(57)【要約】【課題】積層型の有機ＥＬ素子において、断線不良の発生を低減して、製造工程における歩留まりを向上させる。【解決手段】少なくとも二つの電極（陽極と陰極）に挟まれた有機ＥＬ層１０１、１０２を有する有機ＥＬ素子であって、有機ＥＬ層１０１、１０２には、その一部が除去されたコンタクトホールが形成されている。コンタクトホールは、一側から他側に向かって傾斜した多段（例えば２段）の壁面を備えている。コンタクトホールの壁面は、一側から深さ方向の途中までの急な傾斜を有する壁部１０３と、深さ方向の途中から他側までの緩い傾斜を有する壁部１０４とを備えている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも二つの電極に挟まれた有機ＥＬ層を有する有機ＥＬ素子であって、
前記有機ＥＬ層には、その一部が除去されたコンタクトホールが形成されており、
前記コンタクトホールは、一側から他側に向かって傾斜した多段の壁面を備えるとともに、当該壁面の途中において傾斜角度が緩くなっていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
少なくとも二つの電極に挟まれた二層以上の有機ＥＬ層を有する有機ＥＬ素子であって、
前記有機ＥＬ層には、その一部が除去されたコンタクトホールが形成されており、
前記コンタクトホールは、一側から他側に向かって傾斜した多段の壁面を備えるとともに、当該壁面の途中において傾斜角度が緩くなっていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項３】
少なくとも二つの電極に挟まれた有機ＥＬ層を有し、当該有機ＥＬ層の一部に対して、相対的にスポット径が異なる二つのレーザー光を照射してコンタクトホールを形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記有機ＥＬ層に対して、相対的にスポット径の小さなレーザー光で貫通孔を形成する工程と、
更に同軸上の有機ＥＬ層に対して、相対的にスポット径の大きなレーザー光を、前記スポット径の小さなレーザー光よりも弱く照射して、当該レーザー光を照射する側のコンタクトホール周辺部分に凹部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
少なくとも二つの電極に挟まれた有機ＥＬ層を有し、当該有機ＥＬ層の一部に対して、相対的にスポット径が異なる二つのレーザー光を照射してコンタクトホールを形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記有機ＥＬ層に対して、相対的にスポット径の大きなレーザー光を照射して凹部を形成する工程と、
更に同軸上の有機ＥＬ層に対して、相対的にスポット径の小さなレーザー光を、前記スポット径の大きなレーザー光よりも強く照射して、コンタクトホールを貫通加工する工程と、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
少なくとも二つの電極に挟まれた有機ＥＬ層を有し、当該有機ＥＬ層の一部に対して、相対的にスポット径が異なる二つのレーザー光を照射してコンタクトホールを形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記有機ＥＬ層に対して、照射位置に焦点を合わせながら、相対的にスポット径の小さなレーザー光で貫通孔を形成する工程と、
更に同軸上の前記有機ＥＬ層に対して、照射位置から焦点をずらしながら、相対的にスポット径の大きなレーザー光を照射して、当該レーザー光を照射する側のコンタクトホール周辺部分に凹部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
少なくとも二つの電極に挟まれた有機ＥＬ層を有し、当該有機ＥＬ層の一部に対して、相対的にスポット径が異なる二つのレーザー光を照射してコンタクトホールを形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記有機ＥＬ層に対して、照射位置から焦点をずらしながら、相対的にスポット径の大きなレーザー光を照射して凹部を形成する工程と、
更に同軸上の有機ＥＬ層に対して、照射位置に焦点を合わせながら、相対的にスポット径の小さなレーザー光を照射して、コンタクトホールを貫通加工する工程と、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子及びその製造方法に関するものであり、特に、基板上に発光層を含む有機ＥＬ層を複数積層した有機ＥＬ素子に好適に適用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
１画素を１つのピクセルで構成する有機ＥＬ素子が開示されている（特許文献１参照）。この有機ＥＬ素子においては、絶縁基板上に、独立に駆動できる３つの有機ＥＬ素子が積層され、素子間にはショートを防止するために透明無機層が形成されている。また、それぞれの素子の少なくとも一方の電極は、コンタクトホールを介して基板上のアクティブ素子に電気的に接続されている。このような構成とすることにより、従来は１画素を３つのサブピクセルで構成し、それぞれにＲＧＢを割り当てていたものが、１画素を１つのサブピクセルで構成することができ、より高精細とすることが可能である。
【０００３】
このように、複数の有機ＥＬ素子を積層させる構成の有機ＥＬ素子において、各素子の電極を、コンタクトホールを介して電気的に接続させ、素子間に電圧を印加して所望の発光状態を得るようにしたものが知られている。
【０００４】
また、このコンタクトホールの形成にはレーザー加工を用いるのが一般的である。コンタクトホールの加工方法として、第１のレーザー光でコンタクトホールを加工し、第１のレーザー光より弱いエネルギーの第２のレーザー光をより広い径で照射して、コンタクトホールの周囲にできた加工残渣を除去して、断線不良を防ぐ技術が開示されている。具体的には、特許文献２で示されている技術が開示されている。
【０００５】
さらに、他のコンタクトホールの加工方法として、照射するレーザー光をデフォーカスしてテーパーを設ける技術が開示されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１２３５９号公報
【特許文献２】特開２００３−３４７１４４号公報
【特許文献３】特開２００２−３１３９１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に記載された有機ＥＬ素子では、コンタクトホールの壁面の角度が急傾斜であるために、上部電極を堆積した際に断線不良が発生する可能性が高かった。また、特許文献２に記載されている技術では、コンタクトホールの壁面の角度が急傾斜のままで薄い電極を堆積した場合、断線する可能性が高かった。さらに、特許文献３に開示されている技術では、一度にコンタクトホールを貫通加工すると、有機ＥＬ層のエッジが急傾斜となってしまう場合があった。
【０００８】
本発明は上述した事情に鑑み提案されたもので、積層型の有機ＥＬ素子において、断線不良の発生を低減して、製造工程における歩留まりを向上させることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ素子は、上述した目的を達成するために、以下の特徴点を有している。すなわち、本発明の有機ＥＬ素子は、少なくとも二つの電極に挟まれた有機ＥＬ層を有しており、有機ＥＬ層には、その一部が除去されたコンタクトホールが形成されている。そして、当該コンタクトホールは、一側から他側に向かって傾斜した多段の壁面を備えており、当該壁面の途中において傾斜角度が緩くなっていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の有機ＥＬ素子は、一側から他側に向かって傾斜した多段の壁面を備えたコンタクトホールを形成し、さらに、形成されたコンタクトホールの壁面の途中において傾斜角度が緩くなった構造を有している。このような構造とすることにより、断線不良のない積層型の有機ＥＬ素子を得ることができ、製造工程における歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子におけるコンタクトホールの断面形状を示す模式図。
【図２】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程途中におけるコンタクトホールの断面形状を示す模式図。
【図３】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子におけるコンタクトホールに対して薄い上部電極を堆積した際の断面形状を示す模式図。
【図４】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図。
【図５】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の平面構造を示す模式図。
【図６】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子におけるコンタクトホール付近の断面構造を示す模式図。
【図７】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程を示す模式図。
【図８】本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図。
【図９】本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ素子の平面構造を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜有機ＥＬ素子の概略構成＞
以下、図面を参照して、本発明に係る有機ＥＬ素子及びその製造方法の実施形態の概略を説明する。
【００１３】
図１乃至図５に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す。図１はコンタクトホールの断面形状を示す模式図、図２は製造工程途中におけるコンタクトホールの断面形状を示す模式図、図３はコンタクトホールに対して薄い上部電極を堆積した際の断面形状を示す模式図である。また、図４は有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図、図５は図４に示す有機ＥＬ素子の平面構造を示す模式図である。
【００１４】
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子は、図１に示すように、少なくとも二つの電極に挟まれた一層又は二層以上の有機ＥＬ層１０１、１０２を有している。尚、有機ＥＬ層が複数ある場合、その層の数は、好ましくは、二層以上三層以下である。ここで、有機ＥＬ層１０１、１０２には、その一部が除去されたコンタクトホールが形成されている。このコンタクトホールは、一側から他側に向かって傾斜した多段の壁面を備えており、当該壁面の途中において傾斜角度が緩くなっている。すなわち、コンタクトホールは、図１に示すように、一側から深さ方向の途中までの急な傾斜を有する壁部１０３と、深さ方向の途中から他側までの緩い傾斜を有する壁部１０４とを備えている。
【００１５】
また、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、図４又は図５に示すように、少なくとも二つの電極（陽極２０１、２０２／陰極２０３）に挟まれた有機ＥＬ層２０５の一部に対してレーザー光を照射して、コンタクトホール２１１を形成する。このレーザー光は、相対的にスポット径が異なる二つのレーザー光からなる。この際、まず初めに、相対的にスポット径の小さなレーザー光で貫通孔を形成する工程を実施する。続いて、同軸上の有機ＥＬ層に対して、相対的にスポット径の大きなレーザー光を、スポット径の小さなレーザー光よりも弱く照射して、当該レーザー光を照射する側のコンタクトホール周辺部分に凹部を形成する工程を実施する。
【００１６】
あるいは、図２に示すように、まず初めに、レーザー照射装置側の有機ＥＬ層１０１に対して、相対的にスポット径の大きなレーザー光を照射して凹部１０５を形成する工程を実施する。続いて、図３に示すように、同軸上の有機ＥＬ層１０１、１０２に対して、相対的にスポット径の小さなレーザー光を、スポット径の大きなレーザー光よりも強く照射して、コンタクトホールを貫通加工する工程を実施する。なお、図３に示す例では、コンタクトホールを覆うように、Ａｇ電極１０６が形成されている。
【００１７】
また、他の製造方法として、まず初めに、有機ＥＬ層に対して、照射位置に焦点を合わせながら、相対的にスポット径の小さなレーザー光で貫通孔を形成する工程を実施する。続いて、同軸上の有機ＥＬ層に対して、照射位置から焦点をずらしながら、相対的にスポット径の大きなレーザー光を照射して、当該レーザー光を照射する側のコンタクトホール周辺部分に凹部を形成する工程を実施する。
【００１８】
あるいは、まず初めに、有機ＥＬ層に対して、照射位置から焦点をずらしながら、相対的にスポット径の大きなレーザー光を照射して凹部を形成する工程を実施する。続いて、同軸上の有機ＥＬ層に対して、照射位置に焦点を合わせながら、相対的にスポット径の小さなレーザー光を照射して、コンタクトホールを貫通加工する工程を実施する。
【００１９】
＜有機ＥＬ素子の断面構造＞
次に、図面を参照して、本発明に係る有機ＥＬ素子及びその製造方法の実施形態を具体的に説明する。
【００２０】
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子は、図１に示すように、二層の有機ＥＬ層１０１、１０２を有しており、これらの有機ＥＬ層１０１、１０２を貫通してコンタクトホールが形成されている。コンタクトホールは、二段の壁面を備えており、有機ＥＬ層１０２側の壁面の傾斜角度に比較して、有機ＥＬ層１０１側の傾斜角度が緩くなっている。
【００２１】
また、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子は、図４に示すように、分離された二つの陽極２０１、２０２の上に、それぞれ有機ＥＬ層２０５、２０６が形成されている。図４に示す例では、陽極２０１の上にブルーの有機ＥＬ層２０５が形成されており、陽極２０２の上にグリーンの有機ＥＬ層２０６が形成されている。さらに、有機ＥＬ層２０５、２０６の上に共通の陰極２０３を積層し、その上にレッドの有機ＥＬ層２０７を他の２色とは逆の極性に積層し、最上部の陽極２０４を形成している。なお、図４において、２０８、２０９、２１０は、それぞれの色を別個に駆動する回路である。
【００２２】
＜有機ＥＬ素子の平面構造＞
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子は、図５に示すように、ブルーの有機ＥＬ層（図示せず）とレッドの有機ＥＬ層２０７に対して、コンタクトホール２１１を開口する。なお、最上部の陽極２０４は、下部に配置された駆動回路に電気的に接続されている。
【００２３】
＜無機膜を有する有機ＥＬ素子＞
次に、上述した構成に無機膜を追加し、その上にレッドの陽極を堆積した他の実施形態に係る有機ＥＬ素子について説明する。図８は、他の実施形態に係る有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図を示すものである。また、図９は、図８に示す有機ＥＬ素子の平面構造を示す模式図である。
【００２４】
図８に示す有機ＥＬ素子は、図４及び図５に示す有機ＥＬ素子の構成に無機膜６０７を追加し、その上にレッドの陽極６０３を堆積したものである。この有機ＥＬ素子では、レッドの有機ＥＬ層６１０を他の色と同じ極性で積み上げ、最後に陰極６０５を堆積している。また、図９に示すように、ブルーの有機ＥＬ層（図示せず）と無機膜６０７、レッドの有機ＥＬ層６１０にコンタクトホール６１４を開けて、最上部の陰極６０５は下部に配置された駆動回路のグランド（アース６０４）に電気的に接続されている。
【００２５】
なお、図８及び図９において、６０１、６０２、６０３は陽極、６０４はアース、６０５、６０６は陰極、６０７は無機膜、６０８、６０９、６１０は有機ＥＬ層、６１１、６１２、６１３は駆動回路、６１４はコンタクトホールをそれぞれ示す。
【００２６】
従来の技術では、有機ＥＬ層と無機層が積層された層に対して通常のレーザー加工によりコンタクトホールを開けると、側壁が急角度となり、これに薄い陽極を堆積すると、上面の淵の部分で断線する可能性が高かった。
【００２７】
そこで、本発明では、レーザー加工面を二段階とすることにより、コンタクトホール上面の部分をなだらかにし、これにより断線を防止している。ここでは、加工面を二段階としているが、三段階以上にしても同じ効果が得られることは言うまでもない。
【００２８】
図６は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子におけるコンタクトホール付近の断面構造を示す模式図であり、図５におけるＡ−Ａ断面を示すものである。
【００２９】
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子は、図６に示すように、基板２１７上に、駆動回路２０９、２１０、取り出し配線２１２、２１３、平坦化膜２１５、バンク層２１６を積層している。さらに、これら積層構造の上に、第１電極（陽極２０１）、第１有機ＥＬ層（ブルーの有機ＥＬ層２０５）、第２電極（陰極２０３）、第２有機ＥＬ層（レッドの有機ＥＬ層２０７）、第３電極（陽極２０４）が積層されている。
【００３０】
また、図示しないが、第１電極（陽極２０１）は、バンク層２１６に開けられたコンタクトホールで取り出し配線と接続されており、第３電極（陽極２０４）は、積層された有機ＥＬ層に開けられたコンタクトホール２１４で取り出し配線と接続されている。
【００３１】
ここで、有機ＥＬ層とは、少なくとも発光層を含む層であり、どのような積層構造を有していてもよい。有機ＥＬ層には、例えば単層型（発光層）、２層型（発光層／正孔注入層）、３層型（電子輸送層／発光層／正孔輸送層）、４層型（電子注入層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層）、５層型（電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層）等がある。なお、本実施形態では、２色積層の場合について記述したが、１色単層、３色積層の有機ＥＬ層にも適用することができる。
【００３２】
また、本実施形態では、第２電極（陰極２０３）、第３電極（陽極２０４）を透明電極とすることにより、トップエミッション型の有機ＥＬ素子を形成している。透明電極は、可視領域の光の透過率が高いほど、光取り出し効率を向上させるこができるのでより好ましく、例えば、ＩＴＯや、ＩＺＯといった導電性酸化物や薄いＡｇやＭｏなどの半透明金属膜材料を適用することができる。
【００３３】
ここで、第３電極（陽極２０４）のコンタクトホール部２１４について説明する。図１に示すように、有機ＥＬ層１０１、１０２に開けたコンタクトホールの側壁は、下方の壁部１０３に較べて上方の壁部１０４の傾斜が緩やかになっている。このため、コンタクトホールの上面の淵の部分での断線不良が発生しない。
【００３４】
なお、本実施形態ではトップエミッション型の有機ＥＬ素子について説明したが、有機ＥＬ層や電極の構成等を変更したボトムエミッション型の有機ＥＬ素子に対しても、本発明を適用できることは言うまでもない。
【００３５】
＜有機ＥＬ素子の製造工程＞
図７は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程を示す模式図である。ここでは、ブルーとレッドの有機ＥＬ層を積層した部分（図４の右側部分に該当）に付いて説明する。
【００３６】
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程において、まず初めに、絶縁性の基板３０１上に駆動回路３０３、３０５を形成した。続いて、フォトリソグラフィ処理を行い、導電性膜を堆積して配線３０２、３０４を形成した。続いて、感光性樹脂で平坦化膜３０６を形成し、形成時のフォトリソグラフィ処理でコンタクトホールを形成した。さらに、感光性樹脂でバンク層３０７を形成し、形成時のフォトリソグラフィ処理でコンタクトホール３０８、３０９を形成した（図７（ａ））。
【００３７】
続いて、フォトリソグラフィ処理で金属薄膜と透明伝導性薄膜を積層し、ブルー用の陽極３１０を形成した。さらに、マスク蒸着でブルーの有機ＥＬ層３１１を積層し、その上にマスクを使用して、中間の共通陰極（陰極３１２）として半透明金属薄膜あるいは透明導電性薄膜を２０ｎｍ堆積した。この時、半透明性電極としては、ＡｇやＭｏを適用することができる。また、透明導電性薄膜としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＷＺＯなどの酸化物導電性物質を適用することができる（図７（ｂ））。
【００３８】
続いて、マスク蒸着でレッドの有機ＥＬ層３１３を積層した（図７（ｃ））。そして、レーザー加工によってレッドの有機ＥＬ層にコンタクトホール３１４を形成した（図７（ｄ））。この時、半透明性電極としては、ＡｇやＭｏを適用することができる。また、透明導電性薄膜としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＷＺＯなどの酸化物導電性物質を適用することができる。
【００３９】
この時、まず初めに、径の小さな貫通口を出力の強いレーザー光で開けた。この際のエネルギーは、２０〜２００ｍＪ／ｃｍ2が好適である。次に、より弱い出力のレーザー光を貫通口よりも広い範囲に照射して、コンタクトホールの上部の壁面（図１において壁部１０４）に緩い傾斜をつけた。この際のエネルギーは、２〜３０ｍＪ／ｃｍ2が好適である。
【００４０】
また、二段階のレーザー加工を行い、焦点の合ったレーザー光で有機ＥＬ層を貫通加工し、さらに同軸上に焦点をずらせたレーザー光を弱く照射して、コンタクトホール周辺を浅く加工することによっても同様の形状を得ることができる。
【００４１】
この際用いるレーザーとしては、赤外乃至Ｘ線を発振できるものであればよく、例えば、炭酸ガスレーザー、ＨＦレーザー、ＹＡＧレーザー、ＹＬＦレーザー、半導体レーザー、エキシマーレーザーなどを挙げることができる。
【００４２】
さらに、マスクスパッターやマスク蒸着あるいは成膜後の切断加工により、半透明金属薄膜又は透明導電性薄膜を積層して、レッドの陽極３１５を形成した（図７（ｅ））。この後、封止処理（図示せず）を行って、外部回路と接続し、有機ＥＬ素子を完成させた。
【実施例１】
【００４３】
次に、本発明を適用した具体的な実施例について説明する。
【００４４】
図４を参照して実施例１を説明する。
【００４５】
実施例１の有機ＥＬ素子として、厚さ１００ｎｍＩＴＯを積層して、分離された陽極２０１、２０２の上に、グリーンの有機ＥＬ層２０６を８０ｎｍ形成し、ブルーの有機ＥＬ層２０５を７５ｎｍ形成した。さらに、Ａｇ膜３０ｎｍを積層して陰極２０３を形成し、その上にレッドの有機ＥＬ層２０７を１００ｎｍ積層し、最上部にＡｇを３０ｎｍ積層して陽極２０４を形成した。なお、図４において、符号２０８、２０９、２１０は、それぞれの色の画素を別個に駆動する回路である。
【００４６】
また、陰極２０３とコンタクトホールの形成にあたっては、二段階の加工により、側壁に沿って上側へ向かう途中で傾斜が緩やかになるように形成した。このようなコンタクトホールを形成した実施例１の有機ＥＬ素子では、共通陰極（陰極２０３）が断線することなく、コンタクトホール部を覆うことができた。
【００４７】
このような構成からなる有機ＥＬ素子を用いて、３インチ（６４０×４８０ドット）の有機ＥＬパネルを作製したところ、発光不良箇所はなかった。
［比較例１］
【００４８】
比較例では、コンタクトホールの形成にあたって、側壁に傾斜変化のない形状とし、その他の構成は実施例１と同様の有機ＥＬ素子を形成した。比較例の有機ＥＬ素子では、共通陰極（陰極２０３）において部分的に断線している箇所があった。
【００４９】
このような構成からなる有機ＥＬ素子を用いて、３インチ（６４０×４８０ドット）の有機ＥＬパネルを作製したところ、３６カ所の発光不良が発生した。
【実施例２】
【００５０】
図７を参照して、実施例２を説明する。
【００５１】
実施例２の有機ＥＬ素子として、０．５ｍｍの厚さで、１００ｍｍ□のガラス基板３０１に低温ポリシリコンで駆動回路３０３、３０５を形成した。画素ピッチは、約９２μｍとした。続いて、スパッターでＡｌＳｉを１００ｎｍ堆積して、フォトリソグラフィ処理を行い、取り出し配線３０２、３０４を形成した。続いて、感光性ポリイミドにより、平坦化膜３０６を２μｍ厚で形成した。さらに、スパッターでＩＺＯを１００ｎｍ堆積して、フォトリソグラフィ処理を行い取り出し電極を形成した。さらに、感光性ポリイミドでバンク層３０７を形成し、形成時のフォトリソグラフィ処理でブルー用のコンタクトホール３０８と、レッド用のコンタクトホール３０９とを形成した。
【００５２】
続いて、スパッターでＡｇを１００ｎｍ、ＩＺＯを７０ｎｍ積層して、フォトリソグラフィ処理でブルー用の陽極３１０を形成した。さらに、マスク蒸着でブルーの有機ＥＬ層３１１を８５ｎｍ積層し、その上にマスクを使って中間の共通陰極３１２としてＡｇを２０ｎｍ堆積した。
【００５３】
続いて、マスク蒸着でレッドの有機ＥＬ層３１３を７０ｎｍ積層した。そして、レーザー加工によってブルーとレッドが積層された有機ＥＬ層に、コンタクトホール３１４を形成した。
【００５４】
この時、まず初めに、Ｎｄ：ＹＡＧの基本波を使ったレーザー光で１０μｍΦの貫通口を開けた。この際のエネルギーは、６０ｍＪ／ｃｍ2であった。次に、ＫｒＦのエキシマーレーザー光を１５μｍΦで照射して、コンタクトホール上面に緩い傾斜をつけた。この際のエネルギーは、１０ｍＪ／ｃｍ2であった。
【００５５】
さらに、マスクスパッターでＡｇを１５ｎｍ、ＩＺＯを５０ｎｍ積層して、レッドの陽極３１５を形成した。この後、ガラスキャップ封止（図示せず）をして、外部回路と接続した。
【００５６】
このような構成からなる有機ＥＬ素子を用いて、３インチ（６４０×４８０ドット）の有機ＥＬパネルを作製したところ、発光不良箇所はなかった。
【実施例３】
【００５７】
実施例３では、レーザー加工によってレッドの有機ＥＬ層にコンタクトホール３１４を形成する工程において、最初にＫｒＦのエキシマーレーザー光を１５μｍΦで照射して、有機ＥＬ層に傾斜の緩い凹みを形成した。その他の構成は実施例２と同様の有機ＥＬ素子を形成した。
【００５８】
レーザー光のエネルギーは、１２ｍＪ／ｃｍ2であった。次に、Ｎｄ：ＹＡＧの基本波を使ったレーザー光で貫通口を開け、二段階の傾斜を持つコンタクトホールを形成した。この後、ガラスキャップ封止（図示せず）をして、外部回路と接続した。
【００５９】
このような構成からなる有機ＥＬ素子を用いて、３インチ（６４０×４８０ドット）の有機ＥＬパネルを作製したところ、発光不良箇所はなかった。
【実施例４】
【００６０】
実施例３では、レーザー加工によってレッドの有機ＥＬ層にコンタクトホール３１４を形成する工程において、最初にＮｄ：ＹＡＧの基本波のレーザー光を、２０μｍ焦点をずらして照射し、有機ＥＬ層に傾斜の緩い凹みを形成した。その他の構成は実施例２と同様の有機ＥＬ素子を形成した。
【００６１】
レーザー光のエネルギーは、１８ｍＪ／ｃｍ2であった。続いて、焦点の合ったレーザー光で貫通口を開け、二段階の傾斜を持つコンタクトホールを形成した。この後、ガラスキャップ封止（図示せず）をして、外部回路と接続した。
【００６２】
このような構成からなる有機ＥＬ素子を用いて、３インチ（６４０×４８０ドット）の有機ＥＬパネルを作製したところ、発光不良箇所はなかった。
【実施例５】
【００６３】
図８を参照して、実施例５を説明する。
【００６４】
実施例５の有機ＥＬ素子として、厚さ１００ｎｍの厚さでＩＴＯを積層し、分離された陽極６０１、６０２の上に、グリーンの有機ＥＬ層６０９を８０ｎｍ、ブルーの有機ＥＬ層６０８を７５ｎｍ形成した。続いて、Ａｇ膜３０ｎｍを積層して、陰極６０６を形成した。続いて、無機の絶縁層（無機膜６０７）として、ＳｉＯ2を３０ｎｍ堆積し、その上に厚さ３０ｎｍのＩＴＯを積層して陽極６０３とした。続いて、レッドの有機ＥＬ層６１０を１００ｎｍ積層し、最上部にＡｇを３０ｎｍ積層して陰極６０５を形成した。図８において、６１１、６１２、６１３は、それぞれの色の画素を別個に駆動する回路である。
【００６５】
また、陰極６０６とコンタクトホールの形成にあたっては、二段階の加工により、側壁に沿って上側へ向かう途中で傾斜が緩やかになるように形成した。このようなコンタクトホールを形成した実施例５の有機ＥＬ素子では、陰極６０６が断線することなく、コンタクトホール部を覆うことができた。
【００６６】
このような構成からなる有機ＥＬ素子を用いて、３インチ（６４０×４８０ドット）の有機ＥＬパネルを作製したところ、発光不良箇所はなかった。
【符号の説明】
【００６７】
１０１，１０２：有機ＥＬ層、１０３：傾斜のきついコンタクトホールの壁部、１０４：傾斜の緩いコンタクトホールの壁部、１０５：凹部、１０６：Ａｇ電極、２０１，２０２，２０４，３１０，３１５，６０１，６０２，６０３：陽極、２０３，３１２，６０５，６０６：陰極、２０５，３１１，６０８：ブルーの有機ＥＬ層、２０６，６０９：グリーンの有機ＥＬ層、２０７，３１３，６１０：レッドの有機ＥＬ層、２１１，２１４，３１４，６１４：コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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