(57)【要約】【課題】製造工程等での割れ等の発生を防ぐことができる構造形態を備えた有機ＥＬ素子パネル及びその製造方法を提供する。【解決手段】基材１上に設けられた有機ＥＬ素子及び該有機ＥＬ素子を駆動する配線と、前記有機ＥＬ素子及び前記配線を覆うように設けられた封止層とを有し、前記封止層が、前記基材と同じ大きさで周縁端部まで又は該周縁端部からはみ出す大きさで設けられ、且つ前記周縁端部から内方に設けられて前記配線に接続する取出電極部には設けられていないように構成する。このとき、基材の厚さが１０μｍ以上２００μｍ以下であり、該基材の周縁端部からはみ出す前記封止層の長さが該基材の周縁端部から０μｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に設けられた有機ＥＬ素子及び該有機ＥＬ素子を駆動する配線と、前記有機ＥＬ素子及び前記配線を覆うように設けられた封止層とを有し、前記封止層が、前記基材と同じ大きさで周縁端部まで又は該周縁端部からはみ出す大きさで設けられ、且つ前記周縁端部から内方に設けられて前記配線に接続する取出電極部には設けられていないことを特徴とする有機ＥＬ素子パネル。
【請求項２】
前記基材の厚さが１０μｍ以上２００μｍ以下であり、該基材の周縁端部からはみ出す前記封止層の長さが該基材の周縁端部から０μｍ以上１０ｍｍ以下である、請求項１に記載の有機ＥＬ素子パネル。
【請求項３】
前記取出電極部が、前記有機ＥＬ素子パネルの少なくとも一辺と平行で且つ前記周縁端部から内側に入った位置に、幅１００μｍ〜１０ｍｍのスリット状に設けられている、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子パネル。
【請求項４】
基材を準備する工程と、
前記基材上に有機ＥＬ素子及び配線を形成する工程と、
前記有機ＥＬ素子と前記配線とを覆う封止層を前記基材と同じ大きさで周縁端部まで又は該周縁端部からはみ出す大きさで設けるとともに、前記周縁端部から内方にある前記配線の取出電極部には設けない工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ素子パネルの製造方法。
【請求項５】
前記基材はその厚さが１０μｍ以上２００μｍ以下の基材である場合、該基材の周縁端部からはみ出す前記封止層の長さを該基材の周縁端部から０μｍ以上１０ｍｍ以下とするように形成する、請求項４に記載の有機ＥＬ素子パネルの製造方法。
【請求項６】
前記基材はその厚さが３００μｍ〜２ｍｍ以下の基材である場合、前記封止層を形成した後に該基材の露出面を研磨して厚さ１０μｍ以上２００μｍ以下の基材に加工する、請求項５に記載の有機ＥＬ素子パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子パネル及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、有機ＥＬディスプレイを構成する有機ＥＬ素子パネルを製造する際に、その製造工程中での割れ等の発生を防ぐことができる構造形態を備えた有機ＥＬ素子パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬディスプレイは、より一層の薄型化とフレキシブル化が検討されている。その有機ＥＬディスプレイを構成する有機ＥＬ素子パネルも同様、薄膜化とフレキシブル化が検討されている。有機ＥＬ素子パネルは、画素をＯＮ／ＯＦＦさせるための駆動素子又は駆動用電極が設けられた基板である。画素をＯＮ／ＯＦＦさせる駆動方式として、パッシブマトリクス型駆動方式とアクティブマトリクス型駆動方式とがある。いずれの駆動方式とするかは、コスト、表示性能、表示面積、電流、スイッチング速度等、様々な要素を加味して選択されている。
【０００３】
パッシブマトリクス型駆動方式とアクティブマトリクス型駆動方式のいずれも、有機ＥＬ素子パネルの縦横に配線が設けられている。パッシブマトリクス型駆動方式は、Ｘ配線（走査線）とＹ配線（データ線）との間に有機ＥＬ層を挟むと共に、両配線が直交する形態となっている。また、アクティブマトリクス型駆動方式では、ＴＦＴ素子と有機ＥＬ素子とを備えた基板にＸ配線（走査線）及びＹ配線（データ線、電流供給線）が縦横に配線された形態となっている。
【０００４】
図９は、パッシブマトリクス型駆動方式の有機ＥＬ素子パネル１００の一例を示す斜視図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。図９に例示する有機ＥＬ素子パネル１００は、基材１０１と、基材１０１上に設けられ且つＹ方向にストライプ状に並設されているＹ配線（データ線）１０３と、そのストライプ状のＹ配線１０３の上に積層された有機ＥＬ層１０４と、Ｙ配線１０３及び有機ＥＬ層１０４からなるストライプ状積層体の間に設けられた絶縁層１０５と、ストライプ状の積層体と絶縁層との上に設けられ且つＸ方向にストライプ状に並設されているＸ配線（走査線）１０２と、そのＸ配線１０２を覆うように設けられた封止層１０６とを有している。この有機ＥＬ素子パネル１００において、図９（Ａ）（Ｂ）に示すように、Ｘ配線１０２とＹ配線１０３がそれぞれ延びる方向の周縁部１０７には封止層１０６が設けられておらず、フレキシブルプリント配線板に接続することになる取出電極１０８，１０９が露出した形態で設けられている。なお、取出電極１０８，１０９は、Ｘ配線１０２とＹ配線１０３にそれぞれ接続している。
【０００５】
図１０は、アクティブマトリクス型駆動方式の有機ＥＬ素子パネル２００の一例を示す斜視図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。図１０に例示する有機ＥＬ素子パネル２００は、基材２０１と、基材２０１上に設けられ且つＸ方向及びＹ方向に交差して画素領域２１１を画定するＸ配線（走査線）２０２、Ｙ配線（データ線及び電流供給線）２０３と、その画素領域２１１内に設けられているＴＦＴ素子２０４及び有機ＥＬ素子２０５と、これらを覆うように設けられた封止層２０６とを有している。この有機ＥＬ素子パネル２００において、図１０（Ａ）（Ｂ）に示すように、Ｘ配線２０２とＹ配線２０３及び電流供給線とがそれぞれ延びる方向の周縁部２０７には封止層２０６が設けられておらず、フレキシブルプリント配線板に接続することになる取出電極２０８，２０９が露出した形態で設けられている。なお、取出電極２０８，２０９は、Ｘ配線２０２とＹ配線２０３及び電流供給線にそれぞれ接続している。
【０００６】
関連する技術としては、特許文献１の図２及び図３には、封止基板が対向配置されたＥＬ発光素子基板の周縁端部に、素子電極が露出した態様が記載されている。また、特許文献２には、エレクロトルミネッセンス層を保護材で被覆してなるエレクロトルミネッセンス素子が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２２８４５５号公報
【特許文献２】特開平６−２０３９５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図９及び図１０に示した態様の有機ＥＬ素子パネル１００，２００では、有機ＥＬ素子パネル１００，２００の周縁部１０７，２０７にまで封止層１０６，２０６は設けられておらず、取出電極１０８，２０８が露出した形態になっている。図９及び図１０においては、周縁部１０７，２０７は、取出電極１０８，２０８が設けられた取出電極部ということができる。
【０００９】
このような形態からなる有機ＥＬ素子パネル１００，２００では、基材１０１，２０１として例えばガラス基材を用いた場合、そのガラス基材が厚い場合には割れ等の問題はないが、近年の薄型化・フレキシブル化によりガラス基材の厚さが例えば２００μｍ以下に薄くなってくると、ガラス基材が割れやすくなる。特に、封止層１０６，２０６が設けられていない周縁部１０７，２０７（取出電極部）では、有機ＥＬ素子パネル１００，２００のハンドリング時や、フレキシブルプリント配線板の貼合工程時に割れが発生しやすいという問題がある。
【００１０】
本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたものであって、その目的は、有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程等での割れ等の発生を防ぐことができる構造形態を備えた有機ＥＬ素子パネルを提供することにある。また、本発明の他の目的は、そうした有機ＥＬ素子パネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するための本発明に係る有機ＥＬ素子パネルは、基材上に設けられた有機ＥＬ素子及び該有機ＥＬ素子を駆動する配線と、前記有機ＥＬ素子及び前記配線を覆うように設けられた封止層とを有し、前記封止層が、前記基材と同じ大きさで周縁端部まで又は該周縁端部からはみ出す大きさで設けられ、且つ前記周縁端部から内方に設けられて前記配線に接続する取出電極部には設けられていないことを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、有機ＥＬ素子と配線とを覆う封止層が基材と同じ大きさで周縁端部まで又はその周縁端部からはみ出す大きさで設けられているので、その有機ＥＬ素子パネルには、封止層が設けられていない周縁部（図９及び図１０に記載の取出電極部）が存在しない。その結果、有機ＥＬ素子パネルの製造工程でのフレキシブルプリント配線板の貼合工程時やハンドリング時にその周縁部に割れ等が生じたり、周縁端部に傷や欠け等が生じたりしない。
【００１３】
本発明に係る有機ＥＬ素子パネルにおいて、前記基材の厚さが１０μｍ以上２００μｍ以下であり、該基材の周縁端部からはみ出す前記封止層の長さが該基材の周縁端部から０μｍ以上１０ｍｍ以下である。
【００１４】
この発明によれば、上記厚さ範囲の基材の周縁端部からはみ出す封止層の長さが上記範囲内であるので、基材の周縁部又は周縁端部での割れ、傷、欠け等を防ぐことができ、さらに例えば１０ｍｍ程度にはみ出している場合には、基材の周縁端面をも保護することができる。
【００１５】
本発明に係る有機ＥＬ素子パネルにおいて、前記取出電極部が、前記有機ＥＬ素子パネルの少なくとも一辺と平行で且つ前記周縁端部から内側に入った位置に、幅１００μｍ〜１０ｍｍのスリット状に設けられている。
【００１６】
この発明によれば、上記形態で設けられた取出電極部を有する有機ＥＬ素子パネルの製造工程等での割れ等の発生を防ぐことができる。
【００１７】
上記課題を解決する本発明に係る有機ＥＬ素子パネルの製造方法は、基材を準備する工程と、前記基材上に有機ＥＬ素子及び配線を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子と前記配線とを覆う封止層を前記基材と同じ大きさで周縁端部まで又は該周縁端部からはみ出す大きさで設けるとともに、前記周縁端部から内方にある前記配線の取出電極部には設けない工程と、を有することを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、有機ＥＬ素子と配線とを覆う封止層が基材と同じ大きさで周縁端部まで又はその周縁端部からはみ出す大きさで設けるので、封止層が設けられていない周縁部（図９及び図１０に記載の取出電極部）が存在しない。その結果、製造された有機ＥＬ素子パネルは、その製造工程でのフレキシブルプリント配線板の貼合工程時やハンドリング時にその周縁部に割れ等が生じたり、周縁端部に傷や欠け等が生じたりしない。
【００１９】
本発明に係る有機ＥＬ素子パネルの製造方法において、前記基材はその厚さが１０μｍ以上２００μｍ以下の基材である場合、該基材の周縁端部からはみ出す前記封止層の長さを該基材の周縁端部から０μｍ以上１０ｍｍ以下とするように形成する。
【００２０】
この発明によれば、封止層を上記厚さ範囲の基材に対して形成するので、封止層を形成した後の薄い基材は、有機ＥＬ素子パネルの製造工程でのＦＰＣの貼合工程時やハンドリング時にその周縁部又は周縁端部での割れ、傷、欠け等を防ぐことができ、さらに例えば１０ｍｍ以下程度にはみ出している場合には、基材の周縁端面をも保護することができる。
【００２１】
本発明に係る有機ＥＬ素子パネルの製造方法において、前記基材はその厚さが３００μｍ以上２ｍｍ以下の基材である場合、前記封止層を形成した後に該基材の露出面を研磨して厚さ１０μｍ以上２００μｍ以下の基材に加工する。
【００２２】
この発明によれば、封止層を上記厚さ範囲の基材に対して形成し、その封止層を形成した後にその基材を研磨して薄い基材とするので、研磨後の薄い基材は、有機ＥＬ素子パネルの製造工程でのフレキシブルプリント配線板の貼合工程時やハンドリング時にその周縁部又は周縁端部が割れたりすることがない。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る有機ＥＬ素子パネルには、封止層が設けられていない周縁部が存在しないので、有機ＥＬ素子パネルの製造工程でのフレキシブルプリント配線板の貼合工程時やハンドリング時にその周縁部に割れが生じたり、周縁端部に傷や欠けが生じたりすることがない。この有機ＥＬ素子パネルを用いた有機ＥＬディスプレイは、製品歩留まりを向上でき、低コスト化を実現できる。
【００２４】
本発明に係る有機ＥＬ素子パネルの製造方法によれば、封止層が設けられていない周縁部が存在しない有機ＥＬ素子パネルを製造できるので、製造された有機ＥＬ素子パネルは、その製造工程でのフレキシブルプリント配線板の貼合工程時やハンドリング時にその周縁部に割れが生じたり、周縁端部に傷や欠けが生じるのを防ぐことができる。その結果、製造された有機ＥＬ素子パネルを用いた有機ＥＬディスプレイは、製品歩留まりを向上でき、低コストでの製造を実現できる。
【００２５】
本発明に係る製造方法において、封止層を厚さが薄い基材に対して形成してもよいし、厚さが厚い基材（剛性基材）に対して形成した後にその基材を研磨して薄い基材としてもよい。前者においては、封止層を形成した後の薄い基材の周縁部や周縁端部での割れ等を防ぐことができ、後者においては、封止層を形成した後の厚い基材の研磨工程の安定化を実現できるとともに薄い基材に研磨した後の基材の周縁部や周縁端面の割れ等を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ素子パネルの一例（パッシブマトリクス型駆動方式）を示す模式的な斜視図である。
【図２】図１の有機ＥＬ素子パネルの模式的な平面図である。
【図３】本発明に係る有機ＥＬ素子パネルの他の一例（アクティブマトリクス型駆動方式）を示す模式的な斜視面図である。
【図４】図２の有機ＥＬ素子パネルの模式的な平面図である。
【図５】図２の有機ＥＬ素子パネルのＴＦＴ素子と有機ＥＬ素子の構造形態を示す模式的な断面図である。
【図６】有機ＥＬ素子パネルの周縁部の説明図である。
【図７】本発明に係る有機ＥＬ素子パネルの製造方法の一例を示す説明図である。
【図８】本発明に係る有機ＥＬ素子パネルの製造方法の他の一例を示す説明図である。
【図９】従来の有機ＥＬ素子パネルの一例（パッシブマトリクス型駆動方式）を示す模式的な断面図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。
【図１０】従来の有機ＥＬ素子パネルの他の一例（アクティブマトリクス型駆動方式）を示す模式的な断面図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。
【図１１】基材を研磨してフレキシブルな有機ＥＬ素子パネルを製造する従来例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に、本発明に係る有機ＥＬ素子パネル及びその製造方法について、図面を参照して詳しく説明する。なお、本発明は、その技術的特徴を有すれば種々の変形が可能であり、以下に具体的に示す実施形態に限定されるものではない。
【００２８】
［有機ＥＬ素子パネル］
（基本構成）
本発明に係る有機ＥＬ素子パネルは、図１〜図４に示すように、基材１上に設けられた有機ＥＬ素子１２及びその有機ＥＬ素子１２を駆動する配線２，３と、有機ＥＬ素子１２及び配線２，３を覆うように設けられた封止層６とを有している。そして、その封止層６が、基材１と同じ大きさで周縁端部１０まで又はその周縁端部１０からはみ出す大きさで設けられ、且つ周縁端部１０から内方に設けられて配線２，３に接続する取出電極部７には設けられていないことに特徴がある。
【００２９】
本発明の特徴は、上記のように、有機ＥＬ素子７を覆う封止層６が、基材１と同じ大きさで周縁端部１０まで又はその周縁端部１０からはみ出す大きさで設けられ、且つ周縁端部１０から内方に設けられて配線２，３に接続する取出電極部７には設けられていないことにある。そのため、有機ＥＬ素子パネルには、封止層６が設けられていない周縁部１０７（図９参照）が存在しない。その結果、有機ＥＬ素子パネルを製造する際での例えばフレキシブルプリント配線板の貼合工程時やハンドリング時にその周縁部２０が割れたりすることがない。こうした構成の有機ＥＬ素子パネルは、非常に薄い基材１を用いた場合であっても破損を防ぐことができ、ハンドリングも容易に行うことができる。特に、薄いガラスを基材１として有機ＥＬ素子パネルを作製する場合には、一番破損しやすい工程はガラスに曲げ荷重が加わる場合であり、例えばガラス上の粘着剤を剥がす作業、フレキシブルプリント配線板を貼り合わせる作業、ハンドリング作業等の各作業時に曲げ荷重が加わった場合であっても、割れ等の問題なく高歩留まりの有機ＥＬ素子パネルを製造できる。
【００３０】
なお、本願において、図１〜４に示すように、「周縁部」とは、基材１の端面１０から取出電極部７までを含む範囲のことであり、「周縁端部」とは、基材１を側面から見たときの端面のことである。また、配線２，３と取出電極８とが一体に形成されたものであってもよいし、別々に形成されて電気的に接続したものであってもよい。
【００３１】
以下、各構成について詳しく説明する。
【００３２】
（基材）
基材１は、基材１の種類や構造は特に限定されるものではなく、用途に応じたフレキシブルな材質が選択される。具体的に用いることができる材料としては、例えば、ガラス、石英等が挙げられる。ガラス基材としては、無アルカリガラス、ソーダガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラス基材等を挙げることができる。基材１として、必要に応じて水分、酸素等のガスを遮断するガスバリア性を有する基材を用いてもよい。また、金属膜や透明導電膜が形成されたガラス基材を用いてもよい。
【００３３】
基材１の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。なお、ガラス基材は、透明性、光学等方性、ガスバリア性、耐薬品性、平滑性、寸法安定性等に優れており、さらに厚さ２００μｍ以下のガラス基材は、柔軟性（フレキシブル性）と軽量化を実現できるという利点がある反面、割れやカケ等が生じやすく、ハンドリングが難しいという問題もある。後述する封止層６は、こうした問題を解決している。
【００３４】
なお、後述するように、封止層６を設けた後に研磨工程で厚い基材１’を薄く加工する場合には、厚さが３００μｍ以上２ｍｍ以下の基材１’を用いることができ、研磨工程後に前記した厚さ範囲の基材１とすることができる。この基材１’も、上記した各材質とすることができる。なお、厚さ２００μｍを超える例えば７００μｍのガラス基材を用いる場合は、後述のように、そのガラス基材上に有機ＥＬ素子１２を作製した後に封止層６を形成し、その後、ガラス基材の裏面Ｓを機械的に又は化学的（エッチング）に研磨してそのガラス基材を薄くすることができる（図８参照）。
【００３５】
基材１の形状は特に限定されず、用途に応じて、パネル状、チップ状、カード状、ディスク状等を挙げることができる。なお、枚葉状又は連続状の基材１上に有機ＥＬ素子１２や封止層６等を形成した後に個々のパネル状、チップ状、カード状、ディスク状に分断加工してもよい。
【００３６】
（有機ＥＬ素子）
有機ＥＬ素子１２は、基材１上に設けられている。有機ＥＬ素子１２の構成の詳細は公知のものと同様のものを適用できる。
【００３７】
有機ＥＬ素子パネル２１，２２は、有機ＥＬ素子１２をパッシブマトリクス型駆動方式で駆動させる場合とアクティブマトリクス型駆動方式で駆動させる場合がある。これらのいずれの場合も、有機ＥＬ素子パネル２１，２２の縦横に配線が設けられ、その配線からの電気信号を制御して有機ＥＬ素子１２を駆動させている。パッシブマトリクス型駆動方式は、Ｘ配線（走査線）２とＹ配線（データ線）３との間に有機ＥＬ層４を挟むと共に、両配線２，３が直交する形態となっている。また、アクティブマトリクス型駆動方式では、ＴＦＴ素子１１と有機ＥＬ素子１２とを備えた基板にＸ配線（走査線）２及びＹ配線（データ線及び電流供給線）３が縦横に配線された形態となっている。
【００３８】
図１及び図２は、パッシブマトリクス型駆動方式の有機ＥＬ素子パネル２１の一例を示す斜視図と平面図である。この有機ＥＬ素子パネル２１は、基材１と、基材１上に設けられ且つＹ方向にストライプ状に並設されているＹ配線（データ線）３と、そのストライプ状のＹ配線３の上に積層された有機ＥＬ層４と、Ｙ配線３及び有機ＥＬ層４からなるストライプ状積層体の間（面内方向すなわちＸＹ方向の間）に設けられた絶縁層５と、ストライプ状の積層体（３，４）と絶縁層５との上に設けられ且つＸ方向にストライプ状に並設されているＸ配線（走査線）２と、そのＸ配線２を覆うように設けられた封止層６とを有している。
【００３９】
この有機ＥＬ素子パネル２１において、有機ＥＬ素子１２は、画素幅に対応したＹ配線３である第１電極（陽極又は陰極）と、同じく画素幅に対応したＸ配線２である第２電極（陰極又は陽極）との間に有機ＥＬ層４（発光層を少なくとも含む。）が挟まれた形態をなしている。Ｙ配線３とＸ配線２とが交差する部分が有機ＥＬ素子１２となって発光する。
【００４０】
Ｙ配線３とＸ配線２とが交差する有機ＥＬ素子１２は、縦横に延びるＸ配線（走査線）の幅とＹ配線（データ線）の幅とで決まる。これらのＸ配線２とＹ配線３は、取出電極部７においてはそれぞれ取出電極８，９となり、その取出電極８，９はフレキシブルプリント配線板等（図示しない）に電気的に接続される。回路基板への電気的な接続は、例えば、回路基板の接続端子を取出電極８，９に貼り合わせて行う。
【００４１】
図３及び図４は、アクティブマトリクス型駆動方式の有機ＥＬ素子パネル２２の一例を示す斜視図と平面図である。この有機ＥＬ素子パネル２２は、基材１と、基材１上に設けられ且つＸ方向及びＹ方向に交差して画素領域１４を画定するＸ配線（走査線）２及びＹ配線（データ線、電流供給線）と、その画素領域１４内に設けられているＴＦＴ素子１１及び有機ＥＬ素子１２と、これらを覆うように設けられた封止層６とを有している。
【００４２】
この有機ＥＬ素子パネル２２において、画素領域１４は、ＴＦＴ素子１１と有機ＥＬ素子１２とで構成されている。ＴＦＴ素子１１は、図５に示すように、基材１上に所定のパターンで形成されたゲート電極３１と、ゲート電極３１を覆うように形成されたゲート絶縁層３２と、ゲート絶縁層３２上であってゲート電極３１の直上に所定のパターンで形成された半導体層３３と、半導体層３３上の中央部を開けて離間して形成されたソース・ドレイン電極３４とを少なくとも有する逆スタガ型ＴＦＴ、で構成されている。又は、図示しないが、基材１上に所定領域（チャネル領域となる部分。）を開けて離間してパターン形成されたソース・ドレイン電極と、ソース・ドレイン電極の間の所定領域を埋めると共に両電極を跨ぐように所定のパターンで形成された半導体層と、半導体層及びソース・ドレイン電極それぞれの上にそれらを覆うように形成されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に所定のパターンで形成されたゲート電極とを少なくとも有する順スタガ型ＴＦＴとしてもよい。一方、有機ＥＬ素子１２は、図５に示すように、前記ソース・ドレイン電極３４に接続する画素電極である第１電極（通常は陽極）３５と、その第１電極３５上に設けられた有機ＥＬ層３７（少なくとも発光層を含む。）と、その有機ＥＬ層３７上に設けられた第２電極（通常は陰極）３６とで積層されている。
【００４３】
ＴＦＴ素子１１と有機ＥＬ素子１２とで構成された画素領域１４は、縦横に延びるＸ配線（走査線）とＹ配線（データ線及び電流供給線）とで画定された形態となっている。これらのＸ配線２とＹ配線３は、取出電極部７においてはそれぞれ取出電極８，９となり、その取出電極８，９はフレキシブルプリント配線板等（図示しない）に電気的に接続される。回路基板への電気的な接続は、例えば、回路基板の接続端子を取出電極８，９に貼り合わせて行う。
【００４４】
なお、パッシブマトリクス型駆動方式において、有機ＥＬ素子１２を構成する各層（Ｘ配線２、Ｙ配線３、有機ＥＬ層４、絶縁層５）の構成材料は特に限定されず、従来公知の各種の材料を任意に選択して適用できる。また、アクティブマトリクス型駆動方式においても、ＴＦＴ素子１１を構成する各層（ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２、半導体層３３、ソース・ドレイン電極３４）及び有機ＥＬ素子１２を構成する各層（陽極、有機ＥＬ層、陰極）の構成材料は特に限定されず、従来公知の各種の材料を任意に選択して適用できる。また、有機ＥＬ層（４，３７）は、少なくとも発光層を有するものであればよく、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層、電子注入層、電子輸送層、電子注入輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層等を任意に選択して適用できる。
【００４５】
（封止層）
封止層６は、有機ＥＬ素子と配線を覆うように設けられている。そして、この封止層６は、図１〜図４に示すように、基材１と同じ大きさで周縁端部１０まで又はその周縁端部１０からはみ出す大きさで設けられている。更に加えて、封止層６は、周縁端部１０から内方に設けられて配線２，３に接続する取出電極部７には設けられていない。このとき、有機ＥＬ素子１２を駆動するための配線２，３に電気的に接続する取出電極８，９は、取出電極部７を窓状の開口部として露出している。
【００４６】
封止層６は、高分子材料を塗布して形成した封止層６であってもよいし、高分子材料からなる樹脂フィルムを貼り合わせたものであってもよい。高分子材料は特に限定されないが、例えば、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、液晶性ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリミクロイキシレンジメチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアクリレート、アクリロニトリル−スチレン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン、シリコーン樹脂、非晶質ポリオレフィン等が挙げられる。また、上記の他にも所定のフレキシブル性を満たす高分子材料であれば使用可能であり、２種類以上の共重合体を用いることもできる。また、ゾル−ゲル反応で成膜できる有機−無機系材料等を用いることもできる。
【００４７】
なお、樹脂フィルムを貼り合わせる場合には、熱可塑性樹脂接着剤、熱硬化性樹脂接着剤、又は紫外線硬化型樹脂接着剤からなる接着剤層を設けた樹脂フィルムを好ましく用いることができる。封止層６の厚さは、通常、５μｍ〜２００μｍの範囲である。この範囲の厚さからなる封止層６は、厚さが１０μｍ〜２００μｍと薄い基材１の割れや破損を防ぐことができる。なお、好ましい封止層６の厚さは１０μｍ〜２００μｍの範囲である。こうした封止層６を形成することにより、有機ＥＬ素子パネルの製造工程で加わる力を一点に集中させないで分散させることができ、その結果、その周縁部での割れ等を防ぐことができる。
【００４８】
封止層６の下層としてバリア層（図示しない）を形成してもよい。バリア層は、通常は取出電極部７には設けず、有機ＥＬ層４が設けられている画素領域１４に設けられる。バリア層としては、バリア性機能を有する各種の無機層や有機層を挙げることができる。例えば、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の窒化物や酸化物等からなる無機層は、物理的蒸着法や化学的蒸着法により成膜することができる。また、バリア性の樹脂フィルムやガラスをバリアフィルムとして設けてもよい。また、クロロトリフルオロエチレン系重合体であって、その分子量が４００〜６０００００である重合体を蒸着源とする蒸着法により成膜された１層又は複層構造のフッ素系高分子薄膜をバリア層として設けてもよい。なお、このフッ素系高分子薄膜は塗布法でも形成できる。また、ゾル−ゲル反応で成膜できる有機−無機系材料等を用いることもできる。
【００４９】
封止層６には取出電極部７が開口部としてストライプ状に設けられている。その開口部には、取出電極８，９が露出している。封止層６が設けられていない取出電極部７（開口部）は、図９及び図１０に示すような基材１の周縁端部１１０，２１０に沿ったものではなく、図１〜図４等に示すように、有機ＥＬ素子パネルの二辺と平行で、周縁端部１０から内側に入った位置に封止層６をくり抜いた態様でストライプ状に設けられている。なお、取出電極部７はＸ方向の一辺とＹ方向の一辺の少なくとも二辺に設けられるが、Ｘ方向の対向辺（二辺）に取出電極部７が設けられていてもよいし、Ｙ方向の対向辺（二辺）に取出電極部７が設けられていてもよい。また、取出電極を一箇所に纏めるように配線して一箇所の取出電極部７としてもよい。したがって、取出電極部７は、少なくとも一辺に沿った位置に設けられていればよく、二辺〜四辺に沿った位置に設けられていてもよい。
【００５０】
封止層６が設けられていない取出電極部７（開口部）のストライプ長さは、有機ＥＬ素子パネルの各辺の長さに応じて異なるので一概に言えないが、複数のＸ配線２の全てが露出する長さ及び複数のＹ配線３の全てが露出する長さである。一方、開口部である取出電極部７のストライプ幅は、通常、１００μｍ〜１０ｍｍ程度である。
【００５１】
封止層６は、基材１に対する大きさとしては、基材１と同じ大きさで周縁端部１０まで、又は、基材１の周縁端部１０からはみ出す大きさで設けられている。
【００５２】
「基材１と同じ大きさで周縁端部１０まで」とは、封止層６の周縁端部１９が基材１の周縁端部１０とＸ方向及びＹ方向の平面視の位置関係で完全に一致する大きさで設ける場合はもちろん、意図しないで生じる誤差寸法も含む。そうした誤差寸法は、基材１の周縁端部１０と封止層６の周縁端部１９との寸法差であって、基材１の辺に直交する方向の寸法差が±１ｍｍ程度の場合である。基材１と同じ大きさの封止層６を設けることにより、封止層６が破損しやすい基材１の周縁部２０を保護するように作用するので、ＦＰＣの貼合工程時やハンドリング時にその周縁部２０が割れたりすることがない。
【００５３】
「基材１の周縁端部１０からはみ出す大きさ」とは、図６に示すように、封止層６の周縁端部１９が基材１の周縁端部１０から平面視で外側に所定の幅ｄだけ突出する場合である。突出する幅ｄは、上記した誤差寸法よりも大きい場合であり、例えば２ｍｍ以上の場合であり、破損防止の観点から好ましくは３ｍｍ以上である。基材１の周縁端部１０から封止層６の周縁端部１９がはみ出すように封止層６を設けることにより、封止層６が破損しやすい基材１の周縁部２０を保護するように作用するとともに、周縁端部１０に他の物体が当たって周縁端部１０の端面を保護してその端面に傷や欠けが発生するのを防ぐことができる。その結果、ＦＰＣの貼合工程時やハンドリング時にその周縁部２０が割れたり、周縁端部１０に傷や欠けが生じたりするのを防ぐことができる。
【００５４】
なお、突出幅ｄの上限は特に限定されないが、例えば１０ｍｍとすることができる。１０ｍｍを超える突起幅ｄで封止層６が突出しても、上記効果は向上せず、却ってその突出部が邪魔になることがある。
【００５５】
このように、本発明の特徴は、有機ＥＬ素子１２を覆う封止層６が基材１と同じ大きさで周縁端部１０まで又は基材１の周縁端部１０からはみ出す大きさで設けられている点にある。そのため、有機ＥＬ素子パネルには、封止層６が設けられていない周縁部（図９及び図１０参照）が存在しない。その結果、有機ＥＬ素子パネルを製造する際での例えばフレキシブルプリント配線板の貼合工程時やハンドリング時にその周縁部が割れたりすることがない。こうした構成の有機ＥＬ素子パネルは、非常に薄い基材１を用いた場合であっても破損を防ぐことができ、ハンドリングも容易に行うことができる。特に、薄いガラスを基材１として有機ＥＬ素子パネルを作製する場合には、一番破損しやすい工程はガラスに曲げ荷重が加わる場合であり、例えばガラス上の粘着剤を剥がす作業、フレキシブルプリント配線板を貼り合わせる作業、ハンドリング作業等の各作業時に曲げ荷重が加わった場合であっても、割れ等の問題なく高歩留まりの有機ＥＬ素子パネルを製造できる。
【００５６】
［有機ＥＬ素子パネルの製造方法］
本発明に係る有機ＥＬ素子パネルの製造方法は、図７及び図８に示すように、基材１，１’を準備する工程と、その基材１，１’上に有機ＥＬ素子１２及び配線２，３を形成する工程と、その有機ＥＬ素子１２と配線２，３とを覆う封止層６を基材１，１’と同じ大きさで周縁端部１０まで又はその周縁端部１０からはみ出す大きさで設けるとともに、周縁端部１０から内方にある取出電極部７には設けない工程と、を有する。なお、有機ＥＬ素子１２及び配線２，３については、図１〜図４を参照。
【００５７】
本発明に係る有機ＥＬ素子１２の製造方法は、図７と図８に示す２態様の方法で製造できる。
【００５８】
（第１の製造方法）
第１の製造方法は、図７に示すように、基材１を準備する工程Ａと、有機ＥＬ素子１２及び配線２，３を基材１上に形成する工程Ｂと、封止層６を、周縁端部１０から内方にある取出電極部７には設けず、基材１，１’と同じ大きさで周縁端部１０まで又はその周縁端部１０からはみ出す大きさで設ける工程Ｃとを有する。
【００５９】
工程Ａは、図７（Ａ）に示すように、基材１を準備する工程であり、その基材１としては、「有機ＥＬ素子パネル」の説明欄で挙げた基材１を用いることができる。
【００６０】
工程Ｂは、図７（Ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子１２及び配線２，３を基材１上に形成する工程である。例えばパッシブマトリクス型駆動方式の有機ＥＬ素子１２では、図１の断面図から理解できるように、基材１上にストライプ状のＹ配線３（第１電極）を並設し、そのＹ配線３の上に有機ＥＬ層４を積層し、且つその積層体の面内方向間に絶縁層５を形成し、その有機ＥＬ層４と絶縁層５の上にＸ方向に延びるＸ配線２をストライプ状に並設する。Ｙ配線３とＸ配線２とで有機ＥＬ層４を上下（Ｚ方向）から挟む平面視領域が、有機ＥＬ素子１２の単画素となる。一方、アクティブマトリクス型駆動方式の有機ＥＬ素子１２では、基材１上にＴＦＴ素子１１と有機ＥＬ素子１２とからなる画素領域１４を形成する。なお、ＴＦＴ素子１１と有機ＥＬ素子１２の作製は、上記の有機ＥＬ素子の説明欄に記載のように、ＴＦＴ素子１１を構成する各層（ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２、半導体層３３、ソース・ドレイン電極３４）を順次パターン形成するとともに、有機ＥＬ素子１２を構成する各層（陽極、有機ＥＬ層、陰極）も順次パターン形成して行う。
【００６１】
工程Ｃは、図７（Ｃ）（Ｄ）に示すように、封止層６を、配線２，３の取出電極部７には設けず、基材１，１’と同じ大きさで周縁端部１０まで又はその周縁端部１０からはみ出す大きさで形成する工程である。この工程は、詳しくは、図７（Ｃ）の工程と図７（Ｄ）の工程とに分かれる。
【００６２】
図７（Ｃ）の工程は、工程Ｂで形成した有機ＥＬ素子１２及び絶縁層５を覆うように封止層６を設ける工程である。このとき、封止層６は、有機ＥＬ素子１２及び配線２，３を覆うとともに、基材１の全面に形成する。ここで、「全面に形成する」とは、上記したように、基材１と同じ大きさ周縁端部１０まで又はその周縁端部１０からはみ出す大きさで形成することである。「同じ大きさ」及び「はみ出す大きさ」の程度は、既に説明したのでここではその説明を省略する。
【００６３】
図７（Ｄ）は、図７（Ｃ）の工程で封止層６を一様に形成した後において、配線２，３の取出電極部７が露出するように封止層６を除去する工程である。封止層６の除去は、図１〜図４等で示すように、取出電極部７がストライプ状に開口するように行う。取出電極部７の寸法、取出電極８，９等については、既に説明したのでここではその説明を省略する。
【００６４】
なお、図７（Ｃ）（Ｄ）では、封止層を形成した後に取出電極部７に開口部を形成しているが、封止フィルムを用いる場合は、取出電極部７に相当する開口部を予め形成した封止フィルムを図７（Ｂ）の工程後に貼り合わせて図７（Ｄ）の態様としてもよい。
【００６５】
（第２の製造方法）
第２の製造方法は、図８に示すように、厚さの厚い基材１’を準備する工程ａと、有機ＥＬ素子１２及び配線２，３を基材１’上に形成する工程ｂと、封止層６を、周縁端部１０から内方にある取出電極部７には設けず、基材１’と同じ大きさで周縁端部１０まで又はその周縁端部１０からはみ出す大きさで設ける工程ｃと、有機ＥＬ素子１２を設けていない側の基材１’の面（裏面Ｓ）を研磨して薄い基材厚さにする工程とを有する。
【００６６】
工程ａは、基材１よりも厚い基材１’を準備する工程である。基材１’については、既に説明したように、厚さが３００μｍ〜２ｍｍの基材を用いることができる。
【００６７】
工程ｂは、有機ＥＬ素子１２及び配線２，３をその基材１’上に形成する工程である。この工程ｂは、上記第１の製造方法における場合と同様である。
【００６８】
工程ｃは、封止層６を、配線２，３の取出電極部７には設けず、基材１，１’と同じ大きさで周縁端部１０まで又はその周縁端部１０からはみ出す大きさで形成する工程である。この工程は、詳しくは、図８（Ａ）の工程と図８（Ｂ）の工程とに分かれる。図８（Ａ）の工程は、上記第１の製造方法における図７（Ｃ）に示す工程と同じであり、その説明も既述したのでここではその説明を省略する。また、図８（Ｂ）の工程も、上記第１の製造方法における図７（Ｄ）に示す工程と同じであり、その説明も既述したのでここではその説明を省略する。
【００６９】
こうして、基材１’上に、封止層６を、有機ＥＬ素子１２を駆動するための配線２，３の取出電極部７には設けず、基材１’と同じ大きさで周縁端部１０まで又はその周縁端部１０からはみ出す大きさで設けてなる中間製造物を得ることができる。この第２の製造方法は、その後、中間製造物に対して研磨工程を付加し、有機ＥＬ素子を設けていない側の基材１’の面（裏面Ｓ）を研磨し、薄い基材厚さにする。
【００７０】
研磨工程ｄは、図８（Ｃ）（Ｄ）に示すように、前記した中間製造物の封止層側がステージ４１に接触するように載せ、上面に露出した基材面（裏面Ｓ）を研磨する工程である。すなわち、この研磨工程は、封止層６が形成された基材面の反対側の面Ｓを研磨する工程である。この工程により、基材１’がフレキシブル性を備える程度にその厚さを薄くすることができる。
【００７１】
この研磨工程では、基材面Ｓを研磨部材で研磨するので、基材に研磨時の応力が加わる。応力が負荷した状態での研磨工程では、研磨が進行して基材が薄くなると基材は割れやすくなり、例えば図１１（Ｃ）（Ｄ）に示す態様ではその周縁部１０７に割れが生じる。しかしながら、この第２の製造方法においては、ステージ側の基材面Ｓでは、周縁端部１０の位置まで封止層６が形成されているので、図１１（Ｃ）（Ｄ）に示すような強度の弱い部分が周縁部に存在していない。その結果、薄い厚さにまで基材１’を研磨したとしても、ガラス基板に破損等を生じることを著しく低減することができる。
【００７２】
基材１’の研磨手段としては、例えば、機械研磨法、化学的研磨法又は化学的機械的研磨法を挙げることができる。機械研磨法は、一般的な精密機器に用いられる無機系の透明基材を研磨する方法と同様であるのでここでの説明は省略する。また、化学的研磨方法は、ドライエッチングやエッチャントを用いたウェットエッチングのことであり、コストや生産効率の点からはウェットエッチングが好適に用いられる。このウェットエッチングでは、ガラスを溶解させるフッ酸をエッチャントとし、封止層側を保護して封止層の形成面の反対側の面を薄くする方法である。また、化学的機械的研磨（Chemical  Mechanical  Polishing）は、研磨剤（砥粒）自体が有する表面化学作用又は研磨液に含まれる化学成分の作用によって研磨剤と基材１’との相対運動による機械的研磨（表面除去）効果を増大させ、高速かつ平滑な研磨面を得る研磨手段である。
【００７３】
以上、本発明に係る有機ＥＬ素子パネルの製造方法によれば、封止層６を基材１’上に形成し、その後に基材１’を研磨して薄い基材１とするので、研磨後の基材１は、有機ＥＬ素子パネルの製造工程でのＦＰＣの貼合工程時やハンドリング時にその周縁部が割れたり、周縁端部１０に傷や欠けが生じたりすることがない。こうして製造された有機ＥＬ素子パネルは、封止層６が設けられていない周縁部（図８参照）が存在しないので、その後の各工程においても、その周縁部が割れたり、周縁端部に傷や欠けが生じたりすることがない。
【実施例】
【００７４】
以下に、実施例と比較例を挙げて本発明を更に詳しく説明する。なお、本発明の範囲は以下の実施例に限定されない。
【００７５】
［実施例１］
図１に示す態様のパッシブマトリクス型駆動方式の有機ＥＬ素子パネルを作製した。先ず、厚さ２００μｍのガラス基材（日本電気硝子株式会社製、商品名：ＯＡ−１０Ｇ、寸法：１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）を準備した。その後、そのガラス基材上にＩＴＯを成膜した後にパターニングしてストライプ状（帯状）のＹ配線３を形成した。Ｙ配線３は幅１ｍｍ、Ｙ方向にピッチ１．５ｍｍで並設した。次に、ストライプ状のＹ配線３の上に有機ＥＬ層４を積層した。有機ＥＬ層４は、ＰＥＤＯＴ（３，４−エチレンジオキシチオフェンのポリマー）からなる正孔注入輸送層、ポリフルオレン誘導体からなる発光層、カルシウムからなる電子注入輸送層をその順で設けてパターン形成した。併せて、Ｙ配線３及び有機ＥＬ層４からなるストライプ状積層体の間に絶縁層５を形成した。絶縁層５は、ポリイミドからなる材料を成膜した後にパターニングして形成した。ストライプ状の積層体（３，４）と絶縁層５との上にアルミニウムを成膜した後にパターニングしてストライプ状（帯状）のＸ配線２を形成した。Ｘ配線２は幅１ｍｍ、Ｘ方向にピッチ１．５ｍｍで並設した。
【００７６】
次に、ストライプ状のＸ配線２を含む全面を覆うように封止層６を形成した。その後、基材の周縁端部１０から内方に幅１０ｍｍ（Ｗ２）の封止層６を残し、さらに内方に幅５ｍｍ（Ｗ１）のスリット状の開口部を形成した。この開口部内には、取出電極８，９が露出している。この取出電極８，９は、それぞれＸ配線２とＹ配線３に電気的に接続するものであり、後にフレキシブルプリント配線板に接続する。なお、開口部を有する封止層６は、予め有機ＥＬ層４が形成された画素領域１４にＣＶＤ法で窒化ケイ素膜をバリア層として形成した後に形成した。その封止層は、ポリイミドからなる層をスクリーン印刷によりパターニングし、その後に開口部を形成してなるものである。スリット状の開口部の長手方向には、その長手方向側の周縁端部１０から５ｍｍの封止層６が残るように形成されている。
【００７７】
こうして形成された有機ＥＬ素子パネルにおいて、取出電極部７（開口部）を有する封止層６は、基材１と同じ大きさで周縁端部１０まで形成した。突出幅ｄ（図６参照）は±０ｍｍであった。
【００７８】
［実施例２］
実施例１において、封止層を印刷した後にパターニングして開口部を形成する代わりに、実施例１と同様の寸法の開口部を形成した封止フィルムを貼り合わせた。なお、開口部を有する封止フィルムとして厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムを用い、これを厚さ５０μｍのエポキシ系ＵＶ硬化型接着剤層を介し、有機ＥＬ素子及び配線を覆うように真空下で張り合わせた。貼り合せた後、ＵＶ光を照射してＵＶ硬化型接着剤を硬化した。それ以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子パネルを作製した。
【００７９】
こうして形成された有機ＥＬ素子パネルにおいて、取出電極部７（開口部）を有する封止層６は、基材１の周縁端部１０から突出幅ｄが外方側に２ｍｍとなるようにはみ出す大きさで形成した。こうした突出幅は、貼り合わせた封止フィルムを突出幅を含めた大きさで切断加工して形成した。
【００８０】
［実施例３］
実施例２と同様にして、取出電極部７（開口部）を有する封止層６を、基材１の周縁端部１０から突出幅ｄが外方側に１０ｍｍとなるようにはみ出す大きさで形成した。それ以外は実施例２と同様にして有機ＥＬ素子パネルを作製した。
【００８１】
［実施例４］
実施例１において、基材１として、厚さ５０μｍのガラス基材（日本電気硝子株式会社製、商品名：ＯＡ−１０Ｇ）を用いた他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子パネルを作製した。
【００８２】
［実施例５，６］
実施例１において、取出電極部７のスリット幅Ｗ２を１００μｍとした有機ＥＬ素子パネルを実施例５，６として作製した。同様に、スリット幅Ｗ２を１０ｍｍとした有機ＥＬ素子パネルを作製した。
【００８３】
［実施例７］
実施例１において、基材１として、厚さ７００μｍのガラス基材（セントラル硝子株式会社製、商品名：ソーダライムガラス、寸法：１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）を用いた他は、実施例１と同様にして中間製造物（有機ＥＬ素子パネル）を作製した。その後、この中間製造物の裏面Ｓをエッチングした。エッチングは、フッ酸を用いて行い、厚さを１００μｍまで薄くした。こうして有機ＥＬ素子パネルを作製した。
【００８４】
［実施例８］
図３に示す態様のアクティブマトリクス型駆動方式の有機ＥＬ素子パネルを作製した。先ず、厚さ２００μｍのガラス基材（日本電気硝子株式会社製、商品名：ＯＡ−１０Ｇ、寸法：１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）を準備した。その後、そのガラス基材上にＴＦＴ素子１１と有機ＥＬ素子１２を所定のパターンでそれぞれ作製すると共に、Ｘ配線２（走査線）及びＹ配線３（データ線と電流供給線）を所定のパターンで作製した。
【００８５】
ＴＦＴ素子１１は図５と同じ構成とした。一方、有機ＥＬ素子１２も図５に示すように、前記ソース・ドレイン電極３４に接続する画素電極であるＩＴＯからなる陽極３５と、その陽極３５上に設けられた有機ＥＬ層３７と、その有機ＥＬ層３７上に設けられたアルミニウムからなる陰極３６とで構成されている。有機ＥＬ層３７は、ＰＥＤＯＴからなる正孔注入輸送層、ポリフルオレン誘導体からなる発光層及びカルシウムからなる電子注入輸送層をその順で設けてパターン形成した。封止層６については、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子パネルを作製した。
【００８６】
［比較例１］
図９に示す形態のパッシブマトリクス型駆動方式の有機ＥＬ素子パネルを、実施例１と同様にして作製した。上記した各実施例との相違は、開口部として設けられる取出電極部７の位置である。この比較例１では、取出電極部７からなる開口部を基材の辺に沿った周縁部に、周縁端部１０から１０ｍｍ幅で形成した。
【００８７】
［評価］
実施例１〜８及び比較例１で得られた各有機ＥＬ素子パネルについて、周縁部２０での割れの発生のし易さと周縁端部１０への傷の付きにくさを評価した。周縁部２０での割れの発生のし易さは、１５０ｍｍ×１５０ｍｍの有機ＥＬ素子パネルを曲げていき、どの程度曲げたときに破壊が発生したかで相対評価した。その結果、有機ＥＬ素子パネルを曲げていったとき、比較例１の有機ＥＬ素子パネルの周縁部で割れが発生した曲げ量でも、実施例１〜８の有機ＥＬ素子パネルでは割れが全く発生しなかった。また、周縁端部１０への傷の付きにくさは、有機ＥＬ素子パネルを落下させる落下試験で評価したが、実施例２，３の有機ＥＬ素子パネルは周縁端部１０に傷は付かなかった。
【符号の説明】
【００８８】
１  基材
２  Ｘ配線
３  Ｙ配線
４  有機ＥＬ層
５  絶縁層
６  封止層
７  取出電極部
８  取出電極
９  取出電極
１０  周縁端部
１１  ＴＦＴ素子
１２  有機ＥＬ素子
１３  画素電極部
１４  画素領域
１９  封止層の周縁端部
２０  周縁部
２１  有機ＥＬ素子パネル（パッシブマトリクス型駆動方式）
２２  有機ＥＬ素子パネル（アクティブマトリクス型駆動方式）
３１  ゲート電極
３２  ゲート絶縁層
３３  半導体層
３４  ソース・ドレイン電極
３５  第１電極（陽極）
３６  第２電極（陰極）
３７  有機ＥＬ層
３８  絶縁層
４１  ステージ
４２  研磨具
Ｗ１  周縁部（取出電極部）の幅
Ｗ２  周縁端部に設けられた封止層の幅
ｄ  周縁端部からの封止層の突出幅
Ｓ  基材の裏面
【００８９】
１００，２００  有機ＥＬ素子パネル
１０１，２０１  基材
１０１’  基材
１０２，２０２  Ｘ配線
１０３，２０３  Ｙ配線
１０４  有機ＥＬ層
１０５  絶縁層
１０６，２０６  封止層
１０７，２０７  周縁部（取出電極部）
１０８，１０９，２０８，２０９  取出電極
１１０，２１０  周縁端部
２０４  ＴＦＴ素子
２０５  有機ＥＬ素子
２１１  画素領域
【図１】
2011175753.tif 000003
【図２】
2011175753.tif 000004
【図３】
2011175753.tif 000005
【図４】
2011175753.tif 000006
【図５】
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【図６】
2011175753.tif 000008
【図７】
2011175753.tif 000009
【図８】
2011175753.tif 000010
【図９】
2011175753.tif 000011
【図１０】
2011175753.tif 000012
【図１１】
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