(57)【要約】【課題】高精細及び高品質な導電膜積層部材を提供する。【解決手段】本発明の導電膜積層部材は、基板上に形成された第１導電膜と、前記第１導電膜上に形成された第２導電膜と、を有し、前記第２導電膜が、前記第１導電膜よりも幅が狭く、かつ、前記第２導電膜が、断面視において、前記第１導電膜とは反対方向に、凸状に湾曲した表面を有するかまぼこ形状である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１導電膜と、
前記第１導電膜上に形成された第２導電膜と、を有し、
前記第２導電膜の膜幅が、前記第１導電膜の膜幅よりも狭く、かつ、
前記第２導電膜が、断面視において、前記第１導電膜とは反対方向に、凸状に湾曲した表面を有するかまぼこ形状であることを特徴とする導電膜積層部材。
【請求項２】
請求項１に記載の導電膜積層部材において、
前記第２導電膜の膜幅が、前記第１導電膜の膜幅方向における両端部から各０．５〜５ｕｍ狭いことを特徴とする導電膜積層部材。
【請求項３】
請求項１または２に記載の導電膜積層部材において、
前記第２導電膜の厚みが、０．２〜２ｕｍであり、かつ、
前記第２導電膜の断面視における端部の角度が、０．５〜１０°であることを特徴とする導電膜積層部材。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の導電膜積層部材において、
前記第１導電膜が、透明性を有する導電膜であり、
前記第２導電膜が、銀を含む導電膜である、ことを特徴とする導電膜積層部材。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の導電膜積層部材において、
前記第１導電膜及び前記第２導電膜上に形成された保護膜を有し、
前記第１導電膜と前記第１導電膜上に形成された前記第２導電膜と前記第２導電膜上に形成された前記保護膜とで積層された３層積層部と、
前記第１導電膜の膜幅方向の端部であって、前記第１導電膜と前記第１導電膜上に形成された前記保護膜とで積層された２層積層部と、を備えたことを特徴とする導電膜積層部材。
【請求項６】
請求項５に記載の導電膜積層部材において、
前記第１導電膜と前記保護膜が、同じ材料であることを特徴とする導電膜積層部材。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の導電膜積層部材において、
前記第２導電膜が、
前記基板の表面に撥水化処理を施すとともに、前記第１導電膜の表面に、前記基板における撥水力よりも弱い撥水化処理を施し、前記第１導電膜上に、前記第２導電膜の材料を含む液状材料を塗布することにより形成されたことを特徴とする導電膜積層部材。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の導電膜積層部材を備えた電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電膜積層部材、電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に導電膜等のパターン膜を形成する方法としては、例えば、インクジェット法を用いて、パターン膜の材料を含む液状材料を液滴として吐出し、基板上に液滴ドットで連なった機能液を塗布し、塗布された機能液を固化することによりパターン膜を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０８０６９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の方法によって形成されたパターン膜は、微小ドットパターンが互いに重なり合って構成された集合体であるため、ドットパターンの重なりによってパターン膜に段差が形成されてしまう。そうすると、パターン膜に外力が加えられた場合に、段差部分に応力が集中し、パターン膜の剥離やクラック等が発生してしまう、という課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる導電膜積層部材は、基板上に形成された第１導電膜と、前記第１導電膜上に形成された第２導電膜と、を有し、前記第２導電膜の膜幅が、前記第１導電膜の膜幅よりも狭く、かつ、前記第２導電膜が、断面視において、前記第１導電膜とは反対方向に、凸状に湾曲した表面を有するかまぼこ形状であることを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、第２導電膜は、基板に接触せず、また、第１導電膜の端部にかからない形態を有するため、応力等による膜の剥離等の発生を抑制することができる。さらに、第２導電膜は、略かまぼこ形状のため、応力等によるクラック等の発生を抑制することができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかる導電膜積層部材では、前記第２導電膜の膜幅が、前記第１導電膜の膜幅方向における両端部から各０．５〜５ｕｍ狭いことを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、さらに、第２導電膜の剥離やクラック等の抑制ができ、信頼性の高い導電膜積層部材を提供することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかる導電膜積層部材では、前記第２導電膜の厚みが、０．２〜２ｕｍであり、かつ、前記第２導電膜の断面視における端部の角度が、０．５〜１０°であることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、さらに、膜の剥離やクラック等の抑制ができ、信頼性の高い導電膜積層部材を提供することができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例にかかる導電膜積層部材では、前記第１導電膜が、透明性を有する導電膜であり、前記第２導電膜が、銀を含む導電膜である、ことを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、透明性を有する導電膜上に銀の導電膜が積層されるため、例えば、第１導電膜の電気抵抗率が比較的高い場合であっても、第１導電膜上に銀を含む第２導電膜が形成されるため、積層された導電膜全体として電気抵抗率を低減することができる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例にかかる導電膜積層部材では、前記第１導電膜及び前記第２導電膜上に形成された保護膜を有し、前記第１導電膜と前記第１導電膜上に形成された前記第２導電膜と前記第２導電膜上に形成された前記保護膜とで積層された３層積層部と、前記第１導電膜の膜幅方向の端部であって、前記第１導電膜と前記第１導電膜上に形成された前記保護膜とで積層された２層積層部と、を備えたことを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、３層積層部では、保護膜によって第２導電膜の表面が覆われる。また、２層積層部では、第１導電膜と保護膜とが密着するため、確実に第２導電膜が封じ込められる。これにより、外部環境下において第２導電膜が確実に保護される。
【００１６】
［適用例６］上記適用例にかかる導電膜積層部材では、前記第１導電膜と前記保護膜が、同じ材料であることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、第１導電膜と保護膜との密着性をさらに向上させることができる。
【００１８】
［適用例７］上記適用例にかかる導電膜積層部材では、前記第２導電膜が、前記基板の表面に撥水化処理を施すとともに、前記第１導電膜の表面に、前記基板における撥水力よりも弱い撥水化処理を施し、前記第１導電膜上に、前記第２導電膜の材料を含む液状材料を塗布することにより形成されたことを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、第１導電膜よりも幅が狭く、かつ、かまぼこ形状の第２電極膜が形成され、応力等による膜の剥離やクラックの発生を抑制することができる。
【００２０】
［適用例８］本適用例にかかる電気光学装置は、上記の導電膜積層部材を備えたことを特徴とする。
【００２１】
この構成によれば、信頼性の高い導電膜積層部材を備えた電気光学装置を提供することができる。この場合、電気光学装置は、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）等がこれに該当する。
【００２２】
［適用例９］本適用例にかかる電子機器は、上記電気光学装置を搭載したことを特徴とする。
【００２３】
この構成によれば、信頼性の高い電気光学装置を搭載した電子機器を提供することができる。この場合、電子機器は、例えば、カラーフィルター、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）を搭載したテレビ受像機、パーソナルコンピューター、携帯電子機器、その他、各種の電子製品がこれに該当する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】導電膜積層部材としてのタッチパネルの構成を示す平面図。
【図２】導電膜積層部材としてのタッチパネルの構成を示す断面図。
【図３】導電膜積層部材としてのタッチパネルの構成を示す断面図。
【図４】タッチパネルの製造方法を示すフローチャート。
【図５】タッチパネルの製造方法の一部を示すフローチャート。
【図６】表面処理装置の構成を示す模式図。
【図７】液滴吐出装置の構成を示す斜視図。
【図８】ピエゾ方式による機能液の吐出原理を示す模式図。
【図９】タッチパネルの製造方法を示す工程図。
【図１０】タッチパネルの製造方法を示す工程図。
【図１１】基材における接触角の測定データ。
【図１２】基材の表面処理状態を示す模式図。
【図１３】機能液の塗布状態等を示す模式図。
【図１４】電気光学装置としての液晶表示装置の構成を示す平面図及び断面図。
【図１５】電子機器としてのパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材ごとに縮尺や数等を異ならせて図示している。
【００２６】
（導電膜積層部材の構成）
まず、導電膜積層部材の構成について説明する。なお、本実施形態では、導電膜積層部材としてのタッチパネルを例に挙げて説明する。図１は、タッチパネルの構成を示す平面図である。図２及び図３は、タッチパネルの構成を示す断面図であり、図２は、図１に示したタッチパネルのＡ−Ａ’断面図であり、図３は、図１に示したタッチパネルのＢ−Ｂ’断面図である。
【００２７】
タッチパネル１００は、基板１と、基板１上に設けられた入力領域５と、引き回し配線領域６を有する。基板１は、透明性を有し、例えば、石英ガラス、ガラス、プラスチック等である。なお、本実施形態では、ガラス基板１として説明する。ガラス基板１は、平面視において矩形状に成形されている。
【００２８】
入力領域５は、図１において一点鎖線で囲まれた領域であり、タッチパネル１００に入力される指の位置情報を検出する領域である。入力領域５には、複数のＸ電極１０及び複数のＹ電極２０がそれぞれ配置されている。Ｘ電極１０は、図示でＸ軸方向に沿って延在し、且つＸ電極１０は、Ｙ軸方向に互いに間隔をあけて複数配列されている。Ｙ電極２０は図示でＹ軸方向に沿って延在し、それぞれのＹ電極２０は、Ｘ軸方向に互いに間隔をあけて配列されている。Ｘ電極１０及びＹ電極２０は、互いのブリッジ配線を交差させることによって入力領域５内の交差部Ｋで交差している。
【００２９】
Ｘ電極１０は、Ｘ軸方向に配列された複数の島状電極部１２と、隣り合う島状電極部１２同士を接続するブリッジ配線１１を備えている。島状電極部１２は平面視で矩形状に形成され、一方の対角線がＸ軸に沿うように配置されている。
【００３０】
Ｙ電極２０は、Ｙ軸方向に配列された複数の島状電極部２２と、隣り合う島状電極部２２同士を接続するブリッジ配線２１を備えている。島状電極部２２は、平面視で矩形状に形成され、一方の対角線がＹ軸に沿うように配置されている。島状電極部１２と島状電極部２２とは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向において互い違いに配置（市松状配置）されており、入力領域５では、矩形状の島状電極部１２，２２が平面視マトリクス状に配置されている。
【００３１】
Ｘ電極１０、Ｙ電極２０及びブリッジ配線１１，２１を構成する材質としては、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物；登録商標）、ＺｎＯなどの透光性を有する抵抗体を採用することができる。
【００３２】
引き回し配線領域６は、図１において二点鎖線で囲まれた領域である。引き回し配線領域６には、複数の引き回し配線６０が形成されている。各引き回し配線６０の一方端は、Ｘ電極１０またはＹ電極２０と接続され、他方端は、タッチパネル１００の内部あるいは外部装置に設けられた駆動部及び電気信号変換／演算部（いずれも図示省略）と接続される。
【００３３】
また、引き回し配線領域６は、第１領域６ａと第２領域６ｂとに区分けされている。本実施形態では、駆動部及び電気信号変換／演算部（いずれも図示は省略）と電気的に接続される端子接続部の領域に対応する第１領域６ａと、第１領域６ａ以外の領域に対応する第２領域６ｂとに区分けされている。
【００３４】
タッチパネル１００は、図２及び図３に示すように、ガラス基板１の一方面１ａに、島状電極部１２（図示は省略）、島状電極部２２、ブリッジ配線１１、引き回し配線６０が設けられている。ブリッジ配線１１上には、Ｘ電極１０とＹ電極２０間を絶縁する電極間絶縁膜３０が島状電極部２２と略面一となる高さで形成されている。そして、電極間絶縁膜３０上にブリッジ配線２１が配置されている。Ｘ電極１０のブリッジ配線１１は、島状電極部２２よりも薄く、例えば１／２程度の厚さに形成されている。これらの電極及び配線を覆うように平坦化膜４０が形成されている。平坦化膜４０上には、接着層５１を介して保護基板５０が配置されている。また、ガラス基板１の他方面１ｂには、シールド層７０が設けられている。
【００３５】
電極間絶縁膜３０は、例えば、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、及びアクリルモノマーなどによって形成される。なお、ポリシロキサンを用いて形成した場合には、電極間絶縁膜３０はシリコン酸化物からなる無機絶縁膜となる。一方、アクリル系樹脂、及びアクリルモノマーを採用した場合には、電極間絶縁膜３０は樹脂材料からなる有機絶縁膜となる。ここでは、JSR NN525E と、EDM（ジエチレングリコールエチルメチルエーテル）とを４：１（重量比）で混合したインクを用いている。
【００３６】
電極間絶縁膜３０の構成材料には、比誘電率が４．０以下、望ましくは３．５以下である材料を採用することが好ましい。これにより、ブリッジ配線１１，２１の交差部Ｋにおける寄生容量を低減して、タッチパネルの位置検出性能を保持することができる。また、電極間絶縁膜３０の構成材料には、屈折率が２．０以下、望ましくは１．７以下である材料を用いることが好ましい。これにより、ガラス基板１やＸ電極１０、Ｙ電極２０との屈折率差を小さくすることができ、使用者に電極間絶縁膜３０のパターンが見えてしまうのを防止できる。
【００３７】
引き回し配線６０は、ガラス基板１の一方面１ａに配置された第１導電膜６０ａと、第１導電膜６０ａ上に形成された第２導電膜６０ｂとを有している。そして、第１領域６ａでは、引き回し配線６０の表面を覆った第１保護膜６１が形成されている。また、第２領域６ｂでは、引き回し配線６０の表面を覆った第２保護膜６２が形成されている。
【００３８】
第１導電膜６０ａは、透明性を有する透明導電膜である。例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの抵抗体である。第２導電膜６０ｂは、Ａｇを主成分とする金属膜である。なお、第２導電膜６０ｂは、第１導電膜６０ａよりもシート抵抗を小さくすることができるものであれば特に限定されない。例えば、Ａｇの他、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄなどの金属、及びカーボン（グラファイト、カーボンナノチューブなどのナノカーボン）のうち１種類以上を成分とする、有機化合物、ナノ粒子、ナノワイヤーなどを用いられる。このように、第１導電膜６０ａと第２導電膜６０ｂとを積層して導電膜積層構造に形成することにより、引き回し配線６０全体として電気抵抗率を低減することができる。
【００３９】
また、図３に示すように、第２導電膜６０ｂの膜幅Ｗ２は、第１導電膜６０ａの膜幅Ｗ１よりも狭く形成されている。さらに、第２導電膜６０ｂは、断面視において、第１導電膜６０ａとは反対方向に凸状に湾曲した表面を有するかまぼこ形状を有している。さらに、具体的には、第２導電膜６０ｂの膜幅Ｗ２は、第１導電膜の膜幅Ｗ１の両端部から各０．５〜５ｕｍ狭く形成されている。また、第２導電膜６０ｂの厚みＨは、０．２〜２ｕｍであり、第２導電膜６０ｂの断面視における端部の角度θは、０．５〜１０°である。
【００４０】
第１保護膜６１は、第１導電膜６０ａの表面及び第２導電膜６０ｂの表面上に形成されている。第１保護膜６１は、透明性を有する透明導電膜である。例えば、第１導電膜６０ａと同じ材料であり、ＩＴＯやＩＺＯなどの抵抗体である。ここで、引き回し配線６０と第１保護膜６１との積層関係において、図３（ｂ）に示すように、第１導電膜６０ａと第１導電膜６０ａ上に形成された第２導電膜６０ｂと第２導電膜６０ｂ上に形成された第１保護膜６１とで積層された３層積層部８０と、第１導電膜６０ａの幅方向の端部であって、第１導電膜６０ａと第１導電膜６０ａ上に形成された第１保護膜６１とで積層された２層積層部８１と、を有する。２層積層部８１では、第１導電膜６０ａと第１保護膜６１との接合部（接触部）が形成されるため、第１導電膜６０ａと第１保護膜６１とによって第２導電膜６０ｂが封じ込められる。これにより、外的環境から第２導電膜６０ｂを保護することができる。
【００４１】
第２保護膜６２は、第１導電膜６０ａの表面及び第２導電膜６０ｂの表面上に形成されている。第２保護膜６２は、絶縁性を有し、例えば、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、及びアクリルモノマーなどによって形成される。なお、第２領域６ｂにおける積層構造も上記の第１領域６ａにおける積層構造と同様である。具体的には、第１導電膜６０ａと第１導電膜６０ａ上に形成された第２導電膜６０ｂと第２導電膜６０ｂ上に形成された第２保護膜６２とで積層された３層積層部と、第１導電膜６０ａの幅方向の端部であって、第１導電膜６０ａと第１導電膜６０ａ上に形成された第２保護膜６２とで積層された２層積層部と、を有する。２層積層部では、第１導電膜６０ａと第２保護膜６２との接触部が形成されるため、第１導電膜６０ａと第２保護膜６２とによって第２導電膜６０ｂが封じ込められる。
【００４２】
平坦化膜４０は、Ｘ及びＹ電極１０，２０及び第２領域６ｂにおける引き回し配線６０（第２保護膜６２上）上に形成されている。そして、平坦化膜４０上には、接着層５１を介して保護基板５０が配置されている。また、ガラス基板１の他方面１ｂには、シールド層７０が設けられている。なお、第１領域６ａにおける引き回し配線６０上には、平坦化膜４０及び保護基板５０等は設けられていない。第１領域６ａにおける引き回し配線６０は、駆動部及び電気信号変換／演算部（いずれも図示省略）と接続する必要があるからである。
【００４３】
平坦化膜４０によりガラス基板１の一方面１ａ側が平坦化されていることで、ガラス基板１と保護基板５０とをほぼ全面にわたって均一に接合することができる。また、平坦化膜４０の構成材料には、屈折率が２．０以下、望ましくは１．７以下である材料を用いることが好ましい。これにより、ガラス基板１やＸ電極１０、Ｙ電極２０との屈折率差を小さくすることができ、Ｘ電極１０やＹ電極２０の配線パターンを見えにくくすることができる。
【００４４】
保護基板５０は、ガラスやプラスチックなどの透明基板である。あるいは、本実施形態のタッチパネル１００が液晶パネルや有機ＥＬパネルなどの表示装置の前面に配置される場合には、保護基板５０として、表示装置の一部として用いられる光学素子基板（偏光板や位相差板など）を用いることもできる。
【００４５】
シールド層７０は、ＩＴＯやＩＺＯ（登録商標）などの透明導電材料をガラス基板１の他方面１ｂに成膜することで形成される。あるいは、シールド層となる透明導電膜が形成されたフィルムを用意し、かかるフィルムをガラス基板１の他方面１ｂに接着した構成としてもよい。シールド層７０が設けられていることで、ガラス基板１の他方面１ｂ側において電界を遮断する。これにより、タッチパネル１００の電界が表示装置等に作用したり、表示装置等の外部機器の電界がタッチパネル１００に作用したりするのを防止することができる。なお、本実施形態では、ガラス基板１の他方面１ｂにシールド層７０を形成しているが、シールド層７０をガラス基板１の一方面１ａ側に形成してもよい。
【００４６】
ここで、タッチパネル１００の動作原理について簡単に説明する。まず、図示は省略の駆動部から、引き回し配線６０を介してＸ電極１０及びＹ電極２０に所定の電位を供給する。なお、シールド層７０には、例えば、グランドの電位（接地電位）を入力する。
【００４７】
上記のように電位が供給された状態で、保護基板５０側から入力領域５に向けて手指を近づけると、保護基板５０に近づけた手指と、接近位置付近のＸ電極１０及びＹ電極２０のそれぞれとの間に寄生容量が形成される。すると、寄生容量が形成されたＸ電極１０及びＹ電極２０では、この寄生容量を充電するために一時的な電位低下が引き起こされる。
【００４８】
駆動部では、各電極の電位をセンシングしており、上述の電位低下が発生したＸ電極１０及びＹ電極２０を即座に検出する。そして、検出された電極の位置を電気信号変換／演算部によって解析することによって、入力領域５における指の位置情報が検出される。具体的には、Ｘ軸方向に延在するＸ電極１０によって、手指が接近した位置の入力領域５におけるＹ座標が検出され、Ｙ軸方向に延在するＹ電極２０によって、入力領域５におけるＸ座標が検出される。
【００４９】
（導電膜積層部材の製造方法）
次に、導電膜積層部材の製造方法について説明する。なお、本実施形態では、導電膜積層部材としてのタッチパネルの製造方法について説明する。図４は、タッチパネルの製造方法を示すフローチャートである。
【００５０】
本実施形態のタッチパネルの製造工程は、ガラス基板１の一方面１ａに、島状電極部１２，２２、ブリッジ配線１１、及び引き回し配線６０の一部となる第１導電膜６０ａを形成する電極成膜工程Ｓ１０と、第１導電膜６０ａ上に第２導電膜６０ｂを形成する第２導電膜形成工程Ｓ２０と、ブリッジ配線１１上に電極間絶縁膜３０を形成するとともに、第２領域６ｂにおける引き回し配線６０を覆う第２保護膜６２を形成する絶縁膜形成工程Ｓ３０と、第１領域６ａにおける引き回し配線６０を覆う第１保護膜６１を形成する第１保護膜形成工程Ｓ４０と、電極間絶縁膜３０上を経由して隣り合った島状電極部２２同士を接続するブリッジ配線２１を形成するブリッジ配線形成工程Ｓ５０と、ガラス基板１の一方面１ａ側を平坦化する平坦化膜４０を形成する平坦化膜形成工程Ｓ６０と、接着層５１を介して保護基板５０を平坦化膜４０と接合する保護基板接合工程Ｓ７０と、ガラス基板１の他方面１ｂにシールド層７０を形成するシールド層形成工程Ｓ８０とを含む。
【００５１】
また、図５は、タッチパネルの製造方法の一部を示すフローチャートである。すなわち、タッチパネルの製造方法における第２導電膜形成工程Ｓ２０をさらに詳細に説明するためのフローチャートである。
【００５２】
図５に示すように、第２導電膜形成工程Ｓ２０は、ガラス基板１の一方面１ａに第１導電膜６０ａが形成された基材１’の表面を洗浄する洗浄工程Ｓ２０ａと、基材１’の表面を表面処理する表面処理工程Ｓ２０ｂと、第１導電膜６０ａ上に、第２導電膜６０ｂの材料となる金属粒子が分散された水系分散媒を含む機能液を塗布する塗布工程Ｓ２０ｃと、機能液が付着した基材１’を放置する放置工程Ｓ２０ｄと、塗布された機能液を固化して、第１導電膜６０ａ上に第２導電膜６０ｂを形成する固化工程Ｓ２０ｅを有している。
【００５３】
なお、本実施形態では、上記表面処理工程Ｓ２０ｂにおいて表面処理装置を用い、また、塗布工程Ｓ２０ｃ等において液滴吐出装置を用いている。そこで、タッチパネルの製造方法の説明に先立ち、表面処理装置および液滴吐出装置について説明する。
【００５４】
まず、表面処理装置について説明する。図６は、表面処理装置の構成を示す模式図である。表面処理装置９００は、表面処理剤としてヘキサメチルジシラザンを用いて基材の表面処理を行う装置であり、一般的にＨＭＤＳ処理を行う装置である。なお、本実施形態では、ガス拡散法による表面処理装置９００の構成を示している。表面処理装置９００は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）９１０と、ヘキサメチルジシラザン９１０が入れられる皿容器９２０と、皿容器９２０と基材１’を密閉可能に収容する収容容器９３０とを有している。そして、表面処理を行う場合には、収容容器９３０の中に、ヘキサメチルジシラザン９１０が入れられた皿容器９２０と、皿容器９２０の上方に基材１’をそれぞれ設置して、収容容器９３０を密閉状態とする。そして、ヘキサメチルジシラザン９１０を気化させ、収容容器９３０内をヘキサメチルジシラザン９１０のガス雰囲気下とする。これにより、基材１’とヘキサメチルジシラザン９１０とが反応し、基材１’の表面処理が行われる。
【００５５】
次に、液滴吐出装置について説明する。図７は、液滴吐出装置の構成を示す斜視図である。液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１００１と、Ｘ軸方向駆動軸１００４と、Ｙ軸方向ガイド軸１００５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ１００７と、クリーニング機構１００８と、基台１００９と、ヒーター１０１５を備えている。
【００５６】
ステージ１００７は、機能液が塗布されるワークＷを支持するものであって、ワークＷを基準位置に固定する図示は省略の固定機構を備えている。
【００５７】
液滴吐出ヘッド１００１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１００１の下面に一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１００１の吐出ノズルからは、ステージ１００７に支持されているワークＷに対して、機能液を液滴として吐出して、ワークＷ上に機能液を塗布するように構成されている。
【００５８】
Ｘ軸方向駆動軸１００４には、Ｘ軸方向駆動モーター１００２が接続されている。このＸ軸方向駆動モーター１００２は、ステッピングモーター等からなるもので、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸１００４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸１００４が回転すると、液滴吐出ヘッド１００１はＸ軸方向に移動する。
【００５９】
Ｙ軸方向ガイド軸１００５は、基台１００９に対して動かないように固定されている。ステージ１００７は、Ｙ軸方向駆動モーター１００３を備えている。Ｙ軸方向駆動モーター１００３はステッピングモーター等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ１００７をＹ軸方向に移動する。
【００６０】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１００１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モーター１００２に液滴吐出ヘッド１００１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モーター１００３にステージ１００７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
【００６１】
クリーニング機構１００８は、液滴吐出ヘッド１００１をクリーニングするものである。クリーニング機構１００８には、図示は省略のＹ軸方向の駆動モーターが備えられている。このＹ軸方向の駆動モーターの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸１００５に沿って移動する。クリーニング機構１００８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００６２】
ヒーター１０１５は、ここではランプアニールによりワークＷを熱処理する手段であり、ワークＷ上に配置された機能液に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒーター１０１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００６３】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１００１とワークＷを支持するステージ１００７とを相対的に走査しつつ、ワークＷに対して、液滴吐出ヘッド１００１の下面にＸ軸方向に配列された複数の吐出ノズルから液滴を吐出するようになっている。
【００６４】
図８は、ピエゾ方式による機能液の吐出原理を示す模式図である。図８において、機能液を収容する液体室１０２１に隣接してピエゾ素子１０２２が設置されている。液体室１０２１には、機能液を収容する材料タンクを含む液体材料供給系１０２３を介して機能液が供給される。ピエゾ素子１０２２は駆動回路１０２４に接続されており、この駆動回路１０２４を介してピエゾ素子１０２２に電圧を印加し、ピエゾ素子１０２２を変形させることにより、液体室１０２１が変形し、吐出ノズル１０２５から機能液が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子１０２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子１０２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００６５】
ここで、タッチパネルの製造方法の説明に戻る。図９及び図１０は、タッチパネルの製造方法を示す工程図である。
【００６６】
まず、電極成膜工程Ｓ１０では、ガラス基板１上に、Ｘ電極１０（島状電極部１２、ブリッジ配線１１）、島状電極部２２、及び引き回し配線６０の一部を構成する第１導電膜６０ａを形成する。形成方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法を用いて形成することができる。具体的には、スパッタ法などによりガラス基板１の一方面１ａのほぼ全面にＩＴＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてＩＴＯ膜をパターニングすることで、Ｘ電極１０（島状電極部１２、ブリッジ配線１１）、島状電極部２２、及び引き回し配線６０の第１導電膜６０ａを形成する。なお、フォトリソグラフィー法以外の方法としては、図７に示した液滴吐出装置ＩＪを用いて、インクジェット法により形成することもできる。例えば、ＩＴＯ粒子を含む機能液を液滴として吐出し、ガラス基板１上に機能液を塗布する。その後、ガラス基板１上に塗布された機能液（液滴）を乾燥・固化させることにより、ガラス基板１上に、ＩＴＯ粒子の集合体からなるＸ電極１０（島状電極部１２、ブリッジ配線１１）、島状電極部２２、及び引き回し配線６０の一部を構成する第１導電膜６０ａを形成することができる。
【００６７】
なお、本実施形態の電極成膜工程Ｓ１０では、ＩＴＯ粒子を含有する液滴を吐出することによって、ＩＴＯ膜を形成しているが、この他にも、ＩＺＯ（登録商標）の粒子を含有する液滴を用いてＩＺＯ（登録商標）からなる透明導電膜を形成してもよい。
【００６８】
次に、第２導電膜形成工程Ｓ２０に移行する。まず、第２導電膜形成工程Ｓ２０の洗浄工程Ｓ２０ａでは、ガラス基板１上に第１導電膜６０ａが形成された基材１’を洗浄する。洗浄方法としては、例えば、ＵＶ洗浄、プラズマ洗浄、ＨＦ（フッ化水素酸）洗浄等で行うことができる。ここで、基材１’の洗浄後におけるガラス基板１の、水に対する接触角は、およそ１０°以下であり、第１導電膜６０ａの、水に対する接触角も、およそ１０°以下である。すなわち、基材１’の表面全域が親水化領域となる。
【００６９】
次に、表面処理工程Ｓ２０ｂでは、図６に示す表面処理装置９００を用いて、ガス拡散法によるＨＭＤＳ処理により基材１’の表面を表面処理する。なお、本実施形態では、表面処理剤としてのヘキサメチルジシラザン（（ＣＨ3）3ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ3）3）９１０を用いる。具体的には、収容容器９３０の内部に、ヘキサメチルジシラザン９１０を貯留した皿容器９２０を設置するとともに、皿容器９２０の上方に基材１’を設置する。そして、収容容器９３０を密閉状態に維持し、ヘキサメチルジシラザン９１０を気化させたガス雰囲気内に基材１’を曝露させる。
【００７０】
基材１’の表面処理条件は、基材１’の構成や、後に塗布される機能液の性質等を考慮し、適宜設定することができる。ここで、表面処理条件について具体例を挙げて説明する。図１１は、基材における接触角の測定データである。同図（ａ）は、横軸に表面処理時間ｈをとり、縦軸に接触角θをとり、ガラス基板１の表面の、水に対する接触角θ、および、第１導電膜６０ａの表面の、水に対する接触角θを示した測定データである。同図（ｂ）は、横軸に表面処理時間ｈをとり、縦軸に接触角θをとり、ガラス基板１の表面の、機能液に対する接触角θ、および、第１導電膜６０ａの表面の、機能液に対する接触角θを示した測定データである。ここで、表面処理におけるヘキサメチルジシラザン９１０は、常温（およそ２０〜２５℃）で気化させた状態である。また、機能液は、銀粒子が分散された水系分散媒を含む液状材料である。図１１（ａ）に示すように、ガラス基板１の表面の、水に対する接触角θは、表面処理開始から２０分程度で急激に大きくなり、表面処理時間が３分時点で５０°以上となる。そして、表面処理時間が２０分以降になると徐々に大きくなっていく。一方、第１導電膜６０ａの表面の、水に対する接触角θは、表面処理開始から１０分程度で急激に大きくなるものの、およそ２５°以下に抑えられている。従って、同図（ａ）から、表面処理（ＨＭＤＳ処理）により、撥水力の強い領域（ガラス基板１の表面）と撥水力の弱い領域（第１導電膜６０ａ）のコントラストが同時期に形成されることが分かる。
【００７１】
また、図１１（ｂ）に示すように、ガラス基板１の表面の、機能液に対する接触角θは、表面処理開始から１０分程度で急激に大きくなり、表面処理時間が３分時点で４０°以上となる。そして、表面処理時間が１０分以降になると徐々に大きくなっていく。一方、第１導電膜６０ａの表面の、機能液に対する接触角θは、表面処理開始から１０分程度で急激に大きくなるものの、およそ３０°以下に抑えられている。従って、同図（ｂ）からも、表面処理（ＨＭＤＳ処理）により、撥水力の強い領域（ガラス基板１の表面）と撥水力の弱い領域（第１導電膜６０ａ）が同時期に形成されることが分かる。
【００７２】
以上、図１１に示した測定でデータを参考にし、本実施形態における基材１’の表面処理条件は、ヘキサメチルジシラザン９１０を常温で気化させ、基材１’の曝露時間は、３〜１５分程度とした。なお、加工状況に合わせ、例えば、表面処理条件の基材１’の曝露時間を３分以内としてもよいし、１５分以上（６０分以内）としてもよい。
【００７３】
次に、表面処理における基材１’の表面状態について、さらに詳細に説明する。図１２は、基材の表面処理状態を示す模式図である。同図（ａ）は、表面処理前（洗浄工程Ｓ２０ａ後）のガラス基板１の表面の状態を示している。この状態において、ガラス基板１の表面は水酸基（−ＯＨ）が多数存在しており、水に対して親水性を有している。従って、同図（ｂ）に示すように、ガラス基板１の、水に対する接触角θは、概ね１０°以下となる。また、第１導電膜６０ａの表面に関しても、ガラス基板１の表面状態と同様に、親水性を有し、第１導電膜６０ａの、水に対する接触角は、概ね１０°以下となる。ここで、接触角θは、気中（空気中）において、固体表面（本実施形態では、ガラス基板１の表面，第１導電膜６０ａの表面）にある液体（本実施形態では、水滴）に対し、気体相・液体相・固体相の３相の接点から引いた液体の接線と、固体表面の成す液体側の角度を、この固体に対する、この液体の接触角θと定義する。従って、接触角が小さいほど、水滴はガラス基板１の面に濡れ広がり、つまり、親水性を示し、接触角が大きいほど、水滴はガラス基板１の面をはじく、つまり、撥水性を示すことになる。
【００７４】
図１２（ｃ）は、表面処理後のガラス基板１の表面の状態を示している。同図（ｃ）に示すように、ヘキサメチルジシラザン９１０は、ガラス基板１の表面の水分（−ＯＨ）と反応し、アンモニア（ＮＨ3）を発生させる。そして、ガラス基板１の表面は、トリメチルシリル化（−Ｓｉ（ＣＨ3）3）される。すなわち、ガラス基板１の表面が撥水化処理される。従って、同図（ｄ）に示すように、表面処理前に比べ、ガラス基板１の、水に対する接触角θは大きくなり、概ね５０°以上となる。一方、第１導電膜６０ａの表面との反応は遅いため、ガラス基板１における撥水力よりも弱い撥水化処理が施される。すなわち、弱撥水化処理が施される（親水力が保持される）。具体的には、第１導電膜６０ａの、水に対する接触角は、概ね２５°以下となる。このように、当該表面処理工程Ｓ２０ｂにより、一の基材１’において、撥水力の強い領域（ガラス基板１の表面領域）と撥水力の弱い領域（第１導電膜６０ａの表面領域）とを同時期に形成することができる。
【００７５】
なお、本実施形態では、表面処理剤としてヘキサメチルジシラザン９１０を用いたが、他に、例えば、トリメチルメトキシシラン（ＣＨ3Ｓｉ（ＯＣＨ3）3）、トリメチルクロロシラン（（ＣＨ3）3ＳｉＣｌ）等のシラン化合物を用いることもできる。また、本実施形態では、ＨＭＤＳ処理としてガス拡散法を用いたが、他に、例えば、液体状のＨＭＤＳを貯留するビンに窒素ガスを吹き込んでバブリングさせ、ＨＭＤＳ蒸気を生じさせ、このＨＭＤＳ蒸気を基材に噴射するバブリング法を用いてもよい。
【００７６】
次に、塗布工程Ｓ２０ｃでは、第１導電膜６０ａ上に、第２導電膜６０ｂの材料となる金属粒子が分散された水系分散媒を含む機能液を塗布する。第２導電膜６０ｂの金属材料としては、第１導電膜６０ａよりも電気抵抗率が低い材料を用いる。例えば、銀粒子を含む金属材料を用いることができる。なお、第２導電膜６０ｂを形成する他の材料としては、銀粒子を含む材料のほか、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄなどの金属粒子を含む材料や、グラファイトやカーボンナノチューブを含む材料を用いることができる。金属粒子やカーボン粒子は、ナノ粒子やナノワイヤーの形態で機能液中に分散される。
【００７７】
図１３は、塗布工程Ｓ２０ｃにおける機能液の塗布状態を示す模式図である。同図（ａ）に示すように、本実施形態では、液滴吐出装置ＩＪを用いて、機能液を液滴Ｄとして吐出し、第１導電膜６０ａ上に機能液を塗布する。具体的には、ステージ１００７と液滴吐出ヘッド１００１を相対的に移動させつつ、液滴吐出ヘッド１００１を吐出駆動させることにより、液滴Ｄを吐出させ、液滴Ｄを第１導電膜６０ａ上に付着させる。このとき、第１導電膜６０ａの配線幅、或いは、第１導電膜６０ａの表面状態を考慮して、液滴Ｄの液滴量を適宜設定する。なお、図１１に示したように、ガラス基板１の、機能液（液滴Ｄ）に対する接触角θは、概ね４０°以上である。一方、第１導電膜６０ａの、機能液（液滴Ｄ）に対する接触角θは、概ね３０°以下である。水に対する接触角と同様に、機能液に対しても、表面処理工程Ｓ２０ｂにより、撥水力の強い領域（ガラス基板１の表面領域）と撥水力の弱い領域（第１導電膜６０ａの表面領域）とのコントラスが保持される。
【００７８】
同図（ｂ）は、液滴Ｄが第１導電膜６０ａ上に着弾された液滴ドットＤａの状態を平面視した模式図である。液滴吐出ヘッド１００１から吐出された液滴Ｄは、第１導電膜６０ａ上に着弾され、着弾した液滴ドットＤａは、第１導電膜６０ａ上で濡れ広がる。また、塗布工程Ｓ２０ｃでは、第１導電膜６０ａ上に塗布された液滴ドットＤａが、隣接する他の液滴ドットＤａと接触するように、液滴Ｄを複数回に渡って吐出する。液滴ドットＤａは、同図（ｂ）に示すように、隣接する液滴ドットＤａ同士が数珠状に連なり、第１導電膜６０ａ上に塗布された液体状態の液面が平面視において凸凹形状を有する。なお、塗布された液滴ドットＤａは、第１導電膜６０ａ上において濡れ広がるが、ガラス基板１の表面にまでは濡れ広がらない。ガラス基板１の表面は、撥水化処理されているため、第１導電膜６０ａとの境界部分において液滴ドットＤａの濡れ広がりが規制されるからである。なお、塗布工程Ｓ２０ｃでは、形成する第２導電膜６０ｂの膜厚を考慮し、適宜塗布量（液滴吐出量）を調整する。
【００７９】
次に、放置工程Ｓ２０ｄでは、機能液が塗布された基材１’を放置する。例えば、常温で１〜１０分程度放置する。図１３（ｃ）は、放置後の液体状態を示す模式図である。同図（ｃ）に示すように、第１導電膜６０ａ上に塗布された機能液は、第１導電膜６０ａのパターン形状に倣った液体状態となる。すなわち、同図１３（ｂ）に示す凹凸形状を有する液状態から、第１導電膜６０ａのパターン形状に倣った液体状態に変化する。本実施形態では、第１導電膜６０ａの直線的なパターン形状に倣った液体状態に変化する。これは、同図１３（ｂ）に示す凹凸形状を有する液体状態において、液滴ドットＤａ同士が接続される凹部は、第１導電膜６０ａの表面が弱撥水化（親水化）されているため、第１導電膜６０ａの配線幅方向に濡れ広がる。一方、凸部は、ガラス基板１の表面が強撥水化処理されているため、第１導電膜６０ａとガラス基板１との境界部分で機能液がはじかれ、はじかれた機能液は第１導電膜６０ａ側に移動する。こうして放置することにより、機能液が自己整合的に移動して、第１導電膜６０ａのパターン形状に倣った液体状態を形成する。なお、本放置工程Ｓ２０ｄは、第１導電膜６０ａ上に塗布された機能液の自己整合的移動時間を考慮したものであるため、例えば、素早く自己整合的移動が完了する場合等では、省略することも可能である。
【００８０】
次に、固化工程Ｓ２０ｅでは、塗布された機能液を固化して、第２導電膜６０ｂを形成する。例えば、基材１’を２３０℃、１時間で加熱し、焼成する。固化工程Ｓ２０ｅにおいて、塗布された機能液は、溶媒分が蒸発するとともに、機能液が収縮する。そして、図１３（ｄ）に示すように、第１導電膜６０ａ上に、第１導電膜６０ａの膜幅よりも狭い第２導電膜６０ｂが形成される。本実施形態では、上記の工程を経ることにより、第１導電膜６０ａよりも膜幅が狭く、かつ、断面視において、第１導電膜６０ａとは反対方向に、凸状に湾曲した表面を有するかまぼこ形状を有する第２導電膜６０ｂが形成される。さらに詳細には、第１導電膜６０ａの膜幅方向の両端部から各０．５〜５ｕｍ狭く、膜厚が、０．２〜２ｕｍであり、断面視における端部の角度が、０．５〜１０°の第２導電膜６０ｂが形成される。
【００８１】
次に、絶縁膜形成工程Ｓ３０では、図９（ｃ）に示すように、Ｘ電極１０のブリッジ配線１１を埋めるように島状電極部１２，２２の間の隙間に電極間絶縁膜３０を形成する。また、同時期に、第２領域６ｂにおける引き回し配線６０を覆う第２保護膜６２を形成する。絶縁膜形成工程Ｓ３０では、例えば、液滴吐出装置ＩＪを用いて、絶縁膜の材料（例えば、ポリシロキサンを含む液体材料や、アクリル系樹脂、又はアクリルモノマー）を含む機能液を液滴Ｄして吐出し、上記各領域に機能液を塗布する。そして、塗布された機能液を乾燥・固化することにより、電極間絶縁膜３０及び第２保護膜６２が形成される。なお、電極間絶縁膜３０を形成するに際しては、少なくともブリッジ配線１１上の領域において液滴を隙間無く配置することが好ましい。これにより、ブリッジ配線１１に達する孔やクラックのない電極間絶縁膜３０を形成することができ、電極間絶縁膜３０における絶縁不良やブリッジ配線２１の断線が防止される。このとき、交差部Ｋにおける電極間絶縁膜３０は、隔壁としての島状電極部２２と接していることから表面張力が作用し、両端側が盛り上がる、所謂滲み上がりが抑制された状態で島状電極部２２の上面と略面一に成膜される。
【００８２】
次に、第１保護膜形成工程Ｓ４０では、第１領域６ａにおける引き回し配線６０を覆う第１保護膜６１を形成する。例えば、フォトリソグラフィー法を用いて第１保護膜６１を形成する。なお、フォトリソグラフィー法で露光した際に、上記のように、第１導電膜６０ａの表面は、凹凸のない均等な曲面を有しているため、ハレーション等の乱反射の発生が抑制され、高精度なパターン膜形成が可能となる。
【００８３】
次に、ブリッジ配線形成工程Ｓ５０に移行する。ブリッジ配線形成工程Ｓ５０では、図９（ｄ）に示すように、隣り合って配置された島状電極部２２上と電極間絶縁膜３０上とにわたって、ＩＴＯ粒子を含む液体材料の液滴を配線形状に配置する。その後、ガラス基板１上の液体材料を乾燥固化する。これにより、島状電極部２２同士を接続するブリッジ配線２１が形成される。ブリッジ配線２１の形成時には、上述したように、下地となる交差部Ｋの電極間絶縁膜３０が隔壁（島状電極部２２）により輪郭が区画されることで略面一となっているため、ブリッジ配線２１は、下地に滲み上がりが生じている場合のように屈曲することなく、直線状に形成される。なお、ブリッジ配線２１の形成に用いる液体材料としては、上記したＩＴＯ粒子を含む液体材料のほか、ＩＺＯ（登録商標）粒子や、ＺｎＯ粒子を含む液体材料を用いて形成することもできる。
【００８４】
ブリッジ配線形成工程Ｓ５０では、電極成膜工程Ｓ１０と同一の液体材料を用いてブリッジ配線２１を形成することが好ましい。すなわち、ブリッジ配線２１の構成材料には、Ｘ電極１０や島状電極部２２の構成材料と同一の材料を用いることが好ましい。
【００８５】
次に、平坦化膜形成工程Ｓ６０に移行する。平坦化膜形成工程Ｓ６０では、図１０（ａ）に示すように、ガラス基板１の一方面１ａを平坦化させる目的で、絶縁材料からなる平坦化膜４０を一方面１ａのほぼ全面に形成する。平坦化膜４０は、絶縁膜形成工程Ｓ３０で用いた電極間絶縁膜３０形成用の液体材料と同様の液体材料を用いて形成することができるが、ガラス基板１表面の平坦化を目的としているため、樹脂材料を用いて形成することが好ましい。
【００８６】
次に、保護基板接合工程Ｓ７０に移行する。保護基板接合工程Ｓ７０では、図１０（ｂ）に示すように、別途用意した保護基板５０と平坦化膜４０との間に接着剤を配置し、かかる接着剤からなる接着層５１を介して保護基板５０と平坦化膜４０とを貼り合わせる。保護基板５０は、ガラスやプラスチック等からなる透明基板のほか、偏光板や位相差板などの光学素子基板であってもよい。接着層５１を構成する接着剤としては、透明な樹脂材料などを用いることができる。
【００８７】
次に、シールド層形成工程Ｓ８０に移行する。シールド層形成工程Ｓ８０では、図１０（ｃ）に示すように、ガラス基板１の他方面１ｂ（一方面１ａとは反対側の面）に導電膜で構成されたシールド層７０を形成する。シールド層７０は、真空成膜法、スクリーン印刷法、オフセット法、液滴吐出法などの公知の成膜法を用いて形成することができる。例えばシールド層７０を液滴吐出法などの印刷法を用いて形成する場合には、電極成膜工程Ｓ１０、及びブリッジ配線形成工程Ｓ５０で使用されるＩＴＯ粒子等を含む液体材料を用いることができる。また、ガラス基板１に対する成膜によりシールド層７０を形成する方法のほかにも、一面又は両面に導電膜が成膜されたフィルムを別途用意し、かかるフィルムをガラス基板１の他方面１ｂに貼り合わせることでフィルム上の導電膜をシールド層７０としてもよい。
【００８８】
なお、本実施形態では、シールド層７０をタッチパネル製造工程の最後に実施することとしているが、シールド層７０は任意のタイミングで形成することができる。例えば、予めシールド層７０が形成されたガラス基板１を電極成膜工程Ｓ１０以降の工程に供することもできる。また、電極成膜工程Ｓ１０〜保護基板接合工程Ｓ７０までの任意の工程の間にシールド層形成工程を配してもよい。
【００８９】
また、本実施形態においては、ガラス基板１の他方面１ｂにシールド層７０を形成しているが、ガラス基板１の一方面１ａ側にシールド層７０Ａを形成する場合には、電極成膜工程Ｓ１０に先立って、シールド層７０Ａを形成する工程と、絶縁膜を形成する工程とを実行する。この場合にも、シールド層７０Ａは、シールド層形成工程Ｓ８０と同様の手法によって形成することができる。また、絶縁膜の形成工程は、例えば絶縁膜形成工程Ｓ３０と同様とすることができる。
【００９０】
（電気光学装置の構成）
次に、電気光学装置の構成について説明する。なお、本実施形態では、電気光学装置としての液晶表示装置であり、上記のタッチパネル１００を備えた液晶表示装置の構成について説明する。図１４は、液晶表示装置の構成を示し、同図（ａ）は、平面図であり、同図（ｂ）は、（ａ）の平面図におけるＨ−Ｈ’断面図である。
【００９１】
図１４（ａ）に示すように、液晶表示装置５００は、素子基板４１０、対向基板４２０、及び画像表示領域４１０ａを有している。素子基板４１０は対向基板４２０に比して広い平面領域を有した矩形状の基板である。対向基板４２０は液晶表示装置５００における画像表示側であり、ガラスやアクリル樹脂などで形成された透明な基板である。対向基板４２０は、シール材４５２を介して素子基板４１０の中央部に接合されている。画像表示領域４１０ａは、対向基板４２０の平面領域であって、シール材４５２の内周に沿って設けられた周辺見切り４５３の内側領域である。
【００９２】
素子基板４１０における対向基板４２０の周辺には、データ線駆動回路４０１、走査線駆動回路４０４、データ線駆動回路４０１及び走査線駆動回路４０４と接続された接続端子４０２、及び対向基板４２０に対して対向して配置された走査線駆動回路４０４同士を接続する配線４０５などが配置されている。
【００９３】
次に、液晶表示装置５００の断面について説明する。素子基板４１０の液晶層４５０側の面には、画素電極４０９及び配向膜４１８などが積層されている。対向基板４２０の液晶層４５０側の面には、遮光膜（ブラックマトリクス）４２３、カラーフィルター４２２、共通電極４２５、及び配向膜４２９などが積層されている。液晶層４５０が、素子基板４１０及び対向基板４２０によって挟持されている。そして、対向基板４２０の外側（液晶層４５０反対側）の面には、接着層１０１を挟んで本発明のタッチパネル１００が配置されている。
【００９４】
（電子機器の構成）
次に、電子機器の構成について説明する。なお、本実施形態では、電子機器としてのモバイル型パーソナルコンピューターであり、上記のタッチパネル又はタッチパネルを備えた液晶表示装置を搭載したモバイル型パーソナルコンピューターの構成について説明する。図１５は、モバイル型パーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。モバイル型パーソナルコンピューター１１００は、表示部１１０１と、キーボード１１０２を有する本体部１１０３とを備えている。モバイル型パーソナルコンピューター１１００は、上記実施形態の液晶表示装置５００を表示部１１０１に備えている。このような構成を備えたモバイル型パーソナルコンピューター１１００によれば、本発明のタッチパネルが表示部に用いられているので、製造コストを抑えた電子機器とすることができる。
【００９５】
なお、上記の電子機器は、本発明の電子機器を例示するものであって、本発明の技術範囲を限定するものではない。例えば、携帯電話、携帯用オーディオ機器、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）などの表示部にも本発明に係るタッチパネルを好適に用いることができる。
【００９６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００９７】
従って、上記の実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００９８】
（１）第１導電膜６０ａ上に、第１導電膜６０ａの膜幅Ｗ１よりも狭い膜幅Ｗ２を有する第２導電膜６０ｂを備えた。さらに、第２導電膜６０ｂは、凸状に湾曲した表面を有するかまぼこ形状とした。このような積層構造を形成することにより、第２導電膜６０ｂが、ガラス基板１に接触せず、また、第１導電膜６０ａの端部にかからない形態を有するため、応力等による膜の剥離等の発生を抑制することができる。さらに、応力等によるクラック等の発生を抑制することができる。
【００９９】
（２）膜厚が、０．２〜２ｕｍであり、かつ、断面視における端部の角度が、０．５〜１０°を有する第２導電膜６０ｂを設けた。これにより、さらに、膜の剥離やクラック等の抑制ができ、信頼性の高いタッチパネルを提供することができる。また、第１及び第２導電膜６０ａ，６０ｂを覆う第１保護膜６１との関係では、例えば、第１保護膜６１をフォトリソ法で形成する際において、露光した場合に、第２導電膜６０ｂにおける乱反射の発生（ハレーション）が低減される。これにより、高精細な積層パターンを有するタッチパネル１００を提供することができる。
【０１００】
（１）ヘキサメチルジシラザン９１０を用いて、ガラス基板１上に第１導電膜６０ａが形成された基材１’の表面処理を行った。そうすると、ヘキサメチルジシラザン９１０とガラス基板１の表面の水分とが反応し、ガラス基板１の表面がトリメチルシリル化される。すなわち、ガラス基板１の表面が撥水化処理される。一方、第１導電膜６０ａの表面との反応は遅いため、撥水力は弱い。すなわち、第１導電膜６０ａの表面は、親水力が保持される。従って、上記表面処理を行うことにより、同時期に、かつ、選択的に撥水化領域と親水化領域を形成することができる。これにより、製造工程を簡略化させることができる。そして、第１導電膜６０ａ上に向けて、第２導電膜６０ｂの材料が分散された水系分散媒を含む機能液を液滴として吐出し、第１導電膜６０ａ上に機能液を塗布させた。第１導電膜６０ａの表面は、弱撥水性（親水性）を有するため、塗布された機能液は、第１導電膜６０ａ上に濡れ広がる。一方、ガラス基板１の表面は、撥水性を有するため、機能液のガラス基板１側への濡れ広がりが規制される。従って、第１導電膜６０ａのパターン形状に倣って、機能液を濡れ広がらせることができる。そして、機能液を固化させることにより、第１導電膜６０ａ上に、第１導電膜６０ａの膜幅Ｗ１よりも狭い膜幅Ｗ２を有する形状の第２導電膜６０ｂを形成することができる。そして、フォトリソグラフィー法によるパターン膜形成よりも優れた精度で第２導電膜６０ｂを形成できる。これにより、微細な導電膜形成を行うことができる。
【０１０１】
なお、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。
【０１０２】
（変形例１）上記実施形態では、導電膜積層部材として、タッチパネル１００を例に挙げて説明したが、これに限定されず、例えば、他に、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）プラズマディスプレイ等に適用してもよい。このようにしても、上記同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【０１０３】
１…基板、１ａ…一方面、５…入力領域、６…引き回し配線領域、６ａ…第１領域、６ｂ…第２領域、６０…引き回し配線、６０ａ…第１導電膜、６０ｂ…第２導電膜、６１…第１保護膜、６２…第２保護膜、８０…３層積層部、８１…２層積層部、１００…導電膜積層部材としてのタッチパネル、５００…電気光学装置としての液晶表示装置、９００…表面処理装置、１００１…液滴吐出ヘッド、１１００…電子機器としてのモバイル型パーソナルコンピューター、ＩＪ…液滴吐出装置、Ｄ…液滴、Ｗ１…第１導電膜の膜幅、Ｗ２…第２導電膜の膜幅、Ｈ…第２導電膜の膜厚、θ…角度。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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