断面図である。なお、図６では、上記実施の形態に係る表示装置１と同様の構成を有する箇所には、同一の符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００４５】
図６に示すように、本変形例２に係る表示装置３では、アノード１４における反射電極層１４１の端面を被覆する保護膜３５が、複数のサブピクセルにわたって一つづきに形成されているのではなく、各サブピクセルで独立した構成となっている。即ち、保護膜３５は、各サブピクセルを規定するバンク１６の下部で端部を有する（矢印Ａ１で示す箇所）。
【００４６】
本変形例２に係る表示装置３では、保護膜３５を除く他の構成については、上記実施の形態に係る表示装置１と同様である。
本変形例２に係る表示装置３のように、サブピクセル毎に保護膜３５が独立した構成を採用する場合には、保護膜３５の構成材料として導電体を採用する場合にも、サブピクセル間でのアノード１７の短絡という問題を生じることがない。よって、本変形例２に係る表示装置３では、上記実施の形態に係る表示装置１が有する優位性に加えて、設計に際しての保護膜３５の材料選択の幅を広いものとすることができる、という優位性も有する。
【００４７】
ここで、保護膜３５の具体的な構成材料としては、例えば、金属酸化物や金属窒化物、さらには金属酸窒化物をあげることができる。ただし、保護膜３５の形成の際には、反射電極層１４１の上面の主たる部分は露出されているので、焼き固め工程を実行が不要な材料を用いることが必要である。
［その他の事項］
上記実施の形態および変形例１，２では、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために一例としての各構成を採用するものであり、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、上記実施の形態および変形例１，２では、発光積層体１７に対してＺ軸方向下側にアノード１４，２４が配されている構成を一例として採用したが、本発明は、これに限らずカソードが発光積層体１７のＺ軸方向下側となる構成を採用することもできる。
【００４８】
カソードが発光積層体１７のＺ軸方向下側となる構成を採用し、且つ、トップエミッション構造を採用する場合には、カソードを反射電極層と透明電極層とからなる構成を採用することになる。この場合においては、カソードにおける反射電極層の端面を上記同様の保護膜で被覆すれば、同様の効果を奏することができる。
また、上記実施の形態および変形例１，２では、バンク１６の形態については詳述しなかったが、井桁状のピクセルバンクでもよいし、ライン状のラインバンクでもよい。ここで、ラインバンクとは、上記ピクセルバンクのように、発光積層体の周囲を全て囲む形状ではなく、例えば、発光積層体の対向する二辺を規定する形状のものである。
【００４９】
また、上記変形例１に係る表示装置では、反射電極層２４１のＺ軸方向上側主面と、保護膜２５のＺ軸方向上側主面とが、略面一となるようにしているが、これらの主面同士は、必ずしも略面一となるようにする必要はない。例えば、図８（ａ）に示すように、透明電極層により反射電極層の端面高さに対し不足する分（露出部分９１４１ｆの高さ分）だけ、予め保護膜で反射電極層の端面を被覆しておくことでもよい。
【００５０】
さらに、上記実施の形態および変形例１，２では、ステップ形状の典型例として直角な形状のものとして記載したが、本発明では、直角な形状のものに限定されるものではなく、他の形状として、例えば、テーパー形状とすることもできるし、ステップ形状部分のエッジが曲率を有していてもかまわないことは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、高い光取出し効率を有する発光素子およびこれを用いた表示装置を実現するのに有用である。
【符号の説明】
【００５２】
１，３．表示装置
１０．基板
１１．薄膜トランジスタ
１２．パッシベーション膜
１３．平坦化膜
１４，２４．アノード
１５，２５，３５．保護膜
１６．バンク
１７．発光積層体
１８．カソード
１９．封止膜
２０．樹脂層
２１．カラーフィルタ
２２．基板
１１１．ゲート
１１２．ドレイン
１１３．ソース
１４１，２４１．反射電極層
１４２，２４２．透明電極層
１７１．ホール注入層
１７２．ホール輸送層
１７３．有機発光層
１７４．電子注入輸送層
１４１０．反射電極準備層
１４２０．透明電極準備層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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