(57)【要約】【課題】第１半導体チップで発生した熱を、熱伝導端子を介して実装基板に放熱することができ、かつ第１半導体チップにクラックが発生することを抑制できるようにする。【解決手段】第１半導体チップ２００は、配線基板１００の第１面（本実施形態では裏面）にフリップチップ実装されている。接続端子１２０は例えばハンダボールであり、配線基板１００の第１面に設けられている。熱伝導端子２２０は、第１半導体チップ２００のうち配線基板１００に対向しない面に設けられており、互いに離間している。【選択図】図１
2011233712.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の第１面にフリップチップ実装された第１半導体チップと、
前記配線基板の前記第１面に設けられ、前記第１半導体チップの厚さよりも高い接続端子と、
前記第１半導体チップのうち前記配線基板に対向しない面に設けられ、互いに離間している複数の熱伝導端子と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記配線基板の第２面に実装された第２半導体チップをさらに備える半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第２半導体チップは前記配線基板にフリップチップ実装されており、
前記第２半導体チップのうち前記配線基板に対向しない面に取り付けられた放熱部材をさらに備える半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップに設けられ、前記複数の熱伝導端子に接続している金属パターンをさらに備える半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記金属パターンは、前記複数の熱伝導端子別に設けられている半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の半導体装置において、
前記金属パターンは前記第１半導体チップが有する素子とは電気的に分離している半導体装置。
【請求項７】
請求項４又は５に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップは、前記第１半導体チップの基板を貫通する貫通電極を有しており、
前記金属パターンは、前記貫通電極を介して前記第１半導体チップが有する素子と電気的に接続している半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記配線基板の前記第１面を基準面としたとき、
前記接続端子の高さと、前記熱伝導端子の高さの差は５０μｍ以下である半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記配線基板の前記第１面を基準としたときの前記接続端子の高さをａとして、前記第１半導体チップを基準としたときの前熱伝導端子の高さをａ´としたとき、１／２ａ≦ａ´≦２／３ａである半導体装置。
【請求項１０】
半導体パッケージと、
前記半導体パッケージを実装した実装基板と、
を備え、
前記半導体パッケージは、
配線基板と、
前記配線基板の第１面にフリップチップ実装された第１半導体チップと、
前記配線基板の前記第１面に設けられ、前記第１半導体チップの厚さよりも高く、前記実装基板に接続している接続端子と、
前記第１半導体チップのうち前記配線基板に対向しない面に設けられ、互いに離間しており、前記実装基板に接続している複数の熱伝導端子と、
を有する電子装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子装置において、
前記配線基板の第２面に実装された第２半導体チップをさらに備える電子装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の電子装置において、
前記実装基板は、前記熱伝導端子に接続する金属パターンを有する電子装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子装置において、
前記金属パターンは前記実装基板のグランドパターンに接続している電子装置。
【請求項１４】
基板と、
前記基板の第１面に形成された素子と、
前記基板の第２面に形成され、互いに離間しており、前記素子に電気的に接続していない複数の金属パターンと、
を備える半導体装置。
【請求項１５】
配線基板の第１面に第１半導体チップをフリップチップ実装する工程と、
前記配線基板の前記第１面に、前記第１半導体チップの厚さよりも高い接続端子を設ける工程と、
を備え、
いずれかのタイミングで行われ、前記第１半導体チップのうち前記配線基板に対向しない面に、互いに離間している複数の熱伝導端子を設ける工程をさらに備える半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１半導体チップを前記配線基板に実装する工程の前に、
複数の前記第１半導体チップが切り出される基板を準備する工程と、
前記基板の裏面を研削する工程と、
前記基板の裏面に、前記熱伝導端子が接続する複数の金属パターンを形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを配線基板に実装した半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年は、複数の半導体チップを一つの配線基板に実装したＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  Ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する半導体装置の開発が進められている。ＳＩＰ構造を実現する構造の一つに、配線基板の上面と下面それぞれに半導体チップを実装する構造がある。この構造を有する半導体装置は、配線基板の下面に実装された半導体チップの放熱性が悪い、という問題がある。
【０００３】
この問題に対して、特許文献１及び特許文献２には、配線基板の下面に半導体チップをフリップチップ実装した上で、マザー基板と半導体チップの間に放熱体、例えば金属膜や放熱性樹脂を設け、この金属膜を介して半導体チップからマザー基板に放熱させることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２０３６３３号公報
【特許文献２】特開２００９−１２９９６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１及び２に記載の技術では、半導体チップの裏面の全面が一つの放熱体を介して実装基板に接続している。このため、実装基板と半導体チップの間の熱膨張係数が異なる場合、これらの間に熱応力が発生し、半導体チップにクラックが入る可能性が出てくる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、配線基板と、
前記配線基板の第１面にフリップチップ実装された第１半導体チップと、
前記配線基板の前記第１面に設けられ、前記第１半導体チップの厚さよりも高い接続端子と、
前記第１半導体チップのうち前記配線基板に対向しない面に設けられ、互いに離間している複数の熱伝導端子と、
を備える半導体装置が提供される。
【０００７】
本発明に係る半導体装置は、接続端子が実装基板に接続することにより、実装基板に実装される。第１半導体チップには複数の熱伝導端子が設けられている。これら熱伝導端子は、配線基板を基準としたときに、接続端子と同じ側に設けられている。このため、半導体装置を実装基板に実装するときに、熱伝導端子を実装基板に接続することができる。従って、第１半導体チップで発生した熱を、熱伝導端子を介して実装基板に放熱することができる。
【０００８】
また複数の熱伝導端子は、互いに離間して設けられている。このため、実装基板と第１半導体チップの間で発生する熱応力を、熱伝導端子の相互間に位置する空間で吸収することができる。従って、第１半導体チップにクラックが発生することを抑制できる。
【０００９】
本発明によれば、半導体パッケージと、
前記半導体パッケージを実装した実装基板と、
を備え、
前記半導体パッケージは、
配線基板と、
前記配線基板の第１面にフリップチップ実装された第１半導体チップと、
前記配線基板の前記第１面に設けられ、前記第１半導体チップの厚さよりも高く、前記実装基板に接続している接続端子と、
前記第１半導体チップのうち前記配線基板に対向しない面に設けられ、互いに離間しており、前記実装基板に接続している複数の熱伝導端子と、
を有する電子装置が提供される。
【００１０】
本発明によれば、基板と、
前記基板の第１面に形成された素子と、
前記基板の第２面に形成され、互いに離間しており、前記素子に電気的に接続していない複数の金属パターンと、
を備える半導体装置が提供される。
【００１１】
本発明によれば、配線基板の第１面に第１半導体チップをフリップチップ実装する工程と、
前記配線基板の前記第１面に、前記第１半導体チップの厚さよりも高い接続端子を設ける工程と、
を備え、
いずれかのタイミングで行われ、前記第１半導体チップのうち前記配線基板に対向しない面に、互いに離間している複数の熱伝導端子を設ける工程をさらに備える半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、第１半導体チップで発生した熱を、熱伝導端子を介して実装基板に放熱することができ、かつ第１半導体チップにクラックが発生することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１に示した半導体装置の下面図である。
【図３】第１半導体チップの基板の裏面側の構成を示す断面図である。
【図４】半導体装置を実装基板に実装した電子装置の構成を示す断面図である。
【図５】半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る半導体装置に用いられる第１半導体チップの裏面側の構成を示す断面図である。
【図８】第３の実施形態に係る半導体装置に用いられる第１半導体チップの裏面側の構成を示す断面図である。
【図９】第４の実施形態に係る半導体装置に用いられる第１半導体チップの裏面側の構成を示す断面図である。
【図１０】第５の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１１】第６の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１２】第７の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る半導体装置１０の構成を示す断面図である。半導体装置１０は、配線基板１００、第１半導体チップ２００、接続端子１２０、及び複数の熱伝導端子２２０を備えている。第１半導体チップ２００は、配線基板１００の第１面（本実施形態では裏面）にフリップチップ実装されている。接続端子１２０は例えばハンダボールであり、配線基板１００の第１面に設けられている。熱伝導端子２２０は、第１半導体チップ２００のうち配線基板１００に対向しない面に設けられており、互いに離間している。以下、詳細に説明する。
【００１６】
第１半導体チップ２００は、バンプ２４０を介して配線基板１００にフリップチップ実装されている。配線基板１００と第１半導体チップ２００の間の空間は、アンダーフィル樹脂２６０を用いて封止されている。第１半導体チップ２００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。
【００１７】
熱伝導端子２２０は、第１半導体チップ２００の基板の裏面の全面に複数互いに離間して設けられている。熱伝導端子２２０は、例えばハンダボールであるが、これに限定されず、例えばハンダペーストを印刷することにより形成されたハンダバンプであってもよい。
【００１８】
接続端子１２０と熱伝導端子２２０の下端は、同一平面を構成するのが好ましい。例えば配線基板１００の第１面を基準面としたとき、接続端子１２０の高さと、熱伝導端子２２０の高さの差は２００μｍ以下であるのが好ましい。この高さの差は、さらに好ましくは５０μｍ以下である。ただし、配線基板１００に反りが生じる場合、この反りを相殺する方向に、接続端子１２０の高さと、熱伝導端子２２０の高さに差を設け、接続端子１２０と熱伝導端子２２０の下端が同一平面を構成するようにしてもよい。また配線基板１００の第１面を基準としたときの接続端子１２０の高さをａとして、第１半導体チップ２００の基板の裏面を基準としたときの熱伝導端子２２０の高さをａ´としたとき、１／２ａ≦ａ´≦２／３ａであるのが好ましい。また接続端子１２０の中心間隔をｂ、熱伝導端子２２０の中心間隔をｂ´としたとき、１／２ｂ≦ｂ´≦２／３ｂであるのが好ましい。
【００１９】
配線基板１００の第２面（本実施形態では表面）には、第２半導体チップ３００が実装されている。本図に示す例では、第２半導体チップ３００は平面視で第１半導体チップ２００と重なる部分に配置されており、かつ配線基板１００にバンプ３２０を用いてフリップチップ実装されている。配線基板１００と第２半導体チップ３００の間の空間は、アンダーフィル樹脂３４０を用いて封止されている。第２半導体チップ３００の厚さは、例えば１００μｍ以上８００μｍ以下である。
【００２０】
第２半導体チップ３００は、第１半導体チップ２００とは異なる機能を有している。すなわち半導体装置１０はＳＩＰ構造を有している。第１半導体チップ２００及び第２半導体チップ３００は、例えば一方がロジックチップであり、他方がメモリチップである。そして第１半導体チップ２００及び第２半導体チップ３００は、配線基板１００内に設けられた配線及びビアを介して接続端子１２０に接続している。
【００２１】
第２半導体チップ３００のうち配線基板１００に対向しない面、すなわち第２半導体チップ３００の基板の裏面には、放熱部材３６０が熱伝導性樹脂層３８０を介して取り付けられている。放熱部材３６０は、平面視で第２半導体チップ３００よりも大きい。放熱部材３６０は、平面視で第２半導体チップ３００の周囲に位置する部分が、配線基板１００に近づく方向に曲がっている。放熱部材３６０の周縁部は、樹脂層３９０を介して配線基板１００に固定されている。なお放熱部材３６０は、いずれの部分も平面視で配線基板１００の外側には位置していない。
【００２２】
図２は、図１に示した半導体装置１０の下面図である。図１は、図２のＡ−Ａ´断面図に相当している。複数の接続端子１２０は、第１半導体チップ２００を多重に囲むように配置されている。具体的には複数の接続端子１２０は、第１半導体チップ２００が配置されている領域を除いてマトリクス状に配置されている。また複数の熱伝導端子２２０は、第１半導体チップ２００の基板の裏面の全面に、マトリクス状に配置されている。
【００２３】
図３は、第１半導体チップ２００の基板２０２の裏面側の構成を示す断面図である。基板２０２は、例えばシリコン基板などの半導体基板である。そして基板２０２の裏面には、複数の金属パターン２０６、絶縁層２０４、及び第２金属層２０８が設けられている。複数の金属パターン２０６は、例えばＡｌ膜であり、複数の熱伝導端子２２０別に設けられている。絶縁層２０４は、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層膜の上に、ポリイミド層を積層した膜であり、基板２０２の裏面の全面に設けられている。絶縁層２０４には複数の開口が設けられている。各開口は、複数の金属パターン２０６それぞれ上に位置している。そしてこの開口内及びその周囲に位置する絶縁層２０４の表面には、第２金属層２０８が形成されている。第２金属層２０８は、例えばＴｉとＣｕをこの順に積層した第１の積層膜と、ＮｉとＣｕをこの順に積層した第２の積層膜と、をこの順に形成した層である。熱伝導端子２２０は、第２金属層２０８に接続している。
【００２４】
本実施形態において金属パターン２０６は、いずれも第１半導体チップ２００の表面に形成された素子（図示せず）とは電気的に分離している。すなわち金属パターン２０６は一面が基板２０２に直に接続しており、他面が第２金属層２０８を介して熱伝導端子２２０に接続している。
【００２５】
図４は、半導体装置１０を実装基板４００に実装した電子装置の構成を示す断面図である。半導体装置１０の複数の接続端子１２０は、それぞれ実装基板４００の電極に接続している。そして熱伝導端子２２０も実装基板４００に接続している。
【００２６】
詳細には、実装基板４００には、平面視で熱伝導端子２２０と重なる位置に金属パターン４１２が設けられている、本実施形態においてこの金属パターン４１２は、実装基板４００の最上層の配線層に形成された導体パターンである。そして熱伝導端子２２０は、金属パターン４１２に接続している。金属パターン４１２は、複数の熱伝導端子２２０に共通しているシート状のパターンであってもよいし、複数の熱伝導端子２２０別に設けられたパターンであってもよい。
【００２７】
第１半導体チップ２００で発生した熱は、熱伝導端子２２０を介して金属パターン４１２に伝わることにより放熱される。金属パターン４１２は、例えばグランドプレーン４１０の一部である。グランドプレーン４１０の平面積は大きいため、第１半導体チップ２００で発生した熱を効率よく放熱することができる。
【００２８】
また本図に示す例では、金属パターン４１２には少なくとも一つのビア４２０が接続している。ビア４２０は、実装基板４００を厚さ方向に延伸しており、平面視で金属パターン４１２に重なっている。ビア４２０は、金属パターン４１２を、他の層に位置する金属パターンに接続している。このため、第１半導体チップ２００で発生した熱は、金属パターン４１２及びビア４２０を経由して、金属パターン４１２とは異なる層の金属パターンにも伝わる。このため、第１半導体チップ２００で発生した熱を、さらに効率よく放熱することができる。
【００２９】
図５及び図６は、半導体装置１０の製造方法を示す断面図である。半導体装置１０の製造方法は、以下の工程を有する。まず、配線基板１００の第１面に第１半導体チップ２００をフリップチップ実装する。次いで、配線基板１００の第１面に接続端子１２０を設ける。そして、いずれかのタイミングで、複数の熱伝導端子２２０を設ける。以下、詳細に説明する。
【００３０】
まず、第１半導体チップ２００に個片化される前の状態の基板２０２を準備する。基板２０２の表面には、複数の素子及び多層配線層が形成されている。多層配線層には、電極パッド及びパッシベーション膜が形成されている。
【００３１】
次いで図５（ａ）に示すように、基板２０２の裏面を研削し、基板２０２の厚さを必要な薄さにする。
【００３２】
次いで図５（ｂ）に示すように、基板２０２の裏面に、金属パターン２０６となる金属膜を、例えばスパッタリング法により形成する。次いでこの金属膜上にマスクパターンを形成し、このマスクパターンをマスクとして金属膜をエッチングする。これにより、複数の金属パターン２０６（本図では図示せず）が形成される。その後、マスクパターンを除去する。その後、基板２０２の裏面に、絶縁層２０４の下層となる絶縁膜、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層膜を形成する。次いで、この絶縁膜に、金属パターン２０６上に位置する開口を形成する。
【００３３】
次いで、基板２０２のパッシベーション膜上に、ポリイミド層２０３を形成し、このポリイミド層に、電極パッド上に位置する開口を形成する。また基板２０２の裏面上に絶縁層２０４の上層となるポリイミド層を形成する。これにより絶縁層２０４が形成される。次いで、このポリイミド層に、金属パターン２０６上に位置する開口を形成する。
【００３４】
次いで基板２０２の表面側に、電極パッド上に位置するアンダーバンプメタル層を形成する。また基板２０２の裏面側に、第２金属層２０８を形成する。
【００３５】
次いで図５（ｃ）に示すように、基板２０２の表面側に、バンプ２４０を形成する。
【００３６】
次いで図５（ｄ）に示すように、基板２０２を複数の第１半導体チップ２００に個片化する。
【００３７】
また上記した工程とは別に、第２半導体チップ３００を製造しておく。
【００３８】
次いで図６（ａ）に示すように、配線基板１００の第１面に第１半導体チップ２００を実装し、アンダーフィル樹脂２６０で配線基板１００と第１半導体チップ２００の間の空間を封止する。また配線基板１００の第２面に第２半導体チップ３００を実装し、アンダーフィル樹脂３４０で配線基板１００と第２半導体チップ３００の間の空間を封止する。
【００３９】
次いで図６（ｂ）に示すように、第２半導体チップ３００に放熱部材３６０を、熱伝導性樹脂層３８０を介して取り付ける。このとき放熱部材３６０の周縁部を、樹脂層３９０を介して配線基板１００に固定する。
【００４０】
その後図１に示すように、配線基板１００の第１面に接続端子１２０を設ける。また第１半導体チップ２００の第２金属層２０８に熱伝導端子２２０を設ける。
【００４１】
次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。本実施形態において第１半導体チップ２００には複数の熱伝導端子２２０が設けられている。熱伝導端子２２０は、配線基板１００を基準としたときに、接続端子１２０と同じ側に設けられている。このため、半導体装置１０を実装基板４００に実装するときに、熱伝導端子２２０を実装基板４００に接続することができる。従って、第１半導体チップ２００で発生した熱を、熱伝導端子２２０を介して実装基板４００に放熱することができる。
【００４２】
また複数の熱伝導端子２２０は、互いに離間して設けられている。このため、実装基板４００と第１半導体チップ２００の間で発生する熱応力を、熱伝導端子２２０の相互間に位置する空間で吸収することができる。従って、第１半導体チップ２００にクラックが発生することを抑制できる。
【００４３】
また、第１半導体チップ２００の裏面の全面に熱伝導用の層を設ける場合、熱伝導用の層にボイドが発生しやすい。このボイドは、第１半導体チップ２００に生じるクラックの起点になり、また熱伝導を妨げる。これに対して本実施形態では、熱伝導端子２２０は第１半導体チップ２００の裏面に離散的に設けられているため、ボイドが発生することを抑制できる。
【００４４】
また熱伝導端子２２０が実装基板４００のグランドプレーンに接続している場合、グランドプレーンは大きな平面積を有しているため、第１半導体チップ２００で発生した熱を効率よく放熱することができる。
【００４５】
（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係る半導体装置１０に用いられる第１半導体チップ２００の裏面側の構成を示す断面図であり、第１の実施形態における図３に相当している。以下、第１の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
【００４６】
本実施形態において第１半導体チップ２００は、貫通電極２０７を備えている。貫通電極２０７は、一端側がいずれかの金属パターン２０６に接続しており、他端側は第１半導体チップ２００の表面側の配線を介して、第１半導体チップ２００が有する素子に接続している。すなわち貫通電極２０７が設けられている金属パターン２０６は電極として機能し、第１半導体チップ２００の回路に接続している。そしてこの金属パターン２０６に接続している熱伝導端子２２０は、信号を伝える接続端子としても機能する。
【００４７】
本図に示す例において、貫通電極２０７は全ての金属パターン２０６に設けられている。ただし貫通電極２０７は、一部の金属パターン２０６のみに設けられていてもよい。
【００４８】
本実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また金属パターン２０６の少なくとも一部を電極として機能させることができるため、第１半導体チップ２００は、接続端子１２０のみではなく熱伝導端子２２０を介して実装基板４００に接続することができる。
【００４９】
（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態に係る半導体装置１０に用いられる第１半導体チップ２００の裏面側の構成を示す断面図であり、第１の実施形態における図３に相当している。以下、第１の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
【００５０】
本実施形態において、第１半導体チップ２００の金属パターン２０６はシート状になっており、複数の熱伝導端子２２０で共通になっている。
【００５１】
本実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。また金属パターン２０６をパターニングする必要がなくなるため、半導体装置１０の製造コストを低くすることができる。
【００５２】
（第４の実施形態）
図９は、第４の実施形態に係る半導体装置１０に用いられる第１半導体チップ２００の裏面側の構成を示す断面図であり、第１の実施形態における図３に相当している。以下、第１の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
【００５３】
本実施形態に係る半導体装置は、金属パターン２０６が設けられていない。すなわち絶縁層２０４の開口内には基板２０２の裏面が位置しており、第２金属層２０８は基板２０２の裏面に接続している。
【００５４】
本実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また金属パターン２０６を設けていないため、半導体装置１０の製造コストを低くすることができる。
【００５５】
（第５の実施形態）
図１０は、第５の実施形態に係る半導体装置１０の構成を示す断面図であり、第１の実施形態における図１に相当している。以下、第１の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
【００５６】
本実施形態において、放熱部材３６０は平板状である。そして放熱部材３６０は、周縁部において、サポートフレーム３６２を用いて配線基板１００に固定されている。具体的には、放熱部材３６０の周縁部は、樹脂層３９０を用いてサポートフレーム３６２の一面に固定されている。そしてサポートフレーム３６２の他面は、樹脂層３９２を用いて配線基板１００に固定されている。
【００５７】
本実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。またサポートフレーム３６２を用いているため、配線基板１００が反ることを抑制できる。なお本実施形態において、第２〜第４の実施形態と同様の構成にしてもよい。
【００５８】
（第６の実施形態）
図１１は、第６の実施形態に係る半導体装置１０の構成を示す断面図であり、第１の実施形態における図１に相当している。本実施形態に係る半導体装置１０は、放熱部材３６０、熱伝導性樹脂層３８０、及び樹脂層３９０がない点を除いて、第１の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。
【００５９】
本実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。また放熱部材３６０を設けていないため、半導体装置１０の製造コストを低くすることができる。なお本実施形態において、第２〜第４の実施形態と同様の構成にしてもよい。
【００６０】
（第７の実施形態）
図１２は、第７の実施形態に係る半導体装置１０の構成を示す断面図であり、第６の実施形態における図１１に相当している。本実施形態に係る半導体装置１０は、第２半導体チップ３００がワイヤ３２２を用いて配線基板１００に実装されている点を除いて、第６の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。
【００６１】
詳細には、第２半導体チップ３００は、マウント材３１０を介して配線基板１００の第２面に固定されている。第２半導体チップ３００は、能動面が配線基板１００とは逆側を向いている。そしてワイヤ３２２は、一端が第２半導体チップ３００の電極パッドに接続しており、他端が配線基板１００の電極、例えばランドに接続している。また配線基板１００の第２面、第２半導体チップ３００、及びワイヤ３２２は、封止樹脂３３０によって封止されている。
【００６２】
本実施形態によっても、第６の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６３】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００６４】
１０ 半導体装置
１００ 配線基板
１２０ 接続端子
２００ 第１半導体チップ
２０２ 基板
２０３ ポリイミド層
２０４ 絶縁層
２０６ 金属パターン
２０７ 貫通電極
２０８ 第２金属層
２２０ 熱伝導端子
２４０ バンプ
２６０ アンダーフィル樹脂
３００ 第２半導体チップ
３１０ マウント材
３２０ バンプ
３２２ ワイヤ
３３０ 封止樹脂
３４０ アンダーフィル樹脂
３６０ 放熱部材
３６２ サポートフレーム
３８０ 熱伝導性樹脂層
３９０ 樹脂層
３９２ 樹脂層
４００ 実装基板
４１０ グランドプレーン
４１２ 金属パターン
４２０ ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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