(57)【要約】【課題】半導体パッケージと実装基板との接合部におけるはんだ厚を従来よりも厚くすることができ、はんだの熱応力耐性の向上を図ることができる半導体パッケージおよび光半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体パッケージは、複数のセラミック層を積層して構成される。半導体パッケージは、発光素子を搭載した素子搭載層と、素子搭載層の下方に設けられたはんだスペーサ層と、を含む。はんだスペーサ層は、底面において、２つの外部端子と、発光素子を挟む両側に素子搭載層に向けて凹んだ２つの凹部と、を有する。２つの凹部の各々の側壁および底面は、外部端子と電気的に接続され且つはんだ濡れ性を有する金属膜で覆われており、２つの外部端子は、金属膜を介して発光素子と電気的に接続され且つ２つの凹部の間に設けられた絶縁領域によって互いに絶縁されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層を積層してなる半導体パッケージであって、
前記半導体パッケージは、発光素子を搭載した素子搭載層と、前記素子搭載層の下方に設けられたはんだスペーサ層と、を含み、
前記はんだスペーサ層は、底面において、２つの外部端子と、前記発光素子を挟む両側に前記素子搭載層に向けて凹んだ２つの凹部と、を有し、
前記２つの凹部の各々の側壁および底面は、前記外部端子と電気的に接続され且つはんだ濡れ性を有する金属膜で覆われており、
前記２つの外部端子は、前記金属膜を介して前記発光素子と電気的に接続され且つ前記２つの凹部の間に設けられた絶縁領域によって互いに絶縁されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記２つの凹部の各々は、外縁が円弧状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記はんだスペーサ層の底面における前記２つの凹部の開口面積が占める割合は、３０％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記２つの凹部の深さは、前記はんだスペーサ層の厚さと一致していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記２つの凹部の深さは、前記半導体パッケージの外形寸法の１５％以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１つに記載の半導体パッケージが実装基板に実装されて構成される半導体発光装置であって、
前記半導体パッケージは、前記２つの凹部にはんだが導入・充填されて前記実装基板上に接合され、前記はんだは、前記２つ凹部の深さに応じたはんだ厚を有していることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項７】
前記２つの凹部に充填されたはんだは、前記発光素子の放熱経路上に存在することを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子を含む半導体パッケージおよびこれを実装基板に実装することにより構成される半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（発光ダイオード）等のパッケージとしてＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同時焼成セラミックス）やＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics：高温同時焼成セラミックス）を用いた積層セラミックパッケージが知られている。図１に従来の積層セラミックパッケージ１００の構成を示す。積層セラッミクパッケージ１００は、基台１０１、基台１０１上に搭載されたＬＥＤチップ１０２、基台１０１表面に形成された電極パッドとＬＥＤチップ１０２とを電気的に接続するボンディングワイヤ１０３、基台１０１上においてＬＥＤチップ１０２を囲むように設けられたリフレクタ１０４、リフレクタ１０４の内側に充填された樹脂１０５により構成される。基台１０１の裏面には、ＬＥＤチップ１０２のｎ電極およびｐ電極と電気的に接続された外部端子１０６ａおよび１０６ｂが形成されている。積層セラミックパッケージ１００は、はんだ１１０により実装基板２００上に実装される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１３５５３６号公報
【特許文献２】特開２０１０−２１５０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１において、実装基板２００が例えばＡｌからなる場合、その線膨張係数は２３．６×１０−６／℃である。これに対して、基台１０を構成するセラミックス（例えばＡｌ２Ｏ３）の線膨張係数は、約８×１０−６／℃であり、実装基板２００の線膨張係数との差が大きい。実装基板２００上に積層セラミックパッケージ１００を実装した状態において環境温度の変化等に起因する熱衝撃が加わると、基台１０１と実装基板２００との間に介在するはんだ１１０が熱応力を受ける。特に車載用途の半導体発光装置においては、温度差および温度勾配の大きい熱衝撃が繰り返し加わることが想定され、はんだの熱応力耐性が問題となる。はんだの応力耐性を向上させる方法としてはんだ厚を厚くすることが有効である。しかしながら、図１に示すパッケージ構成では、はんだ厚を厚くすると外部端子１０６ａと１０６ｂとの間ではんだブリッジが生じやすくなる。また、はんだリフロー時にはんだが側方に流れるためはんだ厚の確保が困難である。
【０００５】
本発明は、上記した点に鑑みてなされたものであり、半導体パッケージと実装基板との接合部におけるはんだ厚を従来よりも厚くすることができ、はんだの熱応力耐性の向上を図ることができる半導体パッケージおよび光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体パッケージは、複数のセラミック層を積層してなる半導体パッケージであって、前記半導体パッケージは、発光素子を搭載した素子搭載層と、前記素子搭載層の下方に設けられたはんだスペーサ層と、を含み、前記はんだスペーサ層は、底面において、２つの外部端子と、前記発光素子を挟む両側に前記素子搭載層に向けて凹んだ２つの凹部と、を有し、前記２つの凹部の各々の側壁および底面は、前記外部端子と電気的に接続され且つはんだ濡れ性を有する金属膜で覆われており、前記２つの外部端子は、前記金属膜を介して前記発光素子と電気的に接続され且つ前記２つの凹部の間に設けられた絶縁領域によって互いに絶縁されていることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の半導体発光装置は、上記半導体パッケージが実装基板に実装されて構成される半導体発光装置であって、前記半導体パッケージは、前記２つの凹部にはんだが導入・充填されて前記実装基板上に接合され、前記はんだは、前記２つ凹部の深さに応じたはんだ厚を有していることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る半導体パッケージおよび半導体装置によれば、はんだスペーサ層により形成される凹部内においてはんだ導入・充填領域が形成される。半導体パッケージを実装基基板に実装する際に用いられるはんだは、凹部内に充填され、はんだスペーサ層の厚さに応じたはんだ厚を有することとなる。故に、環境温度の変動等に起因する熱応力に耐え得る十分なはんだ厚を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】従来の半導体パッケージの構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る半導体パッケージの構成を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）は本発明の実施例に係る素子搭載層の素子搭載面側の構成を示す図、図３（ｂ）は、素子搭載面とは反対側の面の構成を示す図である。
【図４】本発明の実施例に係る半導体パッケージの底面図である。
【図５】実装基板に実装された本発明の実施例に係る半導体発光装置の構成を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例に係るはんだスペーサ層の材料であるセラミックグリーンシートの構成を示す平面図である。
【図７】本発明の実施例に係る素子搭載層の材料であるセラミックグリーンシートの構成を示す平面図である。
【図８】本発明の実施例に係るリフレクタ層の材料であるセラミックグリーンシートの構成を示す平面図である。
【図９】本発明の他の実施例に係る半導体パッケージの構成を示す底面図である。
【図１０】本発明の他の実施例に係る素子搭載層の素子搭載面とは反対側の面の構成を示す図である。
【図１１】本発明の他の実施例に係る半導体パッケージの構成を示す底面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ説明する。尚、以下に示す図において、実質的に同一又は等価な構成要素、部分には同一の参照符を付している。
【実施例１】
【００１１】
図２は、本発明の実施例１に係る半導体パッケージ１の構成を示す断面図、図３（ａ）は、半導体パッケージ１を構成する素子搭載層２０の素子搭載面側の構成を示す図、図３（ｂ）は、素子搭載層２０の素子搭載面とは反対側の構成を示す図、図４は、半導体パッケージ１を構成するはんだスペーサ層１０の構成を示す図であり、半導体パッケージ１を実装面側から眺めた底面図と一致する。
【００１２】
半導体パッケージ１は、面実装タイプの半導体パッケージであり、はんだスペーサ層１０、素子搭載層２０、リフレクタ層３０からなる積層構造を有している。これらの各層は、例えばアルミナ・セラミックスにガラス成分を混ぜることで焼成温度を９００℃程度としたＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミックス）からなり、拘束焼結されて一体的な形態をなしている。
【００１３】
図３（ａ）に示すように、素子搭載層２０の素子搭載面には、ダイパッド２１およびボンディングパッド２２が形成されている。ダイパッド２１およびボンディングパッド２２は、例えばスクリーン印刷された導体パターン上にＮｉめっきおよびＡｕめっきを施すことにより形成される。ＬＥＤチップ５０は、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を含んでおり、例えばチップ裏面がｎ電極となっている。ＬＥＤチップ５０のｎ電極は、ＡｕＳｎやＡｇペースト等のダイアタッチ材を用いてダイパッド２１に接合される。ＬＥＤチップ５０の表面にはｐ電極が形成されており、ｐ電極はボンディングワイヤ５２を介してボンディングパッド２２に接続されている。素子搭載層２０は、ダイパッド２１およびボンディングパッド２２の形成領域内においてそれぞれビア２３ａ、２３ｂが設けられている。図３（ｂ）に示すように、素子搭載層２０の素子搭載面とは反対側の面には、ビア２３ａ、２３ｂを介してダイパッド２１およびボンディングパッド２２と電気的に接続された電極２６ａおよび２６ｂが形成されている。電極２６ａおよび２６ｂは、はんだスペーサ層１０により形成される凹部１３ａ、１３ｂの底面に配置される。電極２６ａおよび２６ｂは、例えばスクリーン印刷された導体パターン上にＮｉめっきおよびＡｕめっきを施すことにより形成される。
【００１４】
素子搭載層２０の素子搭載面上には、リフレクタ層３０が設けられている。リフレクタ層３０は、ＬＥＤチップ５０の周囲を囲む矩形環状をなしており、半導体パッケージ１の外縁に沿うように設けられている。リフレクタ層３０の内壁面は、セラミックスの基材が露出しており、光反射性を有している。尚、リフレクタ層３０の内壁面は、光反射性を有する金属膜で覆われていてもよい。リフレクタ層３０の内側の空間には、シリコーン樹脂等の光透過性を有する封止樹脂４０が充填されている。ＬＥＤチップ５０、ボンディングワイヤ５２は、機密性が保たれた状態で封止樹脂４０内に埋め込まれ、塵埃、水分および振動等から保護される。尚、封止樹脂４０に、適宜蛍光体を添加することとしてもよい。
【００１５】
はんだスペーサ層１０は、素子搭載層２０の素子搭載面とは反対側の面、すなわち、半導体パッケージ１を実装基板に実装する際の実装面側に設けられる。はんだスペーサ層１０の底面は、半導体パッケージ１を実装基板上に接合する際の接合面となっている。はんだスペーサ層１０の底面に形成された外部端子１１ａ、１１ｂは、実装基板との電気的および機械的接続部をなしている。外部端子１１ａ、１１ｂは、例えばスクリーン印刷された導体パターン上にＮｉめっきおよびＡｕめっきを施すことにより形成される。はんだスペーサ層１０は、底面において矩形状の開口を有する２つの凹部１３ａ、１３ｂを有している。凹部１３ａ、１３ｂの深さは、はんだスペーサ層１０の厚さに一致しており、底部において、素子搭載層２０に形成された電極２６ａ、２６ｂが露出している。
【００１６】
凹部１３ａ、１３ｂの内側の側壁は、例えばＮｉめっき膜とＡｕめっき膜の積層膜からなる導電膜１４ａ、１４ｂで覆われており、外部端子１１ａ、１１ｂと素子搭載層２０に形成された電極２６ａ、２６ｂは、電気的に接続されている。すなわち、外部端子１１ａは、凹部１３ａの側壁に形成された導電膜１４ａ、凹部１３ａの底面に形成された電極２６ａ、ビア２３ａ、ダイパッド２１を介してＬＥＤチップ５０のｎ電極に電気的に接続されている。同様に、外部端子１１ｂは、導電膜１４ｂ、電極２６ｂ、ビア２３ｂ、ボンディングパッド２２、ボンディングワイヤ５２を介してＬＥＤチップ５０のｐ電極に電気的に接続されている。はんだスペーサ層１０により形成される凹部１３ａ、１３ｂ内の側壁および底面は、最表面が例えばＡｕめっき膜で覆われており、はんだ濡れ性が確保されている。はんだスペーサ層１０は、凹部１３ａ、１３ｂの間において、導電膜が形成されておらず、基材であるセラミックスが露出した絶縁領域１５が設けられており、外部端子１１ａと外部端子１１ｂは絶縁されている。また、はんだスペーサ層１０には、外部端子１１ａ、１１ｂの各終端部である２つの辺上に、半円状の切り欠き部１６ａ、１６ｂが設けられている。切り欠き部１６ａ、１６ｂの側端面は、ＮｉめっきおよびＡｕめっき膜等の導電膜で覆われており、はんだ濡れ性が確保されている。尚、素子搭載層２０にも同様の切り欠き部を設けることとしてもよい。
【００１７】
図５に実装基板２００に半導体パッケージ１を実装することにより構成される半導体発光装置の断面図を示す。半導体パッケージ１を実装基板２００上に接合する際に用いられるはんだ２１０ａ、２１０ｂは、外部端子１１ａ、１１ｂの下方および凹部１３ａ、１３ｂ内に導入・充填される。これにより、半導体パッケージ１と実装基板２００との間に介在するはんだ２１０ａ、２１０ｂは、はんだスペーサ層１０の厚みに応じたはんだ厚を有することになる。すなわち、はんだスペーサ層１０の高さを適宜調整することにより高い熱応力耐性を確保するのに十分なはんだ厚で半導体パッケージ１を実装することが可能となる。特に、はんだスペーサ層１０の厚み設定により、はんだ厚を半導体パッケージ１の外形サイズの１５％以上（例えば半導体パッケージ１が一辺１ｍｍの正方形である場合、はんだ厚は１５０μｍ）とすることにより、はんだの熱応力耐性は十分なものとなる。このように、半導体パッケージ１は、はんだスペーサ層１０により形成される凹部１３ａ、１３ｂ内において、はんだ溜りともいうべきはんだ導入・充填領域を有しており、環境温度の変動等に起因する熱応力に耐え得る十分なはんだ厚を確保することができるようになっている。また、凹部１３ａ、１３ｂの間において、はんだスペーサ層１０の基材であるセラミックスが露出した絶縁領域１５が形成されており、外部端子１１ａ側（ｎ電極側）のはんだ２１０ａと外部端子１１ｂ側（ｐ電極側）のはんだ２１０ｂが融合するはんだブリッジを防止する。また、図５に示すように、はんだスペーサ層１０の側面に形成された切り欠き部１６ａ、１６ｂの内側にもはんだが導入され、実装時に良好な形状のはんだフィレットが形成される。
【００１８】
凹部１３ａ、１３ｂ内に充填されたはんだ２１０ａ、２１０ｂは、ＬＥＤチップ５０から発せられた熱を実装基板２００に放熱する伝熱部としても機能する。はんだ２１０ａ、２１０ｂが伝熱部として有効に機能するためには、凹部１３ａ、１３ｂとＬＥＤチップ５０の相対位置が重要となる。図５において、ＬＥＤチップ５０から発せられた熱の拡散範囲を破線で示す。ＬＥＤチップ５０から発せられた熱は、実装基板２００に向けて概ね斜め４５°の拡がりを持って拡散する。かかる放熱経路上にはんだ２１０ａ、２１０ｂが存在するように凹部１３ａ、１３ｂが配置される。
【００１９】
実装基板２００との接合面である半導体パッケージ１の底面において、凹部１３ａ、１３ｂの開口面積が占める割合は、３０％以上であることが好ましく、より好ましくは４０％以上である。凹部１３ａ、１３ｂの開口面積を確保することにより、十分なはんだ厚が確保された領域の面積が広くなるため熱応力耐性が向上するとともに放熱性も向上する。
【００２０】
次に、上記構成を有する半導体パッケージ１の製造方法について図面を参照しつつ以下に説明する。
【００２１】
はんだスペーサ層１０、素子搭載層２０、リフレクタ層３０の材料となるセラミックグリーンシートを作製する。具体的には、セラミック粉末とガラスを一定比率で配合し、混合する。続いて、混合された原料に有機系のバインダと溶剤を加え、均一になるまで分散させ、スラリーを得る。スラリーは、製膜装置でＰＥＴフィルム上に一定の厚さで塗布され、乾燥工程を経てシート状のセラミックグリーンシートを得る。その後、セラミックグリーンシートを所定の大きさに切断する。尚、スペーサ層１０、素子搭載層２０、リフレクタ層３０は、それぞれ、その厚さに応じて、１枚のセラミックグリーンシートを用いて作製されていてもよいし、複数のセラミックグリーンシートを積層して作製されていてもよい。
【００２２】
図６〜図８は、それぞれ、はんだスペーサ層１０、素子搭載層２０、リフレクタ層３０の材料であるセラミックグリーンシート６０〜６２の各製造プロセスにおける状態を示した図である。セラミックグリーンシート６０〜６２には穴あけ加工が施される。すなわち、はんだスペーサ層１０の材料であるセラミックグリーンシート６０に凹部１３ａ、１３ｂを形成するための貫通孔１２ａ、１２ｂおよび切り欠き部１６ａ、１６ｂを構成する貫通孔１７を形成する（図６（ａ））。また、素子搭載層２０の材料であるセラミックグリーンシート６１にビアホール２４を形成する（図７（ａ））。また、リフレクタ層３０の材料であるセラミックグリーンシート６２にリフレクタ層３０の外形形状を画定する貫通孔３１を形成する（図８）。尚、図６〜図８に示すように、セラミックグリーンシート６０〜６２は、一度に複数の半導体パッケージを製造できるように、いわゆる多面付け構成となっている。
【００２３】
次に、はんだスペーサ層１０の材料であるセラミックグリーンシート６０と、素子搭載層２０の材料であるセラミックグリーンシート６１に導体パターンを印刷する。すなわち、素子搭載層２０の材料であるセラミックグリーンシート６１の素子搭載面側にダイパッド２１およびボンディングパッド２２のパターンを、素子搭載面とは反対側の面に電極２６ａ、２６ｂのパターンをＡｇまたはＣｕなどを含む導体ペーストを用いてスクリーン印刷する。導体ペーストはビアホール２４内にも埋め込まれ、これによりビア２３ａ、２３ｂが形成される。また、後の電解めっき工程において各導体パターンを一括して通電してめっきするためのめっき用配線２８も形成しておく（図７（ｂ））。
【００２４】
同様に、はんだスペーサ層１０の材料であるセラミックグリーンシート６０に形成された貫通孔１２ａ、１２ｂの周囲に導体パターン１８を形成すると共に外部端子１１ａ、１１ｂのパターンを形成する。導体パターン１８は、セラミックグリーンシート６０の両面に形成される。また、後の電解めっき工程において各導体パターンを一括して通電してめっきするためのめっき用配線１９を形成しておく（図６（ｂ））。
【００２５】
次に、セラミックグリーンシート６０〜６２を位置合わせして熱と圧力を加えた状態で積層する。その後、セラミックグリーンシート６０〜６２に含まれる有機系バインダを飛散させながら、導体金属とセラミックスを９００℃程度で同時焼成する。
【００２６】
次に、電解めっき法により、はんだスペーサ層１０および素子搭載層２０に印刷形成された導体上にＮｉめっきおよびＡｕめっきを施す。これにより、ダイパッド２１、ボンディングパッド２２、外部端子１１ａ、１１ｂの表面はめっき膜で覆われる。また、凹部１３ａおよび１３ｂ内の側壁、凹部１３ａおよび１３ｂの底面に配置された電極２６ａおよび２６ｂ、切り欠き部１６ａおよび１６ｂの側端面もめっき膜で覆われる。
【００２７】
次に、ダイパッド２１上にダイアタッチ材を塗布する。ダイアタッチ材としては、ＡｕＳｎやＡｇペーストを用いることができる。ダイアタッチ材が塗布されたダイパッド２１上にＬＥＤチップ５０をマウントした後、熱処理によりダイアタッチ材を固化させる。次に、ワイヤボンディングを行って、ＬＥＤチップ５０の表面のｐ電極とボンディングパッド２２との間をボンディングワイヤ５２で繋ぐ。
【００２８】
次に、リフレクタ層３０に囲まれた空間内にシリコーン樹脂等の光透過性を有する封止樹脂４０を充填し、熱処理等によりこれを硬化させる。ＬＥＤチップ５０およびボンディングワイヤ５２は、封止樹脂４０内に埋設される。尚、封止樹脂４０には、適宜蛍光体を添加することとしてもよい。次に、多面付け構成のセラミックスをブレイキングして半導体パッケージ１の個片を得る。以上の各工程を経て半導体パッケージ１が完成する。
【００２９】
半導体パッケージ１は、実装基板上に実装され、様々な表示装置や照明装置に使用される。実装基板に半導体パッケージ１を実装する際、実装基板上には、半導体パッケージ１の凹部１３ａおよび１３ｂ内の全域に充填し得る量のはんだが供給される。はんだスペーサ層１０により形成される凹部１３ａ、１３ｂによってはんだ導入・充填領域が形成されるため、半導体パッケージ１と実装基板との間に介在するはんだは十分な厚さとなり、熱衝撃によるはんだクラックの発生を防止することが可能となる。
【実施例２】
【００３０】
本発明の実施例２に係る半導体パッケージについて以下に説明する。本発明の実施例２に係る半導体パッケージは、はんだスペーサ層１０により形成される凹部１３ａ、１３ｂの外形形状が実施例１に係る半導体パッケージ１と異なる。それ以外の他の構成部分については、実施例１と同様である。図９は、本発明の実施例２に係る半導体パッケージを構成するはんだスペーサ層１０の構成を示す図であり、半導体パッケージ１を実装面側から眺めた底面図と一致する。本実施例に係る半導体パッケージは、はんだスペーサ層１０により形成される凹部１３ａ、１３ｂの外形は、扇形、円環のような形状をなしている。つまり、凹部１３ａ、１３ｂの外縁は、円弧状となっている。凹部１３ａ、１３ｂがかかる形状を有することにより、半導体パッケージを実装基板に実装する際に凹部１３ａ、１３ｂ内に充填されるはんだの熱応力耐性が更に向上する。
【００３１】
ここで、図９において、実装基板と半導体パッケージの線膨張係数差に起因して生じる熱応力の方向を破線矢印で示す。半導体パッケージに加わる熱応力は、半導体パッケージの中心点から外側に向かう放射状となる。また、かかる熱応力は半導体パッケージ１の中心点から離れるほど大きくなる。凹部１３ａ、１３ｂの外縁を円弧状とすることにより凹部１３ａ、１３ｂ内に充填されるはんだの応力方向における厚さが均一となる。つまり、凹部１３ａ、１３ｂ内に充填されるはんだは、全域において一定の熱応力耐性を有する。従って、はんだは熱応力に対して局所的に脆弱な部分が生じない構造となるため、はんだクラックの発生を効果的に防止することが可能となる。尚、素子搭載層２０に形成される電極２６ａ、２６ｂは、図１０に示すように、凹部１３ａ、１３ｂの外形に対応したパターンで形成され、凹部１３ａ、１３ｂの底面に配置される。
【００３２】
図１１は、本実施例に係る半導体パッケージの更なる変形例である。凹部１３ａ、１３ｂの外縁外側を円弧状としつつ凹部１３ａ、１３ｂの開口面積を確保した構成例である。図９における構成と比較すると、凹部１３ａ、１３ｂの外縁内側が円弧状ではなく、直線状となっている。かかる形状とすることにより、凹部１３ａ、１３ｂの開口面積が拡大し、はんだの熱応力耐性と半導体パッケージの放熱性の更なる向上を図ることが可能となる。
【００３３】
尚、上記した各実施例においては、セラミックスにガラスを添加して比較的低温で焼成するＬＴＣＣを半導体パッケージの材料として用いたが、焼成温度の高いＨＴＣＣを用いることとしてもよい。この場合、セラミックス上に形成される導体パターンとしてＷ（タングステン）やＭｏ（モリブデン）等の高融点金属を使用する。またセラミックスはＡｌＮにより構成されていてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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