(57)【要約】【課題】小型化、薄型化した場合であっても、光半導体素子の発する光を十分に反射することを目的とする。【解決手段】電極３ａ、電極３ｂの周囲に基板２が露出する露出領域７に、反射効率の高い絶縁反射被膜８を形成することにより、出射光を高率で反射すると共に、出射光が基板２を透過することを防ぐことができるため、小型化、薄型化した場合であっても、光半導体素子４の発する光を十分に反射することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板からなる基板と、
前記基板上に選択的に形成されて素子搭載領域または導電材接続領域を備える複数の電極と、
前記電極の非形成領域である前記基板が露出した領域に形成される前記基板より反射率の高い絶縁反射被膜と
を有することを特徴とする光半導体装置用パッケージ。
【請求項２】
前記電極として、前記素子搭載領域を備える前記電極および前記導電材接続領域を備える前記電極からなる１または複数対の前記電極を有することを特徴とする請求項１記載の光半導体装置用パッケージ。
【請求項３】
前記絶縁反射被膜が酸化チタンからなることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の光半導体装置用パッケージ。
【請求項４】
前記絶縁反射被膜が酸化チタンからなる白色塗料で形成されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の光半導体装置用パッケージ。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の光半導体装置用パッケージと、
前記素子搭載領域に搭載される光半導体素子と、
前記光半導体素子と前記導電材接続領域とを導通接続する導電材と、
少なくとも前記光半導体素子と前記導電材とを被覆する透光性樹脂により形成されるレンズと
を有することを特徴とする光半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁反射被膜が前記光半導体素子の発光面より下側に形成されることを特徴とする請求項５記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂基板に電極を形成してなる光半導体装置用パッケージおよびそれを用いた光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光半導体装置としては、樹脂基板に配線パターンを兼ねた電極が形成され、発光ダイオードなどの光半導体素子が電極に搭載され、ボンディングワイヤで光半導体素子と電極とが導通接続され、光半導体素子とボンディングワイヤを保護すると共に、電極を覆うレンズ１０６が透光性樹脂により形成されるものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
以下、図２を用いて従来の光半導体装置について説明する。
図２は従来の光半導体装置の構成を示す図であり、図２（ａ）は従来の光半導体装置を示した上面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＹ−Ｙ’線に沿った断面図である。図２（ａ）においては、説明のためにレンズ１０６を省略している。
【０００４】
図２において、光半導体装置１０１は、ガラスエポキシ樹脂の絶縁基板からなる基板１０２に一対の電極１０３ａ、１０３ｂが選択的にパターニングされて形成されている。電極１０３ａ、１０３ｂはパターニングにより形成された下地層と、下地層を被覆するめっき層からなり、光半導体素子１０４が銀ペースト（図示せず）を介して電極１０３ａに搭載され、ボンディングワイヤ１０５で光半導体素子１０４と電極１０３ｂとが導通接続されている。光半導体素子１０４はボンディングワイヤ１０５とともに、電極１０３ａ、１０３ｂを覆う透光性樹脂により形成されたレンズ１０６で保護されている。
【０００５】
また、透光性樹脂には光半導体素子１０４が発する光によって励起される蛍光体（図示せず）を含有し、光半導体素子１０４の光の色と、蛍光体により励起された光の色との混合色により白色の光としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−５３２９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記従来の構成では、光半導体装置１０１の基板１０２は発光面側において、電極１０３ａ、１０３ｂの領域を除いて露出し、絶縁基板の露出領域１０７が形成される。そのため、露出領域１０７の反射率は絶縁基板を構成するガラスエポキシ樹脂の影響を受けるという課題がある。例えば、一般的に用いられているガラスエポキシ樹脂の場合は黄色、緑色、青色、黒色であり、光を吸収し光反射率が著しく低下する。
【０００８】
一方、酸化チタンを混合して光反射率を高めた白色樹脂で基板１０２を構成し、光反射率を向上することも知られている。しかし、光半導体装置１０１の小型化、薄型化にともない、基板１０２の厚みを薄くすると、光半導体素子１０４が発する光が基板１０２で反射せず、露出領域１０７の基板１０２を透過するため、反射率が低下するという課題がある。
【０００９】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、小型化、薄型化した場合であっても、光半導体素子の発する光を十分に反射することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記従来の目的を達成するために、本発明の光半導体装置は、絶縁基板からなる基板と、前記基板上に選択的に形成されて素子搭載領域または導電材接続領域を備える複数の電極と、前記電極の非形成領域である前記基板が露出した領域に形成される前記基板より反射率の高い絶縁反射被膜とを有することを特徴とする。
【００１１】
また、前記電極として、前記素子搭載領域を備える前記電極および前記導電材接続領域を備える前記電極からなる１または複数対の前記電極を有しても良い。
また、前記絶縁反射被膜が酸化チタンからなることが好ましい。
【００１２】
また、前記絶縁反射被膜が酸化チタンからなる白色塗料で形成されることが好ましい。
さらに、本発明の光半導体装置は、前記光半導体装置用パッケージと、前記素子搭載領域に搭載される光半導体素子と、前記光半導体素子と前記導電材接続領域とを導通接続する導電材と、少なくとも前記光半導体素子と前記導電材とを被覆する透光性樹脂により形成されるレンズとを有することを特徴とする。
【００１３】
また、前記絶縁反射被膜が前記光半導体素子の発光面より下側に形成されることが好ましい。
以上により、小型化、薄型化した場合であっても、光半導体素子の発する光を十分に反射することができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上のように、電極の周囲に基板が露出する露出領域に、反射効率の高い絶縁反射被膜を形成することにより、出射光を高率で反射すると共に、出射光が基板を透過することを防ぐことができるため、小型化、薄型化した場合であっても、光半導体素子の発する光を十分に反射することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の光半導体装置の構成を示す図
【図２】従来の光半導体装置の構成を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の光半導体装置の構成を示す図であり、図１（ａ）は光半導体装置を示した上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ’線に沿った断面図である。図１（ａ）においては、説明のためにレンズ６を省略している。
【００１７】
図１において、本発明に係る光半導体装置用パッケージは、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁基板からなる基板２に一対の電極３ａ、３ｂが選択的にパターニングされる。電極３ａ及び電極３ｂの一方の端部は外部端子部分となり、外部端子部分に対する他方の端部に素子搭載領域または導電材接続領域が形成される。また、電極３ａ、３ｂはパターニングにより形成された下地層と、下地層を被覆するめっき層からなる。図では、電極として素子搭載領域を備える電極と導電材接続領域を備える電極とが一対形成される場合を例示しているが、素子搭載領域を備える電極と導電材接続領域を備える電極とを複数対形成することも可能である。さらに、素子搭載領域を備える電極を１または複数形成し、導電材接続領域を備える電極を複数形成することも可能である。
【００１８】
本発明の光半導体装置用パッケージでは、基板２の発光面側では、電極３ａ、３ｂの領域を除いて基板２が露出する露出領域７が形成され、この露出領域７に基板２に用いる樹脂より反射効率の高い絶縁反射被膜８をフォトリソグラフィ技術やインクジェット技術により選択的に形成することが特徴である。絶縁反射被膜８としては、酸化チタン、アルミナ、硫酸バリウムなどを２０〜５０重量％含有した反射率の高い絶縁被膜を用いることが好ましい。また、酸化チタンを含有した白色系粉体塗料を用いることにより、さらに反射効率が向上し好ましい。
【００１９】
さらに、光半導体装置用パッケージにおける電極３ａの素子搭載領域に銀ペースト等（図示せず）を介して光半導体素子４を搭載し、ボンディングワイヤ５等の導電材で光半導体素子４と電極３ｂの導電材接続領域とを導通接続する。その後、少なくとも光半導体素子４とボンディングワイヤ５とを封止して保護するように、透光性樹脂によりレンズ６を形成することにより本発明の光半導体装置を形成する。レンズ６は、光半導体素子４の出射光を一定の方向に出射すると共に、透光性樹脂に含有する蛍光体で光を励起し、励起した光と光半導体素子４の出射光とを混合させて、所定の色彩の光を光半導体装置１から出射する。
【００２０】
以上のように、基板２の発光面側における電極３ａ、３ｂが形成された周囲の露出領域７に、反射効率の高い絶縁反射被膜８を形成することにより、酸化チタン等も混合しない安価な樹脂基板を用いた場合であっても、光半導体素子４の出射光を効率よく反射することができる。さらに、光半導体装置１の小型化、薄型化に伴い基板２の厚みを薄くした場合であっても、従来の高反射材料が混合された樹脂基板に比べて有利である。それは小型化、薄型化に伴うもう一つの課題として基板強度の低下があげられるが、本発明によると強度の面では反射率の高さを求める必要のない強度の高い基板２で補うことができ、そのため強度に劣るが高濃度の高反射材を添加したことからなる反射率の高い絶縁反射皮膜８を高反射材の含有量を低下させる必要なくそのまま塗布することが可能であり、反射率を維持したままこれを解決することができる為だからである。
【００２１】
以上のことにより、出射光が基板２を透過することなく、十分に光の反射効率を維持することができる。そのため、レンズ６の透光性樹脂に含有する蛍光体（図示せず）で励起される光の色と合わせて、光半導体素子４が発する光の色との混合色を正確に発色することができる。
【００２２】
このとき、絶縁反射被膜８は、光半導体素子４の発光面よりも下側（基板２側）までに形成することにより、光半導体素子４の出射光をより効率的に出射方向に反射させることができ好ましい。
【００２３】
なお、絶縁反射被膜８の形成に際しては、インクジェット技術を用いることが、精度良く絶縁反射被膜８を形成することができるので好適である。
また、露出領域７のみに酸化チタン等の絶縁反射被膜８を形成することができるため、高価な酸化チタン等からなる高反射絶縁基板に比べ、酸化チタンの絶対的な使用量を低減することができ、比較的安価な光半導体装置１および光半導体装置用パッケージを提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２４】
本発明は、小型化、薄型化した場合であっても、光半導体素子の発する光を十分に反射することができ、樹脂基板に電極を形成してなる光半導体装置用パッケージおよびそれを用いた光半導体装置等に有用である。
【符号の説明】
【００２５】
１    光半導体装置
２    基板
３ａ    電極
３ｂ    電極
４    光半導体素子
５    ボンディングワイヤ
６    レンズ
７    露出領域
８    絶縁反射被膜
１０１    光半導体装置
１０２    基板
１０３ａ    電極
１０３ｂ    電極
１０４    光半導体素子
１０５    ボンディングワイヤ
１０６    レンズ
１０７    露出領域
【図１】
2011233605.tif 000003
【図２】
2011233605.tif 000004