(57)【要約】【課題】供給された基板の加熱時間の短縮ができ、タクトタイムの短縮を図ることができる真空処理装置の提供。【解決手段】被処理基板１０は、連通領域９に移動可能に設けられたサセプタ１１，１２に載置される。搬送装置８は、基板搬入時および搬出時に連通開口１ａを閉鎖してロードロック室領域７を密閉する第１の位置へサセプタ１１，１２を搬送し、成膜処理時に連通開口１ｂを閉鎖して処理室領域４を密閉する第２の位置へサセプタ１１，１２を搬送する。サセプタ１１，１２が第１および第２の位置に搬送されると、連通開口１ａ，１ｂの周囲と載置台との間にＯリング４１，６２が挟持される。サセプタ１１，１２は、載置された被処理基板１０を加熱して所定温度に保持する載置部１０１と、載置部１０１に対して断熱的に設けられたシール部１０２とを有するので、Ｏリング４１，６２の熱劣化を防止することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の搬入および搬出が行われるロードロック室領域、基板への成膜処理が行われる処理室領域、および第１の連通開口を介して前記ロードロック室領域と連通するとともに第２の連通開口を介して前記処理室領域と連通する連通領域を有するチャンバーと、
前記連通領域に移動可能に設けられ、搬入された前記基板が載置される載置台と、
基板搬入時および搬出時に前記第１の連通開口を閉鎖して前記ロードロック室領域を密閉する第１の位置へ前記載置台を搬送し、成膜処理時に前記第２の連通開口を閉鎖して前記処理室領域を密閉する第２の位置へ前記載置台を搬送する搬送装置と、
前記載置台が前記第１および第２の位置に搬送されたときに、前記第１および第２の連通開口の周囲と前記載置台との間に挟持される第１および第２のシール材とを備え、
前記載置台は、載置された基板を加熱して所定温度に保持する基板載置部と、前記シール材に接触する部分であって前記基板載置部に対して断熱的に設けられたシール部とを有することを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置において、
前記シール部は前記第１および第２の連通開口を密閉する仕切り板であって、前記基板載置部が前記仕切り板上に断熱的に設けられていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の真空処理装置において、
前記基板載置部を断熱的に支持して前記仕切り板の上方に配置する支持部材と、
前記基板載置部と前記仕切り板との間に設けられ、前記基板載置部から前記仕切り板への輻射熱を遮蔽する遮蔽部材とを備えることを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板を加熱して処理する真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
化学気相成長(ＣＶＤ)装置等の真空処理装置では、成膜対象である基板を加熱し成膜プロセスが行われる(例えば、特許文献１，２参照)。真空成膜装置は、成膜プロセスが行われる処理室、処理室の前段に配置されたロード室、処理室の後段に配置されたアンロード室を備える。ロード室には基板加熱用のヒータが設けられ、処理室には基板保温用のヒータが設けられている。
【０００３】
一般的に、基板はトレイ上に載置され、トレイの移動により搬送、処理、回収の一連の処理が行われる。処理室における成膜プロセスでは、基板温度を所定の設定温度(成膜プロセス温度)に加熱して成膜が行われる。そのため、基板を載置したトレイがロード室に搬入されると、基板は基板加熱用のヒータにより予備加熱される。基板が設定温度まで加熱されると、基板を載置したトレイは処理室に搬送される。
【０００４】
処理室では、基板保温用のヒータにより基板の温度を設定温度に維持した状態で成膜プロセスが行われる。成膜処理が終了するとトレイはアンロード室に搬送され、その後、アンロード室を大気開放して基板回収部に搬送する。基板回収部では処理済み基板が回収され、トレイはリターン機構により基板供給部へと戻される。基板供給部に戻されたトレイには未処理の基板が再び載置され、ロード室へと搬送される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−２８３７４３号公報
【特許文献２】特開２００９−５１６０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、ロード室においては、トレイに載置された基板を設定温度まで加熱する必要があるので、処理室から搬出されて基板供給部に戻されるまでのトレイの温度低下は、少ないほど良い。しかしながら、トレイを基板供給部まで戻す際のリターン径路には加熱機構が設けられていないので、基板供給部に戻されるまでにトレイ温度が低下してロード室での加熱時間が長くなってしまうという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明による真空処理装置は、基板の搬入および搬出が行われるロードロック室領域、基板への成膜処理が行われる処理室領域、および第１の連通開口を介してロードロック室領域と連通するとともに第２の連通開口を介して処理室領域と連通する連通領域を有するチャンバーと、連通領域に移動可能に設けられ、搬入された基板が載置される載置台と、基板搬入時および搬出時に第１の連通開口を閉鎖してロードロック室領域を密閉する第１の位置へ載置台を搬送し、成膜処理時に第２の連通開口を閉鎖して処理室領域を密閉する第２の位置へ載置台を搬送する搬送装置と、載置台が第１および第２の位置に搬送されたときに、第１および第２の連通開口の周囲と載置台との間に挟持される第１および第２のシール材とを備え、載置台は、載置された基板を加熱して所定温度に保持する基板載置部と、シール材に接触する部分であって基板載置部に対して断熱的に設けられたシール部とを有することを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１に記載の真空処理装置において、シール部は第１および第２の連通開口を密閉する仕切り板であって、基板載置部が仕切り板上に断熱的に設けられていることを特徴とする。
請求項３の発明は、請求項２に記載の真空処理装置において、基板載置部を断熱的に支持して仕切り板の上方に配置する支持部材と、基板載置部と仕切り板との間に設けられ、基板載置部から仕切り板への輻射熱を遮蔽する遮蔽部材とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、供給された基板の加熱時間を短縮することができ、タクトタイムの短縮を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態に係る真空処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】昇降部１４，２４を上方に駆動して、サセプタ１１，１２によりロードロック室領域７および処理室領域４を密閉した状態を示す図である。
【図３】サセプタ１１，１２に載置された被処理基板１０の配置を示す図である。
【図４】真空処理装置の動作の一例を説明するためのフローチャートである。
【図５】ロードロック室領域７に被処理基板１０を搬入する動作を説明する図である。
【図６】搬入された被処理基板１０を処理室領域４へ搬送する動作を説明する図である。
【図７】サセプタ１２のロードロック室領域７から処理室領域４への搬送、および、サセプタ１１の処理室領域４からロードロック室領域７への搬送を説明する図である。
【図８】従来のインラインＣＶＤ装置の一例を模式的に示す図である。
【図９】サセプタ１１，１２の変形例を示す図であり、（ａ）は第１の変形例を示し、（ｂ）は第２の変形例を示す。
【図１０】サセプタ１１，１２の第３の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図１は本発明の実施の形態に係る真空処理装置を説明する図であり、プラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す図である。図１に示すように、ＣＶＤ装置は、真空排気可能なチャンバー１と、チャンバー１の連通領域９（後述する）において移動可能に設けられたサセプタ１１およびサセプタ１２と、サセプタ１１およびサセプタ１２を搬送する搬送機構８を備える。サセプタ１１、１２上には複数の被処理基板１０がそれぞれ載置される。
【００１１】
本発明の実施の形態に係る真空処理装置では、チャンバー１は、被処理基板１０の搬入および搬出が行われるロードロック室領域７と、被処理基板１０への成膜処理が行われる処理室領域４と、第１の連通開口１ａを介してロードロック室領域７と連通するとともに第２の連通開口１ｂを介して処理室領域４と連通する連通領域９を備えている。連通領域９内には搬送装置８が設けられており、サセプタ１１，１２を連通領域９内において搬送する。
【００１２】
サセプタ１１，１２は同一構造を有しており、被処理基板１０が載置される載置部１０１と、載置部１０１の温度を所定温度に保つヒータ１０１ａと、シール部１０２とを備えている。ヒータ１０１ａには、例えばシーズヒータが用いられる。図１では、ヒータ１０１ａを載置部１０１に一体に設けたが、載置部１０１の裏面側に接するように配置しても良い。シール部１０２には、断熱性の高い材料（例えば、セラミックス）が用いられる。サセプタ１１，１２に載置された被処理基板１０はヒータ１０１ａにより間接的に加熱され、所定温度（成膜プロセス温度）に保持される。
【００１３】
被処理基板１０としては、半導体装置や太陽電池等を製造する場合にはシリコン(Si)等の半導体基板等が使用可能である。又、液晶表示装置を製造する場合にはガラス基板等が、光記録媒体を製造する場合にはポリカーボネイト等の樹脂基板等が被処理基板１０として用いられても良い。勿論これらのガラス基板や樹脂基板の上には工程の進行に応じて種々の薄膜が形成されうる。
【００１４】
本発明の実施の形態に係る真空処理装置としては、例えば、シリコン酸化膜(ＳｉＯ２膜)、燐ガラス(PSG)膜、硼素ガラス(BSG)膜、硼素燐ガラス(BPSG)膜、シリコン窒化膜(Ｓｉ３Ｎ４膜)又はポリシリコン膜等を成膜する化学気相成長(CVD)装置等が採用できる。
【００１５】
被処理基板１０としては、半導体装置や太陽電池等を製造する場合にはシリコン(Si)等の半導体基板等が使用可能である。又、液晶表示装置を製造する場合にはガラス基板等が、光記録媒体を製造する場合にはポリカーボネイト等の樹脂基板等が被処理基板１０として用いられても良い。勿論これらのガラス基板や樹脂基板の上には工程の進行に応じて種々の薄膜が形成されうる。
【００１６】
処理室４にはプラズマ放電のための電極５が配置されている。図１に示すＣＶＤ装置の例では図示を省略しているが、処理室領域４には、処理室領域４内に成膜ガスやパージガス等の種々のガスを供給するためのガス供給部や、処理室領域４の温度を検出する温度センサ等の成膜プロセスに必要な部材が備えられている。また、真空処理装置が分子線エピタキシャル(MBE)装置である場合にはクヌーセンセルが、スパッタリング装置の場合には放電電極が、真空蒸着装置の場合には電子ビーム(EB)装置等が、それぞれ処理室領域４に備えられている。
【００１７】
搬送機構８は、サセプタ１１，１２を連通領域９内で水平方向に移動させるターンテーブル３と、サセプタ１１，１２を連通領域９内で上下方向に移動させる昇降部１４，２４とを備えている。ターンテーブル３のロードロック室領域７および処理室領域４に対向する位置には貫通孔３ａ，３ｂが形成されおり、回転軸２は、これらの貫通孔３ａ，３ｂがロードロック室領域７および処理室領域４の真下に位置するように、ターンテーブル３を回転駆動する。サセプタ１１は貫通孔３ａを塞ぐようにターンテーブル３上に載置され、サセプタ１２は貫通孔３ｂを塞ぐようにターンテーブル３上に載置される。なお、ターンテーブル３を回転する場合には、昇降部１４，２４は、保持部１３，２３がターンテーブル３の下方に位置する位置まで降下する。
【００１８】
昇降部１４はロードロック室領域７の真下に配置されており、上端に保持部１３を備えている。一方、昇降部２４は処理室領域４の真下に配置されており、上端に保持部２３を備えている。貫通孔３ａ，３ｂがそれぞれロードロック室領域７および処理室領域４の真下に位置するようにターンテーブル３を位置決めし、図２に示すように昇降部１４，２４を上方に駆動すると、サセプタ１１，１２はそれぞれ保持部１３，２３に保持されて上方に移動する。昇降部１４，２４は、各サセプタ１１，１２がロードロック室領域７および処理室領域４の連通開口１ａ，１ｂを閉鎖する位置まで上昇駆動される。なお、昇降部１４，２４は同時に昇降させても良いし、個別に昇降させても良い。
【００１９】
サセプタ１１が上記閉鎖位置まで上昇されると、Ｏリング６２がサセプタ１１のシール部１０２とチャンバー内壁との間に挟持される。同様に、サセプタ１２が閉鎖位置まで上昇されると、Ｏリング４１サセプタ１２のシール部１０２とチャンバー内壁との間に挟持される。このように、サセプタ１１によりロードロック室領域７を密閉して蓋６を開閉することにより、連通領域９を真空に維持した状態で被処理基板１０の搬入および搬出を行うことができる。また、密閉された処理室領域４において、被処理基板１０への成膜処理を行うことができる。
【００２０】
なお、図示していないが、処理室領域４，ロードロック室領域７および連通領域９の各々には、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ又はメカニカルポンプ等の真空ポンプが接続されており、処理室領域４および連通領域９は常に真空に維持されている。ロードロック室領域７の蓋６の開閉部分にはＯリング６１が設けられており、蓋６を閉じると、蓋６の隙間がＯリング６１によって封止される。
【００２１】
サセプタ１１，１２には、図３に示すように、複数の被処理基板１０が載置される。サセプタ１１，１２の載置部１０１は均熱板として機能するものであり、例えばカーボン等の材料が用いられる。図１に示したヒータ１０１ａは、載置部１０１を常に設定温度(成膜プロセス温度)に保持する。なお、図３では便宜上、サセプタ１１，１２に９つの被処理基板１０が載置された場合を図示しているが、サセプタ１１,１２の表面のサイズ、サセプタ１１，１２に載置する被処理基板のサイズ及び枚数は特に限定されない。
【００２２】
(真空処理装置の動作)
次に、本発明の実施の形態に係る真空処理装置の動作を、図４のフローチャートを参照しながら説明する。
【００２３】
ステップＳ１１では、ロードロック室領域７に被処理基板１０を搬入する動作が行われる。まず、図５に示すように、昇降部１４を上昇させてロードロック室領域７の連通開口１ａをサセプタ１１で閉鎖する。なお、ここでは、昇降部１４，２４を個別に駆動するようにしている。次いで、ロードロック室領域７内を大気圧に戻した後に蓋６を開け、図示を省略した移載機を用いてサセプタ１１の載置部１０１上に被処理基板１０を載置する。その後、蓋６を閉じてロードロック室領域７内を真空排気する。ヒータ１０１ａは常時オン状態となっており、被処理基板１０が載置される載置部１０１は所定温度（成膜プロセス温度）に保持されている。そのため、載置部１０１に載置された被処理基板１０は素早く所定温度まで昇温されることになる。
【００２４】
ステップＳ１２では、搬入された被処理基板１０を処理室領域４へ搬送する動作が行われる。ロードロック室領域７内が所定圧力（例えば、連通領域９と同程度の圧力）となったならば、図６（ａ）に示すように昇降部１４を下降させて、被処理基板１０が載置されたサセプタ１１を連通領域９内のターンテーブル３上に載置する。次いで、サセプタ１１が処理室領域４の真下に位置し、サセプタ１２がロードロック室領域７の真下に位置するように、ターンテーブル３を回転させてサセプタ１１，１２を水平移動させる。その後、図６（ｂ）に示すように昇降部１４，２４を上昇させて、サセプタ１１により処理室領域４の連通開口１ｂを閉鎖するとともに、サセプタ１２によりロードロック室領域７の連通開口１ａを閉鎖する。
【００２５】
ステップＳ１３では、処理室領域４における成膜処理、およびロードロック室領域７における被処理基板１０の搬入動作が行われる。処理室領域４に搬送された被処理基板１０は予め設定温度(成膜プロセス温度)まで昇温されているので、直ちに成膜処理を開始することができる。一方、ロードロック室領域７については、大気圧に戻された後に蓋６が開けられ、処理基板１０をサセプタ１２の載置部１０１上に載置する。その後、蓋６を閉じてロードロック室領域７内を真空排気する。このとき、サセプタ１２のヒータ１０１ａは常時オン状態とされていて、載置部１０１の温度は設定温度(成膜プロセス温度)に保持されているため、載置された被処理基板１０は短時間で設定温度まで昇温する。
【００２６】
ステップＳ１４では、搬送装置８を駆動して、搬入された未処理の被処理基板１０が載置されたサセプタ１２をロードロック室領域７から処理室領域４へ搬送するとともに、成膜処理済みの被処理基板１０が載置されたサセプタ１１を処理室領域４からロードロック室領域７へ搬送する。すなわち、図７（ａ）に示すように、昇降部１４，２４を降下させサセプタ１１，１２をターンテーブル３上に載置する。次に、ターンテーブル３を回転してサセプタ１２を処理室領域４の真下に移動させるとともに、サセプタ１１をロードロック室領域７の真下に移動させる。その後、図７（b）に示すように昇降部１４，２４を上昇させて、サセプタ１１によりロードロック室領域７を密閉するとともに、サセプタ１２により処理室領域４を密閉する。
【００２７】
ステップＳ１５では未処理の被処理基板が有るか否かを判定し、有ると判定されるとステップＳ２０へ進み、無いと判定されるとステップＳ１６へ進む。
【００２８】
未処理の被処理基板が無いと判定されてステップＳ１６に進んだ場合には、ロードロック室領域７内を大気圧に戻し、被処理基板１０を搬出する。そして、ステップＳ１７において処理室領域４における被処理基板１０への成膜処理を行った後に、ステップＳ１８で、成膜処理された被処理基板１０を処理室領域４からロードロック室領域７へ搬送する。その後、ステップＳ１９においてロードロック室領域７内を大気圧に戻して被処理基板１０を搬出し、一連の成膜動作を終了する。
【００２９】
一方、ステップＳ１５からステップＳ２０へ進んだ場合には、ステップＳ２０においてロードロック室領域７内を大気圧に戻し、処理済みの被処理基板１０の搬出と、未処理の被処理基板１０の搬入とを行う。ステップＳ２１では、処理室領域４に搬送された被処理基板１０に対して成膜処理を行う。ステップＳ２１の処理が終了したならば、ステップＳ１４へ戻って搬送動作を行う。
【００３０】
以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、サセプタ１１，１２は常に加熱されているので、載置した未処理の被処理基板１０を短時間で設定温度まで加熱することができる。その結果、タクトタイムを短縮することができ、生産量を増大させることが可能となる。さらに、シール部１０２は断熱性の高い材料を用いているので、ヒータ１０１ａで加熱される載置部１０１からＯリング４１，６２への熱流入を低減することができ、Ｏリング４１，６２の熱影響を抑えることができる。
【００３１】
図８は、比較例として、従来のインラインＣＶＤ装置の一例を模式的に示したものである。ＣＶＤ装置は、昇降ユニット２１０ａ，２１０ｂ、移載機２２０ａ，２２０ｂ、ロード室２３０、処理室２４０、アンロード室２５０およびリターン機構２６０を備えている。Ｖ１〜Ｖ４はゲートバルブである。成膜処理を行う場合には、まず、移載機２２０ａによって、被処理基板１０を昇降ユニット２１０ａの基板トレイ２７０の上に供給する。基板トレイ２７０は被処理基板１０が載置される支持台であって、被処理基板１０はトレイ２７０に載置された状態で装置内を搬送される。
【００３２】
被処理基板１０が載置された基板トレイ２７０はコンベア等の搬送機構（不図示）によりロード室２３０に搬送される。その後、不図示の真空排気装置によりロード室２３０を大気圧から所定圧力まで排気し、ヒータ２３１により被処理基板１０を予備加熱する。ヒータ２３１にはランプヒータ等が用いられ、ヒータ２３１により被処理基板１０を加熱して基板温度を所定温度まで昇温させる。この際、基板トレイ２７０も被処理基板１０とともに加熱されることになる。被処理基板１０の加熱が終了したならば、基板トレイ２７０を処理室２４０に搬送して成膜処理を行う。成膜処理の際にも、被処理基板１０はヒータ２４１により保温され、所定の成膜プロセス温度に維持される。２４２は電極である。
【００３３】
処理室２４０での成膜処理が終了したならば、基板トレイ２７０は予め真空引きされているアンロード室２５０に搬送される。その後、アンロード室２５０は大気圧まで戻され、ゲートバルブＶ４を開閉して基板トレイ２７０を昇降ユニット２１０ｂへ搬送する。昇降ユニット２１０ｂでは、処理済みの被処理基板１０を移載機２２０ｂにより回収する。基板トレイ２７０は昇降ユニット２１０ｂによりリターン機構２６０への搬送位置まで降下され、その後、リターン機構２６０により昇降ユニット２１０ａまで搬送される。昇降ユニット２１０ａは基板トレイ２７０を上方へと移動し、基板供給位置に戻す。このように、基板トレイ２７０はＣＶＤ装置内を循環し、基板供給位置において未処理の被処理基板１０が再び載置される。
【００３４】
基板トレイ２７０は、ロード室２３０における予備加熱や処理室２４０における基板保温により、被処理基板１０と同様の温度に加熱される。しかしながら、昇降ユニット２１０ｂ、リターン機構２６０、昇降ユニット２１０ａの順に大気中をリターン搬送される間に、基板トレイ２７０は温度が低下する。仮に、基板トレイ２７０の温度低下が無ければ、ロード室２３０における加熱は実質的に被処理基板１０のみの加熱とみなせるが、実際には基板トレイ２７０の温度が低下しているため、その温度低下の分だけロード室２３０における加熱時間が長くなってしまう。
【００３５】
しかしながら、上述した実施の形態では、処理室領域４を密閉する位置とロードロック室領域７を密閉する位置との間で搬送されるときも、サセプタ１１，１２はヒータ１０１ａによって常に加熱されており、基板供給時には設定温度となっている。そのため、供給された被処理基板１０をサセプタ１１，１２上に載置すると、被処理基板１０の温度は短時間で設定温度まで上昇する。その結果、従来の装置に比べて基板加熱時間が短縮され、タクトタイムの短縮を図ることができる。
【００３６】
（変形例１）
図９（ａ）は上述した実施の形態の第１の変形例を示す図であり、サセプタ１１の構成を示したものである。なお、サセプタ１２もサセプタ１１と同様の構成をしている。変形例１においては、サセプタ１１は載置部１２１，支持部１２２，仕切り板１２３およびヒータ１２１ａで構成されている。ヒータ１２１ａは、被処理基板１０が載置される載置部１２１に一体に設けられている。載置部１２１は、仕切り板１２３上に設けられた細長い支持部１２２によって仕切り板１２３の上方に支持されている。支持部１２２の数は１つでも複数でも良い。サセプタ１１を昇降部１４により上方に移動させると、仕切り板１２３によって連通開口１ａが閉鎖されロードロック室領域７が密閉される。なお、処理室領域４に関しても同様である。
【００３７】
載置部１２１は上述した実施の形態の場合と同様に、ヒータ１２１ａによって設定温度（成膜プロセス温度）に保たれている。しかし、仕切り板１２３は細長い支持部１２２を介して載置部１２１と接続されているので、支持部１２２の熱抵抗により熱移動が抑制される。なお、支持部１２２は、セラミックスや合成樹脂等のように熱伝導率の小さな材料で形成するのが好ましい。一方、仕切り板は搬送装置８のターンテーブル３や昇降部１４，２４に接触しているので、載置部１２１から仕切り板１２３へ流入した熱は、それらの部材へ伝熱されることになり、仕切り板１２３の温度上昇が抑制される。その結果、仕切り板１２３が接触するＯリング６２、４１への熱影響を低減することができ、熱によるＯリング６２、４１の劣化を防止することができる。
【００３８】
（変形例２）
図９（ｂ）は第２の変形例を示す図であり、図９（ａ）に示すサセプタ１１に反射板１２４をさらに追加した。反射板１２４は支持部１２２に固定され、載置部１２１と仕切り板１２３との間に配置されている。この反射板１２４は、設定温度に加熱されている載置部１２１からの輻射熱が仕切り板１２３に入射するのを防止する。その結果、反射板１２４を有していない図９（ａ）の場合に比べて、仕切り板１２３の温度上昇をより低く抑えることができる。
【００３９】
（変形例３）
図１０は第３の変形例を示す図である。第３の変形例では、載置部１２１は、仕切り板１２３上に設けられた断熱部材１２５上に設けられている。そのため、載置部１２１から仕切り板１２３への伝熱による熱移動を低減することができ、仕切り板１２３の温度上昇を抑えることができる。
【００４０】
上述した各実施形態はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施形態での効果を単独あるいは相乗して奏することができるからである。また、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。さらに、本発明の実施の形態に係る真空処理装置は、ＣＶＤ装置の他にも、例えば、ＳｉＯ２膜を形成する熱酸化装置、イオン注入装置、不純物拡散装置、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等をリフロー(メルト)する熱真空装置、ＣＶＤ酸化膜等をデンシファイする熱真空装置、シリサイド膜等を形成する熱真空装置、金属配線層を堆積するスパッタリング装置に適用可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１：チャンバー、１ａ，１ｂ：連通開口、４：処理室領域、５：電極、７：ロードロック室領域、８：搬送装置、９：連通領域、１０：被処理基板、１１，１２：サセプタ、４１，６１，６２：Ｏリング、１０１，１２１：載置部、１０１ａ，１２１ａ：ヒータ、１０２：シール部、１２２：支持部、１２３：仕切り板、１２４：反射板、１２５：断熱部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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