(57)【要約】【課題】ハードマスクを使用して斜方蒸着層を形成する限り、ハードマスク起因の合わせずれや寸法誤差によるずれを解決することは困難である。特に、上下導通領域の構成要素である素子電極を覆うように蒸着粒子が回り込んだ場合、上下導通領域は蒸着粒子の付着により電気抵抗値が高くなり、液晶装置の表示にむらが発生するという課題がある。【解決手段】素子電極１２２を覆うよう付着した斜方蒸着層前駆体１８ａ’を除去して斜方蒸着層１８ａを形成する。素子電極１２２を覆う斜方蒸着層前駆体１８ａ’の除去にはＣＭＰ法が好適な手段となる。自己整合的に位置合わせが行えるため、アライメントずれ等が発生せず、高い形状精度を持った状態で斜方蒸着層前駆体１８ａ’を除去でき、液晶装置の表示むらが抑えられる。【選択図】図４
2011064935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟持した一対の基板を備える液晶装置の製造方法であって、
一方の前記基板に第１共通電極を形成する工程と、
他方の前記基板に第２共通電極を形成する工程と、
他方の前記基板に対向して一方の前記基板に設けられたストッパー層に、前記第１共通電極と電気的に接続された第１電極を形成する工程と、
他方の前記基板に設けられ、前記第１電極と他方の前記基板に備えられた前記第２共通電極とに対し、電気的に接続された第２電極を形成する工程と、
前記基板の前記ストッパー層側に、斜方蒸着層を形成する工程と、
前記ストッパー層に付着した前記斜方蒸着層を平坦化処理で除去し前記第１電極を露出させる工程と、を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、前記ストッパー層は、前記斜方蒸着層よりも厚いことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記斜方蒸着層は、酸化珪素で構成され、
前記ストッパー層は、窒化珪素で構成されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、前記ストッパー層は、少なくとも前記第１電極および前記第２電極と重なる領域に、島状に形成されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、前記第１電極の形成工程は、
前記基板の法線と並行する方向に前記ストッパー層を貫通させ、電位を供給する配線まで達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールを導電材料で埋める工程と、
前記コンタクトホール内の前記導電材料を残して、前記導電材料を除去する工程と、を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項２から５のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、前記ストッパー層を覆う斜方蒸着層を除去する工程では、化学機械研磨（ＣＭＰ）法を用いることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記導電材料はタングステンであり、
前記化学機械研磨にはアンモニアを含む研磨液を用い、前記研磨液はｐＨ１０以上ｐＨ１３以下の水素イオン濃度を備えていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項８】
液晶を挟持した一対の基板と、
一方の前記基板に形成された第１共通電極と、
他方の前記基板に形成された第２共通電極と、
他方の前記基板に対向して一方の前記基板に設けられたストッパー層に、前記第１共通電極と電気的に接続された第１電極と、
他方の前記基板に設けられ、前記第１電極と他方の前記基板に備えられた前記第２共通電極とに対し、電気的に接続された第２電極と、
前記基板の前記ストッパー層側に形成された斜方蒸着層と、
前記ストッパー層に付着した前記斜方蒸着層を平坦化処理で除去し露出させた前記第１電極と、を備えることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項８に記載の液晶装置であって、前記ストッパー層は、前記斜方蒸着層よりも厚いことを特徴とする液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法および液晶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、投射型表示装置のライトバルブや携帯電話等の表示装置として広く採用されている。液晶装置は、互いに対向する素子と対向基板との間に液晶を保持しており、かかる素子および対向基板において互いに対向する面には液晶分子の配列を制御するための配向層が形成されている。かかる配向層として、ポリイミド等の有機膜をラビング処理した有機配向層が多く採用されているが、この有機配向層は、熱や光に弱いため、長期間の使用によって、その配向力が次第に低下してしまうという問題がある。この問題は、投射型表示装置のライトバルブ等、直視型の液晶装置と比べより高密度の光を制御する場合に顕著なものとなる。
【０００３】
そこで、配向層として、酸化珪素等の斜方蒸着層を用い、斜方蒸着層の形状効果によって液晶を配向させる技術が提案されている。かかる斜方蒸着層は、ポリイミド層等を用いた有機配向層に比較して耐熱性や耐光性に優れている。
【０００４】
斜方蒸着層の形成には、通例液晶装置を構成する基板の一部を覆うハードマスク（蒸着マスク）を用いて液晶を挟持する領域に選択的に蒸着を行う方法が従来行われてきている。この場合、例えば素子基板側から対向基板側に電位を供給する電極（所謂上下導通端子）等、斜方蒸着層の形成を防ぐべき領域には、例えば特許文献１に示すように張力を与えたハードマスクを用いて遮蔽することで斜方蒸着層の形成を防いでいる。また、特許文献２に示すように、ハードマスクを構成する物質に磁性材を用い、磁力により吸着させることで位置精度を向上させる方法やハードマスク外周に補強リングを設けてハードマスク形状を保持する構成が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−０６５４３９号公報
【特許文献２】特開２００６−２６５５９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ハードマスクを使用して斜方蒸着層を形成する限り、ハードマスク起因の合わせずれや寸法誤差によるずれを解決することは困難である。ハードマスクを用いて斜方蒸着層を形成すると、熱エネルギーを持った蒸着粒子の付着に伴い、ハードマスクの温度は上昇し、この温度上昇によりハードマスクは膨張し、寸法誤差が発生する。この膨張を抑えるべく、基板と密着させた場合基板が反り、平坦性が失われるという課題が発生する。また、特に斜め蒸着を行う場合、基板に進入する蒸着粒子の影となる領域は、基板と蒸着源との角度差によってハードマスクのパターンから外れた領域に発生し、この現象も斜方蒸着層のパターン精度を低下させるという課題がある。特に、素子基板側から対向基板側に電位を供給する電極（所謂上下導通端子）間に蒸着粒子が回り込んだ場合、両基板間の電気的な導通が阻害され、液晶装置の表示にむらが発生するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例にかかる液晶装置の製造方法は、液晶を挟持した一対の基板を備える液晶装置の製造方法であって、一方の前記基板に第１共通電極を形成する工程と、他方の前記基板に第２共通電極を形成する工程と、他方の前記基板に対向して一方の前記基板に設けられたストッパー層に、前記第１共通電極と電気的に接続された第１電極を形成する工程と、他方の前記基板に設けられ、前記第１電極と他方の前記基板に備えられた前記第２共通電極とに対し、電気的に接続された第２電極を形成する工程と、前記基板の前記ストッパー層側に、斜方蒸着層を形成する工程と、前記ストッパー層に付着した前記斜方蒸着層を平坦化処理で除去し前記第１電極を露出させる工程と、を備えることを特徴とする。
これによれば、斜方蒸着層を除去して電極を露出させる工程を備えているため、一方の基板と他方の基板との間での電気的な接続を確実に取ることが可能となり、接続不良による液晶装置の不良発生を抑制しうる液晶装置の製造方法を提供することが可能となる。また、斜方蒸着層はラビングにより形成された配向層と比べ光耐性に優れており、例えばライトバルブ等、集光された光を制御する場合にも寿命を向上させることが可能となる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例にかかる液晶装置の製造方法であって、前記ストッパー層は、前記斜方蒸着層よりも厚いことを特徴とする。
上記した適用例によれば、ストッパー層は斜方蒸着層より厚い。そのため、ストッパー層を覆う領域に、寄生的に形成された斜方蒸着層を除去する工程で、斜方蒸着層とストッパー層との選択比が小さい除去工程を用いることが可能となり、プロセスの自由度を向上させることが可能となる。加えて、除去工程におけるストッパー層の目減り量が多くなってもストッパー層が残せることから、プロセスマージンを向上させることが可能となる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかる液晶装置の製造方法であって、前記斜方蒸着層は、酸化珪素で構成され、前記ストッパー層は、窒化珪素で構成されることを特徴とする。
上記した適用例によれば、酸化珪素や窒化珪素は液晶装置を構成する物質として実績があるため、予期せぬ不良発生を防止することが可能となる。また、酸化珪素を斜方蒸着層として用いることで、液晶層に対して良好な配向性を与え、かつ高い信頼性を得ることができる。また、酸化珪素と窒化珪素は、エッチング雰囲気を制御することで高い選択比をとることができるため、容易に加工を行うことが可能となる。
【００１１】
［適用例４］上記適用例にかかる液晶装置の製造方法であって、前記ストッパー層は、少なくとも前記第１電極および前記第２電極と重なる領域に、島状に形成されることを特徴とする。
上記した適用例によれば、ストッパー層の平面的レイアウトを、他の領域と干渉させることなく高い自由度を持って配置することが可能となり、高い開口率を備える液晶装置を得るための製造方法を提供することが可能となる。
【００１２】
［適用例５］上記適用例にかかる液晶装置の製造方法であって、前記第１電極の形成工程は、前記基板の法線と並行する方向に前記ストッパー層を貫通させ、電位を供給する配線まで達するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを導電材料で埋める工程と、前記コンタクトホール内の前記導電材料を残して、前記導電材料を除去する工程と、を備えることを特徴とする。
上記した適用例によれば、コンタクトホール外に形成された導電材料を除去する際に、導電材料が形成されたコンタクトホール内の領域を、ストッパー層により保護しながら除去できるため、電極が過剰に除去される現象を抑制できるため、プロセス変動に強い液晶装置の製造方法を提供することが可能となる。
【００１３】
［適用例６］上記適用例にかかる液晶装置の製造方法であって、前記ストッパー層を覆う斜方蒸着層を除去する工程では、化学機械研磨（ＣＭＰ）法を用いることを特徴とする。
上記した適用例によれば、ストッパー層を平坦な形状を保った状態で斜方蒸着層を除去することができる。また、自己整合的にストッパー層を覆う斜方蒸着層が除去されるため、例えば感光性レジストを露光・現像しマスクを形成し、斜方蒸着層を除去する場合と比べ、高い精度を持ってストッパー層の斜方蒸着層を選択的に除去することが可能となる。
【００１４】
［適用例７］上記適用例にかかる液晶装置の製造方法であって、前記導電材料はタングステンであり、前記化学機械研磨にはアンモニアを含む研磨液を用い、前記研磨液はｐＨ１０以上ｐＨ１３以下の水素イオン濃度を備えていることを特徴とする。
上記した適用例によれば、ＣＭＰ工程中において、タングステン層と斜方蒸着層に用いた酸化珪素層とのゼータ電位と同符号にすることが可能となる。ゼータ電位が同符号となると、タングステンと酸化珪素とは電気的に反発しあうこととなる。そのため、タングステン層の研磨面側にある酸化珪素の凝集物がタングステン層を覆うことで生じる酸化珪素層残りの発生を防止することが可能となる。
【００１５】
［適用例８］本適用例にかかる液晶装置は、液晶を挟持した一対の基板と、一方の前記基板に形成された第１共通電極と、他方の前記基板に形成された第２共通電極と、他方の前記基板に対向して一方の前記基板に設けられたストッパー層に、前記第１共通電極と電気的に接続された第１電極と、他方の前記基板に設けられ、前記第１電極と他方の前記基板に備えられた前記第２共通電極とに対し、電気的に接続された第２電極と、前記基板の前記ストッパー層側に形成された斜方蒸着層と、前記ストッパー層に付着した前記斜方蒸着層を平坦化処理で除去し露出させた前記第１電極と、を備えることを特徴とする。
これによれば、斜方蒸着層を除去して電極を露出させる工程を備えているため、対向電極との電気的な接続を確実に取ることが可能となり、接続不良による不良発生を抑制しうる液晶装置を提供することが可能となる。また、斜方蒸着層はラビングにより形成された配向層と比べ光耐性に優れており、例えばライトバルブ等、集光された光を制御する場合にも寿命を向上させることが可能となる。
【００１６】
［適用例９］上記適用例にかかる液晶装置であって、前記ストッパー層は、前記斜方蒸着層よりも厚いことを特徴とする。
上記した適用例によれば、ストッパー層は斜方蒸着層より厚い。そのため、ストッパー層を覆う領域に、寄生的に形成された斜方蒸着層を除去する工程で、斜方蒸着層とストッパー層との選択比が小さい除去工程を用いることが可能となり、プロセスの自由度を向上させることが可能となる。加えて、除去工程におけるストッパー層の目減り量が多くなってもストッパー層が残せることから、ストッパー層に守られる形で斜方蒸着層への損傷を抑えることができる。即ち、プロセスマージンを向上させた工程を用いることで液晶装置間の特性ばらつきが抑えられ、安定した特性を備える液晶装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図。
【図２】（ａ）は本発明を適用した液晶装置を対向基板の側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’断面図。
【図３】（ａ）から（ｃ）は図２に示す液晶装置を製造する製造工程を説明するための工程断面図。
【図４】（ａ）から（ｃ）は図２に示す液晶装置を製造する製造工程を説明するための工程断面図。
【図５】対向基板の構成を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を具体化した各実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１の実施形態：液晶装置）
【００１９】
以下、第１の実施形態として、図１および図２を参照して説明する。なお、本発明は、反射型の液晶装置および透過型の液晶装置のいずれにも適用することができるが、以下の説明では、反射型の液晶装置に本発明を適用した例を説明する。本発明は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）方式やＶＡＮ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）方式等を採用した液晶装置にも適用できる。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。さらに、ＴＦＴ（薄膜トランジスター）では、流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。
【００２０】
（全体構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。本ブロック図は後述する液晶装置の構成についての説明が煩雑化せぬよう、電気的な構成部分を説明するものである。図１に示すように、液晶装置１００は、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ｂを備えている。液晶装置１００において素子基板１０には、画素領域１０ｂの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素スイッチング素子としてのＴＦＴ３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。ＴＦＴ３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、ＴＦＴ３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２１】
素子基板１０において、画素領域１０ｂの外側領域には走査線駆動回路１０４およびデータ線駆動回路１０１が構成されている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａの一端に電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２２】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０に形成された共通電極と液晶を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量６０が付加されている。本実施形態では、保持容量６０を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線３ｂが形成されている。そして、素子基板１０側から後述する対向基板２０側には、電位を供給する（第１，第２）共通電極としての共通電極ＣＯＭを介して（第２，第１）共通電極２１（図２（ｂ）参照）に電位が供給されている。この場合、共通電極ＣＯＭを第１共通電極とした場合、共通電極２１が第２共通電極と対応し、共通電極ＣＯＭを第２共通電極とした場合、共通電極２１が第１共通電極と対応することとなる。
【００２３】
（液晶装置の構成）
図２（ａ）は、本発明を適用した液晶装置１００を各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＨ−Ｈ’断面図である。画素電極９ａを駆動するＴＦＴ３０や、保持容量６０等については、図１を用いて説明しているため、説明の煩雑化を避けるべく省略する。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶装置１００では、（一方の基板、他方の基板）素子基板１０と、（他方の基板、一方の基板）対向基板２０とが液晶層５０を挟持している。この場合、素子基板１０を一方の基板とした場合、対向基板２０が他方の基板と対応し、素子基板１０を他方の基板とした場合、対向基板２０が一方の基板と対応することとなる。
【００２４】
シール材１０７は、素子基板１０に形成された封止層１１０ａと、対向基板２０に形成された封止層１１０ｂと、により挟まれるように貼り合わされている。この場合には、液晶層５０は、枠状のシール材１０７の切れ目から、真空雰囲気で液晶を充填することで形成されている。この方法は特に、ライトバルブ等小さな面積の液晶装置１００を作る方法として好適な方法である。液晶を注入し終えた後、封止材１１２によって封止を行い液晶層５０が形成される。ここで、シール材１０７に切れ目を形成せずに、液晶をシール材１０７に囲われた領域に滴下し、それぞれ封止層１１０ａ、封止層１１０ｂが形成された素子基板１０と対向基板２０を貼り合わせても良い。
【００２５】
シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等を用いた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本実施形態において、素子基板１０の基体は透光性基板１０ｄであり、対向基板２０の基体も、同様な透光性基板２０ｄである。
【００２６】
素子基板１０において、シール材１０７の外側領域では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための導通領域１２６が形成されている。
【００２７】
導通領域１２６は、共通電極ＣＯＭ、ストッパー層としての第１保持部１２１、（第１電極、第２電極）素子電極１２２、（第２電極、第１電極）対向電極１２４、導電部１２３、ストッパー層としての第２保持部１２５、共通電極２１を備えている。この場合、素子電極１２２を第１電極とした場合、対向電極１２４が第２電極と対応し、素子電極１２２を第２電極とした場合、対向電極１２４が第１電極と対応することとなる。本実施形態では、第１保持部１２１と第２保持部１２５を共に備える場合について説明しているが、これは第１保持部１２１と第２保持部１２５の少なくとも片方がある場合に対しても適用可能である。ここで、素子電極１２２を第１電極とした場合、対向電極１２４は第２電極と対応することとなる。以下、素子電極１２２を第１電極とした場合について説明を続ける。
【００２８】
導通領域１２６は、素子基板１０中に図示せぬ配線層から電位が供給された共通電極ＣＯＭから、素子基板１０の対向電極１２４側の面に、平面視にて島状に形成された第１保持部１２１により支えられた素子電極１２２に電位が伝えられる。そして、スペーサーを含む導電性接着剤等により形成された導電部１２３を介して、第１保持部１２１と対向する位置に設けられた島状の第２保持部１２５に支えられた対向電極１２４に電位が伝えられる。そして、対向電極１２４と電気的に接続されている共通電極２１へと電位を伝えることで、共通電極ＣＯＭから共通電極２１へと電位が伝達され、斜方蒸着層１８ａと斜方蒸着層１８ｂに挟まれた液晶層５０が画素電極９ａと共通電極２１間に加えられた電界により配向方向を動かすことで、画像信号を得ることが可能となる。ここで、図２（ｂ）では、素子電極１２２が第１保持部１２１中を貫通する場合について図示しているが、これは第１保持部１２１を覆うように構成しても良い。また、第２保持部１２５に支えられた対向電極１２４についても同様に構成しても良い。また、第１保持部１２１を島状に配置した場合について説明しているが、これは隣接する封止層１１０ａと繋がっていても良い。また、第２保持部１２５についても同様に構成しても良い。
【００２９】
素子基板１０には、アルミニウムやアルミニウム合金等といったアルミニウム系材料や、銀や銀合金等といった銀系材料を用いた反射性の画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。本実施形態では、画素電極９ａには、上記の金属材料のうち、アルミニウムやアルミニウム合金等といったアルミニウム系材料を用いた例について説明する。このような金属を用いる場合、画素電極９ａと斜方蒸着層１８ａとの間に電極保護層１１１を挟むことが好適である。電極保護層１１１としては窒化酸化珪素層や、酸化チタン層を用いることができる。なお、（１８ａ）で示される領域は、斜方蒸着層１８ａの製造工程において寄生的に生じた領域であり、特別な機能を有するものではなく、この領域を取り除いた構造を備えていても良い。
【００３０】
対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料を用いた額縁１０８が備えられており、その内側が画像表示領域１０ａとなる。対向基板２０には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）層等を用いた共通電極２１が形備えられている。なお、対向基板２０に、画素電極９ａの隙間と対向する位置にブラックマトリクスあるいはブラックストライプと称せられる遮光層（図示せず）を形成しても良い。
【００３１】
なお、画素領域１０ｂには、額縁１０８と重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域１０ａとして利用されることになる。
【００３２】
かかる反射型の液晶装置１００においては、対向基板２０の側から入射した光が画素電極９ａで反射して再び、対向基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調される結果、画像が表示される。ここで、液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等いった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護層が形成される。また、対向基板２０の光入射側の面には、使用する液晶層５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリー・ホワイトモード／ノーマリー・ブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の向きに配置される。また、液晶装置１００を液晶プロジェクターのＲＧＢ用のライトバルブとして用いた場合、直視型に適用した場合と比べ、光強度が高い状態で使用されることとなる。この場合、配向層として、斜方蒸着層１８ａ，１８ｂを用いることで、ポリイミド等の有機材料にラビング処理を行って得られる配向層を用いる場合と比べ、より長寿命で信頼性の高い液晶装置１００を提供することが可能となる。ここでシール材１０７は封止層１１０ａ，１１０ｂに挟持されており、一定の厚さを持った液晶層５０を形成している。
【００３３】
（第２の実施形態：液晶装置の製造方法）
以下、上記した図２の構造を備える液晶装置の製造方法について説明する。図３、図４は液晶装置を製造する製造工程を説明するための工程断面図である。まず、透光性基板１０ｄに、公知の方法を用いてＴＦＴ３０や保持容量６０(共に図１参照）等が形成された素子基板１０を形成する。素子基板１０には、共通電極ＣＯＭが設けられており、図示せぬ配線層から電位が供給される構成を備えている。ここで、ＴＦＴ３０や保持容量６０については、上記した図２の説明と同様に、説明の煩雑化を避けるべく省略する。透光性基板１０ｄには、画素電極９ａや、端子１０２、データ線駆動回路１０１、および電極保護層１１１が形成されている。ここまでの工程で得られた構造を図３（ａ）に示す。
【００３４】
次に、第１保持部前駆体１２１’を形成する。第１保持部前駆体１２１’は、ＣＶＤ法やスパッター法を用いて形成された窒化珪素膜をフォトリソグラフ・エッチング処理により形成する。ストッパー層の厚みとしては、例えば１７０ｎｍ程度の厚さを用いることができる。第１保持部前駆体１２１’の厚みとしては、後述する斜方蒸着層１８ａよりも厚いことが好ましい。
【００３５】
特に、ＣＭＰ法を用いて第１保持部１２１に重なる斜方蒸着層前駆体１８ａ’（後述する）を除去する場合、液晶層５０と重なる領域を削ることなく第１保持部１２１と重なる部分のみを除去することが可能となる。ここで、ＣＭＰ法を用いず、例えば第１保持部１２１に重なる斜方蒸着層前駆体１８ａ’をフォトリソグラフ・エッチング処理により除去する場合には、斜方蒸着層１８ａよりも薄くても差し支えない。第１保持部１２１の厚さが０．５μｍを超える厚みとすると、内部応力により第１保持部１２１中に亀裂が入る場合があるため、０．５μｍ以下の厚みとすることが好ましい。第１保持部前駆体１２１’を形成した後の構造を図３（ｂ）に示す。なお、この工程で、同時に封止層１１０ａを形成することができる。
【００３６】
次に、フォトリソグラフ・エッチング処理により第１保持部前駆体１２１’を開口し、第１保持部１２１を形成する。この工程では、共通電極ＣＯＭに届くようエッチングを行う。第１保持部１２１に加工した後の構造を図３（ｃ）に示す。
【００３７】
次に、例えばＣＶＤ法を用いて、タングステン等の金属を第１保持部１２１の開口部に埋め込み、エッチバック法を用いて第１保持部１２１の開口部以外の領域のタングステンを除去することで素子電極１２２を形成する。ここまでの工程で得られた構造を図４（ａ）に示す。
【００３８】
次に、第１保持部１２１が形成された面に、斜方蒸着層前駆体１８ａ’を形成する。この場合、端子１０２の部分への斜方蒸着層前駆体１８ａ’の付着を避けるべく、ハードマスクを用いて斜方蒸着層前駆体１８ａ’を形成することが好ましく、第１保持部１２１を覆う領域にある斜方蒸着層前駆体１８ａ’の除去にＣＭＰ法を用いることが可能となる。この場合、ハードマスクの位置合わせ等は極めて緩いルールで行えるため、蒸着粒子の回り込み等による影響は無視しうるものとなる。斜方蒸着層前駆体１８ａ’の形成は、酸化珪素の蒸着により行い、例えば素子基板１０の法線方向に対して５０°程度の傾きで蒸着することで形成できる。斜方蒸着層前駆体１８ａ’の厚さとしては、例えば７０ｎｍ程度の厚みを取ることが可能である。ここで、例えば第１保持部１２１に重なる斜方蒸着層前駆体１８ａ’をフォトリソグラフ・エッチング処理により除去する場合には、ハードマスクを用いずに全面に斜方蒸着層前駆体１８ａ’を形成しても差し支えない。斜方蒸着層前駆体１８ａ’の層厚は、前述した第１保持部１２１よりも薄いことが好ましく、特に、ＣＭＰ法を用いて第１保持部１２１に重なる斜方蒸着層前駆体１８ａ’を除去する場合、斜方蒸着層１８ａが液晶層５０と重なる領域を削ることなく第１保持部１２１と重なる部分のみを除去することが可能となる。斜方蒸着層前駆体１８ａ’を形成した後の構造を図４（ｂ）に示す。
【００３９】
次に、素子電極１２２を覆うよう付着した斜方蒸着層前駆体１８ａ’を除去して斜方蒸着層１８ａを形成する。素子電極１２２を覆う斜方蒸着層前駆体１８ａ’の除去にはＣＭＰ法が好適な手段となる。自己整合的に位置合わせが行えるため、アライメントずれ等が発生せず、高い形状精度を持った状態で斜方蒸着層前駆体１８ａ’を除去することが可能となる。ここで、斜方蒸着層前駆体１８ａ’に酸化珪素、素子電極１２２にタングステンを用い、ＣＭＰ法により斜方蒸着層前駆体１８ａ’の不用部分を除去する場合、ｐＨ１０以上ｐＨ１３以下の水素イオン濃度を備えているアンモニアベースのスラリー（研磨液）を用いることが好適である。この場合、酸化珪素とタングステンのゼータ電位が同電位となり、互いに反発することでタングステンを用いた素子電極１２２を覆う斜方蒸着層前駆体１８ａ’を確実に除去することが可能となる。また、この処理により、素子電極１２２は第１保持部１２１よりも突出した形状に加工される。これにより、後述する導電部１２３との導通をより確実にすることが可能となる。ここで、ＣＭＰ法以外の方法として、フォトリソグラフ・エッチング処理により封止層１１０ａを覆う斜方蒸着層前駆体１８ａ’を除去する工程を用いても良い。ここまでの工程で形成された構造を図４（ｃ）に示す。なお、この工程で、同時に封止層１１０ａを覆う斜方蒸着層前駆体１８ａ’を除去することも好適である。本実施形態では封止層１１０ａを覆う斜方蒸着層前駆体１８ａ’を同時に除去した場合について説明を行っている。
【００４０】
また、対向基板２０も同様に加工する。具体的には、透光性基板２０ｄに公知の方法で共通電極２１や額縁１０８を形成することで対向基板２０を形成する。そして、第１保持部１２１、素子電極１２２と同様な工程で、第２保持部１２５、対向電極１２４を形成し、斜方蒸着層１８ａと同様な工程で斜方蒸着層１８ｂを形成し、図５に示す構造を形成する。ここで、封止層１１０ａと同様に封止層１１０ｂを形成している。図５は、対向基板の構成を示す断面図である。
【００４１】
そして、図４（ｃ）に示す構造と、図５に示す構造とをスペーサーを含む導電性接着剤等により形成された導電部１２３を介して貼り付けることで、共通電極ＣＯＭと共通電極２１との間を電気的に結合させる。同時にシール材１０７を介して封止層１１０ａと封止層１１０ｂとを貼り合わせる。そして、真空中で液晶を注入した後、封止材１１２（図２（ａ）参照）によって封止を行い液晶層５０を形成し、図２に示す液晶装置１００が形成される。ここで、真空中で液晶を注入する方法に代えて、切れ目のない枠状に封止層１１０ａ，１１０ｂを用い、シール材１０７にも切れ目の無い構造とし、枠状の封止層１１０ａ，１１０ｂの内側に液晶を滴下し封入することで液晶層５０を形成しても良い。この場合は、封止材１１２を用いる必要はない。
【符号の説明】
【００４２】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…素子基板、１０ａ…画像表示領域、１０ｂ…画素領域、１０ｄ…透光性基板、１８ａ…斜方蒸着層、１８ａ’…斜方蒸着層前駆体、１８ｂ…斜方蒸着層、２０…対向基板、２０ｄ…透光性基板、２１…共通電極、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、５０ａ…液晶容量、６０…保持容量、１００…液晶装置、１００ａ…画素、１０１…データ線駆動回路、１０２…端子、１０４…走査線駆動回路、１０７…シール材、１０８…額縁、１１０ａ…封止層、１１０ｂ…封止層、１１１…電極保護層、１１２…封止材、１２１…第１保持部、１２１’…第１保持部前駆体、１２２…素子電極、１２３…導電部、１２４…対向電極、１２５…第２保持部、１２６…導通領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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