(57)【要約】【課題】情報記録装置のヘッドシンバルアセンブリに用いる光伝送モジュールの低コスト化を目的とし、６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の近赤外波長にて光デバイス間の光接続を高度な調芯設備を用いず実現する。【解決手段】一組の光デバイス５０２，５０３間は光接続部５１０で光接続されている。光接続部は自己形成光導波路にて製造され、近赤外光の照射で硬化する軸状の硬化性組成物成分にて構成されたコア部５０７と、コア部の外側にコア部より屈折率の小さな硬化性組成物成分で構成されたクラッド部５０８とを有する。【選択図】図６
2011102919.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一組の光デバイスと、前記一組の光デバイスのそれぞれの端面を略向き合うよう位置決めできる溝を有する光デバイス保持部と、前記一組の光デバイス間を光接続する光接続部とを有する光伝送モジュールであって、
前記光接続部は、軸状の光硬化組成物にて構成されたコア部と、前記コア部の外側に配置された前記コア部より屈折率の小さなクラッド部とを有し、
成分（Ａ）を６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の近赤外光の照射にて分解消色する近赤外光吸収性染料、成分（Ｂ）を前記成分（Ａ）と併用することにより６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下に感光波長を有する光ラジカル重合開始剤、成分（Ｃ）を前記成分（Ｂ）により生成したラジカルと反応し、６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の近赤外光の照射にて硬化物を形成しうるラジカル重合性化合物、成分（Ｄ）を前記成分（Ｃ）の硬化物よりも小さな屈折率を有する硬化物を生成しうる重合性化合物とするとき、
前記コア部は前記成分（Ｃ）を主体として形成され、前記クラッド部は前記成分（Ｄ）を主体として形成されていることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項２】
請求項１記載の光伝送モジュールにおいて、前記一組の光デバイスは、レンズ、光導波路、光ファイバ、半導体レーザ、発光ダイオード、フォトダイオード、ホログラム、プリズム、ミラー、ピンホール、スリット及びグレーティングから選択された同一の又は異なる光デバイスであることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項３】
請求項１記載の光伝送モジュールにおいて、光通過領域中に、レンズ、光導波路、光ファイバ、ホログラム、プリズム、ミラー、ピンホール、又はスリットが配置されていることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項４】
向き合った一組の光デバイスの端面と端面の間に未硬化の硬化性組成物を配置し、前記光デバイスを介して前記硬化性組成物に光照射することにより、前記硬化性組成物を光硬化組成物へと変化させ前記一組の光デバイス間に光接続部を形成する光伝送モジュールの製造方法であって、
前記一組の光デバイスのそれぞれの一方の端面が光軸方向にて略向き合うよう前記一組の光デバイスを位置決めする工程と、
６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の近赤外光の照射にて分解消色する近赤外光吸収性染料と、前記近赤外光吸収性染料と併用することにより６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下に感光波長を有する光ラジカル重合開始剤と、前記光ラジカル重合開始剤により生成したラジカルと反応し、６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の近赤外光の照射にて硬化物を形成しうるラジカル重合性化合物と、前記ラジカル重合性化合物の硬化物よりも小さな屈折率を有する硬化物を生成しうる重合性化合物とを含む未硬化の硬化性組成物を、前記一組の光デバイスの前記向き合った端面と端面の間に配置する工程と、
前記一組の光デバイスの一方を介して６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の波長の光を前記未硬化の硬化性組成物に照射して前記一組の光デバイスの前記向き合った端面と端面の間に軸状の光硬化組成物からなるコア部を形成し前記光接続部を製造する工程と、
を有することを特徴とする光伝送モジュールの製造方法。
【請求項５】
向き合った一組の光デバイスの端面と端面の間に未硬化の硬化性組成物を配置し、前記光デバイスを介して前記硬化性組成物に光照射することにより、前記硬化性組成物を光硬化組成物へと変化させ前記一組の光デバイス間に光接続部を形成する光伝送モジュールの製造方法であって、
前記一組の光デバイスのそれぞれの一方の端面が光軸方向にて略向き合うよう前記一組の光デバイスを位置決めする工程と、
６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の近赤外光の照射にて分解消色する近赤外光吸収性染料と、前記近赤外光吸収性染料と併用することにより６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下に感光波長を有する光ラジカル重合開始剤と、前記光ラジカル重合開始剤により生成したラジカルと反応し、６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の近赤外光の照射にて硬化物を形成しうるラジカル重合性化合物と、前記ラジカル重合性化合物の硬化物よりも小さな屈折率を有する硬化物を生成しうる重合性化合物とを含む未硬化の硬化性組成物を、前記一組の光デバイスの前記向き合った端面と端面の間に配置する工程と、
前記一組の光デバイスの両方を介して６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の波長の光を前記未硬化の硬化性組成物に照射して前記一組の光デバイスの前記向き合った端面と端面の間に軸状の光硬化組成物からなるコア部を形成し前記光接続部を製造する工程と、
を有することを特徴とする光伝送モジュールの製造方法。
【請求項６】
向き合った一組の光デバイスの端面と端面の間に未硬化の硬化性組成物を配置し、前記光デバイスを介して前記硬化性組成物に光照射することにより、前記硬化性組成物を光硬化組成物へと変化させ前記一組の光デバイス間に光接続部を形成する、６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の第１の波長の光の伝送に用いられる光伝送モジュールの製造方法であって、
光照射側となる一方の光デバイスに、前記第１の波長の光及び前記第１の波長とは異なる６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の第２の波長の光を照射可能な光照射手段を設ける工程と、
他方の光デバイスに、前記第２の波長を主として反射する反射手段を設ける工程と、
前記一組の光デバイスのそれぞれの一方の端面が光軸方向にて略向き合うよう前記一組の光デバイスを位置決めする工程と、
前記第２の波長の光の照射にて分解消色する近赤外光吸収性染料と、前記近赤外光吸収性染料と併用することにより前記第２の波長に感光波長を有する光ラジカル重合開始剤と、前記光ラジカル重合開始剤により生成したラジカルと反応し前記第２の波長の光の照射にて硬化物を形成しうるラジカル重合性化合物と、前記ラジカル重合性化合物の硬化物よりも小さな屈折率を有する硬化物を生成しうる重合性化合物とを含む未硬化の硬化性組成物を、前記一組の光デバイスの前記向き合った端面と端面の間に配置する工程と、
前記一方の光デバイスから前記第２の波長の光を前記未硬化の硬化性組成物を介して前記他方の光デバイスに照射し、前記一方の光デバイスからの光照射と前記他方の光デバイスから反射された光による前記未硬化の硬化性組成物への光照射によって、前記一組の光デバイスの前記向き合った端面と端面の間に軸状の光硬化組成物からなるコア部を形成し前記光接続部を製造する工程と、
を有することを特徴とする光伝送モジュールの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の光伝送モジュールの製造方法において、前記光照射手段は、二波長レーザモジュールであることを特徴とする光伝送モジュールの製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の光伝送モジュールの製造方法において、前記反射手段は、前記他方の光デバイスの内部に形成されたファイバグレーティングであることを特徴とする光伝送モジュールの製造方法。
【請求項９】
請求項６記載の光伝送モジュールの製造方法において、前記反射手段は、前記他方の光デバイスの内部もしくは端面に形成されたダイクロイックミラーであることを特徴とする光伝送モジュールの製造方法。
【請求項１０】
請求項４〜９のいずれか１項に記載の光伝送モジュールの製造方法において、前記近赤外光吸収染料は、一般式Ｄ+Ａ-（式中、Ｄ+は近赤外光までの任意の波長領域に吸収をもつ陽イオンを示し、Ａ-は各種陰イオンを示す）で示される近赤外光吸収性陽イオン染料−各種陰イオン錯体であること特徴とする光伝送モジュールの製造方法。
【請求項１１】
請求項４〜９のいずれか１項に記載の光伝送モジュールの製造方法において、前記光ラジカル重合開始剤は、下記一般式で示される各種陽イオン錯体−ホウ素陰イオン錯体であること特徴とする光伝送モジュールの製造方法。
【化１】
2011102919.tif 000010
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、独立的にアルキル、アリール、アラルキル、アルケニル、脂環基、複素環基及びシリルあるいは置換アルキル、置換アリール、置換アラルキル、置換アルケニル、置換複素環基、置換脂環基、置換シリルを示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１個以上は炭素数１〜８個のアルキル基である。また、Ｚ+は各種陽イオン錯体を示す）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱アシスト磁気記録装置のヘッドジンバルアセンブリに適用可能な光伝送モジュール及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、１Ｔｂ／ｉｎ2以上の記録密度を実現する記録方式として、熱アシスト磁気記録方式が提案されている（非特許文献１）。従来の磁気記録では、記録密度が１Ｔｂ／ｉｎ2以上になると、熱揺らぎによる記録情報の消失が問題となる。これを防ぐには、磁気記録媒体の保磁力を上げる必要があるが、記録ヘッドから発生させることができる磁界の大きさには限りがあるため、保磁力を上げすぎると媒体に記録ビットを形成することが不可能となる。この問題を解決するために、熱アシスト磁気記録方式では、記録の瞬間、媒体を光で加熱し保磁力を低下させる。これにより、高保磁力媒体への記録が可能となり、１Ｔｂ／ｉｎ2以上の記録密度が実現可能となる。
【０００３】
この熱アシスト磁気記録において、照射する光のスポット径は、記録ビットと同程度の大きさ（数１０ｎｍ）にする必要がある。なぜなら、光スポット径がそれよりも大きいと、隣接トラックの情報を消去してしまうからである。このような微小な領域を加熱するためには、近接場光を用いる。近接場光は、光波長以下の微小物体近傍に存在する局在した電磁場（波数が虚数成分を持つ光）であり、径が光波長以下の微小開口や金属の散乱体を用いて発生させる。例えば、高効率な近接場光発生器として三角形の形状をした金属散乱体を用いることが提案されている（非特許文献２）。金属散乱体に光を入射すると、金属散乱体中にプラズモン共鳴が励起され、三角形の頂点に強い近接場光が発生する。この近接場光発生器を用いることにより、光を数１０ｎｍ以下の領域に高効率に集めることが可能になる。
【０００４】
熱アシスト磁気記録のためには、磁界を印加するための磁極近傍の媒体を光で加熱する必要がある。そのためには、例えば導波路を磁極脇に形成し、光源である半導体レーザの光を、磁極の先端近傍にまで導く光伝送モジュールが必要となる。このとき、半導体レーザは、例えばサスペンションの根元に置いて、そこから浮上スライダまで光ファイバなどの導波路を用いて光を導く（非特許文献３）。
【０００５】
このような光伝送モジュールの製造には、光通信で用いられた光配線技術を利用することが可能である。しかし、このような光伝送モジュールはコストが高くなってしまう。この理由を以下で詳しく説明する。光伝送モジュールの一部には一組の光ファイバ間の接続が行われているが、これら光ファイバにて光を伝送する硬化性組成物は極めて細い透明材料にて構成されている。一般の光導波路の光伝搬部は数μｍ〜数百μｍ径であり、しかもその伝般エネルギーはファイバ中央に集中しているため、接続部における光導波路間の相互の光軸のズレを数μｍ以内におさえる必要がある。光伝送モジュールには、導波路以外の光学素子であるレンズ、半導体レーザ、発光ダイオード、フォトダイオード、ホログラム、プリズム、ミラー、ピンホール、スリットを用いることが可能であるが、光接続に要求される位置決め精度は光ファイバ同様に数μｍ程度であり、これら光デバイスの接続には３次元の極めて高い位置精度が要求される。そのため、光伝送モジュール製造は、接続作業が手作業もしくは高精度な調芯設備により行われているため、接続コストが上昇するという問題があった。また、省資源化、省スペース化の流れのなかで、光伝送モジュールの小型化も強く求められている。
【０００６】
光通信の分野で用いられてきた従来の光接続技術について説明する。非特許文献４には、シリコン単結晶上にＶ字形あるいは台形の溝（以下、Ｖ溝と称す）を形成し、Ｖ溝上に各光デバイスを配置することで２次元の位置決め精度を高める方法が提案されている。また、特許文献１に記載されたように、このＶ溝に加えコネクタ接続を行うことで、光軸方向への位置決め精度が改善される。
【０００７】
一方で、特許文献２に示されるような自己形成光導波路の技術も開発されている。これは、感光性樹脂等を含む硬化性組成物に、光ファイバ等の接続端面を浸漬し、この光ファイバ等を介して硬化性組成物に光を照射することにより硬化性組成物を徐々に硬化させて、接続端面の先端に光導波路を形成するものである。特許文献３では、光ファイバ先端から直進性の高い光導波路を形成する方法が述べられている。このような光ファイバの一端から感光性組成物へ向けて光を照射して（以下、一方向入射と称す）光導波路を形成する方法は、接続対象が光軸方向に著しく離れている場合に有効である。コネクタを使用する場合、位置決め精度はコネクタの機械加工精度に依存するが、一方向入射にて形成された光導波路は、一組の光ファイバ間の距離が離れてしまっていても、その離れてしまった距離に応じて光導波路が自己形成されるため、安定した光結合が実現できる。このようにして形成された光導波路を、本明細書では「直進型自己形成光導波路」という。つまり、自己形成光導波路により、特に高価な調芯設備やコネクタ等が不要となり、光ファイバ間を完全に結合した光導波路を形成することができる。なお、本明細書では、この完全に結合した光導波路のことを「光接続部」という。
【０００８】
また、非特許文献５では、一組の光デバイスを光接続する際に、感光性樹脂に対し両側より光を入射させて自己形成光導波路を形成する例が述べられている。両側より光を入射させたとき、光の重なりあう領域は光強度が大きくなる。このとき、光の重なりあう領域の光強度以上でのみ光硬化できる硬化性組成物を選ぶと、光を入射させた一組の光デバイスの両端を結ぶような光導波路が自己形成できることになる。このように異なる光ファイバのそれぞれの一端から他方の光ファイバの一端へ向けて光を照射して（以下、双方向入射と称す）光導波路を形成する方法では、一方向入射による自己形成光導波形成時のように異なる光ファイバの一端が著しく離れている場合だけでなく、異なる光ファイバの光軸がずれている場合でもより確実に光接続部を形成できる。このようにして形成された光導波路を、本明細書では「両端面結合型自己形成光導波路」という。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開昭５４−７３０６１号公報
【特許文献２】特開平０８−３２０４２２号公報
【特許文献３】特開２００５−２５７７４１号公報
【特許文献４】特開２００９−１５０８９９号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Jpn. J. Appl. Phys. 38, Part 1, p.1839 (1999)
【非特許文献２】Technical Digest of 6th international conference on near field optics and related techniques, the Netherlands, Aug. 27-31, 2000, p.55
【非特許文献３】Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42, pp.5102-5106 (2003)
【非特許文献４】Proceeding of The IEEE Vol.57 No.9 September1969 “The Influence of Crystal Orientation Silicon Semiconductor Processing”
【非特許文献５】JSR TECHNICAL REVIEW, No.111/2004, p.7
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１のように一組の光デバイス間を接続するときコネクタを用いる方法は、一組の光デバイスを押し付けて固定することにより接続する方法であるため、接続時に、光デバイスの端面が傷付いたり、接続部分が変形したりしてしまい、一組の光デバイスの接続部分で伝送光の乱反射等に起因した接続損失が発生するおそれがあった。コネクタ以外にも光ファイバ等を各種光デバイスに融着させる方法や、光ファイバ等と各種光デバイスとを光学接着剤により接着させる方法等が用いられているが、これらの方法はいずれも押し付けて固定、接続する方法であり、接続損失発生のおそれがあることに違いはない。また、コネクタ等を利用することでサイズが大きくなってしまうため、磁極の先端近傍にまで導く熱アシスト磁気記録用の光伝送モジュールに用いることが難しい。
【００１２】
特許文献２に示された自己形成光導波路では、自己形成光導波路を形成する為の光の波長は１．３３μｍでの計算結果が示されている。また、非特許文献５に示された自己形成光導波路では、光の波長は４０５ｎｍにて自己形成光導波路を形成している。しかしながら、熱アシスト磁気記録に用いられる半導体レーザの波長は赤から近赤外の波長（６００ｎｍ〜９００ｎｍ）であり、これら文献には前記波長帯での具体的な構成が示されていない。
【００１３】
特許文献４に示されるように、熱アシスト磁気ヘッドの近接場光発生器おいて共鳴プラズモンを発生させる為の金属として加工容易性や非酸化性の観点より金を用いることができ、こうした材料に対し高い光利用効率を実現するためには用いる光の波長を５００ｎｍ〜８００ｎｍの近赤外光にすることが好ましい。なお、従来の光硬化性樹脂の硬化波長である４５０ｎｍ以下の波長帯にて高い光利用効率の近接場光発生器を実現するための金属としては、同じく特許文献４にアルミ・マグネシウム等が挙げられている。しかし、同材料は金に比べ非酸化性が低く、更に光デバイスに用いられる材料が同波長帯において材料の透過率が低下する点で課題が多い。
【００１４】
一方、特許文献３で示された自己形成光導波路では、顔料を添加することで近赤外光の波長（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）にて光伝送モジュールが作製されているが、顔料を添加すると自己形成光導波路作製後も顔料が光伝送モジュール内に残存するために光伝送モジュールの光損失が大きくなってしまう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、色素増感による近赤外光での光重合に注目し、光照射後に近赤外光吸収性陽イオン染料と、ホウ素陰イオン錯体を含む光ラジカル重合開始剤の組み合わせにて、同イオン染料が近赤外光照射後に消色することを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明で使用する近赤外領域に吸収をもつ近赤外線染料は、６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の波長範囲の近赤外光の照射により分解消色される。共に添加したホウ素陰イオン錯体を含む光ラジカル重合開始剤にてラジカル生成を行い、ラジカル重合化合物が得られる。すなわち、光伝送モジュールにおいてラジカル重合化合物からなるコア部を形成する際には近赤外光に光吸収を持つが、コア部形成後は消色し透明となるため、顔料添加時のようにコア部の光吸収が大きくなることはない。
【００１６】
本発明で使用する硬化性組成物は、以下（Ａ）から（Ｄ）の成分にて構成される。
（Ａ）６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の近赤外光の照射にて分解消色する近赤外光吸収性染料
（Ｂ）成分（Ａ）と併用することにより６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下いずれかに感光波長を有する光ラジカル重合開始剤
（Ｃ）成分（Ｂ）により生成したラジカルと反応し、６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の近赤外光の照射にて硬化物を形成しうるラジカル重合性化合物
（Ｄ）成分（Ｃ）の硬化物よりも小さな屈折率を有する硬化物を生成しうる重合性化合物
また、本発明の硬化性組成物は、成分（Ａ）が、一般式（１）で示される近赤外光吸収性陽イオン染料−各種陰イオン錯体であることを特徴とする。
【００１７】
一般式（１）：Ｄ+Ａ-
（式中、Ｄ+は近赤外光までの任意の波長領域に吸収をもつ陽イオンであり、Ａ-は各種陰イオンを示す）
【００１８】
また、本発明の硬化性組成物は、成分（Ｂ）が、一般式（２）で示される各種陽イオン錯体−ホウ素陰イオン錯体であることを特徴とする。
【００１９】
【化１】
2011102919.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、独立的にアルキル、アリール、アラルキル、アルケニル、脂環基、複素環基及びシリルあるいは置換アルキル、置換アリール、置換アラルキル、置換アルケニル、置換複素環基、置換脂環基、置換シリルを示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１個は炭素数１〜８個のアルキル基である。また、Ｚ+は各種陽イオン錯体を示す）
【００２０】
本発明の光伝送モジュールは、６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の光の伝送に用いられるものであり、一組の光デバイスと、一組の光デバイスのそれぞれの端面を略向き合うよう位置決めできる溝を有する光デバイス保持部と、一組の光デバイス間を光接続する光接続部とを有し、光接続部は、軸状の光硬化組成物にて構成されたコア部と、コア部の外側にコア部より屈折率の小さな材料で構成されたクラッド部とを有し、コア部は成分（Ｃ）を主体として形成され、クラッド部は成分（Ｄ）を主体として形成されている。
【００２１】
本発明の光伝送モジュールにおいて、一組の光デバイスは、レンズ、光導波路、光ファイバ、半導体レーザ、発光ダイオード、フォトダイオード、ホログラム、プリズム、ミラー、ピンホール、スリット及びグレーティングから個別に選ばれる。個別という表現は、一組の光デバイスは共に光ファイバのような同種類の光デバイスでも良いし、光ファイバと半導体レーザのように異なる種類の光デバイスでも良いことを意味している。また、光伝送モジュール内の光通過領域中に、レンズ、光導波路、光ファイバ、ホログラム、プリズム、ミラー、ピンホール、スリットが配置されても良い。
【００２２】
本発明の第１の光伝送モジュールの製造方法は、向き合った一組の光デバイスの端面と端面の間に未硬化の硬化性組成物を配置し、光デバイスを介して硬化性組成物に光照射することにより、硬化性組成物を光硬化組成物へと変化させ一組の光デバイス間に光接続部を形成するものであり、一組の光デバイスのそれぞれの一方の端面が光軸方向にて略向き合うよう一組の光デバイスを位置決めする工程と、６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の近赤外光の照射にて分解消色する近赤外光吸収性染料と、近赤外光吸収性染料と併用することにより６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下に感光波長を有する光ラジカル重合開始剤と、光ラジカル重合開始剤により生成したラジカルと反応し、６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の近赤外光の照射にて硬化物を形成しうるラジカル重合性化合物と、ラジカル重合性化合物の硬化物よりも小さな屈折率を有する硬化物を生成しうる重合性化合物とを含む未硬化の硬化性組成物を、一組の光デバイスの向き合った端面と端面の間に配置する工程と、一組の光デバイスの一方を介して６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の波長の光を未硬化の硬化性組成物に照射して一組の光デバイスの前記向き合った端面と端面の間に軸状の光硬化組成物からなるコア部を形成し光接続部を製造する工程と、を有する。
【００２３】
本発明の第２の光伝送モジュールの製造方法は、第１の製造方法とほぼ同じであるが、一組の光デバイスの両方を介して６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の波長の光を未硬化の硬化性組成物に照射して一組の光デバイスの向き合った端面と端面の間に軸状の光硬化組成物からなるコア部を形成し光接続部を製造する点で第１の製造方法と異なる。
【００２４】
６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の第１の波長の光の伝送に用いられる本発明の第３の光伝送モジュールの製造方法は、光照射側となる一方の光デバイスに、第１の波長の光及び第１の波長とは異なる６００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の第２の波長の光を照射可能な光照射手段を設ける工程と、他方の光デバイスに、第２の波長を主として反射する反射手段を設ける工程を有する点が第１の製造方法と異なる。そして、一方の光デバイスから第２の波長の光を未硬化の硬化性組成物を介して他方の光デバイスに照射し、一方の光デバイスからの光照射と他方の光デバイスから反射された光による未硬化の硬化性組成物への光照射によって、一組の光デバイスの向き合った端面と端面の間に軸状の光硬化組成物からなるコア部を形成し光接続部を製造する。
【００２５】
第３の光伝送モジュールの製造方法において、光の照射手段は、二波長レーザモジュールであることが望ましい。また、光の反射手段は、光デバイス内部に形成されたファイバグレーティング、あるいは光デバイス内部もしくは、光デバイス端面に形成されたダイクロイックミラーとすることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の硬化組成物は、近赤外光にて光重合可能であり、かつ光重合後に消色するため、光伝送モジュールに使用することで光損失を小さくすることが可能である。光伝送モジュールは、接続対象となる光デバイスに光デバイス保持部と光接続部を加えたのみの簡素な構成となっており、コネクタ等は不要である。また、各光デバイスの高度な位置調整をアクティブで行う必要がないため、高度な調芯機械が必要なく低コスト化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１Ａ】第１の実施形態による光伝送モジュールの製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図１Ｂ】本発明の第１の実施形態による光伝送モジュールの製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図１Ｃ】本発明の第１の実施形態による光伝送モジュールの製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図２Ａ】本発明の第２の実施形態による光伝送モジュールの製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図２Ｂ】本発明の第２の実施形態による光伝送モジュールの製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図２Ｃ】本発明の第２の実施形態による光伝送モジュールの製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図３】従来の光伝送モジュールを説明するための概略図である。
【図４】本発明の第１及び第２の実施形態による光伝送モジュールの構成を示す図である。
【図５Ａ】本発明の第３の実施形態による光伝送モジュールの製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図５Ｂ】本発明の第３の実施形態による光伝送モジュールの製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図５Ｃ】本発明の第３の実施形態による光伝送モジュールの製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図５Ｄ】本発明の第３の実施形態による光伝送モジュールの製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図６】本発明の第３の実施形態による光伝送モジュールの構成を示す図である。
【図７】実施例１で用いた硬化性組成物の光吸収スペクトルを示したグラフである。
【図８】実施例２で用いた硬化性組成物の光吸収スペクトルを示したグラフである。
【図９】比較例で用いた硬化性組成物の光吸収スペクトルを示したグラフである。
【図１０Ａ】光伝送モジュールを用いたヘッドジンバルアセンブリの構成を示す図である。
【図１０Ｂ】光伝送モジュールを用いたヘッドジンバルアセンブリの構成を示す図である。
【図１０Ｃ】光伝送モジュールを用いたヘッドジンバルアセンブリの構成を示す図である。
【図１１】ヘッドジンバルアセンブリを用いた記録装置全体の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の硬化性組成物は、以下（Ａ）から（Ｄ）の成分にて構成される。
【００２９】
成分（Ａ）である近赤外光吸収性染料は、下記成分（Ｃ）にて示される樹脂などの支持材料中に含有させることによって近赤外光に感度をもち、この領域の光を照射することにより消色可能で、且つ可視光には安定な光消色性組成物を得ることができる。本発明に用いられる近赤外光吸収性染料は、近赤外光吸収性陽イオン染料−各種陰イオン錯体にて構成されている。近赤外光吸収性陽イオン染料の例を挙げると、近赤外領域に吸収をもつシアニン、トリアリールメタン、アミニウム、ジインモニウム系色素であり、各種陰イオン錯体としては、例えば、ハロゲンイオン、過塩素酸イオン、ＰＦ6-、ＳｂＦ6-、ＯＨ-、スルホン酸イオン、ＢＦ4-、又は一般式（２）の有機ホウ素化合物のアニオン部と同様の４配位ホウ素アニオンが挙げられるが、特に４配位ホウ素アニオンが好ましい。本発明の近赤外光吸収性染料は、前記の支持材料に０．０１〜９０重量％、特に０．１〜５０重量％の割合で溶液を用いて溶解混合するか、或いは溶融混合して形成することができる。
【００３０】
成分（Ｂ）であるホウ素陰イオン錯体を含む光ラジカル重合開始剤は近赤外光吸収性染料と共に添加することで、近赤外光照射時に光ラジカル重合開始剤として働く。
【００３１】
前記一般式（２）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４のアルキル基は置換基を有していてもよく、具体的には炭素数１〜８の置換あるいは無置換の直鎖あるいは分岐アルキル基が好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、シアノメチル基、４−クロロブチル基、２−ジエチルアミノエチル基、メトキシエチル基などを挙げることができる。
【００３２】
一般式（２）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４のアリール基は置換基を有していてもよく、具体的には置換あるいは無置換のアリール基で、例えば、フェニル基、トリル基、キシル基、メシチル基、４−メチルフェニル基、２−メチルフェニル基、４−tert−ブチルフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナントリル基、４−ニトロフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、４−ジメチルアミノフェニル基などを挙げることができる。
【００３３】
一般式（２）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４のアラルキル基は置換基を有していてもよく、具体的には置換あるいは無置換のアラルキル基で、例えば、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、４−メトキシベンジル基などを挙げることができる。
【００３４】
一般式（２）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４のアルケニル基は置換基を有していてもよく、具体的には置換あるいは無置換のアルケニル基で、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オクテニル基などを挙げることができる。
【００３５】
一般式（２）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の複素環基は置換基を有していてもよく、具体的には置換あるいは無置換の複素環基で、例えば、ピリジル基、４−メチルピリジル基、キノリル基、インドリル基などを挙げることができる。
【００３６】
一般式（２）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の脂環基は置換基を有していてもよく、具体的には置換あるいは無置換の脂環基で、例えば、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロへプチル基などを挙げることができる。
【００３７】
一般式（２）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４のシリル基は置換基を有していてもよく、具体的には置換あるいは無置換のシリル基で、例えば、トリメチルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、ジブチルフェニルシリル基、トリフェニルシリル基などを挙げることができる。
【００３８】
一般式（２）の有機ホウ素化合物の４配位ホウ素アニオンの具体的な例としては、ｎ−ブチルトリフェニルホウ素イオン、ｎ−オクチルトリフェニルホウ素イオン、トリフェニルシリルトリフェニルホウ素イオン、ｎ−ブチルトリアニシルホウ素イオン、ｎ−ブチルトリ（ｐ−フルオロフェニル）ホウ素イオン、ｎ−ブチルトリ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ホウ素イオン、ｎ−ブチルトリナフチルホウ素イオン、ｎ−ブチルトリ（４−メチルナフチル）ホウ素イオン、ジ−ｎ−ドデシルジフェニルホウ素イオン、テトラフェニルホウ素イオン、トリフェニルナフチルホウ素イオン、テトラブチルホウ素イオン、トリ−ｎ−ブチル（ジメチルフェニルシリル）ホウ素イオンなどが挙げられ、更に詳細には、特開平６−７５３７４号公報に記載されている陰イオンなどが挙げられる。
【００３９】
一般式（２）中の陽イオン（Ｚ+）は、４級アンモニウム陽イオン、４級ピリジニウム陽イオン、４級キノリニウム陽イオン、ジアゾニウム陽イオン、テトラゾリウム陽イオン、ホスホニウム陽イオン、（オキソ）スルホニウム陽イオン、ナトリウム、カリウム、リチウム、マグネシウム、カルシウム等の金属陽イオン、フラビリウム、ピラニウム塩などの有機酸素陽イオン、トロピリウム、シクロプロピリウム等の炭素陽イオン、ヨードニウムなどのハロゲニウム陽イオン、砒素、コバルト、パラジウム、クロム、チタン、スズ、アンチモンなどの金属化合物の陽イオンなどが挙げられ、詳細には特開平６−７５３７４号公報に記載されている陽イオン等が挙げられる。これら陽イオン色素及び有機ホウ素化合物は単独で又は２種以上を混合して用いることもできる。
【００４０】
この中で近赤外光にて反応を行う為には、４級アンモニウムホウ素錯体が望ましい。４級アンモニウムホウ素錯体は、具体的には、テトラメチルアンモニウムｎ−ブチルトリフェニルホウ素、テトラメチルアンモニウムｎ−ブチルトリアニシルホウ素、テトラメチルアンモニウムｎ−オクチルトリフェニルホウ素、テトラメチルアンモニウムｎ−オクチルトリアニシルホウ素、テトラエチルアンモニウムｎ−ブチルトリフェニルホウ素、テトラエチルアンモニウムｎ−ブチルトリアニシルホウ素、トリメチルハイドロゲンアンモニウムｎ−ブチルトリフェニルホウ素、トリエチルハイドロゲンアンモニウムｎ−ブチルトリフェニルホウ素、テトラハイドロゲンアンモニウムｎ−ブチルトリフェニルホウ素、テトラメチルアンモニウムテトラブチルホウ素、テトラエチルアンモニウムテトラブチルホウ素、テトラメチルアンモニウムトリｎ−ブチル（トリフェニルシリル）ホウ素、テトラエチルアンモニウムトリｎ−ブチル（トリフェニルシリル）ホウ素、テトラブチルアンモニウムトリｎ−ブチル（トリフェニルシリル）ホウ素、テトラメチルアンモニウムトリｎ−ブチル（ジメチルフェニルシリル）ホウ素、テトラエチルアンモニウムトリｎ−ブチル（ジメチルフェニルシリル）ホウ素、テトラブチルアンモニウムトリｎ−ブチル（ジメチルフェニルシリル）ホウ素、テトラメチルアンモニウムｎ−オクチルジフェニル（ジｎ−ブチルフェニルシリル）ホウ素、テトラエチルアンモニウムｎ−オクチルジフェニル（ジｎ−ブチルフェニルシリル）ホウ素、テトラブチルアンモニウムｎ−オクチルジフェニル（ジｎ−ブチルフェニルシリル）ホウ素、テトラメチルアンモニウムジメチルフェニル（トリメチルシリル）ホウ素、テトラエチルアンモニウムジメチルフェニル（トリメチルシリル）ホウ素、テトラブチルアンモニウムジメチルフェニル（トリメチルシリル）ホウ素などがあげられる。
【００４１】
光ラジカル重合開始剤は、近赤外光吸収性染料に比べモル比として多く添加する必要がある。なぜならば、重合開始剤で発生したラジカルが近赤外光吸収性染料の消色反応にも使用される為である。したがって、光ラジカル重合開始剤は、前記条件を踏まえたうえで支持材料に０．０１〜９０重量％、特に０．１〜５０重量％の割合で溶液を用いて溶解混合するか、或いは溶融混合して形成することができる。
【００４２】
成分（Ｃ）であるラジカル重合性化合物は、ラジカル光重合により硬化後に、所望の波長帯域の光に対して透過性を有するものであればよく、特に限定されない。具体的には、例えば、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等のアクリル樹脂、アクリレート樹脂に、必要に応じて、単量体、増感剤等の各種添加剤、溶剤等を含むものが挙げられる。また、光伝送モジュールを製造するにあたり樹脂材料の屈折率を調整するのであれば、炭化水素の水素部分を重水素に置換した加重水素化ＰＭＭＡ、炭化水素の水素部分をフッ素に置換したフッ素化ＰＭＭＡ等を用いることができる。これら置換により元のＰＭＭＡに比べ屈折率が小さくなるだけでなく、近赤外領域より長波長側で問題となる炭素＝水素間の分子鎖における振動吸収の影響を少なくすることができるため、光伝送路モジュールの吸収損失を低く抑えることが可能である。
【００４３】
また、アクリル樹脂、アクリレート樹脂以外の樹脂材料として、エポキシ樹脂、フッ素化エポキシ樹脂、ポリオレフィン系樹脂、さらに、必要に応じて、単量体、増感剤等の各種添加剤、溶剤等を含むものも挙げられる。本発明の光伝送モジュールの製造方法に用いる硬化性組成物は、上述したような有機組成物であることが望ましいが、硬化性組成物は有機組成物に限定されるものではなく、例えば、シリコン樹脂にＧｅ、Ｐ等をドープしたもの等からなる無機組成物であってもよい。なお、本明細書において、硬化性組成物は、上述したような光の照射により化学反応を起こす高分子のみならず、２種類以上の樹脂成分及び／又は単量体が、光の照射により化学反応を起こし、樹脂複合体を形成するものも含むものとする。
【００４４】
成分（Ｄ）である重合性化合物は、成分（Ｃ）よりも屈折率が低く、ラジカル光重合性を持たないものでものであれば、前記のＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等のアクリル樹脂、アクリレート樹脂に、必要に応じて、単量体、増感剤等の各種添加剤、溶剤等を含むものとすることができる。このときラジカル光重合以外の反応機構が必要となるため、必要に応じて熱開始剤や、イオン性反応を生じるカチオン光重合開始剤を添加することが望ましい。
【００４５】
熱開始剤としては、ポリアミン類、カルボン酸、カルボン酸無水物、ポリチオール類があげられる。これらのなかでは、保存安定性の面でカルボン酸無水物が望ましい。カルボン酸無水物としては、フタル酸無水物、テレフタル酸無水物、ピロメリット酸無水物などの芳香族酸無水物や、コハク酸無水物、マロン酸無水物、グルタル酸無水物があげられる。カチオン光重合系としては、光を照射することにより硬化反応が進行するものであればよく、例えば、エポキシ樹脂と、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ヨードニウム塩等の光を照射することによりルイス酸を発生する光開始剤とを含むものであってよい。また、塩素化アセトフェノンやその誘導体等の光を照射することにより強酸が遊離する光開始剤と、酸により重合が進行する樹脂成分とを含むものであってもよい。本発明の重合性化合物に用いる重合開始剤は、熱開始剤、光カチオン重合開始剤に関わらず前記の重合性化合物に対して０．０１〜９０重量％、特に０．１〜５０重量％の割合で溶液を用いて溶解混合するか、或いは溶融混合して形成することができる。
【００４６】
成分（Ｃ）であるラジカル重合性化合物と成分（Ｄ）である重合性化合物の混合比は、作製する光伝送モジュールの形態によって変化するため、以下の光伝送モジュールの説明のあとで詳しく述べる。
【００４７】
本発明の光伝送モジュールは、一組の光デバイスと、その一組の光デバイスのそれぞれの端面を略向き合うよう位置決めできる溝を有する光デバイス保持部と、一組の光デバイス間を光接続する光接続部にて構成されており、光接続部は、光軸に対して所定形状の垂直断面を有した軸状の光硬化組成物にて構成されたコア部と、コア部の外側にコア部より屈折率の小さな材料で構成されたクラッド部とを有する。本発明の光伝送モジュールの構造は第１から第３の異なる製造方法のいずれでも成立するので、最初に本発明の光伝送モジュールの構成について説明し、引き続き本発明の実施形態１から実施形態３の異なる製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００４８】
光デバイスには、レンズ、光導波路、光ファイバ、半導体レーザ、発光ダイオード、フォトダイオード、ホログラム、プリズム、ミラー、ピンホール、スリット及びグレーティングが含まれる。これら光デバイスは機能によって、透過型デバイス、反射型デバイス、出射／入射型デバイスと分類できる。このうち、出射／入射型デバイスについては構造が複雑であり、かつ同デバイスを光路途中に配置することはないので、デバイスを構成する材料には触れない。
【００４９】
透過型光デバイスとしては、レンズ、光導波路、ファイバ、ホログラム、プリズム、ピンホール、スリット及びグレーティングが挙げられる。透過型光デバイスに用いられる材料は、本発明にて用いられる近赤外線の光を通す材料であれば、上述したように特に限定されず、無機材料としては、例えば、石英ガラスを主成分とするもの、ソーダ石灰ガラス、ホウ硅ガラス等を主成分とする多成分ガラス等が挙げられ、高分子材料（プラスチック）としては、例えば、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）等のアクリル樹脂等が挙げられる。一方で、反射型光デバイスとしては、ミラーや光フィルタ等が挙げられる。反射型光デバイスに用いられる材料は、本発明にて用いられる近赤外線の光を反射する材料であれば、上述したように特に限定されず、無機材料としては金やアルミニウムに代表される広い範囲の光の波長を反射する材料だけでなく、銀カドミウム銅（ＡｇＣｄＣｕ）等に代表される合金、更にはガラス材料や酸化物誘電体が挙げられる。ガラス材料と、ガラス材料と屈折率の異なる酸化タンタル等の酸化物誘電体とを積層した多層膜は、各層の膜厚を調整することで任意の波長に対し反射膜として機能させることができる。
【００５０】
光デバイス保持部は、シリコン単結晶上にＶ溝や、光デバイスの外形に合わせた凹凸が形成されたものである。シリコン単結晶の〔１００〕結晶面を〔１１１）結晶方向にエッチング除去することにより、シリコンウェハ上に一定の形状を有するＶ溝が得られる。この手法は、ＬＳＩの製造に見られるようにフォトエッチング技術によって極めて微細に精度よく加工できるところに特徴があり、その仕上がりは通常の機械加工によるものよりもはるかに優れている。また、位置決め精度に余裕があるようであれば、シリコン単結晶板でなくアルミ板加工やプラスチックの射出成型のように低コストが可能な材料を用いても構わない。こうしたＶ溝や凹凸上に各光デバイスを配置することで、２次元の高い位置決め精度が実現できる。
【００５１】
光接続部は、光硬化組成物であるコア部と、コア部より屈折率の小さなクラッド部で構成される。コア部を構成する光硬化組成物は、硬化性組成物に光照射することで製造される。一方で、クラッド部は、コア部同様に硬化性組成物を光硬化させることで得ることもできるが、コア部形成後に残存物を除去し、その上でクラッド部としてコア部より屈折率の小さな材料を充填しても良い。また、残存物を除去した上で空気、もしくはそれに近いガス雰囲気下、もしくは真空下の場合でも、これら気体もしくは、真空の屈折率はコア部より小さくなるのでクラッド部として機能させることができる。すなわち、本発明では、コア部形成のために光照射を必須とするが、クラッド部は形成する手段があれば光照射は必須ではない。
【００５２】
また、本発明の光導波路の製造方法では、照射した光の経路に応じて、光導波路側からコア部が順次形成されていく。そのため硬化性組成物は、硬化後に、その屈折率が硬化前よりも高くなるものが望ましい。これは、硬化後に屈折率が高くなることにより、光配線を介して照射した光が形成されたコア部に閉じ込められつつ、先端から集中的に照射されることとなり、光の経路に応じた光導波路をより確実に形成することができるからである。このように本発明の製造方法では、前記した屈折率の条件を満たす硬化性組成物を選択して使用することが望ましいが、前記した範囲外の屈折率となる硬化性組成物であっても、その屈折率を調整して使用することができる。
【００５３】
屈折率調整の手法としては、コア部、クラッド部を形成する硬化性組成物を２種類の材料で構成すればよい。このとき、光硬化前の屈折率は２種類の混合溶液の屈折率で定義できることとなり、２種類の材料の混合比を変えることで屈折率調整が可能となる。また、１種類の材料を選択するときでも、分子構造を設計、制御することで屈折率調整が可能である。
【００５４】
一般に、高分子の屈折率は、分子屈折と分子容との比（分子屈折／分子容）が大きければ大きくなるため、分子屈折及び／又は分子容を調整することにより、高分子の屈折率を調整することができる。具体的には、高分子の折り返し単位を構成する個々の基の原子屈折の総和である分子屈折を調整する方法が知られており、例えば、塩素、イオウ等の分極率の大きな基を導入すると原子屈折が上がるため、分子屈折を大きくすることができる。また、二重結合基や芳香族環基を導入し、分子の対称性を下げた場合にも分極率が大きくなり、原子屈折が上がるため、分子屈折を大きくすることができる。また、分子容（分子量／密度）を調整する場合には、例えば、密度を調整すればよく、この場合には、例えば、架橋点間分子量を小さくすることにより密度を大きくすることができる。また、例えば、フッ素は分極率に比してその体積が大きいため、フッ素を含む基を導入することによっても密度を大きくすることができる。
【００５５】
まず、本発明の実施形態１、実施形態２における光伝送モジュールの製造方法について説明する。本発明の実施形態１では、一方向入射による直進型自己形成光導波路を用いた例を示し、本発明の実施形態２では、双方向入射による両端面接続型自己形成光導波路を用いた例を示す。
【００５６】
図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の第１の実施形態による光伝送モジュールの製造方法の一例を説明するための模式図である。
【００５７】
図１Ａに示すように、第１の光デバイス（光ファイバ）１と第２の光デバイス（光ファイバ）２を配置し、光デバイス間に硬化性組成物３を配置する。具体的には、第１の光デバイス（光ファイバ）１と第２の光デバイス（光ファイバ）２のそれぞれの端面が向き合うように、第１の光デバイス（光ファイバ）１と第２の光デバイス（光ファイバ）２を配置する。さらに、図示しない光照射手段により、第１の光デバイス側から出射光４が硬化性組成物３中を透過する。このとき、異なる光デバイスの向き合った端面間の距離については、特に限定されないが、硬化性組成物の組成や出射光強度等を考慮する必要がある。なお、本発明の実施形態１では、直進型自己形成光導波路を用いるため、異なる光デバイスにおける光軸５は一致させなくてはならない。
【００５８】
光照射手段は、光デバイスの一端から他の光デバイスの一端へ向けて光を照射し、硬化性組成物を硬化させることが可能な手段であれば、特に限定されるものではない。硬化性組成物を硬化させることが可能な光を照射する手段は、硬化性組成物の組成等を考慮して適宜選択すればよく、例えば、近赤外線領域にて感光性を有する組成物であれば、紫外線領域の波長の光を照射する手段を設けることとすればよい。また、近赤外線領域の波長の光を照射する手段としては、例えば、半導体レーザ等を用いることができる。また、メタルハライドランプやキセノンランプ、レーザ等も使用することができる。光照射手段として使用できる発光素子としては、例えば、ＤＦＢ−ＬＤ（分布帰還型−半導体レーザ）、ＬＥＤ（発光ダイオード）等を挙げることができる。また、光照射手段を用いて第１の光デバイス１に光を入射する方法としては、第１の光デバイス１の端面のうち、第２の光デバイス２と向き合っていない端面に光を入射することが可能であれば、第１の光デバイス１の端面のうち、第２の光デバイス２の端面と向き合っていない端面に光を直接入射する方法に限定されるものではなく、例えば、ミラーやガイド等の反射型光デバイスを介する方法、レンズやスリット等の透過型光デバイスを介する方法等を用いることも可能である。
【００５９】
図１Ｂに示すように、硬化性組成物３中に出射光４を導入することにより、光照射部分のなかで光強度の高い部分のみが光硬化し、光軸５に沿った形でコア部６を形成することができる。
【００６０】
本発明の光伝送モジュールの製造方法では、異なる光デバイスを接続する光接続部としてコア部６と、硬化性組成物３の残存物となる未硬化のクラッド部７とからなる光導波路を製造することができる。しかしながら、未硬化のクラッド部７は、通常液体であり、この状態では、コア部６が流動しやすく、光導波路として非常に不安定である。従って、コア部６を形成した後、未硬化のクラッド部７に硬化処理を施すことにより、固体のクラッド部７を形成することが望ましい。そこで、コア部６を形成した後、未硬化のクラッド部７に光を照射することにより、系全体を固体化することが可能である。
【００６１】
しかし、硬化性組成物等として１種類の感光性樹脂のみを含むものを使用する場合には、クラッド部７の硬化により、コア部６とクラッド部７とがほぼ同一の屈折率を有することとなり、コア部６に光を閉じ込めることができなくなるため、光導波路として機能しなくなってしまう。すなわち、コア部６を形成するための硬化性組成物中に、予め、別途、クラッド部６を形成するための樹脂を混合しておく。ここで、クラッド部用の樹脂としては、光反応機構がコア部用の樹脂と異なるものを選択すればよい。例えば、コア部用の樹脂はラジカル光重合により反応するものを選択し、クラッド部にはカチオン光重合によるものを選択する。一般的な光重合では、光重合を行うのに必要な開始剤を少量添加するが、反応機構がラジカルによって行われるラジカル光重合では、イオン性のカチオン光重合に比べ長波長帯域の光に反応可能な開始剤が存在する。つまり、コア部形成時には、長波長域の光照射を行い、クラッド部形成時には短波長域の光照射を行うことで、コア部、クラッド部を選択的に合成できる。
【００６２】
また、硬化前後の屈折率がともにコア部の屈折率よりも小さいものを選択しておく。このような材料を選択し、光照射手段を変えることでコア形成用の樹脂が選択的に重合を開始できる。コア形成用樹脂及びクラッド形成用の樹脂を含む硬化性組成物のうち、コア形成用の樹脂が重合を始めると、未硬化のクラッド形成の用樹脂は、流動性を保っているため、硬化していくコア形成用の樹脂から排除されていく。また、コア部の屈折率は未硬化のクラッド形成用樹脂の屈折率よりも大きいため、光配線を介して照射した光は形成されたコア部に閉じ込められつつ、先端に集中的に照射される。その結果、光デバイスの一端から照射された光によって、光の経路に応じてコア形成用樹脂が優先的に硬化し、その光の経路に応じたコア部が形成され、その周囲を未硬化の硬化性組成物が包囲した状態となる。
【００６３】
また、クラッド形成用樹脂として、前記した特性を有する硬化性組成物に代えて、加熱処理を行うことにより始めて重合が進行する樹脂組成物を選択し、さらに、長波長域の光照射にてコア部を形成した後、短波長域の光照射にて未硬化の硬化性組成物全体に照射する方法に代えて、未硬化の樹脂を加熱硬化させる方法を用いて安定なクラッド部を形成し、光導波路としてもよい。なお、２種類以上の硬化性組成物（例えば、コア形成用樹脂とクラッド形成用樹脂）を含むものを用いる場合、その混合比は特に限定されない。このような製造方法を用いることにより、光配線との接続性に優れるとともに、系全体が固体化して安定性に優れる光導波路を形成することができる。
【００６４】
図１Ｃに示すように、光照射部を続けていくと、第２の光デバイス２の端面まで光軸５に沿った形でコア部６を形成され、光接続部が製造できる。
【００６５】
図２Ａ〜図２Ｃは、本発明の第２の実施形態による光伝送モジュールの製造方法の一例を説明するための模式図である。光接続に用いる光デバイスや、硬化性組成物は第１の実施形態と違いがないため、第１の実施形態との相違点のみを説明する。
【００６６】
図２Ａに示すように、第１の光デバイス１の光軸５と第２の光デバイス２の光軸８が図１Ａのように一致していない。また、異なるデバイス１，２の両端面より光が入射されている。つまり、本発明の第２の実施形態では、光硬化性樹脂３に対し、第１の光デバイス側からの出射光４と、第２の光デバイス側からの出射光９が入射されている。
【００６７】
図２Ｂに示すように、異なるデバイスの両端面より光が入射されるため、光接続部コア部６は、両端面より光硬化性樹脂の中央部に向かって同時に形成されていく。しかし、図１Ｂとは異なり、自己形成光導波路は光軸に沿った方向に直線的に成長せず、第１の光デバイス側からの出射光４と、第２の光デバイス側からの出射光９の重なりあう光の強度が高い領域に光導波路が形成されていく。
【００６８】
図２Ｃに示すように、光照射を続けていくと、第１の光デバイス１の端面と第２の光デバイス２の端面を接続するように湾曲したコア部６が形成され、光接続部が製造できる。
【００６９】
図３は、従来の光伝送モジュールを説明するための概略図であり、光接続部に接続用光ファイバ１０を挿入した例を示している。光ファイバ材料と空気では屈折率が異なるため、端面で反射が生じてしまう。そこで、各光デバイスと接続用光ファイバ１０の屈折率に合わせた屈折率調節用光学接着剤１１を介することにより、端面反射をおさえることができる。本発明の実施形態１、実施形態２及び従来例は、光伝送モジュールを構成する材料はほぼ同じものを用いているが、本発明の実施形態１である図１Ｃ、本発明の実施形態２である図２Ｃでは光デバイス端面が光接続部コア部と直接接続されているのに対し、従来例を示す図３では、光接続部に対応する接続用光ファイバ１０が光デバイス端面から離れており、屈折率調節用光学接着剤１１を介してしか接続されていない。
【００７０】
図４は、本発明の第１及び第２の実施形態による光伝送モジュールの構成を示す図である。本発明の第１及び第２の実施形態では、若干の光デバイス間の光軸ずれの有無、光入射方法の違い（一方向入射、もしくは、双方向入射）はあるが、光伝送モジュールの構成としてはほとんど違いがない。本発明の光伝送モジュールは、Ｖ溝が刻まれた光デバイス保持部４０１上に、一組の光デバイスとなる第１の光デバイス（光ファイバ）４０２と第２の光デバイス（光ファイバ）４０３のそれぞれの端面が略向き合うよう位置決めされ、配置されている。また、光デバイス間には、本発明の方法にて形成されたコア部４０４とコア部よりも屈折率の小さな材料のクラッド部４０５をもつ光接続部４０６が形成されており、このコア部の口径が光軸方向に変化している。なお、本発明の特徴となるコア部の口径の光軸方向の変化については、本発明第１及び第２の実施形態の間でも違いがあるので、下記実施例１で詳しく説明する。本実施形態では、近赤外線発光素子として半導体レーザ（ＬＤ）を用いた。半導体レーザは光ディスクの分野にて数多く使用されており、波長選択性やサイズ、コスト面にて非常に優れた素子である。
【００７１】
本発明の実施形態１及び実施形態２では、硬化性組成物中に異なる光ファイバの一端を浸漬し、一方向入射による直進型自己形成光導波路あるいは双方向入射による両端面接続型自己形成光導波路を形成する方法について説明したが、このとき、第１の光ファイバに代えて、発光素子等の光学部品を使用し、その発光面を硬化性組成物中に浸漬したり、発光面に硬化性組成物を塗り付けたりすることにより、光学部品の発光面に直接取り付けられたコア部を形成することができる。この場合、発光素子は、上述したように、硬化性組成物を硬化させることができる光を照射するものである必要がある。また、第２の光ファイバに代えて、受光素子等の光学部品を使用し、その受光面を硬化性組成物中に浸漬したり、受光面に硬化性組成物を塗り付けたりすることにより、光学部品の受光面に直接取り付けられたコア部を形成することができる。さらに、異なる光ファイバに代えて、硬化性組成物を硬化させることができる光を照射する発光素子と、受光素子とを使用することにより、発光素子の発光面と他の光学部品の受光面とを接続するコア部を形成することも可能である。
【００７２】
このように、本発明では様々な種類の光デバイスを用いることができ、光接続部としてコア部が形成された光伝送モジュールでは光伝送モジュールを構成する光デバイス間で位置合わせが不要である。
【００７３】
続いて、本発明の実施形態３における光伝送モジュールの製造方法について説明する。本発明の実施形態３では、光デバイス中に反射手段を設けることにより一方向入射でも両端面接続型自己形成光導波路が構成できる例を示す。
【００７４】
図５Ａ〜図５Ｄは、本発明の第３の実施形態による光伝送モジュールの製造方法の一例を説明するための模式図である。本実施例では、第１の波長の光及び第２の波長の光を照射可能とする光の照射手段として二波長レーザモジュールを用い、光デバイス端面又は光デバイス中に第１の波長のみの光反射手段として光ファイバグレーティングを用いた。これら二波長レーザモジュールと光ファイバグレーティングがそれぞれ第１の光デバイス、第２の光デバイスを兼ねることで、反射手段の取り外しや照射手段の取り替え等が必要ないため、光伝送モジュールの低コスト化、小型化が実現できる。
【００７５】
図５Ａに示すように、Ｖ溝及び凹凸が刻まれた光デバイス保持部５０１の上に、一組の光デバイスとなる第１の光デバイス（二波長レーザモジュール）５０２と第２の光デバイス（光ファイバ）５０３のそれぞれの端面が略向き合うよう、配置されている。第１の光デバイス（二波長レーザモジュール）５０２は、第１の波長と第２の波長の光を照射する光の照射手段を備えた発光素子である。二波長レーザモジュールは、光ディスクの分野にてＣＤ／ＤＶＤ互換光ディスクドライブ装置に用いられている。ＣＤやＤＶＤといった光ディスクはそれぞれ異なる波長の光で記録再生されており、こうした光ディスクの互換ドライブでは、２種類の波長において異なる光学系を採用すると光ディスクドライブの大型化、部品数増による高コスト化を招いてしまう。そこで、異なる波長でも共通の光学系を使用できる光デバイスとして二波長レーザモジュールは実用化されている。
【００７６】
第２の光デバイス（光ファイバ）５０３には、第１の波長の光のみ反射できる光の反射手段として、光ファイバグレーティング５０４が形成されている。これら異なる光デバイス間には前述の光硬化性樹脂５０５が充填されている。ファイバグレーティングとは、光ファイバの配線中の光軸方向にブラッグ格子と呼ばれる回折格子を形成することにより、格子間隔に応じた特定の波長の光のみを反射できる光デバイスである。こうしたファイバグレーティングは、Ｇｅ等をドープした石英系の光ファイバ上に強く紫外線を照射した領域のみ屈折率が恒久的に変化する化学反応を利用しており、干渉性の高いコヒーレントな紫外線光源を用いて光ファイバ上に干渉縞を形成することにより干渉縞の濃淡部を屈折率変化とした回折格子が製造できる。光の反射手段としては、ダイクロイックミラーを用いても良い。ダイクロイックミラーは、あるひとつの波長のみでミラーとして作用する誘電体多層膜である。例えば、石英ガラス等の基板の上にシリカやチタニア等の薄膜を一組として多層に積層したフィルタ等、市販されている誘電体多層膜フィルタを使用可能である。このような誘電体多層膜フィルタは、例えば、光ファイバ等の光デバイス端面にシリカやチタニア等の薄膜を一組として多層に蒸着させることにより、直接形成することも可能である。
【００７７】
図５Ｂに示すように、第１の光デバイス（二波長レーザモジュール）５０２より第１の波長の光を出射する。この第１の波長の光の進行方向５０６に示したように、第１の波長の光は、光硬化性樹脂５０５を部分的に透過し、第２の光デバイス（光ファイバ）５０３に形成された光ファイバグレーティング５０４により反射され、光硬化性樹脂５０５に向きを変えて再入射する。つまり、光ファイバグレーティング５０４により、双方向入射が実現され、両端面結合型自己形成光導波路として、コア部５０７が形成される。
【００７８】
図５Ｃに示すように、コア部５０７が形成された硬化性組成物５０５の残存物に紫外線ランプの光を照射し、クラッド部５０８が形成された。なお、紫外線ランプの光を硬化しない溶液状態でも前記残存物はクラッド部として機能する。
【００７９】
図５Ｄに示すように、光伝送モジュールとして利用する際には、第１の光デバイス（二波長レーザモジュール）５０２より第２の波長の光を出射する。このとき、第２の波長の光の進行方向５０９に示したように、第２の波長の光は、第２の光デバイス（光ファイバ）５０３に形成された光ファイバグレーティング５０４では反射されず、光伝送が可能である。
【００８０】
図６は、本発明の第３の実施形態による光伝送モジュールの構成を示す図である。本発明の光伝送モジュールは、Ｖ溝及び凹凸が刻まれた光デバイス保持部５０１上に、一組の光デバイスとなる第１の光デバイス（二波長レーザモジュール）５０２と第２の光デバイス（光ファイバ）５０３のそれぞれの端面が略向き合うよう位置決めされ、配置されている。また、第１の光デバイス（二波長レーザ）５０２は、第１及び第２の波長を照射できる光の照射手段を兼ねている。また、第２の光デバイス（光ファイバ）５０３内部には、第１の波長の光のみを反射する光ファイバグレーティングが形成されている。光デバイス間には、本発明の方法にて形成されたコア部５０７とコア部よりも屈折率の小さな材料のクラッド部５０８をもつ光接続部５１０が設けられており、このコア部の口径が光軸方向にて変化している。なお、本発明の特徴となるコア部の口径光軸方向の変化については、下記実施例２で詳しく説明する。
【００８１】
前記光伝送モジュールの複数の実施形態で説明したように、自己形成光導波路の構造（すなわちコア部、クラッド部の大きさ）はおのおのの光伝送モジュールによって異なっている。したがって、成分（Ｃ）であるラジカル重合性化合物と成分（Ｄ）である重合性化合物の混合比は、光照射が行われる領域においてコア部とクラッド部の体積比とほぼ等しくなるようにするのが好ましい。光が全く照射されない領域は、最終的に溶液除去ないしクラッド部となるが、この領域のクラッド部まで混合比に考慮すると、コア部を構成する成分（Ｃ）が光重合時に不足する恐れがある。
【００８２】
実施例１における光ファイバ間接続では、シングルモードファイバを用いる場合で、成分（Ｄ）に対し成分（Ｃ）は０．０１〜１０体積％、特に０．１〜５体積％が好ましい。また、実施例２のようにＬＤ接続を行うときや、コア径が大きなマルチモードファイバを用いる場合では、コア部の比率が大きくなるため成分（Ｄ）に対し成分（Ｃ）は０．０５〜５０体積％、特に０．５〜２５体積％が好ましい。ここでは体積％にて記述を行ったが、成分（Ｃ）と成分（Ｄ）の重合化合物の反応前の密度が同程度であれば、上記数値は重量％とみなしてもよい。
【実施例】
【００８３】
まず、実施例１、実施例２に用いた硬化性組成物１、硬化性組成物２の組成、光吸収特性を、比較例１とともに詳しく調べた結果を説明する。引き続き実施例１、実施例２の光伝送モジュール製造方法について説明し、最後に実施例１及び実施例２で作製した光伝送モジュールを用いたヘッドシンバルアセンブリ、情報記録装置について説明する。
【００８４】
硬化性組成物１、硬化性組成物２、比較例１には下記の成分を用いた。硬化性組成物１、硬化性組成物２、比較例１は、成分（Ａ）のみが異なり、成分（Ｂ）、成分（Ｃ）、成分（Ｄ）は同じものを用いた。表１にそれぞれの成分組成を示す。さらに成分（Ａ）、成分（Ｂ）については化学構造式、光照射時の化学反応式を以下に示す。
【００８５】
成分（Ａ）：
［硬化性組成物１］近赤外光吸収性染料「IRT13F」（昭和電工社製、赤外吸収色素）
［硬化性組成物２］近赤外光吸収性染料「IRT」（昭和電工社製、赤色・赤外吸収色素）
【００８６】
［比較例１］顔料LIONOL GREEN「6Y-503」（東洋インキ社製、赤色吸収顔料）
成分（Ｂ）：光ラジカル重合開始剤「P3B」（昭和電工社製、有機ホウ素化合物）
成分（Ｃ）：ラジカル光重合樹脂「M-208」（東亜合成社製、フェノール変性アクリレート）
成分（Ｄ）：カチオン光重合樹脂「2021P」（ダイセル社製、脱環式エポキシ）
カチオン光重合開始剤「PHOTO INITIATOR2074」（RHODORSIL社製）
【００８７】
【表１】
2011102919.tif 000004
【００８８】
＜化学構造式：IRT13F＞
【化２】
2011102919.tif 000005
【００８９】
＜化学構造式：IRT＞
【化３】
2011102919.tif 000006
【００９０】
＜化学構造式：6Y-503＞
【化４】
2011102919.tif 000007
【００９１】
＜化学構造式：P3B＞
【化５】
2011102919.tif 000008
【００９２】
＜化学反応式＞
光ラジカル重合開始剤として働く有機ホウ素化合物は、次式で示されるように、光により分解し、ラジカルを形成する。
【化６】
2011102919.tif 000009
【００９３】
さらに陽イオン色素が共存すると、陽イオン色素の光吸収により励起した色素分子との間に電子移動が起こり、ラジカル発生効率が大きくなる。従って、陽イオン色素と有機ホウ素化合物の選択により可視から近赤外光領域において感度があり、感度が高いラジカル発生源となる。
【００９４】
すなわち、本発明の硬化性組成物は、成分（Ａ）である近赤外吸収性染料と成分（Ｂ）となる有機ホウ素化合物による光重合開始剤を組み合わせて含有しているため、従来のＵＶ開始剤よりも長波長領域（４００ｎｍ以上の可視光領域）において高感度で感光することができる。以下の化学反応式では、上式において化学反応では寄与しないＲ１からＲ３の官能基は表記せず、分解時にラジカルを発生する反応基Ｒ４をＲと便宜上表記する。
【００９５】
light
Ｄ+Ａ-＋Ｂ-Ｚ+    →    Ｄ・＋Ｒ・＋Ｂ＋Ａ-Ｚ+
（上式において、Ｄ+Ａ-が近赤外光吸収性染料を示し、Ｄ+が近赤外吸収色素基、Ａ-は各種陰イオンを示す。また、Ｂ-Ｚ+が光ラジカル重合開始剤として働き、Ｂ-がホウ素陰イオン錯体、Ｚ+が各種陽イオン錯体を示す。Ａ-Ｚ+は光照射後に形成される各種陽イオン−各種陰イオン錯体を示す。）
【００９６】
このとき光ラジカル重合反応式は以下のようになる
Ｒ・＋Ｍ→ＲＭ・
ＲＭ・＋Ｍ→ＲＭｎ・
（上式において、Ｍはモノマー、Ｍ・はモノマー末端にラジカルが付加されたもの、ｎはＭ（モノマー）が連なった個数であり、ＲＭｎ・はｎ個のモノマーが連なった末端にラジカルが付加された状態を示す）
【００９７】
上記化学反応に並行し、以下の化学式で表記される消色反応が発生する。
Ｒ・＋Ｄ・→Ｄ−Ｒ・
（上式において、Ｒは光重合開始剤の反応基、Ｄは近赤外吸収色素基、・は光ラジカル、Ｄ−ＲはＤとＲが反応結合した状態を示す。Ｄ−Ｒでは近赤外反応性が失われる（消色する））
【００９８】
図７に硬化性組成物１の、図８に硬化性組成物２の、図９に比較例１の重合前後における光吸収率をそれぞれ示す。本発明の赤外光吸収性染料と光ラジカル重合開始剤を組み合わせることで、光重合後に消色、すなわち吸収率を近赤外光の波長にて数％以下に抑えることができる。この硬化性組成物１、硬化性組成物２を用いることにより、以下の実施例１及び実施例２に示す近赤外光の波長にて透明性の高い光伝送モジュールが可能となる。
【００９９】
［実施例１］実施形態１、実施形態２による光伝送モジュールの製造（図７参照）
（１）ファイバカッタを用い、２本の長さ約１ｍの石英シングルモードモード光ファイバ（駿河精機社製、コア径１０μｍ）を２本用意した。また、これら２本の光ファイバの端面を研磨した。
【０１００】
（２）自己形成光導波路を形成するための半導体レーザの発光条件を確認した。具体的には、光ファイバの片端面より、半導体レーザを用いて波長７８０ｎｍの光を入射し、出射側の端面にて光強度測定を行った。このときの光強度は１．２５μＷであった。なお、光強度測定は、光強度計（ADCMT社製8230、センサ部型番82314A）を用いて行った。また、同様に方法にて、接続損失を評価するために出射側の端面での光強度が０．１μＷとなる半導体レーザの発光条件も確認した。
【０１０１】
（３）次に、２本の光ファイバの向き合う端面の空隙（以後、ギャップと称する）を１００μｍとなるように、光ファイバ用Ｖ溝基板（モリテックス社製、石英Ｖ溝）に付き合わせて配置した。
【０１０２】
（４）つき合わせられていない光ファイバ端面に、（２）で確認した接続損失評価用の波長４０５ｎｍ、出射側の端面での光強度が０．１μＷとなる光を入射した。このとき、もう一方のつき合わせられていない光ファイバ入射端から出射される光出力を光強度計を用いて測定したところ、４ｄＢの光出力の損失が測定された。
【０１０３】
（５）（３）で光ファイバが配置された付き合わせ部全体に、硬化性組成物１を充填した。その後、透明ガラスをＶ溝押さえ板として充填部に蓋をする形で、硬化性組成物及び光ファイバをＶ溝上で動かないように挟持した。
【０１０４】
（６）硬化性組成物が充填された状態で、（４）と同じく接続損失の測定を行ったところ、２．８ｄＢの光出力の損失が測定された。この時点で、顕微鏡（キーエンス社製VH-7000）を用いて硬化性組成物を観察したところ、光導波路は形成されていなかった。
【０１０５】
（７）実施形態１の方法で光伝送モジュール作製を試みた。一方の光ファイバのつき合わせられていない端面に、上記（２）で確認した自己形成光導波路形成用の波長７８０ｎｍ、出射側の端面での光強度が１．２５μＷとなる光を３０秒間入射した。その後、照度７０ｍＷ／ｃｍ2となる高圧水銀ランプで９０秒照射することで硬化性組成物全体を硬化させた。（４）と同じく接続損失の測定を行ったところ、１．６ｄＢの光出力の損失が測定された。この時点で、顕微鏡（キーエンス社製VH-7000）を用いて光硬化組成物を観察したところ、コア部の口径が入射側端面では１０．０μｍであり、出射側端面では１１．２μｍと徐々に口径が大きくなるテーパー状の光導波路が形成されていた。
【０１０６】
（８）次に、実施形態２の方法で光伝送モジュールを作製した。前記（１）から（６）までの工程を全く変えず、両方の光ファイバのつき合わせられていない端面に、上記（２）で確認した自己形成光導波路形成用の波長７８０ｎｍ、出射側の端面での光強度が１．２５μＷとなる光を３０秒間入射した。その後、照度７０ｍＷ／ｃｍ2となる高圧水銀ランプで９０秒照射することで硬化性組成物全体を硬化させた。上記（４）と同じく接続損失の測定を行ったところ、１．２ｄＢの光出力の損失が測定された。この時点で、顕微鏡（キーエンス社製VH-7000）を用いて光硬化組成物を観察したところ、コア部の口径が両方の端面では１０．０μｍであり、中央部にて１０．８μｍと口径が最大となる光導波路が形成されていた。
【０１０７】
本実施例１により、上記（６）に示した自己形成光導波路形成前の光伝送モジュールの２．８ｄＢ結合損失を、実施形態１による光伝送モジュールでは、上記（７）に示したように１．６ｄＢに、実施形態２による光伝送モジュールでは、上記（８）に示したように１．２ｄＢに改善できた。また、実施形態１、実施形態２における光接続部のコア部の口径は、従来例のような接続用光ファイバを用いたときと異なり、１０．０μｍから１１．２μｍへと実施形態によって異なるように変化していた。
【０１０８】
［実施例２］実施形態３による光伝送モジュールの製造（図８参照）
（１）ファイバカッタを用い、第１の波長となる波長６６１ｎｍの光を９５％反射するファイバグレーティングが形成された長さ約１ｍの石英シングルモードモード光ファイバ（コア径１０μｍ）を１本用意した。なお、第２の波長となる７８５ｎｍの光の反射率は５％以下である。ファイバグレーティングは、真空紫外線コヒーレント光源としてイオンエキシマレーザを用いて干渉縞を光ファイバコア部に照射することで作製した。
【０１０９】
（２）自己形成光導波路を形成するための二波長レーザモジュールの発光条件を確認した。具体的には、光ファイバの片端面より、二波長レーザモジュールを用いて波長６６１ｎｍの出射パワーとなる光強度測定を行った。このときの光強度は５０ｍＷであった。なお、光強度測定は、光強度計（ADCMT社製8230、センサ部型番82314A）を用いて行った。また、同様の方法にて、接続損失を評価するために波長７８５ｎｍにおいて出射パワーとなる光強度が１ｍＷとなる二波長レーザモジュールの発光条件も確認した。実施例１と異なり、本実施例２で光強度のオーダーがｍＷと大きくなったのは、実施例１ではファイバ結合後に他方の端面より出射する結合損失を含んだ光強度を示しているためである。
【０１１０】
（３）第１の波長として波長６６１ｎｍの光、第２の波長として波長７８５ｎｍの光を出射できる二波長レーザモジュール（パナソニック社製LNCT16PF）と、ファイバグレーティングが形成された上記の光ファイバを、ギャップ間隔が１００μｍとなるようにＳｉ基板にＶ溝と凹凸を刻んだホルダ基板上につき合わせ固定した（図５Ａ参照）。
【０１１１】
（４）二波長レーザモジュールを用いてつき合わせた光ファイバの端面に、（２）で確認した接続損失を評価用の波長７８５ｎｍ、出射パワーの光強度が１ｍＷとなる光を入射した。このとき、もう一方のつき合わせられていない光ファイバ出射端から出射される光出力を光強度計を用いて測定したところ、６ｄＢの光出力の損失が測定された。
【０１１２】
（５）（３）で二波長レーザモジュールと光ファイバが配置された付き合わせ部全体に、硬化性組成物２を充填した。その後、透明ガラスをＶ溝、凹凸押さえ板として充填部に蓋をする形で、硬化性組成物及び両光デバイスを動かないように挟持した。
【０１１３】
（６）硬化性組成物が充填された状態で、（４）と同じく接続損失の測定を行ったところ、４．８ｄＢの光出力の損失が測定された。この時点で、顕微鏡（キーエンス社製VH-7000）を用いて硬化性組成物を観察したところ、光導波路は形成されていなかった。
【０１１４】
（７）つき合わせられた光ファイバ端面に、上記（２）で確認した自己形成光導波路形成用の波長６６１ｎｍ、出射側の端面での光強度が５０ｍＷとなる光を３０秒間入射した。その後、照度７０ｍＷ／ｃｍ2となる高圧水銀ランプで９０秒照射することで硬化性組成物全体を硬化させた。上記（４）と同じく接続損失の測定を行ったところ、２．１ｄＢの光出力の損失が測定された。この時点で、顕微鏡（キーエンス社製VH-7000）を用いて光硬化組成物を観察したところ、二波長レーザモジュール出射点でほぼ０μｍだった光接続部のコア部口径が、光接続部終点となる光ファイバ入力側端面にて１０μｍと徐々に口径が大きくなる光導波路が形成されていた。
【０１１５】
本実施例２により、上記（６）に示した自己形成光導波路形成前の光伝送モジュールの４．８ｄＢ結合損失を、実施形態３による光伝送モジュールにより、上記（７）に示したように２．１ｄＢに改善できた。また、実施形態３における光接続部のコア部の口径は、０μｍから１０．０μｍへと変化していることを確認した。
【０１１６】
図１０Ａ〜図１０Ｃに、熱アシスト磁気記録装置に搭載されるＨＧＡ（Head Gimbal Assembly）部を示す。なお、本明細書では、ＨＧＡをヘッドジンバルアセンブリと記す。図１０Ａは実施例１の方法にて作製した光導波路接続部を用いた浮上スライダ１００１を浮上面側から見た図、図１０Ｂはそれに加え実施例２の方法にて作製した光源モジュールを用いた浮上スライダ１００１を浮上面側から見た図、図１０Ｃは実施例１、実施例２共通部分となる浮上スライダ１００１の側面図である。
【０１１７】
本発明の導波路結合器の土台部は、サスペンション１００４のフレクシャー部１００５に固定した。導波路１００３は、サスペンション１００４の幅方向中心を通るようにした。このとき、導波路１００３の位置がサスペンション１００４の中心からずれると、浮上スライダ１００１には、記録媒体面と平行な方向に回転する力が働いてしまう。この力を防ぐためには、導波路１００３は、常にサスペンション１００４の中心に位置するようにすると良い。そのために、本実施例では、複数の導波路１００３を光導波路接続部１００６を介することで、光をサスペンション１００４の中心まで導いた。
【０１１８】
なお、導波路１００３は、記録媒体１００２の表面に対し水平になるように配置すると良い。すなわち、記録媒体１００２表面から導波路１００３までの距離Ｌ２が常に一定になるように配置する。なぜなら、導波路１００３が記録媒体１００２表面に対し傾いて配置されていると、浮上スライダ１００１に対し、記録媒体１００２表面に対し垂直な方向に成分を持つ力が、導波路１００３から加わってしまい、浮上が不安定になるからである。このように導波路１００３を配置するためには、サスペンション１００４から記録媒体１００２表面までの距離をＬ１、記録媒体１００２表面に対し水平になるように配置されたときの記録媒体１００２表面から導波路１００３の中心までの距離をＬ２としたとき、サスペンション１００４から光導波路接続部１００６の中心までの距離Ｌ３が、Ｌ３＝Ｌ１−Ｌ２となるようにすると良い。本実施例では、Ｌ１＝０．５ｍｍ、Ｌ２＝０．３ｍであったので、Ｌ３＝０．２ｍｍとなるようにした。
【０１１９】
実施例１において、光源としては半導体レーザ１００７を利用し、この半導体レーザ１００７は、図１０Ａに示すように、アーム１００８上に置いた。半導体レーザ１００７と導波路１００３の間にはカップリングレンズ１００９を配置し、半導体レーザ１００７からの光を導波路１００３に結合させた。半導体レーザ１００７とカップリングレンズ１００９は、薄型パッケージ１０１０内に作りこんだ。なお、本実施例では、半導体レーザはアーム１００８上に配置したが、サスペンション１００４上に配置しても良い。
【０１２０】
図１０Ｂに示した実施例２では、光源ユニットとして二波長半導体レーザを自己形成光導波路にて直接光導波路に接続した光源モジュール１０１１を利用し、それ以外の構成は実施例１と違いはない。光源ユニット１０１１を用いることでカップリングレンズ１００９が不要となるため、光伝送モジュールの更なる小型化が可能となる。
【０１２１】
図１１に、本発明のヘッドジンバルアセンブリを用いた熱アシスト磁気記録装置の全体図を示す。浮上スライダ１００１はサスペンション１００４に固定し、ボイスコイルモータ１０１２からなるアクチュエータによって磁気ディスク１０１３上の所望トラック位置に位置決めした。ヘッド表面には浮上用パッドを形成し、磁気ディスク１０１３の上を浮上量１０ｎｍ以下で浮上させた。記録ディスク１０１３は、モータによって回転駆動されるスピンドル１０１４に固定し回転させた。半導体レーザ１００７は、サブマウント上にはんだで固定後、そのサブマウントをサスペンションが取り付けられたアームの根元（e-blockと呼ばれる部分）に配置した。半導体レーザ１００７のドライバは、e-block横に配置される回路基板の上に配置した。この回路基板には、磁気ヘッド用のドライバも搭載した。半導体レーザ１００７が搭載されたサブマウントは、e-block上に直接配置しても良いし、ドライバ用回路基板の上に配置しても良い。半導体レーザ１００７からの出射光は、導波路１００３を半導体レーザに直接接合させるか、導波路１００３と半導体レーザの間にレンズを入れることで、導波路１００３に結合させた。このとき、導波路１００３、半導体レーザ１００７、及びそれを結合させるための素子や部品は、モジュールとして一体化し、それをe-block上又は、e-block横の回路基板上に配置しても良い。また、半導体レーザ１００７の寿命を長くするために、モジュール内を気密封じしても良い。
【０１２２】
記録信号は、信号処理用ＬＳＩ１０１５で発生し、記録信号及び半導体レーザ用電源は、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）を通して半導体レーザ用ドライバに供給した。記録の瞬間、浮上スライダ１００１中に設けたコイルにより磁界を発生すると同時に、半導体レーザを発光させ、記録マークを形成した。磁気ディスク１０１３上に記録されたデータは、浮上スライダ１００１中に形成された磁気再生素子（ＧＭＲ又はＴＭＲ素子）で再生した。再生信号の信号処理は信号処理回路により行った。
【０１２３】
本実施例では、記録情報を再生するために、ＧＭＲ又はＴＭＲ素子を利用したが、光を利用して再生しても良い。記録ビットからの戻り光の偏光の回転を検出することで、記録ビットの磁化の向きが検出可能である。
【符号の説明】
【０１２４】
１  第１の光デバイス（光ファイバ）
２  第２の光デバイス（光ファイバ）
３  硬化性組成物
４  （第１の光デバイス側からの）出射光
５  （第１の光デバイスｏｒ第１、第２の光デバイス共通）光軸
６  （光接続部）コア部
７  （光接続部）クラッド部
８  （第２の光デバイス）光軸
９  （第１の光デバイス側からの）出射光
１０  接続用光ファイバ
１１  屈折率調節用光学接着剤
４０１  光デバイス保持部
４０２  第１の光デバイス（光ファイバ）
４０３  第２の光デバイス（光ファイバ）
４０４  コア部
４０５  クラッド部
４０６  光接続部
５０１  光デバイス保持部
５０２  第１の光デバイス（二波長レーザモジュール）
５０３  第２の光デバイス（光ファイバ）
５０４  反射手段（光ファイバグレーティング）
５０５  光硬化性樹脂
５０６  第１の波長の光の進行方向
５０７  コア部
５０８  クラッド部
５０９  第２の波長の光の進行方向
５１０  光接続部
１００１  浮上スライダ
１００２  記録媒体
１００３  半導体レーザと浮上スライダを結ぶ導波路
１００４  サスペンション
１００５（サスペンションの）フレクシャー部
１００６  光導波路接続部
１００７  半導体レーザ
１００８  アーム
１００９  光源用カップリングレンズ
１０１０  薄型パッケージ
１０１１  光源モジュール
１０１２  ボイスコイルモータ
１０１３  磁気ディスク
１０１４  スピンドル
１０１５  信号処理用ＬＳＩ
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１】
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