(57)【要約】【課題】層内レンズ内のボイドの発生を防止する。【解決手段】半導体基板上１１上に、ゲート絶縁膜２５及び第１、第２転送電極１９ａ，１９ｂを覆う絶縁膜２６、及び絶縁膜２６を覆うＢＰＳＧ膜４９を形成する。ＢＰＳＧ膜４９上にその凹部５０を埋めるようにＳｉＮ膜５２を形成して、下凸層内レンズ２９を形成する。ＳｉＮ膜５２を平坦化した後、ＳｉＮ膜５２をＢＰＳＧ膜４９よりも高選択比でエッチングして、各転送電極１９ａ，１９ｂ上及びその周囲の領域のＢＰＳＧ膜４９を露出させる。露出したＢＰＳＧ膜４９を異方性エッチングして電極周囲溝５５を形成する。電極周囲溝５５を埋めるように遮光膜２７を形成する。遮光膜２７における受光素子１２の直上位置に開口部２７ａを形成する。遮光膜形成前の低アスペクト比の凹部５０にＳｉＮ膜５２を埋め込んで下凸層内レンズ２９を形成するので、ボイドの発生が防止される。【選択図】図２
2011233621.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換により信号電荷を発生する複数個の光電変換素子、及び前記光電変換素子で発生した信号電荷を転送する電荷転送路が形成された半導体基板上に、光透過性を有する第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、
前記第１絶縁膜上でかつ前記電荷転送路の上方に、転送電極を形成する転送電極形成工程と、
前記第１絶縁膜及び前記転送電極を覆うように、光透過性を有する第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、
前記第２絶縁膜を覆う第１透明膜であって、前記光電変換素子の直上位置に前記転送電極と前記第１絶縁膜との段差による凹部を有する第１透明膜を形成する第１透明膜形成工程と、
前記凹部を埋めるように前記第１透明膜を第２透明膜で覆って、当該凹部内に下凸形状の光透過部を形成する第２透明膜形成工程と、
前記第２透明膜の表面を平坦化する平坦化工程と、
前記第２透明膜の表面が前記転送電極上の前記第１透明膜の表面よりも低く、かつ前記転送電極の表面よりも高くなるまで、前記第２透明膜を前記第１透明膜よりも高選択比でエッチングして、前記転送電極上及びその周囲の領域の前記第１透明膜を露出させる高選択比エッチング工程と、
前記第２透明膜をマスクとして、前記高選択比エッチング工程で露出した前記第１透明膜を、前記半導体基板に対して略垂直方向に異方性エッチングして、前記転送電極上の前記第１透明膜を除去するとともに、前記転送電極の周囲に溝を形成する異方性エッチング工程と、
前記半導体基板上に、前記溝を埋めるように遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、
前記遮光膜における前記光電変換素子の直上位置に開口部を形成する開口部形成工程と、
を有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
前記光電変換素子は前記半導体基板に行列状に形成されているとともに、前記転送電極は、前記光電変換素子の各行間において行方向に沿って延びて設けられた第１及び第２転送電極からなり、
前記第１及び第２転送電極の前記光電変換素子側の第１側面、及び当該両転送電極の互いに対向する側の第２側面を、前記半導体基板に対して略垂直な垂直面に形成することを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
前記光電変換素子は前記半導体基板に行列状に形成されているとともに、前記転送電極は、前記光電変換素子の各行間において行方向に沿って延びて設けられた第１及び第２転送電極からなり、
前記第１及び第２転送電極の前記光電変換素子側の第１側面を、当該光電変換素子側とは反対側に傾斜させた傾斜面に形成することを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１及び第２転送電極の互いに対向する側の第２側面を、前記半導体基板に対して略垂直な垂直面に形成することを特徴とする請求項３記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
前記転送電極を、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンで形成することを特徴とする請求項１ないし４いずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
前記転送電極を、ポリシリコンあるいはアモルファスシリコンと金属シリサイドとの積層体、または金属シリサイドで形成することを特徴とする請求項１ないし４いずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
第１透明膜形成工程では、前記凹部の内面を曲面形状に形成し、
第２透明膜形成工程では、前記光透過部として、前記光電変換素子に光を集光する下凸形状の層内レンズを形成することを特徴とする請求項１ないし６いずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１透明膜をＢＰＳＧまたはＰＳＧで形成することを特徴とする請求項７記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１透明膜形成工程では、前記凹部内の空間を、前記半導体基板に対して略垂直な柱状に形成し、
前記第２透明膜形成工程では、前記光透過部として、前記光電変換素子に光を導く導波路のコア部を形成することを特徴とする請求項１ないし６いずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１透明膜形成工程では、前記第１透明膜の厚みをほぼ均一に形成することを特徴とする請求項９記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１透明膜を、ＳｉＯ２  で形成することを特徴とする請求項９または１０記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１２】
前記遮光膜を金属材料で形成することを特徴とする請求項１ないし１１いずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１３】
前記転送電極形成工程と前記第２絶縁膜形成工程との間に、前記光電変換素子上の前記第１絶縁膜を除去する第１絶縁膜除去工程を有し、
前記第２絶縁膜形成工程では、前記第１絶縁膜除去工程で露出させた前記半導体基板の表面を前記第２絶縁膜で覆うことを特徴とする請求項１ないし１２いずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第１絶縁膜除去工程では、ドライエッチング法と、ウェットエッチング法と、ドライエッチング法及びウェットエッチング法の組み合わせと、のいずれかの方法でエッチングを行うことを特徴とする請求項１３記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第１絶縁膜をＳｉＯ２  、ＳｉＮ、ＳｉＯ２  とＳｉＮからなる積層膜のいずれかで形成することを特徴とする請求項１ないし１４いずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第２絶縁膜及び前記第２透明膜をＳｉＮで形成することを特徴とする請求項１ないし１５いずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１７】
前記高選択比エッチング工程では、ケミカルドライエッチング法でエッチングを行うことを特徴とする請求項１ないし１６いずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１８】
前記異方性エッチング工程では、Ａｒ及びフルオロカーボンの少なくともいずれか１つと、ＣＯとからなるプラズマガスを用いて前記異方性エッチングを行うことを特徴とする請求項１ないし１７いずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１９】
前記異方性エッチング工程と前記遮光膜形成工程との間に、前記半導体基板上に、少なくとも前記溝の内面を覆うように前記遮光膜との密着性がよい密着層を形成する密着層形成工程を有することを特徴とする請求項１ないし１８いずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項２０】
前記開口部形成工程後、前記開口部上に、前記第２透明膜と同じ材料からなる上凸形状の層内レンズを形成する上凸レンズ形成工程を有することを特徴とする請求項１ないし１９いずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層内レンズや導波路を有する固体撮像素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラには、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型の固体撮像素子が組み込まれている。これらの固体撮像素子には、２次元状に配列された多数の受光素子が形成されている。このような固体撮像素子では、画素の微細化に伴い受光素子の開口面積が縮小されるため、その分、感度が低下するといった問題がある。そこで、被写体からの光を受光素子に効率よく集光するため、各受光素子の直上位置にマイクロレンズが形成されている。さらに、このようなマイクロレンズだけではなく、各マイクロレンズと各受光素子との間に、より集光効率を高めるための下凸形状のレンズ、いわゆる下凸層内レンズが形成されている。
【０００３】
このような下凸層内レンズは、特許文献１に記載されているように、受光素子上及び転送電極を覆う遮光膜上に比較的低温で流動化するＢＰＳＧ膜を層間絶縁膜として形成し、転送電極による段差によって受光素子の直上位置に形成される層間絶縁膜の凹部にＣＶＤ法で高屈折率材料を積層して形成される。
【０００４】
特許文献２〜３には、特許文献１とは異なる方法で層間絶縁膜の凹部の形成する固体撮像素子の製造方法が記載されている。特許文献２の製造方法では、層間絶縁膜の表面でかつ受光素子の直上位置にエッチングで窪みを形成した後、この層間絶縁膜の平面上に、窪み端部と連続するように上凸形状のレジスト膜を形成し、このレジスト膜及び層間絶縁膜を異方性エッチングすることで凹部を形成している。特許文献３の製造方法では、ドライエッチングにより受光素子側からマイクロレンズ側に向けて次第に大径となる略テーパ形状の凹部を層間絶縁膜に形成している。
【０００５】
特許文献４には、特許文献１と同様にして層間絶縁膜に凹部を形成した後、この凹部にアモルファス状の金属酸化物を塗布法により埋め込んで下凸層内レンズを形成する固体撮像素子の製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１８８９６４号公報
【特許文献２】特開２００９−０６００２１号公報
【特許文献３】特開２００８−２５１９８５号公報
【特許文献４】特開２００８−２７７７９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、近年、固体撮像素子の高画素化・高解像度化の要求から、さらなる画素の微細化が進んでおり、これに伴い、層間絶縁膜の凹部のアスペクト比（凹部の深さと開口径の比）が高くなっている。このため、特許文献１〜２に記載のようにＣＶＤ法で凹部内に高屈折率材料を積層した場合には、下凸層内レンズにボイドが発生して十分な集光効率が得られず、固体撮像素子の感度を低下させてしまう。このため、特許文献３に記載のように凹部をテーパ形状に形成することで、凹部の開口径が広がるため凹部内への高屈折率材料の埋め込み性が若干向上するものの、さらなる画素の微細化が進んだ場合にはボイドの発生を抑制することができない。
【０００８】
また、特許文献４に記載の方法では塗布法を用いるため、ＣＶＤ法を用いる既存の設備では実施不可能であり、新たな設備を導入する必要があるため、製造コストが増加してしまう。また、アモルファス状の金属酸化物を層内レンズの材料として用いるので、後工程における熱処理の温度等に制約が生じてしまう。
【０００９】
本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、既存設備で実施可能でかつ下凸層内レンズのボイドの発生を防止することができる固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の固体撮像素子の製造方法は、光電変換により信号電荷を発生する複数個の光電変換素子、及び前記光電変換素子で発生した信号電荷を転送する電荷転送路が形成された半導体基板上に、光透過性を有する第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、前記第１絶縁膜上でかつ前記電荷転送路の上方に、転送電極を形成する転送電極形成工程と、前記第１絶縁膜及び前記転送電極を覆うように、光透過性を有する第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、前記第２絶縁膜を覆う第１透明膜であって、前記光電変換素子の直上位置に前記転送電極と前記第１絶縁膜との段差による凹部を有する第１透明膜を形成する第１透明膜形成工程と、前記凹部を埋めるように前記第１透明膜を第２透明膜で覆って、当該凹部内に下凸形状の光透過部を形成する第２透明膜形成工程と、前記第２透明膜の表面を平坦化する平坦化工程と、前記第２透明膜の表面が前記転送電極上の前記第１透明膜の表面よりも低く、かつ前記転送電極の表面よりも高くなるまで、前記第２透明膜を前記第１透明膜よりも高選択比でエッチングして、前記転送電極上及びその周囲の領域の前記第１透明膜を露出させる高選択比エッチング工程と、前記第２透明膜をマスクとして、前記高選択比エッチング工程で露出した前記第１透明膜を、前記半導体基板に対して略垂直方向に異方性エッチングして、前記転送電極上の前記第１透明膜を除去するとともに、前記転送電極の周囲に溝を形成する異方性エッチング工程と、前記半導体基板上に、前記溝を埋めるように遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、前記遮光膜における前記光電変換素子の直上位置に開口部を形成する開口部形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
前記光電変換素子は前記半導体基板に行列状に形成されているとともに、前記転送電極は、前記光電変換素子の各行間において行方向に沿って延びて設けられた第１及び第２転送電極からなり、前記第１及び第２転送電極の前記光電変換素子側の第１側面、及び当該両転送電極の互いに対向する側の第２側面を、前記半導体基板に対して略垂直な垂直面に形成することが好ましい。
【００１２】
前記光電変換素子は前記半導体基板に行列状に形成されているとともに、前記転送電極は、前記光電変換素子の各行間において行方向に沿って延びて設けられた第１及び第２転送電極からなり、前記第１及び第２転送電極の前記光電変換素子側の第１側面を、当該光電変換素子側とは反対側に傾斜させた傾斜面に形成することが好ましい。また、前記第１及び第２転送電極の互いに対向する側の第２側面を、前記半導体基板に対して略垂直な垂直面に形成することが好ましい。
【００１３】
前記転送電極を、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンで形成することが好ましい。また、前記転送電極を、ポリシリコンあるいはアモルファスシリコンと金属シリサイドとの積層体、または金属シリサイドで形成することが好ましい。
【００１４】
第１透明膜形成工程では、前記凹部の内面を曲面形状に形成し、第２透明膜形成工程では、前記光透過部として、前記光電変換素子に光を集光する下凸形状の層内レンズを形成することが好ましい。さらに、前記第１透明膜をＢＰＳＧまたはＰＳＧで形成することが好ましい。
【００１５】
前記第１透明膜形成工程では、前記凹部内の空間を、前記半導体基板に対して略垂直な柱状に形成し、前記第２透明膜形成工程では、前記光透過部として、前記光電変換素子に光を導く導波路のコア部を形成することが好ましい。また、前記第１透明膜形成工程では、前記第１透明膜の厚みをほぼ均一に形成することが好ましい。さらに、前記第１透明膜を、ＳｉＯ２  で形成することが好ましい。
【００１６】
前記遮光膜を金属材料で形成することが好ましい。また、前記転送電極形成工程と前記第２絶縁膜形成工程との間に、前記光電変換素子上の前記第１絶縁膜を除去する第１絶縁膜除去工程を有し、前記第２絶縁膜形成工程では、前記第１絶縁膜除去工程で露出させた前記半導体基板の表面を前記第２絶縁膜で覆うことが好ましい。さらに、前記第１絶縁膜除去工程では、ドライエッチング法と、ウェットエッチング法と、ドライエッチング法及びウェットエッチング法の組み合わせと、のいずれかの方法でエッチングを行うことが好ましい。
【００１７】
前記第１絶縁膜をＳｉＯ２  、ＳｉＮ、ＳｉＯ２  とＳｉＮからなる積層膜のいずれかで形成することが好ましい。また、前記第２絶縁膜及び前記第２透明膜をＳｉＮで形成することが好ましい。
【００１８】
前記高選択比エッチング工程では、ケミカルドライエッチング法でエッチングを行うことが好ましい。
【００１９】
前記異方性エッチング工程では、Ａｒ及びフルオロカーボンの少なくともいずれか１つと、ＣＯとからなるプラズマガスを用いて前記異方性エッチングを行うことが好ましい。
【００２０】
前記異方性エッチング工程と前記遮光膜形成工程との間に、前記半導体基板上に、少なくとも前記溝の内面を覆うように前記遮光膜との密着性がよい密着層を形成する密着層形成工程を有することが好ましい。また、前記開口部形成工程後、前記開口部上に、前記第２透明膜と同じ材料からなる上凸形状の層内レンズを形成する上凸レンズ形成工程を有することが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、遮光膜形成前の低アスペクト比の凹部に第２透明膜を埋め込んで層内レンズや導波路のコア部などの光透過部を形成することにより、この光透過部にボイドが発生することが防止される。その結果、固体撮像素子が高画素化・高解像度化した場合でも、高感度な固体撮像素子が得られる。また、ＣＶＤ法により第２透明膜の埋め込みを行う既存の設備で実施することができるので、新たな設備の追加が不要となり、製造コストの増加が防止される。
【００２２】
転送電極の光電変換素子側の第１側面を傾斜面に形成することで、凹部の開口が拡がるため、第２透明膜の埋め込み性がより向上する。その結果、ボイドの発生を確実に防止することができる。
【００２３】
転送電極を低抵抗な金属シリサイドで形成したので、転送電極の高さを低くすることができる。その結果、凹部のアスペクト比をより低くすることができるので、第２透明膜の埋め込み性がより向上して、ボイドの発生が確実に防止される。
【００２４】
第２絶縁膜の形成前に光電変換素子上の第１絶縁膜を除去するようにしたので、少なくともこの第１絶縁膜の厚み分だけ光透過部を受光素子に近づけることができる。その結果、光透過部として層内レンズを形成した場合、効率的に光を受光素子１２に集光させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】ＣＣＤ型イメージセンサの平面模式図である。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】第１実施形態のＣＣＤ製造工程のフローチャートである。
【図４】受光素子・垂直転送路形成工程、ゲート絶縁膜形成工程、絶縁膜形成工程を説明するための説明図である。
【図５】ＢＰＳＧ膜形成工程を説明するための説明図である。
【図６】加熱処理工程を説明するための説明図である。
【図７】ＳｉＮ膜形成工程を説明するための説明図である。
【図８】平坦化処理工程を説明するための説明図である。
【図９】高選択比エッチング処理工程を説明するための説明図である。
【図１０】異方性エッチング処理工程を説明するための説明図である。
【図１１】密着層形成工程を説明するための説明図である。
【図１２】遮光膜形成工程を説明するための説明図である。
【図１３】フォトリソグラフィー処理工程を説明するための説明図である。
【図１４】フォトリソグラフィー処理後の半導体基板の断面図である。
【図１５】上凸レンズ形成工程を説明するための説明図である。
【図１６】従来のＢＰＳＧ膜形成工程を説明するための説明図である。
【図１７】従来のＳｉＮ膜形成工程時において、層内レンズにボイドが発生することを説明するための説明図である。
【図１８】従来の平坦化処理工程において、平坦化処理後もボイドが残ることを説明するための説明図である。
【図１９】従来のＣＣＤ型イメージセンサの断面図である。
【図２０】第２実施形態における転送電極形成工程を説明するための説明図である。
【図２１】第２実施形態におけるＳｉＮ膜形成工程を説明するための説明図である。
【図２２】第２実施形態のＣＣＤ型イメージセンサの断面図である。
【図２３】第３実施形態における転送電極形成工程を説明するための説明図である。
【図２４】第３実施形態のＣＣＤ型イメージセンサの断面図である。
【図２５】第４実施形態におけるＢＰＳＧ膜形成工程、ＳｉＮ膜形成工程を説明するための説明図である。
【図２６】第４実施形態における平坦化処理工程、高選択比エッチング処理工程を説明するための説明図である。
【図２７】第４実施形態における異方性エッチング処理工程を説明するための説明図である。
【図２８】第４実施形態における遮光膜形成工程を説明するための説明図である。
【図２９】第４実施形態のＣＣＤ型イメージセンサの断面図である。
【図３０】第５実施形態のＣＣＤ製造工程のフローチャートである。
【図３１】ゲート絶縁膜除去工程を説明するための説明図である。
【図３２】第５実施形態における絶縁膜形成工程を説明するための説明図である。
【図３３】第５実施形態のＣＣＤ型イメージセンサの断面図である。
【図３４】２層構造の垂直転送電極の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
［第１実施形態］
図１に示すように、本発明の固体撮像素子に相当するＣＣＤ型イメージセンサ（以下、単にＣＣＤという）１０は、半導体基板１１（図２参照）上に２次元配列され、被写体光を光電変換して電荷を発生する複数の受光素子（光電変換素子）１２と、複数の受光素子１２の各々で発生した電荷を図中垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部（ＶＣＣＤ）１３と、各ＶＣＣＤ１３の端部に接続され、ＶＣＣＤ１３の各々を転送されてきた電荷を、図中水平方向に転送する水平電荷転送部（ＨＣＣＤ）１４と、ＨＣＣＤ１４から転送されてきた電荷を電圧信号に変換して出力する出力部１５とを備えている。
【００２７】
受光素子１２は、いわゆるハニカム配列に並べられている。受光素子１２の１列ごとに１つのＶＣＣＤ１３が設けられている。受光素子１２の各列とそれに対応するＶＣＣＤ１３の垂直転送路１８（図２参照）との間には、図中に矢印で模式的に示した電荷読み出しゲートが形成されている。露光期間中に各受光素子１２で発生して蓄積された信号電荷は、電荷読み出しゲートを介して、垂直転送路１８に読み出される。
【００２８】
垂直転送路１８は、半導体基板１１の表層に、受光素子１２を避けるように蛇行して形成されている。半導体基板１１の表面上には垂直転送電極１９が設けられている。垂直転送電極１９は、垂直転送路１８を図中水平方向に横切り、かつ受光素子１２を避けるように蛇行した第１垂直転送電極１９ａ及び第２垂直転送電極１９ｂが図中垂直方向に交互に配列されてなる。ＶＣＣＤ１３は、８列ごとの各垂直転送電極１９ａ，１９ｂにそれぞれ印加される８相の垂直転送パルスφＶ１〜φＶ８によって転送駆動される。
【００２９】
ＨＣＣＤ１４は、水平転送路（図示せず）とその上に設けられた複数の水平転送電極（図示せず）とで構成される。ＨＣＣＤ１４は、水平転送電極に印加される２相の水平転送パルスφＨ１，φＨ２によって２相駆動される。ＨＣＣＤ１４の端部に接続される出力部１５は、電荷を電圧に変換するフローティングディフュージョン部と、ソースフォロア回路とからなるＦＤアンプにより構成されている。
【００３０】
図１のＩＩ−ＩＩ線の断面を示す図２において、ｎ型シリコンからなる半導体基板１１の表層にはｐ型ウェル層２１が形成されている。なお、図２では、各部を明確にするため、相互の厚みや幅の比率は無視して一部誇張している（図３以降も同様）。
【００３１】
ｐ型ウェル層２１内には、ｎ型層からなる受光素子１２が形成されている。受光素子１２の一方の側方には、ｐ型ウェル層２１の表層部からなる読み出しゲート２２を介して、ｎ型層からなる垂直転送路１８が形成されている。受光素子１２の他方の側方には、ｐ＋  型層からなるチャネルストップ２３を介して隣接画素に属する垂直転送路１８が形成されている。
【００３２】
半導体基板１１の表面には、酸化シリコン（ＳｉＯ２  ）等からなる光透過性のゲート絶縁膜（第１絶縁膜）２５が形成されている。このゲート絶縁膜２５上には、垂直転送路１８、読み出しゲート２２、及びチャネルストップ２３の略直上を覆うように、ポリシリコン（アモルファスシリコンでも可）からなる第１及び第２垂直転送電極１９ａ，１９ｂが形成されている。第１及び第２垂直転送電極１９ａ，１９ｂは垂直転送路１８を駆動して電荷転送を行わせる駆動電極として機能し、さらに第１垂直転送電極１９ａは読み出しゲート２２を駆動して電荷読み出しを行わせる読出し電極としても機能する。
【００３３】
半導体基板１１上には、各垂直転送電極１９ａ，１９ｂ及びゲート絶縁膜２５を覆うように、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる光透過性の絶縁膜（第２絶縁膜）２６が形成されている。この絶縁膜２６上には、第１及び第２垂直転送電極１９ａ，１９ｂ上を覆うようにタングステン（Ｗ）からなる遮光膜２７が形成されている。遮光膜２７は、受光素子１２の直上位置に開口部２７ａを有し、それ以外の領域を遮光している。
【００３４】
開口部２７ａから露呈した絶縁膜２６上には、凹形状（略半球形状）の表面を有する光透過性の凹型絶縁膜（第１透明膜）２８が形成されている。凹型絶縁膜２８は、ＢＰＳＧ（Boron Phosphor Silicate Glass）により形成されている。この凹型絶縁膜２８上には、凹型絶縁膜２８より屈折率が高いＳｉＮが積層され、受光素子１２に向けて突出した下凸形状の層内レンズ（以下、下凸層内レンズという）２９が形成されている。
【００３５】
下凸層内レンズ２９上には、ＳｉＮからなる上凸形状の層内レンズ（以下、上凸層内レンズという）３０が形成されている。なお、上凸層内レンズ３０上には、周知の透光性の平坦化膜Ｈ、カラーフィルタＣ、マイロレンズＭが形成されている。
【００３６】
マイロレンズＭに入射した入射光は、上凸層内レンズ３０によって集光されて開口部２７ａに導かれ、さらに下凸層内レンズ２９によって集光されることで、効率よく受光素子１２によって受光される。
【００３７】
次に、図３を用いてＣＣＤ１０を製造するＣＣＤ製造工程３３の一例について説明を行う。ＣＣＤ製造工程３３では、受光素子・垂直転送路形成工程３４と、ゲート絶縁膜形成工程３５と、転送電極形成工程３６と、絶縁膜形成工程３７と、ＢＰＳＧ膜形成工程３８と、加熱処理工程３９と、ＳｉＮ膜形成工程４０と、平坦化処理工程４１と、高選択比エッチング処理工程４２と、異方性エッチング処理工程４３と、密着層形成工程４４と、遮光膜形成工程４５と、フォトリソグラフィー処理工程４６と、上凸レンズ形成工程４７とが順に実行される。なお、平坦化膜Ｈ、カラーフィルタＣ、及びマイクロレンズＭの各形成工程の図示は省略している。
【００３８】
図４に示すように受光素子・垂直転送路形成工程３４では、半導体基板１１内にｐ型及びｎ型イオンをそれぞれ注入することにより、前述の受光素子１２、垂直転送路１８、ｐ型ウェル層２１、読み出しゲート２２、チャネルストップ２３等を形成する。次いで、ゲート絶縁膜形成工程３５では、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、半導体基板１１上にＳｉＯ２  からなるゲート絶縁膜２５を形成する。
【００３９】
転送電極形成工程３６では、周知のＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁膜２５上にポリシリコン膜を形成した後、周知のフォトリソグラフィー法を用いてポリシリコン膜をパターニングする。これにより、読み出しゲート２２や垂直転送路１８等の略直上位置に、第１及び第２垂直転送電極１９ａ，１９ｂが形成される。次いで、絶縁膜形成工程３７では、ＣＶＤ装置を用いて、半導体基板１１上に、垂直転送電極１９ａ，１９ｂ及びゲート絶縁膜２５を覆うＳｉＮからなる絶縁膜２６を形成する。
【００４０】
図５に示すようにＢＰＳＧ膜形成工程３８では、ＣＶＤ装置を用いて絶縁膜２６上にＢＰＳＧ膜（第１透明膜）４９を形成する。ＢＰＳＧ膜４９は、その断面が各垂直転送電極１９ａ，１９ｂとゲート絶縁膜２５との段差により凹凸形状に形成される。これにより、ＢＰＳＧ膜４９には、受光素子１２の直上位置に凹部５０が形成される。
【００４１】
次いで、図６に示すように加熱処理工程３９では、半導体基板１１に対して、ＢＰＳＧ膜４９が溶融する温度（例えば９００℃程度）で加熱リフロー処理を施す。凹部５０の側壁部を構成するＢＰＳＧ膜４９が溶融すると、その一部が凹部５０の底部に流下する。これにより、ＢＰＳＧ膜４９が下凸曲面状になるように整形された後で冷却されて固化する。これにより、凹部５０が下凸層内レンズ２９の型となる形状となる。
【００４２】
図７に示すようにＳｉＮ膜形成工程４０では、ＣＶＤ装置を用いて、凹部５０を埋めるようにＢＰＳＧ膜４９上にＳｉＮ膜５２を形成する。これにより、凹部５０内にその内面を型として下凸層内レンズ２９が形成される。この下凸層内レンズ２９の形成時点では、遮光膜２７が形成されていないため凹部５０のアスペクト比が低くなり、その結果、凹部５０内にＳｉＮ膜５２を隙間なく埋め込むことができる。
【００４３】
図８（Ａ）に示すように平坦化処理工程４１では、最初に、周知の塗布法などを用いて、各垂直転送電極１９ａ，１９ｂの段差による凹凸形状を有するＳｉＮ膜５２上に、表面が平坦なレジスト膜５３を形成する。レジスト膜５３は、ＳｉＮ膜５２と同じエッチングレートを有するものが選定される。
【００４４】
次いで、周知のドライエッチング装置を用いて、プラズマガスによりレジスト膜５３及びその下地のＳｉＮ膜５２に対してレジストエッチバック処理を施す。レジスト膜５３及びＳｉＮ膜５２のエッチングレートは等しいので、（Ｂ）に示すように、少なくともレジスト膜５３が除去されるまでレジストエッチバック処理を継続すると、レジスト膜５３の表面形状がＳｉＮ膜５２に転写される。これにより、ＳｉＮ膜５２の表面が平坦化される。
【００４５】
図９（Ａ）に示すように高選択比エッチング処理工程４２では、周知のケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）装置を用いて、ＳｉＮ膜５２をＢＰＳＧ膜４９よりも高選択比でエッチング可能なプラズマガスにより、ＳｉＮ膜５２に対してＳｉＮ高選択比エッチング処理を施す。このＳｉＮ高選択比エッチング処理は、（Ｂ）に示すように、ＳｉＮ膜５２の表面が各垂直転送電極１９ａ，１９ｂ上のＢＰＳＧ膜４９の表面よりも低く、かつ各垂直転送電極１９ａ，１９ｂの表面よりも高くなる範囲ｈ内になるまで継続する。これにより、各垂直転送電極１９ａ，１９ｂ上及びその周囲の領域ＡにあるＢＰＳＧ膜４９が露出する。
【００４６】
図１０（Ａ）に示すように異方性エッチング処理工程４３では、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドライエッチング装置により、ＳｉＮ（下凸層内レンズ２９、絶縁膜２６）をハードマスクとして、高選択比エッチング処理工程４２で露出したＢＰＳＧ膜４９を、半導体基板１１に対して略垂直方向に異方性エッチングする。この異方性エッチングは、ＢＰＳＧをＳｉＮよりも高選択比でエッチング可能なプラズマガス［例えばＡｒ及びフルオロカーボン（ＣＦ４、ＣＨＦ３）の少なくともいずれか１つと、ＣＯとの組み合せ］を用いて実施される。
【００４７】
（Ｂ）に示すように、異方性エッチングは、絶縁膜２６が露出するまで実施される。これにより、第１及び第２垂直転送電極１９ａ，１９ｂ上のＢＰＳＧ膜４９が除去される。また、各垂直転送電極１９ａ，１９ｂの周囲に遮光膜形成用の電極周囲溝５５が形成され、さらに下凸層内レンズ２９の直下に凹型絶縁膜２８が形成される。
【００４８】
図１１に示すように密着層形成工程４４では、ＣＶＤ装置やスパッタリング装置を用いて、電極周囲溝５５の内面上にチタンナイトライドからなる密着層５６を形成する。
【００４９】
図１２に示すように遮光膜形成工程４５では、ＣＶＤ装置を用いて、半導体基板１１上に、電極周囲溝５５を埋め、かつ絶縁膜２６上や下凸層内レンズ２９上を覆うタングステンの遮光膜２７を形成する。この際に、先の密着層形成工程４４で電極周囲溝５５内に密着層５６を形成しておくことで、電極周囲溝５５内への遮光膜２７の埋め込み性が向上する。こうして、各垂直転送電極１９ａ，１９ｂ上及びその周囲が遮光膜２７で覆われる。
【００５０】
図１３に示すようにフォトリソグラフィー処理工程４６では、最初に、塗布法等を用いて遮光膜２７上にレジスト膜５８を形成し、このレジスト膜５８をパターニングして受光素子１２の直上位置に開口部５８ａを形成する。次いで、レジスト膜５８をマスクとして、遮光膜２７に対してエッチング処理（ドライエッチング、ウェットエッチングのいずれでも可）を施す。これにより、図１４に示すように、遮光膜２７に前述の開口部２７ａが形成される。
【００５１】
図１５に示すように上凸レンズ形成工程４７では、最初に、ＣＶＤ装置等を用いて半導体基板１１上に、下凸層内レンズ２９及び遮光膜２７覆うＳｉＮのレンズ材料層５９を形成する。次いで、このレンズ材料層５９に対して、例えばエッチング処理や加熱処理等の種々の処理を施すことにより、受光素子１２の直上位置に上凸層内レンズ３０が形成される。なお、上凸層内レンズ３０の形成方法は特に限定されない。この上凸層内レンズ３０の形成後、平坦化膜Ｈ、カラーフィルタＣ、マイクロレンズＭ等が形成される。以上でＣＣＤ製造工程３３の全工程が終了し、前述の図２に示したＣＣＤ１０が得られる。
【００５２】
このような遮光膜形成前の凹部５０内にＳｉＮ膜５２を埋め込む本発明のＣＣＤ製造工程３３に対して、従来のＣＣＤ製造工程では、図１６に示すように、絶縁膜形成工程３７後に、遮光膜形成工程、フォトリソグラフィー処理工程を実施して、絶縁膜２６上に、受光素子１２の直上位置に開口部６１ａを有する遮光膜６１を形成する。
【００５３】
次いで、ＢＰＳＧ膜形成工程を実施して、絶縁膜２６及び遮光膜６１上にＢＰＳＧ膜６２を形成する。この場合、各垂直転送電極１９ａ，１９ｂが遮光膜６１で覆われているため、ＢＰＳＧ膜６２の凹部６３のアスペクト比が本発明の凹部５０のアスペクト比よりも高くなる。このため、図１７に示すように、本発明と基本的には同じようにＳｉＮ膜形成工程を実施した場合、凹部６３内にＳｉＮ膜６４が完全に埋め込まれず、下凸層内レンズ６６にボイド６７が発生してしまう。
【００５４】
このような状態で平坦化処理工程を実施すると、図１８に示すように、下凸層内レンズ６６内のボイド６７が露出するとともに、ボイド６７の直下に位置する下凸層内レンズ６６の下部がエッチングにより削られてしまう。その結果、ボイド６７の深さが深くなってしまう。このため、図１９に示すように、上凸レンズ形成工程を実施してＳｉＮ膜６４上に新たなＳｉＮ層６８を形成したとしても、ボイド６７が非常に高アスペクト比であるため、ボイド６７内をＳｉＮ層６８で埋めることはできない。その結果、下凸層内レンズ６６内にボイド６７が残り、その上に上凸層内レンズ３０が形成された状態となるため、十分な集光効率が得られず、固体撮像素子の感度が低下してしまう。
【００５５】
これに対して本発明のＣＣＤ製造工程３３では、遮光膜２７が形成される前の低アスペクト比の凹部５０内にＳｉＮ膜５２を埋め込むため、凹部５０内にＳｉＮ膜５２を隙間なく埋め込むことができ、その結果、ボイドのない下凸層内レンズ２９を形成することができる。これにより、ＣＣＤ１０の感度を十分に得ることができる。また、ＣＶＤ法によりＳｉＮ膜５２の埋め込みを行う既存の設備で実施することができるので、新たな設備の追加が不要となり、製造コストの増加が防止される。
【００５６】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態のＣＣＤ製造工程について説明を行う。上記第１実施形態では、各垂直転送電極１９ａ，１９ｂの受光素子１２側の第１側面と、この第１側面と反対側の第２側面とをそれぞれ半導体基板１１の表面に対して垂直な垂直面に形成しているが、第２実施形態では第１側面を傾斜面に形成する。この第２実施形態のＣＣＤ製造工程は、転送電極形成工程が異なる点を除けば、基本的には上記第１実施形態のＣＣＤ製造工程３３と同じである。
【００５７】
第２実施形態の転送電極形成工程では、ゲート絶縁膜２５上にポリシリコン膜７０を形成した後、例えば垂直エッチング処理とテーパエッチング処理との２回のエッチングを実施する。図２０（Ａ）に示すように、垂直エッチング処理では、ポリシリコン膜７０における第１及び第２垂直転送電極の間隙に対応する領域を、半導体基板１１の表面に対して略垂直方向に異方性エッチングして各垂直転送電極間の溝７１を形成する。
【００５８】
次いで（Ｂ）に示すように、テーパエッチング処理では、Ｏ２  を含むハロゲンガスのプラズマを用いて、ポリシリコン膜７０における受光素子１２の直上位置の領域を異方性テーパエッチングする。これにより、各垂直転送電極７２ａ，７２ｂの第１側面７３ａ，７３ｂがそれぞれ受光素子１２側とは反対側に傾斜した傾斜面に形成される。また、各垂直転送電極７２ａ，７２ｂの第２側面７４ａ，７４ｂは、先の異方性エッチングにより垂直面に形成される。
【００５９】
以下、第１実施形態と同様に、絶縁膜形成工程３７、ＢＰＳＧ膜形成工程３８、加熱処理工程３９、ＳｉＮ膜形成工程４０が順番に実施される。これにより、図２１に示すように、ＢＰＳＧ膜７６の凹部７７にＳｉＮ膜５２が埋め込まれて、下凸層内レンズ７８が形成される。この際に、各垂直転送電極７２ａ，７２ｂの第１側面７３ａ，７３ｂを傾斜面にすることで凹部７７の開口径が広がるため、ＳｉＮ膜５２の埋め込み性が第１実施形態よりも向上する。その結果、下凸層内レンズ７８内のボイドの発生を、より確実に防止することができる。
【００６０】
次いで、第１実施形態と同様に、平坦化処理工程４１から上凸レンズ形成工程４７までの各工程が順番に実施されて、図２２に示すようなＣＣＤ７９が製造される。このＣＣＤ７９では、凹部７７の開口径が広がることに伴い、遮光膜８０の開口部８０ａの開口径も広がるため、第１実施形態よりも光の取り込み効率が向上し、さらなる高感度化が可能となる。
【００６１】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態のＣＣＤ製造工程について説明を行う。上記第１実施形態では、各垂直転送電極１９ａ，１９ｂをそれぞれポリシリコンで形成しているが、第３実施形態では各垂直転送電極を、ポリシリコンよりも低抵抗な電極材料である金属シリサイドで形成する。この第３実施形態のＣＣＤ製造工程は、転送電極形成工程が異なる点を除けば、基本的には上記第１実施形態のＣＣＤ製造工程３３と同じである。
【００６２】
図２３に示すように、第３実施形態の転送電極形成工程では、ＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁膜２５上に金属シリサイド膜を形成した後、この金属シリサイド膜をパターニングすることで、第１及び第２垂直転送電極８２ａ，８２ｂを形成する。金属シリサイドはポリシリコンよりも低抵抗であるため、各垂直転送電極８２ａ，８２ｂの高さを、第１実施形態の各垂直転送電極１９ａ，１９ｂの高さよりも低く形成することができる。
【００６３】
以下、第１実施形態と同様に、絶縁膜形成工程３７、ＢＰＳＧ膜形成工程３８、加熱処理工程３９、ＳｉＮ形成工程４０が順番に実施されて、ＢＰＳＧ膜８３の凹部８４にＳｉＮ膜８５が埋め込まれて下凸層内レンズ８６が形成される。各垂直転送電極８２ａ，８２ｂの高さを低くすることで、凹部８４のアスペクト比が第１実施形態の凹部５０のアスペクト比よりも低くなる。その結果、ＳｉＮ膜５２の埋め込み性が第１実施形態よりも向上するので、下凸層内レンズ８６内のボイドの発生を、より確実に防止することができる。
【００６４】
次いで、第１実施形態と同様に、平坦化処理工程４１から上凸レンズ形成工程４７までの各工程が順番に実施されて、図２４に示すようなＣＣＤ８７が製造される。このＣＣＤ８７では、各垂直転送電極８２ａ，８２ｂの高さが低くなることに応じて、下凸層内レンズ８６の周囲を囲む遮光膜８８の垂直方向の高さを低くすることができる。これにより、上凸層内レンズ３０で集光された光のケラレが少なくなり、ＣＣＤ８７のさらなる高感度化が可能となる。
【００６５】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態のＣＣＤ製造工程について説明を行う。上記第１実施形態では受光素子１２の直上位置に下凸層内レンズ２９を形成しているが、第４実施形態では、受光素子１２の直上位置に、上凸層内レンズ３０によって集光された光を受光素子１２まで導く導波路９１（図２９参照）を形成する。この第３実施形態のＣＣＤ製造工程は、加熱処理工程３９を実施しせず、さらにＢＰＳＧ膜形成工程の代わりにシリコン酸化膜系の材料膜形成工程を実施する点を除けば、基本的には上記第１実施形態のＣＣＤ製造工程３３と同じである。
【００６６】
材料膜形成工程では、第１実施形態のＢＰＳＧ膜形成工程３８と同様に、ＣＶＤ法等を用いて絶縁膜２６上にほぼ均一な厚みでシリコン酸化膜系の材料膜４９ａ（例えばＰ−ＳｉＯ２  等）を形成する（図５参照）。この材料膜４９ａには、受光素子１２の直上位置に凹部５０ａが形成される。
【００６７】
次いで、図２５に示すようにＳｉＮ膜形成工程が実施されて、凹部５０ａを埋めるように材料膜４９ａ上にＳｉＮ膜５２が形成される。これにより、凹部５０ａ内にその内面を型として、導波路９１のコア部９１ａが形成される。コア部９１ａは、半導体基板１１の表面に対して垂直な略柱状を有している。このコア部９１ａの形成時点でも、遮光膜２７が形成されていないため凹部５０ａのアスペクト比が低くなる。このため、第１実施形態と同様に、凹部５０ａ内にＳｉＮ膜５２を隙間なく埋め込むことができる。
【００６８】
引き続き、図２６に示すように平坦化処理工程４１及び高選択エッチング処理工程４２が実施されて、各垂直転送電極１９ａ，１９ｂ上及びその周囲の領域Ａにある材料膜４９ａが露出された後、図２７に示すように異方性エッチング処理工程が実施されて、各垂直転送電極１９ａ，１９ｂの周囲に電極周囲溝９２が形成される。
【００６９】
次いで、図２８に示すように、密着層形成工程４４、遮光膜形成工程４５が実施されて、ＣＶＤ法により、電極周囲溝９２を埋めるように半導体基板１１上に遮光膜９３が形成される。これにより、コア部９１ａの周囲が遮光膜９３で覆われる。このコア部９１ａの周囲を覆う遮光膜９３ａは、クラッド部（反射層）として機能する。こうしてコア部９１ａと遮光膜９３ａとからなる導波路９１が形成される。
【００７０】
以下、上記第１実施形態と同様に、フォトリソグラフィー処理工程４６、上凸レンズ形成工程４７が実施されて、図２９に示すようなＣＣＤ９４が製造される。第１実施形態と同様に、遮光膜９３の形成前の低アスペクト比な凹部５０ａ内にＳｉＮ膜５２を埋め込むようにしたので、ボイドのない導波路９１を形成することができる。これにより、ＣＣＤ９４の感度を十分に得ることができる。また、第１実施形態とは異なり曲面形状の凹部５０を形成するための加熱処理を実施する必要がなくなるので、ＢＰＳＧの代わりに各種のシリコン酸化膜系の材料を使用することができる。なお、第２及び第３実施形態で説明したように、各垂直転送電極１９ａ，１９ｂを金属シリサイドで形成したり、その受光素子１２側の第１側面を傾斜面に形成したりしてもよい。
【００７１】
［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態のＣＣＤ製造工程について説明を行う。上記第１実施形態では、受光素子１２上に形成されたゲート絶縁膜２５上に絶縁膜２６、凹型絶縁膜２８、及び下凸層内レンズ２９を形成しているが、第５実施形態では、受光素子１２上のゲート絶縁膜２５を除去する。
【００７２】
図３０に示すように、第５実施形態のＣＣＤ製造工程９６は、転送電極形成工程３６と絶縁膜形成工程３７との間でゲート絶縁膜除去工程９７を実施する点を除けば、基本的には上記第１実施形態のＣＣＤ製造工程３３と同じである。
【００７３】
図３１（Ａ）に示すように、ゲート絶縁膜除去工程９７では、第１及び第２垂直転送電極１９ａ，１９ｂ上と各垂直転送電極１９ａ，１９ｂの隙間とをそれぞれ覆うレジスト膜９８を形成する。レジスト膜９８は、例えば半導体基板１１上にレジスト材料を塗布する塗布処理と、受光素子１２上のレジスト材料を除去するパターニング処理とを実施することで形成される。これにより、受光素子１２上のゲート絶縁膜２５が露出した状態となる。
【００７４】
次いで（Ｂ）に示すように、レジスト膜９８をマスクとして、露出しているゲート絶縁膜２５を、半導体基板１１に対して略垂直方向にエッチングする。これにより、受光素子１２上のゲート絶縁膜２５が除去される。このエッチングは、ドライエッチング法またはウェットエッチング法のいずれか、あるいはドライエッチング法とウェットエッチング法を組み合わせて実施される。ゲート絶縁膜２５の除去後、周知にレジスト剥離処理法によりレジスト膜９８が剥離される。
【００７５】
図３２に示すように絶縁膜形成工程３７では、上記第１実施形態と同様に、ＣＶＤ法により半導体基板１１上に絶縁膜２６を形成する。これにより、各垂直転送電極１９ａ，１９ｂ、及びゲート絶縁膜除去工程９７で露出した半導体基板１１の表面が絶縁膜２６で覆われる。
【００７６】
以下、上記第１実施形態と同様に、ＢＰＳＧ膜形成工程３８から上凸レンズ形成工程４７までの各工程が順番に実施されて、図３３に示すようなＣＣＤ９９が製造される。このＣＣＤ９９では、受光素子１２の直上位置のゲート絶縁膜２５を除去することで、その分だけ下凸層内レンズ２９を受光素子１２に近づけることができる。これにより、下凸層内レンズ２９によって、より効率的に光を受光素子１２に集光させることができる。また、下凸層内レンズ２９により集光された光が絶縁膜２６やゲート絶縁膜２５内を伝わって垂直転送路１８に入射することが防止されるため、垂直転送路１８への光の入射に起因するスミアの発生を減少させることができる。
【００７７】
上記第３実施形態では、第１及び第２垂直転送電極８２ａ，８２ｂを金属シリサイドで形成しているが、例えば図３４に示すように、各垂直転送電極１００ａ，１００ｂを、ポリシリコン膜あるいはアモルファスシリコン膜のいずれかのシリコン膜１０２と、金属シリサイド膜１０３との積層体で形成してもよい。
【００７８】
上記第５実施形態では受光素子１２の直上位置に下凸層内レンズ２９を形成しているが、上記第４実施形態で説明したように導波路９１を形成した場合でも同様の効果が得られる。
【００７９】
上記各実施形態の高選択比エッチング工程では、ＣＤＥ装置によるケミカルドライエッチングを実施しているが、周知の各種エッチング法により実施してもよい。
【００８０】
上記各実施形態（第４実施形態を除く）では、絶縁膜２６上にＢＰＳＧ膜を形成しているが、ＢＰＳＧ膜の代わりに本発明の第１透明膜としてＰＳＧ膜等の各種シリコン酸化膜を形成してもよい。また、上記各実施形態では、ゲート絶縁膜２５をＳｉＯ２  で形成しているが、ＳｉＮあるいはＳｉＯ２  とＳｉＮの積層体［例えばＯＮＯ（Oxide-Nitride-Oxide）膜］で形成してもよい。また、上記各実施形態では、遮光膜をタングステンで形成しているが、遮光性を有する他の金属材料で形成してもよい。
【００８１】
上記各実施形態では、受光素子１２がハニカム配列で並べられているＣＣＤの製造方法について説明を行ったが、受光素子１２が正方格子状等の一定パターンに並べられているＣＣＤの製造方法にも本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００８２】
１０，７９，８７，９４，９９  ＣＣＤ型イメージセンサ
１２  受光素子
１８  垂直転送路
１９  垂直転送電極
１９ａ，７２ａ，８２ａ  第１垂直転送電極
１９ｂ，７２ｂ，８２ｂ  第２垂直転送電極
２７，８０  遮光膜
２７ａ，８０ａ  開口部
２９，７８，８６  下凸層内レンズ
５０，６３，７７  凹部
５５  電極周囲溝
９１  導波路
９１ａ  コア部
【図１】
2011233621.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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