(57)【要約】【課題】高周波信号を取り扱う回路の高周波領域での周波数特性が劣化することをより少ない消費電力で防止するピーキング調整回路を提供する。【解決手段】高周波信号のピーキングを調整するピーキング回路を、第１のコンダクタと、第１のインダクタとカップリングする第２のインダクタと、入力信号を受ける信号入力部と、信号入力部から入力された入力信号に応じて第２のインダクタに流れる電流を調整するトランジスタと、第１のインダクタでピーキングを調整された信号を出力する信号出力部とを備えて構成し、信号入力部から入力された入力信号に応じてトランジスタで第２のインダクタに流れる電流を制御して第２のインダクタとカップリングしている第１のインダクタとの相互インダクタンスを変化させることにより第１のインダクタを流れる電流の信号波形のピーキングを調整し、ピーキングを調整した信号を信号出力部から出力するようにした。【選択図】図１
2011217321.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のコンダクタと、
該第１のインダクタとカップリングする第２のインダクタと、
入力信号を受ける信号入力部と、
該信号入力部から入力された入力信号に応じて前記第２のインダクタに流れる電流を調整するトランジスタと、
前記第１のインダクタでピーキングを調整された信号を出力する信号出力部と
を備えた高周波信号のピーキングを調整するピーキング回路であって、
前記信号入力部から入力された入力信号に応じて前記トランジスタで前記第２のインダクタに流れる電流を制御して前記第２のインダクタとカップリングしている前記第１のインダクタとの相互インダクタンスを変化させることにより該第１のインダクタを流れる電流の信号波形のピーキングを調整し、該ピーキングを調整した信号を前記信号出力部から出力することを特徴とするピーキング回路。
【請求項２】
前記信号入力部から入力された入力信号に応じて変調させた変調信号を発生させる変調信号発生部とバイアス電流を発生させるバイアス電流発生部とを更に備え、前記トランジスタで前記第２のインダクタに流れる電流を制御して前記第２のインダクタとカップリングしている前記第１のインダクタとの相互インダクタンスを変化させることにより前記変調信号発生部で発生させた変調信号の信号波形に対して前記第１のインダクタでピーキングを調整し、前記信号出力部は、前記バイアス電流発生部で発生させたバイアス電流に前記カップリングしているインダクタ１とインダクタ２とによりピーキングが調整された変調信号を重畳した信号を出力することを特徴とする請求項１記載のピーキング回路。  
【請求項３】
請求項２記載のピーキング回路を備えてレーザダイオードを作動させることを特徴とするレーザダイオードの駆動回路。  
【請求項４】
第１のインダクタと第２のインダクタとをカップリングさせて構成した第１のインダクタ対と、
第３のインダクタと第４のインダクタとをカップリングさせて構成した第２のインダクタ対と、
第１のトランジスタと第２のトランジスタとをエミッタ同士を接続して形成した第１の差動対と、
第３のトランジスタと第４のトランジスタとをエミッタ同士を接続して形成した第２の差動対と、
前記第１の差動対と前記第２の差動対とに高周波信号を入力する高周波信号入力部と、
前記第１のインダクタ対と前記第２のインダクタ対とからそれぞれ高周波信号を出力する高周波信号出力部と
を備えた差動増幅器であって、
前記高周波信号入力部から入力された高周波信号により前記第１の差動対の第１のトランジスタと第２のトランジスタとを制御して前記第１のインダクタ対の第２のインダクタに流れる電流と前記第２のインダクタ対の第４のインダクタに流れる電流とを調整することにより前記第１のインダクタ対と前記第２のインダクタ対のそれぞれの相互インダクタンスを変化させて前記第１のインダクタ対の第１のインダクタに流れる電流の信号波形と前記第２のインダクタ対の第３のインダクタに流れる電流の信号波形とのピーキングを調整し、該ピーキングを調整した高周波信号を前記高周波信号出力部から出力するピーキング調整回路を備えた差動増幅器。
【請求項５】
前記高周波信号入力部から入力されて前記第１の差動対に入力する高周波信号の極性を切替えるセレクタを更に備えたことを特徴とする請求項４記載のピーキング調整回路を備えた差動増幅器。
【請求項６】
前記第１の差動対の第１のトランジスタと第２のトランジスタのソースと接続する第１の可変電流源と、前記第２の差動対の第３のトランジスタと第４のトランジスタとのソースと接続する第２の可変電流源と、前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御する制御部とを更に備え、該制御部で前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とに流れる電流の和が一定となるように前記第１の可変電流源と前記第２の可変電流源とを制御することを特徴とする請求項４記載のピーキング調整回路を備えた差動増幅器。
【請求項７】
請求項４記載のピーキング回路を送信回路又は受信回路の少なくとも一方に備えたことを特徴とする情報処理装置。
【請求項８】
回路から出力される高周波信号のピーキングを調整する方法であって、
カップリングを成す１対のインダクタのうちの一方のインダクタに流れる電流を前記回路に入力した高周波信号に応じてトランジスタを用いて調整することにより前記カップリングを成す１対のインダクタのうちの他方のインダクタの相互インダクタンスを変化させ、
該相互インダクタンスを変化させた前記他方のインダクタと繋がる信号線から出力される信号のピーキングを調整することを特徴とするピーキング調整方法。
【請求項９】
前記入力された高周波信号に応じて変調させた変調信号を発生させ、バイアス電流発生部からバイアス電流を発生させ、前記トランジスタで前記一方のインダクタに流れる電流を制御して前記一方のインダクタとカップリングしている前記他方のインダクタの相互インダクタンスを変化させることにより前記発生させた変調信号に対してピーキングを調整し、前記バイアス電流に前記ピーキングが調整された変調信号を重畳した信号を出力することを特徴とする請求項８記載のピーキング調整方法。  
【請求項１０】
前記信号出力部から出力したバイアス電流にピーキングが調整された変調信号を重畳した信号を出力してレーザダイオードを作動させることを特徴とする請求項９記載のピーキング調整方法。  
【請求項１１】
第１のインダクタと第２のインダクタとをカップリングさせて構成した第１のインダクタ対と、第３のインダクタと第４のインダクタとをカップリングさせて構成した第２のインダクタ対と、第１のトランジスタと第２のトランジスタとをソース同士を接続して形成した第１の差動対と、第３のトランジスタと第４のトランジスタとをソース同士を接続して形成した第２の差動対と、前記第１の差動対と前記第２の差動対とに高周波信号を入力する高周波信号入力部と、前記第１のインダクタ対と前記第２のインダクタ対とからそれぞれ高周波信号を出力する高周波信号出力部とを備えた差動増幅回路の高周波信号のピーキングを調整する方法であって、
前記高周波信号入力部から入力された高周波信号により前記第１の差動対の第１のトランジスタと第２のトランジスタとを制御して前記第１のインダクタ対の第２のインダクタに流れる電流と前記第２のインダクタ対の第４のインダクタに流れる電流とを調整することにより前記第１のインダクタ対と前記第２のインダクタ対のそれぞれの相互インダクタンスを変化させて前記第１のインダクタ対の第１のインダクタに流れる電流の信号波形と前記第２のインダクタ対の第３のインダクタに流れる電流の信号波形とのピーキングを調整し、該ピーキングを調整した高周波信号を前記高周波信号出力部から出力することを特徴とするピーキング調整方法。
【請求項１２】
前記高周波信号をセレクタで極性を切替えて前記第１の差動対に入力することを特徴とする請求項１１記載のピーキング調整方法。
【請求項１３】
前記第１の差動対の第１のトランジスタと第２のトランジスタのソースに流す電流と、前記第２の差動対の第３のトランジスタと第４のトランジスタのソースに流す電流との和が一定となるように制御することを特徴とする請求項１１記載のピーキング調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高速伝送、例えば毎秒ギガビット（Gbps）を超える伝送速度を持つ、プリント基板伝送用ドライバ回路、ＬＤ（Laser Diode）ドライバ回路およびそれらを用いたサーバやルータなど情報処理装置、計測装置、光モジュールにおいて、ピーキングの発生を制御するピーキング回路及びピーキング調整方法並びにピーキング回路を備えた差動増幅器及びレーザダイオード駆動回路及び情報処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
サーバやルータなど情報処理装置、計測装置はより大量のデータを処理することが求められており、それらのLSI上の回路間や装置内のLSI間、プリント基板間の信号伝送の高速化、それらの装置を結ぶLANやWANなどのネットワークに用いられる光モジュールの高速化のための研究、開発が活発に行われている。
【０００３】
しかし高速化を行うとLSIの配線容量やＬＳＩ、レーザダイオード、パッケージのパッドなどに付く容量、プリント基板やケーブルなどの信号伝送線路が持つ損失により信号波形が歪み、データに誤りが生じるようになる。
【０００４】
このような信号波形の補償技術として、特許文献1（特開２００５−１３６４５３号公報）に示す技術がある。
【０００５】
また、特許文献２(特開平９−６４９２０号公報)には、パルス信号列の信号波形を成形する波形成形回路において、所要帯域の広域部にピーキング特性を有する利得周波数特性回路部を備え、入力の低速信号成分の振幅よりも高速信号成分の振幅が大きくなるように波形成形する構成が記載されている。
【０００６】
また、特許文献３（国際公開ＷＯ２００７/１１０９１５号公報）には、インダクタピーキング回路の出力部のピーキング量を検出するピーキング検出部と、ピーキング検出部が検出したピーキング量に基づいてインダクタピーキング回路の回路パラメータを可変する制御信号生成部とを備えたピーキング制御回路について記載されている。
【０００７】
更に、特許文献４(特開平１１−４０８５５号公報)には、ピーキング電流発生回路を備えた発光ダイオード駆動回路が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−１３６４５３号公報
【特許文献２】特開平９-６４９２０号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ２００７/１１０９１５号公報
【特許文献４】特開平１１−４０８５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献1に記載されている技術では、ボンディングワイヤを使用しており、ＰＫＧなどに組み立てた後はピーキングの調整をすることが難しい。
【００１０】
また、毎秒１０ギガビット（Ｇｂｐｓ）を超えるような高速伝送回路においては、配線インピーダンスによる周波数特性の低下を保障することが必要になるが、特許文献２および３に記載されているようなトランジスタで構成された回路では寄生容量が発生する。この寄生容量は、毎秒ギガビット（Ｇｂｐｓ）以下の比較的低い周波数領域ではあまり問題にならなかったが、毎秒１０ギガビット（Ｇｂｐｓ）を超えるような高周波領域においては無視できなくなり、周波数特性の低下を補償することが難しくなってきている。
【００１１】
さらに、特許文献４に記載されているような回路方式によりピーキングを調整する方式では消費電力が増加してしまう。
【００１２】
本発明の目的は、高周波信号を取り扱う回路の高周波領域での周波数特性が劣化することをより少ない消費電力で防止可能なピーキング調整回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記した課題を解決するために、本発明では、高周波信号のピーキングを調整するピーキング回路を、第１のインダクタと、第１のインダクタとカップリングする第２のインダクタと、入力信号を受ける信号入力部と、信号入力部から入力された入力信号に応じて第２のインダクタに流れる電流を調整するトランジスタと、第１のインダクタでピーキングを調整された信号を出力する信号出力部とを備えて構成し、信号入力部から入力された入力信号に応じてトランジスタで第２のインダクタに流れる電流を制御して第２のインダクタとカップリングしている第１のインダクタとの相互インダクタンスを変化させることにより第１のインダクタを流れる電流の信号波形のピーキングを調整し、ピーキングを調整した信号を信号出力部から出力するようにした。
【００１４】
また、本発明では、第１のインダクタと第２のインダクタとをカップリングさせて構成した第１のインダクタ対と、第３のインダクタと第４のインダクタとをカップリングさせて構成した第２のインダクタ対と、第１のトランジスタと第２のトランジスタとをエミッタ同士を接続して形成した第１の差動対と、第３のトランジスタと第４のトランジスタとをエミッタ同士を接続して形成した第２の差動対と、前記第１の差動対と前記第２の差動対とに高周波信号を入力する高周波信号入力部と、前記第１のインダクタ対と前記第２のインダクタ対とからそれぞれ高周波信号を出力する高周波信号出力部とを備えた差動増幅回路において、高周波信号入力部から入力された高周波信号により第１の差動対の第１のトランジスタと第２のトランジスタとを制御して第１のインダクタ対の第２のインダクタに流れる電流と第２のインダクタ対の第４のインダクタに流れる電流とを調整することにより第１のインダクタ対と第２のインダクタ対のそれぞれの相互インダクタンスを変化させて第１のインダクタ対の第１のインダクタに流れる電流の信号波形と第２のインダクタ対の第３のインダクタに流れる電流の信号波形とのピーキングを調整し、このピーキングを調整した高周波信号を高周波信号出力部から出力するようにした。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、１０Ｇｂｐｓを超える高い周波数領域でより少ない消費電力で寄生容量の影響を補償できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施例１における可変ピーキング回路の回路構成図である。
【図２】カップリングさせた１対のインダクタ対を薄膜で形成した状態を示す斜視図である。
【図３】実施例１におけるピーキング調整の状態を示す周波数とゲインとの関係を示すグラフである。
【図４】実施例１の変形例１における可変ピーキング回路の回路構成図である。
【図５】実施例１の変形例２における可変ピーキング回路の回路構成図である。
【図６】実施例２における可変ピーキング回路の回路構成図である。
【図７】実施例２の変形例１における可変ピーキング回路の回路構成図である。
【図８】実施例３における可変ピーキング回路を組み込んだ素子を備えた情報処理装置の構成を示す斜視図である。
【図９】実施例３における可変ピーキング回路を組み込んだ回路システムのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明は、従来のトランジスタを用いた構成に変えてカップリングさせたインダクタ対を用いて相互インダクタンスを制御することにより高周波信号のピーキングを調整する可変ピーキング回路を構成し、高い周波数領域でより少ない消費電力で寄生容量の影響を補償できるようにしたものである。
【００１８】
以下に、本発明の実施例を図を用いて説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１には、本発明に基づく可変ピーキング回路を差動アンプ回路に適用した例を示す。１から４はインダクタで一端がＤＣ電源ライン１００に接続している。５から８は抵抗でそれぞれ一端がインダクタ１から４に接続している。９から１２はＭＯＳトランジスタで、それぞれドレイン側が抵抗５から８に接続している。１３は電流源で、トランジスタ９及び１０のソース側に接続している。１４は可変電流源で、トランジスタ１１及び１２のソース側に接続している。端子１６と１７は入力側端子、端子１８と１９とは出力側端子である。インダクタ１から４は、巻線の方向が同じになるようにセットされている。
【００２０】
インダクタ1とインダクタ２とはカップリングして構成され、インダクタ３とインダクタ４とはカップリングして構成されている。
【００２１】
トランジスタ９と１０とは第１の差動対を形成し、トランジスタ１１と１２とは第２の差動対を形成する。
【００２２】
この構成において、入力端子１６と１７との間にある電圧を印加した状態で、トランジスタ１１と１２とで構成する第２の差動対の可変電流源１４の電流量を調整することで、抵抗７及び８を介してインダクタ２及び４に流れる電流が制御され、インダクタ1とインダクタ２、インダクタ３とインダクタ４の相互インダクタンスを変えることができ、第１の差動対のトランジスタ９と１０とに接続する出力側端子１８及び１９から出力される信号のピーキング量を調整することが可能になる。
【００２３】
インダクタ１の自己インダクタンスをＬ１、インダクタ１とインダクタ２の相互インダクタンス２をＭとすると、トータルのインダクタンスはＬ１＋Ｍとなる。
【００２４】
電流源１４の電流量を変えるとインダクタ２に流れる電流が変わり、トータルのインダクタンスの値は電流源１４の電流が０のときのＬ１から、電流源１４の電流を最大にしたときのＬ１＋Ｍmaxまで変化させることができる。ピーキング量はトータルのインダクタンスに比例するため、ピーキング量を変えることができる。
【００２５】
図２に、インダクタ１、２を半導体上の配線で形成したときの構成の例を示す。図２において、インダクタ１とインダクタ２とはカップリングした構成になっており、これを図１に示したような回路に適用することで、インダクタ２に流す電流量を変えることにより、インダクタ１とインダクタ２との相互インダクタンスによりインダクタ１のインダクタンスを制御することができる。
【００２６】
図３には、図１に示した回路構成を用いてピーキングを調整したときの周波数特性を示す。（ａ）はピーキング調整前の周波数特性で高周波領域のゲインが低い状態、(ｂ)は電流源１４で第２の差動対を構成するトランジスタ１１及び１２のドレイン電流を制御してピーキングを調整し周波数特性のフラットな領域を拡大した状態、（ｃ）はピーキング調整しての高周波領域の周波数特性を低周波領域よりも上げた状態、（ｄ）は更にピーキング調整して高周波領域の周波数特性を更に上げた状態を示す。このように、図１の電流源１４で第２の差動対を構成するトランジスタ１１及び１２のドレイン電流を制御してピーキングを調整することにより、(ａ)のような高周波領域でゲインが低下する周波数特性を（ｂ）乃至（ｄ）のように改善することができる。
【００２７】
トランジスタ９〜１２はＭＯＳトランジスタに換えてバイポーラトランジスタを用いても良い。
[変形例１]
図４には、セレクタ１５を用いて入力信号の切り替えを可能にし、カップリングインダクタンスの調整範囲を広げる構成の一例を示す。図１の部品と同じ構成のものについては、図１と同じ番号を付してある。
【００２８】
図４に示した構成において、入力端子２０からの制御信号によりセレクタ１５で入力信号の反転、非反転を切り替えることでトランジスタ１１と１２とのゲート電圧の極性を切替え、これによりインダクタ２とインダクタ４との極性を切替えることができ、それぞれカップリングをなすインダクタ１とインダクタ３との相互インダクタの符号を反転させることが可能になり、ピーキング量の調整量を拡大することができる。
【００２９】
すなわち、インダクタ１（自己インダクタンスＬ１，インダクタ２との相互インダクタンスＭ）については、インダクタ２に流れる電流が同相の時のトータルのインダクタンスはＬ１−Ｍ、差動の時のトータルのインダクタンスはＬ１＋Ｍで、インダクタ２の巻線の向きを変えることなくインダクタンスをＬ１±Ｍの範囲で変化させることができる。
【００３０】
本変形例によれば、セレクタで極性を切替えることにより、インダクタによるピーキング量の調整量を拡大することができる。
【００３１】
[変形例２]
図５には、トランジスタ２７と２８とで構成される第１の差動対と、トランジスタ２９と３０とで構成される第２の差動対とにそれぞれ電流を印加する電流源３１と３２とを、何れも可変電流源で構成した場合を示す。
【００３２】
この構成においては、トランジスタ２７と２８で構成する第１の差動対の電流源３１と、 トランジスタ２９と３０で構成する第２の差動対の電流源３２の電流量を調整することで、インダクタ２３と２４、インダクタ２５と２６の相互インダクタンスを変え、ピーキング量を調整する。このとき、電流源３１の電流Ｉ１と電流源３２の電流Ｉ２との和が常に等しくなるようにＤＡコンバータ５１及び５２を介して制御部５０で電流Ｉ１と電流Ｉ２とを制御する。図５に示した本変形例の回路構成によれば、図１のピーキング量調整回路に比べ全ての電流が、電流−電圧変換する抵抗２１または抵抗２２に流れるために無駄となる電流がなく、回路の消費電力を低減することができる。
【実施例２】
【００３３】
図６に、本発明によるピーキング調整回路をＬＤ(レーザダイオード)ドライバ回路に適用した例を説明する。
【００３４】
４０はＬＤドライバ回路で、基板配線またはワイヤボンディングで構成された伝送路５２を介してＬＤ５３と接続している。
【００３５】
ＬＤドライバ回路４０の内部は、電源４６及び可変電源４７と接続してバイアス電流を流すトランジスタ４１と、変調電流を流すトランジスタ４４、トランジスタ４４のベースに接続するアンプ４９、１対のインダクタ４２及び４３、一端が電源４８に接続しているインダクタ４３と接続するトランジスタ４５、トランジスタ４５のゲートと接続している可変アンプ５０、信号端子５５及び５６から入力した信号を端子５７から入力された制御信号で同相・異相の切替えを行うセレクタ５１を備えている。
【００３６】
このような構成において、トランジスタ４１によりＬＤ５３にバイアス電流を流す。このバイアス電流の量は、トランジスタ４１に接続する可変電源４７で設定される。
【００３７】
一方、信号端子５６から入力された信号をアンプ４９で増幅してトランジスタ４４のゲートに入力すると、トランジスタ４４には、信号端子５６からの入力信号に応じて変調された変調電流が流れる。
【００３８】
トランジスタ４１から出力されたバイアス電流にトランジスタ４４から出力される変調電流が重畳された状態でＬＤ５３を所望の発光特性で作動させるためには、ＬＤ５３とＬＤドライバ回路４０とを接続するボンディングワイヤまたは基板配線で構成された伝送路５２の特性によりトランジスタ４４で制御される変調電流のピーキング量を調整する必要がある。
【００３９】
この変調電流のピーキング量を調整することを、本実施例においては、セレクタ５１でトランジスタに印加する電圧の極性を、また可変アンプ５０でトランジスタに印加する電圧を調整してトランジスタ４５で流す電流量、電流の向きを制御し、この制御された電流をインダクタ４３に流すことにより、インダクタ４３とカップリングしているインダクタ４２の相互インダクタンスを変えることでＬＤ５３に流れる電流のピーキング量を調整できるようにした。
【００４０】
セレクタ５１でトランジスタに印加する電圧の極性を切替え、可変アンプ５０でトランジスタ４５に印加する電圧を調整することは、ＬＤ５３の発光特性（出力波形）をモニタしながら所望の特性が得られるようにセレクタ５１を切替え、可変アンプ５０のボリュームを調整する事によって行われる。
【００４１】
本実施例においても、実施例１で説明したのと同じように、１対のインダクタをカップリングさせて一方のインダクタに流れる電流を制御して、相互インダクタンスを制御することにより他方のインダクタを流れる電流の信号波形のピーキングを調整することができるので、１０Ｇｂｐｓ以上の高周波信号に対してもピーキング調整を行うことが可能になり、高周波領域でも安定した光伝送を行うことができる。
【００４２】
また、セレクタ５１で入力信号の極性を同相・異相の切替えを行うことにより、カップリングさせた１対のインダクタで調整できるインダクタンスの範囲を広げることが可能になり、より広い範囲でのピーキング調整が可能になる。
[変形例１]
図７にはＬＤのカソード側にＬＤドライバからの電流を流す構成の一例を示す。図６の部品と同じ構成のものについては、図６と同じ番号を付してある。
図７に示す回路を用いることにより、ＬＤのカソード側にＬＤドライバからの電流を流す場合でもピーキング調整することが可能となる。
【実施例３】
【００４３】
図８に、本発明によるピーキング調整回路を用いた情報処理装置の例を示す。情報処理装置はバックプレーン６０と、バックプレーン６０とコネクタ６２を介して接続される複数のドータカード６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄと、ドータカード上に搭載されバックプレーンを介して情報のやりとりを行うＬＳＩ６３、６４で構成される。
【００４４】
バックプレーン６０やドータカード６１ａ〜６１ｄ上の伝送路は導体損失や誘電体損失を持つため、高周波成分ほど損失が大きくなるため、波形の品質が劣化し、損失が大きな場合はデータに誤りが生じる。このためＬＳＩ６３や６４に搭載される送信回路７７は、図８に示すように、フリップフロップ回路７４、電流増幅回路７５、ピーキング出力回路７６で構成され、ピーキング出力回路７６でバックプレーン６０の伝送路６６やドータカード６１ａ〜６１ｄ上の伝送路６５の損失を補償し、信号品質を向上させる。
【００４５】
同様にＬＳＩ６３や６４に搭載される受信回路７０は、図９に示すように、可変増幅回路６５、ピーキング回路６６、リミット増幅回路６７、判定回路６８、ＣＤＲ（クロック  データ  リカバリ）回路６９で構成され、ピーキング回路６６でバックプレーン６０の伝送路６６やドータカード６１ａ〜６１ｄ上の伝送路６５の損失を補償し、信号品質を向上させる。
ピーキング出力回路７６及びピーキング回路６６は、実施例１で説明した、図１又は図４又は図５の何れかに記載したような構成とすればよい。
【００４６】
ドータカード６１ａ〜６１ｄの位置により、バックプレーン６０やドータカード６１ａ〜６１ｄ上の伝送路の長さが変わり、損失が変わるため、ピーキング回路６６は低周波域と高周波域の増幅度の差（ピーキング量）を伝送路の損失に合わせて変更できる必要がある。      
ピーキング回路６６として、実施例１で説明した図１、図４又は図５の何れかに記載したようなカップリングさせたインダクタを用いた可変ピーキング回路を用いることにより、１０Ｇｂｐｓよりも高い周波数の信号に対してもピーキング量を調整することができる。
【００４７】
レシーバ回路７０側においてピーキング回路６６によりピーキング量を調整する場合は、
可変ディレイ回路７２、可変電圧源７３、判定回路７１で構成された位相/電圧余裕測定回路により、位相/電圧余裕が最大になるように調整すればよい。また、位相または電圧どちらか一方だけに着目して調整しても良い。
【００４８】
図９には送信回路７７と受信回路７０との両方に可変ピーキング回路を設けた構成を示したが、送信回路７７と受信回路７０とのどちらか一方の回路だけに可変ピーキング回路を設置するようにしても良い。  
【符号の説明】
【００４９】
１，２，３，４・・・インダクタ    ５，６，７，８・・・抵抗    ９，１０，１１，
１２・・・トランジスタ    １３・・・電流源    １４・・・可変電流源    １５・・・セレクタ    ２１，２２・・・抵抗    ２３，２４，２５，２６・・・インダクタ    
２７，２８，２０，３０・・・トランジスタ    ３１，３２・・・可変電流源    
４０・・・ドライバＩＣ    ４１，４４、４５・・・トランジスタ    ４２，４３・・・インダクタ    ４９，５０・・・アンプ    ５１・・・セレクタ    ６６・・・ピーキング回路    ７０・・・受信回路    ７６・・・ピーキング出力回路    ７７・・・送信回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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