(57)【要約】【課題】簡単な構造でサセプタの回転軸の振れを抑制してエピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減できる気相成長装置、及びそれを利用した化合物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも、リアクタと、該リアクタの内部に配置され、回転軸周りに回転するバレル型サセプタとを備えた気相成長装置において、前記サセプタの回転軸はコレットチャック機構により固定されているものであることを特徴とする気相成長装置。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、リアクタと、該リアクタの内部に配置され、回転軸周りに回転するバレル型サセプタとを備えた気相成長装置において、
前記サセプタの回転軸はコレットチャック機構により固定されているものであることを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
前記サセプタの回転軸の下方に、該回転軸の芯出しを行う芯出し案内部を有するものであることを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
前記サセプタの回転軸の真直度が０．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の気相成長装置。
【請求項４】
化合物半導体基板の製造方法であって、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の気相成長装置を用いて、前記サセプタにウェーハを装着し、前記サセプタを回転させつつ、前記ウェーハの主表面上にＩＩＩ―Ｖ族の化合物半導体を気相成長させることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リアクタ内のサセプタの表面にウェーハを配置し、リアクタ内に原料ガスを供給して該ウェーハの表面に気相成長を行うための気相成長装置と、それを利用した化合物半導体基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の気相成長装置は石英ガラス製のリアクタ内にサセプタを配置し、該サセプタの表面にウェーハを配置し、該サセプタを例えば６００〜８００℃に加熱した状態で、リアクタ内に原料ガスを供給してウェーハの表面にエピタキシャル成長を行わせる構造となっている。
【０００３】
このような気相成長装置を用いて気相成長を行う方法は、ハイドライドＶＰＥ法（単にＶＰＥ法とも言う）と呼ばれ、得られるエピタキシャルウェーハは、照明や表示機の光源となる有色の発光素子等の素材として使われている。
この場合、原料ガスとしては、ＡｓＨ３（アルシン）、ＰＨ３（ホスフィン）等が用いられている。このような原料ガスの搬送用キャリアガスとしてはＨ２が使われる。
【０００４】
ここで、このような気相成長によって得られるエピタキシャルウェーハは、その膜厚のばらつきは小さければ小さい程良いが、そのための工夫が施されていない気相成長装置では±２５％位が限界であった。
しかし最近になって、後工程での歩留り向上及び高品質化の要求から、エピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきは±１５％或いはそれ以下が要求されている。このため、様々な工夫がなされている。
【０００５】
例えば、特許文献１では、膜厚のばらつきを低下させるために、サセプタを回転させるためのモータによって、ウェーハを装着するトレイも連動して回転させることによって、ウェーハを公転させるとともに自転させることができる気相成長装置が提案されている。
【０００６】
また、特許文献２では、図３に示すような気相成長装置が提案されている。
この気相成長装置３０では、リアクタ３１内に配置されたサセプタ３２を公転用モータ３４によって回転軸３６周りに回転させると供に、サセプタ３２の上方から下方に向けて流している原料ガスの流れを自転用気体駆動回転子３５で受けることによって、ウェーハＷを装着するためにサセプタ３２の表面に配置されたトレイ３３を自転させることができるようになっているものである。
【０００７】
このような気相成長装置を用いてウェーハをサセプタの表面で自公転させてエピタキシャルウェーハを製造することによって、原料ガスの流れの中でウェーハが自公転することによって該ウェーハの表面での上流、下流をなくすことができるため、ウェーハを公転させるのみの気相成長装置に比べてエピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低下させることができる。
【０００８】
また、サセプタを支持して回転させる回転軸は長尺であり、図３に示すように、回転軸３６の最下端で支持されている。或いは、図４に示す従来の別の気相成長装置のように、回転軸１１７の下部の周囲に円筒部材１２０を配置し、その円筒部材１２０との間をＯリング１２１でシールしながら回転軸１１７の最下端で支持される。なお、図４は気相成長装置のサセプタの回転軸の付近を拡大したものである。サセプタは公転用モータ１２２によって回転する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１−２１６５２１号公報
【特許文献２】特開平６−２９５９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、このようにして回転軸を支持してサセプタを回転させる従来の構造では、回転中にサセプタに振れが生じ、その振れが大きくなってリアクタとサセプタが接触してしまうことがあった。また、この振れによってリアクタとサセプタとの間隔が気相成長中に変化し、ウェーハ表面の気相成長膜の膜厚にばらつきが生じてしまい、また気相成長の都度回転軸の芯出し調整を行う必要があり時間的ロスや労力の増加が発生するという問題があった。
【００１１】
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、簡単な構造でサセプタの回転軸の振れを抑制してエピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減できる気相成長装置、及びそれを利用した化合物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明によれば、少なくとも、リアクタと、該リアクタの内部に配置され、回転軸周りに回転するバレル型サセプタとを備えた気相成長装置において、前記サセプタの回転軸はコレットチャック機構により固定されているものであることを特徴とする気相成長装置が提供される。
【００１３】
このように、サセプタの回転軸がコレットチャック機構により固定されているものであれば、簡単な構造でサセプタの回転軸の振れを確実に抑制でき、エピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減できる気相成長装置となる。
【００１４】
このとき、前記サセプタの回転軸の下方に、該回転軸の芯出しを行う芯出し案内部を有するものであることが好ましい。
このように、前記サセプタの回転軸の下方に、該回転軸の芯出しを行う芯出し案内部を有するものであれば、回転軸の芯出しを常に容易に行うことができ、サセプタの回転軸の振れをより確実に抑制できる。
【００１５】
またこのとき、前記サセプタの回転軸の真直度が０．５ｍｍ以下であることが好ましい。
このように、前記サセプタの回転軸の真直度が０．５ｍｍ以下であれば、サセプタの回転軸の振れをより確実に抑制できる。
【００１６】
また、本発明によれば、化合物半導体基板の製造方法であって、本発明に記載の気相成長装置を用いて、前記サセプタにウェーハを装着し、前記サセプタを回転させつつ、前記ウェーハの主表面上にＩＩＩ―Ｖ族の化合物半導体を気相成長させることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法が提供される。
【００１７】
上述のように、本発明の気相成長装置によれば、サセプタの回転軸の振れを確実に抑制してエピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減できるため、このような気相成長装置を用いてウェーハの主表面上に気相成長させたＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体は、膜厚が従来に比べて均一なものとなっており、発光素子等の製造の際の歩留りを向上させることができ、製造コストの低減を図ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、気相成長装置装置において、サセプタの回転軸がコレットチャック機構により固定されているものであるので、簡単な構造でサセプタの回転軸の振れを確実に抑制でき、エピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の気相成長装置の一例を示す概略図である。
【図２】本発明の気相成長装置のコレットチャック機構の一例を示した概略図である。（Ａ）コレットチャック機構の概略図。（Ｂ）コレット部の概略図。
【図３】従来の気相成長装置の一例を示す概略図である。
【図４】従来の気相成長装置の別の一例のサセプタの回転軸が支持される様子を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明について図を参照して詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。図１は本発明の気相成長装置の概略の一例を示した図である。
図１に示すように、本発明の気相成長装置１０は、少なくとも、リアクタ１１と、リアクタ１１の内部に配置されたバレル型のサセプタ（以下カルーセルとも記載）１２と、ウェーハＷを装着するためにサセプタ（カルーセル）１２の表面に配置されたトレイ（以下プラネタリーとも記載）１３とを備えたものである。
【００２１】
このトレイ１３はプラネタリーギア１６を介してモータ１５によって回転するものである。そして、トレイ（プラネタリー）１３上に装着されたウェーハＷは、トレイ１３がその軸周りに回転することによって自転するようになっている。また、サセプタ１２がその回転軸１７周りに回転（サセプタの自転）することによって、ウェーハＷが公転するようになっている。
このようにウェーハを自公転させてエピタキシャルウェーハを製造する本発明の気相成長装置１０は、原料ガスの流れの中でウェーハＷが自公転することによって該ウェーハＷの表面での上流、下流をなくすことができるため、エピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減させることができる。
【００２２】
また、バレル型のサセプタとなっているため、スリップや金属汚染、表面欠陥等の少ない気相成長膜が得られ、製造歩留りの向上にも適した気相成長装置となっている。
また、図１に示すように、サセプタ１２の回転軸１７はコレットチャック機構１８によって固定される。このコレットチャック機構１８は、図２（Ａ）（Ｂ）に示すようなサセプタ１２の回転軸１７と嵌合して固定するコレット部２３と、図２（Ａ）に示すような、コレット部２３及びサセプタ１２の回転軸１７の周囲に配置される円筒部材２０で構成されている。
【００２３】
このコレット部２３は、図２（Ｂ）に示すように、円筒部材２０と接触しつつ回転する部分はテーパ状に形成されており、そのテーパ部２４に複数のスリット２５を有している。コレット部２３は、このスリット２５の間隔が狭まることによって回転軸１７をチャックして固定することができるようになっており、少なくともスリット２５を３つ以上有していることが好ましい。
また、コレット部２３のテーパ部２４は滑り易さが求められるため、テーパ面に摩擦係数の小さなメッキ、例えば硬質クロームメッキ等を施すことが好ましい。
【００２４】
ここで、コレットチャック機構１８によってサセプタ１２の回転軸１７を固定する場所は特に限定されないが、例えば、図２（Ａ）に示すように、サセプタ１２の回転軸１７の上部付近とすることができる。
また、図２（Ａ）に示すように、サセプタ１２の回転軸１７の下部をＯリング２１によってシールすることができる。これにより回転振れを一層抑制することができる。
【００２５】
サセプタ１２の回転軸１７の材質は通常石英ガラスが用いられるが、本発明ではコレットチャック機構１８によって、ガラス面に均等な締め付け力が加わるようにして固定するので、サセプタ１２の回転軸１７の固定時等の破損を抑制することができる。
また、コレットチャック機構１８のコレット部２３の材質を金属製とすれば、長期に亘り繰り返し使用することができ、その金属の中でも雰囲気ガスに対して防錆力のあるステンレス製が望ましい。
【００２６】
このように、サセプタ１２の回転軸１７をコレットチャック機構１８によって固定することで、簡単な構造でサセプタ１２の回転軸１７の振れを確実に抑制できる。これによって、エピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減できる。また、サセプタ１２の回転軸１７の振れによってリアクタ１１とサセプタ１２が接触するのを防止できる。
【００２７】
このとき、サセプタ１２の回転軸１７の真直度が０．５ｍｍ以下であれば、サセプタ１２の回転軸１７の振れをより確実に抑制できるので好ましく、より好ましくは０．２ｍｍ以下である。サセプタ１２の回転軸１７は作製の仕上げ工程において研磨されるが、この研磨による歪を除去するために熱処理を行い、真直度を０．５ｍｍ以下にして仕上げることが好ましい。
【００２８】
またこのとき、サセプタ１２の回転軸１７の下方に、該回転軸の芯出しを行う芯出し案内部を有するものであることが好ましい。ここで、図２（Ａ）に芯出し案内部の一例を示す。
図２（Ａ）に示すように、芯出し案内部１９は上部に凹部２２を有し、この凹部２２はサセプタ１２の回転軸１７の下端に形成されたテーパ形状に沿って形成されている。そして、この凹部２２と回転軸１７に形成されたテーパ部分を当接させることで、サセプタ１２の回転軸１７の芯出しが自動的に行われるようになっている。
このような芯出し案内部１９をサセプタ１２の回転軸１７の下方に配置することによって、回転軸１７の芯出しを常に容易に行うことができる。
【００２９】
そして、このような芯出し案内部１９によって回転軸１７の芯出しを行った後に、上記したようなコレットチャック機構１８によってサセプタ１２の回転軸１７を固定すれば、サセプタ１２の回転軸１７の振れをより確実に抑制できるものとなる。
ここで、芯出し案内部１９は上記の図２（Ａ）に示すような構成に限定されず、例えば円筒部材２０と一体に形成されたものでも良い。
【００３０】
また、図１に示すように、上記したウェーハＷを装着するためのトレイ１３を回転させるためのモータ１５と、サセプタ１２を回転させるためのモータ１４を別にすることができる。
このようにすれば、ウェーハＷをサセプタ１２とは独立して回転させることができるし、また、ウェーハＷを装着させるトレイ１３を電動で駆動させるため、リアクタ１１内の気相成長条件が変化してもその影響を受けずにウェーハＷを所望の回転速度で自転させることができる。そしてウェーハＷの自転の方向も任意に制御できるため、ウェーハＷの自公転の制御性が高く、気相成長の際の自由度を高くできるため、柔軟な成長条件の変更が可能となる。従って、成長させた気相成長膜の膜厚の均一性を従来より高いものとすることができる気相成長装置となる。ただし、本発明において特にこれらに限定されることはない。
【００３１】
さらに、トレイ１３を回転させるためのモータ１５と、サセプタ１２を回転させるためのモータ１４を、互いの回転軸の中心が一致せず、２軸に分かれているものとすることもできる。このようにすれば、ウェーハ公転用か自転用のいずれかの回転軸の直径を、もう一方の回転軸より太い形状とすることをせずに済むため、デッドスペースが発生することがなく、リアクタ１１内に排気が困難な箇所が発生しないため、運転効率が高いものとすることができる。そして回転軸は一般的なロッド等で十分であり、安価なものとすることができる。ただし、この点も本発明において特にこれらに限定されることはない。
【００３２】
上記した本発明の気相成長装置の形態において、サセプタの回転によるウェーハの公転に加えて、トレイの回転によってウェーハが自転することができる構成の例を記載しているが、本発明はこれに限定されず、ウェーハの自転は任意である。すなわち、トレイが回転せず、サセプタの回転軸周りの回転によってウェーハが公転のみする構成としても、上記と同様の本発明の効果を奏することができる。
【００３３】
上記のような本発明の気相成長装置を用いた本発明の化合物半導体基板の製造方法の一例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。ここでは、図１に示すような本発明の気相成長装置を用いた場合について説明する。
【００３４】
まず、トレイ１３上にウェーハＷを装着する。
この時使用するウェーハは、作製する化合物半導体基板に適した規格の材料からなるものを適宜選択すればよく、特に限定されない。例えば化合物半導体基板としてＧａＡｓＰエピタキシャルウェーハを製造する場合は、ウェーハＷとしてはｎ型ＧａＰ基板を用いることができる。
【００３５】
そしてリアクタ１１内を窒素ガスで置換した後に原料ガスを流して、不図示の加熱機構によってウェーハを加熱しながら、ウェーハを自転及び公転させつつ、ウェーハの主表面上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体を気相成長させる。このとき、回転するサセプタの回転軸は上記したように、コレットチャック機構１８によって固定されているので回転軸の振れが抑制され、気相成長膜の膜厚のばらつきを抑制できる。
この際使用する原料ガスや気相成長条件は特に限定されず、製造する化合物半導体基板の用途に応じて適宜変更することができる。
【００３６】
例えばＧａＡｓＰエピタキシャルウェーハを製造する場合は、まず、窒素（Ｎ２）ガスをリアクタ１１内に導入し、空気を十分置換除去した後、キャリアガスとして高純度水素（Ｈ２）を導入し、Ｎ２の流れを止め昇温工程に入る。
そしてＧａ入り石英ボート設置部分やＧａＰ基板の設置部分の温度が、所定の温度に一定に保持されていることを確認した後に、ＧａＰ基板と同組成のＧａＰエピタキシャル膜の気相成長を開始する。
【００３７】
最初、ｎ型キャリアドープ用ガスをリアクタ１１内に導入し、高純度塩化水素ガス（ＨＣｌ）を上記石英ボート中のＧａ溜に吹き込み、Ｇａ溜上表面よりＧａＣｌｘを吹き出させながら、高純度りん化水素ガス（ＰＨ３）を導入しつつ、第１層である基板バッファー層をＧａＰ基板上に成長させる。
【００３８】
次に、ＨＣｌとｎ型キャリアドープ用ガスの導入量を変えることなく、高純度ひ化水素ガス（ＡｓＨ３）の導入を開始した後導入量を徐々に増加し、また同時にＰＨ３の導入量を減少させて、第２層となるｎ型のＧａＡｓ１−ｘＰｘ組成変化層を基板バッファー層上に成長させる。
【００３９】
次に、ＨＣｌ、ＰＨ３、ＡｓＨ３の導入量を変えることなく、ｎ型キャリアドープ用ガスの導入量を徐々に減少させて、第３層となるｎ型のＧａＡｓ１−ｘＰｘ組成一定層をＧａＡｓ１−ｘＰｘ組成変化層上に成長させる。
【００４０】
次は、ＨＣｌ、ＰＨ３、ＡｓＨ３の導入量を変えることなく、これに窒素ドープ用ガスを導入して、また同時にｎ型キャリアドープ用ガスの導入をやめてから、第４層となるｎ型の窒素濃度増加層をＧａＡｓ１−ｘＰｘ組成一定層上に成長させる。
【００４１】
次はＨＣｌ、ＰＨ３、ＡｓＨ３、窒素ドープ用ガスの導入量を変えることなく、第５層となるｎ型の窒素濃度一定層を窒素濃度増加層上に成長させる。
【００４２】
そして、次にＨＣｌ、ＰＨ３、ＡｓＨ３、窒素ドープ用ガスの導入量を変えることなく、ｐ型キャリアドープ用ガスの導入量を増加させながら、第６層となるＧａＡｓ１−ｘＰｘｐ型キャリア濃度増加層を窒素濃度一定層上に成長させる。
【００４３】
その後、ＨＣｌ、ＰＨ３、ＡｓＨ３、ｐ型キャリアドープ用ガスの導入量を変えることなく、また、窒素ドープ用ガスの導入量を徐々に減少させながら、第７層となるｐ型のＧａＡｓ１−ｘＰｘエピタキシャル層をｐ型キャリア濃度増加層上に成長させ、気相成長を終了することによってＧａＡｓＰエピタキシャルウェーハを得ることができる。
【００４４】
以上のように、本発明の化合物半導体基板の製造方法では、上記したような本発明の気相成長装置を用いて化合物半導体を気相成長させるので、気相成長中に、サセプタの回転軸の振れを確実に抑制してエピタキシャル膜の膜厚のばらつきを低減できる。すなわち、本発明の化合物半導体基板の製造方法によって、ウェーハの主表面上に気相成長させたＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体は、膜厚が従来に比べて均一なものとなっており、発光素子等の製造の際の歩留りを高くすることに寄与できる気相成長膜を有する基板を得ることができ、製造コストの低減を図ることができる。
【実施例】
【００４５】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４６】
（実施例１）
図１に示すような本発明の気相成長装置を用い、本発明の化合物半導体基板の製造方法に従って、ＧａＰ単結晶基板の主表面上にＧａＰエピタキシャル膜の気相成長を行った。その際、気相成長中のサセプタの回転軸の振れ量を測定し、製造したエピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを評価した。
なお、サセプタの回転軸の振れ量の測定は、ダイヤルゲージを用いて回転軸のサセプタ取り付け面における振れを測定した。
【００４７】
まず、プラネタリー（トレイ）に、ウェーハとして準備したＧａＰ単結晶基板をサセプタの円周方向に対称的になるように６枚セットした。
そして、窒素（Ｎ２）ガスをリアクタ内に２０分間導入し、空気を十分に置換除去した後、キャリアガスとして高純度水素（Ｈ２）を導入し、Ｎ２ガスの導入を停止して昇温工程に入った。
【００４８】
その後、周期律表第Ｖ族元素成分として高純度りん化水素ガス（ＰＨ３）を導入した。
更に、所定の温度に到達した後、周期律表ＩＩＩ属元素成分原料としてＧａＣｌｘを生成させるため高純度塩化水素ガス（ＨＣｌ）を石英ボート中のＧａ溜に吹き込み、単結晶基板と同組成のＧａＰエピタキシャル膜の気相成長を行った。この際、カルーセル（サセプタ）の回転数を３ｒｐｍ、プラネタリーの回転数を３ｒｐｍにセットして、ＧａＰ単結晶基板を自公転させながら気相成長を行った。
そして、所定の膜厚に達した時点でＨＣｌガス、ＰＨ３ガス、Ｈ２ガスの導入を止めて、気相成長を終了させた。
【００４９】
気相成長終了後、リアクタ内から製造したエピタキシャルウェーハを取り出し、エピタキシャル膜の厚さを測定した。
その結果、気相成長中のサセプタの回転軸の振れ量は０．１ｍｍであり、後述する比較例の０．８ｍｍと比べ改善されていることが分った。表１に６枚の製造したエピタキシャルウェーハの中心における膜厚の測定結果及びその６枚のエピタキシャルウェーハ中心の膜厚の平均値を１とした時の各エピタキシャルウェーハ中心の膜厚の比率を示す。
【００５０】
表１に示すように、後述する比較例の結果と比べ、エピタキシャルウェーハ膜の膜厚のばらつきが抑制されていることが分かる。ばらつきは比較例で±１５〜２０％であったのに比べ実施例１ではおよそ±２％と目標の１０％以下に改善されていた。
【００５１】
このように、本発明の気相成長装置および化合物半導体基板の製造方法は、サセプタの回転軸の振れを確実に抑制でき、エピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減できることが確認できた。
【００５２】
（実施例２）
図１に示すような本発明の気相成長装置を用い、トレイを回転させず、すなわちウェーハを自転させず、ウェーハを公転のみさせたこと以外、実施例１と同様な条件でＧａＰ単結晶基板の主表面上にＧａＰエピタキシャル膜の気相成長を行い、実施例１と同様に評価した。
【００５３】
その結果、気相成長中のサセプタの回転軸の振れ量は０．１ｍｍであり、後述する比較例の０．８ｍｍと比べ改善されていることが分った。表１に６枚の製造したエピタキシャルウェーハの中心における膜厚の測定結果及びその６枚のエピタキシャルウェーハ中心の膜厚の平均値を１とした時の各エピタキシャルウェーハ中心の膜厚の比率を示す。
表１に示すように、後述する比較例の結果と比べ、エピタキシャルウェーハ膜の膜厚のばらつきが抑制されていることが分かる。ばらつきは比較例で±１５〜２０％であったのに比べ実施例２ではおよそ±３％と目標の１０％以下に改善されていた。また、実施例１の結果に比べ若干悪化しており、ウェーハの自転によってばらつきが改善されていることが分かった。
【００５４】
（比較例）
本発明のコレットチャック機構によってサセプタの回転軸を固定するものではなく、図４に示すような、サセプタの回転軸を最下端でＯリングによってシールしながら支持する従来の気相成長装置を用いた以外、実施例１と同様な条件でＧａＰ単結晶基板の主表面上にＧａＰエピタキシャル膜の気相成長を行い、実施例１と同様に評価した。
その結果、気相成長中のサセプタの回転軸の振れ量は０．８ｍｍであり、実施例１、２に比べ悪化していることが分かった。また、実施例１と同様にして評価したエピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきの結果を表１に示す。表１に示すように、膜厚のばらつきは実施例１、２に比べ悪化しており、±１５〜２０％のばらつきが発生していた。
【００５５】
【表１】
2011233826.tif 000003
【００５６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５７】
１０…気相成長装置、  １１…リアクタ、  １２…サセプタ、  １３…トレイ、
１４、１５…モータ、  １６…プラネタリーギア、  １７…サセプタの回転軸、
１８…コレットチャック機構、  １９…芯出し案内部、  ２０…円筒部材、
２１…Ｏリング、  ２２…凹部、  ２３…コレット部、  ２４…テーパ部、
２５…スリット、  Ｗ…ウェーハ。
【図１】
2011233826.tif 000004
【図２】
2011233826.tif 000005
【図３】
2011233826.tif 000006
【図４】
2011233826.tif 000007