(57)【要約】【課題】電子回路基板の製造と共にマスク欠陥検査装置自体の検査を実行可能なフォトマスクを製造するフォトマスク製造方法、そのフォトマスクを用いたフォトマスク欠陥検査装置判定方法、及びフォトマスク欠陥検査装置判定装置を提供する。【解決手段】電子回路基板を製造する際に用いられるフォトマスクの欠陥を検査するフォトマスク欠陥検査装置の検査をするための欠陥検査用パターンを、前記電子回路基板における電子回路領域を避けて配置したマスクパターンを示すマスクパターンデータを作成する作成段階と、前記作成段階により作成されたマスクパターンデータが示すマスクパターンを、フォトマスクに転写する転写段階と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能回路パターン領域を備えた複数のチップパターン領域を有し、前記複数のチップパターン領域のうち少なくともひとつに前記機能回路パターンを避けて、又は前記複数のチップパターン領域間の領域に少なくともひとつのダミーパターンが形成されたフォトマスクを用いたフォトマスク欠陥検査装置の検査方法は、
前記フォトマスクの欠陥検査を行うと共に、前記ダミーパターンを利用することで前記フォトマスクの欠陥検査に用いるフォトマスク欠陥検査装置の検査をも行うことを特徴とするフォトマスク欠陥検査装置の検査方法。
【請求項２】
前記ダミーパターンは、前記複数のチップパターン領域のうち少なくともひとつに前記機能回路パターンを避けて形成されており、
前記フォトマスクの欠陥検査、及び前記フォトマスク欠陥検査装置の検査は、前記複数のチップパターン領域に形成されたパターン同士の比較により行うことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク欠陥検査装置の検査方法。
【請求項３】
前記ダミーパターンは、前記複数のチップパターン領域間の領域に少なくともひとつ形成されており、
前記フォトマスクの欠陥検査、及び前記フォトマスク欠陥検査装置の検査は、予め用意された所望のフォトマスクのパターンと前記フォトマスクのパターンとの比較により行うことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク欠陥検査装置の検査方法。
【請求項４】
前記ダミーパターンの形状は円状であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のフォトマスク欠陥検査装置の検査方法。
【請求項５】
前記ダミーパターンは、各々大きさの異なる径を備えた複数の前記円状のパターンからなることを特徴とする請求項４に記載のフォトマスク欠陥検査装置の検査方法。
【請求項６】
前記ダミーパターンは、前記フォトマスク欠陥検査装置が検出可能な最小サイズであることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のフォトマスク欠陥検査装置の検査方法。
【請求項７】
電子回路基板を製造する際に用いられるフォトマスクの欠陥を検査するフォトマスク欠陥検査装置の検査をするための欠陥検査用パターンを、前記電子回路基板における電子回路領域を避けて配置したマスクパターンを示すマスクパターンデータを作成する作成段階と、
前記作成段階により作成されたマスクパターンデータが示すマスクパターンを、フォトマスクに転写する転写段階と、
を有するフォトマスク製造方法。
【請求項８】
前記フォトマスクが、複数の電子回路基板を１つのフォトマスクで製造するために用いられるフォトマスクの場合には、前記マスクパターンに、前記欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンと、前記欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンとが少なくとも１つずつ含まれるようにした請求項７に記載のフォトマスク製造方法。
【請求項９】
前記欠陥検査用パターンは、スクライブラインに対応する前記フォトマスク上の位置に配置される請求項８に記載のフォトマスク製造方法。
【請求項１０】
前記欠陥検査用パターンは、ピンホール、及びピンドットの少なくとも一つを示すパターンとして配置される請求項７〜請求項９のいずれか１項に記載のフォトマスク製造方法。
【請求項１１】
前記ピンホール、又は前記ピンドットのサイズを、前記フォトマスク欠陥検査装置が欠陥として検出可能な最小のサイズとした請求項１０に記載のフォトマスク製造方法。
【請求項１２】
請求項７〜請求項１１のいずれか１項に記載のフォトマスク製造方法により製造されたフォトマスク。
【請求項１３】
電子回路基板を製造する際に用いられるフォトマスクの欠陥を検査するフォトマスク欠陥検査装置の検査をするための欠陥検査用パターンを、前記フォトマスクを用いて製造された電子回路基板における電子回路領域を避けて配置した製造兼検査用フォトマスクに対して光を照射することにより得られる透過光を示す第１透過光情報を取得する第１透過光取得段階と、
前記欠陥検査用パターンが配置されてない他のフォトマスクにより得られる透過光を示す第２透過光情報を取得する第２透過光取得段階と、
前記第１透過光情報と、前記第２透過光情報とが、一致しない前記検査用フォトマスク上の位置を検出する位置検出段階と、
前記欠陥検査用パターンが配置された位置を示す位置情報が記録された記録手段により示される前記欠陥検査用パターンが配置された全ての位置が、前記位置検出段階により検出された場合に、前記フォトマスク欠陥検査装置が正常であると判定する判定段階と、
を有するフォトマスク欠陥検査装置判定方法。
【請求項１４】
前記製造兼検査用フォトマスクが、複数の電子回路基板を１つのフォトマスクで製造するために用いられるフォトマスクの場合には、前記製造兼検査用フォトマスクに、前記欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンと、前記欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンとが少なくとも１つずつ含まれるようにしたフォトマスクであり、
前記第１透過光取得段階では、前記欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンに対して光を照射することにより得られる透過光を示す前記第１透過光情報を取得し、
前記第２透過光取得段階では、前記欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンに対して光を照射することにより得られる透過光を示す前記第２透過光情報を取得する請求項１３に記載のフォトマスク欠陥検査装置判定方法。
【請求項１５】
前記欠陥検査用パターンは、スクライブラインに対応する前記フォトマスク上の位置に配置される請求項１４に記載のフォトマスク欠陥検査装置判定方法。
【請求項１６】
前記欠陥検査用パターンは、ピンホール、及びピンドットの少なくとも一つを示すパターンとして配置される請求項１３〜請求項１５のいずれか１項に記載のフォトマスク欠陥検査装置判定方法。
【請求項１７】
前記ピンホール、又は前記ピンドットのサイズを、前記フォトマスク欠陥検査装置が欠陥として検出可能な最小のサイズとした請求項１６に記載のフォトマスク欠陥検査装置判定方法。
【請求項１８】
電子回路基板を製造する際に用いられるフォトマスクの欠陥を検査するフォトマスク欠陥検査装置の検査をするための欠陥検査用パターンを、前記フォトマスクにおける電子回路領域を避けた位置に配置した製造兼検査用フォトマスクに対して光を照射することにより得られる透過光を示す第１透過光情報を取得する第１透過光取得手段と、
前記欠陥検査用パターンが配置されてない他のフォトマスクにより得られる透過光を示す第２透過光情報を取得する第２透過光取得手段と、
前記第１透過光情報と、前記第２透過光情報とが、一致しない前記検査用フォトマスク上の位置を検出する位置検出手段と、
前記欠陥検査用パターンが配置された位置を示す位置情報が記録された記録手段により示される前記欠陥検査用パターンが配置された全ての位置が、前記位置検出手段により検出された場合に、前記フォトマスク欠陥検査装置が正常であると判定する判定手段と、
を有するフォトマスク欠陥検査装置判定装置。
【請求項１９】
前記製造兼検査用フォトマスクが、複数の電子回路基板を１つのフォトマスクで製造するために用いられるフォトマスクの場合には、前記製造兼検査用フォトマスクに、前記欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンと、前記欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンとが少なくとも１つずつ含まれるようにしたフォトマスクであり、
前記第１透過光取得手段は、前記欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンに対して光を照射することにより得られる透過光を示す前記第１透過光情報を取得し、
前記第２透過光取得手段は、前記欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンに対して光を照射することにより得られる透過光を示す前記第２透過光情報を取得する請求項１８に記載のフォトマスク欠陥検査装置判定装置。
【請求項２０】
前記欠陥検査用パターンは、スクライブラインに対応する前記フォトマスク上の位置に配置される請求項１９に記載のフォトマスク欠陥検査装置判定装置。
【請求項２１】
前記欠陥検査用パターンは、ピンホール、及びピンドットの少なくとも一つを示すパターンとして配置される請求項１８〜請求項２０のいずれか１項に記載のフォトマスク欠陥検査装置判定装置。
【請求項２２】
前記ピンホール、又は前記ピンドットのサイズを、前記フォトマスク欠陥検査装置が欠陥として検出可能な最小のサイズとした請求項２１に記載のフォトマスク欠陥検査装置判定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク製造方法、フォトマスク、フォトマスク欠陥検査装置判定方法、及びフォトマスク欠陥検査装置判定装置に係り、特に、欠陥検査装置を検査でき、製品の製造にも用いることができるフォトマスク製造方法、フォトマスク製造情報により製造されたフォトマスク、そのフォトマスクを用いたフォトマスク欠陥検査装置判定方法、及びフォトマスク欠陥検査装置判定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトマスクに転写されたマスクパターンに欠陥があるか否かを検査するフォトマスク欠陥検査装置がある。このフォトマスク欠陥検査装置を用いた検査方法には、ダイｔｏダイ検査方法と、データ比較検査方法の２種類の検査が知られている。
【０００３】
このうち、ダイｔｏダイ検査方法は、フォトマスク上に形成された各々のチップ領域に対応するマスクパターンが各々のチップ領域同士で一致するか否かを比較し、これが不一致であればフォトマスクに欠陥があることを検知する検査方法であり、ひとつでも異なるものがあれば、そのフォトマスクに欠陥があると判定する方法である。
【０００４】
一方、データ比較検査方法は、作成した検査用データとマスク全体との比較を行うことで欠陥検査を行う方法である。
【０００５】
フォトマスク欠陥検査装置は、上述したようにフォトマスクの欠陥を検査する装置であるが、このフォトマスク欠陥検査装置自体に異常があれば、欠陥のあるフォトマスクを正常なフォトマスクと判定する事もあり得る。これに関連して、特許文献１には、フォトマスク検査装置用欠陥マスクが開示されている。
【０００６】
フォトマスク欠陥検査装置自体の検査は、フォトマスク上の各々のチップ領域に形成されるパターンをあえて異なるものにしておくことで意図的にエラーを検出することを試み、それがエラーと認識されれば正常に動作していると判定するようになっている。
【０００７】
このようなフォトマスク欠陥検査装置自体の検査は製造工程を一時的に止めて行う必要があるので、一般的に、フォトマスク欠陥検査装置自体の検査はある一定の期間をおいて行われるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平５−９４００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、定期的にフォトマスク欠陥検査装置自体の検査を行なう場合、フォトマスク欠陥検査装置自体の検査を行ってから次の検査までの間にフォトマスク欠陥検査装置に異常があると、フォトマスクの欠陥を正常に認識できなくなるおそれがあり、それにより欠陥のあるフォトマスクによって形成された電子回路基板が出荷されてしまうという問題があった。
【００１０】
本発明は上記問題点に鑑み、マスク欠陥検査装置の検査を実行可能なフォトマスクを製造するフォトマスク製造方法、フォトマスク製造情報により製造されたフォトマスク、そのフォトマスクを用いたフォトマスク欠陥検査装置判定方法、及びフォトマスク欠陥検査装置判定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、機能回路パターン領域を備えた複数のチップパターン領域を有し、前記複数のチップパターン領域のうち少なくともひとつに前記機能回路パターンを避けて、又は前記複数のチップパターン領域間の領域に少なくともひとつのダミーパターンが形成されたフォトマスクを用いたフォトマスク欠陥検査装置の検査方法は、前記フォトマスクの欠陥検査を行うと共に、前記ダミーパターンを利用することで前記フォトマスクの欠陥検査に用いるフォトマスク欠陥検査装置の検査をも行うことを特徴とする。
【００１２】
請求項１の発明によれば、ダミーパターンを利用することで電子回路基板の製造と共にマスク欠陥検査装置自体の検査を実行可能となる。
【００１３】
請求項２の発明は請求項１の発明において、前記ダミーパターンは、前記複数のチップパターン領域のうち少なくともひとつに前記機能回路パターンを避けて形成されており、前記フォトマスクの欠陥検査、及び前記フォトマスク欠陥検査装置の検査は、前記複数のチップパターン領域に形成されたパターン同士の比較により行うことを特徴とする。
【００１４】
請求項２の発明によれば、ダミーパターンが機能回路パターンを避けて形成されているので、このフォトマスクはフォトマスク欠陥検査装置の検査だけではなく電子回路基板の製造にも用いることができる。
【００１５】
請求項３の発明は請求項１の発明において、前記ダミーパターンは、前記複数のチップパターン領域間の領域に少なくともひとつ形成されており、前記フォトマスクの欠陥検査、及び前記フォトマスク欠陥検査装置の検査は、予め用意された所望のフォトマスクのパターンと前記フォトマスクのパターンとの比較により行うことを特徴とする。
【００１６】
請求項３の発明によれば、ダイｔｏダイ検査によりフォトマスク欠陥検査装置の検査を行なうことができる。
【００１７】
請求項４の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、前記ダミーパターンの形状は円状であることを特徴とする。
【００１８】
請求項４の発明によれば、ダミーパターンの形状を円状とすることができる。
【００１９】
請求項５の発明は請求項１の発明において、前記ダミーパターンは、各々大きさの異なる径を備えた複数の前記円状のパターンからなることを特徴とする。
【００２０】
請求項５の発明によれば、ダミーパターンは、各々大きさの異なる径を備えた複数の前記円状のパターンとすることで、汎用性を高めることができる。
【００２１】
請求項６の発明は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発明において、前記ダミーパターンは、前記フォトマスク欠陥検査装置が検出可能な最小サイズであることを特徴とする。
【００２２】
請求項６の発明によれば、フォトマスク欠陥検査装置のベストパフォーマンス状態を確認することが可能となる。
【００２３】
上記目的を達成するために、請求項７の発明は、電子回路基板を製造する際に用いられるフォトマスクの欠陥を検査するフォトマスク欠陥検査装置の検査をするための欠陥検査用パターンを、前記電子回路基板における電子回路領域を避けて配置したマスクパターンを示すマスクパターンデータを作成する作成段階と、前記作成段階により作成されたマスクパターンデータが示すマスクパターンを、フォトマスクに転写する転写段階と、を有する。
【００２４】
請求項７の発明によれば、作成段階では電子回路基板を製造する際に用いられるフォトマスクの欠陥を検査するフォトマスク欠陥検査装置の検査をするための欠陥検査用パターンを、前記電子回路基板における電子回路領域を避けて配置したマスクパターンを示すマスクパターンデータを作成し、転写段階では、前記作成段階により作成されたマスクパターンデータが示すマスクパターンを、フォトマスクに転写する。このように欠陥検査用パターンを電子回路基板における電子回路領域を避けて配置することで、電子回路基板の製造と共にマスク欠陥検査装置自体の検査を実行可能なフォトマスクを製造することができる。
【００２５】
請求項８の発明は、請求項７の発明において、前記フォトマスクが、複数の電子回路基板を１つのフォトマスクで製造するために用いられるフォトマスクの場合には、前記マスクパターンに、前記欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンと、前記欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンとが少なくとも１つずつ含まれるようにしてもよい。
【００２６】
請求項８の発明によれば、前記欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンと、前記欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンとが少なくとも１つずつ含むことで、ダイｔｏダイ検査方法を１つのフォトマスクにより実行することができる。
【００２７】
請求項９の発明は、請求項８の発明において、前記欠陥検査用パターンは、スクライブラインに対応する前記フォトマスク上の位置に配置されるようにしてもよい。
【００２８】
請求項９の発明によれば、スクライブラインに対応する前記フォトマスク上の位置に配置することで、電子回路基板における電子回路領域を避けて配置することができる。
【００２９】
請求項１０の発明は、請求項７〜請求項９のいずれか１項の発明において、前記欠陥検査用パターンは、ピンホール、及びピンドットの少なくとも一つを示すパターンとして配置されるようにしてもよい。
【００３０】
請求項１０の発明によれば、欠陥検査用パターンは、ピンホール、及びピンドットの少なくとも一つを示すパターンとすることができる。
【００３１】
請求項１１の発明は、請求項１０の発明において、前記ピンホール、又は前記ピンドットのサイズを、前記フォトマスク欠陥検査装置が欠陥として検出可能な最小のサイズとするようにしてもよい。
【００３２】
請求項１１の発明によれば、フォトマスク欠陥検査装置が欠陥として検出可能な最小のサイズとすることで、フォトマスク欠陥検査装置のベストパフォーマンス状態を確認することが可能となる
上記目的を達成するために、請求項１２の発明は、請求項７〜請求項１１のいずれか１項に記載のフォトマスク製造方法により製造されたフォトマスクである。
【００３３】
請求項１２の発明によれば、請求項７〜請求項１１による効果と同様の効果が得られるフォトマスクを提供することができる。
【００３４】
上記目的を達成するために、請求項１３の発明は、電子回路基板を製造する際に用いられるフォトマスクの欠陥を検査するフォトマスク欠陥検査装置の検査をするための欠陥検査用パターンを、前記フォトマスクを用いて製造された電子回路基板における電子回路領域を避けて配置した製造兼検査用フォトマスクに対して光を照射することにより得られる透過光を示す第１透過光情報を取得する第１透過光取得段階と、前記欠陥検査用パターンが配置されてない他のフォトマスクにより得られる透過光を示す第２透過光情報を取得する第２透過光取得段階と、前記第１透過光情報と、前記第２透過光情報とが、一致しない前記検査用フォトマスク上の位置を検出する位置検出段階と、前記欠陥検査用パターンが配置された位置を示す位置情報が記録された記録手段により示される前記欠陥検査用パターンが配置された全ての位置が、前記位置検出段階により検出された場合に、前記フォトマスク欠陥検査装置が正常であると判定する判定段階と、を有する。
【００３５】
請求項１３の発明によれば、第１透過光取得段階では、電子回路基板を製造する際に用いられるフォトマスクの欠陥を検査するフォトマスク欠陥検査装置の検査をするための欠陥検査用パターンを、前記フォトマスクを用いて製造された電子回路基板における電子回路領域を避けて配置した製造兼検査用フォトマスクに対して光を照射することにより得られる透過光を示す第１透過光情報を取得し、第２透過光取得段階では、前記欠陥検査用パターンが配置されてない他のフォトマスクにより得られる透過光を示す第２透過光情報を取得し、位置検出段階では前記第１透過光情報と、前記第２透過光情報とが、一致しない前記検査用フォトマスク上の位置を検出し、判定段階では、前記欠陥検査用パターンが配置された位置を示す位置情報が記録された記録手段により示される前記欠陥検査用パターンが配置された全ての位置が、前記位置検出段階により検出された場合に、前記フォトマスク欠陥検査装置が正常であると判定するので、マスク欠陥検査装置の検査を実行可能なフォトマスクを用いたフォトマスク欠陥検査装置判定方法を提供することができる。
【００３６】
請求項１４の発明は、請求項１３の発明において、前記製造兼検査用フォトマスクが、複数の電子回路基板を１つのフォトマスクで製造するために用いられるフォトマスクの場合には、前記製造兼検査用フォトマスクに、前記欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンと、前記欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンとが少なくとも１つずつ含まれるようにしたフォトマスクであり、前記第１透過光取得段階では、前記欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンに対して光を照射することにより得られる透過光を示す前記第１透過光情報を取得し、前記第２透過光取得段階では、前記欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンに対して光を照射することにより得られる透過光を示す前記第２透過光情報を取得するようにしてもよい。
【００３７】
請求項１４の発明によれば、前記欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンと、前記欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンとが少なくとも１つずつ含むことで、ダイｔｏダイ検査方法を１つのフォトマスクにより実行することができる。
【００３８】
請求項１５の発明は、請求項１４の発明において、前記欠陥検査用パターンは、スクライブラインに対応する前記フォトマスク上の位置に配置されるようにしてもよい。
【００３９】
請求項１５の発明によれば、スクライブラインに対応する前記フォトマスク上の位置に配置することで、電子回路基板における電子回路領域を避けて配置することができる。
【００４０】
請求項１６の発明は、請求項１３〜請求項１５のいずれか１項の発明において、前記欠陥検査用パターンは、ピンホール、及びピンドットの少なくとも一つを示すパターンとして配置されるようにしてもよい。
【００４１】
請求項１６の発明によれば、欠陥検査用パターンは、ピンホール、及びピンドットの少なくとも一つを示すパターンとすることができる。
【００４２】
請求項１７の発明は、請求項１６の発明において、前記ピンホール、又は前記ピンドットのサイズを、前記フォトマスク欠陥検査装置が欠陥として検出可能な最小のサイズとしてもよい。
【００４３】
請求項１７の発明によれば、フォトマスク欠陥検査装置が欠陥として検出可能な最小のサイズとすることで、フォトマスク欠陥検査装置のベストパフォーマンス状態を確認することが可能となる
上記目的を達成するために、請求項１８の発明は、電子回路基板を製造する際に用いられるフォトマスクの欠陥を検査するフォトマスク欠陥検査装置の検査をするための欠陥検査用パターンを、前記フォトマスクにおける電子回路領域を避けた位置に配置した製造兼検査用フォトマスクに対して光を照射することにより得られる透過光を示す第１透過光情報を取得する第１透過光取得手段と、前記欠陥検査用パターンが配置されてない他のフォトマスクにより得られる透過光を示す第２透過光情報を取得する第２透過光取得手段と、前記第１透過光情報と、前記第２透過光情報とが、一致しない前記検査用フォトマスク上の位置を検出する位置検出手段と、前記欠陥検査用パターンが配置された位置を示す位置情報が記録された記録手段により示される前記欠陥検査用パターンが配置された全ての位置が、前記位置検出手段により検出された場合に、前記フォトマスク欠陥検査装置が正常であると判定する判定手段と、を有する。
【００４４】
請求項１８の発明は、請求項１３と同様に作用するので、請求項１３と同様の効果が得られる。
【００４５】
請求項１９の発明は、請求項１８の発明において、前記製造兼検査用フォトマスクが、複数の電子回路基板を１つのフォトマスクで製造するために用いられるフォトマスクの場合には、前記製造兼検査用フォトマスクに、前記欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンと、前記欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンとが少なくとも１つずつ含まれるようにしたフォトマスクであり、前記第１透過光取得手段は、前記欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンに対して光を照射することにより得られる透過光を示す前記第１透過光情報を取得し、前記第２透過光取得手段は、前記欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンに対して光を照射することにより得られる透過光を示す前記第２透過光情報を取得するようにしてもよい。
【００４６】
請求項１９の発明は、請求項１４と同様に作用するので、請求項１４と同様の効果が得られる。
【００４７】
請求項２０の発明は、請求項１９の発明において、前記欠陥検査用パターンは、スクライブラインに対応する前記フォトマスク上の位置に配置されるようにしてもよい。
【００４８】
請求項２０の発明によれば、スクライブラインに対応する前記フォトマスク上の位置に配置することで、電子回路基板における電子回路領域を避けて配置することができる。
【００４９】
請求項２１の発明は、請求項１８〜請求項２０のいずれか１項の発明において、前記欠陥検査用パターンは、ピンホール、及びピンドットの少なくとも一つを示すパターンとして配置されるようにしてもよい。
【００５０】
請求項２１の発明によれば、欠陥検査用パターンは、ピンホール、及びピンドットの少なくとも一つを示すパターンとすることができる。
【００５１】
請求項２２の発明は、請求項２１の発明において、前記ピンホール、又は前記ピンドットのサイズを、前記フォトマスク欠陥検査装置が欠陥として検出可能な最小のサイズとするようにしてもよい。
【００５２】
請求項２２の発明によれば、フォトマスク欠陥検査装置が欠陥として検出可能な最小のサイズとすることで、フォトマスク欠陥検査装置のベストパフォーマンス状態を確認することが可能となる。
【発明の効果】
【００５３】
本発明によれば、マスク欠陥検査装置自体の検査を実行可能なフォトマスクを製造するフォトマスク製造方法、そのフォトマスクを用いたフォトマスク欠陥検査装置判定方法、及びフォトマスク欠陥検査装置判定装置を提供することができる、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施形態に係るフォトマスクの一例を示す図である。
【図２】実施形態に係るフォトマスクの一例を示す図である。
【図３】フォトマスク製造処理の流れを示すフローチャートである。
【図４】ダイｔｏダイ検査方法を実行するフォトマスク欠陥検査装置判定装置の一例を示す図である。
【図５】データ比較検査方法を実行するフォトマスク欠陥検査装置判定装置の一例を示す図である。
【図６】フォトマスク欠陥検査装置判定処理の流れを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００５５】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００５６】
まず、図１、図２を用いて、本実施の形態に係るフォトマスク製造方法により製造されたフォトマスクについて説明する。
【００５７】
図１、図２は、いずれもフォトマスクの一例を示すものであり、図１に示されるフォトマスク２６は、遮光膜であるクロム上にフォトマスク欠陥検査装置の検査をするための欠陥検査用パターン（ピンホールＰＨ）が配置された例を示している。一方、図２に示されるフォトマスク２６は、ガラス上に欠陥検査用パターン（ピンドットＰＤ）が配置された例を示している。
【００５８】
さらに、図１、図２に示されるいずれのフォトマスク２６も、図１（ａ）、図２（ａ）に示されるように、複数の電子回路基板（図では基板パターンＡ〜Ｉまでの９つ）を１つのフォトマスクで製造するために用いられるフォトマスクである。なお、ひとつのフォトマスク内に形成されるパターンＡ〜Ｉは全ての領域で同じものであっても良いし、異なるものであっても良い。但し、各フォトマスク２６に示されるマスクパターンは、欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンと、欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンとが少なくとも１つずつ含まれるようになっている。
【００５９】
図１（ｂ）、図２（ｂ）に示されるように、欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンは、基板パターンＡとなっており、それ以外の基板パターンＢ〜Ｉは、図１（ｃ）、図２（ｃ）に示されるように、欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンとなっている。なお、欠陥検査用パターンを含む電子回路基板を構成するパターンを例えば一つおきにＡ、Ｃ、Ｅ、Ｇ、Ｉとし、欠陥検査用パターンを含まない電子回路基板を構成するパターンを一つおきにＢ、Ｄ、Ｆ、Ｈというように、交互に配置するようにしても良い。
【００６０】
さらに、図１（ｂ）、図２（ｂ）に示されるように、欠陥検査用パターンの種類とサイズを示す文字がフォトマスクに記載されている。欠陥検査用パターンの種類は、図１（ｂ）に示される「ＰＤ」がピンドットを示し、図２（ｂ）に示される「ＰＨ」がピンホールを示している。そして、ピンドット、ピンホールはいずれも例として複数（図では３つ）配置されており、そのサイズとして、それぞれ大きい方から段階的に直径が、１．５、１．０、０．５であることが記載されている。このサイズはフォトマスク欠陥検査装置が検出可能な最小のサイズとするようにしても良く、この例の場合では０．５が検出可能な最小サイズとしている。
【００６１】
このように、フォトマスクに直径の異なるピンドット、又はピンホールを設けることで、そのフォトマスクを汎用的に使用することが可能となる。具体的に、異なるフォトマスク欠陥検査装置において、各々が検出可能な最小欠陥サイズが異なっている場合に、各々が検出可能な最小欠陥サイズのピンドット、又はピンホールを設けた１つのフォトマスクにより、各々のフォトマスク欠陥検査装置を検査することが可能となる。なお、ピンドット、又はピンホールのサイズを、検出可能な最小欠陥サイズとしているが、これは、使用するフォトマスク欠陥検査装置のベストパフォーマンス状態を確認することが可能となるためである。
【００６２】
図１（ｂ）、図２（ｂ）に示されるピンドット、ピンホールは、分かりやすくするために大きめに描いているが、これら欠陥検査用パターンは、このフォトマスクにより製造された電子回路基板における電子回路領域を避けて予め配置される。具体的には、図１（ｂ）、図２（ｂ）の破線に囲まれる内部領域に電子回路基板として動作させるための回路パターン（製品パタ−ン、アライメントパタ−ン、ＰＣＭパタ−ン等）が配置される。
【００６３】
また、ピンドット、ピンホールをスクラブラインに対応するフォトマスク上の位置に配置するようにしてもよい。さらに、ピンドット、ピンホールを基板パターンＡ〜Ｉの境界領域に対応するフォトマスク上の位置に配置するようにしてもよい。なお、図１、図２に示されるフォトマスク２６からは、同図に示されるように、９つの電子回路基板を製造することができる。
【００６４】
なお、後述するダイｔｏダイ検査方法の場合、欠陥検査用パターンは、電子回路領域以外の領域（チップ領域の素子が形成されない領域）に配置され、かつスクライブラインには配置されない。一方、後述するデータ比較検査方法の場合、欠陥検査用パターンは、電子回路領域以外の領域（チップ領域の素子が形成されない領域）、スクライブライン、及びＰＣＭ内に配置される。このようにデータ比較検査方法の場合は、ダイｔｏダイ検査方法の場合と異なり、配置可能な領域が広いので、欠陥検査用パターンの配置自由度が大きい。このように、欠陥検査用パターンは、電子回路基板における電子回路領域を避けて配置されるが、これを換言すると電子回路領域に影響を及ぼさない領域である。
【００６５】
また、欠陥検査用パターンとして、ピンホール、ピンドットが示されているが、それに限るものではなく、欠陥検査装置が検出可能なパターンであれば、如何なるパターンであっても良い。
【００６６】
上述したフォトマスクを製造するフォトマスク製造処理の流れを示すフローチャートを、図３に示す。同図に示されるフローチャートは、一般的なフォトマスク製造装置により実行される処理の流れを示している。
【００６７】
まず、ステップ１０１で、欠陥検査用パターンが配置されたマスクパターンデータを作成する。これは予め上述した欠陥検査用パターンのサイズや配置する位置をフォトマスク製造装置に入力しておくことで、回路を示すパターンと重畳されるようにしてマスクパターンデータが作成される。
【００６８】
次のステップ１０２で、マスクパターンデータに基づき、転写するための作業データを作成する。具体的に、マスクパターンデータを転写する装置に対応したジョブを作成する（ＥＢ変換等）。
【００６９】
次のステップ１０３で、マスクパターンデータが示すマスクパターンを、レジスト（感光剤）が塗布されたフォトマスクに転写する。そして、ステップ１０４で、転写が完了したフォトマスクに対して、現像・エッチング・レジスト除去を行ない、ステップ１０５でフォトマスクの寸法が正しい寸法となっているか否かを検査する寸法検査を行なう。
【００７０】
次のステップ１０６で、寸法検査に合格しなかったと判定された場合、処理を終了し、不合格とされたフォトマスクは、寸法を修正された後に、ステップ１０７からの処理が再開される。
【００７１】
一方、ステップ１０６で寸法検査に合格と判定された場合は、ステップ１０７で現像、パターン欠陥検査前洗浄を行い、ステップ１０８で、転写されたパターンに欠陥がないか否かを検査するパターン欠陥検査を行なう。
【００７２】
次のステップ１０９で、パターン欠陥検査に合格しなかったと判定された場合、処理を終了し、不合格とされたフォトマスクは、パターンを修正された後に、ステップ１１０からの処理が再開される。
【００７３】
一方、ステップ１０９でパターン欠陥検査に合格と判定された場合は、ステップ１１０でペクリル貼り付け前洗浄を行い、ステップ１１１で、ペクリルの貼り付けを行ない、その後、ステップ１１２で、フォトマスク表面とペリクル膜面の表面異物検査が行なわれ、その検査に合格したフォトマスクに対して出荷検査としてマスク外観検査を行なう。このようにして製造されたフォトマスクは、出荷検査票が添付され、出荷されることとなる。
【００７４】
次に、図４、図５を用いて、フォトマスク欠陥検査装置判定装置について説明するが、その説明に先立ち、フォトマスク欠陥検査装置によるフォトマスクに対する検査と、フォトマスク欠陥検査装置が正常か否かを判定するための検査について説明する。
【００７５】
フォトマスク欠陥検査装置によるフォトマスクに対する検査工程は、フォトマスクを用いた電子回路基板の製造工程に含まれている。すなわち、フォトマスクの製造と共に行なわれている。一方、フォトマスク欠陥検査装置が正常か否かを判定するための検査は、ある一定の期間をおいて定期的に行なわれる。
【００７６】
従って、フォトマスク欠陥検査装置が異常となると、次の検査までは異常が発見されないため、フォトマスクの検査が正常に行なわれなくなることから、欠陥のあるフォトマスクを用いて電子回路基板が製造される可能性がある。
【００７７】
そこで、本発明では、上述したようにフォトマスクに欠陥検査用パターンを配置することで、電子回路基板の製造工程に含まれる、フォトマスク欠陥検査装置によるフォトマスクに対する検査工程で、フォトマスク欠陥検査装置が正常か否かを判定するための検査も行えるようにした。
【００７８】
以上を踏まえ、図４、図５を用いて、フォトマスク欠陥検査装置判定装置について説明する。なお、このフォトマスク欠陥検査装置判定装置は、フォトマスクを検査する欠陥検査装置としての機能も兼ねている。
【００７９】
図４に示されるフォトマスク欠陥検査装置判定装置１０は、ダイｔｏダイ検査方法を実行するフォトマスク欠陥検査装置判定装置の場合の構成を示している。一方、図５に示されるフォトマスク欠陥検査装置判定装置５０は、データ比較検査方法を実行するフォトマスク欠陥検査装置判定装置の場合の構成を示している。
【００８０】
最初に図４のフォトマスク欠陥検査装置判定装置１０について説明する。同図に示されるように、フォトマスク欠陥検査装置判定装置１０は、全体制御部１２、ステージ制御部１４、比較論理部１６、画像センサ１８、２０、対物レンズ２２、２４、３０、３２、Ｘ−Ｙステージ２８、光源４０、反射鏡３４、３６、及びモニタ４４を含んで構成される。また、同図に示されるように、Ｘ−Ｙステージ２８上には本実施の形態に係るフォトマスク欠陥検査装置の検査をするための欠陥検査用パターンが配置された製造兼検査用フォトマスク２６（以下、単にフォトマスクと表現することがある）がセットされている。
【００８１】
このうち、全体制御部１２は、フォトマスク欠陥検査装置判定装置１０全体を制御し、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、通信インタフェース等を含んで構成される。なお、ＲＯＭは書き換え可能なＲＯＭ（フラッシュメモリ等）となっている。
【００８２】
比較論理部１６は、画像センサ１８から得られる画像情報と、画像センサ２０から得られる画像情報を比較し、異なる場合に全体制御部１２にその旨を通知する。
【００８３】
画像センサ１８、２０は、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサや、ＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像素子を用いて構成される。画像センサ１８、２０で得られた画像情報は、比較論理部１６及び全体制御部１２に送信される。対物レンズ２２、２４は、フォトマスク２６に対して光を照射することにより得られる透過光を画像センサ１８、２０に集光させるために用いられる。一方、対物レンズ３０、３２は、反射板３４、３６からの光をフォトマスクに照射するために用いられる。
【００８４】
光源４０は、フォトマスク２６を照射するために用いられ、反射板３４、３６は、光源４０からの光をフォトマスク２６に向けて反射するために用いられる。
【００８５】
ステージ制御部１４は、Ｘ−Ｙステージを移動させるために用いられ、Ｘ−Ｙステージ２８の位置を座標を表す位置情報（ｘ、ｙ）として全体制御部１２に出力するようになっている。Ｘ−Ｙステージ２８は、フォトマスクの外周のみを保持する金属フレームによって構成されている。
【００８６】
モニタ４４は、画像センサ１８、２０から出力された画像情報に基づき、画像を表示するために用いられる。
【００８７】
以上がダイｔｏダイ検査方法を実行するフォトマスク欠陥検査装置判定装置１０の構成となっている。このフォトマスク欠陥検査装置判定装置１０で例えば図１に示すフォトマスクを検査する場合、基板パターンＡとそれ以外の基板パターンＢ〜Ｉとでダイｔｏダイ検査方法が行なわれる。すなわち、欠陥検査用パターンをフォトマスクを用いて製造された電子回路基板における電子回路領域を避けて配置した製造兼検査用フォトマスクが、基板パターンＡが配置された位置に対応するフォトマスクであり、欠陥検査用パターンが配置されてない他のフォトマスクが、基板パターンＢ〜Ｉが配置された位置に対応するフォトマスクである。
【００８８】
そして、全体制御部１４は、基板パターンＡが配置された位置に対応するフォトマスクに対して光を照射することにより得られる透過光を示す第１透過光情報を取得する。また、全体制御部１４は、基板パターンＢ〜Ｉのいずれか１つが配置された位置に対応するフォトマスクに対して光を照射することにより得られる透過光を示す第２透過光情報を取得する。第１透過光情報と第２透過光情報とを全体制御部１４が比較することでダイｔｏダイ検査方法が行なわれる。検査する際の組み合わせとしては（Ａ、Ｂ）、（Ａ、Ｃ）…（Ａ、Ｉ）の組み合わせで、順番に検査するようにしても良い。
【００８９】
次に、図５を用いて、データ比較検査方法を実行するフォトマスク欠陥検査装置判定装置５０の構成について説明する。なお、この説明では、図４で説明した符号が付されたものについては省略されている。
【００９０】
図５に示されるフォトマスク欠陥検査装置判定装置５０は、データと比較する検査方法であるので、図４における画像センサ１８、対物レンズ２２、３０、及び反射板３６に代えて、パターンデータ６０、及びパターンデータ発生部５２が新たに追加される。パターンデータ６０は、欠陥検査用パターンが配置されてない他のフォトマスク（図１（ａ）に示されるフォトマスクから欠陥検査用パターンを除いたフォトマスク）により得られる透過光を示す透過光情報（第２透過光情報）が記録されている。記録されている透過光情報は、パターン発生部５２により全体制御部１２が画像センサ２０から得られる画像情報と比較可能な情報に変換されて、比較論理部１６、及び全体制御部１２に出力される。
【００９１】
以上がデータ比較検査方法を実行するフォトマスク欠陥検査装置判定装置５０の構成となっている。このフォトマスク欠陥検査装置判定装置５０で例えば図１に示すフォトマスクを検査する場合、図１（ａ）に示されるフォトマスク全体のパターンデータを上記パターンデータ６０に記録しておく。
【００９２】
そして、全体制御部１４は、図１（ａ）に示されるフォトマスクに対して光を照射することにより得られる透過光を示す第１透過光情報を取得する。さらに、全体制御部１４は、欠陥検査用パターンが配置されてない他のフォトマスクにより得られる透過光を示す第２透過光情報を、全体制御部１４はパターンデータ発生部５２から取得する。第１透過光情報と第２透過光情報とを全体制御部１４が比較することでデータ比較検査方法が行なわれる。
【００９３】
データ比較検査方法の場合、上述したパターンデータを作成する必要があるので、その作成作業の工数を鑑みれば、パターンデータを作成する必要のないダイｔｏダイ検査方法の方が検査方法として好適である。さらに、ダイｔｏダイ検査方法によって検査する場合に要する検査時間は、データ比較検査方法によって検査する場合に要する検査時間よりも短いので、ダイｔｏダイ検査方法による検査の方がより好ましい。
【００９４】
以上説明したフォトマスク欠陥検査装置判定装置１０、５０で実行されるフォトマスク欠陥検査装置判定処理の流れについて、図６のフローチャートを用いて説明する。なお、この処理は全体制御部１２が有する上述したＣＰＵにより実行される。また、この処理はフォトマスク自体の検査を行うものでもあるので、電子回路基板の製造工程において行なわれる処理である。
【００９５】
まず、ステップ２０１で、検査用欠陥パターンが配置されたフォトマスクに対して照射することにより得られる透過光を示す第１透過光情報を取得する。そして、ステップ２０２で、検査用欠陥パターンが配置されていない他のフォトマスクにより得られる透過光を示す第２透過光情報を取得する。
【００９６】
これらステップ２０１、２０２は、並行して行なわれる処理である。具体的にダイｔｏダイ検査方法の場合は、Ｘ−Ｙステージ２８が移動すると、フォトマスク２６も移動し、それに合わせて画像センサ１８、２０から画像情報が出力されるため、第１透過光情報及び第２透過光情報は並行して取得されることとなる。
【００９７】
一方、データ比較検査方法の場合も、Ｘ−Ｙステージ２８の移動に合わせてパターン発生部５２から第２透過光情報が出力されるため、この場合も第１透過光情報及び第２透過光情報は並行して取得されることとなる。なお、パターン発生部５２から予め第２透過光情報を出力させておき、それを全体制御部１２のＲＡＭに保持させておいた後に、比較するようにしても良い。
【００９８】
次のステップ２０３で、第１透過光情報と第２透過光情報とが一致しているか否か判定する。一致していない場合、欠陥は検出されたこととなるため、ステップ２０４で、一致しなかった位置をステージ制御部１４から出力された位置情報（ｘ、ｙ）をＲＡＭに記憶する。一方、ステップ２０３で第１透過光情報と第２透過光情報とが一致している場合には、欠陥は検出されていないため、そのままステップ２０５に進む。
【００９９】
ステップ２０５で、全領域からの透過光情報の取得が終了したか否か判定する。全領域とは、例えば図１に示されるフォトマスクをダイｔｏダイ検査方法で検査する場合は、基板パターンＡに対応する領域全体を示す。この場合、基板パターンＢも同じＸ−Ｙステージ２８にセットされているので、全領域は基板パターンＢに対応する領域全体を示すものでもある。
【０１００】
一方、図１に示されるフォトマスクをデータ比較検査方法で検査する場合は、図１に示されるフォトマスク全体を示す。
【０１０１】
全領域からの透過光情報の取得が終了していない場合には、ステップ２０１に戻り、そのまま処理を継続する。一方、全領域からの透過光情報の取得が終了した場合は、ステップ２０６で、欠陥検査用パターンが配置された全ての位置が一致しない位置として検出されたか否か判定する。なお、欠陥検査用パターンが配置された位置を示す位置情報は、全体制御部１２の上述したＲＯＭに記録されているので、その位置情報が示す位置とステップ２０４で記憶された位置情報とを比較することで判定できる。
【０１０２】
ステップ２０６で肯定判定、すなわち欠陥検査用パターンが配置された全ての位置が一致しなかった位置として検出された場合には、欠陥検査用パターンをもれなく検出しているため、ステップ２０８でフォトマスク欠陥検査装置は正常と判定して処理を終了する。
【０１０３】
一方、ステップ２０６で否定判定、すなわち欠陥検査用パターンが配置された全ての位置が一致しなかった位置として検出されなかった場合には、欠陥検査用パターンを検出できていないため、ステップ２０７でフォトマスク欠陥検査装置に異常ありと判定して処理を終了する。
【０１０４】
なお、欠陥として検出された位置の画像を、上述したモニタ４４に表示するようにしても良い。表示することで、図１（ｂ）、図２（ｂ）に示した欠陥検査用パターンの種類（ＰＤ、ＰＨ）とサイズを示す文字（１．５等）を目視で確認することができる。もちろん、欠陥検査用パターンによる欠陥ではない本来の欠陥も確認することができる。
【０１０５】
以上説明した処理により、フォトマスク欠陥検査装置の検査のために意図的に形成した欠陥検査用パターンに起因して生じるチップ間パターンの不一致（以下、検査不一致）の検出と、単なるチップ間パターンの不一致（以下、単純不一致）の検出とを、確実に区別して認識することができる。
【０１０６】
具体的に、まずデータ比較検査方法による検査方法では、パターンデータにより示される欠陥パターンと同じ位置に欠陥がみつかれば検査不一致であり、欠陥パターンと異なる位置に欠陥がみつかれば単純不一致と判定できる。
【０１０７】
一方、ダイｔｏダイ検査方法の場合、パターンデータが存在しないため、不一致した位置を上述したように目視により確認し、欠陥パターンの位置は検査者が既知のため、欠陥パターンと同じ位置に欠陥がみつかれば検査不一致であり、欠陥パターンと異なる位置に欠陥がみつかれば単純不一致と判定できる。或いは、データ比較検査方法のように、パターンデータのうちの欠陥パターンの位置のみをデータ化しておき、そのデータを用いることによっても判定が可能である。
【０１０８】
上述したように、本発明によれば、フォトマスクに対する検査工程で、フォトマスク欠陥検査装置が正常か否かを判定するための検査もできるため、電子回路基板の製造と共にフォトマスク欠陥検査装置自体の検査を実行可能である。
【０１０９】
以上説明した実施例では、フォトマスクに欠陥検査用パターンを配置した例を示したが、欠陥検査用パターンをウェハに配置することで、ウェハ欠陥検査装置にも適用することができる。
【０１１０】
また、図３、図６で説明したフローチャートの処理の流れは一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で処理順序を入れ替えたり、新たなステップを追加したり、不要なステップを削除したりすることができることは言うまでもない。
【０１１１】
以上説明したように、本発明においては、機能回路パターン領域を備えた複数のチップパターン領域（図１、２では基板パターンＡ〜Ｉまでの９つ）を有し、前記複数のチップパターン領域のうち少なくともひとつに前記機能回路パターンを避けて（図１（ｂ）、図２（ｂ））、又は前記複数のチップパターン領域間の領域（基板パターンＡ〜Ｉの境界領域）に少なくともひとつのダミーパターン（ＰＨ、ＰＤ）が形成されたフォトマスクを用いたフォトマスク欠陥検査装置の検査方法は、前記フォトマスクの欠陥検査を行うと共に、前記ダミーパターンを利用することで前記フォトマスクの欠陥検査に用いるフォトマスク欠陥検査装置の検査をも行うことを特徴とする。
【０１１２】
また、本発明においては、前記ダミーパターンは、前記複数のチップパターン領域のうち少なくともひとつに前記機能回路パターンを避けて形成されており、前記フォトマスクの欠陥検査、及び前記フォトマスク欠陥検査装置の検査は、前記複数のチップパターン領域に形成されたパターン同士の比較（例えば、図１、２において（Ａ、Ｂ）、（Ａ、Ｃ）…（Ａ、Ｉ）の組み合わせ）により行うことを特徴とする。
【０１１３】
また、本発明においては、前記ダミーパターンは、前記複数のチップパターン領域間の領域に少なくともひとつ形成されており、前記フォトマスクの欠陥検査、及び前記フォトマスク欠陥検査装置の検査は、予め用意された所望のフォトマスクのパターン（パターンデータ６０）と前記フォトマスクのパターンとの比較により行うことを特徴とする。
【０１１４】
また、本発明においては、前記ダミーパターン（ＰＨ、ＰＤ）の形状は円状であることを特徴とする。
【０１１５】
また、本発明においては、前記ダミーパターンは、各々大きさの異なる径（図１、２では１．５、１．０、０．５）を備えた複数の前記円状のパターンからなることを特徴とする。
【０１１６】
また、本発明においては、前記ダミーパターンは、前記フォトマスク欠陥検査装置が検出可能な最小サイズ（図１、２では０．５）であることを特徴とする。
【符号の説明】
【０１１７】
１０、５０  フォトマスク欠陥検査装置判定装置
１２  全体制御部
１４  ステージ制御部
１６  比較論理部
１８、２０  画像センサ
２２、２４、３０、３２  対物レンズ
２６  フォトマスク
２８  Ｘ−Ｙステージ
３４、３６  反射板
４０  光源
４４  モニタ
６０  パターンデータ
【図３】
2011203449.tif 000003
【図４】
2011203449.tif 000004
【図５】
2011203449.tif 000005
【図６】
2011203449.tif 000006
【図１】
2011203449.tif 000007
【図２】
2011203449.tif 000008