(57)【要約】【課題】発光素子を有する半導体装置の集光効率を向上させながら、当該半導体装置の小型化及び薄型化を図る。【解決手段】半導体装置１は、基板２と、基板２の主面上に配置され且つ開口部４３を有する第１の反射板４と、開口部４３に位置する部分の基板２の主面上に配置された発光素子３とを備えている。開口部４３の開口面積は、基板２の主面から上方に離れるに従って増大する。第１の反射板４における開口部４３の反対側に位置する側面４２は、基板２の側面２１と実質的に面一である。第１の反射板４の側面４２の高さは、第１の反射板４における開口部４３側に位置する側面４１の高さよりも低い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面上に配置され且つ開口部を有する第１の反射板と、
前記開口部に位置する部分の前記基板の前記主面上に配置された発光素子とを備え、
前記開口部の開口面積は、前記基板の前記主面から上方に離れるに従って増大し、
前記第１の反射板における前記開口部の反対側に位置する第１の側面は、前記基板の側面と実質的に面一であり、
前記第１の反射板の前記第１の側面の高さは、前記第１の反射板における前記開口部側に位置する第２の側面の高さよりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記基板の前記主面上に前記発光素子を覆うように形成されたレンズをさらに備え、
前記第１の反射板の前記第１の側面は、前記レンズの側面と実質的に面一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、
前記第１の反射板と前記発光素子との間に位置する部分の前記基板に接続端子が設けられており、
前記発光素子と前記接続端子とがワイヤーによって電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記第１の反射板の前記第２の側面の高さは、前記ワイヤーの高さよりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の半導体装置において、
前記接続端子と前記発光素子との間に位置する部分の前記基板の前記主面上に前記発光素子を囲むように配置された第２の反射板をさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記第２の反射板の高さは、前記発光素子の高さよりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記第２の反射板の高さは、前記発光素子の高さよりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記基板の前記主面を上方から見た際に、前記開口部の形状は実質的に四角形であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記基板の前記主面を上方から見た際に、前記開口部の形状は実質的に円形であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板を準備する工程と、
前記基板の前記主面上に、複数の開口部を有する反射板を形成する工程と、
前記各開口部に位置する部分の前記基板の前記主面上に複数の発光素子を配置する工程と、
前記各発光素子毎に前記基板及び前記反射板をダイシングにより個片化する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記反射板を形成する工程は、前記基板の前記主面を反射板材料によって覆う工程と、前記反射板材料に、前記基板の前記主面から上方に離れるに従って開口面積が増大する前記各開口部を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記反射板を形成する工程は、前記反射板材料に、前記各開口部を取り囲む凹部を形成する工程をさらに含み、
前記個片化する工程は、前記反射板における前記凹部をダイシングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の発光素子を配置する工程は、前記各開口部の中央部に前記各発光素子を配置する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板の前記主面上に前記発光素子を覆うようにレンズを形成する工程をさらに備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記レンズを形成する工程は、前記反射板を含む前記基板の前記主面をレンズ材料によって覆う工程を含み、
前記個片化する工程は、前記基板、前記反射板及び前記レンズを一括してダイシングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、液晶パネルなどのバックライトに発光ダイオード（Light Emitting Diode：以下、ＬＥＤと記載）を用いる傾向がある。ここで、ＬＥＤとは、順方向に電圧を加えた際に発光する半導体素子のことである。ＬＥＤの寿命は白熱電球と比べてかなり長く、発光素子部分自体についてはほぼ半永久的に使える。このＬＥＤが使用不能になる原因の大部分は、電極部分の金属の酸化若しくは劣化、又は熱や衝撃に起因する内部の金線の断線等である。
【０００３】
また、近年、ＬＥＤ発光装置においては、集光の効率化が求められている。それに対して、例えば特許文献１においては、配光用基板に凹部を設け、当該凹部の内側面にミラー膜を設けることによって、光出力の改善を図る技術が開示されている。
【０００４】
図８は、従来の半導体装置の断面図である。
【０００５】
図８に示すように、従来の半導体装置（ＬＥＤ発光装置）１０１は、基板１０２と、基板１０２上に形成され且つ凹部（貫通孔）１４３を有する配光用基板１４１と、凹部１４３に露出する部分の基板１０２上に配置された発光素子１０３と、凹部１４３の内側面に設けられたミラー膜１４２と、配光用基板１４１上に配置された透光板１０７とを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２０６２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１等に開示されている従来のＬＥＤ発光装置においては、発光装置全体が大型化してしまうという問題がある。
【０００８】
前記に鑑み、本発明は、発光素子を有する半導体装置の集光効率を向上させながら、当該半導体装置の小型化及び薄型化を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するために、図８に示す従来の半導体装置が大型化してしまう原因を本願発明者が検討した結果、次のような知見を得た。すなわち、図８に示す従来の半導体装において、集光効率を向上させるために実質的に必要な構成は、凹部１４３の内側面、及び当該内側面上に設けられたミラー膜１４２のみである。しかしながら、図８に示す従来の半導体装においては、凹部１４３の内側面よりも外周側の配光用基板１４１の高さが、凹部１４３の内側面の高さと同等に保たれている結果、ＬＥＤ発光装置全体の大型化につながっている。
【００１０】
本発明は、以上の知見に基づきなされたものであって、本発明に係る半導体装置は、基板と、前記基板の主面上に配置され且つ開口部を有する第１の反射板と、前記開口部に位置する部分の前記基板の前記主面上に配置された発光素子とを備え、前記開口部の開口面積は、前記基板の前記主面から上方に離れるに従って増大し、前記第１の反射板における前記開口部の反対側に位置する第１の側面は、前記基板の側面と実質的に面一であり、前記第１の反射板の前記第１の側面の高さは、前記第１の反射板における前記開口部側に位置する第２の側面の高さよりも低い。ここで、反射板側面の高さとは、基板主面の法線方向の高さを意味する。
【００１１】
本発明に係る半導体装置によると、第１の反射板において、開口部側つまり発光素子側に位置する第２の側面の高さと比較して、開口部の反対側つまり基板側端部に位置する第１の側面の高さを低くしている。このため、十分な集光効率を得ながら、従来の半導体装置と比較して、半導体装置全体を小型化及び軽量化できると共に半導体装置の外周部を薄型化できる。
【００１２】
本発明に係る半導体装置において、前記基板の前記主面上に前記発光素子を覆うように形成されたレンズをさらに備え、前記第１の反射板の前記第１の側面は、前記レンズの側面と実質的に面一であってもよい。このようにすると、半導体装置の外周部においてレンズ部分についても薄型化することができる。
【００１３】
本発明に係る半導体装置において、前記第１の反射板と前記発光素子との間に位置する部分の前記基板に接続端子が設けられており、前記発光素子と前記接続端子とがワイヤーによって電気的に接続されていてもよい。この場合、前記第１の反射板の前記第２の側面の高さは、前記ワイヤーの高さよりも高くてもよい。このようにすると、第１の反射板によって、ワイヤーに対する物理的保護効果を高めることができる。
【００１４】
本発明に係る半導体装置において、前記接続端子と前記発光素子との間に位置する部分の前記基板の前記主面上に前記発光素子を囲むように配置された第２の反射板をさらに備えていてもよい。このようにすると、集光効果をより高めることができる。この場合、前記第２の反射板の高さが、前記発光素子の高さよりも高いと、発光素子側面からの発光光をより効率よく集光することができる。また、前記第２の反射板の高さが、前記発光素子の高さよりも低いと、ワイヤー接続をより容易に行うことが可能となる。
【００１５】
本発明に係る半導体装置において、前記基板の前記主面を上方から見た際に、前記開口部の形状は実質的に四角形であってもよいし、又は実質的に円形であってもよい。開口部の形状が円形であると、基板主面に対して垂直な方向への発光光の指向性をより向上させることができる。
【００１６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板の前記主面上に、複数の開口部を有する反射板を形成する工程と、前記各開口部に位置する部分の前記基板の前記主面上に複数の発光素子を配置する工程と、前記各発光素子毎に前記基板及び前記反射板をダイシングにより個片化する工程とを備えている。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法によると、個片化された基板毎に反射板を１つずつ搭載する場合と比較して、基板及び反射板を一括してダイシングするので、製造工程の簡略化やコストダウンを実現することができる。
【００１８】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記反射板を形成する工程は、前記基板の前記主面を反射板材料によって覆う工程と、前記反射板材料に、前記基板の前記主面から上方に離れるに従って開口面積が増大する前記各開口部を形成する工程とを含んでいてもよい。この場合、前記反射板を形成する工程は、前記反射板材料に、前記各開口部を取り囲む凹部を形成する工程をさらに含み、前記個片化する工程は、前記反射板における前記凹部をダイシングする工程を含んでいてもよい。すなわち、凹部を設けることによって、当該凹部において反射板材料の厚さを部分的に薄くできるため、当該凹部をダイシングすることにより、凹部を設けずにダイシングする場合と比較して、ダイシングブレードにかかる負担を軽減できるので、製造工程の簡略化やコストダウンを実現できる。
【００１９】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記複数の発光素子を配置する工程は、前記各開口部の中央部に前記各発光素子を配置する工程を含んでいてもよい。
【００２０】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記基板の前記主面上に前記発光素子を覆うようにレンズを形成する工程をさらに備えていてもよい。この場合、前記レンズを形成する工程は、前記反射板を含む前記基板の前記主面をレンズ材料によって覆う工程を含み、前記個片化する工程は、前記基板、前記反射板及び前記レンズを一括してダイシングする工程を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によると、従来技術と比較して、発光素子を有する半導体装置の集光効率を向上させながら、当該半導体装置の小型化、薄型化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１（ａ）は、実施形態に係る半導体装置の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図２】図２（ａ）は、実施形態の変形例に係る半導体装置の平面図であり、図２（ｂ）及び（ｃ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、実施形態の変形例に係る半導体装置の平面図である。
【図４】図４（ａ）は、実施形態の変形例に係る半導体装置の平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図５】図５は、実施形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｄ）は、実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す平面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｄ）は、実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図８】図８は、従来の半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の一実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。尚、各図面で同じ符号を付した構成要素については、重複する説明を省略する場合がある。また、各図面においては、理解しやすくするために、各構成要素を模式的に示している。
【００２４】
図１（ａ）は、本実施形態の半導体装置の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【００２５】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の半導体装置１は、基板２と、基板２の主面（表面）上に配置され且つ開口部４３を有する第１の反射板４と、開口部４３に位置する部分の基板２の表面上に配置された発光素子３とを備えている。ここで、基板２の表面を上方から見て、開口部４３の形状は実質的に四角形である。また、第１の反射板４と発光素子３との間に位置する部分の基板２に接続端子５が設けられており、発光素子３と接続端子５とがワイヤー６によって電気的に接続されている。
【００２６】
尚、発光素子３は、基板２の表面上に、例えば接着剤等を用いて接着されていてもよい。また、接続端子５は、基板２の裏面等に設けられた外部接続用電極と電気的に接続されていてもよい。
【００２７】
本実施形態では、第１の反射板４の開口部４３の開口面積は、基板２の表面から上方に離れるに従って増大する。また、第１の反射板４は、開口部４３側の側面４１と、開口部４３の反対側の側面４２とを有している。ここで、開口部４３の反対側の側面４２は、基板２の側面２１と実質的に面一である。また、開口部４３の反対側の側面４２の高さ（基板表面の法線方向の高さ：以下同じ）Ｔ2 は、開口部４３側の側面４１の高さＴ1 よりも低い。
【００２８】
ここで、第１の反射板４において実質的に集光に貢献するのは、言い換えると、発光素子３からの光を主として反射するのは、開口部４３側の側面４１であるので、当該側面４１の高さ（当該側面４１近傍の第１の反射板４の厚さ）さえ確保すれば、第１の反射板４の他の部分は薄くしてもよい。本実施形態の半導体装置は、このような知見に基づき構成されたものであり、開口部４３の反対側の側面４２の高さを、開口部４３側の側面４１の高さよりも低くすることにより、十分な集光効率を得ながら、従来の半導体装置と比較して、半導体装置全体を小型化及び軽量化できると共に半導体装置外周部を薄型化できる。
【００２９】
尚、本実施形態において、第１の反射板４における開口部４３側の側面４１の高さは、ワイヤー６の高さ（最高到達点の高さ）よりも高くてもよい。このようにすると、第１の反射板４によって、ワイヤー６を外部要因から物理的に保護する効果を高めることができる。
【００３０】
また、本実施形態において、例えば図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、接続端子５と発光素子３との間に位置する部分の基板２の表面上に、発光素子３を囲むように第２の反射板８を設けてもよい。このようにすると、集光効果をより高めることができる。ここで、図２（ａ）は、本実施形態の変形例の半導体装置の平面図であり、図２（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、図２（ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。図２（ｂ）に示すように、第２の反射板８の高さを発光素子３の高さよりも高くすると、発光素子３側面からの発光光を第２の反射板８における発光素子３側の側面によって反射することによって、発光素子３側面からの発光光をより効率よく集光することができる。また、第２の反射板８の高さを発光素子３の高さよりも低くすると、ワイヤー６の接続をより容易に行うことが可能となる。
【００３１】
また、本実施形態において、例えば図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板２の表面（発光素子３の搭載面）を上方から見て、開口部４３の形状を実質的に円形にしてもよい。このようにすると、基板２の表面に対して垂直な方向への発光光の指向性を向上させることができる。ここで、図３（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、前述の第２の反射板８を有する本実施形態の変形例の半導体装置の平面図である。図３（ａ）に示すように、基板２の表面を上方から見て、第２の反射板８の形状を実質的に四角形とする場合と比べて、図３（ｂ）に示すように、基板２の表面を上方から見て、第２の反射板８の形状を実質的に円形とする場合の方が、基板２の表面に対して垂直な方向への発光光の指向性をさらに向上させることができる。
【００３２】
その他、基板２の表面を上方から見た際の開口部４３及び第２の反射板８のそれぞれの形状として、様々な形状（例えば三角形等の多角形状）を組み合わせて用いることにより、発光光の指向性にバリエーションを持たせることが可能となる。
【００３３】
また、本実施形態において、例えば図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、発光素子３をいわゆるフリップチップ接続により、基板２に接続してもよい。ここで、図４（ａ）は、本実施形態の変形例の半導体装置の平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【００３４】
図４（ａ）及び（ｂ）に示す変形例が、図１（ａ）及び（ｂ）に示す半導体装置１と異なっている点は、発光素子３と基板２との間に例えばアンダーフィル１０が注入されていること、及び、発光素子３の裏面にバンプ９が形成されており、当該バンプ９が接続端子５と電気的に接続されていることである。すなわち、本変形例ではワイヤーによる接続が不要であるため、その分だけ小型化及び軽量化が可能となる。また、ワイヤーに起因する影の影響を受けることがないので、発光強度を増加させることができる。尚、本変形例において、第１の反射板４における開口部４３側の側面４１の高さを発光素子３の高さよりも高くすると、発光素子３を外部要因から物理的に保護する効果を高めることができる。
【００３５】
また、本実施形態において、例えば図５に示すように、基板２の表面上に発光素子３を覆うように形成されたレンズ７をさらに備えていてもよい。ここで、図５は、本実施形態の変形例の半導体装置の断面図である。レンズ７としては、例えば、半球状の凸レンズ、中心部が凹んだ凹レンズ、略四角形の透明板等を用いてもよい。量産性を考慮すると、樹脂材料、例えば光透過性を持つ透明な熱硬化性樹脂材料を用いてレンズ７を形成することが好ましいが、レンズ７として、略四角形の透明板を基板２に貼り合せてもよい。レンズ７を搭載することにより、発光光の指向性や発光強度等の調整が可能となる。ここで、図５に示したレンズ７は、半球状の凸レンズであり、発光素子３を覆う本体部７１と、本体部７１の外側に形成された周縁部７２とを有している。発光光の指向性や発光強度等の調整に実質的に貢献するのは本体部７１である。よって、本体部７１の形状（高さ）さえ確保すれば、周縁部７２を薄くしてもよい。本変形例の半導体装置１は、このような知見に基づき構成されたものであり、半導体装置全体の小型化及び軽量化、並びにレンズ７の周縁部７２における薄型化等の効果を発揮する。
【００３６】
以上に説明した、レンズを有する本変形例の半導体装置１の製造方法は、例えば、以下の通りである。まず、基板２上に複数の発光素子３を搭載した後、当該各発光素子３を１個ずつ囲むような開口部４３を有する第１の反射板４を基板２上の全面に形成し、その後、各発光素子３を１個ずつ覆うように複数のレンズ７を基板２上の全面に形成した後、基板２をダイシングして各半導体装置１を個片化する。このようにして得られた本変形例の半導体装置１においては、レンズ７の周縁部７２の側面７３と、第１の反射板４の側面４２と、基板２の側面２１とが実質的に面一となる。
【００３７】
以下、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図１（ａ）及び（ｂ）に示す半導体装置を製造する場合を例として、図面を参照しながら具体的に説明する。
【００３８】
図６（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す平面図であり、図７（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【００３９】
まず、図６（ａ）及び図７（ａ）に示すように、基板（ダイシング前のウェハ）２における各半導体装置の形成領域（以下、チップ領域という）に接続端子５を形成する。
【００４０】
次に、図６（ｂ）及び図７（ｂ）に示すように、基板２の表面全体にわたって、各チップ領域の中央部を囲み且つ上方に向かうほど開口面積が増加する開口部４３を有する第１の反射板４を形成する。ここで、第１の反射板４の材料としては、例えば封止樹脂等が挙げられる。また、この際、第１の反射板４に、開口部４３を取り囲む凹部４４を設けてもよい。より詳しくは、反射板材料を基板２の表面全体にわたって形成した後、エッチングにより開口部４３及び凹部４４を形成してもよい。或いは、金型を用いて、初めから開口部４３及び凹部４４を有するように第１の反射板４をモールド樹脂成型してもよい。凹部４４を設ける効果については後述する。
【００４１】
次に、図６（ｃ）及び図７（ｃ）に示すように、基板２における各チップ領域上に、つまり、各開口部４３に位置する部分の基板２の表面上に、複数の発光素子３を配置した後、各発光素子３と各接続端子５とをワイヤー６によって電気的に接続する。ここで、各開口部４３の中央部に各発光素子３を配置してもよい。
【００４２】
次に、図６（ｄ）及び図７（ｄ）に示すように、基板２における各チップ領域上において発光素子３を覆う本体部７１を有するレンズ７を形成する。レンズ７の形成方法としては、例えば、熱硬化性樹脂を用いた一括封止トランスファー成形工法を用いる。この方法を用いれば、レンズ７の封止成形を容易に行うことができると共に、コストを削減することができる。また、この方法を用いる場合、一括封止トランスファー成形用金型にレンズ本体部の形状（例えば半球状）を形成しておくだけで、図７（ｄ）に示すような、半球状の本体部７１を持つレンズ７を形成することができる。また、レンズ７の本体部７１同士の間には、本体部７１よりも薄い周縁部７２、つまり凹部７４が形成される。凹部７４は、第１の反射板４の凹部４４内に位置させる。尚、レンズ７として、前述のように熱硬化性樹脂を用いる場合には、酸化防止のために、例えば約１５０〜２５０℃の温度で例えばＮ2 雰囲気中で硬化処理を行う。
【００４３】
次に、レンズ７における隣接する本体部７１同士の間に形成された凹部７４と、その下側の第１の反射板４及び基板２とをダイシングブレード等によって同時に切断する。ここで、レンズ７、第１の反射板４及び基板２の同時切断に代えて、各切断対象に応じた種々のダイシングブレードを用いて切断処理を複数回行ってもよい。また、使用するダイシングブレードの砥粒には、例えばダイヤモンド又はＣＢＮ（Cubic Boron Nitride ：立方晶窒化ホウ素）等を用いてもよい。また、ダイシングブレードに砥粒を固着するためのボンド材としては、例えばＣｕ−Ｓｎ系のメタルボンド、Ｎｉ系のメタルボンド、又は熱硬化性樹脂等を用いてもよい。また、ダイシングブレードによって切断する際の基板２の固定には、テープを用いてもよいし、又は真空吸着等の他の固定方式を用いてもよい。この場合、本実施形態ではレンズ７の本体部７１が突起形状を有しているため、基板２の裏面側を固定することが好ましい。但し、レンズ７の本体部７１（突起形状部）等の固定が可能であれば、基板２の表面側（つまりレンズ７側）を固定してもよい。
【００４４】
尚、ダイシングブレードによる切断処理においては、発生する熱に対する冷却効果を得るために、また、切断屑の除去等のために、一般的に切削水を使用するが、この切削水の水流力や切削屑などによって、本体部７１を含むレンズ７が損傷したり、破壊したりしないように注意を払う必要がある。
【００４５】
ここで、レンズ７の凹部７４を第１の反射板４の凹部４４内に位置させていた場合、ダイシングブレードによる切断工程において、レンズ７の凹部７４をダイシングすることにより、第１の反射板４の凹部４４をダイシングしてもよい。すなわち、レンズ７の凹部７４、第１の反射板４の凹部４４及び基板２をダイシングしてもよい。第１の反射板４上に凹部４４を設けることにより、凹部４４において反射板材料の厚さを部分的に薄くすることができるため、この凹部４４をダイシングすることにより、凹部４４を設けずにダイシングする場合と比較して、ダイシングブレードにかかる負担を軽減できるので、製造工程の簡略化やコストダウン等の効果を得ることができる。
【００４６】
最後に、ダイシングにより個片化された半導体装置を、当該半導体装置を保持するテープ等からピックアップすることによって、ＬＥＤ構造を有する本実施形態の半導体装置１（詳細は図１（ａ）及び（ｂ）参照）が得られる。
【００４７】
以上に説明した本実施形態の半導体装置の製造方法によると、ブレード切断を用いることによって、また、基板２と第１の反射板４とレンズ７とを同時に加工することによって、個片化された基板毎に反射板を１つずつ搭載する場合と比較して、加工時間を短縮できると共に製造工程を簡略化できるので、半導体装置の製造コストを低減できる。
【００４８】
尚、本実施形態において、接続端子５と電気的に接続された外部接続用電極が基板２の裏面等に設けられていてもよい。
【００４９】
また、本実施形態においては、基板２として単層基板を用いたが、接続端子５の数や配列を増やしたい場合には、基板２として、２層以上の多層基板を用いてもよい。また、本実施形態では、基板２として、一般的な樹脂系有機基板を想定しているが、これに代えて、例えばＣｕ系若しくはＦｅ系等の金属材料からなるリードフレーム、又はセラミック材料などの無機基板等を使用してもよい。
【００５０】
また、第１の反射板４として、樹脂材料に代えて、金属板等を基板２の表面に貼り合わせてもよい。また、第１の反射板４の開口部４３の形状は、基板２の表面を上方から見て、略四角形に限られず、略円形や略三角形等の他の形状となっていてもよい。また、第１の反射板４の開口部４３内に位置する部分の基板２の表面上に第２の反射板を設けてもよい。このような構成にすることにより、光の指向性や発光強度を調整することが可能となる。
【００５１】
また、本実施形態において、レンズ７の本体部７１の形状を凸型の半球状にしたが、これに代えて、凹型の凹レンズにしてもよい。また、レンズ７の本体部７１の外側に周縁部７２（凹部７４）を設けなくてもよい。
【００５２】
また、本実施形態において、発光素子３の電極が例えばＡｌ系の材料からなる場合には、ワイヤー６として、例えばＡｕボールボンド方式を使用してもよい。或いは、Ａｕボールボンド方式に代えて、例えばＣｕ系ボールボンド方式又はＡｌ系ウェッジボンド方式等を使用してもよい。また、本実施形態では、発光素子３と接続端子５とをワイヤーボンド方式の接続方法によって電気的に接続したが、これに代えて、フリップチップバンプ接続や、近年注目されているＴＳＶ（Ｓｉ貫通電極（Through-Silicon Via ））を用いた接続方法等を用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、発光素子を有する半導体装置及びその製造方法に関し、製造工程に要する時間を短縮し、製品歩留まりの低下を抑え、製品のコストアップを抑えつつ、小型化に適した構造を持ち、高信頼性を備え、量産性の高いＬＥＤ半導体装置構造を実現できると共に、当該構造を用いた製品の薄型化及び小型化を可能とする。特に、従来のＬＥＤ半導体装置と比較して、集光効率を高めながら小型化を実現できるので、本発明は、今後ますます高輝度化及び軽量化が要求される液晶パネル等の分野に有用である。
【符号の説明】
【００５４】
１    半導体装置
２    基板
２１  基板の側面
３    発光素子
４    第１の反射板
４１  第１の反射板の側面
４２  第１の反射板の側面
４３  第１の反射板の開口部
４４  第１の反射板の凹部
５    接続端子
６    ワイヤー
７    レンズ
７１  レンズの本体部
７２  レンズの周縁部
７３  レンズの側面
７４  レンズの凹部
８    第２の反射板
９    バンプ
１０    アンダーフィル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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