(57)【要約】【課題】動作不良の発生が抑制され且つ製造時において製造プロセスで使用する薬品による損傷を低減できるマイクロリレーを提供する。【解決手段】マイクロリレーは、厚み方向の一表面側に２対の固定接点１４，１４が設けられたベース基板１と、シリコンにより形成され且つベース基板１の前記一表面側に配置された蓋体１７と、シリコンにより形成された可動基台３０ａおよびＦｅ系の磁性体により形成された磁性体部３０ｂからなるアーマチュア３０を有するアーマチュアブロック３とを備える。磁性体部３０ｂと蓋体１７とには、最表面に白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒのうちのいずれか１種類の金属が露出し磁性体部３０ｂと蓋体１７との接触を防止する第１の保護膜５１と第２の保護膜５２とが形成されている。【選択図】図１
2011060715.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁石装置を収納する収納孔が形成され且つ厚み方向の一表面側に２対の固定接点が設けられたベース基板と、シリコンにより形成され且つベース基板の前記一表面側に収納孔を覆う形で配置された蓋体と、シリコンにより形成され且つベース基板の前記一表面側における周部に固着される枠状のフレーム部とフレーム部の内側に配置され電磁石装置により駆動されるアーマチュアとアーマチュアの両端部に接圧ばねを介して連結された形でアーマチュアの両端部それぞれとフレーム部との間に配置された可動接点基台と可動接点基台に支持され互いに異なる１対の前記固定接点に接離する可動接点とを有するアーマチュアブロックとを備え、アーマチュアが、シリコンにより形成され且つ支持ばねを介してフレーム部に揺動自在に支持された可動基台と、Ｆｅ系の磁性体により形成され且つ可動基台におけるベース基板側に固着された磁性体部とからなるとともに、磁性体部および蓋体の少なくとも一方に最表面に白金族元素のうちのいずれか１種類の金属が露出し磁性体部と蓋体との接触を防止する保護膜が形成されてなることを特徴とするマイクロリレー。
【請求項２】
電磁石装置を収納する収納孔が形成され且つ厚み方向の一表面側に２対の固定接点が設けられたベース基板と、シリコンにより形成され且つベース基板の前記一表面側に収納孔を覆う形で配置された蓋体と、シリコンにより形成され且つベース基板の前記一表面側における周部に固着される枠状のフレーム部とフレーム部の内側に配置され電磁石装置により駆動されるアーマチュアとアーマチュアの両端部に接圧ばねを介して連結された形でアーマチュアの両端部それぞれとフレーム部との間に配置された可動接点基台と可動接点基台に支持され互いに異なる１対の前記固定接点に接離する可動接点とを有するアーマチュアブロックとを備え、アーマチュアが、シリコンにより形成され且つ支持ばねを介してフレーム部に揺動自在に支持された可動基台と、Ｆｅ系の磁性体により形成され且つ可動基台におけるベース基板側に固着された磁性体部とからなるとともに、磁性体部および蓋体のいずれか一方に最表面にＡｕが露出し磁性体部と蓋体との接触を防止する保護膜が形成されてなることを特徴とするマイクロリレー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロリレーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電磁石装置を利用してアーマチュアを駆動し接点を開閉するようにしたマイクロリレーが知られている。
【０００３】
この種のマイクロリレーとして、例えば、図４に示すように、ガラスにより矩形板状に形成され且つ電磁石装置２が収納される収納孔１６を有するベース基板１と、シリコンにより形成され且つベース基板１の厚み方向の一表面側に固着される矩形枠状のフレーム部３１およびフレーム部３１の内側に配置され電磁石装置２により駆動される平面視長方形状のアーマチュア３０およびアーマチュア３０の両端部に配置されベース基板１の前記一表面における長手方向の両端部に設けられた１対の固定接点１４に接離する２つの可動接点３９を有するアーマチュアブロック３と、ガラスにより形成され且つアーマチュアブロック３におけるベース基板１とは反対側で周部がフレーム部３１に固着されたカバー４とを備えるマイクロリレーが提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、アーマチュア３０は、４つの支持ばね３２（図４（ｂ）参照）を介してフレーム部３１に揺動自在に支持されている。また、可動接点３９は、ベース基板１の前記一表面とは直交する方向に揺動するアーマチュア３０の両端部に連結された平面視長方形状の可動接点基台３４に支持されている。また、カバー４には、アーマチュアブロック３との対向面にアーマチュア３０の揺動空間を確保する凹所４ａが形成されている。
【０００４】
ここで、可動接点基台３４は、ベース基板１の１対の固定接点１４の並び方向を長手方向として配置されている。また、可動接点基台３４は、後述の可動基台３０ａに連結された２つの接圧ばね３５によりアーマチュア３０の短手方向における両側から支持されている（図４（ｂ）参照）。また、ベース基板１の前記一表面側には、シリコンにより形成された蓋体１７が収納孔１６を塞ぐ形で固着されている。
【０００５】
アーマチュア３０は、矩形板状の可動基台３０ａと、可動基台３０ａにおけるベース基板１との対向面に固着されたＦｅ系の磁性体（例えば、軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイ等）からなる矩形板状の磁性体部３０ｂとから構成されている。ここに、可動基台３０ａには、長手方向の中央部におけるベース基板１の前記一表面に対向する面にアーマチュア３０の揺動の支点となる２つの支点突起４０，４０（図４（ｂ）参照）が突設されている。また、可動基台３０ａの４隅から短手方向の両側に向かって矩形板状のストッパ基台部３８が延設され、４つのストッパ基台部３８それぞれにおいてベース基板１との対向面には、アーマチュア３０の揺動範囲を規制するストッパ部３３（図４（ｂ）参照）が形成されている。また、支点突起４０の先端部には、支点突起４０の摩耗を抑制するために、金属（例えば、Ａｕ等）により形成された保護膜４１が形成されており、アーマチュア３０の揺動動作に伴って支点突起４０の先端部が摩耗してしまうのを抑制し、支点突起４０の先端部の摩耗に伴う動作不良の発生を抑制している。
【０００６】
アーマチュア３０は、ストッパ部３３の先端がベース基板１の前記一表面に接触することで揺動範囲が規制される。従って、ストッパ部３３の突出量を適宜設定することにより、アーマチュア３０の揺動範囲を設定することができる。例えば、ストッパ部３３の突出量を小さくすることによって、アーマチュア３０の一部を構成する磁性体部３０ｂを電磁石装置２に、より近づけることができる。
【０００７】
ところで、図４に示す構成のマイクロリレーを更に小型化する場合、電磁石装置２およびアーマチュア３０も小型化する必要があり、それに伴い、電磁石装置２がアーマチュア３０を吸引する力も小さくなる。一方、１対の固定接点１４と可動接点３９とが接触したときにおいて、１対の固定接点１４と可動接点３９とが所定の接点圧で接触した状態を維持するためには、電磁石装置２がアーマチュア３０を所定の吸引力で吸引する必要がある。ここに、１対の固定接点１４と可動接点３９とが接触した状態における前記吸引力を確保する観点からすれば、１対の固定接点１４と可動接点３９とが接触した状態におけるアーマチュア３０の一部を構成する磁性体部３０ｂと電磁石装置２との間の距離はできるだけ小さいほうがよい。
【０００８】
従って、図４に示す構成のマイクロリレーの小型化を図る場合、１対の固定接点１４と可動接点３９とが接触した状態における磁性体部３０ｂと電磁石装置２と間の距離をできるだけ短くするために、ストッパ部３３の突出量はなるべく小さくしたほうが有利である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−３１０１７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、図４に示す構成のマイクロリレーにおいてストッパ部３３の突出量を小さくした場合には、１対の固定接点１４と可動接点３９とが接触した状態で、磁性体部３０ｂと蓋体１７とが接触してしまうおそれがある（図４（ａ）の２点鎖線参照）。従って、可動接点３９と固定接点１４とが接離を繰り返すことに伴って磁性体部３０ｂと蓋体１７とが接触を繰り返すと、磁性体部３０ｂや蓋体１７が摩耗し、磁性体部３０ｂや蓋体１７の摩耗粉が可動接点３９と固定接点１４との間に挟み込まれてマイクロリレーの動作不良が発生することがあった。
【００１１】
また、図４に示す構造のマイクロリレーの製造プロセスでは、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術等を利用してアーマチュアブロック３の基となるシリコン基板におけるフレーム部３１に対応する部位の内側をアーマチュアブロック３の厚み方向における支点突起４０，４０の寸法に等しい厚みになるまでエッチングした後に、支点突起４０に対応する領域に金属（例えば、Ａｕ等）からなる保護膜４１を形成する保護膜形成工程を行い、その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術等を利用して前記シリコン基板におけるフレーム部３１に対応する部位の内側の支点突起４０の形成予定領域を除く領域をアーマチュアブロック３の厚み方向における可動接点基台３４の寸法に等しい厚みになるまでエッチングして支点突起４０の先端部を形成し、続いて、金属（例えば、Ａｕ等）からなる可動接点３９を形成する可動接点形成工程を行い、その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術等を利用して可動基台３０ａ、可動接点基台３４、支持ばね３２、接圧ばね３５、ストッパ部３３およびストッパ基台部３８を形成するとともに支点突起４０の前記先端部以外の残りの部分を形成する工程を行う。その後、磁性体部３０ｂを可動基台３０ａに固着する磁性体部固着工程を行った後に、前記可動接点形成工程や前記磁性体部固着工程においてアーマチュアブロック３に付着した異物を除去するためのアーマチュアブロック洗浄工程を行い、その後、前記アーマチュアブロック洗浄工程においてアーマチュアブロック３に形成されたシリコン酸化膜を除去するための酸化膜除去工程を行う。ここで、前記アーマチュアブロック洗浄工程では、磁性体部３０ｂを含むアーマチュアブロック３を、洗浄用の薬液に浸漬する。また、前記酸化膜除去工程では、磁性体部３０ｂを含むアーマチュアブロック３をバッファードフッ酸等の薬液に浸漬する。一方、ベース基板１およびカバ−４についても、ベース基板１に付着した異物を除去するためのベース基板洗浄工程およびカバー４に付着した異物を除去するためのカバー洗浄工程を行う。当該ベース基板洗浄工程およびカバー洗浄工程では、蓋体１７を含むベース基板１およびカバー４を、洗浄用の薬液に浸漬する。そして、アーマチュアブロック３について前記酸化膜除去工程を行い且つ前記ベース基板洗浄工程および前記カバー洗浄工程を行った後に、アーマチュアブロック３とベース基板１およびカバー４とを接合する接合工程を行う。
【００１２】
図４に示す構造のマイクロリレーの製造プロセスでは、前述のように、磁性体部３０ｂを含むアーマチュアブロック３を前記洗浄用の薬液に浸漬する前記アーマチュアブロック洗浄工程や、アーマチュアブロック３をバッファードフッ酸等の薬液に浸漬する前記酸化膜除去工程を含むので、前記アーマチュアブロック洗浄工程で使用する洗浄用の薬液の種類によっては前記アーマチュアブロック洗浄工程で使用する薬液による磁性体部３０ｂの損傷が懸念され、前記酸化膜除去工程で使用するバッファードフッ酸等の薬液による磁性体部３０ｂの損傷も懸念される。
【００１３】
本願発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、その目的は、動作不良の発生が抑制され且つ製造時において製造プロセスで使用する薬液による損傷を低減できるマイクロリレーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１の発明は、電磁石装置を収納する収納孔が形成され且つ厚み方向の一表面側に２対の固定接点が設けられたベース基板と、シリコンにより形成され且つベース基板の前記一表面側に収納孔を覆う形で配置された蓋体と、シリコンにより形成され且つベース基板の前記一表面側における周部に固着される枠状のフレーム部とフレーム部の内側に配置され電磁石装置により駆動されるアーマチュアとアーマチュアの両端部に接圧ばねを介して連結された形でアーマチュアの両端部それぞれとフレーム部との間に配置された可動接点基台と可動接点基台に支持され互いに異なる１対の前記固定接点に接離する可動接点とを有するアーマチュアブロックとを備え、アーマチュアが、シリコンにより形成され且つ支持ばねを介してフレーム部に揺動自在に支持された可動基台と、Ｆｅ系の磁性体により形成され且つ可動基台におけるベース基板側に固着された磁性体部とからなるとともに、磁性体部および蓋体の少なくとも一方に最表面に白金族元素のうちのいずれか１種類の金属が露出し磁性体部と蓋体との接触を防止する保護膜が形成されてなることを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、磁性体部および蓋体の少なくとも一方に最表面に白金族元素のうちのいずれか１種類の金属が露出し磁性体部と蓋体との接触を防止する保護膜が形成されてなることにより、可動接点と固定接点との接離を繰り返すことに伴う磁性体部および蓋体の摩耗を防止することができるので、磁性体部や蓋体の摩耗粉が可動接点と固定接点との間に挟み込まれることによる動作不良の発生を抑制できる。また、最表面に白金族元素のうちのいずれか１種類の金属が露出した保護膜が磁性体部に形成されれば、アーマチュアブロックを洗浄するためにアーマチュアブロックを洗浄用の薬液に浸漬する洗浄工程とアーマチュアブロックに形成された酸化膜を除去するためにアーマチュアブロックを酸化膜除去用の薬液に浸漬する酸化膜除去工程とでの薬液による磁性体部の損傷を低減できるので、製造時において製造プロセスで使用する薬液による磁性体部の損傷を低減できる。
【００１６】
請求項２の発明は、電磁石装置を収納する収納孔が形成され且つ厚み方向の一表面側に２対の固定接点が設けられたベース基板と、シリコンにより形成され且つベース基板の前記一表面側に収納孔を覆う形で配置された蓋体と、シリコンにより形成され且つベース基板の前記一表面側における周部に固着される枠状のフレーム部とフレーム部の内側に配置され電磁石装置により駆動されるアーマチュアとアーマチュアの両端部に接圧ばねを介して連結された形でアーマチュアの両端部それぞれとフレーム部との間に配置された可動接点基台と可動接点基台に支持され互いに異なる１対の前記固定接点に接離する可動接点とを有するアーマチュアブロックとを備え、アーマチュアが、シリコンにより形成され且つ支持ばねを介してフレーム部に揺動自在に支持された可動基台と、Ｆｅ系の磁性体により形成され且つ可動基台におけるベース基板側に固着された磁性体部とからなるとともに、磁性体部および蓋体のいずれか一方に最表面にＡｕが露出し磁性体部と蓋体との接触を防止する保護膜が形成されてなることを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば、磁性体部および蓋体のいずれか一方に最表面にＡｕが露出し磁性体部と蓋体との接触を防止する保護膜が形成されてなることにより、可動接点と固定接点との接離を繰り返すことに伴う磁性体部および蓋体の摩耗を防止することができるので、磁性体部や蓋体の摩耗粉が可動接点と固定接点との間に挟み込まれることによる動作不良の発生を抑制できる。また、磁性体部と蓋体との接触を防止し且つ最表面にＡｕが露出した保護膜が磁性体部に形成されれば、アーマチュアブロックを洗浄するためにアーマチュアブロックを洗浄用の薬液に浸漬する洗浄工程とアーマチュアブロックに形成された酸化膜を除去するためにアーマチュアブロックを酸化膜除去用の薬液に浸漬する酸化膜除去工程とでの薬液による磁性体部の損傷を低減できるので、製造時において製造プロセスで使用する薬液による磁性体部の損傷を低減できる。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１の発明によれば、磁性体部と蓋体との接触を防止し且つ最表面に白金族元素のうちのいずれか１種類の金属が露出した保護膜が磁性体部および蓋体の少なくとも一方に形成されてなることにより、磁性体部や蓋体の摩耗によるマイクロリレーの動作不良を抑制することができる。また、最表面に白金族元素のうちのいずれか１種類の金属が露出した保護膜が磁性体部に形成されれば、アーマチュアブロックの洗浄工程とアーマチュアブロックの酸化膜除去工程とでの薬液による磁性体部の損傷を低減できるので、製造時において前記製造プロセスで使用する薬液による磁性体部の損傷を低減できる。
【００１９】
請求項２の発明によれば、磁性体部と蓋体との接触を防止し且つ最表面にＡｕが露出した保護膜が磁性体部および蓋体のいずれか一方に形成されてなることにより、磁性体部や蓋体の摩耗によるマイクロリレーの動作不良を抑制することができる。また、磁性体部と蓋体との接触を防止し且つ最表面にＡｕが露出した保護膜が磁性体部に形成されれば、アーマチュアブロックの洗浄工程とアーマチュアブロックの酸化膜除去工程とでの薬液による磁性体部の損傷を低減できるので、製造時において前記製造プロセスで使用する薬液による磁性体部の損傷を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施形態のマイクロリレーを示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）および（ｃ）は要部断面図である。
【図２】同上のマイクロリレーの一部を示し、（ａ）はベース基板、電磁石装置およびアーマチュアブロックから構成される部分の分解斜視図、（ｂ）はアーマチュアブロックの分解斜視図である。
【図３】同上のマイクロリレーの全体斜視図である。
【図４】従来例のマイクロリレーを示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）はアーマチュアブロックの下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、実施形態のマイクロリレーについて図１乃至図３に基づいて説明する。
【００２２】
実施形態のマイクロリレーの基本的な構成は、図４に示す構成のマイクロリレーと同じであり、矩形板状に形成され且つ電磁石装置２が収納される収納孔１６が形成されるとともに厚み方向の一表面側における長手方向の両端部それぞれに１対の固定接点１４，１４が設けられたベース基板１と、シリコンにより形成され且つベース基板１の前記一表面側に収納孔１６を覆う形で配置された蓋体１７と、シリコンにより形成され且つベース基板１の前記一表面側における周部に固着される矩形枠状のフレーム部３１とフレーム部３１の内側に配置され電磁石装置２により駆動される平面視長方形状のアーマチュア３０とアーマチュア３０の両端部に接圧ばね３５を介して連結された平面視長方形状の可動接点基台３４，３４と可動接点基台３４，３４に支持される形でアーマチュア３０の両端部それぞれとフレーム部３１との間に配置され互いに異なる１対の固定接点１４，１４に接離する可動接点３９とを有するアーマチュアブロック３とを備え、アーマチュア３０が、シリコンにより形成されるとともに支持ばね３２を介してフレーム部３１に揺動自在に支持された可動基台３０ａと、Ｆｅ系の磁性体（例えば、軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイ等）により形成され且つ可動基台３０ａにおけるベース基板１側に固着された磁性体部３０ｂとからなる。また、フレーム部３１におけるベース基板１とは反対側には、カバー４が固着されている。
【００２３】
ベース基板１は、パイレックス（登録商標）のような耐熱ガラスにより形成されており、前述の電磁石装置２を収納するための収納孔１６が中央部において厚み方向に貫設され、長手方向の両端部それぞれには、平面視円形状に開口され且つベース基板１の厚み方向に貫通した３つのスルーホール１０が短手方向に等間隔で貫設されている。また、ベース基板１の前記一表面側には、３つのスルーホール１０のうち短手方向の両端側の２つのスルーホール１０それぞれを覆う２つの導電パターン１８，１８と、中央部のスルーホール１０を覆う接地用導電パターン１８’とが形成されている。なお、スルーホール１０は、ベース基板１における前記一表面からベース基板１の厚み方向における前記一表面とは反対側の他表面に近づくにつれて徐々に開口面積が大きくなるテーパ形状に形成されている。また、ベース基板１の他表面であって各スルーホール１０それぞれの周縁には、ランド１２（図３参照）が形成されている。なお、収納孔１６は、ベース基板１の前記一表面から前記他表面に近づくにつれて徐々に開口面積が大きくなるテーパ形状となっている。
【００２４】
ベース基板１の前記一表面側に設けられた各１対の固定接点１４は、ベース基板１の長手方向の両端部においてベース基板１の短手方向の両端側に離間して形成された２つのスルーホール１０の間で前記短手方向に並設されており、前記短手方向において隣り合うスルーホール１０の周縁と前述の導電パターン１８，１８を介して電気的に接続されている。ここに、固定接点１４の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、又はこれらの合金などの導電性材料を採用すればよい。なお、前述のスルーホール１０および収納孔１６は、例えば、サンドブラスト法やエッチング法などによって形成すればよく、固定接点１４は、例えば、めっき法、蒸着法、スパッタ法などによって形成すればよい。また、ベース基板１の厚み方向の前記他表面側の各ランド１２には、スルーホール１０を塞ぐ形で、バンプ１３が固着されている。また、バンプ１３の材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の導電性材料を用いればよい。
【００２５】
また、ベース基板１の前記一表面側には、シリコンにより矩形板状に形成された蓋体１７が収納孔１６を閉塞する形で固着されている。また、電磁石装置２は、後述のヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの各先端面が蓋体１７に接する形で収納孔１６に挿入される。ここで、ベース基板１の収納孔１６に電磁石装置２が挿入された状態で、収納孔１６に樹脂を充填し硬化させることにより、電磁石装置２がベース基板１に固定される。なお、収納孔１６に充填する樹脂としては、硬化後にも弾性をもつシリコーン樹脂等を用いるのが望ましい。ここに、実施形態では、ベース基板１における収納孔１６の内周面と蓋体１７とで囲まれる空間が電磁石装置２を収納する収納部を構成している。なお、蓋体１７は、シリコン基板をエッチング又は研磨によって薄膜化することにより形成されている。
【００２６】
電磁石装置２は、２つのコイル２２，２２が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部２０ａとコイル巻回部２０ａの長手方向の両端部それぞれからアーマチュア３０に近づく向きに延設されコイル２２，２２への励磁電流に応じて互いの先端面が異極に励磁される一対の脚片２０ｂ，２０ｂとを有するヨーク２０と、ヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの間でコイル巻回部２０ａの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石２１と、細長の矩形板状であってヨーク２０のコイル巻回部２０ａにおける永久磁石２１との対向面とは反対側でコイル巻回部２０ａと直交するようにコイル巻回部２０ａに固着されるプリント基板２３とを備えている。なお、ヨーク２０は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工、鋳造加工、プレス加工などにより加工することによって形成されており、両脚片２０ｂ，２０ｂの断面が矩形状に形成されている。ここで、電磁石装置２は、２つのコイル２２，２２に励磁電流を通電したときに電磁力を発生するものであり、当該電磁力によって後述のアーマチュア３０に固着された後述の磁性体部３０ｂを吸引することができる。ここに、プリント基板２３は、図３に示すように、絶縁基板２３ａの一面側における長手方向の両端部に導電パターン２３ｂが形成されており、各導電パターン２３ｂには、導電性材料からなるバンプ２３ｃが適宜固着される。なお、バンプ２３ｃの材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の導電性材料を用いればよい。
【００２７】
永久磁石２１は、コイル巻回部２０ａとの重ね方向（厚み方向）の両面それぞれの磁極面２１ａ，２１ｂが異極に着磁されており、磁極面２１ｂがヨーク２０のコイル巻回部２０ａに当接し、他方の磁極面２１ａがヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。なお、各コイル２２，２２はそれぞれ、永久磁石２１とヨーク２０の脚片２０ｂ，２０ｂとによってコイル巻回部２０ａの長手方向への移動が規制される。
【００２８】
アーマチュアブロック３は、シリコン基板からなる半導体基板を半導体微細加工プロセスにより加工することによって形成されており、図２（ａ），（ｂ）に示すように、枠状（矩形枠状）のフレーム部３１と、フレーム部３１の内側に配置される矩形板状のアーマチュア３０と、アーマチュア３０をフレーム部３１に対して揺動自在に支持する４つの支持ばね３２と、アーマチュア３０の長手方向の両端側それぞれに配設された可動接点基台３４と、可動接点基台３４により支持された可動接点３９と、各可動接点基台３４と後述の可動基台３０ａとを連結する４つの接圧ばね３５とを備え、フレーム部３１がベース基板１の前記一表面側に固着される。
【００２９】
アーマチュア３０は、矩形板状の可動基台３０ａと、Ｆｅ系の磁性体により矩形板状に形成され且つ可動基台３０ａにおけるベース基板１側に固着された磁性体部３０ｂとから構成されている。ここで、可動基台３０ａはフレーム部３１よりも薄肉であり、アーマチュア３０の厚み寸法は、アーマチュアブロック３のフレーム部３１とベース基板１とを固着した状態においてアーマチュア３０とベース基板１との間に空隙が形成されるように設定されている。
【００３０】
可動基台３０ａは、短手方向の両側縁の中央部から矩形状の第１の突片３６が連続一体に延設され、フレーム部３１の内周面において第１の突片３６に対応する部位からも矩形状の第２の突片３７が連続一体に延設されている。即ち、可動基台３０ａから延設された第１の突片３６とフレーム部３１から延設された第２の突片３７とは互いの先端面同士が対向している。ここに、可動基台３０ａから延設された各第１の突片３６の先端面には凸部３６ａが形成されており、フレーム部３１から延設された各第２の突片３７の先端面には、凸部３６ａが入り込む凹部３７ａが形成されている。従って、凸部３６ａが凹部３７ａの内周面に当接することでフレーム部３１の厚み方向に直交する面内におけるアーマチュア３０の移動が規制される。なお、アーマチュア３０の同一の側縁側に配設される２つの支持ばね３２は、第１の突片３６の両側に位置している。また、可動基台３０ａには、図２（ｂ）に示すように、ベース基板１との対向面にアーマチュア３０の揺動の支点となる支点突起４０，４０が形成されている。また、支点突起４０の先端部には、支点突起４０の摩耗を抑制するために、金属（例えば、Ａｕ等）により形成された保護膜４１が形成されている。ここで、アーマチュアブロック３がベース基板１に固着された状態では、支点突起４０，４０の先端部に形成された保護膜４１がベース基板１の上記一表面側に配設された蓋体１７に当接している。しかして、アーマチュア３０の揺動動作に伴って支点突起４０の先端部が摩耗してしまうのを抑制し、支点突起４０の先端部の摩耗に伴う動作不良の発生を抑制している。
【００３１】
また、可動基台３０ａの４隅から短手方向の両側に向かって矩形板状のストッパ基台部３８が延設され、ストッパ基台部３８においてベース基板１との対向面には、アーマチュア３０の揺動範囲を規制するストッパ部３３（図２（ｂ）参照）が突設されている。このストッパ部３３は、ベース基板１の前記一表面と接触することによりアーマチュア３０の変位量を制限する。従って、ストッパ部３３の突出量を設定することにより、アーマチュア３０の揺動範囲を設定することができる。例えば、ストッパ部３３の突出量を小さくすることによって、アーマチュア３０を電磁石装置２に、より近づけることができる。
【００３２】
支持ばね３２は、図２（ａ），（ｂ）に示すように、可動基台３０ａの短手方向の両側面側で可動基台３０ａの長手方向に離間した２箇所に形成されている。各支持ばね３２は、一端部が可動基台３０ａに連続一体に連結され他端部がフレーム部３１の内周面に連続一体に連結されている。なお、支持ばね３２は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてあり、アーマチュア３０が揺動する際に支持ばね３２に発生する応力を分散させることができ、各支持ばね３２が破損するのを防止することができる。
【００３３】
可動接点３９は、金属（例えば、Ａｕ等）により形成され、図２（ｂ）に示すように、アーマチュア３０の長手方向の両端側に配設された後述の可動接点基台３４におけるベース基板１との対向面に固着されている。ここで、アーマチュアブロック３がベース基板１に接合された状態では、可動接点３９の先端がべース基板１の前記一表面に形成された各１対の固定接点１４に対向している。
【００３４】
可動接点基台３４は、平面視長方形状に形成され、アーマチュア３０の両端部とフレーム部３１との間に配置されている。また、可動接点基台３４は、可動基台３０ａに連結された２つの接圧ばね３５によりアーマチュア３０の短手方向における両側から支持されている。
【００３５】
接圧ばね３５は、一端が可動基台３０ａの短手方向の両側面における支持ばね３２とストッパ基台部３８との間の部位に連結され且つ他端が可動接点基台３４の長手方向の両端に連結されるとともに、平面視形状がストッパ基台部３８の外周縁の３辺に沿ったコ字状に形成されている。
【００３６】
カバー４は、パイレックス（登録商標）のような耐熱ガラスで形成されており、図１に示すように、アーマチュアブロック３との対向面にアーマチュア３０の揺動空間を確保する凹所４ａが形成されている。
【００３７】
また、アーマチュアブロック３のフレーム部３１におけるベース基板１との対向面には、フレーム部３１の全周に亘って第１の接合用金属膜４８ａが形成され、カバー４との対向面には、フレーム部３１の全周に亘って第２の接合用金属膜４８ｂが形成されている。一方、ベース基板１におけるアーマチュアブロック３との対向面には、全周に亘って第３の接合用金属膜１５が形成され、カバー４におけるアーマチュアブロック３との対向面にも、全周に亘って第４の接合用金属膜（図示せず）が形成されている。ここで、アーマチュアブロック３とベース基板１およびカバー４とを陽極接合等により接合することで、アーマチュア３０の前記揺動空間を気密に保つことができる。しかして、マイクロリレーの外部からアーマチュア３０の前記揺動空間への異物の侵入を防止することができるので、例えば、当該異物が可動接点３９と固定接点１４との間に挟み込まれることによって可動接点３９と固定接点１４とが接触不良を起こすことを防止できるので、マイクロリレーの動作不良の発生を抑制することができる。なお、図１では、第１の接合用金属膜４８ａ、第２の接合用金属膜４８ｂ、第３の接合用金属膜１５および前記第４の接合用金属膜の図示は省略してある。
【００３８】
次に、実施形態のマイクロリレーの動作について説明する。
【００３９】
実施形態のマイクロリレーでは、コイル２２，２２への通電が行われると、磁化の向きに応じて磁性体部３０ｂの長手方向の一端部がヨーク２０の一方の脚片２０ｂに吸引されてアーマチュア３０が揺動しアーマチュア３０の一端側の可動接点基台３４に固着された可動接点３９が対向する１対の固定接点１４，１４に所定の接点圧で接触する（つまり、１対の固定接点１４，１４間が可動接点３９を介して短絡される）。この状態で通電を停止しても、永久磁石２１の発生する磁束により、吸引力が維持され、そのままの状態が保持される。
【００４０】
また、コイル２２，２２への通電方向を逆向きにすると、アーマチュア３０の一部を構成する磁性体部３０ｂがヨーク２０の他方の脚片２０ｂに吸引されてアーマチュア３０が揺動しアーマチュア３０の他端側の可動接点基台３４に支持された可動接点３９が対向する１対の固定接点１４，１４に所定の接点圧で接触する。この状態で通電を停止しても、永久磁石２１の発生する磁束により、吸引力が維持され、そのままの状態が保持される。
【００４１】
ところで、実施形態のマイクロリレーでは、図１（ｂ），（ｃ）に示すように、磁性体部３０ｂの表面全体に、磁性体部３０ｂと蓋体１７との接触を防止し且つ最表面に白金族元素のうちのいずれか１種類の金属が露出した第１の保護膜５１が形成されている。また、蓋体１７における電磁石装置２側の表面を除く表面全体にも、磁性体部３０ｂと蓋体１７との接触を防止し且つ最表面に白金族元素のうちのいずれか１種類の金属が露出した第２の保護膜５２が形成されている。ここにおいて、可動接点３９が固定接点１４に接触した状態では、アーマチュア３０の一部を構成する磁性体部３０ｂに形成された第１の保護膜５１と蓋体１７に形成された第２の保護膜５２とが接する可能性がある（図１（ａ）中の２点鎖線参照）。
【００４２】
しかして、可動接点３９と固定接点１４とが接離を繰り返すことに伴う磁性体部３０ｂおよび蓋体１７の摩耗を防止することができるので、磁性体部３０ｂや蓋体１７の摩耗粉が可動接点３９と固定接点１４との間に挟み込まれることによる動作不良の発生を抑制できる。
【００４３】
なお、第１の保護膜５１は、磁性体部３０ｂの表面全体に形成されるものに限らず、例えば、磁性体部３０ｂにおける可動基台３０ａ側の表面を除く表面全体のみに形成されるものであってもよい。ただし、第１の保護膜５１が磁性体部３０ｂの表面全体に形成されているほうが、磁性体部３０ｂと可動基台３０ａとの間に僅かな隙間が生じた場合であっても、後述の薬液による磁性体部３０ｂの損傷をより確実に防止することができる。
【００４４】
また、第１の保護膜５１は、図１（ｂ）に示すように、磁性体部３０ｂ側から、磁性体部３０ｂとの密着性を向上させるための密着層５１ａ、外部から第１の保護膜５１に加わる衝撃を吸収するための衝撃吸収層５１ｂ、後述のアーマチュアブロック洗浄工程および酸化膜除去工程等で使用する薬液に対する耐性のある材料で形成された保護層５１ｃの順に積層された３層構造を有する。また、第２の保護膜５２は、図１（ｃ）に示すように、蓋体１７側から、蓋体１７との密着性を向上させるための密着層５２ａ、外部から第２の保護膜５２に加わる衝撃を吸収するための衝撃吸収層５２ｂ、後述のベース基板洗浄工程等で使用する薬液に対する耐性のある材料で形成された保護層５２ｃの順に積層された３層構造を有する。ここに、保護層５１ｃ，５２ｃが第１の保護膜５１および第２の保護膜５２それぞれの最表面部分を構成する。第１の保護膜５１は、密着層５１ａが磁性体部３０ｂの材料であるFｅ系の磁性体材料と密着性がよい材料（例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等）から形成され、衝撃吸収層５１ｂが密着層５１ａおよび保護層５１ｃとの密着性がよく且つ第１の保護膜５１に加わる衝撃を吸収することができる材料（例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等）から形成され、保護層５１ｃが、高温（例えば、アーマチュアブロック３とベース基板１とを陽極接合により接合する際の温度である約４００℃の温度）下でも衝撃吸収層５１ｂとの間で相互拡散が生じにくい白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒのうちのいずれか１種類の金属から形成されている。一方、第２の保護膜５２は、密着層５２ａが蓋体１７の材料であるシリコンと密着性がよい材料（例えば、Ｃｒ、Ｔｉ等）から形成され、衝撃吸収層５２ｂが密着層５２ａおよび保護層５２ｃと密着性がよく且つ第２の保護膜５２に加わる衝撃を吸収することができる材料（例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等）から形成され、保護層５２ｃが、前記高温下でも衝撃吸収層５２ｂとの間で相互拡散が生じにくい白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒのうちのいずれか１種類の金属から形成されている。
【００４５】
ところで、実施形態のマイクロリレーの製造プロセスでは、図４に示すマイクロリレーの製造と同様に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術等を利用してアーマチュアブロック３の基となるシリコン基板におけるフレーム部３１に対応する部位の内側をアーマチュアブロック３の厚み方向における支点突起４０，４０の寸法に等しい厚みになるまでエッチングした後に、支点突起４０に対応する領域に金属（例えば、Ａｕ等）からなる保護膜４１を形成する保護膜形成工程を行い、その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術等を利用して前記シリコン基板におけるフレーム部３１に対応する部位の内側の支点突起４０の形成予定領域を除く領域をアーマチュアブロック３の厚み方向における可動接点基台３４の寸法に等しい厚みになるまでエッチングして支点突起４０の先端部を形成し、続いて、金属（例えば、Ａｕ等）からなる可動接点３９を形成する可動接点形成工程を行い、その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術等を利用して可動基台３０ａ、可動接点基台３４、支持ばね３２、接圧ばね３５、ストッパ部３３およびストッパ基台部３８を形成するとともに支点突起４０の前記先端部以外の残りの部分を形成する工程を行う。その後、磁性体部３０ｂを可動基台３０ａに固着する磁性体部固着工程を行った後に、前記可動接点形成工程や前記磁性体部固着工程においてアーマチュアブロック３に付着した異物を除去するためのアーマチュアブロック洗浄工程を行い、その後、前記アーマチュアブロック洗浄工程においてアーマチュアブロック３に形成されたシリコン酸化膜を除去するための酸化膜除去工程を行う。ここで、前記アーマチュアブロック洗浄工程では、磁性体部３０ｂを含むアーマチュアブロック３を、洗浄用の薬液に浸漬する。また、前記酸化膜除去工程では、磁性体部３０ｂを含むアーマチュアブロック３を酸化膜除去用の薬液であるバッファードフッ酸等の薬液に浸漬する。一方、ベース基板１については、ベース基板１に蓋体１７を固着する蓋体固着工程を行った後に、ベース基板１に付着した異物を除去するためのベース基板洗浄工程を行う。また、カバ−４についても、カバー４に付着した異物を除去するためのカバー洗浄工程を行う。前記ベース基板洗浄工程および前記カバー洗浄工程では、蓋体１７を含むベース基板１およびカバー４を、洗浄用の薬液に浸漬する。そして、アーマチュアブロックについて前記酸化膜除去工程を行い且つ前記ベース基板洗浄工程および前記カバー洗浄工程を行った後に、アーマチュアブロック３とベース基板１およびカバー４とを接合する接合工程を行う。
【００４６】
また、磁性体部３０ｂに第１の保護膜５１を形成する第１の保護膜形成工程は、前記磁性体部固着工程の前に行われており、蓋体１７に第２の保護膜５２を形成する第２の保護膜形成工程は、前記蓋体固着工程の前に行われている。
【００４７】
ここで、実施形態のマイクロリレーでは、磁性体部３０ｂに、最表面に前記アーマチュアブロック洗浄工程や前記酸化膜除去工程等の製造プロセスで用いる薬液に耐性があるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒのうちのいずれか１種類の金属が露出した第１の保護膜５１が形成されていることにより、例えば、前記アーマチュアブロック洗浄工程で使用する洗浄用の薬液、或いは、前記酸化膜除去工程で使用するバッファードフッ酸等の薬液による磁性体部３０ｂの損傷を低減できる。
【００４８】
また、実施形態のマイクロリレーでは、図１（ｂ）に示すように、第１の保護膜５１および第２の保護膜５２が前述のように、最表面に白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒのうちのいずれか１種類の金属が露出する形で形成されていることにより、第１の保護膜５１および第２の保護膜５２がＳｉ３Ｎ４から形成されている場合に比べて電磁石装置２によるアーマチュア３０の吸引力を向上させることができる。
【００４９】
なお、実施形態では、アーマチュア３０の一部を構成する磁性体部３０ｂおよび蓋体１７の摩耗の抑制、第２の保護膜５１から蓋体１７への金属拡散の抑制、および第１の保護膜５１の磁性体部３０ｂへの密着性および第２の保護膜５２の蓋体１７への密着性を考慮して、第１の保護膜５１および第２の保護膜５２の厚みは、０．３μｍ以上５０μｍ以下となるように設定されている。また、第１の保護膜５１および第２の保護膜５２は、膜厚に応じて、スパッタ法、蒸着法或いはめっき法等の成膜方法を適宜選択して形成することができる。また、前記成膜方法の種類に応じて、第１の保護膜５１および第２の保護膜５２の厚みを０．３μｍ以上５０μｍ以下の範囲で適宜設定することにより、成膜時における内部応力や熱応力を緩和して密着力を確保することができる。ここで、成膜方法としてスパッタ法を採用した場合には、磁性体部３０ｂおよび蓋体１７の形状が複雑な場合（例えば、磁性体部３０ｂが可動基台３０ａの形状に合わせて複雑な形状に形成されている場合や蓋体１７がスルーホール１０等の位置を考慮して複雑な形状に形成されている場合等）であっても第１の保護膜５１および第２の保護膜５２を形成することができ、更に、Ｆｅ系の磁性体で形成された磁性体部３０ｂに第１の保護膜５１を形成する場合およびシリコンで形成された蓋体１７に第２の保護膜５２を形成する場合のいずれに対しても対応できる。また、成膜方法としてめっき法を採用した場合には、磁性体部３０ｂまたは蓋体１７にレジスト等からなるマスクを適宜形成することにより、磁性体部３０ｂの表面における第１の保護膜５１を形成する部位、または、蓋体１７の表面における第２の保護膜５２を形成する部位を限定することが可能となる。また、めっき法を採用した場合は、スパッタ法等を採用した場合に比べて、製造コストが安価であり、スパッタ法等に比べて容易な工法により製造することが可能なので、成膜方法としてスパッタ法等を採用した場合に比べて量産性に優れる。
【００５０】
また、実施形態では、第１の保護膜５１および第２の保護膜５２が、可動接点３９が１対の固定接点１４，１４に接触する際の可動接点３９および１対の固定接点１４，１４に加わる衝撃を吸収するので、可動接点３９と１対の固定接点１４，１４との接触の際に可動接点３９や固定接点１４に加わる衝撃による悪影響（例えば、可動接点３９や固定接点１４の摩耗等）を抑制することができる。また、第１の保護膜５１および第２の保護膜５２が形成されていることにより、製造プロセス等において高温（例えば、陽極接合時における４００℃）の環境に晒された場合でも、蓋体１７の表面に自然酸化膜が形成される等の悪影響を抑制することができる。
【００５１】
また、実施形態では、磁性体部３０ｂおよび蓋体１７の両方それぞれに、第１の保護膜５１および第２の保護膜５２を形成する例について説明したが、これに限定されるものではなく、磁性体部３０ｂのみに第１の保護膜５１が形成されるもの、或いは蓋体１７のみに第２の保護膜５２が形成されるものであってもよい。この場合でも、可動接点３９と固定接点１４との接離動作を繰り返しに伴う磁性体部３０ｂおよび蓋体１７の摩耗を防止することができるので、磁性体部３０ｂや蓋体１７の摩耗粉が可動接点３９と固定接点１４との間に挟み込まれることによる動作不良の発生を抑制できる。また、第１の保護膜５１および第２の保護膜５２のうちいずれか一方のみを形成すればよいので、製造プロセスを簡略化することができる。
【００５２】
また、実施形態では、保護層５１ｃ，５２ｃが、白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒのうちのいずれか１種類の金属から形成されている例について説明したが、これに限定されるものではなく、他の白金族元素であるＯｓ、Ｐｔ、Ｐｄのいずれか１種類の金属から形成してもよい。
【００５３】
また、実施形態では、第１の保護膜５１および第２の保護膜５２のいずれか一方を設け、保護層５１ｃ，５２ｃがＡｕから形成されるものであってもよい。
【００５４】
保護層５１ｃ，５２ｃがＡｕから形成される場合、保護層５１ｃ，５２ｃが白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｄのうちのいずれか１種類の金属から形成されている場合と同様に、磁性体部３０ｂや蓋体１７の摩耗粉が可動接点３９と固定接点１４との間に挟み込まれることによる動作不良の発生を抑制でき、また、保護層５１ｃ，５２ｃが、製造時において製造プロセスで使用する薬液に対する耐性のあるＡｕから形成されているので、製造時の製造プロセスで使用する薬液による磁性体部３０ｂの損傷を低減できる。更に、第１の保護膜５１または第２の保護膜５２が、最表面にＡｕが露出する形で形成されていることにより、第１の保護膜５１または第２の保護膜５２がＳｉ３Ｎ４から形成されている場合に比べて電磁石装置２によるアーマチュア３０の吸引力を向上させることができる。
【００５５】
また、実施形態では、第１の保護膜５１および第２の保護膜５２が３層構造を有する例について説明したが、これに限定されず、第１の保護膜５１および第２の保護膜５２が例えば、白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｄのうちのいずれか１種類の金属からなる単層構造であってもよい。また、第１の保護膜５１または第２の保護膜５２のいずれか一方を設けて、第１の保護膜５１または第２の保護膜５２が、例えば、白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｄのうちのいずれか１種類の金属やＡｕからなる単層構造であってもよい。
【００５６】
この場合でも、製造時における製造プロセスで使用される薬液による磁性体部３０ｂおよび蓋体１７の損傷を低減できる。また、第１の保護膜５１または第２の保護膜５２が、最表面に白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｄのうちのいずれか１種類の金属またはＡｕが露出するように、最表面側に白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｄのうちのいずれか１種類の金属やＡｕからなる保護層（図示せず）を有する２層構造（図示せず）としてもよい。例えば、第１の保護膜５１だけを設けるとともに、第１の保護膜５１が、磁性体部３０ｂ上に形成されたＡｕからなる密着層（図示せず）と、当該密着層上に形成された白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｄのうちのいずれか１種類の金属からなる前記保護層とで構成される２層構造としてもよいし、第２の保護膜５２だけを設けて、第２の保護膜５２が、蓋体１７側に形成されたＣｒまたはＴｉからなる密着層（図示せず）と、当該密着層上に形成されたＡｕからなる前記保護層とで構成される２層構造としてもよい。
【００５７】
また、第１の保護膜５１および第２の保護膜５２が、最表面に白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｄのうちのいずれか１種類の金属が露出するように、最表面側に白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｄのうちのいずれか１種類の金属からなる保護層（図示せず）を有する４層以上の多層構造（図示せず）からなるものであってもよい。また、第１の保護膜５１または第２の保護膜５２のいずれか一方のみを設けて、第１の保護膜５１または第２の保護膜５２が、最表面に白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｄのうちのいずれか１種類の金属が露出するように、最表面側に白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｄのうちのいずれか１種類の金属やＡｕからなる保護層（図示せず）を有する４層以上の多層構造（図示せず）からなるものであってもよい。例えば、第１の保護膜５１が、磁性体部３０ｂ上に形成されたＡｕからなる密着層（図示せず）上に、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属からなる２層以上の衝撃吸収層（図示せず）を形成し、当該衝撃吸収層上に白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｄのうちのいずれか１種類の金属からなる前記保護層が形成されてなる多層構造とし、第２の保護膜５２が、蓋体１７上に形成されたＣｒまたはＴｉからなる密着層（図示せず）上にＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属からなる２層以上の衝撃吸収層（図示せず）を形成し、当該衝撃吸収層上に白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｄのうちのいずれか１種類の金属からなる前記保護層を形成してなる多層構造としてもよい。なお、前記衝撃吸収層は、例えば、前記密着層と前記衝撃吸収層との密着性、前記保護層と前記衝撃吸収層との密着性および前記衝撃吸収層同士の密着性等を考慮して、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属の中から適宜選択した金属により形成すればよい。
【符号の説明】
【００５８】
１  ベース基板
２  電磁石装置
３  アーマチュアブロック
４  カバー
１４  固定接点
１７  蓋体
３０  アーマチュア
３０ａ  可動基台
３０ｂ  磁性体部
３１  フレーム部
３２  支持ばね
３４  可動接点基台
３５  接圧ばね
３９  可動接点
５１  第1の保護膜
５２  第２の保護膜
【図１】
2011060715.tif 000003
【図２】
2011060715.tif 000004
【図３】
2011060715.tif 000005
【図４】
2011060715.tif 000006