(57)【要約】【課題】第１基板上に形成された回路部を第２基板へ転写する工程を含む回路基板の製造プロセスにおける歩留まりを向上させる。【解決手段】回路基板の製造方法は、第１基板（１０）上に回路部（１００）が設けられた領域を囲むように凹部（２００）を形成する工程と、凹部にシール材（５００）を設ける工程と、シール材によって囲まれた領域に仮接着剤（６００）を設ける工程と、シール材及び仮接着剤を介して第１基板と第２基板（２０）とを貼り合わせる工程と、シール材及び仮接着剤を硬化させる工程と、回路部から第１基板を剥離することにより、回路部を第２基板に転写する工程とを含む。第１基板と第２基板とを貼り合わせる工程は、第１基板と第２基板とが互いに重なる領域の外縁とシール材との間に所定の間隔（Ｄ１）が形成されるように、第１基板と第２基板とを貼り合わせる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路部が設けられた第１基板上に、該回路部が設けられた領域を囲むように凹部を形成する工程と、
前記凹部にシール材を設ける工程と、
前記シール材によって囲まれた領域に仮接着剤を設ける工程と、
前記シール材及び前記仮接着剤を介して前記第１基板と第２基板とを貼り合わせる工程と、
前記シール材及び前記仮接着剤を硬化させる工程と、
前記回路部から前記第１基板を剥離することにより、前記回路部を前記第２基板に転写する工程と
を含み、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程は、前記第１基板と前記第２基板とが互いに重なる領域の外縁と前記シール材との間に所定の間隔が形成されるように、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板上における前記凹部よりも前記第１基板の外縁側に、前記凹部に少なくとも部分的に沿うように第１凸部を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１基板上における前記凹部よりも前記回路部が設けられた領域側に、前記第１凸部に対向する第２凸部を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記シール材を設ける工程よりも前に、前記凹部の表面を改質する表面改質処理を行う工程を更に含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記凹部を形成する工程は、前記凹部を、前記第１基板上で平面的に見て、辺部よりも角部のほうが幅の広い形状を有するように形成することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば電子ペーパー等のフレキシブルデバイスに用いられる回路基板の製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の回路基板は、例えば電子ペーパー等のフレキシブルデバイスに用いられ、例えば薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）」と適宜称する）等の電子素子を含んでなる薄膜回路を例えばプラスチック基板等の可撓性基板上に備えてなる。
【０００３】
この種の回路基板を製造する方法として、先ずガラス基板上に分離層（或いは剥離層）を介して薄膜回路を形成した後、分離層に光を照射することによりガラス基板から薄膜回路を離脱（或いは剥離）させて、可撓性基板へ転写する方法が知られている（例えば特許文献１及び２参照）。このような製造方法は、ＳＵＦＴＬＡ（Surface Free Technology by Laser Annealing/Ablation）（登録商標）と呼ばれる。
【０００４】
このような製造方法では、通常、ガラス基板から薄膜回路を可撓性基板へ転写する際、一旦、ガラス基板から薄膜回路を仮転写基板（例えば、分離層を有する他のガラス基板）へ転写した後に、仮転写基板から薄膜回路を可撓性基板へ転写する。
【０００５】
具体的には、先ず、薄膜回路が形成されたガラス基板と仮転写基板とを水溶性の接着剤によって接着した後、ガラス基板の分離層に光を照射することにより薄膜回路をガラス基板から離脱させて、薄膜回路を仮転写基板へ転写する。次に、仮転写基板に転写された薄膜回路を接着剤によって可撓性基板に接着した後、仮転写基板の分離層に光を照射することにより仮転写基板を薄膜回路から分離する。その後、薄膜回路に付着している水溶性の接着剤を水に浸すことにより除去する。このようにして、ガラス基板から仮転写基板を介して薄膜回路を可撓性基板へ転写する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１２５９２９号公報
【特許文献２】特開平１０−１２５９３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したようにガラス基板から仮転写基板を介して薄膜回路を可撓性基板へ転写する場合、ガラス基板と仮転写基板とを接着する水溶性の接着剤に気泡が混入してしまい、この接着剤が薄膜回路を十分に保持することができず、薄膜回路を仮転写基板へ転写することが困難になるおそれがあるという技術的問題点がある。このような問題点を解決するために、例えば、ガラス基板上に薄膜回路を囲むように土手状にシール材を設けることが考えられる。しかしながら、ガラス基板の表面状態（例えば、表面の凹凸形状）によっては、シール材が不連続になったり（即ち、シール材を連続的に塗布することが困難になったり）、ガラス基板と仮転写基板との貼り合わせの際にシール材が崩壊してしまったりするおそれがある。このため、ガラス基板と仮転写基板とを接着する水溶性の接着剤に気泡が混入してしまうのを防止することが困難になってしまうおそれがある。
【０００８】
一方、シール材やガラス基板と仮転写基板とを接着する水溶性の接着剤がガラス基板或いは仮転写基板の外縁まで存在する場合には、ガラス基板及び仮転写基板の外縁側から板状の冶具（或いはガス）をガラス基板と仮転写基板との間に挿入する（或いは噴きつける）ことによりガラス基板と仮転写基板とを分離することが困難になってしまうおそれがあるという技術的問題点もある。
【０００９】
これらの結果、ガラス基板から仮転写基板へ薄膜回路を安定して転写することが困難になり、回路基板の製造プロセスにおける歩留まりが低下してしまうおそれがある。
【００１０】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えばガラス基板等の第１基板上に形成された例えばＴＦＴ等を含んでなる回路部を例えば仮転写基板等の第２基板へ転写する工程を含む回路基板の製造方法であって、例えば第１基板上にシール材を安定して設けることができ、歩留まりを向上させることが可能な回路基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る回路基板の製造方法は上記課題を解決するために、回路部が設けられた第１基板上に、該回路部が設けられた領域を囲むように凹部を形成する工程と、前記凹部にシール材を設ける工程と、前記シール材によって囲まれた領域に仮接着剤を設ける工程と、前記シール材及び前記仮接着剤を介して前記第１基板と第２基板とを貼り合わせる工程と、前記シール材及び前記仮接着剤を硬化させる工程と、前記回路部から前記第１基板を剥離することにより、前記回路部を前記第２基板に転写する工程とを含み、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程は、前記第１基板と前記第２基板とが互いに重なる領域の外縁と前記シール材との間に所定の間隔が形成されるように、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる。
【００１２】
本発明に係る回路基板の製造方法は、例えばＴＦＴ等を含んでなる回路部が設けられた例えばガラス基板等である第１基板から、回路部を例えばガラス基板等である第２基板に一旦転写した後、第２基板に転写された回路部を可撓性基板に転写することにより、可撓性基板上に回路部を備えてなる回路基板を製造する。
【００１３】
本発明に係る回路基板の製造方法によれば、先ず、回路部が設けられた第１基板上に、この回路部が設けられた領域を囲むように、凹部を例えばエッチングにより形成する。尚、回路部は、典型的には、第１基板上に剥離層を介して形成される。剥離層は、照射される光を吸収し、その層及び界面の少なくとも一方において剥離を生じるような性質を有するものである。
【００１４】
次に、凹部に例えば光硬化性の樹脂等からなるシール材を設ける。即ち、シール材を、凹部内に重なるように例えばディスペンサ塗布法によって描画することにより、回路部が設けられた領域を囲むように例えば土手状に設ける。シール材は、仮接着剤よりも粘度が高いことが好ましい。
【００１５】
次に、シール材によって囲まれた領域（言い換えれば、回路部が形成された領域を含む領域）に例えば水溶性の接着剤等である仮接着剤を例えば塗布法によって設ける。仮接着剤が水溶性を有する場合には、後の工程において水に浸すことにより仮接着剤を容易に除去することができる。仮接着剤としては、例えば、光硬化性のアクリレート系樹脂を用いることができる。
【００１６】
次に、シール材及び仮接着剤を介して第１基板と例えばガラス基板等の第２基板とを貼り合わせる。尚、第２基板における第１基板に対向する側の面には、典型的には第１基板と同様に、剥離層が形成される。
【００１７】
次に、シール材及び仮接着剤に対して例えば光を照射することにより、シール材及び仮接着剤を硬化させる。尚、シール材及び仮接着剤は、それぞれ熱硬化性を有するものであってもよく、その場合には、シール材及び仮接着剤を加熱することにより、シール材及び仮接着剤を硬化させる。
【００１８】
次に、回路部から第１基板を剥離することにより、回路部を第２基板に転写する。ここで、回路部から第１基板を剥離する際には、例えば第１基板の剥離層に光を照射すると共に、第１及び第２基板の外縁側から板状の冶具（或いはガス）を、貼り合わされた第１及び第２基板間に挿入する（或いは噴きつける）ことにより、回路部から第１基板を剥離する。
【００１９】
本発明では特に、第１基板と第２基板とを貼り合わせる工程は、第１基板と第２基板とが互いに重なる領域の外縁とシール材との間に所定の間隔が形成されるように、第１基板と第２基板とを貼り合わせる。よって、上述した、回路部から第１基板を剥離する際、第１及び第２基板の外縁側から板状の冶具（或いはガス）を、貼り合わされた第１及び第２基板間に容易に挿入する（或いは噴きつける）ことが可能となる。従って、回路部から第１基板を容易に且つ確実に剥離することが可能となり、回路基板の製造プロセスにおける歩留まりを向上させることができる。ここで「所定の間隔」は、第１基板と第２基板との間に板状の冶具（或いはガス）を挿入する（或いは噴きつける）ことにより回路部から第１基板を剥離することが可能な、板状の冶具の挿入量（或いはガスの噴きつけ量）に応じて予め定めることができる。
【００２０】
更に、本発明では特に、上述したように、第１基板上に、回路部が設けられた領域を囲むように凹部を形成し、該凹部にシール材を設ける。よって、回路部を囲むようにシール材を安定的に設けることができる（言い換えれば、第１基板上におけるシール材を形成すべき領域にシール材を連続的に設けることができる）。従って、シール材が不連続になったり、第１基板と第２基板とを貼り合わせる際に、シール材が崩壊してしまったりすることを抑制或いは防止できる。これにより、例えば第１基板と第２基板とを接着する仮接着剤に気泡が混入してしまうことを抑制或いは防止できる。この結果、回路基板の製造プロセスにおける歩留まりを向上させることができる。
【００２１】
以上説明したように、本発明に係る回路基板の製造方法によれば、例えば第１基板上にシール材を安定して設けることができると共に、回路部から第１基板を容易に且つ確実に剥離することができ、歩留まりを向上させることが可能である。
【００２２】
本発明に係る回路基板の製造方法の一態様では、前記第１基板上における前記凹部よりも前記第１基板の外縁側に、前記凹部に少なくとも部分的に沿うように第１凸部を形成する工程を更に含む。
【００２３】
この態様によれば、シール材が凹部よりも第１基板の外縁側に広がってしまうことを抑制或いは防止でき、シール材をより一層安定的に設けることが可能となる。更に、第１基板と第２基板とが互いに重なる領域の外縁とシール材との間に所定の間隔を確実に確保することが可能となる。よって、回路部から第１基板を容易に剥離することが可能となる。
【００２４】
上述した第１凸部を形成する工程を更に含む態様では、前記第１基板上における前記凹部よりも前記回路部が設けられた領域側に、前記第１凸部に対向する第２凸部を形成する工程を更に含んでもよい。
【００２５】
この場合には、第２凸部によって、シール材が凹部よりも回路部が設けられた領域側に広がってしまうことを抑制或いは防止でき、シール材をより一層安定的に設けることが可能となる。
【００２６】
本発明に係る回路基板の製造方法の他の態様では、前記シール材を設ける工程よりも前に、前記凹部の表面を改質する表面改質処理を行う工程を更に含む。
【００２７】
この態様によれば、凹部に対して例えばフッ素系ガス、酸素ガス等を用いたプラズマ処理等の表面改質処理を行うので、凹部にシール材をより一層安定的に設けることが可能となる。尚、表面改質処理は、例えば、凹部内の底面が親水性となるように、且つ、凹部内の側面が撥水性となるように行うことが好ましい。
【００２８】
本発明に係る回路基板の製造方法の他の態様では、前記凹部を形成する工程は、前記凹部を、前記第１基板上で平面的に見て、辺部よりも角部のほうが幅の広い形状を有するように形成する。
【００２９】
この態様によれば、シール材を設けるべき領域にシール材を確実に設けることができると共に、シール材を設けるべきでない領域にシール材が設けられてしまうことを回避できる。即ち、シール材を設けるべき領域（例えば、凹部に重なる領域）に設けられたシール材が、例えば第１及び第２基板が貼り合わされる際に、シール材を設けるべきでない領域（例えば、凹部よりも第１或いは第２基板の外縁側）にはみ出してしまうことを回避できる。よって、第１基板と第２基板とが互いに重なる領域の外縁とシール材との間に所定の間隔を確実に確保することが可能となる。従って、回路部から第１基板を容易に剥離することが可能となる。
【００３０】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】第１実施形態に係る回路基板の構成を示す断面図である。
【図２】第１実施形態に係る回路基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その１）である。
【図３】第１実施形態に係る回路基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その２）である。
【図４】第１実施形態に係る回路基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その３）である。
【図５】第１実施形態に係る回路基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その４）である。
【図６】第１実施形態に係る回路基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その５）である。
【図７】第１実施形態に係る回路基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その６）である。
【図８】第１実施形態に係る製造元基板上における回路領域、周囲領域及びシール材描画領域の関係を示す模式図である。
【図９】第１実施形態に係る製造元基板上における凹部の角部付近の平面形状を拡大して示す平面図である。
【図１０】第１実施形態に係る凹部、第１バンク及び第２バンクの構成を模式的に示す斜視図である。
【図１１】回路基板を適用した電子機器の一例たる電子ペーパーの構成を示す斜視図である。
【図１２】回路基板を適用した適用した電子機器の一例たる電子ノートの構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００３３】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る回路基板の製造方法について、図１から図１０を参照して説明する。
【００３４】
先ず、本実施形態に係る回路基板の製造方法によって製造される回路基板の構成について、図１を参照して説明する。
【００３５】
図１は、本実施形態に係る回路基板の製造方法によって製造される回路基板の構成を模式的に示す断面図である。
【００３６】
図１において、本実施形態に係る回路基板１は、可撓性を有する支持基板７０上に、ＴＦＴ３０及び画素電極９を含んでなる回路部１００を備えた回路基板であり、例えば電子ペーパー等のフレキシブルデバイスに用いられる。尚、回路基板１は、例えばアクティブマトリクス駆動方式の表示装置用基板であり、上述したＴＦＴ３０及び画素電極９は、回路基板１における表示領域に複数配列されている。
【００３７】
図１において、回路基板１は、支持基板７０と、回路部１００とを備えている。
【００３８】
支持基板７０は、可撓性基板（即ち、撓る或いは湾曲することが可能な基板）である。尚、支持基板７０は、可撓性を有していれば、例えばプラスチック基板、ステンレス基板、アルミニウム基板等であってもよい。
【００３９】
回路部１００は、無機絶縁材料からなる絶縁膜５上に形成されたＴＦＴ３０と、このＴＦＴ３０に電気的に接続された画素電極９とを備えた薄膜回路であり、支持基板７０上に接着層９０によって接着されている。
【００４０】
ＴＦＴ３０は、絶縁膜５上に形成されたＴＦＴであり、半導体層３１と、ゲート電極３２と、ゲート絶縁膜２と、２つのソース・ドレイン電極３３とを備えている。
【００４１】
半導体層３１は、例えばポリシリコンを含んでなり、チャネル領域３１１と、２つのソース・ドレイン領域３１２とを有している。２つのソース・ドレイン領域３１２は、チャネル領域３１１を挟んで両側に配置され、チャネル領域３１１にそれぞれ隣接している。ソース・ドレイン領域３１２は、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層３１に不純物を打ち込んでなる不純物領域である。
【００４２】
ゲート電極３２は、半導体層３１よりもゲート絶縁膜２を介して上層側に配置されている。
【００４３】
ゲート絶縁膜２は、半導体層３１を上層側から覆うように形成されている。ゲート絶縁膜２は、無機絶縁材料からなる。
【００４４】
ソース・ドレイン電極３３は、ゲート電極３２よりも層間絶縁膜４１を介して上層側に配置されている。ソース・ドレイン電極３３は、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールを介してソース・ドレイン領域３１２に電気的に接続されている。層間絶縁膜４１は、無機絶縁材料からなる。
【００４５】
画素電極９は、ソース・ドレイン電極３３よりも層間絶縁膜４２を介して上層側に配置されている。画素電極９は、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホールを介してソース・ドレイン電極３３に電気的に接続されている。層間絶縁膜４２は、有機絶縁材料からなる。
【００４６】
次に、本実施形態に係る回路基板の製造方法について、図２から図１０を参照して説明する。
【００４７】
本実施形態に係る回路基板の製造方法は、上述したＳＵＦＴＬＡを用いた製造方法であり、回路部１００が設けられた製造元基板１０（図２参照）から、回路部１００を仮転写基板２０（図４（Ｂ）参照）に一旦転写した後、仮転写基板２０に転写された回路部１００を最終転写基板である支持基板７０（図６（Ｃ）参照）に転写することにより、支持基板７０上に回路部１００を備えてなる回路基板１（図１参照）を製造する。尚、製造元基板１０は本発明に係る「第１基板」の一例であり、仮転写基板２０は本発明に係る「第２基板」の一例である。
【００４８】
尚、複数の回路部１００が形成された大型基板（或いはマザー基板）を上述した転写が可能なサイズに分断することにより、製造元基板１０を形成してもよい。
【００４９】
図２から図７は、第１実施形態に係る回路基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図である。
【００５０】
先ず、図２（Ａ）に示す工程において、例えばガラス基板等からなる製造元基板１０上に剥離層１１を介してＴＦＴ３０を形成する。より具体的には、製造元基板１０上に設けられた剥離層１１上に絶縁膜５を形成し、この絶縁膜５上にＴＦＴ３０を形成する。尚、ＴＦＴ３０の形成には、通常の半導体集積化技術を用いることができる。
【００５１】
剥離層１１は、後の工程（即ち、後述する図５（Ｂ）に示す工程）において照射される光を吸収し、その層及び界面の少なくとも一方において剥離を生じるような性質を有するものである。言い換えれば、剥離層１１は、光の照射によりアブレーションが生じて層内剥離或いは界面剥離に至るものである。尚、アブレーションとは、照射される光を吸収した材料が光化学的又は熱的に励起され、その表面や内部の原子又は分子の結合が切断されて放出することをいう。
【００５２】
ここで、製造元基板１０上における回路領域１００ａ、周囲領域９００ａ及びシール材描画領域５００ａについて、図８を参照して説明する。
【００５３】
図８は、製造元基板１０上における回路領域１００ａ、周囲領域９００ａ及びシール材描画領域５００ａの関係を示す模式図である。
【００５４】
図８において、製造元基板１０上には、図１を参照して上述した回路部１００を形成すべき領域としての回路領域１００ａ、及び図３を参照して後述するシール材５００を描画すべき領域としてのシール材描画領域５００ａが規定されている。回路領域１００ａは、製造元基板１０上に複数（本実施形態では４つ）規定されており、シール材描画領域５００ａは、これら複数の回路領域１００ａを囲むように規定されている。シール材描画領域５００ａは、複数の回路領域１００ａを囲み且つ製造元基板１０の外縁を含む（即ち、図８中、複数の回路領域１００ａを囲む破線Ｌ１から製造元基板１０の外縁に至る）周囲領域９００ａの一部をなす。
【００５５】
図２（Ａ）に示す工程では、ＴＦＴ３０を製造元基板１０上における回路領域１００ａ毎に複数形成する。
【００５６】
次に、図２（Ｂ）に示す工程において、ＴＦＴ３０を覆うように層間絶縁膜４２を形成する。続いて、画素電極９（図１参照）とソース・ドレイン電極３３とを電気的に接続するためのコンタクトホール８１を層間絶縁膜４２にエッチングにより開孔する。一方、周囲領域９００ａにおけるシール材描画領域５００ａ（図８も参照）に凹部２００を形成する。より具体的には、層間絶縁膜４１が露出するようにシール領域５００ａにおける層間絶縁膜４２に対してエッチングを施すことにより凹部２００を形成する。尚、本実施形態では凹部２００は矩形溝状の凹部であるが、凹部２００はＶ字溝状の凹部であってもよいし、Ｕ字溝状の凹部であってもよい。
【００５７】
ここで、凹部２００の平面形状について、図９を参照して説明する。
【００５８】
図９は、製造元基板１０上における凹部２００の角部付近の平面形状を拡大して示す平面図である。
【００５９】
図９に示すように、本実施形態では特に、凹部２００を、製造元基板１０上で平面的に見て、辺部よりも角部のほうが幅の広い形状を有するように形成する。即ち、凹部２００のうち辺部２１０の幅Ｗ１よりも凹部２００のうち角部２２０の幅Ｗ２が広くなるように、凹部２００を形成する。言い換えれば、凹部２００を、複数の回路領域１００ａを囲むように矩形状に形成する際（即ち、凹部２００をシール材描画領域５００ａに形成する際）、その角部において局所的に幅が広くなるように形成する。よって、図４（Ｂ）を参照して後述する製造元基板１０及び仮転写基板２０が貼り合わされる際に、シール材５００が、シール材５００を設けるべきでない領域（例えば、凹部２００よりも製造元基板１０或いは仮転写基板２０の外縁側）にはみ出して（或いは流出して）しまうことを回避できる。よって、製造元基板１０及び仮転写基板２０が互いに重なる領域の外縁とシール材５００との間に所定の間隔Ｄ１（図４（Ｂ）参照）を確実に確保することが可能となる。従って、図６（Ａ）を参照して後述する工程において、回路部１００から製造元基板１０を容易に剥離することが可能となる。
【００６０】
尚、図９では、凹部２００の角部の平面形状が丸型である例を示したが、凹部２００の角部の平面形状は例えば角型であってもよい。
【００６１】
次に、図２（Ｃ）に示す工程において、回路領域１００ａに画素電極９を、コンタクトホール８１を介してソース・ドレイン電極３３に電気的に接続されるように形成する。これにより、画素電極９及びＴＦＴ３０を備えてなる回路部１００が形成される。
【００６２】
次に、図３（Ａ）に示す工程において、本発明に係る「第１凸部」の一例としての第１バンク３１０及び本発明に係る「第２凸部」の一例としての第２バンク３２０を形成する。具体的には、第１バンク３１０を、製造元基板１０上における凹部２００よりも製造元基板の外縁側に、凹部２００に沿うように形成し、第２バンク３２０を、製造元基板１０上における凹部２００よりも回路領域１００ａ側（即ち、回路部１００が設けられた領域側）に、第１バンク３１０に対向するように形成する。
【００６３】
ここで、第１バンク３１０及び第２バンク３２０の構成について、図１０を参照して説明を加える。
【００６４】
図１０は、凹部２００、第１バンク３１０及び第２バンク３２０の構成を模式的に示す斜視図である。尚、図１０では、説明の便宜上、絶縁膜５、ゲート絶縁膜２、層間絶縁膜４１及び４２をまとめて絶縁膜４０として図示している。また、剥離層１１については、図示を省略している。
【００６５】
図１０に示すように、図３（Ａ）に示す工程では、第１バンク３１０及び第２バンク３２０を、凹部２００に沿って且つ互いに対向するように形成する。言い換えれば、第１バンク３１０及び第２バンク３２０を、凹部２００の両脇に沿って土手状に形成する。
【００６６】
このような第１バンク３１０及び第２バンク３２０によって、図３（Ｃ）を参照して後述するシール材５００をシール材描画領域５００ａにより一層安定的に設けることができる。具体的には、第１バンク３１０によって、シール材５００が凹部２００よりも製造元基板１０の外縁側に広がって（或いは流出して）しまうことを抑制或いは防止できる。更に、第２バンク３２０によって、シール材５００が凹部２００よりも回路部１００が設けられた側に広がって（或いは流出して）しまうことを抑制或いは防止できる。
【００６７】
次に、図３（Ｂ）に示す工程において、フッ素系ガス（例えばＣＦ４）、酸素（Ｏ２）ガス等を用いたプラズマ処理を行うことにより、凹部２００の表面改質処理を行う。ここで、絶縁膜５は無機絶縁材料からなり、層間絶縁膜４２、第１バンク３１０及び第２バンク３２０は有機絶縁材料からなるので、この表面改質処理によって、凹部２００内の底面２１０（即ち、絶縁膜５によって形成される面）を、水酸基が誘起された親水性に改質することができると共に、凹部２００内の側面２２０（層間絶縁膜４２によって形成される面）、並びに第１バンク３１０の表面３１１及び第２バンク３２０の表面３２１を、フッ素基が形成された撥水性に改質することができる。よって、凹部２００に後述するシール材５００をより一層安定的に設けることが可能となる。
【００６８】
次に、図３（Ｃ）に示す工程において、凹部２００に光硬化性樹脂（例えば紫外線硬化樹脂）からなるシール材５００を設ける。具体的には、シール材５００を、凹部２００内に重なるように例えばディスペンサ塗布法によって描画することにより、複数の回路領域１００ａ（即ち、回路部１００が設けられた領域）を囲むように（言い換えれば、シール材描画領域５００ａに）例えば土手状に設ける。シール材５００は、後述する仮接着剤６００よりも粘度が高いことが好ましい。
【００６９】
尚、シール材５００は、例えば、熱硬化性樹脂、シリコーン系樹脂等であってもよい。また、シール材５００は、後述する仮接着剤６００と相溶性が低い或いは無いものが好ましい。この場合には、シール材５００が仮接着剤６００によって溶けてしまって、仮接着剤６００がシール材５００よりも製造元基板１０の外縁側に流れ出てしまうことを確実に防止できる。また、シール材５００中にギャップ材（例えばビーズ）を混入させてもよい。この場合には、後述する仮転写基板２０と回路部１００との間隔をより一定に保つことが可能となる（言い換えれば、仮接着剤６００の厚さをより一定に保つことが可能となる）。
【００７０】
次に、図４（Ａ）に示す工程において、シール材５００によって囲まれた領域（言い換えれば、回路領域１００ａを含む領域）に水溶性の接着剤である仮接着剤６００を例えばディスペンサ塗布法或いはインクジェット塗布法等によって設ける。本実施形態では、仮接着剤６００として、光硬化性のアクリレート系樹脂を用いる。
【００７１】
次に、図４（Ｂ）に示す工程において、シール材５００及び仮接着剤６００を介して製造元基板１０と仮転写基板２０とを貼り合わせる。仮転写基板２０は、例えばガラス基板からなり、仮転写基板１０における製造元基板１０に対向する側の面には、製造元基板１０と同様に、剥離層２１が形成されている。剥離層２１は、後の工程（後述する図７（Ａ）に示す工程）において照射される光を吸収し、その層及び界面の少なくとも一方において剥離を生じるような性質を有するものである。尚、このような製造元基板１０と仮転写基板２０との貼り合わせは、真空下或いは減圧下で行われることが好ましい。この場合には、仮接着剤６００に気泡が混入してしまうことをより一層確実に抑制或いは防止できる。
【００７２】
次に、図５（Ａ）に示す工程において、シール材５００及び仮接着剤６００に対して仮転写基板２０側から光を照射することにより、シール材５００及び仮接着剤６００を硬化させる。
【００７３】
次に、図５（Ｂ）に示す工程において、剥離層１１に対して製造元基板１０側から光を照射する。
【００７４】
次に、図６（Ａ）に示す工程において、製造元基板１０及び仮転写基板２０の外縁側（図６（Ａ）中、右側）から板状の冶具７００を、製造元基板１０及び仮転写基板２０間に挿入することにより、仮転写基板２０に仮接着剤６００によって接着された回路部１００から製造元基板１０を剥離する。尚、製造元基板１０及び仮転写基板２０の外縁側からガスを、製造元基板１０及び仮転写基板２０間に噴きつけることにより、仮転写基板２０に仮接着剤６００によって接着された回路部１００から製造元基板１０を剥離してもよい。
【００７５】
本実施形態では特に、図４（Ｂ）を参照して上述した製造元基板１０と仮転写基板２０とを貼り合わせる工程では、製造元基板１０と仮転写基板２０とが互いに重なる領域の外縁とシール材５００との間に所定の間隔Ｄ１が形成されるように、製造元基板１０と仮転写基板２０とを貼り合わせる。よって、図６（Ａ）を参照して上述した、回路部１００から製造元基板１０を剥離する際、製造元基板１０及び仮転写基板２０の外縁側から板状の冶具７００を、製造元基板１０及び仮転写基板２０間に容易に挿入することが可能となる。従って、回路部１００から製造元基板１０を容易に且つ確実に剥離することが可能となり、回路基板１の製造プロセスにおける歩留まりを向上させることができる。ここで所定の間隔Ｄ１は、製造元基板１０と仮転写基板２０との間に板状の冶具７００を挿入することにより回路部１００から製造元基板１０を剥離することが可能な、板状の冶具７００の挿入量に応じて予め定めることができる。
【００７６】
次に、図６（Ｂ）に示す工程において、シール材５００をエッチングにより除去する。この際、絶縁膜５に剥離層１１が付着している場合には、同様に、剥離層１１をエッチングにより除去する。尚、シール材５００及び剥離層１１は、エッチングの他、有機溶媒、プラズマ処理等によって除去してもよい。
【００７７】
次に、図６（Ｃ）に示す工程において、絶縁膜５に最終転写基板である支持基板７０を接着層９０によって接着する。
【００７８】
次に、図７（Ａ）に示す工程において、剥離層２１に対して仮転写基板２０側から光を照射する。続いて、図７（Ｂ）に示す工程において、仮接着剤６００から仮転写基板２０を剥離する。続いて、図７（Ｃ）に示す工程において、水に浸すことにより水溶性の接着剤である仮接着剤２００を除去する。尚、この後、回路領域１００ａと周囲領域９００ａとの境界（言い換えれば、図８中、破線Ｌ１）に沿って、支持基板７０等を分断する。
【００７９】
このようにして、支持基板７０上に回路部１００を備えてなる回路基板１を製造することができる。
【００８０】
本実施形態では特に、上述したように、製造元基板１０上に、回路部１００が設けられた領域を囲むように凹部２００を形成し、該凹部２００にシール材５００を設ける。よって、回路部１００を囲むようにシール材５００を安定的に設けることができる（言い換えれば、製造元基板１０上におけるシール材描画領域５００ａにシール材５００を連続的に設けることができる）。従って、シール材５００が不連続になったり、図４（Ｂ）を参照して上述した製造元基板１０と仮転写基板２０とを貼り合わせる際に、シール材５００が崩壊してしまったりすることを抑制或いは防止できる。これにより、製造元基板１０と仮転写基板２０とを接着する仮接着剤６００に気泡が混入してしまうことを抑制或いは防止できる。この結果、回路基板１の製造プロセスにおける歩留まりを向上させることができる。
【００８１】
以上説明したように、本実施形態に係る回路基板の製造方法によれば、例えば、製造元基板１０上にシール材５００を安定して設けることができると共に、回路部１００から製造元基板１０を容易に且つ確実に剥離することができ、歩留まりを向上させることが可能である。
【００８２】
＜電子機器＞
次に、上述した回路基板を適用した電子機器について、図１１及び図１２を参照して説明する。以下では、上述した回路基板を電子ペーパー及び電子ノートに適用した場合を例にとる。
【００８３】
図１１は、電子ペーパー１４００の構成を示す斜視図である。
【００８４】
図１１に示すように、電子ペーパー１４００は、上述した実施形態に係る回路基板を適用した電気泳動表示装置を表示部１４０１として備えている。電子ペーパー１４００は可撓性を有し、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体１４０２を備えて構成されている。
【００８５】
図１２は、電子ノート１５００の構成を示す斜視図である。
【００８６】
図１２に示すように、電子ノート１５００は、図１１で示した電子ペーパー１４００が複数枚束ねられ、カバー１５０１に挟まれているものである。カバー１５０１は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力するための表示データ入力手段（図示せず）を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容の変更や更新を行うことができる。
【００８７】
上述した電子ペーパー１４００及び電子ノート１５００は、上述した実施形態に係る回路基板が適用された電気泳動表示装置を備えるので、信頼性が高く、高品質な画像表示を行うことが可能である。
【００８８】
尚、本発明に係る回路基板の製造方法によって製造される回路基板は、上述した電子ペーパー及び電子ノート以外にも、各種のフレキシブルデバイスに適用可能である。
【００８９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う回路基板の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００９０】
１…回路基板、９…画素電極、１０…製造元基板、１１…剥離層、２０…仮転写基板、２１…剥離層、３０…ＴＦＴ、７０…支持基板、１００…回路部、２００…凹部、２１０…辺部、２２０…角部、３１０…第１バンク、３２０…第２バンク、５００…シール材、６００…仮接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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