(57)【要約】【課題】端子電極の形成異常の発生、ショート不良の発生、素体の欠けの発生、及び絶縁層の剥がれの発生を抑制することが可能な積層電子部品を提供すること。【解決手段】主面１１，１２と端面１５，１６とに直交する方向に切断した切断面において、主面１１，１２側での稜線部分１７ａ〜１７ｄの湾曲開始点から仮想の角Ａ１までの距離Ｒ１と、端面１５，１６側での稜線部分１７ａ〜１７ｄの湾曲開始点から仮想の角Ａ１までの距離Ｒ２とが、１．０５≦Ｒ１／Ｒ２≦１．４７なる関係を満たし、主面１１，１２と側面とに直交する方向に切断した切断面において、主面１１，１２側での稜線部分の湾曲開始点から仮想の角までの距離Ｒ３と、側面側での稜線部分の湾曲開始点から仮想の角までの距離Ｒ４とが、１．０５≦Ｒ３／Ｒ４≦１．４７なる関係を満たし、距離Ｒ２と、複数の絶縁層２１の積層方向での最外に位置する内部電極７と主面１１，１２との間隔Ｔとが、Ｔ＞Ｒ２なる関係を満たしている。【選択図】図２
2011233696.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層が積層されており、互いに対向する一対の主面と、一対の前記主面間を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の側面と、一対の前記主面を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の端面と、を有する素体と、
前記素体内において前記複数の絶縁層の積層方向に配置され、前記端面に引き出されている複数の内部電極と、
前記一対の端面にそれぞれ形成され、各前記端面に引き出された前記内部電極に接続される一対の端子電極と、を備え、
前記主面と前記端面との間に位置する稜線部分及び前記主面と前記側面との間に位置する稜線部分が湾曲するように丸められており、
前記主面と前記端面とに直交する方向に切断した切断面において、前記主面側での前記稜線部分の湾曲開始点から前記稜線部分が直角であると仮定した仮想の角までの距離Ｒ１と、前記端面側での前記稜線部分の湾曲開始点から前記仮想の角までの距離Ｒ２とが、
１．０５≦Ｒ１／Ｒ２≦１．４７
なる関係を満たし、
前記主面と前記側面とに直交する方向に切断した切断面において、前記主面側での前記稜線部分の湾曲開始点から前記仮想の角までの距離Ｒ３と、前記側面側での前記稜線部分の湾曲開始点から前記仮想の角までの距離Ｒ４とが、
１．０５≦Ｒ３／Ｒ４≦１．４７
なる関係を満たし、
前記距離Ｒ２と、前記複数の内部電極のうち前記複数の絶縁層の積層方向での最外に位置する内部電極と前記主面との間隔Ｔとが、
Ｔ＞Ｒ２
なる関係を満たしていることを特徴とする積層電子部品。
【請求項２】
前記側面と前記端面との間に位置する稜線部分が湾曲するように丸められており、
前記側面と前記端面とに直交する方向に切断した切断面において、前記端面側での前記稜線部分の湾曲開始点から前記仮想の角までの距離Ｒ５と、前記内部電極と前記側面との距離Ｗｇとが、
Ｗｇ＞Ｒ５
なる関係を満たし、
前記側面と前記端面とに直交する方向に切断した切断面において、前記側面側での前記稜線部分の湾曲開始点から前記仮想の角までの距離Ｒ６と、前記内部電極と前記端面との距離Ｌｇとが、
Ｌｇ＞Ｒ６
なる関係を満たし、
前記距離Ｒ４と、前記間隔Ｔとが、
Ｔ＞Ｒ４
なる関係を満たしていることを特徴とする請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項３】
前記距離Ｒ５が、前記距離Ｒ２及び前記距離Ｒ４のいずれよりも短く、
前記距離Ｒ６が、前記距離Ｒ２及び前記距離Ｒ４のいずれよりも短いことを特徴とする請求項２に記載の積層電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサ等の積層電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層電子部品として、複数の絶縁層が積層されており、互いに対向する一対の主面と、一対の前記主面間を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の側面と、一対の前記主面を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の端面とを有する素体と、素体内において複数の絶縁層の積層方向に配置され、端面に引き出されている複数の内部電極と、一対の端面にそれぞれ形成され、各端面に引き出された内部電極に接続される一対の端子電極と、を備えているものが知られている（例えば、特許文献１及び２参照）。特許文献１及び２に記載された積層電子部品では、主面と端面との間に位置する稜線部分及び主面と側面との間に位置する稜線部分が湾曲するように丸められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−００６９６４号公報
【特許文献２】特開２００７−１４９９９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、端子電極の形成異常の発生、ショート不良の発生、素体の欠けの発生、及び絶縁層の剥がれの発生を抑制することが可能な積層電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者等は、端子電極の形成異常の発生、ショート不良の発生、素体の欠けの発生、及び絶縁層の剥がれの発生を抑制し得る積層電子部品について鋭意研究を行った。まず、本発明者等は、端子電極の形成異常の発生及びショート不良の発生と、素体の欠けの発生とが、相反する事象であることを見出した。主面と端面との間に位置する稜線部分及び主面と側面との間に位置する稜線部分は、当該稜線部分等での欠けの発生を抑制するために、湾曲するように丸められている。湾曲した稜線部分の曲率半径に関し、曲率半径が大きいほど、上記欠けの発生を抑制することが可能となる。これに対し、端子電極の形成異常の発生及びショート不良の発生については、曲率半径が小さいほど、その発生を抑制することが可能となる。
【０００６】
端子電極は、一般に、導電性ペーストを素体の端面に付与し、付与した導電性ペーストを焼き付けることにより形成される。このとき、稜線部分が端面の周囲に位置することもあって、稜線部分には導電性ペーストが付着し難いことが、本発明者等の調査研究の結果、判明した。曲率半径が大きくなると、複数の内部電極のうち複数の絶縁層の積層方向に見て外側に位置する内部電極は、稜線部分に露出することがある。内部電極が稜線部分に露出している場合、内部電極における稜線部分に露出している部分を覆うように、導電性ペーストを塗布することが難しく、導電性ペーストの塗布に異常が生じる懼れがある。導電性ペーストの塗布に異常が生じると、導電性ペーストにより形成される端子電極にも異常が生じることとなる。
【０００７】
また、素体の稜線部分では、導電性ペーストが付着したとしても、導電性ペーストの付着厚みを十分に確保することは難しい。したがって、導電性ペーストが稜線部分に露出している内部電極の端部を覆ったとしても、形成された端子電極の厚みが薄く、水分等の浸入によりショート不良が発生する懼れがある。
【０００８】
そこで、本発明者等は、主面と端面とに直交する方向に切断した切断面において、端面側での稜線部分の湾曲開始点から仮想の角までの距離を複数の内部電極のうち複数の絶縁層の積層方向での最外に位置する内部電極と主面との間隔よりも大きく設定することにより、稜線部分に内部電極が露出するのを防ぎ、端子電極の形成異常の発生及びショート不良の発生を抑制することができるという新たな事実を見出すに至った。そして、本発明者等は、主面と端面とに直交する方向に切断した切断面において、主面側での稜線部分の湾曲開始点から稜線部分が直角であると仮定した仮想の角までの距離を、端面側での稜線部分の湾曲開始点から仮想の角までの距離よりも大きく設定し、主面と側面とに直交する方向に切断した切断面において、主面側での稜線部分の湾曲開始点から仮想の角までの距離を、側面側での稜線部分の湾曲開始点から仮想の角までの距離よりも大きく設定することにより、端子電極の形成異常の発生、ショート不良の発生、及び素体の欠けの発生を抑制することができるという新たな事実も見出すに至った。
【０００９】
本発明者等が、距離Ｒ２を距離Ｒ１よりも大きく設定した積層電子部品について、更なる調査研究を進めた結果、距離Ｒ１が大きくなり過ぎると、素体の主面側において、絶縁層が剥がれやすくなるという新たな問題点が生じる懼れがあることが判明した。
【００１０】
かかる研究結果を踏まえ、本発明に係る積層電子部品は、複数の絶縁層が積層されており、互いに対向する一対の主面と、一対の主面間を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の側面と、一対の主面を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の端面と、を有する素体と、素体内において複数の絶縁層の積層方向に配置され、端面に引き出されている複数の内部電極と、一対の端面にそれぞれ形成され、各端面に引き出された内部電極に接続される一対の端子電極と、を備え、主面と端面との間に位置する稜線部分及び主面と側面との間に位置する稜線部分が湾曲するように丸められており、主面と端面とに直交する方向に切断した切断面において、主面側での稜線部分の湾曲開始点から稜線部分が直角であると仮定した仮想の角までの距離Ｒ１と、端面側での稜線部分の湾曲開始点から仮想の角までの距離Ｒ２とが、
１．０５≦Ｒ１／Ｒ２≦１．４７
なる関係を満たし、主面と側面とに直交する方向に切断した切断面において、主面側での稜線部分の湾曲開始点から仮想の角までの距離Ｒ３と、側面側での稜線部分の湾曲開始点から仮想の角までの距離Ｒ４とが、
１．０５≦Ｒ３／Ｒ４≦１．４７
なる関係を満たし、距離Ｒ２と、複数の内部電極のうち複数の絶縁層の積層方向での最外に位置する内部電極と主面との間隔Ｔとが、
Ｔ＞Ｒ２
なる関係を満たしていることを特徴とする。
【００１１】
好ましくは、側面と端面との間に位置する稜線部分が湾曲するように丸められており、側面と端面とに直交する方向に切断した切断面において、端面側での稜線部分の湾曲開始点から仮想の角までの距離Ｒ５と、内部電極と側面との距離Ｗｇとが、
Ｗｇ＞Ｒ５
なる関係を満たし、側面と端面とに直交する方向に切断した切断面において、側面側での稜線部分の湾曲開始点から仮想の角までの距離Ｒ６と、内部電極と端面との距離Ｌｇとが、
Ｌｇ＞Ｒ６
なる関係を満たし、距離Ｒ４と、間隔Ｔとが、
Ｔ＞Ｒ４
なる関係を満たしている。より好ましくは、距離Ｒ５が、距離Ｒ２及び距離Ｒ４のいずれよりも短く、距離Ｒ６が、距離Ｒ２及び距離Ｒ４のいずれよりも短い。これらの場合、端面と当該端面に露出しない内部電極との間隔、及び、側面と内部電極との間隔が確保されることとなる。この結果、高温高湿環境下における絶縁抵抗劣化の発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、端子電極の形成異常の発生、ショート不良の発生、素体の欠けの発生、及び絶縁層の剥がれの発生を抑制することが可能な積層電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態に係る積層電子部品の斜視図である。
【図２】本実施形態に係る積層電子部品に含まれる素体の断面構成を説明するための図である。
【図３】本実施形態に係る積層電子部品に含まれる素体の断面構成を説明するための図である。
【図４】本実施形態に係る積層電子部品に含まれる素体の断面構成を説明するための図である。
【図５】第１の実験の結果を示す図表である。
【図６】第２の実験の結果を示す図表である。
【図７】第３の実験の結果を示す図表である。
【図８】第４の実験の結果を示す図表である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１５】
図１〜図４を参照して、本実施形態に係る積層電子部品Ｃについて説明する。図１は、本実施形態に係る積層電子部品の斜視図である。図２〜図４は、本実施形態に係る積層電子部品に含まれる素体の断面構成を説明するための図である。本実施形態に係る積層電子部品Ｃは、チップ状の積層コンデンサである。積層電子部品Ｃは、略直方体形状を呈しており、例えば、長手方向の長さが３．２ｍｍ程度であり、幅方向の長さが１．６ｍｍ程度であり、高さ方向の長さが１．６ｍｍ程度である。すなわち、積層電子部品Ｃは、３２１６サイズのチップ部品である。
【００１６】
積層電子部品Ｃは、素体１と、素体１の両端部にそれぞれ配置された端子電極３，５と、複数の内部電極７と、を備えている。
【００１７】
素体１は、一対の主面１１，１２と、一対の側面１３，１４と、一対の端面１５，１６と、を有している。一対の主面１１，１２は、互いに対向している。一対の側面１３，１４は、一対の主面１１，１２間を連結するように伸び且つ互いに対向している。一対の端面１５，１６は、一対の主面１１，１２を連結するように伸び且つ互いに対向している。
【００１８】
素体１は、稜線部分１７ａ〜１７ｄと、稜線部分１８ａ〜１８ｄと、稜線部分１９ａ〜１９ｄと、を含んでいる。稜線部分１７ａ〜１７ｄは、主面１１，１２と端面１５，１６との間に位置している。稜線部分１８ａ〜１８ｄは、主面１１，１２と側面１３，１４との間に位置している。稜線部分１９ａ〜１９ｄは、側面１３，１４と端面１５，１６との間に位置している。稜線部分１７ａ〜１７ｄ、稜線部分１８ａ〜１８ｄ、及び稜線部分１９ａ〜１９ｄは、湾曲するように丸められており、いわゆるＲ面取り加工が施されている。
【００１９】
素体１は、図２〜図４に示されるように、複数の絶縁層２１を有している。各絶縁層２１は、一対の主面１１，１２に平行な方向に伸びており、一対の主面１１，１２の対向方向に積層されている。すなわち、一対の主面１１，１２の対向方向と、素体１における積層方向とは、一致している。素体１は、内部電極７が絶縁層２１を挟んで対向するように積層されてなる構造を有している。素体１は、内部電極７を含む容量形成部（内層部）１ａと、容量形成部１ａを一対の主面１１，１２の対向方向で挟む外層部１ｂと、を含んでいる。外層部１ｂは、複数の絶縁層２１が積層され、これらの絶縁層２１が一体化した層であり、内部電極７を含んでいない。
【００２０】
各絶縁層２１は、誘電体材料（例えば、ＢａＴｉＯ３等）を主成分として含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。実際の積層電子部品Ｃでは、各絶縁層２１は、絶縁層２１の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００２１】
各内部電極７は、略矩形状を呈しており、その端が端面１５，１６に露出している。端面１５に露出する内部電極７と、端面１６に露出する内部電極７とは、素体１において、絶縁層２１の積層方向、すなわち一対の主面１１，１２の対向方向に交互に配置されている。絶縁層２１の積層方向に隣り合う内部電極７は、絶縁層２１を挟んだ状態で、互いに対向している。内部電極７は、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料（例えば、卑金属であるＮｉ等）からなる。内部電極７は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。
【００２２】
端子電極３は、端面１５側に配置されている。端子電極５は、端面１６側に配置されている。各端子電極３，５は、焼付電極層と、めっき層と、を有している。焼付電極層は、端面１５，１６の全体と、端面１５，１６に隣り合う一対の主面１１及び一対の側面１３，１４の一部を覆うように形成されている。したがって、焼付電極層は、稜線部分１７ａ〜１７ｄと稜線部分１９ａ〜１９ｄとを覆うこととなる。焼付電極層は、導電性金属粉末（例えば、Ｃｕ粉末等）を含む導電性ペーストを素体１の外表面の対応する箇所に付与し、焼き付けることによって形成される。めっき層は、湿式めっき法（例えば、電解めっき法等）により、焼付電極層上に形成される。電解めっきには、例えばＮｉ／Ｓｎめっき等を用いることができる。
【００２３】
各端子電極３，５（焼付電極層）は、内部電極７における端面１５，１６に露出した部分をすべて覆っている。したがって、内部電極７は、対応する端子電極３，５に物理的且つ電気的に接続されることとなる。
【００２４】
続いて、各稜線部分１７ａ〜１７ｄ，１８ａ〜１８ｄ, １９ａ〜１９ｄにおける湾曲開始点の位置について説明する。
【００２５】
稜線部分１７ａ〜１７ｄは、図２に示されるように、主面１１，１２と端面１５，１６とに直交する方向に切断した切断面において、主面１１，１２側と端面１５，１６側とにそれぞれ湾曲開始点を有している。主面１１，１２と端面１５，１６とに直交する方向に切断した上記切断面において、稜線部分１７ａ〜１７ｄが直角であると仮定した仮想の角を「Ａ１」と規定し、主面１１，１２側での稜線部分１７ａ〜１７ｄの湾曲開始点から仮想の角Ａ１までの距離を「Ｒ１」と規定し、端面１５，１６側での稜線部分１７ａ〜１７ｄの湾曲開始点から仮想の角Ａ１までの距離を「Ｒ２」と規定する。距離Ｒ１と距離Ｒ２とは、
１．０５≦Ｒ１／Ｒ２≦１．４７
なる関係を満たしている。稜線部分１７ａ〜１７ｄは、主面１１，１２と端面１５，１６とに直交する方向に切断した切断面において、例えば、距離Ｒ１を長軸とし且つ距離Ｒ２を端軸とする楕円の円弧に沿っている。
【００２６】
主面１１，１２と端面１５，１６とに直交する方向に切断した切断面において、複数の内部電極７のうち複数の絶縁層２１の積層方向での最外に位置する内部電極７と主面１１，１２との間隔を「Ｔ」と規定する。間隔Ｔは、外層部１ｂの厚みに相当する。距離Ｒ２と間隔Ｔとは、
Ｔ＞Ｒ２
なる関係を満たしている。
【００２７】
稜線部分１８ａ〜１８ｄは、図３に示されるように、主面１１，１２と側面１３，１４とに直交する方向に切断した切断面において、主面１１，１２側と側面１３，１４側とにそれぞれ湾曲開始点を有している。主面１１，１２と側面１３，１４とに直交する方向に切断した上記切断面において、稜線部分１８ａ〜１８ｄが直角であると仮定した仮想の角を「Ａ２」と規定し、主面１１，１２側での稜線部分１８ａ〜１８ｄの湾曲開始点から仮想の角Ａ２までの距離を「Ｒ３」と規定し、側面１３，１４側での稜線部分１８ａ〜１８ｄの湾曲開始点から仮想の角Ａ２までの距離を「Ｒ４」と規定する。距離Ｒ３と距離Ｒ４とは、
１．０５≦Ｒ３／Ｒ４≦１．４７
なる関係を満たしている。距離Ｒ４と間隔Ｔとは、
Ｔ＞Ｒ４
なる関係を満たしている。稜線部分１８ａ〜１８ｄは、主面１１，１２と側面１３，１４とに直交する方向に切断した切断面において、例えば、距離Ｒ３を長軸とし且つ距離Ｒ４を端軸とする楕円の円弧に沿っている。
【００２８】
稜線部分１９ａ〜１９ｄは、図４に示されるように、側面１３，１４と端面１５，１６とに直交する方向に切断した切断面において、側面１３，１４側と端面１５，１６側とにそれぞれ湾曲開始点を有している。側面１３，１４と端面１５，１６とに直交する方向に切断した上記切断面において、稜線部分１９ａ〜１９ｄが直角であると仮定した仮想の角を「Ａ３」と規定し、端面１５，１６側での稜線部分１９ａ〜１９ｄの湾曲開始点から仮想の角Ａ３までの距離を「Ｒ５」と規定し、内部電極７と側面１３，１４との距離を「Ｗｇ」と規定する。距離Ｒ５と距離Ｗｇとは、
Ｗｇ＞Ｒ５
なる関係を満たしている。距離Ｒ５は、距離Ｒ２及び距離Ｒ４よりも短い。
【００２９】
側面１３，１４と端面１５，１６とに直交する方向に切断した上記切断面において、側面１３，１４側での稜線部分１９ａ〜１９ｄの湾曲開始点から仮想の角Ａ３までの距離を「Ｒ６」と規定し、内部電極７と端面１５，１６との距離を「Ｌｇ」と規定する。距離Ｒ６と距離Ｌｇとは、
Ｌｇ＞Ｒ６
なる関係を満たしている。距離Ｒ６は、距離Ｒ２及び距離Ｒ４よりも短い。稜線部分１９ａ〜１９ｄは、側面１３，１４と端面１５，１６とに直交する方向に切断した切断面において、例えば、距離Ｒ５（距離Ｒ６）を半径とする円弧に沿っている。
【００３０】
ここで、距離Ｒ１〜Ｒ６と、端子電極３，５の形成異常の発生、ショート不良の発生、素体１の欠けの発生、及び絶縁層２１の剥がれの発生との関係について、詳細に説明する。
【００３１】
本発明者等は、距離Ｒ１〜Ｒ６と、端子電極３，５の形成異常の発生、ショート不良の発生、素体１の欠けの発生、及び絶縁層２１の剥がれの発生との関係を明らかにするために、以下のような第１の実験を行なった。距離Ｒ１と距離Ｒ２とが異なる積層コンデンサ（３２１６タイプの積層コンデンサ）をサンプル１〜１１毎に所定個数（１０００個）の検体を作製し、各検体における端子電極３，５の形成異常の発生、ショート不良の発生、素体１の欠けの発生、及び絶縁層２１の剥がれの発生を確認した。端子電極３，５の形成異常の発生に関しては、各検体の外観を検査し、内部電極が外部電極に覆われていない場合に、「不良」と判断した。ショート不良の発生に関しては、各検体に所定の電圧（１Ｖ）を印加した際の抵抗値を測定し、測定値が１０ｋΩ以下である場合に、「不良」と判定した。素体１の欠けの発生に関しては、各検体の外観を検査し、所定の面積（１０μｍ２）以上の破断面が稜線部分に確認された場合に、「不良」と判断した。絶縁層２１の剥がれの発生に関しては、各検体の外観を検査し、積層方向に平行な空隙がある場合に、「不良」と判断した。
【００３２】
本第１の実験の結果を、図５に示す。各サンプル１〜１１とも、距離Ｒ１と距離Ｒ２がと異なる点を除いては、上述した実施形態の積層電子部品Ｃ（積層コンデンサ）と同じ構成であり、すべてのサンプル１〜１１において検体同士が同じ電気的特性（例えば、Ｂ特性等）を有している。第１の実験では、各検体において、距離Ｒ３を２３０μｍに設定し、距離Ｒ４を１８０μｍに設定した。したがって、各検体における距離Ｒ３と距離Ｒ４との比（Ｒ３／Ｒ４）は、１．２８となる。また、第１の実験では、各検体において、間隔Ｔを２００μｍに設定し、距離Ｗｇ及び距離Ｌｇを２００μｍに設定した。
【００３３】
図５に示される実験結果から、距離Ｒ１と距離Ｒ２とが
１．０５≦Ｒ１／Ｒ２≦１．４７
なる関係を満たしている場合、端子電極３，５の形成異常の発生、ショート不良の発生、素体１の欠けの発生、及び絶縁層２１の剥がれの発生が抑制されていることがわかる。特に、距離Ｒ１と距離Ｒ２とが
１．１４≦Ｒ１／Ｒ２≦１．２２
なる関係を満たしている場合、端子電極３，５の形成異常、ショート不良、素体１の欠け、及び絶縁層２１の剥がれのいずれの不具合も発生していない。最終的な良否の判定は、端子電極３，５の形成異常、ショート不良、素体１の欠け、及び絶縁層２１の剥がれのそれぞれの不良発生率を合計した合計不良発生率で判断し、合計不良発生率が０．５％以下となるサンプルを「良（◎又は○）」と判定した。
【００３４】
続いて、本発明者等は、以下のような第２の実験を行なった。距離Ｒ３と距離Ｒ４とが異なる積層コンデンサ（３２１６タイプの積層コンデンサ）をサンプル１２〜１８毎に所定個数（１０００個）の検体を作製し、各検体における端子電極３，５の形成異常の発生、ショート不良の発生、素体１の欠けの発生、及び絶縁層２１の剥がれの発生を確認した。これらの不具合の発生に関しては、第１の実験と同じ評価を行なった。
【００３５】
本第２の実験の結果を、図６に示す。各サンプル１２〜１８とも、距離Ｒ３と距離Ｒ４とが異なる点を除いては、上述した実施形態の積層電子部品Ｃと同じ構成であり、すべてのサンプル１２〜１８において検体同士が同じ電気的特性（例えば、Ｂ特性等）を有している。第２の実験では、各検体において、距離Ｒ１を２３０μｍに設定し、距離Ｒ２を２００μｍに設定した。したがって、各検体における距離Ｒ１と距離Ｒ２との比（Ｒ１／Ｒ２）は、１．１５となる。また、第１の実験では、各検体において、間隔Ｔを２００μｍに設定し、距離Ｗｇ及び距離Ｌｇを２００μｍに設定した。
【００３６】
図６に示される実験結果から、距離Ｒ３と距離Ｒ４とが
１．０５≦Ｒ３／Ｒ４≦１．４７
なる関係を満たしている場合、端子電極３，５の形成異常の発生、ショート不良の発生、素体１の欠けの発生、及び絶縁層２１の剥がれの発生が抑制されていることがわかる。特に、距離Ｒ３と距離Ｒ４とが
１．１５≦Ｒ３／Ｒ４≦１．２４
なる関係を満たしている場合、端子電極３，５の形成異常、ショート不良、素体１の欠け、及び絶縁層２１の剥がれのいずれの不具合も発生していない。ここでも、最終的な良否の判定は、端子電極３，５の形成異常、ショート不良、素体１の欠け、及び絶縁層２１の剥がれのそれぞれの不良発生率を合計した合計不良発生率で判断し、合計不良発生率が０．５％以下となるサンプルを「良（◎又は○）」として判定した。
【００３７】
次に、本発明者等は、距離Ｒ４及び間隔Ｔと、高温高湿環境下における絶縁抵抗劣化の発生との関係を明らかにするために、以下のような第３の実験を行なった。距離Ｒ４と間隔Ｔとの関係が異なる積層コンデンサ（３２１６タイプの積層コンデンサ）をサンプル１９〜２１毎に所定個数（１０００個）の検体を作製し、各検体における高温高湿環境下における絶縁抵抗劣化の発生を確認した。ここでは、各検体をはんだ付け（リフロー）により基板に実装した状態で加速試験を行い、各検体の加速試験前後における絶縁抵抗ＩＲをそれぞれ測定した。そして、加速試験後に絶縁抵抗ＩＲが一桁以上低下した検体を「不良」と判断した。加速試験では、恒温恒湿環境（温度：１２１℃、相対湿度：９５％、圧力：２気圧）中で、各検体に５０ＶのＤＣ電圧を２４時間連続して印加した。加速試験後の絶縁抵抗は、加速試験から所定時間（２時間以上）経過した後に測定した値とした。
【００３８】
本第３の実験の結果を、図７に示す。各サンプル１９〜２１とも、距離Ｒ４と間隔Ｔとの関係が異なる点を除いては、上述した実施形態の積層電子部品Ｃと同じ構成であり、すべてのサンプル１９〜２１において検体同士が同じ電気的特性（例えば、Ｂ特性等）を有している。第３の実験では、各検体において、距離Ｒ１を２０５μｍに設定し、距離Ｒ２を１８０μｍに設定し、距離Ｒ３を２３０μｍに設定した。したがって、各検体における距離Ｒ１と距離Ｒ２との比（Ｒ１／Ｒ２）は、１．１４となる。また、第３の実験では、各検体において、間隔Ｔを２００μｍに設定し、距離Ｗｇ及び距離Ｌｇを２００μｍに設定した。
【００３９】
図７に示される実験結果から、距離Ｒ４と間隔Ｔとが、
【００４０】
Ｔ＞Ｒ４
なる関係を満たしている場合、絶縁抵抗劣化の発生が抑制されていることがわかる。
【００４１】
続いて、本発明者等は、距離Ｒ５と距離Ｗｇとの関係及び距離Ｒ６と距離Ｌｇとの関係と、高温高湿環境下における絶縁抵抗劣化の発生との関係を明らかにするために、以下のような第４の実験を行なった。距離Ｒ５と距離Ｗｇとの関係及び距離Ｒ６と距離Ｌｇとの関係が異なる積層コンデンサ（３２１６タイプの積層コンデンサ）をサンプル２２〜２６毎に所定個数（１０００個）の検体を作製し、各検体における高温高湿環境下における絶縁抵抗劣化の発生を確認した。絶縁抵抗劣化の発生に関しては、第３の実験と同じ評価を行なった。
【００４２】
本第４の実験の結果を、図８に示す。各サンプル２２〜２６とも、距離Ｒ５と距離Ｗｇとの関係及び距離Ｒ６と距離Ｌｇとの関係が異なる点を除いては、上述した実施形態の積層電子部品Ｃと同じ構成であり、すべてのサンプル２２〜２６において検体同士が同じ電気的特性（例えば、Ｂ特性等）を有している。第４の実験では、各検体において、距離Ｒ１を２０５μｍに設定し、距離Ｒ２を１８０μｍに設定し、距離Ｒ３を２３０μｍに設定し、距離Ｒ４を１８０μｍに設定した。したがって、各検体における距離Ｒ１と距離Ｒ２との比（Ｒ１／Ｒ２）は１．１４となり、各検体における距離Ｒ３と距離Ｒ４との比（Ｒ３／Ｒ４）は１．１０となる。また、第３の実験では、各検体において、間隔Ｔを２００μｍに設定し、距離Ｗｇ及び距離Ｌｇを２００μｍに設定した。
【００４３】
図８に示される実験結果から、距離Ｒ５と距離Ｗｇとが、
【００４４】
Ｗｇ＞Ｒ５
なる関係を満たすと共に、距離Ｒ６と距離Ｌｇとが、
【００４５】
Ｌｇ＞Ｒ６
なる関係を満たしている場合、絶縁抵抗劣化の発生が抑制されていることがわかる。
【００４６】
以上のように、本実施形態においては、距離Ｒ１と距離Ｒ２とが、
１．０５≦Ｒ１／Ｒ２≦１．４７
なる関係を満たし、距離Ｒ３と距離Ｒ４とが、
１．０５≦Ｒ３／Ｒ４≦１．４７
なる関係を満たし、距離Ｒ２と間隔Ｔとが、
Ｔ＞Ｒ２
なる関係を満たしているので、端子電極３，５の形成異常の発生、ショート不良の発生、素体１の欠けの発生、及び絶縁層２１の剥がれの発生を抑制することができる。
【００４７】
本実施形態においては、距離Ｒ５と距離Ｗｇとが、
Ｗｇ＞Ｒ５
なる関係を満たし、距離Ｒ６と距離Ｌｇとが、
Ｌｇ＞Ｒ６
なる関係を満たし、距離Ｒ４と間隔Ｔとが、
Ｔ＞Ｒ４
なる関係を満たしているので、高温高湿環境下における絶縁抵抗劣化の発生を抑制することができる。
【００４８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００４９】
本発明は、積層コンデンサに限られることなく、積層バリスタや積層圧電アクチュエータ等の積層電子部品にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、積層セラミックコンデンサ等の積層電子部品に利用できる。
【符号の説明】
【００５１】
１…素体、１ａ…容量形成部、１ｂ…外層部、３，５…端子電極、７…内部電極、１１，１２…主面、１３，１４…側面、１５，１６…端面、１７ａ〜１７ｄ、１８ａ〜１８ｄ、１９ａ〜１９ｄ…稜線部分、２１…絶縁層、Ｃ…積層電子部品。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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