(57)【要約】【課題】半田耐熱性および長期の高温耐熱性さらに耐光劣化性に優れ、良好な光反射性を付与することのできる光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物を提供する。【解決手段】金属リードフレーム１と、それに搭載された光半導体素子２を収納する、凹部を備えた光半導体収納用実装パッケージ用の絶縁樹脂層３において、その絶縁樹脂層３形成材料が、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有し、かつ（Ｃ）白色顔料と（Ｄ）無機質充填剤の混合割合〔（Ｃ）／（Ｄ）〕が、重量比で、（Ｃ）／（Ｄ）＝０．３〜３．０の範囲に設定された樹脂組成物からなる。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）酸無水物系硬化剤。（Ｃ）白色顔料。（Ｄ）無機質充填剤。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属リードフレームと、それに搭載された光半導体素子を収納する、凹部を備えた光半導体収納用実装パッケージ用の絶縁樹脂層において、その絶縁樹脂層形成材料が、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有し、かつ（Ｃ）白色顔料と（Ｄ）無機質充填剤の混合割合〔（Ｃ）／（Ｄ）〕が、重量比で、（Ｃ）／（Ｄ）＝０．３〜３．０の範囲に設定された樹脂組成物からなることを特徴とする光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）酸無水物系硬化剤。
（Ｃ）白色顔料。
（Ｄ）無機質充填剤。
【請求項２】
上記（Ｄ）成分である白色顔料が、酸化チタンである請求項１記載の光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物。
【請求項３】
上記酸化チタンの結晶構造がルチル型である請求項２記載の光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物。
【請求項４】
上記（Ｃ）成分である白色顔料および（Ｄ）成分である無機質充填剤の合計含有量が、樹脂組成物全体の１０〜９０重量％の範囲に設定されている請求項１〜３のいずれか一項に記載の光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物。
【請求項５】
絶縁樹脂層と、その絶縁樹脂層に形成された凹部と、その凹部内に設けられた金属リードフレームと、その金属リードフレーム上に光半導体素子を備えた光半導体発光装置であって、上記絶縁樹脂層が、請求項１〜４のいずれか一項に記載の光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物を用いて形成されてなることを特徴とする光半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発光素子から発する光を反射させて指向性を付与してなる、発光素子の周囲に形成される絶縁性樹脂層形成材料となる光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子を搭載してなる光半導体発光装置は、図１に示すように、金属リードフレーム１上に光半導体素子２が搭載され、上記光半導体素子２の上方を除く周囲を囲むように絶縁樹脂層３が形成されているという構成をとる。図１において、４は金属リードフレーム１上に形成された電極回路（図示せず）と光半導体素子２とを電気的に接続するボンディングワイヤーである。
【０００３】
このような光半導体発光装置では、上記絶縁樹脂層３を、ポリアミド樹脂（ＰＰＡ）等に代表される熱可塑性樹脂を用いてインジェクション成形により成形し製造している。そして、上記熱可塑性樹脂には、一般に白色顔料を配合し、上記光半導体素子２から発する光を反射させて指向性を付与している（特許文献１参照）。
【０００４】
また、高耐熱性が要求される場合には、上記絶縁樹脂層３を、焼結されたアルミナを配合したセラミック材料を主体として用いて形成することが行われている（特許文献２参照）。このように、上記セラミック材料を用いて上記絶縁樹脂層３相当部分を形成する場合、パッケージの量産性およびコスト等の観点から問題があり、さらにリフレクター（反射部）の形状再現性にも問題がある。
【０００５】
このようなことから、近年では、これら問題を解決するために、光半導体発光装置を製造する際に、熱硬化性樹脂を用いたトランスファー成形による製造が主流になりつつある。上記トランスファー成形の製造に用いられる熱硬化性樹脂形成材料としては、その硬化体表面において高い光反射性が要求されることから、一般に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂と、酸無水物等の硬化剤とを組み合わせてなるエポキシ樹脂組成物が汎用されている。
【０００６】
このような状況のなか、近年、発光素子の高輝度化が進み、光半導体発光装置用に用いられる樹脂組成物として、従来よりもさらに高い耐熱性や耐光性を有する材料が求められている。例えば、上記光半導体発光装置用に用いられる樹脂組成物において、耐熱性および耐光性を向上させる手法として、脂環式エポキシ樹脂を用いることにより光の吸収による光劣化を抑制する手法が一部で採用されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２８３４９８号公報
【特許文献２】特開２００４−２８８９３７号公報
【特許文献３】特開２００４−３３９３１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記脂環式エポキシ樹脂を用いた樹脂組成物では、反射材の高充填化が難しく、バリ等の成形性に劣るということから、今だ充分な特性が得られず、先に述べたように、上記絶縁樹脂層３としては、上記熱可塑性樹脂を用いて形成することが一般に行なわれている。
【０００９】
ところが、上記絶縁樹脂層３形成材料として熱可塑性樹脂を用いる場合、つぎのような問題が生じる。すなわち、最近では、鉛フリー化の影響から、上記光半導体発光装置のような表面実装型パッケージにおいては耐熱性が要求されることとなる。したがって、高温での半田実装温度での熱変形や、光半導体素子２の輝度向上に伴う素子の高パワー化においてさらなる長期での耐熱性の要求に対して、高温での変色等が発生し、それに伴い、光の反射効率の低下や光半導体素子２の上方を封止する際に用いられる封止樹脂材料との密着性の低下が問題となっている。
【００１０】
このような点から、熱可塑性樹脂が有する長期高温耐熱性の問題や、セラミック材料が有する量産性等の上記問題を解決するための技術が強く要望されている。
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、長期の高温耐熱性に優れ、良好な光反射性を付与することのできる光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる、量産性およびコスト等に優れた光半導体発光装置の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、金属リードフレームと、それに搭載された光半導体素子を収納する、凹部を備えた光半導体収納用実装パッケージ用の絶縁樹脂層において、その絶縁樹脂層形成材料が、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有し、かつ（Ｃ）白色顔料と（Ｄ）無機質充填剤の混合割合〔（Ｃ）／（Ｄ）〕が、重量比で、（Ｃ）／（Ｄ）＝０．３〜３．０の範囲に設定された樹脂組成物からなる光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物を第１の要旨とする。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）酸無水物系硬化剤。
（Ｃ）白色顔料。
（Ｄ）無機質充填剤。
【００１３】
また、本発明は、絶縁樹脂層と、その絶縁樹脂層に形成された凹部と、その凹部内に設けられた金属リードフレームと、その金属リードフレーム上に光半導体素子を備えた光半導体発光装置であって、上記絶縁樹脂層が、上記第１の要旨である光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物を用いて形成されてなる光半導体発光装置を第２の要旨とする。
【００１４】
すなわち、本発明者らは、熱による変色の発生が抑制され、長期の高温耐熱性に優れた光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物を得るべく鋭意検討を重ねた。その結果、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂の使用に加えて、白色顔料と無機質充填剤を併用するとともに、両者の混合重量比を特定の範囲に設定すると、両者がそれぞれ備える各特性が効果的に得られることとなり、その相乗効果によって長期での高い耐熱変色性を維持することが可能となり、さらにエポキシ樹脂の使用により例えばトランスファー成形による成形金型での封止が可能となって、量産性の点からも有利となることから、所期の目的が達成されることを見出し本発明に到達した。
【発明の効果】
【００１５】
このように、本発明は、金属リードフレームと、それに搭載された光半導体素子を収納する、凹部を備えた光半導体収納用実装パッケージ用の絶縁樹脂層において、その絶縁樹脂層形成材料が、前記エポキシ樹脂〔（Ａ）成分〕と、酸無水物系硬化剤〔（Ｂ）成分〕と、白色顔料〔（Ｃ）成分〕と、無機質充填剤〔（Ｄ）成分〕を含有し、かつ上記白色顔料と上記無機質充填剤の混合割合〔（Ｃ）／（Ｄ）〕が、重量比で、（Ｃ）／（Ｄ）＝０．３〜３．０の範囲に設定された樹脂組成物からなるものである。このため、半田耐熱性および長期の高温耐熱性に優れ、しかも耐光劣化性においても優れた性能を発揮するとともに、良好な光反射性を実現するものである。したがって、上記樹脂組成物を用いて上記絶縁樹脂層を形成してなる光半導体発光装置では、良好な光の指向性が付与されることから安定した発光が得られ、その機能を充分に発揮することができる。
【００１６】
そして、上記白色顔料〔（Ｃ）成分〕として、酸化チタンを用いると、良好な分散性，化学安定性等を有することから、優れた白色度、光反射性が得られる。
【００１７】
さらに、上記酸化チタンとして結晶構造がルチル型のものを用いると、長期高温耐熱性に一層優れたものが得られるようになる。
【００１８】
また、上記白色顔料〔（Ｃ）成分〕および無機質充填剤〔（Ｄ）成分〕の合計含有量が、樹脂組成物全体の１０〜９０重量％の範囲であると、線膨張係数の低減が図られるとともに、良好な流動性の確保が実現する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】光半導体発光装置の構成を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物（以下「樹脂組成物」ともいう）は、先に述べたように、図１に示す光半導体発光装置の、絶縁樹脂層３形成材料として用いられるものであって、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）と、白色顔料（Ｃ成分）と、無機質充填剤（Ｄ成分）とを用いて得られるものであり、通常、液状、あるいは粉末状、もしくはその粉末を打錠したタブレット状にして封止材料に供される。
【００２１】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、ヒダントイン型エポキシ樹脂等の含窒素環エポキシ樹脂、水添加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、低吸水率硬化体タイプの主流であるビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロ環型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。これらエポキシ樹脂の中でも、透明性、耐変色性および上記ポリオルガノシロキサンとの溶融混合性に優れるという点から、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートを単独でもしくは併せて用いることが好ましい。
【００２２】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、常温で固形であっても液状であってもよいが、通常、使用するエポキシ樹脂の平均エポキシ当量が９０〜１０００のものが好ましく、また、固形の場合には、軟化点が１６０℃以下のものが好ましい。すなわち、エポキシ当量が小さすぎると、樹脂組成物硬化体が脆くなる場合がある。また、エポキシ当量が大きすぎると、樹脂組成物硬化体のガラス転移温度（Ｔｇ）が低くなる傾向がみられるからである。
【００２３】
上記酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。これら酸無水物系硬化剤の中でも、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸を用いることが好ましい。さらに、酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）としては、その分子量が、１４０〜２００程度のものが好ましく、また、無色ないし淡黄色の酸無水物系硬化剤が好ましい。
【００２４】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）と酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）との配合割合は、エポキシ樹脂（Ａ成分）中のエポキシ基１当量に対して、酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）中におけるエポキシ基と反応可能な活性基（酸無水基または水酸基）が０．５〜１．５当量となるよう設定することが好ましく、より好ましくは０．７〜１．２当量である。すなわち、活性基が少なすぎると、樹脂組成物の硬化速度が遅くなるとともに、その硬化体のガラス転移温度（Ｔｇ）が低くなる傾向がみられ、活性基が多すぎると耐湿性が低下する傾向がみられるからである。
【００２５】
また、上記酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）としては、その目的および用途に応じて、上記酸無水物系硬化剤以外の他のエポキシ樹脂の硬化剤、例えば、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、上記酸無水物系硬化剤をアルコールで部分エステル化したもの、または、ヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボン酸類の硬化剤を、単独で、もしくは上記酸無水物系硬化剤およびフェノール系硬化剤と併せて用いてもよい。例えば、カルボン酸類の硬化剤を併用した場合には、硬化速度を速めることができ、生産性を向上させることができる。なお、これら硬化剤を用いる場合においても、その配合割合は、上記酸無水物系硬化剤を用いた場合の配合割合（当量比）に準じればよい。
【００２６】
上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられる白色顔料（Ｃ成分）としては、例えば、無機系の白色顔料である、酸化チタン、酸化亜鉛、鉛白、カオリン、炭酸カルシウム、酸化ジルコニウム等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、優れた白色度、光反射性が大きく隠蔽力と着色力、高度な分散性、優れた耐候性、極めて優れた化学安定性等の特性を備えた酸化チタンを用いることが好ましい。特に、長期高温に曝された場合における波長４５０ｎｍ付近での高い光反射率の維持という観点から、結晶構造がルチル型の酸化チタンの単独系、あるいは結晶構造がアナタース型のものとの混合系であってもルチル型を高い混合比率にて用いることが好ましい。なお、上記混合系の場合は、アナタース型が不純物程度の混入である、すなわち、実質的にはルチル型の単独系にすることが好ましい。さらにそのなかでも、流動性および遮光性という観点から、平均粒径が０．０５〜１．０μｍのものを用いることが好ましい。特に好ましくは、光反射性という点から、０．０８〜０．５μｍである。なお、上記平均粒径は、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定することができる。
【００２７】
上記白色顔料（Ｃ成分）の含有量は、樹脂組成物全体の５〜９０重量％の範囲に設定することが好ましく、着色性および反射性の観点から、樹脂組成物全体の１０〜６０重量％の範囲に設定することがより好ましい。すなわち、Ｃ成分の含有量が少なすぎると、白色度そのものの低下により反射率が低下する傾向がみられ、Ｃ成分の含有量が多すぎると、絶縁樹脂層表面の平滑性が得られ難いことにより反射率が低下する傾向がみられるからである。
【００２８】
上記Ａ〜Ｃ成分とともに用いられる無機質充填剤（Ｄ成分）としては、例えば、石英ガラス粉末、タルク、溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末等のシリカ粉末、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ケイ素粉末等があげられる。なかでも、線膨張係数の低減等の観点から、シリカ粉末を用いることが好ましく、特に高充填性および高流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。そのなかでも、平均粒径５〜６０μｍの範囲、特に好ましくは平均粒径１５〜４５μｍの範囲のものを用いることが好ましい。上記平均粒径は、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定することができる。
【００２９】
上記無機質充填剤（Ｄ成分）の含有量は、上記白色顔料（Ｃ成分）と無機質充填剤との合計含有量が、樹脂組成物全体の５〜９０重量％となるよう設定することが好ましく、より好ましくは線膨張係数の低減および流動性の確保という観点から、１０〜８０重量％に設定することである。
【００３０】
さらに、上記白色顔料（Ｃ成分）と無機質充填剤（Ｄ成分）との混合割合〔Ｃ成分／Ｄ成分〕は、重量比で、Ｃ成分／Ｄ成分＝０．３〜３．０の範囲に設定する必要がある。特に好ましくは、分散性の点から、Ｃ成分／Ｄ成分＝０．５〜２．０の範囲に設定することである。すなわち、上記混合割合が上記範囲を外れ、Ｃ成分／Ｄ成分の値が小さすぎると、長期高温耐熱性が低下し、逆にＣ成分／Ｄ成分の値が大きすぎると、流動特性の低下等トランスファー成形が困難となり、最終的に硬化物の平滑性が劣る等、反射率にも影響するからである。
【００３１】
本発明の樹脂組成物には、上記Ａ〜Ｄ成分以外に、必要に応じて、硬化促進剤、酸化防止剤、変性剤、脱泡剤、レベリング剤、離型剤等の各種添加剤を適宜配合することができる。
【００３２】
上記硬化促進剤としては、例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ〔５．４．０〕ウンデセン−７、トリエチレンジアミン、トリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノール等の３級アミン類、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロンジチオエート等のリン化合物、４級アンモニウム塩、有機金属塩類、およびこれらの誘導体等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。これら硬化促進剤の中では、３級アミン類、イミダゾール類、リン化合物を用いることが好ましい。その中でも、着色度が少なく、透明で強靱な硬化体を得るためには、リン化合物を用いることが特に好ましい。
【００３３】
上記硬化促進剤の含有量は、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）に対して０．０１〜８．０重量％に設定することが好ましく、より好ましくは０．１〜３．０重量％である。すなわち、硬化促進剤の含有量が少なすぎると、充分な硬化促進効果を得られない場合があり、また硬化促進剤の含有量が多すぎると、得られる硬化体に変色がみられる傾向があるからである。
【００３４】
上記酸化防止剤としては、例えば、フェノール系化合物、アミン系化合物、有機硫黄系化合物、ホスフィン系化合物等の酸化防止剤があげられる。上記変性剤としては、例えば、グリコール類、シリコーン類、アルコール類等の従来から公知の変性剤があげられる。また、上記脱泡剤としては、例えば、シリコーン系等の従来公知の脱泡剤があげられる。
【００３５】
本発明の樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、上記Ａ〜Ｄ成分および必要に応じて配合される各種添加剤を適宜配合した後、これを混練機を用いて混練して溶融混合し、ついで、これを室温まで冷却して粉砕することにより微粉末状の樹脂組成物を製造することができる。
【００３６】
そして、上記得られた樹脂組成物の硬化体としては、その光反射率が、波長４３０〜１３００ｎｍにおいて８０％以上であることが好ましく、より好ましくは９０％以上、特に好ましくは９４％以上である。なお、上限は反射率１００％である。上記光反射率は、例えば、つぎのようにして測定される。すなわち、厚み１ｍｍの樹脂組成物の硬化体を、所定の硬化条件、例えば、１５０℃×４分間の成形後、１５０℃×３時間のキュアにて作製し、室温（２５±１０℃）にて上記範囲内の波長での上記硬化体の反射率を分光光度計（例えば、日本分光社製の分光光度計Ｖ−６７０）を用いることにより測定することができる。
【００３７】
本発明の樹脂組成物を用いてなる光半導体発光装置は、つぎのようにして製造される。すなわち、光半導体素子を搭載した金属リードフレームを準備し、これをトランスファー成形機の金型内に設置して上記樹脂組成物を用いてトランスファー成形により絶縁樹脂層を形成する。このようにして図１に示すように、絶縁樹脂層３と、その絶縁樹脂層３に形成された凹部と、その凹部内に設けられた金属リードフレーム１と、その金属リードフレーム１上に搭載された光半導体素子２を備えたユニットである光半導体発光装置が作製される。
【００３８】
そして、一般に、上記金属リードフレーム１上に搭載された光半導体素子２の上方の絶縁樹脂層３にて囲まれた凹部空間には、さらに透明樹脂が充填され、樹脂封止される。上記透明樹脂としては、従来から使用されている、例えば、透明エポキシ樹脂等が用いられる。このようにして光半導体発光装置が得られる。
【実施例】
【００３９】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【００４０】
まず、樹脂組成物の作製に先立って下記に示す各成分を準備した。
【００４１】
〔エポキシ樹脂〕
１，３，５−トリスグリシジルイソシアヌル酸（エポキシ当量：１００ｇ／ｅｑ、融点：１００℃）
【００４２】
〔酸無水物〕
メチルヘキサヒドロキシ無水フタル酸（酸当量：１６８ｇ／ｅｑ）
【００４３】
〔酸化チタンａ〕
ルチル型、平均粒径０．２１μｍ
〔酸化チタンｂ〕
アナタース型、平均粒径０．１８μｍ
【００４４】
〔シリカ粉末〕
球状溶融シリカ、平均粒径２３μｍ
【００４５】
〔酸化防止剤〕
９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイド
【００４６】
〔硬化促進剤〕
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロンジチオエート
【００４７】
〔実施例１〜５、参考例１，２、比較例１，２〕
後記の表１に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ビーカー中で溶融混合を行い、熟成した後、室温まで冷却して粉砕することにより目的とする微粉末状のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００４８】
このようにして得られた実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法に従って反射率（初期、長時間での高温放置後）の測定を行った。その結果を後記の表１に併せて示す。
【００４９】
〔反射率〕
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、厚み１ｍｍの試験片を所定の硬化条件（条件：１５０℃×４分間の成形＋１５０℃×３時間キュア）にて作製し、この試験片（硬化体）を用いて、初期および１５０℃で１６８時間放置後の全反射率をそれぞれ測定した。なお、測定装置として日本分光社製の分光光度計Ｖ−６７０を使用して、波長４５０ｎｍの光反射率を室温（２５℃）にて測定した。
【００５０】
【表１】
2011060819.tif 000003
【００５１】
上記結果から、実施例品は、初期および長時間での高温放置後の反射率に関していずれも高い数値が得られており、長期高温耐熱性に優れていることがわかる。
【００５２】
これに対して、酸化チタンとシリカ粉末の混合重量比が特定範囲内であるが、ルチル型ではなくアナタース型の酸化チタンを用いた参考例１，２品は、初期の反射率は９０％以上であったが、長時間での高温放置後の反射率に関しては低い結果となった。また、ルチル型の酸化チタンを用いているが、この酸化チタンとシリカ粉末の混合重量比が特定範囲を外れた比較例１，２品は、初期および長時間での高温放置後のいずれの反射率も低く、長期高温耐熱性を含む耐熱性に劣るものであった。
【００５３】
つぎに、上記実施例品である微粉末状のエポキシ樹脂組成物を用いて、図１に示す構成の光半導体発光装置を製造した。すなわち、４２アロイ（Ａｇメッキ）製のリードフレーム１上に光半導体素子（大きさ：０．３ｍｍ×０．３ｍｍ）２が搭載され、金属リードフレーム１上に形成された電極回路と光半導体素子２とをボンディングワイヤー４にて電気的に接続したものを準備した。ついで、これをトランスファー成形機に投入し、トランスファー成形を行なうことにより、図１に示す、絶縁樹脂層３と、その絶縁樹脂層３に形成された凹部と、その凹部内に設けられた金属リードフレーム１と、その金属リードフレーム１上に搭載された光半導体素子２を備えたユニットとなる光半導体発光装置を製造した（成形条件：１５０℃×４分間の成形＋１５０℃×３時間キュア）。得られた光半導体発光装置は問題の無い良好なものが得られた。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明の光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物は、光半導体発光装置に搭載された発光素子から発する光を反射させて指向性を付与してなる、発光素子の周囲を囲むよう形成される絶縁性樹脂層形成材料として有用である。
【符号の説明】
【００５５】
１  金属リードフレーム
２  光半導体素子
３  絶縁樹脂層
【図１】
2011060819.tif 000004