(57)【要約】【課題】絶縁板下面の電源導体と絶縁板上面のボンディングパッドとを、絶縁板の貫通穴内壁の接続導体により確実に接続することが可能な半導体素子収納用パッケージを提供すること。【解決手段】配線導体１０に対応する部分の無電解銅めっき層２３を露出させる上面側のめっきレジスト２４Ｒおよび電源導体１１に対応する部分の無電解銅めっき層２３を露出させる下面側のめっきレジスト２５Ｒを形成した後、露出した無電解銅めっき層２３上に電解銅めっき層２６および電解錫めっき層２７を被着させ、次に貫通穴４ａの内壁を上面から下面にかけて切削して切り欠きＣを設け、それによりボンディングパッド９と電源導体１１とを接続する接続導体１２を左右に分断する。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を収容するための空所となる貫通穴を有し、上面に複数のボンディングパッドを含む配線導体を有するとともに下面に複数の電源導体を有し、且つ前記貫通穴内壁に前記ボンディングパッドと前記電源導体とを接続する複数の接続導体を有する絶縁板を具備する半導体素子収納用パッケージの製造方法であって、前記貫通穴を有し、上下面に銅箔が被着された前記絶縁板を準備する工程と、上面側および下面側の前記銅箔の表面および前記貫通穴内壁に無電解銅めっき層を被着させる工程と、上面側および下面側の前記無電解銅めっき層の上に前記貫通穴を覆う感光性のドライフィルムレジストを積層する工程と、上面側の前記ドライフィルムレジストを上面側から露光し、該上面側のドライフィルムレジストの前記無電解銅めっき層上における前記配線導体に対応する以外の部分および該部分から前記貫通穴の内側に第１の距離突出する部分を感光させる工程と、下面側の前記ドライフィルムレジストを下面側から露光し、該下面側のドライフィルムレジストの前記無電解銅めっき層上における前記電源導体に対応する以外の部分および該部分から前記貫通穴までの間で前記貫通穴から第２の距離引っ込んだ部分を感光させる工程と、上面側および下面側の前記ドライフィルムレジストを現像して前記配線導体に対応する部分の前記無電解銅めっき層を露出させる上面側のめっきレジストおよび前記電源導体に対応する部分の前記無電解銅めっき層を露出させる下面側のめっきレジストを形成する工程と、上面側および下面側の前記めっきレジストから露出した前記無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を被着させる工程と、前記電解銅めっき層上に電解錫めっき層を被着させる工程と、前記貫通穴の内壁を前記上面から下面にかけて前記第２の距離以上の深さで切削して切り欠きを設け、前記内壁に被着させた前記無電解銅めっき層およびその上の電解銅めっき層およびその上の電解錫めっき層を前記切り欠きにより左右に分断する工程と、前記電解錫めっき層から露出する前記無電解銅めっき層および前記銅箔をエッチングして前記電解錫めっき層の下に前記銅箔および前記無電解銅めっき層および前記電解銅めっき層より成る前記配線導体および前記電源導体と、前記無電解銅めっき層および電解銅めっき層から成る前記接続導体を形成する工程と、前記電解錫めっき層をエッチング除去する工程とを行なうことを特徴とする半導体素子収納用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路素子等の半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１に断面図で示すように、ＭＰＵ等の半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージ２０は、例えば中央部に半導体素子Ｓを収容するための空所１ａを有する配線基板１と、この配線基板１の下面に空所１ａの下面側を塞ぐように接合層２を介して接合されており、上面中央部に半導体素子Ｓが搭載される搭載部３ａを有する銅等の金属材料から成る放熱板３とから主に構成されている。
【０００３】
この半導体素子収納用パッケージ２０においては、配線基板１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る２枚の絶縁板４・５を同じくガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る接着層６を介して積層して成り、その上下面には保護用の絶縁樹脂層７・８が被着されている。
【０００４】
絶縁板４は、その中央部に空所１ａの一部を形成する貫通穴４ａが形成されており、その上面における貫通穴４ａ周辺から外周部にかけては、半導体素子Ｓの各電極が電気的に接続される複数のボンディングパッド９を含む複数の配線導体１０が被着されている。さらにその下面の略全面には半導体素子Ｓに接地電位を含む電源電位を供給するための複数の電源導体１１が被着されており、貫通穴４ａの内壁にはボンディングパッド９の一部と電源導体１１とを接続する複数の接続導体１２が被着されている。
【０００５】
なお、これらの接続導体１２は、図２に斜視図で示すように、貫通穴４ａ内壁に被着されためっき導体層を貫通穴４ａの内壁とともに機械的な研削により部分的に除去して形成した切り欠きＣにより左右に分断することで複数が形成されている。このように切り欠きＣで分断された幅広のパターンで接続導体１２を形成することにより各電源導体１１とこれに対応するボンディングパッド９とを低いインダクタンスで接続している。
【０００６】
他方、絶縁板５には、その中央部に貫通穴４ａよりも大きな貫通穴５ａが形成されているとともに上面に外部接続パッド１３が被着されている。そして、これらの絶縁板４と５との積層体の外周部には、複数の貫通孔１４が設けられており、貫通孔１４の内壁には配線導体１０や電源導体１１と外部接続パッド１３とを電気的に接続する貫通導体１５が被着されている。
【０００７】
そして、この半導体素子収納用パッケージ２０によれば、放熱板３の搭載部３ａに半導体素子Ｓを搭載するとともにこの半導体素子Ｓの各電極をボンディングパッド９にボンディングワイヤ１６等の電気的接続手段を介して電気的に接続し、しかる後、外部接続パッド１３に半田ボール等から成る外部接続部材１７を接合するとともに空所１ａ内へ図示しない封止用樹脂をポッティングして半導体素子Ｓを気密に封止することにより製品としての半導体装置となる。
【０００８】
従来、このような半導体素子収納用パッケージ２０の絶縁板４において、その上下面および貫通穴４ａの内壁に配線導体１０や電源導体１１や接続導体１２を形成するには、まず、図１５に部分断面要部斜視図で示すように、絶縁板４の上下面に銅箔３２が被着された両面銅張り板３１を準備するとともに、この両面銅張り板３１に貫通穴４ａを形成する。
【０００９】
次に図１６に示すように、上下の銅箔３２の表面および貫通穴４ａ内壁の全面に無電解銅めっき層３３を被着させる。
【００１０】
次に図１７に示すように、貫通孔４ａの内壁をルーター加工により上面視で略半円状に研削して切り欠きＣを形成し貫通孔４ａ内壁の無電解銅めっき層３３を左右に分断する。
【００１１】
次に図１８に示すように、上下の銅箔３２に被着させた無電解銅めっき層３３上にめっきレジスト用の感光性のドライフィルムレジスト３４・３５を貫通穴４ａを塞ぐようにして貼着する。
【００１２】
次に図１９に示すように、上面側のドライフィルムレジスト３４を上面側から露光することによりドライフィルムレジスト３４の無電解銅めっき層３３上における配線導体１０に対応する以外の部分（ドライフィルムレジスト３４における白抜き部分）を感光させる。このとき、ドライフィルムレジスト３４の感光部分が開口部４ａ内に５０〜１００μｍ程度突出するように露光する。
【００１３】
次に図２０に示すように、下面側のドライフィルムレジスト３５を下面側から露光することによりドライフィルムレジスト３５の無電解銅めっき層３３上における電源導体１１に対応する以外の部分（ドライフィルムレジスト３５における白抜き部分）を感光させる。このとき、ドライフィルムレジスト３５の感光部分が切り欠きＣ内に５０〜１００μｍ程度突出するように露光する。
【００１４】
次に図２１に示すように、ドライフィルムレジスト３４・３５を現像して未感光部を除去する。これにより、残ったドライフィルムレジスト３４・３５によりめっきレジスト３４Ｒ・３５Ｒが形成される。
【００１５】
次に図２２に示すように、めっきレジスト３４Ｒ・３５Ｒから露出する無電解銅めっき層３３上に電解銅めっき層３６を被着させる。
【００１６】
次に図２３に示すように、めっきレジスト３４Ｒ・３５Ｒから露出する電解銅めっき層３６上に電解錫めっき層３７を被着させる。
【００１７】
次に図２４に示すように、めっきレジスト３４Ｒ・３５Ｒを除去する。これによりめっきレジスト３４Ｒ・３５Ｒで覆われていた無電解銅めっき層３３が露出する。
【００１８】
次に図２５に示すように、電解錫めっき層３７をエッチングマスクとして使用することにより、電解錫めっき層３７から露出する無電解銅めっき層３３およびその下の銅箔３２をエッチング除去する。
【００１９】
最後に図２６に示すように、電解錫めっき層３７をエッチング除去することにより、絶縁板４の上下面および貫通穴４ａの内壁にボンディングパッド９を含む配線導体１０や電源導体１１や接続導体１２が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】特開２００２−２６１１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
しかしながら、上述した従来の方法によると、図１９に示すように、上面側のドライフィルムレジスト３４を上面側から露光することによりボンディングパッド９を含む配線導体１０に対応する以外の部分（ドライフィルムレジスト３４における白抜き部分）を感光させる際に、上面側からの光が感光部分を介して下面側のドライフィルムレジスト３５に漏れて、切り欠きＣを含む貫通穴４ａの縁部近傍のドライフィルムレジスト３５を弱く感光させてしまう。このように上面側からの露光の際に、下面側のドライフィルムレジスト３５における貫通穴４ａの縁部近傍が弱く感光されてしまうと、図２０に示すように、下面側のドライフィルムレジスト３５を下面側から露光することにより電源導体１１に対応する以外の部分（ドライフィルムレジスト３５における白抜き部分）を感光させる際に、この感光させる部分が切り欠きＣ内に５０〜１００μｍ突出していることから、この突出している部分と切り欠きＣの縁部近傍の弱く感光された部分とが重畳して互いに結合してしまう。そして、図２１に示すように、ドライフィルムレジスト３４・３５を現像して未感光部を除去すると、切り欠きＣの下端縁近傍の弱く感光したドライフィルムレジスト３５の一部がめっきレジスト３５Ｒの切り欠きＣ内に突出した部分と結合した状態で細いひげ状の残渣Ｒとして除去されずに残ってしまうことがある。このようにめっきレジスト３５Ｒの切り欠きＣ内に突出した部分と結合したひげ状のドライフィルムレジスト３５の残渣Ｒが残ると、この残渣Ｒがその後の電解銅めっき層３６の被着の際に電解銅めっき層３６の正常な被着を妨げ、電源導体１１や接続導体１２に欠けや断線を引き起こしてしまい、その結果、電源導体１１とボンディングパッド９とを接続導体１２を介して正常に接続することができないことがあるという問題点を有していた。
【００２２】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み案出されたものであり、その課題は、絶縁板下面の電源導体や絶縁板の貫通穴内壁の接続導体に欠けや断線が発生することがなく、絶縁板下面の電源導体と絶縁板上面のボンディングパッドとを、絶縁板の貫通穴内壁の接続導体により確実に接続することが可能な半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法は、半導体素子を収容するための空所となる貫通穴を有し、上面に複数のボンディングパッドを含む配線導体を有するとともに下面に複数の電源導体を有し、且つ前記貫通穴内壁に前記ボンディングパッドと前記電源導体とを接続する複数の接続導体を有する絶縁板を具備する半導体素子収納用パッケージの製造方法であって、前記貫通穴を有し、上下面に銅箔が被着された前記絶縁板を準備する工程と、上面側および下面側の前記銅箔の表面および前記貫通穴内壁に無電解銅めっき層を被着させる工程と、上面側および下面側の前記無電解銅めっき層の上に前記貫通穴を覆う感光性のドライフィルムレジストを積層する工程と、上面側の前記ドライフィルムレジストを上面側から露光し、該上面側のドライフィルムレジストの前記無電解銅めっき層上における前記配線導体に対応する以外の部分および該部分から前記貫通穴の内側に第１の距離突出する部分を感光させる工程と、下面側の前記ドライフィルムレジストを下面側から露光し、該下面側のドライフィルムレジストの前記無電解銅めっき層上における前記電源導体に対応する以外の部分および該部分から前記貫通穴までの間で前記貫通穴から第２の距離引っ込んだ部分を感光させる工程と、上面側および下面側の前記ドライフィルムレジストを現像して前記配線導体に対応する部分の前記無電解銅めっき層を露出させる上面側のめっきレジストおよび前記電源導体に対応する部分の前記無電解銅めっき層を露出させる下面側のめっきレジストを形成する工程と、上面側および下面側の前記めっきレジストから露出した前記無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を被着させる工程と、前記電解銅めっき層上に電解錫めっき層を被着させる工程と、前記貫通穴の内壁を前記上面から下面にかけて前記第２の距離以上の深さで切削して切り欠きを設け、前記内壁に被着させた前記無電解銅めっき層およびその上の電解銅めっき層およびその上の電解錫めっき層を前記切り欠きにより左右に分断する工程と、前記電解錫めっき層から露出する前記無電解銅めっき層および前記銅箔をエッチングして前記電解錫めっき層の下に前記銅箔および前記無電解銅めっき層および前記電解銅めっき層より成る前記配線導体および前記電源導体と、前記無電解銅めっき層および電解銅めっき層から成る前記接続導体を形成する工程と、前記電解錫めっき層をエッチング除去する工程とを行なうことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法によれば、下面側のドライフィルムレジストを露光する際、該下面側のドライフィルムレジストの前記無電解銅めっき層上における前記電源導体に対応する以外の部分および該部分から前記貫通穴までの間で前記貫通穴から第２の距離引っ込んだ部分を感光させることから、たとえ上面側のドライフィルムレジストを露光する際に、貫通穴の縁部近傍が弱く感光されたとしても、その部分と後から感光されためっきレジストの部分とが重畳して互いに結合することはなく、弱く感光された部分は現像により良好に除去される。したがって、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法によれば、絶縁板下面の電源導体や絶縁板の貫通穴内壁の接続導体に欠けや断線が発生することがなく、絶縁板下面の電源導体と絶縁板上面のボンディングパッドとを、絶縁板の貫通穴内壁の接続導体により確実に接続することが可能な半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、半導体素子収納用パッケージの一例を示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示す半導体素子収納用パッケージの斜視図である。
【図３】図３は、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法の実施形態の一例を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図４】図４は、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法の実施形態の一例を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図５】図５は、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法の実施形態の一例を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図６】図６は、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法の実施形態の一例を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図７】図７は、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法の実施形態の一例を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図８】図８は、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法の実施形態の一例を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図９】図９は、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法の実施形態の一例を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図１０】図１０は、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法の実施形態の一例を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図１１】図１１は、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法の実施形態の一例を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図１２】図１２は、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法の実施形態の一例を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図１３】図１３は、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法の実施形態の一例を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図１４】図１４は、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法の実施形態の一例を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図１５】図１５は、従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図１６】図１６は、従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図１７】図１７は、従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図１８】図１８は、従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図１９】図１９は、従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図２０】図２０は、従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図２１】図２１は、従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図２２】図２２は、従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図２３】図２３は、従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図２４】図２４は、従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図２５】図２５は、従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための部分断面要部斜視図である。
【図２６】図２６は、従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための部分断面要部斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
次に本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法の実施形態について、図１および図２に示した半導体素子収納用パッケージの絶縁板４において、その上下面および貫通穴４ａの内壁にボンディングパッド９を含む配線導体１０や電源導体１１や接続導体１２を形成する場合を例にとって説明する。
【００２７】
まず、図３に部分断面要部斜視図で示すように、絶縁板４の上下面に銅箔２２が被着された両面銅張り板２１を準備するとともに、この両面銅張り板２１に貫通穴４ａを形成する。このような両面銅張り板２１は、例えばガラスクロスに未硬化のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させてなるシートに銅箔２２を貼着するとともに、これを熱硬化させることによって形成され、貫通穴４ａは、硬化した両面銅張り板２１に切削加工を施すことにより形成される。絶縁板４の厚みは１００〜１０００μｍ程度であり、銅箔２２の厚みは３〜３０μｍ程度である。
【００２８】
次に図４に示すように、上下の銅箔２２の表面および貫通穴４ａ内壁の全面に無電解銅めっき層２３を被着させる。無電解銅めっき層２３は、厚みは０．１〜２．５μｍ程度であり、銅箔２２の表面および貫通穴４ａ内壁に例えば塩化アンモニウム系酢酸パラジウムを含有するパラジウム活性液を使用してパラジウム触媒を付着させるとともに、その上に硫酸銅系の無電解銅めっき液を用いて無電解銅めっきを施すことにより形成される。
【００２９】
次に図５に示すように、上下の銅箔２２の表面に被着させた無電解銅めっき層２３上にめっきレジスト層用の感光性のドライフィルムレジスト２４・２５を貫通穴４ａを塞ぐようにして貼着する。ドライフィルムレジスト２４・２５の厚みは２０〜４０μｍ程度である。
【００３０】
次に図６に示すように、上面側のドライフィルムレジスト２４を上面側から露光することによりドライフィルムレジスト２４の無電解銅めっき層２３上における配線導体１０に対応する以外の部分および該部分から貫通穴４ａ内に５０〜１００μｍ突出する部分（ドライフィルムレジスト２４における白抜き部分）を感光させる。このとき、感光部分における貫通孔４ａ内にはみ出した部分から露光の光が漏れて、貫通穴４ａの縁部近傍の下面側のドライフィルムレジスト２５を弱く感光させてしまう。なお、感光部分を貫通穴４ａの内に５０〜１００μｍ突出させるのは、後述するように、この感光部分を現像処理により上面側のめっきレジスト層として残す場合に、そのめっきレジスト層により上面側の無電解銅めっき層２３の所定部分を開口４ａの縁まで確実に覆うためである。
【００３１】
次に図７に示すように、下面側のドライフィルムレジスト２５を下面側から露光することによりドライフィルムレジスト２５の無電解銅めっき層２３上における電源導体１１に対応する以外の部分および該部分から貫通穴４ａまでの間で貫通穴４ａから５０〜１００μｍ引っ込んだ部分（ドライフィルムレジスト２５における白抜き部分）を感光させる。このとき、下面側のドライフィルムレジスト２５の感光部分は貫通孔４ａから５０〜１００μｍ引っ込んでいるので、上面側からの露光の際にドライフィルムレジスト２５における貫通穴４ａの縁部近傍の弱く感光された部分と下面側からの感光部分とが重畳して結合することはない。
【００３２】
次に図８に示すように、ドライフィルムレジスト２４・２５を現像して未感光部を除去する。これにより、残ったドライフィルムレジスト２４・２５によりめっきレジスト２４Ｒ・２５Ｒが形成される。このとき、上述したように、ドライフィルムレジスト２５において上面側からの露光の際に弱く感光された部分と下面側からの露光により感光された部分とは結合せずに互いに独立した状態となっているので、上面側からの露光の際に弱く感光された部分は、現像により無電解銅めっき層２３から良好に剥離除去されてひげ状の残渣として残ることがない。
【００３３】
次に図９に示すように、ドライフィルムレジスト２４・２５から露出する無電解銅めっき層２３上に電解銅めっき層２６を被着させる。電解銅めっき層２６の厚みは５〜２０μｍ程度である。このとき、めっきレジスト２４・２５にはひげ状の残渣がないことから、めっきレジスト２４・２５から露出する無電解銅めっき層２３上に電解銅めっき層を欠けや断線を発生させることなく良好に被着させることができる。
【００３４】
次に図１０に示すように、めっきレジスト２４Ｒ・２５Ｒから露出する電解銅めっき層２６上に電解錫めっき層２７を被着させる。電解錫めっき層２７の厚みは１〜５μｍ程度である。
【００３５】
次に図１１に示すように、貫通孔４ａの内壁をルーター加工により上面視で略半円状に研削して切り欠きＣを形成し、貫通孔４ａ内壁の無電解銅めっき層２３および電解銅めっき層２６および電解錫めっき層２７を左右に分断する。このとき、切り欠きＣの深さは下面側のめっきレジスト２５Ｒに達するのに十分な１００〜３００μｍ程度とする。これにより、下面側の無電解銅めっき層２３上に被着された電解銅めっき層２６および電解錫めっき層２７がめっきレジスト層２５Ｒを境に左右に分断される。
【００３６】
次に図１２に示すように、めっきレジスト２４Ｒ・２５Ｒを除去する。これによりめっきレジスト２４Ｒ・２５Ｒで覆われていた無電解銅めっき層２３が露出する。
【００３７】
次に図１３に示すように、電解錫めっき層２７をエッチングマスクとして使用することにより、電解錫めっき層２７から露出する無電解銅めっき層２３および銅箔２２をエッチング除去する。これにより、電解錫めっき層２７の下に銅箔２２および無電解銅めっき層２３および電解銅めっき層２６から成る配線導体１０および電源導体１１と、無電解銅めっき層２３および電解銅めっき層２６から成る接続導体１２が形成される。
【００３８】
最後に図１４に示すように、電解錫めっき層２７をエッチング除去することにより、絶縁板４の上下面および貫通穴４ａ内壁に配線導体１０および電源導体１１および接続導体１２を露出させる。このとき配線導体１０および電源導体１１および接続導体１２を形成する電解銅めっき層２６は、ドライフィルムレジストの残渣の影響を受けることなく良好に被着されていることから、電源導体１１および接続導体１２に欠けや断線が発生することがなく、絶縁板４下面の電源導体１１と絶縁板４上面のボンディングパッド９とを、絶縁板４の貫通穴４ａ内壁の接続導体１２により確実に接続することができる。
【符号の説明】
【００３９】
４              絶縁板
４ａ            貫通穴
９              ボンディングパッド
１０              配線導体
１１              電源導体
１２              接続導体
２２              銅箔
２３              無電解銅めっき層
２４，２５        ドライフィルムレジスト
２４Ｒ，２５Ｒ    めっきレジスト
２６              電解銅めっき層
２７              電解錫めっき層
Ｃ              切り欠き
Ｓ              半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011233792.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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