(57)【要約】【課題】  基板上面に形成された窪みの底面に貫通孔を設けて貫通電極を形成する際に、窪みの底面と貫通電極の表面とを平坦化し、窪みに実装される電子素子の信頼性を向上させる。【解決手段】  パッケージ基板１の下面５に、貫通孔４を塞ぐように電極１１を配置する。この電極１１を陰極として電気めっきで貫通孔４に金属を充填して貫通電極２１を形成する。これにより、貫通孔４に貫通電極２１を容易に充填でき、窪みの底面６と貫通孔４の表面を平坦化することができる。【選択図】  図１
2011060859.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に貫通孔を形成する工程と、
前記基板の下面に電極を設ける工程と、
前記下面の電極を陰極とし、電気めっきにより前記下面の電極に直接金属を堆積して前記貫通孔を充填し、貫通電極を形成する工程と、
前記下面の電極を加工して外部電極を形成する工程と、
前記貫通電極に電子素子を電気的に接続する工程と、を備えた電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記基板の上面には窪みが形成され、前記貫通孔は前記窪みの底面に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記貫通孔を設ける工程で、前記貫通孔の側面の形状がテーパーであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記貫通電極を形成する工程で、前記電気めっきには硫酸銅を含む溶液が用いられることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
上下方向に貫通する貫通電極が形成された基板と、
前記基板の下面に、前記貫通電極の下部に接続するように設けられた外部電極と、
前記貫通電極の上部に電気的に接続される電子素子と、を備えるとともに、
前記貫通電極が、前記外部電極を陰極とする電気めっきにより前記外部電極に直接堆積された金属により形成されたことを特徴とする電子部品。
【請求項６】
前記貫通電極は、断面積が変化する形状であることを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記貫通電極は、前記基板の上面に対し斜めに形成されたことを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
【請求項８】
前記貫通電極は、螺旋形状であることを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子素子が実装された電子部品、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＲＦデバイス、光デバイスや、半導体素子を載置した回路基板等が使用される電子デバイスの分野において、基板の表面から裏面にかけて貫通する貫通電極が形成されている。特に、ＲＦデバイスや光デバイスにおいては、小型化、低抵抗化及び熱伝導性の向上が求められる。
【０００３】
図１７は、貫通電極が形成された基板を使用した静電容量型圧力センサの断面構造を表す。この圧力センサは、ガラス基板５５の上に、凹部が形成された半導体基板５１を、凹部側をガラス基板側にして陽極接合している。半導体基板５１の凹部は密閉空間となっており、この密閉空間のガラス基板５５側にはメタライズ層５６と固定電極５４からなる積層電極が形成されている。密閉空間の半導体基板５１側の凹部には変位電極５３が形成されている。ガラス基板５５には金属線５７が埋め込まれて貫通電極が形成され、積層電極と裏面に形成されたバンプ５８との間の導通がとられている。同様に、半導体基板５１の上面にはアルミ配線５２が形成され、そのアルミ配線５２が半導体基板５１を貫通して延在し、変位電極５３と電気的に接続されている。このように、基板に貫通電極を形成することにより、実装面積が小さく、信頼性の高いデバイスを提供することが知られている。ガラス基板５５に金属線５７を埋め込む方法は次の通りである。ガラス材料を約１５００〜１６００℃に加熱して溶融する。次に、２６００℃以上の高融点金属、例えばモリブデンやタングステンをこの溶融ガラスに埋め込んで除冷する。これをスライスし、切り出した板を研磨して貫通電極入りのガラス基板が形成される（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
また、上記の他に、基板に貫通電極を形成する方法としては、基板に貫通孔を形成し、この貫通孔の側壁にメッキ処理を施してＣｕやＮｉ等の金属膜を堆積する方法、或いは、導電性フィラーと樹脂バインダーを混練した導電性ペーストを貫通孔に充填し、比較的低温で焼成して貫通電極とする方法などが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２０１４１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
貫通孔が形成されるガラス基板の表面及び裏面が平面である場合は、上述の貫通電極の形成方法により、貫通孔に導電ペーストを容易に充填することができる。また、その後の平坦化処理においても、研磨によって不要箇所の導電ペーストを除去し、平坦な表面を形成することが容易である。しかし、貫通孔が形成されるガラス基板の表面に窪みが形成されている場合は、貫通電極を形成する際に以下のような課題が生じる。
【０００７】
例えば、導電ペーストを貫通孔にスクリーン印刷法等により充填する場合、窪みが形成された側から印刷すると、貫通孔以外の窪みの内壁や底面にも導電ペーストが印刷されてしまう。更に、この内壁や底面に印刷された導電ペーストを除去することも難しい。また、窪みが形成されていない側から印刷すると、導電ペーストが窪みの底面まで十分に充填されなかったり、窪みの底面から突出したりして、充填された導電ペーストの表面と窪みの底面とを平坦にさせることが難しい。また、ディスペンサを用いて窪みの形成された側から貫通孔に導電ペーストを充填すると、導電ペーストがそのチクソ性の影響で尾を引き、表面に角状の突起が残ってしまう。この突起は、その上に実装する電子素子に局所的な応力を加え、実装の際に電子素子が割れる等の原因となった。また、窪みの底面に突起が残ると、これを平坦化するのも容易でない。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の電子部品の製造方法は、基板上面に設けられた窪みの底面に貫通孔を形成し、窪みの底面とは反対の基板下面に貫通孔を塞ぐように電極を配置することとした。さらに、この電極を陰極として電気めっきで貫通孔に金属を充填して貫通電極を形成する。
【０００９】
さらに、貫通孔の側面の形状がテーパーであってもよい。
【００１０】
また、電気めっきに硫酸銅を含む溶液を用いることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の電子部品の製造方法によれば、基板の窪みの底面に形成された貫通孔に金属電極を容易に充填できる。また、基板の下表面にパターニング処理等によって外部電極を形成することもできる。さらに、めっき条件の制御により、窪みの底面と、その底面に露出する貫通電極の表面とを略同一平面に平坦化して、貫通電極上に実装される電子素子の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施例に係る電子部品の製造工程を説明する模式図である。
【図２】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図８】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図９】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図１０】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図１１】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す模式図である。
【図１２】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図１３】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す模式図である。
【図１４】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す模式図である。
【図１５】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す模式図である。
【図１６】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す模式図である。
【図１７】従来公知の電子デバイスの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の電子部品の製造方法は、基板に貫通孔を形成し、基板の下面に電極を設ける。この下面の電極を陰極とし、電気めっきにより下面の電極に直接金属を堆積していく。その結果、堆積した金属が貫通孔を充填し、貫通電極が形成される。さらに、この下面の電極は加工され、外部電極を形成する。これにより、外部電極と貫通電極が金属結合される。そして貫通電極に電子素子を電気的に接続する。なお、基板の上面に窪みを形成し、この窪みの底面に貫通孔を形成してもよい。
【００１４】
さらに、貫通孔の側面がテーパー形状に形成されることにより、貫通電極が裏面側へ抜けるのを防止することができる。
【００１５】
また、本発明の電子部品は、上下方向に貫通する貫通電極が形成された基板と、貫通電極の下部に接続するように基板の下面に設けられた外部電極と、貫通電極の上部に電気的に接続される電子素子を備えている。このとき、貫通電極は、外部電極を陰極とする電気めっきにより外部電極に直接堆積された金属により形成されている。また、基板の上面は凹状に形成されており、貫通電極の上部は凹状の底面で露出するように構成されている。
【００１６】
以下、本発明の電子部品の製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。
【００１７】
図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明に係る電子部品の製造方法の基本的な工程を説明する図で、各工程におけるパッケージ基板１の断面を模式的に示す。
【００１８】
まず、図１（ａ）に示すように、パッケージ基板１に窪み３と貫通孔４を形成する。貫通孔４は、窪みの底面６から下面５へ貫通している。パッケージ基板１として、ガラス基板やセラミックス基板、あるいはプラスチック基板を用いることができる。窪み３と貫通孔４は、成形プレス法、あるいは、サンドブラストやエッチングによりパッケージ基板１に形成することができる。また、パッケージ基板１は、予め窪み３を形成した基板と貫通孔４を形成した基板を接合して形成することができる。貫通孔４は、１個であってもよいし、複数個であってもよい。
【００１９】
窪み３の内壁は、窪みの底面６からパッケージ基板上面２に向けてテーパー形状となっている。窪み３の内壁をテーパー形状とすることにより、型を用いた成形法で窪み３を形成する場合に、パッケージ基板１を型から容易に離型させることができる。さらに、テーパーを有する内壁に反射面が形成されてもよい。反射面が形成されることにより、窪みの底面６にＬＥＤ素子を実装する場合に、ＬＥＤ素子から発光した光を効率よく上方に出射させることができる。
【００２０】
貫通孔４の縦断面は、パッケージ基板下面５から窪みの底面６に末広状に形成した。これにより、型を用いた成形法により貫通孔４を形成する場合に、パッケージ基板１を型から容易に離型させることができる。また、後に貫通孔４に充填される貫通電極２１が裏面側へ抜けるのを防止することができる。なお、貫通孔４は、下面５から窪みの底面６に末広状に形成されることに限定されない。貫通孔４は、窪みの底面６から下面５に向けて末広状に形成されてもよいし、厚み方向の中央部の開口径を絞った形状、即ち、貫通孔４の中央部から窪みの底面６及び下面５に向けて両方向に末広状となる形状に形成されてもよい。貫通孔４が両方向に末広状となる形状である場合には、後に充填する貫通電極２１をパッケージ基板１の下面５側へも、窪みの底面６側へも抜け難くすることができる。
【００２１】
次に、図１（ｂ）に示すように、下面５に電極１１を貼り付ける。このとき電極１１の上面は、下面５側と接する面とする。電極１１としては銅箔を使用することができる。
【００２２】
さらに、貫通穴４にめっき法により、貫通電極２１を形成する。まず、図１（ｃ）に示すように、電極１１を貼ったパッケージ基板１をめっき液１４に浸漬する。電極１１に対向する対向電極１２を設置し、めっき電源１３を用いて電極１１と対向電極１２との間に電圧を印加する。析出した金属は、電極１１上に直接、堆積していく。その結果、貫通孔４が金属によって充填され、貫通電極２１が形成される。貫通電極２１を形成する金属が、窪みの底面６と略同一平面まで析出されたら、パッケージ基板１をめっき液１４から取り出す。
【００２３】
このようにして、図１（ｄ）に示すように、窪み３側の貫通電極２１の表面は窪みの底面６と略同一の平面となるので、その上に実装されるＬＥＤ素子２３が、割れたり、長期的に不均一な応力が加えられたりすることがない。それ故、実装した電子素子の信頼性を確保することができる。
【００２４】
次に、図１（ｅ）に示すように、窪みの底面６に露出する貫通電極２１ａの上部に導電材２２を設けてＬＥＤ素子２３の図示しない電極と電気的に接続させて固定する。更に、ＬＥＤ素子２３の上面に形成した図示しない電極と他の貫通電極２１ｂとをワイヤー２４により電気的に接続する。また、必要に応じて、ＬＥＤ素子２３やワイヤー２４を封止する封止材を窪み３の内部に塗布することができる。なお、パッケージ基板の電極１１は、フォトエッチング等を用いて加工され、正電極１６と負電極１７とに分割され、外部電極として機能することになる。
【００２５】
図２〜図１６は、本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を表す模式図である。以下、電子素子としてＬＥＤ素子２３を用いた製造方法を詳細に説明する。
【００２６】
図２は、定盤３１と型３２の間にガラス材３３を挿入した状態を表す断面図である。図３は、成形後のパッケージ基板１の断面模式図である。最初に、定盤３１の上にパッケージ材料としてガラス材３３を設置し、ガラス材３３が軟化する温度３００℃〜８００℃に加熱する。型３２の表面に、凸部３４やテーパー３５等が形成されている。凸部３４は、貫通孔４を形成するための部分であり、テーパー３５は窪み３の内壁面にテーパーを形成するための部分である。型３２も温度３００℃〜８００℃に加熱して、下部のガラス材３３に押圧することによって、図３に示すように、窪み３及び貫通孔４を有するパッケージ基板１を形成する。
【００２７】
なお、窪み３は、平面的形状が円形のすり鉢状の形状を有しており、貫通孔４は、その口径がパッケージ基板下面５から窪みの底面６に向けて末広状に拡大するように形成されている。つまり、パッケージ基板１を形成する際には、窪み３、貫通孔４はテーパー形状に形成される。これは、型３２をパッケージ基板１にプレスした後の離型が容易になり、更には貫通電極２１の下面側への離脱を抑制するためである。また、具体的な寸法の一例としては、貫通孔４は、その表面側の直径がφ４００μｍ、その裏面側の直径がφ２００μｍ、高さが４００μｍの略逆円錐台形としている。また、貫通孔４の平面的形状は、円形や楕円形、多角形、矩形等のどのような形状であってもよい。また、後で図１１に示すように５個の貫通孔４を有するパッケージ基板１を形成したが、その数は限定されない。
【００２８】
また、このような熱プレス法に代えてサンドブラスト法やエッチング法により貫通孔４を形成することができる。ただし、サンドブラスト法では個々に孔を形成しなければならず、またエッチング法ではフォトマスクの形成等、工程数が増加する。なお、パッケージ基板１として、ガラス基板に代えてセラミックス基板を使用することができる。その場合には、焼結前のグリーンシートにプレス法により孔を形成し、焼結して貫通孔４付のセラミックス板を得ることができる。
【００２９】
図４は、パッケージ基板１の下面５に接着剤１５を塗布した状態を示す断面図である。図５は、接着剤１５を介して電極１１を貼り付けた状態を示す断面図である。図４に示すように、下面５に接着剤１５を塗布する。接着剤１５としてはエポキシ系接着剤等が適している。貫通穴４に対応する位置にあらかじめプレス加工等で穴加工したシート状の接着剤１５をラミネートしたり、または液状の接着剤１５をスクリーン印刷やオフセット印刷したりすることで容易に塗布することができる。図５に示すように電極１１を接着剤１５を介して下面５に貼り付ける。電極１１としては厚み１０μｍ〜４０μｍ厚程度の銅箔を使用する。銅箔厚みは、薄いとシワ・切れが起こり易く、厚いと後のパターニング・重量・価格で不利になるので、１６μｍ〜３２μｍ厚銅箔が特に好ましい。パッケージ基板１と電極１１を加熱加圧して接着剤１５を硬化することにより、パッケージ基板下面５に電極１１を貼り付けることができる。
【００３０】
図６及〜図８は、電気めっき法により貫通電極２１を貫通孔４に充填する様子及び充填した状態を表す模式図である。図６は電極１１が貼り付けられたパッケージ基板１を対向電極１２とともにめっき液１４に浸漬した状態を示している。ここでめっき電源（図示しない）から電極１１に負の電位、対向電極１２に正の電位を印加する。対向電極１２としては、溶解性の含りん銅電極、もしくは不溶解性のチタン電極を用いることができるが、不溶解性電極の方がめっき液を安定させることができる。めっき液１４は、硫酸銅を主体とした硫酸銅めっき液とする。このめっき液は、硫酸銅、硫酸、塩酸、添加剤からなる水溶液である。添加剤は、ポリマー、ブライトナー、レベラーからなる。ここでポリマーはポリエチレングリコール（以下ＰＥＧと略す）のようなノニオン系界面活性剤であるポリエーテル化合物を使用する。塩酸から生成する塩素イオンはＰＥＧの共存下で銅（Ｉ）イ
オンと錯体を形成し、高電位部に吸着してめっきによる銅の析出を抑制する。ブライトナーはビス３スルフォプロピルジスルフィド(以下ＳＰＳと略す)のようなスルフォン基を有する有機硫化物を使用する。ＳＰＳは表面の光沢性向上だけでなく復極効果による貫通穴底部での銅電析出促進作用により貫通電極の埋め込みを改善する効果がある。レベラーはチオ尿素、ヤヌスグリーン、またはポリアミン誘導体を使用する。めっき電流密度は１〜１０Ａ/ｄｍ２の範囲で選定する。貫通電極２１がテーパー状の貫通穴４中に析出するに従い貫通電極のめっき液に接する面の表面積が増大していくので、電流密度を一定にするように電流を制御する。
【００３１】
図７はめっき液中で貫通電極２１が形成されていく様子を示している模式図である。電気めっきにより析出した金属は、電極１１上に直接堆積し、貫通孔４を充填して貫通電極２１が形成されていく。めっき電流密度、めっき時間、めっき液各成分の濃度等のめっき条件を制御することで窪みの底面６と窪みの底面６に露出する貫通電極２１の表面とを略同一平面に平坦化することができる。図８はめっき液中からパッケージ基板１を取り出した状態を示す模式図である。貫通電極２１と電極１１は電気めっきによる金属結合により強固に接続している。図９は電極１１をフォトパターニングとエッチングにより正電極１６と負電極１７の２つの領域に分割した状態を示す模式図である。電極１１の表面にエッチングレジストを形成し、エッチング液によって電極１１の一部を除去して、正電極１６と負電極１７に分割する。窪み３に反射膜１８を形成する。この反射膜１８は、導電ペーストのメタライズや、金属材料のスパッタリング又は蒸着により形成することができる。反射膜１８は、窪み３の底面にも形成してもよい。
【００３２】
図１０は、ＬＥＤ素子２３の実装及び封止を行ったパッケージ基板１の断面図であり、図１１はその上面図である。図１０及び図１１に示すように、パッケージ基板１の窪み３にＬＥＤ素子２３を実装する。ＬＥＤ素子２３を、導電材２２を介在して貫通電極２１ａの露出面に載置し、加熱しながら押圧して接着する。ＬＥＤ素子２３の裏面には図示しない電極が形成されており、貫通電極２１ａとＬＥＤ素子２３とを機械的及び電気的に接続する。導電材２２は、半田バンプや金バンプを使用することができる。また、導電材２２として、導電性接着材を使用することができる。
【００３３】
さらに、ＬＥＤ素子２３を貫通電極２１ｂにワイヤー２４により接続する。ＬＥＤ素子２３の上面には図示しない電極が形成されている。ワイヤー２４として金の細線を使用することができる。なお、ワイヤー２４を使用して接続することに代えて、ＬＥＤ素子２３を貫通電極２１ｂまで延長し、ＬＥＤ素子２３の裏面に貫通電極２１ａ、２１ｂを対応させた２つの電極を形成し、面実装により一括して電気的及び機械的に接続してもよい。
【００３４】
そして、窪み３に封止材２５を充填してＬＥＤ素子２３を封止する。この封止材２５として、絶縁性の透明樹脂材を使用することができる。透明樹脂材の例としてはシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、両者を混合したハイブリッド樹脂等がある。また、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを重合・硬化させたシリコン酸化物を形成することができる。特に、金属アルコキシド又はポリメタロキサンから作成した金属酸化物を封止材２５とした場合は、ガラスからなるパッケージ基板１もシリコン酸化物であることから、熱膨張係数が近似し、良好な接着性及び封止性を得ることができる。
【００３５】
このように、ＬＥＤ素子２３の下部に貫通電極２１ａを設け、この貫通電極２１ａに正電極１６が電気めっきによる金属結合で接続するようにしたので、ＬＥＤ素子２３の発光により発生した熱は、貫通電極２１ａ及び正電極１６を介して外部へ効率よく放熱することができる。そのため、一つの窪み３に複数のＬＥＤ素子２３を設けて発光輝度を向上させる場合でも、ＬＥＤ素子２３の自己発熱による発光効率の低下を防ぐことができる。また、窪み３を下部から上部に向けてその口径が末広状に拡大する形状としたので、ＬＥＤ素子２３から発光した光に指向性を付与することができる。また、貫通電極２１は電極１１側から窪みの底面６にむかって末広がり形状になっているのでパッケージ基板１からの抜け落ちは起こらない。
【００３６】
なお、上述した実施例においては、パッケージ基板１を成形法により成形した例を説明したが、これに限定されない。例えば、パッケージ基板１に貫通電極２１を形成した板状体と、窪み３を構成するための枠を当該板状体に貼り合わせた構造とすることもできる。また、パッケージ基板１の窪み３をサンドブラスト法やエッチング法により形成してもよい。
【００３７】
また、上述した実施例においては、（１）ガラス材料の成形→（２）貫通電極の形成→（３）外部電極の形成→（４）発光素子の実装→（５）封止材の形成の順であるが、この工程順に限定されない。例えば、（１）ガラス材料の成形→（（２）貫通電極を形成→、後に、（４）発光素子の実装→（５）封止材の形成→（３）外部電極の形成の順であっても良い。
【００３８】
また、上記実施例においては、貫通電極２１がパッケージ基板下面５から窪みの底面６に向けて末広状に拡大するように形成されているが、この形状に限定されない。図１２は、貫通電極２１が他の断面形状を有する電子部品の断面模式図である。図１２に示すように、貫通電極２１は、窪みの底面６とパッケージ基板下面５の中間部で口径が絞られている。このときの貫通孔４は、パッケージ基板上面２側とパッケージ基板下面５側から２回に分けて成形することにより形成することができる。この貫通孔４に充填された貫通電極２１は、上記実施例と同様貫通孔４から抜け落ちることがない。
【００３９】
また、図１３〜図１５は貫通孔４の別の例の模式図である。図１３（ａ）、図１４（ａ）、図１５（ａ）は貫通穴４を有する基板１の断面図、図１３（ｂ）、図１４（ｂ）、図１５（ｂ）は貫通穴４を有する基板１を上面から見た模式図、図１３（ｃ）、図１４（ｃ）、図１５（ｃ）は、貫通電極２１を形成した基板１の断面図である。図１３に示す例では貫通孔４の中間部断面積が大きくなった中ぶくれ状貫通孔である。図１４に示す例では貫通孔４の軸が基板の水平面と垂直ではなく傾いている貫通孔である。表面と裏面を垂直に結ぶことが出来ない場合でも傾いた貫通孔４に貫通電極を形成できる。図１５に示す例では貫通孔４の軸が螺旋を描いている。このような形状の貫通孔４に対しても、本実施例のめっき法によれば貫通電極２１を形成することができる。
【００４０】
また、上述した実施例においては、１つのパッケージ基板１に対して１箇所の窪み３を形成し、１箇所の窪み３に対して、複数の貫通孔４を形成し、１個のＬＥＤ素子２３を配置した構成であったが、これに限定されず、例えば、１箇所の窪み３に対して複数のＬＥＤ素子２３を配置してもよい。また、例えば、１箇所の窪み３に対して１箇所の貫通孔４が形成する構成であってもよい。また、例えば、１つのパッケージ基板１に対して複数箇所の窪み３を形成する構成であってもよい。
【００４１】
また、パッケージ基板１の多数個取りを行うことも可能である。図１６は、パッケージ基板１の多数個取りを説明するための模式図である。図１６では、１枚の大板基板４０から７７個のパッケージ基板１を同時に製造する。１個のパッケージ基板１は、縦切断ライン４１、及び、横切断ライン４２により区画されており、それら縦切断ライン４１及び横切断ライン４２に沿って個々のパッケージ基板１に分離する。分離は、ダイシング又はスクライブ等により行うことができる。なお、取り個数は７７個に限定されない。また、貫通電極２１ａ、２１ｂの個数や径は、ＬＥＤ素子２３の数、供給する電流、放熱量等により適宜設定すればよい。
【００４２】
このように、大板基板４０に複数の窪み３を形成し、それら複数の窪み３のそれぞれに図３に示したように貫通孔４を形成する。そして、複数の窪み３のそれぞれに対応し、図５に示したように複数の貫通孔４を塞ぐ位置に電極１１を接着剤１５で貼り付ける。従って、複数の窪み３における複数の貫通孔４を裏面側から電極１１で塞ぐことができ、多くの貫通電極２１を同時に容易に形成することができる。また、この電極１１は、フォトパターニングとエッチングによって多数の正電極１６と負電極１７に分割できる。
【００４３】
また、上記実施例においては、パッケージ基板１を通常のガラス材料から作成したが、これに限定されず、例えば、樹脂やセラミック等から作成してもよい。また、上記実施例においては、電子部品として発光デバイスを採用したが、これに限定されず、他の電子部品を採用してもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１  パッケージ基板
２  上面
３  窪み
４  貫通孔
５  下面
６  窪みの底面
１１  電極
１２  対向電極
１３  めっき電源
１４  めっき液
１５  接着剤
１６  正電極
１７  負電極
１８  反射膜
２１  貫通電極
２２  導電材
２３  ＬＥＤ素子
２４  ワイヤー
２５  封止材
２１  定盤
３２  型
３３  ガラス材
３４  凸部
３５  テーパー
４０  大板基板
４１  縦切断ライン
４２  横切断ライン
５１  半導体基板
５２  アルミ配線
５３  変位電極
５４  固定電極
５５  ガラス基板
５６  メタライズ層
５７  金属線
５８  バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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