(57)【要約】【課題】シンチレータパネルとセンサーパネルとの貼り合わせにおける接着剤層の膜厚及び膜厚分布に起因する画像ムラの発生、接着性の劣化、鮮鋭性の低下を防止することができる放射線画像検出装置を提供する。【解決手段】前記放射線画像検出装置は、支持体と前記支持体上に設けられた蛍光体の層であるシンチレータ層を備えたシンチレータパネルと基板上に光を受光する光電変換素子を備えたセンサーパネルとを備えた撮像パネルを有し、前記シンチレータパネルと前記センサーパネルとが接着剤層により貼り合わせて構成され、且つ前記接着剤層の厚みが前記光電変換素子の画素サイズの２倍以下で、且つ１μｍ以上であり、更に前記接着剤層の膜厚分布が２０％以内であることを特徴とする。【選択図】図７
2011033562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と前記支持体上に設けられた蛍光体の層であるシンチレータ層を備えたシンチレータパネルと基板上に光を受光する光電変換素子を備えたセンサーパネルとを備えた撮像パネルを有し、
前記シンチレータパネルと前記センサーパネルとが接着剤層により貼り合わせて構成され、且つ前記接着剤層の厚みが前記光電変換素子の画素サイズの２倍以下で、且つ１μｍ以上であり、更に前記接着剤層の膜厚分布が２０％以内であることを特徴とする放射線画像検出装置。
【請求項２】
前記シンチレータ層の膜厚が１００〜４００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像検出装置。
【請求項３】
前記接着剤層がホットメルト樹脂を含む層であることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線画像検出装置。
【請求項４】
前記接着剤層がホットメルトシートであることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の放射線画像検出装置。
【請求項５】
前記蛍光体層が、ヨウ化セシウムとタリウムを含む添加剤を原材料として気相法により形成されることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の放射線画像検出装置。
【請求項６】
前記蛍光体がセシウムハライド系蛍光体であることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の放射線画像検出装置。
【請求項７】
前記蛍光体が賦活剤としてタリウムを含有することを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の放射線画像検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療診断装置、非破壊検査機器等に用いられる放射線画像検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、Ｘ線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、今なお、世界中の医療現場で用いられている。しかしながらこれら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送ができない。
【０００３】
そして、近年ではコンピューテッドラジオグラフィ（ｃｏｍｐｕｔｅｄ  ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ：ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ：ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。これらは、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能なので、必ずしも写真フィルム上への画像形成が必要なものではない。その結果、これらのデジタル方式の放射線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。
【０００４】
また、更に新たなデジタル放射線画像技術として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や電荷結合素子（ＣＣＤ）を用いた平板放射線画像検出装置（ＦＰＤ）が開発されている。
【０００５】
これら放射線画像検出装置に関し、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や電荷結合素子（ＣＣＤ）等の光電変換素子が２次元に配置されているセンサーパネルと、放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するためのシンチレータ層を支持基板に形成したシンチレータパネルとを貼り合わせてなる放射線画像検出装置が知られている。
【０００６】
上記放射線画像検出装置に関し、複数の光電変換素子を備えたセンサーパネルと放射線を光に変換するシンチレータ層を有し、シンチレータ保護層としてホットメルト樹脂からなる保護層を設けることが公開されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−７８４７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１は、シンチレータパネルとセンサーパネルをホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層の接着性を利用して貼り合わせるものである。また、この貼り合わせにおいて、エポキシ樹脂等の一般的な接着材を別途用いてシンチレータパネルとセンサーパネルを貼り合わせることも可能としている。
【０００９】
ここで、シンチレータ層によって発せられた光が光電変換素子に入射される際に、シンチレータパネルとセンサーパネルの貼り合わせに用いる接着剤層の膜厚分布によって光路長に差が生じ、その結果取得された画像の解像度が低下してしまうという問題を有する。特許文献１においては、前記接着剤層は、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層及び一般的な接着材を別途用いた場合はその接着剤層も含む層である。
【００１０】
しかしながら、特許文献１では、シンチレータパネルとセンサーパネルを貼り合わせて構成する放射線画像検出装置において、接着剤層の膜厚分布（膜厚を含む）のばらつきを制御しておらず、これに起因する画像ムラの発生、接着性の劣化、鮮鋭性の低下を十分改良することは困難であった。本発明は、上記状況に鑑み成されたものであり、シンチレータパネルとセンサーパネルとの貼り合わせにおける接着剤層の膜厚分布（膜厚を含む）に起因する画像ムラの発生、接着性の劣化、鮮鋭性の低下を防止することができる放射線画像検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的は、下記の構成により達成される。
【００１２】
１．支持体と前記支持体上に設けられた蛍光体の層であるシンチレータ層を備えたシンチレータパネルと基板上に光を受光する光電変換素子を備えたセンサーパネルとを備えた撮像パネルを有し、
前記シンチレータパネルと前記センサーパネルとが接着剤層により貼り合わせて構成され、且つ前記接着剤層の厚みが前記光電変換素子の画素サイズの２倍以下で、且つ１μｍ以上であり、更に前記接着剤層の膜厚分布が２０％以内であることを特徴とする放射線画像検出装置。
【００１３】
２．前記シンチレータ層の膜厚が１００〜４００μｍであることを特徴とする前記１に記載の放射線画像検出装置。
【００１４】
３．前記接着剤層がホットメルト樹脂を含む層であることを特徴とする前記１または２に記載の放射線画像検出装置。
【００１５】
４．前記接着剤層がホットメルトシートであることを特徴とする前記１から３の何れか１項に記載の放射線画像検出装置。
【００１６】
５．前記蛍光体層が、ヨウ化セシウムとタリウムを含む添加剤を原材料として気相法により形成されることを特徴とする前記１から４の何れか１項に記載の放射線画像検出装置。
【００１７】
６．前記蛍光体がセシウムハライド系蛍光体であることを特徴とする前記１から５の何れか１項に記載の放射線画像検出装置。
【００１８】
７．前記蛍光体が賦活剤としてタリウムを含有することを特徴とする前記１から６の何れか１項に記載の放射線画像検出装置。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、シンチレータパネルとセンサーパネルを貼り合わせにおける接着剤層の膜厚分布（膜厚を含む）に起因する画像ムラの発生、接着性の劣化、鮮鋭性の低下を防止することができる放射線画像検出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係るシンチレータパネルの概略を示す断面図である。
【図２】シンチレータパネルの拡大断面図である。
【図３】蒸着装置の概略構成を示す図である。
【図４】２種類の支持体及びホットメルトシートの配置を示す図である。
【図５】放射線画像検出器の概略構成を示す一部破断斜視図である。
【図６】撮像パネルの拡大断面図である。
【図７】ホットメルトシートを用いた場合のシンチレータパネル、センサーパネル、ホットメルトシートの配置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図を参照しながら本発明の実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２２】
図５は、本発明に係る放射線画像検出装置１００の概略構成を示す一部破断斜視図である。
【００２３】
図５に示すように、放射線画像検出装置１００には、撮像パネル５１、放射線画像検出装置１００の動作を制御する制御部５２、書き換え可能な専用メモリ（例えばフラッシュメモリ）等を用いて撮像パネル５１から出力された画像信号を記憶する記憶手段であるメモリ部５３、撮像パネル５１を駆動して画像信号を得るために必要とされる電力を供給する電力供給手段である電源部５４等が、筐体５５の内部に設けられている。筐体５５には必要に応じて放射線画像検出装置１００から外部に通信を行うための通信用のコネクタ５６、放射線画像検出装置１００の動作を切り換えるための操作部５７、放射線画像の撮影準備の完了やメモリ部５３に所定量の画像信号が書き込まれたことを示す表示部５８、等が設けられている。
【００２４】
ここで、放射線画像検出装置１００に電源部５４を設けるとともに放射線画像の画像信号を記憶するメモリ部５３を設け、コネクタ５６を介して放射線画像検出装置１００を着脱自在にすれば、放射線画像検出装置１００を持ち運びできる可搬構造とすることができる。
【００２５】
撮像パネル５１は、支持体と前記支持体上に設けられた蛍光体の層であるシンチレータ層を備えたシンチレータパネルと基板上に光を受光する光電変換素子を備えたセンサーパネルとを備えている。
【００２６】
＜シンチレータパネルの構成＞
図１は、本実施の形態でのシンチレータパネル１０の概略を示す断面図である。図２は、シンチレータパネル１０の拡大断面図である。
【００２７】
シンチレータパネル１０は、支持体である第１基板１２を備えている。第１基板１２の一面には蛍光体を蒸着したシンチレータ層（蛍光体層）１３が設けられ、シンチレータ層面とされる。第１基板１２に後述の可撓性材料を用いた場合には、補強のため第２基板１１を設けることが好ましい。第２基板１１は、第１基板１２のシンチレータ層面の裏面（非蛍光体層面）と接合（貼り合わせ）される。図２は、第１基板１２と第２基板１１を用いた例である。
【００２８】
保護層１４は、シンチレータパネル１０の全面を覆うように設けられ、シンチレータ層１３の保護を主目的としている。即ち、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを主目的としている。
【００２９】
第１基板１２の蛍光体が蒸着される面に反射層１５を設けることが好ましい。反射層１５を設けることによって、蛍光体の発光を非常に効率よく取り出すことができるため、輝度を飛躍的に向上させることができる。
【００３０】
また、第１基板１２と反射層１５の密着性を向上させるために、第１基板１２と反射層１５の間に中間層１６を設けることが好ましい。
【００３１】
更に、第１基板１２とシンチレータ層１３の密着性を向上させるために、下引き保護層１７を設けることが好ましい。図１に示す例では、下引き保護層１７は、シンチレータ層１３と反射層１５の間に設けられる。
【００３２】
（シンチレータ層）
シンチレータ層（蛍光体層）１３は、放射線の照射により、蛍光を発するシンチレータ（蛍光体）から成る層である。
【００３３】
即ち、シンチレータとは、Ｘ線等の入射された放射線のエネルギーを吸収して、波長が３００ｎｍから８００ｎｍの電磁波、すなわち、可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波（光）を発光する蛍光体をいう。蛍光体として柱状結晶を用いる場合、柱状結晶の柱径は２．０〜２０μｍが好ましく、３．０〜１５μｍがより好ましい。またシンチレータ層の膜厚は１００〜４００μｍであることが好ましく、より好ましくは１２０〜３８０μｍ、特に好ましくは１４０〜３８０μｍである。
【００３４】
本実施の形態においては、シンチレータ層１３の充填率の変動係数は２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であることが、更に好ましくは５％以下であることが輝度、鮮鋭性を向上し、更に温度変動に伴う画像欠陥の発生を防止する観点から好ましい。充填率の変動係数は小さければ小さいほど好ましいが通常は０．１％以上である。充填率の変動係数を２０％以下にするためにはシンチレータ層の製造装置において用いる蒸発源の配置を制御することで行うことができる。
【００３５】
シンチレータ層１３の充填率は７０〜９０％であることが好ましく、より好ましくは７２〜８８％、特に好ましくは７５〜８５％である。
【００３６】
ここで充填率とはシンチレータ層１３の実際の質量を、理論密度と見かけの体積で割った値をさす。シンチレータ層の充填率を制御するには、蒸着時の基板温度の制御や、蒸着速度やＡｒ等のキャリアガスの導入量を調整することにより真空度を制御することで行うことができる。塗布法による場合は蛍光体と結合剤の比率を調整したり、カレンダリング時の温度、圧力、速度を調整したりすることにより行うことができる。
【００３７】
蛍光体層１３の形成には、低温で密着性の良い膜が得られる、多種の支持体や皮膜を選択できる、合金、化合物や複雑化合物の皮膜生成が可能等の面から気相法を用いることが好ましい。
【００３８】
（シンチレータ層材料）
シンチレータ層１３を形成する材料としては、種々の公知の蛍光体材料を使用することができるが、Ｘ線から可視光に対する変換率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成できるため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、シンチレータ層（蛍光体層）の厚さを厚くすることが可能であることから、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が好ましい。
【００３９】
但し、ＣｓＩのみでは発光効率が低いために、各種の賦活剤が添加される。例えば、特公昭５４−３５０６０号の如く、ＣｓＩとヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものが挙げられる。また、例えば特開２００１−５９８９９号公報に開示されているようなＣｓＩを蒸着で、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）などの賦活物質を含有するＣｓＩが好ましい。
【００４０】
また、タリウムを含有するＣｓＩのシンチレータ層を形成するための、原材料としては、１種類以上のタリウム化合物を含む添加剤とヨウ化セシウムとが、好ましく用いられる。タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）は４００ｎｍから７５０ｎｍまでの広い発光波長を持つことから好ましい。
【００４１】
１種類以上のタリウム化合物を含有する添加剤のタリウム化合物としては、種々のタリウム化合物（＋Ｉと＋IIIの酸化数の化合物）を使用することができる。
【００４２】
好ましいタリウム化合物は、臭化タリウム（ＴｌＢｒ）、塩化タリウム（ＴｌＣｌ）、またはフッ化タリウム（ＴｌＦ，ＴｌＦ３）等である。
【００４３】
また、タリウム化合物の融点は、発光効率の面から、４００〜７００℃の範囲内にあることが好ましい。なお、融点とは、常温常圧下における融点である。
【００４４】
また、タリウム化合物の分子量は２０６〜３００の範囲内にあることが好ましい。
【００４５】
シンチレータ層１３において、当該添加剤の含有量は目的性能等に応じて、最適量にすることが望ましいが、ヨウ化セシウムの含有量に対して、０．０１〜２０モル％であるのが好ましく、０．０５〜５モル％であるのがより好ましい。
【００４６】
本発明においては、上記したＣｓＩ：Ｔｌ以外にも各種のものが利用可能である。
【００４７】
他の一例として、基本組成式（Ｉ）：
Ｍ１Ｘ・ａＭ２Ｘ’２・ｂＭ３Ｘ”３：ｚＡ
で示されるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が好ましく例示される。
【００４８】
上記式において、Ｍ１はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選択される少なくとも１種のアルカリ金属を表し、Ｍ２はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選択される少なくとも１種のアルカリ土類金属または二価金属を表し、Ｍ３はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも１種の希土類元素または三価金属を表す。また、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択される少なくとも一種のハロゲンを表し、Ａは、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の希土類元素または金属を表す。また、ａ、ｂ及びｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す。
【００４９】
また、上記基本組成式（Ｉ）中のＭ１としては少なくともＣｓを含んでいることが好ましく、Ｘとしては少なくともＩを含んでいることが好ましく、Ａとしては特にＴｌまたはＮａであることが好ましい。ｚは１×１０−４≦ｚ≦０．１の範囲内の数値であることが好ましい。
【００５０】
また、基本組成式（II）：
Ｍ２ＦＸ：ｚＬｎ
で示される希土類賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体も好ましい。
【００５１】
上記式において、Ｍ２はＢａ、Ｓｒ及びＣａからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ土類金属を表し、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂからなる群より選択される少なくとも一種の希土類元素を表す。Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択される少なくとも一種のハロゲンを表す。また、ｚは、０＜ｚ≦０．２の範囲内の数値を表す。
【００５２】
なお、上記式中のＭ２としては、Ｂａが半分以上を占めることが好ましい。Ｌｎとしては、特にＥｕまたはＣｅであることが好ましい。
【００５３】
また、他に、ＬｎＴａＯ４：（Ｎｂ，Ｇｄ）系、Ｌｎ２ＳｉＯ５：Ｃｅ系、ＬｎＯＸ：Ｔｍ系（Ｌｎは希土類元素である）、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｐｒ，Ｃｅ、ＺｎＷＯ４、ＬｕＡｌＯ３：Ｃｅ、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ｃｒ，Ｃｅ、ＨｆＯ２等を挙げることができる。
（第１基板）
第１基板１２は、放射線透過性で、シンチレータ層を担持可能な板状の基板であり、各種のガラス、高分子材料、金属等を用いることができる。
【００５４】
例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、サファイア、チッ化珪素、炭化珪素などのセラミック基板、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素など半導体基板、又、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、炭素繊維強化樹脂シート等の高分子フィルム（プラスチックフィルム）、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シートあるいは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートなどを用いることができる。
【００５５】
特に、ポリイミドまたはポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルム等が、ヨウ化セシウムを原材料として気相法にて柱状シンチレータを形成する場合に、好適である。
【００５６】
特に第１基板１２は、厚さ５０〜５００μｍの可撓性を有する高分子フィルムであることが好ましい。ここで、「可撓性を有する基板」とは、１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００〜６０００Ｎ／ｍｍ２である基板をいい、かかる基板としてポリイミドまたはポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。
【００５７】
なお、「弾性率」とは、引張試験機を用い、ＪＩＳ−Ｃ２３１８に準拠したサンプルの標線が示すひずみと、それに対応する応力が直線的な関係を示す領域において、ひずみ量に対する応力の傾きを求めたものである。これがヤング率と呼ばれる値であり、本発明では、かかるヤング率を弾性率と定義する。
【００５８】
本発明に用いられる基板は、上記のように１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００Ｎ／ｍｍ２〜６０００Ｎ／ｍｍ２であることが好ましい。より好ましくは１２００Ｎ／ｍｍ２〜５０００Ｎ／ｍｍ２である。
【００５９】
具体的には、ポリエチレンナフタレート（Ｅ１２０＝４１００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエチレンテレフタレート（Ｅ１２０＝１５００Ｎ／ｍｍ２）、ポリブチレンナフタレート（Ｅ１２０＝１６００Ｎ／ｍｍ２）、ポリカーボネート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）、シンジオタクチックポリスチレン（Ｅ１２０＝２２００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエーテルイミド（Ｅ１２０＝１９００Ｎ／ｍｍ２）、ポリアリレート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）、ポリスルホン（Ｅ１２０＝１８００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエーテルスルホン（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）等からなる高分子フィルムが挙げられる。
【００６０】
これらは単独で用いてもよく積層あるいは混合して用いてもよい。中でも、特に好ましい高分子フィルムとしては、上述のように、ポリイミドまたはポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。
（第２基板）
第２基板１１は、放射線透過性であり、各種のガラス、高分子材料、金属等を用いることができる。第２基板１１は、直接あるいは必要に応じて吸湿層等の機能層を介して、粘着剤（例えば両面テープやホットメルトシート、接着剤等）によって第１基板１２と接合（貼り合わせ）される。
【００６１】
第２基板１１としては、（１）炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ：Ｃａｒｂｏｎ  Ｆｉｂｅｒ  Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、（２）カーボンボード（木炭及び紙を炭化処理して固めたもの）、（３）カーボン基板（グラファイト基板）、（４）プラスチック基板、（５）ガラス基板、（６）上記（１）〜（５）の基板を薄く形成し発泡樹脂でサンドイッチしたもの、等を用いることができる。
【００６２】
第２基板１１の厚さは、第１基板１２の厚さよりも大きいことが好ましい。これにより、シンチレータパネル全体の強度が向上する。第２基板１１の配置領域は、光電変換素子の配置領域より広いことが必要である。これにより、第２基板１１の影が映ることを防止でき、その結果、画像が不均一になるのを防止できる。
【００６３】
（反射層）
前述のように、第１基板１２の蛍光体が蒸着される面に反射層１５を設けることが好ましい。反射層１５を設けることによって、蛍光体の発光を非常に効率よく取り出すことができるため、輝度が飛躍的に向上する。反射層１５の表面反射率は好ましくは８０％以上、更に好ましくは９０％以上である。反射層を構成する材料としては、アルミニウム、銀、白金、パラジウム、金、銅、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、ステンレス等の金属材料を含有していることが好ましい。中でも反射率、耐食性の観点からアルミニウムもしくは銀を主成分としていることが特に好ましい。また、このような金属薄膜を２層以上形成するようにしても良い。金属薄膜を２層以上とする場合は、下層をＮｉもしくはＣｒ、あるいはその両方を含む層とすることが第１基板１２との接着性を向上させる点から好ましい。また、金属薄膜上にＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の金属酸化物からなる層をこの順に設けて更に反射率を向上させても良い。
【００６４】
これらの金属を第１基板１２上に被覆する方法としては、蒸着、スパッタ、あるいは、金属箔の貼り合わせ等、特に制約はないが、密着性の観点からスパッタが最も好ましい。
【００６５】
なお、反射層の厚さは、０．００５〜０．３μｍ、より好ましくは０．０１〜０．２μｍであることが、発光光取り出し効率の観点から好ましい。
【００６６】
反射層１５とシンチレータ層１３の間には更に少なくとも１層からなる酸化物層を設けても良い。酸化物層を設けることで反射率が向上し、輝度向上の効果がある。更に、特に第１基板１２としてアルミニウムやカーボン等の導電性の基板を使用する場合は、腐食防止の効果も得ることができる。酸化物層としては金属酸化物を含むことが好ましく、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２などが挙げられる。酸化物層は、複数の酸化物層からなることがより好ましい。酸化物層の厚さは、０．００５〜０．３μｍ、より好ましくは０．０１〜０．２μｍであることが、輝度向上、腐食防止の観点から好ましい。
【００６７】
（中間層）
前述のように、支持体１２と反射層１５の密着性を向上させるために、中間層１６を設けることが好ましい。中間層１６としては、樹脂を含有する層であることが好ましい。樹脂としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルアセタール、ポリエステル、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、ポリイミド、ポリアミド、ポリパラキシリレン、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。中でもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロース、ポリイミド、ポリパラキシリレンを使用することが好ましい。
【００６８】
中間層１６の厚みは１．０μｍ〜３０μｍであるのが好ましく、２．０μｍ〜２５μｍであるのがより好ましく、５．０μｍ〜２０μｍであるのが特に好ましい。
【００６９】
（下引き保護層）
前述のように、支持体１２と蛍光体層１３の密着性の向上及び保護のために、下引き保護層１７を設けることが好ましい。図１に示す例では、下引き層保護１７は、蛍光体層１３と反射層１５の間に設けられる。十分な保存特性が得られ、且つ光の散乱が抑えられる点から、下引き保護層１７の厚みは０．２〜５．０μｍであるのが好ましく、０．５〜４．０μｍがより好ましく、０．７〜３．５μｍであるのが特に好ましい。
【００７０】
下引き保護層１７には有機樹脂を用いることが好ましく、有機樹脂としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルアセタール、ポリエステル、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、ポリイミド、ポリアミド、ポリパラキシリレン、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。
【００７１】
中でもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロース、ポリイミド、ポリパラキシリレンを使用することが好ましい。
【００７２】
通常、蒸着によるシンチレータを形成するにあたっては、基板温度は１５０℃〜２５０℃で実施されるが、下引き保護層１７にガラス転移温度が−２０℃〜４５℃である有機樹脂を含有しておくことで、下引き保護層１７が接着層としても有効に機能するようになる。
【００７３】
下引き保護層１７の製作に用いる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。
【００７４】
また下引き保護層１７は、光吸収層であることが好ましく、極大吸収波長は５６０〜６５０ｎｍであることが好ましい。下引き保護層１７は、極大吸収波長が５６０〜６５０ｎｍの範囲にあるようにするために顔料及び染料の少なくとも一方を含有することが好ましい。
【００７５】
また、下引き保護層１７は上記有機樹脂の他に、分散剤等を含有することが好ましい。５６０〜６５０ｎｍの間に極大吸収波長を有する着色剤としては、市販のものの他、各種文献に記載されている公知のものが利用できる。
【００７６】
着色剤としては、５６０〜６５０ｎｍの波長範囲に吸収を持つものが好ましく、着色剤としては、紫〜青の有機系もしくは無機系の着色剤が好ましく用いられる。
【００７７】
紫〜青の有機系着色剤の例としては、紫色：ジオキサジン、青色：フタロシアニンブルー、インダンスレンブルーなどであり具体的には、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト社製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学（株）製）、スミアクリルブルーＦ−ＧＳＬ（住友化学（株）製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナル・アニリン社製）、スピリットブルー（保土谷化学（株）製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント（株）製）、キトンブルーＡ（チバ・ガイギー社製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土谷化学（株）製）、レイクブルーＡ、Ｆ、Ｈ（協和産業（株）製）、ローダリンブルー６ＧＸ（協和産業（株）製）、ブリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業（株）製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学（株）製）、シアニンブルーＢＮＲＳ（東洋インキ（株）製）、ライオノルブルーＳＬ（東洋インキ（株）製）が挙げられる。
【００７８】
紫〜青〜青緑の無機系着色剤の例としては、群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ２−ＺｎＯ−ＣｏＯ−ＮｉＯ系顔料が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００７９】
着色剤として、好ましいものは金属フタロシアニン系顔料である。
【００８０】
金属フタロシアニン系顔料としては、具体的には、銅フタロシアニンが挙げられる。しかし、極大吸収波長が５７０〜６５０ｎｍの範囲内にある限り、他の金属含有フタロシアニン顔料、例えば亜鉛、コバルト、鉄、ニッケル、及び他のそのような金属に基づくものも使用できる。
【００８１】
適当なフタロシアニン系顔料は未置換でも、（例えば１つまたはそれ以上のアルキル、アルコキシ、ハロゲン例えば塩素、または他のフタロシアニン顔料に典型的な置換基で）置換されていてもよい。粗フタロシアニンは、技術的に公知のいくつかの方法の何れかで製造できるが、好ましくは無水フタル酸、フタロニトリルまたはそれらの誘導体の、金属ドナー、窒素ドナー（例えば尿素またはフタロニトリル自体）と、好ましくは有機溶媒中随時触媒の存在下に反応させることによって製造できる。
【００８２】
例えばＷ．ハーブスト（Ｈｅｒｂｓｔ）及びＫ．ハンガー（Ｈｕｎｇｅｒ）、「工業有機顔料」［ＶＣＨ出版、ニューヨーク、１９９３年］、４１８〜４２７ページ、Ｈ．ゾリンガー（Ｚｏｌｌｉｎｇｅｒ）、「色剤化学」（ＶＣＨ出版、１９７３年）１０１〜１０４ページ、及びＮ．Ｍ．ピゲロー（Ｐｉｇｅｌｏｗ）及びＭ．Ａ．パーキンス（Ｐｅｒｋｉｎｓ）、Ｈ．Ａ．ラブス（Ｌｕｂｓ）編「合成染料及び顔料の化学」［ロバート（Ｒｏｂｅｒｔ）Ｅ．クリーガー（Ｋｒｉｅｇｅｒ）出版、１９５５年］、５８４〜５８７ページにおける「フタロシアニン顔料」、更に米国特許第４１５８５７２号、第４２５７９５１号、及び第５１７５２８２号、並びに英国特許第１５０２８８４号を参照。
【００８３】
顔料は、上記有機樹脂中に分散されて用いられることが好ましい。分散剤は、用いる有機樹脂と顔料とに合わせて種々のものを用いることができる。
【００８４】
分散剤としては、フタル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界面活性剤などを挙げることができる。
【００８５】
顔料を有機樹脂中へ分散する方法としては、インク製造やトナー製造時に用いられる公知の分散技術が使用できる。分散機としては、サンドミル、アトライター、パールミル、スーパーミル、ボールミル、インペラー、デスパーサー、ＫＤミル、コロイドミル、ダイナトロン、３本ロールミル、加圧ニーダー等が挙げられる。詳細は「最新顔料応用技術」（ＣＭＣ出版、１９８６）に記載がある。
【００８６】
下引き保護層１７は、溶剤に溶解した樹脂を塗布、乾燥して形成したり、ＣＶＤ法により形成したりされる。
【００８７】
（保護層）
本発明に係る保護層１４は、蛍光体層１３の保護を主眼とするものである。即ち、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを主目的とする。
【００８８】
保護層１４は種々の材料を用いて形成することができる。例えば、ＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜を形成する、即ちシンチレータ及び基板の表面全体にポリパラキシリレン膜を形成し、保護層１４とすることができる。
【００８９】
また、保護層１４は、耐湿保護用の塗布液をシンチレータ層１３の表面に直接塗布して形成してもよく、また、予め別途形成した保護層１４を前記蛍光体層に接着したり、包み込んだりして封止してもよい。
【００９０】
また、保護層１４は蒸着法、スパッタリング法などにより、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３などの無機物質を積層して形成してもよい。
【００９１】
この保護層１４の厚さは、空隙部の形成性、シンチレータ（蛍光体）層１３の耐湿保護性、鮮鋭性、防湿性、作業性等を考慮し、１２μｍ以上、１００μｍ以下が好ましく、更には２０μｍ以上、６０μｍ以下が好ましい。
【００９２】
また、ヘイズ率が、鮮鋭性、放射線画像ムラ、製造安定性、作業性等を考慮し、３％以上、４０％以下であることが好ましく、更には３％以上、１０％以下であることが好ましい。ヘイズ率は日本電色工業株式会社ＮＤＨ  ５０００Ｗにより測定した値を示す。必要とするヘイズ率は市販されている高分子フィルムから適宜選択し、容易に入手することが可能である。
【００９３】
保護層１４の光透過率は光電変換効率、シンチレータ発光波長等を考慮し、５５０ｎｍで７０％以上あることが好ましいが、９９％以上の光透過率のフィルムは工業的に入手が困難であるため、実質的に９９〜７０％が好ましい。
【００９４】
保護層１４の透湿度はシンチレータ層の保護性、潮解性等を考慮し、５０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ  Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましく、更には１０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ  Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましいが、０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以下の透湿度のフィルムは工業的に入手が困難であるため、実質的に０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以上、５０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ  Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましく、更には０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以上、１０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ  Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましい。
【００９５】
（保護層１４として好ましい保護フィルム）
保護層１４として好ましい保護フィルムは、積層された有機フィルムであり、その構成例としては、保護層（最外層）／防湿層／熱溶着層（最内層）の構成を有した多層積層材料が挙げられる。また、更に各層は必要に応じて多層とすることも可能となっている。上記の保護フィルムによって、シンチレータプレートが真空封止されていることが好ましい。
【００９６】
《熱溶着層（最内層）》
最内層の熱可塑性樹脂フィルムとしては、ＥＶＡ、ＰＰ、ＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ及びメタロセン触媒を使用して製造したＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ、またこれらフィルムとＨＤＰＥフィルムの混合使用したフィルムを使用することが好ましい。
【００９７】
《防湿層（中間層）》
特開平６−９５３０２号公報及び真空ハンドブック増訂版ｐ１３２〜１３４（ＵＬＶＡＣ  日本真空技術Ｋ．Ｋ）に記載されている如き、無機膜を少なくとも一層有する層が挙げられる。無機膜としては、金属蒸着膜及び無機酸化物の蒸着膜が挙げられる。
【００９８】
金属蒸着膜としては、例えば、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、単結晶Ｓｉ、ＺｒＮ、ＰＳＧ、アモルファスＳｉ、Ｗ、アルミニウム等が挙げられ、特に好ましい金属蒸着膜としては、例えば、アルミニウムが挙げられる。
【００９９】
無機物蒸着膜としては、薄膜ハンドブックｐ８７９〜９０１（日本学術振興会）、真空技術ハンドブックｐ５０２〜５０９、ｐ６１２、ｐ８１０（日刊工業新聞社）、真空ハンドブック増訂版ｐ１３２〜１３４（ＵＬＶＡＣ  日本真空技術Ｋ．Ｋ）に記載されている如き無機物蒸着膜が挙げられる。これらの無機物蒸着膜としては、例えば、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉｘＯｙ（ｘ＝１、ｙ＝１．５〜２．０）、Ｔａ２Ｏ３、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＰＳＧ、Ｓｉ３Ｎ４、単結晶Ｓｉ、アモルファスＳｉ、Ｗ、ＡＩ２Ｏ３等が用いられる。
【０１００】
防湿層の基材として使用する熱可塑性樹脂フィルムとしては、エチレンテトラフルオロエチル共重合体（ＥＴＦＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、２軸延伸ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド、ポリエーテルスチレン（ＰＥＳ）など一般の包装用フィルムに使用されているフィルム材料を使用することができる。
【０１０１】
蒸着膜を作る方法としては、真空技術ハンドブック及び包装技術Ｖｏｌ．２９−Ｎｏ．８に記載されている如き一般的な方法、例えば、抵抗または高周波誘導加熱法、エレクトロビーム（ＥＢ）法、プラズマ（ＰＣＶＤ）等により作ることができる。蒸着膜の厚さとしては４０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、より好ましくは５０〜１８０ｎｍの範囲である。
【０１０２】
《保護層（最外層）》
蒸着フィルムシートを介して用いられる熱可塑性樹脂フィルムとしては、一般の包装材料として使用されている高分子フィルム（例えば、機能性包装材料の新展開株式会社東レリサーチセンター記載の高分子フィルム）である低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ＨＤＰＥ、線状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、中密度ポリエチレン、未延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）、ＯＰＰ、延伸ポリアミド（ＯＮｙ）、ＰＥＴ、セロハン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、延伸ビニロン（ＯＶ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＯＨ）、塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、フッ素を含むオレフィン（フルオロオレフィン）の重合体、またはフッ素を含むオレフィンを共重合体等が使用できる。
【０１０３】
また、これら熱可塑性樹脂フィルムは、必要に応じて異種フィルムと共押し出しで作った多層フィルム、延伸角度を変えて張り合わせて作った多層フィルム等も当然使用できる。更に必要とする包装材料の物性を得るために、使用するフィルムの密度、分子量分布を組み合わせて作ることも当然可能である。
【０１０４】
無機物蒸着層を使用しない場合は、保護層（最外層）に防湿層としての機能を持たせる必要がある。この場合、保護層（最外層）に使用する熱可塑性樹脂フィルムの中より必要に応じて単体でもよいし、または２種以上のフィルムを積層させて用いることができる。例えば、ＣＰＰ／ＯＰＰ、ＰＥＴ／ＯＰＰ／ＬＤＰＥ、Ｎｙ／ＯＰＰ／ＬＤＰＥ、ＣＰＰ／ＯＰＰ／ＥＶＯＨ、サランＵＢ／ＬＬＤＰＥ（ここでサランＵＢとは、旭化成工業株式会社製の塩化ビニリデン／アクリル酸エステル系共重合樹脂を原料とした２軸延伸フィルムを示す。）Ｋ−ＯＰ／ＰＰ、Ｋ−ＰＥＴ／ＬＬＤＰＥ、Ｋ−Ｎｙ／ＥＶＡ（ここでＫは、塩化ビニリデン樹脂をコートしたフィルムを示す。）等が使用されている。
【０１０５】
これら保護フィルムの製造方法としては、一般的に知られている各種の方法が用いられ、例えば、ウェットラミネート法、ドライラミネート法、ホットメルトラミネート法、押し出しラミネート法、熱ラミネート法を利用して作ることが可能である。無機物を蒸着したフィルムを使用しない場合も同様な方法が当然使えるが、これらの他に使用材料によっては多層インフレーション方式、共押し出し成形方式により作ることができる。
【０１０６】
積層する際に使用される接着剤としては、一般的に知られている接着剤が使用可能である。例えば、各種ポリエチレン樹脂、各種ポリプロピレン樹脂等のポリオレフィン系熱可塑性樹脂熱溶解接着剤、エチレン−プロピレン共重合体樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン−エチルアクリレート共重合体樹脂等のエチレン共重合体樹脂、エチレン−アクリル酸共重合体樹脂、アイオノマー樹脂等の熱可塑性樹脂熱溶融接着剤、その他熱溶融型ゴム系接着剤等がある。
【０１０７】
エマルジョン、ラテックス状の接着剤であるエマルジョン型接着剤の代表例としては、ポリ酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル−エチレン共重合体樹脂、酢酸ビニルとアクリル酸エステル共重合体樹脂、酢酸ビニルとマレイン酸エステル共重合体樹脂、アクリル酸共重合物、エチレン−アクリル酸共重合物等のエマルジョンがある。
【０１０８】
ラテックス型接着剤の代表例としては、天然ゴム、スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）等のゴムラテックスがある。また、ドライラミネート用接着剤としては、イソシアネート系接着剤、ウレタン系接着剤、ポリエステル系接着剤等があり、その他、パラフィンワックス、マイクロクリスタリンワックス、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン−エチルアクリレート共重合体樹脂等をブレンドしたホットメルトラミネート接着剤、感圧接着剤、感熱接着剤等公知の接着剤を用いることもできる。
【０１０９】
エクストルージョンラミネート用ポリオレフィン系樹脂接着剤はより具体的に言えば、各種ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリブチレン樹脂などのポリオレフィン樹脂からなる重合物及びエチレン共重合体（ＥＶＡ、ＥＥＡ、等）樹脂の他、Ｌ−ＬＤＰＥ樹脂の如く、エチレンと他のモノマー（α−オレフィン）を共重合させたもの、Ｄｕｐｏｔ社のサーリン、三井ポリケミカル社のハイミラン等のアイオノマー樹脂（イオン共重合体樹脂）及び三井石油化学（株）のアドマー（接着性ポリマー）等がある。
【０１１０】
その他、紫外線硬化型接着剤も最近使われはじめた。特にＬＤＰＥ樹脂とＬ−ＬＤＰＥ樹脂が安価でラミネート適性に優れているので好ましい。また、前記樹脂を２種以上ブレンドして各樹脂の欠点をカバーした混合樹脂は特に好ましい。例えば、Ｌ−ＬＤＰＥ樹脂とＬＤＰＥ樹脂とをブレンドすると延展性が向上し、ネックインが小さくなるのでラミネート速度が向上し、ピンホールが少なくなる。
【０１１１】
＜シンチレータパネルの製作方法＞
本発明に係るシンチレータパネル１０の製作例について説明する。図３は、蒸着装置６１の概略構成を示す図である。
【０１１２】
〈蒸着装置〉
図３に示すように、蒸着装置６１は箱状の真空容器６２を有しており、真空容器６２の内部には真空蒸着用のボート（るつぼ）６３が配されている。ボート６３は蒸着源の被充填部材であり、当該ボート６３には電極が接続されている。当該電極を通じてボート６３に電流が流れると、ボート６３がジュール熱で発熱するようになっている。放射線用シンチレータパネル１０の製造時においては、ヨウ化セシウムと賦活剤化合物とを含む混合物がボート６３に充填され、そのボート６３に電流が流れることで、上記混合物を加熱・蒸発させることができるようになっている。
【０１１３】
なお、被充填部材として、ヒーターを巻回したアルミナ製のボート（るつぼ）を適用してもよいし、高融点金属製のヒーターを適用してもよい。
【０１１４】
真空容器６２の内部であってボート６３の直上には、第１基板１２を保持する基板ホルダ６４が配されている。基板ホルダ６４にはヒーター（図示略）が配されており、当該ヒーターを作動させることで基板ホルダ６４に装着した第１基板１２を加熱することができるようになっている。第１基板１２を加熱した場合には、第１基板１２の表面の吸着物を離脱・除去したり、第１基板１２とその表面に形成されるシンチレータ層１３との間に不純物層が形成されるのを防止したり、第１基板１２とその表面に形成されるシンチレータ層１３との密着性を強化したり、第１基板１２の表面に形成されるシンチレータ層１３の膜質の調整を行ったりすることができるようになっている。
【０１１５】
基板ホルダ６４には当該基板ホルダ６４を回転させる回転機構６５が配されている。回転機構６５は、基板ホルダ６４に接続された回転軸６５ａとその駆動源となるモータ（図示略）から構成されたもので、当該モータを駆動させると、回転軸６５ａが回転して基板ホルダ６４をボート６３に対向させた状態で回転させることができるようになっている。
【０１１６】
蒸着装置６１では、上記構成の他に、真空容器６２に真空ポンプ６６が配されている。真空ポンプ６６は、真空容器６２の内部の排気と真空容器６２の内部へのガスの導入とを行うもので、当該真空ポンプ６６を作動させることにより、真空容器６２の内部を一定圧力のガス雰囲気下に維持することができるようになっている。
【０１１７】
〈シンチレータパネル〉
シンチレータパネル１０の製作においては、上記で説明した蒸発装置６１を好適に用いることができる。蒸発装置６１を用いてのシンチレータパネル１０の製作について説明する。
【０１１８】
《反射層の形成》
第１基板１２上に、アルミニウムもしくは銀等を主成分とする金属層をスパッタ法により形成し、反射層１５を形成する。
【０１１９】
前述のように、反射層１５の形成に先立ち、支持体１２上に中間層１６を形成することが好ましい。中間層１６は、前述の材料を第１基板１２上に塗布及び乾燥して形成される。
【０１２０】
《下引き保護層の形成》
下引き保護層１７は、有機溶剤に高分子結合材を分散・溶解した組成物を反射層１５上に塗布、乾燥して形成される。高分子結合材としては、接着性、導電性金属反射層の耐腐食性の観点でポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の疎水性樹脂が好ましい。
【０１２１】
《シンチレータ層の形成》
上記のように反射層１５、中間層１６及び下引き保護層１７を設けた第１基板１２を基板ホルダ６４に取り付けるとともに、ボート６３にヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとを含む粉末状の混合物を充填する（準備工程）。この場合、ボート６３と第１基板１２との間隔を１００〜１５００ｍｍに設定し、その設定値の範囲内のままで後述の蒸着工程の処理を行うことが好ましい。
【０１２２】
準備工程の処理を終えたら、真空ポンプ６６を作動させて真空容器６２の内部を排気し、真空容器６２の内部を０．１Ｐａ以下の真空雰囲気下にする（真空雰囲気形成工程）。
【０１２３】
ここでいう「真空雰囲気下」とは、１００Ｐａ以下の圧力雰囲気下のことを意味し、０．１Ｐａ以下の圧力雰囲気下であるのが好適である。
【０１２４】
その後、アルゴン等の不活性ガスを真空容器６２の内部に導入し、当該真空容器６２の内部を０．００１〜５Ｐａ、より好ましくは０．０１〜２Ｐａの真空雰囲気下に維持する。次に、基板ホルダ６４のヒーターと回転機構６５のモータとを駆動させ、基板ホルダ６４に取り付け済みの支持体１２をボート６３に対向させた状態で加熱しながら回転させる。シンチレータ層１３が形成される第１基板１２の温度は、蒸着開始時は室温２５〜５０℃に設定することが好ましく、蒸着中は１００〜３００℃、より好ましくは１５０〜２５０℃に設定することが好ましい。
【０１２５】
この状態において、電極からボート６３に電流を流し、ヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとを含む混合物を７００〜８００℃程度で所定時間加熱してその混合物を蒸発させる。その結果、第１基板１２の表面に、図１に示すように下引き保護層１７が形成されている場合には下引き保護層１７の表面に、無数の柱状結晶体１３ａが順次成長して所望の厚さの蛍光体層１３が形成される。
【０１２６】
《支持体の断裁》
製品サイズよりも大きい第１基板１２に蛍光体層１３を形成した場合には、製品サイズに断裁される。シンチレータ層１３を形成した第１基板１２から、複数枚のシンチレータ層１３（第１基板１２）を切り出すことで、生産性の向上を図ることができる。
【０１２７】
上記複数枚の支持体１２の断裁方法としては、例えば、打ち抜き刃、押し切りカッター、カッターナイフ、ハサミ、レーザ光等を用いた方法が挙げられる。
【０１２８】
《支持体の接合》
蛍光体層１３が形成され製品サイズとされた第１基板１２は、そのシンチレータ層１３面の裏面（非蛍光体層面）が第２基板１１と接合（貼り合わせ）される。
【０１２９】
図４は、第１基板１２、第２基板１１及びホットメルトシート１８の配置を示す図である。なお、反射層１５、中間層１６及び下引き保護層１７は省略している。図４に示すように第１基板１２と第２基板１１の接合は、第１基板１２と第２基板１１の間にホットメルトシート１８を挟み、第２基板１１側より加熱溶融及び加圧することにより行われる。
【０１３０】
この加熱溶融は、ヒーター、温風を吐出するホットエアガン等、既知の方法を用いることができる。また、前述のような加熱温度、加圧量を用いて行われる。
【０１３１】
《保護層の形成》
このシンチレータ層１３を形成するＣｓＩは、吸湿性が高く、露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解する。そこで、これを防止するために、ＣＶＤ法によりポリパラキシリレンをシンチレータパネル全面に５〜３０μｍ厚さに被覆することで保護層１４を形成する。ＣｓＩの柱状結晶には隙間があり、ポリパラキシリレンがこの狭い隙間に入り込むので、保護層がＣｓＩに密着する。
【０１３２】
これにより、本発明に係る放射線用シンチレータパネル１０を製造することができる。
【０１３３】
＜撮像パネル＞
次に、上記シンチレータパネル１０を用いた撮像パネル５１の例について説明する。図６は撮像パネル５１の拡大断面図である。
【０１３４】
図６に示すように、撮像パネル５１は、シンチレータパネル１０と、シンチレータパネル１０からの電磁波を吸収して画像信号を出力するセンサーパネル２０と、を備えている。
【０１３５】
シンチレータパネル１０は、放射線照射面側に配置されており、入射した放射線の強度に応じた電磁波を発光するように構成されている。
【０１３６】
センサーパネル２０は、シンチレータパネル１０の放射線照射面と反対側の面に設けられており、シンチレータパネル１０側から順に、隔膜２０ａ、光電変換素子２０ｂ、画像信号出力層２０ｃ及び基板２０ｄを備えている。
【０１３７】
隔膜２０ａは、シンチレータパネル１０と他の層を分離するためのものである。
【０１３８】
光電変換素子２０ｂは、透明電極２１と、透明電極２１を透過して入光した電磁波により励起されて電荷を発生する電荷発生層２２と、透明電極２１に対しての対極になる対電極２３とから構成されており、隔膜２０ａ側から順に透明電極２１、電荷発生層２２、対電極２３が配置される。
【０１３９】
透明電極２１とは、光電変換される電磁波を透過させる電極であり、例えばインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯなどの導電性透明材料を用いて形成される。
【０１４０】
電荷発生層２２は、透明電極２１の一面側に薄膜状に形成されており、光電変換可能な化合物として光によって電荷分離する有機化合物を含有するものであり、電荷を発生し得る電子供与体及び電子受容体としての導電性化合物をそれぞれ含有している。電荷発生層２２では、電磁波が入射されると、電子供与体は励起されて電子を放出し、放出された電子は電子受容体に移動して、電荷発生層２２内に電荷、すなわち、正孔と電子のキャリアが発生するようになっている。
【０１４１】
ここで、電子供与体としての導電性化合物としては、ｐ型導電性高分子化合物が挙げられ、ｐ型導電性高分子化合物としては、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリ（チオフェンビニレン）、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフルオレン、ポリ（ｐ−フェニレン）またはポリアニリンの基本骨格を持つものが好ましい。
【０１４２】
また、電子受容体としての導電性化合物としては、ｎ型導電性高分子化合物が挙げられ、ｎ型導電性高分子化合物としては、ポリピリジンの基本骨格を持つものが好ましく、特にポリ（ｐ−ピリジルビニレン）の基本骨格を持つものが好ましい。
【０１４３】
電荷発生層２２の層厚は、光吸収量を確保するといった観点から、１０ｎｍ以上（特に１００ｎｍ以上）が好ましく、また電気抵抗が大きくなりすぎないといった観点から、１μｍ以下（特に３００ｎｍ以下）が好ましい。
【０１４４】
対電極２３は、電荷発生層２２の電磁波が入光される側の面と反対側に配置されている。対電極２３は、例えば、金、銀、アルミニウム、クロムなどの一般の金属電極や、透明電極２１の中から選択して用いることが可能であるが、良好な特性を得るためには仕事関数の小さい（４．５ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするのが好ましい。
【０１４５】
また、電荷発生層２２を挟む各電極（透明電極２１及び対電極２３）との間には、電荷発生層２２とこれら電極が反応しないように緩衝地帯として作用させるためのバッファー層を設けてもよい。バッファー層は、例えば、フッ化リチウム及びポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（４−スチレンスルホナート）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル［１，１０］フェナントロリンなどを用いて形成される。
【０１４６】
画像信号出力層２０ｃは、光電変換素子２０ｂで得られた電荷の蓄積及び蓄積された電荷に基づく信号の出力を行うものであり、光電変換素子２０ｂで生成された電荷を画素毎に蓄積する電荷蓄積素子であるコンデンサ２４と、蓄積された電荷を信号として出力する画像信号出力素子であるトランジスタ２５とを用いて構成されている。
【０１４７】
トランジスタ２５は、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いるものとする。このＴＦＴは、液晶ディスプレイ等に使用されている無機半導体系のものでも、有機半導体を用いたものでもよく、好ましくはプラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴである。プラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴとしては、アモルファスシリコン系のものが知られているが、その他、米国Ａｌｉｅｎ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社が開発しているＦＳＡ（Ｆｌｕｉｄｉｃ  Ｓｅｌｆ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ）技術、即ち、単結晶シリコンで作製した微小ＣＭＯＳ（Ｎａｎｏｂｌｏｃｋｓ）をエンボス加工したプラスチックフィルム上に配列させることで、フレキシブルなプラスチックフィルム上にＴＦＴを形成するものとしても良い。更に、Ｓｃｉｅｎｃｅ，２８３，８２２（１９９９）やＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，７７１４８８（１９９８）、Ｎａｔｕｒｅ，４０３，５２１（２０００）等の文献に記載されているような有機半導体を用いたＴＦＴであってもよい。
【０１４８】
このように、本発明に用いられるトランジスタ２５としては、上記ＦＳＡ技術で作製したＴＦＴ及び有機半導体を用いたＴＦＴが好ましく、特に好ましいものは有機半導体を用いたＴＦＴである。この有機半導体を用いてＴＦＴを構成すれば、シリコンを用いてＴＦＴを構成する場合のように真空蒸着装置等の設備が不要となり、印刷技術やインクジェット技術を活用してＴＦＴを形成できるので、製造コストが安価となる。更に、加工温度を低くできることから熱に弱いプラスチック基板上にも形成できる。
【０１４９】
トランジスタ２５には、光電変換素子２０ｂで発生した電荷を蓄積するとともに、コンデンサ２４の一方の電極となる収集電極（図示せず）が電気的に接続されている。コンデンサ２４には光電変換素子２０ｂで生成された電荷が蓄積されるとともに、この蓄積された電荷はトランジスタ２５を駆動することで読み出される。すなわちトランジスタ２５を駆動させることで放射線画像の画素毎の信号を出力させることができる。
【０１５０】
基板２０ｄは、撮像パネル５１の支持体として機能するものであり、第２基板１１と同様の素材で構成することが可能である。
【０１５１】
ここで、図６に示すように、シンチレータパネル１０の保護層１４外面とセンサーパネル２０の隔膜２０ａ外面とが、接着剤層２００により接合（張り合わせ）されて構成される。
【０１５２】
（接着剤層）
本発明において、発明者らは、接着剤層２００の膜厚と膜厚分布を所定の範囲とすることにより、画像ムラの発生、接着性の劣化、鮮鋭性の低下を防止することができることを見いだした。
【０１５３】
ここで本発明において、接着剤層２００の膜厚分布とは、接着剤層２００の平均膜厚に対する最大膜厚と最小膜厚の差の比率（％）をいう。従って、平均膜厚をＴａｖ、最大膜厚をＴｍａｘ、最小膜厚をＴｍｉｎ、とすると、膜厚分布＝（Ｔｍａｘ−Ｔｍｉｎ）／Ｔａｖ×１００（％）で表される。
【０１５４】
前記所定の範囲とは、接着剤層２００の膜厚の、光電変換素子の画素サイズに対する比率（接着剤層比率）において、接着剤層２００の膜厚は光電変換素子の画素サイズの２倍以下で、且つ膜厚で１μｍ以上であり、更に接着剤層２００の膜厚分布は２０％以下とされる。
【０１５５】
前記光電変換素子の画素サイズに対する比率は、（接着剤層膜厚／光電変換素子の画素サイズ）で表される。
【０１５６】
接着剤層２００の厚さが光電変換素子の画素サイズの２倍より大きいと鮮鋭性が劣化し、１μｍより小さいとセンサーパネル２０の電極部の凹凸を埋められず、接着性が劣化する。接着剤層２００の厚さが光電変換素子の画素サイズの２倍より大きいと鮮鋭性が劣化する理由は明らかではないが、接着剤層を通過する距離が長くなることによる光の散乱の発生を十分に防止できないために鮮鋭性が劣化するものと推測される。接着剤層２００の厚さは２〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは２〜１０μｍで、これにより本発明の効果をよりよく発揮することができる。
【０１５７】
また、接着剤層２００の膜厚分布が２０％より大きいと画像ムラが発生し易くなる。接着剤層２００の膜厚分布を２０％以下とすることにより、画像ムラの発生を低減することができる。接着剤層２００の膜厚分布を１０％以下とすることがより好ましく、更に５％以内であることが好ましい。膜厚分布の値をこの範囲とすることで画像ムラの発生を防止することができる点で好ましい。接着剤層２００の膜厚分布を２０％以下とすることにより、画像ムラの発生を低減することができる理由は明らかではないが、接着剤層の膜厚分布によって光路差が生じ、その結果、鮮鋭性にバラツキが生じ、画像ムラが発生するものと推測される。
【０１５８】
本発明において、シンチレータ層１３の膜厚は１００〜４００μｍであることが好ましい。上記のような接着剤層の厚さ、膜厚分布は、特にシンチレータ層１３の膜厚を１００〜４００μｍとした場合に対して、画像ムラの発生、接着性の劣化、鮮鋭性の低下の改良効果について顕著であった。
シンチレータ層１３の膜厚が１００〜４００μｍの範囲で改良効果が顕著である理由は明らかではないが、シンチレータ層の膜厚を１００〜４００μｍとすることで、元々鮮鋭性が高いレベルとなるため、接着剤層の厚さ、膜厚分布の影響がより顕著に現れるものと推測される。
【０１５９】
接着剤層２００としては例えば、両面テープ（マトリックステープ）、ホットメルトシート、接着剤が用いられる。
【０１６０】
ホットメルトシートとは、シート状に形成したホットメルト接着剤のことをいう。ホットメルト接着剤は、熱可塑性樹脂を主成分とした接着剤で、常温では固形または半固形であり、加熱溶融することにより液状化する。ホットメルト接着剤を液状化して接合部材を貼り合わせ、更に冷却しホットメルト接着剤を固化することにより接合が形成される。
【０１６１】
以下、ホットメルトシートの符号を接着剤層の符号と同じ２００と記す。
【０１６２】
図７は、ホットメルトシート２００を用いた場合のシンチレータパネル１０、センサーパネル２０、ホットメルトシート２００の配置を示す図である。
【０１６３】
ホットメルトシート２００を用いた場合には、シンチレータパネル１０とセンサーパネル２０の接合は、シンチレータパネル１０の保護層１４外面とセンサーパネル２０の隔膜２０ａ外面との間に、ホットメルトシート２００を挟み、加熱溶融及び加圧することにより行われる。
【０１６４】
ホットメルト接着剤は常温では接着力を生じないため、シンチレータパネル１０とセンサーパネル２０の接合にホットメルトシート２００を用いることにより、両面粘着テープ等の常温粘着型の接着剤と比較して、位置合わせが容易である。即ち、接着力が生じない状態で位置決めした後、加熱溶融して接着力を生じさせ接合するため、シンチレータパネル１０とセンサーパネル２０の位置合わせが正確に容易に行うことができる。また、ホットメルトシート２００は一般的な常温粘着型の接着シートに比較して弾性率が高く、温度変動に対する支持体の寸法変化を抑制する効果が高い。
【０１６５】
ホットメルトシート２００に使用されるホットメルト樹脂としては、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系、ポリウレタン系、エポキシ系などのホットメルト樹脂が挙げられる。ホットメルト樹脂の熱膨張係数は、材料により異なるが、例えば、１６０〜２３０×１０−６／℃である。ホットメルト樹脂としては、例えば特開２００６−７８４７１号公報の「００２４」〜「００３４」に記載されたホットメルト樹脂を使用することができる。
【０１６６】
接着剤を用いた場合には、シンチレータパネル１０とセンサーパネル２０の接合は、シンチレータパネル１０の保護層１４外面とセンサーパネル２０の隔膜２０ａ外面の何れか一面また両面に接着剤を塗布して接着剤層２００として貼り合わせて行われる。接着剤としては、アクリル系、エポキシ系、シリコーン系の群に属する接着剤を用いることができる。接着剤の熱膨張係数は、材料により異なるが、例えば、１１０×１０−６／℃以下である。
【０１６７】
＜放射線画像検出装置＞
上記撮像パネル５１を用いて、図５に示す放射線画像検出装置１００が製作される。
【０１６８】
次に、放射線画像検出装置１００の作用について説明する。
【０１６９】
まず、放射線画像検出装置１００に入射した放射線は、撮像パネル５１の放射線用シンチレータパネル１０側から基板２０ｄ側に向けて進行する。
【０１７０】
すると、シンチレータパネル１０中のシンチレータ層１３が入射した放射線のエネルギーを吸収し、その強度に応じた電磁波を発光する。発光された電磁波のうち、センサーパネル２０に入光される電磁波は、センサーパネル２０の隔膜２０ａ、透明電極２１を貫通し、電荷発生層２２に到達する。そして、電荷発生層２２において電磁波は吸収され、その強度に応じて正孔と電子のペア（電荷分離状態）が形成される。
【０１７１】
その後、発生した電荷は、電源部５４によるバイアス電圧の印加により生じる内部電界により正孔と電子はそれぞれ異なる電極（透明電極膜及び導電層）へ運ばれ、光電流が流れる。
【０１７２】
その後、対電極２３側に運ばれた正孔は画像信号出力層２０ｃのコンデンサ２４に蓄積される。蓄積された正孔はコンデンサ２４に接続されているトランジスタ２５を駆動させると、画像信号を出力するとともに、出力された画像信号はメモリ部５３に記憶される。
【実施例】
【０１７３】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１７４】
後述の表１に示すシンチレータ層の膜厚のシンチレータパネル１０を製作し、センサーパネル２０と接合して撮像パネル５１を製作した。この撮像パネル５１を用いて放射線画像検出装置１００を製作して、シンチレータパネル１０とセンサーパネル２０との接着性、画像の鮮鋭性及びムラの評価を行った。
【０１７５】
表１に示すように、前記接合を、接着剤層２００の膜厚が１μｍ以上、接着剤層比率が２以下、接着剤層膜厚分布が２０％以内として、本発明の放射線画像検出装置１００（表１、装置Ｎｏ．１０１〜１１４）を製作した。また、前記接合を、接着剤層２００の膜厚、接着剤層比率、接着剤層膜厚分布の何れかが、本発明の所定の範囲から外れる放射線画像検出装置１００（表１、装置Ｎｏ．１１５〜１１７）を、比較例として製作した。
【０１７６】
〈シンチレータパネル１０の製作〉
（反射層１５の形成）
厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産製ＵＰＩＬＥＸ−１２５Ｓ）を第１基板１２とし、それにアルミニウムをスパッタして反射層（０．０２μｍ）を形成した後、ＳｉＯ２膜（０．０８μｍ）膜、ＴｉＯ２膜（０．０５μｍ）を形成した。
【０１７７】
（下引き保護層１７の形成）
バイロン２００（東洋紡社製：ポリエステル樹脂、Ｔｇ：６７℃）１００質量部
ヘキサメチレンジイソシアナート                                  ３質量部
フタロシアニンブルー                                        ０．１質量部
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）                                １００質量部
トルエン                                                    １００質量部
上記処方を混合し、ビーズミルにて１５時間分散し、保護層塗設用の塗布液を得た。
【０１７８】
この塗布液を第１基板１２の反射層１５面に乾燥膜厚が２．５μｍになるように押し出しコーターで塗布し、下引き保護層１７を形成した。
【０１７９】
（シンチレータ層１３の形成）
蒸着装置６１の基板回転機構を備えた基板ホルダ６４に反射層１５と下引き保護層１７を設けた第１基板１２を設置した。次に、蛍光体原料（ＣｓＩ：０．８Ｔｌモル％）を蒸着材料として蒸発源のボート（るつぼ）６３に充填し、８個のボート６３を真空容器の内部の底面付近であって、基板に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置した。このとき、第１基板１２とボート６３との間隔を４００ｍｍに調節するとともに、第１基板１２に垂直な中心線とボート６３との間隔を３００ｍｍに調節した。更に、８個の遮蔽板を、ボート６３と第１基板１２のうちボート６３に対向する面の中心点とを結ぶ線分上に、遮蔽板の上端部分が接する高さ及び位置となるように配置し、蛍光体が第１基板１２に蒸着する際の入射角の範囲を制限するようにした。次に、４個のボート６３を真空容器の内部の底面付近であって、第１基板１２に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置した。このとき、第１基板１２と蒸発源との間隔を４００ｍｍに調節するとともに、第１基板１２に垂直な中心線と蒸発源との間隔を１５０ｍｍに調節した。更に真空容器の内部の底面付近であって、第１基板１２に垂直な中心線を中心とした円の中心に１個のボート６３を配置した。続いて真空容器の内部を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．０２Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で第１基板１２を回転させながら基板の温度を５０℃に保持した。次いで、抵抗加熱によりるつぼ内を所定の温度に上昇させて蛍光体を蒸着開始したのち第１基板１２の温度を２００℃まで上昇させ、シンチレータ層（蛍光体層（ＣｓＩ：０．８Ｔｌモル％））１３の膜厚が表１に示すそれぞれのシンチレータ層膜厚となったところで蒸着を終了させた。
【０１８０】
（シンチレータパネル１０の製作）
蒸着が終了し、第１基板１２にシンチレータ層１３が形成されたシンチレータプレート１０Ａを４３０．０ｍｍ×４３０．０ｍｍの四角形状に断裁した。次に、ホットメルトシート（４２９．５ｍｍ×４２９．５ｍｍ  厚さは５０μｍ、エチレン酢酸ビニル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂として、ヒロダイン７５４４（ヒロダイン工業製）を使用）により、第２基板１１としてのガラス基板（４２９．０ｍｍ×４２９．０ｍｍ、厚さは０．５ｍｍ  端部の全周にわたって丸み（Ｒ）をつけてある）を密着、接合させた。
【０１８１】
その後、シンチレータプレート１０Ａを含めた全体を図１に示すように保護層１４としてのフィルムで包み込むように封止することによりシンチレータパネル１０を製作した。
【０１８２】
〈センサーパネル２０の製作〉
厚さ０．７ｍｍのガラス基板上の４３０ｍｍ×４３０ｍｍの領域に、アモルファスシリコンからなるフォトダイオード（光電変換素子）、ＴＦＴ、及びＡｌの配線からなる、画素サイズ１６０μｍ×１６０μｍの画素を２次元的に配置して受光部を設けた。また、ガラス基板の周囲の領域には、受光部から読み出される光電変換情報を読み出すＩＣ等の配線部材と電気的に接続するための、Ａｌの取り出し配線、及び配線接続部を設けた。その後ＳｉＮからなるセンサー保護層及びポリイミドからなるパッシベーション膜を配線接続部が形成された領域を除いて形成し、センサーパネル２０を得た。
【０１８３】
〈撮像パネル５１の製作）
上記製作したシンチレータパネル１０とセンサーパネルとを接合して撮像パネル５１を製作した。接合は、図６に示すように、シンチレータパネル１０の保護層１４外面とセンサーパネル２０の隔膜２０ａ外面とをホットメルトシート２００により行った。
【０１８４】
（接着剤層２００）
シンチレータパネル１０とセンサーパネル２０を、ホットメルトシート２００を用いて接着し撮像パネル５１を製作した。
【０１８５】
ホットメルトシート２００としてはヒロダイン７５４４（ヒロダイン工業製）を使用、膜厚及び膜厚分布は表１に示す。なお、ホットメルトシート２００の膜厚分布を調整するためには、ホットメルトシートを製作するために用いるダイコータのスリットの研磨条件の調整、及びホットメルトシートを平坦化処理する際の温度、圧力条件を調整することで行った。（平坦化処理時の温度、圧力を増加させることで膜厚分布は減少する）。
【０１８６】
製作された撮像パネル５１を放射線画像検出装置１００に組み込、放射線画像検出装置１００を完成させた。
【０１８７】
〈接着剤層の膜厚分布算出〉
接着剤層の膜厚分布は、シンチレータパネル上で縦、横を１０分割し生成した１００区画で膜厚を測定し、各測定区画における膜厚から求めた平均膜厚Ｔａｖ、膜厚の最大値Ｔｍａｘ、膜厚の最小値Ｔｍｉｎ、を求めて下記式により算出した。
【０１８８】
膜厚分布＝（Ｔｍａｘ−Ｔｍｉｎ）／Ｔａｖ×１００（％）
〈評価〉
（接着性の評価）
シンチレータパネルとセンサーパネルを接着して作成した撮像パネルに繰り返し振動を与えた後、目視によってシンチレータパネルの蛍光体層の剥離状況を評価した。全く剥離の発生のないものを５、全面にわたって剥離の発生しているものを１とし、５段階で評価した。
【０１８９】
（画像ムラの評価）
シンチレータパネルとセンサーパネルを接着してセットした後、８０ｋＶのＸ線を照射し、初期画像を得た。
【０１９０】
次に、撮像パネルをセットした放射線検出装置をサイクルサーモに入れ、０℃から６０℃を１ｃｙｃｌｅとして、１００ｃｙｃｌｅの温度変動を与えた。更に放射線検出装置を緩衝材で巻き、１００ｃｍの高さより５回落下させた。
【０１９１】
その後、８０ｋＶのＸ線を照射して、画像を得て、初期の画像より増加した欠陥数、画像ムラを下記の５段階で目視評価した。
【０１９２】
画像ムラ
１：ムラが多く、使用できない
２：ムラが多い
３：ムラが見える
４：ムラがあるが、わかりにくい
５：ムラがない、もしくはわからない。
【０１９３】
（鮮鋭性の評価）
鉛製のＭＴＦチャートを通して管電圧８０ｋＶｐのＸ線をＦＰＤの放射線入射面側に照射し、画像データを検出しハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の記録をコンピュータで分析して当該ハードディスクに記録されたＸ線像の変調伝達関数ＭＴＦ（空間周波数１サイクル／ｍｍにおけるＭＴＦ値）を鮮鋭性の指標とした。ＭＴＦ値が高いほど鮮鋭性に優れていることを示す。ＭＴＦはＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎの略号を示す。
【０１９４】
評価は、ＭＴＦ値を指標として、ＭＴＦ値を５段階に区分して評価値とした。予め実験により設定した、実用可能な最低ＭＴＦ値と最高レベルのＭＴＦ値の間を３段階に区分して、実用可能な最低段階を評価値３とし、ＭＴＦ値が高い方向に、実用レベルを評価値３〜５とした。また、実用可能な最低ＭＴＦ値未満のものは、２段階に区分して、ＭＴＦ値が小さい方向に評価値２〜１とした。従って、評価値が大きいほど、鮮鋭性に優れる。従って、評価値１及び２は、実用レベルに到達しないものである。
【０１９５】
〈結果〉
結果を、表１に示す。
【０１９６】
【表１】
2011033562.tif 000003
【０１９７】
表１に示すように、本発明により、接着性、鮮鋭性に優れ、画像ムラが抑制された放射線画像検出装置を提供することができる。
【符号の説明】
【０１９８】
１０  シンチレータパネル
１１  第２基板
１２  第１基板
１３  蛍光体層
１４  保護層
１５  反射層
１６  中間層
１７  下引き保護層
１８  接着剤層
２０  センサーパネル
５１  撮像パネル
５２  制御部
５３  メモリ部
５４  電源部
５５  筐体
５６  コネクタ
５７  操作部
５８  表示部
６１  蒸着装置
６２  真空容器
６３  ボート
６４  基板ホルダ
６５  回転機構
６６  真空ポンプ
１００  放射線画像検出器
２００  接着剤層（ホットメルトシート）
【図１】
2011033562.tif 000004
【図２】
2011033562.tif 000005
【図３】
2011033562.tif 000006
【図４】
2011033562.tif 000007
【図５】
2011033562.tif 000008
【図６】
2011033562.tif 000009
【図７】
2011033562.tif 000010