(57)【要約】【課題】発光期間における画素回路の輝度レベルの低下を改善する。【解決手段】発光期間ＴＰ６における第２ノード７６０の電位上昇（Ｖｅｌ）に伴い、保持容量７３０により第１ノード７５０の電位が上昇する。この第１ノード７５０の電位上昇（Ｖｅｌ'）は駆動トランジスタの寄生容量などにより抑制されることから、信号電圧（Ｖｇｓ２）は期間ＴＰ５における信号電圧（Ｖｇｓ１）よりも低下する。発光期間ＴＰ７において補正容量７７０の一端に補正電位（Ｖｃ）が供給されるため、第２ノード７６０の電位は補正電位の低下量（ΔＶｃ）だけ低下する。このときも、第１ノード７５０の電位低下量（ΔＶｃ'）は駆動トランジスタの寄生容量などにより抑制される。このため、信号電圧（Ｖｇ３）は期間ＴＰ６における信号電圧（Ｖｇｓ２）よりも大きくなり、画素回路７００の輝度レベルが期間ＴＰ６に比べて大きくなる。【選択図】図３
2011064957.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素回路と、
前記画素回路の輝度を補正するための補正電位として前記画素回路の発光期間前の電位に比べて低い電位を前記画素回路に供給する補正電位供給回路とを具備し、
前記複数の画素回路の各々は、
映像信号に応じた信号電圧を保持するための保持容量と、
前記映像信号を前記保持容量の一端に書き込む書込みトランジスタと、
前記保持容量に保持された信号電圧に応じた信号電流を出力する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタから出力された前記信号電流に応じて発光する発光素子と、
前記発光期間において前記補正電位供給回路から当該補正容量の一端に供給された前記補正電位に応じて、当該補正容量の他端に接続された前記保持容量の他端の電位を低下させる補正容量と
を含む表示装置。
【請求項２】
前記補正電位供給回路は、前記発光期間前の電位に対する前記補正電位の低下量が前記映像信号の最大電圧に対する略３０％乃至５０％の電圧の大きさとなるように生成された所定の前記補正電位を前記補正容量の一端に供給する請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子により構成される請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記補正容量は、前記駆動トランジスタの移動度に対する補正を行うための移動度補正期間における前記保持容量の他端の電位上昇量を抑制する容量である請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
複数の画素回路と、
前記画素回路の輝度を補正するための補正電位として前記画素回路の発光期間前の電位に比べて低い電位を前記画素回路に供給する補正電位供給回路とを具備し、
前記複数の画素回路の各々は、
映像信号に応じた信号電圧を保持するための保持容量と、
前記映像信号を前記保持容量の一端に書き込む書込みトランジスタと、
前記保持容量に保持された信号電圧に応じた信号電流を出力する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタから出力された前記信号電流に応じて発光する発光素子と、
前記発光期間において前記補正電位供給回路から当該補正容量の一端に供給された前記補正電位に応じて、当該補正容量の他端に接続された前記保持容量の他端の電位を低下させる補正容量と
を含む電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に関し、特に発光素子を画素に用いた表示装置、および、その表示装置を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光素子として、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を用いた平面自発光型の表示装置の開発が盛んに行われている。例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置としては、画素回路を構成する駆動トランジスタから発光素子に電流を供給することによって、発光素子を発光させる表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。このような表示装置では、映像信号に応じた信号電圧を保持容量に保持させることによって、その保持容量の一端に接続された駆動トランジスタのゲート端子に信号電圧が印加されるため、映像信号に応じた電流が発光素子に供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３１０３１１号公報（図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の従来技術では、映像信号に応じた信号電圧を駆動トランジスタのゲート端子に印加することによって、その信号電圧に応じた電流を発光素子に供給することができるため、その電流の大きさに応じて発光素子を発光させることができる。この場合において、発光素子に電流が供給されることによって、発光素子の寄生容量が充電されるため、発光素子の入力端子に接続された保持容量の他端の電位が上昇する。このとき、保持容量の一端は浮遊状態にあるため、保持容量の一端の電位も、その他端の電位上昇に連動して上昇することから、保持容量における信号電圧の大きさは維持される。
【０００５】
しかしながら、実際には、駆動トランジスタの寄生容量などにより、保持容量の他端の電位の上昇量に比べて、保持容量の一端における電位の上昇量は小さくなる。このため、保持容量に保持された信号電圧が小さくなり、駆動トランジスタから発光素子に供給される電流も小さくなるため、画素回路における発光素子の輝度レベルが低下してしまうという問題が生じる。
【０００６】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、発光期間における画素回路の輝度レベルの低下を改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その第１の側面は、複数の画素回路と、上記画素回路の輝度を補正するための補正電位として上記画素回路の発光期間前の電位に比べて低い電位を上記画素回路に供給する補正電位供給回路とを具備し、上記複数の画素回路の各々は、映像信号に応じた信号電圧を保持するための保持容量と、上記映像信号を上記保持容量の一端に書き込む書込みトランジスタと、上記保持容量に保持された信号電圧に応じた信号電流を出力する駆動トランジスタと、上記駆動トランジスタから出力された上記信号電流に応じて発光する発光素子と、上記発光期間において上記補正電位供給回路から当該補正容量の一端に供給された上記補正電位に応じて、当該補正容量の他端に接続された上記保持容量の他端の電位を低下させる補正容量とを含む表示装置および電子機器である。これにより、発光期間において補正電位供給回路から補正容量の一端に補正電位を供給することによって、その補正容量を介して保持容量の他端の電位を低下させるという作用をもたらす。
【０００８】
また、この第１の側面において、上記発光期間前の電位に対する上記補正電位の低下量が上記映像信号の最大電圧に対する略３０％乃至５０％の電圧の大きさとなるように生成された所定の上記補正電位を上記補正容量の一端に供給するようにしてもよい。これにより、補正電位の低下量が、映像信号における最大電圧の略３０％から略５０％の電圧の大きさの範囲内に補正電位を生成して、補正電位供給回路により、その生成された補正電位を補正容量の一端に供給させるという作用をもたらす。
【０００９】
また、この第１の側面において、上記発光素子を、有機エレクトロルミネッセンス素子により構成するようにしてもよい。これにより、駆動トランジスタから出力される信号電流に応じて有機エレクトルルミネッセンス素子を発光させるという作用をもたらす。
【００１０】
また、この第１の側面において、上記補正容量を、上記駆動トランジスタの移動度に対する補正を行うための移動度補正期間における上記保持容量の他端の電位上昇量を抑制する容量として用いるようにしてもよい。これにより、移動度補正期間における保持容量の他端の電位上昇量を、画素回路ごとの補正容量の容量値の大きさに応じて抑制させるという作用をもたらす。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、発光期間における画素回路の輝度レベルの低下を改善することができるという優れた効果を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施の形態における表示装置１００の一構成例を示す概念図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における画素回路７００の一構成例を模式的に示す回路図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態における画素回路７００の一動作例に関するタイミングチャートである。
【図４】ＴＰ７、ＴＰ１およびＴＰ２の期間にそれぞれ対応する画素回路７００の動作状態を示す模式的な回路図である。
【図５】ＴＰ３乃至ＴＰ５の期間にそれぞれ対応する画素回路７００の動作状態を示す模式的な回路図である。
【図６】ＴＰ６およびＴＰ７の期間にそれぞれ対応する画素回路７００の動作状態を示す模式的な回路図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態におけるテレビジョンセットの例である。
【図８】本発明の第２の実施の形態におけるデジタルスチルカメラの例である。
【図９】本発明の第２の実施の形態におけるノート型パーソナルコンピュータの例である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態における携帯端末装置の例である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態におけるビデオカメラの例である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
１．第１の実施の形態（輝度補正動作：発光期間において補正電位を補正容量の一端に印加する例）
２．第２の実施の形態（輝度補正動作：表示装置を備える電子機器の例）
【００１４】
＜１．第１の実施の形態＞
［表示装置の構成例］
図１は、本発明の第１の実施の形態における表示装置１００の一構成例を示す概念図である。表示装置１００は、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ：Write SCaNner）２００と、電源スキャナ（ＤＳＣＮ：Drive SCaNner）３００と、水平セレクタ（ＨＳＥＬ：Horizontal SELector）４００とを備える。また、この表示装置１００は、補正スキャナ（ＣＳＣＮ：Correct SCaNner）５００および画素アレイ部６００を備える。画素アレイ部６００は、ｎ×ｍ個（ｍおよびｎは２以上の整数）の二次元マトリックス状に配列された画素回路７００を備える。ここでは、便宜上、第１行目、第２行目および第ｍ行目における第１列目、第２列目および第ｎ列目に配置された９個の画素回路７００が示されている。
【００１５】
また、表示装置１００には、画素回路７００とライトスキャナ（ＷＳＣＮ）２００との間を接続する走査線（ＷＳＬ：Write Scan Line）２１０が設けられている。さらに、表示装置１００には、画素回路７００と電源スキャナ（ＤＳＣＮ）３００との間を接続する電源線（ＤＳＬ：Drive Scan Line）３１０が設けられている。ここでは、便宜上、第１行目、第２行目および第ｍ行目の走査線（ＷＳＬ１、２およびｍ）２１０および電源線（ＤＳＬ１、２およびｍ）３１０が示されている。
【００１６】
また、表示装置１００には、画素回路７００と水平セレクタ（ＨＳＥＬ）４００との間を接続するデータ線（ＤＴＬ：DaTa Line）４１０が設けられている。ここでは、便宜上、第１列目、第２列目および第ｎ列目のデータ線（ＤＴＬ１、２およびｎ）４１０が示されている。さらに、表示装置１００には、画素回路７００と補正スキャナ（ＣＳＣＮ）５００との間を接続する補正線（ＣＳＬ：Correct Scan Line）５１０が設けられている。ここでは、便宜上、第１行目、第２行目および第ｍ行目の補正線（ＣＳＬ１、２およびｍ）５１０が示されている。
【００１７】
ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）２００は、複数の画素回路７００を行単位により順次走査する線順次走査を行うものである。このライトスキャナ（ＷＳＣＮ）２００は、データ線（ＤＴＬ）４１０からのデータ信号を画素回路７００に供給するタイミングを行単位により制御する。すなわち、このライトスキャナ（ＷＳＣＮ）２００は、データ線（ＤＴＬ）４１０からのデータ信号を画素回路７００に供給するための制御信号として、走査信号を生成する。また、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）２００は、その生成した走査信号を走査線（ＷＳＬ）２１０に供給する。
【００１８】
電源スキャナ（ＤＳＣＮ）３００は、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）２００による線順次走査に同期して、画素回路７００を駆動させるための電源信号を行単位により生成するものである。この電源スキャナ（ＤＳＣＮ）３００は、その生成した電源信号を電源線（ＤＳＬ）３１０に供給する。
【００１９】
水平セレクタ（ＨＳＥＬ）４００は、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）２００による線順次走査に同期して、画素回路７００の輝度レベルを設定するためのデータ信号を各列の画素回路７００に供給するものである。この水平セレクタ（ＨＳＥＬ）４００は、画素回路７００を構成する駆動トランジスタの閾値電圧に対する補正を行うための基準電位と、表示対象となる映像における画素回路７００の輝度を制御するための映像信号の電位とのうちいずれか一方を選択する。また、水平セレクタ（ＨＳＥＬ）４００は、その選択された電位を、データ信号としてデータ線（ＤＴＬ）４１０に供給する。
【００２０】
補正スキャナ（ＣＳＣＮ）５００は、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）２００による線順次走査に同期して、画素回路７００の輝度レベルを補正するための補正電位を行単位により生成するものである。この補正スキャナ（ＣＳＣＮ）５００は、画素回路７００の発光期間において、例えば、予め定められた補正電位を生成する。または、この補正スキャナ（ＣＳＣＮ）５００は、発光期間において、映像信号の電位の大きさに応じて補正電位を生成する。また、補正スキャナ（ＣＳＣＮ）５００は、その生成された補正電位を含む補正信号を補正線（ＣＳＬ）５１０に供給する。なお、補正スキャナ（ＣＳＣＮ）５００は、特許請求の範囲に記載の補正電位供給回路の一例である。
【００２１】
画素回路７００は、走査線（ＷＳＬ）２１０からの走査信号に基づいて、データ線（ＤＴＬ）４１０から供給されたデータ信号に応じて発光するものである。なお、この画素回路７００は、特許請求の範囲に記載の画素回路の一例である。ここで、画素回路７００の構成例について以下に図面を参照して説明する。
【００２２】
［画素回路７００の構成例］
図２は、本発明の第１の実施の形態における画素回路７００の一構成例を模式的に示す回路図である。画素回路７００は、書込みトランジスタ７１０と、駆動トランジスタ７２０と、保持容量７３０と、発光素子７４０と、補正容量７７０とを備える。ここでは、書込みトランジスタ７１０および駆動トランジスタ７２０がそれぞれｎチャンネル型トランジスタである場合を想定する。また、ここでは、実際の回路に存在する寄生容量のうち、書込みトランジスタ７１０の寄生容量７１１と、駆動トランジスタ７２０の寄生容量７２１とが示されている。
【００２３】
この画素回路７００の構成において、書込みトランジスタ７１０のゲート端子およびドレイン端子には、それぞれ走査線（ＷＳＬ）２１０およびデータ線（ＤＴＬ）４１０が接続されている。また、書込みトランジスタ７１０のソース端子には、駆動トランジスタ７２０のゲート端子（ｇ）、および、保持容量７３０の一端（一方の電極）が接続されている。ここでは、この接続部位を第１ノード（ＮＤ１）７５０という。
【００２４】
また、この画素回路７００の構成において、補正容量７７０の一端（一方の電極）には、補正線（ＣＳＬ）５１０が接続されている。さらに、補正容量７７０の他端（他方の電極）には、保持容量７３０の他端（他方の電極）と、発光素子７４０のアノード端子（電極）と、駆動トランジスタ７２０のソース端子（ｓ）とが接続されている。ここでは、この接続部位を第２ノード（ＮＤ２）７６０という。また、駆動トランジスタ７２０のドレイン端子（ｄ）には、電源線（ＤＳＬ）３１０が接続されている。また、発光素子７４０のカソード端子（電極）には、一定のカソード電位（Ｖｃａｔ）を供給するためのカソード線７８０が接続されている。
【００２５】
書込みトランジスタ７１０は、走査線（ＷＳＬ）２１０から供給された走査信号に従って、データ線（ＤＴＬ）４１０からのデータ信号に含まれる映像信号の電位を保持容量７３０に書き込むものである。この書込みトランジスタ７１０は、画素回路７００ごとの駆動トランジスタ７２０の閾値電圧のばらつきを取り除くために、データ信号に含まれる基準電位を保持容量７３０の一端に供給する。ここにいう基準電位とは、駆動トランジスタ７２０の閾値電圧に相当する電圧を保持容量７３０に保持させるための基準となる固定電位のことである。なお、書込みトランジスタ７１０は、特許請求の範囲に記載の書込みトランジスタの一例である。
【００２６】
寄生容量７１１および７２１は、書込みトランジスタ７１０および駆動トランジスタ７２０に寄生する容量である。この寄生容量７１１および７２１は、第１ノード（ＮＤ１）７５０が浮遊状態にある場合において、保持容量７３０により、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位変動に応じて第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位が変動するときの変動量を抑制する寄生容量である。この寄生容量７１１は、書込みトランジスタ７１０のゲート端子およびソース端子の間に形成される。また、寄生容量７２１は、駆動トランジスタ７２０のゲート端子（ｇ）およびドレイン端子（ｄ）の間に形成される。
【００２７】
駆動トランジスタ７２０は、発光素子７４０を発光させるために、映像信号の電位に基づいて保持容量７３０に保持された信号電圧に応じて、ドレイン電流である信号電流を発光素子７４０に出力するものである。この駆動トランジスタ７２０は、電源線（ＤＳＬ）３１０から電源信号として駆動トランジスタ７２０を駆動させるための電源電位が加えられた状態において、保持容量７３０に保持された信号電圧に応じた信号電流を発光素子７４０に出力する。なお、駆動トランジスタ７２０は、特許請求の範囲に記載の駆動トランジスタの一例である。
【００２８】
保持容量７３０は、書込みトランジスタ７１０を介して供給されたデータ信号に応じた電圧を保持するための容量である。この保持容量７３０は、例えば、書込みトランジスタ７１０によって書き込まれた映像信号の電位に応じた信号電圧を保持する役割を果たす。なお、保持容量７３０は、特許請求の範囲に記載の保持容量の一例である。
【００２９】
発光素子７４０は、駆動トランジスタ７２０から出力された信号電流の大きさに応じて発光するものである。この発光素子７４０は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）により実現することができる。なお、発光素子７４０は、特許請求の範囲に記載の発光素子の一例である。
【００３０】
補正容量７７０は、補正線（ＣＳＬ）５１０を介して補正スキャナ（ＣＳＣＮ）５００から供給された補正電位に応じて、発光期間において第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位を低下させるものである。すなわち、この補正容量７７０は、当該補正容量７７０の一端に供給される補正電位に応じて、当該補正容量７７０の他端に接続された保持容量７３０の他端の電位を低下させる役割を果たす。なお、補正容量７７０は、特許請求の範囲に記載の補正容量の一例である。
【００３１】
なお、この例では、書込みトランジスタ７１０および駆動トランジスタ７２０がそれぞれｎチャンネル型トランジスタである場合について説明したが、この組み合わせに限られるものではない。また、これらのトランジスタは、エンハンスメント型のものでもよく、デプレッション型やデュアルゲート型のものでもよい。
【００３２】
また、ここでは、２つのトランジスタ７１０および７２０および１つの保持容量７３０の構成により発光素子７４０に信号電流を供給する画素回路７００の構成例について説明したが、これに限られるものではない。すなわち、駆動トランジスタ７２０、保持容量７３０および発光素子７４０を含むものであれば、本発明の実施の形態を適用することができる。次に、上述の画素回路７００の動作例について、図面を参照して以下に詳細に説明する。
【００３３】
［画素回路７００の動作例］
図３は、本発明の第１の実施の形態における画素回路７００の一動作例に関するタイミングチャートである。ここでは、横軸を共通の時間軸として、走査線（ＷＳＬ）２１０、電源線（ＤＳＬ）３１０、データ線（ＤＴＬ）４１０、補正線（ＣＳＬ）５１０、第１ノード（ＮＤ１）７５０および第２ノード（ＮＤ２）７６０における電位変化が示されている。また、第１ノード（ＮＤ１）７５０および第２ノード（ＮＤ２）７６０については、第１の実施の形態における電位変化が実線により示され、従来技術における電位変化が破線により示されている。なお、各期間を示す横軸の長さは模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。
【００３４】
このタイミングチャートは、画素回路７００の動作の遷移を、ＴＰ１乃至ＴＰ７の期間に便宜的に区切っている。まず、発光期間ＴＰ７では、発光素子７４０は発光状態にある。この発光期間ＴＰ７の終了直前において、走査線（ＷＳＬ）２１０の走査信号の電位がＬ（Ｌｏｗ）レベルに設定され、電源線（ＤＳＬ）３１０の電源信号の電位が電源電位（Ｖｃｃ）に設定されている。また、補正線（ＣＳＬ）５１０の補正信号の電位が補正電位（Ｖｃ）に設定されている。
【００３５】
この後、線順次走査の新しいフィールドに入り、閾値補正準備期間ＴＰ１では、電源線（ＤＳＬ）３１０の電位が、第２ノード（ＮＤ２）７６０を初期化するための初期化電位（Ｖｓｓ）に設定される。これにより、第１ノード（ＮＤ１）７５０および第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位はそれぞれ低下する。このとき、補正線（ＣＳＬ）５１０に供給される補正信号が、補正電位（Ｖｃ）よりも高い参照電位（Ｖｒ）に切り替えられる。
【００３６】
続いて、閾値補正準備期間ＴＰ２では、走査線（ＷＳＬ）２１０の電位がＨ（Ｈｉｇｈ）レベルに設定されることによって、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位が基準電位（Ｖｏｆｓ）に初期化される。これにより、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位は初期化電位（Ｖｓｓ）に初期化される。このように、第１ノード（ＮＤ１）７５０および第２ノード（ＮＤ２）７６０がそれぞれ初期化されることによって、閾値補正動作の準備が完了する。
【００３７】
次に、閾値補正期間ＴＰ３では、画素回路７００ごとの駆動トランジスタ７２０における閾値電圧に対する補正を行うための閾値補正動作が行われる。このとき、電源線（ＤＳＬ）３１０の電源信号が電源電位（Ｖｃｃ）に設定されることによって、第１ノード（ＮＤ１）７５０と第２ノード（ＮＤ２）７６０との間に、駆動トランジスタ７２０の閾値電圧に相当する電圧（Ｖｔｈ）が保持される。すなわち、保持容量７３０には、閾値電圧に相当する電圧（Ｖｔｈ）が保持される。
【００３８】
この後、期間ＴＰ４では、走査線（ＷＳＬ）２１０に供給される走査信号の電位がＬレベルに遷移した後に、データ線（ＤＴＬ）４１０のデータ信号が基準電位（Ｖｏｆｓ）から映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）に切り替えられる。
【００３９】
そして、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５では、映像信号の書込み動作、および、駆動トランジスタ７２０における移動度に対する補正を行うための移動度補正動作が行われる。このとき、走査線（ＷＳＬ）２１０の走査信号の電位がＨレベルに切り替えられることによって、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位が、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）まで上昇する。すなわち、書込みトランジスタ７１０により、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）が第１ノード（ＮＤ１）７５０に書き込まれる。
【００４０】
これに対して、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位は、閾値補正期間ＴＰ３において与えられた閾値電位（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）に対し、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）に対応する駆動トランジスタ７２０の移動度に応じた上昇量（ΔＶ）だけ上昇する。すなわち、移動度補正動作により、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位が「ΔＶ」だけ上昇する。
【００４１】
このとき、補正容量７７０は、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５における保持容量７３０の他端に相当する第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位上昇量（ΔＶ）を抑制する容量としての役割も果たす。これにより、画素回路７００ごとに補正容量７７０の容量値に応じた上昇量（ΔＶ）に調整することができるため、移動度補正動作に伴う上昇量（ΔＶ）の誤差を低減することができる。具体的には、走査線（ＷＳＬ）２１０のトランジェント特性の劣化により生じる書込み期間ＴＰ５の誤差や、画素回路７００ごとの発光素子７４０の寄生容量の大きさのばらつきなどによって生じる上昇量（ΔＶ）の誤差を低減することができる。
【００４２】
このように、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５では、保持容量７３０の一端に、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）が印加され、保持容量７３０の他端に、閾値電位（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）に上昇量（ΔＶ）を加えた電位（（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）＋ΔＶ）が印加される。すなわち、保持容量７３０には、映像信号に応じた信号電圧（Ｖｇｓ１）として、「Ｖｓｉｇ−（（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）＋ΔＶ）」が保持される。このようにして、保持容量７３０に保持された信号電圧（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶ）は、駆動トランジスタ７２０の閾値電圧に相当する電圧（Ｖｔｈ）と、移動度補正動作による上昇量（ΔＶ）とによって補正される。このため、画素回路７００ごとの駆動トランジスタ７２０における閾値電圧および移動度のばらつきの影響が取り除かれた信号電圧となる。
【００４３】
この後、発光期間ＴＰ６では、走査線（ＷＳＬ）２１０の走査信号の電位がＬレベルに設定されることによって、第１ノード（ＮＤ１）７５０が浮遊状態となる。そして、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位は、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５において与えられた電位（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ＋ΔＶ）に対し「Ｖｅｌ」だけ上昇する。この第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位上昇量（Ｖｅｌ）は、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）が大きくなるほど、大きくなる。このとき、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位が、発光素子７４０の閾値電圧（Ｖｔｈｅｌ）と、カソード線７８０のカソード電位（Ｖｃａｔ）とによって定まる発光電位（Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔ）を超えるため、発光素子７４０が発光する。
【００４４】
これに対し、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位も、保持容量７３０を介したカップリングによって、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位上昇に倣うように、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）から「Ｖｅｌ'」だけ上昇する。このように、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位上昇に伴い、保持容量７３０に起因するカップリングによって、浮遊状態にある第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位が上昇する動作をブートストラップ動作という。
【００４５】
このブートストラップ動作においては、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位上昇量（Ｖｅｌ'）が、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位上昇量（Ｖｅｌ）に比べて抑制される。この第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位上昇量（Ｖｅｌ）と、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位上昇量（Ｖｅｌ'）との関係は、次式により表わすことができる。
Ｖｅｌ'  ＝  Ｇｂ×Ｖｅｌ                              ・・・式１
【００４６】
ここで、Ｇｂは、「１．０」未満の値であり、次式により表わすことができる。なお、ここでは、Ｇｂをブートストラップ利得という。
Ｇｂ  ＝  Ｃｓ／（Ｃｓ＋Ｃｐ）                          ・・・式２
【００４７】
ここで、Ｃｓは、保持容量７３０の容量値であり、Ｃｐは、書込みトランジスタ７１０の寄生容量７１１と、駆動トランジスタ７２０の寄生容量７２１との容量値の和である。なお、ここでは、ブートストラップ利得Ｇｂを低下させる寄生容量７１１および７１２のみを考慮している。
【００４８】
式２より、寄生容量７１１および７２１の容量値Ｃｐによって、ブートストラップ利得Ｇｂが「１．０」未満の値となることがわかる。このブートストラップ利得Ｇｂは、寄生容量７１１および７２１の容量値Ｃｐの大きさに応じて変化する。すなわち、寄生容量７１１および７２１の容量値Ｃｐが大きいほど、ブートストラップ利得Ｇｂは小さくなる。また、この容量値Ｃｐの大きさは画素回路７００ごとに異なるため、ブートストラップ利得Ｇｂの大きさも画素回路７００ごとに異なる。
【００４９】
このように、寄生容量７１１および７２１の容量値Ｃｐにより、ブートストラップ利得Ｇｂが「１．０」未満の値となるため、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位上昇量（Ｖｅｌ'）は、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位上昇量（Ｖｅｌ）に比べて小さくなる。このため、発光期間ＴＰ６の終了直前における信号電圧（Ｖｇｓ２）は、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５における信号電圧（Ｖｇｓ１）よりも「Ｖｅｌ−Ｖｅｌ'＝Ｖｅｌ・（１−Ｇｂ）」だけ小さくなる。したがって、発光素子７４０の輝度レベルは、発光期間ＴＰ６におけるブートストラップ動作により、徐々に低くなる。なお、発光期間ＴＰ６の途中において、データ線（ＤＴＬ）４１０のデータ信号が、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）から基準電位（Ｖｏｆｓ）に切り替えられる。
【００５０】
続いて、発光期間ＴＰ７では、補正線（ＣＳＬ）５１０に供給される補正信号が、発光期間前の参照電位（Ｖｒ）から、予め定められた補正電位低下量（ΔＶｃ）だけ低い補正電位（Ｖｃ）に設定される。これにより、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位は、発光期間ＴＰ６の終了時における電位（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ＋ΔＶ＋Ｖｅｌ）に対し、補正電位差（ΔＶｃ）だけ低下する。
【００５１】
すなわち、補正スキャナ（ＣＳＣＮ）５００により生成された補正電位（Ｖｃ）によって、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位は、補正容量７７０を介して補正電位低下量（ΔＶｃ）だけ低下する。なお、この場合において、参照電位（Ｖｒ）に対する補正電位の低下量（ΔＶｃ）が、映像信号（Ｖｓｉｇ）の最大電圧に対する略３０％乃至５０％の電圧の大きさとなるように補正電位（Ｖｃ）を設定するのが望ましい。
【００５２】
一方、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位は、発光期間ＴＰ６の終了時点において与えられた電位（Ｖｓｉｇ−Ｖｅｌ'）に対し、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位低下に伴う保持容量７３０に起因するカップリングによって、「ΔＶｃ'」だけ低下する。このときの第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位低下量（ΔＶｃ'）は、式１と同様に、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位低下量（ΔＶｃ）にブートストラップ利得Ｇｂを乗算した値となる。このため、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位低下量（ΔＶｃ'）は、寄生容量７１１および７２１により抑制されるため、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位低下量（ΔＶｃ）よりも小さくなる。
【００５３】
これにより、発光期間ＴＰ７における信号電圧（Ｖｇｓ３）は、発光期間ＴＰ６の終了直前における信号電圧（Ｖｇｓ２）に比べて、補正量（ΔＶｃ−ΔＶｃ'＝ΔＶｃ・（１−Ｇｂ））だけ大きくなる。このため、発光期間ＴＰ７における信号電圧（Ｖｇｓ３）は、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５における信号電圧（Ｖｇｓ１）の大きさ近傍に補正される。すなわち、ブートストラップ動作により寄生容量７１１および７２１に応じた減少量（Ｖｅｌ−Ｖｅｌ'）だけ小さくなった信号電圧（Ｖｇｓ２）が、寄生容量７１１および７２１に応じた補正量（ΔＶｃ−ΔＶｃ'）により補正される。
【００５４】
したがって、発光期間ＴＰ７では、補正量（ΔＶｃ−ΔＶｃ'）によって補正された信号電圧（Ｖｇｓ３）に応じた輝度により、発光素子７４０が発光する。このように、ブートストラップ動作によって寄生容量７１１および７２１に起因する信号電圧（Ｖｇｓ１）の低下に伴う輝度レベルの低下を、その寄生容量７１１および７２１の大きさに応じた補正量（ΔＶｃ−ΔＶｃ'）によって相殺することができる。
【００５５】
このように、本発明の第１の実施の形態では、発光期間ＴＰ７の開始時において、参照電位（Ｖｒ）よりも低い補正電位（Ｖｃ）に切り替えることによって、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位を、補正電位差（ΔＶｃ）だけ低下させることができる。これにより、発光期間ＴＰ６の終了直前における信号電圧（Ｖｇｓ２）を、寄生容量７１１および７１２の容量値Ｃｐに応じた補正量（ΔＶｃ−ΔＶｃ'）だけ大きくすることができる。すなわち、発光期間ＴＰ６におけるブートストラップ動作に伴う、容量値Ｃｐに応じた信号電圧（Ｖｇｓ１）の減少量（Ｖｅｌ−Ｖｅｌ'）を、容量値Ｃｐに応じた補正量（ΔＶｃ−ΔＶｃ'）によって補正することができる。
【００５６】
これにより、発光期間ＴＰ６におけるブートストラップ動作による発光素子７４０の輝度レベルの低下を補正することができるため、画素回路７００における発光輝度の精度を改善することができる。また、画素回路７００ごとの容量値Ｃｐのばらつきに起因する画素回路７００ごとの輝度レベルの低下量のばらつきを軽減することができる。
【００５７】
なお、ここでは一例として、発光期間における第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位が略最大となるタイミングにより、補正電位（Ｖｃ）を供給する例について説明したが、これに限られるものではない。この補正電位（Ｖｃ）を供給するタイミングは、発光期間ＴＰ６およびＴＰ７の間であればいつでもよく、例えば、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５の直後であってもよい。また、ここでは、１回の発光において閾値補正動作を１回のみ行う例について説明したが、閾値補正動作を２回以上に分けて行うようにしてもよい。
【００５８】
また、ここでは、補正電位差（ΔＶｃ）を予め設定しておくことを想定したが、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）の大きさに応じて補正電位差（ΔＶｃ）を設定するようにしてもよい。ここで、この映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）に応じた補正電位（Ｖｃ）の設定例について簡単に説明する。
【００５９】
この例において、上述の書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５における第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位上昇量（Ｖｅｌ）は、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）が大きくなるほど、大きくなる。このため、信号電圧（Ｖｇｓ１）の減少量（Ｖｅｌ・（１−Ｇｂ））も、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）が大きくなるほど、大きくなる。したがって、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）に応じて補正電位（Ｖｃ）を設定することによって、ブートストラップ動作による輝度レベルの低下量を適切に補正することができる。例えば、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）と基準電位（Ｖｏｆｓ）との電位差に一定の係数を乗じて補正電位低下量（ΔＶｃ）を算出して、その算出された補正電位低下量（ΔＶｃ）に基づいて補正電位（Ｖｃ）を設定する。
【００６０】
［画素回路７００の動作の遷移例］
次に、本発明の第１の実施の形態における画素回路７００の動作の遷移例について、以下に図面を参照して詳細に説明する。以下に示す画素回路７００の動作の遷移例では、図３で実線により示したタイミングチャートのＴＰ１乃至ＴＰ７の期間に対応する画素回路７００の動作状態が示されている。また、便宜上、発光素子７４０の寄生容量７４１を図示している。さらに、書込みトランジスタ７１０をスイッチとして図示しており、走査線（ＷＳＬ）２１０については省略している。また、図２に示した書込みトランジスタ７１０の寄生容量７１１、および、駆動トランジスタ７２０の寄生容量７２１を省略している。
【００６１】
図４（ａ）乃至（ｃ）は、ＴＰ７、ＴＰ１およびＴＰ２の期間にそれぞれ対応する画素回路７００の動作状態を示す模式的な回路図である。まず、発光期間ＴＰ７では、図４（ａ）に示すように、書込みトランジスタ７１０がオフ（非導通）状態であり、電源線（ＤＳＬ）３１０から電源電位（Ｖｃｃ）が駆動トランジスタ７２０に加えられている状態である。そして、駆動トランジスタ７２０から信号電流（Ｉｄｓ'）が発光素子７４０に供給されているため、その信号電流（Ｉｄｓ'）に応じた輝度により発光素子７４０が発光している。また、補正線（ＣＳＬ）５１０の電位が補正電位（Ｖｃ）に設定されている。
【００６２】
そして、閾値補正準備期間ＴＰ１では、図４（ｂ）に示すように、電源線（ＤＳＬ）３１０の電源信号が電源電位（Ｖｃｃ）から初期化電位（Ｖｓｓ）に遷移する。これにより、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位が低下するため、発光素子７４０は非発光状態となる。このとき、第１ノード（ＮＤ１）７５０は浮遊状態にあるため、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位も、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位低下に倣うように、低下する。
【００６３】
続いて、閾値補正準備期間ＴＰ２では、図４（ｃ）に示すように、走査線（ＷＳＬ）２１０の電位がＨレベルに遷移することによって、書込みトランジスタ７１０がオン（導通）状態となる。これにより、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位は、データ線（ＤＴＬ）４１０からの基準電位（Ｖｏｆｓ）に初期化される。
【００６４】
これに対し、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位は、電源線（ＤＳＬ）３１０の初期化電位（Ｖｓｓ）に初期化される。これにより、第１ノード（ＮＤ１）７５０および第２ノード（ＮＤ２）７６０の間の電位差は「Ｖｏｆｓ−Ｖｓｓ」となる。なお、ここでは、電源線（ＤＳＬ）３１０の初期化電位（Ｖｓｓ）が、基準電位（Ｖｏｆｓ）よりも十分に低い電位に設定されていることを想定している。
【００６５】
図５（ａ）乃至（ｃ）は、ＴＰ３乃至ＴＰ５の期間にそれぞれ対応する画素回路７００の動作状態を示す模式的な回路図である。
【００６６】
閾値補正準備期間ＴＰ２に続いて、閾値補正期間ＴＰ３では、図５（ａ）に示すように、電源線（ＤＳＬ）３１０の電源信号が電源電位（Ｖｃｃ）に遷移する。これにより、駆動トランジスタ７２０がオン状態となり、駆動トランジスタ７２０から第２ノード（ＮＤ２）７６０に電流が供給されることによって、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位が上昇する。そして、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位は、第１ノード（ＮＤ１）７５０と第２ノード（ＮＤ２）７６０との間の電位差が駆動トランジスタ７２０の閾値電圧に相当する電位差（Ｖｔｈ）になるまで上昇する。
【００６７】
このようにして、駆動トランジスタ７２０の閾値電圧に相当する電圧（Ｖｔｈ）が保持容量７３０に保持される。すなわち、これが閾値補正動作である。なお、カソード線７８０のカソード電位（Ｖｃａｔ）、および、データ線（ＤＴＬ）４１０からの基準電位（Ｖｏｆｓ）は、駆動トランジスタ７２０からの電流が発光素子７４０に流れないように、予め設定しておく。
【００６８】
この後、期間ＴＰ４では、図５（ｂ）に示すように、走査線（ＷＳＬ）２１０から供給される走査信号がＬレベルに遷移することによって、書込みトランジスタ７１０がオフ状態となる。そして、データ線（ＤＴＬ）４１０のデータ信号の電位が、基準電位（Ｖｏｆｓ）から映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）に遷移する。ここでは、このデータ線（ＤＴＬ）４１０のトランジェント特性を考慮して、データ信号が映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）に達するまでの間、書込みトランジスタ７１０をオフ状態にしている。
【００６９】
続いて、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５では、図５（ｃ）に示すように、走査線（ＷＳＬ）２１０の走査信号の電位がＨレベルに遷移することによって、書込みトランジスタ７１０がオン状態となる。これにより、書込みトランジスタ７１０によって映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）が保持容量７３０の一端に書き込まれるため、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位が、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）に設定される。
【００７０】
このとき、駆動トランジスタ７２０の移動度に応じた電流が駆動トランジスタ７２０から第２ノード（ＮＤ２）７６０に流れるため、保持容量７３０、寄生容量７４１および補正容量７７０が充電されて、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位が上昇する。そして、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位は、閾値電位（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）に対し、駆動トランジスタ７２０の移動度に応じた上昇量（ΔＶ）だけ上昇する。すなわち、これが移動度補正動作である。
【００７１】
これにより、第１ノード（ＮＤ１）７５０と第２ノード（ＮＤ２）７６０との間の電位差である信号電圧（Ｖｇｓ１）が「Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶ」となる。すなわち、保持容量７３０には、信号電圧（Ｖｇｓ１）として、「Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶ」が保持される。
【００７２】
このようにして、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５において、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）の書込み、および、移動度補正による上昇量（ΔＶ）の調整が行われる。このとき、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）が大きいほど駆動トランジスタ７２０からの電流が大きくなるため、移動度補正による上昇量（ΔＶ）も大きくなる。したがって、輝度レベル（映像信号の電位）に応じた移動度補正を行うことができる。
【００７３】
また、画素回路７００ごとの映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）が一定である場合において、駆動トランジスタ７２０の移動度が大きい画素回路７００ほど、移動度補正による上昇量（ΔＶ）も大きくなる。すなわち、駆動トランジスタ７２０の移動度が大きい画素回路７００では、移動度が小さい画素回路７００に比べて、駆動トランジスタ７２０からの電流が大きくなり、その分だけ駆動トランジスタ７２０のゲート−ソース間電圧が小さくなる。したがって、駆動トランジスタ７２０の移動度が大きい画素回路７００では、その駆動トランジスタ７２０から出力される信号電流が、移動度の小さい画素回路７００と同程度の大きさに調整されることになる。このようにして、画素回路７００ごとの駆動トランジスタ７２０の移動度のばらつきが取り除かれる。
【００７４】
図６（ａ）および（ｂ）は、ＴＰ６およびＴＰ７の期間にそれぞれ対応する画素回路７００の動作状態を示す模式的な回路図である。
【００７５】
発光期間ＴＰ６では、図６（ａ）に示すように、走査線（ＷＳＬ）２１０から供給される走査信号の電位がＬレベルに遷移することによって、書込みトランジスタ７１０がオフ状態となる。そして、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位は、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５において与えられた電位（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ＋ΔＶ）に対して駆動トランジスタ７２０からの信号電流の大きさに応じた電位（Ｖｅｌ）だけ上昇する。
【００７６】
これに対して、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位は、保持容量７３０に起因するブートストラップ動作によって、式１に示す割合により上昇する。このときの第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位上昇量（Ｖｅｌ'）は、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位上昇量（Ｖｅｌ）に「１．０」未満のブートストラップ利得Ｇｂを乗じた値となる。すなわち、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位上昇量（Ｖｅｌ'）は、寄生容量７１１および７２１の容量値Ｃｐに応じて抑制されるため、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位上昇量（Ｖｅｌ）に比べて小さくなる。
【００７７】
これにより、第１ノード（ＮＤ１）７５０と第２ノード（ＮＤ２）７６０との間の電位差である信号電圧（Ｖｇｓ２）は、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５の終了直前における信号電圧（Ｖｇｓ１）に比べて、「Ｖｅｌ−Ｖｅｌ'」だけ小さくなる。すなわち、発光期間ＴＰ６の終了直前における信号電圧（Ｖｇｓ２）は、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５における信号電圧（Ｖｇｓ１）よりも小さい「Ｖｇｓ１−（Ｖｅｌ−Ｖｅｌ'）」となる。したがって、発光素子７４０は、発光期間ＴＰ６の終了直前における信号電圧（Ｖｇｓ２）に対応する信号電流（Ｉｄｓ１）に応じた輝度により、発光する。
【００７８】
この後、発光期間ＴＰ７では、図６（ｂ）に示すように、補正線（ＣＳＬ）５１０から供給される補正信号の電位が、参照電位（Ｖｒ）に対し補正電位低下量（ΔＶｃ）だけ低い補正電位（Ｖｃ）に切り替えられる。これにより、補正容量７７０の一端の電位が補正電位（Ｖｃ）に下げられることによって、寄生容量７４１などに蓄積された電荷が補正容量７７０の他端に移動するため、補正容量７７０の他端の電位も、補正電位の低下量（ΔＶｃ）だけ低下する。
【００７９】
すなわち、補正容量７７０の他端に接続された保持容量７３０の他端に相当する第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位は、発光期間ＴＰ６の終了時点における電位（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ＋ΔＶ＋Ｖｅｌ）から補正電位の低下量（ΔＶｃ）だけ低下する。このように、補正容量７７０を設けて、補正容量７７０の一端の電位を補正電位の低下量（ΔＶｃ）だけ低下させることによって、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位を補正電位の低下量（ΔＶｃ）だけ低下させることができる。
【００８０】
これに対して、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位は、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位低下に伴う保持容量７３０に起因するカップリングによって、発光期間ＴＰ６の終了時における電位（Ｖｓｉｇ＋Ｖｅｌ'）から低下量（ΔＶｃ'）だけ低下する。このときの第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位低下量（ΔＶｃ'）は、式１と同様に、第２ノード（ＮＤ２）７６０の補正電位低下量（ΔＶｃ）にブートストラップ利得Ｇｂを乗じた値となる。すなわち、第１ノード（ＮＤ１）７５０の電位低下量（ΔＶｃ'）は、寄生容量７１１および７２１の容量値Ｃｐに応じて抑制されるため、第２ノード（ＮＤ２）７６０の電位低下量（Ｖｃ）に比べて小さくなる。
【００８１】
これにより、第１ノード（ＮＤ１）７５０と第２ノード（ＮＤ２）７６０との間の電位差である信号電圧（Ｖｇｓ３）は、発光期間ＴＰ６の終了直前における信号電圧（Ｖｇｓ２）に比べて、「ΔＶｃ−ΔＶｃ'」だけ大きくなる。すなわち、発光期間ＴＰ７における信号電圧（Ｖｇｓ３）は、発光期間ＴＰ６における信号電圧（Ｖｇｓ２）よりも大きい電圧（Ｖｇｓ２＋（ΔＶｃ−ΔＶｃ'））となる。したがって、発光素子７４０は、補正容量７７０を介して補正された信号電圧（Ｖｇｓ３）に対応する信号電流（Ｉｄｓ２）に応じた輝度により、発光する。
【００８２】
このように、本発明の第１の実施の形態では、発光期間前の電位である参照電位（Ｖｒ）よりも低い補正電位（Ｖｃ）を補正容量７７０の一端に供給することによって、保持容量７３０の他端の電位を、補正電位の低下量（ΔＶｃ）だけ低下させることができる。これにより、発光期間ＴＰ７の開始時において、発光期間ＴＰ６におけるブートストラップ動作による信号電圧（Ｖｇｓ１）の減少量（Ｖｅｌ−Ｖｅｌ'）を、補正量（ΔＶｃ−ΔＶｃ'）により補うことができる。
【００８３】
このように、本発明の実施の形態によれば、補正容量７７０を介して保持容量７３０の他端の電位を低下させることによって、ブートストラップ動作における寄生容量７１１および７２１に起因する発光素子７４０の輝度レベルの低下を補正することができる。これにより、画素回路７００における発光素子７４０の輝度レベルの精度を改善することができる。また、寄生容量７１１および７１２の容量値Ｃｐのばらつきに伴う、画素回路７００ごとの輝度レベルの低下量のばらつきによって現われる表示画像のムラによる画質劣化を軽減することができる。
【００８４】
なお、本発明の第１の実施の形態における表示装置１００は、フラットパネル形状を有し、様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話、ビデオカメラなどのディスプレイに適用することができる。また、この表示装置１００は、電子機器に入力された映像信号や電子機器内で生成した映像信号を画像または映像として表示するあらゆる分野の電子機器のディスプレイに適用することができる。このような表示装置が適用された電子機器の例を以下に示す。
【００８５】
＜２．第２の実施の形態＞
［電子機器への適用例］
図７は、本発明の第２の実施の形態におけるテレビジョンセットの例である。このテレビジョンセットは、本発明の第１の実施の形態が適用されたテレビジョンセットである。このテレビジョンセットは、フロントパネル１２、フィルターガラス１３等から構成される映像表示画面１１を含み、本発明の第１の実施の形態における表示装置１００をその映像表示画面１１に用いることにより作製される。
【００８６】
図８は、本発明の第２の実施の形態におけるデジタルスチルカメラの例である。このデジタルスチルカメラは、本発明の第１の実施の形態が適用されたデジタルスチルカメラである。ここでは、上段にデジタルスチルカメラの正面図を示し、下段にデジタルスチルカメラの背面図を示す。このデジタルスチルカメラは、撮像レンズ１５、表示部１６、コントロールスイッチ、メニュースイッチ、シャッター１９等を含み、本発明の第１の実施の形態における表示装置１００をその表示部１６に用いることにより作製される。
【００８７】
図９は、本発明の第２の実施の形態におけるノート型パーソナルコンピュータの例である。このノート型パーソナルコンピュータは、本発明の第１の実施の形態が適用されたノート型パーソナルコンピュータである。このノート型パーソナルコンピュータは、本体２０には文字等を入力するとき操作されるキーボード２１を含み、本体カバーには画像を表示する表示部２２を含み、本発明の第１の実施の形態における表示装置１００をその表示部２２に用いることにより作製される。
【００８８】
図１０は、本発明の第２の実施の形態における携帯端末装置の例である。この携帯端末装置は、本発明の第１の実施の形態が適用された携帯端末装置である。ここでは、左側に携帯端末装置の開いた状態を示し、右側に携帯端末装置の閉じた状態を示している。この携帯端末装置は、上側筐体２３、下側筐体２４、連結部（ここではヒンジ部）２５、ディスプレイ２６、サブディスプレイ２７、ピクチャーライト２８、カメラ２９等を含む。また、この携帯端末装置は、本発明の第１の実施の形態における表示装置１００をそのディスプレイ２６やサブディスプレイ２７に用いることにより作製される。
【００８９】
図１１は、本発明の第２の実施の形態におけるビデオカメラの例である。このビデオカメラは、本発明の第１の実施の形態が適用されたビデオカメラである。このビデオカメラは、本体部３０、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ３４、撮影時のスタート／ストップスイッチ３５、モニター３６等を含み、本発明の第１の実施の形態における表示装置１００をそのモニター３６に用いることにより作製される。
【００９０】
なお、本発明の第１の実施の形態では、補正スキャナ５００から補正容量７７０の一端に補正電位（Ｖｃ）を供給することによって、発光期間において保持容量７３０の他端の電位を低下させる例について説明したが、これに限られるものではない。例えば、発光期間において、画素回路７００における発光素子７４０のカソード端子の電位を、カソード電位（Ｖｃａｔ）から補正電位差（ΔＶｃ）だけ低下させるようにしてもよい。
【００９１】
なお、本発明の実施の形態は本発明を具現化するための一例を示したものであり、本発明の実施の形態において明示したように、本発明の実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本発明の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本発明は実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
【符号の説明】
【００９２】
１００  表示装置
２００  ライトスキャナ
３００  電源スキャナ
４００  水平セレクタ
５００  補正スキャナ
６００  画素アレイ部
７００  画素回路
７１０  書込みトランジスタ
７２０  駆動トランジスタ
７３０  保持容量
７４０  発光素子
７７０  補正容量
【図１】
2011064957.tif 000003
【図２】
2011064957.tif 000004
【図３】
2011064957.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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