(57)【要約】【課題】水素ラジカル大気における反射コーティングのシリサイド化に関連する欠点を伴わずに、効率的および製造が容易であるＥＵＶスペクトル純度フィルタを提供する。【解決手段】透過型スペクトル純度フィルタは、極端紫外線を透過させるように構成されている。スペクトル純度フィルタは、極端紫外線を透過させ、かつ第２のタイプの放射の透過を抑制するために複数のアパーチャを有するフィルタ部分を含む。アパーチャは、異方性エッチングプロセスによってシリコンなどのキャリア材料において製造されてもよく、またＭｏ金属、Ｒｕ金属、ＴｉＮまたはＲｕＯなどの反射層によって頂部が覆われてもよい。窒化珪素Ｓｉ３Ｎ４または二酸化珪素ＳｉＯ２などの拡散バリア層は、高温下における金属の拡散およびシリサイド化を防ぐために金属と半導体との間に設けられる。【選択図】図１０
2011014899.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外線を透過させるスペクトル純度フィルタであって、前記スペクトル純度フィルタは、
極端紫外線を透過させ、かつ第２のタイプの放射の透過を抑制するために複数のアパーチャを有するフィルタ部分を含んでおり、前記フィルタ部分はキャリア材料を含み、前記スペクトル純度フィルタは、その表面の少なくとも一部に前記第２のタイプの放射に対して不透明である材料層が設けられており、異なる材料のバリア層が、前記不透明材料と前記キャリア材料との間に設けられ、それによって高温下における前記不透明材料への前記キャリア材料の拡散を阻止する、スペクトル純度フィルタ。
【請求項２】
前記フィルタ部分は略平面フィルタ部分であり、前記複数のアパーチャは、第２のタイプの放射の透過を抑制する一方、前面に入射する前記極端紫外線を透過させるために前記フィルタ部分の前面から後面へと延在し、前記バリア層および前記不透明材料は、前記アパーチャ間の少なくとも前記前面上に設けられる、請求項１に記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項３】
前記反射材料は、前記アパーチャの側壁に沿って少なくとも約１μｍ延在する、請求項２に記載のフィルタ。
【請求項４】
前記バリア層の材料は、前記不透明材料が設けられていないエリアを含む前記キャリア材料の実質的に表面全体にわたって延在する、請求項１または２に記載のフィルタ。
【請求項５】
前記バリア層は、二酸化珪素ＳｉＯ２、窒化珪素Ｓｉ３Ｎ４および炭化ホウ素Ｂ４Ｃのうちの少なくとも部分的に１つを含む、請求項１、２または３に記載のフィルタ。
【請求項６】
前記バリア層は、少なくとも部分的にＳｉＯ２を含む、請求項５に記載のフィルタ。
【請求項７】
前記バリア層は、少なくとも部分的にＳｉ３Ｎ４を含む、請求項５に記載のフィルタ。
【請求項８】
極端紫外線を含む放射を生成する放射源と、
前記放射を放射ビームへと調整する照明システムと、
前記放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスを支持するサポートと、
ターゲット材料上にパターン付けされた放射ビームを投影する投影システムと、
請求項１〜８のいずれかによるスペクトル純度フィルタとを含む、リソグラフィ装置。
【請求項９】
前記放射源は燃料デリバリシステムおよびレーザ放射源を含んでおり、前記レーザ放射源は、前記極端紫外線の生成のために前記燃料デリバリシステムによって送られるプラズマ燃料材料を含むターゲット上に赤外波長の放射を送り、それによって前記放射源は、前記スペクトル純度フィルタに向かって極端紫外線および赤外線の混合物を放出する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記バリア層の前記材料が前記フィルタ部分の実質的に前記表面全体にわたって延在する一方、前記アパーチャ間の前記フィルタ部分の前面には、第２波長の反射を高めるために金属層の形態を有する前記不透明材料が設けられる、請求項８または９に記載の装置。
【請求項１１】
極端紫外線を透過させる透過型スペクトル純度フィルタを製造する方法であって、前記方法は、
グリッド状フィルタ部分を形成するために異方性エッチングプロセスを用いてキャリア材料を含む基板に複数のアパーチャをエッチングすることであって、前記アパーチャは、抑制される第２放射の波長より小さいまたは同等である一方、前記極端紫外線の波長よりかなり大きい直径を有する、ことと、
前記キャリア材料の前記表面の少なくとも一部にわたって拡散バリア材料層を設けることと、
前記第２放射に対して不透明である材料層を前記拡散バリア層の少なくとも一部の上に設けることであって、前記拡散バリア層は、前記フィルタ部分の前記キャリア材料と前記不透明材料層との間の材料の拡散を防ぐために高温下において効果的である、こととを含む方法。
【請求項１２】
前記拡散バリア層の前記材料は、前記不透明材料が設けられていない前記キャリア材料の部分にわたって設けられている、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記不透明層材料は、前記フィルタ部分の前面から各側壁の少なくとも一部の下方に延在する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記不透明層は、モリブデンまたはタングステンを含む、請求項１１、１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記キャリア材料としてエッチストップ層を有する半導体基板を提供することと、
前記アパーチャが前記エッチストップ層に届くように前記半導体基板を通ってエッチングするために前記異方性エッチングプロセスを使用することと、
続いて前記エッチストップ層を除去することと
を含む、請求項１１〜１４のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、スペクトル純度フィルタ、当該スペクトル純度フィルタを含むリソグラフィ装置およびスペクトル純度フィルタを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、スキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  パターンプリンティングを限定する重要な要素は、使用される放射の波長λである。さらに小さな構造を投影できるようにするためには、１０〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である極端紫外線（ＥＵＶ）を使用することが提案されている。さらに、１０ｎｍより小さい波長、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといったように５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有するＥＵＶ放射が使用されてもよいことが提案されている。このようなＥＵＶ放射を軟Ｘ線と呼ぶことがある。可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が挙げられる。
【０００４】
[0004]  スズ（Ｓｎ）プラズマに基づくＥＵＶ源は、所望の帯域内ＥＵＶ放射のみではなく、帯域外放射、特に深ＵＶ（ＤＵＶ）範囲（１００〜４００ｎｍ）内の放射も放出する。さらに、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）ＥＵＶ源の場合、通常１０．６μｍのレーザからの赤外放射は、かなりの量の望ましくない放射を表す。ＥＵＶリソグラフィシステムの光学系は通常この波長においてかなりの反射率を有するため、何らかの手段がとられない場合、望ましくない放射はかなりの力を有してリソグラフィツールへと伝搬する。
【０００５】
[0005]  リソグラフィ装置においては、帯域外放射はいくつかの理由により最小化されるべきである。第１に、レジストは帯域外波長に対して敏感であり、よって画像品質が低下し得る。第２に、望ましくない放射、特にＬＰＰ源における１０．６μｍの放射は、マスク、ウェーハおよび光学系の望ましくない加熱へと繋がる。望ましくない放射を特定の範囲内とするために、スペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）が展開されている。
【０００６】
[0006]  スペクトル純度フィルタは、ＥＵＶ放射に対して反射型または透過型のいずれかであってよい。反射型ＳＰＦの実施は、典型的には、既存のミラーの変形または追加の反射要素の挿入を必要とする。透過型ＳＰＦは、典型的には、コレクタとイルミネータとの間に配置され、原理上、少なくとも放射経路に影響を与えない。これは、他のＳＰＦに対する順応性および適合性という結果となるため、利点になり得る。
【０００７】
[0007]  グリッドＳＰＦは、望ましくない放射がＥＵＶ放射よりかなり大きい波長を有する場合、例えばＬＰＰ源における１０．６μｍの放射であった場合に使用され得る一組の透過型ＳＰＦを形成する。グリッドＳＰＦは、抑制される波長程度のサイズを有するアパーチャを含む。抑制メカニズムは、従来技術および本明細書中の詳細な実施形態においてさらに説明されるように、種々のタイプのグリッドＳＰＦの間で異なり得る。ＥＵＶ放射の波長（１３．５ｎｍ）はアパーチャのサイズ（典型的には、＞３μｍ）よりかなり小さいため、ＥＵＶ放射は実質的な回折なしにアパーチャを通過する。
【０００８】
[0008]  いくつかの従来のスペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）は、望ましくない放射を抑制するためにミクロンサイズのアパーチャを有するグリッドに基づく。米国特許出願公開第２００６／０１４６４１３号は、２０μｍまでの直径を有するアパーチャアレイを含むスペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）を開示している。放射波長と比較したアパーチャのサイズによって、ＳＰＦは、異なるメカニズムによって望ましくない放射を抑制し得る。アパーチャサイズが（望ましくない）波長の約半分より小さい場合、ＳＰＦはこの波長の実質的に全ての放射を反射する。アパーチャサイズはより大きいが依然として波長程度であった場合、放射は少なくとも部分的に回折されてアパーチャ内の導波管で吸収され得る。
【０００９】
[0009]  これらのＳＰＦに対するおよその材料パラメータおよび仕様は周知である。しかしながら、これらの仕様における製造は簡単ではない。最も難しい仕様は、典型的には直径４μｍのアパーチャ、典型的には５〜１０μｍのグリッドの厚さ、および最大ＥＵＶ透過を確実にするためにアパーチャ間の非常に薄くて（典型的には＜１μｍ）平行な（先細りではない）壁である。
【００１０】
[0010]  シリコン（Ｓｉ）は、半導体製造によってよく理解されているフォトリソグラフィ・パターニングおよび異方性エッチングプロセスを用いて、このようなグリッドの製造のための有望な材料として現れた。十分に制御された断面を有する深いアパーチャに対しては、もちろん課題は残るが、ディープリアクティブイオンエッチング（ＤＲＩＥ）が有望なものとして見出された。２００８年１２月２２日に出願された米国仮特許出願第６１／１９３，７６９号は、本発明において適用可能である様々な製造方法を開示している。その出願の内容は本明細書中に参考により援用される。
【００１１】
[0011]  シリコンがＳＰＦの製造に対して有望な材料である一方、実際のＥＵＶリソグラフィ装置における汚染管理に関連する様々なメカニズムは水素（特に水素ラジカル（原子Ｈ））を大気に解放する。本発明者は、これらのラジカルがＳｉフィルタ材料を分解し、さらに、一層悪いことであり得るが、汚染を照明システム内の重要な光学表面へと運び得ることを発見した。ＥＵＶ投影のための最も良い反射要素でさえも、より知られている光学システムと比較して低い割合の放射を反射する。退化はリソグラフィ装置の収率を著しく限定する。フィルタは、様々な放射波長からの熱影響に耐える必要がある。
【００１２】
[0012]  米国特許第７，０３１，５６６Ｂ２号は、「マクロ孔質シリコン」からなるＵＶ放射に対するフィルタを開示しており、ここで孔は、ウェーハ材料の厚さｔよりかなり小さい直径ｄを有する。スペクトルフィルタまたは他の用途の両方としての構造を製造するための多数の従来技術が検討された。米国特許第７，０３１，５６６Ｂ２号は、所望の波長の導波のための孔の側壁上にＳｉＯ２の透明コーティングを適用することを提案している。分析機器における使用のために２００〜４００ｎｍの通過帯域波長が言及されており、孔は約１μｍの直径および約５０μｍの深さを有する。米国特許第７，０３１，５６６Ｂ２号の明細書は適所に「極端ＵＶ」に言及するが、これは定義されておらず、挙げられた例は本出願に対して考慮されたサブ２０ｎｍの範囲にはない。導波路材料ＳｉＯ２は、次世代フォトリソグラフィについて言及されているＥＵＶ波長では透明ではない。
【００１３】
[0013]  典型的な動作状態の下ではかなりの量の力がスペクトル純度フィルタに入射し、よってフィルタは非常に高温になり得る。高温安定性を試験するために、本発明者は試作フィルタ（モリブデンまたはシリコン）を２４時間の間オーブンで８００℃にまで加熱した。グリッド構造自体はそのまま残り、またグリッドはほとんどの赤外放射を依然として遮断したが、本発明者は赤外透過においてわずかな増加を発見した。サンプルの詳細な分析は、モリブデンおよびシリコンが拡散して表面上にモリブデンおよびシリコンの両方（おそらく、モリブデンシリサイド）の混合層が形成されることを明らかにした。このシリサイド層は、ＩＲ放射を遮断することに関してオリジナル金属層と比較してあまり効果的ではなかった。さらに、本発明者は、このシリサイド層の吸収がさらに高くなり得ることを予測しており、これはより高いグリッド温度およびより早いシリサイド化という結果となる。したがって、この珪化物形成は、望ましくは、スペクトル純度フィルタの性能および寿命の両方を改善するために回避されたい。
【発明の概要】
【００１４】
[0014]  水素ラジカル雰囲気における反射コーティングのシリサイド化に関連する欠点を伴わずに、効率的および製造が容易であるＥＵＶスペクトル純度フィルタを提供することが本発明の一態様である。
【００１５】
[0015]  本発明の一態様によると、極端紫外線（λ＜２０ｎｍ）を透過させるスペクトル純度フィルタが提供される。当該フィルタは、極端紫外線を透過させ、かつ第２のタイプの放射の透過を抑制するために複数のアパーチャを有するフィルタ部分を含んでおり、フィルタ部分はシリコンなどのキャリア材料を含んでいる。任意選択として、フィルタ部分は約２０μｍより小さい厚さを有する。スペクトル純度フィルタには、その表面の少なくとも一部に第２のタイプの放射に対して不透明である材料層が設けられている。第２のタイプの放射に対して不透明である材料層は、フィルタ部分のキャリア材料の表面に設けられてもよい。この文脈における不透明とは、反射および／または吸収材料を含む。反射材料を選択することは、通常望ましいことである基板の加熱の減少を行う。層は、保護の範囲の限定を意図することなく、以下の例では反射層として言及される。不透明材料は、特に、第２のタイプの放射を反射するモリブデン（Ｍｏ）金属などの金属であってよい。バリア層が、不透明材料とキャリア材料との間に設けられ、それによって高温下における反射材料へのキャリア材料の拡散を阻止する。例えばグリッド状構造は、複数のアパーチャを有する略平面フィルタ部分を含んでおり、各アパーチャはフィルタ部分の前面から後面へ完全にまたは大幅に延在する側壁によって画定される。反射層は、前面の上に延在してもよく、好ましくは、アパーチャ側壁を部分的に下方に延在してもよい。キャリア材料は半導体であってもよい。
【００１６】
[0016]  典型的には、各アパーチャの直径は約２μｍより大きく、例えば約２μｍから約１０μｍの範囲内である。アパーチャは、約２μｍから約６μｍの範囲内の周期を有してもよい。フィルタは一体型のフィルタホルダを含んでもよい。
【００１７】
[0017]  バリア層は、コーティングとして適用されてもよく、または下層の半導体の変形によって形成されてもよい。例示的材料としては、窒化珪素Ｓｉ３Ｎ４、二酸化珪素ＳｉＯ２、炭化ホウ素Ｂ４Ｃおよび炭化珪素ＳｉＣが挙げられる。製造の容易さおよび反射コーティングなどの他の材料との適合性によって、フィルタの異なる部分を保護するために異なる材料を使用してもよい。バリア層材料は、水素耐性材料（半導体材料より水素ラジカルに対してかなり多くの抵抗力を有するあらゆる材料として規定される）としても機能するように選択され得る。この目的のためのバリア層は、反射層の下のみではなく、フィルタ部分全体にわたって延在してもよい。
【００１８】
[0018]  スペクトル純度フィルタは、第２のタイプの放射の透過を抑制する一方、極端紫外線を透過させるためにフィルタ部分の前面から後面へと延在する複数のアパーチャを有するフィルタ部分を含む透過型であってもよい。フィルタ部分の平面における各アパーチャの寸法は、約２μｍより大きくてもよく、例えば約１．５μｍから約１０μｍの範囲内、約１．５μｍから約４μｍの範囲内、または約２μｍから約３μｍの範囲内であってもよい。このサイズは対象となるＥＵＶ波長よりかなり大きいが、例えば抑制される遠赤外線の波長とは同等である。水素耐性材料は、アパーチャの内側壁ならびに前面および／または後面を覆ってもよい。
【００１９】
[0019]  スペクトル純度フィルタは、シリコン（Ｓｉ）を含む約１０μｍの厚さを有するフィルタ部分を含んでもよく、フィルタ部分には複数のアパーチャを含み、各アパーチャは実質的に垂直の壁によって画定される。
【００２０】
[0020]  本発明の一実施形態によると、極端紫外線を含む放射を生成するように構成された放射源と、放射を放射ビームへと調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートとを含むリソグラフィ装置が提供される。パターニングデバイスは、放射ビームをパターン付けするように構成されている。当該装置は、ターゲット材料上にパターン付けされた放射ビームを投影するように構成された投影システムと、極端紫外線を他の放射からフィルタするように構成されたスペクトル純度フィルタをも含む。スペクトル純度フィルタは、シリコンなどのキャリア材料において製造されるグリッド状構造を含んでおり、その表面の少なくとも一部に前記第２のタイプの放射を反射するＭｏ金属などの材料層が設けられている。バリア層が、反射材料と半導体材料との間に設けられ、それによって高温下における反射材料への半導体材料の拡散を阻止する。反射層は、前面にわたって延在してもよく、望ましくは、アパーチャ側壁の途中まで下方に延在する。
【００２１】
[0021]  本発明の一実施形態によると、透過型スペクトル純度フィルタを製造する方法であって、異方性エッチングプロセスを用いて半導体または他のキャリア材料に複数のアパーチャをエッチングしてグリッド状フィルタ部分を形成することと、その表面の少なくとも一部に第２のタイプの放射を反射するかまたは少なくとも不透明であるＭｏ金属などの材料層を設けることとを含み、異なる材料のバリア層が、反射材料と半導体材料との間に設けられ、それによって高温下における反射材料への半導体材料の拡散を阻止する、方法が提供される。
【００２２】
[0022]  バリア層を設けることは、異なる材料をフィルタ部分の半導体材料上に直接堆積させること、前駆体材料を堆積させて前駆体材料をバリア層材料に変化させるようにフィルタ部分を処理すること、および／または半導体材料をバリア層材料に変化させるようにフィルタ部分を処理することを含んでもよい。
【００２３】
[0023]  バリア層の材料は、フィルタ部分のキャリア材料を変化させることによって形成され得る。バリア層材料は、部分的にＳｉＯ２および／またはＳｉ３Ｎ４を含んでもよい。
【００２４】
[0024]  本発明の一実施形態によると、アパーチャの異方性エッチングは、ディープリアクティブイオンエッチングを用いてシリコン基板において行われてもよい。シリコン基板は約１０μｍの厚さを有しており、アパーチャは、約２μｍから約１０μｍ、例えば約２μｍから約４μｍの範囲内の直径を有する。
【００２５】
[0025]  さらなる態様によると、２つ以上のスペクトル純度フィルタおよびディフューザが設けられたフィルタシステムが提供される。これらのスペクトル純度フィルタのうちの１つ以上は、極端紫外線を透過させるように構成されてもよく、当該スペクトル純度フィルタは、極端紫外線を透過させ、かつ第２のタイプの放射の透過を抑制するために複数のアパーチャを有するフィルタ部分を含んでおり、フィルタ部分はキャリア材料を含んでいる。スペクトル純度フィルタは、その表面の少なくとも一部に第２のタイプの放射に対して不透明である材料層が設けられている。ディフューザは、第２のタイプの放射を再分配するように構成されてもよい。ディフューザは、第２のタイプの放射を再分配するように構成されたさらなるスペクトル純度フィルタであってもよい。ディフューザは、さらなるスペクトル純度フィルタであってもよい。任意選択として、異なる材料のバリア層は、不透明材料とキャリア材料との間に設けられ、それによって高温下における不透明材料へのキャリア材料の拡散を阻止する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
[0026]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００２７】
【図１】[0027]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0028]  図２は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置のレイアウトを示す。
【図３】[0029]  図３は、本発明の一実施形態によるスペクトル純度フィルタの正面図である。
【図４Ａ】[0030]  図４Ａは、水素耐性層の形成前の、スペクトル純度フィルタの製造プロセスの一実施形態の概略図を示す。
【図４Ｂ】[0030]  図４Ｂは、水素耐性層の形成前の、スペクトル純度フィルタの製造プロセスの一実施形態の概略図を示す。
【図４Ｃ】[0030]  図４Ｃは、水素耐性層の形成前の、スペクトル純度フィルタの製造プロセスの一実施形態の概略図を示す。
【図４Ｄ】[0030]  図４Ｄは、水素耐性層の形成前の、スペクトル純度フィルタの製造プロセスの一実施形態の概略図を示す。
【図４Ｅ】[0030]  図４Ｅは、水素耐性層の形成前の、スペクトル純度フィルタの製造プロセスの一実施形態の概略図を示す。
【図５】[0031]  図５は、本発明の一実施形態による、製造の中間ステージにおけるスペクトル純度フィルタの傾斜断面図のマイクロ写真画像である。
【図６】[0032]  図６は、図５のスペクトル純度フィルタにおける２つのアパーチャ間の壁のより詳細な画像である。
【図７】[0033]  図７は、本発明の一実施形態によるスペクトル純度フィルタの一部の上面図である。
【図８】[0034]  図８は、反射金属キャッピングを組み込むが拡散バリア層を有さないスペクトル純度フィルタの概略断面図である。
【図９】[0035]  図９は、本発明の一実施形態による、反射金属キャッピングおよび拡散バリア層を組み込むスペクトル純度フィルタの概略断面図である。
【図１０】[0036]  図１０は、本発明の一実施形態による、反射金属キャッピングおよび拡散バリア層を組み込むスペクトル純度フィルタの概略断面図である。
【図１１】[0037]  図１１は、図９のスペクトル純度フィルタの製造のための一タイプのプロセスを示す。
【図１２】[0038]  図１２は、図９のスペクトル純度フィルタの製造のための一タイプのプロセスを示す。
【図１３】[0039]  図１３は、スペクトル純度フィルタを含むシステムの変形を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
[0040]  図１は、リソグラフィ装置の主な特徴を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射源ＳＯおよび放射源から放射ビームＢ（例えば紫外線またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを備える。サポートＭＴ（例えば、マスクテーブル）は、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスクまたはレチクル）を支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されている。基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴは、基板Ｗ（例えば、レジストコート半導体ウェーハ）を保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めるように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている。投影システムＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている。
【００２９】
[0041]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００３０】
[0042]  サポートＭＴは、パターニングデバイスを支持する。サポートＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポートは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポートは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポートは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００３１】
[0043]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。
【００３２】
[0044]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。実用的な理由により、ＥＵＶリソグラフィに対する現行の提案は、図１に示すように、反射型パターニングデバイスを採用する。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００３３】
[0045]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。ＥＵＶまたは電子ビーム放射に対しては真空が使用されることが望ましい場合がある。というのは、他のガスは放射または電子を吸収しすぎてしまう場合があるからである。したがって、真空環境は、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に提供され得る。ＥＵＶに特有な例は、図２を参照して以下に説明している。
【００３４】
[0046]  本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。透過型材料は、ＥＵＶ波長に対して容易に利用可能ではない。したがって、ＥＵＶシステムにおける照明および投影のための「レンズ」は、通常、反射型であり、つまり曲面ミラーである。
【００３５】
[0047]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００３６】
[0048]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００３７】
[0049]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステム（図示せず）を使って送られる。その他の場合においては、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００３８】
[0050]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成された調節デバイス（アジャスタ）を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３９】
[0051]  放射ビームＢは、サポートＭＴ上に保持されているパターニングデバイスＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１（同様に、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサであってもよい）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めることもできる。
【００４０】
[0052]  通常、マスクサポートＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２位置決めデバイスＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポートＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００４１】
[0053]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００４２】
[0054]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００４３】
[0055]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００４４】
[0056]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスＭＡを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用する「マスクレスリソグラフィ」と呼ぶことができる。
【００４５】
[0057]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００４６】
[0058]  図２は、実用的なＥＵＶリソグラフィ装置の概略側面図を示す。図１に示す装置とは物理的構成は異なるが、動作の原理は類似していることに留意されたい。装置は、ソース−コレクタモジュールまたは放射ユニット３、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳを含む。放射ユニット３には放射源ＳＯが設けられており、この放射源ＳＯは、電磁放射スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するように非常に高温の放電プラズマが生成される、例えばＸｅガスあるいはＬｉ，ＧｄまたはＳｎ蒸気のようなガスまたは蒸気を使用し得る。放電プラズマは、放電の部分的にイオン化されたプラズマを光軸Ｏ上に崩壊させることによって生成される。１０Ｐａまたは０．１ｍｂａｒのＸｅ，Ｌｉ，Ｇｄ，Ｓｎ蒸気あるいは任意の他の適したガスまたは蒸気の分圧は、放射の効率的な生成のために望まれる場合がある。一実施形態では、ＥＵＶ源としてＳｎ源が適用される。
【００４７】
[0059]  このタイプの放射源に関する一例としては、ＣＯ２または他のレーザが燃料点火領域に誘導および合焦されるＬＰＰ源が挙げられる。このタイプの放射源の一部の詳細は、図面の左下部分に概略的に示される。点火領域７ａには、燃料デリバリシステム７ｂからプラズマ燃料、例えば溶融Ｓｎの小滴が供給される。レーザビームジェネレータ７ｃは、赤外波長、例えば１０．６マイクロメータまたは９．４マイクロメータの波長を有するＣＯ２レーザであってもよい。あるいは、他の適切なレーザ、例えばそれぞれ１〜１１マイクロメータの範囲内の波長を有するレーザが使用されてもよい。レーザビームとの相互作用の際、燃料小滴はプラズマ状態へと変化され、例えば６．７ｎｍの放射または５〜２０ｎｍの範囲から選択される他のあらゆるＥＵＶ放射を放出し得る。ここではＥＵＶが例として取り上げられているが、他の用途では異なるタイプの放射が生成されてもよい。プラズマで生成される放射は、ソース放射ビーム７ｅを生成するために楕円または他の適切なコレクタ７ｄによって集められる。
【００４８】
[0060]  放射源ＳＯによって放出される放射は、ソースチャンバ７から、ガスバリアまたは「フォイルトラップ」の形態を有する汚染物質トラップ９を介してコレクタチャンバ８へと送られる。これは以下にさらに説明する。図２の主要部を再び参照すると、コレクタチャンバ８は、例えば、いわゆるかすめ入射リフレクタの入れ子化されたアレイを含むかすめ入射コレクタである放射コレクタ１０を含んでもよい。この目的に適した放射コレクタは、従来技術により知られている。あるいは、装置は、放射を集光するために法線入射コレクタを含んでもよい。コレクタ１０から発散されるＥＵＶ放射ビームは、特定の角度の広がり、例えば光軸Ｏの両側に１０度ほどの広がりを有する。
【００４９】
[0061]  コレクタ１０を通過した放射は、本発明の実施形態によるスペクトル純度フィルタ１１を通過する。反射型格子スペクトル純度フィルタとは対照的に、透過型スペクトル純度フィルタ１１は放射ビームの方向を変えないことに留意されたい。フィルタ１１の実施形態を以下に説明する。
【００５０】
[0062]  放射は、コレクションチャンバ８内のアパーチャから仮想源点１２（すなわち、中間焦点）に合焦される。放射ビーム１６は、チャンバ８から照明システムＩＬ内で法線入射リフレクタ１３および１４を介してレチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスクへと反射される。パターン付けされたビーム１７が形成され、投影システムＰＳによって反射要素１８および１９を介してウェーハＷが取り付けられたウェーハステージまたは基板テーブルＷＴ上へと結像される。示されたものより多いエレメントが照明システムＩＬおよび投影システムＰＳの中に通常存在してもよい。反射要素１９のうちの１つは、その前にＮＡディスク２０を有しており、ＮＡディスク２０はそこを通るアパーチャ２１を有する。アパーチャ２１のサイズは、ビームが基板テーブルＷＴに当たる時にパターン付けされた放射ビーム１７によって定められる角度αｉを決定する。
【００５１】
[0063]  図２は、コレクタ１０の下流および仮想源点１２の上流に位置決めされたスペクトル純度フィルタ１１を示す。示されていないが別の実施形態では、スペクトル純度フィルタ１１は、仮想源点１２に位置決めされてもよく、またはコレクタ１０と仮想源点１２との間のあらゆる箇所に位置決めされてもよい。
【００５２】
[0064]  ガスバリアは、本明細書に参考により援用される例えば米国特許第６，６１４，５０５号および米国特許第６，３５９，９６９号に詳細に説明されるチャネル構造を含む。この汚染物質トラップの目的は、光学システムのエレメント上に衝突する燃料材料または副生成物の入射、および時間にわたるその性能の低下を防ぐか、または少なくとも減少させることである。これらのエレメントは、コレクタ１０を含む。図２の左下に詳細に説明されるＬＰＰ源の場合、汚染物質トラップは楕円コレクタ７ｄを保護する第１トラップ構成９ａを含み、さらに任意選択として図９ｂに示すような更なるトラップ構成を含む。ガスバリアは、汚染物質との化学的相互作用によって、および／または荷電粒子の静電または電磁偏向によって（流体逆流によって）物理的バリアとして機能することができる。実際、できる限り大きな範囲でプラズマ材料を遮断する一方、照明システムへの放射の移動を可能とするためにこれらの方法の組み合わせが採用されてもよい。上記の米国特許で説明したように、Ｓｎまたは他のプラズマ材料を化学修飾するために特に水素ラジカルが注入されてもよい。
【００５３】
[0065]  水素ラジカルは、Ｓｎおよび光学面上に既に堆積し得る他のものの洗浄のために適用されてもよい。さらに、水素ガスは、システム内のより大きな真空空間へと入るウェーハからの汚染物質に対するバッファとして、ウェーハサポートＷＴの付近に展開されてもよい。真空環境では、フォトレジストは（サポートおよび位置決めシステムのコンポーネントは言及しないが）、時間にわたって光コンポーネントを汚染し得る有機および他のガス状材料を解放する傾向がある。
【００５４】
[0066]  これらの全ての目的のために、水素源ＨＳは、水素ガスを各汚染物質トラップ構成９ａおよび９ｂに供給するために配置され、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳのチャンバへの出口に配置されて示されている。他のものがＨラジカルを生成する一方、一部の放射源は、単一のバッファとして水素分子ガス（Ｈ２）を供給し得る。真空環境に浸透する水素分子は、環境における放射、放電等によってラジカル化され得る。
【００５５】
[0067]  図３は、例えばリソグラフィ装置の上記のフィルタ１１として適用することができるスペクトル純度フィルタ１００の一実施形態の概略正面図である。本フィルタ１００は、極端紫外線（ＥＵＶ）を透過させるように構成されている。更なる実施形態では、フィルタ１００は、放射源によって生成される第２のタイプの放射、例えば赤外（ＩＲ）放射（例えば、約１μｍより大きい、特に１０μｍより大きい波長の赤外放射）を実質的に遮断する。特に、透過されるＥＵＶ放射および（遮断される）第２のタイプの放射は、同じ放射源、例えばリソグラフィ装置のＬＰＰ源ＳＯから発散することができる。
【００５６】
[0068]  記述される実施形態におけるスペクトル純度フィルタ１００は、略平面フィルタ部分１０２Ｆ（例えば、フィルタ膜またはフィルタ層）を含む。このようなフィルタ部分１０２Ｆは、「フィルタ基板」と呼ぶことができる。フィルタ部分１０２Ｆは、極端紫外線を透過させ、かつ第２のタイプの放射の透過を抑制するために複数（好ましくは平行の）アパーチャ１０４を有する。放射源ＳＯから放射が衝突する面を前面と呼ぶ一方、放射が照明システムＩＬへと出る面を後面と呼ぶことができる。上述したように、例えば、ＥＵＶ放射は、放射の方向を変化することなくスペクトル純度フィルタによって透過される。一実施形態では、各アパーチャ１０４は、異方性エッチングプロセスによって製造されており、かつアパーチャ１０４を画定して前面から後面へと完全に延在する平行側壁を有する。
【００５７】
[0069]  図４Ａ〜図４Ｅは、フィルタ部分１０２Ｆを製造するための例示的プロセスにおけるステップを示す。このプロセスを以下に簡潔に説明する一方、更なる詳細は上記の２００８年１２月２２日に出願された同時係属中の米国仮特許出願第６１／１９３，７６９号から見出すことができる。例えば、フィルタ１００は、独立型（freestanding）の薄膜のシリコン（Ｓｉ）１０２Ｆおよび略垂直（すなわち、膜表面に対して垂直である）側壁１０６を有するアパーチャ１０４アレイを含んでもよい。アパーチャ１０４の直径は、ＥＵＶ放射が実質的な回折を伴わずにスペクトル純度フィルタ１００を通り抜けることを可能とするために、望ましくは約１００ｎｍより大きい、さらに望ましくは約１μｍより大きい。アパーチャ１０４は、円形断面を有するように概略的に示されているが（図３）、他の形状も可能であり、かつ望まれてもよい。機械的安定性の観点から、例えば六角形のアパーチャ（図４Ｅ、図５、図６および図８を参照）が有利であり得る。フィルタ１００によって抑制される波長は、透過されるＥＵＶ波長の少なくとも１０ｘであってもよい。特に、フィルタ１００は、（約１００〜４００ｎｍの範囲内の波長を有する）ＤＵＶ放射および／または１μｍより大きい（例えば、１〜１１ミクロンの範囲内）の波長を有する赤外放射の透過を抑制するように構成されている。
【００５８】
[0070]  本発明のさらに特定の実施形態によると、スペクトル純度フィルタ１００は、以下に簡潔に説明する異方性エッチング方法（適切な例としてはディープリアクティブイオンエッチング（ＤＲＩＥ）の技術が挙げられる）を用いて製造されてもよい。ＤＲＩＥは、いわゆるボッシュ法を用いてＳｉにおける垂直エッチプロファイルの製造を可能にする高異方性エッチ率を有するエッチング法である。これは、例えば、Ｓ．Ｔａｃｈｉ，Ｋ．Ｔｓｕｊｉｍｏｔｏ，Ｓ．ＯｋｕｄａｉｒａによるＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５２（１９８８），６１６の「Ｌｏｗ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ  ａｎｄ  ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  ｐｌａｓｍａ  ｅｔｃｈｉｎｇ  ｏｆ  ｓｉｌｉｃｏｎ」に記載されている。ボッシュ法は、Ｓｉ表面をＳＦ６プラズマおよびフルオロカーボン（例えばＣ４Ｆ８）プラズマへ交互にさらすことからなる。第１のステージでは、シリコンはほぼ等方方法でエッチングされる一方、第２ステージでは、エッチングされたプロファイルは不活性化層によって覆われる。次のエッチングでは、この不活性化層は主にイオン衝撃によって好ましくは底部が開放され、エッチングは再び開始する。エッチ／不活性化サイクルの繰り返しにより、エッチングは、横の広がりを伴わずに層ごとにシリコン表面へと下方に進む。
【００５９】
[0071]  フィルタ製造方法の一実施形態は、（ｉ）アパーチャパターンのハードマスクを独立型Ｓｉ薄膜の上に適用することと、（ｉｉ）Ｓｉ膜全体を垂直に通ってアパーチャパターンをディープリアクティブイオンエッチングすることとを含む。製造方法の別の実施形態は、（ｉ）アパーチャパターンのハードマスクをＳｉ表面を有する基板上に適用することと、（ｉｉ）アパーチャパターンをＳｉ表面へと所望の深さまで垂直にディープリアクティブイオンエッチングすることと、（ｉｉｉ）エッチングされたアパーチャの下の基板の一部を除去することとを含む。
【００６０】
[0072]  ここで図４Ａを参照すると、例示的な製造方法は、シリコンからなる平面基板１０２から始まる。基板１０２の厚さＴＷは、初めは、フィルタ部分１０２Ｆに対して要望される厚さＴＨよりかなり大きい。
【００６１】
[0073]  開始材料１０２は、ＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）ウェーハ、例えば、（例えば、酸素イオン注入によって）特定の深さに埋められた酸化物層１０２Ｓを有する（結晶）Ｓｉウェーハを含んでもよい。したがって、ＳＯＩウェーハ１０２は、Ｓｉトップ層（膜）１０２Ｆ、ＳｉＯ２中間層１０２ＳおよびＳｉボトム層１０２Ｂからなる。例えば、ウェーハの厚さＴＷは、１ｎｍより小さく、例えば６７０ミクロンであってもよい。
【００６２】
[0074]  図４Ｂは、ＤＲＩＥを用いた結果を示しており、ここでは（六角形のアパーチャの）アパーチャパターンは（前面側から）Ｓｉ層の頂部にエッチングされ、厚さＴＨのフィルタ部分１０２Ｆを提供する。ＳｉＯ２層１０２Ｓは、エッチストップとして機能する。
【００６３】
[0075]  次に、アパーチャパターン１０４の下で延在するＳｉボトム層１０２Ｂの少なくとも一部は、ＫＯＨエッチを用いてエッチングされる。好ましくは、ボトム層１０２Ｂの一部は、フィルタホルダ１０２Ｃのそれぞれの（下方）部分を提供するために残されたままである。結果は図４Ｃに示される。また、ＳｉＯ２層はエッチストップとして機能することができる。
【００６４】
[0076]  最後に、ＳｉＯ２は、緩衝酸化物エッチを用いて除去することができ、その結果は図４Ｄに示される。さらにこの場合、好ましくは、エッチストップ層１０２Ｓの少なくとも一部のみが除去されてアパーチャ１０４が開口される。ここで、ボトム層１０２Ｓの残部は、フィルタホルダ１０２Ｃのそれぞれの部分を提供するために残されたままである。
【００６５】
[0077]  図４Ｃ〜図４Ｄによると、望ましくは、フィルタ１００には、アパーチャ１０４を有するフィルタ部分１０２Ｆの外側にあるフィルタホルダ１０２Ｃが設けられる。例えば、フィルタホルダ１０２Ｃは、フィルタ部分１０２Ｆを囲うように構成されてもよい。好ましくは、フィルタホルダ１０２Ｃは、（本実施形態では中心の）フィルタ部分１０２Ｆより実質的に厚い。例えば、（アパーチャ１０４と平行方向で測定された）ホルダ１０２Ｃの厚さは、２０ミクロンを超えてもよく、例えば少なくとも０．１ｍｍである。
【００６６】
[0078]  本フィルタホルダ１０２Ｃは、フィルタ１００の一体部分であり、実質的にはフィルタ部分（半導体）材料からなる。例えば、フィルタホルダ１０２Ｃは、フィルタ部分１０２Ｆを囲うフレーム１０２Ｃであってもよい。本例では、フィルタホルダ１００Ｃは、（それぞれの基板材料に「埋められる」）エッチストップ層の一部およびフィルタ部分１０２Ｆより実質的に厚いサポート部分１０２Ｄを依然として含む。本例では、フィルタ部分１０２Ｆおよびサポート層１０２Ｄは、同じ材料からなる。
【００６７】
[0079]  図４Ｅは、再度前面から見た状態で、基板層１０２Ｆにおける六角形のアパーチャ１０４の一部を概略的に示す。矢印Ｑ１は、フィルタアパーチャ１０４間の壁の厚さＱ１を示す。矢印Ｑ２は、アパーチャの周期を示す。厚さＱ１は、本製造方法の適用により比較的小さくてもよい。さらに、フィルタ部分１０２Ｆの壁の（最密）六角構造は、非常に耐久性のある開放構成である。
【００６８】
[0080]  有利には、アパーチャのアスペクト比を十分低く保ち、それによってかなりの角度の広がりを有するＥＵＶ透過を可能とするために、ＥＵＶ放射は、好ましくは比較的薄いフィルタ１００を利用して、アパーチャ１０４を直接通過する。フィルタ部分１０２Ｆの厚さＴＨ（すなわち、各々のアパーチャ１０４の長さ）は、例えば約２０μｍより小さい（例えば約２μｍ〜約１０μｍの範囲内、例えば約５μｍ〜約１０μｍの範囲内）。さらに、一実施形態によると、アパーチャ１０４の各々は、約１００ｎｍ〜約１０μｍの範囲内の直径を有し得る。望ましくは、各アパーチャ１０４は、約１．５μｍ〜約６μｍの範囲内、例えば約２μｍ〜約４μｍの範囲内の直径を有する。
【００６９】
[0081]  図４Ｅに示す正面詳細図を参照すると、フィルタアパーチャ１０４間の厚さＱ１は、約１μｍより小さくてもよい（例えば約０．２μｍ〜約０．６μｍの範囲内、特に約０．５μｍ）。ＥＵＶ透過型フィルタ１００のアパーチャは、約２μｍ〜約６μｍの範囲内、特に約３μｍ〜約４μｍの範囲内、例えば約４μｍの周期Ｑ２（図４Ｅに示す）を有してもよい。したがって、アパーチャは、フィルタ前面全体の約７０〜８０％の開放エリアを提供し得る。
【００７０】
[0082]  有利には、フィルタ１００は、多くて５％の赤外光（ＩＲ）透過を提供するように構成されている。さらに、有利には、フィルタ１００は、入射ＥＵＶ放射の少なくとも約６０％を法線入射で透過させるように構成されている。また、特に、フィルタ１００は、（法線方向に対して）１０°の入射角を有するＥＵＶ放射の透過の少なくとも約４０％を提供できる。
【００７１】
[0083]  上記のプロセスによって生成される半導体フィルタ部分１０２Ｆは、変形を伴わずにスペクトル純度フィルタとして機能することができる。一実施形態では、以下に説明するもののような変形は、フィルタ性能および寿命を改善するために実施されてもよい。一実施形態では、本発明によると、大気内の水素または他のラジカルによる攻撃から半導体材料を保護するために追加の（１つ以上の）層が提供される。実施形態は、半導体部分、結晶半導体部分、ドープ半導体部分、コート半導体部分、および少なくとも部分的に変形された半導体部分のうちの１つ以上から選択されたフィルタ部分１０２Ｆを含む。フィルタ部分１０２Ｆは、シリコン、ゲルマニウム、ダイヤモンド、ガリウム砒素、セレン化亜鉛および硫化亜鉛から選択された少なくとも１つの半導体材料を含んでもよい。
【００７２】
[0084]  図５および図６は、上記したプロセスによって製造されたスペクトル純度フィルタの例を図示する。図５は、約３μｍの周期を有するアパーチャを有するスペクトル純度フィルタの傾斜断面図の画像である。（視角のために補正された）アパーチャの深さは約１０．８μｍである。
【００７３】
[0085]  図６は、２つのアパーチャ間の壁の詳細な近接傾斜断面図である。図６に示すトップ層は、ボッシュ法のために使用されるＳｉＯ２ハードマスクであり、視角のための補正された場合、約４００ｎｍの厚さを有する。図６に最もよく示されるように、壁は織り目加工(textured)されており、特にリブ模様またはスカラップ模様であり、壁の表面に沿って周期的な厚みの変化を有する。このスカラップ効果は、上記のディープリアクティブイオンエッチング（ＤＲＩＥ）プロセスにおけるエッチングおよび不活性化のサイクルから生じる。従来、テクスチャーは、プロセス実用性およびスループットとの適合性の範囲に最小化される。しかしながら、本発明者は、これらのサイクルのエッチング速度および／または持続時間は、以下に説明するように、側壁の光学特性を変更するために適用され得る増幅テクスチャーを提供するために意図的に変更されてもよいことに留意する。
【００７４】
[0086]  図７は、本発明の一実施形態による独立型スペクトル純度フィルタ１００の上面図である。望ましくない１０．６μｍの放射の抑制のための異なるメカニズムに基づいて、いくつかのグリッドＳＰＦタイプを区別することができる。本発明の実施形態によるＳｉグリッドは、これらのグリッドタイプの仕様によって変更されてもよい。
【００７５】
[0087]  スペクトル純度フィルタでは、赤外透過は低くあるべきである。これは、入射放射を吸収または反射のいずれかを行うことによって達成することができる。吸収は高温のフィルタという結果となり、それにより寿命問題が予測され得るため、入射放射を反射することが望ましい。ほとんどの金属は赤外領域におけるその高複素屈折率により、その波長レジーム内ではほぼ理想のリフレクタである。したがって、本明細書中に記載される実施形態内のスペクトル純度フィルタグリッド上に金属コーティングを使用してもよい。以下に言及するようにＳｉＣ、ＴｉＮおよびＲｕＯｘ（全部が金属ではない）などの他のリフレクタを使用してもよい。
【００７６】
[0088]  図８は、金属反射層１０２Ｒの供給後、図７に示すようなフィルタのいくつかの側壁の概略断面図である。シリコングリッドフィルタ部分１０２Ｆは、一番上にその前面を有する。この文脈における前面は、放射が透過されて放射が減衰される面を指すために使用される。透過された放射、この例ではＥＵＶ放射は、後面（図８およびその後の図の最下部に示す）を通ってフィルタから出る。望ましくないＩＲ波長に対するフィルタの反射率を高めるために、グリッドの前面に反射型キャッピング層１０２Ｒが設けられたことが分かるであろう。この例における反射層１０２Ｒは、アパーチャ間の壁の前面のみをキャッピングするよりむしろ、側壁に沿っていくらかの距離延在する。
【００７７】
[0089]  異なる形態の反射層１０２Ｒを有するシリコンフィルタグリッドのためのＧＳｏｌｖｅｒシミュレーションパッケージを用いて得られるシミュレーション結果は、上記した２００８年１２月２２日に出願された同時係属中の米国仮特許出願第６１／１９３，７６９号に記載される。これらの結果は、Ｍｏがシリコングリッドの頂面のみに堆積されるところでは、所望のＩＲ波長の抑制を達成するために約２μｍの厚い金属コーティングが望ましい場合があることを示唆する。金属の厚さは、グリッドのより小さな周期を用いることによって減少させることができるが、その場合、望ましいＥＵＶ放射の透過も減少する傾向がある。しかしながら、図８に示すように、金属コーティングがシリコングリッドの頂面および側壁の両方を覆う場合、状況は劇的に変化する。その場合、ＩＲ透過は、数ナノメータだけの厚みのコーティングに対してすぐにほぼゼロに落ちる。そのような薄い厚みでは、ほとんどの力がグリッド内に吸収される。グリッドを実質的に反射型（例えば、反射率９５％）にするためには、約３０ｎｍだけ、または約５０ｎｍより小さいコーティングが必要である。薄いコーティングは、動作における熱応力の管理に対しても有利である。
【００７８】
[0090]  ＥＵＶ透過率の最小損失を伴って反射コーティングをフィルタ（例えばシリコン）グリッド上に適用するための一方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）である。このようにして、三次元コーティング構造１０２Ｒの一様なコーティングの厚さを達成することができる。コーティングの厚さが一様であるため、余分なコーティングな厚さにより、ＥＵＶ透過率の最小損失を伴って所望の赤外反射率を達成することができる。特に、ＡＬＤの適用により、グリッド上部における余分なコーティングの厚さを回避することができる一方、グリッド１０２Ｆの側壁１０６の下方への十分なコーティングの厚さを保持する。ＡＬＤは、原子層を一層ごとに堆積させるために自己限定的表面反応の交互のステップを使用する。堆積される材料は、前駆体により提供される。ＡＬＦ法は、例えば、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｃｏ，Ｃｕ，ＦｅおよびＮｉなどのいくつかの金属に対して公知である。一実施形態は、Ｍｏの代わりにルテニウム（Ｒｕ）からなる反射コーティング１０２Ｆを使用してもよい。多くの場合、Ｒｕは、フィルタを利用するシステムに既に存在する。例えば、リソグラフィ装置は、Ｒｕを含むＥＵＶソース−コレクタモジュールを有してもよい。あるいは、反射コーティング１０２Ｒは金属でない場合があるが、望ましくない放射に対して反射する別の材料、例えばＴｉＮまたはＲｕＯｘ、あるいは導体材料であってもよい。
【００７９】
[0091]  ＡＬＤの代わりに、ガルバニック成長（電着）を使用して反射コーティング１０２Ｒを堆積してもよい。金属も、例えば蒸発またはスパッタ堆積によってＳｉグリッド上に堆積されてもよい。
【００８０】
[0092]  １０μｍの厚さのグリッドの側壁を完全に覆う反射コーティングを適用することが実用的ではなく、または望ましくない場合がある。例えば、放射率を高めて、それによってグリッドの放射冷却を高めるために、グリッド１０２Ｆの後面を覆わないままにすることが有利であり得る。したがって、一実施形態では、コーティングは側壁の部分的下方のみに適用される。例えば、反射コーティングがグリッドの頂部およびグリッドの側壁に沿って最初の約２μｍ下方に適用された場合、光学挙動は側壁全体が覆われた場合と本質的に同じである。
【００８１】
[0093]  いくつかの異なる金属を使用することができるが、モリブデンは、その高い融点および立証された真空適合性により魅力的な候補である。しかしながら、多くの金属のように、モリブデンおよびルテニウムは高温において珪化物を形成することとなる。実験は、Ｓｉ上の２０ｎｍのＭｏ膜が８００℃における２４時間後には完全にシリサイド化されることを示す。この２０ｎｍのＭｏコーティングを有するフィルタは、この処理の前には１０．６μｍの入射放射のうち０．７％を透過した一方、後で１１％を透過した。これは、シリサイド層の光学特性が、影響を受けていない金属層のものと比較してあまり好ましくないことを示す。処理後のサンプルのＸＰＳ分析は、シリコン基板上にシリコンおよびモリブデンの両方を含む混合層を明らかにした。これは、珪化物形成を確立する。明らかに、珪化物形成は、フィルタの性能に直接影響を与える。（異なる形態における）以前の実験は、２００ｎｍのＭｏ層でさえも同じ状況下で完全にシリサイド化されることを確立した。シリサイド化後の２００ｎｍのＭｏ層は、依然として効果的なＩＲの遮断を有していたが、このような厚い層は欠点もあった。一潜在的な欠点としては、より厚いコーティング層は、温度サイクリングの下、薄いものより多く離層する傾向がある。別の潜在的な欠点としては、コーティングがアパーチャへと側壁の下方に延在するにつれて、開口部を縮小し、それによって所望の放射（この例ではＥＵＶ）の透過を減少させることである。
【００８２】
[0094]  珪化物形成を防ぐために、シリコン基板と２００ｎｍのモリブデン膜との間に２０ｎｍの酸化珪素（ＳｉＯ２）層を有する新しいサンプルが形成された。熱処理前および熱処理後の両方において、このサンプルの赤外透過は０．１％より低かった。ＸＰＳ分析は、シリコンを有さない純モリブデン金属層を示す。金属と基板との間の２０ｎｍの酸化珪素の層は、所定の状況下における珪化物形成を防ぐ。これにより、薄いＭｏ層（例えば、約１０ｎｍ〜約５０ｎｍの範囲内、例えば約２０ｎｍ）は、シリサイド化に抵抗して高温における長時間の使用中にその光学特性を保持し得る。
【００８３】
[0095]  図９は、反射金属層１０２Ｒの適用前の変形されたスペクトル純度フィルタ部分１０２Ｆを示しており、ここではグリッド材料の露光表面全体にわたってバリア層１０２Ｈが形成されている。図１０は、層１０２Ｒが前面上にのみに存在してあらゆる範囲にも側壁の下方へと延在しないことを除いて、バリア層がまた金属反射層１０２Ｒの前に適用されている、変形されたフィルタ部分１０２Ｆを示す。上記で説明したように、反射層の利点は、反射層がアパーチャへと下方に延在した場合に大きく増す。
【００８４】
[0096]  バリア層１０２Ｈは、金属層１０２Ｒと下層のシリコングリッド材料１０２Ｆとの間の材料の拡散によって珪化物の形成を防ぐか、またはかなり減衰させる材料からなる。好ましい実施形態では、バリア層１０２Ｈの材料は、Ｓｉまたは他のグリッド材料と比較して水素ラジカルによる攻撃に対してより抵抗力があるようにも選択される。これは、２００９年６月３０日に出願された同時係属中の米国仮特許出願第６１／２２２，００１号に開示された発明に従う。その別の出願に説明されたように、ＥＵＶリソグラフィ装置などのＥＵＶ光学システムにおける大気は、主に真空環境である中で多量の水素原子および／または水素分子を含むことが予測される。Ｈガスは、様々な汚染物質を防ぐ／取り除くためにバッファおよび／または反応剤として導入される。望ましくないことに、原子Ｈはフィルタ部分１０２Ｆのシリコン材料を攻撃する。
【００８５】
[0097]  バリア層１０２Ｈのための材料の例としては、上記の実験で述べたＳｉＯ２（二酸化珪素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化珪素）、Ｂ４Ｃ（炭化硼素）、Ｃ（炭素）、Ｍｏ２Ｃ（炭化モリブデン）、ＭｏＳｉ２（二珪化モリブデン）、ＷＳｉ２（二珪化タングステン）およびＷＣ（炭化タングステン）が挙げられる。Ｂ４Ｃ、Ｃ、Ｍｏ２Ｃ、ＭｏＳｉ２、ＷＳｉ２およびＷＣは、Ｍｏ／ＳｉおよびＷ／Ｓｉインターフェースの相互拡散を減速させるために特に適している。他の材料は、他の半導体基板および他のタイプの基板材料のためのバリア層材料として考慮されてもよい。これらの材料の各々は、以下に記述するように、光学性質、製造の容易さ、基板材料、反射材料および他の層との適合性の観点から潜在的な利点および不利な点を有する。
【００８６】
[0098]  拡散バリア層１０２Ｈの供給のために３つの幅広い種類のプロセスが考えられる。第１のタイプのプロセスでは、保護層１０２Ｈの材料は、単に、金属層１０２Ｒの堆積の前にフィルタ部分１０２Ｆのグリッド材料上に堆積される。図１１は、保護材料がフィルタ部分１０２Ｆにおけるシリコンなどの基板材料の表面層を変形することによって形成される、第２のタイプのプロセスを示す。図１２は、保護層１０２Ｈがツーステッププロセスによって適用される第３および第４のタイプのプロセスを示す。第１のステップ（１２Ａ）では、前駆体材料１０２Ｐがフィルタ部分１０２Ｆに適用される。第２のステップ（１２Ｂ）では、前駆体材料は、環境との相互作用によって変形されるか、または基板材料を変形して保護材料１０２Ｈを形成する。
【００８７】
[0099]  これらのプロセスは、単独でまたはお互いを組み合わせて使用することができる。異なる材料およびプロセスは、原理上、構造の異なる部分において使用することができる。例示的保護材料を生成するための例示的プロセスは以下に記述されるが、これらは、所定の材料を生成するために適用可能である唯一のプロセスとして受け取るべきではない。プロセスの選択は、例えば基板の全ての部分にわたって一様なコーティングが達成されるか、または特定の面が優先的にコーティングされて他の部分にコーティングがある場合はその部分は単に弱くコーティングされるかの決定もする。いずれの場合においても、次のステップは、金属反射層を拡散バリア層の上に設けることである。これは、図１１ではステップ１１Ｂであり、図１２ではステップ１２Ｃである。
【００８８】
[00100]  上述したように、ＳｉＯ２のほかに、例えばＢ４Ｃなどの他の拡散バリア層が同じ有益な効果を有し得る。Ｓｉ３Ｎ４は窒化によってグリッド上に形成することができ、かつフィルタ配置で存在し得る水素大気において不活性であるため、Ｓｉ３Ｎ４は別の魅力的な材料である。
【００８９】
[00101]  シリコン基板上のＳｉ３Ｎ４層１０２Ｈの例としては、第２のタイプの方法によって窒化物材料を生成することができる。既にグリッド形態に成されたフィルタ部分１０２Ｆは、窒素ラジカルまたはイオンの流れにさらされる（ステップ１１Ａ）。これは、例えば冷たい窒素プラズマである。シリコンとのこれらのラジカルの相互作用は、図面中にステップ１１Ａの後に示すように、表面上に薄膜のＳｉ３Ｎ４を形成する。その後、ステップ１１Ｂでは、ＡＬＤ、スパッタ堆積または他のプロセスによってＭｏなどの金属層が形成される。Ｓｉ３Ｎ４層１０２Ｈは効果的な拡散バリアとして機能し、層１０２Ｒの反射特性は、高温への長時間露出の後、元の状態を保つ。約５ｎｍから約２０ｎｍの間の領域の厚さは、拡散バリアが長時間のフィルタの使用にわたって効果的であるために十分であると考えられる。さらに、反射層１０２Ｒがバリア層１０２Ｈを覆わないフィルタの後部では、フィルタ部分１０２Ｆのシリコン材料は、水素攻撃から保護される。層１０２Ｈの厚さは、例えば約５０ｎｍより小さく、特に５ｎｍから約３０ｎｍまたは約２０ｎｍの範囲内であってもよい。
【００９０】
[00102]  ＳｉＯ２を生成するためには、シリコン基板を酸素プラズマまたは単にＯ２大気内で加熱することが周知である。約５ｎｍから約２０ｎｍの間の領域の厚さは、拡散バリアが長時間のフィルタの使用にわたって効果的であるために十分であると考えられる。金属コーティングが適用されない箇所、例えばフィルタの後部では、薄い層のＳｉＯ２でさえ水素攻撃から保護することができる。約１ｎｍから約５０ｎｍまたは約５ｎｍから約２０ｎｍまでが十分であり得る。
【００９１】
[00103]  Ｂ４Ｃ層に対して、適切なプロセスはＣＶＤ（化学気相成長法）またはＰＶＤ（物理気相成長法）を含む。
【００９２】
[00104]  シリコン基板上のＳｉＣ層１０２Ｈの例として、シリコン基板の表面層を変形させることによって炭化物材料を生成することができる。基板をほぼ真空においてメタン（ＣＨ４）に露出されて加熱することは一方法である。また、ＳｉＣによって、約１ｎｍから約５０ｎｍの薄い層は水素攻撃から保護することができる。約５μｍから約２０μｍの間が、拡散に対する効果的バリアを提供することが期待される。
【００９３】
[00105]  バリア材料の各々は、それ自体の光学特性、および例えば水素抵抗などの特性を有する。炭化珪素ＳｉＣは、特に、望ましくないＩＲ波長において比較的高い反射率を有する。光学特性が活用されるところでは、層の厚さは、単に水素シールドのために所望されるものより厚くなるように所望の光学特性によって規定され得る。薄いコーティングは、特に材料が基板とは非常に異なる熱膨張を有するところでは、動作における熱応力の管理に有益である。厚すぎるコーティングは、熱膨張係数における差によって離層し得る。
【００９４】
[00106]  一般的には、拡散バリアはグリッド構造を完全に囲い込む一方、金属コーティングはグリッドの前側およびアパーチャの中にのみ適用される（図１および図２を参照）。その場合、拡散バリアの光学特性は、グリッドの後側の放射率に影響を与える。熱放射を最適化するために、近ＩＲ範囲における高放射率を有する拡散バリア材料を選択することが好ましい。この点において、Ｓｉ３Ｎ４は純シリコンと比較して非常に良い。一部のＳＰＦでは、１０．６μｍの放射または他の望ましくない放射はグリッド材料に部分的に吸収され得る。そのようなグリッドは、ドープＳｉを用いて本発明の実施形態によって実現することができる。本発明のこの態様による典型的な実施形態は、１０１８原子／ｃｍ３を超えたドーピング濃度を有するＳｉグリッドを含む。同時係属中の米国仮特許出願第６１／１９３，７６９号に説明されたように、Ｓｉの屈折率は、ＳｉをＰまたはＡｓなどのｎ型不純物とドーピングすることによって実質的に変化され得る。ドーピングの高い値は、グリッド材料を透明よりむしろ実質的に吸収性がある状態にする。
【００９５】
[00107]  ドープＳｉグリッドの製造方法は、上述した純Ｓｉグリッドと同じであってもよく、初期材料は純ＳｉよりむしろドープＳｉを含む。ドーピングがＤＲＩＥプロセスを著しく影響することは予測されない。代替の製造方法では、ドーピングはグリッドの製造後に導入されてもよく、例えばイオン注入または熱拡散によって導入される。このステップをとる価値があるか否かは、フィルタによって所望される性能、および反射キャッピング層などの他の手段がさらなる他の手段を不必要とするほど十分であるか否かによる。
【００９６】
[00108]  フィルタシステム１０８には、１つ以上のスペクトル純度フィルタ１００およびディフューザ１１０が設けられる（図１３参照）。このスペクトル純度フィルタ１００のうちの１つ以上は、極端紫外線を透過させるように構成されてもよい。スペクトル純度フィルタ１００は、本発明によるスペクトル純度フィルタ１００であってもよい。ディフューザ１１０は、第２のタイプの放射を再分配するように構成されている。ディフューザ１１０は、さらなるスペクトル純度フィルタであってもよい。あるいは、ディフューザ１１０は、フレネルゾーンプレートであってもよい。
【００９７】
[00109]  第２のタイプの放射を再分配することに加えて、ディフューザ１１０は、スペクトル純度フィルタ１００を保護することができる。図１３では、ディフューザ１１０およびスペクトル純度フィルタ１００は中間焦点１２に対する光路に沿って下流に配置されているが、ディフューザおよびスペクトル純度フィルタ１００は、別の実施形態では、光路内の別の場所に配置されてもよい。
【００９８】
[00110]  第２のタイプの放射の不均質負荷を補償する別のまたは更なる方法は、スペクトル純度フィルタ上の異なる箇所に異なる厚さのバリア層を設けることである。スペクトル純度フィルタの一部の箇所では、バリア層が完全に存在しない場合もある。バリア層の厚さにおける推移は、段階的または急激であってもよい。
【００９９】
[00111]  シリサイド化抵抗性を有するスペクトル純度フィルタを組み込み図１および図２の装置は、リソグラフィ製造プロセスに使用されてもよいことが理解されるであろう。このようなリソグラフィ装置が、ＩＣ、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用されてもよい。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【０１００】
[00112]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【０１０１】
[00113]  本発明の実施形態は、放電生成プラズマ源（ＤＰＰ源）またはレーザ生成プラズマ源（ＬＰＰ源）を含むがそれらに限定されない、あらゆるタイプのＥＵＶ源に対して使用されてもよいことが理解されるであろう。しかしながら、本発明の一実施形態は、特に、典型的にはレーザ生成プラズマ源の一部を形成するレーザ源からの放射を抑制するために適していてもよい。これは、そのようなプラズマが、多くの場合、レーザから発生する二次放射を出力するからである。
【０１０２】
[00114]  スペクトル純度フィルタは、実際には放射経路のあらゆる箇所に配置されてもよい。一実施形態では、スペクトル純度フィルタは、ＥＵＶ放射源からＥＵＶを含む放射を受けてＥＵＶ放射を適切な下流ＥＵＶ放射光学システムへと運ぶ領域内に配置されており、ここでＥＵＶ放射源からの放射は、光学システムに入る前にスペクトル純度フィルタを通るように構成されている。一実施形態では、スペクトル純度フィルタはＥＵＶ放射源内にある。一実施形態では、スペクトル純度フィルタは、ＥＵＶリソグラフィ装置内、例えば照明システムまたは投影システム内にある。一実施形態では、スペクトル純度フィルタは、プラズマの後ではあるがコレクタの前の放射経路内に配置される。
【０１０３】
[00115]  本発明の特定の実施形態が上記に説明された一方、本発明が記載されたものとは別の方法で行われてもよいことが理解されるであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【外国語明細書】
2011014899000001.pdf