(57)【要約】【課題】欠陥サイズを従来よりも縮小可能な画素分割方式の液晶表示装置の欠陥修正方法を提供すること。【解決手段】ゲート配線２とソース配線３との交差部６周辺において、共通のゲート配線２および共通のソース配線３により駆動される独立したＴＦＴ７ａ、７ｂが接続され、交差部６において、下層に配置される下層側配線には、少なくとも１つ以上の開口部１５が形成されているアクティブマトリクスアレイ基板１を備えた液晶表示装置の欠陥修正方法であって、前記上層側配線の開口部上を通過する部分を切断する工程と、この切断された上層側配線における欠陥部位を含む部分を、それ以外の部分から切り離す工程とを少なくとも含むことを特徴とする液晶表示装置の欠陥修正方法とする。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に互いに交差して形成された複数本のゲート配線およびソース配線と、マトリクス状に配列された複数の画素電極とを有し、
前記画素電極のそれぞれは、複数の副画素電極の集合体からなり、
前記副画素電極のそれぞれには、ゲート配線とソース配線との交差部周辺において、共通のゲート配線および共通のソース配線により駆動される独立したアクティブ素子が接続され、
前記ゲート配線とソース配線との交差部において、下層に配置される下層側配線には、少なくとも１つ以上の開口部が形成されているアクティブマトリクスアレイ基板を備えた液晶表示装置の欠陥修正方法であって、
前記下層側配線の上層に配置される上層側配線の前記開口部上を通過する部分を切断する工程と、
この切断された上層側配線における欠陥部位を含む部分を、それ以外の部分から切り離す工程とを少なくとも含むことを特徴とする液晶表示装置の欠陥修正方法。
【請求項２】
前記下層側配線が前記ゲート配線であり、前記上層側配線が前記ソース配線であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の欠陥修正方法。
【請求項３】
前記ソース配線に部分的に接続されるとともに前記ソース配線に沿う他のソース配線がさらに形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置の欠陥修正方法。
【請求項４】
前記交差部において、ソース配線にバイパス配線が接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置の欠陥修正方法。
【請求項５】
前記開口部には、電極層および／または半導体層が存在しないことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の液晶表示装置の欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の欠陥修正方法に関し、さらに詳しくは、画素分割方式の液晶表示装置の欠陥修正方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、高精細、薄型、軽量および低消費電力などの優れた特徴を有している。そのため、近年、生産能力の向上および他の表示装置に対する価格競争力の向上などに伴って市場規模が急速に拡大している。
【０００３】
この種の液晶表示装置としては、例えば、特許文献１に、それぞれの画素電極が複数の副画素電極の集合体からなる画素分割方式を採用したアクティブマトリクスアレイ基板を備えた液晶表示装置が開示されている。
【０００４】
図１３は、従来の液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板上に形成されている一つの画素電極を模式的に示したものである。すなわち、図１３に示すように、アクティブマトリクスアレイ基板１００上の画素電極１０１は、ゲート配線１０２を間に挟んで副画素電極１０３ａ、１０３ｂに分割されている。ゲート配線１０２とソース配線１０４の交差部１０５周辺には、共通のゲート配線１０２および共通のソース配線１０４により駆動される独立したＴＦＴ１０６ａ、１０６ｂが設けられており、これらＴＦＴ１０６ａ、１０６ｂは、それぞれ対応する副画素電極１０３ａ、１０３ｂに電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−７８１５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記アクティブマトリクスアレイ基板１００を備えた液晶表示装置では、共通のゲート配線１０２およびソース配線１０４にて複数の副画素電極１０３ａ、１０３ｂを独立した複数のＴＦＴ１０６ａ、１０６ｂで駆動させている。
【０００７】
そのため、例えば、図１４に示すように、一方のＴＦＴ１０６ａにおいて、ゲート配線１０２とソース配線１０４とのリーク１０７ａ（以下、「ＳＧリーク」ということがある。）が生じ、これをレーザなどの修正手段を用いて修正する場合、ソース配線１０４を切断部１０８ａ、１０８ｂにて切断し、ＳＧリーク１０７ａをソース配線１０４より完全に分離しなければならない。したがって、リーク箇所が片方のＴＦＴ１０６ａであっても、もう片方のＴＦＴ１０６ｂにより駆動される副画素電極１０３ｂが欠陥となってしまう。
【０００８】
つまり、せっかく画素電極が複数の副画素電極の集合体からなる画素分割方式を採用していても、欠陥画素は１画素単位になってしまうといった問題があった（例えば、ノーマリブラックモードの液晶表示装置においては、１画素単位の全黒点の欠陥となる。）。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の解決しようとする課題は、欠陥サイズを従来よりも縮小可能な画素分割方式の液晶表示装置の欠陥修正方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明に係る液晶表示装置の欠陥修正方法は、透明基板上に互いに交差して形成された複数本のゲート配線およびソース配線と、マトリクス状に配列された複数の画素電極とを有し、前記画素電極のそれぞれは、複数の副画素電極の集合体からなり、前記副画素電極のそれぞれには、ゲート配線とソース配線との交差部周辺において、共通のゲート配線および共通のソース配線により駆動される独立したアクティブ素子が接続され、前記ゲート配線とソース配線との交差部において、下層に配置される下層側配線には、少なくとも１つ以上の開口部が形成されているアクティブマトリクスアレイ基板を備えた液晶表示装置の欠陥修正方法であって、前記下層側配線の上層に配置される上層側配線の前記開口部上を通過する部分を切断する工程と、この切断された上層側配線における欠陥部位を含む部分を、それ以外の部分から切り離す工程とを少なくとも含むことを要旨とする。
【００１１】
上記液晶表示装置の欠陥修正方法では、下層側配線がゲート配線とされ、前記上層側配線がソース配線とされていることが好ましい。
【００１２】
また、上記液晶表示装置の欠陥修正方法では、ソース配線に部分的に接続されるとともにソース配線に沿う他のソース配線がさらに形成されているか、あるいは、交差部において、ソース配線にバイパス配線が接続されていることが好ましい。
【００１３】
また、上記液晶表示装置の欠陥修正方法では、開口部に電極層および／または半導体層が存在しないことが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る液晶表示装置の欠陥修正方法によれば、開口部上を通過する上層側配線を切断することにより、配線切断部よりも入力端側の配線に欠陥部位があるのか、配線切断部よりも開放端側の配線に欠陥部位があるのかを、配線切断後の画像表示により容易に判別でき、その後に欠陥部位を含む部分を切り離してそれ以外の部分より分離できる。
【００１５】
そのため、従来、顕微鏡観察などにより発見が困難であった欠陥部位を容易に特定することができる。したがって、確実な修正に寄与するといった利点がある。
【００１６】
また、欠陥部位の分離後、必要に応じて補助配線修正などを行えば、欠陥画素を１画素単位ではなく、副画素単位にすることができる。そのため、従来よりも欠陥サイズが縮小され、無欠陥化することができる。したがって、特に、比較的大型の液晶表示装置などでは、欠陥数削減による品位向上、製造効率（歩留まり）向上などに寄与するところが大きいといった利点がある。
【００１７】
この際、ソース配線に部分的に接続されるとともにソース配線に沿う他のソース配線がさらに形成されている場合には、補助配線修正を行うことなく上記効果が得られる。したがって、欠陥修正にかかる作業時間を短縮することができ、液晶表示装置の製造効率が一層向上するといった利点がある。
【００１８】
また、交差部において、ソース配線にバイパス配線が接続されている場合には、上記と同様に一定の冗長性を保ちながら、１画素当たりの開口面積を広く確保することができる。そのため、表示輝度の向上に伴う表示品位の向上や、輝度効率向上に伴うバックライトのコストダウンもしくは消費電力削減などに大きく寄与するといった利点がある。
【００１９】
また、開口部に電極層および／または半導体層が存在しない場合には、レーザなどの修正手段による配線切断に伴う切断片によって電極層とのリークなどが生じ難く、また、修正も行い易いといった利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態に係る液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板上に形成されている一つの画素電極を模式的に示した図である。
【図２】実施形態に係る液晶表示装置の画素電極（副画素電極）に形成されるスリットと、対向電極に形成されるリブの配置関係（ＭＶＡモード）を模式的に示した図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板上のＴＦＴに生じたＳＧリークの位置を示した図である。
【図４】図３のＳＧリークが生じている場合に、アクティブマトリクスアレイ基板の透明基板側から確認される画像を模式的に示した図である。
【図５】第１実施形態に係る液晶表示装置において、開口部上のソース配線を切断した後、入力側のソース配線または非入力側のソース配線を切断してＳＧリークを分離し、補助配線修正を行う手順を説明するための図である。
【図６】開口部上のソース配線を切断した場合に、アクティブマトリクスアレイ基板の透明基板側から確認される画像を模式的に示した図である。
【図７】入力側のソース配線または非入力側のソース配線を切断してＳＧリークを分離した場合に、アクティブマトリクスアレイ基板の透明基板側から確認される画像を模式的に示した図である。
【図８】補助配線修正を行った場合に、アクティブマトリクスアレイ基板の透明基板側から確認される画像を模式的に示した図である。
【図９】第２実施形態に係る液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板上に形成されている一つの画素電極を模式的に示した図である。
【図１０】第２実施形態に係る液晶表示装置において、開口部上のソース配線を切断した後、入力側のソース配線または非入力側のソース配線を切断してＳＧリークを分離する手順を説明するための図である。
【図１１】第３実施形態に係る液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板上に形成されている一つの画素電極を模式的に示した図である。
【図１２】第３実施形態に係る液晶表示装置において、開口部上のソース配線を切断した後、入力側のソース配線または非入力側のソース配線を切断してＳＧリークを分離する手順を説明するための図である。
【図１３】従来の液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板上に形成されている一つの画素電極を模式的に示したものである。
【図１４】従来の液晶表示装置において、何れかのＴＦＴにてＳＧリークが発生した場合の欠陥修正方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本実施形態に係る液晶表示装置の欠陥修正方法について詳細に説明する。
【００２２】
ここで、液晶表示装置は、基本的には、透明基板上に複数の画素電極、アクティブ素子を少なくとも有するアクティブマトリクスアレイ基板と、透明基板と対向する対向透明基板上に複数の画素電極に対して共通な単一の対向電極を少なくとも有する基板との間に液晶物質が封入された液晶パネルに、液晶物質の配向を外部信号により制御する駆動回路が少なくとも取り付けられ、光を変調することによって情報を表示しうる装置である。
【００２３】
上記液晶表示装置は、アクティブマトリクスアレイ基板が新規な構造を有する点に特徴を有している。そのため、以下では、本実施形態に係る液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板の構造を主に説明する。
【００２４】
一方、本発明に係る液晶表示装置の欠陥修正方法は、液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板の新規な構造を利用して欠陥の修正を行うものである。そのため、以下では、本実施形態に係る液晶表示装置毎にその欠陥修正方法を説明する。
【００２５】
＜第１形態＞
図１は、第１形態に係る液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板上に形成されている一つの画素電極を模式的に示したものである。
【００２６】
図１に示すように、アクティブマトリクスアレイ基板１を構成する透明基板（図示されない）上には、行方向に延びる複数のゲート配線２と、絶縁層（図示されない）を挟んでゲート配線２と直交して列方向に延びる複数のソース配線３が形成されている。なお、図１中に示したゲート配線２、ソース配線３は、それぞれｎ番目、ｍ番目のものである。また、ゲート配線２が下層側配線、ソース配線３が上層側配線とされている。
【００２７】
画素電極４は、ゲート配線２を間に挟んで２つの副画素電極５ａ、５ｂに分割されている。ゲート配線２とソース配線３の交差部６周辺には、それぞれの副画素電極５ａ、５ｂに接続される独立したＴＦＴ７ａ、７ｂが設けられている。
【００２８】
ＴＦＴ７ａ、７ｂは、共通のゲート配線２に接続されたゲート電極８ａ、８ｂより供給される走査信号電圧によってオン／オフ制御される。また、共通のソース配線３に接続されたソース電極９ａ、９ｂより供給される表示信号電圧を、ドレイン電極１０ａ、１０ｂから延長されたドレイン配線１１ａ、１１ｂを介して副画素電極５ａ、５ｂに供給する。
【００２９】
ドレイン配線１１ａ、１１ｂのうち、ゲート配線２と平行に設けられた補助容量配線１２ａ、１２ｂと絶縁層（図示されない）を介して対向する部分が補助容量電極１３ａ、１３ｂとして機能する。また、補助容量配線１２ａ、１２ｂのうち、補助容量電極１３ａ、１３ｂと絶縁層を介して対向する部分が補助容量対向電極１４ａ、１４ｂとして機能する。
【００３０】
ゲート配線２とソース配線３の交差部６では、下層側配線であるゲート配線２に少なくとも１つの開口部１５が形成されている。ここで、この開口部１５には、電極層および／または半導体層などが存在しないことが好ましい。つまち、開口部１５には、上層側配線以外のパターンが存在しないことが好ましい。
【００３１】
開口部１５に電極層および／または半導体層が存在しない場合には、レーザなどの修正手段による配線切断時に、切断片と電極層とのリークなどが生じ難く、また、修正も行い易いからである。電極層、半導体層としては、具体的には、上層のＩＴＯやｎ＋／ｉ層などが挙げられる。
【００３２】
なお、第１形態に係る液晶表示装置（後述する他の実施形態についても同様）では、図２（ａ）（ｂ）に模式的に示すように、副画素電極５ａ、５ｂにスリット１６（電極層がない部分）が形成されるとともに、対向電極１７にリブ１８が形成され、液晶物質１９として負の誘電異方性を有するネマチック液晶材料を用いると良い。スリット１６とリブ１８との作用により電界印加時に液晶分子が多方向に配向するため良好な視野角特性を得ることができるからである。
【００３３】
次に、上記第１形態に係る液晶表示装置の欠陥修正方法を図３〜図８を用いて説明する。
【００３４】
図３（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＦＴ７ａ、７ｂのうち、何れか一方において、ゲート配線２とソース配線３との間にＳＧリーク２０ａ、２０ｂが生じている場合、液晶パネルの点灯確認を行うと、アクティブマトリクスアレイ基板１の透明基板側から見た画像には、図４に示すように、画素電極４を交点とした十字線欠陥２１が生じている。なお、この時点では、何れのＴＦＴ７ａ、７ｂにおいてＳＧリーク２０ａ、２０ｂが生じているかは不明である。つまり、図３（ａ）の状態なのか、図３（ｂ）の状態なのか不明である。
【００３５】
ここで、図５（ａ）（ｂ）に示すように、開口部１５上を通過する上層側配線としてのソース配線３を透明基板側からレーザなどの修正手段を用いて切断部２２で切断し、再度、液晶パネルの点灯確認を行う。
【００３６】
そうすると、図５（ａ）に示すように、ソース配線３の切断部２２よりソース入力端側（以下、「入力側」という。）のＴＦＴ７ａにおいてＳＧリーク２０ａが生じている場合には、図６（ａ）に示すように、依然として十字線欠陥２１が確認される。一方、図５（ｂ）に示すように、ソース配線３の切断部２２よりソース開放端側（以下、「非入力側」という。）のＴＦＴ７ｂにおいてＳＧリーク２０ｂが生じている場合には、図６（ｂ）に示すように、ゲート配線２方向の線欠陥２１ａが消滅し、ソース配線３方向の線欠陥２１ｂが確認される。
【００３７】
すなわち、開口部１５上を通過するソース配線３を切断部２２で切断することにより、何れのＴＦＴ７ａ、７ｂにおいてＳＧリーク２０ａ、２０ｂが生じていたのかを容易に判別することができる。これにより、切断された配線（入力側のソース配線３ａと非入力側のソース配線３ｂ）のうち、何れの配線を次工程において切断すれば良いのか判断することができる。
【００３８】
次いで、図５（ａ）に示すように、ＴＦＴ７ａにおいてＳＧリーク２０ａが生じていた場合には、入力側のソース配線３ａを切断部２３ａで切断し、ＳＧリーク２０ａをソース配線３より完全に分離する。この場合、点灯確認による画像では、図７（ａ）に示すように、ゲート配線２方向の線欠陥２１ａが消滅し、ソース配線３方向の線欠陥２１ｂが確認される。
【００３９】
一方、図５（ｂ）に示すように、ＴＦＴ７ｂにおいてＳＧリーク２０ｂが生じていた場合には、非入力側のソース配線３ｂを切断部２３ｂで切断し、ＳＧリーク２０ｂをソース配線３より完全に分離する。この場合、点灯確認による画像では、図７（ｂ）に示すように、依然としてソース配線３方向の線欠陥２１ｂが確認される。
【００４０】
次いで、図５（ａ）に示すように、ＴＦＴ７ａにおいてＳＧリーク２０ａが生じていた場合には、補助配線（冗長配線、図示されない）による修正を行い、非入力側のソース配線３ｂからＴＦＴ７ｂに補助配線を経由したソース信号Ｓ’を入力すれば、副画素（画素電極５ｂ）を駆動させることができる。一方、図５（ｂ）に示すように、ＴＦＴ７ｂにおいてＳＧリーク２０ｂが生じていた場合には、補助配線による修正を行い、非入力側のソース配線３ｂからソース信号Ｓ’（図示されない）を入力すれば、副画素（副画素電極５ｂ）より非入力側に配置されている副画素（画素）（図示されない）を駆動させることができる。
【００４１】
そのため、例えば、第１形態に係る液晶表示装置がノーマリブラックモードであれば、１画素単位の全黒点ではなく、図８（ａ）（ｂ）に示すように、副画素単位の半黒点２４ｂ、２４ａとなる。また例えば、第１形態に係る液晶表示装置がノーマリホワイトモードであれば、副画素単位の半輝点となるので、さらに黒点化などの処理を行えば、副画素単位の半黒点２４ｂ、２４ａとなる。いずれにしても、従来よりも欠陥サイズが縮小され、無欠陥化することができる（表示品位上、正常なレベルとなる）ので、液晶表示装置の品位が向上する。
【００４２】
なお、補助配線による修正は、公知の方法（例えば、特開平５−２０３９８６号公報、特開平９−１４６１２１号公報など）を用いることができる。
【００４３】
具体的には、例えば、アクティブマトリクスアレイ基板１上の表示領域の外周部に補助配線（図示されない）を一周もしくは半周するように配置し、ソース配線３の入力端、開放端とを補助配線で短絡するなどすれば良い。
【００４４】
＜第２形態＞
図９は、第２形態に係る液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板上に形成されている一つの画素電極を模式的に示したものである。
【００４５】
第２形態に係る液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板３０の構造は、基本的には、ソース配線３を除いて第１形態に係る液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板１の構造と同じである。そのため、以下では、第１形態に係る液晶表示装置およびその欠陥修正方法との差異点を主に説明する。
【００４６】
図９に示すように、第２形態に係る液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板３０では、接続部３１によりソース配線３に部分的に接続されるとともにソース配線３に沿う他のソース配線３２がさらに形成されている。
【００４７】
上記第２形態に係る液晶表示装置では、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＦＴ７ａ、７ｂのうち、何れか一方においてＳＧリーク２０ａ、２０ｂが生じている場合、これを修正するには、第１実施形態と同様に、先ず、開口部１５上を通過する上層側配線としてのソース配線３を透明基板側からレーザなどの修正手段を用いて切断部２２で切断する。
【００４８】
そうすると、何れのＴＦＴ７ａ、７ｂにおいてＳＧリーク２０ａ、２０ｂが生じていたかを、透明基板側から見た画像により判別することができる。その後、図１０（ａ）に示すように、ＴＦＴ７ａにおいてＳＧリーク２０ａが生じていた場合には、入力側のソース配線３ａを切断部２３ａで切断し、ＳＧリーク２０ａをソース配線３より完全に分離する。
【００４９】
ここで、第２形態に係る液晶表示装置のアクティブマトリクスアレイ基板３０は、他のソース配線３２を有しているので、これを通じて入力側からのソース信号ＳがＴＦＴ７ｂに入力される。そのため、補助配線修正を行わなくても、副画素（副画素電極５ｂ）を駆動させることができる。
【００５０】
一方、図１０（ｂ）に示すように、ＴＦＴ７ｂにおいてＳＧリーク２０ｂが生じていた場合には、非入力側のソース配線３ｂを切断し、ＳＧリーク２０ｂをソース配線３より完全に分離する。
【００５１】
これにより、他のソース配線３２を通じて入力側からのソース信号Ｓが非入力側にも供給される。そのため、補助配線修正を行わなくても、副画素より非入力側に配置されている副画素（画素）を駆動させることができる。
【００５２】
したがって、上記第２形態に係る液晶表示装置によっても、１画素単位の欠陥ではなく、副画素単位の欠陥となり、従来よりも欠陥サイズが縮小され、無欠陥化することができる。
【００５３】
加えて、上記第２形態に係る液晶表示装置では、補助配線修正を行わずに済むことから、欠陥修正にかかる作業時間を短縮でき、液晶表示装置の製造効率が向上する。また、液晶表示装置が大型化した場合、補助配線修正に起因するソース信号の遅延なども回避できる。
【００５４】
＜第３形態＞
図１１は、第３形態に係る液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板上に形成されている一つの画素電極を模式的に示したものである。
【００５５】
第３形態に係る液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板４０の構造も、基本的には、ソース配線３を除いて第１形態に係る液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板１の構造と同じである。そのため、以下では、第１形態に係る液晶表示装置およびその欠陥修正方法との差異点を主に説明する。
【００５６】
図１１に示すように、第３形態に係る液晶表示装置が備えるアクティブマトリクスアレイ基板４０では、ソース配線３の開口部１５近傍にバイパス配線４１が形成されている。なお、ここでは、バイパス配線４１が開口部１５上を通過していない場合を例示しているが、開口部１５上を通過していても良い。
【００５７】
上記第３形態に係る液晶表示装置では、図１２（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＦＴ７ａ、７ｂのうち、何れか一方においてＳＧリーク２０ａ、２０ｂが生じている場合、これを修正するには、第１、第２実施形態と同様に、先ず、開口部１５上を通過する上層側配線としてのソース配線３を透明基板側からレーザなどの修正手段を用いて切断部２２で切断する。
【００５８】
そうすると、何れのＴＦＴ７ａ、７ｂにおいてＳＧリーク２０ａ、２０ｂが生じていたかを、透明基板側から見た画像により判別することができる。その後、図１２（ａ）に示すように、ＴＦＴ７ａにおいてＳＧリーク２０ａが生じていた場合には、入力側のソース配線３ａを切断部２３ａで切断し、ＳＧリーク２０ａをソース配線３より完全に分離する。
【００５９】
ここで、第３形態に係る液晶表示装置のアクティブマトリクスアレイ基板４０は、バイパス配線４１を有しているので、これを通じて入力側からのソース信号ＳがＴＦＴ７ｂに入力される。そのため、補助配線修正を行わなくても、副画素（副画素電極５ｂ）を駆動させることができる。
【００６０】
一方、図１２（ｂ）に示すように、ＴＦＴ７ｂにおいてＳＧリーク２０ｂが生じていた場合には、非入力側のソース配線３ｂを切断し、ＳＧリーク２０ｂをソース配線３より完全に分離する。
【００６１】
これにより、バイパス配線４１を通じて入力側からのソース信号Ｓが非入力側にも供給される。そのため、補助配線修正を行わなくても、副画素より非入力側に配置されている副画素（画素）を駆動させることができる。
【００６２】
したがって、上記第３形態に係る液晶表示装置によっても、１画素単位の欠陥ではなく、副画素単位の欠陥となり、従来よりも欠陥サイズが縮小され、無欠陥化することができる。また、上記第２形態に係る液晶表示装置と同等の冗長性を有する。
【００６３】
さらに、上記第３形態に係る液晶表示装置では、１画素の開口面積を広く確保することができる。そのため、表示輝度の向上に伴う表示品位の向上や、輝度効率向上に伴うバックライトのコストダウンもしくは消費電力削減などに大きく寄与する。
【００６４】
以上、本実施形態について説明したが、上記実施形態は本発明を何ら限定するものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形・改良が可能である。
【００６５】
例えば、本実施形態では、画素電極のそれぞれが２つの副画素電極の集合体からなる場合について説明したが、３つ以上の副画素電極の集合体からなっていても良い。
【００６６】
また例えば、本実施形態では、ゲート配線が下層側配線、ソース配線が上層側配線の場合について説明したが、ゲート配線が上層側配線、ソース配線が下層側配線とされていても良い。
【００６７】
なお、本実施形態では、アクティブ素子としてＴＦＴを用いた場合について例示したが、ＭＩＭなどのスイッチとして機能する素子であれば何れのものでも適用可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１    アクティブマトリクスアレイ基板
２    ゲート配線
３    ソース配線
３ａ  入力側のソース配線
３ｂ  非入力側のソース配線
５ａ  副画素電極
５ｂ  副画素電極
６    交差部
７ａ  ＴＦＴ
７ｂ  ＴＦＴ
１５    開口部
２０ａ  ＳＧリーク
２０ｂ  ＳＧリーク
２２    切断部
２３ａ  切断部
２３ｂ  切断部
３０    アクティブマトリクスアレイ基板
３１    接続部
３２    他のソース配線
４０    アクティブマトリクスアレイ基板
４１    バイパス配線
Ｓ    ソース信号
Ｓ’  補助配線を経由したソース信号
【図１】
2011191791.tif 000003
【図２】
2011191791.tif 000004
【図３】
2011191791.tif 000005
【図４】
2011191791.tif 000006
【図５】
2011191791.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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