(57)【要約】      （修正有）【課題】サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、光架橋性樹脂層の厚みが大きい場合や光溶解速度が遅い場合にも、より短時間で光架橋性樹脂層を均一に薄膜化できる方法を提供する。【解決手段】アルカリ水溶液による光架橋性樹脂層の薄膜化処理が、（１）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液で処理する工程、（２）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を含むｐＨ５〜１０の水溶液で処理する工程、（３）処理後の光架橋性樹脂層表面を水洗後、水滴を除去する工程をこの順に含み、工程（３）の前に工程（１）と工程（２）を少なくとも２回以上繰り返し連続して行うことを特徴とする導電パターンの作製方法。【選択図】図３
2011060983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、
工程（ａ）；表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、
工程（ｂ１）；アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液で処理する工程、
工程（ｂ２）；アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を含むｐＨ５〜１０の水溶液で処理する工程、
工程（ｂ３）；処理後の光架橋性樹脂層表面を水洗した後、水滴を除去する工程、工程（ｃ）；回路パターンの露光工程、
工程（ｄ）；現像工程、
工程（ｅ）；エッチング工程
をこの順に含み、工程（ｂ３）の前に、工程（ｂ１）と工程（ｂ２）を少なくとも２回以上繰り返し連続して行うことを特徴とする導電パターンの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板やリードフレームの製造方法として、表面に導電層を設けた絶縁性基板あるいは導電性基板の回路部にエッチングレジスト層を設け、露出している非回路部の導電層をエッチング除去して導電パターンを形成するサブトラクティブ法がある。また、絶縁性基板の回路部にメッキ法で導電層を設けていくアディティブ法やセミアディティブ法がある。
【０００３】
近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、機器内部に使用されるプリント配線板やリードフレームも高密度化や導電パターンの微細化が進められており、サブトラクティブ法により、現在では導体幅が５０〜８０μｍ未満、導体間隙が５０〜８０μｍの導電パターンが製造されている。また、さらなる高密度化、微細配線化が進み、導体幅あるいは導体間隙５０μｍ未満の超微細な導電パターンが求められるようになってきている。それに伴って、導電パターンの精度やインピーダンスの要求も高くなっている。このような微細な導電パターンを形成するため、従来から、サブトラクティブ法に代わり、セミアディティブ法が検討されているが、製造工程が大幅に増加するという問題や電解メッキ銅の接着強度不足等の問題があった。そのため、サブトラクティブ法でプリント配線板やリードフレームを製造するのが主流となっている。
【０００４】
サブトラクティブ法において、エッチングレジスト層は、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、スクリーン印刷法、インクジェット法等によって形成される。この中でも、フォトファブリケーション法におけるネガ型のドライフィルムレジストと呼ばれるシート状の光架橋性樹脂層を用いた方法は、取り扱い性に優れ、テンティングによるスルーホールの保護が可能なことから好適に用いられている。
【０００５】
光架橋性樹脂層を用いた方法では、基板上に光架橋性樹脂層を形成し、露光現像工程を経てエッチングレジスト層が形成される。微細な導電パターンを形成するためには、微細なエッチングレジスト層を形成させることが必要不可欠である。このために、できる限りレジスト膜厚を薄くする必要がある。光架橋性樹脂層として一般的なドライフィルムレジストでは、例えば、１０μｍ以下の膜厚にすると、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性の低下が原因となり、レジスト層の剥がれや断線が発生するという問題があり、微細なエッチングレジスト層を形成させることは困難であった。
【０００６】
このような問題を解決すべく、あらかじめ基板上に厚い光架橋性樹脂層を形成し、次に、高濃度の無機アルカリ性化合物を含むアルカリ水溶液を用いて光架橋性樹脂層を薄膜化した後、回路パターンの露光、現像を行ってエッチングレジスト層を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
しかしながら、特許文献１において、薄膜化させる光架橋性樹脂層の厚みが大きい場合、例えば、４０μｍ以上の厚い光架橋性樹脂層を１０μｍ程度まで薄膜化する場合や、または、光架橋性樹脂層のアルカリ溶解速度が遅い場合は、１回あたりの薄膜化処理時間を長くするため、処理速度を遅くしたり、長い処理槽を準備する必要がある。このため、生産性が著しく低下する、処理装置が大きくなり余計な設置スペースが必要になるといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２００９／０９６４３８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、表面に導電層を設けた基板上に光架橋性樹脂層を形成し、アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行った後、回路パターンの露光、現像、エッチング処理を行う導電パターンの作製方法において、薄膜化させる光架橋性樹脂層の厚みが大きい場合や光架橋性樹脂層の溶解速度が遅い場合にも、より短時間で光架橋性樹脂層を均一に薄膜化することができる方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、
工程（ａ）；表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、
工程（ｂ１）；アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液で処理する工程、
工程（ｂ２）；アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を含むｐＨ５〜１０の水溶液で処理する工程、
工程（ｂ３）；処理後の光架橋性樹脂層表面を水洗した後、水滴を除去する工程、
工程（ｃ）；回路パターンの露光工程、
工程（ｄ）；現像工程、
工程（ｅ）；エッチング工程
をこの順に含み、工程（ｂ３）の前に、工程（ｂ１）と工程（ｂ２）を少なくとも２回以上繰り返し連続して行うことを特徴とする導電パターンの作製方法を見出した。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の導電パターンの作製方法においては、光架橋性樹脂層の薄膜化処理が、（ｂ１）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液で処理する工程、（ｂ２）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を含むｐＨ５〜１０の水溶液で処理する工程からなり、（ｂ３）処理後の光架橋性樹脂層表面を水洗した後、水滴を除去する工程の前に、工程（ｂ１）と工程（ｂ２）を少なくとも２回以上繰り返し連続して行うことによって、より短時間で光架橋性樹脂層を薄膜化することができる。
【００１２】
工程（ｂ１）では光架橋性樹脂層成分のミセルを一旦不溶化させ、溶解拡散を抑制し、工程（ｂ２）で、このミセルを再分散させて、溶解除去する。つまり、薄膜化の量は、工程（ｂ１）において、溶解拡散を抑制されたミセル化した光架橋性樹脂層の割合、すなわち、光架橋性樹脂層への無機アルカリ性化合物の浸透量で決まる。ここで、図１は、工程（ｂ１）における処理時間と光架橋性樹脂層への無機アルカリ性化合物の浸透量の関係の一例を示す図である。Ｘ軸は工程（ｂ１）における処理時間、Ｙ軸は光架橋性樹脂層への無機アルカリ性化合物の浸透量を表す。図１において、浸透量は工程（ｂ１）における処理初期（網部；領域（Ａ））に特異的に大きく、その後は処理時間とともに徐々に増加する傾向がある。本発明は、この工程（ｂ１）の処理初期の速い浸透を積極的に利用したものであり、光架橋性樹脂層のミセル化と再分散を繰り返し連続して行うことによって、通常１回だけの処理に比べ、短時間で効率よく薄膜化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】工程（ｂ１）における処理時間と光架橋性樹脂層への無機アルカリ性化合物の浸透量の関係の一例を示す図である。
【図２】光架橋性樹脂層を薄膜化する工程を含む導電パターンの作製方法の一例を示す断面工程図である。
【図３】本発明の導電パターンの作製方法の一例を示す断面工程図である。
【図４】実施例において、合計処理時間と平均膜厚の関係を表したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の導電パターンの作製方法について詳細に説明する。
【００１５】
図２は、光架橋性樹脂層を薄膜化する工程を含む導電パターンの作製方法の一例を示す断面工程図である。基板２は、絶縁性基板５の片表面に導電層４を設けてなる。工程（ａ）では、基板２の導電層４上に光架橋性樹脂層１を形成する。工程（ｂ１）では、光架橋性樹脂層１の上層部にアルカリ水溶液を浸透させ、ミセル化した光架橋性樹脂層６を形成する。工程（ｂ２）では、ミセル化した光架橋性樹脂層６を溶解除去し、光架橋性樹脂層１を薄膜化させる。工程（ｂ３）では、薄膜化後の光架橋性樹脂層１を水洗した後、水滴を除去する。工程（ｃ）では、回路パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層１を露光し、架橋部３を形成する。工程（ｄ）では、光架橋性樹脂層（未架橋部）１を現像により除去する。工程（ｅ）では、光架橋性樹脂の架橋部３で覆われていない導電層４をエッチングし、導電パターンを得る。
【００１６】
図３は、本発明の導電パターンの作製方法における繰り返し連続処理による光架橋性樹脂層の薄膜化処理の一例を示す断面工程図である。図３では、基板２の導電層４上に光架橋性樹脂層１を形成する工程（ａ）に続いて、工程（ｂ１）と工程（ｂ２）を３回繰り返し連続処理することにより、１回あたりの薄膜化量ずつ段階的に光架橋性樹脂層１が薄膜化される。
【００１７】
光架橋性樹脂層の形成には、例えば、加熱したゴムロールを加圧して押し当てる熱圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。加熱温度は１００℃以上であることが好ましい。基板には、アルカリ脱脂、酸洗等の前処理を施してもよい。
【００１８】
表面に導電層を設けた基板としては、プリント配線板またはリードフレーム用基板が挙げられる。プリント配線板としては、例えば、フレキシブル基板、リジッド基板が挙げられる。フレキシブル基板の絶縁性基板の厚さは５〜１２５μｍで、その両面もしくは片面に１〜３５μｍの金属箔層が導電層として設けられており、可撓性が大きい。絶縁性基板の材料には、通常、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等が用いられる。絶縁性基板上に金属箔層を有する材料は、接着剤で貼り合わせる接着法、金属箔上に絶縁性基板材料である樹脂の液を塗布するキャスト法、スパッタリングや蒸着法で絶縁性基板である樹脂フィルム上に形成した厚さ数ｎｍの薄い導電層（シード層）の上に電解メッキで金属箔層を形成するスパッタ／メッキ法、熱プレスで貼り付けるラミネート法等のいかなる方法で製造したものを用いてもよい。金属箔層の金属としては、銅、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、あるいはそれらの合金等のいかなる金属を用いることができるが、銅が一般的である。
【００１９】
リジッド基板としては、エポキシ樹脂またはフェノール樹脂等を浸漬させた紙基材またはガラス基材を重ねて絶縁性基板とし、その片面もしくは両面に金属箔を導電層として載置し、加熱及び加圧により積層して、金属箔層が設けられたものが挙げられる。また、内層配線パターン加工後、プリプレグ、金属箔等を積層して作製する多層用のシールド板、貫通孔や非貫通孔を有する多層板も挙げられる。厚みは６０μｍ〜３．２ｍｍであり、プリント基板としての最終使用形態により、その材質と厚みが選定される。金属箔層の材料としては、銅、アルミニウム、銀、金等が挙げられるが、銅が最も一般的である。これらプリント基板の例は、「プリント回路技術便覧」（（社）日本プリント回路工業会編、１９８７年刊行、（株）日刊工業新聞社刊）や「多層プリント回路ハンドブック」（Ｊ．Ａ．スカーレット編、１９９２年刊行、（株）近代化学社刊）に記載されている。リードフレーム用基板としては、鉄ニッケル合金、銅系合金等の基板が挙げられる。
【００２０】
光架橋性樹脂層とは露光部が架橋して現像液に不溶化する樹脂層であり、回路形成用として、ネガ型のドライフィルムレジストが一般的に使用されている。市販のドライフィルムレジストは、少なくとも光架橋性樹脂層を有していて、ポリエステル等の支持層フィルム上に光架橋性樹脂層を設け、場合によってはポリエチレン等の保護フィルムで光架橋性樹脂上を挟んだ構成となっているものが多い。本発明において、光架橋性樹脂層として使用できる市販のドライフィルムレジストとしては、例えば、サンフォートシリーズ（商品名、旭化成イーマテリアルズ社製）、フォテックシリーズ（商品名、日立化成工業社製）、リストンシリーズ（商品名、デュポンＭＲＣドライフィルム社製）、ＡＬＰＨＯシリーズ（商品名、ニチゴー・モートン社製）等を挙げることができる。
【００２１】
光架橋性樹脂層の厚みは、１５〜１００μｍであることが好ましく、２０〜５０μｍであることがより好ましい。この厚みが１５μｍ未満では、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性不良によって、レジスト剥がれや断線が発生する場合がある。一方、１００μｍを超えると、光架橋性樹脂層の製造コストが高くなるだけでなく、製造した光架橋性樹脂層のエッジフュージョンが顕著で保存性が悪くなる場合がある。
【００２２】
本発明における光架橋性樹脂層の薄膜化処理は、３つの工程（ｂ１）〜（ｂ３）よりなる。まず、工程（ｂ１）において、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％、より好ましくは、１０〜１５質量％含む水溶液を供給することにより、溶解途中でミセル化された光架橋性樹脂層成分を一旦不溶化し、処理液中への溶解拡散を抑制する。５質量％未満では、ミセルが不溶化し難く、溶解除去途中で可溶化されたミセルが溶解拡散して、薄膜化処理で面内ムラが発生する。また、２０質量％を超えると、無機アルカリ性化合物の析出が起こりやすく、液の経時安定性、作業性に劣る。溶液のｐＨは９〜１２の範囲とすることが好ましい。また、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜少量添加することもできる。
【００２３】
次いで、工程（ｂ２）では、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含むｐＨ５〜１０、より好ましくは、ｐＨ６〜８の水溶液を供給し、工程（ｂ１）で不溶化された光架橋性樹脂層成分を再分散させて溶解除去する。このように、工程（ｂ１）と工程（ｂ２）を分けることで、工程（ｂ１）では光架橋性樹脂層は処理液中にほとんど溶け込まないため、処理液の溶解性変化が少なく、安定した連続薄膜化処理ができるという利点がある。また、工程（ｂ２）において、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩はいずれもアルカリ領域に優れた緩衝能力を有するため、工程（ｂ１）から高濃度のアルカリ水溶液の一部が混入した場合においても、急激なｐＨの上昇を防止することができ、局所的な処理液の攪拌ムラ及びスプレームラ、光架橋性樹脂層の溶解ムラに起因するｐＨ変化を最小限まで抑制することができる。さらに、ｐＨ５〜１０の水溶液を使用することにより、（ｂ２）における光架橋性樹脂層成分の再分散性を一定に保つことができ、安定した連続薄膜化処理ができる。
【００２４】
工程（ｂ２）において、水溶液のｐＨが５未満では、再分散により溶け込んだ光架橋性樹脂成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって薄膜化した光架橋性樹脂層表面に付着する。一方、水溶液のｐＨが１０を超えると、光架橋性樹脂層の溶解拡散が促進され、面内で膜厚ムラが発生するため好ましくない。また、工程（ｂ２）の処理液は、硫酸、リン酸、塩酸等を用いて、液のｐＨを調整した後に使用してもよい。工程（ｂ２）において、水溶液の供給流量は多い方が好ましく、光架橋性樹脂層１ｃｍ２あたり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎであることが好ましい。工程（ｂ２）において、供給流量が不足すると、不溶化された光架橋性樹脂層成分の再分散性が悪くなり、溶解不良が起こりやすくなる。その結果、薄膜化後の光架橋性樹脂層表面に不溶解成分の析出が見られ、タック性が問題になる場合がある。
【００２５】
工程（ｂ２）に続き、工程（ｂ３）で処理後の光架橋性樹脂層表面を水洗した後、水滴を除去することにより、光架橋性樹脂層の薄膜化処理が完了する。水洗水としては、工業用水、水道水、イオン交換水、蒸留水等が挙げられる。樹脂層表面の水滴の除去方法としては、エアーナイフ、吸液性ロール、温風乾燥等が挙げられるが、物理的な接触がなく、除去効率がよいことから、エアーナイフが特に好ましい。
【００２６】
工程（ｂ３）の前に、工程（ｂ１）と工程（ｂ２）を少なくとも２回以上繰り返し連続して行うことによって、より短時間で効率よく光架橋性樹脂層を薄膜化させることができる。工程（ｂ１）と工程（ｂ２）を繰り返し行う場合、各処理槽は連続的に配置されていればよい。
【００２７】
光架橋性樹脂層上に支持層フィルムが設けられている場合には、剥がしてから薄膜化処理を実施する。薄膜化処理とは、光架橋性樹脂層の厚みを略均一に薄くする処理のことであり、詳しくは、薄膜化処理を施す前の厚みの０．０５〜０．９倍の厚みまで薄くすることを言う。
【００２８】
薄膜化処理の方法として、ディップ方式、バトル方式、スプレー方式、ブラッシング、スクレーピング等があり、スプレー方式が光架橋性樹脂層の溶解速度の点からは最も適している。スプレー方式の場合、処理条件（温度、時間、スプレー圧）は、使用する光架橋性樹脂層の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は１０〜５０℃が好ましく、より好ましくは１５〜４０℃、さらに好ましくは１５〜３５℃である。また、スプレー圧は０．０１〜０．５ＭＰａとするのが好ましく、さらに好ましくは０．０２〜０．３ＭＰａである。
【００２９】
工程（ｃ）では、回路パターンの露光を行う。回路パターンの露光方法としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトツールを用いた片面あるいは両面密着露光方式、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光方式等が挙げられるが、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とし、フォトツールを用いた片面、両面密着露光が好適に用いられる。
【００３０】
工程（ｄ）では、光架橋していない光架橋性樹脂層を現像液で除去して、エッチングレジスト層を形成する。現像方法としては、使用する光架橋性樹脂層に見合った現像液を用い、基板の上下方向から基板表面に向かってスプレーを噴射して、エッチングレジストパターンとして不要な部分を除去し、回路パターンに相当するエッチングレジスト層を形成する。一般的には、０．３〜２質量％の炭酸ナトリウム水溶液が使用される。
【００３１】
工程（ｅ）では、エッチングレジスト層以外の露出した導電層をエッチングすることにより、微細な導電パターンを作製する。エッチング工程では、「プリント回路技術便覧」（（社）日本プリント回路工業会編、１９８７年刊行、（株）日刊工業新聞社刊）記載の方法等を使用することができる。エッチング液は金属箔層を溶解除去できるもので、また、少なくともエッチングレジスト層が耐性を有しているものであればよい。一般に導電層に銅を使用する場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液等を使用することができる。
【実施例】
【００３２】
以下実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００３３】
（実施例１）
＜工程（ａ）＞
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２５５ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．１ｍｍ、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０、三菱ガス化学社製）上に、耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネータを用いて、保護フィルムを剥がしながら、ロール温度１００℃、エアー圧力０．３０ＭＰａ、ラミネート速度０．５０ｍ／ｍｉｎにて、ドライフィルムレジスト（商品名：サンフォートＡＱ４０３８、厚み４０μｍ、旭化成イーマテリアルズ社製）をラミネートした。
【００３４】
＜工程（ｂ１）〜（ｂ３）＞
水平搬送方式の連続処理装置を用いて、ドライフィルムレジストの薄膜化処理を行った。連続処理装置は、工程（ｂ１）の処理槽と工程（ｂ２）の処理槽が連続して２回または３回繰り返し配置されており、液温２５℃、スプレー圧０．０５ＭＰａの条件下処理を行った。支持層フィルムを剥離した後、表１に示すアルカリ水溶液（ｂ１）Ａ及び処理液（ｂ２）Ａで、表２に記載の時間繰り返し処理し、その後、エアーナイフによって薄膜化後の樹脂層表面の水滴を除去した。尚、処理液（ｂ２）のｐＨは、硫酸を添加することによって調整した。薄膜化処理後、光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、平均値と膜厚のばらつき（標準偏差σ）で評価した。結果を表２に示す。
【００３５】
【表１】
2011060983.tif 000003
【００３６】
【表２】
2011060983.tif 000004
【００３７】
＜工程（ｃ）＞
ライン／スペース＝２５／２５μｍのパターンが描画されたフォトツールを用い、出力３ｋｗの超高圧水銀灯（商品名：ＵＲＭ−３００、ウシオライティング社製）を光源に備えた真空密着露光装置で密着露光を行った。
【００３８】
＜工程（ｄ）＞
１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて現像処理を行い、エッチングレジスト層を形成した。得られたエッチングレジスト層を光学顕微鏡で観察した結果、ライン／スペース＝２５／２５μｍのパターンにおいて、線細りや断線あるいは線太りやショート等の欠陥は見られなかった。
【００３９】
＜工程（ｅ）＞
エッチングレジスト層を形成した基板を塩化第二鉄溶液（液温度４０℃、スプレー圧０．２０ＭＰａ）で処理し、エッチングレジスト層以外の銅箔を除去することでエッチングを実施した。続いて、４０℃の３質量％水酸化ナトリウム溶液で残存するエッチングレジスト層を除去し、導電パターンを得た。得られた導電パターンには、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
【００４０】
（実施例２〜８）
光架橋性樹脂層の薄膜化処理において、工程（ｂ１）及び工程（ｂ２）の処理時間を表２に記載の処理時間とした以外は実施例１と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。薄膜化処理後、光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、平均値と膜厚のばらつき（標準偏差σ）で評価した。結果を表２及び図４に示す。図４において、黒三角（▲）印は３回繰り返し処理、黒四角（■）印は２回繰り返し処理を表す。同程度の合計処理時間においても、工程（ｂ１）と工程（ｂ２）を複数回繰り返し行う方がより短時間で光架橋性樹脂層を薄膜化できることが分かった。また、膜厚のばらつきを示す標準偏差は、薄膜化後の膜厚が薄いほど大きくなる傾向があったが、繰り返し連続処理によって悪化することはなく、良好な面内均一性が得られた。また、得られた導電パターンに、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
【００４１】
（比較例１〜５）
光架橋性樹脂層の薄膜化処理において、工程（ｂ１）及び工程（ｂ２）の処理時間を表３に記載の処理時間とした以外は実施例１と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。薄膜化処理後、光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、平均値と膜厚のばらつき（標準偏差σ）で評価した。結果を表３及び図４（黒丸（●）印、１回処理）に示す。実施例１〜８と同様に、標準偏差は薄膜化後の膜厚が薄いほど大きくなる傾向があったが、その値は小さく良好な面内均一性が得られた。また、得られた導電パターンに、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。しかし、工程（ｂ１）及び工程（ｂ２）を２回または３回繰り返し処理した実施例１〜８に比べ、１回処理では光架橋性樹脂層の薄膜化の割合が遅く、薄膜化量が大きい場合には長時間の処理を要することが分かった。
【００４２】
【表３】
2011060983.tif 000005
【００４３】
（実施例９〜２２）
光架橋性樹脂層の薄膜化処理において、表１に示すアルカリ水溶液（ｂ１）Ｂ〜Ｏ及び処理液（ｂ２）Ｂ〜Ｏを用いて薄膜化処理を行った以外は実施例１と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。尚、処理液（ｂ２）のｐＨは硫酸を添加することによって調整した。薄膜化処理後、光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、平均値と膜厚のばらつき（標準偏差σ）で評価した。結果を表４に示す。処理液（ｂ２）のｐＨが大きい実施例１２で標準偏差がやや大きかったが、その他の実施例においては、良好な面内均一性が得られた。さらに、得られた導電パターンに、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
【００４４】
【表４】
2011060983.tif 000006
【００４５】
（比較例６、８及び９）
光架橋性樹脂層の薄膜化処理において、表５に示すアルカリ水溶液（ｂ１）ＡＡ、ＡＣ〜ＡＤ及び処理液（ｂ２）ＡＡ、ＡＣ〜ＡＤを用いて薄膜化処理を行った以外は実施例１と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。尚、処理液（ｂ２）のｐＨは硫酸を添加することによって調整した。薄膜化処理後、光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、平均値と膜厚のばらつき（標準偏差σ）で評価した。結果を表６に示す。処理液（ｂ２）のｐＨが５より小さい比較例８では、標準偏差は小さかったが、処理液（ｂ２）中に光架橋性樹脂層が凝集した不溶性のスラッジが発生することがあり、薄膜化処理後にスラッジが再付着した。一方、処理液（ｂ２）のｐＨが１０より大きい比較例９において、不溶化した光架橋性樹脂層成分の再分散と同時に処理液（ｂ２）が光架橋性樹脂層を溶解させるため、標準偏差が大きくなった。比較例６においては、アルカリ水溶液（ｂ１）の無機アルカリ性化合物濃度が低いため、面内の膜厚のばらつきが顕著だった。さらに、得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、ライン＆スペース２５μｍの部分において、一部でショート欠陥が発生しており、面内略均一な導電パターンを作製することはできなかった。
【００４６】
【表５】
2011060983.tif 000007
【００４７】
【表６】
2011060983.tif 000008
【００４８】
（比較例７）
表５に示すアルカリ水溶液（ｂ１）ＡＢを調製したが、２５℃において１０日以上放置すると、析出物が発生した。さらに、薄膜化処理の際、この析出物がポンプ内の詰まりを引き起こす等の問題が発生した。
【００４９】
（実施例２３〜２５、比較例１０〜１１）
連続薄膜化処理の安定性を調べるため、光架橋性樹脂層の薄膜化処理において、表１に示すアルカリ水溶液（ｂ１）Ｐ〜Ｒ及び処理液（ｂ２）Ｐ〜Ｒ、及び、表５に示すアルカリ水溶液（ｂ１）ＡＥ〜ＡＦ及び処理液（ｂ２）ＡＥ〜ＡＦを各々用いて薄膜化処理を行った以外は実施例１と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。尚、１枚目薄膜化処理前の処理液（ｂ２）のｐＨは、硫酸を添加することによって調整した。連続薄膜化処理中、１枚処理ごとに処理液（ｂ２）のｐＨは調整せず、薄膜化処理１枚目及び１０枚目において、薄膜化処理後の光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、平均値と膜厚のばらつき（標準偏差σ）で評価した。結果を表７に示す。
【００５０】
【表７】
2011060983.tif 000009
【００５１】
アルカリ水溶液（ｂ１）の無機アルカリ性化合物濃度が本発明の範囲外である比較例１０では、連続薄膜化処理１０枚目においても、処理液（ｂ２）のｐＨの上昇は小さかったが、１枚目処理後から標準偏差が大きく、薄膜化処理枚数によらず膜厚のばらつきが顕著だった。また、１０枚処理後、アルカリ水溶液（ｂ１）中への光架橋性樹脂層の溶け込みによる濁りが観察され、処理枚数の増加によるアルカリ水溶液の溶解性の悪化が懸念された。さらに、薄膜化１枚処理後及び１０枚処理後の基板で得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、ライン＆スペース２５μｍの部分において、一部でショート欠陥が発生しており、面内略均一な導電パターンを作製することはできなかった。
【００５２】
処理液（ｂ２）に水を用いた比較例１１では、薄膜化処理枚数が増えるにつれ処理液（ｂ２）のｐＨに上昇傾向が認められ、１０枚処理後において、標準偏差が大きく顕著な膜厚のばらつきが見られた。さらに、得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、１枚処理後の基板では、ライン＆スペース２５μｍの部分において、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかったが、１０枚処理後の基板では、ライン＆スペース２５μｍの部分において、一部でショート欠陥が発生しており、面内略均一な導電パターンを作製することはできなかった。
【００５３】
処理液（ｂ２）に緩衝能力を有する水溶液を用いた実施例２３〜２５では、薄膜化１０枚処理後においても、処理液（ｂ２）のｐＨの上昇は小さく、膜厚のばらつきは良好だった。さらに、１０枚処理後の基板で得られた導電パターンに、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、サブトラクティブ法を用いた微細な導電パターンの作製に広く利用され、実施例で説明したプリント配線板のほか、リードフレームの製造方法にも利用することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１  光架橋性樹脂層（未架橋部）
２  基板
３  光架橋性樹脂層の架橋部
４  導電層
５  絶縁性基板
６  ミセル化した光架橋性樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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