(57)【要約】【課題】接触方式及び非接触方式の両方式を用いて供給することが可能な半導体装置の検査において、異なる種類の半導体装置を検査する際の検査に要するコストが増大し、さらに、微細ピッチで配置された半導体装置を検査できない。【解決手段】本発明のプローブカードは、基板と、基板上に、第１の方向に第１の間隔で配置された複数の接触端子部と、基板上に、第１の方向に第２の間隔で配置された複数の非接触インタフェースと、を備え、非接触インタフェースが第１の方向に第２の間隔で配置された領域に含まれる有効プローブカード領域であって、有効プローブカード領域の両端に配置された非接触インタフェース間の距離である有効プローブカード長さが、第１の間隔と第２の間隔の最小公倍数の整数倍である。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に、第１の方向に第１の間隔で配置された複数の接触端子部と、
前記基板上に、前記第１の方向に第２の間隔で配置された複数の非接触インタフェースと、を備え、
前記非接触インタフェースが前記第１の方向に前記第２の間隔で配置された領域に含まれる有効プローブカード領域であって、前記有効プローブカード領域の両端に配置された非接触インタフェース間の距離である有効プローブカード長さが、前記第１の間隔と前記第２の間隔の最小公倍数の整数倍であるプローブカード。
【請求項２】
前記有効プローブカード長さは、検査対象ＬＳＩの第１の方向の長さの整数倍である請求項１に記載のプローブカード。
【請求項３】
前記第１の間隔と前記第２の間隔のいずれか一方は、他方の整数倍である請求項１又は２に記載のプローブカード。
【請求項４】
前記整数は２以上である請求項１から３のいずれか一項に記載のプローブカード。
【請求項５】
前記複数の接触端子部は、前記基板上に複数列状に配置される請求項１から４のいずれか一項に記載のプローブカード。
【請求項６】
前記複数の非接触インタフェースは、前記基板上に複数列状に配置される請求項１から５のいずれか一項に記載のプローブカード。
【請求項７】
前記基板上に、検査用ＬＳＩが配置され、
前記非接触インタフェースは前記検査用ＬＳＩ上に配置される請求項１から６のいずれか一項に記載のプローブカード。
【請求項８】
前記基板上に、複数の前記検査用ＬＳＩが二次元状に並設される請求項７に記載のプローブカード。
【請求項９】
前記接触端子部の使用状態が、検査対象ＬＳＩの構成に応じて制御される請求項１から８のいずれか一項に記載のプローブカード。
【請求項１０】
前記非接触インタフェースの使用状態が、検査対象ＬＳＩの構成に応じて制御される請求項１から９のいずれか一項に記載のプローブカード。
【請求項１１】
前記接触端子部には電源が供給され、前記非接触インタフェースには検査信号が供給される請求項１から１０のいずれか一項に記載のプローブカード。
【請求項１２】
前記接触端子部は、ニードル又はメンブレンシートである請求項１から１１のいずれか一項に記載のプローブカード。
【請求項１３】
前記非接触インタフェースは、誘導性結合または容量性結合による非接触結合を用いる請求項１から１２のいずれか一項に記載のプローブカード。
【請求項１４】
請求項１から１３に記載のプローブカードと、前記プローブカードに接続されたテスタ装置とを有し、
前記接触端子部と前記テスタ装置とを接続する第１の配線と、
前記非接触インタフェースと前記テスタ装置とを接続する第２の配線と、を有する半導体装置の検査装置。
【請求項１５】
前記複数の接触端子部は共通の前記第１の配線と接続する請求項１５に記載の半導体装置の検査装置。
【請求項１６】
前記複数の前記非接触インタフェースは共通の前記第２の配線と接続する１４又は１５に記載の半導体装置の検査装置。
【請求項１７】
複数の接触端子部が第１の方向に第１の間隔で配置され、複数の非接触インタフェースが前記第１の方向に第２の間隔で配置されたプローブカードを用いて、
ＬＳＩの一辺の長さである第１の長さが前記第１の間隔と前記第２の間隔の最小公倍数の整数倍である第１の検査対象ＬＳＩと、
ＬＳＩの一辺の長さである第２の長さが前記第１の長さとは異なり前記最小公倍数の整数倍である第２の検査対象ＬＳＩとをそれぞれ検査する半導体装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカード及びそれを備えた半導体装置の検査装置並びに半導体装置の検査方法に関し、特に、検査対象半導体装置と接触方式及び非接触方式の両方式を用いることが可能なプローブカード及びそれを用いた半導体装置の検査装置並びに半導体装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の一種類であるＬＳＩの検査では、テスタ装置からＬＳＩに電源及び検査信号を供給して、ＬＳＩの内部動作を検査する。通常、この検査時には、電源や検査信号を供給する検査針（ニードル）を備えたプローブカードが用いられる。ニードルは、ＬＳＩに配置されたパッドに接触して、ＬＳＩに電源や検査信号を供給する。
【０００３】
プローブカードが備えるニードルの位置は、通常、予め決まっている。一方、検査対象となるＬＳＩには多品種の製品があり、パッドの位置は各製品ごとに異なる。そのため、ＬＳＩのパッド位置に対応するように配置されたニードルを備えるプローブカードを、ＬＳＩの各製品ごとに開発する必要があり、プローブカードの開発費用が増大するという問題があった。
【０００４】
そこで、この問題を解決するためのプローブカードとして、特許文献１には、電源又は信号を供給するプローブピンをプローブカードに大量に配置して、検査対象のＬＳＩの各製品ごとにプローブピンを切り換えられるものが開示されている。これにより、ＬＳＩの異なる製品を検査する場合であってもプローブカードを共用化できるため、プローブカードの開発費用を削減することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−０８５２８１号公報  （［００３３］、［００３６］、図７）
【特許文献２】国際公開第２００７／０２９４２２号  （［００９３］、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示された技術においては、プローブピンの狭ピッチ化が困難であるため、プローブピンを高集積化することができず、ウェハ内に微細ピッチで配置されたＬＳＩを検査できないという問題があった。また、特許文献１に開示された技術においては、大量のプローブピンが必要になるため、プローブカード一個当たりの価格が高くなる。そのため、プローブカードの開発費用は削減できるが、検査に要する全体のコストが削減できないという問題があった。
【０００７】
一方、特許文献２には、ウェハ内のＬＳＩに電源及び検査信号を供給する方法として、電極間の容量性結合により検査信号を非接触で供給し、プローブピンをＬＳＩの電源電極に接触させて電源を供給する方法を用いた半導体装置の検査装置が開示されている。特許文献２に記載の検査装置が備えるプローブカードは、ウェハ内の検査対象ＬＳＩと同じサイズの検査用ＬＳＩと、検査用ＬＳＩに配置された非接触結合用の外部信号電極と、検査対象ＬＳＩの電源電極と接触するプローブピンから構成される。外部信号電極はプローブピンよりも狭いピッチで配置できるため、特許文献２に開示された発明により、ウェハ内に微細ピッチで配置されたＬＳＩの検査が可能となる。また、外部信号電極はプローブピンよりも安価であるため、プローブカード1個当たりの価格を抑えることができる。
【０００８】
しかしながら、特許文献２に開示された技術においては、検査対象のＬＳＩの外部信号電極とプローブピンとの相対的な位置関係がＬＳＩの製品ごとに異なるため、プローブカードをＬＳＩごとに開発する必要がある。そのため、特許文献２によってはプローブカードの開発費用が高くなるという問題は解決できない。
【０００９】
このように、関連するプローブカードにおいては、微細ピッチを有する異なる種類の半導体装置を検査する際のコストが増大するという問題点があった。
【００１０】
本発明の目的は、上述した、微細ピッチを有する異なる種類の半導体装置を検査する際のコストが増大するという課題を解決するプローブカード及びそれを備えた半導体装置の検査装置並びに半導体装置の検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のプローブカードは、基板と、基板上に、第１の方向に第１の間隔で配置された複数の接触端子部と、基板上に、第１の方向に第２の間隔で配置された複数の非接触インタフェースと、を備え、非接触インタフェースが第１の方向に第２の間隔で配置された領域に含まれる有効プローブカード領域であって、前記有効プローブカード領域の両端に配置された非接触インタフェース間の距離である有効プローブカード長さが、第１の間隔と第２の間隔の最小公倍数の整数倍である。
【００１２】
また、本発明の半導体装置を検査する方法は、複数の接触端子部が第１の方向に第１の間隔で配置され、複数の非接触インタフェースが第１の方向に第２の間隔で配置されたプローブカードを用いて、ＬＳＩの一辺の長さである第１の長さが第１の間隔と第２の間隔の最小公倍数の整数倍である第１の検査対象ＬＳＩと、ＬＳＩの一辺の長さである第２の長さが第１の長さとは異なり最小公倍数の整数倍である第２の検査対象ＬＳＩとをそれぞれ検査する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のプローブカード及びそれを備えた半導体装置の検査装置並びに半導体装置の検査方法によれば、微細ピッチを有する異なる種類の半導体装置を検査する場合であっても、検査に要するコストの増大を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第1の実施形態に係るプローブカードの平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るプローブカードと検査対象ウェハの断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る検査対象ウェハの平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る別の検査対象ウェハの平面図である。
【図５】本発明の第1の実施形態に係るプローブカードに関連するプローブカードの平面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係るさらに別の検査対象ウェハの平面図である。
【図７】本発明の第1の実施形態に係る別のプローブカードの平面図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係るさらに別のプローブカードの平面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係るプローブカードと検査対象ウェハの概略図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係るプローブカードの平面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係るプローブカードと検査対象ウェハの断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係る別のプローブカードの平面図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態に係るさらに別のプローブカードの平面図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態に係る別のプローブカードと別の検査対象ウェハの断面図である。
【図１５】本発明の第４の実施形態に係るプローブカードの平面図である。
【図１６】本発明の第４の実施形態に係る検査対象ウェハの平面図である。
【図１７】本発明の第４の実施形態に係るプローブカードの接触端子部と非接触インタフェースとを示す概略図である。
【図１８】本発明の第４の実施形態に係る別の検査対象ウェハの平面図である。
【図１９】本発明の第４の実施形態に係るプローブカードの接触端子部と非接触インタフェースとを示す概略図である。
【図２０】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の検査装置の概略図である。
【図２１】本発明の第５の実施形態に係る別の半導体装置の検査装置の概略図である。
【図２２】本発明の第５の実施形態に係るさらに別の半導体装置の検査装置の概略図である。
【図２３】本発明の第５の実施形態に係るさらに別の半導体装置の検査装置の概略図である。
【図２４】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の検査装置と検査対象ウェハである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本明細書において用いる検査用ＬＳＩ、検査対象半導体装置（以下、検査対象ＬＳＩという）、検査対象ウェハは、以下のように定義される。検査用ＬＳＩは検査に用いる半導体装置である。検査対象ＬＳＩは検査対象である半導体装置である。検査対象ウェハは、シリコン基板等の半導体基板単体を意味せず、それに形成された複数の半導体装置（ＩＣ，ＬＳＩを問わない）を含んだ半導体基板をいう。なお、「ＬＳＩ」と記載するが「ＩＣ」であってもよく、これ以外の分類にかかる半導体装置であっても良い。
【００１６】
以下に、図面を参照にしつつ本発明の実施形態を説明する。
【００１７】
〔第１の実施形態〕
本実施形態に係るプローブカード１０３は、図１に示すように、基板１００と、基板１００上に配置された複数の接触端子部１０２と複数の非接触インタフェース１０１とを有する。接触端子部１０２は第１の方向にＬｙの間隔で配置され、非接触インタフェース１０１は第１の方向にＭｙの間隔で配置されている。ここで、非接触インタフェース１０１が第１の方向にＭｙの間隔で配置された領域に含まれる有効プローブカード領域であって、有効プローブカード領域の両端に配置された非接触インタフェース１０１間の距離を有効プローブカード長さＫｙとする。このとき、接触端子部１０２と非接触インタフェース１０１とは、ＫｙがＬｙとＭｙの最小公倍数（Ｌｅａｓｔ  Ｃｏｍｍｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ；ＬＣＭ）であるＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍になるように配置されている。すなわち、接触端子部１０２と非接触インタフェース１０１とは、この最小公倍数を周期とする周期性を持って基板１００上に配置される。
【００１８】
本実施形態に係るプローブカードは、接触端子部と非接触インタフェースの両方を備える。接触端子部は、接触方式により検査対象ＬＳＩの接触電極部と物理的に接触して電源や検査信号を供給する。一方、非接触インタフェースは、非接触方式により検査対象ＬＳＩの非接触インタフェースに非接触で電源や検査信号を供給する。接触端子部は、非接触インタフェースよりも一般的に電源や検査信号の供給効率が高いため、電源のようなハイパワーが必要なものを供給するために用いられるのが望ましい。一方、非接触インタフェースは接触端子部よりも狭ピッチで配置できるため、検査信号の入出力に適している。
【００１９】
非接触インタフェースは、例えば、誘導性結合または容量性結合による非接触結合を利用できる。従って、非接触インタフェースを、例えば、コイルなどのインダクタやコンデンサなどのキャパシタを用いて構成することができる。
【００２０】
接触端子部は、検査対象ＬＳＩに物理的に接触して、検査対象ＬＳＩに電源や検査信号を供給する。接触端子部は、例えば金属からなるニードルやプローブピン、金属突起（バンプ）やＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）リードが付いたメンブレンシートなどを用いて構成することができる。
【００２１】
次に、図１に示したプローブカード１０３を用いて半導体装置を検査する方法について、図２を用いて説明する。図２は、第１の実施形態に係るプローブカード１０３と検査対象ウェハ１５３の断面図である。プローブカード１０３を用いて、非接触インタフェース１５１と接触電極部１５２とを備えた検査対象ＬＳＩ１５０を検査する際は、検査対象ＬＳＩ１５０を備える検査対象ウェハ１５３にプローブカード１０３を対向して配置する。つまり、プローブカード１０３の非接触インタフェース１０１を検査対象ＬＳＩ１５０の非接触インタフェース１５１に対向して配置し、プローブカード１０３の接触端子部１０２を検査対象ウェハ１５３の接触電極部１５２に対向して配置する。
【００２２】
接触電極部１５２は、プローブカード１０３の接触端子部１０２と物理的に接触するものを用いて構成する。接触電極部１５２は、例えば、金属電極パッドなどを用いて構成する。
【００２３】
本実施形態のプローブカード１０３によれば、図１に示すように、接触端子部１０２と非接触インタフェース１０１とはそれぞれＬｙ，Ｍｙの間隔で基板１００上に配置される。さらに、有効プローブカード長さＫｙは、ＬｙとＭｙの最小公倍数ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数Ｎ倍である。このため、ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）を一辺とする領域に含まれる接触端子部１０２と非接触インタフェース１０１とを一つの単位とした場合、この単位Ｎ個分の接触端子部１０２と非接触インタフェース１０１とが周期的に基板１００上に配置される。そのため、ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍の長さを有するＬＳＩであれば同一種類のＬＳＩはもちろんのこと、異なる種類のＬＳＩであっても、これらＬＳＩに対してプローブカード１０３を対向させるときに、ＬＳＩごとに、接触端子部１０２と非接触インタフェース１０１の配置を同一の位置関係にした状態で対向できる。
【００２４】
例えば、図１のプローブカード１０３を図３に示す検査対象ウェハ１５３に対向して配置した場合、接触端子部１０２と非接触インタフェース１０１の配置はＬＳＩのチップ長さＣｙ０１がＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）である各検査対象ＬＳＩ１５０について同一の位置関係になる。このため、プローブカード１０３を用いて複数の検査対象ＬＳＩ１５０を一括して検査することができる。
【００２５】
また、プローブカード１０３を図４に示す検査対象ウェハ１６３に対向して配置した場合も、接触端子部１０２と非接触インタフェース１０１の配置はＬＳＩのチップ長さＣｙ０２がＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の２倍である検査対象ＬＳＩ１６０の配置のそれぞれについて同一の位置関係になる。このため、プローブカード１０３を用いて複数の検査対象ＬＳＩ１６０を一括して検査することができる。
【００２６】
このように、プローブカード１０３の接触端子部１０２は、それぞれの検査対象ＬＳＩ１５０、１６０の接触電極部１５２，１６２に接触し、非接触インタフェース１０１は検査対象ＬＳＩ１５０，１６０の非接触インタフェース１５１，１６１と対向するので通信することができる。よって、同一のプローブカード１０３を用いて、サイズが異なる検査対象ＬＳＩ１５０、１６０の両方を検査することができる。このように、本実施形態に係るプローブカードによれば、異なる種類の検査対象ＬＳＩであっても同一のプローブカードを用いて検査することが可能となり、プローブカードを異なる種類のＬＳＩ間で共用化することができる。
【００２７】
上述のとおり、本実施形態に係るプローブカードにより、異なる種類のＬＳＩを検査するためのプローブカードを共用化できるため、プローブカードの開発費用を削減できる。加えて、非接触インタフェースは接触端子部よりも１個当たりのコストが安い。そのため、本実施形態に係るプローブカードの製造コストを、ニードルを大量に備えた関連するプローブカードの製造コストよりも低くすることができる。従って、本実施形態に係るプローブカードにより、ＬＳＩの検査に要するコストを削減できる。
【００２８】
さらに、非接触インタフェースはニードルなどの接触端子部よりも細かいピッチで配置できる。例えば、Ｌｙは約２００μｍ程度のオーダーであるのに対し、Ｍｙは約１００μｍ以下のオーダーとすることができる。そのため、本実施形態に係るプローブカードを用いて、検査対象のウェハ内に微細ピッチで配置されたＬＳＩを検査することができる。
【００２９】
従って、上述したとおり、本実施形態に係るプローブカードにより、ウェハ内に微細ピッチで配置されたＬＳＩを検査でき、さらに、異なる種類のＬＳＩを検査する場合であっても、検査に要するコストの増大を抑制することができる。
【００３０】
同時に検査できるＬＳＩの数は上述したようにＫｙにより決定される。よって、Ｋｙはより大きい方が望ましく、ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍であるＫｙを、特にＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の２倍以上にするのが望ましい。
【００３１】
図１〜４の説明では、プローブカード１０３により検査可能な検査対象ウェハとして、同一ウェハ上に一種類のＬＳＩが複数個配置された場合を示した。しかし、これに限らず、ＬＳＩの一辺の長さがＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍であるという条件を満たす限り、同一ウェハ上に複数種類のＬＳＩが混在して配置された場合であっても本実施形態の効果は得られる。
【００３２】
本実施形態によるプローブカード１０３との比較として、ＫｙがＬｙとＭｙの最小公倍数ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数Ｎ倍である関係にない場合の参考例について以下に説明する。この場合は、接触端子部と非接触インタフェースの配置を全てのＬＳＩについて同一の位置関係とすることはできない。例えば、図５に示すプローブカード１１３は、Ｌｙ２の間隔で基板１１０上に配置された接触端子部１１２ｙ０〜６と、Ｍｙ２の間隔で基板１１０上に配置された非接触インタフェース１１１ｙ０〜１２とを備える。しかしながら、接触端子部１１２と非接触インタフェース１１１とは、それぞれの間隔の最小公倍数を周期とする周期性をもっては配置されていない。そのため、例えば、検査対象ＬＳＩの第１の方向の長さであるチップ長さＣｙ１１をＭｙ２の３倍にした場合、接触端子部と非接触インタフェースの配置は検査対象ＬＳＩによって異なる位置関係となる。すなわち、接触端子部１１２ｙ０から１１２ｙ１と非接触インタフェース１１１ｙ０から１１１ｙ２との位置関係を基準とした場合、接触端子部１１２ｙ２の位置はＬｙｄ１１ずれ、接触端子部１１２ｙ４の位置はＬｙｄ１２ずれ、接触端子部１１２ｙ５の位置はＬｙｄ１３ずれる。
【００３３】
また、例えば、検査対象ＬＳＩのチップ長さＣｙ１２をＬｙ２の２倍にした場合、非接触インタフェースと接触端子部の配置は図５に示すようにそれぞれの検査対象ＬＳＩによって異なる位置関係となる。すなわち、接触端子部１１２ｙ０〜１と非接触インタフェース１１１ｙ０〜３との位置関係を基準とした場合、非接触インタフェース１１１ｙ４の位置はＭｙｄ１１ずれ、非接触インタフェース１１１ｙ８の位置はＭｙｄ１２ずれる。このように、ＫｙがＬｙとＭｙの最小公倍数ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数Ｎ倍でない場合は、接触端子部と非接触インタフェースとの位置関係が検査対象ＬＳＩによってずれる。そのため、このようなプローブカードを用いて、同一のウェハに配置された複数の同一種類の検査対象ＬＳＩを検査することはできない。また、このようなプローブカードを用いて異なる種類のＬＳＩの検査することはできないのは明らかである。
【００３４】
それに対して、本実施形態に係るプローブカードによれば、有効プローブカード長さＫｙをＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍とすることによって、ＬＳＩのチップ長さがＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍であれば異なるチップ長さを有するＬＳＩについて同一のプローブカードを用いて検査することができる。
【００３５】
なお、検査対象ＬＳＩ上の接触電極部と非接触インタフェースとは、プローブカードと検査対象ＬＳＩとを対向して配置したときにプローブカードの全ての接触端子部と全ての非接触インタフェースとに対応するように配置されなくても良い。すなわち、例えば、図６の検査対象ウェハ１７３に示すように、接触電極部の配置位置がウェハ端部からＬｙ間隔の位置であれば、接触電極部１７２ｙ１と接触電極部１７２ｙ２との間や接触電極部１７２ｙ４と接触電極部１７２ｙ５との間のように、接触電極部が配置されない領域があっても良い。また、非接触インタフェースの配置位置がウェハ端部からＭｙ間隔の位置であれば、非接触インタフェース１７１ｙ１と非接触インタフェース１７１ｙ２との間や非接触インタフェース１７１ｙ４と非接触インタフェース１７１ｙ５との間のように、非接触インタフェースが配置されない領域があっても良い。
【００３６】
さらに、本実施形態に係るプローブカードによれば、ＬｙとＭｙの最小公倍数を小さくして接触端子部と非接触インタフェースとの繰り返しの周期を短くすることによって、多種類のチップ長さのＬＳＩの検査が可能となる。従って、ＭｙをＬｙの整数倍とする、又は、ＬｙをＭｙの整数倍とするのが望ましい。例えば、図７のように、ＬｙをＭｙの２倍とすると、ＬｙはＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）となる。ＬｙとＭｙの関係をこのようにすることにより、最小公倍数をＬｙとすることができ、接触端子部と非接触インタフェースとの配置の周期を小さくすることができる。
【００３７】
ＬｙとＭｙとは、製造可能な範囲でできるだけ狭くするのが望ましい。これにより接触端子部と非接触インタフェースとの繰り返しの周期を短くすることができるため、本実施形態に係るプローブカードをより多くの種類のＬＳＩの検査に用いることができるようになる。
【００３８】
図１〜７では、接触端子部と非接触インタフェースとがそれぞれ一列ずつ配置された場合を示した。しかし、これに限らず、ＫｙがＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍であるという条件を満たす限り、接触端子部と非接触インタフェースとは、それぞれが複数列状に配置された場合であっても本実施形態の効果は得られる。例えば、図８に示すように、接触端子部１３２は図面の上下方向である第１の方向に基板１３０上に配置されて一列を構成し、さらに基板１３０上に複数の列を構成しても良い。また、非接触インタフェース１３１は第１の方向に基板１３０上に配置されて一列を構成し、さらに基板１３０上に複数の列を構成しても良い。なお、このときの列の間隔は等間隔でなくても良い。
〔第２の実施形態〕
次に本発明の第２の実施形態に係るプローブカードについて説明する。第１の実施形態のプローブカードは、有効プローブカード長さＫｙがＭｙとＬｙの最小公倍数であるＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍であることを構成としたのに対し、第２の実施形態のプローブカードは、ＫｙがＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ））の整数倍であり、さらに検査対象ＬＳＩのチップ長さＣｙの整数倍と略等しいことを構成とする。以後、ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍であり、さらにＣｙの整数倍と略等しい長さをＣｙ＿ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）と呼ぶ。
【００３９】
本実施形態に係るプローブカード２０３は、図９に示すように、基板２００と、基板２００上に配置された複数の接触端子部２０２と複数の非接触インタフェースとを有する。接触端子部２０２は第１の方向にＬｙの間隔で配置され、非接触インタフェースは第１の方向にＭｙの間隔で配置されている。なお、非接触インタフェースは図示していない。
【００４０】
ここで、非接触インタフェースが第１の方向にＭｙの間隔で配置された領域に含まれる有効プローブカード領域であって、有効プローブカード領域の両端に配置された非接触インタフェース間の距離を有効プローブカード長さＫｙとする。このとき、接触端子部２０２と非接触インタフェースとは、ＫｙがＣｙ＿ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍になるように配置されている。
【００４１】
本実施形態に係るプローブカード２０３によれば、ＫｙをＣｙ＿ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍としたことによって、第１の方向の長さがＣｙ＿ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数Ｎ倍である検査対象ウェハ２５３上の所定の領域を構成する複数の検査対象ＬＳＩ２５０を検査することが可能となる。ここでいう所定の領域とは、ＬＳＩ作成時に用いるレチクルの周期単位であるレチクル領域２５４の領域を指す。プローブカード２０３によれば、Ｃｙ＿ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）を一辺とする領域に含まれる接触端子部２０２と非接触インタフェースとを一つの単位とした場合、この単位Ｎ個分の接触端子部２０２と非接触インタフェースとが基板２００上に配置される。そのため、レチクル領域２５４の第１の方向の長さであるレチクル領域長さＲｙをＣｙ＿ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍であるＫｙと略等しくした場合、同一種類のレチクル領域はもちろんのこと、異なる種類のレチクル領域であっても、これらレチクル領域２５４に対してプローブカード２０３を対向させるときに、レチクル領域２５４ごとに、接触端子部２０２と非接触インタフェースの配置を同一の位置関係にした状態で対向できる。よって、プローブカード２０３を用いてレチクル領域２５４に配置された複数の検査対象ＬＳＩ２５０を一括して検査することができる。
【００４２】
図３〜４では、本実施形態に係るプローブカードの検査対象のＬＳＩとして、Ｃｙ０１、Ｃｙ０２がＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の最小公倍数と略等しい場合を示した。しかし、これに限らず、本実施形態に係るプローブカードによれば、有効プローブカード長さＫｙがＣｙ＿ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍であるため、次に説明するとおり、レチクル領域２５４の領域に含まれる検査対象ＬＳＩ２５０のチップ長さＣｙをＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）よりも小さな単位の整数倍と略等しくすることができる。
【００４３】
ここで、検査対象ＬＳＩには少なくとも接触電極部と非接触インタフェースとがそれぞれ一つ以上配置されるため、Ｃｙは次の式を満たす。
Ｃｙ＞Ｌｙ
Ｃｙ＞Ｍｙ
さらに、Ｃｙは、ＬｙとＭｙのいずれか一方の整数倍と略等しいこととする。図９には、下記式のとおり、ＣｙがＭｙの整数倍と略等しい場合を示す。このように、ＣｙをＭｙの整数倍と略等しくすることにより、プローブカード２０３を検査対象ＬＳＩ２５０に対向させるときに、全ての検査対象ＬＳＩ２５０に対して、プローブカード２０３の非接触インタフェースの配置を同一の位置関係の状態で対向することができる。従って、プローブカード２０３の非接触インタフェースと同一レチクル領域２５４内に配置される複数の検査対象ＬＳＩ２５０の非接触インタフェースとを対向して配置し、通信させることができる。
Ｃｙ＝ｍ・Ｍｙ  （ｍは任意の整数）
一方、図９の場合、ＣｙはＬｙの整数倍ではないため、それぞれの検査対象ＬＳＩ２５０で接触電極部の位置関係が同じようになるように接触電極部をＬｙの間隔で検査対象ウェハ２５３上に配置することができない。そこで、接触電極部２５２をＬｙと略等しい間隔で検査対象ＬＳＩ２５０の外に配置し、接触電極部２５２と検査対象ＬＳＩ２５０とを接続する引き出し配線２５５を設ける。これにより、プローブカード２０３の接触端子部２０２を各検査対象ＬＳＩ２５０に引き出し配線２５５を介して接続された接触電極部２５２に接触させて、検査対象ＬＳＩ２５０に電源を供給することができる。
【００４４】
ここで、ＲｙをＣｙ＿ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍と略等しいとしたため、下記式を満たす。すると、レチクル領域２５４の領域内に第１の方向に沿って並べられた検査対象ＬＳＩ２５０の数をＮ，接触端子部の数をＭ、非接触インタフェースの数をＬとした場合、下記式を満たす。
Ｒｙ＝Ｎ・Ｃｙ＝Ｍ・Ｌｙ＝Ｌ・Ｍｙ
よって、Ｃｙを下記式から求めることができる。
Ｃｙ＝Ｍ・（Ｌｙ／Ｎ）＝Ｌ・（Ｍｙ／Ｎ）
ここで、上述のとおり、Ｃｙ＝ｍ・Ｍｙ  （ｍは任意の整数）としたため、Ｃｙは次のとおりとなる。
Ｃｙ＝Ｍ・（Ｌｙ／Ｎ）＝（Ｌ／Ｎ）・Ｍｙ＝ｍ・Ｍｙ
Ｃｙ＝Ｋ・ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ／Ｎ）  （Ｋは任意の整数）
よって、ＣｙはＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ／Ｎ）の整数倍と略等しくすることができる。
【００４５】
従って、本実施形態のプローブカード２０３によれば、レチクル領域長さがＲｙであるレチクル領域２５４の領域に含まれるＮ個の検査対象ＬＳＩ２５０を一括して検査することができる。そして、このとき、検査対象ＬＳＩ２５０のチップ長さＣｙをＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ／Ｎ）の整数倍と略等しくすることができ、ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍よりも小さくすることができる。
【００４６】
例えば、図９に示すプローブカード２０３と検査対象ウェハ２５３について、Ｍｙ＝１２０μｍ、Ｌｙ＝２００μｍ、Ｃｙ＝２４０μｍ、Ｃｙ＿ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）＝１２００μｍ、Ｒｙ＝１２００μｍ、Ｎ＝５とすることができる。
【００４７】
なお、ＬｙをＭｙの整数倍と略等しくした場合も、ＣｙをＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ／Ｎ）の整数倍と略等しくすることができる。
【００４８】
接触電極部２５２を検査対象ＬＳＩ２５０から引き出し配線２５５を用いて引き出した場合、図９に示すように、プローブカード２０３の接触端子部２０２が接触する検査対象ウェハ２５３上の位置に対応する接触電極部２５２が存在しない場合がある。このような場合には、図９に示すように、検査対象ウェハ２５３上にダミー接触電極部２５９を配置することとしても良い。また、そのような接触端子部２０２を、予めプローブカード２０３から取り外すこととしても良い。
【００４９】
前述の説明では、ＣｙをＭｙの整数倍と略等しいこととしたが、ＣｙをＬｙの整数倍と略等しいこととしても良い。この場合、ＣｙをＬＣＭ（Ｍｙ／Ｎ，Ｌｙ）の整数倍と略等しくすることができる。なお、この場合、ＬＳＩの引き出し配線を用いてＬＳＩの非接触インタフェースをＬＳＩから引き出すこととする。
【００５０】
また、検査対象ウェハ上の接触電極部は、検査対象ウェハのスクライブ線領域上に配置されても良い。
【００５１】
〔第３の実施形態〕
次に、第３の実施形態に係るプローブカードについて説明する。第３の実施形態に係るプローブカードは、非接触インタフェースが配置された検査用ＬＳＩを備えることを特徴とする。
【００５２】
第３の実施形態に係るプローブカードは、図１０に示すように、基板３００上に配置された検査用ＬＳＩ３０４を備える。非接触インタフェース３０１は第１の方向にＭｙの間隔で検査用ＬＳＩ３０４上に配置される。また、基板３００上には、接触端子部３０２が第１の方向にＬｙの間隔で配置される。ここで、非接触インタフェース３０１が第１の方向にＭｙの間隔で配置された領域に含まれる有効プローブカード領域であって、有効プローブカード領域の両端に配置された非接触インタフェース３０１間の距離を有効プローブカード長さＫｙとすると、接触端子部３０２と非接触インタフェース３０１とは、ＫｙがＬｙとＭｙの最小公倍数であるＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍になるように配置されている。
【００５３】
本実施形態に係るプローブカードを用いて検査対象ＬＳＩを検査する際には、図１１に示すように、プローブカード３０３を検査対象ウェハ３５３が備える検査対象ＬＳＩ３５０に対向して配置する。このとき、プローブカード３０３の接触端子部３０２は、検査対象ＬＳＩ３５０の接触電極部３５２と接触し、プローブカード３０３の非接触インタフェース３０１は、検査対象ＬＳＩ３５０の非接触インタフェース３５１と非接触で通信する。従って、本実施形態に係るプローブカード３０３を用いて検査対象ＬＳＩ３５０を検査することができる。
【００５４】
検査用ＬＳＩは、図１２に示すように基板３１０上に複数個配置されても良く、さらに図１３に示すように二次元状に並設されても良い。図１２に示すプローブカード３１３を用いて検査対象ＬＳＩを検査する際には、図１４に示すように、プローブカード３１３を検査対象ウェハ３６３が備える検査対象ＬＳＩ３６０に対向して配置して、検査対象ＬＳＩ３６０を検査することができる。
【００５５】
本実施形態に係るプローブカードが二次元状に並設された複数の検査用ＬＳＩを備える場合、本実施形態に係るプローブカードを用いて、より多くの検査対象ＬＳＩを一括して検査することが可能となる。
【００５６】
なお、図１３に示すように、検査用ＬＳＩ３２４ａと検査用ＬＳＩ３２４ｂとの間にはスペースがあっても良い。このような場合において、Ｋｙは、検査用ＬＳＩ３２４の両端に配置された非接触インタフェースの距離と略等しい。
【００５７】
また、検査用ＬＳＩ３２４ａと検査用ＬＳＩ３２４ｂは、図１３に示すように、それぞれの検査用ＬＳＩの端に配置された非接触インタフェース３２１ａと非接触インタフェースの３２１ｂとの距離が、ＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍になるように配置するのが望ましい。このように検査用ＬＳＩ３２４ａと検査用ＬＳＩ３２４ｂとを配置することにより、プローブカード３２３よりも大きな検査対象ウェハを効率良く検査することができる。
【００５８】
〔第４の実施形態〕
次に、第４の実施形態に係るプローブカードについて説明する。第４の実施形態に係るプローブカードは、接触端子部の使用状態を切り換えられることを特徴とする。さらに、非接触インタフェースの使用状態を切り換えられることを特徴とする。また、ニードルは電源を供給し、非接触インタフェースは検査信号を供給する場合について説明する。
【００５９】
第４の実施形態に係るプローブカードは、図１５に示すように、基板４００上に配置された検査用ＬＳＩ４０４を備える。非接触インタフェース４０１は第１の方向にＭｙの間隔で検査用ＬＳＩ４０４上に配置される。また、基板４００上には、接触端子部４０２が第１の方向にＬｙの間隔で配置される。ここで、非接触インタフェース４０１が第１の方向にＭｙの間隔で配置された領域に含まれる有効プローブカード領域であって、有効プローブカード領域の両端に配置された非接触インタフェース４０１間の距離を有効プローブカード長さＫｙとすると、接触端子部４０２と非接触インタフェース４０１とは、ＫｙがＬｙとＭｙの最小公倍数であるＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍になるように配置されている。
【００６０】
さらに、プローブカード４０３の接触端子部４０２は、検査対象ＬＳＩの接触電極部の位置に応じて、その使用状態が制御される。例えば、検査対象ＬＳＩ４５０の接触電極部４５２が図１６のような位置にあった場合、プローブカード４０３の接触端子部４０２の使用状態は、図１７に示すように、黒で塗り潰された接触端子部４０２が動作状態となり、その他の接触端子部４０２は非動作状態となる。動作状態となった接触端子部４０２は検査対象ＬＳＩ４５０の接触電極部４５２に接触して、検査対象ＬＳＩ４５０に電源を供給する。
【００６１】
また、本実施形態に係るプローブカード４０３の非接触インタフェース４０１は、検査対象ＬＳＩの非接触インタフェースの位置に応じて、その使用状態が制御される。例えば、検査対象ＬＳＩ４５０の非接触インタフェース４５１が図１６のような位置にあった場合、プローブカード４０３の非接触インタフェース４０１の使用状態は、図１７の実線で示した非接触インタフェース４０１が動作状態となり、その他の非接触インタフェース４０１は非動作状態となる。動作状態となった非接触インタフェース４０１は、検査対象ＬＳＩ４５０の非接触インタフェース４５１と通信して、検査対象ＬＳＩ４５０に検査信号を供給する。
【００６２】
また、図１６の検査対象ＬＳＩとは異なる種類のＬＳＩを検査する場合は、本実施形態に係るプローブカードの接触端子部と非接触インタフェースとの使用状態はそのＬＳＩの構成に応じて切り換えられる。例えば、検査対象ＬＳＩ４６０の接触電極部４６２が図１８に示す位置にある場合は、プローブカード４０３の接触端子部４０２の使用状態は、図１９に示すように、黒で塗り潰された接触端子部４０２が動作状態となり、その他の接触端子部４０２は非動作状態となる。また、検査対象ＬＳＩ４６０の非接触インタフェース４６１が図１８に示す位置にある場合は、プローブカード４０３の非接触インタフェース４０１の使用状態は、実線で示した非接触インタフェース４０１が動作状態となり、その他の非接触インタフェース４０１は非動作状態となる。
【００６３】
本実施形態に係るプローブカードによれば、接触端子部と非接触インタフェースを検査対象ＬＳＩの接触電極部と非接触インタフェースとに必ず対向できるので、検査に必要な接触端子部と非接触インタフェースのみを動作状態とし、それ以外のものを非動作状態に切り換えられる。そのため、プローブカードの消費電力を抑えることができる。
【００６４】
また、本実施形態に係るプローブカードによれば、異なる種類の検査対象ＬＳＩを複数含む検査対象ウェハを検査することが可能となる。例えば、図１８に示す検査対象ウェハ４６３は、異なる種類の検査対象ＬＳＩ４６０ａ、４６０ｂを含む。検査対象ＬＳＩ４６０ａのチップ長さＣｙ４２は、検査対象ＬＳＩ４６０ｂのチップ長さＣｙ４３とは異なる。さらに、それぞれのＬＳＩ上に配置された接触電極部４６２の位置は異なり、非接触インタフェース４６１の位置も異なる。しかしながら、このような場合においても、本実施形態にプローブカード４０３の接触端子部４０２と非接触インタフェース４０１との使用状態を切り換えることにより、検査対象ＬＳＩ４６０ａ、４６０ｂの両方を一斉に検査することが可能となる。
【００６５】
〔第５の実施形態〕
次に、第５の実施形態に係る半導体装置の検査装置について説明する。第５の実施形態に係る半導体装置の検査装置は、プローブカードと、プローブカードに接続されたテスタ装置とを備える。本実施形態に係る半導体装置の検査装置は、プローブカードが備える接触端子部と非接触インタフェースと、テスタ装置とを接続する配線の構造に特徴を有する。
【００６６】
第５の実施形態に係るプローブカードは、図２０に示すように、基板５００上に配置された検査用ＬＳＩ５０４ａ、ｂを備える。非接触インタフェース５０１は第１の方向にＭｙの間隔で検査用ＬＳＩ５０４ａ、ｂ上に配置される。また、基板５００上には、接触端子部５０２が第１の方向にＬｙの間隔で配置される。ここで、非接触インタフェース５０１が第１の方向にＭｙの間隔で配置された領域に含まれる有効プローブカード領域であって、有効プローブカード領域の両端に配置された非接触インタフェース５０１間の距離を有効プローブカード長さＫｙとすると、接触端子部５０２と非接触インタフェース５０１とは、ＫｙがＬｙとＭｙの最小公倍数であるＬＣＭ（Ｍｙ，Ｌｙ）の整数倍になるように配置されている。
【００６７】
さらに、本実施形態に係る半導体装置の検査装置は、図２０に示すように、テスタ装置５０７とそれぞれの接触端子部５０２とを接続する複数の配線５０５と、テスタ装置５０７とそれぞれの非接触インタフェース５０１とを接続する複数の配線５０６を有する。ここで、配線５０５は電源供給用とする。また、配線５０６は検査信号送受信用とする。配線５０５、５０６は、接触端子部５０２又は非接触インタフェース５０１毎に設けられる。このように、接触端子部５０２毎に配線を設けることにより、接触端子部５０２毎に電源の供給を制御することが可能となる。また、非接触インタフェース５０１毎に配線を設けることにより、非接触インタフェース５０１毎に検査信号の送受信を制御することが可能となる。
【００６８】
また、図２０に示すように、本実施形態に係る半導体装置の検査装置は、接触端子部５０２又は非接触インタフェース５０１毎に配線５０５、５０６を設ける構成とするが、次の図２１〜２３に示す構成にすることにより、配線５０５、５０６の数を少なくすることができ、プローブカードの製造コストを抑えることができる。
【００６９】
本実施形態に係る別の半導体装置の検査装置の例を図２１に示す。信号配線５１６は、テスタ装置５１７と検査用ＬＳＩ５１４ａに配置された非接触インタフェースとを、非接触インタフェース毎に接続する。さらに、信号配線５１６は検査用ＬＳＩ５１４ａから延長されて、検査用ＬＳＩ５１４ｂに配置された非接触インタフェースにも接続する。
【００７０】
上述したように、テスタ装置５１７に最も近い検査用ＬＳＩ５１４ａには、配線５１６をテスタ装置５１７から延ばし、それ以外の検査用ＬＳＩ５１４ｂには、隣の検査用ＬＳＩ５１４ａから配線５１６を延ばすようにする。配線をこのように設けることにより、プローブカードに設ける配線の量を減らすことができる。
【００７１】
また、本実施形態に係るさらに別の半導体装置の検査装置の例として、非接触インタフェースに接続する配線を共通化したものを図２２に示す。配線５２６はテスタ装置５２７から延長され、隣り合って配置される検査用ＬＳＩ５２４ａ、５２４ｂのそれぞれの非接触インタフェース５２１に接続される。
【００７２】
半導体装置の検査装置を図２２に示すような構成にすることにより、プローブカード５２３に設ける配線の数を大幅に減らすことができる。また、複数個の非接触インタフェースを共通の配線５２６に接続することにより、これらの非接触インタフェースに同じ検査信号を容易に供給することができる。また、全ての検査用ＬＳＩ５２４ａ、５２４ｂに共通の検査信号を供給することにより検査に必要な信号のチャネル数が減らすことができるため、テスタ装置５２７の信号チャネル数を減らすことができる。その結果、プローブカード５２３とテスタ装置５２７の両方の製造コストを削減することができる。
【００７３】
また、本実施形態に係るさらに別の半導体装置の検査装置の例として、接触端子部に接続する配線を共通化したものを図２３に示す。配線５３５はテスタ装置５３７から延長され、隣り合って配置される検査用ＬＳＩ５３４ａ、５３４ｂのそれぞれの接触端子部５３２に接続される。
【００７４】
図２３に示す構成のように、複数個の接触端子部５３２を共通の配線５３５に接続することにより、プローブカード５３３に設ける配線の数を大幅に減らすことができる。
〔第６の実施形態〕
次に本発明の第６の実施形態に係る検査対象ウェハについて説明する。図２４に示すように、本実施形態に係る検査対象ウェハ６５３は、半導体基板６５６と半導体基板６５６上に配置された複数の接触電極部６５２と、半導体基板６５６上に配置された複数の検査対象ＬＳＩ６５０と、接触電極部６５２と検査対象ＬＳＩ６５０とを接続する引き出し配線６５５とを有する。接触電極部６５２は第１の方向にＬｙの間隔で配置され、検査対象ＬＳＩ６５０は第１の方向に並べられている。ここで、検査対象ＬＳＩ６５０が含まれるレチクル領域６５４であって、レチクル領域６５４の両端に配置された検査対象ＬＳＩ６５０の間の距離を有効レチクル長さＲｙとする。ここで、検査対象ＬＳＩ６５０の間の距離とは、図２４に示すように、検査対象ＬＳＩ６５０の第１の方向の端を基準としている。このとき、検査対象ＬＳＩ６５０と接触電極部６５２とは、Ｒｙが検査対象ＬＳＩ６５０の第１の方向の長さであるチップ長さＣｙとＬｙとの最小公倍数の整数倍であるＬＣＭ（Ｃｙ，Ｌｙ）の整数倍になるように配置されている。すなわち、検査対象ＬＳＩ６５０と接触電極部６５２とは、この最少公倍数を周期とする周期性を持って、半導体基板６５６上に配置されている。また、ここで、レチクル領域６５４内の第１の方向に並べられた検査対象ＬＳＩ６５０の数をＮ個とする。すると、後述するように、ＣｙはＬｙをＮで除した値であるＬｙ／Ｎの整数倍と等しくなる。なお、上述の説明ではＲｙはＬＣＭ（Ｃｙ，Ｌｙ）の整数倍であるとしたが、図２４には、ＲｙがＬＣＭ（Ｃｙ，Ｌｙ）と等しい場合を示す。
【００７５】
本実施形態に係る検査対象ウェハ６５３によれば、図２４に示すように、接触電極部６５２はＬｙの間隔で半導体基板上に配置される。このため、第１の方向にＬｙの間隔で配置された接触端子部６０２を備えるプローブカード６０３を用いて、検査対象ウェハ６５３を検査することができる。さらに、引き出し配線６５５が、接触電極部６５２と検査対象ＬＳＩ６５０とを接続するため、Ｃｙの長さに依存せずに接触電極部６５２をＬｙの間隔で配置することができる。また、ＣｙはＬｙ／Ｎの整数倍と等しく、レチクル長さがＲｙであるレチクル領域６５４内にはＮ個の検査対象ＬＳＩ６５０が並ぶ。よって、このレチクル領域６５４内には、必ず整数Ｍ個の接触電極部７５２がＬｙの間隔で配置される。
【００７６】
すなわち、本実施形態に係る検査対象ウェハ６５３によれば、レチクル領域６５４に、
チップ長さＣｙがＬｙ／Ｎの整数倍である検査対象ＬＳＩ６５０がＮ個敷き詰められ、Ｌｙの間隔で配置された接触電極部６５０がＭ個敷き詰められる。さらに、このとき、引き出し配線６５５が検査対象ＬＳＩ６５０と接触電極部６５２とを接続している。従って、このような検査対象ウェハ６５３を、Ｌｙの間隔で配置された接触端子部６０２を備えたプローブカード６０３を用いて検査することができる。加えて、ＣｙがＬｙ／Ｎの整数倍であれば、チップ長さＣｙが異なる検査対象ＬＳＩ６５０をＮ個含むレチクル領域６５４同士で、接触端子部６５２の配置を同一とすることができる。従って、チップ長さＣｙが異なる検査対象ＬＳＩ６５０をＮ個含むレチクル領域６５４を同一のプローブカードを用いて検査することができる。
【００７７】
本実施形態に係る検査対象ウェハ６５３が備える検査対象ＬＳＩ６５０のチップ長さＣｙがＬｙ／Ｎの整数倍と等しくなる根拠について、Ｃｙ，Ｌｙ，Ｒｙの関係性と併せて次に説明する。検査対象ＬＳＩ６５０には少なくとも接触電極部６５２が一つ以上配置されるため、Ｃｙは次の式を満たす。
Ｃｙ＞Ｌｙ
図２４の場合、ＣｙはＬｙの整数倍ではないため、それぞれの検査対象ＬＳＩ６５０と接触電極部６５２との位置関係が同じになるように接触電極部をＬｙの間隔で半導体基板６５６上に配置することができない。そこで、接触電極部６５２をＬｙと略等しい間隔で、検査対象ＬＳＩ６５０の領域の外に配置し、接触電極部６５２と検査対象ＬＳＩ６５０とを接続する引き出し配線６５５を設ける。これにより、プローブカード６０３の接触端子部６０２を接触電極部６５２に接触させて、検査対象ＬＳＩ６５０に電源を供給することができる。
【００７８】
ここで、ＲｙはＬＣＭ（Ｃｙ，Ｌｙ）である。そのため、レチクル領域６５４の領域内に第１の方向に並べられた検査対象ＬＳＩ６５０の数をＮ、Ｌｙの間隔で配置された接触端子部の数をＭ（Ｍは任意の整数）とした場合、下記式を満たす。
Ｒｙ＝Ｎ・Ｃｙ＝Ｍ・Ｌｙ
よって、Ｃｙを下記式から求めることができる。
Ｃｙ＝Ｍ・（Ｌｙ／Ｎ）
よって、ＣｙはＬｙ／Ｎの整数倍と略等しくなる。
【００７９】
従って、ＣｙをＬｙ／Ｎの整数倍と略等しくすることにより、レチクル長さがＲｙであるレチクル領域６５４にチップ長さがＣｙの検査対象ＬＳＩ６５０を整数Ｎ個敷き詰めることができる。また、このとき、レチクル領域６５４には、Ｌｙの間隔で配置された整数Ｍ個の接触電極部６５２を敷き詰めることができる。よって、ＣｙがＬｙ／Ｎの整数倍であれば、Ｃｙが異なる検査対象ＬＳＩ６５０を備えるレチクル領域６５４であっても、レチクル領域６５４の接触電極部６５２の配置を同一にすることができ、同一のプローブカード６０３を用いて検査することが可能となる。
【００８０】
本実施形態の検査対象ウェハ６５３によれば、検査対象ＬＳＩ６５０のチップ長さＣｙはＬｙ／Ｎの整数倍であるが、ＣｙはＬｙの整数倍よりも小さくても良い。また、ＣｙはＬｙの整数倍と異なることとしても良い。
【００８１】
本実施形態に係る検査対象ウェハ６５３を検査するために用いるプローブカード６０３は、基板６００と、基板６００上に配置された複数の接触端子部６０２を備える。接触端子部６０２は、第１の方向にＬｙの間隔で配置される。プローブカード６０３をこのような構成にすることにより、図２４に示すように、プローブカード６０３を検査対象ウェハ６５３のレチクル領域６５４に対向して配置させたときに、プローブカード６００の接触端子部６０２をレチクル領域６５４内の接触電極部６５２に対向させることができる。
【００８２】
ここで、プローブカードの接触端子部６０２が第１の方向に第１の間隔で配置された領域に含まれる有効プローブカード領域であって、有効プローブカード領域の両端に配置された接触端子部６０２間の距離である有効プローブカード長さをＫｙとする。Ｋｙは、Ｒｙよりも大きい又は等しいことが望ましい。ＫｙがＲｙよりも大きい又は等しいプローブカード６００を用いれば、検査対象ウェハ６５３のレチクル領域６５４に配置された全ての検査対象ＬＳＩ６５０を一斉に検査することが可能となる。
【００８３】
接触電極部６５２を検査対象ＬＳＩ６５０から引き出し配線６５５を用いて引き出した場合、図２４に示すように、プローブカード６０３の接触端子部６０２が接触する半導体基板６５６上の位置に対応する接触電極部６５２が存在しない場合がある。このような場合には、図２４に示すように、ダミー接触電極部６５９を配置することとしても良い。また、そのような接触端子部６０２を、予めプローブカード６０３から取り外すこととしても良い。
【００８４】
また、半導体基板６５６上の接触電極部６５２は、スクライブ線領域上に配置されても良い。
【００８５】
本発明は上記実施形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で、種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれるものであることはいうまでもない。
（付記１）
半導体基板と、
前記半導体基板上に、第１の方向に第１の間隔で配置された複数の接触電極部と、
前記半導体基板上に、第１の方向に並べられた複数の検査対象ＬＳＩと、
前記接触電極部と前記検査対象ＬＳＩとを接続する引き出し配線とを備え、
前記検査対象ＬＳＩが含まれるレチクル領域であって、前記レチクル領域の両端に配置された検査対象ＬＳＩ間の距離である有効レチクル長さが、前記検査対象ＬＳＩの第１の方向の長さであるチップ長さと前記第１の間隔との最小公倍数の整数倍であり、
前記チップ長さは、前記第１の間隔を前記有効レチクル領域内の前記第１の方向に並べられた前記検査対象ＬＳＩの数で除した値の整数倍である検査対象ウェハ。
（付記２）
前記チップ長さは、前記第１の間隔の整数倍ではない付記１に記載の検査対象ウェハ。
（付記３）
前記接触電極部は、前記半導体基板上のスクライブ線領域に配置された付記１又は２に記載の検査対象ウェハ。
【符号の説明】
【００８６】
１００、１１０、１２０、１３０、２００、３００、３１０、３２０、４００、５００、５１０、５２０、５３０、６００    基板
１０１、１１１，１２１、１３０、２０１、３０１、３１１、３２１、４０１、５０１、５２１、５３１    非接触インタフェース
１０２、１１２、１２２、１３２、２０２、３０２、３１２、３２２、４０２、５０２、５１２，５２２、５３２、６０２    接触端子部
１０３、１１３、１２３、１３３、２０３、３０３，３１３、３２３、４０３、５０３、５１３、５２３、５３３、６０３    プローブカード
１５０、１６０、１７０、２５０、３５０、３６０、４５０、４６０、６５０    検査対象ＬＳＩ
１５１、１６１、１７１、２５１、３５１、３６１、４５１、４６１    非接触インタフェース
１５２、１６２、１７２、２５２、３５２、３６２、４５２、４６２、６５２    接触電極部
１５３、１６３、１７３、２５３、３５３、３６３、４５３、４６３、６５３    検査対象ウェハ
２５４、６５４    レチクル領域
２５５、６５５    引き出し配線
２５９、６５９    ダミー接触電極部
３０４、３１４、３２４、４０４、５０４、５１４、５２４、５３４    検査用ＬＳＩ
５０５、５０６、５１５、５１６、５２５、５２６、５３５、５３６    配線
５０７、５１７、５２７、５３７    テスタ装置
６５６    半導体基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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