(57)【要約】【課題】ターゲット交換などのメンテナンス作業を効率化できるスパッタリング装置を提供する。【解決手段】基板Ｗを保持する基板ホルダー６を有し基板ホルダー６が搬送可能に設けられた成膜室２と、成膜室２に連通し筐体１０内に一対のターゲット１１，１２が対向して配置されたスパッタリング粒子放出部３と、を備える対向ターゲット方式のスパッタリング装置１であって、第２ターゲット１２が配置された筐体１０の一面の一部が第２ターゲット１２を含んで取り外し可能に形成されている。【選択図】図１
2011017035.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板ホルダーを有し該基板ホルダーが搬送可能に設けられた成膜室と、
前記成膜室に連通し筐体内に一対のターゲットが対向して配置されるスパッタリング粒子放出部と、を備える対向ターゲット方式のスパッタリング装置であって、
前記一対のターゲットのうちのどちらか一方に配置される前記筐体の一面の一部が前記ターゲットを含んで前記筐体外側より取り外し可能に形成され、他方の前記ターゲットが前記筐体内側より取り外し可能に形成されていることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のスパッタリング装置において、
前記スパッタリング粒子放出部の前記一対のターゲットが前記基板ホルダーの搬送経路に対して斜めに傾いた状態で配置されることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項３】
請求項２に記載のスパッタリング装置において、
前記基板ホルダーの搬送の終点方向側に一対の前記ターゲットが傾き、
前記基板ホルダーの搬送の終点に近い側に位置する前記ターゲットが備えられる前記筐体の一面の一部が取り外し可能に形成されていることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項４】
対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造装置であって、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のスパッタリング装置を備え、該スパッタリング装置によって前記無機配向膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング装置および液晶装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶装置などに用いられる配向膜において、信頼性の向上のために無機物の配向膜が検討されている。
無機物の配向膜（無機配向膜）の製作において、基板が収容される成膜室と、ターゲットが対向配置されるスパッタリング粒子放出部とを有した対向ターゲット式のスパッタリング装置が用いられている（特許文献１参照）。
対向ターゲット式のスパッタリング装置は、真空槽内に所定の間隔を設けて一対のターゲットを対向配置して対向空間内にプラズマを生成し、この対向空間の側方に配置した基板に薄膜を形成する装置である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２８６４０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このようなスパッタリング装置において、ターゲットの交換などのメンテナンス作業をする際には、成膜室を開放して成膜室側から、ターゲットが配置されたスパッタリング粒子放出部にアクセスして作業が行われる。このため、ねじの着脱作業は作業者の視線において横からの作業となり、作業がしづらい。特に、スパッタリング粒子放出部内のスペースが小さい場合やスパッタリング粒子放出部が成膜室に対して傾いている場合などには、ねじの着脱作業などが困難で作業に時間がかかり、スパッタリング装置の稼動を著しく低下させている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかるスパッタリング装置は、基板を保持する基板ホルダーを有し該基板ホルダーが搬送可能に設けられた成膜室と、前記成膜室に連通し筐体内に一対のターゲットが対向して配置されるスパッタリング粒子放出部と、を備える対向ターゲット方式のスパッタリング装置であって、前記一対のターゲットのうちのどちらか一方に配置される前記筐体の一面の一部が前記ターゲットを含んで前記筐体外側より取り外し可能に形成され、他方の前記ターゲットが前記筐体内側より取り外し可能に形成されていることを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、スパッタリング粒子放出部における一対のターゲットのうち、片側のターゲットを配置する一面の一部が取り外し可能に形成されている。
例えばターゲット交換を行う場合、片側のターゲットを配置する筐体の一面の一部を取り外し、この開放された穴を通して、もう一方のターゲットなどを固定するねじを着脱してターゲットを交換ができる。また、取り外した筐体の一面は別の場所でターゲット交換ができる。このように、作業者の視線の正面側からねじの着脱作業が行え、ターゲット交換作業が容易で、短時間にかつ確実に行うことができる。
このようにターゲット交換に限らず、スパッタリング粒子放出部におけるメンテナンス作業を容易とし、メンテナンス作業に時間がかからずスパッタリング装置の稼働率を向上させることができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかるスパッタリング装置において、前記スパッタリング粒子放出部の前記一対のターゲットが前記基板ホルダーの搬送経路に対して斜めに傾いた状態で配置されることが望ましい。
【０００９】
この構成によれば、基板ホルダーに保持される基板に、斜め方向からスパッタリング粒子を供給することができる。例えば、無機配向膜などの基板に対して結晶が斜め方向に成長した柱状構造の薄膜を容易に得ることができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかるスパッタリング装置において、前記基板ホルダーの搬送の終点方向側に一対の前記ターゲットが傾き、前記基板ホルダーの搬送の終点に近い側に位置する前記ターゲットが備えられる前記筐体の一面の一部が取り外し可能に形成されていることが望ましい。
【００１１】
基板ホルダーの搬送の終点方向側に一対のターゲットが傾いていることから、スパッタリング粒子放出部と成膜室との間のスペースは、基板ホルダーの搬送の始点側のスペースに比べて終点側のスペースが大きい。このため、基板ホルダーの搬送の終点に近い側に位置するターゲットが備えられた筐体の一面の一部が取り外し可能に形成することで、メンテナンス作業のスペースを確保できる。
【００１２】
［適用例４］本適用例にかかる液晶装置の製造装置は、対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造装置であって、上記適用例１乃至３のいずれかに記載のスパッタリング装置を備え、該スパッタリング装置によって前記無機配向膜を形成することを特徴とする。
【００１３】
本適用例の液晶装置の製造装置によれば、メンテナンス性に優れたスパッタリング装置を備えているので、生産性よく無機配向膜を備えた液晶装置を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態のスパッタリング装置の一例を示す概略構成図。
【図２】第１の実施形態のスパッタリング粒子放出部のターゲット組み付け板をＺａ方向から見た概略側面図。
【図３】第２の実施形態のスパッタリング装置の一例を示す概略構成図。
【図４】液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の平面図。
【図５】液晶装置を説明する液晶装置の模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の寸法の割合を適宜変更している。
（第１の実施形態）
【００１６】
図１は本実施形態のスパッタリング装置の一例を示す概略構成図である。図２は、図１のスパッタリング粒子放出部のターゲット組み付け板をＺａ方向から見た概略側面図である。スパッタリング装置は、液晶装置の製造装置を構成し、液晶装置の構成部材となる基板上に無機配向膜を成膜するものである。
図１に示すように、スパッタリング装置１は、基板Ｗを収容する成膜室２と、プラズマを生成してターゲットからスパッタリング粒子を放出するスパッタリング粒子放出部３とを備えている。成膜室２およびスパッタリング粒子放出部３は内部が気密になるように形成され、それぞれの内部を減圧雰囲気で使用される。なお、スパッタリング粒子とは、スパッタリング現象により飛び出してくるターゲットの構成原子をいう。
【００１７】
成膜室２には、その室内圧力を制御し、所望の真空度を得るためのロータリーポンプおよびクライオポンプなどから構成される排気制御装置３０が接続されている。
そして、成膜室２の室内に収容された基板Ｗ上に飛来するスパッタリング粒子と反応して無機配向膜を形成する、反応ガスとして酸素ガスを供給する反応ガス供給手段４を備えている。
反応ガス供給手段４は、排気制御装置３０の反対側に接続されており、反応ガス供給手段４から供給される酸素ガスは、成膜室２の−Ｘ側から＋Ｘ側に流動し、後述するスパッタ粒子放出部の上方を経由して排気制御装置３０側へ流れるようになっている。
【００１８】
成膜室２は、基板Ｗの被処理面（成膜面）がＸＹ面に平行（水平）になるようにして保持する基板ホルダー６を有している。この基板ホルダー６には、基板ホルダー６を搬送する移動手段７が接続されている。移動手段７による基板Ｗの搬送は、図１においてＸ軸方向に平行に一定速度で搬送可能であり、スパッタリング粒子放出部３から放出されるスパッタリング粒子により基板Ｗ上に良質な無機配向膜を形成できるようになっている。
【００１９】
また、基板ホルダー６には、保持した基板Ｗを加熱するためのヒータ（図示せず）が設けられており、さらに、保持した基板Ｗを冷却するための冷却手段８ｃが設けられている。ヒータは所望の温度に基板ホルダー６を加熱できるように構成されている。一方、冷却手段８ｃは、冷媒を循環させることにより基板ホルダー６を所望の温度に冷却するように構成されている。
【００２０】
さらに、図示しないが、成膜室２の真空度を保持した状態での基板Ｗの搬入および搬出を可能とするロードロックチャンバーが、成膜室２のＸ軸方向の片側または両側に備えられている。ロードロックチャンバーにも、これを独立して真空雰囲気に調整する排気制御装置が接続され、ロードロックチャンバーと成膜室２とは、チャンバー間を気密に閉塞するゲートバルブを介して接続されている。このようにして、基板Ｗの成膜室２の搬入および搬出の際に、成膜室２を大気に解放せずに効率よく基板Ｗの出し入れを行えるように構成されている。
【００２１】
スパッタリング粒子放出部３は、対向配置される第１ターゲット１１および第２ターゲット１２を有し、対向ターゲット型のスパッタリング装置１を構成している。このスパッタリング粒子放出部３は、成膜室２との接続面のみ開放された直方体箱型の筐体１０を有し、接続部２５により成膜室２とスパッタリング粒子放出部３とが連通するように取り付けられている。
【００２２】
スパッタリング粒子放出部３の筐体１０の内部には、第１ターゲット１１と第２ターゲット１２とがほぼ平行に対向して設けられている。
そして、スパッタリング粒子放出部３は、成膜室２内部に収容される基板Ｗの成膜面法線方向（Ｚ方向）に対し、スパッタリング粒子放出部３内に保持される第１ターゲット１１および第２ターゲット１２の面方向（Ｘａ方向）が所定の角度θとなるように形成されている。換言すれば、スパッタリング粒子放出部３内に保持される第１ターゲット１１および第２ターゲット１２の面方向（Ｘａ方向）と基板ホルダー６の搬送方向（Ｘ方向）とのなす角度が所定の角度をなすように形成されている。
【００２３】
より具体的には、第１ターゲット１１、第２ターゲット１２は、所定角度θとして、基板Ｗの法線方向に対して１０°〜６０°傾けられた状態に保持されるのが好ましい。基板Ｗに対する第１ターゲット１１、第２ターゲット１２の傾斜角度を上記範囲内に設定することにより所望の無機配向膜を形成可能となっている。
【００２４】
本実施形態では、成膜時に基板ホルダー６の搬送方向は始点が−Ｘから終点が＋Ｘ方向に搬送され、一対のターゲット１１，１２が基板ホルダー６の搬送の終点側に傾いて配置されている。そして、基板ホルダー６の搬送の始点に近い方に第１ターゲット１１が設けられ、基板ホルダー６の搬送の終点に近い方に第２ターゲット１２が設けられている。
なお、第１ターゲット１１、第２ターゲット１２は、基板Ｗ上に形成する無機配向膜の構成物質を含む材料、例えばシリコンからなるものとされる。また、第１ターゲット１１、第２ターゲット１２は、Ｙ方向に延びる細長い板状のものが用いられている。
【００２５】
第１ターゲット１１は一面が平板状のバッキングプレート１３に装着されている。バッキングプレート１３は筐体１０の一面に形成された穴を介して筐体１０の内側から外側に貫通しプレート背面部１３ａが筐体１０の外周に突出している。
また、筐体１０とバッキングプレート１３の間には絶縁板１５が配置され、さらに筐体１０内の気密を保つためにＯリング１７が備えられている。そして、第１ターゲット１１が装着されたバッキングプレート１３は取り付けねじ１９により筐体１０の一面に内部から締結されている。
【００２６】
図１および図２に示すように、第２ターゲット１２は一面が平板状のバッキングプレート１４に装着されている。バッキングプレート１４は筐体１０の一面に取り付けられたターゲット組み付け板２０に形成された穴を介して筐体１０の内側から外側に貫通しプレート背面部１４ａが筐体１０の外周に突出している。
また、ターゲット組み付け板２０とバッキングプレート１４の間には絶縁板１６が配置され、さらに筐体１０内の気密を保つためにＯリング１８が備えられている。そして、第２ターゲット１２が装着されたバッキングプレート１４は取り付けねじ１９によりターゲット組み付け板２０に締結されている。
さらに、ターゲット組み付け板２０は筐体１０に形成された穴を塞ぐように筐体１０の一面に取り付けねじ２２により筐体１０の外側から締結されている。このターゲット組み付け板２０と筐体１０の一面の間にはＯリング２１が配置され、筐体１０内の気密が保たれる。
【００２７】
また、スパッタリング粒子放出部３の成膜室２との接続部２５とは反対側には、放電用のアルゴンガスを流入させるスパッタリングガス供給手段５を備えている。これにより、スパッタリングガスは、筐体１０の底面部から一対の対向するターゲット１１，１２を経て成膜室２に流れるように構成されている。
【００２８】
また、バッキングプレート１３，１４は電極の役目をなし、これらには直流電源又は高周波電源からなる電源が接続されている。スパッタリングガスが供給された状態で、各電源から供給される電力により一対のターゲット１１，１２が向き合う空間（プラズマ生成領域）にプラズマＰｚを発生させる。
【００２９】
プレート背面部１３ａ，１４ａには配管２３，２４が設けられ、第１ターゲット１１，第２ターゲット１２を冷却するための冷却手段８ａ，８ｂが接続されている。この冷却手段８ａ，８ｂは、冷媒を循環させることにより第１ターゲット１１、第２ターゲット１２を冷却している。
【００３０】
また、図示しないが、第１ターゲット１１、第２ターゲット１２を取り囲むように裏面側から永久磁石、電磁石、またはこれらを組み合わせた磁石等からなる磁界発生手段が配設されている。
磁界発生手段とは、第１ターゲット１１、第２ターゲット１２を取り囲むＺａ方向の磁界をスパッタリング粒子放出部３内に発生させ、この磁界によってプラズマＰｚに含まれる電子をプラズマ生成領域内に拘束する電子拘束手段を構成している。
【００３１】
以上の構成のスパッタリング装置１を用いて基板Ｗ上に無機配向膜を形成するには、まず、スパッタリングガス供給手段５からアルゴンガスを導入しつつ、バッキングプレート１３，１４に直流または交流の高電圧をかけることで、第１ターゲット１１、第２ターゲット１２に挟まれる空間にプラズマＰｚを発生させる。プラズマ雰囲気中のアルゴンイオンを第１ターゲット１１、第２ターゲット１２に衝突させることで、第１ターゲット１１、第２ターゲット１２から配向膜材料（シリコン）をスパッタリング粒子としてたたき出す。さらにプラズマＰｚに含まれるスパッタリング粒子のうち、プラズマＰｚから開口部へ飛行するスパッタリング粒子のみを成膜室２側へ放出する。
【００３２】
そして、基板Ｗの面上に斜め方向から飛来したスパッタリング粒子と、成膜室２を流通する酸素ガスとを基板Ｗ上で反応させることで、シリコン酸化物からなる配向膜を基板Ｗ上に形成する。
このように、スパッタリング装置１によれば、スパッタリング粒子を基板Ｗに供給して反応ガスと反応させて一方向に配向した柱状構造を有する無機配向膜を基板Ｗ上に形成することができる。
【００３３】
このようなスパッタリング装置１において、装置を使用するに従いターゲットが消耗するため、ターゲット交換が定期的に行われる。ここではメンテナンス作業としてターゲット交換を行う場合について説明する。
まず、筐体１０に取り付けられているターゲット組み付け板２０を、取り付けねじ２２を外すことで取り外す。そして、ターゲット組み付け板２０には第２ターゲット１２が装着されており、別の場所でこの第２ターゲット１２の交換が行われる。
筐体１０からターゲット組み付け板２０を取り外すことで、筐体１０の一面には穴部が現れ、この穴部を通して第１ターゲット１１が作業者の正面に目視可能となる。
【００３４】
この穴部を通して第１ターゲット１１の交換が行われる。この交換の際には取り付けねじが作業者の正面から認識できるため、ねじの着脱が容易である。
そして、別の場所で第２ターゲット１２の交換が行われたターゲット組み付け板２０を筐体１０に取り付けてターゲット交換が終了する。
【００３５】
このように、本実施形態のスパッタリング装置１は、メンテナンス作業でターゲット交換を行う場合、ターゲット組み付け板２０を取り外し、開放された穴部を通して、もう一方の第１ターゲット１１などを固定するねじを着脱してターゲットを交換ができる。また、取り外したターゲット組み付け板２０は別の場所で第２ターゲット１２の交換ができる。このように、作業者の視線の正面側からねじの着脱作業が行え、ターゲット交換作業が容易で短時間にかつ確実に行うことができる。なお、本実施形態のスパッタリング装置１は、ターゲット交換に限らず、防着板の交換または筐体１０内部の清掃など様々なメンテナンス作業に対応でき、メンテナンス作業に時間がかからずスパッタリング装置１の稼働率を向上させることができる。
【００３６】
なお、本実施形態では、スパッタリング粒子としてのシリコンを、酸素ガスと反応させることでシリコン酸化物を基板Ｗ上に成膜する場合について説明しているが、ターゲットとして例えばシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）やアルミニウム酸化物（ＡｌＯｙ等）などを用い、シリコン酸化物やアルミニウム酸化物からなる無機配向膜を基板Ｗ上に形成することができる。
（第２の実施形態）
【００３７】
次に第２の実施形態のスパッタリング装置について説明する。本実施形態は第１の実施形態と成膜室に接続されるスパッタリング粒子放出部の取り付け角度のみが異なる。このためスパッタリング装置の構成について簡単に説明する。
図３は本実施形態のスパッタリング装置の一例を示す概略構成図である。
図３に示すように、スパッタリング装置５１は、基板Ｗを収容する成膜室５２と、プラズマを生成してターゲットからスパッタリング粒子を放出するスパッタリング粒子放出部５３とを備えている。
【００３８】
成膜室５２には、その内部圧力を制御する排気制御装置８０が接続され、成膜室５２の内部に収容された基板Ｗ上に飛来するスパッタリング粒子と反応して無機配向膜を形成する反応ガスとして酸素ガスを供給する反応ガス供給手段５４を備えている。
成膜室５２は、基板Ｗの被処理面（成膜面）がＸＹ面に平行（水平）になるようにして保持する基板ホルダー５６を有している。この基板ホルダー５６には、基板ホルダー５６を搬送する移動手段５７が接続されている。
また、基板ホルダー５６には、保持した基板Ｗを加熱するためのヒータ（図示せず）が設けられており、さらに、保持した基板Ｗを冷却するための冷却手段５８ｃが設けられている。
【００３９】
スパッタリング粒子放出部５３は、対向配置される第１ターゲット６１および第２ターゲット６２を有し、対向ターゲット型のスパッタリング装置５１を構成している。このスパッタリング粒子放出部５３は、成膜室５２との接続面のみ開放された直方体箱型の筐体６０を有し、成膜室５２とスパッタリング粒子放出部５３とが連通するように取り付けられている。
スパッタリング粒子放出部５３は、成膜室５２内部に収容される基板Ｗの成膜面法線方向（Ｚ方向）に対し、スパッタリング粒子放出部５３内に保持される第１ターゲット６１および第２ターゲット６２の面方向が約９０°となるように形成されている。
【００４０】
本実施形態では、成膜時に基板ホルダー５６の搬送方向は始点が−Ｘから終点が＋Ｘ方向に搬送され、基板ホルダー５６の搬送の始点に近い方に第１ターゲット６１が設けられ、基板ホルダー５６の搬送の終点に近い方に第２ターゲット６２が設けられている。
なお第１ターゲット６１、第２ターゲット６２は、Ｙ方向に延びる細長い板状のものが用いられている。
【００４１】
第１ターゲット６１は一面が平板状のバッキングプレート６３に装着されている。バッキングプレート６３は筐体６０の一面に形成された穴を介して筐体６０の内側から外側に貫通しプレート背面部６３ａが筐体６０の外周に突出している。
また、筐体６０とバッキングプレート６３の間には絶縁板６５が配置され、さらに筐体６０内の気密を保つためにＯリング６７が備えられている。そして、第１ターゲット６１が装着されたバッキングプレート６３は取り付けねじ６９により筐体６０の一面に内部から締結されている。
【００４２】
第２ターゲット６２は一面が平板状のバッキングプレート６４に装着されている。バッキングプレート６４は筐体６０の一面に取り付けられたターゲット組み付け板７０に形成された穴を介して筐体６０の内側から外側に貫通しプレート背面部６４ａが筐体６０の外周に突出している。
また、ターゲット組み付け板７０とバッキングプレート６４の間には絶縁板６６が配置され、さらに筐体６０内の気密を保つためにＯリング６８が備えられている。そして、第２ターゲット６２が装着されたバッキングプレート６４は取り付けねじ６９によりターゲット組み付け板７０に締結されている。
さらに、ターゲット組み付け板７０は筐体６０に形成された穴を塞ぐように筐体６０の一面に取り付けねじ７２により筐体６０の外側から締結されている。このターゲット組み付け板７０と筐体６０の一面の間にはＯリング７１が配置され、筐体６０内の気密が保たれる。
【００４３】
また、スパッタリング粒子放出部５３の成膜室５２との反対側には、放電用のアルゴンガスを流入させるスパッタリングガス供給手段５５を備えている。
また、バッキングプレート６３，６４は電極の役目をなし、これらには直流電源又は高周波電源からなる電源が接続されている。
プレート背面部６３ａ，６４ａには配管７３，７４が設けられ、第１ターゲット６１、第２ターゲット６２を冷却するための冷却手段５８ａ，５８ｂが接続されている。
また、図示しないが、第１ターゲット６１、第２ターゲット６２を取り囲むように裏面側から永久磁石、電磁石、またはこれらを組み合わせた磁石等からなる磁界発生手段が配設されている。
【００４４】
このようなスパッタリング装置５１において、装置を使用するに従いターゲットが消耗するため、ターゲット交換が定期的に行われる。ここではメンテナンス作業としてターゲット交換を行う場合について説明する。
まず、筐体６０に取り付けられているターゲット組み付け板７０を、取り付けねじ７２を外すことで取り外す。そして、ターゲット組み付け板７０には第２ターゲット６２が装着されており、別の場所でこの第２ターゲット６２の交換が行われる。
筐体６０からターゲット組み付け板７０を取り外すことで、筐体６０の一面には穴部が現れ、この穴部を通して第１ターゲット６１が作業者の正面に目視可能となる。
【００４５】
この穴部を通して第１ターゲット６１の交換が行われる。この交換の際には取り付けねじが作業者の正面から認識できるため、ねじの着脱が容易である。
そして、別の場所で第２ターゲット６２の交換が行われたターゲット組み付け板７０を筐体６０に取り付けてターゲット交換が終了する。
【００４６】
このように、本実施形態のスパッタリング装置５１は、メンテナンス作業でターゲット交換を行う場合、ターゲット組み付け板７０を取り外し、開放された穴部を通して、もう一方の第１ターゲット６１などを固定するねじを着脱してターゲットを交換ができる。また、取り外したターゲット組み付け板７０は別の場所で第２ターゲット６２の交換ができる。このように、作業者の視線の正面側からねじの着脱作業が行え、ターゲット交換作業が短時間で容易にかつ確実に行うことができる。なお、本実施形態のスパッタリング装置５１は、ターゲット交換に限らず、防着板の交換または筐体６０内部の清掃など様々なメンテナンス作業に対応でき、メンテナンス作業に時間がかからずスパッタリング装置５１の稼働率を向上させることができる。
（液晶装置）
【００４７】
以下、上記で説明したスパッタリング装置１，５１を用いて製造することができる液晶装置の一例について図面を参照して説明する。
本実施形態の液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板と、対向基板との間に液晶層を挟持した構成を備えたＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置である。
図４は本実施形態の液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の平面図である。図５は液晶装置の模式断面図である。
【００４８】
図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１１０は、中央に画像表示領域１０１が形成されている。画像表示領域１０１の周縁部にシール材１０２が配設され、このシール材１０２によりＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０とを貼り合わせて、両基板１１０，１２０とシール材１０２とに囲まれる領域内に液晶層（図示せず）が封止される。
シール材１０２の外側には、走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路１０３と、データ線に画像信号を供給するデータ線駆動回路１０４とが実装されている。ＴＦＴアレイ基板１１０の端部には外部回路に接続する複数の接続端子１０６が設けられており、接続端子１０６には駆動回路１０３，１０４から延びる配線が接続されている。また、シール材１０２の四隅にはＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０とを電気的に接続する基板間導通部１０５が設けられており、配線を介して接続端子１０６と電気的に接続されている。
【００４９】
図５に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１１０と、これに対向配置された対向基板１２０と、これらの間に挟持された液晶層１３０とを備えて構成されている。
ＴＦＴアレイ基板１１０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体１１１、及びその内側（液晶層１３０側）に形成されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１１８、画素電極１１２、さらにこれを覆う配向下地膜１１３、無機配向膜１１４などを備えている。
対向基板１２０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体１２１、およびその内側（液晶層１３０側）に形成された透明導電材料からなる共通電極１２２、さらにこれを覆う配向下地膜１２３、無機配向膜１２４などを備えている。
無機配向膜１１４，１２４は、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）により構成されるが、シリコン酸化物に限らず、アルミニウム酸化物、亜鉛酸化物、マグネシウム酸化物、インジウム錫酸化物、あるいはシリコン窒化物、チタン窒化物などにより形成してもよい。
なお、基板本体１１１、１２１のそれぞれの外側（液晶層１３０と反対側）には、偏光板１１５，１２５が互いの透過軸を直交させた状態（クロスニコル）で配置されている。
【００５０】
以上説明した液晶装置１００にあっては、特に無機配向膜１１４，１２４として、前述したメンテナンス性に優れたスパッタリング装置を備えているので、生産性よく無機配向膜を備えた液晶装置１００を製造できる。
また、この液晶装置１００を光変調手段として備えたプロジェクターなどに利用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１…スパッタリング装置、２…成膜室、３…スパッタリング粒子放出部、４…反応ガス供給手段、５…スパッタリングガス供給手段、６…基板ホルダー、７…移動手段、８ａ，８ｂ，８ｃ…冷却手段、１０…筐体、１１…第１ターゲット、１２…第２ターゲット、１３，１４…バッキングプレート、１３ａ，１４ａ…プレート背面部、１５，１６…絶縁板、１７，１８…Ｏリング、１９…取り付けねじ、２０…ターゲット組み付け板、２１…Ｏリング、２２…取り付けねじ、２３，２４…配管、２５…接続部、３０…排気制御装置、１００…液晶装置、１０１…画像表示領域、１０２…シール材、１０３…走査線駆動回路、１０４…データ線駆動回路、１０５…基板間導通部、１０６…接続端子、１１０…ＴＦＴアレイ基板、１１１…基板本体、１１２…画素電極、１１３…配向下地膜、１１４…無機配向膜、１１５…偏光板、１１８…ＴＦＴ、１２０…対向基板、１２１…基板本体、１２２…共通電極、１２３…配向下地膜、１２４…無機配向膜、１２５…偏光板、１３０…液晶層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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