(57)【要約】      （修正有）【課題】有機電界発光素子の製造に有用な金属錯体組成物、錯体高分子、これを用いた液状組成物、有機薄膜、有機電界発光素子、面状光源及び表示装置の提供。【解決手段】（１）で表される構造を含む金属錯体と、電荷輸送性材料とを含有する金属錯体組成物の提供。2011068638.tif 000060【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される構造を含む金属錯体と、電荷輸送性材料とを含有する金属錯体組成物。
【化１】
2011068638.tif 000051
［式（１）中、Ｒａは置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルキル基を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルキニル基、置換基を有してもよい炭素数０〜３０のアミノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキルチオ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールチオ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環オキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、又はトリフルオロメチル基を表す。なお、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうち隣接する基同士が結合して環構造を形成していてもよい。］
【請求項２】
前記電荷輸送性材料が低分子有機化合物である請求項１に記載の金属錯体組成物。
【請求項３】
前記電荷輸送性材料が下記式（２）で表される構成単位及び下記式（３）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも一種の構成単位を含む高分子化合物である、請求項１に記載の金属錯体組成物。
【化２】
2011068638.tif 000052
［式（２）中、Ａｒ１はアリーレン基、２価の芳香族複素環基又は該アリーレン基及び該２価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる同一若しくは異なる２個以上の基が直接結合した２価の基を示す。なお、Ａｒ１で示される基は、置換基としてアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を有していてもよい。］
【化３】
2011068638.tif 000053
［式（３）中、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４及びＡｒ５は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の芳香族複素環基又は該アリーレン基及び該２価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる同一若しくは異なる２個以上の基が直接結合した２価の基を示し、Ａｒ６、Ａｒ７及びＡｒ８は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の芳香族複素環基を示し、ｐ及びｑは、それぞれ独立に、０又は１である。なお、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７、Ａｒ８で示される基は、それぞれ、置換基としてアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を有していてもよい。また、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７、Ａｒ８で示される基は、それぞれ、該基が結合する窒素原子と結合しているＡｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７、Ａｒ８で示される基と、直接結合し、又は−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｎ（ＲＡ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（ＲＡ）−若しくは−Ｃ（ＲＡ）２−を介して結合して、５〜７員環を形成していてもよい。ＲＡは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、又はアラルキル基を示す。］
【請求項４】
前記高分子化合物が、前記式（２）で表される構成単位として、下記式（４）で表される構成単位を含む、請求項３に記載の金属錯体組成物。
【化４】
2011068638.tif 000054
［式（４）中、Ｒ５はアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示し、Ｒ６は水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を示す。なお、２個のＲ６は同一でも異なっていてもよく、２個のＲ５は同一でも異なっていてもよい。］
【請求項５】
前記高分子化合物が、前記式（２）で表される構成単位として、下記式（５）で表される構成単位を含む、請求項３又は４に記載の金属錯体組成物。
【化５】
2011068638.tif 000055
［式（５）中、Ｒ７はアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基又はアラルキル基を示し、Ｒ８はアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を示し、ｒは０〜３の整数を示す。なお、２個のＲ７は同一であっても異なっていてもよく、また、２個のＲ７が結合して環構造を形成していてもよい。また、Ｒ８が複数存在する場合、複数のＲ８は同一でも異なっていてもよい。また、２個のｒは同一でも異なっていてもよい。］
【請求項６】
前記高分子化合物が共役系高分子化合物である、請求項３〜５のいずれか一項に記載の金属錯体組成物。
【請求項７】
下記式（６）で表される構造を有する電子輸送性材料を更に含有する、請求項３〜６のいずれか一項に記載の金属錯体組成物。
【化６】
2011068638.tif 000056
［式（６）中、Ｒ９は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を示す。なお、３個のＲ９は同一であっても異なっていてもよい。］
【請求項８】
下記式（１）で表される構造を含む金属錯体から２個の水素原子を除いた残基である２価の基と、下記式（２）で表される構成単位及び下記式（３）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも一種の構成単位とを含む錯体高分子。
【化７】
2011068638.tif 000057
［式（１）中、Ｒａは置換基を有していてもよい炭素数２〜３０のアルキル基を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０のアルキニル基、置換基を有していてもよい炭素数０〜３０のアミノ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜６０の複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキルチオ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールチオ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環オキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を示す。なお、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうち隣接する基同士が結合して環構造を形成していてもよい。］
【化８】
2011068638.tif 000058
［式（２）中、Ａｒ１はアリーレン基、２価の芳香族複素環基又は該アリーレン基及び該２価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる同一若しくは異なる２個以上の基が直接結合した２価の基を示す。なお、Ａｒ１で示される基は、置換基としてアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を有していてもよい。］
【化９】
2011068638.tif 000059
［式（３）中、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４及びＡｒ５は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の芳香族複素環基又は該アリーレン基及び該２価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる同一若しくは異なる２個以上の基が直接結合した２価の基を示し、Ａｒ６、Ａｒ７及びＡｒ８は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の芳香族複素環基を示し、ｐ及びｑは、それぞれ独立に、０又は１である。なお、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７、Ａｒ８で示される基は、それぞれ、置換基としてアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を有していてもよい。また、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７、Ａｒ８で示される基は、それぞれ、該基が結合する窒素原子と結合しているＡｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７、Ａｒ８で示される基と、直接結合し、又は−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｎ（ＲＡ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（ＲＡ）−若しくは−Ｃ（ＲＡ）２−を介して結合して、５〜７員環を形成していてもよい。ＲＡは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、又はアラルキル基を示す。］
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体組成物又は請求項８に記載の錯体高分子と、溶媒とを含有する液状組成物。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体組成物又は請求項８に記載の錯体高分子を含有する有機薄膜。
【請求項１１】
有機薄膜を備える有機電界発光素子であって、請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体組成物又は請求項８に記載の錯体高分子を前記有機薄膜中に含む有機電界発光素子。
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機電界発光素子を備えた面状光源。
【請求項１３】
請求項１１に記載の有機電界発光素子を備えた表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属錯体組成物及び錯体高分子、並びに、該金属錯体組成物又は該錯体高分子を用いた液状組成物、有機薄膜、有機電界発光素子、面状光源及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子、有機ＥＬ素子又は有機発光素子ともいう。）は、陽極と陰極との間に蛍光性有機化合物又は燐光性有機化合物を含む有機薄膜を挟持させてなる素子である。有機電界発光素子においては、各電極から有機薄膜に正孔及び電子を注入することにより、有機薄膜中の蛍光性有機化合物又は燐光性有機化合物の励起子が生成され、この励起子が基底状態に戻る際に光が放出される。このような有機電界発光素子として、フェニルピリジン配位子又は中心金属に配位結合した窒素原子のパラ位に置換基を有するフェニルピリミジン配位子を有する有機金属錯体を構成材料として用いたもの等がある（例えば、特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００２／０２７１４号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の有機電界発光素子は、発光効率が必ずしも十分であるとはいえず、実用に供するためには未だ改善の余地がある。
【０００５】
そこで、本発明は、十分に高い発光効率を有する有機電界発光素子並びに該有機電界発光素子を用いた面状光源及び表示装置を提供することを目的とする。また、本発明は、該有機電界発光素子の製造に有用な金属錯体組成物及び錯体高分子並びに該金属錯体組成物又は該錯体高分子を用いた液状組成物及び有機薄膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、下記式（１）で表される構造を含む金属錯体と、電荷輸送性材料とを含有する金属錯体組成物を提供する。
【化１】
2011068638.tif 000002
［式（１）中、Ｒａは置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルキル基を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルキニル基、置換基を有してもよい炭素数０〜３０のアミノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキルチオ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールチオ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環オキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、又はトリフルオロメチル基を表す。なお、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうち隣接する基同士が結合して環構造を形成していてもよい。］
【０００７】
上記の金属錯体組成物を有機電界発光素子の構成材料として用いることによって、有機電界発光素子の発光効率及び外部量子収率を十分に向上させることが可能となる。なお、かかる効果が奏される理由は、本発明で用いた金属錯体が、室温溶液状態でそもそも高い発光量子収率を示すことに加え、Ｒａが無置換の金属錯体と比較して、固体状態で特に高い発光量子収率を示し、また熱安定性が高く、溶媒に対し可溶性であり、加工性に優れているため、本来の発光性を十分に発揮できるともに、電荷輸送性材料との組成物とすることで、電荷注入性、電荷輸送性が向上することが一因と考えられる。
【０００８】
本発明においては、上記電荷輸送性材料として、低分子有機化合物（以下、便宜的に「電荷輸送性材料（Ａ）」という。）を好適に用いることができる。
【０００９】
また、上記電荷輸送性材料として、下記式（２）で表される構成単位及び下記式（３）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも一種の構成単位を含む高分子化合物（以下、便宜的に「電荷輸送性材料（Ｂ）」という。）も好適に用いることができる。
【化２】
2011068638.tif 000003
［式（２）中、Ａｒ１はアリーレン基、２価の芳香族複素環基又は該アリーレン基及び該２価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる同一若しくは異なる２個以上の基が直接結合した２価の基を示す。なお、Ａｒ１で示される基は、置換基としてアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を有していてもよい。］
【化３】
2011068638.tif 000004
［式（３）中、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４及びＡｒ５は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の芳香族複素環基又は該アリーレン基及び該２価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる同一若しくは異なる２個以上の基が直接結合した２価の基を示し、Ａｒ６、Ａｒ７及びＡｒ８は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の芳香族複素環基を示し、ｐ及びｑは、それぞれ独立に、０又は１である。なお、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７、Ａｒ８で示される基は、それぞれ、置換基としてアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を有していてもよい。また、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７、Ａｒ８で示される基は、それぞれ、該基が結合する窒素原子と結合しているＡｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７、Ａｒ８で示される基と、直接結合し、又は−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｎ（ＲＡ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（ＲＡ）−若しくは−Ｃ（ＲＡ）２−を介して結合して、５〜７員環を形成していてもよい。ＲＡは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、又はアラルキル基を示す。］
【００１０】
更に、上記電荷輸送性材料（Ｂ）は、上記式（２）で表される構成単位として、下記式（４）で表される構成単位を含むことが好ましい。
【化４】
2011068638.tif 000005
［式（４）中、Ｒ５はアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示し、Ｒ６は水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を示す。なお、２個のＲ６は同一でも異なっていてもよく、２個のＲ５は同一でも異なっていてもよい。］
【００１１】
また、上記電荷輸送性材料（Ｂ）は、上記式（２）で表される構成単位として、下記式（５）で表される構成単位を含むことが好ましい。
【化５】
2011068638.tif 000006
［式（５）中、Ｒ７はアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基又はアラルキル基を示し、Ｒ８はアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を示し、ｒは０〜３の整数を示す。なお、２個のＲ７は同一であっても異なっていてもよく、また、２個のＲ７が結合して環構造を形成していてもよい。また、Ｒ８が複数存在する場合、複数のＲ８は同一でも異なっていてもよい。また、２個のｒは同一でも異なっていてもよい。］
【００１２】
また、上記電荷輸送性材料（Ｂ）は共役系高分子化合物であることが好ましい。
【００１３】
また、本発明の金属錯体組成物が上記電荷輸送性材料（Ｂ）を含有する場合、該金属錯体組成物は下記式（６）で表される構造を有する電子輸送性材料（以下、便宜的に「電荷輸送性材料（Ｃ）」という。）を更に含有することが好ましい。電荷輸送性材料（Ｂ）と電荷輸送性材料（Ｃ）とを併用することによって、優れた電子注入及び電子輸送が実現され、その結果、より高い発光効率を示すこと、及び、低電圧駆動が可能となること、の少なくとも一方が達成される。
【化６】
2011068638.tif 000007
［式（６）中、Ｒ９は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を示す。なお、３個のＲ９は同一であっても異なっていてもよい。］
【００１４】
また、本発明は、上記式（１）で表される構造を含む金属錯体から２個の水素原子を除いた残基である２価の基と、上記式（２）で表される構成単位及び上記式（３）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも一種の構成単位とを含む錯体高分子を提供する。
【００１５】
上記の錯体高分子は、換言すれば、上記式（１）で表される構造を含む金属錯体から誘導される構成単位と、上記電荷輸送性材料（Ｂ）から誘導される構成単位とを有するものであり、上記の金属錯体組成物を有機電界発光素子の構成材料として用いることによって、有機電界発光素子の発光効率を十分に向上させることが可能となるという本発明の金属錯体組成物と同様の効果を有する。更に、該錯体高分子は、有機電界発光素子を製造する際の作業性の観点からも好ましい。
【００１６】
また、本発明は、上記本発明の金属錯体組成物又は錯体高分子と、溶媒とを含有する液状組成物を提供する。
【００１７】
また、本発明は、上記本発明の金属錯体組成物又は錯体高分子を含有する有機薄膜を提供する。
【００１８】
上記の液状組成物及び有機薄膜は、本発明の金属錯体組成物又は錯体高分子を含有するため、有機電界発光素子の製造に用いることによってその発光効率を十分に向上させることができ、非常に有用である。
【００１９】
また、本発明は、有機薄膜を備える有機電界発光素子であって、上記本発明の金属錯体組成物又は錯体高分子を上記有機薄膜中に含む有機電界発光素子を提供する。
【００２０】
上記の有機電界発光素子によれば、本発明の金属錯体組成物又は錯体高分子を上記有機薄膜中に含むため、十分に高い発光効率を達成することができる。
【００２１】
また、本発明は、上記本発明の有機電界発光素子を備えた面状光源を提供する。
【００２２】
また、本発明は、上記本発明の有機電界発光素子を備えた表示装置を提供する。
【００２３】
本発明の面状光源及び表示装置によれば、それぞれ本発明の有機電界発光素子を備えるため、十分に高い発光効率を達成することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、十分に高い発光効率を有する有機電界発光素子並びに該有機電界発光素子を用いた面状光源及び表示装置を提供することができる。また、本発明によれば、該有機電界発光素子の製造に有用な金属錯体組成物及び錯体高分子並びに該金属錯体組成物又は該錯体高分子を用いた液状組成物及び有機薄膜を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書において、「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味するが、本明細書中の「構成単位」は、「繰り返し単位」（即ち、高分子化合物中に２個以上存在する単位）として高分子化合物中に含まれることが好ましい。
【００２６】
［第１実施形態；金属錯体組成物］
本発明の第１実施形態に係る金属錯体組成物は、下記式（１）で表される構造を含む金属錯体と、電荷輸送性材料とを含有する。
【化７】
2011068638.tif 000008
［式（１）中、Ｒａは置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルキル基を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルキニル基、置換基を有してもよい炭素数０〜３０のアミノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキルチオ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールチオ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環オキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、又はトリフルオロメチル基を表す。なお、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうち隣接する基同士が結合して環構造を形成していてもよい。］
【００２７】
まず、上記式（１）で表される構造を含む金属錯体について詳述する。
【００２８】
上記式（１）中、Ｒａは置換基を有していてもよい炭素数２〜３０（好ましくは２〜２０、より好ましくは３〜２０、更に好ましくは５〜２０、特に好ましくは１０〜２０）のアルキル基である。
【００２９】
Ｒａが置換基を有していてもよい炭素数２〜３０のアルキル基であると、金属錯体の溶媒（ジクロロメタン、クロロホルム、トルエン、テトラヒドロフラン、キシレン等）に対する溶解性が飛躍的に向上するため、合成や精製の操作性の観点から好ましく、特に塗布プロセスを用いた有機電界発光素子の作製の観点からも好ましい。
【００３０】
以下にＲａを具体的に説明する。
置換基を有していてもよい炭素数２〜３０のアルキル基としては、例えば、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、３−メチルペンチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、１，２−ジニトロエチル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、３，５−テトラメチルシクロヘキシル基が挙げられる。これらの中でも好ましくは、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、３，５−テトラメチルシクロヘキシル基である。
【００３１】
また、上記式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１５、更に好ましくは１〜１０、特に好ましくは１〜５）のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、更に好ましくは６〜１５、特に好ましくは６〜１２）のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０（好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１５、更に好ましくは２〜１０）のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは２〜１０）のアルキニル基、置換基を有していてもよい炭素数０〜３０（好ましくは０〜２０、より好ましくは０〜１０）のアミノ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜６０（好ましくは１〜３０、より好ましくは１〜２０、特に好ましくは１〜１２）の１価の複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０）のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０）のアルキルチオ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、更に好ましくは６〜１５、特に好ましくは６〜１２）のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、更に好ましくは６〜１５、特に好ましくは６〜１２）のアリールチオ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０（好ましくは１〜３０、より好ましくは１〜２０、更に好ましくは１〜１２）の複素環オキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０（好ましくは１〜３０、より好ましくは１〜２０、更に好ましくは１〜１２）の複素環チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子（好ましくは塩素原子、臭素原子、フッ素原子、より好ましくはフッ素原子）、シアノ基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。以下、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４で表される基のうち、代表的な基を説明する。
【００３２】
置換基を有していてもよい炭素数１〜３０のアルキル基としては、メチル基及びＲａの説明において例示された炭素数２〜３０のアルキル基が挙げられる。
【００３３】
置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル−２−イル基、ビフェニル−３−イル基、ビフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基、２，３−キシリル基、３，４−キシリル基、２，５−キシリル基、メシチル基、ｍ−クウォーターフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基が挙げられる。これらの中でも好ましくは、フェニル基、ビフェニル−２−イル基、ビフェニル−３−イル基、ビフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｐ−トリル基、３，４−キシリル基、ｍ−クウォーターフェニル−２−イル基であり、特に好ましくはフェニル基である。これらのアリール基は置換基を有してもよい。さらに、特開２００９−１４９６１７号公報に記載された以下の式で表される基が挙げられる。
【化８】
2011068638.tif 000009
【化９】
2011068638.tif 000010
【００３４】
上記式中、Ｒｅは、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、これらの置換基の一部の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。複数存在するＲｅは同一であっても異なっていてもよいが、Ｒｅのうちの少なくとも１つは炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基である。また、Ｒｆは直鎖状又は分岐状の炭素数１〜１０のアルキル基を表す。複数存在するＲｆは同一であっても異なっていてもよい。＊は結合手を表す。
【００３５】
置換基を有していてもよい炭素数２〜３０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１，３−ブタンジエニル基、１−メチルビニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基、１−メチルアリル基、１，１−ジメチルアリル基、２−メチルアリル基、１−フェニルアリル基、２−フェニルアリル基、３−フェニルアリル基、３，３−ジフェニルアリル基、１，２−ジメチルアリル基、１−フェニル−１−ブテニル基、３−フェニル−１−ブテニル基が挙げられ、好ましくは、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基である。
【００３６】
置換基を有していてもよい炭素数２〜３０のアルキニル基としては、例えば、プロパルギル、３−ペンチニル、エチニル基、メチルエチニル基、１−プロピニル基、２−プロピレニル基、ヘプチニル基、シクロヘキシルエチニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基、１−オクチニル基が挙げられる。該アルキニル基には、１，３−ブタジイニル基等のジイニル基も包含される。
【００３７】
置換基を有していてもよい炭素数０〜３０のアミノ基としては、例えば、アミノ基（−ＮＨ２）、ジベンジルアミノ基、ジトリルアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ジｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ｓ−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ｎ−ヘプチルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ｎ−ノニルアミノ基、ｎ−デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ｎ−ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジニル基、ピペリジニル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルアミノ基（「Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ」とは、アルコキシ部分の炭素数が１〜１２であることを示す。以下、同様である。）、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基（「Ｃ１〜Ｃ１２アルキル」とは、アルキル部分の炭素数が１〜１２であることを示す。以下、同様である。）、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジニルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジニルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基が挙げられる。
【００３８】
置換基を有していてもよい炭素数１〜６０の１価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子１個を除いた残基であり、縮合環を有するものも含むが、１価の芳香族複素環基が好ましい。置換基を有していてもよい炭素数１〜６０の１価の複素環基としては、例えば、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、１−イミダゾリル基、２−イミダゾリル基、１−ピラゾリル基、１−インドリジニル基、２−インドリジニル基、３−インドリジニル基、５−インドリジニル基、６−インドリジニル基、７−インドリジニル基、８−インドリジニル基、２−イミダゾピリジニル基、３−イミダゾピリジニル基、５−イミダゾピリジニル基、６−イミダゾピリジニル基、７−イミダゾピリジニル基、８−イミダゾピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、β−カルボリン−１−イル基、β−カルボリン−３−イル基、β−カルボリン−４−イル基、β−カルボリン−５−イル基、β−カルボリン−６−イル基、β−カルボリン−７−イル基、β−カルボリン−６−イル基、β−カルボリン−９−イル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナン��ロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル−１−インドリル基、４−ｔ−ブチル−１−インドリル基、２−ｔ−ブチル−３−インドリル基、４−ｔ−ブチル−３−インドリル基、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジ��ンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−シラフルオレニル基、２−シラフルオレニル基、３−シラフルオレニル基、４−シラフルオレニル基、１−ゲルマフルオレニル基、２−ゲルマフルオレニル基、３−ゲルマフルオレニル基、４−ゲルマフルオレニル基等が挙げられる。これらの中でも好ましくは、２−ピリジニル基、１−インドリジニル基、２−インドリジニル基、３−インドリジニル基、５−インドリジニル基、６−インドリジニル基、７−インドリジニル基、８−インドリジニル基、２−イミダゾピリジニル基、３−イミダゾピリジニル基、５−イミダゾピリジニル基、６−イミダゾピリジニル基、７−イミダゾピリジニル基、８−イミダゾピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−シラフルオレニル基、２−シラフルオレニル基、３−シラフルオレニル基、４−シラフルオレニル基、１−ゲルマフルオレニル基、２−ゲルマフルオレニル基、３−ゲルマフルオレニル基、４−ゲルマフルオレニル基が挙げられる。
【００３９】
置換基を有していてもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０のアルキルチオ基とは、−ＯＹ又は−ＳＹで表される基（Ｙは置換基を有していてもよい炭素数１〜３０のアルキル基を示す）である。
Ｙの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基が挙げられる。
【００４０】
置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリールチオ基とは、−ＯＺ又は−ＳＺで表される基（Ｚは置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基を示す）である。
Ｚの例としては、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、及びペンタフルオロフェニル基が挙げられる。
【００４１】
置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環オキシ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜６０の複素環チオ基とは、−ＯＨｅｔ又は−ＳＨｅｔで表される基（Ｈｅｔは置換基を有していてもよい炭素数１〜６０の１価の複素環基を示す）である。
Ｈｅｔの例としては、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシチエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシピロリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピロリル基、フリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフリル基、及びＣ１〜Ｃ１２アルキルフリル基、ピリジニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシピリジニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジニル基、ピペリジニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシピペリジニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピペリジニル基、キノリル基、イソキノリル基が挙げられ、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシピリジニル基及びＣ１〜Ｃ１２アルキルピリジニル基が好ましい。
【００４２】
上記アシル基の炭素数は通常２〜２０であり、２〜１８が好ましい。具体的なアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、及びペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。
【００４３】
上記アシルオキシ基の炭素数は通常２〜２０であり、２〜１８が好ましい。具体的なアシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、及びペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。
【００４４】
上記置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基としては、その置換シリルの部分が、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基である基が挙げられる。
【００４５】
上記Ｒａがアルキル基、並びに、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４がそれぞれアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、１価の複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、複素環オキシ基、又は、複素環チオ基である場合、各基が有していてもよい置換基としては、上述した基に加え、メチル基、エチル基、プロピル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のアルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基等のアリール基、チエニル基、ピロリル基、ピリジニル基等の１価の複素環基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジアニソリルアミノ基等の置換アミノ基、シアノ基が挙げられる。
【００４６】
Ｒ１は、上記の中でも水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、水素原子、フッ素原子、置換基を有していてもよい炭素数６〜１２のアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基であることがより好ましく、水素原子又はフッ素原子であることが更に好ましい。
【００４７】
Ｒ２は、上記の中でも水素原子、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、水素原子、トリフルオロメチル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜１２のアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基であることがより好ましい。
【００４８】
Ｒ３は、上記の中でも水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、水素原子、フッ素原子、置換基を有していてもよい炭素数６〜１２のアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基であることがより好ましい。
【００４９】
Ｒ４は、上記の中でも水素原子、トリフルオロメチル基、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基であることが好ましく、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜５のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
【００５０】
また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうち隣接する基同士が互いに結合して飽和又は不飽和の炭化水素環、或いは、飽和又は不飽和の複素環を形成することも好ましい。
【００５１】
また、Ｒ２が置換基を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基である場合、特表２００５−５２１２１０号公報、特表２００５−５３７３２１号公報、特表２００５−５３７３５４号公報、特開２００８−１７４４９９号公報、特表２００８−５３８７４２号公報に記載のデンドリマー構造をとることも好ましい。
【００５２】
上記式（１）で表される構造は、金属錯体の部分構造である。本実施形態に係る金属錯体の全体の構造は、上記式（１）で表される構造を含んでいればよいが、下記式（７）で表される構造であることが好ましい。
【化１０】
2011068638.tif 000011
［式（７）中、Ｒａは置換基を有していてもよい炭素数２〜３０のアルキル基を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０のアルキニル基、置換基を有していてもよい炭素数０〜３０のアミノ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜６０の１価の複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキルチオ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールチオ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環オキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を示し、Ｌは２座配位子を示し、Ｑはカウンターイオンを示し、ｎは１〜３の整数を示し、ｍは０〜２の整数を示す。なお、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうち隣接する基同士が結合して環構造を形成していてもよい。また、ｎが１のとき、２個のＬは同一でも異なっていてもよい。また、ｍが２のとき、２個のＱは同一でも異なっていてもよい。］
【００５３】
上記式（７）中、Ｒａ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ式（１）中のＲａ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４と同一の定義、例示であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００５４】
ｎは１〜３の整数を示し、好ましくは２又は３である。ｎが３のとき、幾何異性体としてフェイシャル体とメリジオナル体があるが、フェイシャル体が好ましい。
【００５５】
Ｌは２座配位子である。この２座配位子としては、中性２座配位子、アニオン性２座配位子が好ましく、アニオン性２座配位子がより好ましく、モノアニオン性２座配位子が特に好ましい。
【００５６】
Ｌは、イリジウム原子との間に、金属−窒素結合及び金属−炭素結合を形成する２座配位子、金属−窒素結合及び金属−酸素結合を形成する２座配位子、金属−酸素結合を２つ形成する２座配位子、又は、金属−窒素結合を２つ形成する２座配位子であることが好ましい。
【００５７】
金属−窒素結合及び金属−炭素結合を形成する２座配位子としては、例えば、２−フェニルピリジン誘導体、２−フェニルピリミジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体、１−フェニルイソキノリン誘導体、３−フェニルイソキノリン誘導体、２−（２−ベンゾチオフェニル）ピリジン誘導体、２−チエニルピリジン誘導体、１−フェニルピラゾール誘導体、１−フェニル−１Ｈ−インダゾール誘導体、２−フェニルベンゾチアゾール誘導体、２−フェニルチアゾール誘導体、２−フェニルベンゾオキサゾール誘導体、２−フェニルオキサゾール誘導体、２−フラニルピリジン誘導体、２−（２−ベンゾフラニル）ピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、７，８−ベンゾキノキサリン誘導体、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン誘導体、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン誘導体、ベンゾ［ｈ］−５，６−ジヒドロキノリン誘導体、９−（２−ピリジル）カルバゾール誘導体、１−（２−ピリジル）インドール誘導体、１−（１−ナフチル）イソキノリン誘導体、１−（２−ナフチル）イソキノリン誘導体、２−（２−ナフチル）キノリン誘導体、２−（１−ナフチル）キノリン誘導体、３−（１−ナフチル）イソキノリン誘導体、３−（２−ナフチル）イソキノリン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、２−（２−ナフチル）ピリジン誘導体、６−フェニルフェナントリジン誘導体、６−（１−ナフチル）フェナントリジン誘導体、６−（２−ナフチル）フェナントリジン誘導体、ベンゾ［ｃ］アクリジン誘導体、ベンゾ［ｃ］フェナジン誘導体、ジベンゾ［ａ，ｃ］アクリジン誘導体、ジベンゾ［ａ，ｃ］フェナジン誘導体、２−フェニルキノキサリン誘導体、２，３−ジフェニルキノキサリン誘導体、２−ベンジルピリジン誘導体、２−フェニルベンゾイミダゾール誘導体、３−フェニルピラゾール誘導体、４−フェニルイミダゾール誘導体、１−フェニルイミダゾール誘導体、４−フェニルトリアゾール誘導体、５−フェニルテトラゾール誘導体、２−アルケニルピリジン誘導体が挙げられ、好ましくは、２−フェニルピリジン誘導体、２−フェニルピリミジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体、１−フェニルイソキノリン誘導体である。
【００５８】
金属−窒素結合及び金属−炭素結合を形成する２座配位子は、国際公開ＷＯ２００４／０８５４５０号パンフレット、国際公開ＷＯ２００６／０７５９０５号パンフレット、国際公開ＷＯ２００２／４４１８９号パンフレット、国際公開ＷＯ２００２／４５４６６号パンフレット、国際公開ＷＯ２００６／０４６９８０号パンフレット、国際公開ＷＯ２００６／０５９７５８号パンフレット、特開２００６−１８２７７２号公報、特開２００６−１５１８８８号公報、特開２００６−１５１８８７号公報、特開２００６−９３６６５号公報、特開２００６−１００３９３号公報、国際公開ＷＯ２００４／１０１７０７号パンフレット、国際公開ＷＯ２００５／０７３３３９号パンフレット、国際公開ＷＯ２００５／０５６７１９号パンフレット、国際公開ＷＯ２００５／０５６７１６号パンフレット、国際公開ＷＯ２００５／０５６７１５号パンフレット、国際公開ＷＯ２００５／０４８３１５号パンフレット、国際公開ＷＯ２００５／０３３２４４号パンフレット、国際公開ＷＯ２００４／０８１０１９号パンフレット、国際公開ＷＯ２００４／０４５０００号パンフレット、国際公開ＷＯ２００４／０４４０８９号パンフレット、国際公開ＷＯ２００４／０２６８８６号パンフレット、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００３−５９６６７号公報、特開２００１−３４５１８３号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００３−７４６９号公報、特開２００３−７３３８８号公報、特開２００３−１０９７５８号公報、特開２００３−１２３９８２号公報、特開２００３−１３３０７４号公報、特開２００３−１３１４６４号公報、特開２００３−１３１４６３号公報、特開２００４−１０７４４１号公報、特開２００４−６７６５８号公報、特開２００３−３４２２８４号公報、特開２００５−２９７８４号公報、特開２００５−２９７８３号公報、特開２００５−２９７８２号公報、特開２００５−２３０７２号公報、特開２００５−２３０７１号公報、特開２００５−２３０７０号公報、特開２００５−２１０１号公報、特開２００５−２０５３号公報、特開２００５−７８９９６号公報、特開２００５−６８１１０号公報、特開２００５−６０３７４号公報、特開２００５−４４８０２号公報、特開２００５−２９７８５号公報、特開２００５−１０４８４３号公報、特開２００５−９７５４９号公報、特開２００５−２２０１３６号公報、特開２００５−２１３３４８号公報、特開２００５−１７０８５１号公報、特開２００５−１６３０３６号公報、特開２００５−１５４３９６号公報、特開２００５−２７２４１１号公報、特開２００５−３２７５２６号公報、特開２００５−３２５０４８号公報、特開２００５−３１４６６３号公報、特開２００６−１３２２２号公報、特開２００６−８６８８号公報、特開２００６−８０４１９号公報、特開２００６−７６９６９号公報、国際公開ＷＯ２００２／１５６４５号パンフレット、国際公開ＷＯ２００２／０２７１４号パンフレット、国際公開ＷＯ２００２／０６４７００号パンフレット、国際公開ＷＯ２００３／０３３６１７号パンフレット、国際公開ＷＯ２００３／０００６６１号パンフレット、国際公開ＷＯ２００２／０８１４８８号、米国特許公開２００６／０２５１９２３号公報に記載されている。
【００５９】
金属−窒素結合及び金属−炭素結合を形成する２座配位子の構造式の例を、以下に示す。なお、以下の構造式中、Ｒ’は水素原子又は置換基であり、好ましくは、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルキニル基、置換基を有してもよい炭素数０〜３０のアミノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキルチオ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールチオ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環オキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、又はトリフルオロメチル基である。
Ｒ’の具体例及び好ましい例は、Ｒ１〜Ｒ４と同様である。
【化１１】
2011068638.tif 000012
【化１２】
2011068638.tif 000013
【化１３】
2011068638.tif 000014
【００６０】
金属−窒素結合及び金属−酸素結合を形成する２座配位子としては、例えば、ピコリン酸誘導体、ピリジンスルホン酸誘導体、キノリンスルホン酸誘導体、キノリンカルボン酸誘導体が挙げられ、好ましくはピコリン酸誘導体である。これらの２座配位子は、特開２００６−１６３９４号公報、特開２００６−３０７２１０号公報、特開２００６−２９８９００号公報、国際公開ＷＯ２００６／０２８２２４号パンフレット、国際公開ＷＯ２００６／０９７７１７号パンフレット、特開２００４−１１１３７９号公報、特開２００５−２９７８５号公報に記載されている。
【００６１】
金属−酸素結合を２つ形成する２座配位子としては、例えば、β―ジケトン誘導体、カルボン酸誘導体、トロポロン誘導体が挙げられ、好ましくはβ−ジケトン誘導体である。
これらの２座配位子は、特開２００５−３５９０２号公報、特開２００４−３４９２２４号公報、特開２００６−２８１０１号公報、特開２００５−２９７８５号公報に記載されている。
【００６２】
金属−窒素結合を２つ形成する２座配位子としては、例えば、２，２’−ビピリジン誘導体、１，１０−フェナントロリン誘導体、２，２’−ビキノリン誘導体、２，２’−ジピリジルアミン誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリルボレート誘導体、ピラゾール誘導体が挙げられる。これらの２座配位子は、特開２００５−２９８４８３号公報、特開２００６−２１３７２０号公報、特開２００３−１３３０７４号公報に記載されている。
【００６３】
Ｌとして特に好ましい２座配位子は、下記式（８）〜（１４）で表される２座配位子である。下記式（８）〜（１１）で表される２座配位子はモノアニオン性２座配位子であり、下記式（１２）〜（１４）で表される２座配位子は中性２座配位子である。
【化１４】
2011068638.tif 000015
［式（８）〜（１４）中、Ｒ１０〜Ｒ６１は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルキニル基、置換基を有してもよい炭素数０〜３０のアミノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の１価の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキルチオ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数６〜６０のアリールチオ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環オキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜６０の複素環チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒ１０〜Ｒ６１は、隣接する基同士が結合して環構造を形成していてもよい。］
【００６４】
Ｒ１０〜Ｒ６１の具体例は式（１）中のＲ１〜Ｒ４と同様であるが、Ｒ１０〜Ｒ６１の好ましい例は以下のとおりである。
【００６５】
Ｒ１０〜Ｒ１７、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３７〜Ｒ５６、Ｒ５８〜Ｒ６１は、水素原子、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、カルボキシル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の複素環基であることが好ましく、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素数６〜１２のアリール基であることがより好ましい。
【００６６】
Ｒ１８及びＲ２０は、トリフルオロメチル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜１２のアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基であることが好ましく、置換基を有していてもよい炭素数１〜５のアルキル基であることがより好ましく、置換基を有していてもよい炭素数１〜３のアルキル基であることが更に好ましい。
【００６７】
Ｒ１９、Ｒ２５〜Ｒ３６は、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数１〜５のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
【００６８】
Ｒ５７は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の複素環基であることが好ましく、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素数６〜１２のアリール基であることがより好ましい。
【００６９】
更に、Ｒ１０〜Ｒ１７、Ｒ１８〜Ｒ２０、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ２５〜Ｒ３６、Ｒ３７〜Ｒ４４、Ｒ４５〜Ｒ５２、Ｒ５３〜Ｒ６１は、隣接する基同士が互いに結合して飽和又は不飽和の炭素環、飽和又は不飽和の複素環を形成することも好ましい。
【００７０】
式（７）に戻り、Ｑで示されるカウンターイオンとしては、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲン化物イオン、パークロレイトイオン、ＰＦ６イオン、アンモニウムイオン、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＯＯイオン、ＳｂＦ６イオン、ジシアンアミドイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）アミドイオン、ボレートイオン、ホスホニウムイオン、テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートイオンが好ましい。
【００７１】
また、式（７）中、ｍは０〜２の整数を示し、ｍは０又は１であることが好ましく、０であることがより好ましい。
【００７２】
本発明の金属錯体は、例えば、次の方法で製造することができる。
配位子の前駆体となるフェニルピリミジン誘導体と三塩化イリジウムｎ水和物とを、２：１〜３：１のモル比で、水を含む溶媒中で混合し加熱すると、二核イリジウム錯体が得られる。この二核イリジウム錯体を、必要に応じて単離し、ピコリン酸やアセチルアセトンと混合した後、加熱することにより反応させると、ヘテロレプティック錯体が得られる。一方、この二核イリジウム錯体を、必要に応じて単離し、前記フェニルピリミジン誘導体と混合した後、加熱することにより反応させるとホモレプティック錯体が得られる。なお、前記フェニルピリミジン誘導体は、公知の合成方法により製造することができる。
【００７３】
次に、本実施形態に係る金属錯体組成物に含まれる電荷輸送性材料について説明する。
電荷輸送性材料（以下、「電荷輸送性材料」という場合、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料のいずれとしても用いることができる。）は、低分子有機化合物であっても、高分子有機化合物であってもよく、また、低分子有機化合物及び高分子有機化合物を併用してもよい。また、電荷輸送性材料としては、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料のいずれでもよく、これらを併用してもよい。
【００７４】
正孔輸送性材料としては、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体が挙げられる。
【００７５】
電子輸送性材料としては、オキサジアゾール誘導体アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、トリアジン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体が挙げられる。
【００７６】
電荷輸送性材料としての低分子有機化合物とは、分子量が１０００未満の電荷輸送性材料を意味し、低分子有機ＥＬ素子に用いられるホスト化合物、電荷注入輸送化合物が包含される。具体的には、「有機ＥＬディスプレイ」（時任静士、安達千波夫、村田英幸  共著、オーム社）、１０７項、月刊ディスプレイ、ｖｏｌ９、Ｎｏ９、２００３年、２６−３０項、特開２００４−２４４００号公報、特開２００４−２７７３７７号公報に記載の化合物を挙げることができる。
【００７７】
また、電荷輸送性材料としては高分子化合物も好ましく用いることができる。この高分子化合物としては、非共役系高分子化合物、及び共役系高分子化合物が挙げられる。
【００７８】
上記非共役系高分子化合物とは、主鎖に芳香環を含み、この主鎖に含まれる芳香環同士の結合の８０％未満が直接結合、ビニレン基等の共役系結合基、又は不対電子を有する酸素原子、硫黄原子、窒素原子等の原子で結合されている高分子化合物を意味する。
上記共役系高分子化合物とは、主鎖に芳香環を含み、この主鎖に含まれる芳香環同士の結合の８０％以上が直接結合、ビニレン基等の共役系結合基、又は不対電子を有する酸素原子、硫黄原子、窒素原子等の原子で結合されている高分子化合物を意味する。上記共役系高分子化合物では、上述の結合形式が、直接結合、不対電子を有する窒素原子であることが好ましく、直接結合であることがより好ましい。
【００７９】
上記非共役系高分子化合物としては、ポリビニルカルバゾール等が挙げられる。
【００８０】
上記共役系高分子化合物としては、置換基を有していてもよいフェニレンジイル基、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基、置換基を有していてもよいジベンゾチオフェンジイル基、置換基を有していてもよいジベンゾフランジイル基、又は置換基を有していてもよいジベンゾシロールジイル基を繰り返し単位として主鎖に含む高分子化合物や、それらの基の共重合体等が挙げられる。
【００８１】
上記共役系高分子化合物は、下記式（２）で表される構成単位及び下記式（３）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも一種の構成単位を含むことが好ましい。
共役系高分子化合物の場合の好ましい例として、下記式（２）で表される構成単位と下記式（３）で表される構成単位との共重合体が挙げられる。
【化１５】
2011068638.tif 000016
［式（２）中、Ａｒ１はアリーレン基、２価の芳香族複素環基、又は該アリーレン基及び該２価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる同一若しくは異なる２個以上の基が直接結合した２価の基を示す。なお、Ａｒ１で示される基は、置換基としてアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を有していてもよい。］
【化１６】
2011068638.tif 000017
［式（３）中、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４及びＡｒ５は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、又は該アリーレン基及び該２価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる同一若しくは異なる２個以上の基が直接結合した２価の基を示し、Ａｒ６、Ａｒ７及びＡｒ８は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の芳香族複素環基を示し、ｐ及びｑは、それぞれ独立に、０又は１である。なお、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７、Ａｒ８で示される基は、それぞれ、置換基としてアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を有していてもよい。また、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７、Ａｒ８で示される基は、それぞれ、該基が結合する窒素原子と結合しているＡｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７、Ａｒ８で示される基と、直接結合し、又は−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｎ（ＲＡ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（ＲＡ）−若しくは−Ｃ（ＲＡ）２−を介して結合して、５〜７員環を形成していてもよい。ＲＡは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、又はアラルキル基を示す。］
【００８２】
上記式（２）中、Ａｒ１で示されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた残基であり、縮合環を有するものを含む。該アリーレン基は、炭素数が通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８であり、より好ましくは６〜３０であり、更に好ましくは６〜１４である。なお、該炭素数には置換基の炭素数は含まない。
【００８３】
Ａｒ１で示されるアリーレン基としては、１，４−フェニレン基（下記式２−００１）、１，３−フェニレン基（下記式２−００２）、１，２−フェニレン基（下記式２−００３）等のフェニレン基；ナフタレン−１，４−ジイル基（下記式２−００４）、ナフタレン−１，５−ジイル基（下記式２−００５）、ナフタレン−２，６−ジイル基（下記式（２−００６）等のナフタレンジイル基；４，５−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基（下記式２−００７）等のジヒドロフェナントレンジイル基；フルオレン−３，６−ジイル基（下記式２−００８）、フルオレン−２，７−ジイル基（下記式２−００９）等のフルオレンジイル基等が挙げられる。これらのアリーレン基を構成する水素原子の一部又は全部は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよい。
【化１７】
2011068638.tif 000018
【化１８】
2011068638.tif 000019
【化１９】
2011068638.tif 000020
［式２−００１〜２−００９中、Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を表す。Ｒａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基又はアラルキル基を表す。複数存在するＲは、同一であっても異なっていてもよい。複数存在するＲａは、同一でも異なっていてもよい。］
【００８４】
上記式２−００１〜２−００９中、Ｒとしては、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、置換アミノ基が好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基がより好ましい。
【００８５】
上記式２−００１〜２−００９中、Ｒａとしては、アリール基、アルキル基が好ましく、アルキル基、非置換アリール基、又はアルキル基、アルコキシ基若しくはアリール基で置換されたアリール基がより好ましい。
【００８６】
上記式（２）中、Ａｒ１で示される２価の芳香族複素環基は、芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた残基であり、縮合環を有するものも含む。該２価の芳香族複素環基は、炭素数が通常３〜６０であり、好ましくは３〜２０である。該炭素数には置換基の炭素数は含まない。
【００８７】
Ａｒ１で示される２価の芳香族複素環基としては、ピリジン−２，５−ジイル基（下記式２−１０１）、ピリジン−２，６−ジイル基（下記式２−１０２）等のピリジンジイル基；ピリミジン−４，６−ジイル基（下記式２−１０３）等のピリミジンジイル基；トリアジン−２，４−ジイル基（下記式２−１０４）；ピラジン−２，５−ジイル基（下記式２−１０５）等のピラジンジイル基；ピリダジン−３，６−ジイル基（下記式２−１０６）等のピリダジンジイル基；キノリン−２，６−ジイル基（下記式２−１０７）等のキノリンジイル基；イソキノリン−１，４−ジイル基（下記式２−１０８）等のイソキノリンジイル基；キノキサリン−５，８−ジイル基（下記式２−１０９）等のキノキサリンジイル基；カルバゾール−３，６−ジイル基（下記式２−１１０）、カルバゾール−２，７−ジイル基（下記式２−１１１）等のカルバゾールジイル基；ジベンゾフラン−４，７−ジイル基（下記式２−１１２）、ジベンゾフラン−３，８−ジイル基（下記式２−１１３）等のジベンゾフランジイル基；ジベンゾチオフェン−４，７−ジイル基（下記式２−１１４）、ジベンゾチオフェン−３，８−ジイル基（下記式２−１１５）等のジベンゾチオフェンジイル基；ジベンゾシロール−４，７−ジイル基（下記式２−１１６）、ジベンゾシロール−３，８−ジイル基（下記式２−１１７）等のジベンゾシロールジイル基；フェノキサジン−３，７−ジイル基（下記式２−１１８）、フェノキサジン−２，８−ジイル基（下記式２−１１９）等のフェノキサジンジイル基；フェノチアジン−３，７−ジイル基（下記式２−１２０）、フェノチアジン−２，８−ジイル基（下記式２−１２１）等のフェノチアジンジイル基；ジヒドロアクリジン−２，７−ジイル基（下記式２−１２３）等のジヒドロアクリジンジイル基；（下記式２−１２４）で表される２価の基；ピロ−ル−２，５−ジイル基（下記式２−１２５）等のピロールジイル基；フラン−２，５−ジイル基（下記式２−１２６）等のフランジイル基；チオフェン−２，５−ジイル基（下記式２−１２７）等のチオフェンジイル基；ジアゾール−２，５−ジイル基（下記式２−１２８）等のジアゾールジイル基；トリアゾール−２，５−ジイル基（下記式２−１２９）等のトリアゾールジイル基；オキサゾール−２，５−ジイル基（下記式２−１３０）等のオキサゾールジイル基；オキサジアゾール−２，５−ジイル基（下記式２−１３１）；チアゾール−２，５−ジイル基（下記式２−１３２）等のチアゾールジイル基；チアジアゾール−２，５−ジイル基（下記式２−１３３）等が挙げられる。これらの２価の芳香族複素環基は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよい。
【化２０】
2011068638.tif 000021
【化２１】
2011068638.tif 000022
【化２２】
2011068638.tif 000023
【化２３】
2011068638.tif 000024
【化２４】
2011068638.tif 000025
【化２５】
2011068638.tif 000026
【化２６】
2011068638.tif 000027
【化２７】
2011068638.tif 000028
［式２−１０１〜２−１３３中のＲ及びＲａは、それぞれ式２−００１〜２−００９中のＲ及びＲａと同一の定義、例示である。］
【００８８】
上記式（２）中、Ａｒ１で表される、該アリーレン基及び該２価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる同一若しくは異なる２個以上の基が直接結合した２価の基としては、下記式２−２０１〜２−２１９で表される基が挙げられる。
【化２８】
2011068638.tif 000029
【化２９】
2011068638.tif 000030
【化３０】
2011068638.tif 000031
【化３１】
2011068638.tif 000032
［式２−２０１〜２−２１９中、Ｒは、式２−００１〜２−００９中のＲと同一の定義、例示である。］
【００８９】
上記式（２）で表される構成単位としては、上記式２−００１で表される基、上記式２−００９で表される基、上記式２−２１８で表される基又は上記式２−２１９で表される基からなる構成単位が好ましい。
【００９０】
また、本実施形態に係る共役系高分子化合物は、得られる有機電界発光素子の発光効率の観点から、上記式（２）で表される構成単位として下記式（４）で表される構成単位を含むことが好ましく、また、得られる有機電界発光素子の駆動電圧の観点から、上記式（２）で表される構成単位として下記式（５）で表される構成単位を含むことが好ましい。
【化３２】
2011068638.tif 000033
［式（４）中、Ｒ５はアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示し、Ｒ６は水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を示す。なお、２個のＲ５は同一でも異なっていてもよく、２個のＲ６は同一でも異なっていてもよい。］
【化３３】
2011068638.tif 000034
［式（５）中、Ｒ７はアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基又はアラルキル基を示し、Ｒ８はアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を示し、ｒは０〜３の整数を示す。なお、２個のＲ７は同一であっても異なっていてもよく、また、２個のＲ７が結合して環構造を形成していてもよい。また、Ｒ８が複数存在する場合、複数のＲ８は同一でも異なっていてもよい。また、２個のｒは同一でも異なっていてもよい。］
【００９１】
上記式（４）中、Ｒ５で示される基としては、電荷輸送性材料の耐熱性と有機溶媒への溶解性のバランスの観点から、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、置換アミノ基が好ましく、アルキル基、アラルキル基がより好ましく、アルキル基が更に好ましく、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基が特に好ましい。
【００９２】
上記式（４）中、Ｒ６で示される基としては、電荷輸送性材料の耐熱性、有機溶媒への溶解性、重合時の反応性の観点から、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基が好ましく、水素原子、アルキル基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。
【００９３】
上記式（４）で表される構成単位としては、下記式４−００１〜４−０１７、４−１０１〜４−１０５で表される構成単位が挙げられる。
【化３４】
2011068638.tif 000035
【化３５】
2011068638.tif 000036
【化３６】
2011068638.tif 000037
【化３７】
2011068638.tif 000038
【００９４】
上記式（５）中、Ｒ７で示される基としては、高分子化合物の耐熱性、有機溶媒への溶解性のバランスの観点から、アリール基、アルキル基が好ましく、非置換アリール基、又はアルキル基、アルコキシ基、アリール基若しくは置換アミノ基で置換されたアリール基、或いはアルキル基がより好ましく、４−トリル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−オクチルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−（３、７−ジメチルオクチル）フェニル基、３−トリル基、３−ブチルフェニル基、３−ｔ−ブチルフェニル基、３−ヘキシルフェニル基、３−オクチルフェニル基、３−（２−エチルヘキシル）フェニル基、３−（３、７−ジメチルオクチル）フェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，５−ジ−（ｔ−ブチル）フェニル基、３，５−ジヘキシルフェニル基、３，５−ジオクチルフェニル基、３、４−ジヘキシルフェニル基、３，４−ジオクチルフェニル基、４−ヘキシルオキシフェニル基、４−オクチルオキシフェニル基、４−（２’−エトキシエチルオキシ）フェニル基、４−（４’−ｔ−ブチルビフェニル）基、９，９−ジヘキシルフルオレン−２−イル基、９，９−ジオクチルフルオレン−２−イル基が特に好ましい。
【００９５】
上記式（５）中、Ｒ８で示される基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基が好ましい。
【００９６】
上記式（５）中、ｒは０〜３の整数を示し、好ましくは０又は１である。特に、２個存在するｒのうち一方が０であり他方が１であるか、或いは２個存在するｒが共に０であることが好ましく、２個存在するｒが共に０であることがとりわけ好ましい。
【００９７】
本実施形態に係る電荷輸送性材料が上記式（２）で表される構成単位を含む共役系高分子化合物である場合、該共役系高分子化合物に含まれる上記式（２）で表される構成単位は１種のみであっても２種以上であってもよい。例えば、上記式（２）で表される構成単位として、上記式（４）又は（５）で表される構成単位のいずれか１種のみが含まれていてもよく、また、上記式（４）で表される構成単位と上記式（５）で表される構成単位との双方が含まれていてもよい。更に、上記式（４）で表される構成単位の２種以上及び／又は上記式（５）で表される構成単位の２種以上が含まれていてもよい。
【００９８】
次に、上記式（３）で表される構成単位について詳述する。上記式（３）で表される構成単位としては、下記式３−００１〜３−００４で表される構成単位が挙げられる。
【化３８】
2011068638.tif 000039
［式３−００１〜３−００４中、Ｒは、式２−００１〜２−００９中のＲと同一の定義、例示である。］
【００９９】
本実施形態に係る電荷輸送性材料が上記式（３）で表される構成単位を含む共役系高分子化合物である場合、該共役系高分子化合物に含まれる上記式（３）で表される構成単位は１種のみであっても２種以上であってもよい。更に、該共役系高分子化合物には、上記式（２）で表される構成単位及び上記式（３）で表される構成単位の双方が含まれていてもよい。
【０１００】
本実施形態に係る電荷輸送性材料が高分子化合物である場合、該高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、１０３〜１０８であり、好ましくは１０４〜１０６である。ポリスチレン換算の重量平均分子量は、１０３〜１０８であり、好ましくは５×１０４〜５×１０６である。高分子化合物の数平均分子量が５×１０４〜５×１０６であれば、該高分子化合物を含む有機薄膜の加工性が良好となるだけでなく、該有機薄膜の機械的強度も良好となる。
【０１０１】
本実施形態に係る金属錯体組成物において、上記式（１）で表される構造を含む金属錯体及び上記電荷輸送性材料は、それぞれ１種であっても２種以上であってもよい。例えば、本実施形態に係る金属錯体組成物が、電荷輸送性材料として、上記式（２）で表される構成単位及び上記式（３）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも一種の構成単位を含む高分子化合物を含有する場合、電子注入及び電子輸送の観点から、下記式（６）で表される構造を有する電子輸送性材料（電荷輸送性材料（Ｃ））を更に含有することが好ましい。
【化３９】
2011068638.tif 000040
［式（６）中、Ｒ９は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を示す。なお、３個のＲ９は同一であっても異なっていてもよい。］
【０１０２】
また、本実施形態に係る金属錯体組成物は、上記式（１）で表される構造を含む金属錯体及び電荷輸送性材料のみからなるものであってもよく、また、上記式（１）で表される構造を有する金属錯体及び電荷輸送性材料以外の構成成分を更に含有してもよい。上記の金属錯体及び電荷輸送性材料以外の構成成分としては、例えば、上記式（１）で表される構造を有する金属錯体以外の発光材料が挙げられる。そのような発光材料としては、公知の化合物が使用でき、具体的には、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等の低分子化合物等が使用できる。
【０１０３】
本実施形態に係る金属錯体組成物において、上記式（１）で表される構造を含む金属錯体及び電荷輸送性材料の各含有量は、組み合わせる金属錯体及び電荷輸送性材料の種類、目的とする特性に応じて調整することができる。上記金属錯体組成物において、上記電荷輸送性化合物を１００重量部としたとき、上記式（１）で表される構造を含む金属錯体の含有量は、通常、０．０１〜８０重量部であり、好ましくは０．１〜６０重量部である。
【０１０４】
［第２実施形態；錯体高分子］
本発明の第２実施形態に係る錯体高分子は、上記式（１）で表される構造を含む金属錯体から２個の水素原子を除いた残基である２価の基と、上記式（２）で表される構成単位及び上記式（３）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも一種の構成単位とを含む。なお、該２価の基を与える上記式（１）で表される構造を含む金属錯体、並びに、上記式（２）で表される構成単位及び上記式（３）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも一種の構成単位は、それぞれ上記第１実施形態の場合と同様であり、ここでは重複する説明を省略する。
【０１０５】
本実施形態に係る錯体高分子は、上記構成を有するため、上記第１実施形態に係る金属錯体組成物と同様に、有機電界発光素子の発光効率を十分に向上させることができるという効果を有する。更に、該錯体高分子は、有機電界発光素子を製造する際の作業性の観点からも好ましい。
【０１０６】
［第３実施形態；液状組成物］
本発明の第３実施形態に係る液状組成物は、上記第１実施形態に係る金属錯体組成物又は上記第２実施形態に係る錯体高分子と、溶媒とを含有する。なお、本明細書において、「液状組成物」とは、素子作製時において液状であるものを意味し、典型的には、常圧（即ち、１気圧）、２５℃において液状のものを意味する。また、液状組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼ばれることがある。
【０１０７】
液状組成物に含まれる溶媒としては、該液状組成物中の該溶媒以外の成分を溶解又は分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの溶媒は、１種単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。
【０１０８】
上記の溶媒の中でも、液状組成物中の溶媒以外の成分の有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトンがより好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、メチルベンゾエートがさらに好ましい。「ｉ−」はイソ−を表す。
【０１０９】
なお、液状組成物に含まれる溶媒の種類は、１種であっても２種以上であってもよい。
液状組成物に２種の溶媒が含まれる場合、該溶媒の組み合わせの好ましい例としては、粘度及び成膜性の観点から、アニソール及びビシクロヘキシルの組み合わせ、アニソール及びシクロヘキシルベンゼンの組み合わせ、キシレン及びビシクロヘキシルの組み合わせ、キシレン及びシクロヘキシルベンゼンの組み合わせ、メシチレン及びメチルベンゾエートの組み合わせが挙げられる。
【０１１０】
液状組成物に２種の溶媒が含まれる場合、そのいずれかの溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、沸点が１８０℃以上の溶媒と沸点が１８０℃未満の溶媒とを組み合わせることが好ましく、沸点が２００℃以上の溶媒と沸点が１８０℃未満の溶媒とを組み合わせることがより好ましい。また、粘度の観点から、６０℃において、液状組成物中の固形分は上記溶媒に対して０．２重量％以上の濃度で溶解することが好ましく、２種の溶媒のうちの一方には、２５℃において、液状組成物中の固形分が０．２重量％以上の濃度で溶解することが好ましい。
【０１１１】
液状組成物に３種の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種又は２種は融点が２５℃以上でもよい。成膜性の観点から、３種の溶媒のうちの少なくとも１種は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、少なくとも１種は沸点が１８０℃未満の溶媒であることが好ましく、３種の溶媒のうちの少なくとも１種の溶媒は沸点が２００〜３００℃の溶媒であり、少なくとも１種は沸点が１８０℃未満の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、３種類の溶媒のうちの２種には、６０℃において、液状組成物中の固形分が０．２重量％以上の濃度で溶解することが好ましく、３種の溶媒のうちの１種には、２５℃において、液状組成物中の固形分が０．２重量％以上の濃度で溶解することが好ましい。
【０１１２】
液状組成物中の溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、１〜９９．９重量％であり、好ましくは６０〜９９．９重量％であり、更に好ましく９０〜９９．８重量％である。液状組成物の粘度は印刷法によって異なるが、２５℃において０．５〜５００ｍＰａ・ｓの範囲が好ましく、インクジェットプリント法等の液状組成物が吐出装置を経由する印刷法では、吐出時の目詰まりや飛行曲がりを防止する観点から、粘度が２５℃において０．５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。また、上記第１実施形態に係る金属錯体及び電荷輸送性材料の重量の和、又は上記第２実施形態に係る錯体高分子の重量は、液状組成物中の固形分の合計重量に対して、通常は２０〜１００重量％であり、好ましくは４０〜１００重量％である。
【０１１３】
液状組成物に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、液状組成物に含まれる全溶媒の重量の４０〜９０重量％であることが好ましく、５０〜９０重量％であることがより好ましく、６５〜８５重量％であることが更に好ましい。
【０１１４】
液状組成物に含まれる溶媒以外の成分の溶媒への溶解性の観点から、溶媒の溶解度パラメータと、本発明の組成物に含まれる重合体又は本発明の高分子化合物の溶解度パラメータとの差が１０以下であることが好ましく、７以下であることがより好ましい。これらの溶解度パラメータは、「溶剤ハンドブック（講談社刊、１９７６年）」に記載の方法で求めることができる。
【０１１５】
本実施形態に係る液状組成物は、高分子発光素子等の有機電界発光素子の製造の際に有用である。例えば有機電界発光素子の作製の際に、該液状組成物を用いて成膜する場合、該液状組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよい。なお、乾燥の際には、５０〜１５０℃に加温した状態で乾燥させてもよく、また、１０−３Ｐａ程度に減圧して乾燥させてもよい。
【０１１６】
液状組成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０１１７】
［第４実施形態；有機薄膜、有機電界発光素子、面状光源及び表示装置］
本発明の第４実施形態に係る有機薄膜は上記第１実施形態に係る金属錯体組成物又は上記第２実施形態に係る錯体高分子を含有する。該有機薄膜は、有機電界発光素子の機能層として有用であり、特に、該有機薄膜を用いて発光層を構成することによって、十分に高い発光効率を有する有機電界発光素子が実現可能となる。以下に、該有機薄膜からなる発光層を備える有機電界発光素子について詳述する。
【０１１８】
本実施形態に係る有機電界発光素子の層構造としては、以下のａ）〜ｄ）の構造が挙げられる。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、「／」は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【０１１９】
電極に隣接して設けた正孔輸送層、電子輸送層のうち、電極からの電荷（正孔・電子）の注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を低下させる効果を有するものは、電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と呼ばれることがある。
【０１２０】
更に、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記電荷注入層、絶縁層を設けてもよい。また、界面の密着性向上や混合の防止等のために、前記電荷輸送層や発光層の界面に、薄いバッファー層を挿入してもよい。積層する層の順番や数、及び各層の厚さは、発光効率や素子寿命を勘案して調整すればよい。
【０１２１】
電荷注入層を設けた有機電界発光素子の層構造としては、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
【０１２２】
陽極は、通常、透明又は半透明であり、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜から構成され、それらの中でも透過率が高い材料から構成されることが好ましい。前記陽極の材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性無機化合物を用いて作製された膜（ＮＥＳＡ等）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。前記陽極の作製には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等の方法を用いることができる。また、前記陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
【０１２３】
陽極の厚さは、光の透過性と電気伝導度とを考慮して選択すればよく、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１２４】
正孔注入層に用いられる材料としては、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の導電性高分子化合物が挙げられる。
【０１２５】
正孔注入層に用いられる材料が導電性高分子化合物である場合、該導電性高分子化合物の電気伝導度を向上させるために、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等のアニオンをドープしてもよい。
【０１２６】
正孔輸送層に用いられる材料としては、上記第１実施形態の説明において例示した正孔輸送性材料が挙げられる。正孔輸送層に用いられる材料が低分子化合物である場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しない化合物が好ましく、また可視光に対する吸収が強くない化合物が好適に用いられる。この高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが挙げられる。
【０１２７】
正孔輸送性材料が高分子化合物である場合、該高分子化合物は正孔輸送性基（芳香族アミノ基、チエニル基等）を該高分子化合物の構成単位及び／又は置換基として含むことが好ましい。
【０１２８】
正孔輸送層に用いられる正孔輸送性材料の好ましい例としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアリールアミン及びその誘導体、更には上記第１実施形態の説明において例示した式（２）で表される構成単位及び式（３）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも一種の構成単位を含む高分子化合物が挙げられる。
【０１２９】
正孔輸送層の形成方法としては、正孔輸送性材料が低分子化合物である場合には、該低分子化合物及び高分子バインダーを含む混合溶液からの成膜が挙げられる。また、正孔輸送性材料が高分子化合物である場合には、該高分子化合物を含む溶液からの成膜が挙げられる。
【０１３０】
溶液からの成膜に用いる溶媒は、正孔輸送層に用いられる材料を溶解させる溶媒であればよい。この溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が挙げられる。
【０１３１】
溶液からの成膜には、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０１３２】
正孔輸送層の厚さは、駆動電圧と発光効率を考慮しつつ選択すればよいが、ピンホールが発生しないような厚さが必要であり、厚過ぎると、有機電界発光素子の駆動電圧が高くなることがある。従って、正孔輸送層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１３３】
本実施形態に係る有機電界発光素子の発光層には、上記第１実施形態に係る金属錯体組成物又は上記第２実施形態に係る錯体高分子が含まれる。
【０１３４】
また、発光層には、発光波長を変化させたりするために、ドーパントを添加することができる。ドーパントとしては、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等を挙げることができる。
【０１３５】
発光層の厚さは、駆動電圧と発光効率を考慮して選択すればよいが、通常、２〜２００ｎｍである。
【０１３６】
発光層の形成方法としては、発光層の構成材料を含む溶液を基体の上又は上方に塗布する方法、真空蒸着法、転写法等が挙げられ、塗布に用いる溶液としては上記第３実施形態に係る液状組成物を好適に用いることができる。溶媒としては、上記第３実施形態の説明で例示した溶媒を使用可能であるが、溶液の粘度及び成膜性に加えて下層に対する溶解性等を考慮して溶媒の選択することが好ましい。また、該溶液を基体の上又は上方に塗布するには、スピンコート法、ディップコート法、インクジェットプリント法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、スリットコート法等の印刷法を用いることができる。昇華性の低分子化合物の場合は、真空蒸着法を用いることができる。レーザーによる転写や熱転写により、所望の位置に発光層を形成する方法も用いることができる。
【０１３７】
電子輸送層に用いられる材料としては、上記第１実施形態の説明において例示した電子輸送性材料等が挙げられる。
【０１３８】
電子輸送性材料が高分子化合物である場合、該高分子化合物は電子輸送性基（オキサジアゾール基、オキサチアジアゾール基、ピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、トリアジル基等）を該高分子化合物の構成単位及び／又は置換基として含むことが好ましい。
【０１３９】
電子輸送層に用いられる電子輸送性材料の好ましい例としては、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、更には上記第１実施形態の説明において例示した式（２）で表される構成単位及び式（３）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも一種の構成単位を含む高分子化合物が挙げられる。
【０１４０】
電子輸送層の形成方法としては、電子輸送性材料が低分子化合物である場合には、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。また、電子輸送性材料が高分子化合物である場合には、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。溶液又は溶融状態からの成膜には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液からの成膜は、前記溶液からの成膜により正孔輸送層を形成する方法と同様にすればよい。
【０１４１】
電子輸送層の厚さは、駆動電圧と発光効率を考慮して調整すればよいが、ピンホールが発しないような厚さが必要であり、厚過ぎると、素子の駆動電圧が高くなることがある。
従って、電子輸送層の膜厚は、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１４２】
電子注入層としては、発光層の種類に応じて、Ｃａ層の単層構造からなる電子注入層、又はＣａを除いた周期表ＩＡ族とＩＩＡ族の金属であり、かつ仕事関数が１．５〜３．０ｅＶの金属及びその金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸化物からなる群から選ばれる１種又は２種以上で形成された層とＣａ層との積層構造からなる電子注入層が挙げられる。仕事関数が１．５〜３．０ｅＶの、周期表ＩＡ族の金属又はその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物としては、リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、酸化リチウム、炭酸リチウム等が挙げられる。また、仕事関数が１．５〜３．０ｅＶの、Ｃａを除いた周期表ＩＩＡ族の金属及びその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物としては、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。
【０１４３】
電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等により形成すればよい。電子注入層の厚さは、１ｎｍ〜１μｍが好ましい。
【０１４４】
陰極の材料としては、仕事関数の小さく発光層への電子注入が容易な材料が好ましく、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、若しくは上記金属のうち２種以上の合金、又はそれらのうち１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金、或いはグラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。前記合金としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
【０１４５】
陰極を２層以上の積層構造とする場合には、前記金属、金属酸化物、金属フッ化物又はこれらの合金を含む層と、アルミニウム、銀、クロム等の金属を含む層とを組み合わせることが好ましい。
【０１４６】
陰極の厚さは、電気伝導度や耐久性を考慮して選択すればよく、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１４７】
陰極の作製には、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。陰極作製後、有機電界発光素子を保護する保護層を装着してもよい。有機電界発光素子を長期安定的に用いるためには、該有機電界発光素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。
【０１４８】
保護層としては、高分子量の化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。保護カバーとしては、金属板、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができる。保護としては、保護カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が挙げられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子の損傷を防ぐことが容易である。この空間に窒素やアルゴンのような不活性ガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、更に酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより、製造工程で吸着した水分又は硬化樹脂を通り抜けて浸入する微量の水分が素子に損傷を与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、１つ以上の方策を採ることが好ましい。
【０１４９】
本実施形態に係る有機電界発光素子は、面状光源、表示装置（セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置）、液晶表示装置のバックライト等として用いることができる。本実施形態に係る有機電界発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の有機電界発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極の一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。更に、前記面状の有機電界発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、面状の照明用光源等として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０１５０】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【０１５１】
（数平均分子量及び重量平均分子量）
以下の実施例及び比較例において、ポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及びポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。測定する高分子化合物は、約０．０５重量％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに５０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／ｍｉｎの流速で流した。カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫ  ｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。
【０１５２】
（１Ｈ―ＮＭＲ）
実施例において、単量体のＮＭＲ測定は、測定溶媒に重水素化クロロホルムを用い、室温条件下にて行った。
【０１５３】
また、以下の合成例、実施例及び比較例において、化合物（Ａ）〜（Ｈ）、並びに、金属錯体（ＨＫ０１２）、（ＨＫ０１３）、（ＨＫ０１６）〜（ＨＫ０１８）は、それぞれ以下の構造式で表される化合物又は金属錯体を意味する。
【化４０】
2011068638.tif 000041
【化４１】
2011068638.tif 000042
【０１５４】
［合成例１；金属錯体（ＨＫ０１２）の合成］
＜ステップ１；化合物（Ａ）の合成＞
２−クロロ−５−ｎ−デシルピリミジン３．８９ｇ、２，４−ジフルオロフェニルボロン酸２．６５ｇ、１，２−ジメトキシエタン３５ｍｌ及び炭酸カリウムの２Ｍ水溶液４２ｍｌを二口フラスコに入れて溶液を調製した。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン（０）パラジウム錯体を０．８８ｇ入れ、この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１６時間加熱し還流させた。有機層を分離回収し、シリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物（Ａ）を４．１ｇ得た。得られた化合物（Ａ）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ  ８．６６（ｓ，２Ｈ）、８．０８−８．１５（ｍ，１Ｈ）、６．９１−７．００（ｍ，２Ｈ）、２．６３（ｔ，２Ｈ）、１．１８−１．６８（ｍ，１６Ｈ）、０．８８（ｔ，３Ｈ）．
＜ステップ２；化合物（Ｅ）の合成＞
３塩化イリジウムｎ水和物８００ｍｇ、化合物（Ａ）１．５８ｇ、２−エトキシエタノール６４ｍｌ及び水２２ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１４時間加熱し還流させた。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え、生成した固体をろ過して化合物（Ｅ）を得た。単離収率は５７％であった。化合物（Ｅ）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ  ９．０３（ｓ，４Ｈ）、８．７９（ｓ，４Ｈ）、６．４２（ｔ，４Ｈ）、５．２５（ｄ，４Ｈ）、２．５２（ｍ，４Ｈ）、２．１１（ｍ，４Ｈ）、１．１８−１．７０（ｍ，６４Ｈ）、０．８７（ｔ，１２Ｈ）．
＜ステップ３；金属錯体（ＨＫ０１２）の合成＞
化合物（Ｅ）１１１ｍｇ、ピコリン酸ナトリウム４５ｍｇ及び２−エトキシエタノール４０ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を１０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をジクロロメタン−ヘキサンで再結晶し、金属錯体（ＨＫ０１２）を得た。単離収率は７４％であった。金属錯体（ＨＫ０１２）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ―ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３中）：δ  ８．６８−８．７２（ｍ，３Ｈ）、８．３６（ｄ，１Ｈ）、８．０１（ｔ，１Ｈ）、７．８３（ｄ，１Ｈ）、７．４９（ｄｄ，１Ｈ）、７．２６（ｄ，１Ｈ）、６．５４（ｄｄ，１Ｈ）、６．４７（ｄｄ，１Ｈ）、５．８３（ｄ，１Ｈ）、５．６０（ｄ，１Ｈ）、２．６０−２．６７（ｍ，２Ｈ）、２．３９−２．４８（ｍ，２Ｈ）、１．２３−１．６０（ｍ，３２Ｈ）、０．８８（ｔ，６Ｈ）．
【０１５５】
［合成例２；金属錯体（ＨＫ０１３）の合成］
合成例１と同様にして得られた化合物（Ｅ）２５０ｍｇ、アセチルアセトン７０．３ｍｇ、炭酸ナトリウム１４９ｍｇ及び２−エトキシエタノール５０ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を３０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、金属錯体（ＨＫ０１３）を収率４８％で得た。得られた金属錯体（ＨＫ０１３）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ  ８．７３（ｄ，２Ｈ）、８．３８（ｄ，２Ｈ）、６．４０（ｄｄ，２Ｈ）、５．７１（ｄ，２Ｈ）、５．２６（ｓ，１Ｈ）、２．６９（ｔ，４Ｈ）、１．１８−１．８２（ｍ，３８Ｈ）、０．８８（ｔ，６Ｈ）．
【０１５６】
［合成例３；金属錯体（ＨＫ０１６）の合成］
＜ステップ１；化合物（Ｂ）の合成＞
２−クロロ−５−ｎ−デシルピリミジン２．５ｇ、４−フルオロ−３−（トリフルオロメチル）フェニルボロン酸２．２４ｇ、１，２−ジメトキシエタン２２ｍｌ及び炭酸カリウムの２Ｍ水溶液２６ｍｌを二口フラスコに入れて溶液を調製した。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン（０）パラジウム錯体を０．５７ｇ入れた。こうして得られた溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１４時間加熱し還流させた。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物（Ｂ）を２．５０ｇ得た。得られた化合物（Ｂ）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ  ８．７３（ｄ，１Ｈ）、８．６１−８．６５（ｍ，３Ｈ）、７．３０（ｄ，１Ｈ）、２．６４（ｔ，２Ｈ）、１．１８−１．７０（ｍ，１６Ｈ）、０．８８（ｔ，３Ｈ）．
＜ステップ２；化合物（Ｆ）の合成＞
３塩化イリジウムｎ水和物１ｇ、化合物（Ｂ）２．２８ｇ、２−エトキシエタノール８０ｍｌ及び水２８ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１４時間加熱し還流させた。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え、生成した固体をろ過して化合物（Ｆ）を得た。単離収率は５５％であった。化合物（Ｆ）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ  ９．０７（ｓ，４Ｈ）、８．７９（ｓ，４Ｈ）、８．２９（ｄ，４Ｈ）、５．６４（ｄ，４Ｈ）、２．５９（ｍ，４Ｈ）、２．１７（ｍ，４Ｈ）、１．１８−１．７０（ｍ，６４Ｈ）、０．８７（ｔ，１２Ｈ）．
＜ステップ３；金属錯体（ＨＫ０１６）の合成＞
化合物（Ｆ）２００ｍｇ、ピコリン酸ナトリウム２４６ｍｇ及び２−エトキシエタノール１００ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を１０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をジクロロメタン−ヘキサンで再結晶し、金属錯体（ＨＫ０１６）を得た。単離収率は５６％であった。金属錯体（ＨＫ０１６）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ  ８．６５−８．７０（ｍ，３Ｈ）、８．３７（ｄ，１Ｈ）、８．２９（ｄ，１Ｈ）、８．２７（ｄ，１Ｈ）、８．０２（ｔ，１Ｈ）、７．８０（ｄ，１Ｈ）、７．５２（ｔ，１Ｈ）、７．２６（ｄ，１Ｈ）、６．１５（ｄ，１Ｈ）、５．９２（ｄ，１Ｈ）、２．６３−２．６７（ｍ，２Ｈ）、２．４５−２．４９（ｍ，２Ｈ）、１．２５−１．６３（ｍ，３２Ｈ）、０．８８（ｔ，６Ｈ）．
【０１５７】
［合成例４；金属錯体（ＨＫ０１７）の合成］
＜ステップ１；化合物（Ｃ）の合成＞
２−クロロ−５−ｎ−デシルピリミジン２．５ｇ、３−ビフェニルボロン酸２．１４ｇ、１，２−ジメトキシエタン２２ｍｌ及び炭酸カリウムの２Ｍ水溶液２７ｍｌを二口フラスコに入れ、溶液を調製した。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン（０）パラジウム錯体を０．５７ｇ入れた。こうして得られた溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１４時間加熱し還流させた。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物（Ｃ）を２．５２ｇ得た。化合物（Ｃ）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ  ８．６９（ｓ，１Ｈ）、８．６４（ｓ，２Ｈ）、８．４０（ｄ，１Ｈ）、７．７１（ｄ，３Ｈ）、７．５５（ｔ，１Ｈ）、７．４６（ｔ，２Ｈ）、７．３６（ｔ，１Ｈ）、２．６２（ｔ，２Ｈ）、１．１８−１．７０（ｍ，１６Ｈ）、０．８８（ｔ，３Ｈ）．
＜ステップ２；化合物（Ｇ）の合成＞
３塩化イリジウムｎ水和物１ｇ、化合物（Ｃ）２．２１ｇ、２−エトキシエタノール８０ｍｌ及び水２８ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１４時間加熱し還流させた。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え、生成した固体をろ過して化合物（Ｇ）を得た。単離収率は６０％であった。化合物（Ｇ）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ  ９．２５（ｄ，４Ｈ）、８．７１（ｄ，４Ｈ）、８．１８（ｄ，４Ｈ）、７．５０（ｄ，８Ｈ）、７．３２（ｔ，８Ｈ）、７．２３（ｔ，４Ｈ）、６．９８（ｄ，４Ｈ）、６．０４（ｄ，４Ｈ）、２．５４（ｍ，４Ｈ）、２．１９（ｍ，４Ｈ）、１．１８−１．７０（ｍ，６４Ｈ）、０．８６（ｔ，１２Ｈ）．
＜ステップ３；金属錯体（ＨＫ０１７）の合成＞
化合物（Ｇ）６００ｍｇ、アセチルアセトン３１０ｍｇ、炭酸ナトリウム３２８ｍｇ及び２−エトキシエタノール３００ｍｌを混合し、アルゴン雰囲気下１００℃で１６時間反応させた。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、金属錯体（ＨＫ０１７）を収率２３％で得た。金属錯体（ＨＫ０１７）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ  ８．６５（ｄ，２Ｈ）、８．５２（ｄ，２Ｈ）、８．２１（ｄ，２Ｈ）、７．５７（ｄ，４Ｈ）、７．３４（ｔ，４Ｈ）、７．２３（ｔ，２Ｈ）、７．０８（ｄ，２Ｈ）、６．４３（ｄ，２Ｈ），５．２５（ｓ，１Ｈ）、２．７１（ｔ，４Ｈ）、１．１８−１．８３（ｍ，３８Ｈ）、０．８７（ｔ，６Ｈ）．
【０１５８】
［合成例５；金属錯体（ＨＫ０１８）の合成］
＜ステップ１；化合物（Ｄ）の合成＞
２−クロロ−５−エチルピリミジン５ｇ、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸６．８７ｇ、１，２−ジメトキシエタン４０ｍｌ及び炭酸カリウムの２Ｍ水溶液４８ｍｌを二口フラスコに入れ、溶液を調製した。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン（０）パラジウム錯体を２．０ｇ入れた。こうして得られた溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１６時間加熱し還流させた。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物（Ｄ）を４．３ｇ得た。化合物（Ｄ）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ  ８．６３（ｓ，２Ｈ）、８．３３（ｄ，２Ｈ）、７．５０（ｄ，２Ｈ）、２．６６（ｑ，２Ｈ）、１．３７（ｓ，９Ｈ）、１．３０（ｔ，３Ｈ）．
＜ステップ２；化合物（Ｈ）の合成＞
３塩化イリジウムｎ水和物１ｇ、化合物（Ｄ）１．４４ｇ、２−エトキシエタノール８０ｍｌ及び水２８ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１４時間加熱し還流させた。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え、生成した固体をろ過して化合物（Ｈ）を得た。単離収率は９２％であった。化合物（Ｈ）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ  ９．２８（ｄ，４Ｈ）、８．６５（ｄ，４Ｈ）、７．７８（ｄ，４Ｈ）、６．８９（ｄ，４Ｈ）、５．９７（ｄ，４Ｈ）、２．５０（ｍ，４Ｈ）、２．２０（ｍ，４Ｈ）、１．２４（ｔ，１２Ｈ）、０．９７（ｓ，３６Ｈ）．
＜ステップ３；金属錯体（ＨＫ０１８）の合成＞
化合物（Ｈ）３００ｍｇ、アセチルアセトン２１２ｍｇ、炭酸ナトリウム２２５ｍｇ及び２−エトキシエタノール１２０ｍｌを混合し、アルゴン雰囲気下１００℃で１６時間反応させた。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、金属錯体（ＨＫ０１８）を収率３７％で得た。金属錯体（ＨＫ０１８）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ  ８．５９（ｄ，２Ｈ）、８．５０（ｄ，２Ｈ）、７．７９（ｄ，２Ｈ）、６．９１（ｄ，２Ｈ）、６．２３（ｄ，２Ｈ）、５．２０（ｓ，１Ｈ）、２．６６−２．７８（ｍ，４Ｈ）、１．８１（ｓ，６Ｈ）、１．３３（ｔ，６Ｈ）、１．０７（ｓ，１８Ｈ）．
【０１５９】
［合成例６；電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）の合成］
下記の反応スキームに従って、電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）を合成した。
【化４２】
2011068638.tif 000043
具体的には、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾニトリル（１０．０ｇ）と脱水クロロホルム（７５ｍｌ）を丸底フラスコにとり、該フラスコ内を窒素ガスで置換した。そこに、撹拌しながらトリフルオロメタンスルホン酸（１１ｍｌ）を加え、室温で４８時間撹拌した。
反応終了後、室温まで冷却した後、１０重量％アンモニア水（１００ｍｌ）とイオン交換水（２００ｍｌ）で１回ずつ反応溶液を洗浄した。取り出した有機層を硫酸マグネシウムで脱水した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をクロロホルム／ヘキサン混合溶媒にて、繰り返し再結晶を行うことにより、２，４，６−トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン（以下、「電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）」と言う。）が４．２ｇ得られた。
電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ３）  δ  １．４０（ｓ，２７Ｈ），  ７．５９（ｄ，Ｊ  ＝  ７．５Ｈｚ，６Ｈ），  ８．６８（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ  ６Ｈ）．
【０１６０】
［合成例７；電子輸送性材料（ＥＴ−Ｂ）の合成］
下記の反応スキームに従って、電子輸送性材料（ＥＴ−Ｂ）を合成した。
【化４３】
2011068638.tif 000044
具体的には、窒素雰囲気下、トリフルオロメタンスルホン酸１００ｇ（０．６５３ｍｏｌ）を混合し、室温で攪拌した。反応溶液に、４−ブロモベンゾニトリル６１．９３ｇ（０．３２７ｍｏｌ）を脱水クロロホルム８５１ｍｌに溶かした溶液を、滴下して加えた。
得られた溶液を９５℃まで昇温し、加熱しながら攪拌した後、室温まで冷却し、そこに、希アンモニア水溶液を氷浴下で加えたところ、固体が生じた。この固体を濾別し、水洗後、ジエチルエーテルで洗浄し、減圧しながら乾燥させ、白色結晶４７．８ｇを得た。
次に、窒素雰囲気下、この白色結晶８．０６ｇ（１４．６５ｍｏｌ）、４−ｔ−ブチルフェニルボロン酸９．１５ｇ（４９．８４ｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４１．５４ｇ（１．３２ｍｏｌ）、予め窒素バブリングしたトルエン５００ｍｌ、及び予め窒素バブリングしたエタノール４７．３ｍｌを混合し、攪拌し、加熱して、還流させた。反応溶液に、予め窒素バブリングした２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液４７．３ｍｌを滴下し、更に加熱して、還流させた。反応溶液を、放冷後、分液し、水層を除去し、有機層を、希塩酸、水の順番で洗浄し、分液した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過、濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムに通し、得られた濾液にアセトニトリルを加えたところ、結晶が得られた。この結晶を減圧しながら乾燥させることにより、電子輸送性材料（ＥＴ−Ｂ）を８．２３ｇの白色結晶として得た。電子輸送性材料（ＥＴ−Ｂ）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ  １．３９（ｓ、２７Ｈ）、７．５２（ｄ、６Ｈ）、７．６５（ｄ、６Ｈ）、７．７９（ｄ、６Ｈ）、８．８２（ｄ、６Ｈ）．
【０１６１】
［合成例８；高分子化合物（ＣＰ１）の合成］
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン５．２０ｇ、４，４’−ジブロモ−４’’−ｓｅｃ−ブチルトリフェニルアミン５．４２ｇ、酢酸パラジウム２．２ｍｇ、トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン１５．１ｍｇ、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６、アルドリッチ製）０．９１ｇ及びトルエン７０ｍｌを混合し、１０５℃に加熱した。反応溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１９ｍｌを滴下し、４時間還流させた。反応後、ベンゼンボロン酸１２１ｍｇを加え、更に３時間還流させた。次いで、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物の水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。冷却後、反応溶液を、水６０ｍｌで３回、３重量％酢酸水溶液６０ｍｌで４回、水６０ｍｌで３回洗浄し、得られたトルエン溶液を、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール約３０００ｍｌに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させ、５．２５ｇの高分子化合物（ＣＰ１）を得た。高分子化合物（ＣＰ１）のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．２×１０５、Ｍｗ＝２．６×１０５であり、ガラス転移温度は８９℃であった。高分子化合物（ＣＰ１）は、単量体の仕込み比から以下の構成単位及びモル比率を有する交互共重合体と推定される。
【化４４】
2011068638.tif 000045
【０１６２】
［合成例９；電荷輸送性材料である高分子化合物（Ｐ１）の合成］
不活性ガス雰囲気下、２，５−ジヘキシル−１，４−ベンゼンジホウ酸ビス（ピナコール）エステル（３．１３ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（３．４７ｇ）、及びトルエン８０．０ｍＬを混合し、加熱しながら撹拌した。反応溶液に酢酸パラジウム（ＩＩ）（２．２ｍｇ）、及びトリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１３．４ｍｇ）を加え、１００℃まで加熱した後に２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２２．０ｍｌ）を滴下し、４．５時間還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸（７８ｍｇ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（２．２ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１３．４ｍｇ）、及び２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２２．０ｍｌ）を加え、更に１５時間還流させた。反応溶液から水層を除去した後、０．２Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（７０ｍｌ）を加え、８５℃で２時間撹拌した。室温まで冷却し、水（８２ｍｌ）で３回、３重量％の酢酸水溶液（８２ｍｌ）で３回、水（８２ｍｌ）で３回洗浄し、得られたトルエン溶液をメタノール（１５００ｍｌ）に滴下したところ沈殿が生じたので、この沈殿をろ取し乾燥させた。十分に乾燥させた沈殿（固体）をトルエン４００ｍｌに溶解させ、シリカゲル及びアルミナを充填したカラムに通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（１５００ｍｌ）に滴下したところ沈殿が生じたので、この沈殿をろ取し乾燥させた。この沈殿（以下、「高分子化合物（Ｐ１）」という）の収量は３．５２ｇであった。また、高分子化合物（Ｐ１）のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝３．１×１０５、Ｍｗ＝８．５×１０５であった。高分子化合物（Ｐ１）は、単量体の仕込み比から以下の構成単位及びモル比率を有する交互共重合体と推定される。
【化４５】
2011068638.tif 000046
【０１６３】
［実施例１；有機電界発光素子１の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｈ．Ｃ．ｓｔａｒｋ社製、商品名：ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐ  ＡＩ４０８３）（以下、「ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐ」という。）の懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、高分子化合物（Ｐ１）、金属錯体（ＨＫ０１７）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．９重量％（重量比で、高分子化合物（Ｐ１）／金属錯体（ＨＫ０１７）＝９５／５）の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層１を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層１の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子１を作製した。
有機電界発光素子１に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は６．４ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は１９．１Ｖであり、外部量子収率は１．８％であった。得られた結果を表１に示す。
【０１６４】
［実施例２；有機電界発光素子２の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、高分子化合物（Ｐ１）、電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）、金属錯体（ＨＫ０１７）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．９重量％（重量比で、高分子化合物（Ｐ１）／電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）／金属錯体（ＨＫ０１７）＝８５／１０／５）の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層２を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層２の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子２を作製した。
有機電界発光素子２に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は８．１ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は１７．３Ｖであり、外部量子収率は２．１％であった。得られた結果を表１に示す。
【０１６５】
［実施例３；有機電界発光素子３の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、高分子化合物（Ｐ１）、電子輸送性材料（ＥＴ−Ｂ）、金属錯体（ＨＫ０１７）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．９重量％（重量比で、高分子化合物（Ｐ１）／電子輸送性材料（ＥＴ−Ｂ）／金属錯体（ＨＫ０１７）＝８５／１０／５）の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層３を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層３の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子３を作製した。
有機電界発光素子３に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は１６．５ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は１４．３Ｖであり、外部量子収率は４．５％であった。得られた結果を表１に示す。
【０１６６】
［実施例４；有機電界発光素子４の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、高分子化合物（Ｐ１）、金属錯体（ＨＫ０１８）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．９重量％（重量比で、高分子化合物（Ｐ１）／金属錯体（ＨＫ０１８）＝９５／５）の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層４を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１０分乾燥させた。
１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層４の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子４を作製した。
有機電界発光素子４に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は１０．１ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は１７．１Ｖであり、外部量子収率は２．８％であった。得られた結果を表１に示す。
【０１６７】
［実施例５；有機電界発光素子５の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、高分子化合物（Ｐ１）、電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）、金属錯体（ＨＫ０１８）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．９重量％（重量比で、高分子化合物（Ｐ１）／電子輸送性材料ＥＴ−Ａ／金属錯体（ＨＫ０１８）＝８５／１０／５）の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層５を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層５の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子５を作製した。
有機電界発光素子５に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は１３．１ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は１５．６Ｖであり、外部量子収率は３．６％であった。得られた結果を表１に示す。
【０１６８】
［実施例６；有機電界発光素子６の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、高分子化合物（Ｐ１）、電子輸送性材料（ＥＴ−Ｂ）、金属錯体（ＨＫ０１８）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．９重量％（重量比で、高分子化合物（Ｐ１）／電子輸送性材料（ＥＴ−Ｂ）／金属錯体（ＨＫ０１８）＝８５／１０／５）の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層６を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層６の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子６を作製した。
有機電界発光素子６に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は１９．１ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は１５．３Ｖであり、外部量子収率は５．３％であった。得られた結果を表１に示す。
【０１６９】
［比較例１；有機電界発光素子７の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、高分子化合物（Ｐ１）、下記式：
【化４６】
2011068638.tif 000047
で表されるイリジウム錯体（Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｄｙｅ  Ｓｏｕｒｃｅ，  Ｉｎｃ社製、商品名：ＡＤＳ０６６ＧＥ、以下「ＡＤＳ０６６ＧＥ」という。）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．９重量％（重量比で、高分子化合物（Ｐ１）／ＡＤＳ０６６ＧＥ＝９５／５）の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層７を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層７の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子７を作製した。
有機電界発光素子７に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は２．６ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は１６．６Ｖであり、外部量子収率は０．８％であった。得られた結果を表１に示す。
【０１７０】
［比較例２；有機電界発光素子８の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、高分子化合物（Ｐ１）、電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）、ＡＤＳ０６６ＧＥをキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．９重量％（重量比で、高分子化合物（Ｐ１）／電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）／ＡＤＳ０６６ＧＥ＝８５／１０／５）の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層８を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層８の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子８を作製した。
有機電界発光素子８に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は６．１ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は１５．７Ｖであり、外部量子収率は１．９％であった。得られた結果を表１に示す。
【０１７１】
［比較例３；有機電界発光素子９の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、高分子化合物（Ｐ１）、電子輸送性材料（ＥＴ−Ｂ）、ＡＤＳ０６６ＧＥをキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．９重量％（重量比で、高分子化合物（Ｐ１）／電子輸送性材料（ＥＴ−Ｂ）／ＡＤＳ０６６ＧＥ＝８５／１０／５）の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層９を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層９の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子９を作製した。
有機電界発光素子９に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は９．８ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は１８．１Ｖであり、外部量子収率は３．０％であった。得られた結果を表１に示す。
【０１７２】
【表１】
2011068638.tif 000048
【０１７３】
［実施例７；有機電界発光素子１０の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、電荷輸送性材料である４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−ビフェニル（同仁化学研究所社製、商品名：ＤＣＢＰ，ｓｕｂｌｉｍｅｄ）（以下、「低分子化合物（ＣＢＰ）」という。）、金属錯体（ＨＫ０１７）をクロロホルム（和光純薬工業社製：蛍光分析用純溶媒）に０．８重量％（重量比で、低分子化合物（ＣＢＰ）／金属錯体（ＨＫ０１７）＝９５／５）の濃度で溶解させた。得られたクロロホルム溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層１０を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、６０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層１０の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子１０を作製した。
有機電界発光素子１０に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は３．９ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は９．０Ｖであり、外部量子収率は１．０％であった。得られた結果を表２に示す。
【０１７４】
［実施例８；有機電界発光素子１１の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、低分子化合物（ＣＢＰ）、電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）、金属錯体（ＨＫ０１７）をクロロホルム（和光純薬工業社製：蛍光分析用純溶媒）に０．８重量％（重量比で、低分子化合物（ＣＢＰ）／電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）／金属錯体（ＨＫ０１７）＝８５／１０／５）の濃度で溶解させた。得られたクロロホルム溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層１１を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、６０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層１１の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子１１を作製した。
有機電界発光素子１１に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は９．５ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は７．８Ｖであり、外部量子収率は１．９％であった。得られた結果を表２に示す。
【０１７５】
［実施例９；有機電界発光素子１２の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、低分子化合物（ＣＢＰ）、電子輸送性材料（ＥＴ−Ｂ）、金属錯体（ＨＫ０１７）をクロロホルム（和光純薬工業社製：蛍光分析用純溶媒）に０．８重量％（重量比で、低分子化合物（ＣＢＰ）／電子輸送性材料（ＥＴ−Ｂ）／金属錯体（ＨＫ０１７）＝８５／１０／５）の濃度で溶解させた。得られたクロロホルム溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層１２を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、６０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層１２の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子１２を作製した。
有機電界発光素子１２に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は１４．９ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は７．９Ｖであり、外部量子収率は４．０％であった。得られた結果を表２に示す。
【０１７６】
［実施例１０；有機電界発光素子１３の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、低分子化合物（ＣＢＰ）、金属錯体（ＨＫ０１８）をクロロホルム（和光純薬工業社製：蛍光分析用純溶媒）に０．８重量％（重量比で、低分子化合物（ＣＢＰ）／金属錯体（ＨＫ０１８）＝９５／５）の濃度で溶解させた。得られたクロロホルム溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層１３を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、６０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層１３の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子１３を作製した。
有機電界発光素子１３に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は６．２ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は８．６Ｖであり、外部量子収率は１．７％であった。得られた結果を表２に示す。
【０１７７】
［実施例１１；有機電界発光素子１４の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、低分子化合物（ＣＢＰ）、電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）、金属錯体（ＨＫ０１８）をクロロホルム（和光純薬工業社製：蛍光分析用純溶媒）に０．８重量％（重量比で、低分子化合物（ＣＢＰ）／電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）／金属錯体（ＨＫ０１８）＝８５／１０／５）の濃度で溶解させた。得られたクロロホルム溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層１４を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、６０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層１４の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子１４を作製した。
有機電界発光素子１４に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は９．３ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は７．８Ｖであり、外部量子収率は２．６％であった。得られた結果を表２に示す。
【０１７８】
［実施例１２；有機電界発光素子１５の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、低分子化合物（ＣＢＰ）、電子輸送性材料（ＥＴ−Ｂ）、金属錯体（ＨＫ０１８）をクロロホルム（和光純薬工業社製：蛍光分析用純溶媒）に０．８重量％（重量比で、低分子化合物（ＣＢＰ）／電子輸送性材料（ＥＴ−Ｂ）／金属錯体（ＨＫ０１８）＝８５／１０／５）の濃度で溶解させた。得られたクロロホルム溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層１５を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、６０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層１５の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子１５を作製した。
有機電界発光素子１５に電圧を印加したところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ２での発光効率は１４．９ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は７．７Ｖであり、外部量子収率は４．１％であった。得られた結果を表２に示す。
【０１７９】
【表２】
2011068638.tif 000049
【０１８０】
［実施例１３；有機電界発光素子１６の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、電荷輸送性材料である４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−ビフェニル（オージェック社製、商品名：ＭＣＰ）（以下、「低分子化合物（ｍＣＰ）」という）、金属錯体（ＨＫ０１２）をクロロホルム（和光純薬工業社製：蛍光分析用純溶媒）に０．８重量％（重量比で、低分子化合物（ｍＣＰ）／金属錯体（ＨＫ０１２）＝９５／５）の濃度で溶解させた。得られたクロロホルム溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層１６を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、６０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層１６の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子１６を作製した。
有機電界発光素子１６に電圧を印加したところ、青色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１００ｃｄ／ｍ２での発光効率は０．３ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は１６．６Ｖであり、外部量子収率は０．１％であった。得られた結果を表３に示す。
【０１８１】
［実施例１４；有機電界発光素子１７の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、低分子化合物（ｍＣＰ）、電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）、金属錯体（ＨＫ０１２）をクロロホルム（和光純薬工業社製：蛍光分析用純溶媒）に０．８重量％（重量比で、低分子化合物（ｍＣＰ）／電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）／発光材料（ＨＫ０１２）＝８５／１０／５）の濃度で溶解させた。得られたクロロホルム溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層１７を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、６０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層１７の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子１７を作製した。
有機電界発光素子１７に電圧を印加したところ、青色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１００ｃｄ／ｍ２での発光効率は３．８ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は７．６Ｖであり、外部量子収率は１．４％であった。得られた結果を表３に示す。
【０１８２】
［実施例１５；有機電界発光素子１８の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、低分子化合物（ｍＣＰ）、金属錯体（ＨＫ０１３）をクロロホルム（和光純薬工業社製：蛍光分析用純溶媒）に０．８重量％（重量比で、低分子化合物（ｍＣＰ）／金属錯体（ＨＫ０１３）＝９５／５）の濃度で溶解させた。得られたクロロホルム溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層１８を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、６０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層１８の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子１８を作製した。
有機電界発光素子１８に電圧を印加したところ、青色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１００ｃｄ／ｍ２での発光効率は０．７ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は１３．７Ｖであり、外部量子収率は０．２％であった。得られた結果を表３に示す。
【０１８３】
［実施例１６；有機電界発光素子１９の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、低分子化合物（ｍＣＰ）、電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）、金属錯体（ＨＫ０１３）をクロロホルム（和光純薬工業社製：蛍光分析用純溶媒）に０．８重量％（重量比で、低分子化合物（ｍＣＰ）／電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）／金属錯体（ＨＫ０１３）＝８５／１０／５）の濃度で溶解させた。得られたクロロホルム溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層１９を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、６０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層１９の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子１９を作製した。
有機電界発光素子１９に電圧を印加したところ、青色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１００ｃｄ／ｍ２での発光効率は２．２ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は８．３Ｖであり、外部量子収率は０．７％であった。得られた結果を表３に示す。
【０１８４】
［実施例１７；有機電界発光素子２０の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、低分子化合物（ｍＣＰ）、金属錯体（ＨＫ０１６）をクロロホルム（和光純薬工業社製：蛍光分析用純溶媒）に０．８重量％（重量比で、低分子化合物（ｍＣＰ）／金属錯体（ＨＫ０１６）＝９５／５）の濃度で溶解させた。得られたクロロホルム溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層２０を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、６０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層２０の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子２０を作製した。
有機電界発光素子２０に電圧を印加したところ、青色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１００ｃｄ／ｍ２での発光効率は０．２ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は１４．８Ｖであり、外部量子収率は０．１％であった。得られた結果を表３に示す。
【０１８５】
［実施例１８；有機電界発光素子２１の作製］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの懸濁液をのせ、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物（ＣＰ１）をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液をＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐの膜の上にのせ、スピンコート法により約２０ｎｍの厚みとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、６０分乾燥させた。次に、低分子化合物（ｍＣＰ）、電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）、金属錯体（ＨＫ０１６）をクロロホルム（和光純薬工業社製：蛍光分析用純溶媒）に０．８重量％（重量比で、低分子化合物（ｍＣＰ）／電子輸送性材料（ＥＴ−Ａ）／金属錯体（ＨＫ０１６）＝８５／１０／５）の濃度で溶解させた。得られたクロロホルム溶液を高分子化合物（ＣＰ１）の膜の上にのせ、スピンコート法により約８０ｎｍの厚みとなるように発光層２１を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、６０℃、１０分乾燥させた。１．０×１０−４Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層２１の膜の上にバリウムを約５ｎｍ、次いでバリウムの層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機電界発光素子２１を作製した。
有機電界発光素子２１に電圧を印加したところ、青色発光のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）が観測された。輝度が１００ｃｄ／ｍ２での発光効率は２．４ｃｄ／Ａであり、そのときの電圧は９．８Ｖであり、外部量子収率は０．７％であった。得られた結果を表３に示す。
【０１８６】
【表３】
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