(57)【要約】【課題】基板の撓みを抑制して、露光精度を向上する露光方法及び基板の製造方法並びに露光装置を提供する。【解決手段】環状の吸着領域８０ｂと、環状の吸着領域８０ｂよりも面積の小さい長方形状の吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅとを吸着面２２に備えた基板ステージ２０において、基板ステージ２０の吸着面２２に基板Ｗを吸着する際、環状及び長方形状の吸着領域８０ｂ，・・・，８０ｅ内の圧力が略一定となるように、長方形状の吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅ内のエアを吸引する吸引力を環状の吸着領域８０ｂ内のエアを吸引する吸引力よりも小さくする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光すべきパターンを有するマスクを保持するマスク保持部と、被露光材としての基板を吸着して保持する吸着面を有する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に、露光用光を前記マスクを介して照射する照明光学系と、を備え、前記基板保持部の吸着面には、前記基板の裏面に当接可能な仕切り壁によって仕切られた第１の吸着領域と、前記第１の吸着領域よりも面積の小さい第２の吸着領域と、が少なくとも形成される露光装置によって、前記基板上に前記マスクのパターンを露光転写する露光方法であって、
前記基板保持部の吸着面に前記基板を吸着する際、前記第１及び第２の吸着領域内の圧力が略一定となるように、前記第２の吸着領域内のエアを吸引する吸引力を、前記第１の吸着領域内のエアを吸引する吸引力よりも小さくすることを特徴とする露光方法。
【請求項２】
請求項１に記載の露光方法を用いることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項３】
露光すべきパターンを有するマスクを保持するマスク保持部と、
被露光材としての基板を吸着して保持する吸着面を有する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に、露光用光を前記マスクを介して照射する照明光学系と、
前記各吸着領域内を選択的且つ独立に正、負圧及び大気圧状態にするための正負圧制御装置と、
を備え、前記基板上に前記マスクのパターンを露光転写する露光装置であって、
前記基板保持部の吸着面には、前記基板の裏面に当接可能な仕切り壁によって仕切られた第１の吸着領域と、前記第１の吸着領域よりも面積の小さい第２の吸着領域と、が少なくとも形成され、
前記正負圧制御装置は、
前記各吸着領域に接続される正負圧配管路と、圧縮空気源に接続された正圧配管路、又は負圧発生源に接続された負圧配管路と、の接続、遮断を行う方向制御手段と、
前記正負圧配管路内を通過するエアの圧力を調整する圧力制御手段と、
前記正負圧配管路内を通過するエアの流量を調整する流量制御手段と、
を備え、
前記正負圧制御装置は、前記基板保持部の吸着面に前記基板を吸着する際、前記第１及び第２の吸着領域内の圧力が略一定となるように、前記第２の吸着領域内のエアを吸引する吸引力を、前記第１の吸着領域内のエアを吸引する吸引力よりも小さくするように制御することを特徴とする露光装置。
【請求項４】
前記各吸着領域内の圧力を圧力センサで検出し、該検出された圧力に基づいて前記方向制御手段、前記圧力制御手段、前記流量制御手段の少なくとも一つを制御することを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記方向制御手段は電磁切替弁であり、前記圧力制御手段はストップバルブであり、前記流量制御手段はエアーレギュレータであることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法及び基板の製造方法並びに露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶ディスプレイ装置やプラズマディスプレイ装置等のフラットパネルディスプレイ装置のカラーフィルタ基板やＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板を製造する露光装置が種々考案されている。露光装置は、マスクをマスク保持部で保持すると共に基板を基板保持部で保持して両者を近接して対向配置する。そして、マスク側からパターン露光用の光を照射することにより、マスクに描かれたマスクパターンを基板上に露光転写している。また、基板保持部で保持された基板が基板保持部の移動の際にずれないように、基板は基板保持部に真空吸着されている。
【０００３】
特許文献１に記載の露光装置では、基板保持部は、基板を吸着して保持する吸着面に、複数の突起（エンボス）を有するとともに、基板の設置方向やサイズに応じた複数の吸着領域を画成するように、隣り合う吸着領域を仕切る仕切り壁を有する。そして、図７に示すように、隣り合う吸着領域Ａ，Ｂに圧力の違いが生じると、基板Ｗに撓みが発生し、露光ムラとなるため、特許文献１では、仕切り壁と突起との間隔を所定の幅に設定することで、基板の撓み量をほぼ等しくし、基板の平面度を向上させて露光ムラを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２１２３４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に記載の露光装置では、仕切り壁と突起との間隔を所定の幅に設定することで撓みを抑制しようとしているが、各吸着領域での吸引力について具体的な記載はなく、隣り合う吸着領域において圧力差が発生している場合には、依然として撓みが発生し、露光ムラが発生する可能性があった。
【０００６】
本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の撓みを抑制して、露光精度を向上する露光方法及び基板の製造方法並びに露光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
（１）  露光すべきパターンを有するマスクを保持するマスク保持部と、被露光材としての基板を吸着して保持する吸着面を有する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に、露光用光を前記マスクを介して照射する照明光学系と、を備え、前記基板保持部の吸着面には、前記基板の裏面に当接可能な仕切り壁によって仕切られた第１の吸着領域と、前記第１の吸着領域よりも面積の小さい第２の吸着領域と、が少なくとも形成される露光装置によって、前記基板上に前記マスクのパターンを露光転写する露光方法であって、
前記基板保持部の吸着面に前記基板を吸着する際、前記第１及び第２の吸着領域内の圧力が略一定となるように、前記第２の吸着領域内のエアを吸引する吸引力を、前記第１の吸着領域内のエアを吸引する吸引力よりも小さくすることを特徴とする露光方法。
（２）  （１）に記載の露光方法を用いることを特徴とする基板の製造方法。
（３）  露光すべきパターンを有するマスクを保持するマスク保持部と、
被露光材としての基板を吸着して保持する吸着面を有する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に、露光用光を前記マスクを介して照射する照明光学系と、
前記各吸着領域内を選択的且つ独立に正、負圧及び大気圧状態にするための正負圧制御装置と、
を備え、前記基板上に前記マスクのパターンを露光転写する露光装置であって、
前記基板保持部の吸着面には、前記基板の裏面に当接可能な仕切り壁によって仕切られた第１の吸着領域と、前記第１の吸着領域よりも面積の小さい第２の吸着領域と、が少なくとも形成され、
前記正負圧制御装置は、
前記各吸着領域に接続される正負圧配管路と、圧縮空気源に接続された正圧配管路、又は負圧発生源に接続された負圧配管路と、の接続、遮断を行う方向制御手段と、
前記正負圧配管路内を通過するエアの圧力を調整する圧力制御手段と、
前記正負圧配管路内を通過するエアの流量を調整する流量制御手段と、
を備え、
前記正負圧制御装置は、前記基板保持部の吸着面に前記基板を吸着する際、前記第１及び第２の吸着領域内の圧力が略一定となるように、前記第２の吸着領域内のエアを吸引する吸引力を、前記第１の吸着領域内のエアを吸引する吸引力よりも小さくするように制御することを特徴とする露光装置。
（４）  前記各吸着領域内の圧力を圧力センサで検出し、該検出された圧力に基づいて前記方向制御手段、前記圧力制御手段、前記流量制御手段の少なくとも一つを制御することを特徴とする（３）に記載の露光装置。
（５）  前記方向制御手段は電磁切替弁であり、前記圧力制御手段はストップバルブであり、前記流量制御手段はエアーレギュレータであることを特徴とする（３）に記載の露光装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の露光方法及び露光装置によれば、第１の吸着領域と、第１の吸着領域よりも面積の小さい第２の吸着領域とを吸着面に備えた基板保持部において、基板保持部の吸着面に基板を吸着する際、第１及び第２の吸着領域内の圧力が略一定となるように、前記第２の吸着領域内のエアを吸引する吸引力を、前記第１の吸着領域内のエアを吸引する吸引力よりも小さくするので、基板の撓みが抑制され、露光精度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の露光方法が適用される近接露光装置を説明するための一部分解斜視図である。
【図２】図１に示す近接露光装置の正面図である。
【図３】図１に示すマスク保持部の拡大斜視図である。
【図４】図１に示す基板保持部の上面図である。
【図５】基板保持部の吸着領域を選択的に、正圧、負圧及び大気圧状態に制御する正負圧制御装置を示すブロック図である。
【図６】正負圧制御装置の変形例を説明するための部分的なブロック図である。
【図７】吸引領域の圧力の違いによって生じる基板の撓みを説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明に係る露光方法及び基板の製造方法並びに露光装置について、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
図１に示すように、近接露光装置１は、マスクＭを保持するマスクステージ（マスク保持部）１０と、ガラス基板（被露光材）Ｗを保持する基板ステージ（基板保持部）２０と、パターン露光用の照射手段としての照明光学系３０と、基板ステージ２０をＸ軸，Ｙ軸，Ｚ軸方向に移動し、且つ基板ステージ２０のチルト調整を行う基板ステージ移動機構４０と、マスクステージ１０及び基板ステージ移動機構４０を支持する装置ベース５０と、を備える。
【００１２】
なお、ガラス基板Ｗ（以下、単に「基板Ｗ」と称する。）は、マスクＭに対向配置されており、このマスクＭに描かれたマスクパターンを露光転写すべく表面（マスクＭの対向面側）に感光剤が塗布されている。また、マスクＭは、溶融石英からなり、長方形状に形成されている。
【００１３】
説明の便宜上、照明光学系３０から説明すると、照明光学系３０は、紫外線照射用の光源である例えば高圧水銀ランプ３１と、この高圧水銀ランプ３１から照射された光を集光する凹面鏡３２と、この凹面鏡３２の焦点近傍に切替え自在に配置された二種類のオプチカルインテグレータ３３と、光路の向きを変えるための平面ミラー３５，３６及び球面ミラー３７と、この平面ミラー３６とオプチカルインテグレータ３３との間に配置されて照射光路を開閉制御する露光制御用シャッター３４と、を備える。
【００１４】
そして、照明光学系３０では、露光時に露光制御用シャッター３４が開制御されると、高圧水銀ランプ３１から照射された光が光路Ｌを経て、マスクステージ１０に保持されるマスクＭ、さらには基板ステージ２０に保持される基板Ｗの表面に対して垂直にパターン露光用の平行光として照射される。これにより、マスクＭのマスクパターンが基板Ｗ上に露光転写される。
【００１５】
マスクステージ１０は、図１〜図３に示すように、中央部に矩形形状の開口部１１ａが形成されるマスクステージベース１１と、マスクステージベース１１の開口部１１ａにＸ軸，Ｙ軸，θ方向に移動可能に装着されるマスク保持枠１２と、マスク保持枠１２に取り付けられ、マスクＭを吸着保持するチャック部１４と、マスク保持枠１２とチャック部とをＸ軸，Ｙ軸，θ方向に移動させ、このマスク保持枠１２に保持されるマスクＭの位置を調整するマスク位置調整機構１６と、を備える。
【００１６】
マスクステージベース１１は、装置ベース５０上に立設される支柱５１、及び支柱５１の上端部に設けられるＺ軸移動装置５２によりＺ軸方向に移動可能に支持され、基板ステージ２０の上方に配置される。Ｚ軸移動装置５２は、例えば、モータ及びボールねじ等からなる電動アクチュエータ、或いは空圧シリンダ等を備え、単純な上下動作を行うことにより、マスクステージ１０を所定の位置まで昇降させる。なお、Ｚ軸移動装置５２は、マスクＭの交換や、ワークチャック２１の清掃等の際に使用される。
【００１７】
マスク位置調整機構１６は、マスク保持枠１２のＸ軸方向に沿う一辺に取り付けられる１台のＹ軸方向駆動装置１６ｙと、マスク保持枠１２のＹ軸方向に沿う一辺に取り付けられる２台のＸ軸方向駆動装置１６ｘと、を備える。
【００１８】
そして、マスク位置調整機構１６では、１台のＹ軸方向駆動装置１６ｙを駆動させることによりマスク保持枠１２をＹ軸方向に移動させ、２台のＸ軸方向駆動装置１６ｘを同等に駆動させることによりマスク保持枠１２をＸ軸方向に移動させる。また、２台のＸ軸方向駆動装置１６ｘのどちらか一方を駆動することによりマスク保持枠１２をθ方向に移動（Ｚ軸回りの回転）させる。
【００１９】
さらに、マスクステージベース１１の上面には、図３に示すように、マスクＭと基板Ｗとの対向面間のギャップを測定するギャップセンサ１７と、チャック部１４に保持されるマスクＭの取り付け位置を確認するためのマスク用アライメントカメラ１８と、が設けられる。これらギャップセンサ１７及びマスク用アライメントカメラ１８は、移動機構１９を介してＸ軸，Ｙ軸方向に移動可能に保持され、マスク保持枠１２内に配置される。
【００２０】
なお、マスクステージベース１１の上面には、図３に示すように、マスクステージベース１１の開口部１１ａのＸ軸方向の両端部に、マスクＭの両端部を必要に応じて遮蔽するマスキングアパーチャ３８が設けられる。このマスキングアパーチャ３８は、モータ、ボールねじ、及びリニアガイド等からなるマスキングアパーチャ駆動機構３９によりＸ軸方向に移動可能とされて、マスクＭの両端部の遮蔽面積を調整する。なお、マスキングアパーチャ３８は、開口部１１ａのＸ軸方向の両端部だけでなく、開口部１１ａのＹ軸方向の両端部に同様に設けてもよい。
【００２１】
基板ステージ２０は、図１及び図２に示すように、基板ステージ移動機構４０上に設置されており、基板Ｗを基板ステージ２０に保持するための吸着面２２を上面に有するワークチャック２１を備える。なお、ワークチャック２１は、真空吸着により基板Ｗを保持している。
【００２２】
基板ステージ移動機構４０は、図１及び図２に示すように、基板ステージ２０をＹ軸方向に移動させるＹ軸送り機構４１と、基板ステージ２０をＸ軸方向に移動させるＸ軸送り機構４２と、基板ステージ２０のチルト調整を行うと共に、基板ステージ２０をＺ軸方向に微動させるＺ−チルト調整機構４３と、を備える。
【００２３】
Ｙ軸送り機構４１は、装置ベース５０の上面にＹ軸方向に沿って設置される一対のリニアガイド４４と、リニアガイド４４によりＹ軸方向に移動可能に支持されるＹ軸テーブル４５と、Ｙ軸テーブル４５をＹ軸方向に移動させるＹ軸送り駆動装置４６と、を備える。そして、Ｙ軸送り駆動装置４６のモータ４６ｃを駆動させ、ボールねじ軸４６ｂを回転させることにより、ボールねじナット４６ａとともにＹ軸テーブル４５をリニアガイド４４の案内レール４４ａに沿って移動させて、基板ステージ２０をＹ軸方向に移動させる。
【００２４】
また、Ｘ軸送り機構４２は、Ｙ軸テーブル４５の上面にＸ軸方向に沿って設置される一対のリニアガイド４７と、リニアガイド４７によりＸ軸方向に移動可能に支持されるＸ軸テーブル４８と、Ｘ軸テーブル４８をＸ軸方向に移動させるＸ軸送り駆動装置４９と、を備える。そして、Ｘ軸送り駆動装置４９のモータ４９ｃを駆動させ、ボールねじ軸４９ｂを回転させることにより、不図示のボールねじナットとともにＸ軸テーブル４８をリニアガイド４７の案内レール４７ａに沿って移動させて、基板ステージ２０をＸ軸方向に移動させる。
【００２５】
Ｚ−チルト調整機構４３は、Ｘ軸テーブル４８上に設置されるモータ４３ａと、モータ４３ａによって回転駆動されるボールねじ軸４３ｂと、くさび状に形成され、ボールねじ軸４３ｂに螺合されるくさび状ナット４３ｃと、基板ステージ２０の下面にくさび状に突設され、くさび状ナット４３ｃの傾斜面に係合するくさび部４３ｄと、を備える。そして、本実施形態では、Ｚ−チルト調整機構４３は、Ｘ軸テーブル４８のＸ軸方向の一端側（図１の手前側）に２台、他端側に１台（図１の奥手側、図２参照。）の計３台設置され、それぞれが独立して駆動制御されている。なお、Ｚ−チルト調整機構４３の設置数は任意である。
【００２６】
そして、Ｚ−チルト調整機構４３では、モータ４３ａによりボールねじ軸４３ｂを回転駆動させることによって、くさび状ナット４３ｃがＸ軸方向に水平移動し、この水平移動運動がくさび状ナット４３ｃ及びくさび部４３ｄの斜面作用により高精度の上下微動運動に変換されて、くさび部４３ｄがＺ方向に微動する。従って、３台のＺ−チルト調整機構４３を同じ量だけ駆動させることにより、基板ステージ２０をＺ軸方向に微動することができ、また、３台のＺ−チルト調整機構４３を独立して駆動させることにより、基板ステージ２０のチルト調整を行うことができる。これにより、基板ステージ２０のＺ軸，チルト方向の位置を微調整して、マスクＭと基板Ｗとを所定の間隔を存して平行に対向させることができる。
【００２７】
さらに、近接露光装置１には、図１及び図２に示すように、基板ステージ２０の位置を検出する位置測定装置であるレーザー測長装置６０が設けられる。このレーザー測長装置６０は、基板ステージ移動機構４０の駆動に際して発生する基板ステージ２０の移動距離を測定するものである。
【００２８】
レーザー測長装置６０は、ステー（不図示）に固定されて基板ステージ２０のＸ軸方向側面に沿うように配設されるＸ軸用ミラー６４と、ステー７１に固定されて基板ステージ２０のＹ軸方向側面に沿うように配設されるＹ軸用ミラー６５と、装置ベース５０のＸ軸方向端部に配設され、レーザー光（計測光）をＸ軸用ミラー６４に照射し、Ｘ軸用ミラー６４により反射されたレーザー光を受光して、基板ステージ２０の位置を計測するＸ軸測長器（測長器）６１及びヨーイング測定器（測長器）６２と、装置ベース５０のＹ軸方向端部に配設され、レーザー光をＹ軸用ミラー６５に照射し、Ｙ軸用ミラー６５により反射されたレーザー光を受光して、基板ステージ２０の位置を計測する１台のＹ軸測長器（測長器）６３と、を備える。
【００２９】
そして、レーザー測長装置６０では、Ｘ軸測長器６１、ヨーイング測定器６２、及びＹ軸測長器６３からＸ軸用ミラー６４及びＹ軸用ミラー６５に照射されたレーザー光が、Ｘ軸用ミラー６４及びＸ軸用ミラー６５で反射されることにより、基板ステージ２０のＸ軸，Ｙ軸方向の位置が高精度に計測される。また、Ｘ軸方向の位置データはＸ軸測長器６１により、θ方向の位置はヨーイング測定器６２により測定される。なお、基板ステージ２０の位置は、レーザー測長装置６０により測定されたＸ軸方向位置、Ｙ軸方向位置、及びθ方向の位置を加味して、適宜補正を加えることにより算出される。
【００３０】
図４は、近接露光装置１のワークチャック２１の吸着面を模式的に示す上面図である。ワークチャック２１の吸着面２２には、独立した５つの吸着領域、即ち、中央の吸着領域８０ａと、中央の吸着領域８０ａを囲う環状の吸着領域（第１の吸着領域）８０ｂと、環状の吸着領域８０ｂの外側にそれぞれ位置する長方形状の吸着領域（第２の吸着領域）８０ｃ，８０ｄ，８０ｅと、が形成されている。中央の吸着領域８０ａとその外側の環状の吸着領域８０ｂは、四角形状の第１の仕切り壁８１ａによって仕切られている。さらに、環状の吸着領域８０ｂとその外側の３箇所に形成された長尺の吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅは、四角形状の第２の仕切り壁８２ａによって仕切られている。なお、中央の吸着領域８０ａは、環状の吸着領域８０ｂよりも面積が小さく設定され、また、長方形状の各吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅは、環状の吸着領域８０ｂよりも面積が小さく設定されている。
【００３１】
従って、中央の吸着領域８０ａは、第１の仕切り壁８１ａによって画成され、環状の吸着領域８０ｂは、第１及び第２の仕切り壁８１ａ，８２ａとの間に画成される。さらに、長方形状の各吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅは、第２の仕切り壁８２ａと、吸着面２２の外周縁となる周縁壁８３ａによって画成される。なお、周縁部８３ａの形状は、長方形状の基板Ｗのサイズに対応しており、基板Ｗの向きに応じて長方形状の各吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅでの吸着が行われる。
【００３２】
また、各吸着領域８０ａ，・・・，８０ｅ内には、各仕切り壁８１ａ，８２ａの高さと等しい高さを有する複数の突起８５が形成されており、各仕切り壁８１ａ，８２ａと突起８５は、基板Ｗの裏面に当接可能である。また、各仕切り壁８１ａ，８２ａと突起８５を除く部分は各吸着領域８０ａ，・・・，８０ｅの低部８６となっている。
【００３３】
また、吸着面２２には、ワークローダー（図示せず）によって基板Ｗをワークチャック２１に搬送する際に吸着面２２から進出する複数のピン（図示せず）が進退可能な複数のピン孔（図示せず）が形成されている。さらに、各吸着領域８０ａ，・・・，８０ｅ内の各低部８６の表面には、複数の正負圧孔８７ａ，・・・，８７ｅが開口されている。
【００３４】
次に吸着領域８０ａ，・・・，８０ｅを、複数の正負圧孔８７ａ，・・・，８７ｅを介して、選択的且つ独立に正、負圧及び大気圧状態にするための正負圧制御装置１８６について、図５のブロック図を用い説明する。
【００３５】
図５中、吸着領域８０ａの低部８６上の空間を負圧にする負圧配管路８６５ａは、負圧発生源である真空ポンプ８６１、手動で主負圧配管路８６５の開閉をするストップバルブ８６２Ｖを連結する主負圧配管路８６５から分岐し、負圧配管路８６５ａの圧力又は流量を調整するエアーレギュレータ８６３ａＶを連結する配管回路で構成され、３位置、３ポートの電磁切換弁８６７ａの入力ポートＰ１に配管接続されている。
【００３６】
一方、吸着領域８０ａの低部８６を正圧にする正圧配管路８６６ａは、圧縮空気源（図示せず）から主正圧配管路８６６を手動で開閉するストップバルブ８６２Ｐを連結する主正圧配管路８６６から分岐して、正圧配管路８６６ａの圧力を調整するエアーレギュレータ８６３ａＰ、そして導かれた圧縮空気を清浄にろ過するフィルタ８６４ａを連結する配管回路で構成され、この正圧配管路８６６ａは３位置、３ポート電磁切換弁８６７ａのもう一方の入力ポートＰ２に配管接続されている。
【００３７】
ここで、電磁切換弁８６７ａの出力ポートＰ３は中央の吸着領域８０ａの低部８６上を正圧、負圧にするための正負圧配管路８１４ａに配管接続されている。電磁切換弁８６７ａの中央位置は、スプリングＳ１、Ｓ２により（スプリングセンタ）中立位置となっており、この時は励起により負圧位置８６９にする電磁ソレノイド８６９Ｖも、同じく励起により正圧位置８７０にする電磁ソレノイド８７０Ｐも非励起状態となっており、この位置では負圧の入力ポートＰ１と正圧の入力ポートＰ２のどちらも出力ポートＰ３とはブロック状態となっている。この状態では吸着領域８０ａを大気圧状態（正、負圧状態のどちらでもない）にすることが出来る。そして正負圧配管路８１４ａ内を負圧状態にするには、上述の電磁切換弁８６７ａの電磁ソレノイド８６９Ｖの励起によって負圧位置８６９に切換えて行われ（この時電磁ソレノイド８７０Ｐは非励起状態）、同様に正圧状態にするには、電磁ソレノイド８７０Ｐの励起によって正圧位置８７０に切換えられて（この時電磁ソレノイド８６９Ｖは非励起状態）行われる。このような、電磁ソレノイド８６９Ｖ、８７０Ｐの励起、非励起及び中立状態は、これらが接続されている制御装置８９６によって制御されるようになっている。
【００３８】
以上の様にして、中央の吸着領域８０ａにおける正負圧状態の制御をすることができる。図４に示す他の吸着領域８０ｂ，・・・，８０ｅについても吸着領域８０ａと同様に構成される。即ち、他の吸着領域８０ｂ，・・・，８０ｅの低部８６上の空間を負圧にする各負圧配管路８６５ｂ，・・・，８６５ｅは、主負圧配管路８６５から分岐した、各エアーレギュレータ８６３ｂＶ，・・・，８６３ｅＶを連結する配管回路でそれぞれ構成され、３位置、３ポートの各電磁切換弁８６７ｂ，・・・，８６７ｅの入力ポートＰ１に配管接続されている。また、他の吸着領域８０ｂ，・・・，８０ｅの低部８６上の空間を正圧にする各正圧配管路８６６ｂ，・・・，８６６ｅは、主正圧配管路８６６から分岐した、各エアーレギュレータ８６３ｂＰ，・・・，８６３ｅＰ、各フィルタ８６４ｂ，・・・，８６４ｅを連結する配管回路でそれぞれ構成され、３位置、３ポート電磁切換弁８６７ｂ，・・・，８６７ｅのもう一方の入力ポートＰ２に配管接続されている。
【００３９】
これにより、上記と同様、各々の正負圧配管路８１４ｂ〜８１４ｅに接続して設けた、電磁切換弁８６７ｂ〜８６７ｅを制御装置８９６の指令に基づいて、各々選択的且つ独立の正負圧又は大気圧状態となるよう制御ができる。また、各負圧配管路８６５ｂ，・・・，８６５ｅ、及び各正圧配管路８６６ｂ，・・・，８６６ｅには、各エアーレギュレータ８６３ｂＶ，・・・，８６３ｅＶ，８６３ｂＰ，・・・，８６３ｅＰがそれぞれ接続されているので、制御装置８９６が各エアーレギュレータ８６３ｂＶ，・・・，８６３ｅＶ，８６３ｂＰ，・・・，８６３ｅＰを制御することで、各吸着領域８０ａ，・・・，８０ｅの吸引力を独立して調整することができる。
なお、複数ある吸着領域を独立の正負圧及び大気圧状態とするため、その正負圧配管の配管本数や配管方法を制限するものではない。
【００４０】
このような正負圧制御装置１８６により、基板Ｗを吸着する時には、これら正負圧孔８７ａ，・・・，８７ｅから真空吸引することによって、各吸着領域８０ａ，・・・，８０ｅの各低部８６と、各仕切り壁８１ａ，８２ａ及び周壁部８３ａと、基板Ｗの裏面とで囲われる空間を負圧とする。通常、基板Ｗを吸着する際に使用される圧力は、０Ｐａ以下、−１００Ｐａ以上であり、好ましくは、−１０Ｐａ以下、−８０Ｐａ以上であり、より好ましくは、−２０Ｐａ以下、−５０Ｐａ以上である。特に、圧力を−１０Ｐａ以下とすることで、基板ステージ２０の移動によって基板Ｗがワークチャック２１から確実にずれることがなくなり、また、−８０Ｐａ以上とすることで、基板Ｗが変形するのを確実に防止でき、これらにより、露光ムラを抑制できる。また、基板Ｗをアンローディングする時には、基板Ｗを離しやすくするため、空間内を大気開放或いは正負圧孔８７ａ，・・・，８７ｇから正圧を導入する。
【００４１】
ここで、本実施形態では、基板Ｗを吸着する際、基板Ｗの撓みを抑制すべく、各吸着領域８０ａ，・・・，８０ｅ内の圧力が略一定となるように、各エアーレギュレータ８６３ａＶ，・・・，８６３ｅＶを調整して、各吸着領域８０ａ，・・・，８０ｅの吸引力を面積に応じて設定している。即ち、基板Ｗの向きやサイズに応じて吸引が行われる長方形状の吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅは、環状の吸着領域８０ｂに比べて吸着面積が小さいので、吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅ内の圧力が大きくなってしまう。このため、長方形状の吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅ内のエアを吸引する吸引力を、環状の吸着領域８０ｂ内のエアを吸引する吸引力よりも小さくする。同様に、環状の吸着領域８０ｂより面積が小さい中央の吸着領域８０ａも、環状の吸着領域８０ｂより圧力が大きくなってしまうので、中央の吸着領域８０ａ内のエアを吸引する吸引力を、環状の吸着領域８０ｂ内のエアを吸引する吸引力よりも小さくする。
【００４２】
また、基板Ｗの撓みを小さくするため、基板Ｗを吸着する際には、内側の中央の吸着領域８０ａから外側へ徐々に行われる。即ち、中央の吸着領域８０ａに対して基板Ｗの中心から離れた側に位置する環状の吸着領域８０ｂは、中央の吸着領域８０ａの吸着を開始した後に吸着が行われ、また、環状の吸着領域８０ｂに対して基板Ｗの中心から離れた側に位置する長方形状の吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅは、環状の吸着領域８０ｂの吸着を開始した後に吸着が行なわれる。
【００４３】
さらに、基板Ｗを露光する時には、正負圧孔８７ａ，・・・，８７ｇによって真空吸引した状態で行われてもよいが、各吸着領域の真空吸引を部分的に又は全体的に解除した状態で行われてもよい。
【００４４】
従って、本実施形態の露光方法によれば、環状の吸着領域８０ｂと、環状の吸着領域８０ｂよりも面積の小さい長方形状の吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅとを吸着面２２に備えた基板ステージ２０において、基板ステージ２０の吸着面２２に基板Ｗを吸着する際、環状及び長方形状の吸着領域８０ｂ，・・・，８０ｅ内の圧力が略一定となるように、長方形状の吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅ内のエアを吸引する吸引力を環状の吸着領域８０ｂ内のエアを吸引する吸引力よりも小さくするので、基板Ｗの撓みが抑制され、露光精度を向上することができる。
【００４５】
また、環状の吸着領域８０ｂよりも面積の小さい中央の吸着領域８０ａにおいても、基板ステージ２０の吸着面２２に基板Ｗを吸着する際、中央及び環状の吸着領域８０ａ，８０ｂ内の圧力も略一定となるように、中央の吸着領域８０ａ内のエアを吸引する吸引力を環状の吸着領域８０ｂ内のエアを吸引する吸引力よりも小さくするので、基板Ｗの撓みが抑制され、露光精度を向上することができる。
【００４６】
また、本実施形態の近接露光装置１によれば、正負圧制御装置１８６は、各吸着領域８０ａ，・・・，８０ｅに接続される正負圧配管路８１４ａ，・・・，８１４ｅと、圧縮空気源に接続された正圧配管路８６６ａ，・・・，８６６ｅ、又は真空ポンプ８６１に接続された負圧配管路８６５ａ，・・・，８６５ｅと、の接続、遮断を行う電磁切替弁８６７ａ，・・・，８６７ｅと、正負圧配管路８１４ａ，・・・，８１４ｅ内を通過するエアの圧力を調整するエアーレギュレータ８６３ａＶ，・・・，８６３ｅＶ，８６３ａＰ，・・・，８６３ｅＰと、正負圧配管路８１４ａ，・・・，８１４ｅ内を通過するエアの流量を調整するストップバルブ８６２Ｖ，８６２Ｐと、を備える。そして、環状の吸着領域８０ｂと、環状の吸着領域８０ｂよりも面積の小さい長方形状の吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅとを吸着面２２に備えた基板ステージ２０において、正負圧制御装置１８６は、基板ステージ２０の吸着面２２に基板Ｗを吸着する際、環状及び長方形状の吸着領域８０ｂ，・・・，８０ｅ内の圧力が略一定となるように、長方形状の吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅ内のエアを吸引する吸引力を環状の吸着領域８０ｂ内のエアを吸引する吸引力よりも小さくするように制御するので、基板Ｗの撓みが抑制され、露光精度を向上することができる。
【００４７】
図６は、上記実施形態の正負圧制御装置１８６の変形例を説明するための部分的なブロック図である。即ち、この変形例では、各負圧配管路８６５ａ，・・・，８６５ｅにエアーレギュレータ８６３ａＶ，・・・，８６３ｅＶを設ける代わりに、一方向弁８７１ａ，・・・，８７１ｅと、圧力制御弁又はスピードコントローラ８７２ａ，・・・，８７２ｅ（図６では、一方向弁８７１ｃ、圧力制御弁又はスピードコントローラ８７２ｃのみ図示）と、を電磁切替弁８６７ａ，・・・，８６７ｅの出力ポートＰ３側に接続している。これにより、周辺からエアを排出、吸入して、負圧を調整することができ、エアーレギュレータ８６３ａＶ，・・・，８６３ｅＶを設ける場合に比べて、装置を小型化できる。
【００４８】
なお、本発明は前述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【００４９】
上記実施形態の正負圧制御装置１８６では、圧力制御手段として各エアーレギュレータ８６３ａＶ，・・・，８６３ｅＶ，８６３ａＰ，・・・，８６３ｅＰが用いられているが、これに限らず、リリーフ弁、減圧弁、シーケンス弁、アンロード弁、カウンターバランス弁、バランシング弁等の圧力制御弁を適用することができる。また、方向制御手段としては電磁切替弁８６７ａ，・・・，８６７ｅが用いられているが、これに限らず、チェック弁、パイロットチェック弁、サーボ弁等の方向制御弁を適用することができる。さらに、流量制御手段としては、ストップバルブ８６２Ｖ，８６２Ｐが用いられているが、これに限らず、流量制御弁や絞り弁を適用することができる。
【００５０】
例えば、基板ステージ２０のワークチャック２１の各吸着領域８０ａ，・・・，８０ｅにおいて、各吸着領域８０ａ，・・・，８０ｅ内の圧力を圧力センサで検出し、各仕切り壁８１ａ，８２ａや周縁部８３ａと基板Ｗから漏れるエアを圧力センサを用いて感知するようにしてもよい。これにより、その圧力値を制御部８９６にフィードバックし、制御部８９６が圧力制御手段、方向制御手段、流量制御手段を制御するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１        近接露光装置
１０      マスクステージ
１２      マスク保持枠（マスク保持部）
１４      チャック部
２０      基板ステージ
２１      ワークチャック
２２      吸着面
８０ａ    中央の吸着領域
８０ｂ    環状の吸着領域
８０ｃ，８０ｄ，８０ｅ    長方形状の吸着領域
８１ａ    第１の仕切り壁
８２ａ    第２の仕切り壁
１８６    正負圧制御装置
８１４ａ，・・・，８１４ｅ    正負圧配管路
８６２Ｖ，８６２Ｐ    ストップバルブ（流量制御手段）
８６３ａＶ，・・・，８６３ｅＶ，８６３ａＰ，・・・，８６３ｅＰ    エアーレギュレータ（圧力制御手段）
８６５ａ，・・・，８６５ｅ    負圧配管路
８６６ａ，・・・，８６６ｅ    正圧配管路
８６７ａ，・・・，８６７ｅ  電磁切替弁（方向制御手段）
Ｍ        マスク
Ｗ        ガラス基板（被露光材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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