(57)【要約】【課題】作動特性の向上に寄与することが可能な、セラミックヒータを提供することを目的とする。【解決手段】セラミックヒータであって、第１セラミック基板と、前記第１セラミック基板上に設けられ、前記第１セラミック基板の熱伝導率よりも熱伝導率の大きな第２セラミック基板と、前記第１セラミック基板と前記第２セラミック基板の間に設けられる発熱抵抗体と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１セラミック基板と、
前記第１セラミック基板上に設けられ、前記第１セラミック基板の熱伝導率よりも熱伝導率の大きな第２セラミック基板と、
前記第１セラミック基板と前記第２セラミック基板の間に設けられる発熱抵抗体と、を備えたことを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項２】
請求項１に記載のセラミックヒータであって、
前記第１セラミック基板又は前記第２セラミック基板内に設けられ、平面透視して前記発熱抵抗体と重なる領域に設けられるとともに、前記発熱抵抗体の下面を露出する空隙を、更に備えたことを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項３】
請求項２に記載のセラミックヒータであって、
前記空隙内に、前記空隙の天井面と前記空隙の底面との間に支持部が設けられることを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のセラミックヒータであって、
前記第１セラミック基板の下面には、平面透視して前記発熱抵抗体を間に挟むように一対の支持体が設けられることを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項５】
セラミック円筒体と、
前記セラミック円筒体内に設けられ、前記セラミック円筒体の熱伝導率より熱伝導率が小さいセラミック部材と、
前記セラミック円筒体と前記セラミック部材との間に設けられる発熱抵抗体と、を備えたことを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項６】
請求項５に記載のセラミックヒータであって、
前記セラミック円筒体又は前記セラミック部材内に設けられ、断面視して前記発熱抵抗体と重なる領域に設けられるとともに、前記発熱抵抗体の下面を露出する空間を、更に備えたことを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項７】
請求項６に記載のセラミックヒータであって、
平面透視して前記空間と重なる領域に設けられ、前記セラミック部材の内部に設けられる中空部を更に備えたことを特徴とするセラミックヒータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発熱抵抗体を高温にし、発熱抵抗体の温度に起因して発熱するセラミックヒータに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、セラミックヒータの作動特性を向上させる開発が進められている（例えば、特許文献１参照）。セラミックヒータの開発において、発熱抵抗体の温度を効率的に上昇させる作動特性の向上が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３３１９５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、作動特性の向上に寄与することが可能なセラミックヒータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施の態様に係るセラミックヒータは、第１セラミック基板と、前記第１セラミック基板上に設けられ、前記第１セラミック基板の熱伝導率よりも熱伝導率の大きな第２セラミック基板と、前記第１セラミック基板と前記第２セラミック基板の間に設けられる発熱抵抗体と、を備えたことを特徴とする。
【０００６】
本発明の実施の態様に係るセラミックヒータは、セラミック円筒体と、前記セラミック円筒体内に設けられ、前記セラミック円筒体の熱伝導率より熱伝導率が小さいセラミック部材と、前記セラミック円筒体と前記セラミック部材との間に設けられる発熱抵抗体と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、作動特性の向上に寄与することが可能なセラミックヒータを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係るセラミックヒータの概観を示す斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ’に沿ったセラミックヒータの断面図である。
【図３】発熱抵抗体を示す基板の透過斜視図である。
【図４】第１実施形態の一変形例であって、図１のＸ−Ｘ’に沿ったセラミックヒータの断面図である。
【図５】第１実施形態の一変形例であって、図１のＸ−Ｘ’に沿ったセラミックヒータの断面図である。
【図６】第１実施形態の一変形例であって、図１のＸ−Ｘ’に沿ったセラミックヒータの断面図である。
【図７】図６に示すセラミックヒータの基板内を示す透過斜視図である。
【図８】第２実施形態に係るセラミックヒータの概観を示す斜視図である。
【図９】図８のＹ−Ｙ’、Ｚ−Ｚ’に沿ったセラミックヒータの断面図である。
【図１０】第２実施形態の一変形例であって、図８のＹ−Ｙ’、Ｚ−Ｚ’に沿ったセラミックヒータの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかるセラミックヒータの実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものとする。
【００１０】
＜第１実施形態のセラミックヒータの概略構成＞
図１は、本実施形態に係るセラミックヒータの概観斜視図ある。また、図２は、図１のＸ−Ｘ’に沿ったセラミックヒータの断面図である。図３は、セラミックヒータの発熱抵抗体を示す基板の透過斜視図である。
【００１１】
本実施形態のセラミックヒータは、外部の部材を熱するためのものである。機器に組み込み、セラミックヒータが発熱することで、機器の特定箇所を高温にすることができる。
【００１２】
本実施形態に係るセラミックヒータ１は、第１セラミック基板２と、第１セラミック基板２上に設けられ、第１セラミック基板２の熱伝導率よりも熱伝導率の大きな第２セラミック基板３と、第１セラミック基板２と第２セラミック基板３の間に設けられる発熱抵抗体４と、を備えている。
【００１３】
第１セラミック基板２は、絶縁性の基板であって、例えば、アルミナ、ムライト又は窒化アルミ等のセラミック材料、或いはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。または、これらの材料中に、閉気孔を多数有することにより熱伝導度を低下させたものであってもよい。なお、第１セラミック基板２の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。また、第１セラミック基板２の厚みは、第２セラミック基板３の厚みよりも大きく設定されていることが好ましい。第１セラミック基板２の厚みを大きくすることで、第１セラミック基板２の表面温度を低くし、表面よりの輻射や伝導による放熱量を減らすことができる。
【００１４】
また、第１セラミック基板２の熱伝導率は、例えば、８Ｗ／ｍ・Ｋ以上２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。さらに、第１セラミック基板２の熱伝導率は、第２セラミック基板３の熱伝導率よりも小さく設定されている。
【００１５】
第２セラミック基板３は、絶縁性の基板であって、例えば、アルミナ、ムライト又は窒化アルミ等のセラミック材料、或いはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、第２セラミック基板３の厚みは、例えば、０．０２ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。また、第２セラミック基板３の熱伝導率は、例えば、１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上２１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。さらに、第２セラミック基板３の熱伝導率は、第１セラミック基板２の熱伝導率よりも大きく設定されている。
【００１６】
第２セラミック基板３の上面は、発熱抵抗体からの熱が伝わり高温になる。そして、高温になって、第２セラミック基板３の表面に接する被加熱物の温度を上昇させることができる。
【００１７】
第１セラミック基板２の下面には、平面透視して発熱抵抗体４を間に挟むように一対の支持体５が設けられている。
【００１８】
支持体５は、セラミックヒータ１を外部の機器に取り付けるときに、土台となるものである。そして、支持体５が外部の機器との接合用土台となることで、セラミックヒータ１の発熱抵抗体４が発熱した際の熱が接続用土台を介して外部の機器に伝わりにくくするこ
とにより、セラミックヒータ１の温度上昇特性を向上させることができる。
【００１９】
支持体５は、例えば、金属材料、或いはアルミナ又はムライト等のセラミック材料、或いはガラスセラミック材料、或いはプラスチックから成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、支持体５の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。また、支持体５の熱伝導率は、例えば、８Ｗ／ｍ・Ｋ以上２１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。
【００２０】
また、支持体５は、支持体５の長手方向に支持体５の高さに相当する切り欠き部を設ける手段により支持体５の熱伝達断面積を小さくすることによる熱抵抗を増大させたり、支持体５に第１セラミック基板２又は第２セラミック基板３の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の材料を選択したりすることにより、支持体５を介して外部の機器に伝わる熱の容量を小さくすることができる。そして、発熱抵抗体４が発する熱は、第２セラミック基板３を介して第２セラミック基板３の上面を効率良く加熱することができる。
【００２１】
支持体５が絶縁性材料の場合には、導電層６が形成されている。導電層６は、支持体５の下面から支持体５及び第１セラミック基板２の側面を介して第１セラミック基板２の上面にわたって形成される。セラミックヒータ１を外部の機器に組み込んだ状態で、機器内から導電層６に電流を流し、発熱抵抗体４に通電し、発熱抵抗体４の温度を上昇させる。さらに、発熱抵抗体４の発熱に起因して、第２セラミック基板３の上面を熱することができる。なお、導電層６の幅は、例えば、０．０５ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。ここで、導電層６の幅とは、導電層６に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。
【００２２】
導電層６は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金又はアルミニウム等の金属材料、或いはそれらの合金、複数の材料を混合した複合系材料、或いはそれらの材料の複合層からなる。
【００２３】
第１セラミック基板２と第２セラミック基板３の間には、図２又は図３に示すように、発熱抵抗体４が形成されている。発熱抵抗体４は、第２セラミック基板３の上面を加熱するものである。
【００２４】
発熱抵抗体４は、導電層６と接続される。発熱抵抗体４は、所要の発熱量を確保するための抵抗値を有しており、例えば、そのパターン形状は第１セラミック基板２の上面にて何度も折れ曲がって形成されている。そして、発熱抵抗体４の幅は、導電層６の幅よりも小さく設定されている。発熱抵抗体４の幅を導電層６の幅よりも小さくすることで、発熱抵抗体４の電気抵抗比率を大きくし、発熱抵抗体４部分にて発生するジュール熱の比率を大きくし、発熱不要な導電層６での発熱を抑制し、被加熱物を加熱するための第２セラミック基板３の上面を効率よく加熱する事ができる。
【００２５】
発熱抵抗体４には、セラミックヒータ１とともに機器に組込まれた回路によって、導電層６を介して発熱抵抗体４に通電する。そして、発熱抵抗体４の電気抵抗比率が大きいために、発熱抵抗体４の温度が効率よく上昇する。さらに、その温度が、第２セラミック基板３を介して第２セラミック基板３の上面を加熱する。なお、発熱抵抗体４は、例えば、タングステン又はプラチナ等の材料から成る。
【００２６】
上述したように、本実施形態によれば、機器に組み込んだセラミックヒータ１は、支持台を介して機器内の外部へ熱を伝わりにくくすることができ、発熱抵抗体４にて発生する熱は、第２セラミック基板３を介して第２セラミック基板３の上面に伝わるため、作動特性を向上させることができる。その結果、作動特性の向上に寄与することが可能なセラミックヒータ１を提供することができる。
【００２７】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。以下、本実施形態の変形例について説明する。なお、本実施形態の変形例に係るセラミックヒータ１のうち、本実施形態に係るセラミックヒータ１と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
【００２８】
＜第１実施形態の変形例＞
図４は、一変形例に係るセラミックヒータ１の断面図である。なお、かかる断面箇所は、図１のＸ−Ｘ’に沿った断面箇所に対応する。
【００２９】
上述した実施形態では、第１セラミック基板２及び第２セラミック基板３内は、空隙ＳＰが設けられていなかったが、図４に示すように、空隙ＳＰが設けられていてもよい。空隙ＳＰは、平面透視して発熱抵抗体４と重なる領域に設けられるとともに、発熱抵抗体４の下面を露出する領域に形成されている。
【００３０】
空隙ＳＰは、平面透視して発熱抵抗体４の配置エリア（配置エリアとは発熱抵抗体への導体配線部を除く発熱抵抗体パターン最外辺の４辺により形成される面をいう）が内部に含まれる大きさに設定されている。また、空隙ＳＰの厚み方向の高さは、例えば０．０１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下に設定されている。空隙ＳＰを平面視したとき、各コーナー部は隣り合う空隙壁の間をＣ面、もしくは円周面等にて接続させることにより各コーナーに応力が集中するのを低減することが好ましい。なお、空隙ＳＰ内は、減圧・真空雰囲気に設定されていることが好ましい。
【００３１】
空隙ＳＰが、発熱抵抗体４の下方に位置することで、発熱抵抗体４が発熱した時に空隙ＳＰが断熱層として機能し、発熱抵抗体４近傍の温度上昇特性が向上し、発熱抵抗体４の直上に位置する第２セラミック基板３の上面の温度上昇が早くなる。そして、第２セラミック基板３の上面の温度上昇に基づいて、第２セラミック基板３の上面に接する外部の被加熱物に熱を伝えることができる。
【００３２】
また、セラミックヒータ１を外部の機器に組み込んだ状態で、外部の回路への発熱抵抗体４から伝わろうとする熱は、セラミックヒータ１中に断熱層として機能する空隙ＳＰが設けられていることで、発熱抵抗体４に伝わりにくくすることができる。その結果、発熱抵抗体４の発熱による温度上昇に起因する、第２セラミック基板３の上面の温度を効率良く上昇させることができる。
【００３３】
また、空隙ＳＰは、図４に示すように、第１セラミック基板３内に設ける構造であったが、図５に示すように、第２セラミック基板４内に空隙ＳＰが設けられてもよい。
【００３４】
また、図６又は図７に示すように、空隙ＳＰ内に、空隙ＳＰの天井面Ｓ１と空隙ＳＰの底面Ｓ２との間に支柱又は支持壁等の支持部７が設けられてもよい。支持部７は、空隙ＳＰ内にて天井面Ｓ１を支持することで、天井面Ｓ１が撓むのを抑制することができる。
【００３５】
支持部７は、平面視して発熱抵抗体４のパターンと直接重ならない箇所に設けられていることが好ましく、支持部７を介して発熱抵抗体４の熱が第１セラミック基板２に伝わるのを抑制し、結果として被加熱目的物でない外部に伝わることを抑制することができる。支持部７は、第１セラミック基板２又は第２セラミック基板３と一体ものであっても、別体ものであってもよい。
【００３６】
＜第１実施形態のセラミックヒータの製造方法＞
ここで、図１に示すセラミックヒータ１の製造方法について説明する。
【００３７】
先ず、第１セラミック基板２及び第２セラミック基板３を準備する。第１セラミック基板２又は第２セラミック基板３が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム及び酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤、および溶剤等を添加混合して得た混合物よりグリーンシートを成型する。
【００３８】
また、タングステン又はモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤又は溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。
【００３９】
そして、グリーンシートの状態の第１セラミック基板２の上面に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って発熱抵抗体４及び導電層６を形成する。
【００４０】
次に、一対の支持体５を準備する。第１セラミック基板２又は第２セラミック基板３と同様に、グリーンシートを成形する。そして、支持体５の下面、側面側上面に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って導電層６を形成する。
【００４１】
次に、準備した焼結前の第１セラミック基板２、第２セラミック基板３及び支持体５を積層させた状態で、約１６００度の温度で焼成する。そして、第１セラミック基板２、第２セラミック基板３及び支持体５を一体焼結する。このようにして、セラミックヒータ１を作製することができる。
【００４２】
尚、変形例に係る内部に空隙ＳＰを有するセラミックヒータを作製する場合は、焼結前のグリーンシートを必要枚数準備しておき、空隙ＳＰを設けたい箇所に対応するグリーンシートに予め孔を空けて、準備した全グリーンシートを積層して焼結することで、作製することができる。
【００４３】
＜第２実施形態のセラミックヒータの概略構成＞
図８は、第２実施形態に係るセラミックヒータ１ｘの概観斜視図ある。また、図９は、図８のＹ−Ｙ’に沿ったセラミックヒータの断面図、Ｚ−Ｚ’に沿ったセラミックヒータの断面図である。なお、第２実施形態に係るセラミックヒータ１ｘのうち、第１実施形態に係るセラミックヒータ１と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
【００４４】
図８に示すセラミックヒータ１ｘは、ロッドタイプのものである。本実施形態のセラミックヒータ１ｘは、セラミック円筒体８と、セラミック円筒体８内に設けられ、セラミック円筒体８の熱伝導率より熱伝導率が小さい円柱状のセラミック部材９と、セラミック円筒体８とセラミック部材９との間に設けられる空間ＳＰ１と、平面透視して空間ＳＰ１と重なる領域に設けられ、セラミック円筒体８の内壁面に設けられる発熱抵抗体４と、を備えている。
【００４５】
セラミック円筒体８は、内部にセラミック部材９を設ける空間を有している。セラミック円筒体８は、絶縁性の部材であって、例えば、アルミナ、ムライト又は窒化アルミ等のセラミック材料、或いはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。または、これらの材料中に、閉気孔を多数有することにより熱伝導度を低下させたものであってもよい。
【００４６】
また、セラミック円筒体８の熱伝導率は、例えば、１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上２１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。さらに、セラミック円筒体８の熱伝導率は、セラミック部材９の熱伝導率よりも大きく設定されている。
【００４７】
セラミック部材９は、セラミック円筒体８の内部空間に設けられる。セラミック部材９は、絶縁性の部材であって、例えば、アルミナ、ムライト又は窒化アルミ等のセラミック材料、或いはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。また、セラミック部材９の熱伝導率は、例えば、８Ｗ／ｍ・Ｋ以上２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。
【００４８】
また、セラミック円筒体８とセラミック部材９との間には、図９に示すように、電極層１０が設けられる。電極層１０は、発熱抵抗体４と電気的に接続されている。電極層１０は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、マンガン等の金属材料、或いはそれらの合金、複数の材料を混合した複合系材料、或いはそれらの材料の複合層からなる。
【００４９】
また、セラミック円筒体８には、電極層１０と電気的に接続されるビア導体１１が設けられる。ビア導体１１は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金又はアルミニウム等の金属材料、或いはそれらの合金、複数の材料を混合した複合系材料、或いはそれらの材料の複合層からなる。
【００５０】
また、セラミック円筒体８の外側面には、ビア導体１１と電気的に接続される端子１２が設けられる。端子１２は、セラミックヒータ１に二つ設けられ、一方から電流を流し、もう一方から電流を取り出すものである。そして、端子１２から電流を流すことで、発熱抵抗体４の温度を上昇させることができる。
【００５１】
空間ＳＰ１は、セラミック円筒体８とセラミック部材９との間に設けられている。空間ＳＰ１は、セラミック円筒体８の内壁面の一部に沿って設けられている。また、空間ＳＰ１には、発熱抵抗体４が配置されている。
【００５２】
発熱抵抗体４は、空間ＳＰ内に配置されており、電極層１０と電気的に接続されている。また、一方の端子１２からビア導体１１及び電極層１０を介して発熱抵抗体４を電流が流れる。そして、発熱抵抗体４に流れる電流は、もう一方の端子１２に向かって流れる。
【００５３】
空間ＳＰ１が存在することにより、空間ＳＰ１が断熱空間として機能し、発熱抵抗体４で発せられる熱がセラミック部材９に伝わりにくくなる。そして、発熱抵抗体４で発せられる熱の多くが、セラミック円筒体８に向かって伝わる。その結果、セラミック円筒体８の外側面の温度を上昇させることができる。
【００５４】
＜第２実施形態の変形例＞
図１０は、一変形例に係るセラミックヒータ１ｘの断面図である。なお、かかる断面箇所は、図８のＹ−Ｙ’に沿ったセラミックヒータの断面図、Ｚ−Ｚ’に沿ったセラミックヒータの断面図である。
【００５５】
上述した実施形態では、セラミック部材９内は、中空部が設けられていなかったが、図１０に示すように、中空部ＳＰ２が設けられていてもよい。中空部ＳＰ２は、平面透視して空間ＳＰ１と重なる領域に設けられ、セラミック部材９の内部に設けられている。
【００５６】
セラミック部材９内に中空部ＳＰ２を設けることで、中空部ＳＰ２を断熱構造とするとともに、セラミック部材９の熱容量を小さくすることができる。そして、発熱抵抗体４の熱をセラミック円筒体８に効率よく伝えることができる。
【００５７】
なお、第２実施形態の変形例において、第１実施形態の変形例を適宜適用しても構わな
い。例えば、第２実施形態の中空部ＳＰ２に支持部７を設けても構わない。
【００５８】
＜第２実施形態のセラミックヒータの製造方法＞
ここで、図８に示すセラミックヒータ１の製造方法について説明する。
【００５９】
先ず、セラミック円筒体８となるグリーンシートを複数枚準備する。また、セラミック部材９となる円柱状の焼結前のセラミック部材を準備する。セラミック円筒体８又はセラミック部材９が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム及び酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤、および溶剤等を添加混合して得た混合物よりグリーンシート又はセラミック部材を成型する。
【００６０】
また、タングステン又はモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤又は溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。
【００６１】
セラミック円筒体８のグリーンシートのうち、電極層１０、発熱抵抗体４及びビア導体１１を形成する箇所に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って電極層１０、発熱抵抗体４及びビア導体１１を形成する。また、セラミック円筒体８のグリーンシートのうち、空間ＳＰ１となる箇所について打ち抜いておく。
【００６２】
次に、準備した焼結前のセラミック部材９の外周に、セラミック円筒体８となる複数枚のグリーンシートを巻いて、セラミック円筒体８を設ける。そして、セラミック部材９とセラミック円筒体８とを接続した状態で、約１６００度の温度で焼成する。そして、セラミック部材９とセラミック円筒体８を一体焼結する。このようにして、セラミックヒータ１を作製することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１  セラミックヒータ
２  第１セラミック基板
３  第２セラミック基板
４  発熱抵抗体
５  支持体
６  導電層
７  支持部
８  セラミック円筒体
９  セラミック部材
１０  電極層
１１  ビア導体
１２  端子
ＳＰ  空隙
ＳＰ１  空間
ＳＰ２  中空部
Ｓ１  天井面
Ｓ２  底面
【図１】
2011175837.tif 000003
【図２】
2011175837.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2011175837.tif 000007
【図６】
2011175837.tif 000008
【図７】
2011175837.tif 000009
【図８】
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【図９】
2011175837.tif 000011
【図１０】
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