(57)【要約】【課題】本発明は、非磁性部を構成する樹脂の選択の幅を広げることが可能であり、かつ磁気記録媒体の表面を平滑な面にすることのできる磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置を提供することを課題とする。【解決手段】非磁性基板の表面に磁性層を形成し、次いで、磁性層のうち、非磁性部の形成領域に対応する部分をエッチングすることで、非磁性部が形成される溝と、磁性層よりなる磁気記録部とを形成し、次いで、磁気記録部の表面に、溝を埋め込むように活性エネルギー線硬化性官能基を有した樹脂を塗布し、次いで、板材の平滑な面が樹脂の表面と接触するように、板材を樹脂に押圧して、樹脂の表面を平滑な面にし、次いで、板材を樹脂から除去し、その後、平滑な表面を有した樹脂のうち、磁気記録部の表面よりも上方に位置する部分をエッチングにより除去することで、溝に非磁性部を形成する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板の少なくとも一方の面に磁性層を形成する磁性層形成工程と、
前記磁性層のうち、非磁性部の形成領域に対応する部分をエッチングすることで、前記非磁性部が形成される溝と、前記磁性層よりなる磁気記録部とを形成する溝及び磁気記録部形成工程と、
前記磁気記録部の表面に、前記溝を埋め込むように活性エネルギー線硬化性官能基を有した樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、
板材の平滑な面が前記樹脂の表面と接触するように、前記板材を前記樹脂に押圧して、前記樹脂の表面を平滑な面にする板材押圧工程と、
前記板材押圧工程後に、前記板材を前記樹脂から除去する板材除去工程と、
前記板材除去工程後に、平滑な表面を有した前記樹脂のうち、前記磁気記録部の表面よりも上方に位置する部分をエッチングにより除去することで、前記溝に前記非磁性部を形成する非磁性部形成工程と、
を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記板材押圧工程では、大気圧よりも低い圧力とされた雰囲気内で、前記板材を前記樹脂に押圧することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記板材押圧工程では、前記板材として透光性を有した透光性板材を前記樹脂に押圧することで、前記樹脂の表面を平滑な面にし、
前記板材押圧工程と前記板材除去工程との間に、前記透光性板材を介して、前記樹脂に光を照射することで、前記樹脂を硬化させる樹脂硬化工程を設けたことを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記非磁性部形成工程の後に、前記磁気記録部の表面及び前記非磁性部の表面に保護膜を形成する保護膜形成工程を有することを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか1項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂は、有機ケイ素化合物を含むことを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか1項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂塗布工程では、スピンオンコート法により、前記磁気記録部の表面に前記樹脂を塗布することを特徴とする請求項１ないし５のうち、いずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂塗布工程では、ディップ法により、前記磁気記録部の表面に前記樹脂を塗布することを特徴とする請求項１ないし５のうち、いずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記非磁性部形成工程では、イオンビームエッチング法により、前記樹脂をエッチングすることを特徴とする請求項１ないし７のうち、いずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記活性エネルギー線硬化性官能基は、エポキシ基、アクリル基、メタクリル基、オキセタニル基よりなる群から選択される少なくとも１つにより構成されることを特徴とする請求項１ないし８のうち、いずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうち、いずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法により形成された磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体上に移動するヘッド移動部と、
前記磁気ヘッドからの記録再生信号の処理を行う記録再生信号処理部と、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置、フロッピー（登録商標）ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく広がり、磁気記録装置の重要性が増している。
特に、ＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）及びＰＲＭＬ（Ｐａｒｔｉａｌ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ  Ｍａｘｉｍｕｍ  Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ）技術の導入や、ＧＭＲヘッド（巨大磁気抵抗効果型ヘッド）やＴＭＲヘッド（トンネル磁気抵抗型ヘッド）等の導入により、面記録密度の高密度化はさらに激しさを増している。
【０００３】
これにより、上記磁気記録装置に適用される磁気記録媒体では、さらなる高記録密度を達成することが要求されている。そのため、さらなる高い保磁力、高いＳＮ比（信号の量を雑音の量で割った比）有した磁気記録媒体が望まれている。
また、近年の磁気記録媒体では、高い面記録密度を達成するために媒体の膜厚を薄くしている。このため、記録磁化が熱的擾乱によって弱められるという現象が問題となっており、特に、磁気記録の熱的安定性が大きな技術的課題となっている。
とりわけ、ＳＮ比を高くするすると、記録磁化の熱的安定性が低下する場合が多い。これは、一般的にＳＮ比の高い媒体では磁気記録層を構成する磁性粒子の結晶粒サイズが微細であることが多く、このことは媒体ノイズに有効である反面、磁性の熱的安定性の観点からは不安定領域に近くなるからである。
【０００４】
また、近年、トラック密度の増加によって面記録密度を上昇させようとする努力も続けられており、磁気記録装置においてはトラック密度が３５０ｋＴＰＩに達している。
しかし、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合うため、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となりＳＮ比が小さくなってしまうという問題が生じやすい。
このような問題が発生すると、ビットエラーレート（Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅ）の低下につながるため記録密度の向上に対して障害となる。
【０００５】
また、トラック間の距離が近づくことで、磁気記録装置には、極めて高精度のトラックサーボ技術を要求される。
また、磁気記録装置では、記録を幅広く実行し、再生は隣接トラックからの影響をできるだけ排除するために、記録時よりも狭く実行する方法が一般的に用いられている。この方法ではトラック間の影響を最小限に抑えることができる反面、再生出力を十分得ることが困難であるため、十分な大きさのＳＮ比を確保することは困難である。
以上のような媒体の熱的安定性を確保するために近年用いられているのが垂直磁気記録媒体である。
【０００６】
垂直磁気記録においてもさらなる高記録密度化をするためには、トラック密度を増加する必要がある。また、垂直磁気記録媒体において、トラック密度を増加させることで問題となる記録端部の書きにじみ（フリンジ）を低減させる必要がある。
このフリンジを解決する方法の１例として、ディスクリート型媒体がある（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００７】
特許文献１には、データ部を凸部、非磁性部を凹部としたディスクリート型媒体の構造が開示されている。しかしながら、凹部型の非磁性部を設けることはディスク表面に凹凸部が存在することになるため、記録再生ヘッドの浮上に悪影響を与えるため好ましくない。
【０００８】
特許文献２には、ガラスディスク基板上に磁気記録層を形成し、次いで、磁気記録層をパターニングすることで、磁気記録部、及び非磁性部を配置するための溝を形成し、次いで、スパッタ法により、溝を埋め込むように非磁性膜（非磁性部の母材となる膜）を形成し、その後、イオンビームエッチングにより、非磁性膜のうち、磁気記録部の上面よりも上方に位置する部分を除去することで、溝に非磁性部を形成することが開示されている。
また、非磁性膜の材料として、酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、重合化合物等を用いることが開示されている。
【０００９】
しかしながら、スパッタ法により、上記酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、重合化合物等の材料を用いて非磁性膜を形成した場合、磁気記録部の形状（例えば、幅や平面視した際の面積）に依存して、複数の磁気記録部上に形成される非磁性膜の厚さが異なってしまう。
そのため、イオンビームエッチングにより、複数の磁気記録部の表面が露出するまで非磁性膜を除去して非磁性部を形成した場合、非磁性部を構成する非磁性膜の表面が磁気記録部の表面よりも低くなり（リセスが発生する）、イオンビームエッチングされた磁気記録部の表面及び非磁性膜の表面よりなる面（以下、「エッチング面」という）に凹凸が形成されてしまうため、磁気記録媒体の表面を平滑な面に形成することができないという問題があった。
このような平滑な表面を有していない磁気記録媒体を磁気記録再生装置に組み込んだ場合、磁気ヘッドが破損する虞や、磁気記録再生装置が正常に動作しない虞があった。
また、埋め込み特性に優れていないスパッタ法を用いて非磁性膜を形成した場合、非磁性部と磁気記録部との間に隙間が形成されてしまうため、磁気記録再生装置の使用環境によっては、上記隙間から磁気記録媒体が腐食してしまうという問題があった。
【００１０】
このような特許文献２の問題点の改善を目的とした従来技術として、特許文献３がある。
特許文献３には、スピンコート法により、溝を埋め込むように非磁性膜として紫外線硬化性樹脂を塗布し、次いで、紫外線を照射することで紫外線硬化性樹脂を硬化させ、その後、イオンビームエッチングにより、不要な部分の紫外線硬化性樹脂を除去することで、溝に非磁性部を形成することが開示されている。
このように、スパッタ法と比較して埋め込み特性に優れたスピンコート法を用いて、溝に紫外線硬化性樹脂を埋め込むことにより、溝と紫外線硬化性樹脂との間に隙間が形成されることを抑制できる。つまり、上記隙間から磁気記録媒体が腐食することを抑制可能となる。
また、特許文献３に記載の方法で非磁性部を形成することで、特許文献２に記載の方法で非磁性部を形成した場合と比較して、エッチング面に形成される凹凸を小さくすることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平６−２５９７０９号公報
【特許文献２】特開平９−９７４１９号公報
【特許文献３】特開２００５−１００４９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献３に記載の方法で凹凸加工された磁性層（磁気記録部）の表面に紫外線硬化性樹脂をスピンコートした場合、磁気記録部の形状や紫外線硬化性樹脂の不均一（具体的には、例えば、紫外線硬化性樹脂を構成する成分の分布の不均一）に起因して、紫外線硬化性樹脂の表面に凹凸（例えば、１０ｎｍ程度の凹凸）が形成される場合がある。このような凹凸は、凸形状とされた磁気記録部における樹脂の表面張力の影響によって生ずる場合があり、紫外線硬化樹脂以外の樹脂を用いた場合にも樹脂の表面に形成される。
加えて、紫外線硬化性樹脂の硬化率が膜中で不均一となる問題があった。具体的には、膜の表面での硬化率が高まり、一方で磁性層の凹部に埋め込まれた樹脂の硬化率が低くなり、それによって硬化した紫外線硬化性樹脂内に歪みが生じ、樹脂層を平坦化した際の非磁性部（磁性層の凹部に埋め込んだ樹脂）にリセスが生じた。
このような樹脂の表面に形成される凹凸を小さくする方法として、樹脂の厚さを厚くすることが考えられる。しかし、樹脂の厚さを厚くすると、イオンビームエッチングにより、除去する樹脂の厚さが厚くなるため、エッチング時間が長くなってしまう。そして、イオンビームエッチングを長い時間行うと、非磁性膜のエッチング面が粗面化されてしまうため、磁気記録媒体の表面を平滑な面にすることができない。
【００１３】
また、樹脂の粘度を下げることで、凸形状とされた磁気記録部における樹脂の表面張力を下げることも考えられるが、そうすると埋め込み材として利用できる樹脂の選択の幅が狭くなる。
【００１４】
本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、非磁性部を構成する樹脂の選択の幅を広げることが可能であり、かつ平滑な表面を有した磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を行ったところ、非磁性基板の少なくとも一方の面に磁性層を形成し、次いで、磁性層のうち、非磁性部の形成領域に対応する部分をエッチングすることで、非磁性部が形成される溝と、磁性層よりなる磁気記録部とを形成し、次いで、磁気記録部の表面に、溝を埋め込むように活性エネルギー線硬化性官能基を有した樹脂を塗布し、次いで、板材の平滑な面が樹脂の表面と接触するように、板材を樹脂に押圧して、樹脂の表面を平滑な面にすることで、非磁性部を構成する樹脂の選択の幅を広げることが可能であり、また、樹脂の厚さを薄くした場合でも樹脂の表面を平滑な面にすることが可能であることを見出した。
また、活性エネルギー線硬化性官能基を有した樹脂を、その表面を板材で覆った状態で硬化させるため、硬化時に樹脂の表面が大気中の酸素と反応することがなくなり、樹脂が均一に硬化し、樹脂中の歪みが低減することを見出した。
また、透光性の板材を通して活性エネルギー線を照射して樹脂を硬化させるため、樹脂が均一に硬化し、硬化した樹脂中の歪みが低減できることを見出した。
また、樹脂の表面を平滑な面にした後、板材を樹脂から除去し、次いで、平滑な表面を有した樹脂のうち、磁気記録部の表面よりも上方に位置する部分をエッチングにより除去することで、エッチングによる樹脂の表面（非磁性部の表面）のリセス量（磁気記録部の表面を基準としたときの樹脂の表面に形成される凹み量）を小さくすることができることを見出した。
また、樹脂の厚さを薄くすることで、樹脂のエッチング時間が短くなるので、エッチングされた樹脂の表面（非磁性部の表面）を平滑な面にすることができることを見出した。
本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、非磁性部を構成する樹脂の選択の幅を広げることが可能であり、磁気記録部の表面及び非磁性部の表面よりなる面を平滑な面にすることが可能となるので、平滑な表面を有した磁気記録媒体を形成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１６】
すなわち、本発明は、以下の手段を提供する。
（１）  非磁性基板の少なくとも一方の面に磁性層を形成する磁性層形成工程と、前記磁性層のうち、非磁性部の形成領域に対応する部分をエッチングすることで、前記非磁性部が形成される溝と、前記磁性層よりなる磁気記録部とを形成する溝及び磁気記録部形成工程と、前記磁気記録部の表面に、前記溝を埋め込むように活性エネルギー線硬化性官能基を有した樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、板材の平滑な面が前記樹脂の表面と接触するように、前記板材を前記樹脂に押圧して、前記樹脂の表面を平滑な面にする板材押圧工程と、前記板材押圧工程後に、前記板材を前記樹脂から除去する板材除去工程と、前記板材除去工程後に、平滑な表面を有した前記樹脂のうち、前記磁気記録部の表面よりも上方に位置する部分をエッチングにより除去することで、前記溝に前記非磁性部を形成する非磁性部形成工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（２）  前記板材押圧工程では、大気圧よりも低い圧力とされた雰囲気内で、前記板材を前記樹脂に押圧することを特徴とする（１）記載の磁気記録媒体の製造方法。
（３）  前記板材押圧工程では、前記板材として透光性を有した透光性板材を前記樹脂に押圧することで、前記樹脂の表面を平滑な面にし、前記板材押圧工程と前記板材除去工程との間に、前記透光性板材を介して、前記樹脂に光を照射することで、前記樹脂を硬化させる樹脂硬化工程を設けたことを特徴とする（１）または（２）記載の磁気記録媒体の製造方法。
（４）  前記非磁性部形成工程の後に、前記磁気記録部の表面及び前記非磁性部の表面に保護膜を形成する保護膜形成工程を有することを特徴とする（１）ないし（３）のうち、いずれか1項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（５）  前記樹脂は、有機ケイ素化合物を含むことを特徴とする請求項（１）ないし（４）のうち、いずれか1項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（６）  前記樹脂塗布工程では、スピンオンコート法により、前記磁気記録部の表面に前記樹脂を塗布することを特徴とする（１）ないし（５）のうち、いずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（７）  前記樹脂塗布工程では、ディップ法により、前記磁気記録部の表面に前記樹脂を塗布することを特徴とする（１）ないし（５）のうち、いずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（８）  前記非磁性部形成工程では、イオンビームエッチング法により、前記樹脂をエッチングすることを特徴とする（１）ないし（７）のうち、いずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（９）  前記活性エネルギー線硬化性官能基は、エポキシ基、アクリル基、メタクリル基、オキセタニル基よりなる群から選択される少なくとも１つにより構成されることを特徴とする（１）ないし（８）のうち、いずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１０）  （１）乃至（９）のうち、いずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法により形成された磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体上に移動するヘッド移動部と、前記磁気ヘッドからの記録再生信号の処理を行う記録再生信号処理部と、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、非磁性部を構成する樹脂の選択の幅を広げることが可能であり、かつ磁気記録媒体の表面を平滑な面にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の概略を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の変形例に係る磁気記録媒体の概略を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す断面図（その１）である。
【図４】本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す断面図（その２）である。
【図５】本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す断面図（その３）である。
【図６】本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す断面図（その４）である。
【図７】本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す断面図（その５）である。
【図８】本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す断面図（その６）である。
【図９】本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す断面図（その７）である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す断面図（その８）である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す断面図（その９）である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す断面図（その１０）である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す断面図（その１１）である。
【図１４】本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す断面図（その１２）である。
【図１５】本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す断面図（その１３）である。
【図１６】図１に示す磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置の概略を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００２０】
（実施の形態）  
図１は、本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の概略を示す断面図である。なお、図１では、本実施の形態の磁気記録媒体１０の一例として、垂直磁気記録媒体を例に挙げて図示するが、磁気記録媒体１０は、他の磁気記録媒体（例えば、面内磁気記録型記録媒体）でもよく、垂直磁気記録媒体に限定されない。
図１を参照するに、本実施の形態の磁気記録媒体１０は、垂直磁気記録媒体であり、非磁性基板１１と、磁気記録部１２と、溝１３と、非磁性部１４と、保護膜形成面１６と、保護膜１７と、潤滑層１８とを有する。
【００２１】
非磁性基板１１は、板状とされた基板である。非磁性基板１１としては、例えば、Ａｌを主成分としたＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板、結晶化ガラス基板、アモルファスガラス基板、シリコン基板、チタンよりなる基板、セラミックス基板、カーボンよりなる基板、及び樹脂基板等を用いることができる。
結晶化ガラス基板としては、例えば、リチウム系結晶化基板を用いることができる。また、アモルファス基板としては、例えば、ソーダライムガラス基板やアルミノシリケートガラス基板等を用いることができる。
【００２２】
磁気記録部１２は、非磁性基板１１の表面１１ａに設けられている。磁気記録部１２は、非磁性基板１１の中心から非磁性基板１１の外周に亘って、所定の間隔で配置されている。
磁気記録部１２は、軟磁性裏打ち層２１と、シード層２２と、中間層２３と、磁性層である記録層２４とが順次積層された積層構造２０により構成されている。本例では、非磁性部１４を形成するための溝１３を磁気記録部１２の全体に亘って形成した場合を例に挙げて説明したが、溝１３は磁気記録部１２の一部、例えば記録層２４のみに形成しても良い。
軟磁性裏打ち層２１は、磁気記録媒体１０に信号を記録する際、磁気ヘッドからの記録磁界を導くことで、記録層２４に対して記録磁界の垂直成分を効率よく印加するための層である。
軟磁性裏打ち層２１は、非磁性基板１１の表面１１ａに設けられている。軟磁性裏打ち層２１は、軟磁性材料により構成されている。軟磁性裏打ち層２１を構成する軟磁性材料としては、例えば、ＦｅＣｏ系合金、ＦｅＴａ系合金、Ｃｏ系合金等を用いることができる。ＦｅＣｏ系合金としては、例えば、ＦｅＣｏＢ合金、ＦｅＣｏＳｉＢ合金、ＦｅＣｏＺｒ合金、ＦｅＣｏＺｒＢ合金等を用いることができる。ＦｅＴａ系合金としては、例えば、ＦｅＴａＮ合金、ＦｅＴａＣ合金等を用いることができる。Ｃｏ系合金としては、例えば、ＣｏＴａＺｒ合金、ＣｏＺｒＮｂ合金、ＣｏＢ合金、ＮｉＷ合金等を用いることができる。
【００２３】
シード層２２は、軟磁性裏打ち層２１と中間層２３との間に設けられている。シード層２２は、中間層２３の結晶配向性を向上させるための層である。シード層２２の材料としては、例えば、アモルファス構造を有した材料を用いることができる。このような材料としては、例えば、１０ｎｍ程度の厚さにおいてアモルファス構造を有するＣｒＴｉ合金、ＣｒＭｎ合金、ＣｒＦｅ合金等を用いることができる。
【００２４】
中間層２３は、シード層２２と記録層２４との間に設けられている。中間層２３は、記録層２４の結晶配向性を向上させる機能と、記録層２４の結晶サイズを整える機能とを有した層である。
中間層２３の材料としては、例えば、六方最密充填構造（ｈｅｘａｇｏｎａｌ  ｃｌｏｓｅ−ｐａｃｋｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ、「ｈｃｐ構造」ともいう）、或いは面心立方格子構造(ｆａｃｅ−ｃｅｎｔｅｒｅｄ ｃｕｂｉｃ、「ｆｃｃ構造」ともいう)を有する材料を用いるとよい。このような構造を有した中間層２３の材料としては、例えば、ＲｕやＲｕ合金等を用いることができる。
シード層２２の厚さと中間層２３の厚さとを加えた厚さは、例えば、３０ｎｍ以下にするとよい。シード層２２の厚さと中間層２３の厚さとを加えた厚さが３０ｎｍを超えると記録再生時における磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層２１との距離が大きくなるため、ＯＷ特性（オーバーライト特性）や再生信号の分解能が低下するため好ましくない。
【００２５】
記録層２４は、中間層２３上に設けられている。記録層２４としては、磁化容易軸が非磁性基板１１の表面１１ａに対して直交する方向（つまり、垂直方向）に有しているものが好ましい。
記録層２４の材料としては、例えば、グラニュラー構造を有した磁性合金を用いることができる。具体的には、記録層２４の材料として、例えば、少なくともＣｏ、Ｐｔ、及び酸化物を含んだグラニュラー構造の磁性材料を用いることが好ましい。
また、ＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）特性改善の目的で、上磁性材料にＣｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を添加するのが好ましい。
【００２６】
記録層２４に含まれる酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２を用いることができる。
上記酸化物の体積率は、例えば、１５〜４０体積％にするとよい。酸化物の体積率が１５体積％未満であると、ＳＮＲ特性が不十分となるため好ましくない。また、酸化物の体積率が４０体積％を超えると、高記録密度に対応するだけの保磁力を得ることができないため好ましくない。
また、記録層２４の厚さは、例えば、６〜１８ｎｍの範囲内で設定することが好ましい。記録層２４の厚さを６〜１８ｎｍの範囲内で設定した場合、十分な出力を確保することができ、ＯＷ特性の悪化が生じないために好ましい。
上記構成とされた磁気記録部１２の表面１２ａ（記録層２４の表面２４ａに相当する面）は、平滑な面とされている。
【００２７】
溝１３は、磁気記録部１２間に形成されている。溝１３は、非磁性部１４を配置するための溝である。溝１３は、軟磁性裏打ち層２１、シード層２２、中間層２３、及び記録層２４が順次積層された積層構造２０を形成後に、非磁性部１４の形成領域に対応する部分の積層構造２０をエッチングすることで形成される溝である。
なお、図１では、溝１３は、隣り合う位置に配置された磁気記録部１２を分離するように形成されているが、溝１１３は、少なくとも記録層２４の一部を分断するように形成すればよい。
【００２８】
非磁性部１４は、溝１３を充填するように設けられており、隣り合う位置に配置された磁気記録部１２を分離している。非磁性部１４は、非磁性材料により構成されている。非磁性部１４を構成する非磁性材料としては、例えば、活性エネルギー線硬化性官能基を有した有機ケイ素化合物を含む樹脂４１（図９参照）を用いるとよい。
本発明で言う活性エネルギー線とは、電子線、紫外線あるいはγ線の如き、電離性放射線や電磁波などを総称するものである。
活性エネルギー線硬化性官能基としては、例えば、エポキシ基、アクリル基、メタクリル基、オキセタニル基よりなる群から選択される少なくとも１つにより構成することができる。
【００２９】
また、紫外線を照射して硬化させる場合には、必要に応じて、紫外線の照射によりラジカルや酸を発生する光（重合）開始剤を上記樹脂４１に含ませることが好ましい。
具体的には、活性エネルギー線硬化性官能基がエポキシ基である場合や、活性エネルギー線硬化性官能基がエポキシ基であり、かつビニルエーテル基を有する化合物を樹脂４１に含有させる場合、重合開始剤としては、例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のスルホニウム塩系重合開始剤や、ヨードニウム塩系、ジアゾニウム塩系、アレン−イオン錯体系等の光カチオン重合開始剤等を用いることができる。
【００３０】
上記重合開始剤は単独で、或いは２種類以上を組み合わせて用いることができ、硬化性組成物１００質量部に対し、０．０１〜１０質量部で用いることが好ましい。
本発明の硬化性組成物（本実施の形態では、非磁性部１４の母材となる後述する図９に示す樹脂４１）においては重合開始剤、硬化剤の他に粘度調整剤、分散剤、表面調整剤などの添加剤を加えることができる。
この場合、合計が硬化性組成物の合計１００質量部に対して、３０質量部以下となるようにすることが好ましい。
【００３１】
また、本発明の硬化性組成物には、塗布性向上のため必要に応じて溶媒等を添加することができる。このような溶媒としては、例えば、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒や、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素溶媒や、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒や、２−プロパノール、ブタノール及びヘキサノールプロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のアルコール系溶媒等を用いることができる。
本実施の形態では、非磁性部１４の母材として、紫外線の照射により硬化する樹脂４１（紫外線硬化樹脂）を用いた場合を例に挙げて以下説明する。
【００３２】
また、本発明で言う有機ケイ素化合物とは、炭素−ケイ素結合を持つ有機化合物の総称であり、有機ケイ素化合物としては、例えば、有機シラン、シロキシド、シリルヒリド、シレン等を用いることができるが、これに限定されない。
非磁性部１４の材料（母材）として活性エネルギー線硬化性官能基を有した有機ケイ素化合物を含む樹脂４１を用いることで、活性エネルギー線硬化性官能基を有した有機ケイ素化合物を含む樹脂はエッチングへの耐性があるため、後述する図１３に示す工程においてエッチングされた際、エッチング後の樹脂４１の表面４１ａ（非磁性部１４の表面１４ａ）を平滑な面にすることが可能となる。
非磁性部１４の表面１４ａは、平滑な面とされており、磁気記録部１２の表面１２ａに対して面一とされている。
【００３３】
保護膜形成面１６は、磁気記録部１２の表面１２ａ及び非磁性部１４の表面１４ａにより構成された面である。保護膜形成面１６は、保護膜１７が形成される面である。先に説明したように、リセスのない平滑な面とされた非磁性部１４の表面１４ａは磁気記録部１２の表面１２ａに対して面一とされているため、保護膜形成面１６は、平滑な面とされている。
これにより、本実施の形態の磁気記録媒体１０の表面は、平滑な面とされている。
【００３４】
保護膜１７は、磁気ヘッドと磁気記録媒体１０とが接触した際、磁気記録部１２損傷することを防止するための膜である。
保護膜１７は、平滑な面（例えば、表面平均粗さＲａが０．１ｎｍ以下）とされた保護膜形成面１６に形成されている。これにより、保護膜１７の表面１７ａ（磁気記録媒体１０の表面に相当する面）には、平滑な面とされた保護膜形成面１６の形状が転写されるため、保護膜１７の表面１７ａは平滑な面とされている。
保護膜１７としては、例えば、カーボン層を用いることができる。保護膜１７としては、例えば、アモルファス構造とされたＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）膜を用いることができる。
潤滑層１８は、平滑な面とされた保護膜１７の表面１７ａを覆うように設けられている。潤滑層１８を形成する際に使用する潤滑剤としては、例えば、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤、及びこれらの混合物等を用いることができる。
【００３５】
本実施の形態の磁気記録媒体によれば、磁気記録部１２の表面１２ａ及び非磁性部１４の表面１４ａにより構成された保護膜形成面１６を平滑な面とすることで、磁気記録媒体１０の表面を平滑な面にすることができる。
【００３６】
図２は、本発明の実施の形態の変形例に係る磁気記録媒体の概略を示す断面図である。図２において、図１に示す磁気記録媒体１０と同一構成部分には同一符号を付す。
図１では、非磁性基板１１の表面１１ａのみに、磁気記録部１２、溝１３、非磁性部１４、保護膜形成面１６、保護膜１７、及び潤滑層１８を設けた場合を例に挙げて説明したが、図２に示す磁気記録媒体３０のように、非磁性基板１１の裏面１１ｂにも磁気記録部１２、溝１３、非磁性部１４、保護膜形成面１６、保護膜１７、及び潤滑層１８を設けてもよい。
このような構成とされた磁気記録媒体３０においても、図１に示す磁気記録媒体１０と同様な効果を得ることができる。
【００３７】
図３〜図１５は、本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す断面図である。図３〜図１５において、図１に示す磁気記録媒体１０と同一構成部分には同一符号を付す。
始めに、図３に示す工程では、周知の手法により、非磁性基板１１の表面１１ａに、軟磁性裏打ち層２１と、シード層２２と、中間層２３と、磁性層である記録層２４とを順次積層することで、積層構造２０を形成する（磁性層形成工程を含む工程）。
非磁性基板１１の表面１１ａの平均表面粗さＲａは、例えば、１ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以下にするとよい。
非磁性基板１１の表面１１ａの平均表面粗さＲａを０．５ｎｍ以下にすることで、図３に示す工程で形成する記録層２４の垂直配向性が良好となる、
また、非磁性基板１１の表面１１ａの微小うねりＷａは、例えば、０．３ｎｍ以下にするとよい。これにより、後述する図６に示す工程でスタンパー３６をレジスト膜３５に押圧してレジスト膜３５に溝３９する際、非磁性基板１１の表面１１ａ内における圧力差が小さくなるので、レジスト膜２５に精度良く溝３９を形成することができる。
また、積層構造２０は、例えば、図１で説明した軟磁性裏打ち層２１、シード層２２、中間層２３、及び記録層２４の材料をスパッタ法により順次成膜することで形成する。
【００３８】
次いで、図４に示す工程では、記録層２４の表面２４ａにレジスト膜３５を形成する。
次いで、図５に示す工程では、図１に示す溝１３の形状に対応した凸部３７を有したスタンパー３６を準備し、次いで、レジスト膜３５のうち、非磁性部１４の形成領域Ａに対応する部分と凸部３７が対向するように、レジスト膜３５の上方にスタンパー３６を配置する。なお、非磁性部１４の形成領域Ａは、溝１３が形成される領域でもある。
【００３９】
次いで、図６に示す工程では、図５に示すレジスト膜３５にスタンパー３６を押し当て、その後、スタンパー３６をレジスト膜３５から取り外すことで、図６に示すように、レジスト膜３５に溝３９を形成する。
このとき、スタンパー３６の凸部３７の端面３７ａと記録層２４の表面２４ａとがなるべく接触するまで、スタンパー３６をレジスト膜３５に押し当てる。
【００４０】
次いで、図７に示す工程では、溝３９が形成されたレジスト膜３５をマスクする異方性エッチング（例えば、イオンビームエッチング）により、積層構造２０のうち、溝１３の形成領域に対応する部分（図６に示す非磁性部１４の形成領域Ａに対応する部分）を除去することで、溝１３と、軟磁性裏打ち層２１、シード層２２、中間層２３、及び記録層２４よりなる磁気記録部１２とを形成する（溝及び磁気記録部形成工程）。
なお、図６では、軟磁性裏打ち層２１、シード層２２、中間層２３、及び記録層２４を貫通するように、溝１３を形成する場合を例に挙げて図示したが、溝１３は、少なくとも記録層２４（磁性層）の一部に形成すればよく、図６に示す溝１３に限定されない。
【００４１】
次いで、図８に示す工程では、図７に示すレジスト膜３５を除去する。
次いで、図９に示す工程では、磁気記録部１２の表面１２ａに、溝１３を埋め込むように活性エネルギー線硬化性官能基を有した樹脂４１を塗布する（樹脂塗布工程）。
具体的には、例えば、スピンコート法或いはディップ法により、磁気記録部１２の表面１２ａに、活性エネルギー線硬化性官能基を有した例えば有機ケイ素化合物を含む樹脂４１を塗布する。
活性エネルギー線硬化性官能基を有した有機ケイ素化合物を含む樹脂４１は、磁気記録部１２を構成する層に対する濡れ性が高く、表面張力及び粘性が低い。
このため、非磁性部１４の母材として、活性エネルギー線硬化性官能基を有した有機ケイ素化合物を含む樹脂４１を用いることにより、溝１３との間に隙間を形成することなく、溝１３内をしっかりと埋め込むことができると共に、他の樹脂（有機ケイ素化合物を含まない樹脂）と比較して、塗布後の樹脂４１の表面４１ａに形成される凹凸を小さくすることができる。
また、活性エネルギー線硬化性官能基を有した有機ケイ素化合物を含む樹脂４１は、硬化時の収縮率が低い。このため、樹脂４１の硬化時に磁気記録媒体１０に歪みが発生することを抑制できる。
また、樹脂４１の厚さは、溝１３が埋め込まれる程度の厚さにするとよい。つまり、樹脂４１の厚さは、薄くするとよい。
このように、樹脂４１の厚さを薄くすることで、後述する図１３に示す工程で行われる樹脂４１のエッチング時間（溝１３に非磁性部１４を形成するためのエッチングの時間）が短くなるため、エッチング時間が長い場合（樹脂４１の厚さを厚くした場合）と比較して、エッチング後の樹脂４１の表面４１ａを平滑な面にすることができる。
なお、本実施の形態では、樹脂４１の厚さを薄く形成した場合を例に挙げて以下の説明を行う。
【００４２】
また、他の樹脂（有機ケイ素化合物を含まない樹脂）と比較して、エッチングにより樹脂４１の表面４１ａが粗面化されにくいため、樹脂４１の表面４１ａを比較的平滑な面にすることができる。
なお、樹脂４１に含まれる活性エネルギー線硬化性官能基及び有機ケイ素化合物については、図１において非磁性部１４の構成を説明する際に記載したものを用いることができる。
また、活性エネルギー線硬化性官能基を有した有機ケイ素化合物を含む樹脂４１としては、例えば、紫外線硬化樹脂を用いることができる。この場合、活性エネルギー線硬化性官能基を有した有機ケイ素化合物を含む樹脂４１には、紫外線で硬化するための重合開始剤や硬化剤等が添加されている。本実施の形態では、上記樹脂４１として紫外線硬化樹脂を用いた場合を例に挙げて以下の説明を行う。
【００４３】
次いで、図１０に示す工程では、板材４３の平滑な面４３ａが、図９に示す凹凸が形成された樹脂５１の表面４１ａと接触するように、板材４３を樹脂４１に押圧することで、樹脂４１の表面４１ａを平滑な面にする（板材押圧工程）。
このように、樹脂４１の表面４１ａを平滑な面にすることで、非磁性部１４の母材となる樹脂４１の選択の幅を広げることができる。例えば、塗布後の樹脂４１の表面４１ａの凹凸が図９に示す凹凸よりも大きくなるような樹脂（粘性の高い樹脂）を用いることも可能となる。
また、樹脂４１の表面４１ａを平滑な面にすることで、塗布後の樹脂４１の表面４１ａに形成される凹凸の大きさを考慮する必要がなくなるので、樹脂４１の厚さを薄くすることが可能となる。
また、板材押圧工程では、大気圧よりも低い圧力とされた雰囲気内で、板材４３を樹脂４１に押圧するとよい。
このように、大気圧よりも低い圧力とされた雰囲気内で、板材４３を樹脂４１に押圧することで、板材４３と樹脂４１との間に空気が入ることを防止できる。
また、樹脂４１を、その表面を板材４３で覆った状態で硬化させるため、硬化時に樹脂４１の表面が大気中の酸素と反応することがなくなり、樹脂４１が均一に硬化し、樹脂４１中の歪みを低減することができる。
【００４４】
板材押圧工程で使用する板材４３としては、例えば、透光性を有していない非透光性板材や、透光性を有した透光性板材等を用いることができる。
非透光性板材としては、例えば、金属板を用いることができる。板材４３として非透光性板材を用いた場合、樹脂４１を硬化させた後、またはある程度樹脂４１が硬化した後、板材４３を樹脂４１から除去させる。
透光性板材の材料としては、例えば、樹脂、ガラス、石英等を用いることができる。また、透光性板材としてフィルム状の基板を用いてもよい。
具体的には、透光性板材としては、例えば、厚さが０．５ｍｍのガラス基板を用いることができる。
このように、板材４３として透光性板材を用いることで、板材４３を樹脂４１に接触（或いは、押圧）させた状態で、樹脂４１に紫外線を照射することが可能となる。
なお、本実施の形態では、板材４３として透光性板材を用いた場合を例に挙げて以下の説明を行う。
【００４５】
次いで、図１１に示す工程では、透光性板材である板材４３を介して、樹脂に光（例えば、紫外線）を照射することで、樹脂４１を硬化させる（樹脂硬化工程）。
このように、透光性板材である板材４３を介して、樹脂４１に紫外線を照射して、樹脂４１を硬化させることで、樹脂４１の表面４１ａに直接紫外線を照射して硬化させる場合と比較して、樹脂４１の硬化度を高めることができる。
これは、樹脂４１の表面４１ａに直接紫外線を照射した場合、樹脂４１の表面４１ａで紫外線が乱反射されるが、本実施の形態の場合、板材４３と樹脂４１の表面４１ａとを接触させることで、樹脂４１の表面４１ａにおける紫外線の乱反射が抑制され樹脂４１の全体を高い硬化率で硬化させることができるためと推測される。また、前述のように、硬化時に樹脂４１の表面が大気中の酸素と反応することがなくなり、樹脂４１が均一に硬化可能となり、樹脂４１全体の硬化率が高まるためと推測される。
【００４６】
次いで、図１２に示す工程では、板材４３を除去する（板材除去工程）。これにより、平滑な面とされた樹脂４１の表面４１ａが露出される。
次いで、図１３に示す工程では、平滑な表面４１ａを有した樹脂４１のうち、磁気記録部１２の表面１２ａよりも上方に位置する部分をエッチングにより除去することで、溝１３内に、樹脂４１よりなる非磁性部１４を形成する（非磁性部形成工程）。
エッチングは、磁気記録部１２の表面１２ａが露出されるまで行う。図８に示す工程（樹脂塗布工程）で説明したように、樹脂４１は、その厚さは薄くなるように形成されている。そのため、非磁性部形成工程で行う樹脂４１のエッチング時間を短くすることが可能となる。
【００４７】
これにより、樹脂４１のエッチングにより、樹脂４１が粗面化されることがほとんどなくなるため、エッチング後の樹脂４１の表面４１ａを平滑な面にすることができる。
また、図１１に示す工程で説明したように、樹脂４１の硬化度が高められ、また樹脂４１中の歪みも少ないため、非磁性部形成工程におけるエッチングにより、溝１３に形成された部分の樹脂４１のリセス量（磁気記録部１２の表面１２ａを基準としたときの樹脂４１の表面４１ａに形成される凹み量）を少なくすることが可能となる。
本実施の形態のリセス量は、１ｎｍ以下であり、従来品のリセス量である３ｎｍよりもはるかに小さい。
このように、磁気記録部１２の表面１２ａと平滑な面とされた樹脂４１の表面４１ａとを略面一にすることが可能となるため、保護膜形成面１６を平滑な面にすることができる。つまり、磁気記録媒体１０の表面を平滑な面にすることができる。
【００４８】
非磁性部形成工程では、例えば、イオンビームエッチングにより、樹脂４１をエッチングすることができる。
なお、上記イオンビームエッチングの代わりに、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法による研磨により、磁気記録部１２の表面１２ａが露出するまで樹脂４１を研磨することが考えられるが、ＣＭＰ法を用いた場合、磁気記録部１２の表面１２ａが不純物や研磨屑により汚染されるため、イオンビームエッチングが好ましい。
なお、ＣＭＰ法を用いて樹脂４１を研磨した場合には、磁気記録部１２の表面１２ａに付着した不純物や研磨屑を除去する必要がある。
【００４９】
次いで、図１４に示す工程では、磁気記録部１２の表面１２ａ及び非磁性層１４の表面１４ａを覆う保護膜１７を形成する（保護膜形成工程）。
具体的には、例えば、Ｐ−ＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）膜を成膜することで、ＤＬＣ膜よりなる保護膜１７を形成することができる。
保護膜１７としては、上記ＤＬＣ膜の他に、例えば、炭素、水素化炭素、窒素化炭素、アルモファス炭素、ＳｉＣ等の炭素質層やＳｉＯ２、Ｚｒ２Ｏ３、ＴｉＮ等を用いることができる。
また、保護膜１７を２層以上の層で構成してもよい。保護膜１７の厚さは、例えば、１〜１０ｎｍ、好ましくは１〜５ｎｍの範囲内で選択するとよい。保護膜１７の厚さは、耐久性を確保できる厚さで、かつできるだけ薄く設定することが好ましい。
【００５０】
次いで、図１５に示す工程では、保護膜１７の表面１７ａを覆う潤滑層１８を形成する。これにより、図１に示す磁気記録媒体１０が製造される。
潤滑層１８を形成する際に使用する潤滑剤としては、例えば、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤、及びこれらの混合物等を用いることができる。潤滑層１８の厚さは、例えば、１〜４ｎｍの範囲内で設定することができる。
【００５１】
本実施の形態の磁気記録媒体の製造方法によれば、非磁性基板１１の表面１１ａに積層構造２０を形成し、次いで、積層構造２０のうち、非磁性部１４の形成領域Ａに対応する部分をエッチングすることで、非磁性部１４が形成される溝１３と、積層構造２０よりなる磁気記録部１２とを形成し、次いで、磁気記録部１２の表面１２ａに、溝１３を埋め込むように活性エネルギー線硬化性官能基を有した樹脂４１を塗布し、次いで、板材４３の平滑な面４３ａが樹脂４１の表面４１ａと接触するように、板材４３を樹脂４１に押圧して、樹脂４１の表面４３ａを平滑な面にすることで、塗布後の樹脂４１の表面４３ａに形成される凹凸の形状を考慮する必要がなくなるため、非磁性部１４を構成する樹脂４１の選択の幅を広げることができると共に、樹脂４１の厚さを薄くすることが可能となる。
【００５２】
また、樹脂４１の厚さを薄くすることで、非磁性部１４を形成する際に行う樹脂４１のエッチングの時間を短くすることが可能となるので、エッチング後の樹脂４１の表面４１ａを平滑な面にすることができる。
また、板材４３を樹脂４１に押圧して、樹脂４１の表面４３ａを平滑な面にした後に、樹脂４１をエッチングすることで、溝１３に形成された樹脂４１（非磁性部１４）のリセス量（磁気記録部１２の表面１２ａを基準としたときの樹脂４１の表面４１ａの凹み量）を小さくすることができる。
また、樹脂４１を、その表面を板材４３で覆った状態で硬化させるため、硬化時に樹脂４１の表面が大気中の酸素と反応することがなくなり、樹脂４１が均一に硬化し、樹脂４１中の歪みを低減することができる。
また、板材４３を透光性とし、透光性の板材４３を通して活性エネルギー線を照射して樹脂４１を硬化させるため、樹脂４１が均一に硬化し、硬化した樹脂４１中の歪みを低減できる。
このように、非磁性部１４の表面１４ａ（エッチング後の樹脂４１の表面４１ａ）のリセス量を少なくすると共に、非磁性部１４の表面１４ａを平滑な面にすることで、磁気記録部１２の表面１２ａ及び非磁性部１４の表面１４ａにより構成される保護膜形成面１６が平滑な面になるため、磁気記録媒体１０の表面を平滑な面にすることができる。
【００５３】
図１６は、図１に示す磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置の概略を示す斜視図である。
次に、図１に示す磁気記録媒体１０を備えた磁気記録再生装置５０の概略構成について説明する。
図１６を参照するに、磁気記録再生装置５０は、磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０を記録方向に駆動する媒体駆動部５１と、磁気記録媒体１０に情報の記録再生を行う磁気ヘッド５２と、磁気ヘッド５２を磁気記録媒体１０上に移動するヘッド移動部５３と、磁気ヘッド５２からの記録再生信号の処理を行う記録再生信号処理部５４とを有する。
【００５４】
例えば、磁気ヘッド５２の再生部をＧＭＲヘッド、或いはＴＭＲヘッドで構成することにより、高記録密度においても十分な信号強度を得ることができ、高記録密度を持った磁気記憶再生装置５０を実現することができる。
また、磁気ヘッド５２の浮上量を５ｎｍ程度に設定し、従来よりも低い高さで磁気ヘッド５２を浮上させることで、出力が向上して高い装置Ｓ／Ｎを得ることが可能となるので、大容量で高信頼性の磁気記録再生装置５０を提供することができる。
【実施例】
【００５５】
（活性エネルギー線硬化性官能基としてメタクリル基を用いた、シルセスキオキサン骨格
含有化合物の合成）
温度計と冷却管とを取り付けた３口フラスコにオクタキスジメチルシリルオキシシルセスキオキサン（アルドリッチ製：ＰＳＳ−Ｏｃｔａｋｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｏｘｙ）ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ）１．０ｇ（０．９８ｍｍｏｌ）、メタクリル酸アリル１．９８ｇ（１５．７ｍｍｏｌ、Ｓｉ−Ｈ基基準２．０倍）、トルエン３０ｍｌを加えて、Ａｒ気流下、室温で撹拌した。２％ジビニルテトラメチルジシロキサン白金錯体キシレン溶液（GELEST INC.製）０．０９３ｇ（白金金属の重量は原料仕込みの１０００ｐｐｍ）を少しずつ添加した。２時間室温で撹拌した後、減圧でトルエン溶媒を留去し（全体の硬化性樹脂組成物の上記式（１）の骨格の％：２０．６％）、得られた生成物をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに固形分濃度１０％になるように溶解した。
【００５６】
得られた溶液に光ラジカル重合開始剤２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン（Ｄａｒｏｃｕｒｅ  １１７３  チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）社製）を固形分１００部に対し、３部添加し溶解させた後、０．２μｍのフィルターでろ過し、活性エネルギー線硬化性官能基としてメタクリル基を用いた、シルセスキオキサン骨格含有硬化性組成物を調整した。生成物の重量平均分子量は約３０００であった。
【００５７】
（実施例、及び比較例１，２）
洗浄済みのＨＤ用ガラス基板（オハラ（株）製、外径０．８５インチ）をセットした真空チャンバをあらかじめ１．０×１０−５Ｐａ以下に真空排気した。さらに、当該基板上に、６５Ｆｅ−２５Ｃｏ−１０Ｂ（原子％）を加熱なしで５０ｎｍ、Ｒｕを０．８ｎｍ、ついで６５Ｆｅ−２５Ｃｏ−１０Ｂ（原子％）を５０ｎｍ成膜し、軟磁性裏打ち層を形成した。
ついで、Ｒｕからなる配向制御膜を２０ｎｍ、６５Ｃｏ−１０Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２（原子％）からなる記録層を１２ｎｍ、カーボンからなる保護膜を４ｎｍ形成した。
次に、保護膜まで形成した媒体を真空チャンバ内から取り出し、表面にレジストをスピンコートで塗布した。塗布した後に約１００℃の恒温槽で２０分焼成して余分な溶剤を除去した。
【００５８】
次にあらかじめ用意していたＮｉ製スタンパーを用いてインプリントを施して複数のサンプルを形成した。スタンパーは、トラックピッチ（Ｔｒａｃｋ  ｐｉｔｃｈ）１５０ｎｍの同心円状の凹溝が形成されたものとした。
次にこれらのサンプルを高真空チャンバ内にセットし、イオンビームエッチングを用いて同心円状の各凹溝（磁気記録パターンの分離部に対応する円環溝）の部分の記録層を除去した。
その後、この表面に、前述のシルセスキオキサン骨格含有化合物（実施例及び比較例１）、ＳｉＯ２系スピン・オン・グラス（比較例２）を平均膜厚が８０ｎｍになるように堆積させた。ここで実施例及び比較例１で用いたシルセスキオキサン骨格含有化合物の粘度は、１１７１ｍＰａ・ｓであった。
【００５９】
これらの膜の堆積は、スピンコートで行った。スピンコートは、組成物０．５ｍｌをスピンコーター内にセットした基板上に滴下し、基板を５００ｒｐｍで５秒間回転、次いで３０００ｒｐｍで２秒間、さらに５０００ｒｐｍで２０秒間回転させることにより行った。
その後、実施例のサンプルに対してはシルセスキオキサン骨格含有化合物樹脂の表面に厚さ０．５ｍｍの石英ガラスを１ＭＰａ（約８．８ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力で５秒間押しあてた後、加重を取り除き石英ガラスを通して樹脂に紫外線を照射して硬化させた。紫外線の波長は２５０ｎｍ、照射時間は１０秒間とした。その後、石英ガラスを硬化した樹脂から分離した。
その後、実施例及び比較例１，２のサンプルに対し、イオンビームエッチングを用いて各トラック部において記録層を露出させた。この時の非磁性部のリセスは、実施例では１ｎｍ、比較例１では２ｎｍ、比較例２では３ｎｍであった。
そして最後に、ＣＶＤ法によってＤＬＣ膜を厚さ４ｎｍ形成し、潤滑材を２ｎｍ塗布して磁気記録媒体を作製した。磁気記録媒体の表面には前述の非磁性部のリセス形状がほぼそのまま引き継がれていた。
【００６０】
（磁気記録媒体の評価）
本実施例及び比較例１，２の磁気記録媒体について、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて表面粗さを測定した。具体的には、Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製のＡＦＭを用い、１０μｍ視野にて本実施例の磁気記録媒体の表面粗さ（Ｒａ）を測定した。その他の設定は、解像度２５６×２５６タッピングモード、掃引速度１μｍ／ｓｅｃにて行った。その結果、本実施例の磁気記録媒体は、表面粗さＲａが０．２１ｎｍであり、著しく低い値を示した。これに対し、比較例１の磁気記録媒体の表面粗さＲａは０．３８ｎｍ、比較例２の磁気記録媒体の表面粗さＲａは０．４５ｎｍであった。
また、本実施例及び比較例１、２の磁気記録媒体について、グライドアバランチ特性を評価した。評価には、グライドライト社製の５０％スライダーヘッドを用い、ソニーテクトロ社製のＤＳ４１００装置にて測定した。その結果、本実施例の磁気記録媒体は、グライドアバランチが４．２ｎｍと低く、ヘッド浮上特性が良好であることがわかった。これに対し、比較例１の磁気記録媒体のグライドアバランチは５．１ｎｍ、比較例２の磁気記録媒体のグライドアバランチは５．６ｎｍであった。
【００６１】
以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１０，３０…磁気記録媒体、１１…非磁性基板、１１ａ，１２ａ，１７ａ，２４ａ，４１ａ…表面、１１ｂ…裏面、１２…磁気記録部、１３，３９…溝、１４…非磁性部、１５…保護膜形成面、１６…保護膜形成面、１７…保護膜、１８…潤滑層、２０…積層構造、２１…軟磁性裏打ち層、２２…シード層、２３…中間層、２４…記録層、３５…レジスト膜、３６…スタンパー、３７…凸部、３７ａ…端面、４１…樹脂、４３…板材、４３ａ…面、５０…磁気記録再生装置、５１…媒体駆動部、５２…磁気ヘッド、５３…ヘッド移動部、５４…記録再生信号処理部、Ａ…非磁性部の形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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