(57)【要約】【課題】ナノサイズの孔径を有するフィルタを形成できるようにする。【解決手段】基板１０の上に、複数のカーボンナノチューブ１５を選択的に形成する。続いて、基板１０の上に、ＳＯＧからなる母材１１を形成し、形成した母材１１により複数のカーボンナノチューブ１５を保持する。続いて、複数のカーボンナノチューブ１５を酸化して消失することにより、母材１１に複数のカーボンナノチューブ１５による複数の空孔１１ａを形成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、複数のカーボンナノチューブを選択的に形成する工程（ａ）と、
前記基板の上に母材を形成し、形成した前記母材により前記複数のカーボンナノチューブを保持する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）よりも後に、前記複数のカーボンナノチューブを消失することにより、前記母材に前記複数のカーボンナノチューブによる複数の空孔を形成する工程（ｃ）とを備えていることを特徴とするフィルタの製造方法。
【請求項２】
前記母材は、液状ガラスであり、
前記工程（ｂ）は、前記複数のカーボンナノチューブを保持した前記液状ガラスを焼き固める工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のフィルタの製造方法。
【請求項３】
前記母材は、窒化シリコンであり、
前記工程（ｂ）において、前記窒化シリコンをプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする請求項１に記載のフィルタの製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｃ）において、酸素プラズマ又はオゾンプラズマを用いた酸化処理を行うことにより、前記複数のカーボンナノチューブを消失することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のフィルタの製造方法。
【請求項５】
前記工程（ａ）よりも前に、
前記基板の上に、金属からなる触媒層を形成する工程（ｄ）をさらに備えていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のフィルタの製造方法。
【請求項６】
前記工程（ａ）において、前記各カーボンナノチューブは、前記基板の主面に対して垂直な方向に配向することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のフィルタ製造方法。
【請求項７】
前記工程（ａ）において、前記各カーボンナノチューブの大きさは、調整されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のフィルタ製造方法。
【請求項８】
前記工程（ａ）において、前記複数のカーボンナノチューブの密度は、１０９本／ｃｍ２以上且つ１０１１本／ｃｍ２以下であり、その長さは１μｍ以上且つ１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のフィルタ製造方法。
【請求項９】
前記工程（ｃ）よりも後に、
化学的エッチングにより、前記基板の少なくとも一部を除去する工程（ｅ）をさらに備えていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のフィルタの製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ｅ）において、前記基板の周縁部を残すようにエッチングすることを特徴とする請求項９に記載のフィルタの製造方法。
【請求項１１】
前記工程（ｃ）よりも後に、
化学機械研磨法により、前記基板を除去する工程（ｅ）をさらに備えていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のフィルタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、清浄なガス若しくは薬品を使用する半導体製造工程又は化学分析に用いるフィルタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程においては、径が数十ｎｍから１００ｎｍ程度の異物の存在が、ウエハの歩留まりに大きく影響する。現在、微細な孔径を有するフィルタとして多孔質材料を用いたフィルタが存在するものの、ガス又は薬液等が通過する空孔の径をナノサイズで制御することは困難である。従って、径が数十ｎｍから１００ｎｍ程度の異物が通過してしまう可能性があり、製造対象の歩留まりの向上は望めない。
【０００３】
また、化学分析の分野においては、より高い精度が要求される。この要求に対し、より清浄な試薬を供給する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２８５８２１号公報
【特許文献２】特開２００４−３１５３５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、現在、一般に用いられる微細な孔径を有するフィルタは、多孔質材料を用いる場合が多い。この多孔質材料は、孔径をナノサイズで制御することが困難であり、ナノサイズの孔径を有するフィルタを形成することができない。
【０００６】
本発明は、前記の問題を解決し、ナノサイズの孔径を有するフィルタを形成できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するため、本発明は、フィルタの製造方法を、ナノサイズの大きさを有するカーボンナノチューブをフィルタの金型として用いる構成とする。
【０００８】
具体的に、本発明に係るフィルタの製造方法は、基板の上に、複数のカーボンナノチューブを選択的に形成する工程（ａ）と、基板の上に母材を形成し、形成した母材により複数のカーボンナノチューブを保持する工程（ｂ）と、工程（ｂ）よりも後に、複数のカーボンナノチューブを消失することにより、母材に複数のカーボンナノチューブによる複数の空孔を形成する工程（ｃ）とを備えている。
【０００９】
本発明のフィルタの製造方法によると、形成した母材により複数のカーボンナノチューブを保持し、その後、複数のカーボンナノチューブを消失することにより、母材に複数のカーボンナノチューブによる複数の空孔を形成する。すなわち、複数のカーボンナノチューブをフィルタの金型として用いることにより、ナノサイズの孔径を有するフィルタを作製することが可能となる。
【００１０】
本発明のフィルタの製造方法において、母材は液状ガラスであり、工程（ｂ）は、複数のカーボンナノチューブを保持した液状ガラスを焼き固める工程を含むことが好ましい。
【００１１】
このようにすると、複数のカーボンナノチューブを固めたガラス中に数ｎｍの孔径を持つ空孔を有するフィルタを得ることができる。
【００１２】
また、本発明のフィルタの製造方法において、母材は窒化シリコンであり、工程（ｂ）において、窒化シリコンをプラズマＣＶＤ法により形成することが好ましい。
【００１３】
このようにすると、ナノサイズの孔径を有するフィルタを得ることができると共に、基板と母材との間のエッチングレート差を大きくすることができるため、母材から基板を容易に除去することができる。
【００１４】
本発明のフィルタの製造方法は、工程（ｃ）において、酸素プラズマ又はオゾンプラズマを用いた酸化処理を行うことにより、複数のカーボンナノチューブを消失してもよい。
【００１５】
本発明のフィルタの製造方法は、工程（ａ）よりも前に、基板の上に、金属からなる触媒層を形成する工程（ｄ）をさらに備えていてもよい。
【００１６】
本発明のフィルタの製造方法は、工程（ａ）において、各カーボンナノチューブが基板の主面に対して垂直な方向に配向することが好ましい。
【００１７】
本発明のフィルタの製造方法は、工程（ａ）において、各カーボンナノチューブの大きさが調整されていることが好ましい。
【００１８】
本発明のフィルタの製造方法は、工程（ａ）において、複数のカーボンナノチューブの密度が１０９本／ｃｍ２以上且つ１０１１本／ｃｍ２以下であり、その長さは１μｍ以上且つ１００μｍ以下であってもよい。
【００１９】
本発明のフィルタの製造方法は、工程（ｃ）よりも後に、化学的エッチングにより、基板の少なくとも一部を除去する工程（ｅ）をさらに備えていてもよい。
【００２０】
この場合に、工程（ｅ）において、基板の周縁部を残すようにエッチングしてもよい。
【００２１】
このようにすると、フィルタの強度を増すことができる。
【００２２】
また、本発明のフィルタの製造方法は、工程（ｃ）よりも後に、化学機械研磨法により、基板を除去する工程（ｅ）をさらに備えていてもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係るフィルタの製造方法によると、ナノサイズの孔径を有するフィルタを作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係るフィルタを示し、図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は断面図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係るフィルタの製造方法を示す工程順の断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係るフィルタの製造方法を示す工程順の断面図である。
【図４】図４は本発明の各実施形態に係るフィルタの製造に用いるカーボンナノチューブ成長装置の模式的な断面図である。
【図５】図５は本発明の各実施形態に係るフィルタの製造に用いる酸化処理装置の模式的な断面図である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は本発明の第１の実施形態の第１変形例に係るフィルタを示し、図６（ａ）は平面図であり、図６（ｂ）は断面図である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は本発明の第１の実施形態の第３変形例に係るフィルタを示し、図７（ａ）は平面図であり、図７（ｂ）は断面図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係るフィルタを示し、図８（ａ）は平面図であり、図８（ｂ）は断面図である。
【図９】図９（ａ）〜図９（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係るフィルタの製造方法を示す工程順の断面図である。
【図１０】図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係るフィルタの製造方法を示す工程順の断面図である。
【図１１】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は本発明の第２の実施形態の第１変形例に係るフィルタを示し、図１１（ａ）は平面図であり、図１１（ｂ）は断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について図１を参照しながら説明する。
【００２６】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１の実施形態に係るフィルタ１は、例えば液状ガラスを焼き固めてなる母材１１に形成された複数の空孔１１ａを有している。各空孔１１ａは母材１１の表裏方向に貫通しており、複数のカーボンナノチューブを消失して形成されている。従って、各空孔１１ａはその径がナノサイズに調整されている。
【００２７】
以下、前記のように構成されたフィルタ１の製造方法について図２及び図３を参照しながら説明する。
【００２８】
まず、図２（ａ）に示すように、例えば、シリコン（Ｓｉ）からなる基板１０の主面上に、化学的気相堆積（ＣＶＤ）法により、膜厚が２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の窒化シリコンからなる下地膜１２を成膜する。
【００２９】
次に、図２（ｂ）に示すように、スパッタ法等により、下地膜１２の上に、膜厚が１ｎｍ〜１５ｎｍ程度のチタン（Ｔｉ）からなる金属薄膜１３を成膜する。ここで、金属薄膜１３には、Ｔｉに代えて、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）又はタングステン（Ｗ）を用いることができる。
【００３０】
次に、図２（ｃ）に示すように、スパッタ法により、金属薄膜１３の上に、膜厚が１ｎｍ〜５ｎｍ程度のコバルト（Ｃｏ）からなる触媒層１４を形成する。なお、触媒層１４には、Ｃｏに代えて、ニッケル（Ｎｉ）若しくは鉄（Ｆｅ）、又はＣｏを含めこれらのうちの２つ以上の合金を用いることができる。その後、形成された触媒層１４を３００℃〜４００℃程度に加熱することによりコバルトを凝集させて、複数の粒子状の触媒層１４とする。なお、このコバルトの凝集は、次工程のカーボンナノチューブ成長装置内で行ってもよい。
【００３１】
次に、図２（ｄ）に示すように、基板１０を、図４に示すカーボンナノチューブ成長装置に投入し、炭素源である、例えばアセチレン（Ｃ２Ｈ２）と不活性ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）とを基板１０の上に導入する。このとき、基板１０を３５０℃〜９００℃程度に加熱しており、各粒子状の触媒層１４から、それぞれ、径が５ｎｍ〜５０ｎｍで、長さが１μｍ〜１００μｍ程度のカーボンナノチューブ１５が、基板１０の主面に対してほぼ垂直な方向に成長する。ここで、カーボンナノチューブ１５の成長密度は、１０９本／ｃｍ２〜１０１１本／ｃｍ２程度となるように設定している。なお、炭素源には、アセチレンに限られず、例えばメタン（ＣＨ４）を用いることができる。
【００３２】
次に、図３（ａ）に示すように、基板１０の上に複数のカーボンナノチューブ１５を埋め込むように、液状ガラス、例えばＳＯＧ（spin-on-glass）を塗布する。その後、塗布されたＳＯＧを３５０℃〜５００℃程度の温度で６０分〜１２０分間程度焼き固めることにより、ＳＯＧからなり、内部に複数のカーボンナノチューブ１５を保持する母材１１を形成する。このとき、母材１１の厚さは、カーボンナノチューブ１５の高さを越えないようにする必要がある。
【００３３】
次に、図３（ｂ）に示すように、母材１１が形成された基板１０を、図５に示す酸化処理装置の真空容器６１に投入して、酸素（Ｏ２）プラズマ又はオゾン（Ｏ３）プラズマにより、カーボンナノチューブ１５を酸化し、二酸化炭素（ＣＯ２）にして消失させる。これにより、図３（ｃ）に示すように、母材１１には、各カーボンナノチューブ１５が消失してなる複数の空孔１１ａが形成される。このように、各空孔１１ａの孔径は、カーボンナノチューブ１５の径に依存する。
【００３４】
次に、図３（ｄ）に示すように、シリコンからなる基板１０を、例えば水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）溶液又は水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液によりエッチングして除去する。その後、露出した窒化シリコンからなる下地膜１２を、例えば燐酸浴エッチングにより除去する。続いて、露出したチタンからなる金属薄膜１３を、例えば塩酸で除去する。
【００３５】
以上により、図１に示す、ナノサイズの複数の空孔１１ａを有するフィルタ１を作製することができる。
【００３６】
以下に、図４を参照しながら、第１の実施形態に用いるカーボンナノチューブ成長装置を説明する。
【００３７】
図４に示すように、第１の実施形態に用いるカーボンナノチューブ成長装置は、真空容器５１と、該真空容器５１の下部に配置され、上面に基板１０を保持するステージ５２と、該ステージ５２の下側に配置され、ステージ５２を加熱する加熱ユニット５３とから構成される。真空容器５１の一方の上部には、原料ガス及び不活性ガスの導入口５４が設けられ、他方の上部には、ガスの排気口５５が設けられている。
【００３８】
次に、図５を参照しながら、第１の実施形態に用いる酸化処理装置を説明する。
【００３９】
図５に示すように、第１の実施形態に用いる酸化処理装置は、真空容器６１と、該真空容器６１の下部に配置され、上面に基板１０を保持するステージ６２と、該ステージ６２の下側に配置され、ステージ６２を加熱する加熱ユニット６３と、真空容器の上部に配置され、出力が１００Ｗ以上で、発振周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波を発生する高周波発生ユニット６４とから構成される。真空容器６１の一方の上部には、酸素ガス又はオゾンガスの導入口６５が設けられ、他方の上部には、ガスの排気口６６が設けられている。
【００４０】
導入口６５から真空容器６１に導入された酸素又はオゾンは、高周波発生ユニット６４からの高周波によってプラズマ化される。
【００４１】
（第１の実施形態の第１変形例）
以下、第１の実施形態の第１変形例について図６を参照しながら説明する。
【００４２】
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１変形例に係るフィルタ１は、下面の基板１０、下地膜１２及び金属薄膜１３の周縁部を残している。これにより、フィルタ１自体の強度を向上することができる。
【００４３】
第１変形例に係るフィルタ１の製造方法は、以下の通りである。すなわち、図３（ｄ）に示す基板除去工程において、リソグラフィ法により、基板１０の裏面に該基板１０の周縁部をマスクするレジストパターンを形成する。続いて、形成されたレジストパターンをマスクとして、基板１０に対してウエットエッチングを行う。続いて、露出した下地膜１２を燐酸浴エッチングにより除去し、さらに、露出した金属薄膜１３を塩酸で除去する。
【００４４】
（第１の実施形態の第２変形例）
以下、第１の実施形態の第２変形例について説明する。
【００４５】
第２変形例は、図３（ｄ）に示す基板除去工程において、基板１０をウエットエッチングで除去する方法に代えて、化学機械研磨（ＣＭＰ）法を用いる。その後は、露出した下地膜１２を燐酸浴エッチングにより除去し、さらに、露出した金属薄膜１３を塩酸で除去する。
【００４６】
このようにしても、図１に示すフィルタ１を得ることができる。
【００４７】
なお、基板１０の除去にウエットエッチング法を用いると、基板に用いたＳｉの結晶方位を反映した凹凸が存在する加工が可能であり、また、ＣＭＰ法を用いると、基板に用いるＳｉの結晶方位によらず一様な加工面を得ることが可能である。
【００４８】
（第１の実施形態の第３変形例）
以下、第１の実施形態の第３変形例について図７を参照しながら説明する。
【００４９】
図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、第３変形例に係るフィルタ１は、空孔１１ａの径を、例えば３０ｎｍ〜８０ｎｍ程度と、第１の実施形態、その第１変形例及び第２変形例よりも大きくしている。
【００５０】
第３変形例に係るフィルタ１の製造方法は、以下の通りである。すなわち、図２（ｃ）に示す工程において、コバルト（Ｃｏ）の膜厚を例えば１０ｎｍ〜１５ｎｍ程度とするか、又は加熱温度を例えば４５０℃〜６００℃程度として、触媒層１４であるコバルト（Ｃｏ）の凝集量を増やすことにより、コバルト粒子の径を３０ｎｍ〜８０ｎｍ程度とする。その後は、第１の実施形態と同様である。
【００５１】
このように、フィルタ１の孔径１１ａは、触媒層１４の凝集量、すなわち粒子径を調整することにより制御することができる。
【００５２】
なお、第３変形例においても、第１変形例又は第２変形例を適用することができる。
【００５３】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態について図８を参照しながら説明する。
【００５４】
図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２の実施形態に係るフィルタ１は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる母材２１に形成された複数の空孔２１ａを有している。各空孔２１ａは母材２１の表裏方向に貫通しており、複数のカーボンナノチューブを消失して形成されている。従って、各空孔２１ａはその径がナノサイズに調整されている。
【００５５】
以下、前記のように構成されたフィルタ１の製造方法について図９及び図１０を参照しながら説明する。
【００５６】
まず、図９（ａ）に示すように、例えば、シリコン（Ｓｉ）からなる基板１０の主面上に、スパッタ法等により、膜厚が１ｎｍ〜１５ｎｍ程度のチタン（Ｔｉ）からなる金属薄膜１３を成膜する。ここで、金属薄膜１３には、Ｔｉに代えて、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）又はタングステン（Ｗ）を用いることができる。
【００５７】
次に、図９（ｂ）に示すように、スパッタ法により、金属薄膜１３の上に、膜厚が１ｎｍ〜５ｎｍ程度のコバルト（Ｃｏ）からなる触媒層１４を形成する。なお、触媒層１４には、Ｃｏに代えて、ニッケル（Ｎｉ）若しくは鉄（Ｆｅ）、又はＣｏを含めこれらのうちの２つ以上の合金を用いることができる。その後、形成された触媒層１４を３００℃〜４００℃程度に加熱することによりコバルトを凝集させて、複数の粒子状の触媒層１４とする。なお、このコバルトの凝集は、次工程のカーボンナノチューブ成長装置内で行ってもよい。
【００５８】
次に、図９（ｃ）に示すように、基板１０を、図４に示すカーボンナノチューブ成長装置に投入し、炭素源である、例えばアセチレン（Ｃ２Ｈ２）と不活性ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）とを基板１０の上に導入する。このとき、基板１０を３５０℃〜９００℃程度に加熱しており、各粒子状の触媒層１４から、それぞれ、径が５ｎｍ〜５０ｎｍで、長さが１μｍ〜１００μｍ程度のカーボンナノチューブ１５が、基板１０の主面に対してほぼ垂直な方向に成長する。ここで、カーボンナノチューブ１５の成長密度は、１０９本／ｃｍ２〜１０１１本／ｃｍ２程度となるように設定している。なお、炭素源には、アセチレンに限られず、例えばメタン（ＣＨ４）を用いることができる。
【００５９】
次に、図９（ｄ）に示すように、プラズマＣＶＤ法により、基板１０の上に複数のカーボンナノチューブ１５を埋め込むように、窒化シリコンからなる母材２１を成膜する。このとき、母材２１の厚さは、カーボンナノチューブ１５の高さを越えないようにする必要がある。
【００６０】
次に、図１０（ａ）に示すように、母材２１が形成された基板１０を、図５に示す酸化処理装置の真空容器６１に投入して、酸素（Ｏ２）プラズマ又はオゾン（Ｏ３）プラズマにより、カーボンナノチューブ１５を酸化し、二酸化炭素（ＣＯ２）にして消失させる。これにより、図１０（ｂ）に示すように、母材２１には、各カーボンナノチューブ１５が消失してなる複数の空孔２１ａが形成される。このように、各空孔２１ａの孔径は、カーボンナノチューブ１５の径に依存する。
【００６１】
次に、図１０（ｃ）に示すように、シリコンからなる基板１０を、例えば水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）溶液又は水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液によりエッチングして除去する。その後、露出したチタンからなる金属薄膜１３を、例えば塩酸で除去する。
【００６２】
以上により、図８に示す、ナノサイズの複数の空孔２１ａを有するフィルタ１を作製することができる。
【００６３】
第２の実施形態においては、基板１０にシリコン（Ｓｉ）を用いているため、基板１０を除去する際に、窒化シリコンからなる母材２１とのエッチングレート差が大きくなるため、母材２１から基板１０を容易に除去することができる。
【００６４】
（第２の実施形態の第１変形例）
以下、第２の実施形態の第１変形例について図１１を参照しながら説明する。
【００６５】
図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１変形例に係るフィルタ１は、下面の基板１０及び金属薄膜１３の周縁部を残している。これにより、フィルタ１自体の強度を向上することができる。
【００６６】
第１変形例に係るフィルタ１の製造方法は、以下の通りである。すなわち、図１０（ｃ）に示す基板除去工程において、リソグラフィ法により、基板１０の裏面に該基板１０の周縁部をマスクするレジストパターンを形成する。続いて、形成されたレジストパターンをマスクとして、基板１０に対してウエットエッチングを行う。続いて、露出した金属薄膜１３を塩酸で除去する。
【００６７】
（第２の実施形態の第２変形例）
以下、第２の実施形態の第２変形例について説明する。
【００６８】
第２変形例は、図３（ｄ）に示す基板除去工程において、基板１０をウエットエッチングで除去する方法に代えて、化学機械研磨（ＣＭＰ）法を用いる。その後は、露出した金属薄膜１３を塩酸で除去する。
【００６９】
このようにしても、図８に示すフィルタ１を得ることができる。
【００７０】
また、第２の実施形態においても、図９（ｄ）に示す工程において、コバルトからなる触媒層１４が凝集した各粒子の径を大きくすることにより、図７に示す第１の実施形態の第３変形例と同等のフィルタ１を作製することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明に係るフィルタの製造方法は、ナノサイズの孔径を有するフィルタを作製することができ、清浄なガス若しくは薬品を使用する半導体製造工程又は化学分析に用いるフィルタ等に有用である。
【符号の説明】
【００７２】
１      フィルタ
１０    基板
１１    母材（ＳＯＧ）
１１ａ  空孔
１２    下地膜
１３    金属薄膜
１４    触媒層
１５    カーボンナノチューブ
２１    母材（ＳｉＮ）
２１ａ  空孔
５１    真空容器
５２    ステージ
５３    加熱ユニット
５４    導入口
５５    排気口
６１    真空容器
６２    ステージ
６３    加熱ユニット
６４    高周波ユニット
６５    導入口
６６    排気口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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