(57)【要約】【課題】光導波路部分のコアと基板部分の光学素子との調芯作業が不要となる光センサモジュールの製造方法およびそれによって得られた光センサモジュールを提供する。【解決手段】基板部分位置決め用の溝部（嵌合部）４ａを有する光導波路部分Ｗ1 と、その溝部４ａに嵌合する嵌合板部（被嵌合部）５ａを有する基板部分Ｅ1 とを、個別に作製し、光導波路部分Ｗ1 における溝部４ａに基板部分Ｅ1 における嵌合板部５ａを嵌合し一体化する。ここで、光導波路部分Ｗ1 における溝部４ａは、コア２の一端面２ａに対して適正位置に形成されている。また、基板部分Ｅ1 には、光学素子８が実装されており、その光学素子８に対して適正位置に、嵌合板部５ａが適正形状に形成されている。このため、溝部４ａと嵌合板部５ａとの嵌合により、コアの一端面２ａと光学素子８とは、適正に位置決めされ、自動的に調芯された状態になる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路部分と、光学素子が実装された基板部分とを備えた光センサモジュールの製造方法であって、上記光導波路部分の作製を，アンダークラッド層の表面に，光路用の線状のコアを形成した後，型成形法により，上記コアを被覆するオーバークラッド層の形成と同時に，上記コアの端部に対して適正位置となるオーバークラッド層の部分に，基板部分位置決め用の嵌合部を形成することにより行い、上記基板部分の作製を，基板上に光学素子実装用パッドを配設し，その基板の，光学素子実装用パッドに対する適正位置に，上記基板部分位置決め用の嵌合部に嵌合する被嵌合部を形成して上記光学素子実装用パッドに光学素子を実装することにより行い、上記光導波路部分と上記基板部分とを結合させ光センサモジュールにすることを，上記光導波路部分における上記嵌合部に，上記基板部分における上記被嵌合部を嵌合させ，上記光導波路部分と上記基板部分とを一体化することにより行うことを特徴とする光センサモジュールの製造方法。
【請求項２】
上記光導波路部分における上記嵌合部を、溝部に形成し、上記基板部分における上記被嵌合部を、上記溝部に嵌合する板部に形成する請求項１記載の光センサモジュールの製造方法。
【請求項３】
上記光導波路部分における上記嵌合部を、突起部に形成し、上記基板部分における上記被嵌合部を、上記突起部に嵌合する貫通孔部に形成する請求項１記載の光センサモジュールの製造方法。
【請求項４】
光導波路部分と、光学素子が実装された基板部分とを結合させてなる光センサモジュールであって、上記光導波路部分が，アンダークラッド層と，このアンダークラッド層の表面に形成された光路用の線状のコアと，このコアを被覆するオーバークラッド層と，このオーバークラッドの所定部分に形成された基板部分位置決め用の嵌合部とを備え、上記基板部分が，上記基板部分位置決め用の嵌合部に嵌合する被嵌合部を有する基板と，その基板上の所定部分に配設された光学素子実装用パッドと，この光学素子実装用パッドに実装された光学素子とを備え、上記光導波路部分と上記基板部分との結合が、上記光導波路部分における上記嵌合部に、上記基板部分における上記被嵌合部を嵌合させた状態でなされていることを特徴とする、請求項１の製造方法により得られた光センサモジュール。
【請求項５】
上記光導波路部分における上記嵌合部が、溝部に形成され、上記基板部分における上記被嵌合部が、上記溝部に嵌合する板部に形成されている請求項４記載の光センサモジュール。
【請求項６】
上記光導波路部分における上記嵌合部が、突起部に形成され、上記基板部分における上記被嵌合部が、上記突起部に嵌合する貫通孔部に形成されている請求項４記載の光センサモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路部分と、光学素子が実装された基板部分とを備えた光センサモジュールの製造方法およびそれによって得られた光センサモジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光センサモジュールは、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、アンダークラッド層７１，コア７２およびオーバークラッド層７３をこの順に形成した光導波路部分Ｗ0 と、基板８１に光学素子８２が実装された基板部分Ｅ0 とを個別に作製し、上記光導波路部分Ｗ0 のコア７２と基板部分Ｅ0 の光学素子８２とを調芯した状態で、上記光導波路部分Ｗ0 の端部に上記基板部分Ｅ0 を接続して製造される。なお、図１３（ａ），（ｂ）において、符号７４は接着剤層、符号７５は基台、符号８３は絶縁層、符号８４は光学素子実装用パッド、符号８５は透明樹脂層である。
【０００３】
ここで、上記光導波路部分Ｗ0 のコア７２と基板部分Ｅ0 の光学素子８２との上記調芯は、通常、自動調芯機を用いて行われる（例えば、特許文献１参照）。この自動調芯機では、光導波路部分Ｗ0 を固定ステージ（図示せず）に固定し、基板部分Ｅ0 を移動可能なステージ（図示せず）に固定した状態で行われる。すなわち、上記光学素子８２が発光素子である場合、図１３（ａ）に示すように、その発光素子から光Ｈ1 を発光させた状態で、コア７２の一端面（光入口）７２ａに対して、発光素子の位置を変化させつつ、コア７２の他端面（光出口）７２ｂからオーバークラッド層７３の他端部のレンズ部７３ｂを経て出射した光の光量（自動調芯機に備えられている受光素子９１が発生する起電圧）をモニタリングし、その光量が最大となった位置を、調芯位置（コア７２と光学素子８２とが相互に適正になる位置）として決定する。また、上記光学素子８２が受光素子である場合、図１３（ｂ）に示すように、コア７２の他端面７２ｂから一定量の光（自動調芯機に備えられている発光素子９２から発光され、オーバークラッド層７３の他端部のレンズ部７３ｂを透過した光）Ｈ2 を入光させ、その光Ｈ2 をコア７２の一端面７２ａからオーバークラッド層７３の一端部７３ａを経て出射させた状態で、コア７２の一端面７２ａに対して、受光素子の位置を変化させつつ、その受光素子で受光する光量（起電圧）をモニタリングし、その光量が最大となった位置を、調芯位置として決定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１９６８３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記自動調芯機を用いた調芯では、高精度な調芯が可能であるものの、手間と時間とを要し、量産には適さない。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、光導波路部分のコアと基板部分の光学素子との調芯作業が不要となる光センサモジュールの製造方法およびそれによって得られた光センサモジュールの提供をその目的とする。
【０００７】
〔本発明に至る経緯〕
本発明者は、上記のような機器と手間をかけることなく、調芯できる方法について研究を重ねた。その結果、型成形により、光導波路のオーバークラッド層を形成する際に、その所定位置に嵌合部を形成し、基板の所定位置に被嵌合部を形成し、上記嵌合部と被嵌合部との嵌合により、上記光導波路部分と上記基板部分とを結合させ光センサモジュールにするという簡易な方法を着想し、本発明を完成した。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明は、光導波路部分と、光学素子が実装された基板部分とを備えた光センサモジュールの製造方法であって、上記光導波路部分の作製を，アンダークラッド層の表面に，光路用の線状のコアを形成した後，型成形法により，上記コアを被覆するオーバークラッド層の形成と同時に，上記コアの端部に対して適正位置となるオーバークラッド層の部分に，基板部分位置決め用の嵌合部を形成することにより行い、上記基板部分の作製を，基板上に光学素子実装用パッドを配設し，その基板の，光学素子実装用パッドに対する適正位置に，上記基板部分位置決め用の嵌合部に嵌合する被嵌合部を形成して上記光学素子実装用パッドに光学素子を実装することにより行い、上記光導波路部分と上記基板部分とを結合させ光センサモジュールにすることを，上記光導波路部分における上記嵌合部に，上記基板部分における上記被嵌合部を嵌合させ，上記光導波路部分と上記基板部分とを一体化することにより行う光センサモジュールの製造方法を第１の要旨とする。
【０００９】
また、本発明は、光導波路部分と、光学素子が実装された基板部分とを結合させてなる光センサモジュールであって、上記光導波路部分が，アンダークラッド層と，このアンダークラッド層の表面に形成された光路用の線状のコアと，このコアを被覆するオーバークラッド層と，このオーバークラッドの所定部分に形成された基板部分位置決め用の嵌合部とを備え、上記基板部分が，上記基板部分位置決め用の嵌合部に嵌合する被嵌合部を有する基板と，その基板上の所定部分に配設された光学素子実装用パッドと，この光学素子実装用パッドに実装された光学素子とを備え、上記光導波路部分と上記基板部分との結合が、上記光導波路部分における上記嵌合部に、上記基板部分における上記被嵌合部を嵌合させた状態でなされている、上記製造方法により得られた光センサモジュールを第２の要旨とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の光センサモジュールの製造方法は、光導波路部分を作製する工程において、コアの端部に対して適正位置となるオーバークラッド層の部分に、型成形の際に、同時に、基板部分位置決め用の嵌合部を形成する。このような型成形により、作製された光導波路部分は、コアの端部と基板部分位置決め用の嵌合部とが適正な位置関係になっている。一方、基板部分を作製する工程では、光学素子実装用パッドに対して適正位置に、上記基板部分位置決め用の嵌合部に嵌合する被嵌合部を形成し、上記光学素子実装用パッドに光学素子を実装している。このようにして作製された基板部分は、光学素子と被嵌合部とが適正な位置関係になっている。そして、上記光導波路部分と上記基板部分とを結合させ光センサモジュールにする工程では、上記光導波路部分における上記嵌合部に、上記基板部分における上記被嵌合部を嵌合させ、上記光導波路部分と上記基板部分とを一体化する。すなわち、この工程では、コアの端部に対して適正な位置関係にある嵌合部と、光学素子に対して適正な位置関係にある被嵌合部とを嵌合させている。このため、製造された光センサモジュールは、コアの端部と光学素子とが適正な位置関係になっている。したがって、本発明の光センサモジュールの製造方法によれば、光導波路部分のコアと、基板部分の光学素子とを、調芯作業することなく、自動的に調芯した状態にすることができる。そして、時間を要する調芯作業が不要となるため、光センサモジュールの量産が可能となる。
【００１１】
特に、上記光導波路部分における上記嵌合部を、溝部に形成し、上記基板部分における上記被嵌合部を、上記溝部に嵌合する板部に形成する場合には、溝部と板部との嵌合が簡単であるため、生産性に優れる。
【００１２】
また、上記光導波路部分における上記嵌合部を、突起部に形成し、上記基板部分における上記被嵌合部を、上記突起部に嵌合する貫通孔部に形成する場合には、例え突起部が熱等により収縮や膨張しても、その突起部の中心軸は不動であるため、コアと光学素子との調芯精度に優れる。
【００１３】
そして、本発明の光センサモジュールは、上記製造方法により得られたものであるため、光導波路部分のコアの端部と、基板部分の光学素子との位置決めは、光導波路部分における嵌合部と、基板部分における被嵌合部との嵌合により行われている。このため、本発明の光センサモジュールに衝撃や振動等が加わっても、上記コアの端部と光学素子との位置関係は、ずれることがなく、適正な調芯状態を維持することができる。
【００１４】
特に、上記光導波路部分における上記嵌合部が、溝部に形成され、上記基板部分における上記被嵌合部が、上記溝部に嵌合する板部に形成されている場合には、簡単な嵌合構造で、強固な嵌合を得ることができる。
【００１５】
また、上記光導波路部分における上記嵌合部が、突起部に形成され、上記基板部分における上記被嵌合部が、上記突起部に嵌合する貫通孔部に形成されている場合には、例え突起部が熱等により収縮や膨張しても、その突起部の中心軸は不動であるため、コアと光学素子との調芯精度を高度に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）は、本発明の光センサモジュールの第１の実施の形態を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、その（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】上記光センサモジュールの一端部を模式的に示す斜視図である。
【図３】上記光センサモジュールの基板部分を模式的に示す斜視図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、上記光センサモジュールの光導波路部分おけるアンダークラッド層およびコアの形成工程を模式的に示す説明図である。
【図５】（ａ）は、上記光導波路部分おけるオーバークラッド層の形成に用いられる成形型を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）〜（ｄ）は、そのオーバークラッド層の形成工程を模式的に示す説明図である。
【図６】上記光導波路部分を基台に接着する工程を模式的に示す説明図である。
【図７】上記基板部分の作製工程を模式的に示す説明図である。
【図８】上記光センサモジュールを用いたタッチパネル用検知手段を模式的に示す平面図である。
【図９】（ａ）は、本発明の光センサモジュールの第２の実施の形態を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図１０】上記光センサモジュールの一端部を模式的に示す斜視図である。
【図１１】上記光導波路部分おけるオーバークラッド層の形成に用いられる成形型を模式的に示す断面図である。
【図１２】上記光センサモジュールの基板部分を模式的に示す斜視図である。
【図１３】（ａ），（ｂ）は、従来の光センサモジュールにおける調芯方法を模式的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。
【００１８】
図１（ａ）は、本発明の光センサモジュールの第１の実施の形態を模式的に示す平面図であり、図１（ｂ）は、そのＡ−Ａ断面図であり、図２は、その一端部〔図１（ａ），（ｂ）の右端部〕を右斜め上方から見た斜視図である。この光センサモジュールは、基板部分位置決め用の溝部（嵌合部）４ａを有する光導波路部分Ｗ1 と、その溝部４ａに嵌合する嵌合板部（被嵌合部）５ａを有する基板部分Ｅ1 とを、個別に作製し、上記光導波路部分Ｗ1 における上記溝部４ａに基板部分Ｅ1 における上記嵌合板部５ａを嵌合し一体化して構成されている。ここで、光導波路部分Ｗ1 において、上記溝部４ａは、コア２の一端面２ａに対して適正位置に形成されている。また、基板部分Ｅ1 には、光学素子８が実装されており、その光学素子８に対して適正位置に、上記嵌合板部５ａが適正形状に形成されている。このため、上記溝部４ａと嵌合板部５ａとの嵌合により、コア２の一端面２ａと光学素子８とは、適正に位置決めされ、調芯された状態になっている。なお、上記光導波路部分Ｗ1 は、アクリル板等の基台１０上に接着剤層１１を介して接着されている。また、図１（ａ），（ｂ）および図２では、光導波路部分Ｗ1 の溝部４ａと基板部分Ｅ1 の嵌合板部５ａとの間に隙間４ｂを形成した状態で図示しているが、これは図面による理解を容易にするためであり、実際は、隙間４ｂは殆どない。また、図１（ａ），（ｂ）および図２において、符号１はアンダークラッド層、符号３はオーバークラッド層、符号３ｂはレンズ部、符号４は延長部分、符号５は整形基板、符号６は絶縁層、符号７は光学素子実装用パッド、符号９は透明樹脂層、符号１０ａは貫通孔、符号１１は接着剤層である。
【００１９】
より詳しく説明すると、上記光導波路部分Ｗ1 は、アンダークラッド層１と、このアンダークラッド層１の表面に所定パターンの線状に形成された光路用のコア２と、このコア２を被覆した状態で上記アンダークラッド層１の表面に形成されたオーバークラッド層３とを備えている。光導波路部分Ｗ1 の一端部側〔図１（ａ）では右側〕では、図１（ａ）における上下の部分が軸方向に延長されている。すなわち、この延長部分４は、コア２の存在しないアンダークラッド層１およびオーバークラッド層３の部分の延長部分４である。そして、その延長部分４に、図２に示すように、基板部分Ｅ1 位置決め用の一対の溝部４ａが、その開口側を向かい合わせた状態で形成されている。この溝部４ａは、アンダークラッド層１およびオーバークラッド層３を厚み方向に貫通した、いわば切欠部状に形成されている。なお、この実施の形態では、オーバークラッド層３の他端部〔図１（ａ），（ｂ）では左端部〕は、表面が外側に向かって反る略１／４円弧状のレンズ部３ｂに形成されている。
【００２０】
一方、上記基板部分Ｅ1 は、図３にその斜視図を示すように、整形基板５と、絶縁層６と、光学素子実装用パッド７と、光学素子８と、透明樹脂層９とを備えている。上記整形基板５には、上記溝部４ａに嵌合するための嵌合板部５ａが左右両側に突出した状態で形成されている。上記絶縁層６は、上記整形基板５のうち嵌合板部５ａを除く表面に形成されている。上記光学素子実装用パッド７は、上記絶縁層６の表面中央部に形成されている。上記光学素子８は、光学素子実装用パッド７に実装されている。上記透明樹脂層９は、上記光学素子８を封止した状態で形成されている。上記整形基板５において左右に突出している長方形状の嵌合板部５ａは、エッチングにより形成され、上記光学素子実装用パッド７に対して、適正に位置決めされ整形されている。また、上記光学素子８の発光部または受光部は、その光学素子８の表面に形成されている。なお、上記絶縁層６の表面には、光学素子実装用パッド７に接続する電気回路（図示せず）が形成されている。
【００２１】
そして、上記光センサモジュールは、図１（ａ），（ｂ）および図２に示すように、上記光導波路部分Ｗ1 における基板部分位置決め用の溝部４ａに、上記基板部分Ｅ1 における嵌合板部５ａを嵌合して一体化している。そして、上記光学素子８の表面（発光部または受光部）は、コア２の一端面２ａに対向し、光の送受信可能な状態となっている。この嵌合状態では、上記溝部４ａに上記嵌合板部５ａが嵌合していることにより、上記光学素子８は、上記基台１０に対して、図１（ａ）における上下方向（Ｘ軸方向）が適正に位置決めされている。また、上記嵌合状態では、図２に示すように、左右に突出した上記嵌合板部５ａの下端縁が基台１０の表面に当接しており、それにより、上記光学素子８は、基台１０の表面に直角な方向（Ｙ軸方向）が適正に位置決めされている。すなわち、コアの一端面２ａと光学素子とは、上記嵌合により、同図に示すように、適正な位置関係になっており、自動的に調芯された状態になっている。
【００２２】
なお、この実施の形態では、図１（ａ）および図２に示すように、上記基板部分Ｅ1 に対応する基台１０の部分に、四角形の貫通孔１０ａが形成され、基板部分Ｅ1 の一部分が、図１（ｂ）に示すように、上記基台１０の裏面から突出している。その基板部分Ｅ1 の突出部分は、基台１０の裏面側において、例えば、光学素子に信号の送信等するためのマザーボード（図示せず）等に接続される。
【００２３】
上記光センサモジュールでは、光Ｈは、つぎのように伝播するようになっている。すなわち、例えば、上記光学素子８が発光素子である場合は、その光学素子８の発光部から発光された光Ｈは、透明樹脂層９を経て、オーバークラッド層３を通り抜けた後、コア２の一端面２ａからコア２内に入射する。ついで、その光Ｈは、コア２内を軸方向に進む。そして、その光Ｈは、コア２の他端面２ｂから出射し、その後、オーバークラッド層３の他端部のレンズ部３ｂのレンズ面から、そのレンズ部３ｂの屈折作用により、光Ｈの発散が抑制された状態で出射する。
【００２４】
一方、上記光学素子８が受光素子である場合は、図示しないが、光は、上記とは逆の方向に進む。すなわち、光は、オーバークラッド層３の他端部のレンズ部３ｂのレンズ面から入射し、そのレンズ部３ｂの屈折作用により、絞って集束された状態で、上記コア２の他端面２ｂからコア２内に入射する。ついで、その光は、コア２内を軸方向に進み、オーバークラッド層３を通り抜けて出射された後、透明樹脂層９を経て、上記光学素子８の受光部で受光される。
【００２５】
上記光センサモジュールは、下記の（１）〜（３）の工程を経て製造される。
（１）上記光導波路部分Ｗ1 を作製する工程〔図４（ａ）〜（ｃ），図５（ａ）〜（ｄ）参照〕。
（２）上記基板部分Ｅ1 を作製する工程〔図７（ａ）〜（ｄ）参照〕。
（３）上記基板部分Ｅ1 を上記光導波路部分Ｗ1 に結合する工程。
【００２６】
上記（１）の光導波路部分Ｗ1 の作製工程について説明する。まず、アンダークラッド層１を形成する際に用いる平板状の基板２０〔図４（ａ）参照〕を準備する。この基板２０の形成材料としては、例えば、ガラス，石英，シリコン，樹脂，金属等があげられる。なかでも、ステンレス製基板が好ましい。ステンレス製基板は、熱に対する伸縮耐性に優れ、上記光導波路装置の製造過程において、様々な寸法が設計値に略維持されるからである。また、基板２０の厚みは、例えば、２０μｍ〜１ｍｍの範囲内に設定される。
【００２７】
ついで、図４（ａ）に示すように、上記基板２０の表面の所定領域に、アンダークラッド層形成用の感光性エポキシ樹脂等の感光性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを塗布した後、必要に応じて、それを加熱処理（５０〜１２０℃×１０〜３０分間程度）して乾燥させ、アンダークラッド層１形成用の感光性樹脂層１Ａを形成する。そして、その感光性樹脂層１Ａを、紫外線等の照射線により露光することにより、アンダークラッド層１に形成する。アンダークラッド層１の厚みは、通常、１〜５０μｍの範囲内に設定される。
【００２８】
つぎに、図４（ｂ）に示すように、上記アンダークラッド層１の表面に、上記アンダークラッド層形成用の感光性樹脂層１Ａの形成方法と同様にして、コア形成用の感光性樹脂層２Ａを形成する。そして、コア２のパターンに対応する開口パターンが形成されているフォトマスクを介して、上記感光性樹脂層２Ａを照射線により露光する。つぎに、加熱処理を行った後、現像液を用いて現像を行うことにより、図４（ｃ）に示すように、上記感光性樹脂層２Ａにおける未露光部分を溶解させて除去し、残存した感光性樹脂層２Ａをコア２のパターンに形成する。コア２の厚み（高さ）は、通常、５〜６０μｍの範囲内に設定される。コア２の幅は、通常、５〜６０μｍの範囲内に設定される。
【００２９】
なお、上記コア２の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層１と同様の感光性樹脂があげられ、上記アンダークラッド層１およびオーバークラッド層３〔図５（ｂ）参照〕の形成材料よりも屈折率が大きい材料が用いられる。この屈折率の調整は、例えば、上記アンダークラッド層１，コア２，オーバークラッド層３の各形成材料の種類の選択や組成比率を調整して行うことができる。
【００３０】
つぎに、成形型３０〔図５（ａ）参照〕を準備する。この成形型３０は、オーバークラッド層３〔図５（ｃ）参照〕と、基板部分位置決め用の溝部４ａ〔図５（ｃ）参照〕を有するオーバークラッド層３の延長部分４とを同時に型成形するためのものである。この成形型３０の下面には、図５（ａ）に、下から見上げた斜視図を示すように、上記オーバークラッド層３の形状に対応する型面を有する凹部３１が形成されている。この凹部３１は、上記延長部分４を形成するための部分３１ａと、レンズ部３ｂ〔図５（ｃ）参照〕を形成するための部分３１ｂとを有している。そして、上記延長部分形成用の部分３１ａには、上記基板部分位置決め用の溝部４ａのうちのオーバークラッド層３に対応する部分を成形するための突条３２が形成されている。また、上記成形型３０の上面には、その使用の際にコア２の一端面２ａ〔図５（ｂ）では右端面〕に位置合わせして成形型３０を適正に位置決めするためのアライメントマーク（図示せず）が形成されており、このアライメントマークを基準とする適正な位置に、上記凹部３１および突条３２が形成されている。
【００３１】
このため、上記成形型３０のアライメントマークをコア２の一端面２ａに位置合わせして上記成形型３０をセットし、その状態で成形すると、コア２の一端面２ａを基準として適正な位置に、オーバークラッド層３と、基板部分位置決め用の溝部４ａとを同時に型成形することができる。また、上記成形型３０のセットは、その成形型３０の下面をアンダークラッド層１の表面に密着させることにより行われ、それにより、上記凹部３１の型面とアンダークラッド層１の表面とコア２の表面で囲まれる空間が成形空間３３になるようになっている。さらに、上記成形型３０には、オーバークラッド層形成用の樹脂を上記成形空間３３に注入するための注入孔（図示せず）が、上記凹部３１に連通した状態で形成されている。
【００３２】
なお、上記オーバークラッド層形成用の樹脂としては、例えば、上記アンダークラッド層１と同様の感光性樹脂があげられる。その場合は、上記成形型３０としては、その成形型３０を通して、上記成形空間３３に満たされた感光性樹脂を、紫外線等の照射線により露光する必要があるため、照射線を透過する材料からなるもの（例えば石英製のもの）が用いられる。なお、オーバークラッド層形成用の樹脂として熱硬化性樹脂を用いてもよく、その場合は、上記成形型３０としては、透明性は問われず、例えば、金属製，石英製のものが用いられる。
【００３３】
ついで、上記成形型３０を、図５（ｂ）に示すように、その成形型３０のアライメントマークを上記コア２の一端面２ａに位置合わせし成形型３０全体を適正に位置決めした状態で、その成形型３０の下面をアンダークラッド層１の表面に密着させる。そして、上記凹部３１および突条３２の型面とアンダークラッド層１の表面とコア２の表面で囲まれた成形空間３３に、オーバークラッド層形成用の樹脂を、上記成形型３０に形成された注入孔から注入し、上記成形空間３３を上記樹脂で満たす。つぎに、その樹脂が感光性樹脂の場合は、上記成形型３０を通して紫外線等の照射線を露光した後に加熱処理を行い、上記樹脂が熱硬化性樹脂の場合は、加熱処理を行う。これにより、上記オーバークラッド層形成用の樹脂が硬化し、オーバークラッド層３と同時に、基板部分位置決め用の溝部４ａ（オーバークラッド層３の延長部分４）が形成される。このとき、アンダークラッド層１とオーバークラッド層３とが同じ形成材料の場合は、アンダークラッド層１とオーバークラッド層３とは、その接触部分で同化する。ついで、脱型し、図５（ｃ）に示すように、オーバークラッド層３と、基板部分位置決め用の溝部４ａのうちのオーバークラッド層３に対応する部分とを得る。この基板部分位置決め用の溝部４ａの部分は、先に述べたように、上記成形型３０を用いコア２の一端面２ａを基準として形成したため、コア２の一端面２ａに対して適正な位置に位置決めされている。また、上記オーバークラッド層３のレンズ部３ｂも、適正な位置に位置決めされている。このように、光導波路部分Ｗ1 において、コア２の一端面２ａに対して適正な位置に、基板部分位置決め用の溝部（嵌合部）４ａの部分を形成することが、本発明の大きな特徴の一つである。
【００３４】
上記オーバークラッド層３の厚み（アンダークラッド層１の表面からの厚み）は、通常、コア２の厚みを上回り１２００μｍ以下の範囲内に設定される。また、上記基板部分位置決め用の溝部４ａの大きさは、それに嵌合する基板部分Ｅ1 の嵌合板部５ａの大きさに対応して形成され、例えば、溝の深さが０．２〜１．２ｍｍの範囲内、溝の幅が０．２〜２．０ｍｍの範囲内に設定される。
【００３５】
ついで、図５（ｄ）に示すように、アンダークラッド層１の裏面から基板２０を剥離する（図示の矢印参照）。このとき、オーバークラッド層３の上記溝部４ａに対応するアンダークラッド層１の部分１ａ等の、オーバークラッド層３が存在しないアンダークラッド層１の部分１ｂは、オーバークラッド層３との接着力がないため、通常、基板２０に付着した状態で（基板２０とともに）剥離する。それ以外のアンダークラッド層１の部分は、オーバークラッド層３に接着した状態を維持し、アンダークラッド層１の裏面と基板２０の間で剥離する。このとき、上記溝部４ａに対応するアンダークラッド層１の部分１ａが上記基板２０とともに剥離されて除去されることにより、基板部分位置決め用の溝部４ａがアンダークラッド層１およびオーバークラッド層３を厚み方向に貫通して形成される。これにより、アンダークラッド層１，コア２，オーバークラッド層３を備え、上記基板部分位置決め用の溝部４ａが形成された光導波路部分Ｗ1 を得、上記（１）の光導波路部分Ｗ1 の作製工程が完了する。
【００３６】
そして、図６に示すように、上記光導波路部分Ｗ1 をアクリル板等の基台１０上に、接着剤層１１を介して接着する。このとき、アンダークラッド層１が接着剤層１１により基台１０上に接着されるようにする。上記基台１０としては、表面に凹凸のないものが用いられ、材質，透明性，厚みは問わないが、例をあげると、上記アクリル板以外に、ポリプロピレン（ＰＰ）板，金属板，セラミック板等があげられる。また、上記基台１０の厚みは、例えば、５００μｍ〜５ｍｍの範囲内に設定される。
【００３７】
つぎに、上記（２）の基板部分Ｅ1 の作製工程について説明する。まず、上記整形基板５の基材となる基板５Ａ〔図７（ａ）参照〕を準備する。この基板５Ａの形成材料としては、例えば、金属，樹脂等があげられる。なかでも、加工容易性および寸法安定性の観点から、ステンレス製基板が好ましい。また、上記基板５Ａの厚みは、例えば、０．０２〜０．１ｍｍの範囲内に設定される。
【００３８】
ついで、図７（ａ）に示すように、上記基板５Ａの表面の所定領域に、感光性ポリイミド樹脂等の、絶縁層形成用の感光性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを塗布した後、必要に応じて、それを加熱処理して乾燥させ、絶縁層形成用の感光性樹脂層を形成する。そして、その感光性樹脂層を、フォトマスクを介して紫外線等の照射線により露光することにより、所定形状の絶縁層６に形成する。絶縁層６の厚みは、通常、５〜１５μｍの範囲内に設定される。
【００３９】
つぎに、図７（ｂ）に示すように、上記絶縁層６の表面に、光学素子実装用パッド７およびそれに接続する電気回路（図示せず）を形成する。この実装用パッド（電気回路を含む）７の形成は、例えば、つぎのようにして行われる。すなわち、まず、上記絶縁層６の表面に、スパッタリングまたは無電解めっき等により金属層（厚み６０〜２６０ｎｍ程度）を形成する。この金属層は、後の電解めっきを行う際のシード層（電解めっき層形成の素地となる層）となる。ついで、上記基板５Ａ，絶縁層６およびシード層からなる積層体の両面に、ドライフィルムレジストを貼着した後、上記シード層が形成されている側のドライフィルムレジストに、フォトリソグラフィ法により上記実装用パッド７のパターンの孔部を同時に形成し、その孔部の底に上記シード層の表面部分を露呈させる。つぎに、電解めっきにより、上記孔部の底に露呈した上記シード層の表面部分に、電解めっき層（厚み５〜２０μｍ程度）を積層形成する。そして、上記ドライフィルムレジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。その後、上記電解めっき層が形成されていないシード層部分をソフトエッチングにより除去し、残存した電解めっき層とその下のシード層とからなる積層部分を実装用パッド（電気回路を含む）７に形成する。
【００４０】
ついで、図７（ｃ）に示すように、上記基板５Ａを、実装用パッド７に対して適正な位置に嵌合板部５ａを有する整形基板５に形成する。この整形基板５の形成は、例えば、つぎのようにして行われる。すなわち、まず、上記基板５Ａの裏面を、ドライフィルムレジストで覆う。そして、実装用パッド７に対して適正な位置に嵌合板部５ａが形成されるよう、フォトリソグラフィ法により、目的とする形状のドライフィルムレジストの部分を残す。そして、その残ったドライフィルムレジストの部分以外の露呈している基板５Ａ部分を、塩化第２鉄水溶液を用いてエッチングすることにより除去する。これにより、上記基板５Ａが、嵌合板部５ａを有する整形基板５に形成される。つぎに、上記ドライフィルムレジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。なお、上記整形基板５における嵌合板部５ａの大きさは、例えば、縦の長さＬ1 が０．５〜５．０ｍｍの範囲内、横の長さ（突出長さ）Ｌ2 が０．５〜５．０ｍｍの範囲内に設定される。このように、基板部分Ｅ1 において、実装用パッド７に対して適正な位置に、嵌合板部（被嵌合部）５ａを形成することが、本発明の大きな特徴の一つである。
【００４１】
そして、図７（ｄ）に示すように、実装用パッド７に、光学素子８を実装した後、上記光学素子８およびその周辺部を、透明樹脂によりポッティング封止する。上記光学素子８の実装は、実装機を用いて行われ、その実装機に備わっている位置決めカメラ等の位置決め装置により、実装用パッド７に正確に位置決めされて行われる。これにより、嵌合板部５ａを有する整形基板５と、絶縁層６と、実装用パッド７と、光学素子８と、透明樹脂層９とを備えた基板部分Ｅ1 を得、上記（２）の基板部分Ｅ1 の作製工程が完了する。この基板部分Ｅ1 では、先に述べたように、実装用パッド７を基準として、嵌合板部５ａが形成されているため、その実装用パッド７に実装された光学素子８と嵌合板部５ａとは適正な位置関係にある。
【００４２】
つぎに、前記（３）の光導波路部分Ｗ1 と基板部分Ｅ1 との結合工程について説明する。すなわち、基板部分Ｅ1 〔図３，図７（ｄ）参照〕の光学素子８の表面（発光部または受光部）を、光導波路部分Ｗ1 （図６参照）のコア２の一端面２ａ側に向けるよう、光導波路部分Ｗ1 における基板部分位置決め用の溝部４ａに、上記基板部分Ｅ1 における嵌合板部５ａを嵌合させ、上記光導波路部分Ｗ1 と基板部分Ｅ1 とを一体化する〔図１（ａ），（ｂ）および図２参照〕。このとき、嵌合板部５ａの下端縁を上記基台１０の表面に当接させる。なお、上記溝部４ａと嵌合板部５ａとの嵌合部分を接着剤で固定してもよい。このようにして、目的とする光センサモジュールが完成する。
【００４３】
ここで、先に述べたように、上記光導波路部分Ｗ1 では、コア２の一端面２ａと基板部分位置決め用の溝部４ａとが適正な位置関係にある。また、上記光学素子８が実装された基板部分Ｅ1 では、光学素子８と上記溝部４ａに嵌合する嵌合板部５ａとが適正な位置関係にある。その結果、上記溝部４ａに上記嵌合板部５ａを嵌合してなる上記光センサモジュールでは、コア２の一端面２ａと光学素子８とが、調芯作業を経ることなく、自動的に適正な位置関係になる。このため、上記光センサモジュールは、適正な光伝播が可能になっている。このように、光導波路部分Ｗ1 における基板部分位置決め用の溝部（嵌合部）４ａに、上記基板部分Ｅ1 における嵌合板部（被嵌合部）５ａを嵌合させ、コア２の一端面２ａと光学素子８とを適正に位置決めすることが、本発明の大きな特徴の一つである。
【００４４】
そして、上記本発明の光センサモジュールは、例えば、図８に示すように、２つのＬ字形の光センサモジュールＳ1 ，Ｓ2 に形成し、それらを四角形の枠状にして用いることにより、タッチパネルにおける指等の触れ位置の検知手段として用いることができる。すなわち、一方のＬ字形の光センサモジュールＳ1 は、角部の２箇所に、発光素子８ａが実装された基板部分Ｅ1 が嵌合され、光Ｈが出射するコア２の他端面２ｂおよびオーバークラッド層３のレンズ面が、上記枠状の内側に向けられている。他方のＬ字形の光センサモジュールＳ2 は、角部の１箇所に、受光素子８ｂが実装された基板部分Ｅ1 が嵌合され、光Ｈが入射するオーバークラッド層３のレンズ面およびコア２の他端面２ｂが、上記枠状の内側に向けられている。そして、上記２つのＬ字形の光センサモジュールを、タッチパネルの四角形のディスプレイＤの画面を囲むようにして、その画面周縁部の四角形に沿って設置し、一方のＬ字形の光センサモジュールＳ1 からの出射光Ｈを他方のＬ字形の光センサモジュールＳ2 で受光できるようする。これにより、上記出射光Ｈが、ディスプレイＤの画面上において、その画面と平行に格子状に走るようにすることができる。このため、指でディスプレイＤの画面に触れると、その指が出射光Ｈの一部を遮断し、その遮断された部分を、受光素子８ｂで感知することにより、上記指が触れた部分の位置を検知することができる。なお、図８では、コア２を鎖線で示しており、その鎖線の太さがコア２の太さを示しているとともに、コア２の数を略して図示している。
【００４５】
図９（ａ）は、本発明の光センサモジュールの第２の実施の形態を模式的に示す平面図であり、図９（ｂ）は、そのＢ−Ｂ断面図であり、図１０は、その一端部〔図９（ａ），（ｂ）の右端部〕を右斜め上方から見た斜視図である。この光センサモジュールは、基板部分位置決め用の突起部（嵌合部）３ａを有する光導波路部分Ｗ2 と、その突起部３ａに嵌合する貫通孔部（被嵌合部）５０ａを有する基板部分Ｅ2 とを、個別に作製し、上記光導波路部分Ｗ2 における上記突起部３ａに基板部分Ｅ2 における上記貫通孔部５０ａを嵌合し一体化して構成されている。ここで、光導波路部分Ｗ2 において、上記突起部３ａは、コア２の一端面２ａに対して適正位置に形成されている。また、基板部分Ｅ2 には、光学素子８が実装されており、その光学素子８に対して適正位置に、上記貫通孔部５０ａが適正形状に形成されている。このため、上記突起部３ａと貫通孔部５０ａとの嵌合により、コア２の一端面２ａと光学素子８とは、適正に位置決めされ、調芯された状態になっている。なお、この実施の形態の光導波路部分Ｗ2 は、一端部〔図９（ｂ）では右端部〕のオーバークラッド層３が厚く形成されている。それ以外の部分は上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には同じ符号を付している。
【００４６】
すなわち、上記光導波路部分Ｗ2 では、基板部分位置決め用の嵌合部として、２本の突起部３ａが、コア２の一端面２ａに対して適正に位置決めされた状態で、オーバークラッド層３の上面に、コア２の並ぶ方向（Ｘ軸方向）に並設されている。
【００４７】
上記光導波路部分Ｗ2 の作製は、オーバークラッド層形成工程において、オーバークラッド層形成用の成形型４０として、図１１にその断面図を示すように、オーバークラッド層３の形状に対応する型面を有する凹部４１に、上記突起部３ａの形状に対応する窪み４２が形成されているものを用いて行われる。それ以外の工程は、上記第１の実施の形態の光導波路部分Ｗ1 の作製と同様にして行われる。
【００４８】
また、上記基板部分Ｅ2 では、図１２にその斜視図を示すように、整形基板５０として、上記突起部３ａに嵌合する貫通孔部５０ａが２つ形成されているとともに、上記基台１０の表面に当接する当接板部５０ｂが左右両側に突出しているものが用いられている。上記整形基板５０において貫通孔部５０ａおよび左右に突出している長方形状の当接板部５０ｂは、エッチングにより形成され、上記光学素子実装用パッド７に対して、適正に位置決めされ整形されている。
【００４９】
上記基板部分Ｅ2 の作製は、エッチングにより整形基板５０を形成する工程において、実装用パッド７に対して適正な位置に貫通孔部５０ａおよび当接板部５０ｂが形成されるよう、上記第１の実施の形態の基板部分Ｅ1 の作製と同様、フォトリソグラフィ法により、目的とする形状のドライフィルムレジストの部分を残し、その残ったドライフィルムレジストの部分以外の露呈している基板５Ａ部分をエッチングにより除去することが行われる〔図７（ｃ）参照〕。それ以外の工程も、上記第１の実施の形態の基板部分Ｅ1 の作製と同様にして行われる。なお、貫通孔部５０ａの内径は、突起部３ａの外径よりも僅かに大きく形成される。
【００５０】
そして、光導波路部分Ｗ2 と基板部分Ｅ2 との結合による光センサモジュール化は、基板部分Ｅ2 の光学素子８の表面（発光部または受光部）を、コア２の一端面２ａに対向させるよう、基板部分Ｅ2 における貫通孔部５０ａを光導波路部分Ｗ2 の突起部３ａに嵌合させる（Ｘ軸方向の位置決め）とともに、基板部分Ｅ2 の当接板部５０ｂの下端縁を基台１０の表面に当接させる（Ｙ軸方向の位置決め）ことにより行われる。このとき、基板部分Ｅ2 は適宜屈曲され、その外側部分が、基台１０の表面において、接着剤，突起物等の固定部材１２で固定される。このように基板部分Ｅ2 が屈曲されていると、その基板部分Ｅ2 の撓みにより、精度のばらつきを吸収することができる。
【００５１】
この第２の実施の形態の光センサモジュールでは、光導波路部分Ｗ2 における突起部３ａを、円錐台状に形成することが好ましい。突起部３ａを円錐台状に形成すると、その突起部３ａに基板部分Ｅ2 における貫通孔部５０ａを嵌合させる際に、上記突起部３ａの外径，上記貫通孔部５０ａの内径が設計値から少し外れていたとしても、上記突起部３ａと貫通孔部５０ａとは、同軸的に嵌合し、その軸に直角な平面方向の、光導波路部分Ｗ2 と基板部分Ｅ2 との位置ずれが防止される。突起部３ａが円錐台状の場合、その大きさは、例えば、高さが５００〜１２００μｍの範囲内、底面の直径が８００〜３０００μｍの範囲内、頂面の直径が５００〜２０００μｍの範囲内に設定される。
【００５２】
また、基板部分Ｅ2 における上記貫通孔部５０ａを、その並設方向と直角な方向に長い長孔に形成することが好ましい。長孔に形成すると、その長孔によって、その長手方向における精度のばらつきを吸収することができる。
【００５３】
なお、上記各実施の形態では、オーバークラッド層（溝部４ａ，突起部３ａを含む）３を型成形する際に、成形型３０をセットしてから、成形空間３３に樹脂を注入したが、上記成形型３０を用いたプレス成形により行ってもよい。すなわち、コア２を被覆するように、オーバークラッド層３の形成領域に樹脂層を形成し、その樹脂層に対して上記成形型３０をプレスし、その状態で、上記成形型３０を通して照射線の露光や加熱処理を行ってもよい。
【００５４】
また、上記各実施の形態では、基板部分Ｅ1 ，Ｅ2 の作製に、絶縁層６を形成したが、この絶縁層６は、金属製基板のような通電性を有する基板５Ａと実装用パッド７との短絡を防止するためのものである。そのため、基板５Ａが絶縁性を有するものである場合は、絶縁層６を形成することなく、上記基板５Ａに直接、実装用パッド７を形成してもよい。
【００５５】
さらに、上記各実施の形態では、オーバークラッド層３の他端部〔図１（ｂ），図９（ｂ）では左端部〕をレンズ部３ｂに形成したが、光センサモジュールの用途によっては、レンズ部３ｂに形成することなく平面状に形成してもよい。
【００５６】
つぎに、実施例について説明する。但し、本発明は、実施例に限定されるわけではない。
【実施例】
【００５７】
〔アンダークラッド層，オーバークラッド層（延長部分，突起部を含む）の形成材料〕
ビスフェノキシエタノールフルオレングリシジルエーテル（成分Ａ）３５重量部、脂環式エポキシ樹脂である３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（ダイセル化学工業社製、セロキサイド２０２１Ｐ）（成分Ｂ）４０重量部、（３’，４’−エポキシシクロヘキサン）メチル−３’，４’−エポキシシクロヘキシル−カルボキシレート（ダイセル化学工業社製、セロキサイド２０８１）（成分Ｃ）２５重量部、４，４’−ビス〔ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ〕フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートの５０重量％プロピオンカーボネート溶液（成分Ｄ）２重量部とを混合することにより、アンダークラッド層およびオーバークラッド層の形成材料を調製した。
【００５８】
〔コアの形成材料〕
上記成分Ａ：７０重量部、１，３，３−トリス｛４−〔２−（３−オキセタニル）〕ブトキシフェニル｝ブタン：３０重量部、上記成分Ｄ：１重量部を乳酸エチルに溶解することにより、コアの形成材料を調製した。
【００５９】
〔実施例１〕
〔光導波路部分の作製〕
まず、ステンレス製基板の表面に、上記アンダークラッド層の形成材料をアプリケーターにより塗布した後、２０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線（波長３６５ｎｍ）照射による露光を行うことにより、アンダークラッド層（厚み２５μｍ）を形成した〔図４（ａ）参照〕。
【００６０】
ついで、上記アンダークラッド層の表面に、上記コアの形成材料をアプリケーターにより塗布した後、１００℃×１５分間の乾燥処理を行い、感光性樹脂層を形成した〔図４（ｂ）参照〕。つぎに、その上方に、コアのパターンと同形状の開口パターンが形成された合成石英系のクロムマスク（フォトマスク）を配置した。そして、その上方から、プロキシミティ露光法にて４０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線（波長３６５ｎｍ）照射による露光を行った後、８０℃×１５分間の加熱処理を行った。つぎに、γ−ブチロラクトン水溶液を用いて現像することにより、未露光部分を溶解除去した後、１２０℃×３０分間の加熱処理を行うことにより、コア（厚み５０μｍ、幅５０μｍ）を形成した〔図４（ｃ）参照〕。
【００６１】
つぎに、オーバークラッド層と、基板部分位置決め用の溝部（オーバークラッド層の延長部分）とを同時に型成形する石英製の成形型〔図５（ａ）参照〕を、コアの一端面を基準として適正位置にセットした〔図５（ｂ）参照〕。そして、上記オーバークラッド層およびその延長部分の形成材料を、成形空間に注入した後、その成形型を通して２０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線照射による露光を行った。つづいて、１２０℃×１５分間の加熱処理を行った後、脱型し、オーバークラッド層と、基板部分位置決め用の溝部とを得た〔図５（ｃ）参照〕。上記オーバークラッド層の厚み（アンダークラッド層の表面からの厚み）は、接触式膜厚計で測定すると、１０００μｍであった。
【００６２】
そして、アンダークラッド層の裏面からステンレス製基板を剥離した〔図５（ｄ）参照〕。このとき、オーバークラッド層の上記溝部に対応するアンダークラッド層の部分の、オーバークラッド層が存在しないアンダークラッド層の部分は、ステンレス製基板に付着した状態で（ステンレス製基板とともに）剥離した。その結果、溝部は、アンダークラッド層およびオーバークラッド層を厚み方向に貫通して形成された。そして、その剥離した光導波路部分をアクリル板上に、接着剤を用いて接着した（図６参照）。上記溝部の寸法は、深さが１．０ｍｍ、幅が０．３ｍｍ、対向する溝部の底面間の距離が１４．０ｍｍであった。
【００６３】
〔基板部分の作製〕
ステンレス製基板〔２５ｍｍ×３０ｍｍ×３５μｍ（厚み）〕の表面の一部分に、感光性ポリイミド樹脂からなる絶縁層（厚み１０μｍ）を形成した〔図７（ａ）参照〕。ついで、セミアディティブ法により、上記絶縁層の表面に、銅／ニッケル／クロム合金からなるシード層と電解銅めっき層（厚み１０μｍ）とが積層形成された光学素子実装用パッド（電気回路を含む）を形成した〔図７（ｂ）参照〕。
【００６４】
つぎに、上記光学素子実装用パッドに対して適正な位置に嵌合板部が形成されるよう、ドライフィルムレジストを利用してエッチングすることにより、ステンレス製基板部分を、嵌合板部を有する整形基板に形成した。その後、上記ドライフィルムレジストを水酸化ナトリウム水溶液により剥離した〔図７（ｃ）参照〕。
【００６５】
そして、上記光学素子実装用パッドの表面に、銀ペーストを塗布した後、高精度ダイボンダ（実装装置）を用いて、上記銀ペースト上に、ワイヤーボンディングタイプの発光素子（Ｏｐｔｗｅｌｌ社製、ＳＭ８５−１Ｎ００１）を実装した。ついで、キュア処理し、上記銀ペーストを硬化させた。その後、上記光学素子およびその周辺部を、透明樹脂（日東電工社製、ＮＴ−８０３８）によりポッティング封止した〔図７（ｄ）参照〕。このようにして、基板部分を作製した。この基板部分の嵌合板部の寸法は、縦の長さが２．０ｍｍ、横の長さ（突出長さ）が２．０ｍｍであり、全幅は１４．０ｍｍであった。
【００６６】
〔光センサモジュールの製造〕
上記光導波路部分における基板部分位置決め用の溝部に、上記基板部分における嵌合板部を嵌合させ、その嵌合板部の下端縁をアクリル板の表面に当接させた。その後、その嵌合部を接着剤で固定した。このようにして、光センサモジュールを製造した〔図１（ａ），（ｂ）および図２参照〕。
【００６７】
〔実施例２〕
上記実施例１において、光導波路部分および基板部分をつぎのようにして作製した。それ以外は、上記実施例１と同様にして、光センサモジュールを製造した。
【００６８】
〔光導波路部分の作製〕
オーバークラッド層形成工程において、オーバークラッド層形成用の成形型を変えることにより、基板部分位置決め用の２本の円錐台状の突起部が、コアの一端面に対して適正に位置決めされた状態で、オーバークラッド層の上面に、コアの並ぶ方向に並設された光導波路部分を作製した。上記円錐台状の突起部の寸法は、高さが０．８ｍｍ、底面の直径が１．４ｍｍ、頂面の直径が２．０ｍｍ、２本の突起部の中心間距離が５．０ｍｍであった。
【００６９】
〔基板部分の作製〕
エッチングにより整形基板を形成する工程において、ドライフィルムレジストの形状を変えることにより、光学素子実装用パッドに対して適正な位置に、上記アクリル板の表面に当接する当接板部が両側に長方形状に突出しているとともに、上記突起部に嵌合する貫通孔部が２つ形成されている整形基板に形成した（図１２参照）。上記当接板部の寸法は、縦の長さが２．０ｍｍ、横の長さ（突出長さ）が２．０ｍｍ、全幅が１４．０ｍｍであった。また、上記貫通孔部は、長孔に形成され、その寸法は、円弧部の半径が０．９５ｍｍ、幅が１．９０ｍｍ、長さが３．９ｍｍ、２つの長孔の中心間距離が５．０ｍｍであった。
【００７０】
〔光センサモジュールの製造〕
上記光導波路部分における基板部分位置決め用の突起部に、上記基板部分における貫通孔部を嵌合させ、当接板部の下端縁をアクリル板の表面に当接させた。その後、その当接板部の当接部分を接着剤で固定した。このようにして、光センサモジュールを製造した〔図９（ａ），（ｂ）および図１０参照〕。
【００７１】
〔光伝播試験〕
上記実施例１，２の光センサモジュールの発光素子に電流を流し、発光素子から光を出射させた。そして、光センサモジュールの他端部から光が出射されることを確認した。
【００７２】
この結果から、上記製造方法では、光導波路部分のコアと基板部分の発光素子との調芯作業をしなくても、得られた光センサモジュールは、適正に光伝播することがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明の光センサモジュールは、タッチパネルにおける指等の触れ位置の検知手段、または音声や画像等のデジタル信号を高速で伝送，処理する情報通信機器，信号処理装置等に用いることができる。
【符号の説明】
【００７４】
Ｗ1   光導波路部分
Ｅ1   基板部分
２  コア
２ａ  一端面
４ａ  溝部
５ａ  嵌合板部
８  光学素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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