(57)【要約】【課題】本発明は、昇華精製収率が良好であるイリジウム錯体の選択方法を提供することを目的とする。【解決手段】イリジウム錯体を昇華精製する場合において、特定の構造を有し、かつ真空度が１×１０−３Ｐａ以上１×１０−１Ｐａ以下の真空下において２℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温させた場合に重量減少率が４５％以上となるイリジウム錯体を選択して、昇華精製をする、材料選択方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
イリジウム錯体を昇華精製する場合において、下記一般式（１）で表され、かつ真空度が１×１０−３Ｐａ以上１×１０−１Ｐａ以下の真空下において２℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温させた場合に重量減少率が４５％以上となるイリジウム錯体を選択して、昇華精製をする、材料選択方法。
【化１】
2011068626.tif 000037
（一般式（１）中、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ３’は各々独立に水素原子又は置換基を表す。
Ｒ３’とＲ６は、−ＣＲ２−ＣＲ２−、−ＣＲ＝ＣＲ−、−ＣＲ２−、−Ｏ−、−ＮＲ−、−Ｏ−ＣＲ２−、−ＮＲ−ＣＲ２−、及び−Ｎ＝ＣＲ−から選択される連結基によって連結して環を形成してもよく、該Ｒは各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、更に置換基を有していてもよい。また、複数のＲが互いに結合して５又は６員環を形成してもよい。
Ｒ３とＲ４は互いに結合して縮合４〜７員環を形成してもよく、該縮合４〜７員環は、シクロアルキル、シクロへテロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり、該縮合４〜７員環は更に置換基を有していてもよい。
Ｒ４とＲ５は、互いに結合して環を形成してもよい。
環Ｑは、イリジウムに対して配位する少なくとも１つの窒素原子を有する芳香族複素環又は縮合芳香族複素環を表す。
ただし、環Ｑ又は環Ｑと結合しているベンゼン環のいずれか一方は縮環している。
（Ｘ−Ｙ）は、補助配位子を表す。
ｎは、１〜３の整数を表す。）
【請求項２】
前記イリジウム錯体が、常圧下において１０℃／ｍｉｎで昇温させた場合に、重量減少率が１〜５質量％の範囲における熱変化が、吸熱変化を示すイリジウム錯体であることを特徴とする請求項１に記載の材料選択方法。
【請求項３】
前記環Ｑが縮環し、かつＲ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６のうちいずれか少なくとも１つはメチル基又はフェニル基を表すことを特徴とする請求項１又は２に記載の材料選択方法。ただし、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６のうちいずれかがフェニル基を表す場合、該フェニル基は更に置換基を有していてもよく、該フェニル基が環Ｑと連結基を介し、又は単結合で結合してもよい。
【請求項４】
前記イリジウム錯体が下記一般式（Ｔ−４）で表されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の材料選択方法。
【化２】
2011068626.tif 000038
（一般式（Ｔ−４）中、Ｒ３’は水素原子、アルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、−ＣＮ、−ＣＦ３、−ＣｎＦ２ｎ＋１、トリフルオロビニル基、−ＣＯ２Ｒ、−Ｃ（Ｏ）Ｒ、−ＮＲ２、−ＮＯ２、−ＯＲ、ハロゲン原子、アリール基又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。該Ｒは各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、更に置換基を有していてもよい。
Ｚはそれぞれ独立に、ハロゲン原子、−Ｒ’、−ＯＲ’、−Ｎ（Ｒ’）２、−ＳＲ’、−Ｃ（Ｏ）Ｒ’、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ’、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ’）２、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＳＯ２、−ＳＯＲ’、−ＳＯ２Ｒ’、又はＳＯ３Ｒ’を表し、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
Ｒ４とＲ５は、互いに結合して環を形成してもよい。
（Ｘ−Ｙ）は、補助配位子を表す。
ｎは、１〜３の整数を表す。）
【請求項５】
前記イリジウム錯体が、カラムクロマトグラフィーによって精製されたものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の材料選択方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の方法により選択されたイリジウム錯体を用いることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イリジウム錯体を昇華精製する際の材料選択方法に関し、より詳細には、有機電界発光素子（以下、「素子」、「有機ＥＬ素子」ともいう）に用いられるイリジウム錯体を昇華精製する際の材料選択方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから、近年活発な研究開発が行われている。一般に有機電界発光素子は、発光層を含む有機層及び該層を挟んだ一対の電極から構成されており、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が発光層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。
有機電界発光素子の発光層には蛍光発光材料や燐光発光材料などが用いられ、該発光材料としては、金属錯体を用いることができる。例えば、特許文献１〜３には縮環アゾール配位子を含むイリジウム錯体について記載されている。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子に用いる材料の精製には一般に昇華精製が採用されている。昇華精製における効率を向上させるために種々の技術が提案されている。例えば特許文献４には、窒素気流下での示差走査熱量分析において３５０〜４００℃の間での発熱量が２Ｊ／ｇであり、かつ４００〜４５０℃の間で４２０℃付近を吸熱ピークの頂点とする７０〜１２０Ｊ／ｇの吸熱を示すことを特徴とするトリス（８−オキシキノリノラト）アルミニウムが記載されている。特許文献５には、有機化合物の熱分解温度よりも３０℃以上低い温度で昇華精製する技術が記載されている。特許文献６には、有機化合物を昇華精製するにあたり、有機化合物を攪拌し又は振動させることを特徴とする有機化合物の昇華精製方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００８／２９７０３３号明細書
【特許文献２】国際公開第０９／０７３２４５号
【特許文献３】国際公開第０８／１０９８２４号
【特許文献４】特許第３５１６６７１号公報
【特許文献５】特許第３５２５０３４号公報
【特許文献６】特開平１１−１７１８０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような技術が提案されているが、縮環構造を有するイリジウム錯体の昇華精製収率は極めて低いという問題があった。
本発明は、昇華精製収率が良好である縮環構造を有するイリジウム錯体の選択方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、種々のイリジウム錯体を昇華精製する中で、同じ化合物においても合成法の違いによって昇華精製収率が大きく変化することに気づいた。そこで、昇華精製収率の向上を目指して鋭意検討を行った結果、イリジウム錯体において特定の熱分解挙動を示すものが昇華精製収率に優れることを見出し、本発明を完成させた。
【０００７】
すなわち、本発明は下記の手段により達成された。
【０００８】
［１］
イリジウム錯体を昇華精製する場合において、下記一般式（１）で表され、かつ真空度が１×１０−３Ｐａ以上１×１０−１Ｐａ以下の真空下において２℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温させた場合に重量減少率が４５％以上となるイリジウム錯体を選択して、昇華精製をする、材料選択方法。
【０００９】
【化１】
2011068626.tif 000002
【００１０】
（一般式（１）中、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ３’は各々独立に水素原子又は置換基を表す。
Ｒ３’とＲ６は、−ＣＲ２−ＣＲ２−、−ＣＲ＝ＣＲ−、−ＣＲ２−、−Ｏ−、−ＮＲ−、−Ｏ−ＣＲ２−、−ＮＲ−ＣＲ２−、及び−Ｎ＝ＣＲ−から選択される連結基によって連結して環を形成してもよく、該Ｒは各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、更に置換基を有していてもよい。また、複数のＲが互いに結合して５又は６員環を形成してもよい。
Ｒ３とＲ４は互いに結合して縮合４〜７員環を形成してもよく、該縮合４〜７員環は、シクロアルキル、シクロへテロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり、該縮合４〜７員環は更に置換基を有していてもよい。
Ｒ４とＲ５は、互いに結合して環を形成してもよい。
環Ｑは、イリジウムに対して配位する少なくとも１つの窒素原子を有する芳香族複素環又は縮合芳香族複素環を表す。
ただし、環Ｑ又は環Ｑと結合しているベンゼン環のいずれか一方は縮環している。
（Ｘ−Ｙ）は、補助配位子を表す。
ｎは、１〜３の整数を表す。）
［２］
前記イリジウム錯体が、常圧下において１０℃／ｍｉｎで昇温させた場合に、重量減少率が１〜５質量％の範囲における熱変化が、吸熱変化を示すイリジウム錯体であることを特徴とする上記［１］に記載の材料選択方法。
［３］
前記環Ｑが縮環し、かつＲ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６のうちいずれか少なくとも１つはメチル基又はフェニル基を表すことを特徴とする上記［１］又は［２］に記載の材料選択方法。ただし、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６のうちいずれかがフェニル基を表す場合、該フェニル基は更に置換基を有していてもよく、該フェニル基が環Ｑと連結基を介し、又は単結合で結合してもよい。
［４］
前記イリジウム錯体が下記一般式（Ｔ−４）で表されることを特徴とする上記［１］〜［３］のいずれかに記載の材料選択方法。
【００１１】
【化２】
2011068626.tif 000003
【００１２】
（一般式（Ｔ−４）中、Ｒ３’は水素原子、アルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、−ＣＮ、−ＣＦ３、−ＣｎＦ２ｎ＋１、トリフルオロビニル基、−ＣＯ２Ｒ、−Ｃ（Ｏ）Ｒ、−ＮＲ２、−ＮＯ２、−ＯＲ、ハロゲン原子、アリール基又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。該Ｒは各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、更に置換基を有していてもよい。
Ｚはそれぞれ独立に、ハロゲン原子、−Ｒ’、−ＯＲ’、−Ｎ（Ｒ’）２、−ＳＲ’、−Ｃ（Ｏ）Ｒ’、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ’、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ’）２、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＳＯ２、−ＳＯＲ’、−ＳＯ２Ｒ’、又はＳＯ３Ｒ’を表し、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
Ｒ４とＲ５は、互いに結合して環を形成してもよい。
（Ｘ−Ｙ）は、補助配位子を表す。
ｎは、１〜３の整数を表す。）
［５］
前記イリジウム錯体が、カラムクロマトグラフィーによって精製されたものであることを特徴とする上記［１］〜［４］のいずれかに記載の材料選択方法。
［６］
上記［１］〜［５］のいずれかに記載の方法により選択されたイリジウム錯体を用いることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の材料選択方法を用いることで、イリジウム錯体の昇華精製収率を向上させることができ、これにより、有機電界発光素子の安価製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】有機ＥＬ素子の層構成の一例（第１実施形態）を示す概略図である。
【図２】化合物（１）−１の真空下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図３】化合物（１）−１の常圧下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図４】化合物（１）−２の３００ＭＨｚ  １Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）スペクトルを表す図である。
【図５】化合物（１）−２の真空下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図６】化合物（１）−２の常圧下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図７】化合物（１）−３の真空下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図８】化合物（１）−３の常圧下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図９】化合物（１）−４の真空下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図１０】化合物（１）−４の常圧下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図１１】化合物（２）の１Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ｄ６−ＤＭＳＯ）スペクトルを表す図である。
【図１２】化合物（２）の真空下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図１３】化合物（２）の常圧下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図１４】化合物（３）の真空下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図１５】化合物（３）の常圧下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図１６】化合物（３）の３００ＭＨｚ  １Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）スペクトルを表す図である。
【図１７】化合物（４）の３００ＭＨｚ  １Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）スペクトルを表す図である。
【図１８】化合物（４）の真空下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図１９】化合物（４）の常圧下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図２０】化合物（５）の３００ＭＨｚ  １Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）スペクトルを表す図である。
【図２１】化合物（５）の真空下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図２２】化合物（５）の常圧下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図２３】化合物（１）−５の真空下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図２４】化合物（１）−５の常圧下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図２５】化合物（１）−６の真空下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図２６】化合物（１）−６の常圧下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図２７】化合物（１）−７の真空下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図２８】化合物（１）−７の常圧下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図２９】化合物（６）の真空下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【図３０】化合物（６）の常圧下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
下記、各一般式の説明における水素原子は同位体（重水素原子等）も含み、また更に置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。
本発明において、アルキル基等の置換基の「炭素数」とは、アルキル基等の置換基が他の置換基によって置換されてもよい場合も含み、当該他の置換基の炭素数も包含する意味で用いる。
また、「ヘテロアルキル」基とは少なくとも１つの炭素がＯ、ＮＲ、又はＳに置き換わったアルキル基をいう。
【００１６】
本発明は、イリジウム錯体を昇華精製する場合において、前記一般式（１）で表され、かつ真空度が１×１０−３Ｐａ以上１×１０−１Ｐａ以下の真空下において２℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温させた場合に重量減少率が４５％以上となるイリジウム錯体を選択して、昇華精製する、材料選択方法に関する。
【００１７】
真空度が１×１０−３Ｐａ以上１×１０−１Ｐａ以下の真空下において２℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温させた場合に重量減少率が高いことは、昇華のしやすさの一つの指標と考えられる。ただし、この方法と実際の昇華では、昇温速度や保持している温度が異なるために、重量減少率と昇華精製収率が必ずしも対応するわけではない。真空下において２℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温させた場合に重量減少率が高いほど昇華精製収率は向上するようにも考えられるが、意外にも実際にはそのような序列にはならないことが判明した。昇華精製時には約２００℃〜５００℃の高温領域で長時間保持されるため、未昇華部分は長時間高温状態にあることになる。このときに僅かな分解が生じる場合、分解物がさらなる分解を促進し、昇華精製収率を低下させたものと考えられる。この状態を常圧での分解時の熱量変化が影響していると捉え鋭意検討した結果、２℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温させた場合に重量減少率が４５％以上となる、本発明の方法により選択された化合物について、常圧での熱分解時に吸熱変化するものの昇華精製収率が向上することがわかった。この結果は、分解時に発熱する場合、その発生した熱により昇華生成時に設定した温度を超えて試料に熱が加わり分解を招くという機構から説明できる。また、分解時に発熱する場合と吸熱する場合とに分かれる理由としては、微量に含まれる不純物における融解や分解時の熱量変化が大きい場合や、組成は全く同じであっても結晶系の違いにより昇温過程で結晶系の変化が起こり、結晶状態の安定化に伴って発熱することなどが挙げられる。
【００１８】
〔一般式（１）で表される化合物〕
一般式（１）で表される化合物について説明する。
【００１９】
【化３】
2011068626.tif 000004
【００２０】
（一般式（１）中、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ３’は各々独立に水素原子又は置換基を表す。
Ｒ３’とＲ６は、−ＣＲ２−ＣＲ２−、−ＣＲ＝ＣＲ−、−ＣＲ２−、−Ｏ−、−ＮＲ−、−Ｏ−ＣＲ２−、−ＮＲ−ＣＲ２−、及び−Ｎ＝ＣＲ−から選択される連結基によって連結して環を形成してもよく、該Ｒは各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、更に置換基を有していてもよい。また、複数のＲが互いに結合して５又は６員環を形成してもよい。
Ｒ３とＲ４は互いに結合して縮合４〜７員環を形成してもよく、該縮合４〜７員環は、シクロアルキル、シクロへテロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり、該縮合４〜７員環は更に置換基を有していてもよい。
Ｒ４とＲ５は、互いに結合して環を形成してもよい。
環Ｑは、イリジウムに対して配位する少なくとも１つの窒素原子を有する芳香族複素環又は縮合芳香族複素環を表す。
ただし、環Ｑ又は環Ｑと結合しているベンゼン環のいずれか一方は縮環している。
（Ｘ−Ｙ）は、補助配位子を表す。
ｎは、１〜３の整数を表す。）
【００２１】
置換基としては下記置換基群Ａから選択される置換基が好ましい。
【００２２】
置換基群Ａについて具体的には、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロアリール基以外のヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、重水素原子などが挙げられる。これらの置換基は、更に他の置換基によって置換されてもよい。
【００２３】
ここで、アルキル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル、ネオペンチル、１−アダマンチル、トリフルオロメチルなどが挙げられる。
【００２４】
また、アルケニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、１−プロペニル、１−イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。
【００２５】
また、アルキニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばエチニル、プロパルギル、１−プロピニル、３−ペンチニルなどが挙げられる。
【００２６】
アリール基とは、芳香族炭化水素モノラジカルを指す。アリール基が置換されている場合、置換基として好ましくはフルオロ基、炭化水素置換基、ヘテロ原子置換炭化水素置換基、シアノ基などが挙げられる。アリール基として好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｏ−メチルフェニル、ｍ−メチルフェニル、ｐ−メチルフェニル、２，６−キシリル、ｐ−クメニル、メシチル、ナフチル、アントラニル、などが挙げられる。
【００２７】
ヘテロアリール基とは、芳香族ヘテロ環状モノラジカルを指す。置換されている場合、置換基として好ましくはフルオロ基、炭化水素置換基、ヘテロ元素置換炭化水素置換基、シアノ基などが挙げられる。ヘテロ環基として例えば、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ピラジル、ピリミジル、トリアジニル、キノリル、イソキノリニル、ピロリル、インドリル、フリル、チエニル、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニルなどが挙げられる。
【００２８】
また、アミノ基としては、好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。
【００２９】
また、アルコキシ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。
【００３０】
また、アリールオキシ基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。
【００３１】
また、ヘテロ環オキシ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。
【００３２】
また、アシル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。
【００３３】
また、アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。
【００３４】
また、アリールオキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。
【００３５】
また、アシルオキシ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。
【００３６】
また、アシルアミノ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。
【００３７】
また、アルコキシカルボニルアミノ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。
【００３８】
また、アリールオキシカルボニルアミノ基としては、好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。
【００３９】
また、スルホニルアミノ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。
【００４０】
また、スルファモイル基としては、好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。
【００４１】
また、カルバモイル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。
【００４２】
また、アルキルチオ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。
【００４３】
また、アリールチオ基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。
【００４４】
また、ヘテロアリールチオ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。
【００４５】
また、スルホニル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル、トリフルオロメタンスルホニルなどが挙げられる。
【００４６】
また、スルフィニル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。
【００４７】
また、ウレイド基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。
【００４８】
また、リン酸アミド基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。
【００４９】
また、ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
【００５０】
また、ヘテロアリール基以外のヘテロ環基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えば、ピペリジル、モルホリノ、ピロリジルなどが挙げられる。
【００５１】
また、シリル基としては、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ジメチル‐ｔｅｒｔ−ブチルシリル、ジメチルフェニルシリル、ジフェニル‐ｔｅｒｔ−ブチルシリル、トリフェニルシリル、トリ−１−ナフチルシリル、トリ−２−ナフチルシリルなどが挙げられる。
【００５２】
また、シリルオキシ基としては、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。
【００５３】
炭化水素置換基とは、１価又は２価で、鎖状、分岐又は環状の置換基であり、炭素原子と水素原子のみからなるものをさす。１価の炭化水素置換基の例として例えば、炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数６〜１８のアリール基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換されたアリール基等が挙げられる。
２価の炭化水素基の例として例えば、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、１，２−フェニレン基等が挙げられる。
【００５４】
また、これらの置換基は更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
【００５５】
Ｒ３’が表す置換基としてはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、又はハロゲン原子が好ましく、アルキル基又はアリール基がより好ましく、アルキル基が更に好ましい。該アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が更に好ましい。該アリール基としては、フェニル基が好ましい。該へテロアリール基としてはチエニル基が好ましい。該ハロゲン原子としてはフッ素原子が好ましい。
Ｒ３’としては水素原子又はアルキル基であることが好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、又はペンチル基がより好ましく、水素原子、メチル基、又はエチル基が更に好ましく、水素原子又はメチル基が特に好ましい。。
【００５６】
Ｒ５が表す置換基としては、アルキル基、アリール基、又ヘテロアリール基が好ましく、前記アリール基又はヘテロアリール基は更に置換基を有していてもよい。該置換基としては前記置換基群Ａから選ばれる置換基が挙げられる。該アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が更に好ましい。該アリール基としては、フェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。該へテロアリール基としてはピリジル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ピロリル基、インドリル基、フリル基、チエニル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基、カルバゾリル基、アゼピニル基が好ましく、ピリジル基、又はジベンゾフランがより好ましい。
Ｒ５としては水素原子、メチル基、又はフェニル基が好ましく、水素原子又はフェニル基がより好ましい。
【００５７】
Ｒ３、Ｒ４及びＲ６が表す置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、又はフルオロアルキル基が好ましく、アルキル基又はアリール基がより好ましい。該アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が更に好ましい。該アリール基としては、フェニル基が好ましい。該ハロゲン原子としてはフッ素原子が好ましい。該フルオロアルキル基としてはトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｒ３としては水素原子又はアルキル基が好ましく、水素原子又はメチル基がより好ましい。
Ｒ４としては水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、又はフルオロアルキル基が好ましく、水素原子、アルキル基、又はアリール基がより好ましく、水素原子、又はアリール基が更に好ましく、水素原子、又はフェニル基が特に好ましい。
Ｒ６としては水素原子、又はハロゲン原子が好ましく、水素原子、又はフッ素原子がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
また、Ｒ４とＲ５が互いに結合して環を形成していることも好ましい。この場合、Ｒ４とＲ５が互いに結合して、５又は６員環を形成することが好ましい。該環は更に置換基を有していてもよい。該置換基としては前記置換基群Ａに示したものが挙げられる。
Ｒ４とＲ５が互いに結合して、環Ｑに結合したベンゼン環とともにナフタレン環を形成することが特に好ましい。
【００５８】
環Ｑが表す芳香族複素環としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、等が挙げられる。好ましくはピリジン環、ピラジン環であり、より好ましくはピリジン環である。
【００５９】
環Ｑが表す縮合芳香族複素環としては、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環等が挙げられる。好ましくはキノリン環、イソキノリン環であり、より好ましくはキノリン環である。
【００６０】
一般式（１）において、環Ｑ又は環Ｑと結合しているベンゼン環のいずれか一方は縮環している。
環Ｑは縮環していることが好ましい。環Ｑと結合しているベンゼン環は置換基を有しているか縮環しているかのいずれかが好ましく、置換基を有していることがより好ましい。その場合の置換基としては、アルキル基又はアリール基が好ましく、アリール基が更に好ましい。
環Ｑが縮環し、かつＲ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６のうちいずれか少なくとも１つはメチル基又はフェニル基を表すことが特に好ましい。ただし、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６のうちいずれかがフェニル基を表す場合、該フェニル基は更に置換基を有していてもよく、該フェニル基が環Ｑと連結基を介し、又は単結合で結合してもよい。該置換基としては前記置換基群Ａに示したものが挙げられる。なかでもシアノ基、又はアルキル基が好ましく、シアノ基、又はメチル基がより好ましい。
【００６１】
（Ｘ−Ｙ）は、補助配位子を示す。これらの配位子は、光活性特性に直接寄与するのではなく、分子の光活性特性を変更することができると考えられているので、「補助」と呼ばれる。光活性及び補助の定義は、非限定的な理論を目的とするものである。例えばＩｒの場合、二座配位子について、ｎは０、１又は２でありうる。発光材料において使用される補助配位子を、当業界で公知であるものから選択することができる。補助配位子の非限定的な例は、参照により援用するＬａｍａｎｓｋｙらのＰＣＴ出願ＷＯ０２／１５６４５Ａ１の８９〜９０頁に記載されている。好ましい補助配位子には、アセチルアセトネート（ａｃａｃ）及びピコリネート（ｐｉｃ）、及びこれらの誘導体が含まれる。本発明においては錯体の安定性と高い発光効率が得られる観点から補助配位子はアセチルアセトネートであることが好ましい。
【００６２】
【化４】
2011068626.tif 000005
【００６３】
前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（Ｔ−４）で表される化合物であることがより好ましい。     
【００６４】
【化５】
2011068626.tif 000006
【００６５】
（一般式（Ｔ−４）中、Ｒ３’は水素原子、アルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、−ＣＮ、−ＣＦ３、−ＣｎＦ２ｎ＋１、トリフルオロビニル基、−ＣＯ２Ｒ、−Ｃ（Ｏ）Ｒ、−ＮＲ２、−ＮＯ２、−ＯＲ、ハロゲン原子、アリール基又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。該Ｒは各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、更に置換基を有していてもよい。
Ｚはそれぞれ独立に、ハロゲン原子、−Ｒ’、−ＯＲ’、−Ｎ（Ｒ’）２、−ＳＲ’、−Ｃ（Ｏ）Ｒ’、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ’、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ’）２、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＳＯ２、−ＳＯＲ’、−ＳＯ２Ｒ’、又はＳＯ３Ｒ’を表し、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
Ｒ４とＲ５は、互いに結合して環を形成してもよい。
（Ｘ−Ｙ）は、補助配位子を表す。
ｎは、１〜３の整数を表す。）
【００６６】
一般式（Ｔ−４）におけるＲ３’、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、（Ｘ−Ｙ）、Ｒ、及びｎは、一般式（１）におけるＲ３’、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、（Ｘ−Ｙ）、Ｒ、及びｎと同義であり、好ましいものも同様である。
【００６７】
一般式（１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、以下に限定されるものではない。
【００６８】
【化６】
2011068626.tif 000007
【００６９】
【化７】
2011068626.tif 000008
【００７０】
【化８】
2011068626.tif 000009
【００７１】
【化９】
2011068626.tif 000010
【００７２】
本発明において、前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（Ａ１）又は（Ａ３）で表される化合物であることも好ましい。
【００７３】
【化１０】
2011068626.tif 000011
【００７４】
（一般式（Ａ１）及び（Ａ３）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｋはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。（Ｘ−Ｙ）は補助配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。一般式（Ａ１）で表される化合物及び一般式（Ａ３）で表される化合物はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【００７５】
一般式（Ａ１）又は（Ａ３）で表される化合物は、一般式（Ａ１’）又は（Ａ３’）で表されるモノアニオン性の２座配位子を有している。なお、本発明における配位子の一般式中、＊はイリジウムへの配位部位であって、Ｅ１ａとイリジウムの結合、及びＲ１ｇ〜Ｒ１ｉを有するベンゼン環の炭素原子とイリジウムの結合は、それぞれ独立に共有結合であっても配位結合であってもよい。
【００７６】
【化１１】
2011068626.tif 000012
【００７７】
（一般式（Ａ１’）又は（Ａ３’）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｋはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。一般式（Ａ１’）で表される２座配位子及び一般式（Ａ３’）で表される２座配位子はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【００７８】
該一般式（Ａ１’）又は（Ａ３’）で表される２座配位子は他の配位子と結合して３座、４座、５座、６座の配位子を形成しても良い。
Ｅ１ａ〜Ｅ１ｋは炭素原子又はヘテロ原子から選ばれ、好ましくは炭素原子又は窒素原子から選ばれる。また、Ｅ１ａとＥ１ｐは異なる原子である事が好ましい。また、該金属錯体は１８π電子構造を有する。
Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅから形成される環は５員のヘテロ環を表し、具体的にはオキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾールなどが挙げられる。好ましくはイミダゾール又はピラゾールであり、より好ましくはイミダゾールである。
Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋ、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｋから形成される環はそれぞれ独立に６員の芳香族炭化水素環、５員又は６員のヘテロ環から選ばれ、例えばベンゼン、オキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、フラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジンなどが挙げられる。
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に後述の置換基群Ａから選ばれ、好ましくは水素原子、炭化水素置換基、シアノ基、フルオロ基、ＯＲ２ａ、ＳＲ２ａ、ＮＲ２ａＲ２ｂ、ＢＲ２ａＲ２ｂ、又はＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃである。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立に炭化水素置換基、又はヘテロ原子で置換された炭化水素置換基であり、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉ、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃのうちの２つが互いに結合し、飽和又は不飽和の、芳香族環又は非芳香族環を形成していても良い。窒素原子に結合している場合、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは水素原子ではない。
【００７９】
ヘテロ原子とは、炭素原子又は水素原子以外の原子を指す。ヘテロ原子の例として、例えば酸素、窒素、リン、硫黄、セレン、砒素、塩素、臭素、ケイ素、又はフッ素が挙げられる。
【００８０】
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは少なくとも１つが母骨格に対し２面角が７０度以上であるアリール基である事が好ましく、下記一般式ｓｓ−１で表される置換基である事がより好ましく、２，６−ジ置換アリール基である事が更に好ましく、Ｒ１ｂが２，６−ジ置換アリール基である事が最も好ましい。
【００８１】
【化１２】
2011068626.tif 000013
【００８２】
（一般式ｓｓ−１中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基のいずれかを表す。）
【００８３】
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃが表すアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル、１−アダマンチル、トリフルオロメチルなどが挙げられ、メチル基、又はイソプロピル基が好ましい。
【００８４】
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃが表すアリール基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｏ−メチルフェニル、ｍ−メチルフェニル、ｐ−メチルフェニル、２，６−キシリル、ｐ−クメニル、メシチル、ナフチル、アントラニル、などが挙げられ、フェニル基、が好ましい。
【００８５】
Ｒａ、Ｒｂの少なくとも１つはアルキル基又はアリール基から選ばれ、Ｒａ、Ｒｂの少なくとも１つはアルキル基から選ばれる事が好ましく、Ｒａ、Ｒｂが共にアルキル基である事が好ましく、Ｒａ、Ｒｂが共にメチル基、又はイソプロピル基である事が最も好ましい。
２，６−ジ置換アリール基として好ましくは２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，４，６−トリイソプロピルフェニル基、２，６−ジメチル−４−フェニルフェニル基、２，６−ジメチル−４−（２，６−ジメチルピリジン−４−イル）フェニル基、２，６−ジフェニルフェニル基、２，６−ジフェニル−４−イソプロピルフェニル基、２，４，６−トリフェニルフェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（４−イソプロピルフェニル）フェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（３，５−ジメチルフェニル）フェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（ピリジン−４−イル）フェニル基、又は２，６−ジ−（３，５−ジメチルフェニル）フェニル基である。
【００８６】
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは、少なくとも１つがアルキル基であることが好ましく、Ｒ１ｅがアルキル基であることがより好ましい。アルキル基は４以上の炭素原子から成るベンジル位より離れた部位で分岐しているアルキル基であることが好ましい。
【００８７】
本発明においては、一般式の配位子から成る金属錯体は主配位子若しくはその互変異性体と補助配位子若しくはその互変異性体の組み合わせで構成されるか、該金属錯体の配位子の全てが主配位子又はその互変異性体で表される部分構造のみで構成されていてもよい。
【００８８】
更に従来公知の金属錯体形成に用いられる、所謂配位子として当該業者が周知の配位子（配位化合物ともいう）を必要に応じて補助配位子として有していてもよい。
【００８９】
本発明に記載の効果を好ましく得る観点からは、錯体中の配位子の種類は１〜２種類から構成されることが好ましく、更に好ましくは１種類である。錯体分子内に反応性基を導入する際には合成容易性という観点から配位子が２種類からなることも好ましい。
【００９０】
従来公知の金属錯体に用いられる配位子としては、種々の公知の配位子があるが、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社  Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著  １９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社  山本明夫著  １９８２年発行等に記載の配位子（例えば、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロアリール配位子（例えば、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）が挙げられる。好ましくは、ジケトン類あるいはピコリン酸誘導体である。
【００９１】
以下に、補助配位子の例を具体的に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【００９２】
【化１３】
2011068626.tif 000014
【００９３】
上記補助配位子の例において、Ｒｘ、Ｒｙ及びＲｚはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。
【００９４】
前記一般式（Ａ１）又は（Ａ３）で表される化合物は、下記一般式（Ａ１−１）又は（Ａ３−１）で表される化合物であることが好ましい。
【００９５】
【化１４】
2011068626.tif 000015
【００９６】
（一般式（Ａ１−１）及び（Ａ３−１）中、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。（Ｘ−Ｙ）は補助配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。一般式（Ａ１−１）で表される化合物及び一般式（Ａ３−１）で表される化合物はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【００９７】
一般式（Ａ１−１）及び（Ａ３−１）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅ、Ｅ１ｏ〜Ｅ１ｑ、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｎ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉの定義は、一般式（Ａ１）及び（Ａ３）におけるＥ１ａ〜Ｅ１ｅ、Ｅ１ｏ〜Ｅ１ｑ、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｎ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同様であり、好ましいものも同様である。
【００９８】
前記一般式（Ａ１）又は（Ａ３）で表される化合物は、下記一般式（Ａ１−２）又は（Ａ３−２）で表される化合物であることも好ましい。
【００９９】
【化１５】
2011068626.tif 000016
【０１００】
（一般式（Ａ１−２）及び（Ａ３−２）中、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。（Ｘ−Ｙ）は補助配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。一般式（Ａ１−２）で表される化合物及び一般式（Ａ３−２）で表される化合物はそれぞれ合計で１８π電子構造を有する。）
【０１０１】
一般式（Ａ１−２）及び（Ａ３−２）中、Ｅ１ｏ〜Ｅ１ｑ、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｎ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉの定義は、（Ａ１−１）及び（Ａ３−１）におけるＥ１ｏ〜Ｅ１ｑ、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｎ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同様であり、好ましいものも同様である。
【０１０２】
本発明においては一般式（Ａ１−２）がより好ましく、一般式（Ａ１−２）は下記一般式（Ａ１−３）で表される化合物であることが更に好ましい。
【０１０３】
【化１６】
2011068626.tif 000017
【０１０４】
（一般式（Ａ１−３）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。（Ｘ−Ｙ）は補助配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。一般式（Ａ１−３）で表される化合物は１８π電子構造を有する。）
【０１０５】
一般式（Ａ１−３）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉの定義は、（Ａ１）におけるＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同様であり、好ましいものも同様である。
【０１０６】
一般式（Ａ１’）及び（Ａ３’）の好ましい具体例を以下に示す。中でも（Ｘ−６４）〜（Ｘ−６８）が最も好ましい。
【０１０７】
【化１７】
2011068626.tif 000018
【０１０８】
【化１８】
2011068626.tif 000019
【０１０９】
【化１９】
2011068626.tif 000020
【０１１０】
【化２０】
2011068626.tif 000021
【０１１１】
【化２１】
2011068626.tif 000022
【０１１２】
【化２２】
2011068626.tif 000023
【０１１３】
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは一般式（Ａ１）と同義であり、全て水素原子であることが好ましい。
【０１１４】
一般式（Ａ１）又は（Ａ３）で表される化合物は、例えば、ＵＳ２００７／０１９０３５９やＵＳ２００８／０２９７０３３に記載の方法など、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、又はその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、若しくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、若しくは、塩基非存在下、室温以下、若しくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。具体的には、ＸＭ−６４は、７−メチルイミダゾフェナントリジンを出発原料として、ＵＳ２００７／０１９０３５９の、［０１３２］〜［０１３４］に記載の合成法にて合成することができる。また、ＸＭ−６３は、ＵＳ２００８／０２９７０３３の［０２８１］〜［０２８７］に記載の合成法にて合成することができる。
【０１１５】
本発明においては、一般式（Ｔ−４）で表される化合物、及び一般式（Ａ１）又は（Ａ３）で表される化合物のうち、一般式（Ｔ−４）で表される化合物がより好ましい。
【０１１６】
〔材料選択方法〕
本発明の材料選択方法は、イリジウム錯体を昇華精製する際のイリジウム錯体の選択方法であって、前記一般式（１）で表され、かつ真空度が１×１０−３Ｐａ以上１×１０−１Ｐａ以下の真空下において２℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温させた場合に重量減少率が４５％以上となるイリジウム錯体を選択するものである。
重量減少率は下記式で算出される。
重量減少率（％）＝（初期の重量−昇温後の重量）／初期の重量×１００
【０１１７】
前記真空度は、装置付属の真空計により測定することができ、好ましくは、１．０×１０−３Ｐａ以上１．０×１０−２Ｐａ以下である。このような真空度は、特に限定はないが、例えば、真空ラインのバルブ操作により調整することができる。
【０１１８】
本発明においては、前記条件において、２℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温させた場合に重量減少率が４５％以上となるイリジウム錯体を選択するが、好ましくは、２℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温させた場合に重量減少率が４８％以上となるイリジウム錯体であり、より好ましくは、２℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温させた場合に重量減少率が５５％以上となるイリジウム錯体である。重量減少率は、特に限定はないが、例えば、熱重量測定（ＴＧ）により測定することができる。
昇温は、常温から５００℃まで行うことが好ましく、より好ましくは３０℃から５００℃までである。
【０１１９】
前記イリジウム錯体は、常圧下において１０℃／ｍｉｎで昇温させた場合に、重量減少率が１〜５質量％の範囲の熱変化が、吸熱変化であることが、昇華精製効率が優れるという観点から好ましい。これらは示差熱−熱重量同時測定（ＴＧ−ＤＴＡ）により測定することができる。
【０１２０】
また、前記イリジウム錯体が、カラムクロマトグラフィーによって精製されたものであることが、昇華性を下げる僅かな不純物を除去しやすいという理由から好ましい。
また、前記イリジウム錯体が昇華精製されたものであることが、昇華性を下げる僅かな不純物を除去しやすいという理由から好ましい。
【０１２１】
〔有機電界発光素子〕
本発明に係る素子について詳細に説明する。
有機電界発光素子は、基板上に、一対の電極と、該電極間に発光層を有する。該発光層は有機層であり、更に複数の有機層を有していてもよい。
発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明若しくは半透明であることが好ましい。
図１は、本発明に係る有機電界発光素子の構成の一例を示している。図１に示される本発明に係る有機電界発光素子１０は、支持基板１２上において、陽極４と陰極９との間に発光層６が挟まれている。具体的には、陽極４と陰極９との間に正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、正孔ブロック層７、及び電子輸送層８がこの順に積層されている。
【０１２２】
＜有機層の構成＞
前記有機層の層構成としては、特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記透明電極上に又は前記背面電極上に形成されるのが好ましい。この場合、有機層は、前記透明電極又は前記背面電極上の前面又は一面に形成される。
有機層の形状、大きさ、及び厚み等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【０１２３】
具体的な層構成として、下記が挙げられるが本発明はこれらの構成に限定されるものではない。
・陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極。
有機電界発光素子の素子構成、基板、陰極及び陽極については、例えば、特開２００８−２７０７３６号公報に詳述されており、該公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０１２４】
＜基板＞
使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
＜陽極＞
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
＜陰極＞
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
【０１２５】
基板、陽極、陰極については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔００７０〕〜〔００８９〕に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０１２６】
＜有機層＞
有機層について説明する。
【０１２７】
−有機層の形成−
有機電界発光素子において、各有機層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
【０１２８】
（発光層）
＜発光材料＞
発光材料は、前記一般式（１）で表される化合物であることが好ましい。
【０１２９】
発光層中の発光材料は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。
【０１３０】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、２ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、中でも、外部量子効率の観点で、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０１３１】
発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは一種であっても二種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は一種であっても二種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。更に、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
【０１３２】
＜ホスト材料＞
ホスト材料として、例えば、ピロール、インドール、カルバゾール（ＣＢＰ（４，４’−ジ（９−カルバゾイル）ビフェニル）など）、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体及びそれらの誘導体（置換基や縮環を有していてもよい）等を挙げることができる。
【０１３３】
ホスト化合物の含有量は、特に限定されるものではないが、発光効率、駆動電圧の観点から、発光層を形成する全化合物質量に対して１５質量％以上９８質量％以下であることが好ましい。
【０１３４】
（蛍光発光材料）
使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の錯体やピロメテン誘導体の錯体に代表される各種錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【０１３５】
（燐光発光材料）
使用できる燐光発光材料としては、一般式（１）で表される化合物の他、例えば、ＵＳ６３０３２３８Ｂ１、ＵＳ６０９７１４７、ＷＯ００／５７６７６、ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／０８２３０、ＷＯ０１／３９２３４Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、ＷＯ０２／４４１８９Ａ１、ＷＯ０５／１９３７３Ａ２、特開２００１−２４７８５９、特開２００２−３０２６７１、特開２００２−１１７９７８、特開２００３−１３３０７４、特開２００２−２３５０７６、特開２００３−１２３９８２、特開２００２−１７０６８４、ＥＰ１２１１２５７、特開２００２−２２６４９５、特開２００２−２３４８９４、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−１７３６７４、特開２００２−２０３６７８、特開２００２−２０３６７９、特開２００４−３５７７９１、特開２００６−２５６９９９、特開２００７−１９４６２、特開２００７−８４６３５、特開２００７−９６２５９等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられ、中でも、更に好ましい発光性ドーパントとしては、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、及びＣｅ錯体が挙げられる。特に好ましくは、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体であり、中でも金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体が好ましい。更に、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体が特に好ましい。
【０１３６】
燐光発光材料の含有量は、発光層中に、発光層の総質量に対して、０．１質量％以上５０質量％以下の範囲が好ましく、０．２質量％以上５０質量％以下の範囲がより好ましく、０．３質量％以上４０質量％以下の範囲が更に好ましく、２０質量％以上３０質量％以下の範囲が最も好ましい。
【０１３７】
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１６５〕〜〔０１６７〕に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０１３８】
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）４−フェニルフェノレート（Ａｌｕｍｉｎｕｍ  （ＩＩＩ）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）４−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ（ＢＡｌｑと略記する））等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（ＢＣＰと略記する））等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１３９】
−電子ブロック層−
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する有機化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
電子ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１４０】
＜保護層＞
有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１６９〕〜〔０１７０〕に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０１４１】
＜封止容器＞
有機ＥＬ素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
封止容器については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１７１〕に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０１４２】
〔有機電界発光素子の製造方法〕
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、前記材料選択方法により選択されたイリジウム錯体を用いて有機電界発光素子を作製することを特徴とする。
【０１４３】
〔昇華精製〕
前記材料選択方法により選択されたイリジウム錯体は、昇華精製されて、有機電界発光素子の作製に用いられる。また、有機電界発光素子の各有機層に用いられるその他の化合物も昇華精製することが好ましい。
昇華精製方法としては、従来公知の方法を用いることができる。
【０１４４】
〔成膜方法〕
昇華精製された各化合物を基板上に順次成膜し、有機層を形成することで有機電界発光素子を作製することができる。
成膜方法としては、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、スピンコート法等の湿式製膜法（ウエットプロセス）のにより有機電界発光素子の有機層を形成することができる。
加熱の温度は２００℃〜４００℃であることが好ましく、２５０℃〜３２０℃であることがより好ましい。
加熱の時間は０．１時間〜３５０時間であることが好ましく、０．１時間〜１５０時間であることがより好ましい。
【０１４５】
（駆動）
有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書等に記載の駆動方法を適用することができる。
【０１４６】
発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
【０１４７】
発光素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆるトップエミッション方式であっても良い。
【０１４８】
本発明における有機ＥＬ素子は、共振器構造を有しても良い。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明又は半透明電極、発光層、及び金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、２つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第一の態様の場合の計算式は特開平９−１８０８８３号明細書に記載されている。第２の態様の場合の計算式は特開２００４−１２７７９５号明細書に記載されている。
【０１４９】
（発光素子の用途）
発光素子は、発光装置、ピクセル、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、又は光通信等に好適に利用できる。特に、照明装置、表示装置等の発光輝度が高い領域で駆動されるデバイスに好ましく用いられる。
【実施例】
【０１５０】
以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明の範囲は以下の具体例に制限されるものではない。
【０１５１】
〔イリジウム錯体の合成〕
【０１５２】
化合物（１）−２の合成
【０１５３】
【化２３】
2011068626.tif 000024
【０１５４】
３００ｍｌ３つ口フラスコに化合物（Ａ）２．０ｇ、２−エトキシエタノール３８．４ｍｌ、Ｎａ２ＣＯ３１．３４ｇ、アセチルアセトン０．４０ｍｌを入れ、窒素雰囲気下で攪拌しながら８０℃まで加熱した。４時間後、反応液を室温まで冷却し、そこに水８０ｍｌを加えて３０分間攪拌した。その後、沈殿生成物を濾過し、水、２−プロパノール、ヘキサンで洗浄し、得られた結晶を２００ｍｌナスフラスコに入れ、水を１００ｍｌ加えて室温で１時間攪拌した。その後、濾過して得られた結晶を乾燥し１．８８ｇの赤色結晶を得た。この結晶１．５ｇを２００ｍｌナスフラスコに取り、ＴＨＦ１００ｍｌを入れ攪拌し、不溶成分を濾過し、乾燥させ、赤色結晶を０．７９ｇ得た。この赤色結晶を０．５ｇとり、塩化メチレン２５ｍｌを加えて溶解させ、塩化メチレンを溶離液とするオープンシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。得られたフラクションを濃縮し、そこにメタノールを加えて生じた沈殿生成物を濾過し、乾燥させ、深赤色結晶の化合物（１）−２を得た。化合物の同定は、３００ＭＨｚ  １Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）により行った。化合物（１）−２の３００ＭＨｚ  １Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）スペクトルを図４に示した。
昇華精製は、アルバック理工株式会社製ＴＲＳ−１を用いて行った。７．０×１０−２Ｐａに減圧し、３３０℃まで昇温することで行った。ガラスチューブに付着した赤色結晶をスパチュラを用いて採取した。この昇華精製品を化合物（１）−１とした。
【０１５５】
化合物（１）−３の合成
【０１５６】
【化２４】
2011068626.tif 000025
【０１５７】
２００ｍｌ３つ口フラスコに化合物（Ａ）４．０ｇ、２−エトキシエタノール７７ｍｌ、Ｎａ２ＣＯ３２．７ｇ、アセチルアセトン０．８０ｍｌを入れ、窒素雰囲気下で攪拌しながら８０℃に加熱した。２時間後、反応液を室温まで冷却し、一日静置した後、そこに水５０ｍｌを加えて１５分間攪拌した。その後、沈殿生成物を濾過し、水で洗浄し、取り出された結晶を３００ｍｌナスフラスコに入れて水１５０ｍｌを加えた。１５分間攪拌した後に濾過し、得られた結晶を水、２−プロパノール、ヘキサンで洗浄後に乾燥し、暗赤色結晶を３．９１ｇ得た。この結晶３．０ｇをとり、３００ｍｌナスフラスコに入れ、そこに塩化メチレン１５０ｍｌを加えて溶解させた後に黒色不溶成分を濾過で取り除き、濾液を２０ｍｌまで濃縮した。得られた赤色溶液を塩化メチレンによるシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。得られた赤色溶液を２０ｍｌまで濃縮後、そこにメタノールを１００ｍｌ加え、精製した結晶を濾過により取り出し乾燥させ、赤色結晶の化合物（１）−３を２．４ｇ得た。
昇華精製は、アルバック理工株式会社製ＴＲＳ−１を用いて行った。７．０×１０−２Ｐａに減圧し、３２５℃まで昇温することで行った。ガラスチューブに付着した赤色結晶をスパチュラを用いて採取した。
【０１５８】
化合物（１）−４の合成
【０１５９】
【化２５】
2011068626.tif 000026
【０１６０】
５００ｍｌ３つ口フラスコに化合物（Ａ）５．０ｇ、ＣＨ２Ｃｌ２１００ｍｌ、アセチルアセトン３．３ｍｌ、ナトリウムメトキシド２８％メタノール溶液６．１１ｇを入れ、窒素雰囲気下で攪拌しながら５０℃に加熱した。３時間後、反応液を室温まで冷却し、そこに水、ヘキサンをを加えて濾過した。濾液を分液漏斗に移し、そこに酢酸エチルを加えて分液操作を行った。水層を取り除いた後、残った有機層に水を加えて振り混ぜて洗浄し、その後、飽和塩化ナトリウム水溶液を加えて同様に２回洗浄した。取り出された水層をまとめて分液漏斗に移し、そこにＣＨ２Ｃｌ２を加えて逆抽出を行った。得られた有機層をまとめ、硫酸ナトリウムを加えて乾燥した後に濾過し、濾液を濃縮して赤色結晶の化合物（１）−４を４ｇ得た。
昇華精製は、アルバック理工株式会社製ＴＲＳ−１を用いて行った。７．０×１０−２Ｐａに減圧し、３２５℃まで昇温することで行った。ガラスチューブに付着した赤色結晶をスパチュラを用いて採取した。
【０１６１】
化合物（２）＝ＴＭ−５１の合成
【０１６２】
【化２６】
2011068626.tif 000027
【０１６３】
１００ｍｌ３つ口フラスコに化合物（Ｂ）０．８ｇ、２−エトキシエタノール３３ｍｌ、Ｎａ２ＣＯ３０．５８ｇを加え、１，１，１―トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオン０．１７ｍｌを加えた後、窒素雰囲気下で攪拌しながら５０℃まで加熱した。２０分後、１，１，１―トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオンを更に０．３ｍｌ加え、更に１時間攪拌した後、反応液を室温まで冷却した。冷却後の反応駅に水６５ｍｌを加えて３分間攪拌した後、この液を濾過して取り出された結晶を水、２−プロパノール、ヘキサンの順で洗浄し、乾燥させ、化合物（２）を０．８９ｇ得た。化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ｄ６−ＤＭＳＯ）により行った。化合物（２）の１Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ｄ６−ＤＭＳＯ）スペクトルを図１１に示した。
昇華精製は、アルバック理工株式会社製ＴＲＳ−１を用いて行った。７．０×１０−２Ｐａに減圧し、３２０℃まで昇温することで行った。ガラスチューブに付着した赤色結晶をスパチュラを用いて採取した。
【０１６４】
化合物（３）＝ＴＭ−５０の合成
【０１６５】
【化２７】
2011068626.tif 000028
【０１６６】
１００ｍｌ３つ口フラスコに化合物（Ｂ）０．５ｇ、２−エトキシエタノール１０．３ｍｌ、ジピバロイルメタン０．２８ｍｌを加えた後、Ｎａ２ＣＯ３を３６０ｍｇ加え、窒素雰囲気下で攪拌しながら加熱還流した。２時間後、反応液を室温まで冷却し、反応液に水２５０ｍｌを加えて１０分間攪拌した。この液を濾過して取り出された結晶を、水、エタノール、ヘキサンの順で洗浄し、乾燥させた、暗赤色結晶を０．４６ｇ得た。この結晶を０．４ｇを１００ｍｌナスフラスコに移し、そこに２−プロパノール５０ｍｌを入れ、炊き洗いを行った。室温まで冷却後、液を濾過し、取り出された結晶を２−プロパノール３ｍｌで洗浄し、乾燥させ、赤色結晶の化合物（３）を３１６ｍｇ得た。化合物の同定は、３００ＭＨｚ  １Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）により行った。化合物（３）の３００ＭＨｚ  １Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）スペクトルを図１６に示した。
昇華精製は、アルバック理工株式会社製ＴＲＳ−１を用いて行った。７．０×１０−２Ｐａに減圧し、３１０℃まで昇温することで行った。ガラスチューブに付着した赤色結晶をスパチュラを用いて採取した。
【０１６７】
化合物（４）＝ＴＭ−４８の合成
【０１６８】
【化２８】
2011068626.tif 000029
【０１６９】
１００ｍｌ３つ口フラスコに化合物（Ｂ）３００ｍｇ、２−エトキシエタノール６ｍｌ、１，１，１―トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン０．１７ｍｌを加えた後、Ｎａ２ＣＯ３を２１５ｍｇ加え、窒素雰囲気下で攪拌しながら加熱還流した。１時間半後、反応液を室温まで冷却し、そこに水８０ｍｌを加えて２０分間攪拌した。この液を濾過して取り出された結晶を水、２−プロパノール、ヘキサンの順で洗浄し、乾燥させ、赤色結晶の化合物（４）を０．２２ｇ得た。化合物の同定は、３００ＭＨｚ  １Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）により行った。化合物（４）の３００ＭＨｚ  １Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）スペクトルを図１７に示した。
昇華精製は、アルバック理工株式会社製ＴＲＳ−１を用いて行った。７．０×１０−２Ｐａに減圧し、３４０℃まで昇温することで行った。ガラスチューブに付着した赤色結晶をスパチュラを用いて採取した。
【０１７０】
化合物（５）＝ＴＭ−４９の合成
【０１７１】
【化２９】
2011068626.tif 000030
【０１７２】
１００ｍｌ３つ口フラスコに化合物（Ｂ）１．０ｇ、２−エトキシエタノール２０．６ｍｌ、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン０．２９ｍｌを加えた後、Ｎａ２ＣＯ３を７１９ｍｇ加え、窒素雰囲気下で攪拌しながら加熱還流した。８時間後、反応液を室温まで冷却し、この液を濾過して取り出された結晶を水、２−プロパノール、ヘキサンの順で洗浄し得られた赤色結晶１．００ｇを得た。この結晶を２００ｍｌナスフラスコに移し、そこに２−プロパノール１００ｍｌを入れ、炊き洗いを行い乾燥させ、赤色結晶０．８８ｇを得た。この結晶を０．６５ｇとり、塩化メチレンによるショートカラム精製を行い、得られた赤色溶液にヘキサンを加えた。生じた沈殿生成物を濾過して取出し、乾燥させ、赤褐色結晶の化合物（５）を０．４６ｇ得た。化合物の同定は、３００ＭＨｚ  １Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）により行った。化合物（５）の３００ＭＨｚ  １Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）スペクトルは図２０に示した。
昇華精製は、アルバック理工株式会社製ＴＲＳ−１を用いて行った。７．０×１０−２Ｐａに減圧し、３３０℃まで昇温することで行った。ガラスチューブに付着した赤色結晶をスパチュラを用いて採取した。
【０１７３】
＜比較化合物の合成＞
【０１７４】
化合物（１）−５の合成
【０１７５】
【化３０】
2011068626.tif 000031
【０１７６】
１００ｍｌ３つ口フラスコに化合物（Ａ）１．０ｇ、２−エトキシエタノール１９．２ｍｌ、Ｎａ２ＣＯ３６７２ｍｇ、アセチルアセトン０．３６ｍｌを入れ、窒素雰囲気下で攪拌しながら加熱還流した。２時間後、反応液を室温まで冷却し、そこに水５０ｍｌを加えて更に１０分間攪拌した。その後、沈殿生成物を濾過し、水、２−プロパノール、ヘキサンで洗浄し、暗赤色結晶を得た。この結晶を１００ｍｌナスフラスコに入れ、２−プロパノールを５０ｍｌ加えて炊き洗いを行った。室温まで冷却後、濾過して得られた結晶を２−プロパノール、ヘキサンで洗浄し、暗赤色結晶の化合物（１）−５を０．６０ｇ得た。
昇華精製は、アルバック理工株式会社製ＴＲＳ−１を用いて行った。７．０×１０−２Ｐａに減圧し、３２５℃まで昇温することで行った。ガラスチューブに付着した結晶をスパチュラを用いて採取した。
【０１７７】
化合物（１）−６の合成
【０１７８】
【化３１】
2011068626.tif 000032
【０１７９】
１００ｍｌ３つ口フラスコに化合物（Ａ）１．５ｇ、２−エトキシエタノール２９ｍｌ、Ｎａ２ＣＯ３１．０ｇ、アセチルアセトン０．３０ｍｌを入れ、窒素雰囲気下で攪拌しながら５０℃まで加熱した。３時間後、反応液を室温まで冷却し、２日間放置した後、アセチルアセトン０．１５ｍｌを加え、窒素雰囲気下で攪拌しながら５０℃まで加熱した。７時間後、室温まで冷却し、そこに水５０ｍｌを加えて３分間攪拌した。その後、沈殿生成物を濾過し、水、２−プロパノール、ヘキサンで洗浄し、暗赤色結晶を得た。この結晶を１００ｍｌナスフラスコに入れ、２−プロパノールを５０ｍｌ加えて５０℃で加熱攪拌した。室温まで冷却後、濾過して得られた結晶を２−プロパノール、ヘキサンで洗浄し、得られた暗赤色結晶を真空乾燥後、化合物（１）−６を０．６０ｇ得た。
昇華精製は、アルバック理工株式会社製ＴＲＳ−１を用いて行った。７．０×１０−２Ｐａに減圧し、３２５℃まで昇温することで行った。ガラスチューブに付着した赤色結晶をスパチュラを用いて採取した。
【０１８０】
化合物（１）−７の合成
【０１８１】
【化３２】
2011068626.tif 000033
【０１８２】
２００ｍｌ３つ口フラスコに化合物（Ａ）５．０ｇ、２−エトキシエタノール２９ｍｌ、Ｎａ２ＣＯ３１．０１ｇ、アセチルアセトン０．３０ｍｌを入れ、窒素雰囲気下で攪拌しながら５０℃まで加熱した。５時間後、反応液を室温まで冷却し、２日放置した後、アセチルアセトンを更に０．１５ｍｌ加え、窒素雰囲気下で５０℃まで加熱し７時間攪拌した。反応液を室温まで冷却し、そこに水５０ｍｌを加えて３分間攪拌した。その後、沈殿生成物を濾過し、水、２−プロパノール、ヘキサンで洗浄し、得られた結晶を２００ｍｌナスフラスコに入れ、２−プロパノールを５０ｍｌ加えて５０℃まで加熱し４時間攪拌した。室温まで冷却後、濾過して得られた結晶を２−プロパノール、ヘキサンで洗浄して乾燥し、赤色結晶の化合物（１）−７を１．２８ｇ得た。
昇華精製は、アルバック理工株式会社製ＴＲＳ−１を用いて行った。７．０×１０−２Ｐａに減圧し、３２５℃まで昇温することで行った。ガラスチューブに付着した赤色結晶をスパチュラを用いて採取した。
【０１８３】
化合物（６）の合成
【０１８４】
【化３３】
2011068626.tif 000034
【０１８５】
１００ｍｌナスフラスコに化合物（Ｃ）０．５ｇ、アセチルアセトン１ｍｌ、２−メトキシエタノール１０ｍｌを加え、攪拌しながら炭酸ナトリウム０．５ｇを添加した。反応液を２時間加熱還流させた後、室温に戻し、蒸留水を加えた。沈殿物をろ過し、蒸留水で洗浄し赤色沈殿を得た。これをトルエンに溶解させ、ヘキサンを溶離液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにかけ、ヘキサン／酢酸エチル＝５０／１、１０／１と徐々に溶離液を変更させながら精製を施した。得られた赤色溶液を減圧濃縮し、酢酸エチル及びヘキサンを加えることで化合物（６）０．３ｇを得た。
昇華精製は、アルバック理工株式会社製ＴＲＳ−１を用いて行った。７．０×１０−２Ｐａに減圧し、２６０℃まで昇温することで行った。ガラスチューブに付着した赤色結晶をスパチュラを用いて採取した。
【０１８６】
図に示した化合物（６）の常圧下におけるTG/DTA曲線では、重量減少率５質量％付近の２８０〜３３０℃の範囲において、緩やかな吸熱変化が観測された。
【０１８７】
〔真空下でのＴＧ／ＤＴＡ測定〕
実施例１〜８、比較例１〜３に示す化合物に対して、蒸発速度測定を行った。測定は、アルバック理工株式会社製ＶＡＰ−９０００を用い、真空条件下３０℃〜５００℃の範囲において２℃／ｍｉｎで昇温を行った。真空度は１．０×１０−２Ｐａになったことを確認し、温度制御を開始した。５００℃まで昇温させた際の化合物の残量から、重量減少率を求めた。
化合物（１）−１、（１）−２、（１）−３、（１）−４、（２）、（３）、（４）、（５）、（１）−５、（１）−６、（１）−７、及び（６）の真空下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線をそれぞれ図２、５、７、９、１２、１４、１８、２１、２３、２５、２７、及び２９に示す。
【０１８８】
〔常圧下でのＴＧ／ＤＴＡ測定〕
実施例１〜８、比較例１〜３に示す化合物に対して、それぞれＴＧ／ＤＴＡ測定を行った。測定はＳｅｉｋｏ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｉｎｃ．製ＥＸＳＴＡＲ６０００を用い、Ｎ２気流下（流量２００ｍｌ／ｍｉｎ）、３０℃〜５００℃の範囲において常圧下、１０℃／ｍｉｎで昇温を行った。分解開始時の熱量変化は、１質量％以上の重量減少に対する明確な熱量変化を読み取り、その中でも１〜５質量％の範囲のＤＴＡ曲線がベースラインに対して上昇する場合に発熱変化、下降する場合に吸熱変化と読み取った。
化合物（１）−１、（１）−２、（１）−３、（１）−４、（２）、（３）、（４）、（５）、（１）−５、（１）−６、及び（１）−７、及び（６）の常圧下におけるＴＧ／ＤＴＡ曲線をそれぞれ図３、６、８、１０、１３、１５、１９、２２、２４、２６、２８、及び３０に示す。
【０１８９】
図３に示した化合物（１）−１の常圧下におけるTG/DTA曲線では、重量減少が開始する３４０℃付近にて、吸熱変化が観測された。
【０１９０】
図６に示した化合物（１）−２の常圧下におけるTG/DTA曲線では、重量減少が開始する３５０℃付近にて、吸熱変化が観測された。
【０１９１】
図８に示した化合物（１）−３の常圧下におけるTG/DTA曲線では、重量減少が生じる２００〜３５０℃の範囲で、吸熱変化が観測された。
【０１９２】
図１０に示した化合物（１）−４の常圧下におけるTG/DTA曲線では、重量減少が始まる３００℃付近から発熱変化が観測された。
【０１９３】
図１３に示した化合物（２）の常圧下におけるTG/DTA曲線では、重量減少が始まる３００℃付近で、僅かな発熱変化が観測された。
【０１９４】
図１５に示した化合物（３）の常圧下におけるTG/DTA曲線では、重量減少が開始する２００℃付近で、発熱変化が観測された。
【０１９５】
図１９に示した化合物（４）の常圧下におけるTG/DTA曲線では、重量減少が開始する２５０〜３００℃の範囲で、緩やかな発熱挙動が観測された。
【０１９６】
図２２に示した化合物（５）の常圧下におけるTG/DTA曲線では、５質量％重量減少までの間に、発熱変化が観測された。
【０１９７】
図２４に示した化合物（１）−５の常圧下におけるTG/DTA曲線では、重量減少が開始する１５０℃付近で発熱変化が観測された。
【０１９８】
図２６に示した化合物（１）−６の常圧下におけるTG/DTA曲線では、重量減少が開始する２００℃付近で発熱変化が観測された。
【０１９９】
図２８に示した化合物（１）−７の常圧下におけるTG/DTA曲線では、重量減少率５質量％付近の３００〜３１０℃の範囲において、僅かな発熱変化が観測された。
【０２００】
〔昇華精製収率の測定〕
前記したように昇華精製は、アルバック理工株式会社製ＴＲＳ−１を用いて行った。７．０×１０−２Ｐａに減圧し、３１０〜３３０℃まで昇温することで行った。ガラスチューブに付着した赤色結晶をスパチュラを用いて採取した。以下に化合物（１）〜（６）を示す。なお、化合物（１）−１〜（１）−７はいずれも化合物（１）と同じ構造を有する。
【０２０１】
【化３４】
2011068626.tif 000035
【０２０２】
【表１】
2011068626.tif 000036
【０２０３】
いずれの化合物もＨＰＬＣ（検出波長２５４ｎｍ）を用いた純度測定にて９８％以上の純度を示した。表１から、真空ＴＧ測定後の重量減少率が４５％以上である場合に昇華精製収率が良好となることがわかった。また、単純に真空ＴＧ測定後の重量減少率が昇華精製収率に影響するわけではなく、常圧ＴＧ／ＤＴＡ測定で求まる重量減少開始温度付近（１質量％以上減少した際）の熱変化が吸熱の場合に、より昇華精製収率が良好なものとなることがわかった。
【符号の説明】
【０２０４】
２・・・基板
３・・・陽極
４・・・正孔注入層
５・・・正孔輸送層
６・・・発光層
７・・・正孔ブロック層
８・・・電子輸送層
９・・・陰極
１０・・・有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）
【図１】
2011068626.tif 000039
【図２】
2011068626.tif 000040
【図３】
2011068626.tif 000041
【図４】
2011068626.tif 000042
【図５】
2011068626.tif 000043
【図６】
2011068626.tif 000044
【図７】
2011068626.tif 000045
【図８】
2011068626.tif 000046
【図９】
2011068626.tif 000047
【図１０】
2011068626.tif 000048
【図１１】
2011068626.tif 000049
【図１２】
2011068626.tif 000050
【図１３】
2011068626.tif 000051
【図１４】
2011068626.tif 000052
【図１５】
2011068626.tif 000053
【図１６】
2011068626.tif 000054
【図１７】
2011068626.tif 000055
【図１８】
2011068626.tif 000056
【図１９】
2011068626.tif 000057
【図２０】
2011068626.tif 000058
【図２１】
2011068626.tif 000059
【図２２】
2011068626.tif 000060
【図２３】
2011068626.tif 000061
【図２４】
2011068626.tif 000062
【図２５】
2011068626.tif 000063
【図２６】
2011068626.tif 000064
【図２７】
2011068626.tif 000065
【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
2011068626.tif 000068
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イリジウム錯体を昇華精製する方法において、下記一般式（１）で表されるイリジウム錯体について、真空度が１×１０−３Ｐａ以上１×１０−１Ｐａ以下の真空下において２℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温させて重量減少率を測定した場合、該重量減少率が４５％以上となるイリジウム錯体を選択する工程を含むことを特徴とする方法。
【化１】
2011068626.tif 000069
（一般式（１）中、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ３’は各々独立に水素原子又は下記置換基群Ａから選択される置換基を表す。
Ｒ３’とＲ６は、−ＣＲ２−ＣＲ２−、−ＣＲ＝ＣＲ−、−ＣＲ２−、−Ｏ−、−ＮＲ−、−Ｏ−ＣＲ２−、−ＮＲ−ＣＲ２−、及び−Ｎ＝ＣＲ−から選択される連結基によって連結して環を形成してもよく、該Ｒは各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、更に下記置換基群Ａから選択される置換基を有していてもよい。また、複数のＲが互いに結合して５又は６員環を形成してもよい。
Ｒ３とＲ４は互いに結合して縮合４〜７員環を形成してもよく、該縮合４〜７員環は、シクロアルキル、シクロへテロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり、該縮合４〜７員環は更に換基群Ａから選択される置換基を有していてもよい。
Ｒ４とＲ５は、互いに結合して環を形成してもよい。
環Ｑは、イリジウムに対して配位する少なくとも１つの窒素原子を有する芳香族複素環又は縮合芳香族複素環を表す。
ただし、環Ｑ又は環Ｑと結合しているベンゼン環のいずれか一方は縮環している。
（Ｘ−Ｙ）は、下記一般式（ｌ−１）〜（ｌ−１４）から選択される補助配位子を表す。
ｎは、１〜３の整数を表す。
【化２】
2011068626.tif 000070
上記（ｌ−１）〜（ｌ−１４）において、Ｒｘ、Ｒｙ及びＲｚはそれぞれ独立に水素原子又は置換基群Ａから選択される置換基を表す。
置換基群Ａ：アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロアリール基以外のヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、重水素原子。これらの置換基は、更に置換基群Ａから選ばれる他の置換基によって置換されてもよい。）
【請求項２】
前記一般式（１）において、（Ｘ−Ｙ）が、前記一般式（ｌ−１）で表される補助配位子を表すことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記一般式（１）において、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は各々独立に水素原子、アルキル基、又はアリール基を表し、
Ｒ３’は水素原子、アルキル基、又はアリール基を表し、
（Ｘ−Ｙ）は、前記一般式（ｌ−１）で表される補助配位子であって、一般式（ｌ−１）におけるＲｘ、Ｒｙ、及びＲｚがそれぞれ独立にアルキル基又はハロゲン化アルキル基を表す
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記イリジウム錯体が、常圧下において１０℃／ｍｉｎで昇温させた場合に、重量減少率が１〜５質量％の範囲における熱変化が、吸熱変化を示すイリジウム錯体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記環Ｑが縮環し、かつＲ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６のうちいずれか少なくとも１つはメチル基又はフェニル基を表すことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の方法。ただし、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６のうちいずれかがフェニル基を表す場合、該フェニル基は更に置換基を有していてもよく、該フェニル基が環Ｑと連結基を介し、又は単結合で結合してもよい。
【請求項６】
前記イリジウム錯体が下記一般式（Ｔ−４）で表されることを特徴とする請求項１、４、又は５に記載の方法。
【化３】
2011068626.tif 000071
（一般式（Ｔ−４）中、Ｒ３’は水素原子、アルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、−ＣＮ、−ＣＦ３、−ＣｎＦ２ｎ＋１、トリフルオロビニル基、−ＣＯ２Ｒ、−Ｃ（Ｏ）Ｒ、−ＮＲ２、−ＮＯ２、−ＯＲ、ハロゲン原子、アリール基又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。該Ｒは各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、更に下記置換基群Ａから選択される置換基を有していてもよい。
Ｚはそれぞれ独立に、ハロゲン原子、−Ｒ’、−ＯＲ’、−Ｎ（Ｒ’）２、−ＳＲ’、−Ｃ（Ｏ）Ｒ’、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ’、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ’）２、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＳＯ２、−ＳＯＲ’、−ＳＯ２Ｒ’、又はＳＯ３Ｒ’を表し、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
Ｒ４とＲ５は、互いに結合して環を形成してもよい。
（Ｘ−Ｙ）は、下記（ｌ−１）〜（ｌ−１４）から選択される補助配位子を表す。
ｎは、１〜３の整数を表す。
【化４】
2011068626.tif 000072
上記（ｌ−１）〜（ｌ−１４）において、Ｒｘ、Ｒｙ及びＲｚはそれぞれ独立に水素原子又は置換基群Ａから選択される置換基を表す。
置換基群Ａ：アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロアリール基以外のヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、重水素原子。これらの置換基は、更に置換基群Ａから選ばれる他の置換基によって置換されてもよい。）
【請求項７】
前記イリジウム錯体が、カラムクロマトグラフィーによって精製されたものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
イリジウム錯体を含む有機電界発光素子の製造方法であって、請求項１〜７のいずれかに記載の方法により、イリジウム錯体を選択し、昇華精製する工程を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［１］
イリジウム錯体を昇華精製する方法において、下記一般式（１）で表されるイリジウム錯体について、真空度が１×１０−３Ｐａ以上１×１０−１Ｐａ以下の真空下において２℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温させて重量減少率を測定した場合、該重量減少率が４５％以上となるイリジウム錯体を選択する工程を含むことを特徴とする方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（一般式（１）中、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ３’は各々独立に水素原子又は下記置換基群Ａから選択される置換基を表す。
Ｒ３’とＲ６は、−ＣＲ２−ＣＲ２−、−ＣＲ＝ＣＲ−、−ＣＲ２−、−Ｏ−、−ＮＲ−、−Ｏ−ＣＲ２−、−ＮＲ−ＣＲ２−、及び−Ｎ＝ＣＲ−から選択される連結基によって連結して環を形成してもよく、該Ｒは各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、更に下記置換基群Ａから選択される置換基を有していてもよい。また、複数のＲが互いに結合して５又は６員環を形成してもよい。
Ｒ３とＲ４は互いに結合して縮合４〜７員環を形成してもよく、該縮合４〜７員環は、シクロアルキル、シクロへテロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり、該縮合４〜７員環は更に換基群Ａから選択される置換基を有していてもよい。
Ｒ４とＲ５は、互いに結合して環を形成してもよい。
環Ｑは、イリジウムに対して配位する少なくとも１つの窒素原子を有する芳香族複素環又は縮合芳香族複素環を表す。
ただし、環Ｑ又は環Ｑと結合しているベンゼン環のいずれか一方は縮環している。
（Ｘ−Ｙ）は、下記一般式（ｌ−１）〜（ｌ−１４）から選択される補助配位子を表す。
ｎは、１〜３の整数を表す。
【化４１】
2011068626.tif 000073
上記（ｌ−１）〜（ｌ−１４）において、Ｒｘ、Ｒｙ及びＲｚはそれぞれ独立に水素原子又は置換基群Ａから選択される置換基を表す。
置換基群Ａ：アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロアリール基以外のヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、重水素原子。これらの置換基は、更に置換基群Ａから選ばれる他の置換基によって置換されてもよい。）
［２］
前記一般式（１）において、（Ｘ−Ｙ）が、前記一般式（ｌ−１）で表される補助配位子を表すことを特徴とする上記［１］に記載の方法。
［３］
前記一般式（１）において、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は各々独立に水素原子、アルキル基、又はアリール基を表し、
Ｒ３’は水素原子、アルキル基、又はアリール基を表し、
（Ｘ−Ｙ）は、前記一般式（ｌ−１）で表される補助配位子であって、一般式（ｌ−１）におけるＲｘ、Ｒｙ、及びＲｚがそれぞれ独立にアルキル基又はハロゲン化アルキル基を表す
ことを特徴とする上記［２］に記載の方法。
［４］
前記イリジウム錯体が、常圧下において１０℃／ｍｉｎで昇温させた場合に、重量減少率が１〜５質量％の範囲における熱変化が、吸熱変化を示すイリジウム錯体であることを特徴とする上記［１］〜［３］のいずれかに記載の方法。
［５］
前記環Ｑが縮環し、かつＲ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６のうちいずれか少なくとも１つはメチル基又はフェニル基を表すことを特徴とする上記［１］〜［４］のいずれかに記載の方法。ただし、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６のうちいずれかがフェニル基を表す場合、該フェニル基は更に置換基を有していてもよく、該フェニル基が環Ｑと連結基を介し、又は単結合で結合してもよい。
［６］
前記イリジウム錯体が下記一般式（Ｔ−４）で表されることを特徴とする上記［１］、［４］、又は［５］に記載の方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（一般式（Ｔ−４）中、Ｒ３’は水素原子、アルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、−ＣＮ、−ＣＦ３、−ＣｎＦ２ｎ＋１、トリフルオロビニル基、−ＣＯ２Ｒ、−Ｃ（Ｏ）Ｒ、−ＮＲ２、−ＮＯ２、−ＯＲ、ハロゲン原子、アリール基又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。該Ｒは各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、更に下記置換基群Ａから選択される置換基を有していてもよい。
Ｚはそれぞれ独立に、ハロゲン原子、−Ｒ’、−ＯＲ’、−Ｎ（Ｒ’）２、−ＳＲ’、−Ｃ（Ｏ）Ｒ’、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ’、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ’）２、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＳＯ２、−ＳＯＲ’、−ＳＯ２Ｒ’、又はＳＯ３Ｒ’を表し、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
Ｒ４とＲ５は、互いに結合して環を形成してもよい。
（Ｘ−Ｙ）は、下記（ｌ−１）〜（ｌ−１４）から選択される補助配位子を表す。
ｎは、１〜３の整数を表す。
【化４２】
2011068626.tif 000074
上記（ｌ−１）〜（ｌ−１４）において、Ｒｘ、Ｒｙ及びＲｚはそれぞれ独立に水素原子又は置換基群Ａから選択される置換基を表す。
置換基群Ａ：アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロアリール基以外のヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、重水素原子。これらの置換基は、更に置換基群Ａから選ばれる他の置換基によって置換されてもよい。）
［７］
前記イリジウム錯体が、カラムクロマトグラフィーによって精製されたものであることを特徴とする上記［１］〜［６］のいずれかに記載の方法。
［８］
イリジウム錯体を含む有機電界発光素子の製造方法であって、請求項１〜［７］のいずれかに記載の方法により、イリジウム錯体を選択し、昇華精製する工程を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。