(57)【要約】【課題】メニスカスの安定性を高くし、かつ、不完全性を小さくするシステム、例えば気泡を生成し、あるいは滴を放出する可能性を小さくするためのシステムを提供する。【解決手段】液浸リソグラフィ装置内の基板テーブルのためのカバーであって、基板と該基板が受け取られる基板テーブル内の凹所との間の少なくとも隙間を覆うカバーが提供される。【選択図】図６
2011014905.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のための凹所が形成される上部表面を有する、リソグラフィ装置のための基板テーブルであって、
前記凹所の縁と前記凹所中の前記基板の縁の間の隙間を覆うように構成され、開放中央セクションを有するカバーと、
前記カバーが前記凹所中の前記基板の上部表面と接触する閉位置と、前記カバーが前記凹所中の前記基板の前記上部表面から離れて設定される開位置との間で前記カバーを移動させるように構成されたアクチュエータシステムであって、前記カバーを前記開位置へ移動させる際に、前記基板が前記カバーの前記開放中央セクションを通過することができるよう、前記カバーの前記開放中央セクションを広くするように構成されたアクチュエータシステムと、
を備える基板テーブル。
【請求項２】
前記カバーが、前記基板の周囲を前記基板の前記上部表面の周辺領域から前記基板テーブルの前記上部表面まで延在するように構成される、
請求項１に記載の基板テーブル。
【請求項３】
前記アクチュエータシステムが、前記カバーを前記開位置へ移動させる際に、前記カバーの前記開放中央セクションを広くするために、前記カバーの複数の部分が互いに対してそれぞれ異なる方向に移動するように構成され、
前記個々の方向が、前記カバーの前記開放中央セクションから遠ざかる方向である、
請求項１または２に記載の基板テーブル。
【請求項４】
前記カバーが、その内側の周囲からその外側の周囲まで少なくとも１つの切れ目を備える環状プレートを備える、
請求項１から３のいずれか１項に記載の基板テーブル。
【請求項５】
前記アクチュエータシステムおよび前記カバーが、前記カバーが前記開位置へ移動する際に、前記カバーの少なくとも一部が弾性変形して前記カバーの前記開放中央セクションが広くなるように構成される、
請求項１から４のいずれか１項に記載の基板テーブル。
【請求項６】
前記カバーの前記複数の部分の各々が前記カバーの離散セクションを備え、
前記アクチュエータシステムが前記カバーの前記セクションの各々をそれぞれ異なる方向に移動させる、
請求項３に記載の基板テーブル。
【請求項７】
前記アクチュエータシステムが、前記カバーの複数の部分の各々を前記基板テーブルの前記上部表面に対して直角の方向に移動させるように構成された縦方向移動アクチュエータステージ、および前記カバーの前記複数の部分の各々を前記基板テーブルの前記上部表面に対して平行の個々の方向に移動させるように構成された横方向移動アクチュエータステージを備える、
請求項１から６のいずれか１項に記載の基板テーブル。
【請求項８】
前記縦方向移動アクチュエータステージが、
第１および第２のコンポーネントと、
前記第２のコンポーネントを前記第１のコンポーネントに対して、前記基板テーブルの前記上部表面に対して直角の方向に移動させるように構成されたアクチュエータと、
前記第２のコンポーネントに対する前記第１のコンポーネントの、前記基板テーブルの前記上部表面に対して平行の方向の移動を最小化するように構成される少なくとも１つの移動ガイドと、
を備える、
請求項７に記載の基板テーブル。
【請求項９】
前記カバーによって覆われる隙間に隣接する前記カバーの第１の面の圧力が、前記カバーの前記第１の面とは反対側の第２の面の圧力より低くなるよう、低圧源に接続されるように構成されるガス出口をさらに備える、
請求項１から８のいずれか１項に記載の基板テーブル。
【請求項１０】
前記基板テーブルの前記上部表面の前記凹所が、前記凹所の縁から延在する二次カバーであって、前記基板が前記凹所内に存在している場合、前記基板の下部表面の周辺領域と接触するように構成される二次カバーを備える、
請求項１から９のいずれか１項に記載の基板テーブル。
【請求項１１】
前記基板が前記凹所内に存在している場合、前記凹所の縁、前記基板の縁、前記カバーおよび前記二次カバーによって密閉空間が画定され、
前記基板テーブルは、前記密閉空間に隣接する前記二次カバーの面の圧力が、前記密閉空間の反対側に面している前記二次カバーの反対側の面の圧力より低くなるよう、低圧源に接続されるガス出口をさらに備える、
請求項１０に記載の基板テーブル。
【請求項１２】
前記基板テーブルが、前記基板テーブルに隣接するように構成され、かつ、前記基板テーブルの前記上部表面に対して平行である上部表面を有する少なくとも１つの他のコンポーネントを備え、
前記カバーが、前記カバーが前記閉位置に位置している場合、前記少なくとも１つの他のコンポーネントと前記凹所が隣接するポイントにおける前記基板テーブルの前記上部表面中の縁と、前記少なくとも１つの他のコンポーネントの縁との間の隙間を覆うように構成される、
請求項１から１１のいずれか１項に記載の基板テーブル。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１項に記載の基板テーブルを備えるリソグラフィ装置。
【請求項１４】
基板のための凹所をその上部表面に有する基板テーブルと、
前記凹所の縁と前記凹所中の前記基板の縁の間の隙間を覆うように構成され、開放中央セクションを有するカバーと、
を備えるリソグラフィ装置の基板テーブルに基板をローディングし、あるいはリソグラフィ装置の基板テーブルから基板をアンローディングする方法であって、
前記カバーが前記凹所中の前記基板の上部表面と接触する閉位置と、前記カバーが前記凹所中の前記基板から離れて設定される開位置との間で前記カバーを移動させる工程と、
前記カバーを前記開位置へ移動させる際に、前記基板が前記カバーの前記開放中央セクションを通過するよう、前記カバーの前記開放中央セクションを広くする工程と、
を含む方法。
【請求項１５】
請求項１４の方法に従ってリソグラフィ装置の基板テーブルに基板をローディングする工程および／またはリソグラフィ装置の基板テーブルから基板をアンローディングする工程と、
パターン付き放射ビームを、液体を介して前記基板上に投影する工程と、
を含むデバイス製造方法。
【請求項１６】
基板テーブルの表面に形成される凹所中で基板をサポートするように構成された、リソグラフィ装置のための基板テーブルであって、かつ、前記凹所が、前記凹所中の前記基板の縁と前記凹所の縁の間に隙間を有するように構成されており、前記隙間を密閉するように構成された密閉構造を有する基板テーブルであって、
前記密閉構造が、
前記隙間を密閉するように構成された平坦な閉鎖エレメントと、
前記基板を前記凹所内に配置することができる開位置と、前記平坦な閉鎖エレメントが前記隙間を密閉する閉位置との間で前記平坦な閉鎖エレメントを移動させるように構成されたアクチュエータと、
を備え、
前記アクチュエータが、前記平坦な閉鎖エレメントを前記閉位置へ移動させる際に、前記隙間を密閉するために前記基板の表面に対して直角の方向に前記平坦な閉鎖エレメントを移動させるように構成される、
基板テーブル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置のための基板テーブル、リソグラフィ装置、基板テーブルを使用する方法およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット部分上に所望のパターンを与えるマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（IC）の製造に使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層上に形成するべき回路パターンを生成するために使用され得る。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えばダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）に転写することができる。パターンの転写は、一般に基板上に与えられた放射感応性材料（レジスト）の層上に結像することによって行われる。一般に、単一の基板は、次々とパターニングされる網状の隣接したターゲット部分を含むことになる。既知のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、放射ビームによってパターンを所定方向（「スキャン」方向）にスキャンし、同時に、基板をこの方向と平行または逆平行に同期してスキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによりパターニングデバイスから基板へパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終エレメントと基板の間の空間を充填するために、リソグラフィ投影装置内の基板を屈折率が比較的大きい液体、例えば水の中に浸すことが提案されている。一実施形態では、この液体は、他の液体を使用することも可能であるが蒸留水である。本発明の一実施形態について、液体を参照して説明する。しかしながら、別の流体、特に湿潤流体、非圧縮性流体、および／または空気よりも高い屈折率を有し、望ましくは水よりも高い屈折率を有する流体が適切となり得る。ガスを排除する流体はとりわけ望ましい。これの要点は、露光放射は液体中では波長がより短くなるため、より小さいフィーチャを結像させることができることである。（液体の効果は、システムの実効開口数（NA）を大きくすることであり、また、やはり焦点深度を深くすることであると見なすことも可能である。）固体粒子（例えば石英）が懸濁した水、あるいは微小粒子（例えば最大寸法が１０ｎｍまでの粒子）が懸濁した液体を始めとする他の液浸液も提案されている。懸濁した粒子は、それらが懸濁している液体の屈折率と同様の屈折率または同じ屈折率を有していても、あるいは有していなくてもよい。適切とすることができる他の液体は、芳香族系などの炭化水素、フッ化炭化水素および／または水溶液を含む。
【０００４】
[0004]  基板または基板と基板テーブルの両方を液体の槽に浸すことは（例えば米国特許第ＵＳ４５０９８５２号を参照されたい。）、スキャン露光中に加速しなければならない大量の液体が存在していることを意味している。そのためには、追加のモータ、またはより強力なモータが必要となることがあり、また、液体中の乱流によって、望ましくない、予測不可能な影響がもたらされることがある。
【０００５】
[0005]  提案されている他の構造は、閉じ込め液浸システムおよびオールウェット液浸システムを含む。閉じ込め液浸システムの場合、流体供給システムは、液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局部領域のみ、および投影システムの最終エレメントと基板の間に液体を提供する（基板は、通常、投影システムの最終エレメントより広い表面積を有している）。ＰＣＴ特許出願公告第ＷＯ９９／４９５０４号に、このために構造に対して提案されている方法の１つが開示されている。
【０００６】
[0006]  オールウェット液浸システムの場合、ＰＣＴ特許出願公告ＷＯ２００５／０６４４０５に開示されているように液浸液は閉じ込められない。このようなシステムの場合、基板の頂部表面全体が液体で覆われる。その場合、基板の頂部表面全体が実質的に同じ状態に露出されるため、これは有利となり得る。これは、基板の温度制御および処理のための利点を有することがある。ＷＯ２００５／０６４４０５では、液体供給システムは、投影システムの最終エレメントと基板の間の隙間に液体を提供している。液体は、基板の残りの部分に漏れ出すことができる。基板テーブルの頂部表面から制御された方法で除去することができるよう、基板テーブルの縁部分の障壁が液体の漏洩を防止している。
【０００７】
[0007]  液浸システムは、流体ハンドリングシステムまたは装置であってもよい。液浸システム内では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、構造体または装置によって取り扱われる。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給することができ、したがって流体供給システムである。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、したがって流体閉じ込めシステムである。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体に障壁を提供することができ、したがって流体閉じ込め構造体などの障壁部材である。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは、例えば液浸流体の流れおよび／または位置の制御を補助するために、ガスの流れを生成するか、あるいはガスの流れを使用し得る。ガスの流れは、液浸流体を閉じ込めるためのシールを形成することができ、したがって流体ハンドリング構造体はシール部材と呼ぶことができ、このようなシール部材は流体閉じ込め構造体であってもよい。流体ハンドリングシステムは、投影システムと基板テーブルの間に配置され得る。一実施形態では、液浸液は液浸流体として使用される。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムであってもよい。上述の説明の参照に際しては、この段落における、流体に対して定義される特徴の参照は、液体に対して定義される特徴を含むことを理解されたい。
【０００８】
[0008]  流体ハンドリングシステムまたは液体閉じ込め構造体では、液体は、例えば閉じ込め構造体内の空間に閉じ込められる。この空間は、閉じ込め構造体のボディと、その下方に位置している表面（例えば基板テーブル、基板テーブル上にサポートされた基板、シャッタ部材および／または測定テーブル）と、液浸システムの局部領域の場合であれば、流体ハンドリングシステムまたは液体閉じ込め構造体とその下方に位置している構造体との間の流体メニスカスとによって画定することができ、つまり液浸空間内の空間であってもよい。オールウェットシステムの場合、液体は、液浸空間から基板および／または基板テーブルの頂部表面へ流出することができる。
【０００９】
[0009]  それぞれ参照によりその全体が本明細書に組み込まれている欧州特許出願公告第ＥＰ  １４２０３００号および米国特許出願公告第ＵＳ２００４−０１３６４９４号に、ツインすなわちデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。このような装置は、基板をサポートするための２つのテーブルを備えている。液浸液がない第１の位置のテーブルを使用して水準測定が実行され、液浸液が存在している第２の位置のテーブルを使用して露光が実行される。別法としては、装置はテーブルを１つだけ有している。
【００１０】
[0010]  液浸リソグラフィ装置内における基板の露光が完了すると、基板テーブルがその露光位置から、基板を除去し、かつ、異なる基板と交換し得る位置へ移動される。これは基板スワップとして知られている。２ステージリソグラフィ装置の場合、基板テーブルスワップは、投影システムの下方で行われ得る。
【発明の概要】
【００１１】
[0011]  リソグラフィ装置の場合、基板は、基板ホルダによって基板テーブル上にサポートされる。基板ホルダは、基板テーブルの凹所に配置され得る。この凹所は、基板が基板ホルダによってサポートされる際に、基板の頂部表面と該基板を取り囲んでいる基板テーブルの表面が概ね同じ平面に存在するように寸法決めすることができる。基板の周囲には、基板の縁と基板テーブルの縁の間の隙間が存在し得る。このような隙間は、リソグラフィ装置の液浸システムにおいては望ましくない可能性がある。投影システムの最終エレメントとその下方に位置している表面との間の空間の液浸液の下方をこの隙間が移動すると、閉じ込め構造体とその下方に位置している表面との間のメニスカスが隙間を横切る。隙間を横切ると、メニスカスの不安定性が大きくなり得る。メニスカスが不安定になると、閉じ込め構造体と基板テーブルの間の相対速度、例えばスキャンニング速度またはステッピング速度が速くなり得る。メニスカスの不安定性が次第に度を増して大きくなると、それに伴って不完全性が大きくなるため、危険である。例えば、不安定なメニスカスは、ガスを気泡として液浸液中に閉じ込め、あるいは滴を液浸空間から漏出させることがある。このような気泡は、空間に引き込まれることがあり、そのために結像欠陥がもたらされることがある。滴は、蒸発する際に汚染物質源および熱負荷になることがあり、また、後にメニスカスと衝突して、空間に気泡が引き込まれる原因になることがある。
【００１２】
[0012]  隙間を横切る１つまたは複数の問題は、２相抽出システムを準備することによって抑制し得る。２相抽出システムは、隙間から液浸液およびガス（気泡のように液体中に存在し得るガス）などの流体を抽出する。空間への気泡の放出、あるいは空間からの滴の漏出などの不完全性の原因は、除去されないにしても少なくし得る。しかしながら、このような抽出システムを準備することにより、基板テーブルおよび基板に熱負荷を印加することになる可能性がある。これは、基板上に形成されるパターンのオーバーレイ精度に対して負の影響を有し得る。隙間は、基板の信頼性の高い結像を達成するために使用され得るスキャン速度を暗黙のうちに制限し得る。
【００１３】
[0013]  したがって、例えば、メニスカスの安定性を高くし、かつ、不完全性を小さくするシステム、例えば気泡を生成し、あるいは滴を放出する可能性を小さくするためのシステムが提供されることが望ましい。
【００１４】
[0014]  一態様では、基板のための凹所が形成される上部表面を有する、リソグラフィ装置のための基板テーブルであって、
凹所の縁と凹所中の基板の縁の間の隙間を覆うように構成され、開放中央セクションを有するカバーと、
カバーが凹所中の基板の上部表面と接触する閉位置と、カバーが凹所中の基板の上部表面から離れて設定される開位置との間でカバーを移動させるように構成されたアクチュエータシステムであって、カバーを開位置へ移動させる際に、基板がカバーの開放中央セクションを通過することができるよう、カバーの開放中央セクションを広くするように構成されたアクチュエータシステムと、
を備える基板テーブルが提供される。
【００１５】
[0015]  一態様では、上記基板テーブルを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１６】
[0016]  一態様では、
基板のための凹所をその上部表面に有する基板テーブルと、
凹所の縁と凹所中の基板の縁の間の隙間を覆うように構成され、開放中央セクションを有するカバーと、
を備えるリソグラフィ装置の基板テーブルに基板をローディングし、あるいはリソグラフィ装置の基板テーブルから基板をアンローディングする方法であって、
カバーが凹所中の基板の上部表面と接触する閉位置と、カバーが凹所中の基板から離れて設定される開位置との間でカバーを移動させる工程と、
カバーを開位置へ移動させる際に、基板がカバーの開放中央セクションを通過するよう、カバーの開放中央セクションを広くする工程と、
を含む方法が提供される。
【００１７】
[0017]  一態様では、上記リソグラフィ装置の基板テーブルに基板をローディングする工程および／または上記リソグラフィ装置の基板テーブルから基板をアンローディングする工程と、パターン付き放射ビームを、液体を介して基板上に投影する工程とを含むデバイス製造方法が提供される。
【００１８】
[0018]  一態様では、リソグラフィ装置のための基板テーブルであって、基板テーブルが、基板テーブルの表面に形成される凹所中で基板をサポートするように構成され、凹所が、凹所中の基板の縁と凹所の縁の間に隙間を有するように構成され、基板テーブルが、隙間を密閉するように構成された密閉構造を有し、密閉構造が、
隙間を密閉するように構成された平坦な閉鎖エレメントと、
基板を凹所内に配置することができる開位置と、平坦な閉鎖エレメントが隙間を密閉する閉位置との間で平坦な閉鎖エレメントを移動させるように構成されたアクチュエータと、
を備え、
アクチュエータが、平坦な閉鎖エレメントを閉位置へ移動させる際に、隙間を密閉するために基板の表面に対して直角の方向に平坦な閉鎖エレメントを移動させるように構成される、基板テーブルが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
[0019]  次に、本発明の実施形態が、例としてのみ、対応する参照記号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら説明される。
【００２０】
【図１】[0020]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0021]リソグラフィ投影装置に使用するための液体供給システムとしての流体ハンドリング構造体を示す図である。
【図３】[0021]リソグラフィ投影装置に使用するための液体供給システムとしての流体ハンドリング構造体を示す図である。
【図４】[0022]リソグラフィ投影装置に使用するための他の液体供給システムを示す図である。
【図５】[0023]液体供給システムとして本発明の一実施形態に使用され得る液体閉じ込め構造体を示す断面図である。
【図６】[0024]本発明の一態様による基板受取りセクションの平面図である。
【図７】[0025]第１の位置における本発明の一態様によるカバーの平面図である。
【図８】[0025]第２の位置における本発明の一態様によるカバーの平面図である。
【図９】[0026]閉位置における本発明の一態様によるカバーの平面図である。
【図１０】[0026]開位置における本発明の一態様によるカバーの平面図である。
【図１１】[0027]閉位置における本発明の一態様によるカバーのためのアクチュエータシステムの断面図である。
【図１２】[0027]中間位置における本発明の一態様によるカバーのためのアクチュエータシステムの断面図である。
【図１３】[0027]開位置における本発明の一態様によるカバーのためのアクチュエータシステムの断面図である。
【図１４】[0028]本発明の一態様のアクチュエータシステムに使用され得る移動ガイドの一構造を示す断面図である。
【図１５】[0028]本発明の一態様のアクチュエータシステムに使用され得る移動ガイドの一構造を示す断面図である。
【図１６】[0029]閉位置における本発明の一態様によるカバーのためのアクチュエータシステムを示す図である。
【図１７】[0029]中間位置における本発明の一態様によるカバーのためのアクチュエータシステムを示す図である。
【図１８】[0029]開位置における本発明の一態様によるカバーのためのアクチュエータシステムを示す図である。
【図１９】[0030]本発明の一態様によるカバーの一構造を示す断面図である。
【図２０】[0031]本発明の一態様によるカバーの断面図である。
【図２１】[0031]本発明の一態様によるカバーの断面図である。
【図２２】[0032]本発明の一態様によるカバーの一構造を示す断面図である。
【図２３】[0032]本発明の一態様によるカバーの一構造を示す断面図である。
【図２４】[0033]図２２および２３に示されている本発明の態様の変形形態を示す断面図である。
【図２５】[0034]本発明の一態様によるカバーの断面図である。
【図２６】[0034]本発明の一態様によるカバーの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
[0035]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を略図で示したものである。この装置は、
[0036]  −  放射ビームＢ（例えばUV放射またはDUV放射）を条件付けるように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0037]  −  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡをサポートするように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に配置するように構成された第１ポジショナＰＭに接続されるサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[0038]  −  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に配置するように構成された第２ポジショナＰＷに接続される基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
[0039]  −  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されるパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイが含まれている）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備えている。
【００２２】
[0040]  この照明システムＩＬは、放射を導くか、整形するか、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気など様々なタイプの光学コンポーネント、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含んでよい。
【００２３】
[0041]  サポート構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置の設計、および例えばパターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かのような他の条件によって決まる方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法、または他のクランプ技法を使用することができる。サポート構造ＭＴは、例えばフレームでも、テーブルでもよく、それは必要に応じて固定されても、可動でもよい。サポート構造ＭＴは、確実にパターニングデバイスＭＡが、例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にあるようにすることができる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用している場合、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義語と見なすことができる。
【００２４】
[0042]  本明細書に使用される用語「パターニングデバイス」は、基板の標的部分内にパターンが生み出されるように、投影ビームにその断面でパターンを与えるために使用することができる任意のデバイスを指すものと広義に解釈されたい。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、放射ビームに与えられたパターンが、基板のターゲット部分内の所望のパターンと正確に一致しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイス内の特定の機能の層に相当することになる。
【００２５】
[0043]  パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフトおよびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。
【００２６】
[0044]  本明細書に用いられる用語「投影システム」は、あらゆるタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈されたい。これらのタイプの投影システムは、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム、および静電気光学システムあるいはそれらの任意の組合せを含んでよい。投影システムの選択または投影システムの組合せは、使用される露光放射、あるいは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に応じて適宜実施される。本明細書における用語「投影レンズ」のいかなる使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義と見なされてよい。
【００２７】
[0045]  本明細書で記述されるように、装置は透過タイプ（例えば透過性マスクを使用するタイプ）である。あるいは、装置は反射タイプ（例えば上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射性マスクを使用するタイプ）でよい。
【００２８】
[0046]  リソグラフィ装置は、２つの基板テーブル（デュアルステージ）またはそれよりも多い基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプとすることができる。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並列に使用することができ、あるいは１つまたは複数の他のテーブルを露光のために使用しながら１つまたは複数のテーブルで準備工程を実行することができる。
【００２９】
[0047]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えばこの放射源がエキシマレーザであるとき、放射源ＳＯとリソグラフィ装置は別個の実体でよい。そのような例では、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬまで、例えば適当な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて通される。他の例では、例えば放射源が水銀灯であるとき、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一体型部品でよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤも一緒に、放射システムと呼ばれてよい。
【００３０】
[0048]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面内における強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）は調整が可能である。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを備えてよい。イルミネータＩＬは、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせるために、放射ビームを条件付けるために使用され得る。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると見なしても、あるいは見なさなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体型部品でよく、あるいはリソグラフィ装置とは別の個別の実体でよい。後者のとき、リソグラフィ装置は、その上にイルミネータＩＬを取り付けることができるように構成され得る。任意選択により、イルミネータＩＬを取外し可能にすることができ、また、イルミネータＩＬは、（例えばリソグラフィ装置の製造者または他のサプライヤによって）個別に提供され得る。
【００３１】
[0049]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡを通過した後、投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは、ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦する。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を用いて、例えば放射ビームＢの経路中に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１に明確には示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的抽出の後にまたはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴはショートストロークアクチュエータにのみ接続することができ、または固定することができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分間の空間に配置することができる（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、１つよりも多いダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。
【００３２】
[0050]  図示された装置は、以下のモードのうち少なくとも１つで使用され得る。
【００３３】
[0051]  ステップモードでは、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを本質的に静止したままにしながら、放射ビームＢに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち単一静的露光）。次に、基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるようにＸおよび／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光で結像されたターゲット部分Ｃのサイズを制限する。
【００３４】
[0052]  スキャンモードでは、サポート構造ＭＴと基板テーブルＷＴとが同期してスキャンされるとともに、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの幅（非スキャン方向に）を制限するが、スキャン運動の長さがターゲット部分Ｃの高さ（スキャン方向に）を決定する。
【００３５】
[0053]  別のモードでは、サポート構造ＭＴは本質的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされるとともに、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動の後にまたはスキャン中の連続する放射パルス間に必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この操作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３６】
[0054]  前述の使用モードまたはまったく異なった使用モードの組合せおよび／または変形形態も用いられてよい。
【００３７】
[0055]  投影システムＰＳの最終エレメントと基板の間に液体を提供するための構造は、いわゆる局部液浸システムＩＨである。このシステムには、基板の局部領域にのみ液体が提供される液体ハンドリングシステムが使用される。液体が充填される空間の平面は基板の頂部表面より小さく、また、液体が充填された領域は、投影システムＰＳに対して実質的に静止した状態を維持し、一方、基板Ｗは、その領域の下方を移動する。図２〜５は、４つの異なるタイプの局部液体供給システムを示したものである。
【００３８】
[0056]  図２および３に示されているように、液体は、少なくとも１つの入口によって、好ましくは基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って基板上に供給される。液体は、投影システムの下方を通過した後、少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板がエレメントの下方でＸ方向にスキャンされる際に、エレメントの＋Ｘ側で液体が供給され、−Ｘ側で吸い取られる。図２は、入口を介して液体が供給され、低圧源に接続される出口によってエレメントのもう一方の側で吸い取られる構造を概略的に示したものである。図２の図解では、液体は、必ずしもその必要はないが、基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って供給されている。最終エレメントの周りに配置される様々な配向および様々な数の入口および出口が可能であり、図３はその一例を示したもので、両側に出口を備えた４組の入口が最終エレメントの周りに規則的なパターンで提供されている。図２および３の矢印は、液体が流れる方向を示していることに留意されたい。
【００３９】
[0057]  図４は、局部液体供給システムを備えた他の液浸リソグラフィ解決法を示したものである。液体は、投影システムＰＳの両側の２つの溝入口によって供給され、入口の外側に半径方向に配置された複数の離散出口によって除去される。入口は、投射される投影ビームが通過する孔を中心部分に備えたプレート中に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方の側の１つの溝入口によって供給され、かつ、投影システムＰＳのもう一方の側の複数の離散出口によって除去され、したがって投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜が流れる。入口および出口のどの組合せを選択して使用するかは、基板Ｗが移動する方向によって決定することができる（入口および出口の他の組合せは使用されない）。図４の矢印は、液体が流れる方向を示していることに留意されたい。
【００４０】
[0058]  提案されている他の構造は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め部材を備えた液体供給システムを提供することである。図５は、このような構造を示したものである。液体閉じ込め部材は、Ｚ方向（光軸の方向）の若干の相対移動が存在する可能性はあるが、投影システムに対してＸＹ平面内に実質的に静止している。シールは、液体閉じ込めと基板の表面の間に形成される。一実施形態では、シールは、液体閉じ込め構造体と基板の表面の間に形成され、ガスシールなどの非接触シールであってもよい。参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許出願公告第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に、このようなシステムが開示されている。
【００４１】
[0059]  図５は、液体閉じ込め構造体１２を備えた局部液体供給システムを概略的に示したものである。液体閉じ込め構造体１２は、投影システムＰＳの最終エレメントと基板テーブルＷＴまたは基板Ｗの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在している。（以下のテキストにおける基板Ｗの表面の参照は、特に明確に言及されていない限り、追加または別法として基板テーブルＷＴの表面をやはり意味していることにどうか留意されたい。）液体閉じ込め構造体１２は、Ｚ方向（光軸の方向）の若干の相対移動が存在する可能性はあるが、投影システムＰＳに対してＸＹ平面内に実質的に静止している。一実施形態では、シールは、液体閉じ込め構造体１２と基板Ｗの表面の間に形成され、流体シール、望ましくはガスシールなどの非接触シールであってもよい。
【００４２】
[0060]  液体閉じ込め構造体１２の少なくとも一部は、投影システムＰＳの最終エレメントと基板Ｗの間の液浸空間１１に液体を含有している。基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終エレメントとの間の空間１１に液体が閉じ込められるよう、投影システムＰＳのイメージフィールドの周りに基板Ｗに対する非接触シール１６を形成することができる。この液浸空間１１は、少なくとも部分的に、投影システムＰＳの最終エレメントの下方に、該投影システムＰＳの最終エレメントを取り囲んで配置された液体閉じ込め構造体１２によって形成されている。液体は、液体閉じ込め構造体１２の内側の投影システムＰＳの下方の空間１１に、液体入口１３によってもたらされる。この液体は、液体出口１３によって除去することができる。液体閉じ込め構造体１２は、投影システムＰＳの最終エレメントの少し上まで延在させることができる。液体のレベルは、液体のバッファが提供されるよう、最終エレメントの上まで上昇している。一実施形態では、液体閉じ込め構造体１２は、その上端部分の形状が投影システムＰＳまたは投影システムＰＳの最終エレメントの形状と緊密に合致する、例えば丸い形状であってもよい内側周囲を有している。内側周囲の底部は、イメージフィールドの形状と緊密に合致しており、必ずしもそうである必要はないが、例えば長方形である。
【００４３】
[0061]  一実施形態では、液体は、使用中、液体閉じ込め構造体１２の底部と基板Ｗの表面の間に形成されるガスシール１６によって液浸空間１１の中に含有される。他のタイプのシールも可能であり、例えばシールが存在しなくても（例えばオールウェット実施形態の場合のように）、あるいは液体閉じ込め構造体１２の下面と、その下面と対向する表面、例えば基板Ｗの表面、基板テーブルＷＴあるいはそれらの両方の組合せなどの表面との間の毛管力によって達成されるシールであってもよい。
【００４４】
[0062]  ガスシール１６は、ガス、例えば空気または合成空気によって形成されるが、一実施形態ではＮ２または他の不活性ガスである。ガスシール１６中のガスは、入口１５を介して加圧下で液体閉じ込め構造体１２と基板Ｗの間の隙間に提供される。このガスは、出口１４を介して抽出される。ガス入口１５部分の超過圧力、出口１４部分の真空レベルおよび隙間の幾何構造は、液体を閉じ込める内側に向かう高速ガス流が存在するようになされている。液体閉じ込め構造体１２と基板Ｗの間の液体に対するガスの力によって、液浸空間１１の中に液体が含有される。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。この環状の溝は、連続していても、あるいは不連続であってもよい。ガスの流れは、液体を空間１１の中に含有するのに有効である。米国特許出願公告第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に、このようなシステムが開示されている。
【００４５】
[0063]  他の構造も可能であり、以下の説明から明らかになるように、本発明の一実施形態は、任意のタイプの局部液浸システムを使用することができる。
【００４６】
[0064]  局部液浸システムでは、シールは、液体閉じ込め構造体の一部と基板Ｗの表面の間に形成される。シールは、液体閉じ込め構造体と該液体閉じ込め構造体と対向する基板Ｗなどの表面との間の液体のメニスカスによって画定することができる。対向する表面（例えば基板Ｗおよび基板テーブル）と液体閉じ込め構造体との間の相対移動は、臨界速度を超えると、シール、例えばメニスカスが破壊する原因になることがある。臨界速度を超えると、シールが破壊し、液体を例えば滴の形態で液体閉じ込め構造体から漏出させることになり、あるいはガス、すなわち気泡の形態のガスを液浸空間内の液浸液中に閉じ込めることになる。
【００４７】
[0065]  滴は、不完全性の原因になることがある。滴は、滴が蒸発する際に、その滴が置かれている表面に熱負荷を印加する可能性がある。滴は汚染源になることがあり、滴が蒸発した後に乾燥汚点が残される可能性がある。滴が、投影システムの下方に位置している、投影システムの下方を移動する表面上の経路内に存在している場合、滴はメニスカスと接触することになる。結果として生じるメニスカスと滴の間の衝突により、液体中に気泡が生成されることがある。気泡は、不完全性の原因になることがある。液浸液中の気泡は、投影システムと基板の間の、結像投影ビームを妨害する可能性のある空間に引き込まれることがある。
【００４８】
[0066]  臨界速度は、下方に位置している表面の特性によって決定することができる。閉じ込め構造体に対する隙間の臨界速度は、基板などの比較的平坦な表面の表面に対する臨界速度より遅くすることができる。スキャン速度が下面の一部に対する最低臨界速度より速くなると、スキャン速度は、下方に位置している表面のより多くの部分に対する臨界速度より速くなる。この問題は、高スキャン速度では、より深刻になるおそれがある。しかしながら、スループットが高くなるため、スキャン速度は速い方が望ましい。
【００４９】
[0067]  図６は、基板Ｗをサポートするために使用することができる基板テーブルＷＴを平面図で示したものである。基板テーブルは、基板テーブル構造２０の実質的に平坦な上部表面２１を有することができる。この上部表面２１には、基板Ｗを受け取り、かつ、サポートするように構成された凹所２２が存在している。
【００５０】
[0068]  凹所の中は、この凹所の表面であってもよい基板サポートにすることができる。凹所２２の表面は複数の突起を含むことができ、これらの突起上で基板の下部表面がサポートされる。凹所の表面は障壁を含むことができる。凹所の表面には、複数の開口を形成することができる。障壁は突起を取り囲んでおり、基板Ｗの下部表面の下方に空間を画定している。開口は低圧源に接続されている。基板がこれらの開口の上に配置されると、基板Ｗの下方に空間が形成される。この空間は、低圧動作によって排気することができる。この構造は、基板Ｗを基板テーブルＷＴに固着させるために使用することができる。
【００５１】
[0069]  一構造では、凹所は、基板の主要面、つまり上面および下面が基板テーブルの上部表面２１に対して実質的に平行になるように構成することができる。一構造では、基板Ｗの上面は、基板テーブルの上部表面２１と実質的に共面になるように配置することができる。
【００５２】
[0070]  本出願においては、上部および下部などの用語は、説明されているシステム内のコンポーネントの相対位置を定義するために使用することができることを理解されたい。しかしながら、これらの用語は、装置が特定の配向で使用される場合に、これらのコンポーネントの相対位置を説明するために、便宜上、使用されている。これらの用語には、装置を使用することができる配向を規定することは意図されていない。
【００５３】
[0071]  図６に示されているように、隙間２３は、基板Ｗの縁と凹所２２の縁の間に存在させることができる。基板Ｗの周囲に延在するカバー２５が提供されている。カバー２５は、基板Ｗの上部表面の周辺セクション（一実施形態では基板の縁であってもよい）から基板テーブルＷＴの上部表面２１まで延在している。カバー２５は、基板Ｗの縁と凹所２２の縁の間の隙間２３を完全に覆うことができる。さらに、カバーの内側の縁によってカバー２５の開放中央セクション２６を画定することも可能である。この開放中央セクション２６は、使用中、カバー２５が、パターン付き放射ビームを投影することが意図されている基板Ｗの部分を覆わないように配置することができる。カバーの内側の縁は、パターン付き投影ビームによって像が形成される基板の表面に隣接する基板の部分を覆うことができる。カバーは、パターン付き投影ビームによって露光される基板のこれらの部分から離れて配置される。
【００５４】
[0072]  図６に示されているように、カバー２５が基板Ｗの上に置かれると、開放中央セクション２６のサイズを基板Ｗの上部表面のサイズより若干小さくすることができる。図６に示されているように基板Ｗの形が円形である場合、カバー２５は、通常、平面図で見た場合に環状の形にすることができる。
【００５５】
[0073]  カバー２５は、薄いカバープレートの形態にすることができる。このカバープレートは、例えばステンレス鋼から形成することができる。１つまたは複数の他の材料を使用することも可能である。カバープレートは、Ｐｌａｓｍａ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ社が製造しているＬｉｐｏｃｅｒコーティング材でコーティングすることができる。Ｌｉｐｏｃｅｒは、疎液性（例えば疎水性）であってもよいコーティング材であり、露光放射および液浸液（液浸液は非常に腐食性である可能性がある）による損傷に対して比較的耐性である。Ｌｉｐｏｃｅｒに関するこれ以上の情報については、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている、２００８年２月６日出願の米国特許出願第ＵＳ  １２／３６７０００号を参照されたい。カバープレートは、例えば２５ミクロンの厚さにすることができる。カバープレートは、エッチングによって例えば１つまたは複数の縁の厚さを局部的に薄くすることができる。局部的に薄くなった領域の厚さは、１０ミクロンであってもよい。
【００５６】
[0074]  一実施形態では、カバーは基板テーブルの一部であってもよい。少なくとも閉位置と開位置の間でカバーを移動させるためのアクチュエータシステムを提供することができる。閉位置では、カバー２５は、凹所２２内の基板Ｗの上部表面と接触することができる。閉位置では、カバー２５は、基板テーブルＷＴの上部表面２１と接触することができる。閉位置では、カバー２５は、基板Ｗの縁と凹所２２の縁の間の隙間２３を覆うことができる。
【００５７】
[0075]  カバー２５は、隙間が液浸空間１１の下方を、該空間中の液浸液に対して通過する際に、隙間が密閉されるように構成することができる。隙間を密閉することにより、隙間を横切る際のメニスカスの安定性を改善することができる。一実施形態では、カバーは、凹所２２内の基板Ｗの上部表面および基板テーブルＷＴの上部表面２１のうちのいずれか一方または両方と共にシールを形成する。基板Ｗの上部表面および基板テーブルＷＴの上部表面２１の両方と共にシールを提供するカバー２５は、液浸液が隙間２３に流入するのを防止することができる。カバーは、隙間２３に流入する液浸液の量を少なくすることができる。カバーは、隙間が空間１１の下方を通過する結果として空間１１に流入する気泡を、防止しないまでも、その量が減少するよう補助することができる。一実施形態では、閉位置では、隙間は完全には密閉されないが、隙間は、動作中、液体が隙間に流入しないように覆われる。開位置では、隙間は、基板テーブルの上に基板を置くことができるよう、あるいは基板テーブルから基板を除去することができるよう、開放される。隙間は、必ずしも完全に密閉する必要はなく、また、必ずしも完全に開放する必要はない。
【００５８】
[0076]  開位置では、カバー２５は、凹所の表面に対する第１の位置におけるその位置から遠ざかる方向に移動させることができる。基板が凹所２２の表面によってサポートされると、基板Ｗから離れた位置にカバーを設定することができる。開位置は、カバー２５が開位置に位置している場合、基板テーブルＷＴから基板Ｗをアンロードすることができるように配置することができる。基板が凹所内に存在していない場合、基板Ｗを基板テーブルＷＴの上にロードすることができる。
【００５９】
[0077]  一実施形態では、アクチュエータシステムは、カバーを閉位置から開位置へ移動させる際に、カバー２５の開放中央セクション２６を広くするように構成される。このようなプロセスでは、開放中央セクション２６の方が開位置における基板Ｗの上部表面より広くなるよう、カバー２５の開放中央セクション２６を十分に広くすることができる。カバー２５の開放中央セクション２６は、基板Ｗがカバー２５の中央開放セクション２６を通過することができるよう、十分に広くすることができる。
【００６０】
[0078]  一実施形態では、カバー２５を開位置へ移動させ、かつ、基板Ｗをカバー２５の中央開放部分２６を通過させることによって基板Ｗを基板テーブル上にロードすることができ、あるいは基板テーブルからアンロードすることができる。基板Ｗを基板テーブルＷＴにロードする場合、基板Ｗがカバー２５の開放中央セクション２６を通過すると、基板テーブルＷＴの凹所２２に基板を受け取ることができる。引き続いて、アクチュエータシステムによってカバー２５を閉位置へ移動させることができ、カバー２５は、その閉位置で、基板Ｗの縁と該基板Ｗがサポートされている凹所２２の縁の間の隙間２３を覆う。
【００６１】
[0079]  アクチュエータシステムは、カバー２５を開位置へ移動させる際に、カバーの複数の部分が互いに対してそれぞれ異なる方向に移動するように構成することができる。この構造は、カバー２５を開位置へ移動させる際にカバー２５の開放中央セクション２６を広くするために使用することができる。例えば、アクチュエータシステムは、カバー２５の複数の部分の各々を個々の方向に移動させることができるように構成することができる。個々の方向は、カバーを開位置へ移動させる際に、開放中央セクション２６から遠ざかる方向であってもよい。
【００６２】
[0080]  一実施形態では、アクチュエータシステムは、カバー２５の少なくとも一部を弾性変形させるように構成することができる。例えば、アクチュエータシステムは、開放中央セクション２６を広くするためにアクチュエータがカバー２５の複数の部分をそれぞれ異なる方向に移動させる際に、カバー２５の少なくとも一部を弾性変形させることができる。
【００６３】
[0081]  図７および８は、閉位置および開位置における本発明の一実施形態によるカバー２５をそれぞれ平面図で示したものである。図に示されているように、カバー２５は、平面図ではその形状は概ね環状であってもよい。カバー２５の内側の周囲３１、例えば円周は、カバー２５が閉位置に位置している場合、カバー２５の開放中央セクション２６を画定することができる。概ね環状形のカバー２５中の切れ目３０は、カバー２５の内側の周囲３１と外側の周囲３２、例えば円周の間に提供することができる。
【００６４】
[0082]  図７および８に示されているような構造では、カバー２５は、複数の部分３５を有しており、それらの各々は、アクチュエータシステムによってそれぞれ異なる方向に移動させることができる。これらの複数の部分３５を移動させる際に、カバー２５の開放中央セクション２６を広くし、あるいは狭くすることができる。これらの複数の部分は、それらを一体に結合して単一の統合カバーを形成することができる。しかしながら、図８に示されているように、カバー２５の周囲、例えば円周を横切る切れ目３０を準備することにより、中央開放セクション２６を広くするためにカバー２５を容易に弾性変形させることができる。
【００６５】
[0083]  図８に示されているように、開位置では、カバー２５の開放中央セクション２６は、この開放中央セクション２６の方が、基板がサポートされる凹所２２の断面より大きくなるように広くすることができる。しかしながら、必ずしもそのようにする必要はなく、この開放中央セクション２６は、カバー２５のこの開放中央セクション２６を基板Ｗが通過することができる広さにするだけで十分である。
【００６６】
[0084]  図７および８の構造には、カバー２５の内側の周囲３１から外側の周囲３２までの切れ目３０が含まれているが（これは任意選択である）、アクチュエータシステムを使用して、切れ目３０を準備することなくカバー２５を十分に弾性変形させることも可能であり得る。そのようにするかどうかは、カバー２５が形成される材料に応じて決定することができる。そのようにするかどうかは、基板Ｗを、開放中央セクション２６を通過させるために必要なカバー２５の開放中央セクション２６の拡大の範囲に応じて決定することができる。
【００６７】
[0085]  本発明のこの態様によれば、例えばカバー２５の弾性変形によってカバー２５の開放中央セクション２６の拡大を容易にするために、追加切れ目を提供することができる。
【００６８】
[0086]  単一の切れ目３０を含むことにより、基板Ｗの縁と凹所の縁２２の間の隙間に流入する液浸液を少なくする上でカバーが有効でなくなる可能性を低減することができる。単一の切れ目３０を含むことにより、隙間を横切る際の液浸空間における気泡の形成を抑制するカバー２５の有効性が小さくなることがある。複数の切れ目３０を準備することにより、開放中央セクション２６を広くするためにカバー２５に誘導される可能性のある応力を著しく小さくすることができる。したがってカバー２５の寿命を長くすることができる。さらに、カバーを開位置へ移動させるための駆動力を小さくすることができる。そのため、延いてはアクチュエータシステムの要求事項を緩和することができ、また、アクチュエータシステムによって生成される可能性のある、基板テーブルＷＴに対する熱負荷を小さくすることができる。
【００６９】
[0087]  本明細書において開示されている任意のカバーを準備することにより、上で説明した、気泡に起因する欠陥の低減および／または滴の低減に加えて、リソグラフィ装置内の基板テーブルのための様々な追加利点を有することができる。
【００７０】
[0088]  基板テーブルＷＴおよび液浸システムの浄化を少なくすることができる。したがって、延いてはリソグラフィ装置の停止時間を短くすることができる。
【００７１】
[0089]  カバーは、基板Ｗの上部表面から基板Ｗの下部表面への汚染物質の移動を抑制することができる。したがって、いわゆる背面汚染の結果として導入される可能性のある欠陥を少なくすることができる。
【００７２】
[0090]  基板Ｗの縁と凹所２２の縁の間の隙間を覆うカバーを準備することにより、他の方法で可能な速度より速い速度で基板Ｗの縁を投影システムおよび液浸システムを横断させることができる。したがってリソグラフィ装置のスループットを高くすることができる。
【００７３】
[0091]  カバーを準備することにより、基板Ｗの縁と凹所２２の縁の間の隙間から液浸液および気泡を除去するための抽出システムの必要性を除去することができる。したがって基板テーブルＷＴに印加される熱負荷を小さくすることができる。基板テーブルＷＴの熱安定性を改善することができる。したがって基板Ｗ上に形成されるパターンのオーバーレイ精度を改善することができる。
【００７４】
[0092]  基板Ｗの縁と凹所２２の縁の間の隙間のための抽出システムは、２相抽出器であってもよい。このタイプの抽出器は、流れによって誘導される振動を生成することがある。したがって、このような抽出器をすたれたものにする（不要にする）ことができるカバーを準備することにより、基板テーブルＷＴ内の振動を抑制することができる。
【００７５】
[0093]  カバーを準備することにより、上で開示した、基板Ｗの縁と凹所２２の縁の間の隙間のための抽出器を使用するシステムよりも、システム全体を単純にすることができる。隙間２３の上方にカバーを準備することにより、全体としての装置の製品コストを低減することができる。
【００７６】
[0094]  本発明の一態様によるカバーを準備することにより、上で説明した、基板Ｗの縁と凹所２２の縁の間の隙間における抽出システムの必要性を除去することができることを理解されたい。しかしながら、本発明の一態様によるカバーは、抽出システムと共に使用することができる。抽出システムの要求事項を緩和することができるため、上で説明した利点は、依然として適用することができる。
【００７７】
[0095]  図９および１０は、本発明の一実施形態によるカバー２５の構造を平面図で示したものである。図９および１０に示されているカバーは、図７および８に示されているカバーに類似しており、簡潔にするために、相違している部分についてのみ詳細に説明する。
【００７８】
[0096]  図に示されているように、カバー２５は、複数の離散セクション４０から形成されている。第１の位置では、これらのセクション４０は、単一のカバー２５を形成するために、カバー２５の隣接するセクションと接触して配置される。例えば、円形基板Ｗの場合、図９に示されているように、カバー２５の離散セクション４０の各々が第１の位置で互いに接触すると、これらの離散セクション４０の組合せによって、概ね環状の形状を有するカバー２５が提供される。
【００７９】
[0097]  アクチュエータシステムは、カバーを閉位置から開位置へ移動させるために、カバー２５の複数の部分を異なる方向に移動させることができるように構成される。図９および１０に示されているようなカバー２５の場合、カバー２５のこのような部分の各々は、複数の離散セクション４０のうちの１つである。アクチュエータシステムは、カバー２５の複数の離散セクション４０の各々をそれぞれ異なる方向に移動させる。
【００８０】
[0098]  カバー２５が開位置に位置している場合、カバー２５のこれらの離散セクション４０を互いに離れて設定することができ、それにより上で説明したように基板Ｗが通過することができる広くなった開放中央セクション２６が提供される。
【００８１】
[0099]  図１１、１２および１３は、本発明の一態様に使用することができる、それぞれ閉位置、中間位置および開位置におけるアクチュエータシステムを断面図で示したものである。
【００８２】
[00100]  図１１に示されているように、閉位置では、カバー２５の個々の部分は、基板Ｗの上部表面の周辺部分４５と基板テーブルＷＴの上部表面２１の間に配置され、かつ、これらの間を延在している。アクチュエータシステム５０は、カバー２５を閉位置から開位置へ移動させる際に、カバー２５の個々の部分が、最初に、基板Ｗの上部表面および基板テーブルＷＴの上部表面２１に対して実質的に直角の方向に移動するように構成することができる。
【００８３】
[00101]  図１２は、上で説明した初期移動後における、閉位置と開位置の間の中間位置におけるカバー２５の一部を示したものである。
【００８４】
[00102]  開位置から閉位置へ移動させる際に、カバー２５を、引き続いて、基板Ｗの上部表面および基板テーブルＷＴの上部表面２１に対して実質的に直角の方向の移動によってのみ閉位置へ移動させることができるよう、カバー２５を図１２に示されている中間位置へ移動させることができる。
【００８５】
[00103]  このような構造は、カバー２５が基板Ｗと接触しているか、あるいは基板Ｗの近傍に位置している場合に、基板Ｗに対するカバー２５の相対移動が、基板Ｗの上部表面に対して実質的に直角の方向のみであることを保証するために有利となり得る。このような構造は、基板Ｗの縁における汚染物質粒子の生成を防止するか、あるいは少なくすることができる。このような構造は、基板Ｗの縁に既に存在している汚染物質粒子が、パターンが形成される基板Ｗの上部表面に向かって移動するのを防止するか、あるいは抑制することができる。カバーが基板Ｗの表面に対して実質的に直角の方向に移動することによって基板と接触すると、基板に印加される力が基板に対して実質的に直角の方向に印加される。基板の周辺に力が印加される場合、印加される力は実質的に一様である。したがって、力が印加されることによって生じる基板のひずみは、最小化されないにしても、小さくなる。カバーを適用することによる基板の平面内の力は、最小化されないにしても、小さくなり、凹所内における基板の移動を制限する。基板の縁にカバーを適用することによる位置誤差は、防止することはできないにしても、小さくすることができる。
【００８６】
[00104]  アクチュエータシステム５０は、カバー２５の複数の部分の各々を、基板Ｗの上部表面および基板テーブルＷＴの上部表面２１に実質的に平行である方向に移動させることによって、図１２に示されている中間位置と図１３に示されている開位置との間で、カバー２５の複数の部分の各々を移動させることができるように構成することができる。
【００８７】
[00105]  アクチュエータシステム５０は、カバー２５を閉位置から開位置へ移動させる際に、カバー２５が、最初に、基板Ｗの上部表面から遠ざかる方向に移動し、次に、開放中央セクションが広くなるように移動するように構成することができる。同様に、アクチュエータシステム５０は、カバー２５を開位置から閉位置へ移動させる際に、カバー２５が、開放中央セクション２６のサイズが最初に小さくなるように移動するように構成することができる。次に、カバー２５は、基板Ｗの上部表面の周辺領域４５および上部表面２１と接触するように移動する。
【００８８】
[00106]  図１１、１２および１３に示されているように、アクチュエータシステム５０は、基板Ｗの上部表面および基板テーブルＷＴの上部表面２１に対して実質的に直角の方向、例えば垂直方向のカバー２５の移動を提供するように構成されたアクチュエータステージ５１を含むことができる。このアクチュエータステージ５１は、縦方向アクチュエータステージと呼ぶことができる。
【００８９】
[00107]  アクチュエータシステム５０は、基板Ｗの上部表面および基板テーブルＷＴの上部表面２１に対して実質的に平行の方向、例えば水平方向のカバー２５の移動を提供するように構成されたアクチュエータステージ５２を含むことができる。このアクチュエータステージ５２は、横方向アクチュエータステージと呼ぶことができる。
【００９０】
[00108]  アクチュエータシステム５０は、カバー２５の個々の部分毎にアクチュエータステージ５１、５２を含むことができる。別法としては、例えば、カバー２５の複数の部分のすべてに対して共通の単一アクチュエータステージ５１を提供することも可能である。
【００９１】
[00109]  図１１、１２および１３に示されているアクチュエータシステム５０は、アクチュエータステージ５１、５２が空気圧式アクチュエータを備えるように構成される。したがって、アクチュエータステージ５１、５２の各々は、アクチュエータステージ５１、５２内の空気圧式アクチュエータのシリンダとして機能するように構成された個々の容積５３、５４内のガスの圧力を増減することによって駆動することができる。個々のステージの駆動は、容積を取り囲んでいる周囲のガス圧力より高いか、あるいは低いガス圧力を容積に準備することによって個々の方向に正にすることができることを理解されたい。
【００９２】
[00110]  別法または追加として、アクチュエータステージ５１、５２内の個々の容積５３、５４のガス圧力を増減することによって個々のアクチュエータステージ５１、５２を１つの方向に正に駆動することも可能である。個々のアクチュエータステージ５１、５２は、弾性エレメントを使用して逆方向に復帰させることができる。このような構造の場合、弾性エレメントは、アクチュエータステージ５１、５２を１つの位置にバイアスすることができる。この場合、空気圧式アクチュエータは、アクチュエータステージ５１、５２をその静止／安定位置に交互に移動させるために、その弾性エレメントに対抗して作用することができる。
【００９３】
[00111]  空気圧式アクチュエータの使用は、有利となり得るが、一方または両方のアクチュエータステージ５１、５２に対して代替アクチュエータを使用することも可能であることは理解されよう。例えば、静電アクチュエータおよび／または電磁アクチュエータ、および／またはボイスコイルアクチュエータを使用することができる。
【００９４】
[00112]  アクチュエータステージ５１は、基板Ｗの上部表面および基板テーブルＷＴの上部表面２１に対して実質的に直角の方向の移動のみが実質的に提供されることを保証するために構成することができる。アクチュエータステージ５１は、１つまたは複数の移動ガイドを含むことができる。この１つまたは複数の移動ガイドは、基板Ｗの上部表面および基板テーブルの上部表面２１に対して実質的に直角の方向のアクチュエータステージ５１のコンポーネントの相対移動を許容するように構成される。しかしながら、この移動ガイドによって、基板Ｗの上部表面および基板テーブルの上部表面２１に対して実質的に平行の方向のアクチュエータステージのコンポーネントの移動が小さくなるか、あるいは最小化される。
【００９５】
[00113]  図１４および１５は、アクチュエータステージ５１が特定の方向の移動のみを確実に提供するよう補助するために使用することができる移動ガイドの一構造を断面図で示したものである。このような方向は、基板Ｗの上部表面および基板テーブルＷＴの上部表面２１に対して実質的に直角の方向であってもよい。図１４は、カバー２５が閉位置に位置している場合の移動ガイド６０を示したものである。図１５は、カバー２５が開位置に位置している場合の移動ガイド６０を示したものである。
【００９６】
[00114]  図に示されているように、アクチュエータステージ５１には、第１および第２のコンポーネント６１、６２が含まれている。第１および第２のコンポーネント６１、６２は、上で説明した通りに提供されるアクチュエータによって、互いに対して、基板Ｗの上部表面および基板テーブルＷＴの上部表面２１に対して実質的に直角の方向に移動させることができる。アクチュエータステージの第１のコンポーネント６１と第２のコンポーネント６２の間に弾性ヒンジ６３が提供されている。この弾性ヒンジは、基板Ｗの上部表面および基板テーブルの上部表面２１に対して実質的に直角の方向の第１および第２のコンポーネント６１、６２の移動を許容している。弾性ヒンジは、この所望の移動方向に対して実質的に直角の方向の移動を制限するように構成される。
【００９７】
[00115]  代替または追加移動ガイドを使用することも可能であることは理解されよう。しかしながら、この形態の移動ガイドは、摩擦力を有していないか、あるいは望ましいことには摩擦力を最小化するため、上で説明した１つまたは複数のこのような弾性ヒンジの使用は、有利となり得る。摩擦力は、カバー２５を閉位置へ移動させる際に基板Ｗの上部表面に印加される力の再現性を小さくする可能性がある。
【００９８】
[00116]  図１６、１７および１８は、本発明の一態様と共に使用することができる他のアクチュエータシステムを示したものである。図１６は、カバー２５が閉位置に位置している場合のアクチュエータシステム７０を示したものである。図１７は、中間位置におけるアクチュエータシステムを示したものである。図１８は、カバー２５が開位置に位置している場合のアクチュエータシステム７０を示したものである。
【００９９】
[00117]  図１６、１７および１８に示されているアクチュエータシステム７０は、図１１、１２および１３に示されているアクチュエータシステムより単純な駆動システムを提供することができる。個別のアクチュエータステージは不要である。その代わりに、カバー２５の個々の部分は、基板テーブルＷＴ内の移動ガイド７２、７３のシステム内に取り付けられるピストン７１に接続される。
【０１００】
[00118]  移動ガイド７２をピストン７１と協同して使用して、カバー２５を閉位置から、基板Ｗの上部表面および基板テーブルＷＴの上部表面２１に対して実質的に直角の方向に中間位置へ移動させることができる。移動ガイド７３は、ピストン７１と共に、カバー２５を基板Ｗの上部表面および基板テーブルＷＴの上部表面２１に対して実質的に平行の方向に移動させるように構成することができる。カバー２５を閉位置と開位置の間で移動させるために、移動ガイド７２、７３の一方または両方を適切な低圧源または超過圧力源７４、７５に接続することによってピストン７１の一方または両方の側のガス圧力を変化させることができる。
【０１０１】
[00119]  図１６、１７および１８は、本出願の中で説明されているカバーを提供するための任意の構造に適用することができる本発明の一態様を示したものである。カバー２５は、閉位置では、基板テーブル内の基板Ｗの縁と凹所２２の縁の間の隙間２３を覆うだけでなく、他の隙間７７を覆うように構成することができる。例えば、アクチュエータシステムと、追加コンポーネント７８などの基板ホルダからさらに遠くに離れた基板テーブルの一部との間に追加の隙間を存在させることができる。この追加コンポーネント７８は、投影システムに対する基板テーブルＷＴの位置および／または変位をモニタするために使用されるセンサシステムのコンポーネントであってもよい。
【０１０２】
[00120]  図１９に示されているように、凹所の表面には開口８０を形成することができる。この開口は、低圧源８１に接続されるガス出口であってもよい。このガス出口は、カバー２５の下面２５ａの圧力が上面２５ｂの圧力より低くなるように配置することができる。このガス出口の動作により、閉位置では、カバー２５が基板Ｗの上部表面の周辺領域４５に確実に固着されるよう補助することができる。
【０１０３】
[00121]  図１９に示されているように、基板テーブルＷＴ内の凹所２２は、凹所の縁から延在する二次カバー８５を備えることができる。二次カバー８５は、基板が凹所内に存在している場合、基板Ｗの下部表面の周辺領域８６がこの二次カバー８５と接触するように構成されている。有利には、この二次カバー８５は、基板Ｗの上部表面から基板Ｗの下部表面へのあらゆる液浸液の移動をさらに少なくすることができる。例えば、円形の基板Ｗが使用される場合、この二次カバーの形状は、概ね環状であってもよいことは理解されよう。二次カバー８５は、カバー２５の厚さと同じ厚さを有することができる。二次カバー８５の厚さは、カバー２５の厚さより分厚くすることができる。通常、二次カバーは、１０ミクロンと１００ミクロンの間にすることができる。
【０１０４】
[00122]  図１９に示されているように、基板Ｗが凹所内に存在し、かつ、カバー２５が閉位置に位置している場合、カバー２５、凹所２２の縁、基板Ｗの縁および二次カバー８５は、密閉空間８７を画定することができる。二次カバーは、密閉空間の外側である外面８５ａおよび密閉空間の内側である内面８５ｂを有することができる。二次カバー８５の外面８５ａは、密閉空間８７と隣接している二次カバー８５の内面８５ｂの反対側であってもよい。密閉空間８７は、低圧源８１に接続されているガス出口８０に接続することができる。密閉空間８７の圧力は、外面８５ａの圧力より低くすることができる。
【０１０５】
[00123]  このような構造の場合、二次カバー８５は、基板Ｗの下部表面の周辺領域８６に力を印加することができる。適切な構造のカバー２５および二次カバー８５の場合、カバー２５および二次カバー８５によって基板Ｗに印加される力は、等しく、かつ、逆方向にすることができる。このような構造の場合、基板Ｗの周囲の正味の力をゼロまたは最小化することができ、したがって基板Ｗの変形が小さくなる。
【０１０６】
[00124]  図２０および２１は、本発明の一実施形態を断面図で示したもので、基板Ｗがサポートされる基板テーブルＷＴ内の基板Ｗの縁と凹所２２の縁の間の隙間２３を覆うための異なる構造のカバー１２５が提供されている。
【０１０７】
[00125]  上で説明した構造と同様、カバー１２５は、基板Ｗの縁を取り囲んでいる材料の薄いプレートの形態で配置されている。カバー１２５は、基板Ｗの上部表面の周辺領域４５から基板受取りセクションの上部表面２１まで延在している。低圧源１２８に接続されるガス出口のための開口１２７を提供することができる。カバー１２５の下面１２５ａの空間の圧力は、カバー１２５の上面１２５ｂのガス圧力より低くすることができる。この圧力差は、カバー１２５を固着し、使用中におけるカバー１２５のあらゆる移動を実質的に防止するために使用することができる。
【０１０８】
[00126]  カバー１２５の変形を防止し、あるいは小さくするために、カバーは、カバー１２５が凹所２２内の基板Ｗの頂部に配置されると、カバー１２５の下部表面１２５ａから凹所２２の底部まで延在する１つまたは複数のサポート１２６を含むことができる。
【０１０９】
[00127]  基板Ｗのローディングおよびアンローディングを許容するためにカバー１２５を移動させるために、ロボットアームなどのカバーハンドリングシステム１３０を提供することができる。具体的には、このハンドリングシステムは、基板テーブルＷＴのコンパートメントと同じリソグラフィ装置のコンパートメント内に提供することができ、また、基板Ｗのローディングおよびアンローディングを許容するために基板テーブルＷＴからカバー１２５を除去するように構成することができる。カバーハンドリングシステム１３０は、具体的には、カバー１２５が基板Ｗと接触しているか、あるいは基板Ｗの近傍に位置している場合に、カバー１２５の移動が、基板Ｗの上部表面および基板テーブルＷＴの上部表面２１に対して実質的に直角の方向のみであるように構成することができる。
【０１１０】
[00128]  図２２および２３は、本発明の他の態様を示したものである。図に示されているように、この構造の場合、基板テーブルＷＴへの基板Ｗのローディングに先立って、カバー２２５が基板Ｗの上部表面の周辺領域４５に取り付けられる。図に示されているように、カバー２２５の第１の部分２２５ａは基板Ｗに取り付けられており、また、カバー２２５の第２のオーバハング部分２２５ｂは、基板Ｗの縁を越えて延在している。
【０１１１】
[00129]  カバー２２５は、任意の適切な材料から形成することができる。上で説明したように、カバー２２５は、例えばＬｉｐｏｃｅｒでコーティングすることができる。カバー２２５をコーティングすることにより、基板を露光している間、カバー２２５が水に対する十分な疎液性、例えば疎水性を確実に維持するよう補助することができる。カバー２２５は、例えば適切な接着剤によって、あるいは毛管作用によって基板Ｗに取り付けることができる。
【０１１２】
[00130]  図２３に示されているように、基板Ｗが基板テーブルＷＴにロードされると、カバー２２５のオーバハング部分２２５ｂは、基板がサポートされる基板テーブルＷＴ内の凹所２２の縁と基板Ｗの縁の間の隙間２３を横切って延在する。基板Ｗが基板テーブルＷＴの上にロードされると、オーバハング部分２２５ｂは、基板テーブルＷＴの上部表面２１と接触する。オーバハング部分２２５ｂを基板テーブルＷＴの上部表面２１に固着するために、ガス出口として動作するように構成された１つまたは複数の開口２２６を基板テーブルＷＴの上部表面２１に提供することができる。この１つまたは複数の開口は、低圧源２２７に接続することができる。
【０１１３】
[00131]  図２４に示されているように、カバー２２５の代わりにスピン塗布表面２３０を基板Ｗの上部表面に加えることにより、図２２および２３に示されている構造を修正することができる。このスピン塗布表面は、図２２および２３に示されているカバー２２５のオーバハング部分２２５ｂと同じ方法で使用することができるオーバハング部分２３０ｂを含むことができる。スピン塗布層２３０を使用する利点は、恐らく、オーバハング部分と共に層が準備されるため、基板Ｗの上部表面に高さの段差がないことである。露光後、すすぎプロセスを使用して基板Ｗからスピン塗布層を除去することができる。
【０１１４】
[00132]  図２５および２６は、本発明の一実施形態を断面図で示したものである。図２６に示されているように、基板Ｗが基板テーブルＷＴの凹所２２にロードされると、基板Ｗの全上部表面および基板テーブルＷＴの上部表面２１全体に極めて薄いカバー３２５が加えられる。このカバー３２５は、基板Ｗの表面にパターンを転写するために使用される放射に対して透明にすることができる。したがってカバー３２５は、凹所２２の縁と基板Ｗの縁の間の隙間２３を覆う。
【０１１５】
[00133]  図２５に示されているように、カバー２５は、基板Ｗおよび基板テーブルＷＴの上部表面２１にカバー３２５を加えるために使用される箔フレーム３２６によってサポートすることができる。箔フレーム３２６によってサポートされたカバー３２５は、基板Ｗの頂部表面に向かって低くすることができる。それと同時に、カバー３２５の中央部分が基板Ｗの上部表面に接触するまで、カバー３２５の中央部分にガス流３２７を提供することができる。次に、カバー３２５の頂部表面に加えられるガス流を基板Ｗおよび基板テーブルＷＴの上部表面の縁に向かって徐々に移動させることができる。それと同時に箔フレーム３２６を低くすることができる。必要に応じて、カバー３２５の下方の空間からガスを抽出することができる。カバー３２５が完全に基板Ｗに加えられると、基板Ｗおよび基板テーブルＷＴ全体に、実質的に隙間がない連続表面を提供することができる。
【０１１６】
[00134]  一態様では、リソグラフィ装置のための基板テーブルであって、基板のための凹所が形成される上部表面を有し、凹所の縁と該凹所内の基板の縁との間の隙間を覆うように構成されたカバーであって、開放中央セクションを有するカバーと、該カバーが凹所内の基板の上部表面と接触する閉位置と、カバーが凹所内の基板の上部表面から離れて設定される開位置との間でカバーを移動させるように構成されたアクチュエータシステムであって、カバーを開位置へ移動させる際に、基板がカバーの開放中央セクションを通過することができるよう、カバーの開放中央セクションを広くするように構成されたアクチュエータシステムとを備える基板テーブルが提供される。
【０１１７】
[00135]  一実施形態では、カバーは、基板の周囲を該基板の上部表面の周辺領域から基板テーブルの上部表面まで延在するように構成される。
【０１１８】
[00136]  一実施形態では、閉位置に位置しているカバーは、やはり基板テーブルの上部表面と接触する。
【０１１９】
[00137]  一実施形態では、カバーの開放中央セクションは、カバーの開位置における基板の上部表面より広くなるように拡大される。
【０１２０】
[00138]  一実施形態では、アクチュエータシステムは、カバーを開位置へ移動させる際に、カバーの開放中央セクションを広くするために、カバーの複数の部分を互いに対してそれぞれ異なる方向に移動させるように構成され、個々の方向は、それぞれ、カバーの開放中央セクションから遠ざかる方向である。
【０１２１】
[00139]  一実施形態では、カバーは、その内側の周囲から外側の周囲まで少なくとも１つの切れ目を備える環状プレートを備えている。
【０１２２】
[00140]  一実施形態では、アクチュエータシステムおよびカバーは、カバーを開位置へ移動させる際に、カバーの開放中央セクションが広くなるよう、カバーの少なくとも一部が弾性変形するように構成される。
【０１２３】
[00141]  一実施形態では、カバーの複数の部分の各々は、カバーの離散セクションを備えており、アクチュエータシステムは、カバーの複数のセクションの各々をそれぞれ異なる方向に移動させる。
【０１２４】
[00142]  一実施形態では、カバーが閉位置に位置している場合、単一のカバーを形成するためにカバーの複数のセクションの各々がその隣接するセクションと接触し、また、カバーが開位置に位置している場合、カバーのこれらのセクションは、互いに離れて設定される。
【０１２５】
[00143]  一実施形態では、アクチュエータシステムは、カバーの複数の部分の各々を、基板テーブルの上部表面に対して直角の方向に移動させるように構成された縦方向移動アクチュエータステージと、カバーのこれらの複数の部分の各々を、基板テーブルの上部表面に対して平行の個々の方向に移動させるように構成された横方向移動アクチュエータステージとを備えている。
【０１２６】
[00144]  一実施形態では、縦方向移動アクチュエータステージおよび／または横方向移動アクチュエータステージは、（ｉ）空気圧式アクチュエータ、もしくは（ｉｉ）静電アクチュエータ、または（ｉｉｉ）電磁アクチュエータ、あるいは（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）から選択される任意の組合せを備えている。
【０１２７】
[00145]  一実施形態では、アクチュエータシステムは、カバーが閉位置に接近すると、縦方向移動アクチュエータステージがカバーの複数の部分の各々を、基板テーブルの上部表面に対して直角の方向に移動させるように構成される。
【０１２８】
[00146]  一実施形態では、縦方向移動アクチュエータステージは、第１および第２のコンポーネント、第２のコンポーネントを第１のコンポーネントに対して、基板テーブルの上部表面に対して直角の方向に移動させるように構成されたアクチュエータ、および第２のコンポーネントに対する第１のコンポーネントの、基板テーブルの上部表面に対して平行の方向の移動を最小化するように構成された少なくとも１つの移動ガイドを備えている。
【０１２９】
[00147]  一実施形態では、少なくとも１つの移動ガイドは、実質的に摩擦がないように、あるいは摩擦力を最小化するように構成される。
【０１３０】
[00148]  一実施形態では、基板テーブルは、さらに、カバーによって覆われている隙間に隣接するカバーの第１の面の圧力が、カバーのこの第１の面とは反対側の第２の面の圧力より低くなるよう、低圧源に接続されるように構成されたガス出口を備えている。
【０１３１】
[00149]  一実施形態では、基板テーブルの上部表面の凹所は、凹所の縁から延在している二次カバーであって、基板が凹所内に存在している場合、基板の下部表面の周辺領域と接触するように構成された二次カバーを備えている。
【０１３２】
[00150]  一実施形態では、二次カバーは環状である。
【０１３３】
[00151]  一実施形態では、基板が凹所内に存在している場合、凹所の縁、基板の縁、カバーおよび二次カバーによって密閉空間が画定され、基板テーブルは、さらに、この密閉空間に隣接する二次カバーの面の圧力が、密閉空間の反対側に面している二次カバーの反対側の面の圧力より低くなるよう、低圧源に接続されるガス出口を備えている。
【０１３４】
[00152]  一実施形態では、基板テーブルは、基板テーブルに隣接するように構成された、かつ、基板テーブルの上部表面に対して平行である上部表面を有する少なくとも１つの他のコンポーネントを備えており、カバーは、カバーが閉位置に位置している場合、やはり少なくとも１つの他のコンポーネントと凹所が隣接するポイントにおける基板テーブルの上部表面中の縁と、少なくとも１つの他のコンポーネントの縁との間の隙間を覆うように構成される。
【０１３５】
[00153]  一態様では、上述の基板テーブルを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【０１３６】
[00154]  一態様では、基板のための凹所をその上部表面に有する基板テーブルと、凹所の縁と凹所中の基板の縁の間の隙間を覆うように構成され、開放中央セクションを有するカバーとを備えるリソグラフィ装置の基板テーブルに基板をローディングし、あるいはリソグラフィ装置の基板テーブルから基板をアンローディングする方法であって、カバーが凹所中の基板の上部表面と接触する閉位置と、カバーが凹所中の基板から離れて設定される開位置との間でカバーを移動させる工程を含み、カバーを開位置へ移動させることにより、カバーの開放中央セクションが広くなって基板がカバーの開放中央セクションを通過する方法が提供される。
【０１３７】
[00155]  一実施形態では、カバーが閉位置へ移動し、あるいは閉位置から移動する場合、カバーは、基板テーブルに対して、基板テーブルの上部表面に対して直角の方向に移動する。
【０１３８】
[00156]  一態様では、リソグラフィ装置の基板テーブルに基板をローディングする方法であって、基板テーブルの上部表面に形成された、基板を受け取るように構成された凹所に基板を配置する工程と、カバーが基板から離れて設定される開位置から、カバーが凹所内の基板の上部表面と接触する閉位置へカバーを移動させる工程とを含み、カバーが、基板が凹所内に存在し、かつ、カバーが閉位置に位置している場合、カバーが基板の周囲を基板テーブルの上部表面から基板の上部表面の周辺領域まで延在するように構成され、カバーが開放中央セクションを有する方法が提供される。
【０１３９】
[00157]  一態様では、リソグラフィ装置の基板テーブルから基板をアンローディングする方法であって、カバーが基板テーブルの上部表面に形成された凹所内にサポートされた基板の上部表面と接触する閉位置であって、カバーが、基板の周囲を基板テーブルの上部表面から基板の上部表面の周辺領域まで延在するように構成され、カバーが開放中央セクションを有する閉位置から、カバーが基板から離れて設定される開位置へカバーを移動させる工程を含み、それによりカバーの開放中央セクションが広くなって基板が開放中央セクションを通過し、基板テーブルからカバーの開放中央セクションを通って基板が除去される方法が提供される。
【０１４０】
[00158]  一態様では、上述の方法に従ってリソグラフィ装置の基板テーブルに基板をローディングする工程および／またはリソグラフィ装置の基板テーブルから基板をアンローディングする工程と、パターン付き放射ビームを、液体を介して基板上に投影する工程とを含むデバイス製造方法が提供される。
【０１４１】
[00159]  一態様では、リソグラフィ装置のための基板テーブルであって、基板テーブルが、基板テーブルの表面に形成される凹所中で基板をサポートするように構成され、凹所が、凹所中の基板の縁と凹所の縁の間に隙間を有するように構成され、基板テーブルが、隙間を密閉するように構成された密閉構造を有し、密閉構造が、隙間を密閉するように構成された平坦な閉鎖エレメントと、基板を凹所内に配置することができる開位置と、平坦な閉鎖エレメントが隙間を密閉する閉位置との間で平坦な閉鎖エレメントを移動させるように構成されたアクチュエータとを備え、アクチュエータが、平坦な閉鎖エレメントを閉位置へ移動させる際に、隙間を密閉するために基板の表面に対して直角の方向に平坦な閉鎖エレメントを移動させるように構成される、基板テーブルが提供される。
【０１４２】
[00160]  本文中では、ＩＣ製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあるが、本明細書に説明されたリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（LCD）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、マイクロスケールのフィーチャ、さらにはナノスケールのフィーチャをも有するコンポーネントの製造において他の用途を有し得ることを理解されたい。当業者なら、そのような代替用途の文脈では、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」のいかなる使用も、それぞれ、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義なものと見なしてよいことを理解するであろう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジストの層を与え、露光後のレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で処理されてよい。適用可能であれば、本開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてよい。その上、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために複数回処理されてよく、そのため、本明細書に用いられる用語の基板は、既に複数の処理層を含む基板も意味してよい。
【０１４３】
[00161]  本明細書において使用されている「放射」および「ビーム」という用語には、紫外線（UV）放射（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する放射またはその近辺の波長を有する放射）を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
【０１４４】
[00162]  文脈によって可能な場合、「レンズ」という用語は、屈折光学コンポーネントおよび反射光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つまたは組合せを意味し得る。
【０１４５】
[00163]  本発明の一実施形態のコンポーネント、例えばアクチュエータなどの１つまたは複数の移動を動作させるために、１つまたは複数のコントローラを存在させることができる。コントローラは、信号を受信し、処理し、かつ、送信するための任意の適切な構成を有することができる。例えば、個々のコントローラは、上で説明した方法を実施することになる機械読取可能命令を含んだコンピュータプログラムを実行する１つまたは複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するためのデータ記憶媒体、および／またはこのような媒体を受け取るためのハードウェアを含むことができる。
【０１４６】
[00164]  以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、本発明は、明示的に説明されている方法以外の方法で実践することも可能であることは理解されよう。例えば、本発明の実施形態は、上で開示した方法を記述した１つまたは複数の機械読取可能命令シーケンスを含んだコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取ることができる。さらに、機械読取可能命令は、複数のコンピュータプログラムの中で具体化することも可能である。これらの複数のコンピュータプログラムは、１つまたは複数の異なる記憶装置および／またはデータ記憶媒体に記憶させることができる。コンピュータプログラムは、本明細書において参照されているコントローラを制御するのに適している可能性があることがある。
【０１４７】
[00165]  本発明の１つまたは複数の実施形態は、液浸液が槽の形態で提供されるものであれ、基板の局部表面領域にのみ提供されるものであれ、あるいは基板および／または基板テーブル上に液浸液が閉じ込められないものであれ、任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができ、詳細には、それには限定されないが、上述のタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め構造の場合、液浸液は、基板および／または基板テーブルの表面を流れることができ、したがって基板テーブルおよび／または基板の覆われていない表面の実質的に全体を濡らすことができる。このような非閉じ込め液浸システムの場合、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めることができないか、あるいは液浸液閉じ込めの一部を提供することはできても、液浸液を実質的に完全に閉じ込めることはできない。
【０１４８】
[00166]  本明細書において企図されている液体供給システムは、広義に解釈すべきである。特定の実施形態では、液体供給システムは、投影システムと基板および／または基板テーブルの間の空間に液体を提供する機構であっても、あるいはそのような構造体の組合せであってもよい。液体供給システムは、１つまたは複数の構造体、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口、および／または空間に液体を提供する１つまたは複数の液体出口の組合せを備えることができる。一実施形態では、この空間の表面は、基板および／または基板テーブルの一部であってもよく、あるいはこの空間の表面は、基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆うことも可能であり、あるいはこの空間は、基板および／または基板テーブルを包絡することも可能である。液体供給システムは、任意選択により、さらに、位置、量、品質、形状、流量または他の任意の液体の特徴を制御するための１つまたは複数のエレメントを含むことも可能である。
【０１４９】
[00167]  また、本発明は、特定の実施形態および例の状況において開示されているが、本発明は、具体的に開示されている実施形態を超えて、他の代替実施形態および／または本発明の使用、ならびに本発明の自明の修正および均等物にまで及ぶことは当業者には理解されよう。さらに、本発明の多数の変形形態が示され、かつ、詳細に説明されているが、当業者には、本開示に基づいて、本発明の範囲内である他の修正が容易に明らかであろう。例えば、実施形態の特定の特徴および態様の様々な組合せおよび副組合せを実施することが可能であり、それらは依然として本発明の範囲内であることが企図されている。したがって、開示されている実施形態の様々な特徴および態様は、開示されている本発明の変更モードを形成するために互いに組み合わせることができ、あるいは互いに置き換えることができることを理解されたい。したがって、本明細書において開示されている本発明の範囲は、上で説明した特定の開示実施形態によっては何ら限定されず、本発明の範囲は、特許請求の範囲の各請求項を読むことによってのみ決定されるべきことが意図されている。
【０１５０】
[00168]  上記の説明は、制限するものでなく、例示的なものであるものとする。したがって、以下で述べられている特許請求の範囲から逸脱することなしに、述べられている本発明に修正を加えることができることが、当業者には明らかであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【外国語明細書】
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