(57)【要約】【課題】本発明は、走査回路の動作の安定性と静電気対策の両方を兼ね備えた表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】表示装置は、１つのグループの画素１０をそれぞれ選択するための複数の走査線３８と、走査信号が入力される少なくとも１つの走査線３８を選択する制御のためのパルス信号が供給される制御線４２と、パルス信号によって制御される薄膜トランジスタを含み複数の走査線３８に接続され表示領域１２の外側に配置された走査回路４０と、交差する方向に延びる複数の導電線からなる導電メッシュ４６と、を有する。導電メッシュ４６は、画素１０領域を避けて、薄膜トランジスタ及び走査線３８の上方に配置されている。導電メッシュ４６を構成するそれぞれの導電線は、走査線３８の上方では、走査線３８と平行にならないように立体交差する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する表示領域と、
前記複数の画素にデータ信号を供給するための複数のデータ線と、
１つのグループの前記画素をそれぞれ選択するための複数の走査線と、
走査信号が入力される少なくとも１つの前記走査線を選択する制御のためのパルス信号が供給される制御線と、
前記パルス信号によって制御される薄膜トランジスタを含み、前記複数の走査線に接続され、前記表示領域の外側に配置された走査回路と、
複数の交点を有するように相互に交差する方向に延びる複数の導電線からなる導電メッシュと、
を有し、
前記導電メッシュは、前記薄膜トランジスタ及び前記複数の走査線とは電気的に絶縁された状態で、前記画素領域を避けて、前記薄膜トランジスタ及び前記走査線の上方に配置され、
前記導電メッシュを構成するそれぞれの前記導電線は、前記走査線の上方では、前記走査線と平行にならないように立体交差することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記導電メッシュは、前記制御線とは電気的に絶縁されて前記制御線の上方に位置する部分を含み、前記部分は、前記薄膜トランジスタ及び前記走査線の上方に配置された部分よりも、前記導電線の隣同士の前記交点の、前記走査線に直交する方向の間隔が広いことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記導電メッシュの、前記走査線の上方に配置された部分では、前記導電線の隣同士の前記交点の、前記走査線に直交する方向の間隔の整数倍が、隣同士の前記画素のピッチと等しいことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記表示装置は有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
それぞれの前記画素に配置される画素電極を有し、
前記導電メッシュは、前記画素電極と同じ層位置に形成されていることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの表示装置は、マトリクス方式で駆動されることが一般的である。マトリクス方式では、複数のデータ線と複数の走査線が交差する方向に延びる。走査線に走査信号が入力されるとその走査線が選択され、選択された走査線に対応する画素にデータ線の信号が印加される。
【０００３】
走査信号は、走査回路で生成され、走査回路を薄膜で基板上に形成することが知られている。また、走査回路は通常シフトレジスタを含み、シフトレジスタ（特に薄膜トランジスタ）は、静電気による影響を受けやすいため、静電気から保護するために接地電位に接続された遮蔽層を、走査回路の上方に設けることが知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２７１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
遮蔽層を形成すると、配線と遮蔽層の間に寄生容量が形成される。そのため、遮蔽層に覆われた配線を通る信号の遅延が生じ、走査回路の動作の安定性が損なわれるという問題があった。
【０００６】
本発明は、走査回路の動作の安定性と静電気対策の両方を兼ね備えた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る表示装置は、複数の画素を有する表示領域と、前記複数の画素にデータ信号を供給するための複数のデータ線と、１つのグループの前記画素をそれぞれ選択するための複数の走査線と、走査信号が入力される少なくとも１つの前記走査線を選択する制御のためのパルス信号が供給される制御線と、前記パルス信号によって制御される薄膜トランジスタを含み、前記複数の走査線に接続され、前記表示領域の外側に配置された走査回路と、複数の交点を有するように相互に交差する方向に延びる複数の導電線からなる導電メッシュと、を有し、前記導電メッシュは、前記薄膜トランジスタ及び前記複数の走査線とは電気的に絶縁された状態で、前記画素領域を避けて、前記薄膜トランジスタ及び前記走査線の上方に配置され、前記導電メッシュを構成するそれぞれの前記導電線は、前記走査線の上方では、前記走査線と平行にならないように立体交差することを特徴とする。本発明によれば、導電メッシュが薄膜トランジスタ及び走査線の上方に配置されているので静電気対策を図ることができ、かつ、導電線が走査線と平行にならないため、寄生容量が大きくならず、走査回路の動作の安定性も図ることができる。
【０００８】
（２）（１）に記載された表示装置において、前記導電メッシュは、前記制御線とは電気的に絶縁されて前記制御線の上方に位置する部分を含み、前記部分は、前記薄膜トランジスタ及び前記走査線の上方に配置された部分よりも、前記導電線の隣同士の前記交点の、前記走査線に直交する方向の間隔が広いことを特徴としてもよい。
【０００９】
（３）（１）又は（２）に記載された表示装置において、前記導電メッシュの、前記走査線の上方に配置された部分では、前記導電線の隣同士の前記交点の、前記走査線に直交する方向の間隔の整数倍が、隣同士の前記画素のピッチと等しいことを特徴としてもよい。
【００１０】
（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された表示装置において、前記表示装置は有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、それぞれの前記画素に配置される画素電極を有し、前記導電メッシュは、前記画素電極と同じ層位置に形成されていることを特徴としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置を示す平面図である。
【図２】図１に示す表示装置の縦断面図である。
【図３】走査回路の一部拡大図である。
【図４】図２に示す表示装置の変形例を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置を示す平面図である。図２は、図１に示す表示装置の縦断面図である。本実施形態では、表示装置は有機エレクトロルミネッセンス表示装置であるが、本発明に係る表示装置は、液晶表示装置に適用することも可能である。
【００１４】
図１に示すように、表示装置は、複数の画素１０が配列された表示領域１２を有する。各画素１０には、薄膜トランジスタが設けられている。詳しくは、図２に示すように、基板１４（例えばガラス基板）上に半導体層１６（例えばポリシリコン層）が形成されている。半導体層１６上にはゲート絶縁膜１８（例えばシリコン酸化膜）が形成され、その上にゲート電極２０が配置されている。ゲート電極２０は第１絶縁膜２２（例えばシリコン酸化膜）で覆われている。第１絶縁膜２２及びゲート絶縁膜１８のスルーホールを介して半導体層１６に電気的に接続するように、ソース電極２４及びドレイン電極２６が形成されている。ソース電極２４及びドレイン電極２６は第２絶縁膜２８（例えばシリコン窒化膜）で覆われている。さらに、第２絶縁膜２８上には第３絶縁膜３０（例えば有機膜）が積層されている。第３絶縁膜３０の上面は、第２絶縁膜２８の上面より平坦性が高い。第２絶縁膜２８及び第３絶縁膜３０のスルーホールを介して、ソース電極２４及びドレイン電極２６の一方に電気的に接続するように、第３絶縁膜３０上に画素電極３２（例えばアノード電極）が配置されている。画素電極３２上には、その中央部を囲むようにバンク３４が設けられている。バンク３４に囲まれた領域であって画素電極３２上には、図示しない発光層が配置され、発光層上には図示しない共通電極（例えばカソード電極）が配置される。
【００１５】
図１に示すように、表示装置は、複数の画素１０にデータ信号を供給するための複数のデータ線３６を有する。また、表示装置は、１つのグループの画素１０をそれぞれ選択するための複数の走査線３８を有する。走査線３８に接続されるように、表示領域１２の外側には走査回路４０が形成されている。
【００１６】
図３は、走査回路４０の一部拡大図である。走査回路４０で走査信号が生成され、走査信号が入力される少なくとも１つの走査線３８が選択される。この選択の制御は、走査回路４０に入力されるパルス信号（例えばクロック信号）によってなされる。パルス信号は制御線４２によって供給される。
【００１７】
走査回路４０は、複数のフリップフロップ４４を有する。フリップフロップ４４は、パルス信号（例えばクロック信号）によって制御される薄膜トランジスタを含む。詳しくは、図２に示すように、基板１４（例えばガラス基板）上に半導体層１６（例えばポリシリコン層）が形成されている。半導体層１６上にはゲート絶縁膜１８（例えばシリコン酸化膜）が形成され、その上にゲート電極２０が配置されている。ゲート電極２０は第１絶縁膜２２（例えばシリコン酸化膜）で覆われている。第１絶縁膜２２及びゲート絶縁膜１８のスルーホールを介して半導体層１６に電気的に接続するように、ソース電極２４及びドレイン電極２６が形成されている。ソース電極２４及びドレイン電極２６は第２絶縁膜２８（例えばシリコン窒化膜）で覆われている。さらに、第２絶縁膜２８上には第３絶縁膜３０（例えば有機膜）が積層されている。第３絶縁膜３０の上面は、第２絶縁膜２８の上面より平坦性が高い。
【００１８】
第３絶縁膜３０上に導電メッシュ４６が形成されている。導電メッシュ４６は、画素電極３２と同じ層位置に形成されている。例えば、導電メッシュ４６及び画素電極３２は、同じ工程（フォトリソグラフィによるエッチングレジストの形成及びこれをマスクとするエッチングを含む工程）で同じ導電膜から一括して形成する。
【００１９】
図１又は図３に示すように、導電メッシュ４６は、複数の交点Ｉを有するように相互に交差する方向に延びる複数の導電線からなる。また導電メッシュ４６は、夫々の導電線が交差する方向に延びて配置されている。導電メッシュ４６は、薄膜トランジスタ（フリップフロップ４４の一部）及び複数の走査線３８とは電気的に絶縁されている。導電メッシュ４６は、画素１０領域を避けて、薄膜トランジスタ（フリップフロップ４４の一部）及び走査線３８の上方に配置されている。導電メッシュ４６を構成するそれぞれの導電線は、走査線３８の上方では、走査線３８と平行にならないように立体交差する。導電メッシュ４６は、表示装置の電源電位、基準電位又は接地電位に接続されることが好ましい。
【００２０】
図３に示すように平面的に見た場合、導電メッシュ４６は、走査線３８が配置された領域及び制御線４２が配置された領域に形成されている。但し導電メッシュ４６は絶縁膜を介して配置されているため、走査線３８及び制御線４２とは電気的に絶縁されている。
【００２１】
導電メッシュ４６は、走査線３８の上方に配置された部分で、走査線３８の総面積に対する導電メッシュ４６の配置される割合ＤＥ１（配線密度ＤＥ１）が５０〜８０％になるように配置した。
【００２２】
例えば、直線状の導電線を交差させて形成した導電メッシュ４６の場合、導電線の隣同士の交点Ｉの走査線３８に直交する方向の間隔ｄ１を１０〜２００ｕｍの範囲で調整し、配線幅を６〜３０ｕｍの範囲で調整することが望ましい。なお、間隔ｄ１の整数倍が、隣同士の画素１０のピッチと等しい。
【００２３】
また導電メッシュ４６は、制御線４２とは電気的に絶縁されて制御線４２の上方に位置する部分にも配置される。この部分の制御線４２は、薄膜トランジスタ及び走査線３８の上方に配置された部分の配線密度ＤＥ１よりも、制御線４２の総面積に対する導電メッシュ４６の配置される割合ＤＥ２（配線密度ＤＥ２）が小さくなるように配置してある。すなわち配線密度はＤＥ１＞ＤＥ２の関係にある。
【００２４】
制御線４２の領域配置された導電メッシュ４６は、例えば、導電線の隣同士の交点Ｉの走査線３８に直交する方向の間隔ｄ２を４０〜２００ｕｍの範囲で調整し、配線幅を４〜３０ｕｍの範囲で調整することが望ましい。
【００２５】
導電線の交点Ｉの間隔は、走査線配置領域よりも制御線配置領域で大きい。即ちｄ１＜ｄ２である。なお、本実施例では、走査線３８に直交する方向の間隔ｄ１が、隣同士の走査線３８の間隔Ｄと等しい。
【００２６】
また、制御線４２と導電メッシュ４６との交差部が増えると、制御線４２と導電メッシュ４６の間の寄生容量が増え、制御線４２のデータ遅延が発生する。特に制御線４２はフリップフロップ４４や走査線３８よりも、寄生容量がついた場合、出力信号の遅延が大きい。図３に示すように、制御線４２と導電メッシュ４６との交差面積を少なくすることで、制御線４２と導電メッシュ４６の間にできる寄生容量を減らすことができ、データの遅延を抑制でき、且つ静電気対策の効果を得ることができる。
【００２７】
本実施形態によれば、導電メッシュ４６が薄膜トランジスタ（フリップフロップ４４の一部）及び走査線３８の上方に配置されているので静電気対策を図ることができる。また、導電線が走査線３８と平行にならないため、寄生容量が大きくならず、走査回路４０の動作の安定性も図ることができる。
【００２８】
図４は、図２に示す表示装置の変形例を示す縦断面図である。図２に示す例では、走査回路４０にも第３絶縁膜３０が形成されているが、第３絶縁膜３０を樹脂などの有機材料から形成すると、図示しない封止板を貼り付けるときの接着剤の接着力が弱い。そのため、図４の変形例では、走査回路４０では、第３絶縁膜３０を形成せず、第２絶縁膜２８上に導電メッシュ１４６を形成してある。この場合、第２絶縁膜２８上に図示しない封止板を貼り付ける。第２絶縁膜２８を無機材料から形成することで、第２絶縁膜２８と接着剤との間で高い接着力を確保することができる。
【００２９】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００３０】
１０  画素、１２  表示領域、１４  基板、１６  半導体層、１８  ゲート絶縁膜、２０  ゲート電極、２２  第１絶縁膜、２４  ソース電極、２６  ドレイン電極、２８  第２絶縁膜、３０  第３絶縁膜、３２  画素電極、３４  バンク、３６  データ線、３８  走査線、４０  走査回路、４２  制御線、４４  フリップフロップ、４６  導電メッシュ、１４６  導電メッシュ、Ｉ  交点、Ｄ  間隔、ｄ１  間隔、ｄ２  間隔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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