(57)【要約】      （修正有）【課題】従来のベーキング工程では十分に除去しきれなかった電子部材の水分を除去すると共に、該工程中に進行していた酸化の進行を抑制する電子部材の乾燥方法を提供する。【解決手段】電子部材を酸素吸収機能の発現に水を必要としない酸素吸収剤及び脱湿剤と共に、ガスバリア性容器内に収納後密閉し、該電子部材を加熱する電子部材の乾燥方法とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部材を酸素吸収機能の発現に水を必要としない酸素吸収剤及び脱湿剤と共に、ガスバリア性容器内に収納後密閉し、該電子部材を加熱する電子部材の乾燥方法。
【請求項２】
該ガスバリア性容器の２５℃、６０％ＲＨにおける酸素透過度が０．１ｍＬ／ｍ２／Ｄａｙ／ａｔｍ以下で、かつ、４０℃、６０％ＲＨにおける透湿度が０．１ｇ／ｍ２／Ｄａｙ以下である、請求項１記載の電子部材の乾燥方法。
【請求項３】
該ガスバリア性容器が、最内層に融点１３５〜１７０℃の耐熱性シーラントを積層してなる多層フィルムで形成された袋である、請求項１または２記載の電子部材の乾燥方法。
【請求項４】
該耐熱性シーラントがポリプロピレンである請求項３記載の電子部材の乾燥方法。
【請求項５】
該酸素吸収剤が、不飽和脂肪酸化合物または、不飽和基を有する鎖状炭化水素重合物を主剤とし、且つ酸素吸収促進物質を含む、請求項１〜４いずれか一項に記載の電子部材の乾燥方法。
【請求項６】
該酸素吸収剤の主剤が液状であって、該主剤が担体物質に含浸されてなる、請求項１〜５いずれか一項に記載の電子部材の乾燥方法。
【請求項７】
該電子部材が電子基板である、請求項１〜６いずれか一項に記載の乾燥方法
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部材の乾燥方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部材を大気を含む環境で保存した場合、ポリエチレンの袋の様なガスバリア性の低い袋に封入し保存した場合、ガスバリア性の低い袋に乾燥したシリカゲルやゼオライトと共に封入し保存した場合または乾燥剤無しでガスバリア性の袋に保存した場合等では、保存中に電子部材が吸湿することが避けられない。このため、通常、電子基板に電子部品を実装する直前に、１２５℃〜１５０℃で所定の時間、ベーキング工程を行って乾燥し、実装時のはんだによる接着のための加熱の際に発生するデラミネーションやいわゆるポップコーンと呼ばれる変形などを防ぐことが広く行われている。その場合の実施規格として、例えば、非特許文献１には電子部材の大気下放置時間ごとのベーキング時間・温度が定められている。
【０００３】
しかし、ベーキング工程による電子部材の乾燥は、長期間保存された場合などでは、吸湿及び乾燥が困難な部位にまで水分が入り込み、ベーキングを高温で長時間実施せざるを得ず、ベーキング工程時の金属部分の酸化に起因する接合不良も発生することがあった。
【０００４】
近年、環境問題の観点から鉛フリーはんだが幅広く使用され、その中でも錫−銀−銅を用いた三元系はんだが推奨されるようになった。そのため、錫と鉛からなる共晶はんだを用いて接合させるよりも、電子基板への実装工程でのリフロー・フロー工程は、温度を高くする必要が生じ、デラミネーション等の変形による不良の発生はより深刻となった。
【０００５】
また、錫−銀−銅を用いた三元系はんだは、錫と鉛からなる共晶はんだよりも濡れ性が悪い上に粘度が高いため、ベーキング工程時の金属部分の酸化による接合不良が発生しやすいという欠点も有している。
【０００６】
一方、電子部材は製品の小型化・高性能化を常に求められており、高密度配線と配線の狭小化と共に、高多層基板が幅広く使用され、高多層基板の層間が薄くなるのに応じて、吸着した水分の除去が従来の乾燥方法では難しくなる傾向がある。
【０００７】
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】ＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ  Ｊ−ＳＴＤ−０３３Ｂ．１（Ｊｏｉｎｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＣｏｕｎｃｉｌ規格）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、従来のベーキング工程等の加熱・乾燥工程では十分に除去しきれなかった電子部材の水分、特に、長期間保存していた間や製造工程中に吸湿した水分を除去する乾燥方法を提供することにある。また、従来のベーキング工程等の加熱・乾燥工程により進行していた、電子部材の酸化を抑制する乾燥方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、電子部材と共に酸素吸収剤及び脱湿剤をガスバリア性容器内に収納後密閉した後、該電子部材を加熱する乾燥方法を実施することによって上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【００１１】
即ち本発明は、電子部材を酸素吸収機能の発現に水を必要としない酸素吸収剤及び脱湿剤と共に、ガスバリア性容器内に収納後密閉し、該電子部材を加熱する電子部材の乾燥方法である。
【００１２】
本発明の乾燥方法においては、ガスバリア性容器の２５℃、６０％ＲＨにおける酸素透過度が０．１ｍＬ／ｍ２／Ｄａｙ／ａｔｍ以下で、かつ、４０℃、６０％ＲＨにおける透湿度が０．１ｇ／ｍ２／Ｄａｙ以下であることが好ましい。また、ガスバリア性容器が、最内層に融点１３５〜１７０℃の耐熱性シーラントを積層してなる多層フィルムで形成された袋であることが好ましく、該耐熱性シーラントがポリプロピレンであることがより好ましい。
【００１３】
さらに、本発明の乾燥方法においては、酸素吸収剤が、不飽和脂肪酸化合物または、不飽和基を有する鎖状炭化水素重合物を主剤とし、且つ酸素吸収促進物質を含むこと、酸素吸収剤の主剤が液状であって、該主剤が担体物質に含浸されてなることが好ましい。
【００１４】
さらにまた、本発明の乾燥方法においては、電子部材が電子基板であることが好ましい。
【００１５】
本発明の乾燥方法によれば、ガスバリア性容器内の環境が実質的に無酸素無水分となるため、酸素や水分に起因する電子部材の接続信頼性の低下を抑制することが可能となる。また、電子部材の実装時に鉛フリーはんだを用いるような場合であっても上記作用により、接合不良等の不具合が抑制される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の乾燥方法により、長期保管時や製造工程中に吸湿した水分や電子部材の酸化に起因する接続信頼性の低下を避けて、高い信頼性をもって電子部材をリフロー等実装工程に供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施例１及び比較例１記載の電子部材の乾燥方法を施したＢＧＡ基板の重量減少率を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明でいう電子部材とは、組立または実装して回路を形成する電子機器に用いる各部材であり、電子基板や電子部品が例示できる。
【００１９】
本発明でいう電子基板とは、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やフェノール樹脂等の絶縁性基材上に配線パターンを形成し、半導体や抵抗・コンデンサー等の電子部品を搭載して回路を形成する基板であり、例えば半導体を接続するインターポーザや各電子部品を搭載して使用するマザーボード、ＢＧＡ基板、ＦＲ−４基板が例示でき、４層以上の基板で効果が高く、６層以上の多層基板でより効果が高い。
【００２０】
本発明でいう電子部品とは、接続端子が金属であり、電子基板と接続して回路を形成する部品のことである。電子部品は、リードフレームを持つ部品及び表面実装部品が挙げられ、これらの電子部品は、例えば、プラスチック、金属、セラミック、半導体等の素材から構成される。
【００２１】
また、本発明でいうリフローとは、はんだクリーム（はんだ粉末にフラックスを加えたペースト状のもの）を電子基板に印刷し、その上に電子部品を搭載して加熱、接合するはんだ付け工法である。フローとは基板の接続用開孔部に部品のリード線を通して差し込んで搭載し、溶融したはんだを接続部位に付着させて接合するはんだ付け工程である。なお、リフローで用いられる鉛フリーはんだは、錫−銀−銅の３元系はんだが最も信頼性が高いとされ主流となっている。
【００２２】
本発明の乾燥方法においては、電子部材と共に酸素吸収剤及び脱湿剤をガスバリア性容器に収納後密閉し、該電子部材を加熱する必要がある。該容器内は、加熱処理を経ずとも酸素吸収剤及び脱湿剤の作用により酸素濃度が低下し、水分も除去されるが、加熱処理を施すことによって酸素吸収速度の向上を図ることが出来ると共に、電子部材が吸湿した水分をより効率よく除去することも出来る。このため、この加熱処理により電子部材の酸化反応は進行し得ず、これ以後のリフローなどの工程においても、水分の存在に由来するデラミネーションなどの不具合が生じづらくなる。
【００２３】
ここで実質的に酸素を除去した状態とは、酸素濃度が１容量％以下、好ましくは０．１容量％以下の状態をいう。また、実質的に水分を除去した状態とは、２５℃での相対湿度が５％ＲＨ以下、好ましくは１％ＲＨ以下の状態をいう。本発明の乾燥方法により、電子部材を収納したガスバリア性容器内の酸素及び水分が実質的に除去され、電子部材の無酸素無水分包装が実現されるため、水分や酸素に起因する電子部材の接続信頼性の低下を抑制することが可能となる。
【００２４】
上記の範囲を超えて酸素や水分の濃度が高い環境下で電子部材を保管した場合、電子部品の接続部などの酸化、電子基板の銅箔部等の酸化、電子部品のプラスチック部分や接着部の吸湿、電子基板の樹脂部分への吸湿等が発生し、リフロー時にデラミネーションやポップコーン等の変形や劣化の原因となる。それ故、従来はベーキング工程による電子部品の脱湿が必要となっていたが、ベーキング工程においては電子部材の酸化が進行しやすく、結果として電子基板との接続不良を引き起こす原因となる。本発明の乾燥方法は、上記問題点を解決するものである。
【００２５】
本発明に用いられる酸素吸収剤は、酸素吸収に水分を必要としないものであれば特に制限を受けるものではない。例えば、不飽和脂肪酸化合物や不飽和基を有する鎖状炭化水素重合物の不飽和有機化合物、ポリアミドやポリオレフィン等の熱可塑性重合物を主剤とし、遷移金属塩等の酸素吸収促進物質を含む酸素吸収剤が挙げられるが、不飽和脂肪酸化合物または、不飽和基を有する鎖状炭化水素重合物を主剤とし、酸素吸収促進物質を含む酸素吸収剤が好ましい。
【００２６】
不飽和脂肪酸化合物とは、炭素数が１０以上で炭素間に２重結合を１つ以上持った脂肪酸化合物、若しくは該脂肪酸化合物の塩またはそのエステルである。該不飽和脂肪酸化合物は、置換基、例えば、水酸基やホルミル基等を、脂肪酸部に有していても良い。また、不飽和脂肪酸化合物は必ずしも単一物質である必要はなく、２種以上の混合物であっても良い。
【００２７】
不飽和脂肪酸化合物の例として、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸、パリナリン酸、ダイマー酸またはリシノール酸等の不飽和脂肪酸、およびこれらのエステルを含有する油脂、エステル類や金属塩が挙げられる。また、不飽和脂肪酸化合物として、植物油、動物油から得られる脂肪酸、すなわち、アマニ油脂肪酸、大豆油脂脂肪酸、桐油脂肪酸、糠油脂肪酸、胡麻油脂肪酸、綿実油脂肪酸、菜種油脂肪酸やトール油脂肪酸等も用いられる。
【００２８】
不飽和基を有する鎖状炭化水素重合物とは、炭素数１０以上で炭素原子間に２重結合を１つ以上有した重合物またはその誘導体である。該誘導体は、置換基として、例えば、水酸基、アミノ基、ホルミル基やカルボキシル基等が存在しても良い。不飽和基を有する鎖状炭化水素重合物は、例えば、ブタジエン、イソプレンや１，３−ペンタジエンなどのオリゴマーや重合体があげられ、これらは、必ずしも単一物質である必要はなく、共重合体や２種以上の混合物であっても良い。不飽和基を有する鎖状炭化水素重合物は、必ずしも純粋物質である必要はなく、その製造時に混入してくる溶媒等の少量の不純物は、常識的な範囲で許容される。
【００２９】
酸素吸収促進物質としては、有機化合物の酸化を促進する金属塩やラジカル開始剤をあげることができる。金属塩の金属種としては、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｒやＭｎ等の遷移金属が好ましく、遷移金属塩として、例えば、不飽和脂肪酸遷移金属塩が好適に用いられる。
【００３０】
前記の主剤等が液状物質である場合、担体物質にこれを含浸させて用いることが好ましい。担体物質としては、例えば、天然パルプ、合成パルプからなる紙や合成紙、シリカゲル、アルミナ、活性炭、ゼオライト（天然ゼオライト、合成ゼオライト）、パーライトや活性白土等があげられる。また、担体物質に、脱湿能や酸性ガス吸収能を持たせ、脱湿剤や酸性ガス吸収剤とすることも実質的な使用方法である。
【００３１】
酸素吸収剤における各成分の割合は、主剤１００質量部に対し、酸素吸収促進物質は、０．０１〜４０質量部の範囲であり、担体物質は１〜１，０００質量部の範囲である。
【００３２】
本発明に用いられる脱湿剤としては、化学吸着で水分を吸収する脱湿剤が用いられる。例えば、水酸化ナトリウム、生石灰、酸化バリウム、塩化カルシウム、臭化バリウム、水酸化カルシウム、硫酸カルシウム、塩化マグネシウム、酸化マグネシウム、硫酸マグネシウム、硫酸アルミニウム、硫酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、塩化亜鉛等がその例として挙げられる。これら脱湿剤は単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いても良い。また上記の担体物質または、酸性ガス吸収剤に脱湿機能をもつものを選んだ場合は、改めて脱湿剤を加えなくても良い。
【００３３】
本発明に用いられる酸性ガス吸収剤としては、密閉雰囲気に存在する酸性物質を吸収または吸着できる物質であれば特に制約はなく、例えば、紙や合成紙、合成樹脂類、ゼオライト（天然ゼオライト、合成ゼオライト）や活性炭に示される多孔性物質類ならびにアルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化物、水酸化物、炭酸塩、有機酸塩や有機アミン類が用いられる。これら酸性ガス吸収剤は、単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いても良い。また、上記の担体物質または、脱湿剤に酸性ガス吸収機能をもつものを選んだ場合は、改めて酸性ガス吸収剤を加えなくても良い。
【００３４】
本発明の酸素吸収剤および脱湿剤の使用量としては、酸素吸収剤は、少なくともガスバリア性容器内の空間容積の酸素を吸収することができる量であり、好ましくはその量の１．１〜１０倍の範囲であり、また脱湿剤は、少なくともガスバリア性容器内の空間容積の水分を吸収することができる量であり、好ましくはその量の１．１〜５００倍の範囲であり、ガスバリア性容器のガスバリア性能に応じ適宜選ばれる。
【００３５】
本発明の酸素吸収剤、脱湿剤、さらには酸性ガス吸収剤は、各成分を混合して用いることも可能である。これらの単一剤あるいは混合物は適宜、粉体、顆粒、錠剤やシート状等にして用いられる。酸素吸収剤、脱湿剤、さらには酸性ガス吸収剤は、被保存物に直接触れることは好ましくなく、例えば、通常は紙または不織布を基材とする公知の通気性包材に包装して包装体として使用される。また酸素吸収剤は、その一部あるいは全部を、脱湿剤さらには酸性ガス吸収剤と一緒の包装体として使用しても良い。包装体の形態は、特に限定されたものではなく、目的に応じて、例えば、小袋、シート、ブリスター包装体等をとることができる。包装体の包装材料および構成は特に限定されない。また、防塵対策として、上記の包装体を酸素、水分および酸性ガスの透過性に支障を来さず、かつ包装体から発生するダストを外部に放出させない無塵包材でさらに覆い、二重包装体とすることも可能である。しかし、包装体自体に防塵対策が施されている場合には、改めて無塵包材で覆う必要はない。
【００３６】
本発明の乾燥方法に用いられるガスバリア性容器は、２５℃、６０％ＲＨにおける酸素透過度が１０ｍＬ／ｍ２／Ｄａｙ／ａｔｍ以下であり、かつ、４０℃、６０％ＲＨにおける水蒸気透過度が１ｇ／ｍ２／Ｄａｙ以下であることが好ましい。特に、乾燥期間を充分に長くとる場合は、該容器のガスバリア性が不充分であると、ガスバリア性容器内の酸素及び水分濃度の上昇につながりかねないので、例えば、プラスチック容器、フィルム袋、金属容器、ガラス容器等の、ガスバリア性の高い容器が望ましい。
【００３７】
ガスバリア性容器としてフィルム袋を選択した際は、最内層に融点１３５〜１７０℃の耐熱性シーラントを積層してなる多層フィルムで形成された袋を用いることが好ましく、該耐熱性シーラントとして無延伸ポリプロピレンフィルムを用いることがさらに好ましい。この他、耐セミレトルト耐性のポリエチレン等、他の耐熱性シーラントを用いても良い。また、上記多層フィルムにおいては、耐熱性シーラント以外にガスバリア性物質からなるガスバリア層を積層する事が好ましい。ガスバリア性物質には特に制限はなく、公知の材料を使用することが出来、例えば、シリカもしくはアルミナを蒸着したポリエステル、ナイロンＭＸＤ６やナイロン６などのポリアミド、エチレン−ビニルアルコール共重合体、塩化ビニリデン等を含有する層のほか、アルミ箔などの金属箔が挙げられる。
【００３８】
本発明の乾燥方法において、ガスバリア性容器に酸素吸収剤、脱湿剤及び電子部材を収納後密閉する際には、窒素、アルゴン等の乾燥不活性ガスで容器内を置換しても良い。このようなガス置換法は、酸素吸収剤や脱湿剤の、特に酸素吸収剤の使用量低減につながるので好ましい。
【００３９】
本発明の乾燥方法においては、ガスバリア性容器に酸素吸収剤、脱湿剤及び電子部材を収納し、密閉した後、該電子部材を加熱する。電子部材を加熱する際は、これを収納した容器全体を加熱する方法を取ることが簡便で好ましい。加熱時の温度は６０〜１５０℃とすることが好ましく、８５〜１２５℃とすることがより好ましい。また、加熱に供する時間は、８〜１００８時間が好ましく、２４〜５０４時間がより好ましい。加熱温度及び加熱時間が上記の範囲内である場合、これらの値が上記範囲を外れる場合に比べて、より十分に容器内の酸素及び水分を除去することが可能となり、電子部材の接続信頼性の低下をより十分に抑制することが可能となる。
【実施例】
【００４０】
以下に、本発明の実施例を示し、さらに具体的に説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【００４１】
（酸素吸収剤の製造）
不飽和有機化合物として、大豆油を、また酸素吸収促進物質として、ナフテン酸コバルト（Ｃｏ含有量８質量％）をそれぞれ選択し、大豆油１００質量部とナフテン酸コバルト２質量部の混合物に天然ゼオライト（モルデナイト）３５０質量部を加え、ブレンダーで混合した後、２５℃で１０分間静置して流動性のある紛粒体とし、酸素吸収剤を得た。
【００４２】
（実施例１）
前記酸素吸収剤５ｇと、脱湿剤及び酸性ガス吸収剤として機能する生石灰２．５ｇを混合し、内面に、開孔したポリエチレンフィルムをラミネートした紙の小袋（ポリエチレン層１５μｍ／紙（３８ｇ／ｍ２）、内寸サイズ５ｃｍ×７．５ｃｍ）に充填後、開孔部をヒートシールし、ガス吸収剤包装体（以下、単に「ガス吸収剤」という）を製造した。
【００４３】
２年間３０℃・６０％ＲＨ下に保存されたＢＧＡ基板（ボールグリッドアレイ基板：ビスマレイミドトリアジン樹脂８層、４．２ｃｍ×４．２ｃｍ、厚さ１．２ｍｍ、銅箔厚み３０μｍ）１枚と上記したガス吸収剤１包とを、アルミニウム箔積層材（ポリエチレンテレフタレート層１２μｍ／アルミニウム箔層７μｍ／無延伸ポリプロピレン層１００μｍ）からなる、無延伸ポリプロピレン層を最内層とする包装袋（サイズ：１５０mm×２００mm、以下「アルミ袋」という）に空気２５０ｍＬ（２５℃、２０％ＲＨ）と共に入れ、袋の開口部をヒートシールして密閉し、基板入りアルミ袋とした。なお、上記アルミ袋の無延伸ポリプロピレン層を構成する無延伸ポリプロピレンフィルムの融点は１６５℃であった。
【００４４】
この基板入りアルミ袋を計２５袋作製し、それぞれ５袋を１０５℃雰囲気下（熱風循環式乾燥機；室内湿度２５℃、６０〜７０％ＲＨ、乾燥機設置環境；２５℃、６０〜７０％ＲＨ）で４８、７２、１６８、２４０、３３６時間放置した。放置後の各袋内の酸素濃度及び水蒸気量はガスクロマトグラフで測定したところ、いずれのアルミ袋も、それぞれ０．０１％以下、０．２３μｇ／ｍＬ以下（２５℃としては１％ＲＨ以下）だった。所定時間放置後、各アルミ袋を開封し、ＢＧＡ基板を取り出して質量を測定した後、質量の減少率を計算した。その後、最高温度２８０℃の温度プロファイルに設定したリフロー炉（古河電気工業株式会社製サラマンダＸＮＢ−７３８ＰＣ−Ｃ）を用いて６回加熱し（加熱時間：７分間）、加熱後の外観を観察した。質量の減少率を図１、観察した５枚のＢＧＡ基板中のデラミネーション発生数を表１に示した。
【００４５】
（比較例１）
ガス吸収剤を使用せず、ＢＧＡ基板を包装せずにガラスペトリ皿上に置き、蓋をせずに実施例１で記載した１０５℃雰囲気下に放置した他は、実施例１と同様に該基板への乾燥処理を実施して質量を測定後、加熱、観察を行った。質量の減少率を図１、観察した５枚のＢＧＡ基板中のデラミネーション発生数を表１に示した。
【００４６】
（比較例２）
実施例１記載の乾燥処理を実施しなかったＢＧＡ基板に対して、実施例１と同様の条件で加熱を行い、外観の観察を行った。観察した５枚のＢＧＡ基板中のデラミネーション発生数を表１に示した。
【００４７】
【表１】
2011102675.tif 000003
【００４８】
１０５℃下で乾燥したところ、長期保管している間に基板が吸湿した水分は、実施例１の無酸素無水分包装下においては、ガス吸収剤を用いなかった比較例１よりも早く除去された（図１）。また、基板中に吸湿した水分によって発生する加熱時のデラミネーションについては、乾燥時間に応じて発生が抑えられるが、無酸素無水分包装により発生抑制効果が高まることが認められた。
【００４９】
（実施例２）
４．１ｃｍ×４．１ｃｍの銅張り積層板（ＦＲ−４、厚み１．６ｍｍ、銅箔厚み７０μｍ）上に、ピッチ２．５ｍｍ、１４×１４個の０．５φ開孔のソルダーレジストを塗布し、ソフトエッチング剤ＣＰＥ−７００（三菱ガス化学製）１０倍希釈液でソフトエッチングしてボールシェア試験用基板とした。本基板とガス吸収剤１包を、アルミ袋に空気２５０ｍＬ（２５℃、２０％ＲＨ）と共に入れ、袋の開口部をヒートシールして密閉し、積層板入りアルミ袋とした。この積層板入りアルミ袋を実施例１と同条件にて１０５℃雰囲気下で３３６時間放置した。３３６時間放置した後、上記アルミ袋を開封し、はんだボール搭載機（ＰｒｉｎｔｅｒＫｉｔ Ｏｒｂｉｔ、株式会社モリカワ製）を用いて、水溶性フラックス（スパークルフラックスＷＦ−６０５０、千住金属工業株式会社製）を基板ランド上に塗布し、φ０．５鉛フリーはんだボール（Ｓｎ９６．５／Ａｇ３．０／Ｃｕ０．５、千住金属工業株式会社製）をフラックス上に搭載後、リフローシミュレーターＳＲＳ−１（株式会社マルコム製）を用いて窒素気流下で最高温度２３５℃の温度プロファイルで３回リフローし、はんだボールを接続して試料とした。はんだボールを接続した試料は、ハイスピードボンドテスター（４０００ＨＳ、デイジ社製）を用いて、シェア高さ１００μｍ、シェアスピード１０００ｍｍ／ｓでシェア試験を行い、各１０カ所ずつ破壊エネルギーと破断部位を確認し、破壊エネルギーの平均と界面破断率を計算し、表２に示した。なお、界面破断率とは、はんだボールと基板の界面が破断した試料数を全試料数で割った値であり、この値が小さいほど接続信頼性が高いと判断される。
【００５０】
（比較例３）
ガス吸収剤を使用せず、ボールシェア試験用基板を包装せずにガラスペトリ皿上に置き、蓋をせずに実施例２で記載した１０５℃雰囲気下に放置した他は、実施例２と同様にはんだボールを接続後、シェア試験を行い、破壊エネルギーの平均と界面破断率を計算し、表２に示した。
【００５１】
（実施例３）
４．１ｃｍ×４．１ｃｍの銅張り積層板（ＦＲ−４、厚み１．６ｍｍ、銅箔厚み７０μｍ）上にニッケルを厚さ３μｍ無電解でめっきし、更に金を０．０３μｍ置換反応によりめっきした後、ピッチ２．５ｍｍ、１４×１４個の０．５φ開孔のソルダーレジストを塗布してボールシェア試験用基板とした。本基板を実施例２と同様にガス吸収剤１包とともに密封、１０５℃雰囲気下で放置後、実施例２と同様にはんだボールを接続、シェア試験を行った。各１０カ所ずつ破壊エネルギーと破断部位を確認し、破壊エネルギーの平均と界面破断率を計算し、表２に示した。
【００５２】
（比較例４）
ガス吸収剤を使用せず、ボールシェア試験用基板を包装せずにガラスペトリ皿上に置き、蓋をせずに実施例３で記載した１０５℃雰囲気下に放置した他は、実施例３と同様にはんだボールを接続後、シェア試験を行い、破壊エネルギーの平均と界面破断率を計算し、表２に示した。
【００５３】
【表２】
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【００５４】
シェアスピード１０００ｍｍ／ｓでシェア試験を行ったところ、無酸素無水分包装の実施例２、３は、比較例３，４よりも破壊エネルギーが高く、表面処理無しの基板では、界面破断率の上昇も抑制された。本試験で用いた金メッキ基板は無電解の置換メッキであるが下地Ｎｉの酸化が避けられない。無酸素無水分包装を用いれば、乾燥中に起こる接続部の酸化による接続信頼性の低下を抑制できることが、これらの試験の結果から確かめられた。
【００５５】
本発明により、長期間保管されていた間や製造工程中に吸湿し、リフロー時にデラミネーションが発生するようになった基板も、銅箔上に酸化が発生することなく良好に乾燥することが出来るようになり、リフローやフロー時の高温での実装時のデラミネーション発生を抑制でき、しかもベーキング工程による酸化が引き起こす接続信頼性の低下を抑制することが可能となった。これにより、長期間保管された電子部材や製造工程中に吸湿した電子部材を良好に乾燥することが可能となった。
【図１】
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