(57)【要約】【課題】スタンパ製造時における微細パターンの局所的な変形を防止することであって、最終的に得られる成形品における微細パターンを当初の狙い通りに形成すること。【解決手段】（ｉ）スタンパの微細パターンＡの反転形状に相当する微細パターンＢが形成されたレジストマスタを用意する工程、および、（ｉｉ）レジストマスタを母型とした電鋳を実施することによって、微細パターンＡが形成されたスタンパを得る工程を含んで成り、工程（ｉ）で用意されるレジストマスタの微細パターン形成面においては、微細パターンＢを取り囲むような包囲線に沿って凹部パターンを形成し、工程（ｉｉ）においては、電鋳に際して生じ得る応力を凹部パターンにより緩和することを特徴とするスタンパの製造方法。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタンパを製造するための方法であって、
（ｉ）前記スタンパの微細パターンＡの反転形状に相当する微細パターンＢが形成されたレジストマスタを用意する工程、および
（ｉｉ）前記レジストマスタを母型とした電鋳を実施することによって、微細パターンＡが形成されたスタンパを得る工程
を含んで成り、
前記工程（ｉ）で用意される前記レジストマスタの微細パターン形成面においては、微細パターンＢを取り囲むような包囲線に沿って凹部パターンを形成し、
前記工程（ｉｉ）においては、前記電鋳に際して生じ得る応力を前記凹部パターンにより緩和することを特徴とする、スタンパの製造方法。
【請求項２】
スタンパの製造に用いるレジストマスタであって、
前記スタンパの微細パターンＡの反転形状に相当する微細パターンＢが形成されており、
前記レジストマスタの微細パターン形成面においては、微細パターンＢを取り囲むような包囲線に沿って凹部パターンが形成されていることを特徴とするレジストマスタ。
【請求項３】
前記凹部パターンとして、微細パターンＢを取り囲む環状凹部が形成されていることを特徴とする、請求項２に記載のレジストマスタ。
【請求項４】
前記環状凹部が少なくとも２つ形成されていることを特徴とする、請求項３に記載のレジストマスタ。
【請求項５】
前記少なくとも２つの環状凹部において、より内側に位置する環状凹部の深さ寸法が、より外側に位置する環状凹部の深さ寸法よりも大きくなっていることを特徴とする、請求項４に記載のレジストマスタ。
【請求項６】
前記環状凹部の少なくとも一部が断続的に形成されていることを特徴とする、請求項３〜５のいずれかに記載のレジストマスタ。
【請求項７】
前記凹部パターンとして、微細パターンＢを構成する各窪みと同一形状又は相似形状の凹部が前記包囲線に沿って複数形成されていることを特徴とする、請求項２に記載のレジストマスタ。
【請求項８】
少なくも２つの前記包囲線に沿って前記凹部がそれぞれ複数形成されており、
より内側の包囲線に沿って設けられている前記凹部の各々の深さ寸法が、より外側の包囲線に沿って設けられている前記凹部の各々の深さ寸法よりも大きくなっていることを特徴とする、請求項７に記載のレジストマスタ。
【請求項９】
請求項２〜８のいずれかに記載のレジストマスタを母型とした電鋳を行うことによって形成されたスタンパであって、
前記レジストマスタの微細パターンＢの反転形状に相当する微細パターンＡが形成されており、
前記スタンパの微細パターン形成面においては微細パターンＡを取り囲むような包囲線に沿って凸部パターンが形成されていることを特徴とするスタンパ。
【請求項１０】
請求項９に記載のスタンパを金型として用いた成形によって得られる成形品であって、
前記スタンパの微細パターンＡの反転形状に相当する微細パターンＣが形成されており、
前記成形品の微細パターン形成面においては、微細パターンＣを取り囲むような包囲線に沿って凹部パターンが形成されていることを特徴とする成形品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スタンパの製造方法、レジストマスタ、スタンパおよび成形品に関する。より詳細には、本発明は、“微細構造を備えたスタンパ”の製造方法、および、かかるスタンパ製造方法で用いるレジストマスタに関すると共に、そのレジストマスタから得られるスタンパおよび成形品にも関する。
【背景技術】
【０００２】
ミクロンオーダー以下の微細構造の作製は、一般的に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）やμ-ＴＡＳ（Micro Total Analysis System）などの幅広い分野で行われており、機械加工やフォトリソグラフィーなどの技術が応用されている。
【０００３】
近年、このような微細構造作製技術は、化学、メディカルサイエンスやバイオサイエンスの分野においても適用されており、作製された微細構造体は、物質もしくは細胞などの分離、固定化、分析、抽出、精製または反応などの各種処理に好適に用いられている。そのような微細構造体は、一般的に、平板状（もしくはチップ状）の形態あるいはこれらを積層して成る形態を有しており、例えば、ウェルプレート、マイクロタイタープレート等の他、マイクロ化学チップ、バイオチップ、ＤＮＡ（deoxyribonucleic  acid）チップ、マイクロアレイチップ等と称されている。
【０００４】
例えば、ＤＮＡ解析に用いることができるマイクロアレイチップを例にとると、大量の情報を一度に処理・解析を行うためにチップ上に数千個〜数十万個という多くの“窪み”ないしは“凹部”を作製する必要がある。かかる“窪み”または“凹部”はウェルと一般に呼ばれるものであり、マイクロビーズや液体（反応液）などを収容することができる（例えば、ウェルの容積を一定にすると、規定容量の反応液をウェルに溜めることができる）。
【０００５】
メディカルサイエンスやバイオサイエンスの分野では、このようなウェルを多数設ける必要があるので、１つ１つ機械加工するよりも、フォトリソグラフィーを用いて一括露光によって作製することが適している。つまり、フォトリソグラフィーを用いてレジストマスタを作製して、それからスタンパを作製し、次いで、そのスタンパを金型として用いた射出成形やホットエンボスなどの転写技術を適用することによって、微細構造体を一括して作製することができる。
【０００６】
ここで、金型ないしは鋳型となるスタンパの作製に際しては、電気めっきが通常実施される。この電気めっきは、防食や装飾に用いられるめっきとは異なり、めっき処理の後、被めっき物からめっき膜を剥がして、それをスタンパとして利用するものであって、“電鋳”と称されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】住友ベークライト株式会社の製品情報（製品名：培養用マルチプレート）［online］、［平成２１年１２月１５日検索］、インターネット〈ＵＲＬ：http://www.sumibe.co.jp/sumilon/plate.html〉
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本願発明者らは、微細構造体用スタンパの製造につき鋭意検討した結果、電鋳プロセスにおいては“微細構造”に特有の問題があることを見出した。具体的には、微細構造を特徴付ける微細パターンの外周縁近傍において微細パターン形状が変形してしまう現象を見出した（特に、微細パターンが列状またはアレイ状に形成されている場合では、外周縁近傍の数列のみが局所的に変形してしまう）。
【０００９】
このような変形は、あくまでも微細パターン領域の外周縁にのみ生じるものであり、めっき面の鏡面部分には“盛り上がり”や“ヒビ”などの欠陥が見られず、また、微細パターンの内部領域にもパターン変形は見られない（図１４参照）。
【００１０】
かかる変形現象は微細パターン領域の外周縁のみで発生するため、そのような局所的な変形が生じたスタンパから得られるプレート状成形品（例えば、微細構造として複数のウェル列が形成されたウェルプレート）については、SEM等で形状を確認後、「外周縁から2列目あるいは3列目程度までは使用できない」との注釈をつけて使用することも考えられる。しかしながら、目的とする形状を正確に把握しておかないと、“変形”に起因してマイクロビーズがウェルに入るか否かが把握できなかったり、実使用環境下での状況が少しも分からないといった不都合が生じる。また、このような現象がテンポラリーに発生すると、個々のスタンパ間で精度や使用できるウェルの数に差が生じてしまうことになる。更には、どの程度の変形までを不良とし、何列目までの変形を許容するかなど、“良品箇所”と“不良箇所”との判別が困難となる状況を招いてしまう。つまり、これらを換言すれば、高精度な分析を実現するには、プレート状成形品において所望とするウェルを当初の狙い通りに変形なく正確に形成し、そのウェル数などを正確に把握しておく必要があるといえる。
【００１１】
本発明はかかる事情に鑑みて為されたものである。即ち、本発明の課題は、スタンパ製造時における微細パターンの局所的な変形を防止することであり、ひいては、最終的に得られる成形品の微細パターンを当初の狙い通りに形成することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明は、スタンパを製造するための方法であって、
（ｉ）スタンパの微細パターンＡの反転形状に相当する微細パターンＢが形成されたレジストマスタを用意する工程、および
（ｉｉ）レジストマスタを母型とした電鋳を実施することによって、微細パターンＡが形成されたスタンパを得る工程
を含んで成り、
工程（ｉ）で用意されるレジストマスタの微細パターン形成面においては、微細パターンＢを取り囲むような包囲線に沿って凹部パターンを形成しておき、
工程（ｉｉ）においては、“電鋳に際して生じ得る応力”を凹部パターンにより緩和することを特徴とする、スタンパの製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の特徴の１つは、電鋳プロセスの母型として用いられるレジストマスタとして、微細パターン（即ち、微細パターンＢ）を取り囲むように凹部パターンが形成されて成るマスタを用いることである。つまり、本発明では、微細パターン形成面において微細パターンＢを取り囲むような包囲線に沿って凹部パターンが形成されて成るレジストマスタを用いる。これにより、電鋳に際して微細パターンＢおよび／またはそこに形成されるめっき膜に生じ得る“応力”を凹部パターンによって効果的に緩和することができる。尚、「微細パターンＢを取り囲むような包囲線」とは、例えば、図１（ａ）および（ｂ）に示すように、微細パターンの領域の少なくとも一部を取り囲むように位置する仮想的な線を実質的に意味している。また、「応力」とは、電鋳プロセス中にて微細パターンＢおよび／またはめっき膜が受け得るあらゆる力を意味しており、特に微細パターンＢの外周縁領域にて微細パターンＢおよび／またはめっき膜が受ける力を意味している。
【００１４】
本明細書において用いる「レジストマスタ」は、いわゆる“レジスト原盤”と呼ばれるものである。特に、本発明における「レジストマスタ」は、一般にメディカルサイエンス分野やバイオ分野において分離、固定化、分析、抽出、精製、反応または混合などの各種処理を行う際に用いられる“複数の窪みまたは凹部を備えたプレート状成形品”の成形用スタンパ（≒金型・鋳型）を製造するための原盤を意味している。
【００１５】
本発明において、「微細パターン」とは、微細な凹凸形状から形成されて成るパターンを意味しており、その微細な凹凸形状を構成する“微細凹部（もしくは微細な窪み）”または“微細凸部（もしくは微細な隆起部）”の寸法（幅・高さ・深さなどの寸法）が、ミクロンメートル〜ミリメートルのオーダー（１μｍ〜１０ｍｍ程度）であるものを実質的に意味している。尚、レジストマスタから最終的に得られるプレート状成形品の種類に応じて、レジストマスタの微細パターンＢを構成する“微細な窪み”（即ち、“微細凹部”）の形態が一般に異なり得る。例えば、プレート状成形品がウェルプレートなどに相当する場合では、“微細な窪み”または“微細凹部”はウェル形状を有することが多い一方、プレート状成形品がマイクロ化学チップなどに相当する場合では、“微細な窪み”または“微細凹部”はチャンネル形状（溝形状）や流路形状を有することが多い。従って、レジストマスタについて言えば、微細パターンＢを構成するウェル形状窪みの開口面の径・深さやチャンネル形状窪みのチャンネル幅・深さなどがミクロンメートル〜ミリメートルのオーダー（１μｍ〜１０ｍｍ程度）となっている場合が多い。
【００１６】
本発明では、上述したスタンパ製造方法で使用されるレジストマスタも提供される。かかるレジストマスタは、
スタンパの微細パターンＡの反転形状に相当する微細パターンＢが形成されており、
レジストマスタの微細パターン形成面において、微細パターンＢを取り囲むような包囲線に沿って凹部パターンが形成されている特徴を有している。
【００１７】
かかるレジストマスタでは、微細パターンが形成された領域と形成されていない領域の応力に着目しており、パターン変形が発生し得る微細パターン領域の外周境界部分に三次元的な緩衝パターン（即ち、凹部パターン）を付加的に設け、その緩衝パターンによって三次元的な構造を徐々に変化させている。
【００１８】
ある好適な態様では、凹部パターンとして、微細パターンＢを取り囲む環状凹部（リング状凹部）が形成されている。かかる環状凹部は少なくとも２つ形成されていることが好ましい。このように環状凹部が複数形成されている場合、より内側に位置する環状凹部の深さ寸法が、より外側に位置する環状凹部の深さ寸法よりも大きくなっていることが好ましい。つまり、複数の環状凹部につき、その深さ寸法が内側に向かって次第に大きくなっていることが好ましく、即ち、外側に向かって次第に小さくなっていることが好ましい。尚、環状凹部は、連続的に形成されていてよいし、あるいは、その少なくとも一部が非連続（即ち、断続的）に形成されていてもよい。
【００１９】
別のある好適な態様では、凹部パターンとして、微細パターンＢを構成する各窪みと同一形状又は類似形状の凹部が包囲線（即ち、上述した微細パターンＢを取り囲む包囲線）に沿って複数形成されている。上述の“環状凹部”の場合と同様、より内側の包囲線に沿って設けられている凹部の各々の深さ寸法が、より外側の包囲線に沿って設けられている前記凹部の各々の深さ寸法よりも大きくなっていることが好ましい。つまり、凹部の各々の深さは、内側に位置するにつれ段階的に大きくなっていることが好ましく、即ち、外側に位置するにつれ段階的に小さくなっていることが好ましい。
【００２０】
本発明では、上述のレジストマスタを母型とした電鋳を行うことによって形成されたスタンパも提供される。かかるスタンパは、
レジストマスタの微細パターンＢの反転形状に相当する微細パターンＡが形成されており、そのスタンパの微細パターン形成面において微細パターンＡを取り囲むような包囲線に沿って凸部パターンが形成されている特徴を有している。
【００２１】
更に、本発明では、上述のスタンパを金型・鋳型として用いた成形によって得られる成形品も提供される。本発明の成形品は、
スタンパの微細パターンＡの反転形状に相当する微細パターンＣが形成されており、その成形品の微細パターン形成面において微細パターンＣを取り囲むような包囲線に沿って凹部パターンが形成されている特徴を有している。
【００２２】
かかる成形品は、プレート状の形態を一般に有しており、それゆえ、本発明の成形品を“プレート状成形品”と称することができる。ちなみに、かかるプレート状成形品は、“プレート状”ゆえに、一般に１００μｍ〜５０ｍｍ程度の厚さを有し得る。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のスタンパの製造方法では、「電鋳に際して微細パターンＢおよび／またはそこに形成されるめっき膜に生じ得る応力」を凹部パターンにより緩和することができる。これによって、得られるスタンパの微細パターン形成面では“局所的な変形”が効果的に防止される。より具体的には、製造されるスタンパにおいて「微細パターンの外周縁近傍においてのみ微細パターン形状が変形してしまう現象」を抑制することができ、当初の狙い通りの微細パターン（即ち、微細パターンＡ）を形成することができる。従って、かかるスタンパを金型として用いた成形によって得られる成形品についても、当初の狙い通りの微細パターン（即ち、微細パターンＣ）を形成できることになる。これは、成形品のウェル数・ウェル形状などの微細構造を正確に把握できることを意味しており、高精度な分析に寄与し得る。
【００２４】
ちなみに、従来技術においてスタンパないしは成形品の形状精度を出すには、“微細パターンの局所的変形現象”を予め想定した上で設計をしなければならなかったものの、本発明では、微細パターン領域の周囲に凹部パターンを配すだけで形状精度を出すことができる（例えば、ある態様では、微細パターンよりも上・下あるいは幅・奥行き方向に小さい凹部パターンを配すだけで形状精度を出すことができる）。従って、本発明は、そのような具体的に予測困難な現象を視野に入れた設計を簡易な手段によって省くことができるといった点で非常に有益であるといえる。
【００２５】
更にいえば、本発明では微細パターン領域の“局所的変形”を効果的に防止できるので、その点に鑑みれば、ＭＥＭＳやμ-ＴＡＳなどの微細構造物作製におけるスタンパ工程の歩留まりを向上できるといえる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明で用いる“包囲線”を概念的に示した図である。
【図２】図２は、レジストマスタの作成過程を模式的に示した工程断面図である。
【図３】図３は、本発明のレジストマスタを模式的に示した上面側平面図（図３（ａ））および断面図（図３（ｂ））である。
【図４】図４は、本発明のレジストマスタを模式的に示した斜視図である。
【図５】図５は、本発明のレジストマスタを模式的に示した上面側平面図（図５（ａ））および断面図（図５（ｂ））である。
【図６】図６は、本発明のレジストマスタを模式的に示した斜視図である。
【図７】図７は、本発明のレジストマスタを模式的に示した斜視図である。
【図８】図８は、本発明のレジストマスタを模式的に示した斜視図である。
【図９】図９は、本発明のレジストマスタを模式的に示した斜視図である。
【図１０】図１０は、本発明のレジストマスタを模式的に示した上面側平面図（図１０（ａ））および断面図（図１０（ｂ））である。
【図１１】図１１は、本発明のスタンパを模式的に示した斜視図である。
【図１２】図１２は、本発明の成形品を模式的に示した斜視図である。
【図１３】図１３は、比較例１で用いたマスクを模式的に示した平面図である。
【図１４】図１４は、微細パターン形状の“局所的変形”が生じる微細パターン外周縁近傍を模式的に示した図である（従来技術）。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下では、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。まず、本発明のスタンパ製造方法について説明を行う。かかる説明に際して、本発明のレジストマスタの説明も併せて行う。そして、その後、かかるレジストマスタから得られるスタンパおよび成形品について説明を行う。
【００２８】
《本発明のスタンパ製造方法およびレジストマスタ》
本発明のスタンパ製造方法の実施に際しては、まず、工程（ｉ）を実施する。つまり、目的とするスタンパの微細パターンＡの反転形状に相当する微細パターンＢが形成されたレジストマスタを用意する。
【００２９】
“スタンパ”は、レジストマスタを母型とした電鋳によって形成されるものであるため、レジストマスタの微細パターンが転写されて成るものである。つまり、電鋳プロセスで母型となるレジストマスタ上にめっき処理を行った後にレジストマスタからめっき部分を剥がし、それをスタンパとして用いるので、スタンパではレジストマスタの形状が反転した形状を有している。従って、本発明の製造方法の工程（ｉ）では、意図されるスタンパの微細パターンＡが形成される所望の反転形状を備えたレジストマスタを用意することになる。
【００３０】
工程（ｉ）を具体的に説明する。まず、図２（ａ）に示すようにレジストマスタの土台となる基板１０を用意する。基板１０は、当該技術分野で一般的に用いられるものであれば特に制限はない。例えば、基板の材質としては、シリコン（Ｓｉ）またはガラスなどの材質を用いることができる。シリコン基板の場合には「表面が平滑で鏡面状に研磨され、表面に熱酸化膜が形成されたシリコンウエハ」であることが好ましい。尚、基板の厚さは、０．５〜１０ｍｍ程度であることが好ましい。
【００３１】
次いで、図２（ｂ）に示すように、基板１０上にレジスト材料を塗布してレジスト膜２０を形成する。塗布に好適となるように、レジスト材料は有機溶剤を含んで成ることが好ましい。塗布は、例えばスピン塗布（回転塗布）によって行うことができる。レジスト材料を塗布した後、約７０℃〜約１２０℃程度の加熱処理に付すことが好ましい（即ち、ベーク処理に付すことが好ましい）。これによって、所望のレジスト膜２０が形成される。尚、レジスト材料が塗布される面に対しては前処理を施してもよく、例えば、塗布面の疎水性を向上させるべくヘキサメチルジシラザン等を塗布してベーク処理しておいてもよい。
【００３２】
塗布されるレジスト材料は、当該技術分野で一般的に用いられるものであれば特に制限はない。つまり、ポジ型レジスト材料であってもよいし、ネガ型レジスト材料であってもよい。具体的なレジスト材料としては、例えば、フェノール系ポリマー、アクリル系ポリマー、スチレン系ポリマー、ビニル系ポリマー、エポキシ樹脂、ポリフタルアルデヒド（PPA）から成る群から選択される少なくとも１種類以上の材料を用いることができる。特にフェノール系ポリマーのノボラック樹脂とジアゾナフトキノン化合物とからなる組成物はポジ型レジストとして一般的に多く用いられる。
【００３３】
レジスト膜２０を形成した後、図２（ｃ）に示すように、マスク３０をレジスト膜２０に配して露光を実施する。ここでいう「マスク」は、典型的にはフォトマスクのことを意味しており、露光時の光を透過する部分と透過させない部分を備えた原版のことを意味している。このようなマスク３０は、当該技術分野で一般的に用いられるものであれば特に制限はない。当然のことであるが、ポジ型レジスト材料が用いられた場合では露光領域が現像液に溶け出すことになる一方、ネガ型レジスト材料が用いられた場合では露光領域が現像液に溶解しないで残ることになるので、用いられるレジスト材料に応じて適当なマスクを使用すればよい。
【００３４】
露光は、当該技術分野で一般的に採用されているものであれば特に制限はなく、密接露光（コンタクト露光）、近接露光（プロキシミティ露光）、等倍投影露光（プロジェクション露光）または縮小投影露光（ステップアンドリピート露光）のいずれであってもかまわない。例えば、図示する態様のように、密接露光を実施してよい。ちなみに、露光に際しては、直接レーザや電子線を用いてもよく、更にはＬＩＧＡ（Lithographie  Galvanoformung  Abformung）プロセスのようにシンクロトロン放射光を使用してもよい。
【００３５】
露光後、現像処理を実施する。かかる現像処理も当該技術分野で一般的に用いられるものであれば特に制限はない。
【００３６】
以上の過程を経ることによって、「製造されるスタンパの微細パターンＡの反転形状に相当する微細パターンＢが形成されたレジストマスタ４０」を得ることができる（図２（ｄ）参照）。
【００３７】
ここで、本発明の製造方法で用いられるレジストマスタでは、“微細パターンＢ以外の形状”も付加的に形成しておく必要がある。つまり、レジストマスタの微細パターン形成面では、微細パターンＢに加えて、その微細パターンＢを取り囲むような包囲線に沿って凹部パターンも形成しておく。従って、本発明の製造方法では、露光に際して「微細パターンＢと共に上記凹部パターンをも転写形成できるマスクパターンを備えたマスク」を用いることになる。これにつき、マスクパターンの階調ないしは濃淡を自由に変えることが出来る多階調マスクを用いてよい。かかる多階調マスクとしては、グレイトーンマスクとハーフトーンマスクの２種類がある。グレイトーンマスクは、露光機の解像度以下のスリットを作り、そのスリット部が光の一部を遮り、中間露光を実現する。一方、ハーフトーンマスクは「半透過」の膜を利用し、中間露光を行うことができる。いずれも、１回の露光で「露光部分」「中間露光部分」「未露光部分」の３つの露光レベルを実現でき、現像後にレジスト厚さが異なるパターンを得ることができる。
【００３８】
工程（ｉ）に引き続いて、工程（ｉｉ）を実施する。つまり、レジストマスタを母型とした電鋳を実施することによってスタンパを得る。「電鋳」は、電気めっきと原理的には同じであり、電気化学反応を利用する電着技術である。特に、本発明では、母型として用いるレジストマスタに通電して厚めっきを行い、これを母型から剥離・分離して母型の反対面形状を有するスタンパを得る（即ち、レジストマスタに電着した金属部分をスタンパとして用いる）。
【００３９】
電鋳に用いるレジストマスタは不導体であり得るので、電鋳プロセスに先立って、レジストマスタの微細パターン形成面に導電膜を形成して、表面を導体化することが好ましい。導電膜の形成には、例えばスパッタ法、真空蒸着法またはＣＶＤ法などを用いてよい。尚、導電膜の厚さは、好ましくは３０〜３００ｎｍ程度であってよい。
【００４０】
電鋳プロセスのめっき処理自体は、電解質水溶液を使用する湿式めっき（ウエットプロセス）で行う。つまり、電気めっきを行う。かかる電気めっきでは、典型的には、金属イオンが存在する電解質水溶液に陰極としてレジストマスタを用い、それを外部電源を介して陽極とつないで、外部電源から電気エネルギーを加えて陰極（即ち、レジストマスタ）にて還元反応を生じさせる。その結果、電解質水溶液中の金属イオンがレジストマスタ界面で電子を受け取って金属として析出してめっき層が形成される。めっき層の厚さは、好ましくは５０〜１０００μｍ程度、より好ましくは３００〜６００μｍ程度である。尚、電鋳金属としては、典型的にはニッケルを用いることができる。しかしながら、ニッケルに限定されず、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＳｎおよびＺｎから成る群から選択される少なくとも１種類以上の金属も電鋳金属として用いることができる。
【００４１】
以上のような工程（ｉ）および（ｉｉ）を経ることによって、目的とするスタンパを最終的に得ることができる。特に、本発明では、レジストマスタの微細パターンＢを取り囲むようにして凹部パターンが形成されているので、電鋳に際して生じ得る応力を凹部パターンにより緩和することができる。より具体的には、『電鋳に際して微細パターンＢおよび／またはそこに形成されるめっき膜に生じ得る応力』を凹部パターンによって緩和することができる。その結果、得られるスタンパにおいては「微細パターンの外周縁近傍における微細パターンの変形」が抑制されており、当初の狙い通りの微細パターンＢを形成することができる。これは、かかるスタンパを金型として用いた成形で得られる成形品についても、当初の狙い通りの微細パターン（即ち、微細パターンＣ）を形成できることを意味している。
【００４２】
（本発明のレジストマスタ）
次に、上述のスタンパ製造方法に用いるレジストマスタについて詳述する。つまり、本発明のレジストマスタを説明について説明を行う。かかる本発明のレジストマスタは、上述したように、その微細パターン形成面にて微細パターンＢを取り囲むような包囲線に沿って凹部パターンが形成されている。このような態様を図３および図４に示す。図３は、本発明のレジストマスタの上面側の平面図および断面図を示しており、図４は、本発明のレジストマスタの斜視図を示している。
【００４３】
図３および図４に示すように、本発明のレジストマスタ４０では、微細パターン領域の外側において凹部パターン５０を形成し、それによって“電鋳時に微細パターン領域に生じ得る応力”を緩和している。従って、本発明では、かかる凹部パターン５０が形成された領域を“応力緩衝領域”ないしは“緩衝パターン領域”と呼ぶことができる。
【００４４】
かかる応力緩衝領域の凹部パターンは、微細パターンＢを取り囲むように形成されていれば特に制限はなく、図示するように、微細パターンＢを全体的に取り囲むように連続的に形成されていてよいし、あるいは、それが断続的に形成されていてもよい。換言すれば、凹部パターンとして、一続きの環を成すように環状凹部が形成されていてよいし、その環状凹部が部分的に断続していてもよい。特に本発明では、この凹部パターンを構成する各凹部の深さ寸法を調整することによって、“電鋳時に微細パターン領域に生じ得る応力”を好適に緩和することができる。例えば、図３（ｂ）に示すような凹部の深さ寸法ＬＤは、微細パターンＢを構成する各窪み６０の深さ寸法よりも小さいことが好ましく、例えば好ましくは1/10Le〜9/10Le、より好ましくは15/20Le〜1/2Le、更に好ましくは4/5Le〜1/3Le程度である（Le：レジスト膜厚、図３（ｂ）参照）。具体的な数値を例示すると、凹部の深さ寸法ＬＤは、好ましくは１〜３００μｍ、より好ましくは５〜１００μｍ、更に好ましくは５〜４０μｍ程度である。
【００４５】
また、微細パターン領域の外側エッジからの凹部の離隔距離を調整することによっても、“電鋳時に微細パターン領域に生じ得る応力”を好適に緩和することができる。例えば、図３（ｂ）に示すような離隔距離ＬＡは、好ましくは0.2Lf〜2Lf、より好ましくは0.5Lf〜1.5Lf、更に好ましくは0.8Lf〜1.2Lf程度である（Lf：窪み６０間の距離、図３（ｂ）参照）。更に言えば、応力緩衝領域の凹部の幅寸法を調整することによっても、“電鋳時に微細パターン領域に生じ得る応力”を好適に緩和することができる。例えば、図３（ｂ）に示すような凹部の幅寸法ＬＢは、微細パターンＢを構成する各窪み６０の幅寸法よりも小さいことが好ましく、例えば好ましくは0.2Lf〜2Lf、より好ましくは0.2Lf〜1.2Lf、更に好ましくは0.2Lf〜0.8Lf程度である。
【００４６】
《凹部パターンの種々の態様》
“凹部パターン”の態様としては、その他に種々の態様が考えられる。以下それについて説明する。
【００４７】
（複数の環状凹部）
“複数の環状凹部”の態様を図５および図６に示す。図示するように、応力緩衝領域の凹部パターンとして、微細パターンＢを取り囲む環状凹部５０が複数形成されている。かかる態様では、応力緩衝領域を成す凹部パターンによって三次元的な構造を徐々に変化させており、それによって、“電鋳時にて微細パターン領域に生じ得る応力”を効果的に緩和する。
【００４８】
この“複数の環状凹部”の態様においては、図５および図６に示すように、より内側に位置する環状凹部５０の深さ寸法が、より外側に位置する環状凹部５０の深さ寸法よりも大きくなっていることが好ましい。つまり、複数の環状凹部５０につき、その深さ寸法が内側に向かって次第に大きくなっていることが好ましく、逆の見方をすれば、外側に向かって次第に小さくなっていることが好ましい。これにより、“電鋳時に微細パターン領域に生じ得る応力”をより効果的に緩和することができる。このような場合、例えば微細パターンＢを構成する各窪みの深さ寸法をＨとすると、環状凹部の深さ寸法がＨ／３〜Ｈ／５ずつ内側に向かって段階的に大きくなることが好ましい。逆の見方をすれば、環状凹部の深さ寸法がＨ／３〜Ｈ／５ずつ外側に向かって段階的に小さくなることが好ましい。これは、微細パターンの境界部分において三次元的高低差を段階的に緩衝することを意図している。ちなみに、Ｈ／３よりも大きいとめっき応力緩和の効力がほとんど無い一方、Ｈ／５以上にするとめっき応力緩和のパターン領域が広くなり、パターン領域に制限がある場合、微細パターン自体の数を減らさなければならなくなる。
【００４９】
同様に、図６の断面図（下側）に示すように、より内側に位置する環状凹部５０の幅寸法が、より外側に位置する環状凹部５０の幅寸法よりも大きくなる態様であってもよい。つまり、複数の環状凹部５０につき、その幅寸法が内側に向かって段階的に大きくなることが好ましく、逆の見方をすれば、外側に向かって段階的に小さくなることが好ましい。例えば、微細パターンＢを構成する各窪みの幅寸法をＷとすると、環状凹部の幅寸法がＷ／３〜Ｗ／５ずつ内側に向かって段階的に大きくなっていてよい。このような態様によっても、“電鋳時に微細パターン領域に生じ得る応力”を効果的に緩和できる。
【００５０】
環状凹部が複数形成されている場合では、そのピッチＰ１は微細パターンＢを構成する各窪みのピッチＰ２の±３０％程度であることが好ましく、即ち、（Ｐ２−Ｐ２×０．３）＜Ｐ１＜（Ｐ２＋Ｐ２×０．３）であることが好ましい。例えば、環状凹部のピッチＰ１は、微細パターンＢを構成する各窪みのピッチＰ２と同程度であってよい。このような態様によっても、“電鋳時に微細パターン領域に生じ得る応力”を効果的に緩和できる。
【００５１】
（断続的な環状凹部）
“断続的な環状凹部”の態様を図７に示す。図示するように、凹部パターンとして形成された環状凹部の一部が非連続的に形成されている。かかる態様であっても、“電鋳時に微細パターン領域に生じ得る応力”を緩和することができる。
【００５２】
この“断続的な環状凹部”の態様では、図７に示すように、微細パターンＢを構成する各窪み６０と隣り合う位置に断続領域の各凹部（５０ａ，５０ｂ，５０ｃ）が形成されていることが好ましい。このような態様では、断続部同士の離隔距離、即ち、図７に示すような断続領域の各凹部（５０ａ，５０ｂ，５０ｃ）のピッチＰ３は、各窪み６０のピッチＰ２と同程度であってよい。
【００５３】
図示するように、“断続的な環状凹部”の態様であっても、連続的な環状凹部の場合と同様、複数形成されていてもよい（即ち複数の群から形成されていてよい）。更には、より内側に位置する“断続的な環状凹部”の深さ寸法が、より外側に位置する“断続的な環状凹部”の深さ寸法よりも大きくなっていてよい。
【００５４】
（微細パターンＢの窪みと同一形状の凹部）
“微細パターンＢの窪みと同一形状の凹部”の態様を図８に示す。図示するように、かかる態様では、“微細パターンＢの窪み６０と同一形状の凹部５０”が、その微細パターンＢを取り囲むように形成されている。つまり、微細パターンＢを取り囲むような包囲線に沿って“微細パターンＢの窪みと同一形状の凹部”が形成されている。かかる態様であっても、“電鋳時に微細パターン領域に生じ得る応力”を緩和することができる。
【００５５】
“微細パターンＢの窪みと同一形状”ゆえに、凹部５０の各種寸法は、微細パターンＢを構成する各窪み６０と同一であってよい。しかしながら、必ずしもこれに限定されず、例えば凹部５０の深さ寸法などは、微細パターンＢを構成する各窪み６０の深さ寸法よりも小さくてもよい。
【００５６】
かかる態様では、図示するように、微細パターンＢを構成する各窪み６０と隣り合う位置に“微細パターンＢの窪み６０と同一形状の凹部５０”が形成されていることが好ましい。このような態様では、同一形状の凹部５０のピッチ、即ち、図８に示すような各凹部５０のピッチＰ４は、好ましくは各窪み６０のピッチＰ２と同程度であってよい。
【００５７】
（微細パターンＢの窪みと相似形状の凹部）
“微細パターンＢの窪みと相似形状の凹部”の態様を図９に示す。図示するように、かかる態様では、“微細パターンＢの窪み６０と相似形状の凹部５０”が、その微細パターンＢを取り囲むように形成されている。つまり、微細パターンＢを取り囲むような包囲線に沿って“微細パターンＢの窪み６０と相似形状の凹部５０”が形成されている。かかる態様であっても、“電鋳時に微細パターン領域に生じ得る応力”を緩和することができる。
【００５８】
“微細パターンＢの窪みと相似形状”ゆえに、凹部の各種寸法は、微細パターンＢを構成する各窪みと相似であってよい。例えば、相似倍率は０．３〜０．９５程度であってよい。しかしながら、必ずしもこれに限定されず、例えば凹部５０の深さ寸法などは、相似倍率に依らず、微細パターンＢを構成する各窪み６０の深さ寸法よりも小さくてもよい。
【００５９】
図示するように、“微細パターンＢの窪みと相似形状の凹部”の態様であっても、それが複数の群から形成されていてもよく、更には、より内側に位置する“相似形状の凹部”の相似倍率が、より外側に位置する“相似形状の凹部”の相似倍率よりも大きくなっていてよい。
【００６０】
（２種類の微細パターンの場合の凹部パターン）
上記では「１種類の微細パターンとその周辺部に凹部パターン」の態様を主として説明したが、２種類以上の微細パターンの場合であっても本発明は適用できる。図１０（ａ）および図１０（ｂ）に例示的に“２種類の微細パターンの場合の凹部パターン”の態様を示す。
【００６１】
図示する態様では、レジストマスタの微細パターン形成面に微細パターンＢと微細パターンＢ’との２種類が形成されており、それらの周囲に凹部パターンが応力緩衝領域（５０ａ，５０ｂ）として形成されている。また、図示する態様では、上述の「微細パターンＢの窪みと相似形状の凹部」が形成されている。
【００６２】
図１０（ｂ）の断面図から分かるように、微細パターンＢと微細パターンＢ’との間に存在する応力緩衝領域５０ａでは、微細パターンＢおよびＢ’の三次元的高低を緩和している。また、図１０に示す態様から分かるように、「微細パターンＢの各窪み６０ａの径」と「微細パターンＢ’の窪み６０ｂの径」との差分（絶対値）の約１／４ずつ“相似形状の凹部”の径が段階的に変化していてよい。また、同様に、「微細パターンＢの各窪み６０ａの深さ」と「微細パターンＢ’の窪み６０ｂの深さ」との差分（絶対値）の約１／４ずつ“相似形状の凹部”の深さが段階的に変化していてよい。
【００６３】
ちなみに、微細パターンＢ’からフラットな鏡面部分への遷移領域では、上述の「微細パターンＢ’の各窪みと相似形状の凹部」が形成されているが、その径が１／４×ｄずつ変化している（ｄ：微細パターンＢの各窪み６０ｂの径寸法）。同様に、その遷移領域では、その深さが１／４×ｈずつ変化している（ｈ：微細パターンＢの各窪み６０ｂの深さ寸法）。
【００６４】
《本発明のスタンパ》
次に、本発明のスタンパについて説明する。本発明のスタンパは、上述のスタンパ製造方法を実施することによって得られるスタンパである。つまり、本発明のスタンパは、本発明のレジストマスタを母型とした電鋳を行うことによって形成されたものである。かかるスタンパは、レジストマスタの微細パターンＢの反転形状に相当する微細パターンＡが形成されており、かつ、微細パターンＡを取り囲むような包囲線に沿って凸部パターンも形成されている。
【００６５】
例示として本発明のスタンパ７０を図１１に示す。図示するスタンパ７０は、図５および図６のレジストマスタを用いた電鋳によって得られるスタンパである。図示するように、スタンパの微細パターン形成面では、レジストマスタの微細パターンＢの反転形状に相当する微細パターンＡが形成されていると共に、その微細パターンＡを取り囲むように凸部パターン５０’が形成されている。かかる凸部パターン５０’は、レジストマスタの凹部パターン５０に起因しており、その反転形状に相当する。つまり、スタンパの形状は、その製造に用いられるレジストマスタの形状に起因するため、スタンパの微細パターンＡおよび凸部パターンの各種寸法は、レジストマスタの微細パターンＢおよび凹部パターンと同様になり得る。
【００６６】
例えば、スタンパの凸部５０’の高さ寸法は、微細パターンＡを構成する各隆起部６０’の高さ寸法よりも好ましくは小さく、例えば、好ましくは１〜３００μｍ、より好ましくは５〜１００μｍ、更に好ましくは５〜４０μｍ程度である。特に図１１に示すように、スタンパの凸部パターンが複数の環状凸部５０’から構成される場合では、より内側に位置する環状凸部５０’の高さ寸法が、より外側に位置する環状凸部５０’の高さ寸法よりも大きくなっていることが好ましい。つまり、複数の環状凸部５０’につき、その高さ寸法が内側に向かって段階的に大きくなっていることが好ましく、逆の見方をすれば、外側に向かって段階的に小さくなっていることが好ましい。
【００６７】
また、例えば、微細パターンＡと凸部パターンとの離隔距離は、好ましくは0.2Lf’〜2Lf’、より好ましくは0.5Lf’〜1.5Lf’、更に好ましくは0.8Lf’〜1.2Lf’程度である（Lf’：隆起部６０’間の距離）。更に言えば、例えば、スタンパの凸部パターンの幅寸法は、微細パターンＡを構成する各隆起部の幅寸法よりも小さいことが好ましく、例えば0.2Lf’〜2Lf’、より好ましくは0.2Lf’〜1.2Lf’、更に好ましくは0.2Lf’〜0.8Lf’程度である。
【００６８】
その他、レジストマスタの形状に応じて、スタンパの凸部パターンは、連続的に形成されていたり、あるいは、その少なくとも一部が断続的に形成されていたりする。更には、スタンパの凸部パターンとして、微細パターンＡを構成する各隆起部と同一形状又は相似形状の凸部が包囲線（即ち、微細パターンＡを囲む包囲線）に沿って複数形成されていたりする。かかる場合、好ましくは、より内側の包囲線に沿って設けられている凸部の各々の高さ寸法が、より外側の包囲線に沿って設けられている凸部の各々の高さ寸法よりも大きくなっている。
【００６９】
尚、スタンパの材質は、電鋳に用いためっき金属（即ち“電鋳金属”）の種類に依存しており、例えばＮｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＳｎおよびＺｎから成る群から選択される少なくとも１種類以上の金属材料である。また、スタンパの厚さは、電鋳時のめっき厚に依存しているが、例えば５０〜１０００μｍ程度である。
【００７０】
《本発明の成形品》
次に、本発明の成形品について説明する。本発明の成形品は、上述のスタンパを金型ないしは鋳型として用いた射出成形を行うことによって得られるものである。具体的には、金属製スタンパの外形を加工し、それを成形機に取り付けて射出成形を実施することによって本発明の成形品を得ることができる。成形樹脂としては、種々の樹脂を用いることができる。例えば、環状ポリオレフィン、シクロオレフィン樹脂、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、ポリジメチルシロキサン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルエーテル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアリルアミン、ポリビニルアルコール、ポリテトラフルオロエチレン、アクリロニトリル樹脂、ブタジエン樹脂、スチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリアミド、ポリアセタール、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンイミン、ポリフェニレンスルファイド、ポリスルホン、ポリエーテルサルフォン、非晶ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトンおよびポアミドイミドから成る群から選択される少なくとも１種以上のポリマーを用いることができる。
【００７１】
本発明の成形品は、スタンパの微細パターンＡの反転形状に相当する微細パターンＣが形成されており、成形品の微細パターン形成面においては、微細パターンＣを取り囲むような包囲線に沿って凹部パターンが形成されている特徴を有している。
【００７２】
例示として本発明の成形品８０を図１２に示す。図示する成形品８０は、図１１のスタンパを用いた成形によって得られる成形品である。図示するように、成形品８０の微細パターン形成面では、スタンパの微細パターンＡの反転形状に相当する微細パターンＣが形成されていると共に、その微細パターンＣを取り囲むように凹部パターン５０'’が形成されている。かかる凹部パターン５０'’は、スタンパの凸部パターン５０'に起因しており、その反転形状に相当する。つまり、成形品の形状は、その成形に用いられるスタンパの形状に起因するため、成形品の微細パターンＣおよび凹パターンの各種寸法は、スタンパの微細パターンＡおよび凸部パターンと同様になり得る。これは、成形品の微細パターンＣおよび凹パターンの各種寸法が、レジストマスタの微細パターンＢおよび凹部パターンと同様になり得ることも意味している。
【００７３】
例えば、図１２に示すような凹部５０'’の深さ寸法は、微細パターンＣを構成する各窪み６０”の深さ寸法よりも好ましくは小さく、例えば、好ましくは１〜３００μｍ、より好ましくは５〜１００μｍ、更に好ましくは５〜４０μｍ程度である。特に図１２に示すように、成形品の凹部パターンとして複数の環状凹部５０'’から構成される場合では、より内側に位置する環状凹部の深さ寸法が、より外側に位置する環状凹部の深さ寸法よりも大きくなっていることが好ましい。つまり、複数の環状凹部５０'’につき、その深さ寸法が内側に向かって段階的に大きくなっていることが好ましく、逆の見方をすれば、外側に向かって段階的に小さくなっていることが好ましい。
【００７４】
また、例えば、微細パターンＣと凹部パターンとの離隔距離は、好ましくは0.2Lf”〜2Lf”、より好ましくは0.5Lf”〜1.5Lf”、更に好ましくは0.8Lf”〜1.2Lf”程度である（Lf”：窪み６０”間の距離）。更に言えば、例えば、成形品の凹部パターンの幅寸法は、微細パターンＣを構成する各窪みの幅寸法よりも小さいことが好ましく、例えば0.2Lf”〜2Lf”、より好ましくは0.2Lf”〜1.2Lf”、更に好ましくは0.2Lf”〜0.8Lf”程度である。
【００７５】
その他、スタンパの形状に応じて（即ち、レジストマスタの形状に応じて）、成形品の凹部パターンが、連続的に形成されていたり、あるいは、その少なくとも一部が断続的に形成されていたりする。更には、成形品の凹部パターンとして、微細パターンＣを構成する各窪みと同一形状又は相似形状の凹部が包囲線（即ち、微細パターンＣを囲む包囲線）に沿って複数形成されていたりする。尚、かかる場合、より内側の包囲線に沿って設けられている凹部の各々の深さ寸法が、より外側の包囲線に沿って設けられている凹部の各々の深さ寸法よりも大きくなっていることが好ましい。尚、成形品自体の厚さは、例えば１００μｍ〜５０ｍｍ程度である。
【００７６】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明の適用範囲のうちの典型例を例示したに過ぎない。従って、本発明はこれに限定されず、種々の改変がなされ得ることを当業者は容易に理解されよう。例えば、以下の事項を挙げることができる。
【００７７】
●  図８〜図１０に示す態様では、凹部パターンの各凹部の形状が“円柱状”となっているものの、必ずしもかかる態様に限定されるわけではない。例えば、凹部パターンの各凹部の形状が“三角柱状”、“四角柱状”または“五角柱状”などであってよい。
【００７８】
● 本発明のスタンパ製造方法で用いる電鋳では、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＳｎおよびＺｎから成る群から選択される少なくとも１種類以上の金属を用いることができるものの、必ずしもかかる態様に限定されるわけではない。例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｚｎのいづれかの金属を主体とした合金めっきや、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）などを分散してめっき皮膜に取り込みロール状あるいは平面板のスタンパを作製することも出来る。また、Ｍｎ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｗ、Ｓｂ、Ｍｏ、Ｐ、Ｂ、Ｓなどをめっき皮膜中に積極的に取り込むことによって、硬度や潤滑性、粘り強さを高めたロール状あるいは平面板の合金製スタンパを作ることもできる。
【００７９】
● 本明細書では、めっき液を用いた湿式めっきによってレジストマスタを得る態様について説明してきたが、必ずしもかかる態様に限定されるわけではなく、溶融めっきおよび真空めっき（ＰＶＤやＣＶＤなど）などの乾式めっきであっても、本発明の効果としては実質的に変わりはない。
【００８０】
● 本明細書では主としてフォトリソグラフィーによってレジストマスタを得る態様について説明してきたが、必ずしもかかる態様に限定されるわけではなく、同様の微細パターンおよび凹部パターンを形成できるのであれば、いずれの作製法を採用してもよい。
【００８１】
● 本明細書では主として射出成形によって成形品を得る態様について説明してきたが、必ずしもかかる態様に限定されるわけではなく、同様の微細パターンおよび凹部パターンを形成できるのであれば、いずれの成形法を採用してもよい（例えば、ナノインプリントなどの技術を適用してもよい）。
【００８２】
尚、本発明は、下記の態様を有するものであることを確認的に述べておく。
［第１態様］：凹凸形状の微細パターンが形成された微細パターン群を少なくとも１箇所以上有し、
該微細パターン群と三次元的に異なる形状を有する周辺領域との間に境界領域が存在する微細パターン群において、
該境界領域に三次元構造を段階的に緩衝するための緩衝パターン領域を設けた微細パターンの集合構造物。
［第２態様］：上記第１態様の集合構造物において、緩衝パターン領域における緩衝パターン形状が微細パターンと相似な形状を有して成ることを特徴とする微細パターンの集合構造物。
［第３態様］：上記第１態様の集合構造物において、緩衝パターン領域における個々の緩衝パターン形状の寸法が、微細パターン形状の幅Ｗ、長さＬ、高さＨのうちの少なくともいずれか１つよりも小さくなっていることを特徴とする微細パターンの集合構造物。
［第４態様］：上記第１態様の集合構造物において、緩衝パターン領域の個々の緩衝パターンのピッチ（間隔）が微細パターンの個々のピッチ（間隔）と同等かもしくは±３０％以内であることを特徴とする微細パターンの集合構造物。
［第５態様］：上記第１態様の集合構造物において、緩衝パターン領域の個々の緩衝パターンのピッチ（間隔）が微細パターンの個々のピッチ（間隔）よりも広く、かつ、個々の緩衝パターンの形状が個々の微細パターンよりも長いことを特徴とする微細パターンの集合構造物。
［第６態様］：上記第１態様の集合構造物において、緩衝パターンによって微細パターン領域が取り囲まれていることを特徴とする微細パターンの集合構造物。
［第７態様］：上記第３態様の集合構造物において、微細パターンの高さ・深さをＨとすると、緩衝パターン領域の緩衝パターンの高さ・深さが１／３Ｈから１／５Ｈの範囲で変化（増加・減少）することを特徴とする微細パターンの集合構造物。
［第８態様］：上記第１態様の集合構造物において、緩衝パターン領域の個々の緩衝パターンにつき、微細パターン群Ａと微細パターン群Ｂを緩衝する際に、微細パターン群Ａの高さ・深さをＨａおよび面積をＳａとし、微細パターン群Ｂの高さ・深さをＨｂおよび面積をＳｂとしたとき、
Ｈａ＞Ｈｂの場合では、Ｈａ−Ｘ/４×（Ｈａ−Ｈｂ）（ｘ＝１,２,３）の条件下でもって緩衝領域のパターンの高さが|(Ｈａ−Ｈｂ)|／４ずつ段階的に変化し、また
面積がＳａ＞Ｓｂの場合、{（Ｓａ＾１／２）−ｘ／４×[（Ｓａ＾１／２）−（Ｓｂ＾１／２）]}＾２（ｘ＝１,２,３）の関係となるパターン中間の緩衝領域を有することを特徴とする微細パターンの集合構造物。
［第９態様］：上記第１態様の集合構造物において、環状ポリオレフィン、シクロオレフィン樹脂、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、ポリジメチルシロキサン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、アクリロニトリル樹脂、ブタジエン樹脂、スチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルファイド、ポリスルホン、ポリエーテルサルフォン、非晶ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトンおよびポアミドイミドから成る群から選択される少なくとも１種以上のポリマーを含んで成ることを特徴とする微細パターンの集合構造物。
［第１０態様］：上記第１態様の集合構造物において、集合構造物の土台となる基板がシリコンあるいはガラスを含んで成ることを特徴とする微細パターンの集合構造物。
【実施例】
【００８３】
本発明の効果を確かめるために、以下の比較例および実施例１〜５を実施した。
【００８４】
（比較例１）
比較例１として従来法によりスタンパを作製した。まず、“レジストマスタ”を作成した。具体的には、「表面が平滑であって鏡面状に研磨されていると共に、表面に熱酸化膜が形成されたシリコンウエハ基板」に対してヘキサメチルジシラザンを塗布して、１４０℃で１０分間ベークした。次いで、厚膜用のポジ型フォトレジスト（東京応化製ＰＭＥＲ  Ｐ-ＬＡ９００ＰＭ）を４０μｍの厚さでスピンコート法により塗布した。引き続いて、微細なウェルパターンが形成されているクロムマスク（図１３参照）をレジスト上に配置して超高圧ＵＶ光により密着露光を行った。この露光に用いたＵＶ光源としては、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）およびＩ線（３６５ｎｍ）を含んでいた。露光後、基板をＴＭＡＨ(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)３％の溶液により浸して現像を行うことによって、レジストマスタを得た。
【００８５】
この時点のレジストマスタでは、微細パターンの境界部分に“変形”が生じてないことを顕微鏡により確認した。
【００８６】
かかるレジストマスタに対して導電膜としてＮｉスパッタ膜を形成した後、電鋳を実施した。具体的には、スルファミン酸ニッケルめっき液を用い、これにｐＨ緩衝用の硼酸および陽極Ｎｉの溶解を促進するための塩化Ｎｉを添加した。ｐＨ調整にはスルファミン酸を用い、常にｐＨ３．８〜４．２の範囲になるように調整した。めっき液の温度は５０℃とし、めっき液を常時濾過した。このような条件下で電鋳を実施した。
【００８７】
上記電鋳により得られたスタンパ（厚さ４００μｍ）の微細パターン外周部をＳＥＭにより観察したところ、微細パターンとその周辺部との境界付近に形状変形（即ち“局所的な変形”）がみられた。
【００８８】
付加的に、めっき時の電流密度を調整し応力を様々に変化させる試験も行った。“めっき膜応力”は、同じめっき液を用い、環境も同条件に設定してストリップ式応力測定試験により求めた。結果を表１に示す。
【００８９】
（実施例１）
実施例１として本発明に従ってスタンパを作製した。具体的には図３および図４に示すようなレジストマスタを用いてスタンパを作製した。
【００９０】
より具体的には、「表面が平滑であって鏡面状に研磨されていると共に、表面に熱酸化膜が形成されたシリコンウエハ基板」に対してヘキサメチルジシラザンを塗布して、１４０℃で１０分間ベークした。次いで、厚膜用のポジ型フォトレジスト（東京応化製ＰＭＥＲ  Ｐ-ＬＡ９００ＰＭ）を４０μｍの厚さでスピンコート法により塗布した。引き続いて、微細なウェルパターンとそれを包囲する凹部パターンが形成されているクロムマスクをレジスト上に配置して超高圧ＵＶ光により密着露光を行った。本実施例では、凹部パターンの高さ調整ができるように、マスクとしてはハーフトーンマスクを用いた。露光に用いたＵＶ光源としては、比較例１と同様、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）およびＩ線（３６５ｎｍ）を含んでいた。露光後、基板をＴＭＡＨ(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)３％の溶液により浸して現像を行うことによって、レジストマスタを得た。
【００９１】
この時点のレジストマスタでは、微細パターンの境界部分に“変形”が生じてないことを顕微鏡により確認した。
【００９２】
かかるレジストマスタに対して導電膜としてＮｉスパッタ膜を形成した後、電鋳を実施した。具体的には、スルファミン酸ニッケルめっき液を用い、これにｐＨ緩衝用の硼酸および陽極Ｎｉの溶解を促進するための塩化Ｎｉを添加した。ｐＨ調整にはスルファミン酸を用い、常にｐＨ３．８〜４．２の範囲になるように調整した。めっき液の温度は５０℃とし、めっき液を常時濾過した。このような条件下で電鋳を実施した。
【００９３】
上記電鋳により得られたスタンパ（厚さ４００μｍ）の微細パターン外周部をＳＥＭにより観察したところ、実施例１では、微細パターンとその周辺部との境界付近に形状変形（即ち“局所的な変形”）がみられなかった。
【００９４】
尚、比較例１と同様、めっき時の電流密度を調整し応力を様々に変化させる試験を行うことによって“めっき膜応力”の大小による“形状変形”の有無を調べた。結果を表１に示す。
【００９５】
（実施例２）
実施例２として本発明に従ってスタンパを作製した。具体的には図７に示すようなレジストマスタを用いてスタンパを作製した。用いたマスクのパターンを変更した以外は、実質的に実施例１と同様の操作によってスタンパを得た。
【００９６】
上記電鋳により得られたスタンパの微細パターン外周部をＳＥＭにより観察したところ、実施例２では、微細パターンとその周辺部との境界付近に形状変形はみられなかった。そして、比較例１と同様、めっき時の電流密度を調整し応力を様々に変化させる試験を行うことによって“めっき膜応力”の大小による“形状変形”の有無を調べた。結果を表１に示す。
【００９７】
（実施例３）
実施例３として本発明に従ってスタンパを作製した。具体的には図８に示すようなレジストマスタを用いてスタンパを作製した。用いたマスクのパターンを変更した以外は、実質的に実施例１と同様の操作によりスタンパを得た。
【００９８】
上記電鋳により得られたスタンパの微細パターン外周部をＳＥＭにより観察したところ、実施例３では、微細パターンとその周辺部との境界付近に形状変形はみられなかった。そして、比較例１と同様、めっき時の電流密度を調整し応力を様々に変化させる試験を行うことによって“めっき膜応力”の大小による“形状変形”の有無を調べた。結果を表１に示す。
【００９９】
（実施例４）
実施例４として本発明に従ってスタンパを作製した。具体的には図９に示すようなレジストマスタを用いてスタンパを作製した。用いたマスクのパターンを変更した以外は、実質的に実施例１と同様の操作によりスタンパを得た。
【０１００】
上記電鋳により得られたスタンパの微細パターン外周部をＳＥＭにより観察したところ、実施例４では、微細パターンとその周辺部との境界付近に形状変形がみられなかった。そして、比較例１と同様、めっき時の電流密度を調整し応力を様々に変化させる試験を行うことによって“めっき膜応力”の大小による“形状変形”の有無を調べた。結果を表１に示す。
【０１０１】
尚、本実施例４では、得られたスタンパを鋳型として用いることによって射出成形を行った。具体的には、金属製スタンパの外形を加工して成形機に取り付けた上で、シクロオレフィン樹脂を成形樹脂として用いて射出成形を実施した（樹脂温度：３４０℃、鋳型温度：１２５℃、射出速度：３００ｍｍ／ｓ、保持圧力：７０ＭＰａ）。かかる射出成形によって、本発明のプレート状成形品を得ることができた。かかる成形品では、フローマーク等の欠陥がなく、高精度に微細パターンが確実に転写された。これにより、「スタンパの凸部パターン（即ち、レジストマスタの凹部パターンに起因して形成された凸部）」が微細パターンに影響を及ぼさないことが分かった。
【０１０２】
（実施例５）
実施例５として本発明に従ってスタンパを作製した。具体的には図１０に示すようなレジストマスタを用いてスタンパを作製した。用いたマスクのパターンを変更した以外は、実質的に実施例１と同様の操作によりスタンパを得た。
【０１０３】
上記電鋳により得られたスタンパの微細パターン外周部をＳＥＭにより観察したところ、実施例５では、微細パターンとその周辺部との境界付近に位置している形状変形はみられなかった。そして、比較例１と同様、めっき時の電流密度を調整し応力を様々に変化させる試験を行うことによって“めっき膜応力”の大小による“形状変形”の有無を調べた。結果を表１に示す。
【０１０４】
【表１】
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【０１０５】
表１において、めっき応力がプラス側では引っ張り応力を表し、マイナス側では圧縮応力を表している。０は応力がほぼ無い状態と推定される条件である。そして、表１において、「×」はほぼ全周にわたりパターンの変形が確認されたことを示している。一方、「○」は変形なし、「△」は一部箇所に若干の変形が見られたことを示している。
【０１０６】
表１から分かるように、比較例１では略全ての条件で変形が確認された。応力がほぼ０の条件でも一部分に若干の変形がみられたことから、めっき膜全体の応力のみではなく、微細パターン自体の三次元的な構造により、周辺部の応力が変化しているのではないかとも推察される。これに対して、実施例１〜５では、ほとんどの条件で「変形なし」となり、本発明の“レジスト凹部パターン”が有効であることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明のスタンパ製造方法から最終的に得られるプレート状成形品（即ち、本発明のレジストマスタおよびスタンパから得られる樹脂成形品）を用いると、標的物質の分析、抽出または精製や、細胞の分離、検出またはスクリーニングなどができる（特に、かかる処理・操作を一度に多量に行うことができる）。従って、本発明のプレート状成形品は、遺伝子解析、発現解析、蛋白解析、抗原・抗体反応解析または細胞解析等の用途に供すことができる。
【符号の説明】
【０１０８】
１０    基板
２０    レジスト膜
３０    マスク
４０    レジストマスタ
５０    応力緩衝領域を構成する凹部パターン
６０    微細パターンＢを構成する各窪み
７０    スタンパ
５０’  凸部パターン
８０    成形品
５０''  凹部パターン
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図３】
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【図５】
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【図１０】
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