(57)【要約】【課題】水分による有機ＥＬ素子の劣化を抑制可能とする。【解決手段】実施形態の有機ＥＬ装置は、絶縁基板１０１と、第１及び第２層間絶縁膜１１３，１１４と、複数の画素電極ＰＥと、有機物層ＯＲＧと、対向電極ＣＥとを含んでいる。第１層間絶縁膜１１３は、絶縁基板１０１の上方に位置している。第２層間絶縁膜１１４は、第１層間絶縁膜１１３上に位置しており、スリットＳＬが設けられている。複数の画素電極ＰＥは、第２層間絶縁膜１１４上で配列している。これら画素電極ＰＥの一部と他の一部とは、スリットＳＬに対応した領域を間に挟んで隣り合っている。有機物層ＯＲＧは、複数の画素電極ＰＥの上方に位置しており、発光層を含んでいる。対向電極ＣＥは、有機物層ＯＲＧの上方に位置している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に位置した第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜上に位置し、スリットが設けられた第２層間絶縁膜と、
前記第２層間絶縁膜上に配置され、前記スリットに対応した領域を間に挟んで隣り合った第１及び第２画素電極と、
前記第１及び第２画素電極を被覆した第１領域と前記スリット内に位置した第２領域とを含み、前記第１及び第２画素電極に対応した位置で発光する有機物層と、
前記有機物層の上方に位置した対向電極と
を具備した有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記絶縁基板と前記第１層間絶縁膜との間に位置した第１ラインと、
前記スリットの長さ方向に延び、前記第１及び第２層間絶縁膜間、又は、前記第１層間絶縁膜と前記第２領域との間に位置した第２ラインと
を更に具備した請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に位置した第１層間絶縁膜と、
前記絶縁基板と前記第１層間絶縁膜との間に位置した第１ラインと、
前記第１層間絶縁膜上に位置した第２ラインと、
前記第１層間絶縁膜上に配置され、前記第２ラインの長さ方向に各々が延びた第１及び第２絶縁部を含み、前記第１及び第２絶縁部はそれらの間にスリットが形成されるように互いから離間した第２層間絶縁膜と、
前記第１絶縁部上に位置した第１画素電極と、
前記第２絶縁部上に位置した第２画素電極と、
前記第１及び第２画素電極上に位置し、発光層を含んだ有機物層と、
前記有機物層の上方に位置した対向電極と
を具備した有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記有機物層は、前記スリット内に位置した領域を含み、前記第１画素電極と前記対向電極との間において第１色で発光するとともに、前記第２画素電極と前記対向電極との間において第１色とは異なる第２色で発光する請求項３に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記第２ラインは、前記第１絶縁部によって覆われた第１エッジ部と、前記第２絶縁部によって覆われた第２エッジ部とを含んだ請求項３に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に位置した第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜上に位置し、複数のスリットが設けられた第２層間絶縁膜と、
前記第２層間絶縁膜上で配列した複数の画素電極であって、前記複数の画素電極の２つ以上は前記複数のスリットに対応した領域の１つを間に挟んで隣り合った複数の画素電極と、
前記複数の画素電極を被覆した第１領域と前記複数のスリット内に位置した第２領域とを含み、前記複数の画素電極に対応した位置で発光する有機物層と、
前記有機物層の上方に位置した対向電極と
を具備した有機ＥＬ装置。
【請求項７】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に位置した第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜上に位置し、複数のスリットが設けられた第２層間絶縁膜と、
前記第２層間絶縁膜上で配列した複数の画素電極であって、前記複数の画素電極の一部と他の一部とは前記複数のスリットに対応した領域の１つ以上を間に挟んで隣り合った複数の画素電極と、
前記複数の画素電極上に位置し、発光層を含んだ有機物層と、
前記有機物層の上方に位置した対向電極と
を具備した有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記複数のスリットはグリッドパターンを形成している請求項６又は７に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記複数のスリットは、前記複数の画素電極間の隙間に対応した位置で前記第２層間絶縁膜を分断した１つ以上の第１スリットと、前記第２層間絶縁膜のうち前記複数の画素電極に対応した部分を分断した１つ以上の第２スリットとを含んだ請求項６乃至８の何れか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
前記有機物層は、前記複数の画素電極の上方に位置した部分と前記複数のスリット内に位置した部分とを含むように広がった発光層を備え、前記複数の画素電極の１つと前記対向電極との間において第１色で発光し、前記複数の画素電極の他の１つと前記対向電極との間において前記第１色とは異なる第２色で発光し、前記複数の画素電極の更に他の１つと前記対向電極との間において前記第１及び第２色とは異なる第３色で発光する請求項６乃至９の何れか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示素子として有機ＥＬ素子を含んだ表示装置の開発が盛んに行われている。有機ＥＬ素子は発光素子であるので、そのような表示装置は、バックライトを必要としない。従って、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置と比較して、より薄型且つ軽量に製造可能である。また、有機ＥＬ表示装置は、高速応答、広視野角及び高コントラストを実現するうえでも、液晶表示装置と比較して有利である。
【０００３】
フルカラー表示が可能な有機ＥＬ表示装置は、例えば、赤、緑及び青色にそれぞれ発光する画素を含んでいる。そのような表示装置の製造においては、発光スペクトルが異なる複数の発光層を、赤、緑及び青色に発光する画素の配列に対応したパターンで形成する。例えば、特許文献１に記載されているように、赤色に発光する画素に対応して貫通孔が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着を行って、赤色に発光する発光層を形成する。そして、同様のプロセスを繰り返し、緑及び青色に発光する発光層を順次形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１５７９７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、水分による有機ＥＬ素子の劣化を抑制可能とすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の有機ＥＬ装置は、絶縁基板と、第１及び第２層間絶縁膜と、複数の画素電極と、有機物層と、対向電極とを含んでいる。第１層間絶縁膜は、絶縁基板の上方に位置している。第２層間絶縁膜は、第１層間絶縁膜上に位置しており、スリットが設けられている。複数の画素電極は、第２層間絶縁膜上で配列している。これら画素電極の一部と他の一部とは、スリットに対応した領域を間に挟んで隣り合っている。有機物層は、複数の画素電極の上方に位置しており、発光層を含んでいる。対向電極は、有機物層の上方に位置している。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置が含んでいる表示パネルを概略的に示す断面図。
【図３】図２に示す表示パネルが含んでいる有機ＥＬ素子に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。
【図４】図２に示す表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図。
【図５】図４に示すアレイ基板のＶ−Ｖ線に沿った断面図。
【図６】図４に示すアレイ基板のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図。
【図７】第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図。
【図８】図７に示すアレイ基板のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図。
【図９】図７に示すアレイ基板のＩＸ−ＩＸ線に沿った断面図。
【図１０】第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図。
【図１１】図１０に示すアレイ基板の第２層間絶縁膜に設けられたスリットを概略的に示す平面図。
【図１２】図１０に示すアレイ基板を含んだ表示パネルの一例を示す断面図。
【図１３】第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図。
【図１４】第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図。
【図１５】第６実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図。
【図１６】第７実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、有機ＥＬ表示装置に適用した有機ＥＬ装置の例を、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には全ての図面を通じて同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図中、Ｘ及びＹ方向は、表示面に対して平行であり、互いに交差する方向である。例えば、Ｘ及びＹ方向は、互いに対して垂直である。そして、Ｚ方向は、表示面に対して垂直な方向である。
【０００９】
第１実施形態は、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置に関する。図１乃至図６を参照しながら、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００１０】
第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、図１に示すように、略矩形状の表示パネル１を含んでいる。
【００１１】
表示パネル１は、アレイ基板１００及び対向基板２００を含んでいる。アレイ基板１００及び対向基板２００は、枠状のシール層（図示せず）を間に挟んで向き合っている。
【００１２】
アレイ基板１００は、画像を表示する略矩形状のアクティブエリア１０２と、このアクティブエリア１０２を取り囲んだ枠状の周辺エリア１０４とを有している。アクティブエリア１０２には、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがマトリクス状に配置されている。周辺エリア１０４は、対向基板２００の端辺２００Ｅから外側に突き出た延在部１１０を含んでいる。延在部１１０には、接続部１３０が設けられている。接続部１３０には、電源又は信号供給源、例えば、駆動ＩＣ（integrated circuit）チップ又はフレキシブルプリント回路が実装可能である。
【００１３】
対向基板２００は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向き合っている。対向基板２００は、例えば、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板である。
【００１４】
この表示パネル１は、対向基板２００側から光を放射するトップエミッション型である。表示パネル１は、アレイ基板１００側から光を放射するボトムエミッション型であってもよい。
【００１５】
図２に示すように、アレイ基板１００は、例えば、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板１０１を含んでいる。スイッチング素子ＳＷ及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、絶縁基板１０１の上方であって、アクティブエリア１０２内に配置されている。
【００１６】
絶縁基板１０１上には、絶縁層であるアンダーコート層１１１が形成されている。アンダーコート層１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って広がっている。アンダーコート層１１１は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物からなる。
【００１７】
アンダーコート層１１１上には、スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。これら半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンからなる。各半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを間に挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。
【００１８】
半導体層ＳＣ及びアンダーコート層１１１は、ゲート絶縁膜１１２によって被覆されている。ゲート絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って広がっている。ゲート絶縁膜１１２は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物からなる。
【００１９】
ゲート絶縁膜１１２上には、チャネル領域ＳＣＣに対応した位置に、スイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。
【００２０】
ゲート電極Ｇ及びゲート絶縁膜１１２は、第１層間絶縁膜１１３によって被覆されている。第１層間絶縁膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って広がっている。第１層間絶縁膜１１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物からなる。
【００２１】
第１層間絶縁膜１１３上には、スイッチング素子ＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳと接触している。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤと接触している。
【００２２】
ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの導電材料からなる。また、ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、複数の導電層を積層してなる多層構造を有していてもよい。
【００２３】
ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄ並びに第１層間絶縁膜１１３は、第２層間絶縁膜１１４によって被覆されている。第２層間絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って広がっている。第２層間絶縁膜１１４は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機物から形成されている。なお、第２層間絶縁膜１１４の材料として、シリコン窒化物などの無機化合物を使用することも可能である。
【００２４】
第２層間絶縁膜１１４には、スイッチング素子ＳＷの位置にコンタクトホールＣＨが形成されている。具体的には、各コンタクトホールＣＨは、ドレイン電極Ｄの一部と連絡している。
【００２５】
また、第２層間絶縁膜１１４には、Ｙ方向に延びたスリットＳＬが形成されている。第２層間絶縁膜の材料として紫外線硬化型樹脂を使用する場合、紫外線硬化型樹脂からなる塗膜を所定のパターンで露光し、更に現像することにより、コンタクトホールＣＨとスリットＳＬとが設けられた第２層間絶縁膜を形成することができる。
【００２６】
スリットＳＬは、典型的には、アクティブエリア１０２の長さ全体に亘って延びている。スリットＳＬは、アクティブエリア１０２内にのみ設けられていてもよいが、更に周辺エリア１０４内で延びていていることが望ましい。スリットＳＬの詳細については後述する。
【００２７】
第２層間絶縁膜１１４上には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３が配置されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の各々は、画素電極ＰＥと有機物層ＯＲＧと対向電極ＣＥとを含んでいる。
【００２８】
画素電極ＰＥは、第２層間絶縁膜１１４上に配置されている。各画素電極ＰＥは、電極本体と、コンタクトホールＣＨ内で延び、電極本体をドレイン電極Ｄに電気的に接続したコンタクト部とを含んでいる。画素電極ＰＥは、例えば陽極である。画素電極ＰＥは、互いから離間している。
【００２９】
画素電極ＰＥには、様々な構造を採用することができる。ここに示した例では、画素電極ＰＥは、反射層ＰＥＲと透過層ＰＥＴとの２層構造である。反射層ＰＥＲは、層間絶縁膜１１４上に配置されている。透過層ＰＥＴは、それぞれ反射層ＰＥＲ上に配置されている。反射層ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）及びアルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料からなる。透過層ＰＥＴは、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）及びインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料からなる。
【００３０】
なお、画素電極ＰＥは、単層構造を有している反射層又は透過層であってもよい。或いは、画素電極ＰＥは、３層以上の多層構造を有していてもよい。表示パネル１がトップエミッション型の場合、画素電極ＰＥは少なくとも反射層ＰＥＲを含む。表示パネル１がボトムエミッション型の場合、画素電極ＰＥは反射層ＰＥＲを含まない。
【００３１】
有機物層ＯＲＧは、画素電極ＰＥ上に設けられている。有機物層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２のほぼ全体に亘って延在した連続膜である。即ち、有機物層ＯＲＧは、画素電極ＰＥを被覆した第１領域と、スリットＳＬ内に位置した第２領域とを含んでいる。
【００３２】
有機物層ＯＲＧは、発光層を含んでいる。典型的には、発光層は、アクティブエリア１０２のほぼ全体に亘って延在した連続膜である。そのような発光層は、画素電極ＰＥの上方に位置した領域と、スリットＳＬ内に位置した領域とを含んでいる。
【００３３】
有機物層ＯＲＧは、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などの他の１つ以上の層を更に含んでいてもよい。発光層の材料は、蛍光材料であってもよく、燐光材料であってもよい。なお、有機物層ＯＲＧは、１つ以上の層が有機物又は有機金属化合物を含んでいれば、他の層は有機物又は有機金属化合物を含んでいなくてもよい。
【００３４】
対向電極ＣＥは、有機物層ＯＲＧ上に設けられている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２のほぼ全体に亘って延在した連続膜である。
【００３５】
対向電極ＣＥは、例えば半透過層からなる。半透過層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）などの導電材料からなる。なお、対向電極ＣＥは、半透過層と透過層との２層構造を有していてもよく、透過層又は半透過層からなる単層構造を有していてもよい。透過層は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料からなる。表示パネル１がボトムエミッション型の場合には、対向電極ＣＥは反射層又は半透過層を含む。
【００３６】
対向電極ＣＥは、保護層１５０によって被覆されている。保護層１５０は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜である。つまり、保護層１５０は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を覆っている。保護層１５０は、光透過性を有し且つ湿気が浸透し難い材料、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸窒化物などの無機化合物からなる。表示パネル１がトップエミッション型である場合、保護層１５０の材料は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３が放射する光に対する透過率が高いことが望ましい。保護層１５０は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３への水分の浸透を防止する水分バリア膜として機能する。
【００３７】
対向基板２００は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の上方に設置されている。対向基板２００は、例えば、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板である。
【００３８】
この例では、アレイ基板１００と対向基板２００との間の空間は、充填層３２０で満たされている。充填層３２０は、例えば、光透過性を有する熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂などの有機物から形成されている。充填層３２０は省略することができる。
【００３９】
この表示パネル１において、有機物層ＯＲＧの発光層は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って延在した連続膜である。しかしながら、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の発光色は、互いに異なっている。この例では、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光色は赤色であり、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光色は緑色であり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光色は青色である。
【００４０】
ここでは、５９５ｎｍ乃至８００ｎｍの範囲を第１波長範囲と定義し、主波長が第１波長範囲内にある色を赤色とする。また、４９０ｎｍより長く且つ５９５ｎｍよりも短い範囲を第２波長範囲と定義し、主波長が第２波長範囲内にある色を緑色とする。更に、４００ｎｍ乃至４９０ｎｍの範囲を第３波長範囲と定義し、主波長が第３波長範囲内にある色を青色とする。
【００４１】
有機物層ＯＲＧに採用可能な構造の例を、図３を参照しながら説明する。  
図３に示す有機物層ＯＲＧは、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２、第３発光層ＥＭＬ３、電子輸送層ＥＴＬ及び電子注入層ＥＩＬを含んでいる。正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子輸送層ＥＴＬ及び電子注入層ＥＩＬの１つ以上は省略することができる。有機物層ＯＲＧが含んでいる各層は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って延在した連続膜である。
【００４２】
発光層ＥＭＬ１は、発光色が赤色の第１ドーパント材料を含んでいる。発光層ＥＭＬ２は、発光色が緑色の第２ドーパント材料を含んでいる。発光層ＥＭＬ３は、発光色が青色の第３ドーパント材料を含んでいる。発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３の各々は、典型的には、ホスト材料を更に含んでいる。発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３のホスト材料は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００４３】
発光層ＥＭＬ１のうち有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２及びＯＬＥＤ３に使用される部分は、消光処理が施されている。また、発光層ＥＭＬ２のうち有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に使用される部分は、消光処理が施されている。なお、「消光処理」は、発光効率を低減する処理又は発光色の主波長を長波長側へシフトさせる処理である。消光処理は、例えば紫外線などの光を照射することを含んでいる。
【００４４】
第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１では、第１ドーパント材料が発光することによって赤色が表示される。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２では、第１ドーパント材料は消光し、第２ドーパント材料が発光して、緑色が表示される。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３では、第１ドーパント材料及び第２ドーパント材料は消光し、第３ドーパント材料が発光して、青色が表示される。
【００４５】
なお、発光層は、３層構造を有していなくてもよい。例えば、発光層は、第１及び第２発光層を含んだ２層構造を有していてもよく、第１発光層のみからなる単層構造を有していてもよい。２層構造の場合、第１発光層は、第１ドーパント材料に加え、第２ドーパント材料及び第３ドーパント材料の少なくとも一方を含んでいてもよいし、第２発光層は、第２ドーパント材料に加え、第１ドーパント材料及び第３ドーパント材料の少なくとも一方を含んでいてもよい。単層構造の場合、第１発光層は、第１乃至第３ドーパント材料を含んでいてもよい。
【００４６】
第１乃至第３ドーパント材料としては、例えば、光照射によって発光性能が変化するものを使用する。例えば、第１乃至第３ドーパント材料としては、発光効率が低下するものを使用する。或いは、第１乃至第３ドーパント材料としては、光照射によって発光色が変化するものを使用する。
【００４７】
そのようなドーパント材料としては、例えば、光照射によって分子の立体構造が変化するものを使用することができる。例えば、光照射によって異性化するドーパント材料を使用することができる。異性化の一例として、シス異性体とトランス異性体との間の異性化について簡単に説明する。シス型は、主骨格に対して２つの側鎖又は原子団が同じ側にある分子の立体構造である。トランス型は、主骨格に対して２つの側鎖又は原子団が互いに反対側にある分子の立体構造である。例えば、紫外光などの光照射によって、シス型からトランス型への異性化を生じるドーパント材料は、光照射によって発光性能が変化する。同様に、紫外光などの光照射によって、トランス型からシス型への異性化を生じるドーパント材料も、光照射によって発光性能が変化する。このような材料として、例えば、フォトクロミック材料が挙げられる。
【００４８】
光異性化を生じるドーパント材料としては、光変換型タンパク質又は蛍光タンパク質などと称される材料も挙げられる。例えば、蛍光タンパク質の中には、紫外光の照射によって活性化され、消光状態から発光可能な状態へと変化するもの、及び、紫外光の照射によって発光波長が変化する材料がある。このような材料も、上記ドーパント材料として使用可能である。
【００４９】
或いは、ドーパント材料として、発光層が含んでいる添加剤又はホスト材料と光照射によって化学結合し、発光性能が変化する材料も使用可能である。
【００５０】
図２に示す表示パネル１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を区画するための隔壁を省略した構成を採用している。このため、各画素電極ＰＥの全体が有機物層ＯＲＧと接している。加えて、有機物層ＯＲＧは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って延在した連続膜である。従って、有機物層ＯＲＧは、画素電極ＰＥ間の領域に対応した位置で第２層間絶縁膜１１４と接している。即ち、有機物層ＯＲＧは、画素電極ＰＥを被覆した第１領域と、スリットＳＬ内に位置した第２領域とを含んでいる。
【００５１】
次に、アレイ基板１００が含んでいる配線と、第２層間絶縁膜１１４及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３との相対位置について説明する。
【００５２】
図４は、図２に示す表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。なお、図４においては、スイッチング素子ＳＷ、有機物層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥなどの図示を省略している。
【００５３】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の下方では、Ｘ方向に各々が延びた第１ラインＸＷがＹ方向に配列している。そして、第１ラインＸＷからなる配線層と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３との間では、Ｙ方向に各々が延びた第２ラインＹＷがＸ方向に配列している。
【００５４】
第１ラインＸＷは、例えば、スイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇに接続されるゲート線である。ラインＸＷは、第１層間絶縁膜１１３によって覆われている。
【００５５】
第２ラインＹＷは、例えば、スイッチング素子ＳＷのソース電極Ｓに接続されるソース線である。ラインＹＷは、第１層間絶縁膜１１３上に配置されている。
【００５６】
ラインＹＷからなる配線層の上方には、第２層間絶縁膜１１４が形成されている。第２層間絶縁膜１１４には、スリットＳＬがストライプ状に設けられている。具体的には、第２層間絶縁膜１１４には、Ｙ方向に各々が延び、Ｘ方向に配列したスリットＳＬが設けられている。換言すれば、第２層間絶縁膜１１４は、Ｙ方向に各々が延び、Ｘ方向に配列した複数の絶縁膜を含んでいる。図４には、それら絶縁膜の一部として、第１絶縁膜１１４１、第２絶縁膜１１４２、及び第３絶縁膜１１４３を図示している。
【００５７】
絶縁膜１１４１乃至１１４３は、Ｙ方向に各々が延びている。絶縁膜１１４１及び１１４２は、スリットＳＬを間に挟んで互いから離間している。絶縁膜１１４２及び１１４３も、スリットＳＬを間に挟んで互いから離間している。絶縁膜１１４１乃至１１４３は、アクティブエリア１０２においてストライプパターンを形成している。
【００５８】
第１絶縁膜１１４１上には、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥが形成されている。第２絶縁膜１１４２上には、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥが形成されている。第３絶縁膜１１４３上には、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが形成されている。
【００５９】
つまり、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥと第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥとは、スリットＳＬを間に挟んでＸ方向に隣り合っている。同様に、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥと第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥとは、スリットＳＬを間に挟んでＸ方向に隣り合っている。
【００６０】
図５は、図４に示すアレイ基板のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。なお、図５においては、保護層１５０の図示を省略している。
【００６１】
絶縁基板１０１上には、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び第１層間絶縁膜１１３がこの順に積層されている。ラインＹＷは、第１層間絶縁膜１１３上に配置されている。ラインＹＷからなる配線層は、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを更に含んでいる。即ち、ラインＹＷ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、同一材料からなる。
【００６２】
なお、図示した例では、ラインＹＷは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の各々の下方に１本のラインＹＷが位置するように配置されている。ラインＹＷは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の各々の下方に２本以上のラインＹＷが位置するように配置されていてもよい。
【００６３】
第２層間絶縁膜１１４は、第１層間絶縁膜１１３上に形成されており、ラインＹＷの全体を被覆している。図５では、絶縁膜１１４１乃至１１４３の各々は、ラインＹＷを覆っている。
【００６４】
絶縁膜１１４１及び１１４２は、スリットＳＬを間に挟んで互いから離間している。絶縁膜１１４２及び１１４３は、他のスリットＳＬを間に挟んで互いから離間している。そして、ラインＹＷは、スリットＳＬから離間している。
【００６５】
画素電極ＰＥの反射層ＰＥＲは、絶縁膜１１４１乃至１１４３の上面上に形成されている。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲ上に形成されている。有機物層ＯＲＧは、画素電極ＰＥ上に形成された領域と、スリットＳＬ内に位置した領域とを含んでいる。有機物層ＯＲＧは、スリットＳＬの位置で第１層間絶縁膜１１３に接している。対向電極ＣＥは、有機物層ＯＲＧ上に形成されている。
【００６６】
図６は、図４に示すアレイ基板のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。なお、図６においては、保護層１５０の図示を省略している。
【００６７】
絶縁基板１０１上には、アンダーコート層１１１及びゲート絶縁膜１１２がこの順に積層されている。ラインＸＷは、ゲート絶縁膜１１２上に配置されている。ラインＸＷからなる配線層は、ゲート電極Ｇを更に含んでいる。即ち、ラインＸＷ及びゲート電極Ｇは、同一材料からなる。
【００６８】
第１層間絶縁膜１１３は、ゲート絶縁膜１１２上に形成されており、ラインＸＷの全体を被覆している。
【００６９】
ラインＹＷは、第１層間絶縁膜１１３上に配置されている。第２層間絶縁膜１１４は、第１層間絶縁膜１１３上に形成されており、ラインＹＷの全体を被覆している。図６では、第２層間絶縁膜１１４の一部として、第２絶縁膜１１４２のみを図示している。第２絶縁膜１１４２は、アクティブエリア１０２内において途切れることなくＹ方向に延在している。図６には示していないが、第１絶縁膜１１４１及び第３絶縁膜１１４３も同様に、アクティブエリア１０２内において途切れることなくＹ方向に延在している。
【００７０】
第２絶縁膜１１４２の上面上には、画素電極ＰＥの反射層ＰＥＲが配置されている。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲ上に形成されている。有機物層ＯＲＧは、画素電極ＰＥ上に形成された領域と、画素電極ＰＥ間で第２絶縁膜１１４２に接している領域とを含んでいる。対向電極ＣＥは、有機物層ＯＲＧ上に形成されている。
【００７１】
発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３をそれぞれ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の配置に対応したパターンで形成するためには、発光材料の蒸着に金属製のファインマスクを使用する必要がある。そして、この場合、ファインマスクを支持し且つ混色を防止するための隔壁が必要である。これに対し、表示パネル１では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の異なる発光色を、各々が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って延在した発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３によって実現している。そのような発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３は、ファインマスクなしで形成することができる。それ故、この表示パネル１では、隔壁は不要である。このように、表示パネル１について上述した構成を採用すると、製造プロセスを簡略化することができる。
【００７２】
また、隔壁を含んだ表示パネルでは、通常、画素電極ＰＥの周縁部は、隔壁によって覆われる。即ち、そのような表示パネルでは、画素電極ＰＥの中央部に対応した領域のみが発光に寄与する。これに対し、表示パネル１では、有機物層ＯＲＧは画素電極ＰＥのほぼ全体を覆い、対向電極ＣＥは有機物層ＯＲＧのほぼ全体を覆っている。そのため、画素電極ＰＥに対応した領域の略全体が発光に寄与する。それ故、表示パネル１について上述した構造を採用した場合、隔壁を使用した場合と比較して、発光に寄与する領域の面積を広くすること、即ち、開口率を高めることができる。
【００７３】
また、対向電極ＣＥには、欠落部を生じることがある。樹脂材料からなる隔壁がグリッド状に又はストライプ状に形成された表示パネルでは、そのような欠落部から隔壁の一部へと水分が侵入すると、隔壁の他の部分へと水分が拡散し得る。それ故、広い領域に亘って有機ＥＬ素子の劣化を生じ得る。
【００７４】
これに対し、上記の表示パネル１では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を区画するための隔壁を省略している。そのため、この表示パネル１では、隔壁を介した水分の拡散は生じ得ない。従って、表示パネル１は、水分の拡散に起因した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の劣化を生じ難い。
【００７５】
しかも、この表示パネル１では、第２層間絶縁膜１１４に、Ｙ方向に各々が延び、Ｘ方向に配列したスリットＳＬが設けられている。それ故、第２層間絶縁膜１１４に水分が侵入したとしても、スリットＳＬがＸ方向への水分の拡散を妨げる。従って、上記の構造を採用した場合、スリットを省略した場合と比較して、水分の拡散に起因した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の劣化は更に生じ難い。
【００７６】
また、この表示パネル１では、ラインＹＷは、スリットＳＬから離間しており、第２層間絶縁膜１１４によって覆われている。このため、スリットＳＬの位置で有機物層ＯＲＧに欠落部を生じたとしても、対向電極ＣＥとラインＹＷとの短絡は生じない。
【００７７】
次に、第２実施形態について説明する。  
図７は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。図８は、図７に示すアレイ基板のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。図９は、図７に示すアレイ基板のＩＸ−ＩＸ線に沿った断面図である。
【００７８】
なお、図７においてはスイッチング素子ＳＷの図示を省略し、図８及び図９では保護層１５０の図示を省略している。また、図８において、参照符号ＹＷ１乃至ＹＷ３は、図７に示すラインＹＷの３つを表している。
【００７９】
図７乃至図９に示す構造は、ラインＹＷがスリットＳＬの位置に配置されていること以外は、図１乃至図６を参照しながら説明した構造と同様である。即ち、ラインＹＷの少なくとも１つは、一対のエッジ部と、それらエッジ部間に位置した中央部とを含んでいる。各ラインＹＷの中央部は、有機物層ＯＲＧと接触している。そして、第２層間絶縁膜１１４は、先の中央部を被覆することなしに、エッジ部を被覆している。
【００８０】
なお、ここでは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の各々の下方に、１本のラインＹＷを配置している。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の各々の下方に２本以上のラインＹＷを配置する場合は、一部のラインＹＷはスリットＳＬの位置に配置し、残りのラインＹＷはスリットＳＬから離間するように第２層間絶縁膜１１４の下方に配置する。
【００８１】
この構造を採用した場合も、第１実施形態において説明した構造を採用した場合と同様の効果が得られる。例えば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の水分による劣化を抑制することができる。
【００８２】
また、ラインＹＷの少なくとも一方のエッジ部が第２層間絶縁膜１１４で覆われていない場合、ラインＹＷは、スリットＳＬが形成する溝の底部に段差を生じさせる。そのような段差は、有機物層ＯＲＧに欠落部を生じさせる可能性がある。即ち、ラインＹＷの少なくとも一方のエッジ部が第２層間絶縁膜１１４で覆われていない場合、ラインＹＷと対向電極ＣＥとの短絡を生じ易い。
【００８３】
図７乃至図９を参照しながら説明した構造では、各ラインＹＷの双方のエッジ部は、第２層間絶縁膜１１４によって覆われている。それ故、この構造では、スリットＳＬが形成している溝の底部は略平坦である。従って、この構造を採用した場合、ラインＹＷをスリットの位置に配置しているにも拘らず、ラインＹＷと対向電極ＣＥとの短絡を生じ難い。
【００８４】
なお、第１及び第２実施形態では、スリットＳＬは、Ｘ方向に隣り合った有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３間の間隙の位置で第２層間絶縁膜１１４を分断するように設けた。その代わりに、スリットＳＬは、Ｙ方向に隣り合った有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３間の間隙の位置で第２層間絶縁膜１１４を分断するように設けてもよい。
【００８５】
次に、第３実施形態について説明する。  
図１０は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。図１１は、図１０に示すアレイ基板の第２層間絶縁膜に設けられたスリットを概略的に示す平面図である。図１２は、図１０に示すアレイ基板を含んだ表示パネルの一例を示す断面図である。なお、図１１には、図１０のアレイ基板から画素電極ＰＥ及びその上方に設けられた要素を省略した構造を描いている。また、図１２に示す断面は、図１１に示すアレイ基板のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿った断面を含んでいる。
【００８６】
図１０に示す表示パネル１は、アレイ基板１００に以下の構成を採用したこと以外は、図１乃至図６を参照しながら説明した表示パネル１とほぼ同様である。
【００８７】
図１０乃至図１２に示すアレイ基板１００の第２層間絶縁膜１１４には、スリットがグリッド状に設けられている。具体的には、第２層間絶縁膜１１４には、スリットＳＬの代わりに、以下のスリットＳＬＸ１、ＳＬＹ１及びＳＬＹ２が設けられている。
【００８８】
スリットＳＬＸ１は、図１０及び図１１に示すように、Ｘ方向に各々が延び、Ｙ方向に配列している。スリットＳＬＸ１は、図１０に示すように、Ｙ方向に隣り合った有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３間の隙間に対応した位置で、第２層間絶縁膜１１４を分断している。
【００８９】
スリットＳＬＹ１は、図１０乃至図１２に示すように、Ｙ方向に各々が延び、Ｘ方向に配列している。スリットＳＬＹ１は、図１０及び図１２に示すように、Ｘ方向に隣り合った有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３間の隙間に対応した位置で、第２層間絶縁膜１１４を分断している。
【００９０】
スリットＳＬＹ２は、図１０乃至図１２に示すように、Ｙ方向に各々が延び、Ｘ方向に配列している。スリットＳＬＹ１は、図１０及び図１２に示すように、第２層間絶縁膜１１４のうち画素電極ＰＥに対応した各部分を分断している。
【００９１】
このように、第２層間絶縁膜１１４は、スリットＳＬＸ１、ＳＬＹ１及びＳＬＹ２によって、Ｘ及びＹ方向に配列した複数の絶縁部へと分断されている。各画素電極ＰＥは、２つの絶縁部の上面と端面とを被覆している。このような構造は、絶縁部への水分の侵入を抑制する。
【００９２】
このアレイ基板は、カバー部材ＣＶを更に含んでいる。カバー部材ＣＶは、有機物層ＯＲＧの下方に位置しており、各画素電極ＰＥのコンタクト部を被覆している。カバー部材ＣＶは、画素電極ＰＥがコンタクトホールＣＨ内に形成している凹部を埋め込んでいる。
【００９３】
カバー部材ＣＶは、画素電極ＰＥに対応して島状に配置されている。カバー部材ＣＶは、画素電極ＰＥのうちコンタクト部以外の部分を更に被覆していてもよい。例えば、カバー部材ＣＶは、画素電極ＰＥのうちスリットＳＬＸ１、ＳＬＹ１及びＳＬＹ２の少なくとも１つの内側に位置した部分の全体を被覆していてもよい。
【００９４】
カバー部材ＣＶは絶縁材料からなる。この絶縁材料は、例えば、シリコン窒化物などの無機化合物である。カバー部材ＣＶの材料として、樹脂などの絶縁性の有機物を使用してもよい。そのようなカバー部材ＣＶは、例えば、フォトリソグラフィ又はインクジェット印刷によって形成することができる。なお、カバー部材ＣＶの材料として有機物を使用する場合、典型的には、カバー部材ＣＶは島状に形成する。
【００９５】
上記の通り、この表示パネル１では、スリットＳＬＸ１及びＳＬＹ１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３間の隙間に対応した位置で第２層間絶縁膜１１４を分断している。それ故、第２層間絶縁膜１１４に水分が侵入したとしても、スリットＳＬＸ１はＹ方向への水分の拡散を妨げ、スリットＳＬＹ１はＸ方向への水分の拡散を妨げる。従って、上記の構造を採用した場合、スリットＳＬＸ１又はＳＬＹ１を省略した場合と比較して、水分の拡散に起因した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の劣化は更に生じ難い。
【００９６】
また、この表示パネル１では、スリットＳＬＹ２は、第２層間絶縁膜１１４のうち有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に対応した部分を分断している。従って、上記の構造を採用した場合、スリットＳＬＹ２を省略した場合と比較して、水分の拡散に起因した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の劣化は更に生じ難い。加えて、上記の構造を採用した場合、第２層間絶縁膜１１４のうち有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の１つの下方に位置した部分に水分が侵入したときに、その有機ＥＬ素子の全体が劣化するのを抑制することができる。
【００９７】
第２層間絶縁膜１１４には、スリットＳＬＹ２を、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の各々の下方にスリットＳＬＹ２が１つのみ位置するように設けてもよい。或いは、第２層間絶縁膜１１４には、スリットＳＬＹ２を、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の各々の下方にスリットＳＬＹ２の２つ以上が位置するように設けてもよい。
【００９８】
なお、この表示パネル１からは、スリットＳＬＸ１を省略してもよい。或いは、この表示パネル１からは、スリットＳＬＹ１を省略してもよい。或いは、この表示パネル１からは、スリットＳＬＹ２を省略してもよい。
【００９９】
次に、第４実施形態について説明する。  
図１３は、第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。
【０１００】
このアレイ基板は、第２層間絶縁膜１１４に、スリットＳＬＹ２の代わりにスリットＳＬＸＹを設けたこと以外は、図１０乃至図１２を参照しながら説明したアレイ基板１００と同様である。
【０１０１】
スリットＳＬＸＹは、Ｘ及びＹ方向に対して傾いた方向に各々が延び、それらの幅方向に配列している。スリットＳＬＸＹは、第２層間絶縁膜１１４のうち画素電極ＰＥに対応した各部分を分断している。
【０１０２】
このように、第２層間絶縁膜１１４のうち画素電極ＰＥに対応した部分を分断するスリットは、長さ方向がＸ又はＹ方向に対して傾いていてもよい。
【０１０３】
第２層間絶縁膜１１４には、スリットＳＬＸＹを、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の各々の下方にスリットＳＬＸＹの１つのみが位置するように設けてもよい。或いは、第２層間絶縁膜１１４には、スリットＳＬＸＹを、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の各々の下方にスリットＳＬＸＹの２つ以上が位置するように設けてもよい。
【０１０４】
なお、このアレイ基板からは、スリットＳＬＸ１又はＳＬＹ１を省略してもよい。
【０１０５】
次に、第５実施形態について説明する。  
図１４は、第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。
【０１０６】
このアレイ基板は、第２層間絶縁膜１１４に、スリットＳＬＸ２を更に設けたこと以外は、図１０乃至図１２を参照しながら説明したアレイ基板１００と同様である。
【０１０７】
スリットＳＬＸ２は、Ｘ方向に各々が延び、Ｙ方向に配列している。スリットＳＬＸ２は、第２層間絶縁膜１１４のうち画素電極ＰＥに対応した各部分を分断している。
【０１０８】
上記の構造を採用した場合、スリットＳＬＸ２を省略した場合と比較して、水分の拡散に起因した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の劣化は更に生じ難い。加えて、上記の構造を採用した場合、第２層間絶縁膜１１４のうち有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の１つの下方に位置した部分に水分が侵入したときに、その有機ＥＬ素子の全体が劣化するのを更に抑制することができる。
【０１０９】
第２層間絶縁膜１１４には、スリットＳＬＸ２を、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の各々の下方にスリットＳＬＸ２の１つのみが位置するように設けてもよい。或いは、第２層間絶縁膜１１４には、スリットＳＬＸ２を、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の各々の下方にスリットＳＬＸ２の２つ以上が位置するように設けてもよい。
【０１１０】
なお、このアレイ基板からは、スリットＳＬＸ１又はＳＬＹ１を省略してもよい。また、このアレイ基板からは、スリットＳＬＹ２を省略してもよい。
【０１１１】
次に、第６実施形態について説明する。  
図１５は、第６実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。
【０１１２】
このアレイ基板は、以下の構成を採用したこと以外は、図１０乃至図１２を参照しながら説明したアレイ基板１００と同様である。
【０１１３】
第２層間絶縁膜１１４には、スリットＳＬＸ１、ＳＬＸ２及びＳＬＹ１が設けられている。
【０１１４】
スリットＳＬＸ１は、図１０乃至図１２を参照しながら説明したアレイ基板１００と同様に、Ｘ方向に各々が延び、Ｙ方向に配列している。スリットＳＬＸ１は、Ｙ方向に隣り合った有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３間の隙間に対応した位置で、第２層間絶縁膜１１４を分断している。
【０１１５】
スリットＳＬＸ２は、図１４を参照しながら説明したアレイ基板と同様に、Ｘ方向に各々が延び、Ｙ方向に配列している。スリットＳＬＸ２は、第２層間絶縁膜１１４のうち画素電極ＰＥに対応した各部分を分断している。
【０１１６】
スリットＳＬＹ１は、図１０乃至図１２を参照しながら説明したアレイ基板１００と同様に、Ｙ方向に各々が延び、Ｘ方向に配列している。スリットＳＬＹ１は、図１０乃至図１２を参照しながら説明したアレイ基板１００とは異なり、Ｘ方向に隣り合った３つの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３から各々がなる素子群間の隙間に対応した位置で、第２層間絶縁膜１１４を分断している。
【０１１７】
このように、スリットＳＬＹ１は、Ｘ方向に隣り合った２つ以上の有機ＥＬ素子から各々がなる素子群間の隙間に対応した位置で第２層間絶縁膜１１４が分断されるように設けてもよい。
【０１１８】
なお、このアレイ基板からは、スリットＳＬＸ１及び／又はＳＬＸ２を省略してもよい。また、このアレイ基板の第２層間絶縁膜１１４には、スリットＳＬＸ２の代わりに又はスリットＳＬＸ２に加えて、スリットＳＬＹ２及び／又はＳＬＸＹを設けてもよい。
【０１１９】
次に、第７実施形態について説明する。  
図１６は、第７実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。
【０１２０】
このアレイ基板は、以下の構成を採用したこと以外は、図１０乃至図１２を参照しながら説明したアレイ基板１００と同様である。
【０１２１】
第２層間絶縁膜１１４には、スリットＳＬＸ１、ＳＬＹ１及びＳＬＹ２が設けられている。
【０１２２】
スリットＳＬＸ１は、図１０乃至図１２を参照しながら説明したアレイ基板１００と同様に、Ｘ方向に各々が延び、Ｙ方向に配列している。スリットＳＬＸ１は、図１０乃至図１２を参照しながら説明したアレイ基板１００とは異なり、Ｙ方向に隣り合い、各々がＹ方向に隣り合った２つの有機ＥＬ素子からなる素子群間の隙間に対応した位置で、第２層間絶縁膜１１４を分断している。
【０１２３】
スリットＳＬＹ１は、図１０乃至図１２を参照しながら説明したアレイ基板１００と同様に、Ｙ方向に各々が延び、Ｘ方向に配列している。スリットＳＬＹ１は、Ｘ方向に隣り合った有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３間の隙間に対応した位置で、第２層間絶縁膜１１４を分断している。
【０１２４】
スリットＳＬＹ２は、図１０乃至図１２を参照しながら説明したアレイ基板と同様に、Ｙ方向に各々が延び、Ｘ方向に配列している。スリットＳＬＸ２は、第２層間絶縁膜１１４のうち画素電極ＰＥに対応した各部分を分断している。
【０１２５】
このように、スリットＳＬＸ１は、Ｙ方向に隣り合った２つ以上の有機ＥＬ素子から各々がなる素子群間の隙間に対応した位置で第２層間絶縁膜１１４が分断されるように設けてもよい。
【０１２６】
なお、このアレイ基板からは、スリットＳＬＹ１及び／又はＳＬＹ２を省略してもよい。また、このアレイ基板の第２層間絶縁膜１１４には、スリットＳＬＹ２の代わりに又はスリットＳＬＹ２に加えて、スリットＳＬＸ２及び／又はＳＬＸＹを設けてもよい。
【実施例】
【０１２７】
以下に、幾つかの例を記載する。  
＜表示パネルＤＰ１の製造＞
図１０乃至図１２を参照しながら説明したのとほぼ同様の構造を有する２４個の３．５型表示パネル１を製造した。
【０１２８】
具体的には、寸法が４００ｍｍ×５００ｍｍのガラス基板上に、絶縁層、配線層及び有機ＥＬ素子などを形成することにより、２４個のアレイ基板１００に相当する第１構造を得た。ここでは、有機物層ＯＲＧは、以下の方法により製造した。まず、抵抗加熱方式の真空蒸着装置を用いて、画素電極ＰＥ上に、図３を参照しながら説明した正孔輸送層ＨＴＬ及び赤色発光層ＥＭＬ１を形成した。発光層ＥＭＬ１のうち有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２及びＯＬＥＤ３に対応した部分には、フォトマスクを介して、主波長が３６５ｎｍの紫外線を照射した。次に、抵抗加熱方式の真空蒸着装置を用いて、発光層ＥＭＬ１上に、緑色発光層ＥＭＬ２を形成した。発光層ＥＭＬ２のうち有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に対応した部分には、フォトマスクを介して、主波長が３６５ｎｍの紫外線を照射した。更に、抵抗加熱方式の真空蒸着装置を用いて、発光層ＥＭＬ２上に、青色発光層ＥＭＬ３、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬ及び対向電極ＣＥを形成した。なお、対向電極ＣＥの材料としては、ＭｇＡｇを使用した。また、有機物層ＯＲＧが含んでいる層及び対向電極ＣＥの各々は、アクティブエリア１０２の全体に亘って広がった連続膜として形成した。
【０１２９】
また、２４個の対向基板２００に相当する第２構造として、第１構造に使用したのとほぼ同等の寸法を有しているガラス基板を準備した。このガラス基板としては、矩形状の凹部が一方の主面に２４個設けられたものを使用した。
【０１３０】
次に、この第２構造の先の主面上に、紫外線硬化樹脂からなる枠形状の接着剤層を、それらが凹部を取り囲むように形成した。次いで、第１及び第２構造を、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３が凹部と向き合うように重ね合わせた。この状態で、アクティブエリア１０２を遮光するフォトマスクを介して、接着剤層に紫外線を照射した。
【０１３１】
その後、このようにして得られた構造を割断して、２４個の表示パネル１を得た。なお、これら表示パネル１には、駆動回路等を実装した。以下、これら表示パネル１を「表示パネルＤＰ１」呼ぶ。
【０１３２】
＜表示パネルＤＰ２の製造＞
第２層間絶縁膜１１４に図１４を参照しながら説明した構造を採用したこと以外は、表示パネルＤＰ１について上述したのと同様の方法により、２４個の表示パネル１を製造した。以下、これら表示パネル１を「表示パネルＤＰ２」呼ぶ。
【０１３３】
＜表示パネルＤＰ３の製造＞
以下の構成を採用したこと以外は、表示パネルＤＰ１について上述したのと同様の方法により、２４個の表示パネル１を製造した。即ち、ここでは、スリットＳＬＹ２を省略し、スリットＳＬＸ１及びＳＬＹ１のみによって第２層間絶縁膜１１４を複数の絶縁部へと分割した。そして、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴは、各絶縁部の端面を被覆することなく、各絶縁部の上面を被覆するように形成した。以下、このようにして得られた表示パネル１を「表示パネルＤＰ３」呼ぶ。
【０１３４】
＜表示パネルＤＰ４の製造＞
以下の構成を採用したこと以外は、表示パネルＤＰ１について上述したのと同様の方法により、２４個の表示パネル１を製造した。即ち、ここでは、スリットＳＬＹ２を省略し、スリットＳＬＸ１及びＳＬＹ１のみによって第２層間絶縁膜１１４を複数の絶縁部へと分割した。なお、ここでは、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴは、各絶縁部の上面に加え、各絶縁部の端面を被覆するように形成した。以下、このようにして得られた表示パネル１を「表示パネルＤＰ４」呼ぶ。
【０１３５】
＜表示パネルＤＰ５の製造＞
スリットＳＬＸ１、ＳＬＹ１及びＳＬＹ２並びにカバー部材ＣＶを省略し、第２層間絶縁膜１１４と有機物層ＯＲＧとの間に隔壁を設けたこと以外は、表示パネルＤＰ１について上述したのと同様の方法により、２４個の表示パネル１を製造した。隔壁は、感光性樹脂からなる塗膜を形成し、この塗膜をフォトリソグラフィに供することにより形成した。隔壁は、各画素電極ＰＥの周縁部を被覆するように、Ｘ及びＹ方向に隣り合った画素電極ＰＥ間の隙間に対応してグリッド状に形成した。以下、このようにして得られた表示パネル１を「表示パネルＤＰ５」呼ぶ。
【０１３６】
＜評価＞
表示パネルＤＰ１乃至ＤＰ５の各々を、温度が８５℃であり、相対湿度が８５％の雰囲気中に所定時間放置した。その後、各表示パネルを点灯し、肉眼でダークスポットの数を数えた。結果を以下の表１に纏める。
【表１】
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【０１３７】
表１に示すように、隔壁を含んでおらず、第２層間絶縁膜１１４がスリットによって複数の絶縁部へと分割された表示パネルは、隔壁を含んだ表示パネルと比較して、ダークスポットの発生は抑制されていた。また、絶縁部の端面が画素電極ＰＥによって被覆された表示パネルは、絶縁部の端面が画素電極ＰＥによって被覆されていない表示パネルと比較して、ダークスポットの発生は抑制されていた。そして、第２層間絶縁膜１１４が画素電極ＰＥ間の隙間に対応した位置と画素電極ＰＥに対応した位置とで分割された表示パネルは、第２層間絶縁膜１１４が画素電極ＰＥ間の隙間に対応した位置のみで分割された表示パネルと比較して、ダークスポットの発生は抑制されていた。更に、第２層間絶縁膜１１４が画素電極ＰＥに対応した位置でより多数の絶縁部へと分割された表示パネルは、第２層間絶縁膜１１４が画素電極ＰＥ間の隙間に対応した位置でより少数の絶縁部へと分割された表示パネルと比較して、ダークスポットの発生は抑制されていた。
【０１３８】
以上、有機ＥＬ装置として有機ＥＬ表示装置を説明したが、有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ表示装置以外の装置、例えば、有機ＥＬ照明又は有機ＥＬプリンタヘッドであってもよい。
【０１３９】
本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１４０】
１…表示パネル、１００…アレイ基板、１０１…絶縁基板、１０２…アクティブエリア、１０４…周辺エリア、１１０…延在部、１１１…アンダーコート層、１１２…ゲート絶縁膜、１１３…第１層間絶縁膜、１１４…第２層間絶縁膜、１３０…接続部、１５０…保護層、２００…対向基板、２００Ｅ…端辺、３２０…充填層、１１４１…第１絶縁膜、１１４２…第２絶縁膜、１１４３…第３絶縁膜、ＣＥ…対向電極、ＣＨ…コンタクトホール、ＣＶ…カバー部材、Ｄ…ドレイン電極、ＥＩＬ…電子注入層、ＥＭＬ１…第１発光層、ＥＭＬ２…第２発光層、ＥＭＬ３…第３発光層、ＥＴＬ…電子輸送層、Ｇ…ゲート電極、ＨＩＬ…正孔注入層、ＨＴＬ…正孔輸送層、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＬＥＤ１…有機ＥＬ素子、ＯＬＥＤ２…有機ＥＬ素子、ＯＬＥＤ３…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＥＲ…反射層、ＰＥＴ…透過層、Ｓ…ソース電極、ＳＣ…半導体層、ＳＣＣ…チャネル領域、ＳＣＤ…ドレイン領域、ＳＣＳ…ソース領域、ＳＬ…スリット、ＳＬＸ１…スリット、ＳＬＸ２…スリット、ＳＬＸＹ…スリット、ＳＬＹ１…スリット、ＳＬＹ２…スリット、ＳＷ…スイッチング素子、ＸＷ…第１ライン、ＹＷ…第２ライン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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