(57)【要約】【課題】プローブピンの先端を係止可能な半田製の係止部を外部電極の上面に設けることができる構造にすることで、高密度実装時においても、プローブピンによる確実且つ効率的な特性測定が可能なチップ型電子部品１を提供する。【解決手段】チップ本体２と１対の外部電極３，３とを備える。外部電極３，３は、チップ本体２の両端部に形成され、全体としてコ字状を成す。外部電極３の上面３１には、錫の高濡れ性領域４が低濡れ性領域５によって画成されている。高濡れ性領域４は、上面３１の周縁に沿って四角輪形状に形成され、低濡れ性領域５は、銀の低濡れ性材料５１，５２とセラミックス２１の上面２１ａ，両側面２１ｂ，２１ｂとによって構成されている。これにより、プローブピン１４０の先端を係止可能な四角輪形状の半田係止部１０を高濡れ性領域４上に形成することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部回路及びこの内部回路を内包する絶縁体を有するチップ本体と、このチップ本体の両端部にそれぞれ設けられた外部電極とを備えるチップ型電子部品であって、
上記外部電極の上面に、錫を主成分とする半田の濡れ性が高い導電材料で形成した所定形状の高濡れ性領域を設け、当該高濡れ性領域以外の上面領域を、当該半田の濡れ性が低い材料で形成して、低濡れ性領域とした、
ことを特徴とするチップ型電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載のチップ型電子部品において、
上記高濡れ性領域の形状を、円輪形状又は多角輪形状に設定した、
ことを特徴とするチップ型電子部品。
【請求項３】
請求項２に記載のチップ型電子部品において、
上記外部電極の両側面を除いて、外部電極を上記上面と端面と下面とで構成し、
上記高濡れ性領域を、上記上面の周縁に沿って形成すると共に、
上記低濡れ性領域を、上記上面と端面との境界に沿って設けた上記低濡れ性の材料と、上記高濡れ性領域の内側に設けられた別の低濡れ性の材料と、上記露出した絶縁体上面と、露出した絶縁体両側面とで形成した、
ことを特徴とするチップ型電子部品。
【請求項４】
請求項１に記載のチップ型電子部品において、
上記高濡れ性領域の形状を、略十字状，略コ字状又は略Ｖ字状のいずれかに設定した、
ことを特徴とするチップ型電子部品。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のチップ型電子部品において、
上記高濡れ性領域を、錫で形成し、
上記低濡れ性領域を、銀又は金で形成した、
ことを特徴とするチップ型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、携帯電話等の高密度実装基板に実装される微小なチップ型電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板に表面実装された電子部品では、その電気的特性をスペクトルアナライザ等の測定器で測定するのが一般的である。測定時においては、プローブピンをパッドと電子部品の端子との半田付け部分に押し当てて、電圧値や電流値等の各種特性を測定する。このとき、半田付け部分の表面が滑らかに湾曲しているため、プローブピンの先端が滑り、半田付け部分から外れてしまうおそれがある。
そこで、プローブピンの先端が滑ることなく確実に半田付け部分に接触して測定作業の効率化を図った技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
この技術は、図１７に示すように、 電子部品１１０をプリント配線板１００上に実装する際に、リード端子１１１を着座させるパッド１０１上に、ソルダレジスト１２０を塗布するものである。これにより、リード端子１１１をパッド１０１上に半田付けすると、図１８に示すように、リード端子１１１とパッド１０１上に盛られた半田１３０がソルダレジスト１２０によって弾かれ、半田１３０に窪み１３１が生じる。これにより、プローブピン１４０を半田１３０の窪み１３１に係止させることで、プローブピン１４０を、滑らすことなく、半田１３０に確実に接触させることができるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０７−１１５２６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した従来の技術では、次のような問題がある。
上記従来の技術は、ＬＳＩパッケージ等、多数のリード端子１１１を有する大型の電子部品１１０を想定しているため、例えば０．６ｍｍ×０．３ｍｍ等という微小なチップ型電子部品を測定するには、適していない。すなわち、微小なチップ型電子部品を実装する場合には、パッド１０１の大きさを微小にしなければならず、パッド１０１上に塗布するソルダレジスト１２０も極小にしなければならなくなる。この結果、半田１３０の窪み１３１が、プローブピン１４０を係止することができない程度まで小さくなってしまい、プローブピン１４０を半田１３０に確実に接触させることができなくなる。
特に、微小なチップ型電子部品を高密度実装したプリント配線板では、電子部品が密接して配置され、隙間がほとんどないため、プローブピン１４０をパッド１０１上の半田１３０に接触させることができない場合が多い。
【０００５】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、プローブピンの先端を係止可能な半田製の係止部を外部電極の上面に設けることができる構造にすることで、高密度実装時においても、プローブピンによる確実且つ効率的な特性測定が可能なチップ型電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、内部回路及びこの内部回路を内包する絶縁体を有するチップ本体と、このチップ本体の両端部にそれぞれ設けられた外部電極とを備えるチップ型電子部品であって、外部電極の上面に、錫を主成分とする半田の濡れ性が高い導電材料で形成した所定形状の高濡れ性領域を設け、高濡れ性領域以外の上面領域を、半田の濡れ性が低い材料で形成して、低濡れ性領域とした構成とする。
かかる構成により、外部電極の下面をパッドに載せた状態で半田付けすることにより、チップ型電子部品をプリント配線板に実装することができる。
そして、プローブピンの先端をチップ型電子部品の外部電極に接触させることで、特性測定を行うことができる。
このとき、この発明のチップ型電子部品では、外部電極の上面に、半田の濡れ性が高い導電材料で形成した所定形状の高濡れ性領域を設け、高濡れ性領域以外の上面領域を、低濡れ性領域としたので、半田を外部電極の上面に盛ると、半田が高濡れ性領域にのみ付着し、半田が高濡れ性領域の形状で突出する。したがって、プローブピンの先端を、外部電極上面に接触させた状態で、この半田に当てることで、プローブピンの先端が半田によって係止される。すなわち、高濡れ性領域上の半田が、プローブピンの係止部として機能し、プローブピンが固定された状態になる。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１に記載のチップ型電子部品において、高濡れ性領域の形状を、円輪形状又は多角輪形状に設定した構成とする。
かかる構成により、半田を外部電極の上面に盛ると、半田が円輪形状又は多角輪形状に突出し、中心部が窪んだ状態になる。したがって、プローブピンの先端をこの半田の窪みに入れることで、プローブピンがより確実に固定された状態になり、より安定した測定が可能となる。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項２に記載のチップ型電子部品において、外部電極の両側面を除いて、外部電極を上面と端面と下面とで構成し、高濡れ性領域を、上面の周縁に沿って形成すると共に、低濡れ性領域を、上面と端面との境界に沿って設けた低濡れ性の材料と、高濡れ性領域の内側に設けられた別の低濡れ性の材料と、露出した絶縁体上面と、露出した絶縁体両側面とで形成した構成とする。
かかる構成により、半田を外部電極の上面に盛ると、半田が、上面の周縁に沿って付着し、上面の中心部に半田の窪みが形成される。プローブピンの先端をこの半田の窪みに入れることで、プローブピンがより確実に固定された状態になり、より安定した測定が可能となる。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１に記載のチップ型電子部品において、高濡れ性領域の形状を、略十字状，略コ字状又は略Ｖ字状のいずれかに設定した構成とする。
かかる構成により、半田を外部電極の上面に盛ると、半田が、略十字状，略コ字状や略Ｖ字状に高濡れ性領域に付着する。したがって、プローブピンの先端をこの半田の交差部や曲がり部等に当てることで、プローブピンがより確実に固定された状態になり、より安定した測定が可能となる。
【００１０】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のチップ型電子部品において、高濡れ性領域を、錫で形成し、低濡れ性領域を、銀又は金で形成した構成とする。
【発明の効果】
【００１１】
以上詳しく説明したように、この発明のチップ型電子部品によれば、半田を外部電極の上面に盛ることで、高濡れ性領域上に付着した半田がプローブピンの係止部として機能し、プローブピンが固定された状態になるので、高密度実装時においても、プローブピンによって微小のチップ型電子部品を確実且つ効率的に測定することができるという優れた効果がある。
特に、請求項２〜請求項４の発明のチップ型電子部品によれば、より安定した測定が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】この発明の第１実施例に係るチップ型電子部品を示す斜視図である。
【図２】図１に示すチップ型電子部品の平面図である。
【図３】従来のチップ型電子部品を示す斜視図である。
【図４】図３のチップ型電子部品が高密度実装されている状態を示す斜視図である。
【図５】隣り合うチップ型電子部品同士がショートした状態を示す概略正面図である。
【図６】この実施例のチップ型電子部品を高密度実装した状態を示す斜視図である。
【図７】この実施例のチップ型電子部品の外部電極に半田を盛った状態を示す斜視図である。
【図８】この実施例のチップ型電子部品の測定状態を示す斜視図である。
【図９】プローブピンと半田係止部との係止状態を示す概略断面図である。
【図１０】この発明の第２実施例に係るチップ型電子部品の平面図である。
【図１１】第２実施例の一変形例を示す平面図である。
【図１２】この発明の第３実施例に係るチップ型電子部品の平面図である。
【図１３】第３実施例の一変形例を示す平面図である。
【図１４】第３実施例の他の変形例を示す平面図である。
【図１５】この発明の第４実施例に係るチップ型電子部品の平面図である。
【図１６】両側面をもつ外部電極に高濡れ性領域や低濡れ性領域を形成した例を示す斜視図である。
【図１７】従来技術の一例を示す平面図である。
【図１８】従来技術の測定方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１４】
図１は、この発明の第１実施例に係るチップ型電子部品を示す斜視図であり、図２は、図１に示すチップ型電子部品の平面図である。
図１に示すように、この実施例のチップ型電子部品１は、チップ本体２と１対の外部電極３，３とを備えている。
【００１５】
チップ本体２は、全体として直方体を成し、内部回路２０とこの内部回路２０を内包する絶縁体としてのセラミックス２１とを有している。
【００１６】
外部電極３，３は、このようなチップ本体２の両端部に形成されている。
各外部電極３は、上面３１と端面３２と下面３３とで構成され、全体としてコ字状を成す。すなわち、外部電極３の両側面は除かれており、セラミックス２１の両側面２１ｂ，２１ｂ全体が外部に露出している。
このような外部電極３の下地は、例えば銀であり、そして、錫がこの下地の表面全体にメッキされている。したがって、外部電極３の表面には、錫が露出している。
錫は、錫を主成分とする半田との濡れ性が高い導電材料であり、この錫の面を利用して、四角輪形状の高濡れ性領域４が、外部電極３の上面３１に形成されている。
【００１７】
高濡れ性領域４は、低濡れ性領域５によって画成されている。
すなわち、図１及び図２に示すように、銀は、半田の濡れ性が低い材料であり、この銀の低濡れ性材料５１が外部電極３の上面３１と端面３２との境界に沿って設けられ、別の銀の四角形の低濡れ性材料５２が上面３１のほぼ中央に設けられている。これにより、錫の高濡れ性領域４が、上面３１の周縁に沿って四角輪形状に形成された状態になっている。そして、高濡れ性領域４の外側には、露出したセラミックス２１の上面２１ａと両側面２１ｂ，２１ｂが存在し、これにより、低濡れ性領域５が、低濡れ性材料５１，５２と、セラミックス２１の上面２１ａと、両側面２１ｂ，２１ｂとで形成され、高濡れ性領域４以外の上面３１及びその近傍領域が、低濡れ性領域５になっている。
【００１８】
次に、この実施例のチップ型電子部品が示す作用及び効果について説明する。
図３は、従来のチップ型電子部品を示す斜視図であり、図４は、図３のチップ型電子部品が高密度実装されている状態を示す斜視図であり、図５は、隣り合うチップ型電子部品同士がショートした状態を示す概略正面図である。
図３に示すように、従来のチップ型電子部品１′は、チップ本体２と、上面３１に何も設けられていない外部電極３，３とを有している。そして、この外部電極３では、図に示すように、上面３１，端面３２，下面３３だけでなく、両側面３４，３４を有している。
図４に示すように、プリント配線板１００上に実装されたチップ型電子部品１′の特性を測定する場合には、プローブピン１４０の先端を外部電極３の上面３１に接触させて、プローブピン１４０を一定時間静止させておく必要がある。
しかしながら、チップ型電子部品１′が、例えば０．６ｍｍ×０．３ｍｍ等、微小なチップ型電子部品である場合には、プローブピン１４０を、極小の外部電極３の上面３１に所定時間安定した姿勢で突き当てておくことが困難であり、プローブピン１４０の先端を滑らせてしまうことがある。したがって、チップ型電子部品がプリント配線板１００上に高密度で実装されている場合には、図５に示すように、チップ型電子部品１′の外部電極３の上面３１を滑ったプローブピン１４０が、隣のチップ型電子部品１′′の外部電極３にも接触して、隣り合うチップ型電子部品１′，１′′同士がショートするおそれがある。
【００１９】
しかし、この実施例のチップ型電子部品１を用いることで、プローブピン１４０と外部電極３との安定した接触が可能である。
図６は、この実施例のチップ型電子部品を高密度実装した状態を示す斜視図であり、図７は、この実施例のチップ型電子部品の外部電極に半田を盛った状態を示す斜視図であり、図８は、この実施例のチップ型電子部品の測定状態を示す斜視図であり、図９は、プローブピンと半田係止部との係止状態を示す概略断面図である。
すなわち、図６に示すように、チップ型電子部品１の外部電極３の下面３３，３３（図２参照）をプリント配線板１００のパッド（図示省略）に半田付けすることで、チップ型電子部品１を、上面３１の高濡れ性領域４を上に向けた状態でプリント配線板１００上に実装することができる。なお、符号１０３は、グランド電極である。
この状態で、溶けた半田を上面３１上に盛ると、図２に示したように、上面３１上には、四角輪形状の高濡れ性領域４と、これを画成する低濡れ性領域５とが設けられているので、半田は、低濡れ性領域５で弾かれ、高濡れ性領域４にのみ付着する。この結果、図７に示すように、半田が四角輪形状に盛り上がって凝固し、銀の低濡れ性材料５２を底とする窪み１１を有した四角輪状の半田係止部１０が形成される。
【００２０】
プローブピン１４０による測定は、上記のように半田係止部１０が形成された後、行う。
すなわち、図８に示すように、プローブピン１４０の先端を、外部電極３の上面３１に形成された半田係止部１０の窪み１１内に挿入し、銀の低濡れ性材料５２に接触させた状態で、半田係止部１０に当てることにより、プローブピン１４０の先端が半田係止部１０によって係止される。これにより、プローブピン１４０が固定され、所定時間安定した姿勢を維持することができる。
また、プローブピン１４０の先端を上面３１で滑らせた場合にも、図９に示すように、プローブピン１４０の先端が、半田係止部１０によって係止されるので、プローブピン１４０が、隣のチップ型電子部品１′′の外部電極３に接触することはない。したがって、この実施例のチップ型電子部品１を使用することにより、チップ型電子部品がプリント配線板１００上に高密度で実装されている場合においても、図５に示したようなショート状態が生じることはない。
なお、符号１５０は、プローブピン１４０のグランド用の針金状導体であり、この実施例では、針金状導体１５０の先端をグランド電極１０３に接触させた状態で、プローブピン１４０を使用する。
【００２１】
このように、この実施例のチップ型電子部品１によれば、プローブピン１４０の先端を半田係止部１０の窪み１１に入れることで、プローブピン１４０を確実に固定することができ、この結果、プローブピン１４０による安定した測定が可能となる。
【実施例２】
【００２２】
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図１０は、この発明の第２実施例に係るチップ型電子部品の平面図である。
この実施例は、高濡れ性領域４の形状を六角輪形状に設定した。そして、低濡れ性領域５を、低濡れ性材料５１と、高濡れ性領域４の中心の低濡れ性材料５２と、セラミックス２１の上面２１ａ，両側面２１ｂ，２１ｂとで構成した。
これにより、半田を外部電極３の上面３１に盛ると、半田が六角輪形状に突出し、六角形の半田係止部が形成されると共に、その中心部に低濡れ性材料５２を底とする窪みが生じる。
したがって、プローブピン１４０（図８等参照）の先端をこの半田係止部の窪みに入れることで、プローブピン１４０より確実に固定された状態になり、より安定した測定が可能となる。
なお、この第２実施例の変形例として、その他の多角輪形状の高濡れ性領域４や、図１１に示す円輪形状の高濡れ性領域４も提示することができる。すなわち、高濡れ性領域４をドーナッツ状に設定して、低濡れ性材料５１を外側に配し、低濡れ性材料５２を内側に配することで、低濡れ性領域５を構成する。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例３】
【００２３】
次に、この発明の第３実施例について説明する。
図１２は、この発明の第３実施例に係るチップ型電子部品の平面図である。
この実施例は、高濡れ性領域４の形状を略十字形状に設定した。そして、低濡れ性領域５を、低濡れ性材料５１〜５４と、セラミックス２１の両側面２１ｂ，２１ｂとで構成した。
これにより、半田を外部電極３の上面３１に盛ると、半田が略十字形状に突出し、略十字形の半田係止部が形成されると共に、その交差部４１〜４４に低濡れ性材料５１〜５４を底とする窪みが生じる。
したがって、プローブピン１４０（図８等参照）の先端を、四方から、この半田係止部の窪みに入れることができる。
なお、この第３実施例の変形例として、図１３や図１４に示す高濡れ性領域４も提示することができる。すなわち、図１３に示すように、高濡れ性領域４を略コ字状に設定し、低濡れ性材料５１とセラミックス２１の上面２１ａ，両側面２１ｂ，２１ｂとで低濡れ性領域５を構成する。これにより、プローブピン１４０を高濡れ性領域４上に形成された略コ字状の半田係止部の曲がり部４５に当てることで、プローブピン１４０を固定させることができる。また、図１４に示すように、高濡れ性領域４を略Ｖ字状に設定し、低濡れ性材料５１とセラミックス２１の上面２１ａ，両側面２１ｂ，２１ｂとで低濡れ性領域５を構成する。これにより、プローブピン１４０を高濡れ性領域４上に形成された略Ｖ状の半田係止部の曲がり部４６に当てることで、プローブピン１４０を固定させることができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１及び第２実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例４】
【００２４】
次に、この発明の第４実施例について説明する。
図１５は、この発明の第４実施例に係るチップ型電子部品の平面図である。
この実施例は、高濡れ性領域４の形状を略Ｈ字形状に設定した。そして、低濡れ性領域５を、低濡れ性材料５１〜５３と、セラミックス２１の上面２１ａと両側面２１ｂ，２１ｂとで構成した。
これにより、半田を外部電極３の上面３１に盛ると、半田が略Ｈ字形状に突出し、略Ｈ字形の半田係止部が形成され、その両側部に、両側面２１ｂ，２１ｂ側に開口する窪みが生じる。
したがって、プローブピン１４０（図８等参照）の先端を、両側面２１ｂ，２１ｂ側（図１５の上下方向）から、この半田係止部の窪みに入れることができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１ないし第３実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【００２５】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記実施例では、低濡れ性材料５１〜５４として、銀を適用したが、これに限るものではなく、金等、半田との濡れ性が低い全ての金属及び合金を低濡れ性材料として適用することができることは勿論である。
また、上記実施例では、両側面３４，３４を除いた外部電極３を適用したが、図１６に示すように、両側面３４，３４を有した外部電極３にも、高濡れ性領域４や低濡れ性領域５を形成することができることは勿論である。低濡れ性材料５１を上面３１と端面３２との境界及び上面３１と側面３４との境界に沿って設けることで、低濡れ性領域５を構成することができる。
また、上記実施例では、図８の実線で示したように、針金状導体１５０の先端をグランド電極１０３に接触させた状態で、プローブピン１４０を使用する例を示したが、図８の破線で示すように、接触針金状導体１５０の先端を、プローブピン１４０の先端を接触させていない側の外部電極３の上面に接触させるようにしても良い。このようにすることで、針金状導体１５０の先端も、半田係止部１０の窪み１１に固定することができ、プローブピン１４０による安定した測定が可能となる。
【符号の説明】
【００２６】
１…チップ型電子部品、  ２…チップ本体、  ３…外部電極、  ４…高濡れ性領域、  ５…低濡れ性領域、  １０…半田係止部、  １１…窪み、  ２０…内部回路、  ２１…セラミックス、  ２１ａ…上面、  ２１ｂ…側面、  ３１…上面、  ３２…端面、  ３３…下面、  ３４…側面、  ４１〜４４…交差部、  ４５，４６…曲がり部、  ５１〜５４…低濡れ性材料、  １００…プリント配線板、  １４０…プローブピン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2011014657.tif 000018
【図１７】
2011014657.tif 000019
【図１８】
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